【手続補正書】
【提出日】平成26年3月26日(2014.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】パターン形成方法、処理容器内の部材の温度制御方法、基板処理システム、フォーカスリングの温度制御方法及び基板のエッチング方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法、処理容器内の部材の温度制御方法、基板処理システム、フォーカスリングの温度制御方法及び基板のエッチング方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
しかしながら、フォーカスリング等の部材は部材の消耗度を監視して交換されていない。そのため、部材には、使用可能な状態で交換される場合又は消耗が激しいにもかかわらず交換されない場合がある。これにより基板上に形成されるパターン、基板処理の質が低下する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものである。その目的は、基板上に形成されるパターン、基板処理の質を向上させることができるパターン形成方法、処理容器内の部材の温度制御方法、基板処理システム、フォーカスリングの温度制御方法及び基板のエッチング方法を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本願に係るパターン形成方法は、処理容器内の部材の温度を制御し、前記処理容器内で基板上の膜をエッチングしてパターンを形成するパターン形成方法において、基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する工程と、前記パターンの形状又は寸法を測定する工程と、前記測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記処理容器内の部材の温度へフィードバックして前記処理容器内の部材の温度を制御する工程とを備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本願に係るパターン形成方法は、前記パターンの形状又は寸法の測定は、複数の位置における形状又は寸法を測定し、前記複数の位置における形状又は寸法のデータのばらつきが所定の閾値より大きい場合、前記処理容器内の部材の温度へフィードバックして前記処理容器内の部材の温度を制御することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本願に係るパターン形成方法は、前記パターンの形状に関するデータは該パターンの側壁角度を含み、前記パターンの寸法に関するデータは該パターンにおける線幅又は線の高さを含むことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本願に係るパターン形成方法は、前記処理容器内の部材は、フォーカスリング又はサセプタの温度を制御することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本願に係る処理容器内の部材の温度制御方法は、基板上の膜をエッチングして所定のパターンを形成する際に、該パターンの面内均一性を高めるために該基板の周辺に配置される処理容器内の部材の温度制御方法において、前記処理容器内の部材の温度を設定する工程と、前記パターンの形状又は寸法を測定する測定工程と、前記測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記処理容器内の部材の温度をフィードバックして前記処理容器内の部材の温度を制御する工程とを備えることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本願に係る処理容器内の部材の温度制御方法は、前記パターンの形状又は寸法の測定は、複数の位置における形状又は寸法を測定し、前記複数の位置における形状又は寸法のデータのばらつきが所定の閾値より大きい場合、前記処理容器内の部材の温度へフィードバックして前記処理容器内の部材の温度を制御することを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本願に係る処理容器内の部材の温度制御方法は、前記処理容器内の部材は、フォーカスリング又はサセプタの温度を制御することを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本願に係る基板処理システムは、処理容器内で基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する形成手段と、前記パターンの面内均一性を高めるために前記処理容器内に配置される前記処理容器内の部材と、前記処理容器内の部材の温度を制御する制御手段と、前記処理容器に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内を所定の真空度までに減圧する排気手段とを備え、前記処理容器内の部材の温度を制御する制御手段は、前記パターンの形状又は寸法を測定し、前記測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記処理容器内の部材の温度へフィードバックして前記処理容器内の部材の温度を制御することを特徴とする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本願に係る基板処理システムは、前記パターンの形状又は寸法の測定は、複数の位置における形状又は寸法を測定し、前記複数の位置における形状又は寸法のデータのばらつきが所定の閾値より大きい場合、前記処理容器内の部材の温度へフィードバックして前記処理容器内の部材の温度を制御することを特徴とする。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本願に係る基板処理システムは、前記処理容器内の部材は、フォーカスリング又はサセプタの温度を制御することを特徴とする。