(57)【要約】【課題】反射層の耐硫化特性が高く、ボンディング接合強度が高い半導体発光素子搭載用基板、半導体発光素子搭載用基板の製造方法及び半導体発光装置を得る。【解決手段】基材と、基材の半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に形成された反射層と、を備え、反射層には、基材の表面上に設けられたワイヤボンディング領域を露出させる第１の開口が形成されている。【選択図】図１
2013183148.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材の半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に形成された反射層と、を備え、
前記反射層には、前記基材の表面上に設けられたワイヤボンディング領域を露出させる第１の開口が形成されている
ことを特徴とする半導体発光素子搭載用基板。
【請求項２】
前記基材と前記反射層との間には、バリア層が形成されており、
前記バリア層には、前記反射層に形成された前記第１の開口に対応する位置に、前記ワイヤボンディング領域を露出させる第２の開口が形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子搭載用基板。
【請求項３】
半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に反射層が形成された基材を用意する工程と、
前記反射層上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に対して露光及び現像を行って所定のレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記反射層をエッチングすることで、前記基材の表面上に設けられるワイヤボンディング領域を露出させる第１の開口を形成する工程と、を有する
ことを特徴とする半導体発光素子搭載用基板の製造方法。
【請求項４】
半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に、バリア層及び反射層が順に形成された基材を用意する工程と、
前記反射層上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に対して露光及び現像を行って所定のレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記反射層をエッチングして第１の開口を前記反射層に形成し、その後、前記レジストパターン及び前記反射層をマスクとして前記バリア層をエッチングすることで、前記基材の表面上に設けられるワイヤボンディング領域を露出させる第２の開口を前記バリア層に形成する工程と、を有する
ことを特徴とする半導体発光素子搭載用基板の製造方法。
【請求項５】
基材を用意する工程と、
前記基材の半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に所定のパターンを有するマスク層を形成する工程と、
前記マスク層に覆われていない前記基材の半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に、スパッタにより反射層を形成する工程と、
前記マスク層を除去することで、前記基材の表面上に設けられるワイヤボンディング領域を露出させる第１の開口を前記反射層に形成する工程と、を有する
ことを特徴とする半導体発光素子搭載用基板の製造方法。
【請求項６】
基材を用意する工程と、
前記基材の半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に所定のパターンを有するマスク層を形成する工程と、
前記マスク層に覆われていない前記基材の半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に、前記バリア層及び前記反射層を順にスパッタにより積層する工程と、
前記マスク層を除去することで、前記基材の表面上に設けられるワイヤボンディング領域を露出させる第１の開口及び第２の開口を前記反射層及び前記バリア層にそれぞれ形成する工程と、を有する
ことを特徴とする半導体発光素子搭載用基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１又は２に記載の半導体発光素子搭載用基板、又は請求項３ないし６のいずれかに記載の半導体発光素子搭載用基板の製造方法により得られた半導体発光素子搭載用基板のいずれかを用いた半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子搭載用基板、半導体発光素子搭載用基板の製造方法及び半導体発光素子搭載用基板を用いた半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）、レーザーダイオード（ＬＤ：Laser Diode）に代表される半導体発光装置は、例えば、半導体発光素子搭載用基板と
しての銅基材又は金属樹脂複合基材上に、半導体発光素子としての例えばＬＥＤチップ又はＬＤチップ等を搭載することにより構成されている。そして、ＬＥＤチップ又はＬＤチップと、銅基材又は金属樹脂複合基材の表面の一部とは、例えばモールド樹脂から成る外囲器で包囲され、外囲器の内部は透明樹脂で充填されている。外囲器は開口部を形成し、銅基材又は金属樹脂複合基材から離れるにしたがって開口部の直径が大きくなるように、すなわち逆円錐台状に形成されている。そして、銅基材又は金属樹脂複合基材と、ＬＥＤチップ又はＬＤチップとは、例えば金ワイヤのようなボンディングワイヤによりそれぞれ電気的に接続されている。すなわち、ボンディングワイヤの一端は、銅基材又は金属樹脂複合基材の表面のうち、外囲器の内部から露出する部分と接続され、ボンディングワイヤの他端は、ＬＥＤチップ又はＬＤチップに接続される。
【０００３】
上述のような半導体発光装置では、ＬＥＤチップ又はＬＤチップから放射された光を効率よく外部へと出射させるために、例えば、銅基材又は金属樹脂複合基材のＬＥＤチップ又はＬＤチップを搭載する側の面上に、光反射率の高い銀めっき層等の光反射層を形成することが知られている（例えば特許文献１参照）。このような半導体装置では、ＬＥＤチップ又はＬＤチップが光反射層上に搭載されるている。これにより、ＬＥＤチップ又はＬＤチップから、銅基材又は金属樹脂複合基材側に放射された光が光反射層により反射されて、透明樹脂部を通って外部に出射されることになる。従って、ＬＥＤチップ又はＬＤチップから放射された光を効率よく外部へと出射することができる。
【０００４】
しかしながら、上述の特許文献１に記載の半導体発光装置では、外囲器がモールド樹脂等の樹脂で構成されているため、樹脂が硫化水素ガス等の大気中のガスを外囲器内部へ透過させる場合があった。このため、外囲器内部に透過した大気中の例えば硫化水素ガスと光反射層に含まれる銀とが反応し、銀が硫化されて黒化する場合があった。その結果、光反射層の反射率が急激に低下し、ＬＥＤチップ又はＬＤチップから放射された光を効率よく外部へと出射できない場合があった。
【０００５】
