(57)【要約】  本発明は電子機器１０を開示し、前記電子機器１０は、コイル１０１と、非接触機能を有するチップ１０２と、整流装置１０３と切替装置１０４とを含み、切替装置１０４はコイル１０１と非接触機能を有するチップ１０２との間に接続され、コイル１０１の第1出力端はそれぞれ整流装置１０３の第１入力端と非接触機能を有するチップ１０２の第２入力端に電気的に接続され、その中で、コイル１０１は誘導して第１入力端により交流信号を出力し、整流装置１０３は、コイル１０１が第１入力端から入力の交流信号を受信して、整流装置１０３の第２出力端により電気エネルギーを出力し、切替装置１０４は、入力された作動電圧の働きで、コイル１０１と、非接触機能を有するチップ１０２とを連通させ、また、制御信号を受信した場合、受信された制御信号に基づいて、コイル１０１と非接触式機能を有するチップ１０２との導通・遮断を制御する、ことを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルと、非接触機能を有するチップと、整流装置と、切替装置と、を含み、
前記切替装置は前記コイルと前記非接触機能を有するチップとの間に接続され、
前記コイルの第1出力端は、前記整流装置の第１入力端に電気的に接続され、前記切替装置を介して前記非接触機能を有するチップの第２入力端に電気的に接続され、
前記コイルは、誘導されて前記第１出力端により交流信号を出力し、
前記整流装置は、前記コイルが前記第１入力端から入力した前記交流信号を受信して、前記整流装置の第２出力端により電気エネルギーを出力し、
前記切替装置は、入力された作動電圧の働きで、前記コイルと、前記非接触機能を有するチップとを連通させ、また、制御信号を受信した場合、受信された前記制御信号に基づいて、前記コイルと前記非接触式機能を有するチップとの導通・遮断を制御する、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記作動電圧は前記整流装置から出力された電圧以上である、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記作動電圧と前記整流装置から出力された電圧との差は所定値以上である、
ことを特徴とする請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記整流装置は、前記切替装置に前記作動電圧を提供するように、前記切替装置に電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子機器。
【請求項５】
前記切替装置は、前記非接触機能を有するチップの制御端に電気的に接続され、前記非接触機能を有するチップの制御端から出力された前記制御信号を受信する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電子機器。
【請求項６】
前記電子機器は、中央制御ユニットＭＣＵを更に含み、
前記切替モジュールは前記ＭＣＵの制御端に電気的に接続され、前記ＭＣＵの制御端から出力された前記制御信号を受信する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電子機器。
【請求項７】
電気部品を更に含み、
前記整流装置の第２出力端は、前記電気部品に電気エネルギーを提供するように、前記電気部品に電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電子機器。
【請求項８】
充電電池を更に含み、
前記整流装置は、前記充電電池に電気エネルギーを提供するように、前記充電電池に電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電子機器。
【請求項９】
前記整流装置と前記充電電池との間に接続される充電回路を更に含み、
前記充電回路は前記充電電池を充電するように制御される、
ことを特徴とする請求項８に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記切替装置は、交流入力端と、第３出力端と、制御モジュールと、第１導通・遮断モジュールと、第２導通・遮断モジュールと、を含み、
前記第１導通・遮断モジュールは、前記交流入力端の第１端と第３出力端の第１端との間に設けられ、導通状態又は遮断状態になるように制御されて配置され、
前記第１導通・遮断モジュールが導通状態にある場合、前記交流入力端の第１端と前記第３出力端の第１端との間の第１通路を導通し、前記交流入力端の第１端と前記第３出力端の第１端との第２通路を遮断する一方、
前記第１導通・遮断モジュールが遮断状態にある場合、交流入力端の第１端と前記第３出力端の第１端との間の第１通路を遮断し、前記交流入力端の第１端と前記第３出力端の第１端との間の第２通路を導通し、前記第１通路は第２通路と反対の方向であり、前記第１通路は、前記交流入力端の第１端から前記第３出力端の第１端までの通路又は前記第３出力端の第１端から前記交流入力端の第１端までの通路であり、
前記第２導通・遮断モジュールは、前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間に設けられ、導通状態又は遮断状態になるように制御されて配置され、
前記第２導通・遮断モジュールが導通状態にある場合、前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間の第３通路を導通し、前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間の第４通路を遮断する一方、
前記第２導通・遮断モジュールが遮断状態にある場合、前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間の第３通路を遮断し、前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間の第４通路を導通し、その中、前記第３通路は第４通路と反対の方向であり、前記第３通路は、前記交流入力端の第２端から前記第３出力端の第２端までの通路又は前記第３出力端の第２端から前記交流入力端の第１端までの通路であり、
前記制御モジュールは、前記切替装置の作動電圧と共通接地との間に設けられ、導通状態又は遮断状態になるように制御されて配置され、
前記制御モジュールが導通状態にある場合、前記第１導通・遮断モジュールと前記第２導通・遮断モジュールとが遮断状態になるように制御する一方、
前記制御モジュールが遮断状態にある場合、前記交流入力端と協力して前記第１導通・遮断モジュールと前記第２導通・遮断モジュールのうちの一つが導通状態になり、もう一つが遮断状態になるように制御する、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の電子機器。
【請求項１１】
前記第１導通・遮断モジュールは、第１の制御可能なスイッチと第１フリーホイール導通部品とを含む、
ことを特徴とする請求項１０に記載の電子機器。
【請求項１２】
前記第１の制御可能なスイッチは、第１接続端と、第２接続端と、制御端と、を含み、前記第１フリーホイール導通部品は、前記第１の制御可能なスイッチの第１接続端と前記第１の制御可能なスイッチの第２接続端との間に接続され、且つ第１の制御可能なスイッチの導通方向と反対し、
前記第１の制御可能なスイッチの第１接続端は、前記交流入力端の第１端に接続されるように配置され、
前記第１の制御可能なスイッチの第２接続端は、前記第３出力端の第１端に接続されるように配置され、
前記第１の制御可能なスイッチの制御端は、前記制御モジュールから制御信号を受信し、前記制御信号の制御で前記交流入力端の第１端と前記第３出力端の第１端との間の第１通路を導通又は遮断するように配置され、
前記交流入力端の第１端と前記第３出力端の第１端との間の第１通路は、前記交流入力端の第１端から前記第３出力端の第１端までの通路又は前記第３出力端の第１端から前記交流入力端の第１端までの通路である、
ことを特徴とする請求項１１に記載の電子機器。
【請求項１３】
前記第２導通・遮断モジュールは、第２の制御可能なスイッチと第２フリーホイール導通部品とを含む、
ことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれかに記載の電子機器。
【請求項１４】
前記第２の制御可能なスイッチは、第１接続端と、第２接続端と、制御端と、を含み、前記第２フリーホイール導通部品は、前記第２の制御可能なスイッチの第１接続端と前記第２の制御可能なスイッチの第２接続端との間に接続され、且つ第２の制御可能なスイッチの導通方向と反対し、
前記第２の制御可能なスイッチの第１接続端は、前記交流入力端の第２端に接続されるように配置され、
前記第２の制御可能なスイッチの第２接続端は、前記第３出力端の第２端に接続されるように配置され、
前記第２の制御可能なスイッチの制御端は、前記制御モジュールから制御信号を受信し、制御信号の制御で前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間の第１通路を導通又は遮断するように配置され、
前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間の第１通路は、前記交流入力端の第２端から前記第３出力端の第２端までの通路又は前記第３出力端の第２端から前記交流入力端の第２端の通路である、
ことを特徴とする請求項１３に記載の電子機器。
【請求項１５】
前記第１導通・遮断モジュールは、第１強化型ＭＯＳトランジスタを含み、及び／又は、前記第２導通・遮断モジュールは第２強化型ＭＯＳトランジスタを含む、
ことを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれかに記載の電子機器。
【請求項１６】
前記第１導通・遮断モジュールは、第１負荷部品を更に含み、前記第１強化型ＭＯＳトランジスタのゲートは前記第１負荷部品を介して前記制御モジュールに接続され、及び／又は、
前記第２導通・遮断モジュールは、第２負荷部品を更に含み、前記第２強化型ＭＯＳトランジスタのゲートは前記第２負荷部品を介して前記制御モジュールに接続される、
ことを特徴とする請求項１５に記載の電子機器。
【請求項１７】
前記第１負荷部品は抵抗器又は第１の一方向導通部品であり、前記第１の一方向導通部品は、ダイオード又はトライオードを含み、
前記第２負荷部品は抵抗器又は第２の一方向導通部品であり、前記第２の一方向導通部品は、ダイオード又はトライオードを含む、
ことを特徴とする請求項１６に記載の電子機器。
【請求項１８】
前記第１の制御可能なスイッチは第１ＭＯＳトランジスタと第１バイアス抵抗器とを含む、
ことを特徴とする請求項１１又は１２のいずれかに記載の電子機器。
【請求項１９】
前記第１ＭＯＳトランジスタはＮチャンネルＭＯＳトランジスタであり、
前記第１ＭＯＳトランジスタのソースは前記第１の制御可能なスイッチの第１接続端であり、
前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第１の制御可能なスイッチの第２接続端であり、
前記第１ＭＯＳトランジスタのゲートは前記第１の制御可能なスイッチの制御端であり、
前記第１バイアス抵抗器の一端は前記第１ＭＯＳトランジスタのソースに接続され、他端は前記第１ＭＯＳトランジスタのゲートに接続されている、
ことを特徴とする請求項１８に記載の電子機器。
【請求項２０】
前記第１の制御可能なスイッチは、第１負荷部品を更に含み、
前記第１ＭＯＳトランジスタのゲートは前記第１負荷部品を介して前記制御モジュールに接続されている、
ことを特徴とする請求項１８又は１９のいずれかに記載の電子機器。
【請求項２１】
前記第１負荷部品は抵抗器又は第１の一方向導通部品であり、前記第１の一方向導通部品は、ダイオード又はトライオードを含む、
ことを特徴とする請求項２０に記載の電子機器。
【請求項２２】
前記第２の制御可能なスイッチは、第２ＭＯＳトランジスタと第２バイアス抵抗器を含む、
ことを特徴とする請求項１３又は１４のいずれかに記載の電子機器。
【請求項２３】
前記第２ＭＯＳトランジスタはＮチャンネルＭＯＳトランジスタであり、
前記第２ＭＯＳトランジスタのソースは前記第２の制御可能なスイッチの第１接続端であり、
前記第２ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２の制御可能なスイッチの第２接続端であり、
前記第２ＭＯＳトランジスタのゲートは前記第２の制御可能なスイッチの制御端であり、
前記第２バイアス抵抗器の一端は前記第２ＭＯＳトランジスタのソースに接続され、他端は前記第２ＭＯＳトランジスタのゲートに接続されている、
ことを特徴とする請求項２２に記載の電子機器。
【請求項２４】
前記第２の制御可能なスイッチは、第２負荷部品を更に含み、
前記第２ＭＯＳトランジスタのゲートは前記第２負荷部品を介して前記制御モジュールに接続されている、
ことを特徴とする請求項２２に記載の電子機器。
【請求項２５】
前記第２負荷部品は抵抗器又は第２の一方向導通部品であり、前記第２の一方向導通部品は、ダイオード又はトライオードを含む、
ことを特徴とする請求項２４に記載の電子機器。
【請求項２６】
制御可能なスイッチである前記制御モジュールは、第１接続端と、第２接続端と、制御端と、を含み、
前記制御モジュールの第１接続端は、前記作動電圧に接続されるように配置され、
前記制御モジュールの第２接続端は、共通接地に接続されるように配置され、
前記制御モジュールの制御端は、外部から前記制御信号を受信して前記制御信号の制御で導通又は遮断するように配置され、
前記制御モジュールの第１接続端は、前記第１導通・遮断モジュールと前記第２導通・遮断モジュールとに接続されるように配置され、
前記制御モジュールが導通状態にある場合、前記第１導通・遮断モジュールと前記第２導通・遮断モジュールとを遮断状態になるように制御し、
前記制御モジュールが遮断状態にある場合、前記交流入力端と協力して前記第１導通・遮断モジュールと前記第２導通・遮断モジュールとの中の一つが導通状態になるように制御する、
ことを特徴とする請求項２５に記載の電子機器。
【請求項２７】
前記制御モジュールは、第３ＭＯＳトランジスタと第３バイアス抵抗器とを含む、
ことを特徴とする請求項２６に記載の電子機器。
【請求項２８】
前記第３ＭＯＳトランジスタはＮチャンネルＭＯＳトランジスタであり、前記第３ＭＯＳトランジスタのドレインは前記制御モジュールの第１接続端であり、前記第３バイアス抵抗器を介して前記作動電圧に接続され、前記第３ＭＯＳトランジスタのソースは前記制御モジュールの第２接続端であり、前記第３ＭＯＳトランジスタのゲートは前記制御モジュールの制御端である、
ことを特徴とする請求項２７に記載の電子機器。
【請求項２９】
前記第１ＭＯＳトランジスタ、前記第２ＭＯＳトランジスタ及びＭＯＳトランジスタは接合型電界効果トランジスタである、
ことを特徴とする請求項１８乃至２８のいずれかに記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子技術分野に関し、特に電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来技術において、電子機器例えばスマートカード等はリーダーと通信する場合に、スマートカードはコイルを介してリーダー（ＰＯＳ機、ＮＦＣ携帯電話等）のコイルに接続されるとともに、スマートカードはリーダーのコイルにより給電されることができるが、現在のスマートカードはリーダーにより発生された電磁場のエネルギーを有効に利用することができず、リーダーコイルの電磁場のエネルギーを無駄にする。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、上記の技術的課題の一つを解決することである。
【０００４】
本発明の主となる目的は、電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明の技術案は以下のように実現される。
【０００６】
本発明の一つの側面によると、電子機器を提供する。前記電子機器は、コイルと、非接触機能を有するチップと、整流装置と、切替装置と、を含み、前記切替装置は前記コイルと前記非接触機能を有するチップとの間に接続され、前記コイルの第１出力端は前記整流装置の第１入力端に電気的に接続されて前記切替装置を介して前記非接触機能を有するチップの第２入力端に電気的に接続されている。
【０００７】
前記コイルは誘導されて前記第１出力端により交流信号を出力することに用いる。
【０００８】
前記整流装置は、前記コイルが前記第１入力端から入力し前記交流信号を受信して、前記整流装置の第２出力端により電気エネルギーを出力する。
【０００９】
前記切替装置は、入力された作動電圧の働きで前記コイルと、前記非接触機能を有するチップとを連通させ、また、制御信号を受信した場合、受信された前記制御信号に基づいて、前記コイルと非接触式機能を有するチップとの導通・遮断を制御することに用いる。
【００１０】
また、前記作動電圧は前記整流装置から出力された電圧以上である。
【００１１】
また、前記作動電圧と前記整流装置から出力された電圧との差は所定値より以上である。
【００１２】
また、前記整流装置は、前記切替装置に前記作動電圧を提供するように、前記切替装置に電気的に接続される。
【００１３】
また、前記切替装置は前記非接触機能を有するチップの制御端に電気的に接続され、前記非接触機能を有するチップの制御端から出力された前記制御信号を受信する。
【００１４】
また、前記電子機器は、中央制御ユニットＭＣＵを更に含み、その中、前記切替モジュールは前記ＭＣＵの制御端に電気的に接続され、前記ＭＣＵの制御端から出力された前記制御信号を受信する。
【００１５】
また、前記電子機器は、電気部品を更に含み、その中、前記整流装置の第２出力端は、前記電気部品に電気エネルギーを提供するように、前記電気部品に電気的に接続される。
【００１６】
また、前記電気機器は、充電電池を更に含み、その中、前記整流装置は、前記充電電池に電気エネルギーを提供するように、前記充電電池に電気的に接続される。
【００１７】
また、前記電子機器は、前記整流装置と前記充電電池との間に接続される充電回路を更に含み、前記充電回路は前記充電電池を充電するように制御される。
【００１８】
また、前記切替装置は、交流入力端と、第３出力端と、制御モジュールと、第１導通・遮断モジュールと第２導通・遮断モジュールとを含む。
【００１９】
その中、前記第１導通・遮断モジュールは、前記交流入力端の第１端と第３出力端の第１端との間に設けられ、導通状態又は遮断状態になるように制御されて配置される。その中、前記第１導通・遮断モジュールが導通状態にある場合、前記交流入力端の第１端と前記第３出力端の第１端との間の第１通路を導通し、前記交流入力端の第１端と前記第３出力端の第１端との第２通路を遮断する一方、前記第１導通・遮断モジュールが遮断状態にある場合、交流入力端の第１端は前記第３出力端の第１端との間の第１通路を遮断し、前記交流入力端の第１端と前記第３出力端の第１端との間の第２通路を導通し、その中、前記第１通路は第２通路と反対の方向がで、前記第１通路は、前記交流入力端の第１端から前記第３出力端の第１端までの通路又は前記第３出力端の第１端から前記交流入力端の第１端までの通路である。
【００２０】
前記第２導通・遮断モジュールは、前記交流入力端の第２端及び前記第３出力端の第２端との間に設けられ、導通状態又は遮断状態になるように制御されて配置される。その中、前記第２導通・遮断モジュールが導通状態にある場合、前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間の第３通路を導通し、前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間の第４通路を遮断する一方、前記第２導通・遮断モジュールが遮断状態にある場合、前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間の第３通路を遮断し、前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間の第４通路を導通し、その中、前記第３通路は第４通路と反対の方向で、前記第３通路は、前記交流入力端の第２端から前記第３出力端の第２端までの通路又は前記第３出力端の第２端から前記交流入力端の第１端までの通路である。
【００２１】
前記制御モジュールは、前記切替装置の作動電圧と共通接地との間に設けられ、導通状態又は遮断状態になるように制御されて配置され、その中、前記制御モジュールが導通状態にある場合、前記第１導通・遮断モジュールと前記第２導通・遮断モジュールが遮断状態になるように制御する一方、前記制御モジュールが遮断状態にある場合、前記交流入力端と協力して前記第１導通・遮断モジュールと前記第２導通・遮断モジュールのうちの一つが導通状態になるように制御する。
【００２２】
また、前記第１導通・遮断モジュールは第１の制御可能なスイッチと第１フリーホイール導通部品とを含む。
【００２３】
その中、前記第１の制御可能なスイッチは、第１接続端と、第２接続端と、制御端と、を含み、前記第１フリーホイール導通部品は、前記第１の制御可能なスイッチの第１接続端と前記第１の制御可能なスイッチの第２接続端との間に接続され、且つ第１の制御可能なスイッチの導通方向に反対する。
【００２４】
前記第１の制御可能なスイッチの第１接続端は前記交流入力端の第１端に接続されるように配置され、前記第１の制御可能なスイッチの第２接続端は、前記第３出力端の第１端に接続されるように配置され、前記第１の制御可能なスイッチの制御端は、前記制御モジュールから制御信号を受信し、前記制御信号の制御で前記交流入力端の第１端と前記第３出力端の第１端との間の第１通路を導通又は遮断するように配置され、前記交流入力端の第１端と前記第３出力端の第１端との間の第１通路は、前記交流入力端の第１端から前記第３出力端の第１端までの通路又は前記第３出力端の第１端から前記交流入力端の第１端までの通路である。
【００２５】
