(57)【要約】【課題】被処理物の大型化に対応して吹出ノズルが長大化しても、吹出ノズルのメンテナンスを容易に行うことができる表面処理装置を提供する。【解決手段】表面処理装置１の吹出ノズル２は、吹出口２ｃを有して巾方向Ｗに延びている。吹出ノズル２は、巾方向Ｗの第１側の第１分割ノズル１０と、巾方向Ｗの第２側の第２分割ノズル２０とに分割されている。分割ノズル１０，２０どうしの接合面３０が、巾方向Ｗに互いにずれた一対の当接面３１，３２を有し、これら当接面３１，３２間に段差３３が形成されている。分割ノズル１０，２０が、それぞれ吹出口２ｃを挟んで搬送方向Ｙの両側の一対の分割ノズル部材１１，１２，２３，２４に分割されている。【選択図】図１
2013069851.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応ガスを巾方向に延びる吹出口から吹き出して、前記巾方向と直交する搬送方向に相対移動される被処理物に前記反応ガスを接触させる表面処理装置において、
前記吹出口を有して前記巾方向に延びる吹出ノズルを備え、
前記吹出ノズルが前記巾方向の第１側の第１分割ノズルと、前記巾方向の第２側の第２分割ノズルとに分割され、
前記第１、第２分割ノズルどうしの接合面が、前記巾方向に互いにずれた一対の当接面を有し、これら一対の当接面どうしの間に段差が形成され、
さらに、前記第１分割ノズル及び前記第２分割ノズルが、それぞれ前記吹出口を挟んで前記搬送方向の両側の一対の分割ノズル部材に分割されていることを特徴とする表面処理装置。
【請求項２】
前記第１分割ノズルの前記吹出口の内面を画成する面と、前記第２分割ノズルの前記段差を画成する面とが、互いに面一になっていることを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。
【請求項３】
前記吹出口における前記第１分割ノズル内に設けられた部分と前記第２分割ノズル内に設けられた部分とが前記巾方向に一直線に連なり、前記第１、第２分割ノズルにおける前記吹出口よりも前記搬送方向の互いに同じ側に配置された分割ノズル部材どうしの接合面が、前記一対の当接面を含むことを特徴とする請求項１に記載の表面処置装置。
【請求項４】
前記吹出ノズルが、前記第１分割ノズルと前記第２分割ノズルとに跨ってこれら第１、第２分割ノズルを連結する継部材を更に備え、前記継部材が、前記吹出口を挟んで前記搬送方向の両側の一対の分割継部材に分割されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の表面処理装置。
【請求項５】
前記第１分割ノズル又は前記第２分割ノズルにおける前記一対の分割ノズル部材どうしの間に環状のスペーサが挟まれ、且つ前記一対の分割ノズル部材どうしが、前記環状のスペーサ内を通る連結ボルトにて連結されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、反応ガスを吹出ノズルからガラス基板等の被処理物に吹き付け、上記被処理物を表面処理する表面処理装置に関し、特に、大型の被処理物に適した吹出ノズルを有する表面処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス基板等の被処理物に反応ガスを吹き付けてエッチング等の表面処理を行なう装置は公知である（特許文献１，２参照）。この種の表面処理装置には、反応ガスを被処理物に向けて吹き出すノズルが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２９４６４２号公報
【特許文献２】特開２０１０−０８２４９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、例えばフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造分野等では、ガラス基板等の被処理物が大型化する傾向にある。これに対応して、反応ガスを吹き出すノズルについても大型被処理物の巾寸法程度の長さにすることが求められている。一方、ノズルは、反応ガス中の反応成分との接触によって経年劣化していく。そのため、ある程度の期間使用したら劣化した部材を交換する等のメンテナンスが必要であるが、交換すべき部材が大型被処理物の巾寸法程度の長さを有していると、資材コストが嵩み、交換作業も容易でない。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記問題点を解決するために、本発明は、反応ガスを巾方向に延びる吹出口から吹き出して、前記巾方向と直交する搬送方向に相対移動される被処理物に前記反応ガスを接触させる表面処理装置において、
前記吹出口を有して前記巾方向に延びる吹出ノズルを備え、
