(57)【要約】  本発明は、ｉ）パワー半導体（１０２−１、…、１０２−ｎ）、及びｉｉ）パワー半導体（１０２−１、…、１０２−ｎ）をセラミック基板（１００）のエッジ（１００−３）の第１端子（１０５−１、…、１０５−ｎ）に接続するように構成された少なくとも１つの第１金属プレーンコンタクト（１０４−１、…、１０４−ｎ）を有する第１金属層（１０４）、を有する正面（１００−１）と、ｉ）キャパシタ（１０３）、及びｉｉ）キャパシタ（１０３）をセラミック基板（１００）のエッジ（１００−３）の第２端子（１０７−１、…、１０７−ｎ）に接続するように構成された少なくとも１つの第２金属プレーンコンタクト（１０８−１、…、１０８−ｎ）を有する第２金属層（１０８）、を有する背面（１００−２）と、第１金属層（１０４）を第２金属層（１０８）に接続するように構成された金属フレーム（１１０）と、を有するセラミック基板（１００）に関する。
2018510502.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板であって、
正面であり、
ｉ）パワー半導体、及び
ｉｉ）前記パワー半導体を当該セラミック基板のエッジの第１端子に接続するように構成された、少なくとも１つの第１金属プレーンコンタクトを有する第１金属層
を有する正面と、
背面であり、
ｉ）第１キャパシタ、及び
ｉｉ）前記第１キャパシタを当該セラミック基板の前記エッジの第２端子に接続するように構成された、少なくとも１つの第２金属プレーンコンタクトを有する第２金属層
を有する背面と、
前記第１金属層を前記第２金属層に接続するように構成された金属フレームと、
を有し、
前記第２金属層は、当該セラミック基板の前記背面の背面電流経路を形成するように構成され、前記背面電流経路は、前記第１金属層によって提供される前記正面のスイッチング電流経路に対応する、
セラミック基板。
【請求項２】
前記第２金属層は、前記背面の前記背面電流経路を形成するように構成され、前記背面電流経路は、前記正面のスイッチング電流を中和する背面電流を提供する、請求項１に記載のセラミック基板。
【請求項３】
当該セラミック基板の前記背面は更に、第２キャパシタを有する、請求項１又は２に記載のセラミック基板。
【請求項４】
前記第１キャパシタと前記第２キャパシタとが直列に接続されている、請求項３に記載のセラミック基板。
【請求項５】
前記第１キャパシタ及び前記第２キャパシタは直流ＤＣリンクキャパシタである、請求項３又は４に記載のセラミック基板。
【請求項６】
前記第１キャパシタ及び前記第２キャパシタは、これらのキャパシタの中間電位がハーフブリッジの中間点に接続される場合、スナバキャパシタである、請求項３又は４に記載のセラミック基板。
【請求項７】
前記第２端子は、外部スナバキャパシタのために使用される端子である、請求項３乃至５の何れか一項に記載のセラミック基板。
【請求項８】
前記金属フレームは、外部回路への電気接続を形成するように構成されている、請求項１乃至７の何れか一項に記載のセラミック基板。
【請求項９】
前記金属フレームは両面金属フレームである、請求項１乃至８の何れか一項に記載のセラミック基板。
【請求項１０】
前記金属フレームはリードフレームである、請求項１乃至９の何れか一項に記載のセラミック基板。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか一項に記載のセラミック基板を有するパワー半導体モジュール。
【請求項１２】
セラミック基板を製造する方法であって、
ａ）正面を設けるステップであり、前記正面は、パワー半導体と、該パワー半導体を前記セラミック基板のエッジの第１端子に接続するように構成された、少なくとも１つの第１金属プレーンコンタクトを有する第１金属層とを有する、正面を設けるステップと、
ｂ）背面を設けるステップであり、前記背面は、第１キャパシタと、該第１キャパシタを前記セラミック基板の前記エッジの第２端子に接続するように構成された、少なくとも１つの第２金属プレーンコンタクトを有する第２金属層とを有する、背面を設けるステップと、
ｃ）前記第１金属層を前記第２金属層に接続するように構成された金属フレームを設けるステップと、
を有し、
前記第２金属層は、前記背面の背面電流経路を形成し、該背面電流経路は、前記第１金属層によって提供される前記正面のスイッチング電流経路に対応する、
方法。
【請求項１３】
