(57)【要約】【課題】切削屑や霧状となった液体を含んだ雰囲気が装置内に漏洩することを抑制できる切削装置を提供すること。【解決手段】切削装置１はウエーハを切削加工する加工領域３と加工領域３で切削加工したウエーハを洗浄する洗浄領域４と各領域３，４内の雰囲気を吸引排気する排気路５を備えている。排気路５は経路の途中に備えた分岐部８７から分岐して一方が加工領域３に他方が洗浄領域４に連通している。排気路５は分岐部８７から洗浄領域４までの間に排気路５を開閉する開閉弁８６を備えている。洗浄領域４が洗浄中以外は開閉弁８６を閉状態にして洗浄領域４内の雰囲気を排気するのを休止し洗浄領域４に作用する吸引力が隙間３ｃ，４ｃから加工領域３に影響し加工領域３内の切削屑及び切削液を含んだ雰囲気が隙間３ｃから装置本体２内に漏洩する量を低減可能である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を切削加工する加工領域と、該加工領域で切削加工した該被加工物を洗浄する洗浄領域と、吸引源と連通し経路の途中に備えた分岐部から分岐して一方が該加工領域に他方が該洗浄領域にそれぞれ連通し各領域内の雰囲気を吸引排気する排気路と、を備えた切削装置であって、
該加工領域は、該被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルで保持された該被加工物を加工する加工手段と、該加工手段と該被加工物とに液体を供給する液体供給手段と、を備え、
該洗浄領域は、該加工手段で加工した該被加工物を保持するスピンナーテーブルと、該スピンナーテーブルと該被加工物に液体を供給しながら洗浄する洗浄手段と、を備え、
各領域はそれぞれ外殻部材によって仕切られており、
該排気路は、該分岐部から該洗浄領域までの間に該排気路を開閉する遮断ダンパーを備え、
該洗浄領域が洗浄中以外は、該遮断ダンパーを閉状態にして洗浄領域内の雰囲気を排気するのを休止し、該洗浄領域に作用する吸引力が該外殻部材の隙間から該加工領域に影響し、該加工領域内の切削屑及び該液体を含んだ雰囲気が該外殻部材の隙間から該切削装置内に漏洩する量を低減可能なことを特徴とする切削装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、板状の被加工物を個々のデバイスチップに分割する切削装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置製造工程や各種の電子部品製造工程において、ダイシングソーと呼ばれる極薄ブレードを高速回転して被加工物を個々の製品やチップに分割する切削装置は欠かすことが出来ない。この装置では、ボンド材とボンド材中に多量に含まれる微小の砥粒（ダイヤモンドやＳｉＣ等）で構成される刃先の厚さ20〜300umの切削ブレードを高速に回転して、被加工物（半導体ウェーハやガラス、セラミックス等）の分割予定ラインをミクロンレベルで粉砕除去し、個々の製品やチップに分割し、分割された被加工物は装置内に設けられた洗浄手段によって発生したコンタミが洗浄除去されて、分割を完了する。
【０００３】
この加工では、液体を用いて加工及び洗浄を行うが、霧状となった液体を含んだ雰囲気が、同時に装置に搭載される各種駆動部や電装部品、顕微鏡部品に付着するのを防ぐ必要がある。よって、加工領域及び洗浄領域はカバー部材などによって覆われ、各領域には排気路が設けられ、常に霧状になった液体や切削屑を含んだ雰囲気が排気されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１３０７３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、各領域は完全に密閉されておらず、また被加工物の受け渡しのために開閉部を持つため、一方の領域の吸引力は領域内部にとどまらず装置内へと影響を及ぼす。