Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月22日(2014.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の部品を所定ピッチで配列した部品供給テープを部品吸着位置へ供給するテープサプライヤをフィーダ本体に着脱可能に装着するように構成したテープフィーダにおいて、  前記テープサプライヤの識別情報（以下「サプライヤＩＤ」という）が記憶されたサプライヤ識別情報記憶手段が前記テープサプライヤに設けられ、
前記フィーダ本体に装着された前記テープサプライヤの前記サプライヤ識別情報記憶手段から前記サプライヤＩＤを読み取る識別情報読取手段が前記フィーダ本体に設けられ、  前記サプライヤ識別情報記憶手段から前記サプライヤＩＤを前記識別情報読取手段で読み取ることで、前記フィーダ本体に前記テープサプライヤが装着されたことを確認する装着確認手段が前記フィーダ本体に設けられていることを特徴とするテープフィーダ。
【請求項２】
前記フィーダ本体の識別情報（以下「フィーダ本体ＩＤ」という）が記憶されたフィーダ本体識別情報記憶手段が前記フィーダ本体に設けられ、
前記識別情報読取手段で読み取った前記サプライヤＩＤ及び前記フィーダ本体識別情報記憶手段から読み出した前記フィーダ本体ＩＤを前記フィーダ本体が装着された部品実装機側へ送信する通信手段が前記フィーダ本体に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のテープフィーダ。
【請求項３】
前記フィーダ本体は、複数のテープサプライヤをそれぞれ独立して着脱可能に装着するように構成され、
前記フィーダ本体には、装着する前記複数のテープサプライヤに対応して前記部品供給テープを前記部品吸着位置へ送る複数のスプロケット駆動ユニットが設けられ、
前記複数のスプロケット駆動ユニットには、各スプロケット駆動ユニットの識別情報（以下「スプロケット駆動ユニットＩＤ」という）を記憶した駆動ユニット識別情報記憶手段が前記スプロケット駆動ユニット毎に設けられ、
前記通信手段は、前記複数のスプロケット駆動ユニットの前記駆動ユニット識別情報記憶手段から読み出した前記スプロケット駆動ユニットＩＤを前記部品実装機側へ送信することを特徴とする請求項２に記載のテープフィーダ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、請求項１に係る発明は、部品供給テープを部品吸着位置へ供給するテープサプライヤをフィーダ本体に着脱可能に装着するように構成したテープフィーダにおいて、テープサプライヤの識別情報（以下「サプライヤＩＤ」という）が記憶されたサプライヤ識別情報記憶手段をテープサプライヤに設け、フィーダ本体に装着されたテープサプライヤのサプライヤ識別情報記憶手段からサプライヤＩＤを読み取る識別情報読取手段をフィーダ本体に設け、更に、サプライヤ識別情報記憶手段からサプライヤＩＤを識別情報読取手段で読み取ることで、フィーダ本体にテープサプライヤが装着されたことを確認する装着確認手段をフィーダ本体に設けた構成としたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この構成では、フィーダ本体に設けた識別情報読取手段によってテープサプライヤのサプライヤ識別情報記憶手段からサプライヤＩＤを読み取ることができるため、フィーダ本体に装着したテープサプライヤのサプライヤＩＤを自動的に読み取ることができ、テープサプライヤの装着ミスやサプライヤＩＤの入力ミス等による問題を解消できる。しかも、サプライヤ識別情報記憶手段からサプライヤＩＤを識別情報読取手段で読み取ることで、フィーダ本体にテープサプライヤが装着されたことを確認する装着確認手段をフィーダ本体に設けているため、フィーダ本体の識別情報読取手段で読み取ったサプライヤＩＤの信号がテープサプライヤの装着を確認する信号を兼ねるようになっている。これにより、フィーダ本体へのテープサプライヤの装着を確認するセンサ等を設ける必要がなく、構成の簡単化、低コスト化の要求を満たすことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
更に、請求項２のように、フィーダ本体の識別情報（以下「フィーダ本体ＩＤ」という）が記憶されたフィーダ本体識別情報記憶手段をフィーダ本体に設け、前記識別情報読取手段で読み取ったサプライヤＩＤ及びフィーダ本体識別情報記憶手段から読み出したフィーダ本体ＩＤをフィーダ本体が装着された部品実装機側へ送信する通信手段をフィーダ本体に設けた構成とすると良い。このようにすれば、部品実装機側で、サプライヤＩＤとフィーダ本体ＩＤの両方を管理することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
これに対応して、フィーダ本体１３の操作パネル１５の下面には、ＲＦタグ８１に記憶されたサプライヤＩＤを読み取る識別情報読取手段であるリーダ８２（図１７参照）が設けられ、該フィーダ本体１３にテープサプライヤ２１をセットして取手部７６の位置決めピン７７を操作パネル１５の下側の位置決め穴７８に差し込んだ状態にすると、取手部７６の上面のＲＦタグ８１が操作パネル１５の下面のリーダ８２に近接して対向してＲＦタグ８１に記憶されたサプライヤＩＤがリーダ８２で読み取られる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
１１…テープフィーダ、１２…部品供給テープ、１３…フィーダ本体、１４…取手部、１５…操作パネル、１６…テープリール、１７…リールホルダ、２１…テープサプライヤ、２２…リール引掛部、２３…カバーテープ剥離装置、２４…カバーテープ回収ケース、２５…剥離ローラ、２８，２９…カバーテープ送りギア、３１…駆動装置、３３…モータ、３４…駆動ギア、３７，３８…テープ保持部、４１…スプロケット駆動ユニット、４２…スプロケット、４３…平歯車列（歯車機構）、４３ａ…歯車、４４…モータ、４５…スプロケット駆動機構部、４６…ベアリング、４７…弾性部材、４８…ベアリング押え、４９…ねじ、５１…軸、５２…ガイドピン、５３…ガイド孔、５５…スプリング（付勢手段）、５６…モータ（アクチュエータ）、５７…カム、５８…カム当接部材、６１…位置検出ドッグ、６２…カム位置センサ、６３…噛合検出センサ（噛合検出手段）、６４…位置検出ドッグ、６６…フィーダ載置台、６７，６８…コネクタ、６９，７０…位置決めピン、７１，７２…位置決め穴、７４…ガイド溝、７６…取手部、７７…位置決めピン、７８…位置決め穴、８１…ＲＦタグ（サプライヤ識別情報記憶手段）、８２…リーダ（識別情報読取手段）、８４…フィーダ本体の制御装置（通信手段）、８５…部品実装機の制御装置、８６…メモリ、８７…ＩＤ記憶メモリ
