(57)【要約】【課題】半導体素子が実装された基板を、配線基板の設置面に対して縦に設けた電子部品を製造する際、ＦＰＣを用いることなく、半導体素子が実装された基板と配線基板とを電気的に接続することができる電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る電子部品の製造方法は、素子付きＩＣ１１の面１１ａに位置するＩＣパッド１１ｄに、面１１ａから突出したスタッドバンプＡを形成する工程と、面１１ａに平行な面１１ｅと配線基板１３の面１３ａとの交角αが０度よりも大きく１８０度よりも小さい状態で、面１３ａに素子付きＩＣ１１を搭載する工程と、素子付きＩＣ１１を搭載する工程の後に、面１３ａに位置するランド１３ｃにスタッドバンプＡの棒状部Ａ２を押し付けて、スタッドバンプＡとランド１３ｃとを接続する工程と、を含む。【選択図】図２
2013183115.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の第１の面に位置する第１の電極に、前記第１の面から突出した突起電極を形成する工程と、
前記第１の面に平行な面と配線基板の第２の面との交角が０度よりも大きく１８０度よりも小さい状態で、前記第２の面に前記半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子を搭載する工程の後に、前記第２の面に位置する第２の電極に前記突起電極の一部を押し付けて、前記第２の電極と前記突起電極とを接続する工程と、
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記突起電極を形成する工程では、前記突起電極として、前記第１の電極に接して設けられた台座部と、前記台座部に設けられた棒状部とを有するスタッドバンプを形成し、
前記第２の電極と前記突起電極とを接続する工程では、前記第２の電極に前記棒状部を押し付けることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記突起電極を形成する工程では、前記突起電極として、前記第１の電極に接して設けられた台座部と、前記台座部に設けられた環状部とを有するスタッドバンプを形成し、
前記第２の電極と前記突起電極とを接続する工程では、前記第２の電極に前記環状部を押し付けることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記突起電極を形成する工程では、前記第１の面から離れる方向に複数の前記台座部を重ねて形成することを特徴とする請求項２または請求項３に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
加速度や回転角速度等の物理量の検出ができるセンサーモジュール（モーションセンサー）に使用されるセンサー素子として、例えば、所謂ダブルＴ型のジャイロセンサー水晶振動子がパッケージ内に収容されたジャイロセンサー（圧電発振器）が知られている（特許文献１）。
水平方向の物理量を検出することを目的としたセンサーモジュールは、配線基板の設置面とセンサー素子の主面との成す角度が垂直となっている（つまり、前記設置面に対して縦にセンサー素子を設けている）。また、近年、多軸方向における物理量を検出することを目的として、単一のモジュールに複数のセンサー素子を設けることで、複数軸（多軸）における物理量を検出するセンサーモジュールの開発が行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２９２０７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のセンサーモジュールは、図６に例示するように、配線基板１３とセンサー素子１１ｃが実装された基板（半導体素子１１）とをＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）６１を用いて接続する場合がある。