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【手続補正書】
【提出日】平成25年11月26日(2013.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】酸化物半導体中の水素濃度の分析方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量数１の水素同位体を含む酸化物半導体中に、該水素同位体と同量以上の質量数２の水素同位体をイオン注入し、前記酸化物半導体に脱水化または脱水素化処理を施して前記酸化物半導体中に含まれる質量数１及び質量数２の水素同位体の濃度を減少させ、
二次イオン質量分析法を用いて前記酸化物半導体中における質量数２の水素同位体の濃度を分析し、その数値を前記酸化物半導体中に残留する質量数１の水素同位体の濃度として同定することを特徴とする酸化物半導体中の水素濃度の分析方法。
【請求項２】
請求項１において、前記酸化物半導体中にイオン注入する質量数２の水素同位体の濃度は、１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であることを特徴とする酸化物半導体中の水素濃度の分析方法。
【請求項３】
質量数１の水素同位体を含み、主成分の組成比が同一の第１及び第２の酸化物半導体を準備し、
前記第１の酸化物半導体中の質量数１及び質量数２の水素同位体がそれぞれ同量となるように調整し、
前記第１の酸化物半導体に脱水化または脱水素化処理を施し、二次イオン質量分析法を用いて質量数１及び質量数２の水素同位体の濃度をそれぞれ分析し、
質量数２の水素同位体の濃度に対する質量数１の水素同位体の濃度の割合を算出して係数とし、
前記第２の酸化物半導体中に質量数２の水素同位体をイオン注入し、
前記第２の酸化物半導体に脱水化または脱水素化処理を施して前記第２の酸化物半導体中に含まれる質量数１の水素同位体及び質量数２の水素同位体の濃度を減少させ、
二次イオン質量分析法を用いて前記第２の酸化物半導体中における質量数２の水素同位体の濃度を分析し、その数値と前記係数を乗じて算出される数値を前記第２の酸化物半導体中に残留する質量数１の水素同位体の濃度として同定することを特徴とする酸化物半導体中の水素濃度の分析方法。
【請求項４】
請求項３において、前記第１の酸化物半導体中で同量となるように調整された質量数１及び質量数２の水素同位体のそれぞれの濃度は、１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であることを特徴とする酸化物半導体中の水素濃度の分析方法。
【請求項５】
請求項３または４において、前記第１の酸化物半導体の脱水化または脱水素化処理は、前記第１の酸化物半導体中の残留水素濃度が１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満とならないように行うことを特徴とする酸化物半導体中の水素濃度の分析方法。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか一項において、前記第２の酸化物半導体中にイオン注入する質量数２の水素同位体の濃度は、１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であることを特徴とする酸化物半導体中の水素濃度の分析方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記脱水化または脱水素化処理は、加熱処理であることを特徴とする酸化物半導体中の水素濃度の分析方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月2日(2014.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
（ａ）基板上に、第１の導電膜からなるゲート電極を形成する工程と、
（ｂ）前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記ゲート絶縁膜上に、第１の半導体層およびその上の第２の半導体層を含む半導体膜を形成する工程と、
（ｄ）前記半導体層を覆うように第２の導電膜を成膜し、所定のエッチングプロセスにより、前記第２の導電膜を加工して前記半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成すると共に、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の領域に前記半導体膜を露出させる工程と、を備え、
前記工程（ｄ）では、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の領域において、前記第２の導電膜が除去され、前記第１の半導体層が露出する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、（ａ）基板上に、第１の導電膜からなるゲート電極を形成する工程と、（ｂ）前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、（ｃ）前記ゲート絶縁膜上に、第１の半導体層およびその上の第２の半導体層を含む半導体膜を形成する工程と、（ｄ）前記半導体層を覆うように第２の導電膜を成膜し、所定のエッチングプロセスにより、前記第２の導電膜を加工して前記半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成すると共に、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の領域に前記半導体膜を露出させる工程と、を備え、前記工程（ｄ）では、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の領域において、前記第２の導電膜が除去され、前記第１の半導体層が露出するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月16日(2014.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線が形成された半導体基板本体と、
該半導体基板本体の厚さ方向の一方の面に突出して設けられた接合電極と、
を備え、
該接合電極は、
前記半導体基板本体の前記一方の面から突出して設けられ、突出方向の基端部が前記配線と電気的に接続された第１金属部と、
該第１金属部を構成する第１の金属よりも硬度が低い第２の金属からなり、前記第１金属部の突出高さ以下の範囲に前記第１金属部と接合して設けられた第２金属部と、
を有する複合体からなる、半導体基板。
【請求項２】
前記接合電極は、
その突出方向の先端部では、前記第２金属部が前記第１金属部によって覆われていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体基板。
