(57)【要約】【課題】バインダ分解ガスを基板の外部に良好に放出することができ、かつ、基板表面に配置される導体配線に安定して通電することのできるウェハ検査用の配線基板が求められている。【解決手段】上面ならびに中央領域５ａおよび周縁領域５ｂを有する下面を備えた積層体５と、積層体５の下面の周縁領域５ｂに配設された複数の入出力端子９とを具備し、積層体５が、平面透視した場合に、中央領域５ａに位置して下面に開口して複数のセラミック層３の途中まで到る穴部１９および周縁領域５ｂと重なるように内部に位置する中空部２１を備えたウェハ検査用の配線基板１とする。【選択図】図１
2013007581.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック層を積層してなり、上面ならびに中央領域および周縁領域を有する下面を備えた積層体と、
該積層体の前記上面に配設された、プローブピンが取り付けられる複数の測定端子と、
前記積層体の前記下面の前記周縁領域に配設された複数の入出力端子と、
前記積層体に埋設された、前記測定端子および前記入出力端子に電気的に接続された内部配線とを具備し、
前記積層体が、平面透視した場合に、前記中央領域に位置して前記下面に開口して前記複数のセラミック層の途中まで到る穴部および前記周縁領域と重なるように内部に位置する中空部を備えていることを特徴とするウェハ検査用の配線基板。
【請求項２】
前記複数のセラミック層が、複数の中間セラミック層を積層してなる積層部、該積層部の上面に積層された少なくとも一層の上側セラミック層および前記積層部の下面に積層された少なくとも一層の下側セラミック層からなり、
前記穴部が、前記下側セラミック層および前記積層部を積層方向に貫通する貫通孔ならびに前記上側セラミック層の下面によって構成され、前記中空部が、前記積層部を積層方向に貫通する貫通孔ならびに前記下側セラミック層の上面および前記上側セラミック層の下面によって構成されていることを特徴とする請求項１に記載のウェハ検査用の配線基板。
【請求項３】
前記上側セラミック層の厚みおよび前記下側セラミック層の厚みが、前記中間セラミック層の厚みよりも小さいことを特徴とする請求項２に記載のウェハ検査用の配線基板。
【請求項４】
前記複数のセラミック層がそれぞれ積層方向に貫通するビア孔を有するとともに、前記内部配線が前記ビア孔にそれぞれ導体を充填してなるビア導体を有し、
前記上側セラミック層における前記ビア導体の積層方向に垂直な方向の幅が、前記積層部における前記ビア導体の積層方向に垂直な方向の幅よりも小さいことを特徴とする請求項２に記載のウェハ検査用の配線基板。
【請求項５】
前記周縁領域に位置する前記ビア導体の積層方向に垂直な方向の幅が、前記中央領域に位置する前記ビア導体の積層方向に垂直な方向の幅よりも大きいことを特徴とする請求項４に記載のウェハ検査用の配線基板。
【請求項６】
前記穴部に充填された絶縁性樹脂をさらに具備していることを特徴とする請求項１に記載のウェハ検査用の配線基板。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一つに記載の配線基板を用いて被測定物の通電検査する検査方法であって、
前記被測定物に前記配線基板を相対的に近づける工程と、
前記被測定物に前記配線基板の前記測定端子を当接させるとともに前記測定端子を介して前記被測定物に通電することによって、被測定物の通電検査をする工程と、
前記配線基板を前記被測定物から相対的に遠ざける工程とを備えることを特徴とする検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、通電検査用の測定端子を備えた配線基板に関するものである。このような配線基板は、たとえば、半導体ウェハのような電子部品の通電検査用の装置に用いられる。
【背景技術】
【０００２】
通電検査用の測定端子を備えた配線基板としては、たとえば特許文献１に記載の多層セラミック基板が知られている。特許文献１に記載の多層セラミック基板は、セラミック基板本体の表面上に配置された表面側端子を有している。この表面側端子にはプローブピンが取り付けられる。プローブピンをウェハ上に形成されたＩＣの端子群に対して当接させることによってウェハ上に形成されたＩＣの通電検査を行うことができる。
【０００３】
