Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月21日(2014.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基本安全メッセージ（ＢＳＭ）データを生成するための路側インフラストラクチャシステムであって、
路側モジュールを含む前記システムは、
予め定められた固定領域の画像を提供するように構成されたカメラと、
前記カメラに結合され、前記画像を処理して前記画像内の物体を検出するように構成されたビデオ分析器とを備え、前記ビデオ分析器は検出物体の位置を出力するようにさらに構成され、
前記システムは、
前記ビデオ分析器に結合され、前記検出物体の位置を受信するとともに、前記物体の位置および前記ＢＳＭが前記路側モジュールによって生成されたことを識別する指示を含むＢＳＭを生成するように構成されたＢＳＭ生成器と、
前記ＢＳＭ生成器に結合され、前記ＢＳＭ生成器から前記ＢＳＭを受信するとともに、前記ＢＳＭを送信するように構成されたアンテナとをさらに備える、システム。
【請求項２】
前記ビデオ分析器は、前記検出物体の位置を、前記検出物体の緯度および経度として出力するように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ビデオ分析器は、既知の場所または前記カメラの登録に基づく既知の緯度・経度グリッドに前記画像を登録して、前記検出物体の緯度および経度を決定する、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記ビデオ分析器は、前記検出物体の画像ベース位置を出力するように構成され、
前記システムは、
前記ビデオ分析器および前記ＢＳＭ生成器に結合され、前記検出物体の前記画像ベース位置を受信するとともに、前記検出物体の物体中心位置を決定するように構成されたプロセッサをさらに備え、
前記ＢＳＭ生成器は、前記検出物体の前記物体中心位置を含む前記ＢＳＭを生成する、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記アンテナおよび前記ＢＳＭ生成器に結合されたプロセッサをさらに備え、
前記アンテナは、ＢＳＭ生成物体からＢＳＭデータを受信するようにさらに構成され、
前記プロセッサは、前記検出物体が、ＢＳＭ生成物体に対応するか否かを決定するとともに、前記ＢＳＭ生成器を制御して非ＢＳＭ生成検出物体についてのみ前記ＢＳＭを生成する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記ビデオ分析器に結合されたセンサをさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記センサは、赤外線センサ、レーダ、ソナー、および温度画像センサのうちの少なくとも１つを含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記検出物体は車両である、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
分離したセンサから基本安全メッセージ（ＢＳＭ）データを生成するための方法であって、
前記方法は、
予め定められた固定領域の画像を取得するステップと、
前記画像を処理して前記画像内の物体を検出するステップと、
検出物体の位置を決定するステップと、
車両生成ＢＳＭデータを受信するステップと、
前記車両生成ＢＳＭデータが、前記検出物体から生じているか否かを決定するステップと、
前記車両生成ＢＳＭデータが前記検出物体から生じていない場合にのみ、前記検出物体の位置を含むＢＳＭを生成するステップと、
前記ＢＳＭを送信するステップとを備える、方法。
【請求項１０】
前記検出物体の位置を決定するステップは、
前記検出物体の画像ベース位置を決定するステップと、
前記画像ベース位置を前記検出物体の物体中心位置に変換するステップとを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記画像ベース位置は、前記画像内の前記検出物体を囲む境界ボックスの下部中心位置に対応し、
前記画像ベース位置を前記物体中心位置に変換するステップは、
前記画像内の前記検出物体に対応する三次元オブジェクトボックスを決定するステップと、
幾何学的計算を実行して、前記三次元オブジェクトボックスの計算長さ、高さおよび奥行きを決定するステップと、
前記長さ、高さおよび奥行きを、共通物体に対応する、長さ対高さ対奥行きの既知の比率と比較して、前記三次元オブジェクトボックスの前記計算長さ、高さおよび奥行きが予め定められた許容範囲内であることを確認するステップと、
前記画像ベース位置から前記物体中心位置を決定するステップとを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記検出物体の前記物体中心位置を決定するステップは、前記検出物体の緯度および経度を決定するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
複数の物体を検出するステップと、
どの検出物体が前記車両生成ＢＳＭデータを生成しているかを決定するステップと、
前記車両生成ＢＳＭデータを生成していないそれら検出物体についてのみ、前記ＢＳＭを生成するステップとをさらに備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＢＳＭを送信するステップは、狭域通信規格を用いて前記ＢＳＭを送信するステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記検出物体の位置を決定するステップは、前記画像を既知の緯度・経度グリッドに登録して、前記検出物体の緯度および経度を決定するステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記画像を取得するステップは、カメラ、レーダ、ソナー、および温度画像センサのうちの少なくとも１つ用いて前記画像を取得するステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
基本安全メッセージ（ＢＳＭ）データを生成するための路側インフラストラクチャシステムであって、
路側モジュールを含む前記システムは、
予め定められた固定領域の画像を提供するように構成されたカメラと、
前記カメラに結合され、前記画像を処理して前記画像内の物体を検出するように構成されたビデオ分析器とを備え、前記ビデオ分析器は検出物体の位置を出力するようにさらに構成され、
前記システムは、
前記ビデオ分析器に結合され、前記検出物体の位置を受信するとともに、前記物体の位置を含むＢＳＭを生成するように構成されたＢＳＭ生成器と、
前記ＢＳＭ生成器に結合され、前記ＢＳＭ生成器から前記ＢＳＭを受信し、ＢＳＭ生成物体からＢＳＭデータを受信するとともに、前記ＢＳＭを送信するように構成されたアンテナと、
