(57)【要約】    【課題】  半導体素子の端部直下で配線のクラックを抑止し得る電子部品を提供する。    【解決手段】  ソルダーレジスト層７０下の導体パターン１５８の線幅が、半導体素子の端部直下ＤＥからアンダーフィルのフィレット９４ａの外縁ＡＥにおいて広げられているため、半導体素子の剛性により応力の緩和されない半導体素子の外縁部で、配線板に熱応力による曲げ、反りが加わっても、該半導体素子の端部直下で幅の広くなっているため導体パターン１５８ｂに断線が生じ難い。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の層間樹脂絶縁層と、該層間樹脂絶縁層上に形成されている導体パターンと、最外層の層間樹脂絶縁層上の導体パターン上に形成されているバンプと、を備える配線板と、
前記バンプを介して前記配線板上に実装される半導体素子と、
前記半導体素子と前記配線板との間に充填されているアンダーフィル材と、
を有する電子部品であって：
前記導体パターンは、前記半導体素子の直下の領域に位置する第１部位と、前記領域の外側であって前記アンダーフィル材の直下の領域に位置する第２部位とを有しており、
前記第２部位の幅Ｔは、前記第１部位の幅ｔよりも大きい。
【請求項２】
請求項１の電子部品であって：
前記第２部位は、前記アンダーフィル材のフィレット部の直下に位置している。
【請求項３】
請求項１の電子部品であって：
前記第２部位と前記第１部位との境界部は、前記半導体素子の直下の領域に位置する。
【請求項４】
請求項１の電子部品であって：
前記層間樹脂絶縁層上に形成されて隣接する前記導体パターンにおいて、前記第１部位同士の間隔は、前記第２部位の幅よりも大きい。
【請求項５】
請求項１の電子部品であって：
前記導体パターンは、前記第１部位から前記第２部位に向けて次第に幅が大きくなるテーパ部を有している。
【請求項６】
請求項１の電子部品であって：
前記第２部位は、平面略楕円形状である。
【請求項７】
請求項１の電子部品であって：
前記第２部位の幅Ｔと前記第１部位の幅ｔとは、２≦Ｔ／ｔ≦２０を満たす。
【請求項８】
請求項１の電子部品であって：
前記配線板の厚みは１００μｍ以下である。
【請求項９】
複数の層間樹脂絶縁層と、該層間樹脂絶縁層上に形成されている導体パターンと、最外層の層間樹脂絶縁層上の導体パターン上に形成されているバンプと、を備える配線板と、
前記バンプを介して前記配線板上に実装される第１半導体素子及び第２半導体素子と、
前記第１半導体素子と前記配線板との間に充填されている第１アンダーフィル材と、
前記第２半導体素子と前記配線板との間に充填されている第２アンダーフィル材と、を有し、
前記導体パターンにより前記半導体素子同士が電気的に接続されている電子部品であって：
前記導体パターンは、前記第１半導体素子の直下の領域に位置する第１部位と、前記第２半導体素子の直下の領域に位置する第２部位と、前記第１部位と前記第２部位とを繋ぎ、一端部が前記第１アンダーフィル材の直下に位置するとともに他端部が前記第２アンダーフィル材の直下に位置する第３部位とを有しており、
前記第３部位の幅は、前記第１部位の幅及び前記第２部位の幅よりも大きい。
【請求項１０】
請求項９の電子部品であって：
前記第１部位と前記第３部位との境界部は前記第１半導体素子の直下の領域に位置し、前記第２部位と前記第３部位との境界部は前記第２半導体素子の直下の領域に位置する。
【請求項１１】
請求項９の電子部品であって：
前記第３部位の一端部は前記第１アンダーフィル材のフィレット部の直下に位置し、前記第３部位の他端部は前記第２アンダーフィル材のフィレット部の直下に位置する。
【請求項１２】
複数の層間樹脂絶縁層と、該層間樹脂絶縁層上に形成されている導体パターンと、最外層の層間樹脂絶縁層上の導体パターン上に形成されているバンプと、を備える配線板を用意することと、
前記バンプを介して前記配線板上に半導体素子を実装することと、
前記半導体素子と前記配線板との間にアンダーフィル材を充填することと、
を有する電子部品の製造方法であって：
前記導体パターンに、前記半導体素子の直下の領域に位置する第１部位と、前記領域の外側であって前記アンダーフィル材の直下の領域に位置する第２部位とを設け、
