(57)【要約】      （修正有）【課題】省スペース化、低コスト化を図りつつ、十分なノイズ抑制効果を得ることのできる電子機器、ノイズ抑制用磁性体の形成方法を提供する。【解決手段】配線４は、半導体素子と半導体素子との電磁干渉において、ノイズ源またはノイズ伝播路となるため、基板上において配線４が延びる方向に関わらず、配線４が延びる方向に対して直交する方向のスリット６で区切られた短冊状の磁性体５、５、…を周期的に形成することで、配線４から放射または伝播されるノイズを抑制する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に実装された電子部品と、
前記基板上に沿って設けられ、前記電子部品に電気的に接続された配線と、
前記配線上に設けられ、当該配線が延びる方向に沿って間隔を隔てて複数配置された磁性体と、を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記磁性体は、前記配線より幅広に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記磁性体と、前記配線が延びる方向において互いに前後する他の前記磁性体との間に、磁性体非形成部が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記配線上に、前記磁性体が複数層に積層して設けられ、下層の前記磁性体上に積層される上層の前記磁性体は、前記配線が延びる方向において互いに前後する下層の前記磁性体どうしの間に位置する前記磁性体非形成部をふさぐように設けられていることを特徴とする請求項３に記載の電子機器。
【請求項５】
前記磁性体が、前記配線上に接着層を介して設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項６】
前記磁性体は、その長さ寸法よりも幅寸法が大きい短冊状に形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項７】
短冊状の前記磁性体の長さ寸法は、前記配線の幅寸法の３分の２以下であることを特徴とする請求項６に記載の電子機器。
【請求項８】
短冊状の前記磁性体の長さ寸法は、前記磁性体非形成部の長さ寸法以上であることを特徴とする請求項６または７に記載の電子機器。
【請求項９】
前記磁性体に添加された磁性粒子は、粒子径が互いに異なる複数種の粒子で構成されていることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記磁性体に添加された磁性粒子は、線状であり、前記配線が延びる方向に直交する方向に配向されていることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項１１】
線状の前記磁性粒子の長さは、前記磁性体の長さの２倍以上であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項１２】
基板上の配線が延びる方向に沿って間隔を隔てて複数の磁性体を形成するための複数の凹部を有したモールドに対し、前記凹部に磁性体を封入する工程と、
前記基板と前記モールドを位置合わせして前記凹部に封入された前記磁性体を前記基板上の前記配線に転写して前記磁性体を前記配線上に形成する工程と、
前記モールドから前記磁性体を離型する工程を含むことを特徴とするノイズ抑制用磁性体の形成方法。
【請求項１３】
前記凹部に封入された前記磁性体は、前記配線に転写した後に硬化させることを特徴とする請求項１２に記載のノイズ抑制用磁性体の形成方法。
【請求項１４】
前記凹部に封入された前記磁性体は、当該凹部内で硬化を進め、
前記磁性体の表面に接着層を形成した後、前記凹部に封入された前記磁性体を前記基板上の前記配線に転写し、前記接着層を硬化させることを特徴とする請求項１２に記載のノイズ抑制用磁性体の形成方法。
【請求項１５】
前記モールドの前記凹部に前記磁性体を封入する際に複数回スキージングすることを特徴とする請求項１２から１４のいずれか一項に記載のノイズ抑制用磁性体の形成方法。
【請求項１６】
前記モールドの前記凹部に磁性体を封入した後、前記凹部に封入した前記磁性体に対して磁場を印加する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１２から１５のいずれか一項に記載のノイズ抑制用磁性体の形成方法。
【請求項１７】
前記モールドは、前記基板上の前記配線が第一の方向に連続する領域において前記磁性体を形成するための第１の凹部を有した第１のモールドと、前記基板上の前記配線が前記第一の方向とは異なる第二の方向に連続する領域において前記磁性体を形成するための第２の凹部を有した第２のモールドと、を有し、
前記基板と前記第１のモールドを位置合わせして前記第１の凹部に封入された前記磁性体を前記基板上の前記配線に転写し、前記磁性体を固化させる工程と、
前記基板と前記第２のモールドを位置合わせして前記第２の凹部に封入された前記磁性体を前記基板上の前記配線に転写し、前記磁性体を固化させる工程と、を備えることを特徴とする請求項１２から１６のいずれか一項に記載のノイズ抑制用磁性体の形成方法。
