(57)【要約】【課題】保護膜がカソードを被覆している構成の有機ＥＬ素子に対しても、異物の除去がレーザーリペア法で行える有機ELディスプレイの提供を目的とする。【解決手段】第一の基板の一方の面上に、パターン状に設けた第一電極と、第一電極の周辺端部を被覆する隔壁と、該隔壁内の第一電極上に設けた有機発光媒体層と、該有機発光媒体層上に第一電極に対向する位置に設けた第二電極からなる有機ＥＬ素子基板と、第二の基板の一方の面の全面上にシート状接着剤層と、それより内側の領域に保護層を順次積層してなる対向基板とを、それぞれの一方の面側とを貼り合わせてなる有機ＥＬLディスプレイであって、  （ａ）第二電極と保護層間に空隙層が形成され、  （ｂ）有機ＥＬ素子基板と対向基板とが、シート状接着剤層を介して接着されている、ことを特徴とする有機ELディスプレイ及びその製造方法である。【選択図】  図１
2013069615.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板の一方の面上に、パターン状に設けた第一電極と、第一電極の周辺端部を被覆する隔壁と、該隔壁内の第一電極上に設けた有機発光媒体層と、該有機発光媒体層上に第一電極に対向する位置に設けた第二電極からなる有機EL素子基板と、第二の基板の一方の面の全面上にシート状接着剤層と、それより内側の領域に保護層を順次積層してなる対向基板とを、それぞれの一方の面側とを貼り合わせてなる有機ＥＬディスプレイであって、
（ａ）第二電極と保護層間に空隙層が形成され、
（ｂ）有機ＥＬ素子基板と対向基板とが、シート状接着剤層を介して接着されている、
ことを特徴とする有機ELディスプレイ。
【請求項２】
前記対向基板が、前記第二の基板の一方の全面上に第二の接着剤層、それより内側の領域に前記シート状接着剤層、さらに内側の領域に前記保護層が順次積層されてなることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイ。
【請求項３】
前記対向基板が、前記第二の基板の一方の全面上に前記第二の接着剤層、それより内側の領域に第二の保護層、さらに内側の領域に前記シート状接着剤層、さらにその内側の領域に前記保護層が順次積層されてなることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬディスプレイ。
【請求項４】
第一電極を形成する工程と、隔壁を形成する工程と、有機発光媒体層を形成する工程からなる有機EL素子基板の形成工程と、少なくともシート状接着剤層を形成する工程と、保護層を形成する工程からなる対向基板の形成工程と、前記有機EL素子基板と前記対向基板とを貼り合わる工程からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ELディスプレイ及びその製造方法に関し、特に有機EL層及びカソードなどの形成において発生する異物の付着を、レーザーリペアにより除去することができる有機ＥＬディスプレイに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報機器の多様化に伴い、一般に使用されているＣＲＴ（陰極線管）に比べて消費電力が少ない平面表示素子に対するニーズが高まってきている。このような平面表示素子の一つとして、高効率・薄型・軽量・低視野角依存性等の特徴を有する有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと略す）素子が注目され、この有機ＥＬ素子を用いたディスプレイの開発が進められている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を設けた基板上に、第一電極（アノード）、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの有機層と第二電極（カソード）が順に積層されたものが知られている。アノードとカソードの間に電位差を加え、この有機EL素子に駆動電流を流すと、アノードから注入されたホールと、カソードから注入された電子とが発光層の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この光が透明なアノードから透明絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。
【０００４】
