(57)【要約】【課題】大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる炭化珪素基板を提供する。【解決手段】第１の単結晶板１１は、第１の側面Ｓ１を有し、炭化珪素からなる。第２の単結晶板１２は、第１の側面Ｓ１と対向する第２の側面Ｓ２を有し、炭化珪素からなる。接合部ＢＤａは、第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２の間で第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２を互いにつないでいる。接合部ＢＤａの少なくとも一部は、炭化珪素から作られた１μｍ以下の最大長さを有する粒子から作られている。【選択図】図３
2013018693.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の側面を有し、炭化珪素からなる第１の単結晶板と、
前記第１の側面と対向する第２の側面を有し、炭化珪素からなる第２の単結晶板と、
前記第１および第２の側面の間で前記第１および第２の側面を互いにつなぐ接合部とを備え、
前記接合部の少なくとも一部は、炭化珪素から作られた１μｍ以下の最大長さを有する粒子から作られている、炭化珪素基板。
【請求項２】
前記接合部の前記少なくとも一部は、前記接合部のうち３０体積％以上を占める、請求項１に記載の炭化珪素基板。
【請求項３】
前記接合部は、融点１６００℃以上の材料から作られた１μｍ超の最大長さを有する粒子を含む、請求項１に記載の炭化珪素基板。
【請求項４】
第１の側面を有し、炭化珪素からなる第１の単結晶板と、
前記第１の側面と対向する第２の側面を有し、炭化珪素からなる第２の単結晶板と、
前記第１および第２の側面の間で前記第１および第２の側面を互いにつなぐ接合部とを備え、
前記接合部の断面視において、炭化珪素から作られた１μｍ以下の最大長さを有する粒子によって占められる領域の面積の、前記接合部の断面視の全面積に対する割合が２％以上である、炭化珪素基板。
【請求項５】
前記接合部は断面視において、炭化珪素から作られた１μｍ超の最大長さを有する粒子を含む、請求項４に記載の炭化珪素基板。
【請求項６】
前記第１および第２の単結晶板の各々を支持する支持部をさらに備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の炭化珪素基板。
【請求項７】
前記支持部は炭化珪素から作られている、請求項６に記載の炭化珪素基板。
【請求項８】
第１の裏面と第１の側面とを有する第１の単結晶板と、第２の裏面と第２の側面とを有する第２の単結晶板と、第１および第２の裏面の各々に接合された支持部とを含む複合基板を準備する工程を備え、
前記第１および第２の側面が互いに対向することによって、前記第１および第２の側面の間に、開口を有する隙間が形成されており、さらに
前記隙間の前記開口から、ポリカルボシランおよびその誘導体の少なくともいずれかを含有する流動体を注入することによって、前記第１および第２の側面の間をつなぐ流動体部を形成する工程と、
前記流動体部を熱処理によって固化することで、前記隙間の少なくとも一部を埋める接合部を形成する工程とを備える、炭化珪素基板の製造方法。
【請求項９】
前記接合部を形成する工程において、前記熱処理は８００℃以上２０００℃以下の温度で行われる、請求項８に記載の炭化珪素基板の製造方法。
【請求項１０】
前記流動体部を形成する工程は、前記流動体に、融点１６００℃以上の材料から作られた１μｍ超の最大長さを有する粒子を混ぜる工程を含む、請求項８または９に記載の炭化珪素基板の製造方法。
【請求項１１】
前記支持部は炭化珪素から作られている、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の炭化珪素基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は炭化珪素基板およびその製造方法に関し、特に複数の単結晶板を有する炭化珪素基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
単結晶構造を有する炭化珪素基板（ＳｉＣ基板）の大きさは、工業的には大きくても１００ｍｍ（４インチ）程度であり、半導体装置の製造に広く用いられているシリコン基板の大きさに比して小さい。このことが炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造の効率を低くしている。特に六方晶系のＳｉＣにおいて、（０００１）面以外の面の特性が利用される場合、上記の問題が特に深刻となる。このことについて、以下に説明する。
【０００３】
欠陥の少ないＳｉＣ基板は、通常、積層欠陥の生じにくい（０００１）面成長で得られたＳｉＣインゴットから切り出されることで製造される。このため（０００１）面以外の面方位を有するＳｉＣ基板は、成長面に対して非平行に切り出されることになる。このため基板の大きさを十分確保することが困難であったり、インゴットの多くの部分が有効に利用できなかったりする。このため、ＳｉＣの（０００１）面以外の面を利用した半導体装置は、効率よく製造することが特に困難である。
【０００４】
このように困難をともなう炭化珪素基板の単純な大型化に代わって、支持部と、この上に配置された複数の高品質の単結晶板とを有する炭化珪素基板を用いることが考えられる。支持部の品質はそれほど高くなくてもよいので、大きな支持部を準備することは比較的容易である。よってこの大きな支持部に載置される単結晶板の数を増やすことで、必要な大きさを有する炭化珪素基板が得られる。
【０００５】
このような炭化珪素基板においては、隣り合う単結晶板の間に隙間ができてしまうことが避けがたい。この隙間には、この炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造工程中に異物が溜まりやすい。この異物は、たとえば、半導体装置の製造工程において用いられる洗浄液若しくは研磨剤、または雰囲気中のダストである。この異物は、微小な隙間に存在するために、洗浄による完全な除去が困難である。このためこの異物に起因して、製造歩留りが低下することで半導体装置の製造効率が低下してしまう。そこで、この隙間の開口を塞ぐ方法がいくつか提案されている。たとえば国際公開第２０１１／０５８８３０号（特許文献１）に開示された方法においては、昇華物の堆積が行われる。また国際公開第２０１１／０５８８３１号（特許文献２）に開示された方法においては、溶融したシリコンの導入および炭化が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２０１１／０５８８３０号