前記第２金属層は、前記背面の前記背面電流経路を形成し、前記背面電流経路は、前記正面のスイッチング電流を中和する背面電流を提供する、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスのパッケージングの分野に関する。特に、本発明は、セラミック基板、及びセラミック基板を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハーフブリッジ又はフルブリッジのトポロジを持つ高出力高周波コンバータは、直流ＤＣバスキャパシタとハーフブリッジレグとを含む寄生インダクタンスループを有する。２つのスイッチのうちの一方から他方への負荷電流のハーフブリッジスイッチングが行われるとき、負荷電流は異なる電流トラックに向け直されなければならず、故に、第１のスイッチを含むトラックを去って、第２のスイッチを従事させる。
【０００３】
このような状況では、誘導効果に起因して、及び一方の経路から他方の経路への電流の遷移に起因して、スイッチにおける過電圧及び追加損失につながる寄生インダクタンスを避けるために、双方の電流経路を可能な限り近く保つことが重要である。
【発明の概要】
【０００４】
半導体パワーモジュール用のセラミック基板を改良するニーズが存在し得る。
【０００５】
これらのニーズは、独立請求項の事項によって満たされる。更なる典型的な実施形態が、従属請求項及び以下の記載から明らかになる。
【０００６】
本発明の一態様は、セラミック基板に関し、当該セラミック基板は、ａ）正面であり、ｉ）パワー半導体、及びｉｉ）該パワー半導体を当該セラミック基板のエッジの第１端子に接続するように構成された、少なくとも１つの第１金属プレーンコンタクトを有する第１金属層を有する正面と、ｂ）背面であり、ｉ）キャパシタ、及びｉｉ）該キャパシタを当該セラミック基板の上記エッジの第２端子に接続するように構成された、少なくとも１つの第２金属プレーンコンタクトを有する第２金属層を有する背面と、上記第１金属層を上記第２金属層に接続するように構成された金属フレームとを有し、上記第２金属層は、当該セラミック基板の上記背面の背面電流経路を形成するように構成され、上記背面電流経路は、上記第１金属層によって提供される上記正面のスイッチング電流経路に対応する。
【０００７】
換言すれば、本発明は、その背面にＤＣリンクキャパシタを担持するハーフブリッジモジュールの構成を提供する。換言すれば、第１金属層が、ハーフブリッジパワーモジュールの電流のための経路を提供する。
【０００８】
本発明の更なる、第２の態様は、本発明の第１の態様に従った又は本発明の第１の態様の何らかの実装形態に従ったセラミック基板を有するパワー半導体モジュールに関する。
【０００９】
本発明の更なる、第３の態様は、本発明の第１の態様に従った又は本発明の第１の態様の何らかの実装形態に従ったセラミック基板を製造する方法に関する。
【００１０】
その方法は、以下のステップ：
ａ）正面を設けるステップであり、上記正面は、パワー半導体と、該パワー半導体を上記セラミック基板のエッジの第１端子に接続するように構成された、少なくとも１つの第１金属プレーンコンタクトを有する第１金属層とを有する、正面を設けるステップと、
ｂ）背面を設けるステップであり、上記背面は、第１キャパシタと、該第１キャパシタを上記セラミック基板の上記エッジの第２端子に接続するように構成された、少なくとも１つの第２金属プレーンコンタクトを有する第２金属層とを有する、背面を設けるステップと、
ｃ）上記第１金属層を上記第２金属層に接続するように構成された金属フレームを設けるステップとを有し、上記第２金属層は、上記背面の背面電流経路を形成し、該背面電流経路は、上記第１金属層によって提供される上記正面のスイッチング電流経路に対応する。
【００１１】
これは、有利なことに、パワー半導体のスイッチング中の半導体パワーモジュールの寄生インダクタンスの影響を最小化することを可能にする。
【００１２】
本発明の例示的な一実施形態によれば、上記第２金属層は、上記背面の上記背面電流経路を形成するように構成され、上記背面電流経路は、上記正面のスイッチング電流を中和する背面電流を提供する。これは、有利なことに、寄生インダクタンスを更に最小化することを可能にする。
【００１３】
本発明の例示的な一実施形態によれば、セラミック基板の上記背面は更に、第２キャパシタを有する。これは、有利なことに、キャパシタ構成のエネルギー蓄積能力を更に増大させることを可能にする。
【００１４】
本発明の例示的な一実施形態によれば、上記第１キャパシタと上記第２キャパシタとが直列に接続される。
