(57)【要約】【課題】治具を用いて測定するときに外部に漏洩したり外部で反射する信号による誤差成分を補正することができる測定誤差の補正方法を提供する。【解決手段】標準試料について、試験治具を用い、標準試料の周囲に構造物５８を配置した状態と、基準治具を用い、構造物５８がない状態とで電気特性を測定する。試験治具で測定するとのモデルとして、基準治具で測定するときの実測モデルに、構造物５８の影響を反映する反射係数を有する仮想ポート５５が接続された仮想モデル５０を想定し、標準試料について基準治具及び試験治具を用いて測定した結果と一致するように仮想ポート５５の反射特性を決定する。任意の電子部品について、試験治具を用い、周囲に構造物５８を配置した状態で測定し、決定した反射特性を有する仮想モデル５５から実測モデルのパラメータを算出し、それを基準治具で測定したときの推定値とする。【選択図】図５
2013117386.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同じ電子部品について、試験治具を用いて電気特性を測定した試験治具実測値から、基準治具を用いて電気特性を測定したならば得られるであろう基準治具推定値を算出する測定誤差の補正方法であって、
標準試料の測定対象のｍ−１ポート（ｍは２以上の整数）について、前記標準試料の周囲に構造物を配置した状態で、前記試験治具を用いて電気特性を測定する第１のステップと、
前記標準試料又は前記標準試料と同一の特性を有するとみなせる他の標準試料の測定対象のｍ−１ポートについて、当該標準試料の周囲に構造物がない状態で、前記基準治具を用いて電気特性を測定する第２のステップと、
前記試験治具を用いて測定するときのモデルとして、前記基準治具を用いて測定するときのｍ−１ポートの実測モデルに、前記構造物の影響を反映する反射係数を有する仮想ポートが接続されたｍポートの仮想モデルを想定し、
前記実測モデルのパラメータが、前記第１のステップで測定した結果に一致し、かつ、前記仮想モデルのパラメータのうち前記仮想ポートに関連するパラメータを除くパラメータが、前記第２のステップで測定した結果に一致するように、前記仮想ポートの反射特性を決定する第３のステップと、
任意の電子部品について、当該電子部品の周囲に前記構造物を配置した状態で、前記試験治具を用いて電気特性を測定して前記試験治具実測値を得る第４のステップと、
前記第３のステップで決定した前記仮想ポートの反射特性を有する前記仮想モデルのパラメータのうち前記仮想ポートに関連するパラメータを除くパラメータが前記第４のステップで得た前記試験治具実測値と一致するときの前記実測モデルのパラメータを算出し、算出したパラメータを当該電子部品の前記基準治具推定値とする第５のステップと、
を備えたことを特徴とする測定誤差の補正方法。
【請求項２】
前記第３のステップにおいて、
前記実測モデルのＳパラメータをＳｏｉｊ、前記仮想モデルのＳパラメータをＳｉｊ、前記仮想ポートの反射係数をΓｍとすると、
【数１】
2013117386.tif 000006
であることを用いて、前記仮想ポートの反射特性を決定することを特徴とする、請求項１に記載の測定誤差の補正方法。
【請求項３】
前記構造物は、
前記試験治具に対して電子部品を位置決めする位置決め部材と、
前記試験治具に電子部品を押し付ける押圧部材と、
の少なくとも一方を含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の測定誤差の補正方法。
【請求項４】
前記第１、第２及び第４のステップにおいて測定する電気特性は、測定対象のポート間の通過特性を含むことを特徴とする、請求項１、２又は３に記載の測定誤差の補正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、測定誤差の補正方法に関し、詳しくは、同じ電子部品について、試験治具を用いて電気特性を測定した試験治具実測値から、基準治具を用いて電気特性を測定したならば得られるであろう基準治具推定値を算出する測定誤差の補正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、表面実装型電子部品などの同軸コネクタを有しない電子部品は、同軸コネクタを有する治具に実装し、治具と測定装置の間を同軸ケーブルを介して接続して、電気特性を測定することがある。このような測定においては、個々の治具の特性のばらつきや、個々の同軸ケーブル及び測定装置の特性のばらつきが、測定誤差の原因となる。
【０００３】
