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【手続補正書】
【提出日】平成26年1月15日(2014.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
供給される交流電力或いは直流電力を交流電力に変換して伝送路を介して送電する送電装置と、前記伝送路を介して前記交流電力を受電する受電装置とを備えた電力伝送システムにおいて、
前記送電装置は、
前記供給される交流電力或いは直流電力の交流変換を行う交流変換器と、
前記交流変換器から得られる交流電力を磁界共鳴方式により無線送電するための送電側共鳴コイルと、
前記交流変換器を制御する送電側制御装置と、を備え、
前記受電装置は、
前記送電側共鳴コイルから前記交流電力を無線受電するための受電側共鳴コイルと、
前記受電側共鳴コイルにて受電した前記交流電力を直流電力に変換する整流器と、
前記整流器から出力される直流電力の直流変換を行う直流変換器と、
前記直流変換器を制御する受電側制御装置と、
前記整流器の出力電圧から制御電源電圧を生成して前記受電側制御装置へ出力する電源回路と、を備え、
前記受電側制御装置は、前記制御電源電圧が入力されて起動した後、前記整流器の出力電圧を測定してその測定結果を前記送電側制御装置へ送信し、
前記送電側制御装置は、前記交流電力の伝送開始時点から前記整流器の出力電圧の測定結果を受信するまでの期間、前記整流器の出力電圧が徐々に上昇するように前記交流変換器を制御し、前記測定結果を受信した後、当該測定結果に基づいて前記整流器の出力電圧が前記直流変換器の入力電圧として適した値となるように前記交流変換器を制御することを特徴とする電力伝送システム。
【請求項２】
前記受電側制御装置は、前記整流器の出力電圧が前記直流変換器の入力電圧として適した値となった場合に、前記直流変換器の制御を開始することを特徴とする請求項１に記載の電力伝送システム。
【請求項３】
電源に接続されるべき交流変換器と、
前記交流変換器に接続され、前記交流変換器から入力される交流電力を受電装置に向かって非接触方式で伝送する共鳴コイルと、
を有し、
前記交流変換器は、第１の時刻から第２の時刻までにおいては、前記受電装置に設けられた整流器の出力電圧を第１の電圧まで増加させ、前記第２の時刻より後から第３の時刻においては、前記受電装置から受け取る前記出力電圧の測定結果に基づき前記出力電圧を前記第１の電圧から第２の電圧まで増加させ、前記第３の時刻より後においては、前記出力電圧が前記第２の電圧であるよう前記出力電圧を制御する、電力伝送システムの送電装置。
【請求項４】
前記交流変換器は、前記受電装置から前記出力電圧が前記第２の電圧に到達した旨を示す信号を受け取ることを特徴とする請求項３に記載の電力伝送システムの送電装置。
【請求項５】
前記整流器の前記出力電圧は、前記受電装置に設けられ、前記受電装置の制御装置に電圧を出力するレギュレータに入力され、
前記第１の電圧は、前記レギュレータが動作可能となる電圧であることを特徴とする請求項３に記載の電力伝送システムの送電装置。
【請求項６】
前記整流器の前記出力電圧は、前記受電装置に設けられた直流変換器に入力され、
前記第２の電圧は、前記直流変換器が動作可能となる電圧であることを特徴とする請求項３に記載の電力伝送システムの送電装置。
【請求項７】
送電装置から非接触方式で伝送された交流電力を受信する共鳴コイルと、
前記共鳴コイルと接続され、前記交流電力を直流電力に変換する整流器と、
前記整流器及びバッテリに接続されると共に、前記整流器の出力電圧が第１の電圧まで増加した後に電源電圧を出力するレギュレータ、前記電源電圧が入力され、前記出力電圧の測定結果を前記送電装置に送信し、さらに前記出力電圧が前記第１の電圧から第２の電圧まで増加した際に前記出力電圧が前記第２の電圧に到達した旨を前記送電装置に送信する制御装置、を含む直流変換器と、
を有する電力伝送システムの受電装置。
【請求項８】
前記第１の電圧は、前記レギュレータが動作可能となる電圧であることを特徴とする請求項７に記載の電力伝送システムの受電装置。
【請求項９】
前記第２の電圧は、前記直流変換器が動作可能となる電圧であることを特徴とする請求項７に記載の電力伝送システムの受電装置。
【請求項１０】
前記直流変換器は、前記バッテリと接続されるべき降圧スイッチング回路、前記降圧スイッチング回路及び前記制御装置と接続されたゲート駆動回路、をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の電力伝送システムの受電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電力伝送システム並びにその送電装置及び受電装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電力伝送システム並びにその送電装置及び受電装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、蓄電デバイスを別に用意することなく、受電装置側の整流器後段に設けられた直流変換器の破損を防止することの可能な電力伝送システム並びにその送電装置及び受電装置を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月19日(2014.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の固定子巻線を有する固定子と、
第１の回転子巻線を有すると共に、該第１の固定子の内径側に間隙を設けて配置される第１の回転子と、
第２の固定子巻線を有する第２の固定子と、
第２の回転子巻線を有すると共に、該第２の固定子の内径側に間隙を設けて配置される第２の回転子と、
前記第１の回転子巻線及び前記第２の回転子巻線に電気的に接続される電力変換器とを備え、
前記回転子の回転時には、前記電力変換器は回転する様に配置されていることを特徴とする回転電機システム。
【請求項２】
請求項１に記載の回転電機システムであって、
前記第１の回転子における磁極数と前記第２の回転子における磁極数が異なることを特徴とする回転電機システム。
【請求項３】
請求項１または２に記載の回転電機システムであって、
前記電力変換器は、前記第１の回転子または前記第２の回転子のいずれかに配置されていることを特徴とする回転電機システム。
【請求項４】
請求項１または２に記載の回転電機システムであって、