【請求項３】
前記接合電極は、
前記半導体基板本体の前記一方の面から突出した表面の全体が前記第１金属部によって形成されている
ことを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体基板。
【請求項４】
前記第２の金属は、アルミニウムであり、
前記第１の金属は、金または銅である
ことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体基板。
【請求項５】
前記第２の金属は、金であり、
前記第１の金属は、銅である
ことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体基板。
【請求項６】
前記第２の金属は、インジウムであり、
前記第１の金属は、金、銅、およびアルミニウムのうちから選択された金属である
ことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体基板。
【請求項７】
前記第２金属部は、
バリアメタル層を介して前記第１金属部と接合されている
ことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体基板。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体基板と、
該半導体基板の前記接合電極を介して接合された被接合部材と、
を備える、半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体基板を備える、撮像素子。
【請求項１０】
請求項９に記載の撮像素子を備える、撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本発明の第１の態様の半導体基板は、配線が形成された半導体基板本体と、該半導体基板本体の厚さ方向の一方の面に突出して設けられた接合電極と、を備え、該接合電極は、前記半導体基板本体の前記一方の面から突出して設けられ、突出方向の基端部が前記配線と電気的に接続された第１金属部と、該第１金属部を構成する第１の金属よりも硬度が低い第２の金属からなり、前記第１金属部の突出高さ以下の範囲に前記第１金属部と接合して設けられた第２金属部と、を有する複合体からなる構成とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記半導体基板では、前記第２金属部は、バリアメタル層を介して前記第１金属部と接合されていることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図３に、接合状態の接合電極１１ａ、１２ａ、およびそれらの近傍の模式的な断面を示す。ただし、図３の図示では、図２（ｃ）と上下の位置関係を反転している。
接合電極１１ａ、１２ａは、本実施形態では、それぞれ第１表面１１ｃ、第２表面１２ｃから突出して設けられ、それぞれの突出方向の先端で互いに当接している。
接合電極１２ａは、接合時の加圧力によって容易に塑性変形して突出高さが変化するようになっている。図３では、接合電極１２ａの変形後の形状の一例を模式的に示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
接合電極１１ａは、層状の接合パッドを構成するもので、図３に詳細を示すように、接合電極１２ａの先端部よりも広い大きさの金属層として、第１表面１１ｃ上に形成されている。
接合電極１１ａの材質は、半導体基板の電極に用いられる適宜の金属、例えば、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル、白金、タングステン、チタンなどからなる金属を採用することができる。
なお、本明細書では、特に断らない限り、「金属」を広義の意味で用いており、金属元素からなる純金属、複数の金属元素を含む導電性を有する合金が含まれる。このため、例えば、単に、「アルミニウム」と称する場合、特に断らない限り、純アルミニウムでもよいし、アルミニウム合金でもよいことを意味する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
また、内壁部１４ｃが第２金属部１５の第２表面１２ｃより上側の表面全体と密着することで、第２金属部１５を等方的に拘束しているため、変形時に特定の方向への接合電極１２ａの倒れが発生しにくい。
これにより、接合の際の加圧時に第２基板１１と第１基板１２とを対向方向と交差する方向にずらす力が発生しにくくなるため、対向方向と交差する方向への、第２基板１１および第１基板１２の位置ずれを抑制することができる。この結果、接合電極１２ａ、１１ａが狭ピッチで配置された場合でも、良好に接合させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月12日(2014.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スタッガード型マルチノズル組立体（３６）を備えるシステムであって、
第１の軸線（６０、６２、６４）と、第１の下流側末端部分（４８、７２、７４、７６）に延びる第１の流路（６６、６８、７０）とを有し、前記第１の下流側末端部分（４８、７２、７４、７６）において第１の非円形の周囲（１４２）を有する第１の燃料ノズル（１２）を含み、
前記第１の燃料ノズル（１２）が、第１の燃料導管（４４）と、該第１の燃料導管（４４）に結合された第１の燃料チャンバ（５０）と、各々が第１の空気入口（１０６）を含み且つ前記第１の燃料チャンバ（５０）を通って延びる第１の複数の予混合管（５２）と、第１の燃料入口（１０８）と、前記第１の下流側末端部分（４８、７２、７４、７６）にある第１の燃料空気出口（１１０）とを含み、
前記システムは、さらに、
第２の軸線（６０、６２、６４）と、第２の下流側末端部分（４８、７２、７４、７６）に延びる第２の流路（６６、６８、７０）とを有し、前記第１及び第２の下流側末端部分（４８、７２、７４、７６）が前記第１及び第２の軸線（６０、６２、６４）に対して軸方向に互い違いにされている、第２の燃料ノズル（１２）と、
少なくとも前記第１及び第２の燃料ノズル（１２）の周りで円周方向に配置されて前記スタッガード型マルチノズル組立体（３６）を構築するキャップ部材（４２）を備えるシステム。
【請求項２】
前記第１の非円形の周囲（１４２）が、前記キャップ部材（４２）の周囲（１３８）によって定められる円形ノズル面積（１４０）の第１の領域を含む、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記第２の燃料ノズル（１２）が第２の非円形の周囲（１４２）を含み、該第２の非円形の周囲（１４２）が前記円形ノズル面積（１４０）の第２の領域を含む、請求項２記載のシステム。
