(57)【要約】【課題】半導体素子が実装された基板を配線基板の設置面に対して縦に設けた電子部品を製造する際、ＦＰＣを用いることなく、半導体素子が実装された基板と配線基板とを電気的に接続することができる電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る電子部品の製造方法は、ＩＣ１１の第１の面に平行な面と配線基板１３の第２の面との交角である第１の角度が０度よりも大きく１８０度よりも小さい状態で、第２の面にＩＣ１１を搭載する工程と、水平面１５ｆに対し０度よりも大きい第２の角度α２で傾斜する第３の面１５ｄを有するステージ１５の第３の面１５ｄに配線基板１３の第２の面とは反対側を向く面を向けた状態で、第３の面に配線基板１３を搭載する工程と、ステージ１５側にＩＣ１１の第１の面とは反対側を向く面を向けた状態でボンディングワイヤーＡで第１の面に位置する第１の電極と第２の面に位置する第２の電極とを接続する工程とを含む。【選択図】図２
2013183083.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の第１の面に平行な面と配線基板の第２の面との交角である第１の角度が０度よりも大きく１８０度よりも小さい状態で、前記第２の面に前記半導体素子を搭載する工程と、
水平面に対し０度よりも大きい第２の角度で傾斜する第３の面を有する支持体の前記第３の面に前記配線基板の前記第２の面が形成されている面とは反対側を向く面を向けた状態で、前記第３の面に前記配線基板を搭載する工程と、
前記半導体素子を搭載する工程及び前記配線基板を搭載する工程の後に、前記支持体側に前記半導体素子の前記第１の面が形成されている面とは反対側を向く面を向けた状態で、導電部材で前記第１の面に位置する第１の電極と前記第２の面に位置する第２の電極とを接続する工程と、
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記配線基板を搭載する工程では、前記第２の面と前記第３の面とは平行に搭載され、
前記第２の角度は、９０度から前記第１の角度の半分の角度を引いた角度であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記第２の面に前記半導体素子を搭載する工程の前に、前記第１の電極と前記第２の電極のうち少なくとも一方にスタッドバンプを形成しておくことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
加速度や回転角速度等の物理量の検出ができるセンサーモジュール（モーションセンサー）に使用されるセンサー素子として、例えば、所謂ダブルＴ型のジャイロセンサー水晶振動子がパッケージ内に収容されたジャイロセンサー（圧電発振器）が知られている（特許文献１）。
水平方向の物理量を検出することを目的としたセンサーモジュールは、配線基板の設置面とセンサー素子の主面との成す角度が垂直となっている（つまり、前記設置面に対して縦にセンサー素子を設けている）。また、近年、多軸方向における物理量を検出することを目的として、単一のモジュールに複数のセンサー素子を設けることで、複数軸（多軸）における物理量を検出するセンサーモジュールの開発が行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２９２０７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のセンサーモジュールは、図８に例示するように、配線基板１３とセンサー素子１１ｃが実装された基板（半導体素子１１）とをＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）６１を用いて接続する場合がある。ＦＰＣ６１を用いて配線基板１３と半導体素子１１とを電気的に接続する場合には、例えば、半導体素子１１とＦＰＣ６１とをスタッドバンプ６２を介して接続する工程やＦＰＣ６１を折り曲げる工程、ＦＰＣ６１と配線基板１３とを接続する工程といった複数の工程を必要とすることがある。また、使用するＦＰＣ６１自身が高価である。
【０００５】
