(57)【要約】【課題】温度に基づいた装置動作のためのシステムおよび方法を提供する。【解決手段】一例では、装置は第１のメモリと温度検出モジュールとを含んでいてもよく、温度検出モジュールは、装置の温度を測定し、温度に基づいて第１のメモリのデータ記憶挙動を修正するように適合されている。装置は第２のメモリをさらに含んでいてもよく、温度検出モジュールは、温度しきい値を上回る場合、データがより少ない頻度で第１のメモリに書込まれ、より多い頻度で第２のメモリに書込まれるよう指示してもよい。温度検出モジュールはまた、温度しきい値を上回る場合、装置についての動作制限、たとえばバックグラウンド診断の実行の制限や他の動作制限の実施などを実施してもよい。いくつかの実施例では、湿度、高度、空気圧、物理的衝撃、または他の要因といった他の環境要因が監視されてもよく、それらの要因に基づいて装置動作が修正されてもよい。【選択図】図１
2013117965.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
第１のメモリと、
温度検出モジュールとを含み、温度検出モジュールは、
装置の温度を測定し、
温度に基づいて第１のメモリのデータ記憶挙動を修正するように適合されている、装置。
【請求項２】
第２のメモリをさらに含み、
温度検出モジュールはさらに、温度が温度しきい値を上回る場合、第１のメモリ用に意図されたデータが第２のメモリに書込まれるよう指示するように適合されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
インターフェイスをさらに含み、第１のメモリ用に意図されたデータはインターフェイスでホストから受信され、
データに関連付けられたホストから受信された論理ブロックアドレス（ＬＢＡ）が、第１のメモリの物理的位置にマッピングされる、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
温度が温度しきい値を下回る場合、装置は、第２のメモリに記憶されたデータを第１のメモリに移動させる、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
第２のメモリがほぼ容量一杯である場合、装置は、第２のメモリに記憶されたデータを第１のメモリに移動させる、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
第１のメモリはディスクメモリであり、第２のメモリは固体メモリである、請求項２に記載の装置。
【請求項７】
ディスクメモリへのデータ書込を補助するための熱補助磁気記録装置をさらに含む、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
データ記憶挙動は、データが第１のメモリに書込まれる頻度を減少させ、データが第２のメモリに書込まれる頻度を増加させることを含む、請求項２に記載の装置。
【請求項９】
データ記憶挙動は、温度に基づいて装置用の動作制限を実施することを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
動作制限は、バックグラウンド診断の実行を防止することを含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
複数の異なる温度しきい値に基づいて、複数のデータ記憶挙動が修正される、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
温度検出モジュールはさらに、
装置が温度しきい値を上回って動作する時間の長さを判断し、
時間の長さがしきい値時間を上回る場合、データ記憶挙動を修正するように適合されている、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
温度検出モジュールはさらに、時間の長さおよび温度の記録を取るように適合されている、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
装置であって、
第１のメモリと、
第２のメモリと、
コントローラとを含み、コントローラは、
