(57)【要約】      （修正有）【課題】感度を向上させることができる感知装置と感知方法とを提供する。【解決手段】第１および第２走査線と読み出し線と第１および第２感知ユニットを含む感知装置が提供される。第１感知ユニットが第１走査線と第２走査線と読み出し線とに連結されるとともに、第１エネルギーを感知するよう配置される。第１感知ユニットが第１走査線上で第１走査信号に応答して第１エネルギーに対応する第１読み出し信号を読み出し線へ出力する。第２感知ユニットが第２走査線と読み出し線と連結されるとともに、第２エネルギーを感知するよう配置される。第２感知ユニットが第２走査線上で第２走査信号に応答して第２エネルギーに対応する第２読み出し信号を読み出し線へ出力する。第２走査信号が第１走査信号と協同して働き、第１感知ユニットをリセットする。【選択図】図１
2013046411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１走査線と、
第２走査線と、
読み出し線と、
第１感知ユニットであり、前記第１走査線および前記第２走査線ならびに前記読み出し線に連結されるとともに、第１エネルギーを感知するよう配置され、そのうち前記第１感知ユニットが前記第１走査線上で第１走査信号に応答して前記第１エネルギーに対応する第１読み出し信号を前記読み出し線へ出力する、第１感知ユニットと、
第２感知ユニットであり、前記第２走査線および前記読み出し線に連結されるとともに、第２エネルギーを感知するよう配置され、そのうち前記第２感知ユニットが前記第２走査線上で第２走査信号に応答して前記第２エネルギーに対応する第２読み出し信号を前記読み出し線へ出力し、かつ前記第２走査信号が前記第１走査信号と協同して働き、前記第１感知ユニットをリセットする、第２感知ユニットと
を備える感知装置。
【請求項２】
前記第１走査信号と前記第２走査信号とがそれぞれ順番に前記第１感知ユニットと前記第２感知ユニットとを使用可能にする請求項１記載の感知装置。
【請求項３】
前記第１感知ユニットが、
前記第１エネルギーを感知するとともに、感知された前記第１エネルギーを第１データ信号に変換する第１感知装置と、
前記第１走査線および前記第１感知装置に連結され、かつ前記第１データ信号を蓄積する第１蓄積素子と、
第１増幅素子であり、前記第１蓄積素子および前記第１走査線ならびに前記読み出し線に連結され、そのうち前記第１増幅素子が前記第１走査線上で前記第１走査信号に応答して前記第１データ信号に対応する前記第１読み出し信号を前記読み出す線へ出力する、第１増幅素子と、
リセット素子であり、前記第１蓄積素子および前記第１走査線ならびに前記第２走査線に連結され、そのうち前記リセット素子が前記第２走査信号および前記第１走査信号に応答して前記第１蓄積素子をリセットする、リセット素子と
を備える請求項１記載の感知装置。
【請求項４】
前記第１増幅素子の電流入力端が前記第１走査線および前記第１蓄積素子の一端に連結され、前記第１増幅素子の制御端が前記第１蓄積素子の他端に連結されるとともに、前記第１増幅素子の電流出力端が前記読み出し線に連結される請求項３記載の感知装置。
【請求項５】
前記リセット素子の第１端が前記第１走査線に連結され、前記リセット素子の制御端が前記第２走査線に連結されるとともに、前記リセット素子の第２端が前記第１増幅素子の前記制御端に連結される請求項４記載の感知装置。
【請求項６】
前記第２走査信号がハイ電圧レベルにある時、前記第２走査信号が前記リセット素子の前記第１端および前記第２端間で導通を引き起こすとともに、前記第１走査信号がロー電圧レベルであり、前記第１蓄積素子の前記一端ならびに前記他端が全てロー電圧レベルであるようにさせて、前記第１蓄積素子をリセットする請求項５記載の感知装置。
【請求項７】
前記第１蓄積素子がキャパシターであり、前記キャパシターの容量値が前記第１増幅素子の前記電流入力端および前記制御端間の寄生容量値の１０倍より大きいか等しいものである請求項４記載の感知装置。
【請求項８】
前記第１感知装置が電磁感知装置、圧力感知装置、温度感知装置またはタッチ感知装置である請求項３記載の感知装置。
【請求項９】
前記電磁感知装置がフォトダイオード、フォトレジスター、フォトコンダクターまたはフォトトランジスターである請求項８記載の感知装置。
【請求項１０】
前記第１蓄積素子がキャパシターであり、かつ前記キャパシターの容量が０．５５ｐＦより大きいか等しいものである請求項３記載の感知装置。
【請求項１１】
前記第２感知ユニットが、
前記第２エネルギーを感知するとともに、感知した前記第２エネルギーを第２データ信号に変換する第２感知装置と、
前記第２走査線および前記第２感知装置に連結されるとともに、前記第２データ信号を蓄積する第２蓄積素子と、
第２増幅素子であり、前記第２蓄積素子および前記第２走査線ならびに前記読み出し線に連結され、そのうち前記第２増幅素子が前記第２走査線上で前記第２走査信号に応答して前記第２データ信号に対応する前記第２読み出し信号を前記読み出し線へ出力する、第２増幅素子と
を含む請求項１記載の感知装置。
【請求項１２】
前記第２増幅素子の電流入力端が前記第２走査線と前記第２蓄積素子の一端とに連結され、前記第２増幅素子の制御端が前記第２蓄積素子の他端に連結されるとともに、前記第２増幅素子の電流出力端が前記読み出し線に連結される請求項１１記載の感知装置。
【請求項１３】
前記第２蓄積素子がキャパシターであり、かつ前記キャパシターの容量が前記第２増幅素子の前記電流入力端および前記制御端間の寄生容量の１０倍よりも大きいか等しいものである請求項１２記載の感知装置。
【請求項１４】
前記第２蓄積素子がキャパシターであり、かつ前記キャパシターの容量が０．５５ｐＦよりも大きいか等しいものである請求項１１記載の感知装置。
【請求項１５】
前記第１エネルギーおよび前記第２エネルギーが光エネルギー、電磁エネルギー、機械エネルギー、熱エネルギーまたは電気エネルギーである請求項１記載の感知装置。
【請求項１６】
第１感知ユニットおよび第２感知ユニットを提供し、それぞれ第１エネルギーならびに第２エネルギーを感知するステップと、