【請求項４】
第３の軸線（６０、６２、６４）と、第３の下流側末端部分（４８、７２、７４、７６）に延びる第３の流路（６６、６８、７０）とを有する第３の燃料ノズル（１２）を備え、前記第１及び第３の下流側末端部分（４８、７２、７４、７６）が、前記第１及び第３の軸線（６０、６２、６４）に対して前記軸方向に互い違いにされ、前記第３の燃料ノズル（１２）が、前記円形ノズル面積（１４０）内の中央部分（１５０）にて円形周囲（１４８）を含む、請求項３記載のシステム。
【請求項５】
第１、第２及び第３の下流側末端部分（４８、７２、７４、７６）が、第１、第２及び第３の軸線（６０、６２、６４）に対して前記軸方向に互い違いにされる、請求項４記載のシステム。
【請求項６】
前記第２の燃料ノズル（１２）が円形周囲（１４８）を含む、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項７】
前記第２の燃料ノズル（１２）が、第２の燃料導管（４４）と、該第２の燃料導管（４４）に結合された第２の燃料チャンバ（５０）と、各々が第２の空気入口（１０６）を含み且つ前記第２の燃料チャンバ（５０）を通って延びる第２の複数の予混合管（５２）と、第２の燃料入口（１０８）と、前記第２の下流側末端部分（４８、７２、７４、７６）にある第２の燃料空気出口（１１０）とを含む、請求項１乃至６のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項８】
前記スタッガード型マルチノズル組立体（３６）を有するタービン燃焼器（１６）を備える、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項９】
前記スタッガード型マルチノズル組立体（３６）を有する前記タービン燃焼器（１６）を含むガスタービンエンジンを備える、請求項１乃至８のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１０】
タービンノズル組立体（３６）を備えるシステムであって、該タービンノズル組立体（３６）が、
第１の軸線（６０、６２、６４）と、第１の下流側末端部分（４８、７２、７４、７６）に延びる第１の複数の予混合管（５２）とを有し、前記第１の下流側末端部分（４８、７２、７４、７６）にて第１の切頭パイ形周囲を有する第１の燃料ノズル（１２）を備え、
前記第１の切頭パイ形周囲は、互いに平行な第１の辺及び第２の辺、並びに、互いに半径方向に発散する第１の直線辺及び第２の直線辺により形成され、
前記システムは、さらに、
第２の軸線（６０、６２、６４）と、第２の下流側末端部分（４８、７２、７４、７６）に延びる第２の複数の予混合管（５２）とを有し、前記第１及び第２の下流側末端部分（４８、７２、７４、７６）が互いに離間し前記第１及び第２の軸線（６０、６２、６４）に対して軸方向に互い違いにされた第２の燃料ノズル（１２）を備える、システム。
【請求項１１】
前記第２の燃料ノズル（１２）が円形周囲（１４８）を含む、請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
前記第１の下流側末端部分（４８、７２、７４、７６）が、前記第２の下流側末端部分（４８、７２、７４、７６）から下流側に軸方向に互い違いにされる、請求項１１記載のシステム。
【請求項１３】
前記第２の下流側末端部分（４８、７２、７４、７６）が、前記第１の下流側末端部分（４８、７２、７４、７６）から下流側に軸方向に互い違いにされる、請求項１１記載のシステム。
【請求項１４】
前記第２の燃料ノズル（１２）が、互いに平行な第３の辺及び第４の辺、並びに、互いに半径方向に発散する第３の直線辺及び第４の直線辺により形成された第２の切頭パイ形周囲を含む、請求項１０乃至１３のいずれか１項に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月25日(2013.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の発明者は、加熱補助部材の繰り返し利用を可能にするための構成について研究を進める中で、本発明を完成するに至った。すなわち、加熱補助部材を構成する発熱体において凹凸部を形成し、さらに当該凹凸部における隣接する凹部の間の距離を５ｍｍ以下という数値範囲とすることで、被加熱物の加熱補助部材に対する焦げ付きを抑制できるとともに、加熱補助部材における過加熱の発生や、加熱補助部材を構成する支持部からの発熱体のはがれを抑制できるという新たな知見を得た。上記のような知見に基づき完成された本発明に従った加熱補助部材は、マイクロ波の照射による誘電加熱が可能な導電性物質層を有する第１発熱体および第２発熱体と、当該第１発熱体が積層された第１支持部と、第２発熱体が積層された第２支持部と、を備える。第１支持部と第２支持部とは、第１発熱体上に載置された被加熱物に第２発熱体が接触できるように、第１発熱体と第２発熱体とが対向して配置可能に連結されている。第１発熱体および第２発熱体の少なくともいずれかには、表面に複数の凹凸部が形成されている。凹凸部における隣接する凹部の間の距離は５ｍｍ以下である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月26日(2013.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）に示されることを特徴とする、有機化合物。
【化１】
2012149012.tif 000001
（式（１）において、Ｒ1乃至Ｒ22は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアルコキシ基、置換あるいは無置換のアミノ基、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の複素環基、置換あるいは無置換のアリールオキシ基、シリル基及びシアノ基から選ばれる置換基である。）
【請求項２】
前記Ｒ1乃至Ｒ22が、それぞれ水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基及び置換あるいは無置換のアリール基から選ばれる置換基であることを特徴とする、請求項１に記載の有機化合物。
【請求項３】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ9及びＲ18が、それぞれ水素原子又は置換あるいは無置換のアリール基であり、Ｒ5乃至Ｒ8、Ｒ10乃至Ｒ17及びＲ19乃至Ｒ22が、それぞれ水素原子であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機化合物。
【請求項４】
陽極と陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に配置される有機化合物層と、を有する有機発光素子において、
