【手続補正書】
【提出日】平成25年11月19日(2013.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内にて第１の処理ガス及び第２の処理ガスを順番に供給するサイクルを複数回行って基板に成膜処理を行う成膜装置において、
基板を水平に載置する基板載置領域がその一面側に形成され、前記真空容器内にて前記基板載置領域を公転させるための回転テーブルと、
この回転テーブルの周方向に互いに分離領域を介して離間した領域に夫々第１の処理ガス及び第２の処理ガスを供給する第１の処理ガス供給部及び第２の処理ガス供給部と、
基板に対してプラズマ処理を行うために、前記真空容器内にプラズマ発生用ガスを供給するプラズマ発生ガス供給部と、
前記回転テーブル上にてプラズマ発生ガスを誘導結合によりプラズマ化するように、当該回転テーブルの一面側に対向して設けられたアンテナと、
前記アンテナとプラズマ処理を行う領域との間に介在して設けられ、前記アンテナの周囲に発生した電磁界における電界成分の通過を阻止するために、各々アンテナと交差する方向に伸びるスリットがアンテナの伸びる方向に多数配列された導電性の板状体からなるファラデーシールドと、を備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記アンテナ及び前記ファラデーシールドは、プラズマ処理を行う領域から誘電体により気密に区画されていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記回転テーブルに連通するように前記真空容器の天板に形成された開口部と、
前記アンテナが収納され、前記開口部に嵌合すると共に当該開口部の口縁部との間にシール部が形成された誘電体からなる筐体と、を備えたことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記分離領域に分離ガスを供給するための分離ガス供給部を設け、
前記筐体の下面側の周縁部には、第１の処理ガス、第２の処理ガス及び分離ガスが前記筐体の下方領域へ侵入することを抑えるために、周方向に亘って下方側に伸び出すガス規制用の突起部が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記回転テーブルの周囲には、横方向に気流が形成される凹部状の気流通路が周方向に亘ってリング状に形成され、
この気流通路に各々連通するように、前記回転テーブルの回転方向において第１の処理ガスの供給される第１の処理領域の下流側と、前記プラズマ発生用ガスの供給されるプラズマ領域の下流側と、には夫々第１の排気口及び第２の排気口が形成され、
前記気流通路には、当該気流通路に露出する前記真空容器の内壁部を保護するためのリング状のカバー体が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記アンテナは、鉛直軸回りに巻回されると共に、平面的に見た時に前記回転テーブルの回転中心側から外周側に向かって広がるように扇状に配置されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の成膜装置。
【請求項７】
前記プラズマ発生ガス供給部は、前記回転テーブルの半径方向に伸びると共に側面に複数のガス吐出口の形成されたガスノズルであり、
前記プラズマ発生ガス供給部は、前記筐体の下方領域において前記回転テーブルの回転方向上流側に配置され、
前記ガス吐出口の各々は、前記回転テーブルの回転方向上流側からの前記下方領域への分離ガスの侵入を抑えるために、前記上流側を各々向いていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載の成膜装置。
【請求項８】
前記プラズマ発生用ガス供給部は、前記第２の処理ガス供給部を兼用していることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一つに記載の成膜装置。
【請求項９】
前記回転テーブルの中心部側における前記スリットは、基板に対して行われるプラズマ処理の度合いを前記回転テーブルの半径方向において揃えるために、前記回転テーブルの外縁部側よりも開口面積が小さくなるように形成されていることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一つに記載の成膜装置。
【請求項１０】
真空容器内にて基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、
基板を水平に載置する基板載置領域がその一面側に形成され、前記真空容器内にて前記基板載置領域を公転させるための回転テーブルと、
基板に対してプラズマ処理を行うために、前記真空容器内にプラズマ発生用ガスを供給するプラズマ発生ガス供給部と、
前記回転テーブル上にてプラズマ発生ガスを誘導結合によりプラズマ化するように、当該回転テーブルの前記基板載置領域に対向して設けられたアンテナと、
前記アンテナとプラズマ処理を行う領域との間に介在して設けられ、前記アンテナの周囲に発生した電磁界における電界成分の通過を阻止するために、各々アンテナと交差する方向に伸びるスリットがアンテナの伸びる方向に多数配列された導電性の板状体からなるファラデーシールドと、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１１】
真空容器内にて第１の処理ガス及び第２の処理ガスを順番に供給するサイクルを複数回行って基板に成膜処理を行う成膜方法において、
真空容器内に設けられた回転テーブルの一面側の基板載置領域に基板を水平に載置すると共に、この基板載置領域を公転させる工程と、
次いで、前記回転テーブルの周方向に互いに分離領域を介して離間した領域に夫々第１の処理ガス及び第２の処理ガスを供給する工程と、
基板に対してプラズマ処理を行うために、前記真空容器内にプラズマ発生用ガスを供給する工程と、
前記回転テーブルの一面側に対向して設けられたアンテナによって、プラズマ発生ガスを誘導結合によりプラズマ化する工程と、
前記アンテナとプラズマ処理を行う領域との間に介在して設けられ、各々アンテナと交差する方向に伸びるスリットがアンテナの伸びる方向に多数配列された導電性の板状体からなるファラデーシールドにより、前記アンテナの周囲に発生した電磁界における電界成分の通過を阻止する工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。
【請求項１２】
前記プラズマ化する工程は、プラズマ処理を行う領域から誘電体により気密に区画された前記アンテナにより、前記真空容器内のプラズマ発生用ガスをプラズマ化する工程であり、