ＦＰＣ６１を用いて配線基板１３と半導体素子１１とを電気的に接続する場合には、例えば、半導体素子１１とＦＰＣ６１とをスタッドバンプ６２を介して接続する工程やＦＰＣ６１を折り曲げる工程、ＦＰＣ６１と配線基板１３とを接続する工程といった複数の工程を必要とすることがある。また、使用するＦＰＣ６１自身が高価である。
【０００５】
以上のように、半導体素子を配線基板の設置面に対して縦に設けたセンサーモジュールを製造する際、配線基板と半導体素子との接続にＦＰＣを用いると、その製造コストが高くなることがある。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、例えば半導体素子を配線基板の設置面に対して縦に設けた電子部品を製造する際、ＦＰＣを用いることなく、半導体素子と配線基板とを電気的に接続することができる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するための本発明の一態様は、半導体素子の第１の面に位置する第１の電極に、前記第１の面から突出した突起電極を形成する工程と、前記第１の面に平行な面と配線基板の第２の面との交角が０度よりも大きく１８０度よりも小さい状態で、前記第２の面に前記半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子を搭載する工程の後に、前記第２の面に位置する第２の電極に前記突起電極の一部を押し付けて、前記第２の電極と前記突起電極とを接続する工程と、を含むことを特徴とする電子部品の製造方法である。
【０００７】
上記態様の電子部品の製造方法であれば、突起電極の一部を例えば圧着ツールを用いて第２の電極に押し付け突起電極と第２の電極とを接続することができる。よって、配線基板の第２の面に対して半導体素子を例えば縦置きした場合であっても、半導体素子と配線基板との接続にＦＰＣを用いる必要がない。ゆえに、上記態様の製造方法で製造した電子部品であれば、ＦＰＣを用いた電子部品と比較して、電子部品の製造コストを下げることができる。
【０００８】
なお、上述の「半導体素子」として、後述する実施形態では「素子付きＩＣ１１」が例示されている。また、「第１の面」として、後述する実施形態では「面１１ａ」が例示されている。また、「第１の電極」として、後述する実施形態では「ＩＣパッド１１ｄ」が例示されている。また、「突起電極」として、後述する実施形態では「スタッドバンプＡ」、「スタッドバンプＢ」、「スタッドバンプＣ」、「スタッドバンプＤ」が例示されている。また、「平行な面」として、後述する実施形態では「面１１ｅ」が例示されている。また、「第２の面」として、後述する実施形態では「面１３ａ」が例示されている。また、「第２の電極」として、後述する実施形態では「ランド１３ｃ」が例示されている。また、「突起電極の一部」として、後述する実施形態では「棒状部Ａ２」、「環状部Ｂ２」、「連結部Ｃ２」、「棒状部Ｄ２」が例示されている。
【０００９】
また、本発明の別の態様は、前記突起電極を形成する工程では、前記突起電極として、前記第１の電極に接して設けられた台座部と、前記台座部に設けられた棒状部とを有するスタッドバンプを形成し、前記第２の電極と前記突起電極とを接続する工程では、前記第２の電極に前記棒状部を押し付けることとしてもよい。
上記態様の電子部品の製造方法であれば、例えば、既存技術であるスタッドバンプボンディング法やワイヤーボンディング法を用いて棒状部を形成することができる。このため、高い信頼性で棒状部を形成することができる。
