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【手続補正書】
【提出日】平成26年4月22日(2014.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に電子部品を実装する実装装置であって、
上記電子部品を保持する実装ツールと、
この実装ツールを駆動して上記基板の上方の実装位置に位置決めしてから下降方向に駆動して上記実装ツールに保持された上記電子部品を上記基板に実装させる駆動手段と、
上記実装ツールに設けられ、上記駆動手段によって上記実装ツールを駆動して上記実装位置の上方に位置決めしたときに上記実装ツールに生じる振動を検出する検出手段と、
この検出手段の検出に基いて上記実装ツールに生じた振動を打ち消す振動が上記実装ツールに加えられるよう上記駆動手段を駆動する制御手段と
を具備したことを特徴とする電子部品の実装装置。
【請求項２】
上記制御手段は、上記実装ツールに設けられ、上記検出手段の検出に基いて上記実装ツールに生じた振動を打ち消す振動を発生させる振動発生手段を駆動することを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装装置。
【請求項３】
基板に電子部品を実装する実装方法であって、
上記電子部品を実装ツールに保持する工程と、
上記実装ツールを駆動して上記基板の上方の実装位置に位置決めしてから下降方向に駆動して上記実装ツールに保持された上記電子部品を上記基板に実装する工程と、
上記実装ツールを上記実装位置の上方に位置決めしたときに、上記実装ツールに設けられた検出手段により上記実装ツールに生じる振動を検出する工程と、
上記実装ツールに生じた振動の検出に基いて上記実装ツールに生じた振動を打ち消す振動を上記実装ツールに加える工程と
を具備したことを特徴とする電子部品の実装方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明は、基板に電子部品を実装する実装装置であって、
基板に電子部品を実装する実装装置であって、
上記電子部品を保持する実装ツールと、
この実装ツールを駆動して上記基板の上方の実装位置に位置決めしてから下降方向に駆動して上記実装ツールに保持された上記電子部品を上記基板に実装させる駆動手段と、
上記実装ツールに設けられ、上記駆動手段によって上記実装ツールを駆動して上記実装位置の上方に位置決めしたときに上記実装ツールに生じる振動を検出する検出手段と、
この検出手段の検出に基いて上記実装ツールに生じた振動を打ち消す振動が上記実装ツールに加えられるよう上記駆動手段を駆動する制御手段と
を具備したことを特徴とする電子部品の実装装置にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この発明は、基板に電子部品を実装する実装方法であって、
基板に電子部品を実装する実装方法であって、
上記電子部品を実装ツールに保持する工程と、
上記実装ツールを駆動して上記基板の上方の実装位置に位置決めしてから下降方向に駆動して上記実装ツールに保持された上記電子部品を上記基板に実装する工程と、
上記実装ツールを上記実装位置の上方に位置決めしたときに、上記実装ツールに設けられた検出手段により上記実装ツールに生じる振動を検出する工程と、
上記実装ツールに生じた振動の検出に基いて上記実装ツールに生じた振動を打ち消す振動を上記実装ツールに加える工程と
を具備したことを特徴とする電子部品の実装方法にある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
具体的には、この実施の形態では図６に示すようにＸ方向に対して液晶表示パネル１とＴＣＰ３の多数のリード１ａ，３ａが狭ピッチで配置されているので、Ｘ方向に対してわずかでもずれが生じると、実装不良の発生原因となる。そこで、実装ツール４１がＸ・Ｙ・Ｚ・θ駆動源４２によってＸ方向に駆動されるときに、このＸ方向の駆動時に生じる振動に対して逆位相の波形となる駆動信号を出力する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月30日(2014.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の第１部分を覆い、前記シリコン基板の前記第１部分に隣接する第２部分を覆わないように配された窒化シリコン膜をマスクとして前記シリコン基板を熱酸化することにより、酸化シリコン膜を形成する第１工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記酸化シリコン膜のバーズビーク部の下へ斜めイオン注入を行うことにより、第１導電型の不純物領域を形成する第２工程と、
前記窒化シリコン膜を除去した後に、前記第１導電型とは反対の第２導電型の不純物領域を前記第１部分に有する半導体素子を形成する第３工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記斜めイオン注入の注入角は、前記バーズビーク部の上面の前記第２部分とは反対側の端と、前記バーズビーク部の前記上面の前記第２部分側の端と、を結ぶ直線が前記シリコン基板の主面の法線に対して成す角度以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記注入角は、前記バーズビーク部の下面の前記第２部分とは反対側の端と、前記バーズビーク部の前記下面の前記第２部分側の端と、を結ぶ直線の、前記バーズビーク部の前記上面の前記第２部分側の前記端を通る法線が前記主面の前記法線に対して成す角度以上であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２部分は前記第１部分を囲んでおり、前記第２工程の前記イオン注入を、前記シリコン基板の主面に平行な方向における少なくとも２方向から行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１工程および前記第２工程において、前記シリコン基板と前記窒化シリコン膜との間には、酸化シリコン層と、前記酸化シリコン層と前記窒化シリコン膜との間に位置するポリシリコン層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記斜めイオン注入の注入エネルギーが、前記第３工程で形成される前記不純物領域が前記バーズビーク部に接するように設定されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記斜めイオン注入を、前記シリコン基板と前記酸化シリコン膜の界面で不純物濃度が最大となるように行うことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記斜めイオン注入のドーズ量が、１×１０１２以上１×１０１４以下ｉｏｎｓ／ｃｍ２であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記窒化シリコン膜を除去した後に前記第１部分を覆うレジスト膜を形成し、当該レジスト膜をマスクとして、前記酸化シリコン膜の下に第１導電型の不純物領域を形成する第４工程を備えることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１工程の前または前記第２工程の後であって、前記第３工程の前に、前記第１部分へイオン注入を行って、第１導電型の不純物領域を形成する第５工程を備え、
