(57)【要約】【課題】電気自動車用の制御装置において、半導体積層ユニットの構造に起因する高周波ノイズの影響を低減する技術を提供する。【解決手段】電気自動車用の制御装置１００は、半導体積層ユニット１０と、筐体６を備える。半導体積層ユニット１０は、半導体素子を収めた複数の平板型の半導体モジュール３と複数の平板型の金属製の冷却プレート２が交互に積層している構造を有する。筐体６は金属製であり、半導体積層ユニット１０を格納する。半導体積層ユニット１０は、筐体６から絶縁されている。半導体ユニット１０を筐体６から絶縁することによって、冷却プレート２がグランド電位ではなくなり、半導体モジュール３との電位差が小さくなる。冷却プレート２と半導体モジュール３の間に形成される浮遊容量が小さくなる。【選択図】図１
2013198255.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を収めた複数の平板型の半導体モジュールと複数の平板型の金属製の冷却プレートが交互に積層している半導体積層ユニットと、
半導体積層ユニットを格納する金属製の筐体と、
を備えており、
半導体積層ユニットが、筐体から絶縁されていることを特徴とする電気自動車用制御装置。
【請求項２】
半導体積層ユニットの端部の冷却プレートに冷媒を供給／排出する金属製の冷媒管が接続されており、
冷媒管は筐体を貫通しており、冷媒管と筐体貫通孔の間に絶縁性のグロメットが嵌挿されていることを特徴とする請求項１に記載の電気自動車用制御装置。
【請求項３】
冷媒管における筐体の外部に突出している部分が絶縁材で覆われていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気自動車用制御装置。
【請求項４】
半導体素子を収めた複数の平板型の半導体モジュールと複数の平板型の金属製の冷却プレートが交互に積層している半導体積層ユニットと、
半導体積層ユニットを格納する金属製の筐体と、
を備えており、
半導体積層ユニットと筐体とがインダクタ及び抵抗を介して接続されていることを特徴とする電気自動車用制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は、車輪駆動用モータを搭載した電気自動車におけるインバータなどの制御装置に関する。本明細書における電気自動車には、モータとエンジンを共に備えるハイブリッド車、及び、燃料電池車も含まれる。
【背景技術】
【０００２】
電気自動車において、車輪駆動用モータに電力を供給するインバータなどの制御装置は、ＩＧＢＴなど多数のスイッチング素子を備える。スイッチング素子にはモータを駆動するための高電圧／高電流が加わるので発熱量が大きい。そこで、発熱量の大きいスイッチング素子を含む半導体素子を他の回路とは別に集積し、集中的に冷却する構造が採用されることがある。そのような集積構造の一つに、発熱量の大きい半導体素子を収めた平板型の半導体モジュールと平板型の冷却プレートを交互に積層した半導体積層ユニットが知られている（例えば特許文献１、特許文献２）。
【０００３】
特許文献１、特許文献２の半導体積層ユニットは、半導体モジュールを挟んで隣接する冷却プレート同士が積層方向と交差する方向における半導体モジュール両側の２箇所で接続管によって接続されている。半導体モジュールは、上記したスイッチング素子を内蔵している。積層方向の一端の冷却プレートには冷媒供給管と冷媒排出管が接続されている。半導体積層ユニットは、制御装置の筐体に格納され、半導体積層ユニットの積層方向に押圧されている。そのため、半導体モジュールと冷却プレートは密着し、半導体素子は効率よく冷却される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２１１７７１号公報
【特許文献２】特開２０１１−２０００９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般に、車両では車体が電気的なグランド電位となっており、車体に固定される電気デバイスの金属製筐体もグランド電位になっている。上記した半導体積層ユニットを備える制御装置も同様である。半導体積層ユニットは制御装置の筐体に固定されるのであるから、金属製の冷却プレートもグランド電位となる。
【０００６】
