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【手続補正書】
【提出日】平成26年11月5日(2014.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸源と、塩基性アミノ酸の可溶性炭酸塩を含む活性物質とを含む、歯科用器具を清浄にするための発泡性の溶解性固体組成物。
【請求項２】
塩基性アミノ酸が、アルギニン、リジン、シトルリン、オルニチン、クレアチン、ヒスチジン、ジアミノブタン酸、ジアミノプロピオン酸、それらの塩、及び／又はそれらの組合わせである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
塩基性アミノ酸がＬ−立体配置を有する、請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
塩基性アミノ酸がアルギニンである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項５】
塩基性アミノ酸が重炭酸アルギニンである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項６】
塩基性アミノ酸の重量を遊離塩基形として計算して、塩基性アミノ酸が全組成物重量の０．１重量％〜５０重量％に相当する量で存在する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項７】
酸源が、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、アジピン酸、コハク酸、及びフマル酸から選択される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】
可溶性炭酸塩が、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、重炭酸アルギニン、炭酸ナトリウム、及び炭酸カリウムから選択される、請求項１〜７のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９】
溶剤に溶解した際に二酸化炭素を発生する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１０】
漂白剤を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１１】
アルカリ金属のペルカーボネート、ペルボレート、ペルスルフェート、ペルピロホスフェート、及びモノペルスルフェートを含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１２】
フッ化物又はフッ化物イオン源を含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１３】
防腐剤又は抗微生物剤を含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１４】
粉末又は顆粒の形態である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１５】
タブレットの形態である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１６】
結合剤を含む、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１７】
界面活性剤を更に含む、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１８】
界面活性剤が、ラウリル硫酸ナトリウム及びラウリルエーテル硫酸ナトリウムから選択される、請求項１７に記載の組成物。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか１項に記載の組成物及び水性溶剤を含む、歯科用器具を清浄にするのに有効な時間、歯科用器具を浸漬することによって歯科用器具を清浄にするための組成物。
【請求項２０】
歯科用器具の使用に際して塩基性アミノ酸を口腔へ送達するため、及び／又は歯科用器具上での齲食原性細菌の増殖を阻害するための、請求項１９に記載の組成物。
【請求項２１】
下記のための、請求項２０に記載の組成物：（ｉ）齲歯の形成を軽減又は抑制する、（ｉｉ）たとえば定量光誘導蛍光（ＱＬＦ）又は電気的齲食測定（ＥＣＭ）により検出されるエナメル質の前齲食病変を軽減、修復又は抑制する、（ｉｉｉ）歯の脱灰を軽減又は抑制し、再石灰化を促進する、（ｉｖ）歯の過敏性を軽減する、（ｖ）歯肉炎を軽減又は抑制する、（ｖｉ）口内の潰瘍又は切り傷の治癒を促進する、（ｖｉｉ）酸産生細菌のレベルを低下させる、（ｖｉｉｉ）アルギニン分解細菌（ａｒｇｉｎｏｌｙｔｉｃｂａｃｔｅｒｉａ）の相対レベルを高める、（ｉｘ）口腔における微生物バイオフィルムの形成を抑制する、（ｘ）歯垢ｐＨを少なくともｐＨ５．５のレベルに上昇及び／又は維持する、（ｘｉ）歯垢の蓄積を軽減する、（ｘｉｉ）歯及び口腔を清浄にする、（ｘｉｉｉ）歯を齲食原性細菌に対して免疫化する、（ｘｉｖ）侵食を軽減する、（ｘｖ）全身の健康状態を増進する、ならびに／あるいは（ｘｖｉ）口内乾燥を治療又は抑制する。
【請求項２２】
歯科用器具が、歯ブラシ、タングスクレーパー、デンタルフロス、デンタルピック、マウスガード、義歯、歯科矯正装置、歯科矯正デバイスから成る群より選択される、請求項１９〜２１のいずれか１項に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月21日(2014.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々を識別可能な複数種類の識別情報の可変表示を行う可変表示装置に特定表示結果が導出表示されたときに遊技者にとって有利な特定遊技状態に制御する遊技機であって、
識別情報の表示態様がリーチ態様になった後にリーチ演出を実行するリーチ演出実行手段と、
遊技者に所定の遊技価値を付与する遊技価値付与手段とを備え、
前記リーチ演出は、最終停止識別情報として導出表示される識別情報の候補の画像と所定演出を示唆する所定演出示唆画像とが前記可変表示装置に表示される特別リーチ演出を含み、
前記特別リーチ演出が実行された後、最終停止識別情報が導出表示される前に前記所定演出を実行する所定演出実行手段をさらに備え、
前記遊技価値付与手段は、前記所定演出実行手段により前記所定演出が実行されてから前記特定遊技状態に制御されたときと、前記特別リーチ演出が実行された後前記所定演出が実行されずに前記特定遊技状態に制御されたときとで、異なる遊技価値を付与し、
前記遊技機は、
異なる遊技機の間で共通に使用可能な共用部材に設けられる複数の発光手段により構成されるとともに、遊技状態を前記発光手段の発光態様により報知する状態表示手段と、
前記共用部材に設けられ、前記状態表示手段により報知される遊技状態を識別するための機能情報が記された機能表示部と、をさらに備え、
前記機能表示部には、該遊技機の機種を識別可能な機種識別情報が記されていることを特徴とする遊技機。  
【請求項２】
可変表示パターンに従って識別情報の可変表示を行う可変表示実行手段を備え、
