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【手続補正書】
【提出日】平成26年7月9日(2014.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気濾過システムとして、ベース・セクション（３２）を備えるヘルメット（１２）とともに使用するガウンであって、前記ガウンが、
前記ヘルメット（１２）を覆うように形成され、開口部（４２）を有するフード（９２）と、
前記フード（９２）に取り付けられ、前記開口部（４２）を覆うように位置するフェース・シールド（９６）と、
前記ヘルメット（１２）に対して前記フェース・シールド（９６）を、離脱可能に固定するための、前記フェース・シールド（９６）の下部に取り付けられた少なくとも１つの固定部材（９８）とを含み、
前記フェース・シールド（９６）には、前記ヘルメット（１２）のベース・セクション（３２）から上向きに延びる取り付けクリップ（１１４）を受けるための開口（１１０）が形成されており、前記取り付けクリップ（１１４）は、前記ベース・セクション（３２）から外向きに延びる遠位縁部（１１６）を備え、前記開口（１０）に前記取り付けクリップ（１１４）が位置することにより、前記フェース・シールド（９６）の一部分（１１８）が前記遠位縁部（１１６）と前記ヘルメット（１２）の前記ベース・セクション（３２）との間に留まり、前記取り付けクリップ（１１４）が前記ガウンを支持し、ユーザの顔を覆うように前記フェース・シールド（９６）を配置する、ガウン。
【請求項２】
前記ガウンが用いられる前記ヘルメット（１２）が、該ヘルメット（１２）の開口部（４２）を規定するためのフェイシャル・セクション（４０）を備え、
前記フェース・シールド（９６）の下部に取り付けられた前記少なくとも１つの固定部材（９８）が、前記フェース・シールド（９６）の、前記フェイシャル・セクション（４０）への取り付けを容易にするためのフック・ループ・ファスナである請求項１に記載のガウン。
【請求項３】
前記開口（１１０）が、前記フェース・シールド（９６）の中心に設けられた請求項１又は２に記載のガウン。
【請求項４】
前記フード（９２）が、ユーザと外部環境との間で空気を濾過するための濾過媒体（９４）として働くように構成される請求項１〜３のいずれかに記載のガウン。
【請求項５】
身体部分が、前記フード（９２）と一体になっており、前記ユーザの肩まで下向きに延びる請求項１〜４のいずれかに記載のガウン。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月25日(2014.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の成分（Ａ）及び（Ｂ）：
（Ａ）スフィンゴミエリン  ０．１５〜７質量％、
（Ｂ）ホスファチジルイノシトール又はその塩、
を含有し、且つ固形状サプリメント中の（Ａ）スフィンゴミエリンの含有量に対する（Ｂ）ホスファチジルイノシトール又はその塩のホスファチジルイノシトール換算量の質量比［（Ｂ）／（Ａ）］が０．０５〜３である固形状サプリメント（但し、アスコルビン酸１８０ｍｇ、クエン酸５０ｍｇ、アスパルテーム１２ｍｇ、ステアリン酸マグネシウム２４ｍｇ、結晶セルロース１２０ｍｇ、乳糖２７４ｍｇ、および脂肪球皮膜成分（メグレ社製  ＢＳＣＰ：蛋白質４９％，脂質３９％，スフィンゴミエリン３．７％，グルコシルセラミド２．４％，ガングリオシド０．４％）４４０ｍｇからなる処方で、日本薬局方（製剤総則「錠剤」）に準じて製造した錠剤を除く）。
【請求項２】
更に（Ｃ）賦形剤を含有する、請求項１記載の固形状サプリメント。
【請求項３】
（Ｃ）賦形剤が、糖アルコールを含有する、請求項２記載の固形状サプリメント
【請求項４】
次の成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）：
（Ａ）スフィンゴミエリン  ０．１５〜７質量％、
（Ｂ）ホスファチジルイノシトール又はその塩、
（Ｃ）賦形剤
を含有し、且つ固形状サプリメント中の（Ａ）スフィンゴミエリンの含有量に対する（Ｂ）ホスファチジルイノシトール又はその塩のホスファチジルイノシトール換算量の質量比［（Ｂ）／（Ａ）］が０．０５〜３であり、（Ｃ）賦形剤が糖アルコールを含有する固形状サプリメント。
【請求項５】
固形状サプリメント中の（Ｂ）ホスファチジルイノシトール又はその塩のホスファチジルイノシトール換算量が０．０２〜１０質量％である請求項１〜４のいずれか１項記載の固形状サプリメント。
【請求項６】
（Ａ）スフィンゴミエリンが、スフィンゴミエリンを構成する全脂肪酸中のパルミチン酸の割合が５０質量％以下のものである、請求項１〜５のいずれか１項記載の固形状サプリメント。
【請求項７】
固形状サプリメント中の（Ｃ）賦形剤の含有量が２５〜９９．８質量％である、請求項２〜６のいずれか１項記載の固形状サプリメント。
【請求項８】
（Ｃ）賦形剤が、マルチトール、エリスリトール及びキシリトールから選ばれる１種又は２種以上を含有する、請求項３〜７のいずれか１項記載の固形状サプリメント。
【請求項９】
（Ｃ）賦形剤中のマルチトール、エリスリトール及びキシリトールから選ばれる１種又は２種以上の含有量が３〜７５質量％である、請求項８記載の固形状サプリメント。
【請求項１０】
サプリメントが錠剤であって、１錠当たりの重量が０．１〜２ｇである請求項１〜９のいずれか１項記載の固形状サプリメント。
【請求項１１】
チュアブル錠又はトローチ剤である請求項１〜１０のいずれか１項記載の固形状サプリメント。
【請求項１２】
錠剤硬度が３０Ｎ〜１４０Ｎである、請求項１０又は１１記載の固形状サプリメント。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月8日(2014.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質を添加したトリエチルアミンとアセトンの混合溶媒は除く溶液を移動相として用いる原子内包フラーレン塩の分離・精製方法。
【請求項２】
原子内包フラーレンはプラズマ照射法により形成したものであることを特徴とする請求項１に記載の原子内包フラーレン塩の分離・精製方法。
【請求項３】
溶液の溶媒がアセトニトリルとｏ−ジクロロベンゼンの２：１（体積比）の混合溶媒であることを特徴とする請求項１又は２に記載の原子内包フラーレン塩の分離・精製方法。
【請求項４】
原子内包フラーレン塩がアルカリ金属内包Ｃ６０フラーレン塩であることを特徴とする請求項１ないし３に記載の原子内包フラーレン塩の分離・精製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月17日(2014.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体から分離した被検試料中のＯＡＴＰ１Ｂ３（Organic Anion Transporting Polypeptide 1B3）ｍＲＮＡの選択的スプライシングバリアントの測定方法であって、
