(57)【要約】【課題】支持基板を用いたコアレス工法によって配線基板を作製する場合に、配線基板の外層となる銅箔の凹凸の発生を抑制可能な配線基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】支持基板となる金属箔張り積層板と接着層と複層金属箔とをこの順番に構成し、前記複層金属箔上に、積層体の一部となる絶縁層と金属箔とをこの順番に構成した後、一括して加熱加圧することにより、支持基板上に積層された積層体を形成する工程と、前記複層金属箔の金属箔同士を物理的に剥離することにより、前記複層金属箔の一方の金属箔とともに、積層体を支持基板から分離する工程と、前記分離した積層体の一方の金属箔をエッチングすることにより、外層回路を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。【選択図】図６
2013030603.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板となる金属箔張り積層板と接着層と複層金属箔とをこの順番に構成し、前記複層金属箔上に、積層体の一部となる絶縁層と金属箔とをこの順番に構成した後、一括して加熱加圧することにより、支持基板上に積層された積層体を形成する工程と、
前記複層金属箔の金属箔同士を物理的に剥離することにより、前記複層金属箔の一方の金属箔とともに、積層体を支持基板から分離する工程と、
前記分離した積層体の一方の金属箔をエッチングすることにより、外層回路を形成する工程と、
を有する配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
複層金属箔が、複数の金属箔を剥離層を介して積層して形成されたものであり、積層体を支持基板から分離する工程では、前記積層体側に残る一方の金属箔と剥離層との間で物理的に剥離する配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
積層体を支持基板から分離する工程では、前記積層体側に残る一方の金属箔の厚みが９〜３５μｍである配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３の何れかにおいて、
複層金属箔が、積層体側に残る一方の金属箔の厚みが、支持基板側に残る他方の金属箔の厚みよりも厚い配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４の何れかにおいて、
支持基板上に接着された積層体を形成する工程の後、前記積層体を支持基板から分離する工程の前に、前記積層体には、所望の層数の絶縁層及び導体回路並びに層間接続とを設ける工程を有する配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品素子を搭載する配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、軽量化、多機能化が一段と進み、これらに用いられる配線基板においても、多層化や配線の微細化とともに、配線基板の薄型化が求められている。これに伴い、配線基板の製造プロセスにおいては、より薄型の配線基板を取り扱う必要が生じている。つまり、従来、一般の電子部品素子搭載用の配線基板は、いわゆるビルドアップ工法により製造されており、これは、コア基板となる薄型の配線基板の両側に、絶縁樹脂層と配線パターンとからなる配線層を積み上げて配線基板を製造する製法であるため、配線層の層数が少ない段階では、例えば０．１ｍｍ以下の薄型の配線基板の状態で製造プロセスを進める必要があるためである。薄型の配線基板は製造プロセスの中で、寸法変動による反りや、製造装置内での引っかかりによる折れ、破損などが生じ易いため、取り扱いが困難になっている。このような薄型の配線基板の取り扱いを容易にする方法としては、配線基板の１枚１枚に、機械的な強度を持たせる目的で、治具や支持基板を取付ける方法が考えられる。しかしながら、この方法では、大幅に工数が増加し、コストアップとなる問題がある。
【０００３】