前記第５工程で形成する前記不純物領域の不純物濃度は、前記第２工程で形成する前記不純物領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体素子は光電変換素子であって、前記第３工程では、前記第２導電型の不純物領域と前記シリコン基板の表面との間に、第１導電型の不純物領域を形成することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法を用いることを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサーの製造方法であって、前記酸化シリコン膜の厚みが１００〜６００ｎｍであることを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサーの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題を解決するための本発明は、シリコン基板の第１部分を覆い、前記シリコン基板の前記第１部分に隣接する第２部分を覆わないように配された窒化シリコン膜をマスクとして前記シリコン基板を熱酸化することにより、酸化シリコン膜を形成する第１工程と、前記窒化シリコン膜をマスクとして前記酸化シリコン膜のバーズビーク部の下へ斜めイオン注入を行うことにより、第１導電型の不純物領域を形成する第２工程と、前記窒化シリコン膜を除去した後に、前記第１導電型とは反対の第２導電型の不純物領域を前記第１部分に有する半導体素子を形成する第３工程と、を備える半導体装置の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月28日(2014.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成された型を用いて、基板に供給されたインプリント材に前記パターンを転写するインプリント装置であって、
複数の領域に分かれ、該複数の領域のそれぞれの前記基板を引き付ける力を変えることができ、基板を保持する基板保持機構と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記基板に複数のショットを形成する際、
互いに隣接し合わない複数のショットに前記パターンを転写するインプリント動作を制御し、
前記複数の領域のうち前記パターンが転写されたショットに対応した前記基板保持機構の領域の前記引き付ける力を、前記インプリント動作の時の前記引き付ける力よりも小さくしてから再び基板を吸着する
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記基板保持機構の任意の領域に対応する前記基板の前記複数のショットのうち、互いに隣接し合わないショットに前記パターンを転写した後に、前記任意の領域の前記基板保持機構の前記引き付ける力を小さくしてから再び基板を吸着することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記制御部は、互いに隣接し合わないショットに前記パターンを転写した後に、前記複数の領域のうち前記パターンが転写されたショットに対応した前記基板保持機構の領域の前記引き付ける力を、所定の時間が経過した後に、前記引き付ける力を小さくしてから再び基板を吸着することを特徴とする請求項１又は２のいずれか一項に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記基板保持機構の前記引き付ける力を小さくする直前にパターンが形成されたショットに隣接するショットには、前記基板保持機構が再び基板を吸着した後にパターンの転写を行わないことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記基板保持機構の複数の領域のうち、前記互いに隣接し合わないショットに前記パターンを転写する領域は、前記型と前記インプリント材とを引き離す際に前記基板が前記基板保持機構から部分的に浮き上がる程度の前記引き付ける力で前記基板を吸着することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記基板保持機構の複数の領域のうち、前記パターンを転写するショットに対応した領域以外の少なくとも１つの領域の前記引き付ける力は、前記型と前記インプリント材とを引き離す際に前記基板の歪みが生じない程度の前記引き付ける力であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記互いに隣接し合わないショットに前記パターンを転写する際に、少なくとも１ショット以上離れていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記基板保持機構の任意の領域に対応する前記基板の前記複数のショットのうち、互いに隣接し合わないショットに前記パターンを転写した後に、前記任意の領域と異なる領域に対応するショットに前記パターンを転写している際に、前記任意の領域の前記基板保持機構による前記引き付ける力を小さくしてから再び基板を吸着することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
パターンが形成された型を用いて、基板に供給されたインプリント材に前記パターンを転写するインプリント方法であって、
複数の領域に分かれ、該複数の領域のそれぞれの前記基板を引き付ける力を変えることができ、複数のショットが形成された基板を保持する基板保持機構によって前記基板を保持する工程、
前記複数のショットのうち、互いに隣接し合わないショットに前記パターンの転写を行う転写工程、
前記転写工程の後、前記複数の領域のうち前記パターンが転写されたショットに対応した前記基板保持機構の領域の前記引き付ける力を小さくしてから再び基板を吸着する工程と