前記アンテナと前記ＢＳＭ生成器とに結合され、前記検出物体がＢＳＭ生成物体に対応するか否かを決定するとともに、前記ＢＳＭ生成器を制御して非ＢＳＭ生成検出物体についてのみ前記ＢＳＭを生成するように構成されたプロセッサをさらに備える、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月9日(2014.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のジョブおよび複数のセルのリストを作成することを含み、前記複数のジョブは前記複数のセルの少なくとも一部により生産される予定であり、前記セルのそれぞれは少なくとも１つの生産装置を含み、
前記ジョブを自動分割することを含み、
前記自動分割することが、
前記ジョブをより小さいサイズのロットに分割することと、
前記セルの種々のセルへの前記より小さいサイズのロットを一度に一つのロットずつ割り振ることであって、前記割り振ることは、最早完了経路アルゴリズムを用いて前記セルに前記ジョブの前記より小さいサイズのロットを割り当てることを含み、前記最早完了経路アルゴリズムは、最少のセル間跳躍回数を有する前記複数のジョブの各特定のジョブのための実行可能な経路のセットを列挙し、対応する経路によって識別されるそれらのセルを用いることだけによってベストな割り振りを見つけ、製造処理量と待ち時間との少なくとも１つを考慮して前記特定のジョブを終了させる前記経路及び対応割り振りを選択することを含む、前記割り振ることと、
すべての前記より小さいサイズのロットが割り振られると、より大きなロットを形成するために、前記より小さいサイズのロットのうちのどれを、割り振られた前記より小さいサイズのロットの他のロットと組み合わすことができるかを判断することと、
同じジョブの連続するロットとして組み合わせ可能と判断された前記より小さいサイズのロットをいっしょに統合することと、を含む
セル生産方式環境内の複数のセル全体にわたって作業負荷のバランスをとる方法であって、
前記方法は、少なくとも電子プロセッサの利用により実行される
方法。
【請求項２】
前記自動分割することが、最適ロットサイズを決定するための固定した式を用いずに機能する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
先行して割り振られたロットおよび新しく割り振られたロットが連続しかつ結合されるときには、前記新しく割り振られたロットに対する準備時間を準備時間から差し引く、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ロットの２つが連続して割り振られており、かつ同じジョブに属している場合、およびその場合のみ、２つのロットは連続している、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記２つの連続したロットを統合するとき、
前記統合されたロットのサイズは統合中の前記２つのロットのサイズの合計であり、
前記統合されたロットの開始時刻は、より早く開始するように割り振られている前記ロットの開始時刻であり、
前記統合されたロットの終了時刻は、より遅く終了するように割り振られているロットの終了時刻である、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月10日(2014.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極部５６と、
ターゲット部６０と、
スロート部８４と
を含む真空密閉容器５２と、
該真空密閉容器５２の前記ターゲット部の内部に配置されたターゲット５８と、
前記真空密閉容器５２の前記陰極部の内部に配置されて、前記ターゲット５８へ向けて電子流６８を放出するように構成されている陰極５４と
を備えたＸ線管アセンブリ１４であって、前記スロート部８４は、
上流側端部１０２及び下流側端部１０４を含んでおり、磁場強度の存在下で渦電流を発生する第一の磁化率を有する磁場区画１００と、
前記陰極部に結合された第一の端部１１４及び前記磁場区画１００の前記上流側端部１０２に結合された第二の端部１１２を有しており、前記磁場強度の存在下で渦電流を発生する第二の磁化率を有する上流側区画１１０と、
前記磁場区画１００の前記下流側端部１０４に結合された第一の端部１２０及び第二の端部１２２を有しており、前記磁場強度の存在下で渦電流を発生する第三の磁化率を有する下流側区画１１８と
を含んでおり、渦電流を発生する前記第一の磁化率は、渦電流を発生する前記第二及び第三の磁化率よりも小さい、Ｘ線管アセンブリ１４。
【請求項２】
渦電流を発生する前記第二の磁化率は、渦電流を発生する前記第三の磁化率に近似的に等しい、請求項１に記載のＸ線管アセンブリ１４。
【請求項３】
前記真空密閉容器５２の前記スロート部８４の前記磁場区画１００を包囲して該磁場区画１００に整列するように配置された電磁コイル８６をさらに含んでいる請求項１または２に記載のＸ線管アセンブリ１４。
【請求項４】
前記磁場区画１００は、前記下流側区画の壁厚みよりも小さく、且つ前記上流側区画１１０の壁厚みよりも小さい壁厚みを有する、請求項１乃至３のいずれかに記載のＸ線管アセンブリ１４。
【請求項５】
前記スロート部８４の前記磁場区画１００に結合された電気的絶縁材料をさらに含んでいる請求項４に記載のＸ線管アセンブリ。
【請求項６】
前記スロート部８４の前記下流側区画１１８の前記第二の端部１２２は、前記真空密閉容器５２の前記ターゲット部６０に結合されている、請求項１乃至５のいずれかに記載のＸ線管アセンブリ。
【請求項７】
前記スロート部８４は、
当該スロート部８４の前記下流側区画の前記第二の端部に結合されている上流側端部、及び下流側端部を有する第二の磁場区画１４４と、
該第二の磁場区画１４４の前記下流側端部に結合された第一の端部、及び前記ターゲット部６０に結合された第二の端部を有する第二の下流側区画１４２と
をさらに含んでいる、請求項１乃至６のいずれかに記載のＸ線管アセンブリ１４。
【請求項８】
前記真空密閉容器５２の前記スロート部の前記磁場区画１００を中心として包囲して配置された第一の電磁コイル８６と、
前記真空密閉容器５２の前記スロート部の前記第二の磁場区画１００を中心として包囲して配置された第二の電磁コイル９４と
をさらに含んでいる請求項７に記載のＸ線管アセンブリ１４。
【請求項９】
前記磁場区画１００は伝導性材料を含んでいる、請求項１乃至８のいずれかに記載のＸ線管アセンブリ１４。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月24日(2014.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のワードライン及び複数のビットラインに従って抵抗性メモリセルを配置するメモリセルアレイであって、抵抗性メモリセルの第１グループは、前記複数のビットラインと第１プレートの間に接続され、抵抗性メモリセルの第２グループは、前記複数のビットラインと第２プレートの間に接続される、メモリセルアレイと、
抵抗性メモリ装置の外部の初期化装置から第１の初期化電圧を受信するとともに、初期化動作時に、前記第１プレートに前記第１の初期化電圧を供給する第１初期化パッドと、