第１走査信号に応答して前記第１エネルギーに対応する第１読み出し信号を前記第１感知ユニットから出力させるステップと、
第２走査信号に応答して前記第２エネルギーに対応する第２読み出し信号を前記第２感知ユニットから出力させるステップと
を含み、
そのうち、前記第２走査信号が前記第１走査信号と協同して働き、前記第１感知ユニットをリセットする、感知方法。
【請求項１７】
前記第１走査信号および前記第２走査信号がそれぞれ前記第１感知ユニットならびに前記第２感知ユニットを順番に使用可能とする請求項１６記載の感知方法。
【請求項１８】
前記第１走査信号に応答して前記第１エネルギーに対応する前記第１読み出し信号を前記第１感知ユニットから出力させるステップが、
感知された前記第１エネルギーを第１データ信号に変換するステップと、
前記第１データ信号を蓄積するステップと、
前記第１走査信号に応答して前記第１データ信号に対応する前記読み出し信号を出力するステップと
を含む請求項１６記載の感知方法。
【請求項１９】
前記第２走査信号が前記第１走査信号と協同して働き、前記第１感知ユニットをリセットするステップが、
前記第１走査信号がロー電圧レベルである時、前記第２走査信号をハイ電圧レベルにするとともに、前記第１走査信号を使用し、前記第２走査信号を使用可能にすることを介して、蓄積された前記第１データ信号をリセットするステップを含む請求項１８記載の感知方法。
【請求項２０】
前記第１エネルギーおよび前記第２エネルギーが光エネルギー、電磁エネルギー、機械エネルギー、熱エネルギーまたは電気エネルギーである請求項１６記載の感知方法。
【請求項２１】
前記第２走査信号に応答して前記第２エネルギーに対応する前記第２読み出し信号を前記第２感知ユニットから出力させるステップが、
感知された前記第２エネルギーを第２データ信号に変換するステップと、
前記第２データ信号を蓄積するステップと、
前記第２走査信号に応答して前記第２データ信号に対応する前記第２読み出し信号を出力するステップと
を含む請求項１６記載の感知方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、感知装置（sensing apparatus）と感知方法（sensing method）とに関する。
【背景技術】
【０００２】
感知技術の発展に伴って、フラットタイプ（flat-type）の感知ユニットアレイが様々な分野で広範に利用されるようになり、例えば、光学画像センサー、デジタルＸ線照射センサー（digital radiography sensors = DRS）およびタッチスクリーンパネルなどとして利用されている。フラットタイプ感知ユニットアレイの主要素子（能動アレイ基板）の構造は、フラットディスプレイにおける基板に類似しており、例えば、薄膜半導体液晶ディスプレイ（thin film transistor liquid crystal display  = TFT-LCD）における薄膜半導体アレイ基板に類似している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
さらに感知効果を向上させるために、現在の感知技術は、大面積感知、低エネルギー感知能力の向上および高解析度という潮流に向かっている。しかしながら、解析度の強化は、センサーの画素面積を減少させるとともに、入射エネルギーを感知するためのセンサー感度を低減させる。更に、低い入射エネルギーは、センサーによってエネルギーから変換された電気信号の低い強度という結果をもたらす。また、大面積感知は、センサーの抵抗-容量（resistance and capacitance = RC）結合（coupling）の故にノイズ（雑音）を発生させやすくなる。
【０００４】
一般に、従来の能動素子アレイ基板上の画素は、読み出し及びリセット操作のためのスイッチとして提供される薄膜半導体を含んでいるだけであるから、そのような構造は、ノイズ問題を緩和する信号利得（signal gain）を達成することができない。従来の画素増幅器を有する設計だけが上記した問題の一部を解決できるけれども、上記した問題の全てを解決することはできない。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
発明の実施形態によって、第１走査線と、第２走査線と、読み出し線と、第１感知ユニットと、第２感知ユニットとを含む感知装置が提供される。第１感知ユニットが第１走査線と第２走査線と読み出し線とに連結されるとともに、第１エネルギーを感知するために配置される。第１感知ユニットが第１走査線上で第１走査信号に応答して第１エネルギーに対応する第１読み出し信号を読み出し線へ出力する。第２感知ユニットが第２走査線に連結されるとともに、第２エネルギーを感知するために配置される。第２感知ユニットが第２走査線上で第２走査信号に応答して第２エネルギーに対応する第２読み出し信号を読み出し線へ出力する。第２走査信号が第１走査信号と協同して第１感知ユニットをリセットするよう働く。
【０００６】
発明の別な実施形態によって、以下のステップを含む感知方法を提供する。第１感知ユニットおよび第２感知ユニットがそれぞれ提供されて第１エネルギーと第２エネルギーとを感知する。第１感知ユニットが第１走査信号に応答して第１エネルギーに対応する第１読み出し信号を出力する。第２感知ユニットが第２走査信号に応答して第２エネルギーに対応する第２読み出し信号を出力する。第２走査信号が第１走査信号と協同して第１感知ユニットをリセットするよう働く。
【発明の効果】
【０００７】