データ記憶装置の温度を検出し、
温度が温度しきい値を上回る場合、第１のメモリ用に意図されたデータが第２のメモリに書込まれるよう指示するように構成されている、装置。
【請求項１５】
装置は、第２のメモリが容量しきい値に達している場合、データを第２のメモリから第１のメモリに移動させるように構成されている、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
装置は、温度がしきい値を下回る場合、データを第２のメモリから第１のメモリに移動させる、請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
コントローラはさらに、温度がしきい値を上回る場合、データが第１のメモリに書込まれる頻度を減少させ、データが第２のメモリに書込まれる頻度を増加させるように構成されている、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
データ記憶装置の温度を検出するステップと、
温度に基づいて、データ記憶装置の動作を修正するステップとを含む、方法。
【請求項１９】
時間値および対応する温度値を監視するステップと、
時間値および対応する温度値に基づいて、データ記憶装置の動作を修正するステップとをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
データ記憶装置がしきい値温度を上回って動作する時間の長さを判断するステップと、
時間の長さがしきい値時間を上回る場合、データを不揮発性固体メモリに書込むステップとをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
データ記憶装置の動作は、温度値に基づいて、データが第１のメモリに書込まれる頻度を減少させ、データが第２のメモリに書込まれる頻度を増加させることによって修正される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
温度しきい値を上回り、かつ第１のメモリに書込まれたデータにおいてエラーが検出された場合、データ記憶装置の動作は、データを第２のメモリに書込むよう修正される、請求項１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の詳細な説明
背景
データ記憶装置は、異なる温度で異なるように動作する場合がある。たとえば、より高い温度は、いくつかの記憶媒体に記憶された装置の信頼性を損なうおそれがあり、または装置の構成部品の性能または耐久性に影響を与えるおそれがある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００２】
概要
装置は、第１のメモリと、温度検出モジュール（temperature detection module：ＴＤＭ）とを含んでいてもよい。ＴＤＭは、装置の温度を測定し、温度に基づいて第１のメモリのデータ記憶挙動を修正するように適合されてもよい。
【０００３】
別の実施例では、装置は、データ記憶装置の温度を検出し、温度がしきい値を上回る場合、データを第２のメモリに書込むように構成されたコントローラを含んでいてもよい。
【０００４】
別の実施例は、データ記憶装置の温度を検出するステップと、温度に基づいて、データ記憶装置の動作を修正するステップとを含む、方法であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】温度に基づいた装置動作のためのシステムの例示的な一実施例の図である。
【図２】温度に基づいた装置動作のためのシステムの別の例示的な実施例の図である。
【図３】温度に基づいた装置動作のための方法の例示的な一実施例のフローチャートである。
【図４】温度に基づいた装置動作のための方法の例示的な一実施例のフローチャートである。
【図５】温度に基づいた装置動作のための方法の例示的な一実施例のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
詳細な説明