【００１５】
これは、有利なことに、意図した設計に十分な電圧能力を形成することを可能にする。
【００１６】
本発明の例示的な一実施形態によれば、上記第１キャパシタ及び上記第２キャパシタは直流ＤＣリンクキャパシタである。これらのキャパシタの中間電位をハーフブリッジの中間点と接続することにより、これらのキャパシタはスナバキャパシタとして機能する。この場合、外付けのＤＣリンクキャパシタが使用される。
【００１７】
本発明の例示的な一実施形態によれば、上記第２端子は、外部（外付け）スナバキャパシタのために使用される端子である。
【００１８】
本発明の例示的な一実施形態によれば、上記金属フレームは、外部回路への電気接続を形成するように構成される。
【００１９】
本発明の例示的な一実施形態によれば、上記金属フレームは両面金属フレームである。
【００２０】
本発明の例示的な一実施形態によれば、上記金属フレームはリードフレームである。
【００２１】
本発明のこれら及びその他の態様が、以下に記載される実施形態を参照して明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
縮尺通りではない以下の模式的な図を参照することによって、本発明及びそれに付随する利点のいっそう完全なる認識が、より明確に理解されるであろう。
【図１】本発明の例示的な一実施形態に従ったセラミック基板の模式図を示している。
【図２】本発明の例示的な一実施形態に従ったパワー半導体モジュールの模式図を示している。
【図３】本発明の例示的な一実施形態に従ったセラミック基板の模式図を示している。
【図４】本発明の例示的な一実施形態に従ったセラミック基板を製造する方法の模式的なフローチャートを示している。
【図５】本発明の例示的な一実施形態に従ったセラミック基板の模式図を示している。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図面における図示は、単に模式的であり、縮尺関係又は大きさ情報を提供することを意図していない。異なる複数の図において、同様又は同一の要素は同じ参照符号を付されている。概して、同じ部分、ユニット、エンティティ又はステップは、記述において同じ参照符号を付されている。
【００２４】
セラミック基板１００は、ハーフブリッジ構成又はフルブリッジ構成のパワー半導体モジュールの分野で使用され得るが、２つのスイッチのうちの一方がダイオードによって置き換えられるシングルエンドコンバータ型（バック（buck）コンバータモジュール、ブーストコンバータモジュールなど）でも使用され得る。
【００２５】
セラミック基板１００は、背面領域全体がキャパシタの配置に容易に使用されることができ且つメタライゼーションとして機能することができるので、冷却液の中に完全に沈められるコンバータモジュールにて使用され得る。一部の構成（例えば、空気中）は、ヒートシンクを使用することを必要とすることがあり、なお、その場合、モジュールの特定の領域が、ヒートシンクに付着するように確保され得る。
【００２６】
本発明は、基板のエッジにある端子にパワー半導体を接続するメタライゼーションと、正面のスイッチング電流経路の形状を繰り返す背面のＡＣ電流用電流経路を形成する基板背面のキャパシタ及びメタライゼーションと、基板のエッジで正面及び背面のメタライゼーションを接続するのと同時に周囲回路への電気接続を形成する両面リードフレームとを使用する。
【００２７】
この構成により、電流経路の変化がちょうどまた１つの層から別の層への遷移であり、故に、これら２つの電流経路間のギャップに関する主たる決定因子が、もはや半導体配置の横方向の延在ではなくて基板の厚さであるという、デュアルレイヤ（二重層）構造が作り出される。
【００２８】
モジュールの背面に、重ね合わせ電流のための第２の経路を提供することにより、残留インダクタンスに関する指標となる領域が大いに回避される。
【００２９】
残留インダクタンスは、基板の厚さのみによって決定される。この概念の更なる拡張は、分割ＤＣキャパシタの場合に中間点で好ましく接続されることが可能な、ハーフブリッジ構成におけるスナバキャパシタ用の端子の付加を含む。
【００３０】
本発明は、後に図３に示すように、セラミック基板の厚さのみによって決定される残留インダクタンスを提供する。
【００３１】
