(57)【要約】【課題】半田引きランドとしての面積を確保しつつ表面張力を維持し、半田付けランド群から余分な半田を引き取る力を維持すること。【解決手段】前方半田付けランド群２の後方且つ後方半田付けランド群４の前方の角部に設けられ、前方半田付けランド群２の並び方向の後方に伸びた形状を有し、半田をためるための側方半田引きランド３と、２つの後方半田付けランド群４の後方の角部に設けられ、プリント配線基板の移動方向の後方に伸びた形状を有し、半田をためるための後方半田引きランド５と、を備え、側方半田引きランド３及び後方半田引きランド５の少なくとも一つには、半田をはじく円形のレジスト６が設けられる。【選択図】図１
2013225569.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半田漕中でプリント配線基板を移動方向に移動させて半田付けする際の前記移動方向の前方に設けられた複数のランドからなる２つの第一ランド群と、
前記移動方向の後方に設けられた複数のランドからなる２つの第二ランド群と、
を備え、４方向リードフラットパッケージＩＣの４方向の複数のリードを前記２つの第一ランド群及び前記２つの第二ランド群に半田付けすることにより前記４方向リードフラットパッケージＩＣを前記移動方向に対して斜めに実装するプリント配線基板であって、
前記第一ランド群の後方且つ前記第二ランド群の前方の角部に設けられ、前記第一ランド群の並び方向の後方に伸びた形状を有し、半田をためるための第一半田引きランドと、
前記２つの第二ランド群の後方の角部に設けられ、前記移動方向の後方に伸びた形状を有し、半田をためるための第二半田引きランドと、
を備え、
前記第一半田引きランド及び前記第二半田引きランドの少なくとも一つには、半田をはじく領域部が設けられたことを特徴とするプリント配線基板。
【請求項２】
前記領域部は、前記プリント配線基板のレジストであることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線基板。
【請求項３】
前記領域部は、前記レジストによる帯状の切れ込みで形成されることを特徴とする請求項２に記載のプリント配線基板。
【請求項４】
前記領域部は、前記プリント配線基板の銅箔に設けた穴部であることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線基板。
【請求項５】
前記領域部は、前記プリント配線基板の銅箔に設けた帯状の切れ込みであることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線基板。
【請求項６】
転写材に画像形成を行う画像形成装置であって、
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のプリント配線基板を搭載したことを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フロー式半田付け法により４方向リードフラットパッケージＩＣを実装するプリント配線基板とそのプリント配線基板を搭載した画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、４方向リードフラットパッケージＩＣの半田付け方法として、フロー式半田付け法が広く採用されている。フロー式半田付け法とは、半田槽に溶かしておいた半田の表層にプリント基板の下面を浸すことによって、半田付けを行う方法である。しかしながら、４方向リードフラットパッケージＩＣをフロー式で半田付けする方法において、プリント配線基板の半田付けランド及びＩＣリードに対してランド間及びリード間に半田ブリッジが発生し、短絡を引き起こす場合がある。特に挟ピッチの４方向リードフラットパッケージにおいて、半田ブリッジが発生しやすい傾向がある。そこで、このような短絡を防止するために、４方向リードフラットパッケージＩＣを半田フロー方向に対して斜めに実装する。またこのように実装すると共に、半田フローの進行方向に対して前方半田付けランド群の後部に各半田付けランドより大きな側方半田引きランドを形成する。