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【手続補正書】
【提出日】平成25年12月4日(2013.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
｛０００１｝面に対するオフ角が５０°以上６５°以下である主面を有する炭化珪素基板と、
前記主面上に形成され、導電型が第１導電型であるエピタキシャル成長層と、
前記エピタキシャル成長層上に接触して形成された絶縁膜と、
前記エピタキシャル成長層において前記絶縁膜と接触する領域を含むように形成され、導電型が前記第１導電型とは異なる第２導電型であるボディ領域とを備え、
前記ボディ領域における不純物密度は５×１０１７ｃｍ−３以上であり、
前記ボディ領域の、前記絶縁膜と接触する領域にチャネル領域が形成される、半導体装置。
【請求項２】
前記主面のオフ方位と＜０１−１０＞方向とのなす角は５°以下となっている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記主面の、＜０１−１０＞方向における｛０３−３８｝面に対するオフ角は−３°以上５°以下である、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記主面のオフ方位と＜−２１１０＞方向とのなす角は５°以下となっている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記主面は、前記炭化珪素基板を構成する炭化珪素のカーボン面側の面である、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ボディ領域における不純物密度は１×１０２０ｃｍ−３以下である、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
ノーマリーオフ型となっている、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記絶縁膜上に接触して配置されたゲート電極をさらに備え、
前記ゲート電極は前記第２導電型のポリシリコンからなっている、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記絶縁膜上に接触して配置されたゲート電極をさらに備え、
前記ゲート電極はｎ型ポリシリコンからなっている、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記絶縁膜の厚みは２５ｎｍ以上７０ｎｍ以下である、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第１導電型はｎ型であり、前記第２導電型はｐ型である、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記ボディ領域における不純物密度は５×１０１７ｃｍ−３以上３×１０１８ｃｍ−３以下である、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記ボディ領域において前記絶縁膜に接する領域に弱反転層が形成される閾値電圧が、室温以上１００℃以下の温度範囲において２Ｖ以上である、請求項１１または請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記閾値電圧が１００℃において３Ｖ以上である、請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記閾値電圧が２００℃において１Ｖ以上である、請求項１３または請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記閾値電圧の温度依存性が−１０ｍＶ／℃以上である、請求項１３から請求項１５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１７】
室温における電子のチャネル移動度が３０ｃｍ２／Ｖｓ以上である、請求項１１から請求項１６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１８】
１００℃における電子のチャネル移動度が５０ｃｍ２／Ｖｓ以上である、請求項１７に記載の半導体装置。
【請求項１９】
１５０℃における電子のチャネル移動度が４０ｃｍ２／Ｖｓ以上である、請求項１７または請求項１８に記載の半導体装置。
【請求項２０】
電子のチャネル移動度の温度依存性が−０．３ｃｍ２／Ｖｓ℃以上である、請求項１７から請求項１９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記エピタキシャル成長層と前記絶縁膜との界面におけるバリアハイトは２．２ｅＶ以上２．６ｅＶ以下である、請求項１から請求項２０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２２】
オン状態において、前記ボディ領域に形成されるチャネル領域における抵抗値であるチャネル抵抗は、前記チャネル領域以外の前記エピタキシャル成長層における抵抗値であるドリフト抵抗よりも小さい、請求項１から請求項２１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２３】
ＤｉＭＯＳＦＥＴである、請求項１から請求項２２いずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に従った半導体装置は、｛０００１｝面に対するオフ角が５０°以上６５°以下である主面を有する炭化珪素基板と、当該主面上に形成され、導電型が第１導電型であるエピタキシャル成長層と、エピタキシャル成長層上に接触して形成された絶縁膜と、エピタキシャル成長層において絶縁膜と接触する領域を含むように形成され、導電型が第１導電型とは異なる第２導電型であるボディ領域とを備えている。そして、ボディ領域における不純物密度は５×１０１７ｃｍ−３以上であり、ボディ領域の、絶縁膜と接触する領域にチャネル領域が形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の半導体装置においては、｛０００１｝面に対するオフ角が５０°以上６５°以下である主面を有する炭化珪素基板が採用され、当該主面上に形成されたエピタキシャル成長層内にボディ領域が形成される。そのため、不純物密度が５×１０１７ｃｍ−３以上という高いドーピング密度のボディ領域を形成し、閾値電圧をプラス側にシフトさせた場合でも、チャネル移動度の低下が抑制される。その結果、本発明の半導体装置によれば、チャネル移動度の低下を抑制しつつ閾値電圧の設定の自由度を高めることが可能な半導体装置を提供することができる。なお、上述の「不純物」は、炭化珪素中に導入されることにより多数キャリアを生成する不純物を意味する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
上記半導体装置においては、ボディ領域における不純物密度は５×１０１７ｃｍ−３以上３×１０１８ｃｍ−３以下であってもよい。このようにすることにより、本願の半導体装置を、珪素を材料として採用した半導体装置と置き換えて使用することが容易になるとともに、半導体装置を安定してノーマリーオフ型とすることができる。また、不純物密度が高くなることによる大幅なチャネル移動度の低下を回避することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月18日(2013.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が第１の光電変換部と、
第２の光電変換部と、
