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【手続補正書】
【提出日】平成26年4月25日(2014.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
資源使用量に基づき図形を生成するシステムであって、
印刷ジョブからコンテンツデータを受け取るコンテンツプロファイリング構成要素と、
前記印刷ジョブを開始したユーザに関連する情報を受け取るユーザプロファイリング構成要素と、
前記ユーザに関連するコミュニティを識別する社会的プロファイリング構成要素と、
前記ユーザの資源使用量を評価すると共に、前記ユーザの前記資源使用量を前記コミュニティ内の他と比較する使用量分析構成要素と、
前記ユーザの前記資源使用量に関連する図形を配布する可視化構成要素と、
を備え、
前記コンテンツプロファイリング構成要素は、
文書が一過性又は非一過性の１つかを識別する文書の種別と、
前記文書の種別に起因する重さであって、前記重さは、非一過性の文書より一過性の文書のほうが大きい当該重さと、
を含み、
前記資源使用量は、前記起因される重さに従って前記使用量分析構成要素によって評価される
システム。
【請求項２】
前記コンテンツプロファイリング構成要素は、一定の時間期間内に印刷された他の文書に対する前記印刷ジョブの内の文書の類似度を識別する
請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ユーザプロファイリング構成要素は、一過性の文書、最終版の文書、１つの文書の複数の写し、及びカラー文書の１つ以上を含む、前記ユーザによって印刷された文書を識別する文書印刷を含み、
前記使用量分析構成要素は、前記文書の識別に従って前記資源使用量を評価することを特徴とする
請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
マーキングエンジンに関して一定の時間期間にわたって前記ユーザによって利用されたＣＯ２の量を測定すると共に定量化するＣＯ２構成要素を更に含む請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記ユーザプロファイリング構成要素は、片面／両面設定、カバーシート、カラー印刷、及び文書の長さの１つ以上を含む、前記ユーザによって利用された設定を評価する印刷設定構成要素を更に含み、
前記使用量分析構成要素は、前記印刷設定構成要素の評価に従って前記資源使用量を調整する
ことを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月11日(2014.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部と、センサ部と、を有し、
前記表示部は、高分子分散型液晶を有する第１の液晶素子を有し、
前記センサ部は、受光素子と、前記受光素子上に設けられ、前記高分子分散型液晶を有する第２の液晶素子と、を有し、
前記第１の液晶素子と前記第２の液晶素子とを、独立に駆動させ、
前記受光素子は、前記第２の液晶素子を透過した光を受光することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
表示部と、センサ部と、を有し、
前記表示部は、画素電極、対向電極、及び前記画素電極と前記対向電極との間に設けられた高分子分散型液晶を有する第１の液晶素子を有し、
前記センサ部は、受光素子と、前記受光素子上に設けられたセンサ用電極、前記対向電極、及び前記センサ用電極と前記対向電極との間に設けられた前記高分子分散型液晶を有する第２の液晶素子と、を有し、
前記画素電極と前記センサ用電極とが電気的に独立していることで、前記第１の液晶素子と前記第２の液晶素子とを電気的に独立して駆動させ、
前記受光素子は、前記第２の液晶素子を透過した光を受光することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
表示回路を有する表示部と、センサ回路を有するセンサ部と、を有し、
前記表示回路は、ビデオ信号の入力を制御する第１のトランジスタと、該ビデオ信号が入力される第１の液晶素子と、を有し、
前記第１の液晶素子は、画素電極、対向電極、及び前記画素電極と前記対向電極との間に設けられた高分子分散型液晶を有し、
前記センサ回路は、光を電気信号に変換する受光素子と、該電気信号から出力信号を生成する第２のトランジスタと、前記出力信号の読み出しを制御する第３のトランジスタと、第２の液晶素子と、を有し、
前記第２の液晶素子は、前記受光素子上に設けられたセンサ用電極、対向電極、及び前記センサ用電極と前記対向電極との間に設けられた高分子分散型液晶、を有し、
前記画素電極と前記センサ用電極とが電気的に独立していることで、前記第１の液晶素子と前記第２の液晶素子とを電気的に独立して駆動させ、
前記受光素子は、前記第２の液晶素子を透過した光を受光することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月14日(2014.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方に配置されており、第１の電極及び第２の電極を有するスイッチ素子と、
前記基板の上方に配置されており、前記スイッチ素子の前記第１の電極と電気的に接合する導電線と、
前記スイッチ素子及び前記導電線の上方に成膜されて配置された変換素子であって、２つの電極と、それらの間に配置された半導体層とを有し、前記２つの電極のうちの一方の電極は前記スイッチ素子の前記第２の電極と電気的に接合する、変換素子と、
を含む検出装置であって、
前記変換素子の前記一方の電極は、前記スイッチ素子の前記第１の電極又は前記導電線との間に空間を介して前記スイッチ素子及び前記導電線の上方に配置されていることを特徴とする検出装置。
【請求項２】
前記空間は、前記導電線及び前記スイッチ素子を覆う膜を除去することにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記膜は層間絶縁膜であることを特徴とする請求項２に記載の検出装置。
【請求項４】
前記空間と前記導電線との間に配置された第１の保護膜と、
前記変換素子の前記一方の電極と前記空間との間に配置された第２の保護膜と、
前記光電変換素子の上面及び側面を覆うように配置された第３の保護膜と、
を更に含み、
前記第２の保護膜と前記第３の保護膜とは前記変換素子の側面において接していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項５】
前記空間と前記導電線との間に配置された第１の保護膜を更に含み、
前記変換素子の前記一方の電極と前記空間とが接しており、前記変換素子の前記一方の電極がＩＴＯで形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項６】
前記変換素子はＰＩＮ型又はＭＩＳ型の光電変換素子を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項７】
前記光電変換素子の上方に配置されたシンチレータを更に含むことを特徴とする請求項６に記載の検出装置。
【請求項８】
前記スイッチ素子はトランジスタであり、前記スイッチ素子の前記第１の電極は制御電極であり、前記導電線は制御線であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項９】
