(57)【要約】【課題】  コストや開発期間の増大や特性の劣化を招くことなく、インダクタンス成分を容易に調整可能として、所望の周波数特性を得ることができる弾性表面波デバイスを提供する。【解決手段】  パッケージ２に、ＳＡＷチップ１のＧＮＤ電極１１に接続可能で、櫛形電極１９からの線路長が異なるよう配置された複数のパッケージ側ＧＮＤ電極２１，２２，２３と、ＳＡＷチップ１のＧＮＤ電極１２に接続可能で、櫛形電極１８からの線路長が異なるよう配置された複数のパッケージ側ＧＮＤ電極２４，２５，２６とを設け、並列共振子とグランドレベルとの間のインダクタンス値を所望の値とするよう、ＳＡＷチップ１のＧＮＤ電極１１,１２と、各々対応する１つ又は複数のパッケージ側ＧＮＤ電極とが、フリップチップボンディングにより接続された弾性表面波デバイスとしている。【選択図】        図１
2013046084.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に複数の櫛形電極を有する弾性表面波チップと、前記弾性表面波チップを搭載するパッケージとを備える弾性表面波デバイスであって、
前記弾性表面波チップが、並列共振子とチップ側グランド電極を備え、
前記パッケージが、前記チップ側グランド電極に対応して、複数のパッケージ側グランド電極を備え、
前記チップ側グランド電極が、前記複数のパッケージ側グランド電極の内、前記並列共振子とグランドレベルとの間のインダクタンスを適切にする１つ又は複数のパッケージ側グランド電極にバンプを介してフリップチップボンディングによって接続されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
同一のチップ側グランド電極に対応する複数のパッケージ側グランド電極が、同一の線路長を備えていることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３】
同一のチップ側グランド電極に対応する複数のパッケージ側グランド電極は、並列共振子に近い位置に形成されているものほど線路長が長く形成されていることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
同一のチップ側グランド電極に対応する複数のパッケージ側グランド電極は、並列共振子に近い位置に形成されているものほど線路長が短く形成されていることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波デバイス。
【請求項５】
圧電基板上に、複数の櫛形電極を有する弾性表面波チップと、前記弾性表面波チップを搭載するパッケージとを備える弾性表面波デバイスの製造方法であって、
前記弾性表面波チップには、並列共振子とチップ側グランド電極が形成され、
前記パッケージには、前記チップ側グランド電極に対応して、複数のパッケージ側グランド電極が形成され、
前記チップ側グランド電極を、前記複数のパッケージ側グランド電極の内、前記並列共振子とグランドレベルとの間のインダクタンスを適切にする１つ又は複数のパッケージ側グランド電極とをバンプを介してフリップチップボンディングによって接続することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルタ等に用いられる弾性表面波デバイスに係り、特に並列共振子とグランド端子との間のインダクタンス成分を容易に調整することができ、所望の周波数特性を得ることができる弾性表面波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
［先行技術の説明：図４］
弾性表面波（Surface Acoustic Wave；ＳＡＷ）デバイス（ＳＡＷデバイス）として、弾性表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）がある。ＳＡＷフィルタは、低損失で且つ通過帯域外の遮断特性が優れ、広帯域幅を有するものであり、移動体通信機器に用いられている。
【０００３】
従来のＳＡＷフィルタについて図４を用いて説明する。図４は、従来のＳＡＷフィルタの構成を示す説明図である。