以下の実施例の詳細な説明では、その一部を形成し、かつ特定の実施例を例示として示す添付図面を参照する。この開示の範囲から逸脱することなく、他の実施例が利用されてもよいこと、および構造的変更を加えてもよいことが理解されるべきである。
【０００７】
図１は、概して１００で示された、温度に基づいた装置動作のためのシステムの例示的な一実施例の図を示す。システム１００は、ホスト１０２と、データ記憶装置（data storage device：ＤＳＤ）１０４とを含んでいてもよい。ホスト１０２は、ホストシステムまたはホストコンピュータとも呼ばれてもよい。ホスト１０２は、デスクトップコンピュータ、ラップトップコンピュータ、サーバ、携帯情報端末（personal digital assistant：ＰＤＡ）、電話、音楽プレイヤー、別の電子装置、またはそれらの任意の組合せであってもよい。同様に、ＤＳＤ１０４は、上述の装置のいずれかであってもよく、またはデータを記憶または検索するために使用され得る任意の他の装置であってもよい。また、ＤＳＤ１０４は、ホスト１０２に接続されていないスタンドアロン装置であってもよい。
【０００８】
データ記憶装置１０４は、第１のメモリ１０６と、第２のメモリ１０８と、温度検出モジュール（ＴＤＭ）１１０とを含んでいてもよい。いくつかの実施例では、第１のメモリ１０６はディスクデータ記憶媒体などのＤＳＤ１０４の不揮発性記憶媒体であってもよく、第２のメモリ１０８はデータバッファまたはキャッシュであってもよい。ここで、第２のメモリ１０８は、第１のメモリ１０６に比べ、温度変化の影響をあまり受けないものであってもよい。たとえば、ＤＳＤ１０４は、ディスクデータ記憶媒体とフラッシュメモリなどの不揮発性固体メモリとのハイブリッドディスクドライブであってもよい。第１のメモリ１０６および第２のメモリ１０８は、フラッシュメモリ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、他の固体メモリ、磁気メモリ、光メモリ、またはそれらの任意の組合せといった、データを記憶可能な任意の形態の揮発性または不揮発性メモリであってもよい。
【０００９】
温度検出モジュール１１０は、ＤＳＤ１０４またはＤＳＤ１０４の構成部品の温度を監視できる。ＴＤＭ１１０は、温度情報を感知または処理可能な、ソフトウェア、プログラマブルコントローラ、回路、ＣＰＵ、または任意の素子の組合せであってもよい。ＴＤＭ１１０は、ＤＳＤ１０４の単一もしくは複数の位置または素子の温度を監視するように設計されてもよい。ＴＤＭ１１０はまた、ＤＳＤ１０４または構成部品が温度しきい値を上回って動作する時間の長さを判断するように設計されてもよい。
【００１０】
ＴＤＭ１１０は、温度しきい値を上回ったとＴＤＭ１１０が判断した場合、または指定された長さの時間にわたって温度しきい値を上回った場合、ＤＳＤ１０４の挙動を修正するように構成されてもよい。たとえば、ＤＳＤが７０℃というしきい値温度を２分以上にわたって上回って動作している場合、ＴＤＭ１１０はＤＳＤ１０４の挙動を修正してもよい。この挙動は、動作制限、たとえばバックグラウンド診断を制限すること、処理速度を落とすこと、コマンドが実行される頻度を減少させること（ユーザコマンドを全く処理しない場合を含む）、モータ速度または探索速度を落とすこと、１つ以上の磁気記憶ディスクの回転を完全に停止させること、または省電力モードに入ることなどを、ＤＳＤ１０４に対して課すように修正されてもよい。修正された挙動の別の例は、ＤＳＤ１０４のメモリの或るデータゾーン内でのみコマンドを処理し、それにより探索長さおよび電力消費を制限することであってもよい。この例を実施する手段として、データは異なる分類へと分割され、分類に依存して異なるディスク位置にマッピングされてもよい。
【００１１】
ＴＤＭ１１０は、時間および温度の記録を取るように構成されてもよい。この記録は、ＤＳＤ１０４の或る構成部品に診断を集中させ、装置または構成部品がどれくらい長い間しきい値温度を上回って動作しているかをユーザに警告し、近々起こり得る装置または構成部品の故障を予測し、しきい値温度以上での構成部品または装置の動作に関するデータを蓄積するために、もしくは他の目的またはそれらの任意の組合せのために、使用されてもよい。
【００１２】
