【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年1月3日(2014.1.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
さらに別の実施例においては、プロセスチャンバ内で大きい面積の基板の温度を維持するための方法は、プロセスチャンバの基板支持アセンブリの基板支持表面上に大きい面積の基板を位置決めすることを含む。基板支持アセンブリは、熱伝導体と、熱伝導体の表面上の基板支持体の表面と、１つ以上の加熱エレメントと、熱伝導体の下に位置する冷却プレートと、構造的に熱伝導体を支持するようになっている、冷却プレートの下に位置するベース支持構造と、ベース支持構造により支持されるようになっており、冷却プレートとベース支持構造との間に位置する１つ以上の冷却チャネルとを含む。さらに、本方法は１つ以上の加熱エレメントを加熱することにより大きい面積の基板の温度を増加せしめ、１つ以上の冷却チャネル内に冷却流体を流すことにより大きい面積の基板の温度を低下せしめ、１つ以上の冷却チャネル内の冷却流体の流量を制御することにより大きい面積の基板の温度を維持することを含む。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
主に、基板支持体アセンブリ１０４はチャンバ本体１０２のチャンバの底１５４上に設けられる。基板支持体アセンブリ１０４は、プロセスチャンバ１００内での、基板処理の間に、基板支持体アセンブリに置かれた基板１１２への温度制御を支援し、提供するために熱伝導性のサセプタ２２２などのようなプレート状の本体を含む。ステンレス鋼、アルミニウムなどの適宜な金属又は合金材料がサセプタ２２２の本体を製造するのに用いられる。サセプタ２２２はアルミニウムの熱膨張係数より例えば低い熱膨張係数を有するような熱抵抗性の金属材料から作られうる。一実施例において、サセプタ２２２はステンレス鋼材料から作られる。しかしながら、他の適宜な材料も用いられうる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
冷却流体はインフローチャネル５３０及びアウトフローチャネル５４０を介してプロセスチャンバ１００のシャフト１８７から流される。さらに、１つ以上の冷却チャネル２３２はより短い内側冷却ループ５１０及びより長い外側冷却ループ５２０を有する、１つ以上のループされた構造に構成されうる。一実施例において、１つ以上の冷却チャネル２３２は図７Ｂに示されるような外側の冷却ループ５２０などの２つの反対の端の周辺に沿って位置するようになっている。２つの反対の端からの外側の冷却ループ５２０は内側の冷却ループ５１０によって接続される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
１つ以上の冷却チャネル２３２は水、冷媒、空気、ガス上の物質、及び他の適宜な冷却ガス若しくは液体材料など冷却流体をそこに流すようになっている。適宜なガス状材料には綺麗なドライエアー、圧縮空気、フィルターされた空気、窒素ガス、水素ガス、希ガス（例えば、アルゴンガス、ヘリウムガスなど）及び他のガスなどが含まれる。一例として、約２０℃から約２５℃などの約３０℃若しくはそれより低い温度における冷却水が、温度冷却制御をもたらすのに用いられうる。１つ以上の冷却チャネル２３２内に冷却水を流すことは、容易、簡単であり、水が熱を吸収するのに一般により高い熱容量（Ｃｐ、ｗａｔｔｓ  ｐｅｒ  ｋｉｌｏｇｒａｍｓ  ｐｅｒ  ℃）を有する良好な冷媒であるので、有益でもある。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
さらに、基板１１２が１つ以上の加熱エレメント１３２により加熱されているときの基板処理の間、及び／又は、チャンバのアイドル時間、若しくは、チャンバのメインテナンスの間、１つ以上の冷却チャネル２３２内部を流れる冷却流体は、冷却効率を制御するために、制御された流量により流されうる。例えば、約１ｇｐｍから約２ｇｐｍの間など、１分あたりの約１ガロンの流量（ｇｐｍ）ほどの冷却水が１つ以上の冷却チャネル２３２に流れるのに用いられうる。結果として、基板支持アセンブリを十分に温度制御することができ、温度の変動若しくは一時的な温度の激変なしに、基板処理の間、約８０℃から約２００℃の間の均一な温度に基板１１２を維持しうる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
一実施例において、１つ以上の冷却チャネル２３２は、温度制御をして、ＲＦプラズマがプロセスチャンバ１００内において生成されるときの温度の増加若しくは激変などの、基板処理の間に起りうる温度の変動を補償するよう構成されている。別の実施例において、１つ以上の冷却チャネル２３２は、本発明の基板支持アセンブリ１０４内の冷却チャネル２３２に早い流量で冷却流体を供給することにより、チャンバのメインテナンスの間、プロセスチャンバ内の温度を急速に冷却するようになっている。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