可変表示パターンは、識別情報の表示結果が導出表示されるまでに、一旦仮停止させた後可変表示を再度実行する再可変表示パターンを含み、
前記可変表示実行手段は、リーチ演出を含む再可変表示パターンに従って可変表示を行うときには、リーチ状態になる前またはリーチ状態になった後に仮停止させるが、リーチ演出を含まない再可変表示パターンに従って識別情報の可変表示を行うときには、リーチ状態になった後に仮停止させない
請求項１記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（１）本発明による遊技機は、各々を識別可能な複数種類の識別情報（例えば、特別図柄）の可変表示を行う可変表示装置（例えば、特別図柄表示器８ａ，８ｂ）に特定表示結果（例えば、大当り図柄）が導出表示されたときに遊技者にとって有利な特定遊技状態（例えば、大当り遊技状態）に制御する遊技機であって、識別情報の表示態様がリーチ態様になった後にリーチ演出を実行するリーチ演出実行手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００において、ステップＳ８３１〜Ｓ８３３，Ｓ８４１〜Ｓ８４３の処理を実行する部分）と、遊技者に所定の遊技価値を付与する遊技価値付与手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０において、ステップＳ７３，Ｓ１７１Ａの処理を実行する部分）とを備え、リーチ演出は、最終停止識別情報として導出表示される識別情報の候補の画像（例えば、左右の停止図柄と同じ図柄と、左右の停止図柄よりも数字が１つ多い図柄：図４０（Ｃ）参照）と所定演出を示唆する所定演出示唆画像（例えば、キャラクタ図柄９ｂ，９ｃ：図４０（Ｃ）参照）とが可変表示装置に表示される特別リーチ演出を含み（例えば、図４０（Ｃ）に示す演出）、特別リーチ演出が実行された後、最終停止識別情報が導出表示される前に所定演出を実行する所定演出実行手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００において、ステップＳ８２５の処理の結果にもとづいてステップＳ８３１〜Ｓ８３３，Ｓ８４１〜Ｓ８４３の処理を実行する部分）をさらに備え、遊技価値付与手段は、所定演出実行手段により所定演出が実行されてから特定遊技状態に制御されたときと、特別リーチ演出が実行された後所定演出が実行されずに特定遊技状態に制御されたときとで、異なる遊技価値を付与（例えば、図４４，図４５に示すように、通常大当りの場合と確変大当りの場合とで所定演出の実行割合を変えることによって実現される）し、遊技機は、異なる遊技機の間で共通に使用可能な共用部材（右下外レール部）に設けられる複数の発光手段（状態表示ＬＥＤ２００ａ、ＬＥＤ２００ｂ、ＬＥＤ２００ｃ、ＬＥＤ２００ｄ）により構成されるとともに、遊技状態を前記発光手段の発光態様により報知する状態表示手段（状態表示部）と、前記共用部材に設けられ、前記状態表示手段により報知される遊技状態を識別するための機能情報（例えば、状態表示ＬＥＤ２００ａの近傍に記される「１５Ｒ」など）が記された機能表示部（状態表示部）と、をさらに備え、前記機能表示部には、該遊技機の機種を識別可能な機種識別情報（機種を示す管理情報）が記されていることを特徴とする。
そのような構成によれば、所定演出に対して、より遊技者を注目させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（４）上記の（１）〜（３）の遊技機において、可変表示パターンに従って識別情報の可変表示を行う可変表示実行手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００において、ステップＳ８２５の処理の結果にもとづいてステップＳ８３１〜Ｓ８３３，Ｓ８４１〜Ｓ８４３の処理を実行する部分）を備え、可変表示パターンは、識別情報の表示結果が導出表示されるまでに、一旦仮停止させた後可変表示を再度実行する再可変表示パターンを含み（図６０参照）、可変表示実行手段は、リーチ演出を含む再可変表示パターンに従って可変表示を行うときには、リーチ態様になる前またはリーチ態様になった後に仮停止させるが、リーチ演出を含まない再可変表示パターンに従って識別情報の可変表示を行うときには、リーチ態様になった後に識別情報を仮停止させない（図６０における「リーチなし（再変動あり）」参照）ように構成されていてもよい。
そのような構成によれば、リーチ態様が表示されて特定遊技状態に対する遊技者の期待感が向上した後にリーチ演出を実行しないことによって落胆させられるような状況の発生を防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月30日(2014.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイポーラ・トランジスタであって、
コレクタ領域を含む半導体基板と、
前記コレクタ領域に接触するベース領域であって、前記コレクタ領域と反対にある前記ベース領域の表面が前記ベース領域に伸長する損傷領域を含み、前記損傷領域が、１平方センチメートル当たり４×１０１４〜６×１０１４の不純物原子濃度で存在する酸素不純物と、フッ素不純物及び炭素不純物から成る群から選択される少なくとも一つの他の不純物とを含み、前記他の不純物が、１平方センチメートル当たり１×１０１３〜５×１０１３の不純物原子濃度で存在する、前記ベース領域と、
前記ベース領域に接触するエミッタ領域であって、前記損傷領域は前記エミッタ領域と前記ベース領域の間の界面で存在している、前記エミッタ領域と
を備えている、前記バイポーラ・トランジスタ。
【請求項２】
前記酸素不純物および前記他の不純物が、前記エミッタ領域と前記ベース領域の界面に限局されている、請求項１に記載のバイポーラ・トランジスタ。
【請求項３】
前記バイポーラ・トランジスタが、ＮＰＮバイポーラ・トランジスタ構造を備えている、請求項１に記載のバイポーラ・トランジスタ。
【請求項４】
前記バイポーラ・トランジスタが、ＰＮＰバイポーラ・トランジスタ構造を備えている、請求項１に記載のバイポーラ・トランジスタ。
【請求項５】
前記界面が、前記酸素不純物および前記フッ素不純物を含む、請求項１に記載のバイポーラ・トランジスタ。
【請求項６】
前記界面が、前記酸素不純物および前記炭素不純物を含む、請求項１に記載のバイポーラ・トランジスタ。
【請求項７】
前記界面が、前記酸素不純物、前記フッ素不純物および前記炭素不純物を含む、請求項１に記載のバイポーラ・トランジスタ。
【請求項８】
前記ベース領域が、少なくとも部分的に単結晶ベース材料を含み、
前記エミッタ領域が、多結晶エミッタ材料を含む、
請求項１に記載のバイポーラ・トランジスタ。
【請求項９】
前記エミッタ領域が、スペーサを含むエミッタ分離層によって前記ベース領域から部分的に隔てられている、請求項１に記載のバイポーラ・トランジスタ。
【請求項１０】
バイポーラ・トランジスタを製造する方法であって、
半導体基板内に少なくとも部分的にコレクタ領域を形成するステップと、
前記コレクタ領域に接触するベース領域を形成するステップと、
前記ベース領域の上部表面全体上に直接的に誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層の一部を通して開口部を形成して、前記ベース領域の曝露された表面を用意するステップと、