前記初期化装置から第２の初期化電圧を受信するとともに、前記初期化動作時に、前記第２プレートに前記第２の初期化電圧を供給する第２初期化パッドと、
を具備し、
前記第１の初期化電圧及び前記第２の初期化電圧は、前記抵抗性メモリセルの正常動作に関連する正常経路の外部から前記第１プレート及び前記第２プレートにそれぞれ印加されることを特徴とする抵抗性メモリ装置。
【請求項２】
前記第１プレートに接続され、第１制御信号に応答してイネーブル（ｅｎａｂｌｅ）またはディセーブル（ｄｉｓａｂｌｅ）されることができる第１ドライバーと、
前記第２プレートに接続され、第２制御信号に応答してイネーブルまたはディセーブルされることができる第２ドライバーと、
をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の抵抗性メモリ装置。
【請求項３】
前記第１ドライバーと前記第２ドライバーは、前記初期化動作時にディセーブルされ、
前記第１ドライバーと前記第２ドライバーは、正常動作時に同じ電圧を前記第１プレートと前記第２プレートにそれぞれ供給するためにイネーブルされることを特徴とする請求項２に記載の抵抗性メモリ装置。
【請求項４】
前記第１の初期化電圧及び前記第２の初期化電圧が正常経路の外部から前記第１プレート及び前記第２プレートにそれぞれ直接印加されるように、前記正常動作時に前記複数のビットラインの少なくとも１つに前記正常経路を介して接続されるとともに、前記初期化動作時に前記複数のビットラインの各ライン及び全てのラインから切断される感知増幅器及び入出力回路をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の抵抗性メモリ装置。
【請求項５】
前記正常動作時に前記感知増幅器及び入出力回路に前記複数のビットラインの少なくとも１つを選択的に接続するとともに、前記初期化動作時に前記感知増幅器及び入出力回路から前記複数のビットラインの各ライン及び全てのラインを切断するように、前記複数のビットラインの各々にそれぞれ関連する選択スイッチをさらに具備することを特徴とする請求項４に記載の抵抗性メモリ装置。
【請求項６】
前記正常動作時に前記メモリセルアレイに印加された正常電圧を生成するドライバーと、
前記正常動作時に前記第１プレート及び前記第２プレートの少なくとも１つに前記ドライバーを接続し、前記初期化動作時に前記第１プレート及び前記第２プレートを前記ドライバーから切断するスイッチ回路と、
をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の抵抗性メモリ装置。
【請求項７】
前記第１プレートに抵抗性メモリセルの前記第１グループをそれぞれ接続する第１の複数のトランジスタと、
前記第２プレートに抵抗性メモリセルの前記第２グループをそれぞれ接続する第２の複数のトランジスタと
をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の抵抗性メモリ装置。
【請求項８】
前記初期化動作時に、選択されたビットラインに接続された前記第１の複数のトランジスタのうちの１つが、前記選択されたビットラインに接続された前記第２の複数のトランジスタのうちの１つと同時にターンオン（ｔｕｒｎ−ｏｎ）されるように、前記第１の複数のトランジスタと前記第２の複数のトランジスタが同様に動作する、ことを特徴とする請求項７に記載の抵抗性メモリ装置。
【請求項９】
前記第１の複数のトランジスタの１つは、前記初期化動作時に、前記第２の複数のトランジスタのうちの１つに直列に接続される、ことを特徴とする請求項８に記載の抵抗性メモリ装置。
【請求項１０】
前記初期化動作時に、選択されたビットラインに接続された前記第１の複数のトランジスタの１つがターンオンし、前記選択されたビットラインに接続された前記第２の複数のトランジスタの１つがターンオフ（ｔｕｒｎ−ｏｆｆ）されるように、前記第１の複数のトランジスタ及び前記第２の複数のトランジスタが相補的に動作する、ことを特徴とする請求項７に記載の抵抗性メモリ装置。
【請求項１１】
前記複数のビットライン、前記第１プレート、及び前記第２プレートは、前記抵抗性メモリ装置内に互いに並行に配置される、ことを特徴とする請求項１に記載の抵抗性メモリ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】抵抗性メモリ装置
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月2日(2014.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、複数の第１のセルと、複数の第２のセルと、を有し、
前記第１のセルは、受光面と、受光面と対向する第１の面とを有し、
前記第２のセルは、受光面と、受光面と対向する第２の面とを有し、
前記第１のセルの前記第１の面は、前記支持基板の上面に対して角度ａをなして位置し、
前記第２のセルの前記第２の面は、前記第１のセルの前記第１の面に対して角度ｂをなして位置し、
前記第２のセルの前記第２の面は、前記支持基板の上面に対して角度ａと角度ｂとを足した角度をなして位置し、
前記第１のセルと前記第２のセルは、それぞれの受光面が向き合うように位置することを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項２】
請求項１において、
前記角度ａは、３０°以上６０°以下であることを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記角度ｂは、６０°以上７０°以下であることを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１のセルと前記第２のセルとは、電気的に並列接続されていることを特徴とする太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月22日(2014.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティが形成されている金属回路基板と、
前記金属回路基板の前記キャビティの内に付着される窒化物絶縁基板、前記窒化物絶縁基板の上に形成されている少なくとも１つのパッド部、及び前記パッド部の上に付着されている少なくとも１つの発光素子を含む発光素子パッケージと、
を含み、
前記キャビティの内に提供され、前記窒化物絶縁基板の周りに配置されて前記窒化物絶縁基板を支持するフィレットを含むことを特徴とする、発光モジュール。
【請求項２】
前記金属回路基板の上に前記キャビティを囲むガイド突起を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項３】
前記金属回路基板は、
金属プレートと、
前記金属プレートの上の絶縁層と、
前記絶縁層の上に前記発光素子パッケージのパッド部と電気的に連結される基板パッドと、
前記絶縁層の上に前記基板パッドを露出するカバー層と、
を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光モジュール。
【請求項４】
