(57)【要約】【課題】高アスペクトの深溝パターンに存在する欠陥を高い精度で検出できる欠陥検査装置および欠陥検査方法を提供する。【解決手段】実施形態の欠陥検査装置は、照射手段と、加震手段と、検出手段と、判定手段とを持つ。前記照射手段は、複数のパターンが形成された基体に光を照射する。前記加振手段は、欠陥が存在しない場合の前記パターンの固有振動数で前記基体を振動させる。前記検出手段は、振動させられている前記基体から発生する光を検出する。前記判定手段は、前記検出手段からの信号を処理して前記散乱光による前記基体の画像を生成し、前記複数のパターンのそれぞれの間で揺れ方の相違があるかどうかを検査し、検査結果から欠陥の有無を判定する。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のパターンが形成された基体にＤＵＶレーザ光を照射する照射手段と、
欠陥が存在しない場合の前記パターンの固有振動数で前記基体を振動させる加震手段と、
振動させられている前記基体から発生する前記ＤＵＶレーザ光の散乱光を検出する検出手段と、
前記検出手段からの信号を処理して前記散乱光による前記基体の画像を生成し、前記複数のパターンのそれぞれの間で散乱光の強度の相違があるかどうかを前記基体からの反射光の周波数から検査し、検査結果から欠陥の有無を判定する判定手段と、
を備える欠陥検査装置。
【請求項２】
複数のパターンが形成された基体に光を照射する照射手段と、
欠陥が存在しない場合の前記パターンの固有振動数で前記基体を振動させる加震手段と、
振動させられている前記基体から発生する光を検出する検出手段と、
前記検出手段からの信号を処理して前記散乱光による前記基体の画像を生成し、前記複数のパターンのそれぞれの間で揺れ方の相違があるかどうかを検査し、検査結果から欠陥の有無を判定する判定手段と、
を備える欠陥検査装置。
【請求項３】
前記照射手段は、ＤＵＶレーザ光を照射し、
前記判定手段は、前記基体からの反射光の周波数を検査することにより前記欠陥の有無を判定することを特徴とする請求項２に記載の欠陥検査装置。
【請求項４】
複数のパターンが形成された基体に光を照射する工程と、
欠陥が存在しない場合の前記パターンの固有振動数で前記基体を振動させる工程と、
振動させられている前記基体から発生する光を検出する工程と、
検出により得られた信号を処理して前記散乱光による前記基体の画像を生成し、前記複数のパターンのそれぞれの間で揺れ方の相違があるかどうかを検査し、検査結果から欠陥の有無を判定する工程と、
を備える欠陥検査方法。
【請求項５】
前記基体に照射される光は、前記固有振動数に同期する周期でパルス状に発生する光であり、
前記欠陥の有無は、前記基体から発生する散乱光の強度をパターン毎に検査することにより検出される、
ことを特徴とする請求項４に記載の欠陥検査方法。
【請求項６】
前記基体に照射される光は、ＤＵＶレーザ光であり、
前記欠陥の有無は、前記基体からの反射光の周波数を検査することにより判定される、
ことを特徴とする請求項４に記載の欠陥検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、欠陥検査装置および欠陥検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子デバイスの高集積化に伴い、パターンのアスペクト比が一層高くなっている。
【０００３】
電子デバイスの一例として半導体メモリを取り挙げると、高集積化に伴ってその構造が三次元化し、製造プロセス中で高アスペクトの深溝形状のパターン（以下、単に「深溝パターン」という）が形成されている（図１参照）。
【０００４】
深溝パターンの表面部から下、特に底部に欠陥が存在する場合、これを検出するために、ウェーハ表面から光を照射する方式の従来の検査手法を使用しただけでは、照射光が溝の底まで到達しないために欠陥からの反射光が十分得られない場合があり、検出することが困難になってきている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２６８１９９号公報
【特許文献２】特開２００３−０８３９０７号公報
【特許文献３】特開２００３−０９８１１３号公報