前記第１および第２の光電変換部の少なくとも一方で生成された電荷に基づく信号を出力する画素出力部と、
前記第１の光電変換部で生成された電荷を前記画素出力部に転送する第１の転送部と、前記第２の光電変換部で生成された電荷を前記画素出力部に転送する第２の転送部と、前記第１および第２の光電変換部をリセットするリセット部と、を有する複数の単位画素を有し、
前記第１の光電変換部は、前記リセット部によってリセットされた状態で空乏化し、前記第２の光電変換部は、前記リセット部によってリセットされた状態で空乏化しない
こと
を特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記第１の光電変換部で生成された電荷が前記第１の転送部によって転送されるタイミングで、前記第２の転送部が導通している第１のモードと、
前記第１の光電変換部で生成された電荷が前記第１の転送部によって転送されるタイミングで、前記第２の転送部が導通していない第２のモードと、を切り替え可能なこと
を特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第２の光電変換部で生成された電荷に基づく、前記画素出力部から出力された信号に基づいて前記第１の光電変換部の電荷蓄積動作を制御するモニタ部をさらに有することを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記モニタ部は、複数の前記画素出力部から出力される信号の最大値と最小値の差分に基づいて前記第１の光電変換部の電荷蓄積動作を制御することを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項５】
複数の前記単位画素は第１の方向に配列され、
前記第１および第２の光電変換部は前記第１の方向とは異なる第２の方向に沿って配置されたこと
を特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第２の方向は、前記第１の方向と直交する方向であることを特徴とする請求項５のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記第１の光電変換部は、前記第２の光電変換部よりも受光面積が大きいことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記画素出力部は、フローティングディフージョン部とアンプとをさらに有し、
前記フローティングディフージョン部に対して、前記第１の転送部と前記第２の転送部とが並列に電気的に接続され、
さらに前記フローティングディフージョン部が前記アンプに電気的に接続され、
前記アンプが、前記第１の転送部と前記第２の転送部のそれぞれから前記フローティングディフージョン部に転送された電荷に基づく信号をそれぞれ出力することを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の光電変換装置を有する焦点検出装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の焦点検出装置を備える撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月28日(2014.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列接続のＬＥＤアレイを含む発光装置であって、
前記直列接続のＬＥＤアレイは、
基板上に配置される複数の発光装置（ＬＥＤ）セルと、第１ＬＥＤセルと、第２ＬＥＤセルと、第１ＬＥＤセルと第２ＬＥＤセルとの間に挿入された少なくとも３つのＬＥＤセルを有する直列接続のＬＥＤサブアレイとを含み、
前記第１ＬＥＤセル及び前記第２ＬＥＤセルの各々は、前記ＬＥＤサブアレイに隣接する前記第１ＬＥＤセル及び／又は前記第２ＬＥＤセルの第１側面及び第２側面を有し、前記第１ＬＥＤセルの前記第２側面は前記第２ＬＥＤセルの第２側面に隣接する第１側面及び第２側面を有し、
前記発光装置は、
前記第１ＬＥＤセルの前記第２側面と前記第２ＬＥＤセルの前記第２側面との間のトレンチと、
通常の動作電圧より高いサージ電圧によって前記発光装置が破壊されることを防止するように、前記トレンチの近傍に形成された保護構造とを更に有する発光装置。
【請求項２】
前記保護構造は、
前記トレンチ内に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上の第２絶縁層と、
を有する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１ＬＥＤセル及び前記第２ＬＥＤセルの各々は前記第２側面に近接する側壁を有し、前記第１絶縁層は、前記第１ＬＥＤセルの前記側壁及び前記第２ＬＥＤセルの前記側壁を覆う、請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１ＬＥＤセル及び前記第２ＬＥＤセルの各々は上部面を有し、前記第２絶縁層は前記第１ＬＥＤセル及び前記第２ＬＥＤセルの大部分の前記上部面を覆うとともに／或いは前記トレンチ内に形成された第１絶縁層は前記上部面に直接接触される、請求項２に記載の発光装置。
【請求項５】
各々のＬＥＤセルは、第１半導体層と第２半導体層との間に位置する活性層と、前記第２半導体層上に位置する導電金属とを有する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記トレンチにおける前記保護構造の厚さは、前記第１半導体層、前記活性層、前記第２半導体層及び前記導電金属の総厚さより厚いか、或いはその総厚さの１．５倍より厚い、請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第１ＬＥＤセルの前記第１半導体層と前記第２ＬＥＤセルの前記第１半導体層との間の距離は１５〜１００μｍの範囲内にある、請求項５に記載の発光装置。
【請求項８】
前記導電金属は、少なくとも１つのフィンガーを有する拡張部を更に含み、前記少なくとも１つのフィンガーは、前記導電金属の曲率半径より大きい曲率半径を有する端子を有する、請求項５に記載の発光装置。
【請求項９】
前記直列接続されたＬＥＤアレイは少なくとも８つのＬＥＤセルを有し、該ＬＥＤアレイは２つのブランチを更に有するとともに／或いは該ＬＥＤアレイにおいて連続されたいずれか２つのＬＥＤセルはそれらの配列方向を変えることができる、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記ＬＥＤセルの前記第１半導体層の各々は丸みを帯びた角を有し、該丸みを帯びた角は１５μｍより小さくない曲率半径を有するとともに／或いは該丸みを帯びた角は前記第２側面に隣接する、請求項５に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月18日(2014.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
半導体照明システムの光エンジンは、回路基板に半田付けされたＬＥＤを有するのが一般的である。回路基板は、照明器具に実装されるよう構成されている。照明器具は、ＬＥＤに電力を供給する電源を有する。回路基板は、照明器具電源に配線される。回路基板は、回路基板及び照明器具に半田付けされる電線を使用して照明器具に配線されるのが代表的である。一般的に、回路基板を照明器具電源に配線することは、複数の電線及び接続部を要する。各電線は、回路基板及び照明器具間に個別の結合されなければならない。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月13日(2014.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａより大きく１３３３２Ｐａ以下とする第１の条件を用いたプラズマＣＶＤ法により、絶縁膜上に種結晶を形成し、
シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ前記処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする第２の条件を用いたプラズマＣＶＤ法により、前記種結晶上に微結晶半導体膜を形成することを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項２】
第１の条件を用いたプラズマＣＶＤ法により、混相粒の間に隙間を有する種結晶を絶縁膜上に形成し、
第２の条件を用いたプラズマＣＶＤ法により、前記混相粒の間の隙間を埋めるように微結晶半導体膜を形成し、
前記第１の条件は、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａより大きく１３３３２Ｐａ以下とする条件であり、
前記第２の条件は、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ前記処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件であり、
前記混相粒は、非晶質シリコン領域と、結晶子とを有することを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項３】
基板上に、ゲート電極を形成し、
前記基板及び前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、第１の条件を用いたプラズマＣＶＤ法により種結晶を形成し、
前記種結晶上に、第２の条件を用いたプラズマＣＶＤ法により微結晶半導体膜を形成し、
前記微結晶半導体膜上に、微結晶半導体領域及び非晶質半導体領域を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第１の不純物半導体膜を形成し、
前記第１の不純物半導体膜の一部をエッチングして、島状の第２の不純物半導体膜を形成し、
前記種結晶、前記微結晶半導体膜、及び前記半導体膜の一部をエッチングして、島状の第１の半導体積層体を形成し、
前記第１の条件は、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａより大きく１３３３２Ｐａ以下とする条件であり、
前記第２の条件は、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ前記処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記第１の半導体積層体を形成した後、前記第１の半導体積層体の側面にプラズマを曝して、前記第１の半導体積層体の側面に絶縁領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月24日(2014.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた酸化物半導体層と、を有し、
前記基板及び前記絶縁層の界面における水素濃度が１．１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記絶縁層は、昇温脱離ガス分光法分析にて、酸素原子に換算しての酸素の放出量が１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記絶縁層は、シリコン原子数の２倍より多い酸素原子を単位体積当たりに含む酸化シリコンであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板に第１の熱処理を行い、
前記基板上に絶縁層を成膜し、
前記絶縁層上に酸化物半導体層を成膜し、
前記第１の熱処理から前記酸化物半導体層の成膜まで大気に暴露せずに行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の熱処理の温度は、１００℃以上６００℃以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第１の熱処理から前記酸化物半導体層の成膜まで真空にて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一において
前記絶縁層は、昇温脱離ガス分光法分析にて、酸素原子に換算しての酸素の放出量が１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項４乃至７のいずれか一において、
前記絶縁層は、シリコン原子数の２倍より多い酸素原子を単位体積当たりに含む酸化シリコンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月30日(2014.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜と、
第２の絶縁膜と、
酸化物半導体層と、
導電膜と、
を有し、
前記酸化物半導体層は第１の面において、前記第１の絶縁膜に接する第１の領域と、前記第２の絶縁膜に接する第２の領域と、を有し、
前記導電膜は、前記酸化物半導体層の上方にあり、
前記導電膜は、ゲート電極として機能する領域を有し、
前記導電膜は、前記第１の絶縁膜と重なる領域を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸化シリコンを有し、
前記第２の絶縁膜は、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたは酸化窒化アルミニウムを有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりも抵抗が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の絶縁膜と、
第２の絶縁膜と、
酸化物半導体層と、
第１の導電膜と、
第２の導電膜と、
を有し、
前記酸化物半導体層は第１の面において、前記第１の絶縁膜に接する第１の領域と、前記第２の絶縁膜に接する第２の領域と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記酸化物半導体層の上方にあり、
前記第１の導電膜は、ゲート電極として機能する領域を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１の絶縁膜と重なる領域を有し、
前記第２の導電膜は、前記酸化物半導体層と接する領域を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸化シリコンを有し、
前記第２の絶縁膜は、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたは酸化窒化アルミニウムを有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりも抵抗が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の絶縁膜は、シリコン原子数の２倍より多い酸素原子を単位体積当たりに含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の絶縁膜は、単位体積当たりの酸素原子数が前記第１の絶縁膜より少ないことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月30日(2014.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のゲートと、
