Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月19日(2014.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画データを入力する入力手段と、
第１のオブジェクトと第２のオブジェクトを含む、前記動画データに関する付帯情報を生成する手段であって、第１の更新周期で前記第１のオブジェクトを更新し、前記第１の更新周期とは異なる第２の更新周期で前記第２のオブジェクトを更新する生成手段と、
前記動画データと前記付帯情報とを多重する多重手段と、
前記動画データにおける、前記第１の更新周期に対応したフレームに前記第１のオブジェクトの付帯情報を多重し、前記第２の更新周期に対応したフレームに前記第２のオブジェクトの付帯情報を多重し、前記第１の更新周期に対応したフレーム以外のフレームに前記第１のオブジェクトの付帯情報を多重しないようにし、前記第２の更新周期に対応したフレーム以外のフレームに前記第２のオブジェクトの付帯情報を多重しないように前記多重手段を制御する制御手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記多重手段から出力されたデータを記録媒体に記録する記録手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
動画データを入力する入力工程と、
第１のオブジェクトと第２のオブジェクトを含む、前記動画データに関する付帯情報を生成する工程であって、第１の更新周期で前記第１のオブジェクトを更新し、前記第１の更新周期とは異なる第２の更新周期で前記第２のオブジェクトを更新する生成工程と、
前記動画データと前記付帯情報とを多重する多重工程と、
前記動画データにおける、前記第１の更新周期に対応したフレームに前記第１のオブジェクトの付帯情報を多重し、前記第２の更新周期に対応したフレームに前記第２のオブジェクトの付帯情報を多重し、前記第１の更新周期に対応したフレーム以外のフレームに前記第１のオブジェクトの付帯情報を多重しないようにし、前記第２の更新周期に対応したフレーム以外のフレームに前記第２のオブジェクトの付帯情報を多重しないように前記多重工程を制御する制御工程と
を備えることを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像処理装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかしながら、ビットマップデータは非常に大きなデータであるため、多くの属性情報を多重化すると、動画像データのビットレートを落とさなければ、動画処理システム全体のビットレートを維持できなくなるという課題がある。
本発明は、前記の課題を解決し、付帯情報を効率的に動画データに多重することができる装置を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため、本件発明の画像処理装置は、動画データを入力する入力手段と、第１のオブジェクトと第２のオブジェクトを含む、動画データに関する付帯情報を生成する手段であって、第１の更新周期で第１のオブジェクトを更新し、第１の更新周期とは異なる第２の更新周期で第２のオブジェクトを更新する生成手段と、動画データと付帯情報とを多重する多重手段と、動画データにおける、第１の更新周期に対応したフレームに第１のオブジェクトの付帯情報を多重し、第２の更新周期に対応したフレームに第２のオブジェクトの付帯情報を多重し、第１の更新周期に対応したフレーム以外のフレームに第１のオブジェクトの付帯情報を多重しないようにし、第２の更新周期に対応したフレーム以外のフレームに第２のオブジェクトの付帯情報を多重しないように多重手段を制御する制御手段を備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、付帯情報を効率的に動画データに多重することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
次に、図１を参照し、本発明を動画記録装置に適用した実施形態を説明する。図１は、動画記録装置の構成を示すブロック図である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月18日(2013.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】デジタルコンテンツ受信装置およびデジタルコンテンツ受信方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信されたデジタルコンテンツを受信するデジタルコンテンツ受信装置において、
前記デジタルコンテンツはＭＰＥＧトランスポートストリーム方式のコンテンツであり、
前記デジタルコンテンツのＭＰＥＧトランスポートストリームは、映像エレメンタリーストリームと、前記デジタルコンテンツに関する番組情報を記載したイベントインフォメーションテーブルとを含み、
前記イベントインフォメーションテーブルには、前記デジタルコンテンツの番組の中に３Ｄ映像を含むかどうかを示す情報を配置することができ、
前記デジタルコンテンツのＭＰＥＧトランスポートストリームの映像エレメンタリーストリームには、識別情報を配置することができ、
前記識別情報は、前記デジタルコンテンツの映像エレメンタリーストリーム内の映像が３Ｄ映像であるか２Ｄ映像であるかを識別可能な情報であり、
送信された前記デジタルコンテンツを受信する受信部と、
前記受信部で受信した前記デジタルコンテンツを復号する復号部と、
前記受信部で受信した前記デジタルコンテンツに関する番組情報または前記復号部で復号した映像を出力する出力部と、
前記受信部と前記復号部と前記出力部とを制御する制御部とを備え、
前記制御部による制御状態は、
前記イベントインフォメーションテーブルに配置される、前記デジタルコンテンツの番組の中に３Ｄ映像を含むかどうかを示す情報に応じて、前記デジタルコンテンツの番組の中に３Ｄ映像を含むかどうかについての情報を出力するように制御する第１の制御状態と、
前記デジタルコンテンツのＭＰＥＧトランスポートストリームの映像エレメンタリーストリーム内に配置される前記識別情報に応じて、前記デジタルコンテンツの映像エレメンタリーストリームを復号した映像の出力状態を変更して該映像を出力するように制御する第２の制御状態と
を有することを特徴とするデジタルコンテンツ受信装置。
【請求項２】
送信されたデジタルコンテンツを受信装置により受信するデジタルコンテンツ受信方法において、
前記デジタルコンテンツはＭＰＥＧトランスポートストリーム方式のコンテンツであり、
前記デジタルコンテンツのＭＰＥＧトランスポートストリームは、映像エレメンタリーストリームと、前記デジタルコンテンツに関する番組情報を記載したイベントインフォメーションテーブルとを含み、
前記イベントインフォメーションテーブルには、前記デジタルコンテンツの番組の中に３Ｄ映像を含むかどうかを示す情報を配置することができ、
前記デジタルコンテンツのＭＰＥＧトランスポートストリームの映像エレメンタリーストリームには、識別情報を配置することができ、
前記識別情報は、前記デジタルコンテンツの映像エレメンタリーストリーム内の映像が３Ｄ映像であるか２Ｄ映像であるかを識別可能な情報であり、
送信された前記デジタルコンテンツを受信する受信ステップと、
受信した前記デジタルコンテンツを復号する復号ステップと、
