Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月2日(2014.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置であって、
他の装置からファクシミリ送信されたデータを受信する受信手段と、
メモリ受信モードに設定されている場合、前記受信手段により受信した受信データを出力せずにメモリに記憶する記憶制御手段と、
前記メモリ受信モードの解除指示に応じて、前記メモリ受信モードに設定されている間に前記メモリに記憶された前記受信データの出力先をユーザに選択させるための選択画面を表示する表示制御手段と、
前記選択画面に表示された出力先の中からユーザによって選択された出力先に前記受信データを出力するように制御する制御手段と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記制御手段による、前記選択された出力先への前記受信データの出力が完了するのに応じて、前記メモリ受信モードを解除する解除手段を更に有することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記記憶制御手段は、ファクシミリ受信した複数の受信データを前記メモリに記憶し、
前記制御手段は、前記選択画面に表示された出力先の中からユーザによって選択された出力先に前記複数の受信データを一括して出力するように制御することを特徴とする請求項１又は２記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記記憶制御手段は、ファクシミリ受信した複数の受信データを前記メモリに記憶し、
前記表示制御手段は、前記解除指示に応じて、前記メモリに記憶された前記複数の受信データのそれぞれの出力先をユーザに選択させるための選択画面を表示し、
前記制御手段は、前記選択画面に表示された出力先の中からユーザによって選択されたそれぞれの出力先に前記複数の受信データのそれぞれを出力するように制御することを特徴とする請求項１又は２記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記画像形成装置が前記受信データを出力可能な出力先を判定する判定手段を更に有し、
前記表示制御手段は、前記判定手段が出力可能であると判定した出力先を、前記選択画面において選択可能に表示することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記表示制御手段は、前記出力先として、前記受信データの情報処理装置への転送及び前記受信データの印刷、を少なくとも選択可能な選択画面を表示することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記出力先は、前記画像形成装置と接続された情報処理装置、用紙、及び前記画像形成装置と接続された外部メモリの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
画像形成装置の制御方法であって、
他の装置からファクシミリ送信されたデータを受信する受信ステップと、
メモリ受信モードに設定されている場合、前記受信ステップにおいて受信した受信データを出力せずにメモリに記憶する記憶制御ステップと、
前記メモリ受信モードの解除指示に応じて、前記メモリ受信モードに設定されている間に前記メモリに記憶された前記受信データの出力先をユーザに選択させるための選択画面を表示する表示制御ステップと、
前記選択画面に表示された出力先の中からユーザによって選択された出力先に前記受信データを出力するように制御する制御ステップと、
を有することを特徴とする画像形成装置の制御方法。
【請求項９】
請求項８記載の制御方法の各ステップをコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するために本発明の一態様に係る画像形成装置は以下のような構成を備える。即ち、
他の装置からファクシミリ送信されたデータを受信する受信手段と、
メモリ受信モードに設定されている場合、前記受信手段により受信した受信データを出力せずにメモリに記憶する記憶制御手段と、
前記メモリ受信モードの解除指示に応じて、前記メモリ受信モードに設定されている間に前記メモリに記憶された前記受信データの出力先をユーザに選択させるための選択画面を表示する表示制御手段と、
前記選択画面に表示された出力先の中からユーザによって選択された出力先に前記受信データを出力するように制御する制御手段と、
を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月4日(2014.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
色差に基づいて入力画像を複数の色領域に分割する分割手段と、 
前記分割された色領域間の境界における色勾配情報を算出する色勾配情報算出手段と、
前記色勾配情報を用いて、前記境界における色勾配の特性を示すグラデーション属性を判定する属性判定手段と、
前記属性判定手段にて判定された境界のグラデーション属性に基づき、当該入力画像に対してベクトル化を行う手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
色差に基づいて入力画像を複数の色領域に分割する分割手段と、
前記分割された色領域間の境界における色勾配情報を、前記入力画像の色情報から算出する色勾配情報算出手段と、
前記色勾配情報を用いて、当該境界における色勾配の特性を示すグラデーション属性を判定する属性判定手段と、
前記境界のグラデーション属性を用いて、前記複数の色領域の中から同じグラデーションに属する色領域を判定してグラデーションクラスタを生成し、当該生成されたグラデーションクラスタに属する色領域と当該グラデーションクラスタのグラデーションの種別とに関する情報を含むグラデーションクラスタ情報を生成するグラデーションクラスタ情報生成手段と、
前記色領域と前記色勾配情報と前記グラデーションクラスタ情報とを用いて、前記グラデーション領域ごとにグラデーションのパラメータを生成するグラデーションパラメータ生成手段と、
前記グラデーションクラスタ情報を用いて、前記同じグラデーションに属する色領域を統合する色領域統合手段と、
前記色領域統合手段にて統合した後の色領域に基づいて、輪郭のベクトル記述を生成し、当該輪郭のベクトル記述と前記グラデーションのパラメータとに基づいてグラデーション領域のベクトルデータを生成する輪郭ベクトル記述生成手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】
前記境界のグラデーション属性は、
該境界における色勾配が一の方向もしくは相対しない二の方向に一定である線形グラデーション属性、もしくは、