以上のように、半導体素子を配線基板の設置面に対して縦に設けたセンサーモジュールを製造する際、配線基板と半導体素子との接続にＦＰＣを用いると、その製造コストが高くなることがある。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、例えば半導体素子を配線基板の設置面に対して縦に設けた電子部品を製造する際、ＦＰＣを用いることなく、半導体素子と配線基板とを電気的に接続することができる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するための本発明の一態様は、半導体素子の第１の面に平行な面と配線基板の第２の面との交角である第１の角度が０度よりも大きく１８０度よりも小さい状態で、前記第２の面に前記半導体素子を搭載する工程と、水平面に対し０度よりも大きい第２の角度で傾斜する第３の面を有する支持体の前記第３の面に前記配線基板の前記第２の面が形成されている面とは反対側を向く面を向けた状態で、前記第３の面に前記配線基板を搭載する工程と、前記半導体素子を搭載する工程及び前記配線基板を搭載する工程の後に、前記支持体側に前記半導体素子の前記第１の面が形成されている面とは反対側を向く面を向けた状態で、導電部材で前記第１の面に位置する第１の電極と前記第２の面に位置する第２の電極とを接続する工程と、を含むことを特徴とする電子部品の製造方法である。
【０００７】
上記態様の電子部品の製造方法であれば、配線基板を搭載する支持体の第３の面が水平面に対して０度より大きい角度で傾斜しているため、半導体素子の第１の面と配線基板の第２の面とを水平面に対して傾斜させることができる。このため、例えばワイヤーボンディング法に用いられるキャピラリーの先端を第１の面または第２の面に接近させることができる。よって、例えばワイヤーボンディング法を用いて第１の電極と第２の電極とをボンディングワイヤーで接続することができる。ゆえに、配線基板の第２の面に対して半導体素子を例えば縦置きした場合であっても、半導体素子と配線基板との接続にＦＰＣを用いる必要がない。このため、上記態様の製造方法で製造した電子部品であれば、ＦＰＣを用いた電子部品と比較して、電子部品の製造コストを下げることができる。
【０００８】
なお、上述の「半導体素子」として、後述する実施形態では「素子付きＩＣ１１」が例示されている。また、「第１の面」として、後述する実施形態では「面１１ａ」が例示されている。また、「第１の面の裏面」として、後述する実施形態では「面１１ｂ」が例示されている。また、「第１の電極」として、後述する実施形態では「ＩＣパッド１１ｄ」が例示されている。また、「平行な面」として、後述する実施形態では「面１１ｅ」が例示されている。また、「第２の面」として、後述する実施形態では「面１３ａ」が例示されている。また、「第２の面の裏面」として、後述する実施形態では「面１３ｂ」が例示されている。また、「第２の電極」として、後述する実施形態では「ランド１３ｃ」が例示されている。また、「第３の面」として、後述する実施形態では「面１５ｄ」が例示されている。また、「支持体」として、後述する実施形態では「ボンディングステージ１５」が例示されている。
【０００９】
また、本発明の別の態様は、前記配線基板を搭載する工程では、前記第２の面と前記第３の面とは平行であり、前記第２の角度は、９０度から前記第１の角度の半分の角度を引いた角度であることとしてもよい。
上記態様の製造方法であれば、水平面に対して垂直な線で第１の角度を二等分することができる（つまり、前記垂直な線と前記第１の面との交角と、前記垂直な線と前記第２の面との交角とを同じ角度にすることができる）。このため、例えば半導体素子の第１の電極と配線基板の第２の電極とをワイヤーボンディングする際にキャピラリーを前記第１の面と前記第２の面の両方から最も離すことができる。よって、ワイヤーボンディングする際にキャピラリーが半導体素子または配線基板と接触して半導体素子または配線基板が破損するのを防ぐことができる。
【００１０】
また、本発明の別の態様は、前記第２の面に前記半導体素子を搭載する工程の前に、前記第１の電極と前記第２の電極のうち少なくとも一方にスタッドバンプを形成しておくこととしてもよい。
上記態様の製造方法であれば、第１の電極と第２の電極のうち少なくとも一方に予めスタッドバンプを形成する。このため、前記スタッドバンプを形成しなかった場合と比較して、例えばキャピラリーを第１の電極と第２の電極のうち少なくとも一方から遠ざけた状態で第１の電極と第２の電極とをワイヤーボンディングすることができる。よって、キャピラリーが半導体素子または配線基板に接触し半導体素子または配線基板が破損する可能性を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る電子部品を模式的に示す図。