を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のインプリント装置は、パターンが形成された型を用いて、基板に供給されたインプリント材にパターンを転写するインプリント装置であって、複数の領域に分かれ、複数の領域のそれぞれの基板を引き付ける力を変えることができ、基板を保持する基板保持機構と、制御部と、を備え、制御部は、基板に複数のショットを形成する際、互いに隣接し合わない複数のショットにパターンを転写するインプリント動作を制御し、複数の領域のうちパターンが転写されたショットに対応した基板保持機構の領域の引き付ける力を、前記インプリント動作の時の前記引き付ける力よりも小さくしてから再び基板を吸着することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図３（ａ）は、基板チャック２の吸着力（引き付ける力）が大きいため、離型時に基板１が基板チャック２に固定されている。ここで、吸着力が「大」とは吸着圧の絶対値が大きいことを示し、基板チャック２が基板１を強く引き付けている状態をいう。例えば、吸着圧を−９０ｋＰａとして基板を吸着する。この状態では、離型時に基板１が基板チャック２から浮かない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
第１実施形態において、樹脂を硬化させるために基板に照射した熱の影響を軽減するためには、所定の時間が経過した後、再吸着を開始する必要がある事を示した。基板の処理時間をこの熱の影響が軽減する時間を待たないで「吸着リセット」を実施した場合について、図８に示した基板１を用いて説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月17日(2014.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の主面上に少なくともｎ型クラッド層、活性層、ｐ型第１クラッド層およびｐ型第２クラッド層が積層され、前記ｐ型第２クラッド層の一部に凸形の断面形状を有するストライプ状のリッジ部が形成された半導体レーザ装置であって、
前記リッジ部の両側壁、および前記リッジ部の両側の前記ｐ型第２クラッド層の上面には、第１パッシベーション膜が形成されており、
前記リッジ部の側壁下部、および前記リッジ部の側壁近傍の前記ｐ型第２クラッド層の上面には、前記第１パッシベーション膜を覆うように第２パッシベーション膜が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記第１パッシベーション膜の膜厚は１００ｎｍ以下であり、前記リッジ部の側壁底部における前記第１および第２パッシベーション膜の合計の膜厚は、１５０ｎｍ〜６００ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記第１パッシベーション膜は第１絶縁膜からなり、前記第２パッシベーション膜は、前記第１パッシベーション膜とはエッチング選択比が異なる第２絶縁膜からなることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第１パッシベーション膜と前記第２パッシベーション膜は、同一の絶縁材料からなることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記第１パッシベーション膜は第１絶縁膜からなり、前記第２パッシベーション膜は、第１導電膜からなることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月28日(2014.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザの状況に基づいて、複数のエコ活動から、前記ユーザが実施可能なエコ活動を選択し、選択されたエコ活動を前記ユーザに提示する制御を行う制御部を備える、情報処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記ユーザの状況に基づいて、前記複数のエコ活動の各々について評価値を算出し、算出された前記評価値に基づいて、前記ユーザが実施可能なエコ活動を選択する、請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記ユーザの状況には、前記ユーザが前記複数のエコ活動の各々を実施した状況である実施状況が含まれ、
前記制御部は、前記実施状況に基づいて、前記評価値を算出する、請求項２記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記ユーザが前記複数のエコ活動の各々を実施した状況である第１の実施状況と、前記ユーザとユーザプロフィールが共通する他のユーザが前記複数のエコ活動の各々を実施した状況である第２の実施状況と、に基づいて、前記評価値を算出する、請求項３記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記複数のエコ活動から、前記ユーザが所持していない装置に関連するエコ活動を除外し、残りのエコ活動から、前記ユーザが実施可能なエコ活動を選択する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
ユーザの状況に基づいて、複数のエコ活動から、前記ユーザが実施可能なエコ活動を選択し、選択されたエコ活動を前記ユーザに提示する制御を行うことを含む、情報処理方法。
【請求項７】
コンピュータに、
ユーザの状況に基づいて、複数のエコ活動から、前記ユーザが実施可能なエコ活動を選択し、選択されたエコ活動を前記ユーザに提示する制御を行う制御機能を実現させる、プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月28日(2014.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザが実施可能な活動であるユーザ活動のうち、いずれかのユーザ活動をユーザが行った場合に装置が消費するエネルギ量である実消費エネルギ量と、前記ユーザが前記ユーザ活動を行わなかった場合に前記装置が消費するエネルギ量である想定消費エネルギ量とを関連付けて提示する制御を行う制御部を備える、情報処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記実消費エネルギ量と前記想定消費エネルギ量との差分が最大となる時刻を提示する制御を行う、請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記ユーザ活動が前記ユーザによって規則的に行われ、かつ、前記実消費エネルギ量が前記想定消費エネルギ量よりも大きい場合には、前記想定消費エネルギ量が前記実消費エネルギ量よりも大きい他のユーザ活動を提示する制御を行う、請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記実消費エネルギが前記想定消費エネルギ量よりも大きく、かつ、前記ユーザが前記ユーザ活動を認識していない場合には、前記ユーザ活動を提示する制御を行う、請求項１〜３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記想定消費エネルギ量は、他のユーザが前記ユーザ活動を行わなかったときの前記装置の実消費エネルギ量に基づいて算出されたものである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