上記の有機EL層及びカソードは、例えばメタルマスクを用いた真空蒸着法により形成される。この蒸着工程で異物が有機EL素子の形成領域に付着する問題がある。この付着により、アノードとカソードとの間がショートして電位差がなくなり、その結果、有機EL素子に駆動電流が流れなくなり、画素が非発光となる。そこで、特許文献１のように所定の波長（例えば、１０５６nm）を有するレーザー光をこの異物に照射し、異物を焼き切り吹き飛ばすことで画素を発光するようにしていた（以下、レーザーリペアと明記）。
【０００５】
しかしながら、特許文献２、３のようにカソード上に保護層がある構造（図４参照）では、保護層がカソードを被覆しているので異物は飛散しにくくレーザーリペアが困難である。異物を飛散させるためにレーザー強度（エネルギー）を高くすると、異物は保護層を貫通し飛散させることができるが、保護層のバリア性が結果的に失われ、この貫通口から水分が浸入してダークスポット（非発光点）と呼ばれる表示欠陥を拡大させてしまう。また、レーザー強度を高くすると、異物周辺の有機EL層も劣化してしまい、初期からダークスポットの面積が大きくなってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１９５６７７号公報
【特許文献２】特開２００５−３４７２０４号公報
【特許文献３】特開２００７−１８４２５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記問題を鑑みてなされたもので、保護層がカソードを被覆している構成の有機ＥＬ素子に対しても、上記異物の除去としてレーザーリペアが行え、駆動時間の経過に伴う輝度の低下や、ダークスポットの拡大といったディスプレイの劣化現象を抑制できる有機ELディスプレイを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の請求項１に係る発明は、第一の基板の一方の面上に、パターン状に設けた第一電極と、第一電極の周辺端部を被覆する隔壁と、該隔壁内の第一電極上に設けた有機発光媒体層と、該有機発光媒体層上に第一電極に対向する位置に設けた第二電極からなる有機ＥＬ素子基板と、第二の基板の一方の面の全面上にシート状接着剤層と、それより内側の領域に保護層を順次積層してなる対向基板とを、それぞれの一方の面側とを貼り合わせてなる有機ＥＬLディスプレイであって、
（ａ）第二電極と保護層間に空隙層が形成され、
（ｂ）有機ＥＬ素子基板と対向基板とが、シート状接着剤層を介して接着されている、ことを特徴とする有機ELディスプレイである。すなわち、第二電極と保護層間に空隙層を形成することにより、有機ＥＬ素子基板の形成の際に生じる異物起因によりショートしている画素を、レーザーリペアする場合、第二電極上は空間を介して保護層で覆われるので、リペアが容易かつ低エネルギーで出来る。また、シート状接着剤層の端部は有機ＥＬ素子基板と接着しているため、外部からの透湿成分を抑制できる。
【０００９】
また、本発明の請求項２に係る発明は、前記対向基板が、前記第二の基板の一方の全面上に第二の接着剤層、それより内側の領域に前記シート状接着剤層、さらに内側の領域に前記保護層が順次積層されてなることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイである。すなわち、シート状接着剤層を覆うように第二の接着剤層が形成されている為に、さらに外部からの透湿成分を抑制できる。
【００１０】
また、本発明の請求項３に係る発明は、前記対向基板が、前記第二の基板の一方の全面上に前記第二の接着剤層、それより内側の領域に第二の保護層、さらに内側の領域に前記シート状接着剤層、さらにその内側の領域に前記保護層が順次積層されてなることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬディスプレイである。すなわち、シート状接着剤層を覆うように第二の接着剤層が形成され、さらにそれより内側の領域に第二の保護層を形成することにより、外部からの透湿成分を極めて高いレベルで抑制できる。
【００１１】
また、本発明の請求項４に係る発明は、第一電極を形成する工程と、隔壁を形成する工程と、有機発光媒体層を形成する工程からなる有機EL素子基板の形成工程と、少なくともシート状接着剤層を形成する工程と、保護層を形成する工程からなる対向基板の形成工程と、前記有機EL素子基板と前記対向基板とを貼り合わる工程からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、隔壁で区画化された第二電極と保護層との間に空隙層（空間）が形成されている為、有機ＥＬ素子基板の形成の際に生じる異物起因によりショートしている画素を、レーザーリペアする場合、第二電極上は空間を介して保護層で覆われるので、リペアが容易かつ低エネルギーで出来る。