(57)【要約】【課題】本発明は、電気的信頼性を改善した配線基板およびその実装構造体を提供することによって上記要求を解決する。【解決手段】本発明の一形態にかかる配線基板３は、第１ネック構造１３ａを介して互いに接続した、酸化ケイ素を含む複数の第１無機絶縁粒子１４ａと、該第１無機絶縁粒子１４ａ同士の間に配された、シロキサン結合を骨格とする樹脂を含む樹脂部材１５とを有する絶縁層を備える。また、本発明の一形態にかかる実装構造体１は、上記配線基板３と、該配線基板３に実装された電子部品２とを備える。【選択図】図２
2013046012.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ネック構造を介して互いに接続した、酸化ケイ素を含む複数の第１無機絶縁粒子と、該第１無機絶縁粒子同士の間に配された、シロキサン結合を骨格とする樹脂を含む樹脂部材とを有する絶縁層を備えることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記第１無機絶縁粒子は、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項２に記載の配線基板において、
前記絶縁層は、粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下であり、前記第１無機絶縁粒子を介して互いに接続した、酸化ケイ素を含む複数の第２無機絶縁粒子をさらに備え、
該第２無機絶縁粒子は、隣接する前記第１無機絶縁粒子と第２ネック構造を介して接続していることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板において、
前記シロキサン結合を骨格とする樹脂は、エポキシ基、アミノ基またはアルコキシ基を具備することを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項１に記載の配線基板において、
前記樹脂部材は、チタンまたはアルミニウムを具備する硬化触媒を含むことを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１に記載の配線基板と、該配線基板に実装された電子部品とを備えることを特徴とする実装構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器およびその周辺機器）に使用される配線基板およびその実装構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品を配線基板に実装してなる実装構造体が、電子機器に用いられている。この実装構造体に用いられる配線基板としては、樹脂層とセラミック層とを備えたものが知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、金属箔の片面にセラミックを溶射してセラミック層を形成し、該金属箔のセラミック層側と接するようにプリプレグを積層して熱圧成形して形成された配線基板が記載されている。
【０００４】
しかしながら、一般的に、セラミック層は剛性が高いが割れやすいため、配線基板に応力が印加された場合、クラックがセラミック層に生じやすくなる。それ故、該クラックが伸長して配線に達すると、該配線に断線が生じやすくなり、ひいては配線基板の電気的信頼性が低下しやすくなる。
【０００５】
従って、電気的信頼性を改良した配線基板を提供することが望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平２−２５３９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、電気的信頼性を改善した配線基板およびその実装構造体を提供することによって上記要求を解決する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一形態にかかる配線基板は、第１ネック構造を介して互いに接続した、酸化ケイ素を含む複数の第１無機絶縁粒子と、該第１無機絶縁粒子同士の間に配された、シロキサン結合を骨格とする樹脂を含む樹脂部材とを有する絶縁層を備える。
【０００９】
本発明の一形態にかかる実装構造体は、上記配線基板と、該配線基板に実装された電子部品とを備える。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一形態にかかる配線基板によれば、第１ネック構造を介して互いに接続した第１無機絶縁粒子の間に樹脂部材が配された絶縁層を備えるため、第１無機絶縁粒子によって絶縁層の剛性を高めつつ、樹脂部材によってクラックを低減することができる。さらに、第１無機絶縁粒子が酸化ケイ素を含み、樹脂部材がシロキサン結合を骨格とする樹脂を含むため、該樹脂によって第１無機絶縁粒子同士の接続強度を高めることができる。その結果、絶縁層のクラックを低減することができ、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（ａ）は、本発明の一実施形態にかかる実装構造体を厚み方向に切断した断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＲ１部分を拡大して示した断面図である。
【図２】図２（ａ）は、図１（ｂ）のＲ３部分を拡大して示した断面図であり、図２（ｂ）は、２つの第１無機絶縁粒子が接続した様子を模式的に現したものである。
【図３】図３は、図１（ａ）のＲ２部分を拡大して示した断面図である。
【図４】図４（ａ）及び（ｂ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図であり、図４（ｃ）は、図４（ｂ）のＲ４部分を拡大して示した断面図である。
【図５】図５（ａ）および（ｂ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する、図４（ｂ）のＲ４部分に相当する部分を拡大して示した断面図である。
【図６】図６（ａ）および（ｂ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する、図４（ｂ）のＲ４部分に相当する部分を拡大して示した断面図である。
【図７】図７（ａ）ないし（ｃ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図８】図８（ａ）および（ｂ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図９】図９（ａ）および（ｂ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板を備えた実装構造体を、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１３】
図１（ａ）に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置またはその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２と、該電子部品２が実装された配線基板３とを含んでいる。
