(57)【要約】      （修正有）【課題】特性が劣化せず、かつ小型化が容易な水晶振動子をドライエッチングにより製造する方法を提供する。【解決手段】水晶振動子における振動領域１１に対応して、表面に振動領域１１より大きい窪み３１が形成された支持基板３０を用意し、支持基板３０の表面に水晶板１０を接合する。このとき、窪み３１では水晶板が支持基板に接触しないようにする。その後、水晶板に対してドライエッチングを適用して、振動領域と振動領域を取り囲む枠部２０とが支持梁部２１，２２を介して接続する形状となるように、水晶板を振動領域と枠部とに分離する。【選択図】図５
2013081022.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水晶振動子を製造する方法であって、
水晶振動子における振動領域に対応して、表面に該振動領域より大きい窪みが形成された支持基板を用意し、前記支持基板の前記表面に水晶板を、前記窪みでは前記水晶板が前記支持基板に接触しないように、接合する段階と、
前記水晶板に対してドライエッチングを適用して、前記振動領域と該振動領域を取り囲む枠部とが支持梁部を介して接続する形状となるように、前記水晶板を前記振動領域と前記枠部とに分離する段階と、
を有する方法。
【請求項２】
前記水晶板の第１の主面に、前記振動領域に対応して形成された第１の励振電極と、前記枠部の領域内に形成された第１及び第２の接続電極と、前記支持梁部に対応して形成され前記第１の励振電極と前記第１の接続電極とを電気的に接続する第１の引出電極とが設けられており、
前記第２の接続電極の位置において前記水晶板を貫通する導電路が形成されており、
前記水晶板の第２の主面に、前記振動領域に対応して形成された第２の励振電極と、前記支持梁部に対応して形成され前記第２の励振電極と前記導電路とを電気的に接続する第２の引出電極とが設けられており、
前記水晶板の前記第２の主面が前記支持基板に接合される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１及び第２の接続電極にそれぞれ対応する第１及び第２の貫通電極を有する封止部材を前記枠部に対して接合する段階をさらに備え、前記支持基板、前記枠部及び前記封止部材によって形成された空間内に前記振動領域を封入する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記分離する段階において前記ドライエッチングにより、前記枠部の内周を円、楕円、または角が丸められた多角形状に加工する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記支持基板はシリコン基板であり、表面活性化接合によって前記水晶板を前記支持基板に接合する、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記振動領域は、ＧＴカットまたはＡＴカットの振動領域として形成される、請求項１乃至５に記載の方法。
【請求項７】
支持基板と、前記支持基板の表面に接合された水晶板とを有し、
前記水晶板は、振動領域と該振動領域を取り囲む枠部とが支持梁部を介して接続する形状を有し、ドライエッチングによって前記振動領域と前記枠部とが分離されており、
前記支持基板の前記表面には、前記振動領域と前記支持基板とが接触しないように、前記振動領域に対応して該振動領域よりも大きい窪みが設けられている、
水晶振動子。
【請求項８】
前記水晶板の第１の主面に、前記振動領域に対応して形成された第１の励振電極と、前記枠部の領域内に形成された第１及び第２の接続電極と、前記支持梁部に対応して形成され前記第１の励振電極と前記第１の接続電極とを電気的に接続する第１の引出電極とを備え、
前記第２の接続電極の位置において前記水晶板を貫通する導電路が形成され、
前記水晶板の第２の主面に、前記振動領域に対応して形成された第２の励振電極と、前記支持梁部に対応して形成され前記第２の励振電極と前記導電路とを電気的に接続する第２の引出電極とを備え、
前記水晶板の前記第２の主面が前記支持基板に接合する、請求項７に記載の水晶振動子。
【請求項９】
前記第１及び第２の接続電極にそれぞれ対応する第１及び第２の貫通電極を備えて前記枠部に対して接合した封止部材をさらに有し、
前記支持基板、前記枠部及び前記封止部材によって形成された空間内に前記振動領域が封入されている、請求項７または８に記載の水晶振動子。
【請求項１０】
前記枠部の内周が、前記ドライエッチングにより、円、楕円、または角が丸められた多角形状に加工されている、請求項７乃至９のいずれか１項に記載の水晶振動子。