前記第２部位の幅Ｔを、前記第１部位の幅ｔよりも大きくする。
【請求項１３】
請求項１２の電子部品の製造方法であって：
前記配線板は、ガラス基板上に形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂絶縁層と導体パターンと積層したコア基板を備えない配線層上に半導体素子を実装し、モールド樹脂で封止した電子部品及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、コアレスの配線板と、配線板の上面に実装される半導体素子とからなる電子部品が開示されている。通常、このような電子部品は、配線板と半導体素子との間に充填されるアンダーフィル樹脂と、半導体素子を封止する封止樹脂とを有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１１７７６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者らは鋭意試験を行った結果、上述したような電子部品は熱履歴を受けることによって内層の導体パターンが断線しやすくなることを見出した。以下、詳細について説明する。
図１０は、上述の電子部品に生じる熱膨張、応力をシミュレーションした結果を示す説明図である。電子部品は、樹脂絶縁層５５０、６５０、７５０及び導体パターン５３４、５５８、６５８を備える配線層５３０と、該配線層５３０上に半田バンプ５７６を介して実装された半導体素子５９０とから成る。配線層５３０と半導体素子５９０との間、及び、半導体素子の側部にはアンダーフィル樹脂５９８が充填されている。半導体素子は封止樹脂５９４により封止されている。
【０００５】
図１０（Ａ１）（Ａ２）は電子部品に約２６０℃の熱が加わっている状態を示し、図１０（Ｂ１）（Ｂ２）は常温における電子部品を示している。
このような電子部品を構成する配線層に関しては、熱が加わった場合、半導体素子の直下の領域Ｒ１はバンプを介して半導体素子に拘束されるため、通常はほぼ水平方向に膨張する（図１０（Ａ１）参照）。一方、半導体素子の直下以外の領域Ｒ２においては、半導体素子による拘束が相対的に弱く、且つアンダーフィル樹脂が膨張し、その際に発生する矢印Ｙ方向の応力によってうねりやすくなる。
これにより、半導体素子の側面を含む仮想平面Ｋの近傍に熱応力が発生しやすくなる。その結果、仮想平面Ｋの近傍に位置する導体パターン５５８が断線したり、剥離しやすくなる。
こうした加熱状態から電子部品を常温に戻した場合にも、アンダーフィル樹脂の収縮に伴い、仮想平面Ｋの近傍に熱応力が発生しやすくなり、同様の課題が発生すると考えられる（図１０（Ｂ１）（Ｂ２）参照）。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、半導体素子の端部直下で配線のクラックを抑止し得る電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１の電子部品は、複数の層間樹脂絶縁層と、該層間樹脂絶縁層上に形成されている導体パターンと、最外層の層間樹脂絶縁層上の導体パターン上に形成されているバンプと、を備える配線板と、前記バンプを介して前記配線板上に実装される半導体素子と、前記半導体素子と前記配線板との間に充填されているアンダーフィル材と、を有する電子部品であって、前記導体パターンは、前記半導体素子の直下の領域に位置する第１部位と、前記領域の外側であって前記アンダーフィル材の直下の領域に位置する第２部位とを有しており、前記第２部位の幅Ｔは、前記第１部位の幅ｔよりも大きいことを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
請求項１の電子部品では、樹脂絶縁層内の導体パターンが、半導体素子の直下の領域に位置する第１部位と、該領域の外側であってアンダーフィル材の直下の領域に位置する第２部位とを有し、第１部位よりも第２部位の幅を大きく設定している。すなわち、配線板の膨張や収縮といった変形による熱応力が生じやすい箇所の導体パターンの幅を大きくしている。このため、導体パターンの表面積が増大し、熱応力を緩和しやすい。その結果、導体パターンの断線が抑制され、信頼性が確保される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本願発明の第１実施形態に係る電子部品の製造工程図である。
