【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年4月30日(2014.4.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明のさらなる特徴は、主要な集合組織（ｐｒｉｍａｒｙ  ｔｅｘｔｕｒｅ）が連続的に変化する（ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎａｌ  ｐｒｉｍａｒｙ  ｔｅｘｔｕｒｅ）又は集合組織勾配が制御された（ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  ｔｅｘｔｕｒｅ  ｇｒａｄｉｅｎｔ）スパッタリングターゲットを提供することである。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
加えて、本発明は、主要な集合組織が連続的に変化する（ｈａｖｉｎｇ  ａ  ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎａｌ  ｐｒｉｍａｒｙ  ｔｅｘｔｕｒｅ）又は集合組織勾配（ｔｅｘｔｕｒｅ  ｇｒａｄｉｅｎｔ）が制御されたスパッタリングターゲットに関する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
本発明の１つの実施態様では、スパッタリングターゲットは望ましい金属組織学的構造を有する。例えば、ターゲットの結晶学的特徴に注目したときの集合組織（ｃｒｙｓｔａｌｌｏｇｒａｐｈｉｃ  ｔｅｘｔｕｒｅ）は、ターゲットの厚さ方向の全体に亘って主要な集合組織が連続的に変化する集合組織（ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎａｌ  ｐｒｉｍａｒｙ  ｔｅｘｔｕｒｅ）（以下、「連続変化型主要集合組織」と呼称する。）であることができる。例えば、ターゲットの一方の端部（例えば、ターゲットの上側部分）は（１１０）の主要な集合組織を有することができ、ターゲットのもう一方の端部（例えば、ターゲットの下側部分）は（１１１）の主要な集合組織を有することができる。ターゲットの厚さ方向の全体に亘って主要な集合組織がこのように変化（ｓｈｉｆｔｉｎｇ）することは、スパッタリングの目的を達成するために非常に有利な場合がある。この実施態様の有利な特性を別の言い方で説明すると、ターゲットがその厚さ方向の全体に亘って集合組織勾配を有しており、より顕著に見える集合組織（ｓｔｒｏｎｇｅｒ  ｔｅｘｔｕｒｅ）がターゲットの幾つかの場所に存在しているということである。このような徐変型主要集合組織又は集合組織勾配は、スパッタリングにおいて、ターゲットが侵食されるにつれてスパッタリング速度が変化するのを補償するのに非常に有利である。本発明の方法は、他の金属加工プロセスでは観測されない特有の集合組織を生成する。本発明の少なくとも１つの実施態様では、本発明は、ターゲット又は金属製品の厚さ方向の全体に亘ってほぼ線形的な集合組織勾配を作り出し、これはスパッタリングターゲットにスパッタ侵食の跡が生成するのと共に生じるスパッタリング速度の自然な変化を補償するのに利用できる。ターゲットがスパッタリングされるにつれてターゲットの表面積が増大するので、ターゲットのスパッタリング速度は、スパッタリング時間の経過とともに一定の率で低下する傾向がある。このようにスパッタリングされる面積が増大すると、加えた電力の単位面積当たりの効果が低下し、有効スパッタリング速度が低下する。この効果は、スパッタリングターゲットが侵食されるにつれて、スパッタリングターゲットに加えられる電力を徐々に増大することにより通常補償される。本発明では、スパッタリングターゲットに集合組織勾配の制御又は連続変化型主要集合組織を導入することにより、スパッタリングターゲットを、（１１１）の集合組織などのスパッタリング速度の高い集合組織から（１１０）の集合組織などのスパッタリング速度がより高い配向にシフトさせて、より低い有効電力密度を補償することができる。この集合組織勾配の例は、図６〜８を含む例においてさらに示される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
本発明の目的を達成するために、連続変化型主要集合組織は、主要な集合組織の任意の変化であることができる。例えば、ターゲットの厚さ方向の全体に関して、ターゲットの一部、例えば、ターゲットの上部又は下部、より詳しくは、例えば、上半分又は下半分は、（１１１）、（１００）、（１１０）などの主要な集合組織（例えば、集合組織全体の５０％を超える集合組織又は集合組織の全体の中で最大の％比率で存在する集合組織）又はこれらの組織の２種以上が混在したものであることができる。ターゲット又は金属製品の残りの部分は異なる主要な集合組織である。したがって、例として、ターゲットの一部が（１１１）の主要な集合組織を有し、ターゲットの残りの部分が（１００）の主要な集合組織を有することができる。別の実施態様では、ターゲットの一部が（１１１）の主要な集合組織を有し、ターゲットの残りの部分が（１１０）の主要な集合組織を有することができる。本発明の別の実施態様では、ターゲットの一部が（１００）の主要な集合組織を有し、ターゲットの残りの部分が（１１０）の主要な集合組織を有することができる。本発明のさらなる実施態様では、ターゲットの一部が（１００）の主要な集合組織を有し、ターゲットの残りの部分が（１１１）の主要な集合組織を有することができる。実質的には、変化する主要な集合組織の任意の組み合わせを達成することができる。