(57)【要約】【課題】露光装置の小型化を図る。【解決手段】  露光動作は、基板Ｐの一部の領域（第１及び第２ショット領域ＳＡ１、ＳＡ２）に対してエネルギビームを用いてマスクパターンを転写することと、前記基板ＰをＺ軸回りに回転させることと、前記基板Ｐの残りの領域（第３ショット領域ＳＡ３）に対してエネルギビームを用いてマスクパターンを転写することと、を含む。これによれば、基板ＰのＸステップ動作が不要なので、基板ＰのＸ軸方向のストロークが短くて良く、基板ステージを小型化できる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体保持部材上に載置された物体の第１の領域に対してエネルギビームを用いて所定のパターンを形成することと、
前記物体を該物体の表面に交差する軸回りに回転させることと、
前記物体の前記第１の領域とは異なる第２の領域に対してエネルギビームを用いて前記所定のパターンを形成することと、を含む露光方法。
【請求項２】
前記回転させることでは、前記物体を１８０°回転させる請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記第１の領域、及び前記第２の領域には、それぞれ前記所定のパターンが複数形成される請求項１又は２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記回転させることでは、前記物体保持部材が有する物体回転装置が用いられる請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項５】
前記回転させることでは、前記物体保持部材上に前記物体を非接触浮上させる請求項１〜４のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項６】
前記物体保持部材は、前記物体よりも面積の狭い物体載置面を有し、
前記第１の領域に前記所定のパターンを形成することでは、前記第１領域を含む前記物体の一部を前記物体載置面上に載置し、
前記第２の領域に前記所定のパターンを形成することでは、前記第２領域を含む前記物体の他部を前記物体載置面上に載置する請求項１〜５のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項７】
前記物体の一部を前記物体載置面上に載置した状態で、前記物体の他部を前記物体保持部材とは異なる支持部材により支持させ、
前記物体の他部を前記物体載置面上に載置した状態で、前記物体の一部を前記支持部材により支持させる請求項６に記載の露光方法。
【請求項８】
前記物体の一部と前記物体の他部とが一部重複する請求項６又は７に記載の露光方法。
【請求項９】
前記物体の表面に平行な二次元平面内の一軸方向に関して、前記第１の領域は、前記物体の一側に設けられ、前記第２領域は、前記物体の他側に設けられる請求項１〜８のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１０】
前記第１の領域に所定のパターンを形成すること、及び前記第２の領域に所定のパターンを形成することでは、前記物体を前記エネルギビームに対して所定の走査方向に相対移動させる請求項１〜９のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１１】
前記物体は、フラットパネルディスプレイ装置に用いられる基板である請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１２】
前記基板は、少なくとも一辺の長さが５００ｍｍ以上である請求項１１に記載の露光方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の露光方法により前記物体を露光することと、
露光された前記物体を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光方法により前記物体を露光することと、
前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項１５】
物体が載置される物体保持部材と、
前記物体を該物体の表面に交差する軸回りに回転させる回転駆動装置と、
前記物体保持部材上に載置された前記物体の第１の領域に対してエネルギビームを用いて所定のパターンを形成した後に前記回転駆動装置を用いて前記物体を回転させ、前記物体保持部材上に載置された前記物体の前記第１の領域とは異なる第２の領域に対してエネルギビームを用いて所定のパターンを形成する露光制御系と、を備える露光装置。
【請求項１６】
前記回転駆動装置は、前記物体を１８０°回転させる請求項１５に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記露光制御系は、前記第１の領域、及び前記第２の領域それぞれに前記所定のパターンを複数形成する請求項１５又は１６に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記回転駆動装置は、前記物体保持部材に設けられる請求項１５〜１７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記回転駆動装置は、前記物体が前記物体保持部材上に非接触浮上した状態で前記物体を回転させる請求項１５〜１８のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２０】
前記物体保持部材は、前記物体よりも面積の狭い物体載置面を有し、
前記物体は、前記第１の領域に前記所定のパターンが形成される際には、前記第１領域を含む一部が前記物体載置面上に載置され、前記第２の領域に前記所定のパターンが形成される際には、前記第２領域を含む他部が前記物体載置面上に載置される請求項１５〜１９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２１】
前記物体の一部が前記物体載置面上に載置された状態で前記物体の他部を支持するとともに、前記物体の他部が前記物体載置面上に載置された状態で前記物体の一部を支持する支持部材を更に備える請求項２０に記載の露光装置。
【請求項２２】
前記物体の一部と前記物体の他部とが一部重複する請求項２０又は２１に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記物体の表面に平行な二次元平面内の一軸方向に関して、前記第１の領域は、前記物体の一側に設けられ、前記第２領域は、前記物体の他側に設けられる請求項１５〜２２のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２４】
