Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月7日(2014.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上方開口部を有する電池パックケースと、
前記電池パックケース内に収容され、直列接続される複数の電池セルと、
前記電池パックケースの上方開口部を閉鎖する電池パックカバーと、
を備え、
前記電池パックカバーは、
前記電池セルの接続部分の途中に設けられる配線部材と、
前記配線部材にアクセス可能な開口を有する傾斜部を備えたプラグカバーと、
前記プラグカバーの開口を閉鎖するキャップと、
を備え、
前記キャップは、前記傾斜部に係止可能であることを特徴とする電池パック。
【請求項２】
上方開口部を有する電池パックケースと、
前記電池パックケース内に収容され、直列接続される複数の電池セルと、
前記電池パックケースの上方開口部を閉鎖する電池パックカバーと、
前記電池セルの接続部分の途中に設けられ、電源を遮断可能な電源遮断装置と、
を備え、
前記電源遮断装置は、
前記電池パックケース内に取り付けられ、前記電池パックカバーから露出する傾斜部を有するプラグベースと、
前記プラグベースの傾斜部に着脱可能に取り付けられるサービスプラグと、
前記電池パックカバーに取り付けられ、前記プラグベースの傾斜部に沿い、前記サービスプラグを着脱可能な開口を有する傾斜部を備えたプラグカバーと、
前記プラグカバーに着脱可能で、前記プラグカバーの開口を閉鎖するキャップと、
を備え、
前記キャップは、前記プラグカバーの傾斜部に係止可能であることを特徴とする電池パック。
【請求項３】
前記キャップは、前記プラグカバーの傾斜部に係止可能な係止部を備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の電池パック。
【請求項４】
前記係止部は、所定間隔で配置され、前記プラグカバーの傾斜部の上縁部に係止する一対の爪部で構成したことを特徴とする請求項３に記載の電池パック。
【請求項５】
前記プラグカバーは、前記傾斜部に前記キャップを係止可能とする係止部を備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の電池パック。
【請求項６】
前記プラグカバーの傾斜部は、前記係止部を幅方向に位置決めする位置決め部を有することを特徴とする請求項３から５のいずれか１項に記載の電池パック。
【請求項７】
傾斜部を有するプラグベースと、
前記プラグベースの傾斜部に着脱可能に取り付けられるサービスプラグと、
前記プラグベースの傾斜部に沿い、前記サービスプラグを着脱可能な開口を有する傾斜部を備えたプラグカバーと、
前記プラグカバーに着脱可能で、前記プラグカバーの開口を閉鎖するキャップと、
を備え、
前記キャップは、前記プラグカバーの傾斜部に係止する係止部を備えたことを特徴とする電源遮断装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、電池パックカバー４には、配線部材の一例として電源遮断装置１６が設けられている。電源遮断装置１６は、電池パックモジュールの保守点検時にサービスプラグ２２を引き抜くことにより、電池パックモジュールの高電圧回路と他の回路とを遮断し、安全な作業（保守点検）を可能とするためのものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
１…電池パックケース
２…電池モジュール
３…ジャンクションボックス
４…電池パックカバー
５ａ、５ｂ…仕切壁
６…仕切部
７…第１電池収容部
８ａ、８ｂ…第２電池収容部
９…ＪＢ収容部
１０…電池ケース
１１…電池セル
１２…電池カバー
１３…電池モジュール群
１４…吸気部
１５…排気部
１６…電源遮断装置（配線部材）
１７…プラグベース
２０…サービスプラグ部材
２１…プラグカバー
２２…サービスプラグ
２３…キャップ
２４…ベース用傾斜部
２６…前面部
２８…第１下端支持部
２９…背面部
３０…第２下端支持部
４７…プラグ本体
４８…カバー体
４９…係止部材
５０…カバー用傾斜部（傾斜部）
５１…筒部（開口）
５２…平坦面（係止部）
５３…爪部
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月8日(2014.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
スピンドルモータに結合されたクランプ装置は、ディスクが正確な地点に位置するようにディスクを支持し、スピンドルモータの回転によってディスクが回転するようにする。
【特許文献１】特開２００６−０９２６６９号公報
【特許文献２】特開平０４−３３９３５２号公報
【特許文献３】韓国公開特許第２００４−００１３５６８号公報
【特許文献４】米国特許第７２５４８２２号明細書
【特許文献５】米国特許第６２０８６１３号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月16日(2014.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍ×ｎ個のメモリセルでなるメモリセルアレイと、第１の駆動回路と、第２の駆動回路と、電位生成回路と、ビット線と、ソース線と、ゲート線と、を有し、
前記メモリセルの一は、
第１のゲート電極、第１のソース電極、第１のドレイン電極、及び第１のチャネル形成領域を含む第１のトランジスタと、
第２のゲート電極、第２のソース電極、第２のドレイン電極、及び第２のチャネル形成領域を含む第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のチャネル形成領域は、前記第２のチャネル形成領域とは異なる半導体材料を含み、
前記第１の駆動回路は、前記メモリセルの列毎に、Ｋビットのラッチ部と、Ｋビットのマルチプレクサを有する書き込み回路と、を有し、
前記書き込み回路は、前記電位生成回路と、前記Ｋビットのラッチ部に接続される、半導体装置。
【請求項２】
ｍ×ｎ個のメモリセルでなるメモリセルアレイと、第１の駆動回路と、第２の駆動回路と、Ｋビットのカウンタ（Ｋは自然数）と、電位生成回路と、ビット線と、ソース線と、ゲート線と、を有し、
前記メモリセルの一は、
第１のゲート電極、第１のソース電極、第１のドレイン電極、及び第１のチャネル形成領域を含む第１のトランジスタと、
第２のゲート電極、第２のソース電極、第２のドレイン電極、及び第２のチャネル形成領域を含む第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のチャネル形成領域は、前記第２のチャネル形成領域とは異なる半導体材料を含み、
前記第１の駆動回路は、前記メモリセルの列毎に、Ｋビットのラッチ部と、読み出し回路と、を有し、
前記Ｋビットのカウンタは、前記読み出し回路に接続され、
前記読み出し回路は、前記Ｋビットのラッチ部に接続される、半導体装置。
【請求項３】
ｍ×ｎ個のメモリセルでなるメモリセルアレイと、第１の駆動回路と、第２の駆動回路と、Ｋビットのカウンタ（Ｋは自然数）と、電位生成回路と、ビット線と、ソース線と、ゲート線と、を有し、
