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【手続補正書】
【提出日】平成26年5月14日(2014.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を吐出する液体吐出ヘッドであって、
第１電圧の供給を受けて動作し、液体の吐出を制御する吐出制御信号を生成する信号処理回路と、
電気熱変換素子、前記電気熱変換素子を駆動する駆動素子、および、前記信号処理回路から前記吐出制御信号を受けて前記第１電圧よりも高い第２電圧を有する駆動信号を前記駆動素子に出力する制御回路を含む液体駆動回路と、
前記第１電圧を監視し、前記第１電圧の低下に応じて停止信号を出力する監視回路と、を備え、
前記制御回路は、前記第２電圧を受ける電源端子と、前記吐出制御信号に応じた信号を受ける第１入力端子と、前記停止信号を受ける第２入力端子と、前記停止信号が活性化されていない場合は前記駆動信号を出力し、前記停止信号が活性化されている場合は前記駆動信号を出力しない出力端子とを含み、
前記監視回路は、
電源ノードの側にドレインが接続され、接地の側にソースが接続され、前記第１電圧がゲートに供給されるトランジスタと、
前記電源ノードと前記ドレインとの間に配置され、前記ソースと前記ドレインとの間に印加される電圧を低下させる電圧降下回路と、を含み、
前記停止信号は、前記ドレイン、または前記ドレインの電圧に依存して電圧が変化するノードから出力される、
ことを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項２】
前記停止信号は、前記ドレインから出力され、
前記制御回路は、前記第１入力端子、前記第２入力端子、および、前記出力端子を有するＮＯＲ回路を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項３】
前記監視回路は、
前記電源ノードと前記電圧降下回路との間に配置された第２トランジスタと、前記電源ノードと出力ノードとの間に配置された第３トランジスタとで構成されるカレントミラー回路と、
前記出力ノードにドレインが接続され、接地の側にソースが接続され、前記トランジスタのドレインにゲートが接続された第４トランジスタと、を更に含み、
前記停止信号は、前記出力ノードから出力される、
ことを特徴とする請求項１に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項４】
前記制御回路は、
前記第１入力端子および前記出力端子を有するインバータと、
前記第２入力端子を有し、前記第２入力端子に提供される前記停止信号に応じて前記第１入力端子の電圧をプルアップするプルアップトランジスタと、
を含むことを特徴とする請求項３に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項５】
前記電圧降下回路は、抵抗素子を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項６】
前記電圧降下回路は、ダイオードを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項７】
前記電圧降下回路は、ダイオード接続されるＭＯＳトランジスタを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項８】
前記トランジスタのゲートに所定レベル以上の電圧が印加された場合において、前記トランジスタのインピーダンスは、前記電圧降下回路のインピーダンスより小さい、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項９】
液体を吐出する液体吐出ヘッドであって、
第１電圧の供給を受けて動作し、液体の吐出を制御する吐出制御信号を生成する信号処理回路と、
電気熱変換素子、前記電気熱変換素子を駆動する駆動素子、および、前記信号処理回路から前記吐出制御信号を受けて前記第１電圧よりも高い第２電圧を有する駆動信号を前記駆動素子に出力する制御回路を含む液体駆動回路と、
前記第１電圧を監視し、前記第１電圧の低下に応じて停止信号を出力する監視回路と、を備え、
前記制御回路は、前記停止信号に応じて前記駆動素子による前記電気熱変換素子の駆動を停止させるように構成され、
前記監視回路は、
電源ノードの側にドレインが接続され、接地の側にソースが接続され、前記第１電圧がゲートに供給されるトランジスタと、
前記電源ノードと前記ドレインとの間に配置され、前記ソースと前記ドレインとの間に印加される電圧を低下させる電圧降下回路と、を含み、
前記停止信号は、前記ドレイン、または前記ドレインの電圧に依存して電圧が変化するノードから出力され、
前記制御回路は、前記第２電圧の供給を受けて動作するレベルコンバータと、前記第２電圧の供給を受けて動作する回路とを含み、
前記レベルコンバータは、前記第２電圧を有し且つ前記吐出制御信号に応じた信号を出力し、
前記回路は、前記停止信号が活性化されていない場合は前記レベルコンバータから出力される信号に応じた前記駆動信号を出力し、前記停止信号が活性化されている場合は、前記駆動信号を出力しない
ことを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドを有する液体吐出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の１つの側面は、液体を吐出する液体吐出ヘッドに係り、前記液体吐出ヘッドは、第１電圧の供給を受けて動作し、液体の吐出を制御する吐出制御信号を生成する信号処理回路と、電気熱変換素子、前記電気熱変換素子を駆動する駆動素子、および、前記信号処理回路から前記吐出制御信号を受けて前記第１電圧よりも高い第２電圧を有する駆動信号を前記駆動素子に出力する制御回路を含む液体駆動回路と、前記第１電圧を監視し、前記第１電圧の低下に応じて停止信号を出力する監視回路と、を備え、前記制御回路は、前記第２電圧を受ける電源端子と、前記吐出制御信号に応じた信号を受ける第１入力端子と、前記停止信号を受ける第２入力端子と、前記停止信号が活性化されていない場合は前記駆動信号を出力し、前記停止信号が活性化されている場合は前記駆動信号を出力しない出力端子とを含み、前記監視回路は、電源ノードの側にドレインが接続され、接地の側にソースが接続され、前記第１電圧がゲートに供給されるトランジスタと、前記電源ノードと前記ドレインとの間に配置され、前記ソースと前記ドレインとの間に印加される電圧を低下させる電圧降下回路と、を含み、前記停止信号は、前記ドレイン、または前記ドレインの電圧に依存して電圧が変化するノードから出力される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月4日(2013.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１半導体領域をそれぞれが含む複数の光電変換部と、
