(57)【要約】【課題】  基板処理装置に設けられた配管の地震等の振動による破損を低減し、配管内へのガスの反応生成物の堆積を低減する。【解決手段】  基板を処理する処理炉に固定された配管と、処理炉外に設けられたガス供給源又は排気装置に固定された配管と、の間に設けられる免震配管であって、免震配管は、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向にそれぞれ配設される少なくとも３本の管体を備え、管体が一連となるようにそれぞれ接続されている。【選択図】図１
2013117286.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理炉に固定された配管と、前記処理炉外に設けられたガス供給源又は排気装置に固定された配管と、の間に設けられる免震配管であって、
前記免震配管は、
Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向にそれぞれ配設される少なくとも３本の管体を備え、
前記管体が一連となるようにそれぞれ接続されている
ことを特徴とする免震配管。
【請求項２】
前記免震配管は、平行に配設された一対の前記管体を２組以上備える
ことを特徴とする請求項１に記載の免震配管。
【請求項３】
基板を処理する処理炉に固定された配管と、前記処理炉外に設けられたガス供給源又は排気装置に固定された配管と、の間に設けられる免震配管であって、
前記免震配管は、
複数本の管体と、
前記管体が一連となるように接続する継手と、を備え、
前記管体が前記継手に差込まれることで、前記管体と前記継手とが接続され、
前記管体が、前記継手に対して摺動及び回転自在に構成されている
ことを特徴とする免震配管。
【請求項４】
前記継手の少なくとも１つは、Ｏリングを備えている
ことを特徴とする請求項３に記載の免震配管。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置の免震配管に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板を処理する処理炉を備える基板処理装置は、処理炉内に処理ガス等のガスを供給するガス供給源や、処理炉内の雰囲気を排気する排気装置が、処理炉外に設置されている。処理炉、ガス供給源及び排気装置は、例えば建物内の床や壁等に固定されている。そして、ガス供給源と処理炉とがガス供給管により接続され、ガス供給源から供給されたガスがガス供給管を通過することで、処理炉内に供給されるように構成されている。また、処理炉と排気装置とが排気管により接続され、処理炉内に供給されたガスが排気管を通過することで、処理炉外に排出されるように構成されている。このような基板処理装置のガス供給管又は排気管は、処理炉に固定された配管と、ガス供給源又は排気装置に固定された配管と、これら両配管の間に固定された直管等の配管と、により構成されている。ガス供給管又は排気管は、このように固定された配管により構成されていたため、地震等の揺れの影響を直接受け、ガス供給管が折れて破損してしまったり、管と管との間の接続部が緩み、ガス供給管内を流れるガスが漏れ出てしまう場合があった。
【０００３】
そこで、例えば、処理炉に固定された配管と、ガス供給源又は排気装置に固定された配管と、の間に、樹脂等で形成されたフレキシブル管を設けて伸縮性をもたせることで、地震等の揺れの影響を低減することが考えられる。また、例えば、処理炉に固定された配管と、ガス供給源又は排気装置に固定された配管と、の間に、ベローズ部を備える管を設けて伸縮性をもたせることで、地震等の揺れの影響を低減することが考えられる。なお、建物の構造ではあるが、上部構造側の配管と下部構造側の配管との間にベローズ部を備える管を配設して、免震構造とする技術については、例えば特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１５３２８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、基板処理に用いられ、ガス供給管や排気管を通過する処理ガスや排ガス等のガスは、特殊なガスであったり、加熱された高温のガスである場合がある。このため、ガス供給管又は排気管として樹脂等で形成された管が用いられた場合、地震等の揺れを吸収し、ガス供給管又は排気管の破損を防止できるものの、樹脂が溶けて有害物質が発生する場合がある。また、配管強度が低い場合がある。
【０００６】
また、ガス供給管又は排気管として、ベローズ部を備える管が用いられた場合、地震等の揺れを吸収し、ガス供給管又は排気管の破損は低減できるものの、処理ガスや排ガス等のガスが通過すると、ベローズ部にガスの反応生成物が堆積し、ガス供給管又は排気管の寿命が短くなる場合があった。また、ベローズ部に堆積した反応生成物に起因するパーティクルが発生する場合があった。また、基板処理工程で加圧したり減圧することで、ベローズ部が伸縮するためガス供給管や排気管の耐久性が低下し、強度が低くなる場合があった。
【０００７】
本発明は、基板処理装置に設けられた配管の地震等の振動による破損を低減でき、配管内へのガスの反応生成物の堆積を低減できる免震配管を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理炉に固定された配管と、前記処理炉外に設けられたガス供給源又は排気装置に固定された配管と、の間に設けられる免震配管であって、
前記免震配管は、
Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向にそれぞれ配設される少なくとも３本の管体を備え、
前記管体が一連となるようにそれぞれ接続されている免震配管が提供される。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、
基板を処理する処理炉に固定された配管と、前記処理炉外に設けられたガス供給源又は排気装置に固定された配管と、の間に設けられる免震配管であって、
前記免震配管は、
複数本の管体と、
前記管体が一連となるように接続する継手と、を備え、
前記管体が前記継手に差込まれることで、前記管体と前記継手とが接続され、
