【手続補正書】
【提出日】平成26年6月16日(2014.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シードレーザと、増幅器と、偏光変換手段とを含み、
前記シードレーザが、波長１０６４ｎｍで動作し、
前記シードレーザが、パルス出力を含み、
前記パルス出力が、前記シードレーザから繰り返し率とパルス幅と平均パワーと第１偏光とを伴って放射されるパルスを含み、
前記増幅器が、Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質と励起光源とを含み、
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、Ｎｄドープされ、
前記励起光源が、光子を提供して前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質を刺激し、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、前記シードレーザの光子をより高いエネルギーレベルへと刺激し、
前記増幅器の前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、第２偏光を含み、
前記偏光変換手段が、前記シードレーザの前記パルス出力の前記パルスの偏光を、前記増幅器の前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２偏光と揃えて整合し、
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、第１端と第２端とを備え、
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端が、前記励起光源に近接する第２端面を含み、
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第１端が、楔角θ１の楔面を含み、
前記シードレーザが、第１外部パスに沿って前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記楔面に入射角θ２で進入し、前記入射角θ２が、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第１端の前記楔面に垂直な線に対して計測され、
前記シードレーザが、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の内部を通過する第１内部パスに沿って屈折角θ２’で屈折および増幅されて前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端面に向かって移動し、前記屈折角θ２’が、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第１端の前記楔面に垂直な線に対して計測され、
前記励起光源に近接する前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端面が、高反射性コーティングを含み、前記高反射性コーティングが、波長１０６４ｎｍの前記シードレーザの前記パルス出力の前記パルスに対して高反射性を有するとともに前記励起光源からの光に対して高透過性を有し、
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端面の前記高反射性コーティングが、前記励起光源からの光が前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質を活性化するのを許容し、
前記増幅されたシードレーザが、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端面の前記高反射性コーティングによって、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の内部を通過する第２内部パスに沿って内部反射角θ３で反射および増幅されて前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記楔面に向かって移動し、前記内部反射角θ３が、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の中心線に対して計測され、
前記シードレーザが、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記楔面から第２外部パスに沿って屈折角θ５で退出し、
前記屈折角θ５が、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第１端の前記楔面に垂直な線に対して計測されていることを特徴とするレーザ増幅装置。
【請求項２】
前記シードレーザが、１５ミリ秒から１５フェムト秒までの範囲のパルス幅を有し、
前記Ｎｄのドーパントが、０．０５％ａｔ．から３．００％ａｔ．までの範囲であり、
前記シードレーザの前記パルス出力の前記繰り返し率が、１０〜３０，０００ｋＨｚの範囲であって前記パルス幅に依存し、
前記シードレーザの前記パルス出力の前記平均パワーが、１ｍＷ未満から５Ｗまでの範囲であり、
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、１ｍｍ２から３６ｍｍ２までの断面を有することを特徴とする請求項１に記載のレーザ増幅装置。
【請求項３】
第１高反射鏡をさらに含み、
前記第１高反射鏡が、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質から前記第２外部パスに沿って退出する前記増幅されたシードレーザの前記第２外部パスに対して垂直に配置され、
前記シードレーザが、前記第１高反射鏡によって前記第２外部パスに沿って前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第１端の前記楔面に向かって反射し、
前記増幅されたシードレーザが、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の内部を通過する前記第２内部パスに沿って屈折および増幅されて前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端面の前記高反射性コーティングに向かって移動し、
前記増幅されたシードレーザが、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端の前記第２端面の前記高反射性コーティングに当たり、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の内部を通過する前記第１内部パスに沿って増幅されて前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第１端の前記楔面に向かって移動し、
