(57)【要約】【課題】ワイヤ接続によらず、小型のスイッチング素子の実装することのできる配線シート付き配線体、半導体装置、およびその半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】配線シート付き配線体３５はスイッチング素子１０が少なくとも１つ配置される配線体であって、主に電力制御用の半導体装置１の配線体として用いられる。配線シート付き配線体３５は、スイッチング素子１０のソース電極１４に接続される半田接続部３１Ｃを有した第１導電体３１と、第１電極端子４０と、スイッチング素子１０のゲート電極１５に接続されるゲート端子６４が設けられた配線シート６０とを備えている。配線シート６０のゲート端子６４と第１導電体３１の半田接続部３１Ｃとは同一平面に配置されている。【選択図】図１
2013128065.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面に少なくとも第１電極および制御電極が形成されかつ第２主面に第２電極が形成されたスイッチング素子が少なくとも１つ配置される配線シート付き配線体であって、
前記第１電極に接続される接続部を有した導電体と、
前記第１電極に前記導電体を介して接続される電極端子と、
前記制御電極に接続される制御端子が設けられた配線シートとを備え、
前記配線シートの前記制御端子と前記導電体の前記接続部とが同一平面に配置されている
ことを特徴とする配線シート付き配線体。
【請求項２】
請求項１に記載の配線シート付き配線体において、
前記導電体は、前記接続部を有する本体部と、前記本体部から延長して設けられた延長部とを備え、
前記配線シートは、前記延長部に配置され、
前記延長部は、前記配線シートの前記制御端子と前記導電体の前記接続部とが同一平面に配置されるように、形成されている
ことを特徴とする配線シート付き配線体。
【請求項３】
請求項１に記載の配線シート付き配線体において、
前記電極端子と前記配線シートとの間に介在する介在部材を備え、
前記配線シートは、前記介在部材に配置され、
前記介在部材は、前記配線シートの前記制御端子と前記導電体の前記接続部とが同一平面に配置されるように、形成されている
ことを特徴とする配線シート付き配線体。
【請求項４】
請求項１に記載の配線シート付き配線体において、
前記電極端子は、前記導電体に接続する端子本体部と、前記端子本体部から延長して設けられた支持部とを備え、
前記配線シートは、前記支持部に配置され、
前記支持部は、前記配線シートの前記制御端子と前記導電体の前記接続部とが同一平面に配置されるように、形成されている
ことを特徴とする配線シート付き配線体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線シート付き配線体において、
前記導電体の前記接続部と前記配線シートの前記制御端子とは、前記スイッチング素子の前記第１主面における前記第１電極と前記制御電極との配置関係に対応するように、配置されている
ことを特徴とする配線シート付き配線体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線シート付き配線体において、
前記導電体は応力を緩和する緩衝材により形成されている
ことを特徴とする配線シート付き配線体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線シート付き配線体を含む半導体装置。
【請求項８】
第１主面に少なくとも第１電極および制御電極が形成されかつ第２主面に第２電極が形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の前記第１電極に接続される接続部を有する導電体と、前記導電体に接続される第１電極端子と、前記制御電極に接続される制御端子を有する配線シートと、前記第２主面に接続される第２電極端子と、前記第１電極端子と前記配線シートとの間に介在する介在部材とを備える半導体装置の製造方法であって、
前記配線シートの前記制御端子が形成されている面である端子形成面の反対側の面に前記介在部材を貼り付ける工程と、
前記配線シートの前記制御端子と前記導電体の前記接続部とが同一平面に配置されるように、前記介在部材付きの前記配線シートと前記導電体とを固定治具に配置する工程と、
前記固定治具に配置された前記介在部材付きの前記配線シートと前記導電体に前記第１電極端子を配置し、前記介在部材と前記導電体と前記第１電極端子とを半田で接続する工程と、
前記配線シートの前記制御端子と前記制御電極とが接触しかつ前記導電体の前記接続部と前記第１電極とが接触するように前記スイッチング素子を前記配線シートおよび前記導電体に配置し、前記制御端子と前記制御電極とを半田で接続しかつ前記接続部と前記第１電極とを半田で接続する工程とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スイッチング素子が配置される配線シート付き配線体、半導体装置、およびその半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電力制御用の半導体装置は、スイッチング素子と、スイッチング素子が配置される配線構造体と、スイッチング素子を封止する封止部とを備える。
電力制御用のスイッチング素子としては、高耐圧特性が要求されるため、シリコン（Ｓｉ）系のＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）が主に採用されている。
【０００３】
近年、シリコンに比べて高耐圧・低損失が可能なワイドバンドギャップ半導体材料（例えば、炭化珪素若しくは窒化ガリウム）により形成されたＳｉＣ系のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）、ＧａＮ系のＭＯＳＦＥＴ等が開発されている。
【０００４】
配線構造体は、スイッチング素子の第１電極に接続される配線体と、スイッチング素子の第２電極に接続される配線体と、スイッチング素子の制御電極に接続される配線体とにより構成される。例えば、特許文献１に記載されている技術では、スイッチング素子の主面に形成されたゲート電極とエミッタ電極とは、絶縁基板に形成された電極（配線体）に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１１７４２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、スイッチング素子の高耐圧化により従来よりもスイッチング素子が小型化する傾向にある。このため、スイッチング素子の各電極の面積が従来のＩＧＢＴに比べて小さい。例えば、ＳｉＣを用いたＭＯＳＦＥＴは、ソース電極の面積およびゲート電極の面積は従来のＳｉ系ＩＧＢＴの電極よりも小さい。また、Ｓｉ系のスイッチング素子でも深溝トレンチ方式等により高耐圧化および小型化する傾向にあり、これに伴って各電極が小さくなっている。