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月18日(2014.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽光が表面側から入射される透光性基板と、前記透光性基板の裏面側に配置された太陽電池セルと、前記太陽電池セルを覆って保護する裏面保護部材と、前記太陽電池セルの出力を取り出すための出力リード線と、前記出力リード線が接続された端子板とを備える太陽電池モジュールであって、
前記端子板は、前記出力リード線が載置された載置部と、前記載置部が前記太陽電池セルの側へ凹んだ凹部とを備え、
前記出力リード線は、前記凹部に配置されていること
を特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の太陽電池モジュールであって、
前記出力リード線は、前記凹部の深さの中央より底の方に延長されていること
を特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の太陽電池モジュールであって、
前記出力リード線は、前記凹部によって挟まれていること
を特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか一つに記載の太陽電池モジュールであって、
前記凹部の内側面は、凹凸面とされていること
を特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか一つに記載の太陽電池モジュールであって、
前記出力リード線は、前記凹部の入り口で導電性の接着部材によって前記端子板に接着されていること
を特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項６】
接続対象物から取り出された出力リード線が接続される端子板と、前記接続対象物に取り付けられて前記端子板を支持する支持部とを備える端子構造体であって、
前記端子板は、前記出力リード線が載置される載置部と、前記載置部が前記接続対象物の側へ凹んだ凹部とを備え、
前記支持部は、前記載置部の裏面を支持する構成とされていること
を特徴とする端子構造体。
【請求項７】
接続対象物から取り出された出力リード線が接続される端子板と、前記接続対象物に取り付けられて前記端子板を支持する支持部とを備える端子構造体に前記出力リード線を結合する端子構造体結合装置であって、
前記端子板は、前記出力リード線が載置される載置部と、前記載置部が前記接続対象物の側へ凹んだ凹部とを備えており、
前記凹部に挿入されて前記載置部に載置された出力リード線を前記凹部へ押し込む押し込み治具と、
前記押し込み治具の位置を制御する押し込み制御機構部とを備えること
を特徴とする端子構造体結合装置。
【請求項８】
太陽光が表面側から入射される透光性基板と、前記透光性基板の裏面側に配置された太陽電池セルと、前記太陽電池セルを覆って保護する裏面保護部材と、前記太陽電池セルの出力を取り出すための出力リード線と、前記出力リード線が接続された端子板とを備える太陽電池モジュールの製造方法であって、
前記端子板が有する載置部に前記出力リード線を載置するステップと、
前記載置部に載置された前記出力リード線を前記載置部が凹んだ凹部に押し込むステップとを備えること
を特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月5日(2014.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端末装置と通信する基地局装置であって、
所定のリソースブロックセットにおける第１の探索領域および第２の探索領域に基づいて、拡張物理下りリンク制御チャネルを送信する送信部を備え、
前記第１の探索領域および前記第２の探索領域は、前記拡張物理下りリンク制御チャネルの候補のセットによってそれぞれ定義され、
前記所定のリソースブロックセットにおいて、前記第１の探索領域および前記第２の探索領域の前記拡張物理下りリンク制御チャネルの候補に対応するリソースは、少なくとも上位層の制御情報に基づく値に基づいて決められ、
前記上位層の制御情報に基づく値は、前記第１の探索領域および前記第２の探索領域で異なる基地局装置。
【請求項２】
前記第１の探索領域および前記第２の探索領域において、それぞれ異なるセルのための前記拡張物理下りリンク制御チャネルが探索される、請求項１に記載の基地局装置。
【請求項３】
基地局装置と通信する端末装置であって、
所定のリソースブロックセットにおける第１の探索領域および第２の探索領域に基づいて、拡張物理下りリンク制御チャネルを受信する受信部を備え、
前記第１の探索領域および前記第２の探索領域は、前記拡張物理下りリンク制御チャネルの候補のセットによってそれぞれ定義され、
前記所定のリソースブロックセットにおいて、前記第１の探索領域および前記第２の探索領域の前記拡張物理下りリンク制御チャネルの候補に対応するリソースは、少なくとも上位層の制御情報に基づく値に基づいて決められ、
前記上位層の制御情報に基づく値は、前記第１の探索領域および前記第２の探索領域で異なる端末装置。
【請求項４】
前記第１の探索領域および前記第２の探索領域において、それぞれ異なるセルのための前記拡張物理下りリンク制御チャネルが探索される、請求項３に記載の端末装置。
【請求項５】
端末装置と通信する基地局装置における通信方法であって、
所定のリソースブロックセットにおける第１の探索領域および第２の探索領域に基づいて、拡張物理下りリンク制御チャネルを送信するステップを含み、
前記第１の探索領域および前記第２の探索領域は、前記拡張物理下りリンク制御チャネルの候補のセットによってそれぞれ定義され、
前記所定のリソースブロックセットにおいて、前記第１の探索領域および前記第２の探索領域の前記拡張物理下りリンク制御チャネルの候補に対応するリソースは、少なくとも上位層の制御情報に基づく値に基づいて決められ、
前記上位層の制御情報に基づく値は、前記第１の探索領域および前記第２の探索領域で異なる通信方法。
【請求項６】
前記第１の探索領域および前記第２の探索領域において、それぞれ異なるセルのための前記拡張物理下りリンク制御チャネルが探索される、請求項５に記載の通信方法。
【請求項７】
基地局装置と通信する端末装置における通信方法であって、
所定のリソースブロックセットにおける第１の探索領域および第２の探索領域に基づいて、拡張物理下りリンク制御チャネルを受信するステップを含み、
前記第１の探索領域および前記第２の探索領域は、前記拡張物理下りリンク制御チャネルの候補のセットによってそれぞれ定義され、
前記所定のリソースブロックセットにおいて、前記第１の探索領域および前記第２の探索領域の前記拡張物理下りリンク制御チャネルの候補に対応するリソースは、少なくとも上位層の制御情報に基づく値に基づいて決められ、
前記上位層の制御情報に基づく値は、前記第１の探索領域および前記第２の探索領域で異なる通信方法。
【請求項８】
