【手続補正書】
【提出日】平成26年5月14日(2014.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶と、
前記単結晶に形成されたヘテロエピタキシャル層を備えたことを特徴とする
基板粒子。
【請求項２】
単結晶は、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ビスマスナトリウム、チタン酸ビスマスカリウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛、ジルコン酸ビスマス、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸ナトリウム、ニオブ酸リチウム、鉄酸ビスマス、酸化チタン、または酸化亜鉛から選ばれるいずれか１種、またはいずれか２種以上の混合物であり、
ヘテロエピタキシャル層は、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ビスマスナトリウム、チタン酸ビスマスカリウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛、ジルコン酸ビスマス、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸ナトリウム、ニオブ酸リチウム、鉄酸ビスマス、酸化チタン、または酸化亜鉛から選ばれるいずれか１種、またはいずれか２種以上の混合物であることを特徴とする
請求項１に記載の基板粒子。
【請求項３】
単結晶を作製する単結晶作製工程と、
前記単結晶にヘテロエピタキシャル層を形成するヘテロエピタキシャル層形成工程を備え、
前記単結晶作製工程は、第１の元素の水酸化物と第２の元素の酸化物を原料とし、有機溶媒を使用するソルボサーマル法を用い、
前記ヘテロエピタキシャル層形成工程は、第３の元素の水酸化物と第４の元素の錯体を原料とし、有機溶媒を使用するソルボサーマル法を用いることを特徴とする
基板粒子の製造方法。
【請求項４】
前記単結晶作製工程において、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ビスマスナトリウム、チタン酸ビスマスカリウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛、ジルコン酸ビスマス、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸ナトリウム、ニオブ酸リチウム、鉄酸ビスマス、酸化チタン、または酸化亜鉛から選ばれるいずれか１種、またはいずれか２種以上の混合物の単結晶を作製し、
前記ヘテロエピタキシャル層形成工程において、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ビスマスナトリウム、チタン酸ビスマスカリウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛、ジルコン酸ビスマス、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸ナトリウム、ニオブ酸リチウム、鉄酸ビスマス、酸化チタン、または酸化亜鉛から選ばれるいずれか１種、またはいずれか２種以上の混合物であるヘテロエピタキシャル層を形成することを特徴とする
請求項３に記載の基板粒子の製造方法。
【請求項５】
前記単結晶作製工程における前記第１の元素の水酸化物がSr(OH)2であり、
前記第２の元素の酸化物がTiO2であり、前記有機溶媒がエタノールと２−メトキシエタノールの混合溶媒であること特徴とする
請求項３または４のいずれかに記載の基板粒子の製造方法。
【請求項６】
前記ヘテロエピタキシャル層形成工程における前記第３の元素の水酸化物がBa(OH)2であり、前記第４の元素の錯体がチタンのキレート錯体であり、前記有機溶媒が水とエタノールの混合溶媒であることを特徴とする
請求項３から５のいずれかに記載の基板粒子の製造方法。
【請求項７】
前記チタンのキレート錯体がジ−ｉ−プロポキシビス（アセチルアセトナト）チタン（Ti(i-PrO)2(AcAc)2）であることを特徴とする
請求項６記載の基板粒子の製造方法。
【請求項８】
単結晶を集積した集積体と
前記集積体に形成されたヘテロエピタキシャル層を備えること特徴とする
ヘテロエピタキシャル層を有する集積体。
【請求項９】
単結晶は、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ビスマスナトリウム、チタン酸ビスマスカリウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛、ジルコン酸ビスマス、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸ナトリウム、ニオブ酸リチウム、鉄酸ビスマス、酸化チタン、または酸化亜鉛から選ばれるいずれか１種、またはいずれか２種以上の混合物であり、
ヘテロエピタキシャル層は、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ビスマスナトリウム、チタン酸ビスマスカリウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛、ジルコン酸ビスマス、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸ナトリウム、ニオブ酸リチウム、鉄酸ビスマス、酸化チタン、または酸化亜鉛から選ばれるいずれか１種、またはいずれか２種以上の混合物であることを特徴とする
請求項８記載のヘテロエピタキシャル層を有する集積体。
【請求項１０】
単結晶を作製する単結晶作製工程と、
前記単結晶が集積された集積体を作製する集積体作製工程と、
前記集積体にヘテロエピタキシャル層を形成するヘテロエピタキシャル層形成工程を備え、前記単結晶作製工程は、第１の元素の水酸化物と第２の元素の酸化物を原料とし、有機溶媒を使用するソルボサーマル法を用い、
前記集積体作製工程は、前記単結晶にバインダーを加えて混合し、乾燥後に粉砕し、プレスによってペレット状に成形して作製し、
前記ヘテロエピタキシャル層形成工程は、第３の元素の水酸化物と第４の元素の錯体を原料とし、有機溶媒を使用するソルボサーマル法を用いることを特徴とする
ヘテロエピタキシャル層を有する集積体の製造方法。
【請求項１１】
前記単結晶作製工程において、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ビスマスナトリウム、チタン酸ビスマスカリウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛、ジルコン酸ビスマス、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸ナトリウム、ニオブ酸リチウム、鉄酸ビスマス、酸化チタン、または酸化亜鉛から選ばれるいずれか１種、またはいずれか２種以上の混合物の単結晶を作製し、
前記ヘテロエピタキシャル層形成工程において、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ビスマスナトリウム、チタン酸ビスマスカリウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛、ジルコン酸ビスマス、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸ナトリウム、ニオブ酸リチウム、鉄酸ビスマス、酸化チタン、または酸化亜鉛から選ばれるいずれか１種、またはいずれか２種以上の混合物であるヘテロエピタキシャル層を形成することを特徴とする
請求項１０に記載のヘテロエピタキシャル層を有する集積体の製造方法。
【請求項１２】
前記単結晶作製工程における前記第１の元素の水酸化物がSr(OH)2であり、
前記第２の元素の酸化物がTiO2であり、前記有機溶媒がエタノールと２−メトキシエタノールの混合溶媒であること特徴とする
請求項１１に記載のヘテロエピタキシャル層を有する集積体の製造方法。
【請求項１３】
前記ヘテロエピタキシャル層形成工程における前記第３の元素の水酸化物がBa(OH)2であり、前記第４の元素の錯体がチタンのキレート錯体であり、前記有機溶媒が水とエタノールの混合溶媒であることを特徴とする
請求項１１または１２のいずれかに記載のヘテロエピタキシャル層を有する集積体の製造方法。
【請求項１４】
前記ヘテロエピタキシャル層形成工程におけるソルボサーマル法の反応温度は１５０℃から２５０℃の範囲にあることを特徴とする
請求項１０から１３のいずれかに記載のヘテロエピタキシャル層を有する集積体の製造方法。
【請求項１５】
前記ヘテロエピタキシャル層形成工程におけるBa(OH)2とチタンのキレート錯体の量比は、Ｂａ／Ｔｉの元素比が１から１０の範囲内にあるように構成されていることを特徴とする
請求項１０から１４のいずれかに記載のヘテロエピタキシャル層を有する集積体の製造方法。
【請求項１６】
前記ヘテロエピタキシャル層形成工程におけるソルボサーマル法において、溶液中のＴｉ濃度は０．０１〜１ｍｏｌ／Ｌ（リットル）の範囲であることを特徴とする
請求項１０から１５のいずれかに記載のヘテロエピタキシャル層を有する集積体の製造方法。