(57)【要約】【課題】シリルフォスフェイト（ｓｉｌｙｌ  ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）化合物、リン酸及び脱イオン水を含むエッチング組成物、及びこれを利用するエッチング工程を含む半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明に係るエッチング組成物は、酸化膜に対する窒化膜のエッチング選択比が高い特徴を有するので、酸化膜のエッチングを最小化して、ＥＦＨを容易に調節できる。また、本発明のエッチング組成物を利用すれば、窒化膜の除去時に酸化膜の膜質損傷や酸化膜のエッチングによる電気的特性の低下を防止して、パーティクルの発生が防止されて、工程の安定性を確保し素子特性を向上させることができる。【選択図】図５
2013128109.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式１：
【化１】
2013128109.tif 000012
［式中、Ｒ１は、水素、ヒドロキシル、置換又は非置換の（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル、（Ｃ１−Ｃ２０）アルコキシ、（Ｃ２−Ｃ２０）アルケニル、（Ｃ３−Ｃ２０）シクロアルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルアミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、（Ｃ６−Ｃ２０）アリール、（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルカルボニル、（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルカルボニルオキシ及びシアノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルからなる群より選ばれ、
Ｒ２及びＲ３は、水素、ヒドロキシル、置換又は非置換の（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル、（Ｃ１−Ｃ２０）アルコキシ、（Ｃ２−Ｃ２０）アルケニル、（Ｃ３−Ｃ２０）シクロアルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルアミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、（Ｃ６−Ｃ２０）アリール、（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルカルボニル、（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルカルボニルオキシ、シアノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル及び下記化学式３：
【化２】
2013128109.tif 000013
［式中、Ｒ４及びＲ５は、水素、（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、（Ｃ２−Ｃ１０）アルケニル、（Ｃ３−Ｃ２０）シクロアルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、並びにハロゲン、フェニル及びシクロヘキセンオキシドからなる群より選ばれた一つ以上の置換基に置換された（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルからなる群よりそれぞれ独立的に選ばれる。］
で表される基からなる群よりそれぞれ独立的に選ばれ、
ｎは、１≦ｎ≦４の整数である。］
で表されるシリルフォスフェイト（ｓｉｌｙｌ  ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）化合物、リン酸及び脱イオン水を含むことを特徴とするエッチング組成物。
【請求項２】
Ｒ１は、水素、（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、（Ｃ２−Ｃ１０）アルケニル、（Ｃ３−Ｃ２０）シクロアルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、並びにハロゲン、フェニル及びシクロヘキセンオキシドからなる群より選ばれた一つ以上の置換基に置換された（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルからなる群より選ばれることを特徴とする請求項１に記載のエッチング組成物。
【請求項３】
Ｒ２及びＲ３は、水素、ヒドロキシル、（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、（Ｃ１−Ｃ１０）アルコキシ、（Ｃ２−Ｃ１０）アルケニル、（Ｃ３−Ｃ２０）シクロアルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、一つ以上のフェニルに置換された（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル及び下記化学式３：
【化３】
2013128109.tif 000014
［式中、Ｒ４及びＲ５は、水素、（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、（Ｃ２−Ｃ１０）アルケニル、（Ｃ３−Ｃ２０）シクロアルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、並びにハロゲン、フェニル及びシクロヘキセンオキシドからなる群より選ばれた一つ以上の置換基に置換された（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルからなる群よりそれぞれ独立的に選ばれる。］
で表される基からなる群よりそれぞれ独立的に選ばれることを特徴とする請求項１に記載のエッチング組成物。
【請求項４】
前記エッチング組成物は、シリルフォスフェイト化合物０．０１ないし１５重量％、リン酸７０ないし９９重量％及び残部の脱イオン水を含むことを特徴とする請求項１に記載のエッチング組成物。
【請求項５】
界面活性剤、金属イオン封鎖剤及び腐食防止剤からなる群より選ばれる１種以上の添加剤をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のエッチング組成物。
【請求項６】
前記エッチング組成物は、窒化膜のエッチングに利用されることを特徴とする請求項１に記載のエッチング組成物。
【請求項７】
