Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月9日(2014.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複製ドキュメントコンテンツを検出する方法であって、
クエリドキュメントページをドキュメント検出システムへ入力することと、
二次元ビジュアルフィンガープリントの検出プロセスのビジュアルフィンガープリントを用いることにより、前記クエリドキュメントページをドキュメントコレクションに格納されたドキュメントのページと比較することであって、前記ビジュアルフィンガープリントは、アフィン不変量ビジュアルフィンガープリント及びパースペクティブ不変量ビジュアルフィンガープリントの少なくとも１つである、前記比較することと、
前記二次元ビジュアルフィンガープリントの検出を用いる結果を基礎として、前記クエリドキュメントページの複製または異なるドキュメントコンテンツと、前記格納されたドキュメントコレクションの少なくとも１つのドキュメントページとを自動的に強調表示することを含み、
前記自動的に強調表示することは、前記クエリドキュメントページと前記ドキュメントコレクションの前記ドキュメントページのうちの１つとの非対応フィンガープリントの各クラスタの二次元ロケーションに関する平均及び標準偏差を計算することによって達成され、
前記方法は、少なくとも電子的プロセッサを用いて実施される、方法。
【請求項２】
前記クエリドキュメントページとのマッチングフィンガープリントを有する前記ドキュメントコレクションにおける前記ドキュメントのリストは返され、かつ前記クエリドキュメントページとのマッチングフィンガープリントを有する前記ドキュメントの前記リストを返すことは、予め規定された必要最小限の対応するマッチングフィンガープリント数を有する前記ドキュメントコレクションにおけるドキュメントのみから前記リストを形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記クエリドキュメントページと前記ドキュメントコレクションの前記ドキュメントの１つとの対応する一致フィンガープリントのクラスタは、マッチングドキュメントコンテントの領域を表し、
非対応フィンガープリントのクラスタは、ドキュメントコンテンツの差を表す
請求項１に記載の方法。  
【請求項４】
複製ドキュメントコンテンツを検出する方法であって、
クエリドキュメントページをドキュメント検出システムへ入力することと、
二次元ビジュアルフィンガープリントの検出プロセスのビジュアルフィンガープリントを用いて、前記クエリドキュメントページをドキュメントコレクションに格納されたドキュメントのページと比較することと、
前記二次元ビジュアルフィンガープリントの検出を用いる結果を基礎として、前記クエリドキュメントページの複製または異なるドキュメントコンテンツと、前記格納されたドキュメントコレクションの少なくとも１つのドキュメントページとを自動的に強調表示することであって、前記自動的に強調表示することは、非対応フィンガープリントの各クラスタに対して、前記クエリドキュメントページの少なくとも１つ及び前記ドキュメントコレクションの返されるドキュメントの前記ドキュメントページのうちの１つの上へ幾何学的エレメントを生成することを含む、前記自動的に強調表示することと、
を含み、
前記方法は、少なくとも電子的プロセッサを用いて実施される、
方法。
【請求項５】
前記幾何学的エレメントは前記クラスタの平均に中心が置かれ、かつ前記幾何学的エレメントのサイズは、前記クラスタ内のフィンガープリントロケーション分布の推定される二次モーメントに比例する請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月24日(2014.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体メモリ装置の検査方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルを有し、
前記メモリセルは、
チャネルが酸化物半導体に形成される第１のトランジスタと、
チャネルが単結晶珪素に形成される第２のトランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソースは、前記容量素子の一対の電極のうちの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソースと電気的に接続される半導体メモリ装置において、
前記第１のトランジスタのゲートの電位を、前記第１のトランジスタのしきい値以上の第１の電位とし、且つ、前記第１のトランジスタのドレインの電位を、前記第１の電位以上である第２の電位とした状態で、前記容量素子に電荷を蓄積する第１過程と、
前記第１過程の後、前記第１のトランジスタのソースの電位を測定する第２過程と、
を有することを特徴とする半導体メモリ装置の検査方法。
【請求項２】
メモリセルを有し、
前記メモリセルは、
チャネルが酸化物半導体に形成される第１のトランジスタと、
チャネルが単結晶珪素に形成される第２のトランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソースは、前記容量素子の一対の電極のうちの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソースと電気的に接続される半導体メモリ装置において、
前記第１のトランジスタのゲートの電位を、前記第１のトランジスタのしきい値以上の第１の電位とし、且つ、前記第１のトランジスタのドレインの電位を、前記第１の電位未満である第２の電位とした状態で、前記容量素子に電荷を蓄積する第１過程と、
前記第１過程の後、前記容量素子の一対の電極のうちの他方の電位を変動させた状態で、前記第１のトランジスタのソースの電位を測定する第２過程と、
を有することを特徴とする半導体メモリ装置の検査方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２過程により、前記第１のトランジスタのしきい値が許容された範囲にないと判断されたメモリセルは、予備のメモリセルに差し替えられることを特徴とする半導体メモリ装置の検査方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月25日(2014.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光波（２２、２６）を伝送及び出力するように構成された複数の多偏光保持光ファイバ（７６、７８、８０、９６）と、
前記複数の光ファイバ（７６、７８、８０、９６）によって出力される前記複数の光波（２２、２６）を受けるように構成され、前記複数の出力光波（３０、３４）を光ディスク（１０）内の複数の照射スポット（８８、１１０）に集束するように構成された１組の光学要素（２８、３２）であって、前記複数の照射スポット（８８、１１０）の各照射スポット（８８、１１０）が、前記光ディスク（１０）内の複数のデータトラック（１２）のうちの１つの上に位置する、１組の光学要素（２８、３２）と
