【手続補正書】
【提出日】平成26年7月17日(2014.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ア）酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位と、カルボキシル基を有する繰り返し単位と、前記カルボキシル基を有する繰り返し単位とは異なる、下記一般式（１）で表される非酸分解性の繰り返し単位とを有する樹脂（Ａ）、
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）、及び溶剤（Ｃ）
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
（イ）該膜にＫｒＦエキシマレーザーにより露光する工程、及び
（ウ）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を有するパターン形成方法。
【化１】
2014071304.tif 000001
Ｒは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、又はアルコキシカルボニル基を表す。
Ｌは、単結合又は（ｎ＋１）価の連結基を表す。
Ｙは、芳香族基を表す。
ｎは、１以上の整数を表す。
【請求項２】
前記一般式（１）におけるＬが単結合、アルキレン基、芳香環基、シクロアルキレン基、−ＣＯＯ−Ｌ１’−、−Ｏ−Ｌ１’−、−ＣＯＮＨ−、又はこれらの２つ以上を組み合わせて形成される基である、請求項１に記載のパターン形成方法。
ここで、Ｌ１’はアルキレン基、シクロアルキレン基、芳香環基、又はアルキレン基と芳香環基とを組み合わせた基を表す。
【請求項３】
前記一般式（１）におけるＬが単結合、アルキレン基、−ＣＯＯ−Ｌ１’−又はこれらを組み合わせて形成される基である、請求項２に記載のパターン形成方法。
ここで、Ｌ１’はアルキレン基、シクロアルキレン基、芳香環基、又はアルキレン基と芳香環基とを組み合わせた基を表す。
【請求項４】
前記カルボキシル基を有する繰り返し単位が下記式で表される繰り返し単位である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【化２】
2014071304.tif 000002
上記式中、ＲｘはＨ、ＣＨ３、ＣＨ２ＯＨ又はＣＦ３を表す。
【請求項５】
前記樹脂（Ａ）が、上記酸の作用により分解して極性基を生じる繰り返し単位として下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【化３】
2014071304.tif 000003
一般式（ＡＩ）において、
Ｘａ１は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｔは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒｘ１〜Ｒｘ３は、それぞれ独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｒｘ１〜Ｒｘ３のうち２つが結合して、環構造を形成してもよい。
【請求項６】
前記一般式（ＡＩ）において、Ｔが単結合である、請求項５に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記一般式（ＡＩ）において、ＲＸ１〜ＲＸ３がアルキル基を表す、請求項５又は６に記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記一般式（ＡＩ）において、ＲＸ１〜ＲＸ３がメチル基を表す請求項５〜７のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項９】
前記一般式（１）で表される繰り返し単位が、下記一般式（１−１）で表される繰り返し単位である、請求項１〜８のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【化４】
2014071304.tif 000004
一般式（１−１）中、
Ｒ１は、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、又はアルコキシカルボニル基を表す。
Ｘは、単結合、アルキレン基、−ＣＯＯ−、又は−ＣＯＮＲ６４−を表す。Ｒ６４は、水素原子又はアルキル基を表す。
Ｌは、単結合、−ＣＯＯ−、又はアルキレン基を表す。
Ａｒは、（ｎ＋１）価の芳香環基を表す。
ｎは、１〜４の整数を表す。
【請求項１０】
前記樹脂（Ａ）が、更にラクトン構造を有する繰り返し単位を有し、前記ラクトン構造を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して２５モル％以下である、請求項１〜９のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、塩基性化合物（Ｄ）を更に含有する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項１２】
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、界面活性剤（Ｅ）を更に含有する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項１３】
（ア）感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
（イ）該膜にＫｒＦエキシマレーザー、極紫外線又は電子線により露光する工程、及び
（ウ）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を有するパターン形成方法に供せられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位と、カルボキシル基を有する繰り返し単位と、前記カルボキシル基を有する繰り返し単位とは異なる、下記一般式（１）で表される非酸分解性の繰り返し単位とを有する樹脂（Ａ）、