前記露光制御系は、前記第１の領域に前記所定のパターンを形成する際、及び前記第２の領域に前記所定のパターンを形成する際に、前記物体を前記エネルギビームに対して所定の走査方向に相対移動させる請求項１５〜２３のいずれか一項に記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光方法、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光装置に係り、更に詳しくは、物体に対してエネルギビームを用いて所定のパターンを形成する露光方法及び露光装置、前記露光方法を用いたフラットパネルディスプレイの製造方法及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示素子、半導体素子等の電子デバイスを製造するリソグラフィ工程では、マスク（又はレチクル）に形成されたパターンをエネルギビームを用いてガラス基板（又はウエハ）上に転写する露光装置が用いられている。
【０００３】
この種の露光装置としては、ガラス基板を保持し、該ガラス基板を水平面に沿って所定の長ストロークで案内する基板ステージを備えたものが知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
ここで、近年の基板の大型化に伴い、基板ステージも大型化する傾向にある。このため、小型化した基板ステージの開発が望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１０／００１８９５０号明細書
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の事情の下でなされたもので、第１の観点からすると、物体保持部材上に載置された物体の第１の領域に対してエネルギビームを用いて所定のパターンを形成することと、前記物体を該物体の表面に交差する軸回りに回転させることと、前記物体の前記第１の領域とは異なる第２の領域に対してエネルギビームを用いて前記所定のパターンを形成することと、を含む露光方法である。
【０００７】
これによれば、物体を回転させることにより物体のステップ動作を省略することができる。したがって、物体保持部材のステップ方向の移動ストロークを短くすることができ、露光装置を小型化できる。
【０００８】
本発明は、第２の観点からすると、本発明の第１の観点にかかる露光方法により前記物体を露光することと、露光された前記物体を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法である。
【０００９】
本発明は、第３の観点からすると、本発明の第１の観点にかかる露光方法により前記物体を露光することと、前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法である。
【００１０】
本発明は、第４の観点からすると、物体が載置される物体保持部材と、前記物体を該物体の表面に交差する軸回りに回転させる回転駆動装置と、前記物体保持部材上に載置された前記物体の第１の領域に対してエネルギビームを用いて所定のパターンを形成した後に前記回転駆動装置を用いて前記物体を回転させ、前記物体保持部材上に載置された前記物体の前記第１の領域とは異なる第２の領域に対してエネルギビームを用いて所定のパターンを形成する露光制御系と、を備える露光装置である。
【００１１】
これによれば、物体を回転させることにより物体のステップ動作を省略することができる。したがって、物体保持部材のステップ方向の移動ストロークを短くすることができ、露光装置を小型化できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施形態に係る液晶露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図１の液晶露光装置が有する基板ホルダの平面図である。
【図３】図３（Ａ）は、図２のＡ−Ａ線断面図、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示される状態から複数のエアベアリングが上昇駆動された状態を示す図、図３（Ｃ）は、図２のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、基板ホルダ上で基板が回転する際の動作を説明するための図である。
【図５】図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、第１の実施形態に係る基板の露光動作を説明するための図（その１〜その３）である。
【図６】図６（Ａ）〜図６（Ｃ）は、第１の実施形態に係る基板の露光動作を説明するための図（その４〜その６）である。
【図７】図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、第１の実施形態に係る基板の露光動作を説明するための図（その７及びその８）である。
【図８】図８（Ａ）は、第２の実施形態に係る基板ステージを示す断面図、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）に示される基板ステージの平面図である。
【図９】図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、第２の実施形態に係る基板の露光動作を説明するための図（その１及びその２）である。
【図１０】図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）は、第２の実施形態に係る基板の露光動作を説明するための図（その３〜その５）である。
【図１１】図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）は、第２の実施形態に係る基板の露光動作を説明するための図（その６及びその７）である。
【図１２】図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は、第２の実施形態に係る基板の露光動作を説明するための図（その８及びその９）である。
【図１３】図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）は、第２の実施形態に係る基板の露光動作を説明するための図（その１０及びその１１）である。
