(57)【要約】【課題】本発明は、バリア層を介して、ビアホールをタングステン膜で良好に埋め込むことが可能であると共に、銅配線とプラグとの間の接触抵抗の半導体基板面内のばらつきを小さくして、良好な接触抵抗を得ることの可能な半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】半導体基板１１上の銅配線１５を覆う層間絶縁層１７にビアホール１８を形成し、次いで、ビアホール１８の底面１８ａ及び層間絶縁層１７の上面１７ａに指向性の強いスパッタチャンバー内でチタン膜２１を形成し、次いで、チタン膜２１上に指向性の強いスパッタチャンバー内で第１窒化チタン膜２２を形成し、次いで、第１窒化チタン膜２２上に指向性の弱いスパッタチャンバー内で第２窒化チタン膜２４を形成し、その後、ビアホール１８内を埋め込むタングステン膜２７を形成する。【選択図】図５
2013128062.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線を覆う層間絶縁層にビアホールを形成し、該ビアホールにバリア層を介してプラグを形成する半導体装置の製造方法であって、
前記バリア層を、第１の窒化チタン膜と、該第１の窒化チタン膜上に第２の窒化チタン膜と、順次積層させることで形成し、
前記第２の窒化チタン膜は、前記第１の窒化チタン膜を形成する時よりも弱い指向性で形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
配線を覆う層間絶縁層にビアホールを形成して該配線の一部を露出する工程と、
前記配線の一部を実質的に完全に覆う部分を少なくとも有するチタン膜を形成する工程と、
前記チタン膜の前記部分上から、前記ビアホールを区画する前記層間絶縁層の側面を経由して前記層間絶縁層の表面に延在する第１窒化チタン膜を形成する工程と、
前記層間絶縁層の前記側面から前記表面に至る肩の部分に対応する前記第１窒化チタン膜の部分を当該部分よりも厚い厚さを持って少なくとも覆う第２窒化チタン膜を形成する工程と、
前記チタン膜ならびに前記第１及び第２窒化チタン膜を介して前記ビアホールを導電体で埋める工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板上の銅配線を覆う層間絶縁層にビアホールを開口する工程と、
少なくとも前記ビアホールの底面および前記層間絶縁層の表面に指向性の強いスパッタチャンバー内でチタン膜を形成する工程と、
チタン膜上に前記指向性の強いスパッタチャンバー内で第１窒化チタン膜を形成する工程と、
前記第１窒化チタン膜上に指向性の弱いスパッタチャンバー内で第２窒化チタン膜を形成する工程と、
前記第２窒化チタン膜上にタングステン膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記指向性の強いスパッタチャンバーにおけるターゲットと前記半導体基板の距離は、前記指向性の弱いスパッタチャンバーにおけるターゲットと前記半導体基板の距離よりも遠いことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記チタン膜を１００ワット乃至４００ワットの基板バイアスを印加して形成し、前記第１窒化チタン膜を４００ワット乃至１０００ワットの基板バイアスを印加して形成することを特徴とする請求項３または４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記チタン膜を前記銅配線の表面上で２ｎｍ乃至７．５ｎｍの膜厚で形成し、前記第１窒化チタン膜を前記チタン膜上で１５ｎｍ乃至３０ｎｍの膜厚で形成し、前記第２窒化チタン膜を前記ビアホール以外の領域で１０ｎｍ乃至４０ｎｍの膜厚で形成することを特徴とする請求項３ないし５のうち、いずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体基板（例えば、シリコン基板）やアルミニウム配線（アルミニウム膜）とコンタクトプラグとの接触抵抗を低減する目的で、コンタクトプラグのうち、半導体基板及びアルミニウム配線と接触する部分にチタン膜（Ｔｉ膜）が用いられている。
【０００３】
