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【手続補正書】
【提出日】平成25年11月27日(2013.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の少なくとも一方の面に粘着性を付与するための粘着剤と熱膨張性を付与するための発泡剤とを含有する熱膨張性粘着層が形成された構成を有し、積層セラミックシート切断時に仮固定用として用いられる熱剥離型粘着シートであって、
前記熱膨張性粘着層のゲル分率が５０重量％以上であるとともに、熱膨張性粘着層のガラス転移温度が−４０℃〜３０℃であることを特徴とする積層セラミックシート切断用熱剥離型粘着シート。
【請求項２】
熱膨張性粘着層を形成する粘着剤のベースポリマーが、アクリル系ポリマーである請求項１記載の積層セラミックシート切断用熱剥離型粘着シート。
【請求項３】
熱膨張性粘着層を形成する粘着剤が、さらに、架橋剤を含有している請求項１又は２記載の積層セラミックシート切断用熱剥離型粘着シート。
【請求項４】
２３℃でポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み：２５μｍ）に貼着させた後に２３℃の雰囲気下で３０分間放置した際の２３℃における熱膨張性粘着層の粘着力（剥離角度：１８０°、引張速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ）が２Ｎ／２０ｍｍ幅〜２０Ｎ／２０ｍｍ幅であり、且つ２３℃でポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み：２５μｍ）に貼着させた後に８０℃の雰囲気下で３０分間放置した際の８０℃における熱膨張性粘着層の粘着力（剥離角度：１８０°、引張速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ）が１Ｎ／２０ｍｍ幅〜１５Ｎ／２０ｍｍ幅である請求項１〜３の何れかの項に記載の積層セラミックシート切断用熱剥離型粘着シート。
【請求項５】
前記発泡剤が、熱膨張性微小球である請求項１〜４の何れかの項に記載の積層セラミックシート切断用熱剥離型粘着シート。
【請求項６】
前記熱膨張性微小球が、加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微小球である請求項５に記載の積層セラミックシート切断用熱剥離型粘着シート。
【請求項７】
前記発泡剤が、無機系発泡剤である請求項１〜４の何れかの項に記載の積層セラミックシート切断用熱剥離型粘着シート。
【請求項８】
前記無機系発泡剤が、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水酸化ホウ素ナトリウムまたはアジド類である請求項７に記載の積層セラミックシート切断用熱剥離型粘着シート。
【請求項９】
前記発泡剤が、有機系発泡剤である請求項１〜４の何れかの項に記載の積層セラミックシート切断用熱剥離型粘着シート。
【請求項１０】
前記有機系発泡剤が、水、塩フッ化アルカン系化合物、アゾ系化合物、ヒドラジン系化合物、セミカルバジド系化合物、トリアゾール系化合物またはＮ−ニトロソ系化合物である請求項９に記載の積層セラミックシート切断用熱剥離型粘着シート。
【請求項１１】
前記発泡剤の配合量が、熱膨張性粘着層を形成するベースポリマー１００重量部に対して、１重量部〜１５０重量部である請求項１〜１０の何れかの項に記載の積層セラミックシート切断用熱剥離型粘着シート。
【請求項１２】
前記熱膨張性微小球の平均粒子径が、１００μｍ以下である請求項５〜１１の何れかの項に記載の積層セラミックシート切断用熱剥離型粘着シート。
【請求項１３】
前記熱膨張性粘着層のガラス転移温度が、−３０℃〜２５℃である請求項１〜１２の何れかの項に記載の積層セラミックシート切断用熱剥離型粘着シート。
【請求項１４】
前記熱膨張性粘着層のガラス転移温度が、−３０℃〜２０℃である請求項１３に記載の積層セラミックシート切断用熱剥離型粘着シート。
【請求項１５】
前記熱膨張性粘着層のガラス転移温度が、−１５℃〜１５℃である請求項１４に記載の積層セラミックシート切断用熱剥離型粘着シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、本発明は、基材の少なくとも一方の面に粘着性を付与するための粘着剤と熱膨張性を付与するための発泡剤とを含有する熱膨張性粘着層が形成された構成を有し、積層セラミックシート切断時に仮固定用として用いられる熱剥離型粘着シートであって、前記熱膨張性粘着層のゲル分率が５０重量％以上であるとともに、熱膨張性粘着層のガラス転移温度が−４０℃〜３０℃であることを特徴とする積層セラミックシート切断用熱剥離型粘着シートである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月10日(2014.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間にＥＬ層を有し、
前記陰極と前記ＥＬ層との間に、第１の層、第２の層及び第３の層を有し、
前記第１の層は、前記陰極と前記第２の層との間に設けられ、前記陰極及び前記第２の層と接し、かつ正孔輸送性物質を含み、
前記第２の層は、前記第１の層と前記第３の層との間に設けられ、前記第１の層及び前記第３の層と接し、かつ金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を有し、
前記第３の層は、前記第２の層と前記ＥＬ層との間に設けられ、前記第２の層及び前記ＥＬ層と接し、かつアルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物または希土類金属化合物を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
陽極と陰極との間にＥＬ層を有し、
前記陰極と前記ＥＬ層との間に、第１の層、第２の層及び第３の層を有し、
前記第１の層は、前記陰極と前記第２の層との間に設けられ、前記陰極及び前記第２の層と接し、かつ正孔輸送性物質とアクセプター性物質を有し、
前記第２の層は、前記第１の層と前記第３の層との間に設けられ、前記第１の層及び前記第３の層と接し、かつ金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を有し、
前記第３の層は、前記第２の層と前記ＥＬ層との間に設けられ、前記第２の層及び前記ＥＬ層と接し、かつアルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物または希土類金属化合物を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記金属錯体は金属−酸素の二重結合を有することを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記金属錯体はフタロシアニン系材料であることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項４において、前記フタロシアニン系材料は下記構造式のいずれかであることを特徴とする発光素子。
【化１】
2011222976.tif 000001