図４に示すように、従来のＳＡＷフィルタは、主として、ＳＡＷ電極である櫛形電極が形成されたＳＡＷチップ５と、ＳＡＷチップ５を搭載するパッケージ６とを備えており、ＳＡＷチップ５とパッケージ６の電極同士はワイヤボンディングで接続されている。
【０００４】
具体的には、図４に示すように、ＳＡＷチップ５は、水晶等の圧電基板上に形成された電極パターンであるグランド（ＧＮＤ）電極５１及び５２と、信号線電極５３及び５４と、絶縁層を介して電極パターンの上に形成された櫛形電極５５，５６，５７，５８，５９とを備えている。尚、信号線電極５３,５４は一方が入力側、他方が出力側となっている。
【０００５】
櫛形電極５５,５６,５７は直列共振子を構成しており、櫛形電極５８，５９は並列共振子を構成している。
【０００６】
また、パッケージ６には、グランド電極６１,６２と、信号線電極６３，６４とが設けられている。信号線電極６３,６４は、一方が入力側、他方が出力側となっている。
【０００７】
そして、ＳＡＷチップ５のグランド電極５１と、パッケージ６のグランド電極６１とがワイヤボンディング７１で接続され、ＳＡＷチップのグランド電極５２とパッケージ６のグランド電極６２とがワイヤボンディング７２によって接続されている。
また、同様に、ＳＡＷチップ５の信号線電極５３、５４とパッケージ６の信号線電極６３、６４とがそれぞれワイヤボンディングで接続されている。
【０００８】
［ワイヤー長による並列共振子の通過特性の調整：図５］
ところで、図４に示したようなＳＡＷチップとパッケージとをワイヤボンディングで接続する構成のＳＡＷフィルタでは、並列共振子とＧＮＤ端子との間のワイヤー長を調整することにより、インダクタンス成分を変化させ、周波数特性を調整するようになっていた。
【０００９】
従来のＳＡＷフィルタにおける、並列共振子とＧＮＤ端子との間のワイヤー長を調整してインダクタンスを調整することについて図５を用いて説明する。図５は、インダクタンス調整を行うワイヤーを示す概略回路図である。
図５に示すように、並列共振子８３の一端は、入力端子８１と出力端子８２との間の線路に接続され、他端はワイヤー８４を介してグランド端子８５に接続され、接地されている。
そして、並列共振子８３とＧＮＤ端子８５との間のワイヤー８４の長さを適宜調整することにより、インダクタンス成分を調整することができ、それによってフィルタの通過特性（周波数の通過特性）を所望の特性とするものである。
【００１０】
［並列共振子の通過特性の例：図６，図４］
次に、従来のＳＡＷフィルタにおける並列共振子の通過特性の例について図６を用いて説明する。図６は、従来のＳＡＷフィルタにおける並列共振子の通過特性の例を示す概略特性図である。
図６では、図５に示したワイヤー８４の長さを１ｎＨから２ｎＨに変更した場合の特性を示しており、ワイヤー長を１ｎＨから２ｎＨに変更すると、図５に示した入力端子８１−出力端子８２間の通過特性における減衰極が高周波数側に移動することがわかる。尚、「ｎＨ」は、導線の長さと導線の直径とで求められるインダクタンスを表している。
従来のＳＡＷフィルタでは、このことを利用してフィルタの周波数特性を調整していた。
【００１１】
つまり、図４の例では、ＳＡＷチップのＧＮＤ電極５１とパッケージのＧＮＤ電極６１とを接続するワイヤボンディング７１の代わりに、パッケージのＧＮＤ電極６１側のバンプ形成位置を７１ａ，７１ｂ，７１ｃに変えて、破線で示したワイヤー長が異なる配線を形成する。
同様に、ＳＡＷチップのＧＮＤ電極５２とパッケージのＧＮＤ電極６２とを接続するワイヤボンディング７２の代わりに、パッケージのＧＮＤ電極６２側のバンプ形成位置を、７２ａ，７２ｂ，７２ｃに変えてワイヤー長が異なる配線を形成する。
更に、同一電極間に複数の配線を形成してそれらのワイヤー長を調整して、並列共振子とＧＮＤとの間のインダクタンス成分を調整することも可能である。
【００１２】
［フリップチップボンディングタイプ］
近年、ＳＡＷフィルタに対する小型化の要求に伴い、ワイヤボンディングを用いないフリップチップボンディングタイプのＳＡＷフィルタが主流となっている。