前記第１の探索領域および前記第２の探索領域において、それぞれ異なるセルのための前記拡張物理下りリンク制御チャネルが探索される、請求項７に記載の通信方法。
【請求項９】
端末装置と通信する基地局装置に実装される集積回路であって、
所定のリソースブロックセットにおける第１の探索領域および第２の探索領域に基づいて、拡張物理下りリンク制御チャネルを送信する機能を含む一連の機能を前記基地局装置に実現させ、
前記第１の探索領域および前記第２の探索領域は、前記拡張物理下りリンク制御チャネルの候補のセットによってそれぞれ定義され、
前記所定のリソースブロックセットにおいて、前記第１の探索領域および前記第２の探索領域の前記拡張物理下りリンク制御チャネルの候補に対応するリソースは、少なくとも上位層の制御情報に基づく値に基づいて決められ、
前記上位層の制御情報に基づく値は、前記第１の探索領域および前記第２の探索領域で異なる集積回路。
【請求項１０】
前記第１の探索領域および前記第２の探索領域において、それぞれ異なるセルのための前記拡張物理下りリンク制御チャネルが探索される、請求項９に記載の集積回路。
【請求項１１】
基地局装置と通信する端末装置に実装される集積回路であって、
所定のリソースブロックセットにおける第１の探索領域および第２の探索領域に基づいて、拡張物理下りリンク制御チャネルを受信する機能を含む一連の機能を前記端末装置に実現させ、
前記第１の探索領域および前記第２の探索領域は、前記拡張物理下りリンク制御チャネルの候補のセットによってそれぞれ定義され、
前記所定のリソースブロックセットにおいて、前記第１の探索領域および前記第２の探索領域の前記拡張物理下りリンク制御チャネルの候補に対応するリソースは、少なくとも上位層の制御情報に基づく値に基づいて決められ、
前記上位層の制御情報に基づく値は、前記第１の探索領域および前記第２の探索領域で異なる集積回路。
【請求項１２】
前記第１の探索領域および前記第２の探索領域において、それぞれ異なるセルのための前記拡張物理下りリンク制御チャネルが探索される、請求項１１に記載の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月28日(2014.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局装置と通信する端末装置であって、
下りリンク制御情報フォーマットを介して、送信電力制御コマンドを受信する受信部と、
前記送信電力制御コマンドを用いて、送信電力の電力補正を行なう送信電力制御部を備え、
前記受信部は、
第１の状態である場合には、下りリンクサブフレームのいずれかにおいて前記送信電力制御コマンドを受信し、
第２の状態である場合には、
前記第１のサブフレームセットに属するサブフレームに対応する下りリンクサブフレームにおいて、前記第１の送信電力制御コマンドを受信し、
前記第２のサブフレームセットに属するサブフレームに対応する下りリンクサブフレームにおいて、前記第２の送信電力制御コマンドを受信する端末装置。
【請求項２】
前記第２の状態である場合、且つ、前記物理上りリンク共用チャネルの送信が前記第１のサブフレームセットに属するサブフレームで生じ、前記サウンディング参照信号の送信が前記第２のサブフレームセットに属するサブフレームで生じる場合、
前記送信電力制御部は、
前記第１の送信電力制御コマンドに基づいて、前記物理上りリンク共用チャネルの送信電力に対する電力補正を行ない、
前記第２の送信電力制御コマンドに基づいて、前記サウンディング参照信号の送信電力に対する電力補正を行なう請求項１記載の端末装置。
【請求項３】
端末装置と通信する基地局装置であって、
下りリンク制御情報フォーマットを介して、送信電力制御コマンドを送信する送信部を備え、
前記送信部は、
第１の状態の端末装置に対しては、前記送信電力制御コマンドを下りリンクサブフレームのいずれかで送信し、
第２の状態の端末装置に対しては、
第１のサブフレームセットに属するサブフレームに対応する下りリンクサブフレームにおいて、前記下りリンク制御情報フォーマットを介して、第１の送信電力制御コマンドを送信し、
第２のサブフレームセットに属するサブフレームに対応する下りリンクサブフレームにおいて、前記下りリンク制御情報フォーマットを介して、第２の送信電力制御コマンドを送信する基地局装置。
【請求項４】
前記送信部は、前記第２の状態の端末装置に対して、
前記第１のサブフレームセットに属するサブフレームで物理上りリンク共用チャネルを送信させる場合には、前記第１の送信電力制御コマンドを送信し、
前記第２のサブフレームセットに属するサブフレームでサウンディング参照信号を送信させる場合には、前記第２の送信電力制御コマンドを送信する
請求項３記載の基地局装置。
【請求項５】
基地局装置と通信する端末装置における方法であって、
下りリンク制御情報フォーマットを介して、送信電力制御コマンドを受信するステップと、
前記送信電力制御コマンドを用いて、送信電力の電力補正を行なうステップと、
第１の状態である場合には、
下りリンクサブフレームにおいて、前記送信電力制御コマンドを受信するステップと、を有し、
第２の状態である場合には、
前記第１のサブフレームセットに属するサブフレームに対応する下りリンクサブフレームにおいて、前記第１の送信電力制御コマンドを受信するステップと、
前記第２の状態である場合には、前記第２のサブフレームセットに属するサブフレームに対応する下りリンクサブフレームにおいて、前記第２の送信電力制御コマンドを受信するステップと、を有する方法。
【請求項６】
前記第２の状態である場合、且つ、前記物理上りリンク共用チャネルの送信が前記第１のサブフレームセットに属するサブフレームで生じ、前記サウンディング参照信号の送信が前記第２のサブフレームセットに属するサブフレームで生じる場合に、
前記第１の送信電力制御コマンドに基づいて、前記物理上りリンク共用チャネルの送信電力に対する電力補正を行なうステップと、
前記第２の送信電力制御コマンドに基づいて、前記サウンディング参照信号の送信電力に対する電力補正を行なうステップと、を有する
請求項５記載の方法。
【請求項７】
端末装置と通信する基地局装置における方法であって、
下りリンク制御情報フォーマットを介して、送信電力制御コマンドを送信するステップと、を有し
第１の状態の端末装置に対して、
前記送信電力制御コマンドを下りリンクサブフレームで送信するステップと、を有し、
第２の状態の端末装置に対して、
第１のサブフレームセットに属するサブフレームに対応する下りリンクサブフレームにおいて、前記下りリンク制御情報フォーマットを介して、第１の送信電力制御コマンドを送信するステップと、
第２のサブフレームセットに属するサブフレームに対応する下りリンクサブフレームにおいて、前記下りリンク制御情報フォーマットを介して、第２の送信電力制御コマンドを送信するステップと、を有する方法。
【請求項８】
