(57)【要約】【課題】端子金属が保護用ＩＴＯのピンホールまたは亀裂から侵入した水分による水和反応によって侵され、接続不良が生ずることを防止する。【解決手段】端子部は、表示領域から延在する引き出し線３０と、端子金属１０と、端子金属１０から外側に延在する検査用配線４０を有している。端子部は保護用絶縁膜によって覆われ、端子金属１０の部分は、保護用絶縁膜にスルーホール２０が形成され、端子金属１０はスリット１５を介して複数に分割され、スリット１５は、表示領域側において、保護用絶縁膜によって覆われている。ＩＴＯ６０は分割された端子金属１０とスリット１５を覆っている。これによって、ＩＴＯ５０のピンホール等から水分が浸入しても、水分はスリット１５において進行を阻止される。したがって、端子金属１０全体が腐食して導通不良を引き起こすことは無い。【選択図】図４
2013109122.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極とＴＦＴがマトリクス状に形成された表示領域と端子部を有するＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板に対向し、カラーフィルタが形成された対向基板と、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記端子部は、前記表示領域から延在する引き出し線と、長辺と短辺を有する端子金属と、前記端子金属から外側に延在する検査用配線を有し、
前記端子部は保護用絶縁膜によって覆われ、
前記端子金属の部分は、前記保護用絶縁膜にスルーホールが形成され、前記スルーホールを覆ってＩＴＯが形成され、
前記端子金属は前記長辺方向に延在するスリットを介して前記短辺方向に複数に分割され、
前記スリットは、前記表示領域側において、保護用絶縁膜によって覆われており、
前記ＩＴＯは前記分割された端子金属と前記スリットを覆っていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記スリットが前記表示領域側において前記保護用絶縁膜によって覆われている前記長辺方向の長さは２μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記スリットが前記表示領域側において前記保護用絶縁膜によって覆われている前記長辺方向の長さは３μｍ以上であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記端子金属は、表示領域における走査線と同じ金属または合金で形成されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記端子金属は、表示領域における映像信号線と同じ金属または合金で形成されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記液晶表示装置は前記画素電極の厚さが３０〜５０ｎｍであるＩＰＳ方式の液晶表示装置であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記液晶表示装置は前記対向電極の厚さが３０〜５０ｎｍであるＩＰＳ方式の液晶表示装置であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，液晶表示装置に係り，特に端子部の水和反応による金属の腐食を防止し、信頼性を向上させた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にブラックマトリクスあるいはオーバーコート膜等が形成された対向基板が設置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
液晶表示装置はフラットで軽量であることから、ＴＶ等の大型表示装置から、携帯電話やＤＳＣ（Digital Still Camera）等、色々な分野で用途が広がっている。一方、液晶表示装置では視野角特性が問題である。視野角特性は、画面を正面から見た場合と、斜め方向から見た場合に、輝度が変化したり、色度が変化したりする現象である。視野角特性は、液晶分子を水平方向の電界によって動作させるＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式が優れた特性を有している。