【０００７】
電極面積が小さくなると次の問題が生じる。この点について図８を参照して説明する。
図８に示す半導体装置では、ゲート電極８２０は絶縁基板９００の電極９２０を介してリード９３０に接続され、エミッタ電極８１０は絶縁基板９００の電極９１０を介してリードに接続されている。コレクタ電極８３０は導電体９４０を介してリード９５０に接続されている。
【０００８】
スイッチング素子８００の小型化からエミッタ電極８１０とゲート電極８２０（制御電極）との間の間隔ｄａが短くなるため、エミッタ電極８１０に接続される電極（配線体）とゲート電極８２０に接続される電極（配線体）との間の間隔を小さくする必要がある。ところが、特許文献１の技術では両電極（両配線体）の間隔を小さくすることは難しい。
【０００９】
これは次の理由による。
図８に示す半導体装置では、エミッタ電極８１０に接続される電極９１０およびゲート電極８２０に接続される電極９２０として、絶縁基板９００に形成された電極を用いる。これらの電極はエッチング加工により形成されるため、両電極の間隔ｄｘを電極の厚さｈよりも小さくすることが難しい。また、エミッタ電極８１０に大電流が流れるため電極を厚くする必要がある。このため、両電極の間隔ｄｘは、エミッタ電極８１０に接続される電極９１０の厚さｈに制限される。このような理由により、スイッチング素子の小型化にともなう電極間（配線体間）の要求距離を、特許文献１の技術で実現することは難しい。すなわち、従来技術のパッケージ構造では、小型のスイッチング素子を搭載することが困難である。
【００１０】
一方、スイッチング素子の各電極と配線構造体の各配線体との接続をワイヤボンディングにより接続することも考えられる。しかし、このような接続構造の場合、次の課題がある。すなわち、ワイヤボンディングに使用するワイヤは、アルミニウムを材料とし、最大径はワイヤボンディングに必要な柔軟性を得るため、細径ワイヤが採用される。スイッチング素子の小型化に伴い、スイッチング素子の電流密度が高くなり、当然に、ワイヤボンディングのワイヤも高電流密度化する。その結果、該ワイヤが電流により溶断されるおそれがある。
【００１１】
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、ワイヤ接続によらず、小型のスイッチング素子の実装することのできる配線シート付き配線体、半導体装置、およびその半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（１）請求項１に記載の発明は、第１主面に少なくとも第１電極および制御電極が形成されかつ第２主面に第２電極が形成されたスイッチング素子が少なくとも１つ配置される配線シート付き配線体であって、前記第１電極に接続される接続部を有した導電体と、前記第１電極に前記導電体を介して接続される電極端子と、前記制御電極に接続される制御端子が設けられた配線シートとを備え、前記配線シートの前記制御端子と前記導電体の前記接続部とが同一平面に配置されていることを要旨とする。
【００１３】
大電流が流れる電極と小電流が流れる制御電極とが同一面に存在するスイッチング素子の小型化にともなって、配線構造体には次の事項が要求されている。すなわち、大電流用の電極と小電流用の電極との間の絶縁を確保し、両者の間隔を小さくすることが要求される。しかし、従来の配線体構造、すなわち絶縁基板上に電極を形成する構造の場合、配線構造の加工上の制限すなわち電極厚さによる両電極間隔が制限されるため、上記要求を満たすことが難しい。
【００１４】
本発明では、スイッチング素子の第１電極に接続する電極と、スイッチング素子の制御電極に接続する電極とを別部品として構成する。すなわち、配線シート付き配線体は、スイッチング素子の第１電極に接続される接続部を有した導電体と、スイッチング素子の制御電極に接続される制御端子が設けられた配線シートとを備える。接続部と制御端子との間の間隔は、配線シートの加工精度による。配線シートの加工精度は、接続部と制御端子との間の間隔を、小型のスイッチング素子の第１電極と制御電極との間の間隔と同等にすることが可能な程度に高い。このため、従来に比べて小型のスイッチング素子を実装することができる。
【００１５】
（２）請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の配線シート付き配線体において、前記導電体は、前記接続部を有する本体部と、前記本体部から延長して設けられた延長部とを備え、前記配線シートは、前記延長部に配置され、前記延長部は、前記配線シートの前記制御端子と前記導電体の前記接続部とが同一平面に配置されるように、形成されていることを要旨とする。
【００１６】
この発明では、接続部が設けられている導電体に配線シートを配置する。このため、配線シートの制御端子と導電体の接続部とが同一平面に配置するための支持部材を新たに設ける必要がない。
【００１７】
（３）請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の配線シート付き配線体において、前記電極端子と前記配線シートとの間に介在する介在部材を備え、前記配線シートは、前記介在部材に配置され、前記介在部材は、前記配線シートの前記制御端子と前記導電体の前記接続部とが同一平面に配置されるように、形成されていることを要旨とする。
【００１８】
この発明では、介在部材に配線シートを配置する。すなわち、配線シートを配置するための介在部材を導電体とは別に設けている。このため、導電体とは異なる材料により介在部材を形成することが可能である。
【００１９】
（４）請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の配線シート付き配線体において、前記電極端子は、前記導電体に接続する端子本体部と、前記端子本体部から延長して設けられた支持部とを備え、前記配線シートは、前記支持部に配置され、前記支持部は、前記配線シートの前記制御端子と前記導電体の前記接続部とが同一平面に配置されるように、形成されていることを要旨とする。
【００２０】
この発明では、電極端子の端子本体部の延長部である支持部に配線シートを配置する。このため、配線シートの制御端子と導電体の接続部とが同一平面に配置するために新たな部材を設ける必要がない。
【００２１】
（５）請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線シート付き配線体において、前記導電体の前記接続部と前記配線シートの前記制御端子とは、前記スイッチング素子の前記第１主面における前記第１電極と前記制御電極との配置関係に対応するように、配置されていることを要旨とする。
【００２２】
この発明では、導電体と制御端子との配置関係とスイッチング素子の第１電極と制御電極との配置関係とを対応させている。このため、導電体と配線シートとが配置されている部分にスイッチング素子を配置するとき、スイッチング素子の第１電極と導電体、およびスイッチング素子の制御電極と制御端子とを精確に接続することができる。
