Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月24日(2013.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
補償器１０３は、露光ユニット１０１による露光時に、画素カウンタ１１８の出力タイミングに合わせて補償値メモリ１０４から、露光用の画像データに対する露光ムラの補償用データである補償値（８ビット）を順次読み出して、乗算器１０５に入力する。より具体的には、水平同期信号１０７が、水平同期信号発生器１３１で生成され、画素カウンタ１１８に入力される。すると、画素カウンタ１１８のカウント動作が開始され、現在の画像信号の画素位置に対応するカウント値が画素カウンタ１１８から補償値メモリ１０４に読み出しアドレスとして入力される。そして、補償値メモリ１０４は、入力された画素カウンタの値に応じた補償値を順次読み出す。乗算器１０５は、画像信号１０６に含まれる画像データ（８ビット）に対して補償値メモリ１０４からの補償値を乗算することで、当該画像データに対する露光ムラの補償を行う。露光ムラの補償後の当該画像データは、次段の発光素子アレイ１０９に入力される。本実施形態では、画像データ及び当該画像データに対して最終的に適用される補償値は、何れも８ビットのデジタル値で表現され、これは第１のビット数に相当する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ＡＤコンバータ１２７によって画素単位で３２ビットの精度のデジタル値に量子化された、露光ムラを含むデータを用いて、除算器１２６において露光ムラの補償値（量子化データ）が生成される。除算器１２６は、入力されたデジタルデータの逆数を算出することで、３２ビットの量子化ビット数の補償値を得るとともに、得られた補償値をデルタシグマ変調器１１９に出力する。ここで、図１に示す除算器１２６の被除数ｎは、露光ムラの補償値の基準値であり、上述の基準露光値（１００％）で露光するための発光量に相当する。このように、ＡＤコンバータ１２７及び除算器１２６は、露光ムラの測定値と基準値との比を３２ビットで量子化した補償値（量子化データ）を生成して、それをデルタシグマ変調器１１９に出力する。尚、本実施形態では、基準値に対する測定値の変化に対応するデータを、露光ムラの測定値と基準値との比として算出する場合について説明したが、当該データは他の方法により算出されてもよい。例えば、当該データは、基準値に対する測定値の差分を用いて算出されてもよい。即ち、露光ムラを測定する際に基準とした基準値に対して、実際の測定値がどの程度変化しているかを示すデータを用いて、当該変化を補償するように、画像データに適用すべき補償値を生成すればよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
本実施形態によれば、遅延調整レジスタ６２４において、発光系ノイズに対する補償値の出力タイミングを調整することで、当該補償値と、４次のデルタシグマ変調が施された光学系ノイズに対する補償値との空間方向における位相を調整することが可能になる。その結果、両ノイズの空間方向の位相のずれが生じることを防止しつつ、４次のデルタシグマ変調により、光学系ノイズによる露光ムラをさらに低減し、露光ムラの補償精度をさらに高めることが可能になる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
以下では、図７を参照して、第４の実施形態に係る画像形成装置における露光ムラの補償処理に関連する信号処理について説明する。なお、説明の簡略化するため、第１の実施形態に示した構成（図１）と共通する部分については、同一の参照番号を付し、その説明を省略する。なお、図７において、７０３に含まれる構成は、画像処理装置の構成に相当する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
乗算器７０２は、補償値メモリ７０１からの光学系ノイズに対する補償値と、補償値レジスタ７０４からの発光系ノイズに対する補償値とを乗算し、乗算結果をデルタシグマ変調器１１９に出力する。デルタシグマ変調器１１９に対する入力は３２ビットのデータであり、デルタシグマ変調器１１９は当該データに対してデルタシグマ変調を施して、８ビットに再量子化するとともに、露光ムラの補償精度を、上述の実施形態と同様、向上させる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月24日(2013.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変倍動作を行うためのズームレンズと、焦点調節を行うためのフォーカスレンズとの移動を、被写体距離ごとに記憶された前記ズームレンズの位置および前記フォーカスレンズの位置についての情報に基づいて制御する制御手段と、
前記ズームレンズが所定の位置よりも望遠側にあるときの前記フォーカスレンズの可動範囲を第１の範囲とする第１のモードと、当該可動範囲を前記第１の範囲より至近側の範囲を含む第２の範囲とする第２のモードとを切り替える切替手段と、を有し、
前記切替手段は、前記第２のモードにおいて前記ズームレンズが前記所定の位置よりも広角側に存在する時間に応じて、前記第１のモードに切り替えることを特徴とするレンズ駆動装置。
【請求項２】
前記切替手段は、前記第２のモードにおいて前記ズームレンズが前記所定の位置よりも広角側に存在する時間が第１の時間より長い場合、前記第１のモードに切り替えることを特徴とする請求項１に記載のレンズ駆動装置。
【請求項３】
前記切替手段は、前記第１のモードにおいて至近撮影であると判定した場合に、前記第２のモードに切り替えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のレンズ駆動装置。
【請求項４】
前記第１の時間は、前記ズームレンズが前記所定の位置から前記ズームレンズの望遠端までの間を往復駆動できる時間より長い時間であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のレンズ駆動装置。
【請求項５】
前記切替手段は、前記第２のモードにおいて前記ズームレンズが前記所定の位置よりも望遠側にあるとき、前記フォーカスレンズが前記第１の範囲に存在する時間に応じて、前記第１のモードに切り替えることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のレンズ駆動装置。
【請求項６】
前記切替手段は、前記第２のモードにおいて前記ズームレンズが前記所定の位置よりも望遠側にあるとき、前記フォーカスレンズが前記第１の範囲に存在する時間が第２の時間より長い場合、前記第１のモードに切り替えることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のレンズ駆動装置。
【請求項７】
前記第２の時間は、前記第１の範囲の無限側の制御端と至近側の制御端を前記フォーカスレンズが往復駆動できる時間より長い時間とすることを特徴とする請求項６に記載のレンズ駆動装置。
【請求項８】
前記レンズ駆動装置本体の電源がオフになった後にオンになった場合、前記切替手段は、前記第１のモードに設定することを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のレンズ駆動装置。
