(57)【要約】【課題】常温軟化を抑制し、再結晶による高い屈曲特性の付与が可能な状態を保ちつつ長期間の保管に耐える。【解決手段】フレキシブルプリント配線板に用いられる圧延銅箔であって、所定濃度の酸素（Ｏ）、イオウ（Ｓ）、銀（Ａｇ）、鉄（Ｆｅ）が含有され、所定温度で熱間圧延工程が施されており、ＴN＝−９８［Ｏ］＋１８４０［Ｓ］＋２００５［Ａｇ］−８２４［Ｆｅ］＋０．０１２Ｔｒで定義される規定値ＴNが９．８以上である。（ここで、［Ｅ］は前記圧延銅箔に含有される元素Ｅの濃度（質量％）であり、Ｔｒは前記熱間圧延工程での温度（℃）である。）【選択図】図１
2013189702.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブルプリント配線板に用いられる圧延銅箔であって、
所定濃度の酸素（Ｏ）、イオウ（Ｓ）、銀（Ａｇ）、鉄（Ｆｅ）が含有され、
所定温度で熱間圧延工程が施されており、
次式で定義される規定値ＴNが９．８以上であり、
（２００）面の面積比が２０以上であり、かつ、
厚さが５μｍ以上５０μｍ以下である
ことを特徴とする圧延銅箔。
ＴN＝−９８［Ｏ］＋１８４０［Ｓ］＋２００５［Ａｇ］−８２４［Ｆｅ］＋０．０１２Ｔｒ
（ここで、［Ｅ］は前記圧延銅箔に含有される元素Ｅの濃度（質量％）であり、Ｔｒは前記熱間圧延工程での温度（℃）である。）
【請求項２】
前記酸素の濃度［Ｏ］が０．０００１質量％以上０．１質量％以下であり、
前記イオウの濃度［Ｓ］が０．０００１質量％以上０．０１質量％以下であり、
前記銀の濃度［Ａｇ］が０．０００１質量％以上０．０１質量％以下であり、
前記鉄の濃度［Ｆｅ］が０．０００１質量％以上０．００３質量％以下であり、
前記熱間圧延工程での温度Ｔｒが７００℃以上１０００℃以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の圧延銅箔。
【請求項３】
含有されるヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、シリコン（Ｓｉ）の合計の濃度が０．０２質量％以下となっている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の圧延銅箔。
【請求項４】
最終焼鈍工程が施されており、
前記最終焼鈍工程後の加工度が８０％以上９７％未満である
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の圧延銅箔。
【請求項５】
フレキシブルプリント配線板に用いられる圧延銅箔の製造方法であって、
所定濃度の酸素（Ｏ）、イオウ（Ｓ）、銀（Ａｇ）、鉄（Ｆｅ）を含有する銅の鋳塊に所定温度で熱間圧延を施す熱間圧延工程と、最終焼鈍工程と、を有し、
前記各元素の濃度と前記熱間圧延工程での温度とを制御して次式で定義される規定値ＴNを９．８以上とし、かつ、
前記最終焼鈍工程後の加工度が８０％以上９７％未満となる加工により該圧延銅箔の厚さを５μｍ以上５０μｍ以下とする
ことを特徴とする圧延銅箔の製造方法。
ＴN＝−９８［Ｏ］＋１８４０［Ｓ］＋２００５［Ａｇ］−８２４［Ｆｅ］＋０．０１２Ｔｒ
（ここで、［Ｅ］は前記圧延銅箔に含有される元素Ｅの濃度（質量％）であり、Ｔｒは前
記熱間圧延工程での温度（℃）である。）
【請求項６】
フレキシブルプリント配線板に用いられる圧延銅箔であって、
所定濃度の酸素（Ｏ）、イオウ（Ｓ）、銀（Ａｇ）、鉄（Ｆｅ）が含有され、
（２００）面の面積比が２０以上であり、
引張強さが、３００Ｎ／ｍｍ2以上であり、かつ、
厚さが５μｍ以上５０μｍ以下である
ことを特徴とする圧延銅箔。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧延銅箔及び圧延銅箔の製造方法に関し、特に、フレキシブルプリント配線板に用いられる圧延銅箔及び圧延銅箔の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuit）の分野では、銅箔を、ポリイミド樹脂フィルム等からなる絶縁性の樹脂基材にラミネートしたり、ポリイミド前駆体を別の銅箔上に塗布して乾燥硬化させた絶縁性の樹脂基材の表面に貼り合わせたりして、導体層として用いてきた。このような銅箔を有する樹脂基材は銅張板と呼ばれ、導体層となる銅箔が、例えばフォトリソグラフィ法やエッチング法などを用いて所定の配線パターンに加工されることで、フレキシブルプリント配線板が製造される。
