Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月27日(2014.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上にタングステン膜を用いて保護導電膜を形成し、
前記保護導電膜上にアルミニウムを含む膜を含む積層構造を有する導電層を形成し、
前記導電層上にレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて、塩素系ガスを用いる第１のエッチング工程により、選択的に前記導電層をエッチングして前記保護導電膜を露出させ、
前記レジストマスクを用いて、塩素系ガスとフッ素系ガスの混合ガスを用いる第２のエッチング工程により、選択的に前記保護導電膜をエッチングして前記酸化物半導体層を露出させると共に配線層を形成し、
第１のエッチング工程において、前記保護導電膜が前記導電層よりエッチングされにくく、前記導電層と前記保護導電膜とのエッチング選択比が高い条件で行い、
第２のエッチング工程において、前記保護導電膜が前記酸化物半導体層よりエッチングされやすく、前記保護導電膜と前記酸化物半導体層とのエッチング選択比が高い条件で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１おいて、
前記酸化物半導体層、前記保護導電膜、前記配線層上に絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上にタングステン膜を用いて保護導電膜を形成し、
前記保護導電膜上にアルミニウムを含む膜を含む積層構造を有する導電層を形成し、
前記導電層上にレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて、塩素系ガスを用いる第１のエッチング工程により、選択的に前記導電層をエッチングして前記保護導電膜を露出させ、
前記レジストマスクを用いて、塩素系ガスとフッ素系ガスの混合ガスを用いる第２のエッチング工程により、選択的に前記保護導電膜をエッチングして前記酸化物半導体層を露出させると共に配線層を形成し、
前記配線層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上の前記酸化物半導体層と重畳する領域にゲート電極層を形成し、
第１のエッチング工程において、前記保護導電膜が前記導電層よりエッチングされにくく、前記導電層と前記保護導電膜とのエッチング選択比が高い条件で行い、
第２のエッチング工程において、前記保護導電膜が前記酸化物半導体層よりエッチングされやすく、前記保護導電膜と前記酸化物半導体層とのエッチング選択比が高い条件で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記保護導電膜の膜厚は、前記酸化物半導体層の膜厚以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１のエッチング工程は、前記導電層と前記保護導電膜とのエッチング選択比が４以上であり、
前記第２のエッチング工程は、前記保護導電膜と前記酸化物半導体層とのエッチング選択比が３０以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記導電層は、アルミニウムを含む膜の下層にチタン膜を有する積層構造を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、および亜鉛を含む膜を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極上の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上の、絶縁層と、
前記絶縁層上の、第２の電極と、を有し、
前記第１の電極は、前記酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記第２の電極は、前記酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
前記ソース電極は、チャネル幅方向に、前記酸化物半導体層の端より延在した、第１の領域を有し、
前記ソース電極は、チャネル長方向に、前記酸化物半導体層の端より延在した、第２の領域を有し、
前記ドレイン電極は、チャネル幅方向に、前記酸化物半導体層の端より延在した、第３の領域を有し、
前記ドレイン電極は、チャネル長方向に、前記酸化物半導体層の端より延在した、第４の領域を有し、
前記第１の領域は、前記酸化物半導体層と接し、
前記第２の領域は、前記酸化物半導体層と接し、
前記第３の領域は、前記酸化物半導体層と接し、
前記第４の領域は、前記酸化物半導体層と接し、
前記第２の電極は、前記ソース電極と重ならず、
前記第２の電極は、前記ドレイン電極と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の電極は、前記酸化物半導体層のチャネル長方向の幅より広い幅を有し、
前記第１の電極は、前記第２の電極の幅より広い幅を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体層は、０．１μｍ以上５０μｍ以下の厚さを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、表面に対して垂直方向に沿うように、ｃ軸配向した結晶領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４において、
前記酸化物半導体層は、亜鉛及びインジウムの一方又は双方を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月5日(2014.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
屈曲性を有し透光性の一対の支持体と、
前記支持体に設けられた一対の導電層と、
前記一対の支持体間に挟まれ前記導電層にそれぞれ接続される一対の電極を備えた発光素子と、
前記一対の支持体間に充填された透光性を持つ電気絶縁性の中間層と、
を有し、
前記支持体は前記発光素子を中心として外側に突出した状態に変形され、前記発光素子から発光された光が前記支持体の両面から放出されることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
透光性を持つ第１基体を備えた第１支持体と、
透光性を持つ第２基体とこの第２基体の表面に形成された第２導電層とを備えた第２支持体と、
前記第２導電層は電源に接続可能であり、前記第２導電層に接する一対の電極を備えた発光素子と、
前記第１支持体と前記第２支持体との間に充填された透光性を持つ電気絶縁性の中間層と、
を有し、前記第１支持体および前記第２支持体の少なくとも一方は屈曲性を持ち、前記発光素子を中心として外側に突出した状態に変形され、かつ、前記発光素子から発光された光が前記第1支持体と前記第２支持体の両面から放出されることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