フリップチップタイプのＳＡＷフィルタでは、ＳＡＷチップの電極上に、パッケージとの接続用バンプを形成し、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics：高温焼成セラミック）やＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics：低温焼成セラミック）基板で形成されたパッケージに裏返して圧着することにより、ＳＡＷチップ上の電極とパッケージ上の電極とを電気的に接続している。
【００１３】
このようなフリップチップタイプのＳＡＷフィルタでは、ワイヤボンディングとは異なり、パッケージ上に電極パターンを引き回してインダクタンス成分を調整するが、引き回し電極パターンの長さを様々に変更して最適な長さを決定する必要があり、種々の長さに対応したＨＴＣＣパッケージやＬＴＣＣパッケージを作成しなければならず、コストがかかり、開発期間も長くなってしまう。
【００１４】
［関連技術］
尚、弾性表面波デバイスに関する技術としては、特開２００４−３２０４２５号公報「表面弾性波デバイス、表面弾性波デバイスのＬＣ成分調整方法」（沖電気工業株式会社、特許文献１）、特開２００２−０７６８３３号公報「弾性表面波装置」（京セラ株式会社、特許文献２）がある。
【００１５】
特許文献１には、櫛形電極に接続され、引き伸ばして形成された電極パッドを備え、電極パッド上に、表面弾性波デバイスのＬＣ成分が所定の値になるように、スタッドバンプを配置することが記載されている。
【００１６】
特許文献２には、パッケージの複数個所に形成した接地電極同士を、インダクタンス素子を介して接続することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開２００４−３２０４２５号公報
【特許文献２】特開２００２−０７６８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
しかしながら、従来のフリップチップボンディングを用いた弾性表面波デバイスでは、並列共振子とグランド電極との間のインダクタンス成分を調整するのが困難であり、最適な長さの電極パターンを備えたパッケージを作成しようとすると、コストや開発期間が増大してしまうという問題点があった。
【００１９】
また、特許文献１は、ＳＡＷチップ上において電極パターンを引き伸ばして形成しており、電力のロスやフィルタ特性の劣化が生じ易いといった問題点がある。
更に、特許文献１及び２は、パッケージに、ＳＡＷチップの各々のグランド電極に接続可能な複数のグランド電極（パッケージ側グランド電極）を備え、それらの中から所望のインダクタンス成分となるようなパッケージ側グランド電極を選択して接続するものではない。
【００２０】
本発明は、上記実状に鑑みて為されたもので、フリップチップボンディングを用いた弾性表面波デバイスにおいて、コストや開発期間の増大を抑え、特性の劣化を招くことなく、並列共振子とグランド電極との間のインダクタンス成分を容易に調整可能として、所望の周波数特性を得ることができる弾性表面波デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記従来例の問題点を解決するための本発明は、圧電基板上に複数の櫛形電極を有する弾性表面波チップと、弾性表面波チップを搭載するパッケージとを備える弾性表面波デバイスであって、弾性表面波チップが、並列共振子とチップ側グランド電極を備え、パッケージが、チップ側グランド電極に対応して、複数のパッケージ側グランド電極を備え、チップ側グランド電極が、複数のパッケージ側グランド電極の内、並列共振子とグランドレベルとの間のインダクタンスを適切にする１つ又は複数のパッケージ側グランド電極にバンプを介してフリップチップボンディングによって接続されていることを特徴としている。
【００２２】
また、本発明は、上記弾性表面波デバイスにおいて、同一のチップ側グランド電極に対応する複数のパッケージ側グランド電極が、同一の線路長を備えていることを特徴としている。
【００２３】
また、本発明は、上記弾性表面波デバイスにおいて、同一のチップ側グランド電極に対応する複数のパッケージ側グランド電極は、並列共振子に近い位置に形成されているものほど線路長が長く形成されていることを特徴としている。
【００２４】
また、本発明は、上記弾性表面波デバイスにおいて、同一のチップ側グランド電極に対応する複数のパッケージ側グランド電極は、並列共振子に近い位置に形成されているものほど線路長が短く形成されていることを特徴としている。
