Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月29日(2014.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体が流れる隙間の分だけ互いから分離されたオリフィスおよび隣接する可撓性ダイヤフラムを含み、前記ダイヤフラムがオリフィスを通って流れる液体の流速を制御するために隙間を異ならせるのに、またはオリフィスを通って流れる液体のポジティブ液体遮断を提供するのに十分な可撓性を持ち、
ポジティブ液体流れ遮断のために、前記可撓性ダイヤフラムに力を働かせるばねを含み、
圧電変換器が前記可撓性ダイヤフラムと接触しており、前記ダイヤフラムとピストンの間に位置しており、
前記ピストンが、前記可撓性ダイヤフラムに対する前記ばねの力に対抗する力を作り出すため、及び、前記ダイヤフラムを液体流量制御のための位置に配置するため、圧縮された気体によって動作可能であり、
前記ばねが、ポジティブ液体流れ遮断のために、力を前記圧電変換器に働かせることによって、前記変換器を前記可撓性ダイヤフラムに対して動かすことが可能である、
液体流量を制御するための装置。
【請求項２】
前記オリフィスの下流に出口を持ち、蒸発のために液体を送出する流路、及び
前記出口で形成される液体しずくの大きさを小さくするために、前記流路の前記出口の近くに気体が高速で流れるように気体を向ける気体流路をさらに含む、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記気体の流速が、毎秒２０メートルより高い、請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記可撓性ダイヤフラムが金属である、請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記ダイヤフラムがステンレス鋼である、請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記圧電変換器が、液体の流速を制御するために、前記可撓性ダイヤフラムに力を提供する、請求項１記載の装置。
【請求項７】
液体が選択された流速で流れることを許容するように、前記装置を動作させるための、液体流量センサおよび電子回路をさらに含む、請求項１記載の装置。
【請求項８】
液体を隙間へ送出するための、容器内の加圧された液体源をさらに含む、請求項１記載の装置。
【請求項９】
液体が流れる隙間の分だけ互いから分離されたオリフィスおよび隣接する可撓性ダイヤフラムを含む装置によって、液体流量を制御するための方法であって、
前記オリフィスは、ガス流路の出口の実質的に中心に位置する液体出口を含み、
オリフィスを通って流れる液体の流速を制御するために、またはオリフィスを通って流れる液体のポジティブ液体遮断を提供するために、隙間の大きさを異ならせるように前記ダイヤフラムを曲げること、および、
前記出口で形成された液体しずくの大きさを小さくするために、前記ガス流路の出口を気体が高速で流れ、前記気体が、前記ガス流路の出口を、前記液体が前記液体出口を流れる方向と実質的に同じ方向に流れるように、前記気体を供給すること、を含み、
前記出口が前記オリフィスの下流に位置しており、前記オフィリスと流体連通している、
方法。
【請求項１０】
毎秒２０メートルより高い速度で気体が流れることを特徴とする、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
圧電変換器が液体の流速を制御するためにダイヤフラムを曲げる動作が可能なように、可撓性ダイヤフラムと接触している圧電変換器をさらに提供する、請求項９記載の方法。
【請求項１２】
ポジティブ液体流れ遮断のために、可撓性ダイヤフラムに力を働かせるためのばねを提供する、請求項９記載の方法。
【請求項１３】
可撓性ダイヤフラムへのばねの力に対抗し、それによってダイヤフラムを液体流量制御のための位置に配置するための、ばねに対する、気体によって生成された力をさらに提供する、請求項１２記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月26日(2014.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各サイトに設置された電機機器の消費電力量を測定する電力計測モニターと、
各サイトを構成するエリアでの温度、湿度を測定する温湿度センサーと、
各サイトを構成するエリアに設置される空調機と、
前記空調機または空調機の室外機に接続され、前記空調機または前記室外機を制御する空調制御機器と、
前記電力計測モニターおよび前記温湿度センサーから、各々設置されたサイトと、そのサイトを構成するエリアにおける測定データを受信し、前記空調制御機器に接続され、前記空調制御機器に対して空調制御指令を送信する拠点端末と、
前記拠点端末とネットワークにより接続され、各サイトの管理情報と、空調制御情報を保持するサーバとを有する空調制御システムにおいて、
前記空調制御情報は、各サイトにおけるデマンドコントロールの目標電力値と、各サイトを構成するエリアにおける目標温度に対する下限温度と上限温度とを含み、
前記拠点端末は、
前記空調機が冷房運転のとき、
前記サーバから前記空調制御情報を受信し、受信した空調制御情報に基づき、
前記サイトにおける消費電力値が前記デマンドコントロールの目標電力値を上回っている場合、かつ、前記エリアで計測される温度が、前記上限温度を下回っている場合には、前記空調制御機器に対して、空調機をＯＦＦにする制御指令を送信し、
前記サイトにおける消費電力値が前記デマンドコントロールの目標電力値を上回っている場合、かつ、前記エリアで計測される温度が、前記上限温度を上回っている場合には、前記空調制御機器に対して、空調機をＯＮにする制御指令を送信し、