同軸ケーブル及び測定装置については、基準特性を有する標準器を同軸ケーブルを介して測定装置に接続して測定することにより、標準器を接続した同軸ケーブル先端よりも測定装置側の誤差を同定することができる。
【０００４】
しかし、治具については、電子部品を実装する部分の接続端子と同軸ケーブルに接続するための同軸コネクタとの間の電気特性の誤差を精度よく同定することができない。また、治具間の特性が一致するように調整することは容易ではない。特に広い帯域幅で、治具間の特性が一致するように治具を調整することは、極めて困難である。
【０００５】
そこで、治具間の誤差を補正するいわゆる相対補正法が提案されている。
【０００６】
相対補正法では、標準試料を複数の治具に実装して測定し、治具間における測定値のばらつきから、ある治具（以下、「基準治具」という。）と他の治具（以下、「試験治具」という。）との間の相対的な誤差を補正する数式を予め導出しておく。そして、この数式を用いて、任意の電子部品について、試験治具を用いて測定した結果（試験治具実測値）から、その電子部品について基準治具を用いて測定したならば得られるであろう電気特性の推定値（基準治具推定値）を算出し、治具間の誤差を相対的に補正する。例えば、基準治具はユーザに対して電気特性を保証するために用い、試験治具は電子部品の製造工程における良品選別のための測定に用いる。
【０００７】
具体的には、各ポートについて、試験治具の誤差を除去する散乱行列と基準治具の誤差の散乱行列を合成した散乱行列（これを、「誤差除去アダプタ」という。）を導出する。この誤差除去アダプタを、実測値の散乱行列に対し合成することで、基準治具推定値を算出する。誤差除去アダプタは、各ポートについて、それぞれ少なくとも３つの標準試料を、基準治具と試験治具の両方で測定し、これらの測定結果から計算できる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−３０１８２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このような相対補正法において、治具を用いて測定するときに外部へ漏洩したり外部で反射する信号（漏洩・反射信号）については考慮されていないため、治具間で漏洩・反射信号が異なることにより発生する誤差成分を補正することができない。
【００１０】
すなわち、治具を用いて電気特性を測定するとき、例えば、治具上に枠を配置して電子部品を位置決めし、電子部品を吸着するノズルで電子部品を治具に押圧して電子部品の端子と治具の電極とを圧着する。このように電子部品の周囲に枠やノズルが接近した状態で電気特性を測定すると、比誘電率εｒ＞１である枠やノズルが電子部品に近づくことにより、電子部品の外部への信号の漏洩や外部での信号の反射の状態が、電子部品単体の状態（周囲は空気、εｒ＝１）と異なる結果、電気特性が電子部品単体の状態からずれて測定される。
【００１１】
ノズルや枠の小型化やそれらの部材の低誘電率化により、治具を用いて測定するときのノズルや枠の影響を軽減し、治具を用いて測定した実測値を、電子部品を実装したときの電気特性に、ある程度は近づけることができる。しかし、実測値には漏洩等誤差成分が残ったままであり、形状や材料選択の自由度が狭まり、治具設計上の制約となる。
【００１２】
本発明は、かかる実情に鑑み、治具を用いて測定するときに外部に漏洩したり外部で反射する信号による誤差成分を補正することができる測定誤差の補正方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した測定誤差の補正方法を提供する。
【００１４】
測定誤差の補正方法は、同じ電子部品について、試験治具を用いて電気特性を測定した試験治具実測値から、基準治具を用いて電気特性を測定したならば得られるであろう基準治具推定値を算出する測定誤差の補正方法であって、第１乃至第５のステップを備える。前記第１のステップにおいて、標準試料の測定対象のｍ−１ポート（ｍは２以上の整数）について、前記標準試料の周囲に構造物を配置した状態で、前記試験治具を用いて電気特性を測定する。前記第２のステップにおいて、前記標準試料又は前記標準試料と同一の特性を有するとみなせる他の標準試料の測定対象のｍ−１ポートについて、当該標準試料の周囲に構造物がない状態で、前記基準治具を用いて電気特性を測定する。