前記中間層の厚さは前記発光素子の電極間の距離よりも小さいことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１支持体および前記第２支持体はいずれも屈曲性を持つことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１電極は前記第２電極よりも小さいことを特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記発光素子は複数であることを特徴とする請求項２ないし請求項５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかの発光装置を複数積層してなることを特徴とする発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述の課題を解決するため、本発明は、屈曲性を有し透光性の一対の支持体と、前記支持体に設けられた一対の導電層と、前記一対の支持体間に挟まれ前記導電層にそれぞれ接続される一対の電極を備えた発光素子と、前記一対の支持体間に充填された透光性を持つ電気絶縁性の中間層と、を有し、前記発光素子から発光された光が前記支持体の両面から放出されることを特徴とする発光装置にある。
また透光性を持つ第１基体を備えた第１支持体と、透光性を持つ第２基体とこの第２基体の表面に形成された第２導電層とを備えた第２支持体と、前記第２導電層は電源に接続可能であり、前記第２導電層に接する一対の電極を備えた発光素子と、前記第１支持体と前記第２支持体との間に充填された透光性を持つ電気絶縁性の中間層と、を有し、前記第１支持体および前記第２支持体の少なくとも一方は屈曲性を持ち、前記発光素子を中心として外側に突出した状態に変形され、かつ、前記発光素子から発光された光が前記第1支持体と前記第２支持体の両面から放出されることを特徴とする発光装置にある。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月25日(2014.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、を有するトランジスタと、
前記ゲート電極と電気的に接続された第１の配線と、
前記ソース電極と電気的に接続された第２の配線と、
前記ドレイン電極と電気的に接続された画素電極と、
容量配線と、
溝部と、を有し、
前記半導体層は、前記第１の配線と重畳する第１の領域と、前記第２の配線と重畳する第２の領域と、前記画素電極と重畳する第３の領域と、前記容量配線と重畳する第４の領域と、を有し、
前記溝部は、前記第１の配線上に、前記第１の配線の線幅方向に横切って設けられる第５の領域と、前記容量配線上に、前記容量配線の線幅方向に横切って設けられる第６の領域と、前記第２の配線が延在する方向と平行な方向において、前記画素電極の端部を越えて延在する第７の領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記溝部の底面には、半導体層が設けられていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記溝部の側面において、半導体層が露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記溝部は、配向膜と重畳する第８の領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記溝部は、前記画素電極する第９の領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記半導体層は、酸化物半導体を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
基板上に、第１のフォトリソグラフィ工程によりゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、
第２のフォトリソグラフィ工程により、前記半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に絶縁層を形成し、
第３のフォトリソグラフィ工程により、前記ドレイン電極と重なる前記絶縁層の一部を選択的に除去してコンタクトホールの形成と、前記絶縁層の他の一部、前記半導体層の一部、及び前記ゲート絶縁層の一部を除去して溝部の形成と、を行い、
第４のフォトリソグラフィ工程により、前記絶縁層上に画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記基板と、前記ゲート電極との間に、下地層が形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、
前記半導体層は、酸化物半導体を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、
前記ゲート電極、前記ソース電極、または前記ドレイン電極を、銅を含む材料を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記ゲート電極、前記ソース電極、または前記ドレイン電極を形成した後のプロセス最高温度は、４５０℃以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、
前記ゲート電極、前記ソース電極、または前記ドレイン電極を、アルミニウムを含む材料を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記ゲート電極、前記ソース電極、または前記ドレイン電極を形成した後のプロセス最高温度は、３８０℃以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月1日(2014.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の半導体膜と、
前記半導体膜上の一対の不純物半導体膜と、
前記一対の不純物半導体膜上の配線と、
前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜、前記一対の不純物半導体膜、及び前記配線上の絶縁膜と、
を有し、
前記半導体膜は、前記ゲート絶縁膜側の微結晶半導体領域と、前記微結晶半導体領域の一部に接する一対の非晶質半導体領域とを有し、
前記微結晶半導体領域と前記ゲート絶縁膜との界面における窒素濃度は、前記微結晶半導体領域と前記一対の非晶質半導体領域との界面における窒素濃度より低く、
前記微結晶半導体領域と前記絶縁膜との界面における窒素濃度は、前記微結晶半導体領域と前記一対の非晶質半導体領域との界面における窒素濃度より低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の半導体膜と、
前記半導体膜上の一対の不純物半導体膜と、
前記一対の不純物半導体膜上の配線と、
前記ゲート絶縁膜、前記半導体膜、前記一対の不純物半導体膜、及び前記配線上の絶縁膜と、
を有し、
前記半導体膜は、前記ゲート絶縁膜側の微結晶半導体領域と、前記微結晶半導体領域の一部に接する一対の非晶質半導体領域とを有し、
前記微結晶半導体領域のうち前記一対の非晶質半導体領域と接する領域では、前記微結晶半導体領域の二次イオン質量分析法の窒素濃度プロファイルは、前記非晶質半導体領域側でピーク濃度を有し、
