(57)【要約】【課題】高分子安定化ブルー相を示す高分子／液晶複合体における配向欠陥の発生を低減させることができる液晶組成物を提供する。【解決手段】ブルー相を発現する液晶材料、液晶性モノマーを少なくとも含む液晶組成物であり、液晶性モノマーは、下記一般式（Ｇ１）中のＹで示されるオキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が、ｎ（但し、ｎは、２以上１１以下）であり、かつオキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が（ｎ−１）および（ｎ＋１）である液晶性モノマーよりもネマチック相−等方相転移温度（ＴＮＩ）が低い液晶組成物である。2013117020.tif 000031  （但し、一般式（Ｇ１）中、Ｘは、メソゲン骨格を示す。また、一般式（Ｇ１）中、Ｙは、オキシアルキレン基（炭素及び酸素を含む）を示し、水素またはフッ素を有する。また、一般式（Ｇ１）中、Ｚ１、Ｚ２はそれぞれ独立にアクリロイル基、またはメタクリロイル基を示す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブルー相を発現する液晶材料および液晶性モノマーを少なくとも含む液晶組成物であり、
前記液晶性モノマーは、下記一般式（Ｇ１）中のＹで示されるオキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）がｎ（但し、ｎは、２以上１１以下）であり、かつ前記オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が（ｎ−１）および（ｎ＋１）である液晶性モノマーよりもネマチック相−等方相転移温度（ＴＮＩ）が低いことを特徴とする液晶組成物。
【化１】
2013117020.tif 000026
（但し、一般式（Ｇ１）中、Ｘは、メソゲン骨格を示す。また、一般式（Ｇ１）中、Ｙは、オキシアルキレン基（炭素及び酸素を含む）を示し、水素またはフッ素を有する。また、一般式（Ｇ１）中、Ｚ１、Ｚ２はそれぞれ独立にアクリロイル基、またはメタクリロイル基を示す。）
【請求項２】
ブルー相を発現する液晶材料および液晶性モノマーを少なくとも含む液晶組成物であり、
前記液晶性モノマーは、下記一般式（Ｇ１−１）中のオキシアルキレン基（（−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−）、ｍは整数）の鎖長（炭素及び酸素の合計）がｎ（但し、ｎは、ｎ＝ｍ＋１であり、２以上１１以下）であり、かつ前記オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が（ｎ−１）および（ｎ＋１）である液晶性モノマーよりもネマチック相−等方相転移温度（ＴＮＩ）が低いことを特徴とする液晶組成物。
【化２】
2013117020.tif 000027
（但し、一般式（Ｇ１−１）中、Ｘは、メソゲン骨格を示す。また、一般式（Ｇ１−１）中、ｍは、１以上１０以下とする。また、一般式（Ｇ１−１）中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を示す。）
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記一般式（Ｇ１）および前記一般式（Ｇ１−１）中のＸは、下記構造式（ｓ１１）〜（ｓ１８）のいずれか一であることを特徴とする液晶組成物。
【化３】
2013117020.tif 000028
（但し、構造式（ｓ１１）中のＲ３〜Ｒ６、構造式（ｓ１２）中のＲ７〜Ｒ１０、構造式（ｓ１３）中のＲ１１〜Ｒ１４、構造式（ｓ１５）中のＲ１５〜Ｒ１８は、それぞれ独立に水素、メチル基、またはフッ素のいずれか一である。）
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記一般式（Ｇ１）および前記一般式（Ｇ１−１）で示される液晶性モノマーは、下記構造式（１０４）であることを特徴とする液晶組成物。
【化４】
2013117020.tif 000029
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記一般式（Ｇ１）および前記一般式（Ｇ１−１）で示される液晶性モノマーは、下記構造式（１０２）であることを特徴とする液晶組成物。
【化５】
2013117020.tif 000030
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
非液晶性モノマー及び重合開始剤を含むことを特徴とする液晶組成物。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の液晶組成物を用いて形成された高分子／液晶複合体。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の液晶組成物を用いて形成された液晶素子。
【請求項９】
請求項７に記載の高分子／液晶複合体を有する液晶素子。
【請求項１０】
請求項８または請求項９に記載の液晶素子を有する液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高分子安定化ブルー相を実現する液晶組成物、液晶組成物を高分子安定化して得られる高分子／液晶複合体、液晶素子、および液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイが実用化され、従来のブラウン管を用いたディスプレイからの置き換えが進んでいる。フラットパネルディスプレイには、液晶表示素子を有する液晶表示装置をはじめ、エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）を有するＥＬ表示装置や、プラズマディスプレイなどが存在しており、市場においてはこれらが競合している。現在のところ、様々な技術による欠点の克服、生産コストの抑制などにより、液晶表示装置が市場において優位な立場にある。
【０００３】
上述の液晶表示装置が、他のフラットパネルディスプレイと比較して劣っている点の一つに、素子の応答速度（表示の切り替え速度）がある。応答速度の欠点を克服すべく、これまでにも様々な技術が提案されてきた。従来の、いわゆるＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モードと呼ばれる液晶駆動方式を採用する液晶素子では、その応答速度が１０ｍｓ程度であったが、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）モードやＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードといった方式を用いることで、１ｍｓ程度までの応答速度の向上が実現されている。
【０００４】
このような液晶の駆動方式と並んで注目される技術として、ブルー相と呼ばれる状態を液晶表示素子に用いる技術がある（例えば、特許文献１参照）。ブルー相は、例えばコレステリック相と等方相との間に出現する液晶相で、極めて応答速度が速いという特徴を備えている。このブルー相を用いることで、液晶表示装置の応答時間を１ｍｓ以下とすることが可能である。
【０００５】
ブルー相は、数℃程度の狭い温度範囲でしか配向状態を維持できないという特徴を有しているが、ブルー相を発現する液晶材料と重合性モノマーとを含む液晶組成物を重合させて得られる高分子／液晶複合体を用いることによって、ブルー相の発現温度範囲が改善されるという報告がなされている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】ＷＯ２００５／０９０５２０号公報
【特許文献２】特開２００３−３２７９６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、高分子／液晶複合体を得るためにブルー相を発現する液晶材料と重合性モノマーとを含む液晶組成物を高分子安定化処理によって重合させる際、ブルー相の配向状態を維持できない場合のあることが確認されている。これらの配向欠陥の発生は、高分子／液晶複合体により得られる高分子安定化ブルー相を利用した液晶素子や、これらを用いた液晶パネルなどの表示パネルにおける欠陥となるため、歩留まりの低下などを招く。
【０００８】
したがって、上記問題を鑑み、開示される本発明の一態様では、高分子安定化ブルー相を示す高分子／液晶複合体における配向欠陥の発生を低減させることができる液晶組成物を提供する。また、上記液晶組成物を重合して得られる高分子安定化ブルー相を示す高分子／液晶複合体を有する液晶素子を提供する。また、上記液晶組成物を重合して得られる高分子安定化ブルー相を示す高分子／液晶複合体を有する液晶表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、ブルー相を発現する液晶材料、液晶性モノマーを少なくとも含む液晶組成物であり、液晶性モノマーは、下記一般式（Ｇ１）中のＹで示されるオキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が、ｎ（但し、ｎは、２以上１１以下）であり、かつオキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が（ｎ−１）および（ｎ＋１）である液晶性モノマーよりもネマチック相−等方相転移温度（ＴＮＩ）が低い液晶組成物である。なお、液晶組成物には、非液晶性モノマー、及び重合開始剤が含まれていてもよい。
【００１０】
【化１】
2013117020.tif 000002
【００１１】
但し、一般式（Ｇ１）中、Ｘは、メソゲン骨格を示す。また、一般式（Ｇ１）中、Ｙは、オキシアルキレン基（炭素及び酸素を含む）を示し、Ｙの鎖長（炭素及び酸素の合計）ｎは、液晶性が維持できる程度であり、またブルー相を発現する液晶材料との相溶性が低下しない程度の長さであるとして、２以上１１以下とする。また、Ｙは、水素またはフッ素を有する。また、一般式（Ｇ１）中、Ｚ１、Ｚ２はそれぞれ独立にアクリロイル基、またはメタクリロイル基を示す。
【００１２】
また、本発明の別の一態様は、ブルー相を発現する液晶材料、液晶性モノマーを少なくとも含む液晶組成物であり、液晶性モノマーは、下記一般式（Ｇ１−１）中のオキシアルキレン基（（−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−）、ｍは整数）の鎖長（炭素及び酸素の合計）が、ｎ（但し、ｎは、ｎ＝ｍ＋１であり、２以上１１以下）であり、かつオキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が（ｎ−１）および（ｎ＋１）である液晶性モノマーよりもネマチック相−等方相転移温度（ＴＮＩ）が低いことを特徴とする液晶組成物である。なお、液晶組成物には、非液晶性モノマー、及び重合開始剤が含まれていてもよい。
【００１３】
【化２】
2013117020.tif 000003
【００１４】
但し、一般式（Ｇ１−１）中、Ｘは、メソゲン骨格を示す。また、一般式（Ｇ１−１）中、ｍは、液晶性が維持できる程度であり、またブルー相を発現する液晶材料との相溶性が低下しない程度の長さであるとして、１以上１０以下とする。また、一般式（Ｇ１−１）中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を示す。
【００１５】
なお、上記構成において、一般式（Ｇ１）及び一般式（Ｇ１−１）中のＸは、下記構造式（ｓ１１）〜（ｓ１８）のいずれか一であることを特徴とする。
【００１６】
【化３】
2013117020.tif 000004
【００１７】
但し、構造式（ｓ１１）中のＲ３〜Ｒ６、構造式（ｓ１２）中のＲ７〜Ｒ１０、構造式（ｓ１３）中のＲ１１〜Ｒ１４、構造式（ｓ１５）中のＲ１５〜Ｒ１８は、それぞれ独立に水素、メチル基、またはフッ素のいずれか一である。
【００１８】
また、上記各構成において、一般式（Ｇ１）及び一般式（Ｇ１−１）で示される液晶性モノマーは、下記構造式（１０４）であることを特徴とする。
【００１９】
【化４】
2013117020.tif 000005
【００２０】
また、上記各構成において、一般式（Ｇ１）および一般式（Ｇ１−１）で示される液晶性モノマーは、下記構造式（１０２）であることを特徴とする。
【００２１】
【化５】
2013117020.tif 000006
【００２２】
なお、本発明の一態様では、液晶組成物に含まれる液晶性モノマーとして、上記一般式（Ｇ１）および上記一般式（Ｇ１−１）で示されると共にオキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）がｎ（但し、ｎは２以上１１以下）であり、かつオキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が（ｎ−１）および（ｎ＋１）である液晶性モノマーよりもネマチック相−等方相転移温度（ＴＮＩ）が低い液晶性モノマーを用いて、高分子安定化処理（重合処理）を行うことを特徴とする。
【００２３】
また、上記一般式（Ｇ１）および上記一般式（Ｇ１−１）で示される液晶性モノマーにおいて、オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が奇数である液晶性モノマーの方がオキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が偶数の場合に比べてネマチック相−等方相転移温度（ＴＮＩ）が低くなるため、オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）がｎ（但し、ｎは２以上１１以下）であり、かつオキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が奇数である液晶性モノマーを用いて、高分子安定化処理（重合処理）を行うことがより好ましい。
