Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月10日(2014.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
【化１】
2013234194.tif 000001
で示される化合物とマグネシウムアート錯体との臭素・マグネシウム交換反応によってアリールマグネサートを得ること；
得られたアリールマグネサートを、式（ＩＩ）：
【化２】
2013234194.tif 000002
［式中、ＴＭＳはトリメチルシリル基を示す］
で示される化合物と反応させて、更にＨ＋／ＭｅＯＨで処理し脱ＴＭＳ化とメトキシ化を行うことで、式（ＩＩＩ）：
【化３】
2013234194.tif 000003
［式中、Ｍｅはメチル基を示す］
で示される化合物を得ること、
を含む、式（ＩＩＩ）の化合物の製造方法。
【請求項２】
前記マグネシウムアート錯体が、リチウムトリ（ｎ−ブチル）マグネサートである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
式（Ｉ）：
【化４】
2013234194.tif 000004
で示される化合物とマグネシウムアート錯体との臭素・マグネシウム交換反応によってアリールマグネサートを得ること；
得られたアリールマグネサートを、式（ＩＩ）：
【化５】
2013234194.tif 000005
［式中、ＴＭＳはトリメチルシリル基を示す］
で示される化合物と反応させて、更にＨ＋／ＭｅＯＨで処理し脱ＴＭＳ化とメトキシ化を行うことで、式（ＩＩＩ）：
【化６】
2013234194.tif 000006
［式中、Ｍｅはメチル基を示す］
で示される化合物を得ること；
式（ＩＩＩ）の化合物から−ＯＭｅ基を脱離させること；
を含む、式（ＩＶ）：
【化７】
2013234194.tif 000007
の化合物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月14日(2014.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の溶射皮膜においては、Ｃｏの含有量［Ｃｏ］とＣｒの含有量［Ｃｒ］が、下記（３）式および（４）式の関係を満足するものであることが好ましい。
２×［Ｃｏ］≧−［Ｃｒ］＋２２                              …（３）
２×［Ｃｏ］≧−３×［Ｃｒ］＋３０                          …（４）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
Ｃｏの含有量［Ｃｏ］とＣｒの含有量［Ｃｒ］は、下記（３）式および（４）式の関係を満足するものであることが好ましく、これによって特性が更に改善されるものとなる。
２×［Ｃｏ］≧−［Ｃｒ］＋２２                              …（３）
２×［Ｃｏ］≧−３×［Ｃｒ］＋３０                          …（４）
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＷＣを硬質相とするＷＣ系の溶射皮膜であって、Ｃｏ：８〜１９％（質量％の意味、以下同じ）およびＣｒ：２〜８％を夫々含有し、残部が実質的にＷＣおよび不可避不純物からなり、且つＣｏの含有量を［Ｃｏ］、Ｃｒの含有量を［Ｃｒ］と表したとき、これらが下記（１）式および（２）式の関係を満足するものであることを特徴とする耐スラリー摩耗性および耐キャビテーション壊食性に優れた溶射皮膜。
２×［Ｃｏ］≧１１×［Ｃｒ］−５０                          …（１）
６×［Ｃｏ］≦７×［Ｃｒ］＋５８                            …（２）
【請求項２】
Ｃｏの含有量［Ｃｏ］とＣｒの含有量［Ｃｒ］が、下記（３）式および（４）式の関係を満足するものである請求項１に記載の溶射皮膜。
２×［Ｃｏ］≧−［Ｃｒ］＋２２                              …（３）
２×［Ｃｏ］≧−３×［Ｃｒ］＋３０                          …（４）
【請求項３】
厚さが０．１ｍｍ以上、１ｍｍ以下である請求項１または２に記載の溶射皮膜。
【請求項４】
溶射皮膜硬さがビッカース硬度Ｈｖで９００以上である請求項１〜３のいずれかに記載の溶射皮膜。
【請求項５】
溶射皮膜の表面粗さが算術平均粗さＲａで２μｍ以下である請求項１〜４のいずれかに記載の溶射皮膜。
【請求項６】
前記溶射皮膜の表面に、炭素と水素を主成分とするアモルファス状膜が被覆されたものである請求項１〜５のいずれかに記載の溶射皮膜。
【請求項７】
前記アモルファス状膜の厚さが５μｍ以上、８０μｍ以下である請求項６に記載の溶射皮膜。
【請求項８】
排煙脱硫装置の構成部材の表面に形成されるものである請求項１〜７のいずれかに記載の溶射皮膜。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月10日(2014.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ポリエステル３０〜６５重量％；
（ｂ）エチレンコポリマー強化剤７〜２５重量％；
（ｃ）範囲２０〜５０のショアＤ硬さを有するコポリエーテルエステルエラストマー５〜２５重量％；
（ｄ）任意選択的に、難燃剤；
（ｅ）（ｄ）が組成物に存在する場合、任意選択的に難燃剤相乗剤；
を含む組成物であって、
（ａ）の重量に対する（ｂ）と（ｃ）の合計重量の比が０．４０〜０．８５の範囲であり；
（ｃ）の重量に対する（ｂ）の重量の比が０．３〜２．５の範囲であり；
ＡＳＴＭ  Ｄ５４２０に従って−４０℃で測定される、成形された場合の前記組成物のガードナー衝撃が、少なくとも４．２Ｊである、組成物。
【請求項２】
（ａ）ポリエステル３０〜６５重量％；
（ｂ）エチレンコポリマー強化剤７〜２５重量％；
（ｃ）範囲２０〜５０のショアＤ硬さを有するコポリエーテルエステルエラストマー５〜２５重量％；
（ｄ）任意選択的に、難燃剤；
（ｅ）（ｄ）が組成物に存在する場合、任意選択的に難燃剤相乗剤；
を含む、溶融混合組成物を成形するステップを含む、物品を製造する方法であって、
（ａ）の重量に対する（ｂ）と（ｃ）の合計重量の比が０．４０〜０．８５の範囲であり；
（ｃ）の重量に対する（ｂ）の重量の比が０．３〜２．５の範囲であり；
ＡＳＴＭ  Ｄ５４２０に従って−４０℃で測定される、前記物品のガードナー衝撃が、少なくとも４．２Ｊである、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の組成物を含む物品であって、存在する場合に、前記難燃剤が、ハロゲン化ポリマー、ハロゲン化エポキシ難燃剤、およびこれらの混合物から選択される、物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
【表１】
2013234326.tif 000001
以下、本明細書に記載の主な発明について列記する。
（１）  （ａ）ポリエステル３０〜６５重量％；
（ｂ）エチレンコポリマー強化剤７〜２５重量％；
