(57)【要約】【課題】樹脂モールドにより素子接合部の信頼性を高めるとともに、冷却性能が高く小型化を図ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】内部に冷却水流路が形成された冷却器２０と、冷却器２０の外表面に固定した絶縁基板３１〜３４と、絶縁基板３１〜３４に実装されたトランジスタＱ１〜Ｑ６とダイオードＤ１〜Ｄ６と、一端側がトランジスタＱ１〜Ｑ６に電気的に接続された導電板７０，７２，７４，７６，７８および接続ピン８６と、を備えている。冷却器２０の外表面に絶縁基板３１〜３４がろう付けされるとともに、樹脂４０により、導電板７０，７２，７４，７６，７８の他端側と接続ピン８６の他端側が露出する状態で、絶縁基板３１〜３４とトランジスタＱ１〜Ｑ６とダイオードＤ１〜Ｄ６と導電板７０，７２，７４，７６，７８の一端側と接続ピン８６の一端側とが冷却器２０に対してモールドされている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に冷却水流路が形成された冷却器と、
前記冷却器の外表面にろう付けされた絶縁基板と、
前記絶縁基板にはんだ実装された半導体素子と、
一端側が前記半導体素子に電気的に接続された外部接続端子と、
を備え、
樹脂により、前記外部接続端子の他端側が露出する状態で、前記絶縁基板と前記半導体素子と前記外部接続端子の一端側とが前記冷却器に対してモールドされたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記冷却器は、第１の外殻プレートと第２の外殻プレートとが外周縁部においてろう付けされ、前記第１の外殻プレートと第２の外殻プレートとの間に前記冷却水流路が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記樹脂は、前記第１の外殻プレートおよび第２の外殻プレートの外周縁部におけるろう付け部をモールドしていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
冷却器を構成する第１の外殻プレートと第２の外殻プレートとを外周縁部において接合するとともに、前記第１の外殻プレートに絶縁基板を接合するろう付工程と、
前記絶縁基板に半導体素子を実装するとともに、前記半導体素子に外部接続端子の一端側を接合するはんだ付工程と、
前記外部接続端子の他端側が露出するように樹脂で前記絶縁基板と前記半導体素子と前記外部接続端子の一端側とを前記第１の外殻プレートに対してモールドするモールド工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１において電力用半導体装置が開示されており、第１ダイパッド部を含む第１リードと、第１ダイパッド部の表面に載置されたパワーチップと、第１ダイパッド部の裏面に取り付けられた、モールド樹脂より熱伝導率の大きな絶縁シートを備える。また、第２ダイパッド部を含む第２リードと、第２ダイパッド部上に載置された制御チップと、パワーチップと制御チップとを接続する金を主成分とするワイヤと、第１リードと第２リードの端部がそれぞれ突出するように制御チップとパワーチップとを埋め込むモールド樹脂とを含んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２６３２１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、図９に示すように、パワー半導体素子を基板に実装し、これを樹脂モールドして半導体モジュール１００を構成することで、素子のパワーサイクル時の信頼性を高めることができる。ただし、この半導体モジュール１００を放熱部材（ヒートシンク等）１０１に固定して発熱するパワー半導体素子を冷却するには、例えばブラケット１０２を放熱部材１０１側に取り付けてブラケット１０２による付勢力Ｆで半導体モジュール１００を放熱部材１０１に固定する必要がある。この際、放熱部材１０１と半導体モジュール１００との間の隙間（例えば基板の反りによる隙間）を埋めるためにシリコングリス１０３を介在させる。シリコングリス１０３は熱伝達率が低く、冷却の阻害要因となる。また、ブラケット１０２を用いた固定のため装置全体が大型化してしまう。
【０００５】
