(57)【要約】      （修正有）【課題】過電流や短絡発生時に絶縁ゲート型トランジスタへの遮断の遅延を抑制し、安全に絶縁ゲート型トランジスタを保護できるゲート駆動を提供する。【解決手段】対を成すＮＰＮトランジスタ１５、ＰＮＰトランジスタ１７によるトーテムポール回路９に駆動信号が入力され、回路９の出力が絶縁ゲート型トランジスタ３のゲート３Ａに接続され、トランジスタ３のゲート３Ａの電位を下げて保護動作をする保護回路１１が備えられたゲート駆動回路１であって、トーテムポール回路９のトランジスタ１５、１７ごとに独立して設けられて駆動信号をベース１５Ａ、１７Ａに入力するベースライン２９Ａ、２９Ｂと、保護回路１１の保護動作の間、トーテムポール回路９の上アーム側のトランジスタ１５のベース電位を下げる電位強制低下回路１３と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁ゲート型トランジスタのゲートへの信号出力段に設けられ、対のバイポーラトランジスタがトーテムポール形態で直列に接続され、各バイポーラトランジスタのベースに前記絶縁ゲート型トランジスタの駆動信号が入力されるトーテムポール回路と、
前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートの電位を下げて前記絶縁ゲート型トランジスタの保護動作をする保護回路と、を備えたゲート駆動回路であって、
前記トーテムポール回路の対のバイポーラトランジスタのベースごとに独立して設けられて前記駆動信号を前記ベースに入力するベースラインと、
前記保護回路の保護動作の開始に伴って当該保護動作の間、前記トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインの電位を下げる手段と、
を備えることを特徴とするゲート駆動回路。
【請求項２】
前記保護回路の保護動作に伴って電位が下げられた前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートに、前記トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインを接続して電位を下げる電位低下回路を備えることを特徴とする請求項１に記載のゲート駆動回路。
【請求項３】
前記保護回路の保護動作の開始に伴って当該保護動作の間、前記トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインにＬレベルを出力する回路を備えることを特徴とする請求項１に記載のゲート駆動回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁ゲート型トランジスタのゲート駆動回路に係り、特に、過電流や短絡発生時の保護動作の信頼性向上を図る技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
電力変換装置たるスイッチング電源のメインのスイッチング素子には、パワーＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の絶縁ゲート型トランジスタが用いられている。絶縁ゲート型トランジスタを高速にスイッチング駆動するには、絶縁ゲート型トランジスタのゲート容量を急速に充放電する必要があることから、図５に示すように、絶縁ゲート型トランジスタ８５の駆動には、ＮＰＮトランジスタ８１とＰＮＰトランジスタ８２をトーテムポール形態で接続した、いわゆるトーテムポール回路８３を出力段に備えたゲート駆動回路８０が広く用いられている。
【０００３】
ゲート駆動回路８０には、外部の制御信号に基づいて絶縁ゲート型トランジスタ８５のオン／オフを指示するパルス信号Ｓｐを生成するパルス生成回路（図示せず）と、このパルス信号Ｓｐの信号レベルをシフトするレベルシフト回路８６とが設けられ、このレベルシフト回路８６の出力信号Ｓｏｕｔがトーテムポール回路８３に入力される。トーテムポール回路８３は、出力信号Ｓｏｕｔに基づいて、ＮＰＮトランジスタ８１とＰＮＰトランジスタ８２がオン／オフすることでプッシュプル動作し、これにより絶縁ゲート型トランジスタ８５のゲート容量が急速に充放電されて絶縁ゲート型トランジスタ８５が駆動される。
【０００４】
またゲート駆動回路８０には、図５に示すように、絶縁ゲート型トランジスタ８５に過電流や短絡が発生した場合に、絶縁ゲート型トランジスタ８５をオフして電流を遮断する保護回路８８が一般に設けられている。この種の保護回路８８は、絶縁ゲート型トランジスタ８５の過電流、短絡が過電流短絡検出回路８７等で検知されたときに、絶縁ゲート型トランジスタ８５のゲート電位を直接低下させる、いわゆるソフトターンオフ回路として構成され、絶縁ゲート型トランジスタ８５と独立して設けられるのが一般的である（例えば、特許文献１、及び特許文献２参照）。