近年、このような通電検査用の配線基板としては、一度に多くのＩＣの検査を行うことができるように大型化が求められている。一方、配線基板を大型化した場合、配線基板を構成するセラミック基板本体を製造する過程のグリーンシートの焼成時に、このグリーンシートに含まれるバインダ成分をセラミック基板本体から十分に除去することが難しくなる。特許文献１に記載の多層セラミック基板は、セラミック基板本体に埋設された導通用ビア導体間のスペースに、セラミック基板本体の表面に露出しない中空部を複数有している。このような中空部を有することによって、基板表面における導体配線の設計を容易にしつつ、バインダ分解ガスのガス抜きを図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−７１８４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の多層セラミック基板においては、複数の中空部のいずれもがセラミック基板本体の表面に露出しない構成となっている。そのため、セラミック基板本体の表層部の厚みを小さくした場合であっても、多層セラミック基板の中心部分においては、バインダ分解ガスを基板の外部に十分放出することが難しい。また、表層部の厚みを小さくした場合、表層部の耐久性が低下するため、厚みの小さい表層部上に配置された導体配線が断線する可能性がある。
【０００６】
本発明は、このような従来技術に鑑みてなされたものであり、バインダ分解ガスを基板の外部に良好に放出することができ、かつ、基板表面に配置される導体配線に安定して通電することのできるウェハ検査用の配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係るウェハ検査用の配線基板は、複数のセラミック層を積層してなり、上面ならびに中央領域および周縁領域を有する下面を備えた積層体と、該積層体の前記上面に配設された、プローブピンが取り付けられる複数の測定端子と、前記積層体の前記下面の前記周縁領域に配設された複数の入出力端子と、前記積層体に埋設された、前記測定端子および前記入出力端子に電気的に接続された内部配線とを具備している。そして、平面透視した場合に、前記中央領域に位置して前記下面に開口して前記複数のセラミック層の途中まで到る穴部および前記周縁領域と重なるように内部に位置する中空部を備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００８】
上記の態様に係るウェハ検査用の配線基板は、積層体の下面が中央領域および周縁領域を有しており、複数の入出力端子が積層体の下面の周縁領域に配設されている。そして、積層体が、平面透視した場合に、中央領域に位置して積層体の下面に開口して複数のセラミック層の途中まで到る穴部および周縁領域と重なるように内部に位置する中空部を備えている。
【０００９】
このように積層体が、周縁領域と重なるように内部に位置する中空部を備えていることから、この中空部にバインダ分解ガスを逃がし易く、また、中央領域に位置して積層体の下面に開口して複数のセラミック層の途中まで到る穴部を備えていることから、バインダ分解ガスが溜まり易い積層体の中心部分からバインダ分解ガスを積層体の外部に良好に放出することができる。さらに、複数の入出力端子が積層体の下面の周縁領域に配設されていることから、積層体の下面の中央領域に穴部を形成しつつも、配線基板の下面において入出力端子の配線設計を容易にすることができる。そのため、入出力端子に安定して通電することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】一実施形態の配線基板およびこれを用いたプローブカードを示す斜視図である。
【図２】図１に示す配線基板における積層体を下面側から平面透視した図である。
【図３】図１に示すプローブカードにおけるＸ−Ｘ断面での断面図である。
【図４】図３に示すプローブカードにおける領域Ａの拡大断面図である。
【図５】図３に示すプローブカードの一変形例を示す断面図である。
【図６】本実施形態の配線基板を用いた検査方法を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の一実施形態にかかるウェハ検査用の配線基板（以下、単に配線基板とも言う）について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下で参照する各図は、説明の便宜上、下記の実施形態を構成する部材のうち、特徴的な構成を説明するために必要な主要部材のみを簡略化して示したものである。したがって、各実施形態の配線基板は、本明細書が参照する各図に示されていない任意の構成部材を備え得る。また、各図中の部材の寸法は、実際の構成部材の寸法および各部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。
