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【手続補正書】
【提出日】平成26年8月7日(2014.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量素子と、
比較回路と、
第１の抵抗素子と、
第２の抵抗素子と、
第１のスイッチ素子と、
第２のスイッチ素子と、
第１の電流源回路と、
第２の電流源回路と、
信号生成回路と、
を有し、
前記比較回路の第１の入力端子は、前記容量素子の第１の電極と接続され、
前記比較回路の第２の入力端子は、前記第１の抵抗素子の第１の端子および前記第２の抵抗素子の第１の端子と接続され、
前記比較回路の出力端子は、前記第１の抵抗素子の第２の端子と接続され、
前記比較回路の出力端子は、出力電位を与える機能を有する配線と接続され、
前記第２の抵抗素子の第２の端子は、第１の電位を与える機能を有する配線と接続され、
前記容量素子の第１の電極は、前記第１のスイッチ素子の第１の端子および前記第２のスイッチ素子の第１の端子と接続され、
前記容量素子の第２の電極は、第２の電位を与える機能を有する配線と接続され、
前記第１の電流源回路は、前記第１のスイッチ素子の第２の端子と接続され、
前記第２の電流源回路は、前記第２のスイッチ素子の第２の端子と接続され、
前記信号生成回路の入力端子は、前記比較回路の出力端子と接続され、
前記信号生成回路の出力端子は、前記第１のスイッチ素子および前記第２のスイッチ素子と接続され、
前記第１の電流源回路は、第１の電源電位を与える機能を有する配線と接続され、
前記第２の電流現回路は、第２の電源電位を与える機能を有する配線と接続され、
前記第１の電流源回路の電流値は、デジタル制御信号により制御される機能を有し、
前記第２の電流源回路の電流値は、デジタル制御信号により制御される機能を有することを特徴とする発振回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記比較回路、前記第１の電流源回路、前記第１のスイッチ素子、前記第２のスイッチ素子、前記第２の電流源回路、または前記信号生成回路は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする発振回路。
【請求項３】
容量素子と、
比較回路と、
第１の抵抗素子と、
第２の抵抗素子と、
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
第１の電流源回路と、
第２の電流源回路と、
信号生成回路と、
を有し、
前記比較回路の第１の入力端子は、前記容量素子の第１の電極と接続され、
前記比較回路の第２の入力端子は、前記第１の抵抗素子の第１の端子および前記第２の抵抗素子の第１の端子と接続され、
前記比較回路の出力端子は、前記第１の抵抗素子の第２の端子と接続され、
前記比較回路の出力端子は、出力電位を与える機能を有する配線と接続され、
前記第２の抵抗素子の第２の端子は、第１の電位を与える機能を有する配線と接続され、
前記容量素子の第１の電極は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方および前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と接続され、
前記容量素子の第２の電極は、第２の電位を与える機能を有する配線と接続され、
前記第１の電流源回路は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方と接続され、
前記第２の電流源回路は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方と接続され、
前記信号生成回路の入力端子は、前記比較回路の出力端子と接続され、
前記信号生成回路の出力端子は、前記第１のトランジスタのゲートおよび前記第２のトランジスタのゲートと接続され、
前記第１の電流源回路は、第１の電源電位を与える機能を有する配線と接続され、
前記第２の電流現回路は、第２の電源電位を与える機能を有する配線と接続され、
前記第１の電流源回路の電流値は、デジタル制御信号により制御される機能を有し、
前記第２の電流源回路の電流値は、デジタル制御信号により制御される機能を有することを特徴とする発振回路。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする発振回路。
【請求項５】
請求項３において、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする発振回路。
【請求項６】
請求項３において、
前記比較回路、前記第１の電流源回路、前記第２の電流源回路、または前記信号生成回路は、第３のトランジスタを有し、
前記第３のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする発振回路。
【請求項７】
請求項３において、
前記第１の電源電位は、前記第２の電源電位より高い電位であり、
前記第１のトランジスタは、ｐチャネル型のトランジスタであり、
前記第２のトランジスタは、ｎチャネル型のトランジスタであることを特徴とする発振回路。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項における発振回路を用いたことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月11日(2014.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々のピクセル領域（５４）が第一の感度を有する第一のフォトダイオード（８６）と、前記第一の感度よりも低い第二の感度を有する第二のフォトダイオード（８８）とを含んでいる複数のピクセル領域（５４）と、
各々のピクセル領域（５４）の前記第一（８６）及び第二（８８）のフォトダイオードに結合されて該第一（８６）及び第二（８８）のフォトダイオードの読み出しをイネーブルにするイネーブル回路（４６）と、
各々のピクセル領域（５４）の前記第一（８６）及び第二のフォトダイオード（８８）に結合されて該第一（８６）及び第二（８８）のフォトダイオードからデータを読み出す読み出し回路（４８）と
を備え、
各々のピクセル領域（５４）は、前記第一のフォトダイオード（８６）の第一の部分（１３０）及び前記第二のフォトダイオード（８８）の第二の部分（１３２）を覆う構造（９４）により横断され、
前記構造（９４）は、前記第一（１３０）及び第二（１３２）の部分を光学的放射線から遮蔽し、
前記構造（９４）は、各々のピクセル領域（５４）の前記第一（８６）及び第二（８８）のフォトダイオードに共通の電極（９４）を含んでいる、
ディジタルＸ線検出器（２２）。
【請求項２】
前記第一のフォトダイオード（８６）は第一の面積（１１６）を有し、前記第二のフォトダイオード（８８）は前記第一の面積（１１６）よりも小さい第二の面積（１２２）を有する、請求項１に記載の検出器（２２）。
【請求項３】
前記構造（９４）は、前記第一及び第二の感度を与えるように前記第二のフォトダイオード（８８）よりも比例的に少ない前記第一のフォトダイオード（８６）を遮蔽する、請求項１または２に記載の検出器（２２）。
【請求項４】
