Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月13日(2014.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
協調ウィンドウを自動的に拡張するコンピュータ実施の方法であって、
プロセッサが、２つの通信装置間での対話型遠隔会議の開始を検知するステップであって、前記対話型遠隔会議は、２つの関係者の間に以前の通信履歴がない当該２つの関係者間のものであり、開始文脈が前記２つの関係者間のいずれの以前の通信履歴とも無関係であり、前記２つの関係者は当該２つの関係者の間でいかなる文書又はコンテンツを共有しておらず、前記対話型遠隔会議は、前記２つの通信装置上に表示される協調ウィンドウを利用する、前記検知するステップと、
前記プロセッサが、前記対話型遠隔会議の前記開始文脈から前記対話型遠隔会議のトピックを判断するステップであって、前記開始文脈は前記２つの通信装置間で使用される通信タイプ及び、前記２つの通信装置を使用する１以上の関係者の役割を定義する、前記判断するステップと、
前記プロセッサが、前記対話型遠隔会議の前記トピックを、関連アプリケーションと関連付けるステップであって、前記関連アプリケーションは、前記対話型遠隔会議の前記トピックに関連したサポート情報を提供する、前記関連付けるステップと、
前記プロセッサが、前記２つの通信装置の少なくとも一方の前記協調ウィンドウ内に、前記関連付けられたアプリケーションからの前記サポート情報を自動的に表示するステップと
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記プロセッサが、前記通信装置の一つが携帯電話であるかを判断するステップと、
前記通信装置の一つが携帯電話であることを決定することに応じて、前記プロセッサが、前記対話型遠隔会議の前記トピックが以前の通信トランザクションについての質問であるかを判断するステップと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プロセッサが、前記通信装置の一つがデスクトップ・コンピュータであるかを判断するステップと、
前記通信装置の一つがデスクトップ・コンピュータであることに応じて、前記プロセッサが、前記対話型遠隔会議の前記トピックが新しい商標口座を設定することに関連するかを判断するステップと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記対話型遠隔会議を開始するために用いられた特定のウェブサイトに従って、前記開始文脈を定義するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記対話型遠隔会議を開始するために前記２つの通信装置間で用いられる特定の通信チャネルに従って、前記開始文脈を定義するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記対話型遠隔会議の開始者の役割に応じて、前記開始文脈を定義するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記対話型遠隔会議の応答者の役割に応じて前記開始文脈を定義するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記２つの通信装置は第１の通信装置及び第２の通信装置を備えており、前記第１の通信装置はファイアウォールに保護されており、
前記方法は、
前記第２の通信装置がファイアウォールに保護されているかどうかに応じて、前記開始文脈を定義するステップ
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記通信チャネルが暗号化によってセキュリティ保護されているかどうかに従って、前記開始文脈を定義するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記２つの通信装置は第１の通信装置及び第２の通信装置を備えており、
前記方法は、
前記対話型遠隔会議の為に必要とされるビジネス・プロセス構成要素を識別するステップと、
前記ビジネス・プロセス構成要素によって使用されるチャット・ウィンドウ・プラグインを識別するステップと、
前記第２の通信装置からの命令によって、前記第１の通信装置上の前記チャット・ウィンドウ・プラグインをポピュレートするステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記対話型遠隔会議はリアルタイムの協調イベントである、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記プロセッサが、前記対話型遠隔会議において使用される前記通信装置によって使用される前記通信プロトコルから、前記対話型遠隔会議において使用される通信のタイプを識別する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
コンピュータ・システムであって、
プロセッサ、コンピュータ可読メモリ及びコンピュータ可読ストレージ媒体を備えており、
前記コンピュータ可読ストレージ媒体が、前記プロセッサによって請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法の各ステップを実行させる命令を格納する、前記コンピュータ・システム。
【請求項１４】
協調ウィンドウを自動的に拡張するためのコンピュータ・プログラムであって、プロセッサに、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法の各ステップを実行させる、前記コンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月14日(2013.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ダイの表面上に形成された複数のバンプを含む半導体ダイを提供することと、
基板を提供することと、
前記基板上に相互接続部位を含む複数の伝導性トレースを形成することであって、前記バンプは、前記相互接続部位よりも幅広い、ことと、
前記接続部位から離れた前記基板の領域上にマスキング層を形成することと、
前記バンプが前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記バンプを前記相互接続部位に接着することと、
前記半導体ダイと前記基板との間で前記バンプの周囲に封入材を堆積させることと
を含む、半導体素子を作製する方法。
【請求項２】
前記伝導性トレースの周囲のパッチとして前記マスキング層を形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記相互接続部位またはバンプ上に凹凸を形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記バンプは、可融部分と、非可融部分とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記マスキング層は、前記封入材が前記半導体ダイの設置面積を越えて延在することを防止するようにダムを形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
半導体ダイの表面上に形成された複数の相互接続構造を含む半導体ダイを提供することと、
基板を提供することと、
前記基板上に相互接続部位を含む複数の伝導性トレースを形成することであって、前記相互接続構造は、前記相互接続部位よりも幅広い、ことと、