受信した前記デジタルコンテンツに関する番組情報または前記復号した映像を出力する出力ステップとを備え、
前記出力ステップにおける出力状態には、
前記イベントインフォメーションテーブルに配置される、前記デジタルコンテンツの番組の中に３Ｄ映像を含むかどうかを示す情報に応じて、前記デジタルコンテンツの番組の中に３Ｄ映像を含むかどうかについての情報を出力する第１の出力状態と、
前記デジタルコンテンツのＭＰＥＧトランスポートストリームの映像エレメンタリーストリーム内に配置される前記識別情報に応じて、前記デジタルコンテンツの映像エレメンタリーストリームを復号した映像の出力状態を変更して該映像を出力する第２の出力状態と
を有することを特徴とするデジタルコンテンツ受信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月17日(2014.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
埋込みチップパッケージの配線構体（３８）において、
誘電体層（４２）と、
複数の上部コンタクトパッド（５２、５４）を具備し且つ前記複数の上部コンタクトパッドの第１の面が前記誘電体層（４２）の上面（４４）に固着されている第１の金属層と、
複数の下部コンタクトパッド（５６、５８）を具備し且つ前記複数の下部コンタクトパッドの第１の面が前記誘電体層（４２）の底面（４６）に固着されている第２の金属層と、
前記複数の上部コンタクトパッド（５２、５４）と前記複数の下部コンタクトパッド（５６、５８）との間に電気的接続部を形成するために前記誘電体層（４２）を貫通し且つ前記複数の上部コンタクトパッド（５２、５４）及び前記複数の下部コンタクトパッド（５６、５８）と接触するように形成された複数のメタライズ接続部（６２）とを具備し、
前記複数のメタライズ接続部（６２）の底面の一部が、前記誘電体層（４２）の前記上面（４４）に直接結合し、
前記複数の下部コンタクトパッド（５６、５８）の第１の面とは反対の側の複数の下部コンタクトパッド（５６、５８）の第２の面に前記配線構体（３８）の第１の側の少なくとも１つの入出力（Ｉ／Ｏ）部が形成され、
前記複数の上部コンタクトパッド（５２、５４）の第１の面とは反対の側の複数の上部コンタクトパッド（５２、５４）の第２の面に前記配線構体（３８）の第２の側の少なくとも１つのＩ／Ｏ部が形成される配線構体（３８）。
【請求項２】
前記誘電体層（４２）はポリイミド膜から形成される、請求項１記載の配線構体（３８）。
【請求項３】
前記第１の金属層及び前記第２の金属層は銅から形成される、請求項１記載の配線構体（３８）。
【請求項４】
前記複数の上部コンタクトパッド（５２、５４）の第２の面に結合されたチタン層を更に具備する、請求項１記載の配線構体（３８）。
【請求項５】
前記複数のメタライズ接続部（６２）は、前記複数の上部コンタクトパッド（５２、５４）の第１の面から前記複数の下部コンタクトパッド（５６、５８）の第２の面まで延在する、請求項１記載の配線構体（３８）。
【請求項６】
前記複数のメタライズ接続部（６２）は、前記複数の下部コンタクトパッド（５６、５８）の第１の面から前記誘電体層（４２）の上面まで延在する、請求項１記載の配線構体（３８）。
【請求項７】
前記複数のメタライズ接続部（６２）は、前記誘電体層（４２）の上面の複数の上部コンタクトパッド（５２、５４）の実装場所に隣接する位置まで延在する、請求項６記載の配線構体（３８）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月10日(2014.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のチャネル形成領域と、
前記第１のチャネル形成領域上の第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート絶縁層上の前記第１のチャネル形成領域と重畳する第１のゲート電極と、
前記第１のチャネル形成領域を挟む第１のソース領域および第１のドレイン領域と、を含む第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタ上の第２のチャネル形成領域を含む半導体層と、
前記第２のチャネル形成領域と電気的に接続する第２のソース電極および第２のドレイン電極と、
前記第２のチャネル形成領域と重畳する第２のゲート電極と、
前記第２のチャネル形成領域と前記第２のゲート電極との間の第２のゲート絶縁層と、を含む第２のトランジスタと、
を有し、
前記第１のチャネル形成領域は、前記第２のチャネル形成領域と異なる半導体材料を主成分として構成され、
前記第２のチャネル形成領域は、酸化物半導体を含んで構成され、
前記第１のチャネル形成領域の側面の一部と、前記第１のゲート絶縁層の側面の一部と、前記第１のゲート電極の側面の一部と、は、平面方向から見て概略一致しており、
前記第２のチャネル形成領域を含む半導体層の側面の一部と、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極の側面の一部と、は、平面方向から見て概略一致しており、
前記第１のチャネル形成領域の側面は、前記第１のトランジスタのチャネル長方向に平行な側面であり、
前記第２のチャネル形成領域を含む半導体層の側面は、前記第２のトランジスタのチャネル長方向に平行な側面であり、
前記第１のゲート電極と、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極と、は、電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のチャネル形成領域と、前記第１のゲート絶縁層と、前記第１のゲート電極と、には、同じ工程で加工可能な材料が用いられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２のチャネル形成領域と、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極とには、同じ工程で加工可能な材料が用いられていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月7日(2014.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子パッケージと、
前記発光素子パッケージが締結される印刷回路基板と、を備え、
前記発光素子パッケージにはスライディング溝及び固定溝が形成され、
前記印刷回路基板には、前記スライディング溝と締結されて前記発光素子パッケージを所定位置にガイドするスライディング突出部、及び前記所定位置で前記固定溝と結合する固定突出部が形成され、
前記発光素子パッケージは、
発光素子と、
前記発光素子が配置された第１リードフレーム及び前記第１リードフレームと離隔した第２リードフレームを備えるボディーと、を備え、
前記スライディング溝は、
前記ボディーの第１面に形成された第１スライディング溝と、
前記第１面に平行な前記ボディーの第２面に形成された第２スライディング溝と、を備え、
前記固定溝は、前記第１面及び第２面と異なる第３面に形成されることを特徴とする発光素子モジュール。
【請求項２】
前記第１スライディング溝は前記第２スライディング溝と互いに対称であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子モジュール。
【請求項３】