該境界における色勾配が全ての方向に一定である放射グラデーション属性
のいずれかを含むことを特徴する請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記属性判定手段は、更に、該境界における色勾配の強度が予め定められた所定の閾値よりも大きい場合に、当該境界がエッジであると判定することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記グラデーションのパラメータは、少なくともグラデーションを表現するための点の位置情報と色情報とを含むことを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記グラデーションパラメータ生成手段は、前記入力画像から前記同じグラデーションに属する各色領域の平均色を算出し、前記色情報を生成する際に当該色領域の平均色を用いることを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記グラデーションパラメータ生成手段が生成したパラメータに対し、前記グラデーション領域の端部または中心部における、色情報の補完を行うグラデーションパラメータ補完手段を更に備えることを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
分割手段が、色差に基づいて入力画像を複数の色領域に分割する分割工程と、
色勾配情報算出手段が、前記分割された色領域間の境界における色勾配情報を、前記入力画像の色情報から算出する色勾配情報算出工程と、
属性判定手段が、前記色勾配情報を用いて、当該境界における色勾配の特性を示すグラデーション属性を判定する属性判定工程と、
グラデーションクラスタ情報生成手段が、前記境界のグラデーション属性を用いて、前記複数の色領域の中から同じグラデーションに属する色領域を判定してグラデーションクラスタを生成し、当該生成されたグラデーションクラスタに属する色領域と当該グラデーションクラスタのグラデーションの種別とに関する情報を含むグラデーションクラスタ情報を生成するグラデーションクラスタ情報生成工程と、
グラデーションパラメータ生成手段が、前記色領域と前記色勾配情報と前記グラデーションクラスタ情報とを用いて、前記グラデーション領域ごとにグラデーションのパラメータを生成するグラデーションパラメータ生成工程と、
色領域統合手段が、前記グラデーションクラスタ情報を用いて、前記同じグラデーションに属する色領域を統合する色領域統合工程と、
輪郭ベクトル記述生成手段が、前記色領域統合工程にて統合した後の色領域に基づいて、輪郭のベクトル記述を生成し、当該輪郭のベクトル記述と前記グラデーションのパラメータとに基づいてグラデーション領域のベクトルデータを生成する輪郭ベクトル記述生成工程と
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】
コンピュータを、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月20日(2014.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層の一方の面に接する第１のゲート電極と、
前記ゲート絶縁層の他方の面に接し、前記第１のゲート電極と重畳する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接するソース電極、ドレイン電極、及び酸化物絶縁層と、を有し、
前記酸化物半導体層の窒素濃度は、２×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、タングステン、白金及びモリブデンのいずれか一又は複数を含む半導体装置。
【請求項２】
ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層の一方の面に接する第１のゲート電極と、
前記ゲート絶縁層の他方の面に接し、前記第１のゲート電極と重畳する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接するバッファ層及び酸化物絶縁層と、
前記バッファ層を介して、前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体層の窒素濃度は、２×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
前記バッファ層の窒素濃度は、２×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、タングステン、白金及びモリブデンのいずれか一又は複数を含む半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ゲート絶縁層は、酸化ガリウム、酸化アルミニウム、酸化ガリウムアルミニウム、及び酸化アルミニウムガリウムのいずれか一又は複数が含まれる半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸化物絶縁層は、酸化ガリウム、酸化アルミニウム、酸化ガリウムアルミニウム、及び酸化アルミニウムガリウムのいずれか一又は複数が含まれる半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層の膜厚が、３ｎｍ以上３０ｎｍ以下である半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記酸化物絶縁層を介して、前記酸化物半導体層及び前記第１のゲート電極と重畳する第２のゲート電極を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月4日(2014.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窪みを有するガラス基板と、
前記窪みの底面に形成された複数の配線電極と、
前記底面に実装され、前記配線電極と導通する受光素子と、
前記ガラス基板の底面から裏面へ露出する複数の貫通電極と、
前記裏面に形成され、前記貫通電極と導通する複数の外部電極と、
前記窪みを覆うように前記ガラス基板と貼り合わされる平板ガラス基板と、
からなる受光デバイスにおいて、
前記窪みを有するガラス基板は、遮光機能を有し、
前記平板ガラス基板は、光フィルタ機能を有することを特徴とする受光デバイス。
【請求項２】
前記窪みを有するガラス基板は、黒色または濃色を呈するガラスであることを特徴とする請求項１記載の受光デバイス。
【請求項３】
前記窪みを有するガラス基板は、波長３００〜１０００ｎｍの透過率が５％以下であることを特徴とする請求項２記載の受光デバイス。
【請求項４】