前記第２の状態の端末装置に対して、
前記第１のサブフレームセットに属するサブフレームで物理上りリンク共用チャネルを送信させる場合には、前記第１の送信電力制御コマンドを送信するステップと、
前記第２のサブフレームセットに属するサブフレームでサウンディング参照信号を送信させる場合には、前記第２の送信電力制御コマンドを送信するステップと、を有する請求項７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月27日(2014.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡張物理下りリンク制御チャネル領域に配置された拡張物理下りリンク制御チャネルであって、システム情報の送信を示す前記拡張物理下りリンク制御チャネルをモニタリングする下りリンク制御チャネル検出部を有し、
前記拡張物理下りリンク制御チャネル領域は、複数のリソースブロックペアから構成される、端末装置。
【請求項２】
前記拡張物理下りリンク制御チャネル領域は、分散的送信のための拡張物理下りリンク制御チャネル領域である、請求項１に記載の端末装置。
【請求項３】
前記拡張物理下りリンク制御チャネルは、物理下りリンク共用チャネルがマッピングされるＯＦＤＭシンボルと同じＯＦＤＭシンボルにマッピングされる、請求項１に記載の端末装置。
【請求項４】
拡張物理下りリンク制御チャネル領域に配置された拡張物理下りリンク制御チャネルであって、システム情報の送信を示す前記拡張物理下りリンク制御チャネルを送信する下りリンク制御チャネル送信部を有し、
前記拡張物理下りリンク制御チャネル領域は、複数のリソースブロックペアから構成される、基地局装置。
【請求項５】
前記拡張物理下りリンク制御チャネル領域は、分散的送信のための拡張物理下りリンク制御チャネル領域である、請求項４に記載の基地局装置。
【請求項６】
前記拡張物理下りリンク制御チャネルは、物理下りリンク共用チャネルがマッピングされるＯＦＤＭシンボルと同じＯＦＤＭシンボルにマッピングされる、請求項４に記載の基地局装置。
【請求項７】
拡張物理下りリンク制御チャネル領域に配置された拡張物理下りリンク制御チャネルであって、システム情報の送信を示す前記拡張物理下りリンク制御チャネルをモニタリングするステップを有し、
前記拡張物理下りリンク制御チャネル領域は、複数のリソースブロックペアから構成される、通信方法。
【請求項８】
拡張物理下りリンク制御チャネル領域に配置された拡張物理下りリンク制御チャネルであって、システム情報の送信を示す前記拡張物理下りリンク制御チャネルを送信するステップを有し、
前記拡張物理下りリンク制御チャネル領域は、複数のリソースブロックペアから構成される、通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月17日(2014.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の通信装置と通信可能な撮像装置であって、
撮像指示もしくは画像の再生指示に応じて、前記第１の通信装置と第２の通信装置との間で画像を転送するための通信形態へ変更するよう前記第１の通信装置に要求する第１の要求手段と、
前記第１の通信装置と前記第２の通信装置との間が、画像を転送するための通信形態へ変更されたことに応じて、前記撮像装置において撮像している画像、もしくは再生している画像を前記第１の通信装置に転送する転送手段と、
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第１の通信装置と前記第２の通信装置との間の通信形態に関する第１の情報を取得する第１の取得手段を更に有し、
前記第１の要求手段は、前記第１の取得手段により取得された前記第１の情報に応じて、前記変更を前記第１の通信装置に要求することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記転送手段は、撮像停止もしくは再生停止の指示に応じて、前記撮像装置において撮像している画像、もしくは再生している画像の前記第１の通信装置への転送を停止することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
撮像停止もしくは再生停止の指示に応じて、前記第１の通信装置と前記第２の通信装置との間を、前記第１の要求手段による要求が行われる前の通信形態に戻すように前記第１の通信装置に要求する第２の要求手段を更に有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第２の通信装置の機器情報を取得する第２の取得手段を更に有し、
前記転送手段は、前記機器情報に応じた画像を前記第１の通信装置に転送することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記機器情報に応じて、前記撮像装置において撮像している画像、もしくは再生している画像に対して所定の画像処理を実行する実行手段を更に有し、
前記転送手段は、前記実行手段により前記所定の画像処理が施された画像を前記第１の通信装置に転送することを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記機器情報は、前記第２の通信装置が再生可能なフレームレート情報、解像度情報、および、前記第２の通信装置の画面のサイズ情報のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項５または６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記撮像指示もしくは前記再生指示を前記第１の通信装置から受信する受信手段を更に有し、
前記受信手段により前記撮像指示もしくは前記再生指示が受信されたことに応じて、前記第１の要求手段は、前記第１の通信装置と第２の通信装置との間で画像を転送するための通信形態へ変更するよう前記第１の通信装置に要求することを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記第２の通信装置と第３の通信装置との間の通信形態に関する第２の情報を取得する第３の取得手段を更に有し、
前記第３の取得手段により取得された前記第２の情報に応じて、前記第２の通信装置と前記第３の通信装置との間で画像を転送するための通信形態へ変更するよう前記第１の通信装置に要求する第３の要求手段を更に有することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
撮像装置と通信可能な通信装置であって、
前記撮像装置に撮像もしくは画像の再生を指示する指示手段と、
前記指示手段による前記指示が行われた場合に、前記通信装置と他の通信装置との間で画像を転送するための通信形態となるように通信形態を変更する変更手段と、
