【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年4月24日(2014.4.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜をパターン形成する方法であって：
基板の上にラインを画成するアモルファス炭素マスクを形成するステップと、該基板が、金属間誘電体（ＩＭＤ）と金属相互接続部を交互に含むダマシン層と、該ダマシン層の上のキャップ層とを備え；
該アモルファス炭素マスクと該キャップ層の上にスペーサ層を堆積させるステップと；
該スペーサ層をエッチングして、スペーサを形成するとともに該アモルファス炭素マスクをさらすステップと；
該アモルファス炭素マスクを該スペーサに対して選択的に除去して、該キャップ層をさらすステップと；
該スペーサの周りに該ギャップ充填層を堆積させて、該キャップ層を覆うが該スペーサをさらすステップと；
該スペーサを該ギャップ充填層に対して選択的に除去して、該基板の上にギャップ充填マスクを形成するステップと；
該ギャップ充填マスクのパターンを該基板に転写するステップと；
を含み、
該転写するステップが：
該キャップ層を該ギャップ充填マスクに対して選択的にエッチングすることにより該キャップ層をパターン形成するステップと；
該ダマシン層から該ＩＭＤの少なくとも一部を該パターン形成キャップ層に対して選択的にエッチングして、該パターン形成キャップ層の下を切り取るステップと；を更に含む、前記方法。
【請求項２】
該スペーサ層が、窒化シリコンを含み；
該ギャップ充填層が、二酸化シリコンを含み；
該キャップ層が、シリコン炭素窒化物を含み；
該ＩＭＤが、アモルファス炭素、炭素ドープ二酸化シリコン、又はポリマー誘電体の少なくとも一つを含む；
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該キャップ層は、該スペーサを該ギャップ充填層に対して選択的に除去するのに使用されたのと同じエッチングプロセスでエッチングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該ＩＭＤをエッチングすると該ギャップ充填マスクも除去されて、該キャップ層をさらす、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
誘電体をコンフォーマルに堆積させて、該パターン形成キャップ層の開口を閉鎖するとともに該ＩＭＤを除去したエアギャップを封止するステップ、
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
該パターン形成キャップ層が、シリコン炭素窒化物を含む層で封止される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
該エアギャップを封止する前に、該ＩＭＤの除去によってさらされる該金属相互接続部の側壁上に不動態層をコンフォーマルに堆積させるステップを更に含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
該ダマシン層から該ＩＭＤの少なくとも一部をエッチングして、該パターン形成キャップ層の下を切り取るステップが：
該ＩＭＤを該ダマシン層の該金属相互接続部の側壁に隣接した誘電体ライナに対して選択的にエッチングするステップであって、該誘電体ライナが、シリコン炭素窒化物、窒化シリコン及び炭化シリコンからなる群より選ばれる少なくとも一つの材料を含む、前記ステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
該ＩＭＤをエッチングするステップが、Ｈ２、ＮＨ３又はフォーミングガスの少なくとも一つを使用するドライエッチングプロセスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
該ＩＭＤをエッチングするステップが、ＨＦ又はＩＰＡを含むウェットエッチングプロセスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
ダマシン構造においてエアギャップを形成する方法であって：
二つの金属相互接続ラインの間に金属間誘電体（ＩＭＤ）を含むダマシン層を形成するステップであって、各々がライン幅より長いラインの長さを持つ、前記ステップと；
該ダマシン層の上にキャップ層を形成するステップと；
該キャップ層の上にラインを画成するアモルファス炭素マスクを形成するステップであって、該アモルファス炭素マスクラインの長さが、幅よりも長く、かつ、二つの金属相互接続ラインの長さに平行でない、前記ステップと；
該アモルファスマスクラインの対向する側壁上にスペーサを形成するステップと；
該アモルファス炭素マスクラインを該スペーサに対して選択的に除去して、一組のスペーサを形成するステップであって、各々が幅よりも長く、かつ、該二つの金属相互接続ラインの長さに平行でない、前記ステップと；
