(57)【要約】【課題】半導体装置等との接続不良を抑制する。【解決手段】複数の貫通孔２０ｈが形成された絶縁基板２０と、複数の貫通孔２０ｈと対応する位置に複数の突起部１０ｍが形成された金属箔と、を有し、複数の貫通孔２０ｈ内に複数の突起部１０ｍがそれぞれ挿入された状態で絶縁基板２０と金属箔とが接合されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の貫通孔が形成された絶縁基板と、
前記複数の貫通孔と対応する位置に複数の突起部が形成された金属箔と、を有し、
前記複数の貫通孔内に前記複数の突起部がそれぞれ挿入された状態で前記絶縁基板と前記金属箔とが接合されている
ことを特徴とする半導体パッケージ用基板。
【請求項２】
前記複数の突起部の頂面は、互いに略同一平面上に位置している
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ用基板。
【請求項３】
前記複数の突起部の基部から前記頂面までの高さのバラツキは±１０μｍ以内である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体パッケージ用基板。
【請求項４】
前記複数の突起部は前記金属箔をハーフエッチングして形成され、
前記複数の突起部の頂面は前記金属箔の一方の面から構成される
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体パッケージ用基板。
【請求項５】
前記金属箔と前記絶縁基板とは接着剤層を介して接合されている
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体パッケージ用基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の半導体パッケージ用基板と、
前記半導体パッケージ用基板に実装される半導体装置と、を備える
ことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項７】
絶縁基板に複数の貫通孔を形成する工程と、
金属箔上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記金属箔をハーフエッチングし、前記複数の貫通孔と対応する位置に複数の突起部を形成する工程と、
前記絶縁基板に形成された前記複数の貫通孔内に、前記金属箔に形成された前記複数の突起部をそれぞれ挿入し、前記絶縁基板と前記金属箔とを接合する工程と、を有する
ことを特徴とする半導体パッケージ用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ用基板、半導体パッケージおよび半導体パッケージ用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣチップやＬＥＤチップ等の各種の半導体装置が実装されパッケージ化される半導体パッケージ用基板は、図５に示すように、例えば複数の貫通孔１２０ｈが形成された絶縁基板１２０と（図５（ａ））、貫通孔１２０ｈを覆うよう絶縁基板１２０上に貼り合わされた金属箔１１０と（図５（ｂ），（ｃ））、金属箔１１０を電極とする電気めっき等により絶縁基板１２０の各貫通孔１２０ｈ内に金属箔１１０の一方の面（下面）から突出するように充填され絶縁基板１２０の裏面に露出する複数の突起部（突起状の接続部）１１０ｍと（図５（ｄ））、を備える。
【０００３】
半導体パッケージ用基板１３０の金属箔１１０に形成された配線パターン１１０ｐ（図５（ｅ））が有する図示しないパッド等には、例えば各種の半導体装置１４１が実装され、接続部１１０ｍは配線パターン１１０ｐ等を介して半導体装置１４１と電気的に接続され、半導体パッケージ１４０が構成される（図５（ｆ））。
【０００４】
接続部は、このように半導体装置等と電気的に接続されるだけでなく、例えば電子部品や基板同士の接続を図るビアメタルや（例えば、特許文献１）、接続部に更にハンダボールが形成されたＢＧＡプラグや（例えば、特許文献２）、チップ型コンデンサの外部端子（例えば、特許文献３）等として用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２８１３０１号公報