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第２の層はアルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物または希土類金属化合物を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項６において、前記第２の層は、前記フタロシアニン系材料に対して、質量比で０．００１以上０．１以下の比率で、前記アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物または希土類金属化合物を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記第３の層は電子輸送性物質を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項８において、前記第３の層は、前記電子輸送性物質に対して、質量比で０．００１以上０．１以下の比率で、前記アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物または希土類金属化合物を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の発光素子を用いて形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発光装置を用いて形成されることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項１０に記載の発光装置を用いて形成されることを特徴とする照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月12日(2014.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重畳するように酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に、ソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記酸化物半導体膜と接し、前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆う金属酸化膜を形成し、
前記酸化物半導体膜、前記金属酸化膜、または、前記酸化物半導体膜と前記金属酸化膜との界面の少なくとも一へ、ハロゲン元素を導入し、
４５０℃乃至６００℃で加熱処理を行う半導体装置の作製方法。
【請求項２】
前記金属酸化膜として、酸化ガリウムを含む膜を形成する、請求項１に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項３】
前記金属酸化膜として、インジウムまたは亜鉛を０．０１原子％乃至５原子％含む酸化ガリウム膜を形成する、請求項２に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれに一において、前記加熱処理により、前記ハロゲン元素は、前記酸化物半導体膜中、前記金属酸化膜中、または、前記酸化物半導体膜と前記金属酸化膜との界面に存在する不対結合手を終端する半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月10日(2014.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ回路を有し、
前記メモリ回路は、第１のワード線と、第２のワード線と、第１のビット線と、第２のビット線と、第１のメモリセルと、第２のメモリセルと、を有し、
前記第１のワード線は、前記第１のビット線及び前記第２のビット線と交差するように配置された領域を有し、
前記第２のワード線は、前記第１のビット線及び前記第２のビット線と交差するように配置された領域を有し、
前記第１のメモリセルは、前記第１のワード線と前記第１のビット線とが交差することで規定される領域に設けられ、
前記第２のメモリセルは、前記第２のワード線と前記第２のビット線とが交差することで規定される領域に設けられ、
前記第１のメモリセルは、トランジスタを有し、
前記第２のメモリセルは、半導体素子を有さず、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記トランジスタのゲートは、前記第１のワード線と電気的に接続され、
前記トランジスタのドレインは、前記第１のビット線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソースは、基準電位線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
メモリ回路と、中央処理装置と、を有し、
前記メモリ回路は、第１のワード線と、第２のワード線と、第１のビット線と、第２のビット線と、第１のメモリセルと、第２のメモリセルと、を有し、
前記第１のワード線は、前記第１のビット線及び前記第２のビット線と交差するように配置された領域を有し、
前記第２のワード線は、前記第１のビット線及び前記第２のビット線と交差するように配置された領域を有し、
前記第１のメモリセルは、前記第１のワード線と前記第１のビット線とが交差することで規定される領域に設けられ、
前記第２のメモリセルは、前記第２のワード線と前記第２のビット線とが交差することで規定される領域に設けられ、
前記第１のメモリセルは、トランジスタを有し、
前記第２のメモリセルは、半導体素子を有さず、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記トランジスタのゲートは、前記第１のワード線と電気的に接続され、
前記トランジスタのドレインは、前記第１のビット線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソースは、基準電位線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１のビット線は、第１のプリチャージ回路と電気的に接続され、
前記第１のプリチャージ回路は、第２のトランジスタを有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２のビット線は、第２のプリチャージ回路と電気的に接続され、
前記第２のプリチャージ回路は、第３のトランジスタを有し、
前記第３のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１のメモリセルは、データを構成するハイまたはローのうち、数が少ない方を記憶し、
前記第２のメモリセルは、前記データを構成するハイまたはローのうち、数が多い方を記憶することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第２のワード線に対応して設けられた全てのメモリセルは、半導体素子を有さないことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月18日(2014.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電体表面にフッ素樹脂膜を形成し、
前記フッ素樹脂膜表面にアルカリ金属を接触させた後、前記フッ素樹脂膜表面を酸で洗浄して炭素を含む膜を形成することを特徴とする電極の作製方法。
【請求項２】
集電体表面にフッ素樹脂膜を形成し、
前記フッ素樹脂膜を、アルカリ金属が溶解した溶液に浸漬させた後、前記フッ素樹脂膜表面を酸で洗浄して炭素を含む膜を形成することを特徴とする電極の作製方法。
【請求項３】
集電体表面にフッ素樹脂膜を形成し、