【００１２】
図１〜４に示すように、本実施形態の配線基板１は、複数のセラミック層３を積層してなり、上面ならびに中央領域５ａおよび周縁領域５ｂを有する下面を備えた積層体５と、積層体５の上面に配設された、プローブピン１０３が取り付けられる複数の測定端子７と、積層体５の下面の周縁領域５ｂに配設された複数の入出力端子９と、積層体５に埋設された、測定端子７および入出力端子９に電気的に接続された内部配線１３とを具備している。そして、積層体５が、平面透視した場合に、中央領域５ａに位置して下面に開口して複数のセラミック層３の途中まで到る穴部１９および周縁領域５ｂと重なるように内部に位置する中空部２１を備えていることを特徴としている。
【００１３】
このように積層体５が、周縁領域５ｂと重なるように内部に位置する中空部２１を備えていることから、この中空部２１にバインダ分解ガスを逃がし易く、また、中央領域５ａに位置して積層体５の下面に開口する穴部１９を備えていることから、バインダ分解ガスが溜まり易い積層体５の中心部分からバインダ分解ガスを積層体５の外部に良好に放出することができる。さらに、複数の入出力端子９が積層体５の下面の周縁領域５ｂに配設されていることから、積層体５の下面の中央領域５ａに穴部１９を形成しつつも、配線基板１の下面において入出力端子９の配線設計を容易にすることができる。そのため、入出力端子９に安定して通電することができる。
【００１４】
本実施形態の配線基板１は、複数のセラミック層３を積層してなる積層体５を具備している。積層体５は、上面および下面を有している。積層体５の下面は中央領域５ａおよび中央領域５ａを囲むように位置する周縁領域５ｂを有している。本実施形態の配線基板１における積層体５は、複数の中間セラミック層を積層してなる積層部１３、積層部１３の上面に積層された少なくとも一層の上側セラミック層１５および積層部１３の下面に積層された少なくとも一層の下側セラミック層１７によって構成されている。
【００１５】
積層体５、具体的には、積層部１３、上側セラミック層１５および下側セラミック層１７をそれぞれ構成するセラミック層３としては、高い絶縁性を有する部材を用いることができる。絶縁性を有する部材としては、具体的には、例えば、各種のガラスセラミック、Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４およびＢＮのようなセラミック材料を用いることができる。
【００１６】
このようなセラミック材料を含有する原料粉末、有機溶剤ならびにバインダを混ぜることにより混合部材を作製する。混合部材をシート状に成形することによりグリーンシートを作製することができる。これらのグリーンシートを複数積層することによって生積層体が作製される。そして、この生積層体を焼成することによって積層体５が作製される。
【００１７】
近年、一度に多くの部品の検査を行うことができるようにするため、ウェハ検査用の配線基板１としては大型化が求められている。具体的には、上面の一辺の長さが５０ｍｍ以上、場合によっては、上面の一辺の長さが数百ｍｍ以上であるような非常に大きな配線基板１が求められている。しかしながら、一辺の長さが５０ｍｍ以上であるような非常に大きな配線基板１を作製する場合、生積層体を焼成して積層体５を作製する際に、生積層体を構成するグリーンシートに含まれるバインダ成分を、生積層体を焼成する工程、より具体的には脱バインダ工程において十分に除去することが難しくなる。
【００１８】
本実施形態の配線基板１においては、平面透視した場合に、積層体５が、中央領域５ａに位置して積層体５の下面に開口して複数のセラミック層３の途中まで到る穴部１９および周縁領域５ｂと重なるように内部に位置する中空部２１を備えている。そのため、グリーンシートに含まれるバインダ成分を容易に除去できる。
【００１９】
積層体５の表面付近に位置する部分よりも中心に位置する部分の方が、積層体５の表面からの距離が長いためバインダ分解ガスが外部に放出されにくい。しかしながら、本実施形態における積層体５は、中央領域５ａに位置して積層体５の下面に開口して複数のセラミック層３の途中まで到る穴部１９を有していることから、上記する積層体５の中心に位置する部分からこの穴部１９を介して外部にバインダ分解ガスを容易に放出することができる。
【００２０】
また、積層体５の内部であって、平面透視した場合に入出力端子９が配置される周縁領域５ｂと重なる部分に中空部２１が位置している。周縁領域５ｂは中央領域５ａと比較して積層体５の表面付近に位置していることから、相対的にバインダ分解ガスが外部に放出されやすい。そのため、中央領域５ａに位置する穴部１９とは異なり、周縁領域５ｂに位置する中空部２１は積層体５の表面に開口していなくてもバインダ分解ガスを外部に放出できる。
