Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月10日(2014.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学伝播領域内において内部全反射によって光をガイドするように構成された光学伝播領域であって、該光学伝播領域の外に光を向け直すように構成された偏向特徴部を含む光学伝播領域と、
前記光学伝播領域の外に向け直された光を受けるように配置された複数の反射性ディスプレイ素子であって、光を反射して画像を生成するように構成された複数の反射性ディスプレイ素子と、
前記光学伝播領域と前記複数の反射性ディスプレイ素子との間の光学分離層であって、前記光学伝播領域に直接隣接して配置され且つ前記光学伝播領域内における光の内部全反射を生じさせるように構成された非ガス材料を有する光学分離層であって、前記複数の反射性ディスプレイ素子から反射された光が該光学分離層を通過するように更に構成された光学分離層と、
前記光学分離層と前記複数の反射性ディスプレイ素子との間に配置された光学損失層であって、前記複数の反射性ディスプレイ素子から反射された光を拡散するように構成された表面拡散特徴部を有する光学損失層と
を備えたディスプレイ装置。
【請求項２】
前記光学分離層が前記表面拡散特徴部を平坦化する、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項３】
前記光学損失層が、前記光学分離層と前記光学損失層との間の界面が前記表面拡散特徴部を含んで光を拡散するよう構成されるように配置されている、請求項１又は２に記載のディスプレイ装置。
【請求項４】
前記表面拡散特徴部が、光を拡散するように構成された空間的に周期的な特徴部を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載のディスプレイ装置。
【請求項５】
前記表面拡散特徴部が、光を拡散するように構成された空間的にランダムな特徴部を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載のディスプレイ装置。
【請求項６】
前記複数の反射性ディスプレイ素子が干渉変調器を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載のディスプレイ装置。
【請求項７】
前記反射性ディスプレイ素子と通信するように構成されたプロセッサであって、画像データを処理するように構成されたプロセッサと、
前記プロセッサと通信するように構成された記憶装置と
を更に備えた請求項１から６のいずれか一項に記載のディスプレイ装置。
【請求項８】
少なくとも一つの信号を前記反射性ディスプレイ素子に送信するように構成されたドライバ回路を更に備えた請求項７に記載のディスプレイ装置。
【請求項９】
前記画像データの少なくとも一部を前記ドライバ回路に送信するように構成されたコントローラを更に備えた請求項８に記載のディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記複数の反射性ディスプレイ素子が前記光学損失層に隣接している、請求項１から９のいずれか一項に記載のディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記光学伝播領域が、前記複数の反射性ディスプレイ素子を支持する基板を含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載のディスプレイ装置。
【請求項１２】
光学伝播領域内において内部全反射によって光をガイドするように構成された光学伝播領域を提供する段階であって、前記光学伝播領域が、前記光学伝播領域の外に光を向け直すように構成された偏向特徴部を含む、段階と、
前記光学伝播領域の外に向け直された光を受けるように複数の反射性ディスプレイ素子を配置する段階であって、前記複数の反射性ディスプレイ素子が光を反射して画像を生成するように構成される、段階と、
前記光学伝播領域と前記複数の反射性ディスプレイ素子との間に光学分離層を配置する段階であって、前記光学分離層が、前記光学伝播領域に直接隣接して配置され且つ前記光学伝播領域内における光の内部全反射を生じさせるように構成された非ガス材料を有し、前記複数の反射性ディスプレイ素子から反射された光が前記光学分離層を通過するように更に構成される、段階と、
前記光学分離層と前記複数の反射性ディスプレイ素子との間に光学損失層を配置する段階であって、前記光学損失層が、前記複数の反射性ディスプレイ素子から反射された光を拡散するように構成された表面拡散特徴部を有する、段階と
を備えたディスプレイを形成する方法。
【請求項１３】
前記光学分離層が前記表面拡散特徴部を平坦化する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記光学損失層が、前記光学分離層と前記光学損失層との間の界面が前記表面拡散特徴部を含んで光を拡散するよう構成されるように配置される、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記表面拡散特徴部が、光を拡散するように構成された空間的に周期的な特徴部を有する、請求項１２から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記表面拡散特徴部が、光を拡散するように構成された空間的にランダムな特徴部を有する、請求項１２から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記複数の反射性ディスプレイ素子が干渉変調器を含む、請求項１２から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記光学伝播領域を提供する段階が、基板及び光ガイドを提供して、光が前記基板及び前記光ガイドを通ってガイドされるようにすることを含み、前記基板が前記複数の反射性ディスプレイ素子を支持する、請求項１２から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記複数の反射性ディスプレイ素子が前記光学損失層の上に形成される、請求項１２から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
屈折率を有する基板を提供する段階と、
前記基板に隣接する光学分離層を提供する段階であって、光が前記基板内において内部全反射によってガイドされるように、前記光学分離層が前記基板の屈折率よりも低い屈折率を有する、段階と、
前記光学分離層に隣接する光学損失層を提供する段階であって、前記光学分離層と前記光学損失層との間の界面が、光を拡散するように構成された表面拡散特徴部を含む、段階と、
前記光学損失層の上に複数の反射性ディスプレイ素子を形成する段階であって、前記複数の反射性ディスプレイ素子が画像を生成するように構成されていて、前記複数の反射性ディスプレイ素子から反射された光が前記表面拡散特徴部を通過する、段階と
を備えたディスプレイを形成する方法。