前記管体が、前記継手に対して摺動及び回転自在に構成されている免震配管が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る免震配管によれば、基板処理装置に設けられた配管の地震等の振動による破損を低減でき、配管内へのガスの反応生成物の堆積を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、（ａ）は処理炉部分の縦断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかるガス供給系の部分構成図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかるガス供給系に配設された免震配管の斜視図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の排気管に配設された免震配管の概略構成図である。
【図５】本発明の一実施形態にかかる排気管の部分拡大図であり、（ａ）は免震配管部分の縦断面図であり、（ｂ）は免震配管部分の横断面図である。
【図６】本発明の一実施形態にかかる排気管の継手部分の縦断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態にかかる基板処理装置に排気管に配設された免震配管の縦断面図である。
【図８】従来の基板処理装置に設けられたガス供給管の概略構成図である。
【図９】従来の基板処理装置に設けられた排気管の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
＜本発明の一実施形態＞
本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１３】
（１）基板処理装置の構成
まず、本実施形態で好適に用いられる基板処理装置について、図１〜図６を用いて説明する。図１は、本実施形態にかかる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、（ａ）は処理炉部分の縦断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。図２は、本実施形態にかかるガス供給系の部分構成図である。図３は、本実施形態にかかるガス供給系に配設された免震配管の斜視図である。図４は、本実施形態にかかる排気管に配設された免震配管の概略構成図である。図５は、本実施形態にかかる排気管の部分拡大図であり
、（ａ）は免震配管部分の縦断面図であり、（ｂ）は免震配管部分の横断面図である。図６は、本実施形態にかかる排気管の継手部分の縦断面図である。
【００１４】
（処理室）
図１に示されているように、処理炉２０２は反応管２０３を備えている。反応管２０３は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管２０３の筒中空部には処理室２０１が形成され、基板としてのウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
【００１５】
反応管２０３の下方には、反応管２０３と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばＳＵＳ等の金属材料により構成されている。マニホールド２０９は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９の内径は、ウエハ２００を装填したボート２１７の最大外径よりも大きくなるように形成されている。マニホールド２０９の上端部は、反応管２０３の下端部に係合している。マニホールド２０９は、反応管２０３を支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９と反応管２０３との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９が図示しないヒータベースに支持されることにより、反応管２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。主に、反応管２０３と、マニホールド２０９とにより反応容器が形成されている。
【００１６】
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属からなり、円板状に形成されている。シールキャップ２１９とマニホールド２０９との間には、シール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。
【００１７】
（基板保持具）
シールキャップ２１９上には、例えば石英キャップから成る断熱体２１８を介して基板保持具としてのボート２１７が立設されている。ボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料で構成され、上述したように複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて管軸方向に多段に保持されるように構成されている。
【００１８】
断熱体２１８は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料で構成され、断熱体２１８は、後述するヒータ２０７からの熱を反応管２０３側に伝えにくくするように構成されている。このように、断熱体２１８は、断熱部材として機能すると共にボート２１７を保持する保持体としても機能する。なお、断熱体２１８は、図示するような石英キャップに限らず、例えば円板形状に形成された断熱板が水平姿勢で多段に複数枚配置されたものであってもよい。
【００１９】
シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側にはボート２１７を回転させる回転機構２６７が設けられている。回転機構２６７の回転軸２５５はシールキャップ２１９を貫通して、ボート２１７に接続されており、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は反応管２０３の外部に設けられた昇降機構としてのボートエレベータ２１５によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１内に対し搬入搬出することが可能となっている。
【００２０】
（加熱部）