【図１４】図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）は、第３の実施形態に係る基板の露光動作を説明するための図（その１〜その３）である。
【図１５】図１５（Ａ）〜図１５（Ｃ）は、第３の実施形態に係る基板の露光動作を説明するための図（その４〜その６）である。
【図１６】図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）は、第３の実施形態に係る基板の露光動作を説明するための図（その７及びその８）である。
【図１７】変形例に係る基板ステージの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
《第１の実施形態》
以下、第１の実施形態について、図１〜図７（Ｂ）を用いて説明する。
【００１４】
図１には、第１の実施形態に係る液晶露光装置１０の構成が概略的に示されている。液晶露光装置１０は、例えば液晶表示装置（フラットパネルディスプレイ）などに用いられる矩形（角型）のガラス基板Ｐ（以下、単に基板Ｐと称する）を露光対象物とするステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。
【００１５】
液晶露光装置１０は、照明系１２、回路パターン（マスクパターン）が形成されたマスクＭを保持するマスクステージ１４、投影光学系１６、装置本体１８、表面（図１で＋Ｚ側を向いた面）にレジスト（感応剤）が塗布された基板Ｐを保持する基板ステージ２０、及びこれらの制御系等を有している。以下、露光時にマスクＭと基板Ｐとが投影光学系１６に対してそれぞれ相対走査される方向をＸ軸方向とし、水平面内でＸ軸に直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸及びＹ軸に直交する方向をＺ軸方向とし、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸回りの回転方向をそれぞれθｘ、θｙ、及びθｚ方向として説明を行う。
【００１６】
照明系１２は、例えば米国特許第５，７２９，３３１号明細書などに開示される照明系と同様に構成されている。照明系１２は、露光用の照明光ＩＬをマスクＭに照射する。照明光ＩＬとしては、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）などの光（あるいは、上記ｉ線、ｇ線、ｈ線の合成光）が用いられる。
【００１７】
マスクステージ１４は、マスクＭを、例えば真空吸着により保持している。マスクステージ１４は、例えばリニアモータを含むマスクステージ駆動系（不図示）により走査方向（Ｘ軸方向）に所定の長ストロークで駆動されるとともに、Ｙ軸方向、及びθｚ方向に適宜微少駆動される。マスクステージ１４のＸＹ平面内の位置情報（θｚ方向の回転量情報を含む）は、不図示のレーザ干渉計を含むマスク干渉計システムにより求められる。
【００１８】
投影光学系１６は、マスクステージ１４の下方に配置されている。投影光学系１６は、例えば米国特許第６，５５２，７７５号明細書などに開示される投影光学系と同様な構成の、いわゆるマルチレンズ投影光学系であり、例えば両側テレセントリックな等倍系で正立正像を形成する複数の投影光学系を備えている。
【００１９】
液晶露光装置１０では、照明系１２からの照明光ＩＬによってマスクＭ上の照明領域が照明されると、マスクＭを通過した照明光により、投影光学系１６を介してその照明領域内のマスクＭの回路パターンの投影像（部分正立像）が、基板Ｐ上の照明領域に共役な照明光の照射領域（露光領域ＩＡ）に形成される。そして、照明領域（照明光ＩＬ）に対してマスクＭが走査方向に相対移動するとともに、露光領域ＩＡ（照明光ＩＬ）に対して基板Ｐが走査方向に相対移動することで、基板Ｐ上の１つのショット領域の走査露光が行われ、そのショット領域にマスクＭに形成されたパターンが転写される。
【００２０】
装置本体１８は、上記マスクステージ１４、及び投影光学系１６を支持しており、複数の防振装置１９を介してクリーンルームの床１１上に設置されている。装置本体１８は、例えば米国特許出願公開第２００８／００３０７０２号明細書の開示される装置本体と同様に構成されており、上架台部１８ａ、下架台部１８ｂ、及び一対の中架台部１８ｃを有している。
【００２１】
基板ステージ２０は、基板Ｐを水平面に沿ってＸ軸、及び／又はＹ軸方向に所定の長ストロークで駆動する装置であり、Ｘ粗動ステージ２２、Ｙ粗動ステージ２４、重量キャンセル装置２６、微動ステージ２８、基板ホルダ３０、及び複数の基板リフト装置３２（図１では不図示。図２など参照）を備えている。
【００２２】
Ｘ粗動ステージ２２は、床１１上に装置本体１８に対して非接触状態で設置された一対のベースフレーム２１上に、例えば米国特許第６，７６１，４８２号明細書に開示されるような機械的なＸリニアガイド装置２３ｘを介して搭載されており、不図示のＸリニアアクチュエータ（例えばリニアモータ、ボールねじ装置など）によりＸ軸方向に所定の長ストロークで駆動される。Ｙ粗動ステージ２４は、Ｘ粗動ステージ２２上に、例えば米国特許第６，７６１，４８２号明細書に開示されるような機械的なＹリニアガイド装置２３ｙを介して搭載されており、不図示のＹリニアアクチュエータ（例えばリニアモータ、ボールねじ装置など）によりＸ粗動ステージ２２上でＹ軸方向に所定の長ストロークで駆動される。また、Ｙ粗動ステージ２４は、上記Ｙリニアガイド装置２３ｙの作用により、Ｘ粗動ステージ２２と一体的にＸ軸方向に移動するようになっている。すなわち、Ｘ粗動ステージ２２とＹ粗動ステージ２４とは、いわゆるガントリタイプの二軸ステージ装置を構成している。
【００２３】
重量キャンセル装置２６は、Ｚ軸方向に延びる一本の柱状の部材から成り、微動ステージ２８の中央部を下方から非接触支持している。重量キャンセル装置２６は、Ｘ粗動ステージ２２、及びＹ粗動ステージ２４それぞれの中央部に形成された開口部（不図示）に挿入されており、下架台部１８ｂに固定された定盤２５上に不図示のエアベアリングを介して浮上している。重量キャンセル装置２６は、Ｙ粗動ステージ２４に対して不図示の連結装置を介して連結されており、Ｙ粗動ステージ２４と一体的にＸ軸方向、及び／又はＹ軸方向に所定の長ストロークで移動する。不図示の連結装置を含み、重量キャンセル装置２６の構成は、例えば米国特許出願公開第２０１０／００１８９５０号明細書に開示されている。
【００２４】