前記固定溝は、前記第３面の中心を基準に互いに対称である第１固定溝及び第２固定溝を備えることを特徴とする請求項１に記載の発光素子モジュール。
【請求項４】
前記第１リードフレームは、前記第１スライディング溝及び前記第１固定溝のうち少なくとも一つの内側に配置され、
前記第２リードフレームは、前記第２スライディング溝及び前記第２固定溝のうち少なくとも一つの内側に配置されることを特徴とする請求項３に記載の発光素子モジュール。
【請求項５】
前記スライディング突出部は、
前記第１スライディング溝をガイドする第１スライディング突出部と、
前記第２スライディング溝をガイドする第２スライディング突出部と、を備えることを特徴とする請求項４に記載の発光素子モジュール。
【請求項６】
前記固定突出部は、
前記第１固定溝と結合される第１固定突出部と、
前記第２固定溝と結合される第２固定突出部と、を備えることを特徴とする請求項５に記載の発光素子モジュール。
【請求項７】
前記印刷回路基板は、前記第１リードフレーム及び第２リードフレームそれぞれと電気的に連結される第１パターン及び第２パターンを備え、
前記第１パターンは、前記第１スライディング突出部及び前記第１固定突出部のうち少なくとも一つに配置され、
前記第２パターンは、前記第２スライディング突出部及び前記第２固定突出部のうち少なくとも一つに配置されることを特徴とする請求項６に記載の発光素子モジュール。
【請求項８】
前記スライディング突出部の形状は、
半円形、多角形またはエッジに曲率を有する形状であり、
前記固定突出部の形状は、半円形であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子モジュール。
【請求項９】
前記固定突出部は垂直方向に弾性力を有することを特徴とする請求項１に記載の発光素子モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月27日(2014.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードを含む発光素子と、
前記発光素子が配置された第１リードフレーム及び前記第１リードフレームと離隔された第２リードフレームを含むボディーと、を含み、
前記第１及び第２リードフレームのうちの少なくとも一方は、前記ボディーの外側面を基準に、第１方向に所定長さだけ延びた曲げ領域で前記第１方向と交差する第２方向に曲げられる、発光素子パッケージであって、
前記所定長さは、前記第１及び第２リードフレームのうちの少なくとも一方の厚さ対比０．７倍乃至０．９倍であり、
前記第１リードフレームは、前記ボディーの外部に露出され、下部電極を含み、
前記第２リードフレームは、前記ボディーの外部に露出され、上部電極を含み、
前記下部電極又は前記上部電極の一領域は前記ボディーの外部に露出されて、ボディーの長さ方向の外側面に向かって曲げられる、前記発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記第１及び第２リードフレームのうちの少なくとも一方は、
前記外側面に隣接した第１面と、
前記第１面と対向(反対)する第２面と、を含み、
前記第１面は、
前記第１及び第２リードフレームのうちの少なくとも一方の厚さ対比０．１倍乃至０．９倍の長さで前記外側面と離隔された、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記第１及び第２リードフレームのうちの少なくとも一方は、
前記外側面に隣接した第１面と、
前記第１面と対向(反対)する第２面と、を含み、
前記第１面の少なくとも一部分は、
前記外側面と接触した、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記第１及び第２面のうちの少なくとも一方には、
前記曲げ領域に溝（ｇｒｏｏｖｅ）が形成された、請求項２または３に記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記第１及び第２リードフレームのうちの少なくとも一方の厚さは、
０．１ｍｍ乃至０．３ｍｍである、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記第１及び第２リードフレームのうちの少なくとも一方は、
前記曲げ領域で３０°乃至９０°の曲げ角を有する、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記第１リードフレームは、凹んだ溝領域を含み、
前記第２リードフレームは、前記溝領域方向に突出した突出領域を含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
前記溝領域に隣接して配置され、前記発光素子の第１端子に連結された第１パッドと、
前記突出領域内に配置され、前記発光素子の第２端子に連結され、前記第１パッドと少なくとも一部分が重なる第２パッドと、を含む、請求項７に記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
前記第１及び第２パッド、前記溝領域及び前記突出領域はそれぞれ、同一の個数である、請求項８に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記ボディーは、前記第１及び第２リードフレーム上にキャビティを形成し、前記キャビティに充填される樹脂物を含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１１】
前記樹脂物は、蛍光体及び光拡散材のうちの少なくとも一方を含む、請求項１０に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１２】
前記樹脂物は、少なくとも２種類以上の蛍光体を含む、請求項１０に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１３】
前記樹脂物は、少なくとも２以上のモールディング構造を有する、請求項１０に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１４】
発光ダイオードを含む発光素子と、
前記発光素子が配置された第１リードフレーム及び前記第１リードフレームと離隔された第２リードフレームを含むボディーと、を含み、
前記第１及び第２リードフレームのうちの少なくとも一方は、
前記ボディーの外側面を基準に、第１方向に所定長さだけ延びた曲げ領域で前記第１方向と交差する第２方向に曲げられ、
前記発光素子と隣接した前記ボディーの内側面のうち、互いに交差する第１及び第２内側面のうちの少なくとも一方は、前記第１及び第２リードフレームのうちの少なくとも一方の上部に接触し、前記発光素子方向に延びた延長部が形成された、発光素子パッケージであって、
前記延長部は、
第１延長部と、  前記第１延長部と離隔された第２延長部と、を含み、
前記第１リードフレームは、ボディーの外部に露出され、下部電極を含み、
前記第２リードフレームは、ボディーの外部に露出され、上部電極を含み、
前記下部電極又は前記上部電極の一領域はボディーの外部に露出されて、ボディーの長さ方向の外側面に向かって曲げられる、前記発光素子パッケージ。
【請求項１５】
前記延長部は、前記ボディーと一体型である、請求項１４に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１６】