該一組のスペーサの周りにギャップ充填層を堆積させて、該キャップ層を覆うが該スペーサをさらすステップと；
該一組のスペーサを該ギャップ充填層に対して選択的に除去して、長さがチャネル幅より長いチャネルを持つギャップ充填マスクを形成するステップであって、該チャネルの長さが該基板の上に該二つの金属相互接続ラインに平行でない、前記ステップと；
該チャネルを該キャップ層に転写して、該二つの相互接続ラインの間に該ＩＭＤをさらすステップと；
該二つの相互接続ラインの間から該ＩＭＤの少なくとも一部を除去し、該キャップ層の下を切り取って、該エアギャップを形成するステップと；
を含む、前記方法。
【請求項１２】
該二つの相互接続ラインが、６５ｎｍ以下の間隔だけ間隙を介して配置され、該チャネルが、この空間の長さにほぼ直交して該キャップ層に転写される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
該キャップ層が、５ｎｍ〜５０ｎｍの厚さを持つシリコン炭素窒化物を含み；
該スペーサ層が、１０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さを持ち、窒化シリコン、アモルファスシリコン又は多結晶シリコンの少なくとも一つを含み；
該ギャップ充填層が、二酸化シリコン、又は炭素ドープ酸化シリコンの少なくとも一つを含む、請求項１１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
[0006]膜をパターン形成する方法及びこれらの得られた構造を本明細書に記載する。実施形態において、方法は、基板の上にアモルファス炭素マスクを形成するステップと；アモルファス炭素マスクの上にスペーサ層を堆積させるステップと；スペーサ層をエッチングして、スペーサを形成するとともにアモルファス炭素マスクをさらすステップと；アモルファス炭素マスクをスペーサに対して選択的に除去して、基板層をさらすステップと；スペーサの周りにギャップ充填層の堆積させて、基板層を覆うがスペーサをさらすステップと；スペーサをギャップ充填層に対して選択的に除去して、基板の上にギャップ充填マスクを形成するステップと；ギャップ充填マスクのパターンを基板へ転写するステップと；を含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
[0008]実施形態において、この方法は、基板が金属間誘電体（ＩＭＤ）と金属相互接続部を交互に持つダマシン層の上の不動態層或いは“キャップ”層を含むエアギャップ相互接続構造を形成するように実施されてもよい。このような実施形態において、アモルファス炭素マスクは、キャップ層の上に形成される。ギャップ充填層のパターンは、キャップ層をギャップ充填マスクに対して選択的にエッチングし、その後、ダマシン層からパターン形成キャップ層に対して選択的にＩＭＤの少なくとも一部をエッチングして、パターン形成キャップ層の下を切り取ることによって基板へ転写される。方法によって可能になる小さな形状は、その後、封止されてもよい。一実施形態において、キャップ層内の開口は、誘電体をコンフォーマル（conformally）に堆積させることによって閉鎖されて、ＩＭＤが除去されたボイドを封止する。更なる実施形態において、パターン形成キャップ層は、ケイ素炭素窒化物を含む層で封止される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
[0010]具体的な実施形態において、キャップ層は、使用した実質的に同一のエッチングプロセスによってエッチングされて、スペーサをギャップ充填層に対して選択的に除去する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
[0013]一実施態様において、ボイドを封止してエアギャップ相互接続構造を形成する前に、ＩＭＤを除去する際にさらされた金属相互接続部の側面上にキャップ層がコンフォーマルに堆積される。キャップ層は、シリコン炭素窒化物、窒化シリコン、炭化シリコン、窒化チタンのようなこれらに限定されない材料を含んでもよい。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
[0014]別の実施態様において、ダマシン層を形成する際に、金属相互接続部に窒化タンタル（ＴａＮ）、ルテニウム（Ｒｕ）、コバルト（Ｃｏ）のようなバリヤ層が堆積される前に、コンフォーマルな誘電性ライナ層がＩＭＤの側壁上に堆積されて、その後、ＩＭＤが除去されてエアギャップを形成する際に、相互接続部に保護層を与える。保護誘電体は、シリコン炭素窒化物、窒化シリコン、炭化シリコン、窒化チタンのようなこれらに限定されない材料を含んでもよい。このような実施形態において、ＩＭＤの少なくとも一部がダマシン層から除去されて、パターン形成キャップ層の下を切り取り、ＩＭＤが不動態誘電体に対して選択的にエッチングされ、ダマシン層の金属相互接続部に隣接した保護側壁層を形成する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