微動ステージ２８は、高さの低い直方体状の部材から成る。微動ステージ２８は、Ｙ粗動ステージ２４に固定された固定子と、微動ステージ２８に固定された可動子とから成る複数のボイスコイルモータを含む微動ステージ駆動系により、Ｙ粗動ステージ２４に対して３自由度方向（Ｘ軸、Ｙ軸、θｚ方向）に微少駆動される。複数のボイスコイルモータには、Ｘボイスコイルモータ（不図示）、Ｙボイスコイルモータ２７ｙが含まれる。微動ステージ２８は、上記複数のボイスコイルモータが発生する推力（電磁力）によって、Ｙ粗動ステージ２４に非接触で誘導され、これにより、そのＹ粗動ステージ２４と共にＸ軸方向、及び／又はＹ軸方向に所定の長ストロークで移動する。さらに、微動ステージ駆動系は、微動ステージ２８をθｘ、θｙ、及びＺ軸方向の３自由度方向に微少駆動するための複数のＺボイスコイルモータ２７ｚを有している。複数のボイスコイルモータを含み、微動ステージ駆動系の構成については、例えば米国特許出願公開第２０１０／００１８９５０号明細書に開示されている。
【００２５】
微動ステージ２８のＸＹ平面内の位置情報は、装置本体１８に固定されたレーザ干渉計１７を含む基板干渉計システムにより、微動ステージ２８にミラーベース２９ａを介して固定された移動鏡２９を用いて求められる。なお、実際には、Ｙ軸に直交する反射面を有するＹ移動鏡と、Ｘ軸に直交する反射面を有するＸ移動鏡とが微動ステージ２８に固定され、レーザ干渉計１７として、上記Ｙ移動鏡を用いて微動ステージ２８のＹ位置情報を求めるＹレーザ干渉計と、上記Ｘ移動鏡を用いて微動ステージ２８のＸ位置情報を求めるＸレーザ干渉計とが設けられるが、図１では代表的にＹ移動鏡、及びＹレーザ干渉計のみが示されている。
【００２６】
なお、基板ステージ２０の構成は、これに限られず、例えばＹ軸方向に所定の長ストロークで移動するＹ粗動ステージ上に、Ｘ軸方向に所定の長ストロークで移動するＸ粗動ステージが搭載されても良い。また、重量キャンセル装置２６をガイドする定盤としては、例えば米国特許出願第２０１０／０２６６９６１号明細書に開示されるような、Ｙ軸方向に延び且つ重量キャンセル装置２６のＸ位置に応じてＸ軸方向に移動可能な（あるいは、Ｘ軸方向に延びＹ軸方向に移動可能な）可動定盤が用いられても良い。
【００２７】
基板ホルダ３０は、ＸＹ平面に平行な平面視矩形の板状部材から成り、その上面には、基板Ｐを真空吸着保持するための不図示の微少な孔部が複数形成されている。また、基板ホルダ３０の上面には、図２に示されるように、基板リフト装置３２の一部を収容するためのＸ軸に平行なＸ溝３１が、Ｙ軸方向に所定間隔で複数（例えば８本）形成されている（図面の錯綜を避けるため、Ｘ溝３１及び基板リフト装置３２は、図１では不図示）。Ｘ溝３１は、基板ホルダ３０の＋Ｘ側及び−Ｘ側それぞれの側面に開口している。
【００２８】
基板ホルダ３０のＸ軸及びＹ軸方向それぞれの寸法は、ほぼ同じに設定されており、その長さは、基板Ｐの一辺の長さよりも幾分短く設定されている。したがって、図４（Ａ）に示されるように、基板Ｐが基板ホルダ３０上に載置された状態で、基板Ｐの端部が基板ホルダ３０の端部から外側に突き出す。これは、基板Ｐの表面に塗布されたレジストが基板Ｐの端部において裏面側にも付着することがあるため、その裏面側のレジストが基板ホルダ３０の上面に付着しないようにするためである。
【００２９】
複数（本実施形態では上記基板ホルダ３０に形成された、例えば８本のＸ溝３１に対応して、例えば８つ）の基板リフト装置３２は、Ｙ軸方向に所定間隔で配置されている。基板リフト装置３２は、基板ホルダ３０の上面（基板載置面）上に載置された基板Ｐを、該基板載置面から離間させる際に用いられる。基板リフト装置３２は、図３（Ａ）に示されるように、Ｘ軸方向に延びる棒状の部材から成り、上記Ｘ溝３１内に収容されたベース部３２ａ、ベース部３２ａの上面にＸ軸方向に所定間隔で取り付けられた複数（例えば４つ）のエアベアリング３２ｂ、ベース部３２ａをＺ軸方向に駆動（上下動）させる一対のＺアクチュエータ３２ｃなどを備える。
【００３０】
ベース部３２ａの下面であって、ベース部３２ａの長手方向の両端部近傍それぞれには、Ｚ軸方向に延びる脚部３２ｄが固定されている。上記Ｘ溝３１を規定する底面には、基板ホルダ３０を上下方向に貫通する貫通孔３３が一対形成されており、該一対の貫通孔３３それぞれに脚部３２ｄが挿通されている。Ｘ溝３１を規定する壁面とベース部３２ａとの間、及び貫通孔３３を規定する壁面と脚部３２ｄとの間には、それぞれ微動ステージ２８がＹ粗動ステージ２４に対して微少駆動される際に互いに接触しない程度の隙間が設定されている。
【００３１】
一対のＺアクチュエータ３２ｃは、Ｙ粗動ステージ２４の上面であって、上記一対の脚部３２ｄそれぞれに対応する部位に固定されている。Ｚアクチュエータ３２ｃとしては、エアシリンダなどを用いることができる。Ｙ粗動ステージ２４の上面におけるＺアクチュエータ３２ｃの近傍には、Ｌ字状の部材から成るステー３２ｅが固定されている。ベース部３２ａは、脚部３２ｄに固定されたＺリニアガイド３２ｆと、ステー３２ｅに取り付けられたＺスライド部材３２ｇとから成るＺリニアガイド装置の作用により、Ｙ粗動ステージ２４に対して上下動可能となっている。
【００３２】
複数のエアベアリング３２ｂは、ベース部３２ａがＺアクチュエータ３２ｃにより上下方向に駆動されることにより、図３（Ａ）に示されるがＸ溝３１内に収容され、基板Ｐの下面から離間する位置と、図３（Ｂ）に示される基板ホルダ３０の上面から＋Ｚ側に突き出した位置との間を移動可能となっている。複数のエアベアリング３２ｂは、基板ホルダ３０の上面から突出することにより、基板Ｐを基板ホルダ３０の上面から離間させること、及び基板Ｐの下面に加圧気体（例えば空気）を噴出し、該加圧気体の静圧により基板Ｐを下方から非接触支持することができるようになっている。なお、複数のエアベアリング３２ｂはベース部３２ａに一体的に形成されていても良い。
【００３３】
基板ステージ２０では、基板ホルダ３０に対する基板Ｐの搬入時に、図２に示される搬入用ハンド部材９８が基板ホルダ３０の上方に基板Ｐを搬送する。そして、複数の基板リフト装置３２それぞれのベース部３２ａが同期して上昇駆動されることにより、基板Ｐを搬入用ハンド部材９８から離間させる。搬入用ハンド部材９８は、基板Ｐが基板リフト装置３２に受け渡された後、基板ホルダ３０の上方から退避し、その後、基板Ｐを下方から支持するベース部３２ａが下降駆動されることにより、その基板Ｐが基板ホルダ３０上に載置される。複数の基板リフト装置３２は、ベース部３２ａが上下動する際に搬入用ハンド部材９８の切り欠き内を通過できる（搬入用ハンド部材９８に接触しない）ように、Ｙ軸方向の間隔が設定されている。
【００３４】
