(57)【要約】【課題】リードフレームのダイパッド上に兼用化として、多品種多機能の性能で、多種サイズの半導体素子搭載することができる素子搭載部を備える半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体素子を搭載する支持体において、鍵溝部と非濡れ部を有し、鍵溝部は多重に備えることを特徴とする。また、支持体はリードフレームによって形成されていることを特徴とする。また、支持体は基板によって形成されていることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を搭載する支持体を有する半導体装置において、前記支持体に鍵溝部と非濡れ部を有し、前記鍵溝部は多重に備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記支持体はリードフレームによって形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記支持体は基板によって形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に支持体に半導体素子を搭載し製造する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、複数の半導体パターンが連結されたリードフレームや回路基板が使用され、半導体素子を固定し、電気的配線後、樹脂成形することよって製造される。その後、連結された部位を切断し、ひとつの半導体装置として完成する。このとき、半導体素子の固定には、はんだが多く使われるが、はんだとモールド樹脂との密着性が良くないため、この領域に水分等が侵入すると、半導体装置の特性が低下する。そこで、密着性を向上させるために、はんだの広がりを防ぐ試みがおこなわれている。
【０００３】
樹脂モールド型半導体装置において、半導体素子固着周辺部の表面にはんだとの濡れ性が悪くなるよう変質処理をすることが従来技術として知られている（例えば、特許文献１参照、図１）これにより、はんだの不必要な広がりを防止することができる。
【０００４】
半導体素子を搭載するランドにおいて、半導体素子の４隅にあたる部分の回路パターン上に、かぎ形の溝を設けることが従来技術として知られている（例えば、特許文献２参照、図１、図２）これにより、はんだが溝に流れ込み、その外側への流出を防止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭６１−１０７７５１号公報
【特許文献２】実開昭６２−８９１４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般に、半導体素子の複数搭載や、多種部品の搭載を必要とする半導体モジュールの要求がある。また、多品種多機能の性能で、多種サイズの半導体素子を搭載する要求がある。
【０００７】
しかしながら、従来技術は、一種類の半導体素子サイズに対応することは有効であるが、半導体素子サイズに合わせて、それぞれの処理を施すため、サイズが違う複数の半導体素子を搭載することに対し、素子搭載部が兼用できないという課題がある。
【０００８】
従って、本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、多品種の半導体素子サイズを搭載するこができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の課題を解決するために、本発明は、以下に掲げる構成とした。
本発明の半導体装置は、半導体素子を搭載する支持体において、鍵溝部と非濡れ部を有し、鍵溝部は多重に備えることを特徴とする。
また、支持体はリードフレームによって形成されていることを特徴とする。
また、支持体は基板によって形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、多重の鍵溝部と非濡れ部を備えているので、多品種の半導体素子を搭載することが可能な半導体装置を提供することができる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施例１に係る支持体の要部拡大平面図と断面図である。
【図２】本発明の実施例１に係る支持体の半田塗布状態を表す図である。
【図３】本発明の実施例１に係る支持体の素子（小）搭載状態を表す図である。
【図４】本発明の実施例１に係る支持体の素子（大）搭載状態を表す図である。
【図５】本発明の実施例１に係る半導体装置の平面図である。
【図６】本発明の実施例２に係る半導体装置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための形態について、詳細に説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、寸法関係の比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【実施例１】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の実施例１に係る半導体装置を説明する。図１は、本発明の実施例１に係る支持体１の要部拡大平面図と断面図である。
【００１４】
図１に示す支持体１は、一般的な半導体装置におけるリードフレームのダイパッド部であり、半導体素子を搭載する主面である。例えば、ダイパッド部は厚みを有した銅材料の板形状であり、主面は平坦である。
【００１５】
第１の鍵溝２は、支持体１の主面に略L字形状をしており、支持体１の厚み方向へ凹形状に溝が掘込まれている。平面形状は、２辺を有する略L字形状をしており、方形の頂点の４個所（四隅）位置に配設され、直角内部が方形中心側を向いている。例えば、プレス加工、切削加工、エッチング加工等で製造することができる。凹形状は溝が掘込まれれば、断面形状が略Ｕ字形状や略Ｖ字形状であても構わない。ここでは、支持体１の厚さは０．５mm、第１の鍵溝２の幅は０．２mm、外周１辺の長さは１．０mmである。
【００１６】