前記イネーブル回路（４６）及び前記読み出し回路（４８）は、各々のピクセル領域（５４）の前記第一（８６）及び第二（８８）のフォトダイオードの別個の読み出しを提供するように構成されている、請求項１乃至３のいずれかに記載の検出器（２２）。
【請求項５】
各々のピクセル領域（５４）の前記第一のフォトダイオード（８６）からのデータを前記それぞれの第二のフォトダイオード（８８）からのデータとは別個に処理し、また各々のピクセル領域（５４）の前記第一のフォトダイオード（８６）からのデータを前記それぞれの第二のフォトダイオード（８８）からのデータと結合して処理するように選択的に構成される処理回路を含んでいる請求項４に記載の検出器（２２）。
【請求項６】
各々のピクセル領域（５４）は、前記第一のフォトダイオード（８６）からのデータを読み出す第一のトランジスタ（９６）と、前記第二のフォトダイオード（８８）からのデータを読み出す第二のトランジスタ（９８）とを含んでいる、請求項４に記載の検出器（２２）。
【請求項７】
各々のピクセル領域（５４）が第一の面積（１１６）を有する第一のフォトダイオード（８６）と、前記第一の面積（１１６）よりも小さい第二の面積（１２２）を有する第二のフォトダイオード（８８）とを含んでいる複数のピクセル領域（５４）と、
各々のピクセル領域（５４）の前記第一（８６）及び第二（８８）のフォトダイオードの上に位置する遮蔽構造（９４）であって、前記第一のフォトダイオード（８６）に第一の感度を与え、前記第二のフォトダイオード（８８）に前記第一の感度よりも低い第二の感度を与えるように前記第二のフォトダイオード（８８）よりも比例的に少ない前記第一のフォトダイオード（８６）を遮蔽する遮蔽構造（９４）と
を備えたディジタルＸ線検出器（２２）。
【請求項８】
前記遮蔽構造（９４）は、各々のピクセル領域（５４）の前記第一（８６）及び第二（８８）のフォトダイオードに共通の電極（９４）を含んでいる、請求項７に記載の検出器（２２）。
【請求項９】
各々のピクセル領域（５４）の前記第一（８６）及び第二（８８）のフォトダイオードの読み出しをイネーブルにするように構成されているイネーブル回路（４６）と、各々のピクセル領域（５４）の前記第一（８６）及び第二（８８）のフォトダイオードを読み出すように構成されている読み出し回路（４８）とを含んでいる請求項７または８に記載の検出器（２２）。
【請求項１０】
前記イネーブル回路（４６）及び前記読み出し回路（４８）は、各々のピクセル領域（５４）の前記第一（８６）及び第二（８８）のフォトダイオードの別個の読み出しを提供するように構成されている、請求項９に記載の検出器（２２）。
【請求項１１】
各々のピクセル領域（５４）は、前記第一のフォトダイオード（８６）からデータを読み出す第一のトランジスタ（９６）と、前記第二のフォトダイオード（８８）からデータを読み出す第二のトランジスタ（９８）とを含んでいる、請求項１０に記載の検出器（２２）。
【請求項１２】
各々のピクセル領域（５４）の前記第一のフォトダイオード（８６）からのデータを前記それぞれの第二のフォトダイオード（８８）からのデータとは別個に処理し、また各々のピクセル領域（５４）の前記第一のフォトダイオード（８６）からのデータを前記それぞれの第二のフォトダイオード（８８）からのデータと結合して処理するように選択的に構成される処理回路を含んでいる請求項１０に記載の検出器（２２）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月17日(2014.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技動作を制御する制御回路が形成されている制御基板と、ベース部材および蓋部材に分割可能な箱状に形成され、前記制御基板を内部に収納する基板ケースとを備えた遊技機であって、
前記基板ケースは、前記ベース部材の所定の位置に設けられたカシメ取付部と、前記蓋部材の前記カシメ取付部と対向する位置に設けられたカシメ受け部と、前記カシメ取付部に取り付けられ、前記ベース部材および前記蓋部材を閉止させたときに前記カシメ受け部と係止することにより前記基板ケースの開封を規制するカシメ部材とを備え、
前記カシメ取付部は、前記カシメ部材における前記カシメ受け部と係止する係止部を前記カシメ受け部側に突出させる開口部と、前記カシメ取付部に取り付けられた前記カシメ部材と係合して前記カシメ部材の前記カシメ受け部側への移動および前記ベース部材裏側への移動を規制する規制部とを備え、
前記カシメ受け部は、前記カシメ部材の前記係止部が挿入されて前記係止部と係止する挿入部と、前記挿入部の周囲を囲む保護壁部とを備えることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、遊技動作を制御する制御回路が形成されている制御基板と、ベース部材および蓋部材に分割可能な箱状に形成され、制御基板を内部に収納する基板ケースとを備えた遊技機に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（請求項１）
（特徴点）
請求項１記載の発明は、次の点を特徴とする。
すなわち、請求項１に記載された発明は、遊技動作を制御する制御回路が形成されている制御基板と、ベース部材および蓋部材に分割可能な箱状に形成され、前記制御基板を内部に収納する基板ケースとを備えた遊技機であって、前記基板ケースは、前記ベース部材の所定の位置に設けられたカシメ取付部と、前記蓋部材の前記カシメ取付部と対向する位置に設けられたカシメ受け部と、前記カシメ取付部に取り付けられ、前記ベース部材および前記蓋部材を閉止させたときに前記カシメ受け部と係止することにより前記基板ケースの開封を規制するカシメ部材とを備える。そして、前記カシメ取付部は、前記カシメ部材における前記カシメ受け部と係止する係止部を前記カシメ受け部側に突出させる開口部と、前記カシメ取付部に取り付けられた前記カシメ部材と係合して前記カシメ部材の前記カシメ受け部側への移動および前記ベース部材裏側への移動を規制する規制部とを備え、前記カシメ受け部は、前記カシメ部材の前記係止部が挿入されて前記係止部と係止する挿入部と、前記挿入部の周囲を囲む保護壁部とを備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（請求項１の効果）
以上のように構成されている本発明は、以下に記載されるような効果を奏する。
すなわち、請求項１記載の発明によれば、カシメ取付部が、取り付けられたカシメ部材と係合してカシメ部材のカシメ受け部側への移動およびベース部材裏側への移動を規制する規制部を備えて構成されている。そのため、カシメ部材をカシメ取付部に設置すると、規制部によってカシメ部材が係止され、カシメ部材が係止部の突出方向に沿って前後に移動することが不可能となる。
従って、カシメ部材が規制部に係止され、係止部の突出方向に沿ってカシメ部材を前後に移動することができなくなっているので、カシメ部材が内部を挿通可能なサイズの孔をベース部材の裏面に開けても、この孔を通じてカシメ部材を外部に取り出すことができない。
このため、カシメ部材が内部の所定位置に配置された状態が維持されるようになり、基板ケースの不正開放の防止を充分に図ることができ、これにより、前記目的を達成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月19日(2014.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システム（１０）であって、