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）、及び溶剤（Ｃ）
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
ただし、下記単位−１〜下記単位−４からなるベース樹脂を含有するレジスト組成物は除く。
【化５】
2014071304.tif 000005
Ｒは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、又はアルコキシカルボニル基を表す。
Ｌは、単結合又は（ｎ＋１）価の連結基を表す。
Ｙは、芳香族基を表す。
ｎは、１以上の整数を表す。
【化６】
2014071304.tif 000006
【請求項１４】
前記一般式（１）におけるＬが単結合、アルキレン基、芳香環基、シクロアルキレン基、−ＣＯＯ−Ｌ１’−、−Ｏ−Ｌ１’−、−ＣＯＮＨ−、又はこれらの２つ以上を組み合わせて形成される基である、請求項１３に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。ここで、Ｌ１’はアルキレン基、シクロアルキレン基、芳香環基、又はアルキレン基と芳香環基とを組み合わせた基を表す。
【請求項１５】
前記一般式（１）におけるＬが単結合、アルキレン基、−ＣＯＯ−Ｌ１’−又はこれらを組み合わせて形成される基である、請求項１４に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
ここで、Ｌ１’はアルキレン基、シクロアルキレン基、芳香環基、又はアルキレン基と芳香環基とを組み合わせた基を表す。
【請求項１６】
前記カルボキシル基を有する繰り返し単位が下記式で表される繰り返し単位である、請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化７】
2014071304.tif 000007
上記式中、ＲｘはＨ、ＣＨ３、ＣＨ２ＯＨ又はＣＦ３を表す。
【請求項１７】
前記樹脂（Ａ）が、上記酸の作用により分解して極性基を生じる繰り返し単位として下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位を有する、請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化８】
2014071304.tif 000008
一般式（ＡＩ）において、
Ｘａ１は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｔは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒｘ１〜Ｒｘ３は、それぞれ独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｒｘ１〜Ｒｘ３のうち２つが結合して、環構造を形成してもよい。
【請求項１８】
前記一般式（ＡＩ）において、Ｔが単結合である、請求項１７に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項１９】
前記一般式（ＡＩ）において、ＲＸ１〜ＲＸ３がアルキル基を表す、請求項１７又は１８に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項２０】
前記一般式（ＡＩ）において、ＲＸ１〜ＲＸ３がメチル基を表す請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項２１】
前記一般式（１）で表される繰り返し単位が、下記一般式（１−１）で表される繰り返し単位である、請求項１３〜２０のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化９】
2014071304.tif 000009
一般式（１−１）中、
Ｒ１は、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、又はアルコキシカルボニル基を表す。
Ｘは、単結合、アルキレン基、−ＣＯＯ−、又は−ＣＯＮＲ６４−を表す。Ｒ６４は、水素原子又はアルキル基を表す。
Ｌは、単結合、−ＣＯＯ−、又はアルキレン基を表す。
Ａｒは、（ｎ＋１）価の芳香環基を表す。
ｎは、１〜４の整数を表す。
【請求項２２】
前記樹脂（Ａ）が、更にラクトン構造を有する繰り返し単位を有し、前記ラクトン構造を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して２５モル％以下である、請求項１３〜２１のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項２３】
塩基性化合物（Ｄ）を更に含有する、請求項１３〜２２のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項２４】
界面活性剤（Ｅ）を更に含有する、請求項１３〜２３のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項２５】
請求項１３〜２４のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されるレジスト膜。
【請求項２６】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、下記の構成であり、これにより本発明の上記目的が達成される。
＜１＞
（ア）酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位と、カルボキシル基を有する繰り返し単位と、前記カルボキシル基を有する繰り返し単位とは異なる、下記一般式（１）で表される非酸分解性の繰り返し単位とを有する樹脂（Ａ）、