請求項１に記載のエッチング組成物を利用して行われるエッチング工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記エッチング工程は、窒化膜をエッチングすることを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記エッチング工程は、酸化膜に対して窒化膜を選択的にエッチングすることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
前記窒化膜は、シリコン窒化膜を含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
前記窒化膜のエッチング工程は、５０〜３００℃の温度で行われることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
半導体素子の素子分離工程において、前記エッチング組成物を利用して行われるウェットエッチング工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１３】
基板上に窒化膜を形成するステップと、
前記窒化膜をハードマスクとして利用して、前記基板にトレンチを形成するステップと、
前記トレンチを埋め込むように酸化膜を形成するステップと、
前記窒化膜を研磨停止膜として、前記窒化膜が露出するまで化学的機械的平坦化工程を実施するステップと、
前記エッチング組成物を利用してウェットエッチング工程を行い、前記窒化膜を除去するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
フラッシュメモリ素子のチャネル形成工程において、前記エッチング組成物を利用して行われるウェットエッチング工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１５】
基板上に、パイプチャネルを形成するための第１窒化膜が埋め込まれたパイプゲート電極膜を形成するステップと、
前記ステップの工程結果物上に、第１層間絶縁膜及び第１ゲート電極膜が交互に積層されたセルゲート構造物を形成するステップと、
前記セルゲート構造物を選択的にエッチングして、前記第１窒化膜を露出させるように一対の第１及び第２ホールを形成し、一対の当該第１及び第２ホール内に、第２窒化膜を埋め込んで形成するステップと、
前記セルゲート構造物を選択的にエッチングして、複数層の前記第１ゲート電極膜を一方向に分離させるトレンチを形成するステップと、
前記トレンチが形成された工程結果物上に、選択トランジスタを形成するための第２層間絶縁膜及び第２ゲート電極膜を含む選択ゲート構造物を形成するステップと、
前記選択ゲート構造物を選択的にエッチングして、一対の前記第１ホール及び第２ホール内に埋め込まれた前記第２窒化膜を露出させる、第３ホール及び第４ホールを形成するステップと、
前記エッチング組成物を利用してウェットエッチング工程を行い、前記第３ホール及び第４ホールによって露出する前記第２窒化膜及びその下部の前記第１窒化膜を除去するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１４に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１６】
相変化メモリ素子のダイオード形成工程において、前記エッチング組成物を利用して行われるウェットエッチング工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１７】
基板上に、導電領域を露出する開口部を有する絶縁構造物を提供するステップと、
前記開口部内に、前記導電領域に接するダイオードを形成するステップと、
前記ダイオードの上部に、チタニウムシリサイド膜、チタニウム窒化膜及び窒化膜を順に形成するステップと、
ドライエッチング工程を行い、前記ダイオード間の孤立した空間に酸化膜を形成した後、化学的機械的平坦化工程を行うステップと、
前記エッチング組成物を利用してウェットエッチング工程を行い、前記窒化膜を除去するステップと、
前記窒化膜が除去された空間にチタニウムを蒸着して下部電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１６に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチング組成物、特に酸化膜のエッチング率を最小化しながら窒化膜を選択的に除去できる高選択比のエッチング組成物及びこのエッチング組成物を利用したエッチング工程を含む半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程において、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）などの酸化膜及びシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）などの窒化膜は、絶縁膜として代表的に用いられる。これらの酸化膜及び窒化膜は、それぞれ単独で又は１層以上の膜が交互に積層されて使用される。また、このような酸化膜及び窒化膜は、金属配線などの導電性パターンを形成するためのハードマスクとしても利用される。
【０００３】
窒化膜を除去するためのウェットエッチング工程では、一般にリン酸（ｐｈｏｓｐｈｏｒｉｃ  ａｃｉｄ）と脱イオン水（ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ  ｗａｔｅｒ）との混合物が使用されている。脱イオン水は、エッチング率の減少及び酸化膜に対するエッチング選択性の変化を防止するために添加される。しかし、供給される脱イオン水の量の微細な変化にも窒化膜のエッチング除去工程に不良が発生するという問題がある。また、リン酸は、強酸として腐食性を有しているから、取り扱いに難しさがある。
【０００４】
これを解決するために、従来では、フッ酸（ＨＦ）及びリン酸（Ｈ３ＰＯ４）、又は硝酸（ＨＮＯ３）及びリン酸（Ｈ３ＰＯ４）を含むエッチング組成物を利用して窒化膜を除去する技術が公知されたが、むしろ窒化膜と酸化膜とのエッチング選択比を阻害させる結果をもたらした。また、リン酸とケイ酸塩、又はリン酸とケイ酸を含むエッチング組成物を利用する技術も公知であるが、ケイ酸やケイ酸塩は、基板に影響を及ぼし得るパーティクル発生を誘発して、むしろ半導体製造工程に適していないという問題点がある。
【０００５】
図１Ａ及び図１Ｂは、フラッシュメモリ素子の素子分離工程を示す工程断面図である。
【０００６】
まず、図１Ａに示すように、基板１０上にトンネル酸化膜１１、ポリシリコン膜１２、バッファ酸化膜１３及びパッド窒化膜１４を順に形成する。次いで、ポリシリコン膜１２、バッファ酸化膜１３及びパッド窒化膜１４を選択的にエッチングしてトレンチを形成する。次に、トレンチをギャップ充填するまでＳＯＤ酸化膜１５を形成する。次に、パッド窒化膜１４を研磨停止膜としてＳＯＤ酸化膜１５に対してＣＭＰ工程を実施する。