【特許文献２】国際公開第２０１１／０５８８３１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし上記従来の方法では、隙間の開口を塞いでいる部分に大きな応力が生じ、その結果、基板が大きく反ってしまうことがあった。反りが過剰に大きい基板を用いて半導体装置を製造すると、それに起因して歩留まりが低下することがあり得る。
【０００８】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる炭化珪素基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一の局面に従う炭化珪素基板は第１および第２の単結晶板および接合部を有する。第１の単結晶板は、第１の側面を有し、炭化珪素からなる。第２の単結晶板は、第１の側面と対向する第２の側面を有し、炭化珪素からなる。接合部は、第１および第２の側面の間で第１および第２の側面を互いにつないでいる。接合部の少なくとも一部は、炭化珪素から作られた１μｍ以下の最大長さを有する粒子から作られている。
【００１０】
上記一の局面に従う炭化珪素基板によれば、接合部を形成している炭化珪素の粒径が小さいことによって、接合部中に多くの粒界が形成される。これにより接合部中の応力が緩和されることで、基板の反りを抑えることができる。よって、この基板を用いて半導体装置を製造する際に、基板の反りに起因した歩留まりの低下が抑制される。
【００１１】
上記一の局面に従う炭化珪素基板において好ましくは、接合部の、上記少なくとも一部は、接合部のうち３０体積％以上を占めている。
【００１２】
上記一の局面に従う炭化珪素基板において好ましくは、接合部は、融点１６００℃以上の材料から作られた１μｍ超の最大長さを有する粒子を含む。
【００１３】
本発明の他の局面に従う炭化珪素基板は第１および第２の単結晶板および接合部を有する。第１の単結晶板は、第１の側面を有し、炭化珪素からなる。第２の単結晶板は、第１の側面と対向する第２の側面を有し、炭化珪素からなる。接合部は、第１および第２の側面の間で第１および第２の側面を互いにつないでいる。接合部の断面視において、炭化珪素から作られた１μｍ以下の最大長さを有する粒子によって占められる領域の面積の、接合部の断面視の全面積に対する割合が２％以上である。
【００１４】
上記他の局面に従う炭化珪素基板によれば、接合部を形成している炭化珪素の粒径が小さいことによって、接合部中に多くの粒界が形成される。これにより接合部中の応力が緩和されることで、基板の反りを抑えることができる。よって、この基板を用いて半導体装置を製造する際に、基板の反りに起因した歩留まりの低下が抑制される。
【００１５】
上記他の局面に従う炭化珪素基板において好ましくは、接合部は断面視において、炭化珪素から作られた１μｍ超の最大長さを有する粒子を含む。
【００１６】
上記炭化珪素基板は好ましくは、第１および第２の単結晶板の各々を支持する支持部をさらに有する。
【００１７】
上記炭化珪素基板は好ましくは、支持部は炭化珪素から作られている。
本発明の炭化珪素基板の製造方法は、次の工程を有する。第１の裏面と第１の側面とを有する第１の単結晶板と、第２の裏面と第２の側面とを有する第２の単結晶板と、第１および第２の裏面の各々に接合された支持部とを含む複合基板が準備される。第１および第２の側面が互いに対向することによって、第１および第２の側面の間に、開口を有する隙間が形成されている。隙間の開口から、ポリカルボシランおよびその誘導体の少なくともいずれかを含有する流動体を注入することによって、第１および第２の側面の間をつなぐ流動体部が形成される。流動体部を熱処理によって固化することで、隙間の少なくとも一部を埋める接合部が形成される。
【００１８】
上記炭化珪素基板の製造方法において好ましくは、接合部を形成する工程において、熱処理は８００℃以上２０００℃以下の温度で行われる。
【００１９】
上記炭化珪素基板の製造方法において好ましくは、流動体部を形成する工程は、流動体に、融点１６００℃以上の材料から作られた１μｍ超の最大長さを有する粒子を混ぜる工程を含む。
【００２０】
上記炭化珪素基板の製造方法において好ましくは、支持部は炭化珪素から作られている。
【００２１】
なお本明細書において「長さ」とは、ある方向における寸法のことをいう。またこの「長さ」を最大とする特定の方向における「長さ」を「最大長さ」という。
【発明の効果】
【００２２】
上記のように本発明によれば、半導体装置を製造する際の基板の反りに起因した歩留まりの低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施の形態１における炭化珪素基板の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩに沿う概略断面図である。
【図３】図２の概略的な一部拡大図である。
【図４】本発明の実施の形態１における炭化珪素基板の製造方法の第１工程を概略的に示す平面図である。
【図５】図４の線Ｖ−Ｖに沿う概略断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１における炭化珪素基板の製造方法の第２工程を概略的に示す一部断面図である。
【図７】図３の変形例を概略的に示す図である。
【図８】図６の変形例を概略的に示す図である。
【図９】本発明の実施の形態２における炭化珪素基板の構成を概略的に示す部分断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２における炭化珪素基板の製造方法の一工程を概略的に示す一部断面図である。
【図１１】図９の変形例を概略的に示す図である。
【図１２】図１０の変形例を概略的に示す図である。
【図１３】図１１の接合部の微細構造の一例を示す断面図である。