前記フッ素樹脂膜表面にアルカリ金属を接触させ、
前記表面にアルカリ金属を接触させたフッ素樹脂膜を、アルカリ金属塩が溶解した電解液に浸漬させた後、前記フッ素樹脂膜表面を酸で洗浄して炭素を含む膜を形成することを特徴とする電極の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
高周波放電によるスパッタリングで前記フッ素樹脂膜を成膜し、前記スパッタリングは、ＲＦ出力４００［ｋＷ］以上，ガス圧０．５［Ｐａ］以上で、かつ、アルゴン（Ａｒ）ガスを用いることを特徴とする電極の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月25日(2013.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室に設けられ、基板載置面に基板を載置し基板を支持する基板支持部と、
第一のガスを第一のガス供給孔から前記基板支持部へ供給する第一のガス供給部と、
前記第一のガスを第一のガス排気孔から排気する第一の排気部と、
第二のガスを第二のガス供給孔から前記基板支持部へ供給する第二のガス供給部と、
前記第二のガスを第二のガス排気孔から排気する第二の排気部と、
前記第一の排気部と前記第二の排気部との間に設けられ、不活性ガスを供給する第三のガス供給部と、
を有し、
前記第一のガス供給部による前記第一のガスの供給及び前記第二のガス供給部による前記第二のガスの供給を停止した状態で、前記第三のガス供給部から前記不活性ガスを供給し、
前記第一の排気部及び前記第二の排気部から前記不活性ガスを排気すると共に、前記第一のガス及び前記第二のガスの少なくとも一方を含む残ガスを排気するように構成した基板処理装置。
【請求項２】
前記第一のガス供給孔と前記第一のガス排気孔及び前記第二のガス供給孔と前記第二のガス排気孔のうち、少なくともいずれかの一組は前記基板載置面よりも上方に設けられている請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第一のガス供給孔、前記第一のガス排気孔、前記第二のガス供給孔、及び前記第二のガス排気孔は、前記基板載置面と対向するように設けられている請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板支持部は、回転軸を中心に回転し、
前記第一のガス供給部及び前記第二のガス供給部とは、前記回転軸の回転方向に対して交互に配置されるとともに、前記回転軸から離れるほどガス供給量が多くなるように構成されている請求項１の基板処理装置。
【請求項５】
更に、前記基板支持部を移動する基板支持部移動機構と、前記基板支持部と対向するように設けられたプラズマ生成部と、を有する請求項１乃至請求項４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項６】
処理室内に設けられた基板支持部に基板を載置する工程と、
第一のガスを第一のガス供給孔から前記基板支持部へ供給すると共に、前記第一のガスを第一のガス排気孔から排気する第一工程と、
第二のガスを第二のガス供給孔から前記基板支持部へ供給すると共に、前記第二のガスを第二のガス排気孔から排気する第二工程と、
前記第一工程と前記第二工程を少なくとも一回実行して前記基板を処理する工程と、
前記第一のガスの供給及び前記前記第二のガスの供給を停止した状態で、不活性ガスを供給し、前記不活性ガスと共に、前記第一のガス及び前記第二のガスの少なくとも一方を含む残ガスを排気する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月4日(2014.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極を有し、
前記正極は、正極活物質を有し、
前記正極活物質は、オリビン構造を有し、構造式ＬｉＦｅｘＭｅ１−ｘＰＯ４（Ｍｅ＝Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ）（ｘは０より大きく１より小さい）で表され、導電率が１×１０−９Ｓ／ｃｍ以上６×１０−９Ｓ／ｃｍ以下であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記正極活物質の放電容量は、１５０ｍＡｈ／ｇ以上であり、
前記正極活物質のエネルギー密度は、５５０ｍＷｈ／ｇ以上であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記正極活物質は、複数の粒子を有し、
前記粒子の粒径は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記粒子は炭素層で覆われており、
前記炭素層の厚さは、０より大きく１００ｎｍ以下であることを特徴とする蓄電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月18日(2014.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電装置用正極活物質の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３価のＦｅと、Ｌｉと、ＰＯ４と、を組成に含むターゲットを用い、アモルファス構造を有する活物質をスパッタリング法で形成することを特徴とする蓄電装置用正極活物質の作製方法。
【請求項２】
Ｌｉ３Ｆｅ２（ＰＯ４）３及びＦｅ２Ｏ３が混合されたターゲットを用い、アモルファス構造を有する活物質をスパッタリング法で形成することを特徴とする蓄電装置用正極活物質の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２のいずれか一において、
前記アモルファス構造を有する活物質は３価のＦｅを含むことを特徴とする蓄電装置用正極活物質の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月3日(2014.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電体を形成し、
前記集電体の表面に対して第１の処理を行い、ぬれ性の高い領域を形成し、
前記第１の処理後、前記集電体上にマスクを形成し、
前記集電体の表面に対して第２の処理を行い、ぬれ性の低い領域を形成し、
前記第２の処理後、前記マスクを除去し、
前記ぬれ性の高い領域に活物質を含む組成物を吐出し、
前記組成物を焼成することを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の処理は、フッ素を含むプラズマ処理であることを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の処理は、酸素プラズマ処理であることを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記第１の処理は、前記集電体を活性化させることが可能な波長の光またはレーザ光を前記集電体に照射する処理であることを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月18日(2014.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と、前記正極と電解質を介して対向するように設けられた負極とを有する蓄電装置の作製方法であって、