反応管２０３の外側には、反応管２０３の側壁面を囲う同心円状に、処理室２０１内を加熱する加熱手段（加熱機構）としてのヒータ２０７が設けられている。ヒータ２０７は、円筒形状に形成されている。ヒータ２０７は、図示しない保持板としてのヒータベースに支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００２１】
反応管２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０７及び温度センサ２６３には、後述するコントローラ２８０が電気的に接続されている。コントローラ２８０は、処理室２０１内の温度が所定の温度分布となるように、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づいてヒータ２０７への供給電力を所定のタイミングにてそれぞれ制御するように構成されている。
【００２２】
（ガス供給系）
マニホールド２０９には、第１ガス導入部としての第１ノズル２３３ａと、第２ガス導入部としての第２ノズル２３３ｂとが、マニホールド２０９を貫通するように設けられている。第１ノズル２３３ａには、第１ガス供給管２３２ａが接続され、第２ノズル２３３ｂには、第２ガス供給管２３２ｂが接続されている。このようにマニホールド２０９には、２本のノズル２３３ａ及び２３３ｂと、２本のガス供給管２３２ａ及び２３２ｂとが接続されており、処理室２０１内に複数種類、ここでは少なくとも２種類の処理ガスを供給できるように構成されている。
【００２３】
第１ノズル２３３ａ及び第２ノズル２３３ｂは、それぞれ水平部と垂直部とを有するＬ字型のロングノズルとして構成されている。水平部がマニホールド２０９の側壁を貫通するようにそれぞれ接続され、垂直部が反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間に、反応管２０３の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ２００の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。
【００２４】
第１ノズル２３３ａ、第２ノズル２３３ｂの垂直部側面には、ガスを供給する供給孔である第１ガス供給孔２４８ａ、第２ガス供給孔２４８ｂがそれぞれ設けられている。この第１ガス供給孔２４８ａ、第２ガス供給孔２４８ｂは、ウエハ２００が積層される方向（鉛直方向）に沿って、それぞれ複数個ずつ、ウエハ２００の中心に向けて開口されている。第１ガス供給孔２４８ａ及び第２ガス供給孔２４８ｂはそれぞれ、同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。なお、第１ガス供給孔２４８ａ及び第２ガス供給孔２４８ｂの開口径は、反応管２０３内のガスの流量分布や速度分布を適正化するように、下部から上部にわたって徐々に大きくする等してもよい。
【００２５】
第１ガス供給管２３２ａには、上流側から順に、第１ガス供給源２４０ａ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａ、開閉弁であるバルブ２４３ａが設けられている。第１ガス供給管２３２ａのバルブ２４３ａよりも下流側には、第１不活性ガス供給管２３２ｃが接続されている。第１不活性ガス供給管２３２ｃには、上流側から順に、第１不活性ガス供給源２４０ｃ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ２４１ｃ、開閉弁であるバルブ２４３ｃが設けられている。第１ガス供給管２３２ａの下流端には、上述の第１ノズル２３３ａの上流端が接続されている。
【００２６】
第２ガス供給管２３２ｂには、上流側から順に、第２ガス供給源２４０ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ｂ、開閉弁であるバルブ２４３ｂが設けられている。第２ガス供給管２３２ｂのバルブ２４３ｂよりも下流側には、第２不活性ガス供給管２３２ｄが接続されている。第２不活性ガス供給管２３２ｄには、上流側から順に、第２不活性ガス供給源２４０ｄ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ２４１ｄ、開閉弁であるバルブ２４３ｄが設けられている。第２ガス供給管２３２ｂの下流端には、上述の第２ノズル２３３ｂの上流端が接続されている。
【００２７】
マスフローコントローラ２４１ａ〜２４１ｄ及びバルブ２４３ａ〜２４３ｄには、後述するコントローラ２８０が電気的に接続されている。コントローラ２８０は、処理室２０１内に供給するガスの流量が所定のタイミングにて所定の流量となるように、マスフローコントローラ２４１ａ〜２４１ｄを制御するように構成されている。  
【００２８】
主に、第１ガス供給管２３２ａ、第１ガス供給源２４０ａ、マスフローコントローラ２４１ａ、バルブ２４３ａ及び第１ノズル２３３ａにより、第１ガス供給系が構成される。また、主に、第２ガス供給管２３２ｂ、第２ガス供給源２４０ｂ、マスフローコントローラ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ及び第２ノズル２３３ｂにより、第２ガス供給系が構成される。
【００２９】
主に、第１不活性ガス供給管２３２ｃ、第１不活性ガス供給源２４０ｃ、マスフローコントローラ２４１ｃ及びバルブ２４３ｃにより、第１不活性ガス供給系が構成される。なお、第１ガスノズル２３３ａを第１不活性ガス供給系に含めて考えてもよい。また、主に第２不活性ガス供給管２３２ｄ、第２不活性ガス供給源２４０ｄ、マスフローコントローラ２４１ｄ及びバルブ２４３ｄにより、第２不活性ガス供給系が構成される。なお、第２ガスノズル２３３ｂを第２不活性ガス供給系に含めて考えてもよい。
【００３０】
第１ガス供給系、第２ガス供給系、第１不活性ガス供給系及び第２不活性ガス供給系により、本実施形態にかかるガス供給系が構成される。
【００３１】
第１ガス供給管２３２ａからは、原料ガスとして、例えばシリコン元素（Ｓｉ）を含むガス（シリコン含有ガス）が、マスフローコントローラ２４１ａ、バルブ２４３ａ、第１ノズル２３２ａを介して処理室２０１内に供給される。シリコン含有ガスとしては、例えばジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２、略称：ＤＣＳ）ガスを用いることができる。
【００３２】