この発明の実施形態にかかる感知装置において、電流が走査線の走査信号により提供されるため、感知装置がバイアスを働かせる余分なバイアス線を必要としない。また、この発明の実施形態中、感知ユニットのリセットが２つの隣接する走査線との協同を介して実行されるので、感知装置が感知ユニットをリセットする余分なリセット線を必要としない。バイアス線およびリセット線が使用されないため、感知ユニットの精密な構造と走査線と読み出し線とを設計することができる。あるいは、別な観点から、バイアス線とリセット線とが使用されないので、感知ユニットの充填因子が改善されるため、感知ユニットの感度が向上する。さらに、この発明の実施形態中の感知方法が走査信号が感知ユニットを駆動ならびにリセットするために利用でき、かつ感知ユニットをリセットするために余分なリセット信号を使用する必要がなく、実施形態の感知方法が比較的簡単である。従って、感知方法を履行するために使用される回路構造が簡略化できてコストを削減できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施形態にかかる感知装置を示す概略的な回路説明図である。
【図２】図２は、図１の感知装置の波形を示す説明図である。
【図３】図３は、図１中の感知素子（sensing device）の実例を示す説明図である。
【図４】図４は、図１の判読ユニットを示す部分的な回路図である。
【図５】図５は、実施形態にかかる感知方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、この発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。
図１は、実施形態にかかる感知装置を示す概略的な回路説明図であり、図２は、図１の感知装置の波形を示す説明図である。図１と図２とにおいて、この実施形態の感知装置１００は、複数の走査線１１０と、複数の読み出し線１２０と、複数の感知ユニット２００とを含む。図１中、３つの走査線１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃと、３つの読み出し線１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃと、４つの感知ユニット２００ａ，２００ｂ，２００ｃ，２００ｄとは、実例として概略的に図示されるとともに、この実施形態中、感知ユニット２００の回路構造と走査線１１０と読み出し線１２０とが図１の上部と底部と左と右とに繰り返し出現する。例えば、走査線１１０について、第１走査線１１０，第２走査線１１０，．．．，第Ｋ走査線１１０が順番に図１の上部から底部へ配列され、そのうちＫが３より大きいか等しい正の整数である。図１中に示す走査線１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃがそれぞれ第Ｎ走査線、第（Ｎ＋１）走査線、第（Ｎ＋２）走査線であり、そのうちＮがＫ−２より小さいか等しい正の整数である。読み出し線１２０について、第１読み出し線から第Ｊ読み出し線が図１中の左から右へ順番に配列され、そのうちＪが２より大きいか等しい正の整数である。図１中に示す読み出し線１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃは、それぞれ第（Ｍ−１）読み出し線１２０ａ、第（Ｍ）読み出し線１２０ｂ、第（Ｍ＋１）読み出し線１２０ｃであり、そのうちＭがＪ−１より小さいか等しい正の整数である。Ｊ＝２の時、読み出し線１２０ａが除去できる。各感知ユニット２００が２つの隣接する走査線１１０，１１０に連結されるとともに、１つの隣接する読み出し線１２０に連結される。例えば、感知ユニット２００ａが走査線１１０ａと走査線１１０ｂと読み出し線１２０ｂとに連結され、かつ感知ユニット２００ｂが走査線１１０ｂと走査線１１０ｃと読み出し線１２０ｂとに連結される。また、各感知ユニット２００がそこに加えられるエネルギーＥを感知するために配置される。例えば、感知ユニット２００ａは、エネルギーＥ１を感知するために配置されるとともに、感知ユニット２００ｂは、エネルギーＥ２を感知するために配置される。
【００１０】
感知ユニット２００ａが走査線１１０ａ上の走査信号１１２ａに応答してエネルギーＥ１に対応する読み出し信号Ｒ１を読み出し線１２０ｂへ出力する。感知ユニット２００ｂが走査線１１０ｂ上の走査信号１１２ｂに応答してエネルギーＥ２に対応する読み出し信号Ｒ２を読み出し線１２０ｂへ出力する。また、走査信号１１０ｂが走査信号１１２ａと協同して感知ユニット２００ａをリセットするように働く。さらに、走査線１１０ｃ上の走査信号１１２ｃが走査信号１１２ｂと協同して感知ユニット２００ｂをリセットするように働く。
【００１１】
この実施形態中、各感知ユニット２００（例えば、感知ユニット２００ａ，２００ｂ，２００ｃまたは２００ｄ）が感知素子２１０と蓄積素子２２０と増幅素子２３０とリセット素子２４０とを含む。感知素子２１０がエネルギーＥを感知するとともに、感知したエネルギーＥをデータ信号に変換する。蓄積素子２２０が隣接する走査線１１０と感知素子２１０とに連結され、かつデータ信号を蓄積するよう配置される。例えば、感知ユニット２００ａの感知素子２１０がエネルギーＥ１を感知するとともに、感知されたエネルギーＥ１をデータ信号に変換し、かつ感知ユニット２００ａの蓄積素子２２０が走査線１１０ａと感知ユニット２００ａの感知素子２１０に連結されて、エネルギーＥ１から変換されたデータ信号を蓄積するよう配置される。
【００１２】
増幅素子２３０が蓄積素子２２０と隣接する走査線１１０と隣接する読み出し線１２０と連結され、そのうち増幅素子２３０が隣接する走査線１１０上の走査信号に応答してデータ信号に対応する読み出し信号Ｒを読み出し線１２０へ出力する。また、リセット素子２４０が蓄積素子２２０と上記した隣接する走査線１１０と別な隣接する走査線１１０（即ち、次段階の走査線１１０）に連結されるとともに、リセット素子２４０が隣接する走査線１１０（例えば、図１中の上部にあるリセット素子２４０の走査線１１０）に応答して蓄積素子２２０と他の隣接する走査線１１０（即ち、次の走査線１１０、例えば、図１中の底部にあるリセット素子２４０の走査線１１０）上の蓄積素子２２０をリセットする。
【００１３】