【００１４】
電子部品２は、例えばＩＣまたはＬＳＩ等の半導体素子であり、配線基板３に半田等の導電材料からなるバンプ４を介してフリップチップ実装されている。この電子部品２は、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウムまたは炭化珪素等の半導体材料により形成されている。
【００１５】
配線基板３は、コア基板５と、コア基板５の上下面に形成された一対のビルドアップ層６とを含んでおり、電子部品２を支持するとともに、電子部品２を駆動もしくは制御するための電源や信号を電子部品２へ供給する機能を有する。
【００１６】
以下、配線基板３の構成について詳細に説明する。
【００１７】
（コア基板）
コア基板５は、配線基板３の剛性を高めつつ一対のビルドアップ層６間の導通を図るものであり、ビルドアップ層６を支持する基体７と、基体７に設けられたスルーホールと、該スルーホール内に設けられ、一対のビルドアップ層６同士を電気的に接続する筒状のスルーホール導体８と、該スルーホール導体８に取り囲まれた絶縁体９を含んでいる。
【００１８】
基体７は、第１樹脂層１０ａと、該第１樹脂層１０ａの両主面に設けられた第１絶縁層１１ａと、第１絶縁層１１ａの第１樹脂層１０ａと反対側の主面に設けられた第２樹脂層１０ｂと、を含んでいる。
【００１９】
第１樹脂層１０ａは、基体７の主要部をなすものであり、例えば樹脂部と該樹脂部に被
覆された基材を含む。第１樹脂層１０ａの厚みは、例えば０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下に設定されている。また、第１樹脂層１０ａの平面方向への熱膨張率は、例えば３ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下に設定され、第１樹脂層１０ａの厚み方向への熱膨張率は、例えば３０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２０】
ここで、第１樹脂層１０ａの熱膨張率は、市販のＴＭＡ（Thermo-Mechanical Analysis）装置を用いて、ＪＩＳＫ７１９７‐１９９１に準じた測定方法により測定される。また、第１樹脂層１０ａの誘電正接は、ＪＩＳＲ１６２７‐１９９６に準じた共振器法により測定される。以下、第２、第３および第４樹脂層１０ｂ、１０ｃ、１０ｄや第１および第２絶縁層１１ａ、１１ｂをはじめとする各部材の熱膨張率は、第１樹脂層１０ａと同様に測定される。
【００２１】
第１樹脂層１０ａの樹脂部は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂またはポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂により形成することができる。このような熱硬化性樹脂で形成することによって、第１絶縁層１１ａとの接着強度を高めることができるともに、後述する樹脂部材１５と比較して第１樹脂層１０ａのじん性を高め、クラックを低減することができる。なかでも、第１樹脂層１０ａの樹脂部は、第１樹脂層１０ａのじん性や第１絶縁層１１ａとの接着強度の観点から、エポキシ樹脂により形成することが望ましい。
【００２２】
この第１樹脂層１０ａの樹脂部は、ヤング率が例えば０．１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下に設定され、厚み方向および平面方向への熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２３】
ここで、第１樹脂層１０ａの樹脂部のヤング率は、ＭＴＳ社製ナノインデンターＸＰを用いて、ＩＳＯ１４５７７‐１：２００２に準じた方法で測定される。以下、第２、第３および第４樹脂層１０ｂ、１０ｃ、１０ｄや第１および第２絶縁層１１ａ、１１ｂをはじめとする各部材の熱膨張率は、第１樹脂層１０ａの樹脂部と同様に測定される。
【００２４】
第１樹脂層１０ａに含まれる前記基材は、第１樹脂層１０ａの平面方向の熱膨張率を低減するとともに、第１樹脂層１０ａの剛性を高めるものである。前記基材は、例えば、複数の繊維からなる織布若しくは不織布または複数の繊維を一方向に配列した繊維群により形成することができる。前記繊維としては、例えばガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維または金属繊維等を使用することができる。
【００２５】
本実施形態においては、図１（ｂ）に示すように、第１樹脂層１０ａは、さらに、無機絶縁材料により形成された多数の第１フィラー粒子から成る第１フィラー１２ａを含有している。その結果、第１樹脂層１０ａの熱膨張率を低減するとともに、第１樹脂層１０ａの剛性を高めることができる。第１フィラー粒子は、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウムまたは炭酸カルシウム等の無機絶縁材料により形成することができる。第１フィラー粒子は、粒径が例えば０．５μｍ以上５．０μｍ以下に設定され、熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下に設定される。また、第１樹脂層１０ａの樹脂部と第１フィラー１２ａの体積の合計に対する第１フィラー１２ａの体積の割合（以下、「第１フィラー１２の含有量」という）が例えば３体積％以上６０体積％以下に設定されている。
【００２６】
ここで、第１フィラー粒子の粒径は、次のように測定される。まず、第１樹脂層１０ａの断面を透過型電子顕微鏡で観察し、２０粒子数以上５０粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影する。次に、該拡大した断面にて各粒子の最大径を測定し、該測定された最大粒径を第１フィラー粒子の粒径とする。また、第１フィラー１２の含有量(体積
％)は、第１樹脂層１０ａの断面を透過型電子顕微鏡で撮影し、画像解析装置等を用いて
、第１樹脂層１０ａの樹脂部に占める第１フィラー１２ａの面積比率（面積％）を１０箇所の断面にて測定し、その測定値の平均値を算出して含有量（体積％）とみなすことにより、測定される。
【００２７】
一方、第１樹脂層１０ａの上下面に形成された第１絶縁層１１ａは、基体７を高剛性かつ低熱膨張率とするものである。この第１絶縁層１１ａの厚みは、例えば３μｍ以上１００μｍ以下、および／または第１樹脂層１０ａの３％以上１０％以下に設定される。また、第１絶縁層１１ａのヤング率は、例えば１０ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下、および／または、第１樹脂層１０ａの樹脂部の１０倍以上１００倍以下に設定される。また、第１絶縁層１１ａは、厚み方向および平面方向への熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２８】
