(57)【要約】【課題】高精細で高輝度の表示性能を備え、かつ低消費電力のプラズマディスプレイパネルを実現することを目的とする。【解決手段】前面板２と背面板１０とを作製した後、前記前面板２と背面板１０とを対向配置させて周辺部を封着部材により封着し、その後パネル内に放電ガスを封入するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記前面板２と背面板１０とを作製した後、前記放電ガスをパネル内に封入するまでの間に、還元性有機ガスを含むガスをパネル内に導入して前記前面板２の保護膜を還元性有機ガスに曝した後、その還元性有機ガスを含むガスを排出する工程を有することを特徴とする方法である。【選択図】図６
2013030296.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成した表示電極を覆うように誘電体層を形成するとともに前記誘電体層上に保護膜を形成した第１基板と、前記第１基板に放電ガスが充填された放電空間を形成するように対向配置されかつ前記第１基板の前記表示電極と交差する方向にデータ電極を形成するとともに前記放電空間を区画する隔壁を設けた第２基板とを有し、前記第１基板と前記第２基板とを作製した後、前記第１基板と前記第２基板とを対向配置させて周辺部を封着部材により封着し、その後パネル内に放電ガスを封入するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記第１基板と前記第２基板とを作製した後、前記放電ガスをパネル内に封入するまでの間に、還元性有機ガスを含むガスをパネル内に導入して前記第１基板の保護膜を還元性有機ガスに曝した後、その還元性有機ガスを含むガスを排出する工程を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記還元性有機ガスは、酸素を含まない炭化水素系ガスであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記還元性有機ガスは、アセチレン、エチレン、メチルアセチレン、プロパジエン、プロピレン、シクロプロパン、プロパン及びブタンの中から選ばれるガスであることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示デバイスなどに用いるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと呼ぶ）は、高精細化、大画面化の実現が可能であることから、１００インチクラスのテレビなどが製品化されている。近年、ＰＤＰにおいては、従来のＮＴＳＣ方式に比べて走査線数が２倍以上の高精細テレビへの適用が進められており、エネルギー問題に対応してさらなる消費電力低減への取り組みや、環境問題に配慮した鉛成分を含まないＰＤＰへの要求なども高まっている。
【０００３】
ＰＤＰは、基本的には、前面板と背面板とで構成されている。前面板は、フロート法により製造された硼硅酸ナトリウム系ガラスのガラス基板と、ガラス基板の一方の主面上に形成されたストライプ状の透明電極とバス電極とで構成される表示電極と、表示電極を覆ってコンデンサとしての働きをする誘電体層と、誘電体層上に形成された酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護膜とで構成されている。
【０００４】
一方、背面板は、ガラス基板と、その一方の主面上に形成されたストライプ状のデータ電極と、データ電極を覆う下地誘電体層と、下地誘電体層上に形成された隔壁と、各隔壁間に形成された赤色、緑色及び青色それぞれに発光する蛍光体層とで構成されている。
【０００５】
前面板と背面板とはその電極形成面側を対向させて気密封着され、隔壁によって仕切られた放電空間にネオン（Ｎｅ）−キセノン（Ｘｅ）の放電ガスが４００Ｔｏｒｒ〜６００Ｔｏｒｒの圧力で封入されている。ＰＤＰは、表示電極に映像信号電圧を選択的に印加することによって放電させ、その放電によって発生した紫外線が各色蛍光体層を励起して赤色、緑色、青色の発光をさせてカラー画像表示を実現している。
【０００６】
また、このようなＰＤＰの駆動方法としては、書込みをしやすい状態に壁電荷を調整する初期化期間と、入力画像信号に応じて書込み放電を行う書込み期間と、書込みが行われた放電空間で維持放電を生じさせることによって表示を行う維持期間を有する駆動方法が一般的に用いられている。これらの各期間を組み合わせた期間（サブフィールド）が、画像の１コマに相当する期間（１フィールド）内で複数回繰り返されることによってＰＤＰの階調表示を行っている。
【０００７】
このようなＰＤＰにおいて、前面板の誘電体層上に形成される保護膜の役割としては、放電によるイオン衝撃から誘電体層を保護すること、アドレス放電を発生させるための初期電子を放出することなどがあげられる。イオン衝撃から誘電体層を保護することは、放電電圧の上昇を防ぐ重要な役割であり、またアドレス放電を発生させるための初期電子を放出することは、画像のちらつきの原因となるアドレス放電ミスを防ぐ重要な役割である。
【０００８】
保護膜からの初期電子の放出数を増加させて画像のちらつきを低減するために、例えば、ＭｇＯ保護膜に不純物を添加する例や、ＭｇＯ粒子をＭｇＯ保護膜上に形成した例が開示されている（例えば、特許文献１、２、３、４、５など参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−２６０５３５号公報
【特許文献２】特開平１１−３３９６６５号公報
【特許文献３】特開２００６−５９７７９号公報
【特許文献４】特開平８−２３６０２８号公報
【特許文献５】特開平１０−３３４８０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
近年、テレビは高精細化が進んでおり、市場では低コスト・低消費電力・高輝度のフルＨＤ（ハイ・ディフィニション）（１９２０×１０８０画素：プログレッシブ表示）ＰＤＰが要求されている。保護膜からの電子放出特性はＰＤＰの画質を決定するため、電子放出特性を制御することが非常に重要である。
【００１１】
このようにＰＤＰの高精細化や低消費電力化を進めるにあたっては、放電電圧が高くならないようにすることと、さらに、点灯不良を低減して画質を向上させることを、同時に実現させなければならないという課題があった。
【００１２】