前記有機化合物層の少なくとも一層に、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機化合物が含まれることを特徴とする有機発光素子。
【請求項５】
前記有機化合物が発光層に含まれることを特徴とする、請求項４に記載の有機発光素子。
【請求項６】
赤色発光することを特徴とする、請求項４又は５に記載の有機発光素子。
【請求項７】
複数の画素を有し、
前記複数の画素が、請求項４乃至６のいずれか一項に記載の有機発光素子と、前記有機発光素子と電気接続するＴＦＴ素子と、を有することを特徴とする、表示装置。
【請求項８】
画像情報を入力するための入力部と、画像を出力するための表示部と、を有し、
前記表示部が、複数の画素を有し、
前記複数の画素が、請求項４乃至６のいずれか一項に記載の有機発光素子と、前記有機発光素子と電気接続するＴＦＴ素子と、を有することを特徴とする、画像表示装置。
【請求項９】
請求項４乃至６のいずれか一項に記載の有機発光素子を有することを特徴とする、照明装置。
【請求項１０】
露光光源を有する電子写真方式の画像形成装置であって、
前記露光光源が、請求項４乃至６のいずれか一項に記載の有機発光素子を有することを特徴とする、画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月29日(2014.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記工程（１）及び（２）を含む３級アミンの製造方法。
工程（１）：炭素数１〜３６のアルコールと下記一般式（Ｉ）で表される原料アミンとを第１反応槽に導入し、触媒及び水素の存在下で反応させ、反応生成水及び水素含有ガスを反応系外へ排出しつつ反応を継続する工程。
Ｒ1Ｒ2ＮＨ        （Ｉ）
（式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素数１〜３６の直鎖、分岐鎖又は環状の飽和又は不飽和の炭化水素基を示す。Ｒ1及びＲ2は、互いに結合して飽和炭化水素又は不飽和炭化水素の環を形成していてもよい。）
工程（２）：第１反応槽より排出された水素含有ガスを第２反応槽に導入し、前記水素含有ガスを金属触媒と接触させることにより、水素含有ガスに含まれる一酸化炭素の量を低減させた後、水素含有ガスの一部又は全部を第１反応槽へ導入する工程。
【請求項２】
工程（１）と工程（２）との間に下記工程（Ａ）を有する、請求項１に記載の３級アミンの製造方法。
工程（Ａ）：排出された水素含有ガス中に含まれる原料アミンの量を低減させる工程。
【請求項３】
工程（Ａ）において、前記水素含有ガスを水と接触させて、前記水素含有ガス中に含まれる原料アミンの量を低減させる、請求項２に記載の３級アミンの製造方法。
【請求項４】
工程（Ａ）において、前記水素含有ガスを酸水溶液と接触させて、前記水素含有ガス中に含まれる原料アミンの量を低減させる、請求項２又は３に記載の３級アミンの製造方法。
【請求項５】
前記第２反応槽における金属触媒が、ニッケル、コバルト、ルテニウム、白金、ロジウム、パラジウム、モリブデン、タングステン及びレニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種を主活性成分とするものである、請求項１〜４のいずれかに記載の３級アミンの製造方法。
【請求項６】
前記第２反応槽における金属触媒の主活性成分として、ルテニウム、白金、ロジウム、パラジウム、タングステン及びレニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種を用い、第２反応槽の反応温度を１００〜３５０℃とする、請求項５に記載の３級アミンの製造方法。
【請求項７】
前記第２反応槽における金属触媒の主活性成分として、ニッケル、コバルト及びモリブデンからなる群から選ばれる少なくとも１種を用い、第２反応槽の反応温度を１５０〜６００℃とする、請求項５に記載の３級アミンの製造方法。
【請求項８】
前記第２反応槽の圧力を１００ｋＰａ〜４０ＭＰａとして反応を行う、請求項１〜７のいずれかに記載の３級アミンの製造方法。
【請求項９】
前記第１反応槽の温度を１００〜３００℃とし、圧力を１００ｋＰａ〜４０ＭＰａとして反応を行う、請求項１〜８のいずれかに記載の３級アミンの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月24日(2014.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の鋼板間にコンクリートが充填された鋼板コンクリート構造の架台に設置されるタービン外部車室であって、
下半部を構成する側板部または端板部が前記架台を構成する前記鋼板からなるタービン外部車室。
【請求項２】
タービン内部車室を上部で支持する支持部材と、
前記支持部材上に設けられ、前記タービン内部車室の鉛直方向の位置を調整する調整部材と、
を備える請求項１に記載のタービン外部車室。
【請求項３】
複数の鋼板間にコンクリートが充填された鋼板コンクリート構造のタービン外部車室用架台であって、
梁部材の側面を構成する前記鋼板が前記タービン外部車室の下半部を構成する側板部または端板部であるタービン外部車室用架台。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】タービン外部車室およびタービン外部車室用架台
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、タービン外部車室およびタービン外部車室用架台に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、車室内部の蒸気の流れを向上させつつ簡潔な構造で車室の剛性を高めることが可能なタービン外部車室およびタービン外部車室用架台を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明のタービン外部車室およびタービン外部車室用架台は以下の手段を採用する。
すなわち、本発明に係るタービン外部車室は、複数の鋼板間にコンクリートが充填された鋼板コンクリート構造の架台に設置されるタービン外部車室であって、下半部を構成する側板部または端板部が架台を構成する鋼板からなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