【請求項１１】
前記支持基板はシリコン基板であり、表面活性化接合によって前記水晶板が前記支持基板に接合されている、請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の水晶振動子。
【請求項１２】
前記振動領域は、ＧＴカットまたはＡＴカットの振動領域である、請求項７乃至１１に記載の水晶振動子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶振動子とその製造方法とに関し、特に、小型化に適した水晶振動子とその製造方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動子は、周波数または時間の基準源を構成するために、各種の電子機器において広く用いられている。水晶振動子は、一般に、振動板となる水晶板（水晶片ともいう）の表面に複数の励振電極を形成し、さらに、この水晶板を容器内に密閉封入するとともに励振電極を容器の外部に電気的に引き出した構成を有する。水晶振動子の共振周波数は、水晶板での結晶方位と形状及びサイズによって定まるので、所望の共振周波数の水晶振動子を得るためには、高精度で水晶板の外形加工を行う必要がある。
【０００３】
電子機器における小型化、低消費電力化の進行とともに、水晶振動子としても小型であるものが要求されるようになってきている。小型化された水晶振動子を製造するために、フォトリソグラフィーを用いるエッチングによって水晶板を加工することが主流となりつつある。水晶板自体は二酸化シリコンからなるので、半導体デバイス製造工程で一般的に用いられているエッチング技術を用いて加工することができる。しかしながら、二酸化シリコンの単結晶である水晶は結晶異方性を有しており、例えば、フッ化水素などを用いるウェットエッチングによって加工した場合、マスク形状を転写したままではなくて結晶方位に依存した形でエッチングが進行するため、その形状の制御が極めて難しいとされる。
【０００４】
そこで、結晶異方性の影響を受けにくいとされるドライエッチングの手法によって水晶板の外形加工を行うことが注目されている。例えば、特許文献１には、水晶基板上にエッチングガスを流通させてリアクティブイオンエッチングによって水晶振動子を製造することが開示されている。しかしながら、水晶のような酸化物単結晶は、ドライエッチングでの被加工性がよくなく、エッチング中に割れや欠けなどを生じやすい。これらの割れや欠けなどは、ドライエッチング中に水晶板の温度が例えば２００℃以上に達するためであると考えられている。ドライエッチング中の割れや欠けの発生を防止するために、支持基板に対して水晶ウエハを貼り付けるか接合させることによって水晶ウエハを支持し、その状態で水晶ウエハに対してドライエッチングを行うことが提案されている。このように構成すれば、支持基板によって水晶板の全体が指示されていることから、エッチング中に温度が上昇したとしても、水晶板における割れや欠けの発生を防止することができる。例えば特許文献２は、シリコンやガラスなどからなる支持基板に、粘着剤フィルムを介し水晶ウエハを貼り付けてドライエッチングを行うことを開示している。
【０００５】
ところで、水晶振動子における小型化の進行や、半導体デバイス製造技術を応用したＭＥＭＳ(Microelectromechanical systems)技術の進展により、ドライエッチングの際に水晶ウエハを支持するために用いられる支持基板自体を水晶振動子の構造部材（例えば、容器）として用いることが検討されるようになってきている。しかしながら、水晶振動子を支持基板に貼り付けたり接合させたりした結果、水晶板における振動領域までが支持基板と接合したり接触したりしていると、水晶板のその共振周波数での振動が妨げられ、その結果、水晶振動子の特性の大きな劣化がもたらされる。
【０００６】
なお特許文献３には、水晶板のドライエッチングに関するものではないが、水晶などの圧電基板を有する弾性表面波（ＳＡＷ；Surface Acoustic Wave）デバイスの小型化のために、圧電基板の表面に樹脂層を形成するとともに、圧電基板における櫛歯電極（ＩＤＴ；Interdigital Transducer）の形成部では樹脂層中に空洞部を設け、櫛歯電極の形成部が樹脂層と接しないようにした構成が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平８−２４２１３４号公報
【特許文献２】特開２０１０−１７７５４０号公報
【特許文献３】特開２０１０−５６８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