前記被検試料中の、配列番号：１で表される塩基配列を含むｍＲＮＡを、配列番号：２で表される塩基配列を含むｍＲＮＡと識別して測定することを含む、測定方法。
【請求項２】
配列番号：１で表される塩基配列におけるエキソンＳＶの存在を指標として、配列番号：１で表される塩基配列を含むｍＲＮＡを測定する、請求項１に記載の測定方法。
【請求項３】
前記エキソンＳＶを含む領域に設定したプライマーを一方のプライマーとして用いる核酸増幅法により、配列表の配列番号：１で表される塩基配列を含むｍＲＮＡまたはそのｃＤＮＡの部分領域を特異的に増幅し、増幅産物を測定することを含む、請求項２に記載の測定方法。
【請求項４】
前記プライマーの塩基数が１５〜３５である、請求項３に記載の測定方法。
【請求項５】
前記核酸増幅法がＲＴ−ＰＣＲ法である、請求項３または４に記載の測定方法。
【請求項６】
以下の条件を満足する核酸：
（１）配列番号：１で表される塩基配列を含む核酸とストリンジェントな条件下でハイブリダイズする；
（２）配列番号：２で表される塩基配列を含む核酸が共存する場合に、ストリンジェントな条件下で、当該核酸とハイブリダイズしないか、または、当該核酸とハイブリダイズした場合であってもその３'末端がミスマッチとなる。
【請求項７】
配列番号：１で表される塩基配列におけるエキソンＳＶを含む領域とハイブリダイズする、請求項６に記載の核酸。
【請求項８】
塩基数が１５〜３５である、請求項６または７に記載の核酸。
【請求項９】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の測定方法により、生体から分離した被検試料中のＯＡＴＰ１Ｂ３  ｍＲＮＡの選択的スプライシングバリアントを測定することを含む、がんの検出方法。
【請求項１０】
配列番号：１で表される塩基配列を含むＯＡＴＰ１Ｂ３  ｍＲＮＡの選択的スプライシングバリアントを測定する、請求項９に記載の検出方法。
【請求項１１】
前記がんが大腸がんまたは膵臓がんである、請求項９または１０に記載の検出方法。
【請求項１２】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の測定方法により、がん細胞を被検物質の存在下で培養して得られる培養細胞中のＯＡＴＰ１Ｂ３  ｍＲＮＡの選択的スプライシングバリアントを測定する工程と、
得られた測定結果を、前記被検物質の非存在下における場合と比較および／または評価する工程と、
を含む、がんの予防および／または治療剤のスクリーニング方法。
【請求項１３】
配列番号：１で表される塩基配列を含む、ＯＡＴＰ１Ｂ３（Organic Anion Transporting Polypeptide 1B3）ｍＲＮＡの選択的スプライシングバリアント。
【請求項１４】
（１）配列番号：５、配列番号：７、配列番号：９、または配列番号：１１で表されるアミノ酸配列を含み、かつ、がん細胞またはがん組織において発現が増強するポリペプチド、あるいは、
（２）配列番号：５、配列番号：７、配列番号：９、または配列番号：１１で表されるアミノ酸配列において、１０％以下のアミノ酸が置換、欠失、および／または挿入されたアミノ酸配列を含み、かつ、がん細胞またはがん組織において発現が増強するポリペプチド。
【請求項１５】
配列番号：５、配列番号：７、配列番号：９、または配列番号：１１で表されるアミノ酸配列からなるポリペプチド。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載のポリペプチドをコードする核酸。
【請求項１７】
請求項１６に記載の核酸を含む発現ベクター。
【請求項１８】
請求項１７に記載の発現ベクターで形質転換された細胞。
【請求項１９】
請求項１４または１５に記載のポリペプチドに結合する抗体。
【請求項２０】
配列番号４、配列番号６、配列番号８、または配列番号１０で表される塩基配列を含む核酸とストリンジェントな条件下でハイブリダイズし、少なくとも１５塩基を有する核酸。
【請求項２１】
生体から分離した被検試料中の、請求項１４または１５に記載のポリペプチドの量を測定することを含む、がんの検出方法。
【請求項２２】
請求項１９に記載の抗体を測定に用いる、請求項２１に記載の検出方法。
【請求項２３】
請求項１４または１５に記載のポリペプチドもしくはその断片、または、請求項１６に記載の核酸もしくはその断片を含む、特異的な細胞傷害性Ｔ細胞を誘導するためのがんワクチン。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月17日(2014.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
給電装置と、
前記給電装置から一対の線路を介して電力を受電する受電装置とを有し、
前記給電装置は前記一対の線路を介して前記受電装置に検出用信号を出力して前記受電装置から所定の応答がなされたことを前記給電装置が検出した後に前記給電装置から前記受電装置へ給電を開始する給電システムであって、
前記受電装置は、
電力を蓄積する蓄積手段と、
前記一対の線路におけるインピーダンスの不平衡を補正する補正手段とを有し、
前記蓄積手段は、前記給電装置から出力された検出用信号による電力を蓄積し、前記蓄積した電力を前記補正手段に供給することを特徴とする給電システム。
【請求項２】
前記蓄積手段は、
前記給電装置から前記受電装置へ給電が開始されるまでの間に前記検出用信号による電力を蓄積して前記補正手段に供給し、
前記給電装置から前記受電装置への給電の開始以降に前記給電装置から給電された電力を蓄積して前記補正手段に供給することを特徴とする請求項１に記載の給電システム。
【請求項３】
前記補正手段は、前記一対の線路における一方の線路の電圧と他方の線路の電圧との電圧差分に応じた電圧を出力する不平衡検出手段と、
前記不平衡検出手段から出力された前記電圧の値が所定の値の範囲内になるように補正する不平衡補正手段と、
を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の給電システム。
【請求項４】
前記給電システムは、ＩＥＥＥ８０２．３ａｆ規格において規定のＰＯＥに準拠したシステムであり、前記一対の線路は、ＰＯＥ対応のイーサネット（登録商標）ケーブルであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の給電システム。
【請求項５】
前記給電システムは、ＩＥＥＥ８０２．３ａｔ規格において規定のＰＯＥに準拠したシステムであり、前記一対の線路は、ＰＯＥ  Ｐｌｕｓに対応したイーサネット（登録商標）ケーブルであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の給電システム。
【請求項６】
前記蓄積手段と、前記不平衡検出手段と、前記不平衡補正手段とが同一の半導体基板上に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の給電システム。
【請求項７】
