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【手続補正書】
【提出日】平成25年12月17日(2013.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁化方向が略固定された強磁性固定層及び外部磁界に対して磁化方向が変動するフリー磁性層を含んで構成された複数の磁気検出部と、前記フリー磁性層にバイアス磁界を印加するハードバイアス層を含んで構成された複数の永久磁石部と、が交互に接して配置された磁気抵抗効果素子を備え、隣接する前記永久磁石部の間隔が２０μｍ〜１００μｍであることを特徴とする電流センサ。
【請求項２】
前記磁気検出部の幅が０．５μｍ〜１．５μｍであることを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
【請求項３】
前記フリー磁性層の磁化量が０．６ｍｅｍｕ／ｃｍ２〜１．０ｍｅｍｕ／ｃｍ２であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電流センサ。
【請求項４】
前記永久磁石部は、隣接する前記磁気検出部を電気的に接続する導電層を含んで構成されたことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の電流センサ。
【請求項５】
前記永久磁石部は前記複数の磁気検出部を離間するように設けられ、前記導電層は前記ハードバイアス層を覆うように設けられていることを特徴とする請求項４に記載の電流センサ。
【請求項６】
前記磁気抵抗効果素子を含んで構成され、誘導磁界に略比例する電圧差を生じる２つの出力を備える磁界検出ブリッジ回路を具備した磁気比例式電流センサであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の電流センサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の電流センサにおいて、前記永久磁石部は、隣接する前記磁気検出部を電気的に接続する導電層を含んで構成されたことが好ましい。この構成によれば、隣接する磁気検出部が導電層によって電気的に接続されるため、永久磁石部による電気抵抗の増大、ばらつきなどを抑制できる。これにより、測定精度が高い電流センサを実現できる。またこの場合、前記永久磁石部は前記複数の磁気検出部を離間するように設けられ、前記導電層は前記ハードバイアス層を覆うように設けられているものとできる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月27日(2014.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内にて前記基板を支持する基板支持部と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマ生成部と、
前記基板支持部の内部に設けられる複数のインピーダンス電極と、
前記複数のインピーダンス電極の少なくとも一つに対して設けられた基板電位分布調整部と、
前記処理室内を排気する排気部と、
少なくとも前記ガス供給部、前記プラズマ生成部及び前記基板電位分布調整部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
少なくとも前記ガス供給部により供給した処理ガスを前記プラズマ生成部により励起し、励起した処理ガスを前記基板に供給して処理する際に、前記基板の処理面の電位分布を前記基板電位分布調整部をそれぞれ制御して調整する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記基板電位分布調整部は、前記複数のインピーダンス電極に対してそれぞれ設けられ、対応する前記インピーダンス電極のインピーダンスを調整するインピーダンス調整部をそれぞれ備える
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板電位分布調整部は、対応する前記インピーダンス電極と前記基板支持部に支持された前記基板との間の距離を調整する位置調整機構を備える
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板電位分布調整部は、前記複数のインピーダンス電極に対してそれぞれ設けられ、対応する前記インピーダンス電極のインピーダンスを調整するインピーダンス調整部、又は対応する前記インピーダンス電極と前記基板支持部に支持された前記基板との間の距離を調整する位置調整機構、の少なくともいずれかを備える
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記複数のインピーダンス電極の一つは円盤状に形成され、
前記円盤状のインピーダンス電極以外の他のインピーダンス電極は環状に形成され、
前記環状のインピーダンス電極は少なくとも前記円盤状のインピーダンス電極の周囲を囲うように設けられる
請求項１乃至４の少なくともいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
処理室内に基板を搬入し、内部に複数のインピーダンス電極が設けられた基板支持部により前記基板を支持する工程と、
排気部により前記処理室内を排気しつつ、ガス供給部により前記処理室内に処理ガスを供給する工程と、
前記処理室内に供給された処理ガスをプラズマ生成部で励起し、励起した前記処理ガスを前記基板に供給して前記基板を処理する工程と、
プラズマ処理した前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有し、
前記基板を処理する工程では、
前記複数のインピーダンス電極のそれぞれのインピーダンス、若しくは前記複数のインピーダンス電極の少なくとも一つと前記基板との間の距離、の少なくともいずれかを調整することにより、前記基板の処理面の電位分布を制御する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月26日(2014.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンを形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記パターンを形成する工程は、
下地の上に、凸部と前記凸部よりも薄い凹部とを有する凹凸形状のポジ型のフォトレジスト膜を形成する第１工程と、
前記フォトレジスト膜を処理して前記凸部が存在した部分に前記凸部よりも狭い幅を有する開口を形成する第２工程とを含み、