前記吹出ノズルが前記巾方向の第１側の第１分割ノズルと、前記巾方向の第２側の第２分割ノズルとに分割され、
前記第１、第２分割ノズルどうしの接合面が、前記巾方向に互いにずれた一対の当接面を有し、これら一対の当接面どうしの間に段差が形成され、
さらに、前記第１分割ノズル及び前記第２分割ノズルが、それぞれ前記吹出口を挟んで前記搬送方向の両側の一対の分割ノズル部材に分割されていることを特徴とする。
これによって、吹出ノズルのメンテナンスに際しては、劣化した部分を含む分割ノズル部材だけを交換すればよい。したがって、資材コストを低減でき、かつ交換する部材が短小な分だけ交換作業を容易化できる。ノズル内に汚れが付着したときの掃除も容易である。また、第１分割ノズルと第２分割ノズルの接合面を段差状にすることで、これらノズルの連結作業を容易化でき、連結精度を向上させることができる。
【０００６】
ここで、前記第１分割ノズルの前記吹出口の内面を画成する面と、前記第２分割ノズルの前記段差を画成する面とが、互いに面一になっていてもよい。この構造によれば、吹出ノズルの組立の際は、前記第１分割ノズルの前記吹出口の内面を画成する面と、前記第２分割ノズルの前記段差を画成する面とを互いに面一になるよう揃えることで、第１、第２分割ノズルどうしを精度良く継ぎ足すことができる。
前記第１分割ノズル内の前記吹出口と前記第２分割ノズル内の前記吹出口とが前記搬送方向にずれていてもよい。
【０００７】
前記吹出口における前記第１分割ノズル内に設けられた部分と前記第２分割ノズル内に設けられた部分とが前記巾方向に一直線に連なり、前記第１、第２分割ノズルにおける前記吹出口よりも前記搬送方向の互いに同じ側に配置された分割ノズル部材どうしの接合面が、前記一対の当接面を含んでいてもよい。この構造によれば、吹出ノズルと被処理物との間の反応ガス流を前記巾方向に均一化できる。
【０００８】
前記吹出ノズルが、前記第１分割ノズルと前記第２分割ノズルとに跨ってこれら第１、第２分割ノズルを連結する継部材を更に備え、前記継部材が、前記吹出口を挟んで前記搬送方向の両側の一対の分割継部材に分割されていてもよい。この構造によれば、第１分割ノズルと第２分割ノズルの接合面どうしがぴったり合わさっていなくても、継部材によって第１、第２分割ノズルを確実に連結できる。第１、第２分割ノズルの接合面どうし間に加工誤差や組み立て誤差によって隙間ができても、その隙間を継部材によって塞ぐことができ、封止性を向上できる。したがって、ノズル構成部材の加工の要求精度を緩和でき、嵌め合わせ作業を容易に行なうことができる。
【０００９】
前記第１分割ノズル又は前記第２分割ノズルにおける前記一対の分割ノズル部材どうしの間に環状のスペーサが挟まれ、且つ前記一対の分割ノズル部材どうしが、前記環状のスペーサ内を通る連結ボルトにて連結されていることが好ましい。これによって、一対の分割ノズル部材どうしの間隔を維持しながら。これら一対の分割ノズル部材どうしを連結できる。吹出口内の連結ボルトを環状スペーサで包むことで、連結ボルトが反応ガスに触れて劣化するのを防止できる。環状スペーサを小さくすることで、反応ガスの流れに及ぼす影響を小さくできる。
前記環状スペーサ及びボルトは、前記接合面の近くに配置することが好ましい。第１、第２分割ノズルの前記巾方向の長さによっては、前記環状スペーサ及びボルトを第１分割ノズル又は第２分割ノズルの前記巾方向の中間部に１又は複数設けてもよい。
【００１０】
本発明は、大気圧近傍下で行なう表面処理に好適である。前記反応ガスは大気圧近傍下で原料ガスをプラズマ化することによって生成することが好ましい。ここで、大気圧近傍とは、１．０１３×１０４〜５０．６６３×１０４Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０４〜１０．６６４×１０４Ｐａが好ましく、９．３３１×１０４〜１０．３９７×１０４Ｐａがより好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、被処理物の大型化に対応して吹出ノズルが長大化しても、その構成部材を短くできる。更には、吹出口を挟んで両側部分を互いに別々の部材にて構成できる。したがって、吹出ノズルのメンテナンスに際して、劣化した部分を含む構成部材だけを交換すればよく、資材コストを低減でき、かつ交換作業を容易化できる。ノズル内に汚れが付着したときの掃除も容易である。加えて、第１分割ノズルと第２分割ノズルの接合面を段差状にすることで、これら第１、第２分割ノズルの連結作業を容易化でき、連結精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る表面処理装置を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う上記表面処理装置の側面断面図である。