例えば、感知ユニット２００ａの増幅素子２３０が感知ユニット２００ａの蓄積素子２２０と走査線１１０ａと読み出し線１２０ｂとに連結され、そのうち感知ユニット２００ａの増幅素子２３０が走査線１１０ａ上の走査信号１１２ａに応答して感知ユニット２００ａの蓄積素子２２０中に蓄積されたデータ信号に対応する読み出し信号Ｒを読み出し線１２０ｂへ出力する。また、感知ユニット２００ａのリセット素子２４０が感知ユニット２００ａの蓄積素子２２０と走査線１１０ｂとに連結されるとともに、感知ユニット２００ａのリセット素子２４０が走査線１１０ｂ上の走査線１１０ｂ上の走査信号１１２ｂと走査線１１０ａ上の走査信号１１２ａとに応答する感知ユニット２００ａの蓄積素子２２０をリセットする。
【００１４】
この実施形態中、各感知ユニット２００において、エネルギーＥが光エネルギーまたは電磁エネルギーであるとともに、感知素子２１０が電磁感知素子、例えばフォトダイオード（photodiode）である。しかし、別な実施形態中、電磁感知素子がフォトレジスター（photoresister）、フォトコンダクター（photoconductor）、フォトトランジスター（phototransistor）または他の適切な電磁感知素子であることもできる。さらに、他の実施形態中、エネルギーＥがまた機械エネルギー、例えば弾性位置（elastic potential）エネルギーまたは運動（kinetic）エネルギーなどであるとともに、感知素子２１０が例えば圧力感知素子であることもできる。圧力感知素子が例えば圧電性（piezoelectric）センサーあるいは他の適切な圧力感知素子である。また、エネルギーＥがまた熱エネルギーであることもできるとともに、感知素子２１０が例えば温度感知素子である。さらに、エネルギーＥがまた電気エネルギーであることもできるとともに、感知素子２１０が例えば指または他の物体により引き起こされる容量変化（capacitance variation）を感知するためのタッチ感知素子である。他の実施形態中、エネルギーＥがまた検出することのできる別なタイプのエネルギーであることもできるとともに、感知素子２１０がそのようなエネルギーを感知するための対応するセンサーである。
【００１５】
この実施形態中、感知ユニット２００ａの増幅素子２３０の電流入力端Ｔ１が走査線１１０ａと感知ユニット２００ａの蓄積素子２２０の第１端Ｔ４とに連結されるとともに、感知ユニット２００ａの増幅素子２３０の制御端Ｔ２が感知ユニット２００ａの蓄積素子２２０の第２端Ｔ５に連結され、かつ感知ユニット２００ａの増幅素子２３０の電流出力端Ｔ３が読み出し線１２０ｂに連結される。増幅素子２３０が例えばトランジスターである。この実施形態中、各感知ユニット２００中の増幅素子２３０が例えば電界効果トランジスターであるとともに、電流入力端Ｔ１と制御端Ｔ２と電流出力端Ｔ３とがそれぞれ電界効果トランジスターのソースとゲートとドレインとである。しかし、別な実施形態中、増幅素子２３０がまたバイポーラトランジスターまたは他のトランジスターであることもできる。この実施形態中、各感知ユニット２００の蓄積素子２２０が例えばキャパシターであり、かつキャパシターの容量（capacitance）が増幅素子２３０の電流入力端Ｔ１および制御端Ｔ２間の寄生容量（一般的には、約０．０５５ｐＦまたはそれ以上）よりも遙かに大きい。ある実施形態中、キャパシターの容量が０．０５５ｐＦより大きいか等しい、あるいはキャパシターの容量が増幅素子２３０の電流入力端Ｔ１および制御端Ｔ２間の寄生容量の１０倍より大きいか等しい。
【００１６】
この実施形態中、感知ユニット２００ａのリセット素子２４０の第１端Ｔ６が走査線１１０ａに連結され、感知ユニット２００ａのリセット素子２４０の制御端Ｔ７が走査線１１０ｂに連結されるとともに、感知ユニット２００ａのリセット素子２４０の第２端Ｔ８が感知ユニット２００ａの増幅素子２３０の制御端Ｔ２に連結される。この実施形態中、各感知ユニット２００中のリセット素子２４０が例えば電界効果トランジスターであり、かつ、その第１端Ｔ６と制御端Ｔ７と第２端Ｔ８がそれぞれ電界効果トランジスターのソースとゲートとドレインとである。しかし、別な実施形態中、リセット素子２４０がまたバイポーラトランジスター、他のトランジスターあるいは他のスイッチ素子であることもできる。
【００１７】
この実施形態中、感知ユニット２００ｂの感知素子２１０がエネルギーＥ２を感知するとともに、エネルギーＥ２をデータ信号に変換する。感知ユニット２００ｂの蓄積素子２２０が走査線１１０ｂと感知ユニット２００ｂの感知素子２１０に連結されるとともに、エネルギーＥ２から変換したデータ信号を蓄積するよう配置される。感知ユニット２００ｂの増幅素子２３０が感知ユニット２００ｂの蓄積素子２２０と走査線１１０ｂと読み出し線１２０ｂとに連結され、そのうち増幅素子２３０が走査線１１０ｂ上の走査信号１１２ｂに応答してエネルギーＥ２から変換されたデータ信号に対応する読み出し信号Ｓ２を読み出し線１２０ｂへ出力する。
【００１８】
また、この実施形態中、感知ユニット２００ｂのリセット素子２４０が感知ユニット２００ｂの蓄積素子２２０と走査線１１０ｂと走査線１１０ｃとに連結されるとともに、感知ユニット２００ｂのリセット素子２４０が走査線１１０ｃおよび走査線１１０ｂ上の走査信号１１２ｃに応答して感知ユニット２００ｂの蓄積素子２２０をリセットする。
【００１９】
詳細には、この実施形態中、感知ユニット２００ｂの増幅素子２３０の電流入力端Ｔ１が走査線１１０ｂと感知ユニット２００ｂの蓄積素子２２０の第１端Ｔ４とに連結され、感知ユニット２００ｂの増幅素子２３０の制御端Ｔ２が感知ユニット２００ｂの蓄積素子２２０の第２端Ｔ５に連結されるとともに、感知ユニット２００ｂの増幅素子２３０の電流出力端Ｔ３が読み出し線１２０ｂに連結される。また、感知ユニット２００ｂのリセット素子２４０の第１端Ｔ６が走査線１１０ｂに連結され、かつ感知ユニット２００ｂのリセット素子２４０の制御端Ｔ７が走査信号１１２ｃに連結されるとともに、感知ユニット２００ｂのリセット素子２４０の第２端Ｔ８が感知ユニット２００ｂの増幅素子２３０の制御端Ｔ２に連結される。
【００２０】