前記増幅されたシードレーザが、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第１端の前記楔面から前記第１外部パスに沿って屈折して退出することを特徴とする請求項１に記載のレーザ増幅装置。
【請求項４】
前記偏光変換手段が、前記増幅器の前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質から退出する前記シードレーザの偏光を、さらなる使用および／または増幅のために、前記第２偏光から第３偏光に変更することを特徴とする請求項１に記載のレーザ増幅装置。
【請求項５】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、長さ５〜３０ｍｍであり、長方形の断面を有することを特徴とする請求項１に記載のレーザ増幅装置。
【請求項６】
長さ５〜３０ｍｍの前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、中心波長が８０８ｎｍ＋／−３ｎｍで帯域幅が５ｎｍ未満の励起パワーの９９％を吸収することを特徴とする請求項４に記載のレーザ増幅装置。
【請求項７】
前記偏光変換手段が、旋光子と、半波長板と、偏光子とを含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ増幅装置。
【請求項８】
前記Ｎｄのドーパントが、０．０５％ａｔ．から３．００％ａｔ．までの範囲であることを特徴とする請求項１に記載のレーザ増幅装置。
【請求項９】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質のＮｄのドーパントが、０．０５％ａｔ．から３．００％ａｔ．までの範囲であることを特徴とする請求項３に記載のレーザ増幅装置。
【請求項１０】
シードレーザと、増幅器とを含み、
前記シードレーザが、第１波長で動作し、
前記シードレーザが、パルス出力を含み、
前記パルス出力が、前記シードレーザから繰り返し率とパルス幅と平均パワーと偏光とを伴って放射されるパルスを含み、
前記増幅器が、Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質と、ダイオード励起光源とを含み、
前記ダイオード励起光源が、第２波長で動作し、
前記シードレーザの前記第１波長が、前記第２波長と異なり、
前記増幅器の前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、偏光され、
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、第１端と、第２端とを備え、
前記増幅器の前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端が、前記シードレーザの入力に近接するとともに前記第２波長で動作する前記ダイオード励起光源に近接する第２端面を含むレーザ増幅装置。
【請求項１１】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、相互に拡散接合された複数のセグメントを含み、
前記ダイオード励起光源に最も近い第１セグメントのＮｄ濃度が、前記ダイオード励起光源から遠ざかる次の隣接セグメントのＮｄ濃度よりも低いことを特徴とする請求項１０に記載のレーザ増幅装置。
【請求項１２】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、相互に固定された複数のセグメントを含み、
前記複数のセグメントのそれぞれが、Ｎｄ濃度を有し、各セグメントのＮｄ濃度が、０．００％ａｔ．以上であり、
前記Ｎｄ濃度の最も低いセグメントが、前記ダイオード励起光源に最も近くなるように、前記複数のセグメントが、前記Ｎｄ濃度の低い順に並べられていることを特徴とする請求項１０に記載のレーザ増幅装置。
【請求項１３】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、相互に固定された第１セグメントと第２セグメントと第３セグメントとを含み、
前記第１セグメントが、第１Ｎｄ濃度を有し、
前記第２セグメントが、前記第１Ｎｄ濃度よりも高い第２Ｎｄ濃度を有し、
前記第３セグメントが、前記第２Ｎｄ濃度よりも高い第３Ｎｄ濃度を有することを特徴とする請求項１０に記載のレーザ増幅装置。
【請求項１４】
前記第１Ｎｄ濃度と前記第２Ｎｄ濃度と前記第３Ｎｄ濃度とが、２％ａｔ．未満であることを特徴とする請求項１３に記載のレーザ増幅装置。
【請求項１５】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、２ｍｍ×２ｍｍの断面を有することを特徴とする請求項１４に記載のレーザ増幅装置。
【請求項１６】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、相互に固定された複数のセグメントを含み、
前記複数のセグメントのそれぞれが、Ｎｄ濃度を有し、
前記Ｎｄ濃度の最も低いセグメントが、前記励起光源に最も近くなるように、前記複数のセグメントが、前記Ｎｄ濃度の低い順に並べられていることを特徴とする請求項１に記載のレーザ増幅装置。
【請求項１７】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、相互に固定された複数のセグメントを含み、
前記複数のセグメントのそれぞれが、Ｎｄ濃度を有し、
前記Ｎｄ濃度の最も低いセグメントが、前記励起光源に最も近くなるように、前記複数のセグメントが、前記Ｎｄ濃度の低い順に並べられていることを特徴とする請求項３に記載のレーザ増幅装置。
【請求項１８】
シードレーザと、増幅器と、第１高反射鏡とを含み、
前記シードレーザが、第１波長１０６４ｎｍで動作し、
前記シードレーザが、パルス出力を含み、前記パルス出力が、前記シードレーザから繰り返し率とパルス幅と平均パワーと偏光とを伴って放射されるパルスを含み、
前記増幅器が、Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質と光励起とを含み、
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、Ｎｄドープされ、
前記光励起が、第２波長で動作するダイオード励起光源であり、
前記増幅器の前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、偏光を含み、