また、ＴＤＭ１１０は、データ記憶挙動の頻度または宛先を変更することにより、ＤＳＤ１０４によってデータがどのように記録または読出されるかを修正してもよい。ここで使用される「頻度」という用語は、挙動がどのくらい頻繁に行なわれるかを指す。読出または書込挙動の修正の一例として、しきい値温度を上回ると、ＴＤＭ１１０は、データがより少ない頻度で第１のメモリ１０６に書込まれるよう指示してもよく、それはデータが第１のメモリ１０６に全く書込まれないことを含む。第１のメモリ１０６に書込まれなかったデータは、第２のメモリ１０８に書込まれてもよい。たとえば、ホスト１０２は第１のメモリ１０６の物理的位置にマッピングされた論理ブロックアドレス（Logical Block Address：ＬＢＡ）を用いてデータを送信してもよいが、しきい値温度を上回ったとＴＤＭ１１０が検出した場合、それはデータが代わりに第２のメモリ１０８に書込まれるよう指示してもよい。
【００１３】
ＴＤＭ１１０は、データが第１のメモリ１０６から読出され得るものの第１のメモリに書込まれない挙動モードを実施してもよい。温度が温度しきい値（たとえば６０℃）を下回った、または第２のより低い温度しきい値（たとえば５５℃）を下回ったとＴＤＭ１１０が判断した場合、ＴＤＭ１１０は、第２のメモリ１０８に書込まれたデータが第１のメモリ１０６に移動されるよう指示してもよい。第２のメモリ１０８がほぼ容量一杯であるとＴＤＭ１１０が判断した場合、それは同様に、第２のメモリ１０８に記憶されたデータが第１のメモリ１０６に移動されるよう指示してもよい。データは、連続書込動作によるなどの効率的な態様でデータが第１のメモリ１０６に移動され得るように、第２のメモリ１０８においてまとめられてもよい。いくつかの実施例では、このように動作するＤＳＤ１０４は、高温によって悪影響を受けるかもしれない動作を最小限に抑えつつ、最高のまたはほぼ最高の性能でデータを書込み得る。一例として、データ記憶媒体の中には、他のデータ記憶媒体に比べ、高温による書込エラーをより受けやすいものがあり、そのため、高温での２つの記憶媒体間の切換えがデータ記憶信頼性を高める場合がある。
【００１４】
ＴＤＭ１１０は、複数の温度しきい値について監視するように適合されてもよく、異なるしきい値は、ＴＤＭ１１０が１つ以上の対応するしきい値に基づいてＤＳＤ１０４の挙動を異なるように修正することから生じる。たとえば、第１のしきい値（たとえば６０℃）を超えると、ＴＤＭ１１０はバックグラウンド診断を制限してもよく、第２の温度しきい値（たとえば７０℃）を超えると、ＴＤＭ１１０は第１のメモリ１０６への書込動作を制限してもよく、第３の温度しきい値（たとえば９０℃）を超えると、ＴＤＭ１１０はＤＳＤ１０４を完全に停止させてもよい。いくつかの実施例では、ＴＤＭ１１０は、ＤＳＤ１０４の１つ以上の構成部品の完全性が損なわれ得る或る高い温度しきい値（たとえば９０℃）を上回ったかどうかを監視し、それに応じて装置挙動を調節してもよい。
【００１５】
温度しきい値を上回った場合、ＴＤＭ１１０はＤＳＤ１０４がどのようにデータを記憶するかを変更してもよい。ＴＤＭ１１０は、熱補助磁気記録（heat assisted magnetic recording：ＨＡＭＲ）技術を用いた磁気ディスクと不揮発性固体メモリとを有するハイブリッドＤＳＤ１０４により実現されてもよく、その場合、ＴＤＭ１１０は、ＨＡＭＲ技術のレーザ素子の温度を監視するように構成されてもよい。温度しきい値を上回ったとＴＤＭ１１０が検出した場合、またはオプションで特定の長さの時間にわたって温度しきい値を上回った場合、ＴＤＭ１１０は、当初磁気ディスクに書込まれるよう意図されていたかもしれないデータが、磁気ディスクにではなく不揮発性固体メモリに記録されるよう指示してもよい。いくつかの実施例では、データは当初、ホスト１０２から受信された論理ブロックアドレスに基づいた特定のデータ記憶媒体用に意図されていてもよく、論理ブロックアドレスは、論理ブロックアドレスに関連付けられたデータを記憶する関連付けられた物理的位置を有し得る。論理ブロックアドレスに関連付けられたデータの物理的位置は当初、磁気ディスクなどの特定のデータ記憶媒体に関連付けられていてもよい。
【００１６】