本発明はこのような課題に鑑みなされたもので、高輝度の表示性能を備え、かつ低電圧駆動が可能なＰＤＰを実現することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成するために本発明は、基板上に形成した表示電極を覆うように誘電体層を形成するとともに前記誘電体層上に保護膜を形成した第１基板と、前記第１基板に放電ガスが充填された放電空間を形成するように対向配置されかつ前記第１基板の前記表示電極と交差する方向にデータ電極を形成するとともに前記放電空間を区画する隔壁を設けた第２基板とを有し、前記第１基板と前記第２基板とを作製した後、前記第１基板と前記第２基板とを対向配置させて周辺部を封着部材により封着し、その後パネル内に放電ガスを封入するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記第１基板と前記第２基板とを作製した後、前記放電ガスをパネル内に封入するまでの間に、還元性有機ガスを含むガスをパネル内に導入して前記第１基板の保護膜を還元性有機ガスに曝した後、その還元性有機ガスを含むガスを排出する工程を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、保護膜における電子放出特性を向上させ、維持放電電圧を低減することが可能で、高精細画像でも高輝度で低電圧駆動が可能な表示性能に優れたＰＤＰを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態におけるＰＤＰの構造を示す斜視図
【図２】同ＰＤＰの前面板の構成を示す断面図
【図３】同ＰＤＰの電極配列図
【図４】本発明のプラズマディスプレイ装置のブロック回路図
【図５】同装置の駆動波形図
【図６】同パネルの製造方法を示すフローチャート
【図７】同ＰＤＰの電子放出性能と電荷保持性能について調べた結果を示す図
【図８】同パネルの製造方法における温度プロファイルの一例を示す図
【図９】同パネルの製造方法における温度プロファイルの他の例を示す図
【図１０】同パネルの製造方法における温度プロファイルの他の例を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法について図面を用いて説明する。
【００１７】
図１は本発明の実施の形態におけるＰＤＰの構造を示す斜視図である。ＰＤＰの基本構造は、一般的な交流面放電型ＰＤＰと同様である。図１に示すように、ＰＤＰ１は前面ガラス基板３などよりなる第１基板としての前面板２と、背面ガラス基板１１などよりなる第２基板としての背面板１０とが対向して配置され、その前面板２と背面板１０の周辺部をガラスフリットなどからなる封着部材によって気密封着することにより構成されている。封着されたＰＤＰ１内部の放電空間１６には、ＸｅとＮｅなどの放電ガスが４００Ｔｏｒｒ〜６００Ｔｏｒｒの圧力で封入されている。
【００１８】
前面板２の前面ガラス基板３上には、走査電極４及び維持電極５よりなる一対の帯状の表示電極６とブラックストライプ（遮光層）７が互いに平行にそれぞれ複数列配置されている。前面ガラス基板３上には表示電極６と遮光層７とを覆うように電荷を保持してコンデンサとしての働きをする誘電体層８が形成され、さらにその上に保護膜９が形成されている。
【００１９】
また、背面板１０の背面ガラス基板１１上には、前面板２の走査電極４及び維持電極５と直交する方向に、複数の帯状のデータ電極１２が互いに平行に配置され、これを下地誘電体層１３が被覆している。さらに、データ電極１２間の下地誘電体層１３上には放電空間１６を区切る所定の高さの隔壁１４が形成されている。隔壁１４間の溝ごとに、紫外線によって赤色、緑色及び青色にそれぞれ発光する蛍光体層１５が順次塗布して形成されている。走査電極４及び維持電極５とデータ電極１２とが交差する位置に放電空間が形成され、表示電極６方向に並んだ赤色、緑色、青色の蛍光体層１５を有する放電空間がカラー表示のための画素になる。
【００２０】
図２は、本発明の実施の形態におけるＰＤＰ１の前面板２の詳細な構成を示す断面図であり、図２は図１と上下反転させて示している。図２に示すように、フロート法などにより製造された前面ガラス基板３に、走査電極４と維持電極５よりなる表示電極６と遮光層７がパターン形成されている。走査電極４と維持電極５はそれぞれインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）や酸化スズ（ＳｎＯ2）などからなる透明電極４ａ、５ａと、透明電極４ａ、５ａ上に形成された金属バス電極４ｂ、５ｂとにより構成されている。金属バス電極４ｂ、５ｂは透明電極４ａ、５ａの長手方向に導電性を付与する目的として用いられ、銀（Ａｇ）材料を主成分とする導電性材料によって形成されている。
【００２１】
誘電体層８は、前面ガラス基板３上に形成されたこれらの透明電極４ａ、５ａと金属バス電極４ｂ、５ｂと遮光層７を覆うように設けられ、誘電体層８上に保護膜９が形成されている。
【００２２】
保護膜９は、誘電体層８に形成した下地膜９１と、下地膜９１上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａが複数個凝集させた凝集粒子９２とにより構成している。また、保護膜９において、下地膜９１は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）により構成されている。なお、この保護膜９の下地膜９１としては、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、及び酸化バリウム（ＢａＯ）から選ばれる金属酸化物により形成してもよく、さらにはこの保護膜９の下地膜９１は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、及び酸化バリウム（ＢａＯ）から選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物からなる金属酸化物により形成するのが望ましい。
【００２３】
図３は本発明の実施の形態におけるＰＤＰの電極配列図である。行方向に長いｎ本の走査電極Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３・・・Ｙｎ（図１の４）およびｎ本の維持電極Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３・・・Ｘｎ（図１の５）が配列され、列方向に長いｍ本のデータ電極Ａ１・・・Ａｍ（図１の１２）が配列されている。そして、１対の走査電極Ｙ１および維持電極Ｘ１と１つのデータ電極Ａ１とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。そしてこれらの電極のそれぞれは、前面板、背面板の画像表示領域外の周辺端部に設けられた接続端子それぞれに接続されている。
【００２４】
図４はこのＰＤＰを用いたプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。このプラズマディスプレイ装置は、上述した構成のＰＤＰのパネル１、画像信号処理回路２１、データ電極駆動回路２２、走査電極駆動回路２３、維持電極駆動回路２４、タイミング発生回路２５および電源回路（図示せず）を備えている。
