(57)【要約】【課題】複数の外部装置に対する通電タイミング及び通電許可条件を１つの装置で行うことができ、汎用性がある電源供給制御装置及び方法を提供する。【解決手段】複数の外部装置に対する電源供給を制御する電源供給制御装置であって、電源供給の制御開始要求を検出する要求検出手段と、少なくとも、前記外部装置への通電タイミング及び通電許可条件を記憶する記憶手段を有し、前記要求検出手段による電源供給の制御開始要求の検出に応答して、前記記憶手段に記憶された通電タイミング及び通電許可条件に基づいて、前記各外部装置への電源の通電及び遮断を制御する制御手段とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の外部装置に対する電源供給を制御する電源供給制御装置であって、
電源供給の制御開始要求を検出する要求検出手段と、
少なくとも、前記外部装置への通電タイミング及び通電許可条件を記憶する記憶手段を有し、前記要求検出手段による電源供給の制御開始要求の検出に応答して、前記記憶手段に記憶された通電タイミング及び通電許可条件に基づいて、前記各外部装置への電源の通電及び遮断を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電源供給制御装置。
【請求項２】
前記記憶手段はさらに、遮断タイミング及びリセットタイミングを記憶し、
前記制御手段は、前記制御開始要求の検出に応答して、前記記憶手段に記憶された通電タイミング、遮断タイミング、リセットタイミング及び通電許可条件に基づいて、前記各外部装置への電源の通電及び遮断を制御することを特徴とする請求項１に記載の電源供給制御装置。
【請求項３】
所定の動作許可条件を検出する動作許可条件検出手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記動作許可条件検出手段からの情報及び前記通電許可条件に基づいて、前記外部装置へ通電するか否かを判定することを特徴とする請求項１又は２に記載の電源供給制御装置。
【請求項４】
前記動作許可条件は温度又は電圧に関する動作許可条件であることを特徴とする請求項３記載の電源供給制御装置。
【請求項５】
前記制御手段が、所定の異常状態において前記電源供給の制御開始要求が非許可判定したときの通電非許可情報を記憶し読み出せる手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１から４までに記載の電源供給制御装置。
【請求項６】
制御手段が、複数の外部装置に対する電源供給を制御する電源供給制御方法であって、
電源供給の制御開始要求を検出するステップと、
前記制御手段が、少なくとも、前記外部装置への通電タイミング及び通電許可条件を記憶する記憶手段を有し、前記要求検出手段による電源供給の制御開始要求の検出に応答して、前記記憶手段に記憶された通電タイミング及び通電許可条件に基づいて、前記各外部装置への電源の通電及び遮断を制御するステップとを含むことを特徴とする電源供給制御方法。
【請求項７】
前記記憶手段はさらに、遮断タイミング及びリセットタイミングを記憶し、
前記制御手段が、前記制御開始要求の検出に応答して、前記記憶手段に記憶された通電タイミング、遮断タイミング、リセットタイミング及び通電許可条件に基づいて、前記各外部装置への電源の通電及び遮断を制御するステップを含むことを特徴とする請求項６に記載の電源供給制御方法。
【請求項８】
所定の動作許可条件を検出するステップをさらに含み、
前記制御手段が、前記動作許可条件検出手段からの情報及び前記通電許可条件に基づいて、前記外部装置へ通電するか否かを判定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項６又は７に記載の電源供給制御方法。
【請求項９】
前記動作許可条件は温度又は電圧に関する動作許可条件であることを特徴とする請求項８記載の電源供給制御方法。
【請求項１０】