【００２１】
加えて、中空部２１が積層体５の表面（下面）に開口していないことから、周縁領域５ｂに開口するように凹部が形成されている場合と比較して、積層体５の下面の周縁領域５ｂにおける入出力端子９の配線の自由度を高めることができる。また、上述の通り、積層体５の中心に位置する部分よりも積層体５の側面付近に位置する部分の方が、バインダ分
解ガスが外部に放出されやすいことから、周縁領域５ｂに位置する積層体５の下側セラミック層１７の厚みを極端に薄くする必要がない。そのため、下側セラミック層１７の厚みを厚くすることができるので、積層体５の耐久性を良好なものとすることができる。これにより、周縁領域５ｂ上に配設される入出力端子９の接続性を良好なものとすることができる。
【００２２】
下側セラミック層１７の耐久性を良好なものとするためには、この部分の厚みを大きくすることが好ましいが、複数の被測定物の通電検査を同時に行う場合には、積層体５の上面および下面が平坦であることが求められることから、上側セラミック層１５および下側セラミック層１７の厚みが過度に大きくないことが好ましい。そこで、上側セラミック層１５の厚みおよび下側セラミック層１７の厚みが、積層部１３を構成する中間セラミック層の厚みよりも小さいことが好ましい。積層体５全体の厚みを大きくして積層体５の耐久性を向上させつつ、上側セラミック層１５および下側セラミック層１７の厚みが過度に大きくなることを抑制して、積層体５の上面および下面を平坦なものにできるからである。
【００２３】
なお、本実施形態の配線基板１における積層体５は、上述の通り、積層部１３、上側セラミック層１５および下側セラミック層１７によって構成されており、穴部１９が、下側セラミック層１７および積層部１３を積層方向に貫通する貫通孔の内側面ならびに上側セラミック層１５の下面によって構成されている。すなわち、下側セラミック層１７および積層部１３を積層方向に貫通する貫通孔の内側面が穴部１９の側面を形成している。また、上側セラミック層１５の下面の一部が穴部１９の底面を形成している。
【００２４】
また、中空部２１が、積層部１３を積層方向に貫通する貫通孔ならびに下側セラミック層１７の上面および上側セラミック層１５の下面によって構成されている。すなわち、積層部１３を積層方向に貫通する貫通孔の内側面が中空部２１の側面を形成している。上側セラミック層１５の下面の一部が中空部２１の上面を形成している。また、下側セラミック層１７の上面の一部が中空部２１の下面を形成している。
【００２５】
本実施形態の配線基板１における積層体５は、平面視した場合の形状が矩形状である直方体形状である。積層体５の寸法は特に限定されるものではないが、例えば、平面視した場合の一辺を５０ｍｍ以上５００ｍｍ以下とすることができる。一辺が数百ｍｍであるような非常に大きな配線基板１の場合、本実施形態の配線基板１が特に有効となる。また、積層体５の厚みとしては、例えば、３ｍｍ以上３０ｍｍ以下とすることができる。なお、本実施形態の配線基板１においては、積層体５が平面視した場合に矩形状である直方体形状であるが、これに限られるものではない。例えば、平面視した場合に円形状である円板形状であってもよい。
【００２６】
穴部１９の寸法は特に限定されるものではないが、例えば、内径を０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下とすることができる。また、穴部１９の深さとしては、２ｍｍ以上２９．７ｍｍ以下とすることができる。このとき、穴部１９の底と積層体５の上面との間における積層体５の厚みが０．３ｍｍ以上あることが好ましい。上記の部分における積層体５の厚みを０．３ｍｍ以上とした場合には、この部分に高い耐久性を備えることができるので、積層体５の上面であって穴部１９の上方となる領域にも測定端子７を安定して配設することができる。特に、穴部１９の底と積層体５の上面との間における積層体５の厚みとしては０．５ｍｍ以上であることがさらに好ましい。
【００２７】
中空部２１の寸法も、穴部１９の寸法と同様に特に限定されるものではないが、例えば、内径を０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下とすることができる。また、中空部２１の高さ方向（積層体５の積層方向）の寸法としては、例えば、２ｍｍ以上２９．４ｍｍ以下に設定することができる。このとき、中空部２１の上端と積層体５の上面との間における積層体５の