前記阻止する工程は、プラズマ処理を行う領域から前記誘電体により気密に区画された前記ファラデーシールドにより、前記電界成分の通過を阻止する工程であることを特徴とする請求項１１に記載の成膜方法。
【請求項１３】
前記プラズマ化する工程は、前記回転テーブルに連通するように前記真空容器の天板に形成された開口部内に、この開口部に嵌合すると共に当該開口部の口縁部との間にシール部が形成された誘電体からなる筐体を配置し、この筐体内に収納された前記アンテナによりプラズマ発生用ガスをプラズマ化する工程であることを特徴とする請求項１２に記載の成膜方法。
【請求項１４】
前記電界成分の通過を阻止する工程は、基板に対して行われるプラズマ処理の度合いを前記回転テーブルの半径方向において揃えるために、前記回転テーブルの外縁部側よりも前記回転テーブルの中心部側において開口面積が小さくなるように形成された前記スリットを有する前記ファラデーシールドを用いて行われる工程であることを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれか一つに記載の成膜方法。
【請求項１５】
真空容器内にて複数種類の処理ガスを順番に基板に供給するサイクルを複数回繰り返して薄膜を形成する成膜装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記コンピュータプログラムは、請求項１１ないし１４のいずれか一つに記載の成膜方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】成膜装置、プラズマ処理装置、成膜方法及び記憶媒体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、互いに反応する処理ガスを順番に供給して基板の表面に反応生成物を積層すると共にこの反応生成物に対してプラズマ改質を行う成膜装置、成膜方法及び記憶媒体に関する。また本発明は、真空容器内にて基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、互いに反応する処理ガスを順番に供給して基板の表面に反応生成物を積層すると共にこの反応生成物に対してプラズマ改質を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えることのできる成膜装置、成膜方法及び記憶媒体を提供することにある。また、本発明の別の発明の目的は、真空容器内にて基板のプラズマ処理を行うにあたって、基板に対するプラズマダメージを抑えることのできるプラズマ処理装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の成膜装置は、
真空容器内にて第１の処理ガス及び第２の処理ガスを順番に供給するサイクルを複数回行って基板に成膜処理を行う成膜装置において、
基板を水平に載置する基板載置領域がその一面側に形成され、前記真空容器内にて前記基板載置領域を公転させるための回転テーブルと、
この回転テーブルの周方向に互いに分離領域を介して離間した領域に夫々第１の処理ガス及び第２の処理ガスを供給する第１の処理ガス供給部及び第２の処理ガス供給部と、
基板に対してプラズマ処理を行うために、前記真空容器内にプラズマ発生用ガスを供給するプラズマ発生ガス供給部と、
前記回転テーブル上にてプラズマ発生ガスを誘導結合によりプラズマ化するように、当該回転テーブルの一面側に対向して設けられたアンテナと、
前記アンテナとプラズマ処理を行う領域との間に介在して設けられ、前記アンテナの周囲に発生した電磁界における電界成分の通過を阻止するために、各々アンテナと交差する方向に伸びるスリットがアンテナの伸びる方向に多数配列された導電性の板状体からなるファラデーシールドと、を備えたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記プラズマ発生ガス供給部は、前記回転テーブルの半径方向に伸びると共に側面に複数のガス吐出口の形成されたガスノズルであり、
前記プラズマ発生ガス供給部は、前記筐体の下方領域において前記回転テーブルの回転方向上流側に配置され、
前記ガス吐出口の各々は、前記回転テーブルの回転方向上流側からの前記下方領域への分離ガスの侵入を抑えるために、前記上流側を各々向いている構成。前記プラズマ発生用ガス供給部は、前記第２の処理ガス供給部を兼用している構成。前記回転テーブルの中心部側における前記スリットは、基板に対して行われるプラズマ処理の度合いを前記回転テーブルの半径方向において揃えるために、前記回転テーブルの外縁部側よりも開口面積が小さくなるように形成されている構成。
また、本発明のプラズマ処理装置は、
真空容器内にて基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、
基板を水平に載置する基板載置領域がその一面側に形成され、前記真空容器内にて前記基板載置領域を公転させるための回転テーブルと、
基板に対してプラズマ処理を行うために、前記真空容器内にプラズマ発生用ガスを供給するプラズマ発生ガス供給部と、
前記回転テーブル上にてプラズマ発生ガスを誘導結合によりプラズマ化するように、当該回転テーブルの前記基板載置領域に対向して設けられたアンテナと、
前記アンテナとプラズマ処理を行う領域との間に介在して設けられ、前記アンテナの周囲に発生した電磁界における電界成分の通過を阻止するために、各々アンテナと交差する方向に伸びるスリットがアンテナの伸びる方向に多数配列された導電性の板状体からなるファラデーシールドと、を備えたことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の成膜方法は、
真空容器内にて第１の処理ガス及び第２の処理ガスを順番に供給するサイクルを複数回行って基板に成膜処理を行う成膜方法において、
真空容器内に設けられた回転テーブルの一面側の基板載置領域に基板を水平に載置すると共に、この基板載置領域を公転させる工程と、
次いで、前記回転テーブルの周方向に互いに分離領域を介して離間した領域に夫々第１の処理ガス及び第２の処理ガスを供給する工程と、
基板に対してプラズマ処理を行うために、前記真空容器内にプラズマ発生用ガスを供給する工程と、
前記回転テーブルの一面側に対向して設けられたアンテナによって、プラズマ発生ガスを誘導結合によりプラズマ化する工程と、
前記アンテナとプラズマ処理を行う領域との間に介在して設けられ、各々アンテナと交差する方向に伸びるスリットがアンテナの伸びる方向に多数配列された導電性の板状体からなるファラデーシールドにより、前記アンテナの周囲に発生した電磁界における電界成分の通過を阻止する工程と、を含むことを特徴とする。