前記微結晶半導体領域のうち前記絶縁膜と接する領域では、前記微結晶半導体領域の二次イオン質量分析法の窒素濃度プロファイルは、ピーク濃度を有さないことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
二次イオン質量分析法によって計測される前記微結晶半導体膜の前記ゲート絶縁膜側の窒素濃度は、検出下限以上１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
二次イオン質量分析法によって計測される前記微結晶半導体膜の前記一対の非晶質半導体領域側の窒素濃度は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記ゲート絶縁膜は、窒素を含む絶縁膜及び酸素を含む絶縁膜の積層構造であり、
前記微結晶半導体膜側に前記酸素を含む絶縁膜が形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記絶縁膜は、窒素を含む絶縁膜及び酸素を含む絶縁膜の積層構造であり、
前記微結晶半導体膜側に前記酸素を含む絶縁膜が形成されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月19日(2014.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法、及び、半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜の上に、第１の導電膜を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記第１の導電膜をエッチング処理し、凸部を有する第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の凸部上面に配置されるゲート電極と、を形成し、
前記ゲート電極の上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の上に、酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜の上に、第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜をエッチング処理し、前記第２の絶縁膜の凸部上面と重ならない、ソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の絶縁膜の上に、第１の導電膜を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記第１の導電膜をエッチング処理し、凸部を有する第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の凸部上面に配置されるゲート電極と、を形成し、
前記ゲート電極の上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の上に、第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜をエッチング処理し、前記第２の絶縁膜の凸部上面と重ならない、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極の上及び前記ドレイン電極の上に、酸化物半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の導電膜の膜厚は、前記第２の絶縁膜の凸部の高さと、前記ゲート電極の膜厚との合計よりも大きいことを特徴する半導体装置の作製方法。
【請求項４】
凸部を有する絶縁膜と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記ゲート電極は、前記絶縁膜の凸部の上面に配置され、
前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極の上に配置され、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜の上に配置され、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記絶縁膜の凸部上面と重ならないように、前記酸化物半導体膜の上に配置され、
前記絶縁膜の凸部の上方において、前記ゲート絶縁膜の上面は平坦であり、
前記絶縁膜の凸部の上方において、前記酸化物半導体膜の上面は平坦であり、
前記ソース電極の上面及び前記ドレイン電極の上面は平坦であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
凸部を有する絶縁膜と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記ゲート電極は、前記絶縁膜の凸部の上面に配置され、
前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極の上に配置され、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記絶縁膜の凸部上面と重ならないように、前記ゲート絶縁膜の上に配置され、
前記酸化物半導体膜は、前記ソース電極の上及び前記ドレイン電極の上に配置され、
前記絶縁膜の凸部の上方において、前記ゲート絶縁膜の上面は平坦であり、
前記ソース電極の上面及び前記ドレイン電極の上面は平坦であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記酸化物半導体膜は、非単結晶であって、ｃ軸配向した結晶を含む酸化物であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月9日(2014.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの超伝導コイル（１２）と、
前記少なくとも１つのコイルと並列に電気結合されたクエンチ保護回路（１４）であって、該回路は、
前記少なくとも１つのコイルと熱結合された少なくとも１つのクエンチヒータアセンブリ（１６）と、
前記少なくとも１つのクエンチヒータアセンブリと直列に電気接続されている、ゼロ抵抗の超伝導状態と、クエンチヒータアセンブリを通って流れる電流を減少させるような通常抵抗をもつ定常状態と、を有する少なくとも１つの超伝導電流制限器（１８）と、
を備えているクエンチ保護回路（１４）と、
前記クエンチ保護回路（１４）と直列に電気接続させた制限器加熱枝と、
を備える超伝導マグネット（１０）。
【請求項２】
前記クエンチ保護回路はさらに、前記クエンチヒータアセンブリと直列に電気接続させた少なくとも１つの電圧ブロッカーを備える、請求項１に記載のマグネット。
【請求項３】
前記クエンチ保護回路はさらに、前記超伝導電流制限器と熱結合させている、超伝導電流制限器を超伝導状態から定常状態まで変化させるように構成された制限器ヒータを備える、請求項１に記載のマグネット。
【請求項４】
前記クエンチ保護回路はさらに、
前記クエンチ保護回路（１４）と、
制限器ヒータと、
該制限器ヒータと直列に電気接続させた電圧ブロッカーと