前記複数の光電変換部のうち対応する光電変換部にて生じた電荷を保持する第１導電型の第２半導体領域をそれぞれが含む複数の電荷保持部と、
前記電荷保持部の電荷が転送される浮遊拡散部を含み、前記浮遊拡散部に転送された電荷に基づく信号を出力する複数の増幅部と、
第２導電型の第３半導体領域を用いた第１の素子分離部と、
絶縁体を用いた第２の素子分離部と、
前記第２の素子分離部により規定され、前記第１半導体領域と、前記第２半導体領域と、前記第３半導体領域とが配される活性領域と、を有し、
前記活性領域の第１の領域に、前記複数の光電変換部の１つに含まれる前記第１半導体領域、および、当該１つに対応する電荷保持部に含まれる前記第２半導体領域が配され、
前記活性領域の第２の領域に、前記複数の光電変換部の別の１つに含まれる前記第１半導体領域、および、当該別の１つに対応する電荷保持部に含まれる前記第２半導体領域が配され、
前記第１の領域と前記第２の領域とは、それらの間に前記第２の素子分離部が配されることなく、前記第３半導体領域を介して隣り合って配されており、
前記複数の光電変換部の１つに対応する電荷保持部、または、前記複数の光電変換部の別の１つに対応する電荷保持部と、前記複数の増幅部の１つとの間に、前記第２の素子分離部の一部が配された、
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
第１導電型の第１半導体領域をそれぞれが含む複数の光電変換部と、
前記複数の光電変換部のうち対応する光電変換部にて生じた電荷を保持する第１導電型の第２半導体領域をそれぞれが含む複数の電荷保持部と、
前記電荷保持部の電荷が転送される浮遊拡散部を含み、前記浮遊拡散部に転送された電荷に基づく信号を出力する複数の増幅部と、
第２導電型の第３半導体領域を用いた第１の素子分離部と、
絶縁体を用いた第２の素子分離部と、
前記第２の素子分離部により規定され、前記第１半導体領域と、前記第２半導体領域と、前記第３半導体領域とが配される活性領域と、を有し、
前記活性領域は、前記第３半導体領域によって複数の領域に分割され、
前記複数の領域のそれぞれに、前記複数の光電変換部の１つに含まれる前記第１半導体領域と、当該１つに対応する電荷保持部に含まれる前記第２半導体領域が配され、
前記複数の光電変換部の１つに対応する電荷保持部と、前記複数の増幅部の１つとの間に、前記第２の素子分離部の一部が配された、
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
前記光電変換装置は、
前記第２半導体領域が配されるウエルと、
前記ウエルに電位を供給するためのコンタクトプラグに接して配された半導体領域と、をさらに有し、
前記第２の素子分離部の一部が、前記複数の電荷保持部の１つと前記コンタクトプラグに接して配された半導体領域との間に配された、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記光電変換装置は、前記増幅部を構成するトランジスタを少なくとも含む複数のトランジスタ、を有し、
前記第２の素子分離部の一部が、前記複数の電荷保持部の１つと前記複数のトランジスタの少なくとも一部との間に配された、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記複数のトランジスタは、前記浮遊拡散部の電圧をリセットするリセットトランジスタを含む、
ことを特徴とする請求項４に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記複数の電荷保持部は遮光されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記第１の素子分離部は、前記複数の電荷保持部のうち隣接する２つの電荷保持部の間に配された、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記第１の素子分離部は、前記複数の電荷保持部の１つと、前記複数の光電変換部の１つとの間に配されたことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記複数の光電変換部の１つと、当該１つに対応する電荷保持部との間の領域の上にゲート電極を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記ゲート電極は、前記第２半導体領域の上にまで延在している、
ことを特徴とする請求項８に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記第２半導体領域の下部に第２導電型の第４半導体領域が配され、
前記第４半導体領域は、前記第２半導体領域への前記電荷の混入を低減する障壁として機能することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記第２の素子分離部はＳＴＩ構造であることを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力される信号を処理する信号処理回路と、を有することを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一つの側面に係る光電変換装置は、第１導電型の第１半導体領域をそれぞれが含む複数の光電変換部と、前記第１の光電変換部にて生じた電荷を保持する第１の電荷保持部を少なくとも含み、それぞれが前記複数の光電変換部のうち対応する光電変換部にて生じた電荷を保持する第１導電型の第２半導体領域をそれぞれが含む複数の電荷保持部と、前記電荷保持部の電荷が転送される浮遊拡散部を含み、前記浮遊拡散部に転送された電荷に基づく信号を出力する複数の増幅部と、第２導電型の第３半導体領域を用いた第１の素子分離部と、絶縁体を用いた第２の素子分離部と、前記第２の素子分離部により規定され、前記第１半導体領域と、前記第２半導体領域と、前記第３半導体領域とが配される活性領域と、を有し、前記活性領域の第１の領域に、前記複数の光電変換部の１つに含まれる前記第１半導体領域、および、当該１つに対応する電荷保持部に含まれる前記第２半導体領域が配され、前記活性領域の第２の領域に、前記複数の光電変換部の別の１つに含まれる前記第１半導体領域、および、当該別の１つに対応する電荷保持部に含まれる前記第２半導体領域が配され、前記第１の領域と前記第２の領域とは、それらの間に前記第２の素子分離部が配されることなく、前記第３半導体領域を介して隣り合って配されており、前記複数の光電変換部の１つに対応する電荷保持部、または、前記複数の光電変換部の別の１つに対応する電荷保持部と、前記複数の増幅部の１つとの間に、前記第２の素子分離部の一部が配された、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月27日(2014.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