（ｃ）範囲２０〜５０のショアＤ硬さを有するコポリエーテルエステルエラストマー５〜２５重量％；
（ｄ）任意選択的に、難燃剤；
（ｅ）（ｄ）が組成物に存在する場合、任意選択的に難燃剤相乗剤；
を含む組成物であって、
（ａ）の重量に対する（ｂ）と（ｃ）の合計重量の比が０．４０〜０．８５の範囲であり；
（ｃ）の重量に対する（ｂ）の重量の比が０．３〜２．５の範囲であり；
ＡＳＴＭ  Ｄ５４２０に従って−４０℃で測定される、成形された場合の前記組成物のガードナー衝撃が、少なくとも４．２Ｊである、組成物。
（２）  存在する場合に、前記難燃剤が、ハロゲン化ポリマー、ハロゲン化エポキシ難燃剤、およびこれらの混合物から選択される、（１）に記載の組成物。
（３）  （ａ）ポリエステル３０〜６５重量％；
（ｂ）エチレンコポリマー強化剤７〜２５重量％；
（ｃ）範囲２０〜５０のショアＤ硬さを有するコポリエーテルエステルエラストマー５〜２５重量％；
（ｄ）任意選択的に、難燃剤；
（ｅ）（ｄ）が組成物に存在する場合、任意選択的に難燃剤相乗剤；
を含む、溶融混合組成物を成形するステップを含む、物品を製造する方法であって、
（ａ）の重量に対する（ｂ）と（ｃ）の合計重量の比が０．４０〜０．８５の範囲であり；
（ｃ）の重量に対する（ｂ）の重量の比が０．３〜２．５の範囲であり；
ＡＳＴＭ  Ｄ５４２０に従って−４０℃で測定される、前記物品のガードナー衝撃が、少なくとも４．２Ｊである、方法。
（４）  存在する場合に、前記難燃剤が、ハロゲン化ポリマー、ハロゲン化エポキシ難燃剤、およびこれらの混合物から選択される、（３）に記載の方法。
（５）  （２）に記載の組成物を含む、物品。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月3日(2014.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項記載の共重合体組成物（Ｘ）と架橋剤と発泡剤とを含むエチレン・α−オレフィン・非共役ポリエン共重合体組成物（Ｘ−２）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
ＶＮＢに由来するみかけのヨウ素価＝〔ＶＮＢのビニル基に由来するピークの積分値〕／〔ＥＮＢに由来するピークの積分値〕×〔13Ｃ−ＮＭＲスペクトルメーターより求めたＥＮＢの重量％〕×２５３.８１／１２０.２
〔共重合体（Ａ）の製造方法〕
本発明に用いる共重合体（Ａ）は、メタロセン触媒を用いて合成される共重合体であることが好ましい。メタロセン触媒として、下記式（ＩＡ）、（ＩＩＡ）または（ＩＩＩ）で表わされる触媒が好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
炭素数１〜２０のヒドロカルビル基としてはメチル基、エチル基、ブチル基などの直鎖状アルキル基、ｔ-ブチル基、ネオペンチル基などの分岐状アルキル基が挙げられ、ヒドロカルビルオキシ基としては、メチルオキシ基、エチルオキシ基、ブチルオキシ基などの直鎖状アルキルオキシ基、ｔ-ブチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基などの分岐状アルキルオキシ基が挙げられ、ハロゲン化アルキル基としては、前記の直鎖状アルキル基や分岐状アルキル基をクロル化、臭素化、フッ素化したものが挙げられる。またはハロゲン化アリール基として、クロル化フェニル基、クロル化ナフチル基などが挙げられる。
上記式（ＩＩＩ'）中、Ｒ''が水素原子またはメチルであるのが好ましく、メチルである場合が好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
特に好ましい触媒は、（ｔ−ブチルアミド）ジメチル（η5−２−メチル−ｓ−インダセン−１−イル）シランチタニウム（ＩＩ）２,４−ヘキサジエン（式（ＩＶ））、（ｔ−ブチルアミド）−ジメチル（η5−２−メチル−ｓ−インダセン−１−イル）シラン−チタニウム（ＩＶ）ジメチル（式（Ｖ））、（ｔ−ブチルアミド）−ジメチル（η5−２,３−ジメチルインデニル）シランチタニウム（ＩＩ）１,４−ジフェニル−１,３−ブタジエン（式（ＶＩ））、（ｔ−ブチル−アミド）−ジメチル（η5−２,３−ジメチル−ｓ−インダセン−１−イル）シランチタニウム（ＩＶ）ジメチル（式（ＶＩＩ））、（ｔ−ブチルアミド）−ジメチル（η5−２−メチル−ｓ−インダセン−１−イル）シランチタニウム（ＩＩ）１,３−ペンタジエン（式（ＶＩＩＩ））である。
その中でも、（ｔ−ブチルアミド）−ジメチル（η5−２−メチル−ｓ−インダセン−１−イル）シランチタニウム（II）１,３−ペンタジエン（式（ＶＩＩＩ））が特に好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月28日(2014.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
つぎに、本実施形態に係る鉄塔健全性評価装置１０の処理動作について説明する。
まず、鉄塔１００の脚部１０１（例えば、Ａ脚１０１ａ）に固定された第１の加速度センサ１は、ｘ軸方向、ｙ軸方向及びｚ軸方向の各軸方向における鉄塔１００（Ａ脚１０１ａ）に生じる常時微動の加速度を測定し、パソコン１０ａに出力する。
パソコン１０ａの第１の加速度データ格納部１ａは、第１の加速度センサ１から入力された加速度の時間的変化を加速度データとして格納する。
なお、本実施形態においては、常時微動の加速度の測定時間が２００秒間で、サンプリング間隔を１０００Ｈｚとし、各軸に対して２０万個のデータをそれぞれ取得しており、図２乃至図４に示すような加速度データ（加速度波形）が得られる。なお、図２乃至図４においては、２００秒間の加速度データを２０秒毎に１０分割して表示している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
そして、第１の加速度差分演算部３は、入力部２からの起動信号に基づき、第１の加速度データ格納部１ａに格納された加速度データを抽出する。また、第１の加速度差分演算部３は、抽出した加速度データと当該加速度データの時間間隔をおいた加速度データとの差分を演算し、ｘ軸方向、ｙ軸方向及びｚ軸方向の各軸方向における加速度データの差分値を第１の加速度差分値格納部３ａに格納する。
なお、本実施形態においては、差分値を算出するための時間間隔を１／１０００秒として、各軸に対して差分値を取得しており、加速度データの差分値の分布は、図５に示すように、中央値０で標準偏差σの正規分布になった。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月28日(2014.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
別の光子計数法の一例としては、複数のＡＰＤ素子を２次元のアレイ状に配列して構成
した検出器の、各素子への光子の入射により発生するパルス電流の合計を計測する方法が
知られている。この検出器はＳｉ−ＰＭ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｐｈｏｔｏｍｕｌｔｉｐｌｉ
