(57)【要約】【課題】半導体ウェハのダイシングを効率良く、確実にする。【解決手段】半導体ウェハ２は、裏面にダイアタッチ材２５が貼り付けられた状態でダイシングシート２７に取り付けられる。ダイシングブレード４は、第１の砥粒３１を有し、半導体ウェハ２をダイアタッチ材２５と共に切削する。切削時には、冷却水と共に第２の砥粒３２が半導体ウェハ２及びダイシングブレード４に供給される。第２の砥粒３２は、第１の砥粒３１より粒径が大きく、ダイシングブレード４に張り付いたダイアタッチ材２５Ａを取り除く。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に配線層を形成し、他方の面に樹脂シートを貼り付けた半導体ウェハをダイシングブレードを用いて切削する切削工程を有し、
前記切削工程においいて、前記樹脂シートを貼り付けた前記半導体ウェハの切削深さに応じて砥粒の粒径を変化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記砥粒の粒径を変化させる工程は、第１の砥粒が埋め込まれた前記ダイシングブレードに、前記第１の砥粒とは粒径が異なる前記砥粒を冷却水と共に切削部分に供給することを含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記切削工程は、
前記配線層及び前記半導体ウェハを切削する第１の切削工程と、
前記樹脂シートを切削する第２の切削工程と、
を含み、前記第１の切削工程は、前記ダイシングブレードに埋め込まれた第１の砥粒を用いて切削し、前記第２の切削工程は、前記第１の砥粒に加えて前記第１の砥粒より粒径の大きい第２の砥粒を供給しながら切削することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記切削工程は、
前記配線層を切削する第１の切削工程と、
前記半導体ウェハを切削する第２の切削工程と、
前記樹脂シートを切削する第３の切削工程と、
を含み、前記第１の切削工程、前記第２の切削工程、前記第３の切削工程の順番に粒径が大きい前記砥粒を供給することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の切削工程は、前記ダイシングブレードに埋め込まれた第１の砥粒に加えて第２の砥粒を供給して切削し、前記第２の切削工程は、前記第１の砥粒に加えて第３の砥粒を供給して切削し、前記第３の切削工程は、前記第１の砥粒に加えて第４の砥粒を供給して切削する工程を含む請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、一枚の半導体ウェハの上に多数の半導体回路を形成する。この後、半導体ウェハをダイシングして個々のチップに分離する。半導体ウェハのダイシング工程では、テーブル上に半導体ウェハを載置して保持し、ダイシングブレードによって半導体ウェハを切削する。ダイシングブレードは、一般的にＮｉなどの金属の円盤状基台に、所定の密度でダイヤモンドなどの砥粒を埋め込んでいる。ダイシングブレードは、表面の砥粒を半導体ウェハに押し当てることで、半導体ウェハを切削する。
【０００３】
ここで、砥粒が摩耗して半導体ウェハとの間の摩擦が大きくなると、磨耗した砥粒がダイシングブレードから脱落する。このとき、ダイシングブレード表面の基台も削られるため、円盤状基台の内部に埋め込まれていた砥粒が新たに表面に現れる。これによって、新しい砥粒によって切削が継続される。このような現象は、一般的に、自生発刃と呼ばれている。
【０００４】
ダイシングブレードの外径が磨耗によって減少すると、ダイシングブレードが半導体ウェハに接触しなくなるので、半導体ウェハとダイシングブレードとの間の相対的な位置を調整する必要がある。また、ダイシングブレードの破損を防止したり、半導体ウェハへのクラックの発生を防止したりするためには、切削速度を制限する必要があった。
【０００５】
このために、従来では、半導体ウェハに供給する冷却水に研磨材を混入させることで、ダイシングブレードの磨耗を抑制している。この場合は、研磨材の量が増えて切削速度が向上する。これらのことから、冷却材に研磨材を混入させることで半導体ウェハの切削効率が高まる。研磨材は、例えば、ＳｉＣが用いられて、その粒径は、ダイシングブレードのダイヤモンド砥粒と同程度とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−１５１５８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで、近年の半導体ウェハのダイシング工程では、半導体ウェハの裏面にダイアタッチ材を貼り付けた後、半導体ウェハをダイシングすることがある。ダイアタッチ材は、ダイシングテープと、チップを実装するときに充填剤としての機能を併せ持つ。ダイアタッチ材は、半導体ウェハの凹凸を吸収するために、例えば１５μｍ〜４０μｍの厚さを有する。また、近年では、半導体回路の配線層の多層化が進んで配線層が厚くなっている。これに対して、半導体部品全体としては、薄型化が望まれているので、チップの厚さは減少傾向にある。