前記第１延長部の所定長さは、前記第２延長部の所定長さと同一または長い、請求項１４に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１７】
前記第１及び第２延長部の間の離隔距離は、１００μｍ乃至４００μｍである、請求項１４に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１８】
前記第１及び第２延長部のうちの少なくとも一方の幅は、１０μｍ乃至１００μｍである、請求項１４に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１９】
前記第１及び第２延長部の所定長さは、
前記第１及び第２リードフレームのうちの少なくとも一方の幅よりも小さい、請求項１４に記載の発光素子パッケージ。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか１項による発光素子パッケージを含む照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月30日(2014.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた第１の配線と、
前記第１の配線上に設けられ、前記第１の配線と略同形状の絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた酸化物絶縁層と、
前記酸化物絶縁層に設けられた開口部を通して、前記半導体層に接続する第２の配線と、
を有する電界効果トランジスタ。
【請求項２】
基板上に第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を所定の形状に加工する工程と、
前記絶縁膜の形状と略同形状となるように前記第１の導電層を加工する工程と、
前記絶縁膜上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に酸化物絶縁層を形成する工程と、
前記酸化物絶縁層に、前記半導体層に達する開口部を設ける工程と、
前記酸化物絶縁層を覆って第２の導電層を形成する工程と、
を有することを特徴とする電界効果トランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月27日(2014.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域を含む半導体層と、
前記チャネル形成領域と電気的に接続されたソース電極と、
前記チャネル形成領域と電気的に接続されたドレイン電極と、
前記チャネル形成領域と重なるゲート電極と、
前記チャネル形成領域と前記ゲート電極との間のゲート絶縁層と、を有し、
前記ソース電極の上面と、前記ドレイン電極の上面とは、前記ゲート絶縁層に覆われており、
前記ソース電極と前記ドレイン電極とは、金属、金属酸化物、または金属窒化物を含み、
前記ソース電極は、前記半導体層の側面と接する領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記半導体層の側面と接する領域を有し、
前記ゲート絶縁層の側面の一部と、前記ソース電極または前記ドレイン電極の側面の一部と、は、平面方向から見て概略一致していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記チャネル形成領域は、酸化物半導体を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記ゲート絶縁層と、前記ソース電極または前記ドレイン電極と、は、同じ工程で加工可能な材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記ゲート絶縁層の側面の一部は、チャネル長方向に対し垂直であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記ゲート絶縁層上に電極を有し、
前記電極は、前記ゲート絶縁層を介して、前記ソース電極または前記ドレイン電極と重なる領域を有し、
前記電極の側面の一部と、前記ゲート絶縁層の側面の一部とは、平面方向から見て概略一致していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記半導体層の側面の一部と、前記ソース電極または前記ドレイン電極の側面の別の一部と、は、平面方向から見て概略一致していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、
半導体基板に設けられたソース領域と、
前記半導体基板に設けられたドレイン領域と、
前記半導体基板に設けられ、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の第１のチャネル形成領域と、
前記第１のチャネル形成領域上の第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート絶縁層上に設けられ、前記第１のチャネル形成領域と重なる第１のゲート電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
第２のチャネル形成領域を含む半導体層と、
前記第２のチャネル形成領域と電気的に接続されたソース電極と、
前記第２のチャネル形成領域と電気的に接続されたドレイン電極と、
前記第２のチャネル形成領域と重なる第２のゲート電極と、
前記第２のチャネル形成領域と前記第２のゲート電極との間の第２のゲート絶縁層と、
を有し、
前記第１のチャネル形成領域と前記第２のチャネル形成領域とは、互いに異なる半導体材料を含み、
前記ソース電極の上面と、前記ドレイン電極の上面とは、前記第２のゲート絶縁層に覆われており、
前記第１のゲート電極は、前記ソース電極または前記ドレイン電極と接する領域を有し、
前記ソース電極と前記ドレイン電極とは、金属、金属酸化物、または金属窒化物を含み、
前記ソース電極は、前記半導体層の側面と接する領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記半導体層の側面と接する領域を有し、
前記第２のゲート絶縁層の側面の一部と、前記ソース電極または前記ドレイン電極の側面の一部と、は、平面方向から見て概略一致していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第２のチャネル形成領域は、酸化物半導体を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７または８において、
前記第２のゲート絶縁層と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と、は、同じ工程で加工可能な材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一において、
前記第２のゲート絶縁層の側面の一部は、前記第２のチャネル形成領域のチャネル長方向に対し垂直であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれか一において、
前記第２のゲート絶縁層上に電極を有し、
前記電極は、前記第２のゲート絶縁層を介して、前記ソース電極または前記ドレイン電極と重なる領域を有し、
前記電極の側面の一部と、前記第２のゲート絶縁層の側面の一部とは、平面方向から見て概略一致していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項７乃至１１のいずれか一において、