【０００３】
フレキシブルプリント配線板に使用する銅箔には、屈曲特性に優れる圧延銅箔が用いられることが多い。これは、フレキシブルプリント配線板が、プリンタのヘッド部や、ハードディスク内の駆動部、クラムシェルタイプの携帯電話のヒンジ部といった曲げが繰り返される部材に多く使われるためである。
【０００４】
圧延銅箔は、鋳造により製造した鋳塊（インゴット）を熱間圧延した後、冷間圧延工程とひずみ除去の焼鈍工程とを繰り返し、最終焼鈍工程後に所定の厚さまで薄くすることで製造される。その後、樹脂基材等との密着性を確保するため、圧延銅箔の表面に例えば粗化処理および防錆処理が施される。
【０００５】
圧延銅箔の特徴である高い屈曲特性を得るには、例えば上記のように製造された圧延銅箔を樹脂基材に貼り合わせる際に加熱し、結晶組織を再結晶させて軟化させる。圧延銅箔の製造時に軟化を行わないのは、樹脂基材との貼り合わせ時に圧延銅箔が変形したり、シワが生じたりする可能性があるからである。よって、樹脂基材との貼り合わせ時の加熱で容易に軟化が起こるよう、圧延銅箔の中でも比較的軟化温度の低いタフピッチ銅を原材料とする圧延銅箔（以下、タフピッチ銅箔ともいう）が多く用いられる。
【０００６】
一方で、圧延銅箔の原材料としては、タフピッチ銅のほかに無酸素銅や各種合金が存在する。これらはタフピッチ銅と比較して軟化温度が高く、樹脂基材との貼り合わせ時の加熱によっても軟化しないおそれがある。そこで、例えば無酸素銅の軟化温度を調整するため、製造工程の条件変更をしたり（例えば、特許文献１）、特殊な金属を添加したり（例えば、特許文献２）、微量な不純物の濃度を調整したり（例えば、特許文献３）といった対策が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平０１−２１２７３９号公報
【特許文献２】特開昭５９−１５９９５４号公報
【特許文献３】特開２０００−２１２６６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記タフピッチ銅箔等の圧延銅箔の屈曲特性は、再結晶組織中に立方体組織が多く存在するほど向上する。立方体組織を多く存在させるためには、例えば圧延銅箔の製造工程において、最終焼鈍工程後における加工度を高くする方法がある。
【０００９】
しかしながら、上記のような手法で製造されたタフピッチ銅箔は、圧延により蓄積される塑性ひずみの増大により軟化温度が著しく低下し、長期の間には、室温で保管していても軟化が発生してしまう場合があった。この現象は、常温軟化と呼ばれる。タフピッチ銅箔においては、例えば３０分間の加熱による半軟化温度が１２０℃〜１５０℃と比較的低く、このような常温軟化が頻繁に発生し、品質を悪化させてしまう場合があった。
【００１０】
具体的には、常温軟化が発生したタフピッチ銅箔の結晶組織には、圧延組織中に部分的に粗大な再結晶粒が存在し、いわゆる混粒の状態にある。すなわち、タフピッチ銅箔の面内に、強度の高い部分と低い部分とが混在している状態である。このような状態では、樹脂基材との貼り合わせにおいてシワが生じ易くなったり、その後の裁断（スリット加工）においてバリが生じ易くなったりする。また、常温軟化によって発生した再結晶粒は立方体組織ではないことも多く、屈曲特性にも悪影響を及ぼす場合があった。
【００１１】
製造後の輸送やユーザでの保管期間を考えると、常温軟化の影響の定量的な目安として例えば３０℃で１年間保管しても３００Ｎ／ｍｍ2以上の引張強度を保っていることが好ましい。これは、加速試験における１００℃で４時間加熱した後の引張強度に相当する。
【００１２】
なお、上述の特許文献１〜３のように、タフピッチ銅よりも軟化温度が高い無酸素銅等を用い、樹脂基材との貼り合わせ時の加熱で軟化するよう種々の調整を図る手法については、主にコスト面の弊害からいずれも採用には至っていない。
【００１３】
本発明の目的は、常温軟化を抑制し、再結晶による高い屈曲特性の付与が可能な状態を保ちつつ長期間の保管に耐える圧延銅箔及び圧延銅箔の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の第１の態様によれば、
フレキシブルプリント配線板に用いられる圧延銅箔であって、
所定濃度の酸素（Ｏ）、イオウ（Ｓ）、銀（Ａｇ）、鉄（Ｆｅ）が含有され、所定温度で熱間圧延工程が施されており、次式で定義される規定値ＴNが９．８以上であり、（２００）面の面積比が２０以上であり、かつ、厚さが５μｍ以上５０μｍ以下である圧延銅箔が提供される。