前記平板ガラス基板は、金属酸化膜の多層膜を有するガラスであることを特徴とする請求項１から３のうちいずれか１項に記載の受光デバイス。
【請求項５】
前記平板ガラス基板は、ガラス自体が光フィルタ機能を有することを特徴とする請求項１から４のうちいずれか１項に記載の受光デバイス。
【請求項６】
前記窪みを有するガラス基板と前記平板ガラス基板とは、陽極接合で接合されていることを特徴とする請求項１から５のうちいずれか１項に記載の受光デバイス。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年2月13日(2014.2.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理の終点を識別する方法であって、
モニターされている処理の値に対応する一組の点であって、前記終点の前後の点を含む一組の点についての近似方程式を、前記一組の点に対応する実際の信号に基づいて、規定することと、
前記近似方程式によって、該モニターされている処理の現在点における期待値を予測することと、
前記処理の値に関して、境界を提供するノイズ区域を規定することと、
該モニターされている処理の該現在点における測定値と該対応する期待値との差を計算することと、
該測定値と該対応する期待値との差をモニターすることにより、前記境界の外側にある偏差量を検出することと、
該偏差量の該検出に基づいて該モニターされている処理の終点を識別することと
を包含する、方法。
【請求項２】
前記近似方程式は多項方程式である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記モニターされている処理は、化学機械的平坦化処理と、エッチング、堆積または表面改質処理と、からなるグループから選択された半導体処理である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記測定値は、モニターされている処理と関連する性質を検出するように構成されたセンサから生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記偏差量の前記検出に基づいて前記モニターされている処理の終点を識別する前記方法作業は、１つ以上の連続点を識別することを包含し、少なくとも２つの連続点のそれぞれと関連する該偏差量がノイズ区域の外側にある、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記近似方程式は、前記モニターされている処理と関連するセンサから生成される過去データの区間から前記期待値を導く、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記終点を識別することに応答して、前記モニターされている処理の終了をトリガすることをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
リアルタイムに処理の終点を検出することが可能である半導体処理システムであって、
処理されている半導体ウェーハと関連する定義済みパラメータが得られるまで該半導体ウェーハを処理するように構成された処理モジュールであって、処理作業と関連する処理パラメータをモニターするように構成されたセンサを含む処理モジュールと、
該センサと通信する検出器であって、該検出器は測定値を予測値と比較するように構成されており、該予測値は以前に前記処理の終点の前後の期間について実際に測定された値から導かれており、該検出器はさらに該測定値と該対応する予測値との差をトラックすることにより、ノイズ区域によって規定される境界の外側にある偏差量の検知に基づいて、処理に関連づけられた終点を特定する、検出器と
を備える、システム。
【請求項９】
前記検出器は、少なくとも２つの連続的な時間点に対する前記測定値と前記予測値との差が前記境界に対応する閾値偏差量を超えるとき、前記モニターされている処理を終了するように構成される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記処理モジュールは、化学機械的平坦化モジュールとエッチングモジュールとからなるグループから選択される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
前記センサは、前記処理パラメータの変化を感知し、該処理パラメータは構成変化および状態変化のうち１つに応じて変動し、該構成変化および該状態変化は前記半導体ウェーハと前記処理モジュールの構成要素とのうち１つと関連する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１２】
前記センサは、渦電流センサ、赤外線センサ、振動センサおよび反射スペクトルを検出するように構成されたセンサからなるグループから選択される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１３】
前記検出器は、バックグラウンドノイズによる前記境界の決定への妨害を実質的に除去するように構成されたオフセットと連携するように構成される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１４】
処理の終点を識別するプログラム命令を有するコンピュータ読取可能媒体であって、
モニターされている処理の値に対応する一組の点であって、終点の前後の点を含む一組の点についての近似方程式を、前記一組の点に対応する実際の信号に基づいて、規定するプログラム命令と、
前記近似方程式によって、該モニターされている処理の現在点における期待値を予測するプログラム命令と、
前記処理の値に関して、境界を提供するノイズ区域を規定するプログラム命令と、
該モニターされている処理の該現在点における測定値と該対応する期待値との差を計算するプログラム命令と、
該測定値と該対応する期待値との差をモニターすることにより前記境界の外側にある偏差量を検出するプログラム命令と、
該偏差量の該検出に基づいて該モニターされている処理の終点を識別するプログラム命令と
を備える、コンピュータ読取可能媒体。
【請求項１５】
前記近似方程式は多項方程式である、請求項１４に記載のコンピュータ読取可能媒体。
【請求項１６】
処理の遷移点を検出する方法であって、
遷移点と関連するパラメータをモニターすることと、
近似方程式によって、前記モニターされたパラメータの過去の値から前記パラメータの予測値を計算することであって、前記予測値は、前記モニターされているパラメータの現在値に対応し、前記近似方程式は、前記遷移点の前後の前記パラメータの前記過去の値に基づいて規定されている、予測値を計算することと、
前記パラメータの値に関して、境界を提供するノイズ区域を規定することと、
連続的な時点について、前記現在値と前記予測値との間の差をトラックすることと、
前記差が、前記ノイズ区域の前記境界を超えた時に前記遷移点を識別することと