それゆえ、レーザーリペアで生じるダークスポットを必要最低限のサイズに抑えこむことが出来る。また、保護層を傷付けることなくリペアすることが可能なので、保護層から水分が浸入し、ダークスポットが拡大してしまうことはない。また、保護層はシート状接着剤層側に形成するので、保護層の形成によってEL素子がダメージを受けることもない。シート状接着剤層の端部は有機ＥＬ素子基板と接着し、更にはシート状接着剤層を覆うように第二の接着剤層、第二の保護層及び第二の接着剤層を設けることで外部からの透湿成分を抑制できる。よって、レーザーリペアで生じたダークスポットが拡大していくことを抑制できる。
【００１３】
本発明によれば、レーザーリペアを行なっても駆動時間の経過に伴う輝度の低下、ダークスポットの拡大といったディスプレイの劣化現象を抑制できる有機ELディスプレイを提
供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬディスプレイを示す断面模式図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬディスプレイを示す断面模式図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬディスプレイを示す断面模式図である。
【図４】従来技術の一実施形態に係る有機ＥＬディスプレイを示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明に係る実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下の実施の形態の説明において参照する図面は、本発明の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さ、寸法等は、実際のものとは異なる。また、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１６】
本発明の有機ＥＬディスプレイを、図1〜図３を参照して説明する。
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの断面図であり、基板１、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２、平坦化膜層３、第一電極４、隔壁５、有機発光媒体層６、第二電極７、封止基板１０、シート状接着剤層１１、及び保護層１２を含む。
【００１８】
図２は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの断面図であり、図１で示す基材の他に第二の接着剤層１３を含む。
【００１９】
図３は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの断面図であり、図２で示す基材の他に第二の保護層１４を含む。
【００２０】
図１〜３に示すように、本発明の特徴は保護層１２と第二電極７との間に空隙層２０を設けることであり、この空隙層２０の存在により、保護層があってもレーザーリペアが可能となる。すなわち、レーザーリペアで有機発光媒体層６に存在する異物を、低エネルギーにより保護層１２を損傷することなく、空隙層に飛散させることができる。
【００２１】
本発明の有機ＥＬディスプレイの製造プロセスは、基板１に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２及び平坦化膜層３を形成し、その上に第一電極４と隔壁５を形成する。次に、隔壁５に囲まれた区画内の第一電極４上に、有機発光媒体層６と第二電極７を順次形成する。なお、隔壁５の高さは第二電極７の最上面よりも高くする必要がある。
【００２２】
一方、別途、封止基板１０上に、少なくともシート状接着剤層１１と保護層１２を順次形成する。その後、前者の基板１上に形成した最上層の第二電極７側の面と、後者の封止基板１０上の保護層１２側の面とを貼り合わせて有機ＥＬディスプレイを得る。上記で説明した、隔壁５の高さを第二電極７の最上面よりも高くすることにより、前記貼り合わせ時に、本発明の特徴である空隙層２０を形成することができる。
【００２３】
以下、有機ＥＬディスプレイを構成する各部の材料について説明する。
【００２４】
（１）基板１
基板１としては絶縁性を有し寸法安定性に優れた基板であれば如何なる基板も使用することができる。例えば、ガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシート、または、これらプラスチックフィルムやシートに酸化珪素、酸化ア
ルミニウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物、酸窒化珪素などの金属酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた透光性基材や、アルミニウムやステンレスなどの金属箔、シート、板や、前記プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属膜を積層させた非透光性基材などを用いることができる。光取出しをどちらの面から行うかに応じて基材の透光性を選択すればよい。これらの材料からなる基板は、有機ＥＬ素子内への水分の侵入を避けるために、無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布したりして、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好ましい。特に、有機発光媒体への水分の侵入を避けるために、基板における含水率およびガス透過係数を小さくすることが好ましい。
【００２５】
（２）薄膜トランジスタ２（ＴＦＴ）
また、基板１として、必要に応じて、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成した駆動用基板を用いても良い。アクティブ駆動型有機ＥＬ素子とする場合には、ＴＦＴ上に、平坦化膜層３が形成してあるとともに、平坦化膜層上に有機ＥＬ素子の第一電極４が設けられており、かつ、ＴＦＴと第一電極とが平坦化膜層に設けたコンタクトホールを介して電気接続してあることが好ましい。このように構成することにより、ＴＦＴと、有機ＥＬ素子との間で、優れた電気導電性を得ることができる。基板上に設ける薄膜トランジスタは、公知の薄膜トランジスタを用いることができる。具体的には、主として、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域が形成される活性層、ゲート絶縁膜及びゲート電極から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。薄膜トランジスタの構造としては、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。
【００２６】
（３）平坦化膜層３
平坦化膜層３の材料についてはＳｉＯ２、スピンオンガラス、ＳｉＮ（Ｓｉ３Ｎ４）、ＴａＯ（Ｔａ２Ｏ５）等の無機材料、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フォトレジスト材料、ブラックマトリックス材料等の有機材料等を用いることができる。これらの材料に合わせてスピンコーティング、ＣＶＤ、蒸着法等を選択できる。必要に応じて、平坦化膜層として感光性樹脂を用いフォトリソグラフィーの手法により、あるいは一旦全面に平坦化層を形成後、下層の薄膜トランジスタ１２０に対応した位置にドライエッチング、ウェットエッチング等でコンタクトホールを形成する。コンタクトホールはその後導電性材料で埋めて平坦化層上層に形成される画素電極との導通を図る。平坦化層の厚みは下層のＴＦＴ、コンデンサ、配線等を覆うことができればよく、厚みは数μｍ、例えば３μｍ程度あればよい。
【００２７】
（４）第一電極４
基板１の上に第一電極４を成膜し、必要に応じてパターニングをおこなう。本発明では第一電極は隔壁によって区画され、各画素に対応した画素電極となる。第一電極の材料としては、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものをいずれも使用することができる。第一電極を陽極とする場合にはＩＴＯなど仕事関数の高い材料を選択することが好ましい。下方から光を取り出す、いわゆるボトムエミッション構造の場合は透光性のある材料を選択する必要がある。必要に応じて、第一電極の配線抵抗を低くするために、銅やアルミニウムなどの金属材料を補助電極として併設してもよい。第一電極の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いること
ができる。第一電極のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。基板としてＴＦＴを形成した物を用いる場合は下層の画素に対応して導通を図ることができるように形成する。
【００２８】
（５）隔壁５