さらに、本発明の参考例に係るタービン外部車室用架台の施工方法は、複数の鋼板間にコンクリートが充填された鋼板コンクリート構造であって、梁部材の側面を構成する鋼板がタービン外部車室の下半部を構成する側板部または端板部であるタービン外部車室用架台の施工方法であって、側面が鋼板である第１の梁部材からなる第１のブロックと、側面が鋼板である第２の梁部材および第２の梁部材に接続されてタービン内部車室を上部で支持する支持部材からなる第２のブロックを製作し、第１のブロックと第２のブロックを接続する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この発明の参考例によれば、タービン外部車室用架台を施工する際、まず、架台の梁部材となる第１の梁部材からなる第１のブロックと、架台の梁部材となる第２の梁部材および第２の梁部材に接続されてタービン内部車室を上部で支持する支持部材からなる第２のブロックが製作される。そして、第１のブロックと第２のブロックが接続されることで、タービン外部車室用架台が構成される。このタービン外部車室用架台は、複数の鋼板間にコンクリートが充填された鋼板コンクリート構造であって、梁部材の側面を構成する鋼板がタービン外部車室の下半部を構成する側板部または端板部である。例えば工場などで予め第１のブロックや第２のブロックを製作し、これらを現地据付とすることで、架台の梁部材と一体となったタービン外部車室の寸法精度が向上し、かつ現地施工期間を短縮することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
アジャスタ６は、例えば、直方体形状の支持部材２１および昇降部材２２と、ボルト２３からなる。支持部材２１は、内部補強リブ５上に設置され、ボルト２３が貫通するボルト穴が形成されている。ボルト２３の端部は昇降部材２２に固定される。そして、ボルト２３を締めたり緩めたりすることによって、昇降部材２２の位置を上昇させたり下降させたりすることができる。昇降部材２２上に内部車室７０のフランジ７２を載せることによって、アジャスタ６は内部車室７０を鉛直方向に位置調整できる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月7日(2014.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車輪が取り付けられるハブホイールのハブ軸の外周面に、軸方向に所定間隔を隔ててインナ側及びアウタ側の内輪軌道面が形成され、前記ハブ軸の外周に配設される外輪部材の内周面に、軸方向に所定間隔を隔ててインナ側及びアウタ側の外輪軌道面が形成され、前記インナ側及びアウタ側の内輪軌道面と、前記インナ側及びアウタ側の外輪軌道面との間にインナ側列及びアウタ側列の玉が転動可能に配列され、前記インナ側列の玉のピッチ円直径をＤ１とし、前記アウタ側列の玉のピッチ円直径をＤ２としたときに、「Ｄ１＜Ｄ２」の関係となるように設定された車輪用転がり軸受装置であって、
前記インナ側の外輪軌道面と前記インナ側列の玉の接触角をなす作用線との交点と、前記インナ側の外輪軌道面のアウタ側端縁とのなす角度をθ１とし、前記アウタ側の外輪軌道面と前記アウタ側列の玉の接触角をなす作用線との交点と、前記アウタ側の外輪軌道面のインナ側端縁とのなす角度をθ２としたときに、「θ１＜θ２」の関係となるように設定されていることを特徴とする車輪用転がり軸受装置。
【請求項２】
請求項１に記載の車輪用転がり軸受装置であって、
外輪部材は、鍛造によって形成され、
アウタ側軌道肩部とインナ側軌道肩部との間の境界アール面及び前記アウタ側軌道肩部の表面は、それぞれ鍛造肌の表面にショットブラスト処理が施された加工面をなしていることを特徴とする車輪用転がり軸受装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記課題を解決するために、この発明の請求項１に係る車輪用転がり軸受装置は、車輪が    取り付けられるハブホイールのハブ軸の外周面に、軸方向に所定間隔を隔ててインナ側及びアウタ側の内輪軌道面が形成され、前記ハブ軸の外周に配設される外輪部材の内周面に、軸方向に所定間隔を隔ててインナ側及びアウタ側の外輪軌道面が形成され、前記インナ側及びアウタ側の内輪軌道面と、前記インナ側及びアウタ側の外輪軌道面との間にインナ側列及びアウタ側列の玉が転動可能に配列され、前記インナ側列の玉のピッチ円直径をＤ１とし、前記アウタ側列の玉のピッチ円直径をＤ２としたときに、「Ｄ１＜Ｄ２」の関係となるように設定された車輪用転がり軸受装置であって、
前記インナ側の外輪軌道面と前記インナ側列の玉の接触角をなす作用線との交点と、前記インナ側の外輪軌道面のアウタ側端縁とのなす角度をθ１とし、前記アウタ側の外輪軌道面と前記アウタ側列の玉の接触角をなす作用線との交点と、前記アウタ側の外輪軌道面のインナ側端縁とのなす角度をθ２としたときに、「θ１＜θ２」の関係となるように設定されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月22日(2014.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置の処理チャンバー内に付着した金属膜を、
前記金属膜を酸化して金属酸化物を形成する工程と、
前記金属酸化物とβ−ジケトンとを反応させて錯体を形成する工程と、
前記錯体を昇華する工程と
によって除去する基板処理装置のドライクリーニング方法であって、
前記処理チャンバー内を加熱しつつ、酸素とβ−ジケトンとを含むクリーニングガスを前記処理チャンバー内に供給し、且つ、
前記クリーニングガスにおけるβ−ジケトンに対する酸素の流量比を、前記金属酸化物の生成速度が、前記錯体の生成速度を超えない範囲とする
ことを特徴とする基板処理装置のドライクリーニング方法。
【請求項２】
基板処理装置の処理チャンバー内に付着したニッケル膜を、
前記ニッケル膜を酸化してニッケル酸化物を形成する工程と、
前記ニッケル酸化物とβ−ジケトンとを反応させて錯体を形成する工程と、
前記錯体を昇華する工程と
によって除去する基板処理装置のドライクリーニング方法であって、
前記処理チャンバー内を加熱しつつ、酸素とβ−ジケトンとを含むクリーニングガスを前記処理チャンバー内に供給し、且つ、
前記クリーニングガスにおけるβ−ジケトンに対する酸素の流量比を、前記ニッケル酸化物の生成速度が、前記錯体の生成速度を超えない範囲とする
ことを特徴とする基板処理装置のドライクリーニング方法。
【請求項３】
請求項２記載の基板処理装置のドライクリーニング方法であって、
前記β−ジケトンが、ヘキサフルオロアセチルアセトンであることを特徴とする基板処理装置のドライクリーニング方法。
【請求項４】
請求項３記載の基板処理装置のドライクリーニング方法であって、
前記クリーニングガスにおけるヘキサフルオロアセチルアセトンに対する酸素の流量比（酸素流量／βジケトン流量）が１〜５％の範囲であり、前記処理チャンバー内の加熱温度が２５０℃〜３２５℃である
ことを特徴とする基板処理装置のドライクリーニング方法。
【請求項５】
請求項３又は４記載の基板処理装置のドライクリーニング方法であって、
前記クリーニングガス中の前記酸素の分圧（Ｐ（Ｏ２））と前記ヘキサフルオロアセチルアセトンの分圧（Ｐ（Ｈｈｆａｃ））との比（Ｐ（Ｏ２）／Ｐ（Ｈｈｆａｃ））と、温度（Ｔ）との関係が、