前記補正手段は、前記蓄積手段に蓄積された電力を用いて、前記一対の線路における一方の線路の電圧と他方の線路の電圧との電圧とに基づいて、前記一対の線路のインピーダンスの不平衡の補正を行うことを特徴とする請求項１に記載の給電システム。
【請求項８】
前記補正手段は、前記前記蓄積手段に蓄積された電力が前記補正手段に供給された後であって、前記給電装置が給電を開始する前に、前記一対の線路のインピーダンスの不平衡の補正を開始することを特徴とする請求項１に記載の給電システム。
【請求項９】
前記給電装置は、前記検出用信号に対する前記所定の応答がなされたことを検出した後に前記受電装置に対して前記一対の線路を介して分類用信号を出力し、前記受電装置から前記分類信号に対する応答であって前記受電装置の消費電力を示す応答がなされた後に前記受電装置へ給電を開始し、
前記蓄積手段は、前記給電装置から出力された前記検出用信号及び前記分類用信号による電力を蓄積し、前記蓄積した電力を前記補正手段に供給することを特徴とする請求項１に記載の給電システム。
【請求項１０】
給電装置から出力された検出用信号に対して一対の線路を介して所定の応答を行った後に前記給電装置から前記一対の線路を介して電力を受電する受電装置であって、
電力を蓄積する蓄積手段と、
前記一対の線路におけるインピーダンスの不平衡を補正する補正手段とを有し、
前記蓄積手段は、前記給電装置が出力する前記検出用信号による電力を蓄積し、前記蓄積した電力を前記補正手段に供給することを特徴とする受電装置。
【請求項１１】
前記蓄積手段は、
前記給電装置から前記受電装置へ給電が開始されるまでの間に前記検出用信号による電力を蓄積して前記補正手段に供給し、
前記給電装置から前記受電装置への給電の開始以降に前記給電装置から給電された電力を蓄積して前記補正手段に供給することを特徴とする請求項１０に記載の受電装置。
【請求項１２】
前記補正手段は、前記蓄積手段に蓄積された電力を用いて、前記一対の線路における一方の線路の電圧と他方の線路の電圧との電圧とに基づいて、前記一対の線路のインピーダンスの不平衡の補正を行うことを特徴とする請求項１０に記載の受電装置。
【請求項１３】
前記補正手段は、前記前記蓄積手段に蓄積された電力が前記補正手段に供給された後であって、前記給電装置が給電を開始する前に、前記一対の線路のインピーダンスの不平衡の補正を開始することを特徴とする請求項１０に記載の受電装置。
【請求項１４】
給電装置から一対の線路を介して出力される検出用信号に対して所定の応答を行う応答手段と、
電力を蓄積する蓄積手段と、
前記一対の線路におけるインピーダンスの不平衡を補正する補正手段と、
前記給電装置から前記一対の線路を介して電力を受電する受電手段とを有する受電装置における受電方法であって、
前記蓄積手段が、前記給電装置から出力された前記検出用信号による電力を蓄積し、蓄積した電力を前記補正手段に供給する供給ステップと、
前記受電手段が、前記所定の応答を検出した前記給電装置から前記一対の線路を介して電力を受電する受電ステップとを有することを特徴とする受電方法。
【請求項１５】
前記供給ステップは、
前記蓄積手段が、
前記受電装置が前記給電装置からの受電を開始するまでの間に前記検出用信号による電力を蓄積して前記補正手段に供給し、
さらに、前記蓄積手段が、前記受電装置が前記給電装置からの受電の開始以降に前記給電装置が給電した電力を蓄積して前記補正手段に供給する第２の供給ステップを有することを特徴とする請求項１４に記載の受電方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】回路
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ／Ｄ変換回路を有し、
前記Ａ／Ｄ変換回路は、比較回路と、Ａ／Ｄ変換制御回路と、Ｄ／Ａ変換回路と、を有し、
前記比較回路は、入力信号に対応する電圧と、基準となる電圧とを比較する機能を有し、
前記Ａ／Ｄ変換制御回路は、前記比較の結果に応じて第２の信号を出力する機能と、前記比較の結果に応じて第３の信号を出力する機能と、を有し、
前記Ｄ／Ａ変換回路は、前記第２の信号をアナログ信号に変換する機能と、前記アナログ信号を前記比較回路に入力する機能と、を有し、
前記基準となる電圧の値は、逐次的に変化し、且つ特定のデジタル値に対応するものであり、
前記第２の信号は、逐次的に変化する値を有するデジタル信号であり、
前記第３の信号は、前記入力信号に対応するデジタル信号であることを特徴とする回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記比較回路は、トランジスタを有し、
前記基準となる電圧は、前記アナログ信号に対応するものであり、
前記アナログ信号は、前記トランジスタのしきい値電圧を制御する機能を有することを特徴とする回路。
【請求項３】
請求項２において、
前記トランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴する回路。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月17日(2014.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子と、
前記スイッチング素子に接続されたインダクタと第１の整流素子を備え、前記スイッチング素子の出力を整流するための整流回路と、
前記整流回路の出力と予め定められた目標値に応じて前記スイッチング素子のスイッチング状態を変化させて、前記整流回路の出力を制御する制御回路とを備えたスイッチング電源装置であって、
前記第１の整流素子に流れる電流を検出する検出手段と、
前記検出手段の検出結果が所定値を超えるようになると前記スイッチング素子のオン時間を低減させることで、前記スイッチング電源装置の出力となる前記整流回路の出力を低下させる過負荷保護手段と
を備えることを特徴とするスイッチング電源装置。
【請求項２】
前記検出手段の検出結果を平均化する平均化手段を有し、
前記過負荷保護手段は、前記平均化手段の出力が前記スイッチング電源装置の出力の垂下が開始されたことを示すようになるまでは前記スイッチング素子のオン時間を低減せず、前記平均化手段の出力が前記スイッチング電源装置の出力の垂下が開始されたことを示すようになると前記スイッチング素子のオン時間を低減することで前記整流回路の出力を低下させることを特徴とする請求項１に記載のスイッチング電源装置。
【請求項３】
前記スイッチング素子の第１端子には、前記インダクタの第１端子と前記第１の整流素子の第１端子とが接続されており、
前記インダクタの第２端子には、負荷を接続するための第１出力端子と、コンデンサの第１端子とが接続されており、
前記第１の整流素子の第２端子には、前記検出手段として機能する検出抵抗の第１端子が接続されており、
前記検出抵抗の第２端子には、前記コンデンサの第２端子と前記負荷を接続するための第２端子とが接続されており、
前記平均化手段は、平均化抵抗と平均化コンデンサとを備え、
前記平均化抵抗の第１端子には、前記第１の整流素子の第２端子と前記検出抵抗の第１端子とが接続されており、