この第１絶縁層１１ａは、図１（ｂ）ないし図２（ｂ）に示すように、第１ネック構造１３ａを介して互いに接続した第１無機絶縁粒子１４ａと、第１無機絶縁粒子１４ａ同士の間隙Ｇに配された樹脂部材１５と、を含んでいる。その結果、第１ネック構造１３ａを介して互いに接続した第１無機絶縁粒子１４ａの間隙Ｇに樹脂部材１５が配されているため、第１無機絶縁粒子１４ａが骨格構造をなして第１絶縁層１１ａの剛性を高めつつ、樹脂部材１５が第１無機絶縁粒子１４ａに印加される応力を緩和することによって第１絶縁層１１ａのクラックを低減することができる。
【００２９】
第１ネック構造１３ａは、隣接する第１無機絶縁粒子１４ａ同士を接続する構造であり、それぞれの第１無機絶縁粒子１４ａの表面の一部の領域、特に第１無機絶縁粒子１４ａ同士が近接する領域に形成されている。第１ネック構造１３ａを介して接続した互いに第１無機絶縁粒子１４ａは、それぞれ第１ネック構造１３ａに向かって幅が小さくなっており、第１ネック構造１３ａは括れ形状をなしている。このような第１ネック構造１３ａを介して第１無機絶縁粒子１４ａ同士を接続しているため、第１絶縁層１１ａに開気孔の間隙Ｇを良好に形成することができる。
【００３０】
第１無機絶縁粒子１４ａは、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含む無機絶縁材料により形成されている。その結果、第１無機絶縁粒子１４ａを低熱膨張率とすることができる。この第１無機絶縁粒子１４ａは、例えば酸化ケイ素を９０重量％以上含む無機絶縁材料を用いることができ、なかでも、酸化ケイ素を９９重量％以上１００重量％未満含む無機絶縁材料を用いることが望ましい。酸化ケイ素を９０重量％以上１００重量％未満含む無機絶縁材料を用いる場合は、該無機絶縁材料は酸化ケイ素の他に、例えば酸化アルミニウム、酸化チタニウム、酸化マグネシウムまたは酸化ジルコニウム等の無機絶縁材料を含んでも構わない。
【００３１】
さらに、本実施形態においては、第１絶縁層１１ａは、アモルファス（非晶質）状態の酸化ケイ素を含んでいる。アモルファス状態の酸化ケイ素は、結晶状態の酸化ケイ素と比較して、結晶構造に起因した熱膨張率の異方性を低減することができるため、配線基板３の加熱後配線基板３が冷却される際に、第１絶縁層１１ａの収縮を厚み方向および平面方向にてより均一にすることができ、第１絶縁層１１ａにおけるクラックの発生を低減できる。なお、アモルファス状態の酸化ケイ素を含む無機絶縁材料は、結晶相の領域が例えば１０体積％未満に設定されており、なかでも５体積％未満に設定されていることが望ましい。
【００３２】
ここで、無機絶縁材料の結晶相領域の体積比は、以下のように測定される。まず、１００％結晶化した試料粉末と非晶質粉末とを異なる比率で含む複数の比較試料を作製し、該比較試料をＸ線回折法で測定することにより、該測定値と結晶相領域の体積比との相対的
関係を示す検量線を作成する。次に、測定対象である調査試料をＸ線回折法で測定し、該測定値と検量線とを比較して、該測定値から結晶相領域の体積比を算出することにより、調査試料の結晶相領域の体積比が測定される。
【００３３】
また、第１無機絶縁粒子１４ａは、粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下に設定されていることが望ましい。その結果、第１絶縁層１１ａの内部を緻密に形成することができ、第１無機絶縁粒子１４ａが第１ネック構造１３ａを介して接続してなる骨格構造の剛性を高めることができる。
【００３４】
さらに、第１無機絶縁粒子１４ａの粒径が非常に小さいことから、第１無機絶縁粒子１４ａ同士が結晶化開始温度未満にて互いに強固に結合するため、第１無機絶縁粒子自体がアモルファス状態のままで該粒子同士を接続させることができる。なお、第１無機絶縁粒子１４ａの粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下と微小に設定されていると、第１無機絶縁粒子１４ａの原子、特に表面の原子が活発に運動するため、結晶化開始温度未満といった低温下でも第１無機絶縁粒子１４ａ同士が強固に結合すると推測される。なお、結晶化開始温度は、非晶質の無機絶縁材料が結晶化を開始する温度、すなわち、結晶相領域の体積が増加する温度である。
【００３５】
また、第１無機絶縁粒子１４ａは、本実施形態のように球状であることが望ましい。その結果、第１無機絶縁粒子１４ａを充填しやすくなるため、第１絶縁層１１ａの内部構造を緻密にできる。
【００３６】
一方、本実施形態において、第１絶縁層１１ａは、図１（ｂ）および図２（ａ）に示すように、第１無機絶縁粒子１４ａよりも粒径が大きく、第１無機絶縁粒子１４ａを介して互いに接続した複数の第２無機絶縁粒子１４ｂをさらに含んでいる。この第２無機絶縁粒子１４ｂは、第１無機絶縁粒子１４ａと同様の無機絶縁材料により形成することができ、なかでもアモルファス状態の酸化ケイ素を含むことが望ましい。
【００３７】
このように第１絶縁層１１ａは、第１無機絶縁粒子１４ａよりも粒径の大きい第２無機絶縁粒子１４ｂを含むため、クラックが生じても、クラックが第２無機絶縁粒子１４ｂに達した際に、粒径の大きい第２無機絶縁粒子１４ｂによってクラックの伸長を阻止したり、あるいは、第２無機絶縁粒子の表面に沿ってクラックを迂回させたりすることができる。その結果、クラックが第１または第２絶縁層１１ａ、１１ｂを貫通して導電層１６に達することが抑制され、該クラックを起点とした導電層１６の断線を低減することができる。なお、このような第２無機絶縁粒子１４ｂは、粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下に設定されていることが望ましい。
【００３８】
さらに、第２無機絶縁粒子１４ｂは、第１無機絶縁粒子１４ａよりも硬度が高いことが望ましい。その結果、クラックが第２無機絶縁粒子１４ｂに達した際に、該クラックが第２無機絶縁粒子１４ｂの内部へ伸長することを低減し、ひいては第１絶縁層１１ａにおけるクラックの伸長を低減することができる。なお、硬度は、ナノインデンター装置を用いて測定することができる。
【００３９】
また、第２無機絶縁粒子１４ｂは、隣接する第１無機絶縁粒子１４ａと第２ネック構造１４ｂを介して接続しており、該第１無機絶縁粒子１４ａを介して隣接する第２無機絶縁粒子１４ｂと接続している。その結果、粒径が小さく他の粒子との接続強度が高い第１無機絶縁粒子１４ａを介在させることによって、第２無機絶縁粒子１４ｂ同士を強固に接続させることができる。
【００４０】
第２ネック構造１３ｂは、隣接する第１無機絶縁粒子１４ａと第２無機絶縁粒子１４ｂ
とを接続する構造であり、第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂの表面の一部の領域に形成されている。第２ネック構造１３ｂを介して接続した第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂは、それぞれ第２ネック構造１３ｂに向かって幅が小さくなっており、第２ネック構造１３ｂは括れ形状をなしている。このような第２ネック構造１３ｂを介して第１無機絶縁粒子１４ａと第２無機絶縁粒子１４ｂとを接続しているため、第１絶縁層１１ａに開気孔の間隙Ｇを良好に形成することができる。