【図１４】比較例の接合部の微細構造の一例を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態３における炭化珪素基板の製造方法の第１工程を概略的に示す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態３における炭化珪素基板の製造方法の第２工程を概略的に示す断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態３における炭化珪素基板の製造方法の第３工程を概略的に示す断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態３の第１の変形例の炭化珪素基板の製造方法の一工程を概略的に示す断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態３の第２の変形例の炭化珪素基板の製造方法の一工程を概略的に示す断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態３の第３の変形例の炭化珪素基板の製造方法の一工程を概略的に示す断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態４における半導体装置の構成を概略的に示す部分断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態４における半導体装置の製造方法の概略フロー図である。
【図２３】本発明の実施の形態４における半導体装置の製造方法の第１工程を概略的に示す部分断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態４における半導体装置の製造方法の第２工程を概略的に示す部分断面図である。
【図２５】本発明の実施の形態４における半導体装置の製造方法の第３工程を概略的に示す部分断面図である。
【図２６】本発明の実施の形態４における半導体装置の製造方法の第４工程を概略的に示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。また、本明細書中においては、個別方位を［］、集合方位を＜＞、個別面を（）、集合面を｛｝でそれぞれ示している。また、負の指数については、結晶学上、”−”（バー）を数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。
【００２５】
（実施の形態１）
図１および図２を参照して、本実施の形態の炭化珪素基板８０ａは、支持部３０と、支持部３０によって支持された被支持部１０ａと、接合部ＢＤａとを有する。被支持部１０ａは、炭化珪素からなる単結晶板１１〜１９を有する。単結晶板１１〜１９の各々は、裏面および表面を有する。たとえば単結晶板１１（第１の単結晶板）は裏面Ｂ１（第１の裏面）および表面Ｆ１（第１の表面）を有し、単結晶板１２（第２の単結晶板）は裏面Ｂ２（第２の裏面）および表面Ｆ２（第２の表面）を有する。支持部３０は、単結晶板１１〜１９の各々の裏面に接合されている。
【００２６】
さらに図３を参照して、単結晶板１１〜１９の各々は側面を有する。たとえば、単結晶板１１は側面Ｓ１（第１の側面）を有し、単結晶板１２は、側面Ｓ１と対向する側面Ｓ２（第２の側面）を有する。互いに対向する側面の間には隙間ＶＤが存在する。
【００２７】
接合部ＢＤａは、互いに対向する側面の間でこれら側面を互いにつないでいる。たとえば、側面Ｓ１およびＳ２の間で側面Ｓ１およびＳ２が互いにつながれている。隙間ＶＤの表面側（図２および図３における上側）は、接合部ＢＤａによって閉塞されている。接合部ＢＤａは、たとえば、表面Ｆ１およびＦ２の間に位置する部分を含み、これにより表面Ｆ１およびＦ２が滑らかにつながっている。
【００２８】
接合部ＢＤａは実質的に炭化珪素から作られている。ただし製造工程上の理由で接合部ＢＤａ中に水素原子がある程度残留していてもよい。接合部ＢＤａは微細粒部ＦＧを含む。微細粒部ＦＧは１μｍ以下の粒径を有する炭化珪素からなる。より具体的には、微細粒部ＦＧは、炭化珪素から作られた、最大長さが１μｍ以下の粒子からなる。好ましくは、接合部ＢＤａの体積のうち微細粒部ＦＧの体積が２％以上を占めている。より好ましくは、接合部ＢＤａのうち微細粒部ＦＧが３０体積％以上を占めている。さらに好ましくは接合部ＢＤａの実質的に全体が微細粒部ＦＧからなる。微細粒部ＦＧの粒径は、たとえば数百ｎｍ程度である。
【００２９】
微細粒部ＦＧは多結晶構造を有する部分を含む。言い換えると、微細粒部ＦＧに含まれる粒子のうち少なくとも一部の粒子の各々は単結晶構造を有する。また微細粒部ＦＧはアモルファス構造を有する部分を含んでもよい。
【００３０】
好ましくは、炭化珪素基板８０ａの厚さＴ（図２）に対する炭化珪素基板８０ａの平面視（図１）における最大長さＤ（図１）の割合は５０以上５００以下である。また好ましくは、最大長さＤは１００ｍｍ以上である。
【００３１】
支持部３０は、１８００℃以上の温度に耐えることができる材料からなることが好ましく、たとえば、炭化珪素、炭素、または高融点金属からなる。高融点金属としては、たとえば、モリブデン、タンタル、タングステン、ニオビウム、イリジウム、ルテニウム、またはジルコニウムからなる。なお支持部３０の材料として、上記のうち炭化珪素が用いられると、支持部３０の物性を単結晶板１１〜１９に、より近づけることができる。
【００３２】
なお本実施の形態においては炭化珪素基板８０ａに支持部３０が設けられているが、支持部３０が省略された構成が用いられてもよい。この構成は、たとえば、炭化珪素基板８０ａ（図２）の支持部３０を研磨によって除去することにより得られる。また図１においては炭化珪素基板８０ａの平面視における形状として正方形状が示されているが、この形状は正方形状に限定されるものではなく、たとえば円形形状であってもよい。この形状が円形形状である場合、最大長さＤ（図１）は円形形状の直径である。
【００３３】
次に本実施の炭化珪素基板８０ａの製造方法について説明する。なお以下において説明を簡略化するために単結晶板１１〜１９のうち単結晶板１１および１２に関してのみ言及する場合があるが、単結晶板１３〜１９も単結晶板１１および１２と同様に扱われる。
【００３４】