ユーザが実施可能な活動であるユーザ活動のうち、いずれかのユーザ活動をユーザが行った場合に装置が消費するエネルギ量である実消費エネルギ量と、前記ユーザが前記ユーザ活動を行わなかった場合に前記装置が消費するエネルギ量である想定消費エネルギ量とを関連付けて提示する制御を行うことを含む、情報処理方法。
【請求項７】
コンピュータに、
ユーザが実施可能な活動であるユーザ活動のうち、いずれかのユーザ活動をユーザが行った場合に装置が消費するエネルギ量である実消費エネルギ量と、前記ユーザが前記ユーザ活動を行わなかった場合に前記装置が消費するエネルギ量である想定消費エネルギ量とを関連付けて提示する制御を行う制御機能を実現させる、プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月21日(2014.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状の座標入力領域に対する指示位置の座標を算出する座標入力装置であって、
前記座標入力領域の対向する２辺に少なくとも２箇所ずつ配置されるセンサ手段であって、それぞれが、前記座標入力領域に向けて投光する投光部と、該座標入力領域への指示に伴い変化する光量分布を検出する受光部とにより構成されるセンサ手段と、
前記座標入力領域の第１の辺に設けられ、入射光を再帰的に反射する第１の再帰反射手段と、
前記座標入力領域の前記第１の辺に対向する第２の辺に設けられ、入射光を再帰的に反射する第２の再帰反射手段と、
前記第１の辺に少なくとも２箇所ずつ配置される前記センサ手段により得られる第１の少なくとも２つの光量分布と、前記第２の辺に少なくとも２箇所ずつ配置される前記センサ手段により、前記第１の少なくとも２つの光量分布とは異なるタイミングで得られる第２の少なくとも２つの光量分布と、の少なくとも４つの光量分布のうち、少なくとも２つの光量分布に基づいて、前記座標入力領域における指示位置を算出する算出手段と
を備えることを特徴とする座標入力装置。
【請求項２】
前記矩形状の座標入力領域は、隣接する２面以上の座標入力領域で形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の座標入力装置。
【請求項３】
前記矩形状の座標入力領域は、矩形状の第１の座標入力領域と第２の座標入力領域とが隣接して形成され、
前記第１の辺及び前記第２の辺の所定範囲内の位置に、前記第１の座標入力領域に対するセンサ手段及び前記第２の座標入力領域に対するセンサ手段が配置される
ことを特徴とする請求項１に記載の座標入力装置。
【請求項４】
前記センサ手段を前記第１の再帰反射手段及び前記第２の再帰反射手段それぞれに取り付ける取付手段であって、前記センサ手段の取付位置を移動する移動機構を有する取付手段と
を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の座標入力装置。
【請求項５】
前記矩形状の座標入力領域は、短辺同士が隣接する２面以上の座標入力領域で形成され、かつ前記センサ手段の取付位置が、前記座標入力領域を隣接させる短辺の延長線方向から前記座標入力領域側となるように前記移動機構によって取り付けられる
ことを特徴とする請求項４に記載の座標入力装置。
【請求項６】
前記移動機構は、前記延長線方向を中心に線対称の位置に前記センサ手段を取り付け可能とする
ことを特徴とする請求項５に記載の座標入力装置。
【請求項７】
前記取付手段は、更に、前記センサ手段の取付固定位置への移動を検出する検出機構を更に備え、
前記検出機構による検出信号に基づいて、前記センサ手段が座標を検出する座標入力領域を切り替える
ことを特徴とする請求項６に記載の座標入力装置。
【請求項８】
前記センサ手段の投光部からの投光と前記受光部での受光における光路上に配置されるミラーであって、前記座標入力領域を前記第１の辺及び前記第２の辺とは異なる方向の辺に複数個隣接させる場合に、前記座標入力領域が隣接する辺とそれに対向する辺の各々の延長線方向に配置されるミラーを更に備える
ことを特徴とする請求項１に記載の座標入力装置。
【請求項９】
矩形状の座標入力領域に対する指示位置の座標を算出する座標入力装置として、
前記座標入力領域の対向する２辺に少なくとも２箇所ずつ配置されるセンサ手段であって、それぞれが、前記座標入力領域に向けて投光する投光部と、該座標入力領域への指示に伴い変化する光量分布を検出する受光部とにより構成されるセンサ手段と、
前記座標入力領域の第１の辺に設けられ、入射光を再帰的に反射する第１の再帰反射手段と、
前記座標入力領域の前記第１の辺に対向する第２の辺に設けられ、入射光を再帰的に反射する第２の再帰反射手段と
を備える座標入力装置の制御方法であって、
前記第１の辺に少なくとも２箇所ずつ配置される前記センサ手段により、第１の少なくとも２つの光量分布を検出する第１検出工程と、
前記第２の辺に少なくとも２箇所ずつ配置される前記センサ手段により、前記第１の少なくとも２つの光量分布とは異なるタイミングで第２の少なくとも２つの光量分布を検出する第２検出工程と、
前記第１の少なくとも２つの光量分布及び前記第２の少なくとも２つの光量分布の少なくとも４つの光量分布のうち、少なくとも２つの光量分布に基づいて、前記座標入力領域における指示位置を算出する算出工程と
を備えることを特徴とする座標入力装置の制御方法。
【請求項１０】
矩形状の座標入力領域に対する指示位置の座標を算出する座標入力装置として、
前記座標入力領域の対向する２辺に少なくとも２箇所ずつ配置されるセンサ手段であって、それぞれが、前記座標入力領域に向けて投光する投光部と、該座標入力領域への指示に伴い変化する光量分布を検出する受光部とにより構成されるセンサ手段と、
前記座標入力領域の第１の辺に設けられ、入射光を再帰的に反射する第１の再帰反射手段と、
前記座標入力領域の前記第１の辺に対向する第２の辺に設けられ、入射光を再帰的に反射する第２の再帰反射手段と
を備える座標入力装置の制御をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記コンピュータに、
前記第１の辺に少なくとも２箇所ずつ配置される前記センサ手段により、第１の少なくとも２つの光量分布を検出する第１検出工程と、
前記第２の辺に少なくとも２箇所ずつ配置される前記センサ手段により、前記第１の少なくとも２つの光量分布とは異なるタイミングで第２の少なくとも２つの光量分布を検出する第２検出工程と、