前記電力変換器は、前記第１の回転子及び前記第２の回転子のいずれにも配置されていることを特徴とする回転電機システム。
【請求項５】
請求項４に記載の回転電機システムであって、
前記第１の回転子巻線と前記第２の回転子巻線との間には、各電力変換器を通過する回路と並列の回路が備えてあり、該並列の回路には遮断器が配置されることを特徴とする回転電機システム。
【請求項６】
請求項３ないし５のいずれか一つに記載の回転電機システムであって、
前記電力変換器は前記第１の回転子及び／または前記第２の回転子に、周方向１２０°間隔で相分離されて配置されていることを特徴とする回転電機システム。
【請求項７】
請求項３ないし６のいずれか一つに記載の回転電機システムであって、
前記第１の回転子と前記第２の回転子は同一のシャフトに固定されており、該シャフトを回転軸として回転することを特徴とする回転電機システム。
【請求項８】
請求項７に記載の回転電機システムであって、
前記第１の回転子と前記第２の回転子は、同一軸上に配置されて同一速度で回転することを特徴とする回転電機システム。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか一つに記載の回転電機システムであって、
前記第１の回転子及び前記第１の固定子、更に前記第２の回転子及び前記第２の固定子は共通のフレーム内に配置されていることを特徴とする回転電機システム。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか一つに記載の回転電機システムであって、
前記電力変換器には、無線による情報伝送が可能な受信機が接続されていることを特徴とする回転電機システム。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか一つに記載の回転電機システムであって、
前記電力変換器は、前記第１の回転子及び／または前記第２の回転子の内部に配置されていることを特徴とする回転電機システム。
【請求項１２】
請求項１１に記載の回転電機システムであって、
更に前記第１の回転子とシャフトを繋ぐスパイダと、
前記第２の回転子とシャフトを繋ぐ第２のスパイダと、を備え、
かつ、前記第１の回転子は第１の回転子鉄心を備え、
前記第２の回転子は第２の回転子鉄心を備え、 
前記電力変換器は、前記第１の回転子鉄心及び／または前記第２の回転子鉄心の内径側面に接して固定されていることを特徴とする回転電機システム。
【請求項１３】
請求項１１に記載の回転電機システムであって、
更に前記第１の回転子と前記シャフトを繋ぐ第１のスパイダと、
前記第２の回転子と前記シャフトを繋ぐ第２のスパイダとを備え、
前記第１の回転子及び／または前記第２の回転子の内周面には、内径側が平面の平面部が配置され、
前記電力変換器は該平面部の内径側面に接して固定されていることを特徴とする回転電
機システム。
【請求項１４】
請求項１１に記載の回転電機システムであって、
前記電力変換器は、前記第１の回転子及び／または前記第２の回転子の径方向において半径の半分の長さより内径側に固定されていることを特徴とする回転電機システム。
【請求項１５】
請求項１ないし１４のいずれか一つに記載の回転電機システムと、
風を受けて回転するロータと、
前記回転電機システムを内部に収納するナセルと、
該ナセルの水平面内の回転を可能に、該ナセルを支持するタワーとを備え、
前記回転子は前記ロータの回転力により回転し、前記固定子巻線及び前記第２の固定子
巻線は電力系統側と接続されていることを特徴とする風力発電システム。
【請求項１６】
風を受けて回転するロータと、
第１の固定子巻線を有する第１の固定子と、
第１の回転子巻線を有すると共に、該第１の固定子の内径側に間隙を設けて配置され、かつ前記ロータの回転に伴って回転する第１の回転子と、
第２の固定子巻線を有する第２の固定子と、
第２の回転子巻線を有すると共に、該第２の固定子の内径側に間隙を設けて配置され、かつ前記ロータの回転に伴って回転する第２の回転子と、
前記第１の回転子巻線及び前記第２の回転子巻線に電気的に接続されて、かつ少なくともいずれかの前記回転子内に配置される電力変換器とを備えることを特徴とする風力発電システム。 
【請求項１７】
請求項１６に記載の風力発電システムであって、前記第１の回転電機における磁極数と前記第２の回転電機における磁極数が異なることを特徴とする風力発電システム。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の課題を解決するための一つの手段として、本発明に係る回転電機システムは、第１の固定子巻線を有する固定子と、第１の回転子巻線を有すると共に、該第１の固定子の内径側に間隙を設けて配置される第１の回転子と、第２の固定子巻線を有する第２の固定子と、第２の回転子巻線を有すると共に、該第２の固定子の内径側に間隙を設けて配置される第２の回転子と、前記第１の回転子巻線及び前記第２の回転子巻線に電気的に接続される電力変換器とを備え、前記回転子の回転時には、前記電力変換器は回転する様に配置されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月6日(2014.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機器動作を実行する処理部と、
外部電力を用いた前記処理部への給電、前記外部電力を用いたバッテリーの充電、並びに、前記バッテリーを用いた前記処理部への給電を制御する充放電制御部と、
を具備し、
前記処理部は、前記外部電力以下で機器動作を行なう第１の動作モードと、前記外部電力を超えた電力を使用して機器動作を行なう第２の動作モードとを有し、前記バッテリーの残容量に応じて前記処理部を前記第１の動作モード又は前記第２の動作モードに切り換えて機器動作を実行する、
電子機器。
【請求項２】
前記充放電制御部は、前記外部電力を前記処理部へ優先的に供給し、余剰電力を用いて前記バッテリーの充電を行なう、
請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記処理部が前記第１の動作モードで機器動作を実行しているときには、前記充放電制御部は、前記処理部が消費する前記外部電力の余剰電力を用いて前記バッテリーの充電を行なう、
請求項１に記載の電子機器。
【請求項４】
前記処理部が前記第２の動作モードで機器動作を実行しているときには、前記充放電制御部は、前記外部電力を超えた電力を前記バッテリーから前記処理部に供給する、