前記ベース領域の前記曝露された表面上に損傷領域を形成するステップであって、前記損傷領域が、前記ベース領域に伸長し、且つ、１平方センチメートル当たり４×１０１４〜６×１０１４の不純物原子濃度で存在する酸素不純物と、フッ素不純物及び炭素不純物から成る群から選択される少なくとも一つの他の不純物とを含み、前記他の不純物が、１平方センチメートル当たり１×１０１３〜５×１０１３の不純物原子濃度で存在する、前記損傷領域を形成するステップと、
前記ベース領域の前記損傷領域に接触するエミッタ領域を形成するステップと
を含む、前記方法。
【請求項１１】
前記酸素不純物および前記他の不純物が、前記エミッタ領域か前記ベース領域かのどちらかの中に均一に分布していない、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ベース領域を形成する前記ステップが、単結晶ベース材料を少なくとも部分的に生成する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記単結晶ベース材料が、前記酸素不純物および前記少なくとも１つの他の不純物を生成するようにエッチング・プラズマで処理される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記単結晶ベース材料が、熱的に酸化され、次に、前記酸素不純物および前記少なくとも１つの他の不純物を生成するように無水アンモニア蒸気および無水フッ化水素蒸気エッチング剤で処理される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記界面が、前記酸素不純物および前記フッ素不純物を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記界面が、前記酸素不純物および前記炭素不純物を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
バイポーラ・トランジスタを製造する方法であって、
半導体基板内に少なくとも部分的にコレクタ領域を形成するステップと、
前記コレクタ領域に接触する、前記単結晶ベース材料のベース領域を形成するステップと、
前記ベース領域の上部表面全体上に直接的に誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層の一部を通して開口部を形成して、前記ベース領域の曝露された表面を用意するステップと、
前記単結晶ベース材料のベース領域の前記曝露された表面上に損傷領域を形成するステップであって、前記損傷領域が、前記ベース領域に伸長し、且つ、１平方センチメートル当たり４×１０１４〜６×１０１４の不純物原子濃度で存在する酸素不純物と、フッ素不純物及び炭素不純物から成る群から選択される少なくとも一つの他の不純物とを含み、前記他の不純物が、１平方センチメートル当たり１×１０１３〜５×１０１３の不純物原子濃度で存在する、前記損傷領域を形成するステップと、
前記単結晶ベース材料のベース領域の前記曝露された表面に水性フッ化水素酸エッチングを適用して、前記酸素不純物の濃度と、フッ素不純物及び炭素不純物から成る群から選択される少なくとも一つの他の不純物の濃度とを増加させるステップと、
前記ベース領域の前記損傷領域に接触するエミッタ領域を形成するステップと
を含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月19日(2013.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】方法および情報処理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力装置に印刷の要求を行う情報処理装置によって実行される方法であって、
アプリケーションから印刷データを受け付け、該受け付けられた印刷データを所定の記憶領域に記憶し、前記所定の記憶領域に記憶された印刷データに関する処理の終了を前記アプリケーションに通知を行うように前記情報処理装置を制御する第１の印刷制御ステップと、
前記第１の印刷制御ステップで処理の終了の通知が行われた前記印刷データを出力先に応じて振り分け、該振り分けられた印刷データを受け付け、該受け付けられた印刷データを前記出力装置で処理可能なデータに変換し、該変換されたデータを前記出力装置に送信するように前記情報処理装置を制御する第２の印刷制御ステップと
を情報処理装置によって実行されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第２の印刷制御ステップにおける前記振り分けとは、複数の出力先から１つの出力先を前記印刷データの出力先として決定することによって前記印刷データを振り分けることである
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の印刷制御ステップは、仮想プリンタドライバによって実行され、
前記仮想プリンタドライバは、前記振り分けるためのインスタンスを前記印刷データ毎に生成する
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の印刷制御ステップは、前記インスタンスとリモートドライバによって実行される
ことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
出力装置に印刷の要求を行う情報処理装置であって、
アプリケーションによる前記印刷の要求に基づく印刷制御処理を実行する制御手段
を有し、
前記制御手段は、
前記アプリケーションから印刷データを受け付け、該受け付けられた印刷データを所定の記憶領域に記憶し、前記所定の記憶領域に記憶された印刷データに関する処理の終了を前記アプリケーションに通知を行うように前記情報処理装置を制御する第１の印刷制御処理と、
前記第１の印刷制御処理で処理の終了の通知が行われた前記印刷データを出力先に応じて振り分け、該振り分けられた印刷データを受け付け、該受け付けられた印刷データを前記出力装置で処理可能なデータに変換し、該変換されたデータを前記出力装置に送信するように前記情報処理装置を制御する第２の印刷制御処理と
を実行することを特徴とする情報処理装置。
【請求項６】
前記第２の印刷制御処理における前記振り分けとは、複数の出力先から１つの出力先を前記印刷データの出力先として決定することによって前記印刷データを振り分けることである
ことを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記第１の印刷制御処理は、前記制御手段によって起動される仮想プリンタドライバによって実行され、
前記仮想プリンタドライバは、前記振り分けるためのインスタンスを前記印刷データ毎に生成する
ことを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記第２の印刷制御処理は、前記インスタンスと、前記制御手段によって起動されるリモートドライバによって実行される
ことを特徴とする請求項７に記載の情報処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月15日(2014.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサであって、
