(57)【要約】【課題】レジスト層が設けられた基板の一方面を上向きにした状態で基板を回転させながら、レジスト層表面に純水を供給するプリウエット工程を行った場合でも、基板の帯電を抑制することのできる基板の処理方法を提供すること。【解決手段】プリウエット工程では、現像工程の前に、レジスト層１１０が設けられた一方面を上向きにした状態で基板１００を回転させながらレジスト層１１０表面と純水Ｗとを接触させる。かかるプリウエット工程では、レジスト層１１０表面への純水Ｗの供給を開始した後、基板１００を３００ｒｐｍから７００ｒｐｍの回転数で回転させる第１工程と、基板１００を１０００ｒｐｍから２０００ｒｐｍの回転数で回転させてレジスト層１１０表面の純水を振り切る第２工程とを行う。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光済みのレジスト層が設けられた基板の一方面を上向きにした状態で当該基板を回転させながら前記レジスト層表面と純水とを接触させるプリウエット工程と、
該プリウエット工程の後、前記レジスト層と現像液とを接触させる現像工程と、
を有する基板の処理方法であって、
前記プリウエット工程では、
前記レジスト層表面への純水の供給を開始した後、前記基板を３００ｒｐｍから７００ｒｐｍの回転数で回転させる第１工程と、
該第１工程の後、前記基板を１０００ｒｐｍから２０００ｒｐｍの回転数で回転させて前記レジスト層表面の純水を振り切る第２工程と、
を行うことを特徴とする基板の処理方法。
【請求項２】
前記第１工程では、前記純水の供給を開始する際、前記基板を停止させておくことを特徴とする請求項１に記載の基板の処理方法。
【請求項３】
前記第２工程では、前記レジスト層表面が乾燥する前に前記基板の回転を停止することを特徴とする請求項１または２に記載の基板の処理方法。
【請求項４】
前記基板は、石英基板またはガラス基板であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の基板の処理方法。
【請求項５】
前記基板は、電気光学物質層を保持して電気光学装置を構成する電気光学装置用基板であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の基板の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上のレジストを現像する際の基板の処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置の製造工程では、フォトリソグラフィ工程を利用してレジストマスクを形成し、かかるレジストマスクを利用してパターニングを行い、スイッチング素子や画素電極が形成される。より具体的には、レジスト層を露光した後、露光済みのレジスト層が設けられた基板の一方面を上向きにした状態で基板を回転させながらレジスト層の表面に現像液を供給して現像を行い、レジストマスクを形成する。かかる現像の際、レジスト層と現像液との濡れ状態が悪いと、レジスト層を精度よく現像することが困難である。そこで、レジスト層の表面に現像液を供給する前に、基板を回転させながらレジスト層の表面と純水とを接触させるプリウエット工程を行い、レジスト層の表面の現像液との濡れ性を向上させることがある。
【０００３】
なお、レジスト層の表面に現像液を霧状に供給した際、レジスト層が局部的に溶解することを防止することを目的に、２００ｒｐｍ程度の回転数で回転させた基板に対して純水を供給してレジスト層と純水とを接触させた後、レジスト層に現像液を供給する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の技術のように、基板を２００ｒｐｍ程度の回転数で回転させただけでは、基板の表面全体に純水を行き渡らせるのは困難である。
【０００５】
一方、上記のプリウエット工程に関する技術ではないが、基板を５００ｒｐｍ程度の回転数で回転させた状態で薬液や純水を基板上に滴下する技術が提案されており、かかる回転数によれば、純水を基板の表面全体に純水を行き渡らせることができる（特許文献２参照）。なお、特許文献２では、基板にイソプロピルアルコールを滴下した後、基板を４０００ｒｐｍ程度の回転数で回転させて基板を乾燥させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭５７−１３６６４６号公報
【特許文献２】特開２００６−１４０２８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献２に記載の条件を純水によるプリウエット工程に適用すると、比抵抗が著しく高い純水が、５００ｒｐｍ程度の回転数で回転するレジスト層に激しく衝突することになるため、レジスト層と水との摩擦帯電によって基板が帯電し、基板上に形成した配線やスイッチング素子が破壊されるという問題点がある。
【０００８】
また、特許文献２に記載の乾燥条件を純水によるプリウエット工程に適用して水切りを行うと、レジスト層表面が乾燥してしまい、プリウエット工程の効果が低下するとともに、レジスト層から水滴が剥離する際の剥離帯電により基板が帯電し、基板上に形成した配線やスイッチング素子が破壊されるという問題点がある。
