【手続補正書】
【提出日】平成26年6月5日(2014.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＧＢＴであって、
半導体基板と、エミッタ電極と、コレクタ電極と、ゲート電極を有しており、
半導体基板の上面に、当該上面を平面視したときにトレンチによって仕切られた四角形の領域が形成されており、
トレンチの内面は、絶縁膜に覆われており、
ゲート電極は、トレンチの内部に配置されており、
エミッタ電極は、半導体基板の上面に形成されており、
コレクタ電極は、半導体基板の下面に形成されており、
四角形の領域内に、
ｎ型半導体により構成されており、前記絶縁膜に接しており、エミッタ電極に対してオーミック接続されているエミッタ領域と、
ｐ型半導体により構成されており、エミッタ領域に隣接する位置で前記絶縁膜に接しているとともにトレンチの内側コーナー部で前記絶縁膜に接しており、エミッタ電極に対してオーミック接続されているボディ領域と、
ｎ型半導体により構成されており、ボディ領域の下側に形成されており、ボディ領域によってエミッタ領域から分離されており、トレンチの下端部の前記絶縁膜に接しているドリフト領域と、
ｐ型半導体により構成されており、ドリフト領域の下側に形成されており、ドリフト領域によってボディ領域から分離されており、コレクタ電極に対してオーミック接続されているコレクタ領域、
が形成されており、
ボディ領域とドリフト領域の間には、高濃度ｎ型領域が形成されており、
高濃度ｎ型領域は、ｎ型半導体により構成されており、ボディ領域に接しており、ボディ領域によってエミッタ領域から分離されており、ドリフト領域に接しており、ボディ領域をドリフト領域から分離しており、ドリフト領域よりも高いｎ型不純物濃度を有しており、
半導体基板を平面視したときに、四角形の領域内において、エミッタ領域が前記絶縁膜と接している境界線の総距離が、ボディ領域が前記絶縁膜と接している境界線の総距離より短い、
ことを特徴とするＩＧＢＴ。
【請求項２】
ボディ領域が、エミッタ電極に対してオーミック接続されている第１領域と、第１領域を介してエミッタ電極と導通している第２領域を有しており、
第１領域が、前記絶縁膜と接しておらず、
第２領域が、前記絶縁膜と接しており、
エミッタ領域が、トレンチの内側コーナー部の前記絶縁膜と接していない、
ことを特徴とする請求項１に記載のＩＧＢＴ。
【請求項３】
半導体基板の上面を平面視したときにトレンチによって仕切られた四角形の領域が形成されており、
四角形の領域内にエミッタ領域とボディ領域が形成されており、
四角形の領域のアスペクト比が０．４〜２．５の範囲内である、
ことを特徴とする請求項１または２に記載のＩＧＢＴ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本明細書が開示するＩＧＢＴは、半導体基板と、エミッタ電極と、コレクタ電極と、ゲート電極を有している。半導体基板の上面には、当該上面を平面視したときにトレンチによって仕切られた四角形の領域が形成されている。トレンチの内面は、絶縁膜に覆われている。ゲート電極は、トレンチの内部に配置されている。エミッタ電極は、半導体基板の上面に形成されている。コレクタ電極は、半導体基板の下面に形成されている。四角形の領域内には、エミッタ領域と、ボディ領域と、ドリフト領域と、コレクタ領域が形成されている。エミッタ領域は、ｎ型半導体により構成されており、前記絶縁膜と接しており、エミッタ電極に対してオーミック接続されている。ボディ領域は、ｐ型半導体により構成されており、エミッタ領域に隣接する位置で前記絶縁膜と接しているとともにトレンチの内側コーナー部で前記絶縁膜と接しており、エミッタ電極に対してオーミック接続されている。ドリフト領域は、ｎ型半導体により構成されており、ボディ領域の下側に形成されており、ボディ領域によってエミッタ領域から分離されており、トレンチの下端部の前記絶縁膜と接している。コレクタ領域は、ｐ型半導体により構成されており、ドリフト領域の下側に形成されており、ドリフト領域によってボディ領域から分離されており、コレクタ電極に対してオーミック接続されている。ボディ領域とドリフト領域の間には、高濃度ｎ型領域が形成されている。高濃度ｎ型領域は、ｎ型半導体により構成されており、ボディ領域と接しており、ボディ領域によってエミッタ領域から分離されており、ドリフト領域と接しており、ボディ領域をドリフト領域から分離しており、ドリフト領域よりも高いｎ型不純物濃度を有する。半導体基板を平面視したときに、四角形の領域内において、エミッタ領域が前記絶縁膜と接している境界線の総距離が、ボディ領域が前記絶縁膜と接している境界線の総距離より短い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
なお、エミッタ領域は、何れの位置で絶縁膜と接していてもよい。例えば、エミッタ領域は、トレンチの内側コーナー部で絶縁膜と接していてもよいし、それ以外の位置で絶縁膜と接していてもよい。また、ボディ領域は、エミッタ領域に隣接する位置で前記絶縁膜と接しているとともにトレンチの内側コーナー部で前記絶縁膜と接していれば、その他の位置で絶縁膜と接していてもよく、接していなくてもよい。また、上記の「トレンチの内側コーナー部」とは、トレンチが折れ曲がっている部分（すなわち、コーナー）の内側の部分を意味する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このＩＧＢＴをオンさせると、絶縁膜と接している範囲のボディ領域にチャネルが形成され、チャネルを通ってエミッタ領域からドリフト領域に電子が流れる。電子は、ドリフト領域を通過してコレクタ領域へ流れる。これと同時に、コレクタ領域からドリフト領域にホールが流入し、ドリフト領域の電気抵抗が低下する。ドリフト領域内のホールは、ボディ領域へ向かって流れる。このとき、ゲート電極の下方のドリフト領域に存在するホールは、ゲート電極を迂回するように流れるので、ゲート電極の下端部の側面近傍のドリフト領域ではホールの濃度が高くなる。特に、トレンチの内側コーナー部の近傍のドリフト領域では、ゲート電極を迂回するホールが集中する。このため、内側コーナー部近傍のドリフト領域では、ホールの濃度が極めて高くなり、電気抵抗が極めて低くなる。このＩＧＢＴでは、トレンチの内側コーナー部の絶縁膜に接するようにボディ領域が形成されている。すなわち、内側コーナー部の絶縁膜に接する位置にチャネルが形成される。この内側コーナー部のチャネルを通って、内側コーナー部近傍のドリフト領域（すなわち、上述した電気抵抗が極めて低い領域）に電子が流入する。このため、電子は、低損失でドリフト領域を通過することができる。さらに、このＩＧＢＴでは、高濃度ｎ型領域によって、ホールがドリフト領域からボディ領域に流れることが抑制される。したがって、ドリフト領域のホールの濃度をより上昇させることが可能であり、ＩＧＢＴのオン抵抗を大幅に低下させることができる。また、トレンチによって仕切られた四角形の領域において、エミッタ領域が絶縁膜と接している境界線の総距離を、ボディ領域が絶縁膜と接している境界線の総距離より短くすることで、チャネルを流れる電流密度を上昇させることができる。このため、ＩＧＢＴの飽和電流が低くなり、ＩＧＢＴに過電圧が印加されたときにＩＧＢＴに高い電流が流れることを抑制することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】