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本願に係る基板処理システムは、処理容器と、処理容器内で基板上をエッチングするためのプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記基板を載置する載置台と、前記基板の周辺に配置するフォーカスリングと、前記載置台に配置し、前記基板及びフォーカスリングを静電吸着する静電チャックと、前記フォーカスリングを加熱するヒータと、前記フォーカスリングを冷却するために熱伝導性ガスを供給する温調ガス供給部と、前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理容器内を所定の真空度に減圧する排気手段と、前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように、前記フォーカスリングを前記ヒータによる加熱と温調ガス供給部からの冷媒の供給による冷却とを制御することにより、前記フォーカスリングの温度を制御して、前記基板をエッチングする制御部とを備えることを特徴とする。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本願に係る基板処理システムは、前記熱伝導性ガスは、前記フォーカスリングと前記静電チャックの接触境界に供給される構成からなることを特徴とする。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本願に係る基板処理システムは、処理容器と、処理容器内で基板上をエッチングするためのプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記基板を載置する載置台と、前記基板の周辺に配置するフォーカスリングと、前記載置台に配置し、前記基板及びフォーカスリングを静電吸着する静電チャックと、前記フォーカスリングを加熱するヒータと、前記フォーカスリングを冷却するために熱伝導性ガスを供給する温調ガス供給部と、前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理容器内を所定の真空度に減圧する排気手段と、前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように、前記載置台に前記フォーカスリングを静電吸着する工程と、前記フォーカスリングの温度を設定する工程と、前記フォーカスリングをヒータにより加熱する工程と、前記フォーカスリングの下面にＨｅガスを供給して冷却する工程とを行い前記フォーカスリングの温度を制御する制御部とを備えることを特徴とする。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本願に係る基板処理システムは、前記熱伝導性ガスは、前記フォーカスリングと前記静電チャックの接触境界に供給される構成からなることを特徴とする。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本願に係るフォーカスリングの温度制御方法は、載置台上に静電吸着された基板上の膜をエッチングした際に、該面内均一性を高めるために該基板の周囲に配置されるフォーカスリングの温度制御方法において、前記載置台に前記フォーカスリングを静電吸着する工程と、前記フォーカスリングの温度を設定する工程と、前記フォーカスリングをヒータにより加熱する工程と、前記フォーカスリングの下面にＨｅガスを供給して冷却する工程とを有し、前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように、前記ヒータによる加熱とＨｅガスの供給による冷却とを制御することにより、前記フォーカスリングの温度を制御することを特徴とする。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本願に係るフォーカスリングの温度制御方法は、前記基板は、前記基板上に膜が形成され、前記エッチングによりパターンを形成されることを特徴とする。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本願に係るフォーカスリングの温度制御方法は、前記パターンの形状又は寸法を測定する工程を含み、前記測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記フォーカスリングの温度を制御することを特徴とする。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本願に係るフォーカスリングの温度制御方法は、前記パターンの形状又は寸法を測定する工程は、複数の位置における前記パターンの形状又は寸法を測定し、前記複数の位置におけるパターンの形状又は寸法のデータのばらつきが所定の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へフィードバックして前記フォーカスリングの温度を制御することを特徴とする。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本願に係る基板のエッチング方法は、載置台上に静電吸着された基板のエッチング方法において、前記載置台に前記基板を静電吸着する工程と、前記基板の周囲に配置されるフォーカスリングを前記載置台に静電吸着する工程と、前記フォーカスリングの温度を設定する工程と、前記フォーカスリングをヒータにより加熱する工程と、前記フォーカスリン