前記平均化コンデンサの第１端子には、前記平均化抵抗の第２端子が接続されており、前記コンデンサの第２端子には、前記検出抵抗の第２端子が接続されていることを特徴とする請求項２に記載のスイッチング電源装置。
【請求項４】
前記制御回路は、
前記整流回路の出力電圧の目標値に対する誤差を増幅する誤差増幅回路と、
前記誤差増幅回路からの出力に応じて前記スイッチング素子のオンデューティを変化させるためのパルス幅変調信号を出力するパルス幅変調回路と、
パルス幅変調回路からのパルス幅変調信号に応じてプッシュプル動作を行うプッシュプル回路と
を備えることを特徴する請求項１ないし３のいずれか１項に記載のスイッチング電源装置。
【請求項５】
前記スイッチング電源装置は、
前記スイッチング素子が一次巻線に接続され、かつ、前記インダクタに一端が接続された第２の整流素子の他端に二次巻線が接続されたトランスをさらに備え、前記第１の整流素子によって前記スイッチング素子がＯＦＦした際に前記インダクタに流れる電流の還流を実行する絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータであることを特徴とする請求項１に記載のスイッチング電源装置。
【請求項６】
入力電圧を変圧して出力する第１のコンバータと、
前記第１のコンバータの出力電圧をさらに変圧して第２の出力電圧を得る第２のコンバータと、
前記第２の出力電圧を供給される電子機器の状態に応じて前記第１のコンバータの出力電圧を高電圧か低電圧の一方に切り替える切り替え回路とを備えた電源装置であって、
前記第２のコンバータとして、請求項１ないし４のいずれか１項に記載されたスイッチング電源装置を採用したことを特徴とする電源システム。
【請求項７】
画像形成装置であって、
記録材に画像を形成する画像形成手段と、
前記画像形成手段の動作を制御する制御手段と、
前記制御手段に電力を供給するスイッチング電源と
を備え、
前記スイッチング電源は、
スイッチング素子と、
前記スイッチング素子に接続されたインダクタと第１の整流素子を有する整流回路と、
前記整流回路の出力と予め定められた目標値に応じて前記スイッチング素子のスイッチング状態を変化させて、前記整流回路の出力を制御する制御回路と、
前記第１の整流素子に流れる電流を検出する検出手段と、
前記検出手段の検出結果が所定値を超えるようになると前記スイッチング素子のオン時間を低減させることで、前記スイッチング電源の出力となる前記整流回路の出力を低下させる過負荷保護手段と
を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項８】
前記検出手段の検出結果を平均化する平均化手段を有し、
前記過負荷保護手段は、前記平均化手段の出力が前記スイッチング電源の出力の垂下が開始されたことを示すようになるまでは前記スイッチング素子のオン時間を低減せず、前記平均化手段の出力が前記スイッチング電源の出力の垂下が開始されたことを示すようになると前記スイッチング素子のオン時間を低減することで前記整流回路の出力を低下させることを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、たとえば、
スイッチング素子と、
前記スイッチング素子に接続されたインダクタと第１の整流素子を備え、前記スイッチング素子の出力を整流するための整流回路と、
前記整流回路の出力と予め定められた目標値に応じて前記スイッチング素子のスイッチング状態を変化させて、前記整流回路の出力を御する制御回路とを備えたスイッチング電源装置であって、
前記第１の整流素子に流れる電流を検出する検出手段と、
前記検出手段の検出結果が所定値を超えるようになると前記スイッチング素子のオン時間を低減させることで、前記スイッチング電源装置の出力となる前記整流回路の出力を低下させる過負荷保護手段と
を備えることを特徴とするスイッチング電源装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月17日(2013.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の機能面を有する底面部材に筐体部を成形するための機能性容器成形方法であって、
前記底面部材の材料と筐体部の材料の水の接触角の差が11°以下で、かつ、ガラス転移温度又は融点の差が50℃以下であり、
前記機能面と成形用金型との間に前記機能面の機能が損失するのを防止する保護領域を形成し、前記成形用金型と前記底面部材との間に形成されたキャビティ内に溶融樹脂を充填して成形を行うことを特徴とする機能性容器成形方法。
【請求項２】
所定の機能面を有する底面部材に筐体部を成形するための機能性容器成形方法であって、
筐体部の材料は、前記底面部材の材料と水の接触角との差が11°以下で、かつ、ガラス転移温度又は融点との差が50℃以下である材料を少なくとも40重量％以上含有するものであり、
前記機能面と成形用金型との間に前記機能面の機能が損失するのを防止する保護領域を形成し、前記成形用金型と前記底面部材との間に形成されたキャビティ内に溶融樹脂を充填して成形を行うことを特徴とする機能性容器成形方法。
【請求項３】
前記成形用金型を複数に分割し、それぞれを異なるタイミングで離型することを特徴とする請求項１又は２記載の機能性容器成形方法。
【請求項４】
前記溶融樹脂の温度を前記機能面の機能が損失しない温度以下に調節することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の機能性容器成形方法。
【請求項５】
前記機能面の機能が損失しない温度以下に底面部材の温度を調節することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の機能性容器成形方法。
【請求項６】
所定の機能面を有する底面部材と、
前記底面部材にインサート成形によって結合された筐体部と、
を具備し、
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の機能性容器成形方法によって成形された機能性容器。
【請求項７】
前記機能面が、インプリント技術を用いて形成された微細構造を有するものである請求項６記載の機能性容器成形容器。
【請求項８】
前記機能面が、フォトニクス結晶としての機能、プラズモン共鳴としての機能、及び細胞をスフェロイド化する機能から選択される機能を有するものである請求項６又７記載の機能性容器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月7日(2014.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１のロールと第２のロールとに張架された連続搬送ベルトを含み、前記搬送ベルトは、少なくとも第１の層と、前記第１の層上の第２の層とを含み、前記第１の層は、前記搬送ベルトの内側表面を有し、前記第２の層は、前記搬送ベルトの外側表面を有し、前記第２の層は、レーザ切断システムにより放出されたレーザ放射線によって生じる劣化に抵抗し、前記第２の層は、銅、銅ベースの合金、アルミニウム、アルミニウムベースの合金及びニッケルからなる群から選択される材料で作製され、前記レーザ切断システムが二酸化炭素レーザ、中−長波長の赤外レーザ、近赤外レーザ、及び可視光レーザを含む、材料搬送システム。
