Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月14日(2014.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の複数の被処理領域にて、複数のパターン領域が形成された型によりインプリント材を成形し、該成形したインプリント材を硬化させ、前記被処理領域にパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型または前記基板の少なくとも１つを変形させつつ、前記型と前記インプリント材とを互いに引き離す際に、前記複数のパターン領域にて引き離されるタイミングをそれぞれ異ならせることを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記型は、前記複数のパターン領域が形成された面の裏面に変形領域を有し、
前記複数のパターン領域の各々の重心位置と前記変形領域の中心位置との間の距離は、それぞれ異なることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記型は、前記複数のパターン領域が形成された面の裏面に変形領域を有し、
前記変形領域の厚みは、面方向の位置により異なることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記型は、前記複数のパターン領域が形成された面の裏面に変形領域を有し、
前記引き離しの際に、前記変形領域の中心位置から離れた面方向の位置に圧力を与えることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記引き離しの際に、前記型を傾けることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記複数のパターン領域は、縦横の列の範囲内で互いに隣接しないことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項７】
前記複数のパターン領域のそれぞれに囲まれた領域を空領域とし、
前記複数の被処理領域にて、所定の複数の被処理領域に対して前記引き離しを含む処理を実施した後の、次の前記処理の対象となる複数の被処理領域を、前の前記複数の被処理領域による前記空領域に、少なくともいずれか１つの前記被処理領域が位置するように決定することを特徴とする請求項６に記載のインプリント方法。
【請求項８】
複数のパターン領域が形成された型であって、
前記複数のパターン領域が表面に形成される第１部分と、
前記第１部分の外周部に位置し、厚さが前記第１部分の厚さよりも大きい第２部分と、を有し、
前記複数のパターン領域の各々の重心位置と前記第１部分の重心位置との間の距離がそれぞれ異なることを特徴とする型。
【請求項９】
前記複数のパターン領域は、縦横の列の範囲内で互いに隣接しないことを特徴とする請求項８に記載の型。
【請求項１０】
前記第１部分の前記表面とは反対の面に切り欠き部を有することを特徴とする請求項８に記載の型。
【請求項１１】
前記第１部分の厚みは、面方向の位置により異なることを特徴とする請求項８に記載の型。
【請求項１２】
複数のパターン領域が形成された型であって、
前記複数のパターン領域が表面に形成される第１部分と、
前記第１部分の外周部に位置し、厚さが前記第１部分の厚さよりも大きい第２部分と、を有し、
前記第１部分は、前記複数のパターン領域が形成された面の裏面に変形領域を有し、
前記変形領域の中心位置から前記複数のパターン領域の各々までの距離が互いに異なることを特徴とする型。
【請求項１３】
複数のパターン領域が形成された型であって、
前記複数のパターン領域が表面に形成される第１部分と、
前記第１部分の外周部に位置し、厚さが前記第１部分の厚さよりも大きい第２部分と、を有し、
前記第１部分の前記表面とは反対の面に切り欠き部を有することを特徴とする型。
【請求項１４】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載のインプリント方法を用いて基板上に樹脂のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、基板上の複数の被処理領域にて、複数のパターン領域が形成された型によりインプリント材を成形し、成形したインプリント材を硬化させ、被処理領域にパターンを形成するインプリント方法であって、型とインプリント材とを互いに引き離す際に、複数のパターン領域にて引き離されるタイミングをそれぞれ異ならせることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月22日(2013.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、裏面洗浄処理ユニットＢＣ、第４のセンターロボットＣＲ４、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ９およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲを含む。裏面洗浄処理ユニットＢＣは、露光処理前の基板Ｗの裏面の洗浄処理（以下、裏面洗浄処理と呼ぶ）を行う。ここで、基板Ｗの上面とは上方に向けられた基板Ｗの面をいい、基板Ｗの下面とは下方に向けられた基板Ｗの面をいう。また、基板Ｗの表面とは、反射防止膜用処理ブロック１０およびレジスト膜用処理ブロック１１において反射防止膜およびレジスト膜が形成される面（主面）をいい、基板Ｗの裏面とは、その反対側の面をいう。裏面洗浄処理ユニットＢＣは、基板の外周端部を保持する端面保持式のスピンチャック６００（後述する図５）を備える。スピンチャック６００（後述する図５）は、複数の保持ピン７１０（後述する図５）を備える。スピンチャック６００により基板Ｗが保持された状態で、各保持ピン７１０の一部が基板Ｗの外周端部に当接する。保持ピン７１０における基板Ｗの外周端部との当接部が、保持ピン７１０の一部分から他の部分に容易に変更される。裏面洗浄処理ユニットＢＣの詳細は後述する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９６】