次に、隔壁５は画素に対応した発光領域を区画するように格子状に形成される。また、隔壁は画素電極である第一電極４の端部を覆うように形成されるのが好ましい。一般的にアクティブマトリクス駆動型の表示装置は各画素（サブピクセル）に対して画素電極が形成され、それぞれの画素ができるだけ広い面積を占有しようとするため、画素電極の端部を覆うように形成される隔壁５の最も好ましい形状は各画素電極を最短距離で区切る格子状を基本とする。隔壁５の形成方法としては、従来と同様、基板上に無機膜を一様に形成し、レジストでマスキングした後、ドライエッチングを行う方法や、基板上に感光性樹脂を積層し、フォトリソ法により所定のパターンとする方法が挙げられる。必要に応じて撥水剤を添加したり、プラズマやＵＶを照射して形成後にインクに対する撥液性を付与することもできる。隔壁５の好ましい高さは０．１μｍ〜１０μｍであり、より好ましくは０．５μｍ〜２μｍである。
【００２９】
（６）有機発光媒体層６
次に、有機発光媒体層６を形成する。本発明における有機発光媒体層６としては、発光物質を含む単層膜、あるいは多層膜で形成することができる。多層膜で形成する場合の構成例としては、正孔輸送層、電子輸送性発光層または正孔輸送性発光層、電子輸送層からなる２層構成や正孔輸送層、発光層、電子輸送層からなる３層構成、さらには、必要に応じて正孔（電子）注入機能と正孔（電子）輸送機能を分けたり、正孔（電子）の輸送をプロックする層などを挿入することにより、さらに多層形成することがより好ましい。なお、本発明中の有機発光層とは有機発光材料を含む層を指し、電荷輸送層とは正孔輸送層等それ以外の発光効率を上げるために形成されている層を指す。 
【００３０】
有機発光媒体層６に用いる正孔輸送材料の例としては、銅フタロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、キナクリドン化合物、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン等の芳香族アミン系低分子正孔注入輸送材料や、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸との混合物などの高分子正孔輸送材料、ポリチオフェンオリゴマー材料、Ｃｕ２Ｏ，Ｃｒ２Ｏ３，Ｍｎ２Ｏ３，ＦｅＯｘ，ＮｉＯ，ＣｏＯ，Ｐｒ２Ｏ３，Ａｇ２Ｏ，ＭｏＯ２，Ｂｉ２Ｏ３，ＺｎＯ，ＴｉＯ２，ＳｎＯ２，ＴｈＯ２，Ｖ２Ｏ５，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５，ＭｏＯ３，ＷＯ３，ＭｎＯ２などの無機材料、その他既存の正孔輸送材料の中から選ぶことができる。
【００３１】
有機発光媒体層６の発光材料が高分子材料の場合には、発光層と正孔輸送層の間又は正孔輸送層と電子輸送層の間に、正孔の輸送性を高め、陰極からの電子をブロックする機能を持つインターレイヤ層を形成することが好ましい。インターレイヤ層に用いる材料として、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などの、芳香族アミンを含むポリマーなどが挙げられる。これらの材料は溶媒に溶解または分散させ、スピンコート法等を用いた各種塗布方法や凸版印刷方法を用いて形成することができる。
【００３２】
有機発光媒体層６に用いる発光材料としては、９，１０−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、１，１，４，４−テトラフェニルブタジエン、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯体、トリス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−キノリノラート）スカンジウム錯体、ビス〔８−（パラ−トシル）アミノキノリン〕亜鉛錯体及びカドミウム錯体、１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−２，５−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、クマリン系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンスロン系蛍光体、ポルフィリン系蛍光体、キナクリドン系蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光体、ナフタルイミド系蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置換ピロロピロール系蛍光体等、Ｉｒ錯体等の燐光性発光体などの低分子系発光材料や、ポリフルオレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリスピロなどの高分子材料や、これら高分子材料に前記低分子材料の分散または共重合した材料や、その他既存の蛍光発光材料や燐光発光材料を用いることができる。