前記メモリセルの一は、
第１のゲート電極、第１のソース電極、第１のドレイン電極、及び第１のチャネル形成領域を含む第１のトランジスタと、
第２のゲート電極、第２のソース電極、第２のドレイン電極、及び第２のチャネル形成領域を含む第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のチャネル形成領域は、前記第２のチャネル形成領域とは異なる半導体材料を含み、
前記第１の駆動回路は、前記メモリセルの列毎に、Ｋビットのラッチ部と、Ｋビットのマルチプレクサを有する書き込み回路と、読み出し回路と、を有し、
前記Ｋビットのカウンタは、前記読み出し回路に接続され、
前記Ｋビットのラッチ部は、前記書き込み回路と、前記読み出し回路と、に接続される、半導体装置。
【請求項４】
前記ソース線は、前記第１のソース電極と接続され、
前記ビット線は、前記第１のドレイン電極と、前記第２のドレイン電極と接続され、
前記ゲート線は、前記第２のゲート電極と接続され、前記第１のゲート電極と、前記第２のソース電極と、は接続される、請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１のトランジスタは、ｐチャネル型トランジスタであり、前記第２のトランジスタは、ｎチャネル型トランジスタである、請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２のトランジスタの前記第２のチャネル形成領域は、酸化物半導体を含む、請求項１乃至５のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ビット線と前記ソース線との間に、前記メモリセルの一を含む複数のメモリセルが並列に接続される、請求項１乃至６のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ビット線と前記ソース線との間に、前記メモリセルの一を含む複数のメモリセルが直列に接続される、請求項１乃至６のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記読み出し回路は、負荷と、センスアンプと、ＮＡＮＤ回路と、を有し、
前記ＮＡＮＤ回路の入力の一方には、前記センスアンプが接続されており、
前記ＮＡＮＤ回路の入力の他方には、メモリ読み出し線が接続されており、
前記ＮＡＮＤ回路の出力には、前記Ｋビットのラッチ部が接続される、請求項１乃至８のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記電位生成回路は、前記第１の駆動回路および前記第２の駆動回路に、それぞれ接続される、請求項１乃至９のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記Ｋビットのカウンタは、前記Ｋビットのラッチ部の入力と電気的に接続される、請求項１乃至１０のいずれか一に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月22日(2014.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線と、
第２の配線と、
第３の配線と、
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記容量素子の第２の電極は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第３の配線は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
第１のメモリセルと、
前記第１のメモリセル上の、第２のメモリセルと、を有し、
前記第１のメモリセルは、前記第２のトランジスタを有し、
前記第２のメモリセルは、前記第１のトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の酸化物半導体及び前記第２の酸化物半導体は、表面に垂直な方向にｃ軸が配向した結晶領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月16日(2014.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍ×ｎ個のメモリセルでなるメモリセルアレイと、読み出し回路を有する第１の駆動回路と、第２の駆動回路と、を有し、
前記メモリセルの一は、
第１のゲート電極、第１のソース電極、第１のドレイン電極、及び第１のチャネル形成領域を含む第１のトランジスタと、
第２のゲート電極、第２のソース電極、第２のドレイン電極、及び第２のチャネル形成領域を含む第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のチャネル形成領域は、前記第２のチャネル形成領域とは異なる半導体材料を含み、
前記読み出し回路は、負荷と、クロックドインバータと、第３のゲート電極、第３のソース電極、第３のドレイン電極、及び第３のチャネル形成領域を含む第３のトランジスタと、を有し、
前記クロックドインバータの出力端子は、前記第３のトランジスタの前記第３のソース電極または前記第３のドレイン電極と接続される、半導体装置。
【請求項２】
前記第１のソース電極は、ソース線と接続され、
前記クロックドインバータの入力端子は、ビット線を介して、前記第１のドレイン電極と、前記第２のドレイン電極と接続され、
前記第２のゲート電極は、ゲート線を介して、前記第１のゲート電極と、前記第２のソース電極と接続される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
ｍ×ｎ個のメモリセルでなるメモリセルアレイと、読み出し回路を有する第１の駆動回路と、第２の駆動回路と、を有し、
前記メモリセルの一は、
第１のゲート電極、第１のソース電極、第１のドレイン電極、及び第１のチャネル形成領域を含む第１のトランジスタと、
第２のゲート電極、第２のソース電極、第２のドレイン電極、及び第２のチャネル形成領域を含む第２のトランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記第１のチャネル形成領域は、前記第２のチャネル形成領域とは異なる半導体材料を含み、
前記読み出し回路は、負荷と、クロックドインバータと、第３のゲート電極、第３のソース電極、第３のドレイン電極、及び第３のチャネル形成領域を含む第３のトランジスタと、を有し、
前記クロックドインバータの出力端子は、前記第３のトランジスタの前記第３のソース電極または前記第３のドレイン電極と接続される、半導体装置。
【請求項４】
前記第１のソース電極は、ソース線と接続され、
前記クロックドインバータの入力端子は、ビット線を介して、前記第１のドレイン電極と、前記第２のドレイン電極と接続され、
前記第２のゲート電極は、ゲート線と接続され、
前記容量素子の電極の一方は、容量線と接続され、