【００１０】
また、本発明の別の態様は、前記突起電極を形成する工程では、前記突起電極として、前記第１の電極に接して設けられた台座部と、前記台座部に設けられた環状部とを有するスタッドバンプを形成し、前記第２の電極と前記突起電極とを接続する工程では、前記第２の電極に前記環状部を押し付けることとしてもよい。
上記態様の電子部品の製造方法であれば、例えば、既存技術であるスタッドバンプボンディング法やワイヤーボンディング法を用いて環状部を形成することができる。このため、高い信頼性で環状部を形成することができる。
【００１１】
また、本発明の別の態様は、前記突起電極を形成する工程では、前記第１の面から離れる方向に複数の前記台座部を重ねて形成することとしてもよい。
上記態様の電子部品の製造方法であれば、複数の台座部を第１の面から離れる方向に重ねて形成している。このため、突起電極の一部（つまり、棒状部または環状部）を第１の面から遠ざけることができる。よって、例えば圧着ツールを用いて突起電極の一部を第２の電極に押し付けて突起電極と第２の電極とを接続する際に、この圧着ツールを第１の面から遠ざけることができる。ゆえに、圧着ツールが半導体素子と接触して半導体素子が破損するのを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係る電子部品を模式的に示す図。
【図２】本発明の実施形態に係る電子部品の製造方法を模式的に示す図。
【図３】本発明の実施形態に係る突起電極の変形例１を模式的に示す図。
【図４】本発明の実施形態に係る突起電極の変形例２を模式的に示す図。
【図５】本発明の実施形態に係る突起電極の変形例３を模式的に示す図。
【図６】従来技術に係る電子部品を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明を適用した実施形態に係る電子部品及び電子部品の製造方法について、図面を参照しつつ順次説明する。ただし、本発明は以下の実施形態のみに限定されるものではない。本発明は、以下の実施形態及びその変形例を自由に組み合わせたものを含むものとする。
（１）電子部品１０
図１は、本実施形態に係る電子部品１０を模式的に示す図である。図１に示すように、電子部品１０は、素子付きＩＣ１１と、素子付きＩＣ１１を支持するセラミックブロック１２と、素子付きＩＣ１１及びセラミックブロック１２を搭載する配線基板１３と、素子付きＩＣ１１と配線基板１３とを電気的に接続する突起電極１４と、素子付きＩＣ１１を覆い、接着剤１９を介して配線基板１３に搭載された蓋体１８を含んで構成されている。
【００１４】
（配線基板１３）
配線基板１３は、素子付きＩＣ１１及びセラミックブロック１２を搭載する基板であり、例えば板状の部材からなる。配線基板１３は、面１３ａ及び面１３ａの裏面１３ｂを有しており、面１３ｂは、面１３ａに対して平行な面である。また、面１３ａ側には第２の電極（以下、「ランド」ともいう。）１３ｃを備えている。また、面１３ｂ側に設けられた第３の電極１３ｄを備えている。第３の電極１３ｄは電極１３ｃと接続されていてもよい。なお、ランド１３ｃの数は、単数であってもよいし複数であってもよい。また、配線基板１３の材質及び形状は特に限定されるものではない。また、配線基板１３上には素子付きＩＣ１１を覆うように接着剤１９を介して蓋体１８が設けられていてもよい。このとき、蓋体１８内は例えば真空状態となっていてもよい。
【００１５】
（セラミックブロック１２）