前記変更手段による変更後に、前記撮像装置において撮像している画像、もしくは再生している画像を前記他の通信装置に転送する転送手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項１１】
前記撮像装置から、前記撮像装置において撮像している画像、もしくは再生している画像を受信する受信手段を更に有し、
前記転送手段は、前記受信手段により受信された画像を前記他の通信装置に転送することを特徴とする請求項１０に記載の通信装置。
【請求項１２】
前記通信装置と前記他の通信装置との間の通信形態に関する情報を前記撮像装置に通知する第１の通知手段を更に有することを特徴とする請求項１０または１１に記載の通信装置。
【請求項１３】
前記他の通信装置の機器情報を前記撮像装置に通知する第２の通知手段を更に有することを特徴とする請求項１０から１２のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１４】
第１の通信装置と通信可能な撮像装置の制御方法であって、
撮像指示もしくは画像の再生指示に応じて、前記第１の通信装置と第２の通信装置との間で画像を転送するための通信形態へ変更するよう前記第１の通信装置に要求する要求工程と、
前記第１の通信装置と前記第２の通信装置との間が、画像を転送するための通信形態へ変更されたことに応じて、前記撮像装置において撮像している画像、もしくは再生している画像を前記第１の通信装置に転送する転送工程と、
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１５】
撮像装置と通信可能な通信装置の制御方法であって、
前記撮像装置に撮像もしくは画像の再生を指示する指示工程と、
前記指示が行われた場合に、前記通信装置と他の通信装置との間で画像を転送するための通信形態となるように通信形態を変更する変更工程と、
前記変更工程による変更後に、前記撮像装置において撮像している画像、もしくは再生している画像を前記他の通信装置に転送する転送工程と、
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１６】
コンピュータを請求項１から９のいずれか１項に記載の撮像装置として動作させるためのプログラム。
【請求項１７】
コンピュータを請求項１０から１３のいずれか１項に記載の通信装置として動作させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の目的を達成する本発明に係る撮像装置は、
第１の通信装置と通信可能な撮像装置であって、
撮像指示もしくは画像の再生指示に応じて、前記第１の通信装置と第２の通信装置との間で画像を転送するための通信形態へ変更するよう前記第１の通信装置に要求する第１の要求手段と、
前記第１の通信装置と前記第２の通信装置との間が、画像を転送するための通信形態へ変更されたことに応じて、前記撮像装置において撮像している画像、もしくは再生している画像を前記第１の通信装置に転送する転送手段と、
を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月8日(2014.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体基板の上に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、第１のＩｎＧａＮ光ガイド層、発光層、第２のＩｎＧａＮ光ガイド層、およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層がこの順に設けられ、
前記第１のＩｎＧａＮ光ガイド層および前記第２のＩｎＧａＮ光ガイド層のそれぞれにおけるＩｎ組成比は３．５％以上７％以下であり、
前記発光層は、２以上の井戸層と、１以上の障壁層とを有し、
前記障壁層の層厚は、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、
前記第１のＩｎＧａＮ光ガイド層と前記井戸層との間に、層厚が１ｎｍ以上３ｎｍ以下であって、且つＩｎ組成比が２．０％未満であるＩｎＧａＮまたはＧａＮからなる第１の窒化物半導体層が、当該第１のＩｎＧａＮ光ガイド層および当該井戸層のそれぞれに接して設けられている窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記窒化物半導体基板は、（０００１）面を主面とするＧａＮからなる請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記井戸層と前記第２のＩｎＧａＮ光ガイド層との間に、層厚が１ｎｍ以上３ｎｍ以下であって、且つＩｎ組成比が２．０％未満であるＩｎＧａＮまたはＧａＮからなる第２の窒化物半導体層が、当該井戸層および当該第２のＩｎＧａＮ光ガイド層のそれぞれに接して設けられている請求項１または請求項２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記第１のＩｎＧａＮ光ガイド層の層厚は、前記第２のＩｎＧａＮ光ガイド層の層厚よりも厚い請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記第２のＩｎＧａＮ光ガイド層の層厚が８０ｎｍ以下である請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記窒化物半導体レーザ素子は、４６０ｎｍ以上の発振波長を有し、
前記ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層におけるＡｌ組成比は、６．５％以上８％以下であり、
前記ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の層厚は、０．９μｍ以上１．３μｍ以下であり、
前記第１のＩｎＧａＮ光ガイド層および前記第２のＩｎＧａＮ光ガイド層のそれぞれの層厚は、５０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記第１のＩｎＧａＮ光ガイド層におけるＳｉ濃度は、１×１０17ｃｍ-3以上５×１０18ｃｍ-3以下である請求項１〜６のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記第２のＩｎＧａＮ光ガイド層におけるＭｇ濃度は、５×１０17ｃｍ-3以上３×１０18ｃｍ-3以下である請求項１〜７のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記井戸層の層数は、３以下である請求項１〜８のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室内に配置された冶具上に基板を載置し、前記冶具を上部で支持する円筒部を備えた回転部を回転させながら、前記成膜室内へ原料ガスを供給し、前記基板の上に所定の膜を形成する成膜方法であって、