【００２５】
画像信号処理回路２１は、画像信号ｓｉｇをサブフィールド毎の画像データに変換する。データ電極駆動回路２２はサブフィールド毎の画像データを各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに対応する信号に変換し、各データ電極Ｄ１〜Ｄｍを駆動する。タイミング発生回路２５は水平同期信号Ｈおよび垂直同期信号Ｖをもとにして各種のタイミング信号を発生し、各駆動回路ブロックに供給している。走査電極駆動回路２３はタイミング信号にもとづいて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに駆動電圧波形を供給し、維持電極駆動回路２４はタイミング信号にもとづいて維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに駆動電圧波形を供給する。
【００２６】
次に、ＰＤＰを駆動するための駆動電圧波形とその動作について図５を用いて説明する。図５はＰＤＰの各電極に印加する駆動電圧波形を示す図である。
【００２７】
本実施の形態によるプラズマディスプレイ装置においては、１フィールドを複数のサブフィールドにより構成し、それぞれのサブフィールドは、放電セルにおいて初期化放電を発生させる初期化期間と、この初期化期間のあと、発光させる放電セルを選択する書込み放電を発生させる書込み期間と、この書込み期間により選択された放電セルにおいて維持放電を発生させる維持期間とを有している。
【００２８】
第１サブフィールドの初期化期間では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍおよび維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを０（Ｖ）に保持し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに対して放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ１（Ｖ）から放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ２（Ｖ）に向かって緩やかに上昇するランプ電圧を印加する。すると、全ての放電セルにおいて１回目の微弱な初期化放電を起こし、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上に負の壁電圧が蓄えられるとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上およびデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ上に正の壁電圧が蓄えられる。ここで、電極上の壁電圧とは電極を覆う誘電体層や蛍光体層上等に蓄積した壁電荷により生じる電圧を指す。
【００２９】
その後、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを正の電圧Ｖｅ１、Ｖｅ２（Ｖ）に保ち、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｉ３（Ｖ）から電圧Ｖｉ４（Ｖ）に向かって緩やかに下降するランプ電圧を印加する。すると、すべての放電セルにおいて２回目の微弱な初期化放電を起こし、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上と維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上との間の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。
【００３０】
続く書込み期間では、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを一旦Ｖｃ（Ｖ）に保持する。次に、１行目の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａ（Ｖ）を印加するとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍのうち１行目に表示すべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄ（Ｖ）を印加する。このときデータ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は、外部印加電圧（Ｖｄ−Ｖａ）（Ｖ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧とが加算されたものとなり、放電開始電圧を超える。そして、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間および維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に書込み放電が起こり、この放電セルの走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。
【００３１】
このようにして、１行目に表示すべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルス電圧Ｖｄ（Ｖ）を印加しなかったデータ電極Ｄ１〜Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、書込み期間が終了する。
【００３２】
続く維持期間では、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには第１の電圧として正の維持パルス電圧Ｖｓ（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎには第２の電圧として接地電位、すなわち０（Ｖ）をそれぞれ印加する。このとき書込み放電を起こした放電セルにおいては、走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）上と維持電極ＳＵｉ（ｉ＝１〜ｎ）上との間の電圧は維持パルス電圧Ｖｓ（Ｖ）に走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧とが加算されたものとなり、放電開始電圧を超える。そして、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。このときデータ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。
【００３３】