【００２４】
本明細書中において、ブルー相を発現する液晶組成物とは、光学的変調作用を有し、電圧無印加時には光学的に等方性であるが、電圧印加によって配向秩序が変化して光学的に異方性となるものをいう。
【００２５】
また、上記構成において、液晶組成物に含まれるブルー相を発現する液晶材料としては、ネマチック性液晶性化合物、スメクチック性液晶性化合物が挙げられ、ネマチック性液晶性化合物が好ましい。なお、ネマチック性液晶性化合物としては特に制限されず、ビフェニル系化合物、ターフェニル系化合物、フェニルシクロヘキシル系化合物、ビフェニルシクロヘキシル系化合物、フェニルビシクロヘキシル系化合物、安息香酸フェニル系化合物、シクロヘキシル安息香酸フェニル系化合物、フェニル安息香酸フェニル系化合物、ビシクロヘキシルカルボン酸フェニル系化合物、アゾメチン系化合物、アゾおよびアゾオキシ系化合物、スチルベン系化合物、ビシクロヘキシル系化合物、フェニルピリミジン系化合物、ビフェニルピリミジン系化合物、ピリミジン系化合物、およびビフェニルエチン系化合物などが挙げられる。
【００２６】
また、上記構成において、液晶組成物に含まれる非液晶性モノマーとしては、分子構造中にアクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、エポキシ基、フマレート基、シンナモイル基等の重合性基を含むモノマーなどが挙げられる。
【００２７】
また、上記構成において、液晶組成物に含まれる重合開始剤としては、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ベンゾイン類、ベンジル類、ミヒラーケトン類、ベンゾインアルキルエーテル類、ベンジルジメチルケタール類、およびチオキサントン類などが挙げられる。
【００２８】
また、本発明の別の一態様は、ブルー相を発現する液晶材料、上述した液晶性モノマーを含む液晶組成物を用いて形成された高分子／液晶複合体である。なお、液晶組成物は、非液晶性モノマー、および重合開始剤を含んでいてもよい。
【００２９】
また、本発明の別の一態様は、ブルー相を発現する液晶材料、上述した液晶性モノマーを含む液晶組成物を用いて形成された液晶素子である。なお、液晶組成物は、非液晶性モノマー、および重合開始剤を含んでいてもよい。
【００３０】
また、本発明の別の一態様は、ブルー相を発現する液晶材料、上述した液晶性モノマーを含む液晶組成物を重合させて得られる高分子／液晶複合体を有する液晶素子である。なお、液晶組成物は、非液晶性モノマー、および重合開始剤を含んでいてもよい。
【００３１】
また、本発明の別の一態様は、ブルー相を発現する液晶材料、上述した液晶性モノマーを含む液晶組成物を用いて形成された液晶表示装置である。なお、液晶組成物は、非液晶性モノマー、および重合開始剤を含んでいてもよい。
【００３２】
また、本発明の別の一態様は、ブルー相を発現する液晶材料、上述した液晶性モノマーを含む液晶組成物を重合させて得られる高分子／液晶複合体を有する液晶表示装置である。なお、液晶組成物は、非液晶性モノマー、および重合開始剤を含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００３３】
本発明の一態様により、高分子安定化ブルー相を示す高分子／液晶複合体における配向欠陥の発生を低減させることができる液晶組成物を提供することができる。また、上記液晶組成物を重合して得られる高分子安定化ブルー相を示す高分子／液晶複合体を有する液晶素子を提供することができる。また、上記液晶組成物を重合して得られる高分子安定化ブルー相を示す高分子／液晶複合体を有する液晶表示装置を提供することができる。また、本発明の一態様である液晶組成物を用いることにより液晶素子の駆動電圧を低下させることができるので、液晶表示装置の駆動電圧を低下させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】液晶性モノマーについて説明する図。
【図２】液晶素子の一態様を示す図。
【図３】液晶表示装置の一態様を示す図。
【図４】液晶表示装置の一態様を示す図。
【図５】液晶表示装置の応用例を示す図。
【図６】液晶表示装置の応用例を示す図。
【図７】液晶表示装置の応用例を示す図。
【図８】液晶性モノマーのネマチック相−等方相転移温度（ＴＮＩ）の測定結果を示す図。
【図９】高分子安定化ブルー相のテクスチャを示す図。
【図１０】液晶表示装置の外観写真。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３６】
また、本明細書中で説明する液晶表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、コネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または表示素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て液晶表示装置に含むものとする。
【００３７】
（実施の形態１）
本実施の形態では、高分子安定化ブルー相を発現する液晶組成物、および液晶組成物を高分子安定化処理（重合処理）して得られる高分子／液晶複合体について説明する。
【００３８】
本実施の形態で示す液晶組成物は、ブルー相を発現する液晶材料、液晶性モノマー、非液晶性モノマー、および重合開始剤を含んで構成される。
【００３９】
ブルー相を発現する液晶材料とは、光を実質的に散乱せずかつ光学的に等方性の状態である、いわゆるブルー相を発現することが可能な液晶材料をいう。ブルー相を発現する液晶材料としては、ネマチック性液晶性化合物、スメクチック性液晶性化合物等が挙げられ、ネマチック性液晶性化合物が好ましい。なお、ネマチック性液晶性化合物としては特に制限されず、ビフェニル系化合物、ターフェニル系化合物、フェニルシクロヘキシル系化合物、ビフェニルシクロヘキシル系化合物、フェニルビシクロヘキシル系化合物、安息香酸フェニル系化合物、シクロヘキシル安息香酸フェニル系化合物、フェニル安息香酸フェニル系化合物、ビシクロヘキシルカルボン酸フェニル系化合物、アゾメチン系化合物、アゾおよびアゾオキシ系化合物、スチルベン系化合物、ビシクロヘキシル系化合物、フェニルピリミジン系化合物、ビフェニルピリミジン系化合物、ピリミジン系化合物、およびビフェニルエチン系化合物等が挙げられる。
【００４０】
液晶性モノマーは、液晶性を示し、例えば、光重合又は熱重合によって重合することができるモノマーである。具体的には、図１（ａ）に示すようにメソゲン骨格１０１とその両側にオキシアルキレン基１０２を有する構造である。なお、本明細書中におけるメソゲン骨格とは、芳香環などの環を２環以上有する構造の剛直性に富むユニットのことを言う。また、図１（ａ）において、オキシアルキレン基１０２の鎖長をｎで示す。
【００４１】
図１（ａ）に示す液晶性モノマーを重合して得られる重合体は、例えば図１（ｂ）に示すような構造をとる。すなわち、液晶性モノマー１００ａと液晶性モノマー１００ｂを重合すると、液晶性モノマー１００ａのメソゲン骨格１０１ａと、液晶性モノマー１００ｂのメソゲン骨格１０１ｂとの間の長さ（ｒ）は、２ｎで示される。
【００４２】
本発明の一態様において、液晶組成物の高分子安定化処理（重合処理）の際、液晶組成物に含まれる液晶性モノマーの重合時のメソゲン骨格間の長さ（ｒ）は、一定の範囲にすることが好ましい。すなわち、液晶性モノマーの側鎖であるオキシアルキレン基１０２の鎖長が一定の範囲であることが好ましい。これは、液晶性モノマーの側鎖であるオキシアルキレン基１０２の鎖長が長い方が、液晶組成物の粘度が下がり液晶組成物内での相分離が容易となり、また、高分子安定化処理（重合処理）の際、重合過程において、メソゲン骨格間の長さ（ｒ）が短すぎると、メソゲン骨格間の分子間相互作用により液晶性モノマーの重合時における粘度が高くなり、相分離しにくくなるので高分子安定化を図ることが難しくなるためである。また、重合した際のメソゲン骨格間の長さ（ｒ）が長すぎると、液晶材料との相溶性が低下するなどの問題も生じる。さらに、本発明の一態様における液晶性モノマーは、側鎖であるオキシアルキレン基１０２の鎖長が一つ増えるごとにネマチック相−等方相転移温度（ＴＮＩ）が交互に高低の変化を示す傾向にあり、ネマチック相−等方相転移温度（ＴＮＩ）が高くなる場合にも上記と同様に分子間相互作用による影響から高分子安定化を図ることが難しくなる。
【００４３】
以上のことから、液晶性モノマーの重合時のメソゲン骨格間の長さ（ｒ）を一定の範囲にするために、側鎖であるオキシアルキレン基１０２の鎖長（ｎ）を一定の範囲にし、さらにネマチック相−等方相転移温度（ＴＮＩ）が低い液晶性モノマーを含む液晶組成物を用いることにより、高分子安定化処理（重合処理）の際、メソゲン骨格間の分子間相互作用を抑え、液晶組成物内での相分離を容易にし、高分子安定化ブルー相を示す高分子／液晶複合体における配向欠陥の発生を低減することができる。
【００４４】
なお、上述した本発明の一態様である液晶組成物は、ブルー相を発現する液晶材料、液晶性モノマーを少なくとも含む液晶組成物であり、液晶性モノマーは、下記一般式（Ｇ１）中のＹで示されるオキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が、ｎ（但し、ｎは、２以上１１以下）であり、かつオキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が（ｎ−１）および（ｎ＋１）である液晶性モノマーよりもネマチック相−等方相転移温度（ＴＮＩ）が低いことを特徴とする液晶組成物である。なお、液晶組成物には、非液晶性モノマー、及び重合開始剤が含まれていてもよい。
【００４５】
【化６】
2013117020.tif 000007
【００４６】
但し、一般式（Ｇ１）中、Ｘは、メソゲン骨格を示す。また、一般式（Ｇ１）中、Ｙは、オキシアルキレン基（炭素及び酸素を含む）を示し、Ｙの鎖長（炭素及び酸素の合計）ｎは、液晶性が維持できる程度であり、またブルー相を発現する液晶材料との相溶性が低下しない程度の長さであるとして、２以上１１以下とする。また、Ｙは、水素またはフッ素を有する。また、一般式（Ｇ１）中、Ｚ１、Ｚ２はそれぞれ独立にアクリロイル基、またはメタクリロイル基を示す。
【００４７】
また、一般式（Ｇ１）中のＸで表されるメソゲン骨格の構造として、具体的には、下記構造式（ｓ１）〜（ｓ８）等が挙げられる。
【００４８】
【化７】
2013117020.tif 000008
【００４９】
但し、構造式（ｓ１）〜（ｓ８）中に示す（Ｙ）は、一般式（Ｇ１）中のＹとの結合部位を示す。また、構造式（ｓ１）中のＲ３〜Ｒ６、構造式（ｓ２）中のＲ７〜Ｒ１０、構造式（ｓ３）中のＲ１１〜Ｒ１４は、それぞれ独立に水素、メチル基、またはフッ素のいずれか一である。
【００５０】
また、一般式（Ｇ１）中のＹで表されるオキシアルキレン基の構造として、具体的には、下記構造式（ｔ１）〜（ｔ９）等が挙げられる。
【００５１】
【化８】
2013117020.tif 000009
【００５２】
但し、構造式（ｔ１）〜（ｔ９）中に示す（Ｘ）は、一般式（Ｇ１）中のＸとの結合部位を示し、構造式（ｔ１）〜（ｔ９）中に示す（Ｚ）は、一般式（Ｇ１）中のＺ１、またはＺ２のいずれかとの結合部位をそれぞれ示す。また、構造式（ｔ１）〜（ｔ９）で表されるオキシアルキレン基は、（Ｘ）で表される部分に（Ｚ）が結合され、（Ｚ）で表される部分に（Ｘ）が結合される構造であっても良い。
【００５３】
また、一般式（Ｇ１）中のＺ１、Ｚ２で表される構造として、具体的には、下記構造式（ｕ１）、（ｕ２）等が挙げられる。
【００５４】
【化９】
2013117020.tif 000010
【００５５】
また、上述した本発明の一態様である液晶組成物は、ブルー相を発現する液晶材料、液晶性モノマーを少なくとも含む液晶組成物であり、液晶性モノマーは、下記一般式（Ｇ１−１）中のオキシアルキレン基（（−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−）、ｍは整数）の鎖長（炭素及び酸素の合計）が、ｎ（但し、ｎは、ｎ＝ｍ＋１であり、２以上１１以下）であり、かつオキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が（ｎ−１）および（ｎ＋１）である液晶性モノマーよりもネマチック相−等方相転移温度（ＴＮＩ）が低いことを特徴とする液晶組成物である。なお、液晶組成物には、非液晶性モノマー、及び重合開始剤が含まれていてもよい。
【００５６】
【化１０】
2013117020.tif 000011
【００５７】
但し、一般式（Ｇ１−１）中、Ｘは、メソゲン骨格を示す。また、一般式（Ｇ１−１）中、ｍは、液晶性が維持できる程度であり、またブルー相を発現する液晶材料との相溶性が低下しない程度の長さであるとして、１以上１０以下とする。また、一般式（Ｇ１−１）中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を示す。
【００５８】
また、一般式（Ｇ１−１）中のＸで表される構造として、具体的には、下記構造式（ｓ１１）〜（ｓ１８）等が挙げられる。
【００５９】
【化１１】
2013117020.tif 000012
【００６０】
但し、構造式（ｓ１１）中のＲ３〜Ｒ６、構造式（ｓ１２）中のＲ７〜Ｒ１０、構造式（ｓ１３）中のＲ１１〜Ｒ１４、構造式（ｓ１５）中のＲ１５〜Ｒ１８は、それぞれ独立に水素、メチル基、またはフッ素のいずれか一である。
【００６１】
一般式（Ｇ１）および一般式（Ｇ１−１）で表される液晶性モノマーの具体例としては、構造式（１００）〜構造式（１０９）で表される液晶性モノマーが挙げられる。ただし、本発明は、これらに限定されない。