このような問題を回避するための方法としては、図８（１）、（２）に示すように、両面にピーラブル銅箔９（キャリア銅箔付き極薄銅箔）を有する支持基板１７を準備し、この支持基板１７の両面のピーラブル銅箔９上に配線基板（図示しない。）を形成した後、ピーラブル銅箔９の剥離作用を利用して、配線基板と支持基板１７を分離する方法（特許文献１）が開示されている。また、図９（１）、（２）に示すように、絶縁層１４の両面に銅箔１３を有する金属張り積層板１２を支持基板１７として準備し、この支持基板１７の両面の銅箔１３上に、ひとまわり小さい銅箔Ａ１９を直接重ねて配置し、この銅箔Ａ１９上に絶縁層３金属箔２０を積み重ねて、層間接続や導体回路を形成して配線基板（図示しない。）を形成した後、支持基板１７の銅箔１３と銅箔Ａ１９が直接重ねられた領域は接着しないことを利用して、切断箇所２４を切断することによって、配線基板と支持基板１７とを分離する方法（特許文献２、３）などが開示されている。これらの製法は、従来のビルドアップ工法と違い、製造される配線基板自体の構成には、支持基板となるコア基板を必要としない。このため、このような製法を、本発明においては、以下、コアレス工法という。
【０００４】
これらのコアレス工法によれば、支持基板の機械的強度に加え、配線基板が２枚分の厚みとなるため、層数の少ない段階の薄型の配線基板の状態であっても、支持基板と配線基板を含めた全体の厚みが厚くなり、剛性が増すので、製造設備内での引っかかりによる折れ、破損などを抑制できる。また、支持基板の両側に、対称な構成で配線基板が形成されるため、製造プロセスの中で寸法変動による反りが生じても、反りによる応力が支持基板の両側でほぼ釣り合うことにより、支持基板と配線基板を含めた全体としては、反りを抑制することができる。さらに、特許文献２、３のコアレス工法では、従来のビルドアップ法のように内層となるコア基板の両側に配線層を積み上げるのではなく、銅箔Ａの片側にだけ配線層を積み上げることになる。このため、配線基板の最外層の一方の導体層は、銅箔Ａだけで構成できるので、微細配線パターンの形成に有利となる。なお、支持基板の両側に形成される配線基板を個別にみれば、従来のビルドアップ工法のように、内層となるコア基板の両側に、１回の積層工程で同時に配線層を積み上げるのではなく、片側にだけ配線層を積み上げることになるが、１回の積層工程で２枚分の積層を行うことになるので、従来のビルドアップ法と同等の生産性を維持することができる。
【０００５】
【特許文献１】特許第４２７３８９５号公報
【特許文献２】特開２００９−２５２８２７号公報
【特許文献３】特開２０１０−０８０５９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一方で、電子部品素子を搭載する配線基板の用途として、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ：表面弾性波）デバイスを構成する配線基板としての用途があるが、小型化・薄型化の要求に伴い、ファイスダウンでフリップチップ接続されたＳＡＷ圧電素子の活性面（表面弾性波の振動部分）と配線基板表面の第１層配線パターンとの隙間に形成される振動空間が、より狭く（例えば、１０μｍ程度）なるように設計される傾向がある。このため、配線基板表面の第１層配線パターンの表面の高低差が大きいと、配線パターンとＳＡＷ圧電素子の活性面が接触する可能性があり、フィルタとしての機能を確保できない問題がある。
【０００７】
特許文献１では、両面にピーラブル銅箔（キャリア銅箔付き極薄銅箔）を有する支持基板を準備する際に、プリプレグの両側にピーラブル銅箔を構成し、加熱・加圧により積層するが、支持基板としての剛性を確保するためには、ガラス繊維を有するプリプレグを使う必要があるため、ガラス繊維によってピーラブル銅箔にうねりが生じる傾向がある。このうねりを生じたピーラブル銅箔上にビルドアップ法で配線基板を形成した後、ピーラブル銅箔のキャリア銅箔と極薄銅箔との間で、配線基板と支持基板とを分離して、ピーラブル銅箔の極薄銅箔を配線基板側に転写するため、この極薄銅箔はうねりを有している。ＳＡＷ圧電素子を搭載する配線基板では、めっき等による凹凸の要因を無くすため、めっき等に曝されていない銅箔をそのままエッチングして外層回路を形成する工法（銅箔エッチング工法）が望ましい。しかし、うねりが生じたままの極薄銅箔を使用して外層回路を形成すると、ＳＡＷ圧電素子を搭載する外層回路にうねりによる高低差が生じてしまい、ＳＡＷフィルタとしての特性に影響する問題がある。
【０００８】