前記相互接続構造が前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、マスク開口部を欠いて前記相互接続構造を前記相互接続部位に接着することと、
前記半導体ダイと前記基板との間で前記相互接続構造の周囲に封入材を堆積させることと
を含む、半導体素子を作製する方法。
【請求項７】
圧力またはリフロー温度下で、前記相互接続構造を前記相互接続部位に接着することをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記接続部位から離れた前記基板の領域上にマスキング層を形成することをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記相互接続構造は、可融部分と、非可融部分とを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記相互接続構造は、伝導柱と、前記伝導柱上に形成されたバンプとを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
半導体ダイの表面上に形成された複数の相互接続構造を含む半導体ダイと、
基板と、
前記基板上に形成された相互接続部位を含む複数の伝導性トレースあって、前記相互接続部位は、前記相互接続構造よりも狭く、前記相互接続構造は、前記相互接続構造が前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記相互接続部位に接着されている、伝導性トレースと、
前記半導体ダイと前記基板との間で前記相互接続構造の周囲に堆積させられた封入材と
を備える、半導体素子。
【請求項１２】
前記相互接続構造は、圧力またはリフロー温度下で前記相互接続部位に接着されている、請求項１１に記載の半導体素子。
【請求項１３】
前記相互接続構造は、可融部分と、非可融部分とを含む、請求項１１に記載の半導体素子。
【請求項１４】
前記相互接続構造は、伝導柱と、前記伝導柱上に形成されたバンプとを含む、請求項１１に記載の半導体素子。
【請求項１５】
前記相互接続部位または前記相互接続構造上に凸凹を形成することをさらに含む、請求項１１に記載の半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月25日(2014.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理室を加熱する加熱手段と、
熱電対により前記基板の近傍の温度を検出する第１の温度検出手段と、
前記第１の温度検出手段に用いる熱電対と比べて温度検出性能が優れる熱電対により前記加熱手段の近傍の温度を検出する第２の温度検出手段と、
前記第１の温度検出手段により検出された温度、及び前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第１の制御手段と、
前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第２の制御手段と、
前記第１の温度検出手段又は前記第２の温度検出手段により検出された温度に従って、前記第１の制御手段による前記加熱手段の制御と前記第２の制御手段による前記加熱手段の制御とを切り替える制御切り替え手段と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記第１の温度検出手段で用いる熱電対は、前記第２の温度検出手段で用いる熱電対に比べて耐熱性に優れている請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板を収容する処理室を加熱手段により加熱する工程と、
熱電対により前記基板の近傍の温度を第１の温度検出手段により検出する工程と、
前記第１の温度検出手段に用いる熱電対と比べて温度検出性能が優れる熱電対により前記加熱手段の近傍の温度を第２の温度検出手段により検出する工程と、
前記第１の温度検出手段により検出された温度、及び前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第１の制御と、前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第２の制御とを、前記第１の温度検出手段又は前記第２の温度検出手段により検出された温度に従って切り替える工程と、
を有する基板処理装置の温度制御方法。
【請求項４】
前記第１の温度検出手段で用いる熱電対は、前記第２の温度検出手段で用いる熱電対に比べて耐熱性に優れている請求項３に記載の基板処理装置の温度制御方法。
【請求項５】
基板を収容する処理室を加熱手段により加熱する工程と、
熱電対により前記基板の近傍の温度を第１の温度検出手段により検出する工程と、
前記第１の温度検出手段に用いる熱電対と比べて温度検出性能が優れる熱電対により前記加熱手段の近傍の温度を第２の温度検出手段により検出する工程と、
前記第１の温度検出手段により検出された温度、及び前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第１の制御と、前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第２の制御とを、前記第１の温度検出手段又は前記第２の温度検出手段により検出された温度に従って切り替える工程と、
を有する半導体デバイスの製造方法。
【請求項６】
基板を収容する処理室を加熱する加熱手段と、
第１の放射温度計を用いて前記加熱手段によって加熱された温度を検出する第１の温度検出手段と、
第１の放射温度計によって測定される温度の範囲の上限よりも高い温度を測定される温度の範囲の上限とし、かつ、第１の放射温度計によって測定される温度の範囲の下限よりも高い温度を測定される温度の範囲の下限とする第２の放射温度計を用いて、前記加熱手段によって加熱された温度を検出する第２の温度検出手段と、
前記第１の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第１の制御手段と、
前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第２の制御手段と、
前記第１の温度検出手段又は前記第２の温度検出手段により検出された温度と予め定められた閾値とに基づいて、前記第１の制御手段による前記加熱手段の制御と前記第２の制御手段による前記加熱手段の制御とを切り替える制御切り替え手段と、
を有する基板処理装置。
【請求項７】
基板を収容する処理室を加熱手段により加熱する工程と、
第１の放射温度計を用いて前記加熱手段によって加熱された温度を第１の温度検出手段により検出する工程と、
第１の放射温度計によって測定される温度の範囲の上限よりも高い温度を測定される温度の範囲の上限とし、かつ、第１の放射温度計によって測定される温度の範囲の下限よりも高い温度を測定される温度の範囲の下限とする第２の放射温度計を用いて、前記加熱手段によって加熱された温度を第２の温度検出手段により検出する工程と、
前記第１の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第１の制御手段と、前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第２の制御手段とを、前記第１の温度検出手段又は前記第２の温度検出手段により検出された温度と予め定められた閾値とに基づいて切り替える工程と、
を有する基板処理装置における基板の加熱方法。
【請求項８】
基板を収容する処理室を加熱手段により加熱する工程と、
第１の放射温度計を用いて前記加熱手段によって加熱された温度を第１の温度検出手段により検出する工程と、