前記容量素子の電極の他方は、前記第１のゲート電極と、前記第２のソース電極と接続される、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１のトランジスタは、ｐチャネル型トランジスタであり、前記第２のトランジスタは、ｎチャネル型トランジスタである、請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２のトランジスタの前記第２のチャネル形成領域は、酸化物半導体を含む、請求項１乃至５のいずれか一に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月30日(2014.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルと、第１の回路と、第２の回路と、第３の回路と、第４の回路と、データバッファとを有し、
前記メモリセルは、酸化物半導体を有する第１のトランジスタと、酸化物半導体以外の半導体材料を有する第２のトランジスタとを有し、
前記第１の回路は、互いに大きさの異なる複数の電位を、前記第２の回路に供給する機能を有し、
前記データバッファは、前記メモリセルに書き込む第１のデータを保持する機能を有し、
前記第２の回路は、前記第１のデータに基づいて、前記複数の電位の一を第２のデータとして、前記メモリセルに供給する機能を有し、
前記第３の回路は、前記第２のデータを読み出す機能を有し、
前記第４の回路は、前記第１のデータと、前記第２のデータとを比較する機能を有し、
前記メモリセルは、前記比較の結果に応じて、前記第２の回路から前記複数の電位の他の一が供給される機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
メモリセルと、第１の回路と、第２の回路と、第３の回路と、第４の回路と、データバッファとを有し、
前記メモリセルは、酸化物半導体を有する第１のトランジスタと、酸化物半導体以外の半導体材料を有する第２のトランジスタとを有し、
前記第１の回路は、互いに大きさの異なる複数の電位を生成する機能を有し、
前記第２の回路は、複数の第１の信号線を介して前記第１の回路と電気的に接続され、
前記第２の回路は、第２の信号線を介して前記メモリセルと電気的に接続され、
前記第２の回路は、第３の信号線を介して前記メモリセルと電気的に接続され、
前記第４の回路は、前記第２の回路、前記第３の回路、及び前記データバッファと電気的に接続され、
前記データバッファは、前記第２の回路と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の信号線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の信号線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第２のトランジスタは、前記半導体材料を含む基板に設けられたチャネル形成領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１のトランジスタは、前記酸化物半導体として、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体材料を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月9日(2014.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
文書を光学的に読み取って電子ファイルの生成が可能な画像処理装置であって、
前記電子ファイルに添付される、或いは前記電子ファイルを添付するファイルを指定する指定手段と、
前記電子ファイルに前記指定手段により指定された前記ファイルを添付するか、前記指定手段により指定された前記ファイルに前記電子ファイルを添付することにより、添付後のファイルを生成する添付手段と、
前記添付後のファイルの送信方法及び宛先を指定する送信指定手段と、
前記添付後のファイルを、前記送信指定手段で指定された前記送信方法及び宛先に従って送信する送信手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
文書を光学的に読み取って電子ファイルの生成が可能な画像処理装置であって、
前記電子ファイルに添付される、或いは前記電子ファイルを添付するファイルを指定する指定手段と、
前記電子ファイルに前記指定手段により指定された前記ファイルを添付するか、前記指定手段により指定された前記ファイルに前記電子ファイルを添付することにより、添付後のファイルを生成する添付手段と、
前記添付後のファイルの格納先を指定する格納先指定手段と、
前記添付後のファイルを、前記格納先指定手段で指定された前記格納先に格納する格納手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】
前記電子ファイルのファイル形式を設定する設定手段と、
前記設定手段により設定された前記電子ファイルのファイル形式が、当該電子ファイルに他のファイルを添付可能なファイル形式かどうかを判定する判定手段とを更に有し、
前記判定手段が前記電子ファイルに他のファイルを添付可能なファイル形式であると判定した場合、前記電子ファイルに添付される前記ファイルは、前記指定手段により指定可能となることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記指定手段は、前記ファイルをフォルダとファイル名で指定することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記電子ファイルの名称を指定する名称指定手段を更に有し、
前記名称指定手段は、前記添付後のファイルの名称を、前記電子ファイルと前記ファイルのそれぞれのファイル名、任意の文字列の少なくともいずれか、或いは前記電子ファイルと前記ファイルのそれぞれのファイル名、任意の文字列のいずれかの組み合わせにより指定することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記指定手段は、前記電子ファイルに添付される前記ファイルを複数指定可能であることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記格納先は、前記指定手段により指定された前記ファイルと同じフォルダ、或いは任意のフォルダを含むことを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記格納先が前記指定手段により指定された前記ファイルと同じフォルダである場合、当該ファイルと前記添付後のファイルの名称とが同じであれば、前記ファイルの名称或いは前記添付後のファイルの名称を変更する変更手段を更に有することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項９】
文書を光学的に読み取って電子ファイルの生成が可能な画像処理装置を制御する制御方法であって、
前記画像処理装置の指定手段が、前記電子ファイルに添付される、或いは前記電子ファイルを添付するファイルを指定する指定工程と、