また、コンタクトプラグを構成するタングステン膜の成膜反応を安定させ、かつ下地層間絶縁層との密着性を確保するために、コンタクトプラグに構成要素の１つとして窒化チタン膜（ＴｉＮ膜）が用いられている。
【０００４】
また、タングステン膜を形成する際に用いるＷＦ６ガスは、チタン（Ｔｉ）やシリコン（Ｓｉ）或いはアルミニウム（Ａｌ）と反応して膜はがれを生じさせるため、これらの材料を窒化チタン膜（ＴｉＮ膜）で覆い保護する必要がある。
【０００５】
特許文献１には、コンタクト孔内にバリアメタルを介してタングステン膜を埋め込む際に、バリアメタル膜の膜剥がれを抑制する半導体装置の製造方法として、コンタクト孔を含む基板上面にチタン膜をスパッタ形成し、次いで、チタン膜上に窒素雰囲気中で高温のＡｒガスで加熱しながら第１のチタンナイトライド膜をスパッタ形成し、次いで、第１のチタンナイトライド膜を被覆するように１００％の窒素雰囲気中で第２のチタンナイトライド膜をスパッタ形成し、その後、チタン膜、第１のチタンナイトライド膜、及び第２のチタンナイトライド膜の積層膜からなるバリアメタル膜を介して、コンタクト孔をタングステン膜で埋め込むことが開示されている。
【０００６】
特許文献２には、ＴｉＮ膜上に良質なタングステン膜を成膜可能な製造方法として、シリコン基板上にシリコン酸化膜上を形成し、次いで、コンタクトホールの形状にパターニングして下地基板を作成し、次いで、露出したシリコン基板上、及びシリコン酸化膜上にスパッタ法により、膜厚３０ｎｍのＴｉ膜を形成し、次いで、温度４００℃、気圧１Ｔｏｒｒ、電力３００Ｗの条件で、６０秒間の窒素プラズマ処理を行い、Ｔｉ膜表面を窒化し、次いで、スパッタ法により膜厚５０ｎｍのＴｉＮ膜を成膜し、その後、ＣＶＤ法により、ＴｉＮ膜上に膜厚３５０ｎｍのタングステン膜を成膜することが開示されている。
【０００７】
また、特許文献２には、スパッタ法により、膜厚８００ｎｍのＡｌ膜を形成し、該Ａｌ膜上に、スパッタ法により、膜厚３０ｎｍのＴｉ膜（チタン膜）を形成し、次いで、温度４００℃、気圧１Ｔｏｒｒ、電力３００Ｗの条件で、６０秒間の窒素プラズマ処理を行い、Ｔｉ膜表面を窒化し、次いで、スパッタ法により、膜厚１００ｎｍのＴｉＮ膜（窒化チタン膜）を形成し、次いで、ＴｉＮ膜上に、プラズマＣＶＤ法により、シリコン酸化膜を形成し、コンタクトホールの形状にパターニングし、次いで、露出したＴｉＮ膜上、及びシリコン酸化膜上にスパッタ法により膜厚５０ｎｍのＴｉＮを形成し、その後、ＣＶＤ法により、ＴｉＮ膜上に膜厚８００ｎｍのタングステン膜を成膜することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−１６８０５７号公報
【特許文献２】特開平１１−８７２７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１，２に記載の加熱処理を行わないと、シリコン上またはアルミニウム配線上に形成されたチタン膜を覆うチタンナイトライド膜の膜厚が不十分な箇所がある場合には、タングステン膜の膜はがれやＷＦ６と反応してボルケーノが生じる恐れがあった。
【００１０】
また、本発明者が鋭意検討を行ったところ、銅配線（Ｃｕ膜）上に、チタン膜（Ｔｉ膜）を接触させた状態で加熱処理（つまり、特許文献１，２の半導体装置の製造方法を適用すると）を行うと、Ｃｕ膜とＴｉ膜との接触が不安定となるため、Ｔｉ膜を構成要素の１つとするプラグ（コンタクトプラグやビアプラグ等）と銅配線との間の接触抵抗が上昇し、半導体基板面内において該接触抵抗がばらついてしまうことが分かった。
【００１１】
また、窒化チタン膜（ＴｉＮ膜）を銅配線（Ｃｕ膜）上に形成後、加熱処理を行うと、窒化チタン膜（ＴｉＮ膜）のＣｕに対するバリア性が低下して、銅原子が拡散し易くなった。