を備えた主加熱枝を備える、請求項３に記載のマグネット。
【請求項５】
前記制限器ヒータは、クエンチヒータ及び超伝導電流制限器と直列に電気接続されている、請求項３に記載のマグネット。
【請求項６】
前記クエンチヒータアセンブリは、並列にも直列にも接続し得る複数のクエンチヒータを備える、請求項３に記載のマグネット。
【請求項７】
熱シールドと、
前記熱シールド内の少なくとも１つの超伝導コイルと、
前記熱シールドを囲繞する真空容器と、
前記少なくとも１つの超伝導コイルに対して並列に電気結合させたクエンチ保護回路であって、該回路は、
前記少なくとも１つの超伝導コイルと熱結合させた少なくとも１つのクエンチヒータと、
前記少なくとも１つのクエンチヒータアセンブリと直列に接続されている、ゼロ抵抗の超伝導状態と有限抵抗の定常状態とを有する少なくとも１つの超伝導電流制限器と、
を備えているクエンチ保護回路と、
前記クエンチ保護回路（１４）と直列に電気接続させた制限器加熱枝と、
を備える超伝導マグネットシステム。
【請求項８】
前記クエンチ保護回路はさらに、クエンチヒータと直列に電気接続させた少なくとも１つの電圧ブロッカーを備える、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記超伝導電流制限器は熱シールドの内部に配置されている、請求項７または８に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月19日(2014.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数配置された容量電極、を有する第１基板と、
前記容量電極を挟んで前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された、弾性体若しくは流体からなる誘電体と、
外圧によって先端部が前記第２基板に当接した状態で弾性変形する弾性体突起、が形成された第３基板と、
を備え、外圧の方向と大きさを検出する検出装置を含むことを特徴とする電子機器装置。
【請求項２】
外圧によって前記弾性体突起が弾性変形することにより変化する、前記容量電極と前記誘電体とで構成される複数の容量検出素子の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子の静電容量値の差分を演算し、その差分に基づいて外圧が加えられた方向と外圧の大きさを演算する演算装置を備えることを特徴とする請求項１に記載の電子機器装置。
【請求項３】
前記容量検出素子は、前記弾性体突起の弾性変形による静電容量値の変化と前記誘電体の変形による静電容量値の変化とを分けて検出可能になっていることを特徴とする請求項２に記載の電子機器装置。
【請求項４】
前記複数の容量電極は、基準点に対して点対称に配置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子機器装置。
【請求項５】
前記複数の容量電極は、互いに直交する２方向にマトリックス状に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の電子機器装置。
【請求項６】
前記容量電極は、前記第２基板に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の電子機器装置。
【請求項７】
前記容量電極は、前記第１基板の基準点と重なる位置に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の電子機器装置。
【請求項８】
前記複数の容量電極は、互いに直交する２方向に少なくとも４行４列に配置されていることを特徴とする請求項６または７に記載の電子機器装置。
【請求項９】
前記弾性体突起は前記第３基板に複数形成されており、
前記複数の弾性体突起は、互いに離間して配置されていることを特徴とする請求項１〜
８のいずれか１項に記載の電子機器装置。
【請求項１０】
前記第１基板と前記第２基板の間には、少なくとも隣接する前記弾性体突起の境界に、前記第１基板と前記第２基板との間の距離を一定に保つスペーサーが配置されていることを特徴とする請求項９に記載の電子機器装置。
【請求項１１】
前記第３基板の前記弾性体突起が形成された側と反対の側には、前記第３基板よりも高い剛性を有する補強部材が配置されていることを特徴とする請求項９または１０に記載の電子機器装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電子機器装置は、ロボットハンドであることを特徴とする。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電子機器装置は
ロボットであることを特徴とする。
【請求項１４】
第１及び第２の電極が配置された第１基板と、
第３の電極が配置された第２基板と、
弾性体突起が配置された第３基板と、を備え、
前記第１及び第２の電極が配置された前記第１基板の面と前記第３の電極が配置された第２基板の面とが誘電体を介して向かい合うように、前記第１基板と第２基板とが配置され、
前記弾性体突起が配置された前記第３基板の面と前記第２基板とが向かい合うように、前記第３基板と前記第２基板とが配置され、測定面にかかる外圧の方向を検出する検出装置を備えたことを特徴とする電子機器装置。
【請求項１５】
前記測定面に前記外圧がかかった際に、前記弾性体突起が前記第２基板を押圧することで前記誘電体の厚みが変化し、前記誘電体の厚みの変化に応じて変化する前記第１及び第２の電極から検出される電流値の差分に基づいて、前記測定面にかかる外圧の方向を検出することを特徴とする請求項１４に記載の電子機器装置。
【請求項１６】
前記第１及び第２の電極で検出される電流値に基づいて、前記測定面にかかる外圧の大きさを検出することを特徴とする請求項１５記載の電子機器装置。
【請求項１７】
前記第１及び第２の電極の配置位置に応じた補正係数に基づいて、前記測定面にかかる外圧の方向を検出することを特徴とする請求項１５または１６に記載の電子機器装置。
【請求項１８】
請求項１４〜１７のいずれか一項に記載の前記検出装置を備えることを特徴とするロボットハンド。
【請求項１９】
請求項１４〜１７のいずれか一項に記載の前記検出装置を備えることを特徴とするロボット。
【請求項２０】
第１及び第２の電極と、前記第１及び第２の電極のそれぞれに隣り合う位置に配置された第３の電極とを備えた第１基板と、
第２基板と、
弾性体突起が配置された第３基板と、を備え、
前記第１及び第２の電極と前記第３の電極が配置された前記第１基板の面と第２基板とが誘電体を介して向かい合うように、前記第１基板と第２基板とが配置され、
前記弾性体突起が配置された前記第３基板の面と前記第２基板とが向かい合うように、前記第３基板と前記第２基板とが配置された検出装置を備えたことを特徴とする電子機器装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月19日(2014.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外圧の方向と大きさを検出する検出装置であって、
複数配置された圧力センサー、を有する第１基板と、