を包含する、方法。
【請求項１７】
前記境界に対応する閾値はオフセットの外側にあり、前記オフセットは、バックグラウンドノイズによる前記遷移点の識別の妨害を実質的に排除するよう構成される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記差が前記境界に対応する閾値を超えた時に前記遷移点を識別する前記方法作業は、前記差が前記閾値を超えた時に少なくとも２つの点を識別することを包含する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記パラメータは、処理されている物体と関連する構成変化または状態変化を検出するよう構成されたセンサによってモニターされることが可能である、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月18日(2014.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
供給された直流電圧を降圧する第１の降圧手段、及び前記供給された直流電圧を降圧する第２の降圧手段を備え、前記第１の降圧手段がシリーズレギュレータで、前記第２の降圧手段がスイッチングレギュレータでそれぞれ構成され、
前記第１の降圧手段によって降圧された直流電源によって作動する第１回路からの出力があったときに動作する第２回路に対して、前記第２回路の動作時に、前記第２回路へ前記第２の降圧手段によって降圧された直流電源を供給することを特徴とする電源回路。
【請求項２】
請求項１に記載の電源回路において、前記第２の降圧手段によって降圧された後の直流電圧の方が、前記第１の降圧手段によって降圧された後の直流電圧よりも電圧が高いことを特徴とする電源回路。
【請求項３】
交流電路の漏電電流を検出する零相変流器、前記零相変流器が検出した信号に基づいて漏電を判別する漏電検出回路、前記漏電検出回路の出力により付勢される引き外しコイル、及び前記引き外しコイルの付勢時に、前記交流電路に設けられた開閉接点を開放する引き外し装置を備え、
前記漏電検出回路を前記第１回路とし、前記引き外しコイルを前記第２回路として、請求項１または請求項２に記載の電源回路から、前記漏電検出回路、及び前記引き外しコイルへ電源を供給する漏電遮断器。
【請求項４】
交流電路の漏電電流を検出する零相変流器、前記零相変流器が検出した信号に基づいて漏電を判別する漏電検出回路、前記漏電検出回路の出力により付勢される引き外しコイル、及び前記引き外しコイルの付勢時に、前記交流電路に設けられた開閉接点を開放する引き外し装置、前記零相変流器へ模擬漏電電流を流して漏電検出の機能をテストするテスト機能部、及び前記テスト機能部へパルス信号を出力するテスト回路を備え、
前記テスト回路を前記第１回路とし、前記テスト機能部を前記第２回路として、請求項１または請求項２に記載の電源回路から、前記テスト回路、及び前記テスト機能部へ電源を供給する漏電遮断器。
【請求項５】
請求項４に記載の漏電遮断器において、前記テスト機能部は、前記交流電路の交流成分を元に前記交流電路と同一周波数のパルスを生成する回路もしくは前記交流電路の周波数
に近い周波数を出力する発振回路で構成される前記テスト回路が出力するパルス信号を入力とし、前記第１の降圧手段の電源電圧よりも低い電圧に、第２の降圧手段の電源電圧を降圧する第３の降圧手段を備え、前記第３の降圧手段がスイッチングレギュレータであることを特徴とする漏電遮断器。
【請求項６】
請求項５に記載の漏電遮断器において、前記第３の降圧手段であるスイッチングレギュレータが定電流出力形のスイッチングレギュレータであることを特徴とする漏電遮断器。
【請求項７】
請求項６に記載の漏電遮断器において、
前記第３の降圧手段であるスイッチングレギュレータは、少なくともスイッチング素子と、前記スイッチングレギュレータの出力端となるインダクタと、前記インダクタの出力レベルを検出しスイッチング素子側にフィードバック制御するフォトカプラとを有する自励式の降圧チョッパー形スイッチング回路で構成され、
前記降圧チョッパー形スイッチング回路の出力端となる前記インダクタから、分流抵抗が並列接続された前記フォトカプラの入力側発光ダイオードおよび前記零相変流器の３次巻線を介してＧＮＤレベルに接続することで、テスト動作時において零相変流器の３次巻線に流れるテスト電流を所定の振幅レベルとした
ことを特徴とする漏電遮断器。
【請求項８】
請求項４に記載の漏電遮断器において、前記テスト機能部は、前記交流電路の交流成分を元に前記交流電路と同一周波数のパルスを生成する回路もしくは前記交流電路の周波数に近い周波数を出力する発振回路で構成される前記テスト回路が出力するパルス信号を入力とし、前記第１の降圧手段の電源電圧よりも低い電圧に、第２の降圧手段の電源電圧を降圧し零相変流器の３次巻線に制限抵抗を介して電源を供給する第３の降圧手段を備え、前記第３の降圧手段がスイッチングレギュレータであることを特徴とする漏電遮断器。
【請求項９】
交流電路の漏電電流を検出する零相変流器、前記零相変流器が検出した信号に基づいて漏電を判別する漏電検出回路、前記漏電検出回路の出力により付勢される引き外しコイル、及び前記引き外しコイルの付勢時に、前記交流電路に設けられた開閉接点を開放する引き外し装置、前記零相変流器へ模擬漏電電流を流して漏電検出の機能をテストするテスト機能部、及び前記テスト機能部へパルス信号を出力するテスト回路を備え、
前記漏電検出回路を前記第１回路とし、前記引き外しコイルを前記第２回路として、請求項１に記載の電源回路から、前記漏電検出回路、及び前記引き外しコイルへ電源を供給し、前記テスト回路を前記第１回路とし、前記テスト機能部を前記第２回路として、請求項１に記載の電源回路から、前記テスト回路、及び前記テスト機能部へ電源を供給する漏電遮断器であって、
前記交流電路から供給された交流電圧を直流電圧Ｖ１に変換する整流回路、前記直流電圧Ｖ１を直流電圧Ｖ２に降圧する第４の降圧手段である第１のシリーズレギュレータと、前記直流電圧Ｖ２を更に直流電圧Ｖ３に降圧する前記第１の降圧手段、及び前記直流電圧Ｖ２を更に直流電圧Ｖ４に降圧する前記第２の降圧手段を備え、
前記直流電圧Ｖ３と前記直流電圧Ｖ４との大きさの関係がＶ４＞Ｖ３である漏電遮断器。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明に係る電源回路は、供給された直流電圧を降圧する第１の降圧手段、及び前記供給された直流電圧を降圧する第２の降圧手段を備え、前記第１の降圧手段がシリーズレ