この実施形態中、走査信号１１２が順番に感知ユニット２００を使用可能にする（enable）。例えば、走査信号１１２ａと走査信号１１２ｂと走査信号１１２ｃとが順番に感知ユニット２００ａと感知ユニット２００ｂと感知ユニット２００ｂの次段階の感知ユニット（図示せず）とを順番に使用可能とする。この実施形態中、走査信号１１２は、駆動ユニット３００から送信されるとともに、駆動ユニット３００が走査線１１０に電気接続されている。駆動ユニット３００は、例えば、駆動回路である。
【００２１】
図１と図２とにおいて、この実施形態中、走査線１１０の走査信号１１２がハイ電圧レベル（high voltage level）ＶＨを有する時、走査信号１１２が走査線１１０に関して前段階の感知ユニット２００においてリセット素子２４０の第１端Ｔ６および第２端Ｔ８間で導通を引き起こし、かつ、この時（now）、前段階の走査線１１０の走査信号１１２がロー電圧レベル（low voltage level）ＶＬを有するため、前段階の感知ユニット２００の蓄積素子２２０の第１端Ｔ４と第２端Ｔ５とが全てロー電圧レベルＶＬとなって蓄積素子２２０をリセットする。例えば、図２の時間Ｐ３において、走査線１１０ａ上の走査信号１１２ａがロー電圧レベルＶＬを有するとともに、走査線１１０ｂ上の走査信号１１２ｂがハイ電圧レベルＶＨを有し、かつ、この時、走査信号１１２ｂがリセット素子２４０の制御端Ｔ７へ伝送されてリセット素子２４０をオンとするので、ノード２０５ａ（図１も参照）が走査信号１１２ａのロー電圧レベルＶＬと同じ電圧レベルを有する。このようにして、走査線１１０ａとノード２０５ａとが全てロー電圧レベルＶＬとなるとともに、蓄積素子２２０が実質的に電荷を蓄積していないため、走査信号１１２ｂが走査信号１１２ａと協同して蓄積素子２２０をリセットするという効果を達成する。この時、増幅素子２３０の制御端Ｔ２もまたロー電圧レベルＶＬにあるので、増幅素子２３０がオフとなり、増幅素子２３０の電流出力端Ｔ３が電流信号を読み出し線１２０ｂへ出力しない。
【００２２】
時間Ｐ３の後、例えば、時間Ｐ４において、走査信号１１２ａと走査信号１１２ｂとが全てロー電圧レベルＶＬであるので、リセット素子２４０がオフとなる。この時、ノード２０５ａが時間Ｐ３におけるように最終状態（final state）、つまりロー電圧レベルＶＬをなお維持している。
【００２３】
図３は、図１中の感知素子の実例を示す説明図である。図１と図３とにおいて、図３中の感知素子２１０は、例えば、フォトダイオードである。フォトダイオードのＮ極がノード２０５に連結され、そのうちノード２０５がリセット素子２４０の第２端Ｔ８および増幅素子２３０の制御端Ｔ２に連結されるとともに、蓄積素子２２０の第２端Ｔ５およびフォトダイオードのＮ極間に連結される。また、フォトダイオードのＰ極が端子２０６に連結される。図２中の時間Ｐ４後の時間Ｐ１において、負電圧が端子２０６に供給される。この時、走査線１１０ａ上の走査信号１１２ａおよび走査線１１０ｂ上の走査信号１１２ｂが全てロー電圧レベルＶＬであるので、ノード２０５ａがなおロー電圧レベルＶＬである。従って、感知ユニット２００ａの感知素子２１０（つまりフォトダイオード）がリバースバイアスを受けている。この時、光が感知ユニット２００ａの感知素子２１０を照射する（つまり、感知素子２１０がエネルギーＥを受信する）時、感知素子２１０を通るリバース電流の流れが発生する、即ち、ノード２０５（つまり、ノード２０５ａ）から端子２０６への電流の流れが発生して、電荷が感知ユニット２００ａの感知素子２１０に蓄積される。言い換えれば、時間Ｐ１は、感知ユニット２００の感知時間である。かくして、電圧差△Ｖ１が感知ユニット２００ａの蓄積素子２２０の第２端Ｔ５および第１端Ｔ４間に形成される。この時、走査線１１０ａがなおロー電圧レベルＶＬに維持されているため、時間Ｐ１が終了する時、ノード２０５ａの電圧がＶＬ＋△Ｖ１を維持している。この実施形態中、電圧差△Ｖ１が例えば負の値である。
【００２４】
時間Ｐ１後の時間Ｐ２中、走査線１１０ａの走査信号１１２ａがハイ電圧レベルＶＨであり、かつ走査線１１０ｂの走査信号１１２ｂがロー電圧レベルＶＬである。この時、走査信号１１２ｂが感知ユニット２００ａのリセット素子２４０の制御端Ｔ７をロー電圧レベルＶＬとするので、リセット素子２４０がオフとなる。一方で、走査信号１１２ａがノード２０５ａの電圧レベルを感知ユニット２００ａの蓄積素子２２０の容量結合効果を介してハイ電圧レベルＶＨ‘より少し低い電圧レベルに引き上げる。理想的な状態において、容量結合効果に関して、走査信号１１２ａの電圧変化△Ｖ２は、ロー電圧レベルＶＬからハイ電圧レベルＶＨへ増大して電圧レベルＶＬ＋△Ｖ１から電圧レベルＶＨ‘に増大するものに実質的に等しくなる。しかしながら、実際の応用において、電圧変化△Ｖ２‘が電圧変化△Ｖ２より少し小さくなるとともに、電圧変化△Ｖ２‘と電圧変化△Ｖ２との関係が例えば以下のようになる。
【数１】
2013046411.tif 000003
式中、ＣＳＴは蓄積素子２２０のキャパシタンス（容量）、Ｃｇは増幅素子２３０のゲートキャパシタンス（ゲート酸化物層または絶縁層のキャパシタンスＣＯＸあるいははゲートからソースへ寄生キャパシタンスＣｇｓおよびゲートからドレインへの寄生キャパシタンスＣｇｄを含む）、Ｋは無単位定数、それは他の結合損失（coupling loss）を表し、そのうちＫは＜１、Ｋ＝１は結合損失無しを表す。
【００２５】
理想的な状態において、電圧変化△Ｖ２‘が実質的に電圧変化△Ｖ２に等しく、電圧レベルＶＨ‘の電圧差△Ｖ１’およびハイ電圧レベルＶＨが実質的に△Ｖ１に等しい。しかし、実際の応用において、電圧差△Ｖ１’の絶対値は、電圧差△Ｖ１の絶対値より少し大きく、かつ、その関係が上記電圧変化△Ｖ２’ と電圧変化から△Ｖ２から推知できる。
【００２６】