前記入射シードレーザの前記偏光が、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記偏光と整合し、
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、第１端と第２端とを備え、
前記増幅器の前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端が、前記ダイオード励起光源に近接する第２端面を含み、
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第１端が、楔面を含み、前記楔面が、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の垂直面に対して楔角θ１で傾斜した平坦面であり、
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第１端の前記楔面が、反射防止第１コーティングを含み、
前記シードレーザが、第１外部パスに沿って前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記楔面の前記反射防止第１コーティングに進入し、
前記シードレーザが、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の内部を通過する第１内部パスに沿って屈折および増幅されて前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端面に向かって移動し、
前記ダイオード励起光源に近接する前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端面が、高反射性第２コーティングを含み、前記高反射性第２コーティングが、波長１０６４ｎｍの前記シードレーザに対して高反射性を有するとともに前記ダイオード励起光源からの光に対して高透過性を有し、
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端面の前記高反射性第２コーティングが、前記ダイオード励起光源からの光が前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質を活性化するのを許容し、
前記シードレーザが、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端面の前記高反射性第２コーティングによって反射し、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の内部を通過する第２内部パスに沿って増幅されて前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記楔面に向かって移動し、
前記増幅されたシードレーザが、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記楔面から第２外部パスに沿って退出し、
前記第１高反射鏡が、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質から前記第２外部パスに沿って退出する前記シードレーザの前記第２外部パスに対して垂直に配置され、
前記シードレーザが、前記第１高反射鏡によって前記第２外部パスに沿って前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第１端の前記楔面に向かって反射し、
前記増幅されたシードレーザが、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の内部を通過する前記第２内部パスに沿って屈折および増幅されて前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端面の前記高反射性第２コーティングに向かって移動し、
前記増幅されたシードレーザが、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端の前記第２端面の前記高反射性第２コーティングに当たり、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の内部を通過する前記第１内部パスに沿って反射および増幅されて前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第１端の前記楔面に向かって移動し、
前記増幅されたシードレーザが、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第１端の前記楔面から前記第１外部パスに沿って屈折するレーザ増幅装置。
【請求項１９】
前記シードレーザの前記パルス出力の前記パルスが、１０ピコ秒プラスまたはマイナス５ピコ秒の幅を有し、
前記Ｎｄのドーパントが、０．０５％ａｔ．から３．００％ａｔ．までの範囲であり、
前記シードレーザの前記パルス出力の前記繰り返し率が、１０ｋＨｚ〜３０，０００ｋＨｚの範囲であり、
前記シードレーザの前記パルス出力の前記平均パワーが、１ｍＷ未満から５Ｗまでの範囲であり、
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、１ｍｍ２から３６ｍｍ２までの断面サイズを有することを特徴とする請求項１８に記載のレーザ増幅装置。
【請求項２０】
前記シードレーザが、１５ミリ秒から１５フェムト秒までの範囲のパルス幅を有し、
前記Ｎｄのドーパントが、０．０５％ａｔ．から３．００％ａｔ．までの範囲であり、
前記シードレーザの前記パルス出力の前記繰り返し率が、１０Ｈｚ〜３０，０００ｋＨｚの範囲であって前記パルス幅に依存し、
前記シードレーザの前記パルス出力の前記平均パワーが、１ｍＷ未満から５Ｗまでの範囲であり、
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、１ｍｍ２から３６ｍｍ２までの断面積を有し、
前記シードレーザの平均出力パワーが、１Ｗ以上であることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ増幅装置。
【請求項２１】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、相互に固定された複数のセグメントを含み、
前記複数のセグメントのそれぞれが、Ｎｄ濃度を有し、前記Ｎｄ濃度が、０．００％ａｔ．以上であり、
前記Ｎｄ濃度の最も低いセグメントが、前記ダイオード励起光源に最も近くなるように、前記複数のセグメントが、前記Ｎｄ濃度の低い順に並べられていることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ増幅装置。
【請求項２２】
