【手続補正書】
【提出日】平成26年8月1日(2014.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格を有する複素環化合物と、前記複素環化合物に対して電子受容性を示す無機化合物とを含む複合材料。
【請求項２】
ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格の４位に炭素数６以上７０以下の置換基が結合した複素環化合物と、前記複素環化合物に対して電子受容性を示す無機化合物とを含む複合材料。
【請求項３】
ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格の４位にフェニル基が結合し、前記フェニル基が１以上の置換基を有し、前記フェニル基及び前記１以上の置換基の炭素数の総和が１２以上７０以下である複素環化合物と、前記複素環化合物に対して電子受容性を示す無機化合物とを含む複合材料。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記置換基が有する環は、それぞれ独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環から選ばれる一種又は複数種である複合材料。
【請求項５】
式（Ｇ１）で表される複素環化合物と、前記複素環化合物に対して電子受容性を示す無機化合物とを含む複合材料。
【化１】
2013012698.tif 000001
（式中、Ａは酸素又は硫黄を表し、Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は環を構成する炭素数が６〜２５のアリール基を表し、Ｒ８〜Ｒ１２は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、置換もしくは無置換のトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表す。ただし、Ｒ８〜Ｒ１２のうち、少なくとも１つは、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、置換もしくは無置換のトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表す。）
【請求項６】
式（Ｇ１）で表される複素環化合物と、前記複素環化合物に対して電子受容性を示す無機化合物とを含む複合材料。
【化２】
2013012698.tif 000002
（式中、Ａは酸素又は硫黄を表し、Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は環を構成する炭素数が６〜２５のアリール基を表し、Ｒ８〜Ｒ１２は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表す。ただし、Ｒ８〜Ｒ１２のうち、少なくとも１つは、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表す。）
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記複素環化合物と、前記無機化合物とは、混合されている複合材料。
【請求項８】
ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格を有する複素環化合物と、遷移金属酸化物とを含む複合材料。
【請求項９】
ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格の４位に炭素数６以上７０以下の置換基が結合した複素環化合物と、遷移金属酸化物とを含む複合材料。
【請求項１０】
ジベンゾチオフェン骨格又はジベンゾフラン骨格の４位にフェニル基が結合し、前記フェニル基が１以上の置換基を有し、前記フェニル基及び前記１以上の置換基の炭素数の総和が１２以上７０以下である複素環化合物と、遷移金属酸化物とを含む複合材料。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０において、
前記置換基が有する環は、それぞれ独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環から選ばれる一種又は複数種である複合材料。
【請求項１２】
式（Ｇ１）で表される複素環化合物と、遷移金属酸化物とを含む複合材料。
【化３】
2013012698.tif 000003
（式中、Ａは酸素又は硫黄を表し、Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は環を構成する炭素数が６〜２５のアリール基を表し、Ｒ８〜Ｒ１２は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、置換もしくは無置換のトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表す。ただし、Ｒ８〜Ｒ１２のうち、少なくとも１つは、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、置換もしくは無置換のトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表す。）
【請求項１３】
式（Ｇ１）で表される複素環化合物と、遷移金属酸化物とを含む複合材料。
【化４】
2013012698.tif 000004
（式中、Ａは酸素又は硫黄を表し、Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は環を構成する炭素数が６〜２５のアリール基を表し、Ｒ８〜Ｒ１２は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表す。ただし、Ｒ８〜Ｒ１２のうち、少なくとも１つは、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のフルオレニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表す。）
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記遷移金属酸化物は、チタン酸化物、バナジウム酸化物、タンタル酸化物、モリブデン酸化物、タングステン酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、銀酸化物から選ばれる一種又は複数種である複合材料。
【請求項１５】
請求項８乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記複素環化合物と、前記遷移金属酸化物とは、混合されている複合材料。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記複素環化合物の最高被占有軌道準位は、光電子分光法での測定値が−５．７ｅＶ以下である複合材料。
【請求項１７】
一対の電極間に、請求項１乃至請求項１６のいずれか一項に記載の複合材料を含む層を有する発光素子。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記複合材料を含む層が、前記一対の電極のうち陽極として機能する電極と接する発光素子。
【請求項１９】
請求項１７において、
前記複合材料を含む層が、前記一対の電極のうち陰極として機能する電極と接する発光素子。
【請求項２０】
請求項１７において、
前記複合材料を含む層を２層有し、一方の層は、前記一対の電極のうち陽極として機能する電極と接し、他方の層は、前記一対の電極のうち陰極として機能する電極と接する発光素子。
【請求項２１】
一対の電極間に発光物質を含む層を複数有し、
複数の前記発光物質を含む層の間に、請求項１乃至請求項１６のいずれか一項に記載の複合材料を含む層を有する発光素子。
【請求項２２】
請求項１７乃至請求項２１のいずれか一項に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項２３】
請求項２２に記載の発光装置を表示部に有する電子機器。
【請求項２４】
請求項２２に記載の発光装置を発光部に有する照明装置。