ｅｒ）、ＰＰＤ（Ｐｉｘｅｌａｔｅｄ  Ｐｈｏｔｏｎ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）、あるいはＭ
ＰＰＣ（ＭｕｌｔｉーＰｉｘｅｌ  Ｐｈｏｔｏｎ  Ｃｏｕｎｔｅｒ、登録商標、商標権者：浜松ホトニクス株式会社）などと呼ばれる。この方法によれば前述の光電子増倍管や、単一素子からなるＡＰＤを用いた光子計数と異なり、短い時間内に複数の光子が入射した場合でも、複数のＡＰＤ素子からのパルス電流の合計により光量を計測することが可能となる。但しこの場合でも、複数のＡＰＤを配列したものが一つの検出器＝「検出ｃｈ」として動作するため、「検出ｃｈ」を複数化した並列検出により、検出視野を分割して高速・高感度化を図る欠陥検査においては、本方法を適用することは困難であった。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月15日(2013.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁座と接することによって燃料通路を閉じ、前記弁座から離れることによって燃料通路を開く弁体と、前記弁体と共動して開閉弁動作を行わせる可動子と、前記可動子の駆動手段として設けられたソレノイド及び磁気コアと前記磁気コアおよび前記可動子の外周側に設置された筒状のノズルホルダとで構成される電磁石と、前記弁体を前記駆動手段による駆動力の向きとは逆向きに付勢する付勢手段を備え、前記ソレノイドに電流を供給することにより前記磁気コアと前記可動子との間に磁気吸引力を作用させて前記弁体を開弁させる機能を有する燃料噴射装置の駆動回路において、
前記弁体が前記弁座と接触する閉弁位置と前記弁体の最大リフト量との間の中間位置で前記弁体に閉弁動作を開始させ、
前記燃料噴射装置の駆動回路は、バッテリ電圧を昇圧する昇圧回路と、前記昇圧回路から燃料噴射装置のソレノイドへの通電・非通電を制御する第一のスイッチ素子と、前記バッテリから前記ソレノイドへの通電・非通電を制御する第二のスイッチ素子と、
前記ソレノイドの設地電位側端子と接地電位との間の通電・非通電を制御する第三のスイッチ素子と、前記ソレノイドへの供給電流を検出するための前記昇圧回路と前記燃料噴射装置の電源側端子との間に設けた第一の抵抗器と、前記バッテリ電圧源と前記燃料噴射装置の電源側端子との間に設けた第二の抵抗器と、前記燃料噴射装置の接地電位側端子と接地電位との間に設けた第三の抵抗器を備え、
前記第一の抵抗器もしくは，前記第二の抵抗器，第三の抵抗器の両端電圧を検出することで、前記ソレノイドに流れる電流を検出する機能を備え，前記弁体が開弁開始することによる前記ソレノイドのインダクタンスの変化を、前記電流の2階微分値で検知して開弁開始時期を検知することを特徴とする燃料噴射装置の駆動回路。
【請求項２】
請求項１に記載の駆動回路において、前記ソレノイドへ流れる電流を検出して前記第一、第二、第三のスイッチ素子の通電・非通電を制御する電流制御回路と，内燃機関の運転条件に応じて前記ソレノイドへの通電時間を計算する演算装置との備え，前記第三の抵抗器と前記演算装置もしくは前記電流制御回路との間に微分器を備え、前記演算装置もしくは前記電流制御回路で微分器の出力電圧を検出することで、前記弁体の開弁開始時期を検出し，前記開弁開始時期に基づいて前記ソレノイドへの通電時間を各気筒の前記燃料噴射装置ごとに変化させることを特徴とする駆動回路。
【請求項３】
請求項１に記載の駆動回路において、請求項１に記載の駆動装置において、前記ソレノイドへ流れる電流を検出して前記第一、第二、第三のスイッチ素子の通電・非通電を制御する電流制御回路と，内燃機関の運転条件に応じて前記ソレノイドへの通電時間を計算する演算装置との備え，前記第三の抵抗器と前記演算装置もしくは前記電流制御回路との間に微分器を2個直列に配置し、前記弁体が開弁開始したことによるインダクタンスの変化を微分器の出力電圧で検出することを特徴とする駆動回路。
【請求項４】
請求項２に記載の駆動回路において、前記微分器と前記演算装置との間に比較器を備え、比較器で予め設定した閾値電圧を超えるもしくは、下がるタイミングを前記演算装置で検知することで、前記弁体の開弁開始時期を検出する機能を備えたことを特徴とする駆動回路。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月14日(2014.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンジンに取り付けられる燃料噴射システムであって、
燃料噴射器と、
エアフローメータと通信可能かつエンジンのインテークマニホールドに取り付けられている圧力センサと通信可能な電子制御ユニットと、
前記インテークマニホールドに取り付けられた温度センサであって、前記電子制御ユニットと通信可能な温度センサと、
前記エンジンあるいは前記インテークマニホールドから離れた、外気圧力測定に適した位置に配置された外気圧力センサであって、前記電子制御ユニットと通信可能な外気圧力センサと、を有し、
前記電子制御ユニットは、前記エンジンの空気流速についての情報を受信するとともに、低空気流速領域において前記インテークマニホールドに取り付けられている前記圧力センサと、前記温度センサと、前記外気圧力センサと、を用い、かつ、
高空気流速領域においては前記エアフローメータを用い、かつ、
前記低空気流速領域および前記高空気流速領域は、遷移空気流速を境として区分され、
前記電子制御ユニットは、前記エンジンの空気流速からなるデータを考慮することで前記圧力センサあるいは前記エアフローメータのいずれを用いるかを決定するようになっていることを特徴とする燃料噴射システム。
【請求項２】
請求項１に記載の燃料噴射システムであって、
前記圧力センサが、マニホールド絶対圧力センサであることを特徴とする燃料噴射システム。
【請求項３】
請求項１に記載の燃料噴射システムであって、
エンジン速度センサが前記電子制御ユニットと通信可能であることを特徴とする燃料噴射システム。
【請求項４】
請求項１に記載の燃料噴射システムであって、
スロットルバルブセンサが前記電子制御ユニットと通信可能であることを特徴とする燃料噴射システム。
【請求項５】
燃料噴射システムの制御方法であって、
一群のセンサから情報を受信するステップと、
エアフローメータから受信したデータからなる情報に基づき空気流速を決定するステップと、を具備し、
前記方法はさらに、
前記空気流速が第１空気流速領域内にある場合には、第１制御信号を燃料噴射器に送信し、前記空気流速が第２空気流速領域内にある場合には、第２制御信号を前記燃料噴射器に送信するステップと、を具備し、
前記第１空気流速領域は、前記第２空気流速領域よりも低く、前記第１空気流速領域および前記第２空気流速領域は、遷移空気流速を境として区分され、前記第１制御信号は回転速度・密度式制御方法に関連付けられ、さらに前記第２制御信号はエアフローメータ式制御方法に関連付けられることを特徴とする燃料噴射システムの制御方法。
【請求項６】
請求項５に記載の燃料噴射システムの制御方法であって、
前記一群のセンサは、前記回転速度・密度式制御方法に関連付けられる圧力センサを含むことを特徴とする燃料噴射システムの制御方法。
【請求項７】
請求項５に記載の燃料噴射システムの制御方法であって、