前記基板パッドは、前記キャビティと前記ガイド突起との間の前記金属回路基板の上に露出していることを特徴とする、請求項３に記載の発光モジュール。
【請求項５】
前記ガイド突起は不透過性の無機物で形成されていることを特徴とする、請求項２に記載の発光モジュール。
【請求項６】
前記基板パッドが露出している辺の前記ガイド突起と前記キャビティとの間の距離は、
前記基板パッドがない辺の前記ガイド突起と前記キャビティとの間の距離と相異することを特徴とする、請求項３に記載の発光モジュール。
【請求項７】
前記基板パッドが露出している辺の前記ガイド突起と前記キャビティとの間の距離は、
前記基板パッドがない辺の前記ガイド突起と前記キャビティとの間の距離より大きいことを特徴とする、請求項６に記載の発光モジュール。
【請求項８】
前記カバー層は、不透過性及び非反射性を有することを特徴とする、請求項３に記載の発光モジュール。
【請求項９】
前記窒化物絶縁基板の熱伝導率は１７０Ｋｃａｌ／ｍ・ｈ・℃以上であることを特徴とする、請求項１乃至請求項８のうちいずれか１項に記載の発光モジュール。
【請求項１０】
前記キャビティの深さは、前記発光素子パッケージの窒化物絶縁基板の高さより小さいことを特徴とする、請求項１乃至請求項９のうちいずれか１項に記載の発光モジュール。
【請求項１１】
前記発光素子パッケージのパッド部は、少なくとも２つの金属層を有する薄膜パターンであることを特徴とする、請求項１乃至請求項９のうちいずれか１項に記載の発光モジュール。
【請求項１２】
前記パッド部の最上層は金または金を含む合金層が形成されていることを特徴とする、請求項１１に記載の発光モジュール。
【請求項１３】
前記パッド部の複数の金属層はスパッタリングを通じて形成されていることを特徴とする、請求項１１に記載の発光モジュール。
【請求項１４】
前記パッド部の複数の金属層の総厚さは０．４５〜０．７５μｍの範囲内であることを特徴とする、請求項１１に記載の発光モジュール。
【請求項１５】
前記発光素子パッケージの発光素子は、隣り合う発光素子とジグザグに配置されていることを特徴とする、請求項１乃至請求項１４のうちいずれか１項に記載の発光モジュール。
【請求項１６】
前記複数の発光素子は直列連結されていることを特徴とする、請求項１乃至請求項１５のうちいずれか１項に記載の発光モジュール。
【請求項１７】
前記回路基板の上に前記複数の発光素子と並列連結されているツェナーダイオードを更に含むことを特徴とする、請求項１乃至請求項１５のうちいずれか１項に記載の発光モジュール。
【請求項１８】
前記発光素子と電気的に分離されており、前記発光素子からの発熱により抵抗が可変する温度センサーを更に含むことを特徴とする、請求項１乃至請求項１７のうちいずれか１項に記載の発光モジュール。
【請求項１９】
前記温度センサーは、前記キャビティから５ｍｍ以内に形成されることを特徴とする、請求項１８に記載の発光モジュール。
【請求項２０】
前記温度センサーは、前記ガイド突起の外方に形成されていることを特徴とする、請求項１８に記載の発光モジュール。
【請求項２１】
前記温度センサーは、前記発光素子パッケージの上に実装されていることを特徴とする、請求項１８に記載の発光モジュール。
【請求項２２】
前記温度センサーは、前記回路基板の絶縁層の内に埋め立てられていることを特徴とする、請求項２１に記載の発光モジュール。
【請求項２３】
前記絶縁層の内に埋め立てられている前記温度センサーは、前記ガイド突起の内方に形成されていることを特徴とする、請求項２２に記載の発光モジュール。
【請求項２４】
前記発光素子パッケージのパッド部は、
前記発光素子が付着される電極領域と、
前記電極領域から突出しており、ワイヤーボンディングされる連結領域と、
を含むことを特徴とする、請求項１８に記載の発光モジュール。
【請求項２５】
前記温度センサーはＮＴＣ（negative temperature coefficient）を含むことを特徴とする、請求項１８に記載の発光モジュール。
【請求項２６】
前記発光素子パッケージと前記キャビティの内側面との間の離隔空間に形成されている側面放熱部材を更に含むことを特徴とする、請求項１乃至請求項２５のうちいずれか１項に記載の発光モジュール。
【請求項２７】
前記側面放熱部材は、銀、金、銅、またはアルミニウムを含む合金で形成されていることを特徴とする、請求項２６に記載の発光モジュール。
【請求項２８】
前記側面放熱部材は、前記窒化物絶縁基板より熱伝導率の高い合金を含むことを特徴とする、請求項２６に記載の発光モジュール。
【請求項２９】
前記発光素子パッケージの下面と前記キャビティの底面とは接着ペーストにより付着されており、
前記側面放熱部材は、前記接着ペーストから延びて形成されることを特徴とする、請求項２６に記載の発光モジュール。
【請求項３０】
前記キャビティの内の前記発光素子パッケージを覆うモールディング部材と、
前記金属回路基板の上面の上に前記キャビティを囲みながら前記モールディング部材をガイドするガイド部材と、
を更に含むことを特徴とする、請求項１乃至請求項２９のうちいずれか１項に記載の発光モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月4日(2014.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記基板を保持して前記処理室に搬入する保持具と、
前記保持具が前記処理室への搬入に待機する待機室と、
前記待機室内に気体を循環させる連絡ダクトを有する循環路と、
前記循環路の途中に設けられ、前記気体を前記待機室から外部に排気する排気路と、
を備えている基板処理装置。
【請求項２】
前記循環路から前記気体を排気する排気ファンが前記排気路に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記待機室内の前記気体を吸い込むバッファダクトが前記循環路の吸込口前段に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記待機室内の前記気体をそれぞれ吸い込むリアバッファダクトおよびフロントバッファダクトが前記循環路の吹出口に対向する前記待機室内側面の両端部にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
大気モード時に圧力を調整する排気ファンが前記排気路に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記循環ファンの後段に設けられ、上流側が前記循環路と前記排気路に接続される集合ダクトを備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記連絡ダクトの下流に設けられ、前記連絡ダクト内の気体を前記循環路内に循環させる循環ファンを備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記基板処理装置は、前記待機室内の圧力を調整する調圧装置をさらに備え、
前記調圧装置は、前記待機室内と前記基板処理装置外部とを連通する弁口と、
前記弁口を開閉する弁体と、