ＴN＝−９８［Ｏ］＋１８４０［Ｓ］＋２００５［Ａｇ］−８２４［Ｆｅ］＋０．０１２Ｔｒ
（ここで、［Ｅ］は前記圧延銅箔に含有される元素Ｅの濃度（質量％）であり、Ｔｒは前記熱間圧延工程での温度（℃）である。）
【００１５】
本発明の第２の態様によれば、
前記酸素の濃度［Ｏ］が０．０００１質量％以上０．１質量％以下であり、
前記イオウの濃度［Ｓ］が０．０００１質量％以上０．０１質量％以下であり、
前記銀の濃度［Ａｇ］が０．０００１質量％以上０．０１質量％以下であり、
前記鉄の濃度［Ｆｅ］が０．０００１質量％以上０．００３質量％以下であり、
前記熱間圧延工程での温度Ｔｒが７００℃以上１０００℃以下である
第１の態様に記載の圧延銅箔が提供される。
【００１６】
本発明の第３の態様によれば、
含有されるヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、シリコン（Ｓｉ）の合計の濃度が０．０２質量％以下となっている
第１又は第２の態様に記載の圧延銅箔が提供される。
【００１７】
本発明の第４の態様によれば、
最終焼鈍工程が施されており、
前記最終焼鈍工程後の加工度が８０％以上９７％未満である
第１〜第３の態様のいずれかに記載の圧延銅箔が提供される。
【００１８】
本発明の第５の態様によれば、
フレキシブルプリント配線板に用いられる圧延銅箔の製造方法であって、
所定濃度の酸素（Ｏ）、イオウ（Ｓ）、銀（Ａｇ）、鉄（Ｆｅ）を含有する銅の鋳塊に所定温度で熱間圧延を施す熱間圧延工程と、最終焼鈍工程と、を有し、
前記各元素の濃度と前記熱間圧延工程での温度とを制御して次式で定義される規定値Ｔ
Nを９．８以上とし、かつ、
前記最終焼鈍工程後の加工度が８０％以上９７％未満となる加工により該圧延銅箔の厚さを５μｍ以上５０μｍ以下とする
圧延銅箔の製造方法が提供される。
ＴN＝−９８［Ｏ］＋１８４０［Ｓ］＋２００５［Ａｇ］−８２４［Ｆｅ］＋０．０１２Ｔｒ
（ここで、［Ｅ］は前記圧延銅箔に含有される元素Ｅの濃度（質量％）であり、Ｔｒは前記熱間圧延工程での温度（℃）である。）
【００１９】
本発明の第６の態様によれば、
フレキシブルプリント配線板に用いられる圧延銅箔であって、
所定濃度の酸素（Ｏ）、イオウ（Ｓ）、銀（Ａｇ）、鉄（Ｆｅ）が含有され、
（２００）面の面積比が２０以上であり、
引張強さが、３００Ｎ／ｍｍ2以上であり、かつ、
厚さが５μｍ以上５０μｍ以下である
ことを特徴とする圧延銅箔が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、常温軟化を抑制し、再結晶による高い屈曲特性の付与が可能な状態を保ちつつ長期間の保管に耐える圧延銅箔及び圧延銅箔の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態に係る圧延銅箔の製造工程を示すフロー図である。
【図２】本発明の実施例に係る圧延銅箔の引張試験の概要を示す図である。
【図３】本発明の実施例に係る圧延銅箔の屈曲特性を測定する摺動屈曲試験装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
＜本発明者等が得た知見＞
上記のようなタフピッチ銅を原材料とする圧延銅箔には、種々の不純物元素が複数含有されている。このような不純物元素のうち、例えば酸素（Ｏ）、イオウ（Ｓ）、銀（Ａｇ）、鉄（Ｆｅ）の濃度は、常温軟化の起こり易さに多大な影響を与える。一方で、これら各元素は、原材料となるタフピッチ銅の製造工程で主に混入するものであり、比較的容易に濃度を制御することができる。よって、これら各元素の濃度を制御することで、常温軟化の抑制について所定の効果が得られる。
【００２３】
しかしながら、上記以外にも、例えばヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、シリコン（Ｓｉ）等のように、圧延銅箔中に含まれ、かつ、常温軟化に影響を来し得る不純物元素は多数存在する。このため、上記各元素の濃度を制御するのみでは、それ以外の不純物元素による突発的な常温軟化が引き起こされかねない。とはいえ、これら微量な不純物元素の濃度を全て個別に管理することはコスト面等から困難である。
【００２４】
