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【手続補正書】
【提出日】平成26年5月19日(2014.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機アミンで安定化された銀ナノ粒子を製造する方法であって、
有機溶媒と第１の量の有機アミンとを含む、溶液を作り、前記溶液を５０℃〜８０℃の第１の温度に加熱することと；
前記第１の温度に加熱した溶液に銀塩を加えることと；
前記第１の温度に加熱した溶液に第２の量の有機アミンを加えることと；
前記第１の温度に加熱した溶液を第２の温度に冷却することと；
前記溶液にヒドラジンを加え、前記銀塩を還元して還元された銀塩を形成し、前記還元された銀塩を前記有機アミンと反応させて有機アミンで安定化された銀ナノ粒子を形成する一方、前記溶液は前記第２の温度で維持することと；
前記反応を行った後、非溶媒を前記溶液に添加し、その後、アルコールを前記溶液に添加することを含む２回の溶媒による沈殿によって、前記溶液から沈殿させ、前記有機アミンで安定化された銀ナノ粒子を回収することとを含み；
前記銀塩と前記有機アミンの合計量とのモル比が１：４〜１：１０である、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記銀塩が、酢酸銀、硝酸銀、酸化銀、アセト酢酸銀、安息香酸銀、臭素酸銀、臭化銀、炭酸銀、塩化銀、クエン酸銀、フッ化銀、ヨウ素酸銀、ヨウ化銀、乳酸銀、亜硝酸銀、過塩素酸銀、リン酸銀、硫酸銀、硫化銀、トリフルオロ酢酸銀、およびこれらの組み合わせから選択される、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記銀塩と前記有機アミンの合計量とのモル比が、１：５である、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記有機溶媒が、トルエン、ヘプタン、ヘキサン、ベンゼン、シクロヘキサン、ペンタン、ブロモベンゼン、クロロベンゼン、およびこれらの混合物から選択される、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記第２の温度が、４０℃〜６０℃である、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記有機溶媒と、前記第１の量の有機アミンとの重量比が、１：０．８〜１：１．２である、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記第１の量の有機アミンと、前記第２の量の有機アミンとの重量比が、１．７：１〜１：１．７である、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記ヒドラジンが、以下の式を有する、方法。
Ｒ１Ｒ２Ｎ−ＮＲ３Ｒ４
（式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、独立して、水素原子、炭素原子１〜３０個のアルキル基、および炭素原子６〜４８個のアリール基から選択され、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４のうち、少なくとも１個は水素ではない。）
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記ヒドラジンを、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、ニトロベンゼン、シアノベンゼン、アセトニトリル、およびこれらの混合物から選択される溶媒にまず添加してヒドラジン還元剤溶液を得て、その後、それを前記溶液に添加する、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
前記非溶媒が、アセトン、メタノール、エタノール、プロパノール、メチルエチルケトン、アセトニトリル、イソブチルアルコール、およびこれらの組み合わせから選択される、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月14日(2014.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転駆動手段の回転軸に取り付けられる回転軸部と、該回転軸部を中心とする環状の中間リングと、前記回転軸部及び前記中間リングを連結する連結部材と、前記中間リングの外側に位置するとともに、前記回転軸部を中心にして放射状に設けられた複数の外側羽根からなる外側羽根群とを備え、前記中心から前記中間リングまでの距離が、当該中間リングの外側の端部から前記外側羽根の端部までの距離よりも長い軸流ファンを有することを特徴とする扇風機。
【請求項２】
前記中間リングの内側の風の速度Ｖ１と、前記中間リングの外側から発生する風の速度Ｖ２とが１．５Ｖ１＜Ｖ２の関係にある請求項１に記載の扇風機。
【請求項３】
前記外側羽根群のそれぞれの外側羽根が正面から見た時に重ならないように配置されている請求項１又は２に記載の扇風機。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月5日(2014.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
隣接するタービン部品（１４、１６）間の流体漏れ間隙（１２）をシールするためのバネ負荷式シール・アセンブリ（１０）であって、
隣接する固定タービン部品（１４、１６）によって画定される一対の対向するシール溝（２２、２４）内で延びるタービン・シール（１８）であって、前記タービン部品（１４、１６）間に画定された流体漏れ間隙（１２）をシールするように構成されたタービン・シール（１８）と、
前記タービン・シール（１８）を前記シール溝（２２、２４）の各々の一部分とシール嵌合状態に保つように構成されたバネ部材（２０）であって、該バネ部材（２０）の少なくとも一部分が、前記タービン部品（１４、１６）の少なくとも一方に画定された少なくとも１つのバネ溝（３６）内に収まり、前記少なくとも１つのバネ溝（３６）が前記シール溝（２２、２４）から離間している、バネ部材（２０）と
を含むバネ負荷式シール・アセンブリ（１０）。
【請求項２】
前記バネ部材（２０）がその長さに沿って弓形に曲がっている、請求項１に記載のバネ負荷式シール・アセンブリ（１０）。
【請求項３】
前記バネ部材（２０）が、前記タービン・シール（１８）を前記タービン部品（１４、１６）とシール嵌合状態に保つように、前記シール溝（２２、２４）の各々の前記部分に対して弓形に曲がっている、請求項２に記載のバネ負荷式シール・アセンブリ（１０）。
【請求項４】
前記バネ部材（２０）が、前記タービン・シール（１８）の長さに沿って複数の離間した箇所で前記タービン・シール（１８）と接触する、請求項１に記載のバネ負荷式シール・アセンブリ（１０）。
【請求項５】
前記バネ部材（２０）が、前記タービン・シール（１８）の長さに沿って長手方向に延びる、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のバネ負荷式シール・アセンブリ（１０）。