【０００４】
ＴＦＴ基板と対向基板で形成される液晶表示パネルには、ＴＦＴ基板に形成された端子部から走査信号、映像信号、コモン電圧等が供給される。端子部は、外部に露出しているので、外部環境、特に水分による端子金属の腐食が問題となる。
【０００５】
一方、液晶表示パネルの製造工程において、静電気が発生すると、これによって、ＴＦＴが破壊される場合がある。ＴＦＴの破壊を防止するために、製造工程において、端子部と接続し、端子部よりも外側に配線層を設けることによって、ＴＦＴの静電気による破壊を防止している。「特許文献１」には、静電気が生じた場合に、端子部が破壊されて、静電気がＴＦＴに飛び込むことによってＴＦＴが破壊されることを防止する構成が記載されている。
【０００６】
すなわち、「特許文献１」には、端子引出し線の延在方向と直角方向に端子部を３分割し、仮に大きな静電気が発生した場合に、１個の端子が破壊された場合でも、残りの端子によって、静電気を外側の配線層に逃がす構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−３３３６７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
端子部は映像信号線あるいは走査線をＴＦＴ基板と一体となった引出し線をＴＦＴ基板の端部付近まで延在させることによって表示領域に映像信号、走査信号等を供給する。引出し線は金属あるいは合金で形成されているので、一般には、大気中の水分によって腐食される。これを防止するために、液晶表示パネルのシール部外においては、端子金属等をゲート絶縁膜、あるいは、無機パッシベーション膜等によって覆い、実際に信号等を供給する端子にスルーホールを形成し、このスルーホールを、画素電極等に使用されるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）によって覆うことで、端子部の金属の腐食を防止している。
【０００９】
ＩＴＯは金属酸化物の導電膜なので、安定であり、腐食しない。ＩＴＯは、表示領域における画素電極に使用され、画素電極と同時に形成される。ＩＰＳ方式液晶表示装置では、櫛歯電極が形成されるので、配向膜がラビングされない部分が生ずることを防止するために、画素電極の厚さを５０ｎｍ程度と、薄くする必要がある。したがって、画素電極と同時に形成される端子部のＩＴＯも厚さが５０ｎｍと薄くなり、ＩＴＯの一部に亀裂が入ったり、ピンホールが発生したりする。
【００１０】
ＩＴＯに亀裂やピンホールが存在すると、その部分から大気中の水分が侵入し、端子部の金属を腐食させる。端子部金属は、従来は、連続した膜なので、時間とともに腐食箇所が拡大し、ついには、端子部の導通不良を引き起こす。
【００１１】
本発明の課題は、端子部において、ＩＴＯに亀裂が生じたり、ピンホールが発生したりしても、端子部の金属全体が腐食されて導通不良を引き起こすことを防止することである。
【００１２】
なお、「特許文献１」には、引出し線の方向と直角方向に端子部の金属を３分割する構成が記載されているが、「特許文献１」の構成は、端子部の金属を大気中の水分等の腐食から保護する構成については、記載も示唆も無い。すなわち、「特許文献１」では、図３（ｃ）に示すように、端子部を分割した部分において、端子部をＩＴＯ等によって覆う構成ではなく、端子部金属の側面がむき出しの状態となっている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は上記課題を克服するものであり、具体的な手段の主なものは次のとおりである。すなわち、画素電極とＴＦＴがマトリクス状に形成された表示領域と端子部を有するＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板に対向し、カラーフィルタが形成された対向基板と、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記端子部は、前記表示領域から延在する引き出し線と、長辺と短辺を有する端子金属と、前記端子金属から外側に延在する検査用配線を有し、前記端子部は保護用絶縁膜によって覆われ、前記端子金属の部分は、前記保護用絶縁膜にスルーホールが形成され、前記スルーホールを覆ってＩＴＯが形成され、前記端子金属は前記長辺方向に延在するスリットを介して前記短辺方向に複数に分割され、前記スリットは、前記表示領域側において、保護用絶縁膜によって覆われており、前記ＩＴＯは前記分割された端子金属と前記スリットを覆っていることを特徴とする液晶表示装置である。