それによって、例えば何らかの要因により一方の領域に働く吸引力が強い場合、他方の領域までその吸引力が及んでしまうと、他方の領域内の切削屑や霧状となった液体を含んだ雰囲気が他方の領域外且つ装置内部へと漏洩してしまう。特に、洗浄領域の吸引排気の方が排気量が多かったりして、加工領域の雰囲気が漏洩するような影響を及ぼす場合、加工時間は比較的長く、発生する切削液を含んだ雰囲気も大量なため、装置内部にある各種駆動部や電装部品、顕微鏡部品は、汚れや液体の付着により誤作動や故障の原因となってしまう。よって、こうした漏洩が問題となる。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、切削屑や霧状となった液体を含んだ雰囲気が装置内に漏洩することを抑制できる切削装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の切削装置は、被加工物を切削加工する加工領域と、該加工領域で切削加工した該被加工物を洗浄する洗浄領域と、吸引源と連通し経路の途中に備えた分岐部から分岐して一方が該加工領域に他方が該洗浄領域にそれぞれ連通し各領域内の雰囲気を吸引排気する排気路と、を備えた切削装置であって、該加工領域は、該被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルで保持された該被加工物を加工する加工手段と、該加工手段と該被加工物とに液体を供給する液体供給手段と、を備え、該洗浄領域は、該加工手段で加工した該被加工物を保持するスピンナーテーブルと、該スピンナーテーブルと該被加工物に液体を供給しながら洗浄する洗浄手段と、を備え、各領域はそれぞれ外殻部材によって仕切られており、該排気路は、該分岐部から該洗浄領域までの間に該排気路を開閉する遮断ダンパーを備え、該洗浄領域が洗浄中以外は、該遮断ダンパーを閉状態にして洗浄領域内の雰囲気を排気するのを休止し、該洗浄領域に作用する吸引力が該外殻部材の隙間から該加工領域に影響し、該加工領域内の切削屑及び該液体を含んだ雰囲気が該外殻部材の隙間から該切削装置内に漏洩する量を低減可能なことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
そこで、本発明の切削装置では、分岐して洗浄領域に連通する排気路の経路途中に遮断ダンパーを設け、連通した洗浄領域が洗浄中の時のみ遮断ダンパーを開状態とし、洗浄中以外は閉状態としている。このために、洗浄領域の洗浄中以外には、洗浄領域の吸引力が加工領域に及ぼされることを抑制でき、加工領域に吸引力を及ぼさせて外殻部材の隙間から切削屑や霧状となった液体を含んだ雰囲気が装置内に漏洩する量を抑制できることを可能とした。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施形態に係る切削装置の構成例を示す図である。
【図２】図２は、実施形態に係る切削装置の加工領域、洗浄領域及び開閉弁が開いた排気路などの構成を模式的に示す図である。
【図３】図３は、実施形態に係る切削装置の加工領域、洗浄領域及び開閉弁が閉じた排気路などの構成を模式的に示す図である。
【図４】図４は、実施形態に係る切削装置の被加工物の一例のウエーハなどを示す斜視図である。
【図５】図５は、実施形態に係る切削装置の開閉弁が閉じた排気路の断面を示す斜視図である。
【図６】図６は、実施形態に係る切削装置の開閉弁が開いた排気路の断面を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１１】
〔実施形態〕
図１は、実施形態に係る切削装置の構成例を示す図である。図２は、実施形態に係る切削装置の加工領域、洗浄領域及び開閉弁が開いた排気路などの構成を模式的に示す図である。図３は、実施形態に係る切削装置の加工領域、洗浄領域及び開閉弁が閉じた排気路などの構成を模式的に示す図である。図４は、実施形態に係る切削装置の被加工物の一例のウエーハなどを示す斜視図である。図５は、実施形態に係る切削装置の開閉弁が閉じた排気路の断面を示す斜視図である。図６は、実施形態に係る切削装置の開閉弁が開いた排気路の断面を示す斜視図である。