これにより、プラグの底部のエレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性が低下すると共に、窒化チタン膜（ＴｉＮ膜）表面におけるタングステン膜（プラグの母材）の核形成反応が不安定となり、タングステン膜の異常成長の要因となることが分かった。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一観点によれば、配線を覆う層間絶縁層にビアホールを形成し、該ビアホールにバリア層を介してプラグを形成する半導体装置の製造方法であって、前記バリア層を、第１の窒化チタン膜と、該第１の窒化チタン膜上に第２の窒化チタン膜と、順次積層させることで形成し、前記第２の窒化チタン膜は、前記第１の窒化チタン膜を形成する時よりも弱い指向性で形成することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、配線を覆う層間絶縁層にビアホールを形成し、ビアホール内に、第１の窒化チタン膜を形成し、次いで、該第１の窒化チタン膜上に第１の窒化チタン膜を形成する時よりも弱い指向性をもって第２の窒化チタン膜を形成することで、第１及び第２の窒化チタン膜の形成に加熱処理を行うことなく、第１及び第２の窒化チタン膜を介して、ビアホールを埋め込むように、タングステン膜を埋め込んだ際、エレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性を確保した上で、タングステン膜の成膜に起因するボルケーノの発生を抑制可能となる。
【００１４】
これにより、ビアホール内をタングステン膜で良好に埋め込むことができると共に、配線とプラグとの間の接触抵抗の半導体基板面内のばらつきを小さくでき、かつ良好な接触抵抗を得ることができる。
【００１５】
なお、ここでの「指向性が弱い」とは、スパッタ装置のターゲットと半導体基板との距離が近いことをいう。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を説明するための断面図（その１）である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を説明するための断面図（その２）である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を説明するための断面図（その３）である。
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を説明するための断面図（その４）である。
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を説明するための断面図（その５）である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明を適用した実施の形態について詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、本発明の実施形態の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の半導体装置の寸法関係とは異なる場合がある。
【００１８】
（実施の形態）
図１〜図５は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
図１〜図５を参照して、本実施の形態の半導体装置１０（図５参照）の製造方法（具体的には、プラグ３１の形成方法）について説明する。
【００１９】
始めに、図１に示す工程では、周知の手法により、半導体基板１１（例えば、単結晶シリコン基板）の主面１１ａ（表面）に下地絶縁膜１２（例えば、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２膜））を形成する。次いで、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術により、下地絶縁膜１２に溝１４を形成する。
【００２０】
次いで、周知の手法（ダマシン法）により、溝１４を埋め込む銅配線１５を形成する。次いで、周知の手法（例えば、ＣＶＤ法）により、下地絶縁膜１２の上面１２ａ及び銅配線１５の上面１５ａを覆う層間絶縁層１７を形成する。
次いで、銅配線１５上に位置する層間絶縁層１７に、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術により銅配線１５の一部を露出するビアホール１８を形成（開口）する。
【００２１】