【００１４】
また、他の実施形態では、前記スリットが前記表示領域側において前記保護用絶縁膜によって覆われている前記長辺方向の長さは２μｍ以上であることを特徴とする液晶表示装置である。
【００１５】
さらに、他の実施形態では、前記スリットが前記表示領域側において前記保護用絶縁膜によって覆われている前記長辺方向の長さは３μｍ以上であることを特徴とする液晶表示装置である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、端子を覆うＩＴＯにピンホールが存在していたり、亀裂が生じていたりする場合があっても、進入した水分による、端子金属との水和反応は、スリットによって進行を阻止される。したがって、水和反応による端子金属の腐食は１部にとどまり、端子金属全体が腐食して導通不良となることは無い。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】ＩＰＳ方式の液晶表示装置の断面図である。
【図２】図１の画素の平面図である。
【図３】端子構造の例を示す平面図である。
【図４】本発明の端子の詳細を示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ断面図である。
【図６】図４のＢ−Ｂ断面図である。
【図７】図４のＣ−Ｃ断面図である。
【図８】図４のＡ−Ａ断面図の他の例である。
【図９】図４のＢ−Ｂ断面図の他の例である。
【図１０】図４のＣ−Ｃ断面図の他の例である。
【図１１】本発明の端子の他の例の詳細を示す平面図である。
【図１２】本発明の端子のさらに他の例の詳細を示す平面図である。
【図１３】端子構造の他の例を示す平面図である。
【図１４】図１３の端子の詳細平面図である。
【図１５】端子構造のさらに他の例を示す平面図である。
【図１６】図１５の端子の詳細平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の実施例を説明する前に、本発明が適用される液晶表示装置の代表例として、ＩＰＳ方式の液晶表示装置の画素部の断面構造について説明する。画素部と端子部とでは、共通に、同時形成される場合が多いからである。
【００１９】
図１の構造は、現在広く使用されている構造であって、簡単に言えば、平面ベタで形成された対向電極１０８の上に絶縁膜１０９を挟んで櫛歯状の画素電極１１０が形成されている。そして、画素電極１１０と対向電極１０８の間の電圧によって液晶分子３０１を回転させることによって画素毎に液晶層３００の光の透過率を制御することにより画像を形成するものである。
【００２０】
配向膜１１３に対してラビングによって配向性能を付与する場合、櫛歯状の画素電極１１０の膜厚が大きいと、櫛歯の影において、ラビングされない部分が生じ、液晶の配向が出来ず、光漏れが生じ、コントラストを劣化させる。これを防止するために、画素電極１１０の厚さを３０〜５０ｎｍ程度と、薄くしている。櫛歯状の画素電極１１０の膜厚が小さければ、ラビング時に影となる部分も小さく、光漏れも軽減できるからである。
【００２１】
端子部の端子金属は、ＩＴＯによって保護されているが、このＩＴＯは画素電極１１０の形成と同時に形成される。したがって、画素電極の厚さが小さくなると、端子部の保護ＩＴＯの厚さも小さくなる。保護ＩＴＯの膜厚が小さくなれば、ＩＴＯに亀裂が入りやすくなり、また、ＩＴＯにピンホールが発生し易くなる。
【００２２】
以上で説明したのとは逆に、ＩＰＳでは、平面ベタで形成された画素電極１１０の上に絶縁膜１０９を挟んで櫛歯状の対向電極１０８が形成されている構成の場合もある。この場合は、櫛歯状の対向電極１０８の厚さを３０〜５０ｎｍ程度と小さくする必要がある。