特徴としている。
【００２５】
また、本発明は、圧電基板上に、複数の櫛形電極を有する弾性表面波チップと、弾性表面波チップを搭載するパッケージとを備える弾性表面波デバイスの製造方法であって、弾性表面波チップには、並列共振子とチップ側グランド電極が形成され、パッケージには、チップ側グランド電極に対応して、複数のパッケージ側グランド電極が形成され、チップ側グランド電極を、複数のパッケージ側グランド電極の内、並列共振子とグランドレベルとの間のインダクタンスを適切にする１つ又は複数のパッケージ側グランド電極とをバンプを介してフリップチップボンディングによって接続することを特徴としている。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、圧電基板上に複数の櫛形電極を有する弾性表面波チップと、弾性表面波チップを搭載するパッケージとを備える弾性表面波デバイスであって、弾性表面波チップが、並列共振子とチップ側グランド電極を備え、パッケージが、チップ側グランド電極に対応して、複数のパッケージ側グランド電極を備え、チップ側グランド電極が、複数のパッケージ側グランド電極の内、並列共振子とグランドレベルとの間のインダクタンスを適切にする１つ又は複数のパッケージ側グランド電極にバンプを介してフリップチップボンディングによって接続されている弾性表面波デバイスとしているので、並列共振子とグランドレベルとの間のインダクタンスを所望の値とするよう、並列共振子とグランドレベルとの間の線路長を選択することができ、特性の劣化を招くことなく、インダクタンスの調整を容易にし、所望の周端数特性を得ることができる効果がある。
【００２７】
また、本発明によれば、同一のチップ側グランド電極に対応する複数のパッケージ側グランド電極が、同一の線路長を備えている上記弾性表面波デバイスとしているので、パッケージ側グランド電極の接続数に応じてインダクタンスの調整を容易に行うことができる効果がある。
【００２８】
また、本発明によれば、同一のチップ側グランド電極に対応する複数のパッケージ側グランド電極は、並列共振子に近い位置に形成されているものほど線路長が長く形成されている上記弾性表面波デバイスとしているので、調整ピッチを細かくしてインダクタンスの微調整を行うことができる効果がある。
【００２９】
また、本発明によれば、同一のチップ側グランド電極に対応する複数のパッケージ側グランド電極は、並列共振子に近い位置に形成されているものほど線路長が短く形成されている上記弾性表面波デバイスとしているので、インダクタンスの調整範囲を広くすることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る弾性表面波デバイスの概略構成図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る弾性表面波デバイスの概略構成図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態に係る弾性表面波デバイスの概略構成図である。
【図４】従来のＳＡＷフィルタの構成を示す説明図である。
【図５】インダクタンス調整を行うワイヤーを示す概略回路図である。
【図６】従来のＳＡＷフィルタにおける並列共振子の通過特性の例を示す概略特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
［実施の形態の概要］
本発明の実施の形態に係る弾性表面波デバイスは、ＳＡＷチップを搭載するパッケージに、ＳＡＷチップの各グランド電極に接続可能で、櫛形電極からの線路長が異なるよう配置された複数のパッケージ側グランド電極を備え、並列共振子とグランド端子との間のインダクタンス成分が所望の値となるよう、複数のパッケージ側グランド電極の中から適切な電極を１つ又は複数選択してＳＡＷチップ側のグランド電極とバンプで接続したものであり、コスト増大や特性劣化を招くことなく、並列共振子とグランド端子との間のインダクタンス成分を容易に調整することができるものである。
【００３２】
［第１の実施の形態：図１］