【請求項６】
前記バネ部材（２０）が板バネとして構成される、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のバネ負荷式シール・アセンブリ（１０）。
【請求項７】
前記バネ部材（２０）が、前記シール溝（２２、２４）のいずれの部分とも接触しない、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のバネ負荷式シール・アセンブリ（１０）。
【請求項８】
前記バネ部材（２０）の少なくとも一部分が、前記タービン部品（１４、１６）によって画定される一対の対向するバネ溝（３６）内に収まる、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のバネ負荷式シール・アセンブリ（１０）。
【請求項９】
前記バネ部材（２０）が、該バネ部材（２０）の長さに沿って離間した複数の突出部（３８）を含んでおり、前記複数の突出部（３８）の各々が前記バネ溝（３６）内に収まるように構成されている、請求項８に記載のバネ負荷式シール・アセンブリ（１０）。
【請求項１０】
前記バネ部材（２０）が、第１の端部（３２）と、第２の端部（３４）と、前記第１の端部（２０）から外側に延びる突出部（３８）とを含んでおり、前記突出部（３８）が前記バネ溝（３６）内に収まるように構成されている、請求項８に記載のバネ負荷式シール・アセンブリ（１０）。
【請求項１１】
前記突出部（３８）が、前記バネ溝（３６）内にスライド可能に収まるように構成されている、請求項１０に記載のバネ負荷式シール・アセンブリ（１０）。
【請求項１２】
前記突出部（３８）が、前記バネ部材（２０）において前記タービン部品（１４、１６）と接触する唯一の部分である、請求項１０又は請求項１１に記載のバネ負荷式シール・アセンブリ（１０）。
【請求項１３】
前記第２の端部（３４）が、前記タービン・シール（１８）を前記シール溝（２２、２４）の各々の前記部分とシール嵌合状態に保つように前記バネ部材（２０）がその長さに沿って弓形に曲がることができる位置に配置される、請求項１０乃至請求項１２のいずれか１項に記載のバネ負荷式シール・アセンブリ（１０）。
【請求項１４】
前記バネ部材（２０）の前記第２の端部（３４）は、前記タービン・シール（１８）を第３のタービン部品（４２）に取り付けるように構成されたブラケット（４０）に実質的に隣接して配置される、請求項１３に記載のバネ負荷式シール・アセンブリ（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月5日(2014.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスタービンユニットのタービン高温ガス及び燃焼部品の遮熱コーティング（ＴＢＣ）の残存有効寿命を予測するための寿命管理システム（１００）であって、当該システム（１００）が、
温度を含む作動パラメータを用いて少なくとも１つの部品の累積損傷（１２０）を求めるための一連のコンピュータ命令を含むコンピュータ可読媒体であって、前記コンピュータ命令が、物理モデルに基づく１以上の損傷伝達関数を含んでおり、前記コンピュータ可読媒体が、さらに、ガスタービンユニットリスク及び分類確率（１３０）を求めるように構成されている、コンピュータ可読媒体と、
前記少なくとも１つの部品の累積損傷（１２０）並びに前記ガスタービンユニットリスク及び分類確率（１３０）を受けるデータ融合モジュール（３３０）であって、少なくとも１つの寿命パラメータ（１４０）を計算するように構成されたデータ融合モジュール（３３０）と
を備えており、前記少なくとも１つの部品が遮熱コーティングを含んでいる、システム。
【請求項２】
前記少なくとも１つの寿命パラメータ（１４０）が遮熱コーティング損傷確率を含む、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記少なくとも１つの寿命パラメータ（１４０）が残存有効寿命予測を含む、請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記少なくとも１つの部品寿命パラメータ（１４０）が検査勧告を含む、請求項１記載のシステム。
【請求項５】
前記累積損傷（１２０）を求めるため前記コンピュータ可読媒体が、監視及び診断データベース、中央金属温度、平均金属温度又は直接金属温度と温度位置とを測定するための手段、並びに少なくとも１つのサイクルの間に前記少なくとも１つの部品の損傷を計算するための手段を含む、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のシステム。
【請求項６】
前記ガスタービンユニットリスク及び分類確率（１３０）を求めるため前記コンピュータ可読媒体が信頼性データベースを含む、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載のシステム。
【請求項７】
前記データ融合モジュール（３３０）が、論理ベース法、ダンプスター・シェファー法、ファジー推論法、人工知能、監視及び診断データの損傷累積との融合、フォールアウト及びアンプランドモデル、並びにベイズ法からなる群から選択されるデータ融合技術を含む、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月5日(2014.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケーシング部分（１３０）と、
少なくとも部分的に前記ケーシング部分（１３０）内に収容されたダイアフラム部分（１２０）と、
前記ケーシング部分（１３０）と前記ダイアフラム部分（１２０）との間の調節可能な支持装置（１４０）であって、前記ケーシング部分（１３０）と前記ダイアフラム部分（１２０）とに接触する楔状部材（１５０）と、支持部材（１６０）と、前記楔状部材（１５０）と前記支持部材（１６０）とに当接する調節部材（１７０）とを含む支持装置（１４０）と
を有する蒸気タービン装置（１１０）であって、前記調節部材（１７０）が、前記調節部材（１７０）の調節の方向とは実質的に異なる方向に、前記楔状部材（１５０）の位置を調節するように構成されている、蒸気タービン装置（１１０）。
【請求項２】
前記ケーシング部分（１３０）が、水平接合面（１８０）を有し、前記調節部材（１７０）は、前記水平接合面（１８０）の上方の位置から調節可能である、請求項１に記載の蒸気タービン装置（１１０）。
【請求項３】
少なくとも部分的に前記楔状部材（１５０）を支持する楔状部材ハウジング（２６０）を更に含み、前記楔状部材ハウジング（２６０）は、前記支持部材（１６０）に固定的に連結されている、請求項１又は請求項２に記載の蒸気タービン装置（１１０）。
【請求項４】
前記楔状部材ハウジング（２６０）は更に、前記ケーシング部分（１３０）に固定的に連結されている、請求項３に記載の蒸気タービン装置（１１０）。
【請求項５】
前記楔状部材（１５０）が、前記調節部材（１７０）に当接する第１の傾斜面（１５２）と前記第１の傾斜面（１５２）とは別の第２の傾斜面（１５４）とを有し、前記第２の傾斜面（１５４）は、前記ダイアフラム部分（１２０）に当接している、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の蒸気タービン装置（１１０）。