【００１２】
本実施形態に係る切削装置１は、ウエーハＷ（被加工物に相当する）を保持したチャックテーブル１０と切削ブレード２１を有する加工手段２０とを相対移動させることで、ウエーハＷを切削加工するものである。切削装置１は、図１に示すように、ウエーハＷを切削加工する加工領域３と、加工領域３で切削加工したウエーハＷを洗浄する洗浄領域４と、加工領域３及び洗浄領域４に連通する排気路５（図２及び図３に示す）と、制御手段９０とを備えている。なお、切削装置１は、更に、切削加工前のウエーハＷを撮像する撮像手段４０と、切削加工前後のウエーハＷを収容するカセットエレベータ５０と、切削加工前後のウエーハＷを一時的に載置する仮置き手段６０と、を備えている。さらに、切削装置１は、チャックテーブル１０と加工手段２０とをＸ軸方向に相対移動させる図示しないＸ軸移動手段と、チャックテーブル１０と加工手段２０とをＹ軸方向に相対移動させる図示しないＹ軸移動手段と、チャックテーブル１０と加工手段２０とをＺ軸方向に相対移動させる図示しないＺ軸移動手段とを備えている。
【００１３】
カセットエレベータ５０は、粘着テープＴを介して環状フレームＦに貼着されたウエーハＷを複数枚収容するものである。カセットエレベータ５０は、切削装置１の装置本体２にＺ軸方向に昇降自在に設けられている。
【００１４】
仮置き手段６０は、カセットエレベータ５０から切削加工前のウエーハＷを一枚取り出すとともに、切削加工後のウエーハＷをカセットエレベータ５０内に収容するものである。仮置き手段６０は、切削加工前のウエーハＷをカセットエレベータ５０から取り出すとともに切削加工後のウエーハＷをカセットエレベータ５０内に挿入する搬出入手段６１と、切削加工前後のウエーハＷを一時的に載置する一対のレール６２とを含んで構成されている。
【００１５】
加工領域３は、チャックテーブル１０と、加工手段２０と、液体供給手段３０とを備えている。
【００１６】
チャックテーブル１０は、仮置き手段６０のレール６２上の切削加工前のウエーハＷが第１の搬送手段８１により載置されて、当該ウエーハＷを保持するものである。チャックテーブル１０は、表面を構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続され、表面に載置されたウエーハＷを吸引することで保持する。なお、チャックテーブル１０は、切削装置１の装置本体２に設けられた図示しないテーブル移動基台に着脱可能である。なお、テーブル移動基台は、Ｘ軸移動手段によりＸ軸方向に移動自在に設けられかつ図示しない基台駆動源により中心軸線（Ｚ軸と平行である）回りに回転自在に設けられている。また、チャックテーブル１０の周囲には、図示しないクランプ部が設けられており、クランプ部が図示しないエアーアクチュエータにより駆動することで、ウエーハＷの周囲の環状フレームＦが挟持される。
【００１７】
加工手段２０は、チャックテーブル１０で保持されたウエーハＷを切削加工（加工に相当）するものである。加工手段２０は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷに対して、Ｙ軸移動手段によりＹ軸方向に移動自在に設けられ、かつ、Ｚ軸移動手段によりＺ軸方向に移動自在に設けられている。加工手段２０は、切削ブレード２１と、スピンドル２２と、図示しないハウジングとを含んで構成されている。切削ブレード２１は、略リング形状を有する極薄の切削砥石であり、回転することでウエーハＷに切削加工を施すものである。切削ブレード２１は、スピンドル２２に着脱自在に装着される。スピンドル２２は、円筒形状のハウジングに回転自在に支持され、ハウジングに連結されている図示しないブレード駆動源に連結されている。切削ブレード２１は、ブレード駆動源により発生した回転力により回転駆動する。ハウジングは、Ｙ軸移動手段及びＺ軸移動手段を介して装置本体２に取り付けられている。
