【手続補正書】
【提出日】平成26年4月18日(2014.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分子当たり少なくとも４個の炭素原子を含む炭化水素から大部分なりかつベンゼンを含む少なくとも１種の不飽和化合物を含む供給原料の処理方法であって、前記供給原料は、水素化反応帯域と関連する、蒸留帯域、排液帯域および精留帯域において処理され、該水素化反応帯域は、少なくとも一部、蒸留帯域の外側にあり、少なくとも１個の触媒床を含み、供給原料に含まれる少なくとも一部の不飽和化合物の水素化が、水素化触媒および水素を含むガス流の存在下に行われ、反応帯域の供給原料は、蒸留帯域中の少なくとも１個のサンプリングレベルにおいてサンプリングされ、反応帯域からの流出物は、少なくとも一部、蒸留帯域における少なくとも１個の再導入レベルに再導入されて、蒸留の連続性が保証され、蒸留帯域の頂部において、蒸留帯域の側部の抜き出しにおいておよび蒸留帯域の底部において、不飽和化合物の含量が少ない流出物が排出され、前記方法は、少なくとも１種の第二の供給原料の処理を含み、該第二の供給原料は、ベンゼンを含む少なくとも１種の不飽和化合物を含み、少なくとも一部、直接的に、蒸留帯域の外側にある水素化反応帯域に注入されることを特徴とする、方法。
【請求項２】
側部の抜き出しは、反応帯域の戻り配管の上方で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
側部の抜き出しは、反応帯域の戻り配管の下方で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第二の供給原料は、注入される残りと共に蒸留塔の内部水素化帯域に注入される、請求項１〜３のうちの１つの方法。
【請求項５】
第二の供給原料は、分子当たり少なくとも４個の炭素原子を含む炭化水素によって少なくとも構成される、請求項１〜４のうちの１つの方法。
【請求項６】
第二の供給原料は、直留蒸留軽質ナフサタイプ、および／または、水素化分解装置によって、および／または、ベンゼンおよび／またはトルエンを豊富に含み、かつ、硫黄および窒素含量が低い、接触分解から得られるフラクションによって、および／または、ベンゼンおよび／またはトルエンを豊富に含み、硫黄および窒素含量が低い、コーキングまたはビスブレーキング装置から得られたフラクションからなるガソリンフラクションによって、および／または、ベンゼンおよび／またはトルエンを豊富に含み、硫黄および窒素含量が低く、オレフィンの分解またはオリゴ分解の後に得られたフラクションによって、および／または、ベンゼンおよび／またはトルエンを豊富に含み、硫黄および窒素含量が低く、水蒸気分解によるオレフィンの製造用装置から得られるフラクションによって生じさせられたナフサタイプのＣ５／Ｃ６フラクションからなる、請求項１〜５のうちの１つの方法。
【請求項７】
第二の供給原料は、
−  分子当たり少なくとも４個の炭素原子を含む炭化水素、
−  直留蒸留軽質ナフサタイプのＣ５／Ｃ６フラクション、
−  水素化分解装置によって生じさせられたナフサタイプのＣ５／Ｃ６フラクション、
−  接触分解の完全なガソリンに対してベンゼンを豊富に含む、接触分解コアのガソリンフラクション、
−  完全なコーキングガソリンに対してベンゼンを豊富に含む、コーキング装置からの軽質ガソリンのフラクション、
−  オレフィンの分解またはオリゴ分解から得られたガソリンの分離および水素化処理の後に得られた、ベンゼンを豊富に含むフラクション、
−  水蒸気分解によるオレフィンの製造用装置から得られた、ベンゼンを豊富に含むフラクション
の中から選択される少なくとも１種の供給原料からなる、請求項１または４のうちの１つに記載の方法。
【請求項８】
蒸留は、０．２〜２ＭＰａの圧力下に、０．５〜１０の還流比で行われ、蒸留帯域の頂部の温度は、４０〜１８０℃であり、蒸留帯域の底部の温度は、１２０〜２８０℃である、請求項１〜７のうちの１つに記載の方法。
【請求項９】
水素化反応帯域は、蒸留帯域の完全に外側にある、請求項１〜８のうちの１つに記載の方法。
【請求項１０】
水素化反応器からの流出物の一部は、反応器の入口に再循環させられる、請求項１〜９のうちの１つに記載の方法。
【請求項１１】
水素化反応帯域は、部分的に蒸留帯域の精留帯域に組み入れられ、かつ、部分的に蒸留帯域の外側に組み入れられる、請求項１〜８のうちの１つに記載の方法。
【請求項１２】
蒸留帯域の内側にある水素化帯域の部分において行われる、水素化反応は、１００〜２００℃の温度、０．２〜２ＭＰａの圧力で行われ、触媒に対して計算される内部水素化反応帯域内の容積測定流量は、１〜５０ｈ−１を包含し、水素化反応帯域に供給する水素の流量は、含まれる水素化反応の化学量論に相当する流量の０．５〜１０倍である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
蒸留帯域の外側部分において行われる水素化反応は、０．１〜６ＭＰａの圧力、１００〜４００℃の温度で行われ、触媒に対して計算される水素化反応帯域内の容積測定流量は、一般的に１〜５０ｈ−１であり、含まれる水素化反応の化学量論に相当する水素流量は、前記化学量論の０．５〜１０倍である、請求項１〜１１のうちの１つに記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも１個のサンプリングレベルにおいてサンプリングされる反応帯域の供給原料の異性化の段階が、蒸留帯域において行われる、請求項１〜１３のうちの１つに記載の方法。
【請求項１５】
異性化段階は、水素化反応器において、水素化反応と同時に行われる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
異性化段階は、水素化反応器の外側で、水素化段階から下流で行われる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