基板ホルダ３０の中央部には、基板回転装置３４が内蔵されている。基板回転装置３４は、図３（Ｃ）に示されるように、吸着パッド３４ａと、該吸着パッド３４ａを上下動させるとともにθｚ方向に回転駆動するＺ・θｚアクチュエータ３４ｂとを備えている。吸着パッド３４ａは、図２に示されるように、平面視十字形の吸着面を有し、基板ホルダ３０の中央部に吸着パッド３４ａに対応する形状で形成された凹部３４ｃ内に収容されている。図３（Ｃ）に戻り、吸着パッド３４ａは、Ｚ・θｚアクチュエータ３４ｂにより、基板ホルダ３０内に収容され、基板Ｐの下面から離間する位置（以下、収容位置と称する）と、図３（Ｃ）に示されるように、基板ホルダ３０の上面から＋Ｚ側に突き出した位置（以下、突出位置と称する）、との間で駆動され、且つ突出位置でθｚ方向に、例えば１８０°回転駆動される。なお、吸着パッド３４ａの形状は、特に限定されないが、基板ホルダ３０は、凹部３４ｃが大きくなると基板Ｐを平面に矯正する機能が低下するため、吸着パッド３４ａはできるだけ小さいことが望ましい。
【００３５】
吸着パッド３４ａには、基板ステージ２０の外部に設置された不図示のバキューム装置が接続されており、上記突出位置で基板Ｐの下面を吸着保持できるようになっている。基板ステージ２０では、吸着パッド３４ａが基板Ｐの下面を吸着保持し、且つ複数のエアベアリング３２ｂから基板Ｐの下面に加圧気体が噴出された状態で吸着パッド３４ａがθｚ方向に回転駆動されることにより、図４（Ｂ）に示されるように、基板Ｐが基板ホルダ３０上で回転する。この際、基板Ｐと微動ステージ２８に固定された移動鏡２９（図４（Ｂ）では不図示。図１参照）と接触しないように、移動鏡２９の高さ位置が設定されている。
【００３６】
上述のようにして構成された液晶露光装置１０（図１参照）では、不図示の主制御装置の管理の下、不図示のマスクローダによって、マスクステージ１４へのマスクＭのロードが行われるとともに、図２に示される搬入用ハンド部材９８を含む基板ローダによって基板ホルダ３０上への基板Ｐのロードが行なわれる。その後、主制御装置により、不図示のアライメント検出系を用いてアライメント計測が実行され、そのアライメント計測の終了後、基板Ｐ上に設定された複数のショット領域に逐次ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行なわれる。
【００３７】
以下、上記ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行われる際に基板ステージ２０により位置制御が行われる基板Ｐの動作の一例について、図５（Ａ）〜図７（Ｂ）を用いて説明する。なお、以下の説明では、１枚の基板Ｐ上に４つのショット領域が設定された場合（いわゆる４面取りの場合）を説明するが、１枚の基板Ｐ上に設定されるショット領域の数、及び配置は、適宜変更可能である。また、図面の錯綜を避ける観点から、図５（Ａ）〜図７（Ｂ）では、基板Ｐと露光領域ＩＡとの相対位置関係のみが示され、基板ホルダ３０などの図示が省略されている。また、露光領域ＩＡは、露光時に照明光ＩＬ（図１参照）が投影光学系１６（図１参照）を介して照射されることにより基板Ｐ上に形成される領域（照明領域）であり、実際には、露光時以外に形成されることはないが、図５（Ａ）〜図７（Ｂ）では、基板Ｐと露光領域ＩＡとの相対位置関係を明確にするため常に図示されている。
【００３８】
露光処理は、一例として、図５（Ｂ）に示されるように、基板Ｐの−Ｙ側かつ−Ｘ側に設定された第１ショット領域ＳＡ１から行われる。基板Ｐは、上記アライメント計測の後、第１ショット領域ＳＡ１が露光領域ＩＡ（投影光学系１６（図１参照）の直下）の＋Ｘ側に位置するように位置決めがされる。この後、図５（Ｂ）に矢印で示されるように、基板Ｐが−Ｘ方向に駆動（加速、整定、等速駆動、及び減速）され、基板Ｐ上の第１ショット領域ＳＡ１にマスクパターンが転写される。
【００３９】
第１ショット領域ＳＡ１への露光処理が終了すると、図５（Ｃ）に矢印で示されるように、基板Ｐが−Ｙ方向に駆動（Ｙステップ駆動）され、第１ショット領域ＳＡ１の＋Ｙ側に設定された第２ショット領域ＳＡ２が、露光領域ＩＡの−Ｘ側に位置するように位置決めがされる。そして、図６（Ａ）に矢印で示されるように、基板Ｐが＋Ｘ側に駆動され、基板Ｐ上の第２ショット領域ＳＡ２にマスクパターンが転写される。
【００４０】
そして、本実施形態では、第２ショット領域ＳＡ２へのマスクパターンの転写が終了すると、図３（Ｂ）に示されるように、基板ホルダ３０による基板Ｐの吸着保持が解除されるとともに、複数の基板リフト装置３２により基板Ｐが基板ホルダ３０に対して上昇駆動される。そして、図３（Ｃ）に示されるように、基板Ｐが基板回転装置３４の吸着パッド３４ａに吸着保持され、その吸着パッド３４ａがθｚ方向に、例えば１８０°回転駆動されることにより、図６（Ｂ）に示されるように、基板Ｐが基板ホルダ３０に対して、例えば１８０°回転する。以下、図６（Ｂ）では不図示であるが、複数の基板リフト装置３２（図３（Ａ）参照）により基板Ｐが下降駆動されるとともに、基板Ｐが基板ホルダ３０（図３（Ａ）参照）に吸着保持される。
【００４１】
基板ステージ２０では、基板Ｐを、例えば１８０°回転させた後、吸着パッド３４ａによる基板Ｐの吸着保持が解除される。以下、不図示の押圧ピン、非接触センサなどを用いた基板ホルダ３０に対する基板Ｐのアライメント動作が行なわれた後、基板Ｐが下降駆動され、その基板Ｐが再度基板ホルダ３０に吸着保持される。この後、図６（Ｃ）に矢印で示されるように、基板Ｐが−Ｘ方向に駆動されることにより、第１ショット領域ＳＡ１の−Ｘ側に設定された第３ショット領域ＳＡ３に対する露光動作が行われ、該第３ショット領域ＳＡ３にマスクパターンが転写される。
【００４２】
次いで、図７（Ａ）に矢印で示されるように、基板Ｐが＋Ｙ方向に駆動（Ｙステップ駆動）され、第２ショット領域ＳＡ２の−Ｘ側に設定された第４ショット領域ＳＡ４が、露光領域ＩＡの−Ｘ側に位置するように位置決めがされる。そして、図７（Ｂ）に矢印で示されるように、基板Ｐが＋Ｘ側に駆動され、基板Ｐ上の第４ショット領域ＳＡ４にマスクパターンが転写される。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態の基板ステージ２０では、基板Ｐを基板ホルダ３０上で、例えば１８０°回転させることができるので、上記の例では第２ショット領域ＳＡ２の露光終了後、第３ショット領域ＳＡ３の露光準備のために基板ＰをＸ軸方向に駆動しなくても良い。すなわち、本実施形態の基板ステージ２０では、基板ＰのＸステップ動作が不要であり、従来の基板ＰをＸステップ動作させる基板ステージに較べ、Ｘ粗動ステージ２２（図１参照）のストロークを短くすることができる。したがって、基板ステージ２０がコンパクトになり、コストが下がる。また、微動ステージ２８（図１参照）のＸ軸方向のストロークが短くなるため、微動ステージ２８（重量キャンセル装置２６）のガイドである定盤２５を短くできる。また、微動ステージ２８の位置情報を求めるのに用いられるＹ移動鏡（不図示）を従来の基板ステージに較べ短くできる。したがって、Ｙ移動鏡の剛性の確保が容易となり、基板Ｐの位置決め精度が向上する。また、基板ステージ２０を軽量化できるので、基板Ｐの高速駆動が可能となる。