【００４１】
また、第２無機絶縁粒子１４ｂは、第２ネック構造１３ｂに向かって幅が小さくなっており、第１無機絶縁粒子１４ａと第２無機絶縁粒子１４ｂとの接続箇所においては、第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂのそれぞれが表面の一部の領域で接続して第２ネック構造１３ｂを形成している。このように第２ネック構造１３ｂを介して第１無機絶縁粒子１４ａ同士を接続しているため、第１絶縁層１１に開気孔の間隙Ｇを良好に形成することができる。
【００４２】
ここで、第１ネック構造１３ａの幅は、第２ネック構造１３ｂの幅よりも大きい。その結果、第１無機絶縁粒子１４ａが互いに接続してなる骨格構造をより強固にすることができ、第１絶縁層１１ａの剛性を高めることができる。なお、第１ネック構造１３ａの幅は、例えば３ｎｍ以上２５ｎｍ以下に設定されており、第２ネック構造１３ｂの幅は、例えば３ｎｍ以上１５ｎｍ以下に設定されている。
【００４３】
また、第２無機絶縁粒子１４ｂは、本実施形態のように、球状であることがより望ましい。その結果、第２無機絶縁粒子１４ｂの表面が滑らかになり、該表面における応力が分散され、第２無機絶縁粒子１３ｂの表面を起点とした第１絶縁層１１ａのクラックの発生を低減することができる。
【００４４】
ここで、第１絶縁層１１ａは、第１無機絶縁粒子１４ａと第２無機絶縁粒子１４ｂの合計体積に対して第１無機絶縁粒子１４ａを２０体積％以上９０体積％以下含み、前記合計体積に対して第２無機絶縁粒子１４ｂを１０体積％以上８０体積％以下含んでいる。
【００４５】
なお、第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂの体積％は、次のように算出される。まず、第１絶縁層１１ａの断面を透過型電子顕微鏡撮影する。次に、撮影した画像から画像解析装置等を用いて、第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂの面積比率（面積％）を測定する。そして、該測定値の平均値を算出することにより第１および第２無機絶縁粒子１４ａ、１４ｂの体積％が算出される。また、第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂの粒径は、第１絶縁層１１ａの断面を透過型電子顕微鏡で観察し、２０粒子数以上５０粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、該撮影した拡大断面にて各粒子の最大径を測定することにより、測定される。
【００４６】
一方、樹脂部材１５は、シロキサン結合（−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−）を骨格（シロキサン骨格）とする樹脂（シリコーン樹脂）を含んでいる。このように、シロキサン結合を骨格とする樹脂を含むことによって、樹脂部材１５は、後述するように、第１無機絶縁粒子１４ａ同士を強固に接続させることができる。また、樹脂部材１５のシリコーン樹脂は、シロキサン骨格に結合したエポキシ基、アミノ基またはアルコキシ基を具備している。また、樹脂部材１５は、シリコーン樹脂の他に、該シリコーン樹脂の硬化触媒を含んでおり、該硬化触媒は、チタンまたはアルミニウムを具備している。なお、この樹脂部材１５は、間隙Ｇへの充填性の観点から、フィラーを含んでいない。
【００４７】
この樹脂部材１５は、ヤング率が例えば０．３ＧＰａ以上２ＧＰａ以下に設定され、平面方向および厚み方向への熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。また、樹脂部材１５は、第１絶縁層１１ａにおいて例えば２５体積％以上
３８体積％以下に設定されている。
【００４８】
なお、第１絶縁層１１ａにおける樹脂部材１５の体積％は、次のように算出される。まず、第１絶縁層１１ａの断面を透過型電子顕微鏡で撮影する。次に、撮影した画像から画像解析装置等を用いて、第１絶縁層１１ａにおける樹脂部材１５の面積比率（面積％）を測定する。そして、該測定値の平均値を算出することにより第１絶縁層１１ａにおける樹脂部材１５の体積％が算出される。
【００４９】
一方、第１絶縁層１１ａ上に設けられる第２樹脂層１０ｂは、第１絶縁層１１ａと導電層１６との間の熱応力を緩和する機能、および第１絶縁層１１ａのクラックに起因した導電層１６の断線を低減する機能を有するものであり、一主面が第１絶縁層１１ａと当接し、他主面が導電層１６と当接している。この第２樹脂層１０ｂは、例えば樹脂部と該樹脂部に被覆された第２フィラー１２ｂとを含んでおり、第２フィラー１２ｂは、無機絶縁材料により形成された多数の第２フィラー粒子から成る。
【００５０】
また、第２樹脂層１０ｂは、厚みが例えば０．１μｍ以上５μｍ以下に設定され、ヤング率が例えば０．０５ＧＰａ以上５ＧＰａ以下に設定され、厚み方向および平面方向への熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００５１】
この第２樹脂層１０ｂは、本実施形態のように、第１樹脂層１０ａおよび第１絶縁層１１ａと比較して、厚みが小さく設定され、且つヤング率が低く設定されていることが望ましい。この場合、薄く弾性変形しやすい第２樹脂層１０ｂによって、第１絶縁層１１ａと導電層１６との熱膨張量の違いに起因した熱応力が緩和される。したがって、第１絶縁層１１ａより導電層１６が剥離することが抑制され、導電層１６の断線を低減することができ、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板３を得ることが可能となる。
【００５２】
第２樹脂層１０ｂの樹脂部は、第２樹脂層１０ｂの主要部をなすものであり、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂またはポリイミド樹脂等の樹脂材料からなる。なかでも、第２樹脂層１０ｂのじん性や第１絶縁層１１ａとの接着強度の観点から、エポキシ樹脂を用いることが望ましい。
【００５３】
第２樹脂層１０ｂの第２フィラー１２ｂは、第２樹脂層１０ｂの難燃性を高める機能や後述する取り扱い時に積層シート同士が接着してしまうことを抑制する機能を有し、例えば酸化ケイ素等の無機絶縁材料により形成することができる。この第２フィラー１２ｂの第２フィラー粒子は、粒径が例えば０．０５μｍ以上０．７μｍ以下に設定されており、第２樹脂層１０ｂにおける含有量が例えば０体積％以上１０体積％以下に設定されている。
【００５４】