前記第３のステップにおいて、前記試験治具を用いて測定するときのモデルとして、前記基準治具を用いて測定するときのｍ−１ポートの実測モデルに、前記構造物の影響を反映する反射係数を有する仮想ポートが接続されたｍポートの仮想モデルを想定し、前記実測モデルのパラメータが、前記第１のステップで測定した結果に一致し、かつ、前記仮想モデルのパラメータのうち前記仮想ポートに関連するパラメータを除くパラメータが、前記第２のステップで測定した結果に一致するように、前記仮想ポートの反射特性を決定する。前記第４のステップにおいて、任意の電子部品について、当該電子部品の周囲に前記構造物を配置した状態で、前記試験治具を用いて電気特性を測定して前記試験治具実測値を得る。前記第５のステップにおいて、前記第３のステップで決定した前記仮想ポートの反射特性を有する前記仮想モデルのパラメータのうち前記仮想ポートに関連するパラメータを除くパラメータが前記第４のステップで得た前記試験治具実測値と一致するときの前記実測モデルのパラメータを算出し、算出したパラメータを当該電子部品の前記基準治具推定値とする。
【００１５】
上記方法によれば、仮想ポートの反射係数によって、試験治具を用いて測定するときに構造物の影響によって外部へ漏洩したり外部で反射する信号による誤差成分を考慮し、補正することができる。
【００１６】
具体的には、以下のように種々の態様で実施可能である。
【００１７】
好ましくは、前記第３のステップにおいて、前記実測モデルのＳパラメータをＳｏｉｊ、前記仮想モデルのＳパラメータをＳｉｊ、前記仮想ポートの反射係数をΓｍとすると、
【数１】
2013117386.tif 000003
であることを用いて、前記仮想ポートの反射特性を決定する。
【００１８】
この場合、仮想ポートの反射特性の計算が、比較的簡単である。
【００１９】
好ましくは、前記構造物は、（ａ）前記試験治具に対して電子部品を位置決めする位置決め部材と、（ｂ）前記試験治具に電子部品を押し付ける押圧部材との少なくとも一方を含む。
【００２０】
この場合、試験治具を用いて測定するときに電子部品の周囲に配置される位置決め部材及び／又は押圧部材の影響により外部に漏洩したり外部で反射する信号による誤差成分を補正することができる。
【００２１】
好ましくは、前記第１、第２及び第４のステップにおいて測定する電気特性は、測定対象のポート間の通過特性を含む。
【００２２】
この場合、外部に漏洩したり外部で反射する信号による誤差成分が補正されるので、ポート間のアイソレーション特性の測定精度が向上する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、治具を用いて測定するときに外部に漏洩したり外部で反射する信号による誤差成分を補正することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施形態において使用した基準治具の（ａ）平面図、（ｂ）正面図である。
【図２】本発明の実施形態において使用した試験治具の（ａ）平面図、（ｂ）正面図である。
【図３】図２に示した試験治具の要部断面図である。
【図４】本発明の実施形態における測定系の構成図である。
【図５】本発明の実施形態における測定モデルの説明図である。
【図６】本発明の実施形態におけるアイソレーション特性のグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の測定誤差の補正方法の実施の形態について、図１〜図６を参照しながら説明する。
【００２６】
図４は、測定系の構成図である。図４に示すように、試験治具１０又は基準治具１０ｓと、同軸ケーブル２２及び測定装置２０とを用いて、試料２，２ｓの電気特性を測定する。破線で模式的に示すように、試料２，２ｓの各ポートは、治具１０，１０ｓの側面に設けられている同軸コネクタ１４，１４ｓに電気的に接続される。同軸ケーブル２２の先端の同軸コネクタ２４は、矢印２４ｘで示すように、治具１０，１０ｓの同軸コネクタ１４，１４ｓに接続される。
【００２７】
同軸コネクタ２４より測定装置２０側は、予め、既知の電気特性を有する標準器（例えば、同軸形状の電子部品）を同軸コネクタ２４に接続してキャリブレーションを行う。そのため、測定装置２０及び同軸ケーブル２２は、試験治具１０を用いて測定するときと、基準治具１０ｓを用いて測定するときとで、異なるものを用いても構わない。
【００２８】
測定装置２０には、例えばベクトル・ネットワーク・アナライザ（ＶＮＡ）を用いる。ＶＮＡは、複数のポートを有し高周波で用いられる電子部品の電気特性を単に測定するだけでなく、測定した生データを任意に設定したプログラムにより演算して出力する機能も備えている。
【００２９】