そこで、例えば、外囲器の円錐台状の開口部の傾斜面上に、光反射率の高い銀、銀ビスマス、銀ネオジウムの少なくともいずれかを含有する金属層（光反射層）を形成し、少なくとも金属層（光反射層）上にガス遮蔽性の高い樹脂層（プライマー）を形成した半導体発光装置が提案されている（例えば特許文献２参照）。これにより、ＬＥＤチップ又はＬＤチップから放射された光を効率よく外部へと出射できるとともに、金属層（光反射層）の黒化を低減できる。すなわち、ＬＥＤチップ又はＬＤチップから側方（外囲器の側）に放射された光が、外囲器の傾斜面に形成された金属層（光反射層）により反射されることで、光を効率よく外部へと出射できる。そして、ガス遮蔽性の高い樹脂層を形成することで、硫化水素ガス等の大気中のガスが外囲器内部へ透過されることを低減でき、光反射層が黒化することを低減できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１４９８２３号公報
【特許文献２】特開２０１０−１０２７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献２に記載の半導体発光装置は、樹脂層の構成材料として、アクリル系樹脂が使用されている。特許文献２に記載されているように、アクリル系樹脂は、ガス遮蔽性が高いという利点を有する一方、耐熱性や耐光性に劣り、熱や光によりアクリル系樹脂が変色（黄変）し、光ロスが発生する場合があった。従って、このような半導体発光装置は、使用範囲が限定される場合があった。
【０００８】
また、光反射層の黒化を低減する別の方法として、例えば、銀等を含む光反射層の表面上に硫化防止用の薄い有機保護膜等の保護層を設けることが提案されている。しかしながら、ボンディングワイヤを接続する前、すなわちワイヤボンディング前に、ワイヤボンディング性を安定化させるため、半導体発光素子搭載用基板には、プラズマ洗浄等が行われる。これにより、光反射層上に形成された保護層が劣化したり、剥がれたりする場合があり、硫化防止効果が低減する場合があるという問題がある。
【０００９】
そこで、半導体発光素子の反射層として、銅基材や金属樹脂複合基材等の半導体発光素子を搭載する側の面上に、半導体発光素子の反射層としてアルミニウム層を形成することが考えられている。アルミニウム層は、銀を含む光反射層と遜色ない高い反射率を有するとともに、銀を含む光反射層のように硫化して黒化することを抑制できる。
【００１０】
このような半導体発光素子搭載用基板では、ボンディングワイヤの一端がアルミニウム層に接続される。アルミニウム層の厚さは、銀等を含む光反射層の厚さよりも薄い場合が多く、ワイヤボンディングを行うために必要な強度を有していない。このため、ワイヤボンディングを行う際、アルミニウム層とボンディングワイヤとの接合部に、アルミニウムの酸化膜が形成されてしまい、ボンディング接合強度が低下する場合がある。従って、このアルミニウムの酸化膜が、十分に分散し、ボンディング接合面（アルミニウム層の表面）に残らないようなボンディング条件に、ワイヤボンディング装置を設定して管理する必要がある。なお、アルミニウム層の大気側には、自然酸化膜がわずかに形成される。このため、アルミニウム層の厚さは、自然酸化膜の存在が問題にならない程度の厚さに形成されている。このように、ボンディングワイヤがアルミニウム層に接続される場合、ボンディング接合強度を得るために、ボンディングワイヤが銀等を含む光反射層に接続される場合と比べて、非常に厳しいボンディング条件が要求されるという問題がある。従って、従来は、アルミニウムの酸化膜を破壊することで、常温金属接合を実現し、ワイヤボンディングが行われていた。そして、アルミニウム層にワイヤボンディングを行う場合、アルミニウムのリボンワイヤが好適に用いられ、ウェッジボンディングにて接続されることが多い。
【００１１】
そこで、本発明は、上記課題を解決し、反射層の耐硫化特性が高く、ボンディング接合強度が高い半導体発光素子搭載用基板、半導体発光素子搭載用基板の製造方法及び半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明は次のように構成されている。
本発明の第１の態様は、
基材と、
前記基材の半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に形成された反射層と
、を備え、
前記反射層には、前記基材の表面上に設けられたワイヤボンディング領域を露出させる第１の開口が形成されている半導体発光素子搭載用基板が提供される。
【００１３】
本発明の第２の態様によれば、
前記基材と前記反射層との間には、バリア層が形成されており、
前記バリア層には、前記反射層に形成された前記第１の開口に対応する位置に、前記ワイヤボンディング領域を露出させる第２の開口が形成されている第１の態様に記載の半導体発光素子搭載用基板が提供される。
【００１４】
本発明の第３の態様によれば、
半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に反射層が形成された基材を用意する工程と、
前記反射層上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に対して露光及び現像を行って所定のレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記反射層をエッチングすることで、前記基材の表面上に設けられるワイヤボンディング領域を露出させる第１の開口を形成する工程と、を有する半導体発光素子搭載用基板の製造方法が提供される。
【００１５】
本発明の第４の態様によれば、
半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に、バリア層及び反射層が順に形成された基材を用意する工程と、
前記反射層上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に対して露光及び現像を行って所定のレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記反射層をエッチングして第１の開口を前記反射層に形成し、その後、前記レジストパターン及び前記反射層をマスクとして前記バリア層をエッチングすることで、前記基材の表面上に設けられるワイヤボンディング領域を露出させる第２の開口を前記バリア層に形成する工程と、を有する半導体発光素子搭載用基板の製造方法が提供される。
【００１６】
本発明の第５の態様によれば、
基材を用意する工程と、
前記基材の半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に所定のパターンを有するマスク層を形成する工程と、
前記マスク層に覆われていない前記基材の半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に、スパッタにより反射層を形成する工程と、
前記マスク層を除去することで、前記基材の表面上に設けられるワイヤボンディング領域を露出させる第１の開口を前記反射層に形成する工程と、を有する半導体発光素子搭載用基板の製造方法が提供される。
【００１７】
本発明の第６の態様によれば、
基材を用意する工程と、
前記基材の半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に所定のパターンを有するマスク層を形成する工程と、
前記マスク層に覆われていない前記基材の半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に、前記バリア層及び前記反射層を順にスパッタにより積層する工程と、