また、前記第２導通・遮断モジュールは第２の制御可能なスイッチと第２フリーホイール導通部品とを含む。
【００２６】
前記第２の制御可能なスイッチは、第１接続端と、第２接続端と、制御端と、を含み、前記第２フリーホイール導通部品は前記第２の制御可能なスイッチの第１接続端と前記第２の制御可能なスイッチの第２接続端との間に接続され且つ第２の制御可能なスイッチの導通方向と反対する。
【００２７】
前記第２の制御可能なスイッチの第１接続端は、前記交流入力端の第２端に接続されるように配置され、前記第２の制御可能なスイッチの第２接続端は、前記第３出力端の第２端に接続されるように配置され、前記第２の制御可能なスイッチの制御端は、前記制御モジュールから制御信号を受信し、制御信号の制御で前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間の第１通路を導通又は遮断するように配置され、前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間の第１通路は、前記交流入力端の第２端から前記第３出力端の第２端までの通路又は前記第３出力端の第２端から前記交流入力端の第２端の通路である。
【００２８】
また、前記第１導通・遮断モジュールは、第１強化型ＭＯＳトランジスタを含み、前記第２導通・遮断モジュールは第２強化型ＭＯＳトランジスタを含む。
【００２９】
また、前記第１導通・遮断モジュールは、第１負荷部品を含み、その中、前記第１強化型ＭＯＳトランジスタのゲートは前記第１負荷部品を介して前記制御モジュールに接続される。
【００３０】
前記第２導通・遮断モジュールは第２負荷部品を含み、その中、前記第２強化型ＭＯＳトランジスタのゲートは前記第２負荷部品を介して前記制御モジュールに接続される。
【００３１】
また、前記第１負荷部品は抵抗器又は第１の一方向導通部品である。前記第１の一方向導通部品は、ダイオード又はトライオードを含む。
【００３２】
前記第２負荷部品は抵抗器又は第２の一方向導通部品である。前記第２の一方向導通部品は、ダイオード又はトライオードを含む。
【００３３】
また、前記第１の制御可能なスイッチは第１ＭＯＳトランジスタと第１バイアス抵抗器とを含む。
【００３４】
また、前記第１ＭＯＳトランジスタはＮチャンネルＭＯＳトランジスタで、前記第１ＭＯＳトランジスタのソースは前記第１の制御可能なスイッチの第１接続端で、前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第１の制御可能なスイッチの第２接続端で、前記第１ＭＯＳトランジスタのゲートは前記第１の制御可能なスイッチの制御端である。前記第１バイアス抵抗器の一端は前記第１ＭＯＳトランジスタのソースに接続され、他端は前記第１ＭＯＳトランジスタのゲートに接続されている。
【００３５】
また、前記第１の制御可能なスイッチは、第１負荷部品を更に含み、その中、前記第１ＭＯＳトランジスタのゲートは前記第１負荷部品を介して前記制御モジュールに接続されている。
【００３６】
また、前記第１負荷部品は抵抗器又は第１の一方向導通部品で、前記第１の一方向導通部品は、ダイオード又はトライオードを含む。
【００３７】
また、前記第２の制御可能なスイッチは、第２ＭＯＳトランジスタと第２バイアス抵抗器を含む。
【００３８】
また、前記第２ＭＯＳトランジスタはＮチャンネルＭＯＳトランジスタで、前記第２ＭＯＳトランジスタのソースは前記第２の制御可能なスイッチの第１接続端で、前記第２ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２の制御可能なスイッチの第２接続端で、前記第２ＭＯＳトランジスタのゲートは前記第２の制御可能なスイッチの制御端である。前記第２バイアス抵抗器の一端は前記第２ＭＯＳトランジスタのソースに接続され、他端は前記第２ＭＯＳトランジスタのゲートに接続されている。
【００３９】
また、前記第２の制御可能なスイッチは、第２負荷部品を更に含み、その中、前記第２ＭＯＳトランジスタのゲートは前記第２負荷部品を介して前記制御モジュールに接続されている。
【００４０】
また、前記第２負荷部品は抵抗器又は第２の一方向導通部品で、前記第２の一方向導通部品は、ダイオード又はトライオードを含む。
【００４１】
また、制御可能なスイッチである前記制御モジュールは、第１接続端と、第２接続端と、制御端と、を含み、その中、前記制御モジュールの第１接続端は、前記作動電圧に接続されるように配置され、前記制御モジュールの第２接続端は、共通接地に接続されるように配置され、前記制御モジュールの制御端は、外部から前記制御信号を受信して前記制御信号の制御で導通又は遮断するように配置され、前記制御モジュールの第１接続端は、前記第１導通・遮断モジュールと前記第２導通・遮断モジュールとに接続されるように配置され、前記制御モジュールが導通状態にある場合、前記第１導通・遮断モジュールと前記第２導通・遮断モジュールとが遮断状態になるように制御し、前記制御モジュールが遮断状態にある場合に、前記交流入力端と結合して前記第１導通・遮断モジュールと前記第２導通・遮断モジュールの中からの一つが導通状態になるように制御する。
【００４２】
また、前記制御モジュールは、第３ＭＯＳトランジスタと第３バイアス抵抗器とを含む。
【００４３】
また、前記第３ＭＯＳトランジスタはＮチャンネルＭＯＳトランジスタで、前記第３ＭＯＳトランジスタのドレインは前記制御モジュールの第１接続端で、前記第３バイアス抵抗器を介して前記作動電圧に接続され、前記第３ＭＯＳトランジスタのソースは前記制御モジュールの第２接続端で、前記第３ＭＯＳトランジスタのゲートは前記制御モジュールの制御端である。
【００４４】
また、前記第１ＭＯＳトランジスタと前記第２ＭＯＳトランジスタは接合型電界効果トランジスタ（JFET）である。
【発明の効果】
【００４５】
従来技術に比べ、本発明の実施例により提供される電子機器は、整流装置と非接触機能を有するチップとコイルを共有する場合、コイルとチップとは連通状態にする場合、電子機器は他の機器と近距離無線通信（ＮＦＣ）を行うとともに、電子機器のコイルから電気を供給することもでき、電子機器の作業に給電し、又は電子機器に内蔵された電源を充電し、これにより通信すると共に電気を供給し、電子機器の利用率を高め、電気エネルギーの無駄遣いを防止する。また、本実施例は、コイルとチップとの間の通路を更に遮断ことができ、コイルとチップとが遮断状態にする場合、チップはこれ以上電気を消耗しないため、整流装置は最大限で電気エネルギーを受信することができ、外に給電して、整流装置の電気を供給する効率を向上することができる。また、本発明の実施例において、コイルとチップとの間に切替装置を加えることで、システムは共通接地問題を解決し、ベースを共通できない整流装置とチップとに、ベースを共通させることができ、電子機器も普通に作業することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
本発明の実施例による技術案をより明白に説明するために、以下に、実施例に対する説明による必要となる図面を簡単に紹介し、明らかに、下記の説明による図面はただ本発明の一部の実施例だけであり、当業者にとっては、進歩性に値する労力を必要としない前提で、これらの図面から他の図面を取得することができる。
【図１】従来技術におけるスマートカードの構造概略図である。
【図２】本発明の実施例１と３により提供される電子機器の構造概略図である。
【図３】本発明の実施例１により提供される電子機器における整流装置の概略図である。
【図４】本発明の実施例１により提供される電子機器のもう一つの構造概略図である。
【図５】本発明の実施例２により提供される電子機器の構造概略図である。
【図６】本発明の実施例５により提供される電子機器の構造概略図である。
【図７】本発明の実施例７により提供される電子機器の構造概略図である。
【図８】本発明の実施例８により提供される切替装置の構造ブロック図である。
【図９】本発明の実施例８により提供される切替装置の回路図である。
【図１０】本発明の実施例９により提供される切替装置の回路図である。
【図１１】本発明の実施例１０により提供される電子機器の回路図である。
【図１２】本発明の実施例１１により提供される電子機器の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００４７】
以下に、本発明の実施例における図面を結合して、本発明の実施例による技術案を明瞭で完全的に説明し、明らかに、説明された実施例は本発明の一部の実施例だけで、全部の実施例ではない。本発明の実施例に基づき、当業者は進歩性に値する労力を必要としない前提でなし得る全ての他の実施例は、いずれも本発明の保護範囲に属する。
【００４８】
本発明の説明において、「中心」、「縦方向」、「横方向」、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「鉛直」、「水平」、「頂」、「底」、「内」、「外」などの用語が示す方位又は位置関係は、図面に示す方位又は位置関係に基づき、本発明を便利にまたは簡単に説明するために使用されるものであり、指定された装置又は部品が特定の方位にあり、特定の方位において構造され操作されると指示又は暗示するものではないので、本発明に対する限定と理解してはいけない。なお、「第１」、「第２」の用語は目的を説明するためだけに用いられるものであり、比較的な重要性又は数又は位置を指示又は暗示すると理解してはいけない。
【００４９】
なお、本発明の説明において、明確な規定と限定がない限り、「取り付け」、「互いに接続」、「接続」の用語の意味は広く理解されるべきである。例えば、固定接続や、着脱可能な接続や、あるいは一体的な接続でも可能である。机械的な接続や、電気的な接続も可能である。直接的に接続することや、中間媒体を介して間接的に接続することや、二つの部品の内部が連通することも可能である。当業者にとって、具体的な場合によって上記用語の本発明においての具体的な意味を理解することができる。
【００５０】
以下に、図面を参照しながら本発明の実施例を更に詳しく説明する。
【００５１】
実施例１
従来技術分野において、電子機器をスマートカードとすることを例とし、図１に示すように、スマートカードは、コイルとスマートカードチップとを含み、コイルはスマートカードに直接的に接続され、スマートカードが近距離である（即ち、スマートカードを他の機器（例えばリーダーや、携帯）の無線周波数電磁場（Radio-frequency field）に置く）と、スマートカードチップの回路は電磁場のエネルギーを消耗することになり、電気を供給する回路はスマートカードとコイルを共有して最適な電気を供給する効率を取得することができず、一つの電気を供給するコイルが増えると、回路の難度とコストをアップすると共に、スマートカードが機器と通信する機能までに影響を与える。従って、如何に電気を供給するコイルを増やさずに電気を供給する回路（本実施例において、「整流装置」とも呼ぶ）がスマートカードとコイルを共有し、電気を供給する回路の電気を供給する効率を向上することは、従来のスマートカードが解消する必要がある難題となる。
【００５２】
本発明の実施例によると、電子機器１０を提供する。図２は本発明の実施例による電子機器の構造を示す模式図である。図２に示すように、本発明の実施例による電子機器１０は、コイル１０１と、非接触機能を有するチップ１０２とを含み、整流装置１０３と切替装置１０４とを更に含む。
【００５３】
本発明の実施例により提供される技術案において、コイル１０１の第１出力端は整流装置１０３の第１出力端と切替装置１０４の第１端にそれぞれ接続され、コイル１０１の第２出力端は整流装置１０３の第２出力端と切替装置１０４の第２端にそれぞれ接続されている。その中、コイル１０１の第１出力端は第２出力端と位相が反対する交流信号を出力する。これにより切替装置１０４は導通する場合、第１導通・遮断モジュール９０４と第２導通・遮断モジュール９０５（実施例８の図９を参照）の中から少なくとも一つが導通状態になる。
【００５４】
切替装置１０４の第３端は非接触機能を有するチップ１０２の第１入力端に接続されているが、切替装置１０４の第４端は非接触機能を有するチップ１０２の第２入力端に接続されている。
【００５５】
切替装置１０４の第５端は、作動電圧を受信するように配置され、コイル１０１を非接触機能を有するチップと連通させる。本実施例において、初期状態において、切替装置１０４の第５端は作動電圧を受信し、当該作動電圧はコイル１０１を非接触機能を有するチップ１０２と連通させることができ、制御信号を受信していない場合、コイル１０１と非接触機能を有するチップ１０２とは連通状態になると黙認する。
【００５６】
切替装置１０４の第６端は制御信号を受信するように配置され、切替装置は制御信号に応じて制御されて導通状態又は遮断状態になり、切替装置が遮断状態にある場合、制御コイルは非接触機能を有するチップと遮断する一方、切替装置が導通状態にある場合、制御コイルは非接触機能を有するチップと導通する。
【００５７】
本発明の実施例により提供される技術案において、電子機器は、スマートカード又は他のＮＦＣ機能を有するものを含むがこれらを限定するものではない。当該電子機器１０を他の機器のＲＦ場に置いて非接触の近距離無線通信（ＮＦＣ）を行うと、電子機器１０のコイル１０１はそれぞれ非接触機能を有するチップ１０２と整流装置１０３とに接続され、当該コイル１０１を利用して電気を吸い込んで整流装置１０３（即ち電気を供給する回路）に給電し、非接触機能を有するチップ１０２との通信を更に完了し、整流装置１０３は交流（ＡＣ）について整流した後電子機器の作動のための電源を出力する。これにより、本実施例における電子機器は他の機器と近距離無線通信（ＮＦＣ）すると同時に、電子機器のコイルから電気を供給することができ、電子機器の作動に給電することができ、又は電子機器に内蔵された電源を充電することにより、電子機器の利用率を高める。
【００５８】
本発明の実施例により提供される技術案において、電気を供給するコイルはスマートカードとコイルを共有することで、電気を供給するコイルの電気の供給効率を向上できない課題を解消するために、コイル１０１とチップ１０２との間のＲＦキャリアを有効に遮断しなければならない。従って、本実施例に切替装置を増やし、当該切替装置はコイル１０１と非接触機能を有するチップ１０２との間に接続され、切替装置１０４と非接触機能を有するチップ１０２とは共通接地に接続され（即ち両者が共通接地）、受信された制御信号に基づいて制御コイル１０１が非接触機能を有するチップ１０２との導通・遮断を制御し、コイル１０１と非接触機能を有するチップ１０２との間の通路の遮断を示す信号を受信すると、切替装置はコイル１０１と非接触機能を有するチップ１０２との間の通路を遮断し、このように、非接触機能を有するチップ１０２はコイルとのＲＦキャリアが遮断され、非接触機能を有するチップ１０２の影響がない場合に、コイルの電流は全部整流回路に流れ、整流回路が最大効率に電気量を供給することができる。
【００５９】
本発明の実施例により提供される技術案において、電子機器はスマートカード又はＮＦＣ機能を有するものを含むがそれらを限定するものではない。表示、キー入力等の機能を有してもよく、同時に、当該スマートカードには更にセキュリティチップを含んでも良く、セキュリティチップは、電子署名、署名検証、動的パスワードの生成と検証等の機能に用いられる。当該電子機器は無線方式（ＲＦ、ＮＦＣ等）で他の機器（例えば、カードリーダー、ＰＯＳ機、ＮＦＣ携帯電話等）と通信する。非接触機能を有するチップはスマートカードチップ又は、ＣＰＵに接続される、非接触機能を有するインターフェースチップを含むがそれらを限定するものではなく、即ち、非接触機能を有するチップであれば、いずれも本実施例に適用される。
【００６０】
本発明の実施例による一つの選択的な実施案において、コイル１０１はＲＦコイル又はＮＦＣコイル等であっても良く、当該コイルは１３．５６Ｍで働くことができる。コイル１０１が受信する信号はＮＦＣ信号、ＲＦ信号等非接触信号を含むがそれらを限定するものではなく、非接的式は非接触式を指し、電気的に接続しなくても通信することができる。電子機器は近距離であると、（即ち、他の機器、（例えば、カードリーダー、携帯）のＲＦ場に入る）と、コイルは非接的式でＮＦＣ信号を受信して電気を吸込んで整流装置に給電し、非接触機能を有するチップは他の機器と近距離無線通信する。
【００６１】
本実施例において、整流回路はブリッジ回路を採用して実現することができ、本実施例による一つの選択可能な実施形態において、整流回路は図３に示すようなブリッジ回路を採用し、二つのダイオード口を増やして「ブリッジ」のような構造に接続すれば、全波整流回路を有し、当該二級管整流ブリッジの一端ＩＢはコイルの第１入力端に接続されるが、当該二級管整流ブリッジの他端ＩＡはコイルの第２入力端に接続される。
【００６２】
本発明の実施例による一つの選択的な実施案において、切替装置１０４の第６端は非接触機能を有するチップ１０２の制御端に接続され（図２における実線で示すように）、非接触機能を有するチップ１０２により送信された制御信号を受信する。本実施例において、非接触機能を有するチップ１０２は切替装置１０４に制御信号を送信して、切替装置の導通・遮断を制御するように、切替装置に対する…を達成することができる。当該選択可能な実施例形態において、当該非接触機能を有するチップ１０２はＭＣＵのスマートカードチップを集積しても良く（図２における点線に示すように）、非接触機能を有するインターフェースチップであっても良い（図２に示されていない）。当該インターフェースチップは一つのＣＰＵに接続されても良く、当該ＣＰＵからインターフェースチップを介して切替装置１０４に制御信号を送信する。このように、非接触機能を有するチップ１０２により切替装置１０４に対する導通・遮断の制御を達成する。
【００６３】
本発明の実施例による選択可能な実施案において、本実施例による電子機器波、非接触機能を有するチップ１０２に接続される中央制御ユニットＭＣＵ１０５（図２における点線に示すように）を更に含む。
【００６４】
その中で、切替装置１０４の第６端はＭＣＵ１０５の制御端に接続され、ＭＣＵから送信した信号を受信する。これにより、ＭＣＵ１０５により切替装置１０４についての導通・遮断を制御することができる。
【００６５】
本実施例により提供される技術案において、切替装置を作動電圧Ｖｃｃに入れ、非接触機能を有するチップ１０２と共通接地することを黙認し、コイル１０１は非接触機能を有するチップ１０２とずっと連通する状態にさせる。本実施例による一つの選択可能な実施例形態において、切替装置１０４は制御されて導通状態又は遮断状態にする。切替装置１０４は遮断を示す制御信号を受信した場合、切替装置１０４は遮断状態にし、コイル１０１と非接触機能を有するチップ１０２とが遮断するように制御し、切替装置１０４は再び導通を示す制御信号を受信した場合、切替装置は作動電圧Ｖｃｃに入れたため、切替装置１０４は導通状態になり、コイル１０１と非接触機能を有するチップ１０２とが導通するように制御する。
【００６６】
本実施例によると、整流装置は非接触機能を有するチップとコイルを共有する場合、コイル１０１は非接触機能を有するチップ１０２と連通状態になると、通信とともに電気を供給することができるが、コイル１０１は非接触機能を有するチップ１０２と遮断状態になると、チップはこれ以上電気を消耗しないことで、整流装置は最大限で電気エネルギーを受信し、整流装置の電気を供給する効率を向上することができる。
【００６７】
また、一般、非接触機能を有するチップは一定の電力又は電圧で作動し、チップの電力又は電圧は固有電力又は固有電圧を超えると、チップの素子を破壊したり通常に作動できなくなったりするので、普通、自体の作動の需要を維持するために、非接触機能を有するチップはその自体に入れる電圧を限定するが、本発明において、非接触機能を有するチップはコイルに接続された場合、コイルの出力電圧を限定する必要があり、チップは整流装置とコイルを共有する時、整流装置により受信された電圧も低くさせ、整流装置の電気吸込みの効率を下げ、その給電効率も下がり、それに対し、本発明の切替装置を利用すると、チップが作動の必要がない場合にコイルとチップとの通路を遮断することで、コイルの出力電圧に影響を与えず、整流装置はカードリーダーフィールドの最大可能な電圧を受信することができ、これによりカードリーダー電磁場のエネルギーが利用される効率を高める。
【００６８】
本実施例による一つの選択可能な実施形態において、図４に示すように、切替装置１０４の第５端は、整流装置１０３の出力端と導通するように配置され、整流装置１０３の出力端は切替装置１０４に作動電圧Ｖｃｃを出力する。該電子機器は他の機器のＲＦ場に入る時、コイル１０１が生じるのは交流電で、交流電の電圧はコイルによって生じた電界強度の変化につれて変化し、よって、切替装置の第５端と整流装置１０３の出力端と導通した後、電子機器内部に切替装置１０４に提供した作動電圧は整流装置出力の出力電圧と同一電圧で、これにより切替装置は初期状態に作動電圧に入れると、ずっと導通状態を保持することができ、これでコイル１０１は非接触機能を有するチップ１０２と連通する。しかも、電子機器はフィールドを離れる（即ち、他の機器のＲＦ場から離れる）と、コイル１０１により生じた交流は電流が生じないまでに次第に小さくなり、この時、切替装置の作動電圧はゼロで、切替装置は遮断状態にし、コイル１０１は非接触機能を有するチップ１０２も自動的に遮断し、即ち電子機器がフィールドから離れると、コイル１０１と、非接触機能を有するチップ１０２との間のＲＦキャリアを遮断することを保証することができる。
【００６９】
本実施例において、整流装置は非接触機能を有するチップとコイルを共有する場合、コイル１０１は非接触機能を有するチップ１０２と連通状態になる時、通信と同時に電気を供給することができ、コイル１０１は非接触機能を有するチップ１０２と遮断状態になる時、整流装置の電気を供給する効率を向上することができる。
【００７０】
実施例２
図５に示すように、本実施例に電子機器が提供され、本実施例は、本実施例における切替装置１０４の第５端は、整流装置１０３の出力端と導通するように配置されなく、その代わりに、切替装置１０４の第５端は外部電源に接続され、外部電源により切替装置に作動電圧Ｖｃｃを提供する点で、実施例１と相違する。