結合条件が満たされる場合に容量的に結合するように構成されたトランスミッタ及びレシーバと、
前記レシーバにより受信される受信信号が前記トランスミッタにより送信される送信信号と一致するか否かを判定するように構成された回路と、を備えるセンサ。
【請求項２】
請求項１に記載のセンサであって、
前記回路は、さらに、出力信号を生成するように構成され、
前記出力信号は、前記受信信号が前記送信信号と一致する場合には第１の状態を示し、前記受信信号が前記送信信号と一致しない場合には第２の状態を示す、センサ。
【請求項３】
請求項１に記載のセンサであって、
前記トランスミッタと前記レシーバとが近接する場合に、前記結合条件が満たされる、センサ。
【請求項４】
請求項３に記載のセンサであって、
前記トランスミッタと前記レシーバとが異なる面上に配置される、センサ。
【請求項５】
請求項１に記載のセンサであって、
受動カプラが前記トランスミッタ及び前記レシーバに近接する場合に、前記結合条件が満たされる、センサ。
【請求項６】
請求項５に記載のセンサであって、
前記トランスミッタ及び前記レシーバが、ほぼ単一面内に配置される、センサ。
【請求項７】
請求項５に記載のセンサであって、
前記受動カプラは導電体を備える、センサ。
【請求項８】
請求項１に記載のセンサであって、
前記回路は、さらに、前記送信信号を生成するように構成される、センサ。
【請求項９】
請求項１に記載のセンサであって、
前記受信信号が前記送信信号に一致するか否かの判定は、前記受信信号の強度を求めることを含む、センサ。
【請求項１０】
請求項１に記載のセンサであって、
前記受信信号が前記送信信号に一致するか否かの判定は、前記受信信号と前記送信信号との間に誤差が存在する場合に誤差を求めることを含む、センサ。
【請求項１１】
請求項１に記載のセンサであって、
前記受信信号が前記送信信号に一致するか否かの判定は、所定数のサンプルに関して前記受信信号と前記送信信号とが一致するか否かを判定することを含む、センサ。
【請求項１２】
請求項１に記載のセンサであって、
前記送信信号はパターン化信号を含む、センサ。
【請求項１３】
請求項１に記載のセンサであって、
さらに、前記センサの感度範囲を調節する回路を備える、センサ。
【請求項１４】
請求項１に記載のセンサであって、
さらに、前記センサの電力消費を抑制する回路を備える、センサ。
【請求項１５】
請求項１に記載のセンサであって、
さらに、前記トランスミッタと前記レシーバとの間の自己相互作用を補償する自動較正回路を備える、センサ。
【請求項１６】
請求項１に記載のセンサであって、
差動構成を備える、センサ。
【請求項１７】
請求項１に記載のセンサであって、
スイッチ、位置検出センサ、近接検出センサ、存在検出センサ及びタッチセンサの中の１つ又は複数を備える、センサ。
【請求項１８】
請求項１に記載のセンサであって、
前記回路は集積回路を備える、センサ。
【請求項１９】
状態を判定する方法であって、
結合条件が満たされる場合に容量的に結合するようにトランスミッタ及びレシーバを構成する工程と、
前記レシーバにより受信される受信信号が前記トランスミッタにより送信される送信信号に一致するか否かを判定する工程と、を備える方法。
【請求項２０】
状態を判定するためのコンピュータプログラムであって、
コンピュータ命令を備え、
前記コンピュータ命令は、
コンピュータに、結合条件が満たされる場合に容量的に結合するようにトランスミッタ及びレシーバを構成させ、
前記コンピュータに、前記レシーバにより受信される受信信号が前記トランスミッタにより送信される送信信号に一致するか否かを判定させる、コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月9日(2014.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
（ａ）第１導電型の半導体層の表層部に、第２導電型の不純物をイオン注入することによりウェル領域を形成する工程と、
（ｂ）前記ウェル領域内の表層部及び表面上に第１導電型のソース領域を形成する工程と、
（ｃ）前記ウェル領域に隣接する前記半導体層の部分であるＪＦＥＴ領域、前記ソース領域と前記ＪＦＥＴ領域とに挟まれた前記ウェル領域の部分であるチャネル領域および前記ソース領域に跨がるように、前記半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
（ｄ）前記ソース領域に接続するソース電極を形成する工程とを備え、
前記工程（ｂ）で形成される前記ソース領域は、
前記ウェル領域内の表層部に形成され、前記ソース電極に接続するソースコンタクト領域と、
前記ウェル領域内の表層部に形成され、前記チャネル領域に隣接するソースエクステンション領域と、
前記半導体層の表面上に前記ソースエクステンション領域と前記ソースコンタクト領域との間を跨ぐように形成されたソース抵抗制御領域とを含み、
前記工程（ｂ）は、
前記ウェル領域の表層部への選択的なイオン注入により、前記ソースコンタクト領域及び前記ソースエクステンション領域を形成する工程と、
前記半導体層の表面上にエピタキシャル成長層を形成してパターニングすることにより、前記ソース抵抗制御領域を形成する工程とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月20日(2014.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次電池と、
前記二次電池が収容される内部空間が区画された筐体と、
少なくとも直流電圧と交流電圧とを変換する機能を有する電子機器を搭載した第１の受け部材と、を備え、
前記内部空間に前記第１の受け部材をスライドさせることによって、前記電子機器を前記筐体内に収容可能である蓄電装置。
【請求項２】
前記内部空間は、枠部材によって上下に区画されており、
前記枠部材に沿って前記第１の受け部材をスライドさせることによって前記筐体内に収容可能である請求項１に記載の蓄電装置。
【請求項３】
前記筐体の側面には、開口部が備えられ、
前記開口部を介して、前記第１の受け部材を前記筐体に収容可能である請求項１または請求項２に記載の蓄電装置。
【請求項４】
前記枠部材の上面には、一対の第２の受け部材が設けられ、
前記第１の受け部材を、前記一対の第２の受け部材上でスライドさせることによって前記筐体に収容可能である請求項２に記載の蓄電装置。
【請求項５】
前記一対の第２の受け部材の開口部側端部と、前記第１の受け部材の端部とが固定具で固定されることにより前記筐体内に前記第１の受け部材を固定する請求項４に記載の蓄電装置。
【請求項６】
前記第２の受け部材は、ブラケットである請求項４または５に記載の蓄電装置。
【請求項７】
前記電子機器は、外部電源から供給される交流電圧を直流電圧に変換して前記二次電池に出力、または前記二次電池から供給された直流電圧を交流電圧に変換して外部に出力する電子機器である請求項１乃至６のいずれか一項に記載の蓄電装置。
【請求項８】