【請求項９】
画像を撮像する撮像手段を有し、
画像を再生する再生モードに切り替えられた場合、前記切替手段は、前記第１のモードに設定することを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のレンズ駆動装置。
【請求項１０】
レンズ駆動装置の制御方法であって、
変倍動作を行うためのズームレンズと焦点調節を行うためのフォーカスレンズとの移動を、被写体距離ごとに記憶された前記ズームレンズの位置および前記フォーカスレンズの位置についての情報に基づいて制御する制御ステップと、
前記ズームレンズが所定の位置よりも望遠側にあるときの前記フォーカスレンズの可動範囲を第１の範囲とする第１のモードと、当該可動範囲を前記第１の範囲より至近側の範囲を含む第２の範囲とする第２のモードとを切り替える切替ステップと、を有し、
前記切替ステップでは、前記第２のモードにおいて前記ズームレンズが前記所定の位置よりも広角側に存在する時間に応じて、前記第１のモードに切り替えることを特徴とするレンズ駆動装置の制御方法。
【請求項１１】
変倍動作を行うためのズームレンズと、
焦点調節を行うためのフォーカスレンズとを有し、
前記ズームレンズが所定の位置よりも望遠側にあるときの前記フォーカスレンズの可動範囲が、第１の範囲と、前記第１の範囲より至近側の範囲を含む第２の範囲とに切り替えられ、当該可動範囲が前記第２の範囲の場合に前記ズームレンズが前記所定の位置よりも広角側に存在する時間に応じて、当該可動範囲が前記第１の範囲に設定されることを特徴とするレンズシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の技術的特徴としては、変倍動作を行うためのズームレンズと、焦点調節を行うためのフォーカスレンズとの移動を、被写体距離ごとに記憶された前記ズームレンズの位置および前記フォーカスレンズの位置についての情報に基づいて制御する制御手段と、前記ズームレンズが所定の位置よりも望遠側にあるときの前記フォーカスレンズの可動範囲を第１の範囲とする第１のモードと、当該可動範囲を前記第１の範囲より至近側の範囲を含む第２の範囲とする第２のモードとを切り替える切替手段と、を有するレンズ駆動装置であって、前記切替手段は、前記第２のモードにおいて前記ズームレンズが前記所定の位置よりも広角側に存在する時間に応じて、前記第１のモードに切り替えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月24日(2013.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の感光体と、
複数の感光体のそれぞれを露光するためにレーザ光を射出する複数の発光手段と、
前記複数の感光体上に形成された複数の画像が転写される像担持体と、
位置ずれ補正値を用いて、前記複数の感光体上に形成される複数の画像の位置ずれを補正する位置ずれ補正手段と、
前記像担持体上のパターン画像の位置ずれ量を検知する検知手段と、
前記検知された位置ずれ量に基づく位置ずれ補正値を格納する格納手段と、
複数の条件のいずれかを満たした場合、前記複数の感光体上にパターン画像を形成させる制御手段とを有し、
前記格納手段は、前記検知手段によって検知された位置ずれ量が、前記満たした条件に対応する許容値より小さい場合、該位置ずれ量に基づく位置ずれ補正値を格納し、前記検知手段によって検知された位置ずれ量が、前記満たした条件に対応する許容値より大きい場合、該位置ずれ量に基づく位置ずれ補正値を格納せず、
前記複数の条件には第１の条件および第２の条件が含まれ、該第１の条件に対応する許容値と前記第２の条件に対応する許容値は異なる
ことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記第１の条件は、前記検知手段により前記位置ずれ量を検知してから前記画像形成手段が所定頁数の画像を形成したこと、または、前記検知手段により前記位置ずれ量を検知してから所定時間が経過したことであることを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記第２の条件は前記感光体が交換されたことであり、前記第２の条件に対応する前許容値は、前記第１の条件に対応する許容値よりも大きいことを特徴とする請求項２記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記第２の条件は前記像担持体が交換されたことであり、前記第２の条件に対応する許容値は、前記第１の条件に対応する許容値よりも大きいことを特徴とする請求項２記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記第２の条件は前記発光手段を有する露光手段が交換されたことであり、前記第２の条件に対応する前記許容値は、前記第１の条件に対応する許容値よりも大きいことを特徴とする請求項２記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、複数の感光体と、複数の感光体のそれぞれを露光するためにレーザ光を射出する複数の発光手段と、前記複数の感光体上に形成された複数の画像が転写される像担持体とを有する画像形成装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の画像形成装置は、複数の感光体と、複数の感光体のそれぞれを露光するためにレーザ光を射出する複数の発光手段と、前記複数の感光体上に形成された複数の画像が転写される像担持体と、位置ずれ補正値を用いて、前記複数の感光体上に形成される複数の画像の位置ずれを補正する位置ずれ補正手段と、前記像担持体上のパターン画像の位置ずれ量を検知する検知手段と、前記検知された位置ずれ量に基づく位置ずれ補正値を格納する格納手段と、複数の条件のいずれかを満たした場合、前記複数の感光体上にパターン画像を形成させる制御手段とを有し、前記格納手段は、前記検知手段によって検知された位置ずれ量が、前記満たした条件に対応する許容値より小さい場合、該位置ずれ量に基づく位置ずれ補正値を格納し、前記検知手段によって検知された位置ずれ量が、前記満たした条件に対応する許容値より大きい場合、該位置ずれ量に基づく位置ずれ補正値を格納せず、
前記複数の条件には第１の条件および第２の条件が含まれ、該第１の条件に対応する許容値と前記第２の条件に対応する許容値は異なることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明によれば、パターン画像を形成する際に満たした条件に応じた許容値を使用することにより、検知された位置ずれ量に基づく位置ずれ補正値に更新するか否かを画像形成措置の状態に応じて適切に制御することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月24日(2013.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変倍動作を行うためのズームレンズと、焦点調節を行うためのフォーカスレンズとの移動を、被写体距離ごとに記憶された前記ズームレンズの位置および前記フォーカスレンズの位置についての情報に基づいて制御する制御手段と、