前記マスク層を除去することで、前記基材の表面上に設けられるワイヤボンディング領域を露出させる第１の開口及び第２の開口を前記反射層及び前記バリア層にそれぞれ形成する工程と、を有する半導体発光素子搭載用基板の製造方法が提供される。
【００１８】
本発明の第７の態様によれば、
第１又は第２の態様に記載の半導体発光素子搭載用基板、又は第３〜第６のいずれかに記載の製造方法により得られた半導体発光素子搭載用基板のいずれかを用いた半導体発光装置が提供される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、反射層の耐硫化特性が高く、ボンディング接合強度が高い半導体発光素子搭載用基板、半導体発光素子搭載用基板の製造方法及び半導体装置を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体発光素子搭載用基板の概略断面図である。
【図２】本発明の一実施形態の変更例に係る半導体発光素子搭載用基板の概略断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体発光素子搭載用基板の製造工程を示す概略フロー図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る半導体発光素子搭載用基板の製造工程を示す概略フロー図である。
【図５】図１に示す半導体発光素子搭載用基板を用いた半導体発光装置の概略断面図である。
【図６】図２に示す半導体発光素子搭載用基板を用いた半導体発光装置の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（本発明の一実施形態）
以下に、本発明の一実施形態にかかる半導体発光素子搭載用基板及びこの半導体発光素子搭載用基板を用いた半導体発光装置について、図１及び図２を参照しながら説明する。
【００２２】
図１及び図２に示すように、本実施形態に係る半導体発光素子搭載用基板１（以下、単に基板とも言う。）は、基材２と、基材２の半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に設けられた反射層３と、を備えて構成されている。
【００２３】
基材２としては、金属部材から構成されるものが好適に用いられる。この他、金属部材を有する基材２を用いてもよい。金属部材を構成する金属としては、銅、銅合金、又は鉄系合金が好適に用いられるが、これに限定されるものではない。特に、金属部材が銅もしくは銅合金で構成されると、電気抵抗、熱抵抗の観点から好ましく、汎用性が最も高い。また、鉄系合金としては、例えば４２アロイ等の鉄ニッケル合金や、鉄系フレーム材等を用いることができる。量産化を考慮すると、基材２として、銅からなるフープ材を用いることが好ましいが、短尺のシート材や個別材を用いることもできる。また、基材２として、銅から構成される銅基材が用いられる場合、銅基材の厚さに制限はなく、コストを加味して厚さが選定される。
【００２４】
基材２の半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部には、反射層３が設けられている。反射層３は、後述する半導体発光素子から放射された光を反射させて放射する。反射層３は、後述する外囲器１３が形成される領域以外の領域に形成されていればよい。具体的には、反射層３は、基材２の半導体発光素子を搭載する側の面のうち、後述する外囲器１３に形成される凹部１４の底部から露出する領域の少なくとも一部に形成されていればよい。これにより、反射層３は、基板２上に搭載された例えばＬＥＤチップやＬＤチップ等の半導体発光素子から、基材２側（反射層３側）に放射された光を後述する外囲器１３内で反射させ、光を外部に効率よく出射させることができる。
【００２５】
また、反射層３は、アルミニウムにより構成されたアルミニウム層である。これにより、反射層３として例えば銀や銀合金を含む銀層若しくは銀合金層が形成される場合と比べて、反射層３の耐硫化特性が向上し、反射層３が黒化して反射率が低減することを抑制できる。その結果、半導体発光素子搭載用基板１は、長期間にわたって、高くかつ安定した反射特性を有するようになる。また、反射層３に用いられるアルミニウムは、紫外線に対しては銀の３倍以上の反射率を有し、紫色光、赤色光、赤外線に対しては銀とほぼ同等の反射率を有する。このように、反射層３としてアルミニウム層を形成することで、高い反射率を確保できる。
【００２６】
反射層３は、例えば、減圧圧力調整機能を有する真空蒸着装置で、バッチ処理若しくは連続処理等の真空蒸着法により形成される。真空蒸着装置としては、抵抗加熱式であってバレル式のものが好適に用いられる。真空蒸着装置は、例えば、電子ビーム方式であっても、プラズマ方式であってもよい。すなわち、真空蒸着装置として、例えば蒸発源としてのカーボン坩堝を備え、ロードロック方式において、カーボン坩堝に電子ビームを照射することで材料を蒸発させて反射層３を形成するものが好適に用いられる。カーボン坩堝を備える真空蒸着装置は、耐久性の良いカーボン坩堝等を適宜最適化することで、安定した蒸着を連続して行うことができる。また、真空蒸着装置として、フープ材に蒸着できる連続式蒸着装置を用いてもよい。真空蒸着装置は、反射層３の品質（膜質）や、生産性等を総合的に考慮し、適宜選択できる。なお、反射層３の形成方法は真空蒸着法に限定されるものではなく、反射層３の品質や生産性等を考慮して、この他、例えば、イオンプレーティング（イオンめっき）法、スパッタリング法、クラッド法等を用いることができる。なお、反射層（アルミニウム層）３の厚さは、反射率や、耐久性等の観点から０．０２μｍ以上が好ましく、平坦性の観点から２μｍ以下がより好ましい。
【００２７】
反射層３には、基材２の表面上に設けられるワイヤボンディング領域４を露出させる第１の開口５が形成されている。これにより、基材２上に搭載された半導体発光素子と、半導体発光素子搭載用基板１とを接続するボンディングワイヤは、反射層３に形成された第１の開口５を介して基材２の表面上に設けられるワイヤボンディング領域４に接続される。すなわち、反射層３上には、ボンディングワイヤとの接合部が形成されることがない。その結果、ワイヤボンディング時に、反射層３上に酸化膜が形成されることを抑制でき、ボンディング接合強度の低下を抑制できる。また、ボンディングワイヤは、基材２上に設けられるワイヤボンディング領域４に接続されるので、反射層３に接続される場合と比較すると、ワイヤボンディングできる条件の範囲が広くなり、組立速度や歩留りが向上する。
【００２８】
なお、ワイヤボンディングとは、基材２（リードフレーム）側の電極と、基材２に搭載された半導体発光素子上の電極とを、電気的に接続するために、例えば金ワイヤ、銅系ワイヤ、アルミニウムワイヤ等のボンディングワイヤで接続することをいう。具体的には、まず、ボンディングワイヤの一端の先端を放電によって球状にして、半導体発光素子上の電極に接続する（１ｓｔボンディング）。次に、基材２上の表面に設けられるワイヤボンディング領域４（基材２側の電極）の所定の位置で、ボンディングワイヤの他端をワイヤボンディング領域４の表面にこすりつける形で圧着する（２ｎｄボンディング）。このように、１ｓｔボンディングでは、ボールボンディングによる接続が行われ、２ｎｄボンディングでは、ウェッジボンディングによる接続が行われる場合が多い。また、通常は、位置精度や圧着性を鑑み、半導体発光素子側の電極を、１ｓｔボンディングとすることが多い。なお、ボンディングワイヤが２ｎｄボンディングされる領域４の寸法、すなわち第１の開口５の開口径は、使用するボンディングワイヤ径の約４倍〜５倍とすることが好ましい。