次いで、後述する図２に示すチタン膜２１を形成する前に、ビアホール１８に露出された銅配線１５の表面に形成された酸化物を除去する。具体的には、図１に示す構造体を水素雰囲気中にて還元処理するか、或いは、Ａｒを用いたスパッタエッチングにより該酸化物を除去する。
【００２２】
次いで、図２に示す工程では、銅配線１５の一部を実質的に完全に覆う部分を少なくとも有するようにチタン膜２１を形成する。
具体的には、少なくともビアホール１８の底面１８ａ及び層間絶縁層１７の上面１７ａ（上表面）に指向性の強いスパッタチャンバー内でチタン膜２１を形成する。ここでの「指向性が強いスパッタチャンバー」とは、スパッタ装置のＴｉターゲットと半導体基板１１との距離が遠いスパッタチャンバーのことをいう。
【００２３】
上記チタン膜２１を形成する際には、基板バイアスが１００ワット乃至４００ワットとされたロングスロースパッタ法を用いる。基板バイアスが高すぎると（４００ワットよりも大きいと）銅配線１５とチタン膜２１との接触抵抗が増加するため好ましくない。
【００２４】
また、上記チタン膜２１は、ビアホール１８の底面１８ａ（言い換えれば、ビアホール１８に露出された銅配線１５の表面）に形成される厚さが２ｎｍ乃至７．５ｎｍとなるように形成するとよい。
また、チタン膜２１は、少なくともビアホール１８に露出された銅配線１５の表面に形成されておればよく、ビアホール１８の側壁面１８ｂには成膜されない方がよい。
なお、図２では、一例として、ビアホール１８の側壁面１８ｂにチタン膜２１が成膜されていない場合を図示している。
【００２５】
このように、基板バイアスが１００ワット乃至４００ワットとされたロングスロースパッタ法を用いて、ビアホール１８の底面１８ａに形成される厚さが２ｎｍ乃至７．５ｎｍとなるようにチタン膜２１を形成することで、銅配線１５とチタン膜２１との間の接触抵抗を低くすることができると共に、半導体基板１１面内における該接触抵抗のばらつきを小さくすることができる。
【００２６】
次いで、指向性の強いスパッタチャンバー内で、ビアホール１８の底面１８ａに形成されたチタン膜２１（言い換えれば、チタン膜２１のうち、銅配線１５の一部（ビアホール１８に露出された部分）を実質的に完全に覆う部分）上から、ビアホール１８を区画する層間絶縁層１７の側面１７ｂ（言い換えれば、ビアホール１８の側壁面１８ｂ）を経由して層間絶縁層１７の上面１７ａ（表面）に延在する第１窒化チタン膜２２を形成する。
【００２７】
これにより、ビアホール１８の底面１８ａ及び層間絶縁層１７の上面１７ａに形成されたチタン膜２１と、チタン膜２１が形成されていないビアホール１８の側壁面１８ｂと、が第１窒化チタン膜２２で覆われる。
【００２８】
具体的には、ロングスロースパッタ法により、窒素雰囲気中の反応性スパッタを利用して、第１窒化チタン膜２２を形成する。このときの基板バイアスとしては、４００ワット乃至１０００ワットを印加する。
第１窒化チタン膜２２を形成する際に使用する上記基板バイアスでは、下層に形成されたチタン膜２１よりも指向性が強くなるが、膜厚を厚くすることでビアホール１８の底面１８ａに形成されたチタン膜２１を覆うことができる。
【００２９】
また、第１窒化チタン膜２２は、ビアホール１８の底面１８ａに配置されたチタン膜２１上において、その厚さが１５ｎｍ乃至３０ｎｍとなるように形成するとよい。
さらに、第１窒化チタン膜２２を構成するチタンと窒素の組成比が１：１に近くなるように、第１窒化チタン膜２２を形成するとよい。
【００３０】
このように、基板バイアスとして４００ワット乃至１０００ワットを用い、ロングスロースパッタ法により、ビアホール１８の底面１８ａに配置されたチタン膜２１上において、厚さが１５ｎｍ乃至３０ｎｍとなるように第１窒化チタン膜２２を形成することで、ビアホール１８の底面１８ａにおける第１窒化チタン膜２２の被覆範囲を調整することができる。
【００３１】
次いで、図３に示す工程では、第１窒化チタン膜２２上に、第１窒化チタン膜２２の形成に使用したスパッタチャンバーと比較して、指向性の弱いスパッタチャンバー（第１窒化チタン膜２２の形成に使用したチャンバーとは別のチャンバー）内で第２窒化チタン膜２４を形成する。
ここでの「指向性の弱いスパッタチャンバー」とは、スパッタ装置のＴｉターゲットと半導体基板１１との距離が近い通常のチャンバーのことをいう。