前記第１の少なくとも２つの光量分布及び前記第２の少なくとも２つの光量分布の少なくとも４つの光量分布のうち、少なくとも２つの光量分布に基づいて、前記座標入力領域における指示位置を算出する算出工程と
を実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記の目的を達成するための本発明による座標入力装置は以下の構成を備える。即ち、
矩形状の座標入力領域に対する指示位置の座標を算出する座標入力装置であって、
前記座標入力領域の対向する２辺に少なくとも２箇所ずつ配置されるセンサ手段であって、それぞれが、前記座標入力領域に向けて投光する投光部と、該座標入力領域への指示に伴い変化する光量分布を検出する受光部とにより構成されるセンサ手段と、
前記座標入力領域の第１の辺に設けられ、入射光を再帰的に反射する第１の再帰反射手段と、
前記座標入力領域の前記第１の辺に対向する第２の辺に設けられ、入射光を再帰的に反射する第２の再帰反射手段と、
前記第１の辺に少なくとも２箇所ずつ配置される前記センサ手段により得られる第１の少なくとも２つの光量分布と、前記第２の辺に少なくとも２箇所ずつ配置される前記センサ手段により、前記第１の少なくとも２つの光量分布とは異なるタイミングで得られる第２の少なくとも２つの光量分布と、の少なくとも４つの光量分布のうち、少なくとも２つの光量分布に基づいて、前記座標入力領域における指示位置を算出する算出手段と
を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月20日(2014.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視用の表示装置に表示するための画像を生成する画像生成装置のコンピュータで実行される画像生成プログラムであって、
仮想空間の平面視を提供するための基準仮想カメラによって前記仮想空間を撮像することで平面視用画像を生成する第１画像生成手段、
前記平面視用画像を前記表示装置に表示させる表示制御手段、
前記平面視用画像を前記表示装置に表示しつつ、前記基準仮想カメラの設定に基づいて立体視用仮想カメラを設定し、当該立体視用仮想カメラによって前記仮想空間を撮像することで、少なくとも２つの視点に基づいて得られる右眼用画像と左眼用画像とを含む立体視用画像を生成する、第２画像生成手段および
前記立体視用画像を、前記表示装置に出力することなく記憶装置に記憶させる、立体視用画像記憶制御手段、
として前記コンピュータを機能させる、画像生成プログラム。
【請求項２】
前記立体視用画像記憶手段は、前記平面視用画像を前記表示装置に表示したままで、前記立体視用画像を前記記憶装置に記憶させる、請求項１に記載の画像生成プログラム。
【請求項３】
前記立体視用仮想カメラによって撮像された前記仮想空間が、前記第１画像生成手段によって撮像された仮想空間のうちの所定の領域を含むように、前記第２画像生成手段は、前記立体視用画像を生成する、請求項２に記載の画像生成プログラム。
【請求項４】
前記第２画像生成手段が、前記右眼用画像と前記左眼用画像とを生成するための前記立体視用仮想カメラとして、右仮想カメラと左仮想カメラとを設定したとき、
前記左仮想カメラの視体積および前記右仮想カメラの視体積が、前記基準仮想カメラの視体積内にある所定の領域を含むように、
前記第２画像生成手段は、前記左仮想カメラおよび前記右仮想カメラを設定し、前記設定された左仮想カメラおよび右仮想カメラで前記仮想空間を撮像することにより前記左眼用画像および右眼用画像を生成する、請求項３に記載の画像生成プログラム。
【請求項５】
前記第２画像生成手段が、前記右眼用画像と前記左眼用画像とを生成するための前記立体視用仮想カメラとして、右仮想カメラと左仮想カメラとを設定したとき、
前記第２画像生成手段は、
前記左仮想カメラおよび前記右仮想カメラを、前記基準仮想カメラと同じ視線方向に向くように、かつ、当該視線を含む仮想平面上で前記基準仮想カメラを挟むような位置関係となるように、平行移動した位置に設定し、
前記設定された左仮想カメラおよび前記右仮想カメラで前記仮想空間を撮像することにより、前記右眼用画像および前記左眼用画像を生成する、請求項１に記載の画像生成プログラム。
【請求項６】
前記第２画像生成手段が、前記右眼用画像と前記左眼用画像とを生成するための前記立体視用仮想カメラとして、右仮想カメラと左仮想カメラとを設定したとき、
前記第２画像生成手段は、
前記基準仮想カメラの撮像範囲に含まれる所定のオブジェクトが、当該基準仮想カメラの撮像方向にある位置に応じて、前記左仮想カメラおよび前記右仮想カメラの間隔を調整することで当該左仮想カメラおよび右仮想カメラを設定し、
当該設定した左仮想カメラおよび右仮想カメラで撮像することにより前記左眼用画像および前記右眼用画像を生成する、請求項１に記載の画像生成プログラム。
【請求項７】
所定のオブジェクトが前記立体視用仮想カメラから遠位にあるほど、前記左仮想カメラと前記右仮想カメラとの間隔が小さくなるように、
前記第２画像生成手段は前記立体視用仮想カメラを設定する、請求項６に記載の画像生成プログラム。
【請求項８】
前記コンピュータを、
所定のユーザ操作を検出する操作検出手段としてさらに機能させ、
前記第２画像生成手段は、前記操作検出手段によって所定のユーザ操作が検出されたことに応じて、前記立体視用画像を生成する、請求項１から７までのいずれかに記載の画像生成プログラム。
【請求項９】
前記コンピュータを、
前記第１画像生成手段が前記平面視用画像を生成する際に用いる設定が所定の条件を満たしたか否かを判定する条件判定手段としてさらに機能させ、
前記第２画像生成手段は、前記条件判定手段によって前記所定の条件を満たした場合に、前記立体視用画像を自動的に生成する、請求項１から７までのいずれかに記載の画像生成プログラム。
【請求項１０】
前記記憶装置が、前記画像生成装置に着脱可能な記憶媒体として提供される、請求項１から９までのいずれかに記載の画像生成プログラム。
【請求項１１】
前記記憶装置が、前記画像生成装置が有するか、またはこれに接続された揮発性記憶媒体として提供される、請求項１から９までのいずれかに記載の画像生成プログラム。
【請求項１２】
平面視用の表示装置に表示するための画像を生成する画像生成装置であって、
仮想空間の平面視を提供するための基準仮想カメラによって前記仮想空間を撮像することで平面視用画像を生成する第１画像生成手段、
前記平面視用画像を前記表示装置に表示させる表示制御手段、
前記平面視用画像を前記表示装置に表示中に、前記基準仮想カメラの設定に基づいて立体視用仮想カメラを設定し、当該立体視用仮想カメラによって前記仮想空間を撮像することで、少なくとも２つの視点に基づいて得られる右眼用画像と左眼用画像とを含む立体視用画像を生成する、第２画像生成手段および