を含む光デバイス（１６）。
【請求項２】
前記複数の照射スポット（８８、１１０）が前記光ディスク（１０）内の１つのデータ層にほぼ制限される、請求項１記載のデバイス。
【請求項３】
前記複数の照射スポット（８８、１１０）が前記光ディスク（１０）内の複数のデータ層に分配される、請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記複数の光ファイバ（７６、７８、８０、９６）が、Ｖ字溝付き構造体（１０６、１０８）を使用して共に束ねられる、請求項１乃至３のいずれかに記載のデバイス。
【請求項５】
前記複数の光ファイバ（７６、７８、８０、９６）が取付部材（９８）内に共に束ねられ、前記取付部材（９８）がビーム伝播軸に沿って回転可能である、請求項４記載のデバイス。
【請求項６】
前記複数の光ファイバ（７６、７８、８０、９６）が、１次元アレイ（１１２）内に構成される、請求項１乃至５のいずれかに記載のデバイス。
【請求項７】
前記複数の光ファイバ（７６、７８、８０、９６）が、２次元アレイ（１１４）内に構成される、請求項１乃至６のいずれかに記載のデバイス。
【請求項８】
前記複数の光ファイバ（７６、７８、８０、９６）が、１つのコヒーレンス値を有する複数の光波（１０２、１０４）を伝送するように構成される、請求項１乃至７のいずれかに記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月5日(2014.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上方の絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体層と、
ソース電極又はドレイン電極の一方と、
ソース電極又はドレイン電極の他方と、
を有し、
前記ソース電極又はドレイン電極の一方は、前記酸化物半導体層の第１の領域と接し、
前記ソース電極又はドレイン電極の他方は、前記酸化物半導体層の第２の領域と接し、
前記第２の領域の厚さは、前記第１の領域の厚さより大きく、
前記第２の領域の厚さは、０．５μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とするパワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上方の絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有する第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上方に設けられ、前記第１の酸化物半導体層の一部と重なる第２の酸化物半導体層と、
ソース電極又はドレイン電極の一方と、
ソース電極又はドレイン電極の他方と、
を有し、
前記ソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１の酸化物半導体層と接し、
前記ソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の酸化物半導体層と接し、
前記第２の酸化物半導体層の厚さは、０．５μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とするパワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項３】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上方の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を介して、前記第１のゲート電極と重なる領域を有する第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上方に設けられ、前記第１の酸化物半導体層の一部と重なる第２の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上方の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜を介して、前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
ソース電極又はドレイン電極の一方と、
ソース電極又はドレイン電極の他方と、
を有し、
前記ソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１の酸化物半導体層と接し、
前記ソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の酸化物半導体層と接し、
前記第２の酸化物半導体層の厚さは、０．５μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とするパワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項４】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上方の絶縁膜と、
前記絶縁膜上方の第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上方に設けられ、前記第１の酸化物半導体層と重ならない第１の領域と、前記第１の酸化物半導体層と重なる第２の領域と、を有する第２の酸化物半導体層と、
ソース電極又はドレイン電極の一方と、
ソース電極又はドレイン電極の他方と、
を有し、
前記ソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１の領域と接し、
前記ソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の領域と接し、
前記第１の酸化物半導体層の厚さは、０．５μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とするパワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項５】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上方の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上方の第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上方に設けられ、前記第１の酸化物半導体層と重ならない第１の領域と、前記第１の酸化物半導体層と重なる第２の領域と、を有する第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上方の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜を介して、前記第２の酸化物半導体層と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