本発明の目的は、樹脂モールドにより素子接合部の信頼性を高めるとともに、冷却性能が高く小型化を図ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明では、内部に冷却水流路が形成された冷却器と、前記冷却器の外表面にろう付けされた絶縁基板と、前記絶縁基板にはんだ実装された半導体素子と、一端側が前記半導体素子に電気的に接続された外部接続端子と、を備え、樹脂により、前記外部接続端子の他端側が露出する状態で、前記絶縁基板と前記半導体素子と前記外部接続端子の一端側とが前記冷却器に対してモールドされたことを要旨とする。
【０００７】
請求項１に記載の発明によれば、冷却器の外表面に絶縁基板がろう付けされるとともに、樹脂により、外部接続端子の他端側が露出する状態で、絶縁基板と半導体素子と外部接続端子の一端側とが冷却器に対してモールドされている。よって、冷却器の外表面に絶縁基板がろう付けされているので、半導体素子に発生した熱に対し冷却性能が高い。また、絶縁基板と半導体素子と外部接続端子の一端側とが冷却器に対してモールドされているので、専用の固定部材を不要にでき、小型化を図ることができる。このようにして、樹脂モールドにより素子接合部の信頼性を高めるとともに、冷却性能が高く小型化を図ることができる。
【０００８】
請求項２に記載のように、請求項１に記載の半導体装置において、前記冷却器は、第１の外殻プレートと第２の外殻プレートとが外周縁部においてろう付けされ、前記第１の外殻プレートと第２の外殻プレートとの間に前記冷却水流路が形成されている構成としてもよい。
【０００９】
ここで、請求項３に記載のように、請求項２に記載の半導体装置において、前記樹脂は、前記第１の外殻プレートおよび第２の外殻プレートの外周縁部におけるろう付け部をモールドしていると、密閉性の向上を図ることができる。
【００１０】
請求項４に記載の発明では、冷却器を構成する第１の外殻プレートと第２の外殻プレートとを外周縁部において接合するとともに、前記第１の外殻プレートに絶縁基板を接合するろう付工程と、前記絶縁基板に半導体素子を実装するとともに、前記半導体素子に外部接続端子の一端側を接合するはんだ付工程と、前記外部接続端子の他端側が露出するように樹脂で前記絶縁基板と前記半導体素子と前記外部接続端子の一端側とを前記第１の外殻プレートに対してモールドするモールド工程と、を備えることを要旨とする。
【００１１】
請求項４に記載の発明によれば、ろう付工程において、冷却器を構成する第１の外殻プレートと第２の外殻プレートとが外周縁部において接合されるとともに、第１の外殻プレートに絶縁基板が接合される。はんだ付工程において、絶縁基板に半導体素子が実装されるとともに、半導体素子に外部接続端子の一端側が接合される。モールド工程において、外部接続端子の他端側が露出するように樹脂で絶縁基板と半導体素子と外部接続端子の一端側とが第１の外殻プレートに対してモールドされる。これにより、樹脂モールドにより素子接合部の信頼性を高めるとともに、冷却性能が高く小型化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、樹脂モールドにより素子接合部の信頼性を高めるとともに、冷却性能が高く小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（ａ）は実施形態におけるインバータモジュールの正面図、（ｂ）はインバータモジュールの平面図。
【図２】（ａ）は樹脂を除いた状態でのインバータモジュールの正面図、（ｂ）は樹脂を除いた状態でのインバータモジュールの平面図。
【図３】インバータモジュールの回路図。
【図４】（ａ）は冷却器および絶縁基板を示す正面図、（ｂ）は冷却器および絶縁基板を示す平面図。
【図５】図４（ｂ）のＡ−Ａ線での縦断面図。
【図６】（ａ）はインバータモジュールの製造工程を説明するための正面図、（ｂ）は平面図。
【図７】別例のインバータモジュールの正面図。
【図８】別例のインバータモジュールの正面図。
【図９】モジュールの放熱部材への固定構造を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を車載用インバータに具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
図１に示すように、インバータモジュール１０は、冷却器付きのモジュールであって、基板に素子（チップ）を実装して樹脂モールドしている。インバータモジュール１０は、図１，２に示すように、水冷式冷却器２０と、４枚の絶縁基板３１，３２，３３，３４と、６つのトランジスタ（チップ）Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６と、６つのダイオード（チップ）Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６と、モールド用の樹脂４０を備えている。樹脂４０は、例えばエポキシ樹脂よりなる。
