(57)【要約】【課題】本発明は、測定誤差が小さいと共に信頼性に優れる物理量センサを提供することを目的とする。【解決手段】第１基板２１と、第２基板３１と、第１基板２１と第２基板３１との間に位置する機能層を有する物理量センサ１において、外部端子に電気的に接続される第１内部配線層３７を有し、複数のアンカ部１１〜１２の少なくとも１つに対して、第１内部配線層３７が第２金属層３２を平面視で内包するように形成されており、前記第１金属層と前記第２金属層とが接合する面より外縁に位置する第３絶縁層３４に設けられる一つまたは複数の接続孔を介して、第２金属層３２と第１内部配線層３７とが電気的に接続されてなる物理量センサ１。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置する機能層を有する物理量センサにおいて、前記機能層は可動部と前記可動部を支持する複数のアンカ部とを有し、前記複数のアンカ部の一方の面は前記第１基板と第１絶縁層を介して接合され、前記複数のアンカ部の他方の面は前記第２基板と前記複数のアンカ部側の第１金属層及び前記第２基板側の第２金属層を介して接合されるとともに、前記第２基板は、前記第１基板に対向する面側に第２絶縁層と、その上に設けられる第３絶縁層と、前記第２絶縁層と前記第３絶縁層の間に設けられ、外部端子に電気的に接続される第１内部配線層と、を有し、前記第１内部配線層は前記第２金属層に対して前記第２基板側に位置してなるとともに、前記第１内部配線層は前記複数のアンカ部の少なくとも１つのアンカ部に対して、前記第１内部配線層が前記第２金属層を平面視で内包するように形成されており、前記第１金属層と前記第２金属層とが接合する面より外縁に位置する前記第３絶縁層に設けられる一つまたは複数の接続孔を介して、前記第２金属層と前記第１内部配線層とが電気的に接続されることにより、前記少なくとも１つのアンカ部を介して前記可動部と前記外部端子とが電気的に接続されていることを特徴とする物理量センサ。
【請求項２】
前記第２金属層が前記第２基板に設けられた突出部に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の物理量センサ。
【請求項３】
前記第１内部配線層と同一材料、且つ同一膜厚であると共に、前記第２絶縁層と前記第３絶縁層との間に設けられる第２内部配線層が、前記少なくとも１つのアンカ部以外の前記複数のアンカ部に対向して設けられることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の物理量センサ。
【請求項４】
前記可動部の周囲を囲む枠体部が前記第１基板の外縁に設けられ、前記枠体部の一方の面は前記第１基板と前記第１絶縁層を介して接合され、前記枠体部の他方の面は前記第２基板と前記枠体部側の前記第１金属層と前記第２金属層とを介して接合されてなり、前記第２内部配線層が前記枠体部に対向して設けられることを特徴とする請求項３に記載の物理量センサ。
【請求項５】
前記第２基板に前記可動部に対向する固定電極層が設けられ、前記第１内部配線層と同一材料、且つ同一膜厚であると共に、前記第２絶縁層と前記第３絶縁層との間に設けられる第３内部配線層が、前記固定電極層に電気的に接続され、且つ外部に電気信号を出力する外部端子に電気的に接続されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の物理量センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン（Ｓｉｌｉｃｏｎ）基板を微細加工して形成された加速度センサ等の物理量センサに係り、特に、測定誤差が小さい信頼性に優れる物理量センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン（Ｓｉｌｉｃｏｎ）基板を微細加工することで、加速度センサ、衝撃センサ、圧力センサ、または振動型ジャイロ等の物理量センサが製作される。
【０００３】
特許文献１及び特許文献２にシリコン基板を微細加工することで形成されるＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）センサ（物理量センサ）に関する発明が開示されている。
【０００４】
特許文献１は、図１１に示すように、支持導通部（アンカ部）２１０の第２基板３１０に対向する面に接続金属層（第１金属層）２０２が形成されている。また、支持導通部２１０に対向する第２絶縁層３３４の表面３３４ａに接続電極部（第２金属層）３３２が形成されている。そして、接続電極部３３２と接続金属層２０２とを対面させ、熱処理を施しながら第１基板２０１と第２基板３１０とを加圧して、接続電極部３３２と接続金属層２０２とを共晶接合あるいは拡散接合する。
【０００５】
また、支持導電通部２１０は、接続金属層２０２、接合領域３５０、接続電極部３３２、及びリード層３３７を介して、接続パッド（外部端子）（図示していない）に導通されている。
【０００６】
特許文献２は、図１２に示すように、支持導通部（アンカ部）４１０の第２基板５１０に対向する面に接続金属層（第１金属層）４０２が形成されている。また、支持導通部４１０に対向する第２絶縁層５３４の表面５３４ａに接続電極部（第２金属層）５３２が形成されている。そして、接続電極部５３２と接続金属層４０２とを対面させ、熱処理を施しながら第１基板４０１と第２基板５１０とを加圧して、接続電極部５３２と接続金属層４０２とを共晶接合あるいは拡散接合する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２０１０／０３２８２０号
【特許文献２】特願２０１０−６９５９９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に開示される発明では、図１１に示すように、接続電極部３３２と接続金属層２０２とが接合されてなる接合領域（金属接合層）３５０の真下にリード層（第１内部配線層）３３７が配置されている。そして、リード層３３７は、接合領域３５０底面の全面ではなく、接合領域３５０底面の一部分の下のみに位置している。
【０００９】