第２のゲートと、
酸化物半導体層と、
チャネル形成領域を含む半導体層と、
配線と、
を有し、
前記第１のゲートは、前記チャネル形成領域と重なる位置に、前記酸化物半導体層を間に挟んで設けられ、
前記酸化物半導体層は、前記チャネル形成領域と重なる第１の領域と、前記第１のゲートの端部を超えて延びて設けられた第２の領域と、前記配線に接する第３の領域と、を有し、
前記第２のゲートは、前記第２の領域と重なる位置に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のゲートと、
第２のゲートと、
酸化物半導体層と、
チャネル形成領域を含む半導体層と、
第１の配線と、
第２の配線と、
第３の配線と、
第４の配線と、
第５の配線と、
を有し、
前記第１のゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のゲートは、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記半導体層は、前記第４の配線と接する領域と、前記第５の配線と接する領域と、を有し、
前記第４の配線は、ソースまたはドレインの一方として機能する領域を有し、
前記第５の配線は、ソースまたはドレインの他方として機能する領域を有し、
前記第１のゲートは、前記チャネル形成領域と重なる位置に、前記酸化物半導体層を間に挟んで設けられ、
前記酸化物半導体層は、前記チャネル形成領域と第１の重なる領域と、前記第１のゲートの端部を超えて延びて設けられた第２の領域と、前記第２の配線に接する第３の領域と、を有し、
前記第２のゲートは、前記第２の領域と重なる位置に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記半導体層は、酸化物半導体であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２のゲートは、前記第１のゲートの端部と重なる領域と、前記配線の端部と重なる領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第１の半導体層と、第２の半導体層と、を有し、
前記第１の半導体層は、前記第１の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の半導体層は、酸化物半導体を有し、
前記第２の半導体層は、前記第１の導電層と前記第１の半導体層との間に挟まれた領域を有し、
前記第２の半導体層は、前記第３の導電層と接する領域を有し、
前記第２の半導体層は、前記第１の導電層と重なり、かつ、前記第１の半導体層と重ならない領域を有し、
前記第２の半導体層は、前記第１の導電層と重なり、かつ、前記第２の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の半導体層は、前記第２の導電層と重なり、かつ、前記第１の導電層と重ならない領域を有し、
前記第２の半導体層は、前記第２の導電層と重なり、かつ、前記第３の導電層と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第１の半導体層と、第２の半導体層と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、を有し、
前記第１の半導体層は、前記第１の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の半導体層は、酸化物半導体を有し、
前記第２の半導体層は、前記第１の絶縁層を介して前記第１の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の半導体層は、前記第２の絶縁層を介して前記第１の半導体層と重なる領域を有し、
前記第２の半導体層は、前記第２の絶縁層を介して前記第２の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の半導体層は、前記第３の導電層と接する領域を有し、
前記第２の半導体層は、前記第１の導電層と重なり、かつ、前記第１の半導体層と重ならない領域を有し、
前記第２の半導体層は、前記第１の導電層と重なり、かつ、前記第２の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の半導体層は、前記第２の導電層と重なり、かつ、前記第１の導電層と重ならない領域を有し、
前記第２の半導体層は、前記第２の導電層と重なり、かつ、前記第３の導電層と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月4日(2014.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に、酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と接する領域を有するソース電極と、前記酸化物半導体層と接する領域を有するドレイン電極と、前記ソース電極上の絶縁層と、前記ドレイン電極上の絶縁層と、を形成し、
前記酸化物半導体層上、前記ソース電極上、前記ドレイン電極上、および前記絶縁層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ソース電極と前記ドレイン電極とに挟まれた領域の少なくとも一部と重畳するように、前記ゲート絶縁層上に導電層を形成し、
前記導電層を覆うように絶縁膜を形成し、
前記導電層における前記ソース電極または前記ドレイン電極と重畳する領域の少なくとも一部が露出するように前記絶縁膜を加工し、
前記導電層の露出した領域をエッチングして、前記ソース電極と前記ドレイン電極とに挟まれた領域の少なくとも一部と重畳するゲート電極を自己整合的に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記ゲート電極の前記ゲート絶縁層の最上面より上部は、前記ソース電極および前記ドレイン電極とは重畳しないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に、酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と接する領域を有するソース電極と、前記酸化物半導体層と接する領域を有するドレイン電極と、前記ソース電極上の絶縁層と、前記ドレイン電極上の絶縁層と、を形成し、
前記酸化物半導体層上、前記ソース電極上、前記ドレイン電極上、および前記絶縁層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ソース電極と前記ドレイン電極とに挟まれた領域の少なくとも一部と重畳するように、前記ゲート絶縁層上に導電層を形成し、
前記ゲート絶縁層における前記ソース電極または前記ドレイン電極と重畳する領域の少なくとも一部が露出するように前記導電層を加工して、前記ソース電極と前記ドレイン電極とに挟まれた領域の少なくとも一部と重畳するゲート電極を自己整合的に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３について
