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【手続補正書】
【提出日】平成26年1月14日(2014.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力される少なくとも２音以上の演奏情報のうちのある音の入力開始時点から当該ある音の入力後に入力される音の入力後の第１のタイミングまでの前記演奏情報に基づき、前記演奏情報のテンポを判定するテンポ判定手段と、
前記テンポ判定手段によって判定されたテンポに基づいて、前記演奏情報の拍子を判定する拍子判定手段と、を備えたことを特徴とする演奏情報処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の演奏情報処理装置において、
前記拍子判定手段は、前記演奏情報のうちの前記ある音の入力開始時点から、前記テンポ判定手段によって判定されたテンポに基づいて定められる第２のタイミングまでの前記演奏情報に基づき、前記演奏情報の拍子を判定することを特徴とする演奏情報処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の演奏情報処理装置において、
前記演奏情報のうち、前記ある音の音長である第１入力音長と、前記ある音の次に入力された音の音長である第２入力音長との比率を算出する音長比率算出手段をさらに備え、
前記テンポ判定手段は、前記第１入力音長と、前記音長比率算出手段によって算出された比率と、に基づきテンポを判定することを特徴とする演奏情報処理装置。
【請求項４】
請求項２に記載の演奏情報処理装置において、
前記第２のタイミングは、前記テンポ判定手段によって判定されたテンポに基づいて、前記演奏情報のうちの前記ある音の入力開始時点から所定の拍数に対応する時間が経過したタイミングであり、
前記拍子判定手段は、前記演奏情報のうちの前記ある音の入力開始時点から前記所定の拍数に対応する時間が経過したときに、前記演奏情報の拍子を判定することを特徴とする演奏情報処理装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の演奏情報処理装置において、
前記拍子判定手段は、前記テンポ判定手段によって判定されたテンポに基づいて、前記演奏情報のうちの前記ある音の入力開始後の所定の拍数に対応する時間における前記演奏情報の状態を調べる事により拍子を決定することを特徴とする演奏情報処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の演奏情報処理装置において、
前記拍子判定手段は、前記演奏情報のうちの前記ある音の入力開始時点から３拍目、４拍目、８拍目、９拍目のうち少なくとも１以上の前記演奏情報の状態を調べる事により拍子を決定することを特徴とする演奏情報処理装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の演奏情報処理装置において、
前記演奏情報のうちの前記ある音の入力開始時点から、前記テンポ判定手段によって判定されたテンポに基づいて定められる第３のタイミングまでの間の前記演奏情報のうち最長の音長を持つ音を選択する最長音選択手段をさらに備え、
前記拍子判定手段は、前記最長音選択手段によって選択された最長の音長を持つ演奏情報のタイミングに応じて拍子を決定することを特徴とする演奏情報処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の演奏情報処理装置において、
前記演奏情報のアウフタクトを判定するアウフタクト判定手段をさらに備え、
前記拍子判定手段は、前記アウフタクト判定手段によってアウフタクトと判定された場合には、前記最長音選択手段によって選択された最長の音長を持つ前記演奏情報の入力タイミングを基準の時点として、前記演奏情報の拍子を判定することを特徴とする演奏情報処理装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の演奏情報処理装置において、
前記拍子判定手段は、前記テンポ判定手段によって判定されたテンポに基づいて、前記演奏情報のうちの前記ある音の入力開始後の第１の所定の拍数群に対応する時間における前記演奏情報の状態と、前記演奏情報のうちの前記ある音の入力開始後の第２の所定の拍数群に対応する時間における前記演奏情報の状態と、を比較する事により、前記演奏情報の拍子を判定することを特徴とする演奏情報処理装置。
【請求項１０】
請求項３に記載の演奏情報処理装置において、
前記テンポ判定手段は、前記第１入力音長の長短に応じて、前記演奏情報のテンポが、入力されている前記演奏情報のテンポよりも速いか遅いかを判定することを特徴とする演奏情報処理装置。
【請求項１１】
請求項３に記載の演奏情報処理装置において、
前記テンポ判定手段は、前記第１入力音長と、前記音長比率算出手段によって算出された比率とに基づいてテンポ値を出力するテーブルを有することを特徴とする演奏情報処理装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれかに記載の演奏情報処理装置において、
前記演奏情報が前記ある音の入力開始時点から所定の時間経過後まで入力されていると判定された場合には、前記ある音の入力開始時点から所定の時間の経過時点を再度前記ある音の入力開始時点とみなして、前記テンポ判定手段によるテンポ判定と、前記拍子判定手段による拍子判定とを繰り返して実行することを特徴とする演奏情報処理装置。
【請求項１３】
入力される少なくとも２音以上の演奏情報のうちのある音の入力開始時点から当該ある音の入力後に入力される音の入力後の第１のタイミングまでの前記演奏情報に基づき、前記演奏情報のテンポを判定するテンポ判定ステップと、
前記テンポ判定ステップにおいて判定されたテンポに基づいて、前記演奏情報の拍子を判定する拍子判定ステップと、を含む演奏情報処理方法。
【請求項１４】
コンピュータが実行する、
入力される少なくとも２音以上の演奏情報のうちのある音の入力開始時点から当該ある音の入力後に入力される音の入力後の第１のタイミングまでの前記演奏情報に基づき、前記演奏情報のテンポを判定するテンポ判定ステップと、
前記テンポ判定ステップにおいて判定されたテンポに基づいて、前記演奏情報の拍子を判定する拍子判定ステップと、を含むプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の一態様の演奏情報処理装置は、
入力される少なくとも２音以上の演奏情報のうちのある音の入力開始時点から当該ある音の入力後に入力される音の入力後の第１のタイミングまでの前記演奏情報に基づき、前記演奏情報のテンポを判定するテンポ判定手段と、
前記テンポ判定手段によって判定されたテンポに基づいて、前記演奏情報の拍子を判定する拍子判定手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月4日(2014.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメモリセルと、
第１及び第２のセンスアンプと、
同一のロウアドレス及び異なるカラムアドレスに関連する複数のメモリセルへの連続したリード動作に応答して、前記第１及び第２のセンスアンプを順次活性化させるよう構成されたセンスアンプ起動回路と、を備え、