特許文献２、３では、特許文献１と同様に、支持基板のガラス繊維による銅箔のうねりが生じることに加えて、以下の問題がある。すなわち、特許文献２、３では、図９（１）、（２）に示すように、支持基板１７の両面の銅箔１３上に、ひとまわり小さい銅箔Ａ１９を直接重ねて配置するため、銅箔Ａ１９の外周部には銅箔Ａ１９の厚さ分の段差を有している。このため、銅箔Ａ１９の上に配置する絶縁層３の厚みが薄いと、この段差箇所に空隙２３が生じる場合がある。そこで、段差があっても絶縁層３を追従するように、銅箔２０上にクッション材を配置することが考えられるが、クッション材は柔らかいため、積層の際に、クッション材の動きによって銅箔Ａ１９が位置ずれを起こす場合がある。このため、銅箔Ａ１９の上に配置する絶縁層３の厚みを厚くすることにより、銅箔Ａの段差を埋める必要があるが、この場合は、絶縁層３が厚くなるため、絶縁層３のガラス繊維によっても、銅箔Ａ１９にうねりが生じる。したがって、この銅箔Ａをエッチングして外層回路を形成すると、ＳＡＷ圧電素子を搭載する外層回路にうねりによる高低差が生じてしまい、ＳＡＷフィルタとしての特性に影響する問題がある。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、支持基板を用いたコアレス工法によって配線基板を作製する場合に、配線基板の外層回路のうねりによる高低差を抑制可能な配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、以下のものに関する。
（１）  支持基板となる金属箔張り積層板と接着層と複層金属箔とをこの順番に構成し、前記複層金属箔上に、積層体の一部となる絶縁層と金属箔とをこの順番に構成した後、一括して加熱加圧することにより、支持基板上に積層された積層体を形成する工程と、前記複層金属箔の金属箔同士を物理的に剥離することにより、前記複層金属箔の一方の金属箔とともに、積層体を支持基板から分離する工程と、前記分離した積層体の一方の金属箔をエッチングすることにより、外層回路を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。
（２）  項（１）において、複層金属箔が、複数の金属箔を剥離層を介して積層して形成されたものであり、積層体を支持基板から分離する工程では、前記積層体側に残る一方の金属箔と剥離層との間で物理的に剥離する配線基板の製造方法。
（３）  項（１）または（２）において、積層体を支持基板から分離する工程では、前記積層体側に残る一方の金属箔の厚みが９〜３５μｍである配線基板の製造方法。
（４）  項（１）から（３）の何れかにおいて、複層金属箔が、積層体側に残る一方の金属箔の厚みが、支持基板側に残る他方の金属箔の厚みよりも厚い配線基板の製造方法。
（５）  項（１）から（４）の何れかにおいて、支持基板上に接着された積層体を形成する工程の後、前記積層体を支持基板から分離する工程の前に、前記積層体には、所望の層数の絶縁層及び導体回路並びに層間接続とを設ける工程を有する配線基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、支持基板を用いたコアレス工法によって配線基板を作製する場合に、配線基板の外層回路のうねりによる高低差を抑制可能な配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に用いる複層金属箔の断面図である。
【図２】本発明の配線基板の製造方法の一部を表すフロー図である。
【図３】本発明の配線基板の製造方法の一部を表すフロー図である。
【図４】本発明の配線基板の製造方法の一部を表すフロー図である。
【図５】本発明の配線基板の製造方法の一部を表すフロー図である。
【図６】本発明の配線基板の製造方法の一部を表すフロー図である。
【図７】本発明の配線基板の製造方法の一部を表すフロー図である。
【図８】従来の配線基板の製造方法の一部を表すフロー図である。
【図９】他の従来の配線基板の製造方法の一部を表すフロー図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の配線基板の製造方法の一例について、図１〜図７を用いて以下に説明する。
【００１４】
まず、図１に示すように、複層金属箔９を準備する。複層金属箔９としては、２層以上の金属箔（例えば、第１金属箔１０と第２金属箔１１）を有する複層金属箔９であって、少なくとも１箇所の間（例えば、第１金属箔１０と第２金属箔１１との間）が物理的に剥離可能なものを用いる。第１金属箔１０と第２金属箔１１の間には、両者を物理的に剥離可能とし、また剥離強度を安定化するための剥離層１６が形成されていてもよい。このような複合金属箔９としては、キャリアとなる比較的厚い金属箔上に、これよりも薄く物理的に剥離可能な金属箔を形成した、市販のいわゆるキャリア銅箔付き極薄銅箔を用いることができるが、本願発明においては、従来用いられるように、必ずしも厚いキャリア銅箔を第２金属箔１１（支持基板１７側）とし、薄い極薄銅箔を第１金属箔１０（配線基板１側）とする必要はなく、これとは反対に、厚いキャリア銅箔を第１金属箔１０（配線基板１側）とし、薄い極薄銅箔を第２金属箔１１（支持基板１７側）としてもよい。つまり、キャリア銅箔付き極薄銅箔の中で、配線基板１の外層回路２として必要な厚みを有する方の銅箔を第１金属箔１０（配線基板１側）に用いればよい。