前記正極の作製工程は、集電体上にＬｉＦｅＰＯ４をターゲットとしたスパッタリング法を用いて活物質を含む膜を形成した後、前記活物質を含む膜に加熱処理を行う工程を有し、
前記正極の放電曲線は、複数のプラトーを有することを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【請求項２】
正極と、前記正極と電解質を介して対向するように設けられた負極とを有する蓄電装置の作製方法であって、
前記正極の作製工程は、集電体上にＬｉＦｅＰＯ４をターゲットとしたスパッタリング法を用いて活物質を含む膜を形成した後、前記活物質を含む膜に加熱処理を行う工程を有し、
前記正極の充電曲線は、複数のプラトーを有することを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記加熱処理は、４５０℃以上７００℃以下、且つ、３０分以上４０時間以下で行うことを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記加熱処理後の前記活物質は、３価のＦｅを含むことを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月6日(2014.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子電解質と溶媒からなる塗液を基材上に流延塗布する工程、該塗液を塗布された基材と多孔質材料を貼り合わせて該塗液を多孔質材料に含浸させる工程、および該塗液を含浸された多孔質材料を乾燥する工程を有する複合化高分子電解質膜の製造方法であって、前記基材の幅より前記多孔質材料の幅のほうが広いことを特徴とする複合化高分子電解質膜の製造方法。
【請求項２】
前記多孔質材料は、空隙率５０％以上９５％以下で、かつガーレ透気度が３００秒／１００ｃｃ以下である、請求項１に記載の複合化高分子電解質膜の製造方法。
【請求項３】
塗液含浸時の多孔質材料の張力が１．０N/cm以下である、請求項１または請求項２に記載の複合化高分子電解質膜の製造方法。
【請求項４】
前記多孔質材料を乾燥する工程において、塗液が含浸した多孔質材料を、基材を介して加熱ロールに接触させ、塗液中の溶媒を蒸発させることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の複合化高分子電解質膜の製造方法。
【請求項５】
前記多孔質材料が二軸配向多孔質ポリプロピレンフィルム、坪量２０ｇ／ｍ２以下の不織布または抄紙である、請求項１〜請求項４のいずれかに記載の複合化高分子電解質膜の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】複合化高分子電解質膜の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月29日(2014.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】二次電池
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を有し、
前記電極は、
金属により設けられた集電体と、
前記集電体上に活物質として設けられたシリコン膜と、を有し、
前記シリコン膜中の水素濃度は、１．０×１０１８ｃｍ−３以上１．０×１０２１ｃｍ−３以下であることを特徴とする二次電池。
【請求項２】
請求項１において、
前記集電体と前記シリコン膜の間に、前記金属とシリコンとの混合層を有することを特徴とする二次電池。
【請求項３】
請求項２において、
前記混合層はシリサイドを有することを特徴とする二次電池。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記電極と対向する電極がリチウムを有することを特徴とする二次電池。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記シリコン膜はアモルファスシリコンを有することを特徴とする二次電池。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記シリコン膜はリンを有することを特徴とする二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月11日(2014.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属ナノ粒子と、シリコン変性ポリアクリレート化合物と、安定剤と、溶剤とを含み、
前記金属ナノ粒子及び前記ポリアクリレート化合物は、前記溶剤中に安定的に分散され、前記安定剤は、前記金属ナノ粒子の表面に物理的あるいは化学的に関連付けられる、組成物。
【請求項２】
金属ナノ粒子と、ヒドロキシル官能基を有するシリコン変性ポリアクリレート化合物と、安定剤と、溶剤とを含み、
前記金属ナノ粒子及び前記ポリアクリレート化合物は、前記溶剤中に安定的に分散され、前記安定剤は、前記金属ナノ粒子の表面に物理的あるいは化学的に関連付けられる、組成物。
【請求項３】
基板上に導電性機能部品を形成する方法であって、
金属ナノ粒子とシリコン変性ポリアクリレート化合物と安定剤と溶剤とを含み、前記金属ナノ粒子及び前記ポリアクリレート化合物は、前記溶剤中に安定的に分散され、前記安定剤は、前記金属ナノ粒子の表面に物理的あるいは化学的に関連付けられる液体組成物を用意する工程と、
液体組成物を基板上に析出させ、析出機能部品を形成する工程と、
基板上の析出機能部品を約１００℃から約２００℃の温度に加熱し、基板上に導電性機能部品を形成する工程とを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月18日(2014.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負極と、
前記負極と電解質を介して対向する正極と、を有し、
前記正極は、集電体と、前記集電体上の活物質を含む膜と、を有し、
前記活物質を含む膜において前記電解質と接する領域に含まれる活物質は、３．５≦ｄ／ｃ≦４．５かつ０．６≦ｃ／ｂ≦１．８かつ０．７≦ａ／ｂ≦２．８を満たすＬｉａＦｅｂＰｃＯｄであることを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
負極と、
前記負極と電解質を介して対向する正極と、を有し、
前記正極は、集電体と、第２の活物質を含む膜と、前記集電体及び前記第２の活物質を含む膜の間の第１の活物質を含む膜と、を有し、
前記第２の活物質は、３．５≦ｄ／ｃ≦４．５、０．６≦ｃ／ｂ≦１．８、かつ０．７≦ａ／ｂ≦２．８を満たすＬｉａＦｅｂＰｃＯｄであり、
前記第１の活物質は、３．５≦ｈ／ｇ≦４．５、０．６≦ｇ／ｆ≦１．１、かつ０≦ｅ／ｆ≦１．３を満たすＬｉｅＦｅｆＰｇＯｈであることを特徴とする蓄電装置。
【請求項３】
負極と、
前記負極と電解質を介して対向する正極と、を有し、
前記正極は、集電体と、第２の活物質を含む膜と、前記集電体及び前記第２の活物質を含む膜の間の第１の活物質を含む膜と、を有し、
前記第２の活物質は、３．５≦ｄ／ｃ≦４．５、０．６≦ｃ／ｂ≦１．８、かつ０．７≦ａ／ｂ≦２．８を満たすＬｉａＦｅｂＰｃＯｄであり、
前記第１の活物質は、３．５≦ｈ／ｇ≦４．５、０．６≦ｇ／ｆ≦１．１、かつ０≦ｅ／ｆ≦１．３を満たすＬｉｅＦｅｆＰｇＯｈ及び３．５≦ｄ／ｃ≦４．５、０．６≦ｃ／ｂ≦１．８、かつ０．７≦ａ／ｂ≦２．８を満たす前記ＬｉａＦｅｂＰｃＯｄであることを特徴とする蓄電装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記ＬｉｅＦｅｆＰｇＯｈは非晶質構造であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項５】