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）、及び溶剤（Ｃ）
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
（イ）該膜にＫｒＦエキシマレーザーにより露光する工程、及び
（ウ）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を有するパターン形成方法。
【化１】
2014071304.tif 000010
Ｒは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、又はアルコキシカルボニル基を表す。
Ｌは、単結合又は（ｎ＋１）価の連結基を表す。
Ｙは、芳香族基を表す。
ｎは、１以上の整数を表す。
＜２＞
前記一般式（１）におけるＬが単結合、アルキレン基、芳香環基、シクロアルキレン基、−ＣＯＯ−Ｌ１’−、−Ｏ−Ｌ１’−、−ＣＯＮＨ−、又はこれらの２つ以上を組み合わせて形成される基である、＜１＞に記載のパターン形成方法。
ここで、Ｌ１’はアルキレン基、シクロアルキレン基、芳香環基、又はアルキレン基と芳香環基とを組み合わせた基を表す。
＜３＞
前記一般式（１）におけるＬが単結合、アルキレン基、−ＣＯＯ−Ｌ１’−又はこれらを組み合わせて形成される基である、＜２＞に記載のパターン形成方法。
ここで、Ｌ１’はアルキレン基、シクロアルキレン基、芳香環基、又はアルキレン基と芳香環基とを組み合わせた基を表す。
＜４＞
前記カルボキシル基を有する繰り返し単位が下記式で表される繰り返し単位である、＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【化２】
2014071304.tif 000011
上記式中、ＲｘはＨ、ＣＨ３、ＣＨ２ＯＨ又はＣＦ３を表す。
＜５＞
前記樹脂（Ａ）が、上記酸の作用により分解して極性基を生じる繰り返し単位として下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位を有する、＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【化３】
2014071304.tif 000012
一般式（ＡＩ）において、
Ｘａ１は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｔは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒｘ１〜Ｒｘ３は、それぞれ独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｒｘ１〜Ｒｘ３のうち２つが結合して、環構造を形成してもよい。
＜６＞
前記一般式（ＡＩ）において、Ｔが単結合である、＜５＞に記載のパターン形成方法。
＜７＞
前記一般式（ＡＩ）において、ＲＸ１〜ＲＸ３がアルキル基を表す、＜５＞又は＜６＞に記載のパターン形成方法。
＜８＞
前記一般式（ＡＩ）において、ＲＸ１〜ＲＸ３がメチル基を表す＜５＞〜＜７＞のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
＜９＞
前記一般式（１）で表される繰り返し単位が、下記一般式（１−１）で表される繰り返し単位である、＜１＞〜＜８＞のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【化４】
2014071304.tif 000013
一般式（１−１）中、
Ｒ１は、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、又はアルコキシカルボニル基を表す。
Ｘは、単結合、アルキレン基、−ＣＯＯ−、又は−ＣＯＮＲ６４−を表す。Ｒ６４は、水素原子又はアルキル基を表す。
Ｌは、単結合、−ＣＯＯ−、又はアルキレン基を表す。
Ａｒは、（ｎ＋１）価の芳香環基を表す。
ｎは、１〜４の整数を表す。
＜１０＞
前記樹脂（Ａ）が、更にラクトン構造を有する繰り返し単位を有し、前記ラクトン構造を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して２５モル％以下である、＜１＞〜＜９＞のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
＜１１＞
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、塩基性化合物（Ｄ）を更に含有する、＜１＞〜＜１０＞のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
＜１２＞
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、界面活性剤（Ｅ）を更に含有する、＜１＞〜＜１１＞のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
＜１３＞
（ア）感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
（イ）該膜にＫｒＦエキシマレーザー、極紫外線又は電子線により露光する工程、及び
（ウ）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を有するパターン形成方法に供せられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位と、カルボキシル基を有する繰り返し単位と、前記カルボキシル基を有する繰り返し単位とは異なる、下記一般式（１）で表される非酸分解性の繰り返し単位とを有する樹脂（Ａ）、
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）、及び溶剤（Ｃ）