【００１８】
液体供給手段３０は、加工手段２０の切削ブレード２１とチャックテーブル１０に保持されたウエーハＷに切削液（液体に相当する）を供給するものである。液体供給手段３０は、図１に示すように、ノズル３１を備えている。ノズル３１は、切削ブレード２１に切削液を供給するものであり、本実施形態では、Ｙ軸方向において切削ブレード２１を挟み込むように対に配設されている。ノズル３１には、図示しない切削液供給源からの切削液が供給され、ノズル３１には、図示しない複数の噴射孔が形成されており、切削液が複数の噴射孔から加工手段２０の切削ブレード２１および切削ブレード２１が切削するウエーハＷの切削箇所に向かって噴射される。
【００１９】
また、加工領域３は、図１、図２及び図３に示すように、装置本体２の壁面２ａ（外殻部材に相当する）及び装置本体２に取り付けられるカバー６（外殻部材に相当する）によって、洗浄領域４などから仕切られている。また、カバー６には、Ｘ軸方向に移動するチャックテーブル１０を加工領域３に出し入れする図示しない開閉部が設けられている。また、図２及び図３に示すように、装置本体２の壁面２ａには、加工領域３内の雰囲気を排気するための排気口３ａが開口しているとともに、加工領域３内の切削液を排出するための排出口３ｂが開口している。装置本体２の壁面２ａとカバー６とは、組み合わされて、加工領域３が構成されている。加工領域３を構成する装置本体２の壁面２ａやカバー６などの外殻部材間には、隙間３ｃが形成されている。
【００２０】
撮像手段４０は、装置本体２に設けられて、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷの表面ＷＳを撮像するものである。撮像手段４０は、図示しないＣＣＤカメラを備えている。ＣＣＤカメラは、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷを撮像して画像を得る装置である。撮像手段４０は、ＣＣＤカメラが得た画像の情報を制御手段９０に出力する。
【００２１】
洗浄領域４は、スピンナーテーブル（図示無し）と、洗浄ノズル７３（洗浄手段に相当する）とを備えている。
【００２２】
スピンナーテーブルは、チャックテーブル１０上の切削加工後のウエーハＷが第２の搬送手段８２により搬送されてきて、加工手段２０で加工したウエーハＷを保持するものである。スピンナーテーブルは、表面を構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続され、表面に載置されたウエーハＷを吸引することで保持する。スピンナーテーブルは、装置本体２に昇降自在に収容されているスピンナーテーブル駆動源と連結されている。スピンナーテーブルは、スピンナーテーブル駆動源が発生する回転力により、中心軸線（Ｚ軸と平行である）回りに回転される。洗浄ノズル７３は、スピンナーテーブルと、スピンナーテーブルに保持されたウエーハＷの表面ＷＳに洗浄液を供給しながら、切削屑をウエーハＷの表面ＷＳから除去しウエーハＷの表面ＷＳを洗浄するものである。
【００２３】
また、洗浄領域４は、図１に示すように、装置本体２の上面に設けられた開口部２ｂに連なった洗浄槽７２などを構成する複数の板材７２ａ（図２及び図３に示し、外殻部材に相当する）及び第２の搬送手段８２が備える円形の蓋体（洗浄中は、蓋体が降下して洗浄槽７２の蓋となる）によって、加工領域３などから仕切られている。また、洗浄槽７２には、開口部２ｂを通してウエーハＷが出し入れされる。さらに、洗浄槽７２には、図２及び図３に示すように、洗浄領域４内の雰囲気を排気するための排気口４ａが開口しているとともに、洗浄領域４内の切削屑及び洗浄液を排出するための排出口４ｂが開口している。なお、洗浄槽７２は、図２及び図３に示すように、複数の板材７２ａが組み合わされて構成されている。洗浄槽７２を構成する複数の板材７２ａ間には、隙間４ｃが形成されている。