前記立体視用画像を、前記表示装置に出力することなく記憶装置に記憶させる、立体視用画像記憶制御手段、
を備える、画像生成装置。
【請求項１３】
平面視用の表示装置に表示するための画像を生成する画像生成システムであって、
仮想空間の平面視を提供するための基準仮想カメラによって前記仮想空間を撮像することで平面視用画像を生成する第１画像生成手段、
前記平面視用画像を前記表示装置に表示させる表示制御手段、
前記平面視用画像を前記表示装置に表示中に、前記基準仮想カメラの設定に基づいて立体視用仮想カメラを設定し、当該立体視用仮想カメラによって前記仮想空間を撮像することで、少なくとも２つの視点に基づいて得られる右眼用画像と左眼用画像とを含む立体視用画像を生成する、第２画像生成手段および
前記立体視用画像を、前記表示装置に出力することなく記憶装置に記憶させる、立体視用画像記憶制御手段、
を備える、画像生成システム。
【請求項１４】
平面視用の表示装置に表示するための画像を生成するための画像生成方法であって、
仮想空間の平面視を提供するための基準仮想カメラによって前記仮想空間を撮像することで平面視用画像を生成する第１画像生成ステップ、
前記平面視用画像を前記表示装置に表示させる表示制御ステップ、
前記平面視用画像を前記表示装置に表示中に、前記基準仮想カメラの設定に基づいて立体視用仮想カメラを設定し、当該立体視用仮想カメラによって前記仮想空間を撮像することで、少なくとも２つの視点に基づいて得られる右眼用画像と左眼用画像とを含む立体視用画像を生成する、第２画像生成ステップおよび
前記立体視用画像を、前記表示装置に出力することなく記憶装置に記憶させる、立体視用画像記憶制御ステップ、
を含む、画像生成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月8日(2014.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
次の蛍光強度計測工程（Ｃ）において、引き続き第一の透明樹脂フィルム２側から蛍光強度計測用の紫外線を照射することも考えられるものの、特に第一の透明樹脂フィルム２が紫外線の照射を受けて蛍光を発する場合には、当該第一の透明樹脂フィルム２がその紫外線を受けて蛍光を発するため、検知される蛍光の強度と接着剤の硬化物層７，８の硬化状態とが直接相関することにはならない。一方、第二の透明樹脂フィルム３側から蛍光強度計測用の紫外線を照射すれば、その紫外線が第二の硬化物層８及び第一の硬化物層７に順次到達して、それぞれを励起し、蛍光を発するものの、やはり第一の透明樹脂フィルム２が紫外線の照射を受けて蛍光を発する場合には、当該第一の透明樹脂フィルム２にもその紫外線が到達して蛍光を発するので、検知される蛍光の強度と接着剤の硬化物層７，８の硬化状態とが、やはり直接相関することにはならない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
また以上の説明からわかるとおり、第一の透明樹脂フィルム２が紫外線の照射を受けて蛍光を発する場合であっても、そこからの蛍光４９に影響を受けることなく、事実上第二の硬化物層８が発する蛍光４８に起因する強度を計測することができる。したがって、第一の透明樹脂フィルム２が紫外線の照射を受けて蛍光を発しない場合でももちろん、事実上第二の硬化物層８が発する蛍光４８のみに起因する強度を計測することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２３】
偏光フィルム１、第一の透明樹脂フィルム２及び第二の透明樹脂フィルム３の組合せが決まれば、偏光フィルム１と第一の透明樹脂フィルム２との接着に用いる接着剤、及び偏光フィルム１と第二の透明樹脂フィルム３との接着に用いる接着剤が決まり、ほぼ同一の照射条件で操業される。この際一般には、偏光フィルム１と第一の透明樹脂フィルム２との接着、及び偏光フィルム１と第二の透明樹脂フィルム３との接着に、同一の種類の接着剤を用いることが多い。そして、接着剤の組成毎に蛍光強度の閾値を予め設定しておき、その閾値を基準として、蛍光強度計測工程（C）において計測される蛍光強度の値をその閾値と対比することにより、偏光板５における接着剤の硬化状態を推定し、接着性の評価を行うことが実用的であり、かつ有効である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月27日(2014.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項１に記載の広告情報表示システムであって、広告情報の属性情報として、該広告情報を表示する天気条件を含み、前記スケジュール自動作成機能は、各属性情報の天気条件を参照して晴天用と雨天用のスケジュールファイルを作成し、前記表示制御部は、天気情報サーバから取得した天気情報に基づいて晴天用及び雨天用のいずれかのスケジュールファイルを選択することを特徴とする広告情報表示システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月24日(2014.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子を有する下部基板と、
前記下部基板上に配置され、画素領域に段差部を含む有機膜パターンと、
前記画素領域の有機膜パターン上に配置される第１画素電極と、
前記第１画素電極上に配置される誘電膜と、
前記誘電膜上で前記第１画素電極と部分的に重畳される第２画素電極と、
を備えることを特徴とする、表示装置。
【請求項２】
前記画素領域の有機膜パターンは、波形状または鋸刃状の構造を有することを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記画素領域の有機膜パターンは、リセスまたはデントを含むことを特徴とする、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記リセスまたはデントは、それぞれラウンド状または傾斜した側壁を含むことを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１画素電極及び前記誘電膜は、それぞれリセスまたはデントを含むことを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２画素電極は、前記誘電膜のリセスまたはデントに配置されることを特徴とする、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２画素電極の上面は、前記第１画素電極の最上部の上面より低い位置に配置されることを特徴とする、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２画素電極は、第１サブ電極及び第２サブ電極を含み、