前記ゲート電極の上面が前記ゲート絶縁層の最上面より低いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、少なくとも前記酸化物半導体層の上面の一部と接することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、少なくとも前記ソース電極および前記ドレイン電極の上面の一部と接することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記ゲート電極を形成する際に残存した前記導電層の一部を加工して、配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記ソース電極の端部と前記ドレイン電極の端部との間隔が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月14日(2014.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
モールド材Ｍの中にセラミックスを混在させることにより、モールド材Ｍの熱伝導率を向上させることができる。平均的なエポキシ樹脂の熱伝導率は０．３Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、同じくシリコン樹脂は０．１６、窒化アルミニウムは３００、アルミナは３６．０、シリカは１０．４である。熱伝導率を大きくするにはセラミックス等の充填率を大きくすることが重要であるが、単一の粒径の粒子から構成すると粒子と粒子とが接する細密充填でも充填率は７４％である。そのため、２種又は３種以上の粒径の粒子を混ぜることにより、最大９０％以上の充填率を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１又は複数のファン形ビームを発生するＸ線イメージング・システムであって、
少なくとも一つのターゲット焦点スポットを含んでおり、電子発生源からの電子により衝突されるとＸ線を放出するターゲットと、
該ターゲットと連絡しており、前記１又は複数のファン形ビームを発生するように全反射を通じて前記Ｘ線の少なくとも一部を伝達する１又は複数の勾配付き多層光学装置と
を備えており、該勾配付き多層光学装置は、全反射を通じてＸ線を方向転換させて伝達する第一の勾配付き多層区画を含んでおり、該第一の勾配付き多層区画は、
実部Ｒｅ（ｎ１）及び虚部β１を有する第一の複素屈折率ｎ１を含む高屈折率物質層と、
実部Ｒｅ（ｎ２）及び虚部β２を有する第二の複素屈折率ｎ２を含む低屈折率物質層と、
前記高屈折率物質層と前記低屈折率物質層との間に配設されており、Ｒｅ（ｎ１）＞Ｒｅ（ｎ３）＞Ｒｅ（ｎ２）となるような実部Ｒｅ（ｎ３）及び虚部β３を有する第三の複素実数屈折率ｎ３を含む勾配層を有する勾配帯と
を含んでいる、Ｘ線イメージング・システム。
【請求項２】
前記ターゲットは、Ｘ線透過性の窓を有する筐体に封入されており、前記勾配付き多層光学装置は、前記筐体の内部に装着されている、前記筐体の外部に装着されている、前記窓として作製されている、又は前記窓と一体化されているの何れかである、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記１又は複数の勾配付き多層光学装置は、透過型ターゲットでは前記ターゲットに装着されており、又は反射型ターゲットでは前記ターゲットの近傍に装着されている、請求項１または２に記載のシステム。
【請求項４】
前記ファン形ビームは、連続ファン形ビーム又は平行ファン形ビームの不連続な積層体を含んでいる、請求項１乃至３のいずれかに記載のシステム。
【請求項５】
前記１又は複数の勾配付き多層光学装置は、積層された勾配付き多層光学装置の対を含んでおり、対の一方が当該対の他方の鏡像となるように配置されている、請求項１乃至４のいずれかに記載のシステム。
【請求項６】
前記１又は複数の勾配付き多層光学装置は、前記ターゲットでの前記少なくとも一つの焦点スポットの移動を補償するように構成されている、請求項１乃至５のいずれかに記載のシステム。
【請求項７】
当該Ｘ線イメージング・システムは、計算機式断層写真法（ＣＴ）システム、Ｘ線放射線写真法システム、トモシンセシス・システム、又はＸ線回折システムの一つに用いられる請求項１乃至６のいずれかに記載のシステム。
【請求項８】
１又は複数のファン形ビームを発生する多重エネルギＸ線イメージング・システムであって、
電子発生源と、
該電子発生源からの電子により衝突されるとＸ線を形成するターゲットと、
該ターゲットを収容する真空室と、
前記Ｘ線が前記真空室を出るときに通る窓と、
前記１又は複数のファン形ビームを発生するのに望ましい範囲のＸ線エネルギを伝達するように構成されている少なくとも一つの勾配付き多層光学装置と
を備えており、該少なくとも一つの勾配付き多層光学装置は、
全反射を通じて第一の光学Ｘ線を方向転換させる第一の光学部分と、
前記第一の光学Ｘ線とは異なる平均エネルギ・レベルにある第二の光学Ｘ線を方向転換させる第二の光学部分と
を含んでいる、多重エネルギＸ線イメージング・システム。
【請求項９】
前記第一の光学部分は、高い平均エネルギのスペクトルを発生するように構成されており、
前記第二の光学部分は、低い平均エネルギのスペクトル向けに構成されており、
前記第一の光学的エネルギ・スペクトルの前記平均エネルギは、前記第二の光学的エネルギ・スペクトルの前記平均エネルギ以上である、請求項８に記載の多重エネルギＸ線イメージング・システム。
【請求項１０】
対象を撮像する方法であって、
少なくとも一つの電子ビーム放出器から少なくとも一つのターゲット焦点スポットを有するターゲットへ向けて電子ビームを放出するステップと、
前記電子ビームにより衝突されるのに応答して前記ターゲットからＸ線を発生するステップと、
前記Ｘ線を１又は複数のファン形ビームとして形成するステップであって、該ファン形ビームは、当該１又は複数の勾配付き多層光学装置の少なくとも一つが前記少なくとも一つのターゲット焦点スポットと光学的に連絡するように配置されている１又は複数の勾配付き多層光学装置を通じた前記Ｘ線の全反射を介して発生される、形成するステップと、
前記１又は複数の勾配付き多層光学装置を介して伝達される前記放出Ｘ線を用いることにより前記対象の画像を形成するステップと
を備えた方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月4日(2014.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の第１の電極と、
前記第１の電極上の、発光性の有機化合物を含む層と、
前記発光性の有機化合物を含む層上の絶縁層と、
前記絶縁層上の補助電極層と、
前記発光性の有機化合物を含む層上及び前記補助電極層上の、可視光に対する透光性を有する第２の電極と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の電極は、凹凸を有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１において、
可視光に対する透光性を有し、凹凸を有する層を、前記第２の電極上に備えることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記発光性の有機化合物を含む層は、有機化合物と金属酸化物とを含む第１の複合材料層を有し、
前記第１の複合材料層は、前記第１の電極と接することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記発光性の有機化合物を含む層は、有機化合物と金属酸化物とを含む第２の複合材料層を有し、
前記第２の複合材料層は、前記第２の電極と接することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記基板と前記第１の電極との間に、凹凸を有することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の発光装置を含むことを特徴とする照明装置。