前記半導体層の側面の一部と、前記ソース電極または前記ドレイン電極の側面の別の一部と、は、平面方向から見て概略一致していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項７乃至１２のいずれか一において、
前記第１のトランジスタを複数有し、
前記第２のトランジスタを複数有し、
前記複数の第１のトランジスタのうち、一におけるソース領域またはドレイン領域は、前記一と隣接する他の一におけるドレイン領域またはソース領域と電気的に接続されており、
前記複数の第２のトランジスタのうち、一におけるソース電極またはドレイン電極は、前記一と隣接する他の一におけるソース電極またはドレイン電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月9日(2014.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を含む複数のメモリセルを有し、
前記第２のトランジスタは前記第１のトランジスタの上に位置し、
前記第１のトランジスタは、
第１の半導体層と、
第１のゲート絶縁膜を介して前記第１の半導体層と重なる第１のゲート電極とを有し、
前記第２のトランジスタは、
第２の半導体層と、
第２のゲート絶縁膜を介して前記第２の半導体層と重なる第２のゲート電極と、
前記第２の半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極とを有し、
前記第１の半導体層の材料と前記第２の半導体層の材料とは異なり、
前記第１の半導体層と、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方とは、第１の導電層を介して電気的に接続され、
前記第１のゲート電極の上面は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の他方の下面に接することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を含む複数のメモリセルを有し、
前記第２のトランジスタは前記第１のトランジスタの上に位置し、
前記第１のトランジスタは、
第１の半導体層と、
第１のゲート絶縁膜を介して前記第１の半導体層と重なる第１のゲート電極とを有し、
前記第２のトランジスタは、
第２の半導体層と、
第２のゲート絶縁膜を介して前記第２の半導体層と重なる第２のゲート電極と、
前記第２の半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極とを有し、
前記第１の半導体層の材料と前記第２の半導体層の材料とは異なり、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方と電気的に接続する配線とを有し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方と、前記第１の半導体層とは、第１の導電層を介して電気的に接続され、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方と前記配線が接する第１の部分と、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方と前記第１の導電層とが接する第２の部分とは、互いに重なり、
前記第１のゲート電極の上面は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の他方の下面に接することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記ソース電極又は前記ドレイン電極の他方と、前記第２のゲート絶縁膜と、第２の導電層とを有する容量素子を有する請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の半導体層は、酸化物半導体を含む請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月15日(2014.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタと、
第２のチャネル形成領域を有する第２のトランジスタとを有し、
前記第１のチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第２のチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のチャネル形成領域の膜厚は、前記第２のチャネル形成領域の膜厚より厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のチャネル形成領域を有する第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有する第１のゲート電極と、
前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続される第１の導電層及び第２の導電層とを有し、
前記第２のトランジスタは、
第２のチャネル形成領域を有する第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続される前記第１の導電層及び第３の導電層とを有し、
前記第１の導電層は、前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域と、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域と、を有し、
前記第２の導電層は、前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
前記第１の導電層と、前記第１のゲート電極とは電気的に接続され、
前記第１のチャネル形成領域の膜厚は、前記第２のチャネル形成領域の膜厚より厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の導電層と、前記第１のゲート電極とは、第４の導電層を介して電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２又は３において、
前記第１の酸化物半導体層と前記第１の導電層との間に、第１のバッファ層を有し、
前記第１の酸化物半導体層と前記第２の導電層との間に、第２のバッファ層を有し、
前記第２の酸化物半導体層と前記第１の導電層との間に、第３のバッファ層を有し、
前記第２の酸化物半導体層と前記第３の導電層との間に、第４のバッファ層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体層のチャネル長方向の長さは、前記第１のゲート電極のチャネル長方向の長さより小さく、
前記第２の酸化物半導体層のチャネル長方向の長さは、前記第２のゲート電極のチャネル長方向の長さより大きいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月27日(2014.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと少なくとも一部が重なる第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のチャネル形成領域と、
前記第１のチャネル形成領域上の第１のゲート絶縁層と、