更に、半田フローの進行方向に対して後方半田付けランド群の後部に各半田付けランドより大きな後方半田引きランドを形成したプリント配線基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この方法によれば、まず側方半田引きランドによって前方半田付けランド群の半田を引き取ると共に、大きな形状の側方半田引きランドにより引き取った半田を後方半田付けランド群に流す。更に後方半田引きランドによって後方半田付けランド群の半田を引き取り、半田ショートを発生させずに半田付けできるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第２６３５３２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来技術においては以下のような課題がある。図８は従来技術における半田引きランド上の半田挙動を表す図である。基板１６０１上にランド１６０２が銅箔で形成され、フロー槽での半田フローにより半田１６０３が載せられる。フロー式半田であるから、実際には図８の状態は上下が反転した状況で行われる。半田はレジスト１６０４にははじかれて付着せず、銅箔で形成されたランド１６０２に付着する。大きな面積を持つ単一平面の半田引きランドでは、半田の表面張力で引ききれず遊離した半田（図８の破線部Ａ）が発生するため、半田付けランド群から余分な半田を引き取る力が弱くなり、半田ブリッジが解消されないおそれがある。
【０００６】
本発明はこのような状況のもとでなされたもので、半田引きランドとしての面積を確保しつつ表面張力を維持し、半田付けランド群から余分な半田を引き取る力を維持することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述のような課題を解決するために、本発明は以下の構成を備える。
【０００８】
（１）半田漕中でプリント配線基板を移動方向に移動させて半田付けする際の前記移動方向の前方に設けられた複数のランドからなる２つの第一ランド群と、前記移動方向の後方に設けられた複数のランドからなる２つの第二ランド群と、を備え、４方向リードフラットパッケージＩＣの４方向の複数のリードを前記２つの第一ランド群及び前記２つの第二ランド群に半田付けすることにより前記４方向リードフラットパッケージＩＣを前記移動方向に対して斜めに実装するプリント配線基板であって、前記第一ランド群の後方且つ前記第二ランド群の前方の角部に設けられ、前記第一ランド群の並び方向の後方に伸びた形状を有し、半田をためるための第一半田引きランドと、前記２つの第二ランド群の後方の角部に設けられ、前記移動方向の後方に伸びた形状を有し、半田をためるための第二半田引きランドと、を備え、前記第一半田引きランド及び前記第二半田引きランドの少なくとも一つには、半田をはじく領域部が設けられたことを特徴とするプリント配線基板。
【０００９】
（２）転写材に画像形成を行う画像形成装置であって、前記（１）に記載のプリント配線基板を搭載したことを特徴とする画像形成装置。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、半田引きランドとしての面積を確保しつつ表面張力を維持し、半田付けランド群から余分な半田を引き取る力を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施の形態のプリント配線基板のランド形状を示す図
【図２】第１の実施の形態の側方半田引きランドの断面構成を示す図、ランド上の余剰半田の流れを示す図
【図３】第２の実施の形態のプリント配線基板のランド形状を示す図、側方半田引きランドの断面構成を示す図、ランド上の余剰半田の流れを示す図
【図４】第２の実施の形態の側方半田引きランドの他の形状を示す図
【図５】第３の実施の形態のプリント配線基板のランド形状を示す図、側方半田引きランドの断面構成を示す図
【図６】第４の実施の形態のプリント配線基板のランド形状を示す図、側方半田引きランドの断面構成を示す図
【図７】第５の実施の形態の画像形成装置の構成を示す図
