【手続補正書】
【提出日】平成26年4月2日(2014.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を介して積層された、第１の半導体基体及び第２の半導体基体と、
前記第１の半導体基体に形成され、信号線とグラウンドとを含む第１の伝送線路と、
前記第２の半導体基体に形成され、信号線とグラウンドとを含む第２の伝送線路と、
ビアホール内に形成された導体層から成り、前記第１の伝送線路の信号線及び前記第２の伝送線路の信号線に接続された、信号線用の第１のビア層と、
ビアホール内に形成された導体層から成り、前記第１の伝送線路のグラウンド及び前記第２の伝送線路のグラウンドに接続された、グラウンド用の第１のビア層と、
ビアホール内に形成された導体層から成り、前記第１の伝送線路又は／及び前記第２の伝送線路のグラウンドに接続され、かつ、前記信号線用の第１のビア層に対向して形成された帯状のビア層を含む、グラウンド用の第２のビア層とを有する
半導体装置。
【請求項２】
前記第２のビア層は、前記グラウンド用の第１のビア層よりも浅く形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記グラウンド用の第１のビア層に対して、前記第２のビア層とは反対の側に、ビアホール内に形成された導体層から成り、前記第２の伝送線路のグラウンドに接続された、グラウンド用の第３のビア層をさらに有する、請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の伝送線路及び前記第２の伝送線路がいずれもコプレーナ線路である、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の伝送線路及び前記第２の伝送線路のうち、一方がコプレーナ線路であり、他方がマイクロストリップ線路である、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の伝送線路及び前記第２の伝送線路がいずれもマイクロストリップ線路である、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１の伝送線路の特性インピーダンスＺａと、前記第２の伝送線路の特性インピーダンスＺｂとに対して、前記信号線用のビア層と前記第２のビア層とを含むビア部の特性インピーダンスが、√（Ｚａ×Ｚｂ）である、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図１Ａ〜図１Ｃに示すように、下層の第１の半導体基体１１の上に、コプレーナ線路の中央の信号線１２と左右２本のグラウンド線１３とが形成されている。また、上層の第２の半導体基体２１の上に、コプレーナ線路の中央の信号線２２と左右２本のグラウンド線２３とが形成されている。
下層の第１の半導体基体１１と、上層の第２の半導体基体２１とは、絶縁層１４を介して積層されている。
そして、第１の半導体基体１１上の信号線１２と、第２の半導体基体２１上の信号線２２とは、第２の半導体基体２１及び絶縁層１４を貫通する第１のビア層１５によって、接続されている。同様に、第１の半導体基体１１上のグラウンド線１３と、第２の半導体基体２１上のグラウンド線２３とは、第２の半導体基体２１及び絶縁層１４を貫通する第１のビア層１５によって、接続されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
次に、レジストマスク３１の開口部より、上層の第２の半導体基体２１及び絶縁層１４をエッチングする。これにより、図５Ａ〜図５Ｃに示すように、下層のコプレーナ線路（信号線１２とグラウンド線１３）に達する深いビアホール３２と、絶縁層１４の途中まで達する浅いビアホール３３とを、それぞれ形成する。
このとき、浅いビアホール３３は、予め絶縁層１４内に形成されたエッチングストッパを用いて、エッチングストッパに達するまで形成することが好ましい。このエッチングストッパとしては、絶縁層１４内の配線層や、絶縁層１４の他の部分に対してエッチング選択性を有する絶縁層（例えば、酸化シリコン層に対する窒化シリコン層等）を、使用することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