磁場を発生させるように構成されたマグネット（５４）と、
複数の傾斜コイル（５０）と、
ＭＲ画像を収集するようにＲＦ信号をＲＦコイルアセンブリ（５６）に送信するようにパルスモジュール（３８）により制御を受けるＲＦ送受信器システム（５８）及びＲＦスイッチ（６２）と、
を有するＭＲＩシステム（１０）と、
コンピュータ（２０）であって、
ＭＲスキャン中に印加されるパルスシーケンスを収集すること、
パルスシーケンスの複数の傾斜パルスに関するパワースペクトルを決定すること、
パルスシーケンスの印加中の複数の傾斜コイルによる複数の傾斜パルスの印加に由来する磁場のドリフトを計算すること、
ＭＲスキャン中にパルスシーケンスを印加すること、
パルスシーケンスの印加に基づいてＭＲデータを収集すること、
磁場に関する計算済みドリフトに基づいて収集ＭＲデータを補正すること、
補正済みのＭＲデータに基づいて画像を再構成すること、
を行うようにプログラムされたコンピュータ（２０）と、
を備える磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）装置。
【請求項２】
前記ＭＲＩシステムはさらに、複数の傾斜コイルに隣接して位置決めされた複数の受動シム片（１２）を備えること、並びに
前記コンピュータ（２０）はドリフトを計算するようにプログラムされる際に、前記受動シム片（１２）の加熱に基づいてドリフトを計算するようにプログラムされること、を特徴とする請求項１に記載のＭＲＩ装置。
【請求項３】
前記コンピュータ（２０）はさらに、ドリフト周波数依存性のモデルを収集するようにプログラムされること、並びに
前記コンピュータ（２０）はドリフトを計算するようにプログラムされる際に、パワースペクトルの少なくとも１つの周波数に基づきかつ前記ドリフト周波数依存性のモデルに基づいてドリフトを計算するようにプログラムされること、を特徴とする請求項１または２に記載のＭＲＩ装置。
【請求項４】
前記ドリフト周波数依存性のモデルの第１成分は受動シム片加熱に由来する寄与を含むこと、
前記ドリフト周波数依存性のモデルの第２成分は常温ボア加熱に由来する寄与を含むこと、並びに
前記ドリフト周波数依存性のモデルの第３成分は圧力変動に由来する寄与を含むこと、を特徴とする請求項３に記載のＭＲＩ装置。
【請求項５】
前記コンピュータ（２０）は、前記第１成分、及び／又は前記第２成分を物理モデルベースの解析シミュレーションから決定するようにプログラムされる、請求項４に記載のＭＲＩ装置。
【請求項６】
前記コンピュータ（２０）は、前記第３成分を試験的計測により決定するようにプログラムされる、請求項４に記載のＭＲＩ装置。
【請求項７】
前記ドリフト周波数依存性のモデルの第４成分はヘリウム温度変化に由来する寄与を含む、請求項４に記載のＭＲＩ装置。
【請求項８】
前記コンピュータ（２０）はドリフト周波数依存性のモデルを収集するようにプログラムされる際に、ドリフト周波数依存性のモデルをコンピュータ読み取り可能記憶媒体上に保存されたデータベースから収集するようにプログラムされる、請求項３に記載のＭＲＩ装置。
【請求項９】
前記コンピュータ（２０）はドリフトを計算するようにプログラムされる際に、Ｂ０ドリフトを計算するようにプログラムされる、請求項１乃至８のいずれかに記載のＭＲＩ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月1日(2014.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一被写体に関して複数回の撮影を行うことにより得られた、少なくとも一部の領域が重複した複数の放射線画像を取得する画像取得手段と、
前記複数の放射線画像における重複領域内の局所的な前記被写体のズレを表す局所移動ベクトルを算出する局所移動ベクトル算出手段と、
前記局所移動ベクトルに基づいて前記被写体の姿勢に起因する体動指標値を算出する体動指標値算出手段とを備えたことを特徴とする体動検出装置。
【請求項２】
前記被写体の姿勢に起因する体動指標値は、前記被写体を剛体と見なした場合における、該被写体の姿勢に起因する体動の指標値であることを特徴とする請求項１記載の体動検出装置。
【請求項３】
前記体動指標値算出手段は、前記被写体の平行移動量の指標値を前記体動指標値として算出する手段であることを特徴とする請求項１または２記載の体動検出装置。
【請求項４】
前記体動指標値算出手段は、さらに前記被写体の３次元的な移動量の指標値および該被写体の２次元的な移動量の指標値の少なくとも一方を前記体動指標値として算出する手段であることを特徴とする請求項３記載の体動検出装置。
【請求項５】
前記体動指標値に基づいて、前記複数の放射線画像に関連する後処理を選択する後処理選択手段をさらに備えたことを特徴とする請求項４項記載の体動検出装置。
【請求項６】
前記後処理選択手段は、前記複数の放射線画像に体動補正処理を施すか否かを選択する手段であることを特徴とする請求項５記載の体動検出装置。
【請求項７】
前記後処理選択手段は、前記複数の放射線画像に施す体動補正処理の種類を選択する手段であることを特徴とする請求項５または６記載の体動検出装置。
【請求項８】
前記後処理選択手段は、表示する体動指標値の種類を選択する手段であることを特徴とする請求項５から７のいずれか１項記載の体動検出装置。
【請求項９】
前記撮影時の撮影状況および撮影対象を表す撮影情報を取得する撮影情報取得手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項記載の体動検出装置。
【請求項１０】
前記局所移動ベクトル算出手段は、前記撮影情報に基づいて前記局所移動ベクトルを算出する手段であることを特徴とする請求項９記載の体動検出装置。
【請求項１１】
前記体動指標値算出手段は、前記撮影情報に基づいて、前記局所移動ベクトルを統合して前記平行移動の体動指標値を算出する手段であることを特徴とする請求項９または１０記載の体動検出装置。
【請求項１２】
前記撮影情報および前記体動指標値に基づいて、前記被写体の体動の有無を判別する体動判別手段をさらに備えたことを特徴とする請求項９から１１のいずれか１項記載の体動検出装置。
【請求項１３】
前記体動指標値に基づいて、前記被写体の体動の有無を判別する体動判別手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項記載の体動検出装置。
【請求項１４】
放射線検出器を移動させ、該移動により位置を変える毎に被写体を透過した放射線を該放射線検出器に照射して、少なくとも一部の領域が重複した複数の放射線画像を取得する放射線画像撮影装置であって、
前記放射線検出器を所定の移動軸に沿って移動させ、該移動により位置を変える毎に前記被写体を透過した放射線を前記放射線検出器に照射する撮影手段と、
前記移動および前記放射線の照射を行う毎に前記放射線検出器から信号を読み出すことにより、前記被写体の複数の放射線画像を取得する放射線画像取得手段と、
請求項１から１３のいずれか１項記載の体動検出装置とを備えたことを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１５】