【図８】従来例の半田引きランド上の半田挙動を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
【００１３】
〔第１の実施の形態〕
＜プリント配線基板のランド形状＞
図１は第１の実施の形態におけるプリント配線基板に４方向リードフラットパッケージＩＣを半田付けにより実装するためのランド形状を示す構成図である。基板２１（図２参照）上にランド（２〜５）が銅箔で形成され、フロー槽での半田フローにより半田２２（図２参照）が載せられる。フロー式半田であるから、実際には図１の状態は上下が反転した状況で行われる。図中の矢印は半田フロー時の半田漕中のプリント配線基板の移動方向であり、プリント配線基板は半田槽を図の右から左に移動する。以降、プリント配線基板の移動方向をフロー方向といい、図１の右側がフロー方向の上流側、図１の左側がフロー方向の下流側となる。
【００１４】
四角形（正方形）の４方向リードフラットパッケージＩＣ（以下、ＩＣパッケージ）１はフロー方向に対してその一辺が４５°傾くようにプリント基板に斜めに配置されている。尚、図１にはＩＣパッケージ１本体は不図示であり、ＩＣパッケージ１が実装される場所を破線で示している。ＩＣパッケージ１のフロー方向下流側に相当するフロー方向前方には２つの前方半田付けランド群２（第一ランド群）、フロー方向上流側に相当するフロー方向後方には２つの後方半田付けランド群４（第二ランド群）がある。２つの前方半田付けランド群２及び２つの後方半田付けランド群４には、ＩＣパッケージ１のリード（ピン）が半田付けされる。２つの前方半田付けランド群２の後方延長方向には、それぞれ側方半田引きランド３（第一半田引きランド）が設けられている。また、２つの後方半田付けランド群４の後方角部には後方半田引きランド５（第二半田引きランド）が設けられている。側方半田引きランド３及び後方半田引きランド５には、それぞれほぼ中央部に円形のレジスト６（領域部）が設けられている。
【００１５】
＜側方半田引きランド及び後方半田引きランド＞
図２（ａ）は側方半田引きランド３の断面構成を示す図である。側方半田引きランド３は、前方半田付けランド群２の後方と後方半田付けランド群４の前方とで形成される角部に、前方半田付けランド群２上を流れる半田の流れ方向（図２（ｂ）参照）の上流から下流に向かって延びる方向に形成されている。即ち、側方半田引きランド３は、前方半田付けランド群２の後方延長方向に伸びた形状をしている。側方半田引きランド３は、２つの前方半田付けランド群２及び２つの後方半田付けランド群４で形成されるひし形の領域からはみ出しており、従来例に比べて大きな面積を有している。側方半田引きランド３の半田の流れ方向上流側の形状は、前方半田付けランド群２の後方からの半田を引き取り易いような形状となっている。また、側方半田引きランド３の半田の流れ方向下流側の形状は、引き取った半田が後方半田付けランド群４に移動しないよう凸形状となっている。
【００１６】
銅箔で形成された側方半田引きランド３上のほぼ中央部には、レジスト６が形成されている。側方半田引きランド３の図２（ａ）の一点鎖線部における断面において、本実施の形態では、例えば、側方半田引きランド３の幅４ｍｍに対してレジスト６の径は１ｍｍである。フロー半田で付着した半田はレジスト６ではじかれるため、この断面部における半田の幅が規制され、断面が水滴状に中央部が盛り上がった形状になる。
【００１７】
後方半田引きランド５は、２つの後方半田付けランド群４の後方に形成される角部に、後方半田付けランド群４上を流れる半田の流れ方向の上流から下流に向かって延びる方向に形成されている。即ち、後方半田引きランド３は、フロー方向の後方延長方向に伸びた形状をしている。後方半田引きランド５は、２つの前方半田付けランド群２及び２つの後方半田付けランド群４で形成されるひし形の領域からはみ出しており、従来例に比べて大きな面積を有している。後方半田引きランド５の半田の流れ方向上流側の形状は、２つの後方半田付けランド群４からの半田を引き取り易いような形状となっている。また、後方半田引きランド５の半田の流れ方向下流側の形状は、引き取った半田が、プリント配線基板上に実装される他の素子のランドやリード等に移動しないよう凸形状となっている。更に後方半田引きランド５は、半田の流れ方向の上流側、下流側に、レジスト６６による切れ込みがある。後方半田引きランド５のレジスト６については、側方半田引きランド３と同様の構成である。