【００４４】
《第２の実施形態》
次に第２の実施形態について、図８〜図１３（Ｂ）を用いて説明する。なお、以下に説明する第２の実施形態、及び第３の実施形態、並びにそれらの変形例において、上記第１の実施形態と同じ構成、及び機能を有する要素については、上記第１の実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
【００４５】
上記第１の実施形態において、基板ホルダ３０の面積は、図４（Ａ）に示されるように、基板Ｐの面積とほぼ同じに設定され、基板Ｐが基板ホルダ３０上に載置された状態で、その基板Ｐのほぼ全部が基板ホルダ３０の上面に接触するのに対し、図８（Ａ）に示される第２の実施形態に係る基板ステージ１２０では、基板ホルダ１３０の基板載置面の面積が、基板Ｐの面積に比べて小さく（本第２の実施形態では、例えば２／３程度に）設定され、基板Ｐが基板ホルダ３０上に載置された状態で、基板Ｐの一部の領域が基板ホルダ３０の上面に接触しない点が異なる。
【００４６】
具体的に説明すると、基板ホルダ１３０は、図８（Ｂ）に示されるように、Ｙ軸方向に関しては、基板Ｐの長さとほぼ同じ（実際は幾分短い）寸法で形成されているのに対し、Ｘ軸方向に関しては、基板Ｐの長さの、例えば２／３程度の寸法で形成されている。また、基板ステージ１２０は、上記第１の実施形態と同様に、Ｙ軸方向に所定間隔で配置された複数（例えば８つ）の基板リフト装置３２を有している。図８（Ａ）に示されるように、Ｘ軸方向に関して、基板リフト装置３２が有するベース部３２ａの寸法は、基板Ｐとほぼ同じに設定されており、ベース部３２ａの＋Ｘ側の端部は、基板ホルダ１３０の＋Ｘ側の側面から＋Ｘ側に突き出している。
【００４７】
本第２の実施形態では、図８（Ｂ）に示されるように、基板Ｐのうち、中央部を含む−Ｘ側の、例えば２／３程度の領域が基板ホルダ１３０の基板載置面上に載置される。このため、基板Ｐは、全体の２／３程度の領域が基板ホルダ３０に吸着保持され、残りの領域（全体の１／３程度の領域）は、基板ホルダ３０上に載置されず、複数の基板リフト装置３２により下方から支持されることにより自重による撓みが抑制される。また、基板回転装置３４の吸着パッド３４ａは、上記第１の実施形態と同様に、基板Ｐの中央部を吸着保持できるように、基板ホルダ１３０の中央部よりも幾分＋Ｘ側に配置されている。
【００４８】
以下、第２の実施形態に係る基板ステージ１２０を用いたステップ・アンド・スキャン方式の露光動作について説明する。以下の説明では、図９（Ａ）に示されるように、１枚の基板Ｐ上に６つ（Ｘ軸方向に３面、Ｙ軸方向に２面）のショット領域が設定された場合（いわゆる６面取りの場合）を説明するが、１枚の基板Ｐ上に設定されるショット領域の数、及び配置は、適宜変更可能である。本第２の実施形態の基板ステージ１２０では、例えば６面取りの露光処理を行う場合、図９（Ａ）に示されるように、基板Ｐに設定された、例えば６つのショット領域のうち、＋Ｘ側の２つのショット領域を除く他の４つのショット領域が基板ホルダ１３０の基板載置面上に載置される。
【００４９】
以下、理解を容易にするため、図９（Ｂ）〜図１３（Ｂ）では、マスクパターンが転写されたショット領域に、一例としてアルファベットのＦの字を付して説明するが、該符号は、マスクパターンの向きを明確にするものであり、実際に基板Ｐに転写されるマスクパターンとは特に関係はない。また、基板ＰのＹ位置情報は、Ｙ移動鏡２９ｙを用いてＹレーザ干渉計１７ｙにより求められ、基板ＰのＸ位置情報は、Ｘ移動鏡２９ｘを用いてＸレーザ干渉計１７ｘにより求められる。Ｙレーザ干渉計１７ｙ、及びＸレーザ干渉計１７ｘは、それぞれ例えば２つ設けられ、基板Ｐのθｚ位置情報を求めることもできるようになっている。
【００５０】
露光処理は、一例として、図９（Ａ）に示されるように、基板Ｐの−Ｙ側かつ−Ｘ側に設定された第１ショット領域ＳＡ１から行われる。第１ショット領域ＳＡ１、及び第１ショット領域ＳＡ１の＋Ｙ側に設定された第２ショット領域ＳＡ２に対する露光動作は、上記第１の実施形態と同じなので、ここでは説明を省略する（図９（Ａ）〜図１０（Ｂ）参照）。
【００５１】
第２ショット領域ＳＡ２への露光処理が終了すると、基板Ｐが−Ｘ方向に駆動（Ｘステップ駆動）され、第２ショット領域ＳＡ２の＋Ｘ側に設定された第３ショット領域ＳＡ３が、露光領域ＩＡの＋Ｘ側に位置するように位置決めがされる。この後、図１０（Ｃ）に矢印で示されるように、基板Ｐが−Ｘ方向に駆動され、第３ショット領域ＳＡ３にマスクパターンが転写される。第３ショット領域ＳＡ３への露光処理が終了すると、図１１（Ａ）に矢印で示されるように、基板Ｐが＋Ｙ方向に駆動（Ｙステップ駆動）され、第１ショット領域ＳＡ１の＋Ｘ側に設定された第４ショット領域ＳＡ４が、露光領域ＩＡの−Ｘ側に位置するように位置決めがされる。この後、図１１（Ｂ）に矢印で示されるように、基板Ｐが＋Ｘ方向に駆動され、第４ショット領域ＳＡ４にマスクパターンが転写される。
【００５２】
そして、第４ショット領域ＳＡ４へのマスクパターンの転写が終了すると、図１２（Ａ）に矢印で示されるように、露光領域ＩＡが基板Ｐの外側（−Ｘ側）に位置するように基板Ｐが＋Ｘ方向に駆動されるとともに、基板Ｐが基板ホルダ３０に対して、例えば１８０°回転駆動される。この際の基板リフト装置３２（図１２（Ａ）では不図示。図８（Ａ）参照）の動作は、上記第１の実施形態と同じなので、ここでは説明を省略する。
【００５３】
基板ステージ１２０では、基板Ｐを、例えば１８０°回転させた後、上記第１の実施形態と同様に基板Ｐのアライメント動作が行われ、この後、図１２（Ｂ）に矢印で示されるように、基板Ｐが−Ｘ方向に駆動されることにより、第３ショット領域ＳＡ３の−Ｘ側に設定される第５ショット領域ＳＡ５に対する露光動作が行わる。第５ショット領域ＳＡ５に転写されるマスクパターンは、上記第１〜第４ショット領域ＳＡ１〜ＳＡ４と比べて上下反対となる。
【００５４】