前記外圧によって先端部が前記圧力センサーに当接した状態で弾性変形する弾性体突起、が配置された第２基板と、
を備えることを特徴とする検出装置。
【請求項２】
前記外圧によって前記弾性体突起が弾性変形することにより複数の前記圧力センサーで検出された圧力値のうち任意に組み合わされた各圧力センサーで検出された圧力値の差分を演算し、その差分に基づいて前記外圧が加えられた方向と前記外圧の大きさを演算する演算装置を備えることを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記複数の圧力センサーは、点対称に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の検出装置。
【請求項４】
前記複数の圧力センサーは、互いに直交する２方向にマトリックス状に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の検出装置。
【請求項５】
前記複数の圧力センサーは、互いに直交する２方向に少なくとも４行４列に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の検出装置。
【請求項６】
前記弾性体突起は前記第２基板に複数配置されており、
前記複数の弾性体突起は、互いに離間して配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項７】
前記第２基板の前記弾性体突起が配置された側と反対の側には、前記第２基板よりも高い剛性を有する補強部材が配置されていることを特徴とする請求項６に記載の検出装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の検出装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の検出装置を備えることを特徴とするロボット。
【請求項１０】
基板の測定面にかかる外圧の方向を検出する検出装置であって、
前記基板は、
第１及び第２の圧力センサーが配置された第１基板と、
弾性体突起が配置された第２基板と、を備え、
前記第１及び第２の圧力センサーが配置された前記第１基板の面と前記弾性体突起が配置された前記第２基板の面とが向かい合うように、前記第１基板と前記第２基板とが配置され、
前記測定面に前記外圧がかかった際に、前記弾性体突起が前記第１及び第２の圧力センサーを押圧し、前記外圧に応じた圧力を前記第１及び第２の圧力センサーが検出することを特徴とする検出装置。
【請求項１１】
前記測定面に前記外圧がかかった際に、前記第１及び第２の圧力センサーでそれぞれ検出される圧力値の差分に基づいて、前記測定面にかかる外圧の方向を検出することを特徴とする請求項１０に記載の検出装置。
【請求項１２】
前記第１及び第２の圧力センサーで検出される圧力値に基いて、前記基板の測定面にかかる外圧の大きさを検出することを特徴とする請求項１０または１１に記載の検出装置。
【請求項１３】
前記第１及び第２の圧力センサーの配置位置に応じた補正係数に基いて、前記基板の測定面にかかる外圧の方向を検出することを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の検出装置。
【請求項１４】
前記第１及び第２の圧力センサーは、互いに直交する２方向にマトリックス状に配置されていることを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の検出装置。
【請求項１５】
前記第１及び第２の圧力センサーは、第１基板上の基準点から互いに等しい距離に配置されていることを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の検出装置。
【請求項１６】
前記第１及び第２の圧力センサーは、第１基板上の基準点から互いに異なる距離に配置されていることを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の検出装置。
【請求項１７】
前記弾性体突起は、前記第２基板に複数配置されており、
前記第１及び第２の弾性体突起は、互いに離間して配置されていることを特徴とする請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の検出装置。
【請求項１８】
前記第２基板には、前記第２基板よりも高い剛性を有する補強部材が配置されていることを特徴とする請求項１７に記載の検出装置。
【請求項１９】
請求項１０〜１８のいずれか１項に記載の検出装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項２０】
請求項１０〜１８のいずれか１項に記載の検出装置を備えることを特徴とするロボット。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月25日(2014.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気機械の健全性を監視するためのシステムであって、
固定子コア（１０）内に配置された少なくとも１つの基板要素に埋設又は設置される少なくとも１つのセンサ要素（３４、４８）と、
前記少なくとも１つのセンサ要素（３４、４８）に接続され、前記電気機械の運転時又は運転停止時に、前記基板要素に作用する力又は前記基板要素の加圧力の変化による前記センサ要素（３４、４８）の電磁特性の変化に基づいて前記健全性を監視するように構成された測定サブシステム（３６、４９）と、
を含む、システム。
【請求項２】
前記基板要素は、平板（１５）、ばね、およびリップルばね（２０）を含み、
前記基板要素は、前記固定子コア（１０）の固定子巻線（１６）どうしの間に配置され、
前記基板要素は、金属又は非金属の平板（１５）から成る、
請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記基板要素に埋設又は配設された前記センサ要素（３４、４８）の前記電磁特性は、前記電気機械の運転時又は運転停止時に前記基板要素の加圧力又は前記基板要素に作用する時間変化する力に伴って変動する、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記電磁特性は、抵抗、歪み、コンダクタンス、透磁率、及び誘磁率を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
電気機械の固定子楔の締め付けを監視するためのシステムであって、
固定子コア（１０）の前記固定子楔（２１）に近接配置される少なくとも１つの基板要素に埋設又は配設された少なくとも１つのセンサ要素（３４、４８）と、
前記基板要素の加圧の状態を示す少なくとも１つのスイッチ（６６）と、
前記少なくとも１つのセンサ要素（３４、４８）に接続され、前記基板要素の加圧力の変化による前記センサ要素（３４、４８）の電磁特性の変化に基づいて前記固定子楔の締め付けを監視するように構成された測定サブシステム（３６）と、
を含む、システム。
【請求項６】