ソース電極又はドレイン電極の一方と、
ソース電極又はドレイン電極の他方と、
を有し、
前記ソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１の領域と接し、
前記ソース電極又はドレイン電極の他方は、前記第２の領域と接し、
前記第１の酸化物半導体層の厚さは、０．５μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とするパワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項６】
前記酸化物半導体層中のドナーあるいはアクセプタに由来するキャリア濃度が１×１０１２ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項１に記載のパワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項７】
前記酸化物半導体層中の水素濃度は１×１０１８ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項１に記載のパワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項８】
前記ソース電極および前記ドレイン電極の前記酸化物半導体層と接する部分の仕事関数は、前記酸化物半導体層の電子親和力と０．３電子ボルトの和よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載のパワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
【請求項９】
前記ゲート電極の前記絶縁膜に接する部分の仕事関数は、前記酸化物半導体層の電子親和力と０．６電子ボルトの和よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のパワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月6日(2014.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入光部と、該入光部から入射した光を導光する導光面と、該導光面により導光された光を外部に出光する出光部とを有する導光部材であって、前記出光部及び導光面の少なくとも一方が、互いに略平行な複数本の溝を有する、導光部材と、
前記導光部材の前記入光部の近傍に配置された少なくとも１つの光源と、
を有するエッジライト型の照明装置。
【請求項２】
前記導光部材の複数本の溝の断面形状、ピッチ及び深さのうち少なくとも１つが不規則に異なる、請求項１に記載のエッジライト型の照明装置。
【請求項３】
前記導光部材の複数本の溝の平均ピッチが２０μｍ以下である、請求項１又は２に記載のエッジライト型の照明装置。
【請求項４】
前記導光部材の複数本の溝の平均深さが１〜５０μｍである、請求項１〜３いずれか１項に記載のエッジライト型の照明装置。
【請求項５】
前記導光部材の複数本の溝が、スペックルパターン露光により形成されたものである、請求項１〜４いずれか１項に記載のエッジライト型の照明装置。
【請求項６】
前記導光部材の導光面が、前記複数本の溝を有する、請求項１〜５いずれか１項に記載の車エッジライト型の照明装置。
【請求項７】
互いに対向する２枚の主面を有し、その一方の側を凸とする湾曲板形状を有し、
前記複数本の溝が、前記２枚の主面のうち凹面側の面にのみ設けられている前記導光部材を有する、
請求項１〜６いずれか１項に記載のエッジライト型の照明装置。
【請求項８】
前記導光部材の複数本の溝の方向が入光部に対して垂直でない、請求項１〜７いずれか１項に記載のエッジライト型の照明装置。
【請求項９】
前記光源を複数有する、請求項１〜８いずれか１項に記載のエッジライト型の照明装置。
【請求項１０】
前記複数の光源が２つ以上のグループに区画され、各光源がグループ毎に独立して制御可能である、請求項９に記載のエッジライト型の照明装置。
【請求項１１】
前記複数の光源が２つ以上のグループに区画され、各光源の色がグループ毎に異なる、請求項９又は１０に記載のエッジライト型の照明装置。
【請求項１２】
前記各光源の色が、少なくとも黄色と赤色を含む、請求項１１に記載のエッジライト型の照明装置。
【請求項１３】
前記各光源の色が、少なくとも黄色と白色を含む、請求項１１に記載のエッジライト型の照明装置。
【請求項１４】
前記光源が発光ダイオード（ＬＥＤ）である、請求項１〜１３いずれか１項に記載のエッジライト型の照明装置。
【請求項１５】
表示灯である、請求項１〜１４いずれか１項に記載のエッジライト型の照明装置。
【請求項１６】
赤色に発光する制動灯と黄色に点滅する方向指示灯を兼ねる照明である、請求項１１又は１２に記載のエッジライト型の照明装置。
【請求項１７】
赤色に発光する後方車幅灯と黄色に点滅する方向指示灯を兼ねる照明である、請求項１１又は１２に記載のエッジライト型の照明装置。
【請求項１８】
白色に発光する前方車幅灯と黄色に点滅する方向指示灯を兼ねる照明である、請求項１１又は１３に記載のエッジライト型の照明装置。
【請求項１９】
車載用の照明装置である、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】エッジライト型の照明装置
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月10日(2014.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体が処理される処理室と、被処理体が冷却される冷却室と、前記処理室と前記冷却室が接続された真空搬送室とを備え、前記冷却室は、前記真空搬送室を介して前記処理室から搬送された被処理体を冷却し被処理体を載置する載置面を有する冷却部と前記真空搬送室を介して前記処理室から搬送された被処理体を支持する支持手段とを具備する真空処理装置を用いて前記処理室で処理され高温の被処理体を冷却する真空処理方法において、
前記処理室で処理され高温の被処理体を前記真空搬送室を介して内部の圧力が第一の所定値である冷却室に搬送するとともに第一の高さに前記支持手段により支持し、
冷却ガスを前記冷却室内に供給し、前記冷却室内の圧力が前記第一の所定値より高く大気圧未満の第二の所定値に到達するまで前記支持手段により支持された被処理体を前記第一の高さに支持し、
前記冷却室内の圧力が前記第二の所定値に到達した後、前記冷却ガスを供給し続けるとともに前記第二の所定値に圧力を維持しながら前記支持手段により前記第一の高さに支持された被処理体を下降させて前記高温より低い温度に冷却された冷却部の上方である第二の高さに近接保持し、
前記第二の高さに支持された被処理体を所定時間近接保持した後、第二の所定値より低い第三の所定値の圧力となるまで前記冷却室を排気し、
前記冷却室内の圧力が前記第三の所定値の圧力に到達後、冷却された被処理体を前記冷却室から搬出することを特徴とする真空処理方法。
【請求項２】