前述したように、平板型の冷却プレートと平板型の半導体モジュールは近接して対向配置される。なお、冷却プレートと半導体モジュールの間は絶縁されている（場合によっては両者の間に絶縁シートが挟まれることがある）。前述したように半導体モジュール内の素子には高電圧が加わる。そうすると、近接対向配置されている一方（半導体モジュール）は高電位となり、他方（冷却プレート）はグランド電位となるため、コンデンサが形成される。そのような意図しないコンデンサは寄生コンデンサ、浮遊容量、あるいは、対地容量とも呼ばれる。
【０００７】
インバータなどの制御装置では、スイッチング動作により所望の電圧あるいは電流を生成する。スイッチング動作は高周波ノイズを生成するが、特に大電流をスイッチングするとノイズに起因する電流変化も大きなものとなる。スイッチング動作に起因して、大きな電流変化を伴うノイズが浮遊容量を介してグランド線（即ち車体）を伝わることになる。他方、電気自動車は益々高出力／コンパクト／高精度化が進み、電気デバイスがノイズから受ける影響が大きくなってきている。例えば、グランド線を伝わるノイズは他のデバイスの誤動作を引き起こしかねない。スイッチング動作に起因するノイズが前述のとおり大きい電流変化を伴うため、他の電気デバイスに与える影響が大きい。
【０００８】
本明細書では、上記の課題に鑑み、電気自動車用の制御装置において、半導体積層ユニットの構造に起因する高周波ノイズの影響を低減する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本明細書が開示する技術の一態様は、次の構成を有する電気自動車用制御装置に具現化することができる。その制御装置は、半導体素子を収めた複数の平板型の半導体モジュールと複数の平板型の金属製の冷却プレートが交互に積層している半導体積層ユニットと、半導体積層ユニットを格納する金属製の筐体を備える。半導体積層ユニットは、筐体から絶縁されている。
【００１０】
本明細書が開示する制御装置では、半導体積層ユニットを筐体から絶縁する。即ち、従来の半導体積層ユニットが筐体に格納された際に筐体と接触する部分の全てを絶縁する。こうすることで、冷却プレートはグランド電位ではなくなり、半導体モジュールとの電位差が小さくなる。また、半導体積層ユニットを筐体から絶縁することで、仮に半導体積層ユニットを通じて半導体モジュールから筐体に電流がリークしたとしても、筐体に流れる電流の大きさは半導体積層ユニットと筐体が導通している場合よりもはるかに小さくなる。それゆえ、スイッチング動作に伴う電流変化の筐体への伝搬が抑制される。即ち、半導体積層ユニットの構造に起因する高周波ノイズが他の電気デバイスに与える影響を抑制することができる。さらに、本明細書が開示する技術は、半導体積層ユニットを組付ける際に、筐体から絶縁する工程を追加するだけでよい。半導体積層ユニットの絶縁は、半導体積層ユニット及び筐体に対して僅かな物理的な変更を加えるだけで達成できる。即ち、従来の構成からの変更点が少ないという利点もある。
【００１１】
本明細書が開示する技術の別の一態様では、半導体積層ユニットと筐体を絶縁する代わりに、インダクタ及び抵抗を介して接続してもよい。インダクタと抵抗でローパスフィルタが形成されるので、半導体積層ユニットから筐体へ伝わる高周波ノイズが低減できる。
【００１２】
本明細書が開示する技術の詳細、及び、さらなる改良は、発明の実施の形態、及び、実施例にて詳しく説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施例の制御装置の分解斜視図を表す。
【図２】実施例の半導体積層ユニットの斜視図を表す。
【図３】実施例の制御装置の筐体の一部の斜視図を表す。
【図４】第１実施例の半導体積層ユニットを組付けた後の筐体の外部に突出する冷媒管の斜視図を表す。
【図５】第２実施例の制御装置の分解斜視図を表す。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
実施例の特徴の幾つかを最初に列記する。なお、以下の特徴は、それぞれ単独でも有用なものである。
【００１５】
