【手続補正書】
【提出日】平成25年12月9日(2013.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に配され、光電変換素子の一部を構成する第１導電型の第１の半導体領域と、
前記半導体基板に配され、前記光電変換素子で生じた電荷が保持される第１導電型の第２の半導体領域と、
前記半導体基板に配された第１導電型の第３の半導体領域と、
前記半導体基板の上に配され、前記第２の半導体領域の電荷を前記第３の半導体領域へ転送する第１のゲート電極と、
絶縁体部分を少なくとも含む素子分離領域と、を有する光電変換装置において、
前記絶縁体部分が、前記第２の半導体領域を電気的に分離するように配され、
前記絶縁体部分の下端が、前記第２の半導体領域の下端と同じ深さ、もしくは、前記第２の半導体領域より深い位置に設けられていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板に配され、光電変換素子の一部を構成する第１導電型の第１の半導体領域と、
前記半導体基板に配され、前記光電変換素子で生じた電荷が保持される第１導電型の第２の半導体領域と、
前記半導体基板に配された第１導電型の第３の半導体領域と、
前記半導体基板の上に配され、前記第２の半導体領域の電荷を前記第３の半導体領域へ転送する第１のゲート電極と、
絶縁体部分を少なくとも含む素子分離領域と、を有する光電変換装置において、
前記絶縁体部分が、少なくとも前記第２の半導体領域の配された活性領域を規定し、
前記絶縁体部分の下端が、前記第２の半導体領域の下端と同じ深さ、もしくは、前記第２の半導体領域より深い位置に設けられていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
前記活性領域に、前記第１の半導体領域、および、前記第３の半導体領域が配されたことを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
半導体基板と、
前記半導体基板に配され、光電変換素子の一部を構成する第１導電型の第１の半導体領域と、
前記半導体基板に配され、前記光電変換素子で生じた電荷が保持される第１導電型の第２の半導体領域と、
前記半導体基板に配された第１導電型の第３の半導体領域と、
前記半導体基板の上に配され、前記第２の半導体領域の電荷を前記第３の半導体領域へ転送する第１のゲート電極と、
２つの絶縁体部分を少なくとも含む素子分離領域と、を有する光電変換装置において、
前記２つの絶縁体部分の間に、前記第２の半導体領域の配され、
前記絶縁体部分の下端が、前記第２の半導体領域の下端と同じ深さ、もしくは、前記第２の半導体領域より深い位置に設けられていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
前記絶縁体部分の側面に配され、前記絶縁体部分からの暗電流を低減するための第４の半導体領域をさらに有し、
前記第２の半導体領域と前記絶縁体部分との間に、前記第４の半導体領域が配されたことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第４の半導体領域は、前記第１導電型と反対導電型の第２導電型であることを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記第２の半導体領域と前記絶縁体部分とが互いに接するように配されたことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記第２の半導体領域の下端は、前記第２の半導体領域と前記第２の半導体領域の下に配された第２導電型の第５の半導体領域とのＰＮ接合面であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記第５の半導体領域の一部は、前記絶縁体部分の下端よりも浅い位置に配されたことを特徴とする請求項８に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記第５の半導体領域、および、前記絶縁体部分が、前記第２の半導体領域を囲むように互いに接して配されることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記第２の半導体領域の上には遮光体が配されていることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記遮光体は前記絶縁体部分の上に延在して配されていることを特徴とする請求項１１に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域との間の領域の上に配された第２のゲート電極をさらに有することを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１４】
前記第２のゲート電極が、前記第２の半導体領域の上まで延在していることを特徴とする請求項１３に記載の光電変換装置。
【請求項１５】
第１の画素および第２の画素を含む複数の画素を有し、
前記複数の画素のそれぞれが、前記第１乃至前記第３の半導体領域、および、前記第１のゲート電極を含み、
前記絶縁体部分が、前記第１の画素に含まれる前記第２の半導体領域と、前記第２の画素に含まれる前記第１乃至前記第３の半導体領域のいずれかとの間に配されたことを特徴とする請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１６】
画素回路を有し、
前記絶縁体部分が、前記第２の半導体領域と、前記画素回路を構成するトランジスタとの間に配されたことを特徴とする請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１７】
絶縁体領域によって規定された活性領域を含む半導体基板と、
前記活性領域に配され、光電変換素子の一部を構成する第１導電型の第１の半導体領域と、
前記活性領域に配され、前記光電変換素子で生じた電荷が保持される第１導電型の第２の半導体領域と、
前記活性領域に配された第１導電型の第３の半導体領域と、
前記第２の半導体領域の下に配された第２導電型の半導体領域と、
前記半導体基板の上に配され、前記第２の半導体領域の電荷を前記第３の半導体領域へ転送する第１のゲート電極と、を有する光電変換装置において、
前記絶縁体領域の少なくとも一部が、前記第２導電型の半導体領域と同じ深さに配されたことを特徴とする光電変換装置。
【請求項１８】
半導体基板と、
前記半導体基板に配され、光電変換素子の一部を構成する第１導電型の第１の半導体領域と、
前記半導体基板に配され、前記光電変換素子で生じた電荷が保持される第１導電型の第２の半導体領域と、
前記半導体基板に配された第１導電型の第３の半導体領域と、
前記第２の半導体領域の下に配された第２導電型の半導体領域と、
前記半導体基板の上に配され、前記第２の半導体領域の電荷を前記第３の半導体領域へ転送する第１のゲート電極と、
２つの絶縁体領域と、を有する光電変換装置において、
前記２つの絶縁体領域の間に、前記第２の半導体領域が配され、
前記２つの絶縁体領域のそれぞれの一部が、前記第２導電型の半導体領域と同じ深さに配されたことを特徴とする光電変換装置。
【請求項１９】
前記第２の半導体領域と、前記第２導電型の半導体領域とが、ＰＮ接合を構成することを特徴とする請求項１７または請求項１８に記載の光電変換装置。
【請求項２０】
前記第２導電型の半導体領域、および、前記絶縁体領域が、前記第２の半導体領域を囲むように互いに接して配されることを特徴とする請求項１７乃至請求項１９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項２１】
前記第２の半導体領域の上には遮光体が配されていることを特徴とする請求項１７乃至請求項２０のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項２２】
前記遮光体は前記絶縁体部分の上に延在して配されていることを特徴とする請求項２１に記載の光電変換装置。
【請求項２３】
前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域との間の領域の上に配された第２のゲート電極をさらに有することを特徴とする請求項１７乃至請求項２２のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項２４】
前記第２のゲート電極が、前記第２の半導体領域の上まで延在していることを特徴とする請求項２３に記載の光電変換装置。
【請求項２５】
請求項１乃至請求項２４のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力される信号を処理する信号処理回路と、を有する撮像システム。
【請求項２６】
請求項１乃至請求項２４のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置へ被写体の像を結像するレンズと、を有する撮像システム。