第２ガス供給管２３２ｂからは、反応ガスとして、例えば窒素元素（Ｎ）を含むガス（窒素含有ガス）が、マスフローコントローラ２４１ｃ、バルブ２４３ｃ、第２ノズル２３３ｂを介して処理室２０１内に供給される。窒素含有ガスとしては、例えばアンモニア（ＮＨ３）ガスを用いることができる。
【００３３】
第１不活性ガス供給管２３２ｃ及び第２不活性ガス供給管２３２ｄからは、不活性ガスが、それぞれマスフローコントローラ２４１ｃ及び２４１ｄ、バルブ２４３ｃ及び２４３ｄ、第１ガス供給管２３２ａ、第２ガス供給管２３２ｂ、第１ノズル２３３ａ、第２ノズル２３３ｂを介して処理室２０１内に供給される。不活性ガスとしては、例えばＨｅガス、Ｎｅガス、Ａｒガス等の１８族元素や、Ｎ２ガスを用いることができる。
【００３４】
（ガス供給系の免震配管）
図１に示すように、ガス供給系には免震配管部２３６が設けられている。すなわち、図２及び図３に示すように、第１ガス供給管２３２ａ、第２ガス供給管２３２ｂ、第１不活性ガス供給管２３２ｃ及び第２不活性ガス供給管２３２ｄはそれぞれ、処理炉２０２に固定された配管２３４ａ〜２３４ｄと、処理炉２０２外に設けられたガス供給源２４０ａ〜２４０ｄに固定された配管２３５ａ〜２３５ｄと、の間に免震配管２３６ａ〜２３６ｄを備えて構成されている。配管２３４ａ〜２３４ｄには、マスフローコントローラ２４１ａ〜２４１ｄ及びバルブ２４３ａ〜２４３ｄが設けられている。免震配管部２３６は、免震配管２３６ａ〜２３６ｄにより構成されている。
【００３５】
配管２３５ａの上流端は、処理炉２０２外に設けられた第１ガス供給源２４０ａに接続されて固定されている。配管２３５ａの下流端は、免震配管２３６ａの上流端に接続され
、免震配管２３６ａの下流端は、配管２３４ａの上流端に接続されている。配管２３４ａの下流端は、マニホールド２０９に貫通して設けられた第１ガスノズル２３３ａに接続されて、処理炉２０２に固定されている。
【００３６】
図３に、免震配管部２３６を構成する免震配管２３６ａの概略図を示す。免震配管２３６ａは、例えば処理炉２０２の左右方向をＸ方向とし、前後方向をＹ方向とし、上下方向をＺ方向とした場合、Ｘ方向に配設される２本の管体２３７ａ，２３７ｂと、Ｙ方向に配設される２本の管体２３８ａ，２３８ｂと、Ｚ方向に配設される１本の管体２３９と、の５本の管体を備えている。Ｘ方向に配設される管体２３７ａ，２３７ｂと、Ｙ方向に配設される管体２３８ａ，２３８ｂと、Ｚ方向に配設される管体２３９とは、それぞれの軸が互いに直交する。そして、Ｘ方向の管体２３７ａ，２３７ｂと、Ｙ方向の管体２３８ａ，２３８ｂと、Ｚ方向の管体２３９とが、一連となるようにそれぞれ接続されて、免震配管２３６ａが構成されている。なお、Ｘ方向の管体２３７ａ，２３７ｂ、Ｙ方向の管体２３８ａ，２３８ｂ及びＺ方向の管体２３９を配設する順番は、特に限定されるものではない。
【００３７】
このように、第１ガス供給管２３２ａが免震配管２３６ａを備えることで、例えば地震等の振動による第１ガス供給管２３２ａの破損を低減できる。すなわち、５本の管体２３７ａ，２３７ｂ，２３８ａ，２３８ｂ及び２３９はそれぞれ、例えばＳＵＳ等の金属材料で構成されており、管体自体が撓む性質を有する。このため、Ｘ方向に配設された管体２３７ａ，２３７ｂと、Ｙ方向に配設された管体２３８ａ，２３８ｂと、が撓むことで、Ｚ方向の揺れを吸収し、Ｙ方向に配設された管体２３８ａ，２３８ｂと、Ｚ方向に配設された管体２３９と、が撓むことで、Ｘ方向の揺れを吸収し、Ｘ方向に配設された管体２３７ａ，２３７ｂと、Ｚ方向に配設された管体２３９と、が撓むことで、Ｙ方向の揺れを吸収する。この結果、免震配管２３６ａがＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向の３方向の揺れを吸収することができるため、地震等により、配管２３４ａと配管２３５ａとの間に生じた相対変位に追従でき、第１ガス供給管２３２ａが折れて破損すること等を低減できる。
【００３８】
免震配管２３６ａは、平行に配設された一対の管体を２組以上備える。すなわち、免震配管２３６ａは、Ｘ方向に平行に配設された管体２３７ａ及び２３７ｂと、Ｙ方向に平行に配設された管体２３８ａ及び２３８ｂと、の２組を備える。これにより、免震配管２３６ａの上流端と下流端との軸を同軸に配置できる。従って、処理炉２０２に固定された配管２３４ａと、ガス供給源２４０ａに固定された配管２３５ａとを同軸にでき、既存の設備にわずかな改良を加えるだけで免震配管部２３６を設置することができる。
【００３９】
なお、ガス供給系を構成する第２ガス供給管２３２ｂ、第１不活性ガス供給管２３２ｃ及び第２不活性ガス供給管２３２ｄが備える免震配管２３６ｂ〜２３６ｄについても、上述した第１ガス供給管２３２ａが備える免震配管２３６ａと同様に構成されている。
【００４０】
（排気系）
図１に示すように、マニホールド２０９の側壁には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１には、上流側から順に、処理室２０１内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ２４５、圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４２、及び排気装置としての真空ポンプ２４６が設けられている。
【００４１】
圧力センサ２４５及びＡＰＣバルブ２４２には、後述するコントローラ２８０が電気的に接続されている。コントローラ２８０は、圧力センサ２４５により検知した圧力情報に基づいて、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるように、ＡＰＣバルブ２４２を制御するように構成されている。主に、排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４２、真空
ポンプ２４６、及び圧力センサ２４５により排気系が構成される。
【００４２】
（排気系の免震配管）
図４及び図５に示すように、排気管２３１は、処理炉２０２に固定された配管２５０と、処理炉２０２外に設けられた真空ポンプ２４６に固定された配管２５１と、の間に免震配管２５２を備えて構成されている。配管２５１には、ＡＰＣバルブ２４２が設けられている。配管２５０の上流端は、マニホールド２０９に貫通して接続され、処理炉２０２に固定されている。配管２５０の下流端は、免震配管２５２の上流端に接続され、免震配管２５２の下流端は、配管２５１の上流端に接続されている。配管２５１の下流端は、真空ポンプ２４６に接続されて固定されている。