前記基板要素に埋設された前記少なくとも１つのセンサ要素（３４、４８）に直列に接続された、少なくとも１つのスイッチ（６６）のアセンブリを含む、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記システムのシングルポート電気インターフェース（６４）にわたって、複数の前記アセンブリを並列に配置したものを含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
電気等価回路（２００）内で、前記基板要素の前記スイッチ（６６、２６０）及び前記センサ要素（３４、４８）に直列に接続されたダイオード（２１０）のアセンブリを含む、請求項５に記載のシステム。
【請求項９】
前記固定子コア内で複数の固定子楔に近接配置された複数の基板要素を含むシステムであって、
前記基板要素は、前記シングルポート電気インターフェース（６４）を介してモジュールに接続され、該モジュールは、前記シングルポート電気インターフェース（６４）を介して前記基板要素において電気的測定を順次又は同時に行うように構成された装置である、
請求項５に記載のシステム。
【請求項１０】
電気機械における固定子楔の締め付けを監視する方法であって、
固定子コア内に配置された少なくとも１つの基板要素に埋設又は直接配設された、少なくとも１つのセンサ要素（３４、４８）を設けるステップと、
前記基板要素の加圧力の変化に対応する前記センサ要素の電磁特性の変化に基づいて信号を生成するステップと、
前記電気機械の運転時又は運転停止時に前記信号を解析して、前記固定子楔の締め付けを判定するステップと、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材（１）上に塗布されるコーティング（４）の不定の厚さを求めるための装置であって、
前記コーティング表面において熱パルスを発生させることができるフラッシュランプ光源（１１）と、
前記フラッシュランプ光源に結合され、前記フラッシュランプの発光を開始することができる光トリガと、
前記フラッシュランプ光源に結合され、前記熱パルスを冷却することができるトランジスタと、
前記フラッシュランプからの余熱が前記コーティング表面を加熱することを防ぐことができる、前記フラッシュランプ光源（１１）と前記コーティング表面（４）との間に位置する反射フィルタ（１８）と、
前記コーティング表面の連続画像フレームをキャプチャするように配置されるＩＲ画像キャプチャ装置（１３）であって、各連続画像フレームが経過時間に対応し、ピクセルアレイを含み、前記アレイの各ピクセルが前記コーティング表面上の位置に対応する、ＩＲ画像キャプチャ装置（１３）と、
前記ＩＲ画像キャプチャ装置に結合されるプロセッサであって、
前記光トリガおよびトランジスタの動作を制御し、
前記フラッシュランプの発光開始時におよびその後逐次的に前記コーティング表面の前記画像フレームを受け取り、
前記連続画像フレームを使用して、選択点のそれぞれに対応する前記アレイ内の各ピクセルに対する対数スケールの時間−温度応答曲線を計算し、対数スケールの時間−温度応答曲線のそれぞれの対する変曲点時間を計算し、対応する変曲点時間のみにおける各選択点に対応する前記アレイ内の各ピクセルに対する温度応答を選択し、前記基材（１）に沿った選択点における前記コーティングの前記厚さを求める、
ようにプログラムされているプロセッサ（１６）と、
を備え、
前記時間−温度応答曲線上の最大勾配の時点が、前記変曲点時間として定義される、
装置。
【請求項２】
前記反射フィルタが、前記フラッシュランプ光源上に直接コーティングされ、３〜５ミクロン範囲の放射を反射することができる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
基材の表面に沿った様々な点におけるコーティングの厚さを求めるための方法であって、
フラッシュランプ光源からの余熱が前記コーティング表面を加熱することを防ぐための反射フィルタを備える、開始光トリガのフラッシュランプ光源を使用し、前記コーティング表面において短期間の熱パルスを発生させるステップと、
ＩＲキャプチャ装置を使用して前記コーティング表面の連続画像フレームをキャプチャするステップであって、各連続画像フレームが経過時間に対応し、ピクセルアレイを含み、前記アレイの各ピクセルが前記コーティング表面上の位置に対応する、ステップと、
前記連続画像フレームを保存するために、プロセッサを使用して前記連続画像フレームを処理するステップと、
プロセッサを使用して、前記ピクセルアレイの２個以上のピクセルについて対数スケールの時間−温度応答曲線を独立して計算し、対数スケールの時間−温度応答曲線のそれぞれの対する変曲点時間を計算し、対応する変曲点時間のみにおける前記アレイ内の各ピクセルに対する温度応答を選択し、前記連続画像フレームを用いて基材に沿った前記コーティングの前記厚さおよび熱伝導率を求めるステップと、
を含み、
前記時間−温度応答曲線上の最大勾配の時点が、前記変曲点時間として定義される、
方法。
【請求項４】
前記時間−温度応答曲線の等式が、
【数１】
2012047739.tif 000001
Ｒは、
【数２】
2012047739.tif 000002
上式で、Ｋは熱伝導率であり、ρは密度であり、ｃは比熱である、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記変曲点時間（ｔ  inflection）が、前記時間−温度応答曲線から実験的に測定され、Ｒが前記コーティングおよび基材の材料特性から求められる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
コーティング厚さのばらつきを求めるステップが、前記ピクセルアレイの２個以上のピクセルにおいてＬの値を計算するステップを含み、
【数３】
2012047739.tif 000003
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記時間−温度応答曲線を生成するために、ガウス関数による前記連続画像フレームデータの時間平滑化を使用する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記連続画像フレームデータに画像化フィルタを適用し、前記画像化フィルタが、空間平滑化、初期／終了雑音抑圧、ネガティブコントラスト抑圧、コントラスト閾値処理、およびそれらの組合せを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記基材に沿った前記コーティングの厚さについての色分けされた画像、またはグレースケールで表現された画像を表示するステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月5日(2014.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転シャフト（９８）を有する蒸気タービンシステム（９０）の正味スラストを制御するシステム（１０２）であって、
タービンセクション（９２）において前記回転シャフト（９８）のステップ部分（１１０）に隣接した、前記回転シャフト（９８）に対してシールするための能動引込式シール（ＡＲＳ）（１１４）と、
前記タービンセクション（９２）の第１の段（１２２）を前記ＡＲＳ（１１４）に隣接するパッキン区域（１２４）に流体結合する第１のリークオフライン（１２０）であって、第１の制御弁（Ｖ１）と第２の制御弁（Ｖ２）とを含む第１のリークオフライン（１２０）と、