【００６２】
【化１２】
2013117020.tif 000013
【００６３】
【化１３】
2013117020.tif 000014
【００６４】
なお、構造式（１００）は、オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）ｎが３の液晶性モノマーであり、１，４−ビス［４−（２−メタクリロイルオキシエチル−１−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＭｅＲＭ−Ｏ２）である。
【００６５】
構造式（１０１）は、オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）ｎが４の液晶性モノマーであり、１，４−ビス［４−（３−アクリロイルオキシプロピル−１−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ３）である。
【００６６】
構造式（１０２）は、オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）ｎが５の液晶性モノマーであり、１，４−ビス［４−（４−アクリロイルオキシブチル−１−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ４）である。
【００６７】
構造式（１０３）は、オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）ｎが６の液晶性モノマーであり、１，４−ビス［４−（５−アクリロイルオキシペンチル−１−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ５）である。
【００６８】
構造式（１０４）は、オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）ｎが７の液晶性モノマーであり、１，４−ビス［４−（６−アクリロイルオキシへキシル−１−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ６）である。
【００６９】
構造式（１０５）は、オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）ｎが８の液晶性モノマーであり、１，４−ビス［４−（７−アクリロイルオキシヘプチル−１−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ７）である。
【００７０】
構造式（１０６）は、オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）ｎが９の液晶性モノマーであり、１，４−ビス［４−（８−アクリロイルオキシオクチル−１−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ８）である。
【００７１】
構造式（１０７）は、オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）ｎが１０の液晶性モノマーであり、１，４−ビス［４−（９−アクリロイルオキシノニル−１−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ９）である。
【００７２】
構造式（１０８）は、オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）ｎが１１の液晶性モノマーであり、１，４−ビス［４−（１０−アクリロイルオキシデシル−１−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ１０）である。
【００７３】
構造式（１０９）は、オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）ｎが７の液晶性モノマーであり、４，４’−ビス（６−アクリロイルオキシへキシル−１−オキシ）−１，１’−ビフェニル（略称：Ｄａｃ−ＰＰ−Ｏ６）である。
【００７４】
非液晶性モノマーは、液晶性を示さず、光重合又は熱重合等によって重合することができるモノマーであって、棒状の分子構造（例えば、ビフェニル基、又はビフェニルシクロヘキシル基等の末端にアルキル基、シアノ基、フッ素などが付いたような分子構造）を有さないモノマーをいう。具体的には、分子構造中にアクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、エポキシ基、フマレート基、シンナモイル基等の重合性基を含むモノマーが挙げられるが、これらに限られるものではない。
【００７５】
重合反応としては、光重合反応や熱重合反応が可能であるが、光重合反応が好ましく、紫外線による光重合反応が特に好ましい。従って、重合開始剤としては、例えばアセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ベンゾイン類、ベンジル類、ミヒラーケトン類、ベンゾインアルキルエーテル類、ベンジルジメチルケタール類、およびチオキサントン類などから適宜選択して用いることができる。なお、重合開始剤は、高分子安定化処理後の高分子／液晶複合体中では液晶表示装置の動作に寄与しない不純物となるため必要に応じ可能な限り少量とすることが望ましい。従って、例えば、液晶組成物に対して０．５ｗｔ％以下とするのが好ましい。
【００７６】
また、上記液晶組成物には、上述したブルー相を発現する液晶材料、液晶性モノマー、非液晶性モノマー、重合開始剤の他に、カイラル剤を含んでいてもよい。なお、カイラル剤とは、液晶材料にねじれ構造を生じさせるものである。また、カイラル剤の添加量はブルー相を発現する液晶材料の回折波長に影響する。従って、カイラル剤の添加量は、ブルー相を発現する液晶材料の回折波長が可視領域（３８０〜７５０ｎｍ）外となるように調整するのが好ましい。カイラル剤としては、Ｓ−８１１（メルク社製）、Ｓ−１０１１（メルク社製）、１，４：３，６−ジアンヒドロ−２，５−ビス［４−（ｎ−ヘキシル−１−オキシ）安息香酸］ソルビトール（略称：ＩＳＯ−（６ＯＢＡ）２）（みどり化学株式会社製）などを適宜選択して用いることができる。
【００７７】
本発明の一態様である液晶組成物は、以上の材料を含んで構成される。そして、この液晶組成物を高分子安定化処理（重合処理）することにより、高分子安定化ブルー相を発現する高分子／液晶複合体を得ることができる。
【００７８】
なお、液晶組成物の高分子安定化処理（重合処理）において、光重合反応を用いる場合の処理温度は、高分子安定化処理（重合処理）により得られる高分子／液晶複合体が、高分子安定化ブルー相を示す温度であることが好ましい。より好ましくは液晶組成物および高分子／液晶複合体が等方相またはブルー相の状態を維持できる温度とするのが好ましい。また、液晶組成物が等方相であっても高分子安定化処理（重合処理）後の高分子／液晶複合体がブルー相の状態を維持できる温度であればよい。また高分子安定化処理（重合処理）中において温度を変化させてもよく、この場合、液晶組成物が等方相またはブルー相を発現する温度で重合を開始し、高分子／液晶複合体がブルー相を示すような処理温度であればよい。
【００７９】
上記温度範囲において、紫外線などを照射することにより、光重合反応を行う。なお、重合させる時間については、液晶組成物に含まれる材料に応じて適宜調節すればよい。
【００８０】
本発明の一態様である液晶組成物を用いることにより、高分子安定化ブルー相を示す高分子／液晶複合体における配向欠陥の発生を低減することができる。
【００８１】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【００８２】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で説明した液晶組成物を重合させて得られる高分子／液晶複合体を用いた液晶素子の一例について、図２を用いて説明する。図２は液晶素子の断面図である。
【００８３】
図２において、第１の基板２００と第２の基板２０１との間には、液晶層２０２が設けられており、液晶層２０２には実施の形態１で説明した高分子／液晶複合体を用いている。また、第１の基板２００上には、画素電極層２０３と、共通電極層２０４とが隣接して設けられている。
【００８４】
本実施の形態では、基板に概略平行（すなわち水平な方向）な電界を生じさせて、基板と平行（すなわち水平な方向）な面内で液晶分子を動かして、階調を制御する方式を用いる。
【００８５】
なお、液晶層２０２を介して隣接する画素電極層２０３と、共通電極層２０４との距離ａ（図２に示す）は、画素電極層２０３及び共通電極層２０４にそれぞれ所定の電圧を印加した時、液晶層２０２に含まれる液晶のうち、画素電極層２０３と共通電極層２０４との間に介在する液晶が応答する距離とする。なお、距離ａの長さに応じて印加する電圧を適宜制御するものとする。
【００８６】
第１の基板２００、および第２の基板２０１にはバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、プラスチック基板などを用いることができる。
【００８７】
また、画素電極層２０３、および共通電極層２０４は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した導電材料（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに酸化シリコン（ＳｉＯ２）を混合した導電材料、有機インジウム、有機スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、またはタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いてそれぞれ形成することができる。
【００８８】
また、液晶層２０２は、実施の形態１で説明した液晶組成物を液晶滴下法（ＯＤＦ）や、液晶注入法などにより、第１の基板２００と第２の基板２０１との間に備えた後、重合して高分子／液晶複合体とすることにより得られる。なお、得られる液晶層２０２の厚さ（膜厚）は、１μｍ以上２０μｍ以下とすることが好ましい。
【００８９】
なお、上述の液晶素子は、画素電極層２０３と共通電極層２０４との間に水平方向の電界が形成されるため、第１の基板２０１に対して水平方向に液晶層２０２中の液晶分子を制御することができる。
【００９０】
本実施の形態に示す液晶素子は、高分子安定化ブルー相を発現することができる液晶素子であり、また、液晶素子の液晶層２０２に高分子／液晶複合体を用いることで、高速応答が可能で、高いコントラストを付与することができる液晶素子である。
【００９１】
また、本実施の形態に示す液晶素子には、偏光板、位相差板、反射防止膜などの光学フィルムなどを適宜組み合わせて用いることができる。例えば、偏光板及び位相差板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライトなどを用いてもよい。
【００９２】
なお、本実施の形態に示す液晶素子は、光源の光を透過することによって表示を行う透過型の液晶表示装置、入射する光を反射することによって表示を行う反射型の液晶表示装置、又は透過型と反射型を両方有する半透過型の液晶表示装置に適用することができる。
【００９３】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様である液晶組成物を液晶層に用いて作製された液晶表示装置について説明する。なお、本実施の形態で示す液晶表示装置は、表示素子として実施の形態２で説明したような液晶素子（液晶表示素子ともいう）を含む。また、液晶表示装置としては、パッシブマトリクス型の液晶表示装置でもアクティブマトリクス型の液晶表示装置でも適用可能であるが、本実施の形態では、アクティブマトリクス型の液晶表示装置に適用した場合について、図３を用いて説明する。
【００９４】
図３（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり、１画素分の画素を示している。また、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の一点鎖線Ｘ１−Ｘ２における断面図を示す。
【００９５】
図３（Ａ）において、複数のソース配線層３０５（配線層３０５ａを含む）が互いに平行（図３（Ａ）中、上下方向に延伸）かつ互いに離間した状態で配置されている。複数のゲート配線層３０１（ゲート電極層３０１ａを含む）は、ソース配線層３０５とほぼ直交する方向（図３（Ａ）中、左右方向）に延伸し、かつ互いに離間するように配置されている。また、複数の共通配線層３０８は、複数のゲート配線層３０１とそれぞれ隣接する位置に配置されており、ゲート配線層３０１に平行して、つまり、ソース配線層３０５とほぼ直交する方向（図３（Ａ）中、左右方向）に延伸している。また、ソース配線層３０５、共通配線層３０８、及びゲート配線層３０１によって囲まれる空間には、液晶表示装置の画素電極層３４７及び共通電極層３４６が配置されている。なお、画素電極層３４７は、トランジスタ３２０と電気的に接続されており、トランジスタ３２０は、画素ごとにそれぞれ配置されている。
【００９６】
また、図３（Ａ）の液晶表示装置において、画素電極層３４７と共通配線層３０８によって容量が形成されている。共通配線層３０８は、フローティング状態（電気的に孤立した状態）で動作させることも可能だが、固定電位、好ましくはコモン電位（データとして送られる画像信号の中間電位）近傍でフリッカーの生じないレベルに設定してもよい。
【００９７】