前記第２工程では、前記フォトレジスト膜のうち前記凸部の少なくとも一部を露光し、その後に前記フォトレジスト膜を現像する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１工程は、露光処理および現像処理を含み、
前記露光処理は、前記凸部となる領域と前記凹部となる領域のうち前記凹部となる領域を露光するマスクを用いてなされ、
前記露光処理は、前記現像処理において前記凹部となる領域に前記フォトレジスト膜を残す露光量でなされる、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１工程は、露光処理および現像処理を含み、
前記露光処理は、前記凹凸形状を形成するように透過光量分布が調整されたマスクを用いてなされる、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１工程では、前記凸部が形成される領域の前記下地の上にパターンを配置し、前記下地および前記パターンを覆うようにフォトレジスト材料を塗布することにより前記パターンの上に前記凸部を有する前記フォトレジスト膜を形成する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記パターンは、配線パターンである
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
パターンを形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記パターンを形成する工程は、
下地の上に、凸部と前記凸部よりも薄い凹部とを有する凹凸形状のネガ型のフォトレジスト膜を形成する第１工程と、
前記フォトレジスト膜を処理して前記凸部が存在した部分に前記凸部よりも狭い幅を有するフォトレジスト部を形成する第２工程とを含み、
前記第１工程では、前記凸部が形成される領域の前記下地の上にパターンを配置し、前記下地および前記パターンを覆うようにフォトレジスト材料を塗布することにより前記パターンの上に前記凸部を有する前記フォトレジスト膜を形成し、
前記第２工程では、前記フォトレジスト膜のうち前記凸部の少なくとも一部を露光し、その後に前記フォトレジスト膜を現像する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
マイクロレンズアレイを形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記マイクロレンズアレイを形成する工程は、
下地の上に凸部と前記凸部よりも薄い凹部とを有する凹凸形状のポジ型のフォトレジスト膜を形成する第１工程と、
前記フォトレジスト膜を処理することにより前記凸部が存在した部分の前記フォトレジスト膜の厚さを前記凹部が存在する部分の前記フォトレジスト膜の厚さよりも薄くする第２工程とを含み、
前記第２工程は、前記凸部と前記凹部のうち前記凸部を露光するマスクを用いる露光処理および現像処理を含む工程である、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一つの側面は半導体装置の製造方法にかかり、前記半導体装置の製造方法は、パターンを形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記パターンを形成する工程は、下地の上に、凸部と前記凸部よりも薄い凹部とを有する凹凸形状のポジ型のフォトレジスト膜を形成する第１工程と、前記フォトレジスト膜を処理して前記凸部が存在した部分に前記凸部よりも狭い幅を有する開口を形成する第２工程とを含み、前記第２工程では、前記フォトレジスト膜のうち前記凸部の少なくとも一部を露光し、その後に前記フォトレジスト膜を現像することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月27日(2014.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に設けられ、基板を載置した状態で水平回転する基板載置部と、
前記基板載置部に載置された基板に対向するように前記処理室外に設けられ、前記処理室内へ光を照射する発光部と、
前記処理室と前記発光部との間に設けられ、前記処理室と前記発光部とを隔てる仕切り部と、
前記処理室内へ処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気部とを備えた基板処理装置であって、
前記仕切り部は、前記発光部から前記処理室内へ照射される光を透過する複数の透過窓と、前記複数の透過窓を構成する透過窓と透過窓との間に設けられ透過窓を固定する窓固定部とを備え、
前記複数の透過窓のうち少なくとも１つの透過窓の面積は、前記基板の面積よりも小さくなるよう構成された基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載された基板処理装置であって、
前記透過窓は、該透過窓の中心点から端部までの距離が等しくなるよう構成された基板処理装置。
【請求項３】
前記透過窓は、正五角形以上の正多角形である、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記発光部は、前記処理室内に供給された処理ガスを分解するための光エネルギーを供給する光源ランプである、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記発光部は、波長が１００ｎｍから４００ｎｍの光を発するランプである、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記発光部は、前記基板を加熱処理する光源ランプである、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項７】
処理室内に設けられ基板を載置する基板載置部と、前記基板載置部に載置された基板に対向するように前記処理室外に設けられ前記処理室内へ光を照射する発光部と、前記処理室と前記発光部との間に設けられ、前記処理室と前記発光部とを隔てる仕切り部と、を備え、前記仕切り部は、前記発光部から前記処理室内へ照射される光を透過する複数の透過窓と、前記複数の透過窓を構成する透過窓と透過窓との間に設けられ透過窓を固定する窓固定部とを備え、前記複数の透過窓のうち少なくとも１つの透過窓の面積は、前記基板の面積よりも小さくなるよう構成された基板処理装置において、
基板を前記基板載置部に載置する工程と、
前記処理室内に処理ガスを供給する工程と、
前記基板が載置された前記基板載置部を回転させながら、前記発光部から前記処理室内へ光を照射する工程と、