図４および図５を参照して、複合基板８０Ｐが準備される。複合基板８０Ｐは、支持部３０と、単結晶板群１０とを有する。単結晶板群１０は、単結晶板１１および１２を含む。単結晶板１１の裏面Ｂ１と、単結晶板１２の裏面Ｂ２との各々は、支持部３０に接合されている。単結晶板１１の側面Ｓ１と単結晶板１２の側面Ｓ２との間には隙間ＧＰが形成されている。隙間ＧＰは、単結晶板１１の表面Ｆ１と単結晶板１２の表面Ｆ２との間に開口ＣＲを有する。
【００３５】
次に、ポリカルボシランまたはその誘導体を含有する流動体が準備される。好ましくはこの流動体はポリカルボシランを含有する。溶液の溶剤としては、たとえばキシレンが用いられ得る。流動体として、たとえば、スターファイアシステムズ社(Starfire  Systems  Inc.)製で型番「ＲＤ−４７８」を有する「プリカーサーポリマー」を用いることができる。なお流動体は溶液に限定されず、たとえばゲル、ゾル、またはスラリーであってもよい。
【００３６】
ここでポリカルボシランの「誘導体」とは、ポリカルボシランの原子および官能基の少なくともいずれかが置換された構造を有する高分子をいう。このような置換は、たとえば、ポリカルボシランの製造過程において意図せずして混入した不純物に起因して生じ得る。
【００３７】
次にこの流動体が、隙間ＧＰの開口ＣＲを塞ぐように注入される。具体的には、流動体の塗布が行われる。この注入は、常温またはそれに近い温度において行い得る。なお流動体が隙間ＧＰ内により注入されるように、流動体が隙間ＧＰに向かって押し付けられてもよい。また流動体が隙間ＧＰ内により注入されるように、塗布後に複合基板８０Ｐの雰囲気が減圧されてもよい。
【００３８】
図６を参照して、これにより、側面Ｓ１およびＳ２をつなぐように、流動体からなる流動体部ＰＲａが形成される。この結果、隙間ＧＰ（図５）は、流動体部ＰＲａによって閉塞された隙間ＶＤとなる。
【００３９】
次に流動体部ＰＲａの熱処理が行われる。熱処理に用いられる雰囲気は、酸化反応を防ぐために低い酸素分圧を有することが好ましく、たとえば不活性雰囲気または真空雰囲気である。雰囲気圧力は、大気圧またはそれ以下が好ましい。熱処理の温度は、好ましくは８００℃以上であり、たとえば１０００℃程度である。流動体部ＰＲａ中に含まれる水素をより十分に除去することが望まれる場合は、熱処理温度は１３００℃以上が好ましい。流動体部ＰＲａのより十分な結晶化が望まれる場合は、熱処理温度は１６００℃以上が好ましい。また熱処理温度は、炭化珪素の昇華を抑えるために、２０００℃以下とされ、好ましくは１８００℃以下とされる。熱処理時間は、たとえば３０分程度である。この熱処理により流動体部ＰＲａが接合部ＢＤａ（図３）へと変化することで、炭化珪素基板８０ａ（図３）が得られる。
【００４０】
本実施の形態によれば、図２に示すように、単結晶板１１および１２が支持部３０を介して１つの炭化珪素基板８０ａとして一体化される。炭化珪素基板８０ａは、トランジスタなどの半導体装置が形成される基板面として、単結晶板のそれぞれが有する表面Ｆ１およびＦ２の両方を含む。すなわち炭化珪素基板８０ａは、単結晶板１１および１２のいずれかが単体で用いられる場合に比して、より大きな基板面を有する。たとえば、炭化珪素基板８０ａの平面視（図１）における最大長さＤが１００ｍｍ以上とされる。これにより、炭化珪素基板８０ａを用いて半導体装置を効率よく製造することができる。
【００４１】
また炭化珪素基板８０ａの製造工程において、複合基板８０Ｐ（図５）の表面Ｆ１およびＦ２の間に存在していた開口ＣＲが、接合部ＢＤａ（図２）によって塞がれる。これにより表面Ｆ１およびＦ２は互いに滑らかにつながった面となる。よって炭化珪素基板８０ａを用いた半導体装置の製造工程においては、表面Ｆ１およびＦ２の間に、歩留り低下の原因となる異物が溜まりにくい。よって炭化珪素基板８０ａを用いることで、半導体装置を高い歩留りで製造することができる。
【００４２】
また接合部ＢＤａの粒径が小さいことによって、接合部ＢＤａ中に多くの粒界が形成される。これにより接合部ＢＤａ中の応力が緩和されることで、炭化珪素基板８０ａの反りの発生を抑えることができる。
【００４３】
また単結晶板１１および１２の各々に接合された支持部３０が設けられることにより、単結晶板１１および１２が接合部ＢＤａのみによって結合されている場合に比して、単結晶板１１および１２をより強固に結合することができる。
【００４４】
また炭化珪素基板８０ａの厚さＴ（図２）に対する炭化珪素基板８０ａの平面視（図１）における最大長さＤ（図１）の割合が５０以上とされる場合、炭化珪素基板８０ａの平面視における大きさを十分に確保することができる。たとえばＤ／Ｔがたとえば５０である場合、Ｔ＝２ｍｍでＤ＝１００ｍｍの炭化珪素基板が得られる。またこの割合が５００以下であることによって、炭化珪素基板８０ａの反りをより抑制することができる。
【００４５】
なお上記においては隙間ＶＤ（図３）が残存する場合について説明したが、図７に示すように、接合部ＢＤａによって隙間ＶＤ（図３）がすべて埋められてもよい。このためには、図６に示す工程に代わって、図８に示すように、流動体部ＰＲａが隙間ＶＤをすべて埋めるように注入されればよい。
【００４６】
（実施の形態２）
図９を参照して、本実施の形態の炭化珪素基板８０ｂは、接合部ＢＤａ（図３）の代わりに接合部ＢＤｂを有する。接合部ＢＤｂは、微細粒部ＦＧおよび粗粒部ＧＲを有する。粗粒部ＧＲは、１μｍを超える粒径を有する。より具体的には、粗粒部ＧＲは、最大長さが１μｍ超の粒子からなる。上記粒径は、たとえば数μｍ程度である。
【００４７】
好ましくは粗粒部ＧＲは炭化珪素からなる。ただし粗粒部ＧＲの材料は炭化珪素に限定されず、半導体製造装置の製造において炭化珪素基板が置かれる最高温度、すなわち通常１６００℃程度で、安定的に固体である材料であれば用いることができる。言い換えれば、粗粒部ＧＲは、融点１６００℃以上の材料から作られていればよい。たとえば、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、炭化タングステン（ＷＣ）、炭化タンタル（ＴａＣ）、または高融点金属を用いることができる。
【００４８】
接合部ＢＤｂのうち、微細粒部ＦＧは、２体積％以上を占め、好ましくは３０体積％以上を占めている。たとえば、接合部ＢＤｂは、５０体積％の微細粒部ＦＧと５０体積％の粗粒部ＧＲとからなる。