前記センスアンプ起動回路は、前記連続したリード動作の第１のリード動作に対応するメモリセルと、前記連続したリード動作の第２のリード動作に対応するメモリセルとが、同一のロウアドレス及び同一のカラムアドレスに関連すると判定された場合、一時的に非活性化されるようさらに構成されている、半導体装置。
【請求項２】
前記半導体装置にクロック信号を供給するクロック制御回路を備える、請求項１の半導体装置。
【請求項３】
前記連続したリード動作は前記クロック信号の連続した期間に発生する、請求項２の半導体装置。
【請求項４】
前記クロック信号の連続した期間に同期して前記連続したリード動作が発生したことを検出した場合に判定許可信号を出力する第１の回路を備える、請求項２又は３の半導体装置。
【請求項５】
前記判定許可信号を受け、前記連続したリード動作に関連する前記カラムアドレス及び前記ロウアドレスが同一か否かを判定し、前記連続したリード動作に関連する前記カラムアドレス及び前記ロウアドレスが同一であると判定された場合、センス停止信号を前記センスアンプ起動回路に供給して前記センスアンプ起動回路を一時的に非活性化させる第２の回路を備える、請求項４の半導体装置。
【請求項６】
複数のビット線と複数のワード線を備え、前記複数のメモリセルは前記複数のビット線と前記複数のワード線の交点に設けられている、請求項１乃至５のいずれかの半導体装置。
【請求項７】
前記複数のビット線の第１グループのいずれにも接続可能な第１のグローバルビット線と、
前記複数のビット線の第２グループのいずれにも接続可能な第２のグローバルビット線と、
前記第１のセンスアンプに接続された第１のトランスファラインと、
前記第２のセンスアンプに接続された第２のトランスファラインと、を備え、
前記第１及び第２のグローバルビット線のそれぞれは、前記第１及び第２のトランスファラインのいずれにも接続可能である、請求項６の半導体装置。
【請求項８】
前記複数のビット線の前記第１グループのそれぞれは、第１のカラムスイッチを介して前記第１のグローバルビット線に接続可能であり、
前記複数のビット線の前記第２グループのそれぞれは、第２のカラムスイッチを介して前記第２のグローバルビット線に接続可能である、請求項７の半導体装置。
【請求項９】
前記第１のグローバルビット線は、第１セットのスイッチを介して前記第１及び第２のトランスファラインに接続可能であり、
前記第２のグローバルビット線は、第２セットのスイッチを介して前記第１及び第２のトランスファラインに接続可能である、請求項７又は８の半導体装置。
【請求項１０】
前記ビット線の前記第１グループは奇数番目の複数のビット線を有し、前記ビット線の前記第２グループは偶数番目の複数のビット線を有し、前記ビット線の前記第１及び第２のグループは交互に配置されている、請求項９の半導体装置。
【請求項１１】
前記複数のメモリセルはメモリアレイのサブアレイセクションを構成し、前記第１のグローバルビット線は前記サブアレイセクションの第１の側において前記複数のビット線の前記第１グループに接続可能であり、前記第２のグローバルビット線は前記サブアレイセクションの第２の側において前記複数のビット線の前記第２グループに接続可能であり、前記サブアレイセクションの前記第１及び第２の側は互いに反対側である、請求項１０の半導体装置。
【請求項１２】
前記複数のワード線から、リード動作において指定される前記ロウアドレスに対応するワード線を選択するよう構成されたワードドライバを備える、請求項１乃至１１のいずれかの半導体装置。
【請求項１３】
リードデータを出力する出力制御回路と、
前記第１及び第２のセンスアンプを前記出力制御回路に接続するデータバスと、
前記データバス上の前記リードデータを一時的に保持するラッチ回路と、を備える、請求項１の半導体装置。
【請求項１４】
前記メモリセルは、第１の抵抗値が第１の値に対応し、第２の抵抗値が第２の値に対応する可変抵抗素子を含む、請求項１乃至１３のいずれかの半導体装置。
【請求項１５】
前記メモリセルは不揮発性メモリセルである、請求項１４の半導体装置。
【請求項１６】
前記可変抵抗素子は相変化材料を含む、請求項１４又は１５の半導体装置。
【請求項１７】
前記相変化材料はカルコゲナイド材料を含む、請求項１６の半導体装置。
【請求項１８】
前記第１の抵抗値は前記相変化材料の結晶状態に対応し、前記第２の抵抗値は前記相変化材料のアモルファス状態に対応する、請求項１６の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月5日(2014.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性波を伝搬させる基板と、
該基板の主面上に配置された励振電極と、
前記基板の主面上に配置され、蓋体と、該蓋体上に配置された絶縁部材とを有し、前記基板と前記蓋体との間に収容空間を有するカバー体と、
該カバー体に配置された、前記絶縁部材および前記蓋体を貫通する貫通孔と、
該貫通孔内に配置されるとともに前記励振電極に電気的に接続された外部接続用電極と、該外部接続用電極と電気的に接続された、前記外部接続用電極の材料と異なる材料からなる外部接続端子と、を備え、
前記外部接続用電極および前記外部接続端子は、前記貫通孔内であって、前記収容空間よりも上方で接触している弾性波装置。
【請求項２】
前記貫通孔は、前記基板と反対側の開口領域が、前記基板側の開口領域と重なるように配置されている請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記外部接続用電極および前記外部接続端子が接触する部分は、前記絶縁部材内に位置している請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記貫通孔は、前記絶縁部材の内壁面と、前記蓋体の内壁面とが連続している請求項１〜３のいずれかに記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記外部接続用電極は、柱状である請求項１〜４のいずれかに記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記カバー体は、前記基板および前記蓋体の間に位置する枠体を有する請求項１〜５のいずれかに記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記貫通孔は、前記枠体を貫通している請求項６に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記枠体は、ウレタンアクリレート系の樹脂、ポリエステルアクリレート系の樹脂またはエポキシアクリレート系の樹脂からなる請求項６または７に記載の弾性波装置。
【請求項９】
前記励振電極を覆う保護層をさらに有し、
前記カバー体は、前記保護層上に配置されている請求項１〜８のいずれかに記載の弾性波
装置。
【請求項１０】
前記貫通孔は、前記外部接続端子を収容する部分が、前記外部接続用電極側の幅よりも開口部側の幅の方が大きい請求項１〜９のいずれかに記載の弾性波装置。
【請求項１１】
前記外部接続端子は、半田を含む請求項１〜１０のいずれかに記載の弾性波装置。
【請求項１２】