図３に示す液晶表示装置の電極構成は、画素電極層３４７と共通電極層３４６が基板と平行な同一面内に形成された構造であり、基板と水平方向に電界を発生させて、基板と平行な面内で液晶分子を動かして、階調を制御する方式（いわゆるＩＰＳモード）に適用することができる。
【００９８】
次に、図３（Ｂ）に示す液晶表示装置の断面構造について説明する。図３（Ｂ）に示す液晶表示装置は、トランジスタ３２０、画素電極層３４７、共通電極層３４６などを有する第１の基板３４１と、第２の基板３４２との間に液晶層３４４を挟んでなる構造である。また、第１の基板３４１と第２の基板３４２のそれぞれに接して、偏光板（３４３ａ、３４３ｂ）が備えられている。
【００９９】
なお、トランジスタ３２０は逆スタガ型の薄膜トランジスタであり、絶縁表面を有する基板である第１の基板３４１上に形成され、ゲート電極層３０１ａ、ゲート絶縁層３０２、半導体層３０３、ソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線層３０５ａ、３０５ｂを含む。
【０１００】
本実施の形態に示す液晶表示装置に適用できるトランジスタの構造は特に限定されず、例えばトップゲート構造、又はボトムゲート構造のスタガ型及びプレーナ型などを用いることができる。また、トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、２つ形成されるダブルゲート構造もしくは３つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、チャネル領域の上下にゲート絶縁層を介して配置された２つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型でもよい。
【０１０１】
図３（Ｂ）において、第１の基板３４１上には、ゲート電極層３０１ａが形成されている。ゲート電極層３０１ａとしては、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。ゲート電極層３０１ａに遮光性を有する導電膜を用いると、バックライトからの光（第１の基板３４１から入射する光）が、半導体層３０３へ入射することを防止することができる。
【０１０２】
また、ゲート電極層３０１ａは積層構造を有していてもよく、例えば、ゲート電極層３０１ａが、２層の積層構造の場合には、アルミニウム層上にモリブデン層が積層された２層の積層構造、または銅層上にモリブデン層を積層した２層構造、または銅層上に窒化チタン層若しくは窒化タンタル層を積層した２層構造、窒化チタン層とモリブデン層とを積層した２層構造とすることが好ましい。また、３層の積層構造の場合には、タングステン層または窒化タングステン層と、アルミニウムとシリコンの合金またはアルミニウムとチタンの合金と、窒化チタン層またはチタン層とを積層した積層構造とすることが好ましい。
【０１０３】
なお、絶縁膜からなる下地膜を第１の基板３４１とゲート電極層３０１ａとの間に設けてもよい。下地膜は、第１の基板３４１からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による単層、又は積層構造により形成することができる。
【０１０４】
ゲート絶縁層３０２は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層又は窒化酸化シリコン層を単層で又は積層して形成することができる。また、ゲート絶縁層３０２として、有機シランガスを用いてＣＶＤ法により形成された酸化シリコン層を用いることも可能である。有機シランガスとしては、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ：化学式Ｓｉ（ＣＨ３）４）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２Ｈ５）３）、トリスジメチルアミノシラン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３）等のシリコン含有化合物を用いることができる。
【０１０５】
半導体層３０３に用いる材料は、特に限定されず、トランジスタ３２０に要求される特性に応じて適宜設定すればよい。半導体層３０３に用いることのできる材料としては、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質（アモルファスともいう）半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導体、或いは微結晶半導体、酸化物半導体などを用いることができる。
【０１０６】
アモルファス半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体としては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン（多結晶シリコン）には、８００℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた高温ポリシリコンや、６００℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料として用いた低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて、非晶質シリコンを結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。もちろん、前述したように、微結晶半導体又は半導体層の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。
【０１０７】
また、酸化物半導体としては、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系や、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系や、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ａｌ−Ｚｎ系、Ｚｎ−Ｍｇ系、Ｓｎ−Ｍｇ系、Ｉｎ−Ｍｇ系、Ｉｎ−Ｇａ系や、Ｉｎ系、Ｓｎ系、Ｚｎ系などを用いることができる。また、上記酸化物半導体にＳｉＯ２を含んでもよい。ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体とは、少なくともＩｎとＧａとＺｎを含む酸化物であり、その組成に特に制限はない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の元素を含んでもよい。
【０１０８】
また、酸化物半導体としては、化学式ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される薄膜を用いることができる。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、ＭｎおよびＣｏから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばＭとして、Ｇａ、Ｇａ及びＡｌ、Ｇａ及びＭｎ、またはＧａ及びＣｏなどがある。また、酸化物半導体として、単結晶構造ではなく、非晶質構造でもない構造であり、Ｃ軸配向を有した結晶性酸化物半導体（Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ；  ＣＡＡＣ−ＯＳとも呼ぶ）を含む酸化物を用いることができる。
【０１０９】
なお、半導体層３０３は、スパッタリング法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等により成膜することができる。また、半導体層３０３を所望の形状に加工するために用いるエッチング工程としては、ドライエッチングやウエットエッチングを用いることができる。
【０１１０】
なお、ドライエッチングに用いるエッチング装置としては、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）を用いたエッチング装置や、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）やＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）などの高密度プラズマ源を用いたドライエッチング装置を用いることができる。また、ＩＣＰエッチング装置と比べて広い面積に渡って一様な放電が得られやすいドライエッチング装置としては、上部電極を接地させ、下部電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電源を接続し、さらに下部電極に３．２ＭＨｚの低周波電源を接続したＥＣＣＰ（Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）モードのエッチング装置がある。このＥＣＣＰモードのエッチング装置であれば、例えば基板として、第１０世代の３ｍを超えるサイズの基板を用いる場合にも対応することができる。
【０１１１】
トランジスタ３２０のソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線層３０５ａ、３０５ｂの材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）から選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜等が挙げられる。また、熱処理を行う場合には、この熱処理に耐える耐熱性を導電膜に持たせることが好ましい。例えば、アルミニウム（Ａｌ）単体では耐熱性が劣り、また腐蝕しやすい等の問題点があるので耐熱性導電性材料と組み合わせて形成する。Ａｌと組み合わせる耐熱性導電性材料としては、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、スカンジウム（Ｓｃ）から選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜、または上述した元素を成分とする窒化物で形成する。
【０１１２】
なお、ゲート絶縁層３０２、半導体層３０３、配線層３０５ａ、３０５ｂを大気に触れさせることなく連続的に形成してもよい。大気に触れさせることなく連続成膜することで、大気成分や大気中に浮遊する汚染不純物元素に汚染されることなく各積層界面を形成することができるので、トランジスタ特性のばらつきを低減することができる。
【０１１３】
絶縁膜３０７、絶縁膜３０９には、乾式法や湿式法で形成される無機絶縁膜、有機絶縁膜を用いることができる。例えば、ＣＶＤ法やスパッタリング法などを用いて得られる窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化タンタル膜などを用いることができる。また、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の有機材料を用いることができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることができる。また、絶縁膜３０７として酸化ガリウム膜を用いてもよい。
【０１１４】
なお、シロキサン系樹脂とは、シロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂の置換基としては、有機基（例えばアルキル基やアリール基）やフルオロ基を有していても良い。シロキサン系樹脂は塗布法により成膜し、焼成することによって用いることができる。
【０１１５】
なお、絶縁膜３０７、絶縁膜３０９は、上述した材料により形成される絶縁膜を複数積層させることにより形成してもよい。例えば、無機絶縁膜上に有機樹脂膜を積層する構造としてもよい。
【０１１６】
層間膜３１３は、上述した絶縁膜３０７、絶縁膜３０９と同様の材料を用いることができる。また、層間膜３１３の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等を用いることができる。
【０１１７】
また、画素電極層３４７及び共通配線層３０８には、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。その他にも、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。
【０１１８】
さらに、画素電極層３４７及び共通電極層３０８には、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形成した画素電極は、シート抵抗が１００００Ω／□以下、波長５５０ｎｍにおける透光率が７０％以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が０．１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。なお、導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例えば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若しくはアニリン、ピロールおよびチオフェンの２種以上からなる共重合体またはその誘導体などがあげられる。
【０１１９】
液晶層３４４には、本発明の一態様である液晶組成物を用いる。なお、液晶組成物には、ブルー相を発現する液晶材料、液晶性モノマー、非液晶性モノマー、及び重合開始剤が含まれており、液晶層３４４には、この液晶組成物を高分子安定化処理（重合処理）して得られる高分子／液晶複合体を用いる。
【０１２０】