前記制御手段が、所定の異常状態において前記電源供給の制御開始要求が非許可判定されたときの通電非許可情報を記憶し読み出せるステップをさらに含むことを特徴とする請求項６から９までに記載の電源供給制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体デバイスを備えた電子機器において、複数のデバイスへの電源供給を制御する電源供給制御装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、携帯機器のシステムには、ＬＳＩ、ＩＣ、メモリ等の複数の半導体デバイスを備えて構成される。これらの半導体デバイスへの電源供給順序、電源供給許可条件及び電源遮断順序、リセットタイミングは、システムの動作フロー、個々のデバイス特性、及びシステムの状態を考慮することが必要である。このため、システムにおける、電源管理装置は、複数電源の制御する技術が考えられ既に知られている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、今までの電源管理装置は、特定システムでの電源供給順序、電源供給許可条件及び電源遮断順序、リセットタイミングを行うのみであったが、システムの構成要素の特性などに応じた電源管理が必要で、システム毎に電源管理装置が必要となる。さらに、システムの変更発生した場合に、その変更量には関係なく、電源管理装置の再開発も必要となり、多くの工数、費用が必要となるという問題があった。
【０００４】
特許文献１には、２種以上の異なる出力電圧の定電圧レギュレータ群の電源投入順序を自由に設定する目的で、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）に設定された値よりタイミング生成を行い、複数のレギュレータへ電源を投入する電源装置について開示されている。具体的には、電池電圧検出部のタイミングを基準とし、内蔵クロックジェネレータのクロックを参照して制御回路においてカウントを開始し、カウント値と各ＥＥＰＲＯＭに設定された値とが一致したタイミングで各電源を投入し、内蔵されたＥＥＰＲＯＭへの設定は、ＬＳＩテスト時に所望の値をテストインターフェイス経由で書き換える。
【０００５】
ここで、特許文献１においては、電源投入順序を自由に設定することは開示されているが、電源供給許可条件、電源遮断制御、リセット制御の汎用性という問題は解消できていない。
【０００６】
本発明の目的は以上の問題点を解決し、複数の外部装置に対する通電タイミング及び通電許可条件を１つの装置で行うことができ、汎用性がある電源供給制御装置及び方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電源供給制御装置は、
複数の外部装置に対する電源供給を制御する電源供給制御装置であって、
電源供給の制御開始要求を検出する要求検出手段と、
少なくとも、前記外部装置への通電タイミング及び通電許可条件を記憶する記憶手段を有し、前記要求検出手段による電源供給の制御開始要求の検出に応答して、前記記憶手段に記憶された通電タイミング及び通電許可条件に基づいて、前記各外部装置への電源の通電及び遮断を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電源供給制御装置。
【０００８】
また、本発明に係る電源供給制御方法は、制御手段が、複数の外部装置に対する電源供給を制御する電源供給制御方法であって、
電源供給の制御開始要求を検出するステップと、
前記制御手段が、少なくとも、前記外部装置への通電タイミング及び通電許可条件を記憶する記憶手段を有し、前記要求検出手段による電源供給の制御開始要求の検出に応答して、前記記憶手段に記憶された通電タイミング及び通電許可条件に基づいて、前記各外部装置への電源の通電及び遮断を制御するステップとを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