そこで、本発明者等は、常温軟化に影響を及ぼし得る他の要因を種々検討した。このような鋭意研究の結果、本発明者等は、Ｏ，Ｓ，Ａｇ，Ｆｅの濃度を制御するとともに、同じく常温軟化への影響度が大きい熱間圧延工程での温度を制御することとすれば、上記以外の微量な不純物元素による影響は無視し得ることを見いだした。
【００２５】
加えて、本発明者等は、上記各元素の濃度や熱間圧延工程での温度による常温軟化に対する影響度の大小を調査した。具体的には、タフピッチ銅の鋳塊（インゴット）の組成と熱間圧延工程での温度とを種々に組み合わせ、常温軟化の起こり易さを評価した。これにより、本発明者等は、上記元素の濃度や熱間圧延工程での温度等の各要因と、これら各要因が常温軟化に与える影響度との相関関係を特定するに至った。
【００２６】
本発明は、発明者等が見いだした上記知見に基づくものである。
【００２７】
＜本発明の一実施形態＞
（１）圧延銅箔の構成
まずは、本発明の一実施形態に係る圧延銅箔としてのタフピッチ銅箔の組成等の構成について説明する。
【００２８】
本実施形態に係るタフピッチ銅箔は、例えばタフピッチ銅を原材料とし、所定温度で熱間圧延工程が施された圧延銅箔であり、フレキシブルプリント配線板の導体層等として用いられる。原材料となるタフピッチ銅は、例えばＪＩＳ  Ｃ１１００，Ｈ３１００等に規定の純度が９９．９％以上の銅材である。
【００２９】
また、このタフピッチ銅箔は、例えば所定濃度の不純物元素を複数含んでいる。このような不純物元素のうちの酸素（Ｏ）、イオウ（Ｓ）、銀（Ａｇ）、鉄（Ｆｅ）の各濃度については、タフピッチ銅箔に施した熱間圧延工程での温度と共に、以下の式（１）で定義される規定値ＴNが９．８以上となるよう制御されている。
【００３０】
ＴN＝−９８［Ｏ］＋１８４０［Ｓ］＋２００５［Ａｇ］−８２４［Ｆｅ］＋０．０１２Ｔｒ      ・・・（１）
【００３１】
ここで、［Ｅ］はタフピッチ銅箔に含有される元素Ｅの濃度（質量％）であり、Ｔｒは熱間圧延工程での温度（℃）である。
【００３２】
上記の式（１）は、上記元素の濃度や熱間圧延工程での温度等の各要因と、これら各要因が常温軟化に与える影響度との相関関係を比例関係として求め、各要因の影響度を重み付けする係数を付して規定値ＴNの定義付けを行ったものである。
【００３３】
つまり、式（１）において、負の係数が付された酸素の濃度［Ｏ］及びＦｅの濃度［Ｆｅ］が低いと、常温軟化が抑制される。具体的には、タフピッチ銅箔中の酸素は、タフピッチ銅箔を構成する銅（Ｃｕ）やタフピッチ銅箔中の他の不純物と結びついて酸化物を形成し易い。タフピッチ銅箔中の酸素の濃度［Ｏ］やＦｅの濃度［Ｆｅ］が低いと、酸素とＦｅとが結びつき難くなるため、軟化の起点となるＦｅＯ4の形成が抑えられ、常温軟化が抑制される。
【００３４】
また、正の係数が付されたＳの濃度［Ｓ］、Ａｇの濃度［Ａｇ］および熱間圧延工程での温度Ｔｒが高いと、常温軟化が抑制される。一般的に、共晶型の合金は高い耐熱性を示す。タフピッチ銅箔中のＳの濃度［Ｓ］やＡｇの濃度［Ａｇ］が高いと、Ｃｕ−Ｃｕ2Ｓ共晶やＣｕ−Ａｇ共晶が形成され易くなり、常温軟化が抑制される。
【００３５】
さらに、原材料のタフピッチ銅が含有し得る各元素の濃度や、熱間圧延工程に適用され得る温度には、自ずと妥当な範囲があることに鑑みると、各元素の濃度及び熱間圧延工程での温度は例えば以下の範囲内となっていることが好ましい。
【００３６】
すなわち、例えば、タフピッチ銅箔に含有される酸素の濃度［Ｏ］が０．０００１質量％以上０．１質量％以下であり、Ｓの濃度［Ｓ］が０．０００１質量％以上０．０１質量％以下であり、Ａｇの濃度［Ａｇ］が０．０００１質量％以上０．０１質量％以下であり、Ｆｅの濃度［Ｆｅ］が０．０００１質量％以上０．００３質量％以下である。また、例えば、熱間圧延工程での温度Ｔｒが７００℃以上１０００℃以下である。
【００３７】
好ましくは上記範囲内で、各元素の濃度又は熱間圧延での温度のいずれか、或いは両方を制御することで、規定値ＴNを９．８以上とすることができる。
【００３８】
また、上記以外の不純物元素として含有され得るものとしては、例えばヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、シリコン（Ｓｉ）が挙げられる。これら上記以外の不純物元素の合計の濃度は、例えば０．０２質量％以下となっている。
【００３９】
