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【手続補正書】
【提出日】平成25年12月24日(2013.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧された内部の真空搬送室内をウエハが搬送される第一及び第二の真空搬送容器と、これらの真空搬送容器各々に連結され各々の内部に前記ウエハがその内側で処理されるものであって当該内側が前記真空搬送室と連通された処理室を有した第一及び第二の真空処理容器と、前記第一及び第二の真空搬送容器の間でこれらを連結して配置され内部に前記ウエハを収納可能な中間室容器と、前記第一の真空搬送容器に連結され内部が連通されたロック室と、前記第一及び第二の真空搬送容器と前記第一，第二の真空処理容器、前記中間室容器及び前記ロック室の各々との間に配置されてこれらの間の連通を開放または気密に封止して閉塞する複数のバルブとを備え、
前記第一及び第二の処理容器各々の前記処理室内で処理される前記ウエハ各々は同等の処理の条件で処理されるものであり、かつ前記第二の処理容器内の前記処理室で処理された前記ウエハが前記中間室容器及び第一の真空搬送容器を経由して前記ロック室内に搬送されるものであって、
前記複数のバルブを構成するものであって前記第一の真空処理容器の処理室と前記第一の真空搬送容器の真空搬送室との間または第二の真空処理容器の処理室と前記第二の真空搬送容器の真空搬送室との間に配置されたバルブの少なくとも１つが開放されている間に、前記複数のバルブを構成するものであって前記第一及び第二の真空搬送容器の間に配置されこれらの内部の真空搬送室の間の連通を開閉するバルブの少なくとも１つが閉塞されている真空処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の真空処理装置であって、
前記複数のバルブのうちで前記中間室容器内部の前記ウエハの収納室と前記第一及び第二の真空搬送容器各々の真空搬送室と間に各々を開放または閉塞する２つのバルブのいずれかを、前記複数のバルブのうちの前記第一の真空処理容器と前記第一の真空搬送容器または第二の真空処理容器と前記第二の真空搬送容器との間のバルブのいずれかを開放する前に、閉塞する真空処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の真空処理装置であって、
前記複数のバルブのうちで前記第一の真空処理容器と前記第一の真空搬送容器または第二の真空処理容器と前記第二の真空搬送容器との間の連通を開閉するバルブの全てが気密に閉塞された後に、前記複数のバルブのうちで前記第一または第二の真空搬送容器との間に配置されてこれら第一及び第二の真空搬送容器の間の連通を開閉するバルブうちの少なくとも１つの閉じられていたバルブを開放する真空処理装置。
【請求項４】
減圧された内部をウエハが搬送される搬送通路と、この搬送通路内と連結されて連通され減圧された内部で前記ウエハが処理される第一及び第二の真空処理室であって各々の前記内部で前記ウエハが同等の処理の条件で処理される第一及び第二の真空処理室と、これらの真空処理室と前記搬送通路との間の連通を開放または気密に封止して閉塞する第一及び第二のバルブと、前記搬送通路上の第一及び第二のバルブの間に配置されてこの搬送通路を開放または気密に封止して閉塞する第三のバルブと、前記搬送通路に連結されたロック室とを有し、前記第一及び第二の真空処理室内で処理される各々の前記ウエハは前記搬送通路を経由して前記前記ロック室内に搬送されるものであって、前記第一または第二のバルブの少なくとも１つが開放されている間に前記第三のバルブにより前記搬送通路が気密に閉塞されるように調節する制御部とを備えた真空処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の真空処理装置であって、
前記搬送通路上の前記第三のバルブと前記第二のバルブとの間に配置されてこの搬送通路を開放または気密に封止して閉塞する第四のバルブとを備え、前記制御部は前記第一または第二のバルブの開放する前に前記第三または第四のいずれかのバルブを気密に閉塞するよう指令する真空処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の真空処理装置であって、
前記制御部が前記第一または第二バルブが気密に閉塞された後に閉じられていた前記第三または第四のバルブを開放するように指令する真空処理装置。
【請求項７】
請求項５または６の真空処理装置であって、
前記第三および第四のバルブの間に前記ウエハを収納可能な真空処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的は、減圧された内部の真空搬送室内をウエハが搬送される第一及び第二の真空搬送容器と、これらの真空搬送容器各々に連結され各々の内部に前記ウエハがその内側で処理されるものであって当該内側が前記真空搬送室と連通された処理室を有した第一及び第二の真空処理容器と、前記第一及び第二の真空搬送容器の間でこれらを連結して配置され内部に前記ウエハを収納可能な中間室容器と、前記第一の真空搬送容器に連結され内部が連通されたロック室と、前記第一及び第二の真空搬送容器と前記第一，第二の真空処理容器、前記中間室容器及び前記ロック室の各々との間に配置されてこれらの間の連通を開放または気密に封止して閉塞する複数のバルブとを備え、前記第一及び第二の処理容器各々の前記処理室内で処理される前記ウエハ各々は同等の処理の条件で処理されるものであり、かつ前記第二の処理容器内の前記処理室で処理された前記ウエハが前記中間室容器及び第一の真空搬送容器を経由して前記ロック室内に搬送されるものであって、前記複数のバルブを構成するものであって前記第一の真空処理容器の処理室と前記第一の真空搬送容器の真空搬送室との間または第二の真空処理容器の処理室と前記第二の真空搬送容器の真空搬送室との間に配置されたバルブの少なくとも１つが開放されている間に、前記複数のバルブを構成するものであって前記第一及び第二の真空搬送容器の間に配置されこれらの内部の真空搬送室の間の連通を開閉するバルブの少なくとも１つが閉塞されている真空処理装置により達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月12日(2013.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
真空槽の内外に前記真空槽内の減圧状態を維持したまま基板を搬入出可能なロードロック装置であって、
前記基板を載置する凹部を有するトレイを支持することが可能な支持台と、
蓋部と、
を備え、
前記真空槽には、前記基板を搬入出する開口が設けられ、
前記真空槽の前記開口において、前記真空槽外部から前記蓋部によって閉塞され、前記真空槽内部より前記支持台によって閉塞させることで、前記真空槽の壁、前記蓋部、および前記支持台によって前記真空槽の外部および内部から遮蔽された閉塞空間が形成され、