よって、接合領域３５０内の接合電極部３３２にリード層３３７の端部に沿って段差が生じる可能性がある。そのため、接続電極部３３２と接続金属層２０２との接合面３３２ａに段差が生じて、接続電極部３３２と接続金属層２０２とが接合される際に、接続金属層２０２の表面に近い接続電極部３３２の部分が最初に接触し、接続金属層２０２の表面から遠い接続電極部３３２の部分が遅れて接触する。近い部分が接触すると、接触による抵抗力によって、遠い部分には十分な加圧がなされないことがあった。よって、接合領域３５０に不十分な接合強度の部分や接合不良が発生することがあった。ただし、図１１には段差は図示されていない。
【００１０】
また、接合電極部３３２に生じる段差によって、接続電極部３３２と接続金属層２０２とが接合される際に、接続金属層２０２の表面に近い接続電極部３３２の部分は、接続金属層２０２の表面から遠い接続電極部３３２の部分に比べて強く加圧されるために、圧縮される量が大きい。そのため、接続金属層２０２の表面に近い接続電極部３３２の部分は接続金属層２０２の表面から遠い接続電極部３３２の部分に引っ張り応力を働かせ、接続金属層２０２の表面から遠い接続電極部３３２の部分は接続金属層２０２の表面に近い接続電極部３３２の部分に圧縮応力を働かせる。このように、接合電極部３３２に段差があると、接合領域３５０内には互いに反発しあう残留応力が生じてしまう。
【００１１】
不十分な接合強度や反発しあう残留応力によって、経時的に接合領域３５０の電極内にボイドや、剥がれ等の欠陥が成長し、接合領域３５０を介して電気的に接続される支持導通部２１０とリード層３３７との間の電気抵抗が経時的に変化することや、電気抵抗が大きくなり電気信号が設計仕様以下になることや、断線に至って電気信号が出力されない等の信頼性の問題があった。
【００１２】
特許文献２に開示される発明では、図１２に示すように、接合領域５５０内に接続孔６００が設けられ、この接続孔６００の内面に沿って接続電極部５３２が形成されている。接続孔６００が設けられることで、接続電極部５３２と接続金属層４０２との接する面積が小さくなるために十分な接合強度が得られないことや、接合不良が発生することがあった。
【００１３】
また、接合領域５５０内に設けられた接続孔６００によって空洞が形成されることがある。接合の際に、接続電極部５３２の主成分であるアルミニウム等の接合物質が前記空洞に流れ込み接合領域５５０に接合物質が不足することで、接合強度が劣化することがあった。
【００１４】
また、加工ばらつきや、膜厚ばらつき等の工程ばらつきを要因として、接合される際に接続電極部５３２の主成分であるアルミニウム等の接合物質の前記空洞に流れ込む量がばらつくことで、第１基板４０１と第２基板５１０との間隔がばらつくために、物理量の測定ばらつきが生じ、測定誤差が大きくなることがあった。
【００１５】
本発明の目的は、このような課題を顧みてなされたものであり、測定誤差が小さいと共に信頼性に優れる物理量センサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置する機能層を有する物理量センサにおいて、前記機能層は可動部と前記可動部を支持する複数のアンカ部とを有し、前記複数のアンカ部の一方の面は前記第１基板と第１絶縁層を介して接合され、前記複数のアンカ部の他方の面は前記第２基板と前記複数のアンカ部側の第１金属層及び前記第２基板側の第２金属層を介して接合されるとともに、前記第２基板は、前記第１基板に対向する面側に第２絶縁層と、その上に設けられる第３絶縁層と、前記第２絶縁層と前記第３絶縁層の間に設けられ、外部端子に電気的に接続される第１内部配線層と、を有し、前記第１内部配線層は前記第２金属層に対して前記第２基板側に位置してなるとともに、前記第１内部配線層は前記複数のアンカ部の少なくとも１つのアンカ部に対して、前記第１内部配線層が前記第２金属層を平面視で内包するように形成されており、前記第１金属層と前記第２金属層とが接合する面より外縁に位置する前記第３絶縁層に設けられる一つまたは複数の接続孔を介して、前記第２金属層と前記第１内部配線層とが電気的に接続されることにより、前記少なくとも１つのアンカ部を介して前記可動部と前記外部端子とが電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１７】
このような態様であれば、前記第１内部配線層が前記第２金属層を平面視で内包するように形成されるので、前記第１内部配線層によって形成される段差が前記第１金属層と前記第２金属層とが接合する面には位置しない。また、前記一つまたは複数の接続孔が前記第１金属層と前記第２金属層とが接合する面より外縁に位置しているので、前記接続孔によって前記接合する面（接合領域）の面積が小さくなることや、前記接合する面（接合領域）に空洞が形成されることはない。
【００１８】
よって、互いに平坦な面を有する前記第１金属層と前記第２金属層とが接合されるので、十分な接合強度が得られると共に、前記接合する面（接合領域）の残留応力は抑制される。そのため、経時的な前記接合する面（接合領域）の電気抵抗の劣化は抑制される。また、前記接合する面（接合領域）の面積を広く確保できることで、十分な接合強度が得られる。また、前記接合する面（接合領域）に空洞が形成されないので、接合物質が前記接合する面（接合領域）から流出することはなく十分な接合強度が得られ、前記流出がないことで前記第１基板と前記第２基板との間隔ばらつきが抑制され測定誤差が小さく抑えられる。
【００１９】
よって、本発明によれば、測定誤差が小さいと共に信頼性に優れる物理量センサを提供することができる。
【００２０】
前記第２金属層が前記第２基板に設けられた突出部に形成されていることが好ましい。
【００２１】
このような態様であれば、前記第２基板に設けられた前記突出部によって、前記第１基板と前記第２基板との間に、前記可動部が可動するキャビティを形成することができる。
【００２２】
前記第１内部配線層と同一材料、且つ同一膜厚であると共に、前記第２絶縁層と前記第３絶縁層との間に設けられる第２内部配線層が、前記少なくとも１つのアンカ部以外の前記複数のアンカ部に対向して設けられることが好ましい。
【００２３】