【００４３】
免震配管２５２は、複数本（本実施形態では２本）の管体２５３，２５４と、継手２５６ａ〜２５６ｃと、を備えている。管体２５３，２５４は、屈曲部と直線部とを備えるＬ字形状に形成されている。継手２５６ａは、下流側に位置する管体２５４の上流端に設けられ、継手２５６ｂは、管体２５３の上流端に設けられ、継手２５６ｃは、配管２５１の上流端に設けられている。継手２５６ａは、管体２５３と管体２５４とを一連となるように接続する。継手２５６ｂは、配管２５０と免震配管２５２（管体２５３）とを一連となるように接続する。継手２５６ｃは、配管２５１と免震配管（管体２５４）とを一連となるように接続する。
【００４４】
上流側に位置する管体２５３の外径は、下流側に位置する管体２５４の内径よりも小さくなるように形成されている。このとき、免震配管２５２を構成する管体のうち、最上流に位置する管体（本実施形態では管体２５３）の上流端の内径が、配管２５０の下流端の外径よりも大きくなるように形成するとよい。また、免震配管２５２を構成する管体のうち、最下流に位置する管体（本実施形態では管体２５４）の下流端の外径が、配管２５１の上流端の内径よりも小さくなるように形成するとよい。これにより、排気管２３１内を通過する排ガス等の抵抗を小さくでき、排気管２３１の圧損を低減できる。また、排気管２３１内、特に継手２５６ａ〜２５６ｃ部分に反応生成物等が滞留することを低減できる。
【００４５】
図６に示すように、継手２５６ａ〜２５６ｃはそれぞれ、２重Ｏリング構造を備えている。すなわち、継手２５６ａ〜２５６ｃはそれぞれ、２つのＯリング２５７ａ，２５７ｂと、２つのＯリング２５７ａ，２５７ｂ間の空間の排気を行う（真空引きを行う）ための排気ポート（バキュームポート）２５８と、Ｏリング２５７ａ，２５７ｂ及び排気ポート２５８を固定する樹脂チューブ２５９と、を備えて構成されている。樹脂チューブ２５９は、例えばＳＵＳ等のメタル材質により構成されている。このように、２重Ｏリング構造とすることで、管体２５３及び管体２５４と、配管２５０及び管体２５３と、管体２５４及び配管２５１との接続をそれぞれ気密にできる。また、排気ポート２５８で、Ｏリング２５７ａ，２５７ｂ間の空間の排気を行い、樹脂チューブ２５９で排気後の空間を密封することで、上述の管体２５３，２５４、配管２５０及び配管２５１のそれぞれの接続をより気密にできる。この結果、排気管２３１内を通過する排ガス等が漏れ出ることを防止できる。
【００４６】
そして、図５に示すように、上流側に位置する管体２５３の下流側が、下流側に位置する継手２５６ａ及び管体２５４に差込まれることで、管体２５３と継手２５６ａとが接続される。これにより、管体２５３と管体２５４とが一連に接続されるとともに、管体２５３が、継手２５６ａに対して摺動及び回転自在に構成される。
【００４７】
そして、配管２５０の下流側が継手２５６ｂに差込まれることで、配管２５０と継手２５６ｂとが接続され、管体２５４の下流側が継手２５６ｃに差込まれることで、管体２５
４と継手２５６ｃとが接続される。これにより、配管２５０と免震配管２５２と配管２５１とが一連となるように接続される。また、免震配管２５２（管体２５３，２５４）が、継手２５６ｃに対して摺動及び回転自在に構成される。
【００４８】
このように、排気管２３１は、複数本の管体２５３、２５４と、これらの管体２５３，２５４及び配管２５０，２５１を一連となるように接続する継手２５６ａ〜２５６ｃと、を備える免震配管２５２を備える。これにより、例えば地震等の振動による排気管２３１の破損を低減できる。すなわち、管体２５３、２５４（すなわち免震配管２５２）の摺動及び回転によって、免震配管２５２は、図５に示すように３方向に可動できる。この結果、排気管２３１が、地震等により生じた配管２５０と配管２５１との間の相対変位に追従でき、排気管２３１が折れて破損すること等を低減できる。このように、例えば、管体２５３及び２５４のように太く、短く、管体自体の撓みが少なくても、管体２５３，２５４が継手２５６ａ〜２５６ｃに対して摺動及び回転することで揺れを吸収できる。
【００４９】
（制御部）
制御部（制御手段）であるコントローラ２８０は、マスフローコントローラ２４１ａ〜２４１ｄ、バルブ２４３ａ〜２４３ｄ、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４２、真空ポンプ２４６、ヒータ２０７、温度センサ２６３、ボート回転機構２６７、ボートエレベータ２１５等に接続されている。コントローラ２８０により、マスフローコントローラ２４１ａ〜２４１ｄによる各種ガスの流量調整動作、バルブ２４３ａ〜２４３ｄの開閉動作、ＡＰＣバルブ２４２の開閉及び圧力センサ２４５に基づく圧力調整動作、温度センサ２６３に基づくヒータ２０７の温度調整動作、真空ポンプ２４６の起動・停止、ボート回転機構２６７の回転速度調節動作、ボートエレベータ２１５の昇降動作等の制御が行われる。
【００５０】
（２）基板処理工程
次に、上述の基板処理装置の処理炉２０２を用いて、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板としてのウエハ２００上に窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を成膜する工程例について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ２８０により制御される。
【００５１】
なお、本実施形態では、一例として、原料ガスとしてシリコンを含むＤＣＳガスを、反応ガスとして窒素含有ガスであるＮＨ３ガスを加熱された処理室２０１内に供給し、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりウエハ２００上にＳｉＮ膜を形成する。
【００５２】
（基板搬入工程）
まず、複数枚のウエハ２００をボート２１７に装填（ウエハチャージ）する。そして、図１に示すように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７を、ボートエレベータ２１５によって持ち上げて処理室２０１内に搬入（ボートロード）する。この状態で、シールキャップ２１９は、Ｏリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。