【図２】本発明の実施形態に係る電子部品の製造方法を模式的に示す図。
【図３】本発明の実施形態に係る電子部品を模式的に示す図。
【図４】本発明の実施形態に係る電子部品の変形例１を模式的に示す図。
【図５】本発明の実施形態に係る電子部品の変形例２を模式的に示す図。
【図６】本発明の実施形態に係る電子部品の変形例２の製造方法を模式的に示す図。
【図７】本発明の実施形態に係る電子部品の変形例３を模式的に示す図。
【図８】従来技術に係る電子部品を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明を適用した実施形態に係る電子部品及び電子部品の製造方法について、図面を参照しつつ順次説明する。ただし、本発明は以下の実施形態のみに限定されるものではない。
（１）電子部品１０
図１（ａ）は、本実施形態に係る電子部品１０を模式的に示す図である。図１（ａ）に示すように、電子部品１０は、素子付きＩＣ１１と、素子付きＩＣ１１を支持するセラミックブロック１２と、素子付きＩＣ１１及びセラミックブロック１２を搭載する配線基板１３と、素子付きＩＣ１１と配線基板１３とを電気的に接続する導電部材１４と、素子付きＩＣ１１を覆い、接着剤１９を介して配線基板１３に搭載された蓋体１７を含んで構成されている。
【００１３】
（配線基板１３）
配線基板１３は、素子付きＩＣ１１及びセラミックブロック１２を搭載する基板であり、例えば板状の部材からなる。配線基板１３は、面１３ａ及び面１３ａの裏面１３ｂを有しており、面１３ｂは、面１３ａに対して平行な面である。また、面１３ａ側には第２の電極（以下、「ランド」ともいう。）１３ｃを備えている。また、面１３ｂ側に設けられた第３の電極１３ｄを備えている。第３の電極１３ｄは電極１３ｃと接続されていてもよい。なお、ランド１３ｃの数は、単数であってもよいし複数であってもよい。また、配線基板１３の材質及び形状は特に限定されるものではない。また、配線基板１３上には素子付きＩＣ１１を覆うように接着剤１９を介して蓋体１７が設けられていてもよい。このとき、蓋体１７内は例えば真空状態となっていてもよい。
【００１４】
（セラミックブロック１２）
セラミックブロック１２は、配線基板１３に搭載され、素子付きＩＣ１１を支持する支持部材であり、例えば絶縁体で形成された直方体のブロックである。セラミックブロック１２は、面１２ａ及び面１２ａに対して垂直な面１２ｂを有している。セラミックブロック１２は、セラミックブロック１２の面１２ａの全面と配線基板１３の面１３ａとが接した状態で配線基板１３に搭載されている。なお、セラミックブロック１２は、絶縁体で形成されたものであればよく、材質及び形状は特に限定されるものではない。
【００１５】
（素子付きＩＣ１１）
素子付きＩＣ１１は、例えばＩＣチップ１１ｈ、センサー素子１１ｃ及び第１の電極（以下、「ＩＣパッド」ともいう。）１１ｄを備えている。素子付きＩＣ１１は、面１１ａ及び面１１ａの裏面１１ｂを有しており、面１１ａ側にＩＣパッド１１ｄを備えている。また、素子付きＩＣ１１は、面１１ａ側にセンサー素子１１ｃを備えている。センサー素子１１ｃは、面１１ａに設けられた電極１１ｇと金属電極１８を介して接続されるように、面１１ａ側に搭載されていてもよい。このとき、センサー素子１１ｃは水晶振動子で形成されていてもよい。または、センサー素子１１ｃはＩＣチップ１１ｈの中に埋め込まれるようにして設けられていてもよい。なお、センサー素子１１ｃの数は、単数であっても良いし複数であってもよい。また、ＩＣパッド１１ｄの数は、単数であってもよいし複数であってもよい。更に金属電極１８及びそれに接続される電極１１ｇは、単数であってもよいし、複数であってもよい。センサー素子１１ｃは面１１ａに対向する面、若しくは面１１ａに対して垂直な方向の加速度や回転角速度等の物理量を検出するセンサー素子であってもよい。
【００１６】
ＩＣチップ１１ｈは、例えばシリコンで構成されている。このＩＣチップ１１ｈには、ＩＣ素子（図示せず）が形成されていてもよい。このＩＣ素子は、例えばセンサー素子１１ｃに予め設定された電圧を印加する機能を有していてもよい。また、このＩＣ素子は、例えばセンサー素子１１ｃから出力される信号を受け取って信号処理し、ＩＣパッド１１ｄに出力する機能を有していてもよい。また、ＩＣチップ１１ｈは、例えばシリコンの表面に配線（図示せず）が形成されていて、電極１１ｇとＩＣパッド１１ｄとを電気的に接続していてもよい。