【０００７】
次に、図１Ｂに示すように、リン酸溶液を利用したウェットエッチングによってパッド窒化膜１４を除去した後、洗浄工程によってバッファ酸化膜１３を除去する。これにより、フィールド領域に素子分離膜１５Ａが形成される。しかしながら、このようなパッド窒化膜１４を除去するためのウェットエッチング工程においてリン酸を利用する場合、窒化膜と酸化膜とのエッチング選択比の低下によって、パッド窒化膜１４だけでなくＳＯＤ酸化膜１５までエッチングされて、酸化膜の実効高さ（Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｏｘｉｄｅ  Ｈｅｉｇｈｔ；ＥＦＨ）を調節することが難しくなる。これにより、窒化膜を除去するための十分なウェットエッチング時間を確保することができなかったり、追加的な工程を必要とするようになり、変化を誘発して素子特性に悪影響を及ぼすようになる。
【０００８】
そのため、半導体製造工程において酸化膜に対して窒化膜を選択的にエッチングしながらも、パーティクルの発生のような問題点を有しない高選択比のエッチング組成物が求められているのが実情である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、酸化膜のエッチング率を最小化しながらも窒化膜を選択的に除去でき、素子特性に悪影響を及ぼすパーティクルの発生などの問題点を有しない高選択比のエッチング組成物、及びこれを利用した半導体素子の製造方法を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するための本発明の一側面は、下記化学式１：
【００１１】
【化１】
2013128109.tif 000003
【００１２】
［式中、Ｒ１は、水素、ヒドロキシル、置換又は非置換の（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル、（Ｃ１−Ｃ２０）アルコキシ、（Ｃ２−Ｃ２０）アルケニル、（Ｃ３−Ｃ２０）シクロアルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルアミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、（Ｃ６−Ｃ２０）アリール、（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルカルボニル、（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルカルボニルオキシ及びシアノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルからなる群より選ばれ、
Ｒ２及びＲ３は、水素、ヒドロキシル、置換又は非置換の（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル、（Ｃ１−Ｃ２０）アルコキシ、（Ｃ２−Ｃ２０）アルケニル、（Ｃ３−Ｃ２０）シクロアルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルアミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、（Ｃ６−Ｃ２０）アリール、（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルカルボニル、（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルカルボニルオキシ、シアノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル及び下記化学式３：
【００１３】
【化２】
2013128109.tif 000004
【００１４】
［式中、Ｒ４及びＲ５は、水素、（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、（Ｃ２−Ｃ１０）アルケニル、（Ｃ３−Ｃ２０）シクロアルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、及びハロゲン、フェニル及びシクロヘキセンオキシドからなる群より選ばれた一つ以上の置換基に置換された（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルからなる群よりそれぞれ独立的に選ばれる。］
で表される基からなる群よりそれぞれ独立的に選ばれ、
ｎは、１≦ｎ≦４の整数である。］
で表されるシリルフォスフェイト（ｓｉｌｙｌ  ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）化合物、リン酸及び脱イオン水を含むエッチング組成物を提供する。
【００１５】
また、本発明の他の一側面は、前記シリルフォスフェイト（ｓｉｌｙｌ  ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）化合物、リン酸及び脱イオン水を含むエッチング組成物を利用して行われるエッチング工程を含む半導体素子の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るエッチング組成物は、酸化膜に対する窒化膜のエッチング選択比が高いという特徴を有するので、酸化膜のエッチング速度を調節して、ＥＦＨを容易に調節できる。
【００１７】
また、本発明のエッチング組成物を利用すれば、窒化膜の除去時に酸化膜の膜質の損傷や酸化膜のエッチングによる電気的特性の低下を防止し、パーティクルの発生を防止して、素子特性を向上させることができる。
【００１８】
したがって、本発明は、酸化膜に対して窒化膜の選択的除去が要求される半導体製造工程、例えばフラッシュメモリ素子の素子分離工程、３Ｄフラッシュメモリ素子のパイプチャネル（ｐｉｐｅ  ｃｈａｎｎｅｌ）形成工程、相変化メモリのダイオード形成工程などのような多様な工程に広範囲に適用されて、プロセス効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１Ａ】従来の技術に係るフラッシュメモリ素子の素子分離工程を示す工程断面図である。