【００４９】
図１０を参照して、炭化珪素基板８０ｂの製造においては、実施の形態１の流動体部ＰＲａ（図６）の代わりに流動体部ＰＲｂが形成される。流動体部ＰＲｂは液体部ＬＱおよび粗粒部ＧＲを有する。流動体部ＰＲｂは、液体部ＬＱに対応する液体中に、粗粒部ＧＲに対応する粗粒が分散された（混ぜられた）流動体を用いることによって形成することができる。この流動体部ＰＲｂに対して実施の形態１と同様の熱処理が行われることで、炭化珪素基板８０ｂが得られる。
【００５０】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【００５１】
本実施の形態によれば、流動体部ＰＲｂ（図１０）は熱処理においてほとんど体積変化を生じない粗粒部ＧＲを含む。これにより熱処理時の流動体部ＰＲｂから接合部ＢＤｂへの変化における体積減少を抑制することができる。これにより、隙間ＶＤを閉塞するのに十分な接合部ＢＤｂをより確実に形成することができる。
【００５２】
なお上記においては隙間ＶＤ（図９）が残存する場合について説明したが、図１１に示すように、接合部ＢＤｂによって隙間ＶＤがすべて埋められてもよい。このためには、図１０に示す工程に代わって、図１２に示すように、流動体部ＰＲｂが隙間ＶＤをすべて埋めるように注入されればよい。
【００５３】
次に接合部ＢＤｂ（図１１）の微細構造について、より詳しく説明する。図１３に示すように、厚さ方向に平行な接合部ＢＤｂの断面視において、１μｍ以下の最大長さＬＦを有する部分（主に微細粒部ＦＧに対応する部分）によって占められる領域の面積の、接合部ＢＤｂの断面視の全面積に対する割合が２％以上である。なお図１３においては、断面視において１μｍ超の最大長さＬＧを有する部分が粗粒部ＧＲによって構成されている、粗粒部ＧＲが実施の形態１のように設けられない場合、断面視において１μｍ超の最大長さＬＧを有する部分が観察されなくてもよい。好ましくは、接合部ＢＤｂの任意の断面視において、１μｍ以下の最大長さＬＦを有する部分によって占められる領域の面積の、接合部ＢＤｂの断面視の全面積に対する割合が２％以上である。
【００５４】
これに対して比較例の接合部ＢＤｚ（図１４）は、単結晶板１１および１２の間における昇華再結晶法によって形成されており、断面視において、１μｍ超（典型的には１０μｍ超）の最大長さＬＺを有する巨大粒部ＧＺに実質的に占められている。最大長さＬＺは、厚さ方向（図中、縦方向）におおよそ沿っている。巨大粒部ＧＺは典型的には最小長さにおいても１０μｍ超の長さを有する。このように接合部ＢＤｚの粒径が大きいので、接合部ＢＤｚ中の粒界は少なく、このため、粒界による応力緩和の作用が十分には得られない。
【００５５】
（実施の形態３）
本実施の形態においては、実施の形態１で用いられる複合基板８０Ｐ（図４、図５）の製造方法について、特に支持部３０が炭化珪素からなる場合について詳しく説明する。なお以下において説明を簡略化するために単結晶板１１〜１９（図４、図５）のうち単結晶板１１および１２に関してのみ言及する場合があるが、単結晶板１３〜１９も単結晶板１１および１２と同様に扱われる。
【００５６】
図１５を参照して、単結晶構造を有する単結晶板１１および１２が準備される。この工程は、たとえば、六方晶系における（０００１）面で成長した炭化珪素インゴットをスライスすることによって行われる。好ましくは、裏面Ｂ１およびＢ２のラフネスがＲａとして１００μｍ以下である。また単結晶板１１および１２の各々の表面の結晶面は、好ましくは、{０００１}面または{０３−３８}面とされ、より好ましくは（０００−１）面または（０３−３−８）面とされる。
【００５７】
次に処理室内において加熱体８１上に、裏面Ｂ１およびＢ２の各々が一の方向（図１５における上方向）に露出するように単結晶板１１および１２が配置される。すなわち単結晶板１１および１２が、平面視において並ぶように配置される。
【００５８】
好ましくは、上記の配置は、裏面Ｂ１およびＢ２の各々が同一平面上に位置するか、または表面Ｆ１およびＦ２の各々が同一平面上に位置するように行なわれる。
【００５９】
次に裏面Ｂ１およびＢ２を互いにつなぐ支持部３０（図５）が、以下のように形成される。
【００６０】
まず一の方向（図１５における上方向）に露出する裏面Ｂ１およびＢ２の各々と、裏面Ｂ１およびＢ２に対して一の方向（図１５における上方向）に配置された固体原料２０の表面ＳＳとが、間隔Ｄ１を空けて対向させられる。好ましくは、間隔Ｄ１の平均値は１μｍ以上１ｃｍ以下とされる。
【００６１】
固体原料２０は炭化珪素からなり、好ましくは一塊の炭化珪素の固形物であり、具体的には、たとえばＳｉＣウエハである。固体原料２０のＳｉＣの結晶構造は特に限定されない。また好ましくは、固体原料２０の表面ＳＳのラフネスはＲａとして１ｍｍ以下である。
【００６２】
なお間隔Ｄ１（図１５）をより確実に設けるために、間隔Ｄ１に対応する高さを有するスペーサ８３（図１８）が用いられてもよい。この方法は、間隔Ｄ１の平均値が１００μｍ程度以上の場合に特に有効である。
【００６３】
次に加熱体８１によって単結晶板１１および１２が所定の基板温度まで加熱される。また加熱体８２によって固体原料２０が所定の原料温度まで加熱される。固体原料２０が原料温度まで加熱されることによって、固体原料の表面ＳＳにおいてＳｉＣが昇華することで、昇華物、すなわち気体が発生する。この気体は、一の方向（図１５における上方向）から、裏面Ｂ１およびＢ２の各々の上に供給される。
【００６４】
好ましくは基板温度は原料温度よりも低くされ、より好ましくは両温度の差は１℃以上１００℃以下とされる。また好ましくは、基板温度は１８００°以上２５００℃以下である。
【００６５】
図１６を参照して、上記のように供給された気体は、裏面Ｂ１およびＢ２の各々の上で、固化させられることで再結晶化される。これにより裏面Ｂ１およびＢ２を互いにつなぐ支持部３０ｐが形成される。また固体原料２０（図１５）は、消耗して小さくなることで固体原料２０ｐになる。
【００６６】
主に図１７を参照して、さらに昇華が進むことで、固体原料２０ｐ（図１６）が消失する。これにより裏面Ｂ１およびＢ２を互いにつなぐ、支持部３０が形成される。
【００６７】