【図２】第１実施形態の電子部品の製造工程図である。
【図３】第１実施形態の電子部品の製造工程図である。
【図４】第１実施形態の電子部品の製造工程図である。
【図５】第１実施形態の電子部品の製造工程図である。
【図６】第１実施形態の電子部品の断面図である。
【図７】図７（Ａ）は第１実施形態に係る電子部品の配線パターンの平面図であり、図７（Ｂ）は第２実施形態に係る電子部品の配線パターンの平面図である。
【図８】第２実施形態の電子部品の断面図である。
【図９】配線パターンの平面図である。
【図１０】電子部品に生じる熱膨張、応力をシミュレーションした結果を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[第１実施形態]
図６は、第１実施形態の電子部品１００の断面図である。
電子部品１００は、導体パターンと樹脂絶縁層とが積層されてなる配線板５０Ａと、配線板５０Ａ上に実装されてなる半導体素子９０とからなる。配線板５０Ａは、第１面Ｆとその第１面とは反対側の第２面Ｓとを有し、第１樹脂絶縁層５０と、第１樹脂絶縁層５０上に形成されている第１導体パターン５８と、第１樹脂絶縁層５０及び第１導体パターン５８上に形成されている第２樹脂絶縁層１５０と、第２樹脂絶縁層１５０上に形成されている第２導体パターン１５８とを有している。第２樹脂絶縁層１５０上にソルダーレジスト層７０が形成されている。
【００１１】
パッド６０Ｐと第１導体パターン５８とは第１樹脂絶縁層５０に形成された第１ビア導体６０を介して接続されている。第１導体パターン５８と第２導体パターン１５８とは第２樹脂絶縁層１５０に形成された第２ビア導体１６０を介して接続されている。第２導体パターン１５８上にソルダーレジスト層７０の開口７１を介して半田バンプ７６が形成されている。該半田バンプ７６により半導体素子９０のパッド９２が接続されている。第１ビア導体６０の底部のパッド６０Ｐに半田バンプ７７が形成されている。配線板５０Ａと半導体素子９０との間にはアンダーフィル９４が充填され、半導体素子９０の側部の少なくとも一部はアンダーフィルのフィレット９４ａで覆われている。
【００１２】
第１樹脂絶縁層５０、第２樹脂絶縁層１５０は、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂、熱可塑性樹脂、又は、これらの樹脂を含む樹脂複合体等からなる層である。アンダーフィル９４は、最大径３０μｍ未満、平均粒子径５μｍのシリカ、アルミナ等の無機フィラーを含むエポキシ系樹脂からなる。モールド樹脂９６は、平均粒子径４μｍのシリカ、アルミナ等の無機フィラーを含むエポキシ系樹脂からなり、その熱膨張係数はアンダーフィルより低い。
【００１３】
図７（Ａ）は、図６中のＸ１−Ｘ１横断面に沿った配線パターン１５８の平面図である。該配線パターン１５８は、半導体素子の実装領域の外縁ＤＥからアンダーフィルのフィレット９４ａの外縁ＡＥにおいて、線幅が広げられている幅広部（第２部位）１５８ｂが形成されている。図９（Ａ）は、該配線パターン１５８を拡大して示す。幅広部１５８ｂの幅Ｔは、７μｍで、配線スペースＳは、３μｍ設けられている。図中の右側に通常の配線パターン１５８が示される。配線パターン１５８の幅ｔは２．５μｍで、配線スペースの幅ｓは７．５μｍである。即ち、幅広部の設けられている配線パターンも、通常の配線パターンも同一ピッチで設けられている。これにより、配線密度の低下を防いでいる。図示しないが、層間樹脂絶縁層５０下の配線パターン５８も同様に実装領域の外縁ＤＥからアンダーフィルのフィレット９４ａの外縁ＡＥで線幅が広げられている。
【００１４】