前記空調機が暖房運転のとき、
前記サーバから前記空調制御情報を受信し、受信した空調制御情報に基づき、
前記サイトにおける消費電力値が前記デマンドコントロールの目標電力値を上回っている場合、かつ、前記エリアで計測される温度が、前記下限温度を上回っている場合には、前記空調制御機器に対して、空調機をＯＦＦにする制御指令を送信し、
前記サイトにおける消費電力値が前記デマンドコントロールの目標電力値を上回っている場合、かつ、前記エリアで計測される温度が、前記下限温度を下回っている場合には、前記空調制御機器に対して空調機をＯＮにする制御指令を送信することを特徴とする空調制御システム。
【請求項２】
さらに、前記空調制御情報には、目標温度を含み、
前記拠点端末は、前記サイトにおける消費電力値が前記デマンドコントロールの目標電力値を上回っているとき、かつ、
前記エリアで計測される温度が、下限温度と上限温度の間にあるとき、前記拠点端末は、前記空調制御機器に対して前記エリアにおける空調機運転の一部抑制をおこなう制御指令を送信することを特徴とする請求項１記載の空調制御システム。
【請求項３】
前記空調制御情報は、日時、時間に関する情報を含み、その日時、時間に関する情報に該当するとき、かつ、前記サイトにおける消費電力値が前記デマンドコントロールの目標電力値を上回っているとき、前記拠点端末は、前記空調制御機器に対して、空調機をＯＦＦにする制御指令を送信することを特徴とする請求項１記載の空調制御システム。
【請求項４】
さらに、前記空調制御情報には、前記空調機運転の冷房、暖房の種別を含むことを特徴とする請求項１記載の空調制御システム。
【請求項５】
さらに、前記空調制御情報には、前記サイトにおける前記空調機の運転に関する制御順位を含み、
前記拠点端末は、前記空調制御機器に対して、前記制御順位の高い空調機から順に、空調機をＯＦＦにする制御指令を送信することを特徴とする請求項１記載の空調制御システム。
【請求項６】
各サイトに設置された電機機器の消費電力量を測定する電力計測モニターと、
各サイトを構成するエリアでの温度、湿度を測定する温湿度センサーと、
各サイトを構成するエリアに設置される空調機と、
前記空調機または空調機の室外機に接続され、前記空調機または前記室外機を制御する空調制御機器と、
前記電力計測モニターおよび前記温湿度センサーから、各々設置されたサイトと、そのサイトを構成するエリアにおける測定データを受信し、前記空調制御機器に接続され、前記空調制御機器に対して空調制御指令を送信する拠点端末と、
前記拠点端末とネットワークにより接続され、各サイトの管理情報と、空調制御情報を保持するサーバと、
前記サーバに接続され、前記空調制御情報を送信するクライアント端末とを有する空調制御システムの空調制御方法において、
前記空調制御情報は、各サイトにおけるデマンドコントロールの目標電力値と、各サイトを構成するエリアにおける目標温度に対する下限温度と上限温度とを含み、
前記拠点端末が、前記電力計測モニターからサイトに関する電力に関する測定データを受信するステップと、
前記拠点端末が、前記温湿度センサーからサイトに関する温度に関する測定データを受信するステップと、
前記クライアント端末から前記サーバに空調制御情報を送信するステップと、
前記サーバが、受信した空調制御情報を保持するステップと、
前記サーバが、前記拠点端末に前記空調制御情報を送信するステップと、
前記拠点端末が、
前記空調機が冷房運転のとき、
前記サーバから前記空調制御情報を受信し、受信した空調制御情報に基づき、
前記サイトにおける消費電力値が前記デマンドコントロールの目標電力値を上回っている場合、かつ、前記エリアで計測される温度が、前記上限温度を下回っている場合には、前記空調制御機器に対して、空調機をＯＦＦにする制御指令を送信し、
前記サイトにおける消費電力値が前記デマンドコントロールの目標電力値を上回っている場合、かつ、前記エリアで計測される温度が、前記上限温度を上回っている場合には、前記空調制御機器に対して、空調機をＯＮにする制御指令を送信し、
前記空調機が冷房運転のとき、
前記サーバから前記空調制御情報を受信し、受信した空調制御情報に基づき、
前記サイトにおける消費電力値が前記デマンドコントロールの目標電力値を上回っている場合、かつ、前記エリアで計測される温度が、前記下限温度を上回っている場合には、前記空調制御機器に対して、空調機をＯＦＦにする制御指令を送信し、
前記サイトにおける消費電力値が前記デマンドコントロールの目標電力値を上回っている場合、かつ、前記エリアで計測される温度が、前記下限温度を下回っている場合には、前記空調制御機器に対して、空調機をＯＮにする制御指令を送信するステップと、を有することを特徴とする空調制御システムの空調制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月4日(2014.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
封入した冷媒が循環する冷媒回路と、
前記冷媒回路に接続され、前記冷媒を圧縮する圧縮機と、
前記冷媒回路に接続され、前記冷媒と水または液状熱媒体との熱交換を行う水冷媒熱交換器と、
前記冷媒回路、前記圧縮機および前記水冷媒熱交換器を収容する筐体と、
を有し、
前記筐体の底面部を構成するベースの上に前記圧縮機と前記水冷媒熱交換器とがそれぞれ設置されており、
前記ベース上に設けられた構造部品と、前記ベースとを互いに支持する補強部材を備えたヒートポンプ給湯室外機。
【請求項２】
前記構造部品は、前記水冷媒熱交換器を収納する収納箱であって、
前記補強部材は、前記収納箱と前記ベースとを互いに支持する請求項１記載のヒートポンプ給湯室外機。
【請求項３】