【０００９】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、レジスト層が設けられた基板の一方面を上向きにした状態で基板を回転させながら、レジスト層表面に純水を供給するプリウエット工程を行った場合でも、基板の帯電を抑制することのできる基板の処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明は、露光済みのレジスト層が設けられた基板の一方面を上向きにした状態で当該基板を回転させながら前記レジスト層表面と純水とを接触させるプリウエット工程と、該プリウエット工程の後、前記レジスト層と現像液とを接触させる現像工程と、を有する基板の処理方法であって、前記プリウエット工程では、前記レジスト層表面への純水の供給を開始した後、前記基板を３００ｒｐｍから７００ｒｐｍの回転数で回転させる第１工程と、該第１工程の後、前記基板を１０００ｒｐｍから２０００ｒｐｍの回転数で回転させて前記レジスト層表面の純水を振り切る第２工程と、を行うことを特徴とする。
【００１１】
本発明では、現像工程を行う前に純水によるプリウエット工程を行うため、レジスト層の表面全体が、親水性の現像液との濡れ性が高まっている。このため、現像工程を精度よく行うことができる。ここで、純水、レジスト層および基板はいずれも絶縁性であるため、プリウエット工程では、基板が帯電しやすい。しかるに本発明では、プリウエット工程の第１工程において、レジスト層表面への純水の供給を開始した後、基板を３００ｒｐｍから７００ｒｐｍの回転数で回転させる。このため、純水の供給を開始する際、基板は停止しているか、３００ｒｐｍ未満の回転数で回転していることになる。それ故、純水の供給を開始した際、純水は、レジスト層に急激に衝突することがないので、たとえ純水の比抵抗が著しく高くても、レジスト層と水との摩擦帯電の発生を抑制することができる。また、基板を３００ｒｐｍから７００ｒｐｍの回転数で回転させるため、純水を基板の表面全体（レジスト層の表面全体）に行き渡らせることができる。それ故、レジスト層の表面全体にプリウエットを均一に行うことができる。また、プリウエット工程の第２工程においては、基板を１０００ｒｐｍから２０００ｒｐｍの回転数で回転させて純水を振り切るため、レジスト層の表面が完全に乾く前に第２工程を終えることができる。また、基板の回転数が１０００ｒｐｍから２０００ｒｐｍであれば、レジスト層から水滴が剥離する際の剥離帯電の発生を抑制することができる。それ故、基板上に形成した配線、スイッチング素子、絶縁膜等が静電破壊されるという事態を回避することができる。
【００１２】
本発明において、前記第１工程では、前記純水の供給を開始する際、前記基板を停止させておくことが好ましい。かかる構成によれば、レジスト層と水との摩擦帯電の発生をより確実に抑制することができる。
【００１３】
本発明において、前記第２工程では、前記レジスト層の表面が乾燥する前に前記基板の回転を停止することが好ましい。かかる構成によれば、レジスト層の表面全体において現像液との濡れ性を高めることができる。
【００１４】
本発明は、前記基板が石英基板またはガラス基板である場合に適用すると効果的である。かかる基板は特に帯電しやすいので、本発明を適用した場合の効果が大である。
【００１５】
本発明において、前記基板は、例えば、電気光学物質層を保持して電気光学装置を構成する電気光学装置用基板である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明を適用した液晶装置（電気光学装置）に用いた液晶パネルの説明図である。
【図２】本発明を適用した液晶装置の製造工程を示す説明図である。
【図３】本発明を適用した液晶装置の製造工程において行うフォトリソグラフィ工程（プリウエット工程および現像工程）を示す説明図である。
【図４】本発明を適用した液晶装置の製造工程においてプリウエット工程を行う際の大型の基板の回転数を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、各種の電気光学装置のうち、液晶装置およびその製造方法に本発明を適用した場合を中心に説明する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００１８】
（電気光学装置の全体構成）
図１は、本発明を適用した液晶装置（電気光学装置）に用いた液晶パネルの説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００１９】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶装置１は、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされた液晶パネル３を有している。素子基板１０および対向基板２０はいずれも、ガラス基板や石英基板からなる。液晶パネル３において、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられており、素子基板１０と対向基板２０との間においてシール材１０７により囲まれた領域内に液晶層５０が保持されている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。