（特徴１）実施例の制御装置は、半導体積層ユニットの端部の冷却プレートに冷媒を供給／排出する金属製の冷媒管が接続されている。冷媒管は筐体を貫通しており、冷媒管と筐体貫通孔の間に絶縁性のグロメットが嵌挿されている。冷媒管は冷却プレートに接続されている。接続方法は溶接やロウ付けなどであるため、冷媒管は冷却プレートと同電位である。冷媒管は、筐体の側壁に設けられた貫通孔を挿通するため、貫通孔の内側面に絶縁材料でグロメット加工を施す。こうすることで、冷媒管を筐体から絶縁できる。即ち、冷媒管が接続される半導体積層ユニットを、確実に筐体から絶縁できる。絶縁性のグロメットは、典型的にはゴム製でよい。この場合、走行中の振動などがゴム製のグロメット部分である程度吸収されるため、振動による冷媒管への衝撃を緩和できる。
【００１６】
（特徴２）実施例の制御装置は、冷媒管における筐体の外部に突出している部分が絶縁材で覆われている。冷媒管を含む半導体積層ユニットが筐体から絶縁されると、冷媒管を含む半導体積層ユニットが帯電する可能性がある。前述したように冷媒管は筐体の貫通孔を筐体の外部に向かって挿通するため、筐体の外部に突出する冷媒管からその他のデバイスに電流が流れる虞がある。そこで、冷媒管が筐体の外部に突出している部分に絶縁加工を施すことにより、金属製の冷媒管を外部のデバイスから確実に絶縁できる。冷媒管からその他のデバイスに電流が流れる事象の発生を抑制できる。絶縁加工に用いる材料は、典型的にはゴム製でよい。
【００１７】
（第１実施例）第１実施例について説明する。図１は、本実施例における電気自動車用制御装置１００の分解斜視図である。この制御装置１００は、電気自動車に搭載され、バッテリに蓄積された直流電力を車輪駆動用モータの駆動に適した交流電力に変換する。制御装置１００は、機能的には、バッテリの出力電圧をモータ駆動に適した電圧に変換する電圧コンバータと、直流電力を交流電力に変換するインバータを含む。制御装置１００は、物理的なユニットとして、主に、半導体積層ユニット１０と、リアクトル１２と、複数の平滑化コンデンサ８と、スイッチング素子を制御するための回路７を搭載した基板１で構成される。
【００１８】
半導体積層ユニット１０は、電圧コンバータとインバータのスイッチング素子（ＩＧＢＴと還流ダイオード）を内蔵した半導体モジュール３と冷却プレート２を交互に積層したものである。半導体積層ユニット１０については後に詳しく説明する。筐体６の中に、半導体積層ユニット１０とリアクトル４と平滑化コンデンサ８が水平方向に並んで配置され、半導体積層ユニット１０とリアクトル１２の上に基板１が配置される。冷却プレート２及び筐体６は、アルミなどの金属製である。半導体モジュール３の上部にはバスバー（図示略）が露出しており、これらのバスバーは基板１の下部にて回路７に接続される。筐体６の中には、他に、半導体積層ユニット１０を支持するための板ばね９と、板ばね９を支える支柱１１が配置される。支柱１１が筐体６に固定され、半導体積層ユニット１０は、筐体６の側壁６ａと支柱１１の間に設置される。支柱１１と半導体積層ユニット１０の端部との間に板ばね９が挿入され、半導体積層ユニット１０は、側壁６ａと支柱１１の間で積層方向の荷重を受けつつ支持される。筐体６の側壁６ａには、側壁６ａを貫通する２つの貫通孔３５ａ及び３５ｂが形成されている。以下では説明の都合上、貫通孔３５ａと３５ｂをまとめて貫通孔３５と称することもある。貫通孔３５には、後述する冷媒供給管１４ａと冷媒排出管１４ｂがそれぞれ挿通する。図１に示した符号５０、５２、５４は絶縁シートである。絶縁シートについては後で説明する。
【００１９】
半導体積層ユニット１０について、図２を参照して説明する。半導体積層ユニット１０は、前述のように複数の半導体モジュール３と複数の冷却プレート２を交互に積層した構造を有している。半導体モジュール３と冷却プレート２は共に平板型に形成されている。別言すれば、半導体積層ユニット１０は、複数の冷却プレート２が平行に配置され、隣接する冷却プレート２の間に、半導体モジュール３が挟まれた構造を有している。本実施例の半導体積層ユニット１０では、隣接する冷却プレート２の間に、２個の半導体モジュール３が挟まれる。図２に示すように、半導体モジュール３と冷却プレート２の間には、絶縁シート４が挿入される。前述したように半導体モジュール３は大電圧、大電流を扱うスイッチング素子を内蔵するため高電位である。