セラミックブロック１２は、配線基板１３に搭載され、素子付きＩＣ１１を支持する支持部材であり、例えば絶縁体で形成された直方体のブロックである。セラミックブロック１２は、面１２ａ及び面１２ａに対して垂直な面１２ｂを有している。セラミックブロック１２は、セラミックブロック１２の面１２ａの全面と配線基板１３の面１３ａとが接した状態で配線基板１３に搭載されている。なお、セラミックブロック１２は、絶縁体で形成されたものであればよく、材質及び形状は特に限定されるものではない。
【００１６】
（素子付きＩＣ１１）
素子付きＩＣ１１は、例えばＩＣチップ１１ｈ、センサー素子１１ｃ及び第１の電極（以下、「ＩＣパッド」ともいう。）１１ｄを備えている。素子付きＩＣ１１は、面１１ａ及び面１１ａの裏面１１ｂを有しており、面１１ａ側にＩＣパッド１１ｄを備えている。また、素子付きＩＣ１１は、面１１ａ側にセンサー素子１１ｃを備えている。センサー素子１１ｃは、面１１ａに設けられた電極１１ｇと金属電極２０を介して接続されるように、面１１ａ側に搭載されていてもよい。このとき、センサー素子１１ｃは水晶振動子で形成されていてもよい。または、センサー素子１１ｃはＩＣチップ１１ｈの中に埋め込まれるようにして設けられていてもよい。なお、センサー素子１１ｃの数は、単数であっても良いし複数であってもよい。また、ＩＣパッド１１ｄの数は、単数であってもよいし複数であってもよい。更に金属電極２０及びそれに接続される電極１１ｇは、単数であってもよいし、複数であってもよい。センサー素子１１ｃは面１１ａに対向する面、若しくは面１１ａに対して垂直な方向の加速度や回転角速度等の物理量を検出するセンサー素子であってもよい。
【００１７】
ＩＣチップ１１ｈは、例えばシリコンで構成されている。このＩＣチップ１１ｈには、ＩＣ素子（図示せず）が形成されていてもよい。このＩＣ素子は、例えばセンサー素子１１ｃに予め設定された電圧を印加する機能を有していてもよい。また、このＩＣ素子は、例えばセンサー素子１１ｃから出力される信号を受け取って信号処理し、ＩＣパッド１１ｄに出力する機能を有していてもよい。また、ＩＣチップ１１ｈは、例えばシリコンの表面に配線（図示せず）が形成されていて、電極１１ｇとＩＣパッド１１ｄとを電気的に接続していてもよい。
【００１８】
或いは、ＩＣチップ１１ｈはＩＣ素子を備えたものでなくてもよく、例えば単なる配線基板であってもよい。この配線基板は、例えば電極１１ｇとＩＣパッド１１ｄとを接続する配線（図示せず）が形成されていてもよい。
素子付きＩＣ１１は、素子付きＩＣ１１の面１１ｂとセラミックブロック１２の面１２ｂとが接した状態で、セラミックブロック１２に支持されている。また、素子付きＩＣ１１は、素子付きＩＣ１１及びセラミックブロック１２を配線基板１３に搭載した状態では、配線基板１３と接していなくてもよい。また、素子付きＩＣ１１は、センサー素子１１ｃよりもＩＣパッド１１ｄの方が配線基板１３に近い状態で、配線基板１３に搭載されている。
また、面１１ａに対して平行な面１１ｅと配線基板１３の面１３ａとの交角を角度αとした場合、電子部品１０における角度αは９０度である。なお、この角度αは９０度に限定されるものではなく、例えば、角度αは０度よりも大きく１８０度よりも小さければよい。
【００１９】
（突起電極１４）
突起電極１４は、素子付きＩＣ１１と配線基板１３とを電気的に接続する電極であり、ＩＣパッド１１ｄ上に面１１ａから突起した状態で形成されている。突起電極１４は、例えば、台座部Ａ１及び台座部Ａ１から突起してランド１３ｃに接続する接続部Ａ３を有するスタッドバンプＡである。突起電極１４の材料は、導電性を有するものであればよく、特に限定されるものではない。例えば、突起電極１４がスタッドバンプＡである場合には、例えば金（Ａｕ）をその材料として用いることができる。突起電極１４は、接触部Ａ３をランド１３ｃに接触させることで、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとを接続している。これにより、素子付きＩＣ１１と配線基板１２とが電気的に接続される。