感知ユニット２００ａの感知素子２１０が時間Ｐ１期間にエネルギーＥを感知しない時、感知素子２１０を通過する電流の流れが生成されないとともに、電荷が蓄積素子２２０上に蓄積されない。言い換えれば、蓄積素子２２０のクロス電圧が０であり、即ち、ノード２０５ａの電圧レベルが今はロー電圧レベルＶＬにある。従って、時間Ｐ１後の時間Ｐ２中、理想的な状態において、走査信号１１２ａがハイ電圧レベルＶＨであるため、ノード２０５ａもまた蓄積素子２２０の容量結合効果を介してハイ電圧レベルＶＨとなる。この時、感知ユニット２００ａの増幅素子２３０の増幅効果のために、ノード２０５ａのハイ電圧レベルＶＨが増幅素子２３０の電流入力端Ｔ１から電流出力端Ｔ３へ電流Ｉの流れを変換される。しかし、感知ユニット２００ａの感知素子２１０が時間Ｐ１期間にエネルギーＥを感知する時、感知されたエネルギーＥの異なる大きさ（magnitude）により感知ユニット２００ａの蓄積素子２２０の両端に異なる電圧差△Ｖ１を生成する。従って、時間Ｐ１後の時間Ｐ２において、異なる電圧差△Ｖ１‘が生成される。感知ユニット２００ａの増幅素子２３０の増幅効果のために、ノード２０５ａの電圧レベルＶＨ＋△Ｖ１‘が増幅素子２３０の電流入力端Ｔ１から電流出力端Ｔ３へ電流Ｉ＋△Ｉの流れを変換され、そのうち△Ｖ１‘に対応する△Ｉの値であり、異なる電流差△Ｉに対応する異なる電流差△Ｉ’となる。
【００２７】
電流Ｉまたは電流Ｉ＋△Ｉが時間Ｐ１期間に読み出し線１２０ｂへ流れるとともに、判読ユニット４００へ流れる。判読ユニット４００が読み出し線１２０に電気接続されて読み出し線１２０から受信された電流信号（即ち、読み出し信号Ｒ）を判読する。読み出し線１２０からの電流が電流Ｉである時、判読ユニット４００は、そのような電流を出力する感知ユニット２００の感知素子２１０がエネルギーＥを感知しないと判断する。読み出し線１２０からの電流が電流Ｉ＋△Ｉである時、判読ユニット４００は、△Ｉの絶対値に従い、そのような電流を出力する感知ユニット２００の感知素子２１０により感知されるエネルギーＥの大きさを判断し、そのうち△Ｉの絶対値が大きければ大きいほど、感知素子２１０により感知されるエネルギーＥが大きい。走査線１１０の走査信号１１２が順番に感知ユニット２００を使用可能とするため、異なる列（rows）（例えば、感知ユニット２００ａおよび感知ユニット２００ｂ）が順番に電流信号を判読ユニット４００へ出力する。従って、判読ユニット４００は、電流信号を受信する時間に基づいて、どの列の感知ユニット２００からの電流信号かを判断できる。一方、同一列の感知ユニット２００（例えば、感知ユニット２００ａおよび感知ユニット２００ｃ）は、同一の走査線１１０の走査信号１１２によって同時に駆動されるとともに、同一列の感知ユニット２００（例えば、感知ユニット２００ａおよび感知ユニット２００ｃ）は、電流信号を同時に異なる読み出し線１２０へ出力する。従って、判読ユニット４００は、どの読み出し線からの電流信号であるかに基づいて、感知ユニット２００のどの行（column）からの電流信号であるかを判断できる。これにより、１つの感知ユニット２００が１画素と見なされることができるとともに、時間Ｐ１、時間Ｐ２、時間Ｐ３および時間Ｐ４を過ぎた後、または更に時間Ｐ１および時間Ｐ２間のその他の走査信号１１２の使用可能時間、ならびに時間Ｐ４および次の時間Ｐ１間のその他の走査信号１１２を過ぎた使用可能時間の後、感知装置１００が１フレームの画像を抽出できる。また、上記時間が繰り返し出現するので、感知装置１００が複数のフレームを抽出できて、ダイナミックな映像を獲得できる。
【００２８】
感知ユニット２００ｂの他の詳細な操作は、感知ユニット２００ａの操作の上記した記述を参考にでき、走査信号１１２ａを受信した後の感知ユニット２００ａにより実施される操作は、走査信号１１２ｂを受信した後の感知ユニット２００ｂにより実施される操作と同等であり、走査信号１１２ｂを受信した後の感知ユニット２００ａにより実施される操作は、走査信号１１２ｃを受信した後の感知ユニット２００ｂにより実施される操作と同等である。感知ユニット２００ｂのノード２０５ｂ上の信号および次段階のノード２０５上の信号は、図２中に示した通りである。従って、感知ユニット２００ａの読み出し時間（つまり、読み出し信号Ｒ１を出力する時間）を除いて、時間Ｐ２もまた前段階の感知ユニット２００のリセット時間である。感知ユニット２００ｂの読み出し時間（つまり、読み出し信号Ｒ２を出力する時間）を除いて、時間Ｐ３もまた感知ユニット２００ａのリセット時間である。感知ユニット２００ｂのリセット時間を除いて、時間Ｐ４もまた次の段階の感知ユニット２００の読み出し時間である。その他の細部は、感知ユニット２００ａの記述に従って推知することができ、改めて繰り返さない。
【００２９】
感知ユニット２００ｃと感知ユニット２００ｄと他の感知ユニット２００の回路構造および操作は、感知ユニット２００ａと感知ユニット２００ｂとの回路構造および操作に基づいて推知でき、ここでは改めて繰り返さない。
【００３０】
また、上記実施形態中、記述のためにフォト検知器を感知素子２１０の例として挙げるとともに、検知されたエネルギーＥは、例えば、光エネルギーまたは電磁エネルギーであるものの、発明は、それに限定されるものではない。さらに、電圧差△Ｖ１と電流差△Ｉとは、負の値に限定されるものではないとともに、異なる感知素子２１０が使用される、または異なる配置方法が供給される時、電圧差△Ｖ１と電流差△Ｉともまた正の値あるいは負の値とすることができる。
【００３１】
図４は、図１の判読ユニットを示す部分的な回路図である。図１と図２と図４とにおいて、実施形態中、判読ユニット４００が複数の演算増幅器４１０と複数のキャパシター４２０と複数のスイッチ素子４３０と複数のアナログ-デジタル変換器（analog-to-digitl converters = ADC）４４０とを含む。各読み出し線１２０が演算増幅器４１０の変換入力端に連結され、かつ演算増幅器４１０の非変換入力端が参考電圧Ｖｒｅｆを受信する。また、キャパシター４２０の両端がそれぞれ変換入力端と演算増幅器４１０の出力端とに連結される。さらに、スイッチ素子４３０（例えば、トランジスター）の２端子（例えば、ソースおよびドレイン）がそれぞれキャパシター４２０の両端に連結する。また、演算増幅器４１０の出力端がＡＤＣ４４０に連結される。演算増幅器４１０およびキャパシター４２０は、キャパシター４２０上に蓄積した電荷を介して読み出し線１２０からの電流信号を電圧信号に変換するとともに、ＡＤＣ４４０がアナログ電圧信号をデジタル電圧信号に変換する。さらに、スイッチ素子４３０がキャパシター４２０をリセットするために配置される。次の走査信号がスタートする各使用可能時間の前（例えば、時間Ｐ２、時間Ｐ３および時間Ｐ４がスタートする前）にスイッチ素子４３０が導通し、キャパシター４２０を短絡させて、キャパシター４２０上の電荷を放電し、キャパシター４２０をリセットする。そして、スイッチ素子４３０がオフとなり、演算増幅器４１０とキャパシター４２０とが次の走査信号の使用可能時間に電流信号を電圧信号に変換できるようにする。