【００２９】
また、図２に示すように、例えば、基材２が、銅や銅合金を含む銅基材２ａと、銀を含む銀層若しくは銀合金を含む銀合金層２ｂと、を備えていてもよい。すなわち、銅基材２ａの少なくとも半導体発光素子を搭載する側の面上に、銀層若しくは銀合金層２ｂが形成されていてもよい。なお、銅基材２ａ上に銀層若しくは銀合金層２ｂが形成された基材２が用いられる場合においても、基材２上に形成される反射層３の厚さは、０．０２μｍ以上２μｍ以下であるとよい。
【００３０】
銀層若しくは銀合金層２ｂは、銀めっきを行うことで形成される。銀めっきとしては湿式めっき法が好適に用いられ、湿式めっき法としては、シアン化銀めっき浴を用いることが一般的であるが、ノンシアン浴等も用いることができる。これにより、銅基材２ａの６面全面に銀層若しくは銀合金層２ｂが形成された基材２が、低コストで得られる。銀めっきを行う際、例えばブチンジオール、サッカリン等の有機光沢剤や、例えばアンチモン、ニッケル、コバルト、錫、セレン等の少量の金属塩を、めっき浴中に添加することで、銀層若しくは銀合金層２ｂの光沢度をより向上させることができる。また、めっき浴中に、銀塩を添加するとともに、シアン化金カリウム等の金めっき原料を添加することで、銀合金めっきを行うことができ、銀合金層２ｂを形成することができる。同様に、銀塩が添加されためっき浴中に、白金、パラジウム、ロジウム、ニッケル、インジウム等の化合物塩を添加することで、銀合金めっきを行うこともできる。なお、例えば真空蒸着等の乾式めっき法によっても、本実施形態の所望とする品質を有する銀層若しくは銀合金層２ｂを形成できる。
【００３１】
銀層若しくは銀合金層２ｂの厚さは１．０μｍ以上５．０μｍ以下であるとよいが、実装される半導体発光素子によって適宜変更できる。なお、湿式めっき法にて銀層若しくは銀合金層２ｂを形成した場合には、銀層若しくは銀合金層２ｂの厚さは、めっき時の電流値を積算することによって算出できる。
【００３２】
また、基材２と反射層３との間には、バリア層６が形成されていてもよい。バリア層６は、チタン、ニッケル、クロム、コバルト、タンタル、ニオブ、バナジウム、タングステン、モリブデンの少なくともいずれかを含む。このようにバリア層６を形成することで、基材２と反射層３とが反応することを抑制できる。すなわち、基材２中に含まれる例えば銅などの金属や酸素が反射層３へ拡散することを阻止することができる。バリア層６に用いられる金属は、目的や用途等に応じて適宜選択される。バリア層６の形成方法としては、接合特性、生産性等を総合的に考慮して、例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、イオンプレーティング（イオンめっき）法、スパッタリング法、クラッド法等を用いることができる。
【００３３】
バリア層６には、反射層３に設けられた第１の開口５に対応する位置に、基材２の表面上に設けられるワイヤボンディング領域４を露出させる第２の開口７が形成されている。これにより、基材２上に搭載された半導体発光素子と、半導体発光素子搭載用基板１とを接続するボンディングワイヤは、反射層３に形成された第１の開口５及びバリア層６に形成された第２の開口７を介して、基材２の表面上に設けられるワイヤボンディング領域４に接続される。従って、ワイヤボンディングできる条件の範囲が広くなるとともに、ボンディング接合強度の低下を抑制できる。
【００３４】
［半導体発光素子搭載用基板の製造方法］
次に、本発明に係る半導体発光素子搭載用基板１の製造方法の一実施形態について説明する。本実施形態では、図２に示す半導体発光素子搭載用基板１を製造する製造方法について、主に図３を用いて説明する。図３は、本実施形態に係る半導体発光素子搭載用基板１の製造工程を示す概略フロー図である。
【００３５】
図３（ａ）に示すように、まず、基材２を用意する。基材２には、基材２の半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に、バリア層６及び反射層３がそれぞれ、基材２の側から順に形成されている。なお、本実施形態では、基材２として、例えば、銅を含む銅基材２ａと、銀を含む銀層若しくは銀合金を含む銀合金層２ｂと、を備えるものを用いる。すなわち、本実施形態で用いる基材２は、銅基材２ａの半導体発光素子を搭載する側の面上に、銀を含む銀層若しくは銀合金を含む銀合金層２ｂが形成されている。
【００３６】
反射層３を、基材２の半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に形成する方法としては、例えば、上述の反射層３を形成する蒸着装置等の装置にて、基材２上の反射層３を形成する領域以外（例えば、後述する外囲器１３が設けられる領域）を遮蔽する機能を付与することが考えられる。この他、例えば、基材２の表面全面に反射層３を成膜して形成した後、例えば、後述する外囲器１３が設けられる領域に形成された反射層３をエッチング等により除去する方法がある。なお、これら以外の方法を用いてもよい。
【００３７】
次に、図３（ｂ）に示すように、反射層３上にレジスト層８を形成する。レジスト層８としては、例えば、ドライレジストフィルム（旭化成イーマテリアルズ（株）製  Ａ５８）を用いることができる。そして、基材２に形成された反射層３上に、ドライレジストフィルムを載置し、その後、例えばロールラミネータ（アコ・ブランズ・ジャパン（株）製
ＧＬ８３５ＰＲＯ）を用い、１２０℃で熱圧着することで、反射層３上にレジスト層８が形成される。
【００３８】
そして、レジスト層８に対して露光及び現像を行って、レジスト層８に所定のレジストパターンを形成する。なお、本実施形態では、レジスト層８に対して所定のマスクパターンが形成されたフォトマスクを用いた露光及び現像を行うことで、レジスト層８に所定のレジストパターン（本実施形態では円形状）を形成している。この他、例えば、レーザビーム等を用いた、いわゆる直接描画方式等により、レジスト層８に所定のレジストパターンを形成してもよい。
【００３９】
そして、図３（ｃ）に示すように、レジスト層８に形成された所定のレジストパターンをマスクとして、反射層３をエッチングして、基材２の表面上（本実施形態では銀層若しくは銀合金層２ｂの表面上）に設けられるワイヤボンディング領域４を露出させる第１の開口５を形成する。
【００４０】
具体的には、露光装置（例えばユニオン光学（株）製  ＥＭＡ−４００）を用い、紫外線ｇ線でレジスト層８及び反射層３を露光する。その後、水酸化ナトリウム３重量％水溶液で現像、水洗を行う。水洗を行う際、露光した部分のレジスト層８及び反射層３（アルミニウム）が、水酸化ナトリウムで溶解、除去されて、所定のレジストパターン及び第１の開口５が形成される。このように反射層３の部分エッチングは、レジスト層８の通常現像時間中において行うことができ、レジストパターンの形成もできる。本実施形態では、室温において現像液に９０秒間の浸漬を行うことで十分であるが、念のため５秒間の追加浸漬を行った。工業的には連続現像を行う装置にて、現像液をシャワーで吹き付ける方式をとることが多く、装置に合わせて条件出しを行い、現像時間を決定する必要がある。なお、本実施形態では、レジスト層８に対して所定のレジストパターンを形成すると同時に、レジスト層８に形成されたレジストパターンをマスクとして、反射層３をエッチングして、第１の開口５を形成しているが、これに限定されるものではない。すなわち、レジスト層８へのレジストパターンの形成と、反射層３のエッチングとは、同時に行う必要はなく、それぞれ別々に行ってもよい。また、基材２の表面全面に反射層３が設けられている場合、第１の開口５の形成と同時に、後述する外囲器１３が設けられる領域に形成された反射層３をエッチングして除去してもよい。