【００２０】
（２）電子部品の製造方法
図２は、本実施形態に係る電子部品１０の製造方法を模式的に示す図である。電子部品１０の製造方法では、上述の素子付きＩＣ１１、セラミックブロック１２、配線基板１３、突起電極１４を用いる。
まず、素子付きＩＣ１１のＩＣパッド１１ｄ上に突起電極１４を形成する。この突起電極１４は、例えば、台座部Ａ１及び台座部Ａ１から突起した棒状部Ａ２を有するスタッドバンプＡである。
【００２１】
最初に、素子付きＩＣ１１の面１１ａに対して垂直な方向（図２のＸ軸方向）から、素子付きＩＣ１１のＩＣパッド１１ｄに向けてキャピラリー１６を接近させる。次に、ＩＣパッド１１ｄ上に台座部Ａ１を形成する。その後、キャピラリー１６をＩＣパッド１１ｄ側から素子付きＩＣ１１の面１１ａに対して垂直な方向（図２のＸ軸方向）に向けて遠ざけることで、台座部Ａ１の一部をプルカットする（台座部Ａ１の一部を引っ張りながら切断する）。こうして、台座部Ａ１と、台座部Ａ１と連続し素子付きＩＣ１１の面１１ａに対して垂直な方向（図２のＸ軸方向）に向かって延在する棒状部Ａ２とを有するスタッドバンプＡを形成する（図２（ａ）を参照）。なお、棒状部Ａ２は素子付きＩＣ１１の面１１ａに対して垂直な方向に限られず、面１１ａから離れる方向に延在していればよい。ここで、図２（ａ）は、台座部Ａ１の一部をプルカットし棒状部Ａ２を形成する様子を示した図である。なお、スタッドバンプＡの形成には、公知技術であるスタッドバンプの形成方法を用いることができる。また、図２（ａ）に示すように、棒状部Ａ２を形成した後に、棒状部Ａ２をレベリングしない。ここで、「レベリング」とは、スタッドバンプの突起した部分を平坦化することをいう。
【００２２】
ＩＣパッド１１ｄ上にスタッドバンプＡを形成した後に、素子付きＩＣ１１の面１１ａに平行な面１１ｅと配線基板１３の面１３ａとから成る角度αが０度よりも大きく１８０度よりも小さい状態で、素子付きＩＣ１１を配線基板１３の面１３ａ側にセラミックブロック１２を介して搭載する（図２（ｂ）を参照）。この際、センサー素子１１ｃよりもＩＣパッド１１ｄの方が配線基板１３に近い状態で、素子付きＩＣ１１を搭載する。また、配線基板１３に接しないように、素子付きＩＣ１１を搭載する。さらに、スタッドバンプＡの台座部Ａ１及び棒状部Ａ２が配線基板１３に接しないように、素子付きＩＣ１１を搭載する。なお、図２（ｂ）では、角度αが９０度の場合を示している。なお、ＩＣパッド１１ｄ上にスタッドバンプＡを形成した後に、素子付きＩＣ１１を配線基板１３に搭載する形態を説明したが、素子付きＩＣ１１を配線基板１３に搭載した後に、ＩＣパッド１１ｄ上にスタッドバンプＡを形成してもよい。
【００２３】
次に、ボンディングステージ１５に、図２（ｂ）に示した素子付きＩＣ１１及びセラミックブロック１２を搭載した配線基板１３を配置する。ボンディングステージ１５は、素子付きＩＣ１１及びセラミックブロック１２を搭載した配線基板１３を支持するための板状のステージであり、配線基板１３の面１３ｂと接する平坦な面１５ａを有している。
図２（ｃ）に示すように、ボンディングステージ１５の面１５ａ上に、配線基板１３の面１３ｂの全面が面１５ａと接する状態で、素子付きＩＣ１１及びセラミックブロック１２を搭載した配線基板１３を配置する。つまり、素子付きＩＣ１１及びセラミックブロック１２を搭載した配線基板１３をボンディングステージ１５の面１５ａに対して水平に配置する。
【００２４】