ギュレータで、前記第２の降圧手段がスイッチングレギュレータでそれぞれ構成され、前記第１の降圧手段によって降圧された直流電源によって作動する第１回路からの出力があったときに動作する第２回路に対して、前記第２回路の動作時に、前記第２回路へ前記第２の降圧手段によって降圧された直流電源を供給するものである。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明は、供給された直流電圧を降圧する第１の降圧手段、及び前記供給された直流電圧を降圧する第２の降圧手段を備え、前記第１の降圧手段がシリーズレギュレータで、前記第２の降圧手段がスイッチングレギュレータでそれぞれ構成され、前記第１の降圧手段によって降圧された直流電源によって作動する第１回路からの出力があったときに動作する第２回路に対して、前記第２回路の動作時に、前記第２回路へ前記第２の降圧手段によって降圧された直流電源を供給するので、スイッチングレギュレータである第２の降圧手段が、第１回路からの出力があったときに動作する第２回路に対して、第２回路の動作時に、第２回路へ直流電源を供給するものであるため、スイッチングの回数を必要最低限に抑えることが容易となり、スイッチングノイズを抑えることができるという効果を奏する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月12日(2014.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記のキースイッチ構造は図９、１０に示すように２つのリンク部材２２０、２３０をＸ字型に組み合わせたリンク機構によりキートップ２１０が水平状態を維持しながら下降する構成を備えたキースイッチ構造とされている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また図９、１０に示す従来例のように一体型のホルダ２５０ではリンク部材が干渉しないように周囲を避けて配置する必要上、設計の自由度が低くなり部材に薄肉部が生じる原因ともなるが、第１ホルダ１５０と第２ホルダ１５２に分割することで各リンク部材の形状や配置箇所の自由度が高い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
これによりキートップ１１０が押下された際、回転可能に支持された回転軸１２４、１３４はバックプレート１７０に対する水平位置は変わらず、その場所で回転するのみであるのに対して、スライド突起１２２、１３２はキートップ１１０が押下されるに従ってメンブレンシート１６０上およびキートップ１１０裏側を水平方向に移動する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2012238535.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2012238535.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2012238535.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月7日(2014.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像内のエッジ情報に基づいて、前記画像を、各々が複数の画素を含む複数の小領域に分割する小領域分割手段と、
前記複数の小領域の各々が、検出対象である特定領域に帰属する確率である帰属確率を推定する帰属確率推定手段と、
前記複数の小領域の内の互いに隣接する小領域が、前記特定領域及び該特定領域以外の領域である非特定領域の内、同じ領域に属する度合いを定量的に表す連結強度を算出する隣接間連結強度算出手段と、
前記帰属確率及び前記連結強度に基づいて前記画像を前記特定領域と前記非特定領域とに分割することにより、前記特定領域を検出する特定領域検出手段と、
を備え、
前記特定領域検出手段は、
前記帰属確率及び前記連結強度に基づいて連結グラフを構築する連結グラフ構築手段と、
前記連結グラフにおける最小カット位置を算出する最小カット算出手段と、
を有し、
前記最小カット位置において前記連結グラフをカットした結果に基づいて前記特定領域を検出することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記小領域分割手段は、
前記画像内の各画素におけるエッジ強度を算出するエッジ強度算出手段と、
前記画像を、前記エッジ強度の尾根を境界として前記複数の小領域に分割する分割手段と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記隣接間連結強度算出手段は、
前記複数の小領域の各々に対し、自身と隣接する小領域に関する隣接情報を取得する隣接情報取得手段と、
前記隣接情報に基づいて、前記互いに隣接する小領域の間における前記連結強度を算出する連結強度算出手段と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記連結強度算出手段は、
前記互いに隣接する小領域の間における前記帰属確率の差を算出する帰属確率差算出手段を有し、
前記帰属確率の差に基づいて、前記互いに隣接する小領域の間における連結強度を算出することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記連結強度算出手段は、
前記互いに隣接する小領域の間の内部特徴量の差を算出する内部特徴量差算出手段を有し、
前記内部特徴量の差に基づいて、前記互いに隣接する小領域の間における連結強度を算出することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記連結強度算出手段は、
前記互いに隣接する小領域の間における境界強度を算出する境界強度算出手段を有し、
前記境界強度に基づいて、前記互いに隣接する小領域の間における前記連結強度を算出することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記連結強度算出手段は、
前記帰属確率に基づいて前記境界強度を補正する境界強度補正手段を更に有し、
補正後の前記境界強度に基づいて、前記互いに隣接する小領域の間における連結強度を算出することを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記隣接間連結強度算出手段は、
前記互いに隣接する小領域の間における前記帰属確率の差と、前記互いに隣接する小領域の間における各小領域の内部特徴量の差と、前記境界画素におけるエッジ強度との内の少なくとも２つの値に基づいて、前記互いに隣接する小領域の間における連結強度を算出することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記隣接間連結強度算出手段は、
前記帰属確率に基づいて、前記連結強度を補正する連結強度補正手段を更に有し、
補正後の前記連結強度に基づいて、前記互いに隣接する小領域の間における連結強度を算出することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記帰属確率推定手段は、