書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは、維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保持される。続いて、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには第２の電圧である０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎには第１の電圧である維持パルス電圧Ｖｓ（Ｖ）をそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との間の電圧が放電開始電圧を超えるので、再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が起こり、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。
【００３４】
以降同様に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとに交互に輝度重みに応じた数の維持パルスを印加することにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して行われる。こうして維持期間における維持動作が終了する。
【００３５】
続く第２サブフィールド以降における初期化期間、書込み期間、維持期間の動作も、第１サブフィールドにおける動作とほぼ同様のため、説明を省略する。なお、本実施の形態においては、第２サブフィールド以降のサブフィールドにおいては、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを正の電圧Ｖｅ１、Ｖｅ２（Ｖ）に保ち、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｉ３（Ｖ）から電圧Ｖｉ４（Ｖ）に向かって緩やかに下降するランプ電圧を印加することにより、前のサブフィールドにおいて維持放電を起こした放電セルにおいてのみ微弱な初期化放電を起こさせるように駆動している。すなわち、第１サブフィールドにおいては、全ての放電セルで初期化放電を発生させる全セル初期化動作を行い、第２サブフィールド以降においては、前のサブフィールドにおいて維持放電を起こした放電セルのみで選択的に初期化放電を発生させる動作を行うように構成している。なお、この全セル初期化動作と選択的初期化動作について、本実施の形態のように、第１サブフィールドとその他のサブフィールドとの間で使い分ける以外に、全セル初期化動作を第１サブフィールド以外のサブフィールドにおける初期化期間で行ったり、数フィールドに１回の頻度で行ったりしてもよい。
【００３６】
また、書込み期間、維持期間における動作は、上述した第１サブフィールドにおける動作と同様な駆動方法であるが、維持期間における維持放電による発光は、輝度の重み付けに応じた数の維持パルスを印加することにより、サブフィールド毎の輝度重みを制御するように駆動している。
【００３７】
ところで、ＰＤＰにおいては、ＰＤＰの前面板の保護膜における電子放出を高めることにより、維持放電電圧を下げることができ、従来よりも低電圧で維持放電を発生できることが知られており、そのために、電子放出特性の優れた保護膜材料の検討などが行われている。
【００３８】
本発明者らは、電子放出特性の優れた保護膜の検討を行った結果、前面板２と背面板１０とを作製した後、放電ガスをパネルの放電空間内に封入するまでの間に、還元性有機ガスを含むガスをパネルの放電空間内に導入して前面板２の保護膜９を還元性有機ガスに曝した後、その還元性有機ガスを含むガスを排出する工程を設け、その後放電空間内に放電ガスを封入することにより、ＰＤＰの維持放電電圧を低下させることができることを見出した。
【００３９】
次に、本発明によるＰＤＰの製造方法について、詳細に説明する。
【００４０】
図６は本発明によるＰＤＰの製造工程を示すフローチャートであり、図６に示すように、前面板作製工程Ａ１及び背面板作製工程Ｂ１と、背面板作製工程Ｂ１により作製した背面板１０の画像表示領域外部に封着部材であるガラスフリットを塗布し、その後ガラスフリットの樹脂成分等を除去するために３５０℃程度の温度で仮焼成するフリット塗布工程Ｂ２と、前面板作製工程Ａ１により作製した前面板２とフリット塗布工程Ｂ２を終了した背面板１０とを貼付けて封着する封着工程Ｃ１と、この後パネル内のガスを１次排気した後、還元性有機ガスをパネル内に導入して前記前面板２の保護膜９を還元性有機ガスに曝す還元性ガス導入工程Ｃ２と、その後その還元性有機ガスを含めて放電空間内のガスを排気する排気工程Ｃ３と、この後真空排気されたパネル内部にＮｅおよびＸｅを主成分とする放電ガスを供給する放電ガス供給工程Ｃ４を経てＰＤＰが完成される。
【００４１】
本発明の製造方法において、前面板作製工程Ａ１においては、まず、前面ガラス基板３上に、走査電極４及び維持電極５と遮光層７とを形成する。走査電極４と維持電極５とを構成する透明電極４ａ、５ａと金属バス電極４ｂ、５ｂは、フォトリソグラフィ法などを用いてパターニングして形成される。透明電極４ａ、５ａは薄膜プロセスなどを用いて形成され、金属バス電極４ｂ、５ｂは銀（Ａｇ）材料を含むペーストを所定の温度で焼成して固化している。また、遮光層７も同様に、黒色顔料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や黒色顔料をガラス基板の全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングし、焼成することにより形成される。
【００４２】
次に、走査電極４、維持電極５及び遮光層７を覆うように前面ガラス基板３上に誘電体ペーストをダイコート法などにより塗布して誘電体ペースト（誘電体材料）層を形成する。誘電体ペーストを塗布した後、所定の時間放置することによって塗布された誘電体ペースト表面がレベリングされて平坦な表面になる。その後、誘電体ペースト層を焼成固化することにより、走査電極４、維持電極５及び遮光層７を覆う誘電体層８が形成される。なお、誘電体ペーストはガラス粉末などの誘電体材料、バインダ及び溶剤を含む塗料である。
【００４３】
ここで、前面板２の誘電体層８を構成する誘電体材料としては、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）から選ばれる少なくとも１種と、酸化モリブデン（ＭｏＯ3）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化セリウム（ＣｅＯ2）、二酸化マンガン（ＭｎＯ2）から選ばれる少なくとも１種とを含んでいる。バインダ成分は、エチルセルロース、またはアクリル樹脂１重量％〜２０重量％を含むターピネオール、またはブチルカルビトールアセテートである。また、ペースト中には、必要に応じて可塑剤としてフタル酸ジオクチル、フタル酸ジブチル、リン酸トリフェニル、リン酸トリブチルを添加し、分散剤としてグリセロールモノオレート、ソルビタンセスキオレヘート、ホモゲノール（Ｋａｏコーポレーション社製品名）、アルキルアリル基のリン酸エステルなどを添加してペーストとして印刷特性を向上させてもよい。
