Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月2日(2014.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部にガスセル配置領域を有する磁気シールドと、
前記ガスセル配置領域に気体原子が封入されたガスセルが配置された場合に、電場の振動方向が前記ガスセルにおける外乱磁場の方向に沿うように調整された直線偏光を含む照射光を、前記ガスセルに対して、前記外乱磁場の方向に垂直な方向に沿って照射する照射手段と、
前記照射手段により照射され、前記ガスセルを透過した照射光の偏光面の回転角度を計測する計測手段と、
を具備することを特徴とする磁場計測装置。
【請求項２】
前記外乱磁場の方向に垂直な方向は測定すべき磁場の方向であることを特徴とする請求項１に記載の磁場計測装置。
【請求項３】
両端に開口部を有する筒状に形成された磁気シールドと、
内部に気体原子が封入され、前記磁気シールドの中空の領域に配置されたガスセルと、
電場の振動方向が前記磁気シールドの軸の方向に合うように調整された直線偏光を含む照射光を、前記気体原子に対して、当該磁気シールドの軸に垂直な方向に沿って照射する照射手段と、
前記照射手段により照射され、前記気体原子を透過した照射光の偏光面の回転角度を計測する計測手段と、
を具備することを特徴とする磁場計測装置。
【請求項４】
前記照射手段は、前記照射光を光ファイバーによってガスセルに導く
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の磁場計測装置。
【請求項５】
内部にガスセル配置領域を有する磁気シールドと、
前記ガスセル配置領域に気体原子が封入されたガスセルが配置された場合に、円偏光成分を含むポンプ光を、前記ガスセルに対して、前記ガスセル配置領域における外乱磁場の方向に沿って照射するポンプ光照射手段と、
直線偏光を含むプローブ光を、前記ガスセルに対して、前記外乱磁場の方向に垂直な方向に沿って照射するプローブ光照射手段と、
前記プローブ光照射手段により照射され、前記ガスセルを透過したプローブ光の偏光面の回転角度を計測する計測手段と、
を具備することを特徴とする磁場計測装置。
【請求項６】
前記外乱磁場の方向に垂直な方向は測定すべき磁場の方向であることを特徴とする請求項５に記載の磁場計測装置。
【請求項７】
両端に開口部を有する筒状に形成された磁気シールドと、
内部に気体原子が封入され、前記磁気シールドの中空の領域に配置されるガスセルと、
円偏光成分を含むポンプ光を、前記気体原子に対して、前記磁気シールドの軸に平行な方向に沿って照射するポンプ光照射手段と、
直線偏光を含むプローブ光を、前記気体原子に対して、前記磁気シールドの軸に垂直な方向に沿って照射するプローブ光照射手段と、
前記プローブ光照射手段により照射され、前記気体原子を透過したプローブ光の偏光面の回転角度を計測する計測手段と、
を具備することを特徴とする磁場計測装置。
【請求項８】
前記ポンプ光照射手段は、前記ポンプ光を光ファイバーによってガスセルに導き、
前記プローブ光照射手段は、前記プローブ光を光ファイバーによってガスセルに導く
ことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の磁場計測装置。
【請求項９】
前記気体原子はアルカリ金属原子であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の磁場計測装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述した課題を解決するため、本発明に係る磁場計測装置は、内部にガスセル配置領域を有する磁気シールドと、前記ガスセル配置領域に気体原子が封入されたガスセルが配置された場合に、電場の振動方向が前記ガスセルに於ける外乱磁場の方向に沿うように調整された直線偏光を含む照射光を、前記ガスセルに対して、前記外乱磁場の方向に垂直な方向に沿って照射する照射手段と、前記照射手段により照射され、前記ガスセルを透過した照射光の偏光面の回転角度を計測する計測手段と、を具備することを特徴とする。
好ましくは、上述した態様において、前記外乱磁場の方向に垂直な方向は測定すべき磁場の方向であるとよい。
また、本発明に係る磁場計測装置は、両端に開口部を有する筒状に形成された磁気シールドと、内部に気体原子が封入され、前記磁気シールドの中空の領域に配置されるガスセルと、電場の振動方向が前記磁気シールドの軸の方向に合うように調整された直線偏光を含む照射光を、前記ガスセルに封入された気体原子に対して、当該磁気シールドの軸に垂直な方向に沿って照射する照射手段と、前記照射手段により照射され、前記気体原子を透過した照射光の偏光面の回転角度を計測する計測手段と、を具備することを特徴とする。
この構成によれば、計測すべき磁場方向以外の方向に存在する外乱の磁場の影響を抑制して磁場を計測することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明に係る磁場計測装置は、内部にガスセル配置領域を有する磁気シールドと、前記ガスセル配置領域に気体原子が封入されたガスセルが配置された場合に、円偏光成分を含むポンプ光を、前記ガスセルに対して、前記中空の領域に於ける外乱磁場の方向に沿って照射するポンプ光照射手段と、直線偏光を含むプローブ光を、前記ガスセルに対して、前記外乱磁場の方向に垂直な方向に沿って照射するプローブ光照射手段と、前記プローブ光照射手段により照射され、前記ガスセルを透過したプローブ光の偏光面の回転角度を計測する計測手段と、を具備することを特徴とする。
好ましくは、上述した態様において、前記外乱磁場の方向に垂直な方向は測定すべき磁場の方向であるとよい。
また、本発明に係る磁場計測装置は、両端に開口部を有する筒状に形成された磁気シールドと、内部に気体原子が封入され、前記磁気シールドの中空の領域に配置されるガスセルと、円偏光成分を含むポンプ光を、前記ガスセルに封入された気体原子に対して、前記磁気シールドの軸に平行な方向に沿って照射するポンプ光照射手段と、直線偏光を含むプローブ光を、前記ガスセルに封入された気体原子に対して、前記磁気シールドの軸に垂直な方向に沿って照射するプローブ光照射手段と、前記プローブ光照射手段により照射され、前記気体原子を透過したプローブ光の偏光面の回転角度を計測する計測手段と、を具備することを特徴とする。
この構成によれば、計測すべき磁場方向以外の方向に存在する外乱の磁場の影響を抑制して磁場を計測することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
好ましくは、前記ポンプ光照射手段は、前記ポンプ光を光ファイバーによってガスセルに導き、前記プローブ光照射手段は、前記プローブ光を光ファイバーによってガスセルに導くとよい。
