【手続補正書】
【提出日】平成26年8月6日(2014.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン、サファイア又は炭化シリコンの一群から選択される材料で構成される半導体基板を提供することと、
窒化アルミニウムで構成される核形成層を前記基板の上に形成することと、
前記核形成層の上に第１のエピタキシャル層を形成することと、
前記第１のエピタキシャル層をエッチングして複数の分離された第１のエピタキシャル領域を形成することであって、前記複数の分離された第１のエピタキシャル領域が転移を最小化するように構造化された開始表面を提供するように構成される、前記エッチングすることと、
前記エッチングされた第１のエピタキシャル層の直上に第２のエピタキシャル層を形成することであって、前記エピタキシャル層の各々が少なくとも１つのＩＩＩ族窒化物を含み、前記エピタキシャル層が集合的にバッファを形成し、前記バッファが前記第１のエピタキシャル層と前記第２のエピタキシャル層との複数の分離されたバッファ領域を構成する、前記第２のエピタキシャル層を形成することと、
その中に半導体デバイスの少なくとも一部分が形成される、デバイス層又はデバイス層の一部を形成することであって、前記デバイス層が個々の層として又は他の層の一部分として形成される、前記デバイス層又は前記デバイス層の一部を形成することと、
ソース、ドレイン又は他のトランジスタ領域を形成するために前記デバイス層を１つ又はそれ以上のドーパントでドープすることと、
前記トランジスタ領域の上に１つ又はそれ以上の導電層を形成し、ソース及びドレインコンタクトを形成するためにパターニング及びエッチングすることと、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記デバイス層が少なくとも１つのＩＩＩ族窒化物を含み、前記デバイス層が複数の分離された第２のエピタキシャル領域を含み、前記第２のエピタキシャル領域が実質的に前記第１のエピタキシャル領域上のみに形成される、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記第２のエピタキシャル層を形成することが、前記第１のエピタキシャル領域と前記基板とを前記第２のエピタキシャル層で覆うことを含む、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
前記第２のエピタキシャル層をエッチングして複数の分離された第２のエピタキシャル領域を形成することを更に含む、方法。
【請求項５】
半導体基板の上に第１のエピタキシャル層を形成することと、
複数の分離された第１のエピタキシャル領域を形成するために前記第１のエピタキシャル層をエッチングすることと、
前記エッチングされた第１のエピタキシャル層の上に第２のエピタキシャル層を形成することであって、前記エピタキシャル層の各々が少なくとも１つのＩＩＩ族窒化物を含み、前記エピタキシャル層が集合的にバッファを形成する、前記第２のエピタキシャル層を形成することと、
前記バッファの上にデバイス層を形成することと、
前記デバイス層を用いる半導体デバイスを製作することと、
前記第２のエピタキシャル層を形成する前に、前記第１のエピタキシャル領域の上及び回りに第１の誘電体材料を堆積し、前記第１の誘電体材料と前記第１のエピタキシャル領域を平坦化することと、
複数の分離された第２のエピタキシャル領域を形成するために前記第２のエピタキシャル層をエッチングすることと、
前記第２のエピタキシャル領域の上及び回りに第２の誘電体材料を堆積し、前記第２の誘電体材料と前記第２のエピタキシャル領域とを平坦化することと、
を含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記デバイス層を形成することが、前記第２のエピタキシャル層の一部分として前記デバイス層を形成することを含む、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記半導体デバイスを分離することを更に含む、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板が少なくとも６インチの直径を有するシリコンウエハを含み、
前記少なくとも１つのＩＩＩ族窒化物が、窒化ガリウム（ＧａＮ）、アルミニウム窒化ガリウム（ＡｌＧａＮ）、インジウム窒化アルミニウム（ＩｎＡｌＮ）、インジウムアルミニウム窒化ガリウム（ＩｎＡｌＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）及びインジウム窒化ガリウム（ＩｎＧａＮ）の内の１つ又はそれ以上を含み、
前記第１のエピタキシャル層が１μｍ乃至３μｍの厚さを有し、
前記第２のエピタキシャル層が１μｍ乃至３μｍの厚さを有する、方法。
【請求項９】
シリコン、サファイア又は炭化シリコンの一群から選択される材料で構成される半導体基板と、
窒化アルミニウムで構成され、前記基板の上に形成される核形成層と、