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
ただし、下記単位−１〜下記単位−４からなるベース樹脂を含有するレジスト組成物は除く。
【化５】
2014071304.tif 000014
Ｒは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、又はアルコキシカルボニル基を表す。
Ｌは、単結合又は（ｎ＋１）価の連結基を表す。
Ｙは、芳香族基を表す。
ｎは、１以上の整数を表す。
【化６】
2014071304.tif 000015
＜１４＞
前記一般式（１）におけるＬが単結合、アルキレン基、芳香環基、シクロアルキレン基、−ＣＯＯ−Ｌ１’−、−Ｏ−Ｌ１’−、−ＣＯＮＨ−、又はこれらの２つ以上を組み合わせて形成される基である、＜１３＞に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
ここで、Ｌ１’はアルキレン基、シクロアルキレン基、芳香環基、又はアルキレン基と芳香環基とを組み合わせた基を表す。
＜１５＞
前記一般式（１）におけるＬが単結合、アルキレン基、−ＣＯＯ−Ｌ１’−又はこれらを組み合わせて形成される基である、＜１４＞に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
ここで、Ｌ１’はアルキレン基、シクロアルキレン基、芳香環基、又はアルキレン基と芳香環基とを組み合わせた基を表す。
＜１６＞
前記カルボキシル基を有する繰り返し単位が下記式で表される繰り返し単位である、＜１３＞〜＜１５＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化７】
2014071304.tif 000016
上記式中、ＲｘはＨ、ＣＨ３、ＣＨ２ＯＨ又はＣＦ３を表す。
＜１７＞
前記樹脂（Ａ）が、上記酸の作用により分解して極性基を生じる繰り返し単位として下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位を有する、＜１３＞〜＜１６＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化８】
2014071304.tif 000017
一般式（ＡＩ）において、
Ｘａ１は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｔは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒｘ１〜Ｒｘ３は、それぞれ独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｒｘ１〜Ｒｘ３のうち２つが結合して、環構造を形成してもよい。
＜１８＞
前記一般式（ＡＩ）において、Ｔが単結合である、＜１７＞に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜１９＞
前記一般式（ＡＩ）において、ＲＸ１〜ＲＸ３がアルキル基を表す、＜１７＞又は＜１８＞に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜２０＞
前記一般式（ＡＩ）において、ＲＸ１〜ＲＸ３がメチル基を表す＜１７＞〜＜１９＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜２１＞
前記一般式（１）で表される繰り返し単位が、下記一般式（１−１）で表される繰り返し単位である、＜１３＞〜＜２０＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化９】
2014071304.tif 000018
一般式（１−１）中、
Ｒ１は、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、又はアルコキシカルボニル基を表す。
Ｘは、単結合、アルキレン基、−ＣＯＯ−、又は−ＣＯＮＲ６４−を表す。Ｒ６４は、水素原子又はアルキル基を表す。
Ｌは、単結合、−ＣＯＯ−、又はアルキレン基を表す。
Ａｒは、（ｎ＋１）価の芳香環基を表す。
ｎは、１〜４の整数を表す。
＜２２＞
前記樹脂（Ａ）が、更にラクトン構造を有する繰り返し単位を有し、前記ラクトン構造を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して２５モル％以下である、＜１３＞〜＜２１＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜２３＞
塩基性化合物（Ｄ）を更に含有する、＜１３＞〜＜２２＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜２４＞
界面活性剤（Ｅ）を更に含有する、＜１３＞〜＜２３＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
＜２５＞
＜１３＞〜＜２４＞のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されるレジスト膜。
＜２６＞
＜１＞〜＜１２＞のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
本発明は、上記＜１＞〜＜２６＞に係る発明であるが、以下、それ以外の事項（例えば、下記〔１〕〜〔１２〕）についても記載している。
〔１〕
（ア）酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位と、カルボキシル基を有する繰り返し単位とを有する樹脂（Ａ）、
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）、及び
溶剤（Ｃ）  
