(57)【要約】【課題】冷却プレートの移動速度を速めたとしても、基板の位置ずれや基板裏面の擦れを生じさせず、且つ冷却性能を落とさない熱処理装置を提供すること。【解決手段】熱処理ユニットは、基板であるウエハＷを載置して熱処理を行う熱処理プレート５２と、熱処理プレート５２に対してウエハＷの受け取り及び受け渡しを行う進退移動可能に構成された移動プレート５１と、この移動プレート５１の表面側に設けられ、少なくとも前記進退移動時の移動プレート５１上に載置されたウエハＷを吸着する静電チャックを設けて吸着させる。【選択図】  図６
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
液処理された基板に熱処理を施す熱処理装置であって、
基板をプレートに載置して熱処理を行う熱処理プレートと、
前記熱処理プレートに対して前記基板の受け渡し及び受け取りを行う進退移動可能に構成された移動プレートと、
前記移動プレートの表面側に設けられ、少なくとも前記進退移動時の移動プレートに上に載置された基板を吸着する静電チャックと、
を具備していることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
前記移動プレートは載置された基板を冷却するために移動プレート内部に冷却水を通流させる流路を備えていることを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項３】
前記静電チャックは、前記移動プレート上の基材に樹脂フィルムに電極を備えたプリント電極シートで構成された静電チャックのフィルムを貼り付けてなることを特徴とする請求項１または２に記載の熱処理装置。
【請求項４】
前記プリント電極シートの電極は、ポリイミド被膜フィルムと前記移動プレートの基材との間に挟まれて構成されていることを特徴とする請求項３に記載の熱処理装置。
【請求項５】
前記静電チャックの電極は、前記移動プレートに備えられた冷却水の流路上に沿って前記移動プレートの表面に設けられることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の熱処理装置。
【請求項６】
前記静電チャックは、少なくとも載置される基板の周縁に沿う位置に設けられ、平面視がリング状の外円とその内側に設けられる内円とを少なくとも２つ以上備えた複数の円で構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の熱処理装置。
【請求項７】
前記２つ以上の円で構成される静電チャックは、印加される電圧の極性がそれぞれ異なることを特徴とする請求項６に記載の熱処理装置。
【請求項８】
前記電圧は、前記移動プレートの移動始め前後と移動終わり直前にのみ印加されることを特徴とする請求項７に記載の熱処理装置。
【請求項９】
前記静電チャックの複数の円に印加される電圧の極性は、前記熱処理プレートに対して搬入時に印加した極性と搬出時に印加した極性とを逆転させることを特徴とする請求項７または８に記載の熱処理装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、半導体製造およびＦＰＤ（フラットパネルディスプレー）製造装置などの基板にレジスト塗布処理や現像処理などの液処理を行ない、その処理の前後に基板に対して施される熱処理に使用される熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造におけるフォトレジスト処理工程においては、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」と称する。）などの基板の表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、次いでこのレジスト膜上に所定のパターンを露光した後、当該基板に現像液を塗布して現像処理することが行われる。このような一連の処理を行うにあたっては、従来からレジスト塗布現像処理装置及び露光装置が使用されている。
【０００３】