前記複数の小領域の各々の特徴量を小領域単位で算出する領域特徴量算出手段を有し、
前記特徴量に基づいて前記帰属確率を推定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記帰属確率推定手段は、前記特徴量に基づいて、前記複数の小領域の各々の特定領域への帰属確率を算出するための確率関数を推定する確率関数推定手段を有することを特徴とする請求項１０に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記確率関数推定手段は、
前記画像における前記特徴量の分布をクラスタ分けするクラスタリング手段と、
前記特定領域に対応するクラスタを推定するクラスタ推定手段と、
前記推定結果に基づいて、前記特定領域及び前記非特定領域の確率密度関数をそれぞれ推定する確率密度関数推定手段と、
を有し、
前記確率密度関数に基づいて前記確率関数を推定することを特徴とする請求項１１に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
画像内のエッジ情報に基づいて、前記画像を、各々が複数の画素を含む複数の小領域に分割する小領域分割ステップと、
前記複数の小領域の各々が、検出対象である特定領域に帰属する確率である帰属確率を推定する帰属確率推定ステップと、
前記複数の小領域の内の互いに隣接する小領域が、前記特定領域及び該特定領域以外の領域である非特定領域の内、同じ領域に属する度合いを定量的に表す連結強度を算出する隣接間連結強度算出ステップと、
前記帰属確率及び前記連結強度に基づいて前記画像を前記特定領域と前記非特定領域とに分割することにより、前記特定領域を検出する特定領域検出ステップと、
を含み、
前記特定領域検出ステップは、
前記帰属確率及び前記連結強度に基づいて連結グラフを構築する連結グラフ構築ステップと、
前記連結グラフにおける最小カット位置を算出する最小カット算出ステップと、
を含み、
前記最小カット位置において前記連結グラフをカットした結果に基づいて前記特定領域を検出することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１４】
画像内のエッジ情報に基づいて、前記画像を、各々が複数の画素を含む複数の小領域に分割する小領域分割ステップと、
前記複数の小領域の各々が、検出対象である特定領域に帰属する確率である帰属確率を推定する帰属確率推定ステップと、
前記複数の小領域の内の互いに隣接する小領域が、前記特定領域及び該特定領域以外の領域である非特定領域の内、同じ領域に属する度合いを定量的に表す連結強度を算出する隣接間連結強度算出ステップと、
前記帰属確率及び前記連結強度に基づいて前記画像を前記特定領域と前記非特定領域とに分割することにより、前記特定領域を検出する特定領域検出ステップと、
をコンピュータに実行させ、
前記特定領域検出ステップは、
前記帰属確率及び前記連結強度に基づいて連結グラフを構築する連結グラフ構築ステップと、
前記連結グラフにおける最小カット位置を算出する最小カット算出ステップと、
を含み、
前記最小カット位置において前記連結グラフをカットした結果に基づいて前記特定領域を検出することを特徴とする画像処理プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月20日(2014.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
図５に示すように、マイクロレンズ付きカラーフィルタを備えた構造では、平坦化層の厚みが現実的な値である１．０μｍの場合、画素ピッチＤが１．８μｍでは入射角が２５°以上になると隣接画素からの混色が問題となる。同様に画素ピッチＤが１．４μｍでは１５°、１．２μｍでは１０°より大きくなると混色による性能劣化が起き、画素ピッチに比例して画素ピッチが小さくなるほど有効な入射角が小さくなっている。すなわち、マイクロレンズ付きカラーフィルタを備えた構造では、平坦化層の厚み１．０μｍの場合、図５の直線（１）より下の条件であれば良好な性能を得ることができる。
画素ピッチをＤ（μｍ）、有効入射角をα（°）とした場合、図５の直線（１）は、α＝２５・Ｄ−２０であり、
α≧２５・Ｄ−２０の範囲でＧ光の入射光量の低下およびＲ光、Ｂ光の混色等の性能劣化が生じる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2012238774.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月16日(2014.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
ここで、ＬとＤとの比Ｄ／Ｌ、及び、ＬとＤとの差分（Ｌ−Ｄ）に関する条件（条件式）の数値例を図３に示す。図３では、横軸にＬを採用し、縦軸にＤを採用している。また、実現可能な条件として、ｔは１５０μｍとし、ｇは３００μｍとし、Δφは３．７ｋＶとし、φａｃｃは５ｋＶ、ｗ＝３００ｎｍとし、ｓは０．２ｎｍとした。なお、第１電極板１００及び第２電極板２００の物性値は、シリコン（Ｓｉ）単結晶の物性値とした。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
第１電極板１００及び第２電極板２００は、図４（ａ）に示すように、外径が１００ｍｍ、厚さが０．１５ｍｍのシリコンウエハで構成されている。但し、第１電極板１００及び第２電極板２００は、シリコンウエハに限定されるものではなく、ＳＯＩウエハで構成されてもよい。また、第１電極板１００及び第２電極板２００のそれぞれには、正六角形の外形を有する開口サブセット領域ＳＢＲが１９個配置されている。開口サブセット領域ＳＢＲにおける開口ＯＰは、ウェットエッチング、ドライエッチング、レーザ加工、或いは、それらの組み合わせによって形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
絶縁性スペーサ３００は、図４（ａ）に示すように、外径が１００ｍｍ、厚さが０．３ｍｍのホウケイ酸ガラスで構成されている。但し、絶縁性スペーサ３００は、ホウケイ酸ガラスに限定されるものではなく、無アルカリガラス又は絶縁性セラミックで構成されてもよい。また、絶縁性スペーサ３００には、開口サブセット領域ＳＢＲの数にあわせて、円形の外形を有する貫通孔ＴＨが１９個形成されている。貫通孔ＴＨは、機械加工やレーザ加工などによって形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