【図３】上記表面処理装置のノズルの接合部を図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って示す平面断面図である。
【図４】上記表面処理装置のノズルの斜視図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る表面処理装置を示す平面図である。
【図６】上記第２実施形態に係る表面処理装置のノズルの斜視図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る表面処理装置を示す平面図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う上記表面処理装置のノズルの正面断面図である。
【図９】上記第３実施形態に係る表面処理装置のノズルの斜視図である。
【図１０】上記第１実施形態に係るノズルの接合構造の変形例を示す斜視図である。
【図１１】上記第２実施形態に係るノズルの接合構造の変形例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。
図１〜図４は、本発明の第１実施形態を示したものである。図１及び図２に示す被処理基板９は、例えばフラットパネルディスプレイ等の半導体装置になるべきガラス基板である。ガラス基板９は、ＳｉＯ２等のシリコン含有物を主成分として含み、四角形の平板状をなしている。ガラス基板９のＷ方向（巾方向、図１の上下方向）の寸法は、１１００ｍｍ〜１５００ｍｍ程度であり、ガラス基板９のＸ方向（巾方向と直交する搬送方向、図１の左右方向）の寸法は、１３００ｍｍ〜１８００ｍｍ程度である。ガラス基板９の厚さは、例えば０．５ｍｍ〜０．７ｍｍ程度である。この実施形態では、表面処理装置１によってガラス基板９の裏面（下面）を軽く粗化（ライトエッチング）する。なお、ガラス基板９の処理対象面は、裏面に限られず、おもて面であってもよい。ここで、ガラス基板９のおもて面とは、絶縁層、導電層、半導体層等の各種電子素子層が設けられるべき側の面を言う。
【００１４】
図１及び図２に示すように、表面処理装置１は、吹出ノズル２と、外筺３を備えている。外筺３は、第１筺体３ａと、第２筺体３ｂに分割されている。各筺体３ａ，３ｂは、上面が開口された箱状になっている。第１筺体３ａは、相対的にＷ方向の第１側（図１の下側）に配置され、第２筺体３ｂは、相対的にＷ方向の第２側（図１の上側）に配置されている。これら筺体３ａ，３ｂの互いに向き合う壁どうしが突き当てられ、ボルト（図示省略）等の連結手段にて連結されている。
【００１５】
筺体３ａ，３ｂの上方に天板３ｃが配置されている。天板３ｃは、外筺３のＷ方向の両側の端壁の上端部によって支持されている。図示は省略するが、天板３ｃには温調手段が組み込まれている。例えば、上記温調手段は、プレートヒータにて構成されている。或いは、上記天板３ｃの内部に冷却水等の温調媒体を通す温調路が形成されることで、この温調路が温調手段を構成していてもよい。
【００１６】
図１に示すように、外筺３の内部に吹出ノズル２が収容されている。図４に示すように、吹出ノズル２の全体形状は、Ｗ方向に長く延びる概略直方体になっている。図１に示すように、吹出ノズル２のＷ方向の長さは、被処理基板９のＷ方向の寸法より少し大きい。図２に示すように、吹出ノズル２の平らな上面が天板３ｃと対向している。天板３ｃの下面と吹出ノズル２の上面との間に処理空間４が形成されている。被処理基板９が、Ｘ方向に搬送され、処理空間４に通される。
【００１７】
図４に示すように、吹出ノズル２には、吹出口２ｃが設けられている。吹出口２ｃは、吹出ノズル２の全長にわたって設けられている。吹出口２ｃの上端部が、吹出ノズル２の上面に達している。
【００１８】
図２に示すように、吹出ノズル２の下側には、ガス均一化部５が設けられている。吹出ノズル２がガス均一化部５を介して外筺３の底部に支持されている。詳細な図示は省略するが、ガス均一化部５は、Ｗ方向に延びるチャンバー、Ｗ方向に延びるスリット、Ｗ方向に分散して配置された多数の小孔等からなるガス均一化路を含む。反応ガス供給源６からの反応ガス供給路６ａがガス均一化路の上流端に連なっている。ガス均一化路の下流端に吹出口２ｃが連なっている。供給路６ａからのガスが、ガス均一化路を通過することによってＷ方向に均一化される。均一化後のガスが吹出口２ｃの下端部に導入される。このガスが吹出口２ｃを通り、吹出口２ｃから処理空間４へ吹き出される。
【００１９】