前記閉塞空間を大気圧とする通気手段と、
前記閉塞空間を減圧する排気手段と、
を、さらに備え、
前記蓋部は、前記閉塞空間が形成されているときに、前記基板を載置する前記トレイの前記凹部より外側に位置する複数の保護部材を有していることを特徴とするロードロック装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一態様によれば、真空槽の内外に前記真空槽内の減圧状態を維持したまま基板を搬入出可能なロードロック装置であって、前記基板を載置する凹部を有するトレイを支持することが可能な支持台と、蓋部と、を備え、前記真空槽には、前記基板を搬入出する開口が設けられ、前記真空槽の前記開口において、前記真空槽外部から前記蓋部によって閉塞され、前記真空槽内部より前記支持台によって閉塞させることで、前記真空槽の壁、前記蓋部、および前記支持台によって前記真空槽の外部および内部から遮蔽された閉塞空間が形成され、前記閉塞空間を大気圧とする通気手段と、前記閉塞空間を減圧する排気手段と、を、さらに備え、前記蓋部は、前記閉塞空間が形成されているときに、前記基板を載置する前記トレイの凹部より外側に位置する複数の保護部材を有していることを特徴とするロードロック装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月10日(2014.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル領域のドナーまたはアクセプタの濃度Ｎｄ［ｎｍ−３］（ただし、Ｎｄ＜１０−３）と酸化シリコン換算のゲート絶縁物の厚さｔｏｘ［ｎｍ］とチャネル長Ｌ［ｎｍ］の間に、Ｎｄ１／２×ｔｏｘ×Ｌ＜１［ｎｍ１／２］という関係があり、
前記ゲート絶縁物に接して設けられたインジウム、錫あるいは亜鉛の少なくとも一つと窒素とを有するｎ型半導体とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
チャネル領域のドナーまたはアクセプタの濃度Ｎｄ［ｎｍ−３］と酸化シリコン換算のゲート絶縁物の厚さｔｏｘ［ｎｍ］とチャネル長Ｌ［ｎｍ］の間に、Ｎｄ１／２×ｔｏｘ×Ｌ＜１［ｎｍ１／２］という関係があり、チャネル領域に接するエクステンション領域と、
前記エクステンション領域とソースあるいはドレインのいずれか一に接するハロー領域と、
前記ゲート絶縁物に接して設けられたインジウム、錫あるいは亜鉛の少なくとも一つと窒素とを有するｎ型半導体とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記ｎ型半導体は、その仕事関数が５．０電子ボルト以上であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月16日(2014.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主ビット線と、選択線と、第１のワード線と、第２のワード線と、電位供給線と、セルと、を有し、
前記セルは、サブビット線と、選択トランジスタと、読み出しトランジスタと、第１のメモリセルと、第２のメモリセルと、を有し、
前記第１のメモリセルは、第１のトランジスタと、第１の容量素子と、を有し、
前記第２のメモリセルは、第２のトランジスタと、第２の容量素子と、を有し、
前記選択トランジスタのゲートは、前記選択線と接続され、
前記選択トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記主ビット線と接続され、
前記選択トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記サブビット線と接続され、
前記読み出しトランジスタのゲートは、前記サブビット線と接続され、
前記読み出しトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記主ビット線と接続され、
前記読み出しトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記電位供給線と接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のワード線と接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記サブビット線と接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第１の容量素子と接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２のワード線と接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記サブビット線と接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の容量素子と接続され、
前記第１の容量素子は、１ｆＦ以下の容量を有し、
前記第２の容量素子は、１ｆＦ以下の容量を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月3日(2013.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の方向に配列された複数の電子放出源と、
それぞれが、前記複数の電子放出源に対応するように対向して配置された複数のターゲットと、
前記複数のターゲットのそれぞれに対応する開口を備え、前記ターゲットから放出された放射線の一部を遮る遮蔽体と、を備えた放射線発生装置であって、
前記複数のターゲットは、前記遮蔽体を介して互いに連結されていることにより、前記配列された方向に沿って配列されていることを特徴とする放射線発生装置。
【請求項２】
前記遮蔽体は、第１の遮蔽体と第２の遮蔽体とを備え、
前記第１の遮蔽体は、前記ターゲットよりも前記電子放出源の反対側に位置しており、
前記第２の遮蔽体は、前記ターゲットよりも前記電子放出源の側に位置していることを特徴とする請求項１に記載の放射線発生装置。
【請求項３】
前記第１の遮蔽体の少なくとも一部は冷却媒体に接していることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線発生装置。
【請求項４】
前記冷却媒体は大気又は電気絶縁油であることを特徴とする請求項３に記載の放射線発生装置。
【請求項５】
前記第１の遮蔽体は、前記遮蔽体が有する開口の一部を構成する開口部を有し、
前記開口部は、前記電子放出源と反対側に向かって徐々に広がっていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項６】
前記ターゲットは、少なくとも、放射線を透過する透過基板と、該透過基板の電子放出源側の面に設置されたターゲット膜からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項７】