【００２３】
（６）請求項６に記載の発明は、請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線シート付き配線体において、前記導電体は応力を緩和する緩衝材により形成されていることを要旨とする。この発明によれば、導電体が緩衝材により形成されているため、第１電極端子とスイッチング素子との間またはこれら部材の内部に生じる応力を緩和することができる。
【００２４】
（７）請求項７に記載の発明は、請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線シート付き配線体を含む半導体装置である。本発明では、半導体装置は上記構成の配線シート付き配線体を備えるため、スイッチング素子として従来よりも小型の素子を採用することができる。このため、半導体装置を従来構造の半導体装置よりも小さくすることができる。
【００２５】
（８）請求項８に記載の発明は、第１主面に少なくとも第１電極および制御電極が形成されかつ第２主面に第２電極が形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の前記第１電極に接続される接続部を有する導電体と、前記導電体に接続される第１電極端子と、前記制御電極に接続される制御端子を有する配線シートと、前記第２主面に接続される第２電極端子と、前記第１電極端子と前記配線シートとの間に介在する介在部材とを備える半導体装置の製造方法であって、前記配線シートの前記制御端子が形成されている面である端子形成面の反対側の面に前記介在部材を貼り付ける工程と、前記配線シートの前記制御端子と前記導電体の前記接続部とが同一平面に配置されるように、前記介在部材付きの前記配線シートと前記導電体とを固定治具に配置する工程と、前記固定治具に配置された前記介在部材付きの前記配線シートと前記導電体に前記第１電極端子を配置し、前記介在部材と前記導電体と前記第１電極端子とを半田で接続する工程と、前記配線シートの前記制御端子と前記制御電極とが接触しかつ前記導電体の前記接続部と前記第１電極とが接触するように前記スイッチング素子を前記配線シートおよび前記導電体に配置し、前記制御端子と前記制御電極とを半田で接続しかつ前記接続部と前記第１電極とを半田で接続する工程とを含むことを要旨とする。
【００２６】
この発明によれば、固定治具により配線シートと導電体とが所定位置に位置決めされて配置されるため、配線シートと導電体とに対してスイッチング素子を精確に接続することができる。すなわち、スイッチング素子と第１電極と導電体の接続部との位置ずれ、およびスイッチング素子の制御電極と配線シートの制御端子との位置ずれを小さくすることができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、ワイヤ接続によらず、小型のスイッチング素子の実装することのできる配線シート付き配線体、および配線シート付き配線体を備えた半導体装置を提供することができる。また、半導体装置の製造方法によれば、小型のスイッチング素子を配線シートと導電体とに対して精確に接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置について、その断面構造を示す断面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図。
【図３】半導体装置の変形例についてその断面構造を示す断面図。
【図４】第２実施形態に係る半導体装置の断面図。
【図５】第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図６】第３実施形態に係る半導体装置の断面図。
【図７】図６のＢ−Ｂ線に沿った断面図。
【図８】従来構造の半導体装置について、その断面構造を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
（第１実施形態）
図１を参照して、本発明の半導体装置の一例について説明する。
以下に説明する半導体装置１は、モータを制御するインバータ回路等に用いられる。
【００３０】
半導体装置１は、スイッチング素子１０と、フライホイールダイオード２０と、これら２つの素子が配置される配線構造体３０と、これら２つの素子を封止する封止部８０とを備えている。配線構造体３０は、スイッチング素子１０の第１主面１１側に接続される配線構造体である配線シート付き配線体３５と、スイッチング素子１０の第２主面１２側に接続される配線構造体である配線体３６とにより構成されている。
【００３１】
半導体装置１の回路構成は次の通り。
スイッチング素子１０とフライホイールダイオード２０とは並列接続されている。
すなわち、スイッチング素子１０のソース電極１４とフライホイールダイオード２０のアノード電極とが接続され、かつスイッチング素子１０のドレイン電極１３とフライホイールダイオード２０のカソード電極とが接続されている。
【００３２】
スイッチング素子１０のゲート電極１５には信号配線（配線６１、図２参照）が接続されている。なお、フライホイールダイオード２０はスイッチング素子１０の逆方向に発生する電力を逃す。これにより、過大な電圧がスイッチング素子１０に加わることを抑制する。
【００３３】
以下、半導体装置１の各構成要素について説明する。
スイッチング素子１０は、ＳｉＣのｎ型ＭＯＳＦＥＴにより形成されている。
スイッチング素子１０の第１主面１１には、ソース電極１４（第１電極）と、ゲート電極１５（制御電極）と、４つのモニタ電極が形成されている。スイッチング素子１０の第２主面１２にはドレイン電極１３（第２電極）が形成されている。
【００３４】
第１のモニタ電極は、温度モニタ用としてスイッチング素子１０内に形成された温度特性モニタ用ダイオードのアノードに接続されている。
第２のモニタ電極は、前記温度特性モニタ用ダイオードのカソードに接続されている。なお、第１のモニタ電極と第２のモニタ電極との間の電位差に基づいてスイッチング素子１０の温度が推定される。
【００３５】
第３のモニタ電極は、スイッチング素子１０内のドレイン層に接続されている。すなわち、ドレイン電流の一部が出力される。例えば、ドレイン電流の１／１００００が分流される。
【００３６】
第４のモニタ電極は、スイッチング素子１０内のソース層に接続されている。なお、スイッチング素子１０のゲート電極１５に入力される信号は、ソース層の電位すなわち第４のモニタ電極の電位を基準にして形成される。
【００３７】
ソース電極１４は、ゲート電極１５および第１〜第４のモニタ電極よりも大きい。ゲート電極１５および第１〜第４のモニタ電極は、第１主面１１の端側に一列に配置されている。これら電極は、略同じ大きさに形成されている。
【００３８】
封止部８０は、スイッチング素子１０とフライホイールダイオード２０とを封止する。封止樹脂としては、例えば、酸化ケイ素等のフィラ含有のエポキシ樹脂、ＰＰＳ樹脂（ポリフェニレンサルファイド樹脂）等が用いられる。