次に、突起電極１４の一部（スタッドバンプＡの棒状部Ａ２）とランド１３ｃとを電気的に接続する。例えば、サイドカットした圧着ツール１７を配線基板１３の面１３ａに対して垂直な方向（図２のＺ軸方向）から棒状部Ａ２及びランド１３ｃに向かって接近させる（図２（ｃ）を参照）。その後、圧着ツール１７の平坦な先端表面１７ａで棒状部Ａ２の一部をランド１３ｃに押し付けて接触させ、棒状部Ａ２とランド１３ｃとを電気的に接続する（図２（ｄ）を参照）。この際、棒状部Ａ２は変形し、図１に示した接続部Ａ３の形状になる。最後に、圧着ツール１７をランド１３ｃ側から配線基板１３の面１３ａに対して垂直な方向（図２のＺ軸方向）に向かって遠ざける。こうして、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとを接続する工程は完了する。なお、圧着ツール１７の先端表面１７ａは、上述のように平坦であってもよいし、例えば溝があってもよい。先端表面１７ａに凹凸を付けることにより、棒状部Ａ２の一部をランド１３ｃに押し付けた際に先端表面１７ａの形状が棒状部Ａ２及びランド１３ｃに転写される。よって、棒状部Ａ２とランド１３ｃの接触面積が増大し、接続信頼性が向上する。また、圧着ツール１７の材質及び形状は特に限定されるものではない。その後、配線基板１３上に接着剤１９を介して蓋体１８を搭載する。  このようにして、図１に示した電子製品１０の製造が完了する。
【００２５】
以上のように、本実施形態に係る電子部品１０の製造方法であれば、面１１ａに対して垂直な方向（つまり、面１３ａに対して水平な方向）に向かって延在する棒状部Ａ２とランド１３ｃとを、例えば面１３ａに対して垂直な方向（図２のＺ軸方向）に沿って移動可能な圧着ツール１７を用いて接続することができる。このため、配線基板１３の面１３ａに対して素子付きＩＣ１１を縦置きした場合であっても、ＦＰＣを用いることなく、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとを接続することができる。ゆえに、ＦＰＣを用いた場合と比較して、素子付きＩＣ１１と配線基板１３とを接続するために要する工程数を少なくすることができるので電子部品の製造コストを下げることができる。また、ＦＰＣを用いないので、材料費を抑えることができ、電子部品の製造コストを下げることができる。また、圧着ツール１７を用いた接続法は既存技術であるため、接続信頼性を高めることができる。また、ＦＰＣを折り曲げるための装置等を新たに導入する必要がなく、圧着ツール１７があればよいので、設備投資を抑えることができる。なお、圧着ツール１７として、圧着ツール１７で棒状部Ａ２をランド１３ｃに接触させた際（図２（ｄ）を参照）、面１３ａを基準としてサイドカッド部１７ｂの上面１７ｃが素子付きＩＣ１１の上面１１ｆよりも高くなるような、サイドカッド部１７ｂを持つ圧着ツール１７を用いることが望ましい。このようにすることで、圧着ツール１７で棒状部Ａ２をランド１３ｃに接触させる際、圧着ツール１７が素子付きＩＣ１１に接触してしまう等の不具合の発生を低減させることができる。
【００２６】
（変形例１）
なお、上述の製造方法では、突起電極１４として、台座部Ａ１及び台座部Ａ１から突起した棒状部Ａ２を有するスタッドバンプＡを形成することを説明したが、これに限定されるものではない。例えば、スタッドバンプＡに代えて、台座部Ｂ１及び台座部Ｂ１から突起した環状部Ｂ２を有するスタッドバンプＢを突起電極１４として用いてもよい（図３を参照）。スタッドバンプＢの形成は、スタッドバンプＡの場合と同様に、まずＩＣパッド１１ｄ上に台座部Ｂ１を形成する。次に、スタッドバンプＡの場合と同様に、キャピラリー１６（図示せず）をＩＣパッド１１ｄ側から素子付きＩＣ１１の面１１ａに対して垂直な方向（図３のＸ軸方向）に向けて遠ざける。その後、キャピラリー１６を再度台座部Ｂ１に接近させ、キャピラリー１６の先端を当該台座部Ｂ１に接触させる。