前記補強部材は、前記収納箱の側面と前記ベースとにより形成される角部に設けられている請求項２記載のヒートポンプ給湯室外機。
【請求項４】
前記冷媒回路に接続され、前記冷媒と空気との熱交換を行う空気冷媒熱交換器と、
前記空気冷媒熱交換器に空気を通過させるよう送風する送風機と、を備え、
前記構造部品は、前記筐体の内部空間を、前記送風機を収容する送風機室と、前記圧縮機を収容する機械室とに仕切る仕切板であって、
前記補強部材は、前記ベースと前記仕切板とを互いに支持する請求項１記載のヒートポンプ給湯室外機。
【請求項５】
前記補強部材は、１個あるいは複数個の板状部材で構成される請求項１乃至４の何れか１項記載のヒートポンプ給湯室外機。
【請求項６】
前記補強部材は、１個あるいは複数個の柱状部材で構成される請求項１乃至４の何れか１項記載のヒートポンプ給湯室外機。
【請求項７】
前記補強部材は、前記圧縮機と前記水冷媒熱交換器との間に配置されている請求項１乃至６の何れか１項記載のヒートポンプ給湯室外機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係るヒートポンプ給湯室外機は、封入した冷媒が循環する冷媒回路と、冷媒回路に接続され、冷媒を圧縮する圧縮機と、冷媒回路に接続され、冷媒と水または液状熱媒体との熱交換を行う水冷媒熱交換器と、冷媒回路、圧縮機および水冷媒熱交換器を収容する筐体と、を有し、筐体の底面部を構成するベースの上に圧縮機と水冷媒熱交換器とがそれぞれ設置されており、ベース上に設けられた構造部品と、ベースとを互いに支持する補強部材を備えたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月1日(2014.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融ガラス溶融物を撹拌するための装置において、
撹拌容器と該撹拌容器上に配置された撹拌容器の蓋を備えた撹拌装置であって、該攪拌容器の蓋が第１の部分および第２の部分を有し、前記撹拌容器の蓋の表面が、撹拌機の軸がその中を延在する開口を画成し、それによって該撹拌機の軸と前記撹拌容器の蓋の開口画成表面との間に環状間隙を形成している撹拌装置；
前記開口画成表面に直接隣接する該開口画成表面の上部に形成された第１の通路； 
前記開口画成表面を加熱する、前記第１の通路内に配置された第１の加熱素子；
前記攪拌容器の蓋の前記第１の部分の下面に形成された第２の通路であって、前記溶融ガラス溶融物に面し開口する第２の通路；
前記溶融ガラス溶融物の自由表面を加熱する、前記第２の通路内に配置された第２の加熱素子；
前記攪拌容器の蓋の前記第２の部分の下面に形成された第３の通路であって、前記溶融ガラス溶融物に面し開口する第３の通路；および
前記溶融ガラス溶融物の自由表面を加熱する、前記第３の通路内に配置された第３の加熱素子；
を備えた装置。
【請求項２】
前記撹拌容器の蓋が、中に熱電対が配置された熱電対通路をさらに含み、該熱電対の検出端が前記開口画成表面に近接して配置されていることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記溶融ガラスの自由表面に面する前記撹拌容器の蓋の表面上に白金含有外装が配置されていることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記熱電対の検出端が、前記環状間隙に隣接した前記撹拌容器の蓋の温度を検出するように配置されていることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項５】
溶融ガラス溶融物を撹拌するための装置において、
撹拌容器と該撹拌容器上に配置された撹拌容器の蓋を備えた撹拌装置であって、該攪拌容器の蓋が第１の部分および第２の部分を有し、前記撹拌容器の蓋の表面が、撹拌機の軸がその中を延在する開口を画成し、それによって該撹拌機の軸と前記撹拌容器の蓋の開口画成表面との間に環状間隙を形成している撹拌装置；
前記開口画成表面に直接隣接する該開口画成表面の上部に形成された第１の通路； 
前記開口画成表面を加熱する、前記第１の通路内に配置された第１の加熱素子；
前記攪拌容器の蓋の前記第１の部分の下面に形成された第２の通路であって、前記溶融ガラス溶融物に面し開口する第２の通路；
前記溶融ガラス溶融物の自由表面を加熱する、前記第２の通路内に配置された第２の加熱素子；
前記攪拌容器の蓋の前記第２の部分の下面に形成された第３の通路であって、前記溶融ガラス溶融物に面し開口する第３の通路； 
前記溶融ガラス溶融物の自由表面を加熱する、前記第３の通路内に配置された第３の加熱素子；および
前記攪拌容器の蓋の下面および前記攪拌容器の蓋の開口画成表面の上に形成された白金外装；
を備えた装置。
【請求項６】
前記第２の通路および前記第３の通路の少なくとも１つが螺旋形状であることを特徴とする請求項５記載の装置。
【請求項７】
前記攪拌容器の蓋の前記第１の部分の下面または前記攪拌容器の蓋の前記第２の部分の下面に形成された少なくとも１つの追加の通路；および
該少なくとも１つの追加の通路に配置された少なくとも１つの追加の加熱素子；
をさらに備えることを特徴とする請求項５記載の装置。
【請求項８】
溶融ガラス溶融物を撹拌するための装置において、
撹拌容器と該撹拌容器上に配置された撹拌容器の蓋を備えた撹拌装置であって、該攪拌容器の蓋が第１の部分および第２の部分を有し、前記撹拌容器の蓋の表面が、撹拌機の軸がその中を延在する開口を画成し、それによって該撹拌機の軸と前記撹拌容器の蓋の開口画成表面との間に環状間隙を形成している撹拌装置；
前記開口画成表面に直接隣接する該開口画成表面の上部に形成された第１の通路； 
前記開口画成表面を加熱する、前記第１の通路内に配置された第１の加熱素子であって、耐火セメントにより前記第１の通路内に固定される第１の加熱素子；