【００１７】
或いは、ＩＣチップ１１ｈはＩＣ素子を備えたものでなくてもよく、例えば単なる配線基板であってもよい。この配線基板は、例えば電極１１ｇとＩＣパッド１１ｄとを接続する配線（図示せず）が形成されていてもよい。
素子付きＩＣ１１は、素子付きＩＣ１１の面１１ｂとセラミックブロック１２の面１２ｂとが接した状態で、セラミックブロック１２に支持されている。また、素子付きＩＣ１１は、素子付きＩＣ１１及びセラミックブロック１２を配線基板１３に搭載した状態では、配線基板１３と接していなくてもよい。また、素子付きＩＣ１１は、センサー素子１１ｃよりもＩＣパッド１１ｄの方が配線基板１３に近い状態で、配線基板１３に搭載されている。
【００１８】
なお、図１（ｂ）は、素子付きＩＣ１１及びセラミックブロック１２を配線基板１３に搭載した様子（つまり、素子付きＩＣ１１と配線基板１３を導電部材１４で接続する前の様子）を模式的に示す図である。
図１（ａ）では、素子付きＩＣ１１の面１１ａに対して平行な面１１ｅと配線基板１３の面１３ａとの交角を第１の角度α１とした場合、第１の角度α１が９０度となっているが、この第１の角度α１は９０度に限定されるものではない。第１の角度α１は、例えば、０度よりも大きく１８０度よりも小さければよい。
【００１９】
（導電部材１４）
導電部材１４は、素子付きＩＣ１１と配線基板１３とを電気的に接続する部材であり、例えばボンディングワイヤーＡである。導電部材１４の材料は、例えば金（Ａｕ）である。導電部材１４がＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとを接続しているため、素子付きＩＣ１１と配線基板１２とが電気的に接続される。
【００２０】
（２）電子部品の製造方法
図２は、本実施形態に係る電子部品１０の製造方法を模式的に示す図である。電子部品１０の製造方法では、上述の素子付きＩＣ１１、セラミックブロック１２、配線基板１３、導電部材１４、及び後述するボンディングステージ１５を用いる。なお、図２では、センサー素子１１ｃについては記載を省略しているが、本実施形態に係る電子部品１０の製造方法では、センサー素子１１ｃが面１１ａに備わった素子付きＩＣ１１を用いている。
そこで、まず、ボンディングステージ１５について図２（ａ）を参照しつつ説明する。その後、電子部品１０の製造方法について図２（ｂ）〜（ｄ）を参照しつつ説明する。
【００２１】
（ボンディングステージ１５）
ボンディングステージ１５は、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとを導電部材１４（例えば、ボンディングワイヤーＡ）で接続する際に使用するステージであり、図２（ａ）に示すように、板状の部材で構成されている。ボンディングステージ１５は、面１５ａ及び面１５ａの裏面１５ｂを有しており、面１５ａ側には板状の部材の一部を切欠いて形成した切欠き部１５ｃを有している。この切欠き部１５ｃは、配線基板１３の面１３ｂが配置される面１５ｄ及び面１５ｄと接する面１５ｅを含んで構成されており、面１５ｄ及び面１５ｅはそれぞれ水平面１５ｆに対して傾斜している。
【００２２】
ここで、面１５ｄと水平面１５ｆとの交角を第２の角度α２とした場合、この第２の角度α２は９０度から第１の角度α１の半分の角度を引いた角度と等しくなっている。つまり、電子部品１０における第１の角度α１は９０度であることから、ボンディングステージ１５における第２の角度α２は４５度となっている。また、面１５ｄと面１５ｅとから成る角度は９０度となっている。
【００２３】
ボンディングステージ１５は、面１５ｂと面１５ｄとの間を水平面１５ｆに対して垂直方向に貫通する貫通穴（以下、「吸着穴」ともいう。）１５ｇを有している。このため、面１５ｂには、吸着穴１５ｇが露出している。
なお、図２（ａ）には２つの吸着穴１５ｇが例示されているが、吸着穴１５ｇは２つに限定されるものではない。また、図２（ａ）には第２の角度α２が４５度である場合が例示されているが、第２の角度α２は４５度に限定されるものではない。例えば、第１の角度α１が１２０度である場合には、第２の角度α２は３０度となる。
【００２４】
（電子部品の製造方法）
まず、第１の角度α１が０度よりも大きく１８０度よりも小さい状態で、素子付きＩＣ１１を配線基板１３の面１３ａ側にセラミックブロック１２を介して搭載する（図１（ｂ）を参照）。この際、センサー素子１１ｃよりもＩＣパッド１１ｄの方が配線基板１３に近い状態で、素子付きＩＣ１１を搭載する。また、配線基板１３に接しないように、素子付きＩＣ１１を搭載する。なお、図１（ｂ）では、第１の角度α１が９０度となっている。