前記弁体を摺動自在に支持する弁軸とを備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記調圧装置は、前記弁軸を伸縮させる第１シリンダ装置と、
前記弁体の位置を規制する第２シリンダ装置と、
をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
基板を処理する処理室と、前記基板を保持して前記処理室に搬入する保持具と、前記保持具が前記処理室への搬入に待機する待機室と、前記待機室内に気体を循環させる連絡ダクトを有する循環路と、前記循環路の途中に設けられ、前記気体を前記待機室から外部に排気する排気路とを備える基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記待機室で前記基板を保持具に保持し、
前記循環路を介して前記待機室内に気体を循環させ、
前記気体を前記待機室から外部に排気する半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月31日(2014.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成素子に少なくとも青色成分の光と赤色成分の光と緑色成分とを時間的に分割して照射し、前記画像形成素子によりカラー画像をスクリーンに形成するプロジェクタにおいて、
前記青色成分の光と前記赤色成分の光と前記緑色成分との光のうちのいずれかの色成分の光を発生する光源部と、
該光源部から発せられた色成分の光が照射されて該色成分の光とは異なる二色の色成分を含む蛍光を発生する蛍光体と、
前記蛍光体から発せられた前記二色の色成分の蛍光のうちの一方の色成分の蛍光と他方の色成分の蛍光とを定期的に切り替えて前記画像形成素子に照射する色成分切り替え部と、
前記光源部から発せられた色成分の光が進行する光路に設けられて、前記光源部から発せられた色成分の光が進行する光路を、前記光源部から発せられた色成分の光により励起された蛍光を前記色成分切り替え部に向かって進行させる光路と、前記光源部から発せられた色成分の光を前記画像形成素子に向かって進行させる光路との間で定期的に切り替える光路切り替え部と、を有することを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記光源部から発せられた色成分の光を前記画像形成素子に向かって進行させる光路に前記色成分切り替え部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
前記色成分切り替え部は、二色の色成分を含む蛍光を前記画像形成素子に照射することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光源装置。
【請求項４】
前記蛍光体には前記光源から発せられた色成分の光とは異なる二色の色成分を含む蛍光領域と、前記光源から発せられた色成分の光により励起されて前記二色の色成分のうちの一色の色成分の蛍光を発生する蛍光領域とが形成されている請求項２に記載の光源装置。
【請求項５】
前記光源から発せられた色成分の光が青色成分の光であり、前記二色の色成分を含む蛍光領域が前記青色成分の光により黄色の色成分の蛍光を発生し、該二色の色成分のうちの一色の色成分の蛍光を発生する蛍光領域が前記青色成分の光により赤色成分の蛍光か又は緑色成分の蛍光を発生することを特徴とする請求項４に記載の光源装置。
【請求項６】
前記光路切り替え部は回転する光路切り替え盤から構成され、前記色成分切り替え部は回転する色成分切り替え盤から構成され、前記光路切り替え盤には、前記青色成分の光を前記画像形成素子に向かって進行させる円弧状領域と前記蛍光体に向かって進行させる円弧状領域とが形成され、前記色成分切り替え盤は、青色成分の光を通過させる領域と、黄色成分の光を通過させる領域と、緑色成分の光を通過させる領域と、赤色成分の光を通過させる領域とを有し、前記青色成分の光を通過させる領域と前記黄色成分の光を通過させる領域とが隣接していることを特徴とする請求項５に記載の光源装置。
【請求項７】
前記光路切り替え部は回転する光路切り替え盤から構成され、前記色成分切り替え部は回転する色成分切り替え盤から構成され、前記光路切り替え盤には、前記青色成分の光を前記画像形成素子に向かって進行させる円弧状領域と前記蛍光体に向かって進行させる円弧状領域とが形成され、
前記色成分切り替え盤は、赤色成分の光を通過させる円弧状領域と、緑色成分の光を通過させる円弧状領域と、黄色成分の光と青色成分の光とを通過させる円弧状領域との三セグメントにより構成されていることを特徴とする請求項５に記載の光源装置。
【請求項８】
前記光路切り替え盤の円弧状領域の境界と前記色成分切り替え盤の領域の境界とのいずれか一方で前記光源と前記画像形成素子との少なくとも一方をオフすることにより境界での混色を防止することを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の光源装置。
【請求項９】
前記色成分切り替え盤を通過する各色成分の光量の割合のうち光量の割合が最も小さい色成分が生成される領域の前後の境界において前記光源と前記画像形成素子との少なくとも一方をオフすることを特徴とする請求項８に記載の光源装置。
【請求項１０】
前記色成分切り替え盤の領域の境界と前記光路切り替え盤の領域の境界とが一対一に対応付けられ、前記色成分切り替え盤の境界と前記光路切り替え盤の境界とが位相が同期して回転されることを特徴とする請求項９に記載の光源装置。
【請求項１１】
前記色成分切り替え部が、前記光源部から発せられた色成分の光により励起された蛍光を進行させる光路の途中に設けられ、前記光路切り替え部は、前記光源部から発せられた色成分の光を前記画像形成素子に向かって進行させる光路と前記蛍光体から発せられた蛍光を前記色成分切り替え部に向かう光路との間で切り替えることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項１２】
前記光源部が青色成分の光を発生するレーザ光源であり、前記蛍光体が緑色成分の波長域から赤色成分の波長域にまたがる蛍光分布特性を有することを特徴とする請求項１１に記載の光源装置。
【請求項１３】
前記光路切り替え部が青色成分の光を反射する反射領域と該青色成分の光を透過する透過領域とを有する光路切り替え盤からなり、前記色成分切り替え部は前記緑色成分の光と前記赤色成分の光とを切り替える色成分切り替え盤からなることを特徴とする請求項１２に記載の光源装置。
【請求項１４】
前記光路切り替え盤が回転方向に分割された反射領域と透過領域とを有する光路時分割用回転円盤であり、前記色成分切り替え盤が回転方向に緑色成分の光を反射する領域と赤色成分の光を反射する領域とに分割された色成分時分割用回転円盤であることを特徴とする請求項１３に記載の光源装置。
【請求項１５】
前記蛍光体が前記光路時分割用回転円盤の反射領域により反射された青色成分の反射光路に設けられていることを特徴とする請求項１４に記載の光源装置。
【請求項１６】
前記蛍光体が前記光路時分割用回転円盤の透過領域を透過した青色成分の透過光路に設けられていることを特徴とする請求項１４に記載の光源装置。
【請求項１７】
