Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月10日(2013.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンディングパッドを有する半導体装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に設けられた第一金属膜と、
前記第一金属膜の上に設けられた第二金属膜と、
前記第二金属膜の上に設けられた第三金属膜と、
前記第三金属膜の上に開口部を有し、前記開口部以外で前記第一金属膜と前記第二金属膜と前記第三金属膜とを覆う保護膜と、を有し、
前記第二金属膜のヤング率は、前記第一金属膜のヤング率及び前記第三金属膜のヤング率よりも大きい半導体装置。
【請求項２】
ボンディングパッドを有する半導体装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の表面に設けられた溝に埋め込まれて配置された第一金属膜と、
前記第一金属膜の上に設けられた第二金属膜と、
前記第二金属膜の上に設けられた第三金属膜と、
前記第三金属膜の上に開口部を有し、前記開口部以外で前記第一金属膜と前記第二金属膜と前記第三金属膜とを覆う保護膜と、を有し、
前記第二金属膜のヤング率は、前記第一金属膜のヤング率及び前記第三金属膜のヤング率よりも大きい半導体装置。
【請求項３】
前記溝の底面は、略平面状に形成されている請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記溝の底面は、下に凸の曲面あるいは略球面の一部となるように形成されている請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第一金属膜及び前記第三金属膜は、アルミニウムにより形成されており、前記第二金属膜は、銅あるいはタングステンのいずれかにより形成されている請求項１または２に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月6日(2014.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズル開口に連通する圧力発生室と、
第１電極、前記第１電極上に設けられた圧電体層および前記圧電体層上に設けられた第２電極を備えた圧電素子と、を具備し、
前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表される複合酸化物からなり、
前記圧電体層は、第１の圧電体層と、前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方と前記第１の圧電体層との間に設けられ前記第１の圧電体層よりも前記チタン酸バリウムの含有量が１０モル％以上多い第２の圧電体層と、を有することを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項２】
前記第２の圧電体層は、前記第１電極と前記第１の圧電体層との間、及び、前記第２電極と前記第１の圧電体層との間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載する液体噴射ヘッド。
【請求項３】
前記第２の圧電体層の厚さは、１００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載する液体噴射ヘッド。
【請求項４】
前記第１の圧電体層は下記式（１）で表される混晶からなる複合酸化物であり、前記第２の圧電体層は下記式（２）で表される混晶からなる複合酸化物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載する液体噴射ヘッド。
（１−ｘ）［Ｂｉ（Ｆｅ１−ａ，Ｍｎａ）Ｏ３］−ｘ［ＢａＴｉＯ３］      （１）
（０＜ｘ＜０．４０、０．０１＜ａ＜０．１０）
（１−ｙ）［Ｂｉ（Ｆｅ１−ｂ，Ｍｎｂ）Ｏ３］−ｙ［ＢａＴｉＯ３］      （２）
（ｘ＋０．１０≦ｙ＜１、０．０１＜ｂ＜０．１０）
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【請求項６】
第１電極と、前記第１電極上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた第２電極とを備え、
前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムを含む混晶として表される複合酸化物からなり、
前記圧電体層は、第１の圧電体層と、前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方と前記第１の圧電体層との間に設けられ前記第１の圧電体層よりもチタン酸バリウムの含有量が１０モル％以上多い第２の圧電体層と、を有することを特徴とする圧電素子。
【請求項７】
請求項６に記載の圧電素子を具備することを特徴とする超音波デバイス。
【請求項８】
請求項６に記載の圧電素子を具備することを特徴とするＩＲセンサー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波デバイス及びＩＲセンサー
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月6日(2014.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズル開口に連通する圧力発生室と、
圧電体層と該圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子と、を具備し、
前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸ニオブ酸バリウムの混晶として表される複合酸化物であって、Ｎｂと、Ｎｂ及びＴｉの総量とのモル比であるＮｂ／（Ｎｂ＋Ｔｉ）が、０．０７２５以上０．１２５以下であることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項２】
ノズル開口に連通する圧力発生室と、
圧電体層と該圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子と、を具備し、
前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸ニオブ酸バリウムの混晶として表される複合酸化物であって、パイロクロア相を有さないことを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項３】
請求項１または２に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【請求項４】
圧電体層と、前記圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子であって、
前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸ニオブ酸バリウムの混晶として表される複合酸化物であって、Ｎｂと、Ｎｂ及びＴｉの総量とのモル比であるＮｂ／（Ｎｂ＋Ｔｉ）が、０．０７２５以上０．１２５以下であることを特徴とする圧電素子。
【請求項５】
請求項４に記載の圧電素子を具備することを特徴とする超音波デバイス。
【請求項６】