水晶板をドライエッチングによって加工する際に割れや欠けの発生を防止するためには、水晶板を支持基板に貼り付けたり接合することは有効な手段である。しかしながら、水晶板が接合した支持基板をそのまま水晶振動子の構造部分に使用すると、水晶板の振動部が支持基板に接触したり接合したりしているので、水晶振動子の特性が大きく劣化するという問題が生じる。
【０００９】
本発明の目的は、特性が劣化せず、かつ小型化が容易な水晶振動子をドライエッチングにより製造する方法と、そのような方法によって製造された水晶振動子とを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の水晶振動子の製造方法は、水晶振動子における振動領域に対応して、表面に振動領域より大きい窪みが形成された支持基板を用意し、支持基板の表面に水晶板を、窪みでは水晶板が支持基板に接触しないように、接合する段階と、水晶板に対してドライエッチングを適用して、振動領域とその振動領域を取り囲む枠部とが支持梁部を介して接続する形状となるように、水晶板を振動領域と枠部とに分離する段階と、を有する。
【００１１】
この製造方法では、水晶板との接合を行う前に予め支持基板の表面に窪みを設け、水晶板の振動領域が支持基板とは接触していない状態でドライエッチングが進行するようにする。このようにして得られる水晶振動子では、水晶振動子としての振動領域が支持基板と接触したり接合したりすることがないので、その振動が妨げられない。支持基板への窪みの生成は、例えば、ドライエッチングあるいはウェットエッチングなどの手法によって行われる。窪みの深さは、振動領域と支持基板との接触を確実を防ぐことができるものであればよく、例えば、０．１μｍ以上とする。また、窪みは、支持基板を貫通するものではないので、窪みの深さは支持基板の厚さ未満である。
【００１２】
本発明の水晶振動子は、支持基板と、支持基板の表面に接合された水晶板とを有し、水晶板は、振動領域とその振動領域を取り囲む枠部とが支持梁部を介して接続する形状を有し、ドライエッチングによって振動領域と枠部とが分離されており、支持基板の表面には、振動領域と支持基板とが接触しないように、振動領域に対応して振動領域よりも大きい窪みが設けられている。
【発明の効果】
【００１３】
ドライエッチングの際に水晶板を支持する支持基板に、水晶板の振動領域に対応してその振動領域よりも大きい窪みを予め設けておく。その結果、水晶板と支持基板とを接合したことによって水晶板の振動が妨げられることがなくなり、振動特性が良好に維持された水晶振動子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ），（ｂ）は、本発明の実施の一形態での水晶ウェハを示す断面図と平面図である。
【図２】（ａ），（ｂ）は、支持基板を示す断面図と平面図である。
【図３】水晶振動子の製造工程を示す断面図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は、水晶振動子の製造工程を示す断面図と平面図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は、水晶振動子を示す断面図と平面図である。
【図６】振動領域の支持部を拡大して示す図である。
【図７】（ａ），（ｂ）は、封止部材を示す断面図と底面図である。
【図８】（ａ），（ｂ）は、水晶振動子の製造工程を示す断面図と平面図である。
【図９】（ａ），（ｂ）は、水晶振動子の製造工程を示す断面図と平面図である。
【図１０】（ａ），（ｂ）は、水晶振動子を示す断面図と平面図である。
【図１１】水晶板の形状の一例を示す図である。
【図１２】水晶板の形状の別の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
次に、本発明の好ましい実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１６】
本発明に基づく水晶振動子は、水晶振動子の振動領域に対応して表面に振動領域より大きい窪みが形成された支持基板と、水晶板とを接合し、その後、水晶板に対してドライエッチングを適用して製造されるものである。
【００１７】
図１（ａ），（ｂ）は、それぞれ、接合前の水晶板１０を示す断面図と平面図である。図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線での断面を示している。水晶板１０は、例えばＧＴカットの水晶板として水晶の単結晶から切り出されたものであり、略矩形の形状を有している。もっとも、複数の水晶振動子に相当する大きさの水晶板（すなわち水晶ウエハ）を用いて複数個の水晶振動子を同時に形成し、その後、ダイシングにより個々の水晶振動子に分割することも可能であり、その場合は、１個の水晶振動子に対応する部分が略矩形の形状を有することになる。ここでは、ＧＴカットの水晶板の場合を例にして説明するが、水晶板の結晶方位はＧＴカットに限られるものではなく、例えば、ＡＴカットやその他のカットのものであってもよい。