[0015]他の実施形態は、それぞれのラインの長さがライン幅より著しく長く且つ約６５ｎｍ以下だけ間隙を介して配置された、二つの金属相互接続ライン間の金属間誘電体（ＩＭＤ）を含むダマシン層内にエアギャップを形成する方法を提供する。ダマシン層の上にキャップ層を形成して金属相互接続ラインを不動態化した後、アモルファス炭素マスクがキャップ層の上に形成される。アモルファス炭素マスクは、ラインの長さが幅より著しく長く、かつ、二つの金属相互接続ラインの長さにほぼ直交する長さでラインを画成する。その後、スペーサは、アモルファス炭素マスクラインの対向する側面に形成される。アモルファス炭素マスクラインは、スペーサに対して選択的に除去されて、それぞれのスペーサの長さが幅より著しく長く、かつ、二つの金属相互接続ラインの長さにほぼ直交する長さを持つ、一組のスペーサを形成する。その後、ギャップ充填層が一組のスペーサの周りに堆積され、キャップ層を覆うがスペーサをさらし、一組のスペーサをギャップ充填層に対して選択的に除去し、長さがチャネル幅より著しく長いチャネル或いはトレンチを持つギャップ充填層マスクを形成する。基板の上の二つの金属相互接続ラインにほぼ直交しているチャネルの長さは、別の方法で必要とされる非常に強固なオーバーレイ許容量に頼らずにチャネルはＩＭＤの上にチャネルが伸張することを確実にする。チャネルは、キャップ層内にエッチングされて、二つの相互接続ラインの間にＩＭＤをさらし、二つの相互接続ラインの間からＩＭＤの少なくとも一部を除去し、キャップ層の下を切り取る。その後、チャネルはコンフォーマルな誘電体堆積で封止されてもよい。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
[0016]次の図面の図において、本発明の実施形態を一例として限定せずに示す。
【図１】図１は、本発明の実施形態による、ダマシン構造を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態による、アモルファス炭素層がダマシン構造のキャップ層の上に堆積されている半導体構造の形成における操作を示す断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の実施形態による、パターン形成フォトレジストマスクがアモルファス炭素層の上に形成されている半導体構造の形成における操作を示す断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の実施形態による、パターン形成フォトレジストマスクがダマシン構造の金属相互接続ラインと重なるアモルファス炭素層の上にラインを与えることを示す平面図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態による、パターン形成アモルファス炭素マスクが形成されている半導体構造の形成における操作を示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態による、スペーサがパターン形成アモルファス炭素マスクの側壁に隣接して形成されている半導体構造の形成における操作を示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の実施形態による、パターン形成アモルファス炭素マスクが除去されている半導体構造の形成における操作を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の実施形態による、ギャップ充填誘電体がスペーサの周りに堆積されている半導体構造の形成における操作を示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の実施形態による、スペーサとキャップ層がエッチングされている半導体構造の形成における操作を示す断面図である。
【図９】図９は、本発明の実施形態による、金属間誘電体（ＩＭＤ）がキャップ層に対して選択的にエッチングされている半導体構造の形成における操作を示す断面図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、本発明の実施形態による、キャップ層が封止されている半導体構造の形成における操作を示す断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、本発明の実施形態による、キャップ層が封止される前にＩＭＤの除去によってさらされる金属相互接続部が不動態化されている半導体構造の形成における操作を示す断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