【請求項８】
基板上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に、発光性の有機化合物を含む層を形成し、
前記発光性の有機化合物を含む層上にシャドーマスクを配置し、
前記発光性の有機化合物を含む層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に補助電極層を形成し、
前記シャドーマスクを外し、
前記発光性の有機化合物を含む層上及び前記補助電極層上に、可視光に対する透光性を有する第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記第２の電極を形成した後、前記第２の電極に凹凸を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８において、
前記第２の電極を形成した後、前記第２の電極上に、可視光に対する透光性を有し、凹凸を有する層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記発光性の有機化合物を含む層のうちの一層として、有機化合物と金属酸化物とを含む第１の複合材料層を形成し、
前記第１の複合材料層は、前記第１の電極と接することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記発光性の有機化合物を含む層のうちの一層として、有機化合物と金属酸化物とを含む第２の複合材料層を形成し、
前記第２の複合材料層は、前記第２の電極と接することを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月9日(2014.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置および照明装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視光に対して透光性を有する基板上に、
第１の電極と第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極との間に位置するＥＬ層を備え、
前記第１の電極と前記ＥＬ層の間に前記第１の電極に接して金属を含む補助電極を有し、
前記補助電極とＥＬ層の間に前記金属の酸化物からなる絶縁層を有する発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記補助電極を構成する金属がアルカリ土類金属である発光装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記補助電極を構成する金属がアルミニウムである発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記ＥＬ層における前記第１の電極及び前記絶縁層に接する層が、正孔輸送性の材料とアクセプター物質を含む複合材料からなる層である発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記補助電極がストライプ状に複数形成されている発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光装置を備えた照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月8日(2014.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏の平面をもって平板状に形成された導光板本体と、導光板本体の一辺側において前記表裏の平面を平行に面間距離を維持して同心円弧状に湾曲させて導光板本体の裏面方向に垂下した導光板の湾曲垂下部と、湾曲垂下部の先端面に対向して配置される１つ以上の点状光源とからなり、
前記点状光源は、前記導光板の湾曲垂下部の表裏の平面間の中心線よりも導光板の表面側に偏移して配置されていることを特徴とする面照明装置。
【請求項２】
請求項１において、湾曲垂下部の表裏面の面間距離Ｄが３．０ｍｍ以下、湾曲垂下部の同心円弧の半径ｒが２．０ｍｍ以上、点状光源の湾曲垂下部の表裏の平面間の中心線から表面側への偏移量ｄが０．１ｍｍ以上、０．６ｍｍ以下であることを特徴とする面光源装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月25日(2014.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウムの陽極酸化膜からなる板状体と、前記板状体を厚さ方向に貫通する複数の線状導体と、を備えた無機材料部と、
平面視において、前記無機材料部の周囲に形成されたアルミニウムと、
前記複数の線状導体の一端面が露出する前記無機材料部の一方の面を少なくとも覆うように設けられた第１金属層と、
前記複数の線状導体の他端面が露出する前記無機材料部の他方の面を少なくとも覆うように設けられた第２金属層と、を有し、
前記線状導体は、隣接する前記線状導体の間隔が、前記線状導体の直径よりも小さくなるように形成されている基材。
【請求項２】
前記アルミニウムの一方の面は、前記無機材料部の一方の面と面一であり、
前記アルミニウムの他方の面は、前記無機材料部の他方の面と面一である請求項１記載の基材。
【請求項３】
アルミニウムの陽極酸化膜からなる板状体と、前記板状体を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔と、を備えた無機材料部と、
平面視において、前記無機材料部の周囲に形成されたアルミニウムと、を有し、
前記貫通孔は、隣接する前記貫通孔の間隔が、前記貫通孔の直径よりも小さくなるように形成されている基材。
【請求項４】
前記アルミニウムは、前記複数の貫通孔の一方の端部が露出する前記無機材料部の何れか一の面に延在し、前記何れか一の面を覆っている請求項３記載の基材。
【請求項５】
前記複数の貫通孔には金属材料が充填されている請求項３又は４記載の基材。
【請求項６】
前記無機材料部の前記何れか一の面の反対面を少なくとも覆うように金属層が設けられている請求項５記載の基材。
【請求項７】
前記無機材料部は複数個形成されており、
平面視において、複数の前記無機材料部の周囲に前記アルミニウムが一体的に形成されている請求項１乃至６の何れか一項記載の基材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本基材の一形態は、アルミニウムの陽極酸化膜からなる板状体と、前記板状体を厚さ方向に貫通する複数の線状導体と、を備えた無機材料部と、平面視において、前記無機材料部の周囲に形成されたアルミニウムと、前記複数の線状導体の一端面が露出する前記無機材料部の一方の面を少なくとも覆うように設けられた第１金属層と、前記複数の線状導体の他端面が露出する前記無機材料部の他方の面を少なくとも覆うように設けられた第２金属層と、を有し、前記線状導体は、隣接する前記線状導体の間隔が、前記線状導体の直径よりも小さくなるように形成されていることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受光素子を備え、入射した光を電気信号に変換する光電変換部と、
各受光素子の直上域に配置され、その直下に位置する受光素子の受光部に向けて光を集光する複数のレンズと、
前記レンズ上に形成され、光透過材料からなる絶縁層と、
前記絶縁層の表面に受光素子毎にそれぞれ離間して設けられ、その中心が、各受光素子の受光部の中心とその直上に配置されたレンズの中心とを結んだ線の延長線上に位置する検出領域と、
を有し、
検出対象の試料は少なくとも前記検出領域に固定されるイメージセンサ。
【請求項２】
