【手続補正書】
【提出日】平成26年6月3日(2014.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチングガスと反応可能な金属元素および半金属元素のうちの少なくとも一方を含む金属含有材料により形成された有機半導体層と、
互いに離間されたソース電極およびドレイン電極と、
前記有機半導体層と前記ソース電極およびドレイン電極とが重なる領域において前記有機半導体層と前記ソース電極およびドレイン電極との間に挿入され、前記エッチングガスと反応可能な金属元素および半金属元素のうちの少なくとも一方を含まない非金属含有材料により形成された有機導電層とを備えた、
薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記エッチングガスは酸素（Ｏ2 ）およびハロゲンのうちの少なくとも１種の活性ガスを含み、
前記金属元素および半金属元素はベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、スカンジウム（Ｓｃ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、テクネチウム（Ｔｃ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、カドミウム（Ｃｄ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、バリウム（Ｂａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、水銀（Ｈｇ）、タリウム（Ｔｌ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、ポロニウム（Ｐｏ）、ホウ素（Ｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）およびテルル（Ｔｅ）のうちの少なくとも１種である、
請求項１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記金属含有材料は、前記金属元素および半金属元素のうちの少なくとも一方を含む基を有する有機半導体材料であり、
前記非金属含有材料は、前記金属元素および半金属元素のうちの少なくとも一方を含まない有機導電性材料または有機半導体材料である、
請求項１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記エッチングガスは酸素を含み、
前記金属含有材料はケイ素（Ｓｉ）を構成元素として含み、
前記非金属含有材料はケイ素を構成元素として含まない、
請求項１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記有機導電層は、前記ソース電極およびドレイン電極と前記有機半導体層との電荷注入効率を向上させるためのホール注入層である、請求項１記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
エッチングガスと反応可能な金属元素および半金属元素のうちの少なくとも一方を含む金属含有材料を用いて、有機半導体層を形成し、
前記有機半導体層の上に、前記エッチングガスと反応可能な金属元素および半金属元素のうちの少なくとも一方を含まない非金属含有材料を用いて、有機導電層を形成し、
前記有機導電層の上に、互いに離間されたソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記エッチングガスを用いて、前記ソース電極およびドレイン電極をマスクとして前記有機導電層をエッチングする、
薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記請求項１ないし請求項５に記載した薄膜トランジスタを用いた電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
なお、有機半導体材料は、以下の材料のいずれか１種類または２種類以上を含んでいる。（１）ポリピロール、（２）ポリチオフェン、（３）ポリイソチアナフテンなどのイソチアナフテン、（４）ポリチェニレンビニレンなどのチェニレンビニレン、（５）ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、（６）ポリアニリン、（７）ポリアセチレン、（８）ポリジアセチレン、（９）ポリアズレン、または（１０）ポリピレンである。（１１）ポリカルバゾール、（１２）ポリセレノフェン、（１３）ポリフラン、（１４）ポリ（ｐ−フェニレン）、（１５）ポリインドール、（１６）ポリピリダジン、（１７）ナフタセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレンまたはサーカムアントラセンなどのアセン、（１８）アセン類のうちの炭素の一部が窒素（Ｎ）、硫黄（Ｓ）または酸素（Ｏ）などの原子、あるいはカルボニル基などの官能基により置換された誘導体、例えば、トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジンまたはヘキサセン−６，１５−キノンなど、（１９）ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレンスルフィドまたはポリビニレンスルフィドなどの高分子材料および多環縮合体、または（２０）上記した高分子材料と同じ繰り返し単位を有するオリゴマーである。（２１）銅フタロシアニンなどの金属フタロシアニン、（２２）テトラチアフルバレン、（２３）テトラチアペンタレン、（２４）ナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−トリフルオロメチルベンジル）ナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミドと共に、Ｎ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチル）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）またはＮ，Ｎ’−ジオクチルナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド誘導体、（２５）ナフタレン２，３，６，７テトラカルボン酸ジイミドなどのナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、（２６）アントラセン２，３，６，７−テトラカルボン酸ジイミドなどのアントラセンテトラカルボン酸ジイミド類に代表される縮合環テトラカルボン酸ジイミド、（２７）Ｃ60、Ｃ70、Ｃ76、Ｃ78またはＣ84などのフラーレン、（２８）単層ナノチューブ（ＳＷＮＴ）などのカーボンナノチューブ、（２９）メロシアニン色素またはヘミシアニン色素などの色素、または（３０）２，９−ジナフチル−ペリキサンテノキサンテンなどのペリキサンテノキサンテン化合物である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
有機導電層５，６は、有機半導体層４とソース電極７およびドレイン電極８とにおける電荷注入効率を向上させるものであり、例えば、ホール注入層などである。有機導電層５は、有機半導体層４とソース電極７とが重なる領域において、その有機半導体層４とソース電極７との間に挿入されている。一方、有機導電層６は、有機半導体層４とドレイン電極８とが重なる領域において、その有機半導体層４とドレイン電極８との間に挿入されている。なぜなら、有機導電層５，６は、後述するように、有機半導体層４の表面を覆うように有機導電層９（図２）が形成されたのち、ソース電極７およびドレイン電極８をマスクとして有機導電層９が選択的にエッチングされることにより形成されたものだからである。このため、有機導電層５，６は、互いに離間されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
なお、上記したように、エッチングガスが酸素を含んでいると共に、金属含有材料がケイ素を構成元素として含んでいる場合には、非金属含有材料はケイ素を構成元素として含んでいないことが好ましい。選択比を得るためである。