被処理体が処理される処理室と、被処理体が冷却される冷却室と、前記処理室と前記冷却室が接続された真空搬送室とを備え、前記冷却室は、前記真空搬送室を介して前記処理室から搬送された被処理体を冷却し被処理体を載置する載置面を有する冷却部と前記真空搬送室を介して前記処理室から搬送された被処理体を支持する支持手段とを具備する真空処理装置を用いて前記処理室で処理され高温の被処理体を冷却する真空処理方法において、
前記処理室で処理され高温の被処理体を前記真空搬送室を介して内部の圧力が第一の所定値である冷却室に搬送するとともに第一の高さに前記支持手段により支持し、
前記支持手段により前記第一の高さに支持された被処理体を下降させて前記高温より低い温度に冷却された冷却部の上方である第二の高さに近接保持し、
前記被処理体の近接保持後、前記冷却室内の圧力が前記第一の所定値より高く大気圧未満の第二の所定値に到達するまで冷却ガスを前記冷却室内に供給し、
所定時間、前記冷却ガスを前記冷却室内に供給した後、第二の所定値より低い第三の所定値の圧力となるまで前記冷却室を排気し、
前記冷却室内の圧力が前記第三の所定値の圧力に到達後、冷却された被処理体を前記冷却室から搬出することを特徴とする真空処理方法。
【請求項３】
被処理体が処理される処理室と、被処理体が冷却される冷却室と、前記処理室と前記冷却室が接続された真空搬送室とを備え、前記冷却室は、前記真空搬送室を介して前記処理室から搬送された被処理体を冷却し被処理体を載置する載置面を有する冷却部と前記真空搬送室を介して前記処理室から搬送された被処理体を支持する支持手段とを具備する真空処理装置を用いて前記処理室で処理され高温の被処理体を冷却する真空処理方法において、
前記処理室で処理され高温の被処理体を前記真空搬送室を介して内部の圧力が第一の所定値である冷却室に搬送するとともに所定の高さに前記支持手段により支持し、
前記支持手段により前記所定の高さに支持された被処理体を下降させて前記高温より低い温度に冷却された冷却部に載置し、
前記被処理体の載置後、前記冷却室内の圧力が前記第一の所定値より高く大気圧未満の第二の所定値に到達するまで冷却ガスを前記冷却室内に供給し、
所定時間、前記冷却ガスを前記冷却室内に供給した後、第二の所定値より低い第三の所定値の圧力となるまで前記冷却室を排気し、
前記冷却室内の圧力が前記第三の所定値の圧力に到達後、冷却された被処理体を前記冷却室から搬出することを特徴とする真空処理方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の真空処理方法において、
前記冷却ガスは、ヘリウムガスであることを特徴とする真空処理方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の真空処理方法において、
前記近接保持は、前記被処理体を前記支持手段上に保持することを特徴とする真空処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、被処理体が処理される処理室と、被処理体が冷却される冷却室と、前記処理室と前記冷却室が接続された真空搬送室とを備え、前記冷却室は、前記真空搬送室を介して前記処理室から搬送された被処理体を冷却し被処理体を載置する載置面を有する冷却部と前記真空搬送室を介して前記処理室から搬送された被処理体を支持する支持手段とを具備する真空処理装置を用いて前記処理室で処理され高温の被処理体を冷却する真空処理方法において、前記処理室で処理され高温の被処理体を前記真空搬送室を介して内部の圧力が第一の所定値である冷却室に搬送するとともに第一の高さに前記支持手段により支持し、冷却ガスを前記冷却室内に供給し、前記冷却室内の圧力が前記第一の所定値より高く大気圧未満の第二の所定値に到達するまで前記支持手段により支持された被処理体を前記第一の高さに支持し、前記冷却室内の圧力が前記第二の所定値に到達した後、前記冷却ガスを供給し続けるとともに前記第二の所定値に圧力を維持しながら前記支持手段により前記第一の高さに支持された被処理体を下降させて前記高温より低い温度に冷却された冷却部の上方である第二の高さに近接保持し、前記第二の高さに支持された被処理体を所定時間近接保持した後、第二の所定値より低い第三の所定値の圧力となるまで前記冷却室を排気し、前記冷却室内の圧力が前記第三の所定値の圧力に到達後、冷却された被処理体を前記冷却室から搬出することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月30日(2014.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビーム装置（３００；７００）であって、前記荷電粒子ビーム装置は、前記荷電粒子ビーム装置内に高エネルギー荷電粒子ビームを生じさせるようになっており、前記荷電粒子ビーム装置の使用中に、前記荷電粒子ビーム装置のコラム内の荷電粒子ビームエネルギーが、前記荷電粒子のランディングエネルギーと比較して少なくとも１０倍高く、前記荷電粒子ビーム装置は、
電子ビームを光軸に沿って放出するエミッタ組立体を有し、前記エミッタ組立体は、ガンチャンバ内に収納され、前記エミッタ組立体は、
エミッタ先端部を備えた電界エミッタ（５）を含み、前記エミッタ先端部は、前記光軸に垂直な第１の平面のところに位置決めされ、前記エミッタは、第１の電位まで付勢されるよう構成され、
開口部を備えたエクストラクタ（１１２；５１２；７１２）を更に含み、前記開口部は、前記光軸に垂直な第２の平面のところに位置決めされ、前記エクストラクタは、第２の電位まで付勢されるよう構成され、
前記第２の平面は、第１の平面から２．２５ｍｍ以上の第１の距離を有し、前記エクストラクタは、アース（２）に直接接続されるか、低電圧フィードスルー（１３２）を介して制御電源（１０６；７０６）に接続され、前記制御電源は、アースに直接接続され、使用中に比較的低い電圧を提供する、荷電粒子ビーム装置。
【請求項２】
前記エクストラクタを支持したエクストラクタ支持体（６３２）を更に有し、
前記エクストラクタ支持体は、前記エクストラクタに連結されると共に前記ガンチャンバのハウジングに連結可能であり、
前記エクストラクタ支持体は、１０ｋＶ以下の電圧の場合にのみ発弧を阻止するよう構成された絶縁エクストラクタ支持体である、請求項１記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項３】
前記エクストラクタ支持体は、前記ガンチャンバを第１の真空領域と第２の真空領域に分離するようになっている、請求項２記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項４】
前記エクストラクタ（５１２；７１２）は、カップ状の形状を有する、請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項５】
サプレッサ電位まで付勢されるよう構成されたサプレッサ（２２）を更に有し、前記サプレッサ電位は変化させることができる、請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項６】