絶縁層の屈折率をｎ、試料からレンズまでの距離をＬとしたとき、前記レンズの焦点距離ｆが、試料とレンズ間の光路長（＝ｎ×Ｌ）よりも短い請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項３】
前記検出領域にのみ検出対象の試料が固定される請求項１又は２に記載のイメージセンサ。
【請求項４】
前記検出領域には、表面処理が施されている請求項３に記載のイメージセンサ。
【請求項５】
前記検出領域には、前記試料と結合する抗体、アダプター又は遺伝子吸着物質が固定されている請求項３に記載のイメージセンサ。
【請求項６】
前記絶縁層の表面には、前記検出領域以外の部分に、遮光マスクが形成されている請求項１〜５のいずれか一項に記載のイメージセンサ。
【請求項７】
前記絶縁層は、シリコンオキサイドにより形成されている請求項１〜６のいずれか一項に記載のイメージセンサ。
【請求項８】
半導体ウエハに、複数の受光素子を備え、入射した光を電気信号に変換する光電変換部を形成する工程と、
各受光素子の直上域に、その直下に位置する受光素子の受光部に向けて光を集光する複数のレンズを形成する工程と、
前記レンズ上に、光透過性材料からなる絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の表面に、受光素子毎に、検出対象の試料が固定される検出領域を、相互に離間し、かつ中心が各受光素子の受光部の中心とその直上に配置されたレンズの中心とを結んだ線の延長線上に位置するように形成する工程と、
を有するイメージセンサの製造方法。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のイメージセンサが搭載された検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
一方、図３（ａ）及び図４（ａ）に示すように、本実施形態のイメージセンサ１０では、検出領域２から発せられ、少なくとも集光途中にある光束を並行又は収束させて、対応する受光部４内に収まるように、マイクロレンズ５の焦点を形成する。具体的には、マイクロレンズ５の焦点距離ｆが、ｆ＜Ｌ２×ｎ２となるように、絶縁層６の厚さ、マイクロレンズ５から受光部４までの距離及び受光素子や受光部４の大きさなどを調整する。ここで、ｎ２は絶縁層６の屈折率、Ｌ２は試料１１からマイクロレンズ５までの距離である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
更に、マイクロレンズ５の焦点距離ｆは、図５に示すように検出領域２からの光が幾何学的に全て受光部４に入射する条件であることが好ましい。具体的には、検出領域２がマイクロレンズ５の光軸近傍のみに存在する場合は、口径Ｓ２のマイクロレンズ５から出射した光束が、全て、口径Ｓ１の受光部４に入射する条件は、幾何学的には、下記数式（１）で表される。ここで、下記数式（１）におけるＬ１はマイクロレンズ５から受光部４までの距離であり、Ｌ３はマイクロレンズ５から焦点までの距離である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
そして、検出領域２からの光を、上記数式（２）で表されるＬ３よりも手前で合焦させるためには、マイクロレンズ５の焦点距離ｆが下記数式（３）を満たすようにすればよい。ここで、下記数式（３）におけるｎ１はマイクロレンズ５から受光部４までの屈折率、ｎ２は絶縁層６の屈折率である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
＜３．第３の実施の形態＞
次に、本開示の第３の実施形態に係る検査装置について説明する。図９は本実施形態の検査装置の構成を示すブロック図である。図９に示すように、本実施形態の検査装置３０は、前述した第１の実施形態のイメージセンサ１０が搭載されたものであり、例えば、試料注入部３３から注入された試料１１に、光源３２から出射された光を照射し、その発光過程を検出するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月14日(2014.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極と半導体層が配置され、前記半導体層に接続してソース電極とドレイン電極が配置される薄膜トランジスタを２つ以上含み、
少なくとも第一の薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート電極が電気的に浮遊状態にあり、かつ、前記半導体層は前記基板面に対して垂直方向について、前記ゲート電極と前記ソース電極により挟まれる第１の重なり領域と前記ゲート電極と前記ドレイン電極により挟まれる第２の重なり領域を有し、
少なくとも第二の薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート電極が入力端子に接続され、かつ、前記半導体層は前記基板面に対して垂直方向について、前記ゲート電極と前記ソース電極により挟まれる第１の重なり領域と前記ゲート電極と前記ドレイン電極により挟まれる第２の重なり領域を有し、
前記第一の薄膜トランジスタの前記ドレイン電極が電源線に接続され、前記第二の薄膜トランジスタの前記ドレイン電極が前記第一の薄膜トランジスタの前記ソース電極に接続され、
前記第一の薄膜トランジスタの前記ソース電極及び前記第二の薄膜トランジスタの前記ドレイン電極が出力端子に接続され、
前記入力端子に接続される前記第二の薄膜トランジスタの前記ゲート電極の電位に応じて、電気的に浮遊状態にある前記第一の薄膜トランジスタの前記ゲート電極の電位が動的に変化する論理ゲートを含む
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ゲート電極が前記半導体層よりも前記基板に近い側に配置され、
前記ソース電極および前記ドレイン電極が前記半導体層よりも前記基板から遠い側に配置される
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、チャネル幅方向に細長いパターンとして形成され、かつ、前記パターンからの引き出し線の線幅が、前記パターンのチャネル幅方向のパターン幅よりも狭く、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極に電気的に接続される配線と、前記ゲート電極に電気的に接続される配線とが基板上面から見た平面図上で重なりをもたない
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体層が金属酸化物材料よりなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体層がＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌのいずれか、または複数を含有する金属酸化物材料よりなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体層が、インジウム（Ｉｎ）元素、ガリウム（Ｇａ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｚｎ−Ｏ）、亜鉛（Ｚｎ）元素、すず（Ｓｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｏ）、ガリウム（Ｇａ）元素および酸素元素を含む膜（Ｇａ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）元素、すず（Ｓｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ）、すず（Ｓｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｓｎ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）、ガリウム（Ｇａ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）元素、ガリウム（Ｇａ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ）、アルミニウム（Ａｌ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ）から選択されるいずれかの膜である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極と半導体層が配置され、前記半導体層に接続してソース電極とドレイン電極とが配置される薄膜トランジスタを２つ以上含み、