この構成によれば、光ファイバーによってポンプ光およびプローブ光をガスセルに導かない場合に比較して、ポンプ光照射手段およびプローブ光照射手段の大きさや配置についての制約を減らすことができる。
また、好ましくは、上述した態様において、前記気体原子はアルカリ金属原子であるとよい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月13日(2014.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機金属錯体、発光素子及び発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｇ１）で表される構造を含む有機金属錯体。
【化１】
2011231106.tif 000001
（式中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、または炭素数１〜４のアルキルチオ基のいずれかを表す。また、Ｒ２は水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、または炭素数１〜４のアルキルチオ基のいずれかを表す。また、Ｒ３は水素、または炭素数１〜４のアルキル基のいずれかを表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２の一方は炭素数１０〜１３の縮合芳香族炭化水素基を表し、他方は炭素数６〜１３の芳香族炭化水素基を表す。また、Ｍは中心金属であり、第９族元素、または第１０族元素のいずれかを表す。）
【請求項２】
一般式（Ｇ３）で表される有機金属錯体。
【化２】
2011231106.tif 000002
（式中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、または炭素数１〜４のアルキルチオ基のいずれかを表す。また、Ｒ２は水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、または炭素数１〜４のアルキルチオ基のいずれかを表す。また、Ｒ３は水素、または炭素数１〜４のアルキル基のいずれかを表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２の一方は炭素数１０〜１３の縮合芳香族炭化水素基を表し、他方は炭素数６〜１３の芳香族炭化水素基を表す。また、Ｍは中心金属であり、第９族元素、または第１０族元素のいずれかを表す。また、Ｌはモノアニオン性の配位子を表す。また、前記中心金属が第９族元素の時はｎ＝２であり、第１０族元素の時はｎ＝１である。）
【請求項３】
請求項２において、
前記モノアニオン性の配位子が、ベータジケトン構造を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、カルボキシル基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、フェノール性水酸基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、または２つの配位元素がいずれも窒素であるモノアニオン性の二座キレート配位子のいずれかである有機金属錯体。
【請求項４】
請求項２において、
前記モノアニオン性の配位子が、一般式（Ｌ１）乃至（Ｌ６）のいずれかで表される有機金属錯体。
【化３】
2011231106.tif 000003
（式中、Ｒ１０〜Ｒ２９はそれぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン基、ハロアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、または炭素数１〜４のアルキルチオ基のいずれかを表す。また、Ａ１、Ａ２、Ａ３はそれぞれ独立に窒素、水素と結合するｓｐ２混成炭素、または置換基Ｒと結合するｓｐ２炭素を表す。なお、置換基Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のハロアルキル基、またはフェニル基を表す。）
【請求項５】
一般式（Ｇ５）で表される有機金属錯体。
【化４】
2011231106.tif 000004
（式中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、または炭素数１〜４のアルキルチオ基のいずれかを表す。また、Ｒ２は水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、または炭素数１〜４のアルキルチオ基のいずれかを表す。また、Ｒ３は水素、または炭素数１〜４のアルキル基のいずれかを表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２の一方は炭素数１０〜１３の縮合芳香族炭化水素基を表し、他方は炭素数６〜１３の芳香族炭化水素基を表す。また、Ｍは中心金属であり、第９族元素、または第１０族元素のいずれかを表す。また、前記中心金属が第９族元素の時はｎ＝２であり、第１０族元素の時はｎ＝１である。）
【請求項６】
一般式（Ｇ７）で表される構造を含む有機金属錯体。
【化５】
2011231106.tif 000005
（式中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、または炭素数１〜４のアルキルチオ基のいずれかを表す。また、Ｒ２は水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、または炭素数１〜４のアルキルチオ基のいずれかを表す。また、Ｒ３は水素、または炭素数１〜４のアルキル基のいずれかを表す。また、Ｐｈはベンゼン環を表す。また、Ａｒ２は炭素数１０〜１３の縮合芳香族炭化水素基を表す。また、Ｍは中心金属であり、第９族元素、または第１０族元素のいずれかを表す。）
【請求項７】
一般式（Ｇ１０）で表される構造を含む有機金属錯体。
【化６】
2011231106.tif 000006
（式中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、または炭素数１〜４のアルキルチオ基のいずれかを表す。また、Ｒ２は水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、または炭素数１〜４のアルキルチオ基のいずれかを表す。また、Ｒ３は水素、または炭素数１〜４のアルキル基のいずれかを表す。また、Ａｒ３はナフタレン環、またはフルオレン環を表す。また、Ａｒ２は炭素数６〜１３の芳香族炭化水素基を表す。また、Ｍは中心金属であり、第９族元素、または第１０族元素のいずれかを表す。）
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の有機金属錯体を含む発光素子。
【請求項９】