本発明は、両面リードフレーム、正面のスイッチング電流パターンの繰り返しとなる背面メタライゼーション、直接的に繰り返しループ内にあるＤＣバスキャパシタを設ける。特別な相互接続を用いて遠隔ＤＣキャパシタを使用することに代えて、低インダクタンス経路の一部であるこれらのＤＣキャパシタが（それらの背面の）スイッチング素子に最大限近接して配置され、そして、電流ルーティングが、全てのスイッチング電流の誘導ループ領域が最小（基板の厚みのみ）であるように設計される。
【００３２】
本発明は、ビアに代えて、何れにしても必要とされるモジュールのリードフレームを用いて、正面と背面との間の相互接続を作り出すことを提案し得る。それにより、本発明は、脆くて硬いセラミック材料の中に穴を開けること（これは、高価であるとともに、信頼性リスクを導入するものでもある）を回避することができる。
【００３３】
本発明が有利に提案することには、このようなセラミック基板１００は冷却剤（例えば、絶縁油）中で自立するものであるので、セラミック基板１００それ自体がシステムのヒートシンクを形成し得る。
【００３４】
図１は、本発明の例示的な一実施形態に従ったセラミック基板１００を示している。
【００３５】
図１は、左にセラミック基板１００の正面図を示し、中央に背面図を示し、右にセラミック基板１００の断面図を示している。
【００３６】
セラミック基板１００は、正面１００−１、背面１０１−２、エッジ１００−３、及び金属フレーム１１０を有し得る。
【００３７】
本発明の例示的な一実施形態によれば、セラミック基板１００は、例えば、酸化物の、アルミナ、ベリリア、セリア、ジルコニアや、非酸化物といった、工業用セラミックを有していてもよいし、あるいは、セラミック基板１００は、炭化物、ホウ化物、窒化物、ケイ化物、又は例えば粒子強化セラミック、繊維強化セラミック、酸化物と非酸化物との組み合わせなどの複合材料、のような工業用セラミックを有していてもよい。
【００３８】
本発明の例示的な一実施形態によれば、セラミック基板１００は、化学式Ａｌ２Ｏ３を有するアルミニウムと酸素との化合物である酸化アルミニウム、ベリリアとしても知られる酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、又はカーボランダムとしても知られる炭化珪素（ＳｉＣ）を有し得る。
【００３９】
本発明の例示的な一実施形態によれば、セラミック基板１００のエッジ１００−３は、セラミック基板１００の正面１００−１と背面１００−２との間の連結境界線として定められ得る。換言すれば、セラミック基板１００のエッジ１００−３は、セラミック基板１００の正面１００−１と背面１００−２とが出会う箇所として定められ得る。
【００４０】
セラミック基板１００の正面１００−１は、パワー半導体１０２−１、…、１０２−ｎと、第１金属層１０４とを有し得る。
【００４１】
本発明の例示的な一実施形態によれば、セラミック基板１００の正面１００−１は、少なくとも２つのパワー半導体１０２−１及び１０２−２を有し得る。
【００４２】
本発明の例示的な一実施形態によれば、パワー半導体１０２−１、…、１０２−ｎは、パワーダイオード、パワーサイリスタ、パワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、又は絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）といった、パワーエレクトロニクスにおけるスイッチ又はダイオードとし得る。
【００４３】
第１金属層１０４は、パワー半導体１０２−１、…、１０２−ｎをセラミック基板１００のエッジ１００−３の第１端子１０５−１、…、１０５−ｎに接続するように構成された少なくとも１つの第１金属プレーンコンタクト１０４−１、…、１０４−ｎを有し得る。例えば、パワー半導体１０２−１、…、１０２−ｎは、３つの異なる金属プレーンコンタクト１０４−１、１０４−２、１０４−３によって、３つの異なる端子１０５−１、１０５−２、１０５−３に接続され得る。
【００４４】
本発明の例示的な一実施形態によれば、第１金属層１０４は、３つの第１金属プレーンコンタクト１０４−１、１０４−２、１０４−３を有し得る。
【００４５】
背面１００−２は、第１キャパシタ１０３及び第２金属層１０８を有し得る。
【００４６】
本発明の例示的な一実施形態によれば、背面１００−２は、第１キャパシタ１０３及び第２キャパシタ１０６を有し得る。
【００４７】
第２金属層１０８は、キャパシタ１０３をセラミック基板１００のエッジ１００−３の第２端子１０７−１、…、１０７−ｎに接続するように構成された少なくとも１つの第２金属プレーンコンタクト１０８−１、…、１０８−ｎを有し得る。