前記外部接続用電極は、半田、Ｃｕ、ＡｕおよびＮｉのうち少なくとも１つを含む請求項１〜１１のいずれかに記載の弾性波装置。
【請求項１３】
前記貫通孔と前記外部接続用電極と間に位置する下地層をさらに有する請求項１〜１２のいずれかに記載の弾性波装置。
【請求項１４】
前記下地層は、上端が、前記絶縁部材内に位置している請求項１３に記載の弾性波装置。
【請求項１５】
前記下地層は、上端が、前記外部接続用電極の上端よりも下方に位置している請求項１３または１４に記載の弾性波装置。
【請求項１６】
前記下地層は、Ｃｕ、ＣｒおよびＴｉのうち少なくとも１つを含む請求項１３〜１５のいずれかに記載の弾性波装置。
【請求項１７】
前記蓋体と前記絶縁部材との間に位置する導体層をさらに有する請求項１〜１６のいずれかに記載の弾性波装置。
【請求項１８】
前記導体層は、前記外部接続端子と連続的につながっている請求項１〜１７のいずれかに記載の弾性波装置。
【請求項１９】
前記導体層は、インダクタンス成分を有する請求項１７または１８に記載の弾性波装置。
【請求項２０】
請求項１〜７のいずれかに記載の弾性波装置と、
該弾性波装置の前記外部接続端子を介して主面上に実装された回路基板とを有する弾性波モジュール。
【請求項２１】
前記回路基板の前記主面上に配置されたＩＣをさらに有する請求項２０に記載の弾性波モジュール。
【請求項２２】
前記回路基板上に配置された、前記弾性波装置を封止する樹脂をさらに有する請求項２０または２１に記載の弾性波モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月24日(2014.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
適応幾何学分割によりピクチャの少なくとも一部について双方向予測可能ピクチャデータをデコードするデコーダを有し、
前記適応幾何学分割のための幾何学パーティションは、リファレンスピクチャの第１リストに対応する予測判断材料の第１の組と、リファレンスピクチャの第２のリストに対応する予測判断材料の第２の組とから選択される少なくとも１つの予測判断材料を用いて予測され、前記第１の組及び前記第２の組からの予測判断材料を用いて双方向予測が行われる、装置。
【請求項２】
適応幾何学分割によりピクチャの少なくとも一部について双方向予測可能ピクチャデータをデコードするステップを有し、
前記適応幾何学分割のための幾何学パーティションは、リファレンスピクチャの第１リストに対応する予測判断材料の第１の組と、リファレンスピクチャの第２のリストに対応する予測判断材料の第２の組とから選択される少なくとも１つの予測判断材料を用いて予測され、前記第１の組及び前記第２の組からの予測判断材料を用いて双方向予測が行われる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月31日(2014.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
符号長Ｎの単位で復号を行なう誤り訂正復号装置であって、
Ｎ個の入力データを記憶する第１の記憶部と、
復号化器と、
前記第１の記憶部と前記復号化器とを接続するＢ１（Ｂ１は２以上Ｎ未満の自然数である）本の第１配線と、を備え、
前記第１の記憶部は、記憶されたＮ個の入力データを、複数回に分けて、前記Ｂ１本の前記第１配線を通じて、前記復号化器へ与え、
前記第１の記憶部から前記第１配線を通じて前記復号化器へ出力するそれぞれの回において、前記第１の記憶部から出力される入力データ数は前記Ｂ１以下であり、
前記復号化器は、前記第１の記憶部から与えられた前記Ｎ個の入力データを、並列に復号処理する、
誤り訂正復号装置。
【請求項２】
スイッチを更に備え、
前記第１の記憶部は、Ｂ１個の１入力１出力のデュアルポートメモリを含み、
前記スイッチは、前記Ｎ個の入力データを前記Ｂ１個のデュアルポートメモリのうちいずれへ格納するかを切り替え、
前記Ｂ１個のデュアルポートメモリと前記Ｂ１個の第１配線とは１対１で接続される、
請求項１に記載の誤り訂正復号装置。
【請求項３】
前記第１の記憶部は、Ｂ１個の１入力１出力のデュアルポートメモリを含み、
各デュアルポートメモリは、直列に入力されるＮ個の入力データを重複して記憶し、
前記Ｂ１個のデュアルポートメモリと、前記Ｂ１個の第１配線とは１対１で接続され、
各デュアルポートメモリは、Ｎ個の入力データのうち互いに異なるデータを出力する、
請求項１に記載の誤り訂正復号装置。
【請求項４】
Ｂ１は、Ｎの公約数である、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の誤り訂正復号装置。
【請求項５】
誤り訂正復号装置に含まれる復号化器が入力データを受け取る方法であって、
前記復号化器は、Ｎ個の入力データを並列に復号処理するよう構成されているとともに、入力データを受け取るためのＢ１（Ｂ１は２以上Ｎ未満の自然数である）本の第１配線が接続されており、
前記復号化器は、Ｎ個の入力データを、複数回に分けて、前記Ｂ１本の前記第１配線を通じて受け取り、
前記復号化器が複数回に分けて受け取るそれぞれの回において、前記復号化器が受け取る入力データ数は前記Ｂ１以下である、
方法。
【請求項６】
復号長Ｋの単位で復号を行なう誤り訂正復号装置であって、
入力データを並列に復号処理して、Ｋ個の復号データを生成する復号化器と、
前記Ｋ個の復号データを記憶する第２の記憶部と、
前記復号化器と前記第２の記憶部とを接続するＢ２（Ｂ２は２以上Ｋ未満の自然数である）本の第２配線と、を備え、
前記復号化器は、Ｋ個の復号データを、複数回に分けて、前記Ｂ２本の前記第２配線を通じて、前記第２の記憶部へ出力し、
前記復号化器から前記第２配線を通じて前記第２の記憶部へ出力するそれぞれの回において、前記復号化器から出力される復号データ数は前記Ｂ２以下であり、
前記第２記憶部は、前記復号化器から複数回に分けて受け取った前記Ｋ個の復号化データを記憶する、
誤り訂正復号装置。
【請求項７】
スイッチを更に備え、
前記第２の記憶部は、それぞれが１入力１出力のＢ２個のデュアルポートメモリを含み、
前記スイッチは、前記Ｂ２個のデュアルポートメモリのうちいずれから出力するかを切り替え、
前記Ｂ２個のデュアルポートメモリと前記Ｂ２個の第２配線とは１対１で接続される、
請求項６に記載の誤り訂正復号装置。
【請求項８】
Ｂ２は、Ｋの公約数である、請求項６又は請求項７に記載の誤り訂正復号装置。
【請求項９】
誤り訂正復号装置に含まれる復号化器が復号データを出力する方法であって、
前記復号化器は、入力データを並列に復号処理して、Ｋ個の復号データを生成するよう構成されているとともに、復号データを出力するためのＢ２本（Ｂ２は２以上Ｋ未満の自然数である）本の第２配線が接続されており、
前記復号化器は、Ｋ個の復号データを、複数回に分けて、前記Ｂ２本の前記第２配線を通じて出力し、
前記復号化器から前記第２配線を通じて出力するそれぞれの回において、前記復号化器から出力される復号データ数は前記Ｂ２以下である、
方法。
【請求項１０】
符号長Ｎの単位で復号を行なう誤り訂正復号装置であって、
復号化器と、
直並列変換回路と、
前記直並列変換回路と前記復号化器とを接続するＢ１（Ｂ１は２以上Ｎ未満の自然数である）本の第１配線と、を備え、