このレジスト塗布現像処理装置は、塗布現像処理に必要な一連の処理を個別に行う塗布処理ユニットと現像処理ユニットを備えている。塗布処理ユニットは、レジスト液の塗布を行う。現像処理ユニットは、露光後の基板を現像する現像処理を行う。各処理ユニット間のウエハの搬送、並びに各処理ユニットに対するウエハの搬入出には、例えばウエハを保持した状態で搬送可能に構成されている基板搬送装置が用いられている。この中には基板に熱処理を行なう熱処理装置（ユニット）である例えば、疎水化処理ユニット、加熱処理ユニットを備えている。疎水化処理ユニットは、レジストの定着性を向上させるための疎水化処理（アドヒージョン処理）を加熱しながら行う。加熱処理ユニットは、レジスト液塗布後の基板を加熱してレジスト膜を硬化させる。また別の加熱処理ユニットは、露光後の基板を所定の温度で加熱するための現像前加熱処理ユニットを備えている。
【０００４】
これら熱処理装置である加熱処理ユニットには、基板搬送装置から加熱処理ユニットに基板を受け渡すときに該加熱処理ユニット内に設けられる冷却プレートに受け渡した後に該冷却プレートが加熱処理部に基板を保持したまま移動して、加熱処理部のプレートに基板を受け渡す。すなわち該冷却プレートは加熱処理部との間で進退移動可能に構成されていることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３０３１０４号公報（図４、図５、図１１）
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、半導体製造装置の生産性を向上する改良が行われている中でリソグラフィー工程における露光装置のスループットも毎時３００枚にもなりつつあり、レジスト塗布現像装置もこのスループットに対応させる要求がでてきている。その中でこの要求に対してレジスト塗布現像装置では各種処理ユニットのプロセス時間を除く動作時間の短縮を考慮する必要が求められている。
【０００７】
熱処理装置もその対象となる中の一つであり、冷却プレートから加熱部へ基板の搬入出を行うことのできる加熱処理ユニットの搬入出時間を短縮することが考えられる。しかしながら、単に冷却プレートの移動速度を速くすると、基板の有する慣性力によって冷却プレートの移動前後を含み基板の載置位置のずれや冷却プレート表面に設けられる基板載置用のギャップピンと基板裏面との擦れが発生して、装置内のパーティクル汚染の原因にもなってしまう懸念がある。また、移動速度を速めることで加熱処理部から搬出する基板の冷却温度が所定温度に達せずに搬送装置に受け渡されてしまう懸念もある。
【０００８】
本考案は、上記事情の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、冷却プレートの移動速度を速めたとしても、基板の位置ずれや基板裏面の擦れを生じさせず、且つ冷却性能を落とさない熱処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために本考案の熱処理装置は、液処理された基板に熱処理を施す熱処理装置であって、基板を載置して熱処理を行う熱処理プレートと、前記熱処理プレートに対して基板の受け取り及び受け渡しを行う進退移動可能に構成された移動プレートと、前記移動プレートの表面側に設けられ、少なくとも前記進退移動時の移動プレート上に載置された基板を吸着する静電チャックと、を具備して構成されることを特徴とする（請求項１）。また、前記移動プレートは、載置された基板を冷却するために移動プレート内部に冷却水を通流させる流路を備える構成である方が好ましい（請求項２）。
【００１０】
このように構成することによって、移動プレート上に載置された基板を移動プレートに吸着固定できるので、移動速度を速くしても基板の慣性力により基板が載置された位置からずれたりしたり、移動時における基板裏面との擦れを生じることがない。また、吸着することで基板が多少の反りを生じていても移動プレートに吸着して矯正されるので基板の冷却時間も短縮できる。
【００１１】
また、本考案において、前記静電チャックは、前記移動プレートの基材上に樹脂フィルムに電極を備えたプリント電極シートで構成された静電チャックのフィルムを貼り付ける構造とする方がよい（請求項３）。さらにまた、前記プリント電極シートの電極は、ポリイミド被膜フィルムが絶縁性を有するので、望ましくはこのポリイミド被膜フィルムと前記移動プレートの基材との間に挟まれて構成される方がよい（請求項４）。
【００１２】
このように構成することによって、移動プレートの基材表面に直接電極に加工を施さずとも別体として加工した樹脂フィルムシート上に電極を設ける方法でプリント電極シートとして作製しておいて前記基材に貼り付けることで、同様の効果を得ることができる。また、例えば既存の移動プレートにも電極シートを貼り付けることすることで対応することも容易になる。