他の実施例では、ＴＤＭ１１０は、データがより少ない頻度で磁気ディスクに書込まれ、より多い頻度で不揮発性固体メモリに書込まれるよう指示してもよい。温度が第２のしきい値を下回ったとＴＤＭ１１０が判断した場合、または不揮発性固体メモリが容量に近づいている場合、ＴＤＭ１１０は、不揮発性固体メモリに記憶されたデータが磁気ディスクに移動されるよう指示してもよい。データを磁気ディスクに記憶しないことにより、レーザを含むＨＡＭＲ技術の動作を制限することは、レーザおよびＤＳＤ１０４の動作寿命を長くし得る。
【００１７】
ＴＤＭ１１０は連続して温度を監視してもよく、もしくは、ユーザにより開始される監視、他のソフトウェアまたはハードウェア構成要素により開始される監視、３０秒ごとなどの時間間隔に基づいて開始される監視、連続的または間欠的データ書込の周期に基づいて開始される監視、温度監視動作を引起こし得る任意の他の状況、またはそれらの任意の組合せに基づいて、温度を監視したり他の態様で動作してもよい。
【００１８】
一例として、ＴＤＭ１１０は、ユーザに情報を表示し、ＴＤＭ１１０の動作のユーザ監督を可能にするように設計されてもよい。ＴＤＭ１１０は、ディスプレイがユーザに温度または指標を見せるようにしてもよく、ユーザは手動で、ＴＤＭ１１０がＤＳＤ１０４用の挙動修正を実施するかどうかを指示し、またはＴＤＭ１１０がどの挙動修正を実施するかを選択してもよい。いくつかの実施例では、ＴＤＭ１１０は、ＤＳＤ１０４を高温で動作させることはＤＳＤ１０４の性能または寿命に悪影響を与え得るという警告をユーザに提供してもよく、ユーザは、挙動修正を実施するか、または挙動修正なしでＤＳＤ１０４を動作させるかを選択してもよい。
【００１９】
図２は、概して２００で示される、温度に基づいた装置動作のためのシステムの別の例示的な実施例の図を示す。具体的には、図２は、ディスクドライブデータ記憶装置（ＤＳＤ）２００の機能ブロック図を提供する。ＤＳＤ２００は、図１に示す装置１０４などのデータ記憶装置であってもよい。データ記憶装置２００は、（図１に示すホストシステム１０２などの）ホスト装置２０２と、ハードウェア／ファームウェアベースのホストインターフェイス回路２０４を介して通信可能であり、ホストインターフェイス回路２０４は、ＤＳＤ２００がホスト２０２から物理的に取外されることを可能にするコネクタ（図示せず）を含んでいてもよい。バッファ２１２は読出および書込動作中にユーザデータを一時的に記憶することができ、また、待ち状態の複数のアクセス動作が実行を待つ間に一時的に記憶され得るコマンドキュー（ＣＱ）２０３を含んでいてもよい。さらなるキャッシュまたはバッファメモリ用に、もしくはＤＳＤ２００用のさらなるデータ記憶を提供するために、フラッシュメモリなどの不揮発性固体メモリ２０３が含まれていてもよい。
【００２０】
ＤＳＤ２００は、関連付けられたメモリ２０８とプロセッサ２１０とを有するプログラマブルコントローラ２０６を含んでいてもよい。コントローラ２０６はまた、温度検出モジュール（ＴＤＭ）２１４を含んでいてもよく、それはコントローラ２０６から独立していても、またはコントローラ２０６の一部であってもよい。ＴＤＭ２１４は温度を直接監視してもよく、または、１つ以上の温度センサ２１１がＴＤＭ２１４またはコントローラ２０６に接続されてもよい。ＴＤＭ２１４および温度センサ２１１は、ＤＳＤ２００の１つ以上の位置で温度を監視するように位置していてもよい。たとえば、ベースプレート、Ｅブロックなどの回路基板、読出／書込ヘッドスライダ、ヘッド２１９、またはレーザ２１５自体の温度を監視するために、温度センサが位置していてもよい。他の機能を行なう装置または構成部品、たとえば、ディスク２０９の飛行高度を監視または制御する構成部品、コイル２２４、またはレーザ２１５用の電力モニタも、温度センサ２１１として作用するように適合されてもよい。
【００２１】