このような態様であれば、全ての前記アンカ部に対して、前記アンカ部と前記第２基板との間に、同一膜厚である前記第１内部配線層あるいは前記第２内部配線層が設けられる。そのため、全ての前記アンカ部に対して、前記第１基板と前記第２基板とを接合する際に前記第１金属層と前記第２金属層とが接する面が、前記第１基板と前記第２基板と隔てる方向（Ｚ方向）における位置が同じになる。その結果、前記第１基板と前記第２基板との対向する面が平行な状態で、前記第１基板と前記第２基板が接合される。よって、前記可動部が可動するキャビティを十分に確保できると共に、全ての前記アンカ部に対して均一な接合がなされるので前記第１金属層と前記第２金属層とからなる全ての接合領域に生じる残留応力を抑制できる。
【００２４】
前記可動部の周囲を囲む枠体部が前記第１基板の外縁に設けられ、前記枠体部の一方の面は前記第１基板と前記第１絶縁層を介して接合され、前記枠体部の他方の面は前記第２基板と前記枠体部側の前記第１金属層と前記第２金属層とを介して接合されてなり、前記第２内部配線層が前記枠体部に対向して設けられることが好ましい。
【００２５】
このような態様であれば、全ての前記アンカ部及び前記枠体部に対して、前記アンカ部及び前記枠体部と前記第２基板との間に、同一膜厚である前記第１内部配線層あるいは前記第２内部配線層が設けられる。そのため、全ての前記アンカ部及び前記枠体部に対して、前記第１基板と前記第２基板とを接合する際に前記第１金属層と前記第２金属層とが接する面が、前記第１基板と前記第２基板と隔てる方向（Ｚ方向）における位置が同じになる。その結果、前記第１基板と前記第２基板との対向する面が平行な状態で、前記第１基板と前記第２基板が接合される。よって、前記可動部が可動するキャビティを十分に確保できると共に、全ての前記アンカ部及び前記枠体部に対して均一な接合がなされるので前記第１金属層と前記第２金属層とからなる全ての接合領域に生じる残留応力を抑制できる。
【００２６】
前記第２基板に前記可動部に対向する固定電極層が設けられ、前記第１内部配線層と同一材料、且つ同一膜厚であると共に、前記第２絶縁層と前記第３絶縁層との間に設けられる第３内部配線層が、前記固定電極層に電気的に接続され、且つ外部に電気信号を出力する外部端子に電気的に接続されることが好ましい。
【００２７】
このような態様であれば、前記固定電極層からの電気信号が外部端子に出力される。よって、前記可動部から出力される電気信号と合わせて、物理量を算出することができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、測定誤差が小さいと共に信頼性に優れる物理量センサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】第１の実施形態における物理量センサの平面略図である。
【図２】図１に示す物理量センサのＩＩ−ＩＩ線に沿って切断し矢印方向から見た縦断面略図である。
【図３】第１の実施形態における第２金属層の上から見た突出部１４近傍の透視平面略図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線に沿って切断し矢印方向から見た縦断面略図である。
【図５】第１の実施形態の物理量センサが無重力下で静止している状態を示す斜視略図である。
【図６】第１の実施形態の物理量センサが動作している状態を示す斜視略図である。
【図７】第１の実施形態における物理量センサの製造工程説明図である。
【図８】第１変形例である物理量センサの縦断面略図である。
【図９】第２の実施形態である物理量センサの縦断面略図である。
【図１０】突出部６１４を囲んで連続的に接続孔が位置する場合の第２金属層の上から見た透視平面略図である。
【図１１】特許文献１における物理量センサの部分縦断面略図である。
【図１２】特許文献２における物理量センサの部分縦断面略図である
【発明を実施するための形態】
【００３０】
＜第１の実施形態＞
各図に示す物理量センサに関しては、Ｙ方向が左右方向であり、Ｙ１方向が左方向でＹ２方向が右方向、Ｘ方向が前後方向であり、Ｘ１方向が前方向でＸ２方向が後方向である。また、Ｘ方向とＹ方向の双方に直交する方向が上下方向（Ｚ方向；高さ方向）であり、Ｚ１方向が上方向でＺ２方向が下方向である。なお、各図面は、見やすくするために寸法を適宜異ならせて示している。
【００３１】
第１の実施形態における物理量センサ１は加速度センサである。物理量センサ１は加速度センサに限定されるものではなく、衝撃センサ、圧力センサ、または振動型ジャイロ等も可能である。
【００３２】
加速度センサである物理量センサ１は、例えば、自動車等の車両の走行中にタイヤの空気圧やその異常等を監視するタイヤ空気圧監視システム、いわゆるＴＰＭＳ（Ｔｉｒｅ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）において、タイヤの回転位置を検知するセンサとして用いられる。
【００３３】
そのため、物理量センサ１は厳しい環境に設置されるため、急激な温度変化やタイヤ等から伝わる振動や衝撃等に対する耐久性や信頼性が要求される。よって、物理量センサ１には、振動試験や温度サイクル試験等が実施され、所定の仕様を満足することが要求される。
【００３４】
図１に示す物理量センサ１は、例えば、長方形の平板である導電性の機能部（シリコン層）２を有して形成されている。即ち、機能部２に、各部分の形状に対応する平面形状のレジスト層を形成し、レジスト層が存在していない部分で、シリコン基板をＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）等のエッチング工程で切断することで、各部分に分離している。したがって、物理量センサ１の機能部２に形成される各部分は、シリコン層の表面と裏面の厚みの範囲内で構成されている。物理量センサ１が無重力下で静止状態の際は、図５に示すように、可動部３は、表面全体と裏面全体とのそれぞれが同一面上に位置しており、表面及び裏面から突出する部分がない。なお、実際の物理量センサ１は地球上で使用されるため、地球の重力の影響で可動部３は静止状態であっても若干変位を生じている。
【００３５】
ただし、図１は第１基板２１を透視して機能部２を第１基板２１側から眺めた平面略図である。また、図５、図６は第１基板２１、第２基板３１及び枠体部５を省略している。