前記直並列変換回路は、直列に入力されるＮ個の入力データを、複数回に分けて並列データに変換し、
前記直並列変換回路における複数回の変換のそれぞれの回で得られる前記並列データの並列数は、前記Ｂ１以下であり、
前記直並列変換回路は、複数回の変換のそれぞれの回で得られた前記並列データを、前記Ｂ１本の前記第１配線を通じて、前記復号化器へ与え、
前記復号化器は、前記直並列変換回路から与えられた前記Ｎ個の入力データを、並列に復号処理する、
誤り訂正復号装置。
【請求項１１】
復号長Ｋの単位で復号を行なう誤り訂正復号装置であって、
入力データを並列に復号処理して、Ｋ個の復号データを生成する復号化器と、
並直列変換回路と、
前記復号化器と前記並直列変換回路とを接続するＢ２（Ｂ２は２以上Ｋ未満の自然数である）本の第２の配線と、を備え、
前記並直列変換回路は、前記復号化器からＫ個の復号データを、前記Ｂ２本の第２配線を通じて、複数回に分けて受け取り、
前記並直列変換回路が前記復号化器から複数回に分けて受け取るそれぞれの回において、前記並直列変換回路が受け取る復号データ数は前記Ｂ２以下であり、
前記並直列変換回路は、前記復号化器から複数回に分けて受け取った前記Ｋ個の復号化データを直列で外部に出力する、
誤り訂正復号装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月17日(2014.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
監視カメラ（１）によって領域を監視する方法であって、
監視対象領域（２）内の保護対象ゾーン（５）を定義するステップ（６０１）と、
疑わしい対象（９ａ、９ｂ）を、前記保護対象ゾーンの内側および外側の両方に存在する対象として検出するステップ（６０３）と、
前記疑わしい対象のキー位置を割り出すステップ（６０５）と、
前記キー位置が前記保護対象ゾーン（５）の内側または外側のいずれにあるかを判断するステップ（６０７）と、
前記キー位置が前記保護対象ゾーンの外側にある場合に、第１のアクションを開始させるステップ（６０９）と
を含んでおり、
前記疑わしい対象の前記キー位置は、前記対象の体の主要部分が位置していると思われる位置、または前記対象が立っている位置であり、
前記保護対象ゾーンを定義するステップ（６０１）が、三次元の保護対象空間を定義するステップを含んでおり、
前記キー位置が前記保護対象ゾーンの内側または外側のいずれにあるかを判断するステップ（６０７）が、前記キー位置が前記保護対象空間の二次元の投影の内側または外側のいずれにあるかを判断するステップを含んでいる、方法。
【請求項２】
前記監視対象領域（２）内の閉鎖ゾーン（１１）を定義するステップ（６１１）
をさらに含んでおり、
前記第１のアクションが、前記キー位置が前記閉鎖ゾーンの外側であるか否かを判断（６１３）し、前記キー位置が前記閉鎖ゾーンの外側である場合に第２のアクションを開始（６１５）させるステップを含んでおり、
前記閉鎖ゾーンは、前記監視対象領域のうちで、特定の方向からの前記保護対象ゾーンへの許された進入を定義する部分である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
保護対象ゾーン（５）を定義する前記ステップが、前記保護対象ゾーンの少なくとも一部を囲む物理的要素（７）の境界を検出するステップを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
保護対象ゾーン（５）を定義する前記ステップが、あらかじめ定義された保護対象ゾーンの座標にアクセスするステップを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
疑わしい対象を検出する前記ステップが、前記保護対象ゾーンの内側の対象画素を検出し、該対象画素が属する対象が前記保護対象ゾーンの外側に存在するかどうかを判断するステップを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記疑わしい対象のキー位置を割り出す前記ステップが、前記疑わしい対象に含まれる画素の画素座標の平均位置に前記キー位置を設定するステップを含んでいる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
キー位置を割り出す前記ステップが、前記疑わしい対象の最高点の位置に前記キー位置を設定するステップを含んでいる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
キー位置を割り出す前記ステップが、前記疑わしい対象に含まれる画素のうちの所定の割合が前記保護対象ゾーンの外側にある場合に、前記キー位置を前記保護対象ゾーンの外側の位置に設定するステップを含んでいる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
キー位置を割り出す前記ステップが、前記疑わしい対象の最高温度の位置に前記キー位置を設定するステップを含んでいる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
キー位置を割り出す前記ステップが、対象分類器の縦列を使用して検出された前記疑わしい対象の一部分の位置に前記キー位置を設定するステップを含んでいる、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
対象分類器の縦列を使用して検出される前記疑わしい対象の前記一部分が、顔、頭部、両肩、および帽子のうちの１つである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
監視カメラ（１）と、
監視対象領域（２）内に保護対象ゾーン（５）を定義するように配置されたゾーン定義ユニット（１５）と、
疑わしい対象を、前記保護対象ゾーンの内側および外側の両方に存在する対象として検出するように配置された疑わしい対象の検出ユニット（１７）と、
前記疑わしい対象のキー位置を割り出し、該キー位置が前記保護対象ゾーンの内側または外側のいずれにあるかを判断するように配置された対象位置判定ユニット（１９）と、
前記キー位置が前記保護対象ゾーンの外側にあると判断される場合に、第１のアクションを開始させるように配置されたアクション開始ユニット（２１）と
を備えている領域（２）を監視するための監視システム（１３）であって、
前記疑わしい対象の前記キー位置は、前記対象の体の主要部分が位置していると思われる位置、または前記対象が立っている位置であり、
前記ゾーン定義ユニット（１５）が、三次元の保護対象空間を定義するように配置されており、
前記対象位置判定ユニット（１９）が、前記疑わしい対象が前記保護対象空間の二次元の投影の内側または外側のいずれにあるかを判断するように配置されている
ことを特徴とする、監視システム。
【請求項１３】
前記対象位置判定ユニット（１９）が、対象分類器ユニット、高さ測定ユニット、および／または熱測定ユニットのうちの１つ以上を備えている、請求項１２に記載の監視システム。
【請求項１４】