（９−４）裏面洗浄処理ユニットＢＣにおいては、基板Ｗの裏面および外周端部が必ずしも洗浄ブラシ６３０で洗浄されなくてもよい。裏面洗浄処理ユニットＢＣにおいては、洗浄ブラシ６３０を基板Ｗの裏面に接触させず、洗浄ノズル６３３から基板Ｗの裏面の全域に純水等の洗浄液を供給することにより裏面洗浄処理が行われてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月4日(2013.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に沿って延びる側縁部に形成されたレール部と、
前記レール部と直交する第２の方向に沿って前記レール部から延出された複数のセクションバーと、
複数の前記セクションバーに沿って連接された複数の単位リードフレームと、
を備え、
前記複数のセクションバーは、
前記第２の方向に延びるスリットを有する第１のセクションバーと、
前記第２の方向に沿って延び表面から突出するリブを有する第２のセクションバーと、を含み、
前記第１のセクションバーと前記第２のセクションバーは、前記単位リードフレームを挟んで配置されること、
を特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記第１のセクションバーと前記第２のセクションバーは前記第１の方向に沿って交互に形成された、
ことを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記リブは、前記第２のセクションバーの全長に亘って形成されていること、
を特徴とする請求項１または２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記第２のセクションバーの裏面には、前記リブに対応する形状の凹部が形成されたこと、を特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記リブ及び前記凹部は、半抜き加工によって形成されること、
を特徴とする請求項４に記載のリードフレーム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一観点によれば、リードフレームは、第１の方向に沿って延びる側縁部に形成されたレール部と、前記レール部と直交する第２の方向に沿って前記レール部から延出された複数のセクションバーと、複数の前記セクションバーに沿って連接された複数の単位リードフレームと、を備え、前記複数のセクションバーは、前記第２の方向に延びるスリットを有する第１のセクションバーと、前記第２の方向に沿って延び表面から突出するリブを有する第２のセクションバーと、を含み、前記第１のセクションバーと前記第２のセクションバーは、前記単位リードフレームを挟んで配置される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月25日(2014.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトダイオードから出力される電荷を保持する第１の保持部と、
前記第１の保持部に保持された電圧をリセットするリセット部と、
前記フォトダイオードから出力される電荷を前記第１の保持部に転送する転送部と、
画素電源の供給線より供給される直流電圧をスイッチングするスイッチング部と、
前記第１の保持部により保持された電圧を信号出力線に出力する出力部と、
前記スイッチング部を介して供給された前記直流電圧を保持する第２の保持部と、
前記第２の保持部により保持された前記直流電力を電源として供給を受けて前記出力部を駆動する駆動部と
を備える画像処理装置。
【請求項２】
前記スイッチング部は、画素電源の供給線より供給される直流電圧を保持している状態で、前記リセット部によるリセットが行われる前にオフされ、前記出力部による前記第１の保持部により保持された電圧の前記信号出力線への出力が完了した後にオンされる
請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記画像処理装置は、CMOSイメージセンサである
請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
第１の保持部により、フォトダイオードから出力される電荷を保持し、
リセット部により、前記第１の保持部に保持された電圧をリセットし、
転送部により、前記フォトダイオードから出力される電荷を前記第１の保持部に転送し、
スイッチング部により、画素電源の供給線より供給される直流電圧をスイッチングし、
出力部により、前記第１の保持部により保持された電圧を信号出力線に出力し、
第２の保持部により、前記スイッチング部を介して供給された前記直流電圧を保持し、
駆動部により、前記第２の保持部により保持された前記直流電力を電源として供給を受けて前記出力部を駆動する
画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本技術の側面は、フォトダイオードから出力される電荷を保持する第１の保持部と、前記第１の保持部に保持された電圧をリセットするリセット部と、前記フォトダイオードから出力される電荷を前記第１の保持部に転送する転送部と、画素電源の供給線より供給される直流電圧をスイッチングするスイッチング部と、前記第１の保持部により保持された電圧を信号出力線に出力する出力部と、前記スイッチング部を介して供給された前記直流電圧を保持する第２の保持部と、前記第２の保持部により保持された前記直流電力を電源として供給を受けて前記出力部を駆動する駆動部とを備える画像処理装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月13日(2014.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
本実施例のゲート層１０８では、Ａｌの組成が０．１２のｐ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層とＡｌの組成が０．１４のｎ型ＡｌＧａＡｓ系のゲートが発光層として機能し、発光する。一方、Ａｌの組成が０．２５のｎ型ＡｌＧａＡｓ系のゲート層及びＡｌの組成が０．２５のｐ型ＡｌＧａＡｓ系のゲート層は、発光層として機能せず、発光しない。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月19日(2014.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマエッチング装置を用いるプラズマエッチング方法であって、
処理容器内に、その表面がシリコン含有物からなる上部電極と、被処理基板が載置される下部電極とが配置され、前記上部電極と前記下部電極との間にプラズマを形成して、無機膜をマスクとして被処理基板に形成された有機膜を途中までエッチングする工程と、