【００１８】
尚、プリント配線基板の銅箔以外の領域には、図２（ａ）の断面図に示すようにレジストの領域があり、これを本実施の形態のレジスト６と区別するためにレジスト６６とし、以下の実施の形態でも同様とする。
【００１９】
＜半田の流れ＞
図２（ｂ）はランド上の余剰半田の流れを示す図である。ランド上の半田の流れは、図の左から右に向かう方向であり、フロー方向とは逆となっている。フロー半田時に、前方半田付けランド群２に生じた余剰半田は、図２（ｂ）の破線矢印で示すように、フロー方向でいえば下流から上流に向かって移動し、側方半田引きランド３に引き取られる。言い換えれば、余剰半田は、前方半田付けランド群２上を、半田の流れ方向上流から下流に向かって移動する。側方半田引きランド３は、余剰半田を引き取るだけの十分な面積を持ちつつ、レジスト６の効果により表面張力が強くなっており、前方半田付けランド群２の後端部の余剰半田を引き取ることで、後端部での半田ブリッジを生じさせない。
【００２０】
同様に、後方半田付けランド群４に生じた余剰半田は、フロー方向でいえば下流から上流に向かって移動し、２つの後方半田付けランド群４の流れが合流して後方半田引きランド５に引き取られる。言い換えれば、余剰半田は、後方半田付けランド群４上を、半田の流れ方向上流から下流に向かって移動する。後方半田引きランド５は、余剰半田を引き取るだけの十分な面積を持ちつつ、レジスト６の効果により表面張力が強くなっており、後方半田付けランド群４の後端部の余剰半田を引き取ることで、後端部での半田ブリッジを生じさせない。
【００２１】
本実施の形態ではレジスト６の形状を円形としたが、半田２２をはじくことが目的であるので、四角形やその他の形状でも同様の効果が得られる。また、本実施の形態では、レジスト６を側方半田引きランド３及び後方半田引きランド５の中央部に設けている。しかし、レジスト６は、側方半田引きランド３及び後方半田引きランド５の中に設けられていれば場所は限定されず、側方半田引きランド３及び後方半田引きランド５内の領域が単連結領域となっていなければよい。また、レジスト６の面積は、側方半田引きランド３及び後方半田引きランド５の面積が余剰半田を引き取るだけの十分な面積を保てる面積で、且つ半田２２をはじくことが可能な面積であればよい。更に、レジスト６は複数設けてもよく、レジスト６を複数設けたとしても、側方半田引きランド３及び後方半田引きランド５の面積が余剰半田を引き取るだけの十分な面積を保てるようになっていればよい。
【００２２】
以上、本実施の形態によれば、半田引きランドとしての面積を確保しつつ表面張力を維持し、半田付けランド群から余分な半田を引き取る力を維持することができる。
【００２３】
〔第２の実施の形態〕
＜プリント配線基板のランド形状＞
図３（ａ）は第２の実施の形態におけるプリント配線基板に４方向リードフラットパッケージＩＣを半田付けにより実装するためのランド形状を示す構成図である。尚、図１と同じ構成には同じ符号を付し、説明は省略する。また、フロー方向やＩＣパッケージ１がフロー方向に対して４５°傾けて斜めに配置されていることも第１の実施の形態と同様である。前方半田付けランド群２のフロー方向の後方延長方向に側方半田引きランド４３が設けられている。２つの後方半田付けランド群４の後方角部には後方半田引きランド４５が設けられている。側方半田引きランド４３及び後方半田引きランド４５は、それぞれ後方に向かって銅箔面が分岐するようにほぼ中央部に前方半田付けランド群２のフロー方向に沿ってレジスト３６による帯（領域部）が形成されている。即ち、側方半田引きランド４３は、銅箔部分にレジスト３６による切れ込みがあるような形状となっている。
【００２４】
＜側方半田引きランド及び後方半田引きランド＞