前記一群のセンサは、前記回転速度・密度式制御方法に関連付けられる外気圧力センサを含むことを特徴とする燃料噴射システムの制御方法。
【請求項８】
請求項５に記載の燃料噴射システムの制御方法であって、
前記一群のセンサは、前記回転速度・密度式制御方法に関連付けられる温度センサを含むことを特徴とする燃料噴射システムの制御方法。
【請求項９】
請求項５に記載の燃料噴射システムの制御方法であって、
前記一群のセンサは、前記エアフローメータ式制御方法に関連付けられる前記エアフローメータを含むことを特徴とする燃料噴射システムの制御方法。
【請求項１０】
請求項５に記載の燃料噴射システムの制御方法であって、
前記エアフローメータ式制御方法は異なる空気流速に対して最適化されうることを特徴とする燃料噴射システムの制御方法。
【請求項１１】
請求項５に記載の燃料噴射システムの制御方法であって、
前記エアフローメータ式制御方法は高空気流速に対して最適化されうることを特徴とする燃料噴射システムの制御方法。
【請求項１２】
噴射制御方法を選択する方法であって、
可能な空気流速範囲を第１空気流速領域、第３空気流速領域および第１空気流速領域と第３空気流速領域の中間の第２空気流速領域の３つに分割するステップであって、前記第１空気流速領域および前記第２空気流速領域は、第１遷移空気流速を境として区分され、かつ、前記第２空気流速領域および前記第３空気流速領域は、第２遷移空気流速を境として区分されるステップと、
第１燃料噴射制御方法を前記第１空気流速領域および前記第３空気流速領域に関連付けるステップと、
第２燃料噴射制御方法を前記第２空気流速領域に関連付けるステップと、
一群のセンサから受信した情報に基づいて空気流速を決定するステップと、
前記空気流速が前記第１空気流速領域または前記第３空気流速領域にある場合は、前記第１燃料噴射制御方法に関連付けられる第１制御信号を燃料噴射器に送信するステップと、
前記空気流速が前記第２空気流速領域にある場合は、前記第２燃料噴射制御方法に関連付けられる第２制御信号を燃料噴射器に送信するステップと、
を有する噴射制御方法を選択する方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の噴射制御方法を選択する方法であって、
前記第１空気流速領域は低空気流速領域であることを特徴とする噴射制御方法を選択する方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の噴射制御方法を選択する方法であって、
前記第３空気流速領域は高空気流速領域であることを特徴とする噴射制御方法を選択する方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載の噴射制御方法を選択する方法であって、
前記第１燃料噴射制御方法は、回転速度・密度式制御方法であることを特徴とする噴射制御方法を選択する方法。
【請求項１６】
請求項１２に記載の噴射制御方法を選択する方法であって、
前記第２燃料噴射制御方法は、エアフローメータ式制御方法であることを特徴とする噴射制御方法を選択する方法。
【請求項１７】
請求項１２に記載の噴射制御方法を選択する方法であって、
前記一群のセンサが、回転速度・密度式制御方法に関連付けられる、圧力センサ、温度センサおよび外気圧力センサを含むことを特徴とする噴射制御方法を選択する方法。
【請求項１８】
請求項１２に記載の噴射制御方法を選択する方法であって、
前記一群のセンサが、前記エアフローメータ式制御方法に関連付けられるエアフローメータを含むことを特徴とする噴射制御方法を選択する方法。
【請求項１９】
請求項１２に記載の噴射制御方法を選択する方法であって、
前記エアフローメータ式制御方法は、高空気流速に対して最適化されるものであることを特徴とする噴射制御方法を選択する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月3日(2014.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記のようにして得られたポリエチレンカーボネートの数平均分子量は、好ましくは５，０００〜１，０００，０００であり、より好ましくは１０，０００〜５００，０００である。ポリエチレンカーボネートの数平均分子量が５，０００未満の場合、セラミックス焼結成形用樹脂組成物を用いて得られるグリーン皮膜の粘性が低くなり、形状保持が困難になるおそれがある。また、ポリエチレンカーボネートの数平均分子量が１，０００，０００を超える場合、得られるセラミックス焼結成形用樹脂組成物を溶剤へ溶解させた際、粘度が上昇し取り扱い性が悪くなるおそれがある。なお、数平均分子量は、後述の方法により測定した値である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
［評価］
製造例により得られたポリエチレンカーボネートの数平均分子量、実施例および比較例により得られたセラミックス焼結成形用樹脂組成物の熱分解挙動を以下の方法により測定し、評価した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
［実施例２］
実施例１において、メタクリル酸メチル５０ｇに代えて、メタクリル酸メチル１００ｇを用いた以外は実施例１と同様にして、セラミックス焼結成形用樹脂組成物１５０ｇを得た。
得られたセラミックス焼結成形用樹脂組成物のＴＧ−ＤＴＡ分析結果から、分解開始温度は２１４℃、分解速度は３．１％／ｍｉｎであった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
［実施例３］
実施例１において、メタクリル酸メチル５０ｇに代えて、メタクリル酸メチル２５ｇを用いた以外は実施例１と同様にして、セラミックス焼結成形用樹脂組成物７５ｇを得た。
得られたセラミックス焼結成形用樹脂組成物のＴＧ−ＤＴＡ分析結果から、分解開始温度は２０８℃、分解速度は４３％／ｍｉｎであった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
［比較例２］
実施例１において、メタクリル酸メチル樹脂５０ｇに代えて、メタクリル酸メチル５ｇを用いた以外は実施例１と同様にして、セラミックス焼結成形用樹脂組成物５５ｇを得た。
得られたセラミックス焼結成形用樹脂組成物のＴＧ−ＤＴＡ分析結果から、分解開始温度は２１３℃、分解速度は１３７％／ｍｉｎであった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
［比較例３］
実施例１において、ポリエチレンカーボネート５０ｇに代えて、ポリエチレンカーボネート１０ｇを用いた以外は実施例１と同様にして、セラミックス焼結成形用樹脂組成物６０ｇを得た。
得られたセラミックス焼結成形用樹脂組成物のＴＧ−ＤＴＡ分析結果から、分解開始温度は２６１℃、分解速度は６．０％／ｍｉｎであった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
［比較例４］