またゲート駆動回路８０では、通常、過電流、短絡発生時に保護回路８８によって絶縁ゲート型トランジスタ８５のゲート電位を低下させる際に、上記トーテムポール回路８３への出力信号Ｓｏｕｔの出力も停止し、当該トーテムポール回路８３による絶縁ゲート型トランジスタ８５の駆動を停止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特公平８−１０８２１号公報
【特許文献２】特許第３０３９０９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、過電流、短絡発生が検出された時においては、絶縁ゲート型トランジスタ８５のコレクタ−ゲート間電位が下がり、コレクタ−ゲート間のキャリアが絶縁ゲート型トランジスタ８５のゲートに流入し、ゲートの電位がトーテムポール回路８３のベースラインＬｂのベース電位（すなわち、これらの素子に供給される電源電圧ＶＤＤ）より持ち上がる現象が発生する。
【０００７】
このようにして絶縁ゲート型トランジスタ８５のゲートの電位がトーテムポール回路８３のベース電位よりも上昇すると、図６に示すように、絶縁ゲート型トランジスタ８５の検出電流Ｓｉが検出しきい値Ｉｔｈ（過電流、短絡発生と見なすしきい値）を超えたタイミングで、レベルシフト回路８６の出力をハイインピーダンス状態ＨＺとし、また保護回路８８から絶縁ゲート型トランジスタ８５のゲートへの出力レベルをＬレベル（接地電位）にしても、トーテムポール回路８３のＮＰＮトランジスタ８１ではエミッタからベースに電荷（キャリア）が供給されて当該ＮＰＮトランジスタ８１のベース電位が下がらず、これによりＮＰＮトランジスタ８１の出力レベルがＨレベルとなって、かかる出力レベルが絶縁ゲート型トランジスタ８５のゲートに入力され続けられる。
これにより、保護回路８８が絶縁ゲート型トランジスタ８５のゲート電位を下げようとしても、当該絶縁ゲート型トランジスタ８５のゲートからキャリアが抜けきるまで（図６のタイミングｔ２）、ＮＰＮトランジスタ８１から電源電圧ＶＤＤが出力されることから、結果的に短絡遮断までに遅延Δｔが発生する。更に、ＮＰＮトランジスタ８１の出力が続くことにより、当該絶縁ゲート型トランジスタ８５のゲート側へ電流が逆流してしまうおそれもある。
【０００８】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、過電流や短絡発生時に絶縁ゲート型トランジスタへの遮断の遅延を抑制し、安全に絶縁ゲート型トランジスタを保護できるゲート駆動を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は、絶縁ゲート型トランジスタのゲートへの信号出力段に設けられ、対のバイポーラトランジスタがトーテムポール形態で直列に接続され、各バイポーラトランジスタのベースに前記絶縁ゲート型トランジスタの駆動信号が入力されるトーテムポール回路と、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートの電位を下げて前記絶縁ゲート型トランジスタの保護動作をする保護回路と、を備えたゲート駆動回路であって、前記トーテムポール回路の対のバイポーラトランジスタのベースごとに独立して設けられて前記駆動信号を前記ベースに入力するベースラインと、前記保護回路の保護動作の開始に伴って当該保護動作の間、前記トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインの電位を下げる手段と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、絶縁ゲート型トランジスタのゲートの電位を下げて保護動作が行われている間、トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインの電位を下げる手段を備えるため、保護動作に伴って上アーム側のバイポーラトランジスタが速やかに、かつ確実にオフされる。これにより、保護動作の開始に伴って絶縁ゲート型トランジスタへの信号が遅延無く確実に遮断され、安全に絶縁ゲート型トランジスタを保護できる。