【請求項２１】
前記光学損失層の上に前記表面拡散特徴部を形成することと、
前記表面拡散特徴部を平坦化するように前記光学損失層に隣接して前記光学分離層を配置することとを備える、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
光学伝播領域が前記基板を備え、前記光学伝播領域が、前記複数の反射性ディスプレイ素子に向けて前記光学伝播領域の外に光を向け直すように構成された偏向特徴部を更に備える、請求項２０又は２１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月16日(2014.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影画像に基づいて、複数の画像を生成する画像生成部と、
複数の画像を印刷媒体に印刷する際のレイアウトを示す分割パターンを、予め用意された複数の分割パターンの中から決定する分割パターン決定部と、
決定された分割パターンで示されるレイアウトに従って複数の画像を配置したプレビュー画像を表示するプレビュー表示部と、
決定された分割パターンが特別画像配置領域を有する場合、前記特別画像配置領域に配置する画像である特別画像を複数の画像の中から利用者に選択させる特別画像選択部と、
選択された特別画像を利用者に確定させる特別画像確定部と、を備え、
前記特別画像選択部は、前記特別画像が確定されるまでの間、前記特別画像配置領域に配置する画像の利用者による選び直しを可能とし、
前記プレビュー表示部は、前記特別画像配置領域に配置する画像の選び直しが行われるたびに、選び直された前記特別画像配置領域に配置する画像を含むプレビュー画像を表示する
遊戯用撮影装置。
【請求項２】
前記分割パターン決定部は、決定されるべき分割パターンを前記複数の分割パターンの中から利用者に選択させ、
前記プレビュー表示部は、選択された分割パターンで示されるレイアウトに従って複数の画像を配置した分割プレビュー画像を表示することを特徴とする、請求項１に記載の遊戯用撮影装置。
【請求項３】
前記分割パターン決定部は、選択された分割パターンを利用者に確定させるとともに、確定されるまでに間、選択されるべき分割パターンの利用者による選び直しを可能とし、
前記プレビュー表示部は、選択されるべき分割パターンの選び直しが行われるたびに、選び直された分割パターンに対応する分割プレビュー画像を表示することを特徴とする、請求項２に記載の遊戯用撮影装置。
【請求項４】
前記プレビュー表示部は、決定された分割パターンが前記特別画像配置領域を有する場合、前記複数の画像の中から予め定められる１つを初期特別画像として前記特別画像配置領域に配置した分割プレビュー画像を表示するとともに、前記特別画像選択部によって前記特別画像が選択されるまでの間、前記初期特別画像を前記特別画像配置領域に配置したプレビュー画像を表示することを特徴とする、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の遊戯用撮影装置。
【請求項５】
撮影画像に基づいて、複数の画像を生成する画像生成ステップと、
複数の画像を印刷媒体に印刷する際のレイアウトを示す分割パターンを、予め複数用意された複数の分割パターンの中から決定する分割パターン決定ステップと、
決定された分割パターンで示されるレイアウトに従って複数の画像を配置したプレビュー画像を表示するプレビュー表示ステップと、
選択された分割パターンが特別画像配置領域を有する場合、前記特別画像配置領域に配置する画像である特別画像を複数の画像の中から利用者に選択させる特別画像選択ステップと、
選択された特別画像を利用者に確定させる特別画像確定ステップと、を備え、
前記特別画像選択ステップでは、前記特別画像が確定されるまでの間、前記特別画像配置領域に配置する画像の利用者による選び直しを可能とし、
前記プレビュー表示ステップでは、前記特別画像配置領域に配置する画像の選び直しが行われるたびに、選び直された前記特別画像配置領域に配置する画像を含むプレビュー画像を表示する
遊戯用撮影方法。
【請求項６】
コンピュータに、
撮影画像に基づいて、複数の画像を生成する画像生成ステップと、
複数の画像を印刷媒体に印刷する際のレイアウトを示す分割パターンを、予め複数用意された複数の分割パターンの中から決定する分割パターン決定ステップと、
決定された分割パターンで示されるレイアウトに従って複数の画像を配置したプレビュー画像を表示するプレビュー表示ステップと、
選択された分割パターンが特別画像配置領域を有する場合、前記特別画像配置領域に配置する画像である特別画像を複数の画像の中から利用者に選択させる特別画像選択ステップと、
選択された特別画像を利用者に確定させる特別画像確定ステップと、を実行させるプログラムであって、
前記特別画像選択ステップでは、前記特別画像が確定されるまでの間、前記特別画像配置領域に配置する画像の利用者による選び直しを可能とし、
前記プレビュー表示ステップでは、前記特別画像配置領域に配置する画像の選び直しが行われるたびに、選び直された前記特別画像配置領域に配置する画像を含むプレビュー画像を表示する
遊戯用撮影プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、撮影画像に基づいて、複数の画像を生成し、複数の画像を印刷媒体に印刷する際のレイアウトを示す分割パターンを、予め用意された複数の分割パターンの中から決定し、決定された分割パターンで示されるレイアウトに従って複数の画像を配置したプレビュー画像を表示する。
決定された分割パターンが特別画像配置領域を有する場合、特別画像配置領域に配置する画像である特別画像を複数の画像の中から利用者に選択させ、選択された特別画像を利用者に確定させる。
また、特別画像が確定されるまでの間、特別画像配置領域に配置する画像の利用者による選び直しを可能とし、特別画像配置領域に配置する画像の選び直しが行われるたびに、選び直された特別画像配置領域に配置する画像を含むプレビュー画像を表示する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月2日(2014.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用される位相シフトマスクを作製するために用いられる位相シフトマスクブランクであって、
透光性基板上に、光半透過膜を備え、
前記光半透過膜は、遷移金属、ケイ素及び窒素を主成分とする不完全窒化物膜からなり、
前記光半透過膜の遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が５％未満であることを特徴とする位相シフトマスクブランク。
【請求項２】
前記光半透過膜の窒素の含有量は、４０原子％以上４７原子％以下であることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項３】
前記光半透過膜の遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が２％以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項４】
