【手続補正書】
【提出日】平成26年2月25日(2014.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタとを有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第１の配線は、第１の電位と、第２の電位と、第３の電位とを供給する機能を有し、
前記第１の電位は、前記第１のトランジスタがオンとなる電位であり、
前記第２の電位は、前記第１のトランジスタがオフとなる電位であり、
前記第３の電位は、前記第１のトランジスタがオフとなり、かつ前記第１の電位より高い電位であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタとを有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコン半導体を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第１の配線は、第１の電位と、第２の電位と、第３の電位とを供給する機能を有し、
前記第１の電位は、前記第１のトランジスタがオンとなる電位であり、
前記第２の電位は、前記第１のトランジスタがオフとなる電位であり、
前記第３の電位は、前記第１のトランジスタがオフとなり、かつ前記第１の電位より高い電位であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタとを有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第１の配線は、第１の電位と、第２の電位と、第３の電位とを供給する機能を有し、
前記第１の電位は、前記第１のトランジスタがオンとなる電位であり、
前記第２の電位は、前記第１のトランジスタがオフとなる電位であり、
前記第３の電位は、前記第１のトランジスタがオフとなり、かつ前記第１の電位より高い電位であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
容量とを有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記容量の一方の電極は、第５の配線と電気的に接続され、
前記容量の他方の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１の配線は、第１の電位と、第２の電位と、第３の電位とを供給する機能を有し、
前記第１の電位は、前記第１のトランジスタがオンとなる電位であり、
前記第２の電位は、前記第１のトランジスタがオフとなる電位であり、
前記第３の電位は、前記第１のトランジスタがオフとなり、かつ前記第１の電位より高い電位であり、
前記第５の配線は、異なる複数の電位を供給する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
容量とを有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコン半導体を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記容量の一方の電極は、第５の配線と電気的に接続され、
前記容量の他方の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１の配線は、第１の電位と、第２の電位と、第３の電位とを供給する機能を有し、
前記第１の電位は、前記第１のトランジスタがオンとなる電位であり、
前記第２の電位は、前記第１のトランジスタがオフとなる電位であり、
前記第３の電位は、前記第１のトランジスタがオフとなり、かつ前記第１の電位より高い電位であり、
前記第５の配線は、異なる複数の電位を供給する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
容量とを有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記容量の一方の電極は、第５の配線と電気的に接続され、
前記容量の他方の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１の配線は、第１の電位と、第２の電位と、第３の電位とを供給する機能を有し、
前記第１の電位は、前記第１のトランジスタがオンとなる電位であり、
前記第２の電位は、前記第１のトランジスタがオフとなる電位であり、
前記第３の電位は、前記第１のトランジスタがオフとなり、かつ前記第１の電位より高い電位であり、
前記第５の配線は、異なる複数の電位を供給する機能を有することを特徴とする半導体装置。