【００３６】
図１に示すように、物理量センサ１を構成する機能部２は、可動部３と、可動部３の周囲に枠体部５を有している。
【００３７】
図１や図５に示すように、可動部３は、高さ方向（Ｚ方向）に平行に変位する錘部４と、錘部４の内側に設けられた回動支持部６、７、８、９を有して構成される。
【００３８】
図１に示すように、第１回動支持部６は、前方向（Ｘ１）に延びる連結腕６ａと、後方向（Ｘ２）に延びる脚部６ｂとが一体に形成されている。また図１に示すように第２回動支持部７は、後方向（Ｘ２）に延びる連結腕７ａと、前方向（Ｘ１）に延びる脚部７ｂとが一体に形成されている。
【００３９】
また、可動部３の内側には、中央アンカ部１０、左側アンカ部１１、及び右側アンカ部１２が設けられている。各アンカ部１０〜１２は、左右方向（Ｙ）に所定の間隔を空けて設けられる。中央アンカ部１０、左側アンカ部１１、及び右側アンカ部１２の前後方向（Ｘ）の幅寸法は略同一である。
【００４０】
各連結腕６ａ、７ａ及び各脚部６ｂ、７ｂは各アンカ部１０〜１２から離れる方向であって、前後方向（Ｘ１−Ｘ２方向）に平行に所定の幅寸法にて延出する形状で形成されている。
【００４１】
各アンカ部１０〜１２は、図２（図２は図１に示すＩＩ−ＩＩ線に沿って切断し矢印方向から見た縦断面略図である。ただし図２には中央アンカ部１０、左側アンカ部１１のみが図示されている。）に示すように、第１基板２１に酸化絶縁層（ＳｉＯ２）である第１絶縁層２３を介して接合されている。
【００４２】
また、可動部３の周囲に設けられる枠体部５は、第１基板２１に酸化絶縁層（ＳｉＯ２層）である第１絶縁層２３を介して接合されている。
【００４３】
第１基板２１は例えば導電性のシリコン基板である。第１絶縁層２３は、可動部３と対向する位置には設けられていない。図１に示す可動部３、アンカ部１０〜１２、及び枠体部５からなる機能部２と、第１基板２１と、第１絶縁層２３とは、例えばＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板から形成される。第１基板２１、第１絶縁層２３、及び機能部２でセンサ基板２０を構成する。
【００４４】
図１に示すように、第１回動支持部６の連結腕６ａの先端部と錘部４とが連結部４１ａによって回動自在に連結されており、第２回動支持部７の連結腕７ａの先端部と錘部４とが連結部４１ｂによって回動自在に連結されている。
【００４５】
第１回動支持部６の連結腕６ａは、左側アンカ部１１と支持連結部５１ｂ及び中央アンカ部１０と支持連結部５１ａによって回動自在に連結されている。第２回動支持部７の連結腕７ａは、右側アンカ部１２と支持連結部５２ｂ及び中央アンカ部１０と支持連結部５２ａによって回動自在に連結されている。
【００４６】
左側アンカ部１１の後方向（Ｘ２）に、錘部４及び左側アンカ部１１と分離して形成される第３回動支持部８が設けられ、右側アンカ部１２の前方向（Ｘ１）に、錘部４及び右側アンカ部１２と分離して形成される第４回動支持部９が設けられている。
【００４７】
第３回動支持部８の先端部と錘部４とは、連結部４２ａによって回動自在に連結されている。また、第４回動支持部９の先端部と錘部４とは、連結部４２ｂによって回動自在に連結されている。
【００４８】
第３回動支持部８と左側アンカ部１１とは、支持連結部５３ａによって回動自在に連結されている。また、第４回動支持部９と右側アンカ部１２とは、支持連結部５３ｂによって回動自在に連結されている。
【００４９】
第１回動支持部６の連結腕６ａと第３回動支持部８との間が、連結部４３ａを介して連結されている。また、第２回動支持部７の連結腕７ａと第４回動支持部９との間が、連結部４３ｂを介して連結されている。
【００５０】
各連結部４１ａ、４１ｂ、４２ａ、４２ｂ、４３ａ、４３ｂ及び各支持連結部５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂ、５３ａ、５３ｂは、シリコン層をエッチングによって薄い板状に切り出すことで、ばね性を有するトーションバー（ばね部）で構成される。
【００５１】
可動部３は、錘部４、回動支持部６〜９、連結部４１〜４３、及び支持連結部５１〜５３を有して構成される。
【００５２】
図２に示すように、物理量センサ１には、錘部４や第１回動支持部６と高さ方向（Ｚ方向）に離れた一方に導電性の第１基板２１と他方に第２基板３１とが設けられている。配線基板３０には、第２基板３１の第１基板２１に対向する面に、第２絶縁層３３が形成され、第２絶縁層３３の上に第１内部配線層３７や、第３内部配線層３９が形成され、その上を第３絶縁層３４が覆っている。第３絶縁層３４の上に、固定電極層３６、突出部１３〜１６（突出部１５は図示していない。）が形成され、突出部１３〜１６の上に第２金属層３２が形成されている。各突出部１３〜１６に対向する、枠体部５、及びアンカ部１０〜１２の表面に第１金属層２２が形成されている。そして、第１金属層２２と第２金属層３２を重ねて、熱処理を施しながら圧着することで、第１金属層２２と第２金属層３２とが接合されてなる接合領域に、金属接合層５０（例えば、共晶接合層または拡散接合層）が形成される。このようにして、センサ基板２０と配線基板３０とは強固に接合される。
【００５３】
図２に示すように、センサ基板２０側の左側アンカ部１１に対向して配置される、配線基板３０側の突出部１４の真下には第３絶縁層３４を介して第１内部配線層３７が配置され、突出部１４の上には第２金属層３２が配置されている。第２金属層３２の上から見た突出部１４近傍の透視平面略図である図３に示すように、第１内部配線層３７は、平面視で突出部１４及び第２金属層３２を内包するように配置されている。
【００５４】
そして、突出部１４の周囲の領域に、即ち第１金属層２２と第２金属層３２とが接合する面（金属接合層５０）より外縁に位置するように、第３絶縁層３４に４つの接続孔４０が形成され、この４つの接続孔４０を通して第２金属層３２と第１内部配線層３７が電気的に接続されている。
【００５５】