【請求項１８】
前記第１のモールドの前記第１の凹部に封入した前記磁性体に対して、前記第一の方向に直交する方向の磁場を印加する工程と、
前記第２のモールドの前記第２の凹部に封入した前記磁性体に対して、前記第二の方向に直交する方向の磁場を印加する工程と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載のノイズ抑制用磁性体の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話をはじめとする各種の電子機器、およびそれに用いるノイズ抑制用磁性体の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話に代表される各種電子機器の高機能化、高性能化及び小型化、軽量化、薄型化の急速な進展に伴って、高集積化した半導体素子が、プリント配線板等へ高密度に搭載される傾向がますます強くなっている。このような状況下では、高密度に実装された半導体素子や微細化した配線が近接する。その結果、機器の動作に伴って発生するノイズや電磁干渉による機器の誤動作等、いわゆる電磁波障害が生じることがある。機器の高性能化に伴う信号処理の高速化により、この問題はより顕著となる。
【０００３】
そこで、このような電子機器においては、外部あるいは電子機器内部で発生するノイズによる電磁干渉抑制のためのノイズ対策として、例えば、ノイズ発信源又は受信源近傍に、ノイズを吸収して抑制する磁性シートを配置する方法が広く用いられている。
例えば、特許文献１には、１ＧＨｚを超える高周波領域でのノイズ吸収特性の優れた材料として、軟磁性金属粉末を樹脂、ゴム中に分散させた複合軟磁性部材が開示されている。この複合軟磁性部材は、高周波かつ広帯域に対するノイズ吸収特性を有しており、ベース材料中に可撓性のあるゴムを含んでいることから、落下衝撃に対する割れ等の破損にも強い。
【０００４】
携帯電話のように小型薄型化および高性能化の進展が著しいものは、機器の高密度化による部品の実装スペースが少なくなる一方である。そこで、特許文献２には、少ない実装スペースにも配置が可能で、薄くても高周波帯域における透磁率に優れた磁性シートとして、複数の軟磁性金属層の間に介在する絶縁層を積層させた積層軟磁性部材が開示されている。
【０００５】
特許文献３には、マイクロストリップ線路の直上に、線路幅と同等ないし狭い幅の導電性軟磁性膜を有する電磁雑音抑制体を設ける構成が開示されている。
特許文献４には、伝導ノイズ抑制体を、プリント基板上の配線回路に密着させて設ける構成が開示されている。
【０００６】
さらに、特許文献５には、基材の片面に、シールド層のパターンがストライプ状に設けられた電磁シールド材が開示されている。
特許文献６には、基材上に形成したプライマー層の上に、格子状やストライプ状の電磁遮蔽パターンが導電層により形成された構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平９−３５９２７号公報
【特許文献２】特開２００４−２８１８１４号公報
【特許文献３】特開２００２−１５１９１６号公報
【特許文献４】特開２００６−０９３４１４号公報
【特許文献５】特開２００２−２２３０９５号公報
【特許文献６】特開２０１０−１２３９７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記したような従来の技術においては、以下に示すような問題が存在する。
特許文献１に記載の技術においては、軟磁性金属粉末を樹脂、ゴム中に分散させた複合軟磁性部材により、ノイズ吸収を実現しているが、今後、機器の高性能化、高密度化が進展すると、磁性部材の省スペース化や薄型化が要求され、磁性部材の体積を縮小した場合に、ノイズ吸収効果が低減し、十分なノイズ抑制効果が実現できなくなるという問題がある。
【０００９】
特許文献２では、金属層と絶縁層の積層構造であるため、更なる薄膜化に対しては限界がある。また、シート状であるために高密度化した部品の所定の箇所に適正に貼ることが困難になる。さらに、導体層は低電気抵抗のため、渦電流の影響で透磁率が低下する可能性がある。
【００１０】
特許文献３、４に記載の技術においては、配線に密着するように導電性軟磁性膜、電動ノイズ抑制体等の磁性体を設けているが、スペース確保、材料コスト等の観点から、その設置面積をなるべく小さくすることが望まれ、改善の余地がある。
【００１１】
特許文献５、６に記載の技術は、格子状やストライプ状に磁性材料を設けることで、磁性材料の使用量を抑えつつ、ノイズ抑制効果の確保を狙っているが、いずれも基材がシート状であるため、特許文献２と同様、高密度化した部品の所定の箇所に適正に貼ることが困難であるという問題がある。
また、基板上において配線は様々な方向に延びており（一般には互いに直交する二方向）、磁性材料のパターンと、配線からのノイズ発生状況（方向）とが必ずしもマッチせず、十分なノイズ抑制効果が得られない可能性がある。
【００１２】