前記核形成層の上に形成され、複数の分離された第１のエピタキシャル領域を含む、バッファ層であって、前記複数の分離された第１のエピタキシャル領域が転移を最小化するように構造化された開始表面を提供するように構成される、前記バッファ層と、
前記バッファ層の上に形成される少なくとも１つのＩＩＩ族窒化物の第２のエピタキシャル層と、
その中に半導体デバイスの少なくとも一部分が形成される、デバイス層又はデバイス層の一部であって、前記デバイス層が個々の層として又は他の層の一部分として形成される、前記デバイス層又は前記デバイス層の一部と、
ソース、ドレイン又は他のトランジスタ領域を形成するために前記デバイス層の一部をドープする１つ又はそれ以上のドーパントと、
前記トランジスタ領域の上に形成され、ソース及びドレインコンタクトを形成するためにパターニング及びエッチングされる１つ又はそれ以上の導電層と、
を含む、システム。
【請求項１０】
請求項９に記載のシステムであって、
前記第２のエピタキシャル層が複数の分離された第２のエピタキシャル領域を含み、前記第２のエピタキシャル領域が実質的に前記第１のエピタキシャル領域上のみに形成される、システム。
【請求項１１】
請求項９に記載のシステムであって、
前記第２のエピタキシャル層が、前記第１のエピタキシャル領域と、前記基板の少なくとも一部とを覆うエピタキシャル材料を含む、システム。
【請求項１２】
請求項９に記載のシステムであって、
前記第２のエピタキシャル層が複数の分離された第２のエピタキシャル領域を含み、
前記システムが、前記第１のエピタキシャル領域を互いに電気的に分離し、前記第２のエピタキシャル領域を互いに電気的に分離する、複数の誘電体領域を更に含む、システム。
【請求項１３】
請求項９に記載のシステムであって、
前記デバイス層と前記バッファの少なくとも一部との中に形成される隔離領域を更に含み、前記隔離領域が前記半導体装置を隔離するように構成される、システム。
【請求項１４】
請求項９に記載のシステムであって、
前記基板が少なくとも６インチの直径を有する＜１１１＞シリコンウエハを含み、
前記少なくとも１つのＩＩＩ族窒化物が、窒化ガリウム（ＧａＮ）、アルミニウム窒化ガリウム（ＡｌＧａＮ）、インジウム窒化アルミニウム（ＩｎＡｌＮ）、インジウムアルミニウム窒化ガリウム（ＩｎＡｌＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）及びインジウム窒化ガリウム（ＩｎＧａＮ）の内の１つ又はそれ以上を含み、
前記第１のエピタキシャル層が１μｍ乃至３μｍの厚さを有し、
前記第２のエピタキシャル層が１μｍ乃至３μｍの厚さを有する、システム。
【請求項１５】
シリコン、サファイア又は炭化シリコンの一群から選択される材料で構成される半導体基板と、
前記基板の上に形成され、窒化アルミニウムで構成される、核形成層と、
前記核形成層の上に形成され、複数の分離された第１のエピタキシャル領域を含む、第１のエピタキシャル層と、
前記第１のエピタキシャル層の上に形成される第２のエピタキシャル層と、
を含み、
前記エピタキシャル層の各々が少なくとも１つのＩＩＩ族窒化物を含み、前記エピタキシャル層が集合的に少なくとも１つのＩＩＩ族窒化物半導体デバイス用のバッファを形成する、装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の装置であって、
前記第２のエピタキシャル層が複数の分離された第２のエピタキシャル領域を含み、前記第２のエピタキシャル領域が実質的に前記第１のエピタキシャル領域上にのみに形成される、装置。
【請求項１７】
請求項１５に記載の装置であって、
前記第２のエピタキシャル層が複数の分離された第２のエピタキシャル領域を含み、前記第２のエピタキシャル領域が、前記第１のエピタキシャル領域と、前記第１のエピタキシャル領域に隣接する前記基板の部分とを覆い、前記第２のエピタキシャル領域が前記基板のその他の部分を覆わない、装置。
【請求項１８】
請求項１５に記載の装置であって、
前記第２のエピタキシャル層が、前記第１のエピタキシャル領域を覆うエピタキシャル材料を含む、装置。
【請求項１９】
請求項１５に記載の装置であって、
前記第２のエピタキシャル層が複数の分離された第２のエピタキシャル領域を含み、
前記装置が、前記第１のエピタキシャル領域を互いに電気的に分離し、前記第２のエピタキシャル領域を互いに電気的に分離する、複数の誘電体領域を更に含む、装置。
【請求項２０】
請求項１５に記載の装置であって、
前記基板が少なくとも６インチの直径を有するシリコンウエハを含み、
前記少なくとも１つのＩＩＩ族窒化物が、窒化ガリウム（ＧａＮ）、アルミニウム窒化ガリウム（ＡｌＧａＮ）、インジウム窒化アルミニウム（ＩｎＡｌＮ）、インジウムアルミニウム窒化ガリウム（ＩｎＡｌＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）及びインジウム窒化ガリウム（ＩｎＧａＮ）の内の１つ又はそれ以上を含み、
前記第１のエピタキシャル層が１μｍ乃至３μｍの厚さを有し、
前記第２のエピタキシャル層が１μｍ乃至３μｍの厚さを有する、装置。