厚みが０．３ｍｍ以上あることが好ましい。この部分に高い耐久性を備えることができるので、積層体５の上面であって中空部２１の上方となる領域にも測定端子７を安定して配設することができるからである。また、同様の理由から、中空部２１の下端と積層体５の下面との間における積層体５の厚みが０．３ｍｍ以上あることが好ましい。この部分に高い耐久性を備えることができるので、積層体５の下面における周縁領域５ｂであって中空部２１の下方となる領域にも入出力端子９を安定して配設することができるからである。
【００２８】
積層体５の内部には内部配線１１が埋設されている。内部配線１１は、積層体５の上面に配設された測定端子７と積層体５の下面に配設された入出力端子９とを電気的に接続するための部材である。内部配線１１は積層体５の積層方向に垂直な配線導体２３と、積層体５の積層方向に平行なビア導体２５からなっている。複数のセラミック層３がそれぞれ積層方向に貫通するビア孔を有するとともに、ビア導体２５はビア孔にそれぞれ導体を充填してなる。内部配線１１の一方の端部は、積層体５の上面側に引き出されており、測定端子７と電気的に接続されている。また、内部配線１１の他方の端部は、積層体５の下面側に引き出されており、入出力端子９と電気的に接続されている。このとき、上側セラミック層１５におけるビア導体２５の積層方向に垂直な方向の幅Ｄ１が、積層部１３におけるビア導体２５の積層方向に垂直な方向の幅Ｄ２よりも小さいことが好ましい。
【００２９】
また、図４に示すように、積層体５の周縁領域５ｂに位置するビア導体２５の積層方向に垂直な方向の幅Ｄ１が、積層体５の中央領域５ａに位置するビア導体２５の積層方向に垂直な方向の幅Ｄ３よりも大きいことが好ましい。生積層体を焼成して積層体５を作製する際に生積層体が収縮するが、生積層体における中央領域よりも周縁領域での上記収縮に伴う変位量が大きい。積層体５の周縁領域５ｂに位置するビア導体２５の積層方向に垂直な方向の幅Ｄ１が、積層体５の中央領域５ａに位置するビア導体２５の積層方向に垂直な方向の幅Ｄ３よりも大きい場合には、相対的に変位量の大きい周縁領域５ｂに位置するビア導体２５の幅が相対的に大きいので、生積層体が収縮した場合であっても内部配線１１の接続信頼性を良好なものにできるからである。
【００３０】
内部配線１１としては、導電性の良好な部材を用いることが好ましい。例えば、銅、銀、金、ニッケルあるいはタングステン、モリブデンのような金属材料粉末に絶縁材料との密着性を加えるためのガラス質を添加した導体を用いることができる。上記の金属材料は単一で用いてもよく、また、合金、混合物として用いてもよい。
【００３１】
積層体５の上面にはウェハ検査用の複数の測定端子７が配設されている。測定端子７は、ウェハ上に形成されたＩＣの端子群のような被測定物の電気特性を検査するための部材である。測定端子７を被測定物に電気的に接続することによって被測定物の電気特性を検査することができる。
【００３２】
測定端子７自体を被測定物に当接させることによって電気特性の検査を行っても良いが、それぞれの測定端子７上にプローブピン１０３を配設することによって、本実施形態の配線基板１を用いたプローブカード１０１を作製してもよい。このようなプローブカード１０１におけるプローブピン１０３を被測定物に当接させることによって電気特性の検査を行うことができる。例えば、ウェハ上に形成された複数のＩＣのウェハ検査を行う場合には、各プローブピン１０３を各ＩＣに当接させることによって同時に検査を行うことができる。
【００３３】
なお、本実施形態におけるプローブピン１０３は、直線形状をしているが、例えば、複数の屈曲部分を有する形状あるいはバネ形状のような弾性体であることが好ましい。プローブピン１０３が上記の形状である場合、安定して各プローブピン１０３を被測定物に当接させることができるからである。
【００３４】
測定端子７としては、内部配線１１と同様に、導電性の良好な部材を用いることが好ましい。例えば、銅、銀、金、白金、ニッケルあるいはタングステン、モリブデンのような金属材料粉末に絶縁材料との密着性を加えるためのガラス質を添加した導体を用いることができる。上記の金属材料は単一で用いてもよく、また、合金、混合物として用いてもよい。
【００３５】
また、測定端子７の積層体５から露出する表面には、メッキを形成することが好ましい。外部に露出する測定端子７が劣化することを抑制できるからである。また、測定端子７上にプローブピン１０３を配設する場合には、測定端子７とプローブピン１０３との接合性を高めることができる。メッキとしては、例えば、ニッケルメッキ、銅メッキ、銀メッキ、金メッキまたは錫めっきを用いることができる。一例として、測定端子７の積層体５から露出する表面にニッケルメッキを形成した後、さらにニッケルメッキの表面に金メッキを形成すればよい。