【００１５】
インバータモジュール１０の回路構成について、図３に示すように、インバータモジュール１０を構成するインバータ５０は、外部から供給される直流電力を交流電力に変換し、走行用モータ６０へ供給する。これにより走行用モータ６０が回転駆動される。
【００１６】
詳しくは、インバータ５０は、電源ラインとアースラインとの間に互いに並列に配置されるＵ相、Ｖ相、Ｗ相の各アームから構成される。各アームは、２つのトランジスタ（ＩＧＢＴ）Ｑ１，Ｑ２、Ｑ３，Ｑ４、Ｑ５，Ｑ６の直列接続から構成される。また、各アームを構成するトランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６のコレクタ−エミッタ間には、それぞれエミッタ側からコレクタ側に電流を流すダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６が配置されている。
【００１７】
図１，２に示すように、各絶縁基板３１，３２，３３，３４として、ＤＢＡ基板（ダイレクト・ブレージング・アルミニウム基板）を用いており、セラミック基板３５の一方の面にアルミニウム層３６が形成されるとともにセラミック基板３５の他方の面にアルミニウム層３７が形成されている。セラミック基板３５の一方の面においてアルミニウム層３６がパターニングされている。同様に、セラミック基板３５の他方の面においてアルミニウム層３７がパターニングされている。
【００１８】
冷却器２０は、扁平なる四角箱状をなす。冷却器２０はアルミよりなる。冷却器２０は、図５に示すように、第１の外殻プレートとしての上プレート２４と第２の外殻プレートとしての下プレート２５と波板状のインナーフィン２６とを有している。上プレート２４の外周縁部と下プレート２５の外周縁部とが突き合わされ、カシメられた状態で、上プレート２４の外周縁部と下プレート２５の外周縁部とがろう付けされている。このようにして、冷却器２０は、上プレート２４と下プレート２５とが外周縁部においてろう付けされている。また、上プレート２４と下プレート２５との間に冷却水流路Ｐ１が形成されるとともに、上プレート２４と下プレート２５との間において波板状のインナーフィン２６が、ろう付けされている。
【００１９】
このように、冷却器２０は、内部に冷却水流路Ｐ１（図５参照）が形成されている。そして、冷却水がパイプ（図示略）を通して冷却器２０に供給されるとともに冷却器２０から冷却水がパイプ（図示略）を通して排出されるようになっている。
【００２０】
冷却器２０の上面（外表面）には、４枚の絶縁基板３１，３２，３３，３４がろう付けにより固定されている。詳しくは、４枚の絶縁基板３１，３２，３３，３４におけるセラミック基板３５の下のアルミニウム層３６と冷却器２０の上面とが、ろう材により接合されている。
【００２１】
絶縁基板３１におけるセラミック基板３５上のアルミニウム層３７は配線材であり、このアルミニウム層３７の上面には半導体素子としてのトランジスタ（チップ）Ｑ１とダイオード（チップ）Ｄ１がはんだ付けにより実装されている。また、絶縁基板３２におけるセラミック基板３５上のアルミニウム層３７は配線材であり、このアルミニウム層３７の上面にはトランジスタ（チップ）Ｑ３とダイオード（チップ）Ｄ３がはんだ付けにより実装されている。さらに、絶縁基板３３におけるセラミック基板３５上のアルミニウム層３７は配線材であり、このアルミニウム層３７の上面にはトランジスタ（チップ）Ｑ５とダイオード（チップ）Ｄ５がはんだ付けにより実装されている。また、絶縁基板３４におけるセラミック基板３５上のアルミニウム層３７は配線材であり、このアルミニウム層３７の上面にはトランジスタ（チップ）Ｑ２，Ｑ４，Ｑ６とダイオード（チップ）Ｄ２，Ｄ４，Ｄ６がはんだ付けにより実装されている。
【００２２】