第１の段（１２２）とは異なる圧力を有する前記タービンセクション（９２）の第２の段（１３２）を前記ステップ部分（１１０）に直ぐ隣接するステップ区域（１３４）に流体結合する第２のリークオフライン（１３０）であって、第３の制御弁（Ｖ３）を含む第２のリークオフライン（１３０）と、
第１のリークオフライン（１２０）を第２のリークオフライン（１３０）に流体結合する接続ライン（１４０）であって、該接続ライン（１４０）が、第３の制御弁（Ｖ３）の後で第２のリークオフライン（１３０）に結合しているとともに、第１の制御弁（Ｖ１）と第２の制御弁（Ｖ２）の間で第１のリークオフライン（１２０）に結合しており、第４の制御弁（Ｖ４）を含む接続ライン（１４０）と、
前記ステップ部分（１１０）に作用するスラスト圧力を調節することによって前記制御弁（Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４）を能動的に制御し正味スラストを制御するように構成されたコントローラ（１５０）と
を備えるシステム（１０２）。
【請求項２】
前記コントローラ（１５０）が更に、極端なスラスト作動条件又は過酷な作動条件のうちの少なくとも１つの間に前記ＡＲＳ（１１４）の引き込みを可能にしながら、前記ステップ部分（１１０）に作用するスラスト圧力を調節することによって前記制御弁（Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４）を能動的に制御し正味スラストを制御するように構成される、請求項１記載のシステム（１０２）。
【請求項３】
前記極端なスラスト作動条件が、最大蒸気圧力、蒸気タービンシステム（９０）からの蒸気抽出、及び蒸気放出からなる群から選択され、前記過酷な作動条件が、前記蒸気タービンシステム（９０）の始動、前記蒸気タービンシステム（９０）のシャットダウン、熱的過渡特性、及び前記蒸気タービンシステム（９０）のトリップ事象からなる群から選択される、請求項２記載のシステム（１０２）。
【請求項４】
極端でないスラストで過酷でない定常状態作動条件において、前記コントローラ（１５０）が、第１、第２及び第３の制御弁（Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３）を開放し、第４の制御弁（Ｖ４）を閉鎖する、請求項２記載のシステム（１０２）。
【請求項５】
極端でないスラストで過酷な作動条件の発生に応答して、前記コントローラ（１５０）が、第１の制御弁（Ｖ１）を閉鎖し、第２、第３及び第４の制御弁（Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４）を開放する、請求項４記載のシステム（１０２）。
【請求項６】
極端なスラストで且つ定常状態作動条件において、前記コントローラ（１５０）が、第１及び第４の制御弁（Ｖ１、Ｖ４）を開放し、第２及び第３の制御弁（Ｖ２、Ｖ３）を閉鎖する、請求項２記載のシステム（１０２）。
【請求項７】
極端なスラストで且つ過酷な作動条件の発生に応答して、前記コントローラ（１５０）が、第１、第２及び第４の制御弁（Ｖ１、Ｖ２、Ｖ４）を開放し、第３の制御弁（Ｖ３）を閉鎖する、請求項６記載のシステム（１０２）。
【請求項８】
前記パッキン区域（１２４）が前記ＡＲＳ（１１４）の上流側にあり、第２の段（１３２）が第１の段（１２２）に続き、前記ステップ区域（１３４）が前記ステップ部分（１１０）の直ぐ上流側にある、請求項２記載のシステム（１０２）。
【請求項９】
前記パッキン区域（１２４）が前記ＡＲＳ（１１４）の下流側にあり、第２の段（１３２）が第１の段（１２２）に先行し、前記ステップ区域（１３４）が前記ステップ部分（１１０）の直ぐ下流側にある、請求項１記載のシステム（１０２）。
【請求項１０】
前記回転シャフト（９８）によって加えられる正味スラストを受け取るよう位置付けられたスラスト軸受（１００）を更に備え、前記タービンセクション（９２）が高圧（ＨＰ）タービンセクション（９２）を含み、前記スラスト軸受（１００）が、前記高圧（ＨＰ）タービンセクション（９２）と、蒸気タービン（９０）システムの低圧（ＬＰ）タービンセクション（９６）及び中圧（ＩＰ）タービンセクション（９４）のうちの少なくとも１つとの間に位置付けられる、請求項１記載のシステム（１０２）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月2日(2014.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムであって、
ヘッドおよび本体を含むボルトを有し、前記本体は第１部分および第２部分を有し、前記第１部分は、前記ヘッドと前記第２部分との間であり、前記第２部分は、取り付け表面に機械的に連結されるように構成されるネジ付き部を含み、
前記システムはさらに、粘性流体を有する流体充填チャンバを有し、前記流体充填チャンバは、前記ボルトの前記第１部分を少なくとも部分的に囲み、前記ボルトは、前記流体充填チャンバを完全に通って延び、前記流体充填チャンバは前記ボルトに対してスライドするように構成され、
前記システムはさらに、前記ボルトの前記第１部分から前記流体充填チャンバ内に延びる少なくとも１つのフランジを有し、前記少なくとも１つのフランジは、前記ボルトに対する前記流体充填チャンバの運動を減衰させるように前記粘性流体と相互作用するように構成され、
前記システムはさらに、前記ボルトの前記第２部分を少なくとも部分的に囲むコイルバネと、
前記流体充填チャンバに機械的に連結されるシャシーと、を有し、前記ボルトは、前記シャシーを前記取り付け表面に機械的に連結させるように構成され、
前記システムはさらに、前記シャシー内に位置決めされる少なくとも１つのプリント板を有する、システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、さらに、取り付け表面を有し、前記コイルバネは前記シャシーと前記取り付け表面との間にあり、前記シャシーは前記ボルトに対して移動可能であり、前記流体充填チャンバ、前記少なくとも１つのフランジ、および前記コイルバネは、前記取り付け表面から前記シャシーへ伝達される振動力を減衰させるように構成される、システム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、前記流体充填チャンバは、第１直径を備える開口部を画定し、前記ボルトは、ヘッドおよび本体を画定し、前記ヘッドは、前記第１直径よりも大きな第２直径を備え、前記本体は、前記流体充填チャンバの前記開口部を完全に通って延び、前記ヘッドは、前記流体充填チャンバの外側に位置決めされる、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月10日(2014.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端の厚みが、該一端とは反対側の他端の厚みよりも薄く、
厚みの薄い領域の含水率が厚みの厚い領域の含水率よりも高く、
前記一端と前記他端との間の距離をＸとしたときに、
前記一端から内側に向かって０Ｘ〜０．２Ｘの距離の領域に最小厚みを有し、前記他端から内側に向かって０Ｘ〜０．２Ｘの距離の領域に最大厚みを有する、合わせガラス用中間膜。