前記基板を前記処理室外に搬出する工程と、を有する基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月25日(2014.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面、第２主面および側面を有する光透過性部材と、光学素子とを備え、前記第２主面が前記光学素子に向くように前記光透過性部材と前記光学素子とが配置された光学装置であって、
前記光透過性部材は、前記第１主面、前記第２主面および前記側面には現れないように前記第１主面と前記第２主面との間に形成された複数の変質部を有し、前記複数の変質部は、前記光透過性部材の中央部分とは性質が異なる部分であり、前記中央部分を取り囲むように配列されている、
ことを特徴とする光学装置。
【請求項２】
前記複数の変質部が配列された領域の前記第１主面に直交する方向における幅は、前記第１主面と前記第２主面との距離の３０％以上かつ７０％以下である、
ことを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
【請求項３】
前記変質部は、空隙を含む、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光学装置。
【請求項４】
前記変質部は、レーザー光の照射によって形成された部分を含む、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光学装置。
【請求項５】
前記複数の変質部のうち隣接する変質部の間の最小距離が１０μｍ以上かつ１００μｍ以下である、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項６】
前記光学素子と前記光透過性部材の前記中央部分との間に配置された樹脂部材を更に備える、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項７】
前記光学素子は、画素アレイ領域とそれを取り囲む外側領域とを含み、
前記光学装置は、前記画素アレイ領域と前記光透過性部材の前記中央部分との間に空間が形成されるように前記外側領域と前記光透過性部材とを結合する樹脂部材を更に備える、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学装置。
【請求項８】
光透過性部材を製造する製造方法であって、
内部に複数の変質部を有する光透過性基板を、前記複数の変質部が前記光透過性部材の側面となるべき部分に現れないようにダイシングして、前記光透過性部材を得る工程を含み、
前記複数の変質部は、前記光透過性基板における他の部分とは性質が異なる部分である、
ことを特徴とする光透過性部材の製造方法。
【請求項９】
前記複数の変質部を有しない光透過性基板にレーザー光を照射することにより、前記複数の変質部を形成する工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項８に記載の光透過性部材の製造方法。
【請求項１０】
光学素子と、１つの面が前記光学素子に向くように配置された光透過性部材とを有する光学装置の製造方法であって、
前記光学素子が形成された半導体基板と光透過性基板とを結合してなる基板における前記光透過性基板の内部に、前記光透過性基板における他の部分とは性質が異なる複数の変質部を形成する工程と、
前記複数の変質部が前記光透過性部材の側面となるべき部分に現れないように前記半導体基板および前記光透過性基板をダイシングして前記光学装置を得る工程と、
を含むことを特徴とする光学装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光学装置およびその製造方法ならびに光透過性部材の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、光学装置およびその製造方法ならびに光透過性部材の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、光透過性部材におけるクラックの進行を抑制するために有利な技術を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の１つの側面は、第１主面、第２主面および側面を有する光透過性部材と、光学素子とを備え、前記第２主面が前記光学素子に向くように前記光透過性部材と前記光学素子とが配置された光学装置であって、前記光透過性部材は、前記第１主面、前記第２主面および前記側面には現れないように前記第１主面と前記第２主面との間に形成された複数の変質部を有し、前記複数の変質部は、前記光透過性部材の中央部分とは性質が異なる部分であり、前記中央部分を取り囲むように配列されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、光透過性部材におけるクラックの進行を抑制するために有利な技術が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月25日(2014.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を含む固体撮像装置であって、
前記複数の画素は、第１種類の画素および第２種類の画素を含み、
前記第１種類の画素は、第１カラーフィルタと、第１反射領域を有する第１部材と、前記第１カラーフィルタと前記第１部材との間に位置し半導体層に配された第１光電変換部と、を含み、前記第１カラーフィルタを透過して前記第１光電変換部に入射し前記第１光電変換部を透過した光を前記第１反射領域で前記第１光電変換部に向けて反射するように構成されており、
前記第２種類の画素は、第２カラーフィルタと、第２反射領域を有する第２部材と、前記第２カラーフィルタと前記第２部材との間に位置し前記半導体層に配された第２光電変換部と、を含み、前記第２カラーフィルタを透過して前記第２光電変換部に入射し前記第２光電変換部を透過した光を前記第２反射領域で前記第２光電変換部に向けて反射するように構成されており、
前記半導体層と前記第１部材との間および前記半導体層と前記第２部材との間には絶縁膜が設けられており、赤色、緑色および青色の波長域の光に対して前記第１カラーフィルタの透過率が最大となる波長は、赤色、緑色および青色の波長域の光に対して前記第２カラーフィルタの透過率が最大となる波長より短く、前記第１反射領域の面積は、前記第２反射領域の面積より小さい、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１種類の画素は、前記第１光電変換部の信号を読み出すためのトランジスタを更に含み、
前記第２種類の画素は、前記第２光電変換部の信号を読み出すためのトランジスタを更に含み、