以下、図１３（Ａ）に矢印で示されるように、基板Ｐが−Ｙ方向に駆動（Ｙステップ駆動）され、第４ショット領域ＳＡ４の−Ｘ側に設定された第６ショット領域ＳＡ６が、露光領域ＩＡの−Ｘ側に位置するように位置決めがされるとともに、図１３（Ｂ）に矢印で示されるように、基板Ｐが＋Ｘ方向に駆動され、第６ショット領域ＳＡ６にマスクパターンが転写される。第６ショット領域ＳＡ６に転写されるマスクパターンも上記第５ショット領域ＳＡ５に転写されるマスクパターンと同様に、上記第１〜第４ショット領域ＳＡ１〜ＳＡ４と比べて上下反対となる。
【００５５】
以上説明した第２の実施形態では、上記第１の実施形態と同様に、Ｘステップ動作に代えて基板Ｐを、例えば１８０°回転させるので、Ｘ粗動ステージ２２（図１参照）のＸ軸方向のストロークを短くすることができ、基板ステージ１２０がコンパクトになる。また、基板Ｐと同等の広さの基板載置面を有する基板ホルダを用いる従来の基板ステージに比べ、本第２の実施形態に係る基板ステージ１２０は、微動ステージ１２８、及び基板ホルダ１３０の小型化、軽量化が可能であり、これにより、基板Ｐの位置制御性が向上する。また、微動ステージ１２８を駆動するためのアクチュエータの小型化によりコストも下がる。
【００５６】
《第３の実施形態》
次に第３の実施形態について、図１４（Ａ）〜図１６（Ｂ）を用いて説明する。第３の実施形態に係る基板ステージ２２０は、上記第２の実施形態に比べ、基板ホルダ２３０の形状が異なる。具体的には、上記第２の実施形態の基板ホルダ２３０は、図８（Ｂ）に示されるように、Ｙ軸方向に関しては基板Ｐとほぼ同じ寸法で形成され、Ｘ軸方向に関しては基板Ｐの２／３程度の寸法で形成されているのに対し、図１４（Ａ）に示されるように、第３の実施形態に係る基板ホルダ２３０は、Ｘ軸方向に関しては基板Ｐとほぼ同じ寸法で（実際には幾分短く）形成され、Ｙ軸方向に関しては基板Ｐの半分程度の寸法で形成されている。
【００５７】
以下、第３の実施形態に係る基板ステージ２２０を用いたステップ・アンド・スキャン方式の露光動作について説明する。以下の説明では、図１４（Ａ）に示されるように、１枚の基板Ｐ上に６つのショット領域が設定された場合（いわゆる６面取りの場合）を説明するが、１枚の基板Ｐ上に設定されるショット領域の数、及び配置は、適宜変更可能である。本第３の実施形態の基板ステージ２２０では、例えば６面取りの露光処理を行う場合、図１４（Ａ）に示されるように、基板Ｐに設定された、例えば６つのショット領域のうち、−Ｙ側の３つのショット領域が基板ホルダ１３０の基板載置面上に載置される。また、図１４（Ａ）〜図１６（Ｂ）では不図示であるが、基板ステージ２２０は、上記第１の実施形態と同様に、Ｙ軸方向に所定間隔で配置された複数（例えば８つ）の基板リフト装置３２（図２参照）を有しており、基板Ｐの＋Ｙ側に設定された、例えば３つのショット領域は、複数の基板リフト装置３２により下方から支持される。
【００５８】
露光処理は、一例として、図１４（Ａ）に示されるように、基板Ｐの−Ｙ側かつ−Ｘ側に設定された第１ショット領域ＳＡ１から行われる。基板Ｐは、第１ショット領域ＳＡ１が露光領域ＩＡの＋Ｘ側に位置するように位置決めがされる。この後、図１４（Ｂ）に矢印で示されるように、基板Ｐが−Ｘ方向に駆動され、基板Ｐ上の第１ショット領域ＳＡ１にマスクパターンが転写される。
【００５９】
第１ショット領域ＳＡ１への露光処理が終了すると、基板Ｐが＋Ｘ方向に駆動（Ｘステップ駆動）され、第１ショット領域ＳＡ１の＋Ｘ側に設定された第２ショット領域ＳＡ２が、露光領域ＩＡの＋Ｘ側に位置するように位置決めがされる。この後、図１４（Ｃ）に矢印で示されるように、基板Ｐが−Ｘ方向に駆動され、第２ショット領域ＳＡ２にマスクパターンが転写される。また、第２ショット領域ＳＡ２への露光処理が終了すると、基板Ｐが＋Ｘ方向に駆動（Ｘステップ駆動）され、第２ショット領域ＳＡ２の＋Ｘ側に設定された第３ショット領域ＳＡ３が、露光領域ＩＡの＋Ｘ側に位置するように位置決めがされる。この後、図１５（Ａ）に矢印で示されるように、基板Ｐが−Ｘ方向に駆動され、第３ショット領域ＳＡ３にマスクパターンが転写される。
【００６０】
そして、第３ショット領域ＳＡ３へのマスクパターンの転写が終了すると、図１５（Ｂ）に矢印で示されるように、基板Ｐが基板ホルダ２３０に対して、例えば１８０°回転駆動される。この際の基板リフト装置３２（図１５（Ｂ）では不図示。図３（Ａ）参照）の動作は、上記第１の実施形態と同じなので、ここでは説明を省略する。
【００６１】
この後、図１５（Ｃ）に矢印で示されるように、基板Ｐが＋Ｘ方向に駆動され、第１ショット領域ＳＡ１の−Ｙ側に設定された第４ショット領域ＳＡ４にマスクパターンが転写される。以下、図１６（Ａ）、及び図１６（Ｂ）に示されるように、第４ショット領域ＳＡ４の−Ｘ側に設定された第５ショット領域ＳＡ５、及び第５ショット領域ＳＡ５の−Ｘ側に設定された第６ショット領域ＳＡ６に順次マスクパターンが転写される。第５及び第６ショット領域ＳＡ５、ＳＡ６に対する露光処理は、基板Ｐの駆動方向がＸ軸方向に関して逆向きである点を除き、上記第１〜第３ショット領域ＳＡ１〜ＳＡ３に対する露光処理と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００６２】
以上説明した第３の実施形態によれば、基板ＰのＹステップ動作を行うことなく全てのショット領域ＳＡ１〜ＳＡ６に対して露光処理を行うことができるので、基板ＰをＹ軸方向に長ストロークで駆動するための要素（本第３の実施形態では、例えばＹ粗動ステージ２４及び微動ステージ２８（重量キャンセル装置２６）のＹ方向ガイド面（図１参照））が不要となり、基板ステージ２２０の構成が簡単である（ただし、基板ＰをＹ軸方向に微少駆動する機構は、設けることが好ましい）。また、上記第１及び第２の実施形態では、微動ステージ２８（図１参照）のＸ位置情報を求めるために用いられるＸ移動鏡２９ｘとして、Ｙ軸方向に延びる、いわゆるバーミラーが用いられた（図９（Ａ）など参照）のに対し、本第３の実施形態では、基板ＰがＹ軸方向に長ストロークで移動しないので、図１４（Ａ）などに示されるように、プレーンミラー（あるいはコーナーキューブ）をＸ移動鏡２９ｘ（機能的に差がないため上記第２の実施形態と同じ符号を用いる）として用いることができる。
【００６３】
なお、上記第１〜第３の実施形態に係る基板ステージ２０、１２０、２２０の構成は、適宜変形が可能である。例えば、上記第３の実施形態（図１４（Ａ）参照）では、Ｘ軸方向に関して基板Ｐの１／２程度の領域が基板ホルダ２３０に吸着保持されたが、基板Ｐに、例えば９つのショット領域が設定される場合には、例えば図１７に示される基板ステージ３２０のように、Ｙ軸方向に関して基板Ｐの２／３程度が基板ホルダ３３０に吸着保持されても良い。基板ステージ３２０では、上記第３の実施形態と異なり、Ｙステップ動作も行われる。ただし、基板Ｐと基板ホルダの面積が同等に設定された従来の基板ステージでは、Ｙ軸方向に関して３面取りを行う場合、基板ＰのＹ軸方向に関するストロークは、例えば基板のＹ軸方向の長さの２／３程度に設定されるが、図１７に示される基板ステージ３２０では、基板ＰのＹ軸方向に関するストロークは、例えば基板のＹ軸方向の長さの１／３程度で良い。