前記エッチング工程の後、プラズマを形成しつつ前記上部電極に負の直流電圧を印加して、前記エッチング工程によるエッチング部位の側壁に前記上部電極の前記シリコン含有物を含む保護膜を形成する工程と、
前記保護膜を形成する工程の後に、前記プラズマを用いたエッチングを継続して前記有機膜を所定の深さでエッチングする工程と
を有することを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】
前記エッチング工程と前記エッチングを継続する工程は、プラズマ生成ガスとしてＯ２ガスを含有するガスを用いて行うことを特徴とする請求項１に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項３】
前記保護膜を形成する工程と、前記エッチングを継続する工程とを複数回繰り返すことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項４】
エッチングの形状不良が生じる深さ位置を予め把握する工程をさらに有し、その位置に対応するタイミングで前記保護膜を形成する工程を行うことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項５】
前記保護膜を形成する工程は、Ｈ２ガスを含有するガスのプラズマを用いて行うことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項６】
前記保護膜を形成する工程に用いるプラズマは、さらにフッ素含有ガスを含むことを特徴とする請求項５に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項７】
前記保護膜を形成する工程の後に、フッ素含有ガスを含むプラズマによる処理を行う工程をさらに有することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項８】
コンピュータ上で動作し、プラズマエッチング装置を制御するためのプログラムが記憶された非一時的コンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項１から請求項７のいずれかのプラズマエッチング方法が行われるように、コンピュータに前記プラズマエッチング装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明は、プラズマエッチング装置を用いるプラズマエッチング方法であって、処理容器内に、その表面がシリコン含有物からなる上部電極と、被処理基板が載置される下部電極とが配置され、前記上部電極と前記下部電極との間にプラズマを形成して、無機膜をマスクとして被処理基板に形成された有機膜を途中までエッチングする工程と、前記エッチング工程の後、プラズマを形成しつつ前記上部電極に負の直流電圧を印加して、前記エッチング工程によるエッチング部位の側壁に前記上部電極の前記シリコン含有物を含む保護膜を形成する工程と、前記保護膜を形成する工程の後に、前記プラズマを用いたエッチングを継続して前記有機膜を所定の深さでエッチングする工程とを有することを特徴とするプラズマエッチング方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明において、前記エッチング工程と前記エッチングを継続する工程は、プラズマ生成ガスとしてＯ２ガスを含有するガスを用いて行うことができる。また、前記保護膜を形成する工程と、前記エッチングを継続する工程とを複数回繰り返すこともできる。さらに、エッチングの形状不良が生じる深さ位置を予め把握する工程をさらに有し、その位置に対応するタイミングで前記保護膜を形成する工程を行うことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記保護膜を形成する工程の後に、フッ素含有ガスを含むプラズマによる処理を行う工程をさらに有してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、コンピュータ上で動作し、プラズマエッチング装置を制御するためのプログラムが記憶された非一時的コンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、上記プラズマエッチング方法が行われるように、コンピュータに前記プラズマエッチング装置を制御させることを特徴とする記憶媒体を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月24日(2014.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
発散する荷電粒子線が入射するコリメータレンズを含む照射光学系と、
前記照射光学系からの荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割するアパーチャアレイと、
前記アパーチャアレイからの複数の荷電粒子線からそれぞれ複数のクロスオーバを形成する集束レンズアレイと、
前記複数のクロスオーバに対応する複数の開口を備えた素子と、該複数の開口に対してそれぞれ設けられて荷電粒子線を前記基板上に投影する複数の投影ユニットと、を含む投影系と、を有し、
前記照射光学系の収差に依る入射角で前記アパーチャアレイに入射して前記集束レンズアレイにより形成される前記複数のクロスオーバのそれぞれの位置が前記素子における対応する開口に整合するように、前記集束レンズアレイは、前記素子における対応する開口に対して偏心している集束レンズを含む、ことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記偏心している集束レンズは、前記照射光学系の収差を補償するように偏心している、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記コリメータレンズは、荷電粒子線のクロスオーバから発散する荷電粒子線が入射し、該クロスオーバは、前記コリメータレンズの前側焦点からずれた位置にある、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記アパーチャアレイは、前記集束レンズアレイにおける対応する集束レンズとともに前記素子における対応する開口に対して偏心しているアパーチャを含む、ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項５】