前記不完全窒化膜は、Ｓｉ−Ｎ結合及び遷移金属（Ｍ）−Ｓｉ結合を主として含むことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項５】
前記光半透過膜の前記露光光の波長に対する透過率が４％以上９％未満であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項６】
前記遷移金属は、モリブデンであることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項７】
前記光半透過膜の膜厚は、７５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項８】
前記光半透過膜上に遮光膜が形成されることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項９】
前記位相シフトマスクブランク上にレジスト膜が形成されることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
【請求項１０】
ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用される位相シフトマスクを作製するために用いられる位相シフトマスクであって、
透光性基板上に、光半透過膜パターンを備え、
前記光半透過膜パターンは、遷移金属、ケイ素及び窒素を主成分とする不完全窒化物膜からなり、
前記光半透過膜パターンにおける遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が５％未満であることを特徴とする位相シフトマスク。
【請求項１１】
前記光半透過膜パターンにおける窒素の含有量は、４０原子％以上４７原子％以下であることを特徴とする請求項１０記載の位相シフトマスク。
【請求項１２】
前記光半透過膜パターンにおける遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が２％以上であることを特徴とする請求項１０又は１１記載の位相シフトマスク。
【請求項１３】
前記不完全窒化膜は、Ｓｉ−Ｎ結合及び遷移金属（Ｍ）−Ｓｉ結合を主として含むことを特徴とする請求項１０から１２のいずれかに記載の位相シフトマスク。
【請求項１４】
前記遷移金属は、モリブデンであることを特徴とする請求項１０から１３のいずれかに記載の位相シフトマスク。
【請求項１５】
前記光半透過膜パターンの膜厚は、７５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１０から１４のいずれかに記載の位相シフトマスク。
【請求項１６】
前記光半透過膜パターン上に遮光膜パターンが形成されることを特徴とする請求項１０から１５のいずれかに記載の位相シフトマスク。
【請求項１７】
ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用される位相シフトマスクを作製するために用いられる位相シフトマスクブランクの製造方法であって、
窒素ガスを含む雰囲気中でスパッタリングを行うことによって、透光性基板上に、遷移金属、ケイ素及び窒素を主成分とする光半透過膜を成膜する工程を備え、
前記雰囲気中の窒素ガスの流量は、前記遷移金属及びケイ素を完全に窒化する流量よりも少ない流量であり、かつ前記光半透過膜の遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が５％未満である不完全窒化膜が形成される流量であることを特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項１８】
前記雰囲気中の窒素ガスの流量は、前記遷移金属及びケイ素を完全に窒化する流量に対して、７０％を超え９５％未満の流量であることを特徴とする請求項１７記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項１９】
請求項１から９のいずれかに記載の位相シフトマスクブランクを用いて製造された転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。
【請求項２０】
請求項１０から１６のいずれかに記載の位相シフトマスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月19日(2013.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検知対象の近接及び接触を検知するタッチパネルと、
前記近接又は接触が検知された前記検知対象の、少なくとも前記タッチパネルの面に対して垂直方向のｚ座標を含む座標情報を抽出する座標抽出部と、
前記タッチパネルの面に対する初期操作に応じて抽出された前記検知対象の座標情報を基に、前記検知対象の前記タッチパネルに対する接触を検知するための接触閾値を判定する制御部と、を備える入力装置。
【請求項２】
請求項１に記載の入力装置であって、
前記制御部は、
前記タッチパネルの面に対する近接が検知された前記初期操作の間に抽出された前記検知対象の座標情報に対応する特定パラメータの値が所定値以上である場合に、前記パラメータの値を基にして前記接触閾値を調整し、前記入力装置の動作モードを手袋操作モードと判定する入力装置。
【請求項３】
請求項２に記載の入力装置であって、
前記制御部は、
前記初期操作の間に抽出された前記検知対象の前記特定パラメータの値の変化率が所定時間の間で略一定である場合に、前記接触閾値の初期値又は前記判定された前記接触閾値を、前記変化幅が略一定となった時の前記特定パラメータの値から所定オフセット値を減算した値に調整する入力装置。
【請求項４】
請求項２に記載の入力装置であって、
前記制御部は、
前記接触閾値の初期値又は前記判定された前記接触閾値を、前記初期操作の間に抽出された前記検知対象の前記特定パラメータの値の平均値から所定オフセット値を減算した値に調整する入力装置。
【請求項５】
請求項２に記載の入力装置であって、
前記制御部は、
接触閾値の初期値又は前記判定された前記接触閾値を、前記初期操作の間に抽出された前記検知対象の前記特定パラメータの値の最大値から所定オフセット値を減算した値に調整する入力装置。
【請求項６】
請求項３から５のうちいずれか一項に記載の入力装置であって、
前記初期操作の間に前記タッチパネルが前記検知対象のｚ座標のゼロを検知した場合に、前記入力装置の動作モードを手袋操作モードから素手操作モードに切り替える入力装置。
【請求項７】
請求項３から５のうちいずれか一項に記載の入力装置であって、
前記初期操作の間に前記タッチパネルが前記検知対象のｚ座標のゼロを検知しない場合に、前記入力装置の動作モードを素手操作モードから手袋操作モードに切り替える入力装置。
【請求項８】
請求項１に記載の入力装置であって、
前記入力装置の動作モードの状態を報知する出力部と、を更に備える入力装置。
【請求項９】