上記供給源６からの反応ガスは、表面処理の内容に応じた反応成分を含む。この実施形態の反応成分は、ＨＦ、ＣＯＦ２、Ｆ＊等のフッ素系反応成分にて構成されている。反応ガス供給源６は、例えば、互いに対向する一対の電極６ｅ，６ｅを含む。これら電極６ｅ，６ｅどうしの間に電界を印加することで、大気圧近傍のプラズマ放電が生成される。この電極間のプラズマ放電空間６ｐに原料ガスが供給されてプラズマ化される。原料ガスは、フッ素含有化合物と、水素含有化合物と、放電生成ガスとを含む。フッ素含有化合物としては、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ３Ｆ８等の他のＰＦＣ（パーフルオロカーボン）や、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ等のＨＦＣ（ハイドロフルオロカーボン）が挙げられ、その他、ＳＦ６、ＮＦ３、ＸｅＦ２等が挙げられる。ここでは、フッ素含有化合物としてＣＦ４が用いられている。水素含有化合物としては、水、アルコール（ＯＨ基含有化合物）、過酸化水素等が挙げられる。ここでは、水素含有化合物として、Ｈ２Ｏが用いられている。放電生成ガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ等の希ガスや、窒素が挙げられる。ここでは、放電生成ガスとして、Ｎ２が用いられている。放電生成ガスは、フッ素含有化合物濃度を希釈する希釈ガスとしての機能、並びにフッ素含有化合物及び水素含有化合物を吹出ノズル２へ搬送するキャリアガスとしての機能をも併有している。上記原料ガスがプラズマ放電空間６ｐにおいてプラズマ化されることで、ＨＦ等のフッ素系反応成分を含む反応ガスが生成される。
【００２０】
吹出ノズル２の構造を更に詳述する。
図１及び図４に示すように、吹出ノズル２は、第１分割ノズル１０と、第２分割ノズル２０とに分割されている。第１分割ノズル１０は、Ｗ方向の第１側（図１において下側）に配置され、第２分割ノズル２０は、Ｗ方向の第２側（第１側とは反対側、図１において上側）に配置されている。第１分割ノズル１０と第２分割ノズル２０がＷ方向に一列に並べられ、かつ互いに分離可能に接合されている。分割ノズル１０，２０の上面（処理空間４の底部を画成する面）は互いに面一になっている。第１分割ノズル１０のＸ方向の各側面と、第２分割ノズル２０のＸ方向の同じ側の側面とは、互いに面一になっている。
【００２１】
図１及び図４に示すように、第１分割ノズル１０と第２分割ノズル２０の接合面３０は段差状になっている。すなわち、接合面３０は、Ｗ方向にずれた一対の当接面３１，３２を有している。これら当接面３１，３２どうし間に段差３３が形成されている。第１の当接面３１は、相対的にＷ方向の第１側に位置している。第２の当接面３２は、相対的にＷ方向の第２側に位置している。分割ノズル１０，２０の第１当接面３１を構成する面どうしが、互いに突き当てられている。かつ、分割ノズル１０，２０の第２当接面３２を構成する面どうしが、互いに突き当てられている。
【００２２】
さらに、第１分割ノズル１０及び第２分割ノズル２０は、それぞれ吹出口２ｃを挟んでＸ方向の両側の一対の分割ノズル部材に分割されている。詳述すると、図１及び図４に示すように、第１分割ノズル１０は、第１の分割ノズル部材１１と、第２の分割ノズル部材１２とに分割されている。これら分割ノズル部材１１，１２が、間隙１０ｃを挟んで平行に並べられている。間隙１０ｃは、吹出口２ｃにおけるＷ方向の中央部より第１側の部分を構成する。第２分割ノズル２０は、第３の分割ノズル部材２３と、第４の分割ノズル部材２４とに分割されている。これら分割ノズル部材２３，２４が、間隙２０ｃを挟んで平行に並べられている。間隙２０ｃは、吹出口２ｃにおけるＷ方向の中央部より第２側の部分を構成する。第３分割ノズル部材２３は、吹出口２ｃよりも第１分割ノズル部材１１と同じ側に配置されている。第４分割ノズル部材２４は、吹出口２ｃよりも第２分割ノズル部材１２と同じ側に配置されている。４つの分割ノズル部材１１，１２，２３，２４は、反応ガスに対して耐性が高いフッ素系樹脂等の樹脂にて構成されている。
【００２３】
図１及び図４に示すように、各分割ノズル部材１１，１２，２３，２４の概略形状は、それぞれＷ方向に長い直方体形状をなしている。第１分割ノズル部材１１は、第２分割ノズル部材１２よりＷ方向に長く、第２分割ノズル部材１２よりもＷ方向の第２側に突出している。第３分割ノズル部材２３と第４分割ノズル部材２４のＷ方向の長さは互いに等しく、これら分割ノズル部材２３，２４の第１側（ノズル２の中央側）の端面が面一に揃えられている。また、第３分割ノズル部材２３の第１側の端部には、切欠凹部２５が形成されている。切欠凹部２５は、第３分割ノズル部材２３の第１側の端面及び間隙２０ｃとは反対側の側面に達している。切欠凹部２５のＷ方向の第２側の内面２５ｂと、間隙２０ｃ側の内面２５ｃとは直角に交差している。
【００２４】
第１分割ノズル部材１１のＷ方向の第２側の端部（部材１２よりも第２側に突出する部分）が、切欠凹部２５に挿入され、内面２５ｂに突き当てられている。これら部材１１，２３の互いに突き当てられた面が、第２当接面３２を構成している。分割ノズル部材１１，２３どうしがボルト等にて連結されていてもよい。