そこでなされた本発明の目的は、省スペース化、低コスト化を図りつつ、十分なノイズ抑制効果を得ることのできる電子機器、ノイズ抑制用磁性体の形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を採用する。
すなわち、本発明の電子機器は、基板と、基板上に実装された電子部品と、基板上に沿って設けられ、電子部品に電気的に接続された配線と、配線上に設けられ、当該配線が連続する方向に沿って間隔を隔てて複数配置された磁性体と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
本発明は、基板上に形成された配線が連続する方向に沿って間隔を隔てて複数の磁性体を形成するための複数の凹部を有したモールドに対し、凹部に磁性体材料を封入する工程と、基板とモールドを位置合わせして凹部に封入された磁性体材料を基板上の配線に転写して磁性体を配線上に形成する工程と、モールドから磁性体を離型する工程を含むことを特徴とするノイズ抑制用磁性体の形成方法とすることもできる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の電子機器によれば、配線上に、配線が連続する方向に沿って間隔を隔てて磁性体を複数配置することによって、配線から放射または伝播されるノイズを有効に抑制することができる。
ここで、磁性体を配線上に配置することで、配線以外の部分に磁性体を設ける必要がなく、磁性体を形成する材料の使用量も少なく、高密度化した電子機器においても適正に磁性体を配することができ、省スペース化、低コスト化を図ることができる。
【００１６】
また、磁性体材料を、モールドに形成された凹部に充填し、これを配線上に転写することで、上記したような電子機器を構成することができ、さらに、磁性体を正確かつ確実に配線上に設けることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施形態にかかる電子機器の基板上のレイアウトの一例を示す図である。
【図２】（ａ）は図１のＰ部の拡大図、（ｂ）は図１のＱ部の拡大図である。
【図３】図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図４】磁性体の一例を示す断面図である。
【図５】磁性体を配線上に形成するためのモールドの型枠面を示す図である。
【図６】磁性体を配線上に形成する工程の流れを示す図である。
【図７】磁性体を、配線が連続する方向ごとに分けて形成するためのモールドの型枠面を示す図である。
【図８】第２の実施形態に係る磁性体の設置構造を示す断面図である。
【図９】第３の実施形態に係る磁性体の設置構造を示す断面図である。
【図１０】第４の実施形態に係る磁性体の設置構造を示す断面図である。
【図１１】第４の実施形態に係る磁性体を配線上に形成する工程の流れを示す図である。
【図１２】第５の実施形態に係る磁性体の設置構造を示す断面図である。
【図１３】第５の実施形態に係る磁性体を配線上に形成する工程の流れを示す図である。
【図１４】第６の実施形態に係る磁性体の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して、本発明による電子機器、ノイズ抑制用磁性体の形成方法を実施するための最良の形態を説明する。しかし、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００１９】
〔第一の実施形態〕
図１に示すように、基板３上に、電子部品として、例えば半導体素子１、２が実装され、これら半導体素子１、２は、基板３の表面に沿って形成された導電性材料からなる配線４によって電気的に接続されている。
ここで、配線４や基板３の材料は一般的なものでよく、例えば、配線４はＣｕ、基板３の材料は、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ基板材等を使用することができる。
【００２０】
この配線４は、半導体素子１と半導体素子２との電磁干渉において、ノイズ源またはノイズ伝播路となる。そこで、本実施形態では、配線４上に、配線４が延びる方向に沿って、一定間隔を隔てて周期的に複数の磁性体（ノイズ抑制用磁性体）５が設けられている。
図２、図３に示すように、配線４上に沿って複数配列された磁性体５、５、…は、配線４が延びる方向に向かって所定長さのスリット（磁性体非形成部）６によって、互いに区切られている。
【００２１】
また、配線４は、基板３上において適宜箇所で曲折して配置されることがある。そのような場合、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、配線４の曲折部の一方の側において第１の方向に延びる部分（例えば図１のＱ部）と、曲折部の他方の側において第１の方向とは異なる第２の方向に延びる部分（例えば図１のＰ部とで、それぞれ、複数の磁性体５が、配線４の延びる方向に沿ってスリット６を挟んで周期的に形成される。つまり、磁性体５は、基板３上における配線４の向き（配線４が延びる方向）が変わっても、常に、配線４が延びる方向にスリット６を挟んで周期的に形成される。
【００２２】