請求項８に記載の発光素子を有する発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月27日(2014.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】芳香族アミン誘導体
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｇ１）で表される芳香族アミン誘導体。
【化１】
2011231108.tif 000001
（式中、Ａは、酸素または硫黄を表し、Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、または、置換若しくは無置換のビフェニル基のいずれかを表す。α１およびα２は、それぞれ独立に、置換または無置換のフェニレン基を表す。Ａｒ１は、環を形成する炭素数１４〜１８の、置換または無置換の縮合芳香族炭化水素を表す。Ａｒ２は、環を形成する炭素数６〜１３の、置換または無置換のアリール基を表す。ｊは、１であり、ｎは、０または１であり、ｐは、１または２である。）
【請求項２】
式（Ｇ２）で表される芳香族アミン誘導体。
【化２】
2011231108.tif 000002
（式中、Ａは、酸素または硫黄を表し、Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、または、置換若しくは無置換のビフェニル基のいずれかを表す。α１およびα２は、それぞれ独立に、置換または無置換のフェニレン基を表す。Ａｒ１は、環を形成する炭素数１４〜１８の、置換または無置換の縮合芳香族炭化水素を表す。Ａｒ２は、環を形成する炭素数６〜１３の、置換または無置換のアリール基を表す。ｊは、１であり、ｎは、０または１であり、ｐは、１または２である。）
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
式（Ｇ１）または式（Ｇ２）中のＡｒ１は、下記式（Ａｒ１−１）または（Ａｒ１−２）で表されるいずれか一である芳香族アミン誘導体。
【化３】
2011231108.tif 000003
（式（Ａｒ１−１）および（Ａｒ１−２）中、Ｒ８〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、または、置換若しくは無置換のビフェニル基のいずれかを表す。ただし、（Ａｒ１−１）の場合、式（Ｇ１）および式（Ｇ２）中のｐは１であり、（Ａｒ１−２）の場合、ｐは２である。）
【請求項４】
式（Ｇ４）で表される芳香族アミン誘導体。
【化４】
2011231108.tif 000004
（式中、Ａは、酸素または硫黄を表し、Ｒ１〜Ｒ７およびＲ８、Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、または、置換若しくは無置換のビフェニル基のいずれかを表す。α１およびα２は、それぞれ独立に、置換または無置換のフェニレン基を表す。Ａｒ２は、環を形成する炭素数６〜１３の、置換または無置換のアリール基を表す。ｎは０または１である。）
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
α１およびα２は、それぞれ独立に、下記式（α−１）〜（α−３）で表されるいずれか一である芳香族アミン誘導体。
【化５】
2011231108.tif 000005
【請求項６】
式（Ｇ５）で表される芳香族アミン誘導体。
【化６】
2011231108.tif 000006
（式中、Ａは、酸素または硫黄を表し、Ｒ１〜Ｒ７およびＲ８、Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換若しくは無置換のフェニル基、または、置換若しくは無置換のビフェニル基のいずれかを表す。α１は、置換または無置換のフェニレン基を表す。Ａｒ２は、環を形成する炭素数６〜１３の、置換または無置換のアリール基を表す。ｎは、０または１である。）
【請求項７】
請求項６において、
α１は、下記式（α−１）〜（α−３）で表されるいずれか一である芳香族アミン誘導体。
【化７】
2011231108.tif 000007
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
Ａｒ２は、下記式（Ａｒ２−１）〜（Ａｒ２−６）で表されるいずれか一である芳香族アミン誘導体。
【化８】
2011231108.tif 000008
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、下記式（Ｒ−１）〜（Ｒ−９）で表されるいずれか一である芳香族アミン誘導体。
【化９】
2011231108.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月4日(2014.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続したガラスリボンからガラスシートを成形する方法であって、
横方向に曲率を有する連続したガラスリボンを成形するステップ、
適合ノージングの反りを、前記連続したガラスリボンの前記曲率に適合する罫書き用反りに調整するステップ、
前記適合ノージングが前記連続したガラスリボンの第１面とノージング接触ライン上で接触するよう、前記適合ノージングを前記連続したガラスリボンの前記第１面と係合させるステップ、
前記連続したガラスリボンの第２面上の、前記ノージング接触ラインと対向する罫書きラインに沿って、該連続したガラスリボンに罫書きするステップ、
前記適合ノージングを前記ノージング接触ラインの長さに沿って前記連続したガラスリボンの前記第１面から少なくとも部分的に離すよう、前記適合ノージングの反りを分割用反りに再調整するステップ、および、
前記適合ノージングが前記連続したガラスリボンの第１面から少なくとも部分的に離れている間に前記連続したガラスリボンに曲げモーメントを加え、該連続したガラスリボンから前記ガラスシートを前記罫書きラインで分割するステップであって、前記ガラスシートが前記連続したガラスリボンから分割される前に、前記曲げモーメントを加えることで、前記連続したガラスリボンを前記ノージング接触ラインの長さに沿って前記適合ノージングと再係合させかつ前記連続したガラスリボンの前記曲率を前記適合ノージングの前記分割用反りに適合させる、該ステップ、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記適合ノージングの反りを前記罫書き用反りに調整する前に、前記連続したガラスリボンの曲率を測定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記連続したガラスリボンの前記第２面に受動支持装置を係合させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記受動支持装置が、前記適合ノージングから上流方向にずれていることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記適合ノージングの分割用反りが、実質的に直線状であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記適合ノージングの反りが前記分割用反りに再調整された後、前記連続したガラスリボンのエッジが前記適合ノージングと接触していることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記適合ノージングを前記連続したガラスリボンの前記第１面と係合させながら、前記適合ノージングの反りを前記罫書き用反りに調整することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記適合ノージングが、