（Ｂ）エポキシ樹脂
エポキシ樹脂は、前記（Ａ）成分とは異なる樹脂であり、かつ、エポキシ当量が５０〜５０００ｇ／ｅｑのものであることが好ましく、より好ましくは１００〜５００ｇ／ｅｑである。
このようなエポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（特に、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂又は液状ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）；レゾルシノール、フェノールノボラック、クレゾールノボラックなどのフェノール類のグリシジルエーテル；ブタンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールなどのアルコール類のグリシジルエーテル；フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸などのカルボン酸のグリシジルエーテル；アニリンイソシアヌレートなどの窒素原子に結合した活性水素をグリシジル基で置換したグリシジル型もしくはアルキルグリシジル型のエポキシ樹脂；ビニルシクロヘキサンジエポキシド、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−ジシクロヘキサンカルボキシレート、２−（３，４−エポキシ）シクロヘキシル−５，５−スピロ（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−ｍ−ジオキサンなどのように、分子内の炭素−炭素二重結合をたとえば酸化することによりエポキシが導入された、いわゆる脂環型エポキシドを挙げることができる。その他、ビフェニル骨格、ジシクロヘキサジエン骨格、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を用いることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
（Ｃ）充填材は、好ましくは無機充填材、より好ましくはシリカ、最も好ましくは爆燃法で製造されたシリカが使用される。該シリカは、樹脂分によって濡れ易くなり、定法に従い表面処理されている。表面処理剤としては、その汎用性とコストメリットなどからシラン系（シランカップリング剤）が好ましい。シランカップリング剤としては該アルコキシシランとしては、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、α−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、α−グリシドキシエチルトリエトキシシラン、β−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、β−グリシドキシエチルトリエトキシシラン、α−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、α−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、β−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−グリシドキシプロピル−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、α−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、α−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、β−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、β−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、δ−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、δ−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、（３、４−エポキシシクロヘキシル）メチルトリメトキシシラン、（３、４−エポキシシクロヘキシル）メチルトリエトキシシラン、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリプロポキシシラン、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリブトキシシラン、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリフェノキシシラン、γ−（３、４−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリメトキシシラン、γ−（３、４−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリエトキシシラン、δ−（３、４−エポキシシクロヘキシル）ブチルトリメトキシシラン、δ−（３、４−エポキシシクロヘキシル）ブチルトリエトキシシランなどのトリアルコキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルプロピルナジック酸無水物等、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシランが好ましく用いられる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年5月29日(2014.5.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直軸線を有する積層配列で位置付けられた複数の大口径の半導体円形ウエハとしてのウエハを受容する前開きのウエハ容器であって、前記ウエハ容器は、