従って、本発明に電源供給制御装置及び方法によれば、複数の外部装置に対する通電タイミング及び通電許可条件を１つの装置で行うことができる。例えば、当該電源供給制御装置及び方法によれば、マスク改定を行わず、電源供給順序、電源供給許可条件及び電源遮断順序、外部デバイスへのリセットタイミングの変更ができる。電源供給順序、電源供給許可条件及び電源遮断順序、リセットタイミングの設定値を、ＯＴＰ（One Time Programmable）メモリなどの記憶手段へプログラム、各半導体デバイスへの電源制御は設定されたプログラム順じて行う。各半導体デバイスへの電源管理の変更時には、前記記憶手段へ再プログラムを行うので汎用性が高い。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る電源供給制御装置の構成を示すブロック図である。
【図２】図１の電源供給制御部３の詳細構成を示すブロック図である。
【図３】図１の電源供給制御装置において異常検出なしのときの電源供給制御処理を示すタイミングチャートである。
【図４】図１の電源供給制御装置において低電圧検出のときの電源供給制御処理を示すタイミングチャートである。
【図５】図１の電源供給制御装置において高温検出からの復帰時の電源供給制御処理を示すタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の実施形態において、同様の構成要素については同一の符号を付している。
【００１２】
図１は本発明の一実施形態に係る電源供給制御装置の構成を示すブロック図である。本発明に係る実施形態は、複数の半導体デバイス４〜６への電源供給制御装置において、電源供給順序、電源供給許可条件及び電源遮断順序、リセットタイミングを、ＯＴＰ（One Time Programmable）メモリの使用によりプログラマブル化し、一つの電源供給制御装置の汎用性を高め、各半導体デバイスへの電源管理制御を設定されたプログラム順に行うことを特徴としている。
【００１３】
図１において、この実施形態に係る電源供給制御装置は、例えば携帯電話装置などの電子機器の電源管理のための装置であって、
（ａ）例えば電源スイッチなどの起動スイッチ７の押下、若しくはリアルタイムクロック８のアラーム等の要求信号を検出する要求信号検出部１と、
（ｂ）温度センサによる温度、電圧監視センサによる電圧を監視して温度又は電圧の検出結果に応じて動作許可条件を検出して、例えば高温検出信号及び低電圧検出信号を発生して出力する動作許可条件検出部２と、
（ｃ）電源供給線Ｐ１〜Ｐ３を介して外部の半導体デバイス４〜６への電源供給及び外部の半導体デバイス４〜６へのリセット制御を行うリセット信号を発生する電源供給制御部３とを備えて構成される。
【００１４】
電源供給制御部３は、記憶装置であるＯＴＰメモリ１６を備え、外部の各半導体デバイス４〜６への通電タイミングＥ１〜Ｅ３のデータ、遮断タイミングＨ１〜Ｈ３のデータ、低電圧起動許可Ｌ１〜Ｌ４及び高温起動許可Ｈ１〜Ｈ４などの通電許可条件のデータ、リセットタイミング及びリセット解除タイミングのデータを含む制御データをＯＴＰメモリ１６に格納し、制御データに基づいて半導体デバイス４〜６に対して電源供給制御を行う。
【００１５】
図２は図１の電源供給制御部３の詳細構成を示すブロック図である。図２において、電源供給制御部３は、
（ａ）電源の制御開始要求を示す図１の要求信号検出部１からの起動要求信号（起動要求のときＬレベルからＨレベルとなる）や、図２の動作許可条件検出部２からの高温検出信号及び低電圧検出信号（それぞれ検出時ＬレベルからＨレベルとなる）を入力してこれらの要求信号等を検出してその結果を示す信号を出力するとともに、高温や低電圧などの異常状態からの復帰を検出してその結果を示す信号を出力する、電源制御のための要求信号等検出回路１１と、
（ｂ）要求信号等検出回路１１からの信号に基づいて制御動作のためのクロックを発生するクロック発生回路１２と、
（ｃ）クロック発生回路１２からのクロックを計数してそのカウント値を各一致回路２１〜２４に出力するとともに、要求信号等検出回路１１からの信号に基づいて異常検出状態信号を発生して各一致回路２１〜２４に出力することによりタイミング生成を行うカウンタ１３と、
（ｄ）一致回路２１〜２３からの一致タイミング信号Ｓ１〜Ｓ３（一致タイミングでＨレベルとなる）に基づいて半導体デバイス４〜６に対して電源電圧を電源供給線Ｐ１〜Ｐ３を介して供給する電源回路３１〜３３と、
（ｅ）一致回路２４からの一致タイミング信号Ｓ４（一致タイミングでＨレベルになる）に基づいて外部の各半導体デバイス４〜６に対してリセット信号を発生して出力するリセット発生回路３４と、