前記円筒部にパージガスを供給し、前記パージガスが前記基板と前記冶具の間から抜け出るようにすることによって、前記基板の少なくとも一部が前記治具から浮いた状態で回転するようにしたことを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記パージガスの供給は、前記原料ガスの供給と一緒に行われることを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記パージガスの供給量を一時的に増やすことで、前記基板の少なくとも一部が前記冶具から浮くようにしたことを特徴とする請求項２に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記パージガスの供給は、前記原料ガスの供給が停止しているときに行われ、該パージガスの供給によって前記基板の少なくとも一部が前記冶具から浮くようにしたことを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
【請求項５】
成膜室と、
前記成膜室内に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
前記成膜室内に配置されて基板が載置される冶具と、
前記冶具を上部で支持する円筒部を備えた回転部と、
前記円筒部にパージガスを供給するパージガス供給部と、
前記原料ガスの供給と前記パージガスの供給を制御する制御部とを有し、
前記制御部は、前記原料ガスの供給を停止しているときに前記パージガスの供給を行い、前記円筒部に供給されて前記基板と前記冶具の間から抜け出る前記パージガスによって、前記基板の少なくとも一部が前記冶具から浮いた状態で回転するよう該パージガスの供給量を制御することを特徴とする成膜装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の第１の態様は、
成膜室内に配置された冶具上に基板を載置し、その冶具を上部で支持する円筒部を備えた回転部を回転させながら、成膜室内へ原料ガスを供給し、基板の上に所定の膜を形成する成膜方法であって、
円筒部にパージガスを供給し、パージガスが基板と冶具の間から抜け出るようにすることによって、基板の少なくとも一部が治具から浮いた状態で回転するようにしたことを特徴とする成膜方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
成膜装置１００は、基板１０１上で気相成長をさせてエピタキシャル膜の成膜を行う成膜室として、チャンバ１０３を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
例えば、上記各実施の形態では、成膜装置の一例としてエピタキシャル膜の成膜装置を挙げたが、本発明はこれに限られるものではない。成膜室内に原料ガスを供給し、成膜室内に載置される半導体基板を加熱して半導体基板の表面に膜を形成する成膜装置であれば、ＣＶＤ装置等の他の成膜装置であってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月2日(2014.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端部が基板支持面に導通する接地部材と、
前記接地部材の他端部に接続され、前記接地部材を接地電位に切替え可能な切替え部と、
前記接地部材の一端部側を前記基板支持面に当接する方向に付勢する付勢手段と、
前記接地部材の他端部が内側に配置されるとともに、前記付勢手段の付勢方向に伸縮する弾性隔壁部と、を備えることを特徴とする基板ホルダー。
【請求項２】
基板支持面に支持される基板を吸着するための電圧が印加される静電吸着板及び前記基板支持面に支持される基板と導通する導体配線を少なくとも備えるホルダー本体部と、
前記ホルダー本体部を支持するホルダー支持部と、
前記導体配線を接地状態に切替えることができる除電部と、を有する基板ホルダーであって、
前記除電部は、
一端部が前記導体配線と当接する接地部材と、
前記接地部材の他端部に接続され、前記接地部材を介して前記導体配線を接地状態とフローティング状態とに切替える切替え部と、
前記接地部材を前記導体配線に当接する方向に付勢する付勢手段と、
前記接地部材の他端部が内側に配置されるとともに、前記ホルダー側と前記接地部材側とを気密に接続し、前記付勢手段の付勢方向に伸縮する弾性隔壁部と、を備えることを特徴とする基板ホルダー。
【請求項３】
前記接地部材は、前記ホルダー支持部を貫通して配設されるとともに前記他端部側にフランジ部を有し、
前記弾性隔壁部は、一端部が前記フランジ部に気密に接続され、他端部が封止部材を介して前記ホルダー支持部と気密に接続されることを特徴とする請求項２に記載の基板ホルダー。
【請求項４】
前記封止部材は、前記ホルダー支持部と前記弾性隔壁部とに前記付勢手段の付勢方向で狭持されることを特徴とする請求項３に記載の基板ホルダー。
【請求項５】
前記接地部材の一端部には、前記基板支持面側から前記導体配線と当接するキャップが設けられていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の基板ホルダー。
【請求項６】
前記弾性隔壁部はベローズであり、
前記ベローズは前記付勢手段を兼ねていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板ホルダー。
【請求項７】
前記付勢手段は、少なくとも圧縮コイルばねを有し、
前記圧縮コイルばねの内側に前記弾性隔壁部が配置されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板ホルダー。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板ホルダーと真空容器とを少なくとも備える真空処理装置であって、
前記ホルダー本体部は前記真空容器内に配置されるとともに、前記ホルダー支持部は前記真空容器の真空隔壁を貫通して配置されており、
前記弾性隔壁部の内側は前記真空容器の内部と連通していることを特徴とする真空処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る基板ホルダーは、一端部が基板支持面に導通する接地部材と、接地部材の他端部に接続され、接地部材を接地電位に切替え可能な切替え部と、接地部材の一端部側を基板支持面に当接する方向に付勢する付勢手段と、接地部材の他端部が内側に配置されるとともに、付勢手段の付勢方向に伸縮する弾性隔壁部と、を備えることを特徴とする。本発明に係る基板ホルダーは、基板支持面に支持される基板を吸着するための電圧が印加される静電吸着板及び基板支持面に支持される基板と導通する導体配線を少なくとも備えるホルダー本体部と、ホルダー本体部を支持するホルダー支持部と、導体配線を接地状態に切替えることができる除電部と、を有する基板ホルダーであって、除電部は、一端部が導体配線と当接する接地部材と、接地部材の他端部に接続され、接地部材を介して導体配線を接地状態とフローティング状態とに切替える切替え部と、接地部材を導体配線に当接する方向に付勢する付勢手段と、接地部材の他端部が内側に配置されるとともに、ホルダー側と接地部材側とを気密に接続し、付勢手段の付勢方向に伸縮する弾性隔壁部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月30日(2014.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏関係にある２つの主面を有している単層基板と、
