【手続補正書】
【提出日】平成26年9月18日(2014.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
請求項５に係る発明は
最表面層として、下記一般式（I）及び（II）で表される反応性化合物から選択される少なくとも１種の反応性化合物の重合体を含む層を有し、且つ、表面を帯電後、光照射により除電させた場合において、前記最表面層の膜厚ｄ[μｍ]と、除電後の表面電位Ｐ[Ｖ]と、前記最表面層の膜厚ｄを０としたときの除電後の表面電位Ｐ０[Ｖ]と、の関係が下記（１）を満たす電子写真感光体と、
平均形状係数ＳＦ１が１００以上１３０以下で体積平均粒径が４．０μｍ以下のトナーを含む現像剤を収容し、静電潜像を前記現像剤で現像してトナー像を形成する現像装置と、
前記トナー像の転写後、前記電子写真感光体の表面に光照射して該表面を除電させる除電装置と、
を備え、
画像形成装置に着脱し得るプロセスカートリッジ。
・式（１）：  （Ｐ−Ｐ０）／ｄ２≦１．２０
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
請求項５に係る発明によれば、最表面層として、下記一般式（I）及び（II）で表される反応性化合物から選択される少なくとも１種の反応性化合物の重合体を含む層を有し、且つ、表面を帯電後、光照射により除電させた場合において、最表面層の膜厚ｄ[μｍ]と、除電後の表面電位Ｐ[Ｖ]と、最表面層の膜厚ｄを０としたときの除電後の表面電位Ｐ０[Ｖ]と、の関係が、上記（１）を満たす電子写真感光体と、平均形状係数ＳＦ１が１００以上１３０以下で体積平均粒径が４．０μｍ以下のトナーを含む現像剤を収容し、静電潜像を前記現像剤で現像してトナー像を形成する現像装置と、を組み合わせない場合に比べ、長期に亘り、階調性の低下を抑制し、高解像度の画像が得られるプロセスカートリッジを提供できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
最表面層として、下記一般式（I）及び（II）で表される反応性化合物から選択される少なくとも１種の反応性化合物の重合体を含む層を有し、且つ、表面を帯電後、光照射により除電させた場合において、前記最表面層の膜厚ｄ[μｍ]と、除電後の表面電位Ｐ[Ｖ]と、前記最表面層の膜厚ｄを０としたときの除電後の表面電位Ｐ０[Ｖ]と、の関係が下記式（１）を満たす電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電させる帯電装置と、
帯電された前記電子写真感光体の表面を露光して該表面に静電潜像を形成する露光装置と、
平均形状係数ＳＦ１が１００以上１３０以下で体積平均粒径が４．０μｍ以下のトナーを含む現像剤を収容し、前記静電潜像を前記現像剤で現像してトナー像を形成する現像装置と、
前記トナー像を被転写媒体に転写する転写装置と、
前記トナー像の転写後、前記電子写真感光体の表面に光照射して該表面を除電させる除電装置と、
を備える画像形成装置。
・式（１）：  （Ｐ−Ｐ０）／ｄ２≦１．２０
【化１】
2013044822.tif 000001
（一般式（I）中、Ｆは、電荷輸送性骨格を示す。Ｌは、アルキレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を組み合わせてなる２価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ｍは、１以上６以下の整数を示す。）
【化２】
2013044822.tif 000002
（一般式（II）中、Ｆは、電荷輸送性骨格を示す。Ｌ’は、アルキレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を組み合わせてなる（ｎ＋１）価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ｍ’は、１以上６以下の整数を示す。ｎは、２以上３以下の整数を示す。）
【請求項２】
前記一般式（I）で表される反応性化合物が、下記一般式（III）で表され、且つ下記一般式（III）中のＤが下記一般式（IV）で表される基を示す反応性化合物であり、
前記一般式（II）で表される反応性化合物が、下記一般式（III）で表され、且つ下記一般式（III）中のＤが下記一般式（V）で表される基を示す反応性化合物である請求項１に記載の画像形成装置。
【化３】
2013044822.tif 000003
（一般式（III）中、Ａｒ１〜Ａｒ４は、それぞれ独立に、置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。ｃ１〜ｃ５は、それぞれ独立に、０以上２以下の整数を示す。但し、全てのｃ１〜ｃ５は、同時に０を示すことはない。ｋは、０又は１の整数を示す。）
【化４】
2013044822.tif 000004
（一般式（IV）中、Ｌは、アルキレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を組み合わせてなる２価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。）
【化５】
2013044822.tif 000005
（一般式（V）中、Ｌ’は、アルキレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を組み合わせてなる（ｎ＋１）価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ｎは、２以上３以下の整数を示す。
【請求項３】
前記一般式（IV）で表される基が、下記一般式（VI）、又は下記一般式（VII）で表される基を示す請求項２に記載の画像形成装置。
【化６】
2013044822.tif 000006
（一般式（VI）及び（VII）中、Ｘ、及びＸ’は、２価の有機基を示す。ｐ、及びｐ’は、０又は１の整数を示す。）
【請求項４】
前記一般式（V）で表される基は、下記一般式（VIII）、又は下記一般式（IＸ）で表される基を示す請求項２又は３に記載の画像形成装置。
【化７】
2013044822.tif 000007
（一般式（VIII）及び（IＸ）中、Ｙ、及びＹ’は、２価の有機基を示す。ｑ、及びｑ’は、０、又は１の整数を示す。）
【請求項５】
最表面層として、下記一般式（I）及び（II）で表される反応性化合物から選択される少なくとも１種の反応性化合物の重合体を含む層を有し、且つ、表面を帯電後、光照射により除電させた場合において、前記最表面層の膜厚ｄ[μｍ]と、除電後の表面電位Ｐ[Ｖ]と、前記最表面層の膜厚ｄを０としたときの除電後の表面電位Ｐ０[Ｖ]と、の関係が下記（１）を満たす電子写真感光体と、
平均形状係数ＳＦ１が１００以上１３０以下で体積平均粒径が４．０μｍ以下のトナーを含む現像剤を収容し、静電潜像を前記現像剤で現像してトナー像を形成する現像装置と、
前記トナー像の転写後、前記電子写真感光体の表面に光照射して該表面を除電させる除電装置と、
を備え、
画像形成装置に着脱し得るプロセスカートリッジ。
・式（１）：  （Ｐ−Ｐ０）／ｄ２≦１．２０
【化８】
2013044822.tif 000008
（一般式（I）中、Ｆは、電荷輸送性骨格を示す。Ｌは、アルキレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を組み合わせてなる２価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ｍは、１以上６以下の整数を示す。）
【化９】
2013044822.tif 000009
（一般式（II）中、Ｆは、電荷輸送性骨格を示す。Ｌ’は、アルキレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を組み合わせてなる（ｎ＋１）価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ｍ’は、１以上６以下の整数を示す。ｎは、２以上３以下の整数を示す。）