従って、本発明の基板支持アセンブリ１０４は、静電チャックを用いることなく、大きい面積の基板の温度を制御すると共に、単純な設計によるサセプタ２２２、冷却プレート２３０、及び、１つ以上の冷却チャネル２３２の機能を提供するものである。大きい面積のガラス基板を真空チャックするための圧力、ガス、又は、基板の裏側への流体を供給することは容易にガラスを破損させるかもしれない。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
図８はプロセスチャンバ内の基板の温度を制御するための一例の方法８００のフロー図である。ステップ８１０において、動作中の基板をプロセスチャンバの内の基板支持アセンブリのサセプタ上に位置せしめる。ステップ８２０において、基板処理の前、及び／又は、その間に、サセプタ内に位置する１つ以上の加熱エレメントを加熱することにより、基板の温度を上昇せしめる。ステップ８３０において、基板の温度は１つ以上の冷却チャネル２３２などの１つ以上の冷却チャネルに冷却流体を流すことにより下げられる。一実施例において、１つ以上の冷却チャネルは加熱エレメントから空間的に離れている。別の実施例においては、冷却チャネルは冷却プレートとサセプタベース支持構造との間にあり、１つ以上の加熱エレメントを有するサセプタの下に位置する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
例えば、プラズマのエネルギーから生成される熱は冷却チャネルを用いることにより冷却され、基板又はサセプタの表面の温度に影響を及ぼしえないので、基板上にターゲット材料をスパッタするのにプラズマが用いられているかいなかに関わらず、温度の激変、若しくは、変動なしに、冷却チャネル内の冷却流体の流量は基板処理の間、制御され、基板の温度は一定に維持される。動作において、冷水、又は、いかなる冷媒などの冷却流体が、例えば冷却チャネル２３２など冷却チャネルに流され、その冷却流体の流量は基板１１２上において一定の温度を保つよう調整される。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
選択的に、基板の温度は基板支持アセンブリのサセプタ内に埋め込まれた１つ以上の加熱エレメントの加熱効率を調整し、１つ以上の冷却チャネルに流れる冷却流体を一定の流量率に維持することによって、基板処理の間、一定に保たれる。例えば、プラズマが誘起されているか、若しくは、追加の熱がプラズマのエネルギーから生成されているかいなかに関わらず、基板の表面上の温度の激変、若しくは、変動を防ぐために、基板の温度は、加熱エレメントのための加熱電源のパワーレベルを微調整することにより、基板の全表面にわたり、約１００℃から約１５０℃の一定の処理温度に維持されうる。動作中、１つ以上の加熱エレメントの加熱効率は１つ以上の加熱エレメントに供給される様々なパワーレベルを調整することにより調整されうる。結果として、加熱効率を調整するために、１つの制御ループがコントローラ１９０内のソフトウェアの設計のために必要とされるかもしれない。必要であるならば、加熱及び冷却の効率の両者を調整するための２つ以上の制御ループが用いられうる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステンレス鋼材料を含む熱伝導体と、
前記熱伝導体の表面上にあり、基板を支持するようになっている基板支持表面と、
前記熱伝導体内に埋め込まれた１つ以上の加熱エレメントと、
前記熱伝導体の下に位置し、ステンレス鋼材料を含む冷却プレートと、
前記冷却プレートの下に位置し、前記熱伝導体を構造的に支持するようになっている、ステンレス鋼材料を含むベース支持構造と、
前記ベース支持構造により支持され、前記冷却プレートと前記ベース支持構造との間に位置する１つ以上の冷却チャネルとを含み、前記１つ以上の冷却チャネルは１つ以上の内側の冷却ループと１つ以上の外側の冷却ループを含み、前記１つ以上の冷却チャネルの隣接する冷却ループは反対方向の流れ方向で流れる冷却流体を含むプロセスチャンバ内の基板を支持する基板支持アセンブリ。
【請求項２】
前記１つ以上の冷却チャネルはステンレス鋼材料を含む請求項１記載の基板支持アセンブリ。
【請求項３】
前記１つ以上の冷却チャネルは前記冷却プレートに取り付けられている請求項１記載の基板支持アセンブリ。
【請求項４】
前記1つ以上の外側の冷却ループは前記基板支持表面の２つの反対側の端の周辺に沿って位置し、前記1つ以上の内側の冷却ループにより接続されている請求項１記載の基板支持アセンブリ。
【請求項５】
前記１つ以上の加熱エレメントは１つ以上の内側の加熱ループと、１つ以上の外側の加熱ループとを含み、前記１つ以上の冷却チャネルの前記１つ以上の外側の冷却ループは、前記１つ以上の加熱エレメントの前記１つ以上の内側の加熱ループと前記１つ以上の外側の加熱ループとの間の位置に位置している請求項３記載の基板支持アセンブリ。