前記スイッチ素子はトランジスタであり、前記スイッチ素子の前記第１の電極は前記トランジスタの主電極の一方であり、前記導電線は信号線であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の検出装置と、
前記検出装置によって得られた信号を処理する信号処理手段と、
を備えることを特徴とする検出システム。
【請求項１１】
検出装置の製造方法であって、
基板の上方に配置された、第１の電極及び第２の電極を有するスイッチ素子と、前記第１の電極と接合する導電線と、を覆う膜を形成する第１工程と、
前記膜の上方且つ前記スイッチ素子及び前記導電線の上方に、２つの電極と、それらの間にある半導体層とを有する変換素子であって、前記２つの電極のうちの一方の電極は前記スイッチ素子の前記第２の電極と電気的に接合する変換素子を形成する第２工程と、
前記膜の少なくとも一部を除去することにより、前記変換素子の前記一方の電極と前記スイッチ素子の前記第１の電極との間又は前記変換素子の前記一方の電極と前記導電線との間の少なくとも一方に空間を形成する第３工程と、
を有することを特徴とする製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の第１側面に係る検出装置は、基板と、前記基板の上方に配置されており、第１の電極及び第２の電極を有するスイッチ素子と、前記基板の上方に配置されており、前記スイッチ素子の前記第１の電極と電気的に接合する導電線と、前記スイッチ素子及び前記導電線の上方に成膜されて配置された変換素子であって、２つの電極と、それらの間に配置された半導体層とを有し、前記２つの電極のうちの一方の電極は前記スイッチ素子の前記第２の電極と電気的に接合する、変換素子と、を含む検出装置であって、前記変換素子の前記一方の電極は、前記スイッチ素子の前記第１の電極又は前記導電線との間に空間を介して前記スイッチ素子及び前記導電線の上方に配置されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第３側面に係る検出装置の製造方法は、基板の上方に配置された、第１の電極及び第２の電極を有するスイッチ素子と、前記第１の電極と接合する導電線と、を覆う膜を形成する第１工程と、前記膜の上方且つ前記スイッチ素子及び前記導電線の上方に、２つの電極と、その間にある半導体層とを有する変換素子であって、前記２つの電極のうちの一方の電極は前記スイッチ素子の前記第２の電極と電気的に接合する変換素子を形成する第２工程と、前記膜の少なくとも一部を除去することにより、前記変換素子の前記一方の電極と前記スイッチ素子の前記第１の電極との間又は前記変換素子の前記一方の電極と前記導電線との間の少なくとも一方に空間を形成する第３工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月13日(2014.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの強磁性層及び前記強磁性層の間に挟まれた中間層を含む多層磁性層を備えた磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
プラズマを生成可能なプラズマ生成空間と該プラズマ生成空間とは別個に設けられ、処理基板を搭載可能な基板保持部が配置された成膜処理空間との間に少なくとも１つの貫通孔を有する隔壁が設けられ、かつ前記プラズマ生成空間と前記成膜処理空間とが前記少なくとも１つの貫通孔により連結されており、前記プラズマ生成空間で第一の原料ガスから生成された活性種を前記少なくとも１つの貫通孔を通して前記成膜処理空間に導入し、該成膜処理空間で前記活性種と第二の原料ガスとを反応させ、前記基板保持部に搭載された処理基板に形成された多層磁性層上に絶縁性の保護層を形成することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項２】
前記保護層は、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜及びシリコン酸窒化膜のうちのいずれか一つ、あるいは、これらの積層膜、またはこれらの混合膜であることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項３】
有機マスク材料により加工された前記多層磁性層上に、成膜温度が１５０℃未満で前記保護層を成膜することを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項４】
前記多層磁性層上に、前記加工に用いた有機マスク材料を残した状態で、前記保護層の成膜を行うことを特徴とする請求項３に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項５】
前記保護層の成膜において、前記プラズマ生成空間で生成されたプラズマのうち、前記成膜処理空間に流入するプラズマの電子密度が１×１０＋７ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項６】
マスク材料を用いた前記多層磁性層の加工処理と、前記マスク材料により加工された多層磁性層上への前記保護層の成膜処理と、を真空下で連続的に実行することを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月2日(2014.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット（１００）と、
陰極アセンブリ（１０２）と
を備えたＸ線管（１４）であって、前記陰極アセンブリ（１０２）は、
前記ターゲット（１００）へ向けて第一の電子ビーム（１１６）を放出するように構成されている第一のフィラメント（１０６）と、
該第一のフィラメント（１０６）に結合され、複数の桟材（３０４）を含む一次元メッシュ（３０２）を含む第一のグリッド制御電極（１１２）であって、前記複数の桟材（３０４）の各々の桟材が、前記第一のフィラメント（１０６）の巻線の間のそれぞれの間隙（３１２）に整列している、前記第一のグリッド制御電極（１１２）と、
前記ターゲット（１００）へ向けて第二の電子ビーム（１２０）を放出するように構成されている第二のフィラメント（１１０）と、
該第二のフィラメント（１１０）に結合されている第二のグリッド制御電極（１１４）と
を含んでいる、Ｘ線管（１４）。
【請求項２】
前記陰極アセンブリ（１０２）は、第一の導線（１２２）を介して前記第一のグリッド制御電極（１１２）に第一のグリッド制御電圧を、また第二の導線（１２４）を介して前記第二のグリッド制御電極（１１４）に第二のグリッド制御電圧を選択的に印加するように構成されている、請求項１に記載のＸ線管（１４）。
【請求項３】
前記陰極アセンブリ（１０２）は、第一の管電圧が当該陰極アセンブリ（１０２）と前記ターゲット（１００）との間の間隙に跨がって印加されているときには第一の望ましい放出を達成し、第二の管電圧が当該陰極アセンブリ（１０２）と前記ターゲット（１００）との間の前記間隙に跨がって印加されているときには第二の望ましい放出を達成するために、前記第一及び第二の電子ビーム（１１６、１２０）の放出を制御するように前記第一及び第二のグリッド制御電圧を選択的に印加するように構成されている、請求項２に記載のＸ線管（１４）。