次に、レジストマスク３４の開口部より、上層の第２の半導体基体２１及び絶縁層１４をエッチングする。これにより、図９Ａ〜図９Ｃに示すように、下層のコプレーナ線路（信号線１２とグラウンド線１３）に達する深いビアホール３２と、絶縁層１４の途中まで達する浅いビアホール３３，３５とを、それぞれ形成する。浅いビアホール３３，３５のうち、ビアホール３３は第２のビア層１６に対応し、ビアホール３５は第３のビア層１７に対応する。
このとき、浅いビアホール３３，３５は、予め絶縁層１４内に形成されたエッチングストッパを用いて、エッチングストッパに達するまで形成することが好ましい。このエッチングストッパとしては、絶縁層１４内の配線層や、絶縁層１４の他の部分に対してエッチング選択性を有する絶縁層（例えば、酸化シリコン層に対する窒化シリコン層等）を、使用することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
なお、この第４の実施の形態の構成を変形して、第１及び第２の実施の形態と同様に、上層の伝送線路と下層の伝送線路がそれぞれ逆方向に延びる構成とすることも可能である。その場合には、帯状のビア層１０８は、帯状のビア層１０８を含む断面に存在する信号線（下層の信号線１０２、或いは、上層の信号線１１２）と絶縁されるように、形成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
また、第３のビア層１０７及び帯状のビア層１０８を、同じ深さとして、かつ図１２Ｂよりも浅くして、下層のグラウンド線１０９には接続されていない構成（先の実施の形態の浅いビア層１６，１７と同様の構成）とすることも可能である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
上述の本実施の形態の構成によれば、信号線１０２，１１２を接続する第１のビア層１０５に対して、他の断面に、グラウンド線１０９に接続された第３のビア層１０７及び、第３のビア層１０７を繋ぐ帯状のビア層１０８が形成されている。
これにより、他の断面に形成された第３のビア層１０７及び帯状のビア層１０８により、信号線１０２，１１２を接続する第１のビア層１０５に対するグラウンドを強化することができる。
これにより、第１のビア層１０５から外部への電磁波の放射を抑制することができるので、周辺回路を安定して動作させることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。
（１）絶縁層を介して積層された、第１の半導体基体及び第２の半導体基体と、前記第１の半導体基体に形成され、信号線とグラウンドとを含む第１の伝送線路と、前記第２の半導体基体に形成され、信号線とグラウンドとを含む第２の伝送線路と、ビアホール内に形成された導体層から成り、前記第１の伝送線路の信号線及び前記第２の伝送線路の信号線に接続された、信号線用のビア層と、ビアホール内に形成された導体層から成り、前記第１の伝送線路のグラウンド及び前記第２の伝送線路のグラウンドに接続された、グラウンド用の第１のビア層と、ビアホール内に形成された導体層から成り、前記第１の伝送線路又は前記第２の伝送線路のグラウンドに接続され、かつ、前記信号線用のビア層に対向して形成された帯状のビア層を含む、グラウンド用の第２のビア層とを含む半導体装置。
（２）前記第２のビア層は、前記第１のビア層よりも浅く形成されている、前記（１）に記載の半導体装置。
（３）前記第１のビア層に対して、前記第２のビア層とは反対の側に、ビアホール内に形成された導体層から成り、前記第２の伝送線路のグラウンドに接続された、グラウンド用の第３のビア層をさらに含む、前記（１）又は（２）に記載の半導体装置。
（４）前記第１の伝送線路及び前記第２の伝送線路がいずれもコプレーナ線路である、前記（１）から（３）のいずれかに記載の半導体装置。
（５）前記第１の伝送線路及び前記第２の伝送線路のうち、一方がコプレーナ線路であり、他方がマイクロストリップ線路である、前記（１）から（３）のいずれかに記載の半導体装置。
（６）前記第１の伝送線路及び前記第２の伝送線路がいずれもマイクロストリップ線路である、前記（１）から（３）のいずれかに記載の半導体装置。
（７）前記第１の伝送線路の特性インピーダンスＺａと、前記第２の伝送線路の特性インピーダンスＺｂとに対して、前記信号線用のビア層と前記第２のビア層とを含むビア部の特性インピーダンスが、√（Ｚａ×Ｚｂ）である、前記（１）から（６）のいずれかに記載の半導体装置。