【００３２】
注意すべきは、判読ユニット４００の回路設計が図４のそれに限定されるものではないとともに、△Ｉの大きさが決定できるかぎり、他の回路構造もまた使用することができることである。
【００３３】
この実施形態中、ノード２０５の電圧信号から演算増幅器４１０が出力する電圧信号の利得は、以下の方程式に従って計算できる：
増幅素子２３０が金属酸化物半導体電界効果トランジスターである時、以下の方程式が得られる：
【数２】
2013046411.tif 000004
そのうち、Ｉａｍｐがノード２０５の電圧、ＶＴがトランジスターのしきい値、Ｃがトランジスターのゲート酸化層のユニットキャパシター、μがキャリア遷移率、Ｗがトランジスターのゲート幅、Ｌがトランジスターのゲート長さ、Ｉａｍｐがトランジスターのソースからドレインへ流れる電流である。数１は、Ｖａｍｐについて部分的に微分して相互コンダクタンスｇｍを得る：
【数３】
2013046411.tif 000005
また、キャパシター４２０の方程式は：
【数４】
2013046411.tif 000006
式中、Cf がキャパシター４２０のキャパシタンス、Ｖｏｕｔが演算増幅器４１０の出力端子からの電圧出力を表し、Ｑｆが２つの隣接するリセット時間のキャパシター４２０上に蓄積される電荷を表し、Ｔｓが２つの隣接するリセット時間のキャパシター４２０の充電時間である。
【００３４】
ノード２０５から演算増幅器４１０の出力端への電圧利得ＡＶは：
【数５】
2013046411.tif 000007
式中、Vamp1 とVamp2とがノード２０５上の２つの異なる電圧であり、それぞれ電圧Vout1 ＆ Vout2を生成し、ΔVamp=Vamp2-Vamp1および ΔVout=Vout2-Vout1である。数４中のgmを数２の最も右の部分を代入し、数４のCf を数３の最も右の部分を代入し、かつIampを最も右の部分を代入して数５を獲得する：
【数６】
2013046411.tif 000008
従って、数５に基づき電圧利得ＡＶを計算することができる。
【００３５】
感知装置１００のパラメーターは、例えば、以下で与えられるが、この発明を限定するものではない。実施形態中、AV≧5, ΔAV≦10%、この時、Vout1=10 V, ΔVout=2 V, Cf=1 pF、かつトランジスターのパラメーター：μ=0.5 cm2/Vs, VT=2V, C=20 nF/cm2, and W/L=10である。詳細は、実施形態中、パラメーターが以下の表に列記される。
【００３６】
【表１】
2013046411.tif 000009
つまり、この実施形態中、電圧利得ＡＶは約５．３である。従って、実施形態の感知装置１００は、より高い電圧利得を有する。
【００３７】
実施形態の感知装置１００中、増幅素子２３０の電流ＩまたはＩ＋△Ｉが走査線１１０の走査信号１１２により提供されるので、感知装置１００がバイアスを増幅素子２３０へ働かせるために余分なバイアス線（bias line）を必要としない。また、この実施形態中、感知ユニット２００のリセットが２つの隣接する走査線１１０の走査信号１１２を介して履行されるため、感知装置１００が感知ユニット２００をリセットするために余分なリセット線（reset line）を必要としない。バイアス線とリセット線とが使用されないので、感知ユニット２００、走査線１１０および読み出し線の精密な設計ができる。あるいは、別な観点から見ると、バイアス線とリセット線とが使用されないため、感知ユニット２００の充填因子（fill factor）が改善できる、つまり感知素子２１０の面積比率が増大するため、感知装置１００の感度（例えば、感光度）が向上する。感知装置１００がＸ線照射センサーとして供される時、感知装置１００が高い感度を有するため、被験者がＸ線検査を受ける時、Ｘ線源からの放射量を低減することができ、被験者のＸ線被爆量が引き下げられて被験者を保護する。また、感知装置１００が映像感知機器として供される時、感知装置１００が高い感度を有するので、弱い光環境のもとでも物体イメージを効果的に検知できる。
【００３８】
さらに、実施形態中、蓄積素子２２０がリセットされた後、対応する増幅素子２３０の電流入力端Ｔ１と制御端Ｔ３とが全てロー電圧レベルＶＬであるため、増幅素子２３０の電流入力端Ｔ１と電流出力端Ｔ３との交差電圧が非常に小さい（例えば、０に近い）。このようにして、増幅素子２３０のしきい値電圧が安定するとともに、オフ状態における増幅素子２３０の漏れ電流が比較的抑制されている。従って、実施形態の感知装置１００が効果的にノイズを減らせる。また、上記分析ならびに実験データから分かるように、増幅素子２３０の増幅効果に基づいて、実施形態の感知装置１００が比較的大きい電圧利得を有するため、感知装置１００の感度が更に向上する。
【００３９】
