【手続補正書】
【提出日】平成26年6月2日(2014.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタ・デバイスであって、
基板と、
前記基板内のチャネル領域と、
前記基板内のソースおよびドレイン領域であって、前記ソースおよびドレイン領域間に前記チャネル領域が位置している、前記ソースおよびドレイン領域と、
前記チャネル領域が配置された位置における前記基板の表面上に位置し接続された高誘電率ゲート絶縁体と、
前記高誘電率ゲート絶縁体が前記基板と接触する位置における前記基板内に存在して電力漏れを低減させるドーパントと、
前記高誘電率ゲート絶縁体の上で前記高誘電率ゲート絶縁体に接続されたゲート導体と
を備えており、
前記高誘電率ゲート絶縁体が、前記ソースに隣接した厚さに比べて前記ドレインに隣接した厚さの方が大きい、前記トランジスタ・デバイス。
【請求項２】
前記高誘電率ゲート絶縁体が３．９を超える誘電率を有する、請求項１に記載のトランジスタ・デバイス。
【請求項３】
前記高誘電率ゲート絶縁体が、窒化シリコン、酸窒化シリコン、ＳｉＯ2およびＳｉ3Ｎ4のゲート誘電体スタック、金属酸化物、酸化タンタル、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジルコニウム、二酸化ハフニウム、および二酸化ジルコニウムの１つを含む、請求項１に記載のトランジスタ・デバイス。
【請求項４】
前記ドーパントがフッ素を含む、請求項１に記載のトランジスタ・デバイス。
【請求項５】
前記トランジスタ・デバイスが、ネガティブ形（Ｎ型）及びポジティブ形（Ｐ型）トランジスタの１つを含む、請求項１に記載のトランジスタ・デバイス。
【請求項６】
集積回路デバイスであって、
基板と、
前記基板上の複数の組の集積回路トランジスタ構造であって、
前記基板の上に位置し接触するゲート絶縁体を含む、前記集積回路トランジスタ構造と、
前記集積回路デバイス内の第１の組の前記集積回路トランジスタ構造であって、前記第１の組の前記集積回路トランジスタ構造の対応するゲート絶縁体が前記基板と接触する位置において前記基板内に第１のドーパントを含む、前記第１の組と、
前記第１の組の前記集積回路トランジスタ構造の電力漏れを、前記集積回路デバイス内の他の集積回路トランジスタ構造の電力漏れに比べて低減させる前記第１のドーパントと、
前記集積回路デバイス内の第２の組の前記集積回路トランジスタ構造であって、前記第２の組の前記集積回路トランジスタ構造の対応するゲート絶縁体が前記基板と接触する位置において前記基板内に第２のドーパントを含む、前記第２の組と
を備えており、
前記第２のドーパントが、前記第２の組の前記集積回路トランジスタ構造の電力消費を、前記集積回路デバイス内の他の集積回路トランジスタ構造の電力消費に比べて向上させ、
前記第１のドーパントがフッ素を含み、前記第２のドーパントが窒素を含む、
前記集積回路デバイス。
【請求項７】
前記第１の組の集積回路トランジスタ構造が、前記第２の組の集積回路トランジスタ構造とは異なるタイプの集積回路トランジスタ構造を備えている、請求項６に記載の集積回路デバイス。
【請求項８】
前記第１の組の集積回路トランジスタ構造の前記対応するゲート絶縁体が、前記第２の組の集積回路トランジスタ構造の前記対応するゲート絶縁体とは異なる絶縁体厚さを有する、請求項６に記載の集積回路デバイス。
【請求項９】
前記第１の組の集積回路トランジスタ構造の前記対応するゲート絶縁体および前記第２の組の集積回路トランジスタ構造の前記対応するゲート絶縁体が、３．９を超える誘電率を有する高誘電率絶縁体を含む、請求項６に記載の集積回路デバイス。
【請求項１０】
前記ゲート絶縁体が、窒化シリコン、酸窒化シリコン、ＳｉＯ2およびＳｉ3Ｎ4のゲート誘電体スタック、金属酸化物、酸化タンタル、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジルコニウム、二酸化ハフニウム、および二酸化ジルコニウムの１つを含む、請求項６に記載の集積回路デバイス。
【請求項１１】
前記第１の組の集積回路トランジスタ構造の前記対応するゲート絶縁体および前記第２の組の集積回路トランジスタ構造の前記対応するゲート絶縁体が、ソース領域に比べてドレイン領域の方が厚い非対称のゲート誘電体を備えている、請求項６に記載の集積回路デバイス。
【請求項１２】
集積回路を設計する方法であって、
コンピュータ化デバイスを用いて電力消費バランスおよび電力洩れバランスについて集積回路設計を評価するステップと、
前記コンピュータ化デバイスを用いた前記集積回路の前記評価に基づいて、前記電力消費バランスおよび電力洩れバランスを達成するために、電力漏れの低減を必要とする前記集積回路設計内の第１の組の集積回路トランジスタ構造、および、電力洩れの向上を必要とする第２の組の集積回路トランジスタ構造を識別するステップと、
前記コンピュータ化デバイスを用いて、前記第１の組の集積回路トランジスタ構造について、ゲート絶縁体を形成する前に、前記集積回路設計を変更して基板内への第１のドーパントの注入を含ませて、変更済み集積回路設計を生成するステップと、