【請求項２】
請求項１に記載の材料搬送システムにおいて、
前記搬送ベルトの前記第１の層が鋼またはステンレス鋼で作製される、材料搬送システム。
【請求項３】
請求項１に記載の材料搬送システムにおいて、
前記搬送ベルトの前記第１の層がポリマで作製される、材料搬送システム。
【請求項４】
請求項１に記載の材料搬送システムにおいて、
前記搬送ベルトの前記第１の層と前記第２の層とが積層を形成する、材料搬送システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】材料搬送システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る材料搬送システムは、少なくとも第１のロールと第２のロールとに張架された連続搬送ベルトを含み、前記搬送ベルトは、少なくとも第１の層と、前記第１の層上の第２の層とを含み、前記第１の層は、前記搬送ベルトの内側表面を有し、前記第２の層は、前記搬送ベルトの外側表面を有し、前記第２の層は、レーザ切断システムにより放出されたレーザ放射線によって生じる劣化に抵抗し、前記第２の層は、銅、銅ベースの合金、アルミニウム、アルミニウムベースの合金及びニッケルからなる群から選択される材料で作製され、前記レーザ切断システムが二酸化炭素レーザ、中−長波長の赤外レーザ、近赤外レーザ、及び可視光レーザを含む、材料搬送システムである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月22日(2013.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の半導体層と、
前記半導体層上の配線と、を有し、
前記半導体層は、結晶を有する第１の領域と、前記第１の領域上の非晶質である第２の領域とを有し、
前記結晶は、２ｎｍ以上２００ｎｍ以下の結晶粒径を有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域と重なる第１の部分と、前記第２の領域と重ならない第２の部分とを有し、
前記第２の部分の厚さｄ１は前記第１の部分の厚さｄ２より薄く、且つ前記第２の部分の厚さｄ１が３０ｎｍ以上であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の半導体層と、
前記半導体層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第２のゲート電極と、
前記半導体層と電気的に接続する配線と、を有し、
前記半導体層は、結晶を有する第１の領域と、前記第１の領域上の非晶質である第２の領域とを有し、
前記結晶は、２ｎｍ以上２００ｎｍ以下の結晶粒径を有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域と重なる第１の部分と、前記第２の領域と重ならない第２の部分とを有し、
前記第２の部分の厚さｄ１は前記第１の部分の厚さｄ２より薄く、且つ前記第２の部分の厚さｄ１が３０ｎｍ以上であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
請求項２において、前記第１のゲート電は前記第２のゲート電極と電気的に接続されていることを特徴とするトランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記第１の領域の上面は平坦であり、第２の域の上面は凹凸状であることを特徴とするトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月22日(2013.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の半導体層と、
前記半導体層上の配線とを有し、
前記半導体層は、結晶を有する第１の領域と、前記第１の領域上の非晶質である第２の領域とを有し、
前記結晶は、２ｎｍ以上２００ｎｍ以下の結晶粒径を有し、
前記第１の半導体層の側面は、前記配線で覆われており、
前記第１の半導体層の側面と前記配線との間に、絶縁領域を有することを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の半導体層と、
前記半導体層上の配線とを有し、
前記半導体層は、結晶を有する第１の領域と、前記第１の領域上の非晶質である第２の領域とを有し、
前記結晶は、２ｎｍ以上２００ｎｍ以下の結晶粒径を有し、
前記第１の半導体層の側面は、前記配線で覆われており、
前記第１の半導体層の前記第１の領域の側面と前記配線との間に、非晶質領域を有することを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
請求項１において前記絶縁領域は、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化シリコン、または酸化窒化シリコンであることを特徴とするトランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の領域は窒素を含むことを特徴とするトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月27日(2013.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを有する第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタを有し、
前記第１のチャネル形成領域の上方に第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層の上方に酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層に接する、第１の導電層及び第２の導電層を有し、
前記酸化物半導体層は、第２のトランジスタの第２のチャネル形成領域を有し、
前記第１の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方としての機能を有し、
前記第２の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方としての機能を有し、
前記第２の導電層は、容量素子の一方の電極としての機能を有し、
前記第２の導電層は、前記第２の絶縁層の開口を介して、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
シリコンを有する第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタを有し、