第１の放射温度計によって測定される温度の範囲の上限よりも高い温度を測定される温度の範囲の上限とし、かつ、第１の放射温度計によって測定される温度の範囲の下限よりも高い温度を測定される温度の範囲の下限とする第２の放射温度計を用いて、前記加熱手段によって加熱された温度を第２の温度検出手段により検出する工程と、
前記第１の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第１の制御手段と、前記第２の温度検出手段により検出された温度に基づき前記加熱手段を制御する第２の制御手段とを、前記第１の温度検出手段又は前記第２の温度検出手段により検出された温度と予め定められた閾値とに基づいて切り替える工程と、
を有する半導体デバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月19日(2013.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されたゲート電極、第１信号配線、及び補助容量線と、
前記ゲート電極、前記第１信号配線、及び前記補助容量線を覆う第１絶縁膜と、
前記ゲート電極の直上の位置を含む前記第１絶縁膜上に形成された酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の一部を覆うとともに当該領域を挟んだ両側で前記酸化物半導体層を露出し、且つ、前記第１信号配線の直上の位置を含む前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜から露出した前記酸化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
前記第２絶縁膜上に形成されるとともに、前記第１信号配線と重なる第２信号配線と、
前記第１絶縁膜上に形成されるとともに、前記酸化物半導体層を介することなく前記補助容量線と重なる主電極部と、
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されたゲート電極、第１信号配線、及び補助容量線と、
前記ゲート電極、前記第１信号配線、及び前記補助容量線を覆う第１絶縁膜と、
前記ゲート電極の直上の位置を含む前記第１絶縁膜上に形成された酸化物半導体層と、
前記第１信号配線の直上の位置を含む前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、
前記酸化物半導体層の、前記ゲート電極の直上の位置を挟んだ両側で前記酸化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
前記第２絶縁膜上に形成されるとともに、前記第１信号配線と重なる第２信号配線と、
前記第１絶縁膜上に形成されるとともに、前記酸化物半導体層を介することなく前記補助容量線と重なる主電極部と、
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）のいずれかの材料によって形成されたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２絶縁膜の膜厚は、前記第１絶縁膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１絶縁膜の誘電率は、前記第２絶縁膜の誘電率よりも高いことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１絶縁膜は、タンタル酸化物（Ｔａ２Ｏ５）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ２）、ジルコニウム酸化物（ＺｒＯ２）、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙ）、ジルコニウムシリケート（ＺｒＳｉｘＯｙ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ハフニウムアルミネート（Ｈｆ１−ｘＡｌｘＯｙ）、ジルコニウムアルミネート（Ｚｒ１−ｘＡｌｘＯｙ）のいずれかの材料によって形成され、
前記第２絶縁膜は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）のいずれかの材料によって形成されたことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されたゲート電極、前記ゲート電極の直上の位置を含む領域に形成された酸化物半導体層、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に介在する第１層間絶縁膜、前記酸化物半導体層の一部を覆うとともにその領域を挟んだ両側で前記酸化物半導体層を露出するチャネル保護膜、及び、前記チャネル保護膜から露出した前記酸化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極を備えた薄膜トランジスタと、
前記絶縁基板上に形成された第１信号配線、前記第１信号配線と交差する第２信号配線、及び、前記第１信号配線と前記第２信号配線との間に介在するとともに前記第１層間絶縁膜よりも厚い膜厚を有する第２層間絶縁膜を備えた配線交差部と、
前記絶縁基板上に形成された補助容量線、前記補助容量線を覆う前記第１層間絶縁膜、及び、前記第１層間絶縁膜上に形成されるとともに、前記酸化物半導体層を介することなく前記補助容量線と重なる主電極部を備えた容量形成部と、
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されたゲート電極、前記ゲート電極の直上の位置を含む領域に形成された酸化物半導体層、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に介在する第１層間絶縁膜、及び、前記酸化物半導体層の、前記ゲート電極の直上の位置を挟んだ両側で前記酸化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極を備えた薄膜トランジスタと、
前記絶縁基板上に形成された第１信号配線、前記第１信号配線と交差する第２信号配線、及び、前記第１信号配線と前記第２信号配線との間に介在するとともに前記第１層間絶縁膜よりも厚い膜厚を有する第２層間絶縁膜を備えた配線交差部と、
前記絶縁基板上に形成された補助容量線、前記補助容量線を覆う前記第１層間絶縁膜、及び、前記第１層間絶縁膜上に形成されるとともに、前記酸化物半導体層を介することなく前記補助容量線と重なる主電極部を備えた容量形成部と、
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項９】
前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）のいずれかの材料によって形成されたことを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２層間絶縁膜の膜厚は、前記第１層間絶縁膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする、請求項７乃至請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月18日(2014.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上部に形成され、第１面積を有するゲート電極と、
前記ゲート電極をカバーするために前記ゲート電極の上部に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上部に形成され、前記第１面積より狭い第２面積を有する活性層と、