前記第１種類の画素の前記トランジスタのゲート電極および前記第２種類の画素の前記トランジスタのゲート電極が、前記絶縁膜と前記半導体層との間に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第１部材および前記第２部材は、同一の配線層に含まれる、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記半導体層は、前記第１カラーフィルタおよび前記第２カラーフィルタと、複数の配線層を含む配線構造との間に配置され、前記第１部材および前記第２部材の少なくとも一方は、前記複数の配線層のうち前記半導体層に最も近い配線層に含まれる、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記半導体層は、前記第１カラーフィルタおよび前記第２カラーフィルタと、複数の配線層を含む配線構造との間に配置され、前記第１反射領域および前記第２反射領域の少なくとも一方は、前記複数の配線層のうちの２以上の配線層に設けられている、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１部材および前記第２部材の少なくとも一方は、固定された電位が与えられるか、フローティング状態に維持される、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記複数の画素は、第３種類の画素を更に含み、
前記第３種類の画素は、第３カラーフィルタと、第３反射領域を有する第３部材と、前記半導体層に配された第３光電変換部と、を含み、前記第３カラーフィルタを透過して前記第３光電変換部に入射し前記第３光電変換部を透過した光を前記第３部材が前記第３反射領域で前記第３光電変換部に向けて反射するように構成されており、
赤色、緑色および青色の波長域の光に対して前記第１カラーフィルタの透過率が最大となる前記波長は、赤色、緑色および青色の波長域の光に対して前記第３カラーフィルタの透過率が最大となる波長より短く、前記第１反射領域の面積は、前記第３反射領域の面積より小さい、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第１部材および前記第２部材は、アルミニウム、銅、金、タングステン、チタンおよびタンタルのいずれか１つを主成分として構成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記半導体層は、２μｍ以上の厚さを有するシリコン基板であって、
前記第１カラーフィルタの透過率が最大となる前記波長は青色の波長域に含まれ、前記第２カラーフィルタの透過率が最大となる前記波長は緑色の波長域に含まれる、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
カラーフィルタ層と、配線層と、前記カラーフィルタ層と前記配線層の間に配された半導体層と、を含む固体撮像装置であって、
前記カラーフィルタ層は、青色の波長域の光を透過する第１カラーフィルタと、前記第１カラーフィルタよりも赤色の波長域の光を多く透過する第２カラーフィルタと、を含み、
前記配線層を前記半導体層に投影したときに、前記半導体層の前記第１カラーフィルタに対応する領域において前記配線層が投影された部分の面積は、前記半導体層の前記第２カラーフィルタに対応する領域において前記配線層が投影された部分の面積より小さい
ことを特徴とする固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の１つの側面は、複数の画素を含む固体撮像装置を対象とし、前記複数の画素は、第１種類の画素および第２種類の画素を含み、前記第１種類の画素は、第１カラーフィルタと、第１反射領域を有する第１部材と、前記第１カラーフィルタと前記第１部材との間に位置し半導体層に配された第１光電変換部と、を含み、前記第１カラーフィルタを透過して前記第１光電変換部に入射し前記第１光電変換部を透過した光を前記第１反射領域で前記第１光電変換部に向けて反射するように構成されており、前記第２種類の画素は、第２カラーフィルタと、第２反射領域を有する第２部材と、前記第２カラーフィルタと前記第２部材との間に位置し前記半導体層に配された第２光電変換部と、を含み、前記第２カラーフィルタを透過して前記第２光電変換部に入射し前記第２光電変換部を透過した光を前記第２反射領域で前記第２光電変換部に向けて反射するように構成されており、前記半導体層と前記第１部材との間および前記半導体層と前記第２部材との間には絶縁膜が設けられており、赤色、緑色および青色の波長域の光に対して前記第１カラーフィルタの透過率が最大となる波長は、赤色、緑色および青色の波長域の光に対して前記第２カラーフィルタの透過率が最大となる波長より短く、前記第１反射領域の面積は、前記第２反射領域の面積より小さい、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月18日(2013.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層の側面と接する領域を有する、第１絶縁層と、
前記半導体層と重なる領域を有する、ゲート電極と、
前記半導体層と、前記ゲート電極との間の、第２絶縁層と、
前記半導体層及び前記ゲート電極上の、第３絶縁層と、
前記半導体層と電気的に接続されたソース電極と、
前記半導体層と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記ゲート電極は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
前記第１の領域は、前記チャネル形成領域と重なる領域であり、
前記第２の領域は、前記半導体層から延在した領域であり、
前記延在している方向は、チャネル幅方向と平行な方向であり、
少なくとも前記第２の領域において、前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層と重なり、
前記半導体層は、第３の領域と、第４の領域とを有し、
前記第３の領域は、前記半導体層に前記ソース電極が接している領域であり、
前記第４の領域は、前記半導体層に前記ドレイン電極が接している領域であり、
前記第３の領域の半導体層の膜厚は、前記チャネル形成領域の半導体層より厚く、
前記第４の領域の半導体層の膜厚は、前記チャネル形成領域の半導体層より厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
チャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層の側面と接する領域を有する、第１絶縁層と、
