(57)【要約】      （修正有）【課題】表面にパシベーション膜が被覆されている半導体ウエーハに、レーザー光線の拡散および反射を抑制してストリートに沿って分割溝を形成することができる半導体ウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】表面に複数のデバイス領域とそれらを区画するストリート１０１が設けられ、その表面にパシベーション膜１０３が被覆された半導体ウエーハ１０に、ストリートに沿って分割溝を形成する半導体ウエーハの加工方法であって、パシベーション膜に対して吸収される波長のレーザー光線をパシベーション膜側からストリートに沿って照射し、パシベーション膜にストリートに沿って分断溝を形成する工程と、該パシベーション膜に分断溝が形成された半導体ウエーハに、半導体基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をパシベーション膜に形成された分断溝に沿って照射し、半導体基板にストリートに沿って分割溝を形成する工程とを含む。【選択図】図７
2013102039.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に格子状に配列された複数のストリートによって複数の領域が区画され該区画された領域にデバイスが形成されるとともにデバイスおよびストリートの表面にパシベーション膜が被覆された半導体ウエーハに、ストリートに沿って分割溝を形成する半導体ウエーハの加工方法であって、
パシベーション膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をパシベーション膜側からストリートに沿って照射し、パシベーション膜にストリートに沿って分断溝を形成するパシベーション膜分断溝形成工程と、
該パシベーション膜分断溝形成工程が実施された半導体ウエーハに、半導体基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をパシベーション膜に形成された分断溝に沿って照射し、半導体基板にストリートに沿って分割溝を形成する分割溝形成工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。
【請求項２】
該半導体基板はシリコンによって形成され、該パシベーション膜は二酸化珪素で形成されている、請求項１記載の半導体ウエーハの加工方法。
【請求項３】
該パシベーション膜分断溝形成工程において照射するレーザー光線の波長は５３２nmに設定され、該分割溝形成工程において照射するレーザー光線の波長は３５５nmに設定されている、請求項２記載の半導体ウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板の表面に格子状に配列された複数のストリートによって複数の領域が区画され該区画された領域にデバイスが形成されるとともにデバイスおよびストリートの表面にパシベーション膜が被覆された半導体ウエーハに、ストリートに沿って分割溝を形成する半導体ウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、シリコン等の半導体基板の表面に格子状に配列された複数のストリートによって複数の領域が区画され該区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが形成される。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って分割することにより個々のデバイスを製造している。
【０００３】
上述した半導体ウエーハ等のウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに形成されたストリートに沿ってウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射することにより分割溝を形成し、この分割溝に沿って破断する方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近時においては、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを保護するために、デバイスおよびストリートの表面にSiO2、SiF、SiON、SiO(SixOy)等の酸化物からなるパシベーション膜とよばれる保護膜が被覆された半導体ウエーハが実用化されている。
半導体基板に対して吸収性を有する波長(３５５nm)のレーザー光線を照射すると、バンドギャップエネルギーに達し原子の結合力が破壊されアブレーション加工が行われる。しかるに、デバイスおよびストリートの表面にSiO2、SiF、SiON、SiO(SixOy)等の酸化物からなるパシベーション膜が被覆されていると、レーザー光線のエネルギー拡散および反射が起こり、レーザー光線のエネルギーがアブレーション加工の遂行を妨げるという問題がある。また、パシベーション膜を透過したレーザー光線が半導体基板でアブレーション加工を施し、内部からパシベーション膜を破壊するという問題もある。
【０００６】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、デバイスおよびストリートの表面にパシベーション膜が被覆されている半導体ウエーハに、レーザー光線のエネルギー拡散および反射を抑制してストリートに沿って分割溝を形成することができる半導体ウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、半導体基板の表面に格子状に配列された複数のストリートによって複数の領域が区画され該区画された領域にデバイスが形成されるとともにデバイスおよびストリートの表面にパシベーション膜が被覆された半導体ウエーハに、ストリートに沿って分割溝を形成する半導体ウエーハの加工方法であって、
パシベーション膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をパシベーション膜側からストリートに沿って照射し、パシベーション膜にストリートに沿って分断溝を形成するパシベーション膜分断溝形成工程と、
該パシベーション膜分断溝形成工程が実施された半導体ウエーハに、半導体基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をパシベーション膜に形成された分断溝に沿って照射し、半導体基板にストリートに沿って分割溝を形成する分割溝形成工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体ウエーハの加工方法が提供される。