【図１Ｂ】従来の技術に係るフラッシュメモリ素子の素子分離工程を示す工程断面図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態に係るエッチング組成物を利用したエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子の素子分離工程を説明するための工程断面図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態に係るエッチング組成物を利用したエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子の素子分離工程を説明するための工程断面図である。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態に係るエッチング組成物を利用したエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子の素子分離工程を説明するための工程断面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態に係るエッチング組成物を利用したエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子のパイプチャネル形成工程を説明するための工程断面図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態に係るエッチング組成物を利用したエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子のパイプチャネル形成工程を説明するための工程断面図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態に係るエッチング組成物を利用したエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子のパイプチャネル形成工程を説明するための工程断面図である。
【図３Ｄ】本発明の一実施形態に係るエッチング組成物を利用したエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子のパイプチャネル形成工程を説明するための工程断面図である。
【図３Ｅ】本発明の一実施形態に係るエッチング組成物を利用したエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子のパイプチャネル形成工程を説明するための工程断面図である。
【図３Ｆ】本発明の一実施形態に係るエッチング組成物を利用したエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子のパイプチャネル形成工程を説明するための工程断面図である。
【図４Ａ】本発明の他の一実施形態に係るエッチング組成物を利用したエッチング工程を含む相変化メモリでのダイオード形成工程を説明するための工程断面図である。
【図４Ｂ】本発明の他の一実施形態に係るエッチング組成物を利用したエッチング工程を含む相変化メモリでのダイオード形成工程を説明するための工程断面図である。
【図５】実施形態４及び５と比較例４のエッチング速度を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の最も好ましい実施形態を説明する。図面において、厚さと間隔は、説明の便宜のために表現されたものであり、実際の物理的厚さに比べて誇張されて示されうる。本発明を説明するに当たって、本発明の要旨と関係のない公知の構成は省略できる。各図面の構成要素に参照番号を付加するにあたって、同じ構成要素については、たとえ他の図面に表示されても、可能な限り同じ符号を付していることに留意すべきである。
【００２１】
図面等は、尺度に合わせられる必要がなく、ある場合、実施形態の特徴を明確に説明するために、比率が誇張され得る。第１層が第２層の「上」または基板の「上」にあるものと表される場合、これは、単に前記第１層が前記第２層または前記基板上に直接的に形成されるという意味だけではなく、第３層が前記第１層と前記第２層、または前記基板間に存在する場合も意味する。
【００２２】
本発明の一側面は、シリルフォスフェイト（ｓｉｌｙｌ  ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）化合物、リン酸及び脱イオン水を含むエッチング組成物に関する。
【００２３】
本発明のエッチング組成物に含まれるシリルフォスフェイト化合物は、下記の化学式２：
【００２４】
【化３】
2013128109.tif 000005
【００２５】
で表される構造を少なくとも一つ以上有することが好ましい。
【００２６】
すなわち、本発明のエッチング組成物に含まれるシリルフォスフェイト化合物は、前記構造のシリルフォスフェイト又はこのようなシリルフォスフェイトの連続構造を有することができる。
【００２７】
特に、シリルフォスフェイト化合物は、下記化学式１：
【００２８】
【化４】
2013128109.tif 000006
【００２９】
［式中、Ｒ１は、水素、ＯＨ、置換又は非置換の（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル、（Ｃ１−Ｃ２０）アルコキシ、（Ｃ２−Ｃ２０）アルケニル、（Ｃ３−Ｃ２０）シクロアルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルアミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、（Ｃ６−Ｃ２０）アリール、（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルカルボニル、（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルカルボニルオキシ及びシアノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルからなる群より選ばれ、
Ｒ２及びＲ３は、水素、ＯＨ、置換又は非置換の（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル、（Ｃ１−Ｃ２０）アルコキシ、（Ｃ２−Ｃ２０）アルケニル、（Ｃ３−Ｃ２０）シクロアルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルアミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、（Ｃ６−Ｃ２０）アリール、（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルカルボニル、（Ｃ１−Ｃ２０）アルキルカルボニルオキシ、シアノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル及び下記の化学式３：
【００３０】
【化５】
2013128109.tif 000007
【００３１】
［式中、Ｒ４及びＲ５は、水素、（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、（Ｃ２−Ｃ１０）アルケニル、（Ｃ３−Ｃ２０）シクロアルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、並びにハロゲン、フェニル及びシクロヘキセンオキシドからなる群より選ばれた一つ以上の置換基に置換された（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルからなる群よりそれぞれ独立的に選ばれる。］