【請求項６】
前記ダイアフラム部分（１２０）が、前記楔状部材（１５０）の前記第２の傾斜面（１５４）に係合する棚状部（１２２）を含み、前記棚状部（１２２）は、前記第２の傾斜面（１５４）に対して実質的に補角を成す、請求項５に記載の蒸気タービン装置（１１０）。
【請求項７】
水平接合面（１８０）を有するケーシング（１３０）と、
前記ケーシング（１３０）内のロータ（２９）と、
少なくとも部分的に前記ケーシング（１３０）内に収容されたダイアフラム部分（１２０）と、
前記ケーシング部分（１３０）と前記ダイアフラム部分（１２０）との間の調節可能な支持装置（１４０）であって、前記ケーシング部分（１３０）と前記ダイアフラム部分（１２０）とに接触する楔状部材（１５０）と、少なくとも部分的に自身を貫通して延在する孔部を有する支持部材（１６０）と、前記楔状部材（１５０）に当接し、少なくとも部分的に前記支持部材（１６０）の前記孔部内に配置された調節部材（１７０）とを含む調節可能な支持装置（１４０）と
を有する蒸気タービン装置（１１０）であって、前記調節部材（１７０）が、前記水平接合面（１８０）の上方の位置から前記楔状部材１５０）の位置を調節するように構成されているとともに、前記調節部材（１７０）が、前記調節部材（１７０）の調節の方向とは実質的に異なる方向に、前記楔状部材（１５０）の位置を調節するように構成されている、蒸気タービン装置（１１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月23日(2014.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銀ナノ粒子表面に会合させた安定化剤を有する銀ナノ粒子を含む組成物であって、前記安定化剤は、有機アミン安定化剤及び溶媒からなり、前記有機アミン安定化剤は、少なくとも９個の炭素原子を有する第一アルキルアミンであり、前記溶媒は、デカヒドロナフタレン、ｃｉｓ−デカヒドロナフタレン及びｔｒａｎｓ−デカヒドロナフタレンのうち１つ以上であり、前記銀ナノ粒子の銀含有量は、前記銀ナノ粒子及び前記有機アミン安定化剤の総重量に対して、約８０重量％から約９５重量％である、組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の組成物であって、前記銀ナノ粒子は、銀、銀−銅コンポジット、銀−金−銅コンポジット、銀−金−パラジウムコンポジット及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、組成物。
【請求項３】
請求項１に記載の組成物であって、前記有機アミン安定化剤は、ノニルアミン、デシルアミン、ヘキサデシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、デトラデシルアミン及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、組成物。
【請求項４】
請求項１に記載の組成物であって、前記組成物はさらに共溶媒を含み、前記溶媒及び前記共溶媒は、以下のハンセン溶解度パラメータ：分散パラメータが約１６ＭＰａ０．５以上、極性パラメータと水素結合パラメータの合計が約８ＭＰａ０．５以下を有し、
前記共溶媒は、テトラデカン、ヘキサデカン、メチルナフタレン、テトラヒドロナフタレン、テトラメチルベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン及びトリメチルベンゼンからなる群より選択される、組成物。
【請求項５】
銀ナノ粒子表面に会合させた安定化剤を有する銀ナノ粒子を含む組成物であって、前記安定化剤は、有機アミン安定化剤及び溶媒からなり、前記有機アミン安定化剤は、ヘキサデシルアミンであり、前記溶媒は、デカヒドロナフタレン、ｃｉｓ−デカヒドロナフタレン及びｔｒａｎｓ−デカヒドロナフタレンのうち１つ以上であり、前記銀ナノ粒子の銀含有量は、前記銀ナノ粒子及び前記有機アミン安定化剤の総重量に対して、約８０重量％から約９５重量％である、組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月24日(2014.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＨ基を有するシロキサンと、オレフィン二重結合を有する有機化合物とから反応生成物を製造する方法であって、ジ−μ−クロロ−ビス（１，２−η）−シクロヘキセン白金（ＩＩ）クロリドを触媒として使用することを特徴とする、反応生成物の製造方法。
【請求項２】
反応を、溶剤を用いずにかつ前記触媒を相溶化させるか又は溶解させる補助相を用いずに実施する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
Ｓｉ−Ｈ基を有するシロキサンとして、式（Ｉ）
【化１】
2011256388.tif 000001
［式中、Ｒは、炭素原子１個から２０個までを有する置換又は非置換の炭化水素基であり、
Ｒ′は、水素及び／又はＲであり、
ｍが０〜５００であり、
ｎが０〜６０であり、
ｋが０〜１０であり、
但し、Ｒ′は、少なくとも１個が水素である］で示されるものを使用する、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
式（Ｉ）の基Ｒが、炭素原子１〜８個を有するアルキル基、炭素原子１〜８個を有する置換アルキル基、３−クロロプロピル基、１−クロロメチル基、３−シアノプロピル基、アリール基、フェニル基、炭素原子７〜２０個を有するアラルキル基、ベンジル基、アルコキシ基又はアルコキシアルキル基、エトキシ基又はエトキシプロピル基の１つ又はそれ以上の同じか又は異なる基から選択されている、請求項３記載の方法。
【請求項５】
オレフィン系不飽和有機化合物が、α−オレフィン、歪んだ環状オレフィン、α，ω−アルケノール、末端オレフィン系不飽和ポリエーテル、アミノ官能性α−オレフィン又はα−オレフィン基を有するオキシラン、又はω位でのオレフィン系不飽和カルボン酸エステルの群から選択されており、その際に前記オレフィンは、単独で又は互いの任意の混合物で使用されることができる、請求項１から４までのいずれか１項記載の有機変性されたシロキサンの製造方法。
【請求項６】
ポリマー化合物を製造するための、請求項１から５までのいずれか１項に従って製造された、有機変性されたシロキサンの使用。
【請求項７】
エポキシ樹脂中の架橋成分としてエポキシ樹脂の靭性を改善するための、請求項１から５までのいずれか１項に従って製造された、有機変性されたシロキサンの使用。
【請求項８】
エポキシ樹脂中の架橋成分としてエポキシ樹脂の靭性を０℃未満の低い温度で改善するための、請求項７記載の有機変性されたシロキサンの使用。
【請求項９】
テキスタイルのコーティングに使用されるポリマーを製造するための、請求項１から５までのいずれか１項に従って製造された、末端エポキシ基を有する有機変性されたシロキサンの使用。
【請求項１０】