【００２５】
次に、上述のボンディングステージ１５の面１５ｄ上に、図１（ｂ）に示した素子付きＩＣ１１及びセラミックブロック１２を搭載した配線基板１３を配置する。図２（ｂ）に示すように、素子付きＩＣ１１及びセラミックブロック１２を搭載した配線基板１３をボンディングステージ１５の面１５ｄ上に、配線基板１３の面１３ｂの全面が面１５ｄと接する状態で配置する。この際、素子付きＩＣ１１の面１１ｂがボンディングステージ１５の面１５ｅ側を向いた状態で配置する。つまり、素子付きＩＣ１１及びセラミックブロック１２を搭載した配線基板１３を、セラミックブロック１２の方が素子付きＩＣ１１よりもボンディングステージ１５の面１５ｅ側に近い状態で、面１５ｄ上に配置する。なお、配線基板１３を面１５ｄ上に配置する際、面１５ｄに露出した吸着穴１５ｇを配線基板１３の面１３ｂで塞ぐ。
【００２６】
素子付きＩＣ１１及びセラミックブロック１２を搭載した配線基板１３を面１５ｄ上に配置した後、吸着穴１５ｇから吸着穴１５ｇ内にある空気を、例えばポンプを用いて排気する。上述のように、吸着穴１５ｇは配線基板１３の面１３ｂで塞がれているので、上述の排気により、配線基板１３を第３の面１５ｄ上に固定することができる。
【００２７】
次に、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとを、例えばボンディングワイヤーＡで接続する。このボンディングワイヤーＡによる接続では、公知技術であるワイヤーボンディング法を用いることができる。まず、図２（ｃ）に示すように、例えばワイヤーボンディング法で用いられるキャピラリー１６を、水平面１５ｆに対して垂直な方向（図２（ｃ）のＺ軸方向）からＩＣパッド１１ｄ側に向かって接近させる。その後、キャピラリー１６を用いて、ボンディングワイヤーＡの一端をＩＣパッド１１ｄに接触させ、ボンディングワイヤーＡの一端とＩＣパッド１１ｄとを電気的に接続する。その後、ワイヤーを形成しつつキャピラリー１６をＩＣパッド１１ｄ側からランド１３ｃ方向に向かって移動させ、ランド１３ｃに接近させる。その後、キャピラリー１６の先端をランド１３ｃに接触させ、ボンディングワイヤーＡの他端とランド１３ｃとを電気的に接続する。
【００２８】
最後に、図２（ｄ）に示すように、キャピラリー１６を、ランド１３ｃ側から水平面１５ｆに対して垂直な方向（図２（ｃ）のＺ軸方向）に向かって遠ざける。こうして、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとをボンディングワイヤーＡで接続する工程は完了する。その後、配線基板１３上に接着剤１９を介して蓋体１７を搭載する。
このようにして、図１（ａ）に示した電子製品１０の製造が完了する。
【００２９】
以上のように、本実施形態に係る電子部品１０の製造方法であれば、配線基板１３を搭載するボンディングステージ１５の面１５ｄが水平面に対して傾斜しているため、素子付きＩＣ１１の面１１ａと配線基板１３の面１３ａとを水平面に対して傾斜させることができる。また、素子付きＩＣ１１の面１１ｂはボンディングステージ１５の面１５ｅ側を向いている（つまり、セラミックブロック１２の方が素子付きＩＣ１１よりもボンディングステージ１５の面１５ｅ側に近い。）。このため、例えばワイヤーボンディング法に用いられるキャピラリー１６の先端を素子付きＩＣ１１の面１１ａと配線基板１３の面１３ａとに接近させることができる。よって、例えばワイヤーボンディング法を用いてＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとをボンディングワイヤーＡで接続することができる。ゆえに、配線基板１３の面１３ａに対して素子付きＩＣ１１を例えば縦置きした場合であっても、素子付きＩＣ１１と配線基板１３との接続にＦＰＣを用いる必要がない。このため、本実施形態に係る製造方法であれば、ＦＰＣを用いた製造方法と比較して、素子付きＩＣ１１と配線基板１３とを接続するために要する工程数を少なくすることができるので電子部品の製造コストを下げることができる。また、ＦＰＣを用いないので、材料費を抑えることができ、電子部品の製造コストを下げることができる。また、ワイヤーボンディング法は既存技術であるため、接続信頼性を高めることができる。また、ＦＰＣを折り曲げるための装置等を新たに導入する必要がなく、傾斜をつけたステージと真空吸着するためのポンプだけがあればよいので、設備投資を抑えることができる。