支持フレーム、
該支持フレームに対して変形可能であるように該支持フレームに連結された、可撓性梁、
該可撓性梁に取り付けられたノージング材料、および、
複数の伸長可能部材であって、前記支持フレームに取り付けられた第１端部と、該伸長可能部材を前記可撓性梁の方へと延長させたときに該可撓性梁に変形させる力を加えるように位置付けられた第２端部とを、該各伸長可能部材が備えている、該複数の伸長可能部材、
を含んでいることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記各伸長可能部材の第２端部が可撓性梁に取り付けられていることを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記各伸長可能部材が空気圧式アクチュエータを含むことを特徴とする請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月28日(2014.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明者は、食材として知られる各種植物からの抽出物におけるＮｒｆ２活性化能を鋭意探索した結果、ナス科クコ属に属するクコ（Ｌｙｃｉｕｍ  ｃｈｉｎｅｎｓｅ  Ｍｉｌｌｅｒ、又はＬｙｃｉｕｍ  ｂａｒｂａｒｕｍ  Ｌｉｎｎｅ、ただし、該“Ｌｉｎｎｅ”の“ｅ”は“´”を伴う）の子実体であるクコシからの抽出物に優れたＮｒｆ２活性化作用を見出し、本発明を完成させるに至った。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年7月4日(2014.7.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
可能性のある溶液がPCT国際特許出願公開第WO01/58472号に開示されている。この文献において、アルブミンはポリサッカライド、すなわち、２より多くの糖分子モノマーのポリマー、によって置換されており、これは、ボツリヌス神経毒組成物中の安定化剤の役割を果たす。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルブミン及びポリサッカライドを含まない液体医薬組成物であって、以下の：
（ａ）ボツリヌス神経毒複合体（A、B、C、D、E、FまたはG型）または高純度ボツリヌス神経毒（A、B、C、D、E、FまたはG型）、
（ｂ）臨界ミセル濃度〜１％v/vの濃度の非イオン性界面活性剤、
（ｃ）塩化ナトリウム、及び
（ｄ）pHを５．５〜７．５に維持するための緩衝剤
を含み、
さらにジサッカライドを含む、前記液体医薬組成物。
【請求項２】
上記緩衝剤がpHを５．８〜７．０に維持する、請求項１に記載の液体医薬組成物。
【請求項３】
上記ジサッカライドが、シュークロース、トレハロース、ラクトース及びマンニトールから成る群から選ばれる、請求項１又は２に記載の液体医薬組成物。
【請求項４】
上記ジサッカライドの濃度が１０〜２０mMである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の液体医薬組成物。
【請求項５】
上記ジサッカライドの濃度が１１．７mMである、請求項４に記載の液体医薬組成物。
【請求項６】
ボツリヌス神経毒複合体A型を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の液体医薬組成物。
【請求項７】
高純度ボツリヌス神経毒A型を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
溶液１mlあたり、１００〜２，０００LD50単位のボツリヌス神経毒複合体または高純度ボツリヌス神経毒を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の液体医薬組成物。
【請求項９】
５００LD50単位のボツリヌス神経毒複合体A型を含む、請求項８に記載の液体医薬組成物。
【請求項１０】
上記非イオン性界面活性剤がポリソルベートである、請求項１〜９のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
上記非イオン性界面活性剤がポリソルベート８０である、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
上記非イオン性界面活性剤がポロキサマーである、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の液体医薬組成物。
【請求項１３】
滅菌水をさらに含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の液体医薬組成物。
【請求項１４】
上記塩化ナトリウムの濃度が約０．１５〜約０．３Mである、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の液体医薬組成物。
【請求項１５】
上記緩衝剤がコハク酸及びヒスチジンから成る群から選ばれる、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の液体医薬組成物。
【請求項１６】
上記緩衝剤がヒスチジンである、請求項１５に記載の液体医薬組成物。
【請求項１７】
上記緩衝剤の濃度が５〜２０mMである、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の液体医薬組成物。
【請求項１８】
上記緩衝剤の濃度が１０mMである、請求項１７に記載の液体医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月14日(2014.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表されるフッ素含有化合物。
【化１】
2012211088.tif 000001