図３（ｂ）は側方半田引きランド４３の断面構成を示す図である。第１の実施の形態と同様に、側方半田引きランド４３は、前方半田付けランド群２からの余剰半田を引き取れるように十分大きな面積を有している。銅箔で形成された側方半田引きランド４３上の中央部にレジスト３６による帯が形成されている。側方半田引きランド４３の図３（ｂ）の一点鎖線部における断面において、本実施の形態では、例えば、側方半田引きランド４３の幅５ｍｍに対してレジスト３６による帯の幅は１ｍｍである。フロー半田で付着した半田２２はレジスト３６による帯ではじかれるため幅が規制され、断面が水滴状に中央部が盛り上がった形状になる。
【００２５】
後方半田引きランド４５も、第１の実施の形態と同様に、２つの後方半田引きランド群４からの余剰半田を引き取れるように十分大きな面積を有している。後方半田引きランド４５は、第１の実施の形態と同様にフロー方向の上流側と下流側にレジスト３６による切れ込みがある。本実施の形態では、フロー方向の上流側のレジスト３６による切れ込みの深さが、下流側のレジスト３６による切れ込みの深さより深い形状となっている。
【００２６】
＜半田の流れ＞
図３（ｃ）はランド上の余剰半田の流れを示す図である。フロー半田時に、前方半田付けランド群２に生じた余剰半田はフロー方向でいえば下流から上流に向かって移動し、側方半田引きランド４３に引き取られる。言い換えれば、余剰半田は、前方半田付けランド群２上を、半田の流れ方向上流から下流に向かって移動する。側方半田引きランド４３は、余剰半田を引き取るだけの十分な面積を持ちつつ、レジスト３６による帯の効果により表面張力が強くなっており、前方半田付けランド群２の後端部の余剰半田を引き取ることで、後端部での半田ブリッジを生じさせない。
【００２７】
同様に、後方半田付けランド群４に生じた余剰半田はフロー方向でいえば下流から上流に向かって移動し、２つの後方半田付けランド群４の流れが合流して後方半田引きランド４５に引き取られる。言い換えれば、余剰半田は、２つの後方半田付けランド群４上を、半田の流れ方向上流から下流に向かって移動する。後方半田引きランド４５は、余剰半田を引き取るだけの十分な面積を持ちつつ、レジスト３６による帯の効果により表面張力が強くなっており、後方半田付けランド群４の後端部の余剰半田を引き取ることで、後端部での半田ブリッジを生じさせない。
【００２８】
＜側方半田引きランドの他の実施の形態＞
図４（ａ）、図４（ｂ）は側方半田引きランドの他の形状の例である。図４（ａ）では、側方半田引きランド１４３には、フロー方向に平行なレジスト４６の帯が形成されている。また、図４（ｂ）では、側方半田引きランド１５３には、半田の流れ方向に平行なレジスト５６の帯が形成されており、レジスト５６の切れ込みは半田の流れ方向の上流側に形成されている。このように、側方半田引きランドに形成されるレジスト４６、５６の帯の方向は、余剰半田の流れを妨げない方向に各種方向にすることが可能である。
【００２９】
また、レジスト３６、４６、５６の帯の面積は、側方半田引きランド４３、１４３及び後方半田引きランド４５の面積が余剰半田を引き取るだけの十分な面積を保てる面積で、且つ半田２２をはじくことが可能な面積であればよい。更に、レジスト３６、４６、５６の帯は複数設けてもよく、レジスト３６、４６、５６の帯を複数設けたとしても、側方半田引きランド４３、１４３及び後方半田引きランド４５の面積が余剰半田を引き取るだけの十分な面積を保てるようになっていればよい。
【００３０】
以上、本実施の形態によれば、半田引きランドとしての面積を確保しつつ表面張力を維持し、半田付けランド群から余分な半田を引き取る力を維持することができる。
【００３１】
〔第３の実施の形態〕
＜プリント配線基板のランド形状＞
図５（ａ）は第３の実施の形態におけるプリント配線基板に４方向リードフラットパッケージＩＣを半田付けにより実装するためのランド形状を示す構成図である。尚、図１と同じ構成には同じ符号を付し、説明は省略する。また、フロー方向やＩＣパッケージ１がフロー方向に対して４５°傾けて斜めに配置されていることも第１の実施の形態と同様である。前方半田付けランド群２の後方延長方向に側方半田引きランド７３が設けられている。２つの後方半田付けランド群４の後方角部には後方半田引きランド７５が設けられている。側方半田引きランド７３及び後方半田引きランド７５のそれぞれの中央部には、円形の穴が形成されている。即ち、側方半田引きランド７３及び後方半田引きランド７５である銅箔に円形の穴が形成されており、以下この穴を銅箔の穴７６（領域部）（穴部）という。側方半田引きランド７３及び後方半田引きランド７５の銅箔の穴７６の部分では、基板２１の面（以下、基板面）が露出している。