前記ズームレンズが所定の位置よりも望遠側にあるときに、第１の被写体距離より至近側の第２の被写体距離に対応する位置へ前記フォーカスレンズが移動するのを制限する第１のモードと、前記第２の被写体距離に対応する位置へ前記フォーカスレンズが移動するのを許可する第２のモードとを切り替える切替手段と、を有し、
前記切替手段は、前記第１のモードにおいて、前記フォーカスレンズが前記第１の被写体距離に対応する位置を含む所定領域に到達してから所定の条件を満たす場合に、前記第２のモードに切り替えることを特徴とするレンズ駆動装置。
【請求項２】
前記所定の条件とは、前記フォーカスレンズが前記所定領域内に到達してから所定時間内に再度当該所定領域に到達するのが所定回数繰り返されることであることを特徴とする請求項１に記載のレンズ駆動装置。
【請求項３】
前記所定時間と前記所定回数の少なくとも一方は、撮像素子の蓄積時間の長さに応じて変更されることを特徴とする請求項２に記載のレンズ駆動装置。
【請求項４】
前記ズームレンズが第１の位置にある場合、前記所定回数を第１の値に設定し、前記ズームレンズが前記第１の位置より広角側の第２の位置にある場合、前記所定回数を前記第１の値より大きい第２の値に設定することを特徴とする請求項２または請求項３に記載のレンズ駆動装置。
【請求項５】
前記切替手段は、前記フォーカスレンズが所定の被写体距離に対応する位置よりも至近側にある場合に、前記ズームレンズが前記所定の位置より広角側から望遠側に移動する場合、前記所定の条件を緩和することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のレンズ駆動装置。
【請求項６】
前記所定の条件とは、前記フォーカスレンズが前記所定領域に到達してから所定時間内に再度当該所定領域に到達するのが所定回数繰り返されることであって、
前記所定の条件を緩和する方法として、前記所定回数をより小さい値に設定することを含むことを特徴とする請求項５に記載のレンズ駆動装置。
【請求項７】
前記ズームレンズが前記所定の位置よりも望遠側にある場合に前記第１のモードと前記第２のモードの設定状態を撮影者に報知する表示を行う表示手段を有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のレンズ駆動装置。
【請求項８】
前記表示手段は、前記ズームレンズが前記所定の位置よりも望遠側にある場合の前記第１のモードと前記第２のモードの設定状態を撮影者に報知する表示を変更した後、一定時間は表示状態を保持することを特徴とする請求項７に記載のレンズ駆動装置。
【請求項９】
レンズ駆動装置の制御方法であって、
変倍動作を行うためのズームレンズと焦点調節を行うためのフォーカスレンズの移動を、被写体距離ごとに記憶された前記ズームレンズの位置および前記フォーカスレンズの位置についての情報に基づいて制御する制御ステップと、
前記ズームレンズが所定の位置よりも望遠側にあるときに、第１の被写体距離より至近側の第２の被写体距離に対応する位置へ前記フォーカスレンズが移動するのを制限する第１のモードと、前記第２の被写体距離に対応する位置へ前記フォーカスレンズが移動するのを許可する第２のモードとを切り替える切替ステップと、を有し、
前記切替ステップでは、前記第１のモードにおいて、前記フォーカスレンズが前記第１の被写体距離に対応する位置を含む所定領域に到達してから所定の条件を満たす場合に、前記第２のモードに切り替えることを特徴とするレンズ駆動装置の制御方法。
【請求項１０】
変倍動作を行うためのズームレンズと、
焦点調節を行うためのフォーカスレンズとを有し、
前記ズームレンズが所定の位置よりも望遠側にあるとき、前記フォーカスレンズが第１の被写体距離より至近側の第２の被写体距離に対応する位置へ移動するのが制限され、前記フォーカスレンズが前記第１の被写体距離に対応する位置を含む所定領域に到達してから所定の条件を満たす場合に、前記フォーカスレンズの可動範囲が前記第２の被写体距離に対応する位置を含む範囲に切り替わることを特徴とするレンズシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の技術的特徴としては、変倍動作を行うためのズームレンズと、焦点調節を行うためのフォーカスレンズとの移動を、被写体距離ごとに記憶された前記ズームレンズの位置および前記フォーカスレンズの位置についての情報に基づいて制御する制御手段と、前記ズームレンズが所定の位置よりも望遠側にあるときに、第１の被写体距離より至近側の第２の被写体距離に対応する位置へ前記フォーカスレンズが移動するのを制限する第１のモードと、前記第２の被写体距離に対応する位置へ前記フォーカスレンズが移動するのを許可する第２のモードとを切り替える切替手段と、を有するレンズ駆動装置であって、前記切替手段は、前記第１のモードにおいて、前記フォーカスレンズが前記第１の被写体距離に対応する位置を含む所定領域に到達してから所定の条件を満たす場合に、前記第２のモードに切り替えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月27日(2014.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
揮発性メモリと不揮発性メモリとの間でデータを転送する方法であって、該方法が、
メモリ・アドレス・フィールドを有するコマンド・データ・ブロックを受け取るステップであって、
前記メモリ・アドレス・フィールドで提供されるビットの個数は、前記揮発性メモリ内の全てを一意にアドレッシングするために必要なビットの個数よりも多く、
前記メモリ・アドレス・フィールドは、前記揮発性メモリ内での位置を一意的に示すために用いられる第１の複数のアドレス・ビットと、該揮発性メモリ内での位置を一意的に示すためには用いられず、且つ、データ操作を示すためにエンコードされる第２の複数のアドレス・ビットとを有する、
受け取るステップと、
前記示されたデータ操作に基づいて、前記不揮発性メモリに送られるデータのソースを選択するステップと、
前記揮発性メモリから前記ソースにデータを転送するステップと、
操作されたデータを前記ソースから受け取るステップと、
前記操作されたデータを前記不揮発性メモリに転送するステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記ソースはデータ暗号化エンジンである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ソースは署名エンジンである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の複数のアドレス・ビットは、前記署名エンジンがデータ完全性署名を送ることを示す、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ソースは複数の署名エンジンのうちの１つとすることができ、前記第２の複数のアドレス・ビットは前記複数の署名エンジンのうちで前記ソースになるべき１つを示す、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
不揮発性メモリと揮発性メモリとの間でデータを転送する方法であって、該方法が、
メモリ・アドレス・フィールドを有するコマンド・データ・ブロックを受け取るステップであって、