本実施形態では、４つの接続孔４０を設けたが、これに限定されるものではない。接続孔の個数、形、配置される位置等は任意であり、第２金属層３２と第１内部配線層３７とが電気的に接続されていることと、接続孔４０が突出部１４の周囲を囲んで連続的に連結されてなく、一つまたは複数の接続孔４０と第３絶縁層３４とで周囲が囲まれておれば良い。一つまたは複数の接続孔４０の全てを内包すると共に突出部１４の周囲を囲む最小面積の帯状形状である導通可能領域４１（図３、図４に図示する）の面積に対して、一つまたは複数の接続孔４０の全面積を３５％以下とすることが好ましい。
【００５６】
図７は、物理量センサ１の製造工程説明図であり、製造工程中の縦断面略図を示す。
【００５７】
図７（ａ）に示す工程で、センサ基板２０を形成する。センサ基板２０は、２枚のシリコン基板がシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を介して接合されたＳＯＩ基板を加工して得られる。
【００５８】
先ず、シリコン基材の一方の表面に、枠体部５とアンカ部１０〜１２とのそれぞれの形状に対応する平面形状のレジスト層を形成し、レジスト層から露出しているシリコン基材の部分を、ＲＩＥなどのイオンエッチング手段で除去し、枠体部５とアンカ部１０〜１２とを突出した形状に加工する。
【００５９】
続いて第１金属層２２をスパッタ等で形成する。そして、第１金属層２２をレジスト層で覆い、ＲＩＥなどのイオンエッチング手段によって枠体部５とアンカ部１０〜１２との表面以外の第１金属層２２を除去する。
【００６０】
次に、可動部３、アンカ部１０〜１２、及び枠体部５のそれぞれの形状に対応する平面形状のレジスト層を形成し、レジスト層から露出しているシリコン基材の部分を、ＲＩＥなどのイオンエッチング手段で除去し、可動部３、アンカ部１０〜１２、及び枠体部５を互いに分離する。ただし、右側アンカ部１２は図示していない。
【００６１】
このとき、図示していないが、イオンエッチング手段にて可動部３に多数の微細孔を形成しておく。そして、シリコンを溶解せずシリコン酸化膜を溶解できる選択性の等方性エッチング処理を行う。この際、エッチングガスまたはエッチング液は、分離した溝内に浸透し、さらに微細孔から浸透して、シリコン酸化膜を除去する。
【００６２】
その結果、アンカ部１０〜１２及び枠体部５と第１基板２１との間のみに第１絶縁層２３が残され、可動部３と第１基板２１との間の第１絶縁層２３は除去される。
【００６３】
第１基板２１の厚さ寸法は０．２〜０．７ｍｍ程度、可動部３、アンカ部１０〜１２及び枠体部５から構成される機能部２の厚さ寸法は１０〜３０μｍ程度、第１絶縁層２３の厚さ寸法は１〜３μｍ程度である。
【００６４】
第１金属層２２は、ゲルマニウムまたはゲルマニウム合金を主成分とする金属膜である。
【００６５】
図７（ｂ）に示す工程で、配線基板３０を形成する。配線基板３０を構成する第２基板３１の表面に第２絶縁層３３を形成し、第２絶縁層３３の表面に第１内部配線層３７、第３内部配線層３９を形成するための金属材料を同時にスパッタ等で成膜する。そして、前記金属材料をレジスト層で覆い、ＲＩＥなどのイオンエッチング手段によって第１内部配線層３７と第３内部配線層３９との領域以外の前記金属材料を除去する。その上に第３絶縁層３４を形成し、複数の第２金属層３２の高さ位置を一致させるために化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等で第３絶縁層３４の表面を平坦にする。次に、レジスト層で覆い、ＲＩＥなどのイオンエッチング手段によって枠体部５、アンカ部１０〜１２に対向する位置に突出部１３〜１６を形成する。ただし、突出部１５は図示していない。また、突出部１３〜１６と第３絶縁層３４とはハッチングを異ならせて図示しているが、突出部１３〜１６は第３絶縁層３４から形成されてなる。
【００６６】
図３に示すような、例えば４つの接続孔４０が突出部１４の４隅にある平面形状のレジスト層を形成し、ＲＩＥなどのイオンエッチング手段によって、第３絶縁層３４を除去する。そして、４つの接続孔４０の孔内に第１内部配線層３７を露出させる。同様に、第３内部配線層３９上の第３絶縁層３４にも接続孔を形成する。
【００６７】
その上に金属材料をスパッタ等で成膜し、この金属材料を、４つの接続孔４０を覆う第２金属層３２の平面形状と固定電極層３６の平面形状とを含むレジスト層を形成し、ＲＩＥなどのイオンエッチング手段によって第２金属層３２と固定電極層３６とを形成する。
【００６８】
このようにして、第１内部配線層３７が第２金属層３２を平面視で内包するように形成され、第２金属層３２の外縁に位置して第３絶縁層３４に設けられる４つの接続孔４０を介して第２金属層３２と第１内部配線層３７とが電気的に接続される。
【００６９】
また、第１内部配線層３７と同一材料、且つ同一膜厚である第３内部配線層３９が固定電極層３６と電気的に接続されることにより、固定電極層３６の電気信号は、第３内部配線層３９を介して、外部に電気信号を出力する外部端子（図示していない。）に出力される。
【００７０】
第２絶縁層３３、第３絶縁層３４、及び突出部１３〜１６は、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコンナイトライト膜（ＳｉＮｘ）、またはアルミナ膜（ＡｌＯｘ）等であり、スパッタやＣＶＤ等で形成される。
【００７１】
第２金属層３２、固定電極層３６、第１内部配線層３７、第３内部配線層３９は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を主成分とする金属膜であり、スパッタ等により形成することができる。
【００７２】
第２基板３１は、例えば、その厚さ寸法が０．２〜０．７ｍｍ程度のシリコン基板である。突出部１３〜１６の厚さ寸法は３〜５μｍ程度、第２絶縁層３３、第３絶縁層３４の厚さ寸法は１〜３μｍ程度である。
【００７３】
上述のように製造されたセンサ基板２０と配線基板３０とは、互いに対向させて位置調整をした状態で真空容器に挿入し、真空引きしながら所定の温度（およそ４３０℃）まで加熱され圧着される。これにより、図７（ｃ）に示す工程で、第１金属層２２と第２金属層３２とが接合されることで、第１金属層２２と第２金属層３２とからなる接合領域に金属接合層５０が形成されて、センサ基板２０と配線基板３０とが気密に封止され強固に固定される。この金属接合層５０は、ゲルマニウムとアルミニウムとを主成分とする共晶接合層である。