図５は、実施形態にかかる感知方法を示すフローチャートである。図１と図２と図５とにおいて、この実施形態の感知方法は、図１の感知装置１００により履行できる。実施形態の感知方法は、以下のステップを含む。先ず、ステップＳ１１０中、複数の感知ユニット２００が提供される。例えば、感知ユニット２００ａ，２００ｂ，２００ｃおよび他の感知ユニット２００が提供される。そして、ステップＳ１２０中、感知ユニット２００がそれぞれ複数のエネルギーＥを感知するために配置される。例えば、感知ユニット２００ａと感知ユニット２００ｂとがそれぞれエネルギーＥ１とエネルギーＥ２を感知するために配置される。次に、ステップＳ１３０中、感知ユニット２００がそれぞれ複数の走査信号１１２に応答してエネルギーＥに対応する読み出し信号を出力する。この実施形態中、走査信号１１２が順番に感知ユニット２００を使用可能とするとともに、各走査信号１１２が次の段階の走査信号１１２と協同して働き、対応する感知ユニット２００をリセットする。例えば、感知ユニット２００ａが走査信号１１２ａに応答してエネルギーＥ１に対応する読み出し信号Ｒ１を出力し、かつ感知ユニット２００ｂが走査信号１１２ｂに応答してエネルギーＥ２に対応する読み出し信号Ｒ２を出力する。走査信号１１２ａと走査信号１１２ｂとは、順番に感知ユニット２００ａと感知ユニット２００ｂとを使用可能とするとともに、走査信号１１２ｂが走査信号１１２ａと協同して働き、対応する感知ユニット２００ａをリセットする。
【００４０】
感知ユニット２００ａが走査信号１１２ａに応答してエネルギーＥ１に対応する読み出し信号Ｒ１を出力するという上記ステップが以下のステップを含む。先ず、感知されたエネルギーＥ１がデータ信号に変換される。そして、データ信号が蓄積され、例えば感知ユニット２００ａの蓄積素子２２０がデータ信号を蓄積するよう配置される、つまり、データ信号が電圧差△Ｖ１の形式で蓄積される。データ信号に対応する読み出し信号Ｒ１が走査信号１１２ｂに応答して出力され、例えば、感知ユニット２００ａの増幅素子２３０を介して履行される。
【００４１】
同様に、感知ユニット２００ｂが走査信号１１２ｂに応答してエネルギーＥ２に対応する読み出し信号Ｒ２を出力するというステップが以下のステップを含む。先ず、感知されたエネルギーＥ２がデータ信号に変換される。そして、データ信号が蓄積され、例えば感知ユニット２００ｂの蓄積素子２２０がデータ信号を蓄積するよう配置される、つまり、データ信号が電圧差△Ｖ１の形式で蓄積される。データ信号に対応する読み出し信号Ｒ２が走査信号１１２ｂに応答して出力され、例えば、感知ユニット２００ｂの増幅素子２３０を介して履行される。
【００４２】
また、走査信号１１２ｂが走査信号１１２ａと協同して働き感知ユニット２００ａをリセットするというプロセスが以下のステップを含む。走査信号１１２ａがロー電圧レベルにある時、走査信号１１２ｂがハイ電圧レベルにあり、かつ走査信号１１２ｃが走査信号１１２ｂを使用可能にすることを介して蓄積されたデータ信号をリセットするよう配置され、例えば、走査信号１１２ｂが感知ユニット２００ａのリセット素子２４０を使用可能にして、感知ユニット２００ａの蓄積素子２２０をリセットする。
【００４３】
同様に、走査信号１１２ｃもまた走査信号１１２ｂと協同して働き感知ユニット２００ｃをリセットすることができる。即ち、走査信号１１２ｂがロー電圧レベルにある時、走査信号１１２ｃがハイ電圧レベルにあるとともに、走査信号１１２ｂが走査信号１１２ｃを使用可能にすることを介して蓄積されたデータ信号をリセットする。
【００４４】
実施形態の感知方法のその他の細部は、図１の感知装置１００の操作の記載を参照でき、ここでは繰り返さない。また、実施形態の感知方法のステップ１２０およびステップ１３０は、繰り返し実行することができ、リアルタイム（real time）感知効果を達成する。例えば、エネルギーＥが光エネルギーまたは電磁エネルギーであるとともに、ステップ１２０およびステップ１３０が一度実行される時、感知方法に従って静止画像を捕捉できる。そして、ステップ１２０およびステップ１３０が繰り返し実行される時、感知方法が動態映像を捕捉するために使用できる。
【００４５】
実施形態の感知方法に従って、走査信号が感知ユニットを駆動ならびにリセットするために使用できるので、感知ユニットをリセットする余分なリセット信号を使用する必要がなく、実施形態の感知方法が比較的簡単である。従って、感知方法を履行するために使用する回路構造が簡略化できてコストを削減する。また、感知方法が上記した感知装置１００を使用することにより履行される時、感知装置１００の効果もまた達成できるが、ここでは繰り返さない。
【００４６】
以上のように、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【符号の説明】
【００４７】
１００    感知装置
１１０，１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ    走査線
１１２，１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃ    走査信号
１２０，１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ    読み出し線
２００，２００ａ，２００ｂ，２００ｃ，２００ｄ    感知ユニット
２０５，２０５ａ，２０５ｂ    ノード
２０６    端子
２１０    感知素子
２２０    蓄積素子
２３０    増幅素子
２４０    リセット素子
３００    駆動ユニット
４００    判読ユニット
４１０    演算増幅器
４２０    キャパシター
４３０    スイッチ素子
４４０    アナログ-デジタル変換器（ＡＤＣ）
Ｅ，Ｅ１，Ｅ２    エネルギー
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４    時間
Ｒ，Ｒ１，Ｒ２    読み出し信号
Ｓ１１０〜Ｓ１３０    ステップ
Ｔ１    電流入力端
Ｔ２，Ｔ７    制御端
Ｔ３    電流出力端
Ｔ４，Ｔ６    第１端
Ｔ５，Ｔ８    第２端
ＶＨ    ハイ電圧レベル
ＶＬ    ロー電圧レベル
Ｖｒｅｆ    参考電圧
△Ｖ１，△Ｖ１‘    電圧差
△Ｖ２，△Ｖ２‘    電圧変化
【図１】
2013046411.tif 000010
【図２】
2013046411.tif 000011
【図３】
2013046411.tif 000012
【図４】
2013046411.tif 000013
【図５】
2013046411.tif 000014
【外国語明細書】
2013046411000001.pdf