請求項４に記載の圧電素子を具備することを特徴とするＩＲセンサー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波デバイス及びＩＲセンサー
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月14日(2013.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池などが発電する直流電力の電圧を昇圧する昇圧部と、前記昇圧部で昇圧した直
流電力を交流電力に変換するインバータ部と、前記インバータ部で変換された交流電力の
波形を整形するフィルタ部が、単一の筐体内に収容されたパワーコンディショナにおいて
、前記筐体は裏側壁の少なくとも一部がヒートシンクで構成され、前記ヒートシンクの基
盤部と間隔を存し且つ略並行にプリント配線基板が配置され、発熱性の電装部品を、前記
プリント配線基板に接続し、且つ前記プリント配線基板から外れた近傍の位置において前
記ヒートシンクの基盤部に熱伝導ブロックを介して熱伝導的に取り付けることを特徴とす
るパワーコンディショナ。
【請求項２】
前記筐体内は、前記インバータ部を構成するスイッチング素子を前記プリント配線基板
に接続し、且つ前記プリント配線基板から外れない位置において前記ヒートシンクの基盤
部に熱伝導的に取り付け、前記フィルタ部を構成するリアクトルを上部側に収容し、前記
プリント配線基板を含む他の回路素子を下側に収容して前記ヒートシンクの基盤部と前記
プリント配線基板との間の前記間隔に空気の上昇通路を構成したことを特徴とする請求項
１に記載のパワーコンディショナ。
【請求項３】
前記ヒートシンクはアルミニウム製であり、前記熱伝導ブロックは前記ヒートシンクの
基盤部に取り付けたアルミニウム製であり、前記発熱性の電装部品は、固定具によって前
記熱伝導ブロックの前面側に固定したことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記
載のパワーコンディショナ。
【請求項４】
前記筐体内は、前記リアクトルが収容される室が上部室となり、前記プリント配線基板
を含む他の回路素子が収容される室が下部室となるように前記両室間の空気対流を抑制す
る区画壁にて区画され、前記発熱性の電装部品は前記区画壁に近接して前記リアクトルの
近傍配置とすることを特徴とする請求項３に記載のパワーコンディショナ。
【請求項５】
前記発熱性の電装部品は前記プリント配線基板の前記リアクトル側の一部を切り欠いた
位置に配置されることを特徴とする請求項４に記載のパワーコンディショナ。
【請求項６】
前記筺体は防水のための密閉構造を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項５のい
ずれかに記載のパワーコンディショナ。
【請求項７】
前記ヒートシンクは単一の構成でありこのヒートシンクの基盤部には前記発熱性の電装
部品、前記スイッチング素子、前記リアクトルが取り付けられていることを特徴とする請
求項６に記載のパワーコンディショナ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第１発明は、太陽電池などが発電する直流電力の電圧を昇圧する昇圧部と、前記昇圧部で
昇圧した直流電力を交流電力に変換するインバータ部と、前記インバータ部で変換された
交流電力の波形を整形するフィルタ部が、単一の筐体内に収容されたパワーコンディショ
ナにおいて、前記筐体は裏側壁の少なくとも一部がヒートシンクで構成され、前記ヒート
シンクの基盤部と間隔を存し且つ略並行にプリント配線基板が配置され、発熱性の電装部
品を、前記プリント配線基板に接続し、且つ前記プリント配線基板から外れた近傍の位置
において前記ヒートシンクの基盤部に熱伝導ブロックを介して熱伝導的に取り付けること
を特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第２発明は、第１発明において、前記筐体内は、前記インバータ部を構成するスイッチン
グ素子を前記プリント配線基板に接続し、且つ前記プリント配線基板から外れない位置に
おいて前記ヒートシンクの基盤部に熱伝導的に取り付け、前記フィルタ部を構成するリア
クトルを上部側に収容し、前記プリント配線基板を含む他の回路素子を下側に収容して前
記ヒートシンクの基盤部と前記プリント配線基板との間の前記間隔に空気の上昇通路を構
成したことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第１発明は、発熱性の電装部品を、プリント配線基板に接続し、且つプリント配線基板か
ら外れた近傍の位置においてヒートシンクの基盤部に熱伝導ブロックを介して熱伝導的に
取り付ける。このため、筐体内に配置されるプリント配線基板の配置との関係において、
昇圧部を構成する発熱性の電装部品から発生される熱が筐体内に篭らず、筐体外へ良好に
放熱される効果が得られる。また、この発熱性の電装部品は、プリント配線基板から外れ
た位置において熱伝導ブロックへ取り付けられるため、プリント配線基板への接続端子を
特別に長くしなくても接続でき、その接続したプリント配線基板を取り付けた後に熱伝導
ブロックへ取り付けることができ、熱伝導ブロックへの取り付け作業もし易くなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第２発明は、プリント配線基板に接続したインバータ部を構成するスイッチング素子は、
プリント配線基板から外れない位置においてヒートシンクの基盤部に熱伝導的に取り付け
るため、プリント配線基板のヒートシンクの基盤部側にスイッチング素子を配置でき、プ
リント配線基板のヒートシンクの基盤部との間隔を有効活用した放熱性のよい配置とする
ことができる。また、発熱の大きなフィルタ部を構成するリアクトルとプリント配線基板
を含む他の回路素子との配置を考慮して、筐体内の上部室にリアクトルを配置し、ヒート
シンクの基盤部とプリント配線基板との間の間隔に空気の上昇通路を構成したことにより
、プリント配線基板に接続した回路素子がリアクトルの発熱の影響を受け難くなり、プリ
ント配線基板をリアクトルに近付けた配置としても、昇圧部を構成する発熱性の電装部品
の放熱も良好であり、且つリアクトルをプリント配線基板に接続するリード線を短くする
ことができるため、小さい筐体を採用できるものとなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明は、太陽電池などが発電する直流電力の電圧を昇圧する昇圧部と、前記昇圧部で昇
圧した直流電力を交流電力に変換するインバータ部と、前記インバータ部で変換された交
流電力の波形を整形するフィルタ部が、単一の筐体内に収容されたパワーコンディショナ
において、前記筐体は裏側壁の少なくとも一部がヒートシンクで構成され、前記ヒートシ
ンクの基盤部と間隔を存し且つ略並行にプリント配線基板が配置され、発熱性の電装部品
を、前記プリント配線基板に接続し、且つ前記プリント配線基板から外れた近傍の位置に
おいて前記ヒートシンクの基盤部に熱伝導ブロックを介して熱伝導的に取り付ける構成で
あり、以下にその実施例を図に基づき説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月20日(2014.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の被測定素子と、
異なる層に設けられた列配線および行配線からなると共に前記複数の被測定素子のいずれか一つに接続された単位アレイ配線を複数有し、前記複数の単位アレイ配線が互いに異なる層に設けられている複合アレイ配線と