請求項１に記載の電子機器。
【請求項５】
前記バッテリーの残容量が大きいときには、前記処理部は前記第２の動作モードで機器動作を実行し、前記バッテリーの残容量が小さいときには、前記処理部は前記第１の動作モードで機器動作を実行する、
請求項１に記載の電子機器。
【請求項６】
前記処理部が前記第２の動作モードで機器動作を実行中に前記バッテリーの残容量が第１の閾値以下になると前記第１の動作モードに移行して、前記外部電力の余剰電力を用いて前記バッテリーの充電を行ない、
前記処理部が前記第１の動作モードで機器動作を実行中に前記バッテリーの残容量が前記第１の閾値よりも高い第２の閾値以上になると前記第２の動作モードに移行する、
請求項１に記載の電子機器。
【請求項７】
前記電子機器は、ディジタルカメラ又はその他の携帯機器であり、ＵＳＢホストにＵＳＢ接続されたクレードルから前記外部電力が供給される、
請求項１に記載の電子機器。
【請求項８】
前記処理部は、微弱ＵＷＢ方式の近距離高速無線通信により機器外の通信相手と通信を行なう、
請求項１に記載の電子機器。
【請求項９】
前記処理部は、前記第１の動作モードにおいて、近距離高速無線通信が可能な時間のうち実際にデータ転送を行なう区間のデューティーを低くし、前記第２の動作モードにおいて、前記デューティーを前記第１の動作モードよりも高くする、
請求項８に記載の電子機器。
【請求項１０】
外部電力が供給される電子機器内のバッテリーの残容量を検出する残容量検出ステップと、
前記バッテリーの残容量が第１の閾値以上であるときに、前記電子機器において、前記外部電力と前記バッテリーの放電電力を用いて、前記外部電力を超えた電力を消費する第２の動作モードによる機器動作を実行する第２の機器動作ステップと、
前記バッテリーの残容量が第１の閾値未満であるときに、前記電子機器において前記外部電力以下の電力を消費する第１の動作モードによる機器動作を実行する第１の機器動作ステップと、
を有する充電制御方法。
【請求項１１】
前記電子機器において前記第１の動作モードによる機器動作を実行しているときに、前記外部電力の余剰電力を用いて前記バッテリーを充電する充電ステップと、
前記電子機器において前記第１の動作モードによる機器動作を実行中に、前記バッテリーの残容量が第２の閾値以上になったことに応答して、前記電子機器の機器動作を前記第２の動作モードに切り替える動作モード移行ステップと、
をさらに有する請求項１０に記載の充電制御方法。
【請求項１２】
電子機器と、前記電子機器に電力を供給する給電装置を具備し、
前記電子機器は、バッテリーと、前記給電装置から供給される外部電力以下で機器動作を行なう第１の動作モードと外部電力を超えた電力を消費する機器動作を行なう第２の動作モードを有する処理部を備え、前記バッテリーの残容量に応じて前記処理部を前記第１の動作モード又は前記第２の動作モードに切り換えて機器動作を実行する、
充電システム。
【請求項１３】
電子機器と、前記電子機器を設置するとともにＵＳＢ接続されるクレードルを具備し、
前記クレードルは、ＵＳＢケーブル経由で得た電力を非接触通信により前記電子機器に伝送し、
前記電子機器は、バッテリーと、前記クレードルから供給される外部電力以下でデューティーの低いデータ転送動作を行なう第１の動作モードと外部電力を超えた電力を消費してデューティーの高いデータ転送動作を行なう第２の動作モードを有する近距離通信制御部を備え、前記バッテリーの残容量に応じて前記処理部を前記第１の動作モード又は前記第２の動作モードに切り換えて近距離高速無線通信動作を実行する、
データ転送システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月7日(2014.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体光源装置、プロジェクタ及び半導体光源制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えばＬＥＤ（発光ダイオード）やＬＤ（レーザダイオード）等の半導体発光素子を用いる半導体光源装置、半導体光源装置を使用するプロジェクタ及び半導体光源制御方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は上記のような実情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、半導体発光素子を高速且つ安定化して駆動することが可能な半導体光源装置、プロジェクタ及び半導体光源制御方法を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一態様は、半導体光源装置であって、半導体発光素子と、電源入力を直流の駆動電圧に変換する電源電圧変換部と、上記電源電圧変換部からの電力を蓄積して放出する受動素子、及び上記受動素子に上記電源電圧変換部からの電力を供給して蓄積する充電経路と上記受動素子に蓄積された電力を上記半導体発光素子で発光させて放出する放電経路とを切換える複数のスイッチング素子を含む駆動回路と、上記充電経路及び放電経路の各選択時に経路にかかる電圧を検出し、その検出結果に応じて上記複数のスイッチング素子を切換える定電流制御部と、上記定電流制御部による切換えデューティが意図した値となるように上記電源電圧変換部を制御して上記駆動電圧を調整するデューティ監視部とを具備したことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、半導体発光素子を高速且つ安定化して駆動することが可能となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子と、
電源入力を直流の駆動電圧に変換する電源電圧変換部と、
上記電源電圧変換部からの電力を蓄積して放出する受動素子、及び上記受動素子に上記電源電圧変換部からの電力を供給して蓄積する充電経路と上記受動素子に蓄積された電力を上記半導体発光素子で発光させて放出する放電経路とを切換える複数のスイッチング素子を含む駆動回路と、
上記充電経路及び放電経路の各選択時に経路にかかる電圧を検出し、その検出結果に応じて上記複数のスイッチング素子を切換える定電流制御部と、
上記定電流制御部による切換えデューティが意図した値となるように上記電源電圧変換部を制御して上記駆動電圧を調整するデューティ監視部と
を具備したことを特徴とする半導体光源装置。
【請求項２】