［式中、
Ａｒ１は置換基を有していてもよい２，７−フルオレンジイル基を示し、
Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４及びＡｒ５はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアリーレン基を示し、
ｎ１、ｎ２及びｎ３はそれぞれ独立に０又は１を示し、
Ｚ１は下記式（Ｆ−９）で表される基又は下記式（Ｆ−１３）で表される基を示し、
Ｚ２は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、シアノ基又は−ＣｐＦｑＨｒＯｓで表される基（ｐは１以上１０以下の整数を示し、ｑは１以上２ｐ＋１以下の整数を示し、ｒは０以上２ｐ＋１−ｑ以下の整数を示し、ｓは０又は１を示す。）を示す。］
【化２】
2012211088.tif 000002
【請求項２】
ｓが０である、請求項１に記載のフッ素含有化合物。
【請求項３】
Ａｒ２が置換基を有していてもよい２，７−フルオレンジイル基であり、
Ｚ２が前記式（Ｆ−９）で表される基又は前記式（Ｆ−１３）で表される基である、請求項１又は２に記載のフッ素含有化合物。
【請求項４】
Ａｒ３、Ａｒ４及びＡｒ５がいずれも、置換基を有していてもよいフルオレンジイル基である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のフッ素含有化合物。
【請求項５】
正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群より選ばれる少なくとも一種と、請求項１〜４のいずれか一項に記載のフッ素含有化合物と、を含有する組成物。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のフッ素含有化合物と溶媒とを含有する液状組成物。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のフッ素含有化合物を含有する薄膜。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月22日(2014.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形体において溶融ガラスを分流させて流下させた後、合流ポイントにおいて合流させてガラス板を成形し、鉛直方向下方に流下させる、ガラス板の製造方法であって、
前記ガラス板の進行方向に対して、断熱板により複数個に分割した室を設け、前記ガラス板の進行方向に対して順次温度が下がるように前記室毎に室温度を制御するヒーターを設け、
前記断熱板は、前記ガラス板に対向するように少なくとも一対配置され、前記ガラス板の幅方向中央部に対向する一対の前記断熱板の間の間隔は、前記ガラス板の幅方向両端部に対向する一対の前記断熱板の間の間隔より小さく、前記断熱板はその対向面が、前記ガラス板と前記断熱板との間隔が実質的に均一になるように、前記ガラス板の板厚変動に対応した形状になっていることを特徴とする、
ガラス板の製造方法。
【請求項２】
前記断熱板はその対向面が、前記ガラス板と前記断熱板との間隔が近接するように、前記ガラス板の板厚変動に対応した形状になっていることを特徴とする、
請求項１に記載のガラス板の製造方法。
【請求項３】
前記ガラス板は、両端部が中央部より板厚が厚いことを特徴とする、
請求項１又は２に記載のガラスの製造方法
【請求項４】
前記断熱板は、前記ガラス板の中央部と両端部に対応し、且つ独立した各部材を有していることを特徴とする、
請求項１〜３のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法。
【請求項５】
前記各部材は、前記ガラス板に対して離間接近することを特徴とする、
請求項４に記載のガラス板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月30日(2014.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタン酸化物ゾルゲル層を形成するための溶液を形成するプロセスであって、このプロセスは好適には不活性雰囲気で行われ、このプロセスは、
０．５から３．０モル当量で、好適には１．０から１．８モル当量の酸、
１．０から５．０モル当量で、好適には２．０から２．６モル当量の水、
５．０から２０モル当量で、好適には８から１３モル当量の水混和性アルコール、
０．５から２モル当量で、好適には０．８から１．２モル当量のチタン酸化物前駆体、
２．５から１０モル当量で、好適には４．０から６．４モル当量の一般式（Ｉ）：
Ｎ（Ｒ１）（Ｒ２）（Ｒ３）          （Ｉ）
の化合物、
ここで、Ｒ１は、Ｃ１−Ｃ４直鎖アルキルグループとＣ３−Ｃ４分岐アルキルグループとからなるリストから選択され、ここでアルキルグループのいくつかは、任意的に、−ＮＨ２、−ＳＨ、−ＯＨ、−ＮＲ４Ｒ５、−ＳＲ’、−ＯＲ”からなるリストから選択されるグループＹにより置き換えられ、ここで、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ’およびＲ”は、Ｃ１−Ｃ４直鎖アルキルグループとＣ３−Ｃ４分岐アルキルグループからなるリストから選択され、ここでＲ２およびＲ３は、Ｈ、Ｃ１−Ｃ４直鎖アルキルグループ、およびＣ３−Ｃ４分岐アルキルグループからなるリストから独立して選択され、ここでアルキルグループのいくつかは、任意的に、−ＮＨ２、−ＳＨ、−ＯＨ、−ＮＲ４Ｒ５、−ＳＲ’、−ＯＲ”からなるリストから選択されるグループＹにより置き換えられ、ここで、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ’およびＲ”は、Ｃ１−Ｃ４直鎖アルキルグループとＣ３−Ｃ４分岐アルキルグループからなるリストから選択される、
の混合工程を含み、
この混合工程は、
ａ）酸を水と混ぜて、第１混合物を得る工程と、
ｂ）第１混合物を水混和性アルコールと混ぜて、第２混合物を得る工程と、
ｃ）一般式（Ｉ）の化合物を第２混合物と混ぜて、第３混合物を得る工程と、
ｄ）例えば１０分から１５分のような、第３混合物が室温になるために十分な時間待つ工程と、
ｅ）チタン酸化物前駆体を第３混合物に加えて、溶液を得る工程と、を含むプロセス。
【請求項２】
工程（ｂ）において、第１混合物は、更に、炭水化物、好適にはＤ−ソルビトールと混ぜられる請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
炭水化物は、５×１０−２から２×１０−１モル当量で、好適には８×１０−２から１．２×１０−１モル当量の中に含まれる請求項２に記載のプロセス。
【請求項４】
室温で行われる請求項１〜３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項５】