【００１５】
第１金属箔１０は、支持基板１７上に形成される配線基板１の外層回路２となるものである。エッチングによって回路加工が可能であって、配線基板１の導体回路として機能するものであれば特に限定はないが、汎用性や取り扱い性の点で、材質としては銅箔やアルミニウム箔が好ましく、エッチングによる微細な回路形成の点から、厚みとしては１〜７０μｍを使用することができる。外層回路２としての強度と微細回路形成性のバランスから、特には９〜３５μｍが好ましい。また、第１金属箔１０と第２金属箔１１との間には、両者を物理的に剥離可能とし、また剥離強度を安定化するための剥離層１６が設けられる。剥離層１６としては、絶縁層３と積層する際の加熱・加圧を複数回行っても剥離強度が安定化しているものが好ましい。このような剥離層１６としては、特開２００３−１８１９７０号公報に開示された金属酸化物層と有機剤層を形成したものや、特開２００３−０９４５５３号公報に開示されたＣｕ−Ｎｉ−Ｍｏ合金からなるものが挙げられる。なお、この剥離層１６は、第１金属箔１０と第２金属箔１１との間で物理的に剥離する際には、第２金属箔１１側（支持基板１７側）に付着した状態で剥離し、第１金属箔１０側（配線基板１側）の表面には残留しないものが望ましい。
【００１６】
第２金属箔１１は、複層金属箔９を絶縁層１４と積層して支持基板１７を作成する際に、絶縁層１４と積層される側に位置するものであり、第２金属箔１１との間で物理的に剥離可能とされる。支持基板１７の接着層１５と積層される際に、接着層１５との接着性を有していれば特に材質や厚みは問わないが、汎用性や取り扱い性の点で、材質としては銅箔やアルミニウム箔が好ましく、厚みとしては１〜７０μｍを使用できる。また、第１金属箔１０との間には、間での剥離強度を安定化するため、上述したような剥離層１６を設けるのが好ましい。
【００１７】
次に、図２（１）、（２）に示すように、支持基板１７となる金属箔張り積層板１２と接着層１５と複層金属箔９とをこの順番に構成し、前記複層金属箔９上に、積層体２２の一部となる絶縁層３と金属箔２０とをこの順番に構成した後、一括して加熱加圧することにより、支持基板１７上に積層された積層体２２を形成する。金属箔張り積層板１２は、予め準備したものを用いてもよいし、金属箔張り積層板１２を形成するための絶縁層１４と金属箔１３を構成し、その上に上述した接着層１５等の他の部材を構成して、これらの他の部材とともに加熱加圧して形成してもよい。このようにして形成された支持基板１７上に積層された積層体２２は、支持基板１７が、金属箔張り積層板１２を有するので、金属箔張り積層板１２の絶縁層１４と金属箔１３の両者により剛性を確保することができる。しかも、金属箔張り積層板１２の金属箔１３上に、直接、積層体２２の一部を構成する複合金属箔９が配置されるのではなく、接着層１５を介して接着されているため、金属箔張り積層板１２の金属箔１３が絶縁層１４のガラス繊維によるうねりを有していたとしても、接着層１５がこのうねりを吸収するので、複合金属箔９にうねりが転写するのを抑制することができる。
【００１８】
支持基板１７は、複層金属箔９を用いて、配線基板１を製造する際に支持体となるものであり、剛性を確保することによって、作業性を向上させること、およびハンドリング時の損傷を防いで歩留りを向上させるのを主な役割とするものである。このため、絶縁層１４としては、ガラス繊維等の補強材を有するものが望ましく、例えば、ガラスエポキシ、ガラスポリイミド等のプリプレグを、金属箔１３と重ねて、熱プレス等を用いて加熱・加圧して積層一体化することで形成できる。
【００１９】
接着層１５は、金属箔張り積層板１２と複層金属箔９とを接着するものであり、金属箔張り積層板１２の金属箔１３の表面に浮き出た絶縁層１４中の補強繊維等によるうねりを吸収する作用を有するものである。接着層１５としては、配線基板１の絶縁層として使用されるものを使用することができるが、補強繊維を有しないものがうねりの緩衝性能の点で望ましい。
【００２０】