【００１８】
水晶板１０の中央部が振動領域１１であり、振動領域１１に対応して、水晶板１０の両方の主面には、それぞれ、励振電極１２，１３が設けられている。ここでは輪郭振動型のＧＴカットの水晶振動子を想定しているので、振動領域１１は真円に近い楕円形とされ、励振電極１２，１３は、振動領域と同形状に設けられている。水晶板１０の図示上側の主面（第１の主面）の外周に沿って、後述する封止部材との接合に設けられる金属膜１４が形成されている。水晶板１０の第１の主面では、さらに、励振電極１２と金属膜１４との間の領域に、接続電極１５，１６が設けられており、接続電極１５は、細長い形状の引出電極１７を介して励振電極１２に電気的に接続している。接続電極１６の形成位置には、水晶板１０の他方の主面（第２の主面）側に貫通した導電路１８が設けられている。導電路１８は、いわゆる貫通電極孔として形成されるものである。水晶板１０の第２の主面には、導電路１８の端部と励振電極１３とを電気的に接続する引出電極１９が設けられている。引出電極１７，１９は、後述するように、水晶板１０における外周部である枠部２０から振動領域１１を保持する支持梁部２１，２２の形成領域に設けらている。ここでは、ＧＴカットの水晶振動子を想定しているので、後述するドライエッチングによって、支持梁部２１，２２は、振動領域１１から見て相互に反対方向に延びるように形成される。
【００１９】
励振電極１２，１３及び引出電極１７，１９は、例えば、蒸着やスパッタリングなどの手法によって形成される。また、金属膜１４及び接続電極１５，１６は、水晶板１０上に例えば、クロム（Ｃｒ）薄膜と金（Ａｕ）薄膜とをこの順で、スパッタ、蒸着、メッキなどにより成膜し、その後、パターニングを行うことによって、同一材料で同一の厚さに形成される。励振電極１２、金属膜１４、接続電極１５，１６及び引出電極１７を同時に形成するようにしてもよい。
【００２０】
図２（ａ），（ｂ）は、それぞれ、接合前の支持基板３０を示す断面図と平面図である。図２（ａ）は、図２（ｂ）のＡ−Ａ’線での断面を示している。支持基板３０は、例えば、シリコン（Ｓｉ）などからなる。支持基板３０の上面には、水晶板１０における振動領域１１、支持梁部２１，２２及び接続電極１６の位置に対応して、これらの振動領域１１、支持梁部２１，２２及び接続電極１６よりもやや大きな形状の窪み３１が形成されている。窪み３１は、支持基板３０に対してウェットエッチングあるいはドライエッチングを施すことによって形成され、その深さは例えば１μｍ程度とされる。
【００２１】
次に、支持基板３０の上面に対し、水晶板１０の第２の主面を接合する。この接合は、接着剤などを用いない直接的な接合で行うものとする。例えば、表面活性化接合により、支持基板３０と水晶板１０とを接合する。表面活性化接合は、真空中においてＡｒ+イオンなどを照射させることによって表面を活性化させ、その後、活性化させた表面同士を圧着することにより両者を接合するものであり、加熱などを行わなくてよいという利点を有するものである。図３は、接合を行った状態での断面形状を示しており、図１，２におけるＡ−Ａ’線での断面に対応している。水晶板１０の第２の主面に形成されている励振電極１３及び引出電極１９は、支持基板３０の窪み３１内にあって、支持基板３０とは直接は接触していない。また、水晶板１０における振動領域１１及び支持梁部２１，２２となるべき部位も支持基板３０とは接触していない。
【００２２】
次に、水晶板１０の第１の主面上に、ドライエッチングでのマスクとなる、レジストなどの保護膜材料３５を形成する。図４は、保護膜材料３５を形成した状態での水晶板１０及び支持基板３０を示すものであって、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は平面図である。図４（ａ）は、図４（ｂ）のＡ−Ａ’線での断面を示している。保護膜材料３５は、フォトリソグラフィー技術によってパターニングされており、水晶片１０における振動領域１１、枠部２０及び支持梁部２１，２２の上に設けられ、枠部２０から振動領域１１を分離する領域上には設けられていない。ここで重要なことは、支持基板３０に設けられた窪み３１の内側となる領域に対応する位置にのみに、保護膜材料３５のうち振動領域１１に対応する部分が形成されていることである。
