(57)【要約】      （修正有）【課題】シリコーン材料を主材料として構成される被膜を、ステンレス鋼を主材料として構成される基材に形成したとしても、この基材に対して被膜を優れた密着性をもって成膜することができる基材の前処理方法を提供すること。【解決手段】被膜を優れた密着性をもって成膜することのできる基材の前処理方法は、シリコーン材料を主材料として構成される被膜３が形成され、ステンレス鋼を主材料として構成される基材２１に施されるものであり、前記基材２１の前記被膜３が形成される側の表面におけるＣｒ／Ｆｅが０．０２５以下となる表面処理を施す。【選択図】図２
2013064186.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコーン材料を主材料として構成される被膜が形成され、ステンレス鋼を主材料として構成される基材の前処理方法であって、
前記基材の前記被膜が形成される側の表面におけるＣｒ／Ｆｅが０．０２５以下となる表面処理を施すことを特徴する基材の前処理方法。
【請求項２】
前記表面処理は、前記基材を加熱する加熱処理である請求項１に記載の基材の前処理方法。
【請求項３】
前記加熱処理における加熱温度は、９０℃以上、３００℃以下である請求項２に記載の基材の前処理方法。
【請求項４】
前記表面処理に先立って、前記基材の表面から不純物を除去する除去工程を有する請求項１ないし３のいずれかに記載の基材の前処理方法。
【請求項５】
前記基材に前記表面処理を施すことにより、前記表面の水接触角を４８°以上とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基材の前処理方法。
【請求項６】
前記ステンレス鋼は、ＳＵＳ４３０またはＳＵＳ３１６である請求項１ないし５のいずれかに記載の基材の前処理方法。
【請求項７】
前記被膜は、前記基材に前記シリコーン材料を含有する液状材料を供給することにより、液状被膜を形成した後、前記液状被膜を乾燥および／または硬化して形成されたものである請求項１ないし６のいずれかに記載の基材の前処理方法。
【請求項８】
前記シリコーン材料は、分枝部において下記化学式（１）で表わされる単位構造を有し、連結部において下記化学式（２）および下記化学式（３）のうちの少なくとも一方で表わされる単位構造を有し、末端部において下記化学式（４）および下記化学式（５）のうちの少なくとも一方で表わされる単位構造を有する分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有するものである請求項１ないし７のいずれかに記載の基材の前処理方法。
【化１】
2013064186.tif 000008
［式中、各Ｒ１は、それぞれ独立して、メチル基またはフェニル基を表し、Ｘはシロキサン残基を表す。］
【請求項９】
前記シリコーン材料は、前記分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有するものに、トリメチロールプロパンおよびテレフタル酸がエステル化反応することにより得られたポリエステル樹脂が脱水縮合反応して得られるポリエステル変性シリコーン材料である請求項８に記載の基材の前処理方法。
【請求項１０】
前記シリコーン材料は、前記分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有するものに、エポキシ樹脂が付加反応して得られるエポキシ変性シリコーン材料である請求項８に記載の基材の前処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材の前処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、シリコーン材料を含有する液状材料を用いて形成された接合膜を介して２つの基材同士を接合する接合方法が提案されている（例えば、特許文献１等参照。）。
この接合方法では、まず、この液状材料を用いて少なくとも一方の基材上に接合膜を形成し、その後、この接合膜にエネルギーを付与することにより、その表面付近に接着性を発現させた後、この接着性をもって基材同士を接合する。
【０００３】
しかしながら、本発明者の検討により、接合膜を形成する基材として、ステンレス鋼を主材料として構成されるものを用いた場合には、基材と接合膜との間で剥離が生じてしまい、これら同士の間で十分な接着強度が得られないことが判ってきた。
したがって、ステンレス鋼を主材料として構成されるものを用いた場合であっても、基材と接合膜との間で優れた密着性が得られるような、基材の前処理方法（表面処理方法）の開発が求められている。
また、このような問題は、ステンレス鋼を主材料として構成される基材に形成する接合膜に限らず、例えば、基材の表面を保護する保護膜等についても同様に生じている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−９５５９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、シリコーン材料を主材料として構成される被膜を、ステンレス鋼を主材料として構成される基材に形成したとしても、この基材に対して被膜を優れた密着性をもって成膜することができる基材の前処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の基材の前処理方法は、シリコーン材料を主材料として構成される被膜が形成され、ステンレス鋼を主材料として構成される基材の前処理方法であって、
前記基材の前記被膜が形成される側の表面におけるＣｒ／Ｆｅが０．０２５以下となる表面処理を施すことを特徴する。
これにより、シリコーン材料を主材料として構成される被膜を、ステンレス鋼を主材料として構成される基材に形成したとしても、この基材に対して被膜を優れた密着性をもって成膜することができる。
【０００７】
本発明の基材の前処理方法では、前記表面処理は、前記基材を加熱する加熱処理であることが好ましい。
加熱処理であれば、基材を加熱するという単純な工程で、この基材の表面におけるＣｒ／Ｆｅを０．０２５以下に容易に設定することができる。
本発明の基材の前処理方法では、前記加熱処理における加熱温度は、９０℃以上、３００℃以下であることが好ましい。
これにより、基材の表面におけるＣｒ／Ｆｅを、より確実に０．０２５以下に設定することができる。
【０００８】
本発明の基材の前処理方法では、前記表面処理に先立って、前記基材の表面から不純物を除去する除去工程を有することが好ましい。
除去工程を有することで、前記表面処理の際には、Ｃｒの不動態膜をその表面に確実に露出させることができるため、前記表面処理により、不動態膜を除去して、その表面に鉄酸化膜を確実に形成させることができる。
本発明の基材の前処理方法では、前記基材に前記表面処理を施すことにより、前記表面の水接触角を４８°以上とすることが好ましい。
これにより、基材と被膜との間での密着性がより優れたものとなる。
【０００９】
本発明の基材の前処理方法では、前記ステンレス鋼は、ＳＵＳ４３０またはＳＵＳ３１６であることが好ましい。
これらの材料は特に汎用性に優れることから、このような材料に適用し得る本発明の基材の前処理方法を用いることで、例えば、被膜を介して、各種材料で構成される他の基材と接合することが可能となる。
【００１０】
本発明の基材の前処理方法では、前記被膜は、前記基材に前記シリコーン材料を含有する液状材料を供給することにより、液状被膜を形成した後、前記液状被膜を乾燥および／または硬化して形成されたものであることが好ましい。
これにより、基材に対して密着性に優れた被膜が形成される。
本発明の基材の前処理方法では、前記シリコーン材料は、分枝部において下記化学式（１）で表わされる単位構造を有し、連結部において下記化学式（２）および下記化学式（３）のうちの少なくとも一方で表わされる単位構造を有し、末端部において下記化学式（４）および下記化学式（５）のうちの少なくとも一方で表わされる単位構造を有する分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有するものであることが好ましい。
【化１】
2013064186.tif 000003
［式中、各Ｒ１は、それぞれ独立して、メチル基またはフェニル基を表し、Ｘはシロキサン残基を表す。］
これにより、得られる被膜を、特に膜強度に優れたものとすることができる。
【００１１】
本発明の基材の前処理方法では、前記シリコーン材料は、前記分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有するものに、トリメチロールプロパンおよびテレフタル酸がエステル化反応することにより得られたポリエステル樹脂が脱水縮合反応して得られるポリエステル変性シリコーン材料であることが好ましい。
これにより、被膜は、特に優れた膜強度を発揮するものとなる。
本発明の基材の前処理方法では、前記シリコーン材料は、前記分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有するものに、エポキシ樹脂が付加反応して得られるエポキシ変性シリコーン材料であることが好ましい。
これにより、被膜は、特に優れた膜強度を発揮するものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の基材の前処理方法が適用された接合方法の実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図２】本発明の基材の前処理方法が適用された接合方法の実施形態を説明するための図（縦断面図）であるである。
【図３】本発明の基材の前処理方法を適用して得られたインクジェット式記録ヘッド（液滴吐出ヘッド）を示す縦断面図である。
【図４】図３に示すインクジェット式記録ヘッドを備えるインクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。
【図５】各実施例および各比較例の接合強度（ピール強度）と、水接触角との関係を示すグラフである。
【図６】各実施例および各比較例の接合強度（ピール強度）と、Ｃｒ／Ｆｅとの関係を示すグラフである。
【図７】加熱温度とフッ素元素の割合との関係、および加熱温度とＣｒ／Ｆｅとの関係を示すグラフである。
【図８】ステンレス鋼基板の重量減少率と、加熱温度との関係を示すグラフである。
【図９】加熱処理前後におけるステンレス鋼基板のＸ線光電子分光分析法による分析結果を示すチャートである。
【図１０】接合体の接合強度（ピール強度）と、表面自由エネルギーとの関係を示すグラフである。
