【手続補正書】
【提出日】平成26年9月9日(2014.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
初期成分として、
水；
コロイダルシリカ砥粒である砥粒；
式（Ｉ）によるハロゲン化第四級アンモニウム化合物：
【化６】
2012094838.tif 000001
［式中、Ｒ８は、Ｃ１−１０アルキル基及びＣ１−１０ヒドロキシアルキル基から選択され；Ｘ１は、塩化物、臭化物、ヨウ化物及びフッ化物から選択されるハロゲン化物であり；Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は、各々独立して、飽和又は不飽和のＣ１−１０アルキル基、Ｃ１−１０ハロアルキル基、Ｃ６−１５アリール基、Ｃ６−１５ハロアリール基、Ｃ６−１５アリールアルキル基及びＣ６−１５ハロアリールアルキル基より選択され；式（Ｉ）中の前記アニオンは、式（Ｉ）中の前記カチオンの＋の電荷とバランスをとる任意のアニオンであることができる］；及び、
場合により、式（II）によるジ第四級物質：
【化７】
2012094838.tif 000002
［式中、各々のＡは、独立してＮ及びＰより選択され；Ｒ１は、飽和又は不飽和のＣ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基及びＣ６−Ｃ１５アラルキル基より選択され；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、各々独立して、水素、飽和又は不飽和のＣ１−１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基、Ｃ６−Ｃ１５アラルキル基及びＣ６−Ｃ１５アルカリール基より選択され；式（II）中の前記アニオンは、式（II）中の前記カチオンの２＋の電荷とバランスをとる任意のアニオン又はアニオンの組み合わせであることができる］；及び
場合により、リン酸、硝酸、硫酸、塩酸、水酸化アンモニウム及び水酸化カリウムより選択されるｐＨ調整剤を含み；
ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物が、２〜＜７の使用時のｐＨを有する、ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物。
【請求項２】
前記ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物が、初期成分として、
水；
０．１〜４０重量％の前記コロイダルシリカ砥粒；
０．００１〜１重量％の、式（Ｉ）で示される前記ハロゲン化第四級アンモニウム化合物；
０〜１重量％の、式（II）による前記ジ第四級物質；及び、
場合により、リン酸、硝酸、硫酸、塩酸、水酸化アンモニウム及び水酸化カリウムより選択されるｐＨ調整剤を含む、請求項１に記載のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物。
【請求項３】
ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物が、初期成分として、
水；
０．１〜１０重量％の前記コロイダルシリカ砥粒；
０．００２〜０．５重量％の、式（Ｉ）による前記ハロゲン化第四級アンモニウム化合物（式中、Ｒ８は、−（ＣＨ２）２−基、−ＣＨ２ＣＨＯＨ基、−（ＣＨ２）３−基及び−（ＣＨ２）２−ＣＨＯＨ基より選択され；Ｘ１は、塩化物及び臭化物より選択されるハロゲン化物であり；Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は、各々独立して、−ＣＨ３基及び−ＣＨ２ＣＨ３基より選択され；そして、式（Ｉ）中の前記アニオンは、塩化物アニオン及び臭化物アニオンより選択される）；
０．００２〜０．２重量％の、式（II）による前記ジ第四級物質（式中、各々のＡは、Ｎであり；Ｒ１は、−（ＣＨ２）４−基であり；そして、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、各々−（ＣＨ２）３ＣＨ３基である）；及び、
場合により、リン酸、硝酸、硫酸、塩酸、水酸化アンモニウム及び水酸化カリウムより選択されるｐＨ調整剤を含む、請求項１に記載のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物。
【請求項４】
前記ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物が、初期成分として、
水；
０．１〜１０重量％の前記コロイダルシリカ砥粒（前記コロイダルシリカ砥粒は２０〜５０nmの平均粒子サイズを有する）；
０．０１〜０．２重量％の、式（Ｉ）による前記ハロゲン化第四級アンモニウム化合物（式中、Ｒ８は、−（ＣＨ２）２−基、−ＣＨ２ＣＨＯＨ基、−（ＣＨ２）３−基及び−（ＣＨ２）２−ＣＨＯＨ基より選択され；Ｘ１は、塩化物及び臭化物より選択されるハロゲン化物であり；Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は、各々独立して、−ＣＨ３基及び−ＣＨ２ＣＨ３基より選択され；そして、式（Ｉ）中の前記アニオンは、塩化物アニオン及び臭化物アニオンより選択される）；