前記メモリ・アドレス・フィールドで提供されるビットの個数は、前記揮発性メモリ内の全てを一意にアドレッシングするために必要なビットの個数よりも多く、
前記メモリ・アドレス・フィールドは、前記揮発性メモリ内での位置を一意的に示すために用いられる第１の複数のアドレス・ビットと、該揮発性メモリ内での位置を一意的に示すためには用いられず、且つ、データ操作を示すためにエンコードされる第２の複数のアドレス・ビットとを有する、
受け取るステップと、
前記示されたデータ操作に基づいて、前記揮発性メモリに送られるデータのソースを選択するステップと、
前記不揮発性メモリから前記ソースへデータを転送するステップと、
操作されたデータを前記ソースから受け取るステップと、
前記操作されたデータを前記揮発性メモリに転送するステップと、を含む方法。
【請求項７】
前記ソースはデータ暗号化解除エンジンである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ソースは署名エンジンである、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の複数のアドレス・ビットは、前記署名エンジンがデータ完全性署名を送ることを示す、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ソースは複数の署名エンジンのうちの１つとすることができ、前記第２の複数のアドレス・ビットは前記複数の署名エンジンのうちで前記ソースになるべき１つを示す、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
メモリ・アドレス・フィールドを受け取るデータ操作コントローラを含み、該メモリ・アドレス・フィールドで提供されるビットの個数は、前記揮発性メモリ内の全てを一意にアドレッシングするために必要なビットの個数よりも多く、該メモリ・アドレス・フィールドは、揮発性メモリ内での位置を一意的に示すために用いられる第１の複数のアドレス・ビットと、該揮発性メモリ内での位置を一意的に示すためには用いられず且つデータ操作を示すためにエンコードされる第２の複数のアドレス・ビットとを有し、前記データ操作コントローラは、前記示されたデータ操作に基づいて、不揮発性メモリに送られるデータのソースを選択し、さらに、
揮発性メモリに結合された揮発性メモリ・コントローラを含み、前記揮発性メモリ・コントローラは、前記揮発性メモリから前記ソースへのデータの転送を容易にするためのものであり、さらに、
前記不揮発性メモリに結合された不揮発性メモリ・コントローラを含み、前記不揮発性メモリ・コントローラは、操作されたデータを前記ソースから受け取り、前記操作されたデータを前記不揮発性メモリに転送するためのものである、集積回路。
【請求項１２】
前記ソースはデータ暗号化エンジンである、請求項１１に記載の集積回路。
【請求項１３】
前記ソースは署名エンジンである、請求項１１に記載の集積回路。
【請求項１４】
前記第２の複数のアドレス・ビットは、前記署名エンジンがデータ完全性署名を送ることを示す、請求項１３に記載の集積回路。
【請求項１５】
前記ソースは複数の署名エンジンのうちの１つとすることができ、前記第２の複数のアドレス・ビットは前記複数の署名エンジンのうちで前記ソースになるべき１つを示す、請求項１１に記載の集積回路。
【請求項１６】
メモリ・アドレス・フィールドを受け取るデータ操作コントローラを含み、該メモリ・アドレス・フィールドで提供されるビットの個数は、前記揮発性メモリ内の全てを一意にアドレッシングするために必要なビットの個数よりも多く、該メモリ・アドレス・フィールドは、揮発性メモリ内での位置を一意的に示すために用いられる第１の複数のアドレス・ビットと、該揮発性メモリ内での位置を一意的に示すためには用いられず、且つ、データ操作を示すためにエンコードされる第２の複数のアドレス・ビットとを有し、前記データ操作コントローラは、前記示されたデータ操作に基づいて、前記揮発性メモリに送られるデータのソースを選択し、さらに、
不揮発性メモリに結合された不揮発性メモリ・コントローラを含み、前記不揮発性メモリ・コントローラは、前記不揮発性メモリから前記ソースへのデータの転送を容易にするためのものであり、さらに、
前記揮発性メモリに結合された揮発性メモリ・コントローラを含み、前記揮発性メモリ・コントローラは、操作されたデータを前記ソースから受け取り、前記操作されたデータを前記揮発性メモリに転送するためのものである、集積回路。
【請求項１７】
前記ソースはデータ暗号化エンジンである、請求項１６に記載の集積回路。
【請求項１８】
前記ソースは署名エンジンである、請求項１６に記載の集積回路。
【請求項１９】
前記第２の複数のアドレス・ビットは、前記署名エンジンがデータ完全性署名を送ることを示す、請求項１８に記載の集積回路。
【請求項２０】
前記ソースは複数の署名エンジンのうちの１つとすることができ、前記第２の複数のアドレス・ビットは前記複数の署名エンジンのうちで前記ソースになるべき１つを示す、請求項１６に記載の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月2日(2014.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１オンチップ・サブシステム用の電力を受け取るステップと、
オンチップＳＤＲＡＭサブシステムを分離し、
前記ＳＤＲＡＭサブシステムが分離された後に、前記ＳＤＲＡＭサブシステムが分離されたことの前記第１オンチップ・サブシステムからのインジケータに応じて、前記ＳＤＲＡＭサブシステムだけが電力を与えられたままになるように前記電力を前記第１オンチップ・サブシステムから除去し、
前記電力が前記第１オンチップ・サブシステムから除去された後に、ハードウェアの制御の下で、ＳＤＲＡＭに格納されたデータを不揮発性メモリにコピーする、
という電力分離シーケンスを、ハードウェアの前記制御の下でトリガする電源異常状態のインジケータを受け取るステップと、
を含む、データをバックアップする方法。
【請求項２】
前記電源異常状態の前記インジケータに基づいて、前記ＳＤＲＡＭサブシステムに接続されたインターフェースを停止するステップ
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＳＤＲＡＭに、前記ＳＤＲＡＭに書き込まれるデータの一時コピーを格納するのに使用されるメモリの内容を書き込むステップ
をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＳＤＲＡＭサブシステムに接続された前記インターフェースが停止された後に、前記第１オンチップ・サブシステムによって使用される第１クロックをゲート・オフするステップ
をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＳＤＲＡＭサブシステムが分離されている間に、前記ＳＤＲＡＭサブシステムによって使用される第２クロックを生成するステップ
をさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ＳＤＲＡＭに格納されたデータの前記不揮発性メモリへの前記コピーを完了した後に、前記ＳＤＲＡＭサブシステムへの電力を除去するステップ
をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
電力を受け取る第１オンチップ・サブシステムと、
電源異常状態のインジケータと、
オンチップＳＤＲＡＭサブシステムを分離し、
前記ＳＤＲＡＭサブシステムが分離された後に、前記ＳＤＲＡＭサブシステムが分離されたことの前記第１オンチップ・サブシステムからのインジケータに応じて、前記ＳＤＲＡＭサブシステムだけが電力を与えられたままになるように前記電力を前記第１オンチップ・サブシステムから除去し、
前記電力が前記第１オンチップ・サブシステムから除去された後に、ＳＤＲＡＭに格納されたデータを不揮発性メモリにコピーする、
という電力分離シーケンスを、前記電源異常状態の前記インジケータによってトリガされた後に開始するハードウェア状態機械と、
を含む集積回路。
【請求項８】
前記電源異常状態の前記インジケータに基づいて、前記ＳＤＲＡＭサブシステムに接続されたインターフェースが停止される、請求項７に記載の集積回路。
【請求項９】
前記ＳＤＲＡＭに書き込まれるデータの一時コピーを格納するのに使用されるメモリの内容が、前記オンチップＳＤＲＡＭサブシステムが分離される前に前記ＳＤＲＡＭに書き込まれる、請求項８に記載の集積回路。
【請求項１０】
前記ＳＤＲＡＭサブシステムに接続された前記インターフェースが停止された後に、前記第１オンチップ・サブシステムによって使用される第１クロックがゲート・オフされる、請求項９に記載の集積回路。
【請求項１１】
前記ＳＤＲＡＭサブシステムが分離されている間に前記ＳＤＲＡＭサブシステムによって使用される第２クロックが、前記ＳＤＲＡＭサブシステムの内部で生成される、請求項１０に記載の集積回路。
【請求項１２】
前記ＳＤＲＡＭに格納されたデータの前記不揮発性メモリへの前記コピーを完了した後に、前記ＳＤＲＡＭサブシステムへの電力が除去される、請求項１０に記載の集積回路。
【請求項１３】
集積回路の残りからオンチップＳＤＲＡＭコントローラを分離する方法であって、
前記集積回路の前記残りの少なくとも一部のための第１電力供給を受け取るステップと、
前記ＳＤＲＡＭコントローラのための第２電力供給を受け取るステップと、
前記ＳＤＲＡＭコントローラを分離するためにオンチップ状態機械をトリガする電力供給シャットダウン・インジケータを受け取るステップであって、前記オンチップ状態機械は、前記集積回路の前記残りからの前記ＳＤＲＡＭコントローラが分離されることのインジケータに応じて、前記ＳＤＲＡＭコントローラだけが電力を与えられたままになるように前記集積回路の前記残りの前記少なくとも前記一部から前記第１電力供給を除去する、ステップと、
前記集積回路の前記残りの少なくとも前記一部から前記第１電力供給を除去した後に、前記ＳＤＲＡＭコントローラによって制御されるＳＤＲＡＭから不揮発性メモリにデータをコピーするステップと、
を含む方法。
【請求項１４】
前記ＳＤＲＡＭコントローラと前記集積回路の前記残りの前記少なくとも一部との間に結合されたインターフェースを停止するステップ
をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＳＤＲＡＭに、前記集積回路の前記残りの前記少なくとも一部に格納されたデータの一時コピーをフラッシュするステップ
をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記集積回路の前記残りの前記少なくとも一部によって使用される第１クロックをゲート・オフするステップ
をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ＳＤＲＡＭコントローラが分離されている間に前記ＳＤＲＡＭコントローラによって使用される第２クロックを生成するステップ
をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ＳＤＲＡＭに格納されたデータの前記不揮発性メモリへの前記コピーを完了した後に、前記ＳＤＲＡＭコントローラへの電力を除去するステップ
をさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月17日(2014.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１オンチップ・サブシステムにより、電力を受け取ることと、
オンチップ揮発性メモリ・バックアップ・サブシステムにより、電源異常状態のインジケータを受け取ることと、
前記電源異常状態の前記インジケータに基づいて、ハードウェアの制御の下で、前記オンチップ揮発性メモリ・バックアップ・サブシステムを分離することと、
前記揮発性メモリ・バックアップ・サブシステムが分離された後に、前記電力を前記第１オンチップ・サブシステムから除去することと、
前記電力が前記第１オンチップ・サブシステムから除去された後に、ハードウェアの前記制御の下で、データ操作を示す複数のビットを有するコマンド・データ・ブロックを受け取ることと、
前記示されたデータ操作に基づいて、少なくとも１つのデータ操作エンジンを含む複数のソースから、前記不揮発性メモリに送られるデータの選択されたソースを選択し、前記少なくとも１つのデータ操作エンジンが、データ暗号化エンジン及び署名エンジンのうちの少なくとも一方を含むことと、
揮発性メモリから前記選択されたソースにデータを転送することと、
操作されたデータを前記選択されたソースから受け取ることと、
前記操作されたデータを前記選択されたソースから前記不揮発性メモリに転送することと
を含む、データをバックアップする方法。
【請求項２】
前記不揮発性メモリに、前記揮発性メモリに書き込まれるデータの一時コピーを格納するのに使用されるメモリの内容を書き込むこと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つのデータ操作エンジンは、前記データ暗号化エンジンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つのデータ操作エンジンは、前記署名エンジンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記複数のビットは、前記署名エンジンがデータ完全性署名を送ることを示す、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つのデータ操作エンジンは、複数の署名エンジンを含み、前記複数のビットは、前記複数の署名エンジンのうちの前記選択されたソースになるべき１つを示す、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
不揮発性メモリと揮発性メモリとの間でデータを転送する方法であって、
電力供給シャットダウン・インジケータを受け取ることに応答して、揮発性メモリ・バックアップ・コントローラにより、データ操作を示す複数のビットを有するコマンド・データ・ブロックを受け取ることと、
前記電力供給シャットダウン・インジケータに基づいて、揮発性メモリ・バックアップ・コントローラにより、前記揮発性メモリ・バックアップ・コントローラを分離するためにオンチップ状態機械を開始することと、