【図１１】加熱温度と、表面自由エネルギーとの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の基材の前処理方法を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
なお、以下では、本発明の基材の前処理方法を、基材の接合方法に適用した場合を一例に説明する。
＜接合方法＞
本実施形態の接合方法は、［１］第１の基材２１を用意し、この第１の基材２１に本発明の基材の前処理方法を施す工程と、［２］第１の基材２１にシリコーン材料を含有する液状材料を供給することにより、液状被膜３０を形成する工程と、［３］液状被膜を乾燥および／または硬化して、第１の基材２１に、接合膜３を得る工程と、［４］第１の基材２１に形成された接合膜３にエネルギーを付与することにより、接合膜３の表面付近に接着性を発現させる工程と、［５］第２の基材２２を用意し、接着性が発現した接合膜３を介して第１の基材２１と第２の基材２２とを接触させ、第１の基材２１と第２の基材２２とが接合膜３を介して接合された接合体１を得る工程とを有する。
【００１４】
以下、この接合方法を、工程ごとに詳述する。
図１および図２は、本発明の基材の前処理方法が適用された接合方法の実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図１、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００１５】
［１］まず、第１の基材（基材）２１を用意し、この第１の基材２１に本発明の基材の前処理方法を施す。
［１−１］まず、図１（ａ）に示すように、第１の基材２１を用意する。
この第１の基材２１が、本実施形態では、次工程［３］において、シリコーン材料を主材料として構成される接合膜（被膜）３が構成されるものであり、ステンレス鋼を主材料として構成されるものである。
【００１６】
第１の基材２１の構成材料としては、Ｆｅをベース材料として、Ｃｒを含有するステンレス鋼を主材料とするものであれば特に限定されず、例えば、ＳＵＳ４１０、ＳＵＳ４４０Ｃのようなマルテンサイト系ステンレス鋼、ＳＵＳ４３０のようなフェライト系ステンレス鋼、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３１６のようなオーステナイト系ステンレス鋼等が挙げられ、これらのうちのいずれかを用いることができる。中でも、ＳＵＳ４３０またはＳＵＳ３１６を主材料として構成されるのが好ましい。これらの材料は特に汎用性に優れることから、このような材料に適用し得る本発明の基材の前処理方法を用いることで、接合膜３を介して、各種の第２の基材２２と接合することが可能となる。
【００１７】
また、第１の基材２１の形状は、接合膜３を支持する面を有するような形状であればよく、例えば、板状（層状）、塊状（ブロック状）、棒状等とされる。
なお、本実施形態では、図１、２に示すように、第１の基材２１が板状をなしている。
この場合、第１の基材２１の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。
【００１８】
［１−２］次に、この第１の基材２１に、本発明の基材の前処理方法を施す。
本発明の基材の前処理方法は、シリコーン材料を主材料として構成される接合膜（被膜）３が形成され、ステンレス鋼を主材料として構成される第１の基材（基材）２１に対して施されるものであり、第１の基材（基材）２１の接合膜３が形成される側の表面におけるＣｒ／Ｆｅを０．０２５以下となるように表面処理を施すものである。
ここで、前述した背景技術でも説明したように、ステンレス鋼を主材料として構成される第１の基材２１に、本発明の基材の前処理方法を施すことなく、シリコーン材料を主材料として構成される接合膜（被膜）３を形成すると、第１の基材２１と接合膜３との間で十分な密着性が得られず、これら同士の間で剥離が生じてしまうという問題があった。
【００１９】
本発明者は、かかる問題点について、鋭意検討を重ねた結果、第１の基材２１と接合膜３との間での密着性は、ステンレス鋼を主材料として構成される第１の基材２１の表面に形成されているＣｒによる不動態膜が深く関与しており、この不導体膜を除去して、第１の基材２１の表面におけるＦｅの占有率を高くすることにより、第１の基材２１と接合膜３との密着性が向上することが判ってきた。
そして、この点について、本発明者は、さらに検討を行い、第１の基材２１の表面におけるＣｒとＦｅの関係、すなわちＣｒ／Ｆｅが０．０２５以下となる表面処理を施すことで、前記問題点を解消し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
前記表面処理としては、前記表面におけるＣｒ／Ｆｅを０．０２５以下とし得るものであれば特に限定されないが、第１の基材２１を加熱する加熱処理が好適に用いられる。加熱処理であれば、第１の基材２１を加熱するという単純な工程で、前記表面におけるＣｒ／Ｆｅを０．０２５以下に容易に設定することができる。
【００２０】
また、第１の基材２１を加熱する際の温度は、９０℃以上、３００℃以下であるのが好ましく、１５０℃以上、２００℃以下であるのがより好ましい。
加熱する時間は、１０分以上、１２０分以下であるのが好ましく、３０分以上、６０分以下であるのがより好ましい。
さらに、加熱する際の雰囲気の圧力は、大気圧であってもよいが、減圧であるのが好ましい。具体的には、減圧の程度は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。
かかる条件で第１の基材２１を加熱することにより、前記表面におけるＣｒ／Ｆｅを、より確実に０．０２５以下に設定することができるようになる。
【００２１】
なお、本発明者の検討により、第１の基材２１の表面におけるＣｒ／Ｆｅが０．０２５以下となる表面処理を施すことで、不動態膜を構成するＣｒ、さらにはこのＣｒに連結するＯＨ基が除去され、第１の基材２１の表面には鉄酸化膜（Ｆｅ２Ｏ３）が形成されていると考えられ、これに起因して、第１の基材２１の表面における疎水性が向上していると推察される。そして、このように疎水性が向上しているため、後工程［３］において、第１の基材２１上に接合膜３を形成する際に、第１の基材２１と接合膜３との間での密着性が優れたものとなると考えられる。
そこで、第１の基材２１の表面における疎水性の程度は、特に限定されないが、前記表面の水接触角で表した場合、この水接触角が９０°以上であるのが好ましく、９０°以上、１１０°以下であるのがより好ましい。これにより、第１の基材２１と接合膜３との間での密着性がより優れたものとなる。
【００２２】
なお、本発明では、前記表面におけるＣｒ／Ｆｅを０．０２５以下とする表面処理に先立って、前記表面から不純物を除去する除去処理（除去工程）を施すようにするのが好ましい。このような除去処理を施すことで、前記表面処理の際には、不動態膜をその表面に確実に露出させることができるため、前記表面処理によりその表面に鉄酸化膜を確実に形成させることができる。
【００２３】
この除去処理としては、特に限定されないが、例えば、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられるが、中でも、プラズマ処理およびコロナ放電処理のうちの少なくとも１種を用いるのが好ましい。プラズマ処理またはコロナ放電処理によれば、不動態膜を除去することなく、不純物を選択的に除去することができる。
【００２４】
［２］次に、図１（ｂ）に示すように、第１の基材２１にシリコーン材料を含有する液状材料３５を供給することにより、第１の基材２１上に、液状被膜３０を形成する。
ここで、接合面２３に液状材料３５を供給する方法としては、例えば、浸漬法、液滴吐出法（例えば、インクジェット法）、スピンコート法、ドクターブレード法、バーコート法、刷毛塗り等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２５】
この液状材料３５は、シリコーン材料を含有するものであるが、シリコーン材料単独で、液状をなし目的とする粘度範囲である場合、シリコーン材料をそのまま液状材料３５として用いることができる。また、シリコーン材料単独で、固形状または高粘度の液状をなす場合には、液状材料３５として、シリコーン材料の溶液または分散液を用いることができる。
【００２６】
シリコーン材料を溶解または分散するための溶媒または分散媒としては、例えば、アンモニア、水、過酸化水素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソブタノール等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等を用いることができる。
【００２７】
また、次工程［３］において、シリコーン材料中に含まれる水酸基同士を脱水縮合反応させることにより液状被膜３０を硬化させる際に、この脱水縮合反応を促進させるための触媒が、液状材料３５中に添加されていてもよい。この触媒としては、特に限定されないが、例えば、テトラブチルオルソチタネート、テトライソプロピルオルソチタネートのようなチタン系触媒、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）のようなアルミ系触媒、および、リン酸、メタリン酸、ポリリン酸のようなリン酸系触媒等が挙げられる。
シリコーン材料は、液状材料３５中に含まれ、次工程［３］において、この液状材料３５を乾燥および／または硬化させることにより形成される接合膜３の主材料となるものである。
【００２８】
なお、以下では、第１の基材２１上に設けられた液状被膜３０（液状材料３５）を乾燥および／または硬化させること、すなわち、液状被膜３０（液状材料３５）中に含まれるシリコーン材料を硬化させるとともに、液状被膜３０（液状材料３５）中に溶媒または分散媒が含まれる場合には、脱溶媒または脱分散媒により液状被膜３０（液状材料３５）を乾燥させることを、単に「液状被膜３０（液状材料３５）の乾燥・硬化」と言うこともある。
【００２９】
ここで、「シリコーン材料」としては、特に限定されないが、本発明では、液状材料３５中に含まれ、次工程［３］において、この液状材料３５を乾燥・硬化させることにより形成される接合膜３の主材料となるものであり、分枝部において下記化学式（１）で表わされる単位構造を有し、連結部において下記化学式（２）および下記化学式（３）のうちの少なくとも一方で表わされる単位構造を有し、末端部において下記化学式（４）および下記化学式（５）のうちの少なくとも一方で表わされる単位構造を有する分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有するものが好適に用いられる。
【００３０】
【化２】
2013064186.tif 000004