施形態による、ダマシン金属相互接続部のバリヤ層が形成される前に誘電体ライナが堆積されている半導体構造の形成における操作を示す断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施形態による、誘電体ライナがダマシン金属相互接続部のバリヤ層に隣接してスペーサ側壁を形成している半導体構造の形成における操作を示す断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施形態による、金属間誘電体（ＩＭＤ）がキャップ層と保護側壁に対して選択的にエッチングされている半導体構造の形成における操作を示す断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の実施形態による、キャップ層が封止されている半導体構造の形成における操作を示す断面図である。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
[0048]図５は、本発明の実施形態による、スペーサ５４０がパターン形成アモルファス炭素マスク４３５の側壁に隣接して形成されている半導体構造の形成における操作を示す断面図である。最初に、スペーサ材料層（図示せず）は、アモルファス炭素マスク４３５の上にコンフォーマルに堆積される。スペーサ形成材料は、アモルファス炭素マスク４３５とキャップ層１２５双方が許容しうる選択性で除去することができるいかなる材料であってもよい。選択性の必要量は、アモルファス炭素マスク４３５の厚さとキャップ層１２５の厚さに依存する。一般に、アモルファス炭素マスク４３５が厚いほど、スペーサ５４０は高くなる可能性があり、キャップ層１２５とスペーサ５４０の間の選択性要求が減少する。アモルファス炭素マスク４３５は、酸化環境において容易に除去されることから、従来のほとんどのいずれのスペーサ層材料、例えば、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、多結晶シリコンゲルマニウム、二酸化シリコン、シリコン炭素窒化物、窒化シリコンのこれらに限定されないものが用いられてもよい。スペーサ層は、約３００℃を超える温度で従来のＣＶＤ或いはＰＥＣＶＤによって堆積されて、かなりの速度で高度にコンフォーマルで一様な堆積を達成することができる。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
[0052]図７は、本発明の実施形態による、ギャップ充填層７５０がスペーサ５４０の周りに堆積されている半導体構造の形成における操作を示す断面図である。キャップ層１２５の上とスペーサ５４０の周りに材料を堆積するために従来のいかなるギャップ充填堆積プロセスも使用することができる。このようなプロセスは、典型的には、堆積プロセスがギャップを充填するとともにマイクロ長スケールトポグラフィをスパッタする傾向があるように調節された堆積とスパッタ速度を持つ高密度プラズマ（ＨＤＰ）を用いる。材料のＨＤＰプロセスは、スペーサ５４０のトポグラフィを平坦化し、そうする際にスペーサをさらす傾向がある。スペーサ５４０をスパッタしてギャップ充填層７５０で平坦化する前に堆積プロセスが中断する限り、ギャップ充填層７５０はスペーサ５４０の周りに形成され、上には形成されない。ギャップ充填層７５０には、その後のスペーサ５４０とキャップ層１２５のエッチングに耐え得る従来のいかなる誘電材料が含まれてもよい。従って、スペーサ５４０とキャップ層１２５の組成によっては、ギャップ充填層７５０は、二酸化シリコン、窒化シリコン、シリコン炭素窒化物、ポリシリコン、アモルファスシリコン又は低ｋ誘電体を含んでもよい。窒化シリコンスペーサ５４０とシリコン炭素窒化物キャップ層１２５を使用する具体的な実施態様において、ギャップ充填層７５０は、二酸化シリコンである。窒化シリコンスペーサ５４０とシリコン炭素窒化物キャップ層１２５が二酸化シリコンギャップ充填層７５０に対して選択的にエッチングされてもよいことからと二酸化シリコンのＨＤＰプロセスがよく確認されていることからの双方から二酸化シリコンが有利である。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