前記画像処理装置の添付手段が、前記電子ファイルに前記指定工程で指定された前記ファイルを添付するか、前記指定工程で指定された前記ファイルに前記電子ファイルを添付することにより、添付後のファイルを生成する添付工程と、
前記画像処理装置の送信指定手段が、前記添付後のファイルの送信方法及び宛先を指定する送信指定工程と、
前記画像処理装置の送信手段が、前記添付後のファイルを、前記送信指定工程で指定された前記送信方法及び宛先に従って送信する送信工程と、
を有することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項１０】
文書を光学的に読み取って電子ファイルの生成が可能な画像処理装置を制御する制御方法であって、
前記画像処理装置の指定手段が、前記電子ファイルに添付される、或いは前記電子ファイルを添付するファイルを指定する指定工程と、
前記画像処理装置の添付手段が、前記電子ファイルに前記指定工程で指定された前記ファイルを添付するか、前記指定工程で指定された前記ファイルに前記電子ファイルを添付することにより、添付後のファイルを生成する添付工程と、
前記画像処理装置の格納先指定手段が、前記添付後のファイルの格納先を指定する格納先指定工程と、
前記画像処理装置の格納手段が、前記添付後のファイルを、前記格納先指定工程で指定された前記格納先に格納する格納工程と、
を有することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために本発明の一態様に係る画像処理装置は以下のような構成を備える。即ち、文書を光学的に読み取って電子ファイルの生成が可能な画像処理装置であって、前記電子ファイルに添付される、或いは前記電子ファイルを添付するファイルを指定する指定手段と、前記電子ファイルに前記指定手段により指定された前記ファイルを添付するか、前記指定手段により指定された前記ファイルに前記電子ファイルを添付することにより、添付後のファイルを生成する添付手段と、前記添付後のファイルの送信方法及び宛先を指定する送信指定手段と、前記添付後のファイルを、前記送信指定手段で指定された前記送信方法及び宛先に従って送信する送信手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月12日(2014.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置およびその方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像光学系を有する撮像手段により撮像された画像データを取得する取得手段と、
前記撮像光学系の設計データが示す光学特性に基づいて作成された画像復元フィルタを保持するフィルタ保持手段と、
前記設計データが示す光学特性と、前記画像データの撮像に用いられる前記撮像光学系の光学特性との差異を示す差異情報に基づいて、前記画像復元フィルタを再構成した補正フィルタを用いて前記画像データにフィルタ処理を行う処理手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記処理手段は、前記画像復元フィルタと前記差異情報とを用いて、前記補正フィルタを生成しながら前記画像データに前記フィルタ処理を行うことを特徴とする請求項1に記載された画像処理装置。
【請求項３】
前記差異情報とともに、前記撮像光学系の個体識別をするためのID情報を保持する差異保持手段をさらに有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載された画像処理装置。
【請求項４】
前記差異情報は、前記撮像光学系の光軸と、前記画像データが示す画像の中心とのずれ量を示す情報であることを特徴とする請求項1から請求項3の何れか一項に記載された画像処理装置。
【請求項５】
前記差異情報は、前記撮像光学系の製造誤差により画像の四隅で結像性能が異なる片ぼけを示す情報であることを特徴とする請求項1から請求項3
の何れか一項に記載された画像処理装置。
【請求項６】
撮像光学系を有する撮像手段により撮像された画像データを取得し、
前記撮像光学系の設計データが示す光学特性に基づいて作成された画像復元フィルタを保持し、
前記設計データが示す光学特性と、前記画像データの撮像に用いられる前記撮像光学系の光学特性との差異を示す差異情報に基づいて、前記画像復元フィルタを再構成した補正フィルタを用いて前記画像データにフィルタ処理を行うことを特徴とする画像処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、撮像光学系の設計上の光学性能と、実際の撮像光学系の光学性能が異なる場合に、画像復元による画質劣化や復元不足を抑えることを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明にかかる画像処理は、撮像光学系を有する撮像手段により撮像された画像データを取得し、前記撮像光学系の設計データが示す光学特性に基づいて作成された画像復元フィルタを保持し、前記設計データが示す光学特性と、前記画像データの撮像に用いられる前記撮像光学系の光学特性との差異を示す差異情報に基づいて、前記画像復元フィルタを再構成した補正フィルタを用いて前記画像データにフィルタ処理を行うことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、撮像光学系の設計上の光学性能と、実際の撮像光学系の光学性能が異なる場合に、画像復元による画質劣化や復元不足を抑えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月13日(2014.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係る画像処理装置は、多視点で撮像された複数の画像のデータを取得し、当該複数の画像を合成するための当該複数の画像それぞれの重みを決定する重み決定手段と、前記重み決定手段で決定された重みに従って前記複数の画像を合成することにより、前記複数の画像のピント位置とは異なるピント位置を有する合成画像を生成する生成手段と、を備え、前記重み決定手段は、前記合成画像において、前記複数の画像の周波数特性に含まれるエイリアシング成分が小さくなるように前記重みを決定することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多視点で撮像された複数の画像のデータを取得し、当該複数の画像を合成するための当該複数の画像それぞれの重みを決定する重み決定手段と、
前記重み決定手段で決定された重みに従って前記複数の画像を合成することにより、前記複数の画像のピント位置とは異なるピント位置でピントを合わせた合成画像を生成する生成手段と、
を備え、
前記重み決定手段は、前記合成画像において、前記複数の画像の周波数特性に含まれるエイリアシング成分が小さくなるように前記重みを決定する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記重み決定手段は、前記複数の画像の画素ズレ量を用いて、前記複数の画像の周波数特性に含まれるエイリアシング成分を導出することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記重み決定手段は、前記複数の画像の画素ズレ量に応じて決まる抑制可能なエイリアシングの数を用いて、前記重みを決定することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