前記半導体層と重なる領域を有する、ゲート電極と、
前記半導体層と、前記ゲート電極との間の、第２絶縁層と、
前記半導体層及び前記ゲート電極上の、第３絶縁層と、
前記半導体層と電気的に接続されたソース電極と、
前記半導体層と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記ゲート電極は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
前記第１の領域は、前記チャネル形成領域と重なる領域であり、
前記第２の領域は、前記半導体層から延在した領域であり、
前記延在している方向は、チャネル幅方向と平行な方向であり、
少なくとも前記第２の領域において、前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層と重なり、
前記半導体層は、第３の領域と、第４の領域と、第５の領域と、第６の領域とを有し、
前記第３の領域は、前記半導体層に前記ソース電極が接している領域であり、
前記第４の領域は、前記半導体層に前記ドレイン電極が接している領域であり、
前記第５の領域は、前記第３の領域の外側にあり、
前記第６の領域は、前記第４の領域の外側にあり、
前記第３の領域の半導体層の膜厚は、前記チャネル形成領域の半導体層より厚く、
前記第４の領域の半導体層の膜厚は、前記チャネル形成領域の半導体層より厚く、
前記第５の領域の半導体層の膜厚は、前記第３の領域の半導体層より薄く、
前記第６の領域の半導体層の膜厚は、前記第４の領域の半導体層より薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
チャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層の側面と接する領域を有する、第１絶縁層と、
前記半導体層と重なる領域を有する、ゲート電極と、
前記半導体層と、前記ゲート電極との間の、第２絶縁層と、
前記半導体層及び前記ゲート電極上の、第３絶縁層と、
前記半導体層と電気的に接続されたソース電極と、
前記半導体層と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記ゲート電極は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
前記第１の領域は、前記チャネル形成領域と重なる領域であり、
前記第２の領域は、前記半導体層から延在した領域であり、
前記延在している方向は、チャネル幅方向と平行な方向であり、
少なくとも前記第２の領域において、前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層と重なり、
前記半導体層は、第３の領域と、第４の領域と、第５の領域と、第６の領域とを有し、
前記第３の領域は、前記半導体層に前記ソース電極が接している領域であり、
前記第４の領域は、前記半導体層に前記ドレイン電極が接している領域であり、
前記第５の領域は、前記第３の領域の外側にあり、
前記第６の領域は、前記第４の領域の外側にあり、
前記第３の領域の半導体層の膜厚は、前記チャネル形成領域の半導体層より厚く、
前記第４の領域の半導体層の膜厚は、前記チャネル形成領域の半導体層より厚く、
前記第５の領域の半導体層の膜厚は、前記第３の領域の半導体層より薄く、
前記第６の領域の半導体層の膜厚は、前記第４の領域の半導体層より薄く、
前記チャネル形成領域と、前記第３の領域と、前記第４の領域と、前記第５の領域と、前記第６の領域とは、同一のエッチング工程を経て形成されたものであり、
前記第２の絶縁層は、前記第５の領域の半導体層の膜厚と等しい領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第６の領域の半導体層の膜厚と等しい領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月5日(2014.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御信号を送信するための制御領域、およびデータ信号を送信するためのデータ領域から構成される単位フレームを生成する信号生成部を備え、
前記信号生成部は、連続する複数の単位フレームのうちの一部の単位フレームを構成する前記データ領域中に、拡張制御領域を設ける、基地局。
【請求項２】
前記一部の単位フレームは、周期的パターンを有する、請求項１に記載の基地局。
【請求項３】
前記拡張制御領域は、前記拡張制御領域が設けられる単位フレーム間の通信リソースの割当て情報を含む、請求項２に記載の基地局。
【請求項４】
１つの単位フレームには、異なる箇所に複数の拡張制御領域が設けられ、
前記複数の拡張制御領域の各々に含まれる前記割当て情報は、前記単位フレーム間の異なる範囲の通信リソースの割り当てを示す、請求項３に記載の基地局。
【請求項５】
通信装置に対する前記周期的パターンを複数のパターンから選択する周期制御部をさらに備える、請求項２〜４のいずれか一項に記載の基地局。
【請求項６】
前記周期制御部により選択された前記周期的パターンは、前記基地局から前記通信装置へシグナリングされる、請求項５に記載の基地局。
【請求項７】
前記周期制御部は、前記通信装置に対する前記周期的パターンを、他の周期的パターンに変更する、請求項５または６に記載の基地局。
【請求項８】
前記周期制御部は、同一の周期的パターンに属する通信装置の数が上限を上回る場合、前記通信装置に対する周期的パターンを、他の周期的パターンに変更する、請求項７に記載の基地局。
【請求項９】
前記周期制御部は、前記通信装置からの要求に応じて前記通信装置に対する周期的パターンを変更する、請求項７に記載の基地局。
【請求項１０】
所定数の単位フレームから１の無線フレームが構成され、
連続する無線フレームの各々には所定周期で同一のシステムフレーム番号が付され、
前記周期的パターンの周期は、前記所定周期よりも長い、請求項２〜９のいずれか一項に記載の基地局。
【請求項１１】
前記基地局は、
前記システムフレーム番号をカウントするカウント部と
前記所定周期の経過をカウントする拡張カウント部と、
を備え、
前記所定周期よりも長い前記周期的パターンの周期は、前記カウント部によりカウントされるビット、および前記拡張カウント部によりカウントされる拡張ビットを用いて前記通信装置にシグナリングされる、請求項１０に記載の基地局。
【請求項１２】
前記信号生成部は、前記カウント部によるカウント結果を示すビット、および前記拡張カウント部によるカウント結果を示す拡張ビットを含むブロードキャスト制御信号を生成する、請求項１１に記載の基地局。
【請求項１３】