請求項２または請求項３において、
前記ＬｉｅＦｅｆＰｇＯｈは結晶構造であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項６】
請求項５において、前記ＬｉｅＦｅｆＰｇＯｈはオリビン構造であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記ＬｉａＦｅｂＰｃＯｄは非晶質構造であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記ＬｉａＦｅｂＰｃＯｄは結晶構造であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項９】
請求項８において、前記ＬｉａＦｅｂＰｃＯｄはナシコン構造であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項１０】
２価の鉄イオンを含むリン酸鉄リチウムを主成分とするターゲットを、酸素分圧が０．０１％以下の雰囲気でスパッタリングして、集電体上に第１の活物質を含む膜を形成し、
前記２価の鉄イオンを含むリン酸鉄リチウムを主成分とするターゲットを、酸素分圧が０．１％以上の雰囲気でスパッタリングして、前記第１の活物質を含む膜上に第２の活物質を含む膜を形成し、
前記第１の活物質を含む膜及び前記第２の活物質を含む膜の形成により正極を形成し、
前記第１の活物質は、２価の鉄イオンを含むリン酸鉄リチウムであり、
前記第２の活物質は、３価の鉄イオンを含むリン酸鉄リチウムであることを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月2日(2014.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光が放出される開口部と前記開口部と対応するベース部と前記ベース部の少なくとも一側に安着部とを含むケースと、
前記安着部に配置された光源部と、
前記ケースの内部に配置され、前記光源部と光学的に結合された導光板と、
前記ケースの内部に配置され、前記導光板の下側に配置された拡散板と、を含み、
前記光源部は、基板と、前記基板上に配置された複数の発光素子と、前記基板上に配置されて前記複数の発光素子を取り囲むリフレクターとを含み、
前記基板から前記リフレクターの端までの距離は、前記基板から前記発光素子の端までの距離よりも長い、照明モジュール。
【請求項２】
前記ケースは、
前記ベース部の両端からそれぞれ垂直方向に延設された第１及び第２延長部と、
前記第１及び第２延長部の端にそれぞれ延設された第１及び第２フランジ部と、を含む、請求項１に記載の照明モジュール。
【請求項３】
前記ケースの第１及び第２フランジ部の一面は、前記第１及び第２延長部に対して鋭角に傾いている、請求項２に記載の照明モジュール
【請求項４】
前記ケースのベース部は突出部を含み、前記突出部は前記導光板を固定及び／又は支持する、請求項１乃至３の何れか１項に記載の照明モジュール。
【請求項５】
前記突出部は少なくとも一つ以上であり、
前記突出部は前記ケースの長手方向に配置されるか、または局部的に配置される、請求項４に記載の照明モジュール。
【請求項６】
前記ベース部の一面に外部電源と電気的に連結されるか、または他の照明モジュールと連結される少なくとも一つのコネクタを含む、請求項１乃至５の何れか１項に記載の照明モジュール。
【請求項７】
前記光源部と前記導光板との間に配置された光励起フィルムをさらに含む、請求項１乃至６の何れか１項に記載の照明モジュール。
【請求項８】
前記光源部から放出する光は、青色光あるいは白色光である、請求項１乃至７の何れか１項に記載の照明モジュール。
【請求項９】
前記光源部は前記安着部の一側に配置される第１光源部と前記安着部の他側に配置される第２光源部とを含み、
前記第１光源部から放出される光の色は、前記第２光源部から放出される光の色と異なる、請求項１乃至８の何れか１項に記載の照明モジュール。
【請求項１０】
前記導光板と前記ベース部との間に配置され、前記光源部から放出された光を前記拡散板の方向に反射させる反射板をさらに含む、請求項１乃至９の何れか１項に記載の照明モジュール。
【請求項１１】
前記ケースの一側端部に前記ケースと結合されるエンドキャップを含む、請求項１乃至１０の何れか１項に記載の照明モジュール。
【請求項１２】
前記発光素子から放出された光の少なくとも９０％以上の光が前記導光板に直接照射される、請求項１乃至１１の何れか１項に記載の照明モジュール。
【請求項１３】
前記発光素子から放出された光のうち最外の指向角を有する光は、前記導光板に直接照射される、請求項１乃至１２の何れか１項に記載の照明モジュール。
【請求項１４】
前記ケースのベース部は、一面に複数の溝を有する、請求項１乃至１３の何れか１項に記載の照明モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月29日(2014.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】二次電池
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷の授受を行うイオンと、
電極を有し、
前記電極は、
金属により設けられた集電体と、
前記集電体上のシリコン膜と、
前記集電体と前記シリコン膜を含む層の間に、前記金属とシリコンの混合層と、を有し、
前記金属は、前記イオンよりも酸素との親和性が高く、
前記金属の酸化物は導電性を有することを特徴とする二次電池。
【請求項２】
請求項１において、
前記金属の酸化物が半導体であることを特徴とする二次電池。
【請求項３】
請求項２において、
前記金属はチタンであることを特徴とする二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月1日(2014.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導光板と、
前記導光板の下側に配置された反射板と、
前記導光板の側部に光学的に結合された光源部と、
前記導光板と光源部との間に配置された光励起フィルムと、
を含み、
前記光励起フィルムは、区画された２つ以上の領域を含み、前記２つ以上の領域のうち少なくとも１つの領域に含まれた第１蛍光物質は、残りの領域に属する第２蛍光物質と異なり、
前記光源部は複数の発光素子を含み、前記複数の発光素子はウォームホワイト発光素子とクールホワイト発光素子を含むことを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記ウォームホワイト発光素子は、２０００Ｋ乃至３０００Ｋ範囲の相関色温度を発散し、前記クールホワイト発光素子は、５５００Ｋ乃至６５００Ｋ範囲の相関色温度を発散することを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項３】
前記導光板は、光を拡散または散乱させるために一面にパターンが形成されたことを特徴とする請求項１又は２記載の光源装置。
【請求項４】
前記光励起フィルムは、第１蛍光物質と第２蛍光物質とを含み、
前記第１蛍光物質と前記第２蛍光物質は、前記光励起フィルムの長さ方向に交互に配列されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項５】