前記二次電池は、区画された前記内部空間の下部に収容される請求項１乃至７のいずれか一項に記載の蓄電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の蓄電装置は、二次電池と、二次電池が収容される内部空間が区画された筐体と、少なくとも直流電圧と交流電圧とを変換する機能を有する電子機器を搭載した第１の受け部材と、を備え、内部空間に第１の受け部材をスライドさせることによって、電子機器を筐体内に収容可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月25日(2014.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合作業温度で溶融しない第１の融点温度を有する可融性金属からなる少なくとも単層の高融点ベース材と、接合作業温度で溶融可能な第２の融点温度を有する可融性金属からなる少なくとも単層の低融点被覆材とを積層した複合金属材を用いたことを特徴とする保護素子用ヒューズ素子。
【請求項２】
前記複合金属材は、１８３℃以上２８０℃未満の接合作業温度において溶融しない可融性金属からなる前記高融点ベース材の表面に、該接合作業温度において溶融可能な可融性金属からなる前記低融点被覆材を設けたことを特徴とする請求項１に記載の保護素子用ヒューズ素子。
【請求項３】
前記複合金属材は、積層面に予め接合フラックスを内蔵させたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の保護素子用ヒューズ素子。
【請求項４】
前記高融点ベース材は、２０Ｓｎ−８０Ａｕ合金、５５Ｓｎ−４５Ｓｂ合金、Ｐｂを８０質量％以上含有したＰｂ−Ｓｎ合金の群から選択された少なくとも１つの可融性金属を用いたことを特徴とする請求項１ないし請求項３の何れか１つに記載の保護素子用ヒューズ素子。
【請求項５】
前記低融点被覆材は、Ｓｎ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ｃｕ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金、Ｓｎ−Ｓｂ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ合金、Ｓｎ−Ｚｎ−Ａｌ合金、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ合金または前記Ｓｎ基合金にＡｕ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｇａをさらに添加した合金の群から選択された少なくとも１つの可融性金属を用いたことを特徴とする請求項１ないし請求項４の何れか１つに記載の保護素子用ヒューズ素子。
【請求項６】
前記低融点被覆材は、接合前における前記複合材の板厚または直径に対して前記低融点被覆材の厚みが１％以上１０％以下になるように前記複合材を成形したことを特徴とする請求項１ないし請求項５の何れか１つに記載の保護素子用ヒューズ素子。
【請求項７】
絶縁基板と、該絶縁基板の表面に設けた複数のパターン電極と、このパターン電極に電気接続したヒューズ素子と、このヒューズ素子の上部を覆ったキャップ状蓋体とを備え、前記ヒューズ素子は、接合作業温度において溶融しない第１の融点温度を有する可融性金属からなる少なくとも１つの高融点ベース材と、該接合作業温度において溶融可能な第２の融点温度を有する可融性金属からなる少なくとも１つの低融点被覆材とを積層して成る複合金属材を用いたことを特徴とする回路保護素子。
【請求項８】
前記絶縁基板は、さらに抵抗発熱素子を設けたことを特徴とする請求項７に記載の回路保護素子。
【請求項９】
前記高融点ベース材は、２０Ｓｎ−８０Ａｕ合金、５５Ｓｎ−４５Ｓｂ合金、Ｐｂを８０質量％以上含有したＰｂ−Ｓｎ合金の群から選択された少なくとも１つの可融性金属を用いたことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の回路保護素子。
【請求項１０】
前記低融点被覆材は、Ｓｎ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ｃｕ合金、Ｓｎ−Ｚｎ合金、Ｓｎ−Ｓｂ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ合金、Ｓｎ−Ｚｎ−Ａｌ合金、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ合金または前記Ｓｎ基合金にＡｕ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｇａをさらに添加した合金の群から選択された少なくとも１つの可融性金属を用いたことを特徴とする請求項７ないし請求項９の何れか１つに記載の回路保護素子。
【請求項１１】
前記低融点被覆材は、接合前における前記複合材の板厚または直径に対して前記低融点被覆材の厚みが１％以上２０％以下になるように前記複合材を成形したことを特徴とする請求項７ないし請求項１０の何れか１つに記載の回路保護素子。
【請求項１２】
接合作業温度で溶融しない第１の融点温度を有する可融性金属からなる少なくとも１つの高融点ベース材と接合作業温度で溶融可能な第２の融点温度を有する可融性金属からなる少なくとも１つの低融点被覆材とを積層して成る複合金属材を用いたヒューズ素子およびパターン電極を有する絶縁基板を準備する準備工程、前記絶縁基板に接合フラックスを塗布する接合フラックス塗布工程、その後前記絶縁基板の前記パターン電極と前記ヒューズ素子の前記低融点被覆材とを互いに接触させて前記絶縁基板に載置するマウント工程、前記ヒューズ素子を載置した前記絶縁基板を１８３℃以上２８０℃未満の接合作業温度で前記低融点被覆材を溶融させてパターン電極に一括接合させる接合工程、接合した前記ヒューズ素子に動作用の溶断フラックスを塗布する溶断フラックス塗布工程、前記溶断フラックスを塗布した前記絶縁基板上の前記ヒューズ素子をキャップ状蓋体で覆ってパッケージングするパッケージング工程により組み立てられたことを特徴とする回路保護素子の製造方法。
【請求項１３】
前記接合工程において前記パターン電極と前記ヒューズ素子の金属材表面の酸化膜等を除去し接合表面を活性化する水素還元炉または蟻酸還元炉による活性化手段を用いたことにより、前記接合フラックス塗布工程を省略したことを特徴とする請求項１２に記載の回路保護素子の製造方法。
【請求項１４】
積層面に予め接合フラックスを内蔵させた前記ヒューズ素子を用いたことにより、前記接合フラックス塗布工程を省略したことを特徴とする請求項１２に記載の回路保護素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月16日(2014.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、接着層と、上記基板を支持する支持体とをこの順に積層してなる積層体に押圧力を加えることにより、上記基板と支持体とを接着層を介して貼り付ける貼付装置であって、
積層体を挟み込む上下一対のプレート部材を備え、
上側のプレート部材における積層体と接する部位に、プレート部材への積層体の貼り付きを防止する防止部が設けられており、
上記防止部は、上側のプレート部材から離れる方向に上記積層体を押圧する押圧部材を備えており、