また、上記タフピッチ銅箔の厚さは、例えば５μｍ以上５０μｍ以下である。タフピッチ銅箔には、上記熱間圧延工程の他に最終焼鈍工程が施されており、係る最終焼鈍工程後の加工度が８０％以上９７％未満となる加工により、上記所定の厚さとなっている。ここで、加工度は、加工対象物の加工前の厚さをＴBとし、加工後の厚さをＴAとすると、加工度（％）＝［（ＴB−ＴA）／ＴB］×１００で表わされる。
【００４０】
以上のように、本実施形態では、フレキシブルプリント配線板に用いる導体層として圧延銅箔を採用している。これにより、後述する再結晶焼鈍工程を経ることで、圧延銅箔に高い屈曲特性を具備させることができる。
【００４１】
また、本実施形態では、原材料をタフピッチ銅とするタフピッチ銅箔を適用することで、比較的低い温度で軟化させることができる。よって、例えばフレキシブルプリント配線板の導体層として用いられる際に、樹脂基材との貼り合わせ時の加熱により再結晶させることができる。
【００４２】
また、本実施形態では、タフピッチ銅箔中に含有されるＯ，Ｓ，Ａｇ，Ｆｅの濃度と、熱間圧延工程での温度とを、式（１）で定義される規定値ＴNにしたがって制御している。これにより、常温軟化を抑制し、再結晶による高い屈曲特性の付与が可能な状態を保ちつつ長期間の保管に耐えるタフピッチ銅箔とすることができる。
【００４３】
すなわち、上述のように、Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｓｉ等の不純物元素による不確定要素があっても、Ｏ，Ｓ，Ａｇ，Ｆｅの濃度と熱間圧延工程での温度とを制御することで、タフピッチ銅箔の常温軟化を抑制することができる。よって、常温軟化による結晶組織の変化を抑制でき、再結晶によって高い屈曲特性が付与される製造当初のタフピッチ銅箔の状態を略維持したまま、長期間の保管に耐えることができる。
【００４４】
また、本実施形態では、Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｓｉ等の合計の濃度が所定値以下となっている。これにより、常温軟化の抑制効果をいっそう高めることができる。具体的には、例えば１００℃で４時間加熱した後の引張強度が３００Ｎ／ｍｍ2以上となる。
【００４５】
また、本実施形態では、最終焼鈍工程後の加工度が８０％以上９７％未満となる加工により、タフピッチ銅箔の厚さが５μｍ以上５０μｍ以下となっている。これにより、再結晶によって立方体組織である（２００）面が多く得られ、タフピッチ銅箔に付与される屈曲特性をいっそう高めることができる。具体的には、例えば１８０℃で１時間加熱し再結晶させた後の単位面積あたりに占める（２００）面の面積比が２０％以上、好ましくは４０％以上となる。
【００４６】
（２）圧延銅箔の製造方法
次に、本発明の一実施形態に係る圧延銅箔としてのタフピッチ銅箔の製造方法について、図１を用いて説明する。図１は、本実施形態に係るタフピッチ銅箔の製造工程を示すフロー図である。
【００４７】
（鋳塊の準備工程Ｓ１０）
図１に示すように、まずは、タフピッチ銅を原材料として鋳造を行って鋳塊（インゴット）を準備する。鋳塊は、例えば所定厚さ、所定幅を備える板状に形成されている。
【００４８】
原材料となるタフピッチ銅は、例えば電解精錬により製造された純度９９．９％の電気銅であり、例えば上記所定濃度のＯ，Ｓ，Ａｇ，Ｆｅを含有している。また、タフピッチ銅に含有されるＡｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｓｉ等の合計の濃度は、上記所定値以下となっている。
【００４９】
上記タフピッチ銅の酸素の濃度［Ｏ］は、例えば溶解した電気銅に脱酸工程を施すことで調整される。Ｓ及びＡｇは当初から電気銅に不純物元素として含まれており、種々の組成を有する電気銅の中から、所定のＳの濃度［Ｓ］及びＡｇの濃度［Ａｇ］を有する電気銅を選別することができる。Ｆｅは当初から電気銅に不純物元素として含まれるほか、脱酸工程で混入する。よって、電気銅の選別や脱酸工程の管理等により、所定のＦｅの濃度［Ｆｅ］とすることができる。
【００５０】
（熱間圧延工程Ｓ２０）
熱間圧延工程では、上記所定濃度のＯ，Ｓ，Ａｇ，Ｆｅを含有するタフピッチ銅の鋳塊を、例えば上記所定温度で所定時間、加熱保持した後に圧延する熱間圧延を行う。このように、上記鋳塊に熱間圧延工程を施して鋳造後の所定厚さよりも薄い板厚の板材とする。
【００５１】