前記信号生成部は、前記周期的パターンに従う規定無線フレーム中の規定単位フレームに加え、前記規定無線フレームと同一のシステムフレーム番号を有する前記規定無線フレームの直前または直後の少なくともいずれかの無線フレーム中の、前記規定単位フレームと同一の単位フレーム番号を有する単位フレームを構成するデータ領域にも、前記拡張制御領域を設ける、請求項１１に記載の基地局。
【請求項１４】
制御信号を送信するための制御領域、およびデータ信号を送信するためのデータ領域から構成される単位フレームを生成する際に、連続する複数の単位フレームのうちの一部の単位フレームを構成する前記データ領域中に、拡張制御領域を設ける、通信方法。
【請求項１５】
制御信号を送信するための制御領域、およびデータ信号を送信するためのデータ領域から構成される単位フレームを生成する信号生成部を有し、
前記信号生成部は、連続する複数の単位フレームのうちの一部の単位フレームを構成する前記データ領域中に、拡張制御領域を設ける、基地局と；
前記基地局から受信される前記一部の単位フレームに設けられた前記拡張制御領域から制御信号を検出する通信装置と；
を備える、通信システム。
【請求項１６】
データ信号を送信するためのデータ領域に制御信号を送信するための拡張制御領域が設けられた単位フレームを一部に含む複数の単位フレームを基地局から受信する受信部と；
前記複数の単位フレームの一部である前記単位フレームに設けられた前記拡張制御領域から制御信号を検出する信号検出部と；
を備える、通信装置。
【請求項１７】
データ信号を送信するためのデータ領域に制御信号を送信するための拡張制御領域が設けられた単位フレームを一部に含む複数の単位フレームを基地局から受信することと；
前記複数の単位フレームの一部である前記単位フレームに設けられた前記拡張制御領域から制御信号を検出することと；
を含む、通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月5日(2014.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタルの音声信号をＯＦＤＭ変調方式により送信するワイヤレスマイク用ＯＦＤＭ送信装置であって、
デジタルの音声信号をブロック単位で入力し、ブロックごとに内符号化して内符号を生成する内符号符号化部と、
前記内符号をＯＦＤＭ変調方式により変調してＯＦＤＭ信号を生成するＯＦＤＭ変調部と、
前記内符号符号化部に入力されるブロック単位のデータのビット数をＮｏ、前記内符号の符号化率をＲｉ、前記ＯＦＤＭ信号の変調多値数をＭ、前記ＯＦＤＭ信号のデータキャリア数をＮｄとしたとき、ＯＦＤＭ信号のシンボル長が音声信号のサンプリング間隔の整数倍となるように、前記Ｎｏ，前記Ｒｉ，前記Ｍ，及び前記Ｎｄを設定する送信パラメータ設定部と、
を備えることを特徴とするワイヤレスマイク用ＯＦＤＭ送信装置。
【請求項２】
前記送信パラメータ設定部は、Ｎｏ＝Ｒｉ×Ｍ×Ｎｄとなるように、前記Ｎｏ，前記Ｒｉ，前記Ｍ，及び前記Ｎｄを設定することを特徴とする、請求項１に記載のワイヤレスマイク用ＯＦＤＭ送信装置。
【請求項３】
前記送信パラメータ設定部は、ＯＦＤＭ信号の有効シンボル長が６６．６μｓ以上、且つ、２３０μｓ以下となるように、前記Ｎｏ，前記Ｒｉ，前記Ｍ，及び前記Ｎｄを設定することを特徴とする、請求項１又は２に記載のワイヤレスマイク用ＯＦＤＭ送信装置。
【請求項４】
デジタルの音声信号をブロック符号化して外符号を生成する外符号符号化部を更に備え、
前記内符号符号化部は、前記外符号符号化部により生成された外符号を内符号化して内符号を生成し、前記送信パラメータ設定部は、前記外符号の符号長のビット数をＮｏとすることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載のワイヤレスマイク用ＯＦＤＭ送信装置。
【請求項５】
前記送信パラメータ設定部は、前記外符号の符号化率をＲｏとしたとき、パラメータの設定モードによらず、Ｒｏ×Ｒｉ×Ｍ×Ｎｄの値が一定となるように、前記Ｒｏ，前記Ｒｉ，前記Ｍ，及び前記Ｎｄを設定することを特徴とする、請求項４に記載のワイヤレスマイク用ＯＦＤＭ送信装置。
【請求項６】
前記送信パラメータ設定部は、前記Ｒｏが一定、且つ、前記Ｎｏが一定となるように、前記Ｒｏ及び前記Ｎｏを設定することを特徴とする、請求項５に記載のワイヤレスマイク用ＯＦＤＭ送信装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載のワイヤレスマイク用ＯＦＤＭ送信装置により送信されるＯＦＤＭ信号を受信し、デジタルの音声信号を生成することを特徴とするワイヤレスマイク用ＯＦＤＭ受信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明に係るワイヤレスマイク用ＯＦＤＭ送信装置は、デジタルの音声信号をＯＦＤＭ変調方式により送信するワイヤレスマイク用ＯＦＤＭ送信装置であって、デジタルの音声信号をブロック単位で入力し、ブロックごとに内符号化して内符号を生成する内符号符号化部と、前記内符号をＯＦＤＭ変調方式により変調してＯＦＤＭ信号を生成するＯＦＤＭ変調部と、前記内符号符号化部に入力されるブロック単位のデータのビット数をＮｏ、前記内符号の符号化率をＲｉ、前記ＯＦＤＭ信号の変調多値数をＭ、前記ＯＦＤＭ信号のデータキャリア数をＮｄとしたとき、ＯＦＤＭ信号のシンボル長が音声信号のサンプリング間隔の整数倍となるように、前記Ｎｏ，前記Ｒｉ，前記Ｍ，及び前記Ｎｄを設定する送信パラメータ設定部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明に係るワイヤレスマイク用ＯＦＤＭ送信装置において、前記送信パラメータ設定部は、Ｎｏ＝Ｒｉ×Ｍ×Ｎｄとなるように、前記Ｎｏ，前記Ｒｉ，前記Ｍ，及び前記Ｎｄを設定することを特徴とする。また、前記送信パラメータ設定部は、ＯＦＤＭ信号の有効シンボル長が６６．６μｓ以上、且つ、２３０μｓ以下となるように、前記Ｎｏ，前記Ｒｉ，前記Ｍ，及び前記Ｎｄを設定することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月6日(2014.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物超電導層が備えられたテープ状の酸化物超電導線材を絶縁部材とともに巻回してなる要素コイルが、複数、各要素コイルをそれらの中心軸方向に冷却板を介して重ねて構成されたコイル積層体を備えた酸化物超電導コイルであって、
前記要素コイルの端面に酸化物超電導線材の端縁と絶縁部材の端縁により凹凸部が形成され、前記重ねられた要素コイルの端面の間に絶縁材が介在され、前記絶縁材に対し前記要素コイルの端面が前記凹凸部を介し当接されるとともに、