前記単層基板の一方の主面側に配置されており、第１の開口を有している第１の凹部と、
他方の主面側に設けられ、第２の開口を有し、前記第１の開口と前記第２の開口とが平面視で互いに部分的に重なるように配置されている第２の凹部と、
前記第１の開口と前記第２の開口とが平面視で重なっている部分において、前記第１の凹部と前記第２の凹部とを連通させている貫通部と、
前記一方の主面に設けられている第１の配線導体と、
前記他方の主面に設けられている第２の配線導体と、
前記第１の凹部、前記第２の凹部、および前記貫通部の内面に配置されていて、前記第１の配線導体と前記第２の配線導体を電気的に接続している貫通配線と、
を備えていることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記貫通部は、前記貫通配線により塞がれていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の回路基板と、
前記回路基板に固定されて前記回路基板との間に電子部品を収納する電子部品収納空所を有している蓋部材と、
を備えていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項４】
請求項３に記載の前記電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項５】
回路基板の製造方法であって、
表裏関係にある２つの主面を有している単層基板を準備する準備工程と、
前記単層基板の一方の主面側には第１の開口を有する第１の凹部、前記単層基板の他方の主面側には第２の開口を有し前記第１の開口と前記第２の開口が平面視で互いに部分的に重なる第２の凹部、および前記第１の開口と前記第２の開口とが平面視で重なっている部分において前記第１の凹部と前記第２の凹部とを連通させている貫通部を備えている貫通孔を形成する工程と、
前記一方の主面に第１の配線導体、および前記他方の主面に第２の配線導体を形成する工程と、
前記第１の凹部と前記第２の凹部と前記貫通部の内面に、前記第１の配線導体と前記第２の配線導体を電気的に接続するように貫通配線を形成する工程と、
を含んでいることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１、第２の凹部及び前記貫通部はレーザー光を用いて形成されることを特徴とする請求項５に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１、第２の凹部は型を用いて形成され、前記貫通部はレーザー光を用いて形成されることを特徴とする請求項５に記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記貫通孔の内面をサンドブラストにより研削加工することを特徴とする請求項６又は７に記載の回路基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月28日(2014.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために本発明は、キャパシタ本体と前記キャパシタ本体の一端から軸方向に突出するリード線とを有するキャパシタと、前記キャパシタ本体を収納するホルダーと、前記ホルダーが基板面に固定された配線基板と、を備え、前記リード線は前記基板面に向かって折り曲げられ、前記配線基板に接続される脚部を有するキャパシタモジュールにおいて、前記ホルダーに第１の挟持部と第２の挟持部が設けられ、第２の挟持部は前記リード線の脚部を前記キャパシタ本体側に向かって付勢し、第１、第２の挟持部が前記リード線の前記脚部の一部を前記軸方向に挟持するキャパシタモジュールである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャパシタ本体と前記キャパシタ本体の一端から軸方向に突出するリード線とを有するキャパシタと、
前記キャパシタ本体を収納するホルダーと、
前記ホルダーが基板面に固定された配線基板と、を備え、
前記リード線は前記基板面に向かって折り曲げられ前記配線基板に接続される脚部を有するキャパシタモジュールにおいて、
前記ホルダーに第１の挟持部と第２の挟持部が設けられ、第２の挟持部は前記リード線の脚部を前記キャパシタ本体側に向かって付勢し、第１、第２の挟持部が前記リード線の前記脚部の一部を前記軸方向に挟持するキャパシタモジュール。
【請求項２】
前記ホルダーは、
前記キャパシタ本体を横押圧する上ホルダーと
前記キャパシタ本体を横置き収納する下ホルダーから構成され、
前記下ホルダーに第１の挟持部が設けられ、前記上ホルダーに第２の挟持部が設けられた請求項１に記載のキャパシタモジュール。
【請求項３】
前記下ホルダーの第１の挟持部は外側に張り出して固定状態に設けられた支持部を有し、
前記上ホルダーの第２の挟持部は外側に張り出して１対の弾性変形するアーム間で懸架された橋架部を有する請求項２に記載のキャパシタモジュール。
【請求項４】
前記下ホルダー、前記上ホルダーの軸方向の両側面に夫々設けられた１対の下係合部と１対の上係合部と、
前記下係合部間、前記上係合部間の中央より前記リード線側に夫々前記下ホルダー、前記上ホルダーに設けられ、前記リード線と反対側の下係合部と上係合部の外れを防止する下挿嵌部と上挿嵌部と、
を備えた請求項２に記載のキャパシタモジュール。
【請求項５】
リード線の脚部は基板面に向かって下方となるに従いキャパシタ本体から離れるように斜めに導出され、前記上ホルダーの第２の挟持部の当接部は、前記下ホルダーの第１の挟持部の当接部より下方に設けられた請求項２に記載のキャパシタモジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月17日(2014.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の第１及び第２の電極を覆う保護層を形成し、
前記保護層の上、並びに前記第１及び第２の電極間に補償膜を形成し、
前記保護層の上の補償膜を除去し、