こうして、台座部Ｂ１と、台座部Ｂ１と連続し素子付きＩＣ１１の面１１ａに対して垂直な方向（図３のＸ軸方向）に向かって立設する環状部Ｂ２とを有するスタッドバンプＢを形成する（図３（ａ）、（ｂ）を参照）。なお、環状部Ｂ２は素子付きＩＣ１１の面１１ａに対して垂直な方向に限られず、面１１ａから離れる方向に延在していてもよい。ここで、図３（ａ）は、素子付きＩＣ１１及びスタッドバンプＢをＸ−Ｚ平面で見た図であり、図３（ｂ）は、素子付きＩＣ１１及びスタッドバンプＢをＸ−Ｙ平面で見た図である。なお、蓋体１８、接着剤１９及び第３の電極１３ｄについて、本変形例以降の変形例の説明では図示を省略する。
【００２７】
なお、スタッドバンプＢとランド１３ｃとを接続する場合には、圧着ツール１７で環状部Ｂ２の一部をランド１３ｃに押し付ける。この押し付ける工程は、上述のスタッドバンプＡの場合と同じである。図３（ｃ）は、圧着ツール１７で環状部Ｂ２の一部をランド１３ｃに押し付けた様子を示す図であり、Ｘ−Ｙ平面で見た図である。図３（ｂ）、（ｃ）では、センサー素子１１ｃについては記載を省略しているが、本変形例の場合であっても、上述の実施形態の場合と同様にセンサー素子１１ｃは面１１ａに備わっている。
【００２８】
本変形例の態様であれば、上述のスタッドバンプＡを用いた場合と同様の作用効果を得ることができる。また、本変形例の態様であれば、環状部Ｂ２を例えば公知技術であるスタッドバンプボンディング法やワイヤーボンディング法を用いて容易に形成することができる。なお、上述のスタッドバンプＡの棒状部Ａ２の長さが十分に得られない場合には、環状部Ｂ２を有するスタッドバンプＢを突起電極１４として用いることが有効である。
【００２９】
（変形例２）
また、スタッドバンプＡに代えて、スタッドバンプＣを突起電極１４として用いてもよい（図４を参照）。スタッドバンプＡは、台座部Ａ１及び棒状部Ａ２を有しているのに対し、スタッドバンプＣは、隣接する２つの台座部Ｃ１及び隣接する２つの台座部Ｃ１間を連結する連結部Ｃ２を有している。スタッドバンプＣの形成は、スタッドバンプＢの場合と同様に、まずＩＣパッド１１ｄ上に台座部Ｃ１を形成する。次に、スタッドバンプＢの場合と同様に、キャピラリー１６（図示せず）をＩＣパッド１１ｄ側から素子付きＩＣ１１の面１１ａに対して垂直な方向（図４のＸ軸方向）に向けて遠ざける。その後、キャピラリー１６を隣接する台座部Ｃ１に向けて接近させ、キャピラリー１６の先端を隣接する台座部Ｃ１に接触させる。こうして、隣接する２つの台座部Ｃ１及び、台座部Ｃ１と連続し素子付きＩＣ１１の面１１ａに対して垂直な方向（図４のＸ軸方向）に向かって立設する連結部Ｃ２とを有するスタッドバンプＣを形成する（図４（ａ）、（ｂ）を参照）。なお、連結部Ｃ２は素子付きＩＣ１１の面１１ａに対して垂直な方向に限られず、面１１ａから離れる方向に延在していてもよい。ここで、図４（ａ）は、素子付きＩＣ１１及びスタッドバンプＣをＸ−Ｚ平面で見た図であり、図４（ｂ）は、素子付きＩＣ１１及びスタッドバンプＣをＸ−Ｙ平面で見た図である。図４（ｂ）では、センサー素子１１ｃについては記載を省略しているが、本変形例の場合であっても、上述の実施形態の場合と同様にセンサー素子１１ｃは面１１ａに備わっている。
【００３０】
なお、スタッドバンプＣとランド１３ｃとを接続する場合には、圧着ツール１７で連結部Ｃ２の一部をランド１３ｃに押し付ける。この押し付ける工程は、上述のスタッドバンプＡ及びＢの場合と同じである。
本変形例の態様であれば、上述のスタッドバンプＡを用いた場合と同様の作用効果を得ることができる。また、本変形例の態様であれば、連結部Ｃ２を例えば公知技術であるスタッドバンプボンディング法やワイヤーボンディング法を用いて容易に形成することができる。