（ｆ）電源回路２１〜２３への通電タイミング値（Ｅ１〜Ｅ３）、遮断タイミング値（Ｈ１〜Ｈ３）、電源回路２１〜２３及びリセット発生回路２４への異常状態時（この例での異常状態とは、高温検出、低電圧検出を指す。）の通電許可／非許可（Ｌ１〜Ｌ４，Ｈ１〜Ｈ４）、リセットタイミング値及びリセット解除タイミング値を含む制御データを記憶するＯＴＰメモリ１６と、
（ｆ）前記制御データをｅＦＵＳＥ書き込みによりＯＴＰメモリ１６に書き込むことによりＯＴＰメモリ１６のプログラム制御を行うＯＴＰメモリ制御部１４と、
（ｇ）ＯＴＰメモリ１６に記憶される制御データ値と、カウンタ１３のカウント値とを比較して一致するとき一致タイミング信号（通電要求信号又遮断要求信号）Ｓ１〜Ｓ３又はリセット信号発生要求信号Ｓ４を出力する一致回路２１〜２４と、
（ｈ）起動要求信号に対して非許可判定がされた非許可検出Ｕ１〜Ｕ４の履歴を記憶する非許可検出保持回路１５とを備えて構成される。
【００１６】
ここで、ＯＴＰメモリ１６からの通電タイミングＥ１、遮断タイミングＨ１、低電圧起動許可Ｌ１、及び高温起動許可Ｈ１を含む制御データが一致回路２１に入力される。また、ＯＴＰメモリ１６からの通電タイミングＥ２、遮断タイミングＨ２、低電圧起動許可Ｌ２、及び高温起動許可Ｈ２を含む制御データが一致回路２２に入力される。さらに、ＯＴＰメモリ１６からの通電タイミングＥ３、遮断タイミングＨ３、低電圧起動許可Ｌ３、及び高温起動許可Ｈ３を含む制御データが一致回路２３に入力される。またさらに、ＯＴＰメモリ１６からのリセット解除タイミング、リセットタイミング、低電圧起動許可Ｌ４、及び高温起動許可Ｈ４を含む制御データが一致回路２４に入力される。
【００１７】
要求信号等検出回路１１は、図１の要求信号検出部１からの起動要求信号や、図２の動作許可条件検出部２からの高温検出信号及び低電圧検出信号を入力してこれらの要求信号等を検出してその結果を示す信号を出力するとともに、高温や低電圧などの異常状態からの復帰を検出してその結果を示す信号を出力する。すなわち、要求信号等検出回路１１は、起動要求又は異常状態からの復帰を検出する。クロック発生回路１２は、要求信号等検出回路１１からの信号に基づいて所定周期のクロックパルスを発生し、クロック発生回路１１で発生されるクロックパルスは、カウンタ１３に供給される。
【００１８】
クロック発生回路１３は、発生するクロックパルスをＯＴＰメモリ１６に格納されたタイミング設定値のビット数で決定し、２のビット数乗となる。例えばビット数が４であればクロックは１６サイクルで停止、５ビットであれば３２サイクルである。カウンタ１３のカウント値と、各制御データに関してＯＴＰメモリ１６に記憶されたタイミング設定値は一致回路２１〜２４で比較され、一致タイミング信号（通電要求信号又は遮断要求信号）Ｓ１〜Ｓ３又はリセット信号発生要求信号Ｓ４が示す一致タイミングで、電源回路３１〜３３から外部の半導体デバイス４〜６への電源供給を含む電源制御、並びに、リセット信号発生回路３４から外部の半導体デバイス４〜６へのリセット信号によるリセット制御を行う。また、異常状態での起動要求時には、ＯＴＰメモリ１６に記憶された制御データが許可であれば、通電又はリセット解除、非許可であれば遮断又はリセットを継続する。また、異常状態で起動要求が非許可判定された場合、その履歴は非許可検出Ｕ１〜Ｕ４として非許可検出保持回路１５が記憶しており、後に読み出しを行うことで異常状態のデバックに使用される。ここで、ＯＴＰメモリ１６はＯＴＰメモリ制御部１４を通してプログラムされる。通常動作には、ＯＴＰメモリ１６へのプログラムの書き換えは抑制されており、ＯＴＰメモリプログラム専用のテストモードでのみ書き換えが可能となる。
【００１９】
次いで、以上のように構成された電源供給制御装置の動作について以下に説明する。
【００２０】
いま、図１に示す起動スイッチ７が押下されてオンされると、要求信号検出部１より制御開始の起動要求信号が出力され、これに応答して、電源供給制御部３は予め定めた手順により以下のような制御処理を行う。
【００２１】