【００６４】
また、基板Ｐを回転させる際、基板Ｐは、基板リフト装置３２が有するエアベアリング３２ｂにより下方から非接触支持されたが、これに限られず、例えば基板ホルダ３０の上面から加圧気体を基板Ｐの下面に噴出して基板Ｐを浮上させても良い。この場合、上記第２及び第３の実施形態では、基板Ｐのうち、基板ホルダ１３０（あるいは基板ホルダ２３０）に吸着保持されない（基板ホルダ１３０からはみ出した）部分をエアベアリングなどを用いて下方から支持する部材を設けると良い。また、基板Ｐと基板ホルダ３０との間の摩擦が問題にならない場合には、必ずしも基板Ｐを浮上させなくても良い。
【００６５】
また、基板Ｐは、基板ホルダ３０内が有する基板回転装置３４により回転駆動されたが、基板Ｐを回転させる装置の構成は、適宜変更が可能である。例えば、基板Ｐを回転させる装置は、基板ホルダ３０の外部に配置されていても良い。この場合、例えば基板Ｐの端部を把持して該基板Ｐを回転駆動しても良いし、基板Ｐ上面を非接触保持して回転させても良い。
【００６６】
また、上記第１〜第３の実施形態（及びその変形例）では、基板Ｐがθｚ方向に、例えば１８０°回転駆動されたが、基板Ｐの回転角度は、これに限られず、例えば９０°であっても良い。また、一枚の基板Ｐの全てのショット領域に対して露光動作を行う際に、基板Ｐを複数回回転させても良い。また、上記第１の実施形態では、基板Ｐを基板ホルダ３０に対して回転させたが、これに限られず、基板Ｐを吸着保持した基板ホルダ３０を微動ステージ２８に対して回転させても良い。
【００６７】
また、照明光は、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）などの紫外光、Ｆ2レーザ光（波長１５７ｎｍ）などの真空紫外光であっても良い。また、照明光としては、例えばＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（又はエルビウムとイッテルビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。また、固体レーザ（波長：３５５ｎｍ、２６６ｎｍ）などを使用しても良い。
【００６８】
また、投影光学系１６は、複数本の投影光学ユニットを備えたマルチレンズ方式の投影光学系であったが、投影光学ユニットの本数はこれに限らず、１本以上あれば良い。また、マルチレンズ方式の投影光学系に限らず、例えばオフナー型の大型ミラーを用いた投影光学系などであっても良い。また、上記実施形態では投影光学系１６として、投影倍率が等倍のものを用いる場合について説明したが、これに限らず、投影光学系は縮小系及び拡大系のいずれでも良い。
【００６９】
また、光透過性のマスク基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクが用いられたが、例えば米国特許第６，７７８，２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（可変成形マスク）、例えば、非発光型画像表示素子（空間光変調器とも呼ばれる）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）を用いる可変成形マスクを用いても良い。
【００７０】
また、露光装置としては、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置、ステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置であっても良い。
【００７１】
なお、露光装置としては、サイズ（外径、対角線の長さ、一辺の少なくとも１つを含む）が５００ｍｍ以上の基板、例えば液晶表示素子などのフラットパネルディスプレイ用の大型基板を露光する露光装置に対して適用することが特に有効である。
【００７２】
また、露光装置の用途としては、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば半導体製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン及びＤＮＡチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるマスク又はレチクルを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。なお、露光対象となる物体はガラスプレートに限られるものでなく、例えばウエハ、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。また、露光対象物がフラットパネルディスプレイ用の基板である場合、その基板の厚さは特に限定されず、例えばフィルム状（可撓性を有するシート状の部材）のものも含まれる。
【００７３】
液晶表示素子（あるいは半導体素子）などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたマスク（あるいはレチクル）を製作するステップ、ガラス基板（あるいはウエハ）を製作するステップ、上述した各実施形態の露光装置、及びその露光方法によりマスク（レチクル）のパターンをガラス基板に転写するリソグラフィステップ、露光されたガラス基板を現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ガラス基板上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
以上説明したように、本発明の露光方法及び装置は、物体にエネルギビームを用いて所定のパターンを形成するのに適している。また、本発明のフラットパネルディスプレイの製造方法は、フラットパネルディスプレイの製造に適している。また、本発明のデバイス製造方法は、マイクロデバイスの生産に適している。
【符号の説明】
【００７５】
１０…液晶露光装置、２０…基板ステージ、３０…基板ホルダ、３２…基板リフト装置、３４…基板回転装置、Ｐ…基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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