【００３３】
有機発光媒体層６に用いる電子輸送材料の例としては、２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体やビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリノラート）ベリリウム錯体、トリアゾール化合物等を用いることができる。また、これらの電子輸送材料に、ナトリウムやバリウム、リチウムといった仕事関数が低いアルカリ金属、アルカリ土類金属を少量ドープすることにより、電子注入層としてもよい。
【００３４】
有機発光媒体層６の厚さは、単層または積層により形成する場合においても、１μｍ以下であり、好ましくは０．０５〜０．２μｍ程度である。有機発光媒体層の形成方法としては、材料に応じて、真空蒸着法や、スリットコート、スピンコート、スプレーコート、ノズルコート、フレキソ、グラビア、マイクログラビア、凹版オフセットなどのコーティング法や印刷法、インクジェット法などを用いることができる。
【００３５】
（７）第二電極７
次に、第二電極７を形成する。第二電極を陰極とする場合には有機発光媒体層６への電子注入効率の高い、仕事関数の低い物質を用いる。具体的にはＭｇ，Ａｌ，Ｙｂ等の金属単体を用いたり、発光媒体と接する界面にＬｉや酸化Ｌｉ，ＬｉＦ等の化合物を１ｎｍ程度挟んで、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積層して用いてもよい。または電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数が低いＬｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｓｃ，Ｙ，Ｙｂ等の金属１種以上と、安定なＡｇ，Ａｌ，Ｃｕ等の金属元素との合金系を用いてもよい。具体的にはＭｇＡｇ，ＡｌＬｉ，ＣｕＬｉ等の合金が使用できる。第二電極側から光を取り出す、いわゆるトップエミッション構造とする場合には透光性を有する材料を選択することが好ましい。第二電極７の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることができる。第二電極の厚さに特に制限はないが、５０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度が望ましい。
【００３６】
（１０）封止基板１０
封止基板１０としては、水分や酸素の透過性が低い基材である必要がある。材料の一例
として、アルミナ、窒化珪素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、アルミニウムやステンレスなどの金属箔、耐湿性フィルムを挙げることができる。耐湿性フィルムの例として、プラスチック基材の両面にＳｉＯｘをＣＶＤ法で形成したフィルムや、透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルムまたは吸水剤を塗布した重合体フィルムなどがあり、耐湿性フィルムの水蒸気透過率は、１０−６ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましい。
【００３７】
（１１）シート状接着剤層１１
シート状接着剤層１１とは、常温（２５℃程度）では非流動性を示し、且つ、加熱すると５０℃〜１００℃の範囲で軟化点・流動性を発現し、シート状に成形された接着性封入組成物を指す。シート接着剤層１１として例えばエポキシ樹脂にジシアンジアミド、ジアミノジフェニルスルホン、多価フェノール、イミダゾール等の潜在性硬化剤を配合した接着性封入組成物、水素添加環状オレフィン系ポリマー、ポリイソブチレン樹脂、光硬化型樹脂、及び光重合開始剤を配合した接着性封入用組成物などが挙げられる。シート状接着剤層は例えばフィルムとして適切な基板にコーティングすることが可能である。基材を成形のために一時的に使用してもよく、又は基材は接着性封入用組成物を使用するまで一体化されてもよい。いずれの場合も、基板の表面を、例えばシリコーン樹脂で放出処理することが可能である。コーティングプロセスは既知の技術、例えば、ダイコーティング、スピンコーティング、ドクターブレードコーティング、カレンダー工法、押出成形等を用いて実施することができる。シート状接着剤層は、有機ＥＬ素子基板上の第二電極と対向配置する領域に後で説明する保護層１２を形成し、有機ＥＬ素子基板と接着する端部には保護層１２を形成しない。保護層をパターン形成したシート状接着剤層は、保護層が第二電極と向かい合うように有機ＥＬ素子基板上にラミネート転写される。或いはピック＆プレースして真空ラミネートしても良い。