前記光路時分割用回転円盤と前記蛍光体との間の光路に前記青色成分の光を透過して該蛍光体に導きかつ前記青色成分以外の色成分の光を反射して前記色成分時分割用回転円盤に導くダイクロイックミラーが設けられ、前記色成分時分割用回転円盤と前記画像形成素子との間の光路に前記青色成分の光と前記緑色成分の光と前記赤色成分の光との光路を合成して前記画像形成素子に導くダイクロイックミラーが設けられていることを特徴とする請求項１４又は請求項１５に記載の光源装置。
【請求項１８】
前記蛍光体が定期的に可動されることを特徴とする請求項１３ないし請求項１７のいずれか1項に記載の光源装置。
【請求項１９】
前記光路切り替え盤が回転方向に分割された反射領域と透過領域とを有する光路時分割用回転円盤であり、前記色成分切り替え盤が回転方向に緑色成分の光を透過する領域と赤色成分の光を透過する領域とに分割された色成分時分割用回転円盤であり、前記蛍光体が前記光路切り替え盤の反射領域に一体に形成され、該色成分時分割用回転円盤が前記光路時分割用回転円盤の反射領域により反射された蛍光成分の反射光路に設けられていることを特徴とする請求項１２に記載の光源装置。
【請求項２０】
請求項１ないし請求項１９のいずれか1項に記載の光源装置を有するプロジェクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月2日(2014.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互にネットワークで接続される複数の画像形成装置を備える画像形成システムであって、
記録媒体に画像を形成する前記画像形成装置の各々は、
環境情報を検知する環境検知手段と、
前記環境検知手段が検知する環境情報に基づいて画像形成条件を制御する制御手段と、
を有し、
一の画像形成装置が有する前記制御手段は、前記環境検知手段の環境情報を使用できない場合は、前記ネットワークを介して、他の画像形成装置が有する前記環境情報に基づいて、前記一の画像形成装置の画像形成条件を設定することを特徴とする画像形成システム。
【請求項２】
前記制御手段は、前記環境検知手段が検知する環境情報を記憶する記憶手段を有し、前記他の画像形成装置の前記環境検知手段が検知する環境情報と前記他の画像形成装置が有する前記記憶手段の環境情報から求められる当日の環境情報に関連する日に前記一の画像形成装置の前記記憶手段が記憶する環境情報に基づいて、前記一の画像形成装置の画像形成条件を設定することを特徴とする請求項１に記載の画像形成システム。
【請求項３】
前記画像形成装置は、前記装置本体の位置情報を保有する保有手段を有し、  前記制御手段は、前記位置情報から前記他の画像形成装置を選択し、選択された前記他の画像形成装置が有する前記環境情報に基づいて、前記一の画像形成装置の画像形成条件を設定することを特徴とする請求項１に記載の画像形成システム。
【請求項４】
前記制御手段は、前記一の画像形成装置の前記環境検知手段と前記他の画像形成装置の前記環境検知手段との間の前記環境情報の差分を予め求めておき、
前記一の画像形成装置の前記環境検知手段の検知する環境情報を使用できないときに、予め求められていた前記差分と前記他の画像形成装置の前記環境情報に基づいて、前記一の画像形成装置の画像形成条件を設定することを特徴とする請求項１に記載の画像形成システム。
【請求項５】
前記一の画像形成装置が設定する前記画像形成条件は、帯電手段に印加される帯電バイアス、現像剤担持体に印加される現像バイアス、転写手段に印加される転写バイアス、定着手段に印加される定着バイアス、定着手段の定着温調温度の少なくともひとつの設定値であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の画像形成システム。
【請求項６】
環境情報を検知する環境検知手段と、
前記環境検知手段が検知する環境情報に基づいて画像形成条件を制御する制御手段と、
他の画像形成装置と少なくとも環境情報を通信する通信手段と、を備え、
記録媒体に画像を形成する画像形成装置において、
前記制御手段は、前記通信手段を介して、他の画像形成装置が有する環境情報に基づいて、前記画像形成条件を設定することを特徴とする画像形成装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記環境検知手段が検知する環境情報を記憶する記憶手段を有し、前記他の画像形成装置の前記環境検知手段が検知する環境情報と前記他の画像形成装置が有する前記記憶手段の環境情報から求められる当日の環境情報に関連する日に前記記憶手段が記憶する環境情報に基づいて、画像形成条件を設定することを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
装置本体の位置情報を保有する保有手段を有し  前記制御手段は、前記位置情報から前記他の画像形成装置を選択し、選択された前記他の画像形成装置が有する前記環境情報に基づいて、画像形成条件を設定することを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記制御手段は、前記環境検知手段と前記他の画像形成装置の前記環境検知手段との間の前記環境情報の差分を予め求めておき、
前記環境検知手段の検知する環境情報を使用できないときに、予め求められていた前記差分と前記他の画像形成装置の前記環境情報に基づいて、画像形成条件を設定することを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記画像形成条件は、帯電手段に印加される帯電バイアス、現像剤担持体に印加される現像バイアス、転写手段に印加される転写バイアス、定着手段に印加される定着バイアス、定着手段の定着温調温度の少なくともひとつの設定値であることを特徴とする請求項６乃至請求項９のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の画像形成システムは、相互にネットワークで接続される複数の画像形成装置を備える画像形成システムであって、記録媒体に画像を形成する前記画像形成装置の各々は、環境情報を検知する環境検知手段と、前記環境検知手段が検知する環境情報に基づいて画像形成条件を制御する制御手段と、を有し、一の画像形成装置が有する前記制御手段は、前記環境検知手段の環境情報を使用できない場合は、前記ネットワークを介して、他の画像形成装置が有する前記環境情報に基づいて、前記一の画像形成装置の画像形成条件を設定することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の画像形成装置は、環境情報を検知する環境検知手段と、前記環境検知手段が検知する環境情報に基づいて画像形成条件を制御する制御手段と、他の画像形成装置と少なくとも環境情報を通信する通信手段と、を備え、記録媒体に画像を形成する画像形成装置において、前記制御手段は、前記通信手段を介して、他の画像形成装置が有する環境情報に基づいて、前記画像形成条件を設定することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月29日(2014.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ローカルビット線と、