上記半導体発光素子及び上記スイッチング素子に接続されたコンデンサをさらに有することを特徴とする請求項１記載の半導体光源装置。
【請求項３】
上記受動素子はインダクタであることを特徴とする請求項１または２記載の半導体光源装置。
【請求項４】
上記複数のスイッチング素子はＦＥＴであることを特徴とする請求項１乃至３いずれか記載の半導体光源装置。
【請求項５】
上記半導体発光素子はＬＥＤ、ＬＤまたは有機ＥＬであることを特徴とする請求項１乃至４いずれか記載の半導体光源装置。
【請求項６】
上記デューティ監視部は、上記電源電圧変換部から出力される駆動電圧を
デューティ＝Ｖｆ/（Ｖin＋Ｖf）…（１）
（但し、Ｖｆ：半導体発光素子に印加される電圧。Ｖin：駆動電圧。）
を満たすように調整することを特徴とする請求項１乃至５いずれか記載の半導体光源装置。
【請求項７】
上記定電流制御は、互いに反転したＰＷＭ信号により、上記複数のスイッチング素子を切換えることを特徴とする請求項１乃至６いずれか記載の半導体光源装置。
【請求項８】
上記定電流制御部は、意図した定電流を維持するように上記デューティを調整することを特徴とする請求項１乃至７いずれか記載の半導体光源装置。
【請求項９】
上記駆動回路は、定電流帰還タイプの方式のＰＷＭ駆動回路であることを特徴とする請求項１乃至８いずれか記載の半導体光源装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９いずれか記載の半導体光源装置と、
上記半導体光源装置を用いて画像を投影する投影手段と、を具備したことを特徴とするプロジェクタ。
【請求項１１】
半導体発光素子と、電源入力を直流の駆動電圧に変換する電源電圧変換部と、上記電源電圧変換部からの電力を蓄積して放出する受動素子、及び上記受動素子に上記電源電圧変換部からの電力を供給して蓄積する充電経路と上記受動素子に蓄積された電力を上記半導体発光素子で発光させて放出する放電経路とを切換える複数のスイッチング素子を含む駆動回路とを備えた半導体光源装置での制御方法であって、
上記充電経路及び放電経路の各選択時に経路にかかる電圧を検出し、その検出結果に応じて上記複数のスイッチング素子を切換える定電流制御工程と、
上記定電流制御工程による切換えデューティが意図した値となるように上記電源電圧変換部を制御して上記駆動電圧を調整するデューティ監視工程と
を有したことを特徴とする半導体光源制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月22日(2014.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方に配置されている第１電極と、
前記第１電極との間に空隙を有する状態で配置され、前記第１電極との間の静電力によ
って前記基板の厚み方向に振動可能となる梁部、および前記梁部を支持する支持部を有す
る第２電極と、
を備え、
前記第２電極は、前記梁部を複数有する、ＭＥＭＳ振動子。
【請求項２】
複数の前記梁部は、振動の周期が互いに揃っている、請求項１に記載のＭＥＭＳ振動子。
【請求項３】
複数の前記梁部は、振動の位相が互いに揃っている、請求項１または２に記載のＭＥＭＳ振動子
【請求項４】
複数の前記梁部は、前記支持部から延出している方向が互いに揃っている、請求項１ないし３の何れか１項に記載のＭＥＭＳ振動子。
【請求項５】
複数の前記梁部は、長さが互いに揃っている、請求項１ないし４の何れか１項に記載のＭＥＭＳ振動子。
【請求項６】
前記第２電極は、前記梁部の一端が前記支持部で固定された片持ち梁状に形成されてい
る、請求項１ないし５のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ振動子。
【請求項７】
前記第２電極は、前記支持部を複数有する、請求項１ないし６のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ振動子。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ振動子と、
前記ＭＥＭＳ振動子の前記第１電極および前記第２電極と電気的に接続されている回路部と、
を備えている発振器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月21日(2014.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、ゲート電極及び金属酸化物膜と、を有し、
前記ゲート電極は、第１の金属元素を有する第１の金属膜と、第２の金属元素を有する第２の金属膜と、を有し、
前記第２の金属膜は、前記第１の金属膜上に設けられ、
前記金属酸化物膜は、前記第１の金属元素を有し、前記第１の金属膜の側面と接し、
前記第１の金属元素は、前記第２の金属元素よりもイオン化傾向が大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記金属酸化物膜の抵抗率は、１×１０３Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の金属元素を有する第１の金属膜を形成し、
前記第１の金属膜上に第２の金属元素を有する第２の金属膜を形成し、
前記第２の金属膜をエッチング加工して、第３の金属膜を形成するとともに、前記第１の金属膜の一部を露出し、
前記第３の金属膜をマスクにして、前記露出された第１の金属膜の一部を酸化することによって金属酸化物膜を形成するとともに、前記第３の金属膜と重畳する第４の金属膜を形成し、
前記第１の金属元素は、前記第２の金属元素よりもイオン化傾向が大きいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記金属酸化物膜の抵抗率は、１×１０３Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月16日(2014.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材上に載置された発光素子と、前記発光素子を被覆する封止部材と、を備える発光装置であって、
前記封止部材は、蛍光体と、複数の透明部材とを含有し、
前記透明部材は、前記発光素子上に設けられ、
前記各透明部材の最大高さおよび最大幅のそれぞれが、前記蛍光体の粒径の１倍を超え３倍未満であり、
前記透明部材の含有量が、前記封止部材に対して１０〜７８体積％であり、
前記透明部材と前記蛍光体との体積比率（透明部材量／蛍光体量）が０．２〜１０であり、