前記凹凸部の面内最大高低差Ｒｍａｘが前記絶縁材の厚さの５０％以下とされたことを特徴とする酸化物超電導コイル。
【請求項２】
前記要素コイルがテープ状の酸化物超電導線材を絶縁部材とともに巻回してなるパンケーキコイルを２段重ねたダブルパンケーキコイルから構成され、該ダブルパンケーキコイルを構成する上段側のパンケーキコイルの端面と下段側のパンケーキコイルの端面との間に絶縁材が介在され、上段側のパンケーキコイルの端面の凹凸部と下段側のパンケーキコイルの端面の凹凸部が絶縁材に当接されたことを特徴とする請求項１に記載の酸化物超電導コイル。
【請求項３】
前記要素コイルの端面と前記冷却板との間に介在される絶縁材が含浸硬化型の樹脂からなることを特徴とする請求項１または２に記載の酸化物超電導コイル。
【請求項４】
酸化物超電導層が備えられたテープ状の酸化物超電導線材を絶縁部材とともに巻回してなる要素コイルが、複数、各要素コイルをそれらの中心軸方向に冷却板を介して重ねて構成されたコイル積層体を備え、前記要素コイルの端面に酸化物超電導線材の端縁と絶縁部材の端縁により凹凸部が形成され、前記重ねられた要素コイルの端面の間に絶縁材が介在され、前記絶縁材に対し前記要素コイルの端面が前記凹凸部を介し当接された酸化物超電導コイルの製造方法であって、
前記要素コイルの端面の凹凸部の面内最大高低差Ｒｍａｘを前記絶縁材の厚さの５０％以下になるように管理して要素コイルを構成することを特徴とする酸化物超電導コイルの製造方法。
【請求項５】
真空容器と、該真空容器の内部に設けられた請求項１〜３のいずれか一項に記載の酸化物超電導コイルと、前記真空容器に設けられて前記超電導コイルの冷却板を冷却する冷凍機とを具備した超電導機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の酸化物超電導コイルは、酸化物超電導層が備えられたテープ状の酸化物超電導線材を絶縁部材とともに巻回してなる要素コイルが、複数、各要素コイルをそれらの中心軸方向に冷却板を介して重ねて構成されたコイル積層体を備えた酸化物超電導コイルであって、前記要素コイルの端面に酸化物超電導線材の端縁と絶縁部材の端縁により凹凸部が形成され、前記重ねられた要素コイルの端面の間に絶縁材が介在され、前記絶縁材に対し前記要素コイルの端面が前記凹凸部を介し当接されるとともに、前記凹凸部の面内最大高低差Ｒｍａｘが前記絶縁材の厚さの５０％以下とされたことを特徴とする。
絶縁材の厚さの５０％以下の面内最大高低差Ｒｍａｘとした凹凸部を端面に有した要素コイルが絶縁材に当接されているので、絶縁材を介し酸化物超電導線材の端縁を効率良く冷却できる結果、効率良く伝導冷却できる酸化物超電導コイルを提供できる。これは、凹凸部の面内最大高低差Ｒｍａｘを絶縁材厚さの５０％以下とするならば、絶縁材に対し凹凸部を高い割合で埋め込みできて凹凸部と絶縁材の接触面積を高くすることができ、要素コイルの端面と絶縁材の間の空隙を少なくして伝熱効率を良好にできることによる。
凹凸部の面内最大高低差Ｒｍａｘが絶縁材厚さの５０％を超えるようであると、凹凸部が絶縁材に当接している状態において、凹凸部が絶縁材に一部埋め込まれたとしても絶縁材と凹凸部との間に介在する空間部が増えるので、伝熱効率が悪くなり、冷却に時間のかかる酸化物超電導コイルとなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の製造方法は、酸化物超電導層が備えられたテープ状の酸化物超電導線材を絶縁部材とともに巻回してなる要素コイルが、複数、各要素コイルをそれらの中心軸方向に冷却板を介して重ねて構成されたコイル積層体を備え、前記要素コイルの端面に酸化物超電導線材の端縁と絶縁部材の端縁により凹凸部が形成され、前記重ねられた要素コイルの端面の間に絶縁材が介在され、前記絶縁材に対し前記要素コイルの端面が前記凹凸部を介し当接された酸化物超電導コイルの製造方法であって、前記要素コイルの端面の凹凸部の面内最大高低差Ｒｍａｘを前記絶縁材の厚さの５０％以下になるように管理して要素コイルを構成することを特徴とする。
絶縁材の厚さの５０％以下の面内最大高低差Ｒｍａｘとした凹凸部を端面に有した要素コイルを絶縁材に当接しているので、絶縁材を介し酸化物超電導線材の端縁を効率良く冷却できる結果、効率良く伝導冷却できる新規な構造の酸化物超電導コイルを提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月31日(2014.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに接着により固定される第１部材と第２部材とを備える回転機器の製造方法であって、
第１部材および第２部材を形成する工程と、
第１部材と第２部材とに、温度が高いほど速く硬化する接着剤を介在させる工程と、
第１部材または第２部材もしくはその両方に回転機器の一部ではない加熱用部材を接触させることにより、接着剤の温度を雰囲気温度よりも高くする工程と、
互いに接着された第１部材および第２部材を使用して回転機器を組み立てる工程と、を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
接着剤の温度を雰囲気温度よりも高くした後、第１部材または第２部材もしくはその両方に回転機器の一部ではない冷却用部材を接触させることにより、接着剤の温度を下げる工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
接着剤の温度を雰囲気温度よりも高くする工程において、接着剤の温度は摂氏１００度から摂氏１７０度の範囲の温度に到達することを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
接着剤の温度を雰囲気温度よりも高くする工程において、第１部材または第２部材もしくはその両方と加熱用部材とが接触する期間の長さは２３秒から２８０秒の範囲とされることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
回転機器は記録ディスクが載置されるべきハブとハブを軸受ユニットを介して回転自在に支持するベースとを有し、軸受ユニットは回転軸を中心とする凹部を有するハウジングとその凹部に挿入され接着固定されるスリーブとを含み、第１部材はハウジングであり第２部材はスリーブであることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
接着剤を介在させる工程は、
ハウジングまたはスリーブのいずれか一方を治具に載置する工程と、
ハウジングの凹部の内周面またはその内周面に対向すべきスリーブの外周面もしくはその両方に接着剤を塗布する工程と、