【００３９】
配線構造体３０は半導体装置１の配線を構成する。
配線構造体３０は、第１電極端子４０と、第２電極端子５０と、配線シート６０と、４個の導電体（第１〜第４導電体３１〜３４）とを備えている。
【００４０】
第１電極端子４０について説明する。
第１電極端子４０は半導体装置１の端子を構成する。
第１電極端子４０の第１面４１には、第１導電体３１と第３導電体３３とが設けられている。第１導電体３１は、スイッチング素子１０が配置されるところに配置されている。第１導電体３１の第１主面３１Ａは第１半田９１で第１電極端子４０に接続されている。第３導電体３３は、フライホイールダイオード２０が配置されるところに配置されている。第３導電体３３の第１主面３３Ａは第１半田９１で第１電極端子４０に接続されている。なお、第１半田９１としては鉛フリー半田が用いられる。第１半田９１は後述の第２半田９２の融点よりも高い。
【００４１】
第１電極端子４０の第２面４２、すなわちスイッチング素子１０に対向する面と反対側の面には、絶縁シート４３が貼り付けられている。絶縁シート４３は、ポリイミド樹脂により形成されている。また、絶縁シート４３の外側面には金属シート４４が貼り付けられている。
【００４２】
金属シート４４は、スイッチング素子１０とフライホイールダイオード２０とを封止樹脂で封止して半導体装置１を形成するときに露出させる。すなわち、第１電極端子４０の第１面４１側が封止樹脂により封止される一方、第１電極端子４０の第２面４２側の金属シート４４が外部に露出する。なお、絶縁シート４３と金属シート４４との積層体は、銅張ポリイミド積層シートを用いて形成されている。
【００４３】
第１電極端子４０の材料としては、導電性および熱伝導性の観点から銅が用いられる。例えば、タフピッチ銅、無酸素銅等、純度の高い銅により形成される。なお、軽量化のために、アルミニウムが用いられることもある。
【００４４】
第２電極端子５０について説明する。
第２電極端子５０は半導体装置１の端子を構成する。第２電極端子５０は第１電極端子４０と同様の材料により形成されている。
【００４５】
第２電極端子５０の第１面５１には、第２導電体３２と第４導電体３４とが設けられている。第２導電体３２は、スイッチング素子１０が配置されるところに配置されている。第２導電体３２の第１主面３２Ａは、第１半田９１で第２電極端子５０に接続されている。第４導電体３４は、フライホイールダイオード２０が配置されるところに配置されている。第４導電体３４の第１主面３４Ａは、第１半田９１で第２電極端子５０に接続されている。
【００４６】
第２電極端子５０の第２面５２、すなわちスイッチング素子１０に対向する面と反対側の面には、絶縁シート５３が貼り付けられている。また、絶縁シート５３には金属シート５４が貼り付けられている。第２電極端子５０の第１面５１側は樹脂で封止され、第２電極端子５０の第２面５２側の金属シート５４は外部に露出している。
【００４７】
第１〜第４導電体３１〜３４について説明する。
第１〜第４導電体３１〜３４は略直方体に形成されている。
第１導電体３１の熱膨張係数は、スイッチング素子１０の熱膨張係数よりも大きく、かつ第１電極端子４０の熱膨張係数よりも小さい。第２導電体３２の熱膨張係数は、スイッチング素子１０の熱膨張係数よりも大きく、かつ第２電極端子５０の熱膨張係数よりも小さい。
【００４８】
すなわち、第１導電体３１および第２導電体３２は、導体としての機能と、スイッチング素子１０の熱膨張係数と第１電極端子４０または第２電極端子５０の熱膨張係数との差に起因して生じる応力を緩和する緩衝材としての機能を有する。
【００４９】
第３導電体３３の熱膨張係数は、フライホイールダイオード２０の熱膨張係数よりも大きく、かつ第１電極端子４０の熱膨張係数よりも小さい。第４導電体３４の熱膨張係数は、フライホイールダイオード２０の熱膨張係数よりも大きく、かつ第２電極端子５０の熱膨張係数よりも小さい。
【００５０】
すなわち、第３導電体３３および第４導電体３４は、導体としての機能と、フライホイールダイオード２０の熱膨張係数と第１電極端子４０または第２電極端子５０の熱膨張係数との差に起因して生じる応力を緩和する緩衝材としての機能を有する。
【００５１】
第１導電体３１は、平面視で、スイッチング素子１０よりも大きい。第１導電体３１の第２主面３１Ｂには、スイッチング素子１０のソース電極１４に対応して、半田接続部３１Ｃ（接続部）が形成されている。すなわち、半田接続部３１Ｃにより第１導電体３１とスイッチング素子１０のソース電極１４とが接続されている。なお、半田接続部３１Ｃは第２半田９２で形成されている。
【００５２】
第１導電体３１の第２主面３１Ｂにおいて、スイッチング素子１０のゲート電極１５およびモニタ電極に対向する部分には、配線シート６０の一端部が配置されている。配線シート６０の端子６４〜６８（図２参照）とスイッチング素子１０のゲート電極１５および各モニタ電極とは、第２半田９２で接続されている。
【００５３】
なお、便宜上、第１導電体３１においてスイッチング素子１０のソース電極１４に対応する部分を本体部３１Ｘといい、第１導電体３１において本体部３１Ｘを取り囲む部分を延長部３１Ｙという。
【００５４】
延長部３１Ｙは、配線シート６０と第１電極端子４０との間に介在し、配線シート６０を支持するとともに、第１電極端子４０の第１面４１を基準面とした配線シート６０の高さを設定する。
【００５５】
すなわち、第１電極端子４０の第１面４１を基準面とした第１導電体３１の半田接続部３１Ｃの高さと、第１電極端子４０の第１面４１を基準面とした配線シート６０の高さとが一致するように、延長部３１Ｙの厚寸法Ｈａが設定されている。具体的には、半田接続部３１Ｃの厚寸法と、配線シート６０の端子部分の厚寸法が略同じの場合、図１に示されるように、本体部３１Ｘの厚寸法と延長部３１Ｙの厚寸法とは等しくされる。一方、半田接続部３１Ｃの厚寸法よりも配線シート６０の端子部分の厚寸法が大きいときは、その厚寸法の差に応じて、本体部３１Ｘの厚寸法よりも延長部３１Ｙの厚寸法Ｈａが小さくされる。
【００５６】
第２導電体３２の第１主面３２Ａおよび第２主面３２Ｂは、スイッチング素子１０のドレイン電極１３よりも大きい。第２導電体３２の第２主面３２Ｂは第２半田９２でめっき処理されている。
【００５７】
第３導電体３３の第１主面３３Ａおよび第２主面３３Ｂは、フライホイールダイオード２０の第１主面２１よりも大きい。第３導電体３３の第２主面３３Ｂは第２半田９２でめっき処理されている。
【００５８】
第４導電体３４の第１主面３４Ａおよび第２主面３４Ｂは、フライホイールダイオード２０の第２主面２２よりも大きい。第４導電体３４の第２主面３４Ｂは第２半田９２でめっき処理されている。
【００５９】
なお、上記第１〜第４導電体３１〜３４の代わりとして、第１主面および第２主面が金めっき等されている導電体を用いることもできる。また、半田めっきが施されていない導電体を用いることもできる。この場合は、導電体と第１電極端子４０または第２電極端子５０との接続に半田プリフォームまたは半田ペーストを用いる。