【００２３】
この場合、対向電極１０８を形成したときのＩＴＯが端子部の保護ＩＴＯとなるので、対向電極１０８が薄くなることによる、ＩＴＯの亀裂、ＩＴＯのピンホール等の問題は、画素電極１１０が上部の櫛歯電極の場合と同様である。
【００２４】
図１において、ガラスで形成されるＴＦＴ基板１００の上に、ゲート電極１０１が形成されている。ゲート電極１０１は走査線（以後ゲート線ともいう）と同層で形成されている。ゲート電極１０１はＡｌ合金層の上にキャップ層であるＭｏ合金が積層されている。Ａｌ合金層としては、ＡｌＮｄ合金あるいはＡｌＣｕ合金等が使用され、Ｍｏ合金としては、ＭｏＣｒあるいはＭｏＷ等が使用される。ゲート電極１０１は、ＴＦＴ基板１００の端部付近にまで延在し、引き出し線あるいは端子部金属を形成する場合がある。この場合の端子はゲート端子という。
【００２５】
ゲート電極１０１を覆ってゲート絶縁膜１０２がＳｉＮによって形成されている。ゲート絶縁膜１０２は端子部を保護するために、シール部の外側にまで形成されている。ゲート絶縁膜１０２の上に、ゲート電極１０１と対向する位置に半導体層１０３がａ−Ｓｉ膜によって形成されている。ａ−Ｓｉ膜はＴＦＴのチャネル部を形成するが、チャネル部を挟んでａ−Ｓｉ膜上にドレイン電極１０４とソース電極１０５が形成される。なお、ａ−Ｓｉ膜とドレイン電極１０４あるいはソース電極１０５との間には図示しないｎ＋Ｓｉ層が形成される。半導体層とドレイン電極１０４あるいはソース電極１０５とのオーミックコンタクトを取るためである。
【００２６】
ドレイン電極１０４は映像信号線（以後ドレイン線とも言う）が兼用し、ソース電極１０５は画素電極１１０と接続される。ドレイン電極１０４もソース電極１０５も同層で同時に形成される。図１において、ドレイン電極１０４あるいはソース電極１０５は単層で描かれているが、本実施例では、Ａｌ合金層を挟んで、上層にキャップ層、下層にベース層を有する３層構造である。なお、ドレイン電極１０４、ソース電極１０５あるいは映像信号線等（以後ドレイン線等という）はＡｌ合金層とキャップ層の２層構造の場合がある。あるいは、ドレイン線等は１層の場合もあり、この場合は、例えば、ＭｏＣｒ合金、ＭｏＷ合金等が使用される。
【００２７】
ドレイン線等は、シール部を経てＴＦＴ基板の端部付近まで延在して端子部金属を形成する場合がある。すなわち、この場合、ドレイン線等と引出し線および端子金属は同時に形成される。この場合の端子はドレイン端子という。
【００２８】
ＴＦＴを覆って無機パッシベーション膜１０６がＳｉＮによって形成される。無機パッシベーション膜１０６はＴＦＴの、特にチャネル部を不純物から保護する。無機パッシベーション膜は端子部を保護するために、シール部の外側にまで延在し、引出し線および端子部を保護する。
【００２９】
無機パッシベーション膜１０６の上には有機パッシベーション膜１０７が形成される。有機パッシベーション膜１０７はＴＦＴの保護と同時に表面を平坦化する役割も有するので、厚く形成される。厚さは１μｍから４μｍである。有機パッシベーション膜は感光性樹脂で形成され、レジストを用いずに、パターニングすることが出来る。
【００３０】
有機パッシベーション膜１０７の上には対向電極１０８が形成される。対向電極１０８は透明導電膜であるＩＴＯを表示領域全体にスパッタリングすることによって形成される。すなわち、対向電極１０８は面状に形成される。対向電極１０８を全面にスパッタリングによって形成した後、画素電極１１０とソース電極１０５を導通するためのコンタクトホール１１１部だけは対向電極１０８をエッチングによって除去する。
【００３１】
対向電極１０８を覆って層間絶縁膜１０９がＳｉＮによって形成される。層間絶縁膜１０９が形成された後、エッチングによってコンタクトホール１１１を形成する。この層間絶縁膜１０９と無機パッシベーション膜１０６を同じマスクによってエッチングしてコンタクトホール１１１を形成する。その後、層間絶縁膜１０９およびコンタクトホール１１１を覆って画素電極１１０となるＩＴＯをスパッタリングによって形成する。スパッタリングしたＩＴＯをパターニングして画素電極１１０を形成する。画素電極１１０となるＩＴＯはスルーホール１１１にも被着される。スルーホール１１１において、ＴＦＴから延在してきたソース電極１０５と画素電極１１０が導通し、映像信号が画素電極１１０に供給されることになる。