前記透過基板はダイヤモンドであることを特徴とする請求項６に記載の放射線発生装置。
【請求項８】
前記ターゲットは、少なくとも原子番号２６以上の金属を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項９】
前記複数のターゲットは、線状に配列されていることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の放射線発生装置と、前記放射線発生装置を駆動する制御電源と、放射線センサーと、撮像データ表示および画像解析用のコンピュータと、を組み合わせたことを特徴とする放射線撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明は、所定の方向に配列された複数の電子放出源と、
それぞれが、前記複数の電子放出源に対応するように対向して配置された複数のターゲットと、
前記複数のターゲットのそれぞれに対応する開口を備え、前記ターゲットから放出された放射線の一部を遮る遮蔽体と、を備えた放射線発生装置であって、
前記複数のターゲットは、前記遮蔽体を介して互いに連結されていることにより、前記配列された方向に沿って配列されていることを特徴とする放射線発生装置を提供するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2012138168.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月6日(2013.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイソクロナス転送可能なデバイスがローカル接続されているデバイス制御装置に、ネットワークを介して接続されたクライアント装置であって、
前記デバイスに対するデータ出力を指示する出力要求指示手段と、
前記デバイスが直接接続されているようにシミュレートする仮想化制御手段と、
前記出力要求指示手段から前記デバイスに対してアイソクロナス転送によるデータ出力要求が指示されると、アイソクロナス出力要求を生成する出力要求生成手段と、
前記出力要求生成手段で生成された前記アイソクロナス出力要求に対する応答情報を前記出力要求指示手段に通知する応答情報通知手段と、
前記仮想化制御手段により前記デバイス制御装置に対して、前記出力要求生成手段で生成されたアイソクロナス出力要求をアイソクロナス転送によって送信する通信制御手段と、
前記出力要求生成手段で生成されたアイソクロナス出力要求に対する前記デバイスの応答情報を擬製し、前記通信制御手段によって前記アイソクロナス出力要求が送信された後、所定時間が経過すると、当該擬製されたデバイスの応答情報を前記応答情報通知手段に通知するダミー応答通知手段と、を備えること
を特徴とするクライアント装置。
【請求項２】
前記デバイスを識別するための個体情報を取得し、当該個体情報をもとに前記デバイス制御装置に接続されているデバイスを識別する個体情報識別手段をさらに備え、
前記アイソクロナス出力要求は、
前記個体情報識別手段で識別された前記デバイスの個体情報を含むことを特徴とする請求項１に記載のクライアント装置。
【請求項３】
前記ダミー応答通知手段は、前記アイソクロナス出力要求に含まれている情報で、前記デバイスに応じて規定されているフレームの情報に基づいてインターバル時間を算出し、当該インターバル時間に従って、前記擬製されたデバイスの応答情報の通知を行うこと
を特徴とする請求項１又は２に記載のクライアント装置。
【請求項４】
前記ダミー応答通知手段は、前記デバイス制御装置から受信した、前記ネットワークにおける遅延を補正するための補正値に基づいて、前記擬製された応答情報の通知間隔を調整すること
を特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のクライアント装置。
【請求項５】
アイソクロナス転送可能なデバイスがローカル接続されているデバイス制御装置に、ネットワークを介して接続されたクライアント装置におけるデバイス制御方法であって、
仮想化制御手段が前記デバイスを直接接続されているようにシミュレートする仮想化制御ステップと、
出力要求生成手段が前記デバイスに対して、前記デバイスを制御するための制御プログラムからアイソクロナス転送によるデータ出力要求が指示されると、アイソクロナス出力要求を生成する出力要求生成ステップと、
応答情報通知手段が前記出力要求生成ステップで生成された前記アイソクロナス出力要求に対する応答情報を前記制御プログラムに通知する応答情報通知ステップと、
通信制御手段が前記仮想化制御ステップにより前記デバイス制御装置に対して、前記出力要求生成ステップで生成されたアイソクロナス出力要求をアイソクロナス転送によって送信する通信制御ステップと、
ダミー応答通知手段が前記出力要求生成ステップにおいて生成されたアイソクロナス出力要求に対する前記デバイスの応答情報を擬製するダミー応答生成ステップと、
ダミー応答通知手段が前記通信制御ステップによって前記アイソクロナス出力要求が送信された後、所定時間が経過すると、前記ダミー応答生成ステップで擬製されたデバイスの応答情報を前記制御プログラムに対して通知するダミー応答通知ステップと、を備えること
を特徴とするデバイス制御方法。
【請求項６】
個体情報識別手段が前記デバイスを識別するための個体情報を取得し、当該個体情報をもとに前記デバイス制御装置に接続されているデバイスを識別する個体情報識別ステップをさらに備え、
前記アイソクロナス出力要求は、
前記個体情報識別ステップで識別された前記デバイスの個体情報を含むことを特徴とする請求項５に記載のデバイス制御方法。
【請求項７】
前記ダミー応答通知ステップにおいて、前記アイソクロナス出力要求に含まれている情報で、前記デバイスに応じて規定されているフレームの情報に基づいてインターバル時間を算出し、当該インターバル時間に従って、前記擬製されたデバイスの応答情報の通知を行うこと
を特徴とする請求項５又は６に記載のデバイス制御方法。
【請求項８】
前記ダミー応答通知ステップにおいて、前記デバイス制御装置から受信した前記ネットワークにおける遅延を補正するための補正値に基づいて、前記擬製された応答情報の通知間隔を調整すること
を特徴とする請求項５乃至７の何れか１項に記載のデバイス制御方法。
【請求項９】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のクライアント装置と、ネットワークを介して前記クライアントと接続されたデバイス制御装置と、前記デバイス制御装置にローカル接続され、アイソクロナス転送可能なデバイスと、から構成されるデバイス制御システムであって、
前記デバイス制御装置は、
前記クライアント装置から前記アイソクロナス出力要求を受信する出力要求受信手段と、
前記出力要求受信手段で受信した前記アイソクロナス出力要求により識別されたデバイスに対して、当該アイソクロナス出力要求を送信する出力要求送信手段と、