【００６０】
第１導電体３１、第２導電体３２、第３導電体３３、および第４導電体３４は、例えば、Ｃｕ／Ｍｏ／Ｃｕ積層板、Ｃｕ−Ｍｏ合金（Ｃｕ−Ｍｏ複合材）、Ｃｕ−Ｗ合金（Ｃｕ−Ｗ複合材）、Ａｌ−ＳｉＣ合金、コバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ）等により形成される。これらの材料は熱膨張係数の上記条件を満たす。これらの材料のなかでも、Ｃｕ／Ｍｏ／Ｃｕ積層板、Ｃｕ−Ｍｏ合金（Ｃｕ−Ｍｏ複合材）、Ｃｕ−Ｗ合金（Ｃｕ−Ｗ複合材）は、他の材料に比べて熱伝導率が高いため放熱性の観点から好ましい。Ｃｕ−Ｍｏ複合材は、銅（Ｃｕ）にモリブデン（Ｍｏ）を含浸させた材料、もしくはモリブデン（Ｍｏ）に銅（Ｃｕ）を含浸させた材料を示す。Ｃｕ−Ｗ複合材は、銅（Ｃｕ）にタングステン（Ｗ）を含浸させた材料、もしくはタングステン（Ｗ）に銅（Ｃｕ）を含浸させた材料を示す。
【００６１】
図２を参照して、配線シート６０について説明する。
配線シート６０は、フレキシブルプリント基板により形成されている。具体的には次の構成を有する。
【００６２】
配線シート６０は、５本の配線６１と、配線６１の一面を覆う第１ポリイミド層と、配線６１の他面を覆う第２ポリイミド層とを備えている。配線６１は、銅材により形成されている。
【００６３】
配線シート６０は、第１電極端子４０に固定される固定部６０Ａと、５本の配線６１を外部に引き出すリード部６０Ｂとにより区分される。固定部６０Ａには貫通孔６２が形成されている。
【００６４】
貫通孔６２は、第１導電体３１に形成された半田接続部３１Ｃと同じ形状に形成されている。貫通孔６２の内側に半田接続部３１Ｃが入るように、配線シート６０が第１導電体３１に固定されている。
【００６５】
リード部６０Ｂは、封止部８０の外側に引き出されている。
リード部６０Ｂの一端部には、第２ポリイミド層の一部が除去された部分すなわち開口部６３が形成されている。開口部６３には５個の端子６４〜６８が形成されている。各端子６４〜６８は配線６１の先端部に形成されている。
【００６６】
５個の端子６４〜６８は、ゲート端子６４（制御端子）と４個のモニタ端子６５〜６８とにより構成されている。ゲート端子６４はゲート電極１５に接続されている。第１モニタ端子６５は第１のモニタ電極に接続されている。第２モニタ端子６６は第２のモニタ電極に接続されている。第３モニタ端子６７は第３のモニタ電極に接続されている。第４モニタ端子６８は第４のモニタ電極に接続されている。
【００６７】
５個の端子６４〜６８と貫通孔６２との配置関係は次の通りである。
貫通孔６２はスイッチング素子１０のソース電極１４に対向する位置に設けられている。５個の端子６４〜６８のぞれぞれは、各端子に対応する電極に対して設けられている。すなわち、貫通孔６２と５個の端子６４〜６８との配置関係と、ソース電極１４と５個の電極（４つのモニタ電極とゲート電極１５。５個の電極というときは以下同様。）との配置関係は一致する。
【００６８】
これら５個の端子６４〜６８には半田層が設けられている。半田層は第２半田９２により形成されている。
５個の端子６４〜６８の表面の高さ（半田層の表面）と半田接続部３１Ｃとの高さとは、略一致する。すなわち、第１導電体３１にスイッチング素子１０が配置されたとき、スイッチング素子１０が傾かないように構成されている。
【００６９】
上記半導体装置１の各部材の厚寸法に関して説明する。
スイッチング素子１０およびフライホイールダイオード２０の厚寸法は、２００μｍ〜３００μｍである。
【００７０】
配線シート６０のリード部６０Ｂの厚寸法は、５０μｍ〜１００μｍである。配線シート６０の端子形成部分の厚寸法（端子の半田層を含めた厚寸法）は７０μｍ〜１７０μｍとされている。各導電体３１〜３４の厚寸法は２００μｍ〜５００μｍである。第１電極端子４０および第２電極端子５０の厚寸法は５００μｍ〜２０００μｍである。
【００７１】
上記半導体装置１の配線シート付き配線体３５について説明する。
なお、配線シート付き配線体３５は、配線シート６０と第１電極端子４０と第１導電体３１と第３導電体３３とにより構成される（図１参照）。配線シート付き配線体３５の構造は、半導体装置１において、配線シート６０と第１電極端子４０と第１導電体３１と第３導電体３３とにより構成される構造体の構造と同様である。
【００７２】
以下に、配線シート付き配線体３５の構造的特徴について説明する。
近年、スイッチング素子１０の小型化により、ソース電極１４と５個の電極との間隔が小さくなっている。このため、第１導電体３１と５個の端子６４〜６８との間隔を小さくする必要がある。しかし、図８に示した従来の配線構造体の場合、絶縁基板９００に、スイッチング素子８００のエミッタ電極８１０に接続される電極９１０と、ゲート電極８２０に接続される電極９２０とを形成するため、これらの間隔を狭めることは難しい。その理由は、ソース電極１４に対応する電極９１０の厚さを確保する必要がある一方、絶縁基板９００に電極９１０および電極９２０を形成する場合にこれら電極の間隔ｄｘをこれら電極の厚さｈよりも小さくすることがエッチング加工上困難であることによる。
【００７３】
これに対して、本実施形態では、スイッチング素子１０のソース電極１４に対応する電極とゲート電極１５に対応する電極とをそれぞれ別部材とした。すなわち、ソース電極１４に接続される電極を第１導電体３１上に半田接続部３１Ｃとして構成した。また、ゲート電極１５に接続される電極を配線シート６０上のゲート端子６４として構成した。そして、配線シート６０を第１導電体３１上に配置した。
【００７４】
これにより、ソース電極１４に接続される電極とゲート電極１５に接続される電極の間の間隔、すなわち第１導電体３１上の半田接続部３１Ｃとゲート端子６４との間の間隔を小さくすることを可能とする。
【００７５】
すなわち、半田接続部３１Ｃと配線シート６０の各端子６４〜６８との間の間隔は、貫通孔６２の端子側の縁６２Ａ（図２参照）と端子６４〜６８の端縁との間の距離Ｌによる。フレキシブル基板の加工精度によれば、この距離Ｌを、スイッチング素子１０のソース電極１４とゲート電極１５との間の間隔（約１００μｍ）と略同等の距離とすることが可能である。
【００７６】
このため、半田接続部３１Ｃと配線シート６０の各端子６４〜６８との間の間隔を、ＳｉＣのような小型のスイッチング素子１０におけるソース電極１４とゲート電極１５との間隔に適合するように設定することができる。
【００７７】
また、ソース電極１４に接続される電極すなわち半田接続部３１Ｃを、第１導電体３１に形成する。すなわち、半田接続部３１Ｃを絶縁基板上に形成するのではなく、ソース電極１４の電極面に対して垂直方向に延びる立体的な導電体に半田接続部３１Ｃを形成する。この構造により、ソース電極１４に流れる大電流にも耐える導体断面積が確保される。
【００７８】