前記体動が検出された場合に、前記複数の放射線画像の再撮影を補助するための再撮影補助情報を生成する情報生成手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１４記載の放射線画像撮影装置。
【請求項１６】
前記再撮影補助情報を表示する表示手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１５記載の放射線画像撮影装置。
【請求項１７】
前記再撮影補助情報に基づいて、前記再撮影の制御を行う再撮影制御手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１５または１６記載の放射線画像撮影装置。
【請求項１８】
同一被写体に関して複数回の撮影を行うことにより得られた、少なくとも一部の領域が重複した複数の放射線画像を取得し、
前記複数の放射線画像における重複領域内の局所的な前記被写体のズレを表す局所移動ベクトルを算出し、
前記局所移動ベクトルに基づいて前記被写体の姿勢に起因する体動指標値を算出することを特徴とする体動検出方法。
【請求項１９】
同一被写体に関して複数回の撮影を行うことにより得られた、少なくとも一部の領域が重複した複数の放射線画像を取得する手順と、
前記複数の放射線画像における重複領域内の局所的な前記被写体のズレを表す局所移動ベクトルを算出する手順と、
前記局所移動ベクトルに基づいて前記被写体の姿勢に起因する体動指標値を算出する手順とを有することを特徴とする体動検出方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月25日(2014.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発電機（１１２）の運転を評価するコンピュータに実装された方法であって、
ある時間にわたって前記発電機（１１２）内の第１のセンサ（Ｓ１）により観測される一連のデータを含む診断データ（４０）を前記第１のセンサ（Ｓ１）から取得する段階と、
コンピュータシステム（１２）により、前記診断データ（４０）を評価して、前記診断データ（４０）が取得されたときに異常が存在するかどうかを、前記発電機（１１２）のタイプに固有のパラメータ及び前記診断データ（４０）を取得した前記発電機（１１２）に固有のパラメータからのデータを含むナレッジベースを用いて判定する段階と、
前記コンピュータシステム（１２）により、前記異常が存在する判定に基づいて、異常を引き起こした前記発電機（１１２）内のエラーの性質を示す故障コードを提供する段階と、
を含む、方法。
【請求項２】
前記発電機（１１２）内の第２のセンサ（Ｓ２）から診断データ（４０）を取得する段階を更に含み、前記評価段階が、前記第１及び第２のセンサ（Ｓ１〜Ｓ２）からの前記診断データ（４０）の組み合わせに基づいて異常が存在するかどうかを判定する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記評価段階の前に、インタフェースを介してユーザ（１６）から受け取った値に基づいて異常が存在するかどうかを判定するのに用いるパラメータのうちの１つのデフォルト値を変える段階を更に含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記評価段階が、前記発電機（１１２）内の異常の発生源を識別する段階を含む、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
発電機（１１２）の運転を評価するコンピュータシステム（１２）であって、
ある時間にわたって前記発電機（１１２）内の第１のセンサ（Ｓ１）により観測される一連のデータを含む診断データ（４０）を前記第１のセンサ（Ｓ１）から取得するよう構成された構成要素と、
コンピュータシステム（１２）により、前記診断データ（４０）を評価して、前記診断データ（４０）が取得されたときに異常が存在するかどうかを、前記発電機（１１２）のタイプに固有のパラメータ及び前記診断データ（４０）を取得した前記発電機（１１２）に固有のパラメータからのデータを含むナレッジベースを用いて判定するよう構成された構成要素と、
前記異常が存在する判定に基づいて、異常を引き起こした前記発電機（１１２）内のエラーの性質を示す故障コードを提供するように構成された構成要素と、
を備えるコンピュータシステム（１２）。
【請求項６】
取得するよう構成された構成要素が更に、前記発電機（１１２）内の第２のセンサ（Ｓ２）からの診断データ（４０）を読み出すよう更に構成され、評価するよう構成された構成要素が、前記第１及び第２のセンサ（Ｓ１〜Ｓ２）からの前記診断データ（４０）の組み合わせに基づいて異常が存在するかどうかを判定する、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
インタフェースを介してユーザ（１６）から受け取った値に基づいて異常が存在するかどうかを判定するのに用いるパラメータのデフォルト値を変えるよう構成された構成要素を更に備え、評価するよう構成された構成要素が、前記パラメータに基づいて異常が存在するかどうかを判定する、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
判定するよう構成された構成要素がさらに、前記発電機（１１２）内の異常の発生源識別するように構成されている、請求項６または７に記載のシステム。
【請求項９】
実行時に発電機（１１２）の運転を評価する方法をコンピュータシステム（１２）が実施することができる、少なくとも１つのコンピュータ可読媒体において具現化されるプログラムコードを含むコンピュータプログラムであって、前記方法が、
ある時間にわたって前記発電機（１１２）内の第１のセンサ（Ｓ１）により観測される一連のデータを含む診断データ（４０）を前記第１のセンサ（Ｓ１）から取得する段階と、
前記診断データ（４０）を評価して、前記診断データ（４０）が取得されたときに異常が存在するかどうかを、前記発電機（１１２）のタイプに固有のパラメータ及び前記診断データ（４０）を取得した前記発電機（１１２）に固有のパラメータからのデータを含むナレッジベースを用いて判定する段階と、
前記コンピュータシステム（１２）により、前記異常が存在する判定に基づいて、異常を引き起こした前記発電機（１１２）内のエラーの性質を示す故障コードを提供する段階と、
を含む、コンピュータプログラム。
【請求項１０】
前記発電機（１１２）内の第２のセンサ（Ｓ２）から診断データ（４０）を取得する段階を更に含み、前記評価段階が、前記第１及び第２のセンサ（Ｓ１〜Ｓ２）からの前記診断データ（４０）の組み合わせに基づいて異常が存在するかどうかを判定する、請求項９に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１１】