一方、基体７には、該基体７を厚み方向に貫通し、例えば直径が０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下の円柱状であるスルーホールが設けられている。スルーホールの内部には、コア基板５の上下のビルドアップ層６を電気的に接続するスルーホール導体８がスルーホールの内壁に沿って筒状に形成されている。このスルーホール導体８としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロム等の導電材料により形成することができ、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００５５】
筒状に形成されたスルーホール導体８の中空部には、絶縁体９が柱状に形成されている。絶縁体９は、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料により形成することができる。
【００５６】
（ビルドアップ層）
一方、コア基板５の上下面には、上述した如く、一対のビルドアップ層６が形成されている。
【００５７】
一対のビルドアップ層６のうち、一方のビルドアップ層６は電子部品２に対してバンプ３を介して接続され、他方のビルドアップ層６は、図示しない接合材を介して図示しない外部配線基板と接続される。
【００５８】
各ビルドアップ層６は、図１（ａ）および図３に示すように、複数の第３樹脂層１０ｃ、複数の第２絶縁層１１ｂ、複数の第４樹脂層１０ｄ、複数の導電層１６および複数のビア導体１７を含んでいる。第３樹脂層１０ｃ、第２絶縁層１１ｂ、第４樹脂層１０ｄおよび導電層１６は、順次複数回積層されており、導電層１６は、第４樹脂層１０ｄ上に平面視で離間するように複数形成されており、第３樹脂層１０ｃは、該導電層１６の側面および上面に接着している。また、導電層１６およびビア導体１７は、互いに電気的に接続されており、接地用配線、電力供給用配線および／または信号用配線を構成している。
【００５９】
第３樹脂層１０ｃは、第２樹脂層１０ｄまたは第４樹脂層１０ｄと第２絶縁層１１ｂとを接着するとともに、平面視で離間した導電層１６同士の間に配されて短絡を防止するものである。第３樹脂層１０ｃは、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂またはポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂により形成することができる。なかでも、第３樹脂層１０ｃのじん性や第２絶縁層１１ｂとの接着強度の観点から、エポキシ樹脂を用いることが望ましい。
【００６０】
第３樹脂層１０ｃは、厚みが例えば３μｍ以上３０μｍ以下に設定され、ヤング率が例えば０．２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下に設定される。また、第３樹脂層１０ｃは、厚み方向および平面方向への熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００６１】
また、本実施形態においては、図３に示すように、第３樹脂層１０ｃは、無機絶縁材料により形成された多数の第３フィラー粒子から成る第３フィラー１２ｃを含有している。この第３フィラー１２ｃは、第１フィラー１２ａと同様の材料により形成することができ、第３樹脂層１０ｃの熱膨張率を低減するとともに、第３樹脂層１０ｃの剛性を高めることができる。
【００６２】
第２絶縁層１１ｂは、第３樹脂層１０ｃ上に形成され、上述した基体７に含まれる第１絶縁層１１ａと同様の構成を有しており、その結果、第１絶縁層１１ａと同様の効果を奏する。
【００６３】
第４樹脂層１０ｄは、第２絶縁層１１ｂ上に形成され、上述した基体７に含まれる第２樹脂層１０ｂと同様の構成を有しており、その結果、第２樹脂層１０ｂと同様の効果を奏する。
【００６４】
複数の導電層１６は、第４樹脂層１０ｄ上に部分的に形成され、厚み方向または平面方向に互いに離間している。導電層１６は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロム等の導電材料により形成することができる。また、導電層１６は、その厚みが３μｍ以上２０μｍ以下に設定され、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００６５】
ビア導体１７は、厚み方向に互いに離間した導電層１６同士を相互に接続するものであ
り、コア基板５に向って幅狭となる柱状に形成されている。ビア導体１７は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロム等の導電材料により形成することができ、熱膨張率が例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００６６】
次に、上述した本実施形態の実装構造体１において、第１絶縁層１１ａについて詳細に説明する。
【００６７】
（第１絶縁層）
本実施形態の実装構造体１において、第１絶縁層１１ａは、上述した如く、第１ネック構造１３ａを介して接続した、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含む第１無機絶縁粒子１４ａと、該第１無機絶縁粒子１３ａ同士の間に配された、シロキサン結合（−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−）を骨格（シロキサン骨格）とする樹脂（シリコーン樹脂）を含む樹脂部材１５とを含んでいる。その結果、第１ネック構造１３ａを介して接続した第１無機絶縁粒子１４ａの双方にシリコーン樹脂がシロキサン結合するため、第１無機絶縁粒子１４ａ同士を強固に接続することができる。
【００６８】
特に、第１ネック構造１３ａ近傍においては、第１無機絶縁粒子１４ａ同士が近接しているため、シリコーン樹脂のシロキサン骨格を介して第１無機絶縁粒子１４ａ同士が接続される。ここで、シロキサン骨格は、酸化ケイ素の分子構造に類似しているため、酸化ケイ素に特性が近く、硬度が高い。それ故、シロキサン骨格を介して第１無機絶縁粒子１４ａ同士を強固に接続できるため、第１絶縁層１１ａのクラックを低減し、電気的信頼性に優れた配線基板３を得ることができる。
【００６９】
さらに、第１無機絶縁粒子１４ａ同士と同様に、樹脂部材１５によって第１無機絶縁粒子１４ａと第２無機絶縁粒子１４ｂとの接続強度も高めることができる。
【００７０】
また、本実施形態において、シリコーン樹脂は、シロキサン骨格に結合したエポキシ基、アミノ基またはアルコキシ基を具備している。その結果、エポキシ基、アミノ基またはアルコキシ基が、３次元に架橋するため、シリコーン樹脂のじん性を高めることができる。特に、第１無機絶縁粒子１４ａ同士の距離が大きくシリコーン樹脂の体積が大きい箇所において、シリコーン樹脂のじん性を高めることによって、第１絶縁層１１ａにおけるクラックを低減することができる。
【００７１】