なお、第１導電体３１の半田接続部３１Ｃと配線シート６０の各端子６４〜６８との間の間隔を小さくする構造として、上記実施形態とは異なる構造を採用することもできる。以下、その例を説明する。
【００７９】
図３を参照して変形例を説明する。
第１導電体３１の平面形状をソース電極１４の形状と略同じ大きさとする。そして、第１導電体３１の第２主面３１Ｂに半田めっき層を形成する。半田めっき層は、スイッチング素子１０のソース電極１４に接続する半田接続部３１Ｄ（接続部）を構成する。また、配線シート６０の貫通孔６２に第１導電体３１が嵌り込む構成とする。
【００８０】
このような構造においても、第１導電体３１の半田接続部３１Ｄと配線シート６０の各端子６４〜６８との間の間隔を、小型のスイッチング素子１０におけるソース電極１４とゲート電極１５との間隔に適合するように設定することができる。この構造の場合は、第１導電体３１の厚さを配線シート６０の厚さと同等とする必要がある。このため、厚さが７０μｍ〜１７０μｍであって応力緩和性能を発揮することができる材料が採用される。
【００８１】
半導体装置１の製造方法の一例について説明する。
第１工程では、第１電極端子４０に、銅張ポリイミド積層シート（絶縁シート４３と金属シート４４の積層体）を貼り付ける。具体的には、銅張ポリイミド積層シートと第１電極端子４０とを積層し、真空熱プレス装置を用いて、３００℃、３ＭＰａでプレスする。
【００８２】
第２工程では、第１工程と同様の方法で第２電極端子５０に銅張ポリイミド積層シートを貼り付ける。
第３工程では、第１導電体３１に配線シート６０を加熱圧着により接着する。そして、銅張ポリイミド積層シート付きの第１電極端子４０の上に、配線シート６０付きの第１導電体３１と、第３導電体３３とを配置し、第１半田９１で接続する。これにより、配線シート付き配線体３５（図１参照）が完成する。
【００８３】
第４工程では、銅張ポリイミド積層シート付きの第２電極端子５０に、第２導電体３２と、第４導電体３４とを配置し、第１半田９１で接続する。
第５工程では、第３工程で形成した配線シート付き配線体３５の上にスイッチング素子１０およびフライホイールダイオード２０を配置し、さらに、これら素子の上に第４工程で形成した部品を配置して、第２半田９２により半田接続する。なお、第２半田９２としては、第１半田９１よりも融点が低いものを用いる。
【００８４】
第６工程では、スイッチング素子１０およびフライホイールダイオード２０を封止樹脂で封止する。具体的には、モールド成形機にて、第１電極端子４０と第２電極端子５０の間に封止樹脂を充填し、半導体装置１を形成する。また、必要に応じて、半導体装置１に水冷ジャケット（放熱装置）を取り付ける。
【００８５】
（第２実施形態）
図４を参照して、半導体装置１の変形例について説明する。
この変形例は、上記第１実施形態の配線シート付き配線体３５に対して次の変更を加えたものとなっている。すなわち、上記第１実施形態では、配線シート６０を第１導電体３１の第２主面３１Ｂに配置しているが、本変形例では、新たに別部材としてスペーサ１００を加え、スペーサ１００（介在部材）に配線シート６０を配置する。以下、この変更にともない生じる前記第１実施形態の配線シート付き配線体３５の構成からの変更について説明する。なお、前記配線シート付き配線体３５と共通する構成については同一の符合を付してその説明を省略する。
【００８６】
図４に示すように、第１導電体３１の平面形状はソース電極１４の形状と同じ形状とされている。第１導電体３１の第２主面３１Ｂには半田めっき層が形成されている。半田めっき層は、スイッチング素子１０のソース電極１４に接続する半田接続部３１Ｅ（接続部）を構成する。
【００８７】
スペーサ１００は、第１導電体３１が嵌る導電体貫通孔１１０を有する。導電体貫通孔１１０の断面形状は、第１導電体３１の平面構造と同じであり、導電体貫通孔１１０の大きさは第１導電体３１よりも若干大きい。すなわち、導電体貫通孔１１０は、この導電体貫通孔１１０に第１導電体３１を入れたとき第１導電体３１を殆ど動かせることができない寸法に形成されている。また、スペーサ１００の厚寸法Ｈｂは、第１導電体３１の厚寸法と略等しい。なお、配線シート６０の各端子６４〜６８の表面の高さ（半田層の表面）と第１導電体３１の半田接続部３１Ｅとの高さとが精確に一致することを設計条件として、スペーサ１００の厚寸法Ｈｂを次のように設定してもよい。
【００８８】
すなわち、各端子６４〜６８およびの半田層の厚さ、第１導電体３１の半田接続部３１Ｅ、および配線シート６０の厚さ等を考慮したとき、スペーサ１００の厚寸法Ｈｂと第１導電体３１の厚さとを異なせた方が好ましい場合には、スペーサ１００の厚さおよび第１導電体３１の厚さを上記設計条件が満たされる適切な値に設定する。
【００８９】
配線シート６０は、加熱圧着によりスペーサ１００に固定されている。具体的には、第１導電体３１の半田接続部３１Ｅと５個の端子６４〜６８との配置関係と、ソース電極１４と５個の電極との配置関係が一致するように、配線シート６０がスペーサ１００に固定されている。
【００９０】
また、第１電極端子４０の第１面４１を基準面とした配線シート６０の５個の端子６４〜６８の表面の高さ（半田層の表面）と、第１電極端子４０の第１面４１を基準面とした第１導電体３１の半田接続部３１Ｅとの高さとは、略一致する。すなわち、スイッチング素子１０が所定位置に配置されたとき、スイッチング素子１０が傾かないように構成されている。
【００９１】
次に、半導体装置１の配線シート付き配線体３５の構造的特徴について説明する。
スペーサ１００の導電体貫通孔１１０により第１導電体３１が位置決めされる。すなわち、導電体貫通孔１１０により第１導電体３１の移動が規制される。このため、第１導電体３１と５個の端子６４〜６８との配置関係が大きくずれることはない。特に、第１電極端子４０に第１導電体３１を半田で固定するとき半田の表面張力により第１導電体３１が所定位置からずれる場合があるが、導電体貫通孔１１０で第１導電体３１の移動が規制され、第１導電体３１と配線シート６０上の各端子６４〜６８との位置関係が所定位置関係に維持される。このため、スイッチング素子１０のソース電極１４および５個の電極と、第１導電体３１および各端子６４〜６８とが適切な状態で接続される。
【００９２】
図５を参照して、配線シート付き配線体３５の製造方法を説明する。
なお、図５は、図４の配線シート付き配線体３５を１８０度回転させた図である。
以下に示す製造方法では、第１導電体３１、第３導電体３３および配線シート６０を位置決めする固定治具２００を用いる。
【００９３】
まず、固定治具２００について説明する。
固定治具２００は、第１導電体３１、第３導電体３３および配線シート６０が配置することができる大きさの金属板である。
【００９４】
固定治具２００には、スペーサ付きの配線シート６０を位置決めする第１位置決め部２１０と、第１導電体３１を位置決めする第２位置決め部２２０と、第３導電体３３を位置決めする第３位置決め部２３０とが形成されている。
【００９５】