前記第１のチャネル形成領域の上方に第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層の上方に、第１の導電層及び第２の導電層を有し、
前記第１の導電層と、前記第２の導電層との上方に酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、第２のトランジスタの第２のチャネル形成領域を有し、
前記第１の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方としての機能を有し、
前記第２の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方としての機能を有し、
前記第２の導電層は、容量素子の一方の電極としての機能を有し、
前記第２の導電層は、前記第２の絶縁層の開口を介して、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
シリコンを有する第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタを有し、
前記第１のチャネル形成領域の上方に第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層の上方に酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層の上方に、第１の導電層及び第２の導電層を有し、
前記酸化物半導体層は、第２のトランジスタの第２のチャネル形成領域を有し、
前記第１の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方としての機能を有し、
前記第２の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方としての機能を有し、
前記第２の導電層は、容量素子の一方の電極としての機能を有し、
前記第２の導電層は、前記第２の絶縁層の開口を介して、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の絶縁層は、酸素及びシリコンを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２の絶縁層は、酸素及びアルミニウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
シリコンを有する第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタを有し、
前記第１のチャネル形成領域の上方に第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層の上方に酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層に接する、第１の導電層及び第２の導電層を有し、
前記酸化物半導体層と、前記第１の導電層と、前記第２の導電層との上方に第３の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層は、酸素及びシリコンを含み、
前記第２の絶縁層は、酸素及びアルミニウムを含み、
前記第３の絶縁層は、酸素及びアルミニウムを含み、
前記酸化物半導体層は、第２のトランジスタの第２のチャネル形成領域を有し、
前記第１の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方としての機能を有し、
前記第２の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方としての機能を有し、
前記第２の導電層は、容量素子の一方の電極としての機能を有し、
前記第２の導電層は、前記第２の絶縁層の開口を介して、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
シリコンを有する第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタを有し、
前記第１のチャネル形成領域の上方に第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層の上方に、第１の導電層及び第２の導電層を有し
前記第１の導電層と、前記第２の導電層との上方に酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層の上方に第３の絶縁層を有し、
前記酸化物半導体層は、第２のトランジスタの第２のチャネル形成領域を有し、
前記第１の絶縁層は、酸素及びシリコンを含み、
前記第２の絶縁層は、酸素及びアルミニウムを含み、
前記第３の絶縁層は、酸素及びアルミニウムを含み、
前記第１の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方としての機能を有し、
前記第２の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方としての機能を有し、
前記第２の導電層は、容量素子の一方の電極としての機能を有し、
前記第２の導電層は、前記第２の絶縁層の開口を介して、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
シリコンを有する第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタを有し、
前記第１のチャネル形成領域の上方に第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層の上方に酸化物半導体層を有し
前記酸化物半導体層の上方に、第１の導電層及び第２の導電層を有し、
前記第１の導電層と、前記第２の導電層との上方に第３の絶縁層を有し、
前記酸化物半導体層は、第２のトランジスタの第２のチャネル形成領域を有し、
前記第１の絶縁層は、酸素及びシリコンを含み、
前記第２の絶縁層は、酸素及びアルミニウムを含み、
前記第３の絶縁層は、酸素及びアルミニウムを含み、
前記第１の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方としての機能を有し、
前記第２の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方としての機能を有し、
前記第２の導電層は、容量素子の一方の電極としての機能を有し、
前記第２の導電層は、前記第２の絶縁層の開口を介して、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月16日(2013.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線層と、
前記第１の配線層を覆って設けられたゲート絶縁層と、
前記第１の配線層上の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に接して設けられ、前記第１の半導体層よりもキャリア移動度が低い第２の半導体層と、