これに加え、トーテムポール回路の対のバイポーラトランジスタのベースごとに独立してベースラインが設けられているため、保護動作開始時に上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインの電位を下げても、下アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインには影響が無いため、絶縁ゲート型トランジスタのハードターンオフを防止できる。
【００１１】
また本発明は、上記ゲート駆動回路において、前記保護回路の保護動作に伴って電位が下げられた前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートに、前記トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインを接続して電位を下げる電位低下回路を備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、保護動作時には、絶縁ゲート型トランジスタのゲートがトーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインに接続されるため、絶縁ゲート型トランジスタのゲートの電位低下に伴って、ベースラインの電位を遅滞なく確実に低下させることができる。
【００１３】
また本発明は、上記ゲート駆動回路において、前記保護回路の保護動作の開始に伴って当該保護動作の間、前記トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインにＬレベルを出力する回路を備えることを特徴とする。
【００１４】
本発明によれば、保護回路の保護動作の開始に伴って、トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインにＬレベルが出力されるため、保護動作の開始に伴いベースラインの電位を遅滞なく確実に低下させることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、絶縁ゲート型トランジスタのゲートの電位を下げて保護動作が行われている間、トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインの電位を下げる手段を備えるため、保護動作に伴って上アーム側のバイポーラトランジスタが速やかに、かつ確実にオフされる。これにより、保護動作の開始に伴って絶縁ゲート型トランジスタへの信号が遅延無く確実に遮断され、安全に絶縁ゲート型トランジスタを保護できる。
これに加え、トーテムポール回路の対のバイポーラトランジスタのベースごとに独立してベースラインが設けられているため、保護動作開始時に上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインの電位を下げても、下アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインには影響が無いため、絶縁ゲート型トランジスタのハードターンオフを防止できる。
また本発明において、前記保護回路の保護動作に伴って電位が下げられた前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートに、前記トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインを接続して電位を下げる電位低下回路を備える構成とすることで、保護動作時には、絶縁ゲート型トランジスタのゲートがトーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインに接続されるため、絶縁ゲート型トランジスタのゲートの電位低下に伴って、ベースラインの電位を遅滞なく確実に低下させることができる。
また本発明において、前記保護回路の保護動作の開始に伴って当該保護動作の間、前記トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインにＬレベルを出力する回路を備えることで、保護回路の保護動作の開始に伴って、トーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインにＬレベルが出力されるため、保護動作の開始に伴いベースラインの電位を遅滞なく確実に低下させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態に係るゲート駆動回路の要部構成を示す図である。
【図２】同ゲート駆動回路による保護動作時のタイミングチャートである。
【図３】本発明の第２実施形態に係るゲート駆動回路の要部構成を示す図である。