なお、ここでは図示しないが、第１の基板３４１と対向基板である第２の基板３４２との間に液晶層３４４を形成する液晶組成物を挟持させた後、シール材で固着する。液晶組成物を挟持させる方法として、液晶滴下法（ＯＤＦ）や、第１の基板３４１と第２の基板３４２とを貼り合わせてから毛細管現象等を用いて注入する液晶注入法を用いることができる。
【０１２１】
また、シール材としては、代表的には可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化性の樹脂を用いるのが好ましい。代表的には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、アミン樹脂などを用いることができる。また、光（代表的には紫外線）重合開始剤、熱硬化剤、フィラー、カップリング剤を含んでもよい。
【０１２２】
また、液晶組成物を第１の基板３４１と第２の基板３４２との間に充填した後、光を照射して高分子安定化処理（重合処理）を行い、液晶層３４４を形成する。照射する光は、液晶組成物に含まれる液晶性モノマー、非液晶性モノマー、及び重合開始剤が反応する波長の光とする。この光照射による高分子安定化処理（重合処理）により、液晶層３４４が得られる。なお、シール材に光硬化樹脂を用いる場合には、高分子安定化処理と同時にシール材の硬化を行ってもよい。
【０１２３】
なお、本実施の形態で示す液晶表示装置の電極構造により、液晶層３４４に含まれる液晶分子は水平方向の電界により制御される。なお、高分子／液晶複合体は、ブルー相を呈するように配向しており、基板と平行な方向で制御できるため、視野角を広くすることができる。
【０１２４】
また、本実施の形態では、第１の基板３４１の外側（液晶層３４４と反対側）に偏光板３４３ａを、第２の基板３４２の外側（液晶層３４４と反対側）に偏光板３４３ｂを設けている。なお、偏光板の他、位相差板、反射防止膜などの光学フィルムなどを設けてもよい。例えば、偏光板及び位相差板による円偏光を用いてもよい。
【０１２５】
また、図示しないが、本実施の形態に示す液晶表示装置の光源としては、バックライト、サイドライトなどを用いることができる。なお、光源からの光は、第１の基板３４１側から、視認側である第２の基板３４２へと透過するように照射される。
【０１２６】
また、大型の基板を用いて複数の液晶表示装置を作製する場合（所謂多面取り）、その分断工程は、高分子安定化処理の前か、偏光板を設ける前に行うことができるが、分断工程による液晶層への影響（分断工程時にかかる力などによる配向乱れなど）を考慮すると、第１の基板３４１と第２の基板３４２とを貼り合わせた後、高分子安定化処理の前が好ましい。
【０１２７】
本実施の形態に示す液晶表示装置において、本発明の一態様である液晶組成物を用いることにより、高分子安定化ブルー相を示す高分子／液晶複合体における配向欠陥の発生を低減させることができる。これにより、液晶表示装置におけるパネルの欠陥を低減させることができるので、液晶表示装置の歩留まりを向上させることができる。また、本発明の一態様である液晶組成物を用いることにより液晶素子の駆動電圧を低下させることができるので、液晶表示装置の駆動電圧を低下させることができる。
【０１２８】
また、本実施の形態に示す液晶表示装置において、高分子／液晶複合体は、高分子安定化ブルー相を発現することが可能であるため、高いコントラストを付与することができ、視認性のよい高画質な液晶表示装置を提供することができる。また、ブルー相を用いた液晶素子は、高速応答が可能であるため、液晶表示装置の高性能化も可能となる。
【０１２９】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１３０】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様である液晶組成物を液晶層に用いて作製された液晶表示装置について説明する。なお、本実施の形態で示す液晶表示装置は、表示素子として実施の形態２で説明したような液晶素子（液晶表示素子ともいう）を含む。
【０１３１】
液晶表示装置の一形態に相当する液晶表示パネルの外観及び断面について、図４を用いて説明する。図４（Ａ１）（Ａ２）は、第１の基板４００１上に形成されたトランジスタ４０１０、４０１１、及び液晶素子４０１３を、第２の基板４００６との間にシール材４００５によって封止した、パネルの上面図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ１）（Ａ２）のＭ−Ｎにおける断面図に相当する。
【０１３２】
第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とを囲むようにして、シール材４００５が設けられている。また画素部４００２と、走査線駆動回路４００４の上に第２の基板４００６が設けられている。よって画素部４００２と、走査線駆動回路４００４は、第１の基板４００１とシール材４００５と第２の基板４００６によって、液晶層４００８と共に封止されている。
【０１３３】
また、図４（Ａ１）は第１の基板４００１上のシール材４００５によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路４００３が実装されている。なお、図４（Ａ２）は信号線駆動回路の一部を第１の基板４００１上に設けられたトランジスタで形成する例であり、第１の基板４００１上に信号線駆動回路４００３ｂが形成され、かつ別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路４００３ａが実装されている。
【０１３４】
なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ方法、ワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ方法などを用いることができる。図４（Ａ１）は、ＣＯＧ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例であり、図４（Ａ２）は、ＴＡＢ方法により信号線駆動回路４００３ａ，４００３ｂを実装する例である。
【０１３５】
また第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４は、トランジスタを複数有しており、図４（Ｂ）では、画素部４００２に含まれるトランジスタ４０１０と、走査線駆動回路４００４に含まれるトランジスタ４０１１とを例示している。トランジスタ４０１０、４０１１上には絶縁層４０２０、層間膜４０２１が設けられている。
【０１３６】
トランジスタ４０１０、４０１１には、公知のトランジスタを適用することができる。
【０１３７】
また、層間膜４０２１、又は絶縁層４０２０上において、駆動回路用のトランジスタ４０１１の半導体層のチャネル形成領域と重なる位置に導電層を設けてもよい。導電層は、電位がトランジスタ４０１１のゲート電極層と同じでもよいし、異なっていても良く、第２のゲート電極層として機能させることもできる。また、導電層の電位がＧＮＤ、０Ｖ、或いはフローティング状態であってもよい。
【０１３８】
また、層間膜４０２１上に画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１が形成され、画素電極層４０３０はトランジスタ４０１０と電気的に接続されている。液晶素子４０１３は、画素電極層４０３０、共通電極層４０３１及び液晶層４００８を含む。なお、第１の基板４００１、第２の基板４００６の外側にはそれぞれ偏光板４０３２ａ、４０３２ｂが設けられている。
【０１３９】
液晶層４００８には、実施の形態１で示した液晶組成物を用いる。
【０１４０】
なお、画素電極層４０３０と共通電極層４０３１との間に電界を形成することで、液晶層４００８の液晶分子を制御する。液晶層４００８には水平方向の電界が形成されるため、その電界により液晶分子が制御される。実施の形態１で示した液晶組成物は、高分子安定化処理（重合処理）により高分子／液晶複合体となっており、高分子／液晶複合体に含まれる液晶は、ブルー相を呈するように配向しており、基板と平行な方向で制御できるため、視野角を広くすることができる。
【０１４１】
なお、第１の基板４００１、第２の基板４００６としては、透光性を有するガラス、プラスチックなどを用いることができる。プラスチックとしては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
【０１４２】
また、柱状のスペーサ４０３５は絶縁層を選択的にエッチングすることで得られ、液晶層４００８の膜厚（セルギャップ）を制御するために設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。液晶表示装置において、液晶層４００８の厚さであるセルギャップは１μｍ以上２０μｍ以下とすることが好ましい。なお、本明細書においてセルギャップとは、液晶層４００８の厚さ（膜厚）の最大値とする。
【０１４３】
図４に示す液晶表示装置は、透過型液晶表示装置であるが、本発明における液晶表示装置は半透過型液晶表示装置でも、反射型液晶表示装置でもよい。
【０１４４】
また、図４の液晶表示装置では、基板の外側（視認側）に偏光板を設ける例を示すが、偏光板は基板の内側に設けてもよい。偏光板の材料や作製工程条件によって適宜設定すればよい。また、ブラックマトリクスとして機能する遮光層を設けてもよい。
【０１４５】
また、層間膜４０２１の一部としてカラーフィルタ層や遮光層を形成してもよい。図４においては、トランジスタ４０１０、４０１１上方を覆うように第２の基板４００６側に遮光層４０３４が設けられている。なお、遮光層４０３４を設けることにより、コントラスト向上やトランジスタの安定化を図ることができる。
【０１４６】
絶縁層４０２０を設けることにより、トランジスタの保護膜として機能させる構成としてもよいが、特に限定されない。この場合の保護膜とは、大気中に浮遊する有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防ぐためのものであり、緻密な膜が好ましい。保護膜は、スパッタリング法を用いて、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜の単層、又は積層で形成すればよい。
【０１４７】
また、平坦化絶縁膜として透光性の絶縁層をさらに形成する場合には、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させて絶縁層を形成してもよい。
【０１４８】
また、積層する絶縁層の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等を用いることができる。
【０１４９】
画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。その他にも、画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１はタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。
【０１５０】
さらに、画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１には、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。
【０１５１】
また、別途形成された信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４または画素部４００２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４０１８から供給されている。
【０１５２】
また、トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、ゲート線またはソース線に対して、駆動回路保護用の保護回路を同一基板上に設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
【０１５３】
図４では、接続端子電極４０１５が、画素電極層４０３０と同じ導電膜から形成され、端子電極４０１６は、トランジスタ４０１０、４０１１のソース電極層及びドレイン電極層と同じ導電膜で形成されている。また、接続端子電極４０１５は、ＦＰＣ４０１８が有する端子と、異方性導電膜４０１９を介して電気的に接続されている。
【０１５４】
また図４においては、信号線駆動回路４００３を別途形成し、第１の基板４００１に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成して実装しても良い。
【０１５５】
本実施の形態に示す液晶表示装置において、本発明の一態様である液晶組成物を用いることにより、高分子安定化ブルー相を示す高分子／液晶複合体における配向欠陥の発生を低減させることができる。これにより、液晶表示装置におけるパネルの欠陥を低減させることができるので、液晶表示装置の歩留まりを向上させることができる。また、本発明の一態様である液晶組成物を用いることにより液晶素子の駆動電圧を低下させることができるので、液晶表示装置の駆動電圧を低下させることができる。
【０１５６】
また、本実施の形態に示す液晶表示装置において、高分子／液晶複合体は、高分子安定化ブルー相を発現することが可能であるため、高いコントラストを付与することができ、視認性のよい高画質な液晶表示装置を提供することができる。また、ブルー相を用いた液晶素子は、高速応答が可能であるため、液晶表示装置の高性能化も可能となる。
【０１５７】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１５８】
（実施の形態５）
本明細書に開示する液晶表示装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む）に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