【特許文献２】特開平１０−０４１３５６号公報
【特許文献３】特開２００３−２８３０８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１〜３のように、電気めっきにより貫通孔内を充填すると、例えば金属箔に印加される電流密度に偏りが発生し、突起状となった接続部のそれぞれの高さにバラツキが生じてしまうことがあった。電流密度の偏りは、例えば外周部、中心部のような金属箔における位置の違い等により発生する。接続部の高さがばらつくと、例えば半導体装置等との接続不良を起こしてしまう場合があった。
【０００７】
本発明の目的は、半導体装置等との接続不良を抑制することが可能な半導体パッケージ用基板、半導体パッケージおよび半導体パッケージ用基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様によれば、
複数の貫通孔が形成された絶縁基板と、
前記複数の貫通孔と対応する位置に複数の突起部が形成された金属箔と、を有し、
前記複数の貫通孔内に前記複数の突起部がそれぞれ挿入された状態で前記絶縁基板と前
記金属箔とが接合されている
半導体パッケージ用基板が提供される。
【０００９】
本発明の第２の態様によれば、
前記複数の突起部の頂面は、互いに略同一平面上に位置している
第１の態様に記載の半導体パッケージ用基板が提供される。
【００１０】
本発明の第３の態様によれば、
前記複数の突起部の基部から前記頂面までの高さのバラツキは±１０μｍ以内である
第１又は第２の態様に記載の半導体パッケージ用基板が提供される。
【００１１】
本発明の第４の態様によれば、
前記複数の突起部は前記金属箔をハーフエッチングして形成され、
前記複数の突起部の頂面は前記金属箔の一方の面から構成される
第１〜第３の態様のいずれかに記載の半導体パッケージ用基板が提供される。
【００１２】
本発明の第５の態様によれば、
前記金属箔と前記絶縁基板とは接着剤層を介して接合されている
第１〜第４の態様のいずれかに記載の半導体パッケージ用基板が提供される。
【００１３】
本発明の第６の態様によれば、
第１〜第５の態様のいずれかに記載の半導体パッケージ用基板と、
前記半導体パッケージ用基板に実装される半導体装置と、を備える
半導体パッケージが提供される。
【００１４】
本発明の第７の態様によれば、
絶縁基板に複数の貫通孔を形成する工程と、
金属箔上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記金属箔をハーフエッチングし、前記複数の貫通孔と対応する位置に複数の突起部を形成する工程と、
前記絶縁基板に形成された前記複数の貫通孔内に、前記金属箔に形成された前記複数の突起部をそれぞれ挿入し、前記絶縁基板と前記金属箔とを接合する工程と、を有する
半導体パッケージ用基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、半導体装置等との接続不良を抑制することが可能な半導体パッケージ用基板、半導体パッケージおよび半導体パッケージ用基板の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージ用基板の製造方法を断面図で示す工程図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージ用基板の製造方法を断面図で示す工程図であって、更に配線パターン等を形成する場合を示す。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージ用基板の断面図であり、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ配線パターン等の形成前後を示す。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を断面図で示す工程図である。
【図５】従来技術に係る半導体パッケージの製造方法を断面図で示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜本発明の一実施形態＞