前記活性層のソース領域にコンタクトし、前記活性層の上部に形成されるソース電極と、
前記活性層のドレーン領域にコンタクトし、前記活性層の上部に形成されるドレーン電極と、
前記活性層、前記ソース電極、及び前記ドレーン電極をカバーする保護膜と、を含む酸化物半導体薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記ゲート絶縁膜は前記第２面積より狭い第３面積を有し、上部に突出した突出領域を含むことを特徴とする請求項１に記載の酸化物半導体薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記活性層は前記突出領域によって周辺領域より中央領域が上部に突出して曲がった形態を有することを特徴とする請求項２に記載の酸化物半導体薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記中央領域は前記活性層のチャネル領域を含み、前記周辺領域は前記活性層の前記ソース領域及び前記ドレーン領域を含むことを特徴とする請求項３に記載の酸化物半導体薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記活性層及び前記ソース電極と前記ドレーン電極との間に形成されるエッチストッパ層（ｅｔｃｈ  ｓｔｏｐｐｅｒ  ｌａｙｅｒ）をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の酸化物半導体薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記エッチストッパ層は、前記ソース電極と前記ドレーン電極が前記活性層にホール（ｈｏｌｅ）形態でコンタクトされるようにするコンタクトホール構造（ｃｏｎｔａｃｔ  ｈｏｌｅ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有することを特徴とする請求項５に記載の酸化物半導体薄膜トランジスタ。
【請求項７】
前記エッチストッパ層は、前記ソース電極と前記ドレーン電極が前記活性層の周辺領域のみにコンタクトされるようにする島構造（ｉｓｌａｎｄ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有することを特徴とする請求項５に記載の酸化物半導体薄膜トランジスタ。
【請求項８】
前記活性層は、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ステニュム（Ｓｎ）のうち、少なくとも一つ以上を含む酸化物系列の物質で形成されることを特徴とする請求項１に記載の酸化物半導体薄膜トランジスタ。
【請求項９】
前記酸化物系列の物質はリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、マンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、カドミウム（Ｃｄ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、及びフッ素（Ｆ）のうち、少なくとも一つ以上をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の酸化物半導体薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
前記酸化物系列の物質は、電子キャリア濃度が１０１２／ｃｍ３〜１０１８／ｃｍ３であることを特徴とする請求項８に記載の酸化物半導体薄膜トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月19日(2014.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層間絶縁またはシャロートレンチアイソレーション法における絶縁層のポリッシングを行うための、安定化した濃縮可能な、ケミカルメカニカルポリッシング組成物であって、初期成分として、
水；
コロイダルシリカ砥粒である砥粒；
式（Ｉ）：
【化８】
2012109534.tif 000001
で示される、ジ第四級物質［式中、
各々のＸは、Ｎであり； 
Ｒ１は、Ｃ２−Ｃ６アルキル基より選択され；
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、各々独立に、水素およびＣ１−Ｃ６アルキル基より選択され；そして
式（Ｉ）中の前記アニオンは、式（Ｉ）中の前記カチオンの＋２価とバランスする任意のアニオンまたはアニオンの組み合わせであることができる］；
式（ＩＩ）：
【化９】
2012109534.tif 000002
で示される、グアニジンの誘導体［式中、
Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、およびＲ１２は、各々独立に、水素およびＣ１−Ｃ４アルキル基より選択される］；
および、場合により、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化テトラブチルアンモニウムより選択される第四級アンモニウム塩を含む、ケミカルメカニカルポリッシング組成物。
【請求項２】
ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、１８重量％のコロイダルシリカ砥粒、０．１２重量％の式（Ｉ）で示されるジ第四級アンモニウム物質、０．０３重量％の式（ＩＩ）で示されるグアニジンの誘導体、および、場合により、０．０４５重量％の第四級アンモニウム塩を有する濃縮形態である場合、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の粘性の増加が、５５℃での１週間の保存の後５％未満であるような保存安定性を示し、ここで、前記粘性は、１００rpmでBrookfield #S00スピンドルセットを使用して、２０℃でBrookfield DV-I+ Viscometerを用いて測定される、請求項１記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。
【請求項３】
Ｒ１が、−（ＣＨ２）４−基および−（ＣＨ２）６−基より選択され；そして、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７が各々、−（ＣＨ２）３ＣＨ３基である、請求項１または２記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。
【請求項４】
Ｒ８が、水素であり；そして、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、およびＲ１２が各々、−ＣＨ３基である、請求項３記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。
【請求項５】
基板のケミカルメカニカルポリッシング方法であって、
二酸化ケイ素を含む基板を提供すること；
請求項１〜４のいずれか１項記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること；
ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；
０．６９〜３４．５kPaのダウンフォースで前記ケミカルメカニカルポリッシングパッドと前記基板の間の界面に動的接触を作り出すこと；および
前記ケミカルメカニカルポリッシング組成物を、前記ケミカルメカニカルポリッシングパッドと前記基板の間の界面またはその近傍で前記ケミカルメカニカルポリッシングパッド上に注入することを含み、