それぞれの主要な集合組織を含有する「部分」又は「一部」は、ターゲット又は金属製品の上部／底部の厚さ方向の全体の１０％〜９０％であることができ、より好ましくは厚さ方向の全体の２５％〜７５％又は３５％〜６０％である。例えば、厚さ１４ｍｍのターゲットにおいて、上部から出発して最初の５〜６ｍｍの厚さ（厚さの約４０％）が（１１１）の主要な集合組織であり、残りの厚さが（１１０）の主要な集合組織であることができる。さらに、本発明の別の実施態様では、集合組織は主要な集合組織の単独から混合型集合組織に変化することができる。例えば、ターゲットの一部が（１１１）の主要な集合組織を有し、残りの部分が（１１１）：（１００）の混合型集合組織又は（１１０）：（１００）の混合型集合組織などを有することができる。好ましくは、最初にスパッタリングにさらされる集合組織は、後からスパッタリングされるターゲットの部分であって、好ましくはより高いスパッタリング速度を有するターゲットの部分よりもスパッタリング速度の低い集合組織を有する集合組織である。さらなる例として、ターゲット又は金属製品の集合組織勾配は、（１１１）面又は（１１１）の集合組織について、−１％／ｍｍから−１０％／ｍｍまで以上の範囲を有することができる。集合組織の好適な勾配の他の例としては、（１１１）面又は（１１１）の集合組織について、−２．５％／ｍｍから−５．０％／ｍｍの範囲のものを含むことができる。このような集合組織の負の勾配は、集合組織をターゲットの深さ方向にミリメートル単位で測定したときに、（１１１）の集合組織がターゲットの厚さ方向の上部においてより支配的又は主要なものであり、この（１１１）の集合組織の優位性が、線形的又はほぼ線形的に低下することをこのマイナスのサインが示していることを意味する。したがって、−２．０％／ｍｍは、（１１１）の主要な集合組織がターゲットの厚さ方向に１ｍｍ当たり平均して約２％減少することを意味し、従って、ターゲットの厚さが１４ｍｍの場合、（１１１）の主要な集合組織が、同じターゲットの上部表面から底部表面までに約２４％減少することを意味する。同様に、集合組織勾配は、同じターゲットの（１１０）の集合組織に存在していてもよく、同じ上部表面から始まる集合組織勾配は１％／ｍｍ〜１０％／ｍｍであり、これは、集合組織がターゲットの上部表面では当初はより少ない（ｌｏｗｅｒ）が、ターゲット全体を通じてターゲットの底部に到達するまでに線形的又はほぼ線形的に徐々に増大することを意味している。（１１０）についての他の集合組織勾配としては、ターゲット又は金属製品の厚さ方向の全体に亘って約１％／ｍｍ〜約７％／ｍｍ又は約１％／ｍｍ〜約５％／ｍｍ又は約１％／ｍｍ〜約４％／ｍｍを挙げることができる。同様な勾配は（１００）の集合組織に存在してもよい。他の結晶配向を有するもの、例えば、ＦＣＣ系金属については、種々の集合組織についての配向において類似の変化を達成することができる。本発明は、線形的又はほぼ線形的な集合組織勾配を有するターゲット又は金属製品中に存在する少なくとも１つの集合組織に関するものであり、この場合、ほぼ線形的とは、一般に、線形関係の１０％又は２５％以内などの誤差範囲内で以って一貫してターゲットの厚さ方向の全体にわたり集合組織が一貫して略増大又は減少することを意味する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
（１１１）について上述した集合組織の種々の勾配は、（１００）又は（１１０）にも等しく当てはまる。同様に、（１１１）に関しての集合組織勾配についての記載内容は、（１１０）又は（１００）にも等しく当てはまる。（１１１）及び（１００）に関する上述の例によって与えられた集合組織勾配に当てはまる１つの実施態様では、（１００）の集合組織勾配は、約０％／ｍｍ〜約５％／ｍｍであることができ、他の範囲としては、ターゲットの厚さ方向の全体に亘って約０．５％／ｍｍ〜約３％／ｍｍ又は約０．５％／ｍｍ〜約２％／ｍｍが挙げられる。集合組織勾配がより小さいことは、集合組織が厚さ方向の全体にわたって実質的に同じままであることを一般に意味する。本発明の１つの実施態様では、（１００）の集合組織勾配は小さく、例えば３％／ｍｍ未満であり、これは（１００）の集合組織が一般にターゲットの厚さ方向の全体にわたってほぼ同じであることを示している。さらに、集合組織勾配がこのように小さいことは、ターゲットにおいて望まれる集合組織勾配のタイプに応じて、（１１１）又は（１１０）にも等しく当てはまる。本発明の１つの好ましい実施態様では、（１１１）の集合組織についての集合組織の勾配が負となる集合組織勾配であり、（１１０）の集合組織の勾配が正となる集合組織勾配であり、（１００）の集合組織の勾配はゼロに近い集合組織勾配、例えば、３％／ｍｍ以下の集合組織勾配である。本発明の別の実施態様では、ターゲット又は金属製品は、１つ又は複数の集合組織において正の集合組織勾配のものを少なくとも一つ有し及び／又は１つ又は複数の集合組織において負の集合組織勾配のものを少なくとも一つ有し及び／又は１つ又は複数の集合組織においてゼロ又はゼロに近い集合組織勾配のものを有することができる。厚さ方向の全体に亘っての結晶粒サイズの変化が非常に小さく、例えば、ターゲットの厚さ方向の全体にわたる平均結晶粒サイズが±５０μｍを超えて変化せず、より好ましくは±２５μｍを超えて変化しないと同時に、集合組織勾配又は連続変化型主要集合組織の種々の任意の組み合わせが存在してもよい。言い換えれば、２ｍｍの深さで測定した平均結晶粒サイズが約２５μｍであれば、ターゲットの深さ方向の全体にわたる平均結晶粒サイズは７５μｍを超えず、好ましくは５０μｍを超えない。ターゲットの厚さ方向の全体にわたる平均結晶粒サイズのこの一貫した範囲は、均一なスパッタリング速度と膜厚形成の観点からも有利である。結晶粒サイズの変化が小さい１つの例は、実施例において図９に示す。