（１）半導体パッケージ用基板の製造方法
本発明の一実施形態に係る半導体パッケージ用基板３０（図３を参照）は、複数の貫通孔２０ｈが形成された絶縁基板２０と、複数の突起部１０ｍが形成された金属箔としての銅箔１０と、を備える。
【００１８】
まずは、本実施形態に係る半導体パッケージ用基板３０の製造方法について、図１及び図２を用いて説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージ用基板３０の製造方法を断面図で示す工程図である。図２は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージ用基板３０の製造方法を断面図で示す工程図であって、更に配線パターン１０ｐ等を形成する場合を示す。以下に説明する半導体パッケージ用基板３０の製造方法には、例えばロール・ツー・ロール法による製造工程が使用される。
【００１９】
（貫通孔形成工程）
まずは、図１（ａ）に示すように、例えば片面に接着剤層２１を備える絶縁基板２０を準備する。絶縁基板２０は、例えば可撓性を有する厚さ２５μｍ以上５０μｍ以下の長尺状の樹脂フィルムであり、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、アラミド、ポリイミド（ＰＩ）等を用いることができる。接着剤層２１に用いる接着剤は、例えば厚さ８μｍ以上１５μｍ以下の熱硬化性接着剤等である。なお、この時点で、接着剤層２１は、熱硬化前の柔軟性を有する状態となっている。
【００２０】
次に、図１（ｂ）に示すように、プレス加工等により、接着剤層２１と共に絶縁基板２０に複数の貫通孔２０ｈを形成する。貫通孔２０ｈは、例えば直径が０．２ｍｍ〜０．３ｍｍ程度の円形とすることができる。このとき、ロール・ツー・ロール法による搬送用及び後述する接合工程でのアライメント用として、図示しないパーフォレーションホールを、長尺状の絶縁基板２０の幅方向の両端付近に所定間隔で複数形成する。
【００２１】
（レジストパターン形成工程）
一方、上記貫通孔形成工程とは別工程で、図１（ｃ）に示すように、一方の面１０ａと他方の面１０ｂとを有する金属箔としての銅箔１０を準備する。このうち、少なくとも一方の面１０ａは、略平坦に形成され、例えば表面粗さＲａが０．３μｍ以上０．８μｍ以下である。銅箔１０は、後に形成される配線パターン１０ｐの厚さ、つまり、例えば１８μｍ以上２５μｍ以下の厚さ分だけ、絶縁基板２０と接着剤層２１との合計の厚さよりも厚く、例えば３５μｍ以上７０μｍ以下の厚さを有している。また、銅箔１０の厚さのバラツキは、例えば±２μｍ以内である。
【００２２】
次に、銅箔１０の一方の面１０ａ上にフォトレジストを塗布して露光・現像し、図１（ｄ）に示すレジストパターン１１ｐを形成する。また、銅箔１０の他方の面１０ｂに、例えばマスキングテープ１２を貼り合わせる。
【００２３】
（突起部形成工程）
続いて、図１（ｅ）に示すように、レジストパターン１１ｐをマスクとして銅箔１０をハーフエッチングし、複数の突起部１０ｍを形成する。突起部１０ｍは、上記絶縁基板２０に形成された複数の貫通孔２０ｈに対応する位置に、貫通孔２０ｈと略同一形状、略同一サイズに形成する。
【００２４】
具体的には、レジストパターン１１ｐでマスクした部分を突起状に残しつつ、ハーフエッチングにより銅箔１０の一部を薄膜状に残すようエッチングする。これにより、銅箔１０の被エッチング面側に、銅箔１０の一方の面１０ａを頂面１０ｔとする複数の突起部１
０ｍを形成する。
【００２５】
ハーフエッチングの際には、エッチング時間の調整によりエッチング深さを調整することで、薄膜状となった所定厚さの銅箔１０と、銅箔１０から突出した所定高さの突起部１０ｍとが得られる。突起部１０ｍの高さ、つまり、突起部１０ｍの基部１０ｆ（銅箔１０のエッチング底面）から頂面１０ｔまでの高さは、例えば絶縁基板２０と接着剤層２１との合計の厚さと略同等とすることができる。エッチング深さのバラツキによる突起部１０ｍの高さのバラツキは、例えば±１０μｍ以内、より好ましくは±３μｍ以内である。
【００２６】