第１実施形態の電子部品では、ソルダーレジスト層（樹脂絶縁層）７０下の導体パターン１５８が、半導体素子の直下の領域に位置する通常の配線パターン１５８と、該領域の外側であってアンダーフィル材の直下の領域に位置する幅広部１５８ｂとを有し、通常の配線パターン１５８よりも幅広部１５８ｂの幅を大きく設定している。すなわち、配線板の膨張や収縮といった変形による熱応力が生じやすい箇所の導体パターンの幅を大きくしている。このため、導体パターンの表面積が増大し、熱応力を緩和しやすい。その結果、導体パターンの断線が抑制され、信頼性が確保される。
【００１５】
導体パターンの信頼性確保のため、通常の配線スペースの幅ｓは、幅広部１５８ｂの幅Ｔよりも大きいことが望ましい。この場合、上述した熱応力の緩和が容易となる。
また、幅広部１５８ｂの幅Ｔと通常の配線パターンの幅ｔとは、２≦Ｔ／ｔ≦２０の範囲であることが望ましい。この場合、隣接する配線パターン間の絶縁性と、上述した熱応力の緩和との両立が可能となる。
【００１６】
アンダーフィルと封止樹脂とは同一のエポキシ樹脂から成るため、無機フィラーの量を調整することで、熱膨張係数を調整させ易い。
【００１７】
封止樹脂９６と半導体素子９０との熱膨張係数の差は３０ppm以下であることが望ましい。熱膨張係数の差が小さいので、熱膨張差に起因する反り、撓みの量が小さくなり、封止樹脂にクラックが入り難い。
【００１８】
第１実施形態の電子部品の製造方法が図１〜図６に示される。
（１）まず、厚さ約１．１mmのガラス板３０が用意される（図１（Ａ））。
ガラス板は、実装するシリコン製ＩＣチップとの熱膨張係数差が小さくなるように、ＣＴＥが約３．３（ｐｐｍ）以下で、且つ、後述する剥離工程において使用する３０８ｎｍのレーザ光に対して透過率が９割以上であることが望ましい。
【００１９】
（２）ガラス板３０の上に、主として熱可塑性ポリイミド樹脂からなる剥離層３２が設けられる（図１（Ｂ））。
【００２０】
（３）剥離層３２の上に第１絶縁層５０が形成される（図１（Ｃ））。
【００２１】
（４）ＣＯ2ガスレーザにて、第１絶縁層５０を貫通し、剥離層３２に至る電極体用開口５１が設けられる（図１（Ｄ）参照）。
【００２２】
（５）スパッタリングにより、第１絶縁層５０上にＴｉＮ、Ｔｉ及びＣｕからなる導体層５２が形成される（図２（Ａ））。
【００２３】
（６）導体層５２上に、市販の感光性ドライフィルムが貼り付けられ、フォトマスクフィルムが載置され露光された後、炭酸ナトリウムで現像処理され、厚さ約１５μｍのめっきレジスト５４が設けられる（図２（Ｂ））。
【００２４】
（７）導体層５２を給電層として用い、電解めっきが施され電解めっき膜５６が形成される（図２（Ｃ））。
【００２５】
（８）めっきレジスト５４が剥離除去される。そして、剥離しためっきレジスト下の導体層５２が除去され、導体層５２及び電解めっき膜５６からなる第１導体パターン５８及び第１ビア導体６０が形成される（図２（Ｄ））。図９（Ａ）に示されるように、第１導体パターン５８には、半導体素子の外縁部で幅広部分が設けられる。
【００２６】
（９）上記（３）〜（８）と同様にして、第１樹脂絶縁層５０及び第１導体パターン５８上に第２樹脂絶縁層１５０及び第２導体パターン１５８、第２ビア導体１６０が形成される（図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ））。図９（Ａ）に示されるように、第２導体パターン１５８は半導体素子の外縁部ＤＥで幅広部分１５８ｂが設けられる。
【００２７】
（１０）開口７１を備えるソルダーレジスト層７０が形成される（図３（Ｄ））。
【００２８】
（１１）ソルダーレジスト層７０の開口７１に半田バンプ７６が形成されることで、中間体１００αが製造される（図３（Ｅ））。この中間体１００αは、ガラス板３０と、ガラス板３０上に形成されている配線板５０Ａとから形成されている。
【００２９】
（１２）中間体１００α上に半田バンプ７６を介して半導体素子９０が実装される（図４（Ａ））。このとき、ガラス板３０が半導体素子９０と熱膨張率が近いので、配線板５０Ａに加わる応力が低減される。
【００３０】
（１３）半導体素子９０と配線板５０Ａとの間にアンダーフィル９４が充填され、半導体素子９０の側部にフィレット９４ａが形成される（図４（Ｂ））。
【００３１】
（１４）モールド型内で、半導体素子９０がシリカフィラーを含むエポキシ系樹脂からなる封止樹脂９６で封止される（図４（Ｃ））。