【００２５】
第３、第４分割ノズル部材２３，２４の第１側の互いに面一をなす端面には、第２分割ノズル部材１２の第２側の端面が突き当てられている。これら部材１２及び２３，２４の互いに突き当てられた面が、第１当接面３１を構成している。分割ノズル部材１２，２４どうしがボルト等にて連結されていてもよい。
【００２６】
第１分割ノズル部材１１のＸ方向の寸法は、第２分割ノズル部材１２のＸ方向の寸法より小さく、これら部材１１，１２間の間隙１０ｃがＸ方向の一側（図１において左）に偏って配置されている。第３分割ノズル部材２３のＸ方向の寸法は、第４分割ノズル部材２４のＸ方向の寸法より大きく、これら部材２３，２４間の間隙２０ｃが、Ｘ方向の他側（図１において右）に偏って配置されている。したがって、吹出口２ｃにおける第１分割ノズル１０内に設けられた部分１０ｃと第２分割ノズル２０内に設けられた部分２０ｃとが、Ｘ方向にずれている。
【００２７】
図３に示すように、第２分割ノズル部材１２における間隙１０ｃ側の面（吹出口２ｃの内面を画成する面）と、第３分割ノズル部材２３の切欠凹部２５の内面２５ｃ（段差３３を画成する面）とは、互いに面一になっている。上記内面２５ｃと、第１分割ノズル部材１１の切欠凹部２５に挿入された部分との間には、間隙１０ｄが形成されている。間隙１０ｄは、第１、第２分割ノズル部材１１，１２間の間隙１０ｃに一直線に連なり、吹出口２ｃのＷ方向の中央部分を構成している。
【００２８】
図１に示すように、分割ノズル部材１１，１２の第１側の端部どうし間には、平板状のスペーサ４１が挟まれている。分割ノズル部材２３，２４の第２側の端部どうし間には、別の平板状のスペーサ４１が挟まれている。分割ノズル部材２３，２４の第１側（接合面３０の近く）の端部どうし間には、平板状のスペーサ４２が挟まれている。スペーサ４２は、切欠凹部２５のＷ方向の寸法と同じ大きさの巾を有している。スペーサ４２によって、間隙２０ｃのうち間隙１０ｄとＸ方向に重複する部分が埋められている。これら平板スペーサ４１，４２は、反応ガスに対して耐性が高いフッ素系樹脂等の樹脂にて構成されている。
【００２９】
図３に示すように、分割ノズル部材１１，１２どうし間の第２側（接合面３０の近く）の端部には、環状のスペーサ４３が設けられている。環状スペーサ４３の外径は、後記連結ボルト５３の脚部の外径より少し大きい程度であり、平板スペーサ４１，４２の大きさに比べると十分に小さい。環状スペーサ４３は、軸線をＸ方向に向け、その軸方向の両端部が分割ノズル部材１１，１２にそれぞれ埋め込まれている。環状スペーサ４３は、反応ガスに対して耐性が高いフッ素系樹脂等の樹脂にて構成されている。これら平板スペーサ４１，４２及び環状スペーサ４３によって間隙１０ｃ，２０ｃの厚みが確保されている。
【００３０】
図１に示すように、分割ノズル部材１１，１２の第１側の端部どうしは、連結ボルト５１によって連結されている。分割ノズル部材２３，２４の第２側の端部どうしは、別の連結ボルト５１によって連結されている。図３に示すように、分割ノズル部材２３，２４の第１側（接合面３０の側）の端部どうしは、別の連結ボルト５１によって連結されている。これら連結ボルト５１は、それぞれ平板スペーサ４１，４２を貫通している。したがって、連結ボルト５１が反応ガスに直接的に触れることはない。
【００３１】
図３に示すように、分割ノズル部材１１，１２の第２側（接合面３０の側）の端部どうしは、連結ボルト５３によって連結されている。連結ボルト５３は、環状スペーサ４３の中心穴に通されている。したがって、連結ボルト５３が反応ガスに直接的に触れることはない。
なお、第１分割ノズル１０又は第２分割ノズル２０のＷ方向の中間部にも、環状スペーサ４３及び連結ボルト５３を設けることにしてもよい。
【００３２】
分割ノズル１０，２０のＸ方向の両側の側部にそれぞれ鍔６０が設けられている。鍔６０の上面は分割ノズル１０，２０の上面と面一になっている。鍔６０によって、処理空間４が吹出ノズル２のＸ方向の両側に延長されている。
【００３３】
鍔６０には収容穴６１が形成されている。収容穴６１には、円盤状の回転体６２が、軸線をＷ方向に向けて回転可能に取り付けられている。回転体６２の上端部が、吹出ノズル２の上面より僅かに突出している。回転体６２によって、被処理基板９が支持される。図示しない搬送手段によって被処理基板９がＸ方向に押されるのに伴い、回転体６２が、被処理基板９との摩擦によって回転することで被処理基板９をＸ方向に案内する。
【００３４】
外筺３のＸ方向の両側の各壁の上端部と鍔６０の先端部との間に吸込み口７ｃが形成されている。処理空間４のＸ方向の両端部が、それぞれ吸込み口７ｃに連なっている。吸込み口７ｃは、外筺３の内側面と吹出ノズル２の外側面との間の吸込み路７ｄを介して排気路７ａに連なっている。排気路７ａが吸引排気手段７に接続されている。吸引排気手段７は、真空ポンプの他、スクラバ等の除害設備を含む。