前記アパーチャアレイは、前記集束レンズアレイの前側焦点に配置され、前記集束レンズアレイにおける対応する集束レンズと同じ量だけ前記素子における対応する開口に対して偏心しているアパーチャを含む、ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
前記アパーチャアレイは、前記集束レンズアレイの前側焦点からずれた位置に配置され、前記集束レンズアレイにおける対応する集束レンズとは異なる量だけ前記素子における対応する開口に対して偏心しているアパーチャを含む、ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項７】
前記照射光学系と前記アパーチャアレイと前記集束レンズアレイと前記投影系とを含む組を並列に複数有する、ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項８】
前記素子は、ブランカーアレイである、ことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項９】
前記素子は、ストップアパーチャアレイである、ことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一つの側面は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
発散する荷電粒子線が入射するコリメータレンズを含む照射光学系と、
前記照射光学系からの荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割するアパーチャアレイと、
前記アパーチャアレイからの複数の荷電粒子線からそれぞれ複数のクロスオーバを形成する集束レンズアレイと、
前記複数のクロスオーバに対応する複数の開口を備えた素子と、該複数の開口に対してそれぞれ設けられて荷電粒子線を前記基板上に投影する複数の投影ユニットと、を含む投影系と、を有し、
前記照射光学系の収差に依る入射角で前記アパーチャアレイに入射して前記集束レンズアレイにより形成される前記複数のクロスオーバのそれぞれの位置が前記素子における対応する開口に整合するように、前記集束レンズアレイは、前記素子における対応する開口に対して偏心している集束レンズを含む、ことを特徴とする描画装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月14日(2014.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の請求項１記載の発明は、押圧部材と、押圧部材の下方に配置された可撓性の基材と、基材の下面に設けられた抵抗体と、第１電極と第２電極とを含む複数の電極で構成され、押圧部材が押圧されると抵抗体に接触する位置に基材に対向して設けられた電極群と、電極群と間隔を空けて設けられ、押圧部材が押圧されると抵抗体に接触する位置に基材に対向して設けられた第３電極と、第１電極と第２電極との間に直列接続された抵抗素子と、第２電極と抵抗素子との間に接続された第１端子と、第３電極に接続された第２端子とを備え、第１電極は、押圧部材の押圧中心から第２電極よりも近い位置に設けられるよう構成しているため、電極対の抵抗値の変化を基材の押圧力の変化に対し緩やかなものとすることができ、電子機器に表示されたカーソルの移動速度を所望の速度に調整するなど電子機器の操作が容易な感圧スイッチを提供することができるという作用を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項２記載の発明は、電極群は、押圧部材の押圧中心から第２電極よりも遠い位置に設けられた第２電極と直接に接続された第４電極をさらに含み、第１電極、第２電極、第４電極は並行に配置されるよう構成しているため、抵抗素子の所定の抵抗値を想定しやすく、設計が容易な感圧スイッチを提供することができるという作用を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
押圧部材と、
前記押圧部材の下方に配置された可撓性の基材と、
前記基材の下面に設けられた抵抗体と、
第１電極と第２電極とを含む複数の電極で構成され、前記押圧部材が押圧されると前記抵抗体に接触する位置に前記基材に対向して設けられた電極群と、
前記電極群と間隔を空けて設けられ、前記押圧部材が押圧されると前記抵抗体に接触する位置に前記基材に対向して設けられた第３電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に直列接続された抵抗素子と、
前記第２電極と前記抵抗素子との間に接続された第１端子と、
前記第３電極に接続された第２端子とを備え、
前記第１電極は、前記押圧部材の押圧中心から前記第２電極よりも近い位置に設けられた感圧スイッチ。
【請求項２】
前記電極群は、前記押圧部材の前記押圧中心から前記第２電極よりも遠い位置に設けられた前記第２電極と直接に接続された第４電極をさらに含み、前記第１電極、第２電極、第４電極は並行に配置された請求項１記載の感圧スイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月17日(2014.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図３は図１に示した表示領域１１０の断面構成を表したものである。赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂおよび黄色有機ＥＬ素子１０Ｙは、それぞれ、基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１および平坦化絶縁膜（図示せず）を間にして、陽極としての下部電極１４（第１電極），隔壁１５，後述する発光層１６（黄色発光層１６Ｃ，青色発光層１６Ｅ）および接続層１６Ｄを含む有機層１６および陰極としての上部電極１７（第２電極）がこの順に積層された構成を有している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
青色発光層１６Ｅは低分子材料から形成され、少なくともホスト材料とゲスト材料の２種類の材料から構成されている。ホスト材料としては、具体的には、例えば上記式式（５−１）〜式（５−２９）に記載の化合物が挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