【０００８】
上記半導体基板はシリコンによって形成され、上記パシベーション膜は二酸化珪素で形成されている。
また、上記パシベーション膜分断溝形成工程において照射するレーザー光線の波長は５３２nmに設定され、上記分割溝形成工程において照射するレーザー光線の波長は３５５nmに設定されている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明による半導体ウエーハの加工方法においては、デバイスおよびストリートの表面に被覆されたパシベーション膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をパシベーション膜側からストリートに沿って照射し、パシベーション膜にストリートに沿って分断溝を形成するパシベーション膜分断溝形成工程と、パシベーション膜分断溝形成工程が実施された半導体ウエーハに、半導体基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をパシベーション膜に形成された分断溝に沿って照射し、半導体基板にストリートに沿って分割溝を形成する分割溝形成工程とを含んでいるので、分割溝形成工程において半導体基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射する際に、パシベーション膜によってレーザー光線のエネルギーが拡散および反射することがない。従って、パシベーション膜によってレーザー光線のエネルギーが拡散および反射することにより、アブレーション加工の遂行を妨げるという問題を解消することができる。また、分割溝形成工程において半導体基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射する際には、パシベーション膜が破断されているので、パシベーション膜を透過したレーザー光線が半導体基板にアブレーション加工を施し内部からパシベーション膜を破壊するという問題も解消される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明による半導体ウエーハの加工方法によって加工される半導体ウエーハの斜視図および要部を拡大して示す断面図。
【図２】図１に示す半導体ウエーハの表面を環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着した状態を示す斜視図。
【図３】本発明による半導体ウエーハの加工方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図。
【図４】図３に示すレーザー加工装置に装備される第１のレーザー光線照射手段のブロック構成図。
【図５】図３に示すレーザー加工装置に装備される第２のレーザー光線照射手段のブロック構成図。
【図６】本発明による半導体ウエーハの加工方法におけるパシベーション膜分断溝形成工程の説明図。
【図７】本発明による半導体ウエーハの加工方法における分割溝形成工程の説明図。
【図８】本発明による半導体ウエーハの加工方法におけるパシベーション膜分断溝形成工程および分割溝形成工程が終了した状態を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明による半導体ウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
図１の(a)および(b)には、被加工物としての半導体ウエーハの斜視図および要部拡大断面図が示されている。図１の(a)および(b)に示す半導体ウエーハ１０は、シリコンからなる半導体基板１００の表面１０ａに格子状に形成された複数のストリート１０１によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１０２が形成されている。この半導体ウエーハ１０は、図１の(b)に示すようにデバイス１０２を保護するためにデバイス１０２およびストリート１０１の表面１００ａに二酸化珪素（SiO2）からなるパシベーション膜１０３が被覆されている。なお、デバイス１０２を保護するための酸化物からなるパシベーション膜としては、SiF、SiON、SiO(SixOy)等の酸化物を用いることができる。このように構成された半導体ウエーハ１０は、図２に示すように環状のフレームFに装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープTに半導体基板１００の裏面１００b側を貼着する。従って、環状のフレームFに装着された保護テープTに貼着された半導体ウエーハ１０は、デバイス１０２およびストリート１０１の表面１００ａに被覆されたパシベーション膜１０３の表面１０aが上側となる。以下、環状のフレームFに装着された保護テープTに貼着された半導体ウエーハ１０に、ストリート１０１に沿って分割溝を形成する半導体ウエーハの加工方法について説明する。
【００１３】
図３には本発明による半導体ウエーハの加工方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図が示されている。
図３に示されたレーザー加工装置１は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２に上記矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）と直交する矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に配設された第１のレーザー光線照射ユニット支持機構４ａおよび第２のレーザー光線照射ユニット支持機構４ｂと、該第１のレーザー光線照射ユニット支持機構４ａに矢印Ｚで示す集光点位置調整方向（Z軸方向）に移動可能に配設された第１のレーザー光線照射ユニット５ａと、該第２のレーザー光線照射ユニット支持機構４ｂに矢印Ｚで示す集光点位置調整方向（Z軸方向）に移動可能に配設された第２のレーザー光線照射ユニット５ｂとを具備している。
【００１４】
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設された第１の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持されたカバー３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１の被加工物載置面３６１ａ上に被加工物であるウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。また、チャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。