０．０１〜０．０５重量％の、式（II）による前記ジ第四級物質（式中、各々のＡは、Ｎであり；Ｒ１は、−（ＣＨ２）４−基であり；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、各々−（ＣＨ２）３ＣＨ３基であり；そして、式（II）中の前記カチオンの２＋の電荷とバランスをとる前記アニオンは、ハロゲン化物アニオン及び水酸化物アニオンより選択される）；及び、
場合により、リン酸、硝酸、硫酸、塩酸、水酸化アンモニウム及び水酸化カリウムより選択されるｐＨ調整剤を含む、請求項１に記載のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物。
【請求項５】
基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、
酸化ケイ素及びＳｉ３Ｎ４の少なくとも一種を含む基板を提供すること；
請求項１に記載のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物［ここで、式（Ｉ）による前記ハロゲン化第四級アンモニウム化合物の濃度及び式（II）による任意の前記ジ第四級物質の濃度は、前記ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物によって示される酸化ケイ素及びＳｉ３Ｎ４の少なくとも一種の除去速度を調整するために選択される］を提供すること；
研磨表面を有するケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；
ダウンフォース０．６９〜３４．５kPaで、前記ケミカルメカニカルポリッシングパッドの前記研磨表面及び基板との間の界面に、動的接触を作り出すこと；ならびに
ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を、前記ケミカルメカニカルポリッシングパッド及び前記基板の間の前記界面又はその近傍で前記ケミカルメカニカルポリッシングパッド上に注入することを含み；
ここで、提供される前記ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、＜７のｐＨを有し；
ここで、前記基板は研磨され；そして、酸化ケイ素及びＳｉ３Ｎ４の少なくとも一種の一部は前記基板から除去される、基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法。
【請求項６】
提供される前記ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物が、初期成分として、
水；
０．１〜１０重量％の前記砥粒（前記砥粒２０〜５０nmの平均粒子サイズを有するコロイダルシリカ砥粒である）；
０．０１〜０．２重量％の式（Ｉ）によるハロゲン化第四級アンモニウム化合物（式中、Ｒ８は、−（ＣＨ２）２−基、−ＣＨ２ＣＨＯＨ基、−（ＣＨ２）３−基より選択され；Ｘ１は、塩化物及び臭化物より選択されるハロゲン化物であり；Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は、各々独立して、−ＣＨ３基及び−ＣＨ２ＣＨ３基より選択され；そして、式（Ｉ）中の前記アニオンは、塩化物アニオン及び臭化物アニオンより選択される）；及び、
０．０１〜０．０５重量％の式（II）によるジ第四級物質（式中、各々のＡは、Ｎであり；Ｒ１は、−（ＣＨ２）４−基であり；そして、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、各々、−（ＣＨ２）３ＣＨ３基である）を含み；そして、
提供される前記ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物が、２〜４のｐＨを有する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記基板が、酸化ケイ素を含み、そしてここで、前記ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物が、２００〜３，０００Å／分の酸化ケイ素除去速度を示すように調整される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記基板が、Ｓｉ３Ｎ４を含み、そしてここで、前記ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物が、３００〜２，０００Å／分のＳｉ３Ｎ４除去速度を示すように調整される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記基板が、酸化ケイ素及びＳｉ３Ｎ４の両方を含み、そしてここで、前記ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物が、１：２〜１０：１の、酸化ケイ素のＳｉ３Ｎ４に対する除去速度の選択比を示すように調整される、請求項６に記載の方法。