図１（ａ）は基準治具１０ｓの平面図、図１（ｂ）は基準治具１０ｓの正面図である。図２（ａ）は試験治具１０の平面図、図２（ｂ）は試験治具１０の正面図である。図１及び図２に示すように、試験治具１０及び基準治具１０ｓは、本体１２，１２ｓに基板１６，１６ｓが固定されている。試験治具１０及び基準治具１０ｓの本体１２，１２ｓ、同軸コネクタ１４，１４ｓ及び基板１６，１６ｓは、同一寸法・形状であり、特性ができるだけ同じになるように作製されている。
【００３０】
しかしながら、図１に示すように、基準治具１０ｓの基板１６ｓには、例えばはんだを用いて、予め試料２ｓが実装され、固定されている。この状態で、基準治具１０ｓを用いて試料２ｓの電気特性を測定する。
【００３１】
一方、図２において矢印２ｘで示すように、試験治具１０の基板１６には、試料２が着脱自在に配置される。試験治具１０の基板１６上には、位置決め部材１８が固定されている。位置決め部材１８には、貫通穴１８ｐが形成されている。試料２は、位置決め部材１８の貫通穴１８ｐ内に配置されることにより、基板１６に対して位置決めされ、所定位置に配置される。図３の要部断面図において矢印１９ｘで示すように、位置決め部材１８の貫通穴１８ｐ内に配置された試料２は、押圧部材１９によって基板１６に押し付けられ、試料２の端子（図示せず）と基板１６上の電極（図示せず）とが圧着し、導通が安定する。この状態で、試験治具１０を用いて試料２の電気特性を測定する。
【００３２】
このように、試験治具１０を用いて試料２を測定するときには、試料２の周囲に、位置決め部材１８や押圧部材１９といった構造物が配置される。一方、基準治具１０ｓを用いて測定するときには、標準試料２ｓの周囲に位置決め部材１８や押圧部材１９といった構造物は配置されない。
【００３３】
そのため、試験治具１０を用いて測定するときと、基準治具１０ｓを用いて測定するときとで、構造物の有無に起因する測定誤差が生じる。このような構造物の有無に起因する測定誤差は、信号が構造物に漏れたり、漏れた信号の一部が構造物の界面で反射することによる影響が大きいと考えられる。
【００３４】
そこで、試験治具を用いて測定するときには、測定対象のポート以外に、信号が漏洩・反射する仮想ポートが存在するものとみなし、仮想ポートの反射係数は、構造物によって一定の値となるものとして、構造物の有無に起因する測定誤差を補正する。
【００３５】
例えば図５（ａ）に示すように、試験治具を用いて測定するときのモデルとして、測定対象のポート５１〜５４に、仮想ポート５５が追加された仮想モデル５０を想定する。試験治具を用いて測定するときには、図５（ｂ）に示すように、位置決め部材や押圧部材といった構造物５８の接近の影響によって、仮想ポート５５に矢印５６で示すように何らかの反射特性が現れ、仮想ポートの終端条件の変動により測定対象のポートの測定結果が影響を受けると考える。
【００３６】
散乱係数・Ｓパラメータの定義では、各ポートが５０Ωで終端されていることが条件になる。たとえて言えば、仮にポート４を５０Ωで接続せず、オープン状態で測定するとポート１〜３の特性が本来の特性と違って見えることと同様の現象である。
【００３７】
一方、基準治具を用いて測定するときには、構造物５８の影響がないので、基準治具を用いて測定するときのモデルとして、仮想ポート５５がなく、測定対象のポート５１〜５４だけを有する実測モデルを用いる。
【００３８】
すなわち、試験治具を用いて測定するときのモデルとして、基準治具を用いて測定するときのｍ−１ポートの実測モデルに、構造物の影響を反映する反射係数を有する仮想ポートが接続されたｍポートの仮想モデルを想定する。
【００３９】
実測モデルと仮想モデルのＳパラメータと、仮想ポートの反射係数との間には、次の式１、式２ａ〜２ｄに示す一定の関係があることが公知である（例えば、"Two-Port to Three-Port Noise Wave Trasformation for CAD applications", IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, VOL. 41, No. 9, September 1993 参照）。
【００４０】
すなわち、ポートｍに反射係数Γxを接続した場合のｍ−１ポートのＳパラメータは、次の式１のように表すことができる。
【数２】
2013117386.tif 000004
式１において、Ｓｉｊ'は実測モデルのＳパラメータであり、Ｓｉｊは仮想モデルのＳパラメータである。
【００４１】
また、ＳＯという特性を持つｍ−１ポートのデバイスをｍポートに拡張する場合、次の式２ａ〜２ｄのように表すことができる。