検知対象の近接及び接触を検知するタッチパネルを備える入力装置における入力支援方法であって、
前記近接又は接触が検知された前記検知対象の、少なくとも前記タッチパネルの面に対して垂直方向のｚ座標を含む座標情報を抽出するステップと、
前記タッチパネルの面に対する初期操作に応じて抽出された前記検知対象の座標情報を基に、前記検知対象の前記タッチパネルに対する接触を検知するための接触閾値を判定するステップと、を有する入力支援方法。
【請求項１０】
検知対象の近接及び接触を検知するタッチパネルを備える入力装置であるコンピュータに、
前記近接又は接触が検知された前記検知対象の、少なくとも前記タッチパネルの面に対して垂直方向のｚ座標を含む座標情報を抽出するステップと、
前記タッチパネルの面に対する初期操作に応じて抽出された前記検知対象の座標情報を基に、前記検知対象の前記タッチパネルに対する接触を検知するための接触閾値を判定するステップと、を実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一実施形態の入力装置は、検知対象の近接及び接触を検知するタッチパネルと、前記近接又は接触が検知された前記検知対象の、少なくとも前記タッチパネルの面に対して垂直方向のｚ座標を含む座標情報を抽出する座標抽出部と、前記タッチパネルの面に対する初期操作に応じて抽出された前記検知対象の座標情報を基に、前記検知対象の前記タッチパネルに対する接触を検知するための接触閾値を判定する制御部と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の一実施形態の入力支援方法は、検知対象の近接及び接触を検知するタッチパネルを備える入力装置における入力支援方法であって、前記近接又は接触が検知された前記検知対象の、少なくとも前記タッチパネルの面に対して垂直方向のｚ座標を含む座標情報を抽出するステップと、前記タッチパネルの面に対する初期操作に応じて抽出された前記検知対象の座標情報を基に、前記検知対象の前記タッチパネルに対する接触を検知するための接触閾値を判定するステップと、を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の一実施形態のプログラムは、検知対象の近接及び接触を検知するタッチパネルを備える入力装置であるコンピュータに、前記近接又は接触が検知された前記検知対象の、少なくとも前記タッチパネルの面に対して垂直方向のｚ座標を含む座標情報を抽出するステップと、前記タッチパネルの面に対する初期操作に応じて抽出された前記検知対象の座標情報を基に、前記検知対象の前記タッチパネルに対する接触を検知するための接触閾値を判定するステップと、を実行させるためのプログラムである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月12日(2014.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒径が１０〜５０μｍ、３０回タップ密度が０．５ｇ／ｃｍ３以上、比表面積が７ｍ２／ｇ以下、及び３０回タップ密度と比表面積との積が３００００／ｃｍ以上６００００／ｃｍ以下であり、Ｘ線回折測定により求められる黒鉛結晶の層間距離ｄ（００２）が３．４００Å以下である、リチウムイオン二次電池負極用炭素材料。
【請求項２】
３０回タップ密度と比表面積との積が３８４８０／ｃｍ以上６００００／ｃｍ以下である、請求項１に記載のリチウムイオン二次電池負極用炭素材料。
【請求項３】
３０回タップ密度が１．２ｇ／ｃｍ３以下である、請求項１又は２に記載のリチウムイオン二次電池負極用炭素材料。
【請求項４】
比表面積が２ｍ２／ｇ以上である、請求項１〜３のいずれかに記載のリチウムイオン二次電池負極用炭素材料。
【請求項５】
平均粒径、３０回タップ密度、及び比表面積が異なる、２種以上の炭素粒子の混合粉末である、請求項１〜４のいずれかに記載のリチウムイオン二次電池負極用炭素材料。
【請求項６】
少なくとも炭素粒子Ａを含み、該炭素粒子Ａは、扁平状粒子を複数集合又は結合させた炭素粒子であって、且つ前記扁平状粒子の配向面が、前記集合又は結合させた炭素粒子の表面及び断面で非平行となっている、請求項５に記載のリチウムイオン二次電池負極用炭素材料。
【請求項７】
前記炭素粒子Ａは、アスペクト比が１．２〜５である、請求項６に記載のリチウムイオン二次電池負極用炭素材料。
【請求項８】
前記炭素粒子Ａは、炭素材料全体に対する割合が１５〜６５質量％である、請求項６又は７に記載のリチウムイオン二次電池負極用炭素材料。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の炭素材料と有機系結着剤とを含有し、密度が１．５〜１．９ｇ／ｃｍ３である、リチウムイオン二次電池用負極合剤。
【請求項１０】
請求項９に記載のリチウムイオン二次電池用負極合剤から得られるリチウムイオン二次電池用負極と、リチウム化合物を含む正極とを有する、リチウムイオン二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月15日(2013.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電流測定方法、半導体装置の検査方法及び特性評価用素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流素子に流れる電流測定方法であって、
前記電流素子は第１端子と第２の端子とを有し、
第１の期間において、前記第１端子と前記第２端子との間に電位差を生じさせ、
前記第１の期間の後の第２の期間において、前記第１端子の電位は固定され、前記第２端子の電位の変化量を測定し、
前記第２端子の電位の変化量から、前記電気素子の前記第１端子と前記第２端子との間を流れる電流値を算出する、電流測定方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２端子に電荷を与えることで、第１の期間において、前記第１端子と前記第２端子との間に電位差を生じさせる、電流測定方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記電流素子はトランジスタであり、
前記第１端子は、前記トランジスタのソースまたはドレインの一方であり、
前記第２端子は、前記トランジスタのソースまたはドレインの他方であり
前記第２の期間では前記トランジスタはオフ状態であり、
前記トランジスタのオフ状態における、前記電気素子の前記第１端子と前記第２端子との間を流れる電流値を算出する、電流測定方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２端子には容量素子が電気的に接続されている、電流測定方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の電流測定方法を用いて、前記電気素子の特性を検査する、半導体装置の検査方法。
【請求項６】
第１端子と第２端子とを有する電気素子と、
第１端子と第２端子とを有する容量素子と、