以上のように、各元素の濃度と熱間圧延工程での温度とを制御して上記の式（１）で定義される規定値ＴNを９．８以上とする。ここで、９．８以上の規定値ＴNが得られるよう、上記原材料となるタフピッチ銅に含有される各元素の濃度に合わせて、熱間圧延工程での温度を制御する。或いは、熱間圧延工程での温度が予め決定している場合には、９．８以上の規定値ＴNが得られるよう所定の組成を有するタフピッチ銅を選別したり、タフピッチ銅に意図的に所定の元素を添加したりしてもよい。
【００５２】
この後、熱間圧延工程での加熱により生じた板材表面の酸化スケール（黒皮）を削り取る。
【００５３】
（繰り返し工程Ｓ３０）
続いて、冷間圧延工程Ｓ３１と焼鈍工程Ｓ３２とを所定回数繰り返し実施する繰り返し工程Ｓ３０を行う。すなわち、冷間圧延を施して加工硬化させた上記板材に焼鈍処理を施して板材を焼き鈍すことにより、ひずみを除去して加工硬化を緩和する。これを、加工度が例えば５０％〜９０％となるよう所定回数繰り返し、所定厚さの銅条が得られる。
【００５４】
なお、繰り返し工程Ｓ３０中、最後に行われる焼鈍工程Ｓ３２を「最終焼鈍工程」と呼ぶ。最終焼鈍工程後には、酸化スケール（黒皮）の除去を行う。
【００５５】
（最終冷間圧延工程Ｓ４０）
次に、最終冷間圧延工程Ｓ４０を実施して、最終焼鈍工程後の加工度が８０％以上９７％未満となる加工を銅条に施す。このとき、銅条の厚さを例えば５μｍ以上５０μｍ以下として、製造後に得られるタフピッチ銅箔の厚さがこれと略同等の５μｍ以上５０μｍ以下となるよう調整する。
【００５６】
上記にて、加工度を上記範囲内としたのは以下の理由による。８０％未満の加工度では、後述する再結晶焼鈍工程を施しても、立方体組織である（２００）面の面積比が例えば２０％以上とならず、充分な屈曲特性が得られない。また、９７％以上の加工度では、銅条に多大な塑性ひずみが蓄積され、軟化温度が極端に低下してしまう。このため、例えば最終冷間圧延工程における加工熱程度の熱で再結晶が起こってしまい、蓄積した塑性ひずみが開放されてしまう。結果、再結晶焼鈍工程を施しても充分な屈曲特性を具備させることができない。
【００５７】
（表面処理工程Ｓ５０）
以上の工程を経た銅条に、例えば粗化処理および防錆処理等の所定の表面処理を施し、厚さが５μｍ以上５０μｍ以下のタフピッチ銅箔とする。
【００５８】
上記の最終冷間圧延工程Ｓ４０での調整により、タフピッチ銅箔の厚さを５μｍ以上とすることで充分な強度が得られ、タフピッチ銅箔の取扱いが容易となる。また、タフピッチ銅箔が厚すぎる場合、たとえ立方体組織が充分に発達しても高い屈曲特性を得ることはできないため、タフピッチ銅箔の厚さを５０μｍ以下とする。
【００５９】
以上により、常温軟化を抑制し、再結晶による高い屈曲特性の付与が可能な状態を保ちつつ長期間の保管に耐える本実施形態に係るタフピッチ銅箔が製造される。
【００６０】
（３）フレキシブルプリント配線板の製造方法
次に、本発明の一実施形態に係るタフピッチ銅箔を導体層として用いたフレキシブルプリント配線板の製造方法について説明する。
【００６１】
（再結晶焼鈍工程（ＣＣＬ工程））
まずは、本実施形態に係るタフピッチ銅箔を所定のサイズに裁断し、例えばポリイミド等の樹脂からなる樹脂基材と貼り合わせて銅張板（ＣＣＬ：Copper Clad Laminate）を形成する。このとき、接着剤を介して貼り合わせを行う３層材ＣＣＬを形成する方法と、接着剤を介さず直接貼り合わせを行う２層材ＣＣＬを形成する方法とのいずれを用いてもよい。接着剤を用いる場合には、加熱処理により接着剤を硬化させてタフピッチ銅箔と基材とを密着させ一体化する。接着剤を用いない場合には、加熱・加圧により密着させる。加熱温度や時間は、接着剤や基材の硬化温度等に合わせて適宜選択することができる。
【００６２】
また、本実施形態では、樹脂基材にタフピッチ銅箔を貼り合わせる上記ＣＣＬ工程は、タフピッチ銅箔に対する再結晶焼鈍工程を兼ねる。つまり、本実施形態に係るタフピッチ銅箔は、例えば比較的低い軟化温度を有するタフピッチ銅を原材料としている。したがって、上記加熱によりタフピッチ銅箔が再結晶し軟化して、タフピッチ銅箔の屈曲特性を著しく向上させることができる。一方で、タフピッチ銅箔を樹脂基材に貼り合わせるまでの工程では、軟化前の状態でタフピッチ銅箔を取り扱うことができ、タフピッチ銅箔を樹脂基材に貼り合わせる際のシワや変形を抑制できる。
【００６３】
（表面加工工程）