【００３８】
（１２）保護層１２
保護層１２は電気絶縁性を有し、水分、酸素および低分子成分に対するバリア性を有する材料で形成される。例えば、酸化ケイ素、酸化アルミ、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化錫、インジウム錫オキサイド（ＩＴＯ）及びチッ化ケイ素からなる群から選ばれる少なくとも１種以上の無機材料を使用できる。保護層の形成方法としては、スパッタ、ＣＶＤ、及び蒸着などを用いることができる。本発明では、保護層（無機膜）をシート状接着剤層上に形成することから、保護層は、低温、かつ短時間で形成可能であること、またガスバリア性能を確実にするために、１μｍ以上の十分な膜厚を得ることが必要である。したがって、本発明では低温ＣＶＤにより形成された酸化ケイ素あるいは窒化ケイ素を含む保護層が好ましい。
【００３９】
（１３）第二の接着剤層１３
第二の接着剤層１３はシート状接着剤層を覆うように形成し、第二の接着剤層を介して前記有機ＥＬ素子基板と前記対向基板とを貼り合わせる。第二の接着剤層は例えば、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型シール剤、２−シアノアクリル酸エステルなどの湿気硬化型等の接着剤層、エポキシ系などの熱及び化学硬化型（二液混合）等の接着剤層、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤層等を挙げることが出来る。第二の接着剤層を使用して封止基板と有機ＥＬ素子基板とを接着する場合、貼合安定性、貼合部内への気泡混入防止、可撓性封止基板の平面性保持等を考慮し、１０〜１×１０−５Ｐａの減圧条件で行うことが好ましい。
【００４０】
（１４）第二の保護層１４
第二の保護層はシート状接着剤層１１を覆うように形成し、第二の接着剤層１３を介して前記有機ＥＬ素子基板と前記対向基板とを貼り合わせる。第二の保護層１４は第一の保
護層と同様な材料を使用することが出来る。また、膜厚も第一の保護層同様、ガスバリア性能を確実にするために１μｍ以上が望ましい。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例にて本発明の詳細な説明とする。
【００４２】
＜実施例１＞
基板１上に設けられた薄膜トランジスタと、画素電極（第一電極４）とを備えた厚さ０．７ｍｍのアクティブマトリクス基板を用いた。基板サイズは対角５インチ、画素数は３２０×２４０である。画素電極の端部を被覆し画素を区画するような形状で隔壁５を形成した。隔壁５は、日本ゼオン社製、商品名「ＺＷＤ６２１６−６」で表示されるポジレジストをスピンコータ法を用いて基板全面に高さ（厚み）２μｍで形成した。その後、フォトリソグラフィ法を用いて、幅４０μｍの隔壁５を形成した。これによりサブピクセル数９６０×２４０ドット、０．１２ｍｍ×０．３６ｍｍピッチの画素領域が区画された。
【００４３】
次に、画素電極上に正孔輸送層を成膜した。正孔輸送層には、厚さ５０ｎｍの酸化モリブデンを用いて、真空蒸着法のシャドーマスク法でパターン成膜した。 
【００４４】
次に、隔壁に挟まれた画素電極の真上に、ラインパターンに合わせてインターレイヤ層を凸版印刷法で印刷を行った。インターレイヤ層の材料であるポリビニルカルバゾール誘導体を濃度０．５％になるようにトルエンに溶解させたインキを用いて、印刷を行った。印刷、乾燥後のインターレイヤ層の膜厚は１０ｎｍとなった。
【００４５】
次に、隔壁に挟まれた画素電極の真上に、ラインパターンに合わせて有機発光層を凸版印刷法で印刷を行った。有機発光層の材料であるポリフェニレンビニレン誘導体を濃度１％になるようにトルエンに溶解させた有機発光インキを用いて、印刷を行った。印刷、乾燥後の有機発光層の膜厚は８０ｎｍとなった。 
【００４６】
次に、対向電極（第二電極７）として真空蒸着法でカルシウム膜をメタルマスクを用いて厚み２０ｎｍで成膜し、アルミニウム膜をメタルマスクを用いて厚み１５０ｎｍで成膜した。
【００４７】