ここで、シリコーン樹脂は、エポキシ基、アミノ基またはアルコキシ基のうち、エポキシ基を具備することが望ましい。その結果、エポキシ基は相互の結合力が強いため、シリコーン樹脂のじん性をより高めることができる。さらに、第１樹脂層１０ａにエポキシ樹脂を用いた場合、エポキシ基によってシリコーン樹脂とエポキシ樹脂との接着強度を高めることができるため、第１絶縁層１１ａと第１樹脂層１０ａとの接着強度を高めることができる。なお、第１絶縁層１１ａと第２樹脂層１０ｂとの接着についても同様のことがいえる。
【００７２】
また、本実施形態において、樹脂部材１５は、チタンまたはアルミニウムを具備する硬化触媒を含んでいる。その結果、該硬化触媒によってシリコーン樹脂のシロキサン結合の重合度を容易に高めることができる。
【００７３】
以上、第１絶縁層１１ａについて説明したが、第２絶縁層１１ｂも第１絶縁層１１ａと同様の構成および効果を有している。
【００７４】
＜実装構造体１の製造方法＞
次に、上述した実装構造体１の製造方法を、図４から図９に基づいて説明する。この実
装構造体１の製造方法は、コア基板５の作製工程と、ビルドアップ層６のビルドアップ工程と電子部品２の実装工程とからなっている。
【００７５】
（コア基板５の作製工程）
（１）第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂを含む固形分と、該固形が分散した溶剤１８とを有する無機絶縁ゾル１４ｘを準備する。
【００７６】
無機絶縁ゾル１４ｘは、例えば、固形分を１０％体積以上５０体積％以下含み、溶剤を５０％体積以上９０体積％以下含む。これにより、無機絶縁ゾル１４ｘの粘度を低く保持しつつ、無機絶縁ゾル１４ｘより形成される絶縁層の生産性を高く維持できる。
【００７７】
無機絶縁ゾル１４ｘの固形分は、例えば、第１無機絶縁粒子１４ａを２０体積％以上９０体積％以下含み、第２無機絶縁粒子１４ｂを１０体積％以上８０体積％以下含む。これにより、後述する（３）の工程にて第１絶縁層１１ａにおけるクラックの発生を効果的に低減できる。
【００７８】
なお、第１無機絶縁粒子１４ａは、例えば、ケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させることにより、作製することができる。この場合、低温条件下で第１無機絶縁粒子１４ａを作製することができるため、アモルファス状態である第１無機絶縁粒子１４ａを作製することができる。また、第１無機絶縁粒子１４ａの粒径は、酸化ケイ素の析出時間を調整することによって調整され、具体的には、析出時間を長くするほど第１無機絶縁粒子１４ａの粒径は大きくなる。それ故、第３無機絶縁粒子１４ｃおよび第４無機絶縁粒子１４ｄを含んだ第１無機絶縁粒子１４ａを作製するには、酸化ケイ素の析出時間を互いに異ならせて形成された２種類の無機絶縁粒子を混合すれば良い。
【００７９】
一方、第２無機絶縁粒子１４ｂは、酸化ケイ素から成る場合、例えばケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)等のケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させた溶液を火炎中に噴霧し、凝集物の形成を低減しつつ８００℃以上１５００℃以下に加熱することにより、作製することができる。それ故、第２無機絶縁粒子１４ｂは、第１無機絶縁粒子１４ａと比較して粒径が大きいことから、高温加熱時における凝集体の形成を低減しやすく、高温加熱で容易に作製することができ、ひいては硬度を容易に高めることができる。
【００８０】
また、第２無機絶縁粒子１４ｂを作製する際の加熱時間は、１秒以上１８０秒以下に設定されていることが望ましい。その結果、該加熱時間を短縮することにより、８００℃以上１５００℃以下に加熱した場合においても、第２無機絶縁粒子１４ｂの結晶化を抑制し、アモルファス状態を維持することができる。
【００８１】
一方、無機絶縁ゾル１４ｘに含まれる溶剤１８は、例えばメタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミド、および／またはこれらから選択された２種以上の混合物を含んだ有機溶剤を使用することができる。
【００８２】
（２）次に、図４（ａ）ないし図５（ａ）に示すように、銅等の導電材料により形成された金属箔１６ｘと、該金属箔１６ｘの一主面に形成された第２樹脂層１０ｂとを備えた樹脂付き金属箔を準備し、第２樹脂層１０ｃの露出した一主面に無機絶縁ゾル１１ｘを塗布する。
【００８３】
樹脂付き金属箔は、金属箔１６ｘにバーコーター、ダイコーターまたはカーテンコーターなどを用いて樹脂ワニスを塗布し、乾燥することにより、形成することができる。本工程にて形成された第２樹脂層１０ｂは、例えばＢステージ又はＣステージである。
【００８４】
無機絶縁ゾル１４ｘの塗布は、例えば、ディスペンサー、バーコーター、ダイコーターまたはスクリーン印刷を用いて行うことができる。このとき、上述した如く、無機絶縁ゾル１４ｘの固形分が５０体積％以下に設定されていることから、無機絶縁ゾル１４ｘの粘度が低く設定され、塗布された無機絶縁ゾル１４ｘの平坦性を高くすることができる。
【００８５】
また、第１無機絶縁粒子１４ａの粒径は、上述したように、３ｎｍ以上に設定されているため、これによっても無機絶縁ゾル１４ｘの粘度が良好に低減され、塗布された無機絶縁ゾル１４ｘの平坦性を向上させることができる。
【００８６】
（３）続いて、図５（ｂ）に示すように、無機絶縁ゾル１４ｘを乾燥させて溶剤１８を蒸発させる。
【００８７】
ここで、溶剤１８の蒸発に伴って無機絶縁ゾル１４ｘが収縮するが、かかる溶剤１８は第１および第２無機絶縁粒子１４ａ、１４ｂの間隙Ｇに含まれており、第１および第２無機絶縁粒子１４ａ、１４ｂ自体には含まれていない。このため、無機絶縁ゾル１４ｘが粒径の大きい第２無機絶縁粒子１４ｂを含んでいると、その分、溶剤１８が充填される領域が少なくなり、無機絶縁ゾル１４ｘの溶剤１８の蒸発時、無機絶縁ゾル１４ｘの収縮量が小さくなる。すなわち、第２無機絶縁粒子１４ｂによって無機絶縁ゾル１４ｘの収縮が規制されることとなる。その結果、無機絶縁ゾル１４ｘの収縮に起因するクラックの発生を低減することができる。また、仮にクラックが生じても、粒径の大きい第２無機絶縁粒子１４ｂによって該クラックの伸長を妨げることができる。
【００８８】
無機絶縁ゾル１４ｘの乾燥は、例えば加熱および風乾により行われる。乾燥温度が、例えば、２０℃以上溶剤１８の沸点(二種類以上の溶剤を混合している場合には、最も沸点
の低い溶剤の沸点)未満に設定され、乾燥時間が、例えば２０秒以上３０分以下に設定さ
れる。その結果、溶剤１８の沸騰が低減され、沸騰の際に生じる気泡の圧力によって第１および第２無機絶縁粒子１４ａ、１４ｂが押し出されることが抑制され、該粒子の分布をより均一にすることが可能となる。
【００８９】
（４）図６（ａ）に示すように、残存した無機絶縁ゾル１４ｘの固形分を加熱し、第１無機絶縁粒子１４ａ同士を、第１ネック構造１３ａを介して接続させ、第１無機絶縁粒子１４ａと第２無機絶縁粒子１４ｂとを第２ネック構造１３ｂを介して接続させる。
【００９０】