【００２３】
次に、保護膜材料３５をマスクとして、水晶板１０が貫通するまでエッチングを行い、保護膜材料３５を除去する。図５（ａ），（ｂ）は、それぞれ、エッチング後の状態を示す断面図と平面図である。図５（ａ）は、図５（ｂ）のＡ−Ａ’線での断面を示している。本実施形態は、水晶板１０の振動領域１１が支持基板３０から浮いた状態でドライエッチングを行うことに特徴がある。ドライエッチングのエッチングガスとしては、二酸化シリコンのドライエッチングに一般的に使用されている、例えば、フッ化炭素（ＣＦ）系のガスを用いることができる。
【００２４】
以上の工程により、水晶板１０が振動領域１１とその振動領域１１を取り囲む枠部２０とに分離され、振動領域１１と枠部２０とが支持梁部２１，２２を介して接続する形状に水晶板１０が加工されたことになる。振動領域１１及び支持梁部２１，２２は、支持基板３０に形成された窪み３１の領域内に位置している。振動領域１１及び支持梁部２１，２２は支持基板３０とは接触せず、振動領域１１の振動が支持基板３０によって阻害されることもない。図６は、水晶板１０における振動領域１１を支持する部分を拡大して示すものであり、説明のため、各電極の図示を省略している。振動領域１１が窪み３１内に位置することにより、支持基板３０とは接触しないことが図６に示されている。
【００２５】
接続電極１５，１６は励振電極１２，１３にそれぞれ電気的に接続しているので、支持基板３０に支持されたままの水晶板１０を例えばセラミックパッケージ内に格納し、接続電極１５，１６を外部に電気的に引き出すことにより、水晶振動子を最終的に完成させることができる。
【００２６】
ところで、図５（ａ），（ｂ）に示した支持基板３０に支持されたままの水晶板１０を容器内に格納して水晶振動子を構成した場合には、水晶振動子の高さ方向の寸法を小さくすることが難しい、という問題が生じる。そこで、支持基板３０自体を水晶振動子の容器として用いることが考えられる。その場合には、水晶板１０の第１の主面に対して封止部材を接合し、支持基板３０、水晶板１０の枠部２０及び封止部材によって形成された空間内に振動領域１１が密閉封入されるような構成とすればよい。
【００２７】
図７（ａ），（ｂ）は、それぞれ封止部材の一例の断面図と底面図である。図７（ａ）は、図７（ｂ）のＡ−Ａ’線での断面を示している。封止部材４０は、例えば、シリコンなどからなる。封止部材４０の底面では、水晶板１０の金属膜１４と対応するように金属膜４１が設けられており、水晶板１０での接続電極１５，１６に対応する位置に接続電極４２，４３が設けられている。接続電極４２，４３は金属膜４１と同一工程、同一材料で同じ厚さに形成されている。接続電極４２，４３の位置には、外部接続用の貫通電極４４，４５がそれぞれ封止部材４０に埋め込まれており、貫通電極４４，４５の一端はそれぞれ接続電極４２，４３に電気的に接続している。貫通電極４４，４５は、銅（Ｃｕ）や金をメッキで埋め込むことによって形成できる。あるいは、タングステン（Ｗ）層、または不純物がドープされたポリシリコン層をＣＶＤ（化学気相成長）法によって設けることによっても、貫通電極４４，４５を設けることができる。封止部材４０の底面には、さらに、水晶板１０での振動領域１１に対応して振動領域１１よりも大きな窪み４８が設けられており、封止部材４０を水晶板１０に接合したときに振動領域１１が封止部材４０に接触しないようにされている。
【００２８】
図８は、封止部材４０を水晶板１０に接合した状態を示したものであって、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は平面図である。図８（ａ）は、図８（ｂ）のＡ−Ａ’線での断面を示している。封止部材４０の水晶板１０への接合は、水晶板１０の金属膜１４と封止部材４０の金属膜４１とを接合させ、水晶板の接続電極１５，１６と封止部材４０の接続電極４２，４３とを接合することによって行われる。接合には、例えば、表面活性化接合などの手法が用いられる。接合の結果、水晶板１０の振動領域１１は、支持基板３０、枠部２０及び封止部材４０によって形成された空間内に密閉封入されることになる。特に、真空中において水晶板１０への封止部材４０の接合を行えば、振動領域１１は真空中に密閉されることになる。
【００２９】