【００１３】
また、本考案において、前記静電チャックの電極は、前記流路上に沿って前記移動プレートの表面に設けられる構成とする方がよい（請求項５）。
【００１４】
このように構成することによって、移動プレートの内部を流れる流路の直上に沿って静電チャックを設けることで、静電チャックが冷却温度になじみ易くなるため、基板を吸着固定したときに基板の冷却均一性を保てると共に、冷却温度が基板に伝わり易くなり、移動時間内の冷却が達成できる。
【００１５】
また、本考案において、前記静電チャックは少なくとも載置される基板の周縁に沿う位置に設けられ、平面視がリング状の外円とその内側に設けられる内円とを少なくとも２つ以上備えた複数の円で構成されている方がよい（請求項６）。
【００１６】
このように構成することによって、基板に反りがある状態が凹形、凸形であったとしても凹形の場合は中心よりの円で吸着され、凸形の場合は外周の円で吸着されるので確実に吸着固定が達成できる。
【００１７】
また、本考案において、前記２つ以上の円で構成される静電チャックは、印加される電圧の極性がそれぞれ異なる構成とする方がよい（請求項７）。
【００１８】
このように構成することによって、静電チャックにより熱処理装置内雰囲気に存在する異物を引き寄せることを抑制することができるので、基板へのパーティクルの付着も抑制することができる。
【００１９】
また、本考案において、静電チャックに印加する前記電圧は、前記移動プレートの移動始め前後と移動終わり直前にのみ印加される構成とする方がよい（請求項８）。
【００２０】
このように構成することによって、移動プレートの移動開始時に生じる基板の慣性力を抑えるために基板を静電チャックにより吸着固定しておけば、基板裏面の擦れを起こさせない。また、移動終点で移動プレートが停止した時に生じる基板の慣性力を抑えるために基板を固定しておけば、同様に擦れを起こさない。また、その移動途中においては吸着を解除しておけば、パーティクルの付着を抑制することができるので、一連の動作で基板裏面に対するパーティクルを抑制することを達成できる。
【００２１】
また、本考案において、前記静電チャックの複数の円に印加される電圧の極性は、前記熱処理プレートに対して搬入時に印加した極性と搬出時に印加した極性とを逆転させる構成とする方がよい（請求項９）。
【００２２】
このように構成することによって、静電チャックに熱処理装置内のパーティクルの付着を抑制することができて、且つ基板裏面へのパーティクルの付着も抑制できる。
【考案の効果】
【００２３】
以上に説明したように、本考案の熱処理装置は、上記のように構成されており、熱処理プレートとの間で基板を搬入及び搬出するための冷却機能を有する移動プレートである冷却プレートの移動速度を速くするときに静電チャックを用いる場合において以下のような効果が得られる。
【００２４】
冷却プレートに静電チャック機能を付与することで冷却プレートの移動始め前後から移動終わりまでの間で吸着保持することができるので、移動始めと移動終わりとで特に発生し易い基板の位置ずれに対して基板を吸着しておくことで抑制できる。また、基板を吸着することでより基板の冷却を迅速にすることができる。また、この場合には基板の反りがあったとしても吸着することで基板の面内の冷却が均一にすることができる。この静電チャックを冷却プレートの基材とは別にプリント電極シート状にすることにより複雑な工程を経て製作しなくても前記プリント電極シートを貼り付けることにより冷却プレートへの取り付けが容易にできる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本考案に係る熱処理装置を適用したレジスト処理装置の平面図である。
【図２】前記レジスト処理装置の斜視図である。
【図３】基板の受け渡し機能を有するキャリアブロック側に設けられる冷却プレート群の構成を示す斜視図である。
【図４】基板の受け渡し機能を有するインターフェイス側に設けられる冷却プレート群の構成を示す斜視図である。
【図５】本考案に係る熱処理装置の全体を示す斜視図である。
【図６】熱処理装置の動作態様を示す概略断面図である。
【図７】熱処理装置と搬送アームとの関係を示す平面図である。
【図８】熱処理装置に設けられる移動プレートと搬送アームとの関係を示す斜視図である。
【図９】熱処理装置に設けられる移動プレートの冷却水流路を示す斜視図である。
【図１０】移動プレートに静電チャックに備える構成を示す分解斜視図である。