また、図２は、ＤＳＤ２００が読出／書込（Ｒ／Ｗ）チャネル２１７を含み得ることを示しており、読出／書込チャネル２１７は、書込動作中にデータを符号化し、読出動作中にディスク２０９から検索されたユーザデータを復元することができる。前置増幅器／ドライバ回路（プリアンプ）２１８は、書込電流をヘッド２１９に印加可能であり、読戻し信号の事前増幅を提供する。熱補助磁気記録（ＨＡＭＲ）装置によって使用されるレーザなどのレーザ２１５は、ディスク２０９に対して書込動作を行なうために、ヘッド２１９の一部であってもよく、ヘッド２１９に結合されてもよく、またはヘッド２１９の近傍に位置して、ヘッド２１９によって動作可能に制御されてもよい。サーボ制御回路２２０はサーボデータを用いて、適切な電流をコイル２２４に提供し、ヘッド２１９およびレーザ２１５を位置付けてもよい。コントローラ２０６は、コマンドキュー２１３におけるさまざまな待ち状態のコマンドの実行中、ヘッド２１９およびレーザ２１５をディスク２０９上の所望の位置に移動させるように、プロセッサ２２２と通信することができる。
【００２２】
ＴＤＭ２１４は、ＴＤＭについてここに説明されたあらゆる機能およびプロセス、たとえば、ＤＳＤ２００内の温度を監視すること、温度しきい値を上回った場合、ＤＳＤ２００の挙動を修正することを行なうように適合されてもよい。いくつかの実施例では、ある長さの時間にわたって温度しきい値を上回った後で、挙動が修正されてもよい。動作挙動の修正は、バックグラウンド診断を減少させること、もしくはデータがディスク２０９または不揮発性固体メモリ２０３に書込まれる頻度を変更することといった、ＤＳＤ２００のプロセスを制限することを含んでいてもよい。たとえば、ＴＤＭ２１４は、ディスク２０９へのデータ書込動作が間欠的に行なわれるかあるいは全く行なわれないよう指示してもよく、過剰データが不揮発性固体メモリ２０３に書込まれるよう指示してもよい。
【００２３】
別の実施例では、ＴＤＭ２１４は書込後読出動作を修正してもよい。たとえば、データをデータ記憶媒体に書込む際、コントローラ２０６は、データが書込まれたことを検証するために、書込動作の直後に読出動作を行なうよう指示してもよい。書込後読出動作は、データの完全性を高めることができる。なぜならそれは、エラーが検出された場合に書込キャッシュからのデータの再書込を可能にするからである。このため、データを読出す際にエラーが生じた場合、コントローラ２０６はデータを再書込し得る。しかしながら、温度しきい値を上回ったとＴＤＭ２１４が判断した場合、コントローラ２０６またはＴＤＭ２１４は、以前のデータ書込動作とは異なるデータ記憶媒体でデータ再書込動作が起こるよう指示してもよい。特定の一例では、第１の書込動作がディスク２０９で（このため、図２の例におけるＨＡＭＲ技術およびレーザ２１５を用いて）起こり、書込後読出検証が書込まれたデータにおけるエラーを指摘し、その後のデータの書込（すなわち再書込）が不揮発性固体メモリ２０３に対して行なわれてもよい。
【００２４】
図３を参照して、温度に基づいた装置動作のための方法３００の例示的な一実施例のフローチャートを示す。方法３００は、３０２で、装置の温度を監視するステップを含み得る。方法３００は、３０４で、しきい値温度を上回ったかどうかを判断するステップを伴ってもよい。温度を上回っていない場合、方法３００は、３０２で引続き温度を監視してもよい。しきい値温度を上回った場合、方法３００は、３０６で、温度に基づいて装置の動作を修正するステップを伴い得る。方法３００は、３０６で装置の動作を修正した後、３０２で温度の監視を再開または継続してもよい。
【００２５】
３０６での装置動作に対する修正は、ＴＤＭによって実施されるあらゆる例示的な挙動または動作の修正、もしくは当業者には自明であるような任意の他の修正を含んでいてもよい。たとえば、方法３００は、バックグラウンド診断を防止するなど、装置のプロセスを制限してもよい。動作の別の可能な修正では、方法３００は、１つ以上のメモリにデータが書込まれる頻度を変更してもよい。別の例では、方法３００は、第１の磁気ディスクメモリへの書込動作の頻度を減少させ、過剰データを第２の固体メモリに書込んでもよい。
【００２６】
図４は、データ記憶装置（ＤＳＤ）に当てはまるような、温度に基づいた装置動作のための方法４００の例示的な一実施例のフローチャートを示す。方法４００は、図１に示すＤＳＤ１０４または図２に示すＤＳＤ２００といった、第１および第２の不揮発性メモリを有するデータ記憶装置に当てはめられてもよい。
【００２７】