【数３】
2013117386.tif 000005
式２ａ〜２ｄにおいて、ＳＯｉｊは実測モデルのＳパラメータであり、Ｓｉｊは仮想モデルのＳパラメータである。
【００４２】
実測モデルと仮想モデルとの間には、式１又は式２ａ〜２ｄの関係があるので、仮想ポートの反射係数Γｘ又はΓｍが決まれば、式１又は式２ａ〜２ｄを用いて、試験治具で測定するときの仮想モデルのパラメータから、基準治具で測定するときの実測モデルのパラメータを算出することができる。すなわち、試験治具を用いて測定したときの実測値（試験治具実測値）から、基準治具を用いて測定したならば得られる電気特性の推定値（基準治具推定値）を算出することができる。
【００４３】
しかし、仮想ポートの反射特性は、そもそも計測対象ではないため、計測できない。また、シミュレーション等で精度よく推定することも困難である。
【００４４】
このため、仮想ポートの反射係数は、標準試料について試験治具と基準治具を用いて測定した結果から、式１又は式２ａ〜２ｄを満たす最適値を計算機を用いて推定し、その推定値を用いる。
【００４５】
具体的には、次の手順によって、試験治具を用いて電気特性を測定した試験治具実測値から、基準治具を用いて電気特性を測定したならば得られるであろう基準治具推定値を算出する。以下の手順は、１ポート以上を測定する場合、すなわち式１及び式２ａ〜２ｄにおいてｍが２以上の整数である場合に適用することができる。
【００４６】
まず、同一の特性とみなせる複数個の標準試料を準備する。例えば、製品サンプルを測定し、同一の特性とみなせる複数個を選択する。また、同一の特性となるように本体、基板及び同軸コネクタを有する治具を作製し、そのうちの一つを基準治具とし、他の治具の基板上に位置決め部材を固定して試験治具とする。
【００４７】
次いで、標準試料を、試験治具と基準治具を用いて測定する。
【００４８】
試験治具を用いて測定するとき、標準試料を試験治具の基板に配置した状態で、ｍ−１ポートの電気特性を測定する。このとき、位置決め部材を用いて標準試料を位置決めし、押圧部材を用いて標準試料を基板に押し付けた状態、すなわち標準試料の周囲に構造物を配置した状態で測定を行う（本発明の第１のステップ）。
【００４９】
基準治具を用いて標準試料を測定するとき、標準試料は基準治具の基板に実装した状態で、ｍ−１ポートの電気特性を測定する。このときは、標準試料の周囲には、位置決め部材や押圧部材といった構造物がない状態で測定する（本発明の第２のステップ）。
【００５０】
次いで、標準試料について基準治具を用いて測定したときの測定値（基準治具測定値）と、試験治具を用いて測定したときの測定値（試験治具測定値）とから、式２ａ〜２ｄを満たすように、最適な仮想ポートの反射係数Γｍを決める（本発明の第３のステップ）。
【００５１】
例えば、仮想ポートの反射係数は複素数で表され、０〜１∠−１８０°〜＋１８０°の範囲の値のみをとり得るので、この範囲で任意サイズのグリッドを生成し、各グリッドの値を反射係数として仮定して式１又は式２ａ〜２ｄを適用する。そして、反射係数として適切なグリッド（反射係数の最適値に近いと思われるグリッド）を選択する。次いで、選択したグリッドの周辺の狭い範囲についてグリッドのサイズを小さくし、同様に適切なグリッドを選択する。これを繰り返し、グリッドの範囲を絞り込むことによって、反射係数Γｍの最適値を決定する。
【００５２】
式２ａ〜２ｄを用いる場合、ＳＯｉｊは基準治具測定値、Ｓｉｊは試験治具測定値に対応するため、反射係数Γｍを仮定し、式２ａ〜２ｃのＳＯｉｊに基準治具測定値を代入して仮想ポートに関連するパラメータＳｍｍ，Ｓｉｍ，Ｓｍｊを求め、それらの値と式２ｄから、仮想ポートに関連するパラメータＳｍｍ，Ｓｉｍ，Ｓｍｊを除くパラメータＳｉｊ（試験治具測定値の計算値）を算出し、これと実際に測定した試験治具測定値（実測値）と一致するように、反射係数Γｍを決定する。
【００５３】
仮想ポートの反射係数Γｍの最適値は、種々の基準で決定することができる。
【００５４】
例えば、全体的な誤差除去を重視する場合には、式２ｄから求めたＳｉｊの計算値と実測値との誤差ができるだけ小さくなるように、仮想ポートの反射係数Γｍを決定する。計算値と実測値との誤差の大小は、Ｓｉｊごとの計算値と実測値との誤差（複素数）について、それぞれの和で評価しても、それぞれの絶対値の和で評価してもよい。
【００５５】
特定のパラメータについての誤差をできるだけ小さくしたい場合には、特定のパラメータについてのみ誤差を評価し、あるいは特定のパラメータについての誤差の重み付けを他のパラメータよりも大きくして評価し、仮想ポートの反射係数Γｍの最適値を決定してもよい。