【００７４】
本実施形態では、ゲルマニウムとアルミニウムとの共晶点（４２４℃）より高い温度である４３０℃付近まで加熱している。
【００７５】
本実施形態では、金属接合層５０を共晶接合層としたが、これに限定されるものではない。金属接合層５０を拡散接合層とすることも可能である。
【００７６】
このようにして、外部端子に電気的に接続される第１内部配線層３７が、第２金属層３２、第１金属層２２、左側アンカ部１１を介して、可動部３を構成する支持連結部５３ａ、支持連結部５１ｂ、第３回動支持部８、第１回動支持部６、連結部４１ａ、連結部４２ａ、錘部４に電気的に接続され、これらを介して可動部３の全体と電気的に接続される。尚、可動部３は、導電性のシリコン基板から形成されている。
【００７７】
このようにして、第１内部配線層３７が第２金属層３２や、突出部１４を平面視で内包するように形成されるので、第１内部配線層３７によって形成される段差が第１金属層２２と第２金属層３２とから形成される金属接合層５０（接合領域）内には位置しない。４つの接続孔４０が第１金属層２２と第２金属層３２とが接合する面より外縁に位置しているので、接続孔４０によって金属接合層５０の面積（接合領域の面積）が小さくなることや、金属接合層５０（接合領域）内に空洞が形成されることはない。
【００７８】
よって、互いに平坦な面を有する第１金属層２２と第２金属層３２とが接合されるので、接合される全面で均一に接合がなされて十分な接合強度が得られると共に、接合される全面で均一に圧着がなされて金属接合層５０（接合領域）に互いに反発しあう残留応力が生じることが抑制された。そのため、経時的な金属接合層５０（接合領域）の電気抵抗の劣化は抑制された。また、金属接合層５０（接合領域）の面積を広く確保できることで、十分な接合強度が得られた。また、金属接合層５０（接合領域）内に空洞が形成されることがないので、アルミニウム等の接合物質が金属接合層５０（接合領域）から流出することはなく十分な接合強度が得られ、前記流出がないことで第１基板２１と第２基板３１との間隔ばらつきが抑制され測定誤差が小さく抑えられた。
【００７９】
よって、本発明によれば、測定誤差が小さいと共に信頼性に優れる物理量センサを提供することができる。
【００８０】
本実施形態では突出部１４が設けられているが、これに限定されるものではなく、突出部１４が設けられてなくても良い。突出部１４が設けられていなくても、第１内部配線層３７が第２金属層３２を平面視で内包するように形成されておれば、平面視で金属接合層５０（接合領域）は第２金属層３２より小さいので、第１内部配線層３７によって形成される段差は金属接合層５０（接合領域）内には位置しない。また、４つの接続孔４０が前記第１金属層と前記第２金属層とが接合する面（接合領域）より外縁に位置することで、４つの接続孔４０は第１金属層２２と第２金属層３２との接合層である金属接合層５０（接合領域）には位置しないので、接続孔４０によって金属接合層５０の面積（接合領域の面積）が小さくなることや、金属接合層５０（接合領域）に空洞が形成されることはない。
【００８１】
前述したように、本実施形態の物理量センサ１は、例えば、タイヤ空気圧監視システムに用いられる。そのため、振動試験や温度サイクル試験等が実施され、高信頼性が要求される。よって、金属接合層５０内に反発しあう残留応力があると、振動試験や温度サイクル試験等が実施される際に、荷重された材料が時間とともに変形する所謂クリープ現象によって、金属接合層５０の反発しあう残留応力が作用する箇所にボイドや、剥がれ等の欠陥が成長し易くなり、電気抵抗が経時的に変化したり、断線したりすることで、所定の試験仕様を満足できなくなると共に、これらの試験に対する歩留を低下させる。よって、金属接合層５０に作用する応力は極力に抑制することが重要である。
【００８２】
前記の試験等の歩留が低下すると不良品が増えるので、製造コストが高くなる。よって、本実施形態により製造コストを安くすることができた。
【００８３】
また、本実施形態の物理量センサ１が車載に搭載されて使用されている際に、金属接合層５０内に反発しあう残留応力が働いている状態で、厳しい使用環境下で急激な温度変化やタイヤ等からの振動等に晒されると、クリープ現象によって金属接合層５０にはボイドや、剥がれ等の欠陥が成長し易くなる。そのため、電気抵抗が経時的に変化したり、断線したりすることで、物理量センサ１は故障し易い。このことは、安全性の上で好ましくなく、金属接合層５０に生じる反発しあう残留応力は極力に抑制することが重要である。
【００８４】
第２金属層３２は、図２や図７に示すように、第２基板３１から突出する突出部１３〜１６の表面に形成されている。このように、第１基板２１から突出するアンカ部１０〜１２、枠体部５と、第２基板３１から突出する突出部１３〜１６とを接合することで、第１基板２１と第２基板３１との間に、可動部３が可動するキャビティを形成することが可能である。
【００８５】
共晶接合及び拡散接合に関しては、集束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）等によって断面加工し、この断面をエネルギー分散型Ｘ線分析（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）等で元素分布を計測することで確認される。そして、金属接合層５０で構成元素がほぼ一定の比率で分布する場合が共晶接合であり、接合面から互いに元素が拡散し合い元素濃度が変化する場合が拡散接合である。
【００８６】
上記のエネルギー分散型Ｘ線分析以外にも、オージェ電子分光法（Ａｕｇｅｒ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）や二次イオン質量分析法（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ−ｍｉｃｒｏｐｒｏｂｅ  Ｍａｓｓ  ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）等による深さ方向元素分布分析によっても確認できる。
【００８７】