画素ズレ量に応じて決まる抑制可能なエイリアシング以外のエイリアシングを抑制するように、前記合成のための補間関数を決定する手段をさらに備え、
前記生成手段は、前記重みと前記補間関数を用いて、前記複数の画像を合成する
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
被写体を選択する選択手段をさらに備え、
前記複数の画像のピント位置とは異なるピント位置は、前記選択手段による選択に基づいていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記選択手段は、ユーザの選択に基づいて又は自動的に、被写体を選択することを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
視差がついた複数の画像を撮像する撮像手段と、
前記複数の画像を合成するための当該複数の画像それぞれの重みを決定する重み決定手段と、
前記重み決定手段で決定された重みに従って前記複数の画像を合成することにより、前記複数の画像のピント位置とは異なるピント位置でピントを合わせた合成画像を生成する生成手段と、
を備え、
前記重み決定手段は、前記合成画像において、前記複数の画像の周波数特性に含まれるエイリアシング成分が小さくなるように前記重みを決定する
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項８】
多視点で撮像された複数の画像のデータを取得するステップと、
前記複数の画像を合成するための、前記複数の画像それぞれの重みを決定する重み決定ステップと、
前記重み決定ステップで決定された重みに従って前記複数の画像を合成することにより、前記複数の画像のピント位置とは異なるピント位置でピントを合わせた合成画像を生成する生成ステップと、
を含み、
前記重み決定ステップは、前記合成画像において、前記複数の画像の周波数特性に含まれるエイリアシング成分が小さくなるように前記重みを決定する
ことを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】
コンピュータに、請求項８に記載の画像処理方法を実行させるためのプログラム。
【請求項１０】
前記重み決定手段は、前記合成画像のピント位置及び前記複数の画像を撮像した撮像装置の特性を表すカメラパラメータとに基づいて、前記重みを決定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記重み決定手段は、
前記合成画像のピント位置及び前記カメラパラメータに基づいて、前記複数の画像間の画素ズレ量を算出する手段を含み、
算出された前記画素ズレ量を用いて、前記重みを決定する
ことを特徴とする請求項１０に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記重み決定手段は、
算出された前記画素ズレ量に基づいて、抑制可能なエイリアシングの数を決定する手段を含み、
算出された前記画素ズレ量及び決定された前記抑制可能なエイリアシングの数を用いて、前記重みを決定する
ことを特徴とする請求項１１に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
前記重み決定手段は、前記撮像装置のレンズ位置から前記合成画像のピント位置を示す仮想センサの位置までの距離、及び前記撮像装置の前記レンズ位置から前記撮像装置の撮像素子までの距離に基づいて、前記重みを決定することを特徴とする請求項１０に記載の画像処理装置。
【請求項１４】
前記重み決定手段は、以下の式で表されるＢnの絶対値が小さくなるように前記重みを決定し、
【数１】
2012256177.tif 000001
上記式においてｍは前記複数の画像のそれぞれに割り当てられた数であり、Ｃmは前記複数の画像のそれぞれの重みであり、Ｕmは前記複数の画像のそれぞれに対応する視点位置を表すベクトルであり、Ｚnは以下の式で表されるベクトルであり、
【数２】
2012256177.tif 000002
上記式においてｎは前記エイリアシング成分に割り当てられた数であり、σvirtualは、前記撮像装置のレンズ位置から前記仮想センサまでの距離であり、σrealは前記撮像装置のレンズ位置から前記撮像装置の前記撮像素子の位置までの距離であり、Δrealは前記撮像素子の画素ピッチである
ことを特徴とする請求項１３に記載の画像処理装置。
【請求項１５】
コンピュータを、請求項１〜６、１０〜１４のいずれか１項に記載の画像処理装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月20日(2014.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特徴空間の位置データを示すデータ表示または前記位置データが含まれるクラスタを示すクラスタ表示の一方または両方を表示部に表示させる表示制御部と、
前記データ表示または前記クラスタ表示へのユーザの操作を取得する操作取得部と、
前記操作に応じて前記クラスタを編集するクラスタ編集部と、
を備える情報処理装置。
【請求項２】
前記操作取得部は、前記ユーザのポインティング操作の軌跡を取得する、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記クラスタ編集部は、前記軌跡が前記クラスタ表示を横断する場合に前記クラスタを分割または削除する、請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記クラスタ編集部は、前記軌跡が前記クラスタ表示を横断する回数によって前記クラスタを分割するか削除するかを判定する、請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記表示制御部は、前記クラスタに含まれる前記位置データまたは他のクラスタを示す表示を前記表示部に表示させ、
前記クラスタ編集部は、前記軌跡による前記位置データまたは前記他のクラスタを示す表示の区分に従って前記クラスタを分割する、請求項３または４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記クラスタ編集部は、前記軌跡が前記データ表示または前記クラスタ表示を囲む場合に、前記位置データまたは前記クラスタを包含する新たなクラスタを生成する、請求項２〜５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記操作取得部は、前記クラスタ表示への前記ユーザのピンチ操作を取得する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記表示制御部は、前記ピンチ操作に応じて前記クラスタ表示を圧縮または伸張して表示させ、