【００４１】
その後、図３（ｄ）に示すように、レジスト層８に形成されたレジストパターン及び反射層３をマスクとして、バリア層６をエッチングすることで、基材２の表面上に設けられるワイヤボンディング領域４を露出させる第２の開口７を形成する。
【００４２】
具体的には、フッ酸：フッ化アンモニウムが１：６の割合で混合された混合物を１０重量％配合した混合溶液（希釈液）に、バリア層６が形成された基材２を１０秒間浸漬することで、バリア層６のエッチングを行い、第２の開口７を形成した。なお、バリア層６のエッチングは、フッ酸系エッチング液に浸漬して行われるとよいが、これに限定されるものではない。すなわち、バリア層６の厚さや温度等を考慮して、エッチング液の濃度や組成を適宜変更し、エッチングレートを調整するとよい。
【００４３】
その後、図３（ｅ）に示すように、レジスト層８を剥離する。具体的には、基材２の表面上に設けられるワイヤボンディング領域４を露出させた後、剥離剤に浸漬して、レジスト層８を剥離した。なお、剥離剤としては、例えば、（株）パーカーコーポレーション製ＰＫ−ＳＦＲ８１３０等が用いられる。そして、本実施形態に係る半導体発光素子搭載用基板１が得られ、その製造工程を終了する。
【００４４】
なお、本実施形態に係る製造方法は、基材２と反射層３との間に、バリア層６が形成されていない半導体発光素子搭載用基板１を製造する場合にも適用できる。すなわち、まず、半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に反射層３が形成された基材２を用意する。次に、反射層３上にレジスト層８を形成し、レジスト層８に対して露光及び現像を行って所定のレジストパターンを形成する。そして、レジストパターンをマスクとして反射層３をエッチングすることで、基材２の表面上に設けられるワイヤボンディング領域４を露出させる第１の開口５を形成する。その後、レジスト層８を剥離することで、バリア層６が形成されていない半導体発光素子搭載用基板１が得られる。
【００４５】
本発明に係る半導体発光素子搭載用基板１の製造方法は、上述の製造方法に限定されるものではない。次に、本発明に係る半導体発光素子搭載用基板１の製造方法の他の実施形態について、主に図４を用いて説明する。図４は、本実施形態に係る半導体発光素子搭載用基板１の製造工程を示す概略フロー図である。
【００４６】
本実施形態に係る製造方法が上述の図３に示す製造方法と異なる点は、基材２上に、マスク層９を形成した後、バリア層６及び反射層３を順にスパッタにより形成し、マスク層９を除去することで、反射層３に第１の開口５を形成すると同時にバリア層６に第２の開口７を形成する点である。
【００４７】
本実施形態においては、図４（ａ）に示すように、まず、基材２を用意する。本実施形態では、基材２として、例えば、銅を含む銅基材２ａと、銀を含む銀層若しくは銀合金を含む銀合金層２ｂと、を備える基材２を用意する。銀層若しくは銀合金層２ｂは、銅基材２ａの半導体発光素子を搭載する側の面上に設けられている。
【００４８】
次に、図４（ｂ）に示すように、基材２の半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に、所定のパターンを有するマスク層９を形成する。マスク層９としては、例えば、ポリイミド系樹脂フィルム又は金属を含む金属部材等を用いることができる。なお、本実施形態の場合には、反射層３を形成する際に既に高分子系のマスク層９が配置されているため、反射層３の形成において、カーボンなどの不純物が反射層３中に混入する場合等がある。従って、反射層３の膜質への不純物の混入を抑制する目的で、金属部材からなるマスク層９を配置することがより好ましい。
【００４９】
そして、図４（ｃ）に示すように、マスク層９に覆われていない基材２の半導体発光素
子を搭載する側の面上の少なくとも一部に、バリア層６をスパッタにより形成する。その後、図４（ｄ）に示すように、反射層３を、マスク層９に覆われていないバリア層６上にスパッタにより形成して、反射層３をバリア層６上に積層する。
【００５０】
その後、図４（ｅ）に示すように、マスク層９を除去する。これにより、反射層３に第１の開口５が形成され、バリア層６に第２の開口７が形成される。第１の開口５及び第２の開口７は、基材２の表面上（本実施形態では銀層若しくは銀合金層２ｂの表面上）に設けられるワイヤボンディング領域４を露出させる開口である。そして、本実施形態に係る半導体発光素子搭載用基板１が得られ、その製造工程を終了する。
【００５１】
なお、本実施形態に係る製造方法は、基材２と反射層３との間に、バリア層６が形成されていない半導体発光素子搭載用基板１を製造する場合にも適用できる。すなわち、まず、基材２を用意する。次に、基材２の半導体発光素子１を搭載する側の面上の少なくとも一部に、所定のパターンを有するマスク層９を形成する。そして、マスク層９に覆われていない基材２の半導体発光素子を搭載する側の面上の少なくとも一部に、スパッタにより反射層３を形成する。その後、マスク層９を除去することで、基材２の表面上に設けられるワイヤボンディング領域４を露出させる第１の開口５を反射層３を形成する。これにより、本実施形態に係る製造方法であっても、バリア層６が形成されていない半導体発光素子搭載用基板１が得られる。
【００５２】
［半導体発光装置］
次に、上述した半導体発光素子搭載用基板１を用いた半導体発光装置について説明する。図５は、図１に示す半導体発光素子搭載用基板１を用いた半導体発光装置の概略断面図を示す。図６は、図２に示す半導体発光素子搭載用基板１を用いた半導体発光装置の概略断面図を示す。なお、図５に示す半導体発光装置と、図６に示す半導体発光装置との違いは、図６に示すように、基材２と反射層３との間にバリア層６が形成された半導体発光素子搭載用基板１を用いているか、図５に示すように、バリア層６が形成されていない半導体発光素子搭載用基板１を用いているかである。従って、以下では、主に、図６に示すバリア層６が形成された半導体発光素子搭載用基板１を用いた半導体発光装置について説明し、図５に示す半導体発光装置についての説明は省略する。
【００５３】
図６に示すように、半導体発光装置１０は、２つの半導体発光素子搭載用基板１Ａ，１Ｂが略同一面に近接配置されている。そして、一方の基材２の反射層３上には、半導体発光素子１１が搭載され、他方の基材２の反射層３及びバリア層６には、ワイヤボンディング領域４を露出させる第１の開口５及び第２の開口７が、ワイヤボンディング領域４を露出させるようにそれぞれ形成されている。半導体発光素子１１としては、例えば、ＧａＡｓ−Ｓｉ−ＬＥＤ、ＡｌＧａＡｓ−ＬＥＤ、ＧａＰ−ＬＥＤ、ＡｌＧａＩｎＰ−ＬＥＤ、ＩｎＧａＮ−ＬＥＤ等のＬＥＤチップや、ＬＤチップ等が用いられる。そして、半導体発光素子１１は、例えば導電性ペーストを介して、基材２に形成された反射層３上に搭載される。そして、反射層３及びバリア層６に形成された第１の開口５及び第２の開口７から露出した基材２の表面（ワイヤボンディング領域４）と、半導体発光素子１１とに、ボンディングワイヤ１２が接続されている。
【００５４】