【図１１】移動プレートに静電チャックが設けられた構成例を示す概略斜視図である。
【図１２】移動プレートに静電チャックが設けられた構成例を示す概略斜視図である。
【図１３】プリント電極シートとウエハＷとの関係を示す概略断面図である。
【図１４】静電チャックを別の冷却プレートに用いた例を示す概略斜視図である。
【考案を実施するための形態】
【００２６】
以下にまずは、この考案に係る熱処理装置が組み込まれる塗布現像装置の形態について説明をする。図１，図２の半導体基板であるウエハＷの塗布現像装置に適用した場合について説明する。塗布現像装置は、キャリアブロックＳ１が設けられており、その載置台２１上に載置された密閉型の基板収納容器であるキャリア２０から開閉部２２を介して受け渡しアームＣがウエハＷを取り出して、キャリアブロックＳ１の奥側に筐体２４で囲まれた処理ブロックＳ２に受け渡し、処理ブロックＳ２から受け渡しアームＣが処理済みのウエハＷを受け取ってキャリア２０に戻すように構成されている。
【００２７】
前記処理ブロックＳ２は、図２に示すように、この例では現像処理を行うため現像処理装置の第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１，Ｂ２、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うため下層反射防止膜塗布装置が設けられる第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３、レジスト膜の塗布を行うためレジスト塗布処理装置が設けられる第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成を行うため上層反射防止膜塗布装置の第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ５を、下から順に積層して構成されている。
【００２８】
レジスト塗布現像装置は、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１，Ｂ２、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３、レジスト膜の塗布を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成を行うための第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ５、薬液を塗布する液処理装置（図示せず）と、この液処理装置にて行われる処理の前処理及び後処理を行うためのこの考案に係る加熱及び冷却系の処理ユニットである熱処理装置５０と、前記液処理装置と処理ユニット群との間に設けられ、例えば、ＣＯＴ層Ｂ４ではこれらの間でウエハＷの受け渡しを行う搬送アームＡ４を備えている。また、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２、ＢＣＴ層Ｂ３とＴＣＴ層Ｂ５においても、同様に搬送アームＡ１（ＤＥＶ層），Ａ３（ＢＣＴ層），Ａ５（ＴＣＴ層）を有している。
【００２９】
例えば、第４のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４を例にとると、各層については、図１に示すように、ＣＯＴユニット３１内にレジストを塗布処理するカップが例えば３個設けられている。そして、搬送アームＡ４の直線搬送を挟む形で加熱及び冷却系の処理ユニット群Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４がそれぞれ前記直線搬送路に面して並べられている。この処理ユニット群Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４はそれぞれ２段に構成されており、図１の図面では合計８個の処理ユニットが存在することになる。
【００３０】
更に処理ブロックＳ２には、図１及び図３に示すように棚ユニットＵ５が設けられ、キャリアブロックＳ１からのウエハＷは、受け渡しアームＣによって棚ユニットＵ５の受け渡しユニットとなる３本のピンが立設してなるトラジションステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２に受け渡されて、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２の対応する冷却処理ユニットＣＰＬ２（クーリングプレート）に、棚ユニットＵ５の横近傍に設けられた昇降自在な受け渡しアームＤによって順次搬送される。また、処理ブロックＳ２のキャリアブロックＳ１と反対側のインターフェイスブロックＳ３に隣接する位置には棚ユニットＵ６が設けられている。棚ユニットＵ６は棚ユニットＵ５と同様に構成されており、受け渡しアームＥでウエハＷを各層に昇降可能に構成されている。