シードレーザと、増幅器と、第１高反射鏡とを含み、
前記シードレーザが、第１波長１０６４ｎｍで動作し、
前記シードレーザが、パルス出力を含み、前記パルス出力が、前記シードレーザから繰り返し率とパルス幅と平均パワーと偏光とを伴って放射されるパルスを含み、
前記増幅器が、Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質と光励起とを含み、
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、Ｎｄドープされ、
前記光励起が、第２波長で動作するダイオード励起光源であり、
前記増幅器の前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、偏光を含み、
前記入射シードレーザの前記偏光が、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記偏光と整合し、
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、第１端と第２端とを備え、
前記増幅器の前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端が、前記ダイオード励起光源に近接する第２端面を含み、
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第１端が、楔面を含み、前記楔面が、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の垂直面に対して楔角θ１で傾斜した平坦面であり、
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第１端の前記楔面が、反射防止第１コーティングを含み、
前記シードレーザが、第１外部パスに沿って前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記楔面の前記反射防止第１コーティングに進入し、
前記シードレーザが、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の内部を通過する第１内部パスに沿って屈折して前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端面に向かって移動し、１回目に増幅され、
前記ダイオード励起光源に近接する前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端面が、高反射性第２コーティングを含み、前記高反射性第２コーティングが、波長１０６４ｎｍの前記シードレーザの前記パルス出力の前記パルスに対して高反射性を有するとともに前記ダイオード励起光源からの光に対して高透過性を有し、
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端面の前記高反射性第２コーティングが、前記ダイオード励起光源からの光が前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質を活性化するのを許容し、
前記１回目に増幅されたシードレーザが、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端面の前記高反射性第２コーティングによって前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の内部を通過する第２内部パスに沿って反射して前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記楔面に向かって移動し、反射後に２回目に増幅され、
前記２回目に増幅されたシードレーザが、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記楔面から第２外部パスに沿って退出し、
前記第１高反射鏡が、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質から前記第２外部パスに沿って退出する前記シードレーザの前記第２外部パスに対して垂直に配置され、
前記２回目に増幅されたシードレーザが、前記第１高反射鏡によって前記第２外部パスに沿って前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第１端の前記楔面に向かって反射し、
前記２回目に増幅されたシードレーザが、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の内部を通過する前記第２内部パスに沿って屈折して前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端面の前記高反射性第２コーティングに向かって移動し、屈折後に前記第２内部パス上で３回目に増幅され、
前記３回目に増幅されたレーザが、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端の前記第２端面の前記高反射性第２コーティングに当たり、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の内部を通過する前記第１内部パスに沿って反射して前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第１端の前記楔面に向かって移動し、反射後に４回に増幅され、
前記４回目に増幅されたレーザが、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第１端の前記楔面から前記第１外部パスに沿って伝送されるレーザ増幅装置。
【請求項２３】
前記励起光源が、８０８ｎｍ＋／−１０ｎｍの波長で動作することを特徴とする請求項１に記載のレーザ増幅装置。
【請求項２４】
前記励起光源が、８２０ｎｍ＋／−１０ｎｍの波長で動作することを特徴とする請求項１に記載のレーザ増幅装置。
【請求項２５】
前記励起光源が、８８０ｎｍ＋／−１０ｎｍの波長で動作することを特徴とする請求項１に記載のレーザ増幅装置。
【請求項２６】
前記励起光源が、８８８ｎｍ＋／−１０ｎｍの波長で動作することを特徴とする請求項１に記載のレーザ増幅装置。
【請求項２７】
前記励起光源が、９１５ｎｍ＋／−１０ｎｍの波長で動作することを特徴とする請求項１に記載のレーザ増幅装置。
【請求項２８】
前記ダイオード励起光源の前記第２波長が、８０８ｎｍ＋／−１０ｎｍであることを特徴とする請求項１０に記載のレーザ増幅装置。
【請求項２９】
前記ダイオード励起光源の前記第２波長が、８２０ｎｍ＋／−１０ｎｍであることを特徴とする請求項１０に記載のレーザ増幅装置。
【請求項３０】