【００４４】
次に、誘電体層８上に保護膜９の下地膜９１を形成する。本発明の実施の形態においては、下地膜９１は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）により形成している。なお、上述したように、この下地膜９１としては、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、及び酸化バリウム（ＢａＯ）から選ばれる少なくとも２つ以上の酸化物からなる金属酸化物により形成してもよく、この金属酸化物は、下地膜９１面のＸ線回折分析において、特定方位面の金属酸化物を構成する酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在するようにしている。
【００４５】
さらに、下地膜９１上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａの凝集粒子９２を均一に分散させて付着させることにより保護膜９が形成される。なお、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａは、以下に示す気相合成法または前駆体焼成法のいずれかで製造することができる。気相合成法では、不活性ガスが満たされた雰囲気下で純度が９９．９％以上のマグネシウム金属材料を加熱し、さらに、雰囲気に酸素を少量導入することによって、マグネシウムを直接酸化させ、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａを作製することができる。
【００４６】
一方、前駆体焼成法では、以下の方法によって結晶粒子９２ａを作製することができる。前駆体焼成法では、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の前駆体を７００℃以上の高温で均一に焼成し、これを徐冷して酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａを得ることができる。前駆体としては、例えば、マグネシウムアルコキシド（Ｍｇ（ＯＲ)2）、マグネシウムアセチルアセトン（Ｍｇ（ａｃａｃ)2）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）2）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ2）、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ2）、硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ4）、硝酸マグネシウム（Ｍｇ(ＮＯ3) 2）、シュウ酸マグネシウム（ＭｇＣ2Ｏ4）の内のいずれか１種以上の化合物を選ぶことができる。なお選択した化合物によっては、通常、水和物の形態をとることもあるがこのような水和物を用いてもよい。
【００４７】
これらの化合物は、焼成後に得られる酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の純度が９９.９５％以上、望ましくは９９.９８％以上になるように調整する。これらの化合物中に、各種アルカリ金属、Ｂ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ａｌなどの不純物元素が一定量以上混じっていると、熱処理時に不要な粒子間癒着や焼結を生じ、高結晶性の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子を得にくいためである。このため、不純物元素を除去するなどにより予め前駆体を調整することが必要となる。
【００４８】
上記いずれかの方法で得られた酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａを、溶媒に分散させ、その分散液をスプレー法やスクリーン印刷法、静電塗布法などによって下地膜９１の表面に分散散布させる。その後、乾燥・焼成工程を経て溶媒除去を図り、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａを下地膜９１の表面に定着させることができる。
【００４９】
このような一連の工程により前面ガラス基板３上に所定の構成物（走査電極４、維持電極５、遮光層７、誘電体層８、保護膜９）が形成されて前面板２が完成する。
【００５０】
ここで、下地膜９１上に設けた、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａが複数個凝集した凝集粒子９２について詳細に説明する。酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の凝集粒子９２は、本願発明者の実験により、主として書込み放電における「放電遅れ」を抑制する効果と、「放電遅れ」の温度依存性を改善する効果が確認されている。そこで本発明の実施の形態では、凝集粒子９２が下地膜９１に比べて高度な初期電子放出特性に優れる性質を利用して、放電パルス立ち上がり時に必要な初期電子供給部として配設している。
【００５１】
「放電遅れ」は、放電開始時において、トリガーとなる初期電子が下地膜９１表面から放電空間１６中に放出される量が不足することが主原因と考えられる。そこで、放電空間１６に対する初期電子の安定供給に寄与するため、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の凝集粒子９２を下地膜９１の表面に分散配置する。これによって、放電パルスの立ち上がり時に放電空間１６中に電子が豊富に存在し、放電遅れの解消が図られる。したがって、このような初期電子放出特性により、ＰＤＰ１が高精細の場合などにおいても放電応答性の良い高速駆動ができるようになっている。なお下地膜９１の表面に金属酸化物の凝集粒子９２を配設する構成では、主として書込み放電における「放電遅れ」を抑制する効果に加え、「放電遅れ」の温度依存性を改善する効果も得られる。
【００５２】
以上のように、本発明の実施の形態におけるＰＤＰ１では、低電圧駆動と電荷保持の両立効果を奏する下地膜９１と、放電遅れの防止効果を奏する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の凝集粒子９２とにより構成することによって、ＰＤＰ１全体として、高精細なＰＤＰでも高速駆動を低電圧で駆動でき、且つ、点灯不良を抑制した高品位な画像表示性能を実現できる。