第１位置決め部２１０と第２位置決め部２２０は、配線シート６０の端子形成面６０Ｃを第１位置決め部２１０に接触させた状態、かつ第１導電体３１の半田接続部３１Ｅを第２位置決め部２２０に接触させた状態で、スペーサ付きの配線シート６０と第１導電体３１とを所定位置関係に位置決めする。
【００９６】
すなわち、第１導電体３１の半田接続部３１Ｅと各端子６４〜６８との配置関係と、スイッチング素子１０のソース電極１４と５個の電極との配置関係が一致するように、スペーサ付きの配線シート６０と第１導電体３１とを位置決めする。
【００９７】
第３位置決め部２３０は、第１導電体３１に対して所定距離に配置されるように第３導電体３３を位置決めする。第１導電体３１と第３導電体３３との間の距離は、第３導電体３３とスペーサ１００とが接触しない長さに設定されている。
【００９８】
また、第１位置決め部２１０と第２位置決め部２２０と第３位置決め部２３０とは、配線シート６０の端子６４〜６８の表面と、第１導電体３１の半田接続部３１Ｅの表面と、第３導電体３３の半田接続部３３Ｃの表面とが同一平面に配置されるように、配線シート６０と第１導電体３１と第３導電体３３とを位置決めする。
【００９９】
第１位置決め部２１０の表面、第２位置決め部２２０の表面、および第３位置決め部２３０の表面には、半田が接着しない離型層が形成されている。離型層は、例えば、半田レジストのコーティング、半田レジストにより形成されたドライフィルムの加熱圧着により形成される。また、離型層に液状の離型剤を塗布してもよい。
【０１００】
次に、半導体装置１の製造方法のうち、配線シート付き配線体３５の工程を説明する。
配線シート付き配線体３５の製造工程で上記固定治具２００が用いられる。なお、他の工程は、第１実施形態と同様である。
【０１０１】
第１工程では、第１電極端子４０に、銅張ポリイミド積層シート（絶縁シート４３と金属シート４４の積層体）を貼り付ける。
第２工程では、加熱圧着により、スペーサ１００に配線シート６０を接着する。
【０１０２】
第３工程では、固定治具２００に、スペーサ１００付きの配線シート６０を第１位置決め部２１０に配置し、第１導電体３１を第２位置決め部２２０に配置し、第３導電体３３を第３位置決め部２３０に配置する。
【０１０３】
第４工程では、スペーサ１００、第１導電体３１、および第３導電体３３の上に、銅張ポリイミド積層シート付きの第１電極端子４０を置く。そして、半田リフロー法により、スペーサ１００と、第１導電体３１と、第３導電体３３と、第１電極端子４０とを接続する。
【０１０４】
（第３実施形態）
図６および図７を参照して、半導体装置１の変形例について説明する。
この変形例は、上記第２実施形態の配線シート付き配線体３５に対して次の変更を加えたものとなっている。すなわち、上記第２実施形態では、スペーサ１００を第１電極端子４０に配置する構造とするが、本変形例では、スペーサ１００と第１電極端子４０とを一体にする。以下、この変更にともない生じる第２実施形態の配線シート付き配線体３５の構成からの変更について説明する。なお、前記配線シート付き配線体３５と共通する構成については同一の符合を付してその説明を省略する。
【０１０５】
第１電極端子４０は、端子本体部４０Ａと、端子本体部４０Ａから延長した第１段部４０Ｂ（支持部）と第２段部４０Ｃを備えている。端子本体部４０Ａは、第２実施形態の第１電極端子４０に該当する。第１段部４０Ｂは第２実施形態のスペーサ１００に該当する。すなわち、第１段部４０Ｂは、端子本体部４０Ａの第１面４１Ａを基準面として配線シート６０の高さを規定する。
【０１０６】
第１段部４０Ｂと第２段部４０Ｃとの間の間隔ｄｙは、第１導電体３１が嵌る寸法に設定されている。
第１導電体３１の平面形状はソース電極１４の形状と略同じ形状とされている。第１導電体３１の第２主面３１Ｂには半田めっき層が形成されている。半田めっき層は、スイッチング素子１０のソース電極１４に接続する半田接続部３１Ｆ（接続部）を構成する。
【０１０７】
配線シート６０は、加熱圧着により第１段部４０Ｂに固定されている。具体的には、第１導電体３１の半田接続部３１Ｆと５個の端子６４〜６８との配置関係と、ソース電極１４と５個の電極との配置関係が一致するように、配線シート６０が第１段部４０Ｂに固定されている。
【０１０８】
また、端子本体部４０Ａの第１面４１Ａを基準面とした５個の端子６４〜６８の表面の高さ（半田層の表面）と、端子本体部４０Ａの第１面４１Ａを基準面とした第１導電体３１の半田接続部３１Ｆとの高さとは、略一致する。すなわち、スイッチング素子１０が所定位置に配置されるとき、スイッチング素子１０が傾かないように構成されている。
【０１０９】
上記半導体装置１の配線シート付き配線体３５の構造的特徴について説明する。
第２実施形態の第１電極端子４０に該当する端子本体部４０Ａと、第２実施形態のスペーサに該当する第１段部４０Ｂとが一体に形成されている第１電極端子４０を採用しているため、第２実施形態の配線シート付き配線体３５に比べて、部品点数が少ない。このため、製造工程が簡略化される。
【０１１０】
上記各実施形態によれば以下の効果が得られる。
（１）上記各実施形態では、スイッチング素子１０のソース電極１４に接続する電極と、スイッチング素子１０のゲート電極１５に接続する電極とを別部品とする。すなわち、配線シート付き配線体３５は、スイッチング素子１０のソース電極１４に接続される半田接続部３１Ｃを有した第１導電体３１と、スイッチング素子１０の５個の電極に接続される端子６４〜６８が設けられた配線シート６０とを含む構造とされている。
【０１１１】
半田接続部３１Ｃ（接続部）と端子６４〜６８との間の間隔は、配線シート６０の加工精度による。配線シート６０の加工精度は、半田接続部３１Ｃと端子６４〜６８との間の間隔を、小型のスイッチング素子１０のソース電極１４と５個の電極との間の間隔と同等にすることが可能な程度に高い。このため、従来に比べて小型のスイッチング素子１０を実装することができる。
【０１１２】
（２）上記各実施形態では、第１導電体３１の半田接続部３１Ｃと配線シート６０の端子６４〜６８とは、スイッチング素子１０の第１主面１１におけるソース電極１４と５個の電極との配置関係に対応するように、配置されている。
【０１１３】
このため、第１導電体３１と配線シート６０とが配置されている部分にスイッチング素子１０を配置するとき、スイッチング素子１０のソース電極１４と第１導電体３１、およびスイッチング素子１０の５個の電極と配線シート６０の各端子６４〜６８とを精確に接続することができる。
【０１１４】
（３）上記各実施形態では、第１〜第４導電体３１〜３４が緩衝材により形成されている。この構成によれば、第１電極端子４０、第２電極端子５０、スイッチング素子１０およびフライホイールダイオード２０の間で生じる応力、またはこれら部材の内部に生じる応力を緩和することができる。
【０１１５】