前記第１の電極及び前記第２の電極を覆う前記保護層を除去する方法。
【請求項２】
前記第１の電極は第１のトランジスタのゲート電極であり、
前記第２の電極は第２のトランジスタのゲート電極であり、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは導電型が逆極性の電界効果トランジスタである請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記補償膜は、導体である請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記補償膜は、シリコンを含む膜である請求項１記載の方法。
【請求項５】
第１の絶縁膜を覆う前記第１の電極を形成し、
第２の絶縁膜を覆う前記第２の電極を形成する請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とが異なる材料である請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、絶縁体から成るＨｉｇｈ−ｋ絶縁膜である請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記第１の電極と前記第２の電極とが異なる材料である請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とが異なる膜厚である請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の電極及び前記第２の電極は、トランジスタのゲート電極であり、前記ゲート電極は金属材料を用いたメタルゲートである請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の電極及び前記第２の電極は、金属材料から成る膜の上にシリコンを含む膜が積み重ねられた積層膜である請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の電極、前記補償膜及び前記第２の電極を覆う配線をさらに形成する請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記配線は、金属シリサイド膜を含む請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記配線は、タングステン、窒化タングステン、またはそれらを組み合わせた積層構造を含む請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
第１の絶縁膜を覆う半導体装置の第１の電極を形成し、
第２の絶縁膜を覆う前記半導体装置の第２の電極を形成し、
前記第１及び第２の電極を覆う保護層を形成し、
前記保護層の上、並びに前記第１及び第２の電極間に補償膜を形成し、
前記保護層の上の前記補償膜を除去し、
前記第１の電極及び前記第２の電極を覆う前記保護層を除去し、
前記第１の電極、前記補償膜及び前記第２の電極と接触する配線を形成する方法。
【請求項１６】
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、絶縁体から成るＨｉｇｈ−ｋ絶縁膜である請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
第１の絶縁膜を覆う半導体装置の第１の電極を形成し、
第２の絶縁膜を覆う前記半導体装置の第２の電極を形成し、
前記第１及び第２の電極を覆い、前記第１及び第２の電極間に埋設される補償膜を形成し、
前記第１及び第２の電極を覆う前記補償膜を除去し、
前記第１の電極、前記補償膜及び前記第２の電極と接触する配線を形成する方法。
【請求項１８】
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、絶縁体から成るＨｉｇｈ−ｋ絶縁膜である請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記配線は、金属シリサイド膜を含む請求項１７記載の方法。
【請求項２０】
前記配線は、タングステン、窒化タングステン、またはそれらを組み合わせた積層構造を含む請求項１７記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置の第１及び第２の電極を覆う保護層を形成し、
前記保護層の上、並びに前記第１及び第２の電極間に補償膜を形成し、
前記保護層の上の補償膜を除去し、
前記第１の電極及び前記第２の電極を覆う前記保護層を除去する方法である。
または、第１の絶縁膜を覆う半導体装置の第１の電極を形成し、
第２の絶縁膜を覆う前記半導体装置の第２の電極を形成し、
前記第１及び第２の電極を覆う保護層を形成し、
前記保護層の上、並びに前記第１及び第２の電極間に補償膜を形成し、
前記保護層の上の前記補償膜を除去し、
前記第１の電極及び前記第２の電極を覆う前記保護層を除去し、
前記第１の電極、前記補償膜及び前記第２の電極と接触する配線を形成する方法である。
または、第１の絶縁膜を覆う半導体装置の第１の電極を形成し、
第２の絶縁膜を覆う前記半導体装置の第２の電極を形成し、
前記第１及び第２の電極を覆い、前記第１及び第２の電極間に埋設される補償膜を形成し、
前記第１及び第２の電極を覆う前記補償膜を除去し、
前記第１の電極、前記補償膜及び前記第２の電極と接触する配線を形成する方法である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記のような半導体装置の製造方法では、第１の電極及び第２の電極の上面と、第１の電極と第２の電極との隙間で露出していた半導体基板の主面との段差が補償膜によって低減される。そのため、分離して配置された第１の電極と第２の電極とを接続する配線のカバレッジが改善される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月12日(2014.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
以下、第２の補正値を取得する第２の補正値演算部５０の構成及び作用について図１５〜図１７を参照しながら説明する。既述のように本例では周波数差検出部３から出力される差分値に対応する値ΔＦとして｛（ｆ２−ｆ１）／ｆ１｝−｛（ｆ２ｒ−ｆ１ｒ）／ｆ１ｒ｝を採用しているが、理解を容易にする観点から図１５〜図１７の説明では差分値に対応する値としてΔＦ＝ｆ２−ｆ１−Δｆｒ［Ｈｚ］を使用する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2013098865.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
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