前記攪拌容器の蓋において前記開口に通じる熱電対通路；
前記熱電対通路内に配置され、該熱電対の検出端が前記開口画成表面に近接して配置される熱電対；
前記攪拌容器の蓋の前記第１の部分の下面に形成された第２の通路であって、前記溶融ガラス溶融物に面し開口する第２の通路；
前記溶融ガラス溶融物の自由表面を加熱する、前記第２の通路内に配置された第２の加熱素子；
前記攪拌容器の蓋の前記第２の部分の下面に形成された第３の通路であって、前記溶融ガラス溶融物に面し開口する第３の通路； 
前記溶融ガラス溶融物の自由表面を加熱する、前記第３の通路内に配置された第３の加熱素子；および
前記攪拌容器の蓋の下面および前記攪拌容器の蓋の開口画成表面の上に形成された白金外装であって、前記熱電対の検出端と前記攪拌容器の蓋の開口との間、前記第１の加熱素子と前記攪拌容器の蓋の開口との間、前記第２加熱素子と前記溶融ガラス溶融物の自由表面との間、および前記第３加熱素子と前記溶融ガラス溶融物の自由表面との間に配置される、白金外装；
を備えた装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月5日(2014.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性インク組成物であって、有機物で安定化された銀ナノ粒子と、溶媒と、式（１）のポリビニルアルコール誘導体樹脂とを含み、
【化１】
2012041534.tif 000001
式中、Ｒ１は、化学結合、または炭素を１〜２０個含む二価の炭化水素結合であり；Ｒ２およびＲ３は、独立して、炭素原子を１〜２０個含むアルキル基、芳香族基、または置換された芳香族基であり；ｘ、ｙ、ｚは、それぞれ重量％であらわされる、対応する繰り返し単位の割合をあらわし、それぞれの繰り返し単位は、ポリマー鎖に沿ってランダムに分布しており、ｘは５重量％〜１５重量％、ｙは８０重量％〜９５重量％、ｚは０重量％〜５重量％であり、ｘ、ｙ、ｚの合計は、１００重量％であり、
前記ポリビニルアルコール誘導体樹脂は、当該インク組成物の０．１〜５重量％の量で存在する、導電性インク組成物。
【請求項２】
Ｒ１が共有結合であり、Ｒ２がプロピル基であり、Ｒ３がメチル基である、請求項１に記載の導電性インク組成物。
【請求項３】
Ｒ１が単結合であり、Ｒ２およびＲ３が、それぞれ、炭素原子を１〜２０個含むアルキル基である、請求項１に記載の導電性インク組成物。
【請求項４】
前記銀ナノ粒子のための安定剤が、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ヘキサデシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ジアミノペンタン、ジアミノヘキサン、ジアミノヘプタン、ジアミノオクタン、ジアミノノナン、ジアミノデカン、ジアミノオクタン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、メチルプロピルアミン、エチルプロピルアミン、プロピルブチルアミン、エチルブチルアミン、エチルペンチルアミン、プロピルペンチルアミン、ブチルペンチルアミン、トリブチルアミン、トリヘキシルアミン、およびこれらの混合物からなる群から選択される有機アミン安定剤である、請求項１に記載の導電性インク組成物。
【請求項５】
前記溶媒が、炭素原子を８〜１８個含む芳香族炭化水素溶媒、イソパラフィン系炭化水素溶媒、ナフタレン系油、アルコール、アルカンまたはアルケン、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１に記載の導電性インク組成物。
【請求項６】
前記溶媒が、テルピネオール、ヘキサノール、ヘプタノール、シクロヘキサノール、３，７−ジメチルオクタ−２，６−ジエン−１−オール、２−（２−プロピル）−５−メチル−シクロヘキサン−１−オールからなる群から選択される少なくとも１つのアルコールと、デカリン、ヘキサデカン、ヘキサデセン、１，２，４−トリメチルベンゼンからなる群から選択される少なくとも１つの炭化水素溶媒とで構成される混合物である、請求項１に記載の導電性インク組成物。
【請求項７】
導電性インク組成物であって、有機物で安定化された銀ナノ粒子と、溶媒と、式（１）のポリビニルアルコール誘導体樹脂とを含む銀ナノ粒子溶液を含み、
【化２】
2012041534.tif 000002
式中、Ｒ１は、化学結合、または炭素を１〜２０個含む二価の炭化水素結合であり；Ｒ２およびＲ３は、独立して、炭素原子を１〜２０個含むアルキル基、芳香族基、または置換された芳香族基であり；ｘ、ｙ、ｚは、それぞれ重量％であらわされる、対応する繰り返し単位の割合をあらわし、それぞれの繰り返し単位は、ポリマー鎖に沿ってランダムに分布しており、ｘは５重量％〜２５重量％、ｙは７５重量％〜９５重量％、ｚは０重量％〜１０重量％であり、ｘ、ｙ、ｚの合計は、１００重量％であり、
前記ポリビニルアルコール誘導体樹脂は、当該インク組成物の０．１〜５重量％の量で存在し、
前記ポリビニルアルコール誘導体樹脂は、５０，０００ダルトン〜２５０，０００ダルトンの重量平均分子量を有する、導電性インク組成物。
【請求項８】
前記溶媒が、炭素原子を８〜１８個含む芳香族炭化水素溶媒、イソパラフィン系炭化水素溶媒、ナフタレン系油、アルコール、アルカンまたはアルケン、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項７に記載の導電性インク組成物。
【請求項９】