【０００８】
これらのことから、ダイシング工程において、ダイシングブレードは、半導体ウェハ以外の物質、例えばダイアタッチ材や配線層材料を多く切削することが多い。このために、ダイシング時にダイシングブレードに半導体以外の物質が絡み付くことがある。その結果、ダイシングブレードが振動したり、ダイシングブレードが欠け易くなったりしていた。また、これに伴って、半導体ウェハの表面や裏面に欠けを発生し易くなっていた。
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、半導体ウェハのダイシングを効率良く、確実に行えるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
実施形態の一観点によれば、一方の面に配線層を形成し、他方の面に樹脂シートを貼り付けた半導体ウェハをダイシングブレードを用いて切削する切削工程を有し、前記切削工程においいて、前記樹脂シートを貼り付けた前記半導体ウェハの切削深さに応じて砥粒の粒径を変化させることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
粒径の異なる砥粒を用いることで、切削工程の効率化が図れる。また、砥粒を供給することで、ダイシングブレード表面の付着物を剥がし易くなる。付着物でダイシングブレードが覆われた状態を速やかに解消できるので、切削効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置のダイシング装置の一例を示す概略構造図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す斜視図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明する図である（その１）。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明する図である（その２）。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明する図である（その３）。
【図６】図６は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明する図である（その４）。
【図７】図７は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明する図である（その５）。
【図８】図８は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明する断面図である。
【図９】図９は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法におけるダイシングブレードの一部拡大図であって、（ａ）はダイアタッチ材が張り付いた状態を示し、（ｂ）は第２の砥粒によってダイアタッチ材がダイシングブレードから剥がされた状態を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の第１の実施の形態に係るチップを実装した半導体装置の概略構成を示す側面図である。
【図１１】図１１は、従来の半導体装置の製造方法の一例を説明する断面図である。
【図１２】図１２は、従来の半導体装置の製造方法の一例を説明する断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明する断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明する断面図である（その１）。
【図１５】図１５は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明する断面図である（その２）。
【図１６】図１６は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明する断面図である（その３）。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
発明の目的及び利点は、請求の範囲に具体的に記載された構成要素及び組み合わせによ
って実現され達成される。