で表される基からなる群よりそれぞれ独立的に選ばれ、
ｎは、１≦ｎ≦４の整数である。］
で表される化合物が好ましい。
【００３２】
本明細書において使用されたように、「（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル」は、１ないし１０個の炭素原子を有する、直鎖及び分枝の非環状飽和炭化水素を示す。
【００３３】
「（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル」は、１ないし２０個の炭素原子を有する、直鎖及び分枝非環状飽和炭化水素を示す。
【００３４】
「（Ｃ２−Ｃ１０）アルケニル」は、２ないし１０個の炭素原子を有し、少なくとも一つの炭素−炭素二重結合を含む、直鎖及び分枝非環状炭化水素を示す。
【００３５】
「（Ｃ２−Ｃ２０）アルケニル」は、２ないし２０個の炭素原子を有し、少なくとも一つの炭素−炭素二重結合を含む、直鎖及び分枝非環状炭化水素を示す。
【００３６】
「（Ｃ１−Ｃ１０）アルコキシ」は、一つ以上のエーテル基、及び１ないし１０個の炭素原子を有する直鎖又は分枝非環状炭化水素を示す。
【００３７】
「（Ｃ１−Ｃ２０）アルコキシ」は、一つ以上のエーテル基、及び１ないし２０個の炭素原子を有する直鎖又は分枝非環状炭化水素を示す。
【００３８】
「（Ｃ３−Ｃ２０）シクロアルキル」は、３ないし２０個の炭素原子を有する環状飽和炭化水素を示す。
【００３９】
「（Ｃ６−Ｃ２０）アリール」は、６ないし２０個の炭素原子を有する芳香族炭化水素を示す。
【００４０】
一実施形態において、Ｒ１は、水素、（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、（Ｃ２−Ｃ１０）アルケニル、（Ｃ３−Ｃ２０）シクロアルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、並びにハロゲン、フェニル及びシクロヘキセンオキシドからなる群より選ばれた一つ以上の置換基に置換された（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルからなる群より選ばれることができる。
【００４１】
他の一実施形態において、Ｒ１は、水素、（Ｃ１−Ｃ６）アルキル、（Ｃ２−Ｃ６）アルケニル、（Ｃ３−Ｃ１０）シクロアルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ６）アルキル、並びにハロゲン、フェニル及びシクロヘキセンオキシドからなる群より選ばれた一つ以上の置換基に置換された（Ｃ１−Ｃ６）アルキルからなる群より選ばれることができる。
【００４２】
一実施形態において、Ｒ２及びＲ３は、水素、ＯＨ、（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、（Ｃ１−Ｃ１０）アルコキシ、（Ｃ２−Ｃ１０）アルケニル、（Ｃ３−Ｃ２０）シクロアルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、一つ以上のフェニルに置換された（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル及び前記化学式３で表される基からなる群よりそれぞれ独立的に選ばれることができる。
【００４３】
他の一実施形態において、Ｒ２及びＲ３は、水素、ＯＨ、（Ｃ１−Ｃ６）アルキル、（Ｃ１−Ｃ６）アルコキシ、（Ｃ２−Ｃ６）アルケニル、（Ｃ３−Ｃ１０）シクロアルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ６）アルキル、一つ以上のフェニルに置換された（Ｃ１−Ｃ６）アルキル及び前記化学式３で表される基からなる群よりそれぞれ独立的に選ばれることができる。
【００４４】
一実施形態において、Ｒ４及びＲ５は、水素、（Ｃ１−Ｃ６）アルキル、（Ｃ２−Ｃ６）アルケニル、（Ｃ３−Ｃ１０）シクロアルキル、アミノ（Ｃ１−Ｃ６）アルキル、並びにハロゲン、フェニル及びシクロヘキセンオキシドからなる群より選ばれた一つ以上の置換基に置換された（Ｃ１−Ｃ６）アルキルからなる群より独立的に選ばれることができる。
【００４５】
他の一実施形態において、Ｒ４及びＲ５は、（Ｃ３−Ｃ２０）シクロアルキル、（Ｃ２−Ｃ１０）アルケニル、アミノ（Ｃ１−Ｃ１０）アルキル、及び一つ以上のハロゲンに置換された（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルからなる群より独立的に選ばれることができる。
【００４６】
また、さらに他の一実施形態において、Ｒ４及びＲ５は、（Ｃ３−Ｃ１０）シクロアルキル、（Ｃ２−Ｃ６）アルケニル、アミノ（Ｃ１−Ｃ６）アルキル、及び一つ以上のハロゲンに置換された（Ｃ１−Ｃ６）アルキルからなる群より独立的に選ばれることができる。
【００４７】
本発明のエッチング組成物に含まれるシリルフォスフェイト化合物は、酸化膜のエッチング速度を調節して酸化膜の実効高さ（Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｏｘｉｄｅ  Ｈｅｉｇｈｔ、「ＥＦＨ」）の調節を容易にすることができる。
【００４８】
エッチング組成物のうち、シリルフォスフェイト化合物の含量は、エッチング組成物の総重量に対して、好ましくは、０．０１ないし１５重量％であり、より好ましくは、０．５ないし１５重量％であり、さらに好ましくは、１ないし１５重量％であり、最も好ましくは、３ないし７重量％である。
【００４９】
シリルフォスフェイト化合物が０．０１重量％未満に含まれる場合に、窒化膜に対する高いエッチング選択比を得ることができない。シリルフォスフェイト化合物が１５重量％を超過して含まれる場合に、含量の増加に応じるもうこれ以上のエッチング選択比の増加を期待することができず、むしろパーティクルの発生などの問題が生じうる。
【００５０】
本発明のエッチング組成物に含まれるリン酸は、エッチング組成物内に水素イオンを提供してエッチングを促進させる役割をする。
【００５１】
リン酸の含量は、エッチング組成物の総重量に対して、好ましくは、７０ないし９９重量％であり、より好ましくは、７０ないし９０重量％、さらに好ましくは、７５ないし８５重量％である。
【００５２】
リン酸が７０重量％未満に含まれる場合、窒化膜が容易に除去されないおそれがあり、パーティクルの発生の恐れがある。リン酸が９９重量％を超過して含まれる場合に、窒化膜に対する高い選択比を得ることはできない。
【００５３】