そのため、絶縁シート４で半導体モジュール３と冷却プレート２を絶縁することにより、冷却プレート２が半導体モジュール３と導通しないようにしている。また、各半導体モジュール３からは電極（図示略）が伸びており、回路７と接続される。従来は、半導体積層ユニットが制御装置の筐体に組付けられる場合、半導体積層ユニットの積層方向における両端の冷却プレートが筐体もしくは筐体に固定される部材などと当接するため、冷却プレートは筐体と同電位、即ちグランド電位となる。従って、平板面が対向して隣接する半導体モジュールと冷却プレートは、その間に電位差を生じ、コンデンサを形成する。そのような意図しないコンデンサを、以下では、浮遊容量と称する。
【００２０】
半導体積層ユニット１０の一端の冷却プレート２の外側面には、冷媒供給管１４ａと冷媒排出管１４ｂが接続されている。以下では説明の都合上、冷媒供給管１４ａと冷媒排出管１４ｂをまとめて冷媒管１４と称することもある。冷媒管１４も、筐体６や冷却プレート２と同様に、アルミなどの金属でできている。冷媒管１４の接続方法は、主に溶接やロウ付けである。冷却プレート２の内部空間が流路に相当する。流路を冷媒が流れ、冷却プレート２に接する半導体モジュール３を冷却する。冷却プレート２の表面の長手方向の中央には、絶縁シートを介して半導体モジュール３が当接する。各冷却プレート２には、半導体モジュール３が当接する領域の両側に貫通孔が設けられており、隣接する冷却プレート２の貫通孔同士が接続管５で接続される。但し、積層方向の一方の端に位置する冷却プレート２の外側面には、前述したように冷媒管１４が接続される。また、他方の端に位置する冷却プレート２の外側の貫通孔開口は塞がれる。全ての冷却プレート２の内部空間（流路）は接続管５によって相互に連通している。冷媒供給管１４ａから供給される冷媒は、一方の貫通孔と接続管５を通じて各冷却プレート２の流路に流入し、冷却プレート２の内部を横断し、他方の貫通孔と接続管５を通じて冷媒排出管１４ｂから排出される。なお、冷媒は液体であり、例えばＬＬＣ（Ｌｏｎｇ  Ｌｉｆｅ  Ｃｏｏｌａｎｔ）である。
【００２１】
図１に戻り、半導体積層ユニット１０の支持構造を説明する。半導体積層ユニット１０の平板型の冷却プレート２の外側面（冷媒管１４が接続されている面）と筐体６の側壁６ａの間には絶縁シート５２が挿入されている。なお、絶縁シート５２の長手方向の両側には２つの貫通孔が形成されており、その貫通孔に、冷媒供給管１４ａと冷媒排出管１４ｂがそれぞれ挿通している。半導体積層ユニット１０と筐体６の底面との間には、絶縁シート５４が配置される。本実施例の絶縁シート５４は半導体積層ユニット１０の底面とほぼ同じ大きさである。なお、半導体積層ユニット１０と筐体６の底面が直接接触せず、且つ半導体積層ユニットを安定して配置できれば、絶縁シート５４の大きさは半導体積層ユニット１０の底面とほぼ同じ大きさである必要はない。また、後述するが、冷媒管１４と貫通孔３５の間には絶縁性のグロメットが嵌め込まれており、冷媒管１４と筐体６を絶縁している。
【００２２】
半導体積層ユニット１０の他端の冷却プレート２の外側には支柱１１が筐体６の底面に固定されている。半導体積層ユニット１０の他端の冷却プレート２の外側に絶縁シート５０が配置され、さらにその外側に板ばね９が配置される。板ばね９の両端は支柱１１に当接し、板ばね９の中央は絶縁シート５０を介して半導体積層ユニット１０と当接する。側壁６ａと支柱１１との間で板ばね９が半導体積層ユニット１０をその積層方向に荷重する。こうして、半導体積層ユニット１０は、積層方向に荷重を受けつつ支持される。
【００２３】
本実施例では、絶縁シート５０の大きさは他端の冷却プレート２の外側面とほぼ同じ大きさである。なお、他端の冷却プレート２と板ばね９が直接に接触せず、且つ、絶縁シート５０を安定して配置できれば、絶縁シート５０の大きさは他端の冷却プレート２の外側面とほぼ同じ大きさである必要はない。また、板ばね９は典型的には鋼でできており、支柱１１は典型的にはアルミでできている。
【００２４】