【００７１】
本実施例における選択可能な実施形態において、外部電源の給電電圧Ｖｅｅは予め設定された条件を満たす必要がある。
【００７２】
その中で、本実施例による一つの選択可能な実施形態において、以下に、切替装置はＮＭＯＳトランジスタを採用するものを例として説明する。外部電源が切替装置に提供する作動電圧Ｖｅｅは整流装置１０３の出力端により出力された電圧ＶＣＣより以上である。その中で、一つの選択可能な形態として、外部電源の給電電圧は整流装置１０３の出力端により出力された電圧+０．７Ｖの和より大きい場合は、最適な効果を達成することができる。
【００７３】
ＶＣＣの最適な方式は外部整流レベルを採用することであり、ＶＣＣはコイル両端の最大レベルが一つのダイオード圧力降下を引くものにイコールし、外部電圧は外部整流レベルより小さい場合、コイルはチップと連通すると、切替装置により受信された最大の作動電圧ＶｅｅはＶＣＣがＭＯＳトランジスタターンオン電圧を引くものであるため、外部に電源を入れる場合、最適な作動電圧Ｖｅｅは整流電圧ＶＣＣより以上となり、電圧が整流電圧ＶＣＣより小さい場合、導通するとエネルギー損失があり、ＩＣカードの作動距離は外部電圧に限定される。
【００７４】
勿論、切替装置はＰＭＯＳトランジスタを採用しても良く、外部電源が切替装置に提供する作動電圧Ｖｅｅは整流装置出力端により出力された電圧と満足する条件として、具体的にＰＭＯＳトランジスタの導通条件によって設置されるため、ここで説明を省略する。
【００７５】
本実施例により提供される技術案によると、外部電源の給電電圧は予め設定された条件を満たせば、電子機器が電磁場範囲に入っても離れても切替装置を導通状態にさせることが保証することができ、更にコイル１０１は非接触機能を有するチップ１０２と連通する。
【００７６】
実施例３
本発明の実施例は、電子機器を提供する。
【００７７】
図２は本発明の実施例により提供される電子機器１０の構造概略図である。図２に示すように、当該電子機器１０は、コイル１０１と非接触機能を有するチップ１０２とを含み、更に、整流装置１０３と切替装置１０４とを含む。切替装置１０４はコイル１０１と非接触機能を有するチップ１０２との間に接続され、コイル１０１の第１出力端は整流装置１０３の第１入力端に電気的に接続され、前記切替装置により非接触機能を有するチップ１０２の第２入力端に電気的に接続される。その中で、コイル１０１は誘導して第１出力端により交流信号を出力するためのものである。整流装置１０３はコイル１０１が第１入力端から入力の交流信号を受信し、整流装置１０３の第２出力端により電気エネルギーを出力したり又は外部へ給電したりするためのものである。切替装置１０４は入力された作動電圧の作用でコイル１０１と非接触機能を有するチップ１０２とを連通すること、及び制御信号が受信された場合、受信された制御信号に基づいてコイル１０１の非接触機能を有するチップ１０２との導通・遮断を制御することに用いる。
【００７８】
本実施例により提供される電子機器１０において、整流装置１０３によりコイルが誘導した電磁場のエネルギーが有効に利用され、切替装置１０４により、チップ１０２はデータ通信を行わない場合に、コイルとチップ１０２との接続を遮断し、整流装置１０３から出力の電気エネルギーを増やす。
【００７９】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、以下に、切替装置はＮＭＯＳトランジスタを例として説明し、切替装置１０４の作動電圧は整流装置１０３から出力の電圧以上である。具体的に実施されるうちに、電子機器１０に電池が設けられ、当該電池で切替装置１０４に作動電圧を提供し、柔軟に達成することができる。好ましくは、作動電圧は整流装置１０３により出力された電圧の差は予め設定された値より大きい。好ましくは、当該予め設定された値は整流装置１０３が誘導した圧力降下（０Ｖ以上）、例えば、０．７∨であっても良い。これにより最大限で切替装置１０４はコイル１０１とチップ１０２との接続の導通を保証することができる。勿論、切替装置はＰＭＯＳトランジスタを採用しても良く、作動電圧は整流装置出力端から出力の電圧と満たす条件として、具体的にはＰＭＯＳトランジスタの導通条件により設置するものであるため、ここで説明を省略する。
【００８０】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、整流装置１０３は切替装置１０４に電気的に接続され、切替装置１０４に作動電圧を提供する。当該選択可能な実施案により、整流装置１０３から出力の電圧は切替装置１０４に作動電圧を提供し、エネルギーを有効に利用する。
【００８１】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、切替装置１０４は非接触機能を有するチップ１０２の制御端に電気的に接続され、非接触機能を有するチップ１０２の制御端から出力の制御信号を受信する。当該選択可能な実施案により、チップ１０２から制御信号を送信し、他にコントローラーを追加する必要はなく、コストダウンする。
【００８２】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、電子機器１０は、中央制御ユニットＭＣＵ１０５を更に含む。その中で、切替モジュールはＭＣＵ１０５の制御端に電気的に接続され、ＭＣＵ１０５の制御端から出力された制御信号を受信する。当該選択可能な実施形態において、ＭＣＵ１０５から制御信号を送信することで、制御しやすくなる。
【００８３】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、電子機器１０は電気部品を更に含み、その中、整流装置１０３の第２出力端は電気部品に電気的に接続され、電気部品に電気エネルギーを提供する。この選択可能な実施案において、整流装置１０３から出力された電気エネルギーは電気部品に電気エネルギーを提供し、コイルにより誘導された電磁場のエネルギーを有効に利用する。
【００８４】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、電子機器１０は、充電電池を更に含む。その中、整流装置１０３は充電電池に電気的に接続され、充電電池に電気エネルギーを提供する。当該選択可能な実施案において、整流装置１０３から出力された電気エネルギーは充電電池を充電し、充電電池により、チップ１０２がカードリーダーを離れても引き続きチップ１０２を充電することができ、スマートカードの機能を豊富させ、電磁場のエネルギーを有効に利用する。
【００８５】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、電子機器１０は、整流装置１０３と充電電池との間を接続する充電回路を更に含み、前記充電回路は制御されて充電電池を充電する。当該選択可能な実施案において、制御されて充電することにより、チップ１０２が使用されていない時に電池を充電することができ、チップ１０２の通信効果が保証された上で充電効率を高める。
【００８６】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、当該選択可能な構造において、切替装置１０４は、交流入力端と、第３出力端と、制御モジュールと、第２導通・遮断モジュールと、第２導通・遮断モジュールとを含んでも良い。その中で、第１導通・遮断モジュールは交流入力端の第１端と第３出力端の第１端との間に設けられ、制御されて導通状態又は遮断状態になるように配置されている。その中で、第１導通・遮断モジュールが導通状態にある場合、交流入力端の第１端と第３出力端の第１端との間の第１通路を導通するが、交流入力端の第１端と第３出力端の第１端との間の第２通路を遮断する。第１導通・遮断モジュールが遮断状態にある場合、交流入力端の第１端と第３出力端の第１端との間の通路を遮断する一方、交流入力端の第１端と第３出力端の第１端との間の第２通路を遮断する。その中で、第１通路は第２通路と反対の方向である。第１通路は交流入力端の第１端から第３出力端の第１端までの通路又は第３出力端の第１端から交流入力端の第１端までの通路である。第２導通・遮断モジュールは、交流入力端の第２端と第３出力端の第２端との間に設けられ、制御されて導通状態又は遮断状態になるように配置されている。その中で、第２導通・遮断モジュールが導通状態にある場合、交流入力端の第２端鳩第３出力端の第２端との間の第３通路を導通するが、交流入力端の第２端と第３出力端の第２端との間の第４通路を遮断する。第２導通・遮断モジュールが遮断状態にある場合、交流入力端の第２端と第３端の第２端との間の第３通路を遮断する一方、交流入力端の第２端と第３出力端の第２端との間の第４通路を導通する。その中で、第３通路は第４通路の方向と反対である。第３通路は交流入力端の第２端から第３出力端の第２端までの通路又は第３出力端の第２端から交流入力端の第１端までの通路である。制御モジュールは、切替装置の作動電圧と共通接地との間に設けられ、制御されて導通状態又は遮断状態になるように配置されている。その中で制御モジュールが導通状態にある場合、第１導通・遮断モジュールと第２導通・遮断モジュールとが遮断状態になるように制御する一方、制御モジュールが遮断状態にある場合、交流入力端と結合して第１導通・遮断モジュール及び第２導通・遮断モジュールの中からの１つが導通状態になるように制御する。
【００８７】
その中で、第１導通・遮断モジュールの第１通路又は第２通路と、第２導通・遮断の第３通路又は第４通路の方向と反対する場合、交流入力端と第３出力端に回路が形成され、これこそ信号は交流入力端と第３出力端との間に伝送する。
【００８８】
これにより、本発明の実施例により提供される切替装置１０４は、制御されて交流入力端と出力端との間の電圧出力の達成が保証される。
【００８９】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第１導通・遮断モジュールは第１の制御可能なスイッチと第１フリーホイール導通部品とを含み、その中で、第１の制御可能なスイッチは、第１接続端と、第２接続端と、制御端と、を含み、第１フリーホイール導通部品は第１の制御可能なスイッチの第１接続端と第１の制御可能なスイッチの第２接続端との間に接続され且つ第１の制御可能なスイッチの導通方向と反対である。第１の制御可能なスイッチの第１接続端は交流入力端の第１端に接続されるように配置され、第１の制御可能なスイッチの第２接続端は第３出力端の第１端に接続されるように配置され、第の１制御可能なスイッチの制御端は制御モジュールから制御信号を受信し、更に、制御信号の制御で交流入力端の第１端と第３出力端の第１端との間の第１通路を導通又は遮断するように配置され、交流入力端の第１端と第３出力端の第１端との間の第１通路は交流入力端の第１端から第３出力端の第１端までの通路又は第３出力端の第１端から交流入力端の第１端までの通路である。
【００９０】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第２導通・遮断モジュールは第２の制御可能なスイッチと第２フリーホイール導通部品とを含み、その中で、第２の制御可能なスイッチは、第１接続端と、第２接続端と、制御端と、を含み、第２フリーホイール導通部品は第２の制御可能なスイッチの第１接続端と第２の制御可能なスイッチの第２接続端との間に接続され且つ第２の制御可能なスイッチの導通方向と反対である。第２の制御可能なスイッチの第１接続端は交流入力端の第２端に接続されるように配置され、第２の制御可能なスイッチの第２接続端は第３出力端の第２端に接続されるように配置され、第２の制御可能なスイッチの制御端は制御モジュールから制御信号を受信して、更に、制御信号の制御で交流入力端の第２端と第３出力端の第２端との間の第１通路を導通又は遮断するように配置され、交流入力端の第２端と第３出力端の第２端との間の第１通路は交流入力端の第２端から第３出力端の第２端までの通路又は第３出力端の第２端から交流入力端の第２端までの通路である。
【００９１】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第１導通・遮断モジュールは第２導通・遮断モジュールと同一の制御可能なスイッチを採用することができるが、第２導通・遮断モジュールと異なる制御可能なスイッチを採用することもでき、本発明の実施例における第１導通・遮断モジュールと第２導通・遮断モジュールとの機能が発揮される制御可能なスイッチであれば、いずれも本発明の保護範囲に属すべきである。
【００９２】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第１導通・遮断モジュールは、第１強化型ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ管）を含むことができるが、第２導通・遮断モジュールは第２強化型ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ管）を含むこともできる。選択的には、第１導通・遮断モジュールは第２導通・遮断モジュールの中からの少なくとも一つが強化型ＭＯＳトランジスタを採用し、強化型ＭＯＳトランジスタにダイオードが寄生されている。強化型ＭＯＳトランジスタを採用するのは、スイッチの導通・遮断機能を達成することができ、その等価抵抗が小さいことを利用することにより、切替装置と結合する他の部品への影響を小さくさせ、コストダウンされて回路の信頼性を向上する。
【００９３】
本実施例において、Ｎチャンネル又はＰチャンネル強化型ＭＯＳトランジスタを選択することができる。以下に、第１強化型ＭＯＳトランジスタと第２強化型ＭＯＳトランジスタとはＮチャンネルＭＯＳトランジスタであることを例として説明する。
【００９４】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第１強化型ＮＭＯＳトランジスタのソースは交流入力端の第１端に接続され、ドレインは出力端の第１端に接続され、ゲートは制御モジュールに接続される。
【００９５】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第１導通・遮断モジュールは第１強化型ＭＯＳトランジスタを含む以外、第１バイアス抵抗器Ｒ１を更に含み、第１オフセットＲ１の一端は第１強化型ＮＭＯＳトランジスタのソースに接続され、他端は第１強化型ＮＭＯＳトランジスタのゲートに接続される。バイアス抵抗器を採用して第１強化型ＮＭＯＳトランジスタのソースとゲートとの間に接続されることは、第１強化型ＭＯＳトランジスタを確実に遮断させることが決定され、回路の安定性と信頼性を保証する。
【００９６】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第１導通・遮断モジュールは第１強化型ＭＯＳトランジスタを含む以外、第１負荷部品を更に含み、第１負荷部品の一端はゲートに接続され、他端は制御モジュールに接続される。負荷部品を採用して第１強化型ＮＭＯＳトランジスタと制御モジュールとに接続されることは、回路の安定性と信頼性が保証される。
【００９７】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第１負荷部品は抵抗であっても良い。第１バイアス抵抗器Ｒ１の抵抗値が大きい場合、交流入力端に対する影響は小さく、この時、第１負荷部品は抵抗を採用することにより回路の安定性を保証することもできる。
【００９８】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第１負荷部品は第１片方向であっても良い。第１の一方向導通部品の出力端は第１負荷部品の一端として第１強化型ＮＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、第１の一方向導通部品の入力端は第１負荷部品の他端として制御モジュールに接続される。第１バイアス抵抗器Ｒ１の抵抗が小さい場合、交流入力端に対する影響は大きく、この時第１負荷部品は片方向導通部品を採用しても良く、回路は交流入力端に対する影響を防止することができ、回路の安定性と信頼性を高める。
【００９９】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第１の一方向導通部品はダイオード又はトライオード等任意の片方向導通機能を有する部品を採用することにより実現することができる。
【０１００】
勿論、本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第１導通・遮断モジュールはＰチャンネルＭＯＳトランジスタを採用しても良く、その接続関係はＭＯＳトランジスタの特性によって適切な補正をすれば良い。
【０１０１】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第２強化型ＮＭＯＳトランジスタのソースは交流入力端の第２端に接続され、ドレインは入力端の第２端に接続され、ゲートは制御モジュールに接続される。
【０１０２】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第２導通・遮断モジュールは第２強化型ＭＯＳトランジスタを含む以外、第２バイアス抵抗器Ｒ１を更に含み、第２オフセットＲ１の一端は第２強化型ＮＭＯＳトランジスタのソースに接続され、他端は第２強化型ＮＭＯＳトランジスタのゲートに接続される。バイアス抵抗器を採用して第２強化型ＮＭＯＳトランジスタのソースとゲートとの間に接続されることは、第２強化型ＭＯＳトランジスタを確実に遮断させることが決定され、回路の安定性と信頼性を保証する。
【０１０３】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第２導通・遮断モジュールは第２強化型ＭＯＳトランジスタを含む以外、第２負荷部品を更に含み、第２負荷部品の一端はゲートに接続され、他端は制御モジュールに接続される。負荷部品を採用して第２強化型ＮＭＯＳトランジスタと制御モジュールとに接続されることは、回路の安定性と信頼性が保証される。
【０１０４】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第２負荷部品は抵抗であっても良い。第２バイアス抵抗器Ｒ１の抵抗値が大きい場合、交流入力端に対する影響は小さく、この時、第２負荷部品は抵抗を採用することにより回路の安定性を保証することができる。
【０１０５】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第２負荷部品は第２片方向であっても良い。第２の一方向導通部品の出力端は第２負荷部品の一端として第２強化型ＮＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、第２の一方向導通部品の入力端は第２負荷部品の他端として制御モジュールに接続される。第２バイアス抵抗器Ｒ１の抵抗が小さい場合、交流入力端に対する影響は大きく、この時第２負荷部品は片方向導通部品を採用しても良く、回路は交流入力端に対する影響を防止することができ、回路の安定性と信頼性を高める。
【０１０６】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第２の一方向導通部品はダイオード又はトライオード等任意の片方向導通機能を有する部品を採用することにより実現することができる。
【０１０７】
勿論、本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第２導通・遮断モジュールはＰチャンネルＭＯＳトランジスタを採用しても良く、その接続関係はＭＯＳトランジスタの特性によって適切な補正をすれば良い。
【０１０８】
本発明の実施例のもう１つの選択可能な実施形態として、第１導通・遮断モジュールは第１の制御可能なスイッチと第１フリーホイール導通部品とを含み、第２導通・遮断モジュールとは第２の制御可能なスイッチと第２フリーホイール導通部品とを含む。
【０１０９】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第１導通・遮断モジュールは第１の制御可能なスイッチを含む場合、第１の制御可能なスイッチは第１ＭＯＳトランジスタを含んでも良く、この時、第１の制御可能なスイッチは第１バイアス抵抗器を更に含み、本発明の一つの選択可能な実施形態として、第１ＭＯＳトランジスタはＮチャンネルＭＯＳトランジスタを選択しても良く、ソースを第１の制御可能なスイッチの第１接続端として交流入力端の第１端に接続され、ドレインを第１の制御可能なスイッチの第２接続端として出力端の第１端に接続され、ゲートを第１の制御可能なスイッチとして第１の制御可能なスイッチの制御端とし、第１バイアス抵抗器の一端により第１ＭＯＳトランジスタのソースに接続され、他端は第１ＭＯＳトランジスタのゲートに接続される。本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、回路の安定性が保証されるために、第１の制御可能なスイッチは第１ＭＯＳトランジスタと第１の一方向導通部品とを含む以外、第１負荷部品を更に含むことができ、第１ＭＯＳトランジスタのゲートは当該第１負荷部品を介して制御モジュールに接続される。勿論、第１の制御可能なスイッチはＰチャンネルＭＯＳトランジスタを採用すること我でき、その接続関係はＭＯＳトランジスタの特性により適切な補正をすれば良い。
【０１１０】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第１負荷部品は抵抗器又は第１の一方向導通部品であっても良く、第１の一方向導通部品はダイオード又はトライオード等任意の片方向導通機能を有する部品を採用することにより実現される。
【０１１１】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第１ＭＯＳトランジスタ（第１ＮＭＯＳトランジスタと第１ＰＭＯＳトランジスタを含む）は接合型電界効果トランジスタ（JFET）を採用することができる。