前述の一般的な説明及び以下の詳細な説明は、典型例及び説明のためのものであって、本発明を限定するためのものではない。
【００１３】
図１に示すように、ダイシング装置１は、半導体ウェハ２を載置して固定するテーブル３を有し、テーブル３の上方に、ダイシングブレード４と、冷却水を噴出するノズル５とが配置されている。ダイシングブレード４の中央には、回転軸６が固定されており、回転軸６はモータ７に連結されている。ノズル５は、冷却水のタンク８に接続されている。モータ７及びタンク８は、制御ユニット９に接続されている。制御ユニット９は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やメモリなどを有し、ダイシング装置１の動作を制
御する。
【００１４】
図１及び図２に示すように、半導体ウェハ２は、不図示の半導体回路が形成されたチップ１１が複数配置されている。半導体回路には、トランジスタなどの半導体素子や、配線層などが含まれる。各チップ１１は、格子状に配置されたスクライブライン１２によって区画されている。
【００１５】
次に、ダイシング工程について説明する。
最初に、図３に示すように、半導体ウェハ２の表面、即ち、半導体回路を含む配線層１０が形成されている表面２Ａ（一方の面）に、表面保護テープ２１を貼り付ける。表面保護テープ２１は、半導体ウェハ２の外形に沿ってカットされる。続いて、図４に示すように、半導体ウェハ２を反転させて表面保護テープ２１を下向きに配置し、砥石２２を使って半導体ウェハの裏面をバッククラインドして半導体ウェハ２を所定の厚さにする。
【００１６】
この後、図５に示すように、半導体ウェハ２の裏面２Ｂ（他方の面）にダイアタッチ材２５（樹脂シート）を貼り付ける。ダイアタッチ材２５は、例えば、ポリイミドを主成分とする樹脂からなり、接着剤が予め塗布されている。ダイアタッチ材２５は、半導体ウェハ２の外形に沿ってカットされる。
【００１７】
さらに、図６に示すように、ダイアタッチ材２５を上向きに配置した状態で、半導体ウェハ２を囲むフレームリング２６を配置する。さらに、フレームリング２６と半導体ウェハ２を覆うように、ダイシングテープ２７を貼り付ける。これによって、ダイシングテープ２７を介して半導体ウェハ２がフレームリング２６に固定される。ダイシングテープ２７は、フレームリング２６の外形に合わせてカットされる。この後、図７に示すように、半導体ウェハ２の表面が上側になるように向きを調整し、半導体ウェハ２の表面に貼り付けられていた表面保護テープ２１を取り外してチップ１１を露出させる。この状態では、下側から、ダイシングテープ２７、ダイアタッチ材２５、半導体ウェハ２が順番に配置される。この状態で、ダイシング装置１によるダイシングが開始される。
【００１８】
図１に示すように、ダイシング時には、最初に半導体ウェハ２がフレームリング２６ごと、テーブル３上に載置される。テーブル３にフレームリング２６を固定すると、フレームリング２６を介して半導体ウェハ２がテーブル３に固定される。ダイシングブレード４は、制御ユニット９の指令を受けて回転しながら、テーブル３上を移動し、スクライブライン１２に沿って半導体ウェハ２を切削する。ダイシングブレード４は、配線層１０を含む半導体ウェハ２、ダイアタッチ材２５、及びダイシングテープ２７を切削する。半導体ウェハ２の切削中には、ノズル５から冷却水が半導体ウェハ２の切削部分に供給される。
【００１９】
ダイシングブレード４は、ダイシングテープ２７の上部と、ダイアタッチ材２５と、半導体ウェハ２と、半導体ウェハ２上の半導体素子を含む配線層１０を切削しながらスクライブライン１２に沿って移動する。ダイシングブレード４には、砥粒（第１の砥粒）３１
としてダイヤモンドが分散配置されている。第１の砥粒３１の大きさは、直径（粒径）が例えば１μｍ〜３μｍとする。
【００２０】
さらに、ノズル５から冷却水がスクライブライン１２上の切削部分に供給されている。冷却水には、砥粒（第２の砥粒）３２が混入されている。第２の砥粒３２は、ダイヤモンド又はＳｉ研磨屑が用いられる。そのサイズは、第１の砥粒３１より大きく、直径が例えば１０μｍ〜１５μｍとする。冷却水３２に第２の砥粒３２を混入する割合は、体積比で例えば１５％〜２０％程度である。第２の砥粒３２は、半導体ウェハ２に吹き付けられることで半導体ウェハ２の切削に寄与する。
【００２１】
ここで、図８に示すように、ダイシングブレード４には、ダイアタッチ材２５の一部が剥がれてダイシングブレード４の表面に張り付く。図９（ａ）にダイシングブレード４の一部を拡大して示すように、ダイシングブレード４の表面に張り付いたダイアタッチ材２５Ａ（付着物）は、第１の砥粒３１Ａを覆っている。この状態では、第１の砥粒３１Ａは、半導体ウェハ２の切削に寄与しないので、ダイシング装置１の切削効率が低下する。