［式中、各Ｒ１は、それぞれ独立して、メチル基またはフェニル基を表し、Ｘはシロキサン残基を表す。］
【００３１】
なお、シロキサン残基とは、酸素原子を介して隣接する構造単位が有するケイ素原子に結合しており、シロキサン結合を形成している置換基のことを表す。具体的には、−Ｏ−（Ｓｉ）構造（Ｓｉは隣接する構造単位が有するケイ素原子）となっている。
このようにシリコーン材料すなわちポリオルガノシロキサン骨格が、分枝状をなしていることにより、次工程［３］において、液状材料３５中に含まれるこの化合物の分枝鎖同士が互いに絡まり合うようにして接合膜３が形成されることから、得られる接合膜３は特に膜強度に優れたものとなる。
【００３２】
また、シリコーン材料は、その分子量が、１×１０４〜１×１０６程度のものであるのが好ましく、１×１０５〜１×１０６程度のものであるのがより好ましい。分子量をかかる範囲内に設定することにより、液状材料３５の粘度を上述したような範囲内に比較的容易に設定することができる。
また、シリコーン材料は、その化合物中、すなわち、連結部または末端部において、上記一般式（２）、上記一般式（４）、上記一般式（５）で表わされる単位構造をなすことにより、シラノール基を複数有するものとなる。これにより、次工程［３］において、液状被膜３０を乾燥・硬化させて接合膜３を得る際に、シリコーン材料中に残存しているシラノール基に含まれる水酸基同士が結合することとなり、得られる接合膜３の膜強度がさらに優れたものとなる。
【００３３】
また、シリコーン材料は、その化合物中において、上記一般式（１）、上記一般式（２）および上記一般式（４）で表わされる単位構造が備える、Ｒ１のうちの少なくとも１つは、フェニル基であるのが好ましい。これにより、シラノール基の反応性がより向上するため、隣接するシリコーン材料が有する水酸基同士の結合がより円滑に行われるようになる。また、接合膜３中にフェニル基が含まれる構成とすることにより、形成される接合膜３をより膜強度に優れたものとし得るという利点も得られる。
【００３４】
さらに、上記一般式（１）、上記一般式（２）および上記一般式（４）で表わされる単位構造が備えるＲ１のうちのフェニル基でないＲ１はメチル基となっている。基Ｒ１がメチル基である化合物は、比較的入手が容易で、かつ安価であるとともに、後工程［４］において、接合膜３にエネルギーを付与することにより、メチル基が容易に切断されて、その結果として、接合膜３に確実に接着性を発現させることができる。
【００３５】
また、前記シリコーン材料は、比較的柔軟性に富む材料である。そのため、後工程［５］において、接合膜３を介して第１の基材２１に第２の基材２２を接合して接合体１を得る際に、各基材２１、２２間に生じる熱膨張に伴う応力を確実に緩和することができる。これにより、最終的に得られる接合体１において、各基材２１、２２と接合膜３との界面で剥離が生じるのを確実に防止することができる。
【００３６】
さらに、前記シリコーン材料は、耐薬品性に優れているため、薬品類等に長期にわたって曝されるような部材の接合に際して効果的に用いることができる。具体的には、例えば、樹脂材料を浸食し易い有機系インクが用いられる工業用インクジェットプリンタの液滴吐出ヘッドを製造する際に、接合膜３を用いて接合すれば、その耐久性を確実に向上させることができる。また、前記シリコーン材料は、耐熱性にも優れていることから、高温下に曝されるような部材の接合に際しても効果的に用いることができる。
また、前記シリコーン材料は、上述した分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有するものに、ポリエステル樹脂が脱水縮合反応することにより得られた「ポリエステル変性シリコーン材料」であってもよい。
【００３７】
なお、本明細書中において、「ポリエステル樹脂」とは、トリメチロールプロパンとテレフタル酸とがエステル化反応することにより得られた化合物をいい、１分子中に少なくとも２つの水酸基を備えるものが好適に用いられる。
このようなポリエステル樹脂を、前述したシリコーン材料と縮合反応させると、ポリエステル樹脂が有する水酸基とシリコーン材料が有するシラノール基（水酸基）とが脱水縮合反応し、これにより、シリコーン材料にポリエステル樹脂が連結されたポリエステル変性シリコーン材料が得られる。
【００３８】
なお、テレフタル酸とトリメチロールプロパンとをエステル化反応させる際の、それぞれの含有量は、テレフタル酸が有するカルボキシル基よりもトリメチロールプロパンが有する水酸基よりも多くなるように設定する。これにより、合成されるポリエステル樹脂は、その１分子中において、少なくとも２つの水酸基を備えるものとなる。
以上のことを考慮してテレフタル酸とトリメチロールプロパンとから得られるポリエステル樹脂としては、例えば、下記一般式（６）で表わされる化合物が挙げられる。
【００３９】
【化３】
2013064186.tif 000005
【００４０】
このようなポリエステル樹脂は、その分子中に、テレフタル酸に由来するフェニレン基が含まれることとなる。かかる構成のポリエステル樹脂を含有するポリエステル変性シリコーン材料を用いて接合膜３を形成すると、形成される接合膜３は、ポリエステル樹脂中にフェニレン基が含まれることに起因して、特に優れた膜強度を発揮するものとなる。
また、このようなポリエステル樹脂をポリエステル変性シリコーン材料が備えていると、ポリエステル変性シリコーン材料は、通常、螺旋構造をなしているポリオルガノシロキサン骨格から、ポリエステル樹脂が露出するような状態で存在していることとなる。そのため、次工程［３］において、液状被膜３０を乾燥・硬化させて接合膜３を得る際に、隣接するポリエステル変性シリコーン材料が備えるポリエステル樹脂同士が互いに接触する機会が増大することとなる。その結果、隣接するポリエステル変性シリコーン材料中において、ポリエステル樹脂同士が絡まり合ったり、これらが備える水酸基同士が脱水縮合して化学的に結合したりするため、得られる接合膜３の膜強度をより確実に向上させることができる。
また、前記シリコーン材料は、上述した分枝状をなすポリオルガノシロキサン骨格を有するものに、エポキシ樹脂が付加反応することにより得られた「エポキシ変性シリコーン材料」であってもよい。
【００４１】
なお、本明細書中において、「エポキシ樹脂」とは、その末端にエポキシ基を備える化合物をいい、エポキシ基を備えるモノマー、オリゴマーまたはポリマーの何れであっても良く、１分子中に少なくとも２つのエポキシ基を備えるものが好適に用いられる。
このようなエポキシ樹脂を、シリコーン材料に付加反応させると、エポキシ樹脂が有するエポキシ基とシリコーン材料が有するシラノール基（水酸基）とが付加反応し、これにより、シリコーン材料にエポキシ樹脂が連結されたエポキシ変性シリコーン材料が得られる。
【００４２】
また、エポキシ樹脂は、その分子中に、フェニレン基を有しているのが好ましい。かかる構成のエポキシ樹脂を含有するエポキシ変性シリコーン材料を用いて接合膜３を形成すると、形成される接合膜３は、エポキシ樹脂中にフェニレン基が含まれることに起因して、特に優れた膜強度を発揮するものとなる。
さらに、エポキシ樹脂は、その分子構造が直鎖型の構造をなすものであるのが好ましい。ここで、エポキシ樹脂が連結するシリコーン材料は、通常、その主骨格であるポリオルガノシロキサン骨格が螺旋構造をなしている。そのため、このシリコーン材料に連結するエポキシ樹脂は、螺旋状をなすシリコーン材料から露出（突出）するような状態で存在することになる。そのため、エポキシ樹脂の分子構造が直鎖型のものであると、次工程［３］において、液状被膜３０を乾燥・硬化させて接合膜３を得る際に、隣接するエポキシ変性シリコーン材料が備えるエポキシ樹脂同士が互いに接触する機会を増大させることができる。その結果、エポキシ変性シリコーン材料中において、エポキシ樹脂同士が絡まり合ったり、これらが備えるエポキシ基同士が開環重合して化学的に結合したりするため、得られる接合膜３の膜強度を確実に向上させることができる。
以上のことを考慮すると、エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール型エポキシ樹脂が好ましく用いられ、具体的には、下記一般式（９）で表わされるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が挙げられる。
【００４３】
【化４】
2013064186.tif 000006
［式中、ｎは、０または１以上の整数を表す。］
【００４４】
なお、ビスフェノール型エポキシ樹脂は、耐薬品性に優れているため、エポキシ樹脂としてビスフェノール型エポキシ樹脂を備える接合膜３は、薬品類等に長期にわたって曝されるような部材の接合に効果的に用いられ、後述する工業用インクジェットプリンタの液滴吐出ヘッドの部材の接合に好適に適用される。また、ビスフェノール型エポキシ樹脂は、耐熱性にも優れていることから、高温下に曝されるような部材の接合に際しても効果的に用いられる。
【００４５】
なお、液状材料３５中には、エポキシ変性シリコーン材料の他に、添加剤が含まれていても良い。このような添加剤としては、例えば、各種アミン化合物や、各種酸化合物が挙げられる。かかる添加剤が含まれていると、エポキシ樹脂が備えるエポキシ基に対して、この添加剤が結合することとなり、この添加剤中に２以上のアミノ基やカルボキシル基が含まれていると、添加剤を介してエポキシ基同士を結合できるようになる。そのため、上述したエポキシ基同士の結合がより生じ易くなるため、得られる接合膜３の膜強度をより確実に向上させることができる。
【００４６】
［３］次に、第１の基材２１上に供給された液状材料３５、すなわち、液状被膜３０を乾燥および／または硬化させる。すなわち、液状材料３５中に溶媒または分散媒が含まれる場合には、液状被膜３０を乾燥させるとともに、液状被膜３０中に含まれるシリコーン材料を硬化させる。これにより、図１（ｃ）に示すように、第１の基材２１上に接合膜３が得られる。
【００４７】
液状被膜３０を乾燥・硬化させる方法としては、特に限定されないが、液状被膜３０を加熱する方法が好ましく用いられる。かかる方法によれば、液状被膜３０を加熱するという単純な方法で、液状被膜３０の乾燥・硬化を容易かつ確実に行うことができる。
すなわち、液状被膜３０を加熱するという単純な方法で、液状被膜３０中に溶媒または分散媒が含まれる場合には、液状被膜３０中から脱溶媒または脱分散媒することにより液状被膜３０を乾燥させることができるとともに、シリコーン材料中に含まれる水酸基を脱水縮合反応させることにより乾燥した液状被膜３０を硬化させることができる。
【００４８】