工程（ｅ）で得られた溶液は澄んでいる請求項１〜４のいずれかに記載のプロセス。
【請求項６】
チタン酸化物前駆体はチタンアルコキシドであり、好適には一般式（ＩＩ）：
Ｔｉ（ＯＲ）４          （ＩＩ）
のチタン（ＩＶ）アルコキシドであり、
ここで、ＲはＣ１−Ｃ４直鎖アルキル鎖またはＣ３−Ｃ４分岐アルキル鎖から選択される請求項１〜５のいずれかに記載のプロセス。
【請求項７】
チタン酸化物前駆体は、チタン（ＩＶ）イソポロポキシドである請求項１〜６のいずれかに記載のプロセス。
【請求項８】
水混和性アルコールは、一般式（ＩＩＩ）：
Ｒ−ＯＨ          （ＩＩＩ）
を有し、ここで、ＲはＣ１−Ｃ３直鎖アルキルおよびＣ３分岐アルキル鎖のグループから選択される請求項１〜７のいずれかに記載のプロセス。
【請求項９】
水混和性アルコールはエタノールである請求項８に記載のプロセス。
【請求項１０】
酸は有機酸であり、好適には一般式（ＩＶ）：
Ｒ−ＣＯＯＨ          （ＩＶ）
を有し、ここで、ＲはＣ１−Ｃ４直鎖アルキルおよびＣ３−Ｃ４分岐アルキルのグループから選択される請求項１〜９のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１１】
酸は酢酸である請求項１０に記載のプロセス。
【請求項１２】
任意的に、混和性アルコール中での希釈工程が続いて行われる請求項１〜１１のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１３】
デバイスを作製する方法であって、
ａ）基板を準備する工程と、
ｂ）好適には不活性雰囲気で、請求項１２にかかる溶液を基板に供給する工程と、
を含むプロセス。
【請求項１４】
請求項１３の工程（ｂ）の後に、アニール工程、酸素処理、またはＵＶ光を用いた光ドーピングを含まない請求項１３に記載のプロセス。
【請求項１５】
請求項１３または１４のプロセスを用いて得られるデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月11日(2014.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
＜練り込み型帯電防止剤の作製１＞
（１）原材料
（Ａ成分）
メトキシポリエチレングリコール＃４００アクリレート（商品名：ＮＫエステルＡＭ−９０Ｇ；新中村化学工業社製、ｎ＝９）、
メトキシポリエチレングリコール＃５５０アクリレート（商品名：ＮＫエステルＡＭ−１３０Ｇ；新中村化学工業社製、ｎ＝１３）、
メトキシポリエチレングリコール＃４００メタクリレート（商品名：ＮＫエステルＭ−９０Ｇ；新中村化学工業社製、ｎ＝９）、
メトキシポリエチレングリコール＃２０００メタクリレート（商品名：ＮＫエステルＭ−４５０Ｇ；新中村化学工業社製、ｎ＝４５）、
メトキシポリエチレングリコール＃４０００メタクリレート（商品名：ＮＫエステルＭ−９００Ｇ；新中村化学工業社製、ｎ＝９０）。
ただし、上記ｎは、オキシアルキレン基の平均付加モル数である。
（Ｂ成分）
過塩素酸ナトリウム（商品名：一級過塩素酸ナトリウム（無水）；和光純薬社製）、
過塩素酸リチウム（商品名：一級過塩素酸リチウム（無水）；和光純薬社製）。
（Ｃ成分）
１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（商品名：イルガキュア１８４；チバスペシャルティケミカルズ社製）、
２−メチル−１―［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン（商品名イルガキュア９０７；チバスペシャルティケミカルズ社製）。
（Ｄ成分）
２−ヒドロキシエチルアクリルアミド（商品名：ＨＥＡＡ；興人社製）、
アクリルアミド（商品名：一級アクリルアミド；和光純薬社製）、
Ｎ,Ｎ−ジメチルアクリルアミド（商品名：ＤＭＡＡ；興人社製）、
Ｎ−イソプロピルアクリルアミド（商品名：ＮＩＰＡＭ；興人社製）。
（Ａ成分およびＤ成分以外の重合性単量体）
ポリエチレングリコール＃６００ジアクリレート（商品名：ＮＫエステルＡ−６００；新中村化学工業社製）、
エトキシ化ペンタエリスリトールテトラアクリレート（商品名：ＮＫエステルＡＴＭ−３
５Ｅ；新中村化学工業社製）、
ラウリルアクリレート（商品名：ＬＡ；大阪有機化学工業社製）、
ステアリルアクリレート（商品名：ＳＴＡ；大阪有機化学工業社製）、
ポリアルキレンアルキルエーテルモノメタクリレート（商品名：ＮＫエコノマーＭＴＤ−１０９；新中村化学工業社製）、
２−ヒドロキシエチルアクリレート（商品名：ＨＥＡ；大阪有機化学工業社製）、
Ｎ−ビニル−２−ピロリドン（商品：Ｎ−ビニル−２−ピロリドン；日本触媒社製）。
（その他の成分）
ポリエチレングリコール＃２０００（商品名：一級ポリエチレングリコール２０００；和光純薬社製）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
＜熱可塑性樹脂組成物並びに成形品の評価＞
得られた成形品（試作品１〜８、１１〜２２）の帯電防止性、外観（表面、内層）および耐屈曲性について下記方法で評価した。
（１）帯電防止性の評価（水拭き前）
得られた成形品を恒温槽を用いて、室温２０℃、湿度６５％ＲＨで３時間エージングし、同条件で極超絶縁計（型式：ＳＥＭ−１０；東亜電波工業社製）を用いて表面固有抵抗を測定した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
（２）帯電防止性の評価（水拭き後）
得られた成形品の表面を２５℃の水中で不織布を用いて１分間洗浄した。これを１０回繰り返してから水気を除き、６０℃２分間乾燥した後に、室温２０℃、湿度６５％ＲＨで３時間エージングし、同条件で極超絶縁計（型式：ＳＥＭ−１０；東亜電波工業社製）を用いて表面固有抵抗を測定した。
上記の表面固有抵抗の測定は、ＪＩＳ Ｋ６９１１に準じて測定した。結果を表４に示
す。
なお、成形品の表面固有抵抗は、通常１×１０１６Ω／□以上であるが、帯電防止剤を加えると１×１０９〜１０１２Ω／□程度に低下する。抵抗値が低いほど帯電防止性が良くなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
【表４】
2012211303.tif 000001
結果より、実施例品の練り込み型帯電防止剤を用いた試作品は、水洗浄前および水洗浄後の表面固有抵抗がいずれも１×１０１２（Ω／□）以下であり、永久帯電防止性を有していた。また、試作品の外観（表面、内層）、耐屈曲性も良い評価であった。