【００１５】
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面に矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動させるための加工送り手段３７を具備している。加工送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第１の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動せしめられる。
【００１６】
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動させるための第１の割り出し送り手段３８を具備している。第１の割り出し送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動せしめられる。
【００１７】
上記第１のレーザー光線照射ユニット支持機構４ａは、静止基台２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール４１、４１と、該案内レール４１、４１上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に配設された可動支持基台４２を具備している。この可動支持基台４２は、案内レール４１、４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、該移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。装着部４２２は、一側面に矢印Ｚで示す集光点位置調整方向（Z軸方向）即ち上記チャックテーブル３６の被加工物載置面３６１ａに垂直方向に延びる一対の案内レール４２３、４２３が平行に設けられている。図示の実施形態における第１のレーザー光線照射ユニット支持機構４ａは、可動支持基台４２を一対の案内レール４１、４１に沿って割り出し送り方向である矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動させるための第２の割り出し送り手段４３を具備している。第２の割り出し送り手段４３は、上記一対の案内レール４１、４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、該雄ネジロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４３２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ４３２によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動せしめられる。
【００１８】
図示の実施形態における第１のレーザー光線照射ユニット５ａは、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられた第１のレーザー光線照射手段６ａを具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３、４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１、５１１が設けられており、この被案内溝５１１、５１１を上記案内レール４２３、４２３に嵌合することにより、矢印Ｚで示す方向に移動可能に支持される。図示の実施形態における第１のレーザー光線照射ユニット５ａは、ユニットホルダ５１を一対の案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す集光点位置調整方向（Z軸方向）に移動させるための集光点位置調整手段５３を具備している。集光点位置調整手段５３は、上記一対の案内レール４２３、４２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５３２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１および第１のレーザー光線照射ユニット５ａを案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動せしめる。
【００１９】
第１のレーザー光線照射手段６ａは、上記ユニットホルダ５１に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング６０aを含んでいる。また、第１のレーザー光線照射手段６ａは、図４に示すようにケーシング６０a内に配設されたパルスレーザー光線発振手段６１aおよび出力調整手段６２aと、上記ケーシング６０aの先端に装着された第１の集光器６３aを具備している。上記パルスレーザー光線発振手段６１aは、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器６１１ａと、これに付設された繰り返し周波数設定手段６１２aとから構成されている。このパルスレーザー光線発振手段６１aのパルスレーザー光線発振器６１１ａは、５３２nmの波長を有するパルスレーザー光線を発振する。出力調整手段６２aは、パルスレーザー光線発振手段６１aから発振されたパルスレーザー光線の出力を所定の値に調整する。
【００２０】
上記第１のレーザー光線照射手段６ａを構成するケーシング６０aの前端部には、撮像手段７が配設されている。この撮像手段7は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００２１】
次に、上記第２のレーザー光線照射ユニット支持機構４ｂおよび第２のレーザー光線照射ユニット５ｂについて説明する。なお、第２のレーザー光線照射ユニット支持機構４ｂおよび第２のレーザー光線照射ユニット５ｂについては、上記第１のレーザー光線照射ユニット支持機構４ａおよび第１のレーザー光線照射ユニット５ａの構成部材と実質的に同一機能を有する各構成部材には同一符号を付して説明する。
第２のレーザー光線照射ユニット支持機構４ｂは上記第１のレーザー光線照射ユニット支持機構４ａと平行に配設され、第２のレーザー光線照射ユニット支持機構４ｂの可動支持基台４２と上記第１のレーザー光線照射ユニット支持機構４ａの可動支持基台４２とが対向して配設されている。従って、上記第１のレーザー光線照射ユニット支持機構４ａの可動支持基台４２を構成する装着部４２２に配設された第１のレーザー光線照射ユニット５ａと、第２のレーザー光線照射ユニット支持機構４ｂの可動支持基台４２を構成する装着部４２２に配設された第２のレーザー光線照射ユニット５ｂとは、近接した位置に線対称に配置される。なお、第２のレーザー光線照射ユニット５ｂの第２のレーザー光線照射手段６ｂを構成するケーシング６０bの前端部には、撮像手段は配設されていない。