またこのとき、スプレイ方式等によりエッチングを行うと、スプレイの打力により深さ方向へのエッチングが促進され、サイドエッチングを抑制して比較的垂直な形状を有する突起部１０ｍを得ることができる。このとき更に、エッチング阻害剤（インヒビタ）を添加したエッチング液等を用いれば、突起部１０ｍが一層垂直に近い形状となるほか、エッチング底面、つまり、突起部１０ｍの基部１０ｆ周辺を一層平坦な形状とすることができる。エッチング液としては、例えば塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）溶液や塩化第二銅（ＣｕＣｌ２）溶液等を用いることができる。また、エッチング阻害剤としては、例えばアミン類、エーテル類、グリコール類、アゾール類等の化合物等を用いることができる。
【００２７】
エッチング終了後、レジストパターン１１ｐ及びマスキングテープ１２を除去し、図１（ｆ）に示すように、複数の突起部１０ｍが形成された銅箔１０を得る。
【００２８】
（接合工程）
次に、図１（ｇ）に示すように、絶縁基板２０に形成された複数の貫通孔２０ｈ内に、銅箔１０が備える複数の突起部１０ｍをそれぞれ挿入し、接着剤層２１を介して絶縁基板２０と銅箔１０とを接合する。
【００２９】
すなわち、まずは、絶縁基板２０の両端付近に設けた複数のパーフォレーションホールの１つ以上をアライメントホールとして用い、機械的な調整若しくは画像認識、又はこれらの併用により、絶縁基板２０の貫通孔２０ｈと銅箔１０の突起部１０ｍとの位置合わせを行う。
【００３０】
次に、複数の貫通孔２０ｈ内にそれぞれの突起部１０ｍを挿入しつつ、絶縁基板２０と銅箔１０とを重ね合わせる。続いて、ロールラミネータ等により、互いに重ね合わせた絶縁基板２０と銅箔１０とを加熱処理する。これにより、柔軟性を有していた接着剤層２１が熱硬化し、接着剤層２１を介して絶縁基板２０と銅箔１０とが接合される。本実施形態においては、上述のように、突起部１０ｍを絶縁基板２０と接着剤層２１との合計の厚さと略同等の高さとしたので、絶縁基板２０と銅箔１０との接合により、突起部１０ｍの頂面１０ｔが絶縁基板２０の表面と略同一の高さに揃った状態となる。
【００３１】
また、上述のように、複数の突起部１０ｍの頂面１０ｔが銅箔１０の略平坦な一方の面１０ａから構成されることとしたので、上記接合後、複数の頂面１０ｔ同士も、互いに略同一平面上に位置することとなる。ここで、同一平面上とは、基準となる平面からの所定のバラツキを許容するものである。係るバラツキは、上述の突起部１０ｍの高さのバラツキから生じ、基準平面、例えば絶縁基板２０の表面からのバラツキの許容範囲は、例えば±１０μｍ以内、より好ましくは±３μｍ以内である。
【００３２】
以上により、図１（ｇ）に示す半導体パッケージ用基板３０が製造される。なお、本実施形態に係る半導体パッケージ用基板３０の製造方法には、図２に示す以下の工程が含まれていてもよい。
【００３３】
（配線形成工程）
図２（ａ）に示すように、銅箔１０の他方の面１０ｂ、つまり、突起部１０ｍとは反対側の面上にフォトレジストを塗布して露光・現像し、レジストパターン３１ｐを形成する。また、突起部１０ｍの頂面１０ｔを含む絶縁基板２０の表面に、例えばマスキングテープ３２を貼り合わせる。
【００３４】
続いて、マスキングテープ３２で突起部１０ｍの頂面１０ｔを保護しつつ、レジストパターン３１ｐをマスクとして、先のハーフエッチングで薄膜状に残った銅箔１０をエッチングする。エッチング完了後、レジストパターン３１ｐとマスキングテープ３２とを除去し、図２（ｂ）に示すように、配線パターン１０ｐが形成された銅箔１０を得る。配線パターン１０ｐは、例えば後述の半導体装置４１（図４を参照）と接続されるダイボンディング用やワイヤボンディング用の図示しないパッド等を備えている。
【００３５】
（保護膜形成工程）
次に、図２（ｃ）に示すように、配線パターン１０ｐを保護するソルダレジスト等の保護膜３３を、配線パターン１０ｐの一部を覆うように形成する。
【００３６】
（めっき工程）
更に、保護膜３３で覆われていない配線パターン１０ｐの露出部及び突起部１０ｍの頂面１０ｔに、金／ニッケル（Ａｕ／Ｎｉ）等のめっきを施してめっき層３４を形成し、配線パターン１０ｐと半導体装置４１等の他の電子部品との接続信頼性を高める。