【００４８】
本発明の例示的な一実施形態によれば、第２金属層１０８は、２つの第２金属プレーンコンタクト１０８−１、１０８−２を有し得る。
【００４９】
本発明の例示的な一実施形態によれば、第１金属層１０４及び／又は第２金属層１０８は、銅若しくはアルミニウム、又は銅若しくはアルミニウムを含む金属合金を有し得る。
【００５０】
金属フレーム１１０は、第１金属層１０４と第２金属層１０８とを接続するように構成され得る。
【００５１】
本発明の例示的な一実施形態によれば、金属フレーム１１０は、鉛又は銅又はアルミニウムを有し得る。
【００５２】
本発明の例示的な一実施形態によれば、第２金属プレーンコンタクト１０８−１、…、１０８−ｎは、セラミック基板１００の背面１００−２の背面電流経路１２２を形成するように構成され得る。背面電流経路１２２は、その形状において、第１金属プレーンコンタクト１０４−１、…、１０４−ｎによって提供される正面１００−１のスイッチング電流経路１２１に対応し得る。
【００５３】
換言すれば、背面電流経路１２２及びスイッチング電流経路１２１の領域の重なりを、セラミック基板１００の主面に直交する方向、すなわち、正面図で使用される又は背面図で使用される眺め方向から見るときに、背面電流経路１２２は、比（例えば０．６から１の間）に関して、スイッチング電流経路１２１と重なり得る。
【００５４】
本発明の例示的な一実施形態によれば、第２金属プレーンコンタクト１０８−１、…、１０８−ｎは、背面１００−２の背面電流経路１２２を形成するように構成されることができ、背面電流経路１２２は、正面１００−１のスイッチング電流を中和する背面電流を提供する。
【００５５】
本発明の例示的な一実施形態によれば、セラミック基板１００は、正面１００−１に、パワー半導体１０２−１、…、１０２−ｎと、基板１００のエッジ１００−３にある端子にパワー半導体１０２−１、…、１０２−ｎを接続する第１金属プレーンコンタクト１０４−１、…、１０４−ｎの形態のメタライゼーションとを担持するように構成される。
【００５６】
セラミック基板１００は更に、セラミック基板１００の背面１００−２に、キャパシタ１０３、１０６と、第２金属プレーンコンタクト１０８−１、…、１０８−ｎの形態のメタライゼーションとを担持することができ、該メタライゼーションは、背面のＡＣ電流用の、背面電流経路１２２の形態の電流経路を形成し、該電流経路は、正面１００−１の電流経路１２１の形態のスイッチング電流経路１２１の形状を繰り返す。
【００５７】
セラミック基板１００は更に、基板のエッジで正面及び背面のメタライゼーションを接続するのと同時に周囲回路への電気接続を形成する金属フレーム１１０の形態の両面リードフレームを有し得る。
【００５８】
この構成により、電流経路の変化がちょうどまた１つの層から別の層への遷移であり、故に、これら２つの電流経路間のギャップに関する主たる決定因子が、もはや半導体配置の横方向の延在ではなくて基板の厚さであるという、デュアルレイヤ構造が作り出される。
【００５９】
本発明の例示的な一実施形態によれば、セラミック基板１００の形態で、モジュールの背面１００−２で重ね合わされる電流のための第２経路が提供される。この構成が図１に示されている。背面１００−２には、ＤＣバスキャパシタ領域が取り付けられる別のメタライゼーションが形成されている。
【００６０】
本発明の例示的な一実施形態によれば、意図した設計に十分な電圧能力を形成するよう、２つのＤＣバスキャパシタが直列に接続される。背面１００−２のＡＣ電流経路が、正面１００−１のスイッチング電流経路を反映する限りにおいて、如何なるキャパシタ構成も利用可能である。下側のエッジにおけるＤＣバスへの接続のための金属フレーム１１０の形態の両面リードフレームが、これら２つの面の間の接続を形成する。図２に、重ね合わされる電流を、この電流が背面を流れていることを指し示す破線パターンの線として示す。
【００６１】
図２は、本発明の例示的な一実施形態に従ったパワー半導体モジュールの模式図を示している。
【００６２】
図２は、セラミック基板１００の正面図を示している。本発明の例示的な一実施形態によれば、パワー半導体モジュール１０００は、金属フレーム１１０が外部回路２００への電気接続を形成するように構成されたセラミック基板１００を有し得る。セラミック基板１００から外部回路２００への全ての電気接続が示されているわけではない。
【００６３】
図２中の更なる参照符号は、図１の記述にて既に説明されている。
【００６４】