【００２２】
第２のレーザー光線照射手段６ｂは、上記ユニットホルダ５１に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング６０bを含んでいる。また、第２のレーザー光線照射手段６bは、図５に示すようにケーシング６０b内に配設されたパルスレーザー光線発振手段６１bおよび出力調整手段６２bと、上記ケーシング６０bの先端に装着された第２の集光器６３ｂを具備している。上記パルスレーザー光線発振手段６１bは、ＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器６１１bと、これに付設された繰り返し周波数設定手段６１２bとから構成されている。このパルスレーザー光線発振手段６１bのパルスレーザー光線発振器６１１bは、３５５nmの波長を有するパルスレーザー光線を発振する。出力調整手段６２bは、パルスレーザー光線発振手段６１bから発振されたパルスレーザー光線の出力を所定の値に調整する。なお、第２のレーザー光線照射手段６ｂの第2の集光器６３ｂと上記第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aは、加工送り方向（X軸方向）の所定の間隔を置いて配置されている。
【００２３】
図示のレーザー加工装置１は以上のように構成されており、以下このレーザー加工装置１を用いて上記図2に示すように環状のフレームFに装着された保護テープTに貼着された半導体ウエーハ１０に、ストリート１０１に沿って分割溝を形成する半導体ウエーハの加工方法について説明する。
本発明による半導体ウエーハの加工方法を実施するには、先ず図３に示すレーザー加工装置１のチャックテーブル３６上に環状のフレームFに保護テープTを介して支持された半導体ウエーハ１０の保護テープTを載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ１０は、保護テープTを介してチャックテーブル３６上に吸引保持される。また、環状のフレームFは、クランプ３６２によって固定される。従って、チャックテーブル３６上に保護テープTを介して吸引保持された半導体ウエーハ１０は、デバイス１０２およびストリート１０１の表面に被覆されたパシベーション膜１０３が上側となる。
【００２４】
上述したように半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３６は、加工送り手段３７によって撮像手段７の直下に位置付けられる。チャックテーブル３６が撮像手段７の直下に位置付けられると、撮像手段７および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ１０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段７および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ１０の所定方向に形成されているストリート１０１と、ストリート１０１に沿ってレーザー光線を照射する第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aとの位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。また、半導体ウエーハ１０に形成されている所定方向と直交する方向に形成されているストリート１０１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。なお、本発明による半導体ウエーハの加工方法を実施する際には、第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aと第２のレーザー光線照射手段６bの集光器６３ｂは、加工送り方向（X軸方向）の同一線上に位置付けられる。
【００２５】
以上のようにしてチャックテーブル３６上に保持されている半導体ウエーハ１０に形成されたストリート１０１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、第１のレーザー光線照射手段６ａを作動してパシベーション膜１０３に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をパシベーション膜１０３側からストリート１０１に沿って照射し、パシベーション膜１０３にストリート１０１に沿って分断溝を形成する分断溝形成工程を実施する。即ち、図６の(a)で示すようにチャックテーブル３６を第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aが位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート１０1の一端（図６の（ａ）において左端）を第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下（第１の集光器６３aから照射されるレーザー光線の照射位置）に位置付ける。そして、第１のレーザー光線照射手段６ａおよび第２のレーザー光線照射手段６bの集光点位置調整手段５３を作動して第１の集光器６３aおよび第２の集光器６３bから照射するパルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ１０の表面１０a付近に位置付ける。次に、第１のレーザー光線照射手段６ａを作動し、第１の集光器６３aから上記パシベーション膜１０３に対して吸収性を有する波長の第１のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３６を図６の（ａ）において矢印Ｘ１で示す加工送り方向に所定の加工送り速度で移動せしめる（パシベーション膜分断溝形成工程）。この結果、図６の(b)に示すように半導体ウエーハ１０のデバイス１０２およびストリート１０１の表面１００ａに被覆されたパシベーション膜１０３は、ストリート１０１に沿って分断され、分断溝１０４が形成される。
【００２６】
上記パシベーション膜分断溝形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源                    ：YAGパルスレーザー