左閉鎖側面、右閉鎖側面、閉鎖背面、前開き部分、および、空洞内部を有する容器部分であって、前記空洞内部は、前記ウエハを受容と収容するために前記空洞内部の中央に位置付けられた複数の容器スロットを含む容器部分と；
前記前開き部分を閉じるべく前記容器部分に取付可能であって、前記容器部分に選択的にラッチ可能なドアと
を備え、
前記容器部分は、前記空洞内部内に垂直に整列するように相互接続する容器ウエハ支持体の左カラムと右カラムを有し、前記左カラムは前記左閉鎖側面に近接し、前記右カラムは前記右閉鎖側面に近接し、
それぞれ前記カラム対は、前記ウエハに周縁支持を提供すべく、前記ウエハの円形に従う弓形の半径方向内向の縁を有し、
前記カラム対のそれぞれは、前記前開き部分側面に向けて周方向に延び、最も内側且つ前方に、垂直積層支持体の先端を有し、その結果、積層ウエハ配列の前記垂直軸線に対して測定された前記垂直積層支持体の先端同士の間の開口は、８５°から１１０°までの角度である
ことを特徴とする、ウエハ容器。
【請求項２】
前記垂直積層支持体の先端同士の間の前記開口は、８８°から１０５°までの角度である、
請求項１記載のウエハ容器。
【請求項３】
それぞれ前記カラムは、
前記ウエハの周縁端部に従う弓形部分と前端を有し、
前記弓形部分に対して鋭角で、前記前端からそれぞれ側面に向かって延びる支持体脚部分を一体成形構造で有する、
請求項１記載のウエハ容器。
【請求項４】
垂直軸線に沿って積層配列で位置付けられた複数の大口径円形の半導体ウエハとしてのウエハを受容する前開きのウエハ容器であって、前記ウエハ容器は、
左閉鎖側面、右閉鎖側面、閉鎖背面、前開き部分、および、空洞内部を有する容器部分であって、前記空洞内部は、前記ウエハを受容と収容するために前記空洞内部内の中央に位置付けられた複数の容器スロットを有することと；
前記前開き部分を閉じるべく前記容器部分に取付可能であるように、前記容器部分に選択的にラッチ可能なドアと
を備え、
前記容器部分は、前記空洞内部に垂直に整列した相互接続する容器ウエハ支持体の一対のカラムを備え、前記対の一方は、前記左閉鎖側面に近接し、もう一方は、前記右閉鎖側面に近接し、
それぞれ前記カラム対は、前端（６７５）をもって前記円形ウエハの前記周縁端部に従う弓形部分を備え、更に前記弓形部分に対して鋭角で前記前端（６７５）から前記各側面に向かって延びる支持体脚部分（６７８）を備える一体成形構造である
ことを特徴とする、ウエハ容器。
【請求項５】
それぞれ前記カラム対は、前記ウエハに周縁支持体を提供すべく、前記ウエハの前記円形の形に従う弓形を備えた半径方向内方の縁を備え、
それぞれ前記カラム対は、前記前開き部分側面に向けて周方向に延び、最も内側且つ前方に垂直積層支持体の先端を有し、その結果、前記積層ウエハ配列の前記垂直軸線に対して測定されたそれぞれの前記垂直積層支持体の先端同士の間の開口は、８５°から１１０°までの角度である、
請求項４記載のウエハ容器。
【請求項６】
大口径のウエハを自動的に挿入と取出するために、前開きのウエハ容器と、エンドエフェクタとを用いるウエハ取扱方法であって、前記ウエハ取扱方法は、
４５０ｍｍのウエハの前方弓形係合部分と後方弓形係合部分において、前記エンドエフェクタによって前記ウエハを把持する把持段階であって、前記前方弓形係合部分は前記ウエハの前面で約８０°から９０°までの角度に亘って前記ウエハの周縁周囲に広がり、前記後方弓形係合部分は、前記ウエハの背面で約８０°から９０°までの角度に亘って前記周縁周囲に広がる把持段階と；
その次に、側方ウエハ支持体間に９０°から１１０°までの角度の前面アクセス開口を定め、約８０°から９０°までの角度の前記ウエハ容器の側面に、弓形係合領域を提供する、前記側方ウエハ支持体をもったウエハ容器に、前記４５０ｍｍのウエハを挿入着座する挿入着座段階と
を有することを特徴とする、ウエハ取扱方法。
【請求項７】
周縁ウエハ支持を提供するウエハ容器と、ウエハ容器からウエハを挿入と取出を行うエンドエフェクタとの組み合わせであって、
前記ウエハ容器は、８５°よりも大きく広がる側方ウエハ支持体と、前記エンドエフェクタを８５°から１１０°までの角度の範囲にわたって受容する前面アクセス開口とを備え、
前記エンドエフェクタは、８０°から９０°までの角度に亘る円弧で定められた位置でウエハの背面周縁に係合し、８０°から９０°までの角度に亘る円弧で定められた位置でウエハの前方周縁に係合するように構成された
組み合わせ。
【請求項８】
複数の弓形側方ウエハ棚と、該弓形側方ウエハ棚から突出する複数のＶ字形支持体とによってそれぞれ形成される複数のスロットを有する前開きのウエハ容器であって、
それぞれ前記スロットは、ウエハが前記Ｖ字形支持体の頂点に係合される場合の第１輸送位置を有し、前記ウエハが前記弓形側方ウエハ棚上に載置している場合の第２移送位置を有し、
移送形態において、それぞれ前記ウエハは、一対の前記弓形側方ウエハ棚によって支えられ、前記弓形側方ウエハ棚は、前記ウエハ容器のそれぞれ側面に位置し、それぞれ前記弓形側方ウエハ棚は、前記ウエハの周縁で少なくとも約９０°の係合を提供するように構成され、
前記ウエハ容器は、前記ウエハ容器の内外に前記ウエハを搬送するためのロボットアームを受容するためのアクセス開口を有し、前記弓形側方ウエハ棚の中間に存在する前記アクセス開口は、ウエハの前面端部への８５°から１１０°までの角度のロボット係合アクセスを提供するように構成され、
前記ウエハが前記スロット内で前記移送位置に存在する場合、前記ウエハは、前記ウエハ容器部分の背面の少なくとも２つの位置では支えられず、前記２つの位置は、前記ウエハの周縁周囲に少なくとも約７０°広がるように構成されている
ことを特徴とする、ウエハ容器。
【請求項９】
複数の弓形側方ウエハ棚と、該弓形側方ウエハ棚から突出する複数のＶ字形支持体とによってそれぞれ形成される複数のスロットを有する前開きのウエハ容器であって、
それぞれ前記スロットは、ウエハが前記Ｖ字形支持体の頂点に係合される場合の第１輸送位置を有し、前記ウエハが前記弓形側方ウエハ棚上に載置している場合の第２移送位置を有し、
移送形態において、それぞれ前記ウエハは、一対の前記弓形側方ウエハ棚によって支えられ、前記弓形側方ウエハ棚は、前記ウエハ容器のそれぞれ側面に位置し、
前記ウエハ容器は、前記ウエハ容器の内外に前記ウエハを搬送するためのロボットアームを受容するためのアクセス開口を有し、前記弓形側方ウエハ棚の中間に存在する前記アクセス開口は、ウエハの前面端部への８５°から１１０°までの角度のロボット係合アクセスを提供するように構成され、