【００２２】
この実施の形態では、第２の砥粒３２の一部は、ダイシングブレード４の表面にも吹き付けられるので、第２の砥粒３２の一部がダイシングブレード４の表面に付着したダイアタッチ材２５Ａに衝突する。
【００２３】
図９（ｂ）に示すように、第２の砥粒３２がダイシングブレード４に付着したダイアタッチ材２５と衝突することで、ダイシングブレード４の表面に付着したダイアタッチ材２５Ａが第２の砥粒３２と共に剥がされる。これによって、ダイアタッチ材２５Ａに覆われていた第１の砥粒３１Ａが露出し、再び半導体ウェハ２の切削が可能になる。また、一部の第１の砥粒３１Ｂは、ダイアタッチ材２５Ａと共にダイシングブレード４から離脱する。第１の砥粒３１Ｂが離脱した箇所は、空隙４Ａになる。例えば、切削過程で劣化した第１の砥粒３１Ｂがダイシングブレード４から離脱すると、ダイシングブレード４上の別の新たな第１の砥粒３１による切削が可能になる。
【００２４】
このようにして、第２の砥粒３２を供給することで、ダイシングブレード４の切削能力の低下が防止され、ダイシングを継続的に実施できる。よって、半導体ウェハ２のチップ１１が欠けたり、ヒゲ状の切削屑がチップ１１の表面に残ったりすることが防止される。
【００２５】
ダイシングが終了したら、ダイシングテープ２７にＵＶ光（紫外線）を照射する。ダイシングによって個片化されたチップ１１を１つずつピックアップする。図１０にチップ１１を実装した半導体装置（パッケージ部品）３５の一例を示す。チップ１１は、実装基板３６に所定の温度条件で実装される。このとき、ダイアタッチ材２５は、チップ１１を実装基板３６に貼り付ける接着材の役割を果たす。続いて、チップ１１上の不図示の電極と実装基板３６上の不図示の電極とがワイヤーボンディングによって電気的に接続される。さらに、チップ１１を樹脂封入すると、半導体装置３５が完成する。
【００２６】
ここで、比較のために、第２の砥粒３２を用いないでダンシングしたときの半導体ウェハの断面形状の一例を図１１に示す。ダイシングブレード４には、ダイアタッチ材２５Ａが付着し、第１の砥粒３１に絡み付いて覆っている。また、図１２にダイシング後の半導体ウェハの断面形状の一例を示すように、ダイアタッチ材２５の一部２５Ｂがヒゲ状に引き伸ばされて、配線層１０の表面に乗り上げている。これは、ダイシングブレード４が固くて脆い半導体ウェハ２を切削することに対しては適しているが、柔らかい樹脂を切削することに対しては必ずしも適していないためであると考えられる。ダイアタッチ材２５の多くは、柔らかい樹脂で構成されることが多く、このダイシングブレード４では、ダイアタッチ材２５や配線層１０を細かく切削できずに引きちぎり易くなっている。ダイアタッ
チ材２５の一部２５Ｂが配線層１０の表面に不図示の電極パッドに乗り上げると、ワイヤーボンディング工程時にワイヤーと電極パッドを接合できなくなることがある。
【００２７】
また、ダイシングブレード４の振動などによって、半導体ウェハ２の一部に欠け２Ｃが発生してしまうことがあった。これらを防止するために、従来では、半導体ウェハ２の切断に適した砥粒を有するダイシングブレードと、ダイアタッチ材の切断に適した砥粒を有するダイシングブレードを交換しながらダイシングしていたので、作業効率が低下していた。また、ダイシング装置１は、複数のダイシングブレード４を交換可能にするために、複雑な構成になっていた。この実施の形態では、このような課題を解決できる。
【００２８】
以上、説明したように、この実施の形態では、第２の砥粒３２を供給しながらダイシングするようにしたので、第２の砥粒３２によって切削が促進される。さらに、第２の砥粒３２によってダイシングブレード４の表面に付着したダイアタッチ材２５Ａを剥がせる。従って、第１の砥粒３１がダイアタッチ材２５Ａで覆われた状態で切削が継続されることが防止されるので、ダイシングを効率良く行える。第２の砥粒３２のサイズを第１の砥粒３１より大きくしたので、ダイアタッチ材２５Ａをダイシングブレード４の表面から剥がし易い。
第２の砥粒３２にＳｉ研磨屑を用いると、ダイシング時に発生した半導体ウェハ２の削り屑を再利用することができる。
【００２９】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態の切削工程の詳細について説明する。
この実施の形態では、段階的に半導体ウェハ２をダイシングすることを特徴とする。ダイシング装置１の構成は、図１と同様である。
図１３に示すように、切削の第１の段階（第１の切削工程）として、ダイシングブレード４は、第１の深さＬ１まで切削する。これによって、半導体ウェハ２及び配線層１０がスクライブライン１２に沿って切削される。切削は第１の砥粒３１のみで行い、冷却水に第２の砥粒３２は混合しない。ここで、ダイシングブレード４の第１の砥粒３１は、ウェハ２の切削に適したサイズであり、これより大きい砥粒を用いるとウェハ２に与える切削ダメージが大きくチッピングが発生し易くなる。