出力回路と、を有し、
前記電気素子の第１端子は、電源と電気的に接続され、
前記電気素子の第２端子は、前記容量素子の第１端子と電気的に接続され、
前記電気素子の第２端子は、前記出力回路の入力端子と電気的に接続される特性評価用素子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月29日(2013.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体および表面層を有する帯電部材であって、
該表面層は下記式で示されるユニットＡ１〜ユニットＡ３からなる群から選ばれる少なくとも１つのユニットを有し、かつ、該ユニット中のＲ１、Ｒ４およびＲ６から選ばれる少なくとも１つと、
下記式（１）で示される化合物のＲ101〜Ｒ106、
下記式（２）で示される化合物のＲ201〜Ｒ208、
下記式（３）で示される化合物のＲ301〜Ｒ310、
下記式（４）で示される化合物のＲ401〜Ｒ412、
下記式（５）で示される化合物のＲ501〜Ｒ514および下記式（６）で示される化合物のＲ601〜Ｒ616から選ばれる少なくとも1つの基とが形成してなる連結基によって下記式（１）〜（６）で示される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１つの化合物が結合しているポリシロキサンを含むことを特徴とする帯電部材：
【化１】
2011145659.tif 000001
（ユニットＡ１〜Ａ３で示されるユニット中のＲ1、Ｒ4及びＲ6から選ばれる少なくとも１つの基と、
下記式（１）のＲ101〜Ｒ106、
下記式（２）のＲ201〜Ｒ208、
下記式（３）のＲ301〜Ｒ310、
下記式（４）のＲ401〜Ｒ412、
下記式（５）のＲ501〜Ｒ514および下記式（６）のＲ601〜Ｒ616から選ばれる少なくとも1つの基とは、互いに反応して連結基を形成可能である基を示す。
Ｒ1、Ｒ4及びＲ6のうち式（１）〜（６）からなる群から選ばれる何れの化合物との結合にも関与しない基は各々独立に置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール基を示す。Ｒ2、Ｒ3及びＲ5は各々独立に水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基を示す。
Ｒ１０１〜Ｒ１０６、Ｒ２０１〜Ｒ２０８、Ｒ３０１〜Ｒ３１０、Ｒ４０１〜Ｒ４１２、Ｒ５０１〜Ｒ５１４およびＲ601〜Ｒ616のうち、該ユニットＡ１〜Ａ３からなる群から選ばれる何れのユニットとの結合にも関与していない基は各々独立して置換もしくは無置換のアルキル基および置換もしくは無置換のアリール基から選ばれる何れかである）。   
【化２】
2011145659.tif 000002
【化３】
2011145659.tif 000003
【化４】
2011145659.tif 000004
【化５】
2011145659.tif 000005
【化６】
2011145659.tif 000006
【化７】
2011145659.tif 000007
【請求項２】
該ポリシロキサンは、該ユニットＡ３を有し、かつ、該ユニットＡ３中のＲ６と、前記式（１）〜（６）で示される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１つの化合物とが結合していることを特徴とする請求項１に記載の帯電部材。
【請求項３】
該ポリシロキサンと結合する該化合物は、前記式（１）で示される化合物であり、
該Ｒ６、及び、該Ｒ６と反応するＲ１０１〜Ｒ１０６の少なくとも１つは、各々独立して、下記式（７）及び（８）で示される基からなる群から選ばれる基であることを特徴とする請求項２に記載の帯電部材。
【化８】
2011145659.tif 000008
（式（７）中、ｐは１〜１０の整数を示す。）、
【化９】
2011145659.tif 000009
（式（８）中、ｑは１〜１０の整数を示す。）。
【請求項４】
該ポリシロキサンが結合する該化合物は、前記式（２）で示される化合物であり、
該Ｒ６、及び、該Ｒ６と反応するＲ２０１〜Ｒ２０８の少なくとも１つは、各々独立して、下記式（７）及び（８）で示される基からなる群から選ばれる基であることを特徴とする請求項２に記載の帯電部材。
【化１０】
2011145659.tif 000010
（式（７）中、ｐは１〜１０の整数を示す。）、
【化１１】
2011145659.tif 000011
（式（８）中、ｑは１〜１０の整数を示す。）。
【請求項５】
該ポリシロキサンが結合する該化合物は、前記式（３）で示される化合物であり、
該Ｒ６、及び、該Ｒ６と反応するＲ３０１〜Ｒ３１０の少なくとも１つは、各々独立して、下記式（７）及び（８）で示される基からなる群から選ばれる基であることを特徴とする請求項２に記載の帯電部材。
【化１２】
2011145659.tif 000012
（式（７）中、ｐは１〜１０の整数を示す。）、
【化１３】
2011145659.tif 000013
（式（８）中、ｑは１〜１０の整数を示す。）。
【請求項６】
該ポリシロキサンが結合する該化合物は、前記式（４）で示される化合物であり、
該Ｒ６、及び、該Ｒ６と反応するＲ４０１〜Ｒ４１２の少なくとも１つは、各々独立して、下記式（７）及び（８）で示される基からなる群から選ばれる基であることを特徴とする請求項２に記載の帯電部材。
【化１２】
2011145659.tif 000014
（式（７）中、ｐは１〜１０の整数を示す。）、
【化１３】
2011145659.tif 000015
（式（８）中、ｑは１〜１０の整数を示す。）。
【請求項７】
該ポリシロキサンが結合する該化合物は、前記式（５）で示される化合物であり、
該Ｒ６、及び、該Ｒ６と反応するＲ５０１〜Ｒ５１４の少なくとも１つは、各々独立して、下記式（７）及び（８）で示される基からなる群から選ばれる基であることを特徴とする請求項２に記載の帯電部材。
【化１４】
2011145659.tif 000016
（式（７）中、ｐは１〜１０の整数を示す。）、
【化１５】
2011145659.tif 000017
（式（８）中、ｑは１〜１０の整数を示す。）。
【請求項８】
該ポリシロキサンが結合する該化合物は、前記式（６）で示される化合物であり、
該Ｒ６、及び、該Ｒ６と反応するＲ６０１〜Ｒ６１６の少なくとも１つは、各々独立して、下記式（７）及び（８）で示される基からなる群から選ばれる基であることを特徴とする請求項２に記載の帯電部材。
【化１６】
2011145659.tif 000018
（式（７）中、ｐは１〜１０の整数を示す。）、
【化１７】
2011145659.tif 000019
（式（８）中、ｑは１〜１０の整数を示す。）。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の帯電部材と該帯電部材と接触配置されている電子写真感光体とを有することを特徴とする電子写真装置。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の帯電部材と、電子写真感光体、現像手段、転写手段及びクリーニング手段から選ばれる少なくとも１つの部材とを一体に保持し、