Ｐ（Ｏ２）／Ｐ（Ｈｈｆａｃ）≦１．５×４．３２９×１０−１７×Ｔ５．９９７
を満たす範囲とする
ことを特徴とする基板処理装置のドライクリーニング方法。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか１項記載の基板処理装置のドライクリーニング方法であって、
前記クリーニングガス中の酸素の流量を徐々に増加させることを特徴とする基板処理装置のドライクリーニング方法。
【請求項７】
請求項１〜６いずれか１項記載の基板処理装置のドライクリーニング方法であって、
前記処理チャンバー内に加熱したガスを供給して当該処理チャンバーを加熱することを特徴とする基板処理装置のドライクリーニング方法。
【請求項８】
請求項１〜７いずれか１項記載の基板処理装置のドライクリーニング方法であって、
前記処理チャンバー内に還元性のガス又はプラズマを供給する工程を有することを特徴とする基板処理装置のドライクリーニング方法。
【請求項９】
基板処理装置の処理チャンバー内で金属膜を除去する金属膜の除去方法であって、
前記処理チャンバー内を加熱しつつ、酸素とβ−ジケトンとを含むガスを前記処理チャンバー内に供給し、
前記酸素により前記金属膜を酸化して金属酸化物を形成する工程と、
前記金属酸化物とβ−ジケトンとを反応させて錯体を形成する工程と、
前記錯体を昇華する工程と、
前記昇華した錯体を排気する工程と、
を具備し、
前記ガスにおけるβ−ジケトンに対する酸素の流量比を、前記金属酸化物の生成速度が、前記錯体の生成速度を超えない範囲とする
ことを特徴とする金属膜の除去方法。
【請求項１０】
請求項９記載の金属膜の除去方法であって、
前記金属膜がニッケル膜であることを特徴とする金属膜の除去方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０記載の金属膜の除去方法であって、
前記ガス中の前記酸素の流量を徐々に増加させることを特徴とする金属膜の除去方法。
【請求項１２】
請求項９〜１１いずれか１項記載の金属膜の除去方法であって、
前記β−ジケトンが、ヘキサフルオロアセチルアセトンであることを特徴とする金属膜の除去方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の金属膜の除去方法であって、
前記ガスにおけるヘキサフルオロアセチルアセトンに対する酸素の流量比（酸素流量／βジケトン流量）が１〜５％の範囲であり、前記処理チャンバー内の加熱温度が２５０℃〜３２５℃である
ことを特徴とする金属膜の除去方法。
【請求項１４】
請求項１２又は１３記載の金属膜の除去方法であって、
前記ガス中の前記酸素の分圧（Ｐ（Ｏ２））と前記ヘキサフルオロアセチルアセトンの分圧（Ｐ（Ｈｈｆａｃ））との比（Ｐ（Ｏ２）／Ｐ（Ｈｈｆａｃ））と、温度（Ｔ）との関係が、
Ｐ（Ｏ２）／Ｐ（Ｈｈｆａｃ）≦１．５×４．３２９×１０−１７×Ｔ５．９９７
を満たす範囲とすることを特徴とする金属膜の除去方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置のドライクリーニング方法及び金属膜の除去方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、基板処理装置のドライクリーニング方法及び金属膜の除去方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記の事情に対処してなされたもので、従来に比べて効率良く金属膜を除去することのできる基板処理装置のドライクリーニング方法及び金属膜の除去方法を提供しようとするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、従来に比べて効率良く金属膜を除去することのできる基板処理装置のドライクリーニング方法及び金属膜の除去方法を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月23日(2014.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状体と、
前記板状体の表面に配した複数の突起と、
前記表面から該表面に対向する裏面に貫通する複数の孔を有し、
前記突起と前記孔は、前記表面上の第１の方向とそれに直交する第２の方向とに交互にかつ前記突起同士が所定間隔を置いて配置され、
前記突起は対向する第１面と第２面とを有し、
前記突起を構成する少なくとも１面が粗面化されている不織布製造用支持体。
【請求項２】
前記突起は、平面視、前記第１、第２面方向に長く構成されている
請求項１記載の不織布製造用支持体。
【請求項３】
前記第１、第２面の面方向に配列された前記突起の突起列と、該突起列に平行に隣接する別の突起列との間に間隔を有する
請求項１または請求項２記載の不織布製造用支持体。
【請求項４】
前記突起間、前記孔間および前記突起と前記孔との間の前記表面が平面である
請求項１から請求項３のうちのいずれか１項に記載の不織布製造用支持体。
【請求項５】
前記突起は、前記第１面と前記第２面との間にそれぞれの面に接続する第３面を有し、
前記第１または第２面の法線方向から見た前記第３面の外周縁はサイクロイド曲線の内側に存する
請求項１から請求項４のうちのいずれか１項に記載の不織布製造用支持体。
【請求項６】
複数の突起と複数の孔とを有する支持体上に熱可塑性繊維を含有する繊維ウエブを搬送して熱風を吹き付け、該繊維ウエブを該支持体に沿わせて該繊維ウエブに凹凸形状を賦形する不織布の製造方法であって、
前記支持体には、
板状体と、前記板状体の表面に配した複数の突起と、前記表面から該表面に対向する裏面に貫通する複数の孔を有し、
前記突起と前記孔は、前記表面上の第１の方向とそれに直交する第２の方向とに交互にかつ前記突起同士が間隔を置いて配置され、
前記突起は対向する第１面と第２面とを有し、
前記突起を構成する少なくとも１面が粗面化されているものを用いる不織布の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月16日(2014.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に、ｎ（ｎは２以上の自然数）層のＥＬ層を有し、
前記陽極からｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目のＥＬ層とｍ＋１番目のＥＬ層との間に、第１の層と、第２の層とを有し、
前記第１の層は、前記ｍ＋１番目のＥＬ層と前記第２の層との間に接して設けられ、
前記第２の層は、前記第１の層と前記ｍ番目のＥＬ層との間に接して設けられ、
前記ｍ番目のＥＬ層は、少なくとも、発光層と、前記第２の層と接する電子輸送層とを有し、
前記第１の層は、正孔輸送性を有する第１の物質と、正孔輸送性を有する第１の物質に対するアクセプター性物質とを有し、