ここで、本実施形態の無機絶縁ゾル１４ｘは、粒径が１１０ｎｍ以下に設定された第１無機絶縁粒子１４ａを有している。その結果、無機絶縁ゾル１４ｘの加熱温度が比較的低温、例えば、第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂの結晶化開始温度未満、さらには、第２樹脂層１０ｂの熱分解開始温度未満と低温であっても、第１無機絶縁粒子１４ａ同士を強固に接続させることができる。
【００９１】
なお、第１無機絶縁粒子１４ａ同士を強固に接続させることができる温度は、例えば、第１無機絶縁粒子１４ａの粒径を１１０ｎｍ以下に設定した場合は２５０℃程度であり、前記粒径を１５ｎｍ以下に設定した場合は１５０℃程度である。また、第１および第２無機絶縁粒子１４ａ、１４ｂに含まれる酸化ケイ素の結晶化開始温度は１３００℃程度である。また、第２樹脂層１０ｂがエポキシ樹脂から成る場合、その熱分解開始温度は２８０℃程度である。この熱分解開始温度は、ＩＳＯ１１３５８：１９９７に準ずる熱重量測定において、樹脂の質量が５％減少する温度である。
【００９２】
無機絶縁ゾル１４ｘの加熱温度は、第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂの結晶化開始温度未満に設定されていることが望ましい。その結果、結晶化した粒子が相転移によって収縮することを低減し、第１絶縁層１１ａにおけるクラックの発生を低減できる。
【００９３】
さらに、このように低温で加熱することによって、第１無機絶縁粒子１４ａおよび第２無機絶縁粒子１４ｂの粒子形状を保持しつつ、第１無機絶縁粒子１４ａ同士および第１無機絶縁粒子１４ａと第２無機絶縁粒子１４ｂとを近接領域のみで接続させることができる。その結果、第１ネック構造１３ａおよび第２ネック構造１３ｂを形成しつつ、第１無機絶縁粒子１４ａ同士および第１無機絶縁粒子１４ａと第２無機絶縁粒子１４ｂとを接続させることができ、ひいては第１無機絶縁粒子１４ａ同士の間に開気孔の間隙Ｇを容易に形成することができる。
【００９４】
さらに、無機絶縁ゾル１４ｘの加熱温度は、第２樹脂層１０ｂの熱分解開始温度未満に設定されていることが望ましい。その結果、第２樹脂層１０ｂの特性低下を抑制することができる。また、無機絶縁ゾル１４ｘの加熱温度は、残存した溶剤１８を蒸発させるため、溶剤１８の沸点以上で行うことが望ましい。
【００９５】
なお、無機絶縁ゾル１４ｘの加熱は、温度が例えば１００度以上７００度未満に設定され、時間が例えば０．５時間以上２４時間以下に設定されていることが望ましい。
【００９６】
（５）図６（ｂ）に示すように、液状樹脂１５ｘを第１無機絶縁粒子１４ａ同士の間隙Ｇに充填した後、液状樹脂１５ｘを加熱して重合させて樹脂部材１５を形成することによって、第１絶縁層１１ａを形成する。その結果、金属箔１６ｘ、第２樹脂層１０ｂおよび第１絶縁層１１ａを含む積層シート１９を作製することができる。
【００９７】
ここで、液状樹脂１５ｘは、一量体であるシラノールを含んでおり、溶剤を含んでいない。その結果、液状樹脂１５ｘは、一量体であるシラノールを含んでおり、溶剤を混合しなくても粘度が低いことから、第１無機絶縁粒子１４ａの骨格構造上に液状樹脂１５ｘを塗布することによって、該液状樹脂１５ｘが毛細管現象によって間隙Ｇ内に充填される。また、溶剤を含まないことから、溶剤の蒸発による気泡の発生を防止することができる。
【００９８】
なお、液状樹脂１５ｘは、シラノールが重合したシロキサンを含んでいても構わないが、この場合、シロキサンの重合度は低いことが望ましく、例えば二量体や三量体であることが望ましい。また、液状樹脂１５ｘは、溶剤を含んでいても構わないが、この場合、溶剤は微量であることが望ましい。
【００９９】
また、液状樹脂１５ｘは、チタンまたはアルミニウムを具備する硬化触媒をさらに含んでいる。その結果、硬化触媒によって、シラノールの重合開始温度をシラノールの沸点未満とすることができる。したがって、液状樹脂１５ｘをシラノールの重合開始温度以上沸点未満で加熱することによって、硬化前に液状樹脂が揮発して空隙が発生することを低減しつつ、シラノールをシロキサン結合で重合させてシロキサン骨格を形成し、ひいては樹脂部材１５を形成することができる。
【０１００】
なお、液状樹脂１５ｘの加熱温度は、例えば１５０℃以上２５０℃以下に設定され、液状樹脂１５ｘの加熱時間は、例えば０．５時間以上６時間以下に設定されている。
【０１０１】
（６）図７（ａ）に示すように、第１樹脂前駆体シート１０ａｘを準備し、第１樹脂前駆体シート１０ａｘの上下面に積層シート１９の第１絶縁層１１ａを積層した後、前記積
層体を上下方向に加熱加圧することにより、図７（ｂ）に示すように、第１樹脂前駆体シート１０ａｘを硬化させて第１樹脂層１０ａを形成する。
【０１０２】
第１樹脂前駆体シート１０ａｘは、例えば、未硬化の熱硬化性樹脂と基材とを含む複数の樹脂シートを積層することにより作製することができる。なお、未硬化は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ−ステージまたはＢ−ステージの状態である。
【０１０３】
積層シート１９は、金属箔１６ｘと第１樹脂前駆体シート１０ａｘとの間に第１絶縁層１１ａが介在されるように積層される。
【０１０４】
前記積層体の加熱温度は、第１樹脂前駆体シート１０ａｘの硬化開始温度以上熱分解温度未満に設定されている。具体的には、第１樹脂前駆体シートがエポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂またはポリフェニレンエーテル樹脂からなる場合、前記加熱温度が例えば１７０℃以上２３０℃以下に設定される。また、前記積層体の圧力は、例えば２ＭＰａ以上３ＭＰａ以下に設定され、加熱時間および加圧時間は、例えば０．５時間以上２時間以下に設定されている。なお、硬化開始温度は、樹脂が、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＣ−ステージの状態となる温度である。
【０１０５】
（７）図７（ｃ）に示すように、基体７を厚み方向に貫通するスルーホール導体８およびスルーホール導体８の内部に絶縁体９を形成し、しかる後、基体７上にスルーホール導体８に接続される導電層１６を形成する。
【０１０６】
スルーホール導体８および絶縁体９は、次のように形成される。まず、例えばドリル加工やレーザー加工等により、基体７および金属箔１６ｘを厚み方向に貫通したスルーホールを複数形成する。次に、例えば無電解めっき、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法等により、スルーホールの内壁に導電材料を被着させることにより、円筒状のスルーホール導体８を形成する。次に、円筒状のスルーホール導体８の内部に、樹脂材料等を充填することにより、絶縁体９を形成する。
【０１０７】