【００３１】
なお、棚ユニットＵ５は、図３に示すように、それぞれ２段に配置される、第１のクーリングプレートＣＰＬ１ａ，ＣＰＬ１ｂ、トラジションステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２、第２のクーリングプレートＣＰＬ２ａ，ＣＰＬ２ｂ、第３のクーリングプレートＣＰＬ３ａ，ＣＰＬ３ｂ、第４のクーリングプレートＣＰＬ４ａ，ＣＰＬ４ｂが下から順に積層して構成されている。また、棚ユニットＵ６は、図４に示すように、棚ユニットＵ５と同様に構成されている。すなわち、棚ユニットＵ６は、棚ユニットＵ５の第１〜第４のクーリングプレートＣＰＬ１ａ，ＣＰＬ１ｂ〜ＣＰＬ４ａ，ＣＰＬ４ｂに対応する２段のクーリングプレートＣＰＬ５ａ，ＣＰＬ５ｂ〜ＣＰＬ８ａ，ＣＰＬ８ｂとトラジションステージＴＲＳ３，ＴＲＳ４を積層して構成されている。
【００３２】
前記第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２内の搬送アームＡ３は、棚ユニットＵ５の冷却処理ユニットＣＰＬ２ａ、２ｂからウエハＷを受け取って、各ユニット（反射防止膜ユニット及び加熱・冷却系の処理ユニット群）に搬送し、これらユニットにてウエハＷには反射防止膜が形成される。同様にして、ＢＣＴ層Ｂ２で処理の完了したウエハＷは棚ユニットＵ６の冷却処理ユニットＣＰＬ６ａ，ＣＰＬ６ｂに搬送されて受け渡しアームＥによりＣＯＴ層Ｂ４に対応する冷却処理ユニットＣＰＬ７ａ，ＣＰＬ７ｂに搬送されてＣＯＴ層Ｂ４の搬送アームＡ４によって各処理ユニットに運ばれてレジスト塗布処理が行われる。
【００３３】
この後は冷却処理ユニットＣＰＬ３ａ，ＣＰＬ３ｂに運ばれ、前述と同様に受け渡しアームＤが受け取り冷却処理ユニットＣＰＬ４ａ，ＣＰＬ４ｂに受け渡されてＴＣＴ層Ｂ５の搬送アームＡ５によって目的の反射防止膜処理がなされる。この後に棚ユニットＵ６の冷却ユニットＣＰＬ８ａ，ＣＰＬ８ｂに受け渡されて、受け渡しアームＥによりＴＲＳ３，ＴＲＳ４にウエハＷが受け渡される。このウエハＷをインターフェイスブロックＳ３にある受け渡しアームＦにより露光機Ｓ４に受け渡しをすることになる。露光機Ｓ４から搬出されたウエハＷは受け渡しアームＦが受け取り、ウエハＷを支持するための３ピンが出没可能に構成されてなるＣＰＬ５ａ，ＣＰＬ５ｂに受け渡された後、現像処理がＤＥＶ層Ａ１，Ａ２にて行われる。その後、冷却処理ユニットＣＰＬ１ａ，ＣＰＬ１ｂに受け渡されて通過させてキャリアブロックＳ１の受け渡しアームＣが受け取ってキャリア２０に収納される。
【００３４】
次に本考案が適用された例えば、前記熱処理装置について説明を図１、図５乃至図９を用いて説明する。図１に示す加熱及び冷却の処理ユニット群Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４にはそれぞれ図５、図７に図示される熱処理装置５０が収納設置されている。この熱処理装置５０には、ウエハＷを載置して冷却するための移動プレート５１と、ウエハＷを載置して熱処理を施すための熱処理プレート５２と、熱処理プレート５２の表面に出没可能に構成されてウエハＷを支持して保持する３本のピン５３（以下３ピンと呼ぶ。図５では想像線で示す。）により移動プレート５１と熱処理プレート５２との間でウエハＷを受け渡しすることができる。移動プレート５１には、熱処理プレート５２に進入したときに３ピン５３を避ける位置に対応して一端が開口しているスリット５１ｂが設けられている。熱処理プレート５２のウエハＷ載置面には、ウエハＷの裏面と間に例えば１００ｕｍの隙間を設けるプロキシミティスペーサ６２が設けられている。更に図９に示すように、移動プレート５１には、この移動プレート５１を冷却するための冷却水流路６３が設けられている。
【００３５】
また、熱処理プレート５２の上方には略密閉にするためのチャンバーである蓋体５４が備えられている（図５では想像線で示す。）。この蓋体５４には、閉じた状態でチャンバー内部を排気するための排気管５６が接続されており、この排気管５６と蓋体５４はシリンダ５７によって昇降可能に構成されている。また、３ピン５３はシリンダ５８によって昇降可能に構成されている。