基材２上に形成された反射層３と半導体発光素子１１とを包囲するように、外囲器１３が設けられている。外囲器１３は、例えばモールド樹脂等の樹脂により構成されている。そして、半導体発光素子搭載用基板１Ａ，１Ｂの裏面の少なくとも一部は、外囲器１３を構成する樹脂で覆われている。外囲器１３には、基材２から離れるにしたがって径が大きくなっている凹部１４が形成されている。すなわち、凹部１４は、末広がり状に開口した逆円錐台状に形成されており、凹部１４の側面は傾斜面に形成されている。なお、凹部１４の側面は傾斜面でなくてもよく、例えば垂直面であってもよい。外囲器１３の凹部１４
を構成する側面には、例えばアルミニウムを含む反射層（図示せず）が形成されていてもよい。これにより、半導体発光素子１１から放射された光を、より効率よく外部へと出射させることができる。
【００５５】
そして、外囲器１３の凹部１４の内部を透明樹脂（光透過性樹脂）１５で充填することで、半導体発光素子１１が密封されている。透明樹脂１５としては、例えば透明エポキシ樹脂等を用いることができる。
【００５６】
なお、透明樹脂１５中に、例えばイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ：Yttrium Aluminium Garnet）などの蛍光体材料が混合されていてもよい。これにより、半導体発光素子１１から放射される光の波長を変換することができる。すなわち、例えば半導体発光素子１１として波長が４６０ｎｍのＧａＮ系のＬＥＤチップが用いられた場合、半導体発光装置１０として、疑似白色ＬＥＤ装置を得ることができる。
【００５７】
本実施形態に係る半導体発光装置１０は、外囲器１３の凹部１４の底部から、反射層３が露出している。従って、半導体発光素子１１から放射された光は、反射層３によって凹部１４（外囲器１３）の開口側へ反射される。そして、反射層３によって反射された光は、凹部１４内に充填された透明樹脂１５を透過して、半導体発光装置１０の外部へ出射される。その結果、半導体発光装置１０から外部へ出射される光量を増やすことができる。すなわち、半導体発光素子１１から放射された光を、半導体発光装置１０の外部へ効率よく出射することができる。また、反射層３には、アルミニウムが含まれている。その結果、半導体発光装置１０は、長期間にわたって、高くかつ安定した反射特性を有するようになる。
【００５８】
（本実施形態にかかる効果）
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
【００５９】
（ａ）本実施形態によれば、半導体発光素子搭載用基板１は、基材２を備え、基材２の半導体発光素子１１を搭載する側の面上の少なくとも一部には、反射層３が形成されている。そして、反射層３には、基材２の表面を露出させる第１の開口５が形成されている。
【００６０】
これにより、ボンディング接合強度の低下を抑制できるとともに、ボンディング条件の範囲を拡張することができる。すなわち、ボンディングワイヤ１２の一端は、反射層３に形成された第１の開口５を介して基材２の表面上に設けられるワイヤボンディング領域４に接続され、反射層３上には、ボンディングワイヤ１２との接合部が形成されることがない。また、ボンディングワイヤ１２は、基材２上に設けられるワイヤボンディング領域４に接続されるので、反射層３に接続される場合と比較すると、ワイヤボンディングできる条件の範囲が広くなり、組立速度や歩留りが向上する。
【００６１】
また、反射層３として、アルミニウムを含むアルミニウム層が形成されることで、耐硫化特性を向上させることができる。すなわち、反射層３として例えば銀や銀合金を含む銀層や銀合金層２ｂが形成される場合と比べて、反射層３が黒化して反射率が低減することを抑制できる。その結果、半導体発光素子搭載用基板１は、長期間にわたって、高くかつ安定した反射特性を有するようになる。
【００６２】
（ｂ）本実施形態によれば、基材２と反射層３との間に、バリア層６が形成されている。そして、バリア層６には、反射層３に形成された第１の開口５に対応する位置に、ワイヤボンディング領域４を露出させる第２の開口７が形成されている。これにより、基材２と反射層３とが反応することを抑制できる。また、ワイヤボンディングできる条件が広くなる。
【００６３】
（本発明の他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００６４】
上述した実施形態では、基材２として、銅、銅合金、又は鉄系合金から成る板材を用いる場合について説明した。この他、例えば、基材２として、例えば銅や銅合金等の金属と有機材料又は無機材料を用いた板材（図示せず）とが複合化された複合材を用いてもよい。すなわち、例えば、有機材料を用いた、硬質で、薄く、可撓性を有する樹脂板上に銅配線等の銅を張り合わせた銅張り板やその積層板を用いてもよい。なお、有機材料としては、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリスチレン系樹脂などを用いることができる。具体的には、例えば、ガラスエポキシ基板や、ガラス布基板樹脂板を用いることができる。無機材料としては、例えば、シリコン、ＧａＡｓやＩｎＰなどのIII-V族化合物半導体、石英ガラスなどを用いることができる
。なお、有機材料又は無機材料を用いた板材は、基材２の金属部分の半導体発光素子１１を搭載する側の面とは反対側の面、すなわち反射層３が設けられる側の面とは反対側の面に形成される。
【００６５】
また、上述した実施形態では、基材２が銅基材で構成される場合、及び銅基材２ａと、銀を含む銀層若しくは銀合金を含む銀合金層２ｂと、を備える場合について説明した。この他、例えば、基材２が、銅や銅合金を含む銅基材２ａと、金属層と、を備えていてもよい。すなわち、銅基材２ａの少なくとも半導体発光素子を搭載する側の面上に、金属層が形成されていてもよい。
【００６６】
金属層は、融点が高い金属を含んで形成される。具体的には、金属層は、パラジウム、金、錫、ニッケル、銅-錫合金、銅-ニッケル合金、鉄-ニッケル合金の少なくともいずれ
かを含んで形成される。パラジウムは、銅と比較すると、銅の酸化による変色防止効果（酸化防止効果）が高く、はんだに用いられる錫と馴染みやすく、はんだ濡れ性を確保しやすいという利点がある。金は、はんだ濡れ性を向上させるという利点がある。錫は、はんだ付けを行いやすく、廉価であるという利点があるが、若干酸化しやすいという欠点がある場合がある。ニッケルは、銅の酸化による変色防止効果が高く、半導体発光素子搭載用基板１の取り扱い特性が向上するという利点がある。また、例えば銅基材２ａ等の基材２に含まれる銅が、反射層３側へ拡散することを防止できる。すなわち、銅の拡散バリア性が向上する。銅‐錫合金は、銅と比較すると酸化防止効果が高く、錫や銅と比較すると錫と馴染みやすいという利点がある。銅‐ニッケル合金は、ニッケルと比較すると錫と馴染みやすいという利点がある。鉄‐ニッケル合金は、熱膨張率が低く無機材料との接合性が良いという利点がある。これらの点を踏まえ、例えば、めっきの容易さ、コスト、はんだ特性、銅の拡散バリア性等の使用条件・製造条件によって、金属層として最適な１つ又は複数の金属層を形成する材料が適宜選択される。
【００６７】
また、例えば、基材２が、銅や銅合金を含む銅基材２ａと、ニッケル層と、パラジウム層と、を備えていてもよい。すなわち、銅基材２ａの少なくとも半導体発光素子を搭載する側の面上の一部にニッケル層を形成し、ニッケル層の表面上の一部にパラジウム層を形成してもよい。