図３は図１の電源供給制御装置において異常検出なしのときの電源供給制御処理を示すタイミングチャートである。この例では、ＯＴＰメモリ１６の設定は以下のように設定されているものとする。
【００２２】
［表１］
――――――――――――――――――――――――――――――――――――――――
通電タイミングＥ１：１；遮断タイミングＨ１：１５；低電圧起動許可Ｌ１：許可；高温起動許可Ｈ１：許可；
通電タイミングＥ２：４；遮断タイミングＨ２：１３；低電圧起動許可Ｌ２：非許可；高温起動許可Ｈ２：許可；
通電タイミングＥ３：８；遮断タイミングＨ３：１１；低電圧起動許可Ｌ３：非許可；高温起動許可Ｈ３：非許可；
リセット解除タイミング：１５；リセットタイミング：２；低電圧起動許可Ｌ４：非許可；高温起動許可Ｈ４：非許可．
――――――――――――――――――――――――――――――――――――――――
【００２３】
まず、要求信号等検出回路１１は起動要求信号を検出し、クロック発生回路１２に通知される。この例では、各タイミング値は４ビットで、発生されるクロックパルスは１６とする。クロックの発生によりカウンタ１３はカウント動作を開始し、カウンタ１３のカウント値（以下、カウント値という。）が１に到達すると、一致回路２１は通電タイミングＥ１とカウント値の一致を検出し、電源回路３１に一致タイミング信号（通電要求信号）Ｓ１を出力する。同様に、カウント値が４に到達すると、一致回路２２は一致タイミング信号（通電要求信号）Ｓ２を出力し、カウント値が８に到達すると、一致回路２３は一致タイミング信号（通電要求信号）Ｓ３を出力する。カウント値が１５に到達すると、一致回路２１はリセット解除タイミングと、カウント値との一致を検出して、一致回路２４はＨレベルのリセット信号発生要求信号（リセット解除）Ｓ４を出力することにより、Ｌレベルのリセット信号を発生して、リセットを解除し、外部の半導体デバイス４〜６の動作が許可される。また、カウンタ１３からは、クロック発生回路１２に対してクロック停止の要求信号（Ｌレベルの起動要求信号）を出力し、これに応答して、クロック発生回路１２によるクロック発生は停止される。
【００２４】
次いで、電源スイッチ７が開放されてオフされると、要求信号等検出回路１１は起動要求信号の停止（Ｌレベルの起動要求信号）を検出し、クロック発生回路１２に通知される。起動の動作と同様に、クロックの発生によりカウンタ１３はカウント動作を開始する。カウント値が２に到達すると一致回路２４はＬレベルのリセット信号発生要求信号（リセット）Ｓ４を出力することにより、Ｈレベルのリセット信号を発生して、外部の半導体デバイス４〜６へのリセットを行い、動作は抑制される。次いで、カウント値が１１のとき、一致回路２３は、遮断タイミングＨ３の制御データと、カウント値の一致を検出し、電源回路３３に一致タイミング信号（遮断要求信号）Ｓ３を出力して遮断要求を行い、電源回路３３からの電源供給を停止する。同様にカウント値が１３に到達すると、一致回路２２は、遮断タイミングＨ２の制御データと、カウント値の一致を検出し、電源回路３２に一致タイミング信号（遮断要求信号）Ｓ２を出力して遮断要求を行い、電源回路３２からの電源供給を停止し、次いで、カウント値が１５に到達すると、一致回路２１は、遮断タイミングＨ１の制御データと、カウント値の一致を検出し、電源回路３１に一致タイミング信号（遮断要求信号）Ｓ２を出力して遮断要求を行い、電源回路３１からの電源供給を停止する。そして、起動制御と同様にカウンタ１３からは、クロック発生回路１２にクロック停止の要求を行い、クロックは停止する。
【００２５】
図４は図１の電源供給制御装置において低電圧検出のときの電源供給制御処理を示すタイミングチャートである。図４を参照して、低電圧検出での動作例について説明する。ここで、ＯＴＰメモリ１６の設定は、図３と同様とする。
【００２６】