【００３６】
次に、図６（ａ），（ｂ），（ｃ）を参照して、ウエハＷを熱処理プレート５２に受け渡す手順について説明する。まず、図６（ａ）に示すように、移動プレート５１が移動端部（ホームポジション）に位置しているときに、搬送アームＡ４によりウエハＷを受け取る。この際に移動プレート５１と搬送アームＡ４との関係を図８に示す通りに、搬送アームＡ４に設けられる４箇所のウエハＷ支持片Ａ４ａが移動プレート５１の４箇所の側面凹部５１ａと対応して上下に通過可能になっている。受け渡し時にはウエハＷを載置した搬送アームＡ４が移動プレート５１に向かい上方より下方に移動スルーさせることでウエハＷを載置できる。なお、移動プレート５１からウエハＷの受け取り時はこの逆手順となる。
【００３７】
移動プレート５１は、この移動プレート５１を進退させるために、熱処理プレート５２側との間で移動するための直動ガイド６１と、直動ガイド６１と移動プレート５１とを連接するブラケット６９と、このブラケット６９に接続されて進退移動をするための図示しないアクチュエータとで構成されている。
【００３８】
図５の説明に戻り、ウエハＷが載置された移動プレート５１を３ピン５３が没した状態で熱処理プレート５２上に進入させた後に、図６（ｂ）に示すように３ピン５３を突出させて移動プレート５１上のウエハＷを離間させて支持し、この状態で移動プレート５１を後退させる。移動プレート５１の後退の後に、図６（ｃ）に示されるように、３ピン５３を没した状態にすることで熱処理プレート５２にウエハＷが載置される。ウエハＷが載置されると蓋体５４が下降して熱処理プロセスが開始される。所定時間が経過した後にウエハＷを搬出する場合には、前述と逆の手順で動作される。
【００３９】
次に本考案が適用された部位の詳細を説明する。移動プレート５１の基材は、例えば窒化アルミニュウムや炭化珪素などのセラミック材で形成されており、ウエハＷを載置する表面側に金属電極を設けて電圧を印加し、金属電極と被吸着体となるウエハＷとの間で正・負の電位を発生させて、この間に作用するクーロン力により移動プレート５１側にウエハＷを吸着して固定する静電チャック６０を構成する。この場合、図１０に示すように、移動プレート５１の表面にフィルム状に構成された電極６４が貼り付けられ、貼り付けられた電極６４は例えば、図１１乃至図１３に示すようになる。
【００４０】
この場合、電極６４は、例えば金属薄膜からなりポリイミドの樹脂フィルム７０（図１０の破線囲い部分）の上にスクリーン印刷法により金属膜を作製しているものである。この樹脂フィルム７０上に設けられる電極６４がプリント電極シート６５（図１３参照）であり、これにより静電チャック６０が構成される。金属薄膜は、例えば銅、銀などの様な導体材料であれば良く、樹脂フィルムは絶縁性フィルムであれば良い。また、このプリント電極シート６５には金属薄膜の保護のために更に例えばポリイミド樹脂フィルム製の保護フィルム７０ａを被せて電極６４を移動プレート５１の基材との間に挟み込んで封止する（図１３参照）。
【００４１】
このようにプリント電極シート６５（静電チャック６０）が構成されることで、プリント電極シート６５のみを加工して製作するだけで良く、一般に用いられるプレート基材の内部に電極を埋め込んで静電チャックとする構造よりも簡単に構成できる。このようにすることで、金属の電極６４は保護フィルム７０ａに挟まれるので、ウエハＷに対してメタル汚染を生じることが防げる。また、電極６４がシート状に構成されているために、このプリント電極シート６５を貼り付けて配線を行うことで、吸着機能を作用させることができる。なお、不要になれば取り外すことで元の状態に簡単に回復させることもできる。またさらに、静電チャック６０が故障しても交換が簡単に張り替えることで故障を復帰できるので、装置を止める時間を短縮できる。
【００４２】
このプリント電極シート６５（静電チャック６０）には、図示しない電圧を印加する端子部を備えており、移動プレート５１の移動と合わせられる様に配線された配線ケーブル（図示せず）が前記端子部と電圧印加回路部７１との間を接続している。電圧印加回路部７１は公知の双極方式を用いているが、例えば、一方にマイナスを印加する電源部６６とプラスを印加するための電源部６７とを備えている。また、この電源部６６と電源部６７とは逆電圧の関係にあり、電圧を電極６４に印加する印加極性を切替えることができるように制御部７２により制御して切替えることができる、切り替えスイッチである切替え部６８を有している。制御部７２は、印加時間の他に切替えの時間的な周期や切替えるタイミングを制御する。なお、図１３には静電チャックとして作用する際に電極６４が印加されたときのウエハＷと電極６４の電位状態を示す。