【００２０】
本形態において、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、素子基板１０は、Ｘ方向に延在するとともにＹ方向で互いに対向する２つの端部１０ａ、１０ｂと、Ｙ方向に延在するとともにＸ方向で互いに対向する２つの端部１０ｃ、１０ｄとを備えている。また、対向基板２０は、Ｘ方向に延在するとともにＹ方向で互いに対向する２つの端部２０ａ、２０ｂと、Ｙ方向に延在するとともにＸ方向で互いに対向する２つの端部２０ｃ、２０ｄとを備えている。液晶パネル３の略中央には、画素領域１ａ（画像表示領域）が四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画素領域１ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１ｂが額縁状に設けられている。素子基板１０の一方面側の基板面において、画素領域１ａには、スイッチング素子（図示せず）や画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。また、素子基板１０の一方面側において、周辺領域１ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００２１】
素子基板１０は、対向基板２０の端部２０ａから一方側（Ｙ方向）に張り出した張出領域１０５を備えており、かかる張出領域１０５には、素子基板１０の一方面側の端部１０ａに沿って複数の端子１０２が形成されている。ここで、張出領域１０５は、Ｘ方向に延在する端部が長辺であり、Ｙ方向に延在する端部が短辺である。張出領域１０５では、端子１０２が配列されている領域に対して端部１０ａが位置する側とは反対側にデータ線駆動回路１０１が形成されている。また、素子基板１０には、一方側（Ｙ方向）に対して交差する方向（Ｘ方向）で対向する端部１０ｃ、１０ｄに沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２２】
対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素に跨って形成されている。また、対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画素領域１ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されており、見切りとして機能する。ここで、遮光層１０８の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層１０８とシール材１０７とは重なっていない。なお、対向基板２０において、遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と重なる部分等にも形成されることがある。
【００２３】
このように構成した液晶パネル３において、素子基板１０には、シール材１０７より外側において対向基板２０の角部分と重なる位置に、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。かかる基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。
【００２４】
かかる構成の液晶装置１において、画素電極９ａおよび共通電極２１をＩＴＯ膜等の透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、共通電極２１をＩＴＯ膜等の透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム膜等の反射性電極として構成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置１は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、液晶装置１では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル３に対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１は、投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００２５】
（液晶装置１の製造方法の概要）