上側のプレート部材における積層体と接する部位には、上記押圧部材を収納する凹部が設けられており、上記押圧部材は、上側のプレート部材から離れる方向に上記積層体を押圧するように、弾性的に付勢されていることを特徴とする貼付装置。
【請求項２】
上記押圧部材における上記積層体と接触する側の先端が丸められていることを特徴とする請求項１に記載の貼付装置。
【請求項３】
上記防止部は、上側のプレート部材における積層体と接する部位から上記積層体に向かって気体を送出する送出部を備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の貼付装置。
【請求項４】
上記プレート部材は、積層体と接する部位の非押圧時の平面度が１．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の貼付装置。
【請求項５】
上記プレート部材を支持する支柱部材を備え、
上記支柱部材は、プレート部材の少なくとも中心部を支持する中心支持部材と、当該中心支持部材に設けられ、プレート部材の中心部以外を支持する複数の周辺支持部材とからなり、上記中心支持部材は一対のプレート部材のうち少なくとも一方を、積層体に押圧力を加えるために移動自在に支持すると共に、上記周辺支持部材はプレート部材の移動方向に伸縮自在となっており、
上記積層体に押圧力を加えたときに生じるプレート部材の撓み量を検知する検知部と、
上記検知部が検知した撓み量が相殺されるように周辺支持部材を伸縮させる制御部と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の貼付装置。
【請求項６】
基板と、接着層と、上記基板を支持する支持体とをこの順に積層してなる積層体に押圧力を加えることにより、上記基板と支持体とを接着層を介して貼り付ける貼付装置であって、
積層体を挟み込む上下一対のプレート部材を備え、
上側のプレート部材における積層体と接する部位に、プレート部材への積層体の貼り付きを防止する防止部が設けられており、
上記プレート部材を支持する支柱部材を備え、
上記支柱部材は、プレート部材の少なくとも中心部を支持する中心支持部材と、当該中心支持部材に設けられ、プレート部材の中心部以外を支持する複数の周辺支持部材とからなり、上記中心支持部材は一対のプレート部材のうち少なくとも一方を、積層体に押圧力を加えるために移動自在に支持すると共に、上記周辺支持部材はプレート部材の移動方向に伸縮自在となっており、
上記積層体に押圧力を加えたときに生じるプレート部材の撓み量を検知する検知部と、
上記検知部が検知した撓み量が相殺されるように周辺支持部材を伸縮させる制御部と、
をさらに備えることを特徴とする貼付装置。
【請求項７】
基板と、接着層と、上記基板を支持する支持体とをこの順に積層してなる積層体に押圧力を加えることにより、上記基板と支持体とを接着層を介して貼り付ける貼付方法であって、
上下一対のプレート部材によって積層体を挟み込んで押圧する貼付工程と、
貼付工程の後、一対のプレート部材を互いに離間させる離間工程とを包含しており、
離間工程では、上側のプレート部材における積層体と接する部位に設けられた防止部が、上側のプレート部材へ積層体が貼り付くことを防止し、
上記離間工程では、上記防止部が備える押圧部材によって、上側のプレート部材から離れる方向に上記積層体を押圧し、
上側のプレート部材における積層体と接する部位には、上記押圧部材を収納する凹部が設けられており、上記押圧部材は、上側のプレート部材から離れる方向に上記積層体を押圧するように、弾性的に付勢されていることを特徴とする貼付方法。
【請求項８】
基板と、接着層と、上記基板を支持する支持体とをこの順に積層してなる積層体に押圧力を加えることにより、上記基板と支持体とを接着層を介して貼り付ける貼付方法であって、
上下一対のプレート部材によって積層体を挟み込んで押圧する貼付工程と、
貼付工程の後、一対のプレート部材を互いに離間させる離間工程とを包含しており、
離間工程では、上側のプレート部材における積層体と接する部位に設けられた防止部が、上側のプレート部材へ積層体が貼り付くことを防止し、
上記プレート部材を支持する支柱部材が、プレート部材の少なくとも中心部を支持する中心支持部材と、当該中心支持部材に設けられ、プレート部材の中心部以外を支持する複数の周辺支持部材とからなり、上記中心支持部材は一対のプレート部材のうち少なくとも一方を、積層体に押圧力を加えるために移動自在に支持すると共に、上記周辺支持部材はプレート部材の移動方向に自在に伸縮し、
上記積層体に押圧力を加えたときに生じるプレート部材の撓み量を検知し、
検知した撓み量が相殺されるように周辺支持部材を伸縮させることを特徴とする貼付方法。
【請求項９】
離間工程では、上記防止部が、上側のプレート部材における上記積層体と接する部位から上記積層体に向かって気体を送出することを特徴とする請求項７又は８に記載の貼付方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月16日(2014.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸芯の周囲に、正極電極と負極電極とがセパレータを介して捲回され、扁平直方体状に形成された発電要素と、
前記発電要素が収容され、電解液が注入された電池容器と、を備え、
前記発電要素は、一対の平面部と、前記平面部の両側部に設けられた円弧部とにより扁平直方体状に形成された軸芯部を有し、前記軸芯部と前記軸芯との間には、少なくとも前記平面部と前記各円弧部との境界面に跨る領域を有する空隙部が設けられていることを特徴とするリチウムイオン角形二次電池。
【請求項２】
請求項１に記載のリチウムイオン角形二次電池において、前記発電要素の前記軸芯部は、前記発電要素の捲回方向である幅方向の長さが、前記軸芯の幅方向における長さよりも大きく形成され、前記空隙部は、前記軸芯部における前記各円弧部の幅方向の端部と前記軸芯の両側部の各先端部との間に設けられていることを特徴とするリチウムイオン角形二次電池。
【請求項３】
請求項２に記載のリチウムイオン角形二次電池において、前記軸芯の捲回方向における両側部は、それぞれ、円弧状に形成され、かつ、前記各円弧状の側部の幅方向における先端部は、前記平面部と前記各円弧部との境界面よりも内方に位置していることを特徴とするリチウムイオン角形二次電池。
【請求項４】
請求項１に記載のリチウムイオン角形二次電池において、前記軸芯の捲回方向における両側部は、それぞれ、先細に形成され、前記先細の先端部は、前記平面部と前記各円弧部との境界面よりも軸方向において外側に張り出していることを特徴とするリチウムイオン角形二次電池。
【請求項５】
請求項４に記載のリチウムイオン角形二次電池において、前記軸芯の捲回方向における両側部の各先端部は、前記軸芯部の前記円弧部に接していることを特徴とするリチウムイオン角形二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のリチウムイオン角形二次電池は、軸芯の周囲に、正極電極と負極電極とがセパレータを介して捲回され、扁平直方体状に形成された発電要素と、発電要素が収容され、電解液が注入された電池容器と、を備え、発電要素は、一対の平面部と、平面部の両側部に設けられた円弧部とにより扁平直方体状に形成された軸芯部を有し、軸芯部と軸芯との間には、少なくとも平面部と各円弧部との境界面に跨る領域を有する空隙部が設けられていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月16日(2014.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