前記アイソクロナス出力要求を送信したデバイスから、当該アイソクロナス出力要求に対する応答情報を受信する応答情報受信手段と、
前記応答情報受信手段で受信した前記応答情報を破棄する応答情報破棄手段と、を備えること
を特徴とするデバイス制御システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載のクライアント装置は、アイソクロナス転送可能なデバイスがローカル接続されているデバイス制御装置に、ネットワークを介して接続されたクライアント装置であって、前記デバイスに対するデータ出力を指示する出力要求指示手段と、前記デバイスが直接接続されているようにシミュレートする仮想化制御手段と、前記出力要求指示手段から前記デバイスに対してアイソクロナス転送によるデータ出力要求が指示されると、アイソクロナス出力要求を生成する出力要求生成手段と、前記出力要求生成手段で生成された前記アイソクロナス出力要求に対する応答情報を前記出力要求指示手段に通知する応答情報通知手段と、前記仮想化制御手段により前記デバイス制御装置に対して、前記出力要求生成手段で生成されたアイソクロナス出力要求をアイソクロナス転送によって送信する通信制御手段と、前記出力要求生成手段で生成されたアイソクロナス出力要求に対する前記デバイスの応答情報を擬製し、前記通信制御手段によって前記アイソクロナス出力要求が送信された後、所定時間が経過すると、当該擬製されたデバイスの応答情報を前記応答情報通知手段に通知するダミー応答通知手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月24日(2013.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画データを符号化する符号化手段と、
前記符号化手段により符号化された動画データを少なくとも第１の記録媒体と第２の記録媒体に記録する記録手段と、
前記記録媒体に前記動画データを記録した場合、前記動画データがそれに先行して再生される先行動画データに対して連続して再生可能であるか否かを識別するためのシームレス情報を生成する生成手段と、
前記符号化手段により符号化された動画データを前記第１の記録媒体と前記第２の記録媒体に同時に記録する同時記録の指示に応じて、前記第１の記録媒体と第２の記録媒体の何れかの記録媒体に記録された前記先行動画データの符号量に基づいて前記符号化手段により符号化される動画データの符号量を調整すると共に、前記符号量が調整された動画データと前記シームレス情報とを前記記録手段により前記第１の記録媒体と第２の記録媒体に記録させる制御手段とを備える記録装置。
【請求項２】
前記制御手段は、記録手段を制御して前記動画データとともにその付加情報を前記第１および第２の記録媒体に記録し、前記シームレス情報を前記先行動画データの前記付加情報に基づいて生成することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記シームレス情報は、前記動画データの符号量の情報を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の記録装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記第１の記録媒体に記録された先行動画データと第２の記録媒体に記録された先行動画データが同じである場合に、前記生成手段を制御して連続して再生可能であることを示す前記シームレス情報を生成し、前記記録手段を制御して連続して再生可能であることを示す前記シームレス情報を前記第１の記録媒体と第２の記録媒体に記録することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の記録装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記第１の記録媒体に記録された先行動画データと第２の記録媒体に記録された先行動画データが異なる場合に、前記生成手段を制御して連続して再生可能であることを示す前記シームレス情報と連続して再生できないことを示す前記シームレス情報とを生成し、前記記録手段を制御して連続して再生可能であることを示す前記シームレス情報を前記第１の記録媒体と第２の記録媒体の一方に記録し、連続して再生できないことを示す前記シームレス情報を前記第１の記録媒体と第２の記録媒体の他方に記録することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の記録装置。
【請求項６】
前記記録手段は、前記動画データを識別するための識別情報を前記記録媒体に記録し、前記制御手段は、前記第１の記録媒体に記録された先行動画データの識別情報と第２の記録媒体に記録された先行動画データの識別情報とに基づいて、前記第１の記録媒体に記録された先行動画データと第２の記録媒体に記録された先行動画データが同じであるか否かを判別することを特徴とする請求項２乃至５のいずれか一項に記載の記録装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記第１の記録媒体と第２の記録媒体の何れにも先行動画データが記録されていない場合、前記生成手段を制御して連続して再生できないことを示す前記シームレス情報を生成し、前記記録手段を制御して連続して再生できないことを示す前記シームレス情報を前記第１の記録媒体と第２の記録媒体に記録することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の記録装置。
【請求項８】
前記付加情報は、動画データを識別するための識別情報と動画データの管理情報を含み、前記管理情報は動画データの前記シームレス情報、前記符号量の情報および属性情報を含み、前記制御手段は前記記録手段を制御して前記付加情報を前記記録媒体に記録することを特徴とする請求項２に記載の記録装置。
【請求項９】
前記制御手段は、前記第１の記録媒体に記録された先行動画データに対応する前記付加情報に含まれる前記符号量の情報と、前記第２の記録媒体に記録された先行動画データに対応する前記付加情報に含まれる前記符号量の情報とが同じ場合には、前記第１の記録媒体と前記第２の記録媒体の何れかに記録された先行動画データに対応した前記付加情報に含まれる前記符号量の情報に基づいて、前記動画データの符号量を調整し、前記生成手段を制御して連続して再生可能であることを示す前記シームレス情報を生成し、前記記録手段を制御して連続して再生可能であることを示す前記シームレス情報を前記第１の記録媒体と第２の記録媒体に記録することを特徴とする請求項８に記載の記録装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、前記第１の記録媒体に記録された先行動画データに対応する前記付加情報に含まれる前記符号量の情報と、前記第２の記録媒体に記録された先行動画データに対応する前記付加情報に含まれる前記符号量の情報とが異なる場合には、前記第１の記録媒体と前記第２の記録媒体のうち所定の記録媒体に記録された先行動画データに対応した前記付加情報に含まれる前記符号量の情報に基づいて前記動画データの符号量を調整し、前記生成手段を制御して連続して再生可能であることを示す前記シームレス情報と連続して再生できないことを示す前記シームレス情報を生成するように、前記記録手段を制御して連続して再生可能であることを示す前記シームレス情報を前記所定の記録媒体に記録し、連続して再生できないことを示す前記シームレス情報を前記所定の記録媒体ではない記録媒体に記録することを特徴とする請求項８に記載の記録装置。