まとめると、半導体積層ユニット１０の一端の冷却プレート２の外側面は、絶縁シート５２を介して筐体６の側壁６ａと当接する。また、半導体積層ユニット１０の底面は、絶縁シート５４を介して筐体６の底面と対向する。さらに、半導体積層ユニット１０の他端の冷却プレート２の外側面は、その一部が、絶縁シート５０を介して板ばね９と当接する。即ち、実施例の制御装置１００では、従来は半導体積層ユニット１０が筐体６（筐体６の底面から立設された壁や筐体６に配置される外部の部材も含む）と直接に当接していた部分、及び少なくとも当接する可能性のある部分に絶縁シートを配置し、半導体積層ユニット１０を確実に筐体６から絶縁している。
【００２５】
図３は、筐体６の側壁６ａを、図１のＸ軸の負方向から見たときの部分拡大斜視図である。図３に示すように、貫通孔３５ａ及び３５ｂの内側面には、それぞれ絶縁材のグロメット５６ａ、５６ｂが配置されている。絶縁性のグロメットは、典型的にはゴムである。冷媒供給管１４ａ及び冷媒排出管１４ｂは、グロメット５６ａ、５６ｂを通じて貫通孔３５ａ及び３５ｂにそれぞれ挿通している。絶縁性グロメット５６ａ、５６ｂにより、冷媒管１４と筐体６が絶縁される。
【００２６】
半導体積層ユニット１０を筐体６に組付けると、前述したように、冷媒管１４を含む半導体積層ユニット１０は筐体６から絶縁される。半導体モジュール３が内蔵するスイッチング素子には高電圧が印加され高電流が流れるため、半導体積層ユニット１０が帯電する場合がある。半導体積層ユニット１０を筐体６に組付けると、冷媒管１４は貫通孔３５を挿通して外部に突出するため、冷媒管１４の一部は筐体６の外部に位置する。そのため、筐体６の外部に位置する冷媒管１４から、車載のその他のデバイスに電流が流れる可能性がある。そこで、筐体６の外部に位置する冷媒管１４にも、絶縁加工を施す。図４は、半導体積層ユニット１０を筐体６に組付けた後の筐体６の側壁６ａを、図１のＸ軸の負方向から見たときの部分拡大斜視図である。なお、冷媒管１４が接続されている冷却プレート２などの図示は省略している。冷媒供給管１４ａの外側面は絶縁材５８ａに覆われており、冷媒排出管１４ｂの外側面は絶縁材５８ｂに覆われている。絶縁材５８ａ、５８ｂは典型的にはゴムである。こうすることで、半導体積層ユニット１０が帯電しても、冷媒管１４を通ってその他のデバイスに電流が流れ出すことがない。なお、図１の半導体積層ユニット１０は組付け前であるため、冷媒管１４を覆う絶縁材５８ａ及び５８ｂの図示は省略している。
【００２７】
第１実施例の制御装置１００に関する利点を述べる。一般に、車体はグランド電位であるため、車体のエンジンコンパートメントに配置される制御装置１００の筐体６もグランド電位である。従来の半導体積層ユニットは、筐体に組付ける際に、半導体積層ユニットの積層方向における両端の冷却プレートが筐体又は筐体に固定される板ばねなどの外部の部材（当然に筐体と導通している）と直に当接するため、冷却プレートもグランド電位である。一方において、前述したように、半導体モジュール内のスイッチング素子は高電位である。そのため、半導体モジュール（高電位）と、その半導体モジュールに隣接する冷却プレート（グランド電位）は、意図しないコンデンサ、即ち浮遊容量を形成する。電気自動車に搭載される半導体モジュールは、内蔵するスイッチング素子がスイッチング動作を行うことで所定の電圧、電流を生成するが、スイッチング動作に伴って高周波ノイズが発生する。スイッチング素子が扱う電流は大電流であるため、高周波ノイズに起因する電流変化は大きい。従来の半導体積層ユニットでは、大きな電流変化を伴う高周波ノイズが浮遊容量を介して車体を伝わることで、車載の電気デバイスの誤動作を引き起こす虞があった。
【００２８】
第１実施例では、冷媒管１４を含む半導体積層ユニット１０が筐体６と直に当接している箇所を、絶縁シート５０，５２，及び５４と、絶縁性グロメット５６ａ及び５６ｂと、絶縁材５８ａ及び５８ｂで絶縁することにより、半導体積層ユニット１０を筐体６から絶縁する。これにより、半導体積層ユニット１０の冷却プレート２は、グランド電位ではなくなる。従って、半導体モジュール３との電位差は、冷却プレートが筐体と導通している従来の場合と比較して大幅に小さくなる。仮に半導体モジュール３から筐体６に電流がリークしたとしても、浮遊容量の電位差が従来よりも小さいため、リーク電流の大きさも小さい。一般に、半導体積層ユニットのように高電位の導体と低電位の導体が絶縁体を介して隣接する構造では、浮遊容量が形成されることは避けられない。しかしながら、本実施例のように半導体積層ユニット１０を筐体６から絶縁し浮遊容量の電位差を低減することにより、高周波ノイズが浮遊容量を介してその他の電気デバイスに与える影響を抑制し、電気デバイスが誤作動を起こす可能性を低減できる。また、前述の絶縁性グロメット５６ａ、５６ｂ及び絶縁材５８ａ、５８ｂがゴムなどの弾性材であれば、走行中の振動をこれらの絶縁材が吸収するため、冷媒管１４などに伝わる衝撃を緩和できる。