図４において、図１の動作許可条件検出部２は、電源電圧を監視し、電圧が所定の検出しきい値電圧を下回った場合に、低電圧検出信号を制御部３に出力して「低電圧検出」を通知する。図４は、「低電圧検出」が持続されている状態での電源回路３１からの電源供給状態を示している。図４から明らかなように、要求信号等検出回路１１による起動要求信号の検出、クロック発生回路１２、カウンタ１３動作は図３（異常検出無し）と同様であるが、一致回路２１〜２４には、カウンタ値と、異常検出状態信号（低電圧検出状態）が通知される。一致回路２１は低電圧起動が許可されており、一致タイミング信号Ｓ１は図３と同様に通電要求信号となり通電要求を行うが、一致回路２２〜２４は低電圧起動が非許可のため、一致タイミング信号Ｓ２とＳ３は遮断要求信号となり遮断要求を継続し、一致タイミング信号Ｓ４はリセット要求信号となり、リセット要求を継続する。
【００２７】
図５は図１の電源供給制御装置において高温検出からの復帰時の電源供給制御処理を示すタイミングチャートである。図５を参照して、異常状態からの復帰を、高温検出からの復帰の動作例について説明する。ここで、ＯＴＰメモリ１６の設定は、図３と同様とする。図５において、図１の動作許可条件検出部２は、温度を監視し、所定の検出しきい値温度を上回った場合に、「高温検出」を示す高温検出信号を電源供給制御部３に通知する。ここで、図５は、「高温検出」後、温度が低下による「高温検出解除」の状態での電源供給を示す。図５から明らかなように、要求信号等検出回路１１による起動要求信号の検出、クロック発生回路１２、カウンタ１３の動作は図３（異常検出無し）と同様であるが、一致回路２１〜２４には、カウンタ値と、異常検出状態信号（高温検出状態）が通知される。一致回路２１と２２には「高温起動」が許可されており、一致タイミング信号Ｓ１とＳ２は既にＨレベルであって、通電要求信号となっている。温度が低下し、「高温検出」が解除されると要求信号等検出回路１１は「高温検出解除」を検出し、クロック発生回路１２に通知される。クロックの発生によりカウンタ１３はカウント動作を開始し、カウント値が８に到達すると、一致回路２３は通電タイミングＥ３とカウント値の一致を検出し電源回路３３にＨレベルの一致タイミング信号（通電要求信号）Ｓ３を出力して通電要求を行う。カウント値が１５に到達すると一致回路２４はＨレベルの一致タイミング信号（リセット解除信号）を出力してリセット信号発生信号に対してＬレベルのリセット信号を出力させて、リセットの解除を要求し、外部の半導体デバイス４〜６の動作が許可される。また、カウンタ１３からは、クロック発生回路１２にクロック停止の要求を行い、クロックは停止する。
【００２８】
以上の実施形態において、半導体デバイス４〜６を設けているが、本発明はこれに限らず、外部の所定の電子機器の装置又はデバイスであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
以上詳述したように、本発明に電源供給制御装置及び方法によれば、複数の外部装置に対する通電タイミング及び通電許可条件を１つの装置で行うことができる。例えば、当該電源供給制御装置及び方法によれば、マスク改定を行わず、電源供給順序、電源供給許可条件及び電源遮断順序、外部デバイスへのリセットタイミングの変更ができる。電源供給順序、電源供給許可条件及び電源遮断順序、リセットタイミングの設定値を、ＯＴＰ（One Time Programmable）メモリなどの記憶手段へプログラム、各半導体デバイスへの電源制御は設定されたプログラム順じて行う。各半導体デバイスへの電源管理の変更時には、前記記憶手段へ再プログラムを行うので汎用性が高い。
【符号の説明】
【００３０】
１…要求信号検出部、
２…動作許可条件検出部、
３…電源供給制御部、
４〜６…半導体デバイス、
７…起動スイッチ、
８…リアルタイムクロック、
１１…要求信号等検出回路、
１２…クロック発生回路、
１３…カウンタ、
１４…ＯＴＰメモリ制御部、
１５…非許可検出保持回路、
１６…ＯＴＰメモリ、
２１〜２４…一致回路、
３１〜３３…電源回路、
３４…リセット信号発生回路。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００３１】
【特許文献１】特開２００６−２０４０１３号公報
【図１】
2013081279.tif 000003
【図２】
2013081279.tif 000004
【図３】
2013081279.tif 000005
【図４】
2013081279.tif 000006
【図５】
2013081279.tif 000007