前記揮発性メモリ・バックアップ・コントローラが分離されることのインジケータに基づいて、前記集積回路の少なくとも一部であって前記揮発性メモリ・バックアップ・コントローラではない部分から、第１電力供給を除去することと、
前記示されたデータ操作に基づいて、少なくとも１つのデータ操作エンジンを含む複数のソースから、前記不揮発性メモリに送られるデータの選択されたソースを選択し、前記少なくとも１つのデータ操作エンジンが、データ暗号化エンジン及び署名エンジンのうちの少なくとも一方を含むことと、
揮発性メモリから前記選択されたソースにデータを転送することと、
操作されたデータを前記選択されたソースから受け取ることと、
前記操作されたデータを前記選択されたソースから前記不揮発性メモリに転送することと
を含む方法。
【請求項８】
前記集積回路の少なくとも一部であって前記揮発性メモリ・バックアップ・コントローラではない部分に格納されたデータの一時コピーを、前記揮発性メモリにフラッシュすること
をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つのデータ操作エンジンは、前記データ暗号化エンジンを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つのデータ操作エンジンは、前記署名エンジンを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記複数のビットは、前記署名エンジンがデータ完全性署名を送ることを示す、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのデータ操作エンジンは、複数の署名エンジンを含み、前記複数のビットは、前記複数の署名エンジンのうちの前記選択されたソースになるべき１つを示す、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
データ操作を示す複数のビットを受け取るデータ操作コントローラであって、前記データ操作コントローラは、前記示されたデータ操作に基づいて、少なくとも１つのデータ操作エンジンを含む複数のソースから、不揮発性メモリに送られるデータの選択されたソースを選択し、前記少なくとも１つのデータ操作エンジンが、データ暗号化エンジン及び署名エンジンのうちの少なくとも一方を含む、データ操作コントローラと、
揮発性メモリに結合された揮発性メモリ・バックアップ・コントローラであって、前記揮発性メモリ・バックアップ・コントローラは、電力供給シャットダウン・インジケータに応答して、前記揮発性メモリから前記選択されたソースへのデータの転送を容易にするためのものである、揮発性メモリ・バックアップ・コントローラと、
前記不揮発性メモリに結合された不揮発性メモリ・コントローラであって、前記不揮発性メモリ・コントローラは、操作されたデータを前記選択されたソースから受け取り、前記操作されたデータを前記選択されたソースから前記不揮発性メモリに転送するためのものである、不揮発性メモリ・コントローラと
を含む集積回路。
【請求項１４】
前記操作されたデータの前記不揮発性メモリへの前記転送が完了した後に、前記揮発性メモリ・バックアップ・コントローラ、前記データ操作コントローラ、および前記不揮発性メモリ・コントローラへの電力を除去する電力供給コントローラ
をさらに含む、請求項１３に記載の集積回路。
【請求項１５】
前記少なくとも１つのデータ操作エンジンは、前記データ暗号化エンジンを含む、請求項１４に記載の集積回路。
【請求項１６】
前記少なくとも１つのデータ操作エンジンは、前記署名エンジンを含む、請求項１４に記載の集積回路。
【請求項１７】
前記複数のビットは、前記署名エンジンがデータ完全性署名を送ることを示す、請求項１６に記載の集積回路。
【請求項１８】
前記少なくとも１つのデータ操作エンジンは、複数の署名エンジンを含み、前記複数のビットは、前記複数の署名エンジンのうちの前記選択されたソースになるべき１つを示す、請求項１４に記載の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月19日(2013.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
計算ユニット上の全体モデルを用いて、複数の個別セルからなるセル結合体を含むバッテリをリアルタイムにシミュレーションする方法であって、
前記の計算ユニットは、セル電圧エミュレータを介して制御装置システムに接続されており、
前記の全体モデルを用い、個別セルの端子電圧を前記の計算ユニット上で計算し、
前記のセル電圧エミュレータを用い、前記の個別セルの計算した端子電圧を前記の制御装置システムに供給する、方法において、
前記の全体モデルには第１モデルが含まれており、当該の第１モデルを用い、第１個別セルを基準セルとして、セル結合体に典型的なセルパラメタによってモデル化し、
前記の第１モデルには、入力量として前記のセル結合体の全体入力電流が供給され、当該の第１モデルを用いて、前記の基準セルの端子電圧を計算し、
前記の全体モデルには第２モデルが含まれており、当該の第２モデルを用いて少なくとも１つの別の個別セルの端子電圧と、基準セルの端子電圧との偏差を計算し、
前記の基準セルの端子電圧と、別の個別セルの端子電圧の偏差とから当該の別の個別セルの端子電圧を計算することを特徴とする、
複数の個別セルからなるセル結合体を含むバッテリをリアルタイムにシミュレーションする方法。
【請求項２】
それぞれの別の個別セルの端子電圧と、基準セルの端子電圧との偏差を計算する、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記の別の個別セルの端子電圧と、基準セルの端子電圧との偏差を計算するため、少なくとも１つの偏差を第２モデルに設定し、ここで当該の少なくとも１つの偏差は、基準セルを基準にした量またはセルパラメタについての個別セルの偏差である、
請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記基準セルを基準にした量またはセルパラメタについての個別セルの偏差は、抵抗、温度または端子電流についての個別セルの偏差である、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
計算時間を低減するため、前記の基準セルに対して第１モデルを用いて計算した量と、基準セルを基準にしかつ別の個別セルに対してあらかじめ設定した相応する量の偏差とから、少なくとも１つの量を求め、
個別セル毎に当該の量を別個にはシミュレーションしない、
請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの量は、セル温度である、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
入力量を前記の第２モデルにベクトルの形であらかじめ設定し、
前記の考察する別の個別セルの個数によって当該のベクトルの長さを決定する、
請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記の第２モデルは第１部分モデルを有しており、前記の第１部分モデルを用いて、基準セルを基準にして前記の個別セルの起電力の偏差を計算し、および／または