前記ウエハが前記スロット内で前記移送位置に存在する場合、前記ウエハは、前記ウエハ容器部分の背面の少なくとも２つの位置では支えられず、前記２つの位置は、前記ウエハの周縁周囲に少なくとも約７０°広がるように構成されている
ことを特徴とする、ウエハ容器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月18日(2014.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽光発電装置の発電量を推定する太陽光発電量推定システムであって、
所定区域に分散して配置され、受光量に応じた受光信号をそれぞれ出力する複数の受光装置と、
前記複数の受光装置に通信ネットワークを介して接続される推定装置とを備え、
前記推定装置は、
前記複数の受光装置のうちの所定の複数の受光装置から複数回取得する受光信号に基づいて地上に投影された雲の影を予測し、
予測された雲の影に基づいて前記所定区域に配置されている太陽光発電装置による発電量を推定し、
前記複数の受光信号から、所定時間に所定の増加傾向又は減少傾向を有する所定の受光信号を特定し、前記所定の受光信号を出力した受光装置の設置地点に基づいて、前記雲の影が形成する境界である雲影境界を予測する、
太陽光発電量推定システム。
【請求項２】
前記推定装置は、更に風向及び風速に関する情報を含む環境情報を用いて、或る時点における雲影境界を予測することを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電量推定システム。
【請求項３】
前記推定装置は、前記太陽光発電装置の設置地点と、前記或る時点における雲影境界と、の位置関係に基づいて、前記或る時点における前記太陽光発電装置の発電量を推定することを特徴とする請求項２に記載の太陽光発電量推定システム。
【請求項４】
前記推定装置は、前記太陽光発電装置の設置地点が、前記或る時点における雲影境界の影の領域に含まれるか否かを判定し、当該判定が肯定的な場合、前記或る時点における前記太陽光発電装置の発電量を所定値以下と推定することを特徴とする請求項３に記載の太陽光発電量推定システム。
【請求項５】
前記推定装置は、前記雲影境界の一部が前記所定の受光信号が特定された前記所定時間に、前記所定の受光信号を出力した受光装置の設置地点を通過したと推定し、その設置地点を通過した前記雲影境界の一部を雲影境界点とし、前記環境情報に含まれる風向及び風速に関する情報を用いて、前記雲影境界点の前記或る時点における移動先の地点を複数の受光装置について推定し、その推定した複数の前記雲影境界点の移動先の地点に基づいて前記或る時点における雲影境界を推定することを特徴とする請求項２に記載の太陽光発電量推定システム。
【請求項６】
前記或る時点における雲影境界は、前記雲影境界点の移動先の地点同士を結んだ線であって、
前記推定装置は、線がお互いに交差しないように前記雲影境界点の移動先の地点同士を結ぶことを特徴とする請求項５に記載の太陽光発電量推定システム。
【請求項７】
前記推定装置は、更に所定の長さ以下の線で前記雲影境界点の移動先の地点同士を結ぶことを特徴とする請求項６に記載の太陽光発電量推定システム。
【請求項８】
太陽光発電装置の発電量を推定する太陽光発電量推定装置であって、
所定区域に分散して配置され、受光量に応じた受光信号をそれぞれ出力する複数の受光装置と、通信ネットワークを介して接続されており、
前記複数の受光装置のうちの所定の複数の受光装置から複数回取得する受光信号に基づいて地上に投影された雲の影を予測し、
予測された雲の影に基づいて前記所定区域に配置されている太陽光発電装置による発電量を推定し、
前記複数の受光信号から、所定時間に所定の増加傾向又は減少傾向を有する所定の受光信号を特定し、前記所定の受光信号を出力した受光装置の設置地点に基づいて、前記雲の影が形成する境界である雲影境界を予測する、
太陽光発電量推定装置。
【請求項９】
太陽光発電装置の発電量を推定する太陽光発電量推定方法であって、
所定区域に分散して配置され、受光量に応じた受光信号をそれぞれ出力する複数の受光装置のうちの所定の複数の受光装置から、通信ネットワークを介して受信信号を複数回取得し、前記複数回取得した受光信号に基づいて地上に投影された雲の影を予測し、
予測された雲の影に基づいて前記所定区域に配置されている太陽光発電装置による発電量を推定し、
前記複数の受光信号から、所定時間に所定の増加傾向又は減少傾向を有する所定の受光信号を特定し、前記所定の受光信号を出力した受光装置の設置地点に基づいて、前記雲の影が形成する境界である雲影境界を予測する、
太陽光発電量推定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月7日(2014.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
ＢＣ１１６の内部は、ターボ分子ポンプ（以下、適宜「ＴＭＰ」と称する。）１２９により常時高真空に維持されているため、ＢＣ１１６に搬入された搬送容器は瞬時に高真空の雰囲気に到達するとともに、この段階で、搬送容器１０のマスクの位置を第２の位置Ｐ２へ移動する。マスクの移動完了後、ＢＣ１１６とイオン注入が行われるＰＣ１１８との間に設けられているゲートバルブ１３０が開かれ、ＢＣ１１６からＰＣ１１８の内部へ搬送容器１０がベルトに乗って搬送され、その後ゲートバルブ１３０は閉じられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
以上、本発明を上述の各実施の形態を参照して説明したが、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、各実施の形態の構成を適宜組み合わせたものや置換したものについても本発明に含まれるものである。また、当業者の知識に基づいて各実施の形態におけるイオン注入方法、イオン注入装置、搬送容器などにおいて各種の設計変更等の変形を実施の形態に対して加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれうる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月6日(2014.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象者の血圧測定の測定時刻情報である血圧測定時刻情報を記憶する血圧測定時刻情報記憶部と、
前記血圧測定の動作の測定開始指示情報を入力する測定開始指示情報入力部と、
測定された対象者の血圧測定結果情報を表示する表示部と、
前記血圧測定の動作の間隔情報である血圧測定間隔情報を記憶する血圧測定間隔情報記憶部と、を有し、
