【手続補正書】
【提出日】平成26年8月8日(2014.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
ｍ、ｎ、ｉをそれぞれ自然数とし、Ｍをｍ以上の自然数とし、Ｎをｎ以上の自然数とするとき、第１方向に沿って第１ピッチで配置されたＮ本の荷電粒子線を含む行が、前記第１方向に直交する第２方向に沿って第２ピッチでＭ行存在し、前記Ｍ行のうち第１番目から第ｍ番目の行は、各行の先頭の荷電粒子線の前記第１方向における位置が前記第１ピッチの（１／ｍ）ずつずれ、かつ、第（ｍ＋ｉ）番目の行の先頭の荷電粒子線の前記第１方向における位置が第ｉ番目の行の先頭の荷電粒子線の前記第１方向における位置と同じであるように配列された（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線を生成する荷電粒子光学系と、
前記基板を保持して前記第２方向に沿って移動する基板ステージと、
前記荷電粒子光学系が前記基板に対して射出する荷電粒子線の本数を制限する制限部と、
前記（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線の中に使用条件を満たさない異常線が存在する場合、該異常線を含まず連続するｎ本の荷電粒子線を含む行が、ｍ行だけ前記第２方向に沿って連続して使用できるように、前記制限部を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする描画装置。
【請求項２】
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
ｍ、ｎ、ｉをそれぞれ自然数とし、Ｍをｍ以上の自然数とし、Ｎをｎ以上の自然数とするとき、第１方向に沿って第１ピッチで配置されたＮ本の荷電粒子線を含む行が、前記第１方向に直交する第２方向に沿って第２ピッチでＭ行存在し、前記Ｍ行のうち第１番目から第ｍ番目の行は、各行の先頭の荷電粒子線の前記第１方向における位置が前記第１ピッチの（１／ｍ）ずつずれ、かつ、第（ｍ＋ｉ）番目の行の先頭の荷電粒子線の前記第１方向における位置が第ｉ番目の行の先頭の荷電粒子線の前記第１方向における位置と同じであるように配列された（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線を生成する荷電粒子光学系と、
前記基板を保持して前記第２方向に沿って移動する基板ステージと、
前記荷電粒子光学系が前記基板に対して射出する荷電粒子線の本数を制限する制限部と、
前記（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線の中に使用条件を満たさない異常線が存在する場合、該異常線を含まず連続するｎ本の荷電粒子線を含む行が、ｍの約数分の行だけ前記第２方向に沿って連続して使用できるように、前記制限部を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする描画装置。
【請求項３】
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
ｍ、ｎ、ｉをそれぞれ自然数とし、Ｍをｍ以上の自然数とし、Ｎをｎ以上の自然数とするとき、第１方向に沿って第１ピッチで配置されたＮ本の荷電粒子線を含む行が、前記第１方向に直交する第２方向に沿って第２ピッチでＭ行存在し、前記Ｍ行のうち第１番目から第ｍ番目の行は、各行の先頭の荷電粒子線の前記第１方向における位置が前記第１ピッチの（１／ｍ）ずつずれ、かつ、第（ｍ＋ｉ）番目の行の先頭の荷電粒子線の前記第１方向における位置が第ｉ番目の行の先頭の荷電粒子線の前記第１方向における位置と同じであるように配列された（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線を生成する荷電粒子光学系と、
前記基板を保持して前記第２方向に沿って移動する基板ステージと、
前記荷電粒子光学系が前記基板に対して射出する荷電粒子線の本数を制限する制限部と、
前記（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線の中に使用条件を満たさない異常線が存在する場合、該異常線を含まず連続するｎ本の荷電粒子線を含む行が、ｍの倍数分の行だけ前記第２方向に沿って連続して使用できるように、前記制限部を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする描画装置。
【請求項４】
前記制限部は、前記（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線を個別にブランキングするブランカーアレイを含む、ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項５】
前記制限部は、前記（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線の一部を遮断するシャッターを含む、ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
前記シャッターは、前記シャッターを通過する前記第１方向における荷電粒子線の本数を規定するブレードと、前記シャッターを通過する前記第２方向における荷電粒子線の本数を規定するブレードとを含む、ことを特徴とする請求項５に記載の描画装置。
【請求項７】
前記荷電粒子光学系に入射する荷電粒子線を発生する荷電粒子源を備え、
前記制限部は、前記荷電粒子源の特性を調整する調整部を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項８】
前記特性は、前記荷電粒子源が発生する前記荷電粒子線のクロスオーバーの径、放射角および輝度の少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項７に記載の描画装置。
【請求項９】
前記荷電粒子光学系は、入射した荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割するアパーチャアレイを含み、
前記制限部は、前記アパーチャアレイに対する荷電粒子線の入射範囲を変更する偏向器を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項１０】
前記荷電粒子光学系に入射する荷電粒子線を発生する荷電粒子源を備え、
前記荷電粒子光学系は、入射した荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割するアパーチャアレイを含み、
前記制限部は、前記荷電粒子源を移動させて前記アパーチャアレイに対する荷電粒子線の入射範囲を変更する、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項１１】
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
第１方向に沿って第１ピッチで配置された荷電粒子線を含む行が、前記第１方向に直交する第２方向に沿って第２ピッチで複数行存在し、かつ前記複数行は、各行の先頭の荷電粒子線の前記第１方向における位置が所定ピッチずつずれて配列された複数の荷電粒子線を生成する荷電粒子光学系と、
前記基板を保持して前記第２方向に沿って移動する基板ステージと、
前記荷電粒子光学系が前記基板に対して射出する荷電粒子線の本数を制限する制限部と、
前記複数の荷電粒子線の中に使用条件を満たさない異常線が存在する場合、該異常線を含まず連続する複数の荷電粒子線を含む行が前記複数行だけ、前記複数行の行数の約数（該行数は除く）分の行だけ、または前記複数行の行数の倍数（該行数は除く）分の行だけ前記第２方向に沿って連続して使用できるように、前記制限部を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする描画装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のうちいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の１つの側面は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、ｍ、ｎ、ｉをそれぞれ自然数とし、Ｍをｍ以上の自然数とし、Ｎをｎ以上の自然数とするとき、第１方向に沿って第１ピッチで配置されたＮ本の荷電粒子線を含む行が、前記第１方向に直交する第２方向に沿って第２ピッチでＭ行存在し、前記Ｍ行のうち第１番目から第ｍ番目の行は、各行の先頭の荷電粒子線の前記第１方向における位置が前記第１ピッチの（１／ｍ）ずつずれ、かつ、第（ｍ＋ｉ）番目の行の先頭の荷電粒子線の前記第１方向における位置が第ｉ番目の行の先頭の荷電粒子線の前記第１方向における位置と同じであるように配列された（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線を生成する荷電粒子光学系と、前記基板を保持して前記第２方向に沿って移動する基板ステージと、前記荷電粒子光学系が前記基板に対して射出する荷電粒子線の本数を制限する制限部と、前記（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線の中に使用条件を満たさない異常線が存在する場合、該異常線を含まず連続するｎ本の荷電粒子線を含む行が、ｍ行だけ前記第２方向に沿って連続して使用できるように、前記制限部を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。