トランジスタＱ１，Ｑ３，Ｑ５における上面のコレクタ端子、および、ダイオードＤ１，Ｄ３，Ｄ５における上面のカソード端子は、外部接続端子としての導電板７０に、はんだ７１により接合されている。また、トランジスタＱ２における上面のコレクタ端子、ダイオードＤ２における上面のカソード端子、および、絶縁基板３１におけるアルミニウム層３７（トランジスタＱ１のエミッタ、ダイオードＤ１のアノード）は、外部接続端子としての導電板７２に、はんだ７３により接合されている。さらに、トランジスタＱ４における上面のコレクタ端子、ダイオードＤ４における上面のカソード端子、および、絶縁基板３２におけるアルミニウム層３７（トランジスタＱ３のエミッタ、ダイオードＤ３のアノード）は、外部接続端子としての導電板７４に、はんだ７５により接合されている。また、トランジスタＱ６における上面のコレクタ端子、ダイオードＤ６における上面のカソード端子、および、絶縁基板３３におけるアルミニウム層３７（トランジスタＱ５のエミッタ、ダイオードＤ５のアノード）は、外部接続端子としての導電板７６に、はんだ７７により接合されている。さらに、絶縁基板３４におけるセラミック基板３５の上のアルミニウム層３７には、外部接続端子としての導電板７８がはんだ付けされている。各導電板７０，７２，７４，７６，７８は銅よりなる。このように導電板７０，７２，７４，７６，７８は、一端側が半導体素子としてのトランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６およびダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６に電気的に接続されている。
【００２３】
導電板７０の他端側は上方に屈曲形成されている。同様に、導電板７２の他端側は上方に屈曲形成されている。導電板７４の他端側は上方に屈曲形成されている。同様に、導電板７６の他端側は上方に屈曲形成されている。また、導電板７８の他端側は上方に屈曲形成されている。
【００２４】
冷却器２０の上面において６個の接続ピン台座８０，８１，８２，８３，８４，８５が固定されている。各接続ピン台座８０，８１，８２，８３，８４，８５には、それぞれ、外部接続端子としての３本の接続ピン８６が固定されている。接続ピン８６は銅よりなる。３本の接続ピン８６のうちの１本はゲート電圧印加ライン形成用のピンであり、残り２本はエミッタ電圧検出ライン形成用、および、エミッタでの温度検出ライン用のピンである。３本の接続ピン８６の一端はトランジスタ（チップ）Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６に配線材であるワイヤＷを介して電気的に接続されている（ワイヤボンディングされている）。
【００２５】
このように接続ピン８６は、一端側が半導体素子としてのトランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６に電気的に接続されている。また、３本の接続ピン８６の他端側は上方に屈曲形成されている。
【００２６】
樹脂４０は、冷却器２０の上面に配した部品（絶縁基板３１，３２，３３，３４、トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６、導電板７０，７２，７４，７６，７８、接続ピン８６、ワイヤＷ）を覆っている。導電板７０，７２，７４，７６，７８の立設部７０ａ，７２ａ，７４ａ，７６ａ，７８ａの上端側は樹脂４０から露出している。同様に、トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６にそれぞれ接続される３本の接続ピン８６の立設部８６ａの上端側は樹脂４０から露出している。樹脂４０は、冷却器２０における上プレート２４および下プレート２５の外周縁部におけるろう付け部をモールドしている。
【００２７】
また、冷却器２０の下面は露出しており、冷却器２０の下面には電子部品ＰＤ１（図１参照）が配置され、電子部品ＰＤ１に発生する熱は冷却器２０に逃がされるようになっている。このように、冷却器２０の下面（裏面）側にも金属（アルミ）を露出させることにより裏面でも発熱体である電子部品ＰＤ１を冷却することができる。
【００２８】
次に、インバータモジュール１０の作用を説明する。
冷却水は冷却器２０の内部を通る。インバータモジュール１０における６つのトランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６のスイッチング動作に伴い発熱する。また、６つのダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６は通電に伴い発熱する。このトランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６において発生した熱は絶縁基板３１，３２，３３，３４（ＤＢＡ基板）を通して冷却器２０に伝わり、冷却器２０の内部を流れる冷却水と熱交換される（放熱される）。同様に、６つのダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６において発生した熱は絶縁基板３１，３２，３３，３４（ＤＢＡ基板）を通して冷却器２０に伝わり、冷却器２０の内部を流れる冷却水と熱交換される（放熱される）。