【００３２】
図２に画素電極１１０の１例を示す。画素電極１１０は、櫛歯状の電極である。櫛歯と櫛歯の間にスリット１１２が形成されている。画素電極１１０の下方には、平面状の対向電極１０８が形成されている。画素電極１１０に映像信号が印加されると、スリット１１２を通して対向電極１０８との間に生ずる電気力線によって液晶分子３０１が回転する。これによって液晶層３００を通過する光を制御して画像を形成する。
【００３３】
図１に戻り、画素電極１１０の上には液晶分子３０１を初期配向させるための配向膜１１３が形成されている。図１において、液晶層３００を挟んで対向基板２００が設置されている。対向基板の内側には、カラー表示するためのカラーフィルタが形成され、カラーフィルタとカラーフィルタの間にはブラックマトリクスが形成されている。ブラックマトリクスはコントラストを向上させるためであるが、ＴＦＴに対する遮光膜としての役割も有している。カラーフィルタおよびブラックマトリクスを覆ってオーバーコート膜が形成されている。オーバーコート膜は表面の凹凸を緩和させるためである。オーバーコート膜２０３の上には、液晶の初期配向を決めるための配向膜１１３が形成されている。
【実施例１】
【００３４】
図３は、本発明による液晶表示装置における端子部の平面図の例である。図３において、端子部はいわゆる千鳥配置となっている。表示領域から延在してきた引き出し線３０が幅広くなった部分が端子金属１０であり、端子金属１０から再び幅が小さくなって検査用配線４０となる。引き出し線３０、端子部金属１０、検査用配線４０は、ドレイン端子の場合は、映像信号線（ドレイン線）と同じ金属あるいは合金で形成され、ゲート端子の場合は、ゲート線と同じ金属あるいは合金で形成される。
【００３５】
引き出し線３０、端子金属１０、検査用配線４０は、ゲート絶縁膜１０２あるいは無機パッシベーション膜１０６によって覆われて、外部の水分等から保護されている。端子部においては、フレキシブル配線基板等と接続するために、ゲート端子の場合はゲート絶縁膜１０２よび無機パッシベーション膜１０６にスルーホール２０を形成し、ドレイン端子の場合は、無機パッシベーション膜１０６にスルーホール２０を形成する。スルーホール２０内は端子金属１０が露出するので、これを保護するために、ＩＴＯ６０によって端子金属１０を覆っている。
【００３６】
図４は、本発明による端子部の詳細を示す平面図である。まず、図４はゲート端子であるとして説明する。図５は図４のＡ−Ａ断面図であり、図６は図４のＢ−Ｂ断面図であり、端子金属１０の中央部が表示領域から検査用配線４０まで、延在している状態を示している。図７は図４のＣ−Ｃ断面図であり、スリット部分に該当する断面図である。
【００３７】
図４および図５に示すように、端子金属１０は、スリット１５を介して３つの部分に分割している。中央の端子金属１０は延在して検査用配線４０となっている。図５に示すように、端子金属４０は例えば、ＡｌＮｄ合金にＭｏＣｒ合金が積層された構成となっている。ＡｌＮｄ合金の厚さは例えば、１００ｎｍ〜２２０ｎｍ、ＭｏＣｒ合金の厚さは例えば、２０ｎｍ〜８０ｎｍである。
【００３８】
図４および図５に示すように、ゲート絶縁膜１０２および無機パッシベーション膜１０６にスルーホール２０が形成され、このスルーホール２０を覆って、ＩＴＯ６０が形成されている。ＩＴＯ６０は金属酸化物なので、化学的に安定であり、端子金属１０を保護する。ＩＴＯ６０は画素電極１１０と同時に形成され、画素電極１１０と同じ厚さで、例えばＩＰＳでは３０〜５０ｎｍ程度である。このようにＩＴＯ６０の膜厚が薄いと、ＩＴＯ６０にピンホールが生じたり、ＩＴＯに亀裂が入ったりする。ＩＴＯ６０のピンホール等から水分が浸入すると、水和反応によって端子金属１０は徐々に腐食し、ついには、端子部の導通が取れなくなる。
【００３９】
本発明は、端子金属１０を３個に分割することによって、仮に、端子金属１０のいずれかの部分にピンホール等が生じたりしてその部分の端子金属１０が水和反応によって腐食しても、腐食が金属を介して進まないようにしている。
【００４０】