前記エミッタ（５）又は前記エクストラクタ（１１２；５１２；７１２）は、前記第１の距離を変化させることができるよう可動であると共に／或いは前記エミッタ先端部のところの電界強度の調節が前記サプレッサ用の別の電源によって行なわれる、請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項７】
前記ガンチャンバは、前記荷電粒子ビームを侵入させる開口部を有すると共に第３の電位に付勢されるよう構成された電極（９）を更に有する、請求項１〜６のうちいずれか１項に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項８】
真空ポンプに連結可能な少なくとも１つの真空連結部を備えた前記ガンチャンバのハウジングを更に有し、
前記エクストラクタ支持体は、前記エクストラクタ及び前記ガンチャンバのハウジングに連結される、請求項７記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項９】
真空ポンプに連結可能な第２の真空連結部を更に有し、
前記真空連結部は、前記第１の真空領域を排気するよう位置決めされ、前記別の真空連結部は、前記第２の真空領域を排気するよう位置決めされている、請求項８記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項１０】
前記電極は、前記光軸に垂直な第２の平面のところに位置決めされ、前記第３の平面と前記第２の平面との間の距離は、前記第１の距離の１．５倍未満である、請求項７〜９のうちいずれか１項に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項１１】
少なくとも１つの第２のエミッタ組立体を更に有し、前記第２のエミッタ組立体は、
エミッタ先端部を備えた電界エミッタ（５）を含み、前記エミッタ先端部は、前記光軸に垂直な第１の平面のところに位置決めされ、前記エミッタは、第１の電位まで付勢されるよう構成され、
開口部を備えたエクストラクタ（１１２；５１２；７１２）を更に有し、前記開口部は、前記光軸に垂直な第２の平面のところに位置決めされ、前記エクストラクタは、第２の電位まで付勢されるよう構成され、
前記第２の平面は、第１の平面から２．２５ｍｍ以上の第１の距離を有し、
特に、前記エミッタ組立体及び前記少なくとも１つの第２のエミッタ組立体の前記エミッタの各々は、前記第１の電位を前記エミッタに印加するよう１つの電源（４）に接続されている、請求項１〜１０のうちいずれか１項に記載の荷電粒子ビーム装置。
【請求項１２】
エミッタ組立体を動作させる方法であって、
電子ビームを光軸に沿って放出するステップと、
電界エミッタ（５）を第１の電位に付勢するステップと、
エクストラクタ（１１２；５１２；７１２）をアース（２）に直接接続するか、エクストラクタ（１１２；５１２；７１２）を、該エクストラクタに低電圧フィードスルーを介して接続されると共にアースに直接接続された制御電源（１０６；７０６）により第２の電位に付勢するステップとを有し、
前記第１の電位と前記第２の電位の差電圧は、少なくとも１５ｋＶであり、
コラム内のビームエネルギーは、前記荷電粒子のランディングエネルギーと比較して少なくとも１０倍高い、方法。
【請求項１３】
前記荷電粒子ビームを侵入させる開口部を備えた電極（９）を第３の電位に付勢するステップを更に有し、前記第２の電位と前記第３の電位の差電圧は、１５ｋＶ以下、特に１０ｋＶ以下である、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の電位は、前記光軸を包囲した前記エクストラクタの一部分によって遮蔽される、請求項１２又は１３記載の方法。
【請求項１５】
エミッタ先端部と抽出電極との間で少なくとも７０％までの前記コラム内における前記荷電粒子の加速が行われる、請求項１２〜１４のうちいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月22日(2014.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図４は内視鏡システム１０における電子内視鏡１２及びプロセッサ装置１４の構成を示したブロック図である。図４に示すように、電子内視鏡１２（挿入部２０）の先端部２６には、ＣＭＯＳセンサ５８と周辺回路６０（図３参照）とが同一チップに形成されたＣＭＯＳ撮像装置（撮像チップ）５４が内蔵されており、周辺回路６０として、アナログ信号処理回路（ＡＦＥ；アナログフロントエンド）７２、パラレル／シリアル（Ｐ／Ｓ）変換部７６、ＬＶＤＳ送信部７８、タイミングジェネレータ（ＴＧ）８１等を備えている。また、ＣＭＯＳ撮像装置５４は、ＣＭＯＳセンサ５８の駆動に必要なクロック信号生成用の水晶振動子８２を備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月22日(2014.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
被観察部位に照射する照明光を発生させる照明用光源と、
内視鏡挿入部の先端部に内蔵され、前記被観察部位を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段から出力される撮像信号を処理して内視鏡画像を生成する信号処理手段と、
前記内視鏡挿入部の先端の温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段により検出された温度が閾値を超える場合に、前記撮像手段による撮像のフレームレート及び前記照明光の照射量を共に低下させる制御を行う制御手段と、
を備えたことを特徴とする電子内視鏡装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
照明用光源で発生させた照明光を被観察部位に向けて照射する照明光照射工程と、
内視鏡挿入部の先端部に内蔵された撮像手段によって前記被観察部位を撮像する撮像工程と、
前記撮像手段から出力される撮像信号を処理して内視鏡画像を生成する信号処理工程と、
前記信号処理工程によって生成された内視鏡画像を表示装置に表示させる表示処理工程と、
前記内視鏡挿入部の先端の温度を検出する温度検出工程と、
前記検出された温度に基づいて前記撮像手段による撮像のフレームレート及び前記照明光の照射量を制御する工程であって、前記検出された温度が閾値を超える場合に、前記撮像手段による撮像のフレームレート及び前記照明光の照射量を共に低下させる制御を行う制御工程と、
を含むことを特徴とする内視鏡画像の生成方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
被検体内に挿入される内視鏡挿入部の先端部に撮像手段が内蔵された電子内視鏡と、
前記電子内視鏡の前記撮像手段から出力される撮像信号に信号処理を施すプロセッサ装置と、
前記電子内視鏡の挿入部の先端面に設けられた照明窓から被観察部位に照射する照明光を発生させる照明用光源と、を備えた電子内視鏡システムにおいて、
前記電子内視鏡は、前記先端部の温度を検出する温度検出手段を有し、