【請求項１１】
動画データを少なくとも第１の記録媒体と第２の記録媒体とに記録するための記録方法において、
動画データを符号化する符号化ステップと、
前記符号化ステップで符号化された動画データを第１の記録媒体と第２の記録媒体に記録する記録ステップと、
前記記録媒体に前記動画データを記録した場合、前記動画データがそれに先行して再生される先行動画データに対して連続して再生可能であるか否かを識別するためのシームレス情報を生成する生成ステップと、
前記符号化ステップで符号化された動画データを前記第１の記録媒体と前記第２の記録媒体に同時に記録する同時記録の指示に応じて、前記第１の記録媒体と第２の記録媒体の何れかの記録媒体に記録された前記先行動画データの符号量に基づいて前記符号化ステップで符号化される動画データの符号量を調整すると共に、前記符号量が調整された動画データと前記シームレス情報とを前記記録ステップにより前記第１の記録媒体と第２の記録媒体に記録する制御ステップとを備えることを特徴とする記録方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月24日(2013.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の目的は、顔の位置と被写体（不特定被写体）検出の位置を考慮し、主被写体としてより適切な被写体を選択することができる画像処理装置、主被写体の検出方法及びプログラムを提供することにある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の画像処理装置は、画像データから、第１の被写体を検出し、検出した前記第１の被写体における優先順位を設定する第１の検出手段と、前記画像データから、前記第１の検出手段とは異なる方法で第２の被写体を検出し、検出した前記第２の被写体における優先順位を設定する第２の検出手段と、前記第１の検出手段で検出され優先順位が設定された前記第１の被写体と、前記第２の検出手段で検出され優先順位が設定された前記第２の被写体の中から、予め設定された優先順位付けに従って主被写体を選択する選択手段と、前記第１の検出手段で検出された前記第１の被写体と、前記第２の検出手段で検出された前記第２の被写体が、同一の被写体であるか否かを判定する同一被写体判定部を有し、前記選択手段は、前記同一被写体判定部によって同一被写体であると判定された前記第１の被写体と前記第２の被写体が存在する場合には、前記予め設定された優先順位付けとは異なる優先順位付けにて主被写体を選択することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データから、第１の被写体を検出し、検出した前記第１の被写体における優先順位を設定する第１の検出手段と、
前記画像データから、前記第１の検出手段とは異なる方法で第２の被写体を検出し、検出した前記第２の被写体における優先順位を設定する第２の検出手段と、
前記第１の検出手段で検出され優先順位が設定された前記第１の被写体と、前記第２の検出手段で検出され優先順位が設定された前記第２の被写体の中から、予め設定された優先順位付けに従って主被写体を選択する選択手段と、
前記第１の検出手段で検出された前記第１の被写体と、前記第２の検出手段で検出された前記第２の被写体が、同一の被写体であるか否かを判定する同一被写体判定部を有し、
前記選択手段は、前記同一被写体判定部によって同一被写体であると判定された前記第１の被写体と前記第２の被写体が存在する場合には、前記予め設定された優先順位付けとは異なる優先順位付けにて主被写体を選択することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記選択手段は、前記予め設定された優先順位付けに従って選択した主被写体が前記第２の被写体であり、かつ、前記同一被写体判定部によって主被写体として選択された前記第２の被写体と同一被写体であると判定された前記第１の被写体が存在する場合には、前記第２の被写体と同一被写体であると判定された前記第１の被写体を主被写体として選択することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記選択手段は、主被写体として選択していた前記第１の被写体が検出されなくなった後に、新たに前記予め設定された優先順位付けに従って選択した主被写体が前記第２の被写体であり、かつ、前記同一被写体判定部によって前記主被写体として選択していた前記第１の被写体と同一被写体であると判定された前記第２の被写体が存在する場合には、前記主被写体として選択していた前記第１の被写体と同一被写体であると判定された前記第２の被写体を主被写体として選択することを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記予め設定された優先順位付けは、第一優先の前記第２の被写体よりも、第一優先の前記第１の被写体の優先順位を高く設定したものであることを特徴する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記予め設定された優先順位付けは、第二優先の前記第１の被写体よりも、第一優先の前記第２の被写体の優先順位を高く設定したものであることを特徴する請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記第２の検出手段は、少なくとも２つの前記第２の被写体が検出された場合には、検出された前記第２の被写体の画像の中心からの距離が近くなるほど値が大きくなる評価値を用いて、第一優先の前記第２の被写体と第二優先の前記第２の被写体を設定し、
前記第１の検出手段は、少なくとも２つの前記第１の被写体が検出された場合には、検出された前記第１の被写体の画像の中心からの距離が近くなるほど値が大きくなる評価値を用いて、第一優先の前記第１の被写体と第二優先の前記第１の被写体を決定するものであって、前記距離が閾値に満たない前記第１の被写体が存在しない場合には、前記第一優先の前記第１の被写体を設定せずに、第二優先の前記第１の被写体を設定することを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記画像データから生成された画像に重畳して、主被写体の位置を示す主被写体枠を表示する表示部を有し、