【００５３】
（圧力・温度調整工程）
処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ２４６によって真空排気する。この際、処理室２０１内の圧力は圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４２の弁の開度をフィードバック制御する（圧力調整）。また、処理室２０１内が所望の温度となるように、ヒータ２０７によって加熱する。この際、処理室２０１内が所望の温度分布、具体的には処理室２０１内でＣＶＤ反応が生じるような温度分布となるように、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０７への供給電力をフィードバック制御する（温度調整）。続いて、ボート回転機構２
６７によりボート２１７、すなわちウエハ２００の回転を開始する。圧力調整、温度調整、ウエハ２００の回転は、少なくとも後述する成膜工程の終了まで継続する。
【００５４】
（成膜工程）
続いて、まず、処理室２０１内に反応ガスであるＮＨ３ガスを供給する。具体的には、第２ガス供給管２３２ｂに設けられたバルブ２４３ｂを開ける。これにより、マスフローコントローラ２４１ｂにより流量調整しつつ、ガス供給源２４２ｂから供給されたＮＨ３ガスの第２ノズル２３１ｂを介した処理室２０１内への供給が開始される。同時に、第１不活性ガス供給管２３２ｃに設けられたバルブ２４３ｃ又は第２不活性ガス供給管２３２ｄに設けられたバルブ２４３ｄの少なくともいずれかを開け、希釈ガス又はキャリアガスとしての不活性ガスであるＡｒガスを、処理室２０１内に供給してもよい。
【００５５】
次に、ＮＨ３ガスで充満した処理室２０１内に、原料ガスであるＤＣＳガスを供給する。具体的には、第１ガス供給管２３２ａに設けられたバルブ２４３ａを開けることで、第１ガス供給源２４２ａから供給されたＤＣＳガスの第１ノズル２３１ａを介した処理室２０１内への供給が開始される。同時に、第１不活性ガス供給管２３２ｃに設けられたバルブ２４３ｃ又は第２不活性ガス供給管２３２ｄに設けられたバルブ２４３ｄの少なくともいずれかを開け、希釈ガス又はキャリアガスとしての不活性ガスであるＡｒガスを、処理室２０１内に供給してもよい。
【００５６】
ＮＨ３ガスで充満した処理室２０１内に供給されたＤＣＳガスは、Ｎ２ガスにより希釈及び拡散されつつ、処理室２０１内を通過する際に加熱されたウエハ２００の表面と接触する。その結果、ウエハ２００上にＳｉＮ膜が堆積（デポジション）する。
【００５７】
所定時間が経過して、ＳｉＮ膜が所定の膜厚となったら、バルブ２４３ａを閉じ、処理室２０１内へのＤＣＳガスの供給を停止する。その後、バルブ２４３ｂを閉じ、処理室２０１内へのＮＨ３ガスの供給を停止する。
【００５８】
（パージ工程）
処理室２０１内へのＤＣＳガス及びＮＨ３ガスの供給を停止した後、バルブ２４３ｃ又はバルブ２４３ｄの少なくともいずれかは開けたままとし、処理室２０１内へのＡｒガスの供給を継続して行う。これにより、処理室２０１内をＡｒガスによりパージし、処理室２０１内に残留している残留ガスや反応生成物を除去する。
【００５９】
（大気圧復帰・基板搬出工程）
パージが完了したら、ヒータ２０７への電力供給を停止して処理室２０１内を降温させると共に、ＡＰＣバルブ２４２の開度を調整して処理室２０１内の圧力を大気圧に復帰させる。そして、上述した基板搬入工程に示した手順とは逆の手順によりボート２１７を処理室２０１内から搬出（ボートアンロード）し、所定膜厚のＳｉＮ膜が成膜されたウエハ２００をボート２１７から脱装（ウエハディスチャージ）して、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。
【００６０】
（３）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
【００６１】
（ａ）本実施形態によれば、処理炉２０２に設けられたガス供給管２３２には、処理炉２０２に固定された配管２３４と、処理炉２０２外に設けられたガス供給源２４０に固定された配管２３５と、の間に免震配管部２３６が設けられている。そして、免震配管部２３６を構成する免震配管２３６ａ〜２３６ｄはそれぞれ、Ｘ方向に配設される管体２３７ａ，２３７ｂ、Ｙ方向に配設される管体２３８ａ，２３８ｂ、及びＺ方向に配設される管体
２３９を備えている。そして、管体２３７ａ，２３７ｂ，２３８ａ，２３８ｂ及び２３９が一連となるようにそれぞれ接続されている。これにより、例えば地震等の揺れでガス供給管２４２が大きく揺れた場合であっても、ガス供給管２３２の破損を低減できる。すなわち、樹脂等で構成されたフレキシブル管や、ベローズ部が設けられた配管をガス供給管２３２ａ〜２３２ｄに用いることなく、地震等の揺れによるガス供給管２３２ａ〜２３２ｄの破損を低減できる。
【００６２】
すなわち、例えば地震等により振動が発生し、ガス供給管２３２が揺れた場合、Ｘ方向に配設された管体２３７ａ，２３７ｂと、Ｙ方向に配設された管体２３８ａ，２３８ｂと、が撓むことで、Ｚ方向の揺れを吸収できる。また、Ｙ方向に配設された管体２３８ａ，２３８ｂと、Ｚ方向に配設された管体２３９と、が撓むことで、Ｘ方向の揺れを吸収できる。そして、Ｘ方向に配設された管体２３７ａ，２３７ｂと、Ｚ方向に配設された管体２３９と、が撓むことで、Ｙ方向の揺れを吸収できる。この結果、免震配管２３６ａ〜２３６ｄはそれぞれ、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向の全ての方向の揺れを吸収できる。これにより、免震配管２３６ａ〜２３６ｄはそれぞれ、地震等の振動により、処理炉２０２に固定された配管２３４ａ〜２３４ｄと、ガス供給源２４０ａ〜２４０ｄに固定された配管２３５ａ〜２３５ｄと、の間にそれぞれ生じた相対変位に追従できる。従って、ガス供給管２３２ａ〜２３２ｄが折れて破損する等を低減できる。そして、ガス供給管２３２ａ〜２３２ｄ内を流れる処理ガス等のガスが外部に漏れ出ること等を防止できる。
【００６３】
（ｂ）本実施形態によれば、免震配管部２３６を構成する免震配管２３６ａ〜２３６ｄはそれぞれ、平行に配設された一対の管体を２組以上備える。これにより、処理炉２０２に固定された配管２３４ａ〜２３４ｄと、ガス供給源２４０ａ〜２４０ｄに固定された配管２３５ａ〜２３５ｄと、をそれぞれ同軸上に配置できる。従って、既存の設備にわずかな改良を加えるだけで免震配管部２３６を設置できる。