前記プロセッサ装置は、前記温度検出手段から得られる情報に基づいて前記撮像手段による撮像のフレームレート及び前記照明光の照射量を制御する制御手段であって、前記温度検出手段により検出された温度が閾値を超える場合に、前記撮像手段による撮像のフレームレート及び前記照明光の照射量を共に低下させる制御を行う制御手段を備えることを特徴とする電子内視鏡システム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記目的を達成するために、本発明に係る電子内視鏡装置は、被観察部位に照射する照明光を発生させる照明用光源と、内視鏡挿入部の先端部に内蔵され、前記被観察部位を撮像する撮像手段と、前記撮像手段から出力される撮像信号を処理して内視鏡画像を生成する信号処理手段と、前記内視鏡挿入部の先端の温度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段により検出された温度が閾値を超える場合に、前記撮像手段による撮像のフレームレート及び前記照明光の照射量を共に低下させる制御を行う制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、前記目的を達成するために、本発明に係る内視鏡画像の生成方法は、照明用光源で発生させた照明光を被観察部位に向けて照射する照明光照射工程と、内視鏡挿入部の先端部に内蔵された撮像手段によって前記被観察部位を撮像する撮像工程と、前記撮像手段から出力される撮像信号を処理して内視鏡画像を生成する信号処理工程と、前記信号処理工程によって生成された内視鏡画像を表示装置に表示させる表示処理工程と、前記内視鏡挿入部の先端の温度を検出する温度検出工程と、前記検出された温度に基づいて前記撮像手段による撮像のフレームレート及び前記照明光の照射量を制御する工程であって、前記検出された温度が閾値を超える場合に、前記撮像手段による撮像のフレームレート及び前記照明光の照射量を共に低下させる制御を行う制御工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
また、本発明に係る電子内視鏡システムは、被検体内に挿入される内視鏡挿入部の先端部に撮像手段が内蔵された電子内視鏡と、前記電子内視鏡の前記撮像手段から出力される撮像信号に信号処理を施すプロセッサ装置と、前記電子内視鏡の挿入部の先端面に設けられた照明窓から被観察部位に照射する照明光を発生させる照明用光源と、を備えた電子内視鏡システムであって、前記電子内視鏡は、前記先端部の温度を検出する温度検出手段を有し、前記プロセッサ装置は、前記温度検出手段から得られる情報に基づいて前記撮像手段による撮像のフレームレート及び前記照明光の照射量を制御する制御手段であって、前記温度検出手段により検出された温度が閾値を超える場合に、前記撮像手段による撮像のフレームレート及び前記照明光の照射量を共に低下させる制御を行う制御手段を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月26日(2013.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
【表２】
2013000773.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
また、各実施例および各比較例の摩擦攪拌接合用ツールの被覆層に対し、ＸＲＤ（Ｘ線回折）もしくはＴＥＭによる電子線回析によって結晶構造を確認する。そして、被覆層に立方晶を含む層があると判断された場合、六方晶を含む層があると判断された場合、非晶質を含む層があると判断される場合に、それぞれ表２の「結晶系」の欄に「立方晶層」、「六方晶層」、「非晶質層」と示す。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月18日(2014.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる超音波金属接合装置の一部を断面とした部分正面図。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる表面に凹凸を設けた錫メッキ銅板の平面図。
【図３】本発明の実施の形態１にかかる表面に凹凸を設けた他の錫メッキ銅板の平面図。
【図４】（ａ）本発明の実施の形態１にかかる工具ホーンの突起状押圧部を下から見た斜面図（ｂ）本発明の実施の形態１にかかる他の工具ホーンの突起状押圧部を下から見た斜面図。
【図５】本発明の実施の形態１にかかる超音波金属接合装置で金属接合を開始するときの部分正面図。
【図６】本発明の実施の形態１にかかる超音波金属接合装置の図５の紙面左から見た部分側面図。
【図７】本発明の実施の形態１にかかる超音波金属接合装置で金属接合を開始し、マグネットワイヤの絶縁皮膜を錫メッキ層の表面に押し付けて密着したときの部分正面図。
【図８】本発明の実施の形態１にかかる超音波金属接合装置の図７の紙面左から見た部分側面図。
【図９】本発明の実施の形態１にかかる超音波金属接合装置で錫メッキ層の凸部を溶融し、マグネットワイヤの線材を銅板の凸部に押し付けたときの部分正面図。
【図１０】本発明の実施の形態１にかかる超音波金属接合装置の図９の紙面左から見た部分側面図。
【図１１】本発明の実施の形態１にかかる超音波金属接合装置で銅板の凸部を潰した面にマグネットワイヤの線材を押し付けて金属接合したときの部分正面図。
【図１２】本発明の実施の形態１にかかる超音波金属接合装置の図１１の紙面左から見た部分側面図。
【図１３】本発明の実施の形態１にかかる超音波金属接合装置で錫メッキ銅板にマグネットワイヤの線材を押し付けて金属接合したときの平面図に相当する写真。
【図１４】本発明の実施の形態１にかかる超音波金属接合装置で錫メッキ銅板にマグネットワイヤの線材を押し付けて金属接合したときの側面図に相当する写真。
【図１５】本発明の実施の形態１にかかる表面に凹凸を設けた更に他の錫メッキ銅板の平面図。
【図１６】本発明の実施の形態１にかかる表面に凹凸を設けた更に他の錫メッキ銅板の平面図。
【図１７】（ａ）本発明の実施の形態２にかかる表面に凹凸を設けたマグネットワイヤの平面図（ｂ）本発明の実施の形態２にかかる表面に凹凸を設けた他のマグネットワイヤの平面図（ｃ）本発明の実施の形態２にかかる表面に凹凸を設けた更に他のマグネットワイヤの平面図。
【図１８】本発明の実施の形態２にかかる超音波金属接合装置で金属接合を開始するときの部分側面図。
【図１９】本発明の実施の形態２にかかる超音波金属接合装置の図１８の紙面左から見た部分側面図。
【図２０】従来の超音波金属接合装置の部分正面図。
【図２１】従来の超音波金属接合装置の図２０の紙面左から見た部分側面図。
【図２２】従来の超音波金属接合装置で銅板にマグネットワイヤの線材を押し付けて金属接合したときの部分正面図。
【図２３】従来の超音波金属接合装置の図２２の紙面左から見た部分側面図。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図２に、本発明の実施の形態１にかかる表面に凹凸を設けた錫メッキ銅板９の平面図を示す。錫メッキ銅板９の表面には、ローレット状の凸部９ｃと凹部９ｂを設けている。二点鎖線Ｌで四角に囲った領域が、金属線を金属接合する接合領域である。