前記溶媒が、テルピネオール、ヘキサノール、ヘプタノール、シクロヘキサノール、３，７−ジメチルオクタ−２，６−ジエン−１−オール、２−（２−プロピル）−５−メチル−シクロヘキサン−１−オールからなる群から選択される少なくとも１つのアルコールと、デカリン、ヘキサデカン、ヘキサデセン、１，２，４−トリメチルベンゼンからなる群から選択される少なくとも１つの炭化水素溶媒とで構成される混合物である、請求項７に記載の導電性インク組成物。
【請求項１０】
基板の上に導電性部分を作成する方法であって、この方法が、
有機物で安定化された銀ナノ粒子と、溶媒と、式（１）のポリビニルアルコール誘導体樹脂とを含む銀ナノ粒子溶液を含む銀インク組成物
【化３】
2012041534.tif 000003
〔式中、Ｒ１は、化学結合、または炭素を１〜２０個含む二価の炭化水素結合であり；Ｒ２およびＲ３は、独立して、炭素原子を１〜２０個含むアルキル基、芳香族基、または置換された芳香族基であり；ｘ、ｙ、ｚは、それぞれ重量％であらわされる、対応する繰り返し単位の割合をあらわし、それぞれの繰り返し単位は、ポリマー鎖に沿ってランダムに分布しており、ｘは５重量％〜１５重量％、ｙは８０重量％〜９５重量％、ｚは０重量％〜５重量％であり、ｘ、ｙ、ｚの合計は、１００重量％であり、
前記ポリビニルアルコール誘導体樹脂は、当該銀インク組成物の０．１〜５重量％の量で存在する〕
を与えることと、
前記基板の上に前記銀インク組成物を堆積させ、堆積した部分を作成することと、
前記基板の上にある前記堆積した部分を、８０℃〜１６０℃の温度まで加熱し、この基板の上に導電性銀部分を作成することとを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月28日(2014.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
官能化ポリフルオロポリエーテルと官能化ポリブタジエンとを溶媒中に含有するコーティング混合物を含み、
官能化ポリフルオロポリエーテル／官能化ポリブタジエンの重量比が約２５／７５〜約６０／４０である、組成物。
【請求項２】
前記溶媒は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド、塩化メチレン、およびこれらの混合物からなる群より選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記官能化ポリフルオロポリエーテルが
【化１】
2012041532.tif 000001
によってあらわされ、ｎおよびｍが、それぞれ、繰り返し基の数をあらわし、ｎが、約３〜約１２０であり、ｍが、約５〜約１２０であり、ｎ＋ｍが、約４０〜約１８０であり、ｎ／ｍが、約０．５〜約２であり、Ｒ1およびＲ2が、独立して、それぞれＡ1−ＣＦ2Ｏ−および−ＣＦ2−Ａ2であらわされ、Ａ1、Ａ2は、独立して、
【化２】
2012041532.tif 000002
のうち１つであり、Ａkが、結合であるか、または炭素原子が約１〜１０個のアルキレン基であり、ＲHが、Ｈ、または炭素原子が約１〜１０個のアルキル基であり、ｐが、１〜約２０である、請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
前記官能化ポリブタジエンが、イソシアネートポリブタジエン、ヒドロキシルポリブタジエン、カルボン酸ポリブタジエン、エステルポリブタジエン、またはエポキシポリブタジエンを含み、
前記ポリブタジエンが、ポリ（１，３−ブタジエン）、ポリ（１，４−ブタジエン）、水素化ポリ（１，３−ブタジエン）、水素化ポリ（１，４−ブタジエン）、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月6日(2014.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケーシング（２２）と、前記ケーシング（２２）に近接した先端（３２）及びタービンを通る流体流れの方向に対して後縁（３３）を有するタービンバケットとを備えるタービン（２０）、
中心表面（４１）と前記ケーシング（２２）の下流セクション（４２）の間に形成されたディフューザ（４０）であって前記タービン（２０）に流体結合しかつ前記後縁（３３）の下流に配置されたディフューザ（４０）、及び
前記先端（３２）に沿って測定して前記後縁（３３）から０．５タービンバケット翼弦長さの範囲内で前記先端（３２）の傾斜に対して少なくとも６°傾斜した前記ケーシングの下流セクション（４２）の傾斜
を備える装置（１０）であって、前記中心表面（４１）及び前記ケーシングの下流セクション（４２）が、前記後縁（３３）から少なくともほぼ平行であるか又は発散している、装置（１０）。
【請求項２】
前記タービンバケット（２８，２９）が最終段タービンバケット（２９）を含む、請求項１記載の装置（１０）。
【請求項３】
前記先端（３２）の傾斜が、前記先端（３２）の半径方向遠位端に沿って軸方向に形成される、請求項１又は請求項２記載の装置（１０）。
【請求項４】
前記ケーシングの下流セクション（４２）の傾斜と前記先端（３２）の傾斜との差が１０°以上である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の装置（１０）。
【請求項５】
前記中心表面（４１）及び前記ケーシングの下流セクション（４２）が前記後縁（３３）から発散している、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の装置（１０）。
【請求項６】
前記ディフューザ（４０）の下流に配置されて前記ディフューザ（４０）からの流体が流れ込む排熱回収ボイラ（ＨＲＳＧ）（４５）を備える、請求項１記載の装置（１０）。
【請求項７】
ケーシング（２２）と、前記ケーシング（２２）に近接した先端（３２）及びタービンを通る流体流れの方向に対して後縁（３３）を有するタービンバケットとを備えるタービン（２０）、