家庭及び工業における並びに皮膚及び皮膚付属器のための洗浄剤及び手入れ剤における、薬学、家庭及び工業における用途のための洗浄配合物及び手入れ配合物における、請求項１から５までのいずれか１項記載に従って製造された、有機変性されたシロキサンの使用。
【請求項１１】
均質で貯蔵安定なペースト、塗料、ラッカー、被覆、コーティング、ペイントを製造するための顔料湿潤剤又は分散添加剤として、蒸散抑制剤／デオドラントにおける、並びに薬剤学的製剤における、請求項１から５までのいずれか１項に従って製造された、有機変性されたシロキサンの使用。
【請求項１２】
硬質表面の洗浄及び手入れのため、並びにテキスタイルの仕上げ処理、洗浄及び手入れのための薬剤における、請求項１から５までのいずれか１項に従って製造された、有機変性されたシロキサンの使用。
【請求項１３】
テキスタイルの処理及び後処理の際に、洗浄剤及び手入れ剤として、含浸剤、処理助剤及び手触り向上剤及び織物柔軟剤としての、請求項９、１０及び１２のいずれか１項記載の有機変性されたシロキサンの使用。
【請求項１４】
ポリウレタンフォームの製造の際の、泡安定剤、セルオープナー、離型剤としての、請求項１から５までのいずれか１項に従って製造された、有機変性されたシロキサンの使用。
【請求項１５】
ポリエステルの製造の際の、請求項１から５までのいずれか１項に従って製造された、有機変性されたシロキサンの使用。
【請求項１６】
ポリエステル又はポリウレタンの製造の際の、アミノ官能基を有する請求項１４又は１５記載の有機変性されたシロキサンの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月15日(2014.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高性能熱可塑性ポリマーまたは高性能熱可塑性ポリマー混合物のナノ粒子の安定な、水性分散液であって、該ポリマーが、ポリエーテルイミド、ポリアリールエーテルケトンおよびそれらの混合物から選ばれる、分散液。
【請求項２】
前記ナノ粒子が、１０〜１０００ｎｍの範囲に含まれる平均直径を有する、請求項１記載の分散液。
【請求項３】
前記ポリマーの質量パーセントが、０．０１〜０．１質量％の範囲に含まれる、請求項１または２記載の分散液。
【請求項４】
前記分散液が、界面活性剤または水溶性もしくは両親媒性ポリマーの群から選ばれる、１種もしくは２種以上の乳化剤および／または分散剤を更に含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の分散液。
【請求項５】
乳化剤および／または分散剤の質量パーセントが、０．０１〜２０％の範囲に含まれる、請求項４記載の分散液。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項記載の分散液の調製方法であって、有機溶媒もしくは有機溶媒混合物中の溶液または分散液の前記ポリマーを、水相に移動させることを含み、
−  前記ポリマーが、前記有機溶媒中に可溶であるか、または分散可能であり、かつ
−  前記有機溶媒が、水と混和性である、方法。
【請求項７】
前記方法が、水と非混和性で、揮発性の前記有機溶媒中に可溶な前記ポリマーのエマルジョンからの蒸発工程を含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記方法が、水と非混和性で、揮発性の前記有機溶媒中に分散可能である前記ポリマーの水中油エマルジョン／分散液からの蒸発工程を含む、請求項６または７記載の方法。
【請求項９】
前記方法が、前記ポリマー溶液の、水と混和性の前記有機溶媒中の拡散工程を含む、請求項６〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
前記方法が、前記ポリマーの分散液を、水と混和性の前記有機溶媒中に拡散する工程を含む、請求項６〜９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
水と非混和性で、揮発性の前記有機溶媒が、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロメタン、ジクロロエタン、脂肪族炭化水素、ハロゲン化脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、シクロへキサン、ハロゲン化芳香族炭化水素、エーテル、酢酸エチル、ギ酸エチルおよびそれらの混合物から選ばれる、請求項７または８記載の方法。
【請求項１２】
水と混和性の前記有機溶媒が、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、アセトン、ジオキサンおよびＮ−メチル−２−ピロリドンから選ばれる、請求項９または１０記載の方法。
【請求項１３】
前記有機溶媒中のポリマーの質量パーセントが、０．１〜１０％の範囲に含まれる、請求項６〜１２のいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
前記方法が、以下の工程、
ａ）前記ポリマーを、前記有機溶媒中に溶解または分散させる工程、
ｂ）工程ａ）で得た溶液または分散液を、１種もしくは２種以上の乳化剤および／または分散剤を随意選択的に含む水溶液と混合する工程、
ｃ）前記有機溶媒を蒸発または拡散させる工程
を含む、請求項６〜１３のいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
支持体上に膜を形成させる方法であって、
−  請求項１〜５のいずれか１項記載の分散液の、前記支持体上への堆積、および
−  水の蒸発、
を含む方法。
【請求項１６】
前記支持体が、カーボン繊維またはナノチューブ、アラミド繊維から選ばれる、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
請求項１５または１６記載の方法によって得ることができる、サイジングされた繊維。
【請求項１８】
請求項１〜５のいずれか１項記載の、高性能熱可塑性ポリマーもしくは高性能熱可塑性ポリマー混合物のナノ粒子を含むサイジング剤。
【請求項１９】
−  請求項１７または１８記載のサイジングされた繊維、および
−  熱可塑性ポリマーマトリックス、
を含む複合材。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月20日(2014.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンの酸化膜からなるエッチングマスクを備えたシリコン基板を、前記酸化膜をマスクとして結晶異方性エッチングするための液体組成物であって、水酸化セシウムと、アルカリ性有機化合物と、水と、を含有し、前記水酸化セシウムの含有割合が、前記水酸化セシウムと前記アルカリ性有機化合物と前記水との合計に対して、１重量％以上４０重量％以下である液体組成物。
【請求項２】
前記アルカリ性有機化合物が水酸化テトラメチルアンモニウムである請求項１に記載の液体組成物。
【請求項３】
前記水酸化テトラメチルアンモニウムの含有割合が、前記水酸化セシウムと前記水酸化テトラメチルアンモニウムと前記水との合計に対して、５重量％以上２５重量％以下である請求項２に記載の液体組成物。
【請求項４】