【図４】同ゲート駆動回路による保護動作時のタイミングチャートである。
【図５】従来のゲート駆動回路の要部構成を示す図である。
【図６】従来のゲート駆動回路による保護動作時のタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本実施形態に係るゲート駆動回路１の要部構成を示す図である。
ゲート駆動回路１は、電力変換装置としてのスイッチング電源において、電力を変換・調整するためにスイッチング動作するメインのスイッチング素子として用いられているパワーＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の絶縁ゲート型トランジスタ３を駆動する回路である。ゲート駆動回路１は、絶縁ゲート型トランジスタ３のオン／オフを制御する制御信号が上位の回路から入力されると、この制御信号に基づいて、絶縁ゲート型トランジスタ３のゲート端子３Ａに駆動信号Ｓｄを出力して当該絶縁ゲート型トランジスタ３を駆動する。
【００１８】
ゲート駆動回路１の構成について詳細には、ゲート駆動回路１は、図１に示すように、パルス生成回路５と、レベルシフタ７と、トーテムポール回路９と、保護回路１１と、電位強制低下回路１３とを備えている。
パルス生成回路５は、上位の回路から入力された制御信号に基づいて、絶縁ゲート型トランジスタ８５のオン／オフを指示するパルス信号Ｓｐを生成し、レベルシフタ７に出力する。レベルシフタ７は、パルス信号Ｓｐの信号レベルを絶縁ゲート型トランジスタ３の駆動に用いる基準電位に応じて調整し、調整後の信号を出力信号Ｓｏｕｔ１、Ｓｏｕｔ２としてトーテムポール回路９に出力する回路である。トーテムポール回路９は、出力信号Ｓｏｕｔ１、Ｓｏｕｔ２に基づいてプッシュプル動作をすることで絶縁ゲート型トランジスタ３のゲート端子３Ａに、出力信号Ｓｏｕｔ１、Ｓｏｕｔ２に応じた駆動信号Ｓｄを入力する回路である。
【００１９】
トーテムポール回路９は、絶縁ゲート型トランジスタ３の信号出力段に設けられ、２つのバイポーラトランジスタをトーテムポール形態で直列に接続した回路であり、本実施形態では、上アーム側のＮＰＮトランジスタ１５と下アーム側のＰＮＰトランジスタ１７とをトーテムポール形態で接続して構成され、これら上アーム、及び下アームの接続点１８が駆動信号Ｓｄの出力端となり、抵抗１９を介して絶縁ゲート型トランジスタ３のゲート端子３Ａに接続される。
【００２０】
保護回路１１は、絶縁ゲート型トランジスタ３のゲート端子３Ａの電位を下げて絶縁ゲート型トランジスタ３の保護動作をする回路であり、絶縁ゲート型トランジスタ３のゲート端子３Ａをアースに接続する強制接地ライン２１と、この強制接地ライン２１に介挿されて保護動作制御信号Ｓｈに基づいてオン／オフする常開接点としてのｎチャネル形ＭＯＳＦＥＴ２３を備えている。
絶縁ゲート型トランジスタ３の保護動作について詳細には、絶縁ゲート型トランジスタ３のエミッタ側には、エミッタに流れる電流ｉを検出し、電流ｉが所定の検知しきい値Ｉｔｈを超えている場合に過電流や短絡発生を示す検出信号Ｓｋを出力する過電流短絡検出回路２７が設けられている。この検出信号Ｓｋに基づいて上記保護動作制御信号Ｓｈが生成され、過電流や短絡発生の検出時に、保護動作制御信号Ｓｈに基づいてｎチャネル形ＭＯＳＦＥＴ２３が閉じることで、絶縁ゲート型トランジスタ３のゲート端子３Ａが強制接地ライン２１により抵抗２５を介してアースに接続される。これにより、絶縁ゲート型トランジスタ３が強制的にターンオフされる。
なお、本実施形態では、検出信号Ｓｋに基づいて保護動作制御信号Ｓｈは、ゲート駆動回路１が内蔵する回路（図示せず）によって生成されているが、検出信号Ｓｋに基づく保護動作制御信号Ｓｈが外部からゲート駆動回路１に入力される構成としても良い。
【００２１】
電位強制低下回路１３は、保護回路１１のｎチャネル形ＭＯＳＦＥＴ２３が閉じて保護動作が開始されるに伴って、当該保護動作が行われている間、トーテムポール回路９における上アーム側のＮＰＮトランジスタ１５のベース１５Ａの電位を強制的に下げる手段として機能する回路である。
詳述すると、本実施形態のトーテムポール回路９にあっては、上アーム側のＮＰＮトランジスタ１５のベース１５Ａと下アーム側のＰＮＰトランジスタ１７のベース１７Ａには、それぞれ独立してベースライン２９Ａ、２９Ｂが設けられており、各ベースライン２９Ａ、２９Ｂを通じてレベルシフタ７からの出力信号Ｓｏｕｔ１、Ｓｏｕｔ２がＮＰＮトランジスタ１５、及びＰＮＰトランジスタ１７に入力されている。
また、レベルシフタ７には、パルス信号Ｓｐに基づいて上記出力信号Ｓｏｕｔ１、Ｓｏｕｔ２を出力するレベルシフト回路３１Ａ、３１Ｂが各ベースライン２９Ａ、２９Ｂごとに設けられている。