前記第１のチャネル形成領域と重なり、且つ、前記第１のゲート絶縁層上の第１のゲート電極と、
前記第１のチャネル形成領域と電気的に接続する、第１のソース電極および第１のドレイン電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
第２のチャネル形成領域と、
前記第２のチャネル形成領域と電気的に接続する、第２のソース電極および第２のドレイン電極と、
前記第２のチャネル形成領域と重なる第２のゲート電極と、
前記第２のチャネル形成領域と、前記第２のゲート電極との間の第２のゲート絶縁層と、を有し、
前記第２のソース電極の下端部の一は、前記第１のゲート電極の上面に接することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと少なくとも一部が重なる第２のトランジスタと、容量素子とを含む複数のメモリセルを有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のチャネル形成領域と、
前記第１のチャネル形成領域上の第１のゲート絶縁層と、
前記第１のチャネル形成領域と重なり、且つ、前記第１のゲート絶縁層上の第１のゲート電極と、
前記第１のチャネル形成領域と電気的に接続する、第１のソース電極および第１のドレイン電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
第２のチャネル形成領域と、
前記第２のチャネル形成領域と電気的に接続する、第２のソース電極および第２のドレイン電極と、
前記第２のチャネル形成領域と重なる第２のゲート電極と、
前記第２のチャネル形成領域と、前記第２のゲート電極との間の第２のゲート絶縁層と、を有し、
前記第２のソース電極の下端部の一は、前記第１のゲート電極の上面に接して設けられ、
前記第１のゲート電極と、前記第２のソース電極と、前記容量素子の一方の電極とは、電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１のチャネル形成領域は、シリコンを有し、
前記第２のチャネル形成領域は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２のソース電極は、前記第１のゲート電極とエッチングの選択比がとれる材料を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１のゲート電極と、前記第２のソース電極とのエッチングの選択比は２以上であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月15日(2013.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電素子であって、
基板と、
前記基板に位置し且つ互いに電気的に接続される複数の半導体ユニットであって、前記複数の半導体ユニットの各々は、第一半導体層、第二半導体層、及び、前記第一半導体層と前記第二半導体層との間における活性領域を有する、複数の半導体ユニットと、
それぞれ前記第一半導体層に位置する複数の第一電極と、
それぞれ前記第二半導体層に位置する複数の第二電極と、
を含み、
前記複数の第一電極のうちの少なくとも一つは、互いに分離した複数の第一延在部を含み、
前記複数の第二電極のうちの少なくとも一つは、第二延在部を含む、光電素子。
【請求項２】
二つの隣接する半導体ユニットの間に形成され、前記二つの隣接する半導体ユニットを電気的に直列接続する複数の連結部を更に含み、
前記複数の連結部は、それぞれ、前記複数の第一延在部とは、一対一の接続を形成する、請求項１に記載の光電素子。
【請求項３】
前記複数の半導体ユニットは、少なくとも二種類の異なる形状を有する、請求項１に記載の光電素子。
【請求項４】
前記第一延在部及び前記第二延在部のうちの少なくとも一つは、直線延在部、又は、前記複数の半導体ユニットの任意の一辺に平行でない曲線延在部を含み、
前記第一延在部及び前記第二延在部のうちの少なくとも一つは、二級延在部を含む、請求項１に記載の光電素子。
【請求項５】
前記第一延在部又は前記第二延在部は、直線延在部、又は、前記複数の半導体ユニットの任意の一辺に平行でない曲線延在部を含む、請求項１に記載の光電素子。
【請求項６】
前記複数の半導体ユニットは、第一半導体ユニットと、第二半導体ユニットと、第三半導体ユニットと、を含み、
前記複数の第一電極のうちの一つは、第一電極パッドを有し、前記第一電極パッドは、前記第一半導体ユニットに位置し、前記第一半導体ユニットは、前記基板のコーナー領域に位置し、
前記複数の第二電極のうちの一つは、第二電極パッドを有し、前記第二電極パッドは、前記第二半導体ユニットに位置し、前記第二半導体ユニットは、前記基板の他のコーナー領域に位置し、
前記第一延在部及び前記第二延在部は、電極パッドがない前記第三半導体ユニットに位置する、請求項１に記載の光電素子。
【請求項７】
前記第一半導体ユニットに位置する前記第一電極は、更に、前記第一電極パッドに接触する延在部を含み、且つ／又は、前記第二半導体ユニットに位置する前記第二電極は、更に、前記第二電極パッドに接触する延在部を含む、請求項６に記載の光電素子。
【請求項８】
前記複数の半導体ユニットのいずれか一つにある、前記第一延在部は、該半導体ユニットの第一辺から該第一辺に相対する第二辺に延び、前記第二延在部は、該半導体ユニットの前記第二辺から前記第一辺に延びる、請求項１に記載の光電素子。
【請求項９】
前記複数の半導体ユニットは、異なる電極の配置構造を含む、請求項１に記載の光電素子。
【請求項１０】
前記複数の半導体ユニットは、第一行と、該第一行に平行な第二行とに配列され、
前記第一行に含まれる半導体ユニットの総数は、前記第二行に含まれる半導体ユニットの総数とは異なる、請求項１に記載の光電素子。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月9日(2014.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１導電型を有し、ＧａＮ系化合物半導体から成る第１化合物半導体層、ＧａＮ系化合物半導体から成る光増幅領域を有する第３化合物半導体層、並びに、第１導電型と異なる第２導電型を有し、ＧａＮ系化合物半導体から成る第２化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、
（ｂ）第２化合物半導体層上に形成された第２電極、並びに、
（ｃ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、
を備えた半導体光増幅器であって、
積層構造体はリッジストライプ構造を有し、
光出射端面におけるリッジストライプ構造の幅をＷout、光入射端面におけるリッジストライプ構造の幅をＷinとしたとき、Ｗout＞Ｗinを満足し、
半導体光増幅器の軸線に沿って光出射端面から積層構造体の内側の領域には、キャリア非注入領域が設けられている半導体光増幅器。
【請求項２】
Ｗoutは５μｍ以上である請求項１に記載の半導体光増幅器。
【請求項３】
Ｗoutは４×１０2μｍ以下である請求項１又は請求項２に記載の半導体光増幅器。
【請求項４】
Ｗinは１．４μｍ乃至２．０μｍである請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体光増幅器。
【請求項５】