一方、比較例品の練り込み型帯電防止剤を用いた試作品は、水洗浄後の表面固有抵抗、または水洗浄前および水洗浄後の表面固有抵抗は、１×１０１３（Ω／□）以上であり、永久帯電防止性を有していなかった。また、試作品６、２０、２１は、外観（表面、内層の少なくともいずれか）が好ましいものではなく、かつ、この試作品２０、２１は耐屈曲性が好ましいものではなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月26日(2014.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【特許文献１】特開昭６４−３６７１７号公報
【特許文献２】特開２０１０−２６１０６２号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【図１】ステンレス鋼の製造工程の流れを示す模式図である。
【図２】転炉での処理工程の流れを示す模式図である。
【図３】スラグの固化に要する量を炭酸カルシウムと酸化カルシウムとで比較した図である。
【図４】スラグの固化後に次の二次精錬工程（真空脱ガス処理工程）に流入するスラグ量を炭酸カルシウムで固化した場合と酸化カルシウムで固化した場合とで比較した図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
実施の形態
以下、この発明の実施の形態におけるステンレス鋼の製造方法について添付図面に基づいて説明する。
図１を参照すると、ステンレス鋼の製造は、製鋼工程（Ａ）、一次精錬工程（Ｂ）、二次精錬工程（Ｃ）、及び鋳造・圧延工程（Ｄ）がこの順で実施されて行われる。
製鋼工程（Ａ）では、ステンレス製鋼用の原料を電気炉１で溶解して溶銑２を生成し、生成した溶銑２が、受銑鍋３を介して転炉４に注銑される。
ここで、電気炉１は、溶解炉を構成している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
一次精錬工程（Ｂ）では、転炉４内にノズル４ａを介して酸素を吹精して溶銑２に含有される炭素を除去する粗脱炭処理が行われ、粗脱炭処理されることによってステンレス粗溶鋼２ａ（図２参照）が生成する。さらに、生成したステンレス粗溶鋼２ａは、取鍋５に出鋼される。
ここで、転炉４は、精錬炉を構成している。
二次精錬工程（Ｃ）では、ステンレス粗溶鋼２ａが取鍋５と共に真空脱ガス装置６（ＶＯＤ）に入れられ、仕上げ脱炭処理が行われる。そして、ステンレス粗溶鋼２ａが仕上げ脱炭処理されることによって、純粋なステンレス溶鋼が生成する。
鋳造・圧延工程（Ｄ）では、真空脱ガス装置６から取鍋５を取り出して連続鋳造装置７（ＣＣ）にセットされ、ステンレス溶鋼が連続鋳造装置７の鋳型に注入されて、板状のステンレス鋼スラブ８が形成される。さらに、形成されたスラブ８は、熱間圧延又は冷間圧延され熱間圧延鋼帯又は冷間圧延鋼帯とされる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
固化材投入工程（Ｂ３）の後、出鋼工程（Ｂ４）にて、転炉４が傾動されて転炉４の出鋼口４ｂからステンレス粗溶鋼２ａのみが取鍋５に出鋼される。出鋼されたステンレス粗溶鋼２ａを含む取鍋５は、図１の二次精錬工程（Ｃ）に移される。
一方、出鋼工程（Ｂ４）にてステンレス粗溶鋼２ａが出鋼された転炉４は、続く傾動復帰工程（Ｂ５）にて、傾動されていた状態から元の状態に戻され、次いで、排滓工程（Ｂ６）にて再び傾けられ、上部の開口４ｃを介して内部の固化したスラグ１０が容器１２に排出される、つまり排滓される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2012211372.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月25日(2014.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記ポリオール（Ａ）の（ａ２）／（ａ１）の質量比が、０．６〜１未満である請求項１に記載の湿気硬化型ポリウレタンホットメルト接着剤。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月24日(2014.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファイバーと、前記ファイバーを覆うように設けられたポリマーとを備えた繊維強化プラスチックを、酸素の存在下、半導体粉末に１００℃以上で接触させ、前記ポリマーを酸化分解して除去することで、前記ファイバーを回収することを特徴とする繊維強化プラスチックからのファイバーの回収方法。
【請求項２】
半導体の高温状態で生成する熱平衡キャリアーのうち、正孔酸化力を利用した請求項１に記載のファイバーの回収方法。
【請求項３】
前記繊維強化プラスチックを半導体粉末に接触させる温度が１００〜６００℃である請求項１又は２に記載のファイバーの回収方法。
【請求項４】
前記半導体が高温状態及び酸素雰囲気下でも安定に存在する半導体である請求項１〜３のいずれかに記載のファイバーの回収方法。
【請求項５】
前記半導体が酸化物半導体である請求項１〜４のいずれかに記載のファイバーの回収方法。
【請求項６】
前記酸化物半導体がＣｒ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＴｉＯ２、又は、Ｆｅ２Ｏ３である請求項５に記載のファイバーの回収方法。
【請求項７】
前記ポリマーが熱硬化性ポリマーである請求項１〜６のいずれかに記載のファイバーの回収方法。
【請求項８】
前記ポリマーが熱可塑性ポリマーである請求項１〜６のいずれかに記載のファイバーの回収方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月9日(2014.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
（Ｄ）１分子中に加水分解性珪素基を１個有し且つ第１級アミノ基を有さないシラン化合物をさらに含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の硬化性組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の硬化性組成物は、（Ｄ）１分子中に加水分解性珪素基を１個有し且つ第１級アミノ基を有さないシラン化合物をさらに含有することが好ましい。前記（Ｄ）シラン化合物が、下記式（１２）で示される化合物であることが好適である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
本発明の硬化性組成物は、（Ｄ）１分子中に加水分解性珪素基を１個有し且つ第１級アミノ基を有さないシラン化合物をさらに含有することが好適である。（Ｄ）シラン化合物を配合することにより、貯蔵安定性及び引張り物性をより改善することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】