グローバルビット線と、
前記ローカルビット線と前記グローバルビット線とを接続するシングルエンド型センスアンプと、を備え、
前記シングルエンド型センスアンプは、
ゲートに印加される制御電圧に応じて、前記ローカルビット線とセンスノードとの接続を制御する第１のＭＯＳトランジスタと、
ゲートが前記センスノードに接続され、前記センスノードの信号を増幅する第２のＭＯＳトランジスタと、
ゲートに印加される第１の制御信号に応じて、前記第２のＭＯＳトランジスタのドレインと前記グローバルビット線との接続を制御する第３のＭＯＳトランジスタと、
第２の制御信号に応じて、前記ローカルビット線を第１の電位に設定する第１の電位設定回路と、
第３の制御信号に応じて、前記センスノードを第２の電位に設定する第２の電位設定回路と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ローカルビット線を前記第１の電位に設定し、前記センスノードを前記第２の電位に設定した後、前記ローカルビット線を電荷分配モードで駆動することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の電位は接地電位であり、
前記第２の電位は電源の電位であること、
を特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の電位設定回路は、ゲートに印加される前記第２の制御信号に応じて、前記ローカルビット線と前記接地電位との間を接続する第４のＭＯＳトランジスタであり、
前記第２の電位設定回路は、ゲートに印加される前記第３の制御信号に応じて、前記センスノードを前記電源の電位に設定する第５のＭＯＳトランジスタであること、
を特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記グローバルビット線に接続し、前記グローバルビット線の信号電位レベルを判定するグローバルセンスアンプを備えることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２の電位は、前記グローバルセンスアンプから前記グローバルビット線を経由して前記第２の電位設定回路に供給されることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
ゲートに印加される第５の制御信号に応じて、前記センスノードと前記グローバルビット線との接続を制御する第６のＭＯＳトランジスタを備えることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
センス動作時において、前記第２のＭＯＳトランジスタは、選択されたメモリセルが一方のデータに相当する電位を保持していたことにより、前記ローカルビット線が第３の電位になることに応じた前記センスノードの信号の電位によって導通状態になり、選択されたメモリセルがもう一方のデータに相当する電位を保持していたことにより、前記ローカルビット線が第４の電位になることに応じた前記センスノードの信号の電位によって非導通状態になることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記制御電圧は、センス動作時に前記接地電位と前記電源の電位との間の第５の電位をとることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第３の電位は、前記第５の電位より前記第１のＭＯＳトランジスタのしきい値電圧だけ低い電位より高いことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第４の電位は、前記第５の電位より前記第１のＭＯＳトランジスタのしきい値電圧だけ低い電位より低いことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１２】
入力された基準電圧に対し、前記第１のＭＯＳトランジスタ又は前記第２のＭＯＳトランジスタのしきい値電圧の変動が補償された補償電圧を生成し、前記ローカルセンスアンプ又は前記グローバルセンスアンプに供給する補償電圧発生回路をさらに備えることを特徴とする請求項５から７のいずれかに記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置は、ローカルビット線と、グローバルビット線と、前記ローカルビット線と前記グローバルビット線とを接続するシングルエンド型センスアンプと、を備え、前記シングルエンド型センスアンプは、ゲートに印加される制御電圧に応じて、前記ローカルビット線とセンスノードとの接続を制御する第１のＭＯＳトランジスタと、ゲートが前記センスノードに接続され、前記センスノードの信号を増幅する第２のＭＯＳトランジスタと、ゲートに印加される第１の制御信号に応じて、前記第２のＭＯＳトランジスタのドレインと前記グローバルビット線との接続を制御する第３のＭＯＳトランジスタと、第２の制御信号に応じて、前記ローカルビット線を第１の電位に設定する第１の電位設定回路と、第３の制御信号に応じて、前記センスノードを第２の電位に設定する第２の電位設定回路とを含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月29日(2014.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
なお、上述したステップＳ２１７、Ｓ２１８において、仮想デバイス制御部２０５のデータ形式変換処理部２０７では、仮想化制御部２０２から送られるＵＳＢデータを表示デバイス２１２のデータ形式（第３のデータ形式）に変換して、ディスプレイＩ／Ｆを介してデータ送受信する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
また、携帯端末２０Ａの仮想デバイス制御部２０５のデータ形式変換処理部２０７は、入力デバイス２１１による操作で入力されたデータを入力Ｉ／Ｆを介して受信し、この入力データをＵＳＢデータ（第４のデータ形式）に変換して仮想化制御部２０２に送信する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月1日(2014.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図１Ｃは、同様に、画像処理中に画像フレーム１００に適用することのできる、カーネルパターン１３０を示し、ここでカーネルパターン１３０は、画像フレーム１００に対して動作するためのＫ０，Ｋ１、Ｋ２、およびＫ３を含む。画像フレーム１００は、水平ピクセルラインの群ＨＬ０、ＨＬ１、ＨＬ２、ＨＬ３、ＨＬ４、ＨＬ５、およびＨＬ６、および垂直ピクセルラインの群ＶＬ０、ＶＬ１、ＶＬ２、ＶＬ３、ＶＬ４、ＶＬ５、およびＶＬ６に区画して、カーネルパターン１３０内部に様々なカーネル順序を定義することができる。例えば、ｘ方向（または水平方向）において、画像フレーム１００は、カーネルパターン１３０の以下のカーネル順序を定義するように区画することができる：