【００３５】
上記のように構成された表面処理装置１によって、被処理基板９を表面処理する方法を説明する。
被処理基板９を、図示しない搬送手段によってＸ方向に搬送し、処理空間４に通す。反応ガス供給源によってフッ素系原料ガスをプラズマ化して、ＨＦ等のフッ素系反応成分を含む反応ガスを生成する。この反応ガスを、供給路６ａを介してガス均一化部５に導入する。ガス均一化部５は、反応ガスをＷ方向に均一化する。この反応ガスを吹出口２ｃから処理空間４へ吹き出す。反応ガスの吹出し流は、Ｗ方向に均一な流れになる。この反応ガスが、処理空間４内の被処理基板９の下面に接触する。そして、反応ガス中の水分子又は処理空間４内の雰囲気ガス中の水分子が、反応ガス中のＨＦと共に被処理基板９の下面に凝縮して、被処理基板９の下面にフッ酸凝縮層が形成される。このフッ酸が被処理基板９の下面の表層を構成するシリコン含有物と反応する。これによって、被処理基板９の下面を軽く粗化することができる。
【００３６】
併行して、天板３ｃに内蔵の温調手段によって被処理基板９を温調し、例えば被処理基板９の上面を少し加熱する。これによって、被処理基板９の上面にフッ酸凝縮層が形成されるのを抑制又は防止できる。ひいては、被処理基板９の上面（おもて面）が粗化処理されるのを抑制又は回避できる。
【００３７】
さらに、図示しない排気手段を駆動することで、処理済みの反応ガスを処理空間４のＸ方向の両端部から吸込み口７ｃに吸い込み、吸込み路７ｄ及び排気路７ａを順次経て排出する。
【００３８】
表面処理装置１によれば、被処理基板９が大型であっても分割ノズル１０，２０をＷ方向に継ぎ足すことで、吹出ノズル２を大型の被処理基板９の巾寸法に対応する大きさにすることができる。これによって、被処理基板９のＷ方向の全域を一度に表面処理できる。吹出口２ｃからの吹き出し流をＷ方向に均一化することで、被処理基板９の表面処理の度合いをＷ方向に均一化できる。さらに、間隙２０ｃにおける間隙１０ｄとＸ方向に重複する部分を平板スペーサ４２にて埋めることで、表面処理の均一性を確実に確保できる。吹出口２ｃのＷ方向の中間部には小径の環状スペーサ４３を設けることで、スペーサ４３による反応ガスの流れへの影響を充分に小さくでき、反応ガス流の均一性を確保できる。
【００３９】
吹出ノズル２がＷ方向に長大化しても、分割構造にすることで、その構成部材１１，１２，２３，２４を短くできる。したがって、吹出ノズル２のメンテナンスに際して、これら構成部材１１，１２，２３，２４のうち劣化した部分を含む部材だけを交換すればよく、資材コストを低減でき、かつ交換対象の部材が短小な分だけ交換作業を容易化できる。ノズル２の内部に汚れが付着したときの掃除も容易である。加えて、第１分割ノズル１０と第２分割ノズル２０の接合面３０を段差にすることで、これら分割ノズル１０，２０の嵌め合いが容易になる。すなわち、ノズル２の組立の際は、第１分割ノズル部材１１を第３分割ノズル部材２３の切欠凹部内面２５ｂに突き当て、かつ、第２分割ノズル部材１２を第３、第４分割ノズル部材２３，２４の第１側の端面に突き当てるとともに、第２分割ノズル部材１２の間隙１０ｃを画成する面と、第３分割ノズル部材２３の切欠凹部内面２５ｃとを面一に揃える。これによって、２つの分割ノズル１０，２０を精度良く継ぎ足すことができる。さらに、外筺３についても分割構造にすることで、その構成部材３ａ，３ｂを短くでき、メンテナンスを容易化できる。
４つの分割ノズル部材のうち３つの分割ノズル部材１１，１２，２４については、直方体形状に形成すればよく、分割ノズル部材１１，１２，２４自体に切欠凹部や段差を形成する必要がない。したがって、製作が容易であり、加工精度を高くできる。
【００４０】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述の形態と重複する構成に関しては、図面に同一符号を付して説明を省略する。
図５及び図６は、本発明の第２実施形態を示したものである。第２実施形態では、吹出口２ｃが、ノズル２のＸ方向のちょうど中央部に配置され、かつノズル２のＷ方向の全長にわたって一直線に延びている。すなわち、吹出口２ｃにおける第１分割ノズル１０内に設けられた部分１０ｃと、第２分割ノズル１０内に設けられた部分２０ｃとが、Ｗ方向に一直線に連なっている。第１分割ノズル部材１１と第３分割ノズル部材２３のＷ方向の寸法は互いに等しく、これら部材１１，２３における吹出口２ｃの内面を画成する面どうしが面一になっている。第２分割ノズル部材１２と第４分割ノズル部材２４のＷ方向の寸法は互いに等しく、これら部材１２，２４における吹出口２ｃの内面を画成する面どうしが面一になっている。