図３に、本発明の実施の形態１にかかる表面に凹凸を設けた他の錫メッキ銅板の平面図を示す。図３では、ローレット状の凸部９ｃの先端の平面の面積を図２よりも広くしている。この他、凸部９ｃの形状や平面上の分布状況については、よりよい金属接合を実現するために必要に応じて種々選択してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図４（ａ）に、本発明の実施の形態１にかかる工具ホーン２００の突起状押圧部３０を下から見た斜面図を、図４（ｂ）に、本発明の実施の形態１にかかる他の工具ホーン２０１の突起状押圧部３１を下から見た斜面図を示す。図４（ａ）では、工具ホーン２００の下面の軸心から偏心した位置に突起状押圧部３０を設けている。なお、突起状押圧部３０は図に示したとおり、押圧面３０ａが下に凸になる曲面にしている。この曲面は、断面が円弧状あるいは放物線状の一部となるようにしている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図４（ｂ）では、工具ホーン２０１の下面の軸心から偏心した位置に突起状押圧部３１を設けている。突起状押圧部３１は図に示したとおり、押圧面３１ａを平面（フラット）にして、押圧面３１ａの角部（コーナー）を小さい曲面で面取りしている。押圧面３１ａの角部（コーナー）を小さい曲面で面取りをしておくと、押圧している金属線あるいは金属板を角部（コーナー）のエッジで傷つけたり切断したりしないですむ。本発明では、図４（ａ）図４（ｂ）のどちらの工具ホーンを用いても金属線と金属板、あるいは複数の金属板の強固な金属接合をすることができる。以下の説明では、図４（ａ）の押圧面の断面が円弧状あるいは放物線状の一部となる曲面とした工具ホーン２００を用いた場合を図示することにした。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図１７（ｂ）に、本発明の実施の形態２にかかる超音波金属接合装置で接合する表面に凹凸を設けた他のマグネットワイヤの平面図を示す。マグネットワイヤ８２の凸部８２ｃの形状は、既に図３で説明した凸部９ｃと同じである。図１７（ｃ）に、本発明の実施の形態２にかかる超音波金属接合装置で接合する表面に凹凸を設けた更に他のマグネットワイヤの平面図を示す。図１７（ｃ）のマグネットワイヤ８３では、凸部８３ｃを山状に形成し、凹部８３ｄを連なった溝に形成している。なお、図１７（ｃ）の例では、凸部８３ｃの先端面に小さい溝８３ｅを形成した例を示している。このように本発明は、マグネットワイヤと錫メッキ銅板の間に凹凸面を設けることにより、強固な金属接合を短時間に行い、工具ホーンに溶融した金属や絶縁皮膜が凝着しないという効果のある超音波金属接合方法を実現している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2013000792.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月8日(2014.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モータのステータコイルが巻装されるステータコアを収容するハウジングの前方に、前記モータの出力軸が挿入されるハンマケースを組み付けて、前記ハンマケースに、前記出力軸から回転伝達されるスピンドルと、前記スピンドルの出力を回転方向への間欠的な打撃作動に変換可能な打撃機構と、を内設して、前記ハンマケースの後端に、前記出力軸が貫通する蓋部材を一体に結合し、前記ハウジング内に、前記ステータコア側と前記ハンマケース側との間を仕切り前記出力軸が貫通する仕切壁を設け、前記ハウジングの側面に前記モータの冷却用空気の吸気口を設けた打撃工具であって、
前記ステータコアの前面に、前記出力軸が貫通して前記前面を閉塞する閉塞体を設け、前記閉塞体と前記仕切壁との間に、前記出力軸が貫通して前記閉塞体と前記仕切壁との間の隙間を塞ぐリング状の防水部材を備えることを特徴とする打撃工具。
【請求項２】
前記蓋部材の後面に、前記出力軸を軸支する軸受を保持して前記閉塞体側へ向けて環状に突出形成された軸受部を設けて、
前記閉塞体と前記仕切壁との間で前記軸受部の外周に、前記防水部材を取り付けたことを特徴とする請求項１に記載の打撃工具。
【請求項３】
前記閉塞体は電気回路基板であることを特徴とする請求項１又は２に記載の打撃工具。
【請求項４】
前記ステータコアにおける前記閉塞体よりも後方位置に、前記吸気口から前記ハウジング内に導入された前記冷却用空気を前記ステータコア内に取り入れる空気取入口を設けたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の打撃工具。
【請求項５】
前後方向に延設される胴体部と、前記胴体部から該胴体部の下方に延びるハンドル部と、を有するハウジングと、
前記胴体部の内部に配置されるベアリングボックスと、
前記胴体部の内部であって前記ベアリングボックスの後方に配置されるブラシレスモータと、
前記胴体部に設けられて、前記ブラシレスモータの冷却用空気を該胴体部の内部に導入する吸気口と、
前記胴体部に設けられて、前記冷却用空気を前記胴体部の外部へ排出する排気口と、
前記ブラシレスモータの前面に固定されて該ブラシレスモータの出力軸が貫通する基板と、
前記ベアリングボックスの後面に保持される軸受と、を有し、
前記基板を貫通した前記出力軸が前記軸受に軸支される電動工具であって、
前記基板の前面と前記軸受との間の隙間を塞ぐ防水部材を設けたことを特徴とする電動工具。
【請求項６】
前後方向に延設される胴体部と、前記胴体部から該胴体部の下方に延びるハンドル部と、を有するハウジングと、
前記胴体部の内部に配置されるベアリングボックスと、
前記胴体部の内部であって前記ベアリングボックスの後方に配置されるブラシレスモータと、
前記胴体部に設けられて、前記ブラシレスモータの冷却用空気を該胴体部の内部に導入する吸気口と、
前記胴体部に設けられて、前記冷却用空気を前記胴体部の外部へ排出する排気口と、
前記ブラシレスモータの前面に固定されて該ブラシレスモータの出力軸が貫通する基板と、
前記ベアリングボックスの後面に保持される軸受と、を有し、
前記基板を貫通した前記出力軸が前記軸受に軸支される電動工具であって、
前記基板の前方側から前記軸受へと水が浸入することを防ぐ防水部材を設けたことを特徴とする電動工具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項４の発明は、請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記ステータコアにおける前記閉塞体よりも後方位置に、前記吸気口から前記ハウジング内に導入された前記冷却用空気を前記ステータコア内に取り入れる空気取入口を設けたことを特徴とする。