【００３２】
尚、図５（ａ）の後方半田引きランド７５は、フロー方向の上流側及び下流側に、第１の実施の形態と同様、レジスト６６による切れ込みを有している。
【００３３】
＜側方半田引きランド及び後方半田引きランド＞
図５（ｂ）は側方半田引きランド７３の断面構成を示す図である。側方半田引きランド７３及び後方半田引きランド７５の形状は、第１の実施の形態の側方半田引きランド３及び後方半田引きランド５と同じ形状である。銅箔で形成された側方半田引きランド７３には中央部に銅箔の穴７６が形成され、基板面が露出している。側方半田引きランド７３の図５（ｂ）の一点鎖線部における断面において、本実施の形態では、例えば、側方半田引きランド７３の幅４ｍｍに対して銅箔の穴７６の径は１ｍｍである。フロー半田で付着した半田２２は銅箔の穴７６に露出した基板面ではじかれるため半田の幅が規制され、断面が水滴状に中央部が盛り上がった形状になる。後方半田引きランド７５も同様の構成である。
【００３４】
本実施の形態では銅箔の穴７６の形状を円形としたが、半田２２をはじくことが目的であるので、四角形その他の形状でも同様の効果が得られる。また、本実施の形態では、銅箔の穴７６を側方半田引きランド７３及び後方半田引きランド７５の中央部に設けている。しかし、銅箔の穴７６は、側方半田引きランド７３及び後方半田引きランド７５の中に設けられていれば場所は限定されず、側方半田引きランド７３及び後方半田引きランド７５内の領域が単連結領域となっていなければよい。また、銅箔の穴７６の面積は、側方半田引きランド７３及び後方半田引きランド７５の面積が余剰半田を引き取るだけの十分な面積を保てる面積で、且つ半田２２をはじくことが可能な面積であればよい。更に、銅箔の穴７６は複数設けてもよく、銅箔の穴７６を複数設けたとしても、側方半田引きランド７３及び後方半田引きランド７５の面積が余剰半田を引き取るだけの十分な面積を保てるようになっていればよい。
【００３５】
以上、本実施の形態によれば、半田引きランドとしての面積を確保しつつ表面張力を維持し、半田付けランド群から余分な半田を引き取る力を維持することができる。
【００３６】
〔第４の実施の形態〕
＜プリント配線基板のランド形状＞
図６（ａ）は第４の実施例におけるプリント配線基板に４方向リードフラットパッケージＩＣを半田付けにより実装するためのランド形状を示す構成図である。尚、図１と同じ構成には同じ符号を付し、説明は省略する。また、フロー方向やＩＣパッケージ１がフロー方向に対して４５°傾けて斜めに配置されていることも第１の実施の形態と同様である。前方半田付けランド群２の後方延長方向に側方半田引きランド９３が設けられている。２つの後方半田付けランド群４の後方角部には後方半田引きランド９５が設けられている。側方半田引きランド９３及び後方半田引きランド９５のそれぞれの中央部には、帯状の切り欠きが形成されている。即ち、側方半田引きランド９３及び後方半田引きランド９５である銅箔に帯状の切り欠きが形成されており、以下この帯状の切り欠きを銅箔の帯状の切り欠き９６（領域部）という。尚、図６（ａ）、図６（ｂ）において、側方半田引きランド９３及び後方半田引きランド９５の切り欠き９６の後端側が開放されていないのは、ここからの領域がレジスト６６となっており、その境界を示すためである。側方半田引きランド９３及び後方半田引きランド９５の銅箔の帯状の切り欠き９６の部分では、基板面が露出している。
【００３７】
＜側方半田引きランド及び後方半田引きランド＞