【００４１】
さらに、第２実施形態では、吹出口２ｃを挟んで両側の接合面３０ａ，３０ｂがそれぞれ段差状になっている。すなわち、吹出口２ｃよりもＸ方向の互いに同じ側に配置された分割ノズル部材どうしの接合面３０ａ，３０ｂが段差状になっている。詳述すると、図５に示すように、第１、第３分割ノズル部材１１，２３どうしの接合面３０ａは、一対の当接面３１ａ，３２ａを含む。これら当接面３１ａ，３２ａは、互いにＷ方向にずれており、これら当接面３１ａ，３２ａどうしの間に段差３３ｂが形成されている。同様に、第２、第４分割ノズル部材１２，２４どうしの接合面３０ｂは、一対の当接面３１ｂ，３２ｂを含む。これら当接面３１ｂ，３２ｂは、互いにＷ方向にずれており、これら当接面３１ｂ，３２ｂどうしの間に段差３３ｂが形成されている。
【００４２】
図５に示すように、２つの接合面３０ａ，３０ｂは、吹出口２ｃに関して対称状になっている。何れの接合面３０ａ，３０ｂにおいても、第１側の当接面３１ａ，３１ｂがＸ方向の外側に位置し、第２側の当接面３２ａ，３２ｂがＸ方向の内側（吹出口２ｃの側）に位置している。
【００４３】
図５に示すように、第１分割ノズル１０における第２側（接合面３０ａ，３０ｂの近く）の端部には、第１実施形態と同様の環状スペーサ４３及び連結ボルト５３が設けられている。環状スペーサ４３によって間隙１０ｃの厚みが確保され、かつボルト５３によって分割ノズル部材１１，１２どうしが連結されている。第２分割ノズル２０における第１側（接合面３０ａ，３０ｂの近く）の端部にも、同様の環状スペーサ４３及び連結ボルト５３が設けられ、間隙２０ｃの厚みが確保されるとともに、分割ノズル部材２３，２４どうしが連結されている。
なお、第１分割ノズル１０又は第２分割ノズル２０のＷ方向の中間部にも、環状スペーサ４３及び連結ボルト５３を設けることにしてもよい。
【００４４】
第２実施形態では、吹出口２ｃから吸込み口７ｃまでのＸ方向の距離をＷ方向の位置によらず一定にできる。したがって、排気バランスを向上させることができ、処理空間４における反応ガスの流れをＷ方向に確実に均一にすることができる。また、接合面３０ａ，３０ｂをそれぞれ段差状にすることで、これら接合面３０ａ，３０ｂの封止性を高めることができる。
【００４５】
図７〜図９は、本発明の第３実施形態を示したものである。
図７に示すように、第３実施形態は、第２実施形態（図５、図６）の吹出ノズル２に継部材７０が付加されている。図９に示すように、継部材７０は、ブロック状になっており、吹出ノズル２の上面のＷ方向の中央部に配置され、第１分割ノズル１０と第２分割ノズル２０とに跨っている。図８に示すように、継部材７０の第１分割ノズル１０に被さる部分が、ボルト５７にて第１分割ノズル１０に連結されている。継部材７０の第２分割ノズル２０に被される部分が、別のボルト５７にて第２分割ノズル２０に連結されている。第１分割ノズル１０と第２分割ノズル２０が継部材７０を介して連結されている。これらボルト５７は、吹出ノズル２の上方から継部材７０を通して分割ノズル１０，２０にねじ込まれている。
なお、ボルト５７が、吹出ノズル２の下方から分割ノズル１０，２０を通して継部材７０にねじ込まれていてもよい。
【００４６】
図８に示すように、第１分割ノズル１０の上面のＷ方向の第２側の部分には、凹部１７が形成されている。第２分割ノズル２０の上面のＷ方向の第１側の部分には、凹部２７が形成されている。第１分割ノズル１０と第２分割ノズル２０とが接合されることで、これら分割ノズル１０，２０の凹部１７，２７どうしが連続して一体になっている。この凹部１７，２７に継部材７０が嵌め込まれている。継部材７０の上面と分割ノズル１０，２０の上面とは、互いに面一になっている。継部材７０の上面は、分割ノズル１０，２０の上面と共に処理空間４の底部を画成する画成面を構成する。継部材７０のＸ方向の各側面と、分割ノズル１０，２０のＸ方向の同じ側の側面とは互いに面一になっている。
なお、継部材７０を、ノズル２の上面（反応ガスの吹出し側）に代えて、ノズル２の下面（反応ガスのノズル２への導入側）に設けてもよい。
【００４７】
図７に示すように、継部材７０は、吹出口２ｃを挟んでＸ方向の両側の一対の分割継部材７１，７２に分割されている。第１の分割継部材７１は、第１分割ノズル部材１１と第３分割ノズル部材２３とに跨っている。２つの分割ノズル部材１１，２３が第１分割継部材７１を介して連結されている。第２の分割継部材７２は、第２分割ノズル部材１２と第４分割ノズル部材２４とに跨っている。２つの分割ノズル部材１２，２４が第２分割継部材７２を介して連結されている。
【００４８】
図９に示すように、分割継部材７１，７２どうしの間に間隙７０ｃが形成されている。間隙７０ｃは、継部材７０のＷ方向の全長にわたって延びている。間隙７０ｃの上端部が、継部材７０の上面に開口している。間隙７０ｃの下端部及びＷ方向の両端部が、間隙１０ｃ，２０ｃに連なっている。これら間隙１０ｃ，２０ｃ，７０ｃによって、吹出口２ｃが構成されている。