メタクリル酸メチル単独のＴＧ−ＤＴＡ分析を行った。ＴＧ−ＤＴＡ分析結果から、分解開始温度は２６７℃、分解速度は６．２％／ｍｉｎであった。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月16日(2013.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
用紙の排紙部の用紙排出方向下流側の端部側に、排出される用紙の移動方向を上方へ向ける斜面部を有し、前記斜面部には用紙排出方向に沿って延びた溝部が該斜面部の上端付近まで形成されていることを特徴とする排紙トレイ構造。
【請求項２】
用紙の排紙部の排出口から用紙排出方向下流側の端部側の離れた箇所に、排出される用紙の移動方向を上方へ向ける斜面部を有し、前記斜面部には用紙排出方向に沿って延びた溝部が該斜面部の上端付近まで形成されていることを特徴とする排紙トレイ構造。
【請求項３】
請求項１または２の排紙トレイ構造において、前記斜面部は、前記用紙排出方向下流側の斜め上方へ向かう斜面をなすことを特徴とする排紙トレイ構造。
【請求項４】
請求項３の排紙トレイ構造において、前記斜面部の前記用紙排出方向下流側端部には、上方へ凸となる曲線を描く斜面部分を設けてなることを特徴とする排紙トレイ構造。
【請求項５】
請求項３の排紙トレイ構造において、前記斜面部が、二つの斜面部分を連結させてなり、該連結させた部分に、二つの斜面部分の間をつなぐ第３の斜面を設け、該第３の斜面が、排出されてきた用紙を斜め上方へ向ける面を有することを特徴とする排紙トレイ構造。
【請求項６】
請求項５の排紙トレイ構造において、前記第３の斜面を、断面が三角形状のつなぎ部分で構成してなることを特徴とする排紙トレイ構造。
【請求項７】
請求項５または６の排紙トレイ構造において、前記第３の斜面を、前記前半部分と後半部分をなす斜面とは傾斜角度が異なる斜面で構成してなることを特徴とする排紙トレイ構造。
【請求項８】
画像形成装置から排出される用紙を集積する用紙スタック装置であって、請求項１から７のいずれかに記載の排紙トレイ構造を有する排紙トレイを備えたことを特徴とする用紙スタック装置。
【請求項９】
画像形成部と、該画像形成部での画像形成を経た用紙を排出する排紙トレイを備え、該排紙トレイが、請求項１から７のいずれかに記載の排紙トレイ構造を有することを特徴とする画像形成装置。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の排紙トレイ構造のうち請求項１に係るものは、用紙の排紙部の用紙排出方向下流側の端部側に、排出される用紙の移動方向を上方へ向ける斜面部を有し、前記斜面部には用紙排出方向に沿って延びた溝部が該斜面部の上端付近まで形成されていることを特徴とする。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
同請求項２に係る排紙トレイ構造は、用紙の排紙部の排出口から用紙排出方向下流側の端部側の離れた箇所に、排出される用紙の移動方向を上方へ向ける斜面部を有し、前記斜面部には用紙排出方向に沿って延びた溝部が該斜面部の上端付近まで形成されていることを特徴とする。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
同請求項３に係るものは、請求項１または２の排紙トレイ構造において、前記斜面部は、前記用紙排出方向下流側の斜め上方へ向かう斜面をなすことを特徴とする。 
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
同請求項４に係るものは、請求項３の排紙トレイ構造において、前記斜面部の前記用紙排出方向下流側端部には、上方へ凸となる曲線を描く斜面部分を設けてなることを特徴とする。 
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
同請求項５に係るものは、請求項３の排紙トレイ構造において、前記斜面部が、二つの斜面を角度を連結させてなり、該連結させた部分に、二つの斜面の間をつなぐ第３の斜面を設け、該第３の斜面が、排出されてきた用紙を斜め上方へ向ける面を有することを特徴とする。 
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
同請求項６に係るものは、請求項５の排紙トレイ構造において、前記第３の斜面を、断面が三角形状のつなぎ部分で構成してなることを特徴とする。 
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
同請求項７に係るものは、請求項５または６の排紙トレイ構造において、前記第３の斜面を、前記前半部分と後半部分をなす斜面とは傾斜角度が異なる斜面で構成してなることを特徴とする。 
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
同請求項８に係るものは、画像形成装置から排出される用紙を集積する用紙スタック装置であって、請求項１から７のいずれかに記載の排紙トレイ構造を有する排紙トレイを備えたことを特徴とする用紙スタック装置である。 
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
同請求項９に係るものは、画像形成部と、該画像形成部での画像形成を経た用紙を排出する排紙トレイを備え、該排紙トレイが、請求項１から７のいずれかに記載の排紙トレイ構造を有することを特徴とする画像形成装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月31日(2014.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
造粒された顆粒状カーボンブラックを、アニオン性基を有する樹脂、塩基性化合物とともに水性媒体中に分散するインクジェット記録用水性顔料分散液であって、前記造粒されたカーボンブラックが充填された容器の底部からトリエチレングリコールを上方に向かって浸透させ、浸透開始からｔ１、ｔ２秒経過後のトリエチレングリコールの浸透重量ｍ１とｍ２から式（１）      
Ｖ＝（（ｍ２）２−（ｍ１）２）／（ｔ２−ｔ１）
（１）      
で求められる顆粒状カーボンブラックの浸透速度係数Ｖａと、前記顆粒状カーボンブラックを造粒化前又は解砕したカーボンブラックに置き換えて同様に測定される浸透速度係数Ｖｂとの比率（Ｖａ／Ｖｂ）が１．０以上であることを特徴とするインクジェット記録用水性顔料分散液。
【請求項２】
前記カーボンブラックは、湿式または乾式造粒法にて造粒されたファーネスブラックである請求項１に記載のインクジェット記録用水性顔料分散液。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のインクジェット記録用水性顔料分散液を含有するインクジェット記録用水性インク。    
【請求項４】
インクジェット記録用水性顔料分散液に適したカーボンブラックの使用方法であって、造粒されたカーボンブラックが充填された容器の底部からトリエチレングリコールを上方に向かって浸透させ、浸透開始からｔ１、ｔ２秒経過後のトリエチレングリコールの浸透重量ｍ１とｍ２から式（１）      
Ｖ＝（（ｍ２）２−（ｍ１）２）／（ｔ２−ｔ１）
（１）      