水素化触媒は、水素化反応帯域の内側部分のあらゆる触媒床のために、下降液相および上昇蒸気相と接触する、請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１８】
水素化反応帯域に必要である水素を含むガス流は、水素化反応帯域の少なくとも１個の触媒床のほぼ入口において、蒸気相と隣接する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
水素化されるべき液体の流れは、水素化反応帯域の内側部分のあらゆる触媒床のために、水素を含むガス流の流れに対して並流である、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項２０】
水素化されるべき液体の流れは、水素を含むガス流の流れに並流であり、蒸留蒸気は、事実上、水素化反応帯域の内側部分の触媒床のために、触媒と接触していない、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項２１】
水素化反応帯域において用いられる触媒は、ニッケル、ジルコニウムおよび白金によって形成される群から選択される少なくとも１種の金属を含む、請求項１〜２０のうちの１つに記載の方法。
【請求項２２】
金属は、塩化アルミナまたはゼオライト性アルミナ担体上にある、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
改善された品質のパラフィンの異性化のための供給原料の調製のための、請求項１〜２２のうちの１つに記載の方法の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第１のアプローチは、接触改質装置の供給原料を構成するナフサにおいて、ベンゼンの前駆体、例えば、シクロヘキサンおよびメチルシクロペンタンの含有量を制限することにある。この解決方法によって、改質装置からの流出物のベンゼン含有量を大幅に低減させることが事実上可能となるが、含有量を０．６２％にまで低く低減させる場合においてはこの解決方法だけでは必ずしも十分であるとは言えない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この目的のために、本発明は、分子当たり少なくとも４個の炭素原子を含む炭化水素から大部分なり、ベンゼンを含む少なくとも１種の不飽和化合物を含む、供給原料の処理方法であって、前記供給原料は、水素化反応帯域と組み合わされた、蒸留帯域と、排液帯域と、精留帯域とにおいて処理され、該水素化反応帯域は、少なくとも一部、蒸留帯域の外側にあり、少なくとも１個の触媒床を含み、供給原料中に含まれる不飽和化合物の少なくとも一部の水素化は、水素化触媒および水素を含むガス流の存在下に行われ、反応帯域の供給原料は、蒸留帯域中の少なくとも１個のサンプリングレベルにおいてサンプリングされ、反応帯域からの流出物は、少なくとも一部、少なくとも１個の再導入レベルにおいて蒸留帯域に再導入されて、蒸留の連続性が保証され、蒸留帯域の頂部において、蒸留帯域への反応帯域の戻り配管の上方に位置する側部の抜き出しにおいて、および蒸留帯域の底部において、不飽和化合物含量が低い流出物が排出され、前記方法は、少なくとも１種の第二の供給原料の処理を含み、該第二の供給原料は、ベンゼンを含む少なくとも１種の不飽和化合物を含み、少なくとも一部、蒸留帯域の外側にある水素化反応帯域に直接的に注入されることを特徴とする、方法を提案する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
水素化帯域が、少なくとも一部、蒸留帯域の内側にある場合、上流帯域の内側の水素化帯域の部分の操作条件は、蒸留の操作条件と関連する。蒸留は、例えば、その基本生成物が供給原料の大部分のシクロヘキサンおよび７個の炭素原子を有するイソパラフィン、並びに、ベンゼンの水素化によって形成されたシクロヘキサンを含有するように行われ得る。それは、一般的には０．２〜２ＭＰａ、好ましくは０．４〜１ＭＰａの圧力下に実施され、還流比（reflux rate）は、１〜１０、好ましくは３〜６である。帯域の頂部における温度は、一般的に４０〜１８０℃であり、帯域の底部における温度は、一般的に１２０〜２８０℃である。水素化反応は、蒸留帯域の頂部および底部において確立されたものの間の最も一般的な中間である条件下に、１００〜２５０℃、好ましくは１２０〜２２０℃の温度、０．２〜２ＭＰａ、好ましくは０．４〜１ＭＰａの圧力で行われる。触媒に対して計算される前記水素化帯域内の容積測定流量は、一般的には１〜５０ｈ−１、より特定的には１〜３０ｈ−１である（触媒の体積当たりかつ毎時の供給原料の容積）。含まれる水素化反応の化学量論に相当する水素流量は、前記化学量論の０．５〜１０倍、好ましくは前記化学量論の１〜６倍、一層より好ましくは前記化学量論の１〜３倍である。水素化に付される液体は、水素を含むガス流によって供給され、その流量は、前記液体中のベンゼン、より一般的には、蒸留帯域の供給原料の分子当たり多くとも６個の炭素原子を含む不飽和化合物の濃度次第である。それは、一般的には、含まれる水素化反応（水素化供給原料中に包含される、ベンゼンおよび分子当たり多くとも６個の炭素原子を含む他の不飽和化合物の水素化）の化学量論に相当する流量に少なくとも等しく、化学量論の１０倍、好ましくは１〜６倍、一層より好ましくは１〜３倍に相当する流量に多くとも等しい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
ニッケルの使用の場合、触媒の全重量に対するニッケルの比率は、５〜７０％、より特定的には１０〜７０％、好ましくは１５〜６５％である。さらに、一般的に、ニッケル結晶の平均サイズが１００×１０−１０ｍ未満、好ましくは８０×１０−１０ｍ未満、一層より好ましくは６０×１０−１０ｍ未満であるような触媒が用いられる。