図４において、中央部の電極１０の幅ｗ１は１．５〜４μｍ、スリット１５の幅ｗ２は１．５〜４μｍ、外側の電極１０の幅ｗ４は１．５〜４μｍである。水和反応の進行を止めるためには、スリット１５の幅は１．５μｍ以上とすることがのぞましい。
【００４１】
図４において、端子部と外部との導通をとるためにスルーホール２０が形成されているが、両側の端子電極１０とスルーホール２０とは、一部がオーバーラップしている。他の部分はゲート絶縁膜１０２および無機パッシベーション膜１０６によって保護されている。スルーホール２０と外側の端子電極１０がオーバーラップする幅ｗ３は０．７〜２μｍである。
【００４２】
端子電極１０は、分割された各端子電極１０と導通をとるために、表示領域側が一体となったフォーク状の形状となっている。図４および図７に示すように、スリット１５は端子電極１０の表示領域側において、スルーホール２０が形成されていない部分にまで延在している。すなわち、端子電極１０の表示領域側において、スリット１５がゲート絶縁膜１０２および無機パッシベーション膜１０６によって覆われていることによって、水和反応が端子電極１０の分割されていない部分にまで、進行することを防止することが出来る。
【００４３】
スリット１５がゲート絶縁膜１０２等に覆われている長さｄは２μｍ以上であることが望ましく、３μｍ以上であることがさらに望ましい。長さｄはマスク合わせの精度に依存する。長さｄの上限は、端子金属１０が表示領域側において、一体となっている構成が維持できる長さであればよい。
【００４４】
図８〜図１０はドレイン端子を用いた場合に、本発明を適用した場合の端子部の断面図である。平面図は図４と同じである。図８はドレイン端子を用いた場合の図４のＡ−Ａ断面図である。図８において、ドレイン端子である端子金属１０は３個に分割され、ゲート絶縁膜１０２の上に形成されている。したがって、端子金属１０等の保護層は無機パッシベーション膜１０６の一層である。端子部スルーホール２０は中央部の端子電極１０と両脇の端子電極１０の一部とオーバーラップして形成されていることはゲート端子の場合と同じである。
【００４５】
図８において、ドレイン端子は、ベース層５２、Ａｌ合金層５０、キャップ層５１の３層で形成されている。ベース層５２は例えば、ＭｏＣｒあるいはＭｏＷ等のＭｏ合金で形成され、厚さは２０ｎｍ程度である。Ａｌ合金層５０は、ＡｌＮｄ、ＡｌＣｕ等で形成され、厚さは１００ｎｍ〜２２０ｎｍ程度である。また、キャップ層５１はＭｏＣｒ、ＭｏＷ等のＭｏ合金で形成され、厚さは２０〜８０μｍである。
【００４６】
図９はドレイン端子の場合の図４のＢ−Ｂ断面に対応する断面図である。端子金属１０はゲート絶縁膜１０２上に３層で形成され、表示領域側から検査用配線４０側まで連続して形成されている。図１０はドレイン端子の場合の図４のＣ−Ｃ断面に対応するスリット１５部の断面図である。図１０において、スリット１５は、表示領域側において、長さｄだけ無機パッシベーション膜１０６に覆われている。無機パッシベーション膜１０６によって、水和反応が表示領域側に進行することを防止している。
【００４７】
図５〜図１０は、端子金属１０を３分割した場合の例である。しかし、図５〜図１０の説明で述べた内容は、端子金属１０を３分割した場合のみでなく、複数に分割した場合にも適用することが出来る。図１１は端子金属１０を２個に分割した場合の例である。２個の端子金属１０はスリット１５によって分割され、スルーホール２０は２個の端子金属１０とオーバーラップしている。
【００４８】
端子金属１０は表示領域側が一体となったフォーク状となっており、スリット１５はゲート絶縁膜１０２、無機パッシベーション膜１０６等の保護膜の下まで延在していることは図５〜図１０で述べた３分割の場合と同様である。スリット１５と保護膜とが重なる長さｄは、２μｍ以上、好ましくは３μｍ以上である。また、また、スリット１５の幅は１．５μｍ以上あることが望ましいことも同様である。図１１において、分割された端子金属１０の一方から検査用配線４０が延在している。
【００４９】