で求められる顆粒状カーボンブラックの浸透速度係数Ｖａと、前記顆粒状カーボンブラックを造粒化前又は解砕したカーボンブラックに置き換えて同様に測定される浸透速度係数Ｖｂとの比率（Ｖａ／Ｖｂ）が１．０以上であることを特徴とするカーボンブラックの使用方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
（実施例１）   
下記組成の混合物を、２５０ｍｌのポリ容器に仕込み、直径１．２５ｍｍのジルコニアビーズと共にペイントシェイカーで４時間撹拌し、カーボンブラック濃度が１４．５％のインクジェット記録用水性顔料分散液を得た（ビーズミル製法）。   
（ａ）カーボンブラックＡ ５０部   
（ｂ）スチレンアクリル酸系樹脂Ａ ２０部   
（ｃ）８Ｎ−水酸化カリウム水溶液 ９部   
（ｄ）トリエチレングリコール ５５部   
（ｅ）イオン交換水 ２１０部   
さらに造粒工程が粗大粒子数に及ぼす影響のみを評価するため、使用したカーボンブラックであって造粒前のものを用い、上記と同様の配合のインクジェット記録用水性顔料分散液を得た。  
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
（実施例４）   
下記組成の混合物を、容量５０ＬのプラネタリーミキサーＰＬＭ−５０Ｖ（株式会社井上製作所製）に仕込み、ジャケットを６０℃に加温し、自転回転数３６回転／分、公転回転数１２回転／分で混練してカーボンブラックとスチレンアクリル酸系樹脂の混練物である顔料分散体を得た（混練工程）。   
（ａ）カーボンブラックＡ ５０部   
（ｂ）スチレンアクリル酸系樹脂Ａ ２０部   
（ｃ）８Ｎ−水酸化カリウム水溶液 ９部   
（ｄ）トリエチレングリコール ５５部   
混練物の形成を確認後、１時間混練を継続した後、６０℃に加温したイオン交換水を徐々に加えながらさらに混練を継続した。最終的にイオン交換水を１２０部加え、カーボンブラック濃度が約２０％の分散液を得た（混合工程）。分散液を得るためには原料の撹拌開始後２時間を要した。プラネタリーミキサーから取り出したブラック色分散液をイオン交換水で更に希釈し、カーボンブラック濃度１４．５％の分散液を得た（混練製法）。作製したインクジェット記録用水性顔料分散液の粗粒数と平均分散粒子径を、使用した顆粒状カーボンブラックの浸透速度係数に係わる特性値とともに表４に示す。  
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
【表４】
2012188644.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
表４には比較のためビーズミル製法を用いた表３における実施例１と比較例１を転記した。本発明におけるトリエチレングリコール浸透速度係数の比率Ｒの高いカーボンブラックを使用し、さらに混練工程を有する製造方法（混練製法）を用いて製造されたインクジェット記録用水性顔料分散液は、ビーズミル製法を用いて製造されたインクジェット記録用水性顔料分散液よりさらに粗大粒子数が少ないことがわかる（実施例４〜６、実施例１）。一方、浸透速度係数の比率Ｒの低いカーボンブラックを使用したとしても、混練製法を用いることにより、同じカーボンブラックを使用してビーズミル製法を用いたときと比較して、遥かに粗大粒子数が低減されることがわかる（比較例３、４、比較例１）。表３及び図１に記載されたビーズミル製法による結果から、混練製法においても同様の結果、すなわち浸透速度係数が１より大きい顆粒状カーボンブラックを使用しないと、造粒前のカーボンブラックを用いた場合よりも粗大粒子数が改善されないことが類推される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月9日(2013.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリプロピレン系樹脂１００重量部を、多官能性単量体０．１〜１重量％を含む芳香族系ビニル単量体４０〜１００重量部に由来する重合樹脂で改質した改質ポリプロピレン系樹脂粒子であり、前記芳香族系ビニル単量体に由来する重合樹脂の架橋に由来してゲル分率１０〜４０重量％を示すことを特徴とする改質ポリプロピレン系樹脂粒子。
【請求項２】
前記改質ポリプロピレン系樹脂粒子が、測定１回目のＤＳＣ曲線において少なくとも２つのピークを有しかつ最も低い側のピークが１１０〜１３０℃の範囲にある請求項１に記載の改質ポリプロピレン系樹脂粒子。
【請求項３】
前記ポリプロピレン系樹脂が５〜１０ｇ／１０分の２３０℃におけるメルトフローレートを有し、かつ前記改質ポリプロピレン系樹脂粒子が前記ポリプロピレン系樹脂より１〜５ｇ／１０分低下した２３０℃におけるメルトフローレートを有する請求項１または２に記載の改質ポリプロピレン系樹脂粒子。
【請求項４】
前記ポリプロピレン系樹脂の２回目昇温時のＤＳＣ曲線による最初の融解ピーク温度が、１２５〜１４５℃である請求項１〜３のいずれか１つに記載の改質ポリプロピレン系樹脂粒子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の改質ポリプロピレン系樹脂粒子を予備発泡して得られた予備発泡粒子。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の改質ポリプロピレン系樹脂粒子１００重量部に対して発泡剤２０〜５０重量部を用いて含浸処理して発泡性改質ポリプロピレン系樹脂粒子を得、得られた発泡性改質ポリプロピレン系樹脂粒子を０．１〜０．２ＭＰａの圧力の加熱水蒸気で５〜６０秒間加熱することで予備発泡させて、嵩密度が０．０１〜０．０７ｇ／ｃｍ3である改質ポリプロピレン系樹脂の予備発泡粒子を得ることを特徴とする予備発泡粒子の製造方法。
【請求項７】
前記改質ポリプロピレン系樹脂粒子１００重量部に対し０．１〜２．０重量部の無機物成分をブレンドし予備発泡する請求項６に記載の予備発泡粒子の製造方法。
【請求項８】
請求項５に記載の予備発泡粒子を型内に充填した後、型内体積に対して２０〜５０％増加のクラッキング条件下で水蒸気により型内成形することにより得られた発泡成形体。
【請求項９】
前記発泡成形体が、７日間の耐熱試験において±１％寸法変化する温度が１００℃以上である請求項８に記載の発泡成形体。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月9日(2014.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４−メチル−１−ペンテン（共）重合体（Ａ）と熱可塑性エラストマー（Ｂ）とを含む拡張性基材フィルムであって、
前記（Ｂ）の含有量が（Ａ）と（Ｂ）の合計１００重量部に対して３〜５０重量部であり、かつ前記フィルムについて示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される前記（Ｂ）に由来する融点ＴｍＢ２が１００℃以下または前記融点ＴｍＢ２が実質的に観測されない拡張性基材フィルム。
【請求項２】
４−メチル−１−ペンテン（共）重合体（Ａ）と熱可塑性エラストマー（Ｂ）とを含む拡張性基材フィルムであって、