前記クラスタ編集部は、前記クラスタ表示が所定の割合または回数以上圧縮または伸張された場合に前記クラスタを分割する、請求項７に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記クラスタ編集部は、前記ピンチ操作の速さに応じて前記クラスタの分割の細かさを変化させる、請求項８に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記操作取得部は、前記ユーザが前記クラスタ表示を移動させる操作を取得する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記クラスタ編集部は、前記移動させる操作によって前記クラスタ表示が別のクラスタ表示と重複した場合に前記クラスタと前記別のクラスタ表示によって示されるクラスタとを結合させる、請求項１０に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記表示制御部は、前記クラスタを包含する別のクラスタを示す表示を前記表示部に表示させ、
前記クラスタ編集部は、前記移動させる操作によって前記クラスタ表示が前記別のクラスタを示す表示の外側に出た場合に前記別のクラスタから前記クラスタを分割する、請求項１０または１１に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
前記操作取得部は、前記ユーザが前記クラスタ表示を含む表示を拡縮させる操作を取得し、
前記クラスタ編集部は、前記拡縮される操作に応じて、前記クラスタを含み木構造を有するクラスタ群の情報から前記木構造において前記クラスタの上位または下位にある別のクラスタの情報を取得し、
前記表示制御部は、前記別のクラスタを示すクラスタ表示を前記クラスタ表示に代えて前記表示部に表示させる、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
前記表示制御部は、前記クラスタ表示を含む表示の縮尺を維持する、請求項１３に記載の情報処理装置。
【請求項１５】
前記クラスタ編集部は、前記クラスタを含み木構造を有するクラスタ群の情報を取得し、
前記表示制御部は、前記クラスタ表示を前記木構造のノードとして表示させる、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１６】
前記操作取得部は、前記ユーザのポインティング操作の軌跡を取得し、
前記クラスタ編集部は、前記軌跡が前記木構造のリンクを横断する場合に、前記リンクを解除するように前記クラスタ群の情報を更新する、請求項１５に記載の情報処理装置。
【請求項１７】
前記操作取得部は、前記ユーザのポインティング操作の軌跡を取得し、
前記クラスタ編集部は、前記軌跡が複数の前記ノードを連結する場合に、これらのノードの間にリンクを設定するように前記クラスタ群の情報を更新する、請求項１５または１６に記載の情報処理装置。
【請求項１８】
前記クラスタ編集部は、前記クラスタを含み木構造を有するクラスタ群の情報を取得し、
前記表示制御部は、前記クラスタ表示を前記クラスタ群の別のクラスタを示す別のクラスタ表示に変化させる場合に、前記木構造における前記クラスタから前記別のクラスタまでの経路上に存在するクラスタを示すクラスタ表示を前記表示部に順次表示させる、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１９】
特徴空間の位置データを示すデータ表示または前記位置データが含まれるクラスタを示すクラスタ表示の一方または両方を表示部に表示させることと、
前記データ表示または前記クラスタ表示へのユーザの操作を取得することと、
前記操作に応じて前記クラスタを編集することと、
を含む情報処理方法。
【請求項２０】
特徴空間の位置データを示すデータ表示または前記位置データが含まれるクラスタを示すクラスタ表示の一方または両方を表示部に表示させる機能と、
前記データ表示または前記クラスタ表示へのユーザの操作を取得する機能と、
前記操作に応じて前記クラスタを編集する機能と、
をコンピュータに実現させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月28日(2014.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザのつまみ操作を検出する検出部と、
前記検出されたつまみ操作によるつまみ位置が、立体視オブジェクトのユーザによる知覚位置に対応する場合、前記立体視オブジェクトを選択対象に決定する制御部と、
を備える、情報処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記つまみ位置の３次元方向への動きに応じた制御を行う、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記つまみ位置の移動に応じて、前記立体視オブジェクトのユーザによる知覚位置が前記つまみ位置に対応するよう表示制御を行う、請求項１または請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記つまみ位置と表示画面との距離に応じて前記立体視オブジェクトの透過度を変更する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記つまみ位置が操作範囲外に近付くほど前記立体視オブジェクトの透過度を上げる、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記つまみ位置の、表示画面に垂直な方向への移動に応じて、表示内容を拡大または縮小する、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記制御部は、データ送信またはデータ受信の進捗状況に応じて前記立体視オブジェクトを表示画面に垂直な方向に移動させ、前記つまむ操作により前記立体視オブジェクトが選択されると、前記データ送信またはデータ受信を中止する、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記検出部は、操作範囲を撮影した撮影画像から検出したマーカーに基づいてつまみ操作を検出する、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
ユーザのつまみ操作を検出するステップと、
前記検出されたつまみ操作によるつまみ位置が、立体視オブジェクトのユーザによる知覚位置に対応する場合、前記立体視オブジェクトを選択対象に決定するステップと、
を含む、情報処理方法。
【請求項１０】
ユーザのつまみ操作を検出する処理と、
前記検出されたつまみ操作によるつまみ位置が、立体視オブジェクトのユーザによる知覚位置に対応する場合、前記立体視オブジェクトを選択対象に決定する処理と、
をコンピュータに実行させる、プログラム。
【請求項１１】
前記つまみ位置の３次元方向への動きに応じた制御を行う処理を含む、請求項１０に記載のプログラム。
【請求項１２】