【００６４】
（ｃ）本実施形態によれば、処理炉２０２に設けられた排気管２３１には、処理炉２０２に固定された配管２５０と、処理炉２０２外に設けられた真空ポンプ２４６に固定された配管２５１と、の間に免震配管２５２が設けられている。免震配管２５２は、複数本（本実施形態では２本）の管体２５３，２５４と、これらの管体２５３，２５４を一連となるように接続する継手２５６ａ〜２５６ｃと、を備えている。継手２５６ａは、下流側に位置する管体２５４の上流端に設けられ、継手２５６ｂは、管体２５３の上流端に設けられ、継手２５６ｃは、配管２５１の上流端に設けられている。管体２５３が継手２５６ａに差込まれることで、管体２５３と継手２５６ａとが接続され、管体２５３が継手２５６ａに対して摺動及び回転自在に構成されている。配管２５０が継手２５６ｂに差込まれることで、配管２５０と継手２５６ｂとが接続され、管体２５４が継手２５６ｃに差込まれることで、管体２５４と継手２５６ｃとが接続されて、免震配管２５２が、継手２５６ｂ及び２５６ｃに対して摺動及び回転自在に構成されている。これにより、例えば地震等の揺れにより、排気管２３１が大きく揺れた場合であっても、排気管２３１の破損を低減できる。
【００６５】
すなわち、地震等により振動が発生した場合、管体２５３が継手２５６ａに対して摺動及び回転し、免震配管２５２（管体２５３，２５４）が、継手２５６ｂ，２５６ｃに対してそれぞれ摺動及び回転することによって、免震配管２５２が、地震等により生じた配管２５０と配管２５１との間の相対変位に追従できる。これにより、排気管２３１が折れて破損すること等を低減できる。また、例えばＳＵＳ等の金属材料で構成された管体２５３及び２５４の撓みによっても地震等の揺れを吸収でき、排気管２３１の破損をより低減できる。
【００６６】
（ｄ）本実施形態によれば、管体２５３，２５４は、屈曲部と直線部とを備えるＬ字形状
に形成されている。これにより、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向の３方向の揺れをより吸収でき、排気管２３１の破損をより低減できる。
【００６７】
（ｅ）本実施形態によれば、上流側に位置する前記管体２５３の外径が、下流側に位置する管体２５４の内径よりも小さくなるように形成され、上流側の管体２５３が、下流側の継手に差込まれる。これにより、排気管２３１内を通過する排ガス等の抵抗を小さくでき、排気管２３１の圧損を低減できる。また、排気管２３１内、特に継手２５６ａ部分に反応生成物等が滞留することを低減できる。
【００６８】
（ｆ）本実施形態によれば、継手２５６ａ〜２３６ｃがＯリングを備えている。これにより、免震配管２５２を回転自在に構成でき、また、免震配管２５２が回転した場合であっても、外気へのガス漏れを防止できる。また、継手２５６ａ〜２５６ｃを２重Ｏリング構造としている。これにより、管体２５３及び管体２５４と、配管２５０及び管体２５３と、管体２５４及び配管２５１との接続をそれぞれ気密にできる。また、排気ポート２５８で、Ｏリング２５７ａ，２５７ｂ間の空間の排気を行い、例えばＳＵＳ等のメタル材質により構成された樹脂チューブ２５９で排気後の空間を密封することで、上述の管体２５３，２５４、配管２５０及び配管２５１のそれぞれの接続をさらに気密にできる。この結果、排気管２３１内を通過する排ガス等が漏れ出ることを防止できる。
【００６９】
以下、参考までに、従来のガス供給管及び排気管について、図８及び図９を用いて説明する。基板処理装置に設けられた従来のガス供給管２３２ｅは、図８に示すように、処理炉に固定された配管２３４と、処理炉外に設けられてガス供給源に固定された配管２３５と、の間に、固定された直管２４４を設けて構成されていた。このように、ガス供給管２３２ｅは、固定された配管であった。従って、例えば、地震等で基板処理装置が揺れて、ガス供給管２３２ｅが揺れた場合、ガス供給管２３２ｅが折れて破損したり、配管２３４と直管２４４との間の接続部や、直管２４４と配管２３５との間の接続部が緩む場合があった。この結果、ガス供給管２３２ｅ内を通過する処理ガス等のガスが漏れ出てしまう場合があった。
【００７０】
また、図９に示すように、基板処理装置に設けられた従来の排気管２６１は、処理炉２０２に固定され、ベローズ部２６２を備える配管２６３と、処理炉２０２外に設けられた排気装置としての真空ポンプ２４６に固定され、ベローズ部２６４を備える配管２６５とが接続されて構成されていた。このように排気管２６１は、ベローズ部２６２，２６４を備える構成であったため、処理ガスの反応生成物等がベローズ部２６２，２６４に堆積する場合があった。また、ベローズ部２６２，２６４が伸縮するため、排気管２６１の耐久性が低く、強度が低い場合もあった。
【００７１】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００７２】
上述した実施形態では、排気管２３１を構成する免震配管２５２の継手２５２ａ〜２５２ｃがそれぞれ、管体２５３，２５４及び配管２５１の上流端に設けられる場合について説明したが、本発明はかかる形態に限定されない。すなわち、免震配管２５２を構成する管体２５３の両端に継手２５６ａ，２５６ｂを設ける構成としてもよい。以下、このような構成を備える免震配管２５２について説明する。
【００７３】
図７は、本実施形態にかかる基板処理装置に設けられた排気管２３１が備える免震配管の縦断面図である。図７に示すように、本実施形態にかかる免震配管２６０は、２本の管体２５３，２５４と、継手２５６ａ〜２５６ｃと、を備え、管体２５３の両端に継手２５
６ａ及び２５６ｂを設け、管体２５３と隣接する管体２５４の上流端及び配管２５０の下流端には継手を設けない点が、上述した実施形態と異なる。その他は、上述した実施形態と同様である。
【００７４】
これによっても、管体２５４を継手２５６ａに対して摺動及び回転可能に構成できるとともに、免震配管２６０を配管２５０，２５１に対してそれぞれ摺動及び回転可能に構成できる。この結果、免震配管２６０が、地震等により生じた配管２５０と配管２５１との間の相対変位に追従でき、上述した実施形態と同様に、排気管２３１が折れて破損すること等を低減できる。
【００７５】