前記（Ｂ）の含有量が（Ａ）と（Ｂ）の合計１００重量部に対して３〜５０重量部であり、かつ前記（Ｂ）の示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される融点ＴｍＢ１が１００℃以下または前記融点ＴｍＢ１が実質的に観測されない拡張性基材フィルム。
【請求項３】
４−メチル−１−ペンテン（共）重合体（Ａ）のＡＳＴＭ−０６３８準拠にして測定される２３℃における引張弾性率が５００〜２０００ＭＰａである、請求項１または２に記載の拡張性基材フィルム。
【請求項４】
熱可塑性エラストマー（Ｂ）のＪＩＳ Ｋ７１１３‐２に準拠して測定される２３℃における引張弾性率が１〜５０ＭＰａである、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の拡張性基材フィルム。
【請求項５】
熱可塑性エラストマー（Ｂ）が、オレフィン系エラストマーおよび／またはスチレン系エラストマーからなる、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の拡張性基材フィルム。
【請求項６】
熱可塑性エラストマー（Ｂ）の密度が８５０〜９８０ｋｇ／ｍ３である、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の拡張性基材フィルム。
【請求項７】
４−メチル−１−ペンテン（共）重合体（Ａ）と熱可塑性エラストマー（Ｂ）とプロピレン（共）重合体（Ｃ）の合計１００重量部に対して０．３〜４０重量部のプロピレン（共）重合体（Ｃ）を含む、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の拡張性基材フィルム。
【請求項８】
さらにプロピレン（共）重合体（Ｃ）を含む請求項１に記載のフィルムであって、前記フィルムについて示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される前記（Ｃ）に由来する融点ＴｍＣ２が１１０〜１７５℃の範囲内にある、請求項７に記載の拡張性基材フィルム。
【請求項９】
基材の主面に垂直な切断面のＴＥＭ像（撮像範囲のフィルム厚さ方向の距離は１５μｍ、かつ撮像面積は４５μｍ２）で、４−メチル−１−ペンテン（共）重合体（Ａ）から実質的に構成される相と、熱可塑性エラストマー（Ｂ）から実質的に構成される相の相分散構造が観察される、請求項１ないし８のいずれか一項に記載の拡張性基材フィルム。
【請求項１０】
１２０℃における線膨張係数(１／Ｋ)が１．０×１０−４〜２．０×１０−３である、請求項１ないし９のいずれか一項に記載の拡張性基材フィルム。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の拡張性基材フィルムからなる基材層と、粘着層とを含む、拡張性粘着フィルム。
【請求項１２】
粘着層の２５℃における引張弾性率が５０ＭＰａ以下である、請求項１１に記載の拡張性粘着フィルム。
【請求項１３】
粘着層の昇温速度２℃／ｍｉｎ．で室温から２００℃まで昇温した際の熱重量減少率が２％未満である、請求項１１または１２に記載の拡張性粘着フィルム。
【請求項１４】
粘着層を最表面に有する請求項１１ないし１３のいずれか一項に記載の拡張性粘着フィルム。
【請求項１５】
前記基材層以外の層の２５℃における引張弾性率が、前記基材層の２５℃の引張弾性率未満である、請求項１１ないし１４のいずれか一項に記載の拡張性粘着フィルム。
【請求項１６】
請求項１ないし１５のいずれか一項に記載のフィルムを含んでなる、半導体用ダイシングフィルム。
【請求項１７】
４−メチル−１−ペンテン（共）重合体（Ａ）と、示差走査熱量計（ＤＳＣ）で得られる融点ＴｍＢ１が１００℃以下または前記融点ＴｍＢ１が実質的に観測されない熱可塑性エラストマー（Ｂ）とを含んでなり、前記（Ｂ）の含有量が（Ａ）と（Ｂ）の合計１００重量部に対して３〜５０重量部の溶融混練物を成形する工程を含む、請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の拡張性基材フィルムの製造方法。
【請求項１８】
半導体ウエハに、請求項１６に記載のダイシングフィルムを前記ダイシングフィルムの粘着剤層を介して貼り付ける工程と、前記半導体ウエハをダイシングして半導体チップを得る工程と、前記ダイシングフィルムを拡張して、前記半導体チップをピックアップする工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
回路面を有する半導体ウエハの回路面と対向する面に、請求項１６に記載のダイシングフィルムを前記フィルムの粘着剤層を介して貼り付ける工程と、前記半導体ウエハの回路面を封止する工程と、前記半導体ウエハをダイシングして半導体チップを得る工程と、前記ダイシングフィルムを拡張して、前記半導体チップをピックアップする工程と、を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
４−メチル−１−ペンテン（共）重合体（Ａ）と、示差走査熱量計（ＤＳＣ）で得られる融点ＴｍＢ１が１００℃以下または前記融点ＴｍＢ１が実質的に観測されない熱可塑性エラストマー（Ｂ）とを含んでなり、
前記（Ｂ）の含有量が（Ａ）と（Ｂ）の合計１００重量部に対して３〜５０重量部である拡張性基材フィルム用溶融混練物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月23日(2014.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に熱剥離性粘着層を形成する工程と、
前記熱剥離性粘着層の主面上に、複数の半導体素子を配置する工程と、
半導体封止用樹脂組成物を用いて、前記熱剥離性粘着層の前記主面上の複数の前記半導体素子を封止する封止材層を形成することにより、前記封止材層および前記半導体素子で構成された構造体を得る工程と、
前記熱剥離性粘着層を剥離することにより、前記基材から前記構造体を分離する工程と、を含む、半導体装置の製造方法に用いる前記半導体封止用樹脂組成物であって、
１分子内に３個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（Ａ）と、
１分子内に３個以上のフェノール性水酸基を有する硬化剤（Ｂ）と、
無機充填剤（Ｃ）と、を含む、半導体封止用樹脂組成物。
【請求項２】
前記無機充填剤（Ｃ）の含有量が、８０質量％以上、９３質量％以下である、請求項１に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項３】
誘電分析装置を用いて、測定温度１２５℃、測定周波数１００Ｈｚの条件で測定した際の、前記半導体封止用樹脂組成物の飽和イオン粘度に到達する時刻が、測定開始から１００秒以上、９００秒以下にある、請求項１に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項４】
誘電分析装置を用いて、測定温度１２５℃、測定周波数１００Ｈｚの条件で測定した際の、前記半導体封止用樹脂組成物の最低イオン粘度が、６以上８以下であり、かつ、測定開始からの経過時間が６００秒後のイオン粘度が、９以上１１以下である、請求項１に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項５】