前記つまみ位置の移動に応じて、前記立体視オブジェクトのユーザによる知覚位置が前記つまみ位置に対応するよう表示制御を行う処理を含む、請求項１０または請求項１１に記載のプログラム。
【請求項１３】
前記つまみ位置と表示画面との距離に応じて前記立体視オブジェクトの透過度を変更する処理を含む、請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載のプログラム。
【請求項１４】
前記つまみ位置が操作範囲外に近付くほど前記立体視オブジェクトの透過度を上げる処理を含む、請求項１０から請求項１３のいずれか１項に記載のプログラム。
【請求項１５】
前記つまみ位置の、表示画面に垂直な方向への移動に応じて、表示内容を拡大または縮小する処理を含む、請求項１０から請求項１４のいずれか１項に記載のプログラム。
【請求項１６】
データ送信またはデータ受信の進捗状況に応じて前記立体視オブジェクトを表示画面に垂直な方向に移動させ、前記つまむ操作により前記立体視オブジェクトが選択されると、前記データ送信またはデータ受信を中止する処理を含む、請求項１０から請求項１５のいずれか１項に記載のプログラム。
【請求項１７】
操作範囲を撮影した撮影画像から検出したマーカーに基づいてつまみ操作を検出する処理を含む、請求項１０から請求項１６のいずれか１項に記載のプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
決定制御部１１０は、立体視オブジェクトのユーザによる知覚位置を検出する。ここで、立体視オブジェクトは、ユーザの位置に応じて歪みや位置ズレが生じる。よって決定制御部１１０は、例えばユーザの顔を撮影した撮影画像に基づいてユーザの顔の位置を認識し、認識したユーザの顔の位置に応じて、立体視オブジェクトのユーザによる知覚位置を検出してもよい。また、決定制御部１１０は、検出部１９から、ユーザのつまみ操作によるつまみ位置の情報を取得する。そして、決定制御部１１０は、つまみ位置に対応する位置でユーザに知覚される立体視オブジェクトを、選択対象として決定する。なお、つまみ位置に対応する位置とは、つまみ位置と一致する位置でもよいし、つまみ位置の周辺位置でもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
一方、上記ステップＳ１０６において、２点のマーカー間の距離の値が閾値より大きいと判断された場合、処理はステップＳ１０８に進み、つまみ操作は検出されない。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月20日(2014.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動回路と、前記駆動回路上に設けられ、前記駆動回路によって駆動される複数のメモリセルアレイと、を有し、
前記複数のメモリセルアレイそれぞれは、マトリクス状に配置された複数のメモリセルを有し、
前記複数のメモリセルそれぞれは、第１のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体層と、ソース電極及びドレイン電極と、第１のゲート絶縁層と、前記第１のゲート絶縁層を挟んで前記酸化物半導体層と重畳する第１のゲート電極と、を有し、
前記容量素子は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と、前記第１のゲート絶縁層と、前記第１のゲート絶縁層を挟んで前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と重畳する導電層と、を有し、
前記複数のメモリセルアレイは重ねて配置されることを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記複数のメモリセルアレイのうち隣接するメモリセルアレイ間において、ビット線は重ならないように配置されていることを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記複数のメモリセルアレイうち隣接するメモリセルアレイ間において、ワード線は重ならないように配置されていることを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記駆動回路は、第２のトランジスタを用いて形成され、
前記第２のトランジスタは、シリコンでなる基板に設けられたチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を挟むように設けられた一対の不純物領域と、前記チャネル形成領域上の第２のゲート絶縁層と、前記チャネル形成領域と重畳して前記第２のゲート絶縁層上に設けられた第２のゲート電極と、を有することを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記駆動回路は、第２のトランジスタを用いて形成され、
前記第２のトランジスタは、絶縁表面上に形成され、シリコンでなる半導体層に設けられたチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を挟むように設けられた一対の不純物領域と、前記チャネル形成領域と重なる第２のゲート絶縁層と、前記第２のゲート絶縁層を挟んでチャネル形成領域と重畳するように設けられた第２のゲート電極と、を有することを特徴とする記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月1日(2014.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の駆動回路と、
第２の駆動回路と、
第３の駆動回路と、
第１のメモリセルと、
第２のメモリセルと、を有し、
前記第１の駆動回路は、第１のビット線を駆動する機能を有し、
前記第２の駆動回路は、第２のビット線を駆動する機能を有し、
前記第３の駆動回路は、第１のワード線を駆動する機能を有し、
前記第３の駆動回路は、第２のワード線を駆動する機能を有し、
前記第１のメモリセルは、第１のトランジスタと、第１の容量素子とを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のワード線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のビット線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の容量素子の電極と電気的に接続され、
前記第２のメモリセルは、第２のトランジスタと、第２の容量素子とを有し、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２のワード線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のビット線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の容量素子の電極と電気的に接続され、
前記第１のメモリセルを有するセルアレイは、絶縁膜を介して、前記第１の駆動回路と重なる領域を有し、