前記ケミカルメカニカルポリッシング組成物のｐＨが２〜６である、基板のケミカルメカニカルポリッシング方法。
【請求項６】
提供される前記ケミカルメカニカルポリッシング組成物が濃縮形態であり、かつ前記方法がさらに前記ケミカルメカニカルポリッシング組成物を水で希釈することを含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記砥粒が、コロイダルシリカであり；かつ前記ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、プラテン速度：９３rpm、キャリア速度：８７rpm、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の流速：２００ml／分、および２００mm研磨機上での公称ダウンフォース：２０．７kPaのとき、少なくとも１，５００Å／分の二酸化ケイ素除去速度を示し、前記ケミカルメカニカルポリッシングパッドが、ポリマー中空コア微粒子並びにポリウレタン含浸不織サブパッドを含むポリウレタン研磨層を含む、請求項５または６記載の方法。
【請求項８】
前記基板が、さらにＳｉＣ、ＳｉＣＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣＯおよびポリケイ素のうち少なくとも１種を含む、請求項５〜７のいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月12日(2014.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持することが可能な基板保持器と、
前記基板保持器を進退動作させるリンク部と、
前記リンク部を動作させる駆動力を発生する駆動部と、
前記基板保持器に設けられたガイドバーと、
前記リンク部に設けられ、前記リンク部の動作により前記基板保持器が移動する際に前記ガイドバーをスライド可能に支持する支持部と、を有することを特徴とする基板搬送装置。
【請求項２】
前記リンク部は、
前記駆動部に連結された一対の駆動アームと、
一対の前記駆動アームのそれぞれに一端部が連結され、他端部側が交差するように連結された一対の中間アームと、
一対の前記中間アームのそれぞれに一端部が連結され、他端部が前記基板保持器にそれぞれ連結された一対の末端アームと、を有し、
前記支持部は、一対の前記中間アームが交差した部分に設けられることを特徴とする請求項１に記載の基板搬送装置。
【請求項３】
基板を保持することが可能な第１基板保持器及び第２基板保持器と、
前記第１基板保持器及び第２基板保持器をそれぞれ進退動作させる第１リンク部及び第２リンク部と、
前記第１リンク部及び第２リンク部をそれぞれ動作させる駆動力を発生する第１駆動部及び第２駆動部と、
前記第１基板保持器に設けられた第１ガイドバーと、
前記第２基板保持器に設けられた第２ガイドバーと、
前記第１リンク部に設けられ、前記第１リンク部の動作により前記第１基板保持器が移動する際に前記第１ガイドバーをスライド可能に支持する第１支持部と、
前記第２リンク部に設けられ、前記第２リンク部の動作により前記第２基板保持器が移動する際に前記第２ガイドバーをスライド可能に支持する第２支持部と、を有することを特徴とする基板搬送装置。
【請求項４】
前記第１リンク部及び第２リンク部は、
前記第１駆動部及び第２駆動部にそれぞれ連結された第１駆動アーム及び第２駆動アームと、
前記第１駆動アーム及び第２駆動アームに一端部がそれぞれ連結され、他端部側が交差するように連結された一対の第１中間アーム及び第２中間アームと、
一対の前記第１中間アームに一端部がそれぞれ連結され、他端部が前記第１基板保持器にそれぞれ連結された一対の第１末端アームと、
一対の前記第２中間アームに一端部がそれぞれ連結され、他端部が前記第２基板保持器にそれぞれ連結された一対の第２末端アームと、を有し、
前記第１支持部及び第２支持部は、前記第１中間アーム及び前記第２中間アームが交差した部分に設けられることを特徴とする請求項３に記載の基板搬送装置。
【請求項５】
電子デバイスの製造システムであって、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板搬送装置と、
前記基板搬送装置により搬送された基板に対してデバイス製造プロセスを実行する少なくとも１つのプロセス処理装置と、を備えることを特徴とする電子デバイスの製造システム。
【請求項６】
電子デバイスの製造方法であって、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板搬送装置を用いて基板を搬送する搬送工程と、
少なくとも１つのプロセス処理装置において、前記搬送工程で搬送された基板に対して、デバイス製造プロセスを実行するプロセス実行工程と、を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明の基板搬送装置は、基板を保持することが可能な基板保持器と、前記基板保持器を進退動作させるリンク部と、前記リンク部を動作させる駆動力を発生する駆動部と、前記基板保持器に設けられたガイドバーと、前記リンク部に設けられ、前記リンク部の動作により前記基板保持器が移動する際に前記ガイドバーをスライド可能に支持する支持部と、を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の基板搬送装置は、基板を保持することが可能な第１基板保持器及び第２基板保持器と、前記第１基板保持器及び第２基板保持器をそれぞれ進退動作させる第１リンク部及び第２リンク部と、前記第１リンク部及び第２リンク部をそれぞれ動作させる駆動力を発生する第１駆動部及び第２駆動部と、前記第１基板保持器に設けられた第１ガイドバーと、前記第２基板保持器に設けられた第２ガイドバーと、前記第１リンク部に設けられ、前記第１リンク部の動作により前記第１基板保持器が移動する際に前記第１ガイドバーをスライド可能に支持する第１支持部と、前記第２リンク部に設けられ、前記第２リンク部の動作により前記第２基板保持器が移動する際に前記第２ガイドバーをスライド可能に支持する第２支持部と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上にチャネル領域を含む半導体層と、
前記半導体層上のバッファ層と、
前記バッファ層上にソース電極層及びドレイン電極層とを含むトランジスタを有し、
前記半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層であり、
前記バッファ層は、インジウム、スズ、シリコンを含む酸化物層であり、
前記半導体層と前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層とは前記バッファ層を介して電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記バッファ層は、抵抗率が１Ωｃｍより大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記バッファ層は、抵抗率の異なる複数の層で構成されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月29日(2014.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板側に配置された、バックライトモジュールと、
前記バックライトモジュールと重なる領域を有する、散乱板と、
前記散乱板と重なる領域を有する、第１の偏光板と、
前記第１の偏光板と重なる領域を有する、液晶パネルと、
前記液晶パネルと重なる領域を有する、第２の偏光板と、を有し、