好ましくは、支持部３０が形成される際、処理室内の雰囲気は不活性ガスとされる。不活性ガスとしては、たとえば、Ｈｅ、Ａｒなどの希ガス、窒素ガス、または希ガスと窒素ガスとの混合ガスを用いることができる。この混合ガスが用いられる場合、窒素ガスの割合は、たとえば６０％である。また処理室内の圧力は、好ましくは５０ｋＰａ以下とされ、より好ましくは１０ｋＰａ以下とされる。
【００６８】
また好ましくは、支持部３０は単結晶構造を有する。より好ましくは、裏面Ｂ１の結晶面に対して裏面Ｂ１上の支持部３０の結晶面の傾きは１０°以内であり、また裏面Ｂ２の結晶面に対して裏面Ｂ２上の支持部３０の結晶面の傾きは１０°以内である。これらの角度関係は、裏面Ｂ１およびＢ２の各々に対して支持部３０がエピタキシャル成長することによって容易に実現される。
【００６９】
なお単結晶板１１、１２の結晶構造は六方晶系であることが好ましく、４Ｈ−ＳｉＣまたは６Ｈ−ＳｉＣであることがより好ましい。また、単結晶板１１、１２と支持部３０とは、同一の結晶構造を有するＳｉＣ単結晶からなっていることが好ましい。
【００７０】
また好ましくは、単結晶板１１および１２の各々の濃度と、支持部３０の不純物濃度とは互いに異なる。より好ましくは、単結晶板１１および１２の各々の不純物濃度よりも、支持部３０の不純物濃度の方が高い。なお単結晶板１１、１２の不純物濃度は、たとえば５×１０16ｃｍ-3以上５×１０19ｃｍ-3以下である。また支持部３０の不純物濃度は、たとえば５×１０16ｃｍ-3以上５×１０21ｃｍ-3以下である。また上記の不純物としては、たとえば窒素またはリンを用いることができる。
【００７１】
また好ましくは、単結晶板１１の{０００１}面に対する表面Ｆ１のオフ角は５０°以上６５°以下であり、かつ単結晶板の{０００１}面に対する表面Ｆ２のオフ角は５０°以上６５°以下である。
【００７２】
より好ましくは、表面Ｆ１のオフ方位と単結晶板１１の＜１−１００＞方向とのなす角は５°以下であり、かつ表面Ｆ２のオフ方位と単結晶板１２の＜１−１００＞方向とのなす角は５°以下である。
【００７３】
さらに好ましくは、単結晶板１１の＜１−１００＞方向における{０３−３８}面に対する表面Ｆ１のオフ角は−３°以上５°以下であり、単結晶板１２の＜１−１００＞方向における{０３−３８}面に対する表面Ｆ２のオフ角は−３°以上５°以下である。
【００７４】
なお上記において、「＜１−１００＞方向における{０３−３８}面に対する表面Ｆ１のオフ角」とは、＜１−１００＞方向および＜０００１＞方向の張る射影面への表面Ｆ１の法線の正射影と、{０３−３８}面の法線とのなす角度であり、その符号は、上記正射影が＜１−１００＞方向に対して平行に近づく場合が正であり、上記正射影が＜０００１＞方向に対して平行に近づく場合が負である。また「＜１−１００＞方向における{０３−３８}面に対する表面Ｆ２のオフ角」についても同様である。
【００７５】
より好ましくは、表面Ｆ１の面方位（ｈｋｌｍ）における指数ｍは負である。表面Ｆ２についても同様である。すなわち表面Ｆ１およびＦ２の各々は、（０００１）面よりも（０００−１）面に近い面である。
【００７６】
好ましくは、表面Ｆ１のオフ方位と単結晶板１１の＜１１−２０＞方向とのなす角は５°以下であり、かつ表面Ｆ２のオフ方位と単結晶板１２の＜１１−２０＞方向とのなす角は５°以下である。
【００７７】
本実施の形態によれば、裏面Ｂ１およびＢ２の各々の上に形成される支持部３０が単結晶板１１および１２と同様に炭化珪素からなるので、単結晶板１１および１２と支持部３０との間で諸物性が近くなる。よってこの諸物性の相違に起因した、複合基板８０Ｐ（図４、図５）または炭化珪素基板８０ａ（図１、図２）の反りや割れを抑制できる。
【００７８】
また昇華法を用いることで、支持部３０を高い品質で、かつ高速で形成することができる。また昇華法が特に近接昇華法であることにより、支持部３０をより均一に形成することができる。
【００７９】
また裏面Ｂ１およびＢ２の各々と固体原料２０の表面との間隔Ｄ１（図１５）の平均値が１ｃｍ以下とされることにより、支持部３０の膜厚分布を小さくすることができる。またこの間隔Ｄ１の平均値が１μｍ以上とされることにより、炭化珪素が昇華する空間を十分に確保することができる。
【００８０】
また支持部３０を形成する工程において、単結晶板１１および１２の温度は固体原料２０（図１５）の温度よりも低くされる。これにより、昇華されたＳｉＣを単結晶板１１および１２上において効率よく固化させることができる。
【００８１】
また好ましくは、単結晶板１１および１２を配置する工程は、単結晶板１１および１２の間の最短間隔が１ｍｍ以下となるように行なわれる。これにより支持部３０を、単結晶板１１の裏面Ｂ１と、単結晶板１２の裏面Ｂ２とをより確実につなぐように形成することができる。
【００８２】
また好ましくは、支持部３０は単結晶構造を有する。これにより、支持部３０の諸物性を、同じく単結晶構造を有する単結晶板１１および１２の各々の諸物性に近づけることができる。
【００８３】
より好ましくは、裏面Ｂ１の結晶面に対して裏面Ｂ１上の支持部３０の結晶面の傾きは１０°以内である。また裏面Ｂ２の結晶面に対して裏面Ｂ２上の支持部３０の結晶面の傾きは１０°以内である。これにより支持部３０の異方性を、単結晶板１１および１２の各々の異方性に近づけることができる。
【００８４】
また好ましくは、単結晶板１１および１２の各々の不純物濃度と、支持部３０の不純物濃度とは互いに異なる。これにより不純物濃度の異なる２層構造を有する炭化珪素基板８０ａ（図２）を得ることができる。
【００８５】
また好ましくは、単結晶板１１および１２の各々の不純物濃度よりも支持部３０の不純物濃度の方が高い。よって単結晶板１１および１２の各々の抵抗率に比して、支持部３０の抵抗率を小さくすることができる。これにより、支持部３０の厚さ方向に電流を流す半導体装置、すなわち縦型の半導体装置の製造に好適な炭化珪素基板８０ａを得ることができる。
【００８６】
また好ましくは、単結晶板１１の{０００１}面に対する表面Ｆ１のオフ角は５０°以上６５°以下であり、かつ単結晶板１２の{０００１}面に対する表面Ｆ２のオフ角は５０°以上６５°以下である。これにより、表面Ｆ１およびＦ２が｛０００１｝面である場合に比して、表面Ｆ１およびＦ２におけるチャネル移動度を高めることができる。
【００８７】