【００２９】
次に、インバータモジュール１０の製造方法を、図１，２，４，５，６を用いて説明する。
まず、図４，５に示すように、絶縁基板（ＤＢＡ基板）３１，３２，３３，３４を用意する。このとき、セラミック基板３５の一方の面においてアルミニウム層３６がパターニングされているとともに、セラミック基板３５の他方の面においてアルミニウム層３７がパターニングされている。そして、冷却器２０を構成する上プレート２４の周縁部と、下プレート２５の周縁部とをカシメて、ろう付けするとともに上プレート２４と下プレート２５との間に波板状のインナーフィン２６を、ろう付けする。同時に、冷却器２０の上面に絶縁基板（ＤＢＡ基板）３１，３２，３３，３４を、ろう付けする。詳しくは、４枚の絶縁基板３１，３２，３３，３４におけるセラミック基板３５の下のアルミニウム層３６と冷却器２０の上面とを、ろう付けする。ろう付けは、６００℃程度で行われる。
【００３０】
引き続き、図６に示すように、絶縁基板３１，３２，３３，３４におけるセラミック基板３５上のアルミニウム層３７の上面に、トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６およびダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６を、はんだ付けする。
【００３１】
同時に、トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６およびダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６に対し、導電板７０，７２，７４，７６，７８を、はんだ付けする。また、冷却器２０の上面において、接続ピン８６が固定された接続ピン台座８０，８１，８２，８３，８４，８５を固定する。
【００３２】
さらには、各接続ピン８６と各トランジスタ（チップ）Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６とをワイヤＷによりボンディングする。
そして、図１，２に示すように、樹脂４０により封止する。即ち、冷却器２０に搭載した部品（絶縁基板３１，３２，３３，３４、トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６、導電板７０，７２，７４，７６，７８、ワイヤＷ等）を封止する。樹脂４０によるモールドは１２０℃程度で行われる。
【００３３】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）半導体装置としてのインバータモジュール１０の構成として、冷却器２０と、絶縁基板３１，３２，３３，３４と、トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６と、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６と、導電板７０，７２，７４，７６，７８と、接続ピン８６と、を備えている。冷却器２０の外表面に絶縁基板３１，３２，３３，３４をろう付けしている。また、樹脂４０により、導電板７０，７２，７４，７６，７８の他端側と接続ピン８６の他端側が露出する状態で、絶縁基板３１〜３４とトランジスタＱ１〜Ｑ６とダイオードＤ１〜Ｄ６と導電板７０，７２，７４，７６，７８の一端側と接続ピン８６の一端側とを冷却器２０に対してモールドした。
【００３４】
つまり、冷却器２０に絶縁基板３１，３２，３３，３４をろう付けしている（金属的に一体化している）。また、半導体素子（トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６）、導電板７０，７２，７４，７６，７８、接続ピン８６、冷却器２０を樹脂４０で埋めている。さらに、導電板７０，７２，７４，７６，７８、接続ピン８６を樹脂４０の外に出し、冷却器付樹脂モジュールとして一体化された構造とした。
【００３５】
その結果、冷却器２０の外表面に絶縁基板３１，３２，３３，３４がろう付けされているので、半導体素子（トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６）に発生した熱に対し冷却性能が高い。また、絶縁基板３１，３２，３３，３４と半導体素子（トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６）と導電板７０，７２，７４，７６，７８の一端側と接続ピン８６の一端側とが冷却器２０に対してモールドされているので、専用の固定部材を不要にでき、小型化を図ることができる。