【０１５９】
図５（Ａ）は電子書籍（Ｅ−ｂｏｏｋともいう）であり、筐体５０００、表示部５００１、操作キー５００２、太陽電池５００３、充放電制御回路５００４を有することができる。図５（Ａ）に示した電子書籍は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作又は編集する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有することができる。なお、図５（Ａ）では充放電制御回路５００４の一例としてバッテリー５００５、ＤＣＤＣコンバータ（以下、コンバータと略記）５００６を有する構成について示している。実施の形態３または実施の形態４のいずれかで示した液晶表示装置を表示部５００１に適用することにより、高コントラストで視認性がよく、高速応答で高性能、さらには、低駆動電圧を実現した電子書籍とすることができる。
【０１６０】
図５（Ａ）に示す構成とすることにより、表示部５００１として半透過型、又は反射型の液晶表示装置を用いる場合、比較的明るい状況下での使用も予想され、太陽電池５００３による発電、及びバッテリー５００５での充電を効率よく行うことができ、好適である。なお太陽電池５００３は、筐体５０００の空きスペース（表面や裏面）に適宜設けることができるため、効率的なバッテリー５００５の充電を行う構成とすることができるため好適である。なおバッテリー５００５としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
【０１６１】
また、図５（Ａ）に示す充放電制御回路５００４の構成、及び動作について図５（Ｂ）にブロック図を示し説明する。図５（Ｂ）には、太陽電池５００３、バッテリー５００５、コンバータ５００６、コンバータ５００７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３、表示部５００１について示しており、バッテリー５００５、コンバータ５００６、コンバータ５００７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３が充放電制御回路５００４に対応する箇所となる。
【０１６２】
ここで、外光により太陽電池５００３により発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電池５００３で発電した電力は、バッテリー５００５を充電するための電圧となるようコンバータ５００６で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部５００１の動作に太陽電池５００３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コンバータ５００７で表示部５００１に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部５００１での表示を行わない際には、ＳＷ１をオフにし、ＳＷ２をオンにしてバッテリー５００５の充電を行う構成とすればよい。
【０１６３】
次に、外光により太陽電池５００３により発電がされない場合の動作の例について説明する。バッテリー５００５に蓄電された電力は、スイッチＳＷ３をオンにすることでコンバータ５００７により昇圧または降圧がなされる。そして、表示部５００１の動作にバッテリー５００５からの電力が用いられることとなる。
【０１６４】
なお、太陽電池５００３については、充電手段の一例として示したが、他の手段によるバッテリー５００５の充電を行う構成であってもよい。また他の充電手段を組み合わせて行う構成としてもよい。
【０１６５】
図６（Ａ）は、ノート型のパーソナルコンピュータであり、本体６１０１、筐体６１０２、表示部６１０３、キーボード６１０４などによって構成されている。実施の形態３または実施の形態４のいずれかで示した液晶表示装置を表示部６１０３に適用することにより、高コントラストで視認性がよく、高速応答で高性能、さらには、低駆動電圧を実現したノート型のパーソナルコンピュータとすることができる。
【０１６６】
図６（Ｂ）は、携帯情報端末（ＰＤＡ）であり、本体６２０１には表示部６２０２と、外部インターフェイス６２０３と、操作ボタン６２０４等が設けられている。また操作用の付属品としてスタイラス６２０５がある。実施の形態３または実施の形態４のいずれかで示した液晶表示装置を表示部６２０２に適用することにより、高コントラストで視認性がよく、高速応答で高性能、さらには、低駆動電圧を実現した携帯情報端末（ＰＤＡ）とすることができる。
【０１６７】
図６（Ｃ）は、携帯電話であり、筐体６３０１及び筐体６３０２の二つの筐体で構成されている。筐体６３０１には、表示パネル６３０３、スピーカー６３０４、マイクロフォン６３０５、ポインティングデバイス６３０６、カメラ用レンズ６３０７、外部接続端子６３０８などを備えている。また、筐体６３０２には、携帯電話の充電を行う太陽電池セル６３０９、外部メモリスロット６３１０などを備えている。また、アンテナは筐体６３０１内部に内蔵されている。実施の形態３または実施の形態４のいずれかで示した液晶表示装置を表示パネル６３０３に適用することにより、高コントラストで視認性がよく、高速応答で高性能、さらには、低駆動電圧を実現した携帯電話とすることができる。
【０１６８】
また、表示パネル６３０３はタッチパネルを備えており、図６（Ｃ）には映像表示されている複数の操作キー６３１１を点線で示している。なお、太陽電池セル６３０９で出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。
【０１６９】
表示パネル６３０３は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル６３０３と同一面上にカメラ用レンズ６３０７を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー６３０４及びマイクロフォン６３０５は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体６３０１と筐体６３０２は、スライドし、図６（Ｃ）のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。
【０１７０】
外部接続端子６３０８はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット６３１０に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応できる。
【０１７１】
また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。
【０１７２】
図６（Ｄ）は、デジタルビデオカメラであり、本体６４０１、表示部（Ａ）６４０２、接眼部６４０３、操作スイッチ６４０４、表示部（Ｂ）６４０５、バッテリー６４０６などによって構成されている。実施の形態３または実施の形態４のいずれかで示した液晶表示装置を表示部（Ａ）６４０２、表示部（Ｂ）６４０５に適用することにより、高コントラストで視認性がよく、高速応答で高性能、さらには、低駆動電圧を実現したデジタルビデオカメラとすることができる。
【０１７３】
図６（Ｅ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置６５０１は、筐体６５０２に表示部６５０３が組み込まれている。表示部６５０３により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド６５０４により筐体６５０２を支持した構成を示している。実施の形態３または実施の形態４のいずれかで示した液晶表示装置を表示部６５０３に適用することにより、高コントラストで視認性がよく、高速応答で高性能、さらには、低駆動電圧を実現したテレビジョン装置６５０１とすることができる。
【０１７４】
テレビジョン装置６５０１の操作は、筐体６５０２が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
【０１７５】
なお、テレビジョン装置６５０１は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０１７６】
図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は２つ折り可能なタブレット型端末である。図７（Ａ）は、開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体７０００、表示部７００１ａ、表示部７００１ｂ、表示モード切り替えスイッチ７００４、電源スイッチ７００５、省電力モード切り替えスイッチ７００６、留め具７００３、操作スイッチ７００８、を有する。なお、当該タブレット型端末は、発光装置を表示部７００１ａ、表示部７００１ｂの一方又は両方に用いることにより作製される。
【０１７７】
表示部７００１ａは、一部をタッチパネルの領域７００２ａとすることができ、表示された操作キー７００７にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部７００１ａにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領域がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部７００１ａの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部７００１ａの全面をキーボードボタン表示させてタッチパネルとし、表示部７００１ｂを表示画面として用いることができる。
【０１７８】
また、表示部７００１ｂにおいても表示部７００１ａと同様に、表示部７００１ｂの一部をタッチパネルの領域７００２ｂとすることができる。また、タッチパネルのキーボード表示切り替えボタン７００９が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれることで表示部７００１ｂにキーボードボタン表示することができる。
【０１７９】
また、タッチパネルの領域７００２ａとタッチパネルの領域７００２ｂに対して同時にタッチ入力することもできる。
【０１８０】
また、表示モード切り替えスイッチ７００４は、縦表示または横表示などの表示の向きを切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えスイッチ７００６は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光センサだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を内蔵させてもよい。
【０１８１】
また、図７（Ａ）では表示部７００１ｂと表示部７００１ａの表示面積が同じ例を示しているが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表示の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネルとしてもよい。
【０１８２】
図７（Ｂ）は、閉じた状態であり、タブレット型端末は、筐体７０００、太陽電池７１０３、充放電制御回路７１０４、バッテリー７１０５、ＤＣＤＣコンバータ７１０６を有する。なお、図７（Ｂ）では充放電制御回路７１０４の一例としてバッテリー７１０５、ＤＣＤＣコンバータ７１０６を有する構成について示している。
【０１８３】
なお、タブレット型端末は２つ折り可能なため、未使用時に筐体７０００を閉じた状態にすることができる。従って、表示部７００１ａ、表示部７００１ｂを保護できるため、耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。
【０１８４】
また、この他にも図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示したタブレット型端末は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有することができる。
【０１８５】
タブレット型端末の表面に装着された太陽電池７１０３によって、電力をタッチパネル、表示部、または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池７１０３は、筐体７０００の片面又は両面に設けることができ、バッテリー７１０５の充電を効率的に行う構成とすることができる。なおバッテリー７１０５としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
【０１８６】
また、図７（Ｂ）に示す充放電制御回路７１０４の構成、及び動作について図７（Ｃ）にブロック図を示し説明する。図７（Ｃ）には、太陽電池７１０３、バッテリー７１０５、ＤＣＤＣコンバータ７１０６、コンバータ７１０７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３、表示部７００１について示しており、バッテリー７１０５、ＤＣＤＣコンバータ７１０６、コンバータ７１０７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３が、図７（Ｂ）に示す充放電制御回路７１０４に対応する箇所となる。
【０１８７】