前記第２の半導体層に接して設けられた不純物半導体層と、
少なくとも前記第１の半導体層の側壁を覆って設けられた第１のサイドウォール絶縁層と、
少なくとも前記不純物半導体層に接して設けられた第２の配線層と、を有し、
前記半導体層の上面及び下面は、前記第１の配線層と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の配線層と、
前記第１の配線層を覆って設けられたゲート絶縁層と、
前記第１の配線層上の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に接して離間して設けられ、前記第１の半導体層よりもキャリア移動度が低い第２の半導体層と、
前記第２の半導体層に接して設けられた不純物半導体層と、
少なくとも前記第１の半導体層の側壁を覆って設けられた第１のサイドウォール絶縁層と、
少なくとも前記不純物半導体層に接して設けられた第２の配線層と、を有し、
前記半導体層の上面及び下面は、前記第１の配線層と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の半導体層のチャネル形成領域となる部分に重畳して、第３の配線層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の配線層の厚さに起因して生じる前記ゲート絶縁層の段差において、第２のサイドウォール絶縁層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の半導体層は、微結晶半導体層であり、
前記第２の半導体層は、非晶質半導体と微結晶半導体を含み、
前記第１の半導体層から成長した結晶の先端は、前記第２の半導体層まで成長していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記サイドウォール絶縁層の表面から前記第１の半導体層の表面までの距離は、３０ｎｍより大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の側面は６０°以上９０°以下のテーパを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記サイドウォール絶縁層は、異なる複数の材料層が積層して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記サイドウォール絶縁層は、窒化シリコンを含む層と、前記窒化シリコンを含む層上に、酸化シリコンを含む層または酸化窒化シリコンを含む層が積層されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月25日(2014.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
容量とを有し、
前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体層を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線と電気的に接続され、
前記容量の他方の電極は、第５の配線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
容量とを有し、
前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体層を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線と電気的に接続され、
前記容量の他方の電極は、第５の配線と電気的に接続され、
前記第第２の酸化物半導体層は、結晶領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
容量とを有し、
前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体層を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線と電気的に接続され、
前記容量の他方の電極は、第５の配線と電気的に接続され、
前記第第２の酸化物半導体層は、第１の領域と、前記第１の領域上の第２の領域とを有し、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、結晶領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
容量とを有し、
前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体層を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線と電気的に接続され、
前記容量の他方の電極は、第５の配線と電気的に接続され、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、第１の領域と、前記第１の領域上の第２の領域とを有し、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、結晶領域を有し、
前記第１の領域のＺｎの割合は、Ｉｎの割合及びＧａの割合より高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一において、
前記結晶領域は、前記第２の酸化物半導体層の表面に対して、垂直な方向に±１０°以内の方向にＣ軸配向した結晶を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記容量の一方の電極と、前記第２のトランジスタのソース又ドレインの一方と、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方とは、第１の導電膜をエッチング加工する工程を経て形成され、
前記容量の他方の電極と、前記第２のトランジスタのゲートとは、第２の導電膜をエッチング加工する工程を経て形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体層は、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の水素を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の水素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
容量とを有し、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体層の第１の領域を有し、
前記第２のトランジスタは、前記酸化物半導体層の第２の領域を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線と電気的に接続され、
前記容量の他方の電極は、第５の配線と電気的に接続され、