開口を有するシリコンの酸化膜が少なくとも一方の面に設けられたシリコン基板を用意する工程と、
水酸化セシウムと、アルカリ性有機化合物と、の水とを含む液体組成物をエッチング液として、前記酸化膜をマスクとして使用して、前記開口から前記基板をエッチングすることにより、前記基板を貫通する貫通口を形成する工程と、
を有し、前記液体組成物の前記水酸化セシウムの含有割合が、前記水酸化セシウムと前記アルカリ性有機化合物と前記水との合計に対して、１重量％以上４０重量％以下であることを特徴とするシリコン基板の製造方法。
【請求項５】
前記アルカリ性有機化合物が水酸化テトラメチルアンモニウムである請求項４に記載のシリコン基板の製造方法。
【請求項６】
前記液体組成物の前記水酸化テトラメチルアンモニウムの含有割合が、前記水酸化セシウムと前記水酸化テトラメチルアンモニウムと前記水との合計に対して、５重量％以上２５重量％以下である請求項５に記載のシリコン基板の製造方法。
【請求項７】
インクを吐出するために利用されるエネルギーを発生するエネルギー発生素子が第１の面上に設けられたシリコン基板を含み、液体吐出ヘッド用基板を貫通し前記エネルギー発生素子へ液体を供給するための供給口が設けられた前記液体吐出ヘッド用基板の製造方法において、
前記エネルギー発生素子が前記第１の面上に設けられ、開口を有するシリコンの酸化膜が少なくとも前記第１の面の裏面である第２の面に設けられたシリコン基板を用意する工程と、
水酸化セシウムと、アルカリ性有機化合物と、水と、を含む液体組成物をエッチング液として、前記酸化膜をマスクとして使用して、前記開口から前記シリコン基板をエッチングすることにより、前記シリコン基板を貫通する貫通口を形成する工程と、
前記貫通口を利用して前記供給口を形成する工程と、
を有し、前記液体組成物の前記水酸化セシウムの含有割合が、前記水酸化セシウムと前記アルカリ性有機化合物と前記水との合計に対して、１重量％以上４０重量％以下であることを特徴とする液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項８】
前記アルカリ性有機化合物が水酸化テトラメチルアンモニウムである請求項７に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項９】
前記液体組成物の前記水酸化テトラメチルアンモニウムの含有割合が、前記水酸化セシウムと前記水酸化テトラメチルアンモニウムと前記水との合計に対して、５重量％以上２５重量％以下である請求項８に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記水酸化セシウムの含有割合が、前記水酸化セシウムと前記アルカリ性有機化合物と前記水との合計に対して、１重量％以上１０重量％以下である１乃至３のいずれか１項に記載の液体組成物。
【請求項１１】
前記水酸化セシウムの含有割合が、前記水酸化セシウムと前記アルカリ性有機化合物と前記水との合計に対して、１重量％以上１０重量％以下である４乃至６のいずれか１項に記載のシリコン基板の製造方法。
【請求項１２】
前記水酸化セシウムの含有割合が、前記水酸化セシウムと前記アルカリ性有機化合物と前記水との合計に対して、１重量％以上１０重量％以下である７乃至９のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一例は、シリコンの酸化物の膜からなるエッチングマスクを備えたシリコン基板を、前記酸化膜をマスクとして結晶異方性エッチングするための液体組成物であり、水酸化セシウムと、アルカリ性有機化合物と、水と、を含有し、前記水酸化セシウムの含有割合が、前記水酸化セシウムと前記アルカリ性有機化合物と前記水との合計に対して、１重量％以上４０重量％以下である液体組成物である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月6日(2014.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成する工程と、
絶縁膜を介して前記単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせる工程と、
前記脆化領域において前記単結晶半導体基板と前記ベース基板とを分離して、前記ベース基板上に前記絶縁膜を介して半導体層を形成する工程とを有し、
前記脆化領域を形成する工程において、前記イオンとして質量分離されていないイオン種を用いるとともに、前記イオンを照射する際の前記単結晶半導体基板の温度を２５０℃以上に設定することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記絶縁膜を、前記単結晶半導体基板の少なくとも一表面を熱酸化することにより形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記イオンとして水素元素からなるイオンを用い、前記イオンの総数に対してＨ３＋の割合を７０％以上とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記イオンを照射する際の前記単結晶半導体基板の温度を４００℃以下に設定することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記半導体層は、単結晶からなることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
単結晶シリコン基板に水素イオンを照射して、前記単結晶シリコン基板中に脆化領域を形成する工程と、
絶縁膜を介して前記単結晶シリコン基板とベース基板とを貼り合わせる工程と、
前記脆化領域において前記単結晶シリコン基板と前記ベース基板とを分離して、前記ベース基板上に前記絶縁膜を介してシリコン層を形成する工程とを有し、
前記脆化領域を形成する工程において、前記脆化領域をフーリエ変換型赤外分光法によりＳｉ−Ｈ結合の評価を行った際に、２１１０ｃｍ−１付近または２１５５ｃｍ−１付近に最大ピークを有するように前記水素イオンを照射することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記水素イオンを照射する際の前記単結晶シリコン基板の温度を２５０℃以上４００℃以下に設定することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記ベース基板として、ガラス基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月26日(2013.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電圧が入力され、前記第１の電圧を整流することにより第２の電圧を生成し、生成した前記第２の電圧を出力する整流回路と、
保護回路と、を具備し、
前記保護回路は、制御信号生成回路と、電圧制御回路と、を備え、
前記制御信号生成回路は、第１のトランジスタと、抵抗素子と、
前記第２の電圧を分圧し、分圧した電圧を用いて前記第３の電圧を生成し、生成した前記第３の電圧を前記第１のトランジスタのゲートに出力する分圧回路を備え、
前記電圧制御回路は、