少なくとも第一の薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層は前記ソース電極と前記ドレイン電極を結ぶ電流経路中に、前記基板面に対して垂直な方向について、前記ゲート電極と前記ソース電極と前記ドレイン電極のいずれとも重ならなず、かつ、前記ドレイン電極と電気的に接続される第１のオフセット領域を有し、
少なくとも第二の薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層は基板面に対して垂直な方向について、前記ゲート電極と前記ソース電極により挟まれる第１の重なり領域と前記ゲート電極と前記ドレイン電極により挟まれる第２の重なり領域を有し、
前記第一の薄膜トランジスタの前記ゲート電極と前記ドレイン電極が電源線に接続され、前記第二の薄膜トランジスタの前記ドレイン電極が前記第一の薄膜トランジスタの前記ソース電極に接続され、
前記第二の薄膜トランジスタの前記ゲート電極が入力端子に接続され、前記第一の薄膜トランジスタの前記ソース電極及び前記第二の薄膜トランジスタの前記ドレイン電極が出力端子に接続される論理ゲートを含む
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記第一の薄膜トランジスタは、前記半導体層内の前記ソース電極と前記ドレイン電極を結ぶ電流経路中に前記ゲート電極と前記ソース電極と前記ドレイン電極のいずれとも重ならず、かつ、前記ソース電極と電気的に接続される第２のオフセット領域を更に有する
ことを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記ゲート電極が前記半導体層よりも前記基板に近い側に配置され、
前記ソース電極および前記ドレイン電極が前記半導体層よりも前記基板から遠い側に配置される
ことを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体層が金属酸化物材料よりなる
ことを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体層がＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌのいずれか、または複数を含有する金属酸化物材料よりなることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体層が、インジウム（Ｉｎ）元素、ガリウム（Ｇａ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｚｎ−Ｏ）、亜鉛（Ｚｎ）元素、すず（Ｓｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｏ）、ガリウム（Ｇａ）元素および酸素元素を含む膜（Ｇａ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）元素、すず（Ｓｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ）、すず（Ｓｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｓｎ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）、ガリウム（Ｇａ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）、インジウム（Ｉｎ）元素、ガリウム（Ｇａ）元素および酸素元素を含む膜（Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ）、アルミニウム（Ａｌ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素および酸素元素を含む膜（Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ）から選択されるいずれかの膜である
ことを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ＶＦＧ＝
（０×ＣＯＬＳ＋ＶＤＤ／２×ＣＬ＋ＶＤＤ×ＣＯＬＤ）／（ＣＯＬＳ＋Ｌ＋ＣＯＬＤ）…（１）
ここで、Ｌはチャネル長を表わし、ＣＬはチャネル容量を表わす。（１）式に従えば、例えばＣＯＬＳ＝ＣＯＬＤのとき、ＶＦＧは、ＶＤＤ／２となる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月9日(2014.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上で空洞部を構成している被覆構造体と、
を備え、
前記被覆構造体は、
前記空洞部に連通する第１貫通孔、平面視で前記第１貫通孔よりも面積の大きい第２貫通孔を有し、かつ前記空洞部の上方に配置される第１被覆層と、
を備えている、電子装置。
【請求項２】
前記第１被覆層の上方に配置され、前記第１貫通孔と前記第２貫通孔を塞ぐ第２被覆層を備えている、請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記第１被覆層は、前記第１貫通孔を複数有する、請求項１または２に記載の電子装置。
【請求項４】
平面視で、
前記第１貫通孔の面積は、１μｍ2以上４μｍ2未満の範囲内にあり、
前記第２貫通孔の面積は、４μｍ2以上７μｍ2以下の範囲内にある、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項５】
前記空洞部の側面と前記第２貫通孔との距離は、前記空洞部の側面と前記第１貫通孔との距離よりも小さい、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項６】
基板を準備する工程と、
前記基板の上方に、絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上方に、第１貫通孔、平面視で前記第１貫通孔よりも面積の大きい第２貫通孔を有する第１被覆層を形成する工程と、
前記第１貫通孔および前記第２貫通孔を通じて前記絶縁層をエッチングする工程と、
前記第１被覆層の上方に、前記第１貫通孔と前記第２貫通孔を塞ぐ第２被覆層を形成する工程と、
を含む、電子装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２被覆層は、前記第１貫通孔を複数有する、請求項６に記載の電子装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電子装置と、
前記電子装置と電気的に接続されている回路部と、
を有する、発振器。