【手続補正書】
【提出日】平成25年12月17日(2013.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、電子機器、及び携帯情報端末
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上方に、画素部と、ＦＰＣと電気的に接続された第１の配線と、を有し、
前記画素部は、ゲート配線としての機能を有する第２の配線と、トランジスタと、前記トランジスタ上方の絶縁膜と、前記絶縁膜上方のスペーサと、を有し、
前記第１の配線は、第１の導電膜と、前記第１の導電膜上方の第２の導電膜とを有し、
前記第１の導電膜は、前記第２の配線と同層に設けられた領域を有し、
前記第２の導電膜は、透光性を有し、
前記第１の導電膜の側面は、前記絶縁膜と接する領域を有し、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜は、テーパー部を有し、
前記スペーサは、前記トランジスタと重なる領域を有し、
前記スペーサは、端部に曲率を有する断面形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上方に、画素部と、ＦＰＣと電気的に接続された第１の配線と、を有し、
前記画素部は、ゲート配線としての機能を有する第２の配線と、ソース配線又はドレイン配線としての機能を有する第３の配線と、前記第３の配線と電気的に接続されたトランジスタと、前記トランジスタ上方の絶縁膜と、前記絶縁膜上方のスペーサと、を有し、
前記第１の配線は、第１の導電膜と、前記第１の導電膜上方の第２の導電膜とを有し、
前記第１の導電膜は、前記第２の配線と同層に設けられた領域を有し、
前記第２の導電膜は、透光性を有し、
前記第１の導電膜の側面は、前記絶縁膜と接する領域を有し、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜は、テーパー部を有し、
前記スペーサは、前記トランジスタ及び前記第３の配線と重なる領域を有し、
前記スペーサは、端部に曲率を有する断面形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上方に、画素部と、ＦＰＣと電気的に接続された第１の配線と、を有し、
前記画素部は、ゲート配線としての機能を有する第２の配線と、トランジスタと、前記トランジスタ上方の絶縁膜と、前記絶縁膜上方のスペーサと、を有し、
前記第１の配線は、第１の導電膜と、前記第１の導電膜上方の第２の導電膜とを有し、
前記第１の導電膜は、前記第２の配線と同層に設けられた領域を有し、
前記第２の導電膜は、透光性を有し、
前記第１の導電膜の側面は、前記絶縁膜と接する領域を有し、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜は、テーパー部を有し、
前記第２の配線は、前記トランジスタの第１のゲート電極として機能する第１の領域と、前記トランジスタの第２のゲート電極として機能する第２の領域とを有し、
前記スペーサは、前記トランジスタと重なる領域を有し、
前記スペーサは、端部に曲率を有する断面形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板上方に、画素部と、ＦＰＣと電気的に接続された第１の配線と、を有し、
前記画素部は、ゲート配線としての機能を有する第２の配線と、容量配線としての機能を有する第３の配線と、ソース配線又はドレイン配線としての機能を有する第４の配線と、容量と、前記第４の配線と電気的に接続されたトランジスタと、前記トランジスタ上方の絶縁膜と、前記絶縁膜上方のスペーサと、を有し、
前記第２の配線は、第１の方向に延在しており、
前記第３の配線は、前記第１の方向に沿うように延在しており、
前記第４配線は、前記第１の方向と交差する第２の方向に延在しており、
前記第３の配線は、前記第２の配線と同層に設けられており、
前記第１の配線は、第１の導電膜と、前記第１の導電膜上方の第２の導電膜とを有し、
前記第１の導電膜は、前記第２の配線と同層に設けられた領域を有し、
前記第２の導電膜は、透光性を有し、
前記第１の導電膜の側面は、前記絶縁膜と接する領域を有し、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜は、テーパー部を有し、
前記トランジスタが有する半導体層は、前記第１の方向に延在する第１の領域と、前記第２の方向に延在する第２の領域とを有し、
前記第２の領域は、前記第４の配線と重なる部分を有し、
前記第２の領域において、前記トランジスタは前記第４の配線と電気的に接続されており、
前記容量は、前記半導体層の前記第１の領域の一部と、前記第３の配線の一部の領域とを有し、
前記第３の配線の前記一部の領域は、前記第２の方向に突出した部分を有し、
前記スペーサは、前記トランジスタと重なる領域を有し、
前記スペーサは、端部に曲率を有する断面形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記絶縁膜は、第１の膜と、前記第１の膜上方の第２の膜とを有し、
前記第１の膜は、シリコンと窒素とを有し、
前記第２の膜は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
基板上方に、画素部と、ＦＰＣと電気的に接続された第１の配線と、を有し、
前記画素部は、ゲート配線としての機能を有する第２の配線と、容量配線としての機能を有する第３の配線と、容量と、トランジスタと、前記トランジスタ上方の第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上方のスペーサと、を有し、
前記第１の配線は、第１の導電膜と、前記第１の導電膜上方の第２の導電膜とを有し、
前記第１の導電膜は、前記第２の配線と同層に設けられた領域を有し、
前記第２の導電膜は、透光性を有し、
前記第１の導電膜の側面は、前記絶縁膜と接する領域を有し、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜は、テーパー部を有し、
前記トランジスタが有する半導体層は、第２の絶縁膜を介して前記第２の配線と重なる第１の領域と、前記第２の絶縁膜を介して前記第３の配線と重なる第２の領域とを有し、
前記第３の配線は、前記第２の配線と同層に設けられており、
前記容量は、前記半導体層の一部と、前記第２の絶縁膜の一部と、前記第３の配線の一部とを有し、
前記スペーサは、前記トランジスタと重なる領域を有し、
前記スペーサは、端部に曲率を有する断面形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
基板上方に、画素部と、ＦＰＣと電気的に接続された第１の配線と、を有し、
前記画素部は、ゲート配線としての機能を有する第２の配線と、容量配線としての機能を有する第３の配線と、ソース配線又はドレイン配線としての機能を有する第４の配線と、前記第４の配線と電気的に接続されたトランジスタと、前記トランジスタ上方の第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上方のスペーサと、を有し、
前記第１の配線は、第１の導電膜と、前記第１の導電膜上方の第２の導電膜とを有し、
前記第１の導電膜は、前記第２の配線と同層に設けられた領域を有し、
前記第２の導電膜は、透光性を有し、
前記第１の導電膜の側面は、前記絶縁膜と接する領域を有し、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜は、テーパー部を有し、
前記トランジスタが有する半導体層は、第２の絶縁膜を介して前記第２の配線と重なる第１の領域と、前記第２の絶縁膜を介して前記第３の配線と重なる第２の領域とを有し、
前記第３の配線は、前記第２の配線と同層に設けられており、
前記第３の配線は、第３の絶縁膜を介して、前記第４の配線と同層に設けられた導電層と重なる領域を有し、
前記スペーサは、前記トランジスタと重なる領域を有し、
前記スペーサは、端部に曲率を有する断面形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記第１の絶縁膜は、第１の膜と、前記第１の膜上方の第２の膜とを有し、
前記第１の膜は、シリコンと窒素とを有し、
前記第２の膜は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一に記載の半導体装置を有する電子機器。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一に記載の半導体装置と、タッチパネルと、ＬＥＤバックライトとを有する携帯型情報端末。