を備えた半導体装置。
【請求項２】
前記列配線どうし、および前記行配線どうしは、行方向および列方向を含む平面内において互いにずれた位置に設けられている
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記被測定素子と前記単位アレイ配線とを接続する接続部を有し、前記接続部は、前記平面内における前記列配線と前記行配線との交差位置を回避して設けられている
請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記単位アレイ配線は、同一層の２本の前記列配線と、同一層の２本の前記行配線とを有する
請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記単位アレイ配線は、異なる層の２本の前記列配線と、前記列配線とは異なる層の２本の前記行配線とを有する
請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】
前記列配線および前記行配線のうち、前記複数の被測定素子の同一部分に接続されるものが、同一の測定用パッドに接続されている
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記複数の被測定素子は同じ向きに配置されている
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記複数の被測定素子のうちの少なくとも一つが、他の前記被測定素子とは異なる向きに配置されている
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記複数の被測定素子のうちの少なくとも一つが、他の前記被測定素子とは異なる特性を測定可能である
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
異なる層に設けられた列配線および行配線からなる単位アレイ配線を複数有し、前記複数の単位アレイ配線は互いに異なる層に設けられている複合アレイ配線と、
前記複数の単位アレイ配線のいずれか一つに接続された被測定素子と
を備えた半導体装置。
【請求項１１】
前記列配線どうし、および前記行配線どうしは、行方向および列方向を含む平面内において互いにずれた位置に設けられている
請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記被測定素子と前記単位アレイ配線とを接続する接続部を有し、前記接続部は、前記平面内における前記列配線と前記行配線との交差位置を回避して設けられている
請求項１１記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記単位アレイ配線は、同一層の２本の前記列配線と、同一層の２本の前記行配線とを有する
請求項１２記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記単位アレイ配線は、異なる層の２本の前記列配線と、前記列配線とは異なる層の２本の前記行配線とを有する
請求項１２記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記列配線および前記行配線のうち、前記被測定素子を異なる方向に配置したときに前記被測定素子の同一部分に接続されるものが、同一の測定用パッドに接続されている
請求項１０ないし１４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記被測定素子を複数有し、
前記複合アレイ配線は、前記複数の被測定素子の各々について二つの前記単位アレイ配線を有する
請求項１０ないし１５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月9日(2014.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状磁性体コアを、絶縁層からなるコアカバーで覆い、
前記コアカバーに巻線を施し、
絶縁ベースに収納し、配置された表面実装端子を有し、
巻線端末を前記表面実装端子と接続した表面実装型コイルであって、
前記表面実装端子は、
矩形状実装部と、
前記矩形状実装部の対向する２辺のうち、
一方の辺から垂直に起立し先端に第１接続端子を有する第１電流経路部と、
他方の辺から垂直に起立し先端に第２接続端子を有する第２電流経路部を有し、
前記矩形状実装部、第１電流経路部、及び第２電流経路部によりコの字形状をなし、
前記矩形状実装部が前記絶縁ベースの底面に配置され、
前記第１接続端子と前記第２接続端子が前記絶縁ベースの上面に並置され、
前記巻線端末が、前記第１接続端子と前記第２接続端子に接続されることを特徴とする表面実装型コイル。
【請求項２】
前記コアカバーは隔壁部で２つの領域に分割され、前記２つの領域のそれぞれに前記巻線が施されていることを特徴とする請求項１に記載の表面実装型コイル。
【請求項３】
前記第１接続端子と前記第２接続端子は、それぞれ前記巻線端末の外径より広い間隔を備える２つの突出部を有する第１接続端子突出部および第２接続端子突出部を有し、前記巻線端末は、前記第１接続端子突出部と前記第２接続端子突出部によって挟持されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表面実装型コイル。
【請求項４】
前記第１接続端子突出部と前記第２接続端子突出部によって前記巻線端末が挟持された後に、前記第１接続端子突出部と前記第２接続端子突出部を巻線端末上面に折り曲げて半田付けまたは溶接により接続されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の表面実装型コイル。
【請求項５】
前記第１電流経路部は、前記絶縁ベースに設けた貫通孔を挿通して配置され、前記第２電流経路部は、前記絶縁ベースの側面に沿って配置されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の表面実装型コイル。
【請求項６】
前記第２接続端子突出部の前記巻線端末と接する面積は、前記第１接続端子突出部の前記巻線端末と接する面積よりも大きいことを特徴とする請求項５に記載の表面実装型コイル。
【請求項７】
前記絶縁ベースの底面に配置された前記矩形状実装部に隣接して、スリット状溝を備えることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の表面実装型コイル。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月4日(2014.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成され、基板に塗布された樹脂にインプリント処理によって前記パターンを転写するためのインプリント装置用の型であって、
前記型の前記基板側の表面は、前記パターンを有する中央領域と一対の第１周辺領域とを含み、
前記中央領域は、第１方向に平行な一対の境界を有し、
前記一対の第１周辺領域は、前記第１方向に平行な一対の境界の外側に配置され、
前記一対の第１周辺領域は、
マークが形成され、インプリント処理のときに前記型と前記基板との間に樹脂が充填されない第１領域と、
インプリント処理のときに前記型と前記基板との間に樹脂が充填される第２領域と、
からなり、
前記第１領域と前記第２領域とは、前記中央領域を挟んで対向している、