【００３０】
また、本実施形態に係る電子部品１０の製造方法では、上述のように、面１５ｄと水平面１５ｆとの交角を第２の角度α２とした場合、この第２の角度α２が９０度から第１の角度α１の半分の角度を引いた角度と等しくてもよい。この場合、水平面１５ｆに対して垂直な線で第１の角度α１を二等分することができる（つまり、前記垂直な線と素子付きＩＣ１１の面１１ａとの交角と、前記垂直な線と配線基板１３の面１３ａとの交角とは同じ角度になる）。このため、例えばＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとをワイヤーボンディングする際にキャピラリー１６を素子付きＩＣ１１の面１１ａと配線基板１３の面１３ａの両方から最も離すことができる。よって、ワイヤーボンディングする際にキャピラリー１６が素子付きＩＣ１１または配線基板１３と接触して素子付きＩＣ１１または配線基板１３が破損するのを防ぐことができる。
【００３１】
なお、本実施形態に係る電子部品１０の製造方法では、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとをボンディングワイヤーＡで接続する際、ＩＣパッド１１ｄまたはランド１３ｃとボンディングワイヤーＡとを直接接続したが、これに限定されるものではない。例えば、配線基板１３に素子付きＩＣ１１を搭載する前に、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃのうち少なくとも一方にスタッドバンプを形成してもよい。図３（ｂ）は、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃの両方にスタッドバンプＢ１、Ｂ２を形成した様子を模式的に示すものである。その後、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとをスタッドバンプＢ１、Ｂ２を介してボンディングワイヤーＢ３で接続し、電子部品２０を完成させてもよい（図３（ａ）を参照）。
【００３２】
なお、図３（ａ）及び（ｂ）では、蓋体１７、接着剤１９及び第３の電極１３ｄの記載を省略している。
この製造方法であれば、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃのうち少なくとも一方に予めスタッドバンプを形成している。このため、スタッドバンプを形成しなかった場合と比較して、キャピラリー１６を素子付きＩＣ１１と配線基板１３のうち少なくとも一方から遠ざけた状態でワイヤーボンディングすることができる。よって、キャピラリー１６が素子付きＩＣ１１または配線基板１３に接触し素子付きＩＣ１１または配線基板１３が破損する可能性を低減させることができる。
【００３３】
また、本実施形態では、配線基板１３に素子付きＩＣ１１を搭載した後、素子付きＩＣ１１が搭載された配線基板１３をボンディングステージ１５の面１５ｄに配置する工程について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、まず、ボンディングステージ１５の面１５ｄに配線基板１３を配置し、その後、第１の角度α１が０度よりも大きく１８０度よりも小さい状態で、配線基板１３に素子付きＩＣ１１を搭載してもよい。この場合であっても、上述の作用効果を得ることができる。
【００３４】
また、本実施形態では、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとをボンディングワイヤーＡで接続する際、ＩＣパッド１１ｄにボンディングワイヤーＡの一端を接続した後、ランド１３ｃにボンディングワイヤーＡの他端を接続する工程について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、まずランド１３ｃにボンディングワイヤーＡの一端を接続した後、ＩＣパッド１１ｄにボンディングワイヤーＡの他端を接続してもよい。この場合であっても、上述の作用効果を得ることができる。なお、ランド１３ｃ、ＩＣパッド１１ｄの順でボンディングワイヤーＡを接続する場合には、ＩＣパッド１１ｄを保護するために、予めＩＣパッド１１ｄにスタッドバンプを形成しておくのがよい。
【００３５】
（変形例１）