【００２２】
電位強制低下回路１３は、絶縁ゲート型トランジスタ３のゲート端子３Ａに、上アーム側のＮＰＮトランジスタ１５のベース１５Ａに接続されたベースライン２９Ａを抵抗３５、及び強制接地ライン２１を通じて接続する回路として構成されている。
すなわち、保護回路１１のｎチャネル形ＭＯＳＦＥＴ２３が開成状態（非保護動作状態）の間は、電位強制低下回路１３は強制接地ライン２１（保護回路１１の出力レベル）と同じくハイインピーダンス状態ＨＺとなるから、ベースライン２９Ａの電位レベルには影響が生じることはない。そして、保護回路１１のｎチャネル形ＭＯＳＦＥＴ２３が閉成状態となったときには（保護動作が開始されたときには）、絶縁ゲート型トランジスタ３のゲート端子３Ａが強制接地ライン２１を通じてＬレベル（接地電位）となることで、ベースライン２９Ａの電荷（キャリア）も電位強制低下回路１３を通じて強制接地ライン２１に移動して強制的に消費される。これにより、保護動作開始時には、トーテムポール回路９の上アーム側のＮＰＮトランジスタ１５のベース１５Ａの電位が確実にＬレベルとなり、確実、かつ速やかに絶縁ゲート型トランジスタ３への信号出力が遮断される。
【００２３】
次いでゲート駆動回路１における保護動作時の動作について詳述する。
絶縁ゲート型トランジスタ３が駆動されている間は、この絶縁ゲート型トランジスタ３のエミッタの電流ｉに基づく検出電流Ｓｉが過電流短絡検出回路２７によって検出される。過電流短絡検出回路２７には、過電流や短絡発生の指標である検出しきい値Ｉｔｈが予め設定されており、図２に示すように、検出電流Ｓｉが増加して検出しきい値Ｉｔｈを超えると、過電流短絡検出回路２７は、過電流や短絡の発生を示す検出信号Ｓｋを出力する（タイミングｔａ）。
【００２４】
この検出信号Ｓｋの出力に伴って、ゲート駆動回路１にあっては、レベルシフタ７からの出力信号Ｓｏｕｔ１、Ｓｏｕｔ２が共に停止してＬレベルに維持されるとともに、保護回路１１には保護動作制御信号ｓｈが入力される。
保護回路１１では、保護動作制御信号Ｓｈが入力されることでｎチャネル形ＭＯＳＦＥＴ２３が閉動作し、この閉動作によって、強制接地ライン２１のレベル（保護回路１１の出力レベル）がハイインピーダンス状態ＨＺからＬレベル（接地電位）に遷移する。これにより、絶縁ゲート型トランジスタ３のゲート端子３Ａが強制接地ライン２１を介してアースに接続され、当該ゲート端子３Ａから電荷を抜いて絶縁ゲート型トランジスタ３をターンオフする保護動作が開始されることとなる。
【００２５】
さらに、保護回路１１の保護動作開始（タイミングｔａ）に伴い強制接地ライン２１がＬレベルに遷移すると、トーテムポール回路９の上アーム側のＮＰＮトランジスタ１５のベース１５Ａ、及びベースライン２９Ａが電位強制低下回路１３を通じてＬレベル（接地電位）に接続されるため、ＮＰＮトランジスタ１５のベース１５Ａから電荷（キャリア）が強制的に消費される。
これにより、保護動作時には、ＮＰＮトランジスタ１５のベース１５Ａの電位が確実にＬレベルに遷移して出力を停止することとなるから、図２に示すように、絶縁ゲート型トランジスタ３のゲート端子３Ａの電位も、保護動作の開始のタイミングｔａで、Ｌレベル（接地電位）に確実に遷移し、駆動が速やか、かつ確実に停止される。
【００２６】
ここで、保護動作の開始時に、トーテムポール回路９の下アーム側のＰＮＰトランジスタ１７のベースライン２９Ｂを、ＮＰＮトランジスタ１５のベースライン２９Ａと同様にＬレベル（接地電位）に接続してしまうと、絶縁ゲート型トランジスタ３のゲート端子３Ａの電荷が急激に引き抜かれてしまうことになり、いわゆるハードターンオフ状態となってしまう。
本実施形態では、レベルシフタ７に、上下のアームごとにレベルシフト回路３１Ａ、３１Ｂを設け、保護動作時には、上アーム側のＮＰＮトランジスタ１５のベースライン２９Ａを電位強制低下回路１３によってＬレベル（接地電位）に接続しつつ、下アーム側のＰＮＰトランジスタ１７にあっては、レベルシフト回路３１Ｂの出力にベースライン２９Ｂを通じて接続したままとしているので、上記のようなハードターンオフ状態が回避される。
【００２７】
このように、本実施形態によれば、保護回路１１の保護動作に伴って電位が下げられた絶縁ゲート型トランジスタ３のゲート端子３Ａに、トーテムポール回路９の上アーム側のＮＰＮトランジスタ１５のベースライン２９Ａを接続して電位を下げる電位強制低下回路１３を備える構成とした。