【００４９】
第３実施形態では、第１分割ノズル１０と第２分割ノズル２０の接合面どうしがぴったり合わさっていなくても、継部材７０によって分割ノズル１０，２０を確実に連結できる。かつ分割ノズル１０，２０の接合面どうし間に誤差による隙間があっても、その隙間を継部材７０によって上方から塞ぐことができ、封止性を向上できる。したがって、ノズル２の各構成部材１１，１２，２３，２４の加工の要求精度を緩和でき、嵌め合わせ作業を容易に行なうことができる。
【００５０】
本発明は、上記実施形態に限定されず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の態様を採用できる。
例えば、被処理物９は、ガラス基板に限られず、半導体ウェハや樹脂シート等でもよい。
吹出ノズルが、Ｗ方向に３つ以上のノズルに分割されていてもよい。その場合、これら３つ以上の分割ノズルのうちＷ方向に隣り合う２つの分割ノズルの一方が、第１分割ノズルを構成し、上記２つの分割ノズルの他方が、第２分割ノズルを構成する。
分割ノズル１０，２０の接合構造は、その接合面が段差状になっていればよく、種々の改変をなすことができる。例えば、図１０に示すように、第１実施形態の変形態様として、第２分割ノズル部材１２に代えて、第１分割ノズル部材１１における吹出口１０ｃの内面を画成する面と、第３分割ノズル部材２３の切欠凹部２５の段差画成面２５ｃとが面一をなし、第１分割ノズル部材１１の上記吹出口画成面の第２側の端部が、上記段差画成面２５ｃに当接していてもよい。
第２実施形態において、吹出口２ｃを挟んで両側の接合面３０ａ，３０ｂは必ずしも対称状でなくてもよい。例えば、図１１に示すように、片側の接合面３０ｂの第１当接面３１ｂがＸ方向の内側に配置され、かつ第２当接面３２ｂがＸ方向の外側に配置されていてもよい。
吹出口２ｃを挟んで両側の接合面３０ａ，３０ｂがＷ方向にずれていてもよい。
複数の実施形態を互いに組み合わせてもよい。例えば、第１実施形態の分割ノズル１０，２０についても継部材７０にて連結してもよい。
本発明は、エッチング（表面粗化）に限られず、洗浄、成膜、表面改質（撥水化、親水化を含む）等の種々の表面処理に適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、例えばフラットパネルディスプレイ等の半導体装置の製造に適用できる。
【符号の説明】
【００５２】
１      表面処理装置
２      吹出ノズル
２ｃ    吹出口
３      外筺
３ａ    第１筺体
３ｂ    第２筺体
３ｃ    天板
４      処理空間
５      ガス均一化部
６      反応ガス供給源
６ａ    反応ガス供給路
６ｅ    電極
６ｐ    プラズマ化空間
７      排気手段
７ａ    排気路
７ｃ    吸込み口
７ｄ    吸込み路
９      ガラス基板（被処理物）
１０    第１分割ノズル
１０ｃ  間隙（吹出口における第１分割ノズル内の部分）
１０ｄ  間隙（吹出口の中央部分）
１１    第１分割ノズル部材
１２    第２分割ノズル部材
１７    継部材収容凹部
２０    第２分割ノズル
２０ｃ  間隙（吹出口における第２分割ノズル内の部分）
２３    第３分割ノズル部材
２４    第４分割ノズル部材
２５    切欠凹部
２５ｂ  切欠凹部内面
２５ｃ  切欠凹部の段差画成面  
２７    継部材収容凹部
３０    接合面
３０ａ，３０ｂ  接合面
３１    当接面
３１ａ，３１ｂ  当接面
３２    当接面
３２ａ，３２ｂ  接合面
３３    段差
３３ａ，３３ｂ  段差
４１，４２  平板スペーサ
４３    環状スペーサ
５１    連結ボルト
５３    環状スペーサ用連結ボルト
５７    継部材連結ボルト
６０    鍔
６１    収容穴
６２    回転体
７０    継部材
７０ｃ  間隙
７１    第１分割継部材
７２    第２分割継部材
【図１】
2013069851.tif 000003
【図２】
2013069851.tif 000004
【図３】
2013069851.tif 000005
【図４】
2013069851.tif 000006
【図５】
2013069851.tif 000007
【図６】
2013069851.tif 000008
【図７】
2013069851.tif 000009
【図８】
2013069851.tif 000010
【図９】
2013069851.tif 000011
【図１０】
2013069851.tif 000012
【図１１】
2013069851.tif 000013