ことを特徴とする型。
【請求項２】
前記型の前記基板側の表面は、一対の第２周辺領域を含み、
前記中央領域は、前記第１方向とは異なる第２方向に平行な一対の境界を有し、
前記一対の第２周辺領域は、前記第２方向に平行な一対の境界の外側に配置され、
前記一対の第２周辺領域は、
マークが形成され、インプリント処理のときに前記型と前記基板との間に樹脂が充填されない第３領域と、
インプリント処理のときに前記型と前記基板との間に樹脂が充填される第４領域と、
からなり、
前記第３領域と前記第４領域とは、前記中央領域を挟んで対向している、
ことを特徴とする請求項１に記載の型。
【請求項３】
前記第１方向と前記第２方向とは直交している、ことを特徴とする請求項２に記載の型。
【請求項４】
前記マークは、前記基板上に形成された基板側マークとの相対位置が計測できる位置に形成されている、ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の型。
【請求項５】
前記第２領域及び前記第４領域は、前記中央領域の表面と同じ高さ位置で平坦に形成されている、ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の型。
【請求項６】
請求項１に記載の型を基板に塗布された樹脂と接触させて該樹脂を硬化させるインプリント処理を前記基板のショット領域毎に行うインプリント方法であって、
前記第１領域の下に位置して樹脂が充填されない基板側マークと前記第１領域に形成されたマークとを観察することによって、インプリント処理を行うべきショット領域と前記型とを位置合わせする工程と、
前記位置合わせされたショット領域における前記第１領域の下の第１スクライブライン領域には樹脂を充填することなくインプリント処理する工程と、
をショット領域ごとに実行し、
あるショット領域のインプリント処理を行うときに前記第１領域の下に位置して樹脂が充填されなかった第１スクライブライン領域は、当該あるショット領域に隣接するショット領域のインプリント処理を行うときに、前記第２領域の下に位置して樹脂が充填される、
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項７】
請求項２または請求項３に記載の型を基板に塗布された樹脂と接触させて該樹脂を硬化させるインプリント処理を前記基板のショット領域毎に行うインプリント方法であって、
前記第１領域の下に位置して前記基板上に形成された基板側マークと前記第１領域に形成されたマーク、及び、前記第３領域の下に位置して前記基板上に規制された基板側マークと前記第３領域に形成されたマーク、を観察することによってインプリント処理を行うべきショット領域と前記型とを位置合わせする工程と、
前記位置合わせされたショット領域における前記第１領域の下の第１スクライブライン領域、及び、前記第３領域の下の第２スクライブライン領域には樹脂を充填することなくインプリント処理する工程と、
をショット領域ごとに実行し、
あるショット領域のインプリント処理を行うときに
前記第１領域の下に位置して樹脂が充填されなかった第１スクライブライン領域は、当該あるショット領域に隣接するショット領域のインプリント処理を行うときに、前記第２領域の下に位置して樹脂が充填され、
前記第３領域の下に位置して樹脂が充填されなかった第２スクライブライン領域は、当該あるショット領域に隣接するショット領域のインプリント処理を行うときに、前記第４領域の下に位置して樹脂が充填される、
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項８】
前記位置合わせする工程で、未だ樹脂で覆われていない基板側マークと前記型に形成されたマークとを観察することによって、前記インプリント処理を行うべきショット領域と前記型とを位置合わせする、ことを特徴とする請求項６または請求項７に記載のインプリント方法。
【請求項９】
前記位置合わせする工程で、他のショット領域におけるインプリント処理によって既に充填されて硬化した樹脂で覆われた基板側マークと前記型に形成されたマークとを観察することによって、前記インプリント処理を行うべきショット領域と前記型とを位置合わせする、ことを特徴とする請求項６または請求項７に記載のインプリント方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか１項に記載のインプリント方法を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を含む物品の製造方法。
【請求項１１】
基板上に塗布された樹脂とパターンが形成された型とを接触させることで前記基板上のショット領域に前記パターンを形成するインプリント方法であって、
前記ショット領域の外側に形成された複数の基板側マークの領域に、前記型と前記基板の間に樹脂が充填されない領域と、前記型と前記基板の間に樹脂が充填される領域とを形成するように、前記ショット領域をインプリントする第１のインプリント工程と、
前記樹脂が充填されない領域に、前記樹脂が充填されるように、前記ショット領域に隣接するショット領域をインプリントする第２のインプリント工程と、
を有し、
前記第１のインプリント工程で、前記樹脂が充填されない領域の基板側マークと前記型に形成された型側マークとを観察することによって、前記基板上の前記ショット領域と前記型に形成された前記パターンとを位置合わせを行う、
ことを特徴とするインプリント方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の１つの側面は、パターンが形成され、基板に塗布された樹脂にインプリント処理によって前記パターンを転写するためのインプリント装置用の型であって、前記型の前記基板側の表面は、前記パターンを有する中央領域と一対の第１周辺領域とを含み、前記中央領域は、第１方向に平行な一対の境界を有し、前記一対の第１周辺領域は、前記第１方向に平行な一対の境界の外側に配置され、前記一対の第１周辺領域は、マークが形成され、インプリント処理のときに前記型と前記基板との間に樹脂が充填されない第１領域と、インプリント処理のときに前記型と前記基板との間に樹脂が充填される第２領域と、からなり、前記第１領域と前記第２領域とは、前記中央領域を挟んで対向している、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月7日(2014.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持部を有し、該保持部に保持された基板上のインプリント材を型により成形して硬化させ、離型して、前記基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記型により成形されたインプリント材を前記離型の前に硬化させる第１硬化処理を実施する第１硬化手段と、
前記離型の後に前記保持部から搬出された前記基板上のインプリント材を硬化させる第２硬化処理を実施する第２硬化手段と、
を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
離型しても成形されたインプリント材の形状が維持されるインプリント材の所定の硬度をＨｒ、Ｈｒより大きいインプリント材の硬度をＨｓとして、
前記第１硬化手段は、前記インプリント材の硬度ＨがＨｒ≦Ｈ＜Ｈｓを満たすように前記インプリント材を硬化させ、
前記第２硬化手段は、前記インプリント材の硬度Ｈが硬度Ｈｓとなるように前記インプリント材を硬化させる、