前記の第２モデルは第２部分モデルを有しており、当該の第２部分モデルを用いて、基準セルの過電圧を基準にして前記の別の個別セルの過電圧の偏差を計算する、
請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記のシミュレーションの精度を高めるため、少なくとも１つの別の部分モデルを第２モデルに付け加えて前記の少なくとも１つの別の個別セルを基準にして別の量をシミュレーションする、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記の第２モデルから部分モデルを除去し、
前記の全体モデルによってバッテリをシミュレーションする際、前記の除去した部分モデルにおいてシミュレーションによって求めた量を、基準セルに対する量の相応する値と、別の個別セルに対する値のあらかじめ設定した相応する偏差とによって考慮する、
請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１つの量をテーブルの形式で記憶するかまたは近似する、
請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記のバッテリの複数の個別セルの回路接続を直列接続としてシミュレーションする、
請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記のバッテリの個別セルの回路接続を並列接続としてシミュレーションし、
当該シミュレーションは、並列接続された複数の別の個別セルを、所定の大きさのキャパシタンスを有する１つの別の個別セルとしてモデル化することによって行われる、
請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
計算ユニットおよび当該計算ユニットに接続されたセル電圧エミュレータを有する全体モデルを用いて、複数の個別セルからなるセル結合体を含むバッテリをシミュレーションするシステムであって、
前記の計算ユニットを構成して、前記の個別セルの端子電圧を計算する前記全体モデルが実施されるようにし、
前記のセル電圧エミュレータを構成して、当該セル電圧エミュレータが制御装置システムと接続されかつ前記の個別セルの計算した端子電圧が当該の制御装置システムに供給されるようにした、複数の個別セルからなるセル結合体を含むバッテリをシミュレーションする、システムにおいて、
前記全体モデルには第１モデルが含まれており、当該第１モデルは、第１個別セルを基準セルとして、典型的なセルパラメタによってモデル化し、前記セル結合体の全体入力電流を入力量として受け取り、また基準セルの端子電圧を計算するように構成されており、
前記の全体モデルには第２モデルが含まれており、当該第２モデルは、少なくとも１つの別の個別セルの端子電圧と、基準セルの端子電圧との偏差を計算して、当該偏差と、基準セルの端子電圧とから前記の別の個別セルの端子電圧を計算するように構成されていることを特徴とする
複数の個別セルからなるセル結合体を含むバッテリをシミュレーションするシステム。
【請求項１５】
前記のシステムによって請求項１から１３までのいずれか１項に記載の方法を実行する、
請求項１４に記載の複数の個別セルからなるセル結合体を含むバッテリをシミュレーションするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月24日(2013.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ポリエステル樹脂、着色剤、層状複水酸化物塩及びワックスを少なくとも含有するトナー粒子を有するトナーであって、
前記層状複水酸化物塩は、有機アニオン、並びに、Ｍｇ２＋及びＡｌ３＋を少なくとも含有し、
前記トナーは、下記式（１）の関係を満たすことを特徴とするトナー。
１．０５≦Ｐ１／Ｐ２≦２．００  ・・・  式（１）
［式（１）中、
ｉ）Ｐ１＝Ｐａ／Ｐｂであり、
ＡＴＲ法を用い、ＡＴＲ結晶としてＧｅ、赤外光入射角として４５°の条件で測定し得られた該トナーのＦＴ−ＩＲスペクトルにおいて、
２８４３ｃｍ−１以上２８５３ｃｍ−１以下の範囲の吸収ピーク強度の最大値から３０５０ｃｍ−１と２６００ｃｍ−１の吸収ピーク強度の平均値を差し引いた値である、最大吸熱ピーク強度が“Ｐａ”であり、
１７１３ｃｍ−１以上１７２３ｃｍ−１以下の範囲の吸収ピーク強度の最大値から１７６３ｃｍ−１と１６３０ｃｍ−１の吸収ピーク強度の平均値を差し引いた値である、最大吸熱ピーク強度が“Ｐｂ”であり、
ｉｉ）Ｐ２＝Ｐｃ／Ｐｄであり、
ＡＴＲ法を用い、ＡＴＲ結晶としてＫＲＳ５、赤外光入射角として４５°の条件で測定し得られた該トナーのＦＴ−ＩＲスペクトルにおいて、
２８４３ｃｍ−１以上２８５３ｃｍ−１以下の範囲の吸収ピーク強度の最大値から３０５０ｃｍ−１と２６００ｃｍ−１の吸収ピーク強度の平均値を差し引いた値である、最大吸熱ピーク強度が“Ｐｃ”であり、
１７１３ｃｍ−１以上１７２３ｃｍ−１以下の範囲の吸収ピーク強度の最大値から１７６３ｃｍ−１と１６３０ｃｍ−１の吸収ピーク強度の平均値を差し引いた値である、最大吸熱ピーク強度が“Ｐｄ”である。］
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、低温定着性、耐久安定性を達成しつつ、高湿環境における画像濃度の安定性、画像のグロスの均一性を改善させるためには、特定の層状複水酸化物塩を用いつつ、トナー表面からトナー中心部に向かうトナーの深さ方向におけるワックスの偏在度合いをコントロールすることが必要であることを見出した。
すなわち、本発明は、ポリエステル樹脂、着色剤、層状複水酸化物塩及びワックスを少なくとも含有するトナー粒子を有するトナーであって、前記層状複水酸化物塩は、有機アニオン、並びに、Ｍｇ２＋及びＡｌ３＋を少なくとも含有し、前記トナーは、下記式（１）の関係を満たすことを特徴とするトナー。
１．０５≦Ｐ１／Ｐ２≦２．００  ・・・  式（１）
［式（１）中、ｉ）Ｐ１＝Ｐａ／Ｐｂであり、ＡＴＲ法を用い、ＡＴＲ結晶としてＧｅ、赤外光入射角として４５°の条件で測定し得られた該トナーのＦＴ−ＩＲスペクトルにおいて、２８４３ｃｍ−１以上２８５３ｃｍ−１以下の範囲の吸収ピーク強度の最大値から３０５０ｃｍ−１と２６００ｃｍ−１の吸収ピーク強度の平均値を差し引いた値である、最大吸熱ピーク強度が“Ｐａ”であり、１７１３ｃｍ−１以上１７２３ｃｍ−１以下の範囲の吸収ピーク強度の最大値から１７６３ｃｍ−１と１６３０ｃｍ−１の吸収ピーク強度の平均値を差し引いた値である、最大吸熱ピーク強度が“Ｐｂ”であり、ｉｉ）Ｐ２＝Ｐｃ／Ｐｄであり、ＡＴＲ法を用い、ＡＴＲ結晶としてＫＲＳ５、赤外光入射角として４５°の条件で測定し得られた該トナーのＦＴ−ＩＲスペクトルにおいて、２８４３ｃｍ−１以上２８５３ｃｍ−１以下の範囲の吸収ピーク強度の最大値から３０５０ｃｍ−１と２６００ｃｍ−１の吸収ピーク強度の平均値を差し引いた値である、最大吸熱ピーク強度が“Ｐｃ”であり、 １７１３ｃｍ−１以上１７２３ｃｍ−１以下の範囲の吸収ピーク強度の最大値から１７６３ｃｍ−１と１６３０ｃｍ−１の吸収ピーク強度の平均値を差し引いた値である、最大吸熱ピーク強度が“Ｐｄ”である。］