前記バックライトモジュールは、発光素子ユニットを有し、
前記発光素子ユニットは、
第２の基板と、
前記第２の基板に配置された、発光素子チップと、
前記発光素子チップの周辺に配置された、微小光共振器と、
前記発光素子チップを覆う、蛍光体層と、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の基板と対向した、第３の基板を有し、
前記液晶パネルは、前記第３の基板側に、着色層を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月2日(2014.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１化合物半導体層、活性層、及び第２化合物半導体層を含む化合物半導体構造物と、
前記化合物半導体構造物の前記第２化合物半導体層側の面に設けられて前記第１化合物半導体層に電気的に連結される第１電極層と、
前記化合物半導体構造物の前記第２化合物半導体層側の面に設けられて該第２化合物半導体層に電気的に連結される第２電極層と、
前記第１電極層及び前記第２電極層が位置する領域の一部を除外した残りの領域に塗布された絶縁層と、
非導電性基板に対向して形成され、該非導電性基板を前記第１電極層及び前記絶縁層に連結させる導電性接着層と、
前記導電性接着層及び前記非導電性基板の一方の側面に形成されて前記導電性接着層に連結される第１電極連結層と、
前記導電性接着層及び前記非導電性基板の他方の側面に形成されて前記第２電極層に連結される第２電極連結層と
を含む発光素子。
【請求項２】
前記第１電極連結層は、前記導電性接着層を介して、前記第１電極層に電気的に連結されることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第２電極連結層と前記導電性接着層との間には、絶縁膜が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記絶縁膜は、前記第２電極層の側面と、前記非導電性基板の前記他方の側面とを覆うように延びていることを特徴とする請求項３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記非導電性基板、前記第１電極連結層、及び前記第２電極連結層は、伝導性接着層によってパッケージと連結され、前記伝導性接着層及び前記パッケージにはビアホールが形成されて前記第１電極連結層と前記第２電極連結層とを絶縁させることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の発光素子。
【請求項６】
基板上に、第１化合物半導体層、活性層、及び第２化合物半導体層を積層して化合物半導体構造物を形成する化合物半導体構造物形成段階と、
前記化合物半導体構造物の前記第２化合物半導体層側に、前記第１化合物半導体層に電気的に連結される第１電極層及び第２化合物半導体層に電気的に連結される第２電極層を形成する電極層形成段階と、
前記第１電極層及び前記第２電極層が位置する領域以外の領域に、絶縁層を塗布する塗布段階と、
前記絶縁層及び前記第１電極層に、導電性接着層を利用して非導電性基板を接合する接合段階と、
前記導電性接着層の一部と、第２電極層の前記第２化合物半導体層に対向する面の一部とを露出させる露出段階と、
前記導電性接着層に第１電極連結層を連結させる第１電極連結層連結段階と、
前記第２電極層に第２電極連結層を連結させる第２電極連結層連結段階と
を含む発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記第２電極連結層連結段階の前に、前記非導電性基板及び前記導電性接着層の他方の側面と、前記第２電極層の側面とに絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記第２電極連結層連結段階は、
前記絶縁膜を覆い包みつつ、前記第２電極層の露出面の一部に連結されるように、前記第２電極連結層を形成することを特徴とする請求項７に記載の発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記非導電性基板、前記第１電極連結層、及び前記第２電極連結層を、導電性接着層を利用してパッケージに連結させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記導電性接着層と前記パッケージとを貫通して、前記非導電性基板までビアホールを形成し、前記第１電極連結層と前記第２電極連結層とを絶縁させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月7日(2014.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光電変換素子と、第２の光電変換素子と、第１のＤＣＤＣコンバータと、第２のＤＣＤＣコンバータと、を有し、
前記第１の光電変換素子は、第１の電力を生成する機能を有し、
前記第２の光電変換素子は、第２の電力を生成する機能を有し、
前記第１のＤＣＤＣコンバータは、前記第１の電力に基づいて第１の電圧を出力する機能を有し、
前記第２のＤＣＤＣコンバータは、前記第２の電力に基づいて第２の電圧を出力する機能を有し、
前記第１の光電変換素子の光電変換効率は、第１の照度を有する環境下において、前記第２の光電変換効率よりも高く、
前記第２の光電変換素子の光電変換効率は、第２の照度を有する環境下において、前記第１の光電変換効率よりも高く、
前記第２の照度は、前記第１の照度よりも高く、
前記第１の電力の一部は、前記第１のＤＣＤＣコンバータ及び前記第２のＤＣＤＣコンバータの駆動電力として用いられることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
第１の光電変換素子と、第２の光電変換素子と、第１のＤＣＤＣコンバータと、第２のＤＣＤＣコンバータと、を有し、
前記第１の光電変換素子は、第１の電力を生成する機能を有し、
前記第２の光電変換素子は、第２の電力を生成する機能を有し、
前記第１のＤＣＤＣコンバータは、前記第１の電力に基づいて第１の電圧を出力する機能を有し、
前記第２のＤＣＤＣコンバータは、前記第２の電力に基づいて第２の電圧を出力する機能を有し、
前記第１の光電変換素子は、非晶質シリコンを有する第１の光吸収層を有し、
前記第２の光電変換素子は、単結晶シリコンを有する第２の光吸収層を有し、
前記第１の電力の一部は、前記第１のＤＣＤＣコンバータ及び前記第２のＤＣＤＣコンバータの駆動電力として用いられることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の光電変換素子は、前記第２の光電変換素子と重なる領域を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の光電変換素子を透過した光が、前記第２の光電変換素子に入射することを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月18日(2013.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波を送信する複数の送信素子がアレイ状に配置された送信アレイと、
被検出体で反射された前記超音波を受信する複数の受信素子がアレイ状に配置された受信アレイと、を備え、
前記受信アレイは、前記送信アレイの外周縁よりも外側に３つ以上配設され、
前記３つ以上の受信アレイのうち少なくとも１つの受信アレイは、他の受信アレイのうち、いずれか２つの前記受信アレイを結んで形成される直線外に配設される