給電モジュールにおけるコイルと受電モジュールにおけるコイルとを対向配置し、これらコイルの対向面を除いた少なくとも一部の面を覆うように磁性部材を配置し、前記給電モジュールにおけるコイルと前記受電モジュールにおけるコイルとの間で磁界を変化させて、前記給電モジュールにおけるコイルから前記受電モジュールにおけるコイルに共振現象により電力伝送を行うことで、前記磁性部材と前記共振現象との組み合わせにより所望位置に当該所望位置以外の磁界強度よりも小さな磁界強度を有する磁界空間を形成することを特徴とする磁界空間の形成方法。
【請求項２】
前記磁性部材は、給電モジュールにおけるコイル及び／又は受電モジュールにおけるコイルの内周面を覆うように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の磁界空間の形成方法。
【請求項３】
前記磁性部材は、給電モジュールにおけるコイル及び／又は受電モジュールにおけるコイルの外周面を覆うように配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁界空間の形成方法。
【請求項４】
前記磁性部材は、給電モジュールにおけるコイル及び受電モジュールにおけるコイルの対向面とは反対側の面を覆うように配置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の磁界空間の形成方法。
【請求項５】
前記共振現象は、前記給電モジュールにおけるコイルに流れる電流の向きと前記受電モジュールにおけるコイルに流れる電流の向きとが同じ向きになる同相共振モードと逆向きになる逆相共振モードとを有し、これら同相共振モード及び逆相共振モードと前記磁性部材との組み合わせにより前記所望位置に前記磁界空間を形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の磁界空間の形成方法。
【請求項６】
前記給電モジュールにおけるコイルは、給電コイル及び給電共振器であり、  前記受電モジュールにおけるコイルは、受電コイル及び受電共振器であり、  前記給電コイルに給電された電力を前記給電共振器に対して電磁誘導により給電し、前記給電共振器に給電された電力を前記給電共振器と前記受電共振器とを共振させることによって磁界エネルギーとして前記給電共振器から前記受電共振器に伝送し、前記受電共振器に伝送された電力を電磁誘導により前記受電コイルに給電することにより前記電力伝送を行うことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の磁界空間の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月17日(2014.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両に搭載され、映像送信装置と映像受信装置をネットワークで接続し、撮影した映像の画像認識を行う車載カメラシステムにおいて、
前記映像送信装置は、
前記映像受信装置と通信を行う送信側ネットワークＩＦと、
前記送信側ネットワークＩＦを介してエンコード処理に関するパラメータ情報を取得するエンコーダ制御部と、
撮影した映像を、前記エンコーダ制御部で取得したパラメータ情報を用いてエンコード処理して映像ストリームを生成し、前記送信側ネットワークＩＦに映像ストリームを送信するエンコーダと、
を備え、
前記映像受信装置は、
前記映像送信装置と通信を行う受信側ネットワークＩＦと、
前記車両の走行状態を取得して、走行状態に対応した画像認識処理と、該画像認識処理に対応したエンコードするためのパラメータ情報を決定し、決定されたパラメータ情報を前記受信側ネットワークＩＦを介して前記映像送信装置に送信する認識制御部と、
前記受信側ネットワークＩＦを介して受信した映像ストリームを用いて前記認識制御部で決定された画像認識処理を行う画像認識部と、
を備えることを特徴とする車載カメラシステム。
【請求項２】
車両に搭載され、映像送信装置と映像受信装置をネットワークで接続し、撮影した映像の画像認識を行う車載カメラシステムにおいて、
前記映像送信装置は、
前記映像受信装置と通信を行う送信側ネットワークＩＦと、
前記車両の走行状態を取得して、エンコード処理に関するパラメータ情報を決定するエンコーダ制御部と、
撮影した映像を、前記エンコーダ制御部で決定したパラメータ情報を用いてエンコード処理して映像ストリームを生成し、前記送信側ネットワークＩＦに映像ストリームを送信するエンコーダと、
を備え、
前記映像受信装置は、
前記映像送信装置と通信を行う受信側ネットワークＩＦと、
前記車両の走行状態を取得して、走行状態に対応した画像認識処理と、該画像認識処理に対応したエンコードするためのパラメータ情報を決定し、決定されたパラメータ情報を前記受信側ネットワークＩＦを介して前記映像送信装置に送信する認識制御部と、
前記受信側ネットワークＩＦを介して受信した映像ストリームを用いて前記認識制御部で決定された画像認識処理を行う画像認識部と、
を備えることを特徴とする車載カメラシステム。
【請求項３】
請求項１または２に記載の車載カメラシステムにおいて、
前記認識制御部で決定するパラメータ情報は、少なくとも画像サイズまたは色フォーマットまたはビット深度または注目領域であることを特徴とする車載カメラシステム。
【請求項４】
請求項１に記載の車載カメラシステムにおいて、
さらに前記映像送信装置は、
撮影した映像に画像処理を施す画像処理部と、
該画像処理部の画像処理パラメータを制御する画像処理制御部とを備え、
前記映像受信装置の前記認識制御部は、認識処理動作を切り替えるときに、送信される映像ストリームに画像処理を施すための画像処理制御情報を前記映像送信装置に送信し、
前記映像送信装置の前記画像処理制御部は、送信された前記画像処理制御情報に基づき前記画像処理部の画像処理パラメータを変更することを特徴とする車載カメラシステム。
【請求項５】
請求項１または４に記載の車載カメラシステムにおいて、
前記映像受信装置には複数の前記映像送信装置が接続され、
前記映像受信装置の前記認識制御部は、各映像送信装置に送信する前記パラメータ情報と前記画像処理制御情報との送信方式を選択可能であることを特徴とする車載カメラシステム。
【請求項６】
映像送信装置から映像ストリームを受信し画像認識を行う映像受信装置において、
ネットワークを介してパケット化された前記映像ストリームを受信しデパケッタイズ処理を行うネットワークＩＦと、
前記映像ストリームをデコード処理して再生画像を生成するデコーダと、
該再生画像に対し画像認識処理を行う画像認識部と、
前記画像認識部の認識処理動作を切り替える認識制御部と、を備え、
該認識制御部は、前記画像認識部の認識処理動作を切り替えるとき、前記映像送信装置から送信される映像ストリームを前記切り替えた認識処理動作に適するフォーマットに変更するためのパラメータ情報と、前記送信される映像ストリームに画像処理を施すための画像処理制御情報の、少なくともいずれか一方を前記映像送信装置に送信することを特徴とする映像受信装置。