図２は、本発明を適用した液晶装置１の製造工程を示す説明図である。本形態の液晶装置１を製造するには、図１および図２に示すように、素子基板１０に対してスイッチング素子や画素電極９ａ等の形成工程Ｓ１を行った後、斜方蒸着法、印刷法、スピンコート等により配向膜１６を形成する配向膜形成工程Ｓ２を行う。配向膜１６がポリイミド膜からなる場合には、配向膜形成工程Ｓ２の後、配向膜１６に対するラビング工程Ｓ３を行う。次に、シール材１０７を塗布するシール印刷工程Ｓ４を行う。かかるシール材１０７の塗布は、ノズルからシール材を突出しながら、ノズルと素子基板１０とを相対移動させて、シール材１０７を矩形枠状に描画する。
【００２６】
一方、対向基板２０に対しては、共通電極２１等の形成工程Ｓ１１を行った後、斜方蒸着法、印刷法、スピンコート等により配向膜２６を形成する配向膜形成工程Ｓ１２を行う。配向膜２６がポリイミド膜からなる場合には、配向膜形成工程Ｓ１２の後、配向膜２６に対するラビング工程Ｓ１３を行う。
【００２７】
次に、シール材１０７によって素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる貼り合わせ工程Ｓ２０を行う。貼り合わせ工程Ｓ２０では、まず、重ね合わせ工程Ｓ２１において、シール材１０７を間に挟んで素子基板１０と対向基板２０とを重ね合わせ、その後に、シール硬化工程Ｓ２２においてシール材１０７を硬化させ、パネルを構成する。かかるシール硬化工程Ｓ２２では、例えば、対向基板２０側からＵＶ光等を照射してシール材１０７を硬化させる。
【００２８】
本形態では、図３を参照して後述するように、上記のシール硬化工程Ｓ２２までを素子基板１０を多数取りできる大型の基板、および対向基板２０を多数取りできる大型の基板の状態で行い、大型の基板同士を貼り合わせて大型パネルを構成する。そして、大型パネルを単品サイズに切断するパネル切断工程Ｓ２３を行い、その後、液晶封入工程Ｓ２４を行う。液晶封入工程Ｓ２４では、減圧雰囲気中でシール材１０７の途切れ部分に液晶を供給した後、減圧状態を解除する。その結果、シール材１０７の内側に液晶が注入される。かかる液晶の注入を終えた後は、シール材１０７の途切れ部分を封止材１０７ａで封止する。
【００２９】
なお、シール印刷工程Ｓ４において、図１に示すシール材１０７を、途切れ部分を設けずに形成した後、シール材１０７で囲まれた領域内に液晶を滴下し、その後、貼り合わせ工程Ｓ２０において、対向基板２０を重ね、シール材１０７で貼り合わせることもある。かかる方法の場合、貼り合わせ工程Ｓ２０と液晶封入工程Ｓ２４が同時に行われるので、液晶封入工程Ｓ２４の後にパネル切断工程Ｓ２３が行われることになる。
【００３０】
（フォトリソグラフィ工程）
図３は、本発明を適用した液晶装置１の製造工程において行うフォトリソグラフィ工程（プリウエット工程および現像工程）を示す説明図である。図４は、本発明を適用した液晶装置１の製造工程においてプリウエット工程を行う際の大型の基板の回転数を示す説明図である。なお、以下の説明では、素子基板１０を多数取りできる大型の基板にフォトリソグラフィ工程を行う場合を中心に説明する。
【００３１】
図１等を参照して説明した素子基板１０を形成するには、図３（ａ）に示す大型の基板１００（電気光学装置用基板）に対してスイッチング素子や画素電極９ａを形成する。本形態において、基板１００は、シリコンウエーハと同様な円盤形状を有するガラス基板や石英基板であり、点線で囲まれた領域が単品サイズの素子基板１０が切り出される領域である。かかる基板１００にスイッチング素子や画素電極９ａを形成するには、基板１００に所定の膜を形成した後、膜の表面にレジストマスクを形成し、この状態で膜をエッチングする工程を繰り返し行う。いずれの膜をパターニングする場合でも、レジストマスクを形成するには、基板１００の一方面側にレジスト層１１０を形成した後、レジスト層１１０を所定のパターンに露光し、その後、プリベークを行う。次に、露光済みのレジスト層１１０を現像液と接触させて現像工程を行う。
【００３２】
本形態では、現像工程の前に、図３（ｂ）〜（ｇ）および図４を参照して説明するプリウエット工程を行い、レジスト層１１０の現像液に対する濡れ性を高める。かかるプリウエット工程を行うにあたっては、まず、図３（ｂ）に示すように、スピンチャック１５１によって、露光済みのレジスト層１１０が設けられた基板１００の一方面を上向きにして基板１００を保持する。次に、図３（ｃ）に示すように、カップ１５２を上昇させて、スピンチャック１５１の周りを囲むようにする。これまでの工程は、図４の期間Ｔ１に相当し、スピンチャック１５１は停止状態にある。
【００３３】
次に、図３（ｄ）、（ｅ）に示す第１工程では、レジスト層１１０表面への純水Ｗの供給を開始した後、基板１００を３００ｒｐｍから７００ｒｐｍの回転数で回転させる。より具体的には、図３（ｄ）に示すように、ノズル１５３からレジスト層１１０への純水Ｗの吐出を開始した後、図３（ｅ）に示すように、基板１００を３００ｒｐｍから７００ｒｐｍの回転数で回転させ、純水Ｗをレジスト層１１０の全面に展開させる。
【００３４】
かかる第１工程において、純水Ｗの供給開始は、図４に示す時刻Ｔ２である。この時点では、基板１００は停止しており、その後の期間Ｔ３において、基板１００は、３００ｒｐｍから７００ｒｐｍの回転数で回転する。本形態において、期間Ｔ３は２秒から４秒程度であり、基板１００の回転数は、例えば５００ｒｐｍである。