【００３６】
積層体５の下面における周縁領域５ｂには複数の入出力端子９が配設されている。入出力端子９は、外部の電源（不図示）または配線回路（不図示）と電気的に接続されており、内部配線１１を介して測定端子７に電気信号を入出力するための部材である。
【００３７】
本実施形態の配線基板１においては、積層体５の下面全体ではなく、下面における周縁領域５ｂに複数の入出力端子９が配設されている。このように入出力端子９が積層体５の下面における周縁領域５ｂに配設されていることから、積層体５の下面の中央領域５ａに、積層体５の下面に開口する穴部１９を形成することができる。結果として、入出力端子９の接続性を良好なものとしつつも、製造工程上、積層体５の中心部分で生じるバインダ分解ガスを外部に容易に放出できる。
【００３８】
入出力端子９としては、内部配線１１と同様に、導電性の良好な部材を用いることが好ましい。例えば、銅、銀、金、白金、ニッケルあるいはタングステン、モリブデンのような金属材料粉末に絶縁材料との密着性を加えるためのガラス質を添加した導体を用いることができる。上記の金属材料は単一で用いてもよく、また、合金、混合物として用いてもよい。
【００３９】
また、入出力端子９の積層体５から露出する表面には、測定端子７と同様にメッキを形成することが好ましい。外部に露出する入出力端子９が劣化することを抑制できるからである。メッキとしては、例えば、ニッケルメッキ、銅メッキ、銀メッキ、金メッキまたは錫めっきを用いることができる。
【００４０】
また、図５に示すように、積層体５の穴部１９には、絶縁性樹脂２７が充填されていても良い。脱バインダ工程によってバインダ分解ガスが外部に放出された後に、この穴部１９に絶縁性樹脂２７を充填することによって、配線基板１の耐久性を向上させることができるからである。しかも、積層体５を構成するセラミックス材料と比較して樹脂材料は一般的に軽量であることから、穴部１９にセラミックス材料を充填した場合と比較して、配線基板１の耐久性を向上させつつ配線基板１の軽量化も図ることができる。
【００４１】
次に、上記実施形態にかかる配線基板１の製造方法について説明する。
【００４２】
まず、積層体５を構成する積層部１３、上側セラミック層１５および下側セラミック層１７となるグリーンシートを複数準備する。グリーンシートは、セラミック材料を含有する原料粉末、有機溶剤ならびにバインダを混ぜることにより混合部材を作製し、この混合部材をシート状に成形することによって作製できる。このようなグリーンシートを複数積
層することによって、生積層体が作製される。
【００４３】
また、このようにして形成される生積層体の内部に、内部配線１１となる導体ペーストを埋設する。具体的には、生積層体を形成するためにグリーンシートを複数積層する際に、セラミック層３となるグリーンシート間に配線導体２３となる導体ペーストを配設する。また、グリーンシートを複数積層して生積層体を形成する前に、予め、グリーンシートに貫通孔を形成して、積層方向に隣り合う配線導体２３となる導体ペーストを接続するように、この貫通孔にビア導体２５となる導体ペーストを配設する。これにより、内部配線１１となる導体ペーストを生積層体に埋設することができる。
【００４４】
グリーンシート間に導体ペーストを配設するためには、例えば、スクリーン印刷法を用いてグリーンシートの表面に導体ペーストを配設するとともに、この導体ペーストの上にさらにグリーンシートを配設すればよい。また、上記の導体ペーストとしては、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀および金のような金属材料からなる金属粉末に、有機溶剤並びにバインダを混ぜた金属ペーストを用いればよい。
【００４５】
また、ビア導体２５となる導体ペーストが配設される貫通孔と同様にして、積層部１３となるグリーンシートおよび下側セラミック層１７となるグリーンシートに貫通孔を形成する。このように導体ペーストが充填されていない貫通孔を有するグリーンシートを積層することによって、中央領域５ａに位置して積層体５の下面に開口する穴部１９および周縁領域５ｂに位置してセラミック層３に囲まれた中空部２１を形成することができる。
【００４６】