【０１１２】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第２導通・遮断モジュールは第２の制御可能なスイッチを含む場合、第２の制御可能なスイッチは第２ＭＯＳトランジスタを含むことができ、この時、第２の制御可能なスイッチは第２バイアス抵抗器を更に含んでも良い。本発明の一つの選択可能な実施形態として、第２ＭＯＳトランジスタはＮチャンネルＭＯＳトランジスタと選択することができ、ソースは第２の制御可能なスイッチの第１接続端として交流入力端の第２端に接続され、ドレインは第２の制御可能なスイッチの第２接続端として出力端の第２端に接続され、ゲートは第２制御可能な制御端として、第２バイアス抵抗器の一端は第２ＭＯＳトランジスタのソースに接続され、他端は第２ＭＯＳトランジスタのゲートに接続される。本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、回路の安定性を保証するために、第２の制御可能なスイッチは第１ＭＯＳトランジスタと第２バイアス抵抗器を含む以外、第２負荷部品を更に含み、第２ＭＯＳトランジスタのゲートは第２負荷部品で制御モジュールに接続される。勿論、第２の制御可能なスイッチはＰチャンネルＭＯＳトランジスタを採用することができ、その接続関係はＭＯＳトランジスタの特性により適切な補正をすれば良い。
【０１１３】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第２負荷部品は抵抗器又は第２の一方向導通部品であっても良く、ここで、第２の一方向導通部品はダイオード又はトライオード等任意の片方向導通機能を有する部品を採用して実現することができる。
【０１１４】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第２ＭＯＳトランジスタ（第２ＮＭＯＳトランジスタと第２ＰＭＯＳトランジスタを含む）は接合型電界効果トランジスタ（JFET）を採用しても良い。
【０１１５】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第１の制御可能なスイッチはＰチャンネルＭＯＳトランジスタを選択することができ、第２の制御可能なスイッチはＰチャンネルＭＯＳトランジスタを選択することもできる。勿論、第１の制御可能なスイッチは第２の制御可能なスイッチと異なる種類のＭＯＳトランジスタを選択してもよく、例えば、第１の制御可能なスイッチはＮチャンネルＭＯＳトランジスタを採用し、第２の制御可能なスイッチはＰチャンネルＭＯＳトランジスタを採用する等、本発明の実施例による第１の制御可能なスイッチと第２の制御可能なスイッチの機能を実現できる制御可能なスイッチであれば、いずれも本発明の保護範囲に属すべきである。
【０１１６】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、制御モジュールは制御可能なスイッチであっても良く、制御可能なスイッチは第１接続端と、第２接続端と、制御端と、を含み、その中、第１接続端は前記作動電圧に接続されるように配置され、第２接続端は共通接地に接続されるように配置され、制御端は外部から前記制御信号を受信して前記制御信号の制御で導通又は遮断するように配置され、同時に、第１接続端は第１導通・遮断モジュールと第２導通・遮断モジュールとに接続されるように配置され、更に制御モジュールが導通状態にある場合、第１導通・遮断モジュールと第２導通・遮断モジュールとが遮断モジュールとに入るように制御し、制御モジュールが遮断状態にある場合、交流入力端と結合して第１導通・遮断モジュールと第２導通・遮断モジュールの中からの一つが導通状態に入るように制御する。
【０１１７】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、制御モジュールは制御可能なスイッチである場合、ＭＯＳトランジスタを含むことができ、この時、回路を結合して合理的な負荷を決定するように、制御可能なスイッチは第３バイアス抵抗器Ｒ３を更に含む。本発明の一つの選択可能な実施形態として、ＭＯＳトランジスタはＮチャンネルＭＯＳトランジスタを選択することができ、ドレインを制御可能なスイッチの第１接続端とし、第３バイアス抵抗器Ｒ３により作動電圧に接続され、即ち、ドレインは第３バイアス抵抗器Ｒ３の一端に接続され、第３バイアス抵抗器Ｒ３の他端は作動電圧に接続され、ソースを制御可能なスイッチの第２接続端として、共通接地に接続され、ゲートを制御端として外部からの制御信号を受信する。勿論、制御モジュールはＰチャンネルＭＯＳトランジスタを採用しても良く、その接続関係はＭＯＳトランジスタの特性により適切な補正をすれば良い。
【０１１８】
実施例４
本発明の実施例によると、電子機器を提供する。
【０１１９】
本発明の実施例により提供される電子機器は、コイルと非接触機能を有するチップとを含み、整流装置を更に含み、コイルの出力端はそれぞれ整流装置の入力端と非接触機能を有するチップの入力端とに電気的に接続される。ここで、コイルは、交流信号の発生、及び出力端による交流信号の出力のためのものである。整流装置はコイルが整流装置の入力端から入力の交流信号を受信するためのもので、更に整流装置の出力端により電気エネルギーを出力したり外に電気エネルギーを提供したりする。
【０１２０】
本実施例による電子機器は、コイルにより発生された交流信号を電気エネルギーとして外へ提供することができ、電磁場のエネルギーの有効利用率を向上する。
【０１２１】
本発明の実施例により提供された技術案において、電子機器は、スマートカード又は他のＮＦＣ機能を有する電子機器を含むがそれらを限定するものではない。非接触機能を有するチップはスマートカード、又は非接触機能を有するインターフェースチップを含むがそれを限定するわけではない。前記インターフェースチップはＣＰＵに接続される。本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、コイル１０１により受信された信号はＮＦＣ信号、ＲＦ信号等非接触信号を含むがそれらを限定するものではないが、非接的式即ち非接触式は、電気的な接続を介しなくても通信することができる。電子機器は近距離であるとき、（即ち他の機器（例えばカードリーダーや、携帯電話）のＲＦに入る）時、コイルは非接的式でＮＦＣ信号を受信することで、非接触機能を有するチップは他の機器と近距離無線通信する。
【０１２２】
本発明の実施例による選択可能な実施案において、電子機器は、コイルと非接触機能を有するチップとの間に接続された切替装置を更に含むことができる。ここで、切替装置は入力された作動電圧の作用でコイルと非接触機能を有するチップとを連通し、及び制御信号を受信した場合に、受信された制御信号に基づいてコイルと非接触機能を有するチップとの導通・遮断を制御する。当該選択可能な実施案において、切替装置を通して、チップはデータ通信しない場合にコイルとチップとの接続を遮断して、整流装置により出力された電気エネルギーを増やすことができ、切替装置の具体的な構造は実施例８及び図８と図９とを参照する。一つの選択可能な実施例において、切替装置は図９におけるＭＯＳトランジスタを採用して達成することができる。
【０１２３】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、以下に、切替装置はＮＭＯＳトランジスタを例として説明し、作動電圧は整流装置が出力する電圧以上である。当該選択可能な実施形態により、電池から切替装置に作動電圧を提供することができ、柔軟である。本発明の実施例による一つの実施可能な実施案において、作動電圧は整流装置から入力された電圧の差は予め設定された値より以上である。好ましくは、予め設定された値は整流装置により生じた圧力降下（０Ｖ以上）、例えば０．７Ｖであっても良い。当該実施形態により、切替装置は、コイルとチップとの接続を導通することが最大限で保証される。勿論、切替装置はＰＭＯＳトランジスタを採用することができ、作動電圧と整流装置の出力端から出力された電圧とは満たす条件は、具体的に、ＰＭＯＳトランジスタの導通条件により設けられるため、ここで説明を省略する。
【０１２４】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、整流装置は切替装置に電気的に接続され、切替装置に作動電圧を提供する。当該選択可能な実施案により、整流装置から出力された電気エネルギーは切替装置に作動電圧を提供し、エネルギーを有効に利用する。
【０１２５】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、切替装置は非接触機能を有するチップの制御端に電気的に接続され、非接触機能を有するチップの制御端から出力された制御信号を受信する。当該選択可能な実施案により提供される電子機器は、チップから制御信号を送信し、他にコントローラーを追加する必要はない。
【０１２６】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、当該電子機器は、中央制御ユニットＭＣＵを更に含む。ここで、切替モジュールはＭＣＵの制御端に電気的に接続され、ＭＣＵの制御端から出力された制御信号を受信する。当該選択可能な実施案により提供される電子機器は、ＭＣＵから制御信号を送信し、制御しやすい。
【０１２７】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、コイルの出力端は、第１出力端口と第２出力端口とを含み、非接触機能を有するチップの入力端は、第１入力端口と第２入力端口とを含み、切替装置は、第１端口と、第２端口と、第３端口と、第４端口と、第５端口と第６端口とを含む。ここで、切替装置の第１端口はコイルの第１出力端口に電気的に接続され、切替装置の第２端口はコイルの第２出力端口に接続され、切替装置の第３端口は非接触機能を有するチップの第１入力端口に接続され、切替装置の第４端口は非接触機能を有するチップの第２入力端口に接続され、切替装置の作動電圧は切替装置の第５端から入力し、制御信号は切替装置の第６端から出力する。
【０１２８】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、電子機器は、電気部品を更に含む。その中で、整流装置は電気部品に電気的に接続され、電気部品に電気エネルギーを提供する。当該選択可能な実施案において、整流装置により出力された電気エネルギーを電気部品に提供し、電磁場のエネルギーを有効に利用する。
【０１２９】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、電子機器は、充電電池を更に含む。その中で、整流装置の出力端は充電電池に電気的に接続され、充電電池に電気エネルギーを提供する。当該選択可能な実施案において、整流装置により出力された電気エネルギーは充電電池を充電し、充電電池により、チップはカードリーダーから離れても引き続きチップに給電することができ、スマートカードの機能を豊かにし、電磁場のエネルギーを有効に利用する。
【０１３０】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、電子機器は、整流装置と充電電池との間に接続された充電回路を更に含み、充電回路は制御されて充電電池を充電する。当該選択可能な実施案により、制御されて充電することにより、チップが使用されていない時に電池を充電することができ、チップの通信効果が保証された場合の充電効率を向上する。
【０１３１】
実施例５
本実施例により提供される電子機器７０は、図６に示すように、コイル７０１と、非接触機能を有するチップ７０２と、整流装置７０３とを含む。具体的な実施形態において、当該電子機器は１枚のスマートカードであっても良く、当該スマートカードは、表示、キー入力等の機能を有してもよく、同時に、当該スマートカードには更にセキュリティチップを含むことができ、セキュリティチップは、電子署名、署名検証、動的パスワードの生成と検証等の機能に用いられる。当該スマートカードは無線（ＲＦ、ＮＦＣ等）でカードリーダー（例えば、POS機、NFC携帯電話等）と通信する。
【０１３２】
本実施例による一つの選択可能な実施形態において、コイル７０１はＲＦコイル又はＮＦＣコイル等であっても良く、当該コイル７０１を利用して、電子機器７０はカードリーダーのコイルに接続されることができ、これによりカードリーダーとの通信又は電子機器７０に給電することが実現される。当該スマートカードは１３．５６ＭＨｚに作動し、当該コイルは１４４３協議の規定に該当する周波数のコイルである。コイル１０１により受信された信号は、ＮＦＣ信号、ＲＦ信号等非接触信号を含むがそれらを限定するものではない。非接的式は非接触式で、電気的な接続を介する必要はなく通信することができる。電子機器は近距離である（即ち他の機器（例えばカードリーダー、携帯電話）のＲＦ場に入る）と、コイルは非接的式でＮＦＣ信号を受信して電気を吸込んで整流装置に出力して給電し、非接触機能を有するチップは他の機器と近距離無線通信する。
【０１３３】
本実施例における選択可能な実施形態において、非接触機能を有するチップ７０２は１４４３協議の規定に該当するチップで、普通のＩＣカードチップであっても良いし、非接触インターフェースとＣＰＵを含むチップであっても良い。即ち、非接触機能を有するチップであれば、いずれも本発明に適用することができる。
【０１３４】
本実施例による一つの選択可能な実施形態において、整流装置７０３はダイオード等片方向の導通部品を含むことができ、具体的には、４つのダイオードにより接続されたブリッジ回路であっても良く、コイルから出力された電気エネルギーについて整流を行い、電気エネルギーを出力する。
【０１３５】
コイル７０１の第１出力端は整流装置７０３の第１入力端と非接触機能を有するチップ７０２の第１端とにそれぞれ接続され、コイル７０１の第２出力端は整流装置７０３の第２入力端と非接触機能を有するチップ７０２の第２端とにそれぞれ接続される。具体的には、コイル７０１は、整流装置７０３と非接触機能を有するチップ７０２とにそれぞれ接続され、同時に整流装置７０３と非接触機能を有するチップ７０２とに電気エネルギーを出力する。
【０１３６】
本実施例により提供される電子機器は、当該電子機器はカードリーダーに接続される場合に、電子機器のコイルにより電気エネルギーを得られ、更に電気エネルギーを整流装置とチップとに伝送し、チップに給電すると同時に、エネルギーを整流装置に出力し、カードリーダーコイルの電磁場のエネルギーを十分に利用することにより、電気エネルギーの無駄遣いが防止される。本実施例において、整流装置は非接触機能を有するチップとコイルを共有する場合、コイルと非接触機能を有するチップとは連通状態にする場合、通信と同時に電気を供給することができ、コイルと非接触機能を有するチップとは遮断状態になる場合、整流装置の電気吸込み効率を向上することができる。
【０１３７】
また、整流装置７０３の出力端は電子機器７０における給電が必要となる装置に接続される。具体的な実施形態において、整流装置７０３の出力端は当該電子機器７０の他の給電が必要となる装置に接続され、例えば、ディスプレイと、キーと、セキュリティチップ等、電子機器の他の給電が必要となる装置が通常に作業できることを維持し、他の給電が必要となる装置のために更に電気エネルギーを配置する必要はなくなり、エネルギーを節約することができる。その中で、整流装置は図３に示すダイオードブリッジ整流回路を採用し、具体的な説明は図３に対する説明を参照してください。非接触機能を有するチップ内部にも整流回路があり、当該整流回路は図３に類似する二級管整流ブリッジを採用し、当該二級管整流ブリッジのＩＡ端はコイルの第１入力端Ａに接続され、当該二級管整流ブリッジのＩＢ端はコイルの第２入力端Ｂに接続され、当該二級管整流ブリッジのＩＣ端は給電端ＶＣＣで、当該二級管整流ブリッジのＩＤ端は接地し、給電端において地と直接にフィルタ・コンデンサに接続され、フィルタリングするためのものである。
【０１３８】
また、電子機器７０は電池装置７０４を更に含む。電池装置７０４の一端は整流装置７０３の出力端に接続される。具体的な実施形態において、電気エネルギーを更に十分に利用するために、当該電子機器は電池装置７０４を更に含み、整流装置７０３から出力された電気エネルギーを電池装置を充電することができる。
【０１３９】
また、電池装置７０４は充電制御回路７０４１及び充電電池７０４２とを更に含み、充電制御回路７０４１は導通する場合、コイル７０１は充電電池７０４２を充電する。具体的な実施形態において、充電制御回路は充電電池を充電するか否かを制御し、例えば、充電制御回路は一つのスイッチであっても良く、スイッチの導通・遮断を制御することにより充電電池を充電するか否かを判定し、充電電池７０４２を充電する必要がある場合、スイッチを連通するが、充電電池７０４２を充電する必要はない場合、スイッチを遮断する。
【０１４０】
また、電池装置７０４の他端は非接触機能を有するチップ７０２の給電端に接続される。具体的には、当該電池装置７０４は非接触機能を有するチップ７０２に更に接続され、当該電池装置７０４を利用して非接触機能を有するチップ７０２に給電し、これにより非接触機能を有するチップ７０２に電池を配置する必要はなくなり、非接触機能を有するチップ７０２はコイルが遮断しても引き続き作業できる。
【０１４１】
実施例６
本発明の実施例によると、電子機器を提供する。
【０１４２】
本発明の実施例による電子機器は、主に、コイルと非接触機能を有するチップとを含み、更に、コイルと非接触機能を有するチップとの間に接続された切替装置を含む。その中で、コイルは、交流信号を生じてその出力端から出力するためのものである。切替装置は入力された作動電圧の作用で、コイルの出力端と非接触機能を有するチップの入力端とを連通する、及び制御信号を受信した場合に受信された制御信号に基づいて、コイルと非接触機能を有するチップとの導通・遮断を制御するためのものである。
【０１４３】
本実施例により提供される電子機器は、切替装置によりコイルとチップとの間の接続を遮断することにより、チップが通信しない場合、電磁場のエネルギーを有効に利用する。
【０１４４】
本発明の実施例による技術案において、電子機器は、スマートカード又は他のＮＦＣ機能を有する電子機器を含むがそれらを限定するものではない。非接触機能を有するチップはスマートカードチップ、又は非接触機能を有するインターフェースチップを含みがそれらを限定するものではなく、前記インターフェースチップはＣＰＵに接続される。本発明の実施例による１つの選択可能な実施案において、コイル１０１により受信された信号はＮＦＣ信号、ＲＦ信号等非接触信号を含むがそれらを限定するものではないが、非接的式即ち非接触式で、電気的な接続を介しなくても通信することができる。電子機器は近距離である、（即ち他の機器（例えばカードリーダー、携帯電話）のＲＦ場に入る）と、コイルは非接的式でＮＦＣ信号を受信し、非接触機能を有するチップは他の機器と近距離無線通信を行う。
【０１４５】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施案において、切替装置は非接触機能を有するチップの制御端に電気的に接続され、非接触機能を有するチップの制御端から出力された制御信号を受信する。切替装置の具体的な構造は実施例８及び図８と図９とを参照すると、１つの選択可能な実施例において、切替装置は図９におけるＭＯＳトランジスタを採用して実現することができる。当該選択可能な実施形態により、チップから制御信号を送信し、他のコントローラーを追加する必要はなく、コストダウンする。
【０１４６】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施案において、電子機器は、中央制御ユニットＭＣＵを更に含む。その中で、切替装置はＭＣＵの制御端に電気的に接続され、ＭＣＵの制御端から出力された制御信号を受信する。この選択可能な実施形態において、ＭＣＵから制御信号を送信することで、制御しやすくなる。
【０１４７】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、コイルの出力端は、第１出力端と第２出力端とを含み、非接触機能を有するチップの入力端は、第１入力端口と第２入力端口とを含み、切替装置は、第１端口と、第２端口と、第３端口と、第４端口と、第５端口と第６端口とを含む。ここで、切替装置の第１端口はコイルの第１出力端口に電気的に接続され、切替装置の第２端口はコイルの第２出力端口に接続され、切替装置の第３端口は非接触機能を有するチップの第１入力端口に接続され、切替装置の第４端口は非接触機能を有するチップの第２入力端口に接続され、切替装置の作動電圧は切替装置の第５端から入力し、制御信号は切替装置の第６端から出力する。
【０１４８】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施案において、電子機器は、整流装置を更に含むことができる。整流装置の入力端はコイルの出力端に電気的に接続される。その中、整流装置はコイルが整流装置の入力端から入力された交流信号を受信するためのもので、更に、整流装置の出力端により電気エネルギーを出力する。当該選択可能な実施形態により、電子機器は外へ電気エネルギーを提供することができ、電磁場のエネルギーがより有効に利用される。
【０１４９】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、以下に、切替装置はＮＭＯＳトランジスタを採用することを例として説明し、作動電圧は整流装置の出力電圧以上である。当該選択可能な実施形態により、電池から切替装置に作動電圧を提供することができ、柔軟に実現される。本発明の実施例による１つの選択可能な実施案において、作動電圧は整流装置から出力された電圧との差は予め設定された値より以上である。好ましくは、予め設定された値は整流装置により生じた圧力降下（０Ｖ以上）、例えば０．７Ｖであっても良い。当該実施形態により、切替装置は、コイルとチップとの接続を導通することが最大限で保証される。勿論、切替装置はＰＭＯＳトランジスタを採用することができ、作動電圧と整流装置の出力端から出力された電圧とは満たす条件は、具体的に、ＰＭＯＳトランジスタの導通条件により設けられるため、ここで説明を省略する。