電子輸送層１６Ｆの材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、フラーレン、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。具体的には、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（略称Ａｌｑ３）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、Ｃ６０、アクリジン、スチルベン、１，１０−フェナントロリンまたはそれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
電子注入層１６Ｇは、電子注入効率を高めるためのものであり、電子輸送層１６Ｆの全面に共通層として設けられている。電子注入層１６Ｇの材料としては、例えばリチウム（Ｌｉ）の酸化物である酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）や、セシウム（Ｃｓ）の複合酸化物である炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）、さらにはこれらの酸化物及び複合酸化物の混合物を用いることができる。また、電子注入層１６Ｇは、このような材料に限定されることはなく、例えば、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、さらにはインジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）等の仕事関数の小さい金属、さらにはこれらの金属の酸化物及び複合酸化物、フッ化物等を、単体でまたはこれらの金属および酸化物及び複合酸化物、フッ化の混合物や合金として安定性を高めて使用してもよい。更に、上記電子輸送層１６Ｆの材料として挙げた有機材料を用いてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
封止用基板３０は、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂおよび黄色有機ＥＬ素子１０Ｙの上部電極１７の側に位置しており、接着層（図示せず）と共に赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂおよび黄色有機ＥＬ素子１０Ｙを封止するものである。光を封止基板の上方から取り出すトップエミッション方式では、封止用基板３０は、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂおよび黄色有機ＥＬ素子１０Ｙで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板３０には、例えば、カラーフィルタ４０およびブラックマトリクスとしての遮光膜（図示せず）が設けられており、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂおよび黄色有機ＥＬ素子１０Ｙで発生した光を取り出すと共に、赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂおよび黄色有機ＥＬ素子１０Ｙ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。なお、光を下部電極から取り出すボトムエミッション方式では、封止基板３０の下に同様にカラーフィルタ４０を形成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
（結晶部１６ＣＡの形成工程）
黄色発光層１６Ｃに配したのち、図６（Ｂ）に示したように、熱処理（乾燥処理）を行うことにより、黄色発光層１６Ｃを形成する（ステップＳ１０７）。熱処理においては、溶媒または分散媒を乾燥後、８０℃から１５０℃の範囲で黄色発光層内に含まれる最も低いガラス転移点以下で加熱する。塗布する雰囲気や溶媒を乾燥、加熱する雰囲気としては、窒素（Ｎ2）を主成分とする雰囲気中が好ましい。前記乾燥工程により、溶媒を除去後
、光や熱により青色発光を呈する部位のみ選択的に結晶化を施す。光や熱により選択的に結晶化を引き起こし温度範囲としては、１００℃から２００℃で良く、好ましくは１２０℃から２００℃の温度範囲である。この温度範囲且つ少なくとも黄色発光層を構成する材料のうち、少なくとも１種のＴｇを超える温度で加熱処理することにより、選択的に結晶化領域１６ＣＡを形成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
保護層２０を形成したのち、例えば、上述した材料よりなる封止用基板３０に、上述した材料よりなる遮光膜を形成する。続いて、封止用基板３０に赤色フィルタ４０Ｒの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタ４０Ｒを形成する。続いて、赤色フィルタ４０Ｒと同様にして、緑色フィルタ４０Ｇ，青色フィルタ４０Ｂおよび黄色フィルタ４０Ｙを順次形成する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
図８は第２の実施の形態における有機ＥＬ表示装置２の表示領域の断面構成を表したものである。赤色有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色有機ＥＬ素子１０Ｇ，青色有機ＥＬ素子１０Ｂ、黄色有機ＥＬ素子１０Ｙは、それぞれ、基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１および平坦化絶縁膜（図示せず）を間にして、陽極としての下部電極１４、隔壁１５、後述する発光層（黄色発光層２６Ｃ，青色発光層２６Ｅ）および接続層２６Ｄを含む有機層２６および陰極としての上部電極１７がこの順に積層された構成を有している。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
本実施の形態の有機ＥＬ表示装置２は、図９に示した流れ図のように黄色発光層２６Ｃを蒸着法によって形成することが、上記第１の実施の形態と異なる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2012204165.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月11日(2014.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