以上のように、液状被膜３０を乾燥・硬化させて接合膜３を形成すると、その膜中において、シリコーン材料中に含まれる水酸基同士が脱水縮合反応して化学的に連結されることから、接合膜３を優れた膜強度を有するものとすることができる。
また、前記工程［１］において、ステンレス鋼を主材料として構成される第１の基材２１に前処理が施され、その表面におけるＣｒ／Ｆｅが０．０２５以下となっており、表面における疎水性が向上している。これにより、シリコーン材料に対する第１の基材２１の表面の親和性が向上し、その結果、形成される接合膜３と第１の基材２１との間での密着性が優れたものとなる。
【００４９】
液状被膜３０を加熱する際の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、１５０〜２５０℃程度であるのがより好ましい。
また、加熱する時間は、０．５〜４８時間程度であるのが好ましく、１５〜３０時間程度であるのがより好ましい。
かかる条件で液状被膜３０を乾燥・硬化させることにより、次工程［４］において、エネルギーを付与することにより接着性が好適に発現する接合膜３を確実に形成することができる。
【００５０】
さらに、加熱する際の雰囲気の圧力は、大気圧であってもよいが、減圧であるのが好ましい。具体的には、減圧の程度は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。これにより、接合膜３の膜密度が高まり、すなわち、接合膜３が緻密化して、接合膜３をより優れた膜強度を有するものとすることができる。
以上のように、接合膜３を形成する際の条件を適宜設定することにより、形成される接合膜３の膜強度等を所望のものとすることができる。
【００５１】
接合膜３の平均厚さは、１０〜１００００ｎｍ程度であるのが好ましく、３０００〜６０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。供給する液状材料３５の量を適宜設定して、形成される接合膜３の平均厚さを前記範囲内とすることにより、第１の基材２１と第２の基材２２とを接合した接合体の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、より強固に接合することができる。
すなわち、接合膜３の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、接合膜３を介した第１の基材２１と第２の基材２２との接合に十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、接合膜３の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合体の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
【００５２】
さらに、接合膜３の平均厚さをかかる範囲とすることにより、接合膜３がある程度弾性に富むものとなることから、後工程［５］において、第１の基材２１と第２の基材２２とを接合する際に、接合膜３と接触させる第２の基材２２の接合面２４にパーティクル等が付着していても、このパーティクルを接合膜３で取り囲むようにして接合膜３と接合面２４とが接合することとなる。そのため、このパーティクルが存在することによって、接合膜３と接合面２４との界面における接合強度が低下したり、この界面において剥離が生じたりするのを的確に抑制または防止することができる。
【００５３】
［４］次に、接合面２３に形成された接合膜３の表面３２に対してエネルギーを付与する。
接合膜３にエネルギーを付与すると、この接合膜３では、表面３２付近の分子結合（例えば、Ｓｉ−ＣＨ３結合や、Ｓｉ−Ｐｈｅ）の一部が切断し、表面３２が活性化されることに起因して、表面３２付近に第２の基材２２に対する接着性が発現する。
このような状態の第１の基材２１は、第２の基材２２と、化学的結合に基づいて強固に接合可能なものとなる。
【００５４】
ここで、本明細書中において、表面３２が「活性化された」状態とは、上述のように接合膜３の表面３２の分子結合の一部、具体的には、例えば、シリコーン材料が備えるメチル基やフェニル基の一部が切断されて、接合膜３中に終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜３が「活性化された」状態と言うこととする。
【００５５】
接合膜３に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与するものであってもよいが、例えば、接合膜３にプラズマを接触させる（プラズマエネルギーを付与する）方法、接合膜３にエネルギー線を照射する方法、接合膜３を加熱する方法、接合膜３に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、接合膜３をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。これにより、接合膜３の表面を効率よく活性化させることができる。
【００５６】
これらの中でも、接合膜３に対するエネルギーの付与は、図１（ｄ）に示すように、特に、接合膜３にプラズマを接触させる方法を用いるのが好ましい。
ここで、接合膜３にエネルギーを付与する方法として、接合膜３にプラズマを接触させる方法が好ましく用いられる理由を説明するのに先立って、エネルギー線として紫外線を選択し、接合膜３に紫外線を照射する場合における問題点について説明する。
【００５７】
Ａ：接合膜３の表面３２の活性化に長時間（例えば、１分〜数十分）を要する。また、紫外線照射を短時間にした場合、第１の基材２１と第２の基材２２とを接合する工程において、その接合に長時間（数十分以上）を要する。すなわち、接合体１を得るのに長時間を要する。
Ｂ：また、紫外線を用いた場合、この紫外線は、接合膜３を厚さ方向に透過し易い。このため、基材（本実施形態では、第１の基材２１）の構成材料（例えば、樹脂材料）等によっては、基材の接合膜３との界面（接触面）において劣化が生じ、接合膜３が基材から剥離し易くなる。
さらに、紫外線は、接合膜３の厚さ方向に透過する際に、接合膜３全体に作用し、その全体において、例えば、ポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基が切断、除去される。すなわち、接合膜３中における有機成分の量が極端に低下し、その無機化が進行する。このため、有機成分の存在に起因する接合膜３の柔軟性が全体として低下し、得られる接合体１では、接合膜３の層内剥離が生じ易くなる。
【００５８】
Ｃ：さらに、接合された接合体１を、第１の基材２１を第２の基材２２から剥離して、各基材２１、２２をそれぞれ分別してリサイクルや再利用に用いる場合、この操作は、接合体１に対して、剥離用エネルギーを付与することにより各基材２１、２２同士を剥離し得る。このとき、例えば、接合膜３中に残存するメチル基（有機成分）がポリジメチルシロキサン骨格から切断、除去され、切断された有機成分がガスとなる。このガス（ガス状の有機成分）は、接合膜３にへき乖を生じさせ、接合膜３が分割される。
【００５９】
しかしながら、紫外線を照射した場合、前述のように、接合膜３全体の無機化が進行するため、剥離用エネルギーを付与した場合でも、ガスになる有機成分が極めて少なく、接合膜３にへき乖が生じ難いという問題がある。
これに対して、接合膜３の表面３２をプラズマに曝した場合では、接合膜３の表面３２付近において、選択的に、この接合膜３を構成する材料の分子結合の一部、例えば、シリコーン材料が備えるメチル基やフェニル基の一部が切断される。
なお、このプラズマによる分子結合の切断は、プラズマの荷電に基づく化学的な作用のみならず、プラズマのペニング効果に基づく物理的な作用によって引き起こされるため、極めて短時間で生じる。したがって、接合膜３を、極めて短時間（例えば、数秒程度）で活性化させることが可能であり、結果として、接合体１を短時間で製造することができる。
【００６０】
また、プラズマは、接合膜３の表面３２に選択的に作用し、その内部にまで影響を及ぼし難い。このため、分子結合の切断は、接合膜３の表面３２付近で選択的に生じる。すなわち、接合膜３は、その表面３２付近で選択的に活性化される。しかがって、紫外線を用いて接合膜３を活性化させる場合の不都合（前述したようなＢおよびＣの不都合）が生じ難い。
このように、接合膜３の活性化にプラズマを用いることにより、接合体１において、接合膜３の層内剥離が生じ難く、第１の基材２１を第２の基材２２から剥離する場合には、この剥離操作を確実に行うことができる。
【００６１】
また、紫外線照射により接合膜３を活性化させる場合、照射する紫外線の強度に依存する接合膜３の活性化の程度の変化が極めて大きい。このため、第１の基材２１と第２の基材２２との接合に適した程度に接合膜３を活性化させるのには、紫外線照射の厳密な条件管理が必要である。また、厳密な管理をしない場合、得られる接合体１間における、第１の基材２１と第２の基材２２との接合強度のバラつきが生じる。
【００６２】
これに対して、プラズマにより接合膜３を活性化させる場合、接触させるプラズマの濃度に依存する接合膜３の活性化の程度の変化は穏やかである。したがって、第１の基材２１と第２の基材２２との接合に適した程度に接合膜３を活性化させるのに、プラズマを発生させる条件を厳密に管理する必要がない。換言すれば、接合膜３の活性化にプラズマを用いる場合、接合体１の製造条件の許容範囲が広い。また、厳密な管理をしなくとも、得られる接合体１間において、第１の基材２１と第２の基材２２との接合強度のバラつきが生じ難い。
さらに、紫外線照射により接合膜３を活性化させる場合、接合膜３の活性化すなわち接合膜３中の有機物の脱離に伴って、接合膜３自体が収縮（特に、膜厚の低下）するという問題がある。接合膜３が収縮した場合、第１の基材２１と第２の基材２２とを高い接合強度で接合することが困難となる。
【００６３】
これに対して、プラズマにより接合膜３を活性化させる場合、前述したように、接合膜３の表面付近が選択的に活性化されるため、接合膜３の収縮はないか極めて少ない。したがって、接合膜３を比較的薄く形成した場合であっても、第１の基材２１と第２の基材２２とを高い接合強度で接合することができる。また、この場合、高い寸法精度の接合体１を得ることができるとともに、接合体１の薄型化を図ることも可能である。
以上のように、プラズマにより接合膜３を活性化させる場合には、紫外線により接合膜３を活性化させる場合に比べて、多くのメリットがある。
【００６４】
接合膜３に対するプラズマの接触は、減圧下で行うようにしてもよいが、大気圧下において行うのが好ましい。すなわち、接合膜３を大気圧プラズマで処理するのが好ましい。大気圧プラズマ処理によれば、接合膜３の周囲が減圧状態とならないので、プラズマの作用により、例えば、シリコーン材料のポリジメチルシロキサン骨格が備えるメチル基を切断、除去する際（接合膜３の活性化の際）に、この切断が不要に進行するのを防止することができる。