【０１５０】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、整流装置の出力端は切替装置に電気的に接続され、切替装置に作動電圧を提供する。当該選択可能な実施形態により、整流装置から出力された電気エネルギーは切替装置に作動電圧を提供し、エネルギーを有効に利用する。
【０１５１】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、電子機器は、電気部品を更に含む。その中で、整流装置は電気部品に電気的に接続され、電気部品に電気エネルギーを提供する。当該選択可能な実施形態により、整流装置により出力された電気エネルギーを電気部品に提供し、コイルにより発生された電磁場のエネルギーを有効に利用する。
【０１５２】
本発明の実施例による選択可能な実施案において、電子機器は、充電電池を更に含む。その中で、整流装置は充電電池に電気的に接続され、充電電池に電気エネルギーを提供する。当該選択可能な実施形態により、整流装置により出力された電気エネルギーは充電電池を充電し、充電電池により、チップはカードリーダーから離れても引き続きチップに給電することができ、スマートカードの機能を豊かにし、電磁場のエネルギーを有効に利用する。
【０１５３】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、電子機器は、整流装置と充電電池との間に接続された充電回路を更に含み、充電回路は制御されて充電電池を充電する。当該選択可能な実施形態により、制御されて充電することにより、チップが使用されていない時に電池を充電し、チップの通信効果が保証された場合に充電効率を向上する。
【０１５４】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施案において、充電電池は切替装置に電気的に接続され、切替装置に作動電圧を出力するためのものである。当該選択可能な実施形態により、充電電池から切替装置に作動電圧を提供し、これでコイルにより発生された電磁場のエネルギーを有効に利用することができる。
【０１５５】
実施例７
従来技術において、スマートカードコイルはスマートカードチップに接続され、スマートカードは電磁場範囲に入った（ＲＦ場に置いた）後カードリーダーコイルに接続される場合、この時、スマートカードチップは作業状態にする必要があるか否かはともかく、スマートカードチップは電磁場のエネルギーを消耗することになり、電気エネルギーの無駄遣いになる。カードリーダーにより生じた電磁場のエネルギーを十分に利用するには、電気を供給する回路を設けてスマートカードに電気を吸込むことができ、電気を供給する回路は単独的な電気を供給するコイルが設けられれば、当該電気を供給するコイルの設けは回路の難度とコストが増加し、当該電気を供給するコイルはスマートカードとカードリーダーとの通信に影響を及ぼす。電気を供給する回路とスマートカードとはコイルを共有すれば、スマートカードはコイルの一部の電気エネルギーを分配することで、最適な電気を供給する効率を取得することができない。
【０１５６】
上記の問題を解決するために、本実施例において電子機器８０が提供され、図７に示すように、前記電子機器８０は、コイル８０１と切替装置８０２と、非接触機能を有するチップ８０３とを含む。具体的な実施形態において、当該電子機器は、スマートカードであっても良く、前記スマートカードは、表示、キー入力等の機能を有してもよく、同時に、当該スマートカードには更にセキュリティチップを含んでも良く、セキュリティチップは、電子署名、署名検証、動的パスワードの生成と検証等の機能に用いられる。当該電子機器は無線（ＲＦ、ＮＦＣ等）でカードリーダー（例えば、POS機、NFC携帯電話等）と通信する。コイル８０１はＲＦコイル又はＮＦＣコイル等であってもよく、当該コイル８０１を利用して、電子機器８０はカードリーダーのコイルに接続され、カードリーダーとの通信又は電子機器８０に給電することが実現される。当該スマートカードは１３．５６ＭＨｚに作業し、当該コイルは１４４３協議の規定に該当する周波数のコイルである。本実施例における１つの選択可能な実施形態において、非接触機能を有するチップ８０３は１４４３協議の規定に該当するチップで、非接触インターフェースとＣＰＵを含むチップであっても良い。即ち、非接触機能を有するチップであれば、いずれも本発明に適用することができる。切替装置８０２の具体的な構造は実施例８及び図８と図９とを参照してください。１つの選択可能な実施例において、切替装置は図９におけるＭＯＳトランジスタにより実現される。ＭＯＳトランジスタの抵抗が小さく、導通する場合、たとえ当該ＭＯＳトランジスタは電子機器（スマートカード）の非接触機能を有するチップの第１入力端ＬＡと、第２入力端ＬＢの共振回路との間に連なっても、電子機器はカードリーダー機器又はＮＦＣ携帯電話の通信に影響を与えない。
【０１５７】
コイル８０１の第１出力端は切替装置８０２の第１端に接続され、コイル８０１の第２出力端は切替装置８０２の第２端に接続される。
【０１５８】
切替装置８０２の第３端は非接触機能を有するチップ８０３の第１入力端に接続され、切替装置８０２の第４端は非接触機能を有するチップ８０３の第２入力端に接続される。
【０１５９】
切替装置８０２の第５端は、作動電圧を受信するためのもので、コイル８０１と非接触機能を有するチップ８０３とを連通させる。切替装置８０２の第６端は、制御信号を受信するためのもので、制御信号により制御コイル８０１は非接触機能を有するチップ８０３との導通・遮断を制御する。具体的な実施形態において、当該制御信号はレベル信号であっても良く、高低のレベル信号の変化によりコイル８０１と非接触機能を有するチップ８０３との導通・遮断を制御する。
【０１６０】
本発明の１つの実施例において、切替装置８０２の第６端は、制御信号を受信するためのもので、制御信号に応じコイル８０１と非接触機能を有するチップ８０３との導通・遮断を制御し、これは、切替装置８０２の第６端は、制御信号を受信するためのものであり、制御信号は高レベルである場合、コイル８０１と非接触機能を有するチップ８０３とは遮断することを含む。具体的には、切替装置８０２は高レベル信号を受信する場合、切替装置内部レベルの転換により、切替装置におけるＭＯＳトランジスタ等の部品を利用してコイルと非接触機能を有するチップとの１つの通路又は二つの通路を遮断するように制御し、これによりコイルと非接触機能を有するチップとの接続を遮断する。当該切替装置は低レベル信号を受信する又はレベル信号を受信していない場合、切替装置はコイルと非接触機能を有するチップとの少なくとも１つの通路の連通を保持し、これによりコイルと非接触機能を有するチップとの接続を保持する。
【０１６１】
本発明の他の実施例において、切替装置８０２の第６端は、制御信号を受信するためのもので、制御信号に応じコイル８０１と非接触機能を有するチップ８０３の導通・遮断を制御し、これは、切替装置８０２の第６端は、制御信号を受信するためのものであり、制御信号は低レベルである場合、コイル８０１と非接触機能を有するチップ８０３とは遮断することを含む。具体的には、切替装置は低レベル信号を受信する又はレベル信号を受信していない場合、切替装置内部レベルの転換により、切替装置におけるＭＯＳトランジスタ等の部品を利用してコイルと非接触機能を有するチップとの１つの通路又は二つの通路を遮断するように制御し、これによりコイルと非接触機能を有するチップとの接続を遮断する。当該切替装置は高レベル信号を受信する場合、切替装置はコイルと非接触機能を有するチップとの少なくとも１つの通路の連通を保持し、これによりコイルと非接触機能を有するチップとの接続を保持する。
【０１６２】
本実施例により提供される電子機器は、当該電子機器はカードリーダーに接続される場合に、電子機器のコイルにより電気エネルギーを取得し、更に電気エネルギーを非接触機能を有するチップにそれぞれ伝送する。非接触機能を有するチップに給電する場合、切替装置により非接触機能を有するチップとコイルの導通・遮断を制御することができ、カードリーダーコイルの電磁場のエネルギーを十分に利用して、電気エネルギーの無駄遣いが防止される。
【０１６３】
また、本発明の切替装置はアナログスイッチと異なっている。アナログスイッチは導通する場合に導通抵抗があり、導通する場合の導通抵抗は電子機器（スマートカード）の、非接触機能を有するチップの第１入力端ＬＡと、第２入力端ＬＢの共振回路との間に連なり、スマートカードコイルの共振Ｑ値を降下することにより、電子機器とカードリーダー機器又はＮＦＣ携帯電話との通信に影響を与える。それに対して、本発明の切替装置を利用すれば、当該切替装置は図９におけるＭＯＳトランジスタを採用することにより実現され、ＭＯＳトランジスタの抵抗は小さく、導通すつ場合、たとえ当該ＭＯＳトランジスタは、電子機器（スマートカード）の、非接触機能を有するチップの第１出力端ＬＡと、第２入力端ＬＢの共振回路の間に連なり、電子機器とカードリーダー機器又はＮＦＣ携帯電話との通信に影響を与えない。よって、チップとコイルとの導通・遮断を制御するとともに、本発明の切替装置はアナログスイッチを採用することにより通信に影響を及ぼすことが防止される。
【０１６４】
具体的な実施形態において、切替装置は少なくとも以下いくつの方式で作動電圧を受信する。
（１）電子機器に１つの整流装置が更に含まれる場合、コイルは整流装置に更に接続され、当該切替装置の第５端は整流装置の出力端と導通し、整流装置の出力端から作動電圧を出力する。整流装置の出力端を採用して切替装置の作動電圧とすることは、整流装置の出力端は切替装置の作動電圧のレベル変化と同期ステータスにあり、当該切替装置の作動電圧は、非接触機能を有するチップを受信するという通常の作業に影響を及ぼさず、且つ電子機器の作動距離に影響を及ぼさない。
（２）当該電子機器は、切替装置に給電する電池を更に含む場合、切替装置の第５端は電池の給電端に接続され、電池により切替装置に作動電圧を提供する。この時、以下に、切替装置はＮＭＯＳトランジスタを採用することを例として説明し、切替装置の作動電圧は整流装置（あれば）の出力端から出力された電圧より以上であっても良く、特に、作動電圧と整流装置から出力された電圧の差は予め設定された値より以上である。好ましくは、当該予め設定された値は整流装置が誘導する圧力降下（０Ｖ以上）であり、切替装置の作動電圧は整流装置（あれば）の出力端から出力された電圧+０．７Ｖで、切替装置は通常に作業できることを保証する。勿論、切替装置はＰＭＯＳトランジスタを採用しても良く、作動電圧と整流装置の出力端から出力された電圧とが満たす条件は、具体的にＰＭＯＳトランジスタの導通条件により設定するため、ここで説明を省略する。切替装置の作動電圧は整流装置の出力端の出力電圧より小さければ、切替装置は導通するとエネルギー損失が発生し、電子機器（スマートカード）の作動距離は制限され、スマートカードの作動距離を短縮することになる。勿論、当該電池は切替装置に給電すると同時に、電子機器の他の装置とモジュールとにも給電する。
【０１６５】
具体的な実施形態において、切替装置は、少なくとも以下いくつの方式で制御信号を受信する。
（１）切替装置８０２の第６端は非接触機能を有するチップ８０３の制御端に接続され、非接触機能を有するチップ８０３から送信された制御信号を受信する。非接触機能を有するチップ８０３は普通のＩＣカードである場合、当該ＩＣカードチップから切替装置に制御信号を送信するが、非接触機能を有するチップ８０３は非接触機能を有するインターフェースとＣＰＵのチップを含むものである場合、当該チップのＣＰＵから制御信号を送信する。
（２）電子機器は中央制御ユニットＭＣＵ８０４を更に含む。切替装置８０２の第６端はＭＣＵ８０４の制御端に接続され、ＭＣＵ８０４から送信された制御信号を受信する。電子機器にＭＣＵ８０４を更に含む場合は、ＭＣＵを利用して切替装置に制御信号を送信しても良いし、スマートカードからＭＣＵに制御信号を送信して、更にＭＣＵから切替装置に制御信号を送信しても良い。
【０１６６】
実施例８
図８は本発明の実施例により提供される切替装置を示す構造ブロック図である。図８は本発明の実施例による１つの選択可能な切替装置の構造ブロック図で、当該選択可能な構造において、切替装置９０は、交流入力端９０１と、第３出力端９０２（以下に、出力端９０２）と、制御モジュール９０３と第１導通・遮断モジュール９０４と第２導通・遮断モジュール９０５とを含む。
【０１６７】
その中で、第１導通・遮断モジュール９０４は、交流入力端９０１の第１端と出力端９０２の第１端との間に設けられ、制御的に導通状態又は遮断状態にするように配置されている。第１導通・遮断モジュール９０４が導通状態にある場合、交流入力端９０１の第１端と出力端９０２の第１端との間の第１通路を導通し、交流入力端９０１の第１端と出力端９０２との間の第２通路を遮断する。第１導通・遮断モジュール９０４が遮断状態にある場合、交流入力端９０１の第１端と出力端９０２の第１端との第１通路を遮断する一方、交流入力端９０１の第１端と出力端９０２の第１端との間の第２通路を導通する。その中で、第１通路は交流入力端９０１の第１端から出力端９０２の第１端までの通路であっても良く、第２通路は出力端９０２の第１端から交流入力端９０１の第１端までの通路であっても良く、逆も同様である。
【０１６８】
第２導通・遮断モジュール９０５は、交流入力端９０１の第２端及び出力端９０２の第２端との間に設けられ、制御的に導通状態又は遮断状態にするように配置されている。第２導通・遮断モジュール９０５は導通状態にするする場合、交流入力端９０１の第２端は出力端９０２の第２端との間の第１通路を導通するが、交流入力端９０１の第２端と出力端９０２の第２端との間の第２通路を遮断する。第２導通・遮断モジュール９０５が遮断状態にある場合、交流入力端９０１の第２端と出力端９０２の第２端との第１通路を遮断する一方、交流入力端９０１の第２端と出力端９０２の第２端との間の第２通路を導通する。その中で、第１通路は交流入力端９０１の第２端から出力端９０２の第２端までの通路であっても良く、第２通路は出力端９０２の第２端から交流入力端９０１の第２端までの通路であっても良く、逆も同様である。
【０１６９】
制御モジュール９０３は、作動電圧と共通接地との間に設けられ、制御的に導通状態又は遮断状態にするように配置されている。制御モジュール９０３が導通状態にある場合、第１導通・遮断モジュール９０４と第２導通・遮断モジュール９０５とが遮断状態にするように制御しするが、制御モジュール９０３が遮断状態にある場合、交流入力端９０１を結合して第１導通・遮断モジュール９０４と第２導通・遮断モジュール９０５の中からの１つが導通状態にするように制御する。
【０１７０】
その中で、第１導通・遮断モジュールの第１通路又は第２通路と第２導通・遮断モジュールの第３通路又は第４通路の方向は正反対となる場合、交流入力端と第３出力端に回路が形成されてからこそ、信号は交流入力端と第３出力端との間に伝送することができる。
【０１７１】
これより、本発明の実施例により提供される切替装置９０は、制御されて交流入力端９０１と出力端９０２との間の導通・遮断の実現を保証すると同時に、切替装置９０は交流入力端９０１と出力端９０２とが外部装置にそれぞれ接続された後、切替装置９０内部に電流回路の形成を保証することができる。
【０１７２】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第１導通・遮断モジュール９０４は第１の制御可能なスイッチと第１フリーホイール導通部品とを含み、第１の制御可能なスイッチは、第１の制御可能なスイッチの第１接続端と、第１の制御可能なスイッチの第２接続端及び第１の制御可能なスイッチの制御端とを含むことができ、第１フリーホイール導通部品は第１の制御可能なスイッチの第１接続端と第１の制御可能なスイッチの第２接続端との間に接続され、第１の制御可能なスイッチの導通方向と反対する。その中で、第１の制御可能なスイッチの第１接続端は交流入力端９０１の第１端に接続され、第１の制御可能なスイッチの第２接続端は出力端９０２の第１端に接続されるように配置され、第１の制御可能なスイッチの制御端は制御モジュール９０３から制御信号を受信し、制御信号の制御で交流入力端９０１の第１端と出力端９０２の第１端との間の第１通路との接続を導通又は遮断し、その中で、第１通路は交流入力端９０１の第１端から出力端９０２の第１端までの通路、又は第１通路は出力端９０２の第１端から交流入力端９０１の第１端までの通路であっても良い。
【０１７３】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第２導通・遮断モジュール９０５は第２の制御可能なスイッチと第２フリーホイール導通部品とを含み、第２の制御可能なスイッチは、第２の制御可能なスイッチの第１接続端と、第２の制御可能なスイッチの第２接続端及び第２の制御可能なスイッチの制御端とを含むことができ、第２フリーホイール導通部品は第２の制御可能なスイッチの第１接続端と第２の制御可能なスイッチの第２接続端との間に接続され、第２の制御可能なスイッチの導通方向と反対する。その中で、第２の制御可能なスイッチの第１接続端は交流入力端９０１の第２端に接続されるように配置され、第２の制御可能なスイッチの第２接続端は出力端９０２の第２端に接続されるように配置され、第２の制御可能なスイッチの制御端は制御モジュール９０３から制御信号を受信し、制御信号の制御で交流入力端９０１の第２端と出力端９０２の第２端との間の第１通路の接続を導通又は遮断し、その中で、第１通路は交流入力端９０１の第２端から出力端９０２の第２端までの通路、又は第１通路は出力端９０２の第２端から交流入力端９０１の第２端までの通路であっても良い。
【０１７４】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第１導通・遮断モジュール９０４は第２導通・遮断モジュール９０５と同様な制御可能なスイッチを採用しても良いし、第２導通・遮断モジュール９０５と異なる制御可能なスイッチを採用しても良いが、第２導通・遮断モジュール９０５と同様なフリーホイール導通部品を採用しても良いし、第２導通・遮断モジュール９０５と異なるフリーホイール導通部品を採用しても良く、本発明の実施例における第１導通・遮断モジュール９０４と第２導通・遮断モジュール９０５との機能さえ実現すれば、いずれも本発明の保護範囲に属すべきである。
【０１７５】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第１導通・遮断モジュール９０４は、第１強化型ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ管）を含むことができ、第２導通・遮断モジュール９０５は、第２強化型ＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ管）を含むことできる。好ましくは、第１導通・遮断モジュール９０４は第２導通・遮断モジュール９０５の少なくとも１つは強化型ＭＯＳトランジスタを採用し、強化型ＭＯＳトランジスタにダイオードが寄生されている。強化型ＭＯＳトランジスタを採用すればスイッチの導通・遮断機能を実現することができ、その等価抵抗は小さくて、切替装置を結合する他の部品に対する影響を小さく及ぼし、コストダウンして回路の信頼性を向上する。
【０１７６】
本実施例において、Ｎチャンネル又はＰチャンネル強化型ＭＯＳトランジスタを選択することができる。以下、第１強化型ＭＯＳトランジスタと第２強化型ＭＯＳトランジスタとはＮチャンネル強化型ＭＯＳトランジスタを例として説明する。
【０１７７】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第１強化型ＭＯＳトランジスタのソースは交流入力端９０１の第１端に接続され、ドレインは出力端９０２の第１端に接続され、ゲートは制御モジュール９０３に接続される。
【０１７８】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第１導通・遮断モジュール９０４は第１強化型ＭＯＳトランジスタを含む以外、第１バイアス抵抗器Ｒ１を更に含み、第１バイアス抵抗器Ｒ１の一端は第１強化型ＮＭＯＳトランジスタのソースに接続され、他端は第１強化型ＮＭＯＳトランジスタのゲートに接続される。バイアス抵抗器を採用して第１強化型ＮＭＯＳトランジスタのソースとゲートとの間に接続されることにより、第１強化型ＮＭＯＳトランジスタを確実に遮断し、回路の安定性と信頼性が保証される。
【０１７９】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第１導通・遮断モジュール９０４は第１強化型ＭＯＳトランジスタを含む以外、第１負荷部品を更に含み、その中、第１負荷部品の一端はゲートに接続され、第１負荷部品の他端は制御モジュール９０３に接続される。負荷部品を採用して第１強化型ＮＭＯＳトランジスタと制御モジュールとに接続されることにより、回路の安定性と信頼性が保証される。
【０１８０】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第１負荷部品は抵抗であっても良い。第１バイアス抵抗器Ｒ１の抵抗値が大きい場合、交流入力端に対する影響は小さく、この時、第１負荷部品は抵抗を採用することにより回路の安定性を保証することもできる。
【０１８１】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第１負荷部品は第１片方向であっても良い。第１の一方向導通部品の出力端は第１負荷部品の一端として第１強化型ＮＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、第１の一方向導通部品の入力端は第１負荷部品の他端として制御モジュール９０３に接続される。第１バイアス抵抗器Ｒ１の抵抗が小さい場合、交流入力端に対する影響は大きく、この時第１負荷部品は片方向導通部品を採用しても良く、回路は交流入力端に対する影響を防止し、回路の安定性と信頼性を高める。