前記表示部は、前記同一被写体判定部によって同一被写体であると判定された前記第１の被写体と前記第２の被写体の間で主被写体の選択を切り換える場合は、そうでない場合に比較して、もとの主被写体の位置から新たな主被写体の位置への前記主被写体枠の移動の応答性を低くすることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記第１の被写体は人物の顔であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記第２の検出手段は、前記画像データから、類似する信号の成分を有する領域ごとに分類を行うことにより不特定被写体が存在する領域を検出することを特徴とする請求項８に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
画像データから、第１の被写体を検出し、検出した前記第１の被写体における優先順位を設定する第１の検出ステップと、
前記画像データから、前記第１の検出ステップとは異なる方法で第２の被写体を検出し、検出した前記第２の被写体における優先順位を設定する第２の被写体検出ステップと、
前記第１の検出ステップで検出され優先順位が設定された第１の被写体と、前記第２の被写体検出ステップで検出され優先順位が設定された第２の被写体の中から、予め設定された優先順位付けに従って主被写体を選択する選択ステップと、
前記第１の検出ステップで検出された前記第１の被写体と、前記第２の検出ステップで検出された前記第２の被写体が、同一の被写体であるか否かを判定する同一被写体判定ステップを有し、
前記選択ステップは、前記同一被写体判定ステップによって同一被写体であると判定された前記第１の被写体と前記第２の被写体が存在する場合には、前記予め設定された優先順位付けとは異なる優先順位付けにて主被写体を選択することを特徴とする主被写体の選択方法。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１乃至９のいずれか１項に記載された画像処理装置の各手段として機能させるコンピュータが読み出し可能なプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月24日(2013.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置及びその制御方法、並びにプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、情報処理装置及びその制御方法、並びにプログラムに関し、特に、ソフトウェアにより動作する情報処理装置及びその制御方法、並びにプログラムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の目的は、ソフトウェアの動作が不正な状態から正常に動作させることができる情報処理装置及びその制御方法、並びにプログラムを提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１の情報処理装置は、情報処理装置であって、前記情報処理装置の電源をオフにするための指示を受け付ける受付手段と、前記受付手段が前記指示を受け付けた際に、前記情報処理装置の電源をオフにする必要があるか否か判断する判断手段と、前記判断手段が前記情報処理装置の電源をオフにする必要があると判断した場合に、前記情報処理装置の電源をオフにするように制御し、前記判断手段が前記情報処理装置の電源をオフにする必要がないと判断した場合に、前記情報処理装置の電源をオフにしないように制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報処理装置であって、
前記情報処理装置の電源をオフにするための指示を受け付ける受付手段と、
前記受付手段が前記指示を受け付けた際に、前記情報処理装置の電源をオフにする必要があるか否か判断する判断手段と、
前記判断手段が前記情報処理装置の電源をオフにする必要があると判断した場合に、前記情報処理装置の電源をオフにするように制御し、前記判断手段が前記情報処理装置の電源をオフにする必要がないと判断した場合に、前記情報処理装置の電源をオフにしないように制御する制御手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記判断手段は、前記情報処理装置のソフトウェアが不正な状態になっている場合に、前記情報処理装置の電源をオフにする必要があると判断することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記判断手段は、前記情報処理装置においてジョブが実行されていない場合に、前記情報処理装置の電源をオフにする必要があると判断することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記判断手段は、前記情報処理装置において終了していないジョブが存在する場合に、前記情報処理装置の電源をオフにする必要があると判断することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記判断手段は、前記情報処理装置においてエラーが発生している場合に、前記情報処理装置の電源をオフにする必要があると判断することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記判断手段が前記情報処理装置の電源をオフにする必要があると判断した場合に、前記情報処理装置を再起動させるように制御することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記判断手段が前記情報処理装置の電源をオフにする必要がないと判断した場合に、前記情報処理装置を省電力状態に移行させるように制御することを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
情報処理装置の制御方法であって、
前記情報処理装置の電源をオフにするための指示を受け付ける受付ステップと、
前記受付ステップで前記指示を受け付けた際に、前記情報処理装置の電源をオフにする必要があるか否か判断する判断ステップと、
前記判断ステップで前記情報処理装置の電源をオフにする必要があると判断した場合に、前記情報処理装置の電源をオフにするように制御し、前記判断ステップで前記情報処理装置の電源をオフにする必要がないと判断した場合に、前記情報処理装置の電源をオフにしないように制御する制御ステップとを有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項９】
情報処理装置の制御方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記情報処理装置の制御方法は、
前記情報処理装置の電源をオフにするための指示を受け付ける受付ステップと、