【００３７】
以上により、図２（ｄ）に示すように、配線パターン１０ｐが形成された銅箔１０を備え、保護膜３３及びめっき層３４を備える半導体パッケージ用基板３０が製造される。
【００３８】
（２）半導体パッケージ用基板の構造
図３に、本実施形態に係る半導体パッケージ用基板３０を示す。図３は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージ用基板３０の断面図であり、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ配線パターン１０ｐ等の形成前後を示す。
【００３９】
図３（ａ）に示すように、半導体パッケージ用基板３０は、複数の貫通孔２０ｈが形成された絶縁基板２０と、複数の突起部１０ｍが形成された銅箔１０と、を有し、複数の貫通孔２０ｈ内に複数の突起部１０ｍがそれぞれ挿入された状態で絶縁基板２０と銅箔１０とが接合されることで構成されている。また、複数の突起部１０ｍの頂面１０ｔは、銅箔１０の一方の面１０ａから構成され、互いに略同一平面上に位置している。
【００４０】
また、図３（ｂ）に示すように、半導体パッケージ用基板３０は、配線パターン１０ｐが形成された銅箔１０と、配線パターン１０ｐの一部を覆う保護膜３３と、配線パターン１０ｐの露出部及び突起部１０ｍの頂面１０ｔに形成されためっき層３４と、を備えていてもよい。
【００４１】
（３）半導体パッケージの製造方法
本発明の一実施形態に係る半導体パッケージ４０（図４（ｃ）を参照）は、上述の配線パターン１０ｐ等を備える半導体パッケージ用基板３０と、半導体パッケージ用基板３０に実装される半導体装置４１と、を備える。
【００４２】
以下に、本実施形態に係る半導体パッケージ４０の製造方法について、図４を用いて説明する。図４は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージ４０の製造方法を断面図で示す工程図である。
【００４３】
（ダイボンディング工程）
まずは、図４（ａ）に示すように、ダイボンダ等を用い、半導体パッケージ用基板３０の配線パターン１０ｐが備える図示しないダイボンディング用のパッドに、銀（Ａｇ）ペースト等を介して半導体装置４１の図示しない裏面電極をダイボンディングする。
【００４４】
（ワイヤボンディング工程）
次に、図４（ｂ）に示すように、ワイヤボンダ等を用い、半導体パッケージ用基板３０の配線パターン１０ｐが備える図示しないワイヤボンディング用のパッドに、例えば金（Ａｕ）ワイヤ４２により半導体装置４１の図示しない表面電極をワイヤボンディングする。
【００４５】
（封止工程）
続いて、図４（ｃ）に示すパッケージ封止樹脂４３を用い、半導体装置４１を１個又は複数個の単位で封止する。
【００４６】
その後、１個又は複数個の半導体装置４１を含む単位で、ダイサやビグ刃を用いて半導体パッケージ用基板３０を個片化することで、図４（ｃ）に示す半導体パッケージ４０が製造される。
【００４７】
以上のように、半導体パッケージ用基板３０に実装される半導体装置４１は、例えば各種ＩＣチップやＬＥＤチップ、チップコンデンサ等である。また、突起部１０ｍは、半導体装置４１と外部との電気的接続を確保するプラグや外部端子等の接続部として機能するほか、半導体装置４１等の放熱を行う放熱部材等として機能する。また、突起部１０ｍの頂面１０ｔに更にハンダボール等を形成し、ＢＧＡプラグ等としてもよい。また、実装される半導体装置４１の種類等に応じて、それぞれの突起部１０ｍは２端子、３端子等としての機能を果たす。
【００４８】
（４）本実施形態に係る効果  本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。
【００４９】
（ａ）すなわち、本実施形態では、複数の突起部１０ｍの頂面１０ｔは銅箔１０の一方の面１０ａから構成され、互いに略同一平面上に位置している。これにより、突起部１０ｍの高さのバラツキを大幅に低減することができる。