前記第２の層は、電子輸送性を有する第２の物質を有し、
前記電子輸送層は、電子輸送性を有する第３の物質と、アルカリ土類金属とを有し、
前記アルカリ土類金属は、前記電子輸送層において、前記第２の層と接する界面から前記陽極側に向かってその濃度が低くなる濃度勾配を有する発光素子。
【請求項２】
陽極と陰極との間に、ｎ（ｎは２以上の自然数）層のＥＬ層を有し、
前記陽極からｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目のＥＬ層とｍ＋１番目のＥＬ層との間に、第１の層と、第２の層とを有し、
前記第１の層は、前記ｍ＋１番目のＥＬ層と前記第２の層との間に接して設けられ、
前記第２の層は、前記第１の層と前記ｍ番目のＥＬ層との間に接して設けられ、
前記ｍ番目のＥＬ層は、少なくとも、発光層と、前記第２の層と接する電子輸送層とを有し、
前記第１の層は、正孔輸送性を有する第１の物質と、正孔輸送性を有する第１の物質に対するアクセプター性物質とを有し、
前記第２の層は、電子輸送性を有する第２の物質と、電子輸送性を有する第２の物質に対するドナー性物質とを有し、
前記電子輸送層は電子輸送性を有する第３の物質と、アルカリ土類金属とを有し、
前記アルカリ土類金属は、前記電子輸送層において、前記第２の層と接する界面から前記陽極側に向かってその濃度が低くなる濃度勾配を有する発光素子。
【請求項３】
請求項２において、
前記ドナー性物質が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物または希土類金属の化合物である発光素子。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記第２の層の膜厚は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である発光素子。
【請求項５】
請求項２又は請求項３において、
前記第２の層は前記第２の物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下の比率で前記ドナー性物質が含まれている発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光素子において、
前記第２の物質のＬＵＭＯ準位が、−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下である発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月30日(2014.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタの信頼性を評価する検査方法であって、
前記トランジスタに光を照射しながら、前記トランジスタのゲート電極とソース電極との間の電圧をＶｇとし、前記トランジスタのドレイン電極とソース電極との間の電流をＩｄとした前記トランジスタのＩｄ−Ｖｇ曲線におけるヒステリシス特性を解析することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項２】
トランジスタを作製し、
前記トランジスタに光を照射しながら、前記トランジスタのゲート電極とソース電極との間の電圧（Ｖｇ）を変化させたときの、前記トランジスタのドレイン電極とソース電極との間の電流（Ｉｄ）を測定して得られる前記トランジスタのＩｄ−Ｖｇ曲線を用いて良否判定の検査を行い、
前記トランジスタを用いて半導体装置を作製する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記トランジスタは、酸化物半導体層を有する半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月9日(2014.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の島状の剥離層と、前記複数の島状の剥離層の端面を覆う被剥離層を有する第１の半導体基板を作製し、
前記被剥離層は前記複数の島状の剥離層上にそれぞれ半導体回路を備え、
前記第１の半導体基板の前記基板と前記被剥離層とが接する領域に第１の分断処理を施し、基板上に一つの島状の剥離層と、前記剥離層を覆う被剥離層とを備える第２の半導体基板を作製し、
前記第２の半導体基板の前記被剥離層上に支持材料を設け、
前記第２の半導体基板の前記剥離層と前記被剥離層とが積層された領域において、前記基板に対して第２の分断処理を施して前記第２の半導体基板の端面に前記剥離層を露出し、
前記被剥離層から前記基板を剥離し、
前記被剥離層の前記基板を分離した面に接着材料を介してベース基材を設け、
前記支持材料を剥離する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に複数の島状の剥離層と、前記複数の島状の剥離層の端面を覆う被剥離層を有する第１の半導体基板を作製し、
前記被剥離層は前記複数の島状の剥離層上にそれぞれ半導体回路を備え、
前記第１の半導体基板の前記基板と前記被剥離層とが接する領域に第１の分断処理を施し、基板上に一つの島状の剥離層と、前記剥離層を覆う被剥離層とを備える第２の半導体基板を作製し、
前記第２の半導体基板の前記被剥離層上に支持材料を設け、
前記第２の半導体基板の前記剥離層と前記被剥離層とが積層された領域において、前記基板に対して第２の分断処理を施して前記第２の半導体基板の端面に前記剥離層を露出し、
前記第２の半導体基板の前記被剥離層が形成されていない面に接着材料を介して剥離補助基板を設置し、
前記被剥離層から前記基板を剥離し、
前記被剥離層の前記基板を分離した面に接着材料を介してベース基材を設け、前記支持材料を剥離する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１および２において、
前記支持材料として、ＵＶ照射、熱付加または通電により粘着性が低下する材料を使用することを特徴とする、半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１および２において、
前記支持材料として、前記支持材料と前記被剥離層との粘着力が、前記被剥離層から前記基板を分離するのに必要な力よりも大きく、かつ、前記接着材料と前記被剥離層の接着力よりも小さい材料を使用することを特徴とする、半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１および２において、
前記支持材料として、溶媒に浸すことにより溶解する材料を使用することを特徴とする、半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月19日(2014.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御ゲートと記憶ゲートとを有するトランジスタを含むメモリセルと、