ゲートに制御信号として前記第３の電圧が入力され、前記第３の電圧に応じてオン状態又はオフ状態になることにより、前記第１の電圧の値をソース及びドレインの間に流れる電流量に応じて変化させるか否かを制御する第２のトランジスタを含み、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記抵抗素子及び前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、チャネル形成層としての機能を有するシリコンを有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層のバンドギャップは、２ｅＶ以上である半導体装置。
【請求項２】
搬送波を受信することにより第１の電圧を生成し、生成した前記第１の電圧を出力するアンテナ回路と、
前記第１の電圧が入力され、前記第１の電圧を整流することにより第２の電圧を生成し、生成した前記第２の電圧を出力する整流回路と、
保護回路と、
前記第２の電圧に応じて電源電圧を生成する電源電圧生成回路と、を具備し、
前記保護回路は、制御信号生成回路と、電圧制御回路と、を備え、
前記制御信号生成回路は、第１のトランジスタと、抵抗素子と、
前記第２の電圧を分圧し、分圧した電圧を用いて前記第３の電圧を生成し、生成した前記第３の電圧を前記第１のトランジスタのゲートに出力する分圧回路を備え、
前記電圧制御回路は、
ゲートに制御信号として前記第３の電圧が入力され、前記第３の電圧に応じてオン状態又はオフ状態になることにより、前記第１の電圧の値をソース及びドレインの間に流れる電流量に応じて変化させるか否かを制御する第２のトランジスタを含み、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記抵抗素子及び前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、チャネル形成層としての機能を有するシリコンを有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層のバンドギャップは、２ｅＶ以上である半導体装置。
【請求項３】
搬送波を受信することにより第１の電圧を生成し、生成した前記第１の電圧を出力するアンテナ回路と、
前記第１の電圧が入力され、前記第１の電圧を整流することにより第２の電圧を生成し、生成した前記第２の電圧を出力する整流回路と、
保護回路と、
前記第２の電圧に応じて電源電圧を生成する電源電圧生成回路と、
受信した前記搬送波を復調し、データ信号を抽出する復調回路と、
前記データ信号及び前記電源電圧が入力されることにより前記データ信号に基づく処理を実行する機能回路と、
前記機能回路から応答信号が入力されたとき、前記応答信号に応じて送信する搬送波を変調する変調回路と、を具備し、
前記保護回路は、
制御信号生成回路と、
電圧制御回路と、を備え、
前記制御信号生成回路は、第１のトランジスタと、抵抗素子と、
前記第２の電圧を分圧し、分圧した電圧を用いて前記第３の電圧を生成し、生成した前記第３の電圧を前記第１のトランジスタのゲートに出力する分圧回路を備え、
前記電圧制御回路は、ゲートに制御信号として前記第３の電圧が入力され、前記第３の電圧に応じてオン状態又はオフ状態になることにより、前記第１の電圧の値をソース及びドレインの間に流れる電流量に応じて変化させるか否かを制御する第２のトランジスタを含み、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記抵抗素子及び前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、チャネル形成層としての機能を有するシリコンを有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層のバンドギャップは、２ｅＶ以上である半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記酸化物半導体層のキャリア濃度は、１×１０１４／ｃｍ３未満である半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記酸化物半導体層は、Ｃ軸が表面に対して垂直方向に沿うように配向された結晶領域を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月25日(2013.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第３のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタを介して第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体は、キャリア密度が５×１０１４／ｃｍ３未満である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体は、水素濃度が１×１０１６／ｃｍ３未満である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
８５℃の温度環境下における前記第１のトランジスタのオフ電流は、１００ｚＡ／μＡ以下であることを特徴とする半導体装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年8月12日(2014.8.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品および基体の一方が複数のハンダバンプを有し、かつ他方が複数の電気ボンディングパッドを有する、電子部品および基体を提供し；電子部品と基体とを電気的に接続し；電子部品と基体との間にアンダーフィル組成物を形成し；アンダーフィル組成物を７５〜１００℃の第１の温度で２〜９０分間加熱し、次いでアンダーフィル組成物を１２５〜２００℃の第２の温度で２〜１８０分間加熱することによりアンダーフィル組成物を硬化させる；ことを含み、
前記アンダーフィル組成物がジビニルアレーンジエポキシドおよび５０〜７０重量％のフィラーを含み、前記アンダーフィル組成物が２５℃で０．０５〜１Ｐａ・ｓの粘度を有する；
電気アセンブリを製造する方法。
【請求項２】
ジビニルアレーンジオキシドがジビニルベンゼンジオキシドである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アンダーフィル組成物が硬化剤をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
アンダーフィル組成物が５ｐｐｍ未満の全塩化物含量を有する、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
最終的に、エレクトロニクス産業において必要とされているのは低ＣＴＥ（例えば、３０ｐｐｍ／℃未満）、高い熱伝導性（例えば、０．７Ｗ／ｍＫを超える）、中程度の弾性率（例えば、３ＧＰａ〜１５ＧＰａ）およびアンダーフィル封止材の場合における適切なフロー（２０μｍギャップにおける１５ｍｍを横切るのに１５−１００秒）を有する配合物であり、この能力は特定の用途のために硬化後のＴｇを調整し（例えば、２５〜３００℃）、全ては２５℃の温度で１０Ｐａ・ｓ未満および３０℃〜１００℃の温度範囲で１．０Ｐａ・ｓ未満の許容可能なレオロジー性能を維持する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