【特許文献４】特開２００３−２７１９２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、高アスペクトの深溝パターンに存在する欠陥を高い精度で検出できる欠陥検査装置および欠陥検査方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態の欠陥検査装置は、照射手段と、加震手段と、検出手段と、判定手段とを持つ。前記照射手段は、複数のパターンが形成された基体に光を照射する。前記加振手段は、欠陥が存在しない場合の前記パターンの固有振動数で前記基体を振動させる。前記検出手段は、振動させられている前記基体から発生する光を検出する。前記判定手段は、前記検出手段からの信号を処理して前記散乱光による前記基体の画像を生成し、前記複数のパターンのそれぞれの間で揺れ方の相違があるかどうかを検査し、検査結果から欠陥の有無を判定する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】深溝パターンの一例を示す図。
【図２】固有振動数に関する説明図。
【図３】実施形態１による欠陥検査装置の概略構成を示すブロック図。
【図４】散乱光の静止画像とパターン欠陥との関係を説明する図。
【図５】実施形態２による欠陥検査装置の概略構成を示すブロック図。
【図６】周波数−信号強度の分布の相互比較により欠陥を検出する方法の一例を説明する図。
【図７】ラインパターンを加工して得られた、短冊状に区切られたパターンの一例を示す図。
【図８】固有振動数の算出例の説明図。
【図９】図８に示す例についての固有信号数の算出結果の一例を示す図。
【図１０】実施形態１による欠陥検査方法の概略手順を示すフローチャート。
【図１１】図１０の手順のうち、深溝パターンの揺れ具合を検査するための具体的手順の一例を示すフローチャート。
【図１２】図１０の手順のうち、深溝パターンの揺れ具合を検査するための具体的手順の他の一例を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（１）検査対象と実施形態の依拠する原理
実施形態を説明する前に、検査の対象となる深溝パターンと実施形態が依拠する固有振動数の相違について概説する。
【００１０】
図１（ａ）は、高アスペクト深溝パターンの一例を示す分解斜視図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。  
図１に示す深溝パターンは幅２０ｎｍ、高さ７００ｎｍのパターンが互いに２０ｎｍの間隔を有するように所定方向に繰り返し形成されたライン・アンド・スペース（以下、単に「Ｌ／Ｓ」という）のパターンである。そして、そのアスペクト比は７００／２０＝３５となっている。このような深溝パターンに従来の光学式検査装置を使用するだけでは、溝の底にまで届く光の量が少ないため、欠陥からの反射光強度が低く、充分な精度の欠陥検出が困難であった。なお、本願明細書において、高アスペクトとは、アスペクト比が２０以上であることを意味する。
【００１１】
図２は、以下の実施形態が依拠する原理を説明する図である。図２（ａ）は図１（ｂ）中のパターンＰ３〜Ｐ５の部分拡大図である。これらのパターンを構造力学上の片持ち梁と見立てると、溝の底部に欠陥が存在する場合と存在しない場合とで片持ち梁の固有振動数が相違する。この点に着目すると、固有振動数の相違を利用した共振現象から深溝内に存在する欠陥を検出することができる。
【００１２】
より具体的には、図２（ａ）の図を９０°右回転させた図２（ｂ）を用いて説明する。欠陥ＤＦ１を間に挟むパターンＰ３およびＰ４を一つの片持ち梁Ａと見立て、周囲の溝内に欠陥が存在しないパターンＰ５をもう一つの片持ち梁Ｂと見立て、それぞれの固有振動数をＦＡおよびＦＢとすると、図２（ｃ）に示すように、
固有振動数Ｆ＝（１／（２π））（λ／Ｌ）（（（ＥＩ）／（ρＡ））１／２）          …（式１）
（Ｅ：ヤング率、Ｉ：断面二次モーメント、ρ：密度、Ａ：断面積、λ：振動モード）
であるから、片持ち梁Ａ，Ｂの固有振動数は互いに異なる、すなわち、
ＦＡ≠ＦＢ
であることは明らかである。
【００１３】
そこで、例えば欠陥が存在しないパターンＰ５の固有振動数ＦＢでＬ／Ｓパターンを振動させ、パターン表面の揺れ具合をモニタすれば、欠陥の検出が可能になる。