【請求項４】
前記第一及び第二のフィラメント（１０６、１１０）からの前記放出は、前記ターゲット（１００）に一つの焦点スポット（１１８）を形成するように同時に生ずる、請求項１乃至３のいずれかに記載のＸ線管（１４）。
【請求項５】
前記陰極アセンブリ（１０２）は、放出が前記第一のフィラメント（１０６）及び前記第二のフィラメント（１１０）の一方のみから生ずるように構成されている、請求項１乃至４のいずれかに記載のＸ線管（１４）。
【請求項６】
前記第二のグリッド制御電極（１１４）は、前記第一のグリッド制御電極（１１２）から独立に制御可能である、請求項１乃至５のいずれかに記載のＸ線管（１４）。
【請求項７】
前記第一のフィラメント（１０６）及び前記第二のフィラメント（１１０）は、前記第一の電子ビーム（１１６）及び前記第二の電子ビーム（１２０）が両方とも前記ターゲットの同じ焦点スポット位置（１１８）に入射するように、予め決められた位置に向けて前記第一の電子ビーム（１１６）及び前記第二の電子ビーム（１２０）を放出するように配置されている、請求項１乃至６のいずれかに記載のＸ線管（１４）。
【請求項８】
それぞれのグリッド制御電極（１１２）に近接して配置されて、各々のそれぞれの電子ビーム（１１６）がオフにグリッド制御されていないときにそれぞれの電圧によりバイアスされる集束及び偏向電極の一つ（１１３）をさらに含んでいる請求項１乃至７のいずれかに記載のＸ線管（１４）。
【請求項９】
前記陰極アセンブリ（１０２）は、当該陰極アセンブリ（１０２）に印加される管電圧レベルが前記第一のフィラメント（１０６）及び前記第二のフィラメント（１１０）の両方ともに印加されるように構成されている、請求項１乃至８のいずれかに記載のＸ線管（１４）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月2日(2014.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高エネルギー電子源；
該高エネルギー電子源からの電子を集束させてビームとし、前記ビームをサンプルの全域にわたって走査させるための電子集束カラム；
該サンプルを通り抜けた異なるエネルギーの電子を分散させるための分散素子；
第1電子検出器；
該第1電子検出器に電子を投影するための電子光学系；及び
電子を検出するための第2検出器；
を含み：
前記第1電子検出器は、複数の箇所で電子強度を記録することによって画像又はスペクトルを記録し；
前記第2検出器は、前記電子集束カラムが前記サンプルの全域を高エネルギー電子のビームで走査するとき、一領域にわたって電子強度変化を素早く記録し；
該第2検出器は、エネルギー分散面において又は該エネルギー分散面の実質的に近くに配置され；且つ
該第2検出器は、電子が前記第1検出器へ入ることを妨げない；
ことを特徴とする、透過型電子顕微鏡。
【請求項２】
前記第1検出器はカメラであり；且つ
前記第2検出器はSTEM検出器である、
請求項１に記載の透過型電子顕微鏡。
【請求項３】
前記分散素子は、前記ビームを第1エネルギー範囲及び第2エネルギー範囲に分離し；
前記第1検出器は、該第1エネルギー範囲内の電子を検出し；且つ
前記第2検出器は、該第2エネルギー範囲内の電子を検出する；
請求項１に記載の透過型電子顕微鏡。
【請求項４】
前記プリズムは、前記第1検出器がコア・ロス電子を検出し、前記第2検出器がゼロ・ロスピークにおける電子を検出するように調整される、請求項1に記載の透過型電子顕微鏡。
【請求項５】
前記第2検出器は、電子を前記第1検出器の中へ投影するための前記分散素子と前記電子光学系との間に配置される、請求項1に記載の透過型電子顕微鏡。
【請求項６】
前記第1検出器が、100eVよりも大きいエネルギー損失を有する電子を検出し、前記第2検出器は、100eV未満のエネルギー損失を有する電子を検出する、請求項1に記載の透過型電子顕微鏡。
【請求項７】
エネルギー分散面において又は該エネルギー分散面の近くにエネルギー選択スリットをさらに含み、前記第2検出器が、該エネルギー選択スリットの前に配置される、又は該検出器が、該エネルギー選択スリットの一部分を含む、請求項1に記載の透過型電子顕微鏡。
【請求項８】
第3電子検出器をさらに含み、前記第2検出器及び該第3検出器のうち一方が、前記スリットの一方の側を通過する電子を検出し、該第2検出器及び第3検出器のうちの他方は、該スリットの他方の側を通過する電子を検出する、請求項1に記載の透過型電子顕微鏡。
【請求項９】
サンプルを解析する方法であり：
該サンプルへ向けて電子ビームを方向付けるステップ；
分散素子を使用し、電子が該サンプルを通り抜けた後に、該電子を第1エネルギー範囲及び第2エネルギー範囲へと分離するステップ；
電子のエネルギーを決定する第1検出器において第1エネルギー範囲にある電子を検出するステップ；
を含み、前記分散素子の後に配置され、第2エネルギー範囲にある電子の数に比例した信号を生成する第2検出器において該第2エネルギー範囲にある電子を検出することを特徴とする、方法。
【請求項１０】
第1エネルギー範囲における電子を検出するステップが、コア・ロス電子を検出するステップを含み、第2エネルギー範囲における電子を検出するステップは、ゼロ・ロス電子を検出するステップを含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記電子を第1エネルギー範囲及び第2エネルギー範囲へと分離するステップは、該電子をプリズムの中へ通すステップを含み；
第1エネルギー範囲における電子を検出するステップは、該第1エネルギー範囲における電子をエネルギー選択スリットの中へ通すステップを含み；且つ
前記第2検出器は、該エネルギー選択スリットの中を通り抜けない電子の少なくともいくつかを検出するように該スリットの一部分において又は該スリットの一部分の前に配置される、請求項9に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月2日(2014.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次電子ビーム（101,201）を放出するビームエミッター（102,202）と、
試料（130,230）上に一次電子ビーム（101,201）の焦点を合わせる対物電子レンズ（125, 225）であって、該レンズは、光軸（126,226）を定める、対物電子レンズと、
一次電子ビーム（101,201）から信号電子ビーム（135,235）を分離するための一次分散を備え、唯一の偏向素子として磁気素子を含む純粋な磁界偏向器であるビームセパレータ（115,215）と、
二次分散を備えた分散補償素子（104,204）であって、該分散補償素子は、前記二次分散が前記一次分散を十分に補うように、前記分散補償素子（104,204）の下流の一次ビーム（101,201）の傾斜角とは独立して、前記二次分散を調節するのに適しており、前記分散補償素子（104,204）は、前記一次電子ビーム（101,201）に沿って、前記ビームセパレータ（115,215）の上流に配置される、分散補償素子（104,204）と、
を含む電子ビーム装置（100,200）。
【請求項２】
前記ビームセパレータ（115）は、前記光軸（126）に対して傾斜したビームとして、前記一次ビーム（101）を受け取り、前記ビームセパレータ（115）の下流の前記一次ビームが、前記光軸に対して実質的に平行になるように、前記一次ビームを偏向するのに適した、請求項１に記載の電子ビーム装置。