磁性体５は、短冊状に形成されており、その幅寸法すなわち配線４が延びる方向に直交する方向への寸法は、配線４の幅寸法に対して、同等以上であることが望ましい。その理由は、なるべく配線４の幅全体を磁性体５でカバーすることで、ノイズ抑制効果を高めるためである。
【００２３】
磁性体５において、その長さ寸法すなわち配線４が延びる方向への寸法は、配線４の幅寸法に対し３分の２以下であることが望ましい。この理由は、磁性体５が、配線４から放出されるノイズによって発生する磁界方向に対して、常に平行方向に磁化容易方向となるような形状磁化異方性を持つようにするためである。
【００２４】
磁性体５の厚みに関しては、要求されるノイズ抑制効果と許容されるスペースとのバランスが重要であり、これらに応じて適宜設定すれば良い。磁性体５のノイズ抑制効果は、一般的には磁性体５の透磁率と厚さの積で決まるため、磁性体５の薄型化とノイズ抑制効果向上は相反する関係にある。この点を考慮し、さらに、配線４の幅、配線４が延びる方向における磁性体５の長さとの兼ね合いから、実際に形成する磁性体５の厚さの目安は、１μｍ〜５０μｍである。
【００２５】
なお、図２では、配線４の幅寸法と磁性体５の幅寸法とを同一として図示しているが、磁性体５の幅寸法を配線４の幅寸法より長くしても良い。この場合、配線４の幅からはみ出した磁性体５は、基板３の表面と密着することになる。すると、磁性体５と配線４の密着力が小さい場合に磁性体５の密着強度を高めることができる。
【００２６】
配線４が延びる方向において互いに前後する磁性体５、５間に形成されたスリット６は、スリット６の長さ寸法すなわち配線４が延びる方向への寸法が、磁性体５の長さ寸法すなわち配線４が延びる方向への寸法より小さいことが望ましい。その理由は、なるべく配線４上の全体を磁性体５でカバーすることで、ノイズ抑制効果を高めるためである。ただし、前記したスリット６の長さ寸法の範囲内においても、その長さ寸法を変化させることで、互いに前後する磁性体５、５間の静磁気結合と、個々の磁性体５の形状磁気異方性の相互作用を利用し、透磁率と周波数特性を制御することが可能となる。したがって、要求される周波数特性に応じ、スリット６の長さ寸法を調整することが望ましい。
【００２７】
図４に示すように、磁性体５は、磁性粒子８、９が、絶縁材料１１中に分散した状態で添加されて構成されている。
磁性粒子８、磁性粒子９の材質は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの少なくとも一種、またはこれらの少なくとも一種を含んだ合金を用いることができる。磁性粒子８、磁性粒子９の粒子径は、０．１μｍ〜１０μｍ程度が好ましい。また、磁性粒子８、磁性粒子９は、粒子径が小さいと凝集しやすく、凝集すると狙った磁性体特性が得られないだけでなく、狙った膜厚や形状で形成できなくなるため注意が必要である。
【００２８】
磁性粒子８、磁性粒子９の凝集対策の一例として、磁性粒子８、磁性粒子９表面にシリカのような安定な物質で膜を形成し磁性粒子８、磁性粒子９をシリカカプセル化する方法があげられる。具体的には、磁性粒子８、磁性粒子９存在下でシリカの縮重合反応を行なうことで磁性粒子８、磁性粒子９の表面にシリカを析出させ、シリカ層を形成することで、磁性粒子８、磁性粒子９をシリカカプセル化できる。また、粒子形状は、球状にて図示しているが特に限定されない。
【００２９】
磁性粒子８、磁性粒子９の違いは粒子径であり、粒子径にして１０倍程度の差をつけている。その理由は、大きい粒子である磁性粒子８の隙間に、小さい粒子である磁性粒子９が密集し、さらに磁性体５の磁化容易方向である長手方向に磁気的につながるように配置させることで、磁性体５の反磁界を低下させて透磁率を上げることにより、ノイズ抑制効果を向上させることができるからである。磁性粒子８、磁性粒子９をこのように配置させるために有効な手段としては、絶縁材料１１が未硬化の状態において、硬化までのプロセス中に磁性体５に磁場を印加する方法がある。
【００３０】
絶縁材料１１の材質は、例えば、アクリル樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂等があげられる。
これらの材料は、それぞれ単体で用いてもよいし、二種以上組み合わせて用いてもよい。この中でも、接着性に優れたエポキシ樹脂をベースとしたものを使用することが望ましい。また、前述のエポキシ樹脂の場合、磁性粒子８、９を混合したエポキシ樹脂を加熱硬化して磁性体５を形成するが、絶縁材料１１として光硬化樹脂を用いることも可能であり、この場合は、モールド材を透明にして光を透過させ、磁性体５の絶縁材料部分に照射することで、磁性体５を形成できる。この方法の場合、磁性体５を低温で形成できるため熱膨張に起因する寸法変化を低減でき、寸法安定性に優れた磁性体構造を得られるというメリットがある。
【００３１】
磁性粒子８及び磁性粒子９を合わせた磁性粒子の充填量と絶縁材料１１の割合については、磁性粒子８、９の割合を可能な限り増やした方がノイズ抑制効果の向上に有利であるが、磁性粒子の割合が増えると、材料の粘度が高くなり、配線上への形成が難しくなる等、製造性との兼ね合いがある。そこで、製造性確保を考慮した磁性粒子８，９の充填割合は、３０〜５５ｖｏｌ％程度が目安となる。