また導電層１６は、金属箔１６ｘに形成されたスルーホール内より露出する絶縁体９およびスルーホール導体８上に、例えば無電解めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法等により、金属箔１６ｘと同じ金属材料からなる金属層を被着させる。次に、フォトリソグラフィー技術、エッチング等を用いて金属箔１６ｘおよび／または金属層をパターニングすることにより、導電層１６を形成する。なお、金属箔１６ｘを一旦剥離させた後、金属層を基体７上に形成し、該金属層をパターニングして導電層１６を形成しても良い。
【０１０８】
以上のようにして、コア基板５を作製することができる。
【０１０９】
（ビルドアップ層６のビルドアップ工程）
（８）図８（ａ）に示すように、コア基板５の上下面それぞれに第３樹脂前駆体シート１０ｃｘを介して積層シート１９を積層した後、該積層体を上下方向に加熱加圧することにより、図８（ｂ）に示すように、第３樹脂前駆体シート１０ｃｘを硬化させて第３樹脂層１０ｃを形成する。
【０１１０】
本工程の積層シート１９は、第２絶縁層１１ｂ、第４樹脂層１０ｄおよび金属箔１６ｘを有しており、例えば（１）〜（５）の工程と同様に作製することができる。また、第３樹脂前駆体シート１０ｃｘは、第３樹脂層１０ｃを構成する上述した未硬化の熱硬化性樹脂により形成される。
【０１１１】
前記積層体を形成する際には、積層シート１９の第２絶縁層１１ｂを第３樹脂前駆体シート１０ｃｘに当接させる。また、前記積層体の加熱加圧は、例えば（６）の工程と同様に行うことができる。
【０１１２】
（９）図９（ａ）に示すように、第２絶縁層１１ｂから金属箔１６ｘを剥離した後、第３樹脂層１０ｃおよび第２絶縁層１１ｂを厚み方向に貫通するビア導体１７を形成するとともに、第２絶縁層１１ｂ上に導電層１６を形成する。
【０１１３】
金属箔１６ｘの剥離は、例えば硫酸および過酸化水素水の混合液、塩化第二鉄溶液または塩化第二銅溶液等を用いたエッチング法により、行うことができる。
【０１１４】
ビア導体１７および導電層１６は、具体的に次のように形成される。まず、例えばＹＡＧレーザー装置または炭酸ガスレーザー装置により、第３樹脂層１０ｃおよび第２絶縁層１１ｂを貫通するビア孔を形成する。次に、例えばセミアディティブ法、サブトラクティブ法またはフルアディティブ法等により、ビア孔にビア導体１７を形成するとともに第２絶縁層１１ｂ上に導電材料を被着させて導電層１６を形成する。なお、この導電層１６は、第２絶縁層１１ｂから金属箔１６ｘを剥離せず、該金属箔１６ｘをパターニングすることにより形成しても良い。
【０１１５】
（１０）図９（ｂ）に示すように、（８）および（９）の工程を繰り返すことにより、コア基板５の上下にビルドアップ層６を形成する。なお、本工程を繰り返すことにより、ビルドアップ層６をより多層化することができる。
【０１１６】
以上のようにして、配線基板３を作製することができる。
【０１１７】
（電子部品２の実装工程）
（１１）配線基板３に対してバンプ４を介して電子部品２をフリップ実装することにより、図１（ａ）に示した実装構造体１を作製することができる。
【０１１８】
なお、電子部品２は、ワイヤボンディングにより配線基板３と電気的に接続しても良いし、あるいは、配線基板３に内蔵させても良い。
【０１１９】
本発明は、上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更、改良、組合せ等が可能である。
【０１２０】
また、上述した本発明の実施形態においては、本発明に係る配線基板の例としてコア基板およびビルドアップ層からなるビルドアップ多層基板を挙げたが、本発明に係る配線基板の例としては、ビルドアップ多層基板以外にも、例えば、インターポーザー基板、コアレス基板またはコア基板のみからなる単層基板やセラミック基板、金属基板、金属板を含んだコア基板も含まれる。
【０１２１】
また、上述した本発明の実施形態においては、絶縁層に第１無機絶縁粒子および第２無機絶縁粒子を含んでいたが、絶縁層には第１無機絶縁粒子が含まれていればよく、第２無機絶縁粒子が含まれていなくても構わないし、第１無機絶縁粒子および第２無機絶縁粒子とは粒径の異なる無機絶縁粒子が絶縁層に含まれていても構わない。
【０１２２】
また、上述した本発明の実施形態においては、配線基板が第２樹脂層および第４樹脂層を有していたが、第２樹脂層および第４樹脂層を有していなくてもよい。この場合、第１絶縁層および第２絶縁層が導電層と当接する。このような第１絶縁層および第２絶縁層は、金属箔上に直接無機絶縁ゾルを塗布することで、形成される。
【０１２３】
また、上述した本発明の実施形態においては、第１樹脂層および第３樹脂層が熱硬化性樹脂により形成されていたが、第１樹脂層および第３樹脂層の少なくとも一方、もしくは双方が熱可塑性樹脂により形成されていても構わない。この熱可塑性樹脂としては、例えばフッ素樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂またはポリイミド樹脂等を用いることができる。
【０１２４】
また、上述した本発明の実施形態においては、コア基板およびビルドアップ層の双方が絶縁層を備えていたが、配線基板はコア基板またはビルドアップ層の少なくともいずれか一方が絶縁層を備えていれば良い。
【０１２５】
また、上述した本発明の実施形態においては、工程（３）における溶剤の蒸発と工程（４）における固形分の加熱を別々に行っていたが、工程（３）と工程（４）を同時に行っても構わない。
【０１２６】
また、上述した本発明の実施形態においては、（８）の工程にて未硬化の第３樹脂前駆体シートを第２絶縁層上に載置したが、未硬化で液状の第３樹脂前駆体を第２絶縁層に塗布しても構わない。
【符号の説明】
【０１２７】
１        実装構造体
２        電子部品
３        配線基板
４        バンプ
５        コア基板
６        ビルドアップ層
７        基体
８        スルーホール導体
９        絶縁体
１０ａ    第１樹脂層
１０ａｘ  第１樹脂前駆体シート
１０ｂ    第２樹脂層
１０ｃ    第３樹脂層
１０ｃｘ  第３樹脂前駆体シート
１０ｄ    第４樹脂層
１１ａ    第１絶縁層
１１ｂ    第２絶縁層
１１ｘ    無機絶縁ゾル
１２ａ    第１フィラー
１２ｂ    第２フィラー
１３ａ    第１ネック構造
１３ｂ    第２ネック構造
１４ａ    第１無機絶縁粒子
１４ｂ    第２無機絶縁粒子
１５      樹脂部材
１６      導電層
１６ｘ    金属箔
１７      ビア導体
１８      溶剤
１９      積層シート
Ｇ        間隙
【図１】
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【図２】
2013046012.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2013046012.tif 000009
【図８】
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【図９】
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