これにより、絶縁ゲート型トランジスタ３の保護動作時には、絶縁ゲート型トランジスタのゲートがトーテムポール回路の上アーム側のバイポーラトランジスタのベースラインに接続されるため、絶縁ゲート型トランジスタのゲートの電位低下に伴って、ベースラインの電位を遅滞なく確実に低下させることができる。
この結果、ＮＰＮトランジスタ１５のベース１５Ａの電位低下が速くなり、絶縁ゲート型トランジスタ３への信号遮断までの遮断時間を短縮することができ（ターンオフ性能の向上）、絶縁ゲート型トランジスタ３を安全に保護できる。
【００２８】
また、トーテムポール回路９の対のＮＰＮトランジスタ１５、ＰＮＰトランジスタ１７のベース１５Ａ、１７Ａごとに独立してベースライン２９Ａ、２９Ｂが設けられているため、保護動作開始時に上アーム側のＮＰＮトランジスタ１５のベースライン２９Ａの電位を下げても、下アーム側のＰＮＰトランジスタ１７のベースライン２９Ｂの電位には影響が無いため、絶縁ゲート型トランジスタ３のハードターンオフを防止できる。
【００２９】
＜第２実施形態＞
上述した実施形態では、保護回路１１によって絶縁ゲート型トランジスタ３のゲート端子３Ａの電位をＬレベルにするときに、上アーム側のＮＰＮトランジスタ１５のベースライン２９Ａも電位強制低下回路１３を通じてＬレベル（接地電位）に接続することで、当該ＮＰＮトランジスタ１５を確実、かつ速やかにオフすることとした。
これに対して本実施形態では、電位強制低下回路１３等の別途の回路を設けることなく、上アーム側のＮＰＮトランジスタ１５のベースライン２９Ａの電位を、保護回路１１の保護動作の開始に伴ってＬレベルとする構成について例示する。
【００３０】
図３は本実施形態に係るゲート駆動回路１００の要部構成を示す図であり。図４は、ゲート駆動回路１００による保護動作時のタイミングチャートである。
なお、図３において、図１と同じ部材については、同一の符号を付して説明を省略する。
図３に示すように、このゲート駆動回路１００は、電位強制低下回路１３を備えていない代わりに、図４に示すように、レベルシフタ７は、保護動作開始時のタイミングｔａで、各レベルシフト回路３１Ａ、３１Ｂの出力信号Ｓｏｕｔ１、Ｓｏｕｔ２を共にＬレベルに遷移させる点において、第１実施形態のゲート駆動回路１と構成を大きく異にする。
【００３１】
このように、各レベルシフト回路３１Ａ、３１Ｂの出力信号Ｓｏｕｔ１、Ｓｏｕｔ２を共にＬレベルに遷移させることで、トーテムポール回路９にあっては、上アーム側のＮＰＮトランジスタ１５のベースライン２９Ａも強制的にＬレベルに維持され、当該ＮＰＮトランジスタ１５が確実、かつ速やかにオフされる。
【００３２】
このように、本実施形態によれば、保護回路１１の保護動作の開始に伴って当該保護動作の間、レベルシフト回路３１Ａがトーテムポール回路９の上アーム側のＮＰＮトランジスタ１５のベースライン２９ＡにＬレベルを出力するため、保護動作の開始に伴いベースライン２９Ａの電位を遅滞なく確実に低下させることができる。
これにより、第１実施形態と同様に、ＮＰＮトランジスタ１５のベース１５Ａの電位低下が速くなり、絶縁ゲート型トランジスタ３への信号遮断までの遮断時間を短縮することができ（ターンオフ性能の向上）、絶縁ゲート型トランジスタ３を安全に保護できる。
【００３３】
なお、上述した各実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で任意に変形、及び応用が可能である。
例えば、上述した実施形態では、スイッチング電源のメインスイッチング素子を駆動するゲート駆動回路について例示したが、これに限らず、トーテムポール回路を信号出力段に備え、絶縁ゲート型トランジスタを駆動する任意のゲート駆動回路に本発明を適用することができる。
【符号の説明】
【００３４】
１、１００  ゲート駆動回路
３  絶縁ゲート型トランジスタ
３Ａ  ゲート端子
７  レベルシフタ
９  トーテムポール回路
１１  保護回路
１３  電位強制低下回路（電位低下回路）
１５  ＮＰＮトランジスタ
１５Ａ  ベース
１７  ＰＮＰトランジスタ
１７Ａ  ベース
２１  強制接地ライン
２７  過電流短絡検出回路
２９Ａ、２９Ｂ  ベースライン
３１Ａ、３１Ｂ  レベルシフト回路
【図１】
2013012939.tif 000003
【図２】
2013012939.tif 000004
【図３】
2013012939.tif 000005
【図４】
2013012939.tif 000006
【図５】
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【図６】
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