【請求項３】
試料（130）を受ける試料受け皿（132）であって、該試料受け皿（132）は、前記試料（130）が前記電子ビーム装置の動作中に前記一次ビーム（101）と相互に作用する試料平面（131）を定め、前記試料平面（131）からビームセパレータ（115）までの距離は、前記一次ビームの長さの1/4よりも小さい、試料受け皿（132）をさらに含む、請求項１から２のいずれか１項に記載の電子ビーム装置。
【請求項４】
前記分散補償素子（104）は、前記一次ビームの経路とは独立して二次分散関係を調節するのに適した、請求項１から３のいずれか１項に記載の電子ビーム装置。
【請求項５】
前記分散補償素子（104）は、第一偏向器（105）と第二偏向器（106）とを含み、該第一偏向器（105）と該第二偏向器（106）は、相互に異なる分散特性を有する、請求項１から４のいずれか１項に記載の電子ビーム装置。
【請求項６】
前記第一偏向器（105）は磁界偏向器であり、前記第二偏向器（106）は静電偏向器である、請求項５に記載の電子ビーム装置。
【請求項７】
ほぼ正反対の偏向角を得るために、前記第一および前記第二偏向器（105,106）を制御するのに適した、請求項５又は６に記載の電子ビーム装置。
【請求項８】
合計すると所定の偏向角になるような偏向角を得るために前記第一および前記第二の偏向器（105,106）を制御するのに適した電子ビーム装置であって、該所定の偏向角は、前記ビームセパレータ（115）の偏向角と大きさは等しいが正反対になる、請求項５又は６に記載の電子ビーム装置。
【請求項９】
前記ビームセパレータ（115）は、前記対物レンズ（125,225）の本体部に埋め込まれ、
前記レンズの本体部の上流側半分部分に少なくとも部分的に配置される、請求項１から８のいずれか１項に記載の電子ビーム装置。
【請求項１０】
前記分散補償素子は、前記電子ビーム装置の二次電子経路の外側に配置される、請求項１から９のいずれか１項に記載の電子ビーム装置。
【請求項１１】
前記一次分散は、前記光軸と直交する第一偏向方向を定める異方性の分散であり、前記二次分散は、前記第一偏向方向に平行する第二偏向方向を定める異方性の分散である、請求項１から１０のいずれか１項に記載の電子ビーム装置。
【請求項１２】
前記分散補償素子（104）の下流の一次ビーム（101）の傾斜角とはほぼ独立して、前記二次分散を調節するのに適した分散補償制御装置（271）であって、前記分散補償素子（104）が、前記一次分散を十分に補うように前記二次分散に従って前記一次ビームに作用するように調節を行う、分散補償制御装置（271）を含む、請求項１から１１のいずれか１項に記載の電子ビーム装置。
【請求項１３】
一次電子ビーム（101）を発生させることと、
対物電子レンズ手段（125）によって、試料（130）上に前記一次電子ビーム（101）の焦点を合わせることと、
前記一次ビーム（101）と前記試料（130）との相互作用によって信号電子ビーム（135）を発生させることと、
純粋な磁界偏向器であり、唯一の偏向素子として磁気素子で一次電子ビーム（101,201）を偏向するビームセパレータ（115）よって、一次分散に従って一次電子ビーム（101）と信号電子ビーム（135）との反応を引き起こし、それによって、前記一次電子ビームから前記信号電子ビームを分離することと、
分散補償素子（104）の下流の前記一次ビーム（101）の傾斜角とは独立して、前記分散補償素子（104）の二次分散を調節することであって、前記分散補償素子（104）が、前記一次分散を十分に補うように前記二次分散に従って前記一次ビームに作用するように調節を行う、前記分散補償素子（104）の二次分散を調節することとを含む、電子ビーム装置の動作方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月25日(2014.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源を備える光源モジュールと、
前記光源モジュールに隣接して配置され、前記光源から放出された光が入射する入射部と、前記入射した光が出射する出射部と、を備える導光板と、
前記導光板の一側に設けられる反射シートと、
前記反射シートから延在するように配置され、前記導光板から出射する光の反射量を調節する光調節部と、
からなる発光アセンブリを含む、バックライトユニット。
【請求項２】
前記光調節部は、前記反射シートと一体として形成される、請求項１に記載のバックライトユニット。
【請求項３】
前記光調節部は、前記反射シートの少なくとも一つの側面から予め設定された長さだけ延在して形成される、請求項１または２に記載のバックライトユニット。
【請求項４】
前記発光アセンブリは、少なくとも２個設けられ、相互に隣接するように配置され、
特定の発光アセンブリの光調節部は、隣接する発光アセンブリの光調節部と少なくとも一部が重なるか、又は、接触して配置される、請求項３に記載のバックライトユニット。
【請求項５】
前記各発光アセンブリの光源モジュールと隣接する部分に設けられる光調節部は、他の発光アセンブリの光調節部と互いに離隔するように配置され、
前記各発光アセンブリの光源モジュールから予め設定された距離だけ離れた光調節部は、他の発光アセンブリの光調節部と重なるか、又は、接触するように配置される、請求項４に記載のバックライトユニット。
【請求項６】
前記光調節部は、前記反射シートの少なくとも一つの側面に設けられて反射面積を有する第１光調節部と、前記第１光調節部と連結され、前記第１光調節部よりも広い反射面積を有する第２光調節部と、を含み、
前記第１光調節部は側方に延在し、前記第２光調節部は、前記第１光調節部の延在長さよりも長く延在する、請求項３乃至５のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項７】
前記第１光調節部と前記第２光調節部とは、段差状に設けられる、請求項６に記載のバックライトユニット。
【請求項８】
前記発光アセンブリは少なくとも２個設けられ、
第１発光アセンブリの第１光調節部は、導光板の側面の下部に設けられ、第２光調節部は、導光板の側面の上部に設けられ、
前記第１発光アセンブリに隣接して配置される第２発光アセンブリの第１光調節部は、該導光板の側面の上部に設けられ、第２光調節部は、導光板の側面の下部に設けられる、請求項７に記載のバックライトユニット。
【請求項９】
前記発光アセンブリを収容するボトムカバーをさらに含み、
前記第１発光アセンブリは、前記ボトムカバーの中央部に配置され、
前記第２発光アセンブリは、前記第１発光アセンブリの両側面に配置され、
これら左右方向に配置される第１及び第２発光アセンブリは、前記ボトムカバーの上下方向に対応して複数の列形態に配置される、請求項８に記載のバックライトユニット。
【請求項１０】
前記第１発光アセンブリの第２光調節部の延在長さは、前記第２発光アセンブリの第２光調節部の延在長さよりも長い、請求項８または９に記載のバックライトユニット。
【請求項１１】
前記第１発光アセンブリの第２光調節部は、前記第２発光アセンブリの第１光調節部と互いに重なるか、又は、当接するように配置され、
前記第１発光アセンブリの第１光調節部は、前記第２発光アセンブリの第２光調節部と互いに離隔して配置される、請求項８乃至１０のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項１２】