前記タービン（２０）に流体結合しかつ前記後縁（３３）の下流に配置されたディフューザ（４０）であって、前記後縁（３３）から前記ケーシングの下流セクション（４２）に、断面積が前記後縁（３３）から少なくとも縮小しないディフューザ流路を形成するディフューザ（４０）、及び
前記先端（３２）に沿って測定して前記後縁（３３）から前記タービンバケット（２８，２９）の０．５タービンバケット翼弦長さの範囲内で前記先端（３２）の傾斜に対して少なくとも６°傾斜した前記ケーシングの下流セクション（４２）の傾斜
を備える装置（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月4日(2014.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静止構造体（４０２）と回転構造体（４０４）との間の半径方向ギャップを通る軸方向漏出を阻止するためのシール（４００）であって、前記半径方向ギャップが、該半径方向ギャップを隔てて外側半径方向表面（４０３）に対向する内側半径方向表面（４０５）によって画成され、当該シールが、
内側半径方向表面及び外側半径方向表面の一方に配置される１以上のランド（６２０）であって、半径方向軸線に対して１０〜４０度の角度で上流側に傾斜するよう構成された上流側表面（６２４）を含む１以上のランド（６２０）と、
前記内側半径方向表面及び外側半径方向表面の他方から突出する１以上の第１の歯状部（４１０）と、
前記内側半径方向表面及び外側半径方向表面の他方から突出し、前記１以上の第１の歯状部よりも短い１以上の第２の歯状部（４１１）と
を備えており、第１の歯状部及び第２の歯状部の少なくとも一方が、上流方向に第１の角度で延在するよう構成され、前記第１の角度が、第１の歯状部又は第２の歯状部が延在する基点となる半径方向表面と、第１の歯状部及び第２の歯状部の少なくとも一方の上流側表面との間に画成され、且つ８０度以下である、シール。
【請求項２】
前記第１の角度が５０度以上である、請求項１記載のシール。
【請求項３】
前記静止構造体（４０２）上に１以上のランド（６２０）が配置され、前記１以上の第１の歯状部（４１０）及び前記１以上の第２の歯状部（４１１）が前記回転構造体（４０４）上に配置される、請求項１又は請求項２記載のシール。
【請求項４】
前記１以上のランド（６２０）が、前記内側半径方向表面（４０５）上に配置され、前記１以上の第１の歯状部（４１０）及び前記１以上の第２の歯状部（４１１）が前記外側半径方向表面（４０３）上に配置される、請求項１又は請求項２記載のシール。
【請求項５】
前記１以上の第１の歯状部（４１０）が上流方向に第１の角度で延在するよう構成される、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のシール。
【請求項６】
前記１以上の第２の歯状部（６１１）が上流方向に第１の角度で延在するよう構成される、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載のシール。
【請求項７】
前記シールが、前記内側半径方向表面（４０５）と前記外側半径方向表面（４０３）との間の距離によって画成されるシール高さ（Ｈ）を有し、前記シール高さの５分の４に等しい前記１以上の第１の歯状部（４１０）の高さ、前記シール高さの５分の１に等しい前記１以上の第２の歯状部（４１１）の高さ、及び前記シール高さの５分の３に等しい前記１以上のランド（６２０）の高さの少なくとも１つを有する、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載のシール。
【請求項８】
前記１以上の第１の歯状部（４１０）と前記１以上の第２の歯状部（６１１）とが軸方向に離間している、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載のシール。
【請求項９】
前記１以上の第１の歯状部（４１０）の端部とそれと対向する半径方向表面との間又は前記１以上のランド（６２０）の上部と前記１以上の第２の歯状部（６１１）の端部の間の距離として定義されるクリアランス距離（Ｄ）が２０〜８０ミル（０．５〜２ｍｍ）である、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載のシール。
【請求項１０】
前記静止構造体（４０２）が、ステータ、ステータ内側支持体及びパッキンリングの少なくとも１つを含んでおり、前記回転構造体（４０４）が、ロータ、又はロータに接続されるシャフト、ディスクもしくはドラムを含む、請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載のシール。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月6日(2014.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラットフォーム（２１）と、ケーシング（２２）と、前記プラットフォーム（２１）に結合したハブ（３０）及びタービンを通る流体流れの方向に対して後縁（３３）を有するタービンバケット（２８，２９）とを備えるタービン（２０）、
中心表面（４１）と前記ケーシング（２２）の下流セクション（４２）の間に形成されたディフューザ（４０）であって前記タービン（２０）に流体結合しかつ前記後縁（３３）の下流に配置されたディフューザ（４０）、及び
前記ハブ（３０）に沿って測定して前記後縁（３３）から０．５タービンバケット翼弦長さの範囲内で前記中心表面（４１）の傾斜に対して少なくとも６°傾斜した前記ハブ（３０）の傾斜
を含む装置（１０）であって、前記中心表面（４１）及び前記ケーシング（２２）の下流セクション（４２）が、前記後縁（３３）から少なくともほぼ平行であるか又は発散している、装置（１０）。