まず外光により太陽電池７１０３により発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電池で発電した電力は、バッテリー７１０５を充電するための電圧となるようＤＣＤＣコンバータ７１０６で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部７００１（７００１ａ、７００１ｂ）の動作に太陽電池７１０３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コンバータ７１０７で表示部７００１に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部７００１での表示を行わない際には、ＳＷ１をオフにし、ＳＷ２をオンにしてバッテリー７１０５の充電を行う構成とすればよい。
【０１８８】
なお太陽電池７１０３については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず、圧電素子（ピエゾ素子）や熱電変換素子（ペルティエ素子）などの他の発電手段によるバッテリー７１０５の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線（非接触）で電力を送受信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構成としてもよい。
【０１８９】
また、上記実施の形態で説明した表示部を具備していれば、図７に示した電子機器に特に限定されないことは言うまでもない。
【０１９０】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【実施例１】
【０１９１】
本実施例では、本明細書中において、一般式（Ｇ１）または一般式（Ｇ１−１）で示される５種類の液晶性モノマーについて評価、測定を行った結果、およびこれら５種類の液晶性モノマーをそれぞれ用いて作製した本発明の一態様である５種類の液晶組成物について評価、測定を行った結果を示す。
【０１９２】
なお、本実施例で用いる５種類の液晶性モノマーの構造式を以下に示す。
【０１９３】
【化１４】
2013117020.tif 000015
【０１９４】
まず、上記５種類の液晶性モノマーのネマチック相−等方相転移温度（ＴＮＩ）（透明点、またはＮＩ点ともいう）の測定を行った。
【０１９５】
また、ネマチック相−等方相転移温度（ＴＮＩ）の測定には、示差走査熱量分析装置（ＤＳＣ、パーキンエルマー社製、Ｐｙｒｉｓ  １  ＤＳＣ）を用いた。測定の際には、上記５種類の液晶性モノマーに重合禁止剤であるヒドロキノンを０．５ｗｔ％加え、−１０℃から１０℃／ｍｉｎで昇温し、ネマチック相から等方相への吸熱ピークの立ち上がりの温度をネマチック相−等方相転移温度（ＴＮＩ）とした。なお、ネマチック相−等方相転移温度（ＴＮＩ）の測定結果を図８に示す。
【０１９６】
図８の測定結果より、ネマチック相−等方相転移温度（ＴＮＩ）は、一般式（Ｇ１）および一般式（Ｇ１−１）中のオキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）の連続した１ずつの変化に対して、温度の高低が交互に入れ替わって変化する特性、いわゆるオキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）に対する偶奇性を示した。
【０１９７】
次に、上記の５種類の液晶性モノマーを一種ずつ含む液晶組成物を５種類作製し、これらの高分子安定化時の様子について以下に示す。
【０１９８】
本実施例で作製する５種類の液晶組成物には、ブルー相を発現する液晶材料としてＥ−８（略称）（（株）ＬＣＣ製）、４−（ｔｒａｎｓ−４プロピルシクロヘキシル）−３’，４’−ジフルオロ−１，１’−ビフェニル（略称：ＣＰＰ−３ＦＦ）、および４−ペンチル安息香酸４−シアノ−３−フルオロフェニル（略称：ＰＥＰ−５ＣＮＦ）を用い、非液晶性モノマーとしてメタクリル酸ドデシル（略称：ＤＭｅＡｃ）（東京化成工業株式会社製）を用い、重合開始剤としてＤＭＰＡＰ（略称）（東京化成工業株式会社製）を用い、カイラル剤として１，４：３，６−ジアンヒドロ−２，５−ビス［４−（ｎ−ヘキシル−１−オキシ）安息香酸］ソルビトール（略称：ＩＳＯ−（６ＯＢＡ）２）（みどり化学株式会社製）をそれぞれ用いた。さらに、液晶性モノマーとしては、上記の構造式で示した５種類の材料のいずれかを一種類ずつ用いた。なお、液晶性モノマー以外の上述した物質の構造式を以下に示す。
【０１９９】
【化１５】
2013117020.tif 000016
【０２００】
また、本実施例では、表１に示す混合比で５種類の液晶組成物を作製し、高分子安定化処理を行った。混合比は全て重量比（ｗｔ％）で表す。
【０２０１】
【表１】
2013117020.tif 000017
【０２０２】
本実施例では、表１に示す液晶組成物を備えた液晶セルを作製し、高分子安定化処理を行った。なお、液晶セルは、一対のガラス基板間に空隙（４μｍ）を有して紫外線及び熱硬化型シール材を塗布し、これに９０秒間紫外線（放射照度１００ｍＷ／ｃｍ２）を照射した後、１２０℃で１時間加熱して貼り合わせた後、表１に示す割合で混合された液晶組成物を基板間に注入して、作製したものを用いた。
【０２０３】
各液晶セル（液晶セル１〜液晶セル５）に用いた液晶性モノマーは、表２に示す通りである。
【０２０４】
【表２】
2013117020.tif 000018
【０２０５】
次に、各液晶セル中の液晶組成物に対して、高分子安定化処理を行った。本実施例では、各液晶セル中の液晶組成物が等方相の状態を示す温度まで各液晶セルを加熱し、等方相状態のとき、およびブルー相の状態のときに、それぞれ紫外線（波長３６５ｎｍ、放射照度８ｍＷ／ｃｍ２）を、６分間照射することによって高分子安定化処理を行った。なお、各液晶セル中の液晶組成物について、等方相−ブルー相転移温度、等方相の状態で高分子安定化処理を行う際の処理温度（表３中には、「等方相からの安定化処理温度」と表記）、ブルー相の状態で高分子安定化処理を行う際の処理温度（表３中には、「ブルー相からの安定化処理温度」と表記）を表３に示す。
【０２０６】
【表３】
2013117020.tif 000019
【０２０７】
次に、各液晶セルの高分子安定化処理後のテクスチャ（光学組織、または、顕微鏡観察下に現れる模様ともいう）を観察した。テクスチャの観察には、偏光顕微鏡（ＭＸ−５０  オリンパス株式会社製）を用いた。
【０２０８】
観察の際の測定条件は、偏光顕微鏡において、測定モードを透過とし、偏光子にクロスニコルを用い、倍率を５００倍として室温環境で測定した。
【０２０９】
各液晶セル（液晶セル１〜液晶セル５）において、それぞれに高分子安定化処理を行い、高分子安定化ブルー相を発現させた場合のテクスチャを図９に示す。また、各液晶セル（液晶セル１〜液晶セル５）、それに含まれる液晶性モノマーのオキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）、および図９に示されるテクスチャについて表４に示す。
【０２１０】
【表４】
2013117020.tif 000020
【０２１１】
図９に示す結果からは、オキシアルキレン基の鎖長が偶数（具体的には、鎖長が４、６、８）で、等方相の状態で高分子安定化処理を行った場合には、図９（ａ−１）、図９（ｃ−１）、図９（ｅ−１）に示すようにブルー相において、多くの欠陥が見られていた。また、オキシアルキレン基の鎖長が偶数（具体的には、鎖長が４、６、８）で、ブルー相の状態で高分子安定化処理を行った場合には、図９（ａ−２）、図９（ｃ−２）、図９（ｅ−２）に示すようにブルー相において、境界を有するプレートレット状組織（小板状組織）が見られていた。
【０２１２】
また、オキシアルキレン基の鎖長が奇数（具体的には、鎖長が５、７）の時には、等方相の状態で高分子安定化処理を行った場合（図９（ｂ−１）、図９（ｄ−１））でも、ブルー相の状態で高分子安定化処理を行った場合（図９（ｂ−２）、図９（ｄ−２））でも明確なプレートレット状態を示さないテクスチャであることが確認された。
【０２１３】
以上より、オキシアルキレン基の鎖長が偶数（具体的には、鎖長が４、６、８）の液晶性モノマーを含む液晶組成物を用いた場合には、ブルー相状態での高分子安定化処理により、配向欠陥の発生が低減された高分子安定化ブルー相が得られ、また、オキシアルキレン基の鎖長が奇数（具体的には、鎖長が５、７）の液晶性モノマーを含む液晶組成物を用いた場合には、等方相状態での高分子安定化処理であっても、ブルー相状態での高分子安定化処理であっても、配向欠陥の発生が低減された高分子安定化ブルー相が得られた。
【実施例２】
【０２１４】
本実施例では、実施例１で液晶セル４に用いた、オキシアルキレン基の鎖長が奇数（具体的には、鎖長が７）の液晶性モノマー（ＲＭ−Ｏ６）を含む液晶組成物を用い、等方相の状態で高分子安定化処理を行った後で得られた液晶パネル、また、同じ液晶組成物を用い、ブルー相の状態で高分子安定化処理を行った後で得られた液晶パネル、および実施例１で液晶セル１に用いた、オキシアルキレン基の鎖長が偶数（具体的には、鎖長が４）の液晶性モノマー（ＲＭ−Ｏ３）を含む液晶組成物を用い、ブルー相の状態で高分子安定化処理を行った後で得られた液晶パネルをそれぞれ作製した。
【０２１５】
まず、オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が７の液晶性モノマー（ＲＭ−Ｏ６）を含む液晶組成物を用い、等方相の状態で高分子安定化処理を行い、液晶パネルを作製する方法について説明する。
【０２１６】
第１の基板として用いる５インチのガラス基板上に、高さ４μｍの樹脂製ギャップスペーサと、光及び熱併用硬化型のシール材（ＳＤ−２５、積水化学工業製）を形成した。また、第２の基板として用いる５インチのガラス基板上に、液晶層を駆動するための電極層を含むトランジスタ等の回路を形成した。
【０２１７】
次に、シール材が形成された第１の基板に、紫外線（放射照度１１ｍＷ／ｃｍ２）を照射することにより、シール材を仮硬化させた。
【０２１８】
次に、第１の基板上のシール材の内側に実施例１において液晶セル４に用いた液晶組成物（オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が７の液晶性モノマー（ＲＭ−Ｏ６）を含む）を滴下させた。このとき、液晶組成物の温度は等方相を示す７０℃とし、シール材の内側に約１４ｍｇを滴下させた。
【０２１９】
次に、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた。ここでは、電極層を含むトランジスタ等の回路が形成された面を下向きにした第２の基板をチャンバー内の上側に静電チャックで固定し、液晶組成物が備えられた面を上向きにした第１の基板をチャンバー内の下側に設置した後、チャンバー内を１００Ｐａまで減圧して第１の基板と第２の基板を貼り合わせた。その後、チャンバーを大気開放した。
【０２２０】
次に、熱源を有するステージ上に第１の基板と第２の基板とが貼り合わされてなる基板を配置して、液晶組成物（オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が７の液晶性モノマー（ＲＭ−Ｏ６）を含む）からなる液晶層を７０℃まで加熱して、等方相を発現させた。
【０２２１】
次に、等方相を示す液晶層を３８℃まで−５℃／ｍｉｎで急冷させた後、等方相が全面に広がった３８℃で温度を保持し、３６５ｎｍを主波長とする紫外線（１１ｍＷ／ｃｍ２）を３５０ｎｍ以下の波長をカットするシャープカットフィルターを用いて６分照射することにより、高分子安定化処理を行った。これにより、等方相を示していた液晶層はブルー相へと相転移し、高分子安定化されたブルー相を示す液晶層が得られた。
【０２２２】
この状態で基板に（１２０℃、１時間）熱処理を行うことにより、シール材を本硬化させた。以上により、オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が７の液晶性モノマー（ＲＭ−Ｏ６）を含む液晶組成物を用い、等方相の状態で高分子安定化処理を行った液晶パネルが得られた。ここで得られた液晶パネルの外観写真を図１０（Ａ）に示す。
【０２２３】
一方、上記と同様にして、第１の基板と第２の基板とシール材（仮硬化）との間に実施例１において液晶セル４に用いた液晶組成物（オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が７の液晶性モノマー（ＲＭ−Ｏ６）を含む）からなる液晶層を有する基板を熱源を有するステージ上に配置して、液晶層を７０℃まで加熱し、等方相を発現させた後、７０℃から−１℃／ｍｉｎで降温させ、液晶層を等方相からブルー相へ相転移させた後、ブルー相が全面に広がった温度（ここでは、３４℃）に保持し、３６５ｎｍを主波長とする紫外線（８ｍＷ／ｃｍ２）を３５０ｎｍ以下の波長をカットするシャープカットフィルターを用いて６分照射することにより高分子安定化処理を行った。
【０２２４】
次に、基板に（１２０℃、１時間）熱処理を行うことにより、シール材を本硬化させた。以上により、オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が７の液晶性モノマー（ＲＭ−Ｏ６）を含む液晶組成物を用い、ブルー相の状態で高分子安定化処理を行った液晶パネルが得られた。ここで得られた液晶パネルの外観写真を図１０（Ｂ）に示す。
【０２２５】
さらに、第１の基板と第２の基板とシール材（仮硬化）との間に実施例１において液晶セル１に用いた液晶組成物（オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が４の液晶性モノマー（ＲＭ−Ｏ３）を含む）からなる液晶層を有する基板に対してもブルー相の状態で高分子安定化処理を行った。ここで得られた液晶パネルの外観写真を図１０（Ｃ）に示す。
【０２２６】