前記評価段階の前に、インタフェースを介してユーザ（１６）から受け取った値に基づいて異常が存在するかどうかを判定するのに用いるパラメータのうちの１つのデフォルト値を変える段階を更に含み、前記評価段階が、前記発電機（１１２）のタイプに固有のパラメータ及び前記発電機（１１２）に固有のパラメータからのデータを含むナレッジベースを用いる段階を含む、請求項９または１０に記載のコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月31日(2014.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成されたパターンマスクの荒れを処理容器内にて溶剤の蒸気により改善する処理を行う基板処理装置において、
前記処理容器内に設けられ、前記基板を載置するための載置部と、
前記載置部に載置された基板を前記溶剤の露点温度よりも高い温度に加熱するための基板加熱部と、
前記載置部に載置された基板よりも上方の位置に設けられ、開口部が形成された液溜め部と、
前記液溜め部に溶剤を供給するための溶剤供給部と、
前記液溜め部に貯留された溶剤を加熱して気化させるための溶剤加熱部と、
前記載置部に載置された基板と前記液溜め部との間に設けられ、溶剤蒸気を拡散させるため拡散部材と、
前記処理容器内の雰囲気を排気するための排気部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記溶剤供給部は、一枚の基板を処理するのに必要な量だけ溶剤を液溜め部に供給し、前記液溜め部に貯留された溶剤の蒸発が終了した後に、前記排気部による排気を行うように制御信号を出力する制御部を備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記液溜め部は、横方向に複数配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記液溜め部の溶剤の蒸発が終了した後、液溜め部の温度を下げるための冷却機構を備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記溶剤加熱部は、前記液溜め部の上方側に配置された輻射光源部であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
基板に形成されたパターンマスクの荒れを処理容器内にて溶剤の蒸気により改善する処理を行う基板処理方法において、
基板を処理容器内の載置部に載置する工程と、
前記載置部に載置された基板よりも上方の位置に設けられた液溜め部に溶剤を供給する工程と、
前記載置部に載置された基板を前記溶剤の露点温度よりも高い温度に加熱した後、前記液溜め部に貯留された溶剤を加熱して気化させ、前記載置部に載置された基板と前記液溜め部との間に設けられた拡散部材により溶剤蒸気を拡散させて基板の表面に供給する工程と、
この工程の後、前記処理容器内の雰囲気を排気する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】
前記液溜め部には、１枚の基板を処理するのに必要な量だけ溶剤が供給され、前記液溜め部に貯留された溶剤の蒸発が終了した後に、前記排気部による排気を行う工程を含むことを特徴とする請求項６記載の基板処理方法。
【請求項８】
溶剤の蒸発が終了した後、前記液溜め部を強制的に冷却する工程を含むことを特徴とする請求項６または７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
溶剤を加熱して気化させる工程は、液溜め部の上方側に配置された輻射光源部からの輻射光の照射により溶剤を加熱する工程であることを特徴とする請求項６ないし８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
基板に形成されたパターンマスクの荒れを処理容器内にて溶剤の蒸気により改善する処理を行う基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項６ないし９のいずれか一項に記載された基板処理方法を実行するようにステップ群が組み込まれていることを特徴とする記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の基板処理方法は、基板に形成されたパターンマスクの荒れを処理容器内にて溶剤の蒸気により改善する処理を行う基板処理方法において、
基板を処理容器内の載置部に載置する工程と、
前記載置部に載置された基板よりも上方の位置に設けられた液溜め部に溶剤を供給する工程と、
前記載置部に載置された基板を前記溶剤の露点温度よりも高い温度に加熱した後、前記液溜め部に貯留された溶剤を加熱して気化させ、前記載置部に載置された基板と前記液溜め部との間に設けられた拡散部材により溶剤蒸気を拡散させて基板の表面に供給する工程と、
この工程の後、前記処理容器内の雰囲気を排気する工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月8日(2014.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略平板状の蓋部を有する電池筐体が備えられ、その電池筐体内に一対の電極板を有する発電要素と前記電極板に接続される集電体とが配置され、前記集電体に連なる電極端子が、前記蓋部を貫通して外部に引き出されて構成されている電池であって、
前記電極端子は、板状部材にて構成され、
前記電極端子を配線用部品に接続するための端子ボルトが、前記電極端子における前記電池筐体の外側部分に、前記端子ボルトのねじ部が前記電極端子を貫通する姿勢で取り付けられ、
前記電極端子が、前記配線用部品の取付けの際に前記端子ボルトの頭部に作用する回転力を直接的に又は間接的に受止めるように、前記電極端子を前記端子ボルトの頭部近くで屈曲形状に形成して構成されている電池。
【請求項２】
配線用部品を固定して電気配線を行うための端子ボルトと、前記端子ボルトが取り付けられる電極端子と、を蓋部に備える電池であって、
前記電極端子は、板状部材にて構成され、
前記ボルト端子は、前記電極端子を貫通する姿勢で取り付けられ、
前記電極端子が、前記配線用部品の取付けの際に前記端子ボルトの頭部に作用する回転力を直接的に又は間接的に受け止めるように、前記電極端子を前記端子ボルトの頭部近くで屈曲形状に形成して構成されている電池。
【請求項３】
前記電極端子は、屈曲した位置が前記端子ボルトの頭部に当たっている請求項１又は２に記載の電池。
【請求項４】
前記電極端子は、当該電極端子の先端部を前記端子ボルトの頭部側に屈曲させることで、前記端子ボルトの頭部に作用する回転力を受け止めるように構成されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の電池。
【請求項５】
前記電極端子は、前記端子ボルトの頭部をコの字状に囲む形状とすることで、前記端子ボルトの頭部に作用する回転力を受け止めるように構成されている請求項４に記載の電池。
【請求項６】
前記蓋部の上には、樹脂製の支持部が配置され、
前記端子ボルトの頭部は、前記支持部に埋め込まれている請求項１〜５のいずれか１項に記載の電池。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月12日(2014.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が、スイッチ素子と電気的に接続された電極と、前記電極の上に配置された不純物半導体層と、前記不純物半導体層の上に配置された半導体層と、を含む複数の変換素子を有する検出装置の製造方法であって、