波長                    ：５３２ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数          ：５０ｋＨｚ
平均出力                ：０．５W
集光スポット径          ：φ１０μｍ
加工送り速度            ：１００ｍｍ／秒
【００２７】
上述したようにパシベーション膜分断溝形成工程が開始され、パシベーション膜１０３に分断溝１０４が形成されたストリート１０１の一端が図７の(a)で示すように第２のレーザー光線照射手段６bの第２の集光器６３bの直下に達したならば、第２のレーザー光線照射手段６bを作動し、第２の集光器６３bから上記半導体基板１００に対して吸収性を有する波長の第２のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３６を図７の(a)において矢印Ｘ１で示す加工送り方向に所定の加工送り速度で移動せしめる加工送りを継続する（分割溝形成工程）。この結果、パシベーション膜１０３にストリート１０１に沿って形成された分断溝１０４を通してパルスレーザー光線が半導体ウエーハ１０の半導体基板１００に照射され、図７の(b)に示すように半導体ウエーハ１０の半導体基板１００には、パシベーション膜１０３にストリート１０１沿って形成された分断溝１０４に沿って分割溝１１０が形成される。
【００２８】
上記分割溝形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源                    ：YAGパルスレーザー
波長                    ：３５５ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数          ：５０ｋＨｚ
平均出力                ：３W
集光スポット径          ：φ１μｍ
加工送り速度            ：１００ｍｍ／秒
【００２９】
上述したパシベーション膜分断溝形成工程および分割溝形成工程を実施し、図８の（a）に示すようにストリート１０1の他端（図8の（ａ）において右端）が第１のレーザー光線照射手段６ａの第１の集光器６３aの直下位置に達したら、第１のレーザー光線照射手段６ａの作動を停止する。更にチャックテーブル３６が矢印Ｘ１で示す加工送り方向に移動し、図８の（b）に示すようにストリート１０１の他端（図８の（ａ）において右端）が第２のレーザー光線照射手段６ｂの第２の集光器６３ｂの直下位置に達したら、第２のレーザー光線照射手段６ｂの作動を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。
【００３０】
以上のようにパシベーション膜分断溝形成工程および分割溝形成工程を半導体ウエーハ１０に所定方向に形成された全てのストリート１０１に沿って実施したならば、チャックテーブル３６を９０度回動して該チャックテーブル３６に保持されている半導体ウエーハ１０を９０度回動する。そして、半導体ウエーハ１０に上記所定方向と直交する方向に形成された全てのストリート１０１に沿って上述したパシベーション膜分断溝形成工程および分割溝形成工程を実施する。
【００３１】
以上のようにして半導体ウエーハ１０に形成された全てのストリート１０１に沿って上述したパシベーション膜分断溝形成工程および分割溝形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ１０は次工程である分割工程に搬送される。
【００３２】
以上のように、本発明による半導体ウエーハの加工方法においては、デバイス１０２およびストリート１０１の表面１００ａに被覆されたパシベーション膜１０３に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をパシベーション膜１０３側からストリート１０１に沿って照射し、パシベーション膜１０３にストリート１０１に沿って分断溝を形成するパシベーション膜分断溝形成工程と、パシベーション膜分断溝形成工程が実施された半導体ウエーハ１０に、半導体基板１００に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をパシベーション膜１０３に形成された分断溝１０４に沿って照射し、半導体基板１００にストリート１０１に沿って分割溝１１０を形成する分割溝形成工程とを含んでいるので、分割溝形成工程において半導体基板１００に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射する際に、パシベーション膜１０３によってレーザー光線のエネルギーが拡散および反射することがない。従って、パシベーション膜によってレーザー光線のエネルギーが拡散および反射することにより、アブレーション加工の遂行を妨げるという問題を解消することができる。また、分割溝形成工程において半導体基板１００に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射する際には、パシベーション膜１０３が破断されているので、パシベーション膜を透過したレーザー光線が半導体基板にアブレーション加工を施し内部からパシベーション膜を破壊するという問題も解消される。
【符号の説明】
【００３３】
１：レーザー加工装置
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３６：チャックテーブル
３７：加工送り手段
３８：第１の割り出し送り手段
４ａ：第１のレーザー光線照射ユニット支持機構
４ｂ：第２のレーザー光線照射ユニット支持機構
４３：第２の割り出し送り手段
５ａ：第１のレーザー光線照射ユニット
５ｂ：第２のレーザー光線照射ユニット
５１：ユニットホルダ
５３：集光点位置調整手段
６ａ：第１のレーザー光線照射手段
６１a：パルスレーザー光線発振手段
６２a：出力調整手段
６３a：第１の集光器
６ｂ：第２のレーザー光線照射手段
６１b：パルスレーザー光線発振手段
６２b：出力調整手段
６３b：第２の集光器
７：撮像手段
１０：半導体ウエーハ
１００：半導体基板
１０１：ストリート
１０２：デバイス
１０３：パシベーション膜
【図１】
2013102039.tif 000003
【図２】
2013102039.tif 000004
【図３】
2013102039.tif 000005
【図４】
2013102039.tif 000006
【図５】
2013102039.tif 000007
【図６】
2013102039.tif 000008
【図７】
2013102039.tif 000009
【図８】
2013102039.tif 000010