（第４実施形態）
続いて、図１１〜図１３を用いて本発明の第４実施形態に係る固体撮像装置５を説明する。固体撮像装置５は、図２の固体撮像装置１に瞳補正をおこなったものである。それ以外の点は、固体撮像装置１と同じであるため同一符号を付し重ねての説明を省略する。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
また、図５に示すようにカラーフィルタ１３と遮光膜１６とを異なる層に形成する場合は、遮光膜１６及び平坦化膜２１も基板中心方向にずらして配置してもよい。この場合、遮光膜１６及び平坦化膜２１のずらし量ｄは、ｄＡＢ≧ｄとなるようにすればよい。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
固体撮像装置１は、駆動信号に基づき光電変換素子ＰＤに蓄積された信号電荷を電気信号として出力する。
信号処理回路２１３は、各種の信号処理を行う。信号処理回路２１３は、固体撮像装置１が出力する電気信号に対して信号処理を施して映像信号を生成し、図示しないメモリなどの記憶媒体やモニタ等に出力する。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記マイクロレンズは凸レンズであり、前記層内レンズは凹レンズである請求項４記載の固体撮像装置。 
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記画素、前記マイクロレンズ及び前記層内レンズは基板上に形成され、
前記基板の周辺部に設けられる前記マイクロレンズ及び前記層内レンズの中心は、対応する前記画素の中心に対し、前記基板の中心方向にずらして配置される請求項１〜８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2012204354.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2012204354.tif 000002
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2012204354.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月17日(2014.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音声信号により振動する振動源と、前記振動源に前記音声信号よりも低周波の低周波振動信号を導入する低周波源とを有することを特徴とする携帯電話。
【請求項２】
前記携帯電話への指のタッチを検出するタッチ検知部を有し、前記低周波源は、前記タッチ検知部によるタッチ検知に応答して前記低周波振動信号を前記振動源に導入し、タッチした指に前記振動源の低周波振動を伝達することを特徴とする請求項１記載の携帯電話。
【請求項３】
表示画面を有し、前記タッチ検知部は前記表示画面に設けられたタッチパネルであることを特徴とする請求項２記載の携帯電話。
【請求項４】
前記タッチ検知部として前記振動源が兼用されることを特徴とする請求項２記載の携帯電話。
【請求項５】
前記タッチ検知部による検知から所定時間の遅延を置いて前記振動源に前記低周波振動信号が導入されることを特徴とする請求項２から４のいずれかに記載の携帯電話。
【請求項６】
前記振動源に前記音声信号を導入するか前記低周波源の低周波信号を導入するかを切換える切換え部を有することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の携帯電話。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月30日(2014.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示しようとする立体画像の視聴条件を入力する入力部と、
前記視聴条件に基づいて前記立体画像の視差を補正する変換特性を定める変換特性設定部と、
前記変換特性に基づいて前記立体画像の視差を補正する補正視差算出部と
を備える画像処理装置。
【請求項２】
前記視聴条件は、前記立体画像を視聴するユーザの両眼間隔、前記立体画像の視聴距離または前記立体画像が表示される表示画面の幅の少なくとも何れかである
請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記視聴条件に基づいて前記立体画像の補正後の視差が取り得る視差範囲を求める許容視差算出部をさらに備え、
前記変換特性設定部は、前記視差範囲と前記立体画像の視差とに基づいて前記変換特性を定める
請求項１または請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記変換特性設定部は、前記立体画像の視差を前記視差範囲内の視差に変換する変換関数を前記変換特性とする
請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記立体画像を前記補正視差算出部により補正された視差を有する立体画像に変換する画像変換部をさらに備える
請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記表示画面の大きさを示す情報を取得して、前記情報に基づいて前記表示画面の幅および前記視聴距離を求める演算部をさらに備える
請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記立体画像を視聴する前記ユーザの画像および前記視聴距離に基づいて前記両眼間隔を算出する画像処理部をさらに備える
請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記立体画像を視聴する前記ユーザの画像であって、互いに視差を有する一対の画像に基づいて前記視聴距離を算出する画像処理部をさらに備える
請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項９】
表示しようとする立体画像の視聴条件を入力する入力部と、
前記視聴条件に基づいて前記立体画像の視差を補正する変換特性を定める変換特性設定部と、
前記変換特性に基づいて前記立体画像の視差を補正する補正視差算出部と
を備える画像処理装置の画像処理方法であって、
前記入力部が前記視聴条件を入力し、
前記変換特性設定部が、前記変換特性を定め、
前記補正視差算出部が、前記立体画像の視差を補正する
ステップを含む画像処理方法。
【請求項１０】