前記複数の発光素子それぞれは、前記光励起フィルムに含まれた第１蛍光物質−第２蛍光物質−第１蛍光物質−第２蛍光物質の順にマッチングされて配置されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項６】
前記複数の発光素子は、一列に配列されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項７】
前記ウォームホワイト発光素子と前記クールホワイト発光素子が交互に配置されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項８】
前記導光板は、第１導光板と第2導光板とを含み、
前記光源部は、第１光源部と第２光源部とを含み、
前記光励起フィルムは、第１導光板と第１光源部との間に配置された第１光励起フィルムと、前記第２導光板と第２光源部との間に配置された第２光励起フィルムを含むことを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項９】
前記第１光励起フィルム及び前記第２光励起フィルムの中にそれぞれ含まれた前記第１蛍光物質と前記第２蛍光物質は、区画されてランダムに配列されることを特徴とする請求項８記載の光源装置。
【請求項１０】
前記第１光励起フィルムと前記第２光励起フィルムの中に配列された前記第１蛍光物質と前記第２蛍光物質は、格子パターンで配列されることを特徴とする請求項８記載の光源装置。
【請求項１１】
前記第１導光板は第１パターンを含み、第２導光板は第２パターンを含み、前記第１パターン及び第２パターンは互いにオーバーラップされていないことを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項１２】
前記第１光源部に含まれた複数の発光素子はウォームホワイト発光素子であり、前記第２光源部に含まれた複数の発光素子はクールホワイト発光素子であることを特徴とする請求項８ないし１１のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項１３】
前記第１光源部と第２光源部に含まれた複数の発光素子は、それぞれウォームホワイト発光素子とクールホワイト発光素子とを含み、
前記第１光源部と第２光源部にそれぞれ含まれたウォームホワイト発光素子とクールホワイト発光素子は、それぞれ交互に配列されたことを特徴とする請求項８記載の光源装置。
【請求項１４】
前記光励起フィルムは、蛍光物質が含まれた透明樹脂層と前記透明樹脂層の外側に配置された保護フィルムとを含み、
前記透明樹脂層は、拡散材を含むことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項記載の光源装置。
【請求項１５】
前記蛍光物質は、ガーネット系、シリケート系、ナイトライド系、オキシナイトライド系のうち少なくともいずれか一つであることを特徴とする請求項１４記載の光源装置。
【請求項１６】
前記ウォームホワイト発光素子と前記クールホワイト発光素子は、前記光励起フィルムの長さ方向に配置されることを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項１７】
前記光励起フィルムの中には、前記光励起フィルムの長さ方向に第１蛍光物質と、前記第１蛍光物質と異なる第２蛍光物質が区画されてランダムに配列されることを特徴とする請求項１６記載の光源装置。
【請求項１８】
前記第１蛍光物質と前記第２蛍光物質は、前記光励起フィルムの長さ方向に交互に配列されることを特徴とする請求項１７記載の光源装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月18日(2013.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボールネジナットの軸線方向端部に二以上のシール部材を軸線方向に多重に取付け且つ各シール部材のシールリップがボールネジ軸の外形に接触するボールネジ装置であって、ボールネジナットに最も近いシール部材を内側シール部材、内側シール部材に最も近いシール部材を外側シール部材とした場合、前記ボールネジナットの軸線方向端部の所定軸線方向端面の所定位置に形成され且つ内側シール部材を固定するための内側ネジ部材を螺合するナットネジ孔と、内側シール部材の前記ナットネジ孔に対向する位置に形成され且つ前記内側ネジ部材のネジ部を挿通し且つボールネジナット又はボールネジ軸の回転方向に長手な位相調整用内側挿通孔と、少なくとも内側シール部材の外側シール部材側端面の所定位置に形成され且つ外側シール部材を固定するための外側ネジ部材を螺合する内側ネジ孔と、外側シール部材の前記内側ネジ孔に対向する位置に形成され且つ前記外側ネジ部材のネジ部を挿通する外側挿通孔とを備え、前記外側挿通孔に外側ネジ部材のネジ部を挿通し且つ前記内側ネジ孔に外側ネジ部材を螺合して内側シール部材に外側シール部材を固定したときに内側シール部材の内側シールリップの内形と外側シール部材の外側シールリップの内形との位相差を内側シール部材の内側シールリップと外側シール部材の外側シールリップとの軸線方向距離及びボールネジ軸のボールネジ溝の条数及びリードに応じた所定位相差としたことを特徴とするボールネジ装置。
【請求項２】
前記外側シール部材のボールネジナットと反対側に更に外外側シール部材を取付ける場合、少なくとも外側シール部材の外外側シール部材側端面の所定位置に形成され且つ外外側シール部材を固定するための外外側ネジ部材を螺合する外側ネジ孔と、外外側シール部材の前記外側ネジ孔に対向する位置に形成され且つ前記外外側ネジ部材のネジ部を挿通する外外側挿通孔とを備え、前記外外側挿通孔に外外側ネジ部材のネジ部を挿通し且つ前記外側ネジ孔に外外側ネジ部材を螺合して外側シール部材に外外側シール部材を固定したときに外側シール部材の外側シールリップの内形と外外側シール部材の外外側シールリップの内形との位相差を外側シール部材の外側シールリップと外外側シール部材の外外側シールリップとの軸線方向距離及びボールネジ軸のボールネジ溝の条数及びリードに応じた所定位相差としたことを特徴とする請求項１に記載のボールネジ装置。
【請求項３】
前記内側シール部材の位相を調整するだけで、３枚のシールリップに対してシール性が向上することを特徴とする請求項２に記載のボールネジ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月26日(2014.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ｇ１）で表されるフェナントレン化合物。
【化１】
2012107004.tif 000001
（但し、式（Ｇ１）中、Ｒ１１〜Ｒ１９及びＲ２１〜Ｒ２７はそれぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換若しくは無置換のアリール基のいずれか一を表す。また、Ａｒは、炭素数６〜１３の置換又は無置換のアリーレン基を表す。また、Ｚは硫黄原子または酸素原子を表す。）
【請求項２】
請求項１において、
前記Ａｒが、置換若しくは無置換のフェニレン基、又は、置換若しくは無置換のビフェニルジイル基であるフェナントレン化合物。
【請求項３】
下記式（Ｇ２）で表されるフェナントレン化合物。
【化２】
2012107004.tif 000002