処理能力を有する装置上で実行されたときに請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法を実行するためのプログラムが記録されたコンピュータ可読記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月27日(2014.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ．少なくとも１つの電子装置、および
Ｂ．電子装置の少なくとも１つの面に密接に接触しているポリマー材料を含む電子装置モジュールであって、前記ポリマー材料が、
（１）（ａ）約０．９０ｇ／ｃｃ未満の密度、（ｂ）ＡＳＴＭ  Ｄ−８８２−０２により測定して約１５０メガパスカル（ｍＰａ）未満の２％割線係数、（ｃ）約９５℃未満の融点、（ｄ）ポリマーの重量に基づいて少なくとも約１５および約５０重量％未満のα−オレフィン含量、（ｅ）約−３５℃未満のＴｇ、ならびに（ｆ）少なくとも約５０％のＳＣＢＤＩのうちの少なくとも１つの特性をもち、
ポリマー材料が、少なくとも１つのエチレン性不飽和と少なくとも１つのカルボニル基を含む不飽和有機化合物でグラフトされたポリオレフィンポリマーをさらに含む、ポリオレフィンコポリマー、
（２）所望により、コポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．０５重量％の量のフリーラジカル開始剤または光開始剤、および
（３）所望により、コポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．０５重量％の量の助剤(co-agent)を含む、電子装置モジュール。
【請求項２】
不飽和有機化合物が、無水マレイン酸である、請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
電子装置がソーラーセルである、請求項１に記載のモジュール。
【請求項４】
フリーラジカル開始剤が存在する、請求項１に記載のモジュール。
【請求項５】
助剤が存在する、請求項４に記載のモジュール。
【請求項６】
フリーラジカル開始剤が過酸化物である、請求項５に記載のモジュール。
【請求項７】
ポリマー材料が、電子装置の少なくとも１つの面に密接に接触している単層フィルムの形態である、請求項１に記載のモジュール。
【請求項８】
ポリマー材料が、約０．０１から約１．７重量％の量でスコーチ防止剤をさらに含む、請求項１に記載のモジュール。
【請求項９】
少なくとも１枚のガラスカバーシートをさらに含む、請求項１に記載のモジュール。
【請求項１０】
フリーラジカル開始剤が光開始剤である、請求項４に記載のモジュール。
【請求項１１】
ポリマー材料が、少なくとも１つのエチレン性不飽和と少なくとも１つのカルボニル基を含む不飽和有機化合物でグラフトされたポリオレフィンポリマーをさらに含む、請求項１に記載のモジュール。
【請求項１２】
不飽和有機化合物が、無水マレイン酸である、請求項１１に記載のモジュール。
【請求項１３】
Ａ．少なくとも１つの電子装置、および
Ｂ．電子装置の少なくとも１つの面に密接に接触しているポリマー材料を含む電子装置モジュールであって、前記ポリマー材料が、
（１）（ａ）約０．９０ｇ／ｃｃ未満の密度、（ｂ）ＡＳＴＭ  Ｄ−８８２−０２により測定して約１５０メガパスカル（ｍＰａ）未満の２％割線係数、（ｃ）約９５℃未満の融点、（ｄ）ポリマーの重量に基づいて少なくとも約１５および約５０重量％未満のα−オレフィン含量、（ｅ）約−３５℃未満のＴｇ、ならびに（ｆ）少なくとも約５０％のＳＣＢＤＩ、のうちの少なくとも１つの特性をもつポリオレフィンコポリマー、
（２）コポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．１重量％の量のビニルシラン、
（３）コポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．０５重量％の量のフリーラジカル開始剤、および
（４）所望により、コポリマーの重量に基づいて少なくとも約０．０５重量％の量の助剤を含む、電子装置モジュール。
【請求項１４】
電子装置がソーラーセルである、請求項１３に記載のモジュール。
【請求項１５】
フリーラジカル開始剤が存在する、請求項１３に記載のモジュール。
【請求項１６】
助剤が存在する、請求項１５に記載のモジュール。
【請求項１７】
フリーラジカル開始剤が過酸化物である、請求項１６に記載のモジュール。
【請求項１８】
ビニルシランが、ビニルトリエトキシシランおよびビニルトリメトキシシランのうちの少なくとも１つである、請求項１３に記載のモジュール。
【請求項１９】
フリーラジカル開始剤が過酸化物である、請求項１８に記載のモジュール。
【請求項２０】
助剤が存在する、請求項１９に記載のモジュール。
【請求項２１】
ポリオレフィンコポリマーが、ＡＳＴＭ  ２７６５−９５により測定して約７０パーセント未満のキシレン可溶性抽出可能物を含むように、ポリオレフィンコポリマーが架橋されている、請求項１３に記載のモジュール。
【請求項２２】
ポリマー材料が、電子装置の少なくとも１つの面に密接に接触している単層フィルムの形態である、請求項１３に記載のモジュール。
【請求項２３】
ポリマー材料が、約０．０１から約１．７重量％の量のスコーチ防止剤をさらに含む、請求項１３に記載のモジュール。
【請求項２４】
少なくとも１枚のガラスカバーシートをさらに含む、請求項１３に記載のモジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月14日(2014.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路と組込型自己テスト（ＢＩＳＴ）切替回路とを有する半導体集積回路領域と、
前記半導体集積回路領域に隣接して配置されたスクライブ領域とを備え、前記スクライブ領域はＢＩＳＴ回路を備え、さらに、
前記ＢＩＳＴ回路と前記ＢＩＳＴ切替回路とを接続する接続配線を備え、
前記ＢＩＳＴ切替回路は、前記接続配線を前記半導体集積回路に選択的に接続して前記ＢＩＳＴ回路と前記半導体集積回路との間の通信を可能にする、半導体集積回路ウエハ。
【請求項２】
前記ＢＩＳＴ切替回路は、前記接続配線を前記半導体集積回路に選択的に接続するために用いられる１以上のスイッチ素子を備える、請求項１に記載の半導体集積回路ウエハ。
【請求項３】
前記半導体集積回路領域は、前記１以上のスイッチ素子を駆動させるために用いられる入力信号を受けるように構成されたＢＩＳＴ切替信号入力パッドを備える、請求項２に記載の半導体集積回路ウエハ。
【請求項４】
前記ＢＩＳＴ切替回路は、１以上の入出力パッドを備え、前記ＢＩＳＴ回路は、１以上のＢＩＳＴ回路パッドを備える、請求項１に記載の半導体集積回路ウエハ。
【請求項５】
テストの間、前記ＢＩＳＴ回路パッドは、１以上のプローブピンに接触される、請求項４に記載の半導体集積回路ウエハ。
【請求項６】
半導体集積回路と、
組込型自己テスト（ＢＩＳＴ）切替回路と、
前記ＢＩＳＴ切替回路に結合される接続配線とを備え、
前記ＢＩＳＴ切替回路は、前記接続配線を前記半導体集積回路に選択的に接続して前記接続配線と前記半導体集積回路との間の電気的接続を可能にする、半導体集積回路チップ。
【請求項７】
前記ＢＩＳＴ切替回路は、前記接続配線を前記半導体集積回路に選択的に接続するために用いられる１以上のスイッチ素子を備える、請求項６に記載の半導体集積回路チップ。