次に、図３（３）、（４）に示すように、層間接続孔２１を形成し、層間接続５や内層回路６を形成する。層間接続５は、例えば、いわゆるコンフォーマル工法を用いて層間接続孔２１を形成した後、この層間接続孔２１内をめっきすることで形成することができる。このめっきには、下地めっきとして薄付け無電解銅めっきを行った後、厚付けめっきとして無電解銅めっきや電気銅めっき、フィルドビアめっき等を用いることができる。エッチングする導体層の厚みを薄くして微細回路を形成し易くするためには、金属箔２０及び層間接続孔２１に薄付けの下地めっきを行った後、めっきレジストを形成し、電気銅めっきやフィルドビアめっきで、厚付けのパターンめっき（図示しない。）を行うのが望ましい。内層回路６は、例えば、層間接続孔２１へのめっきを行った後、エッチングによって不要部分の導体層を除去することにより形成することができる。
【００２１】
次に、図４（５）、（６）及び図５（７）、（８）に示すように、内層回路６や層間接続５の上に、さらに絶縁層３と金属箔２０を形成し、図３（３）、（４）のときと同様にして、所望の層数となるように、内層回路６や層間接続５、外層回路となるパターンめっき１８を形成する。
【００２２】
次に、図６（９）に示すように、複層金属箔の第１金属箔１０と第２金属箔１１との間で、金属箔同士を物理的に剥離することにより、第１金属箔１０とともに、積層体２２を支持基板１７から分離する。
【００２３】
次に、図７（１０）、（１１）に示すように、分離した積層体２２の第１の金属箔１０に対しては、エッチングレジストを形成し、銅箔エッチングによる回路加工により、外層回路２を形成する。積層体２２のパターンめっき１８を行った面については、全面をエッチングすることにより、厚みの薄い部分は導体層が消失して絶縁層３が露出し、パターンめっき１８を行った部分のみが外層回路７となる。なお、図７（１０）〜（１２）は、図６（９）のように分離した積層体２２のうち、下側の部分のみを表している。これにより、金属箔１０をエッチングして形成した外層回路２は、うねりによる高低差が抑制されており、ＳＡＷ圧電素子の特性に対するうねりの影響を低減することが可能になる。
【００２４】
次に、図７（１２）に示すように、必要に応じてソルダーレジスト４や保護めっき８を形成してもよい。保護めっき８としては、配線基板１の接続端子の保護めっき８として用いられるニッケルめっきと金めっきが望ましい。
【実施例】
【００２５】
以下に、本発明の実施例を説明するが、本発明は本実施例に限定されない。
【００２６】
まず、図１に示すように、第１金属箔１０と第２金属箔１１と有する複層金属箔９として、ピーラブル銅箔ＦＤ−Ｐ９／１８（古河サーキットフォイル株式会社製、商品名）を準備した。第１金属箔１０は１８μｍの銅箔を、第２金属箔１１は９μｍの極薄銅箔を用いている。第１金属箔１０と第２金属箔１１との間には、物理的な剥離が可能である。
【００２７】
次に、図２（１）、（２）に示すように、支持基板１７となる金属箔張り積層板１２と接着層１５と複層金属箔９とをこの順番に構成し、前記複層金属箔９上に、積層体２２の一部となる絶縁層３と金属箔２０とをこの順番に構成した後、一括して加熱加圧することにより、支持基板１７上に積層された積層体２２を形成した。なお、金属箔張り積層板１２としては、ＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）、板厚０．２ｍｍ、銅箔厚さ１８μｍ、５００ｍｍ×６００ｍｍのものを用い、接着層１５としては、ガラス繊維を有しないエポキシ系の接着シートであるＡＳ−２６００（日立化成工業株式会社製、商品名）、厚さ２５μｍを用いた。
【００２８】
次に、図３（３）、（４）に示すように、層間接続５や内層回路６を形成した。層間接続５は、コンフォーマル工法を用いて層間接続孔２１を形成した後、この層間接続孔２１内をめっきすることで形成した。このめっきには、下地めっきとして薄付け無電解銅めっきを行った後、感光性のめっきレジストを形成し、厚付けのパターンめっきを硫酸銅電気めっきで行った。この後、エッチングによって不要部分の銅箔２０を除去することにより内層回路６を形成した。
【００２９】
次に、図４（５）、（６）および図５（７）、（８）に示すように、内層回路６や層間接続５の上に、さらに絶縁層３と銅箔２０を形成し、内層回路６や層間接続５、外層回路となるパターンめっき１８を形成して、４層の導体層を有する積層体２２を形成した。
【００３０】
次に、図６（９）に示すように、複層金属箔９の第１金属箔１０と第２金属箔１１との間で、積層体２２を第１金属箔１０とともに支持基板１７から物理的に剥離して分離した。
【００３１】
次に、図７（１０）、（１１）に示すように、分離した積層体２２の第１金属箔１０を銅箔エッチングにより回路加工して、外層回路２を形成した。また、同時に、パターンめっき１８部分を残して、外層回路７を形成した。