前記第２光調節部よりも長く延在して、前記第２光調節部よりも広い反射面積を有する第３光調節部をさらに含み、
前記第１光調節部は、前記反射シートの少なくとも一つの側面の中央に設けられ、
前記第２光調節部は、前記第１光調節部の下部に設けられ、
前記第３光調節部は、前記第１光調節部の上部に設けられる、請求項６乃至１１のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項１３】
前記光調節部が前記導光板の側面から出射する光を反射させるように、前記反射シートの左右幅は前記導光板の左右幅よりも長く形成される、請求項３乃至１２のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項１４】
光源を備える光源モジュールと、
前記光源モジュールに隣接するように配置され、前記光源から放出される光が入射する入射部と、前記入射した光が出射する出射部と、を備える導光板と、
前記導光板の一側に設けられる反射シートと、
前記反射シートに設けられて、前記導光板から出射する光の反射量を調節する印刷パターンと、
を含む、バックライトユニット。
【請求項１５】
前記印刷パターンの色は、黒色、青色または藍色系列の色を含む、請求項１４に記載のバックライトユニット
【請求項１６】
前記印刷パターンは、前記反射シートの前面の少なくとも一つの側部に形成される、請求項１４または１５に記載のバックライトユニット。
【請求項１７】
前記印刷パターンは、前記反射シートの上下長さ方向に傾斜する、請求項１４乃至１６のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項１８】
前記印刷パターンの幅は、その中央部で最大となり、両端部に行くほど次第に減少する、請求項１７に記載のバックライトユニット。
【請求項１９】
前記印刷パターンの下端部は、前記光源モジュールと隣接するように配置され、前記印刷パターンの下端部の幅は上端部の幅よりも大きく形成される、請求項１８に記載のバックライトユニット。
【請求項２０】
前記反射シートの左右幅は、前記導光板の左右幅よりも大きく形成され、
前記導光板が前記反射シートに重なる場合、前記印刷パターンの少なくとも一部が前記導光板のオープン領域に配置される、請求項１４乃至１９のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月11日(2014.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電極
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電体と、
前記集電体上の、活物質を含む層と、を有し、
前記活物質を含む層は、前記集電体に接する結晶性半導体膜と、前記結晶性半導体膜に接する結晶性シリコン膜と、を有し、
前記結晶性半導体膜は、シリコンを主成分とし、ゲルマニウムを含み、
前記結晶性シリコン膜は、｛１１０｝面の結晶を有することを特徴とする電極。
【請求項２】
集電体と、
前記集電体上の、活物質を含む層と、を有し、
前記活物質を含む層は、前記集電体に接する結晶性半導体膜と、前記結晶性半導体膜に接する結晶性シリコン膜と、を有し、
前記結晶性半導体膜は、シリコンを主成分とし、ゲルマニウム及び金属元素を含み、
前記結晶性半導体膜は、｛１１０｝面の結晶を有し、
前記結晶性シリコン膜は、前記金属元素を含み、
前記結晶性シリコン膜は、｛１１０｝面の結晶を有することを特徴とする電極。
【請求項３】
請求項２において、
前記金属元素は、ジルコニウム、チタン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、コバルト、ニッケル、または白金であることを特徴とする電極。
【請求項４】
請求項２において、
前記金属元素は、ニッケルであることを特徴とする電極。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記｛１１０｝面の配向率は、２０％以上１００％以下であることを特徴とする電極。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月8日(2014.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメモリセルを有し、
前記複数のメモリセルの各々は、アンチヒューズを有し、
前記アンチヒューズは、
第１の導電層と、前記第１の導電層上の中間層と、前記中間層上の第２の導電層と、を有し、
前記中間層は、絶縁層と半導体層との積層を有し、
前記絶縁層は、１．２×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３．４×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の水素を含む酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数のメモリセルを有するメモリ部と、
前記メモリ部と電気的に接続された半導体集積回路部と、
前記半導体集積回路部と電気的に接続されたアンテナ部と、
前記メモリ部、前記半導体集積回路部、及び前記アンテナ部を間に挟持した第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、を有し、
前記複数のメモリセルの各々は、アンチヒューズを有し、
前記アンチヒューズは、第１の導電層と、前記第１の導電層上の中間層と、前記中間層上の第２の導電層と、を有し、
前記中間層は、絶縁層と半導体層との積層を有し、
前記絶縁層は、１．２×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３．４×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の水素を含む酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記半導体集積回路部は、前記アンテナ部を介して外部機器と無線通信を行うことができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２又は３において、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体は、繊維体に有機樹脂を含浸した構造体であること特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記絶縁層は、３．２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２．２×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素を含む酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記半導体層は、非晶質シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第１の導電層は窒化タンタル膜とタングステン膜との積層であり、
前記中間層は、タングステン膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記第２の導電層はチタン膜とアルミニウム膜との積層であり、