本発明の第１の実施の形態に係る弾性表面波デバイスについて図１を用いて説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態に係る弾性表面波デバイスの概略構成図である。
図１に示すように、本発明の第１の実施の形態に係る弾性表面波デバイス（第１のＳＡＷデバイス）は、ＳＡＷ電極である櫛形電極が形成されたＳＡＷチップ１と、パッケージ２とから構成されており、ＳＡＷチップ１とパッケージ２とは、フリップチップボンディングによって接続される。パッケージ２上において、ＳＡＷチップ１が搭載される領域は一点鎖線で示している。
また、フリップチップボンディングによるバンプが形成される位置は、図では黒丸で示されている。
【００３３】
［第１のＳＡＷデバイスの各部：図１］
第１のＳＡＷデバイスの各構成部分について説明する。
［ＳＡＷチップ１］
ＳＡＷチップ１は、基本的に図４に示した従来のＳＡＷチップと同様の構成であり、圧電基板上に形成された電極パターンであるグランド（ＧＮＤ）電極１１及び１２と、信号線電極１３及び１４と、絶縁層を介して電極パターンの上に形成された櫛形電極１５，１６，１７，１８，１９とを備えている。信号線電極１３,１４は一方が入力側、他方が出力側となっている。ＧＮＤ電極１１，１２は、請求項に記載した「チップ側グランド電極」に相当する。
【００３４】
そして、本ＳＡＷデバイスの特徴として、ＳＡＷチップ１側のＧＮＤ電極１１，１２には、それぞれ、パッケージ側ＧＮＤ電極に対応して３箇所にバンプ形成可能となっている。つまり、ＧＮＤ電極１１には、バンプ位置１１ａ，１１ｂ，１１ｃにバンプ形成可能であり、ＧＮＤ電極１２には、バンプ位置１２ａ，１２ｂ，１２ｃにバンプ形成可能である。
尚、ＧＮＤ電極１１,１２では、全てのバンプ形成位置にバンプが形成されて接続されるとは限らない。
【００３５】
また、櫛形電極１５，１６，１７は直列共振子を構成し、櫛形電極１８，１９は並列共振子を構成している。
尚、圧電基板としては、ＬｉＴａＯ3や（タンタル酸リチウム、酸化タンタルリチウム）、ＬｉＮｂＯ3（ニオブ酸リチウム、酸化ニオブリチウム）、水晶を始めとする圧電作用を備えたＳＡＷデバイス用ウエハであればよい。
【００３６】
［パッケージ２］
パッケージ２は、本発明の特徴部分となっており、パッケージ側グランド（ＧＮＤ）電極２１，２２，２３，２４，２５，２６と、パッケージ側信号線電極２７，２８を備えている。第１のＳＡＷデバイスにおいては、各パッケージ側ＧＮＤ電極の幅及び長さは同一としている。
そして、図示は省略するが、各パッケージ側ＧＮＤ電極２１〜２６は、裏面に形成されたＧＮＤ端子にビアホール等によって接続されている。ＧＮＤ端子の電位は請求項に記載したグランドレベルである。
【００３７】
ここで、パッケージ側ＧＮＤ電極２１，２２，２３は、いずれも、ＳＡＷチップ１のＧＮＤ電極１１に接続可能なものであり、また、パッケージ側ＧＮＤ電極２４，２５，２６は、いずれも、ＳＡＷチップ１のＧＮＤ電極１２に接続可能なものである。そして、フリップチップボンディングによって対応するＳＡＷチップ１側のＧＮＤ電極に接続可能な位置に略平行に配列されている。
【００３８】
各パッケージ側ＧＮＤ電極２１，２２，２３，２４，２５，２６には、それぞれ、バンプ位置２１０，２２０，２３０，２４０，２５０，２６０にバンプを形成可能としており、所望のインダクタンス値を実現する１つ又は複数のパッケージ側ＧＮＤ電極と、ＳＡＷチップ１側のＧＮＤ電極とが接続される。
【００３９】
具体的には、ＧＮＤ電極１１とパッケージ側ＧＮＤ電極２１とを接続する場合には、ＧＮＤ電極１１のバンプ位置１１ａにバンプを形成して、フリップチップボンディングで接続する。
同様に、ＧＮＤ電極１１とパッケージ側ＧＮＤ電極２２とを接続する場合には、ＧＮＤ電極１１のバンプ位置１１ｂにバンプを形成し、ＧＮＤ電極１１とパッケージ側ＧＮＤ電極２３とを接続する場合には、バンプ位置１１ｃにバンプを形成する。
【００４０】
つまり、ＳＡＷチップ１の櫛形電極１９とパッケージ２の裏面のＧＮＤ端子との間の線路長は、ＳＡＷチップのＧＮＤ電極１１をパッケージ側ＧＮＤ電極２１と接続する場合が最も長くなり、パッケージ側ＧＮＤ電極２３と接続する場合が最も短くなる。
【００４１】