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記第２硬化手段は、前記基板の搬送と並行して前記第２硬化処理を実施する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記第２硬化手段は、前記第１硬化処理を含む１つの基板に対する前記インプリント処理と並行して、他の基板に対する前記第２硬化処理を実施する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記第１硬化処理を含む前記インプリント処理をそれぞれが実施する複数のインプリント部と、
前記第２硬化手段を含む第２硬化部と、
前記複数のインプリント部と前記第２硬化部との間で前記基板の搬送を実施する搬送部と、
を有することを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記第２硬化部は、前記搬送部により搬送された基板を格納する格納庫を含む、
ことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記第２硬化手段は、前記格納庫に設けられ、前記格納庫に格納された基板上のインプリント材を硬化させる、
ことを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記格納庫は、該格納庫に格納された基板上のインプリント材を硬化させる光を射出する射出部を含む、
ことを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記第２硬化手段による単位時間当たりの処理領域の量は、前記第１硬化手段による単位時間当たりの処理領域の量より大きい、
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板上にパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク機器の機器情報を管理する管理装置であって、
ネットワーク上の複数のネットワーク機器から機器情報を取得する取得手段と、
前記取得された機器情報を用いて、前記複数のネットワーク機器の配置を示すマップ、及び、前記複数のネットワーク機器の機器情報の一覧を示すリストの表示を制御する制御手段と、
前記マップを介した再起動の対象とするネットワーク機器の選択を受け付ける第１選択手段と、
前記リストを介した再起動の対象とするネットワーク機器の選択を受け付ける第２選択手段と、
前記第１または第２選択手段により選択されたネットワーク機器の再起動の要求を送信する時間を入力するための入力手段と、
前記入力手段により入力された時間に、前記前記第１または第２選択手段により選択されたネットワーク機器に対して再起動の要求を行う要求手段と、を有することを特徴とする管理装置。
【請求項２】
前記第１選択手段は、前記マップ上で１つのネットワーク機器を指定することで表示される複数メニューの中からの再起動メニューの指定に従い、再起動の対象とする１台のネットワーク機器の選択を受け付け、
前記第２選択手段は、前記リスト上での複数のネットワーク機器に対するチェック、または全機器を指定するボタンの選択に従い、再起動の対象とする複数のネットワーク機器の選択を受け付けることを特徴とする請求項１に記載の管理装置。
【請求項３】
前記第２選択手段により、再起動の対象とするネットワーク機器が選択された場合には、前記再起動の要求を行う前に、確認のために前記マップ上で当該再起動の対象とするネットワーク機器を識別できる表示の制御を行う確認手段を、さらに有することを特徴とする請求項１または２に記載の管理装置。
【請求項４】
前記管理装置と前記複数のネットワーク機器が１つのマップで示す配置であった場合に、前記第１選択手段により、当該マップを介して再起動の対象とするネットワーク機器の選択を受付けることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の管理装置。
【請求項５】
前記第１または第２選択手段により再起動の対象とするネットワーク機器の選択を受付ける際に、当該ネットワーク機器の付近に同等の機能をもつネットワーク機器が存在しない場合に警告を行う警告手段を、さらに有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の管理装置。
【請求項６】
前記第１選択手段は、ネットワーク上のクライアントコンピューターで動作するエージェントから取得された当該クライアントコンピューターにインストール済みのデバイスドライバーに対応するネットワーク機器が配置されたマップを表示し、当該マップを介して再起動の対象とするネットワーク機器の選択を受け付けることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の管理装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記取得された機器情報に基づき、再起動処理に関する機能を持つネットワーク機器の配置を示すマップの表示を制御することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の管理装置。
【請求項８】
記憶装置で機器情報が管理されているネットワーク機器の管理方法であって、
ネットワーク上の複数のネットワーク機器から機器情報を取得する取得工程と、
前記取得された機器情報を用いて、前記複数のネットワーク機器の配置を示すマップ、及び、前記複数のネットワーク機器の機器情報の一覧を示すリストの表示を制御する制御工程と、
前記マップを介した再起動の対象とするネットワーク機器の選択を受け付ける第１選択工程と、
前記リストを介した再起動の対象とするネットワーク機器の選択を受け付ける第２選択工程と、
前記第１または第２選択工程で選択されたネットワーク機器の再起動の要求を送信する時間を入力するための入力工程と、
前記入力工程で入力された時間に、前記前記第１または第２選択工程で選択されたネットワーク機器に対して再起動の要求を行う要求工程と、を有することを特徴とする管理方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の手段としてコンピューターを機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで本発明は、ネットワーク機器の機器情報を管理する管理装置であって、ネットワーク上の複数のネットワーク機器から機器情報を取得する取得手段と、前記取得された機器情報を用いて、前記複数のネットワーク機器の配置を示すマップ、及び、前記複数のネットワーク機器の機器情報の一覧を示すリストの表示を制御する制御手段と、前記マップを介した再起動の対象とするネットワーク機器の選択を受け付ける第１選択手段と、前記リストを介した再起動の対象とするネットワーク機器の選択を受け付ける第２選択手段と、前記第１または第２選択手段により選択されたネットワーク機器の再起動の要求を送信する時間を入力するための入力手段と、前記入力手段により入力された時間に、前記前記第１または第２選択手段により選択されたネットワーク機器に対して再起動の要求を行う要求手段と、とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月29日(2014.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一水平線上で且つ水平位置と高さとが互いに異なる位置で基板を把持し、把持した基板を搬送する複数のアームと、