前記ダイオード励起光源の前記第２波長が、８８０ｎｍ＋／−１０ｎｍであることを特徴とする請求項１０に記載のレーザ増幅装置。
【請求項３１】
前記ダイオード励起光源の前記第２波長が、８８８ｎｍ＋／−１０ｎｍであることを特徴とする請求項１０に記載のレーザ増幅装置。
【請求項３２】
前記ダイオード励起光源の前記第２波長が、９１５ｎｍ＋／−１０ｎｍであることを特徴とする請求項１０に記載のレーザ増幅装置。
【請求項３３】
前記ダイオード励起光源の前記第２波長が、８０８ｎｍ＋／−１０ｎｍであることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ増幅装置。
【請求項３４】
前記ダイオード励起光源の前記第２波長が、８２０ｎｍ＋／−１０ｎｍであることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ増幅装置。
【請求項３５】
前記ダイオード励起光源の前記第２波長が、８８０ｎｍ＋／−１０ｎｍであることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ増幅装置。
【請求項３６】
前記ダイオード励起光源の前記第２波長が、８８８ｎｍ＋／−１０ｎｍであることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ増幅装置。
【請求項３７】
前記ダイオード励起光源の前記第２波長が、９１５ｎｍ＋／−１０ｎｍであることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ増幅装置。
【請求項３８】
前記ダイオード励起光源の前記第２波長が、８０８ｎｍ＋／−１０ｎｍであることを特徴とする請求項２２に記載のレーザ増幅装置。
【請求項３９】
前記ダイオード励起光源の前記第２波長が、８２０ｎｍ＋／−１０ｎｍであることを特徴とする請求項２２に記載のレーザ増幅装置。
【請求項４０】
前記ダイオード励起光源の前記第２波長が、８８０ｎｍ＋／−１０ｎｍであることを特徴とする請求項２２に記載のレーザ増幅装置。
【請求項４１】
前記ダイオード励起光源の前記第２波長が、８８８ｎｍ＋／−１０ｎｍであることを特徴とする請求項２２に記載のレーザ増幅装置。
【請求項４２】
前記ダイオード励起光源の前記第２波長が、９１５ｎｍ＋／−１０ｎｍであることを特徴とする請求項２２に記載のレーザ増幅装置。
【請求項４３】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、長さ５〜３０ｍｍであり、正方形の断面を有することを特徴とする請求項５に記載のレーザ増幅装置。
【請求項４４】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、１〜３６ｍｍ２の断面積を有することを特徴とする請求項１に記載のレーザ増幅装置。
【請求項４５】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、１〜３６ｍｍ２の断面積を有することを特徴とする請求項１０に記載のレーザ増幅装置。
【請求項４６】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、１〜３６ｍｍ２の断面積を有することを特徴とする請求項１８に記載のレーザ増幅装置。
【請求項４７】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、１〜３６ｍｍ２の断面積を有することを特徴とする請求項２２に記載のレーザ増幅装置。
【請求項４８】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、相互に固定された複数のセグメントを含み、
前記複数のセグメントのそれぞれが、Ｎｄ濃度を有することを特徴とする請求項１０に記載のレーザ増幅装置。
【請求項４９】
前記励起光源が、端面励起であることを特徴とする請求項１に記載のレーザ増幅装置。
【請求項５０】
前記励起光源が、側面励起であることを特徴とする請求項１に記載のレーザ増幅装置。
【請求項５１】
前記励起光源が、複数の側面励起であることを特徴とする請求項１に記載のレーザ増幅装置。
【請求項５２】
前記ダイオード励起光源が、端面励起であることを特徴とする請求項１０に記載のレーザ増幅装置。
【請求項５３】
前記ダイオード励起光源が、側面励起であることを特徴とする請求項１０に記載のレーザ増幅装置。
【請求項５４】
前記ダイオード励起光源が、複数の側面励起であることを特徴とする請求項１０に記載のレーザ増幅装置。
【請求項５５】
前記ダイオード励起光源が、端面励起であることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ増幅装置。
【請求項５６】
前記ダイオード励起光源が、側面励起であることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ増幅装置。
【請求項５７】
前記ダイオード励起光源が、複数の側面励起であることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ増幅装置。
【請求項５８】
前記ダイオード励起光源が、端面励起であることを特徴とする請求項２２に記載のレーザ増幅装置。
【請求項５９】
前記ダイオード励起光源が、側面励起であることを特徴とする請求項２２に記載のレーザ増幅装置。
【請求項６０】
前記ダイオード励起光源が、複数の側面励起であることを特徴とする請求項２２に記載のレーザ増幅装置。
【請求項６１】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、断面正方形を含む断面長方形に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のレーザ増幅装置。
【請求項６２】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、断面正方形を含む断面長方形に形成されていることを特徴とする請求項１０に記載のレーザ増幅装置。
【請求項６３】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、断面正方形を含む断面長方形に形成されていることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ増幅装置。
【請求項６４】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、断面正方形を含む断面長方形に形成されていることを特徴とする請求項２２に記載のレーザ増幅装置。