【０１８２】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第１の一方向導通部品はダイオード又はトライオード等任意の片方向導通機能を有する部品を採用することにより実現することができる。
【０１８３】
勿論、本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第１導通・遮断モジュール９０４はＰチャンネルＭＯＳトランジスタを採用しても良く、その接続関係はＭＯＳトランジスタの特性によって適切な補正をすれば良い。
【０１８４】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第２強化型ＮＭＯＳトランジスタのソースは交流入力端９０１の第２端に接続され、ドレインは入力端９０２の第２端に接続され、ゲートは制御モジュール９０３に接続される。
【０１８５】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第２導通・遮断モジュール９０４は第２強化型ＭＯＳトランジスタを含む以外、第２バイアス抵抗器R１を更に含み、第２オフセットＲ１の一端は第２強化型ＮＭＯＳトランジスタのソースに接続され、他端は第２強化型ＮＭＯＳトランジスタのゲートに接続される。バイアス抵抗器を採用して第２強化型ＮＭＯＳトランジスタのソースとゲートとの間に接続されることは、第２強化型ＭＯＳトランジスタが確実に遮断されることが決定され、回路の安定性と信頼性を保証する。
【０１８６】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第２導通・遮断モジュール９０４は第２強化型ＭＯＳトランジスタを含む以外、第２負荷部品を更に含み、第２負荷部品の一端はゲートに接続され、他端は制御モジュール９０３に接続される。負荷部品を採用して第２強化型ＮＭＯＳトランジスタと制御モジュールとに接続されることは、回路の安定性と信頼性が保証される。
【０１８７】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第２負荷部品は抵抗であっても良い。第２バイアス抵抗器Ｒ１の抵抗値が大きい場合、交流入力端に対する影響は小さく、この時、第２負荷部品は抵抗を採用することにより回路の安定性を保証することもできる。
【０１８８】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第２負荷部品は第２の一方向導通部品であっても良い。第２の一方向導通部品の出力端は第２負荷部品の一端として第２強化型ＮＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、第２の一方向導通部品の入力端は第２負荷部品の他端として制御モジュール９０３に接続される。第２バイアス抵抗器Ｒ１の抵抗が小さい場合、交流入力端に対する影響は大きく、この時第２負荷部品は片方向導通部品を採用しても良く、回路は交流入力端に対する影響を防止し、回路の安定性と信頼性を高める。
【０１８９】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第２の一方向導通部品はダイオード又はトライオード等任意の片方向導通機能を有する部品を採用することにより実現することができる。
【０１９０】
勿論、本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第２導通・遮断モジュール９０４はＰチャンネルＭＯＳトランジスタを採用しても良く、その接続関係はＭＯＳトランジスタの特性によって適切な補正をすれば良い。
【０１９１】
本発明の実施例のもう一つの選択可能な実施形態として、第１導通・遮断モジュール９０４は第１の制御可能なスイッチと第１フリーホイール導通部品とを含み、第２導通・遮断モジュール９０５とは第２の制御可能なスイッチと第２フリーホイール導通部品とを含む。
【０１９２】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第１導通・遮断モジュール９０４は第１の制御可能なスイッチと第１フリーホイール導通部品とを含む場合、第１導通・遮断モジュール９０４は第１ＭＯＳトランジスタの組立部品を採用して実現することができ、当該第１ＭＯＳトランジスタ組立部品は、１つの、第１の制御可能なスイッチとしての第１ＭＯＳトランジスタと、１つの、第１フリーホイール導通部品としての第１フリーホイールダイオードとを含むことができ、当該第１フリーホイールダイオードは第１ＭＯＳトランジスタのソースとドレインとの間に接続され、第１ＭＯＳトランジスタ組立部品を採用してスイッチの導通・遮断機能を実現し、その等価抵抗が小さいであることを利用して、切替装置を結合する他の部品に対する影響を減少することができ、更にコストダウンして回路の信頼性を向上する。
【０１９３】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第１ＭＯＳトランジスタ組立部品はＮチャンネルＭＯＳトランジスタ組立部品を選択しても良く、１つのＮチャンネル第１ＭＯＳトランジスタと、１つの、入力端がＮチャンネルＭＯＳトランジスタのソースに接続され、出力端がＮチャンネルＭＯＳ（ＮＭＯＳ）管のドレインに接続された第１フリーホイールダイオードとを含むことができる。以下に、第１ＭＯＳトランジスタ組立部品は第１ＮＭＯＳトランジスタと第１フリーホイールダイオードを例として説明する。
【０１９４】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第１ＮＭＯＳトランジスタのソースを第１の制御可能なスイッチの第１接続端として交流入力端９０１の第１端に接続され、ドレインを第１の制御可能なスイッチの第２接続端として出力端９０２の第１端に接続され、ゲートを第１の制御可能な制御端として制御モジュール９０３に接続される。
【０１９５】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第１の制御可能なスイッチは第１ＭＯＳトランジスタ組立部品を含む以外、更に、第１バイアス抵抗器Ｒ１を含み、第１ＮＭＯＳトランジスタのソースを第１の制御可能なスイッチの第１接続端として交流入力端９０１の第１端に接続され、ドレインを第１の制御可能なスイッチの第２接続端として出力端９０２の第１端に接続され、ゲートを第１の制御可能なスイッチの制御端として制御モジュール９０３に接続され、第１バイアス抵抗器R１の一端は第１ＮＭＯＳトランジスタのソースに接続されるが、他端は第１ＮＭＯＳトランジスタのゲートに接続される。バイアス抵抗器を採用して第１ＮＭＯＳトランジスタのソースとゲートとの間に接続され、第１ＭＯＳトランジスタ組立部品における第１ＮＭＯＳトランジスタを確実に遮断することを決定し、回路の安定性と信頼性を保証する。
【０１９６】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第１の制御可能なスイッチは第１ＭＯＳトランジスタ組立部品を含む以外、更に、第１負荷部品を含む。その中で、第１ＮＭＯＳトランジスタのソースを第１の制御可能なスイッチの第１接続端として交流入力端９０１の第１端に接続され、ドレインを第１の制御可能なスイッチの第２接続端として出力端９０２の第１端に接続され、第１ＮＭＯＳトランジスタのゲートは第１負荷部品を介して制御モジュール９０３に接続され、即ち、第１負荷部品の一端はゲートに接続され、第１負荷部品の他端は第１の制御可能なスイッチの制御端として、制御モジュール９０３に接続される。負荷部品は第１ＮＭＯＳトランジスタと制御モジュールとを採用し、回路の安定性と信頼性を保証する。
【０１９７】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第１の制御可能なスイッチは第１ＭＯＳトランジスタ組立部品と、第１負荷部品と第１バイアス抵抗器R１とを含むことができ、第１ＮＭＯＳトランジスタのソースを第１の制御可能なスイッチの第１接続端として交流入力端９０１の第１端に接続され、ドレインを第１の制御可能なスイッチの第２接続端として出力端９０２の第１端に接続され、第１ＮＭＯＳトランジスタのゲートは第１負荷部品を介して制御モジュール９０３に接続され、即ち、第１負荷部品の一端はゲートに接続され、第１負荷部品の他端は第１の制御可能なスイッチの制御端として制御モジュール９０３に接続され、第１オフセットＲ１の一端は第１ＮＭＯＳトランジスタのソースに接続され、他端は第１ＮＭＯＳトランジスタのゲートに接続される。
【０１９８】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第１負荷部品は抵抗であっても良い。第１バイアス抵抗器Ｒ１の抵抗値が大きい場合、交流入力端に対する影響は小さく、この時、第１負荷部品は抵抗を採用することにより回路の安定性を保証することもできる。
【０１９９】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第１負荷部品は第１の一方向導通部品であっても良い。第１の一方向導通部品の出力端は第１負荷部品の一端として第１強化型ＮＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、第１の一方向導通部品の入力端は第１負荷部品の他端として制御モジュール９０３に接続される。第１バイアス抵抗器Ｒ１の抵抗が小さい場合、交流入力端に対する影響は大きく、この時第１負荷部品は片方向導通部品を採用しても良く、回路は交流入力端に対する影響を防止し、回路の安定性と信頼性を高める。
【０２００】
本発明の実施例の選択可能な実施形態として、第１の一方向導通部品はダイオード又はトライオード等任意の片方向導通機能を有する部品を採用することにより実現される。
【０２０１】
勿論、本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第１導通・遮断モジュール９０４はＰチャンネルＭＯＳトランジスタ組立部品を採用しても良く、その接続関係はＭＯＳトランジスタ組立部品の特性によって適切な補正をすれば良い。
【０２０２】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第１ＭＯＳトランジスタ（第１ＮＭＯＳトランジスタと第１ＰＭＯＳトランジスタを含む）は接合型電界効果トランジスタ（JFET）を採用することができる。
【０２０３】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第２導通・遮断モジュール９０５は第２の制御可能なスイッチと第２フリーホイール導通部品とを含む場合、第２導通・遮断モジュール９０５は第２ＭＯＳトランジスタの組立部品を採用して実現することができ、当該第２ＭＯＳトランジスタ組立部品は、１つの、第２の制御可能なスイッチとしての第２ＭＯＳトランジスタと、１つの、第２フリーホイール導通部品としての第２フリーホイールダイオードとを含むことができ、当該第２フリーホイールダイオードは第２ＭＯＳトランジスタのソースとドレインとの間に接続され、第２ＭＯＳトランジスタ組立部品を採用してスイッチの導通・遮断機能を実現し、その等価抵抗が小さいであることを利用して、切替装置を結合する他の部品に対する影響を減少することができ、更にコストダウンして回路の信頼性を向上する。
【０２０４】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第２ＭＯＳトランジスタ組立部品はＮチャンネルＭＯＳトランジスタ組立部品を選択しても良く、１つのＮチャンネル第２ＭＯＳトランジスタと、１つの、入力端がＮチャンネル第２ＭＯＳトランジスタのソースに接続され、出力端がＮチャンネルＭＯＳ（ＮＭＯＳ）管のドレインに接続された第２フリーホイールダイオードとを含むことができる。以下に、第２ＭＯＳトランジスタ組立部品は第２ＮＭＯＳトランジスタと第２フリーホイールダイオードを例として説明する。
【０２０５】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第２ＮＭＯＳトランジスタのソースを第２の制御可能なスイッチの第１接続端として交流入力端９０１の第２端に接続され、ドレインを第２の制御可能なスイッチの第２接続端として出力端９０２の第２端に接続され、ゲートを第２の制御可能なスイッチの制御端として制御モジュール９０３に接続される。
【０２０６】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第２の制御可能なスイッチは第２ＭＯＳトランジスタ組立部品を含む以外、更に、第２バイアス抵抗器Ｒ２を含み、第２ＮＭＯＳトランジスタのソースを第２の制御可能なスイッチの第１接続端として交流入力端９０１の第２端に接続され、ドレインを第２の制御可能なスイッチの第２接続端として出力端９０２の第２端に接続され、ゲートを第２の制御可能なスイッチの制御端として制御モジュール９０３に接続され、第２バイアス抵抗器R２の一端は第２ＮＭＯＳトランジスタのソースに接続されるが、他端は第２ＮＭＯＳトランジスタのゲートに接続される。バイアス抵抗器を採用して第２ＮＭＯＳトランジスタのソースとゲートとの間に接続され、第２ＭＯＳトランジスタ組立部品における第２ＮＭＯＳトランジスタを確実に遮断することを決定し、回路の安定性と信頼性を保証する。
【０２０７】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第２の制御可能なスイッチは第２ＭＯＳトランジスタ組立部品を含む以外、更に、第２負荷部品を含む。その中で、第２ＮＭＯＳトランジスタのソースを第２の制御可能なスイッチの第１接続端として交流入力端９０１の第２端に接続され、ドレインを第２の制御可能なスイッチの第２接続端として出力端９０２の第２端に接続され、第２ＮＭＯＳトランジスタのゲートは第２負荷部品を介して制御モジュール９０３に接続され、即ち、第２負荷部品の一端はゲートに接続され、第２負荷部品の他端は第２の制御可能なスイッチの制御端として、制御モジュール９０３に接続される。負荷部品を採用して第２ＮＭＯＳトランジスタと制御モジュールとに接続され、回路の安定性と信頼性が保証される。
【０２０８】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第２の制御可能なスイッチは第２ＭＯＳトランジスタ組立部品と、第２負荷部品と第２バイアス抵抗器R２とを含むことができ、第２ＮＭＯＳトランジスタのソースを第２の制御可能なスイッチの第１接続端として交流入力端９０１の第２端に接続され、ドレインを第２の制御可能なスイッチの第２接続端として出力端９０２の第２端に接続され、第２ＮＭＯＳトランジスタのゲートは第２負荷部品を介して制御モジュール９０３に接続され、即ち、第２負荷部品の一端はゲートに接続され、第２負荷部品の他端は第２の制御可能なスイッチの制御端として制御モジュール９０３に接続され、第２オフセットＲ２の一端は第２ＮＭＯＳトランジスタのソースに接続され、他端は第２ＮＭＯＳトランジスタのゲートに接続される。
【０２０９】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第２負荷部品は抵抗であっても良い。第２バイアス抵抗器Ｒ２の抵抗値が大きい場合、交流入力端に対する影響は小さく、この時、第２負荷部品は抵抗を採用することにより回路の安定性を保証することもできる。
【０２１０】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第２負荷部品は第２の一方向導通部品であっても良い。第２の一方向導通部品の出力端は第２負荷部品の一端として第２ＮＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、第２の一方向導通部品の入力端は第２負荷部品の他端として制御モジュール９０３に接続される。第２バイアス抵抗器Ｒ２の抵抗が小さい場合、交流入力端に対する影響は大きく、この時第２負荷部品は片方向導通部品を採用しても良く、回路は交流入力端に対する影響を防止し、回路の安定性と信頼性を高める。
【０２１１】
本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第２の一方向導通部品はダイオード又はトライオード等任意の片方向導通機能を有する部品を採用することにより実現される。
【０２１２】
勿論、本発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第２導通・遮断モジュール９０５はＰチャンネルＭＯＳトランジスタ組立部品を採用しても良く、その接続関係はＭＯＳトランジスタ組立部品の特性によって適切な補正をすれば良い。
【０２１３】
本発明の実施例の１つの選択可能な実施形態として、第２ＭＯＳトランジスタ（第２ＮＭＯＳトランジスタと第２ＰＭＯＳトランジスタを含む）は接合型電界効果トランジスタ（JFET）を採用することができる。
【０２１４】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第１導通・遮断モジュール９０４はＰチャンネルＭＯＳトランジスタ組立部品を更に選択することができ、第２導通・遮断モジュール９０５はＰチャンネルＭＯＳトランジスタ組立部品を選択することもできるが、勿論、第１導通・遮断モジュール９０４と第２導通・遮断モジュール９０５とは、違う種類のＭＯＳトランジスタ組立部品を選択することができ、例えば第１導通・遮断モジュール９０４はＮチャンネルＭＯＳトランジスタ組立部品を採用するが、第２導通・遮断モジュール９０５はＰチャンネルＭＯＳトランジスタ組立部品を採用する等、本発明の実施例における第１導通・遮断モジュール９０４と第２導通・遮断モジュール９０５の機能を実現できる制御可能なスイッチさえであれば、いずれも本発明の保護範囲に属すべきである。
【０２１５】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、制御モジュール９０３も第３制御可能なスイッチであっても良く、第３制御可能なスイッチは、第３制御可能なスイッチの第１接続端と、第３制御可能第２制御端と第３制御可能な制御端とを含むことができる。その中で、第３制御可能なスイッチの第１接続端は作動電圧に接続されるように配置され、第３制御可能なスイッチの第２制御端は共通接地に接続されるように配置され、第３制御可能な制御端は外部から制御信号を受信して制御信号の制御で導通又は遮断するように配置され、同時に、第３制御可能なスイッチの第１接続端は更に第１導通・遮断モジュール９０４の制御端と第２導通・遮断モジュール９０５の制御端とに接続され、更に、制御モジュール９０３が導通状態にある場合に、第１導通・遮断モジュール９０４と第２導通・遮断モジュール９０５とが遮断状態にするように制御し、制御モジュール９０３は遮断状態に、交流入力端９０１を結合して第１導通・遮断モジュール９０４と第２導通・遮断モジュール９０５の中からの一つが導通状態にするように制御する。
【０２１６】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、制御モジュール９０３は第３制御可能なスイッチである場合、第３ＭＯＳトランジスタを含むことができ、この時、第３制御可能なスイッチは第３バイアス抵抗器Ｒ３を更に含み、第１ＭＯＳトランジスタ及び/又は第２ＭＯＳトランジスタに提供されるオフセット電圧を提供し、且つ第３ＭＯＳトランジスタが導通する場合の電流を制限する。本発明の一つの選択可能な実施形態として、第３ＭＯＳトランジスタ組立部品はＮチャンネルＭＯＳトランジスタ組立部品を選択しても良く、ドレインを第３制御可能なスイッチの第１接続端として、第３バイアス抵抗器Ｒ３を介して作動電圧に接続され、即ち、ドレインは第３バイアス抵抗器Ｒ３の一端に接続され、第３バイアス抵抗器Ｒ３の他端は作動電圧に接続され、ソースを第３制御可能なスイッチの第２接続端として、共通接地に接続され、ゲートを制御端として、外部からの制御信号を受信する。勿論、制御モジュール９０３はＰチャンネルＭＯＳトランジスタ組立部品を採用することもでき、その接続関係はＭＯＳトランジスタ組立部品の特性により適切に補正すれば良い。
【０２１７】
本実施例において、第３ＭＯＳトランジスタは接合型電界効果トランジスタ（JFET）又は強化型ＭＯＳトランジスタを選択することができ、本実施例はこれを限定しない。
【０２１８】