ワード線と、
データ線と、
読み出し信号線と、
ビット線と、を有し、
前記制御ゲートは前記ワード線と電気的に接続され、
前記記憶ゲートは前記データ線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記読み出し信号線と電気的に接続され、
前記ソースまたは前記ドレインの他方は、前記ビット線と電気的に接続され、
前記記憶ゲートと前記データ腺とは、直接接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記記憶ゲートとして、酸化物半導体を用いることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記トランジスタは、チャネル形成領域を有する半導体層を有し、
前記記憶ゲートは、前記制御ゲートと前記半導体層との間に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記記憶ゲートは、前記チャネル形成領域と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３又は４において、
前記記憶ゲートは、絶縁層を介して前記チャネル形成領域と重なり、
前記記憶ゲートは、前記絶縁層と接することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月11日(2014.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域を有する酸化物半導体層を有するトランジスタであって、
前記酸化物半導体層に光を照射し、前記光の照射を遮断した後の、前記酸化物半導体層の光応答特性は、キャリアの緩和時間が少なくともτ１とτ２の二種類のモードを示し、
τ１＜τ２であって、且つ、τ２は３００秒以下であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｇａのいずれか一つを少なくとも含むことを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月23日(2014.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】分離方法および半導体素子の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持基板上に、分離層及び半導体素子層を積層し、
前記保持基板の一部及び分離層の一部を除去して、半導体素子層の一部を露出させ、
前記半導体素子層、分離層、及び保持基板の積層体を、角部が曲面に面取り加工された多孔質体上に吸着保持させ、
前記露出した半導体素子層の一部を押し下げることにより、前記露出した半導体素子層の一部を前記多孔質体の曲面に面取り加工された角部に沿って湾曲させ、
前記半導体素子層の一部を湾曲させることにより、前記半導体素子層及び前記保持基板の間に隙間を形成し、
前記保持基板を持ち上げることにより、前記分離層を介して、前記隙間から前記半導体素子層と保持基板を分離することを特徴とする分離方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記多孔質体は、多孔質構造を有するセラミック、多孔質構造を有する金属、多孔質構造を有する樹脂のいずれか１つを含むことを特徴とする分離方法。
【請求項３】
保持基板上に、分離層及び半導体素子層を積層し、
前記保持基板の一部及び分離層の一部を除去して、半導体素子層の一部を露出させ、
前記半導体素子層、分離層、及び保持基板の積層体を、曲面に面取り加工された角部を有するステージ上に吸着保持させ、
前記露出した半導体素子層の一部を押し下げることにより、前記露出した半導体素子層の一部を前記ステージの曲面に面取り加工された角部に沿って湾曲させ、
前記半導体素子層の一部を湾曲させることにより、前記半導体素子層及び前記保持基板の間に隙間を形成し、
前記保持基板を持ち上げることにより、前記分離層を介して、前記隙間から前記半導体素子層と保持基板を分離することを特徴とする分離方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記半導体素子層に接して、強度保持層が形成されることを特徴とする分離方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記強度保持層は、ＵＶ剥離フィルムあるいは水溶性樹脂であることを特徴とする分離方法。
【請求項６】
保持基板上に、分離層を形成し、
前記分離層上に、薄膜トランジスタを含む半導体素子層を形成し、
前記保持基板の一部及び分離層の一部を除去して、半導体素子層の一部を露出させ、
前記半導体素子層、分離層、及び保持基板の積層体を、角部が曲面に面取り加工された多孔質体上に吸着保持させ、
前記露出した半導体素子層の一部を押し下げることにより、前記半導体素子層の一部を前記多孔質体の曲面に面取り加工された角部に沿って湾曲させ、
前記半導体素子層の一部を湾曲させることにより、前記半導体素子層及び前記保持基板の間に隙間を形成し、
前記保持基板を持ち上げることにより、前記分離層を介して、前記隙間から前記半導体素子層と保持基板を分離することを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記多孔質体は、多孔質構造を有するセラミック、多孔質構造を有する金属、多孔質構造を有する樹脂のいずれか１つを含むことを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項８】
保持基板上に、分離層を形成し、
前記分離層上に、薄膜トランジスタを含む半導体素子層を形成し、
前記保持基板の一部及び分離層の一部を除去して、半導体素子層の一部を露出させ、
前記半導体素子層、分離層、及び保持基板の積層体を、角部が曲面に面取り加工されたステージ上に吸着保持させ、
前記露出した半導体素子層の一部を押し下げることにより、前記半導体素子層の一部を前記ステージの曲面に面取り加工された角部に沿って湾曲させ、
前記半導体素子層の一部を湾曲させることにより、前記半導体素子層及び前記保持基板の間に隙間を形成し、
前記保持基板を持ち上げることにより、前記分離層を介して、前記隙間から前記半導体素子層と保持基板を分離することを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一おいて、
前記半導体素子層に接して、強度保持層が形成されることを特徴とする半導体素子の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記強度保持層は、ＵＶ剥離フィルムあるいは水溶性樹脂であることを特徴とする半導体素子の作製方法。