前記第１サブ電極は、前記スイッチング素子に電気的に接続され、前記第２サブ電極は前記第１画素電極と部分的に重畳されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１サブ電極は、前記誘電膜及び前記有機膜パターンを貫通するコンタクトホールを通じて前記スイッチング素子に接触することを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２画素電極上に配置される液晶層と、
前記液晶層上に、前記下部基板に対向して配置される上部基板と、
をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月25日(2014.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版のパターンを基板上に露光する露光装置であって、
スリット光を形成する照明光学系と、
前記照明光学系からの前記スリット光を拡大して前記原版を照明する拡大光学系と、
前記拡大光学系の前方に設けられ、前記スリット光を、そのスリット形状の長手方向において遮光する第１遮光機構と、
前記拡大光学系の後方に設けられ、前記スリット光を前記長手方向において遮光する第２遮光機構と、を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記原版のパターンを前記基板上に投影する投影光学系と、をさらに備え、
前記第２遮光機構は、前記投影光学系の前方に設けられることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記原版のパターンを前記基板上に投影する投影光学系と、
前記投影光学系の前方に設けられ、前記スリット光を前記長手方向に垂直な方向において遮光する第３遮光機構と、をさらに備え、
前記第２遮光機構は、前記投影光学系の後方に設けられることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記第１遮光機構および前記第２遮光機構のうち少なくとも１つは、複数の遮光部材、および、ガイド機構を有し、
前記複数の遮光部材のそれぞれは、前記ガイド機構に沿って前記長手方向に移動可能であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
原版のパターンを基板上に露光する露光装置であって、
ガイド機構と、
前記ガイド機構に沿って移動し、スリット光を、そのスリット形状の長手方向において遮光する複数の遮光部材と、を備え、
前記長手方向において前記スリット光の片側を遮光する際には、前記複数の遮光部材のうち少なくとも２つの遮光部材が重なり合うことを特徴とする露光装置。
【請求項６】
前記スリット光を照射する照明光学系と、
前記照明光学系からの前記スリット光を拡大する拡大光学系と、をさらに備え、
前記複数の遮光部材および前記ガイド機構は、前記拡大光学系の後方に設けられることを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光された前記基板を現像する工程と、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、原版のパターンを基板上に露光する露光装置であって、スリット光を形成する照明光学系と、照明光学系からのスリット光を拡大して原版を照明する拡大光学系と、拡大光学系の前方に設けられ、スリット光を、そのスリット形状の長手方向において遮光する第１遮光機構と、拡大光学系の後方に設けられ、スリット光を長手方向において遮光する第２遮光機構と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月3日(2014.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５５】
更に、図９に示すように、電圧Ｖ１を印加した状態のまま、エネルギー線（具体的には紫外線ＵＶ）を、例えば、ＴＦＴ基板２０の外側から配向膜２２，３２に対して照射する。即ち、液晶分子４１Ａを基板２０の表面に対して斜め方向に配列させるように、液晶層に対して電場又は磁場を印加しながら紫外線を照射する。これによって、配向膜２２，３２中の配向処理前・化合物が有する架橋性官能基又は重合性官能基を反応させ、配向処理前・化合物を架橋させる（ステップＳ１０４）。こうして、配向処理後・化合物により液晶分子４１の応答すべき方向が記憶され、配向膜２２近傍の液晶分子４１Ａにプレチルトが付与され、第２配向膜３２近傍の液晶分子４１Ｂは、垂直配向され、あるいは又、小さなプレチルト角にて配向される。そして、その結果、配向膜２２，３２中において配向処理後・化合物が形成され、非駆動状態において、液晶層４０における第１配向膜２２との界面近傍に位置する液晶分子４１Ａに第１プレチルト角θ1が付与され、第２配向膜３２との界面近傍に位置する液晶分子４１Ｂに第２プレチルト角θ2が付与される。紫外線ＵＶとして、波長２９５ｎｍから波長３６５ｎｍ程度の光成分を多く含む紫外線が好ましい。これよりも短波長域の光成分を多く含む紫外線を用いると、液晶分子４１が光分解し、劣化する虞があるからである。尚、ここでは、紫外線ＵＶをＴＦＴ基板２０の外側から照射したが、ＣＦ基板３０の外側から照射してもよく、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０の双方の基板の外側から照射してもよい。この場合、透過率が高い方の基板側から紫外線ＵＶを照射することが好ましい。また、ＣＦ基板３０の外側から紫外線ＵＶを照射した場合、紫外線ＵＶの波長域に依っては、カラーフィルタに吸収されて架橋反応し難くなる虞がある。このため、ＴＦＴ基板２０の外側（画素電極を有する基板側）から照射することが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６７】
実施の形態１では、主にポリイミド構造を含む主鎖を有する配向処理前・化合物を含有する配向膜２２，３２を用いた場合について説明したが、配向処理前・化合物が有する主鎖は、ポリイミド構造を含むものに限定されない。例えば、主鎖が、ポリシロキサン構造、ポリアクリレート構造、ポリメタクリレート構造、マレインイミド重合体構造、スチレン重合体構造、スチレン／マレインイミド重合体構造、ポリサッカライド構造又はポリビニルアルコール構造等を含んでいてもよく、中でも、ポリシロキサン構造を含む主鎖を有する配向処理前・化合物が好ましい。上記したポリイミド構造を含む高分子化合物と同様の効果が得られるからである。ポリシロキサン構造を含む主鎖を有する配向処理前・化合物として、例えば、式（９）で表されるポリシロキサン構造を含む高分子化合物が挙げられる。式（９）におけるＲ１０及びＲ１１は、炭素を含んで構成された１価の基であれば任意であるが、Ｒ１０及びＲ１１のうちのいずれか一方に、側鎖としての架橋性官能基又は重合性官能基、及び、式（１）から成る側鎖を含んでいることが好ましい。配向処理後・化合物において、十分な配向規制能が得られ易いからである。この場合における架橋性官能基又は重合性官能基として、上記した式（４１）に示した基等が挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８２】