本発明のエッチング組成物に含まれる水は、特に限定されるものではないが、脱イオン水を利用することが好ましい。
【００５４】
また、本発明のエッチング組成物は、エッチング性能を向上させるために当業界において通常に使用される任意の添加剤をさらに含むことができる。添加剤には、界面活性剤、金属イオン封鎖剤、腐食防止剤などを使用することができる。
【００５５】
このような本発明のエッチング組成物は、シリルフォスフェイト化合物及びリン酸を含むことによって、酸化膜に対する窒化膜の、顕著に高いエッチング選択比を表すので、窒化膜のエッチング工程に利用されることができる。
【００５６】
したがって、エッチング工程において、酸化膜のエッチングを最小化して、ＥＦＨを容易に調節できる。また、窒化膜のエッチング選択的除去時に、酸化膜の膜質の損傷や酸化膜のエッチングによる電気的特性の低下を防止し、パーティクルの発生が防止されて、素子特性を向上させることができる。
【００５７】
本発明の他の一側面による半導体素子の製造方法は、本発明のエッチング組成物を利用して行われるエッチング工程を含む。
【００５８】
一実施形態において、このようなエッチング工程は、窒化膜をエッチングすることを特徴とし、特に酸化膜に対して窒化膜を選択的にエッチングすることを特徴とする。
【００５９】
窒化膜は、シリコン窒化膜、例えばＳｉＮ膜、ＳｉＯＮ膜などを含むことができる。
【００６０】
また、酸化膜は、シリコン酸化膜、例えばＳＯＤ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）膜、ＨＤＰ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐｌａｓｍａ）膜、熱酸化膜（ｔｈｅｒｍａｌ  ｏｘｉｄｅ）、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｐｈｏｓｐｈａｔｅ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜、ＢＳＧ（Ｂｏｒｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜、ＰＳＺ（Ｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅ）膜、ＦＳＧ（Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜、ＬＰＴＥＯＳ（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｔｅｔｒａ  Ｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ）膜、ＰＥＴＥＯＳ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｔｅｔｒａ  Ｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ）膜、ＨＴＯ（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜、ＭＴＯ（Ｍｅｄｉｕｍ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜、ＵＳＧ（Ｕｎｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜、ＡＰＬ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）膜、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）膜、ＰＥ−酸化膜（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｏｘｉｄｅ）、Ｏ３−ＴＥＯＳ（Ｏ３−Ｔｅｔｒａ  Ｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ）膜及びその組み合わせからなる群より選ばれる少なくとも一つ以上の膜でありうる。
【００６１】
本発明のエッチング組成物を利用するエッチング工程は、当業界において周知のウェットエッチング方法、例えば、浸漬法、スプレー法などによってなされることができる。
【００６２】
エッチング工程時に工程温度は、５０〜３００℃の範囲、好ましくは、１００〜２００℃の範囲でありうる。エッチング工程の温度は、他の工程とその他の要因を考慮して必要によって適宜変更されうる。
【００６３】
このように、本発明のエッチング組成物を利用して行われるエッチング工程を含む半導体素子の製造方法によれば、窒化膜と酸化膜とが交互に積層されるか、又は混在されている場合に、窒化膜に対する選択的エッチングが可能である。また、従来のエッチング工程において問題であったパーティクルの発生を防止して、工程の安定性及び信頼性を確保することができる。
【００６４】
したがって、このような方法は、半導体素子の製造工程において酸化膜に対して窒化膜の選択的エッチングが必要な多様な過程に効率的に適用されることができる。
【００６５】
図２Ａないし図２Ｃは、本発明の一実施形態に係るエッチング組成物を利用したエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子の素子分離工程を説明するための工程断面図である。
【００６６】
図２Ａに示すように、基板２０上にトンネル酸化膜２１、ポリシリコン膜２２、バッファ酸化膜２３及びパッド窒化膜２４を順に形成する。
【００６７】
次に、フォト及びエッチング工程を介して、パッド窒化膜２４、バッファ酸化膜２３、ポリシリコン膜２２及びトンネル酸化膜２１を選択的にエッチングして、基板２０の素子分離領域を露出させる。
【００６８】
次に、パッド窒化膜２４をマスクとして利用して、基板２０の露出した領域を選択的にエッチングして、表面から所定の深さを有する複数のトレンチ２５を形成する。
【００６９】
図２Ｂに示すように、複数のトレンチ２５をギャップ充填するまで、基板２０の全面に、例えば化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、「ＣＶＤ」）などを利用して、酸化膜２６を形成する。
【００７０】
次に、パッド窒化膜２４を研磨停止膜として、酸化膜２６に対して化学的機械的平坦化（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；ＣＭＰ）工程を実施する。
【００７１】
次に、ドライエッチングを利用して洗浄工程を実施する。
【００７２】
図２Ｃに示すように、本発明に係るエッチング組成物を利用するウェットエッチング工程によって、パッド窒化膜２４を選択的に除去した後、洗浄工程によってバッファ酸化膜２３を除去する。これにより、フィールド領域に素子分離膜２６Ａが形成される。
【００７３】