【００２９】
さらに、本実施例の技術では、従来の半導体積層ユニットを筐体に組付ける工程に、半導体積層ユニットを筐体から絶縁する工程を追加するだけでよい。具体的には半導体積層ユニット１０と筐体６の間に絶縁シートを挟めばよい。半導体積層ユニット１０や筐体６の物理的構造を大幅に変更する必要がない。半導体積層ユニット１０及び筐体６に対して僅かな物理的変更を加えるだけで絶縁が達成され得る。従来の構成からの変更点が少ないため、製造時の変更に付随するコストを抑えることができる。
【００３０】
第１実施例の制御装置１００に関する留意点を述べる。絶縁シート５０は、板ばね９が冷却プレート２に及ぼす押圧力を分散させる、圧力分散板の役割を兼ねてもよい。また、半導体積層ユニットを筐体に組付ける方法は様々であり、そのため半導体積層ユニットや筐体の物理的な構造が第１実施例の構造と異なる場合もある。例えば、第１実施例における側壁と一端の冷却プレートとの間にばねが配置されることがある。このとき、冷媒管はその一部が筐体の内部に位置し、内部に位置する冷媒管の任意の箇所が金属製のクランプなどで筐体の底面に固定される場合がある。このようなケースでは金属製のクランプと冷媒管との間にも絶縁シートを挟むとよい。冷媒管を含む半導体積層ユニット及び筐体がいかなる物理的構造を有していても、半導体積層ユニットと筐体が導通する箇所を適切に絶縁することにより、半導体積層ユニットの構造に起因する高周波ノイズが車載の他の電気デバイスに与える影響を低減できる。
【００３１】
（第２実施例）続いて、第２実施例について説明する。図５は、本実施例における電気自動車用制御装置１００ａの分解斜視図である。第１実施例と同じ機能を有する部材については、第１実施例と同じ符号を付し、説明を省略する。例えば、半導体積層ユニット１０は、第１実施例の図２の説明に従う。筐体６の側壁６ａ（貫通孔３５を含む）についても、第１実施例の図３の説明に従う。図１に示されているように、本実施例の制御装置１００ａでは、半導体積層ユニット１０と筐体６が直接に接しないように絶縁シート５０、５２、５４、絶縁性グロメット５６ａ、５６ｂを配置した上で、冷却プレート２と筐体６の間にインダクタ６０及び抵抗６２を接続する。第２実施例の制御装置１００ａでは、インダクタ６０と抵抗６２がローパスフィルタを形成する。ローパスフィルタが、筐体６に伝わる高周波ノイズを遮断する、あるいは減衰させる。半導体積層ユニット１０の構造に起因する高周波ノイズが、筐体６やその他の電気デバイスに伝搬する事象の発生を抑制できる。高周波ノイズにより電気デバイスなどが誤作動を起こす可能性を低減できる。
【００３２】
第２実施例の制御装置１００に関する留意点を述べる。インダクタ６０及び抵抗６２の接続箇所は、筐体６の底面の代わりに、筐体６の側壁（６ａでなく他の面であってもよい）や、筐体６の底面から立設された支柱などであってもよい。
【００３３】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３４】
１：基板
２：冷却プレート
３：半導体モジュール
４：絶縁シート
５：接続管
６：筐体
６ａ：側壁
７：回路
８：平滑化コンデンサ
９：板ばね
１０：半導体積層ユニット
１１：支柱
１２：リアクトル
１４ａ：冷媒供給管
１４ｂ：冷媒排出管
３５ａ、３５ｂ：貫通孔
５０、５２、５４：絶縁シート
５６ａ、５６ｂ：グロメット
５８ａ、５８ｂ：絶縁材
６０：インダクタ
６２：抵抗
１００、１００ａ：制御装置
【図１】
2013198255.tif 000003
【図２】
2013198255.tif 000004
【図３】
2013198255.tif 000005
【図４】
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【図５】
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