【００６５】
［５］次に、第２の基材２２を用意し、接着性が発現した接合膜３を介して第１の基材２１と第２の基材２２とを接触させ、第１の基材２１と第２の基材２２とが接合膜３を介して接合された接合体１を得る。
［５−１］まず、第２の基材２２を用意する。
第２の基材２２の構成材料は、特に限定されないが、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリブテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルペンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等の樹脂系材料、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍのような金属、またはこれらの金属を含む合金、炭素鋼、ステンレス鋼、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、ガリウムヒ素のような金属系材料、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンのようなシリコン系材料、ケイ酸ガラス（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛（アルカリ）ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス系材料、アルミナ、ジルコニア、ＭｇＡｌ２Ｏ４、フェライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミックス系材料、グラファイトのような炭素系材料、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
【００６６】
また、第２の基材２２の形状は、第１の基材２１と同様に、接合膜３を支持する面を有するような形状であればよく、例えば、板状（層状）、塊状（ブロック状）、棒状等とされる。
また、本実施形態では、図１、２に示すように、第２の基材２２が板状（フィルム状）をなしている。この場合、第２の基材２２の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。
【００６７】
なお、必要に応じて、第２の基材２２の接合面２４には、接合膜３と接触させるのに先立って、接合膜３との接合強度を高める表面処理を施す。これにより、接合面２４を清浄化および活性化され、接合面２４に対して接合膜３が化学的に作用し易くなる。その結果、後述する工程において、接合面２４と接合膜３との接合強度を高めることができる。
この表面処理としては、特に限定されないが、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。
【００６８】
［５−２］次いで、接合膜３と第２の基材２２とが密着するように、第１の基材２１と第２の基材２２とを重ね合わせる（図２（ｅ）参照）。これにより、前記工程［４］において、接合膜３の表面３２に第２の基材２２に対する接着性が発現していることから、接合膜３と第２の基材２２の接合面２４とが化学的に結合する。その結果、第１の基材２１と第２の基材２２とが接合膜３を介して接合され、図２（ｆ）に示すような接合体１が得られる。
このような接合方法によれば、高温（例えば、７００℃以上）での熱処理を必要としないことから、耐熱性の低い材料で構成された第２の基材２２をも、接合に供することができる。
【００６９】
ここで、本工程において、第１の基材２１と第２の基材２２とを接合するメカニズム、すなわち、接合膜３の表面３２と第２の基材２２接合面２４とが接合するメカニズムについて説明する。
例えば、第２の基材２２の接合面２４に水酸基が露出している場合を例に説明すると、本工程［５］において、第１の基材２１に形成された接合膜３と、第２の基材２２の接合面２４とが接触するように、これらを重ね合わせたとき、接合膜３の表面３２に存在する水酸基と、第２の基材２２の接合面２４に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、第１の基材２１と第２の基材２２とが接合されると推察される。
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、第１の基材２１と第２の基材２２との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、第１の基材２１と第２の基材２２とがより強固に接合されると推察される。
【００７０】
また、第１の基材２１の接合膜３の表面や内部、および、第２の基材２２の接合面２４や内部に、それぞれ終端化されていない結合手すなわち未結合手（ダングリングボンド）が存在している場合、第１の基材２１と第２の基材２２とを貼り合わせた時、これらの未結合手同士が再結合する。この再結合は、互いに重なり合う（絡み合う）ように複雑に生じることから、接合界面にネットワーク状の結合が形成されることとなる。これにより、接合膜３と第２の基材２２とが特に強固に接合される。
【００７１】
以上のようにして、図２（ｆ）に示す接合体１を得ることができる。
このようにして得られた接合体１は、第１の基材２１と第２の基材２２との間の厚さ方向および面方向の双方に対する接合強度を発揮するものとなる。
なお、第１の基材２１と第２の基材２２との間の厚さ方向の接合強度は、５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのがより好ましい。このような厚さ方向に対する接合強度を有する接合体１は、その引っ張りに対する接合膜３の剥離を十分に防止し得るものとなる。また、本発明の基材の前処理方法によれば、第１の基材２１と第２の基材２２とが上記のような大きな接合強度で接合された接合体１を効率よく作製することができる。
なお、接合体１を得る際、または、接合体１を得た後に、この接合体１に対して、必要に応じ、以下の２つの工程（［６Ａ］および［６Ｂ］）のうちの少なくとも１つの工程（接合体１の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、接合体１の接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
【００７２】
［６Ａ］  図２（ｇ）に示すように、得られた接合体１を、第１の基材２１と第２の基材２２とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、第１の基材２１の表面および第２の基材２２の表面に、それぞれ接合膜３の表面がより近接し、接合体１における接合強度をより高めることができる。
また、接合体１を加圧することにより、接合体１中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、接合体１における接合強度をさらに高めることができる。
【００７３】
なお、この圧力は、第１の基材２１および第２の基材２２の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、第１の基材２１の構成材料や各厚さ等に応じて若干異なるものの、５〜６０ＭＰａ程度であるのが好ましく、２０〜５０ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、接合体１の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、第１の基材２１の各構成材料によっては、第１の基材２１に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、接合体１を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
【００７４】
［６Ｂ］  図２（ｇ）に示すように、得られた接合体１を加熱する。
これにより、接合体１における接合強度をより高めることができる。
このとき、接合体１を加熱する際の温度は、室温より高く、接合体１の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜１００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、接合体１が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
【００７５】
なお、前記工程［３］において、接合膜３中に含まれるシリコーン材料が完全に硬化していない場合（半硬化の場合）には、本工程において、接合体１を加熱する際に硬化するようにしてもよい。かかる構成とすることで、接合膜３は、完全に硬化している場合と比較して、その硬度が低く、第２の基材２２の表面形状に対する追従性が高くなる。そのため、第１の基材２１と第２の基材２２との接合強度をより向上させることができる。
【００７６】
また、前記工程［６Ａ］および［６Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、図２（ｇ）に示すように、接合体１を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、接合体１の接合強度を特に高めることができる。
以上のような工程を行うことにより、接合体１における接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
【００７７】
＜液滴吐出ヘッド＞
次に、上述した接合体をインクジェット式記録ヘッドに適用した場合の実施形態について説明する。
図３は、本発明の基材の前処理方法を適用して得られたインクジェット式記録ヘッド（液滴吐出ヘッド）を示す縦断面図、図４は、図３に示すインクジェット式記録ヘッドを備えるインクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。なお、以下の説明では、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図３に示すインクジェット式記録ヘッド１００（以下、単に「ヘッド１００」と言うこともある。）は、図４に示すようなインクジェットプリンタ９に搭載されている。
【００７８】
図４に示すインクジェットプリンタ９は、装置本体９２を備えており、上部後方に記録用紙Ｐを設置するトレイ９２１と、下部前方に記録用紙Ｐを排出する排紙口９２２と、上部面に操作パネル９７とが設けられている。