以下に、本発明により提供された切替装置を例として説明する。図９は本発明の実施例による一つの選択可能な切替装置の回路図である。この選択可能な回路図において、第１導通・遮断モジュール９０４は、第１ＭＯＳトランジスタ組立部品としての第１ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ（接合型電界効果トランジスタ（JFET））Ｑ１及び第１フリーホイールダイオードＥ１と、第１の一方向導通部品の第１、ダイオードＤ１と、第１バイアス抵抗器R１とを含み、第２導通・遮断モジュール９０５は、第２ＭＯＳトランジスタ組立部品としての第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２及び第２フリーホイールダイオードＥ２と、第２の一方向導通部品としての第２、ダイオードＤ２と、第２バイアス抵抗器Ｒ２とを含み、制御モジュール９０３は第３ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ３と第３バイアス抵抗器Ｒ３とを含む。その中で、交流入力端９０１の第１端は第１ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ１ソースに接続され、第１ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ１のドレインは第３出力端９０２（以下、出力端９０２と呼ぶ）の第１端に接続され、第１バイアス抵抗器Ｒ１は第１ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ１のソースとゲートとの間に接続され、第１ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ１のゲートは第１ダイオードＤ１の出力端９０２に接続され、第１ダイオードＤ１の入力端は第３ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ３のドレインに接続され、第１フリーホイールダイオードＥ１の入力端は第１ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ１のソースに接続され、第１フリーホイールダイオードＥ１の出力端は第１ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ１のドレインに接続される。交流入力端９０１の第２端は第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２のソースに接続され、第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２のドレインは出力端９０２の第１端に接続され、第２バイアス抵抗器Ｒ２は、第２チャンネルＭＯＳトランジスタＱ２のソースとゲートとの間に接続され、第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２のゲートは第２ダイオードＤ２の出力端９０２に接続され、第２ダイオードＤ２の入力端は第３ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ３のドレインに接続され、第２フリーホイールダイオードＥ２の入力端は第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２のソースに接続され、第２フリーホイールダイオードＥ２の出力端は第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２のドレインに接続される。第３ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ３のドレインは第３バイアス抵抗器Ｒ３は作動電圧に接続され、第３ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ３のソースは共通接地に接続され、第３ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ３のゲートは外部の制御端に接続され、外部の制御信号を受信する。その中で、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ組立部品は２Ｎ７００２と、ＦＤＶ３０１と、ＦＤＶ３０３等との型番を採用することができるがそれらを限定するものではなく、以上の型番において、ＭＯＳトランジスタを含む以外、いずれもフリーホイールダイオードを含み、勿論、保護ダイオード等も更に含むが、ここで、詳しく説明しないことにする。ダイオードは、ＢＡＲ４３と、ＢＡＲ５４と、ＢＡＲ４６と、ＢＡＲ５０等の型���を採用することができるがこれらを限定しない。また、第１オフセットＲ１と第２オフセットＲ２の抵抗値は需要に応じて選択することができ、第３バイアス抵抗器値Ｒ３の抵抗値も需要に応じて選択することができるが、ここで説明しないことにする。その中で、第１オフセットＲ１と第２オフセットＲ２は第３バイアス抵抗器Ｒ３より十倍以上の抵抗値であっても良い。例えば、第１オフセットＲ１の抵抗値は１０ｋΩ‐１０ＭΩであっても良く、１００ｋΩ‐９ＭΩが好ましく、１ＭΩ‐５ＭΩがより好ましい。第３バイアス抵抗器Ｒ３の抵抗値は１ｋΩ‐１ＭΩであっても良く、１０ｋΩ‐９００ｋΩが好ましいが、１００ｋΩ‐５００ｋΩがより好ましい。
【０２１９】
以下に、交流入力端９０１の第１端を高レベルとし、交流入力端９０１の第２端は低レベルとし、切替装置の交流入力端は第１外部装置に接続され、出力端は第２外部装置に接続されるものを例として、本発明により提供される切替装置９０の作動原理について簡単に説明する。初期状態に、第１ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ１のゲートと第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２のゲートとは、それぞれダイオードＤ１とダイオードＤ２を介してＶＣＣの所に接続されると、高レベルとするが、外部制御端から出力された制御信号は低レベルである又はレベル信号はない場合、第３ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ３は遮断状態にする。この時、第１ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ１のゲートと第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２のゲートとの所は高レベルである場合、交流入力端９０１の第１端は高レベルで、交流入力端９０１の第２端は低レベルであるため、第１ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ１は遮断状態で、第１フリーホイールダイオードＥ１は導通するが、第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２は導通状態にし、この時、第１外部装置は交流入力端９０１により出力端９０２に接続された第２外部装置に交流信号を出力することができ、即ち、電流の方向は、第１外部機器……＞交流入力端９０１の第１端……＞第１フリーホイールダイオードＥ１……＞出力端９０２の第１端……＞第２外部機器……＞出力端９０２の第２端……＞第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２……＞交流入力端９０１の第２端……＞第１外部機器である。外部制御端から出力された制御信号は高レベルである場合、第３ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ３は導通状態にし、この時、第１ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ１のゲートと第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２のゲートとの所は低レベルである。交流入力端９０１の第１端は高レベルで、交流入力端９０１の第２端は低レベルであるため、第１ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ１は遮断状態で、第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２も遮断状態である。この時、交流入力端９０１は出力端９０２との接続を遮断し、第１外部装置と第２外部装置との間に信号伝送を実現することができない。
【０２２０】
勿論、交流入力端の第１端は低レベルで、交流入力端９０１の第２端は高レベルであると、原理は上記のと同じであるため、ここで詳しく説明しないことにする。
【０２２１】
実施例９
本発明の実施例によると、具体的な切替装置の例が提供され、図１０に示すように、図１０は本発明の実施例により提供された選択的な切替装置の回路図である。
【０２２２】
本実施例により提供される切替装置は実施例８の図９に示す切替装置との相違点として、以下のようである。第１導通・遮断モジュール９０４における第１ＭＯＳトランジスタ組立部品（第１ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ（接合型電界効果トランジスタJFET）Ｑ１と第１フリーホイールダイオードＥ１）を第１強化型ＭＯＳトランジスタＱ１’に置き換え、第２導通・遮断モジュール９０４における第２ＭＯＳトランジスタ組立部品（第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ（接合型電界効果トランジスタJFET）Ｑ２と第２フリーホイールダイオードＥ２）を第２強化型ＭＯＳトランジスタＱ２’に置き換え、強化型ＭＯＳトランジスタ内部に寄生ダイオードが寄生され、当該寄生ダイオードの作用はフリーホイールダイオードの作用と同じで、その導通方向はＭＯＳトランジスタの導通方向と反対する。具体的に回路接続関係は図１０に示すように、他の部品は図９のと同じで、具体的に図９部分の説明を参照してください。
【０２２３】
以下に、交流入力端９０１の第１端を高レベルとし、交流入力端９０１の第２端は低レベルとし、切替装置の交流入力端は第１外部装置に接続され、出力端は第２外部装置に接続されるのを例として、本発明により提供される切替装置９０（図２に示すように）の作動原理について簡単に説明する。初期状態に、第１強化型ＭＯＳトランジスタＱ１’のゲートと第２強化型ＭＯＳトランジスタＱ２’のゲートとは、それぞれダイオードＤ１とダイオードＤ２を介してＶＣＣの所に接続されると、高レベルとするが、外部制御端から出力された制御信号は低レベルである又はレベル信号はない場合、第３ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ３は遮断状態にする。この時、第１強化型ＭＯＳトランジスタＱ１’のゲートと第２強化型ＭＯＳトランジスタＱ２’のゲートとの所は高レベルである場合、交流入力端９０１の第１端は高レベルで、交流入力端９０１の第２端は低レベルであるため、第１強化型ＭＯＳトランジスタＱ１’内部の寄生ダイオードは導通し、即ちＱ１’は逆導通し、第２強化型ＭＯＳトランジスタＱ２’は導通状態で、この時、第１外部装置は交流入力端９０１により第３出力端９０２（以下、出力端９０２と略称する）に接続された第２外部装置に交流信号を出力することができ、即ち、電流の方向は、第１外部機器……＞交流入力端９０１の第１端……＞第１強化型ＭＯＳトランジスタＱ１’……＞出力端９０２の第１端……＞第２外部機器……＞出力端９０２の第２端……＞第２強化型ＭＯＳトランジスタＱ２’……＞交流入力端９０１の第２端……＞第１外部機器である。外部制御端から出力された制御信号は高レベルである場合、第３ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ３は導通状態にし、この時、第１強化型ＭＯＳトランジスタＱ１’のゲートと第２強化型ＭＯＳトランジスタＱ２’のゲートとは低レベルである。交流入力端９０１の第１端は高レベルで、交流入力端９０１の第２端は低レベルであるため、第１強化型ＭＯＳトランジスタＱ１’は遮断状態で、第２強化型ＭＯＳトランジスタＱ２’も遮断状態である。この時、交流入力端９０１は出力端９０２との接続を遮断し、第１外部装置と第２外部装置との間に信号伝送を実現することができない。
【０２２４】
勿論、交流入力端の第１端は低レベルで、交流入力端９０１の第２端は高レベルであると、原理は上記のと同じであるため、ここで詳しく説明しないことにする。
【０２２５】
実施例１０
本発明の実施例によると、電子機器２０を提供する。本発明の実施例の電子機器２０は、コイル２０１と、非接触機能を有するチップ２０２とを含み、更に、整流装置２０３と切替装置２０４とを含む。図１１は本実施例の電子機器の回路図を提供する。その中で、整流装置２０３は図３に示すダイオードブリッジ整流回路を採用し、具体的な説明は図３に対する説明を参照してください。切替装置２０４は実施例８における切替装置を採用し、具体的な回路は図９に示すように、非接触機能を有するチップ内部にも整流回路があり、一つの選択可能な形態として、当該整流回路は図３に類似する二級管整流ブリッジを採用し、当該二級管整流ブリッジのＩＡ端はコイルの第１入力端Ａに接続され、当該二級管整流ブリッジのＩＢ端はコイルの第２入力端Ｂに接続され、当該二級管整流ブリッジのＩC端は給電端ＶＣＣで、当該二級管整流ブリッジのＩＤ端は接地され、給電端に地と直接にフィルタ・コンデンサに接入し、フィルタリングすることに用いる。
【０２２６】
コイルの第１出力端Ａは切替装置２０４の交流入力端の第１端ＴＢに接続され、コイルの第２出力端Ｂは切替装置２０４の交流入力端の第２端ＴＡ端に接続され、切替装置２０４の出力端の第１端ＨＢはチップ２０２の入力端ＬＢ端に接続され、切替装置２０４の出力端の第２端ＨＡ端はチップ２０２の入力端ＬＡ端に接続され、切替装置２０４のＨＣ端は制御信号を受信し、ＮＦＣ_ＳＷは制御信号である。図１１に示すように、切替装置２０４は、第１ＮチャンネルＭＯＳトランジスタのＱ１と、第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２と、第３ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ３とを含み、フリーホイール二級管Ｅ１、Ｅ２と、バイアス抵抗器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３と、ダイオードＤ１、Ｄ２とを含み、切替装置の部品は具体的な接続及び回路原理は実施例８における図９に対する説明を参照すれば良い。
【０２２７】
以下に、コイルの第１出力端Ａを高レベルとし、コイルの第２出力端Ｂを低レベルとし、本発明により提供される電子機器２０の作動原理について簡単に説明する。初期状態に、第１ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ１のゲートと第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２のゲートとは、それぞれダイオードＤ１とダイオードＤ２を介してＶＣＣの所に接続されると高レベルとするが、外部制御端ＨＣから出力された制御信号は低レベルである又はレベル信号はない場合、第３ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ３は遮断状態にする。この時、第１ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ１のゲートと第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２のゲートとの所は高レベルである場合、ＴＢは高レベルで、ＴＡは低レベルであるため、第１ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ１は遮断状態で、第１フリーホイールダイオードＥ１は導通するが、第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２は導通状態にし、この時、コイル２０１は切替装置２０４のＴＢとＴＡによりチップ２０２に交流信号を出力することができ、即ち、電流の方向は、コイル２０１のＡ……＞ＴＢ……＞第１フリーホイールダイオードＥ１……＞ＨＢ……＞チップ２０２……＞ＨＡ……＞第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２……＞ＴＡ……＞コイル２０１のＢである。外部制御端ＨＣから出力された制御信号ＮＦＣ_ＳＷは高レベルである場合、第３ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ３は導通状態にし、この時、第１ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ１のゲートと第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２のゲートとは低レベルである。切替装置２０４の交流入力端の第１端ＴＢは高レベルで、切替装置２０４の交流入力端の第２端ＴＡは低レベルであるため、第１ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ１は遮断状態で、第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ２も遮断状態である。この時、ＴＢとＬＢとの接続を遮断し、ＴＡとＬＡとの接続を遮断し、コイル２０１とチップ２０２との間に信号伝送を実現することができない。
【０２２８】
勿論、コイルの第１出力端Ｂは低レベルで、コイルの第２出力端Ａは高レベルである場合、原理は上記のと同じであるため、ここで詳しく説明しないことにする。
【０２２９】
本実施例において、ＴＢとＬＢとの間の接続が遮断されると、ＴＡとＬＡとの間の接続も遮断され、コイル２０１及びチップ２０２との間に信号伝送を実現することができず、チップ２０２内部は電磁場のエネルギーを消耗しないため、整流装置の負荷出力能力を有効に向上することができる。
【０２３０】
実施例１１
本発明の実施例によると、電子機器２０が提供される。図１２に示すように、図１２は本発明の実施例により提供される一つの選択可能な電子機器の回路図である。
【０２３１】
本実施例と実施例１０との相違点として、以下のようである。実施例１０における切替装置を置き換え、実施例１０における切替装置における第１ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ（接合型電界効果トランジスタJFET）Ｑ１とフリーホイールダイオードＥ１とを第１強化型ＭＯＳトランジスタＱ１’に置き換え、切替装置における第２ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ（接合型電界効果トランジスタJFET）Ｑ２とフリーホイールダイオードＥ２とを第２強化型ＭＯＳトランジスタＱ２’に置き換え、強化型ＭＯＳトランジスタ内部に寄生ダイオードが寄生され、当該寄生ダイオードの作用はフリーホイールダイオードの作用と同じで、その導通方向はＭＯＳトランジスタの導通方向と反対する。具体的に回路接続関係は図１２に示すように、他の部品は実施例１０のと同じで、具体的に図１０における図１１に対する説明を参照してください。
【０２３２】
以下に、コイルの第１出力端Ａを高レベルとし、コイルの第２出力端Ｂを低レベルとし、本発明により提供される電子機器２０の作動原理について簡単に説明する。初期状態に、第１強化型ＭＯＳトランジスタＱ１’のゲートと第２強化型ＭＯＳトランジスタＱ２’のゲートとは、それぞれダイオードＤ１とダイオードＤ２を介してＶＣＣの所に接続されると高レベルとするが、外部制御端ＨＣから出力された制御信号は低レベルである又はレベル信号はない場合、第３ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ３は遮断状態にする。この時、第１強化型ＭＯＳトランジスタＱ１’のゲートと第２強化型ＭＯＳトランジスタＱ２’のゲートとの所は高レベルである場合、ＴＢは高レベルで、ＴＡは低レベルであるため、第１強化型ＭＯＳトランジスタＱ１’内部の寄生ダイオードは反対方向に導通し、即ち逆導通し、第２強化型ＭＯＳトランジスタＱ２’は導通状態にし、この時、コイル２０１は切替装置２０４のＴＢとＴＡによりチップ２０２に交流信号を出力することができ、即ち、電流の方向は、コイル２０１のＡ……＞ＴＢ……＞第１強化型ＭＯＳトランジスタＱ１’……＞ＨＢ……＞チップ２０２……＞ＨＡ……＞第２強化型ＭＯＳトランジスタＱ２’……＞ＴＡ……＞コイル２０１のＢである。外部制御端ＨＣから出力された制御信号ＮＦＣ_ＳＷは高レベルである場合、第３ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＱ３は導通状態にし、この時、第１強化型ＭＯＳトランジスタＱ１’のゲートと第２強化型ＭＯＳトランジスタＱ２’のゲートとの所は低レベルである。切替装置２０４の交流入力端の第１端ＴＢは高レベルで、切替装置２０４の交流入力端の第２端ＴＡは低レベルであるため、第１強化型ＭＯＳトランジスタＱ１’は遮断状態で、第２強化型ＭＯＳ管Ｑ２’も遮断状態である。この時、ＴＢとＬＢとの接続を遮断し、ＴＡとＬＡとの接続も遮断し、コイル２０１とチップ２０２との間に信号伝送を実現することができない。
【０２３３】
勿論、コイルの第１出力端Ｂは低レベルで、コイルの第２出力端Ａは高レベルであると、原理は上記のと同じであるため、ここで詳しく説明しないことにする。
【０２３４】
本実施例において、ＴＢとＬＢとの間の接続が遮断されると、ＴＡとＬＡとの間の接続も遮断され、コイル２０１及びチップ２０２との間に信号伝送を実現することができず、チップ２０２内部は電磁場のエネルギーを消耗しないため、整流装置の負荷出力能力を有効に向上することができる。
【０２３５】
上記の実施例１〜１１において、一つの選択可能な実施形態として、整流装置の出力端は電子機器における給電が必要となる装置に接続される。本実施例における一つの選択可能な実施形態において、整流装置の出力端は当該電子機器の他の給電が必要となる装置に接続され、例えば、ディスプレイと、キーと、セキュリティチップ等、電子機器他の給電が必要となる装置が通常に作業できることを維持し、他の給電が必要となる装置のために更に電気エネルギーを配置する必要はなくなり、エネルギーを節約する。
【０２３６】
また、電子機器は電池装置を更に含む。電池装置の一端は整流装置の出力端に接続される。具体的な実施形態において、電気エネルギーを更に十分に利用するために、当該電子機器は電池装置を更に含み、整流装置から出力された電気エネルギーを電池装置を充電することができる。
【０２３７】
また、電池装置は充電制御回路及び充電電池とを更に含み、充電制御回路は導通する場合、コイルは充電電池を充電する。本実施例における１つの選択可能な実施形態において、充電制御回路は充電電池を充電するか否かを制御し、例えば、充電制御回路は一つのスイッチであっても良く、スイッチの導通・遮断を制御することにより充電電池を充電するか否かを判定し、充電電池を充電する場合、スイッチを連通するが、充電電池を充電する必要がない場合、スイッチを遮断する。
【０２３８】
また、電池装置の他端は非接触機能を有するチップの給電端に接続される。具体的には、当該電池装置は非接触機能を有するチップに更に接続され、当該電池装置を利用して非接触機能を有するチップに給電し、非接触機能を有するチップに電池を配置する必要はなくなり、非接触機能を有するチップは交流コイルが遮断しても引き続き作業できる。