次に、封止部材４０の上面側から封止部材４０を研磨することによって（バックグラインドすることによって）、貫通電極４４，４５を露出させる。図９（ａ），（ｂ）は、それぞれ、貫通電極を露出させた状態での断面図と平面図である。図９（ａ）は、図９（ｂ）のＡ−Ａ’線での断面を示している。そののち、貫通電極４４，４５の露出位置に対応して、実装端子４６，４７を封止部材４０の上面に形成する。実装端子４６，４７は、貫通電極４４，４５と電気的に接続しており、したがって、励振電極１２，１３と電気的に接続している。実装電極４６，４７は、完成した水晶振動子を回路基板上に表面実装するために用いられる。複数個の水晶振動子に相当する大きさの水晶板１０、支持基板３０及び封止部材４０を用いて一括してこれら複数個の水晶振動子を形成した場合には、この段階において、ダイシングにより個々の水晶振動子に分割する。図１０（ａ），（ｂ）は、それぞれ、完成した水晶振動子の断面図と平面図である。図１０（ａ）は、図１０（ｂ）のＡ−Ａ’線での断面を示している。
【００３０】
なお、この構成では、水晶板１０への接合の前に、封止部材４０において貫通電極４４，４５を形成しておくことができるので、貫通電極４４，４５における材料の自由度を高めることができる。また、封止部材４０の水晶板１０への接合により、封止と電気的配線とを同時に行うことができることもこの方法のメリットである。
【００３１】
以上説明した水晶振動子では、ドライエッチングにより水晶板１０を加工し、枠部２０から振動領域１１を分離している。二酸化シリコンである水晶をドライエッチングする場合、フッ化炭素系のガスをエッチングガスとして用いることにより、大きなエッチング速度を得ることができるが、エッチングされた水晶の側面に、エッチング反応によって副生した堆積物（いわゆるデポ物）が付着する。この堆積物は、水晶の側面に強固に付着し、しかも、成分として酸化物を含んでいるため、半導体装置製造分野における通常の有機物除去工程に用いられる例えばアセトンなどの溶媒を用いた場合には、除去することが難しい。専用の除去液を用いた場合においても、水晶板の側面部に付着した堆積物はなかなか除去されない。
【００３２】
本発明者らの検討によれば、ドライエッチングによって副生した堆積物は、直角に折れ曲がった部分の内側のような箇所には付着しやすいものの、ゆるやかな円弧状の内面のような形状に対する堆積物は、比較的除去しやすいことがわかった。すなわち、ドライエッチングされる部分を矩形ではなく滑らか円弧状とすることにより、ドライエッチング後の堆積物除去が容易になると考えられる。本実施形態の水晶振動子は、枠部２０から延びる支持梁部２１，２２によって振動領域１１を保持する構造となっているが、振動領域１１の形状やサイズによって共振周波数や振動特性が異なり、良好な振動特性、所望の共振周波数を得るためには、振動領域１１の形状やサイズを変えることができない。しかしながら、枠部２０の内壁の形状については、共振周波数や振動特性に影響を与えないので、自由に設定することができる。そこで水晶板１０をドライエッチングにして枠部２０から振動領域１１を分離する際に、枠部２０の内周を円または楕円にすることが好ましい。水晶振動子の大きさの関係で枠部２０の内周を円または楕円とすることが難しい場合には、角が丸められた多角形状に加工するようにすることが好ましい。角が丸められた多角形状は、例えば、角が丸められた矩形であり、角の曲率半径が０．１μｍ以上１ｍｍ以下というものである。
【００３３】
図１１は、このように枠部２０の内周を円または楕円に形成した例を示している。図１１ではＧＴカットの水晶振動子を想定して、振動領域１１が真円に近い楕円に形成されている。図１２は、枠部２０の内周を円または楕円に形成した別の例を示している。図１２ではＡＴカットの水晶振動子を想定して、振動領域１１が矩形に形成されている。
【符号の説明】
【００３４】
１０…水晶板、１１…振動領域、１２，１３…励振電極、１４…金属膜、１５，１６…接続電極、１７，１９…引出電極、１８…導電路、２０…枠部、２１，２２…支持梁部、３０…支持基板、３１…窪み、３５…保護膜部材、４０…封止部材、４１…金属膜、４２，４３…接続電極、４４，４５…貫通電極、４６，４７…実装端子、４８…窪み。
【図１】
2013081022.tif 000003
【図２】
2013081022.tif 000004
【図３】
2013081022.tif 000005
【図４】
2013081022.tif 000006
【図５】
2013081022.tif 000007
【図６】
2013081022.tif 000008
【図７】
2013081022.tif 000009
【図８】
2013081022.tif 000010
【図９】
2013081022.tif 000011
【図１０】
2013081022.tif 000012
【図１１】
2013081022.tif 000013
【図１２】
2013081022.tif 000014