【請求項６５】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、断面円形に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のレーザ増幅装置。
【請求項６６】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、断面円形に形成されていることを特徴とする請求項１０に記載のレーザ増幅装置。
【請求項６７】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、断面円形に形成されていることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ増幅装置。
【請求項６８】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質が、断面円形に形成されていることを特徴とする請求項２２に記載のレーザ増幅装置。
【請求項６９】
前記シードレーザの前記パルス出力の前記パルスが、１５ミリ秒から１５フェムト秒までの範囲の幅を有し、
前記シードレーザの前記パルス出力の前記繰り返し率が、１０Ｈｚ〜１００ＭＨｚの範囲であって前記パルス幅に依存することを特徴とする請求項１０に記載のレーザ増幅装置。
【請求項７０】
前記シードレーザの前記パルス出力の前記パルスが、１５ミリ秒から１５フェムト秒までの範囲の幅を有し、
前記シードレーザの前記パルス出力の前記繰り返し率が、１０Ｈｚ〜１００ＭＨｚの範囲であって前記パルス幅に依存することを特徴とする請求項１８に記載のレーザ増幅装置。
【請求項７１】
前記シードレーザの前記パルス出力の前記パルスが、１５ミリ秒から１５フェムト秒までの範囲の幅を有し、
前記シードレーザの前記パルス出力の前記繰り返し率が、１０Ｈｚ〜１００ＭＨｚの範囲であって前記パルス幅に依存することを特徴とする請求項２２に記載のレーザ増幅装置。
【請求項７２】
前記シードレーザの前記パルス出力の前記パルスが、１０ピコ秒の幅を有し、
前記シードレーザの前記パルス出力の前記繰り返し率が、１０Ｈｚ〜１００ＭＨｚの範囲であることを特徴とする請求項１０に記載のレーザ増幅装置。
【請求項７３】
前記シードレーザの前記パルス出力の前記パルスが、１０ピコ秒の幅を有し、
前記シードレーザの前記パルス出力の前記繰り返し率が、１０Ｈｚ〜１００ＭＨｚの範囲であることを特徴とする請求項１８に記載のレーザ増幅装置。
【請求項７４】
前記シードレーザの前記パルス出力の前記パルスが、１０ピコ秒の幅を有し、
前記シードレーザの前記パルス出力の前記繰り返し率が、１０Ｈｚ〜１００ＭＨｚの範囲であることを特徴とする請求項２２に記載のレーザ増幅装置。
【請求項７５】
シードレーザから繰り返し率とパルス幅と平均パワーと偏光とを伴って放射されるパルスを有するパルス出力を含むシードレーザを第１波長で動作させるステップと、
前記シードレーザの前記偏光を、Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の偏光と整合するステップと、
光励起を使用して前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質を第２波長で光学的に励起するステップと、
前記シードレーザを、第１外部パスに沿って前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の楔面に施された反射防止第１コーティングに案内するステップと、
前記第１波で動作する前記シードレーザに対して高反射性を有するとともに前記光励起からの光に対して高透過性を有する高反射性第２コーティングを含む前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の第２端面に向けて、前記シードレーザを、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の内部を通過する第１内部パスに沿って屈折させ、１回目に増幅するステップと、
前記１回目に増幅したシードレーザを、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端面の前記高反射性第２コーティングによって、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の内部を通過する第２内部パスに沿って反射して前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記楔面に向けて移動し、反射後に前記レーザを２回目に増幅するステップと、
前記２回目に増幅したシードレーザを、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記楔面から第２外部パスに沿って屈折させるステップと、
前記２回目に増幅したシードレーザを、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質から退出する前記シードレーザの前記第２外部パスに対して垂直に配置された高反射鏡によって、前記第２外部パスに沿って前記楔面に向けて反射するステップと、
前記２回目に増幅したシードレーザを、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の内部を通過する前記第２内部パスに沿って屈折させて前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端面の前記高反射性第２コーティングに向けて移動し、前記シードレーザを前記第２内部パス上で３回目に増幅するステップと、
前記３回目に増幅したシードレーザを、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端の前記第２端面の前記高反射性第２コーティングによって、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の内部を通過する前記第１内部パスに沿って反射して前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第１端の前記楔面に向けて移動し、反射後に前記シードレーザを４回目に増幅するステップと、
前記４回目に増幅したシードレーザを、前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第１端の前記楔面から前記第１外部パスに沿って屈折させるステップとを含むレーザ増幅方法。
【請求項７６】
前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質の前記第２端面の前記高反射性第２コーティングが、前記ダイオード励起光源からの光が前記Ｎｄ：ＹＶＯ４利得媒質を活性化するのを許容することを特徴とする請求項７５に記載のレーザ増幅方法。