【００３２】
上述したように、基板３上において配線４が延びる方向に関わらず、スリット６で区切られた短冊状の磁性体５、５、…を周期的に形成することで、配線４から放射または伝播されるノイズに対し、配線４が延びる方向に合わせてノイズにより発生する磁界に対し、磁性体５の磁化容易方向が常に平行方向となる。したがって、磁性体５によるノイズ抑制効果を向上させることができる。
【００３３】
また、磁性体５は、配線４の幅と同等の範囲に形成されているのみであり、配線４の周囲に磁性体５を設けるためのスペースが不要となる。また、磁性体５を形成する材料の使用量を抑えて低コスト化を図ることができる。
【００３４】
さらに、磁性体５を構成する磁性粒子８、９は、粒子径が大きく異なるよう構成されている。これにより、磁性体５内の磁性粒子８を磁化容易方向に配向させるとともに、それぞれの磁性粒子８、９を磁場方向に磁気的に結合させることで、磁性体５の反磁界を低下させて透磁率を上げることができる。従って、磁性体５のノイズ抑制効果をさらに向上させることができる。
【００３５】
このようにして、配線４上に磁性体５を設けることによって、電子機器の高速化や高密度実装に対応したノイズ抑制構造の省スペース化と、ノイズ抑制の両立を実現することができる。
【００３６】
次に、上記したような磁性体５によるノイズ抑制構造をインプリント工法により製造する方法を示す。
【００３７】
まず、図５、図６（ａ）に示すように、基板３の配線４に対応した凹部１３を有するモールド１２を作製する。
モールド１２の作製方法の一例として、基板３の配線パターンと同じ配置でＮｉ電鋳メッキ法により、マスターとなるモールドを作製（図示せず）し、前記マスターとなるモールドを使用して、反転した形状のモールドを複製して作製したものがモールド１２となる。モールド１２の材質は、柔軟性と寸法安定性に優れたシリコーン樹脂系のＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）を用いるのが一般的であるが、絶縁材料１１に光硬化樹脂を使用する場合は、モールド１２が光を透過しやすいように透明度の高いアクリル系の材料に弾性を付与した材料を使用することが望ましい。
【００３８】
次に、図６（ｂ）に示すように、凹部１３の中に未硬化の磁性体５を封入する。磁性体５は、モールド１２上に塗布した未硬化の磁性体５をスキージを用いてスキージングすることにより封入することができる。
さらに配線４が途中で屈曲して配線４が延びる方向が途中で変わる場合は、スキージングの方向及び磁場を付与する方向を、それぞれの部位で配線４が延びる方向に沿うようにすることで、それぞれの方向に効率よく磁性体５を充填することができる。
【００３９】
次に、図６（ｃ）に示すように、基板３上の配線４とモールド１２を位置合わせして転写し、配線と未硬化の磁性体５を接触させる。
この際、あらかじめ配線４に表面処理を施しておくことで、磁性体５との密着性を向上させることが望ましい。表面処理方法の一例としては、Ａｒ等によるプラズマ処理により、配線４の表面を粗化することで、密着性を向上させることができる。
また、モールド１２を転写する際、モールド１２の裏面をローラー等で加圧しながら転写しても良い。
【００４０】
ここで、配線４の上面と基板３の表面の高さに差があり、段差が生じている場合は、モールド１２にて磁性体５を転写する際に、あらかじめ段差に対応した形状をモールド１２に形成しておく方法や、転写時のモールド１２の変形を利用し、段差形状にモールド１２を沿わせる等の方法により、配線４の側面にも磁性体５を形成することで、配線４上の磁性体５と配線幅からはみ出した基板３の表面上の磁性体５を一体化できる。
【００４１】
モールド１２を転写後、磁性体５を硬化させる。磁性体５の絶縁材料１１にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いた場合は、使用した熱硬化樹脂の硬化温度で保持して磁性体５の硬化を行なう。磁性体５の絶縁材料１１に光硬化性樹脂を使用した場合は、使用した樹脂材に対応した光照射条件により磁性体５の硬化を行なう。なお、磁性体５を硬化する際、凹部１３の幅方向（配線４の幅方向）に磁場をかけながら磁性体５を硬化させることで、磁性体５中の磁性粒子を磁気的に結合させたり、配向させたりすることができ、硬化後の磁性体５のノイズ吸収効果を向上させることができる。
【００４２】
図６（ｄ）は、磁性体５を硬化後、磁性体５をモールド１２から離型した状態を示している。
以上に示した製造方法により、配線４上に磁性体５を形成することができる。
【００４３】
なお、配線４が延びる方向が途中で変わる場合、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、配線４が延びる方向に応じて異なる第一のモールド１４および第二のモールド１５を分けて用いることもできる。
すなわち、図７（ａ）に示すように、第一の方向（例えば図７における縦方向）の配線４上に形成する磁性体５を作製するための凹部（第一の凹部）１３を有した第一のモールド１４と、図７（ｂ）に示すように、第一の方向とは異なる第二の方向（例えば図７における横方向）の配線４上に形成する磁性体５を作製するための凹部（第二の凹部）１３を有した第二のモールド１５とを準備しておく。