図１２は、端子金属１０を５分割した例である。スリット１５は４個形成され、スリット１５が表示領域側において、ゲート絶縁膜１０２、無機パッシベーション膜１０６等によって覆われている長さｄは２μｍ以上、好ましくは３μｍ以上であることは、端子金属１０を３分割した例と同様である。また、スリット１５の幅は１．５μｍ以上あることが望ましいことも同様である。図１２において、中央の端子金属１０が検査用配線４０として延在している。
【００５０】
端子金属１０の分割数は、端子の幅をどの程度とれるかによって決めればよい。端子金属１０の分割数を大きくすれば、水和反応が進行する領域を小さく限定することができるが、分割された端子金属１０の幅が小さいと、分割された端子金属１０自体の導通が問題となる。したがって、端子の幅を考慮して分割数を決めることになるが、いずれにせよ、分割のためのスリット１５の幅は１．５μｍ以上であることが望ましい。
【００５１】
図１３は端子構造の他の例である。図３〜図１１は、引き出し線３０の幅よりも端子金属１０の幅のほうが大きい場合である。このような構成の場合、端子部をいわゆる千鳥配置とすることが出来る。しかし、端子部はこのような構成に限らず、引き出し線３０の幅と端子金属１０の幅が同じ場合もある。このような端子構造であっても、本発明を適用することが出来る。
【００５２】
図１４は、図１３の端子部の詳細図である。図１４は、引き出し線３０が端子金属１０と同じ幅であるほかは図４と同様である。すなわち、図１４のＡ−Ａ断面は図５と同じであり、Ｂ−Ｂ断面は図６と同じであり、Ｃ−Ｃ断面は図７と同様である。したがって、これらの断面の説明は省略する。
【００５３】
図１５は端子構造のさらに他の例である。図３〜図１４は、検査用配線４０の幅よりも端子金属１０の幅のほうが大きい場合である。しかし、検査用配線４０の抵抗を小さくする必要がある場合は、検査用配線４０の幅を大きくする必要があるが、本発明はこのような構成であっても問題なく適用することができる。
【００５４】
図１６において、検査用配線４０は分割された端子金属１０のうちの、中央の端子金属１０から延在している。ただし、検査用配線４０は、分割された外側の端子金属１０から延在させてもよい。図１６において、Ａ−Ａ断面は図５に相当し、Ｂ−Ｂ断面は図６に相当し、Ｃ−Ｃ断面は図７に相当する。したがって、これらの断面構造の説明は省略する。
【００５５】
図１４および図１６は、端子金属１０を３分割した例である。しかし、これらの例は、３分割に限らず、図１１および図１２に示すように、２分割を含む複数の分割の場合にも適用できる。
【００５６】
以上の説明は、ＩＰＳ方式の液晶表示装置を例にとって説明したが、本発明はＩＰＳ方式の液晶表示装置に限らず、他の液晶表示装置についても適用することが出来る。
【００５７】
また、以上の説明は、図１に示すボトムゲートのＴＦＴを使用した場合を例にとって説明したが、本発明は、これに限らず、トップゲート型のＴＦＴを使用した場合の構造をもつ液晶表示装置に対しても適用することが出来る。
【００５８】
以上の説明では、液晶表示装置を例にとって説明したが、本願発明は、有機ＥＬ表示装置についても適用することができる。
【符号の説明】
【００５９】
１０…端子金属、  １５…スリット、  ２０…スルーホール、  ３０…引き出し線、  ４０…検査用配線、  ５０…Ａｌ合金層、  ５１…キャップ層、  ５２…ベース層、  ６０…ＩＴＯ  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…ゲート電極、  １０２…ゲート絶縁膜、  １０３…半導体層、  １０４…ドレイン電極、  １０５…ソース電極、  １０６…無機パッシベーション膜、  １０７…有機パッシベーション膜、  １０８…対向電極、  １０９…層間絶縁膜、  １１０…画素電極、  １１１…スルーホール、  １１２…スリット、  １１３…配向膜、  １２０…ＴＦＴ回路、  １３０…柱状スペーサ、  １５０…シール材、  ２００…対向基板、  ２０１…カラーフィルタ、  ２０２…ブラックマトリクス、  ２０３…オーバーコート膜、  ３００…液晶層、  ３０１…液晶分子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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