第２の鍵溝３は、第１の鍵溝２と同様形状であり、第１の鍵溝２の外側に位置している。支持体１の主面に略L字形状をしており、支持体１の厚み方向へ凹形状に溝が掘込まれている。平面形状は、２辺を有する略L字形状をしており、方形の頂点の４個所（四隅）位置に配設され、直角内部が方形中心側を向いている。例えば、プレス加工、切削加工、エッチング加工等で製造することができる。凹形状は溝が掘込まれれば、断面形状が略Ｕ字形状や略Ｖ字形状であても構わない。ここでは、第２の鍵溝３の寸法は、幅が０．２mm、外周１辺の長さが１．０mmである。
【００１７】
第１の接合領域４は、第１の鍵溝２に囲まれた平面部分であり、半導体素子が搭載接合される。
【００１８】
第２の接合領域５は、第２の鍵溝３に囲まれた平面部分であり、第１の接合領域４を含んでいる。後述する半導体素子サイズの大きいものが搭載接合される。
【００１９】
非濡れ部６は、第２の鍵溝３の鍵溝間を直線的に結んだ部分であり、４辺（４箇所）に位置し、第２の接合領域５を非濡れ部６と第２の鍵溝３とで囲んでいる。非濡れ部６には、はんだが濡れ難い処理を施す。例えば、レーザ等により支持体１の表面を酸化処理したものである。ここでは、幅が０．１５mm、厚みは０．０１mmである。
【００２０】
次に、図２から図４を参照して、支持体１に半導体素子を搭載する製造方法を説明する。
【００２１】
図２は、支持体１の第１の接合領域４にはんだ７を塗布した状態である。ここでは接合領域全体にはんだが広がるように、十字形状とＸ字形状を組み合わせた形状をしている。塗布方法は、ダイボンダ装置によるはんだ転写やマウンタ装置による印刷でおこなうことが可能である。
【００２２】
図３は、はんだ７を塗布した上面（図２の状態）で、第１の接合領域４に半導体素子（小）８を搭載接合した平面状態である。このとき、はんだ７の一部は第２の接合領域５にはみ出しているが、第１の接合領域４の半導体素子８に接合面には十分はんだが廻っている。
【００２３】
図４は、半導体素子（小）８よりもサイズの大きい半導体素子（大）９を搭載したものである。はんだ７を塗布した上面（図２の状態）で、第２の接合領域５に半導体素子（大）９を搭載接合した平面状態である。このとき、半導体素子（大）９は、第１の鍵溝２を覆って、第２の接合領域５に接合されている。はんだ７は、第２の接合領域５の半導体素子９に接合面には十分はんだが廻っている。
【００２４】
次に、図５に示すように、半導体装置１１は、リードフレームタイプのパッケージである。ここでは、リードフレームは、ダイパッド１２と外部端子１３で構成され、複数個が連結されている。ダイパッド１２の主面には、上述した第１の鍵溝２、第２の鍵溝３、非濡れ部６を備えている。ここに半導体素子（小）８を搭載接合し、半導体素子（小）８の電極部と外部端子１３をワイヤ１４にて電気的機械的に接続する。例えば、ワイヤ１４はワイヤボンダ装置にて金細線を使用し製造することができる。ダイパッド１４と外部端子１３の一部を露出させ、樹脂封止体１５（図示せず）で覆う。その後連結されたリードフレームを切断する。以上により、個々の半導体装置１１が完成する。
【００２５】
次に、上述の実施例１に係る半導体装置の効果を説明する。支持体に複数の鍵溝を備えてのるので、支持体を兼用して半導体素子を複数使用することができる。
【００２６】
鍵溝は半導体素子の四隅に位置しているので、接合時にはみ出したはんだを捕らえることができ、半導体素子の位置決めをすることができる。また、はんだが侵入しなければ、樹脂封止時において、支持体表面と樹脂封止体とのアンカー効果により樹脂密着性の向上が得られる。
【００２７】
鍵溝は方形上に複数備えているので、半導体素子サイズの異なるものがひとつの支持体を兼用して搭載することができる。また、半導体素子が大きいサイズの場合において、接合はんだで溝が覆われる。これにより接合表面積を増やし、素子と支持体との接合強度の向上が得られる。
【００２８】
非濡れ部は半導体素子の搭載領域を囲い制限しているので、接合はんだが、不必要に広がることを抑制し、はんだによる樹脂封止体と支持体の密着強度の低下を防いでいる。
【００２９】
支持体に多重の溝部を設けるので、ひとつの支持体を準備すれば、多サイズの半導体素子に対応することが、可能であり、支持体を共通化し、多品種に応じた製造を容易にすることが可能である。
【００３０】
本発明の実施例１に係る半導体装置は、多重の鍵溝と非濡れ部を備えている。これにより、半導体素子接合において、ひとつの支持体に対して、複数種の素子サイズを兼用して製造することが可能である。
【００３１】
また、はんだの不必要な広がりを抑制するので、樹脂密着強度の低下を抑制し、信頼性に高い半導体装置とすることが可能である。
【００３２】
上述のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになるはずである。
【００３３】
上述の例では、支持体１をリードフレームとしたが、図６に示すように、支持体１を基板２２としてもよい。
【００３４】
ここでは、基板２２の主面に回路パターン２４を形成し、外部端子２４を接合した構成であり、例えば、基板２２はセラミック回路基板とし、集積回路等を搭載し、ワイヤ接続した樹脂封止型の半導体装置２１とすることができる。効果は同様に、多サイズの半導体素子を搭載することができ、樹脂との密着性を向上することができ、基板を使用するので、モジュールパッケージに対応することが可能である。
【００３５】
また、実施例では、半導体素子を１個搭載接合として説明したが、この接合部を複数箇所備えたマルチチップ搭載型の半導体装置とすることも可能である。
【符号の説明】
【００３６】
１、支持体（ダイパッド、基板）
２、第１の鍵溝
３、第２の鍵溝
４、第１の接合領域
５、第２の接合領域
６、非濡れ部
７、はんだ
８、半導体素子（小）
９、半導体素子（大）
１１、半導体装置（フレームタイプ）
１２、ダイパッド
１３、外部端子
１４、ワイヤ
１５、樹脂封止体
２１、半導体装置（基板タイプ）
２２、基板
２３、外部端子
２４、回路パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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