図２Ｃに示すように、本発明においては、酸化膜に対する窒化膜のエッチング選択比の高い、高選択比のエッチング組成物を利用することによって、ＳＴＩパターンにギャップ充填される酸化膜のエッチングは最小化し、かつ十分な時間の間に窒化膜を完全に選択的に除去できる。これにより、酸化膜の実効高さ（ＥＦＨ）を容易に制御でき、酸化膜の損傷やエッチングによる電気的特性の低下及びパーティクルの発生を防止して、素子特性を向上させることができる。
【００７４】
前記実施形態は、フラッシュメモリ素子に対して説明されたが、本発明に係る高選択比のエッチング組成物は、ＤＲＡＭ素子の素子分離工程にももちろん適用可能である。
【００７５】
図３Ａ〜図３Ｆは、本発明の他の一実施形態に係るエッチング組成物を利用したエッチング工程を含むフラッシュメモリ素子のチャネル形成工程を説明するための工程断面図である。
【００７６】
図３Ａに示すように、基板３０上に、パイプチャネルを形成するための窒化膜３２が埋め込まれたパイプゲート電極膜３１を形成する。パイプゲート電極膜３１をなす第１及び第２導電膜３１Ａ及び３１Ｂは、例えば、不純物がドーピングされたポリシリコンを含むことができる。
【００７７】
さらに具体的に、基板３０上に第１導電膜３１Ａを形成し、第１導電膜３１Ａ上に窒化膜を蒸着し、この窒化膜をパターニングして、パイプチャネルを形成するための窒化膜３２を形成する。次いで、窒化膜３２によって露出する第１導電膜３１Ａ上に第２導電膜３１Ｂを形成する。この第１導電膜３１Ａ及び第２導電膜３１Ｂがパイプゲート電極膜３１をなす。
【００７８】
次に、前記した工程結果物上に、垂直方向に積層される複数のメモリセルを形成するために、第１層間絶縁膜３３及び第１ゲート電極膜３４を交互に積層する。以下、説明の便宜のために、第１層間絶縁膜３３及び第１ゲート電極膜３４が交互に積層された構造物をセルゲート構造物ＣＧＳとする。
【００７９】
ここで、第１層間絶縁膜３３は、複数層のメモリセル間を分離するためのものであって、例えば、酸化膜を含むことができ、第１ゲート電極膜３４は、例えば、不純物がドーピングされたポリシリコンを含むことができる。本実施形態では、複数の第１ゲート電極膜３４が示されているが、これに限定されるものではない。
【００８０】
次に、セルゲート構造物ＣＧＳを選択的にエッチングして、窒化膜３２を露出させる１対の第１及び第２ホールＨ１、Ｈ２を形成する。第１及び第２ホールＨ１、Ｈ２は、メモリセルのチャネルを形成するための空間である。
【００８１】
図３Ｂに示すように、第１ホールＨ１及び第２ホールＨ２内に窒化膜３５を埋め込んで形成する。この窒化膜３５は、後述するトレンチ形成工程（図３Ｃ参照）において、第１ホールＨ１及び第２ホールＨ２によって第１ゲート電極膜３４が露出している場合に発生し得る損傷を防止するためのものである。
【００８２】
図３Ｃに示すように、複数の第１ゲート電極膜３４が第１及び第２ホールＨ１、Ｈ２別に分離されるように、一対の第１ホールＨ１及び第２ホールＨ２間のセルゲート構造物ＣＧＳを選択的にエッチングして、トレンチＳを形成する。
【００８３】
図３Ｄに示すように、トレンチＳ内に犠牲膜３６を埋め込んで形成する。
【００８４】
図３Ｅに示すように、前記した工程結果物上に、選択トランジスタを形成するために第２層間絶縁膜３７、第２ゲート電極膜３８及び第２層間絶縁膜３７を順次に形成する。以下、説明の便宜のために、第２層間絶縁膜３７、第２ゲート電極膜３８及び第２層間絶縁膜３７の積層構造物を選択ゲート構造物ＳＧＳとする。
【００８５】
第２層間絶縁膜３７は、例えば、酸化膜を含むことができ、第２ゲート電極膜３８は、例えば、不純物のドーピングされたポリシリコンを含むことができる。
【００８６】
次に、選択ゲート構造物ＳＧＳを選択的にエッチングして、一対の第１ホールＨ１及び第２ホールＨ２内に埋め込まれた窒化膜３５を露出させる、第３ホールＨ３及び第４ホールＨ４を形成する。第３ホールＨ３及び第４ホールＨ４は、選択トランジスタのチャネルが形成される領域である。
【００８７】
図３Ｆに示すように、第３ホールＨ３及び第４ホールＨ４によって露出する窒化膜３５と、窒化膜３５の下部に位置した窒化膜３２とを、本発明に係るエッチング組成物を利用するウェットエッチング工程によって選択的に除去する。
【００８８】
本工程の結果、メモリセルのチャネル膜が形成される一対のセルチャネルホールＨ５、Ｈ６と、セルチャネルホールＨ５、Ｈ６の下部に配置されて、これらを互いに接続するパイプチャネルホールＨ７とが形成される。このとき、本発明に係る高選択比のエッチング組成物を利用することによって、酸化膜の損失無しで十分な時間の間に窒化膜を完全に選択的に除去して、プロファイルの損失無しでパイプチャネルを正確に形成できる。また、従来に問題であったパーティクルの発生を防止できるから、工程の安定性及び信頼性を確保することができる。
【００８９】
以後、後続の工程、例えばフローティングゲートの形成工程及びコントロールゲートの形成工程などを行って、フラッシュメモリ素子を形成する。
【００９０】
図４Ａ及び図４Ｂは、本発明の他の一実施形態に係るエッチング組成物を利用したエッチング工程を含む相変化メモリ素子でのダイオード形成工程を説明するための工程断面図である。
【００９１】
図４Ａに示すように、基板４０上に、導電領域４１を露出する開口部を有する絶縁構造物が提供される。導電領域４１は、例えばｎ＋不純物領域でありうる。
【００９２】
次に、開口部を一部埋め込むようにポリシリコン膜４２を形成した後、不純物をイオン注入してダイオードを形成する。
【００９３】
次に、ポリシリコン膜４２の上部にチタニウムシリサイド膜４３を形成する。チタニウムシリサイド膜４３は、チタニウム膜を形成した後、ポリシリコン膜４２と反応するように熱処理することで形成することができる。
【００９４】
次に、チタニウムシリサイド膜４３の上部にチタニウム窒化膜４４及び窒化膜４５を順に形成する。
【００９５】
次に、ハードマスクを利用したドライエッチング工程を行って、ダイオード間の孤立した空間に酸化膜４６を形成した後、ＣＭＰ工程を行って、各々が互いに分離された下部電極の１次構造を形成する。
【００９６】
図４Ｂに示すように、前記した工程結果物に、本発明に係るエッチング組成物を利用するウェットエッチング工程を実施して、上部の窒化膜４５を選択的に除去する。このように、窒化膜の除去時に、本発明に係る高選択比のエッチング組成物を利用することによって、酸化膜の損失無しで十分な時間の間に窒化膜を完全に選択的に除去できる。また、酸化膜の膜質損傷や酸化膜のエッチングによる電気的特性の低下及びパーティクルの発生を防止して、素子特性を向上させることができる。
【００９７】
次に、窒化膜４５の除去された空間にチタニウムを蒸着して、下部電極を形成する。
【００９８】