図３は、本発明の例示的な一実施形態に従ったセラミック基板の模式図を示している。
【００６５】
図３は、残留誘導ループ領域を有する断面を示しており、実際には、この領域は、図３に拡大して示されるように、完全には消え去っていない。この断面は、もはや基板の厚さが残留インダクタンスの原因であることを明らかにしている。これにより、横方向の延在はもはや関連せず、故に、セラミック基板１００を有するデバイスを望みの数だけ並列に接続することができる。
【００６６】
図３中に存在する更なる参照符号は、図１に関する記述にて既に説明されている。
【００６７】
図４は、本発明の例示的な一実施形態に従ったセラミック基板を製造する方法の模式的なフローチャートを示している。
【００６８】
セラミック基板を製造する方法は、
ａ）正面１００−１を設けるステップＳ１であり、正面１００−１は、パワー半導体１０２−１、…、１０２−ｎと、該パワー半導体１０２−１、…、１０２−ｎをセラミック基板１００のエッジ１００−３の第１端子１０５−１、…、１０５−ｎに接続するように構成された少なくとも１つの第１金属プレーンコンタクト１０４−１、…、１０４−ｎを有する第１金属層１０４とを有する、正面１００−１を設けるステップと、
ｂ）背面１００−２を設けるステップＳ２であり、背面１００−２は、第１キャパシタ１０３と、該第１キャパシタ１０３をセラミック基板１００のエッジ１００−３の第２端子１０７−１、…、１０７−ｎに接続するように構成された少なくとも１つの第２金属プレーンコンタクト１０８−１、…、１０８−ｎを有する第２金属層１０８とを有する、背面１００−２を設けるステップと、
ｃ）第１金属層１０４を第２金属層１０８に接続するように構成された金属フレーム１１０を設けるステップＳ３と
を有し得る。
【００６９】
図５は、本発明の例示的な一実施形態に従ったセラミック基板の模式図を示している。
【００７０】
図５は、左にセラミック基板１００の正面１００−１の正面図を示し、中央に背面１００−２の背面図を示し、右にセラミック基板１００の断面図を示している。
【００７１】
本発明の例示的な一実施形態によれば、ＤＣバスキャパシタの中間点にタップされたスナバキャパシタ端子が使用され得る。
【００７２】
本発明の例示的な一実施形態によれば、分割ＤＣキャパシタの場合に中間点で好ましく接続されることが可能な、ハーフブリッジ構成におけるスナバキャパシタ用の第２端子１０７−３の付加が使用され得る。
【００７３】
図５中に存在する更なる参照符号は、図１に関する記述にて既に説明されている。
【００７４】
なお、様々な主題を参照して本発明の実施形態を説明した。特に、一部の実施形態は方法タイプのクレームを参照して説明し、他の実施形態は装置タイプのクレームを参照して説明した。
【００７５】
しかしながら、当業者は、上述及び以上の記載から、別のことが告知されていない限り、１つのタイプの主題に属する特徴の組合せだけでなく、相異なる主題に関する特徴間の組み合わせも、本願の中で開示されていると見なされることを認識するであろう。
【００７６】
しかしながら、何れの特徴も、組み合わされて、それらの特徴の単純な和を超える相乗効果をもたらし得る。
【００７７】
以上の記載及び図面にて本発明を詳細に図示して説明してきたが、これらの図示及び説明は、限定的なものではなく、例示的あるいは典型的なものとみなされるべきであり、本発明は、開示の実施形態に限定されるものではない。開示の実施形態へのその他の変形が、図面、本開示及び添付の請求項の検討から、請求項に係る発明を実施する当業者によって理解されて実現され得る。
【００７８】
請求項において、用語“有する”はその他の要素又はステップを排除するものではなく、不定冠詞“ａ”又は“ａｎ”は複数であることを排除するものではない。単一のプロセッサ又はコントローラ又はその他のユニットが、請求項に記載される複数のアイテムの機能を果たしてもよい。特定の複数の手段が相互に異なる従属項に記載されているという単なる事実は、それらの手段の組合せが有利に使用され得ないということを指し示すものではない。請求項中の如何なる参照符号も、範囲を限定するものとして解されるべきでない。
【図１】
2018510502.tif 000003
【図２】
2018510502.tif 000004
【図３】
2018510502.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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