請求項５の発明に係る電動工具は、前後方向に延設される胴体部と、前記胴体部から該胴体部の下方に延びるハンドル部と、を有するハウジングと、前記胴体部の内部に配置されるベアリングボックスと、前記胴体部の内部であって前記ベアリングボックスの後方に配置されるブラシレスモータと、前記胴体部に設けられて、前記ブラシレスモータの冷却用空気を該胴体部の内部に導入する吸気口と、前記胴体部に設けられて、前記冷却用空気を前記胴体部の外部へ排出する排気口と、前記ブラシレスモータの前面に固定されて該ブラシレスモータの出力軸が貫通する基板と、前記ベアリングボックスの後面に保持される軸受と、を有し、前記基板を貫通した前記出力軸が前記軸受に軸支される電動工具であって、前記基板の前面と前記軸受との間の隙間を塞ぐ防水部材を設けたことを特徴とする。
請求項６の発明に係る電動工具は、前後方向に延設される胴体部と、前記胴体部から該胴体部の下方に延びるハンドル部と、を有するハウジングと、前記胴体部の内部に配置されるベアリングボックスと、前記胴体部の内部であって前記ベアリングボックスの後方に配置されるブラシレスモータと、前記胴体部に設けられて、前記ブラシレスモータの冷却用空気を該胴体部の内部に導入する吸気口と、前記胴体部に設けられて、前記冷却用空気を前記胴体部の外部へ排出する排気口と、前記ブラシレスモータの前面に固定されて該ブラシレスモータの出力軸が貫通する基板と、前記ベアリングボックスの後面に保持される軸受と、を有し、前記基板を貫通した前記出力軸が前記軸受に軸支される電動工具であって、前記基板の前方側から前記軸受へと水が浸入することを防ぐ防水部材を設けたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月11日(2014.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、研磨材と、これらを接合する粘着剤層と、を備える研磨用構造体であって、
前記粘着剤層は、第一のモノマー５８〜８５質量％、第二のモノマー２〜７質量％及び第三のモノマー１０〜４０質量％を含むモノマーの重合体を含有し、
前記第一のモノマーは、ガラス転移温度が０℃以下のホモポリマーを与える、炭素数８〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルであり、
前記第二のモノマーは、ガラス転移温度が５０℃以上のホモポリマーを与える、極性モノマーであり、
前記第三のモノマーは、ガラス転移温度が１０℃以上のホモポリマーを与える、炭素数４〜１８のアルキル基又は炭素数７〜１８のアラルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルである、研磨用構造体。
【請求項２】
前記重合体のガラス転移温度が、−１５〜１０℃である、請求項１に記載の研磨用構造体。
【請求項３】
前記研磨材が、基材と、該基材上に規則的に複数配置された砥粒及びその結合剤を含む立体要素と、を有する、請求項１又は２に記載の研磨用構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月6日(2013.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明のうち請求項１に記載の発明は、工具又はワークを回転させるための回転軸を備えた工作機械において、前記回転軸に生じるびびり振動の種類を判別する振動判別方法であって、回転中の前記回転軸の時間領域での振動及び前記回転軸の回転速度を検出する第１工程と、前記時間領域の振動をもとに周波数領域の振動を算出するとともに、算出した前記周波数領域の振動におけるピーク値及び該ピーク値をとるピーク周波数を複数取得する第２工程と、各前記ピーク値毎に、前記びびり振動の種類を判別するための回転同期型振動判別範囲を自身のピーク周波数を用いて夫々求める第３工程と、各前記ピーク値毎における前記自身のピーク周波数と前記自身のピーク周波数を用いて求めた前記回転同期型振動判別範囲との関係にもとづき、前記びびり振動の種類を判別する第４工程とを実行することを特徴とする。
また、上記目的を達成するために、本発明のうち請求項２に記載の発明は、工具又はワークを回転させるための回転軸を備えた工作機械において、前記回転軸に生じるびびり振動の種類を判別する振動判別方法であって、回転中の前記回転軸の時間領域での振動及び前記回転軸の回転速度を検出する第１工程と、前記時間領域の振動をもとに周波数領域の振動を算出するとともに、算出した前記周波数領域の振動におけるピーク値及び該ピーク値をとるピーク周波数を複数取得する第２工程と、複数の前記ピーク周波数をもとに、前記びびり振動の種類を判別するための固有型振動判別範囲を求める第３工程と、前記固有型振動判別範囲内に前記ピーク周波数が含まれる前記ピーク値の数にもとづき、前記びびり振動の種類を判別する第４工程とを実行することを特徴とする。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記第３工程において、前記ピーク値同士の周波数間隔を求めるとともに、前記ピーク値のうち、前記周波数間隔が下記式（７）及び／又は式（８）で求められる周波数となる、若しくは、その整数倍となる前記ピーク値を判別対象から除外した上で、前記固有型振動判別範囲を求めることを特徴とする。
回転周波数 ＝ 回転軸の回転速度／６０ ・・・（７）
刃通過周波数 ＝ 回転軸の回転速度×工具刃数／６０ ・・・（８）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、上記目的を達成するために、本発明のうち請求項４に記載の発明は、工具又はワークを回転させるための回転軸を備えた工作機械において、前記回転軸を回転させた際に生じるびびり振動の種類を判別するための振動判別装置であって、回転中の前記回転軸による時間領域の振動及び前記回転軸の回転速度を検出するための検出手段と、該検出手段により検出された前記時間領域の振動をもとに周波数領域の振動を算出するとともに、算出した前記周波数領域の振動におけるピーク値及び該ピーク値をとるピーク周波数を複数取得するＦＦＴ演算部と、各前記ピーク値毎に、前記びびり振動の種類を判別するための回転同期型振動判別範囲を自身のピーク周波数を用いて夫々求めるとともに、各前記ピーク値毎における前記自身のピーク周波数と前記自身のピーク周波数を用いて求めた前記回転同期型振動判別範囲との関係にもとづき、前記びびり振動の種類を判別する判別部と、判別した前記びびり振動の種類を表示する表示部とを備えたことを特徴とする。
また、上記目的を達成するために、本発明のうち請求項５に記載の発明は、工具又はワークを回転させるための回転軸を備えた工作機械において、前記回転軸を回転させた際に生じるびびり振動の種類を判別するための振動判別装置であって、回転中の前記回転軸による時間領域の振動及び前記回転軸の回転速度を検出するための検出手段と、該検出手段により検出された前記時間領域の振動をもとに周波数領域の振動を算出するとともに、算出した前記周波数領域の振動におけるピーク値及び該ピーク値をとるピーク周波数を複数取得するＦＦＴ演算部と、複数の前記ピーク周波数をもとに、前記びびり振動の種類を判別するための固有型振動判別範囲を求めるとともに、前記固有型振動判別範囲内に前記ピーク周波数が含まれる前記ピーク値の数にもとづき、前記びびり振動の種類を判別する判別部と、判別した前記びびり振動の種類を表示する表示部とを備えたことを特徴とする。