前記（Ｄ）シラン化合物としては、１分子中に加水分解性珪素基を１個有し且つ第１級アミノ基を有さない公知のシラン化合物を広く使用することができる。該シラン化合物（Ｄ）の加水分解珪素基において、珪素原子に結合する加水分解性基としては第１級アミノ基を除く公知の加水分解性基を用いることができるが、アルコキシル基が好ましい。前記（Ｄ）成分は、貯蔵安定性及び引張り物性を考慮すると加水分解性ケイ素基がトリアルコキシシリル基、又はジアルコキシシリル基であることが好ましく、トリアルコキシシリル基であることがより好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８１】
前記物性調整剤は引っ張り物性等の硬化性組成物の物性を改善する目的で添加される。前記物性調整剤の例としては、例えば、１分子中にシラノール基を１個有し且つ第１級アミノ基を有さないシリコン化合物が好適に用いられる。該シリコン化合物としては、例えば、トリフェニルシラノール、トリアルキルシラノール、ジアルキルフェニルシラノール、ジフェニルアルキルシラノール等が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月20日(2014.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクの両側に配置される少なくとも一対のブレーキパッドと、
前記ディスクの両側に配置されて前記一対のブレーキパッドを前記ディスクに押圧する少なくとも一対のピストンと、
前記ピストンが摺動するボアを有するシリンダ部と、
内部に取付孔を有してディスク回転軸線と直交する方向に沿って突出する部分的円筒状部を有するボス部と、を備えたディスクブレーキにおいて、
前記シリンダ部の前記ボアの底部と前記ボス部の前記部分的円筒状部とを結んでディスク半径方向の内方に立設される伝熱部が形成されていることを特徴とするディスクブレーキ。
【請求項２】
前記伝熱部は、前記ボアの底部に連結する第１の連結部と前記部分的円筒状部に連結す第２の連結部とを有し、ディスク回転軸線方向において前記第１の連結部よりも前記第２の連結部の方がディスク側に位置するように傾斜して配置されていることを特徴とする請求項１に記載のディスクブレーキ。
【請求項３】
前記伝熱部は、前記ボアの底部に連結する第１の連結部と前記部分的円筒状部に連結する第２の連結部とを有し、前記第２の連結部がディスク回転軸線方向において前記取付孔の中心よりもディスクとは反対側の範囲に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載のディスクブレーキ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
油圧テンショナリフタ(０)のテンショナボディ(20)にプランジャ(23)が摺動可能に嵌装されて、前記テンショナボディ(20)と前記プランジャ(23)とで高圧油室(31)が構成され、前記テンショナボディ(20)の内周面と前記プランジャ(23)の外周面との間に、前記高圧油室(31)内のオイルが外部へ流出できる隙間部(40)が設けられた油圧テンショナリフタ(０)のリークオイル排出手段において、
前記隙間部(40)のうち、上流側隙間(47)の面積より、オイルが流出する下流側隙間(48)の面積が大きいことを特徴とする油圧テンショナリフタ(０)のリークオイル排出手段。
【請求項２】
上流側隙間(47)寸法が最も大きく出来上がる場合の隙間寸法より、下流側隙間(48)寸法が最も小さく出来上がる場合の隙間寸法の方が大きくなるよう、内径・外径と加工公差が設定されていることを特徴とする請求項１に記載の油圧テンショナリフタ(０)のリークオイル排出手段。
【請求項３】
前記テンショナボディ(20)の下流側摺動面に、オイル排出溝(51)が形成され、その上流端が前記上流側隙間(47)に到達していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の油圧テンショナリフタ(０)のリークオイル排出手段。
【請求項４】
前記プランジャ(23)は、上流側のプランジャ大径部(44)と、下流側のプランジャ小径部(45)とからなるプランジャ段差部(46)を有し、
前記テンショナボディ(20)は、前記プランジャ(23)の上流側のプランジャ大径部(44)と対応するプランジャ収納孔大径部(41)と、前記前記プランジャ(23)の下流側プランジャ小径部(45)に対応するプランジャ収納孔小径部(42)とからなるプランジャ収納孔段差部(43)を有し、
前記プランジャ(23)のプランジャ段差部(46)が、前記テンショナボディ(20)のプランジャ収納孔段差部(43)に係合して、前記プランジャ(23)の抜け止め構造をなし、
前記オイル排出溝(51)は、前記プランジャ収納孔小径部(42)に形成され、オイル排出溝(51)の上流端が前記プランジャ収納孔大径部(41)に至るよう形成されることを特徴とする請求項３に記載の油圧テンショナリフタ(０)のリークオイル排出手段。
【請求項５】
前記オイル排出溝(51)を下流端側からプランジャ収納孔小径部(42)に機械加工により形成し、前記加工工具(50)の先端がプランジャ収納孔大径部(41)に至ることを特徴とする請求項４に記載の油圧テンショナリフタ(０)のリークオイル排出手段。
【請求項６】
前記オイル排出溝(51)は無端伝動帯(13)の移動方向を避けた位置に配置されることを特徴とする請求項３乃至請求項５の何れかに記載の油圧テンショナリフタ(０)のリークオイル排出手段。
【請求項７】
油圧テンショナリフタ(０)を車両に取付けた状態において、前記オイル排出溝(51)のオイル排出方向が水平より下向きとなるよう配置されることを特徴とする請求項３乃至請求項６の何れかに記載の油圧テンショナリフタ(０)のリークオイル排出手段。
【請求項８】
前記オイル排出溝(51)は、テンショナボディ(20)のプランジャ収納孔(20ａ)の中心線に対して、対向する位置に対で設けられることを特徴とする請求項３乃至請求項７の何れかに記載の油圧テンショナリフタ(０)のリークオイル排出手段。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の油圧テンショナ(０)のリークオイル排出手段において、
前記テンショナボディ(20)の下流側摺動面に、オイル排出溝(51)が形成され、その上流端が前記上流側隙間(47)に到達していることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
第２のリークオイル排出手段：
図１０はテンショナボディ20の前面図である。図１１は図１０のＸＩ−ＸＩ断面図である。テンショナボディ20の前面から、プランジャ収納孔20ａの小径部42に加工工具50を当ててオイル排出溝51を形成し、加工工具50の先端がプランジャ収納孔20ａの大径部41に達するまで溝51を形成する。これによって、オイルの排出性を高めることができる。