基板を処理する処理室に配置され、前記複数のアームの基板把持位置に対応して異なる高さを有し、水平方向に並列に配置された複数の基板載置台と、
前記複数のアームを制御して、各前記アームに対応する高さの前記基板載置台上まで前記基板を移動させ、続いて、前記複数のアームと前記基板載置台とを相対的に昇降させることにより、前記複数のアームに把持された複数の基板を前記複数の基板載置台に移載する駆動制御部と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理室に設けられ、前記複数のアームから前記基板載置台に移載された基板を、前記基板載置台から受け取る処理台を有する第１室と、
前記処理室に設けられ、前記基板載置台を収納する第２室と、
前記第１室と前記第２室との間で、前記基板載置台を昇降移動する昇降駆動部と、
前記処理台に設けられ、昇降移動する前記基板載置台を通過させ、前記処理台に基板が載置されると該基板によって閉鎖される開口部と、
前記第１室と前記第２室を排気する排気装置を備え、
前記排気装置は、前記第２室の排気を前記第１室の排気が開始する前に開始する、
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記排気装置は、前記処理台の前記開口部が基板により閉鎖される前に前記第２室の排気を開始する、
ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記複数のアームは、大きさの異なる複数の基板を保持する保持部を有し、
前記処理台は、前記複数のアームで保持された大きさの異なる複数の基板を載置する複数の処理部を備える、
ことを特徴とする請求項２又は３記載の基板処理装置。
【請求項５】
複数の基板を把持した前記複数のアームにおけるアーム間の垂直方向の距離と、前記複数の基板載置台における基板の載置面間の垂直方向の距離とが同一である、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
複数のアームが、同一水平線上で且つ水平位置と高さとが互いに異なる位置で複数の基板を把持する工程と、
前記複数のアームで前記把持された複数の基板を、処理室へ搬送する搬送工程と、
前記複数のアームで前記搬送された複数の基板を、前記処理室に配置され、前記複数のアームの基板把持位置に対応し異なる高さを有し、水平方向に並列に配置された複数の基板載置台上に移動する移動工程と、
前記複数のアームと前記基板載置台とを相対的に昇降移動させることにより、前記複数のアームに把持された複数の基板を前記複数の基板載置台に移載する移載工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】
同一水平線上で且つ水平位置と高さとが互いに異なる位置で基板を把持し、把持した基板を対応する基板載置台上まで搬送する複数のアームを制御する手順と、
前記複数のアームと前記基板載置台とを相対的に昇降するように制御することにより、前記複数のアームに把持された複数の基板を前記複数の基板載置台に移載する手順と、
をコンピュータにより実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記複数のアームは、大きさの異なる複数の基板を保持する保持部を有し、
前記処理台は、前記複数のアームで保持された大きさの異なる複数の基板を載置する複数の処理部を備える、
こととしてもよい。
また、複数の基板を把持した前記複数のアームにおけるアーム間の垂直方向の距離と、前記複数の基板載置台における基板の載置面間の垂直方向の距離とが同一である、
こととしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月3日(2014.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、複数の面発光レーザ素子が１次元または２次元に配列された発光素子アレイであって、
前記複数の面発光レーザ素子は、第一のグループと第二のグループにそれぞれ属する複数の面発光レーザ素子を有し、
同じ光出力において、前記第二のグループの面発光レーザ素子の電流注入開始から光を発する立ち上がり時間が、前記第一のグループの面発光レーザ素子よりも短くなるように構成されていることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項２】
前記第二のグループの面発光レーザ素子の最高発振光出力が、前記第一のグループの面発光レーザ素子の最高発振光出力よりも小さくなるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子アレイ。
【請求項３】
前記第二のグループの面発光レーザ素子の最高発振光出力は、前記第一のグループの面発光レーザ素子の最高発振光出力の０．１以上、０．５以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光素子アレイ。
【請求項４】
前記面発光レーザ素子は、下部反射鏡と、上部反射鏡と、前記下部反射鏡と前記上部反射鏡との間に介在する活性層と、を少なくとも有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光素子アレイ。
【請求項５】
前記第二のグループの面発光レーザ素子は、上部反射鏡の上に吸収層を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光素子アレイ。
【請求項６】
前記吸収層は、前記第二のグループの面発光レーザ素子の発振波長に対してバンド間吸収がある材料で構成されていることを特徴とする請求項５に記載の発光素子アレイ。
【請求項７】
前記バンド間吸収がある材料は、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓで構成され、
前記ｘが、０≦ｘ＜１の範囲であることを特徴とする請求項６に記載の発光素子アレイ。
【請求項８】
前記吸収層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ／ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓによる積層構造を備え、
前記積層構造の最下層は、λ／２の自然数倍の厚さであるＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層で構成され、
前記最下層の上に、λ／４の自然数倍の厚さであるＡｌｙＧａ１−ｙＡｓによる層と、λ／４の自然数倍の厚さであるＡｌｘＧａ１−ｘＡｓによる複数の層が数ペア積層され、
前記ｘが０≦ｘ＜１の範囲であり、前記ｙが０≦ｙ＜１の範囲であって、前記ｘと前記ｙとがｘ＞ｙの関係を満たすことを特徴とする請求項５に記載の発光素子アレイ。
【請求項９】
前記吸収層は、金属で構成されていることを特徴とする請求項５に記載の発光素子アレイ。
【請求項１０】
画像の１ライン分を形成する１本ずつの各線上に、前記第一のグループに属する１つの面発光レーザ素子と、前記第二のグループに属する１つの面発光レーザ素子と、が配置されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の発光素子アレイ。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の発光素子アレイと、