【請求項６】
前記１つ以上の冷却チャネルは２０℃から２５℃の間の温度で流れる冷却流体を含む請求項１記載の基板支持アセンブリ。
【請求項７】
前記ベース支持構造は本体と１つ以上の支持ビームを含む請求項１の基板支持アセンブリ。
【請求項８】
前記１つ以上の支持ビームは前記１つ以上の冷却チャネルを支持するよう構成される１つ以上の溝を含む請求項７記載の基板支持アセンブリ。
【請求項９】
前記ベース支持構造は前記基板支持表面の２つの反対側の端の周辺に沿って、前記１つ以上の冷却チャネル及び前記熱伝導体を支持するよう位置する１つ以上の延出したベース支持ビームを含む請求項１記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１０】
前記熱伝導体、前記冷却プレート、及び、前記ベース支持構造はさらに、複数の基板支持ピンが通過するために構成される複数の基板支持ピンの穴を含む請求項１記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１１】
前記１つ以上の冷却チャネルは前記複数の基板支持ピンの穴から離れて構成される請求項１記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１２】
前記基板支持表面は１平方メートル若しくはそれ以上の大きさの方形の基板を支持するために方形の形をしている請求項１記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１３】
前記熱伝導体に直面する前記冷却プレートの表側の表面は、さらに表面ラッフィング材料を含む請求項１記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１４】
基板を内部で処理するためのプロセスチャンバであって、
ステンレス鋼材料を含む熱伝導体と、
前記熱伝導体の表面上にあり、前記基板を支持するようになっている基板支持表面と、
前記熱伝導体内に埋設された１つ以上の加熱エレメントと、
前記熱伝導体の下に位置し、ステンレス鋼材料を含む冷却プレートと、
前記冷却プレートの下に位置し、前記熱伝導体を構造的に支持するようになっている、ステンレス鋼材料を含むベース支持構造と、
前記冷却プレートと前記ベース支持構造との間に位置する１つ以上の冷却チャネルとを含む、基板を支持する基板支持アセンブリと、
チャンバの側壁及びチャンバの底を有するチャンバ本体と、
前記基板支持アセンブリの上部に位置するターゲットアセンブリとを含むプロセスチャンバ。
【請求項１５】
前記１つ以上の冷却チャネルはステンレス鋼材料を含み、前記ベース支持構造により支持される請求項１４記載のプロセスチャンバ。
【請求項１６】
前記基板支持表面はフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ、フレキシブル有機発光ダイオード（ＦＯＬＥＤ）ディスプレイ、ポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機薄膜トラジスタ、アクティブマトリクス、パッシブマトリクス、トップエミッションデバイス、ボトムエミッションデバイス、ソーラセル、ソーラパネル、及びそれらの組み合わせからなる群から選択されたデバイスを作製するための１つ以上の方形の基板を支持するよう構成されている請求項１４記載のプロセスチャンバ。
【請求項１７】
前記チャンバの底に位置し、前記基板を支持する複数の基板支持ピンを更に含む請求項１４記載のプロセスチャンバ。
【請求項１８】
プロセスチャンバ内の基板の温度を維持するための方法であって、
表面上に基板支持表面を有し、前記基板を前記基板支持表面上で支持する熱伝導体と、
前記熱伝導体内に埋設された１つ以上の加熱エレメントと、
前記熱伝導体の下に位置し、ステンレス鋼材料を含む冷却プレートと、
前記冷却プレートの下に位置し、前記熱伝導体を構造的に支持する、ステンレス鋼材料を含むベース支持構造と、
前記冷却プレート及び前記ベース支持構造の間に位置する、１つ以上の冷却チャネルとを有する、前記プロセスチャンバの基板支持アセンブリの前記基板支持表面上に前記基板を位置せしめ、
前記１つ以上の加熱エレメントを加熱することにより、前記基板の温度を上昇せしめ、
前記１つ以上の冷却チャネル内に冷却流体を流すことにより、前記基板の温度を下降せしめ、
前記１つ以上の冷却チャネル内の前記冷却流体の流量、及び、前記１つ以上の加熱エレメントの加熱パワーを調整することにより、前記基板の温度を維持することを含む方法。
【請求項１９】
前記１つ以上の冷却チャネルはステンレス材料を含む請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記熱伝導体と前記冷却プレートとの間の熱伝導を制御するために、前記熱伝導体の下の前記冷却プレートの距離を調整することを更に含む請求項１８記載の方法。