【００１４】
以下、上述の原理を利用した実施形態のいくつかについて説明する。添付図面において同一の部分には同一の参照符号を付し、その重複説明は適宜省略する。
【００１５】
（２）実施形態１
（Ａ）欠陥検査装置
図３は、実施形態１による欠陥検査装置の概略構成を示すブロック図である。  
本実施形態の欠陥検査装置１は、光源１０、鏡筒２０、制御部３０、メモリＭＲ、ステージ４０、ステージコントローラ５０、検出器６０、信号処理部７０、欠陥判定部８０および演算部９０を備える。  
光源１０は、本実施形態においてパルス状の光Ｌ１を照射する。鏡筒２０は、ハーフミラーＨＭおよび対物レンズ２２を含む光学系を含み、光Ｌ１をハーフミラーで反射してその光路をウェーハＷに向け、対物レンズ２２で焦点位置を制御してウェーハＷに照射させる。
【００１６】
対物レンズ２２は、電気的に屈折率を変えるＥＯ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ−Ｏｐｔｉｃａｌ）素子で形成され、制御部３０から与えられる制御信号に従って光Ｌ１のフォーカス位置を変更する。
【００１７】
ウェーハＷ上には検査対象であるＬ／Ｓの深溝パターンが形成されている。ウェーハＷは、本実施形態において例えば基体に対応する。  
光Ｌ１はウェーハＷで反射し、反射光Ｌ２が鏡筒２０に入射する。鏡筒２０は反射光Ｌ２に対しハーフミラーＨＭを透過させて検出器６０に導く。これにより、検出器６０の検出面でＬ／Ｓの溝パターンを含むウェーハＷの表面の光学像が結像される。
【００１８】
ステージ４０は、ウェーハＷを載置するとともに、ステージコントローラ５０から与えられる制御信号に従い、ウェーハＷをウェーハ面に水平な方向で移動させる。これにより、ウェーハＷはウェーハ面に水平な方向で光Ｌ１により走査される。ステージ４０はまた、水晶等で構成される高周波の振動子ＶＢを含む。振動子ＶＢは、所望の振動数でウェーハＷを加振させて深溝パターンを共振させる。
【００１９】
ステージコントローラ５０は、制御部３０からの指令信号に従い、ステージ４０を駆動するための制御信号を生成するとともに、振動子ＶＢを駆動するための制御信号をも生成する。振動子ＶＢ、ステージコントローラ５０および制御部３０は、本実施形態において、例えば加振手段に対応する。
【００２０】
検出器６０は、その検出面で結像した光Ｌ２を光電変換して検出信号を出力する。検出器６０は、例えば赤外ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）または光電子増倍管などにより構成される。ただし、これらに限定されるわけではなく、結像された像の光を光電変換できるものを適宜選択することができる。  
信号処理部７０は、検出器６０から与えられる検出信号を処理して深溝パターンを含むウェーハＷの表面の光学像を生成する。本実施形態では、光源１０からパルス状の光が照射されるので、生成される光学像は散乱光の静止画像となる。
【００２１】
欠陥判定部８０は、信号処理部７０から与えられる画像を相互に比較して散乱光に強度の相違があるかどうかを検出し、これにより、深溝パターンにおける欠陥の有無などを判定する。本実施の形態において、欠陥判定部８０は例えば判定手段に対応する。
【００２２】
メモリＭＲには、後述する欠陥検査方法を実行するための検査アルゴリズムが記述されたレシピファイルが格納され、また、三次元の位置情報を含む、検査対象である深溝パターンの設計データベースが格納される。  
制御部３０は、メモリＭＲからレシピファイルを読み込んで、ファイルに記述された検査アルゴリズムに従って上述した各種の制御信号を生成し、ステージコントローラ５０、対物レンズ２２、欠陥判定部８０および演算部９０へ与える。
【００２３】
演算部９０は、制御部３０がメモリＭＲから読み出した深溝パターンの設計データから各パターンの固有振動数を検査に先立って算出する。
【００２４】
（Ｂ）欠陥検査方法
次に、図３に示すパターン検査装置１を用いて欠陥検査を行う方法について説明する。
まず、検査に先立って、演算部９０により、深溝パターンを構造力学上の片持ち梁と見立ててその固有振動数を求める。このときの固有振動数は、欠陥が無いものと仮定した場合の固有振動数である。