【請求項２】
前記タービンバケット（２８，２９）が、最終段タービンバケット（２９）を含む、請求項１記載の装置（１０）。
【請求項３】
前記ハブ（３０）の傾斜が、前記ハブ（３０）と前記プラットフォーム（２１）の間の境界に形成される、請求項１又は請求項２記載の装置（１０）。
【請求項４】
前記ハブ（３０）の傾斜と前記中心表面（４１）の傾斜との差が１０°以上である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の装置（１０）。
【請求項５】
前記中心表面（４１）及び前記ケーシング（２２）の下流セクション（４２）が、前記後縁（３３）から発散している、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の装置（１０）。
【請求項６】
前記ディフューザ（４０）の下流に配置されて前記ディフューザ（４０）からの流体が流れ込む排熱回収ボイラ（ＨＲＳＧ）（４５）を備える、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の装置（１０）。
【請求項７】
プラットフォーム（２１）と、前記プラットフォーム（２１）に結合したハブ（３０）及びタービンを通る流体流れの方向に対して後縁（３３）を有するタービンバケット（２８，２９）とを備えるタービン（２０）、
前記タービン（２０）に流体結合しかつ前記後縁（３３）の下流に配置されたディフューザ（４０）であって、前記後縁（３３）から中心表面（４１）の周りに、断面積が前記後縁（３３）から少なくとも縮小しないディフューザ流路を形成するディフューザ（４０）、及び
前記ハブ（３０）に沿って測定して前記後縁（３３）から前記タービンバケットの０．５タービンバケット翼弦長さの範囲内で前記中心表面（４１）の傾斜に対して少なくとも６°傾斜した前記ハブ（３０）の傾斜
を含む装置（１０）。
【請求項８】
プラットフォーム（２１）と、ケーシング（２２）と、前記プラットフォーム（２１）に結合したハブ（３０）及び前記ケーシング（２２）に近接した先端（３２）及びタービンを通る流体流れの方向に対して後縁（３３）を有するタービンバケットとを備えるタービン（２０）、
中心表面（４１）と前記ケーシング（２２）の下流セクション（４２）の間に形成されたディフューザ（４０）であって前記タービン（２０）に流体結合しかつ前記後縁（３３）の下流に配置されたディフューザ（４０）、
前記ハブ（３０）に沿って測定して前記後縁（３３）から０．５タービンバケット翼弦長さの範囲内で前記中心表面（４１）の傾斜に対して少なくとも６°傾斜した前記ハブ（３０）の傾斜、及び
前記先端（３２）に沿って測定して前記後縁（３３）から０．５タービンバケット翼弦長さの範囲内で前記先端（３２）の傾斜に対して少なくとも６°傾斜した前記ケーシング（２２）の下流セクション（４２）の傾斜
を含む装置（１０）であって、前記中心表面（４１）及び前記ケーシング（２２）の下流セクション（４２）が、前記後縁（３３）から少なくともほぼ平行であるか又は発散している、装置（１０）。
【請求項９】
前記タービンバケット（２８，２９）が、最終段タービンバケット（２９）を含む、請求項８記載の装置（１０）。
【請求項１０】
前記ディフューザ（４０）の下流に配置されて前記ディフューザ（４０）からの流体が流れ込む排熱回収ボイラ（ＨＲＳＧ）（４５）を備える、請求項８又は請求項９記載の装置（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月5日(2014.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上流側部分（７０）と、
前記上流側部分（７０）から略長手方向軸線（７３）に沿って延在する下流側末端部分（７２）であって、前記下流側末端部分（７２）が内側表面（７４）と外側表面（７６）とを含んでいて、前記内側表面（７４）が、各々内側表面に沿って軸方向に延在する複数のマイクロチャンネル（８０）を画成しているとともに、前記下流側末端部分（７２）が更に、前記内側表面（７４）と前記外側表面（７６）との間に延在する複数の通路（９０）を画成しており、前記複数のマイクロチャンネル（８０）が前記複数の通路（９０）に流体接続していて前記複数の通路（９０）の各々が前記複数のマイクロチャンネル（８０）の１つと直接連結している、下流側末端部分（７２）と、
前記下流側末端部分（７２）の内側表面（７４）に取り付けられたカバー層（７８）と
を備える燃焼器ライナ（４０）であって、前記複数のマイクロチャンネル（８０）が、冷却媒体（６４）を貫流させて前記燃焼器ライナ（４０）を冷却するように構成されている、燃焼器ライナ（４０）。
【請求項２】
前記カバー層（７８）が、金属コーティング（１１２）、ボンドコーティング（１１４）、又は遮熱コーティング（１１６）のいずれかである、請求項１記載の燃焼器ライナ（４０）。
【請求項３】
前記カバー層（７８）に隣接して配置された遮熱コーティング（１１６）を更に備える、請求項１記載の燃焼器ライナ（４０）。
【請求項４】
前記遮熱コーティング（１１６）と前記カバー層（７８）との間に配置されたボンドコーティング（１１４）を更に備える、請求項３記載の燃焼器ライナ（４０）。
【請求項５】
前記下流側末端部分（７２）が燃焼器ライナ基材（１１０）を含む、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の燃焼器ライナ（４０）。
【請求項６】
前記下流側末端部分（７２）が、燃焼器ライナ基材（１１０）とボンドコーティング（１１４）とを含み、前記複数のマイクロチャンネル（８０）が前記ボンドコーティング（１１４）内に画成される、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の燃焼器ライナ（４０）。