【請求項７】
映像受信装置に映像ストリームを送信する映像送信装置において、
前記映像受信装置と通信を行う送信側ネットワークＩＦと、
走行状態を取得して、エンコード処理に関するパラメータ情報を決定するエンコーダ制御部と、
撮影した映像を、前記エンコーダ制御部で決定したパラメータ情報を用いてエンコード処理して映像ストリームを生成し、前記送信側ネットワークＩＦに映像ストリームを送信するエンコーダと、
を備えることを特徴とする映像送信装置。
【請求項８】
映像受信装置に映像ストリームを送信する映像送信装置において、
前記映像受信装置と通信を行う送信側ネットワークＩＦと、
前記送信側ネットワークＩＦを介してエンコード処理に関するパラメータ情報を取得するエンコーダ制御部と、
撮影した映像を、前記エンコーダ制御部で取得したパラメータ情報を用いてエンコード処理して映像ストリームを生成し、前記送信側ネットワークＩＦに映像ストリームを送信するエンコーダと、
を備え、
前記エンコーダ制御部は、前記取得したパラメータ情報を用いてエンコード処理におけるクロック動作のオン／オフまたは動作周波数の変更を行うことを特徴とする映像送信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月17日(2013.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を含む複数のメモリセルを有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のチャネル形成領域と、
前記第１のチャネル形成領域上に設けられた第１のゲート絶縁層と、
前記第１のチャネル形成領域と重畳して、前記第１のゲート絶縁層上に設けられた第１のゲート電極と、
前記第１のチャネル形成領域と電気的に接続する第１のソース電極及び第１のドレイン電極と、を含み、
前記第２のトランジスタは、
第２のチャネル形成領域と、
前記第２のチャネル形成領域と電気的に接続する第２のソース電極及び第２のドレイン電極と、
前記第２のチャネル形成領域と重畳して設けられた第２のゲート電極と、
前記第２のチャネル形成領域と前記第２のゲート電極との間に設けられた第２のゲート絶縁層と、を含み、
前記第１のチャネル形成領域と前記第２のチャネル形成領域は、異なる半導体材料を含んで構成され、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、少なくとも一部が重畳して設けられ、
前記メモリセルの一と他のメモリセルとを接続する配線と、前記第１のソース電極または前記第１のドレイン電極の一方と、が前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極の一方を介して電気的に接続する半導体装置。
【請求項２】
前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極の一方と、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極の一方と、が接する領域は、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極の一方と、前記メモリセルの一と他のメモリセルとを接続する配線と、が接する領域と重なっている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極の一方と、前記第１のソース電極または前記第１のドレイン電極の一方とは、同一物である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極の一方と、前記第１のソース電極及び第１のドレイン電極の一方と、が接する領域は、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極の一方と、前記メモリセルの一と他のメモリセルとを接続する配線と、が接する領域と重なっている請求項３に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月22日(2013.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被覆部材と、
前記被覆部材に一部が埋め込まれた光源部に、発光素子と、該発光素子に励起される波長変換部材と、
を備え、前記発光素子の各電極に接続された導電体が前記被覆部材の裏面側に達して形成された外部接続部を有する発光装置。
【請求項２】
前記被覆部材が光反射性材料を含有する請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記被覆部材が直方体形状、板状であり、前記被覆部材が発光装置の表出面の一部を構成する請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記導電体が、柱状、層状、それらの組み合わせのいずれかの形状である請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記導電体が、さらに、発光装置の外側方向に延伸して露出している請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記波長変換部材の側面が前記被覆部材から露出されている請求項１から５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記発光素子が成長基板を備えない請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
導電体を介して支持基板上に発光素子を載置する工程と、
少なくとも前記発光素子の側面を被覆する被覆部材を成形し、成形体を形成する工程と、
前記発光素子を被覆する波長変換部材を形成する工程と、
前記成形体を前記支持基板から剥離して前記導電体を露出させる工程と、
を有する発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記成形体を前記支持基板から剥離して前記導電体を露出させる工程の前後で、個々の発光装置に切り出す工程を有する請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記導電体が前記発光素子の電極である請求項８ないし９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記導電体が前記発光素子側に形成され、前記支持基板に前記発光素子が載置される請求項８ないし９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記導電体が前記支持基板側に形成され、前記支持基板に前記発光素子が載置される請求項８ないし９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記発光素子が成長基板を有しており、前記発光素子を載置する工程以降に、前記成長基板が前記発光素子から剥離される請求項８から１２のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。