【００２４】
さらに、本実施形態では、洗浄領域４内の雰囲気と加工領域３内の雰囲気とが排気路５などを通して吸引される際に、洗浄領域４内の雰囲気が加工領域３内の雰囲気よりも吸引され易くなっている。また、前述したように、加工領域３と洗浄領域４との双方に隙間３ｃ，４ｃが設けられているために、洗浄領域４内の雰囲気が排気路５などを通して吸引される際に、加工領域３内の雰囲気が隙間３ｃを通して装置本体２内に漏洩し、装置本体２内に漏洩した雰囲気が隙間４ｃを通して洗浄槽７２内に侵入して、洗浄領域４から排気路５などを通して排気されてしまうことが考えられる。この場合、加工領域３内の雰囲気が、切削屑及び霧状の切削液を含んでいるために、これらが撮像手段４０やＸ、Ｙ、Ｚ軸移動手段の駆動源や各種部品、スピンナーテーブルのスピンナーテーブル駆動源に付着することが考えられ好ましくない。なお、本実施形態では、加工領域３の加工時間が洗浄領域４の洗浄時間よりも遥かに長いために、洗浄領域４内の雰囲気が含む霧状となった洗浄液の量よりも、加工領域３内の雰囲気が含む霧状となった切削液の量が遥かに多くなっている。
【００２５】
排気路５は、図１に示す蛇腹状のチューブ８４の内側などに形成され、かつ雰囲気を吸引する吸引源８５と連通している。また、排気路５は、図２及び図３に示すように、経路の途中に備えた分岐部８７から二つに分岐して、一方が加工領域３に設けられた排気口３ａに他方が洗浄領域４に設けられた排気口４ａにそれぞれ連通している。排気路５は、吸引源８５からの吸引力により、各領域３，４内の雰囲気を吸引排気する。また、排気路５は、図２及び図３に示すように、分岐部８７から洗浄領域４までの間に排気路５を開閉する開閉弁８６（遮断ダンパーに相当する）を備えている。開閉弁８６は、周知の電動弁や電磁弁で構成され、排気路５を開閉する弁体８６ａと、弁体８６ａを開閉させる駆動部８６ｂを備えている。
【００２６】
本実施形態では、開閉弁８６は、図５及び図６に示すように、駆動部８６ｂにより弁軸８６ｃを中心として９０度回転されることで、弁体８６ａが排気路５を開閉する所謂蝶形弁となっている。なお、開閉弁８６は、図２に示すように、弁体８６ａが排気路５を開けると排気路５を全開（開状態）として、洗浄領域４と吸引源８５とを連通し、図３に示すように、弁体８６ａが排気路５を閉じると排気路５を全閉（閉状態）として、洗浄領域４と吸引源８５とを遮断する。
【００２７】
また、加工領域３と洗浄領域４にそれぞれ設けられた排出口３ｂ，４ｂには、切削液や洗浄液などの廃液を貯留する廃液タンクに連通した排出管８８が連通している。
【００２８】
ここで、被加工物としてのウエーハＷは、切削装置１により切削加工される被加工物であり、本実施形態ではシリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハＷは、図４に示すように、表面ＷＳに形成された複数のデバイスＤが複数のストリートＳによって格子状に区画されている。ウエーハＷは、図４に示すように、デバイスＤが複数形成されている表面ＷＳの反対側の裏面に粘着テープＴが貼着され、粘着テープＴに環状フレームＦが貼着されることで、環状フレームＦに固定される。また、本発明で用いられる被加工物は、ウエーハＷに限ることなく、ガラス、樹脂などからなる板状部材であっても良い。
【００２９】