使用においては、ハンダバンプおよびボンディングパッドは良好なはんだ付け性を確実にするためにフラックス処理される。好適なフラックスが使用されることができ、好適なフラックスは当業者の能力の範囲内にある。電子部品および基体は、ハンダバンプおよびボンディングパッドが位置あわせされる様に配置される。このアセンブリは、次いで、加熱されて、はんだをリフローさせ、電子部品と基体とを電気的に接続（すなわち、はんだ付け）する。具体的なはんだリフロー温度はハンダバンプ組成に依存し、その温度は当業者に周知である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
フィラーは本アンダーフィル組成物に添加されることができ、硬化したシステムの熱機械的特性を向上させ、より良好な部品信頼性性能を付与することができる。フィラーの存在は硬化したアンダーフィルの弾性率を増大させ、かつ電子部品と基体とのＣＴＥをより良好に適合させるために、接着剤（硬化したアンダーフィル）のＣＴＥを低減させる。例えば、配合物は１種以上の任意の官能性もしくは非官能性フィラー、例えば、溶融シリカ、天然シリカ、合成シリカ、天然酸化アルミニウム、合成酸化アルミニウム、中空フィラー、アルミニウムトリヒドロキシド、アルミニウムヒドロキシドオキシド、窒化ホウ素、炭化ケイ素、マイカ、アルミニウム粉体、酸化亜鉛、銀、グラファイト、窒化アルミニウム、ムライト、金、炭素、炭素ナノチューブ、グラファイト、ガラス繊維／シート、炭素繊維、または他の有機もしくは無機粒子状フィラーを含むことができ、配合物にその最終状態で添加されることができ、またはその場で形成されうる。シリカは、溶融、天然または合成にかかわらず好ましいフィラーである。フィラーの表面は場合によっては、フィラーおよびポリマー相互作用を向上させるために処理されることができる。別の実施形態においては、アンダーフィル組成物において使用されるＤＶＢＤＯブレンドへのシリカフィラーの添加は、最終の硬化したアンダーフィル物質の破壊靱性を増大させうる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
エポキシ樹脂配合物の全ての成分は典型的には、所望の用途に効果的な低い粘度を有するエポキシ樹脂組成物の製造を可能にする温度で混合され、分散される。全ての成分の混合中の温度は、概して、２０℃〜８０℃、好ましくは、２５℃〜３５℃であることができる。より低い混合温度は、樹脂と硬化剤成分との反応を最小限にし、配合物のポットライフを最大化するのを助ける。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
さらに、ジビニルベンゼンジオキシドの使用は、望ましく低い全ハロゲン含量から全ハロゲン含量ゼロをもたらし、高湿度試験およびデバイスの寿命にわたる現場使用における電子アセンブリの性能の信頼性を維持する。このハロゲン含量、例えば、塩素含量は概して、５００ｐｐｍ未満；好ましくは、１００ｐｐｍ未満；およびより好ましくは、５ｐｐｍ未満である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月25日(2013.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｚ軸方向にスタックされ、キャビティを画定する複数の層を有するパッケージ・ベースであって、前記複数の層が第１の層および第２の層を有し、前記パッケージ・ベースが底面を画定し、前記第１の層が底面に関して第１の高さを有し、前記第２の層が底面に関して第２の高さを有することを特徴とするパッケージ・ベースと、
複数の電気的接点であって、前記第１の層に第１の電気的接点を備え、前記第２の層に第２の電気的接点を備えることを特徴とする複数の電気的接点と、
前記パッケージ・ベース内に複数の電気伝導バイアと、
ｚ軸方向にスタックされ、前記パッケージ・ベースによって画定されたキャビティ内に配置された複数の集積回路であって、前記複数の集積回路が、第１の電気的接触に電気的に結合された第１の集積回路と、第２の電気的接触に電気的に結合された第２の集積回路とを有し、前記第１の集積回路が、前記第１の高さで実質的に位置決めされ、前記第２の集積回路が、前記第２の高さで実質的に位置決めされ、前記第１の集積回路および前記第２の集積回路が、互いに機械的に結合されることを特徴とする複数の集積回路と、
を有することを特徴とするシステム。
【請求項２】
複数のバイアの少なくとも１つのバイアが、第１の電気的接点を第２の電気的接点に電気的に結合するように構成されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
複数の層を備えたパッケージ・ベースを形成するステップであって、前記複数の層が、第１の電気的接点を備えた第１の層と、第２の電気的接点を備えた第２の層とからなり、前記パッケージ・ベースが底面を画定し、前記第１の層が底面に関して第１の高さを備え、前記第２の層が底面に関して第２の高さを備えることを特徴とする、パッケージ・ベースを形成するステップと、
前記パッケージ・ベースを内に複数の電気伝導バイアを形成するステップと、
前記パッケージ・ベース内の実質的に第１の高さで第１の集積回路を位置決めするステップと、
前記第１の集積回路を前記第１の電気的接点に結合するステップと、
前記パッケージ・ベース内の実質的に第２の高さで第２の集積回路を位置決めし、実質的にｚ軸方向に前記第１の集積回路と前記第２の集積回路をスタックするステップと、
前記第１の集積回路および前記第２の集積回路を互いに機械的に結合するステップと、
前記第２の集積回路を前記第２の電気的接点に結合するステップと、
を有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月18日(2013.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口を有する絶縁層を具備する対象体と、
前記開口を埋め立てながら前記絶縁層から突出する金属を含む第１導電パターン、そして前記第１導電パターンから生成される金属酸化物を含み、前記第１導電パターンから延びる第２導電パターンを具備する電極構造体と、
前記電極構造体上に配置される誘電層と、
前記誘電層上に配置される上部電極と、を含むキャパシタ。
【請求項２】
前記第１導電パターンはタングステン、ルテニウム及び／またはインジウムを含み、前記第２導電パターンはタングステン酸化物、ルテニウム酸化物及び／またはインジウム酸化物を含むことを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項３】
前記第１導電パターンと前記第２導電パターンは一体で形成されることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項４】