少なくとも、直近の前記血圧測定時刻情報、前記測定開始指示情報の入力時刻情報及び前記血圧測定間隔情報に基づいて、当該前記血圧測定の動作を実行すべきか否かを判断し、その結果を前記表示部に表示することを特徴とする血圧測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】血圧測定装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えば、対象者の血圧を測定し、その結果を表示する血圧測定装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本発明は、血圧測定の精度の低下等を未然に防止することができる血圧測定装置を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月10日(2013.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生物体へ浸透性物質を送達するための装置であって、該装置は、以下：
ａ）該生物体の生体膜を選択された領域で穿孔して、該生物膜に直径１〜１０００μｍの微細穿孔を少なくとも１つ形成するための伝導性加熱固体エレメントであって、該選択された領域の組織結合水および他の気化物質の温度が該水および他の気化物質の気化点よりも上に上昇するように、該穿孔するための伝導性加熱固体エレメントが該選択された領域と実質的に物理的に接触することで、伝導によって該生体膜の該選択された領域に十分なエネルギーを送達することによって、該生体膜を切除し、それにより、該選択された領域の該選択膜を除去する、伝導性加熱固体エレメント；
を備え、
該伝導性加熱固体エレメントは、該伝導性加熱固体エレメントが接触する該領域の温度を前記気化点よりも高い温度へと昇温させる１０ナノ秒から５０ミリ秒以内の昇温サイクルと、それに続き該領域の温度を回復させる１ミリ秒から５０ミリ秒以内の回復サイクルとを、１回以上繰り返すように構成されている、
装置。
【請求項２】
前記伝導性加熱固体エレメントと前記生物体との間の電気的インピーダンスをモニタリングする手段をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記モニタリングする手段によって得られる電気的インピーダンスに基いて、下記（Ａ）〜（Ｃ）の操作のうちの少なくとも１つが行われるように構成されている、請求項２に記載の装置。
（Ａ）穿孔の深さを決定すること。
（Ｂ）選択された電気的インピーダンスが得られるまで、加熱中の前記伝導性加熱固体エレメントが前記生物体の領域と接触するように、該伝導性加熱固体エレメントを前進させること。
（Ｃ）該伝導性加熱固体エレメントを前記生物体の領域との接触から除去すること。
【請求項４】
前記浸透性物質が、核酸、インスリン、インターフェロンおよびヘパリンからなる群から選ばれる物質である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記浸透性物質が、キャリアと結合する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記キャリアが、リポソームを含む、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記キャリアが、脂質複合体を含む、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記キャリアが、微粒子を含む、請求項５に記載の装置。
【請求項９】
前記キャリアが、ポリエチレングリコール化合物を含む、請求項５に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月26日(2013.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
近位端と遠位端との間で光を伝送する光ファイバと、
前記近位端において前記光ファイバと接続されている光コネクタと、
前記遠位端において前記光ファイバと接続され、前記光ファイバの前記遠位端から出射される光を集光する集光光学系と、
前記遠位端において前記光ファイバと接続され、前記光ファイバの前記遠位端から出射される光を偏向する偏向光学系と、
前記光ファイバを包囲して前記光ファイバに沿って延び、前記光ファイバ，前記光コネクタ，前記集光光学系および前記偏向光学系に対して回転自在であるジャケットチューブと、
前記ジャケットチューブの内腔に充填された緩衝流体と、
を備え、
前記光ファイバが１.５３μｍより短いカットオフ波長を有し、
前記光ファイバ，前記集光光学系，前記偏向光学系，ならびに，前記光ファイバの基底モードに結合する光路上にある前記緩衝流体および前記ジャケットチューブが波長帯域１.６μｍ〜１.８μｍにおいて−２ｄＢ〜０ｄＢの光透過率を有し、
前記光ファイバ，前記集光光学系および前記偏向光学系それぞれが、石英ガラスまたはホウケイ酸ガラスで構成され、
前記緩衝流体が、生理食塩水，デキストラン水溶液またはシリコーンオイルであり、
前記ジャケットチューブが、ＦＥＰ，ＰＦＡ，ＰＴＦＥ，ＰＥＴまたはナイロンで構成されている、
ことを特徴とする光プローブ。
【請求項２】
前記偏向光学系と前記緩衝流体との界面および前記緩衝流体と前記ジャケットチューブとの界面のうち一方の界面での比屈折率差が他方の界面での比屈折率差に対して３.２倍以上異なる、ことを特徴とする請求項１に記載の光プローブ。
【請求項３】
請求項１に記載の光プローブと、波長帯域１.６μｍ〜１.８μｍにおいて光を発生させる光源と、前記光源から発せられた光を２分岐して照明光および参照光として出力する光分岐部と、前記波長帯域において光を検出する光検出器と、前記波長帯域において光減衰スペクトルを分析して当該分析結果を画像情報として取得する分析部と、を用い、
前記光分岐部から出力された照明光を前記光ファイバの前記近位端に入射させ前記遠位端から出射させて対象物に照射し、その照射に伴い前記対象物で生じた後方反射光を前記光ファイバの前記遠位端に入射させ前記近位端から出射させて前記光検出器に導くとともに、前記光分岐部から出力された参照光をも前記光検出器に導いて、前記後方反射光と前記参照光とによる干渉光を前記光検出器により検出し、前記分析部により前記後方反射光のスペクトルを分析して前記対象物の内部における物質の分布情報を画像情報として取得する、
ことを特徴とする光学的測定方法。
【請求項４】