また、上流端及び下流端に継手２５６ａ，２５６ｂがそれぞれ設けられた管体２５３は、上流端の内径が、下流端の内径よりも小さくなるように形成してもよい。これにより、排気管２３１内を通過する排ガス等のガス等の抵抗を小さくし、排気管２３１の圧損を低減できる。
【００７６】
＜本発明の更に他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００７７】
例えば、上述の実施形態で図２及び図３に示すガス供給管２３２ａ〜２３２ｄに設けた免震配管２３６ａ〜２３６ｄの構成を、排気管２３１に設けられる免震配管に適用してもよく、図４〜図７に示す排気管２３１に設けた免震配管２５２又は免震配管２６０の構成を、ガス供給系に設けられる免震配管に適用してもよい。また、これらの免震配管２３６ａ〜２３６ｄ、２５２、２６０の構成を適宜組み合わせてもよい。
【００７８】
また、例えば、上述の実施形態では、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向にそれぞれ配設される管体２３７ａ，２３７ｂ，２３８ａ，２３８ｂ，２３９の長さをそれぞれ同じ長さとしたが、異なる長さとしてもよい。このとき、平行に配設される管体２３７ａ及び２３７ｂ、２３８ａ及び２３８ｂの長さは、それぞれ同じ長さとするのがよい。
【００７９】
また、例えば、上述の実施形態では、免震配管２３６ａが、Ｘ方向に配設される２本の管体２３７ａ，２３７ｂ、Ｙ方向に配設される２本の管体２３８ａ，２３８ｂ、及びＺ方向に配設される管体２３９の、５本の管体からなる場合について説明したが、これに限定されない。すなわち、免震配管２３６ａ〜２３６ｄはそれぞれ、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向にそれぞれ配設される少なくとも３本の管体を備えていればよい。
【００８０】
また、例えば、上述の実施形態では、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向にそれぞれ配設される管体２３７ａ，２３７ｂ，２３８ａ，２３８ｂ，２３９は、直管としたが、屈曲部と直線部とを有するＬ字形状としてもよい。
【００８１】
また、例えば、上述の実施形態では、管体２５３，２５４はそれぞれ、屈曲部と直線部とを備えるＬ字形状としたが、直管としてもよい。
【００８２】
また、例えば、上述の実施形態では、継手２５６ａ〜２５６ｃを２重Ｏリング構造としたが、１重Ｏリング構造、あるいは３重以上のＯリング構造としてもよい。また継手２５６ａ〜２５６ｃの全てを２重Ｏリング構造とする場合に限らず、少なくとも１つが２重Ｏリング構造であってもよい。
【００８３】
また、例えば、上述した縦型処理炉を備える基板処理装置に限らず、枚葉式、Ｈｏｔ  Ｗａｌｌ型、Ｃｏｌｄ  Ｗａｌｌ型の処理炉を有する基板処理装置や、例えばＭＭＴ装置
等の処理ガスを励起させてウエハ２００を処理する基板処理装置にも好適に適用できる。
【００８４】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【００８５】
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理炉に固定された配管と、前記処理炉外に設けられたガス供給源又は排気装置に固定された配管と、の間に設けられる免震配管であって、
前記免震配管は、
Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向にそれぞれ配設される少なくとも３本の管体を備え、
前記管体が一連となるようにそれぞれ接続されている免震配管が提供される。
【００８６】
好ましくは、
前記免震配管は、平行に配設された一対の前記管体を２組以上備える。
【００８７】
また好ましくは、
前記処理炉に固定された前記配管と、前記ガス供給源又は前記排気装置に固定された前記配管とが同軸上にある。
【００８８】
また好ましくは、
前記管体はそれぞれ、同じ長さの直管である。
【００８９】
本発明の他の態様によれば、
基板を処理する処理炉に固定された配管と、前記処理炉外に設けられたガス供給源又は排気装置に固定された配管と、の間に設けられる免震配管であって、
前記免震配管は、
複数本の管体と、
前記管体が一連となるように接続する継手と、を備え、
前記管体が前記継手に差込まれることで、前記管体と前記継手とが接続され、
前記管体が、前記継手に対して摺動及び回転自在に構成されている。
【００９０】
好ましくは、
前記継手の少なくとも１つは、Ｏリングを備えている。
【００９１】
また好ましくは、
前記継手は、前記管体の上流端に設けられている。
【００９２】
また好ましくは、
上流側に位置する前記管体の外径が、下流側に位置する前記管体の内径よりも小さくなるように形成され、
上流側に位置する前記管体が、下流側に位置する前記管体に差込まれる。
【００９３】
好ましくは、
前記継手は、少なくとも一本の前記管体の上流端及び下流端に設けられ、
前記継手が設けられた前記管体に隣接する前記管体には、継手が設けられていない。
【００９４】
また好ましくは、
上流端及び下流端に前記継手が設けられた前記管体は、上流端の内径が下流端の内径よりも小さい。
【００９５】
また好ましくは、
前記管体の少なくとも一つは、屈曲部と直線部とを備える。
【００９６】
また好ましくは、
前記配管と前記免震配管とが前記継手を介して接続され、
前記免震配管が、前記配管に対して摺動及び回転自在に構成されている。
【００９７】
また好ましくは、
前記継手の少なくとも１つは、
２つのＯリングと、
２つの前記Ｏリング間の空間の排気を行うための排気ポートと、
前記Ｏリング及び前記排気ポートを固定する樹脂チューブと、を備える。
【符号の説明】
【００９８】
２００              ウエハ（基板）
２０２              処理炉
２３２ａ，２３２ｂ  ガス供給管（配管）
２３２ｃ，２３２ｄ  不活性ガス供給管（配管）
２３６ａ〜２３６ｄ  ガス供給系の免震配管
２３７ａ，２３７ｂ  Ｘ方向に配設された管体
２３８ａ，２３８ｂ  Ｙ方向に配設された管体
２３９              Ｚ方向に配設された管体
２４０ａ〜２０４ｄ  ガス供給源
【図１】
2013117286.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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