キャリア非注入領域には第２電極が設けられていない請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の半導体光増幅器。
【請求項６】
第２電極は、分離溝で分離された第１部分及び第２部分から構成され、
キャリア非注入領域には第２電極の第２部分が設けられている請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の半導体光増幅器。
【請求項７】
第２電極の第２部分には、ビルトイン電圧以下の電圧を印加する請求項６に記載の半導体光増幅器。
【請求項８】
（ａ）第１導電型を有し、ＧａＮ系化合物半導体から成る第１化合物半導体層、ＧａＮ系化合物半導体から成る光増幅領域を有する第３化合物半導体層、並びに、第１導電型と異なる第２導電型を有し、ＧａＮ系化合物半導体から成る第２化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、
（ｂ）第２化合物半導体層上に形成された第２電極、並びに、
（ｃ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、
を備えた半導体光増幅器であって、
積層構造体はリッジストライプ構造を有し、
光出射端面におけるリッジストライプ構造の幅をＷout、光入射端面におけるリッジストライプ構造の幅をＷinとしたとき、Ｗout＞Ｗinを満足し、
第２電極の幅はリッジストライプ構造の幅よりも狭い半導体光増幅器。
【請求項９】
（第２電極の幅）／（リッジストライプ構造の幅）の値は、０．２乃至０．９である請求項８に記載の半導体光増幅器。
【請求項１０】
（ａ）第１導電型を有し、ＧａＮ系化合物半導体から成る第１化合物半導体層、ＧａＮ系化合物半導体から成る光増幅領域を有する第３化合物半導体層、並びに、第１導電型と異なる第２導電型を有し、ＧａＮ系化合物半導体から成る第２化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、
（ｂ）第２化合物半導体層上に形成された第２電極、並びに、
（ｃ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、
を備えた半導体光増幅器であって、
積層構造体はリッジストライプ構造を有し、
光出射端面におけるリッジストライプ構造の幅をＷout、光入射端面におけるリッジストライプ構造の幅をＷinとしたとき、Ｗout＞Ｗinを満足し、
リッジストライプ構造の最大幅をＷmaxとしたとき、Ｗmax＞Ｗoutを満足する半導体光増幅器。
【請求項１１】
０．２≦Ｗout／Ｗmax≦０．９
を満足する請求項１０に記載の半導体光増幅器。
【請求項１２】
半導体光増幅器の軸線に沿って光出射端面から積層構造体の内側の領域には、キャリア非注入領域が設けられている請求項８乃至請求項１１のいずれか１項に記載の半導体光増幅器。
【請求項１３】
キャリア非注入領域には第２電極が設けられていない請求項１２に記載の半導体光増幅器。
【請求項１４】
第２電極は、分離溝で分離された第１部分及び第２部分から構成され、
キャリア非注入領域には第２電極の第２部分が設けられている請求項１２に記載の半導体光増幅器。
【請求項１５】
半導体光増幅器の軸線とリッジストライプ構造の軸線とは、所定の角度で交わっている請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の半導体光増幅器。
【請求項１６】
光入射端面及び光出射端面には、酸化チタン層、酸化タンタル層、酸化ジルコニア層、酸化シリコン層及び酸化アルミニウム層から成る群から選択された少なくとも２種類の層の積層構造から成る低反射コート層が形成されている請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の半導体光増幅器。
【請求項１７】
半導体光増幅器から出力されるレーザ光の光強度は、光出射端面を構成する第３化合物半導体層１ｃｍ2当たり６０キロワット以上である請求項１乃至請求項１６のいずれか１項に記載の半導体光増幅器。
【請求項１８】
（光出射端面におけるリッジストライプ構造の幅）／（半導体光増幅器から出力されるレーザ光の幅）の値は１．１乃至１０である請求項１乃至請求項１７のいずれか１項に記載の半導体光増幅器。
【請求項１９】
（Ａ）モード同期半導体レーザ素子、及び、
（Ｂ）請求項１乃至請求項１８のいずれか１項に記載の半導体光増幅器、
を備えた半導体レーザ装置組立体。
【請求項２０】
モード同期半導体レーザ素子と半導体光増幅器との間に、モード同期半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の一部をモード同期半導体レーザ素子に戻す外部鏡を更に備えている請求項１９に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項２１】
モード同期半導体レーザ素子と外部鏡との間に、光学フィルターを更に備えている請求項２０に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項２２】
モード同期半導体レーザ素子と光学フィルターとの間に、レンズを更に備えている請求項２１に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項２３】
レンズを通過し、光学フィルターに向かうレーザ光は、レンズによって、外部鏡の位置で焦点を結ぶ請求項２２に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項２４】
レンズを通過し、光学フィルターに向かうレーザ光は、レンズによって平行光とされる請求項２２に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項２５】
外部鏡を更に備えており、
外部鏡、モード同期半導体レーザ素子及び半導体光増幅器の順に配置されている請求項１９に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項２６】
外部鏡とモード同期半導体レーザ素子との間に、光学フィルターを更に備えている請求項２５に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項２７】
光学フィルターとモード同期半導体レーザ素子との間に、レンズを更に備えている請求項２６に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項２８】
レンズを通過し、光学フィルターに向かうレーザ光は、レンズによって、外部鏡の位置で焦点を結ぶ請求項２７に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項２９】
レンズを通過し、光学フィルターに向かうレーザ光は、レンズによって平行光とされる請求項２７に記載の半導体レーザ装置組立体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体光増幅器及び半導体レーザ装置組立体
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月20日(2014.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活物質層として機能する結晶性シリコン層を有し、
前記結晶性シリコン層は、表面に複数の突起を有し、