第１電極板１００及び第２電極板２００は、図６（ａ）に示すように、外径が１００ｍｍ、厚さが０．１０ｍｍのシリコンウエハで構成されている。また、第１電極板１００及び第２電極板２００のそれぞれには、長方形の外形を有する開口サブセット領域ＳＢＲが４８個配置されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
絶縁性スペーサ３００は、図６（ａ）に示すように、外径が１００ｍｍ、厚さが０．４ｍｍのホウケイ酸ガラスで構成されている。また、絶縁性スペーサ３００には、開口サブセット領域ＳＢＲの数にあわせて、長方形の外形を有する貫通孔ＴＨが４８個形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月15日(2014.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子の光量を制御する光量制御装置であって、
設定された駆動値で前記発光素子を駆動する駆動制御手段と、
前記発光素子の光量を検出する光量検出手段と、
前記発光素子の周囲温度を検出する温度検出手段と、
所定の基準周囲温度において前記発光素子の光量が目標光量値となるように予め設定された第１の駆動値と、前記基準周囲温度とは異なる周囲温度における前記発光素子の光量の変化を補正するための温度補正係数とが記憶された記憶手段と、
所定の条件において前記発光素子の光量が前記目標光量値となるように決定される、前記第１の駆動値に関する駆動補正係数と、当該所定の条件における前記発光素子の周囲温度に対応する前記温度補正係数とから、前記基準周囲温度における前記発光素子の経年変化による光量の変化を補正するための経年補正係数を決定する決定手段と、
を備える光量制御装置。
【請求項２】
前記決定手段は、前記所定の条件において前記光量検出手段により検出される前記発光素子の光量と、前記目標光量値とに応じて、前記駆動補正係数を決定することを特徴とする請求項１に記載の光量制御装置。
【請求項３】
前記温度補正係数は、前記基準周囲温度とは異なる周囲温度において当該発光素子の光量が前記目標光量値となるように前記駆動制御手段に設定される第２の駆動値と、前記第１の駆動値とに応じて決定される係数であることを特徴とする請求項１または２に記載の光量制御装置。
【請求項４】
前記発光素子を駆動する駆動値を前記駆動制御手段に設定する設定手段をさらに備え、
前記設定手段は、前記経年補正係数と、前記温度検出手段により前記光量制御装置の電源投入時に対応するタイミングに検出された周囲温度における前記温度補正係数と、前記第１の駆動値とに基づき決定された初期駆動値を、電源投入時に前記駆動制御手段に設定することを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項に記載の光量制御装置。
【請求項５】
前記駆動値は、前記駆動制御手段により前記発光素子に与えられるパルス電流のデューティ比であることを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項に記載の光量制御装置。
【請求項６】
前記所定の条件は、前記光量制御装置の電源投入後における所定のタイミングであることを特徴とする請求項１から５までのいずれか１項に記載の光量制御装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光量制御装置と、画像を表示する表示パネルと、を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
発光素子の光量を制御する光量制御装置であって、設定された駆動値で前記発光素子を駆動する駆動制御手段と、所定の基準周囲温度において前記発光素子の光量が目標光量値となるように予め設定された第１の駆動値と、前記基準周囲温度とは異なる周囲温度における前記発光素子の光量の変化を補正するための温度補正係数とが記憶された記憶手段と、を備える光量制御装置の制御方法であって、
光量検出手段が、前記発光素子の光量を検出する光量検出工程と、
温度検出手段が、前記発光素子の周囲温度を検出する温度検出工程と、
決定手段が、所定の条件において前記発光素子の光量が前記目標光量値となるように決定される、前記第１の駆動値に関する駆動補正係数と、当該所定の条件における前記発光素子の周囲温度に対応する前記温度補正係数とから、前記基準周囲温度における前記発光素子の経年変化による光量の変化を補正するための経年補正係数を決定する決定工程と、
を備える光量制御装置の制御方法。
【請求項９】
前記決定手段は前記決定工程において、前記所定の条件において前記光量検出工程において検出される前記発光素子の光量と、前記目標光量値とに応じて、前記駆動補正係数を決定することを特徴とする請求項８に記載の光量制御装置の制御方法。
【請求項１０】
前記温度補正係数は、前記基準周囲温度とは異なる周囲温度において当該発光素子の光量が前記目標光量値となるように前記駆動制御手段に設定される第２の駆動値と、前記第１の駆動値とに応じて決定される係数であることを特徴とする請求項８または９に記載の光量制御装置の制御方法。
【請求項１１】
設定手段が、前記発光素子を駆動する駆動値を前記駆動制御手段に設定する設定工程をさらに備え、
前記設定手段は前記設定工程において、前記経年補正係数と、前記温度検出工程において前記光量制御装置の電源投入時に対応するタイミングに検出された周囲温度における前記温度補正係数と、前記第１の駆動値とに基づき決定された初期駆動値を、電源投入時に前記駆動制御手段に設定することを特徴とする請求項８から１０までのいずれか１項に記載の光量制御装置の制御方法。
【請求項１２】
前記駆動値は、前記駆動制御手段により前記発光素子に与えられるパルス電流のデューティ比であることを特徴とする請求項８から１１までのいずれか１項に記載の光量制御装置の制御方法。
【請求項１３】
前記所定の条件は、前記光量制御装置の電源投入後における所定のタイミングであることを特徴とする請求項８から１２までのいずれか１項に記載の光量制御装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、発光素子の周囲温度による影響を考慮して、発光素子の光量の経年変化による影響の補正する係数を取得することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前述の目的を達成するために、本発明の光量制御装置は、以下の構成を備える。