操作パネル９７は、例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、ＬＥＤランプ等で構成され、エラーメッセージ等を表示する表示部（図示せず）と、各種スイッチ等で構成される操作部（図示せず）とを備えている。
また、装置本体９２の内部には、主に、往復動するヘッドユニット９３を備える印刷装置（印刷手段）９４と、記録用紙Ｐを１枚ずつ印刷装置９４に送り込む給紙装置（給紙手段）９５と、印刷装置９４および給紙装置９５を制御する制御部（制御手段）９６とを有している。
【００７９】
制御部９６の制御により、給紙装置９５は、記録用紙Ｐを一枚ずつ間欠送りする。この記録用紙Ｐは、ヘッドユニット９３の下部近傍を通過する。このとき、ヘッドユニット９３が記録用紙Ｐの送り方向とほぼ直交する方向に往復移動して、記録用紙Ｐへの印刷が行なわれる。すなわち、ヘッドユニット９３の往復動と記録用紙Ｐの間欠送りとが、印刷における主走査および副走査となって、インクジェット方式の印刷が行なわれる。
【００８０】
印刷装置９４は、ヘッドユニット９３と、ヘッドユニット９３の駆動源となるキャリッジモータ９４１と、キャリッジモータ９４１の回転を受けて、ヘッドユニット９３を往復動させる往復動機構９４２とを備えている。
ヘッドユニット９３は、その下部に、多数のノズル孔１１を備えるヘッド１００と、ヘッド１００にインクを供給するインクカートリッジ９３１と、ヘッド１００およびインクカートリッジ９３１を搭載したキャリッジ９３２とを有している。
なお、インクカートリッジ９３１として、イエロー、シアン、マゼンタ、ブラック（黒）の４色のインクを充填したものを用いることにより、フルカラー印刷が可能となる。
【００８１】
往復動機構９４２は、その両端をフレーム（図示せず）に支持されたキャリッジガイド軸９４４と、キャリッジガイド軸９４４と平行に延在するタイミングベルト９４３とを有している。
キャリッジ９３２は、キャリッジガイド軸９４４に往復動自在に支持されるとともに、タイミングベルト９４３の一部に固定されている。
キャリッジモータ９４１の作動により、プーリを介してタイミングベルト９４３を正逆走行させると、キャリッジガイド軸９４４に案内されて、ヘッドユニット９３が往復動する。そして、この往復動の際に、ヘッド１００から適宜インクが吐出され、記録用紙Ｐへの印刷が行われる。
【００８２】
給紙装置９５は、その駆動源となる給紙モータ９５１と、給紙モータ９５１の作動により回転する給紙ローラ９５２とを有している。
給紙ローラ９５２は、記録用紙Ｐの送り経路（記録用紙Ｐ）を挟んで上下に対向する従動ローラ９５２ａと駆動ローラ９５２ｂとで構成され、駆動ローラ９５２ｂは給紙モータ９５１に連結されている。これにより、給紙ローラ９５２は、トレイ９２１に設置した多数枚の記録用紙Ｐを、印刷装置９４に向かって１枚ずつ送り込めるようになっている。なお、トレイ９２１に代えて、記録用紙Ｐを収容する給紙カセットを着脱自在に装着し得るような構成であってもよい。
【００８３】
制御部９６は、例えばパーソナルコンピュータやディジタルカメラ等のホストコンピュータから入力された印刷データに基づいて、印刷装置９４や給紙装置９５等を制御することにより印刷を行うものである。
制御部９６は、いずれも図示しないが、主に、各部を制御する制御プログラム等を記憶するメモリ、印刷装置９４（キャリッジモータ９４１）を駆動する駆動回路、給紙装置９５（給紙モータ９５１）を駆動する駆動回路、および、ホストコンピュータからの印刷データを入手する通信回路と、これらに電気的に接続され、各部での各種制御を行うＣＰＵとを備えている。
【００８４】
また、ＣＰＵには、例えば、インクカートリッジ９３１のインク残量、ヘッドユニット９３の位置等を検出可能な各種センサ等が、それぞれ電気的に接続されている。
制御部９６は、通信回路を介して、印刷データを入手してメモリに格納する。ＣＰＵは、この印刷データを処理して、この処理データおよび各種センサからの入力データに基づいて、各駆動回路に駆動信号を出力する。この駆動信号により印刷装置９４および給紙装置９５は、それぞれ作動する。これにより、記録用紙Ｐに印刷が行われる。
【００８５】
以下、ヘッド１００について、図３を参照しつつ詳述する。
図３に示すように、ヘッド１００は、ノズルプレート１０と、ノズルプレート１０上に設けられた吐出液貯留室形成基板（基板）２０と、吐出液貯留室形成基板２０上に設けられた振動フィルム２９と、振動フィルム２９上に設けられた支持板４０と、支持板４０上に設けられた圧電素子（振動手段）５０およびケースヘッド６０とを有している。なお、本実施形態では、このヘッド１００は、ピエゾジェット式ヘッドを構成する。
吐出液貯留室形成基板２０（以下、省略して「基板２０」と言う。）には、インクを貯留する複数の吐出液貯留室（圧力室）２６が形成され、さらに、各吐出液貯留室２６に連通し、各吐出液貯留室２６にインクを供給する吐出液供給室２７が形成されている。
【００８６】
図３に示すように、各吐出液貯留室２６および吐出液供給室２７は、それぞれ、平面視において、ほぼ長方形状をなし、各吐出液貯留室２６の幅（短辺）は、吐出液供給室２７の幅（短辺）より細幅となっている。
また、各吐出液貯留室２６は、吐出液供給室２７に対して、ほぼ垂直をなすように配置されており、各吐出液貯留室２６および吐出液供給室２７は、平面視において全体として、櫛状をなしている。
【００８７】
基板２０を構成する材料としては、特に限定されないが、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコンのようなシリコン材料、ステンレス鋼のような金属材料、石英ガラスのようなガラス材料、アルミナのようなセラミックス材料、グラファイトのような炭素材料、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、シリコーン樹脂のような樹脂材料等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８８】
また、上記のような材料に、酸化処理（酸化膜形成）、めっき処理、不働態化処理、窒化処理等の各処理を施した材料でもよい。
これらの中でも、基板２０の構成材料は、シリコン材料またはステンレス鋼であるのが好ましい。このような材料は、耐薬品性に優れることから、長時間にわたってインクに曝されたとしても、基板２０が変質・劣化するのを確実に防止することができる。また、これらの材料は、加工性に優れるため、寸法精度の高い基板２０が得られる。このため、吐出液貯留室２６や吐出液供給室２７の容積の精度が高くなり、高品位の印字が可能なヘッド１００が得られる。
また、吐出液供給室２７は、後述するケースヘッド６０に設けられた吐出液供給路６１と連通して複数の吐出液貯留室２６にインクを供給する共通のインク室として機能するリザーバ７０の一部を構成する。
【００８９】
基板２０の下面（振動フィルム２９と反対側の面；一方の面）には、接着層１５を介して、吐出液貯留室２６および吐出液供給室２７を覆うようにノズルプレート１０が接着されている。
ノズルプレート１０には、各吐出液貯留室２６に対応するように、それぞれノズル孔１１が形成（穿設）されている。このノズル孔１１から、吐出液貯留室２６に貯留されたインク（吐出液）を押し出すことにより、インクが液滴として吐出されることとなる。
【００９０】
また、ノズルプレート１０は、各吐出液貯留室２６や吐出液供給室２７の内壁面の下面を構成している。すなわち、ノズルプレート１０と、基板２０および振動フィルム２９とにより、各吐出液貯留室２６や吐出液供給室２７を画成している。
このようなノズルプレート１０を構成する材料としては、例えば、前述したようなシリコン材料、金属材料、ガラス材料、セラミックス材料、炭素材料、樹脂材料、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
【００９１】
これらの中でも、ノズルプレート１０の構成材料は、シリコン材料またはステンレス鋼であるのが好ましい。このような材料は、耐薬品性に優れることから、長時間にわたってインクに曝されたとしても、ノズルプレート１０が変質・劣化するのを確実に防止することができる。また、これらの材料は、加工性に優れるため、寸法精度の高いノズルプレート１０が得られる。このため、信頼性の高いヘッド１００が得られる。
【００９２】
なお、ノズルプレート１０の構成材料は、線膨張係数が３００℃以下で２．５〜４．５［×１０-6／℃］程度であるものが好ましい。
また、ノズルプレート１０の厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１ｍｍ程度であるのが好ましい。
また、ノズルプレート１０の下面には、必要に応じて、撥液処理を施すのが好ましい。これにより、ノズル孔から吐出されるインク滴が意図しない方向に吐出されるのを防止することができる。
【００９３】
上述したような基板２０およびノズルプレート１０のうちの少なくとも一方がステンレス鋼を主材料で構成され、接着層１５がシリコーン材料を主材料とするもので構成される場合、ステンレス鋼を主材料として構成される部材に対して、本発明の基材の前処理方法が適用されている。
なお、この場合、ステンレス鋼を主材料として構成される部材と、接着層１５との密着性が向上しているため、これら同士間の耐インク性（特に、耐アルカリ性）の向上を図ることができる。
【００９４】
基板２０の上面（他方の面）には、接着層２５を介して、吐出液貯留室２６および吐出液供給室２７を覆うように振動フィルム２９が接着されている。
また、振動フィルム２９は、各吐出液貯留室２６や吐出液供給室２７の内壁面の上面を構成している。すなわち、振動フィルム２９と、基板２０およびノズルプレート１０とにより、各吐出液貯留室２６や吐出液供給室２７を画成している。そして、振動フィルム２９が基板２０と確実に接合されていることにより、各吐出液貯留室２６や吐出液供給室２７の液密性を確保している。
さらに、振動フィルム２９は、弾性変形する機能を有するものである。したがって、圧電素子５０で発生した歪みにより、支持板４０を介して振動フィルム２９を変位（振動）させることで、吐出液貯留室２６の容積を変化させることができ、その結果、インクが吐出される。
【００９５】
振動フィルム２９を構成する材料としては、例えば、前述したようなシリコン材料、金属材料、ガラス材料、セラミックス材料、炭素材料、樹脂材料、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