[0054]図８は、本発明の実施形態による、スペーサ５４０が除去され、キャップ層１２５をエッチングしてＩＭＤ１１０をさらし、ギャップ充填層７５０がエッチングマスクである、半導体構造の形成における操作を示す断面図である。スペーサ５４０が金属相互接続ライン１２０に平行でない長さを持つラインを形成するこのような実施形態において、キャップ層１２５をエッチングすると、ＩＭＤ１１０がチャネル８５１の下にさらされたキャップ層１２５内にチャネル８５１が形成される。それ故、チャネル８５１は、ある実施形態においても金属相互接続ライン１２０に平行でない。スペーサ５４０の除去は、スペーサ５４０をギャップ充填層７５０に対して選択的にエッチングすることによって行われてもよい。スペーサ５４０、キャップ層１２５、ギャップ充填層７５０の材料の適切な選択によって、スペーサ５４０とキャップ層１２５のいずれも、スペーサ５４０の下のキャップ層１２５を洗浄した後にギャップ充填層７５０厚さの少なくとも一部が残るギャップ充填層７５０に対して選択的に充分にエッチングすることができる。具体的な実施形態において、連続製法ステップでスペーサ５４０とキャップ層１２５をエッチングするためにドライエッチングプロセスが使用される。キャップ層１２５が炭化シリコンを含み、スペーサ５４０が窒化シリコンを含む、このような一実施形態において、Ｃ４Ｆ８、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨＦ３のようなこれらに限定されないガスによるドライエッチングプロセスが用いられてもよい。実施形態によっては、キャップ層１２５のエッチングのエッチング停止としてＩＭＤ１１０が働いても働かなくてもよい。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
[0056]図９は、本発明の実施形態による、ＩＭＤ１１０の一部がキャップ層１２５に対して選択的にエッチングされている半導体構造の形成における操作を示す断面図である。ＩＭＤ１１０の一部の除去は、金属相互接続ライン１２０の間にエアギャップ９５５を形成し、ＩＭＤ１１０からボイドが引き続き封止される場合に達成される真空レベルまで誘電率の低下を可能にする。具体的な実施形態において、ＩＭＤ１１０を等方的に除去して、キャップ層１２５の下を切り取る。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
[0058]図９に示される例示的実施態様において、ギャップ充填層７５０もまた、ＩＭＤ１１０の一部をエッチングするプロセスによって除去される。このような実施形態において、ギャップ充填層は、犠牲マスキング層としてのみ働き、ＩＭＤ１１０のエッチングは、キャップ層１２５によってのみマスクされる。ギャップ充填層７５０とＩＭＤ１１０との除去は、ギャップ充填層７５０が望ましくない高誘電率を持つ場合には有利である。ギャップ充填層７５０が二酸化シリコンであり、ＩＭＤ１１０が炭素ドープ二酸化シリコンである、具体的な実施態様において、ギャップ充填層７５０とＩＭＤ１１０の一部の双方をシリコン炭素窒化物キャップ層１２５に対して選択的に除去するために、フッ化炭素ベースのドライプラズマエッチングがＯ２のような酸化剤を含み或いは含まずに使用される。この実施態様において、キャップ層１２５の上面はさらされ、キャップ層１２５の下面も切り取られる。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
[0059]図９に示される具体的な実施形態において、ＩＭＤ１１０の除去は、ＩＬＤ１０５に対して選択的か或いはＩＭＤ１１０とＬＩＤ１０５の間の停止層に対して選択的である。例えば、窒化シリコン或いはシリコン炭素窒化物の停止層を用いて、ドープされた酸化シリコンＩＭＤ１１０のエッチングを停止させることができる。ＩＭＤ１１０がＩＬＤ１０５に対して選択的にエッチングされる実施形態は、バイア１１５が不整合であるか又は下層１０１がプロセスエッチングＩＬＤ１０５に感受性である場合には有利である。図９に示されるように、金属相互接続ライン１２０の間のＩＭＤ１１０をＩＬＤ１０５に対して選択的に除去することは、ラインの長さがバイア１１５によって進行する垂直距離より非常に長いことから、容量と相互接続部のクロストークを大幅に減少させることができる。しかしながら、別の実施において、ＩＬＤ１０５の少なくとも一部は、ＩＬＤ１０５に対して選択的でないエッチングプロセスによってＩＭＤ１１０と共にエッチングされる場合がある。更なる実施形態において、スペーサ５４０とギャップ充填層７５０とＩＭＤ１１０のエッチングは、単一チャンバ内のエッチング法（recipe）の連続ステップ或いは単一エッチングプラットフォームにおけるチャンバシーケンスとして、その場で（in-situ）行われる。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