前記中間層は、チタン膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
複数のメモリセルを有し、
前記複数のメモリセルの各々は、アンチヒューズを有し、
前記アンチヒューズは、第１の導電層と、前記第１の導電層上の中間層と、前記中間層上の第２の導電層と、を有し、
前記中間層は、絶縁層と半導体層との積層を有し、前記絶縁層は、３．２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２．２×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素を含む酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
複数のメモリセルを有するメモリ部と、
前記メモリ部と電気的に接続された半導体集積回路部と、
前記半導体集積回路部と電気的に接続されたアンテナ部と、
前記メモリ部、前記半導体集積回路部、及び前記アンテナ部を間に挟持した第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、を有し、
前記複数のメモリセルの各々は、アンチヒューズを有し、
前記アンチヒューズは、第１の導電層と、前記第１の導電層上の中間層と、前記中間層上の第２の導電層と、を有し、
前記中間層は、絶縁層と半導体層との積層を有し、
前記絶縁層は、３．２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２．２×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素を含む酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記半導体集積回路部は、前記アンテナ部を介して外部機器と無線通信を行うことができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１において、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体は、繊維体に有機樹脂を含浸した構造体であること特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のいずれか一項おいて、
前記半導体層は、非晶質シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項９乃至１３のいずれか一項において、
前記第１の導電層は窒化タンタル膜とタングステン膜との積層を有し、
前記中間層は、タングステン膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項９乃至１４のいずれか一項において、
前記第２の導電層はチタン膜とアルミニウム膜との積層を有し、
前記中間層は、チタン膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月28日(2014.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に金属酸化物膜を形成し、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体層の構成元素と同種の金属元素を含み、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域としての機能を有し、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体層と接する領域を有し、
前記金属酸化物膜は、スパッタリング法により形成され、
前記スパッタリング法は、酸素を含む雰囲気下または酸素と希ガスとを含む雰囲気下で行われ、
前記スパッタリング法は、ＤＣ電源またはＤＣパルス電源を用いて行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の金属酸化物膜を形成し、
前記第１の金属酸化物膜上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に第２の金属酸化物膜を形成し、
前記第１の金属酸化物膜は、前記酸化物半導体層の構成元素と同種の金属元素を含み、
前記第２の金属酸化物膜は、前記酸化物半導体層の構成元素と同種の金属元素を含み、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域としての機能を有し、
前記第２の金属酸化物膜は、前記酸化物半導体層と接する領域を有し、
前記第１の金属酸化物膜および前記第２の金属酸化物膜は、スパッタリング法により形成され、
前記スパッタリング法は、酸素を含む雰囲気下または酸素と希ガスとを含む雰囲気下で行われ、
前記スパッタリング法は、ＤＣ電源またはＤＣパルス電源を用いて行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の金属酸化物膜を形成し、
前記第１の金属酸化物膜上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記酸化物半導体層上に第２の金属酸化物膜を形成し、
前記第１の金属酸化物膜は、前記酸化物半導体層の構成元素と同種の金属元素を含み、
前記第２の金属酸化物膜は、前記酸化物半導体層の構成元素と同種の金属元素を含み、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域としての機能を有し、
前記第２の金属酸化物膜は、前記酸化物半導体層と接する第１の領域を有し、
前記ソース電極は、前記酸化物半導体層と接する第２の領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体層と接する第３の領域を有し、
前記第１の金属酸化物膜および前記第２の金属酸化物膜は、スパッタリング法により形成され、
前記スパッタリング法は、酸素を含む雰囲気下または酸素と希ガスとを含む雰囲気下で行われ、
前記スパッタリング法は、ＤＣ電源またはＤＣパルス電源を用いて行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月12日(2014.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子パッケージと、
前記発光素子パッケージが実装された印刷回路基板と、
前記発光素子パッケージ及び前記印刷回路基板を覆う封入部材と、
を具備し、
前記発光素子パッケージと前記印刷回路基板と前記封入部材との間には、所定空間が形成されており、
前記所定空間が前記印刷回路基板に隣接した前記発光素子パッケージの角に形成されていることを特徴とする、発光素子モジュール。
【請求項２】
前記所定空間は、空気が充填されていることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子モジュール。
【請求項３】
前記封入部材は、前記印刷回路基板の一部の領域または全体領域を覆いかぶせることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子モジュール。
【請求項４】