電子写真装置の本体に着脱自在に装着可能に構成されてなることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月29日(2013.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置本体に対して開閉可能なカバー部材と、
原稿の画像を読み取るための画像読取部であって、第１位置と前記第１位置よりも画像形成部から退避した第２位置とに移動可能な画像読取部と、
を有し、記録媒体に画像を形成する画像形成装置において、
前記カバー部材は装置本体に対して開いた第１開位置と、前記第１開位置からさらに装置本体に対して開いた第２開位置とに移動可能であり、
前記画像読取部は、前記カバー部材が前記閉位置から前記第１開位置へ移動させられる間は前記第１位置で停止しており、
前記画像読取部は、前記カバー部材が前記第１開位置から前記第２開位置へ移動させられる間に、前記カバー部材に連動して前記第１位置から前記第２位置に移動し、
前記画像読取部は、前記カバー部材が前記第２開位置から前記閉位置に向かって移動させる間に、前記カバー部材に連動して前記第２位置から前記第１位置へ移動することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
装置本体内部に画像形成するためのカートリッジを複数着脱可能であり、前記カバー部材が前記第１開位置にある時に前記複数のカートリッジのうちの一部のみが着脱可能であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記カバー部材が前記第１開位置にある時に着脱可能な前記複数のカートリッジのうちの一部は、ブラック用のカートリッジであることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記カバー部材を装置本体に対して開くことによって開放される開口部と、装置本体内部に装着された前記複数のカートリッジを装置本体内部で移動させる移動手段と、を有し、
前記移動手段は、前記カバー部材の前記閉位置から前記第１開位置へ向かう移動に連動して、前記複数のカートリッジを前記開口部に向かって移動させることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記カバー部材が前記第２開位置にある時に前記複数のカートリッジの全てが着脱可能であることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記画像読取部の移動は回転軸を中心にした回動であり、
前記画像読取部の前記回転軸は、前記画像読取部の重心の略鉛直方向下方にあることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記画像読取部が前記第１位置から前記第２位置に移動する間に、前記画像読取部の重心が前記回転軸の鉛直上方を通過することを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記カートリッジは、感光体に形成した潜像を現像剤により現像する現像器を備えることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項９】
装置本体に対して開閉して装置本体内部を開放可能なカバー部材と、
原稿の画像を読み取るための画像読取部であって、第１位置と前記第１位置よりも画像形成部から退避した第２位置とに移動可能な画像読取部と、
を有し、画像形成するためのカートリッジを装置本体内部に複数装着して記録媒体に画像を形成する画像形成装置において、
前記カバー部材は装置本体に対して開いた第１開位置と、前記第１開位置からさらに装置本体に対して開いた第２開位置とに移動可能であり、
前記画像読取部は、前記カバー部材が装置本体に対して閉じた閉位置から前記第１開位置へ移動させられる間は前記第１位置で停止しており、
前記画像読取部は、前記カバー部材が前記第１開位置から前記第２開位置へ移動させられる間に、前記カバー部材に連動して前記第１位置から前記第２位置に移動し、
前記カバー部材が前記第１開位置にある時、前記複数のカートリッジのうちの一部のみを着脱可能であることを特徴とする画像形成装置。
【請求項１０】
前記カバー部材が前記第１開位置にある時に着脱可能な前記複数のカートリッジのうちの一部は、ブラック用のカートリッジであることを特徴とする請求項９に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記カバー部材が前記第２開位置にある時に前記複数のカートリッジの全てが着脱可能であることを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の画像形成装置。
【請求項１２】
装置本体に対して開閉可能なカバー部材と、
原稿の画像を読み取るための画像読取部と、
を有し、記録媒体に画像を形成する画像形成装置において、
前記画像読取部は、本体部と前記本体部に対して移動可能な可動部とを備え、
前記カバー部材が装置本体に対して閉じた閉位置から装置本体に対して開いた開位置へ向かって移動すると、前記本体部が移動することなく、前記カバー部材に連動して前記可動部が第１位置から第２位置に移動し、
前記開位置にある前記カバー部材の少なくとも一部は、前記可動部が前記第１位置から前記第２位置に移動することによって形成された空間に位置していることを特徴とする画像形成装置。
【請求項１３】
前記可動部は、操作部を有することを特徴とする請求項１２に記載の画像形成装置。
【請求項１４】
前記可動部は、表示部を有することを特徴とする請求項１２又は請求項１３に記載の画像形成装置。
【請求項１５】
前記可動部は、回転することにより前記第１位置から前記第２位置へ移動し、前記カバー部材は、回転することにより前記閉位置から前記開位置へ移動し、前記可動部が前記第１位置から前記第２位置へ回転する際の回転方向は、前記カバー部材が前記閉位置から前記開位置へ回転する際の回転方向と逆であることを特徴とする請求項１０乃至請求項１４のいずれ一項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するための本発明に係る代表的な構成は、装置本体に対して開閉可能なカバー部材と、原稿の画像を読み取るための画像読取部であって、第１位置と前記第１位置よりも画像形成部から退避した第２位置とに移動可能な画像読取部と、を有し、記録媒体に画像を形成する画像形成装置において、前記カバー部材は装置本体に対して開いた第１開位置と、前記第１開位置からさらに装置本体に対して開いた第２開位置とに移動可能であり、前記画像読取部は、前記カバー部材が前記閉位置から前記第１開位置へ移動させられる間は前記第１位置で停止しており、前記画像読取部は、前記カバー部材が前記第１開位置から前記第２開位置へ移動させられる間に、前記カバー部材に連動して前記第１位置から前記第２位置に移動し、前記画像読取部は、前記カバー部材が前記第２開位置から前記閉位置に向かって移動させる間に、前記カバー部材に連動して前記第２位置から前記第１位置へ移動することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明にあっては、画像読取部をカバー部材の開閉動作に連動させて移動させる上で、画像読取部の移動頻度を低下させることができる。このため、装置を大型化することなく、メンテナンス作業を行う際の操作性が向上し、作業者への負担を軽減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月16日(2014.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放熱板と、