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項２】
請求項１に記載の超音波センサーにおいて、
前記送信アレイの前記複数の送信素子は、マトリクス状に配置され、
前記受信アレイは、第一受信アレイおよび第二受信アレイを備え、
前記第一受信アレイおよび前記第二受信アレイは、前記送信アレイの中心を通る直線を挟んで配置されている
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の超音波センサーにおいて、
前記送信アレイおよび前記受信アレイの距離は、前記送信アレイが送信する超音波の半波長以上である
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の超音波センサーにおいて、
前記送信アレイの互いに隣り合う前記送信素子間の距離は、前記送信アレイから送信される超音波の半波長より小さい
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の超音波センサーを備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の超音波センサーは、超音波を送信する複数の送信素子がアレイ状に配置された送信アレイと、被検出体で反射された前記超音波を受信する複数の受信素子がアレイ状に配置された受信アレイと、を備え、前記受信アレイは、前記送信アレイの外周縁よりも外側に３つ以上配設され、前記３つ以上の受信アレイのうち少なくとも１つの受信アレイは、他の受信アレイのうち、いずれか２つの前記受信アレイを結んで形成される直線外に配設されることを特徴とする。
ここで、１つの受信アレイが、他の２つの受信アレイを結んで形成される直線外に配設されるとは、当該1つの受信アレイの重心が、他の２つの受信アレイの重心間を結ぶ直線
から外れていることを意味する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の超音波センサーでは、前記送信アレイの前記複数の送信素子は、マトリクス状に配置され、前記受信アレイは、第一受信アレイおよび第二受信アレイを備え、前記第一受信アレイおよび前記第二受信アレイは、前記送信アレイの中心を通る直線を挟んで配置されていることが好ましい。
ここで、第一受信アレイおよび第二受信アレイが送信アレイの中心を通る直線を挟んで配置されるとは、第一受信アレイの重心、および第二受信アレイの重心が、それぞれ送信アレイの中心を通る直線を挟んで配置されることを意味する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月28日(2014.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニッケル（Ｎｉ）を含み、ガス流路が長手方向に沿って内部に形成された平板状の多孔質の支持基板と、
前記支持基板の主面に設けられ、少なくとも内側電極、固体電解質膜、及び外側電極が積層されてなる発電素子部と、
前記内側電極に供給されるガスと前記外側電極に供給されるガスとの混合を防止する緻密材料からなるガスシール部と、
を備えた燃料電池セルであって、
前記ガスシール部は、
前記支持基板の主面における前記発電素子部が設けられていない部分、並びに、前記支持基板における前記長手方向に沿って延びる側端部を覆う緻密な絶縁体を有し、
前記絶縁体における前記支持基板の側端部を覆う部分は、
８．１ｍｏｌ％以上のイットリア（Ｙ２Ｏ３）を含むイットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）からなる部分を含む、燃料電池セル。
【請求項２】
ニッケル（Ｎｉ）を含み、ガス流路が長手方向に沿って内部に形成された平板状の多孔質の支持基板と、
前記支持基板の主面における互いに離れた複数の箇所にそれぞれ設けられ、少なくとも内側電極、固体電解質膜、及び外側電極が積層されてなる複数の発電素子部と、
１組又は複数組の隣り合う前記発電素子部の間にそれぞれ設けられ、隣り合う前記発電素子部の一方の内側電極と他方の外側電極とを電気的に接続する１つ又は複数の電気的接続部と、
前記内側電極に供給されるガスと前記外側電極に供給されるガスとの混合を防止する緻密材料からなるガスシール部と、
を備えた燃料電池セルであって、
前記ガスシール部は、
前記支持基板の主面における前記発電素子部が設けられていない部分、並びに、前記支持基板における前記長手方向に沿って延びる側端部を覆う緻密な絶縁体を有し、
前記絶縁体における前記支持基板の側端部を覆う部分は、
８．１ｍｏｌ％以上のイットリア（Ｙ２Ｏ３）を含むイットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）からなる部分を含む、燃料電池セル。
【請求項３】
請求項２に記載の燃料電池セルにおいて、
前記支持基板の側端部は、外側に凸となる曲面状を呈している、燃料電池セル。
【請求項４】
請求項２又は請求項３に記載の燃料電池セルにおいて、
前記支持基板中の気孔が占める空間の体積を除いた前記支持基板全体の体積に対する、前記支持基板に含まれるニッケル（Ｎｉ）及び／又は酸化ニッケル（ＮｉＯ）の体積の合計の割合が、ニッケル（Ｎｉ）換算で３〜４０体積％である、燃料電池セル。
【請求項５】
ニッケル（Ｎｉ）を含み、ガス流路が長手方向に沿って内部に形成された平板状の多孔質の支持基板と、
前記支持基板における一方の主面に設けられ、少なくとも内側電極、固体電解質膜、及び外側電極が積層されてなる発電素子部と、
前記支持基板における他方の主面に設けられた緻密なインターコネクタと、
前記内側電極に供給されるガスと前記外側電極に供給されるガスとの混合を防止する緻密材料からなるガスシール部と、
を備えた燃料電池セルであって、
前記ガスシール部は、
前記支持基板の主面における前記発電素子部及び前記インターコネクタが設けられていない部分、並びに、前記支持基板における前記長手方向に沿って延びる側端部を覆う緻密な絶縁体を有し、
前記絶縁体における前記支持基板の側端部を覆う部分は、
８．１ｍｏｌ％以上のイットリア（Ｙ２Ｏ３）を含むイットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）からなる部分を含む、燃料電池セル。
【請求項６】
請求項５に記載の燃料電池セルにおいて、
前記導電性支持体の側端部は、外側に凸となる曲面状を呈している、燃料電池セル。
【請求項７】
請求項５又は請求項６の何れか一項に記載の燃料電池セルにおいて、
前記導電性支持体中の気孔が占める空間の体積を除いた前記支持体全体の体積に対する、前記支持体に含まれるニッケル（Ｎｉ）及び／又は酸化ニッケル（ＮｉＯ）の体積の合計の割合が、ニッケル（Ｎｉ）換算で２０〜６０体積％である、燃料電池セル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ここで、本発明に係る燃料電池セルでは、発電素子部内において内側電極と外側電極との間に位置する固体電解質膜を構成するＹＳＺが、８．１ｍｏｌ％未満のＹ２Ｏ３を含んでいることが好適である。これによれば、固体電解質膜を構成するＹＳＺが８．１ｍｏｌ％以上のＹ２Ｏ３を含んでいる場合と比べて、固体電解質膜の酸素イオン伝導性（導電率）が大きくなる。この結果、発電素子部内の電気抵抗が小さくなり、燃料電池セルの発電効率が高くなる。以上、本発明に係る燃料電池セルによれば、絶縁体における支持基板の側端部を覆う部分のクラックの発生が抑制され、且つ、発電素子部内の電気抵抗が小さくされ得る。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月3日(2014.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極及び第２電極に挟持されたＥＬ層を有する発光素子と、