【００３０】
続いて、図８に示すように、切削の第２の段階（第２の切削工程）では、ダイシングブレード４の高さを低くし、第２の深さＬ２まで切削する。これによって、ダイアタッチ材２５と、ダイシングテープ２７の一部がスクライブライン１２に沿って切削される。このとき、冷却水に第２の砥粒３２を混合させる。半導体ウェハ２の切削は、第１の砥粒３１と第２の砥粒３２で行われる。さらに、第２の砥粒３２によって、ダイシングブレード４に付着したダイアタッチ材２５の膜剥がれが促進される。その結果、ダイシング工程が効率化される。
【００３１】
以上、説明したように、この実施の形態では、切削深さが浅い段階では、第１の砥粒３１を用いて切削し、切削深さが深い段階では、第１の砥粒３１に加えて粒径の異なる第２の砥粒３２を用いた。このように、切削深さに応じてサイズの異なる砥粒を追加的に使用することで、ダイアタッチ材２５の切削や、ダイシングブレード４に付着したダイアタッチ材２５Ａの膜剥がれを促進できる。従って、１つのダイシングブレード４で半導体ウェハ２及びダイアタッチ材２５を効率良く切削できる。さらに、ダイシングブレード４の長寿命化が図れる。その他の効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００３２】
（第３の実施の形態）
第３の実施の形態の切削工程の詳細について説明する。
この実施の形態では、段階的に半導体ウェハ２をダイシングし、かつ各段階で砥粒に組
み合わせを変化させることを特徴とする。ダイシング装置１の構成は、図１と同様である。
図１４に示すように、切削の第１の段階（第１の切削工程）では、ダイシングブレード４は、第１の深さＬ１１まで切削する。これによって、半導体ウェハ２の配線層１０がスクライブライン１２に沿って切削される。配線層１０の切削は、第１の砥粒３１と第３の砥粒４１（第２の砥粒）で行う。第３の砥粒４１は、冷却水に混合され、切削部及びダイシングブレード４に供給される。第３の砥粒５１は、ダイヤモンド又はＳｉ研磨屑が用いられる。そのサイズは、直径が約１μｍ〜３μｍで、冷却水に第３の砥粒４１を混入する割合は、体積比で例えば１５％〜２０％程度である。
【００３３】
図１５に示すように、切削の第２の段階（第２の切削工程）では、制御ユニット９の指令に基づいてダイシングブレード４の高さを低くした後、第２の深さＬ１２まで切削する。これによって、半導体ウェハ２がスクライブライン１２に沿って切削される。半導体ウェハ２の切削は、第１の砥粒３１と第４の砥粒４２（第３の砥粒）で行う。第４の砥粒４２は、冷却水に混合され、供給される。第４の砥粒４２は、ダイヤモンド又はＳｉ研磨屑が用いられる。そのサイズは、直径が約３μｍ〜１０μｍで、冷却水に第４の砥粒４２を混入する割合は、体積比で例えば１５％〜２０％程度である。
【００３４】
図１６に示すように、切削の第３の段階（第３の切削工程）では、制御ユニット９の指令に基づいてダイシングブレード４の高さをさらに低くした後、第３の深さＬ１３まで切削する。これによって、ダイアタッチ材２５と、ダイシングテープ２７の一部がスクライブライン１２に沿って切削される。これらの切削は、第１の砥粒３１と第５の砥粒４３（第４の砥粒）で行う。第５の砥粒４３によってダイシングブレード４に付着したダイアタッチ材２５の膜剥がれが促進される。第５の砥粒４３は、冷却水に混合され、供給される。第５の砥粒４３は、ダイヤモンド又はＳｉ研磨屑が用いられる。そのサイズは、直径が約１０μｍ〜１５μｍで、冷却水に第５の砥粒４３を混入する割合は、体積比で例えば１５％〜２０％程度である。
【００３５】
第１から第３の各段階の切削において最適な砥粒のサイズが存在する。例えば、配線層１０の切削に適している砥粒のサイズが最も小さいとすると、ダイシングブレード４に使用される第１の砥粒３１は、このサイズのものを使用する。第１段階、即ち配線層１０のダイシング時には、小サイズの砥粒を供給し、ダイシングブレード４に配線層１０の材料が付着するのを防ぐ。第２段階、即ち半導体ウェハ２の切削時は、第４の砥粒４２として、中サイズの砥粒を供給して切削する。第３段階、即ちダイアタッチ材２５の切削時には、第５の砥粒４３として、大サイズの砥粒を供給してダイアタッチ材２５がダイシングブレード３に付着するのを防ぐ。これによって、各段階において、切削能力を低下することなく継続してダイシングすることが可能となる。この実施の形態では、配線層１０が半導体ウェハ２の厚さと同等かそれより厚い場合に特に有効である。
【００３６】