【００５６】
次いで、任意の電子部品を試験治具に配置し、標準試料を測定したとき同じ状態で測定する。すなわち、位置決め部材を用いて電子部品を位置決めし、押圧部材を用いて電子部品の端子を基板の電極に圧着させた状態で測定を行う（本発明の第４のステップ）。
【００５７】
次いで、決定した仮想ポートの反射係数Γｍと、任意の電子部品について試験治具を用いて測定した測定値（試験治具測定値）から、式１を用いて、基準治具を用いて測定したならば得られるであろう測定値（基準治具推定値）を算出する（本発明の第５のステップ）。
【００５８】
式１において、Ｓｉｊ'は基準治具推定値、Ｓｉｊは試験治具測定値に対応する。Ｓｉｊと、反射係数Γｘとは既知であるので、Ｓｉｊ'、すなわち基準治具推定値を算出することができる。なお、式１の右辺は、仮想ポートに関連するパラメータＳｉｍ，Ｓｍｊ，Ｓｍｍを含むが、これらはΓｘが決まれば簡単に計算できる。なお、式１のΓｘは、式２ａ〜２ｄを用いて決定したΓｍと同じ値とする。
【００５９】
以上の手順により、構造物の有無による特性変動を計算により除去することができ、基準治具推定値を比較的簡易に得ることができる。
【００６０】
また、構造物の有無による特性変動を計算により除去することができるため、治具や構造物の形状や材料選択の自由度が広がり、治具設計上の制約条件を緩和することができる。
【００６１】
また、差分補正では製品特性にかかわらず一定値の加減算を行うため、理論上ありえない値に補正される場合があるが、本発明の測定誤差の補正方法では、そのようなことがない。そのため、差分補正と比較して、高アイソレーション部分の補正誤差が小さなり、誤差補正の精度がよい。
【００６２】
図６のグラフは、４ポートＳＡＷ−ＤＰＸについて、上記手順で測定誤差を補正した例である。送受信ポート間のアイソレーション特性の誤差除去を重視するため、Ｓ２３、Ｓ２４のそれぞれについて計算値と実測値との誤差が０に近づくように、仮想ポートの反射係数Γｍを決定した。
【００６３】
図６中の「実装特性」は、基準治具を用い、標準試料を基準治具に実装した状態で測定した基準治具測定値である。「治具特性」は、試験治具を用い、位置決め部材を用いて標準試料を試験治具の所定位置に配置し、押圧部材で標準試料を試験治具に押し付けた状態で測定した試験治具測定値である。「補正後特性」は、標準試料についての基準治具測定値及び試験治具測定値から仮想ポートの反射係数を決定し、決定した反射係数を用いて試験治具測定値から算出した基準治具推定値を示す。
【００６４】
図６から分かるように、「実装特性」（基準治具測定値）と、「補正後特性」（基準治具推定値）とがよく一致しており、構造物の有無に起因する測定誤差が精度よく補正されている。
【００６５】
＜まとめ＞  以上に説明したように、実測モデルに、構造物の影響を反映する反射係数を有する仮想ポートが接続された仮想モデルを想定することによって、試験治具を用いて測定するときに外部へ漏洩したり外部で反射する信号による誤差成分を補正することができる。
【００６６】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。
【００６７】
例えば、第３のステップにおいて、式２ａ〜２ｄの代わりに式１を用いて、反射係数を決めることも可能である。また、第５のステップにおいて、式１の代わりに式２ａ〜２ｄを用いて、基準治具推定値を算出することも可能である。
【００６８】
また、外部へ漏洩したり外部で反射する信号による誤差成分を補正する本発明の誤差補正方法と、治具間の誤差を補正する相対補正法とを組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００６９】
２，２ｓ  試料
１０  試験治具
１０ｓ  基準治具
１２，１２ｓ  本体
１４，１４ｓ  同軸コネクタ
１６，１６ｓ  基板
１８  位置決め部材
１８ｐ  貫通穴
１９  押圧部材
２０  測定装置
２２  同軸ケーブル
２４  同軸コネクタ
５０  仮想モデル
５１〜５４  測定対象のポート
５５  仮想ポート
５８  構造物
【図１】
2013117386.tif 000007
【図２】
2013117386.tif 000008
【図３】
2013117386.tif 000009
【図４】
2013117386.tif 000010
【図５】
2013117386.tif 000011
【図６】
2013117386.tif 000012