複数の前記スイッチ素子を覆うように形成された有機材料からなる層間絶縁層の表面のうちの第１領域の上に複数の前記電極を形成し、且つ、前記第１領域よりも外側に位置する第２領域の上に無機材料からなる被覆層を形成する第１工程と、
前記第１工程の後に前記不純物半導体層を前記電極の上に形成する第２工程と、
を行うことを特徴とする検出装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１工程は、前記層間絶縁層を覆うように導電膜を成膜し、前記導電膜から前記複数の電極を形成する工程と、前記層間絶縁層及び前記複数の電極を覆うように無機材料からなる膜を成膜し、前記膜から前記被覆層を形成する工程と、を有する請求項１に記載の検出装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１工程は、前記層間絶縁層を覆うように無機材料からなる膜を成膜し、前記膜から前記被覆層を形成する工程と、前記層間絶縁層及び前記被覆層を覆うように導電膜を成膜し、前記導電膜から前記複数の電極を形成する工程と、を有する請求項１に記載の検出装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２工程は、前記不純物半導体層となる不純物半導体膜を成膜する工程と、前記被覆層の上において前記不純物半導体膜の一部を除去して不純物半導体層を形成する工程と、前記不純物半導体層を覆うように前記半導体層となる半導体膜を成膜する工程と、を有する請求項１から３のいずれか１項に記載の検出装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２工程は、前記不純物半導体層となる不純物半導体膜を成膜する工程と、前記不純物半導体膜を覆うように前記半導体層となる半導体膜を成膜する工程と、前記被覆層の上において前記不純物半導体膜の一部と前記半導体膜の一部とを除去して、前記不純物半導体膜から前記不純物半導体層を、前記半導体膜から前記変換素子の半導体層を、それぞれ形成する工程と、を有する請求項１から３のいずれか１項に記載の検出装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２工程は、前記半導体膜を覆うように前記不純物半導体膜とは異なる導電型の不純物半導体膜を成膜する工程と、前記異なる導電型の不純物半導体膜を覆うように前記電極とは異なる前記変換素子の他の電極となる導電膜を成膜する工程と、前記導電膜と接合する電極配線の正射影の一部が前記被覆部材と重なるように前記電極配線を形成する工程と、を更に有する請求項４又は５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記第１工程は、前記第１領域の前記複数の電極のうち隣りあう２つの電極の間において前記層間絶縁層を覆うように配置された無機材料からなる被覆部材を形成し、前記第２領域の上に前記被覆層を形成する工程を更に有する請求項１から６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
前記被覆層と前記被覆部材は同じ膜から形成されることを特徴とする請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記スイッチ素子は、基板上に配置された薄膜トランジスタであり、
前記層間絶縁層は、前記薄膜トランジスタの主電極と前記電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールを有しており、
前記第１工程は、前記コンタクトホールにおいて前記主電極を保護するための保護部材を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記無機材料は、無機絶縁材料であることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１１】
各々が、スイッチ素子と電気的に接続された電極と、前記電極の上に配置された不純物半導体層と、前記不純物半導体層の上に配置された半導体層と、を含む複数の変換素子と、
複数の前記スイッチ素子を覆うように配置され、第１領域と該第１領域よりも外側に位置する第２領域とを含む表面を有し、前記第１領域の上に複数の前記電極が配置された、有機材料からなる層間絶縁層と、
前記第２領域の上に配置された、無機材料からなる被覆層と、
を有する検出装置。
【請求項１２】
前記電極の端部は、前記被覆層と前記不純物半導体層との間に配置されていることを特徴とする請求項１１に記載の検出装置。
【請求項１３】
前記電極の端部は、前記層間絶縁層と前記被覆層との間に配置されていることを特徴とする請求項１１に記載の検出装置。
【請求項１４】
複数の前記電極の間において前記層間絶縁層を覆うように配置された無機材料からなる被覆部材を更に有する請求項１１から１３のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１５】
前記スイッチ素子は、基板上に配置された薄膜トランジスタであり、
前記層間絶縁層は、前記薄膜トランジスタの主電極と前記電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールを有しており、
前記コンタクトホールにおいて前記主電極を保護するための保護部材を更に有することを特徴とする請求項１１から１４のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１６】
請求項１１から１５のいずれか１項に記載の検出装置と、
前記検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
を具備する検出システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月14日(2014.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質支持体の表面に、内側電極、固体電解質、及び外側電極が順次積層されてなる固体酸化物形燃料電池セルであって、
前記多孔質支持体は、フォルステライトを含んでなり、少なくとも前記内側電極が積層される側の表面領域において、Ｃａ元素含有量がＣａＯ換算で０．２質量％以下であり、表面領域とは、表面から深さ１００μｍまでの領域を意味する、
固体酸化物形燃料電池セル。
【請求項２】
前記固体電解質は、Ｓｒ及びＭｇがドープされたランタンガレート系酸化物を含んでなる、請求項１に記載の固体酸化物形燃料電池セル。
【請求項３】
前記固体電解質は、一般式Ｌａ1-aＳｒaＧａ1-b-cＭｇbＣｏcＯ3（但し、０．０５≦ａ≦０．３、０＜ｂ＜０．３、０≦ｃ≦０．１５）で表される、請求項２に記載の固体酸化物形燃料電池セル。
【請求項４】
前記多孔質支持体は、Ｃａ元素含有量がＣａＯ換算で０．２質量％以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体酸化物形燃料電池セル。
【請求項５】
多孔質支持体の表面に、内側電極、固体電解質、及び外側電極が順次積層されてなる固体酸化物形燃料電池セルの製造方法であって、
Ｃａ元素含有量がＣａＯ換算で０．２質量％以下であり、さらにフォルステライトを含む成形体を焼成して前記多孔質支持体を形成すること、及び