より好ましくは、表面Ｆ１のオフ方位と単結晶板１１の＜１−１００＞方向とのなす角は５°以下であり、かつ表面Ｆ２のオフ方位と単結晶板１２の＜１−１００＞方向とのなす角は５°以下である。これにより表面Ｆ１およびＦ２におけるチャネル移動度をより高めることができる。
【００８８】
さらに好ましくは、単結晶板１１の＜１−１００＞方向における{０３−３８}面に対する表面Ｆ１のオフ角は−３°以上５°以下であり、単結晶板１２の＜１−１００＞方向における{０３−３８}面に対する表面Ｆ２のオフ角は−３°以上５°以下である。これにより表面Ｆ１およびＦ２におけるチャネル移動度をさらに高めることができる。
【００８９】
また好ましくは、表面Ｆ１のオフ方位と単結晶板１１の＜１１−２０＞方向とのなす角は５°以下であり、かつ表面Ｆ２のオフ方位と単結晶板１２の＜１１−２０＞方向とのなす角は５°以下である。これにより、表面Ｆ１およびＦ２が｛０００１｝面である場合に比して、表面Ｆ１およびＦ２におけるチャネル移動度を高めることができる。
【００９０】
なお上記において固体原料２０としてＳｉＣウエハを例示したが、固体原料２０はこれに限定されるものではなく、たとえばＳｉＣ粉体またはＳｉＣ焼結体であってもよい。
【００９１】
また図１５においては、裏面Ｂ１およびＢ２の各々と、固体原料２０の表面ＳＳとの間は、全体に渡って間隔が空けられている。しかし、裏面Ｂ１およびＢ２と、固体原料２０の表面ＳＳとの間が一部接触しつつ、裏面Ｂ１およびＢ２の各々と固体原料２０の表面ＳＳとの間に間隔が空けられてもよい。この場合に相当する２つの変形例について、以下に説明する。
【００９２】
図１９を参照して、この例においては、固体原料２０としてのＳｉＣウエハの反りによって、上記間隔が確保される。より具体的には、本例においては、間隔Ｄ２は、局所的にはゼロになるが、平均値としては必ずゼロを超える。また好ましくは、間隔Ｄ１の平均値と同様に、間隔Ｄ２の平均値は１μｍ以上１ｃｍ以下とされる。
【００９３】
図２０を参照して、この例においては、単結晶板１１〜１３の反りによって、上記間隔が確保される。より具体的には、本例においては、間隔Ｄ３は、局所的にはゼロになるが、平均値としては必ずゼロを超える。また好ましくは、間隔Ｄ１の平均値と同様に、間隔Ｄ３の平均値は１μｍ以上１ｃｍ以下とされる。
【００９４】
なお、図１９および図２０の各々の方法の組み合わせによって、すなわち、固体原料２０としてのＳｉＣウエハの反りと、単結晶板１１〜１３の反りとの両方によって、上記間隔が確保されてもよい。
【００９５】
上述した、図１９および図２０の各々の方法、または両方法の組み合わせによる方法は、上記間隔の平均値が１００μｍ以下の場合に特に有効である。
【００９６】
（実施の形態４）
図２１を参照して、本実施の形態の半導体装置１００は、縦型ＤｉＭＯＳＦＥＴ(Double Implanted Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)であって、炭化珪素基板８０ａ、バッファ層１２１、耐圧保持層１２２、ｐ領域１２３、ｎ+領域１２４、ｐ+領域１２５、酸化膜１２６、ソース電極１１１、上部ソース電極１２７、ゲート電極１１０、およびドレイン電極１１２を有する。
【００９７】
炭化珪素基板８０ａは、本実施の形態においてはｎ型の導電型を有し、また実施の形態１で説明したように、支持部３０および単結晶板１１を有する。ドレイン電極１１２は、単結晶板１１との間に支持部３０を挟むように、支持部３０上に設けられている。バッファ層１２１は、支持部３０との間に単結晶板１１を挟むように、単結晶板１１上に設けられている。
【００９８】
バッファ層１２１は、導電型がｎ型であり、その厚さはたとえば０．５μｍである。またバッファ層１２１におけるｎ型の導電性不純物の濃度は、たとえば５×１０17ｃｍ-3である。
【００９９】
耐圧保持層１２２は、バッファ層１２１上に形成されており、また導電型がｎ型の炭化ケイ素からなる。たとえば、耐圧保持層１２２の厚さは１０μｍであり、そのｎ型の導電性不純物の濃度は５×１０15ｃｍ-3である。
【０１００】
この耐圧保持層１２２の表面には、導電型がｐ型である複数のｐ領域１２３が互いに間隔を隔てて形成されている。ｐ領域１２３の内部において、ｐ領域１２３の表面層にｎ+領域１２４が形成されている。また、このｎ+領域１２４に隣接する位置には、ｐ+領域１２５が形成されている。一方のｐ領域１２３におけるｎ+領域１２４上から、ｐ領域１２３、２つのｐ領域１２３の間において露出する耐圧保持層１２２、他方のｐ領域１２３および当該他方のｐ領域１２３におけるｎ+領域１２４上にまで延在するように、酸化膜１２６が形成されている。酸化膜１２６上にはゲート電極１１０が形成されている。また、ｎ+領域１２４およびｐ+領域１２５上にはソース電極１１１が形成されている。このソース電極１１１上には上部ソース電極１２７が形成されている。
【０１０１】
酸化膜１２６と、半導体層としてのｎ+領域１２４、ｐ+領域１２５、ｐ領域１２３および耐圧保持層１２２との界面から１０ｎｍ以内の領域における窒素原子濃度の最大値は１×１０21ｃｍ-3以上となっている。これにより、特に酸化膜１２６下のチャネル領域（酸化膜１２６に接する部分であって、ｎ+領域１２４と耐圧保持層１２２との間のｐ領域１２３の部分）の移動度を向上させることができる。
【０１０２】
次に半導体装置１００の製造方法について説明する。なお図２３〜図２６においては単結晶板１１〜１９（図１）のうち単結晶板１１の近傍における工程のみを示すが、単結晶板１２〜単結晶板１９の各々の近傍においても、同様の工程が行なわれる。
【０１０３】
まず基板準備工程（ステップＳ１１０：図２２）にて、炭化珪素基板８０ａ（図１および図２）が準備される。炭化珪素基板８０ａの導電型はｎ型とされる。
【０１０４】
図２３を参照して、エピタキシャル層形成工程（ステップＳ１２０：図２２）により、バッファ層１２１および耐圧保持層１２２が、以下のように形成される。
【０１０５】
まず炭化珪素基板８０ａの表面上にバッファ層１２１が形成される。バッファ層１２１は、導電型がｎ型の炭化ケイ素からなり、たとえば厚さ０．５μｍのエピタキシャル層である。またバッファ層１２１における導電型不純物の濃度は、たとえば５×１０17ｃｍ-3とされる。
【０１０６】