【００３２】
具体的には、図３に示す工程では、ロングスロースパッタ法ではなく、通常のスパッタ法（具体的には、窒素ガスを用いた反応性スパッタ）により、層間絶縁層１７の側面１７ｂ（ビアホール１８の側壁面１８ｂ）から層間絶縁層１７の表面１７ａに至る肩の部分１７ｃに対応する第１窒化チタン膜２２の部分を当該部分よりも厚い厚さを持って少なくとも覆うように、第２窒化チタン膜２４を形成する。
【００３３】
これにより、ビアホール１８内に、チタン膜２１、第１窒化チタン膜２２、及び第２窒化チタン膜２４を有し、かつ第１窒化チタン膜２２と、第２窒化チタン膜２４と、がこの順で積層されたバリア層２５が形成される。
【００３４】
なお、指向性の強いスパッタチャンバーにおけるＴｉターゲットと半導体基板１１の距離は、指向性の弱いスパッタチャンバーにおけるＴｉターゲットと半導体基板１１の距離よりも遠い。
【００３５】
図３に示す工程では、層間絶縁層１７の上面１７ａ及び肩の部分１７ｃに形成された第２窒化チタン膜２４の厚さが１０ｎｍ乃至４０ｎｍとなるように、第２窒化チタン膜２４を形成する。
また、第２窒化チタン膜２４を構成するチタンと窒素の組成比が１：１に近くなるように、第２窒化チタン膜２４を形成するとよい。
【００３６】
上記第２窒化チタン膜２４は、後述する図４に示す工程において、タングステン膜２７を形成する際に使用するプロセスガスであるＷＦ６から層間絶縁層１７の肩の部分１７ｃから層間絶縁層１７の上面１７ａに形成されたチタン膜２１（言い換えれば、ビアホール１８の上端部近傍から層間絶縁層１７の表面に形成されたチタン膜２１）を保護する機能を有する。
なお、第２窒化チタン膜２４は、一定の膜厚で形成すればよく、一般的なスパッタ条件により形成できる。
【００３７】
次いで、図４に示す工程では、プロセスガスとしてＷＦ６を用いたＣＶＤ法により、チタン膜２１、第１窒化チタン膜２２、及び第２窒化チタン膜２４を介して、ビアホール１８を埋め込むタングステン膜２７を形成する。
このとき、層間絶縁層１７の上面１７ａの上方に形成された第２窒化チタン膜２４を覆うように、タングステン膜２７が形成される。
【００３８】
次いで、図５に示す工程では、ＣＭＰ法により、層間絶縁層１７の上面１７ａに形成された不要なチタン膜２１、第１窒化チタン膜２２、及び第２窒化チタン膜２４を除去して、研磨後のタングステン膜２７の上面２７ａを層間絶縁層１７の上面１７ａに対して位置にする。
【００３９】
これにより、層間絶縁層１７の上面１７ａが露出されると共に、チタン膜２１、第１窒化チタン膜２２、第２窒化チタン膜２４、及びタングステン膜２７により構成され、かつビアホール１８を埋め込むプラグ３１が形成される。プラグ３１は、銅配線１５と電気的に接続されている。
【００４０】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、下地絶縁膜１２に形成された銅配線１５を覆う層間絶縁層１７にビアホール１８を形成し、次いで、少なくともビアホール１８の底面１８ａ及び層間絶縁層１７の上面１７ａに指向性の強いスパッタチャンバー内でチタン膜２１を形成し、次いで、チタン膜２１上に指向性の強いスパッタチャンバー内で第１窒化チタン膜２２を形成し、次いで、第１窒化チタン膜２２上に指向性の弱いスパッタチャンバー内で第２窒化チタン膜２４を形成し、その後、チタン膜２１、第１窒化チタン膜２２、及び第２窒化チタン膜２４を介して、ビアホール１８を埋め込むタングステン膜２７を形成して、ビアホール１８内にチタン膜２１、第１窒化チタン膜２２、第２窒化チタン膜２４、及びタングステン膜２７よりなるプラグ３１を形成することで、チタン膜２１、第１窒化チタン膜２２、及び第２窒化チタン膜２４の形成に加熱処理を行うことなく、エレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性を確保した上で、タングステン膜２７の成膜に起因するボルケーノの発生を抑制可能となる。
【００４１】
これにより、ビアホール１８内をタングステン膜２７で良好に埋め込むことができると共に、銅配線１５とプラグ３１との間の接触抵抗の半導体基板１１面内のばらつきを小さくでき、かつ良好な接触抵抗を得ることができる。
【００４２】