前記蛍光体は、前記発光素子からの発光経路の少なくとも一部に隙間を設けて配置されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記蛍光体の粒径が、１〜２０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記透明部材の屈折率が、前記封止部材の屈折率と同等であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光素子の電極と前記基材とが、バンプを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法であって、
基材上に、発光素子を載置するダイボンディング工程と、
前記載置した発光素子を封止部材で被覆する封止部材形成工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記ダイボンディング工程の前に、前記発光素子上に、パターニングにより透明部材を形成する透明部材形成工程を行なうことを特徴とする請求項５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法であって、
発光素子を封止部材で被覆する封止部材形成工程と、
前記封止部材で被覆した発光素子を基材上に載置するダイボンディング工程と、
前記基材と前記載置した発光素子の電極とをワイヤにより電気的に接続するワイヤボンディング工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記封止部材形成工程の前に、前記発光素子上に、パターニングにより透明部材を形成する透明部材形成工程を行なうことを特徴とする請求項７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記透明部材をインプリントにより形成することを特徴とする請求項６または請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
基板の第１主面上に、ｎ型半導体層と、活性層と、ｐ型半導体層とをこの順に積層する発光素子製造工程と、
前記発光素子製造工程の後に、前記基板の第１主面とは反対側の第２主面上に、パターニングにより透明部材を形成する透明部材形成工程と、
導電部材が形成された基材を準備し、前記基材上に前記透明部材を形成した発光素子を載置するダイボンディング工程と、
前記ダイボンディング工程の後に、前記透明部材を蛍光体が含有された封止部材で被覆する封止部材形成工程と、を含み、
前記透明部材形成工程において、前記パターニングは、インプリントにより形成することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１１】
基板の第１主面上に、ｎ型半導体層と、活性層と、ｐ型半導体層とをこの順に積層する発光素子製造工程と、
導電部材が形成された基材を準備し、前記基材上に前記発光素子を載置するダイボンディング工程と、
前記ダイボンディング工程の後に、前記基板の第１主面とは反対側の第２主面上を、蛍光体および透明部材が含有された封止部材で被覆する封止部材形成工程と、を含み、
前記封止部材に含有された前記蛍光体および前記透明部材を沈降させ、その後、前記封止部材を硬化させることを特徴とする発光装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月24日(2014.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
ステップＳ１０１１において、報知を確認する操作を受け付けていなければ（Ｓ１０１１：ＮＯ）、制御部３０２は、報知部３０３による報知を継続する（Ｓ１０１５）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月1日(2014.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象物を撮像する撮像素子を有する撮像部と、
該撮像部で取得した画像データに対して画像処理を実行する画像処理部と
を備える画像処理装置において、
前記撮像部は、前記撮像素子で撮像されたカラー画像を、ダイナミックレンジを広げる変換特性に基づいてＨＤＲ画像に変換して出力し、
前記画像処理部は、
前記撮像部から出力されたＨＤＲ画像の画素ごとの色成分値を前記変換特性に基づいて逆変換する逆変換部と、
逆変換された色成分値から、画素ごとに明度及び色成分値の比を算出する算出部と、
算出した明度を前記変換特性に基づいて変換し、変換された明度と算出した色成分値の比とに基づいて、補正後ＨＤＲ画像を生成する補正後ＨＤＲ画像生成部と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記算出部は、前記色成分値の最大値を前記明度として算出し、
前記補正後ＨＤＲ画像生成部は、画素ごとに算出した明度を前記変換特性に基づいて変換し、変換された明度を算出した色成分値の比に乗算することにより、前記補正後ＨＤＲ画像を生成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記画像処理部は、前記逆変換部により逆変換されたＨＤＲ画像の画素ごとの色成分値に対して、ホワイトバランスを調整するゲインを乗算するホワイトバランス調整部を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記撮像部においてＨＤＲ画像に変換するか否かを切り替える切替部を備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
検査対象物を撮像する撮像素子を有する撮像部と、
該撮像部で取得した画像データに対して画像処理を実行する画像処理部と
を備える画像処理装置で実行することが可能な画像処理方法において、
前記撮像部は、前記撮像素子で撮像されたカラー画像を、ダイナミックレンジを広げる変換特性に基づいてＨＤＲ画像に変換して出力し、
前記画像処理部は、
前記撮像部から出力されたＨＤＲ画像の画素ごとの色成分値を前記変換特性に基づいて逆変換し、
逆変換された色成分値から、画素ごとに明度及び色成分値の比を算出し、
算出した明度を前記変換特性に基づいて変換し、変換された明度と算出した色成分値の比とに基づいて、補正後ＨＤＲ画像を生成することを特徴とする画像処理方法。
【請求項６】