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月18日(2013.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プロジェクター及びプロジェクターの制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
左眼用の画像と右眼用の画像とを投写する画像投写部と、
前記画像投写部を収容する筐体と、
前記筐体に対して一体的に備えられ、前記左眼用の画像と前記右眼用の画像との切り替えに同期するための同期信号を送信する送信部と、
当該プロジェクターの設置状態に応じて前記送信方向を調整する送信方向調整部と、
を備えたことを特徴とするプロジェクター。
【請求項２】
請求項１に記載のプロジェクターであって、
前記送信部は、前記同期信号を送信する複数の送信装置を含み、前記複数の送信装置は、それぞれの送信方向が互いにずれるように配置されていることを特徴とするプロジェクター。
【請求項３】
請求項１に記載のプロジェクターであって、
前記送信方向調整部は、当該プロジェクターが所定の基本姿勢、及び前記基本姿勢の天地を反転させた反転姿勢のいずれの姿勢であるかに応じて前記送信方向を調整することを特徴とするプロジェクター。
【請求項４】
請求項３に記載のプロジェクターであって、
前記送信方向調整部は、前記プロジェクターの姿勢が前記反転姿勢である場合には、前記基本姿勢である場合よりも下側に向けて同期信号を送信することを特徴とするプロジェクター。
【請求項５】
請求項１に記載のプロジェクターであって、
前記送信方向調整部は、前記画像が投写される投写面に対する当該プロジェクターの傾きに応じて前記送信方向を調整することを特徴とするプロジェクター。
【請求項６】
請求項５に記載のプロジェクターであって、
前記送信方向調整部は、前記プロジェクターの傾きに起因する台形歪によって画像が拡大する側の反対側に向けて同期信号を送信することを特徴とするプロジェクター。
【請求項７】
請求項１に記載のプロジェクターであって、
前記画像投写部は、投写レンズを光軸に対して垂直に移動させて、前記画像の投写位置を調整するレンズシフト機能を有し、
前記送信方向調整部は、前記レンズシフト機能による前記投写位置の調整状態に応じて前記送信方向を調整することを特徴とするプロジェクター。
【請求項８】
請求項７に記載のプロジェクターであって、
前記送信方向調整部は、前記レンズシフト機能によって前記投写位置が移動している側に向けて同期信号を送信することを特徴とするプロジェクター。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載のプロジェクターであって、
当該プロジェクターの設置状態を検出する検出部をさらに備え、
前記送信方向調整部は、前記検出部の検出結果に応じて前記送信方向を調整することを特徴とするプロジェクター。
【請求項１０】
左眼用の画像と右眼用の画像とを投写する画像投写部と、前記左眼用の画像と前記右眼用の画像との切り替えに同期するための同期信号を送信する送信部と、を備えたプロジェクターの制御方法であって、
前記画像投写部によって前記左眼用の画像と前記右眼用の画像とを投写する投写ステップと、
前記送信部によって前記同期信号を送信する送信ステップと、
前記同期信号の送信方向を調整する調整ステップと、
を備えたことを特徴とするプロジェクターの制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月14日(2014.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォーカスレンズを含む結像光学系を通過する被写体光の光量を調整する絞り部と、
前記被写体光の予定結像面上に複数設けられ、それぞれが、一対の光電変換素子からなる光電変換素子の組を複数組含む焦点検出部であって、該焦点検出部が設けられている箇所における前記被写体光の合焦状態を検出可能な焦点検出部と、
前記複数設けられた前記焦点検出部の中から特定の焦点検出部を選択する選択部と、
前記選択された焦点検出部で検出された合焦状態に基づいて、該選択された焦点検出部が設けられている箇所で前記被写体光が合焦するように前記フォーカスレンズを駆動制御し、
前記絞り部の絞り値の大きさによって、前記予定結像面上における、前記選択部が前記焦点検出部を選択することができる選択可能領域を変更する制御部と、
前記複数設けられた前記焦点検出部の中から前記特定の焦点検出部を選定可能な操作部と、
前記複数設けられた前記焦点検出部を表示する表示部を備え、
前記選択部は、前記操作部により選定された焦点検出部を選択すること、
前記表示部は、前記選択可能領域内にある焦点検出部と、前記選択可能領域外の焦点検出部とを区別して表示すること、
を特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像装置であって、
前記制御部は、前記絞り部の前記絞り値が所定の値以上になった場合、前記選択可能領域を縮小すること、
を特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の撮像装置であって、
前記撮像装置は、設定可能な複数の撮影モードを備え、
前記選択部は、設定された撮影モードに応じて、前記複数の焦点検出部の中から前記特定の焦点検出部を自動的に選択すること、
を特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項３に記載の撮像装置であって、
前記撮影モードは、顔認識モード及び至近優先モードを含むこと、
を特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項1に記載の撮像装置であって、
前記絞り部の前記絞り値が変更され、前記選択可能領域が変更されたことにより、前記選択された焦点検出部が、前記選択可能領域外になった場合、前記制御部は、前記選択可能領域内の焦点検出部であって、前記選択された焦点検出部に最も近い焦点検出部で検出された合焦状態に基づいて、前記フォーカスレンズを制御すること、
を特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、以下のような解決手段により前記課題を解決する。
請求項1に記載の発明は、フォーカスレンズを含む結像光学系を通過する被写体光の光量を調整する絞り部と、前記被写体光の予定結像面上に複数設けられ、それぞれが、一対の光電変換素子からなる光電変換素子の組を複数組含む焦点検出部であって、該焦点検出部が設けられている箇所における前記被写体光の合焦状態を検出可能な焦点検出部と、前記複数設けられた前記焦点検出部の中から特定の焦点検出部を選択する選択部と、前記選択された焦点検出部で検出された合焦状態に基づいて、該選択された焦点検出部が設けられている箇所で前記被写体光が合焦するように前記フォーカスレンズを駆動制御し、前記絞り部の絞り値の大きさによって、前記予定結像面上における、前記選択部が前記焦点検出部を選択することができる選択可能領域を変更する制御部と、前記複数設けられた前記焦点検出部の中から前記特定の焦点検出部を選定可能な操作部と、前記複数設けられた前記焦点検出部を表示する表示部を備え、前記選択部は、前記操作部により選定された焦点検出部を選択すること、前記表示部は、前記選択可能領域内にある焦点検出部と、前記選択可能領域外の焦点検出部とを区別して表示することを特徴とする。