上述のように、従来の電気めっき等により絶縁基板の貫通孔を充填して突起状の接続部を形成する際には、接続部の高さに６０μｍ程度のバラツキが生じてしまう場合があった。すなわち、銅箔を電極とする電気めっきでは、例えば銅箔の外周部と中心部とで電流密度に偏りが生じ、めっき速度に差が生じてしまう。また、絶縁基板の厚さ相当のめっき材を厚く充填しなければならず、接続部の高さのバラツキが一層大きくなってしまう。充填すべき貫通孔の数が多くめっき面積が広いときは、このバラツキは更に増大する。
しかしながら、本実施形態では、略均一な厚さの銅箔１０を用い、略平坦な一方の面１０ａから突起部１０ｍの頂面１０ｔを構成しているので、高さのバラツキが極めて少ない突起部１０ｍを複数得ることができる。上述のように、ハーフエッチングによってもレジストパターン１１ｐの疎密差依存等によりエッチング深さのバラツキが生じ得るものの、上記電気めっきによるバラツキと比較すれば極めて少ない。
【００５０】
（ｂ）また、本実施形態では、エッチングにより突起部１０ｍを形成する。電気めっきの処理速度に比べエッチングの処理速度は比較的高く、よって、工程時間を短縮して、半導体パッケージ用基板３０の製造スループットを向上させることができる。ロール・ツー・ロール法による電気めっきの処理速度は例えば０．３ｍ／分程度であり、エッチングの処理速度は例えば１ｍ／分程度である。
【００５１】
（ｃ）また、本実施形態では、銅箔１０と絶縁基板２０とが接着剤層２１を介して接合されている。これにより、エッチング深さに多少のバラツキが生じた場合や、エッチング深さが足りなかった場合、あるいは、エッチング底面である突起部１０ｍの基部１０ｆ周辺が丸みを帯びたいわゆる試験管形状になっている場合であっても、係るバラツキやエッチング深さの不足、基部１０ｆ周辺の丸みを、硬化前の柔軟性を有する接着剤層２１により吸収し、絶縁基板２０の表面に対して突起部１０ｍの高さを揃えることができる。
【００５２】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００５３】
例えば、上述の実施形態においては、絶縁基板２０の表面と高さの揃った突起部１０ｍとしたが、突起部の高さは適宜調整可能である。例えば、突起部を絶縁基板の表面から突出させ、外部との接続をさらに向上させてもよい。また、突起部の頂面にハンダボールを設ける場合等には、ハンダボール等により嵩上げされる分を見越して、突起部を絶縁基板の表面より低く形成してもよい。
【００５４】
また、上述の実施形態においては、接着剤層２１を介して絶縁基板２０と銅箔１０とを接合することとしたが、接合方法はこれに限られない。例えば、接着剤層を用いずに、加熱・加圧により絶縁基板に銅箔を直接、熱圧着させてもよい。
【００５５】
また、上述の実施形態においては、絶縁基板２０を長尺状の樹脂フィルムとしたが、絶縁基板は例えば硬質のリジッド基板等であってもよい。この場合、例えばポリイミド、ビスマレイミドトリアジンまたはエポキシの少なくともいずれかを主成分とする高分子樹脂を含ませたガラスクロス等から構成されたシート状の絶縁基板等を用いることができる。
【００５６】
また、上述の実施形態においては、半導体パッケージ用基板３０に半導体装置４１を実装することとしたが、この構成に限られない。例えば半導体パッケージ用基板を、表裏面に配線パターンを備える２メタル構造とし、突起部を表裏面の接続をするビアメタルとして用いてもよい。また、複数の半導体パッケージ用基板を積層する際のスルーホールとして突起部を用いてもよい。
【００５７】
また、上述の実施形態においては、突起部１０ｍは主に外部接続端子としての機能を果たすこととしたが、単に半導体パッケージの放熱を促進するサーマルビアとしての機能を有するものであってもよい。
【符号の説明】
【００５８】
１０    銅箔（金属箔）
１０ａ  一方の面
１０ｂ  他方の面
１０ｍ  突起部
１０ｔ  頂面
２０    絶縁基板
２０ｈ  貫通孔
２１    接着剤層
３０    半導体パッケージ用基板
４０    半導体パッケージ
４１    半導体装置
【図１】
2013183006.tif 000003
【図２】
2013183006.tif 000004
【図３】
2013183006.tif 000005
【図４】
2013183006.tif 000006
【図５】
2013183006.tif 000007