前記発光素子を、第１接着層によって封止する第１筐体及び金属板と、
前記発光素子及び前記金属板を、第２接着層によって前記第１筐体と封止する第２筐体とを有し、
前記第１筐体は、前記発光素子の光放射面を覆い、前記第１接着層と接する領域に第１凹部を有し、かつ前記第２接着層と接する領域に第２凹部を有し、
前記第１電極及び前記第２電極のうち、前記発光素子の光放射面側に設けられる少なくとも一方が透光性を有することを特徴とする照明装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１筐体と前記第１電極との間に無機絶縁膜を有することを特徴とする照明装置。
【請求項３】
第１電極及び第２電極に挟持されたＥＬ層を有する発光素子と、
前記発光素子を、第１接着層によって封止する第１筐体及び金属板と、
前記発光素子及び前記金属板を、第２接着層によって前記第１筐体と封止する第２筐体とを有し、
前記第１筐体は、前記発光素子の光放射面を覆い、前記第１接着層と接する領域に第１凹部を有し、かつ前記第２接着層と接する領域に第２凹部を有し、
前記第１電極及び前記第２電極のうち、前記発光素子の光放射面側に設けられる少なくとも一方が透光性を有し、
前記第１筐体と前記第１電極の間に補助配線を有し、
前記補助配線は前記第１筐体に設けられた第３凹部及び第４凹部に配置され、
前記補助配線の前記第３凹部に配置された領域の膜厚は、前記補助配線の前記第４凹部に配置された領域の膜厚とは異なり、
前記補助配線の前記第３凹部に配置された領域の配線幅は、前記補助配線の前記第４凹部に配置された領域の配線幅とは異なることを特徴とする照明装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１筐体と前記補助配線との間に無機絶縁膜を有することを特徴とする照明装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１筐体は、前記発光素子と反対側の面に凹凸形状を有することを特徴とする照明装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記ＥＬ層は、電荷発生層を介して複数以上設けられていることを特徴とする照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月23日(2014.9.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体を有し、
前記筐体は、発光素子を内包し、
前記筐体の周縁部に第１端子電極と第２端子電極とを有し、
前記発光素子は、第１電極及び第２電極に挟持されたＥＬ層を有し、
前記第１電極と前記第１端子電極とは電気的に接続され、
前記第２電極と前記第２端子電極とは電気的に接続され、
前記第１電極と第２電極の少なくとも一方は透光性を有し、
前記筐体の前記発光素子の光放射面を覆う領域は透光性を有し、
前記第１端子電極及び前記第２端子電極が外部電源の端子電極とそれぞれ接続可能であることを特徴とする照明装置。
【請求項２】
筐体を有し、
前記筐体は、発光素子を内包し、
前記筐体の周縁部に第１端子電極、第２端子電極、第３端子電極、及び第４端子電極を有し、
前記発光素子は、第１電極及び第２電極に挟持されたＥＬ層を有し、
前記第１電極と前記第１端子電極とは電気的に接続され、
前記第２電極と前記第２端子電極とは電気的に接続され、
前記第３端子電極及び前記第４端子電極はセンサ素子と電気的に接続され、
前記筐体の前記発光素子の光放射面を覆う領域は透光性を有し、
前記第１電極と第２電極の少なくとも一方は透光性を有し、
前記第１端子電極、前記第２端子電極、前記第３端子電極、及び前記第４端子電極が外部電源の端子電極とそれぞれ接続可能であることを特徴とする照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月8日(2014.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部材と、接合層と、発光体と、を有し、
前記接合層は、前記部材よりも高い屈折率を有し、
前記部材の第１の面は、半球状の構造を有し、
前記部材の第２の面は、凹凸の構造を有し、
前記接合層の第１の面は、前記部材の第２の面に接して設けられ、
前記接合層の第２の面は、前記接合層の第１の面に比べて平坦であり、
前記発光体は、前記接合層の第２の面に発光面が接して設けられ、
前記凹凸の構造は、前記半球状の構造の外形より内側に設けられ、
前記発光面を含む面に投影した前記発光体の発光領域の外形は、前記半球状の構造の外形より小さく、
前記発光体は、前記半球状の構造と重なる領域に設けられている発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記部材の屈折率がｎであり、
前記発光面を含む面に投影した前記発光体の前記発光領域の外形が、前記発光面を含む面に投影した前記半球状の構造の外形と中心を同一にし、且つ前記半球状の構造の外形に相似であって、大きさが（１／ｎ）倍の範囲に含まれる発光素子。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記部材の屈折率は、１．０より高く１．６未満であり、
前記接合層の屈折率は、１．６以上１．９以下である発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記発光体は、第１の電極と、第２の電極と、発光性の有機物を含む層と、を有し、
前記第１の電極は、前記接合層の第２の面上に設けられ、
前記発光性の有機物を含む層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられ、
前記第１の電極は、透光性を有する発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記高屈折率の接合層と、前記発光体との間に屈折率１．６以上１．９以下の窒化膜を有する発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一に記載の発光素子を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月15日(2014.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ライトユニット及び表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、光学系と、を有し、
前記光学系は、前記光源から光が照射される領域における短軸方向に対して光の強度の分布を狭める機能を有することを特徴とするライトユニット。
【請求項２】
第１の光源領域と、第２の光源領域と、光学系と、を有し、
前記第１の光源領域と、前記第２の光源領域とは、異なる色の光を射出する機能を有し、
前記光学系は、前記第１の光源領域から光が照射される領域における短軸方向に対して光の強度の分布を狭める機能と、前記第２の光源領域から光が照射される領域における短軸方向に対して光の強度の分布を狭める機能と、を有することを特徴とするライトユニット。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記光学系は、レンチキュラーレンズを有することを特徴とするライトユニット。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載のライトユニットを有することを特徴とする表示装置。