前記色成分値の最大値を前記明度として算出し、
画素ごとに算出した明度を前記変換特性に基づいて変換し、変換された明度を算出した色成分値の比に乗算することにより、前記補正後ＨＤＲ画像を生成することを特徴とする請求項５に記載の画像処理方法。
【請求項７】
前記画像処理部は、逆変換されたＨＤＲ画像の画素ごとの色成分値に対して、ホワイトバランスを調整するゲインを乗算することを特徴とする請求項５又は６に記載の画像処理方法。
【請求項８】
前記撮像部においてＨＤＲ画像に変換するか否かを切り替えることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の画像処理方法。
【請求項９】
検査対象物を撮像する撮像素子を有する撮像部と、
該撮像部で取得した画像データに対して画像処理を実行する画像処理部と
を備える画像処理装置で実行することが可能なコンピュータプログラムにおいて、
前記撮像部を、前記撮像素子で撮像されたカラー画像を、ダイナミックレンジを広げる変換特性に基づいてＨＤＲ画像に変換して出力する手段として機能させ、
前記画像処理部を、
前記撮像部から出力されたＨＤＲ画像の画素ごとの色成分値を前記変換特性に基づいて逆変換する逆変換手段、
逆変換された色成分値から、画素ごとに明度及び色成分値の比を算出する算出手段、及び
算出した明度を前記変換特性に基づいて変換し、変換された明度と算出した色成分値の比とに基づいて、補正後ＨＤＲ画像を生成する補正後ＨＤＲ画像生成手段
として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月1日(2014.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】リチウム二次電池用正極、及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電体と、
前記集電体上の、タンタル膜と、
前記タンタル膜上の、鉄およびリチウムを含む正極活物質と、を有し、
前記鉄およびリチウムを含む正極活物質は、柱状結晶を有する、ことを特徴とするリチウム二次電池用正極。
【請求項２】
請求項１において、
前記鉄およびリチウムを含む正極活物質は、
ラマン分光法により得られた、ラマンシフトが９２０ｃｍ−１以上９８０ｃｍ−１以下のＰ−Ｏ伸縮強度による第１のピークを有し、
前記第１のピークと、ラマンシフトが６４０ｃｍ−１以上６９０ｃｍ−１以下のＦｅ３Ｏ４強度による第２のピークとの比（第１のピーク／第２のピーク）が、７以上を満たす、ことを特徴とするリチウム二次電池用正極。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記正極活物質は、リン酸鉄リチウムを含む、ことを特徴とするリチウム二次電池用正極。
【請求項４】
集電体上に、スパッタリング法によりタンタル膜を形成し、
前記タンタル膜上に、スパッタリング法により正極活物質を形成し、
前記正極活物質に、５５０℃以上の熱処理を行うリチウム二次電池用正極の作製方法であって、
前記正極活物質は、鉄およびリチウムを含み、
前記正極活物質は、柱状結晶を有することを特徴とするリチウム二次電池用正極の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月22日(2014.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方に配置されている第１電極と、
前記第１電極との間に空隙を有する状態で配置され、前記基板の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部、および前記基板の上方に配置され、前記梁部を支持する支持部を有する第２電極と、
を有し、
前記第１電極および前記第２電極は、導電性を有する単結晶シリコンを含む、ＭＥＭＳ振動子。
【請求項２】
前記基板と前記第１電極との間に窒化シリコンを含む層を有する、請求項１に記載のＭＥＭＳ振動子。
【請求項３】
前記基板と前記窒化シリコン層との間に単結晶シリコンを含む層を有する、請求項１または２に記載のＭＥＭＳ振動子。
【請求項４】
基板の上方に、第１絶縁層を成膜する工程と、
前記第１絶縁層をパターニングして前記基板を露出する工程と、
露出された前記基板の上方に、第１シリコンゲルマニウム層をエピタキシャル成長させる工程と、
前記第１シリコンゲルマニウム層上に、第１単結晶シリコン層をエピタキシャル成長さ
せる工程と、
前記第１単結晶シリコン層を覆うように、第２絶縁層を成膜する工程と、
前記第１絶縁層および前記第２絶縁層をパターニングして、前記第１シリコンゲルマニ
ウム層の側面を露出する工程と、
前記第２絶縁層および前記第１単結晶シリコン層に貫通孔を形成して、前記第１シリコ
ンゲルマニウム層を露出する工程と、
前記貫通孔にエッチング液またはエッチングガスを通して、前記第１シリコンゲルマニ
ウム層を除去する工程と、
前記第１シリコンゲルマニウム層が除去された前記基板と前記第１単結晶シリ
コン層との間に、窒化シリコン層を成膜する工程と、
前記第２絶縁層を除去する工程と、
前記第１単結晶シリコン層をパターニングして、第１電極および第２電極の固定部を形
成する工程と、
前記第１電極を覆うように、第２シリコンゲルマニウム層をエピタキシャル成長させる
工程と、
前記第２シリコンゲルマニウム層および前記固定部を覆うように、第２単結晶シリコン
層をエピタキシャル成長させる工程と、
前記第２単結晶シリコン層をパターニングして、前記第１電極の上方に、前記シリコン
基板の厚み方向に静電力によって振動可能となる前記第２電極の梁部を形成し、前記固定
部上に、前記梁部を支持する前記第２電極の支持部を形成する工程と、
前記第２シリコンゲルマニウム層を除去する工程と、
を含む、ＭＥＭＳ振動子の製造方法。
【請求項５】
前記第１シリコンゲルマニウム層をエピタキシャル成長させる工程の前に、前記基板上にバッファー層をエピタキシャル成長させる工程を、さらに含み、
前記第１シリコンゲルマニウム層をエピタキシャル成長させる工程では、
前記バッファー層上に、前記第１シリコンゲルマニウム層をエピタキシャル成長させ、
前記バッファーの材質は、単結晶シリコンである、請求項４に記載のＭＥＭＳ振動子の製造方法。
【請求項６】
前記窒化シリコン層を成膜する工程の前に、前記第１単結晶シリコン層に形成された前記貫通孔を塞ぐように、前記第１単結晶シリコン層をエピタキシャル成長させる工程を、さらに含む、請求項４または５に記載のＭＥＭＳ振動子の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし３の何れか１項に記載のＭＥＭＳ振動子と、