前記一部の領域は、前記印刷回路基板の両側縁部の領域、または前記印刷回路基板の中央領域であることを特徴とする、請求項３に記載の発光素子モジュール。
【請求項５】
前記発光素子は、前記印刷回路基板に少なくとも２つ以上直列または並列連結され、
前記封入部材は、前記少なくとも２つ以上の発光素子のうち、一番目の発光素子から最後の発光素子まで封入することを特徴とする、請求項１に記載の発光素子モジュール。
【請求項６】
前記封入部材は、透明な材質であることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子モジュール。
【請求項７】
前記封入部材は、カラーを有する材質であることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子モジュール。
【請求項８】
前記封入部材は、前記印刷回路基板と前記発光素子とが互いに直交して実装された部分に曲率を有することを特徴とする、請求項１に記載の発光素子モジュール。
【請求項９】
前記封入部材は、
前記印刷回路基板と前記発光素子と接触される第１面と、
前記第１面と反対になり、外部に露出された第２面と、を含み、
前記曲率は、
前記第１面に第１曲率と、
前記第２面に第２曲率と、を含むことを特徴とする、請求項８に記載の発光素子モジュール。
【請求項１０】
前記第１及び第２曲率は、互いに同一であることを特徴とする、請求項９に記載の発光素子モジュール。
【請求項１１】
前記封入部材は、前記印刷回路基板より長く形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子モジュール。
【請求項１２】
前記封入部材は、多様なカラーの蛍光体を含むフィルムを含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子モジュール。
【請求項１３】
前記封入部材は、熱収縮チューブであることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子モジュール。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のうちのいずれか１項に記載の発光素子モジュールを含む照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月26日(2014.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の実装領域に配置された複数の発光素子からなる発光部と、
それぞれがパッド部と配線部とを有し、当該配線部を介して前記発光部に電圧を印加する正極および負極と、
前記正極または前記負極のいずれか一方に配置されるとともに、前記正極または前記負極のいずれか他方と電気的に接続された保護素子と、
少なくとも前記配線部および前記保護素子を覆うように前記基板上に形成された光反射樹脂と、を備える発光装置であって、
前記正極の配線部および前記負極の配線部は、前記実装領域の周囲に沿って形成され、かつ、その一端部が互いに隣り合うように形成されたことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記正極または前記負極の１つの電極に対し、前記１つの電極の一部は前記光反射樹脂によって覆われていなく、前記正極または前記負極のうちのいずれか一方の電極の前記配線部の少なくとも一部は前記光反射樹脂に覆われており、
平面視で、前記光反射樹脂によって覆われていない前記１つの電極の前記一部は、前記光反射樹脂によって覆われた前記１つの電極の前記配線部の前記一部より前記実装領域から離れていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記実装領域の周囲に沿って形成された中継配線部を備え、
前記複数の発光素子は、一側に形成されたｐ電極と、他側に形成されたｎ電極と、をそれぞれ備え、
前記正極の配線部と前記中継配線部との間において、前記ｐ電極が前記実装領域に対して一方向を向くように配列され、
前記負極の配線部と前記中継配線部との間において、前記ｐ電極が前記実装領域に対して他方向を向くように配列されたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記複数の発光素子は、ワイヤによって互いに直列および並列に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記実装領域は、互いに対向する辺を有する所定形状で形成され、
前記正極の配線部と前記負極の配線部とは、前記実装領域の一辺の範囲内において、その一端部が互いに隣り合うように形成されたことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記実装領域は、円形状に形成され、
前記正極の配線部と前記負極の配線部とは、当該円形状の実装領域の周囲において、その一端部が互いに隣り合うように形成されたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項７】
前記光反射樹脂は、前記実装領域の周囲を囲うように形成されたことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記実装領域上に金属膜が形成され、当該金属膜を介して前記複数の発光素子が配置されたことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記光反射樹脂は、前記実装領域の周縁の一部を覆うように形成されたことを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このような構成によれば、正極および負極の配線部を実装領域の周囲に沿って形成し、かつ、その一端部を隣り合わせて形成することで、複数の発光素子を基板上に配置した場合であっても、保護素子を適切な位置に配置することができる。従って、正負両電極間の電圧がツェナー電圧以上となることを防止することができ、過大な電圧が印加されることによる発光素子の素子破壊や性能劣化の発生を適切に防止することができる。なお、前記した発光装置は、前記正極または前記負極の１つの電極に対し、前記１つの電極の一部は前記光反射樹脂によって覆われていなく、前記正極または前記負極のうちのいずれか一方の電極の前記配線部の少なくとも一部は前記光反射樹脂に覆われており、平面視で、前記光反射樹脂によって覆われていない前記１つの電極の前記一部は、前記光反射樹脂によって覆われた前記１つの電極の前記配線部の前記一部より前記実装領域から離れている構成としても構わない。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月26日(2014.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置、表示モジュール及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部を有し、
前記画素部は、酸化物半導体層と、第１乃至第４の導電層と、第１及び第２の絶縁層と、カラーフィルタ層と、有機化合物を含む層と、を有し、
前記第１の導電層は、ゲート電極となる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
前記第２の導電層は、前記酸化物半導体と電気的に接続され、