次に、樹脂基材に貼り合わせた導体層としてのタフピッチ銅箔に表面加工工程を施す。表面加工工程では、例えばエッチング等の手法を用いてタフピッチ銅箔に銅配線等を形成する配線形成工程と、銅配線と他の電子部材との接続信頼性を向上させるためメッキ処理等を施すメッキ処理工程と、銅配線等を保護するため銅配線上の一部を覆うようにソルダレジスト等の保護膜を形成する保護膜形成工程とを行う。
【００６４】
以上により、本実施形態に係るタフピッチ銅箔を用いたフレキシブルプリント配線板が製造される。
【００６５】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００６６】
例えば、上述の実施形態においては、最終冷間圧延工程Ｓ４０での加工度を８０％以上などとし優れた屈曲特性を得ることとしたが、上記の式（１）に基づき常温軟化を抑制する上述の実施形態の手法は、これとは独立して用いることができる。常温軟化を抑制することで、少なくとも製造当初にタフピッチ銅箔が備えていた状態を保つことができ、屈曲特性の悪化を抑制することができる。
【００６７】
また、上述の実施形態においては、フレキシブルプリント配線板の製造工程におけるＣＣＬ工程がタフピッチ銅箔に対する再結晶焼鈍工程を兼ねることとしたが、再結晶焼鈍工程をＣＣＬ工程とは別工程として行ってもよい。
【００６８】
また、上述の実施形態においては、タフピッチ銅箔はフレキシブルプリント配線板に用いることとしたが、タフピッチ銅箔の用途はこれに限られず、例えばリチウムイオン二次電池の電極用銅箔等として用いてもよい。タフピッチ銅箔の厚さについても、フレキシブルプリント配線板用途をはじめとする各種用途に応じて適宜変更することができる。
【実施例】
【００６９】
次に、本発明に係る実施例について比較例とともに説明する。
【００７０】
（１）圧延銅箔の製作
まずは、上述の実施形態と同様の手順及び手法で、実施例１〜２４、比較例Ａ〜Ｃ及び比較例１〜７に係るタフピッチ銅箔を製作した。但し、比較例Ａ〜Ｃ及び比較例１〜７には、意図的に上記所定値を外れる処理や数値が含まれるようにした。
【００７１】
各タフピッチ銅箔の製作にあたっては、組成の異なるタフピッチ銅の鋳塊を複数準備して、所定温度で２００分以上加熱保持し、熱間圧延にて厚さ１０ｍｍの板材とした。このとき、異なる温度で熱間圧延工程を施した板材を複数製作した。次に、上述と同様の繰り返し工程、最終冷間圧延工程を複数の板材にそれぞれ施して、厚さや加工度の異なる実施例１〜２４、比較例Ａ〜Ｃ及び比較例１〜７に係るタフピッチ銅箔とした。
【００７２】
（２）圧延銅箔の測定
次に、実施例１〜２４、比較例Ａ〜Ｃ及び比較例１〜７に係るタフピッチ銅箔に対し、以下の測定を行った。
【００７３】
（引張強度の測定）
まずは、各タフピッチ銅箔の引張強度を測定し、常温軟化の発生具合を定量的に評価した。具体的には、幅１５ｍｍ、長さ２００ｍｍで圧延方向と平行に切り出した各タフピッチ銅箔を、３０℃で１年間保管した場合と同様の状態に曝す加速試験として、大気中にて１００℃で４時間加熱した。
【００７４】
続いて、島津製作所製オートグラフＡＧＳ−５ｋＮＸを用い、各タフピッチ銅箔に対して引張試験を行った。すなわち、図２に模式的に示すように、上部固定治具１１ｔと下部固定治具１１ｂとで、試料Ｆ（タフピッチ銅箔）の両端を固定し、上部固定治具１１ｔに接続され上部固定治具１１ｔの上方に位置する図示しないクロスヘッドを上方（図中、引張方向Ｄの方向）に駆動させてタフピッチ銅箔に引張力を加えた。このとき、クロスヘッド速度を２ｍｍ／分とし、上部固定治具１１ｔの直下から下部固定治具１１ｂの直上までの距離、つまり、有効ゲージ長さＧを１００ｍｍとした。
【００７５】
以上のように測定した引張強度が３００Ｎ／ｍｍ2以上のタフピッチ銅の常温軟化に対する特性を「良」判定とし、３００Ｎ／ｍｍ2未満を「否」判定とした。
【００７６】
（結晶方位の測定）
次に、各タフピッチ銅箔の屈曲特性を向上させる結晶方位、つまり、立方体組織である（２００）面の面積比の測定を行った。具体的には、再結晶焼鈍工程を模して、大気中にて１８０℃で１時間、各タフピッチ銅箔を加熱した。続いて、電子後方散乱回折像（ＥＢＳＰ：Electron Back-Scattering Diffraction Pattern）法により、各タフピッチ銅箔の表面の結晶方位を表わす電子後方散乱回折像を取得した。これを分析して、各タフピッチ銅箔の表面の単位面積あたりに占める（２００）面の面積比を求めた。
【００７７】