【００２５】
次に、制御部３０は、演算部９０により算出された固有振動数で振動子ＶＢが振動するように制御信号を生成し、ステージコントローラ５０を介して振動子ＶＢに供給する。これにより、算出された固有振動数でステージ４０が加振され、深溝パターンが共振する。この共振により、欠陥の無いパターンは欠陥のあるパターンと比べて大きく振動することになる。このことから、深溝パターンの頂面およびその近傍（以下、深溝パターンの「頂面部」という）の揺れ具合をモニタすることにより、欠陥の有無、およびその位置を検出することが可能になる。
【００２６】
本実施形態では、光源１０からパルス状の光をウェーハＷに照射し、各パターンからの散乱光を検出器６０により検出し、得られた静止画像中の反射強度の相違から欠陥の有無および位置を検出する。
【００２７】
より具体的には、振動子ＶＢによる深溝パターンへの加振に同期させて制御部３０が光源１０からパルス状の光Ｌ１を照射させる。このときのパルス周期としては、演算部９０により予め算出された固有振動数を用いる。光Ｌ１は、ハーフラーＨＭで反射して対物レンズ２２でその焦点位置が調整され、深溝パターンへ照射する。深溝パターンの頂面部から発生する光Ｌ２は散乱光となって鏡筒２０、ハーフミラーＨＭを通過して検出器６０で検出される。検出器６０により検出された信号は信号処理部７０へ供給され、信号処理部７０により、深溝パターンを構成するパターンのそれぞれについて散乱光の静止画像が生成される。
【００２８】
図４は、散乱光の静止画像とパターン欠陥との関係を説明する図である。図４に示す例では、ウェーハＷ上の深溝パターンのうち、パターンＰ１〜Ｐ６が示され、それぞれのこれらの頂面部からの散乱光静止画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇ６が各パターンに対応付けて示されている。図４中、下向きの直線矢印は、予め算出された固有振動数と同じ周期でパルス状に照射される入射光Ｌ１を表し、上向きの破線矢印は、ウェーハＷの表面からの散乱光Ｌ２を表す。また、符号ＦＬは共振による「梁たわみ」を表し、各パターンを表す実線の近傍に描かれる破線は共振によりパターンがたわむ様子を表す。
【００２９】
図４中のパターンＰ１，Ｐ２およびパターンＰ５，Ｐ６には欠陥が無く、これらの静止画像Ｉｍｇ１，Ｉｍｇ２，Ｉｍｇ５およびＩｍｇ６には低輝度の楕円パターンが描かれている。この一方、パターンＰ３およびＰ４は、その間の底面に欠陥ＤＦ１が形成されており、このため、パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ５，Ｐ６ほどには振動しない。その結果、これらのパターンの頂面部からの散乱光の静止画像Ｉｍｇ３，Ｉｍｇ４には、Ｉｍｇ１，Ｉｍｇ２，Ｉｍｇ５およびＩｍｇ６と著しく輝度が異なる楕円パターン、本例では高輝度の楕円パターンが描かれている。なお、図４の例では、静止画像Ｉｍｇ１，Ｉｍｇ２，Ｉｍｇ５およびＩｍｇ６中の楕円パターンが低輝度で、静止画像Ｉｍｇ３，Ｉｍｇ４中の楕円パターンが高輝度である場合を示したが、パルス光と振動子ＶＢとの同期の取り方に依存して、これとは逆に静止画像Ｉｍｇ１，Ｉｍｇ２，Ｉｍｇ５およびＩｍｇ６中の楕円パターンが高輝度で、静止画像Ｉｍｇ３，Ｉｍｇ４中の楕円パターンが低輝度である場合も勿論ある。
【００３０】
そして、欠陥判定部８０は、このような散乱光の静止画像Ｉｍｇ１〜Ｉｍｇ６における反射強度の相違を検出し、パターンＰ３，Ｐ４の間に欠陥ＤＦ１が存在するものと判定する。
【００３１】
図１０および図１１のフローチャートを参照しながら、本実施形態の欠陥検査方法の手順を説明する。図１０は本実施形態の欠陥検査方法の概略手順を示すフローチャートであり、図１１は、図１０の手順のうち、ステップＳ３０の具体的手順を示すフローチャートである。
【００３２】
まず、検査に先立って、検査対象である深溝パターンの固有振動数を予め算出しておく（ステップＳ１０）。
【００３３】
次に、算出された固有振動数で、深溝パターンが形成されたウェーハを加振する（ステップＳ２０）。
【００３４】
次いで、深溝パターンの頂面部の揺れ具合を検査する（ステップＳ３０）。
【００３５】