物理量センサ１は、無重力下で外部から力（加速度等）が作用していない際は、それぞれの各支持連結部５１〜５３及び各連結部４１〜４３に設けられたトーションバー（ばね部）の弾性復元力により、図５に示すように、全ての部分の表面が同一平面となった状態を維持している。尚、物理量センサ１を実際に使用する際は、地球の重力の影響で若干変位している。
【００８８】
一方、図６に示すように、物理量センサ１に外部から例えば加速度が与えられると、加速度は回動支持部６〜９、錘部４、アンカ部１０〜１２、固定電極層３６等に作用する。この際、それぞれの構成部材の質量の大小に起因する慣性力の差によって、それぞれの構成部材は相対的に移動する。その結果、第１基板２１と第２基板３１に連結されたアンカ部１０〜１２や固定電極層３６が絶対空間に留まろうとし、錘部４は加速度の作用方向へ相対的に移動する。そのため、錘部４は加速度により図５の静止状態の位置から高さ方向へ向けて移動すべく、第１回動支持部６が支持連結部５１ａ、５１ｂを中心に高さ方向に回動し、第２回動支持部７が支持連結部５２ａ、５２ｂを中心として高さ方向に回動し、第３回動支持部８が支持連結部５３ａを中心として高さ方向に回動し、第４回動支持部９が支持連結部５３ｂを中心として高さ方向に回動する。その結果、可動部３と固定電極層３６とは相対的に移動する。（ただし、図６には構成部材の一部のみが図示されている。）
【００８９】
このようにして、本実施形態の物理量センサ１は、可動部３と固定電極層３６との間に形成される静電容量の変化によって加速度を検知している。よって、左側アンカ部１１や突出部１４に位置する第１基板２１と第２基板３１とがなす間隔がばらつくと、可動部３と固定電極層３６との間隔であるキャビティがばらつくことになり、可動部３と固定電極層３６との間に形成される静電容量がばらつくことになる。その結果、出力される加速度、即ち、電気信号がばらつくことになり、キャビティばらつきを要因として測定誤差が大きくなる。
【００９０】
よって、接合領域に空洞がある構造の物理量センサでは、加工ばらつきや、膜厚ばらつき等の工程ばらつきを要因として、アルミニウム等の接合物質が前記空洞に流れ込む量がばらつくことで、突出部１４近傍の第１基板２１と第２基板３１との間隔がばらつくことで、測定誤差が大きくなる。本実施形態では、図３に示すように、４つの接続孔４０を突出部１４の４隅に、即ち第１金属層２２と第２金属層３２とが接合する面（金属接合層５０）より外縁に設けることで、アルミニウム等の接合物質が金属接合層５０（接合領域）から流出することを防止している。
【００９１】
よって、本実施形態によって、左側アンカ部１１や突出部１４に位置する、第１基板２１と第２基板３１との間隔のばらつきが抑制されることは、測定誤差が小さい物理量センサ１を提供することを可能にする。
【００９２】
市場に出荷された物理量センサ１において第１基板２１と第２基板３１との間隔にばらつきがあると、市場に出荷された物理量センサ１の測定値にばらつきが生じる。このため、この第１基板２１と第２基板３１との間隔のばらつきが大きいと、市場での保証値の範囲を広く設定する必要があり好ましくない。
【００９３】
図７に示すように、第１基板２１側の各アンカ部１１〜１２、及び枠体部５と、第２基板側の突出部１３〜１６との間に、熱処理を施しながら加圧することで第１金属層２２と第２金属層３２との金属接合層５０が形成される。ただし、アンカ部１２と突出部１５は図示されてない。
【００９４】
各アンカ部１１〜１２及び枠体部５が平坦な第１基板２１に形成されるため、各アンカ部１１〜１２及び枠体部５の突出部１３〜１６と接合される面は平面に形成される。強固な金属接合層５０を得るためには、各アンカ部１１〜１２及び枠体部５と突出部１３〜１６とがＺ方向（高さ方向）に一致する面で接合されることが必要であるので、突出部１３〜１６の接合する面も平面であることが必要である。
【００９５】
第１内部配線層３７や、第３内部配線層３９上に第３絶縁層３４が形成され、第３絶縁層３４上に突出部１４〜１６が形成される。突出部１４〜１６の接合面を平坦にすると共に、突出部１４〜１６の接合面をＺ方向（高さ方向）に一致させるために、第３絶縁層３４は化学機械研磨される。ところが、化学機械研磨においては、広いパターンの中央部の膜厚が減少する、所謂ディッシングが起こることが知られている。このため、段差を完全になくすことは難しく、制御することが難しい微小な段差が残り、この微小な段差を端にパターン中央に向けて傾斜した面が形成される。
【００９６】
突出部１４の接合面が平面であることの必要性と、化学機械研磨ではディッシングにより制御することが難しい微小な段差が残ることから、本実施形態では、突出部１４を平面視で内包するように第１内部配線層３７を配置することにした。このようにすることで、化学機械研磨で残る微小な段差が、突出部１４の左側アンカ１１と接合される面内に形成されることを防止し、突出部１４と左側アンカ１１との接合される面が互いにＺ方向（高さ方向）に一致する平面で形成されるので、強固な金属接合層５０を得ることができる。
【００９７】
ところが、特許文献１に開示される発明では、図１１に示すように、接続電極部３３２と接続金属層２０２とが接合される接合領域（金属接合層）３５０の真下にリード層（第１内部配線層）３３７が配置されている。そして、リード層３３７は、接合領域３５０底面の全面ではなく、接合領域３５０底面の一部分の下のみに位置している。
【００９８】
よって、リード層３３７によって形成される第２絶縁層３３４の段差を平坦にしようと化学機械研磨を行っても、ディッシングにより制御することが難しい微小な段差が接合領域３５０内の第２絶縁層３３４に残り、その上に形成される接合電極部３３２にも制御することが難しい微小な段差が残る。よって、接続電極部３３２と接続金属層２０２とは強固な接合を得ることができない。
【００９９】
図１０に、突出部６１４の周囲全周に沿って第３絶縁層（図示してない）が除去されて接続孔６４０が形成され、突出部６１４の真下に第１内部配線層６３７が形成されている場合を図示する。この場合には、熱処理を施しながら圧着される際に、突出部６１４が周囲から第３絶縁層により支持されることがなく、第１内部配線層６３７が押し潰され接続孔６４０を通して第２金属層６３２側に押し出される。その結果、この近傍においては、第１基板と第２基板との間隔が短縮される。