前記放熱板上に積層された絶縁層と、
前記絶縁層上に積層された複数の配線パターンと、
前記各配線パターンの第１主面全面を被覆するように形成され、発光素子が接合されるパッドを有する金属層と、
前記絶縁層上に積層され、前記配線パターンの側面及び前記金属層の側面を被覆するように形成された反射層と、を有し、
前記絶縁層は、前記各配線パターンの前記第１主面とは反対側の第２主面と接触され、
前記各配線パターンの第２主面は、前記絶縁層に向かって山なりに盛り上がるように形成され、
前記反射層の表面が前記パッドと面一になるように形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
放熱板と、
前記放熱板上に積層された絶縁層と、
前記絶縁層上に積層された反射層と、
前記反射層上に積層された複数の配線パターンと、
前記各配線パターンの第１主面全面を被覆するように形成され、発光素子が接合されるパッドを有する金属層と、を有し、
前記反射層は、前記各配線パターンの前記第１主面とは反対側の第２主面と、前記各配線パターンの側面と、前記金属層の側面とを被覆するように形成され、
前記反射層の表面が前記パッドと面一になるように形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
放熱板と、
前記放熱板上に積層された絶縁層と、
前記絶縁層上に積層された複数の配線パターンと、
前記各配線パターンの第１主面全面を被覆するように形成され、発光素子が接合されるパッドを有する金属層と、
前記絶縁層上に積層され、前記配線パターンの側面及び前記金属層の側面を被覆するように形成された反射層と、
前記パッド上に接合された前記発光素子と、
前記発光素子を封止するように形成された封止樹脂と、を有し、
前記絶縁層は、前記各配線パターンの前記第１主面とは反対側の第２主面と接触され、
前記各配線パターンの第２主面は、前記絶縁層に向かって山なりに盛り上がるように形成され、
前記反射層の表面が前記パッドと面一になるように形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
放熱板と、
前記放熱板上に積層された絶縁層と、
前記絶縁層上に積層された反射層と、
前記反射層上に積層された複数の配線パターンと、
前記各配線パターンの第１主面全面を被覆するように形成され、発光素子が接合されるパッドを有する金属層と、
前記パッド上に接合された前記発光素子と、
前記発光素子を封止するように形成された封止樹脂と、を有し、
前記反射層は、前記各配線パターンの前記第１主面とは反対側の第２主面と、前記各配線パターンの側面と、前記金属層の側面とを被覆するように形成され、
前記反射層の表面が前記パッドと面一になるように形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
支持基板の第１主面上に、発光素子と接合されるパッドを有する金属層を形成し、前記金属層上に配線パターンを積層する工程と、
前記配線パターンから露出された前記支持基板の第１主面上に、前記金属層の側面全面、前記配線パターンの側面全面、及び、前記配線パターンの前記金属層と接する第１主面とは反対側の第２主面の全面を被覆する反射層を形成する工程と、
前記支持基板を除去する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記反射層の前記支持基板と接する第１主面とは反対側の第２主面側から前記反射層を薄化して、前記配線パターンの第２主面を露出させる工程を有することを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記反射層の第２主面上に、熱伝導率の高い材料からなる絶縁層と放熱板とを順に積層する、又は前記反射層の第２主面上に前記放熱板を積層する工程を有することを特徴とする請求項５又は６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記反射層を形成する工程は、
前記支持基板の第１主面上に、放熱板に半硬化状態の絶縁樹脂が接着された構造体を、前記絶縁樹脂が前記支持基板の第１主面に対向するように配置する工程と、
前記支持基板の第１主面に前記構造体をラミネートする工程と、
前記絶縁樹脂を硬化して前記反射層を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記支持基板は、キャリア層の一面側に剥離層を介して金属箔が積層されたキャリア付き金属箔であり、
前記金属箔の表面が前記支持基板の第１主面であることを特徴とする請求項５〜８のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一観点によれば、放熱板と、前記放熱板上に積層された絶縁層と、前記絶縁層上に積層された複数の配線パターンと、前記各配線パターンの第１主面全面を被覆するように形成され、発光素子が接合されるパッドを有する金属層と、前記絶縁層上に積層され、前記配線パターンの側面及び前記金属層の側面を被覆するように形成された反射層と、を有し、前記絶縁層は、前記各配線パターンの前記第１主面とは反対側の第２主面と接触され、前記各配線パターンの第２主面は、前記絶縁層に向かって山なりに盛り上がるように形成され、前記反射層の表面が前記パッドと面一になるように形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月3日(2014.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
前述の通り、前記表面改質剤は、前記硫黄系極性基が含まれることにより磁性粒子表面に吸着し表面を改質することができる。分子中で前記硫黄系極性基以外の部分が占める割合が多いほど、磁性粒子表面に吸着する表面改質剤の分子数が少なくなるため、良好な表面改質効果を得る観点からは、分子中で前記硫黄系極性基以外の部分が占める割合が大きくないことが好ましい。この点から、前記表面改質剤は、前記硫黄系極性基を除く部分の分子量が４００以下であることが好ましく、例えば２００以下程度であってもよい。また、前記硫黄系極性基を除く部分の分子量は５０以上であることが表面改質効果の点からは好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月8日(2014.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜の少なくとも側面を覆って、酸素を有する第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、前記第１の絶縁膜よりも酸素透過性の低い第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜を形成した後、第１の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