高化式粘度測定装置を用いて、測定温度１２５℃、荷重４０ｋｇで測定した際の、前記半導体封止用樹脂組成物の高化式粘度が、２０Ｐａ・ｓ以上２００Ｐａ・ｓ以下である、請求項１に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項６】
１２５℃、１０分の条件で硬化させて得られる硬化物のショアＤ硬度が７０以上である、請求項１に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項７】
１２５℃、７分の条件で硬化させて得られる硬化物の、２６０℃における曲げ強度が、１０ＭＰａ以上、１００ＭＰａ以下である、請求項１に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項８】
１２５℃、７分の条件で硬化させて得られる硬化物の、２６０℃における曲げ弾性率が、５×１０２ＭＰａ以上、３×１０３ＭＰａ以下である、請求項１に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項９】
１２５℃、７分の条件で硬化させて得られる硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）が、１００℃以上、２５０℃以下である、請求項１に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１０】
１２５℃、７分の条件で硬化させて得られる硬化物の、２５℃以上、ガラス転移温度（Ｔｇ）以下の領域におけるｘｙ平面方向の線膨張係数（α１）が、３ｐｐｍ／℃以上、１５ｐｐｍ／℃以下である、請求項１に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１１】
１２５℃、７分の条件で硬化させて得られる硬化物の、動的粘弾性測定器を用い、三点曲げモード、周波数１０Ｈｚ、測定温度２６０℃で測定した際の貯蔵弾性率（Ｅ'）が、５×１０２ＭＰａ以上、５×１０３ＭＰａ以下である、請求項１に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１２】
前記熱剥離性粘着層を剥離する前記工程の後における、前記半導体素子が露出している前記封止材層の一面の接触角が、ホルムアミドを用いた測定時において、７０度以下である、請求項１に記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか１項に記載の半導体封止用樹脂組成物の硬化物により封止された半導体素子を備える、半導体装置。
【請求項１４】
基材上に熱剥離性粘着層を形成する工程と、
前記熱剥離性粘着層の主面上に、複数の半導体素子を配置する工程と、
請求項１から１２のいずれか１項に記載の半導体封止用樹脂組成物を用いて、前記熱剥離性粘着層の前記主面上の複数の前記半導体素子を封止する封止材層を形成することにより、前記封止材層および前記半導体素子で構成された構造体を得る工程と、
前記熱剥離性粘着層を剥離することにより、前記基材から前記構造体を分離する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体封止用樹脂組成物、半導体装置および半導体装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月24日(2014.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で示されることを特徴とする有機化合物。
【化１】
2012188355.tif 000001
式（１）において、Ｒ１乃至Ｒ１６は水素原子、ハロゲン原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアルコキシ基、置換あるいは無置換のアミノ基、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の複素環基からそれぞれ独立に選ばれる。
【請求項２】
Ｒ１乃至Ｒ１６はそれぞれ独立に前記水素原子、前記置換あるいは無置換のアルキル基、前記置換あるいは無置換のアリール基から選ばれることを特徴とする請求項１に記載の有機化合物。
【請求項３】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ１１、Ｒ１４はそれぞれ独立に前記水素原子、前記置換あるいは無置換のアルキル基、前記置換あるいは無置換のアリール基から選ばれ、
Ｒ３乃至Ｒ６およびＲ９乃至Ｒ１０およびＲ１２乃至Ｒ１３およびＲ１５乃至Ｒ１６は全て水素原子であることを特徴とする請求項１に記載の有機化合物。
【請求項４】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ独立に水素原子またはフェニル基から選ばれ、Ｒ３乃至Ｒ６およびＲ９乃至Ｒ１６は全て水素原子であることを特徴とする請求項１に記載の有機化合物。
【請求項５】
一対の電極と前記一対の電極の間に配置された有機化合物層とを有する有機発光素子であって、
前記有機化合物層は請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機化合物を有することを特徴とする有機発光素子。
【請求項６】
前記有機化合物層は発光層であることを特徴とする請求項５に記載の有機発光素子。
【請求項７】
赤色発光することを特徴とする請求項６に記載の有機発光素子。
【請求項８】
複数の画素を有し、前記複数の画素は請求項５乃至７記載のいずれか一項に記載の有機発光素子と前記有機発光素子の発光輝度を制御するＴＦＴ素子をそれぞれ有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
画像情報を入力するための入力部と画像を表示するための表示部とを有し、前記表示部は複数の画素を有し、前記複数の画素は請求項５乃至７のいずれか一項に記載の有機発光素子と前記有機発光素子の発光輝度を制御するＴＦＴ素子をそれぞれ有することを特徴とする画像入力装置。
【請求項１０】
請求項５乃至７のいずれか一項に記載の有機発光素子を有することを特徴とする照明装置。
【請求項１１】
露光光源を有する電子写真方式の画像形成装置であって、
前記露光光源は、請求項５乃至７のいずれか一項に記載の有機発光素子を有することを特徴とする画像形成装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年4月23日(2014.4.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
内部支持体が位置づけされた場所でシャドーグラフによりコントラストのラインを識別できることから、内部支持体の使用を最終的ガラス要素上で目視することができる。かくしてこの場合は一般に格子パターンの下の反射によっても識別可能である。かくして、本発明は同様に、２つの直交する方向に曲げされた積層ガラス要素にも関し、そのシートのうち少なくとも１枚はシャドーグラフ又は反射の下で内部ゾーン内に１本のラインを有している。