発光素子の光量を制御する光量制御装置であって、設定された駆動値で発光素子を駆動する駆動制御手段と、発光素子の光量を検出する光量検出手段と、発光素子の周囲温度を検出する温度検出手段と、所定の基準周囲温度において発光素子の光量が目標光量値となるように予め設定された第１の駆動値と、基準周囲温度とは異なる周囲温度における発光素子の光量の変化を補正するための温度補正係数とが記憶された記憶手段と、所定の条件において発光素子の光量が目標光量値となるように決定される、第１の駆動値に関する駆動補正係数と、当該所定の条件における発光素子の周囲温度に対応する温度補正係数とから、基準周囲温度における発光素子の経年変化による光量の変化を補正するための経年補正係数を決定する決定手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このような構成により本発明によれば、発光素子の周囲温度による影響を考慮して、発光素子の光量の経年変化による影響の補正する係数を取得することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月4日(2014.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準電圧を出力する基準電圧回路と、
前記基準電圧と出力電圧に基づいた電圧とを比較し、前記出力電圧が一定になるよう出力トランジスタのゲート電圧を制御する差動増幅回路と、
前記出力トランジスタに過電流が流れたことを検出し、前記出力トランジスタの電流を制限する過電流保護回路と、を備えたボルテージレギュレータであって、
前記基準電圧回路は、第一のＮＭＯＳデプレッショントランジスタと、第一のＮＭＯＳトランジスタと、を備え、
前記過電流保護回路は、前記出力トランジスタの出力電流をセンスするセンストランジスタと、前記センストランジスタに流れる電流を流すゲートとドレインを短絡した第二のＮＭＯＳデプレッショントランジスタと、カレントミラー接続する第二のＮＭＯＳトランジスタを備え、
前記基準電圧回路の基準電圧を決定する素子である、前記第一のＮＭＯＳデプレッショントランジスタと、前記第一のＮＭＯＳトランジスタと、前記過電流保護回路の最大出力電流または短絡電流を決定する素子である、前記第二のＮＭＯＳデプレッショントランジスタと、前記第二のＮＭＯＳトランジスタと、が同じ特性を有することを特徴とするボルテージレギュレータ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月9日(2014.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々にアプリケーションプログラムの動作が割り当てられた複数の画像を第１列に表示する表示手段と、
前記第１列のうちいずれかの部分が特定されると、前記特定された部分を見開き部分とし前記複数の画像を再配置する再配置手段と、
前記見開き部分が特定されると、前記見開き部分に位置する画像に対応するアプリケーションプログラムの動作を実行する実行手段と、
前記実行手段により前記動作が実行された場合、前記実行された動作に応じた表示を行うように前記表示手段を制御する表示制御手段と
を有する表示装置。
【請求項２】
前記アプリケーションプログラムの前記動作は、各々にアプリケーションプログラムの動作が割り当てられた複数の画像を前記第１列とは別の第２列に新たに表示させる動作である
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２列のいずれかの部分が特定されると、前記表示制御手段は、前記第２列からみて前記第１列に対して所定の方向にある第３列に、各々にアプリケーションプログラムの動作が割り当てられた複数の画像を表示させる
ことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１列の画像と前記第２列の画像とが同時に表示され、
前記第１列は、前記第２列より下の階層である
ことを特徴とする請求項２または３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記実行された動作に応じて表示される複数の画像の各々は、アプリケーションプログラムまたはコンテンツに対応している
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記表示手段は、複数の画素を有し、
前記複数の画素の階調は、各画素へ電圧を複数回印加する書き込み動作により変更され、
前記表示制御手段は、前記表示手段に新たに表示する画像を表す画像データと、進行中の前記書き込み動作によって前記表示手段に表示される予定の画像を示す予定画像データとを比較し、前記複数の画素において階調を変更する画素を判断し、前記階調を変更する画素と判断された画素が前記書き込み動作中ではない場合には、前記画像データの定める階調となるように当該画素に対して前記書き込み動作を開始し、前記階調を変更する画素と判断された画素が前記書き込み動作中である場合には、進行中の書き込み動作が終了した後、前記画像データの定める階調となるように当該画素に対して前記書き込み動作を開始する
を有する請求項１ないし５のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の表示装置を有する電子機器。
【請求項８】
各々にアプリケーションプログラムの動作が割り当てられた複数の画像を表示手段において第１列に表示するステップと、
前記第１列のうちいずれかの部分が特定されると、前記特定された部分を見開き部分とし前記複数の画像を再配置するステップと、
前記見開き部分が特定されると、前記見開き部分に位置する画像に対応するアプリケーションプログラムの動作を実行するステップと、
前記動作が実行された場合、前記実行された動作に応じた表示を行うように前記表示手段を制御するステップと
を有する表示制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月28日(2014.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製品の生産台数を作業単位に分け、上記製品を構成する部品について、上記作業単位ごとに、工程を含む作業経路を分析する作業単位・作業経路分析部、
この作業単位・作業経路分析部によって分析された作業経路ごと及びこの作業経路内の工程ごとに上記部品の着手日及び完了日を計画する日程計画作成部、
この日程計画作成部により作成された上記部品の着手日及び完了日に対する、上記作業単位ごと及び上記作業経路ごとの進捗状況を認識し、この進捗状況を進捗管理板として表示する進捗管理部、
及び上記進捗管理部により認識された上記作業単位ごと及び上記作業経路ごとの進捗状況から、上記作業単位の他の作業経路と同期するように上記作業経路内の工程での部品の加工優先度を変更し、上記日程計画作成部によって作成された計画を修正する優先度見直し部を備えたことを特徴とする作業進捗管理システム。
【請求項２】
上記進捗管理部は、上記工程が完了したときは、作業実績データを作成するとともに、上記工程でトラブルが発生したときは、トラブル情報を作成し、
上記優先度見直し部は、上記作業実績データ及び上記トラブル情報を参照して、上記部品の加工優先度の見直しを行うことを特徴とする請求項１記載の作業進捗管理システム。