前記分析部により、前記後方反射光のスペクトルのうち波長範囲１.７０〜１.７５μｍに吸収ピークを持つスペクトル成分を抽出し、前記スペクトル成分に基づいて脂質の分布情報を分析して当該分析結果を画像情報として取得する、ことを特徴とする請求項３に記載の光学的測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月17日(2014.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血中動態が制御されたIgG抗体の製造方法であって、（ａ）IgG抗体のH鎖FR領域におけるH1, H3, H5, H8, H10, H12, H13, H15, H16, H19, H23, H25, H26, H39, H42, H43, H44, H46, H68, H71, H72, H73, H75, H76, H81, H82b, H83, H85, H86, H105, H108, H110, H112、およびL鎖FR領域におけるL1, L3, L7, L8, L9, L11, L12, L16, L17, L18, L20, L22, L38, L39, L41, L42, L43, L45, L46, L49, L57, L60, L63, L65, L66, L68, L69, L70, L74, L76, L77, L79, L80, L81, L85, L100, L103, L105, L106, L107, L108から選択される少なくとも一つのアミノ酸残基の電荷が変わるように、該アミノ酸残基を含むポリペプチドをコードする核酸を改変し、（ｂ）宿主細胞を該核酸が発現するように培養し、（ｃ）宿主細胞培養物からIgG抗体を回収することを含む方法。
【請求項２】
前記血中動態の制御が、血中半減期、平均血中滞留時間、血中クリアランスのいずれかのパラメーターの制御である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（ａ）におけるアミノ酸残基の電荷の改変が、アミノ酸置換による請求項１に記載の方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法により製造されるIgG抗体。
【請求項５】
IgG抗体の血中動態を制御する方法であって、IgG抗体のH鎖FR領域におけるH1, H3, H5, H8, H10, H12, H13, H15, H16, H19, H23, H25, H26, H39, H42, H43, H44, H46, H68, H71, H72, H73, H75, H76, H81, H82b, H83, H85, H86, H105, H108, H110, H112、およびL鎖FR領域におけるL1, L3, L7, L8, L9, L11, L12, L16, L17, L18, L20, L22, L38, L39, L41, L42, L43, L45, L46, L49, L57, L60, L63, L65, L66, L68, L69, L70, L74, L76, L77, L79, L80, L81, L85, L100, L103, L105, L106, L107, L108から選択される少なくとも一つのアミノ酸残基の電荷を変えることを含む方法。
【請求項６】
前記血中動態の制御が、血中半減期、平均血中滞留時間、血中クリアランスのいずれかのパラメーターの制御である請求項５に記載の方法。
【請求項７】
アミノ酸残基の電荷の改変が、アミノ酸置換による請求項５に記載の方法。
【請求項８】
請求項５に記載の方法により血中動態が制御されたIgG抗体。
【請求項９】
ヒト以外の動物由来の相補性決定領域（CDR）、ヒト由来のフレームワーク領域（FR）およびヒト定常領域を含むヒト化抗体であって、H鎖FR領域におけるH1, H3, H5, H8, H10, H12, H13, H15, H16, H19, H23, H25, H26, H39, H42, H43, H44, H46, H68, H71, H72, H73, H75, H76, H81, H82b, H83, H85, H86, H105, H108, H110, H112、およびL鎖FR領域におけるL1, L3, L7, L8, L9, L11, L12, L16, L17, L18, L20, L22, L38, L39, L41, L42, L43, L45, L46, L49, L57, L60, L63, L65, L66, L68, L69, L70, L74, L76, L77, L79, L80, L81, L85, L100, L103, L105, L106, L107, L108から選択される少なくとも一つのアミノ酸残基が野生型の対応する位置のアミノ酸残基とは異なる電荷を有するアミノ酸残基であり、可変領域が該ヒト以外の動物由来の抗体に由来し且つ同じ定常領域を有するキメラ抗体に比べて血中動態が制御されたヒト化抗体。
【請求項１０】
前記ヒト定常領域が野生型のヒトFc領域を含む請求項９に記載のヒト化抗体。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載のヒト化抗体および医薬的に許容される担体を含む組成物。
【請求項１２】
請求項９または１０に記載のヒト化抗体を構成するポリペプチドをコードする核酸。
【請求項１３】
請求項１２に記載の核酸を有する宿主細胞。
【請求項１４】
請求項１３に記載の宿主細胞を培養する工程、細胞培養物からポリペプチドを回収する工程を含む請求項９または１０に記載のヒト化抗体の製造方法。
【請求項１５】
重鎖可変領域におけるKabatナンバリングによる10位、12位、23位、39位、43位、および105位のアミノ酸残基から選ばれる、少なくとも１つのアミノ酸残基の電荷が改変され、当該アミノ酸残基の改変前と比べて血中動態が制御されたIgG抗体。
【請求項１６】
前記改変されたアミノ酸残基が、以下の（ａ）または（ｂ）いずれかの群に含まれるアミノ酸残基から選択される請求項１５に記載のIgG抗体：
（ａ）グルタミン酸（E）、アスパラギン酸（D）；
（ｂ）リジン（K）、アルギニン（R）、ヒスチジン（H）。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載のIgG抗体および医薬的に許容される担体を含む組成物。
【請求項１８】
請求項１５または１６に記載のIgG抗体を構成するポリペプチドをコードする核酸。
【請求項１９】
請求項１８に記載の核酸を有する宿主細胞。
【請求項２０】