前記カラーフィルタ層は、前記第２の導電層上方に設けられ、
前記第１の絶縁層は、前記カラーフィルタ層上方に設けられ、
前記第１の絶縁層は、前記カラーフィルタ層の端部の一部と重なる領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第１の絶縁層上方に設けられ、
前記第３の導電層は、前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第２の絶縁層は、前記第３の導電層上方に設けられ、
前記有機化合物を含む層は、前記第３の導電層上方に設けられ、
前記第４の導電層は、前記有機化合物を含む層上方に設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層の端部の一部と重なる領域を有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記有機化合物を含む層は、前記第第２の絶縁層を介して前記カラーフィルタ層の端部の一部と重なる領域を有し、
前記有機化合物を含む層は、前記第第２の絶縁層を介して前記第１の絶縁層の端部の一部と重なる領域を有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第４の導電層は、前記第第２の絶縁層を介して前記カラーフィルタ層の端部の一部と重なる領域を有し、
前記第４の導電層は、前記第第２の絶縁層を介して前記第１の絶縁層の端部の一部と重なる領域を有することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
画素部を有し、
前記画素部は、酸化物半導体層と、第１乃至第４の導電層と、第１の絶縁層と、カラーフィルタ層と、有機化合物を含む層と、を有し、
前記第１の導電層は、ゲート電極となる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
前記第２の導電層は、前記酸化物半導体と電気的に接続され、
前記カラーフィルタ層は、前記第２の導電層上方に設けられ、
前記第１の絶縁層は、前記カラーフィルタ層上方に設けられ、
前記第１の絶縁層は、前記カラーフィルタ層の端部の一部と重なる領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第１の絶縁層上方に設けられ、
前記第３の導電層は、前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記有機化合物を含む層は、前記第３の導電層上方に設けられ、
前記第４の導電層は、前記有機化合物を含む層上方に設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記カラーフィルタ層は、前記第１の導電層の端部の一部と重なる領域を有することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記カラーフィルタ層は、前記チャネル形成領域と重なる領域を有することを特徴とする発光装置。
【請求項８】
発光装置と、
前記発光装置と電気的に接続されるＦＰＣと、を有し、
前記発光装置は、請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光装置であることを特徴とする表示モジュール。
【請求項９】
発光装置又は表示モジュールと、
操作キー、スピーカー、アンテナ、及び／又は、バッテリーと、を有し、
前記発光装置は、請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光装置であり、
前記表示モジュールは、請求項８に記載の表示モジュールであることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月19日(2014.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相補型ナノワイヤトンネル電界効果トランジスタ半導体デバイスの製造方法であって、
チャネル材料の層の上に犠牲材料の層を含むスタックを形成する工程と、
少なくとも１つの第１ナノワイヤと少なくとも１つの第２ナノワイヤとを形成するために、チャネル材料の層と犠牲材料の層から材料を除去する工程と、
少なくとも１つの第１ナノワイヤ中の犠牲材料を除去し、第１ドーパント型の第１ドーピング材料のヘテロ接合材料で置き換えて、第１ドーパント型のナノワイヤトンネル電界効果トランジスタを形成する工程と、その後に、
少なくとも１つの第２ナノワイヤ中の犠牲材料を除去し、第２ドーパント型の第２ドーピング材料のヘテロ接合材料で置き換えて、第２ドーパント型のナノワイヤトンネル電界効果トランジスタを形成する工程と、を含み、
これにより、第１ドーパント型の少なくとも１つのナノワイヤトンネル電界効果トランジスタと、第２ドーパント型の少なくとも１つのナノワイヤトンネル電界効果トランジスタとを含む相補型ナノワイヤトンネル電界効果トランジスタデバイスを製造する方法。
【請求項２】
スタックを形成する工程は、結晶チャネル材料の層を形成する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
更に、ナノワイヤトンネル電界効果トランジスタを形成した後に、ナノワイヤトンネル電界効果トランジスタを絶縁材料中に埋める工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
更に、ナノワイヤトンネル電界効果トランジスタを埋める工程の前に、ナノワイヤトンネル電界効果トランジスタをキャップ層で覆う工程を含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ナノワイヤトンネル電界効果トランジスタをキャップ層で覆う工程は、２０原子層以下の半導体材料を形成する工程を含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
犠牲材料を除去し、置き換える工程は、犠牲材料を選択的にエッチバックする工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
更に、第１ナノワイヤと第２ナノワイヤの少なくとも１つの周囲にゲートスタックを形成する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
犠牲材料を除去し、置き換える工程は、ゲートスタックの形成前に行われる請求項７に記載の方法。
【請求項９】
犠牲材料を除去し、置き換える工程は、ゲートスタックの形成後に行われる請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１の方法で形成された半導体デバイスであって、
チャネル材料とヘテロ接合とを含むナノワイヤを含む、少なくとも１つの垂直トンネル電界効果トランジスタを含み、
少なくともチャネル材料とヘテロ接合との間の界面において、ナノワイヤがシェルで囲まれた半導体デバイス。
【請求項１１】
異なるドーパント型の、少なくとも２つの垂直トンネル電界効果トランジスタを含む請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
全ての犠牲材料が除去されて置き換えられ、相補型ナノワイヤトンネル電界効果トランジスタ半導体デバイスは犠牲材料を含まない請求項１に記載の方法。