前記受付ステップで前記指示を受け付けた際に、前記情報処理装置の電源をオフにする必要があるか否か判断する判断ステップと、
前記判断ステップで前記情報処理装置の電源をオフにする必要があると判断した場合に、前記情報処理装置の電源をオフにするように制御し、前記判断ステップで前記情報処理装置の電源をオフにする必要がないと判断した場合に、前記情報処理装置の電源をオフにしないように制御する制御ステップとを有することを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月18日(2014.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図２において、信号線２１−１、FD（Floating Diffusion）配線２２−１、GND配線２３−１、およびVDD２４−１は、左マスク１１の配線のマスクパターンを示し、信号線２１−２、FD配線２２−２、GND配線２３−２、およびVDD２４−２は、右マスク１２の配線のマスクパターンを示している。なお、信号線２１−１、FD配線２２−１、GND配線２３−１、およびVDD２４−１と、信号線２１−２、FD配線２２−２、GND配線２３−２、およびVDD２４−２とをそれぞれ互いに区別して説明する必要のない場合、単に、信号線２１、FD配線２２、GND配線２３、およびVDD２４と称する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
CMOSセンサ１００は、このようなマスクパターンにより製造された画素構成（この例では配線層）を有することにより、出力画像において、図４に示されるような輝度縦筋の発生を抑制することができ、画質を向上させることができる。また、CMOSセンサ１００は、このような輝度縦筋の発生の抑制を、上述したようにマスクパターン（この例の場合、配線のレイアウト）の局所的な変更により実現するので、画像処理により出力画像を補正する場合よりも、コストの増大を抑制することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
また、例えば、画素部レイアウトにて変換効率を変動させることも可能である。例えば、図１２に示される例のように読み出しゲートサイズを変更したり、FD部形成インプラントパターンを変更したりしてもよい。図１２の例の場合、CMOSセンサ１００は、読み出しゲート１７１−２や読み出しゲート１７２−２のような他の画素の読み出しゲートに比べて、左マスクのFD配線１２２−１に対応する読み出しゲート１７１−１および読み出しゲート１７２−１（点線１７０に囲まれる部分）のサイズが拡大されている（太くされている）。これにより、CMOSセンサ１００は、読み出しゲート１７１−１および読み出しゲート１７２−１と、FD配線１２２−１との間の容量を増大させ、元々変換効率が高かった図１２の左マスクの画素の変換効率を低減させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
図１４に示される例のように、遮光層１８１−１の開口部１８２−１のサイズを、遮光層１８１−２の開口部１８２−２のような他の画素の開口部に比べて意図的に縮小する。このように、元々変換効率が高かった図１４の左マスクの画素の開口部１８２−１を狭くすることにより、この画素の変換効率を低減させることができる。つまり、撮像特性の局所的かつ定常的な不均一性が抑制される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
もちろん、この場合も、配線層の場合と同様に、遮光層１８１−１の開口部１８２−１のサイズを、遮光層１８１−２の開口部１８２−２のような他の画素の開口部に比べて意図的に拡大し、元々変換効率が低かった図１４の左マスクの画素の開口部１８２−１を広くすることにより、この画素の変換効率を増大させることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月4日(2014.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材の一方の面に設けられた半導体素子搭載領域に接合材を介して設けられた半導体素子と、
前記基材及び前記半導体素子を覆うモールド樹脂材を備える半導体装置において、
前記半導体素子搭載領域に設けられ、前記基材と前記半導体素子との間を所定の間隔に保つ支持部分と、
前記半導体素子搭載領域と同一面において、前記基材と前記モールド樹脂材との接合部に形成された粗化部分を有し、
前記支持部分及び粗化部分は、積層形成された金属である事を特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記支持部分は、少なくとも３箇所形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記支持部分は、前記半導体素子の接合面と、前記半導体素子の角部において前記半導体素子と接することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記支持部分は、前記粗化部分に比べて前記基材からの高さが低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
基材と、
前記基材の一方の面に設けられた半導体素子搭載領域に接合材を介して設けられた半導体素子と、
前記基材及び前記半導体素子を覆うモールド樹脂材を備える半導体装置の製造方法において、
前記半導体素子搭載領域に設けられ、前記基材と前記半導体素子との間を所定の間隔に保つ支持部分を形成する金属を吹き付ける第１の工程と、
前記基材と前記モールド樹脂材との接合部に、粗化部分を形成する金属を吹きつける第２工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１工程及び前記第２の工程を、同時に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月23日(2014.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