表示しようとする立体画像の視聴条件を入力し、
前記視聴条件に基づいて前記立体画像の視差を補正する変換特性を定め、
前記変換特性に基づいて前記立体画像の視差を補正する
ステップを含む処理をコンピュータに実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月10日(2014.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】照明装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、
上記筐体の一端に位置する給電のための口金と、
上記筐体の他端に位置する搭載台に設けられた光源装置であって、第１面、および、上記第１面と反対側の第２面を有する第１基板と、上記第１面の中央に、側面が外側で該第１面と鋭角をなすように配置されている円錐台状の第１反射体と、上記第１面に、上記第１反射体を囲むように配置されている複数の第１発光素子とを有する光源装置と、
上記第１基板に対して上記口金の設置側に位置し、かつ、上記筐体内に収納された、上記複数の第１発光素子を駆動するための駆動回路と、
上記駆動回路に結線され、上記複数の第１発光素子に印加する電圧を伝達する一対のリード線と、
上記光源装置を覆う球殻状のグローブとを備えている照明装置であって、
上記第１反射体は、少なくとも側面が光反射機能を有し、
上記一対のリード線は、上記搭載台および上記第１基板を貫通し、該第１基板の表面における上記第１反射体の底部との対向位置で開口した１つの貫通穴を通って、上記筐体内に導かれることを特徴とする照明装置。
【請求項２】
上記搭載台は、円錐台状の形状を有し、
上記光源装置は、上記搭載台の天面に設置され、
上記グローブは、上記光源装置と、上記搭載台の天面と、上記搭載台の側面の少なくとも一部とを覆うように設置され、
上記搭載台の側面は、光反射機能を有していることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
上記搭載台の側面は、外側で上記搭載台の天面と６０°〜９０°の角度をなすように傾斜していることを特徴とする請求項２に記載の照明装置。
【請求項４】
上記第１反射体の上記第１基板に対向する面と反対側の面には、外側に凸状のレンズ部が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項５】
上記光源装置は、
第３面、および、上記第３面と反対側の第４面を有し、上記第１反射体の上記第１基板に対向する面と反対側の面に、上記第４面が該反対側の面と対向するように配置されている第２基板と、
上記第３面に配置されている複数の第２発光素子とをさらに備えていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項６】
上記光源装置は、上記第３面の中央に、側面が外側で該第３面と鋭角をなすように配置されている円錐台状の第２反射体をさらに備え、
上記第２反射体は、少なくとも側面が光反射機能を有し、
上記複数の第２発光素子は、上記第２反射体を囲むように配置されていることを特徴とする請求項５に記載の照明装置。
【請求項７】
上記複数の第１発光素子は、上記第１反射体を囲むように、等間隔で円状に配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項８】
上記複数の第１発光素子は、上記第１反射体を囲むように、等間隔で円状に配置され、
上記複数の第２発光素子は、上記第２反射体を囲むように、等間隔で円状に配置されていることを特徴とする請求項６に記載の照明装置。
【請求項９】
上記複数の第１発光素子への電圧印加端子と、上記複数の第２発光素子への電圧印加端子とは、個別に設けられていることを特徴とする請求項５または６に記載の照明装置。
【請求項１０】
動く物体を検出する感知センサーをさらに備え、
上記光源装置は、上記感知センサーの検出結果に応じて点灯動作を行うことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項１１】
上記感知センサーは、赤外線センサーまたは音センサーにより構成されていることを特徴とする請求項１０に記載の照明装置。
【請求項１２】
上記搭載台は、さらに放熱体として機能することを特徴とする請求項２に記載の照明装置。
【請求項１３】
上記駆動回路が構成された回路基板をさらに備え、
上記搭載台の底面には、上記回路基板の一部を収容する凹部が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の照明装置。
【請求項１４】
筐体と、
上記筐体の一端に位置する給電のための口金と、
搭載面に設置された光源装置であって、複数の発光素子が構成された基板が、少なくとも側面が光反射機能を有する円錐台状の第１反射体を介して、上記搭載面に垂直な方向に複数積層されている光源装置と、
複数の上記基板のうち最下層に位置する基板に対して上記口金の設置側に位置し、かつ、上記筐体内に収納された、上記複数の発光素子を駆動するための駆動回路と、
上記駆動回路に結線され、複数積層された上記基板単位で設けられ、上記複数の発光素子に印加する電圧を伝達する一対のリード線と、
上記光源装置を覆う球殻状のグローブとを備えている照明装置であって、
上記複数の基板のうち最上層に位置する基板以外の各基板では、直上の上記第１反射体が、該基板の中央に、該第１反射体の側面が外側で該基板と鋭角をなすように配置されているとともに、上記複数の発光素子が、該第１反射体を囲むように配置されており、
上記一対のリード線は、上記搭載面および上記複数の基板のうち最下層に位置する基板を貫通し、該基板の表面における上記第１反射体の底部との対向位置で開口した１つの貫通穴を通って、上記筐体内に導かれることを特徴とする照明装置。
【請求項１５】
上記光源装置は、少なくとも側面が光反射機能を有する円錐台状の第２反射体をさらに備え、
上記最上層に位置する基板では、上記第２反射体が、該基板の中央に、該第２反射体の側面が外側で該基板と鋭角をなすように配置されているとともに、上記複数の発光素子が、該第２反射体を囲むように配置されていることを特徴とする請求項１４に記載の照明装置。
【請求項１６】
電球型の照明装置であることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月19日(2013.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面にナノオーダーサイズの凹凸が設けられた金属層と、前記金属層の前記一面側に設けられた発光層を含む複数の有機層と、前記有機層を介して前記金属層と対向するように設けられた導電層と、を備え、