本ＳＡＷデバイスでは、これらの複数のパッケージ側ＧＮＤ電極の中から、適切な１つ又は複数のパッケージ側ＧＮＤ電極を選択してＳＡＷチップ１の各ＧＮＤ電極１１，１２に接続することで、並列共振子とＧＮＤ端子との間の線路長を適宜選択可能として、インダクタンス成分を調整するものである。
【００４２】
同様に、ＧＮＤ電極１２を、パッケージ側ＧＮＤ電極２４に接続する場合には、ＧＮＤ電極１２のバンプ位置１２ａにバンプを形成し、パッケージ側ＧＮＤ電極２５に接続する場合には、バンプ位置１２ｂにバンプを形成し、パッケージ側ＧＮＤ電極２６に接続する場合には、バンプ位置１２ｂにバンプを形成して、フリップチップボンディングによって接続する。
ＳＡＷチップ１の櫛形電極１８とＧＮＤ端子との間の線路長は、ＳＡＷチップ１のＧＮＤ電極１２をパッケージ側ＧＮＤ電極２４と接続する場合が最も長くなり、パッケージ側ＧＮＤ電極２６と接続する場合が最も短くなる。
【００４３】
また、パッケージ２には、信号線電極２７，２８が設けられており、ＳＡＷチップ１の信号線電極１３，１４とそれぞれフリップチップボンディングによって接続される。
【００４４】
［第１のＳＡＷデバイスのインダクタンス値の調整］
第１のＳＡＷデバイスでは、ＳＡＷチップのＧＮＤ電極１１，１２に接続するパッケージ側ＧＮＤ電極をそれぞれ３つずつ備え、それらの内のいずれか又は複数を選択して接続することにより、並列共振子とＧＮＤとの間のインダクタンス成分を調整し、フィルタ特性を調整するものである。
【００４５】
ここで、ＳＡＷチップ１側のＧＮＤ電極１１，１２を、複数のパッケージ側ＧＮＤ電極に接続した場合のインダクタンス成分について説明する。
第１のＳＡＷデバイスにおいては、パッケージ側ＧＮＤ電極２１〜２６の線路長は全て同一であるため、１パターンのインダクタンス値をＬ（ｎＨ）とした場合、パッケージパターン全体のインダクタンス値Ｌａは、Ｌ（ｎＨ）を接続するパッケージ側ＧＮＤ電極の数Ｎで除した値Ｌ／Ｎ（ｎＨ）となる。
このように、第１のＳＡＷデバイスでは、容易にインダクタンス値を調整することができ、コストの低減や開発期間の短縮を図ることができるものである。
【００４６】
尚、チップ側のＧＮＤ電極１１，１２に接続するパッケージ側ＧＮＤ電極は、ＧＮＤ電極１１と１２とで同様の線路長となるよう選択し、インダクタンスを同程度とするよう調整する。
つまり、チップ側のＧＮＤ電極１１をパッケージ側ＧＮＤ電極２１に接続した場合には、ＧＮＤ電極１２をパッケージ側ＧＮＤ電極２４に接続し、同様に、ＧＮＤ電極１１をパッケージ側ＧＮＤ電極２２，２３に接続した場合には、ＧＮＤ電極１２をパッケージ側ＧＮＤ電極２５，２６に接続する。
【００４７】
［第１の実施の形態の効果］
本発明の第１の実施の形態に係る弾性表面波デバイスによれば、パッケージ２に、ＳＡＷチップ１のＧＮＤ電極１１に接続可能で、櫛形電極１９からの線路長が異なるよう配置されたパッケージ側ＧＮＤ電極２１，２２，２３と、ＳＡＷチップ１のＧＮＤ電極１２に接続可能で、櫛形電極１８からの線路長が異なるよう配置されたパッケージ側ＧＮＤ電極２４，２５，２６とを設け、ＳＡＷチップ１のＧＮＤ電極１１,１２において、櫛形電極１８，１９で構成される並列共振子とＧＮＤ端子との間のインダクタンス値を所望の値とするパッケージ側ＧＮＤ電極に対応する位置にバンプが形成されて、フリップチップボンディングによりＧＮＤ電極１１，１２とパッケージ側ＧＮＤ電極とが接続された弾性表面波デバイスとしているので、ＳＡＷチップ１上で電極パターンを引き回す必要がなくなり、特性の劣化を招くことなく、並列共振子とＧＮＤ端子との間のインダクタンス成分を容易に調整して所望の周波数特性を得ることができる効果がある。
【００４８】
また、第１の弾性表面波デバイスによれば、パッケージ側ＧＮＤ電極２１〜２６の線路長を全て同一としているので、ＳＡＷチップ側のＧＮＤ電極１１，１２に接続するパッケージ側ＧＮＤ電極の数に応じて、パッケージパターン全体のインダクタンスを容易に調整することができ、コストを低減し、開発期間の短縮を図ることができる効果がある。
【００４９】
更に、フリップチップボンディングの際に、製品の周波数特性や仕様に応じて、最適なパッケージ側電極を１つ又は複数選択してバンプ接続すればよく、パッケージ２を種々のデバイスに適用可能とし、コストを大幅に低減し、開発期間の短縮を図ることができる効果がある。
【００５０】