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
（イ）該膜にＫｒＦエキシマレーザー、極紫外線又は電子線により露光する工程、及び
（ウ）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を有するパターン形成方法。
〔２〕
前記工程（イ）における露光がＫｒＦエキシマレーザーによる露光である、〔１〕に記載のパターン形成方法。
〔３〕
樹脂（Ａ）が、前記カルボキシル基を有する繰り返し単位とは異なる、下記一般式（１）で表される非酸分解性の繰り返し単位を更に含有する、〔１〕又は〔２〕に記載のパターン形成方法。
【化１０】
2014071304.tif 000019
Ｒは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、又はアルコキシカルボニル基を表す。
Ｌは、単結合又は（ｎ＋１）価の連結基を表す。
Ｙは、脂環式基、又は芳香族基を表す。
ｎは、１以上の整数を表す。
〔４〕
前記樹脂（Ａ）が、上記酸の作用により分解して極性基を生じる繰り返し単位として下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位を有する、〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【化１１】
2014071304.tif 000020
一般式（ＡＩ）において、
Ｘａ１は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｔは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒｘ１〜Ｒｘ３は、それぞれ独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｒｘ１〜Ｒｘ３のうち２つが結合して、環構造を形成してもよい。
〔５〕
前記一般式（ＡＩ）において、ＲＸ１〜ＲＸ３がアルキル基を表す、〔４〕に記載のパターン形成方法。
〔６〕
前記一般式（ＡＩ）において、ＲＸ１〜ＲＸ３がメチル基を表す〔４〕又は〔５〕に記載のパターン形成方法。
〔７〕
前記一般式（１）で表される繰り返し単位が、下記一般式（１−１）で表される繰り返し単位である、〔３〕〜〔６〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【化１２】
2014071304.tif 000021
一般式（１−１）中、
Ｒ１は、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、又はアルコキシカルボニル基を表す。
Ｘは、単結合、アルキレン基、−ＣＯＯ−、又は−ＣＯＮＲ６４−を表す。Ｒ６４は、水素原子又はアルキル基を表す。
Ｌは、単結合、−ＣＯＯ−、又はアルキレン基を表す。
Ａｒは、（ｎ＋１）価の芳香環基を表す。
ｎは、１〜４の整数を表す。
〔８〕
前記樹脂（Ａ）が、更にラクトン構造を有する繰り返し単位を有し、前記ラクトン構造を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂（Ａ）中の全繰り返し単位に対して２５モル％以下である、〔１〕〜〔７〕のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
〔９〕
〔１〕〜〔８〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法に供せられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔１０〕
〔９〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されるレジスト膜。
〔１１〕
〔１〕〜〔８〕のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
〔１２〕
〔１１〕に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９６】
以降、実施例−３、実施例−５、実施例−７、実施例−８、実施例−９、実施例−１２、実施例−１０３、実施例−１０５、実施例−１０７、実施例−１０８、実施例−１０９、実施例−１１２、実施例−２０３、実施例−２０５、実施例−２０７、実施例−２０８、実施例−２０９、実施例−２１２は、それぞれ、参考例−３、参考例−５、参考例−７、参考例−８、参考例−９、参考例−１２、参考例−１０３、参考例−１０５、参考例−１０７、参考例−１０８、参考例−１０９、参考例−１１２、参考例−２０３、参考例−２０５、参考例−２０７、参考例−２０８、参考例−２０９、参考例−２１２に読み替えるものとする。後記の表２〜４においても同様である。
「実施例−１〜実施例−１２及び比較例−１〜比較例−２」
評価方法（段差基板上の実施方法）
調整したレジスト組成物を用い、スペース１００ｎｍ、ピッチ５００ｎｍ、高さ１００ｎｍの段差を等間隔に繰り返し有する基板（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）上にレジスト組成物を塗布し、下記表２に示す温度で６０秒間ベーク（Ｐｒｅ  Ｂａｋｅ；ＰＢ）を行い、膜厚２００ｎｍの膜を形成した。得られたウェハをＫｒＦエキシマレーザースキャナー（ＮＡ０．８０）を用い、露光マスクを介して、パターン露光を行った。その後下記表２に示す温度で６０秒間ベーク（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ；ＰＥＢ）した後、表２に示す有機系現像液をパドルして現像し、次いで、表２に示すリンス液をパドルしてリンスした後、４０００ｒｐｍの回転数で３０秒間ウェハを回転させることにより、ライン４００ｎｍピッチ６００ｎｍのラインアンドスペースパターンを得た。