図６（ｂ）は側方半田引きランド９３の断面構成を示す図である。側方半田引きランド９３及び後方半田引きランド９５の形状は、第２の実施の形態の側方半田引きランド４３及び後方半田引きランド４５と同じ形状である。銅箔で形成された側方半田引きランド９３には中央部に側方半田引きランド９３のフロー方向に沿って銅箔の帯状の切り欠き９６が形成され、基板面が露出している。側方半田引きランド９３の図６（ｂ）の一点鎖線部における断面において、本実施の形態では、例えば、側方半田引きランド９３の幅５ｍｍに対して銅箔の切り欠きの幅は１ｍｍである。フロー半田で付着した半田２２は銅箔の切り欠き９６に露出した基板面ではじかれるため半田の幅が規制され、断面が水滴状に中央部が盛り上がった形状になる。後方半田引きランド９５も同様の構成である。
【００３８】
＜側方半田引きランドの他の実施の形態＞
第２の実施の形態における図４（ａ）、図４（ｂ）と同様、銅箔の帯状の切り欠きの方向は余剰半田の流れを妨げない方向に各種方向にすることが可能である。
【００３９】
また、銅箔の帯状の切り欠き９６の面積は、側方半田引きランド９３及び後方半田引きランド９５の面積が余剰半田を引き取るだけの十分な面積を保てる面積で、且つ半田２２をはじくことが可能な面積であればよい。更に、銅箔の帯状の切り欠き９６は複数設けてもよく、銅箔の帯状の切り欠き９６を複数設けたとしても、側方半田引きランド９３及び後方半田引きランド９５の面積が余剰半田を引き取るだけの十分な面積を保てるようになっていればよい。
【００４０】
以上、本実施の形態によれば、半田引きランドとしての面積を確保しつつ表面張力を維持し、半田付けランド群から余分な半田を引き取る力を維持することができる。
【００４１】
〔第５の実施の形態〕
第５の実施の形態では、第１乃至第４の実施の形態で説明した側方半田引きランド及び後方半田引きランドを有するプリント配線基板を搭載した画像形成装置について説明する。
【００４２】
＜画像形成装置の構成＞
図７に示す画像形成装置（以下、本体と称す）は、本体に対して着脱自在なプロセスカートリッジ２９Ｙ，２９Ｍ，２９Ｃ，２９Ｋを備えている。これら４個のプロセスカートリッジ２９Ｙ，２９Ｍ，２９Ｃ，２９Ｋは、同一構造であるが、異なる色、すなわち、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｋ）のトナーによる画像を形成する点で相違している。以下、特定の色について説明する場合を除き、Ｙ，Ｍ，Ｃ，Ｋの符号は省略する。プロセスカートリッジ２９は、トナー容器２３、像担持体である感光ドラム２５、帯電ローラ２６、現像ローラ２７、ドラムクリーニングブレード２８、廃トナー容器２４を有している。プロセスカートリッジ２９の上方には、レーザユニット７ＹＭ，７ＣＫが配置されている。レーザユニット７ＹＭは、画像信号に基づく露光を感光ドラム２５Ｙ、２５Ｍに対して行う。レーザユニット７ＣＫは、画像信号に基づく露光を感光ドラム２５Ｃ，２５Ｋに対して行う。本実施の形態では、１つのレーザユニット７から２つの感光ドラム２５にレーザ光を照射して静電潜像を形成する構成としたが、レーザユニット７は、少なくとも一以上の感光ドラム２５にレーザ光を照射する構成であればよい。感光ドラム２５は、帯電ローラ２６によって所定の負極性の電位に帯電された後、レーザユニット７によってそれぞれ静電潜像が形成される。この静電潜像は現像ローラ２７によって反転現像されて負極性のトナーが付着され、それぞれＹ、Ｍ、Ｃ、Ｋのトナー像が形成される。
【００４３】
中間転写ベルトユニットは、中間転写ベルト８、駆動ローラ９、二次転写対向ローラ１０から構成されている。また、各感光ドラム２５に対向して、中間転写ベルト８の内側に一次転写ローラ３０が配設されており、不図示の電源等の電圧印加手段により転写電圧を印加する構成となっている。各感光ドラム２５が矢印方向に回転し、中間転写ベルト８が矢印Ａ方向に回転する。一次転写ローラ３０に不図示の電源等の電圧印加手段により正極性の電圧を印加することにより、感光ドラム２５Ｙ上に形成されたトナー像から順次、中間転写ベルト８上に転写される。そして、中間転写ベルト８上にて４色のトナー像が重なった状態で、トナー像は二次転写ローラ１１まで搬送される。
【００４４】