（但し、式（Ｇ２）中、Ｒ１１〜Ｒ１９及びＲ２１〜Ｒ２７はそれぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換若しくは無置換のアリール基のいずれか一を表す。また、Ｚは硫黄原子または酸素原子を表す。）
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一に記載のフェナントレン化合物を含む発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一に記載のフェナントレン化合物と、燐光性発光物質と、を発光層に含む発光素子。
【請求項６】
請求項４または５に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の発光装置を搭載した電子機器。
【請求項８】
請求項６に記載の発光装置を搭載した照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月26日(2014.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ｇ１）で表されるカルバゾール化合物。
【化１】
2012107005.tif 000001
（但し、式中Ａｒ１は水素、炭素数６乃至１３のアリール基のいずれかを表し、Ｒ１乃至Ｒ１５はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基及び炭素数６乃至１３のアリール基のいずれかを表す。また、ｎは０又は１の値を取り、αは下記式（α−１）又は（α−２）で表される基である。また、Ａｒ２は水素、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数６乃至１３のアリール基及び下記式（ｇ１）で表される基のいずれかを表す。Ｑ１は酸素又は硫黄を表す。）
【化２】
2012107005.tif 000002
【化３】
2012107005.tif 000003
（式中、Ｒ１６乃至Ｒ２２はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基及び炭素数６乃至１３のアリール基のいずれかを表す。また、Ｑ２は酸素又は硫黄を表す。）
【請求項２】
下記式（Ｇ２）で表されるカルバゾール化合物。
【化４】
2012107005.tif 000004
（但し、式中Ｒ１乃至Ｒ１５はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基及び炭素数６乃至１３のアリール基のいずれかを表し、αは下記式（α−１）又は（α−２）で表される基である。また、Ａｒ２は水素、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数６乃至１３のアリール基及び下記式（ｇ１）で表される基のいずれかを表す。Ｑ１は酸素又は硫黄を表す。）
【化５】
2012107005.tif 000005
【化６】
2012107005.tif 000006
（式中、Ｒ１６乃至Ｒ２２はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基及び炭素数６乃至１３のアリール基のいずれかを表す。また、Ｑ２は酸素又は硫黄を表す。）
【請求項３】
下記式（Ｇ３）で表されるカルバゾール化合物。
【化７】
2012107005.tif 000007
（但し、式中Ｒ２、Ｒ３、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１３はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基及び炭素数６乃至１３のアリール基のいずれかを表し、αは下記式（α−１）又は（α−２）で表される基である。また、Ａｒ２は水素、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数６乃至１３のアリール基及び下記式（ｇ２）で表される基のいずれかを表す。Ｑ１は酸素又は硫黄を表す。）
【化８】
2012107005.tif 000008
【化９】
2012107005.tif 000009
（式中、Ｒ１８、Ｒ２０及びＲ２１はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基及び炭素数６乃至１３のアリール基のいずれかを表す。また、Ｑ２は酸素又は硫黄を表す。）
【請求項４】
下記式（Ｇ４）で表されるカルバゾール化合物。
【化１０】
2012107005.tif 000010
（但し、式中Ｒ２、Ｒ３、Ｒ６、及びＲ７はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基及び炭素数６乃至１３のアリール基のいずれかを表し、αは下記式（α−１）又は（α−２）で表される基である。また、Ａｒ２は水素、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数６乃至１３のアリール基及び下記式（ｇ３）で表される基のいずれかを表す。Ｑ１は酸素又は硫黄を表す。）
【化１１】
2012107005.tif 000011
【化１２】
2012107005.tif 000012
（式中、Ｑ２は酸素又は硫黄を表す。）
【請求項５】
下記式（Ｇ５）で表されるカルバゾール化合物。
【化１３】
2012107005.tif 000013
（但し、式中Ａｒ２は水素、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数６乃至１３のアリール基及び下記式（ｇ３）で表される基のいずれかを表す。αは下記式（α−１）又は（α−２）で表される基である。また、Ｑ１は酸素又は硫黄を表す。）
【化１４】
2012107005.tif 000014
【化１５】
2012107005.tif 000015
（式中、Ｑ２は酸素又は硫黄を表す。）
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のカルバゾール化合物を含む有機半導体材料。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子用材料。
【請求項８】
一対の電極間に有機化合物を含む層を挟んでなる発光素子であって、
前記有機化合物を含む層に、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のカルバゾール化合物を含む発光素子。
【請求項９】
請求項８に記載の発光素子を含む発光装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の発光素子を含む照明装置。
【請求項１１】
請求項８に記載の発光素子と前記発光素子を制御する手段を備えた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月15日(2013.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（Ｂ−１）成分の２３℃におけるｎ−デカン可溶分の極限粘度［η］は、２．０〜２．４ｄｌ／ｇであることが好ましい。（Ｂ−１）成分のα−オレフィン含量は１０〜４０ｍｏｌ％であることが好ましく、２０〜３５ｍｏｌ％であることがより好ましい。また、密度は０．８５０〜０．８９０ｇ／ｃｍ3であることが好ましく、０．８５５〜０．８８５ｇ／ｃｍ3であることがより好ましい。（Ｂ−１）成分のヨウ素化は、２〜７％であることが好ましく、３〜６％であることがより好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