ここで、第１の段階では、第３の砥粒４１を供給せずに配線層１０を切削しても良い。
【００３７】
以上、説明したように、この実施の形態では、ダイアタッチ材２５を貼り付けた半導体ウェハ２を３段階に分けて切削し、かつその各々の段階で異なる粒径の砥粒を冷却水と共に供給するようにした。第１の砥粒３１に加えて切削深さによってサイズの異なる砥粒を追加的に使用することで、ダイアタッチ材２５の切削や、ダイシングブレード４に付着したダイアタッチ材２５Ａの膜剥がれを促進できる。その他の効果は、第２の実施の形態と同様である。
【００３８】
ここで挙げた全ての例及び条件的表現は、発明者が技術促進に貢献した発明及び概念を読者が理解するのを助けるためのものであり、ここで具体的に挙げたそのような例、及び
条件に限定することなく解釈するものであり、また、明細書におけるそのような例の編成は本発明の優劣を示すこととは関係ない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、それに対して種々の変更、置換及び変形を施すことができる。
【００３９】
以下に、前記の実施の形態の特徴を付記する。
（付記１）  一方の面に配線層を形成し、他方の面に樹脂シートを貼り付けた半導体ウェハをダイシングブレードを用いて切削する切削工程を有し、前記切削工程において、前記樹脂シートを貼り付けた前記半導体ウェハの切削深さを段階的に変化させる工程と、切削深さに応じて砥粒の粒径を変化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２）  前記砥粒の粒径を変化させる工程は、第１の砥粒が埋め込まれた前記ダイシングブレードに、前記第１の砥粒とは粒径が異なる前記砥粒を冷却水と共に供給することを含む付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記３）  前記切削工程は、前記配線層及び前記半導体ウェハを切削する第１の切削工程と、前記樹脂シートを切削する第２の切削工程と、を含み、前記第１の切削工程は、前記ダイシングブレードに埋め込まれた第１の砥粒を用いて切削し、前記第２の切削工程は、前記第１の砥粒に加えて前記第１の砥粒より粒径の大きい第２の砥粒を供給しながら切削することを特徴とする付記１又は付記２に記載の半導体装置の製造方法。
（付記４）  前記切削工程は、前記配線層を切削する第１の切削工程と、前記半導体ウェハを切削する第２の切削工程と、前記樹脂シートを切削する第３の切削工程と、を含み、前記第１の切削工程、前記第２の切削工程、前記第３の切削工程の順番に粒径が大きい前記砥粒を供給することを特徴とする付記１又は付記２に記載の半導体装置の製造方法。
（付記５）  前記第１の切削工程は、前記ダイシングブレードに埋め込まれた第１の砥粒に加えて第２の砥粒を供給して切削し、前記第２の切削工程は、前記第１の砥粒に加えて第３の砥粒を供給して切削し、前記第３の切削工程は、前記第１の砥粒に加えて第４の砥粒を供給して切削する工程を含む付記４に記載の半導体装置の製造方法。
（付記６）  前記第１の砥粒の粒径が１μｍ〜３μｍであり、前記第２の砥粒の粒径が１０μｍ〜１５μｍであることを特徴とする付記３に記載の半導体装置の製造方法。
（付記７）  前記第１の切削工程で使用する前記砥粒の粒径は１μｍ〜３μｍであり、前記第２の切削工程で使用する前記砥粒の粒径は３μｍ〜１０μｍを含み、前記第３の切削工程で使用する前記砥粒の粒径は１０μｍ〜１５μｍを含むことを特徴とする付記４に記載の半導体装置の製造方法。
（付記８）  一方の面に配線層を形成した半導体ウェハの他方の面に、樹脂シートを貼り付ける工程と、前記樹脂シートを貼り付けた前記半導体ウェハを第１の砥粒が取り付けられたダイシングブレードを用いて第１の深さまで切削する工程と、前記第１の砥粒より粒径が大きい第２の砥粒を前記ダイシングブレード及び前記半導体ウェハに供給しながら、前記樹脂シートを貼り付けた前記半導体ウェハを前記ダイシングブレードを用いて前記第１の深さより深い第２の深さまで切削する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００４０】
１  ダイシング装置
２  半導体ウェハ
２Ａ  一方の面
２Ｂ  他方の面
４  ダイシングブレード
１０  配線層
１２  ダイシングライン
２５  ダイアタッチ材（樹脂シート）
３１  第１の砥粒
３２  第２の砥粒
３５  半導体装置
４１  第３の砥粒
４２  第４の砥粒
４３  第５の砥粒
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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