【００３２】
次に、図７（１２）に示すように、感光性のソルダーレジスト４を形成し、その後、保護めっき８として、無電解ニッケルめっきと無電解金めっきを行い、配線基板１を形成した。
【００３３】
（比較例１）
図８（１）、（２）に示すように、支持基板１７を作成する際に、絶縁層１４上に複層金属箔９を直接配置して構成し、複層金属箔９上に積層体２２の一部となる絶縁層３と金属箔２０とをこの順番に構成した後、一括して加熱加圧することにより、支持基板１７上に積層された積層体２２を形成した。絶縁層３は、ＧＥＮ−６７９Ｎ（日立化成工業株式会社製、商品名）、公称厚さ６０μｍを２枚用いた。つまり、支持基板１７は、絶縁層１４の上に直接複層金属箔９を配置し、金属箔張り積層板や接着層は用いないで形成しているが、その他の点については、実施例と同様である。
【００３４】
（比較例２）
図９（１）、（２）に示すように、絶縁層１４の両面に銅箔１３を有する金属張り積層板１２を支持基板１７として準備し、この支持基板１７の両面の銅箔１３上に、ひとまわり小さい銅箔Ａ１９を直接重ねて配置し、この銅箔Ａ１９上に絶縁層３と金属箔２０を積み重ねて構成した後、一括して加熱加圧することにより、支持基板１７上に積層された積層体２２を形成した。なお、金属箔張り積層板１２としては、ＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）、板厚０．４ｍｍ、銅箔厚さ１８μｍを用い、銅箔Ａ１９としては、ＥＣ−Ｍ３−ＶＬＰ−２３（古河サーキットフォイル株式会社製、商品名）を用いた。絶縁層３としては、ＧＥＮ−６７９Ｎ（日立化成工業株式会社製、商品名）、公称厚さ６０μｍを用いた。
【００３５】
表１に、実施例、比較例１、比較例２の方法で作製した積層体を支持基板と分離した後、銅箔エッチングにより外層回路を形成して配線基板とした場合の外層回路の表面（実施例及び比較例１においては第１金属箔、比較例２においては銅箔Ａ１９）の高低差を測定した結果を示す。なお、外層回路は、ＳＡＷ圧電素子をフリップチップ接続するためのフリップチップ端子を、１ピース（１０ｍｍ×１０ｍｍ）当り、数１０個形成したものであり、また、５００ｍｍ×６００ｍｍの大きさの積層板全体では、約２０００ピースが配置されている。この積層板全体を縦横３等分して全部で９分割した領域毎に１ピースを選択し、さらにピース毎に６個ずつのフリップチップ端子を選択して、絶縁層を基準として高さを測定した。基準となる絶縁層の高さは、高さを測定するフリップチップ端子の近傍の絶縁層表面とした。また、高低差の評価は、ピース毎に最も高いものと最も低いものとの高低差を算出し、このピース毎の高低差の積層板全体における最大値、最小値、平均値を求めることにより行った。高低差の測定は、レーザーフォーカス変位計ＬＴ−８０１０（ＫＥＹＥＮＣＥ社製、商品名）を用いて、フリップチップ端子の中央部を測定した。
【００３６】
表１に示すように、実施例は、外層回路であるフリップチップ端子のうねり（高低差）が平均１．９４μｍであるのに対して、比較例１は平均５．７９μｍ、比較例２は６．８１μｍであり、実施例では比較例１、２に比べて、うねりを抑制できることを確認した。
【００３７】
【表１】
2013030603.tif 000003
【符号の説明】
【００３８】
１：配線基板
２：外層回路
３：絶縁層
４：ソルダーレジスト
５：層間接続
６：内層回路または導体回路
７：外層回路または導体回路
８：保護めっき
９：複層金属箔またはピーラブル銅箔またはキャリア銅箔付き極薄銅箔
１０：第１金属箔または一方の金属箔
１１：第２金属箔または他方の金属箔
１２：金属箔張り積層板
１３：（金属箔張り積層板の）金属箔または銅箔
１４：（金属箔張り積層板の）絶縁層
１５：接着層
１６：剥離層
１７：支持基板または支持基板材料
１８：パターンめっき
１９：銅箔Ａ
２０：（積層体の）金属箔または銅箔
２１：層間接続孔
２２：積層体または積層体材料
２３：空隙
２４：切断箇所
【図１】
2013030603.tif 000004
【図２】
2013030603.tif 000005
【図３】
2013030603.tif 000006
【図４】
2013030603.tif 000007
【図５】
2013030603.tif 000008
【図６】
2013030603.tif 000009
【図７】
2013030603.tif 000010
【図８】
2013030603.tif 000011
【図９】
2013030603.tif 000012