【００５３】
また、本発明の実施の形態では、下地膜９１上に、結晶粒子９２ａが数個凝集した凝集粒子９２を離散的に散布させ、全面に亘ってほぼ均一に分布するように複数個付着させることにより構成している。凝集粒子９２とは、所定の一次粒径の結晶粒子９２ａが凝集またはネッキングした状態のものである。すなわち、固体として大きな結合力を持って結合しているのではなく、静電気やファンデルワールス力などによって複数の一次粒子が集合体の体をなしているもので、超音波などの外的刺激により、その一部または全部が一次粒子の状態になる程度で結合しているものである。凝集粒子９２の粒径としては、約１μｍ程度のもので、結晶粒子９２ａとしては、１４面体や１２面体などの７面以上の面を持つ多面体形状を有するのが望ましい。
【００５４】
また、結晶粒子９２ａの一次粒子の粒径は、結晶粒子９２ａの生成条件によって制御できる。例えば、炭酸マグネシウムや水酸化マグネシウムなどのＭｇＯ前駆体を焼成して生成する場合、焼成温度や焼成雰囲気を制御することで粒径を制御することができる。一般的に、焼成温度は７００℃から１５００℃の範囲で選択できるが、焼成温度を比較的高い１０００℃以上にすることで、その粒径を０．３〜２μｍ程度に制御することが可能である。さらに、結晶粒子９２ａをＭｇＯ前駆体を加熱して得ることにより、その生成過程において、複数個の一次粒子同士が凝集またはネッキングと呼ばれる現象により結合して凝集粒子９２を得ることができる。
【００５５】
また、電子放出性能は、大きいほど電子放出量が多いことを示す数値で、表面状態及びガス種とその状態によって定まる初期電子放出量によって表現する。初期電子放出量については表面にイオン、あるいは電子ビームを照射して表面から放出される電子電流量を測定する方法で測定できるが、ＰＤＰ１の前面板２表面の評価を非破壊で実施することは困難を伴う。そこで、特開２００７−４８７３３号公報に記載されている方法を用いた。すなわち、放電時の遅れ時間のうち、統計遅れ時間と呼ばれる放電の発生しやすさの目安となる数値を測定し、その逆数を積分すると初期電子の放出量と線形に対応する数値になる。
【００５６】
そこで、この数値を用いて評価している。放電時の遅れ時間とは、パルスの立ち上がりから放電が遅れて行われる放電遅れの時間を意味し、放電遅れは、放電が開始される際にトリガーとなる初期電子が保護膜９表面から放電空間中に放出されにくいことが主要な要因として考えられている。
【００５７】
次に、本発明の実施の形態における凝集粒子９２を有する保護膜９の効果を確認するために行った実験結果について説明する。まず、構成の異なる下地膜９１と下地膜９１上に設けた凝集粒子９２を有するＰＤＰを試作した。試作品１は酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の下地膜９１のみの保護膜９を形成したＰＤＰ、試作品２は酸化マグネシウム（ＭｇＯ）にＡｌ、Ｓｉなどの不純物をドープした下地膜９１のみの保護膜９を形成したＰＤＰ、試作品３は酸化マグネシウム（ＭｇＯ）による下地膜９１上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子９２ａの一次粒子のみを散布し付着させた保護膜９を形成したＰＤＰである。
【００５８】
一方、試作品４は本発明の実施の形態におけるＰＤＰであり、保護膜９として、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）で構成した下地膜９１と、下地膜９１上に結晶粒子９２ａを凝集させた凝集粒子９２を全面に亘ってほぼ均一に分布するように付着させている。
【００５９】
これらのＰＤＰについて、その電子放出性能と電荷保持性能を調べ、その結果を図７に示す。電子放出性能は上述の方法で評価し、電荷保持性能は、その指標として、ＰＤＰとして作製した場合に電荷放出現象を抑えるために必要とする走査電極に印加する電圧（以下Ｖｓｃｎ点灯電圧と呼称する）の電圧値を用いた。すなわち、Ｖｓｃｎ点灯電圧の低い方が電荷保持能力の高いことを示す。このことは、ＰＤＰを設計する上で、電源や各電気部品として、耐圧及び容量の小さい部品を使用することが可能となる。現状の製品において、走査電圧を順次パネルに印加するためのＭＯＳＦＥＴなどの半導体スイッチング素子には、耐圧１５０Ｖ程度の素子が使用されており、Ｖｓｃｎ点灯電圧としては、温度による変動を考慮して１２０Ｖ以下に抑えるのが望ましい。
【００６０】
図７は本発明の実施の形態におけるＰＤＰの電子放出性能と電荷保持性能について調べた結果を示す図である。図７から明らかなように、本発明の実施の形態における下地膜９１に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の単結晶粒子９２ａを凝集させた凝集粒子９２を散布して全面に亘って均一に分布させた試作品４は、電荷保持性能の評価において、Ｖｓｃｎ点灯電圧を１２０Ｖ以下にすることができ、なおかつ電子放出性能が酸化マグネシウム（ＭｇＯ）のみの保護膜の場合の試作品１に比べて格段に良好な特性を得ることができる。
【００６１】
一般的にはＰＤＰの保護膜の電子放出能力と電荷保持能力は相反する。例えば、保護膜の製膜条件を変更することや、保護膜中にＡｌやＳｉ、Ｂａなどの不純物をドーピングして製膜することにより電子放出性能を向上することは可能であるが、副作用としてＶｓｃｎ点灯電圧も上昇してしまう。
【００６２】
本発明の実施の形態における保護膜９を形成した試作品４のＰＤＰにおいては、電子放出能力としては、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）のみの保護膜を用いた試作品１の場合に比べて８倍以上の特性を有し、電荷保持能力としてはＶｓｃｎ点灯電圧が１２０Ｖ以下のものを得ることができる。したがって、高精細化により走査線数が増加し、かつセルサイズが小さいＰＤＰに対しては有用で、電子放出能力と電荷保持能力の両方を満足させて、放電遅れを低減して良好な画像表示を実現することができる。
【００６３】
次に、背面板作製工程Ｂ１について説明する。この背面板作製工程Ｂ１においては、まず、背面ガラス基板１１上に、銀（Ａｇ）材料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や、金属膜を全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングする方法などによりデータ電極１２用の構成物となる材料層を形成する。データ電極１２を形成するための電極ペーストは、銀（Ａｇ）粒子と、ガラス成分と、感光性ポリマー、感光性モノマー、光重合開始剤、溶剤などを含む感光性有機バインダ成分とよりなる感光性ペーストである。