【請求項８】
前記１以上のスイッチ素子を駆動させるために用いられる入力信号を受けるように構成されたＢＩＳＴ切替信号入力パッドを備える、請求項７に記載の半導体集積回路チップ。
【請求項９】
半導体集積回路ウエハに配置された半導体集積回路をテストする方法であって、
プローブカードの第１のプローブピンを、前記半導体集積回路ウエハに配置された組込型自己テスト（ＢＩＳＴ）回路に接触させるステップを備え、前記ＢＩＳＴ回路は、前記半導体集積回路ウエハのスクライブ領域に配置され、前記スクライブ領域は、前記半導体集積回路を含む半導体集積回路領域に隣接して配置され、さらに、
前記プローブカードの第２のプローブピンを、ＢＩＳＴ切替信号入力パッドに接触させるステップを備え、前記半導体集積回路領域は、前記ＢＩＳＴ切替信号入力パッドを備え、前記ＢＩＳＴ切替信号入力パッドは、前記第２のプローブピンから駆動信号を受けて、前記ＢＩＳＴ回路と前記半導体集積回路との間の通信を可能にするように構成される、方法。
【請求項１０】
前記第２のプローブピンを用いて、前記駆動信号を前記ＢＩＳＴ切替信号入力パッドに与えるステップを備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のプローブピンを用いて、情報信号を前記ＢＩＳＴ回路に与えるステップを備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記駆動信号が前記ＢＩＳＴ切替信号入力パッドに与えられている間、前記情報信号を前記ＢＩＳＴ回路に与えるステップを備える、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月23日(2014.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
揮発成分を含み基板上に膜を形成するためのアクリル樹脂を含むトップコート液を前記基板へ供給する第１の液供給部と、
前記第１の液供給部によって前記基板に供給され、前記揮発成分が揮発することによって前記基板上で固化または硬化したトップコート液に対して該トップコート液の全てを溶解させるアルカリ現像液を供給する第２の液供給部と
を備えることを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２】
前記基板を保持する基板保持部と、
前記第１の液供給部、前記第２の液供給部および前記基板保持部を収容するチャンバと
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。
【請求項３】
前記基板保持部は、前記基板の周縁部を保持する保持機構を備えており、
前記保持機構に対して前記アルカリ現像液を供給する第３の液供給部
をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の基板洗浄装置。
【請求項４】
前記基板保持部は、
前記基板を保持する第１の保持部と、前記第１の保持部と独立して動作可能な第２の保持部とを備えることを特徴とする請求項２に記載の基板洗浄装置。
【請求項５】
前記基板保持部は、
前記基板を吸着保持する吸着保持部であり、吸着保持した前記基板を加熱する加熱機構を備えることを特徴とする請求項２に記載の基板洗浄装置。
【請求項６】
前記第１の液供給部によって供給されるトップコート液と親和性のある溶剤を前記基板へ供給する溶剤供給部
をさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。
【請求項７】
前記トップコート液は、
前記基板、前記基板上に構成される材料または前記基板上に付着する異物を溶解する所定の薬液をさらに含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。
【請求項８】
前記アルカリ現像液は、アンモニア、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリン水溶液の少なくとも一つを含むこと
を特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。
【請求項９】
前記トップコート液に含まれる揮発成分の揮発を促進させる揮発促進部
をさらに備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。
【請求項１０】
前記揮発促進部は、前記トップコート液を加熱することによって前記揮発成分の揮発を促進させること
を特徴とする請求項９に記載の基板洗浄装置。
【請求項１１】
前記揮発促進部は、高温の流体を前記基板の下面に供給することによって前記基板を加熱して前記揮発成分の揮発を促進させること
を特徴とする請求項１０に記載の基板洗浄装置。
【請求項１２】
前記揮発促進部は、装置内部を減圧することによって前記揮発成分の揮発を促進させること
を特徴とする請求項９に記載の基板洗浄装置。
【請求項１３】
前記揮発促進部は、装置内部の湿度を低下させることによって前記揮発成分の揮発を促進させること
を特徴とする請求項９に記載の基板洗浄装置。
【請求項１４】
前記揮発促進部は、前記トップコート液に対して紫外線を照射することによって前記揮発成分の揮発を促進させること
を特徴とする請求項９に記載の基板洗浄装置。
【請求項１５】
基板を洗浄する基板洗浄装置と、
前記基板洗浄装置を制御する制御部と
を備え、
前記基板洗浄装置は、
揮発成分を含み基板上に膜を形成するためのアクリル樹脂を含むトップコート液を前記基板へ供給する第１の液供給部と、
前記第１の液供給部によって前記基板に供給され、前記揮発成分が揮発することによって前記基板上で固化または硬化したトップコート液に対して該トップコート液の全てを溶解させるアルカリ現像液を供給する第２の液供給部と
を備えることを特徴とする基板洗浄システム。
【請求項１６】
揮発成分を含み基板上に膜を形成するためのアクリル樹脂を含むトップコート液を前記基板へ供給する第１の液供給工程と、
前記第１の液供給工程において前記基板に供給され、前記揮発成分が揮発することによって前記基板上で固化または硬化したトップコート液に対して該トップコート液の全てを溶解させるアルカリ現像液を供給する第２の液供給工程と
を含むことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１７】
前記第１の液供給工程と前記第２の液供給工程とを同一のチャンバ内で行い、前記第１の液供給工程と前記第２の液供給工程との間に前記基板の搬送工程を含まないこと
を特徴とする請求項１６に記載の基板洗浄方法。
【請求項１８】
前記第１の液供給工程において前記基板に前記トップコート液を供給した後に、該トップコート液に含まれる揮発成分の揮発を促進させる揮発促進工程
をさらに含むことを特徴とする請求項１６または１７に記載の基板洗浄方法。
【請求項１９】
前記第１の液供給工程において供給されるトップコート液と親和性のある溶剤を前記基板へ供給する溶剤供給工程
をさらに含むことを特徴とする請求項１６〜１８のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。
【請求項２０】