これらの中でも、振動フィルム２９の構成材料は、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、アラミド樹脂のような樹脂材料、シリコン材料またはステンレス鋼であるのが好ましい。このような材料は、耐薬品性に優れることから、長時間にわたってインクに曝されたとしても、振動フィルム２９が変質・劣化するのを確実に防止することができる。このため、吐出液貯留室２６内および吐出液供給室２７内に、長期間にわたってインクを貯留することができる。さらに、これらは、高速で弾性変形することが可能な材料であるため、吐出液貯留室２６の容積を高速に変化させることができ、その結果、インクを高精度に吐出することができる。
【００９６】
基板２０がステンレス鋼を主材料で構成され、接着層２５がシリコーン材料を主材料とするもので構成される場合、ステンレス鋼を主材料として構成される基板２０に対して、本発明の基材の前処理方法が適用されている。
なお、この場合、基板２０と接着層２５との密着性が向上しているため、これら同士間の耐インク性（特に、耐アルカリ性）の向上を図ることができる。
【００９７】
振動フィルム２９の上面には、接着層４５を介して、振動フィルム２９の一部に対応するように支持板４０が接着されている。
支持板４０は、圧電素子５０で発生した歪みを、このものを介して、振動フィルム２９に伝播する機能を有するものである。これにより、圧電素子５０に歪みを発生させることで、振動フィルム２９に変位が生じ、その結果、各吐出液貯留室２６における容積変化を確実に生じさせることができる。
【００９８】
支持板４０を構成する材料としては、例えば、前述したようなシリコン材料、金属材料、ガラス材料、セラミックス材料、炭素材料、樹脂材料、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
これらの中でも、支持板４０の構成材料は、シリコン材料またはステンレス鋼（ＳＵＳ）であるのが好ましい。このような材料は、優れた強度を有するものである。そのため、圧電素子５０で発生した歪みが、より確実に、振動フィルム２９に伝播されることから、インクがより高精度に吐出されることとなる。
支持板４０がステンレス鋼を主材料で構成され、接着層４５がシリコーン材料を主材料とするもので構成される場合、ステンレス鋼を主材料として構成される支持板４０に対して、本発明の基材の前処理方法が適用されている。
【００９９】
なお、この場合、支持板４０と接着層４５との密着性が向上しているため、これら同士間の耐インク性（特に、耐アルカリ性）の向上を図ることができる。
また、本実施形態では、上述した振動フィルム２９と支持板４０とが接着層４５を介して接合された積層体により、吐出液貯留室２６および吐出液供給室２７を覆う振動板（封止板）が構成される。
【０１００】
支持板４０の上面の一部（図３では、支持板４０の上面の中央部付近）に、圧電素子（振動手段）５０が接合されている。
圧電素子５０は、圧電材料で構成された圧電体層５１と、この圧電体層５１に電圧を印加する電極膜５２との積層体で構成されている。このような圧電素子５０では、電極膜５２を介して圧電体層５１に電圧を印加することにより、圧電体層５１に電圧に応じた歪みが発生する（逆圧電効果）。この歪みが支持板４０を介して振動フィルム２９に撓み（振動）をもたらし、吐出液貯留室２６の容積を変化させる。かかる構成の圧電素子５０が支持板４０と確実に接合されていることにより、圧電素子５０に発生した歪みを、支持板４０を介して振動フィルム２９の変位へと確実に変換することができ、その結果、各吐出液貯留室２６が確実に容積変化することとなる。
【０１０１】
また、圧電体層５１と電極膜５２との積層方向は、特に限定されず、支持板４０に対して平行な方向であっても、直交する方向であってもよい。なお、圧電体層５１と電極膜５２との積層方向が、図３に示すように、支持板４０に対して直交する方向である場合、このように配置された圧電素子５０を特にＭＬＰ（Multi Layer Piezo）と言う。圧電素子５０がＭＬＰであれば、支持板４０の変位量を大きくとることができるので、インクの吐出量の調整幅が大きいという利点がある。
【０１０２】
圧電素子５０のうち、支持板４０に隣接する（接触する）面は、圧電素子５０の配置方法によって異なるが、圧電体層が露出した面、電極膜が露出した面、または圧電体層と電極膜の双方が露出した面のいずれかである。
圧電素子５０のうち、圧電体層５１を構成する材料としては、例えば、チタン酸バリウム、ジルコン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶等が挙げられる。
一方、電極膜５２を構成する材料としては、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、またはこれらを含む合金等の各種金属材料が挙げられる。
【０１０３】
ここで、前述した支持板４０は、圧電素子５０に対応する位置を取り囲むように環状に形成された凹部５３を有している。すなわち、支持板４０は、振動フィルム２９上に、その一部に対応するように設けられており、圧電素子５０に対応する位置では、支持板４０の一部が、この環状の凹部５３を隔てて島状に孤立している。このような島状をなす部分に圧電素子５０を接合する構成とすることで、圧電素子５０で発生した歪みをより確実に、振動フィルム２９に伝播することができるため、振動フィルム２９における撓みがより確実に生じることとなる。
【０１０４】
また、圧電素子５０の電極膜５２は、図示しない駆動ＩＣと電気的に接続されている。これにより、圧電素子５０の動作を駆動ＩＣによって制御することができる。
また、支持板４０の上面の一部（図３では、凹部５３を隔てて、島状をなす部分を取り囲む部分）には、ケースヘッド６０が接合されている。このように、ケースヘッド６０と支持板４０とが接合されることで、ノズルプレート１０、基板２０、振動フィルム２９および支持板４０の積層体で構成された、いわゆるキャビティー部分を補強し、キャビティー部分のよじれや反り等を確実に抑制することができる。
【０１０５】
ケースヘッド６０を構成する材料としては、例えば、前述したようなシリコン材料、金属材料、ガラス材料、セラミックス材料、炭素材料、樹脂材料、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
これらの中でも、ケースヘッド６０の構成材料は、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ザイロンのような変性ポリフェニレンエーテル樹脂（「ザイロン」は登録商標）またはステンレス鋼であるのが好ましい。これらの材料は、十分な剛性を備えていることから、ヘッド１００を支持するケースヘッド６０の構成材料として好適である。
【０１０６】
また、振動フィルム２９、接着層４５および支持板４０は、吐出液供給室２７に対応する位置に貫通孔２８を有する。この貫通孔２８により、ケースヘッド６０に設けられた吐出液供給路６１と吐出液供給室２７とが連通している。なお、吐出液供給路６１と吐出液供給室２７とにより、複数の吐出液貯留室２６にインクを供給する共通のインク室として機能するリザーバ７０の一部を構成する。
【０１０７】
このようなヘッド１００では、図示しない外部吐出液供給手段からインクを取り込み、リザーバ７０からノズル孔１１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動ＩＣからの記録信号により、各吐出液貯留室２６に対応するそれぞれの圧電素子５０を動作させる。これにより、圧電素子５０の逆圧電効果によって支持板４０を介して振動フィルム２９に撓み（振動）が生じる。その結果、例えば、各吐出液貯留室２６内の容積が収縮すると、各吐出液貯留室２６内の圧力が瞬間的に高まり、ノズル孔１１からインクが液滴として押し出される（吐出される）。
【０１０８】
このようにして、ヘッド１００において、印刷したい位置の圧電素子５０に、駆動ＩＣを介して電圧を印加すること、すなわち、吐出信号を順次入力することにより、任意の文字が図形等を印刷することができる。
なお、ヘッド１００は、前述したような構成のものに限らず、例えば、振動手段としての圧電素子５０に代えて、静電アクチュエータを備えるものであってもよい。
ただし、本実施形態のように、振動手段が圧電素子で構成されていることにより、振動フィルム２９に発生する撓みの程度を容易に制御することができる。これにより、インク滴の大きさを容易に制御することができる。
【０１０９】
以上、本発明の基材の前処理方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、本発明の基材の前処理方法では、必要に応じて、１以上の任意の目的の工程を追加してもよい。
また、前記実施形態では、本発明の基材の前処理方法を、基材の接合方法に適用し、さらにかかる接合方法で得られた接合体を、液滴吐出ヘッドに適用する場合について説明したが、これら以外のものに適用可能であることは言うまでもない。具体的には、本発明の基材の前処理方法は、例えば、基材の表面を保護する保護膜を形成等にも適用することができる。
【実施例】
【０１１０】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．前処理の温度条件と密着性との関係の評価
１−１．前処理が施された接合体の形成
（実施例１）
まず、基材（基板）として、縦１ｃｍ×横３ｃｍ×厚さ８０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ４３０）基板を２つ用意した。
次に、これら基材の表面にプラズマ処理を施した後に、これら基材を加熱する加熱処理を施した。
なお、プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理条件は以下に示す通りとした。
【０１１１】
＜プラズマ処理条件＞
・処理ガス    ：ヘリウムガスと酸素ガスとの混合ガス
・ガス供給速度：１０ＳＬＭ
・電極間距離  ：１ｍｍ
・印加電圧    ：１ｋＶｐ−ｐ
・電圧周波数  ：４０ＭＨｚ
また、加熱処理条件は以下に示す通りとした。
＜加熱処理条件＞
・加熱温度    ：１００℃
・加熱時間    ：１０分
・雰囲気圧力  ：大気圧
【０１１２】
さらに、加熱処理が施された基材を、Ｘ線光電子分光分析装置（アルバックファイ社製、「Ｑｕａｎｔｅｒａ  ＳＸＭ」）用いて分析したところ、その表面におけるＣｒ／Ｆｅは、０．０２３２８であった。
また、この基材の表面の純水に対する水接触角を、接触角測定装置（協和界面科学社製、「ＤＭ-５０１」）を用いて測定したところ４８．７°であった。
次に、シリコーン材料（信越化学社製、「ＥＳ−１００１Ｎ」）を用意し、スピンコート法により２つの基板上に、この液状材料を供給して液状被膜を形成した。
次に、この液状被膜を、２００℃、１時間の条件で加熱して、乾燥・硬化させることにより、２つの基板上に、接合膜（平均厚さ：約１μｍ）を形成した。