先ず、ＴＦＴ基板２０及びＣＦ基板３０を準備した。ＴＦＴ基板２０として、厚さ０．７ｍｍのガラス基板２０Ａの一面側に、スリットパターン（第１スリット部２１の幅及びピッチは、それぞれ、５μｍ及び６５μｍであり、第１スリット部２１が形成された第１電極２０Ｂの部分の幅は６０μｍ、第１電極２０Ｂと第１電極２０Ｂとの間の隙間は５μｍ）を有するＩＴＯから成る画素電極２０Ｂが形成された基板を用いた。また、ＣＦ基板３０として、カラーフィルタが形成された厚さ０．７ｍｍのガラス基板３０Ａのカラーフィルタ上に、スリットパターン（第２スリット部３１の幅及びピッチは、それぞれ、５μｍ及び６５μｍであり、第２スリット部３１が形成された第２電極３０Ｂの部分の幅は６０μｍ、第２電極３０Ｂと第２電極３０Ｂとの間の隙間は５μｍ）を有するＩＴＯから成る対向電極３０Ｂが形成された基板を用いた。この画素電極２０Ｂ及び対向電極３０Ｂに形成されたスリットパターンによって、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板３０との間に斜め電界が加わる。続いて、ＴＦＴ基板２０の上に３．５μｍのスペーサ突起物を形成した。尚、第１スリット部２１及び第２スリット部３１のスリットパターンとして、図１８の（Ａ）及び（Ｂ）に示すスリットパターンを用いた。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月28日(2014.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、一端がベース部材に支持され、光学素子を前記ベース部材に対して移動可能に支持するガイド軸部材と、前記ガイド軸部材の他端を支持する調芯部材と、前記ベース部材に対して回転可能に設けられる回転軸部と当該回転軸部から偏芯した調芯操作部とをそれぞれ有する第１の偏心ピン部材および第２の偏心ピン部材と、を備え、前記調芯部材は、前記第１の偏芯ピン部材の調芯操作部が嵌合する第１の調整孔と、前記第２の偏芯ピン部材の調芯操作部が嵌合する第２の調整孔とを有し、前記第１の調整孔は、前記第１の偏芯ピン部材の調芯操作部が摺動回転可能に嵌合する丸孔であり、前記第２の調整孔は、前記第２の偏芯ピン部材の調芯操作部が摺動移動可能に嵌合する長孔であること、を特徴とする光学機器である。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の光学機器であって、前記第１の調整孔と前記第２の調整孔とは、前記ガイド軸部材を支持する部位から離れた位置に設けられること、
を特徴とする光学機器である。
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の光学機器であって、前記ベース部材に装着されて前記調芯部材との間に介在する固定板部材を備え、前記固定板部材は、前記第１の偏心ピン部材および前記第２の偏心ピン部材における前記回転軸部が嵌合する嵌合孔を備えること、を特徴とする光学機器である。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の光学機器であって、前記調芯部材を前記固定板部材に結合固定する固定部材を備えること、を特徴とする光学機器である。
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学機器であって、前記ベース部材は、当該光学機器が取り付けられる被装着物に固定されるマウント部材を備えており、前記ガイド軸部材の一端は前記ベース部材の前記マウント部材側において支持され、前記ガイド軸部材の他端は前記マウント部材側とは反対側で前記調芯部材によって支持されていること、を特徴とする光学機器である。
請求項６に記載の発明は、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光学機器であって、前記第１の偏心ピン部材および前記第２の偏心ピン部材は、回転操作される多角形の操作部を備えること、を特徴とする光学機器である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
なお、上記構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端がベース部材に支持され、光学素子を前記ベース部材に対して移動可能に支持するガイド軸部材と、
前記ガイド軸部材の他端を支持する調芯部材と、
前記ベース部材に対して回転可能に設けられる回転軸部と当該回転軸部から偏芯した調芯操作部とをそれぞれ有する第１の偏心ピン部材および第２の偏心ピン部材と、
を備え、
前記調芯部材は、前記第１の偏芯ピン部材の調芯操作部が嵌合する第１の調整孔と、前記第２の偏芯ピン部材の調芯操作部が嵌合する第２の調整孔とを有し、
前記第１の調整孔は、前記第１の偏芯ピン部材の調芯操作部が摺動回転可能に嵌合する丸孔であり、
前記第２の調整孔は、前記第２の偏芯ピン部材の調芯操作部が摺動移動可能に嵌合する長孔であること、を特徴とする光学機器。
【請求項２】
請求項１に記載の光学機器であって、
前記第１の調整孔と前記第２の調整孔とは、前記ガイド軸部材を支持する部位から離れた位置に設けられること、
を特徴とする光学機器。
【請求項３】
請求項１または２に記載の光学機器であって、
前記ベース部材に装着されて前記調芯部材との間に介在する固定板部材を備え、
前記固定板部材は、前記第１の偏心ピン部材および前記第２の偏心ピン部材における前記回転軸部が嵌合する嵌合孔を備えること、を特徴とする光学機器。
【請求項４】
請求項３に記載の光学機器であって、
前記調芯部材を前記固定板部材に結合固定する固定部材を備えること、を特徴とする光学機器。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学機器であって、
前記ベース部材は、当該光学機器が取り付けられる被装着物に固定されるマウント部材を備えており、
前記ガイド軸部材の一端は前記ベース部材の前記マウント部材側において支持され、前記ガイド軸部材の他端は前記マウント部材側とは反対側で前記調芯部材によって支持されていること、を特徴とする光学機器。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の光学機器であって、
前記第１の偏心ピン部材および前記第２の偏心ピン部材は、回転操作される多角形の操作部を備えること、を特徴とする光学機器。