前記ＭＥＭＳ振動子の、前記第１電極および前記第２電極と電気的に接続されている回路部と、
を含む、発振器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月8日(2014.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
下記特許文献１には、有線通信と無線通信の両方を採用した通信システムが記載されている。具体的には、当該システムを構成する通信装置は、有線通信機能と無線通信機能の両方を有している。特に、その通信装置は、同じシーケンス番号が付与された通信パケットを有線と無線の両方で送信する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
特に、タイムスタンプ１２８として、信号本体部分１２２の送信開始タイミング（換言すれば、同期制御部分１２１の送信終了タイミング）における装置内時刻Ｔdevが設定される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
具体的には、ＲＦベースバンド処理手段５１は、時刻同期要求信号１２０の受信中に、信号本体部分１２２の受信開始タイミング（換言すれば、同期制御部分１２１の受信終了タイミング）を検出し、その検出タイミングにおける自装置の装置内時刻Ｔdevをクロック５５から取得する。また、ＲＦベースバンド処理手段５１は、時刻同期要求信号１２０中から、ＭＡＣフレーム１２７とタイムスタンプ１２８とを抽出する。そして、ＲＦベースバンド処理手段５１は、クロック５５から取得した上記装置内時刻Ｔdevと、ＭＡＣフレーム１２７と、タイムスタンプ１２８とをＭＡＣ処理手段５３へ引き渡す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
しかし、上記例のように時刻同期マスタ処理１０１および時刻同期スレーブ処理１０２において時刻同期要求信号１２０中の同じ位置で装置内時刻Ｔdevを取得することにより、同期精度を高めることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７７】
＜ビーコン応答処理２０２＞
ビーコン応答処理２０２は、受信側ビーコンＲＮ０の受信を試み、当該ビーコンＲＮ０に応答する処理である。特に、ビーコン応答処理２０２では、ＲＦ方式とＰＬＣ方式とを切り替えることによってビーコンＲＮ０の受信を試み、ビーコンＲＮ０を受信できた通信方式によってそのビーコンＲＮ０に対して応答する（ここでは送信要求ＳＲＥＱを送信する）。なお、ビーコン応答処理２０２は、例えば上位処理部７０からの送信要求に応じて、開始される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９１】
ここではＲＦ方式とＰＬＣ方式という２種類の通信方式を例示しているため、電力線５からの電力を取得できない（したがってＰＬＣ方式を利用できない）環境・状況では、上記比較例と同様にＲＦ方式のみを使用することになる。そのような場合でも、通信処理部５０Ｄは、上記のようにＲＦ方式用の処理とＰＬＣ方式用の処理の両方を行うものとする。あるいは、ＲＦ方式用の処理とＰＬＣ方式用の処理の両方を行う動作モードに加え、ＲＦ方式用の処理だけを行う動作モードも通信処理部５０Ｄに搭載しておき、それら２種類の動作モードを切り替えるようにしてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０５】
また、上記では通信システム１Ｄが、複数の通信方式に準拠した通信装置１０Ｄのみを含む場合を例示した。しかし、通信システム１Ｄは、１つの通信方式で間欠通信を行う通信装置を含むことも可能である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１７】
同期／非同期並行処理３００では、非同期通信の通信リンク維持時間Ｔlnkrf，Ｔlnkplc（図１９および図２２参照）は、タイムスロットＳの時間長さ以下に設定される。これにより、各タイムスロットＳ内に非同期通信を完了させることができ、非同期通信の信頼性を確保できる。また、上記のようにビーコンＲＮ０をタイムスロットＳの開始タイミングで送信することにより、通信リンク維持時間Ｔlnkrf，Ｔlnkplcを長くとることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2013110670.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月4日(2014.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記基地局が、前記移動局に対するバイアス値を設定することと、前記移動局へ前記バイアス値を通知することと、
前記移動局が、前記基地局から通知された前記バイアス値を用いて、前記第２基地局から受信した無線信号について前記移動局が測定した前記受信電力を増加させるように補正することと、前記移動局による補正後の受信電力を前記第２基地局の受信電力として前記候補基地局選択部に報告することとを更に備える
請求項８の通信制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の好適な態様において、通信制御方法は、前記基地局が、前記移動局に対するバイアス値を設定することと、前記移動局へ前記バイアス値を通知することと、前記移動局が、前記基地局から通知された前記バイアス値を用いて、前記第２基地局から受信した無線信号について前記移動局が測定した前記受信電力を増加させるように補正することと、前記移動局による補正後の受信電力を前記第２基地局の受信電力として前記候補基地局選択部に報告することとを更に備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