コンピュータ上で動作し、基板洗浄装置を制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項１６〜１９のいずれか一つに記載の基板洗浄方法が行われるように、コンピュータに前記基板洗浄装置を制御させること
を特徴とする記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
実施形態の一態様に係る基板洗浄装置は、第１の液供給部と、第２の液供給部とを備える。第１の液供給部は、揮発成分を含み基板上に膜を形成するためのアクリル樹脂を含むトップコート液を基板へ供給する。第２の液供給部は、第１の液供給部によって基板に供給され、揮発成分が揮発することによって基板上で硬化したトップコート液に対してトップコート液の全てを溶解させるアルカリ現像液を供給する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月24日(2014.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
翼本体と、
前記翼本体に少なくとも１つ以上内装された、翼高さ方向の冷却通路である翼高さ方向冷却通路と、
前記翼本体の表面にコーティングされる遮熱コーティング材とを備えるガスタービン冷却翼において、
前記翼本体の後縁端である翼後縁端部に最も近い前記翼高さ方向冷却通路の後端部と前記翼後縁端部との間の領域である翼後縁部では、前記遮熱コーティング材の厚みが前記翼後縁端部へ向かい漸減することを特徴とするガスタービン冷却翼。
【請求項２】
前記遮熱コーティング材の厚みは、前記翼本体のメタル温度が予め定められた制限値を超えない範囲の厚みであることを特徴とする請求項１に記載のガスタービン冷却翼。
【請求項３】
前記翼後縁部の周の長さが翼面全周の長さの１０％以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のガスタービン冷却翼。
【請求項４】
前記翼本体のチップ側において、前記翼本体の前縁端である翼前縁端部から前記翼後縁端部へ、コーティング施工ノズルが移動しながら、前記遮熱コーティング材の溶射を行い、前記翼後縁端部まで到達すると、前記コーティング施工ノズルがハブ側に移動し、前記翼後縁端部から前記翼前縁端部へ、前記コーティング施工ノズルが移動しながら、前記溶射を行うという動作を繰り返しながら、前記チップ側から前記ハブ側へ前記溶射を行っていき、さらに、前記コーティング施工ノズルの、プラズマ強度、移動速度、溶射量、又は、移動距離のいずれか１つを、前記翼後縁部において前記遮熱コーティング材の厚みが前記翼後縁端部へ向かい漸減するように変更することで、
請求項１から３のいずれか１項に記載のガスタービン冷却翼を製造することを特徴とするガスタービン冷却翼の製造方法。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか１項に記載のガスタービン冷却翼を備えることを特徴とするガスタービン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記課題を解決する第２の発明に係るガスタービン冷却翼は、
上記第１の発明に係るガスタービン冷却翼において、
前記遮熱コーティング材の厚みは、前記翼本体のメタル温度が予め定められた制限値を超えない範囲の厚みであることを特徴とする。
上記課題を解決する第３の発明に係るガスタービン冷却翼は、
上記第１又は第２の発明に係るガスタービン冷却翼において、
前記翼後縁部の周の長さが翼面全周の長さの１０％以下であることを特徴とする。
上記課題を解決する第４の発明に係るガスタービン冷却翼の製造方法は、
前記翼本体のチップ側において、前記翼本体の前縁端である翼前縁端部から前記翼後縁端部へ、コーティング施工ノズルが移動しながら、前記遮熱コーティング材の溶射を行い、前記翼後縁端部まで到達すると、前記コーティング施工ノズルがハブ側に移動し、前記翼後縁端部から前記翼前縁端部へ、前記コーティング施工ノズルが移動しながら、前記溶射を行うという動作を繰り返しながら、前記チップ側から前記ハブ側へ前記溶射を行っていき、さらに、前記コーティング施工ノズルの、プラズマ強度、移動速度、溶射量、又は、移動距離のいずれか１つを、前記翼後縁部において前記遮熱コーティング材の厚みが前記翼後縁端部へ向かい漸減するように変更することで、
上記第１から第３のいずれか１つの発明に係るガスタービン冷却翼を製造することを特徴とする。
上記課題を解決する第５の発明に係るガスタービンは、
上記第１から第３のいずれか１つの発明に係るガスタービン冷却翼を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月12日(2014.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電動機によって動力を取り出す形式の車両に併用される内燃機関、或いは筒内用燃料噴射弁と吸気ポート用燃料噴射弁を有する内燃機関に使用される燃料噴射制御装置であって、前記燃料噴射制御装置は少なくとも前記内燃機関の燃焼室内に直接燃料を噴射する燃料噴射弁、及び加圧室とプランジャとを有し前記内燃機関の回転に連動して前記プランジャを往復させることにより燃料タンクから吸入した燃料を加圧室内で加圧して吐出通路から吐出することにより前記燃料噴射弁に燃料を圧送する高圧燃料ポンプの作動を制御する内燃機関の燃料噴射制御装置において、
前記燃料噴射制御装置は、前記燃料噴射弁による燃料噴射が所定期間に亘り停止している状態が継続されると前記高圧ポンプを作動させて前記高圧ポンプに燃料タンクの燃料を循環させる機能を備えていることを特徴とする内燃機関の燃料噴射制御装置。
【請求項２】
請求項１に記載の内燃機関の燃料噴射制御装置において、
前記燃料噴射制御装置は、前記燃料噴射弁による燃料噴射が所定期間に亘り停止している状態が継続されると強制的に前記燃料噴射弁から燃料噴射を再開させる機能を備えていることを特徴とする内燃機関の燃料噴射制御装置。
【請求項３】
請求項２に記載の内燃機関の燃料噴射制御装置において、
前記燃料噴射制御装置は、前記燃料噴射弁から燃料噴射を再開させた後に所定の期間が経過すると前記燃料噴射弁からの燃料噴射を停止する機能を備えていることを特徴とする内燃機関の燃料噴射制御装置。
【請求項４】
請求項１に記載の内燃機関の燃料噴射制御装置において、
前記燃料噴射制御装置は、前記燃料噴射弁による燃料噴射が所定期間に亘り停止している状態が継続されると前記高圧燃料ポンプを作動させると共に前記燃料噴射弁の作動を停止して前記高圧燃料ポンプと前記燃料噴射弁の間にあるリリーフ弁を開いて前記燃料タンクに燃料を戻す機能を備えていることを特徴とする内燃機関の燃料噴射制御装置。
【請求項５】
請求項４に記載の内燃機関の燃料噴射制御装置において、
前記燃料噴射制御装置は、前記高圧燃料ポンプを作動させた後に所定の期間が経過すると前記高圧燃料ポンプの作動を停止する機能を備えていることを特徴とする内燃機関の燃料噴射制御装置。
【請求項６】
請求項１、請求項２、及び請求項４のいずれかに記載の内燃機関の燃料噴射制御装置において、
前記燃料噴射制御装置は、前記燃料噴射弁による燃料噴射が所定期間に亘り停止している状態が継続したことを判定する判定機能を有することを特徴とする内燃機関の燃料噴射制御装置。
【請求項７】