グの下面にＨｅガスを供給して冷却する工程と、前記基板上にプラズマを生成する工程と、前記基板を前記プラズマによりエッチングする工程とを有し、前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように、前記ヒータによる加熱とＨｅガスの供給による冷却とを制御することにより、前記フォーカスリングの温度を制御して、前記基板をエッチングすることを特徴とする。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本願に係る基板のエッチング方法は、前記基板は、前記基板上に膜が形成され、前記エッチングによりパターンが形成されることを特徴とする。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本願に係る基板のエッチング方法は、前記パターンの形状又は寸法を測定する工程を含み、前記測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記フォーカスリングの温度を制御することを特徴とする。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本願に係る基板のエッチング方法は、前記パターンの形状又は寸法を測定する工程は、複数の位置における前記パターンの形状又は寸法を測定し、前記複数の位置におけるパターンの形状又は寸法のデータのばらつきが所定の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へフィードバックして前記フォーカスリングの温度を制御することを特徴とする。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本願に係るパターン形成方法等によれば、基板上に形成されるパターン、基板処理の質を向上させることができる。
【手続補正３２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内の部材の温度を制御し、前記処理容器内で基板上の膜をエッチングしてパターンを形成するパターン形成方法において、
基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する工程と、
前記パターンの形状又は寸法を測定する工程と、
前記測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記処理容器内の部材の温度へフィードバックして前記処理容器内の部材の温度を制御する工程と
を備える
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記パターンの形状又は寸法の測定は、複数の位置における形状又は寸法を測定し、
前記複数の位置における形状又は寸法のデータのばらつきが所定の閾値より大きい場合、前記処理容器内の部材の温度へフィードバックして前記処理容器内の部材の温度を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記パターンの形状に関するデータは該パターンの側壁角度を含み、
前記パターンの寸法に関するデータは該パターンにおける線幅又は線の高さを含む
ことを特徴とする請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記処理容器内の部材は、フォーカスリング又はサセプタの温度を制御する
ことを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
基板上の膜をエッチングして所定のパターンを形成する際に、該パターンの面内均一性を高めるために該基板の周辺に配置される処理容器内の部材の温度制御方法において、
前記処理容器内の部材の温度を設定する工程と、
前記パターンの形状又は寸法を測定する測定工程と、
前記測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記処理容器内の部材の温度をフィードバックして前記処理容器内の部材の温度を制御する工程と
を備える
ことを特徴とする処理容器内の部材の温度制御方法。
【請求項６】
前記パターンの形状又は寸法の測定は、複数の位置における形状又は寸法を測定し、
前記複数の位置における形状又は寸法のデータのばらつきが所定の閾値より大きい場合、前記処理容器内の部材の温度へフィードバックして前記処理容器内の部材の温度を制御する
ことを特徴とする請求項５に記載の処理容器内の部材の温度制御方法。
【請求項７】
前記処理容器内の部材は、フォーカスリング又はサセプタの温度を制御する
ことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の処理容器内の部材の温度制御方法。
【請求項８】
処理容器内で基板上の膜をエッチングしてパターンを形成する形成手段と、
前記パターンの面内均一性を高めるために前記処理容器内に配置される前記処理容器内の部材と、
前記処理容器内の部材の温度を制御する制御手段と、
前記処理容器に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内を所定の真空度までに減圧する排気手段と
を備え、
前記処理容器内の部材の温度を制御する制御手段は、
前記パターンの形状又は寸法を測定し、
前記測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記処理容器内の部材の温度へフィードバックして前記処理容器内の部材の温度を制御する
ことを特徴とする基板処理システム。
【請求項９】
前記パターンの形状又は寸法の測定は、複数の位置における形状又は寸法を測定し、
前記複数の位置における形状又は寸法のデータのばらつきが所定の閾値より大きい場合、前記処理容器内の部材の温度へフィードバックして前記処理容器内の部材の温度を制御する
ことを特徴とする請求項８に記載の基板処理システム。
【請求項１０】
前記処理容器内の部材は、フォーカスリング又はサセプタの温度を制御する
ことを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の基板処理システム。