前記第一のグループの面発光レーザ素子と、前記第二のグループの面発光レーザ素子のどちらで画像形成を行うかを毎ドットにおいて選択するレーザ選択部と、
前記レーザ選択部からの情報を元に面発光レーザ素子の発光を制御するレーザ制御部と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子アレイ及び画像形成装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑み、発振閾値付近の低出力側及び低温時において、立ち上がりを速くすることが可能となる発光素子アレイ及び画像形成装置を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の発光素子アレイは、基板上に、複数の面発光レーザ素子が１次元または２次元に配列された発光素子アレイであって、前記複数の面発光レーザ素子は、第一のグループと第二のグループにそれぞれ属する複数の面発光レーザ素子を有し、同じ光出力において、前記第二のグループの面発光レーザ素子の電流注入開始から光を発する立ち上がり時間が、前記第一のグループの面発光レーザ素子よりも短くなるように構成されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、発振閾値付近の低出力側及び低温時において、立ち上がりを速くすることが可能となる発光素子アレイ及び画像形成装置を実現することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
前記活性層１０３上に、ｐ型の上部多層膜反射鏡１０６を成長させる。
上部多層膜反射鏡１０６は、例えばそれぞれλ／４厚さのＡｌ０．９Ｇａ０．１ＡｓとＡｌ０．５Ｇａ０．１Ａｓの４０ペアの繰り返しからなる。
この上部多層膜反射鏡１０６の一部分を、多層膜反射鏡のペアを構成するＡｌＧａＡｓよりもＡｌ組成比の高いＡｌＧａＡｓ層で置き換え、これを被酸化層とする。
この被酸化層の一部を酸化することで、酸化された絶縁性領域と未酸化の導電性領域からなる電流狭窄層が形成される。本実施例では、活性層１０３から１ペア目に被酸化層（図示せず）を配置する。
被酸化層としては、例えばＡｌＧａＡｓ層を用いることができる。
例えばＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０．９５≦ｘ≦１）は、例えば３００℃以上に加熱し水蒸気に晒すことによって容易に酸化され、Ａｌ酸化物を含む絶縁体となる。本実施例では、Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ層を、被酸化層として用いる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
上部多層膜反射鏡１０６の最上部である半導体コンタクト層８００上に、エッチングストップ層８０１を形成する。
このエッチングストップ層は、後に第一グループ素子上のＧａＡｓ共振器を除去するために用いる。材質としては、ＧａＩｎＰや、ＡｌＧａＩｎＰを用いることができる。
その上に、吸収層としてＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ／ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓによる積層構造による共振器を形成する。
この積層構造の最下層は、λ／２の自然数倍の厚さであるＡｌｘＧａ１−ｘＡｓによる１層の層で形成する。具体的にはＧａＡｓ層８０２を、エッチングストップ層８０１と合わせた光学膜厚がλ／２となるよう形成する。
更にその上に、λ／４の自然数倍の厚さであるＡｌｙＧａ１−ｙＡｓによる層と、λ／４の自然数倍の厚さであるＡｌｘＧａ１−ｘＡｓによる複数の層を数ペア積層する。
具体的には、それぞれλ／４光学厚さのＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓと、λ／４光学厚さのＧａＡｓを交互に数ペア積層してＧａＡｓ共振器１８１を形成する。
ここで、ＧａＡｓ共振器１８１中の、Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ／ＧａＡｓのペア数に関して、この共振器１８１を通った光の光透過量の変化を図１９に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月24日(2014.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
靴に装着する歩数計測具であって、該歩数計測具は起電部（２）に圧電体を設け、該起電部（２）上に足を載せると足の裏から加わる体の荷重の圧力で起電し、該起電部（２）を靴内の底面上に載置して、該起電部（２）と起電した電気を靴の外側へと給電する配線材（３）との靴内での接続を、互いの面状の電極面を固着せずに面接触する接続にして設け、該配線材（３）を靴の所望の位置で固定して装着する固定具（４）を設け、そして該配線材（３）に靴の外側で歩数計測部（６）を接続して設け、該歩数計測部（６）を設けた靴を履いて歩行したり走行することで、前記起電部（２）上に足の裏から加わる荷重の圧力で起電する電気を歩数計測部（６）で検出して、少なくとも歩数として計測することを特徴とする靴の歩数計測具。
【請求項２】
靴に装着する歩数計測具であって、該歩数計測具は起電部（２）に圧電体を設け、該起電部（２）上に足を載せると足の裏から加わる体の荷重の圧力で起電し、該起電部（２）を靴内の底面上に載置して、該起電部（２）で起電した電気を靴の外側へと給電すると共に折り返し部を有して靴の所望の位置に適当な幅で挟んで固定し装着する固定式配線材（３Ａ）を設け、そして該固定式配線材（３Ａ）に靴の外側で歩数計測部（６）を接続して設け、該歩数計測部（６）を設けた靴を履いて歩行したり走行することで、前記起電部（２）に足の裏から加わる荷重の圧力で起電する電気を歩数計測部（６）で検出して、少なくとも歩数として計測することを特徴とする靴の歩数計測具。
【請求項３】
前記起電部（２）を適当に可撓性がある平板状の基板（２ａ）面に平薄状の圧電体（２ｂ）を設けた圧電起電部（２Ａ）で少なくとも構成する請求項１又は２記載の靴の歩数計測具。
【請求項４】
前記起電部（２）を圧電フィルムの圧電体（２ｂ）でなる圧電起電部（２Ａ）で構成する請求項１又は２記載の靴の歩数計測具。
【請求項５】
靴に装着する歩数計測具であって、該歩数計測具は圧力を検出する圧力検出部（１３）を設け、該圧力検出部（１３）は足を載せると足の裏から加わる体の荷重の圧力の変化を検出し、該圧力検出部（１３）を靴内の底面上に載置して、該圧力検出部（１３）と検出した荷重の圧力の変化の信号を靴の外側へと通電する配線材（３）との靴内での接続を、互いの面状の電極面を固着せずに面接触する接続にして設け、該配線材（３）を靴の所望の位置で固定して装着する固定具（４）を設け、そして該配線材（３）に靴の外側で歩数計測部（６）を接続して設け、該歩数計測部（６）を設けた靴を履いて歩行したり走行することで、前記圧力検出部（１３）に足の裏から加わる荷重の圧力で変化する信号を歩数計測部（６）で検出して、少なくとも歩数として計測することを特徴とする靴の歩数計測具。
【請求項６】