最後に、深溝パターンの頂面部の揺れ具合を検査した結果から欠陥の有無を判定し（ステップＳ４０）、概略位置を特定する。
【００３６】
深溝パターンの頂面部の揺れ具合の検査方法の具体的手順について図１１のフローチャートを参照しながら説明する。
【００３７】
本実施形態では、予め算出した固有振動数のパルス周期の光をウェーハＷに照射し、散乱光イメージをパターン毎に取得する（ステップＳ３１）。そして、各パターンについて得られた散乱光イメージの間で反射強度に相違があるかどうかを調べ、相違がある場合には欠陥があるものと判定し（ステップＳ３２）、概略位置を特定する。
【００３８】
（３）実施形態２
（Ａ）欠陥検査装置
図５は、実施形態２による欠陥検査装置の概略構成を示すブロック図である。図３との対比により明らかなように、本実施形態の欠陥検査装置２は、図３の欠陥検査装置１の光源１０および検出部６０に換えて、光源１２および検出部６２を備える。欠陥検査装置２のその他の構成は、図３の欠陥検査装置１と実質的に同一である。
【００３９】
光源１２は、高コヒーレンスのＤＵＶレーザ光を発光する。また、検出部６２は、深溝パターンからの反射光の周波数を高い分解能で検出できる周波数分解光学系を含む。
【００４０】
（欠陥検査方法）
次に、図５に示すパターン検査装置２を用いて欠陥検査を行う方法について説明する。
演算部９０により深溝パターンの固有振動数を予め算出する点、算出された固有振動数で振動子ＶＢによりステージ４０を加振して深溝パターンを共振させる点は、前述した実施形態１と同様である。本実施形態の特徴は、深溝パターンの頂面部の揺れ具合をモニタする方法にあり、パターン頂面部からの反射光の振動数の相違から欠陥の有無および位置を検出する点にある。
【００４１】
本実施形態では、光源１２から高コヒーレンス、例えば、コヒーレンス長：８３３［ｍ］以下のＤＵＶレーザ光Ｌ１を照射する。これは、高速をｃ、共振振動数をｆとした場合、Ｌ＝ｃ／ｆで定義されるコヒーレンス長は共振周波数（ｆ：３６０［ｋＨｚ］）より短ければいいので、Ｌ＝３．０×１０８［ｍ／ｓ］／３６０［ｋＨｚ］＝８３３［ｍ］）がコヒーレンス長の上限となる。パターン頂面部からの反射光を検出部６２により検出し、その検出信号から、所定の周波数帯域に亘る信号強度の分布を、各パターンに対応付けて求める。欠陥が無いパターンは、予め算出された固有振動数で共振するので、これらのパターン同士で信号強度の分布に相違は無い。この一方、欠陥があるパターンは、予め算出された固有振動数では共振しないため、欠陥が無いパターンよりも頂面部の揺れが少ない。
【００４２】
従って、周波数−信号強度の分布を、例えば隣り合うパターン同士で比較すれば、強度分布が大きく変化した場合にパターンの欠陥があると判断することができる。周波数−信号強度の分布の比較は、例えば隣り合うパターンで差分を取ることにより容易に実行することができる。
【００４３】
図６は、周波数−信号強度の分布の比較による欠陥検出方法の一例を説明する図である。
【００４４】
信号強度のグラフＧＬ１はＤＵＶレーザ光Ｌ１の信号強度分布を、信号強度のグラフＧ１１，Ｇ１２は、ウェーハＷ上の深溝パターンのうちのパターンＰ１１，Ｐ１２からの反射光の信号強度分布を、周波数−信号強度のグラフにそれぞれプロットしたものである。図６に示すように、パターンＰ１２とＰ１３との間の底面に欠陥ＤＦ２が形成されているためグラフＧ１１とＧ１２とでは分布状況が変化し、その差分グラフＧ（１１−１２）で強度分布の相違を確認することができる。以上のグラフ作成および差分演算は信号処理部７０により実行される。欠陥判定部８０は、このような信号強度分布の相違を検出してパターンＰ１２に欠陥ＤＦ２が存在するものと判定する。
【００４５】
このように、以上述べた少なくともひとつの実施形態の欠陥検査装置および欠陥検査方法によれば、高アスペクトな深溝形状のパターンの溝底，溝途中に存在する欠陥を検出することが可能になる。
【００４６】
図１２のフローチャートを参照しながら、本実施形態の欠陥検査方法の手順を説明する。前述した通り、本実施形態の欠陥検査方法の概略手順は図１０のフローチャートに示した通りであり、ここでは、図１０の手順のうちステップＳ３０に関する、本実施形態に特有の具体的手順について説明する。
【００４７】