【０１１３】
次に、２つの基板上に形成された接合膜に、大気圧プラズマ装置を用いて、以下に示す条件でプラズマを接触させた。これにより、接合膜を活性化させて、その表面に接着性を発現させた。
＜プラズマ処理条件＞
・処理ガス    ：ヘリウムガスと酸素ガスとの混合ガス
・ガス供給速度：１０ＳＬＭ
・電極間距離  ：１ｍｍ
・印加電圧    ：１ｋＶｐ−ｐ
・電圧周波数  ：４０ＭＨｚ
・移動速度    ：１ｍｍ／秒
【０１１４】
次に、接合膜が形成された面同士が接触し、さらに、２つの基板が十字状をなすように、基板同士を重ね合わせた。すなわち、接合膜を介して基板同士が接合される接合部が正方形（縦１ｃｍ×横１ｃｍ）状をなすように重ね合わせた。
そして、基材同士を５０ＭＰａで加圧しつつ、常温（２５度前後）で、１分間維持した。その後、このものを２００℃、１時間の条件で加熱することにより接合膜の接合強度の向上を図った。
以上の工程を経ることにより、２つのＳＵＳ基板同士が接合膜を介して接合された実施例１の接合体を得た。
【０１１５】
（実施例２〜４、比較例１、２）
ステンレス鋼基板を加熱する際の加熱温度を表１に示すように変更したこと以外は、前記実施例１と同様にして、接合体を得た。
なお、実施例２〜４、比較例１、２の接合体についても、実施例１の接合体と同様に、ステンレス鋼基板に加熱処理を施した後に、ステンレス鋼基板におけるＣｒ／Ｆｅおよび接触角を測定した。
【０１１６】
１−２．接合体の評価
各実施例および各比較例の接合体について、ピール強度試験（ＪＩＳ−Ｇ３４６９に規定）に準拠して、以下のようにして、面方向に対するピール強度を測定した。
すなわち、各実施例および各比較例の接合体について、それぞれ、一方のステンレス鋼基板の一端を持ち、常温で９０°の方向に１０ｍｍ／分の速度で引き剥がした時の荷重（接合強度）を、９０°ピール剥離試験装置（イマダ社製、「ＮＸ−５００ＮＥ」）を用いて測定した。そして、接合強度を以下の基準にしたがって評価した。
＜ピール強度試験の評価基準＞
○：  ０．４ｋｇｆ以上
×：  ０．４ｋｇｆ未満
これらの結果を、表１および図５、６に示す。
【０１１７】
【表１】
2013064186.tif 000007
【０１１８】
表１から明らかなように、各実施例で得られた接合体は、ステンレス鋼基板と接合膜との間で優れた密着性が得られ、基板同士を、接合膜を介して優れた接合強度で接合することができた。
これに対して、各比較例で得られた接合体は、ステンレス鋼基板の表面におけるＣｒ／Ｆｅが０．０２５超となることに起因して、ステンレス鋼基板と接合膜との間で優れた密着性を得ることができなくなっていると推察され、その結果、基板同士を、接合膜を介して優れた接合強度で接合することができなかった。
【０１１９】
２．前処理による基材表面の状態の把握
まず、基材（基板）として、ステンレス鋼（ＳＵＳ４３０）基板を複数枚用意し、これらの基板にプラズマ処理を施した後に、６０〜２００℃×１０分間の条件で加熱処理を施した。
なお、プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理条件は以下に示す通りとした。
【０１２０】
＜プラズマ処理条件＞
・処理ガス    ：ヘリウムガスと酸素ガスとの混合ガス
・ガス供給速度：１０ＳＬＭ
・電極間距離  ：１ｍｍ
・印加電圧    ：１ｋＶｐ−ｐ
・電圧周波数  ：４０ＭＨｚ
・移動速度    ：１ｍｍ／秒
【０１２１】
次に、各ステンレス鋼基板の表面に、トリフルオロ無水酢酸（ＴＦＡＡ）を接触させることにより、その表面に露出する水酸基を、ＴＦＡＡで化学修飾した。
次に、これらのステンレス鋼基板を、Ｘ線光電子分光分析装置（アルバックファイ社製、「Quantera SXM」）用いて分析して、その表面におけるＣｒ／Ｆｅと、フッ素元素の割合を求めた。
その結果を、図７に示す。
【０１２２】
図７から明らかなように、加熱温度の上昇に伴い、フッ素元素の濃度が減少していることから、ステンレス鋼基板の表面に存在する水酸基の量が減少していると考えられた。
また、表面におけるＣｒ／Ｆｅも加熱温度の上昇に伴い、減少していることから、ステンレス鋼基板の表面に存在するＣｒの量が減少していると考えられた。
このように、ステンレス鋼基板の表面に存在する水酸基量の減少と、Ｃｒ量の減少とが相関関係が認められることから、ステンレス鋼基板の加熱処理に伴う水酸基の減少は、Ｃｒ−ＯＨ構造が有する水酸基の減少に由来すると推察された。
【０１２３】
３．前処理による基材表面の酸化膜形成の把握
まず、基材（基板）として、ステンレス鋼（ＳＵＳ４３０）基板を複数枚用意し、これらの基板にプラズマ処理を施した後に、６０〜２００℃×１０分間の条件で加熱処理を施した。
なお、プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理条件は以下に示す通りとした。
【０１２４】
＜プラズマ処理条件＞
・処理ガス    ：ヘリウムガスと酸素ガスとの混合ガス
・ガス供給速度：１０ＳＬＭ
・電極間距離  ：１ｍｍ
・印加電圧    ：１ｋＶｐ−ｐ
・電圧周波数  ：４０ＭＨｚ
・移動速度    ：１ｍｍ／秒
【０１２５】
次に、これらのステンレス鋼基板を、熱重量計測測定装置（ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン社製、「ＴＧＡ」）を用いて分析して、加熱処理によるその重量の減少率（％）を求めた。
また、各ステンレス鋼基板の表面の純水に対する水接触角を、接触角測定装置（協和界面科学社製、「ＤＭ-５０１」）を用いて測定した。
その結果を、図８に示す。
【０１２６】
図８から明らかなように、加熱温度が９０℃となるまでには、加熱温度の上昇に伴い、ステンレス鋼基板の重量が減少し、９０℃を境界線として、それ以上の加熱温度で加熱するとステンレス鋼基板の重量が増加する傾向を示した。
かかる現象の原因を明らかとすることを目的に、加熱処理前のステンレス鋼基板と、２００℃の加熱処理を施したステンレス鋼基板とについて、Ｘ線光電子分光分析装置（アルバックファイ社製、「Quantera SXM」）用いて分析した。
その結果を、図９に示す。
【０１２７】
図９から明らかなように、２００℃の加熱処理を施したステンレス鋼基板では、加熱処理前のステンレス鋼基板と比較して、Ｆｅに由来するピークが低くなるとともに、Ｆｅ−Ｏに由来するピークが高くなる結果となったことから、２００℃の加熱処理を施したステンレス鋼基板の表面には鉄酸化膜（Ｆｅ２Ｏ３）が形成されていると考えられた。
したがって、図８の結果を改めて考察すると、９０℃を境界線として、９０℃以下の加熱処理では、ステンレス鋼基板の表面に存在する水酸基が減少することに起因してステンレス鋼基板の重量が減少し、さらに、９０℃超の加熱処理では、ステンレス鋼基板の表面に鉄酸化膜が形成されることに起因してステンレス鋼基板の重量が増加しているものと推察された。
【０１２８】
４．前処理による基材表面の表面自由エネルギーの把握
まず、基材（基板）として、ステンレス鋼（ＳＵＳ４３０）基板を複数枚用意し、これらの基板にプラズマ処理を施した後に、６０〜２００℃×１０分間の条件で加熱処理を施した。
なお、プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理条件は以下に示す通りとした。
【０１２９】
＜プラズマ処理条件＞
・処理ガス    ：ヘリウムガスと酸素ガスとの混合ガス
・ガス供給速度：１０ＳＬＭ
・電極間距離  ：１ｍｍ
・印加電圧    ：１ｋＶｐ−ｐ
・電圧周波数  ：４０ＭＨｚ
・移動速度    ：１ｍｍ／秒
【０１３０】
次に、これらのステンレス鋼基板を、熱重量計測測定装置（ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン社製、「ＴＧＡ」）を用いて分析して、加熱処理によるその重量の減少率（％）を求めた。
また、各ステンレス鋼基板の表面の純水に対する水接触角を、接触角測定装置（協和界面科学社製、「ＤＭ-５０１」）を用いて測定した。そして、この測定結果に基づいて、各ステンレス鋼基板の表面における表面自由エネルギーのｄ成分、ｐ成分およびｈ成分をそれぞれ求めた。
なお、ｄ成分、ｐ成分およびｈ成分は、それぞれ、接触角計により測定した接触角を表面自由エネルギー解析することにより求めることができる。
【０１３１】
また、「表面自由エネルギーのｈ成分」とは、水素結合成分のことを表し、「表面自由エネルギーのｐ成分」とは、極性成分のことを表し、さらに、「表面自由エネルギーのｄ成分」とは、分散成分のことを表す成分である。
また、各温度条件で加熱処理されたステンレス鋼基板について、前記実施例１で示した手順に従って、ステンレス鋼基板同士が接合膜を介して接合された接合体を得た。そして、各接合体の接合強度（ピール強度）を測定した。
その結果を、図１０および図１１に示す。
【０１３２】
図１０から明らかなように、接合体の接合強度は、表面自由エネルギーのｄ成分と相関性を有していると推察され、ステンレス鋼基板の表面における疎水性と、ステンレス鋼基板の接合膜に対する密着性とが相関性を有していると考えられた。
また、図１１から明らかなように、ステンレス鋼基板の加熱温度が高いほど、表面自由エネルギーのｄ成分が高くなっており、この点からも、接合体の接合強度が、表面自由エネルギーのｄ成分と相関性を有していることが裏付けられる結果が得られた。
【符号の説明】
【０１３３】
１……接合体  １０……ノズルプレート  １１……ノズル孔  １５……接着層  ２０……吐出液貯留室形成基板  ２１……第１の基材  ２２……第２の基材  ２３、２４……接合面  ２５……接着層  ３……接合膜  ３０……液状被膜  ３２……表面  ３５……液状材料  ４０……支持板  ５０……圧電素子  ５１……圧電体層  ５２……電極膜  ５３……凹部  ６０……ケースヘッド  ６１……吐出液供給路  ７０……リザーバ  ９……インクジェットプリンタ  ９２……装置本体  ９２１……トレイ  ９２２……排紙口  ９３……ヘッドユニット  ９３１……インクカートリッジ  ９３２……キャリッジ  ９４……印刷装置  ９４１……キャリッジモータ  ９４２……往復動機構  ９４３……タイミングベルト  ９４４……キャリッジガイド軸  ９５……給紙装置  ９５１……給紙モータ  ９５２……給紙ローラ  ９５２ａ……従動ローラ  ９５２ｂ……駆動ローラ  ９６……制御部  ９７……操作パネル  Ｐ……記録用紙
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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