【００３２】
（１５）３０８ｎｍのレーザ光がガラス板３０を透過させて剥離層３２に照射され、剥離層３２が軟化される。そして、配線板５０Ａに対してガラス板３０がスライドされ（図５（Ａ））、ガラス板３０が剥離される（図５（Ｂ））。
【００３３】
（１６）アッシングにより剥離層３２が除去され、ビア導体６０の底部により構成されるパッド６０Ｐが露出される（図５（Ｃ））。
【００３４】
（１８）パッド６０Ｐ上に半田バンプ７７が形成され、電子部品１００が完成される（図６）。
【００３５】
[第１実施形態の第１改変例]
図９（Ｂ）は第１実施形態の第１改変例に係る電子部品１００の配線パターン１５８の平面図である。第１改変例では、配線パターン１５８の実装領域の外縁ＤＥからアンダーフィルのフィレット９４ａの外縁ＡＥの幅広部１５８ｂと、通常幅部１５８ａとの間に、テーパ部１５８ｃが付加されている。テーパ部により、線幅の変わる角部での応力を低下させることができる。
【００３６】
[第１実施形態の第２改変例]
図９（Ｂ）は第１実施形態の第２改変例に係る電子部品１００の配線パターン１５８の平面図である。第２改変例では、幅広部１５８ｂが円形に形成されている。このため、線幅の変わる部位での応力を低下させることができる。
【００３７】
[第１実施形態の第３改変例]
図９（Ｂ）は第１実施形態の第３改変例に係る電子部品１００の配線パターン１５８の平面図である。第３改変例では、幅広部１５８ｂが楕円形に形成されている。このため、線幅の変わる部位での応力を低下させることができる。
【００３８】
[第２実施形態]
図８は第２実施形態に係る電子部品１００の断面を示している。
第２実施形態では、第１半導体素子（ロジックチップ）９０Ａと、第２半導体素子（メモリチップ）９０Ｂとの２個の半導体素子が配線板５０Ａに実装されている。
【００３９】
図７（Ｂ）は、図８中のＸ２−Ｘ２横断面に沿った配線パターン１５８の平面図である。該配線パターン１５８は、第１半導体素子の実装領域ＤＥ１の直下からアンダーフィルのフィレット９４ａの外縁ＡＥ１の途中、第２半導体素子の実装領域ＤＥ２の直下からアンダーフィルのフィレット９４ａの外縁ＡＥの途中において、線幅が広げられている幅広部１５８ｂが形成されている。幅広部１５８ｂの幅は７μｍで、配線スペースは３μｍ設けられている。通常の配線パターン１５８ａの幅は５μｍで、配線スペースの幅は５μｍである。即ち、幅広部の設けられている配線パターンも、通常の配線パターンも同一ピッチで設けられている。これにより、配線密度の低下を防いでいる。図示しないが、層間樹脂絶縁層５０下の配線パターン５８も同様に線幅が広げられている。
【００４０】
第２実施形態の電子部品では、導体パターンの線幅が、第１半導体素子９０Ａと第２半導体素子９０Ｂとの間の途中において広げられているため、半導体素子の剛性により応力の緩和されない第１半導体素子と第２半導体素子との間ＥＢにおいて、配線板５０Ａに熱応力による曲げ、反りが加わっても、該半導体素子の間で幅の広くなっているため導体パターンに断線が生じ難い。また、幅の広い導体パターンの剛性により、第１半導体素子と第２半導体素子との間ＥＢでの曲げ、反りを小さくすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
上述した第２実施形態では、２個の半導体素子を実装する場合を例示したが、３個以上の半導体素子を実装する場合も、半導体素子と半導体素子との間の線幅を広くすることで、該部分での断線を防ぐことができる。
【符号の説明】
【００４２】
１０  電子部品
３０  配線板
５０  第１絶縁層
５８  第１配線パターン
６０  第１ビア導体
９０  半導体素子
９４  アンダーフィル
９４ａ  フィレット
９６  封止樹脂
１５０  第２絶縁層
１５８  第２配線パターン
１５８ｂ  幅広部
ＤＥ  実装領域の外縁
【図１】
2013183002.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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