以上のように測定した（２００）面の面積比の許容値を２０％以上とした。
【００７８】
（屈曲回数の測定）
引き続き、各タフピッチ銅箔が破断するまでの繰り返し曲げ回数（屈曲回数）を測定し、屈曲特性を定量的に評価した。具体的には、幅１２．５ｍｍ、長さ２５０ｍｍで圧延方向と平行に切り出した各タフピッチ銅箔を、再結晶焼鈍工程を模して、大気中にて１８０℃で１時間加熱した。
【００７９】
続いて、信越エンジニアリング株式会社製のＦＰＣ高速屈曲試験機（型式：ＳＥＫ−３１Ｃ）を用い、屈曲試験を行った。図３に、上記ＦＰＣ高速屈曲試験機等を模した一般的な摺動屈曲試験装置２０の模式図を示す。
【００８０】
図３に示すように、摺動屈曲試験装置２０の試料固定板２１に、試料Ｆ（タフピッチ銅箔）をネジ２２で固定した。次に、試料Ｆを振動伝達部２３に接触させ、発振駆動体２４により振動伝達部２３を上下方向に振動させて試料Ｆに振動を伝達し、破断までの屈曲回数を測定した。測定条件としては、屈曲半径Ｒを１．５ｍｍとし、振動ストロークＳを１０ｍｍとし、振動速度を１５００回／分とした。
【００８１】
以上のように測定した屈曲回数の許容値を５万回以上とした。また、上記の屈曲回数が５万回以上を満たすタフピッチ銅箔の屈曲特性を「良」判定とし、いずれか一方でも満たさない場合は「否」判定とした。
【００８２】
（３）圧延銅箔の評価結果
以下の表１に、実施例１〜２４、比較例Ａ〜Ｃ及び比較例１〜７に係るタフピッチ銅箔の組成等の構成をそれぞれ示すとともに、上記の各測定結果を示す。表中、所定値を外れる数値を太字の下線付きで示す。
【００８３】
【表１】
2013189702.tif 000003
【００８４】
表１に示すように、実施例１〜２４に係るタフピッチ銅箔は、含有される各元素の濃度及び熱間圧延工程での温度に基づき算出された規定値ＴN、最終冷間圧延工程後の厚さ、最終冷間圧延工程における加工度が、全て所定値を満たす。したがって、常温軟化に対する特性、屈曲特性ともに、全て「良」判定であった。
【００８５】
また、比較例Ａ及びＢに係るタフピッチ銅箔は、最終冷間圧延工程後の厚さ、最終冷間圧延工程における加工度のいずれかが所定値を満たさず、屈曲特性については全て「否」判定であった。（２００）面の面積比（％）が、２０％を下回っており屈曲性を発揮できなかったためと考えられる。しかし、規定値ＴNは全て所定値を満たしており、常温軟化に対する特性は全て「良」判定であった。このように、常温軟化に対する特性と屈曲特性とは、独立して制御することが可能である。
【００８６】
なお、厚さが所定値を超える比較例Ｃでは、（２００）面の面積比が所定値を満たすにも関わらず屈曲特性が「否」判定となっている。高い屈曲特性を得るには、厚さの制御も重要であることがわかる。
【００８７】
また、比較例１〜６に係るタフピッチ銅箔は、規定値ＴNが全て所定値を満たしておらず、また、比較例４〜６については、最終冷間圧延工程における加工度も全て所定値を満たしていない。よって、比較例１〜６の常温軟化に対する特性は全て「否」判定であり、比較例４〜６については屈曲特性も全て「否」判定であった。
【００８８】
また、比較例７に係るタフピッチ銅箔では、その他の元素の合計濃度が０．０３１質量％であり、所定値を超えている。このため、常温軟化に対する特性が「否」判定となってしまった。
【００８９】
以上の結果から、所定濃度の酸素（Ｏ）、イオウ（Ｓ）、銀（Ａｇ）、鉄（Ｆｅ）が含有され、屈曲回数が５万回以上である銅箔を得るためには、（２００）面の面積比が２０以上であり、かつ、厚さが５μｍ以上５０μｍ以下であればよいことが分かる。製造方法としては、所定温度で熱間圧延工程が施す過程において、［Ｅ］を圧延銅箔に含有される元素Ｅの濃度（質量％）、Ｔｒを熱間圧延工程での温度（℃）としたとき、ＴN＝−９８［Ｏ］＋１８４０［Ｓ］＋２００５［Ａｇ］−８２４［Ｆｅ］＋０．０１２Ｔｒで定義される規定値ＴNを９．８以上とすればよい。
【符号の説明】
【００９０】
１１ｂ  下部固定治具
１１ｔ  上部固定治具
２０    摺動屈曲試験装置
２１    試料固定板
２２    ネジ
２３    振動伝達部
２４    発振駆動体
Ｄ      引張方向
Ｆ      試料
Ｇ      有効ゲージ長さ
Ｒ      屈曲半径
Ｓ      振動ストローク
【図１】
2013189702.tif 000004
【図２】
2013189702.tif 000005
【図３】
2013189702.tif 000006