方法４００は、４０２で、ＤＳＤの温度を監視するステップを伴ってもよい。方法４００は、４０４で、しきい値温度を上回ったかどうかを判断してもよい。しきい値温度を上回っていない場合、４０２で温度監視が継続してもよい。温度がしきい値温度を上回った場合、方法４００は、４０６で、ＤＳＤがデータを第２のメモリに書込むよう指示してもよい。これは、第１のメモリへのデータ書込動作の減少または完全停止を伴い得る。
【００２８】
方法４００は、４０８で、温度がしきい値温度を下回ったかどうかを検討してもよい。これは、４０４で検討された当初のしきい値温度であってもよく、または、それは第２のより低い温度しきい値であってもよい。たとえば、当初の温度しきい値が６０℃で、第２のより低い温度しきい値が５５℃である。４０８で温度がしきい値温度を下回った場合、方法４００は、４１２で、データを第２のメモリから第１のメモリに移動させてもよい。温度がしきい値温度を下回っていない場合、方法４００は引続き、４０８で温度を監視し、４１０で第２のメモリに空間が残っているかを監視してもよい。
【００２９】
方法４００は、４１０で、第２のメモリが容量に近づいているかどうかを検討してもよい。第２のメモリがほぼ一杯である場合、またはデータ記憶しきい値を超えている場合、方法４００は、４１２で、データを第２のメモリから第１のメモリに移動させるステップを伴ってもよい。第２のメモリに依然として十分な空間が残っている場合、方法４００は引続き、４０８で温度を監視し、４１０で第２のメモリに空間が残っているかを監視してもよい。
【００３０】
方法４００が４１２でデータを第２のメモリから第１のメモリに移動させるよう指示するような条件が一旦満たされると、方法は、４０４で、ＤＳＤの温度がしきい値を上回っているかどうかを再評価してもよい。温度が依然としてしきい値を上回る場合、４０６でデータは引続き第２のメモリに書込まれてもよく、その他の場合、方法４００は、４０２で温度の監視を再開してもよい。
【００３１】
方法４００のステップは、特定の順序で図２に示されている。しかしながら、さらなるステップが含まれてもよいこと、または、いくつかのステップが除外されたり、図２に示す順序とは異なる順序で行なわれたりしてもよいことは、当業者には自明であろう。たとえば、ステップ４０８および４１０は、いずれかの順序で連続して行なわれてもよく、または並行して行なわれてもよい。
【００３２】
図５を参照すると、温度に基づいた装置動作のための方法５００の例示的な一実施例のフローチャートが示されている。方法５００は、バッファとして使用される第１のメモリおよび第２のメモリを有するＤＳＤに当てはめられてもよい。方法５００は、５０２で、ＤＳＤの温度を監視し、５０４で、しきい値温度を上回ったかどうかを判断してもよい。しきい値温度を上回っていない場合、５０２で温度監視が継続してもよい。温度がしきい値温度を上回った場合、方法５００は、５０６で、第１のメモリへの書込の頻度を変更するよう指示してもよい。
【００３３】
書込頻度の変更は、書込頻度を設定するためにコントローラによってチェックされるレジスタに記憶された値を修正すること、ＤＳＤファームウェアで設定された機能または命令を実施すること、データ書込用の宛先としてバッファまたは第２のメモリを指定すること、ＤＳＤ用の書込モードを決めるフラグを設定すること、書込可能なデータストリームに切れ目を挿入すること、書込頻度を修正する任意の他の方法、またはそれらの任意の組合せによって達成されてもよい。書込頻度は、書込の頻度を増減させることにより、または連続書込動作の最長持続時間を設定することにより変更可能である。
【００３４】