制御手段９０は、切削装置１を構成する上述した構成要素をそれぞれ制御するものである。制御手段９０は、ウエーハＷに対する加工動作を切削装置１に行わせるものである。また、制御手段９０は、ウエーハＷに対する加工動作を切削装置１に行わせる際に、真空吸引源が停止してスピンナーテーブルがウエーハＷを吸引保持していない洗浄領域４が洗浄中以外は、開閉弁８６を閉状態にして洗浄領域４内の雰囲気を排気するのを休止し、洗浄領域４に作用する吸引力が隙間３ｃ，４ｃから加工領域３に影響し、加工領域３内の切削屑及び切削液を含んだ雰囲気が隙間３ｃから切削装置１の装置本体２内に漏洩する量を低減可能とするものでもある。また、制御手段９０は、ウエーハＷに対する加工動作を切削装置１に行わせる際に、真空吸引源が駆動してスピンナーテーブルがウエーハＷを吸引保持している洗浄領域４の洗浄中には、開閉弁８６を開状態にして洗浄領域４内の雰囲気を排気するものでもある。本実施形態では、制御手段９０は、スピンナーテーブルの真空吸引源が駆動すると、開閉弁８６を開状態とし、スピンナーテーブルの真空吸引源が停止すると、開閉弁８６を閉状態とする。なお、制御手段９０は、例えばＣＰＵ等で構成された演算処理装置やＲＯＭ、ＲＡＭ等を備える図示しないマイクロプロセッサを主体として構成されており、加工動作の状態を表示する図示しない表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる図示しない操作手段と接続されている。
【００３０】
次に、実施形態に係る切削装置１を用いたウエーハＷの加工方法について説明する。まず、デバイスＤが形成された表面ＷＳの裏面に粘着テープＴを貼着し、さらに、粘着テープＴに環状フレームＦを貼着する。そして、環状フレームＦに粘着テープＴを介して貼着されたウエーハＷをカセットエレベータ５０内に収容する。
【００３１】
そして、オペレータが加工内容情報を制御手段９０に登録し、オペレータから加工動作の開始指示があった場合に、切削装置１が加工動作を開始する。加工動作において、制御手段９０が、吸引源８５を駆動し、切削加工前のウエーハＷを搬出入手段６１によりカセットエレベータ５０から仮置き手段６０まで搬出し、仮置き手段６０の一対のレール６２上に載置した後、第１の搬送手段８１によりチャックテーブル１０まで搬送し、チャックテーブル１０に保持する。
【００３２】
次に、制御手段９０は、Ｘ軸移動手段によりチャックテーブル１０を移動して、撮像手段４０の下方にチャックテーブル１０に保持されたウエーハＷを位置付け、撮像手段４０に撮像させる。撮像手段４０は、撮像した画像の情報を制御手段９０に出力する。そして、制御手段９０が、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷのストリートＳと、加工手段２０の切削ブレード２１との位置合わせを行なうためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷを加工領域３に搬送した後、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷの加工手段２０に対する相対位置を調整する。
【００３３】
次に、制御手段９０は、加工内容情報に基づいて、ウエーハＷをストリートＳに沿って切削し複数のデバイスＤをそれぞれ小片化するための分割加工やウエーハＷの外周を周方向に切削し、ウエーハＷの外周の一部を除去する加工などの切削加工を実行する。このとき、制御手段９０は、図３及び図５に示すように、開閉弁８６を閉じている。そして、開閉弁８６が閉状態であるので、吸引源８５からの吸引力による洗浄領域４内の雰囲気を排気するのが休止され、洗浄領域４に作用する吸引力が隙間３ｃ，４ｃから加工領域３に影響することが抑制される。そして、加工領域３内の切削屑及び切削液を含んだ雰囲気が隙間３ｃから装置本体２内に漏洩する量を低減可能となり、加工領域３において発生した切削屑及び切削液を含んだ雰囲気は、排気口３ａを通して排気される。そして、加工領域３において発生した切削屑及び切削液を含んだ雰囲気が撮像手段４０に付着したり、装置本体２内に漏洩して、スピンナーテーブルのスピンナーテーブル駆動源などに付着することを抑制できる。