金属原子が、被形成面と平行な方向に層状に配列した領域を有する島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜の少なくとも側面を覆って、酸素を有する第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、前記第１の絶縁膜よりも酸素透過性の低い第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜を形成した後、第１の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の熱処理の温度を４００℃以上８００℃以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記島状の酸化物半導体膜の形成後であって、前記第１の絶縁膜の形成前に、前記第１の熱処理よりも高い温度にて熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の熱処理を行った後、前記島状の酸化物半導体膜へイオンドーピング法又はイオン注入法によって酸素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記島状の酸化物半導体膜として、第１の層と、前記第１の層上の第２の層との積層構造を有する酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の層は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを有し、
前記第２の層は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを有し、
前記第２の層のインジウムの組成は、前記第１の層のインジウムの組成より大きく、
前記第１の層のガリウムの組成は、前記第２の層のガリウムの組成より大きいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月7日(2014.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のメモリセルは、
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
第１の容量素子と、を有し、
第２のメモリセルは、
第３のトランジスタと、
第４のトランジスタと、
第２の容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続することができ、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続することができ、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続することができ、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と電気的に接続することができ、
前記第２のトランジスタのゲートは、第３の配線と電気的に接続することができ、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の容量素子の一方の電極と電気的に接続することができ、
前記第１の容量素子の他方の電極は、第４の配線と電気的に接続することができ、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続することができ、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続することができ、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続することができ、
前記第４のトランジスタのゲートは、第５の配線と電気的に接続することができ、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２の容量素子の一方の電極と電気的に接続することができ、
前記第２の容量素子の他方の電極は、第６の配線と電気的に接続することができ、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記第４のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記第１のトランジスタは、シリコンを用いた半導体層を有し、
前記第３のトランジスタは、シリコンを用いた半導体層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のメモリセルは、
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、を有し、
第２のメモリセルは、
第３のトランジスタと、
第４のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続することができ、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続することができ、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続することができ、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と電気的に接続することができ、
前記第２のトランジスタのゲートは、第３の配線と電気的に接続することができ、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続することができ、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続することができ、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続することができ、
前記第４のトランジスタのゲートは、第５の配線と電気的に接続することができ、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記第４のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記第１のトランジスタは、シリコンを用いた半導体層を有し、
前記第３のトランジスタは、シリコンを用いた半導体層を有することを特徴とする半導体装置。