前記第２のメモリセルを有するセルアレイは、前記絶縁膜を介して、前記第２の駆動回路と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のトランジスタの活性層は、酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタの活性層は、酸化物半島体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の駆動回路乃至前記第３の駆動回路は、それぞれトランジスタを有し、
前記トランジスタの活性層は、シリコン又はゲルマニウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１のメモリセルを有する、第１のセルアレイ層と、
前記第１のセルアレイ層上の、第２のセルアレイ層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２のメモリセルを有する、第３のセルアレイ層と、
前記第３のセルアレイ層上の、第４のセルアレイ層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月18日(2014.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワード線と、
ビット線と、
トランジスタと第１の容量素子とを有するメモリセルと、
第２の容量素子と、
増幅回路と、を有し、
前記トランジスタは、ゲート電極が前記ワードと電気的に接続され、ソース電極又はドレイン電極の一方が前記ビット線と電気的に接続され、
前記トランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第１の容量素子の一方の電極は、前記トランジスタの前記ソース電極又は前記ドレイン電極の他方と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の他方の電極は、前記第２の容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の他方の電極は、前記増幅回路と電気的に接続されていることを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
ワード線と、
第１乃至第ｎのビット線と、
第１乃至第ｎのトランジスタと第１乃至第ｎの容量素子とを有する第１乃至第ｎのメモリセルと、
第ｎ＋１の容量素子と、
増幅回路と、を有し、
前記第１乃至前記第ｎの各トランジスタは、ゲート電極が前記ワード線と電気的に接続され、ソース電極又はドレイン電極の一方が前記第１乃至前記第ｎのビット線のいずれかと電気的に接続され、
前記第１乃至前記第ｎの各トランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第１乃至前記第ｎの容量素子の一方の電極は、前記第１乃至前記第ｎのトランジスタのいずれかの前記ソース電極又はドレイン電極の他方と電気的に接続され、
前記第１乃至前記第ｎの容量素子の他方の電極は、前記第ｎ＋１の容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１乃至前記第ｎの容量素子の他方の電極は、前記増幅回路と電気的に接続されていることを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１乃至前記第ｎの容量素子は、それぞれ異なる容量値を有することを特徴とする記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月19日(2014.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極上の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層上の、第３の酸化物半導体層と、
前記第３の酸化物半導体層上の、第４の酸化物半導体層及び第５の酸化物半導体層と、
前記第４の酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記第５の酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上の、絶縁層と、
前記絶縁層上の、第２の電極と、を有し、
前記第１の電極は、前記第３の酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記第２の電極は、前記第３の酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記第３の酸化物半導体層は、チャネル長方向における、一方の端部と、他方の端部とを有し、
前記第３の酸化物半導体層の一方の端部は、前記第１の酸化物半導体層及び前記第４の酸化物半導体層によって、覆われ、
前記第３の酸化物半導体層の他方の端部は、前記第２の酸化物半導体層及び前記第５の酸化物半導体層によって、覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の電極と、
前記第１の電極上の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、第１の酸化物半導体層及び第２の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層上の、第３の酸化物半導体層と、
前記第３の酸化物半導体層上の、第４の酸化物半導体層及び第５の酸化物半導体層と、
前記第４の酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記第５の酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上の、絶縁層と、
前記絶縁層上の、第２の電極と、を有し、
前記第１の電極は、前記第３の酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記第２の電極は、前記第３の酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記第３の酸化物半導体層は、チャネル長方向における、一方の端部と、他方の端部とを有し、
前記第３の酸化物半導体層の一方の端部の下側は、前記第１の酸化物半導体層と接する領域を有し、
前記第３の酸化物半導体層の一方の端部の上側及び側面は、前記第４の酸化物半導体層と接する領域を有し、
前記第３の酸化物半導体層の他方の端部の下側は、前記第２の酸化物半導体層と接する領域を有し、
前記第３の酸化物半導体層の他方の端部の上側及び側面は、前記第５の酸化物半導体層と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第３の酸化物半導体層は、０．２μｍ以上１０μｍ以下の厚さを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第３の酸化物半導体層は、表面に対して垂直方向に沿うように、ｃ軸配向した結晶領域を有することを特徴とする半導体装置。