前記酸化物半導体層は、前記容量と重なる、第３の領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月25日(2013.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部に曲面が含まれ、バックチャネル部が設けられた半導体層を有するトランジスタであって、
前記バックチャネル部に段差部を有し、
前記トランジスタの一断面において、
前記半導体層のソースまたはドレインからチャネル形成領域に達する前記バックチャネル部の前記半導体層中に収まる曲面の接線のすべてが、前記段差部を避けることを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
チャネル形成領域として機能することができる第１の半導体層と、
ソースとドレインとの間において少なくとも一部に曲面が含まれ、バックチャネル部が設けられたバッファ層として機能することができる第２の半導体層と、
を有するトトランジスタであって、
前記バックチャネル部に段差部を有し、
前記トランジスタの一断面において、
前記半導体層のソースまたはドレインからチャネル形成領域に達する前記バックチャネル部の前記半導体層中に収まる曲面の接線のすべてが、前記段差部を避けることを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記半導体層中に収まる曲面の接線のすべてが、前記段差部の先端を避けることを特徴とするトランジスタ。
【請求項４】
チャネル形成領域を含む半導体層を有するトランジスタであって、
前記半導体層は、少なくとも第１乃至第３の側面を有し、
前記トランジスタの一断面において、
前記第２の側面は、前記第１の側面と前記第３の側面との間に設けられており、
前記第１乃至第３の側面のテーパ角は、それぞれ角度が異なることを特徴とするトランジスタ。
【請求項５】
チャネル形成領域として機能することができる第１の半導体層と、
ソースおよびドレインと、前記第１の半導体層と、の間にバッファ層として機能することができる第２の半導体層と、
を有するトランジスタであって、
前記バッファ層は、少なくとも第１乃至第３の側面を有し、
前記トランジスタの一断面において、
前記第２の側面は、前記第１の側面と前記第３の側面との間に設けられており、
前記第１乃至第３の側面のテーパ角は、それぞれ角度が異なることを特徴とするトランジスタ。
【請求項６】
チャネル形成領域として機能することができる第１の半導体層と、
ソースおよびドレインと、前記第１の半導体層と、の間にバッファ層として機能することができる第２の半導体層と、
を有するトランジスタであって、
前記バッファ層は、少なくとも第１乃至第３の側面を有し、
前記トランジスタの一断面において、
前記第２の側面は、前記第１の側面と前記第３の側面の間に設けられており、
前記第１乃至第３の側面のテーパ角のうち、前記第２の側面のテーパ角のみ角度が異なることを特徴とするトランジスタ。
【請求項７】
チャネル形成領域として機能することができる第１の半導体層と、
ソースおよびドレインと、前記第１の半導体層と、の間にバッファ層として機能することができる第２の半導体層と、
を有するトランジスタであって、
前記バッファ層は、少なくとも第１乃至第３の側面を有し、
前記第１乃至第３の側面は曲面であり、
前記トランジスタの一断面において、
前記第２の側面は、前記第１の側面と前記第３の側面との間に設けられており、
前記第１乃至第３の側面では、曲率半径及び曲率を決定する円の中心のいずれか一方または双方がそれぞれ異なることを特徴とするトランジスタ。
【請求項８】
チャネル形成領域として機能することができる第１の半導体層と、
ソースおよびドレインと、前記第１の半導体層と、の間にバッファ層として機能することができる第２の半導体層と、
を有するトランジスタであって、
前記バッファ層は、少なくとも第１及び第２の側面を有し、
前記第１及び第２の側面は曲面を有し、
前記トランジスタの一断面において、
前記第１及び第２の側面では、曲率半径及び曲率を決定する円の中心のいずれか一方または双方が異なることを特徴とするトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月22日(2013.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
容量素子とを有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層上方の第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート絶縁層を介して、前記半導体層と重なる領域を有する第１のゲート電極と、
前記半導体層の第１の不純物領域と電気的に接続された第１のソース電極と、
前記半導体層の第２の不純物領域と電気的に接続された第２のドレイン電極とを有し、
前記第２のトランジスタは、絶縁膜を介して、前記第１のトランジスタ上方にあり、
前記第２のトランジスタは、
第２のソース電極と、
第２のドレイン電極と、
第２のチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上方の第２のゲート絶縁層と、
前記第２のゲート絶縁層を介して、前記酸化物半導体層と重なる領域を有する第２のゲート電極とを有し、
前記容量素子は、
前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極の一方として機能することができる導電膜と、前記第２のゲート絶縁層と、容量電極とが重なる領域を有し、
前記半導体層は、酸化物半導体層でないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
容量素子とを有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層上方の第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート絶縁層を介して、前記半導体層と重なる領域を有する第１のゲート電極と、
前記半導体層の第１の不純物領域と電気的に接続された第１のソース電極と、
前記半導体層の第２の不純物領域と電気的に接続された第２のドレイン電極とを有し、
前記第２のトランジスタは、絶縁膜を介して、前記第１のトランジスタ上方にあり、
前記第２のトランジスタは、
第２のソース電極と、
第２のドレイン電極と、
第２のチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上方の第２のゲート絶縁層と、
前記第２のゲート絶縁層を介して、前記酸化物半導体層と重なる領域を有する第２のゲート電極とを有し、
前記容量素子は、
前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極の一方として機能することができる導電膜と、前記第２のゲート絶縁層と、容量電極とが重なる領域を有し、
前記半導体層は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。