前記有機層の各界面における凹凸の高さが、前記金属層に設けられた凹凸より小さくなるように構成されており、
前記有機層における前記導電層と接する層との界面は平坦であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記金属層の凹凸は、その高さが１０〜２００ｎｍであり、その幅が該凹凸の高さ以上になるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記金属層は、前記有機層に電圧を印加する第１の電極層と成り、前記有機層を介して前記第１の電極層と対になる前記導電層は、第２の電極層と成ることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記金属層は、前記有機層を形成するための基板と成ることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記有機層は、前記金属層の前記一面側に、絶縁層と、前記有機層に電圧を印加する第１の電極層とを介して設けられ、
前記有機層の前記第１の電極層側とは反対側に、前記導電層が第２の電極層として設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
前記金属層は光反射性を有し、前記第１の電極層は透光性を有することを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記有機層の各界面における凹凸の高さが、前記第２の電極層に近接するに従って小さくなるように形成されていることを特徴とする請求項３又は請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記有機層又は前記第２の電極層は、塗布型材料で形成されることを特徴とする請求項３又は請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、一面にナノオーダーサイズの凹凸が設けられた金属層と、前記金属層の前記一面側に設けられた発光層を含む複数の有機層と、前記有機層を介して前記金属層と対向するように設けられた導電層と、を備え、前記有機層の各界面における凹凸の高さが、前記金属層に設けられた凹凸より小さくなるように構成されており、前記有機層における前記導電層と接する層との界面は平坦であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記金属層は、前記有機層に電圧を印加する第１の電極層と成り、前記有機層を介して前記第１の電極層と対になる前記導電層は、第２の電極層と成ることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層は、前記金属層の前記一面側に、絶縁層と、前記有機層に電圧を印加する第１の電極層とを介して設けられ、前記有機層の前記第１の電極層側とは反対側に、前記導電層が第２の電極層として設けられていることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月19日(2014.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種類の識別情報の可変表示を行い表示結果を導出表示する可変表示手段を備え、所定の移行条件が成立した後に遊技者にとって通常状態よりも有利な特別遊技状態に制御可能な遊技機であって、
前記特別遊技状態の終了条件となる可変表示の回数を、第１の回数と、当該第１の回数より多い第２の回数と、を含む複数種類から決定する終了条件決定手段と、
前記終了条件決定手段の決定結果に基づいて、前記第１の回数または第２の回数の可変表示が実行されたときに、前記特別遊技状態を終了させて前記通常状態に制御する状態制御手段と、
前記終了条件決定手段により前記第２の回数と決定された場合、前記第１の回数となる以前の可変表示において、前記特別遊技状態が継続することを報知する継続報知演出を実行する継続報知演出実行手段と、
前記継続報知演出が実行され得る所定期間となるより前の可変表示において、前記継続報知演出に関連した演出を実行する演出実行手段と、
を備えることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の遊技機は、
（１）複数種類の識別情報（例えば特別図柄や飾り図柄など）の可変表示を行い表示結果を導出表示する可変表示手段（例えば第１及び第２特別図柄表示装置４Ａ、４Ｂや画像表示装置５など）を備え、所定の移行条件が成立した後に遊技者にとって通常状態よりも有利な特別遊技状態（例えば時短状態や確変状態など）に制御可能な遊技機（例えばパチンコ遊技機１など）であって、前記特別遊技状態の終了条件となる可変表示の回数を、第１の回数（例えば５０回など）と、当該第１の回数より多い第２の回数（例えば１００回など）と、を含む複数種類から決定する終了条件決定手段（例えばＣＰＵ１０３がステップＳ２４３の処理を実行する部分など）と、前記終了条件決定手段の決定結果に基づいて、前記第１の回数または第２の回数の可変表示が実行されたときに、前記特別遊技状態を終了させて前記通常状態に制御する状態制御手段（例えば演出制御用ＣＰＵ１２０がステップＳ８５４、Ｓ８５８、Ｓ８５９の処理を実行する部分など）と、前記終了条件決定手段により前記第２の回数と決定された場合、前記第１の回数となる以前の可変表示において（例えば時短制御が実行されてから４６回目〜５０回目あるいは９６回目〜１００回目の変動において）、前記特別遊技状態が継続することを報知する継続報知演出を実行する継続報知演出実行手段（例えば演出制御用ＣＰＵ１２０がＳ８１７、Ｓ８３５における決定結果に基づいてＳ６７０〜Ｓ６７５の処理を実行する部分など）と、前記継続報知演出が実行され得る所定期間となるより前の可変表示において、前記継続報知演出に関連した演出を実行する演出実行手段（例えば演出制御用ＣＰＵ１２０がＳ８０６、Ｓ８２４における決定結果に基づいてＳ６７６、Ｓ６７７の処理を実行する部分など）と、を備えることを特徴とする。
このような構成によれば、継続報知演出に関連した演出により特別遊技状態が継続するか否かを複数回の可変表示に亘って注目させることができ、継続報知演出に関連した演出を実行した後のいずれかの可変表示において特別遊技状態が継続することが報知されることがあるので、遊技の興趣が向上する。