【００４４】
そして、第一のモールド１４を用い、配線４において第一の方向に延びる領域に磁性体５を転写形成した後、第二のモールド１５を用い、配線４において第二の方向に延びる領域に磁性体５を転写形成する。
【００４５】
そして、上記の図６（ｃ）で示した磁性体５の硬化工程における磁場印加に関して、第一のモールド１４と第二のモールド１５とで、それぞれの領域で配線４が延びる方向に直交する方向に磁場印加を行なうことができるため、磁性粒子の配向をより強めることが可能となり、電磁波ノイズ抑制効果の高い磁性粒子配向構造を製造することができる。
【００４６】
次に、上記第一の実施形態をベースとした複数の変形例を以下に示す。以下においては、上記第一の実施形態と共通する構成については、同符号を付してその説明を省略する。
〔第二の実施形態〕
図８に示すように、本実施形態では、配線４と磁性体５の間にソルダーレジスト７が介在しており、配線４と磁性体５は、間接的に接続されている。その他については、第一の実施形態で示したのと同様の構成を有している。
【００４７】
本実施形態では、配線４と磁性体５とをソルダーレジスト７を介して間接的に接続しているので、上記第一の実施形態で示した効果に加え、以下に示すような効果を奏することができる。
すなわち、配線４をソルダーレジスト７で保護した後に磁性体５を形成することができるため、ソルダーレジスト７形成前の基板製造工程中ではなく、基板製造後に磁性体５を形成することができる。従って、磁性体５の形成前にノイズ源を特定する等の検査工程が容易になり、検査後に確認したノイズ源に効果的に磁性体５を配置し、ノイズを抑制することができる。また、完成した既存の基板に対してもノイズ抑制構造を追加することが可能となるため、本構造の適用範囲を拡大することができる。
【００４８】
〔第三の実施形態〕
図９に示すように、本実施形態では、配線４上に形成された磁性体５上にソルダーレジスト７を形成し、磁性体５をソルダーレジスト７で被覆した構造としている。その他については、第一の実施形態で示したものと同様である。
図９では、磁性体５を基板３の表面に形成した例を示しているが、ソルダーレジスト７の代わりに基板３の層間絶縁膜を用いることも可能である。その場合は、前記層間絶縁膜上にさらに配線パターンを形成することができるため、磁性体５を基板３の内層に配置した多層基板を実現することが可能となる。
【００４９】
上述したように、配線４上に形成された磁性体５上にソルダーレジスト７を形成し、磁性体５をソルダーレジスト７で被覆することで、第一の実施形態で示した効果に加え、磁性体５と配線４との密着力をソルダーレジスト７で補強することができ、磁性体５の接続信頼性が向上する。また、ソルダーレジスト７の代わりに基板３の層間絶縁膜を用いて、多層基板に対応することで、基板３の内層のノイズ抑制にも対応することが可能となる。
【００５０】
〔第四の実施形態〕
図１０に示すように、本実施形態では、配線４上に形成された磁性体５の接着に関して、接着層２２を介して配線４と磁性体５を接着する構造としている。その他については、第一の実施形態で示したものと同様である。
接着層２２の材質については、特に制限は無いが、一例として、配線４と磁性体５との高い接着力が得られるエポキシ系樹脂を使用することができる。
【００５１】
上述したように、配線４上に形成された磁性体５の接着に関して、接着層２２を介して配線４と磁性体５を接着することで、磁性体５自身の接着強度が弱い場合でも、接着層２２の接着力により、配線４と磁性体５を強固に接着できる。これにより、接続信頼性を向上させることができる。さらに磁性体５の材料選定の際、ノイズ抑制に特化することが可能となるため、磁性体のノイズ抑制効果を高めることができる。
【００５２】
本実施形態において、磁性体５をインプリント工法により製造する方法を以下に示す。
図１１（ａ）に示すように、モールド１２は、配線４上に対応する位置に、磁性体５の形状に合わせた凹部１３を形成しておく。
【００５３】
次に、図１１（ｂ）に示すように、凹部１３の中に未硬化の磁性体５を封入する。磁性体５の封入方法は、上記第一の実施形態で示した製造方法と同様である。続いて磁性体５の硬化を進め、磁性体５を固化させる。このとき、磁性体５を硬化する際には、凹部１３の幅方向に磁場をかける。このようにして磁性体５中の磁性粒子を磁気的に結合させたり、配向させたりすることで、硬化後の磁性体５のノイズ抑制効果を向上させることができる。
【００５４】
次に、図１１（ｃ）に示すように、磁性体５の表面に接着層２２を塗布する。接着層２２の塗布方法は各種あり特に限定はしないが、例をあげると、モールド１２の表面全面にスキージングにより接着層２２を塗布することで磁性体５の表面にも接着層２２を形成することができる。また、磁性体５の表面のみに選択的に接着層２２を塗布する場合には、磁性体５の形成パターンに合わせたモールド（図示せず）を作製して、接着層２２の樹脂を前記モールドを用いて磁性体５の表面に転写することで、選択的な塗布が可能である。