【００３５】
次に、図３（ｆ）、（ｇ）に示す第２工程では、基板１００を１０００ｒｐｍから２０００ｒｐｍの回転数で回転させてレジスト層１１０の表面の純水Ｗを振り切る。かかる第２工程は、図４に示す期間Ｔ４であり、第１工程から連続して行われる。本形態において、期間Ｔ４は３秒から５秒程度であり、基板１００の回転数は、例えば１５００ｒｐｍである。
【００３６】
本形態では、図３（ｇ）に示すように、レジスト層１１０の表面が適度な水分Ｗ０を有している状態で第２工程を終了する。従って、レジスト層１１０が乾燥する前に基板１００が停止する。
【００３７】
このようにしてプリウエット工程を行った後、レジスト層１１０を現像液と接触させて現像工程を行う。かかる現像工程は、図３に示す装置とは別の装置で実施してもよいが、本形態では、図３に示す装置において、プリウエット工程に連続して現像工程を行う。より具体的には、図示を省略するが、基板１００を１０００ｒｐｍから２０００ｒｐｍの回転数（例えば、１５００ｒｐｍの回転数）で回転させた状態で、図３に示すノズル１５３から、アルカリ溶液等の親水性の現像液をレジスト層１１０の表面に供給し、レジスト層１１０を現像する。かかる工程の際、基板１００の回転数は高いが、現像液は比抵抗が低いので、基板１００が帯電するおそれはない。
【００３８】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置１の製造方法では、現像工程を行う前に純水Ｗによるプリウエット工程を行うため、レジスト層１１０の表面全体が、親水性の現像液との濡れ性が高まっている。このため、現像工程を精度よく行うことができる。ここで、純水Ｗ、レジスト層１１０および基板１００はいずれも絶縁性であるため、プリウエット工程では、基板１００が帯電しやすい。しかるに本形態では、プリウエット工程の第１工程において、レジスト層１１０表面への純水Ｗの供給を開始した後、基板１００を３００ｒｐｍから７００ｒｐｍの回転数で回転させるため、純水Ｗの供給を開始する際、基板１００は停止している。このため、純水Ｗの供給を開始した際、純水Ｗは、レジスト層１１０に急激に衝突することがないので、レジスト層１１０と純水Ｗとの摩擦帯電の発生を抑制することができる。また、基板を３００ｒｐｍから７００ｒｐｍの回転数で回転させるため、純水Ｗを基板１００の表面全体（レジスト層１１０の表面全体）に行き渡らせることができる。それ故、レジスト層１１０の表面全体にプリウエットを均一に行うことができる。また、プリウエット工程の第２工程においては、基板１００を１０００ｒｐｍから２０００ｒｐｍの回転数で回転させて純水Ｗを振り切るため、レジスト層１１０の表面が完全に乾く前に第２工程を終えることができる。また、基板１００の回転数が１０００ｒｐｍから２０００ｒｐｍであれば、レジスト層１１０から水滴が剥離する際の剥離帯電の発生を抑制することができる。それ故、基板１００上に形成した配線、スイッチング素子、絶縁膜等が静電破壊されるという事態を回避することができる。
【００３９】
また、本形態では、第１工程では、純水Ｗの供給を開始する際、基板１００を停止させておくため、レジスト層１１０と純水Ｗとの摩擦帯電の発生をより確実に抑制することができる。
【００４０】
また、第２工程では、レジスト層１１０の表面が乾燥する前に基板１００の回転を停止するため、レジスト層１１０の表面全体において現像液との濡れ性を高めることができる。
【００４１】
（他の実施の形態）
上記実施の形態では、プリウエット工程の第１工程において、レジスト層１１０表面への純水Ｗの供給を開始する際、基板１００を停止させていたが、基板を３００ｒｐｍ未満の回転数で回転させる構成を採用してもよい。
【００４２】
上記実施の形態では、素子基板１０の形成に本発明を適用したが、対向基板２０の形成に本発明を適用してもよい。
【００４３】
［他の電気光学装置］
上記実施の形態では、電気光学装置として液晶装置を例示したが、透光性を有する基板（電気光学装置用基板）を備えていれば、液晶装置に限らず、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出を用いた装置（Field Emission Display）、ＤＬＰ（Digital Light Processing）等の電気光学装置の製造方法に本発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００４４】
１・・液晶装置（電気光学装置）、３・・液晶パネル、９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、２０・・対向基板、２１・・共通電極、５０・・液晶層、１００・・大型の基板（電気光学装置用基板）、１１０・・レジスト層、１５１・・スピンチャック、１５３・・ノズル
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図３】
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