多孔質支持体の表面に、内側電極、固体電解質、及び外側電極を順次形成すること
を含む固体酸化物形燃料電池セルの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月12日(2014.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
ダイオードのアノード３とカソード６との間に順方向に高電圧が印加されたオン状態では、図２に示すように、半導体基板２のｎ-型の領域（ドリフト層）に、多数のキャリアが蓄積される。すなわち、ｐ+型拡散領域３ａから半導体基板２のドリフト層に向かってホールが注入されるとともに、ｎ+型高濃度領域６ａから半導体基板２のドリフト層に向かって電子が注入される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
次に、ダイオードのアノード３とカソード６との間に逆方向に高電圧が印加されると、ダイオードはオン状態からオフ状態に変わる。図３に示すように、オン状態からオフ状態に変わる際には、オン状態においてドリフト層に蓄積されたキャリアのうち、電子はカソード６から排出され、ホールはアノード３から排出される。また、一部の電子とホールは再結合して消滅し、注入されたキャリアが最終的に消滅してオフ状態になる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
比較例に係る半導体装置では、アノードとして、ｐ+型拡散領域３ａの不純物濃度とは異なる不純物濃度を有するｐ-型領域１１ａが形成されていない点を除いて、上述した半導体装置と同様の構造を有している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
上述した半導体装置におけるアノード３の終端部では、ｐ+型拡散領域３ａとｐ++型領域１２ｃとが形成されている。ｐ++型領域１２ｃの不純物濃度は、ｐ+型拡散領域３ａの不純物濃度よりも高く、ｐ++型領域１２ｃは、ｐ+型拡散領域３ａよりも電気抵抗の低い領域として、ｐ+型拡散領域３ａよりも下方に突出するように、一方の主表面からｐ+型拡散領域３ａよりも深い領域にわたって形成されている。すなわち、ダイオードのアノード３の終端部では、電気抵抗の相対的に低い領域（ｐ++型領域１２ｃ）と、高い領域（ｐ+型拡散領域３ａ）とが配置されていることになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
上述した半導体装置におけるアノードの終端部では、ｐ+型拡散領域３ａと複数のｐ++型領域１２ｄが形成されている。ｐ++型領域１２ｄの不純物濃度は、ｐ+型拡散領域３ａの不純物濃度よりも高く、複数のｐ++型領域１２ｄのそれぞれは、ｐ+型拡散領域３ａよりも電気抵抗の低い領域として、ｐ+型拡散領域３ａによって挟まれるように形成されている。すなわち、ダイオードのアノード３の終端部では、電気抵抗の相対的に高い領域（ｐ+型拡散領域３ａ）と、低い複数の領域（ｐ++型領域１２ｄ）とが配置されていることになる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
図２６に示すように、アノード３は、ｐ+型拡散領域３ａとｐ-型領域１１ｆとを備えている。ｐ-型領域１１ｆは、相対的に電気抵抗の高い領域として、アノード３の終端部に複数形成されている。複数のｐ-型領域１１ｆのそれぞれは、ｐ+型拡散領域３ａよりも下方へ突出するように、一方の主表面からｐ+型拡散領域３ａよりも深い領域にわたって形成されている。なお、これ以外の構成については、図１に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を繰り返さないこととする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
上述した半導体装置におけるアノード３の終端部では、ｐ+型拡散領域３ａと複数のｐ-型領域１１ｆが形成されている。ｐ-型領域１１ｆの不純物濃度は、ｐ+型拡散領域３ａの不純物濃度よりも低く、複数のｐ-型領域１１ｆのそれぞれは、ｐ+型拡散領域３ａよりも電気抵抗の高い領域として、ｐ+型拡散領域３ａよりも下方に突出するように形成されている。すなわち、ダイオードのアノード３の終端部では、電気抵抗の相対的に抵抗の低い領域（ｐ+型拡散領域３ａ）と、高い複数の領域（ｐ-型領域１１ｆ）とが配置されていることになる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月23日(2014.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子、発光装置、照明機器および電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に、第１の層と、第２の層と、第３の層と、を有し、
前記第１の層は正孔を発生し、
前記第２の層は電子を発生し、
前記第３の層は発光物質を含み、
前記第２の層は、前記第１の層と、前記第３の層との間に位置し、
前記第１の層は、前記第２の層と接し、
前記陽極と前記陰極との間には、８−キノリノラトリチウム（略称：Ｌｉｑ）を含まないことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
陽極と陰極との間に、第１の層と、第２の層と、第３の層と、を有し、
前記第１の層は、正孔輸送性を有する第１の物質と、前記第１の物質に対して電子受容性を示す第２の物質とを含み、
前記第２の層は、電子輸送性を有する第３の物質と、前記第３の物質に対して電子供与性を示す第４の物質とを含み、
前記第３の層は発光物質を含み、
前記第２の層は、前記第１の層と、前記第３の層との間に位置し、
前記第１の層は、前記第２の層と接し、
前記陽極と前記陰極との間には、８−キノリノラトリチウム（略称：Ｌｉｑ）を含まないことを特徴とする発光素子。
【請求項３】
陽極と陰極との間に、第１の層と、第２の層と、第３の層と、を有し、
前記第１の層は、ｐ型の半導体を含み、
前記第２の層は、ｎ型の半導体を含み、
前記第３の層は発光物質を含み、
前記第２の層は、前記第１の層と、前記第３の層との間に位置し、
前記第１の層は、前記第２の層と接し、
前記陽極と前記陰極との間には、８−キノリノラトリチウム（略称：Ｌｉｑ）を含まないことを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光素子を有することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光素子を有することを特徴とする照明機器。
【請求項６】
請求項４に記載の発光装置を表示部に有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月13日(2014.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークに利用可能な少なくとも１つのワイヤレス広域ネットワーク通信技術上のワイヤレス信号情報を受信することと、
前記受信されたワイヤレス信号情報に基づいて、前記少なくとも１つの広域ネットワークワイヤレス通信技術上のデータを集約することと、