【００５５】
次いで、図１１（ｄ）に示すように、基板３上の配線４とモールド１２を位置合わせして転写し、配線と未硬化の接着層２２を接触させる。この際、あらかじめ配線４に表面処理を施しておくことで、磁性体５との密着性を向上させることが望ましい。表面処理方法の一例としては、Ａｒ等によるプラズマ処理により、配線４の表面を粗化することで、密着性を向上させることができる。また、モールド１２を転写する際、モールド１２の裏面をローラー等で加圧しながら転写しても良い。モールド１２を転写後、接着層２２を硬化させる。接着層２２にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いた場合は、使用した熱硬化樹脂の硬化温度で保持して接着層２２の硬化を行なう。
【００５６】
図１１（ｅ）は、接着層２２を硬化後、磁性体５をモールド１２から離型した状態を示している。このようにして、配線４上に磁性体５を形成することができる。前記した方法は、モールド１２に磁性体５、接着層２２を形成して配線４に転写しているが、接着層２２のみを形成するモールド（図示せず）を用いて、最初に接着層２２のみを配線４上に形成し、その後、磁性体５を形成してもよい。
【００５７】
〔第五の実施形態〕
図１２（ａ）に示すように、本実施形態では、配線４上に、磁性体（ノイズ抑制用磁性体）１６、１８を複数層に積層して形成した。磁性体１６、１８自体は、上記第一の実施形態における磁性体５と同様である。
一層目の磁性体１６およびスリット（磁性体非形成部）１７上に二層目の磁性体１８を形成するに際しては、一層目のスリット１７をふさぐ様に二層目の磁性体１８が積層されている。
その他については、第一の実施形態で示したものと同様である。
【００５８】
上述したように、配線４上に、磁性体１６を複数層に積層して形成され、さらに一層目のスリット１７をふさぐ様に二層目の磁性体１８が積層された構造とすることで、一層目のスリット１７は、２層目の磁性体１８に形状磁気異方性をもたせる効果がある。これにより、二層目の磁性体１８についても、配線４を伝播するノイズ電流により発生する磁界に対し、磁性体１６の磁化容易方向が常に平行方向になるような周期的な構造とすることができる。したがって、磁性体１６の形状磁気異方性によるノイズ抑制効果を保持したまま、磁性体１８の積層による磁性体全体の体積向上により、ノイズ抑制効果を高めることができる。また、前記した積層構造の磁性体についても表面を絶縁層で保護したり、磁性体間を接着層で接続する等して、信頼性を向上させることができる。
【００５９】
本実施形態において、磁性体５をインプリント工法により製造する方法を以下に示す。
図１３（ａ）に示すように、モールド１２には、配線４上に対応する位置に、二層目の磁性体１８の形状に合わせた凹部となる凹部１３を形成しておく。
【００６０】
次に、図１３（ｂ）に示すように、凹部１３の中に未硬化の二層目の磁性体１８を封入する。
【００６１】
次に、図１３（ｃ）に示すように、基板３上の配線４とモールド１２及び一層目の磁性体１６間に形成されている一層目のスリット１７上に二層目の磁性体１８が配置されるように位置合わせして転写し、一層目の磁性体１６と未硬化の二層目の磁性体１８を接触させる。
【００６２】
この際、一層目の磁性体１６は、上記第一の実施形態と同様の方法で形成することができる。また、あらかじめ一層目の磁性体１６に表面処理を施しておくことで、磁性体１８との密着性を向上させることもできる。また、二層目の磁性体１８の形状を保持するための施策として、未硬化の状態の二層目の磁性体１８の粘度を転写時に流れ出さない程度にあらかじめ調整しておいてもよいし、図１３（ｂ）の状態で、転写時の密着性が極端に低下しない程度に二層目の磁性体１８の硬化を進めても良い。
また、図１３（ｂ）の状態で、二層目の磁性体１８を硬化させた後、磁性体転写面に接着層２２を形成しても良い。
【００６３】
以上示した二層目の磁性体１８のいずれの形成方法においても、図１３（ｃ）の状態で、二層目の磁性体１８または接着層２２を硬化することで、二層目の磁性体１８を形成する。なお、二層目の磁性体１８の硬化を進める際に、磁場中で硬化を進め、一層目の磁性体１６と同じ向きに磁性粒子を配向させると、より効果的である。
【００６４】
図１３（ｄ）に示すように、磁性体１８を硬化後、二層目の磁性体１８をモールド１２から離型する。これにより、図１２（ａ）に示したような構成を実現できる。
【００６５】
なお、上記では、磁性体１６、１８を２層に積層する構成を示したが、これに限るものではなく、３層以上に積層する構成とすることもできる。
図１２（ｂ）は、配線４上に、３層の磁性体（ノイズ抑制用磁性体）１６、１８、２０を積層して設ける構成の例である。この図１２（ｂ）に示すように、二層目のスリット（磁性体非形成部）１９をふさぐ様に３層目の磁性体２０が積層されている。
【００６６】
〔第六の実施形態〕
図１４に示すように、本実施形態では、磁性体５中に添加する磁性粒子１０を線状の磁性粒子として、さらに磁性粒子１０を磁性体５の長手方向に配向させた構造としている。
その他については、第一の実施形態で示したものと同様である。
【００６７】