尚、ここでは、ＳＡＷチップ１側の各ＧＮＤ電極１１，１２に接続可能なパッケージ側ＧＮＤ電極をそれぞれ３つずつ備えるものとしたが、ある程度インダクタンス値が絞り込まれている場合には２つずつでもよいし、４つ以上設けて調整範囲を広げることも可能である。
【００５１】
また、ここではＳＡＷチップ１はラダー型のＳＡＷデバイスを示したが、縦モード、ラダー型＋縦モード等の別の構成であっても構わず、それぞれのＳＡＷチップのＧＮＤ電極に合わせて、パッケージに、複数のパッケージ側ＧＮＤ電極を設ければよい。
また、パッケージの材質は、上述したＨＴＣＣやＬＴＣＣ以外であってもかまわない。
【００５２】
［第２の実施の形態：図２］
次に、本発明の第２の実施の形態に係る弾性表面波デバイスについて図２を用いて説明する。図２は、本発明の第２の実施の形態に係る弾性表面波デバイスの概略構成図である。
図２に示すように、第２の実施の形態に係る弾性表面波デバイス（第２のＳＡＷデバイス）は、第１のＳＡＷデバイスと同様に、ＳＡＷチップ１とパッケージ２とから構成されている。
【００５３】
そして、第１のＳＡＷデバイスではパッケージ側ＧＮＤ電極は全て同一の線路長であったが、第２のＳＡＷデバイスでは、同一のＳＡＷチップ１側のＧＮＤ電極に接続可能な複数のパッケージ側ＧＮＤ電極を互いに異なる線路長とした構成となっている。
尚、図２では図を見易くするために符号を一部省略しているが、ＳＡＷチップ１の各構成部分は、図１に示したＳＡＷチップ１と同じである。
【００５４】
第２のＳＡＷデバイスの特徴部分について説明する。
第２のＳＡＷデバイスでは、パッケージ２の、パッケージ側ＧＮＤ電極２１，２２，２３及びパッケージ側ＧＮＤ電極２４，２５，２６をそれぞれ異なる線路長としている。そして、フリップチップボンディングでＳＡＷチップ１と接続された場合に、ＳＡＷチップ１の櫛形電極１９からの距離が近いものほど線路長が長く、遠くなるほど短くなるように、３つのパッケージ側ＧＮＤ電極２１，２２，２３が配列されている。
【００５５】
つまり、ＳＡＷチップ１のＧＮＤ電極１１に接続するパッケージ側ＧＮＤ電極２１，２２，２３の長さは、パッケージ側ＧＮＤ電極２３が最も長く、パッケージ側ＧＮＤ電極２１が最も短い。
同様に、ＳＡＷチップ１のＧＮＤ電極１２に接続するパッケージ側ＧＮＤ電極２４，２５，２６の線路長は、櫛形電極１８に最も近いパッケージ側ＧＮＤ電極２６が最も長く、最も遠いパッケージ側ＧＮＤ電極２４が最も短くなっている。
【００５６】
そして、第１のＳＡＷデバイスと同様に、所望のインダクタンス値を得るよう、適切な１つ又は複数のパッケージ側ＧＮＤ電極とＳＡＷチップ１のＧＮＤ電極１１，１２とをバンプで接続するようにしている。
【００５７】
パッケージ側ＧＮＤ電極２１〜２６のインダクタンス値は、最も線路長の長いパッケージ側ＧＮＤ電極２１，２４のインダクタンス値をＬ（ｎＨ）とすると、パッケージ側ＧＮＤ電極２２，２５のインダクタンス値はＬ／２（ｎＨ）、パッケージ側ＧＮＤ電極２３，２６のインダクタンス値はＬ／３（ｎＨ）となっている。
全てのパッケージ側ＧＮＤ電極と接続した場合のパッケージパターンのトータルのインダクタンス値をＬｔとすると、
１／Ｌｔ＝１／Ｌ＋１／（Ｌ／２）＋１／（Ｌ／３）
となり、第１のＳＡＷデバイスに比べて更に細かいピッチで調整することが可能となる。
【００５８】
また、第２のＳＡＷデバイスでは、ＳＡＷチップ１の櫛形電極１９又は１８に近いパッケージ側ＧＮＤ電極ほど長く、遠くなるほど短くするように形成することにより、ＳＡＷチップ１の櫛形電極１９、１８とＧＮＤ端子との間の線路長の差は、パッケージ側ＧＮＤ電極同士の線路長の差に比べて小さくなる。
【００５９】
そのため、第２のＳＡＷデバイスは、ある程度インダクタンス値の範囲が絞り込まれているデバイスについて、パッケージ側ＧＮＤ電極２１〜２６の線路長を当該範囲となるように形成しておき、どのパッケージ側ＧＮＤ電極と接続するかによってインダクタンス値の微調整を行うことができるものである。
【００６０】
［第２の実施の形態の効果］