例えば、Ｋ０に従って処理される、水平画像ラインの群ＨＬ０および水平画像ラインの群ＨＬ６のような、第１の群の水平画像ライン；
例えば、カーネル順序Ｋ０→Ｋ１→Ｋ０→Ｋ２→Ｋ０→Ｋ１→Ｋ０に従って処理される、水平画像ラインの群ＨＬ１および水平画像ラインの群ＨＬ５のような、第２の群の水平画像ライン；
例えば、Ｋ０に従って処理される、水平画像ラインの群ＨＬ２および水平画像ラインの群ＨＬ５のような、第３の群の水平画像ライン；および
画像フレーム１００が完全に処理されるまで、以下同様。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
ストリーム処理ユニット５２０には、マイクロコントローラ５２５、算術論理ユニット（ＡＬＵ）ブロック５３０、ストリームレジスタファイル５３５、およびストリームメモリ５４０を含めることができる。マイクロコントローラ５２５は、ＡＬＵクラスタがデータのストリームに対してカーネル演算を実施するように、ＡＬＵブロック５３０、特に、ＡＬＵブロック５３０のＡＬＵクラスタ１、ＡＬＵクラスタ２、…ＡＬＵクラスタＮ（ここで、ＮはＡＬＵクラスタの合計数）を制御する。本例においては、ＡＬＵクラスタ１、ＡＬＵクラスタ２、…ＡＬＵクラスタＮは、画像データのストリームに対するカーネル演算を実施する。ＡＬＵクラスタは、単独命令、複数データ方式で動作することが可能であり、この場合に同一の命令が、データストリームの異なる要素に対して、ＡＬＵクラスタによって実行される。一例において、ＡＬＵクラスタ１、ＡＬＵクラスタ２、…ＡＬＵクラスタＮは、少なくとも１つのＡＬＵおよび少なくとも１つのローカルレジスタファイルを含む。ストリームレジスタファイル５３５は、データストリームを記憶し、画像プロセッサ内部での、例えば、ＡＬＵブロック５３０とストリームメモリ５４０の間の、データストリームの転送を容易にすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月17日(2014.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光アイソレータ多電圧検出回路であって、
電圧入力であって、電圧源に接続するために配置される、電圧入力と、
発光ダイオード（ＬＥＤ）を有する光アイソレータであって、前記電圧源からの前記電圧入力に印加された入力電圧の存在を検出するように構成される、光アイソレータと、
ダイオードであって、前記電圧入力に接続するために配置される、ダイオードと、
ゲート、ソース、およびドレインを有する第１のトランジスタであって、前記第１のトランジスタの前記ドレインは前記ダイオードに操作可能に連結され、かつ前記第１のトランジスタの前記ソースは前記光アイソレータに操作可能に連結される、第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの前記ソースおよび前記光アイソレータに操作可能に連結されたＤＣからＤＣへのコンバータであって、前記ダイオードからの前記電流を維持するように構成される、ＤＣからＤＣへのコンバータと、を備え、
前記光アイソレータ、前記ダイオード、および前記第１のトランジスタは、前記ダイオードから順方向に流れる電流が前記ＬＥＤをバイアスするように、およびさらに、前記入力電圧および前記電流に応答して前記第１のトランジスタを通って消費されるいかなる電力をも許容可能なレベル以下に維持するように配置される、回路。
【請求項２】
ゲート、ソース、およびドレインを有する第２のトランジスタであって、前記第２のトランジスタの前記ソースは、前記第１のトランジスタの前記ドレインに直列に連結され、前記第２のトランジスタの前記ドレインは、前記ダイオードに操作可能に連結される、第２のトランジスタと、
前記第１および第２のトランジスタの前記ゲートに操作可能に連結された分圧器であって、前記入力電圧を前記第１および第２のトランジスタ全体で均一に分割するように構成される、分圧器と、をさらに備え、
前記第１のトランジスタを通じて、およびさらに前記第２のトランジスタを通じて消費される電力は、許容可能なレベル以下に維持され、前記回路は、約９ボルトＤＣから２４０ボルトＡＣに及ぶ前記入力電圧を処理することが可能である、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
整流器であって、前記ダイオード、前記分圧器、および前記第２のトランジスタの前記ドレインに操作可能に連結される、整流器をさらに備える、請求項２に記載の回路。
【請求項４】
前記整流器は、レジスタ、またはキャパシタ、またはこれらの組み合わせを備える、請求項３に記載の回路。
【請求項５】
前記第１および第２のトランジスタは、Ｎチャネル空乏モード電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である、請求項３に記載の回路。
【請求項６】
前記第１および第２のトランジスタは、Ｎチャネル空乏モード電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である、請求項２に記載の回路。
【請求項７】
電圧源からの多様な入力電圧を処理するための方法であって、
前記電圧源からの電圧入力に印加された前記入力電圧の存在を検出するように前記電圧入力に光アイソレータを操作可能に連結するステップと、
前記電圧入力へ操作可能に連結されたダイオードから電流が検出されると、前記光アイソレータの発光ダイオード（ＬＥＤ）を順方向にバイアスするステップと、
第１のトランジスタを前記ダイオードおよび前記光アイソレータに操作可能に連結するステップであって、前記第１のトランジスタを通じて消費されるいかなる電力をも許容可能なレベル以下に維持するステップと、
前記ダイオードからの前記電流を維持するために、ＤＣからＤＣへのコンバータを前記第１のトランジスタおよび前記光アイソレータに操作可能に連結するステップと、を含む、方法。
【請求項８】
前記第１のトランジスタを通じて、さらに前記第２のトランジスタを通じて消費される電力を前記許容可能なレベル以下に維持するように、第２のトランジスタを前記第１のトランジスタに操作可能に連結するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
第１のツェナーダイオードを前記第１のトランジスタに操作可能に連結するステップと、
第２のツェナーダイオードを前記第２のトランジスタに操作可能に連結するステップと、をさらに含み、
前記第１および第２のツェナーダイオードは、前記第１および第２のトランジスタ全体の前記入力電圧を制限し、前記第１および第２のトランジスタを通じて消費される電力を前記許容可能なレベル以下に維持する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
分圧器を前記第１および第２のトランジスタに操作可能に連結するステップと、
前記第１および第２のトランジスタ全体で前記入力電圧を分割するように分圧器を使用するステップと、をさらに含み、前記第１および第２のトランジスタを通じて消費電力を前記許容可能なレベル以下に維持する、請求項８に記載の方法。