【請求項２】
前記一端と前記他端との間の距離をＸとしたときに、
前記厚みの薄い領域が、前記一端から内側に向かって０．１Ｘ〜０．２Ｘの距離の領域であり、かつ前記厚みの厚い領域が、前記他端から内側に向かって０．１Ｘ〜０．２Ｘの距離の領域であり、
前記一端から内側に向かって０．１Ｘ〜０．２Ｘの距離の厚みの薄い領域の含水率が、前記他端から内側に向かって０．１Ｘ〜０．２Ｘの距離の厚みの厚い領域の含水率よりも高い、請求項１に記載の合わせガラス用中間膜。
【請求項３】
前記厚みの薄い領域の含水率が、前記厚みの厚い領域の含水率の１倍を越え３倍以下である、請求項１又は２に記載の合わせガラス用中間膜。
【請求項４】
前記厚みの薄い領域の含水率が０．２〜０．７重量％の範囲内である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の合わせガラス用中間膜。
【請求項５】
熱可塑性樹脂と可塑剤とを含有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の合わせガラス用中間膜。
【請求項６】
前記熱可塑性樹脂がポリビニルアセタール樹脂である、請求項５に記載の合わせガラス用中間膜。
【請求項７】
第１の表面層と、第２の表面層と、該第１，第２の表面層の間に配置された中間層とを備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載の合わせガラス用中間膜。
【請求項８】
前記第１，第２の表面層がそれぞれ、ポリビニルアセタール樹脂と可塑剤とを含有し、  前記中間層が、ポリビニルアセタール樹脂と可塑剤とを含有し、
前記第１，第２の表面層に含まれている前記ポリビニルアセタール樹脂の各水酸基量が、前記中間層に含まれている前記ポリビニルアセタール樹脂の水酸基量よりも高い、請求項７に記載の合わせガラス用中間膜。
【請求項９】
前記第１，第２の表面層に含まれている前記ポリビニルアセタール樹脂の各水酸基量が、前記中間層に含まれている前記ポリビニルアセタール樹脂の水酸基量よりも１モル％以上高い、請求項８に記載の合わせガラス用中間膜。
【請求項１０】
前記第１，第２の表面層に含まれている前記ポリビニルアセタール樹脂の各水酸基量が、２０〜３８モル％である、請求項８又は９に記載の合わせガラス用中間膜。
【請求項１１】
前記中間層の前記ポリビニルアセタール樹脂１００重量部に対する前記可塑剤の含有量が、前記第１，第２の表面層の前記ポリビニルアセタール樹脂１００重量部に対する前記可塑剤の各含有量よりも多い、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の合わせガラス用中間膜。
【請求項１２】
前記中間層の前記ポリビニルアセタール樹脂１００重量部に対する前記可塑剤の含有量が、前記第１，第２の表面層の前記ポリビニルアセタール樹脂１００重量部に対する前記可塑剤の各含有量よりも５重量部以上多い、請求項１１に記載の合わせガラス用中間膜。
【請求項１３】
前記中間層の前記ポリビニルアセタール樹脂１００重量部に対する前記可塑剤の含有量が４５〜７５重量部であり、かつ前記第１，第２の表面層の前記ポリビニルアセタール樹脂１００重量部に対する前記可塑剤の各含有量がそれぞれ２０〜５０重量部である、請求項１１又は１２に記載の合わせガラス用中間膜。
【請求項１４】
厚み方向の断面形状が楔状である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の合わせガラス用中間膜。
【請求項１５】
第１の合わせガラス構成部材と、第２の合わせガラス構成部材と、該第１，第２の合わせガラス構成部材の間に挟み込まれた中間膜とを備え、
前記中間膜が、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の合わせガラス用中間膜である、合わせガラス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月8日(2014.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式［１］で示されることを特徴とするスピロ［シクロペンタ［ｄｅｆ］トリフェニレン−４，９’−フルオレン］化合物。
【化１】
2012106979.tif 000001
一般式［１］において、Ｒ１乃至Ｒ８は水素原子またはフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、トリフェニレン基、フルオレニル基、ジベンゾチオフェン基、カルボニル基、アミノ基、スピロ［シクロペンタ［ｄｅｆ］トリフェニレン−４，９’−フルオレン］基からそれぞれ独立に選ばれる。
前記フェニル基および前記ビフェニル基および前記ターフェニル基および前記ナフチル基および前記フェナントリル基および前記トリフェニレン基および前記フルオレニル基および前記ジベンゾチオフェン基および前記カルボニル基および前記アミノ基および前記スピロ［シクロペンタ［ｄｅｆ］トリフェニレン−４，９’−フルオレン］基は、アルキル基、フェニル基、フェニル基を有するカルボニル基、置換アミノ基、ジベンゾチオフェン基を置換基として有してよい。
【請求項２】
Ｒ３乃至Ｒ６が全て水素原子であることを特徴とする、請求項１に記載のスピロ［シクロペンタ［ｄｅｆ］トリフェニレン−４，９’−フルオレン］化合物。
【請求項３】
一対の電極と前記一対の電極の間に配置された有機化合物層とを有する有機発光素子であって、前記有機化合物層は請求項１乃至２のいずれか一項に記載のスピロ［シクロペンタ［ｄｅｆ］トリフェニレン−４，９’−フルオレン］化合物を有することを特徴とする有機発光素子。
【請求項４】
前記有機化合物層は発光層または電子輸送層であることを特徴とする請求項３に記載の有機発光素子。
【請求項５】
前記有機化合物層が発光層であることを特徴とする請求項４に記載の有機発光素子。
【請求項６】
前記発光層はホスト材料とゲスト材料とを有し、前記ホスト材料が前記スピロ［シクロペンタ［ｄｅｆ］トリフェニレン−４，９’−フルオレン］化合物であることを特徴とする請求項５に記載の有機発光素子。
【請求項７】
前記ゲスト材料が燐光発光材料であることを特徴とする請求項６に記載の有機発光素子。
【請求項８】
前記燐光発光材料がイリジウム錯体であることを特徴とする請求項７に記載の有機発光素子。
【請求項９】
複数の画素を有し、前記画素は請求項３乃至８のいずれか一項に記載の有機発光素子と前記有機発光素子に接続されたスイッチング素子とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
画像を表示するための表示部と画像情報を入力するための入力部とを有し、前記表示部は複数の画素を有し、前記画素は請求項３乃至８のいずれか一項に記載の有機発光素子と前記有機発光素子に接続されたスイッチング素子とを有することを特徴とする画像入力装置。
【請求項１１】
請求項３乃至８のいずれか一項に記載の有機発光素子を有することを特徴とする照明装置。
【請求項１２】
露光光源を有する、電子写真方式の画像形成装置であって、
前記露光光源は、請求項３乃至８のいずれか一項に記載の有機発光素子を有することを特徴とする画像形成装置。