上記の結果から、図１０（Ｃ）に示したオキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が４（偶数である）の液晶性モノマー（ＲＭ−Ｏ３）を含む液晶組成物を用い、ブルー相の状態で高分子安定化処理を行って得られた液晶パネルでは、表示領域内の全面において、コレステリック相への相転移に起因する光漏れが発生していた。
【０２２７】
しかしながら、図１０（Ａ）に示したオキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が７（奇数である）の液晶性モノマー（ＲＭ−Ｏ６）を含む液晶組成物を用い、等方相の状態で高分子安定化処理を行って得られた液晶パネルでは、液晶パネルの表示領域における配向欠陥がほとんど見られず、配向欠陥の発生を抑制できることが示された。なお、図１０（Ｂ）に示したオキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が７（奇数である）の液晶性モノマー（ＲＭ−Ｏ６）を含む液晶組成物を用い、ブルー相の状態で高分子安定化処理を行って得られた液晶パネルについては、パネル周辺における液晶相の収縮傾向が見られるものの、液晶パネルの表示領域における配向欠陥は減少傾向にあった。
【０２２８】
従って、液晶性モノマーとして、一般式（Ｇ１）中のＹで示されるオキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）がｎ（但し、ｎは、２以上１１以下）であり、かつ前記オキシアルキレン基の鎖長（炭素及び酸素の合計）が（ｎ−１）および（ｎ＋１）である液晶性モノマーよりもネマチック相−等方相転移温度（ＴＮＩ）が低い、すなわち、ここでは奇数である液晶性モノマーを含む液晶組成物を用いることにより、高分子安定化の際に配向欠陥の発生を抑制できることが示された。
【０２２９】
（参考例）
本参考例では、本発明の一態様である液晶組成物に含まれる液晶性モノマーであり、実施の形態１において構造式（１０５）で表される１，４−ビス［４−（７−アクリロイルオキシヘプチル−１−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ７）の合成方法について具体的に説明する。
【０２３０】
【化１６】
2013117020.tif 000021
【０２３１】
［ステップ１：４−（７−ヒドロキシヘプチル−１−オキシ）安息香酸エチルの合成］
【０２３２】
【化１７】
2013117020.tif 000022
【０２３３】
２００ｍＬのナスフラスコに３．５ｇ（２１ｍｍｏｌ）の４−ヒドロキシ安息香酸エチルと、４．９ｇ（２５ｍｍｏｌ）の７−ブロモ−１−ヘプタノールと、１．０ｇ（２５ｍｍｏｌ）の水酸化ナトリウムと、３．２ｇ（２１ｍｍｏｌ）のよう化ナトリウムと、１２０ｍＬの２−ブタノンを加え、この混合物を窒素気流下、６０℃で１１時間、撹拌した。その後、ＴＬＣにより反応が終了していることを確認した後、得られた混合物を自然濾過し、濾物を水に溶かして、この溶液をトルエンで３回抽出し、抽出液と濾液を合わせて硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然濾過し得られた濾液を濃縮して白色固体を得た。
【０２３４】
得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；酢酸エチル：ヘキサン＝１：２を１０００ｍＬ）により精製した。得られた目的物を含むフラクションを濃縮したところ、無色油状物質を５．０ｇ、収率８５％で得た。
【０２３５】
［ステップ２：４−（７−ヒドロキシヘプチル−１−オキシ）安息香酸の合成］
【０２３６】
【化１８】
2013117020.tif 000023
【０２３７】
５００ｍＬのナスフラスコに５．０ｇ（１８ｍｍｏｌ）の４−（７−ヒドロキシヘプチル−１−オキシ）安息香酸エチルと、１５０ｍＬの水酸化カリウム水溶液（０．５ｍｏｌ／Ｌ）を加え、この混合物を窒素気流下、１００℃で１０時間、撹拌した。その後、ＴＬＣにより反応が終了していることを確認した。得られた溶液へジエチルエーテルと希塩酸を加え、水層をジエチルエーテルで３回抽出した。有機層と抽出液を合わせて硫酸マグネシウムで乾燥し、この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮して目的物の淡黄色固体を３．３ｇ、粗収率７３％で得た。
【０２３８】
［ステップ３：４−（７−アクリロイルオキシヘプチル−１−オキシ）安息香酸の合成］
【０２３９】
【化１９】
2013117020.tif 000024
【０２４０】
５００ｍＬのナスフラスコに３．３ｇ（１３ｍｍｏｌ）の４−（７−ヒドロキシヘプチル−１−オキシ）安息香酸と、１００ｍＬの１，４−ジオキサンと、１．９ｇ（１６ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルアニリンを加え撹拌した。この溶液に、１．４ｇ（１５ｍｍｏｌ）アクリロイルクロリドをゆっくり加えた後、この溶液を窒素気流下、６０℃で４時間撹拌した。その後、ＴＬＣにより反応が終了していることを確認した。得られた溶液を、約８００ｍＬの水にゆっくり加えたところ白色固体が析出した。白色固体を吸引濾過により回収し、濾物を乾燥したところ目的物の白色固体を３．５ｇ、粗収率８８％で得た。
【０２４１】
［ステップ４：１，４−ビス［４−（７−アクリロイルオキシヘプチル−１−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（ＲＭ−Ｏ７）の合成］
【０２４２】
【化２０】
2013117020.tif 000025
【０２４３】
３００ｍＬのナスフラスコに３．５ｇ（１１ｍｍｏｌ）の４−（７−アクリロイルオキシヘプチル−１−オキシ）安息香酸と、０．７１ｇ（５．７ｍｍｏｌ）のメチルヒドロキノンと、０．２１ｇ（１．７ｍｍｏｌ）の４−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノピリジン（ＤＭＡＰ）と、８０ｍＬのアセトンと４０ｍＬのジクロロメタンを加え、大気下で撹拌した。この混合物に２．２ｇ（１１ｍｍｏｌ）の１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（ＥＤＣ）を加えたところ材料が全て溶け溶液となった。この溶液を大気下、室温で２０時間攪拌した。
【０２４４】
その後、ＴＬＣにより反応が終了していることを確認し、この溶液に約４０ｍＬのクロロホルムを加えた。この溶液を約６０ｍＬまで濃縮し、得られた溶液へ飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和食塩水を加えた。この混合物の水層をクロロホルムで３回抽出し、得られた抽出液と有機層を合わせ、硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮して油状物質を得た。
【０２４５】
この油状物質をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；酢酸エチル：ヘキサン＝１：１を７００ｍＬ）により精製した。得られた目的物を含むフラクションを濃縮して無色油状物質を得た。得られた無色油状物質を、ＨＰＬＣ（高速液体クロマトグラフィー、展開溶媒；クロロホルム）により精製したところ、目的物の白色固体を０．３８ｇ、収率１４％で得た。
【０２４６】
核磁気共鳴測定（ＮＭＲ）によって、この化合物が、１，４−ビス［４−（７−アクリロイルオキシヘプチル−１−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（ＲＭ−Ｏ７）であることを確認した。
【０２４７】
得られた化合物の１Ｈ  ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝１．３８−１．５１（ｍ、１２Ｈ）、１．６８−１．８６（ｍ、８Ｈ）、２．２４（ｓ、３Ｈ）、４．０５（ｔ、Ｊ＝５．４Ｈｚ、４Ｈ）、４．１７（ｔ、Ｊ＝６．６Ｈｚ、４Ｈ）、５．８２（ｄｄ、Ｊ１＝１０Ｈｚ、Ｊ２＝１．５Ｈｚ、２Ｈ）、６．１３（ｄｄ、Ｊ１＝１０Ｈｚ、Ｊ２＝１７Ｈｚ、２Ｈ）、６．４１（ｄｄ、Ｊ１＝１．５Ｈｚ、Ｊ２＝１７Ｈｚ、２Ｈ）、６．９５−７．００（ｍ、４Ｈ）、７．０６−７．１９（ｍ、３Ｈ）、８．１２−８．１８（ｍ、４Ｈ）。
【０２４８】
なお、実施の形態１で示す１，４−ビス［４−（５−アクリロイルオキシペンチル−１−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ５）の合成は、本参考例で示すＲＭ−Ｏ７（略称）の合成において、反応式（Ａ−１）で表されるステップで、７−ブロモ−１−ヘプタノールの代わりに５−ブロモ−１−ペンタノールを用いて行い、反応式（Ａ―２）〜（Ａ−４）に相当する反応を行うことで、ＲＭ−Ｏ５が得られた。
【０２４９】
また、実施の形態１で示す１，４−ビス［４−（２−メタクリロイルオキシエチル−１−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＭｅＲＭ−Ｏ２）、及び１，４−ビス［４−（４−アクリロイルオキシブチル−１−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ−Ｏ４）の合成は、本参考例で示すＲＭ−Ｏ７（略称）の合成において、反応式（Ａ−４）で表されるステップで、４−（７−アクリロイルオキシヘプチル−１−オキシ）安息香酸の代わりに、それぞれ４−（２−メタクリロイルオキシ−１−オキシ）安息香酸、４−（４−アクリロイルオキシブチル−１−オキシ）安息香酸を用いて行うことにより得られた。
【符号の説明】
【０２５０】
１００    液晶性モノマー
１００ａ、１００ｂ    液晶性モノマー
１０１    メソゲン骨格
１０１ａ、１０１ｂ    メソゲン骨格
１０２    オキシアルキレン基
１０２ａ、１０２ｂ    オキシアルキレン基
２００    第１の基板
２０１    第２の基板
２０２    液晶層
２０３    画素電極層
２０４    共通電極層
３０１    ゲート配線層
３０１ａ    ゲート電極層
３０２    ゲート絶縁層
３０３    半導体層
３０５    ソース配線層
３０５ａ、３０５ｂ    配線層
３０７    絶縁膜
３０８    共通配線層
３０９    絶縁膜
３１３    層間膜
３２０    トランジスタ
３４１    第１の基板
３４２    第２の基板
３４３ａ、３４３ｂ    偏光板
３４４    液晶層
３４６    共通電極層
３４７    画素電極層
４００１    第１の基板
４００２    画素部
４００３    信号線駆動回路
４００３ａ    信号線駆動回路
４００３ｂ    信号線駆動回路
４００４    走査線駆動回路
４００５    シール材
４００６    第２の基板
４００８    液晶層
４０１０    トランジスタ
４０１１    トランジスタ
４０１３    液晶素子
４０１５    接続端子電極
４０１６    端子電極
４０１８    ＦＰＣ
４０１９    異方性導電膜
４０２０    絶縁層
４０２１    層間膜
４０３０    画素電極層
４０３１    共通電極層
４０３２ａ、４０３２ｂ    偏光板
４０３４    遮光層
４０３５    スペーサ
５０００    筐体
５００１    表示部
５００２    操作キー
５００３    太陽電池
５００４    充放電制御回路
５００５    バッテリー
５００６    コンバータ
５００７    コンバータ
６１０１    本体
６１０２    筐体
６１０３    表示部
６１０４    キーボード
６２０１    本体
６２０２    表示部
６２０３    外部インターフェイス
６２０４    操作ボタン
６２０５    スタイラス
６３０１    筐体
６３０２    筐体
６３０３    表示パネル
６３０４    スピーカー
６３０５    マイクロフォン
６３０６    ポインティングデバイス
６３０７    カメラ用レンズ
６３０８    外部接続端子
６３０９    太陽電池セル
６３１０    外部メモリスロット
６３１１    操作キー
６４０１    本体
６４０３    接眼部
６４０２    表示部（Ａ）
６４０４    操作スイッチ
６４０５    表示部（Ｂ）
６４０６    バッテリー
６５０１    テレビジョン装置
６５０２    筐体
６５０３    表示部
６５０４    スタンド
７０００    筐体
７００１    表示部
７００１ａ    表示部
７００１ｂ    表示部
７００２ａ    領域
７００２ｂ    領域
７００３    留め具
７００４    スイッチ
７００５    電源スイッチ
７００６    スイッチ
７００７    操作キー
７００８    操作スイッチ
７００９    ボタン
７１０３    太陽電池
７１０４    充放電制御回路
７１０５    バッテリー
７１０６    ＤＣＤＣコンバータ
７１０７    コンバータ
７１０８    コンバータ
【図１】
2013117020.tif 000032
【図２】
2013117020.tif 000033
【図３】
2013117020.tif 000034
【図４】
2013117020.tif 000035
【図５】
2013117020.tif 000036
【図６】
2013117020.tif 000037
【図７】
2013117020.tif 000038
【図８】
2013117020.tif 000039
【図９】
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【図１０】
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