なお、本発明においては、先に指向性の強い条件で第１窒化チタン膜２２を形成し、その後、指向性の弱い条件で第２窒化チタン膜２４を形成することが非常に重要である。
【００４３】
ところで、指向性の弱い条件を用いて第１の窒化チタン膜を形成すると、ビアホール１８の上端近傍で第１の窒化チタン膜によりオーバーハング形状が形成されてしまう。
このように、オーバーハング形状とされた第１の窒化チタン膜を形成後に、指向性の強い条件で第２の窒化チタン膜を成膜すると、ビアホール１８の底面１８ａのパターン端部でのカバレージが悪くなり、膜はがれを誘発してしまう。
【００４４】
したがって、半導体基板１１面内のばらつきが少なく、かつ良好なプラグ３１の抵抗値を得るためには、先に指向性の強い条件で第１窒化チタン膜２２を形成し、その後、指向性の弱い条件で第２窒化チタン膜２４を形成することが非常に重要である。
【００４５】
なお、本実施の形態では、プラグ３１の下端が接続される配線の一例として、銅配線１５を例に挙げて説明したが、銅配線１５に替えてアルミニウム配線（図示せず）を形成し、次いで、アルミニウム配線を覆う層間絶縁層１７を形成後、フォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術によりアルミニウム配線の一部を露出するビアホール１８を形成（開口）し、その後、図２〜図５に示す工程を順次行うことで、アルミニウム配線上にプラグ３１を形成してもよい。
【００４６】
この場合、特許文献１，２では必要であった加熱処理を行うことなく、タングステン膜２７の膜はがれやＷＦ６と反応してボルケーノが生じることを抑制可能となる。
これにより、ビアホール１８内をタングステン膜２７で良好に埋め込むことができると共に、アルミニウム配線とプラグ３１との間の接触抵抗の半導体基板１１面内のばらつきを小さくでき、かつ良好な接触抵抗を得ることができる。
【００４７】
また、図示していないシリコン上（具体的には、ドープドポリシリコン膜上やイオン注入方により単結晶シリコン基板に形成された不純物拡散領域上）に、本実施の形態のプラグ３１の形成方法と同様な手法により、プラグ３１を形成してもよい。
【００４８】
この場合、特許文献１，２では必要であった加熱処理を行うことなく、タングステン膜２７の膜はがれやＷＦ６と反応してボルケーノが生じることを抑制可能となる。
これにより、ビアホール１８内をタングステン膜２７で良好に埋め込むことができると共に、シリコンとプラグ３１との間の接触抵抗の半導体基板１１面内のばらつきを小さくでき、かつ良好な接触抵抗を得ることができる。
【００４９】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００５０】
例えば、本実施の形態では、銅配線１５と接触する金属膜としてチタン膜２１を例に挙げて説明したが、チタン膜２１の替わりに、指向性の強いスパッタチャンバー内で、Ｔａ膜、Ｗ膜、Ｒｕ膜、Ｃｏ膜、Ｍｏ膜、Ｚｒ膜、Ｖ膜、Ｎｂ膜、Ｃｒ膜、Ｓｎ膜のうち、少なくとも１種よりなる膜を形成してもよい。この場合、本実施の形態と同様な効果を得ることができる。また、バリア層２５は、窒化物、酸化物、ホウ化物、炭化物を含有してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、半導体装置の製造方法に適用可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１０…半導体装置、１１…半導体基板、１１ａ…主面、１２…下地絶縁膜、１２ａ，１５ａ，１７ａ，２７ａ…上面、１５…銅配線、１７…層間絶縁層、１７ｂ…側面、１７ｃ…肩の部分、１８…ビアホール、１８ａ…底面、１８ｂ…側壁面、２１…チタン膜、２２…第１窒化チタン膜、２４…第２窒化チタン膜、２５…バリア層、２７…タングステン膜、３１…プラグ
【図１】
2013128062.tif 000003
【図２】
2013128062.tif 000004
【図３】
2013128062.tif 000005
【図４】
2013128062.tif 000006
【図５】
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