移動局３００に対するデータ送信（下りリンク通信）を実行する際に、移動局３００の受信品質測定部３３８は、候補基地局情報ＣＢが示す候補基地局（マクロ基地局１００、ピコ基地局２００ａ）との無線通信に用いられる無線信号の各々について受信品質を測定する（ステップS200）。具体的には、受信品質測定部３３８は、非プロテクテッドサブフレームＮＳＦにおいてマクロ基地局１００から受信した無線信号の受信品質を測定して受信品質値Ｑ１を得るとともに、プロテクテッドサブフレームＰＳＦにおいてピコ基地局２００ａから受信した無線信号の受信品質を測定して受信品質値Ｑ２を得る。図１３に示す例では、受信品質値Ｑ２は受信品質値Ｑ１を上回る（Ｑ２＞Ｑ１）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
通信先基地局（ピコ基地局２００ａ）を示す通信先基地局情報ＴＢが通信先基地局決定部１４０から通信先基地局通知部１４２に供給され、基地局通信部１２０および無線通信部１１０を介してピコ基地局２００ａおよび移動局３００に通知される（ステップS230）。結果として、通信先基地局として決定されたピコ基地局２００ａと移動局３００とが無線通信を実行する（ステップS240）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月25日(2014.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段と、
前記撮像手段が撮像した映像信号中の注目画素と前記注目画素の複数の周辺画素の各画素値に係数を掛ける演算手段と、
前記演算手段で係数が掛けられた各画素値を加算する加算手段と、
前記加算手段から出力された信号より画面の明るさを算出し、前記画面の明るさが予め決められた範囲となるよう、前記係数を制御する制御手段と
を備えた撮像装置。
【請求項２】
前記撮像手段から出力された映像信号を所定の走査方式の撮像信号として出力する信号処理手段とを備え、
前記注目画素と、前記複数の周辺画素とは、前記信号処理手段から出力された前記撮像信号をフィールド単位、フレーム単位、ライン単位、またはピクセル単位のうち少なくとも１つで遅延させて得ることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記係数をテーブルとして記憶し、前記画面の明るさに基づいて前記係数を制御することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記制御手段は、撮像環境の照度に応じて、前記撮像手段に入射する光量を調節するアイリス制御、前記映像信号の増幅利得を調節する利得制御を用いて輝度制御を行うとともに、前記利得制御と前記加算手段の加算処理とによる輝度制御を選択的に制御することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
撮像手段が撮像した映像信号中の注目画素と前記注目画素の複数の周辺画素の各画素値に係数を掛ける演算処理、
前記演算処理により係数が掛けられた各画素値を加算する加算処理、
前記加算処理で加算された信号より画面の明るさを算出し、前記画面の明るさが予め決められた範囲となるよう、前記係数を制御する制御処理とを含む輝度制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る撮像装置は、撮像手段と、撮像手段が撮像した映像信号中の注目画素と注目画素の複数の周辺画素の各画素値に係数を掛ける演算手段と、演算手段で係数が掛けられた各画素値を加算する加算手段と、加算手段から出力された信号より画面の明るさを算出し、画面の明るさが予め決められた範囲となるよう、係数を制御する制御手段とを設けたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る輝度制御方法は、撮像手段が撮像した映像信号中の注目画素と注目画素の複数の周辺画素の各画素値に係数を掛ける演算処理と、演算処理により係数が掛けられた各画素値を加算する加算処理と、加算処理で加算された信号より画面の明るさを算出し、画面の明るさが予め決められた範囲となるよう、係数を制御する制御処理を含むものである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月10日(2014.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影光学系と鏡筒部と、
該鏡筒部に沿っての回動操作が可能な回転操作部とを有する撮影レンズ部と、上記レンズ部によって導かれた被写体画像を映像信号に変換する撮像部と、メニュー操作部材と、を有する撮影機器において、上記メニュー操作部材は、上記撮影装置背面に設けられたタッチ操作部材と判定部からなり、上記メニュー操作部材の操作時における上記回転操作部の回転操作に関する情報に従って、上記撮影機器のパラメータ切替項目制御を右手親指のタッチ操作で切り換える制御部を具備することを特徴とする撮影装置。
【請求項２】
上記タッチ操作部材はタッチ操作とスライド操作を識別可能であると共に、上記判定部は、スライド操作を伴わないタッチである時に上記メニュー操作として判定しないことを特徴とする請求項１に記載の撮影装置。
【請求項３】
上記撮影装置は、上記映像を表示する表示部を有し、上記回転操作に従って、選択可能なモードを変更する表示を行うことを特徴とする請求項１に記載の撮影装置。
【請求項４】
上記メニュー操作部の操作終了時に、上記表示部に表示されたモードを決定することを特徴とする請求項１に記載の撮影装置。
【請求項５】
上記メニュー操作部材は、上記撮影装置背面に設けられたタッチ操作部材と判定部からなり、上記タッチ操作部材は設定用操作と設定禁止操作を識別可能であることを特徴とする請求項１に記載の撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため第１の発明に係わる撮影装置は、撮影光学系と鏡筒部と、該鏡筒部に沿っての回動操作が可能な回転操作部とを有する撮影レンズ部と、上記レンズ部によって導かれた被写体画像を映像信号に変換する撮像部と、メニュー操作部材と、を有する撮影機器において、上記メニュー操作部材は、上記撮影装置背面に設けられたタッチ操作部材と判定部からなり、上記メニュー操作部材の操作時における上記回転操作部の回転操作に関する情報に従って、上記撮影機器のパラメータ切替項目制御を右手親指のタッチ操作で切り換える制御部を具備することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するため第２の発明に係わる撮影装置は、上記タッチ操作部材はタッチ操作とスライド操作を識別可能であると共に、上記判定部は、スライド操作を伴わないタッチである時に上記メニュー操作として判定しないことを特徴とする。