図４は、図１（ａ）に示した電子部品１０の変形例に係る電子部品３０を模式的に示す図である。この電子部品３０と上述の電子部品１０とでは、配線基板１３に対するセンサー素子１１ｃとＩＣパッド１１ｄとの相対的な位置が異なっているが、その他については同じである。つまり、上述の電子部品１０の素子付きＩＣ１１は、センサー素子１１ｃよりもＩＣパッド１１ｄの方が配線基板１３に近い状態で配線基板１３に搭載されている。一方で、本変形例に係る電子部品３０の素子付きＩＣ１１は、ＩＣパッド１１ｄよりもセンサー素子１１ｃの方が配線基板１３に近い状態で配線基板１３に搭載されている。
【００３６】
なお、この電子部品３０の製造方法は、上述の電子部品１０の製造方法と同じであるため、その説明は省略する。また、蓋体１７、接着剤１９及び第３の電極１３ｄについて、本変形例以降の変形例の説明では図示を省略する。
本変形例の態様であれば、ＩＣパッド１１ｄにボンディングワイヤーＣの一端を接続する際にセンサー素子１１ｃとキャピラリー１６とが干渉しない。このため、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとをボンディングワイヤーＣで接続する際、キャピラリー１６がセンサー素子１１ｃに接触し素子付きＩＣ１１が破損する可能性を低減させることができる。
【００３７】
（変形例２）
図５は、図１（ａ）に示した電子部品１０の変形例に係る電子部品４０を模式的に示す図である。この電子部品４０と上述の電子部品１０とでは、導電部材１４の形状が異なっているが、その他については同じである。つまり、上述の電子部品１０では、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとはボンディングワイヤーＡで接続されているが、本変形例に係る電子部品４０では、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとはスタッドバンプＤで接続されている。
【００３８】
この電子部品４０の製造方法は、電子部品１０の製造方法と概ね同じであるが、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとの接続工程（図６（ｃ）を参照）が異なっている。よって、この接続工程について説明し、他の工程については省略する。なお、図６では、センサー素子１１ｃについては記載を省略しているが、本実施形態に係る電子部品４０の製造方法でも、電子部品１０の製造方法と同様に、センサー素子１１ｃが面１１ａに備わった素子付きＩＣ１１を用いている。
【００３９】
上述の電子部品１０の製造方法では、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとをワイヤーボンディング法を用いて接続したが、電子部品４０の製造方法では、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとをスタッドバンプボンディング法を用いて接続する。図６（ａ）及び（ｂ）に示す工程は、上述の図２（ａ）及び（ｂ）に示す工程と同じである。電子部品４０の製造方法では、図６（ａ）及び（ｂ）に示す工程の後に、水平面１５ｆに対して垂直な方向（図６（ｃ）のＺ軸方向）からＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとの間に向かってキャピラリー１６の先端を接近させる（図６（ｃ））。次に、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとを跨ぐようにスタッドバンプＤを形成し、その後、キャピラリー１６を水平面１５ｆに対して垂直な方向（図６（ｃ）のＺ軸方向）に向かって遠ざける。こうして、電子部品４０を製造する。
【００４０】
本変形例の態様であれば、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとを一回の接続工程で接続することができる。このため、ＦＰＣを用いた場合と比較して、電子部品の製造工程数を少なくすることができ、電子部品の製造コストを下げることができる。また、ＦＰＣを用いないので、材料費を抑えることができ、電子部品の製造コストを下げることができる。また、スタッドバンプボンディング法は既存技術であるため、接続信頼性を高めることができる。
【００４１】
（変形例３）