１つまたは複数の指定された周波数で、ビーコン中に、前記少なくとも１つの広域ネットワークワイヤレス通信技術上の前記データの少なくとも一部を、第１のワイヤレスノードに送信することと
を備える、ワイヤレス通信のための方法。
【請求項２】
前記データの少なくとも一部は、前記少なくとも１つの広域ネットワークワイヤレス通信技術と異なる広域ネットワークワイヤレス通信技術に送信される、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記データを前記集約することは、前記少なくとも１つのワイヤレス通信技術によって前記ワイヤレス信号情報を収集することと、１つまたは複数のワイヤレスノードから前記ワイヤレス信号情報を受信することと、のうちの少なくとも１つを備える、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ワイヤレス信号情報は、前記ネットワークに利用可能な前記少なくとも１つの広域ネットワークワイヤレス通信技術が検出されない場合、前記ネットワークに利用可能な前記少なくとも１つの広域ネットワークワイヤレス通信技術上の前記データを集約するために、１つまたは複数のワイヤレスノードから受信される、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記データは、前記少なくとも１つのワイヤレス広域ネットワーク技術の各々のための第１の情報、前記少なくとも１つのワイヤレス広域ネットワーク技術のスペクトル内で利用可能なホワイトスペーススペクトルを動的に利用可能にすることに関連する第２の情報、あるいは前記少なくとも１つのワイヤレス広域ネットワーク技術のための干渉回避を提供する能力に関連する第３の情報、のうちの少なくとも１つを備える、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の情報は、プロトコルのネーム、前記プロトコルのためのスペクトル占有範囲、スペクトルロード、あるいは検出された信号強度、のうちの少なくとも１つを備える、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つのワイヤレス広域ネットワーク技術のうちの１つのワイヤレス広域ネットワーク技術に関連する追加データのために前記第１のワイヤレスノードからクエリを受信することと、
前記ワイヤレス広域ネットワーク技術を使用して、前記第１のワイヤレスノードに前記追加データを提供することと
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記追加データは、プロトコルのネーム、前記プロトコルのためのスペクトル占有範囲、スペクトルロード、検出された信号強度、前記１つのワイヤレス広域ネットワーク技術の周波数範囲内の動的に利用可能なホワイトスペースの周波数範囲、あるいは前記１つのワイヤレス広域ネットワーク技術のための干渉回避情報、のうちの少なくとも１つを備える、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
第２のワイヤレスノードから追加データを受信することと、前記追加データは、前記少なくとも１つのワイヤレス広域ネットワーク技術と異なるワイヤレス広域ネットワーク技術のセットに関連する、
前記ワイヤレス広域ネットワーク技術を使用して前記第１のワイヤレスノードに前記追加データの少なくとも一部を提供することと、
をさらに備え、前記ワイヤレス広域ネットワーク技術は、前記セットにおける前記ワイヤレス広域ネットワーク技術と異なる、
請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記データの各部分のための信頼性を推定することによって信頼性測定値を決定することと、
前記データの少なくとも一部に対応する前記信頼性測定値を、前記第１のワイヤレスノードに提供することと、
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記データが複数のワイヤレスノードから複製される場合、前記データは、単一のワイヤレスノードから受信されたデータより信頼できると推定される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のワイヤレスノードから位置情報を受信することをさらに備え、前記データのサブセットは、前記受信された位置情報に依存する、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月24日(2014.6.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１４４】
図３２Ｂを参照すると、ロボット３０２が、ドッキングビーム３５０または３６０に遭遇し、一方で、直線、螺旋、バンプ追従、または壁追従で駆動され、フォースフィールド３７０内に存在せず、また、最後の数秒間に指向性受信器３１８によってドック３４０が検出されなかったときに、急旋回行動２９６ｃが作動される。ロボット３０２は、赤色ビーム３５０を検出したときに、時計回りにドック３４０の方へ弧状に移動する。ロボット３０２は、緑色ビーム３６０または赤色ビーム３５０および緑色ビーム３６０の重複領域を検出したときには、ドック３４０の方へ反時計回りに弧状に動く。ロボット３０２は、他のビーム３５０または３６０を検出するか、指向性受信器３１８によってドック３４０を検出するか、または３６０°を越えて弧状に動いたときには、この行動２９６ｃを中止する。一般的に、次いで、ローブ追従行動２９６ａによって追従される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月5日(2014.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の波長の光により励起され、前記第１の波長とは異なる第２の波長の光を放射する蛍光体を含む蛍光体層と、
前記蛍光体層の第１の面の側に配置され、前記蛍光体層に光を集光し且つ前記蛍光体層から放射された光を平行光に変換する光学部材とを備え、
前記光学部材は、前記蛍光体層と反対側の面に設けられた回折格子と、前記蛍光体層と対向する面に設けられた反射鏡とを有する基板である、光学素子。
【請求項２】
第１の波長の光により励起され、前記第１の波長とは異なる第２の波長の光を放射する蛍光体を含む蛍光体層と、
前記蛍光体層の第１の面の側に配置され、前記蛍光体層に光を集光し且つ前記蛍光体層から放射された光を平行光に変換する光学部材と、
前記蛍光体層の第１の面と反対側の第２の面に形成された反射層をさらに備え、
前記光学部材は、凸レンズである、光学素子。
【請求項３】
前記蛍光体層の前記第１の面と反対側の第２の面に形成され、前記蛍光体層よりも熱伝導率が高い熱伝導層をさらに備えている、請求項１又は２に記載の光学素子。
【請求項４】
前記熱伝導層は、酸化亜鉛、窒化アルミニウム又はダイヤモンドからなる、請求項３に記載の光学素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学素子と、
前記第１の波長の光を出射する発光素子と、
前記発光素子から出射された光を互いに並行な光軸を有する複数の光路に分割して、前記光学素子に入射させる光分岐部とを備えている、半導体発光装置。