請求項６に記載の内燃機関の燃料噴射制御装置において、
前記燃料噴射制御装置は、前記内燃機関の回転数、冷却水温度、吸気温度、燃料温度、ポンププランジャ摺動回数、蓄圧室内の燃料圧力の一つ以上の変数を用いて前記所定期間を決定する機能を備えていることを特徴とする内燃機関の燃料噴射制御装置
【請求項８】
請求項６に記載の内燃機関の燃料噴射制御装置において、
前記所定期間は予め定められた所定の時間であることを特徴とする内燃機関の燃料噴射制御装置。
【請求項９】
請求項３に記載の内燃機関の燃料噴射制御装置において、
前記燃料噴射制御装置は、燃料噴射を再開させた後に燃料噴射を停止する所定の期間の経過を判定する機能を備えていることを特徴とする内燃機関の燃料噴射制御装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の内燃機関の燃料噴射制御装置において、
前記燃料噴射制御装置は、前記内燃機関の回転数、冷却水温度、吸気温度、燃料温度、ポンププランジャ摺動回数の一つ以上の変数を用いて前記所定期間を決定する機能を備えていることを特徴とする内燃機関の燃料噴射制御装置。
【請求項１１】
請求項５に記載の内燃機関の燃料噴射制御装置において、
前記燃料噴射制御装置は、前記高圧燃料ポンプを作動させた後に作動を停止する所定の期間の経過を判定する機能を備えていることを特徴とする内燃機関の燃料噴射制御装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の内燃機関の燃料噴射制御装置において、
前記燃料噴射制御装置は、前記内燃機関の回転数、冷却水温度、吸気温度、燃料温度、ポンププランジャ摺動回数の一つ以上の変数を用いて前記所定期間を決定する機能を備えていることを特徴とする内燃機関の燃料噴射制御装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の内燃機関の燃料噴射御装置において、
前記燃料噴射制御装置は、前記燃料噴射弁による燃料噴射が所定期間に亘り停止している状態が継続されると前記高圧燃料ポンプと前記燃料噴射弁の間の蓄圧室の燃料圧力を目標値としてから前記燃料噴射弁から燃料噴射を再開させる機能を備えていることを特徴とする内燃機関の燃料噴射制御装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の内燃機関の燃料噴射制御装置において、
前記燃料噴射制御装置は、車両の減速時に燃料噴射を行なう機能を備えていることを特徴とする内燃機関の燃料噴射制御装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載の内燃機関の燃料噴射制御装置において、
前記燃料噴射制御装置は、燃料噴射を実施後に電気的な回生制御を行なう機能を備えていることを特徴とする内燃機関の燃料噴射制御装置。
【請求項１６】
請求項１４に記載の内燃機関の燃料噴射制御装置において、
前記燃料噴射制御装置は、燃料噴射は1サイクル中に複数回に分けて噴射する機能を備えていることを特徴とする内燃機関の燃料噴射制御装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の内燃機関の燃料噴射制御装置において、
前記燃料噴射制御装置は、燃料噴射時の点火時期を圧縮上死点以降に設定する機能を備えていることを特徴とする内燃機関の燃料噴射制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の特徴は、デュアルインジェクション式の燃料噴射制御装置を備えた内燃機関やハイブリッド車に搭載されている筒内噴射式内燃機関において、燃料噴射弁による燃料噴射が停止している状態が所定時間に亘り継続していると高圧燃料ポンプを作動させて高圧燃料系の燃料を燃料タンクから循環させて高圧燃料系の燃料温度を下げるようにした、ところにある。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月24日(2014.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に沿うように上流側から下流側に高温ガスが流通する被冷却構造部材であって、
前記表面から後退するように形成されて、前記下流側に向かうに従って前記表面に滑らかに接続されるように傾斜する傾斜案内面と、該傾斜案内面の両側に形成された側面とを有する凹部と、
前記凹部内に開口し、前記傾斜案内面に沿って前記下流側に冷媒を吹き出す冷却孔と、
前記表面における前記側面の前記上流側に配置され、前記表面から突出するように形成されたステップ部とを備えることを特徴とする被冷却構造部材。
【請求項２】
前記側面は、前記下流側に向かうに従って、互いに離間するように傾斜していることを特徴とする請求項１に記載の被冷却構造部材。
【請求項３】
前記ステップ部は、
前記上流側に形成された第一ステップ部と、
前記第一ステップ部から前記側面に沿って前記下流側に突出して、該第一ステップ部に一体に形成された第二ステップ部とを有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の被冷却構造部材。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の被冷却構造部材を翼部材として備えることを特徴とするタービン翼。
【請求項５】
請求項４に記載のタービン翼を備えることを特徴とするタービン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】被冷却構造部材、タービン翼、及びタービン
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、高温の被冷却構造部材、タービン翼、及びタービンの冷却構造に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明はこのような事情を考慮してなされたものであり、安定的にフィルム効率を向上し、冷却性能の向上を図った被冷却構造部材、タービン翼、及びタービンを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
凹部を流通する冷媒は、下流側へ向かう中途位置で側面から剥離するが、このように、第二ステップ部が第一ステップ部から下流側に突出して形成されていることによって、剥離が発生する位置までは側面に沿って冷媒を流通させ、その後、剥離の可能性のある位置においては、ステップ部の作用により、凹部の外側に拡がるフィルム空気を形成することが可能となる。即ち、第二ステップ部によって凹部の形状に沿って、凹部の外側に拡がるフィルム空気を安定的に形成できる。このため、さらなるフィルム効率の向上が可能となり、冷却性能の向上を図ることが可能となる。
ここで、本発明に係るタービン翼は、上記の被冷却構造部材を翼部材として備えることを特徴とする。
また、本発明に係るタービンは、上記のタービン翼を備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の被冷却構造部材、タービン翼、及びタービンによると、ステップ部によって、凹部の外側に拡がるフィルム空気を安定的に形成できるため、フィルム効率を向上し、冷却性能の向上を図ることが可能となる。