ハウジングの凹部にスリーブを挿入する工程と、を含み、
接着剤の温度を雰囲気温度よりも高くする工程は、
ハウジングの凹部にスリーブが挿入されてなるアセンブリを治具に載置したままの状態でそのアセンブリに加熱用部材を接触させる工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月21日(2014.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内蔵電池と、
データを保持可能なデータ保持機器が有するジャックに接続可能であり、充電アダプタが有するジャックに接続可能なプラグと、
前記プラグが前記データ保持機器の前記ジャックに接続された状態で、前記データ保持機器から前記データを取得することが可能であり、前記内蔵電池から供給されるパワーにより駆動する駆動部と、
前記プラグと前記駆動部との間に接続された前記データを伝送するデータラインを有し、電源機器に接続された前記充電アダプタが有する検出スイッチにより、前記充電アダプタの前記ジャックへの前記プラグの接続が検出された場合、前記データラインを利用して、前記充電アダプタからの電荷を前記内蔵電池に供給する回路と
を具備する被充電機器。
【請求項２】
請求項１に記載の被充電機器であって、
前記プラグは、共通電極を含む３極プラグである
被充電機器。
【請求項３】
請求項１または２に記載の被充電機器であって、
前記駆動部は、スピーカーと、前記スピーカーに接続されたノイズキャンセル回路とを有する
被充電機器。
【請求項４】
請求項１から３のうちいずれか１項に記載の被充電機器であって、
前記充電アダプタの前記検出スイッチによるスイッチングを機械的に行う部位を有し、前記プラグを保持するプラグハウジングをさらに具備する被充電機器。
【請求項５】
請求項１から４のうちいずれか１項に記載の被充電機器であって、
前記回路は、前記データライン上に設けられたコンデンサと、前記データラインから分岐して前記内蔵電池に接続された電荷の供給ラインと、前記供給ライン上に設けられたダイオードとを有する
被充電機器。
【請求項６】
内蔵電池と、プラグと、前記プラグに接続されたデータ保持機器が保持するデータを伝送するデータラインとを有する被充電機器と、電源機器とに接続可能であり、前記被充電機器を充電する充電アダプタであって、
前記電源機器に接続可能な端子と、
前記被充電機器の前記プラグに接続可能なジャックと、
前記被充電機器の前記プラグが前記ジャックに接続されたことを検出する検出スイッチと、
前記端子、前記ジャック及び前記検出スイッチに接続され、前記端子が前記電源機器に接続され、前記検出スイッチにより前記プラグの前記ジャックへの接続が検出された場合、前記被充電機器の前記データラインを利用して前記内蔵電池を充電する充電回路と
を具備する充電アダプタ。
【請求項７】
請求項６に記載の充電アダプタであって、
前記充電回路は、前記端子と前記ジャックとの間に接続された充電ラインと、前記充電ラインの電圧の正常及び異常を検出する検出部とを有する
充電アダプタ。
【請求項８】
請求項６または７に記載の充電アダプタであって、
前記検出スイッチは、前記被充電機器が有する、前記プラグを支持するプラグハウジングにより、機械的にスイッチが行われるための部位を有する
充電アダプタ。
【請求項９】
電源機器に接続可能な充電アダプタと、前記充電アダプタに接続可能であり、データを保持可能なデータ保持機器に接続可能な被充電機器とを備え、
前記被充電機器は、
内蔵電池と、
前記データ保持機器が有するジャックに接続可能であり、前記充電アダプタが有するジャックに接続可能なプラグと、
前記プラグが前記データ保持機器の前記ジャックに接続された状態で、前記データ保持機器から前記データを取得することが可能であり、前記内蔵電池から供給されるパワーにより駆動する駆動部と、
前記プラグと前記駆動部との間に接続された前記データを伝送するデータラインを有し、前記内蔵電池に接続された回路と、を有し、
前記充電アダプタは、
前記電源機器に接続可能な端子と、
前記ジャックと、
前記被充電機器の前記プラグが、前記充電アダプタの前記ジャックに接続されたことを検出する検出スイッチと、
前記端子、前記ジャック及び前記検出スイッチに接続され、前記端子が前記電源機器に接続され、前記検出スイッチにより前記プラグの前記ジャックへの接続が検出された場合、前記被充電機器の前記データラインを利用して前記内蔵電池を充電する充電回路と、を有する
電子機器セット。
【請求項１０】
内蔵電池と、
データを保持可能なデータ保持機器からの前記データを伝送するデータラインと、
前記データラインに接続され前記データラインを介して前記データ保持機器から前記データを取得することが可能であり、前記内蔵電池から供給されるパワーにより駆動する駆動部とを有する被充電機器の、プラグユニットであって、
前記データ保持機器が有するジャックに接続可能であり、充電アダプタが有するジャックに接続可能であり、前記データラインに接続されたプラグと、
電源機器に接続された前記充電アダプタが有する、前記プラグの前記ジャックへの接続を検出する検出スイッチによるスイッチングを機械的に行う部位を有し、前記プラグを支持するプラグハウジングと
を具備するプラグユニット。
【請求項１１】
外部電池が装着される装着部と、
データを保持可能なデータ保持機器が有するジャックに接続可能であり、充電アダプタが有するジャックに接続可能なプラグと、
前記プラグが前記データ保持機器の前記ジャックに接続された状態で、前記データ保持機器から前記データを取得することが可能であり、前記外部電池から供給されるパワーにより駆動する駆動部と、
前記プラグと前記駆動部との間に接続された前記データを伝送するデータラインを有し、電源機器に接続された前記充電アダプタが有する検出スイッチにより、前記充電アダプタの前記ジャックへの前記プラグの接続が検出された場合、前記データラインを利用して、前記充電アダプタからの電荷を前記外部電池に供給する回路と
を具備する被充電機器。
【請求項１２】
外部電池が装着される装着部と、プラグと、前記プラグに接続されたデータ保持機器が保持するデータを伝送するデータラインとを有する被充電機器と、電源機器とに接続可能であり、前記被充電機器を充電する充電アダプタであって、
前記電源機器に接続可能な端子と、
前記被充電機器の前記プラグに接続可能なジャックと、
前記被充電機器の前記プラグが前記ジャックに接続されたことを検出する検出スイッチと、
前記端子、前記ジャック及び前記検出スイッチに接続され、前記端子が前記電源機器に接続され、前記検出スイッチにより前記プラグの前記ジャックへの接続が検出された場合、前記被充電機器の前記データラインを利用して前記外部電池を充電する充電回路と
を具備する充電アダプタ。