前述した工程の他にも、本発明のエッチング組成物を利用して行われるエッチング工程を含む半導体素子の製造方法は、特に窒化膜の選択的除去が要求される工程、例えば、窒化膜と酸化膜とが交互に積層されたり混在している場合に窒化膜に対する選択的エッチングが要求される工程に効率的に適用可能である。
【００９９】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明をさらに詳細に説明する。しかしながら、本発明がこれらに制限されるものではないことは、当業者にとって自明に理解されるであろう。
【実施例】
【０１００】
［実施例１ないし１２］
下記の表１に示したように、前記化学式１で表されるシリルフォスフェイト化合物及びリン酸を、組成物総重量に対して表示された各重量比で混合し、残部は脱イオン水として、本発明に係るエッチング組成物を製造した。８５％リン酸水溶液がこの実施例などに使用された。このエッチング組成物を利用して、１５７℃の工程温度で窒化膜及び酸化膜に対するエッチングを実施した。薄膜厚の測定装置であるエリプソメーター（ＮＡＮＯ  ＶＩＥＷ、ＳＥＭＧ−１０００）を利用して、窒化膜及び酸化膜に対するエッチング速度及びエッチング選択比を測定して表２に示す。エッチング速度は、各膜を３００秒間エッチングした後、各膜のエッチング処理前の膜厚とエッチング処理後の各膜厚との差を測定することにより決定された。したがって、エッチング速度は、前記厚さの差をエッチング時間（分）で分けて算出することにより得られた。エッチング選択比は、酸化膜エッチング速度に対する窒化膜のエッチング速度の比を示す。
【０１０１】
【表１】
2013128109.tif 000008
【０１０２】
【表２】
2013128109.tif 000009
【０１０３】
［比較例１ないし３］
比較例１では、リン酸を利用して、１５７℃の工程温度でエッチング速度及びエッチング選択比を前記実施例と同様に測定した。また、比較例２では、リン酸にフッ酸０．０５％を添加した混合物を利用して、フッ酸が添加された工程で可能な低温工程である１３０℃の工程温度でエッチングを行った。比較例３では、比較例２と同じ混合物を利用して、前記実施例と同じ１５７℃の工程温度でエッチングを行った。比較例２及び３では、エッチング速度及びエッチング選択比を前記実施例と同様に測定した。比較例１ないし３で利用されたリン酸は、８５％水溶液であった。比較例１ないし３の評価結果を下記の表３に示す。
【０１０４】
【表３】
2013128109.tif 000010
【０１０５】
前記表２と表３を比較すると、実施例１ないし１２のエッチング組成物が、比較例１ないし３に比べて、酸化膜に対する窒化膜のエッチング選択比が顕著に高いことを確認することができる。したがって、本発明に係る高選択比のエッチング組成物を利用すれば、酸化膜のエッチング速度を調節してＥＦＨの調節を容易にすることができ、酸化膜の膜質損傷を防止できる。また、従来に問題であったパーティクルの発生を防止でき、工程の安定性及び信頼性を確保することができる。
【０１０６】
［実施例１３、１４及び比較例４］
実施例１３及び１４（それぞれ４％のＳｉＯＰ  ＨＳＰ及び５％のＳｉＯＰ  ＨＳＰで表れる）では、それぞれ４重量％のシリルフォスフェイト化合物（ＣＨ３−Ｓｉ［Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）２］３）及び５重量％のシリルフォスフェイト化合物（ＣＨ３−Ｓｉ［Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）２］３）をそれぞれリン酸と混合した。それぞれの混合物を用いて、混合直後（０時間）、及び８時間経過後、エッチングを行い、窒化膜及び酸化膜に対するエッチング速度及び選択比を測定した。比較例４（（Ｂａｓｅ  ＰＡ））では、リン酸を利用して、前記実施例１３及び１４と同様に、窒化膜及び酸化膜に対するエッチング速度及び選択比を評価した。評価は１６０℃の工程温度でなされた。エッチング速度は、各膜を３００秒間エッチングした後、各膜のエッチング処理前の膜厚とエッチング処理後の膜厚との差を測定することにより決定された。したがって、エッチング速度は、厚さの差をエッチング時間（分）で分けて算出することにより得られた。エッチング選択比は、ＰＳＺ膜エッチング速度に対する窒化膜のエッチング速度の比を示す。評価結果を下記の表４及び図５に示す。
【０１０７】
【表４】
2013128109.tif 000011
【０１０８】
表４及び図５から確認できるように、本発明のエッチング組成物は、従来のリン酸を利用するエッチング組成物に比べて、窒化膜に対して非常に高いエッチング選択比を表した。したがって、このような高選択比のエッチング組成物は、窒化膜の除去時に、酸化膜の膜質の損傷や酸化膜のエッチングによる電気的特性低下及びパーティクルの発生を防止しながら窒化膜を選択的にエッチングすることによって、素子特性を向上させることができる。
【０１０９】
以上説明した本発明は、前述した実施形態及び添付された図面により限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で様々な置換、変形及び変更が可能であるということが、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者にとっては明らかである。
【符号の説明】
【０１１０】
２０、３０、４０      基板
２１      トンネル酸化膜
２２      ポリシリコン膜
２３      バッファ酸化膜
２４      パッド窒化膜
２５      トレンチ
２６      酸化膜
２６Ａ      素子分離膜
３１      パイプゲート電極膜
３２、３５      窒化膜
３６      犠牲膜
３３      第１層間絶縁膜
３４      第１ゲート電極膜
３７      第２層間絶縁膜
３８      第２ゲート電極膜
４１      導電領域
４２      ポリシリコン膜
４３      チタニウムシリサイド膜
４４      チタニウム窒化膜
４５      窒化膜
４６      酸化膜
【図１Ａ】
2013128109.tif 000015
【図１Ｂ】
2013128109.tif 000016
【図２Ａ】
2013128109.tif 000017
【図２Ｂ】
2013128109.tif 000018
【図２Ｃ】
2013128109.tif 000019
【図３Ａ】
2013128109.tif 000020
【図３Ｂ】
2013128109.tif 000021
【図３Ｃ】
2013128109.tif 000022
【図３Ｄ】
2013128109.tif 000023
【図３Ｅ】
2013128109.tif 000024
【図３Ｆ】
2013128109.tif 000025
【図４Ａ】
2013128109.tif 000026
【図４Ｂ】
2013128109.tif 000027
【図５】
2013128109.tif 000028