【００３４】
全てのストリートＳなどに切削加工が施されると、制御手段９０は、Ｘ軸駆動手段によりチャックテーブル１０を洗浄領域４の近傍まで移動させ、第２の搬送手段８２にチャックテーブル１０上の切削加工が施されたウエーハＷを洗浄領域４のスピンナーテーブル上に載置させ、スピンナーテーブルに保持させる。そして、制御手段９０は、スピンナーテーブルの真空吸引源が駆動すると、図２及び図６に示すように、開閉弁８６を開状態とし、洗浄領域４内の雰囲気を排気し始める。
【００３５】
そして、制御手段９０は、スピンナーテーブルを降下させた後、スピンナーテーブルを中心軸線回りに回転させながら、洗浄ノズル７３から洗浄液をスピンナーテーブル上のウエーハＷに噴出させる。すると、遠心力により、洗浄液がウエーハＷの表面ＷＳ上を外周方向に移動して、洗浄液の移動とともにウエーハＷの表面ＷＳから切削屑が除去される（洗い流される）。
【００３６】
ウエーハＷの洗浄が終了すると、制御手段９０は、スピンナーテーブルの中心軸線回りの回転及び洗浄ノズル７３からの洗浄液の供給を停止した後、スピンナーテーブルを上昇させて、スピンナーテーブルの真空吸引源を停止した後、第１の搬送手段８１により仮置き手段６０まで搬送する。制御手段９０は、切削加工などが施されたウエーハＷを搬出入手段６１により仮置き手段６０からカセットエレベータ５０内に搬入する。なお、制御手段９０は、スピンナーテーブルの真空吸引源が停止されると、再び、開閉弁８６を閉状態とする。なお、加工領域３及び洗浄領域４で用いられた切削液及び洗浄液は、排出口３ｂ，４ｂを通して各領域３，４外に排出されて、排出管８８を通って廃液タンクに貯留される。
【００３７】
以上のように、本実施形態に係る切削装置１によれば、分岐して洗浄領域４に連通する排気路５の経路の途中に開閉弁８６を設け、連通した洗浄領域４が洗浄中の時のみ開閉弁８６を開状態とし、洗浄中以外は閉状態としている。このために、洗浄領域４の洗浄中以外には、洗浄領域４の吸引力が加工領域３に及ぼされることを抑制でき、加工領域３に吸引力を及ぼさせて隙間３ｃから切削屑や霧状となった切削液を含んだ雰囲気が装置本体２内に漏洩する量を抑制できる。例えば、開閉弁８６を設けていない場合よりも、切削屑や霧状となった切削液を含んだ雰囲気が装置本体２内に漏洩する量を１／１０までに抑制できる。
【００３８】
前述した実施形態では、分岐部８７から洗浄領域４までの間に遮断ダンパーとしての開閉弁８６を設けたが、本発明では、分岐部８７から加工領域３までの間にも遮断ダンパーとしての開閉弁８６を設けても良い。この場合、特に、開閉弁８６を開状態とすると、加工領域３に作用する吸引力が隙間３ｃ，４ｃから洗浄領域４に影響する場合に有効である。また、本発明では、加工領域３が切削加工以外の加工を行う切削装置１にも適用することができる。この場合、液体として切削液以外の液体を用いることになる。
【００３９】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００４０】
１  切削装置
２ａ  壁面（外殻部材）
３  加工領域
４  洗浄領域
５  排気路
６  カバー（外殻部材）
１０  チャックテーブル
２０  加工手段
３０  液体供給手段
７１  スピンナーテーブル
７２ａ  板材（外殻部材）
７３  洗浄ノズル（洗浄手段）
８５  吸引源
８６  開閉弁（遮断ダンパー）
８７  分岐部
Ｗ  ウエーハ（被加工物）
【図１】
2013198952.tif 000003
【図２】
2013198952.tif 000004
【図３】
2013198952.tif 000005
【図４】
2013198952.tif 000006
【図５】
2013198952.tif 000007
【図６】
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