陽極リードを導出する導出面と、前記導出面に対向する底面と、前記導出面および前記底面に接する側面を備え、多孔質層を有した弁作用金属からなる陽極体と、前記陽極体の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の表面に形成された導電性高分子層と、前記導電性高分子層の表面に順次形成されたグラファイト層および銀ペースト層とを備えたコンデンサ素子を有し、前記コンデンサ素子は外部接続端子と電気的に接続するとともに、絶縁材料により全面を覆う外装を備える固体電解コンデンサであって、前記導電性高分子層は第一の導電性高分子層と第二の導電性高分子層を有し、前記第一の導電性高分子層は、前記底面および前記側面の少なくとも一部を覆い、かつ、前記導出面の少なくとも一部を開放して成り、前記第二の導電性高分子層は、前記第一の導電性高分子層と前記導出面を覆って成ることを特徴とする固体電解コンデンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の固体電解コンデンサは、陽極リードを導出する導出面と、前記導出面に対向する底面と、前記導出面および前記底面に接する側面を備え、多孔質層を有した弁作用金属からなる陽極体と、前記陽極体の表面に形成された誘電体層と、前記誘電体層の表面に形成された導電性高分子層と、前記導電性高分子層の表面に順次形成されたグラファイト層および銀ペースト層とを備えたコンデンサ素子を有し、前記コンデンサ素子は外部接続端子と電気的に接続するとともに、絶縁材料により全面を覆う外装を備える固体電解コンデンサであって、前記導電性高分子層は第一の導電性高分子層と第二の導電性高分子層を有し、前記第一の導電性高分子層は、前記底面および前記側面の少なくとも一部を覆い、かつ、前記導出面の少なくとも一部を開放して成り、前記第二の導電性高分子層は、前記第一の導電性高分子層と前記導出面を覆って成ることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月8日(2014.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１パッドが配置された第１表面、前記第１表面とは反対側に位置する第１裏面、を有する第１半導体チップと、
複数の第２パッドが配置された第２表面、前記第２表面とは反対側に位置する第２裏面、を有する第２半導体チップと、
前記第１半導体チップが搭載された第１上面、前記第１上面とは反対側に位置する第１下面、およびその厚さ方向において前記第１上面と前記第１下面との間に位置する第１側面、を有する第１チップ搭載部と、
前記第１半導体チップと前記第１チップ搭載部とを接着固定する第１接着材と、
前記第２半導体チップが搭載された第２上面、前記第２上面とは反対側に位置する第２下面、およびその厚さ方向において前記第２上面と前記第２下面との間に位置し、前記第１側面に対向する第２側面、を有する第２チップ搭載部と、
前記第２半導体チップと前記第２チップ搭載部とを接着固定する第２接着材と、
前記第１チップ搭載部と前記第２チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、
前記第１半導体チップの前記複数の第１パッドと、前記複数のリードの内、複数の第１リードと、をそれぞれ電気的に接続し、かつ前記第２半導体チップの前記複数の第２パッドと、前記複数のリードの内、複数の第２リードと、をそれぞれ電気的に接続する複数の導電材と、
第１方向に延在する第１封止体側面、前記第１封止体側面と対向する第２封止体側面、前記第１方向と直行する第２方向に延在する第３封止体側面、前記第３封止体側面と対向する第４封止体側面を有し、かつ前記第１および第２半導体チップ、前記第１および第２チップ搭載部のそれぞれの一部、および前記複数のリードのそれぞれの一部を封止する封止体と、を有し、
前記第１チップ搭載部の前記第１下面と前記第２チップ搭載部の前記第２下面は、前記封止体から露出し、
平面視において、前記第１および第２チップ搭載部は、前記第１封止体側面と前記第２封止体側面との間に隣り合って配置され、
平面視において、前記第２チップ搭載部は、前記第１チップ搭載部と前記第２封止体側面との間に配置され、
前記封止体の一部は、前記第１側面と前記第２側面との間に配置され、
前記第１チップ搭載部の前記第１側面は、前記第１下面に連なる第１部分と、前記第１部分よりも外側に位置し、前記第１上面と連なり、前記第１部分と同一方向を向いた第２部分と、を備え、
前記第２チップ搭載部の前記第２側面は、前記第２下面に連なる第３部分と、前記第３部分よりも外側に位置し、前記第２上面と連なり、前記第３部分と同一方向を向いた第４部分と、を備え、
平面視において、前記第１チップ搭載部の前記第１上面は、前記第３封止体側面の中心点と前記第４封止体側面の中心点とを結ぶ前記第１方向に伸びた第１仮想線と重なっている、半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
平面視において、前記第１チップ搭載部の前記第１上面は、前記第１封止体側面の中心点と前記第２封止体側面の中心点とを結ぶ前記第２方向に伸びた第２仮想線と重なっている、半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
平面視において、前記第１封止体側面の中心点と前記第２封止体側面の中心点とを結ぶ前記第２方向に伸びた第２仮想線と前記第１仮想線とが交差した点が、前記第１チップ搭載部の前記第１上面上に位置する、半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
平面視において、前記第２チップ搭載部の前記第２上面は、前記第２仮想線と重なっている、半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１チップ搭載部の前記第２部分の厚さは、前記第１チップ搭載部の前記第１上面から前記第１下面までの厚さより小さく、
前記第２チップ搭載部の前記第４部分の厚さは、前記第２チップ搭載部の前記第２上面から前記第２下面までの厚さより小さい、半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１チップ搭載部の前記第１側面は、複数の前記第１部分と、複数の前記第２部分とを備え、かつ前記第１部分と前記第２部分が交互に配置され、
前記第２チップ搭載部の前記第２側面は、複数の前記第３部分と、複数の前記第４部分とを備え、かつ前記第３部分と前記第４分部分が交互に配置されている、半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、
前記第１チップ搭載部の前記複数の第１部分の上面の高さは、前記第１チップ搭載部の前記第１上面の高さと同じで、
前記第２チップ搭載部の前記複数の第３部分の上面の高さは、前記第２チップ搭載部の前記第２上面の高さと同じである、半導体装置。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップは、パワートランジスタを備え、
前記第１半導体チップの前記複数の第１パッドには、前記パワートランジスタのソースと電気的に接続されたソース電極パッドを含んでおり、
前記複数の導電材には、金属リボンを含んでおり、
前記金属リボンは、前記ソース電極パッドと電気的に接続されている、半導体装置。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップの前記第１裏面には、前記パワートランジスタのドレインと電気的に接続されたドレイン電極が形成され、
前記第１接着材は導電性接着材であり、
前記第１チップ搭載部の前記第１下面と前記第１半導体チップの前記ドレイン電極は、前記第１接着材を介して電気的に接続されている、半導体装置。