給搬送装置１２は、転写材Ｐを収納する給紙カセット１３内から転写材Ｐを給紙する給紙ローラ１４と、給紙された転写材Ｐを搬送する搬送ローラ対１５とを有している。そして、給搬送装置１２から搬送された転写材Ｐは、レジストローラ対１６によって二次転写ローラ１１に搬送される。中間転写ベルト８から転写材Ｐへの転写においては、二次転写ローラ１１に不図示の電源等の電圧印加手段により正極性の電圧を印加することにより、搬送された転写材Ｐに、中間転写ベルト８上の４色のトナー像を転写する。トナー像転写後の転写材Ｐは、定着装置１７に搬送され、定着フィルム１８と加圧ローラ１９とによって加熱、加圧されて表面にトナー像が定着される。定着された転写材Ｐは排紙ローラ対２０によって排出される。一方、トナー像転写後に、感光ドラム２５表面に残ったトナーは、ドラムクリーニングブレード２８によって除去され、除去されたトナーは、廃トナー容器２４に回収される。また、転写材Ｐへの転写後に中間転写ベルト８上に残ったトナーは、転写ベルトクリーニングブレード３１によって除去され、除去されたトナーは、廃トナー回収容器３２へと回収される。
【００４５】
制御基板８０は、本体の制御を行うための電気回路が搭載されている。また、制御基板８０には、ＣＰＵ４０が搭載されている。ＣＰＵ４０は、転写材Ｐの搬送にかかる駆動源（不図示）やプロセスカートリッジ２９の駆動源（不図示）の制御、画像形成に関する制御、更には故障検知に関する制御など、本体の動作を一括して制御している。電源９０は画像形成装置の各部へ電力を供給しており、高圧電源や定着装置１７のヒータ用の電源等が含まれる。第１乃至第４の実施の形態で説明したプリント配線基板は、例えば高圧電源や定着装置のヒータ用の電源等の、素子を片面実装するような電源基板に適用される。尚、第１乃至第４の実施の形態で説明したプリント配線基板を、例えば制御基板８０に適用してもよい。
【００４６】
尚、本実施の形態で説明した画像形成装置は一例であり、プリント配線基板を搭載しているものであればどのような画像形成装置であってもよい。
【００４７】
以上、本実施の形態によれば、画像形成装置に搭載するプリント配線基板において、半田引きランドとしての面積を確保しつつ表面張力を維持し、半田付けランド群から余分な半田を引き取る力を維持することができる。
【００４８】
〔他の実施の形態〕
・第１乃至第４の実施の形態では、各種の具体例を説明したが、そこで使用した数値や形状は例であって、それに限定されるものではない。例えば、４方向リードフラットパッケージの形状は正方形としたが、長方形の４方向リードフラットパッケージＩＣであってもよい。また例えば、４方向リードフラットパッケージＩＣを、プリント配線基板のフロー方向に対して４５°傾けて斜めに実装するとしたが、４方向リードフラットパッケージＩＣをプリント配線基板に実装する際の角度は、この数値に限定されるものではない。
・第１乃至第４の実施の形態では、側方半田引きランドと後方半田引きランドの両方に、レジストや銅箔の穴等を設ける構成を説明した。しかし、側方半田引きランド又は後方半田引きランドのいずれか一方のみにレジストや銅箔の穴等を設ける構成であってもよい。例えば、側方半田引きランドにのみレジストや銅箔の穴等を設けた場合は、前方半田付けランド群の後端部で発生する半田ブリッジを防止することができる。一方、後方半田引きランドにのみレジストや銅箔の穴等を設けた場合は、後方半田付けランド群の後端部で発生する半田ブリッジを防止することができる。
・第５の実施の形態では、第１乃至第４の実施の形態で説明したプリント配線基板を画像形成装置に適用した例を説明したが、第１乃至第４の実施の形態で説明したプリント配線基板は、その他の装置に搭載されるプリント配線基板にも適用可能である。
・第１乃至第４の実施の形態では、上述したように各種の具体例について説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術思想の範囲内であらゆる変形が可能である。
以上、その他の実施の形態においても、半田引きランドとしての面積を確保しつつ表面張力を維持し、半田付けランド群から余分な半田を引き取る力を維持することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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