本発明の第２の実施の形態に係る弾性表面波デバイスによれば、ＳＡＷチップ１のＧＮＤ電極１１に接続可能で、互いに線路長の異なるパッケージ側ＧＮＤ電極２１，２２，２３と、ＳＡＷチップ１のＧＮＤ電極１２に接続可能で、互いに線路長の異なるパッケージ側ＧＮＤ電極２４，２５，２６とを備え、櫛形電極１９又は１８からの距離が近いパッケージ側ＧＮＤ電極２３，２６の線路長を一番長く形成し、遠くなるにつれて線路長が短くなるようパッケージ側ＧＮＤ電極２２，２５及び２１，２４を形成し、櫛形電極１８,１９で構成される並列共振子とＧＮＤ端子との間のインダクタンス値を所望の値とする１つ又は複数のパッケージ側ＧＮＤ電極とＳＡＷチップ１のＧＮＤ電極１１，１２とがバンプで接続されているので、特性の劣化を招くことなく、並列共振子とＧＮＤ端子との間のインダクタンス成分を細かいピッチで調整することができ、特に、インダクタンス値がある程度絞り込まれているデバイスについて、容易にインダクタンス値の微調整を行うことができる効果がある。
【００６１】
［第３の実施の形態：図３］
次に、本発明の第３の実施の形態に係る弾性表面波デバイスについて図３を用いて説明する。図３は、本発明の第３の実施の形態に係る弾性表面波デバイスの概略構成図である。
本発明の第３の実施の形態に係る弾性表面波デバイス（第３のＳＡＷデバイス）は、ＳＡＷチップ１の構成は第１、第２のＳＡＷデバイスと同一であり、パッケージ２の各パッケージ側ＧＮＤ電極の線路長が第２のＳＡＷデバイスと異なっている。
【００６２】
図３に示すように、第３のＳＡＷデバイスは、第２のＳＡＷデバイスとはパッケージ側ＧＮＤ電極の線路長の配置を反対にしているものである。
すなわち、櫛形電極１９，１８に最も近いパッケージ側ＧＮＤ電極２３，２６が最も線路長が短く、最も遠いパッケージ側ＧＮＤ電極２１，２４が最も線路長が長くなるよう各パッケージ側ＧＮＤ電極を形成している。
【００６３】
つまり、パッケージ側ＧＮＤ電極２１，２４のインダクタンス値はＬ／３（ｎＨ）、パッケージ側ＧＮＤ電極２２，２５のインダクタンス値はＬ／２（ｎＨ）、パッケージ側ＧＮＤ電極２３，２６のインダクタンス値はＬ（ｎＨ）となっている。
【００６４】
このように、ＳＡＷチップ１の櫛形電極１９又は１８に近いパッケージ側ＧＮＤ電極ほど短く、遠くなるほど長くするように形成することにより、ＳＡＷチップ１の櫛形電極１９、１８とＧＮＤ端子との間の線路長の差は、パッケージ側ＧＮＤ電極同士の線路長の差に比べて大きくなる。
これにより、第３のＳＡＷデバイスは、インダクタンス値の調整範囲を広くすることができるものである。
【００６５】
［第３の実施の形態の効果］
櫛形電極１９又は１８からの距離が近いパッケージ側ＧＮＤ電極２３，２６の線路長を一番短く形成し、遠くなるにつれて線路長が長くなるようパッケージ側ＧＮＤ電極２２，２５及び２１，２４を形成し、櫛形電極１８,１９で構成される並列共振子とＧＮＤ端子との間のインダクタンス値を所望の値とする１つ又は複数のパッケージ側ＧＮＤ電極が、ＳＡＷチップ１のＧＮＤ電極１１，１２とフリップチップボンディングで接続されているので、特性の劣化を招くことなく、並列共振子とＧＮＤ端子との間のインダクタンス成分を調整することができ、特に、インダクタンス値の調整可能な範囲を広くすることができ、１種類のパッケージ２で様々な特性及び仕様に応じたデバイスを製造可能とし、汎用性を向上させて一層コストを低減することができる効果がある。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は、並列共振子とグランド端子との間のインダクタンス成分を容易に調整することができ、所望の周波数特性を得ることができる弾性表面波デバイスに適している。
【符号の説明】
【００６７】
１...ＳＡＷチップ、  ２...パッケージ、  １１，１２，６１，６２...グランド（ＧＮＤ）電極、  １３，１４，２７，２８，５３，５４，６３，６４...信号線電極、  １５，１６，１７，１８，１９，５５，５６，５７，５８，５９...櫛形電極、  ２１，２２，２３，２４，２５，２６...パッケージ側ＧＮＤ電極、  ７１，７２...ワイヤボンディング、  ８１...入力端子、  ８２...出力端子、  ８３...並列共振子、  ８４...ワイヤー、  ８５...グランド端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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