前記コンピュータ化デバイスを用いて、前記第２の組の集積回路トランジスタ構造について、ゲート絶縁体を形成する前に、前記変更済み集積回路設計を変更して基板内への第２のドーパントの注入を含ませて、更に別の変更済み集積回路設計を生成するステップと、
前記コンピュータ化デバイスから前記更に別の変更済み集積回路設計を出力するステップと
を含み、
前記第１のドーパントがフッ素を含み、前記第２のドーパントが窒素を含む、前記方法。
【請求項１３】
前記第１の組の集積回路トランジスタ構造が、前記第２の組の集積回路トランジスタ構造とは異なるタイプの集積回路トランジスタ構造を備えている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の組の集積回路トランジスタ構造の前記ゲート絶縁体の形成が、前記第２の組の集積回路トランジスタ構造の前記ゲート絶縁体の形成とは異なる絶縁体厚さを形成する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の組の集積回路トランジスタ構造の前記ゲート絶縁体の形成および前記第２の組の集積回路トランジスタ構造の前記ゲート絶縁体の形成が、３．９を超える誘電率を有する高誘電率絶縁体を形成する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の組の集積回路トランジスタ構造の前記ゲート絶縁体の形成および前記第２の組の集積回路トランジスタ構造の前記ゲート絶縁体の形成が、窒化シリコン、酸窒化シリコン、ＳｉＯ2およびＳｉ3Ｎ4のゲート誘電体スタック、金属酸化物、酸化タンタル、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジルコニウム、二酸化ハフニウム、および二酸化ジルコニウムの１つを含む高誘電率絶縁体を形成する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の組の集積回路トランジスタ構造の前記対応するゲート絶縁体および前記第２の組の集積回路トランジスタ構造の前記対応するゲート絶縁体が、ソース領域に比べてドレイン領域の方が厚い非対称のゲート誘電体を備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
集積回路を製造する方法であって、
コンピュータ化デバイスを用いて電力消費バランスおよび電力洩れバランスについて集積回路設計を評価するステップと、
前記コンピュータ化デバイスを用いた前記集積回路の前記評価に基づいて、前記電力消費バランスおよび電力洩れバランスを達成するために、電力漏れの低減を必要とする前記集積回路設計内の第１の組の集積回路トランジスタ構造、および、電力洩れの向上を必要とする第２の組の集積回路トランジスタ構造を識別するステップと、
前記コンピュータ化デバイスを用いて、前記第１の組の集積回路トランジスタ構造について、ゲート絶縁体を形成する前に、前記集積回路設計を変更して基板内への第１のドーパントの注入を含ませて、変更済み集積回路設計を生成するステップと、
前記コンピュータ化デバイスを用いて、前記第２の組の集積回路トランジスタ構造について、ゲート絶縁体を形成する前に、前記変更済み集積回路設計を変更して基板内への第２のドーパントの注入を含ませて、更に別の変更済み集積回路設計を生成するステップと、
製造機器を用いて原材料を処理することによって、前記更に別の変更済み集積回路設計に従って集積回路デバイスを製造するステップと
を含み、
前記第１のドーパントがフッ素を含み、前記第２のドーパントが窒素を含む、前記方法。
【請求項１９】
前記第１の組の集積回路トランジスタ構造が、前記第２の組の集積回路トランジスタ構造とは異なるタイプの集積回路トランジスタ構造を備える、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の組の集積回路トランジスタ構造の前記ゲート絶縁体の形成が、前記第２の組の集積回路トランジスタ構造の前記ゲート絶縁体の形成とは異なる絶縁体厚さを形成する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１の組の集積回路トランジスタ構造の前記ゲート絶縁体の形成および前記第２の組の集積回路トランジスタ構造の前記ゲート絶縁体の形成が、３．９を超える誘電率を有する高誘電率絶縁体を形成する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１の組の集積回路トランジスタ構造の前記ゲート絶縁体の形成および前記第２の組の集積回路トランジスタ構造の前記ゲート絶縁体の形成が、窒化シリコン、酸窒化シリコン、ＳｉＯ2およびＳｉ3Ｎ4のゲート誘電体スタック、金属酸化物、酸化タンタル、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジルコニウム、二酸化ハフニウム、および二酸化ジルコニウムの１つを含む高誘電率絶縁体を形成する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
前記第１の組の集積回路トランジスタ構造の前記対応するゲート絶縁体および前記第２の組の集積回路トランジスタ構造の前記対応するゲート絶縁体が、ソース領域に比べてドレイン領域の方が厚い非対称のゲート誘電体を備える、請求項１８に記載の方法。