５０６での第１のメモリへのデータ書込動作の頻度の修正が、第１のメモリに書込まれていない過剰データをもたらす場合、方法５００は、５０８で、必要であれば過剰データがバッファに書込まれるよう指示可能である。たとえば、書込頻度が制限された第１のメモリに書込可能な速度よりも速い速度でデータを受信した場合、受信データの一部またはすべてを第２のメモリに一時的にまたは永続的に書込むことができる。過剰データはキャッシュメモリまたは第２の不揮発性メモリ、たとえば不揮発性固体メモリに書込まれてもよい。たとえば、駆動動作時間の１０％の間だけデータが第１のメモリに書込まれるように、書込制限が課されてもよい。残りの９０％は、メモリから読出し、第２のメモリに書込み、アイドル状態に留まるために、または他の動作のために使用されてもよい。いくつかの実施例では、層状しきい値システムに基づき、複数の温度しきい値に基づいて異なる書込制限が課されてもよい。たとえば、低温では、駆動動作時間の１００％、データが第１のメモリに書込まれてもよく、第１の温度しきい値では、データ書込は駆動動作時間の５０％に制限されてもよく、第２のしきい値では、データ書込は時間の１０％だけ第１のメモリに書込まれてもよく、第３のしきい値では、データは第１のメモリに全く書込まれず、第２のメモリにのみ書込まれてもよい。
【００３５】
また、方法５００は、５１０で、バッファが容量に近づいているかまたはしきい値容量を超えているかどうかを判断してもよい。十分な空間が残っている場合、５０８で、データは引続きバッファに書込まれ得る。バッファが容量に近づいているかまたはしきい値容量を超えている場合、方法５００は、５１２で、データをバッファから第１のメモリなどの別のメモリ位置に移動させてもよい。次に、方法５００は、５０４でＤＳＤの温度がしきい値を超えているかどうかを引続き判断し、それに応じて５０６および５０８でデータが第１のメモリまたはバッファに書込まれるよう指示してもよい。
【００３６】
上述の方法および装置は温度に基づいた装置動作に関しているが、他の環境要因も監視されてもよく、それらの要因に従って装置動作が修正されてもよい。たとえば、湿度、高度、空気圧、物理的衝撃、または他の要因といった環境要因が監視されてもよく、それらの要因に従って装置動作が修正されてもよい。
【００３７】
さまざまな実施例によれば、ここに説明された方法は、コントローラ２０６などのコントローラまたはコンピュータプロセッサ上で走る１つ以上のソフトウェアプログラムとして実現されてもよい。別の実施例によれば、ここに説明された方法は、ディスクドライブを使用するパーソナルコンピュータなどのコンピューティング装置上で走る１つ以上のソフトウェアプログラムとして実現されてもよい。ここに説明された方法を実現するために、特定用途向け集積回路、プログラマブル論理アレイ、および他のハードウェア装置を含むもののそれらに限定されない専用のハードウェア実現例が、同様に構築可能である。また、ここに説明された方法は、実行時にプロセッサに方法を行なわせる命令を含むコンピュータ読取可能媒体として実現されてもよい。
【００３８】
ここに説明された実施例の例示は、さまざまな実施例の構造の一般的な理解を提供するよう意図されている。例示は、ここに説明された構造または方法を利用する装置およびシステムのすべての要素および特徴の完全な説明として機能するよう意図されてはいない。この開示を検討すれば、多くの他の実施例が当業者には自明であろう。開示の範囲から逸脱することなく構造的、論理的な書換および変更を行い得るように、他の実施例がこの開示から利用され、導かれてもよい。さらに、特定の実施例がここに例示され、説明されてきたが、同様のまたは類似する目的を達成するために設計された以降の構成を、図示された特定の実施例の代わりに代用してもよい、ということが理解されるべきである。
【００３９】
この開示は、さまざまな実施例の以降のあらゆる適合または変更を網羅するよう意図されている。説明を検討すれば、前述の実施例およびここに具体的には説明されていない他の実施例の組合せが当業者には自明であろう。加えて、例示は表現上のものにすぎず、縮尺どおりに描かれていない場合がある。例示内の或る比率は誇張され、一方、他の比率は縮小されている場合がある。したがって、この開示および図面は、限定的ではなく例示的であるとみなされるべきである。
【符号の説明】
【００４０】
１０４：データ記憶装置、１０６：第１のメモリ、１０８：第２のメモリ、１１０、２１４：温度検出モジュール（ＴＤＭ）、２０６：コントローラ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【外国語明細書】
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