（４）上記第１実施形態では、第１導電体３１の延長部３１Ｙに配線シート６０を配置する。そして、延長部３１Ｙを、配線シート６０の各端子６４〜６８と第１導電体３１の半田接続部３１Ｃとが同一平面に配置されるように、形成する。これにより、スイッチング素子１０が傾かないようにすることができる。また、配線シート６０の端子６４〜６８と第１導電体３１の半田接続部３１Ｃとが同一平面に配置するための支持部材を設ける必要がない。
【０１１６】
（５）上記第２実施形態では、配線シート６０をスペーサ１００（介在部材）に配置する。スペーサ１００を、配線シート６０の端子６４〜６８と第１導電体３１の半田接続部３１Ｅとが同一平面に配置されるように、形成する。なお、第１導電体３１とは異なる材料によりスペーサ１００を形成することができる。例えば、樹脂によりスペーサ１００を形成することもできる。
【０１１７】
（６）上記第３実施形態では、第１電極端子４０の第１段部４０Ｂ（支持部）に配線シート６０を配置している。このため、配線シート６０の端子６４〜６８と第１導電体３１の半田接続部３１Ｃとが同一平面に配置するために新たな部材を設ける必要がない。
【０１１８】
（７）上記各実施形態の半導体装置１は、上記構成の配線シート付き配線体３５を含むため、内部に実装するスイッチング素子１０として従来構造の半導体装置に比べて小型の素子を採用することができる。このため、半導体装置１を従来構造の半導体装置よりも小さくすることができる。
【０１１９】
（８）上記第２実施形態の半導体装置１の製造方法では、固定治具２００を用いて配線シート６０と第１導電体３１とが所定位置に位置決めする。配線シート６０と第１導電体３１とに対してスイッチング素子１０を精確に接続することができる。
【０１２０】
（その他の実施形態）
なお、本発明の各実施態様は上記に示した態様に限られるものではなく、これを例えば以下に示すように変更して実施することもできる。また以下の各変形例は、異なる変形例同士を互いに組み合わせて実施することもできる。
【０１２１】
・上記第１実施形態では、第１導電体３１と第３導電体３３とが別個の部材として構成されているが、これを一個の部材として構成してもよい。
この構成によれば、第１導電体３１と第３導電体３３を個別に第１電極端子４０に実装する必要がない。このため、第１導電体３１と第３導電体３３とを別部材として構成する場合と比べて、配線構造体３０の製造工程を簡略化することができる。
【０１２２】
・上記各実施形態では、第１電極端子４０および第２電極端子５０に貼り付けている絶縁シート４３、５３として、ポリイミド樹脂により形成したシートを用いているが、絶縁シート４３、５３の材料はこれに限定されない。例えば、絶縁シート４３、５３の材料として、エポキシ樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＥＴ樹脂（ポリエチレンテレフタレート樹脂）、ＰＥＥＫ樹脂（ポリエーテルエーテルケトン樹脂）、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマー、これら樹脂に絶縁性フィラを含有した樹脂を用いることができる。また、セラミックス基板を用いてもよい。セラミックス基板としては、例えばＳｉＮ、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＳｉＯ２等を用いることができる。
【０１２３】
・上記各実施形態では、スイッチング素子１０と第１導電体３１または第２導電体３２との接続およびフライホイールダイオード２０と第３導電体３３または第４導電体３４との接続に第２半田９２を用いている。また、第１電極端子４０と第１導電体３１または第３導電体３３との接続および第２電極端子５０と第２導電体３２または第４導電体３４との接続に第１半田９１を用いている。このように融点の異なる２種類の半田を用いているが、この構成に代えて、半田の種類を統一してもよい。
【０１２４】
・上記各実施形態では、配線シート６０としてフレキシブルプリント基板を用いているが、所謂フラットケーブルを用いることもできる。この構成の場合においても、少なくとも上記（１）と同様の効果が得られる。
【０１２５】
・上記各実施形態では、スイッチング素子１０とフライホイールダイオード２０とが並列接続する半導体装置１の配線構造体３０に本発明を適用しているが、スイッチング素子１０だけを含む半導体装置１の配線構造体３０に本発明を適用することもできる。
【０１２６】
・上記各実施形態では、スイッチング素子１０としてＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴを用いているが、スイッチング素子１０の種類は限定されない。すなわち、本発明は、一主面に２以上の電極を備えたスイッチング素子１０を含む半導体装置の配線構造体に適用可能である。スイッチング素子１０の他の例としては、例えば、ＧａＮ等のＩＩＩ族窒化物材料を用いたＭＯＳＦＥＴ、Ｓｉ−ＩＧＢＴ（ｎチャンネルＩＧＢＴ）、ＳｉＣ−ＩＧＢＴ等が挙げられる。
【符号の説明】
【０１２７】
１…半導体装置、１０…スイッチング素子、１１…第１主面、１２…第２主面、１３…ドレイン電極、１４…ソース電極、１５…ゲート電極、２０…フライホイールダイオード、２１…第１主面、２２…第２主面、３０…配線構造体、３１…第１導電体、３１Ａ…第１主面、３１Ｂ…第２主面、３１Ｃ，３１Ｄ，３１Ｅ，３１Ｆ…半田接続部（接続部）、３１Ｘ…本体部、３１Ｙ…延長部、３２…第２導電体、３２Ａ…第１主面、３２Ｂ…第２主面、３３…第３導電体、３３Ａ…第１主面、３３Ｂ…第２主面、３３Ｃ…半田接続部、３４…第４導電体、３４Ａ…第１主面、３４Ｂ…第２主面、３５…配線シート付き配線体、３６…配線体、４０…第１電極端子、４０Ａ…端子本体部、４０Ｂ…第１段部（支持部）、４０Ｃ…第２段部、４１，４１Ａ…第１面、４２…第２面、４３…絶縁シート、４４…金属シート、５０…第２電極端子、５１…第１面、５２…第２面、５３…絶縁シート、５４…金属シート、６０…配線シート、６０Ａ…固定部、６０Ｂ…リード部、６０Ｃ…端子形成面、６１…配線、６２…貫通孔、６２Ａ…縁、６３…開口部、６４…ゲート端子、６５…第１モニタ端子、６６…第２モニタ端子、６７…第３モニタ端子、６８…第４モニタ端子、８０…封止部、９１…第１半田、９２…第２半田、１００…スペーサ（介在部材）、１１０…導電体貫通孔、２００…固定治具、２１０…第１位置決め部、２２０…第２位置決め部、２３０…第３位置決め部、８００…スイッチング素子、８１０…エミッタ電極、８２０…ゲート電極、８３０…ドレイン電極、９００…絶縁基板、９１０…電極、９２０…電極、９３０…リード、９４０…導電体、９５０…リード。
【図１】
2013128065.tif 000003
【図２】
2013128065.tif 000004
【図３】
2013128065.tif 000005
【図４】
2013128065.tif 000006
【図５】
2013128065.tif 000007
【図６】
2013128065.tif 000008
【図７】
2013128065.tif 000009
【図８】
2013128065.tif 000010