【０１００】
そのため、短縮が起こらない他の突出部から、短縮された突出部６１４の金属接合層には引っ張り応力が働くことになり、その接合強度が劣化し易い。
【０１０１】
また、引っ張り応力が働く突出部６１４の金属接合層内にクリープ現象によってボイドや、剥がれ等の欠陥が成長し、金属接合層を介して電気的に接続される可動部と第１内部配線層６３７との間の電気抵抗が経時的に変化することや、電気抵抗が大きくなり電気信号が設計仕様以下になることや、断線に至って電気信号が出力されない等の信頼性の問題が起こる。
【０１０２】
また、加工ばらつきや、膜厚ばらつき等の工程ばらつきを要因として、第１内部配線層６３７が押し潰される量がばらつくことで、突出部６１４近傍の第１基板と第２基板との間隔がばらつき、その結果、物理量の測定ばらつきを生じ、測定誤差が大きくなる。
【０１０３】
よって、本実施形態では、前記を防止するために、図３に示すように第１金属層２２と第２金属層３２とが接合する面より外縁に位置させて、外縁の全周に連続して位置しないで第３絶縁層３４に設けられる一つまたは複数の接続孔４０、即ち４つの接続孔４０を突出部１４の４隅に設けた。その結果、熱処理を施しながら圧着される際に、接続孔４０の間にある第３絶縁層３４の絶縁層が突出部１４を支える。よって、突出部１４の真下にある第１内部配線層３７が押し潰され接続孔４０を通して第２金属層３２側に押し出されることが抑制される。
【０１０４】
よって、図７（ｃ）に示すように、左側アンカ部１１と突出部１４との近傍に位置する、第１基板２１と第２基板３１とがなす間隔が短縮されることが抑制された。
【０１０５】
図８に、固定電極層３６の上や、突出部１３〜１６と第２金属層３２との間に、第４絶縁層３５を設けた本実施形態の変形例を示す。このような態様であれば、可動部３が固定電極層３６に接触しても、第４絶縁層３５によって可動部３と固定電極層３６との短絡が防止できる。また、可動部３が固定電極層３６に接触しても、第４絶縁層３５によって固定電極層３６が保護されるので、物理量センサ１の品質を向上させることができる。ただし、突出部１５は図示していない。
【０１０６】
＜第２の実施形態＞
図９に、本発明の第２の実施形態である物理量センサの縦断面略図を示す。本実施形態では、図９に示すように、突出部１４に加えて、突出部１３、１５、１６の真下に第１内部配線層３７と同一材料、且つ同一膜厚である第２内部配線層３８を設けている。第１内部配線層３７と第２内部配線層３８とは、スパッタ等で同時に成膜された金属材料から形成されるので、同一材料、且つ同一膜厚である。その結果、複数の第２金属層３２に対して、第１金属層２２と接合される面をＺ方向（高さ方向）で一致させることができる。よって、第２金属層３２と第１金属層２２との各接合を均一に行うことができることで、強固な接合強度を得ることができる。ただし、突出部１５は図示していない。
【０１０７】
但し、第２内部配線層３８はダミーの配線層であり、第２金属層３２と第１金属層２２との各接合面の高さを均一にするために設けられたものであり、どこにも電気的に導通されていない。
【０１０８】
また、第１基板２１と第２基板３１との対向する面が平行な状態で接合されるので、可動部３が可動するキャビティを十分に確保できると共に、全ての突出部１３〜１６に対して同様に接合がなされるので、全ての金属接合層５０に引っ張り応力が生じることを抑制できる。
【０１０９】
また、全ての第２金属層３２に対して第１金属層２２と接合される面がＺ方向に一致しているので、第２絶縁層３３の表面を化学機械研磨等で平坦にする必要がないので、製造コストを抑えることができる。
【０１１０】
＜第３の実施形態＞
第１の実施形態では、第１金属層２２をゲルマニウムまたはゲルマニウム合金を主成分とする金属膜とし、第２金属層３２、固定電極層３６、第１内部配線層３７、及び第３内部配線層３９をアルミニウムまたはアルミニウム合金を主成分とする金属膜とした。
【０１１１】
本発明の第３の実施形態では、第１金属層２２、固定電極層３６、第１内部配線層３７、及び第３内部配線層３９をアルミニウムまたはアルミニウム合金を主成分とする金属膜とし、第２金属層３２をゲルマニウムまたはゲルマニウム合金を主成分とする金属膜とする。
【０１１２】
ただし、上記以外は、第１の実施形態と第３の実施形態とは同じである。
【０１１３】
このような態様であれば、第１金属層２２と第２金属層３２との間に、共晶接合層または拡散接合層を形成することができるので、センサ基板２０と配線基板３０とを強固に接合することができる。
【０１１４】
互いに共晶反応する元素の組み合わせとして、アルミニウムと亜鉛、アルミニウムとマグネシウム、金とシリコン、金とインジウム、金とゲルマニウム、金と錫がある。よって、第１金属層２２と第２金属層３２とを、これらの元素やその合金を主成分とする金属膜の組み合わせから選ぶことも可能である。
【符号の説明】
【０１１５】
１  物理量センサ
２  機能部
３  可動部
４  錘部
５  枠体部
６、７、８、９  回動支持部
１０、１１、１２  アンカ部
１３、１４、１５、１６  突出部
２０  センサ基板
２１  第１基板
２２  第１金属層
２３  第１絶縁層
３０  配線基板
３１  第２基板
３２  第２金属層
３３  第２絶縁層
３４  第３絶縁層
３５  第４絶縁層
３６  固定電極層
３７  第１内部配線層
３８  第２内部配線層
３９  第３内部配線層
４０  接続孔
４１  導通可能領域
５０  金属接合層
【図１】
2013050320.tif 000003
【図２】
2013050320.tif 000004
【図３】
2013050320.tif 000005
【図４】
2013050320.tif 000006
【図５】
2013050320.tif 000007
【図６】
2013050320.tif 000008
【図７】
2013050320.tif 000009
【図８】
2013050320.tif 000010
【図９】
2013050320.tif 000011
【図１０】
2013050320.tif 000012
【図１１】
2013050320.tif 000013
【図１２】
2013050320.tif 000014