すなわち、高コヒーレントなＤＵＶレーザ光をウェーハＷに照射し（ステップＳ３６）、反射光の周波数を周波数分光光学系にて検出する（ステップＳ３７）。得られた周波数をパターン間で比較し、差異があるかどうかを調べ、差異がある場合には欠陥が有るものと判定する（ステップＳ３８）。
【００４８】
以上述べた欠陥検査方法では、Ｌ／Ｓパターン中のどのパターンの間に欠陥があるかを判定することができるが、パターンの長手方向に沿った方向内のどの位置にパターンが存在するかを特定することまではできない。そこで、図７に示すように、ラインパターンを加工して短冊状に区切られたパターンとし、これに対して上述した欠陥検査を行うと、より詳細な欠陥検出が可能になる。
【００４９】
図７の紙面上段に示す例では、パターンＰ１〜Ｐ４を含むＬ／Ｓの深溝パターンにおいてパターンＰ２とＰ３との間に欠陥ＤＦ３が存在することが上述した欠陥検査方法で判明したが、パターンの長手方向に沿った位置、すなわち、Ｙ方向の位置までは特定できない。
【００５０】
そこで、フォトレジストを用いたパターニングなどにより、図７の紙面下段に示すように、パターンＰ１〜Ｐ４を短冊状に区切られたパターンＰ２１〜Ｐ２４，Ｐ２１〜Ｐ２４，Ｐ２１〜Ｐ２４，Ｐ２１〜Ｐ２４に一旦加工し、これに対して上述した欠陥検査を行うと、欠陥ＤＦ３がパターンＰ３２とＰ４２の間に位置することが判明し、ＸＹ方向でのより正確な位置まで検出することが可能になる。
【００５１】
（４）固有振動数の算出例
図８は、固有振動数の算出例の説明図である。図８（ａ）は、図７の加工後の短冊状パターンのうち、欠陥が無いパターンＰ４１，Ｐ５１について固有振動数を求めたものである。本例において、短冊状パターンの材質はＳｉＯ２であり、（式１）中の変数について
Ｌ＝７００ｎｍ、ヤング率Ｅ＝８０００［ｋｇｆ／ｍｍ２］、密度ρ＝２．６５×１０−６［ｋｇｆ／ｍｍ３］、Ａ＝５０ｎｍ×２０ｎｍ、断面二次モーメント＝２．１×１０−２０［ｍｍ４］である。
【００５２】
図８（ｂ）は、参考のため、欠陥が形成されたパターンについての固有振動数の求め方を示す。欠陥ＤＦ３がパターンＰ３２，Ｐ４２間に形成されているため、この場合は、パターンＰ３２、欠陥ＤＦ３およびパターンＰ４２の全部を構造力学上の片持ち梁とみなす必要がある。そのため、Ａ＝５０ｎｍ×２０ｎｍ＋２０ｎｍ×２０ｎｍ＋５０ｎｍ×２０ｎｍとなり、断面二次モーメント＝３．３×１０−２０［ｍｍ４］となる。
【００５３】
なお、固有振動数には固有振動モードの問題があるが、本実施例では、振動子ＶＢの加振可能な振動数から、３次モードまで考慮すれば足りると思われる。
【００５４】
図８に示す例についての固有信号数の算出結果の一例を図９に示す。図９に示すように、固有振動数は、いずれのモードにおいても欠陥の有無に応じて異なる。
【００５５】
以上述べた少なくとも一つの欠陥検査装置および欠陥検査方法によれば、アスペクト比の高い深溝形状のパターンについても、溝の底や溝途中に存在する欠陥を高い精度で検出することができる。
【００５６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５７】
１，２…欠陥検査装置、１０，１２…光源、２０…鏡筒、２２…対物レンズ、３０…制御部、３２…ＤＵＶレーザ光源、４０…ステージ、５０…ステージコントローラ、６０，６２…検出器、７０…信号処理部、８０…欠陥判定部、９０…演算部、Ｌ１…パルス状の光、Ｌ２，Ｌ４…反射光、Ｌ３…ＤＵＶレーザ光、ＭＲ…メモリ、Ｓ…ステージ、ＶＢ…振動子、Ｗ…ウェーハ
【図１】
2013068509.tif 000003
【図２】
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【図６】
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【図７】
2013068509.tif 000006
【図８】
2013068509.tif 000007
【図９】
2013068509.tif 000008
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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