【０２３９】
従来技術に比べ、本実施例により提供される電子機器は他の機器と近距離無線通信（ＮＦＣ）を行うと同時に、電子機器の交流コイルから電気を供給することができ、電子機器の作動に給電し、又は電子機器に内蔵された電源を充電することにより、電子機器の利用率を向上し、電気エネルギーの無駄遣いが防止される。整流装置は非接触機能を有するチップと交流コイルを共有する場合、交流コイルはチップと連通状態にすると、通信と同時に電気を供給することができ、交流コイルはチップと遮断状態にすると、整流装置の電気吸込みの効率を向上することができる。
【０２４０】
従来技術に比べ、本実施例により提供される電子機器は、整流装置が非接触機能を有するチップとコイルを共有する場合、コイルはチップと連通状態にすると、電子機器は、他の機器と近距離無線通信（ＮＦＣ通信）を行うと同時に、電子機器のコイルから電気を供給することができ、電子機器の作動に給電し、又は電子機器に内蔵された電源を充電することにより、通信すると同時に電気を供給することができ、電子機器の利用率を向上し、電気エネルギーの無駄遣いが防止される。コイルとチップとが遮断状態にする時、チップは電気を消耗しないため、整流装置は最大限で電気エネルギーを受信することができ、外に給電して、整流装置の電気を供給する効率を向上することができる。また、本実施例において、コイルとチップとの間に切替装置を加えることで、システムは共通接地問題を解決し、ベースを共通できない整流装置とチップとに、ベースを共通させることができ、電子機器も普通に作業することができる。
【０２４１】
フローチャートまたは他の方式で説明した如何なる過程や方法は、一つまたは複数の、特定ロジック性能または過程のステップの実行できるコマンドのコードのモジュール、セクターあるいは部分を含む。本発明の望ましい実施方式の範囲は、他の実現を含み、表示または討論の順序に従わなくてもよく、述べられた機能に基づいて基本的に同様な方式または逆の順序で、その機能を実行することができる。これは、本発明の実施例の当業者に理解されるべきである。
【０２４２】
また、理解すべきなのは、本発明の各部分は、ハードウェア、ソフトウェア、部品またはそれらの組み合わせで実現できる。上記の実施形態には、複数のステップまたは方法がメモリに保存され、適当なコマンド実行システムのソフトウェアまたは部品で実現される。たとえば、ハードウェアで実現する場合、他の実施方式と同じように、本領域周知の下記の任意一つまたはそれらの組み合わせで実現できる。すなわち、デジタル信号に対してロジック機能を実現するロジックゲート回路を有する個別のロジック回路、ロジックゲート回路を組み合わせた適当な専用ＩＣ、プログラマブルゲートアレイ（ＰＧＡ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）などである。
【０２４３】
実施例の方法にある全部または一部のステップがプログラムにより関連のハードウェアの完成を指令することができることは当業者に理解される。前記プログラムは一つの計算機の読み出し書き込み可能な記憶メディアに記憶される。当プログラムを実行するとき、実施例方法のステップの一つまたはそれらの組み合わせを含む。
【０２４４】
なお、本発明の各実施例の各機能モジュールを一つの処理モジュールに集中し、または、単独に存在し、あるいは、二つまたは二つ以上モジュールを一つの処理モジュールに集中することができる。上記集成したモジュールは、ハードウェアの形式、または、ソフトウェアの形式で実現される。前記集成したモジュールは、ソフトウェアの形式で実現し、また、独立の製品として販売や使用するとき、計算機の読み出し書き込み可能な記憶メディアに記憶されることができる。
【０２４５】
上述の記憶メディアは、読み出し専用メモリ、ディスク、または、ＣＤなどである。
【０２４６】
本発明の説明において、「一つの実施形態」、「一部の実施形態」、「示例」、「具体的な示例」、或いは「一部の示例」などの用語を参考した説明とは、該実施例或いは示例に結合して説明された具体的な特徴、構成、材料或いは特徴が、本発明の少なくとも一つの実施例或いは示例に含まれることである。本明細書において、上記用語に対する例示的な描写は、必ずしも同じ実施例或いは示例を示すことではない。又、説明された具体的な特徴、構成、材料或いは特徴は、いずれか一つ或いは複数の実施形態又は示例において適切に結合することができる。
【０２４７】
以上、本発明の実施例を示して説明したが、上記実施例は例示的なもので、本発明を限定するものであると理解してはいけない。当業者は、本発明の原理及び主旨から逸脱しない限りこれらの実施例に対して複種の変化、補正、切り替え及び変形を行うことができる。本発明の範囲は、特許請求の範囲及びその等価物により限定される。
【図１】
2018504697.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【手続補正書】
【提出日】平成29年6月29日(2017.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルと、非接触機能を有するチップと、整流装置と、切替装置と、を含み、
前記切替装置は前記コイルと前記非接触機能を有するチップとの間に接続され、
前記コイルの第1出力端は、前記整流装置の第１入力端に電気的に接続され、前記切替装置を介して前記非接触機能を有するチップの第２入力端に電気的に接続され、
前記コイルは、誘導されて前記第１出力端により交流信号を出力し、
前記整流装置は、前記コイルが前記第１入力端から入力した前記交流信号を受信して、前記整流装置の第２出力端により電気エネルギーを出力し、
前記切替装置は、入力された作動電圧の働きで、前記コイルと、前記非接触機能を有するチップとを連通させ、また、制御信号を受信した場合、受信された前記制御信号に基づいて、前記コイルと前記非接触式機能を有するチップとの導通・遮断を制御する、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記作動電圧は前記整流装置から出力された電圧以上である、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記作動電圧と前記整流装置から出力された電圧との差は所定値以上である、
ことを特徴とする請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記整流装置は、前記切替装置に前記作動電圧を提供するように、前記切替装置に電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子機器。
【請求項５】
前記切替装置は、前記非接触機能を有するチップの制御端に電気的に接続され、前記非接触機能を有するチップの制御端から出力された前記制御信号を受信する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電子機器。
【請求項６】
前記電子機器は、中央制御ユニットＭＣＵを更に含み、
前記切替装置は前記ＭＣＵの制御端に電気的に接続され、前記ＭＣＵの制御端から出力された前記制御信号を受信する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電子機器。
【請求項７】
電気部品を更に含み、
前記整流装置の第２出力端は、前記電気部品に電気エネルギーを提供するように、前記電気部品に電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電子機器。
【請求項８】
充電電池を更に含み、
前記整流装置は、前記充電電池に電気エネルギーを提供するように、前記充電電池に電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電子機器。
【請求項９】
前記整流装置と前記充電電池との間に接続される充電回路を更に含み、
前記充電回路は前記充電電池を充電するように制御される、
ことを特徴とする請求項８に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記切替装置は、交流入力端と、第３出力端と、制御モジュールと、第１導通・遮断モジュールと、第２導通・遮断モジュールと、を含み、
前記第１導通・遮断モジュールは、前記交流入力端の第１端と第３出力端の第１端との間に設けられ、導通状態又は遮断状態になるように制御されて配置され、
前記第１導通・遮断モジュールが導通状態にある場合、前記交流入力端の第１端と前記第３出力端の第１端との間の第１通路を導通し、前記交流入力端の第１端と前記第３出力端の第１端との第２通路を遮断する一方、
前記第１導通・遮断モジュールが遮断状態にある場合、交流入力端の第１端と前記第３出力端の第１端との間の第１通路を遮断し、前記交流入力端の第１端と前記第３出力端の第１端との間の第２通路を導通し、前記第１通路は第２通路と反対の方向であり、前記第１通路は、前記交流入力端の第１端から前記第３出力端の第１端までの通路又は前記第３出力端の第１端から前記交流入力端の第２端までの通路であり、
前記第２導通・遮断モジュールは、前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間に設けられ、導通状態又は遮断状態になるように制御されて配置され、
前記第２導通・遮断モジュールが導通状態にある場合、前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間の第３通路を導通し、前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間の第４通路を遮断する一方、
前記第２導通・遮断モジュールが遮断状態にある場合、前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間の第３通路を遮断し、前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間の第４通路を導通し、その中、前記第３通路は第４通路と反対の方向であり、前記第３通路は、前記交流入力端の第２端から前記第３出力端の第２端までの通路又は前記第３出力端の第２端から前記交流入力端の第１端までの通路であり、
前記制御モジュールは、前記切替装置の作動電圧と共通接地との間に設けられ、導通状態又は遮断状態になるように制御されて配置され、
前記制御モジュールが導通状態にある場合、前記第１導通・遮断モジュールと前記第２導通・遮断モジュールとが遮断状態になるように制御する一方、
前記制御モジュールが遮断状態にある場合、前記交流入力端と協力して前記第１導通・遮断モジュールと前記第２導通・遮断モジュールのうちの一つが導通状態になり、もう一つが遮断状態になるように制御する、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の電子機器。
【請求項１１】
前記第１導通・遮断モジュールは、第１の制御可能なスイッチと第１フリーホイール導通部品とを含む、
ことを特徴とする請求項１０に記載の電子機器。
【請求項１２】
前記第１の制御可能なスイッチは、第１接続端と、第２接続端と、制御端と、を含み、前記第１フリーホイール導通部品は、前記第１の制御可能なスイッチの第１接続端と前記第１の制御可能なスイッチの第２接続端との間に接続され、且つ第１の制御可能なスイッチの導通方向と反対し、
前記第１の制御可能なスイッチの第１接続端は、前記交流入力端の第１端に接続されるように配置され、
前記第１の制御可能なスイッチの第２接続端は、前記第３出力端の第１端に接続されるように配置され、
前記第１の制御可能なスイッチの制御端は、前記制御モジュールから制御信号を受信し、前記制御信号の制御で前記第１通路を導通し且つ前記第２通路を遮断し、又は、前記制御信号の制御で前記第１通路を遮断し且つ前記第２通路を導通する、
ことを特徴とする請求項１１に記載の電子機器。
【請求項１３】
前記第２導通・遮断モジュールは、第２の制御可能なスイッチと第２フリーホイール導通部品とを含む、
ことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれかに記載の電子機器。
【請求項１４】
前記第２の制御可能なスイッチは、第１接続端と、第２接続端と、制御端と、を含み、前記第２フリーホイール導通部品は、前記第２の制御可能なスイッチの第１接続端と前記第２の制御可能なスイッチの第２接続端との間に接続され、且つ第２の制御可能なスイッチの導通方向と反対し、
前記第２の制御可能なスイッチの第１接続端は、前記交流入力端の第２端に接続されるように配置され、
前記第２の制御可能なスイッチの第２接続端は、前記第３出力端の第２端に接続されるように配置され、
前記第２の制御可能なスイッチの制御端は、前記制御モジュールから制御信号を受信し、制御信号の制御で前記第３通路を導通し且つ第４通路を遮断し、又は、前記制御信号の制御で前記第３通路を遮断し且つ前記第４通路を導通する、
ことを特徴とする請求項１３に記載の電子機器。
【請求項１５】
前記第１導通・遮断モジュールは、第１強化型ＭＯＳトランジスタを含み、及び／又は、前記第２導通・遮断モジュールは第２強化型ＭＯＳトランジスタを含む、
ことを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれかに記載の電子機器。
【請求項１６】
前記第１導通・遮断モジュールは、第１負荷部品を更に含み、前記第１強化型ＭＯＳトランジスタのゲートは前記第１負荷部品を介して前記制御モジュールに接続され、及び／又は、
前記第２導通・遮断モジュールは、第２負荷部品を更に含み、前記第２強化型ＭＯＳトランジスタのゲートは前記第２負荷部品を介して前記制御モジュールに接続される、
ことを特徴とする請求項１５に記載の電子機器。
【請求項１７】
前記第１負荷部品は抵抗器又は第１の一方向導通部品であり、前記第１の一方向導通部品は、ダイオード又はトライオードを含み、
前記第２負荷部品は抵抗器又は第２の一方向導通部品であり、前記第２の一方向導通部品は、ダイオード又はトライオードを含む、
ことを特徴とする請求項１６に記載の電子機器。
【請求項１８】
前記第１の制御可能なスイッチは第１ＭＯＳトランジスタと第１バイアス抵抗器とを含む、
ことを特徴とする請求項１１又は１２のいずれかに記載の電子機器。
【請求項１９】
前記第１ＭＯＳトランジスタはＮチャンネルＭＯＳトランジスタであり、
前記第１ＭＯＳトランジスタのソースは前記第１の制御可能なスイッチの第１接続端であり、
前記第１ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第１の制御可能なスイッチの第２接続端であり、
前記第１ＭＯＳトランジスタのゲートは前記第１の制御可能なスイッチの制御端であり、
前記第１バイアス抵抗器の一端は前記第１ＭＯＳトランジスタのソースに接続され、他端は前記第１ＭＯＳトランジスタのゲートに接続されている、
ことを特徴とする請求項１８に記載の電子機器。
【請求項２０】
前記第１の制御可能なスイッチは、第３負荷部品を更に含み、
前記第１ＭＯＳトランジスタのゲートは前記第１負荷部品を介して前記制御モジュールに接続されている、
ことを特徴とする請求項１８又は１９のいずれかに記載の電子機器。
【請求項２１】
前記第１負荷部品は抵抗器又は第１の一方向導通部品であり、前記第１の一方向導通部品は、ダイオード又はトライオードを含む、
ことを特徴とする請求項２０に記載の電子機器。
【請求項２２】
前記第２の制御可能なスイッチは、第２ＭＯＳトランジスタと第２バイアス抵抗器を含む、
ことを特徴とする請求項１３又は１４のいずれかに記載の電子機器。
【請求項２３】
前記第２ＭＯＳトランジスタはＮチャンネルＭＯＳトランジスタであり、
前記第２ＭＯＳトランジスタのソースは前記第２の制御可能なスイッチの第１接続端であり、
前記第２ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第２の制御可能なスイッチの第２接続端であり、
前記第２ＭＯＳトランジスタのゲートは前記第２の制御可能なスイッチの制御端であり、
前記第２バイアス抵抗器の一端は前記第２ＭＯＳトランジスタのソースに接続され、他端は前記第２ＭＯＳトランジスタのゲートに接続されている、
ことを特徴とする請求項２２に記載の電子機器。
【請求項２４】
前記第２の制御可能なスイッチは、第４負荷部品を更に含み、
前記第２ＭＯＳトランジスタのゲートは前記第２負荷部品を介して前記制御モジュールに接続されている、
ことを特徴とする請求項２２に記載の電子機器。
【請求項２５】
前記第２負荷部品は抵抗器又は第２の一方向導通部品であり、前記第２の一方向導通部品は、ダイオード又はトライオードを含む、
ことを特徴とする請求項２４に記載の電子機器。
【請求項２６】
制御可能なスイッチである前記制御モジュールは、第１接続端と、第２接続端と、制御端と、を含み、
前記制御モジュールの第１接続端は、前記作動電圧に接続されるように配置され、
前記制御モジュールの第２接続端は、共通接地に接続されるように配置され、
前記制御モジュールの制御端は、外部から前記制御信号を受信して前記制御信号の制御で導通又は遮断するように配置され、
前記制御モジュールの第１接続端は、前記第１導通・遮断モジュールと前記第２導通・遮断モジュールとに接続されるように配置され、
前記制御モジュールが導通状態にある場合、前記第１導通・遮断モジュールと前記第２導通・遮断モジュールとを遮断状態になるように制御し、
前記制御モジュールが遮断状態にある場合、前記交流入力端と協力して前記第１導通・遮断モジュールと前記第２導通・遮断モジュールとの中の一つが導通状態になるように制御する、
ことを特徴とする請求項２５に記載の電子機器。
【請求項２７】
前記制御モジュールは、第３ＭＯＳトランジスタと第３バイアス抵抗器とを含む、
ことを特徴とする請求項２６に記載の電子機器。
【請求項２８】
前記第３ＭＯＳトランジスタはＮチャンネルＭＯＳトランジスタであり、前記第３ＭＯＳトランジスタのドレインは前記制御モジュールの第１接続端であり、前記第３バイアス抵抗器を介して前記作動電圧に接続され、前記第３ＭＯＳトランジスタのソースは前記制御モジュールの第２接続端であり、前記第３ＭＯＳトランジスタのゲートは前記制御モジュールの制御端である、
ことを特徴とする請求項２７に記載の電子機器。
【請求項２９】
前記第１ＭＯＳトランジスタ、前記第２ＭＯＳトランジスタ及びＭＯＳトランジスタは接合型電界効果トランジスタである、
ことを特徴とする請求項１８乃至２８のいずれかに記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記電子機器は、中央制御ユニットＭＣＵを更に含み、その中、前記切替装置は前記ＭＣＵの制御端に電気的に接続され、前記ＭＣＵの制御端から出力された前記制御信号を受信する。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
前記第２導通・遮断モジュールは、前記交流入力端の第２端及び前記第３出力端の第２端との間に設けられ、導通状態又は遮断状態になるように制御されて配置される。その中、前記第２導通・遮断モジュールが導通状態にある場合、前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間の第３通路を導通し、前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間の第４通路を遮断する一方、前記第２導通・遮断モジュールが遮断状態にある場合、前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間の第３通路を遮断し、前記交流入力端の第２端と前記第３出力端の第２端との間の第４通路を導通し、その中、前記第３通路は第４通路と反対の方向で、前記第３通路は、前記交流入力端の第２端から前記第３出力端の第２端までの通路又は前記第３出力端の第２端から前記交流入力端の第２端までの通路である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
実施例２
図５に示すように、本実施例に電子機器が提供され、本実施例は、本実施例における切替装置１０４の第５端は、整流装置１０３の出力端と導通するように配置されなく、その代わりに、切替装置１０４の第５端は外部電源に接続され、外部電源により切替装置に作動電圧Ｖｅｅを提供する点で、実施例１と相違する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、電子機器１０は、中央制御ユニットＭＣＵ１０５を更に含む。その中で、切替装置はＭＣＵ１０５の制御端に電気的に接続され、ＭＣＵ１０５の制御端から出力された制御信号を受信する。当該選択可能な実施形態において、ＭＣＵ１０５から制御信号を送信することで、制御しやすくなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、当該電子機器は、中央制御ユニットＭＣＵを更に含む。ここで、切替装置はＭＣＵの制御端に電気的に接続され、ＭＣＵの制御端から出力された制御信号を受信する。当該選択可能な実施案により提供される電子機器は、ＭＣＵから制御信号を送信し、制御しやすい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８４】
本  発明の実施例による１つの選択可能な実施形態として、第２強化型ＮＭＯＳトランジスタのソースは交流入力端９０１の第２端に接続され、ドレインは第３出力端９０２の第２端に接続され、ゲートは制御モジュール９０３に接続される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
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【国際調査報告】
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2018504697.tif 000019