前記第１導電パターンと前記第２導電パターンは同じ断面構造を有することを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項５】
前記第１導電パターンはふっくらした上部表面を有することを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項６】
前記第２導電パターンは前記第１導電パターンの上部側部から前記対象体に対して垂直する方向に延びることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項７】
前記第１導電パターンは凹んだ上部表面を有することを特徴とする請求項６に記載のキャパシタ。
【請求項８】
前記第２導電パターンは円形シリンダー、楕円形シリンダーまたは、多角形シリンダーの形状を有することを特徴とする請求項６に記載のキャパシタ。
【請求項９】
前記第２導電パターンの下部は前記第１導電パターンに部分的に埋め込まれていることを特徴とする請求項６に記載のキャパシタ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月17日(2014.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検光学系の瞳透過率分布を測定する測定方法であって、
前記被検光学系の瞳と光学的にフーリエ変換の関係にある第１面上の所定位置に第１の光束を供給することと、
前記第１面上の第１位相領域を経た光に第１の位相値を付与すると共に、前記第１位相領域に隣接する第２位相領域を経た光に前記第１の位相値とは異なる第２の位相値を付与することにより、前記第１の光束を回折させることと、
前記第１の光束を回折させることを経て生成された前記第1の光束の＋１次回折光を前
記瞳の有効領域内の第１瞳部分領域に通過させ且つ前記第１の光束を回折させることを経て生成された前記第1の光束の−１次回折光を前記有効領域内において前記第１瞳部分領
域から離れた第２瞳部分領域に通過させることと、
前記第１瞳部分領域および前記被検光学系を経た前記第1の光束の＋１次回折光の強度
と、前記第２瞳部分領域および前記被検光学系を経た前記第1の光束の−１次回折光の強
度とを計測することと、
前記第1の光束の＋１次回折光の強度の計測値および前記第1の光束の−１次回折光の強度の計測値に基づいて、前記第１瞳部分領域における瞳透過率と前記第２瞳部分領域における瞳透過率との比を求めることと、
を備えた測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月17日(2014.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本願発明では、セキュリティが付与されたファイルの保存先が変更となる場合に、当該ファイルに付与されたセキュリティを考慮した文書管理をすることが可能な文書管理装置を提供することを目的とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
フォルダに文書を保存することが可能な文書管理装置であって、保存される文書に対して付与する操作権限および前記文書の保存先が前記フォルダから変更となる場合に前記付与された操作権限を維持するかどうかの設定を含むセキュリティ情報を前記フォルダに対して設定可能なセキュリティ設定手段と、前記フォルダに文書が保存されたかどうかを監視する監視手段と、前記監視手段により文書が保存されたと判定された場合、前記保存される文書に前記セキュリティ情報を付与するセキュリティ付与手段とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、セキュリティが付与されたファイルの保存先が変更となる場合に、当該ファイルに付与されたセキュリティを考慮した文書管理をすることが可能な文書管理装置を提供することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォルダに文書を保存することが可能な文書管理装置であって、
保存される文書に対して付与する操作権限および前記文書の保存先が前記フォルダから変更となる場合に前記付与された操作権限を維持するかどうかの設定を含むセキュリティ情報を前記フォルダに対して設定可能なセキュリティ設定手段と、
前記フォルダに文書が保存されたかどうかを監視する監視手段と、
前記監視手段により文書が保存されたと判定された場合、前記保存される文書に前記セキュリティ情報を付与するセキュリティ付与手段と、
を有することを特徴とする文書管理装置。
【請求項２】
前記セキュリティ付与手段は、前記文書に対するセキュリティ設定が、前記セキュリティ設定を維持しないように設定されていた場合、前記文書の保存先が前記フォルダから変更となる文書に対して前記付与されたセキュリティ情報を削除し、一方、前記セキュリティ設定を維持するように設定されていた場合、前記文書の保存先が前記フォルダから変更となる文書に対して付与されたセキュリティ情報を削除しないことを特徴とする請求項１記載の文書管理装置。
【請求項３】
前記セキュリティ付与手段は、前記文書に対するセキュリティ設定が、前記セキュリティ設定を維持するように設定されていた場合、前記監視手段により文書が保存されたと判定された場合であっても、前記セキュリティ設定手段による当該文書に対してのセキュリティ情報の付与は行わないことを特徴とする請求項１または２に記載の文書管理装置。
【請求項４】
前記セキュリティ情報には、文書に対する操作に関する項目が含まれており、当該文書に対する操作が出来る期間の設定が可能であって、
前記操作が出来る期間内でない場合には、当該文書に対する操作を不許可とすることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の文書管理装置。
【請求項５】
前記文書の保存先が前記フォルダから変更となる場合とは、前記保存された文書の複製または移動であることを特徴とする請求項１記載の文書管理装置。
【請求項６】
フォルダに文書を保存することが可能で、当該保存される文書に対して付与する操作権限および前記文書の保存先が前記フォルダから変更となる場合に前記付与された操作権限を維持するかどうかの設定を含むセキュリティ情報を前記フォルダに対して設定可能なセキュリティ設定手段を有する文書管理装置の制御方法であって、
前記フォルダに文書が保存されたかどうかを監視する監視ステップと、
前記監視ステップにより文書が保存されたと判定された場合、前記保存される文書に前記セキュリティ情報を付与するセキュリティ付与ステップと、
を有することを特徴とする文書管理装置の制御方法。
【請求項７】
フォルダに文書を保存することが可能で、当該保存される文書に対して付与する操作権限および前記文書の保存先が前記フォルダから変更となる場合に前記付与された操作権限を維持するかどうかの設定を含むセキュリティ情報を前記フォルダに対して設定可能なセキュリティ設定手段を有する文書管理装置を、
前記フォルダに文書が保存されたかどうかを監視する監視手段と、
前記監視手段により文書が保存されたと判定された場合、前記保存される文書に前記セキュリティ情報を付与するセキュリティ付与手段と、
を有することを特徴とする文書管理装置として機能させるためのプログラム。