積層されたグリーンシートの表面を削ることによって穴部１９および中空部２１を形成してもよいが、グリーンシートの表面を削る際に、生積層体に応力が加わり、生積層体が変形する、あるいは、生積層体に埋設された内部配線１１となる導体ペーストが断線する可能性がある。しかしながら、上述のように、積層部１３となるグリーンシートおよび下側セラミック層１７となるグリーンシートに貫通孔を形成して、この貫通孔が形成されたグリーンシートを積層することによって穴部１９および中空部２１を形成した場合、生積層体に不要な応力が加わることを抑制できる。そのため、上述のような生積層体が変形する、あるいは、生積層体に埋設された内部配線１１となる導体ペーストが断線するといったことが生じる可能性を小さくできる。
【００４７】
このようにして穴部１９および中空部２１が形成された場合、下側セラミック層１７および積層部１３を積層方向に貫通する貫通孔の内側面が穴部１９の側面となり、また、上側セラミック層１５の下面の一部が穴部１９の底面となる。また、積層部１３を積層方向に貫通する貫通孔の内側面が中空部２１の側面となり、上側セラミック層１５の下面の一部が中空部２１の上面となり、また、下側セラミック層１７の上面の一部が中空部２１の下面となる。
【００４８】
生積層体の上面には内部配線１１となる導体ペーストの一方の端部が引き出されており、この一方の端部と接続されるように生積層体の上面に測定端子７となる金属ペーストが配設される。また、生積層体の下面には内部配線１１となる導体ペーストの他方の端部が引き出されており、この他方の端部と接続されるように生積層体の下面に入出力端子９となる金属ペーストが配設される。測定端子７および入出力端子９となる金属ペーストとしては、例えば、銅、銀、金、ニッケルあるいはタングステン、モリブデンのような金属材料粉末、絶縁材料との密着性を加えるためのガラス質、有機溶剤並びにバインダを混ぜたものを用いることができる。
【００４９】
上記の通り作製された生積層体を焼成することによって上記の実施形態の配線基板１を作製することができる。また、作製された配線基板１の測定端子７上にプローブピン１０
３を接合することによって、本実施形態の配線基板１を用いたプローブカード１０１とすることができる。グリーンシートおよび導体ペーストとして用いる材料によって最適な焼成温度は異なるが、本実施形態の配線基板１の製造方法においては約８５０℃〜１６００℃の温度で焼成すればよい。
【００５０】
次に、本実施形態の配線基板１を用いたウェハ検査方法について図面を用いて詳細に説明する。
【００５１】
まず、ステージ１０５上に被測定物１０７を載置する。被測定物１０７としては、上述のように、ウェハ上に形成されたＩＣの端子群が例示される。次に、ホルダ１０９に本実施形態の配線基板１あるいは配線基板１を用いたプローブカード１０１を保持させる。そして、測定端子７あるいはプローブピン１０３が被測定物１０７と対向するようにホルダ１０９をステージ１０５上に配置する。図６に示すように、図１に示す状態の配線基板１を上下反転させてステージ１０５上に配置させている。
【００５２】
まず、上記の通り配置された配線基板１を被測定物１０７に相対的に近づける。そして、被測定物１０７に配線基板１を構成する測定端子７あるいはプローブカード１０１を構成するプローブピン１０３を当接させるとともに測定端子７を介して被測定物１０７に通電することによって、被測定物１０７の通電検査をする。測定端子７を介して被測定物１０７に通電した後、配線基板１を被測定物１０７から相対的に遠ざける。上記の工程によって被測定物１０７の通電検査を行うことができる。
【００５３】
上述の通り、本実施形態のウェハ検査用の配線基板１について説明してきたが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば、種々の変更や実施の形態の組み合わせを施すことは何等差し支えない。
【符号の説明】
【００５４】
１・・・配線基板
１０１・・・プローブカード
３・・・セラミック層
５・・・積層体
５ａ・・・中央領域
５ｂ・・・周縁領域
７・・・測定端子
９・・・入出力端子
１１・・・内部配線
１３・・・積層部
１５・・・上側セラミック層
１７・・・下側セラミック層
１９・・・穴部
２１・・・中空部
２３・・・配線導体
２５・・・ビア導体
２７・・・絶縁性樹脂
１０３・・・プローブピン
１０５・・・ステージ
１０７・・・被測定物
１０９・・・ホルダ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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