図７は、図１（ａ）に示した電子部品１０の変形例に係る電子部品５０を模式的に示す図である。この電子部品５０と図３（ａ）に示す電子部品２０とでは、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとを接続する導電部材の形状が異なっているが、その他については同じである。つまり、上述の電子部品２０では、ＩＣパッド１１ｄ上に予め形成したスタッドバンプＢ１と、ランド１３ｃ上に予め形成したスタッドバンプＢ２とをボンディングワイヤーＢ３で接続している。一方、電子部品５０では、ＩＣパッド１１ｄ上に予め形成したスタッドバンプＥ１と、ランド１３ｃ上に予め形成したスタッドバンプＥ２とをスタッドバンプＥ３で接続している。
【００４２】
なお、図７には、スタッドバンプＥ１及びスタッドバンプＥ２が記載されているが、これに限定されるものではない。上述の電子部品２０の場合と同様に、スタッドバンプＥ１とスタッドバンプＥ２のうち少なくとも一方が形成されていればよい。
この電子部品５０の製造方法は、電子部品２０の製造方法と概ね同じであるが、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとの接続工程が異なっている。よって、この接続工程について説明し、他の工程については省略する。
【００４３】
上述の電子部品２０の製造方法では、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとをワイヤーボンディング法を用いて接続したが、電子部品５０の製造方法では、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとをスタッドバンプボンディング法を用いて接続する。電子部品５０の製造方法で用いるスタッドバンプボンディング法は、電子部品４０の製造方法で用いたスタッドバンプボンディング法（図６を参照）と同じである。つまり、水平面１５ｆに対して垂直な方向から、スタッドバンプＥ１が形成されたＩＣパッド１１ｄとスタッドバンプＥ２が形成されたランド１３ｃとの間に向かってキャピラリー１６の先端を接近させる。次に、スタッドバンプＥ１とスタッドバンプＥ２とを跨ぐようにスタッドバンプＥ３を形成し、その後、キャピラリー１６を水平面１５ｆに対して垂直な方向に向かって遠ざける。こうして、電子部品５０を製造する。
【００４４】
本変形例の態様であれば、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃとを一回の接続工程で接続することができる。また、本変形例の態様であれば、ＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃのうち少なくとも一方に予めスタッドバンプを形成している。このため、スタッドバンプを形成しなかった場合と比較して、スタッドバンプボンディングする際に用いられるキャピラリー１６をＩＣパッド１１ｄとランド１３ｃのうち少なくとも一方から遠ざけた状態でスタッドバンプボンディングすることができる。よって、キャピラリー１６が素子付きＩＣ１１または配線基板１３に接触し素子付きＩＣ１１または配線基板１３が破損する可能性を低減させることができる。
【符号の説明】
【００４５】
１０  電子部品、１１  素子付きＩＣ、１１ａ  面、１１ｂ  面、１１ｃ  センサー素子、１１ｄ  第１の電極、１１ｅ  面、１１ｇ  電極、１１ｈ  ＩＣチップ、１２  セラミックブロック、１２ａ  面、１３  配線基板、１３ａ  面、１３ｂ  面、１３ｃ  第２の電極、１３ｄ  第３の電極、１４  導電部材、１５  ボンディングステージ、１５ａ  面、１５ｂ  面、１５ｃ  切欠き部、１５ｄ  面、１５ｅ  面、１５ｆ  水平面、１５ｇ  吸着穴、１６  キャピラリー、１７  蓋体、１８  電極、１９  接着剤、２０  電子部品、３０  電子部品、４０  電子部品、５０  電子部品、６０  センサーモジュール、６１  ＦＰＣ、６２  スタッドバンプ、α１  第１の角度、α２  第２の角度、Ａ  ボンディングワイヤー、Ｂ１  スタッドバンプ、Ｂ２  スタッドバンプ、Ｂ３  ボンディングワイヤー、Ｃ  ボンディングワイヤー、Ｄ  スタッドバンプ、Ｅ１  スタッドバンプ、Ｅ２  スタッドバンプ、Ｅ３  スタッドバンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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