【００６４】
特に銀（Ａｇ）粒子は、平均粒径が約１．１μｍの小粒子を用いることで、緻密に銀粒子が充填され、データ電極の焼成時による断線を防止することができる。
【００６５】
また、電極ペーストの材料として、ＴｉＯ2などのフィラーを含むことも可能である。フィラーを含まない場合、ガラス成分の焼結と銀（Ａｇ）の焼結とがほぼ同時に行われるので、銀（Ａｇ）の焼結が不十分なままになってしまう。しかし、フィラーを含むことにより、銀（Ａｇ）粒子の焼結開始後にガラス成分の焼結が開始するため、銀（Ａｇ）粒子の焼結が不十分にあることを防ぐ。その結果、銀（Ａｇ）粒子が緻密に充填されたデータ電極が完成する。
【００６６】
次に、データ電極１２が形成された背面ガラス基板１１上にダイコート法などにより、データ電極１２を覆うように誘電体ペーストを塗布して誘電体ペースト層を形成する。その後、誘電体ペースト層を焼成することにより下地誘電体層１３を形成する。なお、誘電体ペーストはガラス粉末などの誘電体材料とバインダ及び溶剤を含んだ塗料である。
【００６７】
具体的には、本発明の実施の形態において絶縁体ペーストは、ガラス成分２０−５０％、絶縁性フィラー１０−５０％、導電性フィラー０−５％、バインダ１０−２０％、溶剤２０−３０％の配合比のものを数種類用いた。
【００６８】
絶縁性フィラーとは、シリカやチタニアのような絶縁性をもった物質で構成されたフィラーであり、導電性フィラーは酸化スズやマンガンといった導電性をもった物質で構成されたフィラーである。
【００６９】
また絶縁性フィラーとガラス成分の比率を変更することで、絶縁体層の空隙率を変更できる。後述する実験結果においてはこれらの配合比を変更して試料を作成し検討した。特に、ガラス成分４０−５０％、絶縁性フィラー１０−２０％とすることで、背面ガラス基板１１側から厚み０〜５０％の深さの空隙率の平均値を０．１〜１％の範囲とする。
【００７０】
ここで空隙率とは、下地誘電体層１３の中で下地誘電体層１３が存在していない部分の体積の割合であって、以下の方法で測定される。
（１）背面板１０を割断し、下地誘電体層１３の断面が露出したサンプルを切り出す
（２）下地誘電体層１３を二次電子走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて撮像する
（３）撮像された誘電体断面の画像から、空隙率を算出する
また誘電体層の断面は、ＳＥＭ撮像時のコントラストを上げ、かつ割断時の割れ具合による測定ばらつきを防止するため、空隙部や周辺を樹脂でコートすることが望ましい。本測定は、日立製作所製走査型電子顕微鏡Ｓ−３０００を用いて行った。算出に用いた撮像は反射電子計測モードで、加速電圧１５ｋＶ、ワークディスタンス１５ｍｍにて行った。
【００７１】
下地誘電体層１３の厚み０〜５０％における空隙率の平均値が１％を越えると、放電ガスが外部に漏れ出し、ＰＤＰの品質を損ねる。また、下地誘電体層１３の厚み０〜５０％における空隙率の平均値が０．１％より小さいと、下地誘電体層１３の反射率が著しく小さくなるためＰＤＰの発光輝度が下がることになる。これは、空隙率が小さくなったことによって絶縁体層の空隙の界面において反射する光が少なくなり、全面基板から取り出される光の量が少なくなることに起因する。
【００７２】
次に、下地誘電体層１３上に隔壁材料を含む隔壁形成用ペーストを塗布し、所定の形状にパターニングすることにより隔壁材料層を形成する。その後、所定の温度で焼成することにより隔壁１４を形成する。ここで、下地誘電体層１３上に塗布した隔壁用ペーストをパターニングする方法としては、フォトリソグラフィ法やサンドブラスト法を用いることができる。そして、隣接する隔壁１４間の下地誘電体層１３上及び隔壁１４の側面に蛍光体材料を含む蛍光体ペーストを塗布し、焼成することにより蛍光体層１５が形成される。以上の工程により、背面ガラス基板１１上に所定の構成部材を有する背面板１０が完成する。
【００７３】
その後、背面板１０においては、背面板作製工程Ｂ１により作製した背面板１０の画像表示領域外に封着部材であるガラスフリットを塗布し、その後ガラスフリットの樹脂成分等を除去するために３５０℃程度の温度で仮焼成するフリット塗布工程Ｂ２を行う。
【００７４】
ここで、封着部材としては、酸化ビスマスや酸化バナジウムを主成分としたフリットが望ましい。この酸化ビスマスを主成分とするフリットとしては、例えば、Ｂｉ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＲＯ−ＭＯ系（ここでＲは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇのいずれかであり、Ｍは、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｆｅのいずれかである。）のガラス材料に、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、コージライト等酸化物からなるフィラーを加えたものを用いることができる。また、酸化バナジウムを主成分とするフリットとしては、例えば、Ｖ2Ｏ5−ＢａＯ−ＴｅＯ−ＷＯ系のガラス材料に、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、コージライト等酸化物からなるフィラーを加えたものを用いることができる。
【００７５】
これらの前面板作製工程Ａ１、背面板作製工程Ｂ１及びフリット塗布工程Ｂ２を行って前面板２と背面板１０とを作製した後、前記前面板２と背面板１０とを対向配置させて周辺部を封着部材により封着し、その後パネルの放電空間内に放電ガスを封入するパネルの組み立て工程を行う。
【００７６】
上述したように、本発明は、電子放出特性の優れた保護膜の検討を行った結果、前面板２と背面板１０とを作製した後、放電ガスをパネルの放電空間内に封入するまでの間に、還元性有機ガスを含むガスをパネルの放電空間内に導入して前面板２の保護膜９を還元性有機ガスに曝した後、その還元性有機ガスを含むガスを排出する工程を設け、その後放電空間内に放電ガスを封入することにより、ＰＤＰの維持放電電圧を低下させることができることを見出したものであり、封着工程Ｃ１、排気工程Ｃ３と、放電ガス供給工程Ｃ４以外に、還元性ガス導入工程Ｃ２を設けた点に特徴を有する。
【００７７】
図８〜図１０は、本発明の実施の形態に用いる封着工程Ｃ１、還元性ガス導入工程Ｃ２、排気工程Ｃ３と、放電ガス供給工程Ｃ４の温度プロファイルの一例を示す図である。図８〜図１０において、封着温度とは、封着工程Ｃ１において、前面板２と背面板１０とが封着部材であるフリットにより密閉される状態となる温度であり、本実施の形態における封着温度は、例えば約４９０℃程度である。また、排気温度とは、排気工程Ｃ３における温度であり、本実施の形態における排気温度は、例えば約４００℃程度である。