次にバッファ層１２１上に耐圧保持層１２２が形成される。具体的には、導電型がｎ型の炭化ケイ素からなる層が、エピタキシャル成長法によって形成される。耐圧保持層１２２の厚さは、たとえば１０μｍとされる。また耐圧保持層１２２におけるｎ型の導電性不純物の濃度は、たとえば５×１０15ｃｍ-3である。
【０１０７】
図２４を参照して、注入工程（ステップＳ１３０：図２２）により、ｐ領域１２３と、ｎ+領域１２４と、ｐ+領域１２５とが、以下のように形成される。
【０１０８】
まず導電型がｐ型の不純物が耐圧保持層１２２の一部に選択的に注入されることで、ｐ領域１２３が形成される。次に、ｎ型の導電性不純物を所定の領域に選択的に注入することによってｎ+領域１２４が形成され、また導電型がｐ型の導電性不純物を所定の領域に選択的に注入することによってｐ+領域１２５が形成される。なお不純物の選択的な注入は、たとえば酸化膜からなるマスクを用いて行われる。
【０１０９】
このような注入工程の後、活性化アニール処理が行われる。たとえば、アルゴン雰囲気中、加熱温度１７００℃で３０分間のアニールが行われる。
【０１１０】
図２５を参照して、ゲート絶縁膜形成工程（ステップＳ１４０：図２２）が行われる。具体的には、耐圧保持層１２２と、ｐ領域１２３と、ｎ+領域１２４と、ｐ+領域１２５との上を覆うように、酸化膜１２６が形成される。この形成はドライ酸化（熱酸化）により行われてもよい。ドライ酸化の条件は、たとえば、加熱温度が１２００℃であり、また加熱時間が３０分である。
【０１１１】
その後、窒素アニール工程（ステップＳ１５０）が行われる。具体的には、一酸化窒素（ＮＯ）雰囲気中でのアニール処理が行われる。この処理の条件は、たとえば加熱温度が１１００℃であり、加熱時間が１２０分である。この結果、耐圧保持層１２２、ｐ領域１２３、ｎ+領域１２４、およびｐ+領域１２５の各々と、酸化膜１２６との界面近傍に、窒素原子が導入される。
【０１１２】
なおこの一酸化窒素を用いたアニール工程の後、さらに不活性ガスであるアルゴン（Ａｒ）ガスを用いたアニール処理が行われてもよい。この処理の条件は、たとえば、加熱温度が１１００℃であり、加熱時間が６０分である。
【０１１３】
図２６を参照して、電極形成工程（ステップＳ１６０：図２２）により、ソース電極１１１およびドレイン電極１１２が、以下のように形成される。
【０１１４】
まず酸化膜１２６上に、フォトリソグラフィ法を用いて、パターンを有するレジスト膜が形成される。このレジスト膜をマスクとして用いて、酸化膜１２６のうちｎ+領域１２４およびｐ+領域１２５上に位置する部分がエッチングにより除去される。これにより酸化膜１２６に開口部が形成される。次に、この開口部においてｎ+領域１２４およびｐ+領域１２５の各々と接触するように導電体膜が形成される。次にレジスト膜を除去することにより、上記導体膜のうちレジスト膜上に位置していた部分の除去（リフトオフ）が行われる。この導体膜は、金属膜であってもよく、たとえばニッケル（Ｎｉ）からなる。このリフトオフの結果、ソース電極１１１が形成される。
【０１１５】
なお、ここでアロイ化のための熱処理が行なわれることが好ましい。たとえば、不活性ガスであるアルゴン（Ａｒ）ガスの雰囲気中、加熱温度９５０℃で２分の熱処理が行なわれる。
【０１１６】
再び図２１を参照して、ソース電極１１１上に上部ソース電極１２７が形成される。また、炭化珪素基板８０ａの裏面上にドレイン電極１１２が形成される。以上により、半導体装置１００が得られる。
【０１１７】
なお本実施の形態における導電型が入れ替えられた構成、すなわちｐ型とｎ型とが入れ替えられた構成を用いることもできる。
【０１１８】
また半導体装置１００を作製するための炭化珪素基板は、実施の形態１の炭化珪素基板８０ａに限定されるものではなく、たとえば、実施の形態２または３の炭化珪素基板、または各実施の形態の変形例の炭化珪素基板であってもよい。
【０１１９】
また縦型ＤｉＭＯＳＦＥＴを例示したが、本発明の炭化珪素基板を用いて他の半導体装置が製造されてもよく、たとえばＲＥＳＵＲＦ−ＪＦＥＴ(Reduced Surface Field-Junction Field Effect Transistor)またはショットキーダイオードが製造されてもよい。
【０１２０】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１２１】
１０  単結晶板群、１０ａ  被支持部、１１  単結晶板(第１の単結晶板）、１２  単結晶板（第２の単結晶板）、１３〜１９  単結晶板、２０，２０ｐ  固体原料、３０，３０ｐ  支持部、８０ａ，８０ｂ  炭化珪素基板、８０Ｐ  複合基板、１００  半導体装置、ＢＤａ，ＢＤｂ  接合部、ＦＧ  微細粒部、ＧＰ，ＶＤ  隙間、ＧＲ  粗粒部、ＬＱ  液体部、ＰＲａ，ＰＲｂ  流動体部。
【図１】
2013018693.tif 000003
【図２】
2013018693.tif 000004
【図３】
2013018693.tif 000005
【図４】
2013018693.tif 000006
【図５】
2013018693.tif 000007
【図６】
2013018693.tif 000008
【図７】
2013018693.tif 000009
【図８】
2013018693.tif 000010
【図９】
2013018693.tif 000011
【図１０】
2013018693.tif 000012
【図１１】
2013018693.tif 000013
【図１２】
2013018693.tif 000014
【図１３】
2013018693.tif 000015
【図１４】
2013018693.tif 000016
【図１５】
2013018693.tif 000017
【図１６】
2013018693.tif 000018
【図１７】
2013018693.tif 000019
【図１８】
2013018693.tif 000020
【図１９】
2013018693.tif 000021
【図２０】
2013018693.tif 000022
【図２１】
2013018693.tif 000023
【図２２】
2013018693.tif 000024
【図２３】
2013018693.tif 000025
【図２４】
2013018693.tif 000026
【図２５】
2013018693.tif 000027
【図２６】
2013018693.tif 000028