前記複数の突起は、柱状の突起と針状の突起とを有することを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
集電体と、
前記集電体上に設けられ、活物質層として機能する結晶性シリコン層と、を有し、
前記結晶性シリコン層は、結晶性シリコン領域と、結晶性シリコン領域上に複数の突起を有するウィスカー状の結晶性シリコン領域と、を有し、
前記複数の突起は、柱状の突起と針状の突起とを有することを特徴とする蓄電装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記複数の突起は、前記結晶性シリコン領域上に突出していることを特徴とする蓄電装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記集電体と前記活物質層との間には、前記集電体に用いられる金属元素と前記活物質層に用いられるシリコンとを含む層を有することを特徴とする蓄電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月29日(2014.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチセンシング面の共同動作のためにマスターコントローラ及びスレーブコントローラのタッチセンシング動作を同期させる方法において、
前記マスターコントローラから前記スレーブコントローラへ第１のクロック信号を送信する段階と、
前記マスターコントローラから前記スレーブコントローラへ位相整列情報を含む第１のコマンドを送信する段階と、
前記第１のクロック信号及び前記位相整列情報に基づいて前記スレーブコントローラにおいてスレーブクロック信号を発生する段階であって、そのスレーブクロック信号は、前記マスターコントローラのマスタークロック信号と既知の位相関係で発生されるようにした段階と、
タッチセンシングを行って、前記マスター及びスレーブクロック信号に基づき前記タッチセンシング面上又はその付近でタッチを検出する段階であって、前記マスターコントローラが前記タッチセンシング面の第１部分を動作し、そして前記スレーブコントローラが前記タッチセンシング面の第２部分を動作するような段階と、
を備えた方法。
【請求項２】
前記タッチセンシング面の第１部分は、第１ドライブ線のセット及び第１センス線のセットを含み、前記タッチセンシング面の第２部分は、第２ドライブ線のセット及び第２センス線のセットを含み、前記タッチセンシングを行うことは、前記マスターコントローラが１つ以上のドライブ信号を１つ以上の第１ドライブ線に印加しそして１つ以上のセンス信号を前記第１センス線から受信すると共に、前記スレーブコントローラが１つ以上のドライブ信号を１つ以上の第２ドライブ線に印加しそして１つ以上のセンス信号を前記第２センス線から受信することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記マスターコントローラにより印加される１つ以上のドライブ信号は、前記マスタークロック信号に基づき、そして前記スレーブコントローラにより印加される１つ以上のドライブ信号は、前記スレーブクロック信号に基づく、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記タッチセンシングを行うことは、更に、前記１つ以上の第１センス線から前記マスターコントローラにより受信されたセンス信号を前記マスタークロック信号に基づく１つ以上の復調信号で復調し、そして前記１つ以上の第２センス線から前記スレーブコントローラにより受信されたセンス信号を前記スレーブクロック信号に基づく１つ以上の復調信号で復調することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記ドライブ信号は、それらドライブ信号が第１の時間周期中に１つ以上の第１ドライブ線及び１つ以上の第２ドライブ線に同時に生じるように前記マスター及びスレーブコントローラにより印加される、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記通信リンクは、シリアルリンクである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記マスターコントローラとスレーブコントローラとの間の通信は、前記マスターコントローラ及びスレーブコントローラの交互の送信周期を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記マスターコントローラとスレーブコントローラとの間の通信は、前記マスターコントローラ及びスレーブコントローラの一方に対して２つの連続する送信周期を生じさせる第２コマンドの送信を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記位相整列情報は、前記第１クロック信号のクロックサイクルの識別を含み、前記スレーブコントローラは、その識別されたクロックサイクルに基づいて前記スレーブクロック信号の位相をセットする、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記タッチセンシングを行うことは、前記マスター及びスレーブクロック信号の位相関係に基づいて前記マスター及びスレーブコントローラの同相のドライブ信号で前記タッチセンシング面を刺激すること、前記タッチセンシング面から受信されたセンス信号を、前記マスター及びスレーブクロック信号の位相関係に基づいて前記マスター及びスレーブコントローラの同相の復調信号で復調すること、及び前記タッチセンシング面から受信されたセンス信号を、前記マスター及びスレーブクロック信号の位相関係に基づいて同相で動作する前記マスター及びスレーブコントローラのデシメーションフィルタに印加すること、の１つを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
タッチセンシング面の共同動作のためにマスターコントローラとスレーブコントローラとの間の通信をトレーニングする方法において、
前記マスターコントローラから前記スレーブコントローラへ第１のクロック信号を送信する段階と、
前記マスターコントローラから前記スレーブコントローラへシーケンス情報を含む第１のコマンドを送信する段階と、
前記第１クロック信号及びシーケンス情報に基づく通信シーケンスを前記スレーブコントローラにおいて開始する段階であって、前記通信シーケンスの第１部分中に前記マスターから通信を受け取り、そして前記スレーブコントローラが、前記通信シーケンスの第２部分中に前記マスターへ通信を送出するような段階と、
を備えた方法。
【請求項１２】
前記シーケンス情報は、通信シーケンスの開始クロック信号、通信シーケンスの長さ、通信シーケンスの第１部分、及び通信シーケンスの第２部分のうちの１つの情報を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記スレーブコントローラのローカルメモリに所定のシーケンス情報が予め記憶され、前記方法は、更に、前記ローカルメモリから前記所定のシーケンス情報を読み取る段階を含み、前記通信シーケンスを開始することは、前記所定の情報に基づいてシーケンスを開始することを含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
前記所定のシーケンス情報は、通信シーケンスの長さ、通信シーケンスの第１部分及び通信シーケンスの第２部分のうちの１つを含む、請求項１３に記載の方法。