次に、シート状接着剤層１１として厚さ２０μｍの紫外線硬化型シート状接着剤層（スリーボンド社製、ＴＢ１６３０）を使用した。シート状接着剤層は基材フィルム／接着層／セパレートフィルムの３層構成からなり、セパレートフィルムを剥離した後、ＣＶＤ装置に仕込み、メタルマスクを接着層表面から２ｍｍ浮かした状態でＳｉＮｘを１μｍ成膜した。メタルマスクの開口部は、第二電極の開口部より上下左右１ｍｍ大きいものを使用した。ＳｉＮｘ膜は全圧：３００Ｐａ、電力：１．２ｋＷ、ＳｉＨ４ガス：１００ｓｃｃｍ、ＮＨ３ガス：０．０２ｓＬｍ、Ｎ２ガス：０．８ｓＬｍの条件で行った。
【００４８】
次に第二電極まで形成した有機ＥＬ素子基板と、ＳｉＮｘ膜をパターン成膜したシート状接着剤層をＮ２雰囲気下で貼り合せ、熱ローラーを用いて温度８５℃、圧力０．１ＭＰａ、速度５ｍｍ／ｓｅｃの条件で熱圧着した。
【００４９】
次にシート状接着剤層の基材フィルムを剥離した後、封止基板として用いた厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラス（日本電気硝子社製、ＯＡ１０Ｇ）と貼り合せた。貼り合せにはダイヤフラム式真空ラミネート装置を用い、温度：９０℃、加圧５分の条件で行った。
【００５０】
最後に封止基板側から紫外線（３６５ｎｍ波長測定）を３０ｋＪ／ｍ２を照射した。
【００５１】
＜実施例２＞
実施例１で第二電極まで形成した有機ＥＬ素子基板と、ＳｉＮｘ膜をパターン成膜したシート状接着剤層をＮ２雰囲気下で貼り合せ、基材フィルムを剥離した後、紫外線（３６５ｎｍ波長測定）３０ｋＪ／ｍ２を照射した。その後、封止基板（無アルカリガラス、０．７ｍｍ厚）に厚さ３０μｍの紫外線硬化型接着剤層（長瀬産業社製、ＸＮＲ５５１６Ｚ）をスクリーン印刷で形成したものと真空貼り合せを行った。その後、紫外線６０００ｍＪ／ｃｍ２（３６５ｎｍ波長測定）を照射した。
【００５２】
＜実施例３＞
実施例１で第二電極まで形成した有機ＥＬ素子基板と、ＳｉＮｘ膜をパターン成膜したシート状接着剤層をＮ２雰囲気下で貼り合せ、基材フィルムを剥離した後、紫外線（３６５ｎｍ波長測定）３０ｋＪ／ｍ２を照射した。その後、ＣＶＤ装置にてＳｉＮｘ膜を２μｍ成膜した。ＳｉＮｘ膜は全圧：３００Ｐａ、電力：１．２ｋＷ、ＳｉＨ４ガス：１００ｓｃｃｍ、ＮＨ３ガス：０．０２ｓＬｍ、Ｎ２ガス：０．８ｓＬｍの条件で行った。次に封止基板（無アルカリガラス、０．７ｍｍ厚）に厚さ３０μｍの紫外線硬化型接着剤層（長瀬産業社製、ＸＮＲ５５１６Ｚ）をスクリーン印刷で形成したものと真空貼り合せを行った。その後、紫外線６０００ｍＪ／ｃｍ２（３６５ｎｍ波長測定）を照射した。
【００５３】
＜比較例１＞
実施例１で第二電極まで形成した後、第二電極を覆うようにＣＶＤ装置にてＳｉＮｘ膜を２μｍ成膜した。ＳｉＮｘ膜は全圧：３００Ｐａ、電力：１．２ｋＷ、ＳｉＨ４ガス：１００ｓｃｃｍ、ＮＨ３ガス：０．０２ｓＬｍ、Ｎ２ガス：０．８ｓＬｍの条件で行った。次に封止基板（無アルカリガラス、０．７ｍｍ厚）に厚さ３０μｍの紫外線硬化型接着剤層（長瀬産業社製、ＸＮＲ５５１６Ｚ）をスクリーン印刷で形成したものと真空貼り合せを行った。その後、紫外線６０００ｍＪ／ｃｍ２（３６５ｎｍ波長測定）を照射した。
【００５４】
＜評価＞
実施例１〜３及び比較例１で得られた有機ＥＬディスプレイのレーザーリペアを行なった。滅点画素で５μｍ以下の異物があるものに対してレーザーリペアを行なった。リペアできるまで強度をあげたレーザー照射した結果、ダークスポット（非発光部）サイズは表１のようになった。また、レーザーリペア実施後、６０℃、９０％ＲＨの恒温恒湿槽に１５００ｈ放置し、ダークスポットの拡大の度合いを調べた。その結果も表１に示す。
【００５５】
【表１】
2013069615.tif 000003
【００５６】
＜比較結果＞
実施例１〜３の本発明品である有機ＥＬディスプレイでは、初期ダークスポットサイズが小さく、恒温恒湿層に放置してもダークスポットサイズの拡大幅が小さい結果が得られ、レーザーリペアを効果的に行なうことが出来た。一方、比較例１で得られた比較例品は、初期ダークスポットサイズが大きく、実用レベルのレーザーリペアを行うことができなかった。
【符号の説明】
【００５７】
１…基板
２…薄膜トランジスタ
３…平坦化膜層
４…第一電極
５…隔壁
６…有機発光媒体層
７…第二電極
１０…封止基板
１１…シート状接着剤層
１２…保護層
１３…第二の接着剤層
１４…第二の保護層
２０…空隙層
【図１】
2013069615.tif 000004
【図２】
2013069615.tif 000005
【図３】
2013069615.tif 000006
【図４】
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