[0060]図１０Ａは、本発明の実施形態による、キャップ層１２５内の開口或いはチャネルが封止されている半導体構造の形成における操作を示す断面図である。一般に、封止キャップ層１０６０をコンフォーマルに堆積させて、チャネル１０６１のような金属相互接続ライン１２０の上のキャップ層開口にボイドを形成する可能性を減少させなければならない。さらされた金属相互接続ライン１２０は、キャップ層１２５が金属相互接続ライン１２０の他の表面を保護すると同時に封止キャップ層１０６０によって保護されなければならない。これを目的として、封止キャップ層１０６０の堆積方法は、更に、洗浄ステップを含み、それによって、チャネル１０６１によってさらされた金属相互接続ライン１２０上のいかなる酸化等も除去される。封止キャップ層１０６０は、キャップ層１２５、ＩＭＤ１１０又はＩＬＤ１０５に以前に記載したような従来のいかなる誘電材料を含んでもよい。キャップ層１２５がシリコン炭素窒化物を含む具体的な一実施形態において、シリコン炭素窒化物封止キャップ層１０６０を堆積させて、ダマシン層の上に伸長し、金属相互接続ライン１２０を保護し、且つＩＭＤ１１０が除去されるキャップ層１２５内の開口を封止する連続キャップ層を改善する。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
[0061]図１０Ｂは、本発明の実施形態による、ＩＭＤ１１０を除去する際にさらされた金属相互接続ライン１２０がキャップ層１２５が封止される前に不動態化されている半導体構造の形成における操作を示す断面図である。示されるように、金属相互接続ライン１２０は、ＩＭＤ１１０が除去された（図９に示す）後にさらされたバリヤ層１０７０を持つ。実施形態において、さらされたバリヤ層１０７０は、従来の材料、例えば、ＴａＮ、又はルテニウム（Ｒｕ）、コバルト（Ｃｏ）等に基づく金属間化合物を含んでもよい。このようなバリヤ層１０７０は、相互接続不動態層１０７５から恩恵を受ける場合がある。一実施形態において、相互接続不動態層１０７５は、キャップ層１２５を封止する前にバリヤ層１０７０の上に形成される。このような一実施形態において、相互接続不動態層１０７５は、原子層堆積（ＡＬＤ）又はＣＶＤのようなコンフォーマルな堆積によって堆積される。相互接続不動態層１０７５は、キャップ層１２５、ＩＭＤ１１０又はＩＬＤ１０５のために以前に記載した材料のいずれも含んでもよい。具体的な一実施形態において、相互接続不動態層１０７５は、シリコン炭素窒化物を含み、厚さが５ｎｍ〜２０ｎｍである。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
[0062]別の実施形態において、ＩＭＤ１１０を除去した後に相互接続ラインを不動態化するのではなく、金属相互接続ライン１２０の形成前にライナ層が形成され、ＩＭＤ１１０の除去はこのキャップ層に対して選択的である。図１１は、本方法が組み込まれてもよいダマシン層を形成する別の方法である。例えば、図１１は、本発明の実施形態による、保護誘電体ラインがダマシン金属相互接続部のバリヤ層が形成される前に堆積されている半導体構造の形成における操作を示す断面図である。ライナ層１１８０は、ダマシン層のトレンチやバイア開口部が形成された後にＭＤ１１０の上に堆積される。ライナ層１１８０は、キャップ層１２５、相互接続不動態層１０７５、ＩＭＤ１１０又はＩＬＤ１０５のために記載したこれらの材料のいずれから構成されてもよい。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
[0063]ライナ層１１８０が堆積された後、異方性エッチングは、ドライプラズマエッチングで行われて、ライナスペーサ１１８５を形成することができる。ドライエッチングは、ライナスペーサ１１８５をＩＭＤ１１０に対して選択的に形成させることができる。例えば、シリコン炭素窒化物ライナスペーサ１１８０による実施形態において、スペーサ５４０を形成するために記載したもののようなエッチングプロセスが使用されてもよい。形成されたライナスペーサ１１８５によって、図１２に示されるようにダマシン層は完了してもよい。バリヤ層１２１と充填金属１２３は、ライナスペーサ１１８５に隣接して形成されて、金属相互接続ライン１２０を完成させ、図１に示された別のダマシン構造を形成する。図２−図９を参照して記載した操作を適用すると、図１３に示されるようにエアギャップ構造が形成される。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
[0064]図１３は、本発明の実施形態による、ＩＭＤ１１０がキャップ層１２５とライナスペーサ１１８５に対して選択的にエッチングされて、エアギャップ１３９０を形成している、半導体構造の形成における操作を示す断面図である。ダマシン相互接続部の一部として形成されるライナスペーサ１１８５は、その後、ＩＭＤ１１０の除去中にエッチング停止として働く。具体的な実施形態において、ライナスペーサ１１８５とキャップ層１２５の双方が同一材料を含み、金属相互接続ライン１２０の三つの側面を封入する。実施形態において、更に、ＩＭＤ１１０とＩＬＤ１０５（図示せず）の間のエッチング停止層は、ライナスペーサ１１８５とキャップ層１２５と同一材料を含み、金属相互接続ライン１２０の四つの側面を封入する。このような一実施形態において、ＩＭＤ１１０とＩＬＤ１０５の間のエッチング停止層、キャップ層１２５、ライナスペーサ１１８５は、全てシリコン炭素窒化物を含む。