【００６８】
ニッケル層及びパラジウム層は、例えば電気めっき等の湿式めっき法により形成できる。これにより、低コストで、基材２の６面全面にニッケル層及びパラジウム層を形成できる場合が多い。なお、例えば真空蒸着等の乾式めっき法によっても、本発明の所望とする品質を有するニッケル層及びパラジウム層を形成できる。
【００６９】
ニッケル層の厚さは０．４μｍ以上１．５μｍ以下、パラジウム層の厚さは０．０１μｍ以上０．２μｍ以下が好ましく、はんだ条件によって、ニッケル層及びパラジウム層の厚さは適宜調整される。なお、湿式めっき法にてニッケル層及びパラジウム層を形成した場合には、ニッケル層及びパラジウム層の厚さ（膜厚）は、めっき時の電流値を積算することによって算出できる。
【００７０】
上述のように、基材２の表面上にニッケル層を形成することで、銅基材２ａの銅の酸化による変色を抑制できると共に、半導体発光素子搭載用基板１の取り扱い特性が向上する。加えて、銅基材２ａに含まれる銅が反射層３側へ拡散することを防止できる。
【００７１】
また、ニッケル層の表面上にパラジウム層を形成し、基材２の最表層をパラジウム層とすることで、反射層３に形成された第１の開口５及びバリア層６に形成された第２の開口７から露出されるワイヤボンディング領域４の表面がパラジウム層となる。従って、ワイヤボンディング時において、ボンディングワイヤの一端は、ワイヤボンディング領域４、すなわちパラジウム層の表面に接続される。パラジウムは、酸化されにくく安定した金属であるため、ボンディング接合強度をより向上させることができる。
【００７２】
また、例えば、基材２の半導体発光素子を搭載する側の最表面には、金フラッシュめっき層が形成されていてもよい。金フラッシュめっき層は、例えば湿式めっき法により形成される。金フラッシュめっき層の厚さは、実装される半導体発光素子によって適宜変更できるが、０．１μｍ以下であるとよい。なお、湿式めっき法にて金フラッシュめっき層を形成した場合には、金フラッシュめっき層の厚さは、めっき時の電流値を積算することによって算出できる。
【００７３】
また、上述した実施形態では、銀層若しくは銀合金層２ｂ、金属層、ニッケル層及びパラジウム層、金フラッシュめっき層はそれぞれ、基材２を構成する例えば銅基材２ａの、半導体発光素子１１を搭載する側の面上に形成したが、これに限定されるものではない。すなわち、銅基材２ａの両面に形成してもよく、銅基材２ａの半導体発光素子１１を搭載する側とは反対側の面上にのみ形成してもよい。
【００７４】
また、銀層若しくは銀合金層２ｂは、基材２を構成する例えば銅を含む銅基材２ａ上に形成された金属層、又は、ニッケル層及びパラジウム層の表面上に形成してもよい。そして、銀層若しくは銀合金層２ｂ上に、反射層３が形成される。
【００７５】
上述の実施形態では、反射層３に形成される第１の開口５及びバリア層６に形成される第２の開口７を円形状に形成したが、これに限定されるものではない。例えば、第１の開口５及び第２の開口７は、矩形状等であってもよく、さらに、基材２の表面上に設けられるワイヤボンディング領域４を露出させることができれば、第１の開口５の形状と第２の開口７の形状とが異なるものであってもよい。
【００７６】
上述の実施形態では、半導体発光素子１１として、半導体発光素子１１の表面及び裏面に電極が形成される縦方向素子を用いたが、これに限定されるものではない。例えば、同一面に一対の電極を形成するプレーナ構造のＬＥＤ（例えば、ＧａＮ系）等の横方向素子を用いてもよい。プレーナ構造のような横方向素子の場合、電極面を表面側（基材２とは反対側）に向けて、カソードとアノードとを、ボンディングワイヤ１２で電気的に接続する方法と、電極面を下（基材２側）に向けて、カソードとアノードとを直接接続する方法（いわゆるフリップチップ実装方式）のいずれの方法を用いてもよい。なお、半導体発光素子１１として、縦方向素子を用いる場合は、ボンディングワイヤ１２と表面電極との接続に使用する給電用端子は１本以上あればよく、表面電極と接続する複数の給電用端子をワイヤボンディング接続してもよい。複数の給電用端子を用いる場合は、大電流駆動時や
発光装置間の配線のレイアウトが容易になる場合があり、使い分けている。
【００７７】
上述の実施形態では、図５及び図６に示すように、半導体発光装置１０で使用される２つの半導体発光素子搭載用基板１Ａ，１Ｂが、同一の層構成を有する場合について説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、例えば、一の半導体発光素子搭載用基板１Ａには、銅基材２ａと、銀層若しくは銀合金層２ｂと、を備える基材２を用い、他の半導体発光素子搭載用基板１Ｂには、銅基材２ａと、ニッケル層及びパラジウム層と、を備え、ニッケル層及びパラジウム層が銅基材２ａの側から順に形成された基材２を用いてもよい。すなわち、半導体発光装置１０に使用される２つの半導体発光素子搭載用基板１Ａ，１Ｂはそれぞれ、層構成が異なる上述の実施形態の基材２を用いてもよい。
【００７８】
また、上述の実施形態では、図５及び図６に示すように、半導体発光装置１０に用いられる半導体発光素子搭載用基板１Ａ，１Ｂの底面の少なくとも一部が、外囲器１３を構成する樹脂で覆われている場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、半導体発光素子搭載用基板１Ａ，１Ｂの底面全面が、外囲器１３を構成する樹脂で覆われていてもよい。また、例えば、半導体発光素子搭載用基板１Ａ，１Ｂの底面全面が露出していてもよい。すなわち、半導体発光素子搭載用基板１Ａ，１Ｂの底面全面が、外囲器１３を構成する樹脂で覆われていなくてもよい。なお、半導体発光素子搭載用基板１Ａ，１Ｂの底面全面が露出している場合には、半導体発光素子搭載用基板１Ａ，１Ｂの底面に、例えば金属製の放熱板等を、例えばはんだ付け等により接続するとよい。これにより、半導体発光装置１０の放熱性が向上するとともに、光出力を大きくできる。
【００７９】
また、上述の実施形態では、１ｓｔボンディングがボールボンディングにより行われ、２ｎｄボンディングがウェッジボンディングにより行われる場合について説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、例えば１ｓｔボンディングがウェッジボンディングにより行われてもよく、２ｎｄボンディングがボールボンディングにより行われてもよい。さらに、１ｓｔボンディングで、ボンディングワイヤ１２と基材２（リードフレーム）の電極とを接続してもよく、２ｎｄボンディングで、ボンディングワイヤ１２と半導体発光素子１１上の電極とを接続してもよい。
【００８０】
これらの実施形態においても、上述の実施形態と同様の効果を奏する。
【実施例】
【００８１】
次に、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８２】
（実施例）
実施例では、まず、長さが１００ｍ、幅が５０ｍｍ、厚さが０．２ｍｍの銅合金（Ｃ−１９４）を含む銅条の銅基材を用意した。そして、銅基材の半導体発光素子１１を搭載する側の面上に、厚さが０．５μｍのニッケル層と、厚さが０．０５μｍのパラジウム層と、が銅基材の側から順に湿式めっき法により形成された基材２を用意した。なお、ニッケル層及びパラジウム層の厚さは、めっきの際の電流値の積算値を元に算出した。
【００８３】