【００４３】
図１１、図１２に示すように、プリント電極シート６５（静電チャック６０）は、移動プレート５１上にウエハＷが載置される位置でウエハＷの周縁下に沿って設けられる外見（平面視）がリング状の外円６４ａとその内側に同心状に設けられる同じく平面視がリング状の内円６４ｂとを有している。図１１に示す双極方式においては移動プレート半分で電位の極性が異なる静電チャックであり、図１２に示す双極方式では外周に位置する外円６４ａと内周に位置する内円６４ｂとで電位の極性が異なるように構成されている。このようにすることにより、ある電位に帯電したパーティクルを移動プレート表面に引き寄せることを抑制することができる。円にすることにより吸着するウエハＷの凹形、凸形の反りにも対応し易くなる。
【００４４】
次に、静電チャックを作用させるタイミングについて図６を参照して説明をする。まず、装置制御部１００から搬送アームＡ４上のウエハＷを熱処理装置Ｕ１に搬入許可が出されて、移動プレート５１にウエハＷが載置される直前もしくは直後から静電チャックに電圧が印加されて吸着される｛図６（ａ）参照｝。吸着を保持した状態で熱処理プレート５２に進入して停止と同時に電圧の印加を止める。吸着を解除された状態で３ピン５３を突出させてウエハＷを支持することになる｛図６（ｂ）参照｝。搬出時は３ピン５３が没してウエハＷが移動プレート５１に載置される直前もしくは直後から静電チャック６０に電圧を印加して吸着をする。ウエハＷを静電チャック６０が吸着した状態で移動プレート５１は熱処理プレート５２上から退出して搬入搬出位置まで移動する。搬入搬出位置まで移動完了後に電圧の印加を解除して吸着を止める。
【００４５】
この場合に移動プレート５１の移動開始する移動始めの前後と移動停止直前とに静電チャック６０を作用させるだけでもウエハＷの慣性による移動プレート上のウエハＷの動きを止めることができるので、ウエハＷの裏面が擦れることがない。この時の移動途中には吸着しないようにすればウエハＷが帯電したパーティクルが引き寄せられることを抑制することができる。また、熱処理装置５０に搬入して熱処理プレート５２に受け渡すまでの電圧の極性と熱処理プロセス後に搬出させるまでの電圧の極性とを切替えて固定することにより、同様にウエハＷが帯電したパーティクルが引き寄せられることを抑制することができる。
【００４６】
この考案における静電チャック６０を別の部位に適用した例を図１４に示す。図１４は、前述に説明をした図３、図４のＵ５、Ｕ６に設けられる冷却プレートであり、一例として図１４ではＣＰＬ３ａを使って説明をする。この冷却プレートＣＰＬ３ａの構造は、前述した熱処理装置５０の移動プレート５１と形状、材質が類似であり、これにプリント電極シート６５を貼り付けても使用することもできる。このようにすることにより冷却プレートと密着力が向上して基板を均一に迅速に冷却することができるようになる。
【００４７】
また、上記実施形態では、この考案に係る熱処理装置５０を半導体のレジスト塗布現像装置システムに適用した場合について説明をしたが、この考案に係る熱処理装置５０は、ＦＰＤ基板の処理システムや洗浄装置にも適用できることは勿論のことである。
【符号の説明】
【００４８】
５０          熱処理装置
５１          移動プレート
５２          熱処理プレート
５３          ３ピン
５４          蓋体
Ａ４          搬送アーム
６０          静電チャック
６２          プロィシミティスペーサー
６３          冷却水流路
６４          電極
６５          プリント電極シート
６６          電源部
６７          電源部
６８          切替え部
７０          ポリイミド電極シート
７０ａ        保護フィルム
７１          電圧印加回路部
７２          制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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