磁性粒子１０の寸法に関しては、線の直径が０．１〜０．２μｍ、長さは１０μｍ〜５０μｍ程度のものを用いることができる。
【００６８】
線状の磁性粒子１０の製造方法としては、モールド（鋳型）を用いた電析法、無電解メッキ法等があげられる。材質は、第一の実施形態で示した磁性粒子８、９の材質同様、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの少なくとも一種、またはこれらの少なくとも一種を含んだ合金を用いることができる。また、磁性体５中の磁性粒子１０の充填割合は、第一の実施形態と同様に３０〜５５ｖｏｌ％程度が目安となる。
【００６９】
また、磁性粒子１０の長さは、磁性体５の長さ寸法すなわち配線４が延びる方向への寸法の２倍以上であることが望ましい。その理由は、磁性体５を形成する過程で、モールド１２の凹部１３に未硬化の磁性体５を封入した際に、磁性粒子１０の長さと、磁性体５の幅寸法すなわち配線４が延びる方向に直交する方向への寸法との関係から、必然的に、磁性粒子１０は、磁性体５の幅方向（配線４が延びる方向に概ね直交する方向）に配向して形成されるためである。尚、本発明において磁性粒子１０の配向方向が配線の延びる方向に直交するとは、ちょうど９０°の角度をなす場合だけに限定されるものではなく、９０°から若干増減した場合も含む意味である。
【００７０】
ここで、このような磁性粒子１０を用いる場合、上記第一の実施形態と同様の方法で磁性体５を形成することができる。このとき、モールド１２の凹部１３に未硬化の磁性体５を封入する際に、磁性粒子１０の向きが磁性体５の幅方向の向きと揃わない磁性粒子１０は、モールド１２の凹部１３に封入されないため、磁性粒子１０の充填量が不足する可能性がある。そこで、未硬化の磁性体５をモールド１２の凹部１３に封入する前に、磁性体５に磁場を印加して磁性粒子１０を配向させることで、磁性粒子１０の充填量を確保することができる。また、他の方法として、未硬化の磁性体５をモールド１２の凹部１３に封入する際に、未硬化の磁性体５をスキージングすることで封入できるが、スキージング回数を一度ではなく複数回実施することで、モールド１２の凹部１３に磁性粒子１０を堆積させていき、充填量を増やすことができる。
この際に、スキージングする前に未硬化の磁性体５に磁場を付与して、磁性粒子１０を凹部１３の長手方向の向きに配向させてからスキージングする、あるいは繰り返しスキージングすることで、凹部１３に対する磁性粒子１０の充填量を増やすことができる。
【００７１】
以上のように、線状の磁性粒子１０を使用する場合は、磁性粒子１０に寸法的な制約を設けることにより、特別な工程を付与することなく磁性粒子１０を配向させることが可能となる。そして、第一の実施形態と同様に絶縁材料１１が未硬化の状態において、硬化までのプロセス中に磁性体５に磁場を印加することで、磁性粒子１０の配向をより強めることができる。
【００７２】
上述したように、磁性体５中に添加する磁性粒子１０を線状とし、さらに磁性粒子１０を磁性体５の長手方向に配向させたことで、第一の実施形態で示した効果に加え、磁性体５内の磁性粒子１０を磁化容易方向に容易に配向させることができる。また、磁性粒子１０の形状要因により、磁性体５内の磁化容易方向の反磁界が低減して透磁率が向上する。以上により、磁性体５のノイズ抑制効果を向上させることができる。
【００７３】
〔さらに他の実施形態〕
なお、本発明は、図面を参照して説明した上述の各実施形態に限定されるものではなく、その技術的範囲において様々な変形例が考えられる。
例えば、基板３上における電子部品の配置、設置数や、配線４のレイアウト等は、図示したものは一例に過ぎず、適宜他の構成とすることができるのは言うまでもない。
また、本発明は、携帯電話に限らず、種々の電子機器に適用できる。
この他にも、本発明の主旨を逸脱しない限り、上記実施の形態で挙げた構成を取捨選択したり、他の構成に適宜変更することが可能である。
【符号の説明】
【００７４】
１、２  半導体素子（電子部品）
３      基板
４      配線
５、１６、１８、２０  磁性体（ノイズ抑制用磁性体）
６、１７、１９        スリット（磁性体非形成部）
７      ソルダーレジスト
８、９、１０          磁性粒子（粒子）
１１    絶縁材料
１２    モールド
１３    凹部
１４    第一のモールド
１５    第二のモールド
２２    接着層
【図１】
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【図２】
2013030596.tif 000004
【図３】
2013030596.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2013030596.tif 000008
【図７】
2013030596.tif 000009
【図８】
2013030596.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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