次に、抵抗加熱式のバレル式の真空蒸着装置を用いて、基材２の半導体発光素子１１を搭載する側の面上、すなわち本実施例ではパラジウム層の面上に、アルミニウム層で構成される反射層３を形成した。具体的には、まず、上述の基材２を幅５０ｍｍ×長さ１５０ｍｍの短尺材となるよう切断した。そして、切断した基材２を１６枚、半径３００ｍｍの傘状の治具上に放射状に並べ、これをバレルに３基セット配置した。そして、抵抗加熱源の出力を１ｋＷに設定し、真空度が８×１０−４Ｐａとなるまで排気した。これにより、基材２の表面上に、厚さが０．０５μｍのアルミニウム層で構成される反射層３を形成した。
【００８４】
基材２の半導体発光素子１１を搭載する側の面上に反射層３を形成した後、反射層３をエッチングして、基材２の表面上に設けられるワイヤボンディング領域４を露出させる第１の開口５を反射層３に形成する。具体的には、まず、反射層３上に、ドライレジストフィルム（旭化成イーマテリアルズ（株）製  Ａ５８）を載置した後、例えばロールラミネータ（アコ・ブランズ・ジャパン（株）製  ＧＬ８３５ＰＲＯ）を用い、１２０℃で熱圧着することで、反射層３上にレジスト層８を形成する。その後、レジスト層８に対して露光及び現像を行って、レジスト層８に所定のレジストパターンを形成する。そして、露光装置（例えばユニオン光学（株）製  ＥＭＡ−４００）を用い、紫外線ｇ線でレジスト層８及び反射層３を露光する。その後、水酸化ナトリウム３重量％水溶液で現像、水洗を行う。水洗を行う際、露光した部分のレジスト層８及び反射層３（アルミニウム）が、水酸化ナトリウムで溶解、除去されて、所定形状の第１の開口５が反射層３に形成される。本実施例は、ボンディングワイヤ１２として、線径が２５μｍのものを用いたので、第１の開口５の形状（開口径）は、ボンディングワイヤ１２の線径の４倍である直径１００μｍとした。
【００８５】
その後、反射層３上に形成した第１の開口５の位置を合わせ、半導体発光素子１１としてのＬＥＤチップ（ＳＭＤ:表面実装型）のパターンにプレス打ち抜きを実施して、半導
体発光素子搭載用基板１を作製した。
【００８６】
（比較例）
比較例では、反射層３に、基材２の表面に設けられるワイヤボンディング領域４を露出させる第１の開口５を形成しなかった。その他は、上述の実施例と同様にして半導体発光素子搭載用基板を作製した。
【００８７】
（反射率及び耐硫化特性の評価）
上述の実施例及び比較例について、反射率及び耐硫化特性を以下のとおり確認した。
【００８８】
まず、反射率について評価する。実施例及び比較例の反射層３の初期反射率は、波長が４６０ｎｍで９１％と良好であった。なお、この場合における初期反射率とは、波長が４６０ｎｍでの硫酸バリウムの反射率を１００％とした場合と比した反射率である。
【００８９】
次に、耐硫化特性について評価する。耐硫化特性は、ＪＩＳ  Ｈ８５０２  めっきの耐食性試験方法に準拠した試験を行った。すなわち、上記実施例及び比較例で作製した半導体発光素子搭載用基板のサンプルに、雰囲気温度４０℃、湿度８０％で、３ｐｐｍのＨ２Ｓ（硫化水素）を９６時間噴霧した。その後、実施例及び比較例の各サンプルについて、波長が４６０ｎｍでの反射率の変化を測定したところ、反射率比が９８％であった。なお、この場合における反射率比とは、各サンプルの初期反射率を１００％とした場合と比した割合である。すなわち、反射層３としてアルミニウム層を形成した場合、Ｈ２Ｓを９６時間噴霧した後の反射率比は、初期反射率に対して９８％と、初期反射率とほとんど変化なく、高水準を保持でき、高い耐硫化特性を有することが判った。
【００９０】
（ボンディング接合強度の評価）
次に、上述の実施例及び比較例について、ボンディング接合強度を以下のとおり確認した。
【００９１】
実施例では、まず、反射層３に形成された第１の開口５から露出したワイヤボンディング領域４に対して、ワイヤボンディングを行うために、アルゴンプラズマ洗浄を行った。そして、半導体発光素子１１としての、ＧａＡｌＩｎＰ−ＬＥＤ（発光波長６４０ｎｍ）チップを、反射層３の第１の開口５が形成されていない箇所に載置し、銀ペースト（ハリ
マ化成（株）製  導電性銀ペースト  品番ＳＴ）を用いてダイボンディングを行った（キュア条件：１７０℃、３時間）。その後、ボンディングワイヤ１２として、金ワイヤ（田中貴金属販売（株）製  Ｍ３  ２５μｍφ）を用い、ボンディング装置として、ワイヤボンダ（Ｋ＆Ｓ社製  ４５２２）を用い、ワイヤボンディングを行った。なお、キャピラリとして、先端径１６０μｍのものを使用した。すなわち、まず、ボンディングワイヤ１２の一端を、半導体発光素子１１上の電極に接続した（１ｓｔボンディング）。その後、ボンディングワイヤ１２の他端を、基材２の表面上に設けられるワイヤボンディング領域４に接続した（２ｎｄボンディング）。
【００９２】
比較例では、まず、ワイヤボンディングを行うために、反射層３の表面をアルゴンプラズマ洗浄した。そして、ボンディングワイヤ１２の一端を、半導体発光素子１１上の電極に接続した（１ｓｔボンディング）。その後、ボンディングワイヤ１２の他端を、基材２上に形成された反射層３上に接続した（２ｎｄボンディング）。その他は、上述の実施例と同様にして、ワイヤボンディングを行った。
【００９３】
こうして作製した半導体発光素子搭載用基板のボンディング接合強度を評価した。表１に、実施例及び比較例のボンディング接合強度の評価試験の結果を示す。ボンディング接合強度は、ワイヤプル試験（Ｄａｇｅ社製  ｓｔｙｐｅ４０００）にて評価した。具体的には、実施例及び比較例について、それぞれ２０本のワイヤボンディングを行った。そして、ワイヤプル試験を、１ｓｔボンディングについて１０本実施し、２ｎｄボンディングについて１０本実施し、それぞれの平均値を測定し、ボンディング接合強度とした。なお、測定位置は、１ｓｔボンディング接合箇所及び２ｎｄボンディング接合箇所のそれぞれの近く、接合間の距離の２０％以内とした。そして、ボンデング接合強度は、ワイヤプル試験にて、３０ｍＮ以上を得られたものを○とし、３０ｍＮ未満を×とした。
【００９４】
表１に示すように、１ｓｔボンディング接合強度は、実施例及び比較例共に、５０ｍＮ以上の十分なボンディング接合強度が得られた。実施例の２ｎｄボンディング接合強度は、４０ｍＮと安定した高いボンディング接合強度が得られた。これに対し、比較例の２ｎｄボンディングの接合強度は１０ｍＮ程度となり、あまり強度が得られなかった。
【００９５】
【表１】
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【００９６】
上述し、また表１に示すように、実施例及び比較例の半導体発光素子搭載用基板１は、反射率が高く、耐硫化特性が高いことが判った。また、実施例の半導体発光素子搭載用基板１は、１ｓｔボンディング接合強度、２ｎｄボンディング接合強度ともに高いことが判った。これに対し、ワイヤボンディングを反射層３上に行った比較例では、２ｎｄボンディング接合強度が低くなることが判った。
【符号の説明】
【００９７】
１  半導体発光素子搭載用基板
２  基材
３  反射層
４  ワイヤボンディング領域
５  第１の開口
６  バリア層
７  第２の開口
８  レジスト層
９  マスク層
１０  半導体発光装置
１１  半導体発光素子
１２  ボンディングワイヤ
１３  外囲器
１４  凹部
１５  透明樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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