さらに、（Ｂ−２）成分の２３℃におけるｎ−デカン可溶分の極限粘度［η］は、１．０〜２．０ｄｌ／ｇであることが好ましい。
（Ｂ−２）成分のα−オレフィン含量は１０〜４０ｍｏｌ％であることが好ましく、２０〜３５ｍｏｌ％であることがより好ましい。また、密度は０．８５０〜０．８９０ｇ／ｃｍ3であることが好ましく、０．８５５〜０．８７５ｇ／ｃｍ3であることがより好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
（Ｂ−１）エチレン・α−オレフィン・ジエン共重合体
（Ｒ−１）エチレン・プロピレン・ジエンランダム共重合体（ＫＵＭＨＯ社製、製品名ＫＥＰ５７０Ｐ）
ＭＦＲ＝０．２ｇ／１０分
［η］＝２．４ｄｌ／ｇ
α−オレフィン含量＝２７ｍｏｌ％
密度＝０．８８ｇ／ｃｍ3
ジエン成分：ノルボルネン含有量４．５％
Ｍｗ＝２５００００
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
（Ｂ−２）エチレン・α−オレフィン共重合体
（Ｒ−２）エチレン・オクテンランダム共重合体（デュポンダウエラストマー社製、製品名ＥＧ８１００）
ＭＦＲ＝２ｇ／１０分
［η］＝１．８ｄｌ／ｇ
α−オレフィン含量＝２５ｍｏｌ％
密度＝０．８７０ｇ／ｃｍ3
Ｍｗ＝１１００００
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月20日(2014.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部電極及び下部電極を有し、チャンバー壁に覆われた処理室と、
前記処理室と、前記上部電極及び絶縁物により隔てられ、前記チャンバー壁に覆われたライン室と、を有し、
前記処理室は、分散板とシャワー板との間の第１のガス拡散室に接続され、
前記第１のガス拡散室は、前記分散板と前記上部電極との間の第２のガス拡散室に接続され、
前記第２のガス拡散室は前記上部電極内の第１のガス管に接続され、
前記第１のガス管は第２のガス管に接続され、
前記第２のガス管は処理用ガス供給源に接続され、
前記ライン室は、不活性ガス供給源に接続されたガス導入口と、同軸形状の前記上部電極と前記チャンバー壁とを有し、
前記分散板は、ガス孔が設けられていない分散板中央部と、複数のガス孔が設けられている分散板周辺部と、を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記シャワー板には複数のガス孔が設けられており、
前記シャワー板のガス孔の数は、前記分散板のガス孔の数よりも多いことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記シャワー板には複数のガス孔が設けられており、
前記シャワー板のガス孔の一主表面における総面積は、前記分散板のガス孔の一主表面における総面積よりも大きいことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記上部電極には温度計が接続され、
前記上部電極における前記温度計の接続箇所は、前記上部電極の電極面の中心点を基準として前記上部電極内の前記第１のガス管のガス導入口と点対称であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記上部電極には、前記上部電極内の前記第１のガス管のガス導入口近傍を迂回する冷却媒体の経路が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月4日(2014.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターボ機械（１００）のロータ継手（１３０）の周りの空気の流れ（２４０）を除去するのに使用するロータ継手ガード（１４０）であって、
前記ロータ継手（１３０）を囲みかつ複数のアパーチャ（１７０）を備えた内側カバー（１５０）と、
前記内側カバー（１５０）を囲む外側カバー（１６０）と
を備え、
前記ロータ継手（１３０）及び内側カバー（１５０）が、それらの間に内側空気空間（１６５）を形成し、
前記外側カバー（１６０）が出口（２３０）を含み、
前記内側カバー（１５０）及び外側カバー（１６０）が、それらの間に外側空気空間（２２０）を形成して、前記ロータ継手（１３０）の回転により前記空気の流れ（２４０）を前記内側空気空間（１６５）から該内側カバー（１５０）内の前記複数のアパーチャ（１７０）を通してかつ該外側空気空間（２２０）内に、その後該出口（２３０）を通して強制的に送る、
ロータ継手ガード（１４０）。
【請求項２】
前記内側カバー（１５０）が、その周辺部（２００）の周りにグリル（２１０）を含み、
前記グリル（２１０）が、前記複数のアパーチャ（１７０）を含む、
請求項１に記載のロータ継手ガード（１４０）。
【請求項３】
前記複数のアパーチャ（１７０）の１以上が、前記内側カバー（１５０）の頂部部分（１８０）の周りに配置される、請求項１に記載のロータ継手ガード（１４０）。
【請求項４】
前記複数のアパーチャ（１７０）の１以上が、前記内側カバー（１５０）の１以上の側部（１９０）の周りに配置される、請求項１に記載のロータ継手ガード（１４０）。
【請求項５】
前記複数のアパーチャ（１７０）の１以上が、前記内側カバー（１５０）の周辺部（２００）の周りに配置される、請求項１に記載のロータ継手ガード（１４０）。
【請求項６】
前記複数のアパーチャ（１７０）が、異なる寸法及び形状を有する複数のアパーチャ（１７０）を含む、請求項１に記載のロータ継手ガード（１４０）。
【請求項７】
ロータ継手ガード（１４０）内に配置されたロータ継手（１３０）を冷却する方法であって、
その中に複数のアパーチャ（１７０）を備えた前記ロータ継手ガード（１４０）の内側カバー（１５０）を前記ロータ継手（１３０）及び該内側カバー（１５０）間に内側空気空間（１６５）を形成するように、前記ロータ継手（１３０）の周りに配置するステップと、
出口（２３０）を備える、前記ロータ継手ガード（１４０）の外側カバー（１６０）を、前記内側カバー（１５０）および該外側カバー（１６０）間に、外側空気空間（２２０）を形成するように、前記内側カバー（１５０）の周りに配置するステップと、
前記ロータ継手（１３０）を回転させて、該ロータ継手（１３０）の周りのかつ前記内側空気空間（１６５）内の空気の流れ（２４０）を前記内側カバー（１５０）内の前記複数のアパーチャ（１７０）を通してかつ前記外側空気空間（２２０）内、その後該出口（２３０）を通して強制的に送るステップと、
を含む方法。
【請求項８】
前記内側カバー（１５０）の周辺部（２００）を囲むグリル（２１０）の周りに前記複数のアパーチャ（１７０）を配置するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記内側カバー（１５０）の頂部部分（１８０）の周りに前記複数のアパーチャ（１７０）を配置するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記内側カバー（１５０）の１以上の側部（１９０）の周りに前記複数のアパーチャ（１７０）を配置するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記内側カバー（１５０）の周辺部（２００）の周りに前記複数のアパーチャ（１７０）を配置するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。