請求項１９に記載の宿主細胞を培養する工程、細胞培養物からポリペプチドを回収する工程を含む請求項１５または１６に記載の抗体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月11日(2014.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成される絶縁膜と、前記基板と前記絶縁膜との間に形成される空洞と、前記基板に対して平行に前記空洞を挟んで設けられる一対の電極と、を備える超音波送受信素子を有する超音波探触子において、
前記超音波送受信素子は、
前記一対の電極のうちの前記基板から離れた電極の上に、応力の異なる材料からなる膜が積層されてなる多層構造の梁部が設けられ、
前記梁部は、引張応力を与える膜と圧縮応力を与える膜とが積層されてなる
ことを特徴とする、超音波探触子。
【請求項２】
請求項１に記載の超音波探触子において、
前記梁部に含まれる膜の層数は、前記梁部以外の部位を構成する絶縁膜の層数よりも多くなっている
ことを特徴とする、超音波探触子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の超音波探触子において、
前記引張応力を与える膜、並びに、前記圧縮応力を与える膜は、絶縁膜である
ことを特徴とする、超音波探触子。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載の超音波探触子において、
前記基板上に形成されている絶縁膜の前記基板に垂直な方向の応力中立面が、前記梁部の前記基板に垂直な方向の梁中立面よりも、前記基板に近い位置に存在する
ことを特徴とする、超音波探触子。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載の超音波探触子において、
前記超音波送受信素子の外表面には引張応力を与える膜が形成され、
前記梁部は、前記基板に近い方から、引張応力を与える膜、圧縮応力を与える膜、引張応力を与える膜、及び圧縮応力を与える膜がこの順で積層されてなる
ことを特徴とする、超音波探触子。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載の超音波探触子において、
前記引張応力を与える膜は窒化ケイ素であり、
前記圧縮応力を与える膜は二酸化ケイ素である
ことを特徴とする、超音波探触子。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載の超音波探触子において、
前記超音波送受信素子の外表面には引張応力を与える膜が形成され、
前記梁部の最上膜として、前記外表面の引張応力を与える膜に接して、タングステン、炭化タングステン、ほう化タングステン、窒化チタン、炭化チタン、モリブデン、ほう化モリブデン、炭化モリブデン、ほう化チタン及び炭化ケイ素からなる群より選ばれる１種以上の膜が形成されている
ことを特徴とする、超音波探触子。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１項に記載の超音波探触子において、
前記基板上に形成される膜の応力の総和が引張応力である
ことを特徴とする、超音波探触子。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか１項に記載の超音波探触子において、
前記梁部に離間してリム部が設けられ、
前記リム部は、応力の異なる材料からなる膜が積層されてなる多層構造であり、
前記リム部が、前記空洞の端部よりも前記空洞側に張り出している
ことを特徴とする超音波探触子。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか１項に記載の超音波探触子を備える
ことを特徴とする、超音波診断装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
即ち、超音波探触子１において、図４に示すように、シリコン基板（基板）５上に形成されている絶縁膜６，８，９，１０，１２，１８ａ，１８ｂのシリコン基板５に垂直な方向の応力中立面１０３が、梁部１００のシリコン基板５に垂直な方向の梁中立面１０４よりも、シリコン基板５に近い位置に存在する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月3日(2013.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩｎおよびＳｎの少なくともいずれか：０．１〜１．５原子％を含有し、さらにＳｂを０．１〜３．５原子％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成されており、
スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることにより成膜されたことを特徴とする導電性膜。
【請求項２】
請求項１に記載の導電性膜において、
表面に有機ＥＬ素子の透明導電膜が積層され、さらにその上に有機ＥＬ層を含む電界発光層が積層される有機ＥＬ素子用の反射電極膜であることを特徴とする導電性膜。
【請求項３】
請求項１に記載の導電性膜において、
発光ダイオード用の反射電極膜であることを特徴とする導電性膜。
【請求項４】
請求項１に記載の導電性膜において、
タッチパネルの配線膜であることを特徴とする導電性膜。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の導電性膜を製造する方法であって、
ＩｎおよびＳｎの少なくともいずれか：０．１〜１．５原子％を含有し、さらにＳｂを０．１〜３．５原子％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成されたスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることにより成膜することを特徴とする導電性膜の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の導電性膜の製造方法に用いられるスパッタリングターゲットであって、
ＩｎおよびＳｎの少なくともいずれか：０．１〜１．５原子％を含有し、さらにＳｂを０．１〜３．５原子％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項７】
請求項６に記載のスパッタリングターゲットであって、
銀合金の溶解鋳造インゴットを塑性加工して作製されたことを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項８】
請求項７に記載のスパッタリングターゲットであって、
前記塑性加工の後、さらに熱処理して作製されたことを特徴とするスパッタリングターゲット。