靴に装着する歩数計測具であって、該歩数計測具は圧力を検出する圧力検出部（１３）を設け、該圧力検出部（１３）は足を載せると足の裏から加わる体の荷重の圧力の変化を検出し、該圧力検出部（１３）を靴内の底面上に載置して、該圧力検出部（１３）で検出した荷重の圧力の変化の信号を靴の外側へと通電すると共に折り返し部を有して靴の所望の位置に適当な幅で挟んで固定し装着する固定式配線材（３Ａ）を設け、そして該固定式配線材（３Ａ）に靴の外側で歩数計測部（６）を接続して設け、該歩数計測部（６）を設けた靴を履いて歩行したり走行することで、前記圧力検出部（１３）に足の裏から加わる荷重の圧力で変化する信号を歩数計測部（６）で検出して、少なくとも歩数として計測することを特徴とする靴の歩数計測具。
【請求項７】
前記起電部（２）や前記圧力検出部（１３）と固定式配線材（３Ａ）との靴内での接続を、互いの面状の電極面を固着せずに面接触する接続である請求項２又は６記載の靴の歩数計測具。
【請求項８】
前記起電部（２）や前記圧力検出部（１３）を中敷き（インソール）に設けてなる請求項１〜７のいずれか１項に記載の靴の歩数計測具。
【請求項９】
前記起電部（２）や前記圧力検出部（１３）に加わる荷重量により検出した起電量や信号の変化の大きさによって、歩数と走数に各分離して計測する請求項１〜８のいずれか１項に記載の靴の歩数計測具。
【請求項１０】
予め測定者の体重のデータを入力しておき、各測定者の体重による荷重量の変動を補正して歩数や走数のデータを計測する請求項１〜９のいずれか１項に記載の靴の歩数計測具。
【請求項１１】
前記歩数計測部（６）が太陽電池を電源にして駆動する請求項１〜１０のいずれか１項に記載の靴の歩数計測具。
【請求項１２】
前記歩数計測部（６）で計測したデータを赤外線やブルートウースで無線送信する請求項１〜１１のいずれか１項に記載の靴の歩数計測具。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月10日(2014.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータによって、第１の文書に関連した第１のフォントを識別するステップと、
前記コンピュータによって、前記第１のフォントと第２のフォントの間におけるコンフリクトを識別するステップと、
前記第１の文書の置換フォントを決定するステップと、
前記コンフリクトに基づいて、前記置換フォントの情報を修正するステップと、
前記置換フォントの修正された情報に基づいて前記第１の文書の情報を修正するステップと、を有する方法。
【請求項２】
コンピューティングシステムにおいて前記置換フォントをアクティブにすると、前記第１の文書の処理時に、前記コンピューティングシステムのアプリケーションによる前記置換フォントへのアクセスが可能になることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記置換フォントを決定するステップは、
複数のフォント候補の特性と、前記第１の文書に関連した正しいフォント情報の特性と、を比較するステップと、
前記比較結果に基づいて、前記複数のフォント候補から前記置換フォントを選択するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の文書の修正前に、前記第１のフォント及び前記第１の文書に関連した情報の少なくとも一方を含んでいる、前記コンフリクトに関する情報を記憶するステップと、
前記第１の文書のさらなる処理後に、前記記憶された情報に基づいて前記第１の文書に二度目の修正を施すステップを有することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記コンフリクトを識別するステップは、前記第１のフォントの識別情報と前記第２のフォントの識別情報とを比較するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記コンフリクトを識別するステップは、前記第１のフォントの識別情報と前記第２のフォントの識別情報が同じであることを確認するステップを有することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記置換フォントの修正情報に基づいて前記置換フォントをアクティブにするステップと、
前記置換フォントを用いて、前記第１の文書を印刷するステップと、を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のフォントの識別情報が、前記第１のフォントのＴｒｕｅＴｙｐｅ名とＰｏｓｔｓｃｒｉｐｔ名の少なくとも一方であり、前記第２のフォントの識別情報が、前記第２のフォントのＴｒｕｅＴｙｐｅ名とＰｏｓｔｓｃｒｉｐｔ名の少なくとも一方であることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項９】
請求項１から９のいずれか一項に記載の方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１０】
少なくとも１つのプロセッサと、
前記プロセッサに操作可能に結合されたメモリとを有し、
前記メモリは、少なくとも１つの前記プロセッサによって実行されると前記装置に、
第１の文書に関連した第１のフォントを識別するステップと、
前記第１のフォントと第２のフォントの間のコンフリクトを識別するステップと、
前記第１の文書の置換フォントを決定するステップと、
前記コンフリクトに基づいて前記置換フォントの情報を修正するステップと、
前記置換フォントの前記修正情報に基づいて前記第１の文書の情報を修正するステップと、を実施させるコンピュータ読み取り可能命令を記憶することを特徴とする装置。
【請求項１１】
前記置換フォントを決定するステップは、
複数のフォント候補の特性と、前記第１の文書に関連した正しいフォント情報の特性と、を比較するステップと、
前記比較結果に基づいて前記複数のフォント候補から前記置換フォントを選択するステップを有することを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記コンフリクトに関連した情報を修正するステップは、前記第１のフォントの識別情報を修正し、前記第１のフォントの修正された識別情報に従って前記第１の文書を修正するステップを有することを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記メモリは、少なくとも１つの前記プロセッサによって実行されると、前記装置に、
前記コンフリクトに関連した情報の修正前に、前記コンフリクトに係わるフォント及び前記コンフリクトにかかわる文書に関連した情報の少なくとも一方を含んでいる、前記コンフリクトに関する情報を記憶するステップと、
前記第１の文書のさらなる処理後に、前記記憶された情報に基づいて前記第１の文書に二度目の修正を施すステップと、
を実施させるさらなるコンピュータ読み取り可能命令を記憶していることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記コンフリクトを確認するステップは、
前記第１のフォントの識別情報と前記第２のフォントの識別情報を比較するステップと、
前記第１のフォントの識別情報と前記第２のフォントの識別情報が同じであることを確認するステップと、
に基づいてなされることを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１５】
前記メモリは、前記少なくとも１つのプロセッサによって実行されると、前記装置に、
前記第１のフォントの修正された識別情報に基づいて、前記置換フォントをアクティブにするステップと、
前記置換フォントを用いて、前記第１の文書を印刷するステップと、
を実施させるさらなるコンピュータ読み取り可能命令を記憶していることを特徴とする請求項１０に記載の装置。