【００３６】
詳しく説明する。冷却器２０に絶縁基板３１，３２，３３，３４を直接、金属で接合した構成（金属的に一体化した構造）とするとともに、半導体素子（トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６）をはんだ付けし、半導体素子を直接冷却して熱性能を高めることができる。また、冷却器２０ごと樹脂４０で固めることで、樹脂４０により信頼性の向上を図ることができる。さらに、全体を樹脂封止することにより固定のための部材が不要で小型化が可能となる。即ち、冷却器２０を含めて樹脂モールドすることにより図９に示したようなブラケット（押圧部材）１０２による固定とは異なり、小型化を図ることができる。また、図９のシリコングリス１０３が不要とすることができる。
【００３７】
このようにして、樹脂モールドにより素子接合部の信頼性を高めるとともに、冷却性能が高く小型化を図ることができる。
（２）冷却器２０は、上プレート２４と下プレート２５とが外周縁部においてろう付けされ、上プレート２４と下プレート２５との間に冷却水流路Ｐ１が形成されている。ここで、樹脂４０は、上プレート２４および下プレート２５の外周縁部におけるろう付け部をモールドしているので、密閉性の向上を図ることができる。
【００３８】
つまり、冷却器２０の側面を樹脂４０で覆っているので、冷却器２０の密閉性（水密性）を向上させる上で好ましい。
（３）半導体装置の製造方法として、ろう付工程と、その後のはんだ付工程と、その後のモールド工程と、を備える。ろう付工程は、図４，５に示すように冷却器を構成する第１の外殻プレートとしての上プレート２４と第２の外殻プレートとしての下プレート２５とを外周縁部において接合するとともに、上プレート２４に絶縁基板３１，３２，３３，３４を接合する。はんだ付工程は、図６に示すように絶縁基板３１，３２，３３，３４に半導体素子としてのトランジスタＱ１〜Ｑ６およびダイオードＤ１〜Ｄ６を実装するとともに、半導体素子としてのトランジスタＱ１〜Ｑ６に外部接続端子としての導電板７０，７２，７４，７６，７８の一端側を接合する。モールド工程は、図１，２に示すように導電板７０，７２，７４，７６，７８の他端側が露出するように樹脂４０で絶縁基板３１，３２，３３，３４とトランジスタＱ１〜Ｑ６およびダイオードＤ１〜Ｄ６と導電板７０，７２，７４，７６，７８の一端側とを上プレート２４に対してモールドする。これにより、樹脂モールドにより素子接合部の信頼性を高めるとともに、冷却性能が高く小型化を図ることができる。
【００３９】
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
・図７に示すように、冷却器２０における側面の全体を樹脂４０で埋め込むのではなく、樹脂４０で埋め込む領域を、冷却器２０における側面の一部にとどめてもよい。
【００４０】
・図８に示すように、冷却器２０における側面には樹脂４０を形成せずに冷却器２０における上面のみに樹脂４０を形成してもよい。これにより、冷却器２０と樹脂４０との接触面積が少なくなり、冷却器２０が樹脂４０から受ける力Ｆ１を小さくして冷却器２０における外力による変形を生じにくくすることができる。また、樹脂４０の量を減らすことができる。
【００４１】
・各絶縁基板３１，３２，３３，３４として、ＤＢＡ基板を用いたが、ＤＢＣ基板を用いてもよい。つまり、セラミック基板３５の一方の面に銅層が形成されるとともにセラミック基板の他方の面に銅層が形成されたＤＢＣ基板を用いてもよい。
【００４２】
・電力変換装置としてインバータに適用したが、コンバータ等の他の電力変換装置に適用してもよい。
【符号の説明】
【００４３】
１０…インバータモジュール、２０…冷却器、２４…上プレート、２５…下プレート、３１…絶縁基板、３２…絶縁基板、３３…絶縁基板、３４…絶縁基板、４０…樹脂、７０…導電板、７２…導電板、７４…導電板、７６…導電板、７８…導電板、８６…接続ピン、Ｄ１…ダイオード、Ｄ２…ダイオード、Ｄ３…ダイオード、Ｄ４…ダイオード、Ｄ５…ダイオード、Ｄ６…ダイオード、Ｐ１…冷却水流路、Ｑ１…トランジスタ、Ｑ２…トランジスタ、Ｑ３…トランジスタ、Ｑ４…トランジスタ、Ｑ５…トランジスタ、Ｑ６…トランジスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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