【００７８】
図８に示す例においては、封着工程Ｃ１において、封着温度に維持するａ−ｂの期間経過後、封着温度から排気温度に低下させるｂ−ｃの期間において、パネルの放電空間内からガスを排気する排気を行って減圧状態にした後、排気温度に維持しているｃ−ｄの期間において、パネルの放電空間内に還元性有機ガスを含むガスを導入して保護膜９を還元性有機ガスを含むガスに曝す還元性ガス導入工程Ｃ２を行い、その後ｄ−ｅの期間において、還元性有機ガスを含めてパネルの放電空間内からガスを排気する排気工程Ｃ３を行い、温度が室温程度に下がったｅ点以降の期間において、放電空間内に放電ガスを供給する放電ガス供給工程Ｃ４を行うものである。
【００７９】
図９に示す例においては、封着工程Ｃ１において、封着温度に維持するａ−ｂの期間経過後、封着温度から排気温度に低下させたｃ点から排気温度に維持しているｄ１の期間において、パネルの放電空間内からガスを排気する排気を行って減圧状態にした後、排気温度に維持した状態でｄ１−ｄ２の期間において、パネルの放電空間内に還元性有機ガスを含むガスを導入して保護膜９を還元性有機ガスを含むガスに曝す還元性ガス導入工程Ｃ２を行い、その後ｄ２−ｅの期間において、還元性有機ガスを含めてパネルの放電空間内からガスを排気する排気工程Ｃ３を行い、温度が室温程度に下がったｅ点以降の期間において、放電空間内に放電ガスを供給する放電ガス供給工程Ｃ４を行うものである。
【００８０】
また、図１０に示す例においては、封着工程Ｃ１において、封着温度に到達したａ点から封着温度に維持している期間中のｂ１点の間、パネルの放電空間内からガスを排気する排気を行って減圧状態にした後、ｂ１点から、封着温度に維持しているｂ２の期間を過ぎて、封着温度から排気温度に低下したｃ点の期間において、パネルの放電空間内に還元性有機ガスを含むガスを導入して保護膜９を還元性有機ガスを含むガスに曝す還元性ガス導入工程Ｃ２を行い、その後ｃ−ｅの期間において、還元性有機ガスを含めてパネルの放電空間内からガスを排気する排気工程Ｃ３を行い、温度が室温程度に下がったｅ点以降の期間において、放電空間内に放電ガスを供給する放電ガス供給工程Ｃ４を行うものである。
【００８１】
ここで、本発明において使用する還元性有機ガスとしては、表１に示すように、分子量が５８以下の還元力の大きいＣＨ系有機ガスが望ましく、これらの還元性有機ガスの中から選ばれる還元性有機ガスを希ガスや窒素ガスに混合して、還元性有機ガスを含むガスを作製して、還元性ガス導入工程Ｃ２を行う。
【００８２】
【表１】
2013030296.tif 000003
【００８３】
なお、表１において、それぞれの還元性有機ガスの蒸気圧の項目において、１００ｋＰａ（０℃）以上のガスに「○」印を付し、１００ｋＰａ（０℃）より小さいガスに「×」印を付している。さらに、沸点の項目において、０℃以下のガスに「○」印を付し、０℃より大きいガスに「×」印を付している。これは、ＰＤＰの製造工程における有機ガスの取扱い易さの観点から考えると、ガスボンベに入れて供給できる還元性有機ガスが望ましく、製造工程における取扱い易さから考えると、蒸気圧が１００ｋＰａ（０℃）以上の還元性有機ガス、または沸点が０℃以下の還元性有機ガス、または分子量が小さい還元性有機ガスが望ましい。
【００８４】
さらに、本発明においては、パネルの放電空間内に還元性有機ガスを含むガスを導入して保護膜９を還元性有機ガスを含むガスに曝す還元性ガス導入工程Ｃ２を行い、その後還元性有機ガスを含めてパネルの放電空間内からガスを排気する排気工程Ｃ３を行うが、一部パネル内に残留することを考えると、分解しやすい還元性有機ガスが望ましく、表１に、分解しやすい項目として、分解しやすいガスに「○」印を付している。
【００８５】
以上の製造プロセス上での取扱い易さや、一部残留する場合などの点を考慮すると、還元性有機ガスとしては、アセチレン、エチレン、メチルアセチレン、プロパジエン、プロピレン、及びシクロプロパンの中から選ばれる酸素を含まない炭化水素系ガスが望ましく、これらの還元性有機ガスの中から選ばれる還元性有機ガスを希ガスや窒素ガスに混合して用いればよい。
【００８６】
本発明者らが実験した結果では、例えば化学式でＣ3Ｈ6のプロピレンガス、シクロプロパンガスを使用した場合は、維持電圧を約１０Ｖ低下させることができ、化学式でＣ2Ｈ2のアセチレンガスを使用した場合は、維持電圧を約２０Ｖ低下させることができることが分かった。
【００８７】
なお、希ガスや窒素ガスに混合する還元性有機ガスの混合比率は、使用する還元性有機ガスの燃焼範囲に応じて下限の比率を決定すればよく、数％程度の濃度以下で希ガスや窒素ガスに混合して使用する。また、これらの還元性有機ガスについて、混合する濃度が高すぎると、有機成分が重合して高分子となり、そのままパネル内に残留し、パネル特性に影響を与えてしまうため、使用する還元性有機ガス成分に応じて、混合比率を適宜調整することが必要である。
【００８８】
以上説明したように、本発明によれば、前面板２と背面板１０とを作製した後、放電ガスをパネルの放電空間内に封入するまでの間に、還元性有機ガスを含むガスをパネルの放電空間内に導入して前面板２の保護膜９を還元性有機ガスに曝した後、その還元性有機ガスを含むガスを排出する工程を設け、その後放電空間内に放電ガスを封入することにより、ＰＤＰの維持放電電圧を低下させることができるものである。
【００８９】
なお、以上の説明では、保護膜９として、ＭｇＯからなる下地膜９１に、ＭｇＯの結晶粒子が凝集した凝集粒子９２を分散させて付着させた例で説明したが、上述したように、下地膜９１としては、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、及び酸化バリウム（ＢａＯ）から選ばれる金属酸化物により構成したものでもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
以上のように本発明は、高画質の表示性能を備え、かつ低消費電力のＰＤＰを実現する上で有用な発明である。
【符号の説明】
【００９１】
１  ＰＤＰ
２  前面板
３  前面ガラス基板
４  走査電極
４ａ，５ａ  透明電極
４ｂ，５ｂ  金属バス電極
５  維持電極
６  表示電極
７  ブラックストライプ（遮光層）
８  誘電体層
９  保護膜
１０  背面板
１１  背面ガラス基板
１２  データ電極
１３  下地誘電体層
１４  隔壁
１５  蛍光体層
１６  放電空間
９１  下地膜
９２  凝集粒子
９２ａ  結晶粒子
【図１】
2013030296.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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