【００３１】
（変形例３）
また、スタッドバンプＡに代えて、スタッドバンプＤを突起電極１４として用いてもよい（図５を参照）。スタッドバンプＡは、単数の台座部Ａ１及び棒状部Ａ２を有しているのに対し、スタッドバンプＤは、複数の台座部Ｄ１（図５では３段）及び台座部Ｄ１と連続し素子付きＩＣ１１の面１１ａに対して垂直な方向（図５のＸ軸方向）に向かって延在する棒状部Ｄ２を有している。スタッドバンプＤの形成は、スタッドバンプＡの場合と同様に、まず素子付きＩＣ１１の面１１ａに対して垂直な方向（図５のＸ軸方向）から、素子付きＩＣ１１のＩＣパッド１１ｄに向けてキャピラリー１６を接近させる。次に、ＩＣパッド１１ｄ上に台座部Ｄ１を形成し、その後、キャピラリー１６をＩＣパッド１１ｄ側から素子付きＩＣ１１の面１１ａに対して垂直な方向（図５のＸ軸方向）に向けて遠ざけることで、台座部Ｄ１の一部をプルカットする。こうして形成された台座部Ｄ１上に再度同様の手順で台座部Ｄ１を複数個形成する。最後に台座部Ｄ１の一部をプルカットし棒状部Ｄ２を形成する。このようにして、複数の台座部Ｄ１が素子付きＩＣ１１の面１１ａから離れる方向に重なって形成されたスタッドバンプＤを形成する（図５（ａ）を参照）。なお、棒状部Ｄ２は素子付きＩＣ１１の面１１ａに対して垂直な方向に限られず、面１１ａから離れる方向に延在していてもよい。ここで、図５（ａ）は、素子付きＩＣ１１及びスタッドバンプＤをＸ−Ｚ平面で見た図である。
【００３２】
なお、スタッドバンプＤとランド１３ｃとを接続する場合には、圧着ツール１７で棒状部Ｄ２の一部をランド１３ｃに押し付ける。この押し付ける工程は、上述のスタッドバンプＡ、Ｂ、Ｃの場合と同じである。図５（ｂ）は、圧着ツール１７で棒状部Ｄ２の一部をランド１３ｃに押し付けた様子を示す図であり、Ｘ−Ｚ平面で見た図である。図５（ｂ）に示すように、圧着ツール１７で棒状部Ｄ２の一部をランド１３ｃに押し付けることで棒状部Ｄ２の形状は変形し、接続部Ｄ３の形状になる。
【００３３】
本変形例の態様であれば、上述のスタッドバンプＡを用いた場合と同様の作用効果を得ることができる。また、本変形例の態様であれば、複数の台座部Ｄ１が素子付きＩＣ１１の面１１ａから離れる方向に重なって形成されているので、棒状部Ｄ２を素子付きＩＣ１１の面１１ａから遠ざけることができる。このため、スタッドバンプＤの棒状部Ｄ２とランド１３ｃとを接続する際に圧着ツール１７が素子付きＩＣ１１と接触して素子付きＩＣ１１が破損するのを防ぐことができる。
【符号の説明】
【００３４】
１０  電子部品、１１  素子付きＩＣ、１１ａ  面、１１ｂ  面、１１ｃ  センサー素子、１１ｄ  第１の電極、１１ｅ  面、１１ｆ  上面、１１ｇ  電極、１１ｈ  ＩＣチップ、１２  セラミックブロック、１２ａ  面、１３  配線基板、１３ａ  面、１３ｂ  面、１３ｃ  第２の電極、１３ｄ  第３の電極、１４  導電部材、１５  ボンディングステージ、１５ａ  面、１６  キャピラリー、１７  圧着ツール、１７ａ  先端表面、１７ｂ  サイドカット部、１７ｃ  上面、１８  蓋体、１９  接着剤、２０  金属電極、６０  センサーモジュール、６１  ＦＰＣ、６２  スタッドバンプ、α  角度、Ａ  スタッドバンプ、Ａ１  台座部、Ａ２  棒状部、Ａ３  接続部、Ｂ  スタッドバンプ、Ｂ１  台座部、Ｂ２  環状部、Ｃ  スタッドバンプ、Ｃ１  台座部、Ｃ２  台座部、Ｄ  スタッドバンプ、Ｄ１  台座部、Ｄ２  棒状部、Ｄ３  接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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