【請求項１１】
処理容器と、
処理容器内で基板上をエッチングするためのプラズマを生成するプラズマ生成手段と、
前記基板を載置する載置台と、
前記基板の周辺に配置するフォーカスリングと、
前記載置台に配置し、前記基板及びフォーカスリングを静電吸着する静電チャックと、
前記フォーカスリングを加熱するヒータと、
前記フォーカスリングを冷却するために熱伝導性ガスを供給する温調ガス供給部と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器内を所定の真空度に減圧する排気手段と、
前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように、前記フォーカスリングを前記ヒータによる加熱と温調ガス供給部からの冷媒の供給による冷却とを制御することにより、前記フォーカスリングの温度を制御して、前記基板をエッチングする制御部と
を備える
ことを特徴とする基板処理システム。
【請求項１２】
前記熱伝導性ガスは、前記フォーカスリングと前記静電チャックの接触境界に供給される構成からなる
ことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理システム。
【請求項１３】
処理容器と、
処理容器内で基板上をエッチングするためのプラズマを生成するプラズマ生成手段と、
前記基板を載置する載置台と、
前記基板の周辺に配置するフォーカスリングと、
前記載置台に配置し、前記基板及びフォーカスリングを静電吸着する静電チャックと、
前記フォーカスリングを加熱するヒータと、
前記フォーカスリングを冷却するために熱伝導性ガスを供給する温調ガス供給部と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器内を所定の真空度に減圧する排気手段と、
前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように、前記載置台に前記フォーカスリングを静電吸着する工程と、前記フォーカスリングの温度を設定する工程と、前記フォーカスリングをヒータにより加熱する工程と、前記フォーカスリングの下面にＨｅガスを供給して冷却する工程とを行い前記フォーカスリングの温度を制御する制御部と
を備える
ことを特徴とする基板処理システム。
【請求項１４】
前記熱伝導性ガスは、前記フォーカスリングと前記静電チャックの接触境界に供給される構成からなる
ことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理システム。
【請求項１５】
載置台上に静電吸着された基板上の膜をエッチングした際に、該面内均一性を高めるために該基板の周囲に配置されるフォーカスリングの温度制御方法において、
前記載置台に前記フォーカスリングを静電吸着する工程と、
前記フォーカスリングの温度を設定する工程と、
前記フォーカスリングをヒータにより加熱する工程と、
前記フォーカスリングの下面にＨｅガスを供給して冷却する工程と
を有し、
前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように、前記ヒータによる加熱とＨｅガスの供給による冷却とを制御することにより、前記フォーカスリングの温度を制御する
ことを特徴とするフォーカスリングの温度制御方法。
【請求項１６】
前記基板は、前記基板上に膜が形成され、前記エッチングによりパターンを形成される
ことを特徴とする請求項１５に記載のフォーカスリングの温度制御方法。
【請求項１７】
前記パターンの形状又は寸法を測定する工程を含み、
前記測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記フォーカスリングの温度を制御する
ことを特徴とする請求項１５又は１６に記載のフォーカスリングの温度制御方法。
【請求項１８】
前記パターンの形状又は寸法を測定する工程は、複数の位置における前記パターンの形状又は寸法を測定し、
前記複数の位置におけるパターンの形状又は寸法のデータのばらつきが所定の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へフィードバックして前記フォーカスリングの温度を制御する
ことを特徴とする請求項１７に記載のフォーカスリングの温度制御方法。
【請求項１９】
載置台上に静電吸着された基板のエッチング方法において、
前記載置台に前記基板を静電吸着する工程と、
前記基板の周囲に配置されるフォーカスリングを前記載置台に静電吸着する工程と、
前記フォーカスリングの温度を設定する工程と、
前記フォーカスリングをヒータにより加熱する工程と、
前記フォーカスリングの下面にＨｅガスを供給して冷却する工程と、
前記基板上にプラズマを生成する工程と、
前記基板を前記プラズマによりエッチングする工程と
を有し、
前記基板をエッチングした際の面内均一性を高めるように、前記ヒータによる加熱とＨｅガスの供給による冷却とを制御することにより、前記フォーカスリングの温度を制御して、前記基板をエッチングする
ことを特徴とする基板のエッチング方法。
【請求項２０】
前記基板は、前記基板上に膜が形成され、前記エッチングによりパターンが形成される
ことを特徴とする請求項１９に記載の基板のエッチング方法。
【請求項２１】
前記パターンの形状又は寸法を測定する工程を含み、
前記測定した前記パターンの形状又は寸法に基づいて、前記フォーカスリングの温度を制御する
ことを特徴とする請求項１９又は２０に記載の基板のエッチング方法。
【請求項２２】
前記パターンの形状又は寸法を測定する工程は、複数の位置における前記パターンの形状又は寸法を測定し、
前記複数の位置におけるパターンの形状又は寸法のデータのばらつきが所定の閾値より大きい場合、前記フォーカスリングの温度へフィードバックして前記フォーカスリングの温度を制御する
ことを特徴とする請求項２１に記載の基板のエッチング方法。