【請求項７】
前記カバー層（７８）が遮熱コーティング（１１６）を含む、請求項６記載の燃焼器ライナ（４０）。
【請求項８】
前記下流側末端部分（７２）が、燃焼器ライナ基材（１１０）、ボンドコーティング（１１４）、及び第１の遮熱コーティング（１１６）を含み、前記複数のマイクロチャンネル（８０）が前記第１の遮熱コーティング（１１６）内に画成される、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の燃焼器ライナ（４０）。
【請求項９】
前記複数のマイクロチャンネル（８０）が、前記長手方向軸線（７３）に対して直線的に延在する、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の燃焼器ライナ（４０）。
【請求項１０】
前記複数のマイクロチャンネル（８０）が、前記長手方向軸線（７３）に対して螺旋状に延在する、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の燃焼器ライナ（４０）。
【請求項１１】
前記下流側末端部分（７２）の外側表面（７６）が、複数のチャンネル（１２０）を画成し、該複数のチャンネル（１２０）の各々が、冷却媒体（６４）を貫流させて前記燃焼器ライナ（４０）を冷却し、前記複数の通路（９０）の少なくとも一部が更に前記チャンネル（１２０）の少なくとも一部に流体接続される、請求項１乃至請求項１０のいずれか１項記載の燃焼器ライナ（４０）。
【請求項１２】
前記冷却媒体（６４）が、前記複数のマイクロチャンネル（８０）から直接排出される、請求項１乃至請求項１１のいずれか１項記載の燃焼器ライナ（４０）。
【請求項１３】
前記カバー層（７８）が複数の排気通路（９２）を画成し、該複数の排気通路（９２）の各々が前記複数のマイクロチャンネル（８０）のうちの１つに流体接続され、前記マイクロチャンネル（８０）から冷却媒体（６４）を受け入れて前記カバー層（７８）に隣接して前記冷却媒体（６４）を排出するように構成される、請求項１乃至請求項１２のいずれか１項記載の燃焼器ライナ（４０）。
【請求項１４】
前記下流側末端部分（７２）の内側表面（７４）が更にプレナム（９４）を画成し、該プレナム（９４）が、前記複数のマイクロチャンネル（８０）から前記冷却媒体（６４）を受け入れるように構成される、請求項１乃至請求項１３のいずれか１項記載の燃焼器ライナ（４０）。
【請求項１５】
前記カバー層（７８）が複数の排気通路（９２）を画成し、該複数の排気通路（９２）の各々が、前記プレナム（９４）に流体接続され、前記プレナム（９４）から冷却媒体（６４）を受け入れて前記カバー層（７８）に隣接して前記冷却媒体（６４）を排出するように構成される、請求項１４記載の燃焼器ライナ（４０）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月23日(2014.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量％で、以下の組成：
Ｃ：０．４〜０．８
Ｓｉ：０．４〜１．２
Ｍｎ：０．２〜０．５５
Ｃｒ：３．５〜４．５
Ｗ：１．５〜４．０
Ｍｏ：１．０〜１．８
残部Ｆｅ及び不可避的不純物を有する鋼からなることを特徴とするストリップ鋼製品。
【請求項２】
Ｃの含有量が０．４５〜０．７質量％であることを特徴とする、請求項１に記載のストリップ鋼製品。
【請求項３】
Ｍｎの含有量が０．２０〜０．４０質量％であることを特徴とする、請求項１に記載のストリップ鋼製品。
【請求項４】
Ｗの含有量が１．５〜２．５質量％であることを特徴とする、請求項１に記載のストリップ鋼製品。
【請求項５】
前記鋼がタングステン及びクロムの炭化物を含み、前記炭化物が１μｍ未満の直径を有することを特徴とする、請求項１に記載のストリップ鋼製品。
【請求項６】
従来の冶金術により製造されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載のストリップ鋼製品。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のストリップ鋼製品で作られた印刷用途用のドクターブレード。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載のストリップ鋼製品で作られたパルプ及び製紙産業用のコーターブレード。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれかに記載のストリップ鋼製品で作られたパルプ及び製紙産業用のクレープブレード。
【請求項１０】
請求項１〜６のいずれかに記載のストリップ鋼製品で作られた印刷用途用のラベルダイ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月30日(2014.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カーカスとベルト補強構造とを有し、複数のフランジを備えるリムに取付けられる空気入りタイヤであって、
前記ベルト補強構造は、赤道面に対して５°以下の角度で配置された複数のコードを有する第１、第２及び第３のベルト層と、各々が前記タイヤの前記赤道面に対して５°から３０°傾斜し各横縁部の所の折り返し点まで交互に延びるコードの２つの層を形成する、第１及び第２のジグザグベルト補強構造とを有し、
前記第１のジグザグベルト補強構造は最も幅の広いベルト層であり、前記ベルト層のうちの１つは、前記第２のジグザグベルト補強構造の幅よりも大きな幅を有し、
前記第１、第２及び第３のベルト層のうちの少なくとも１つは、前記フランジ同士の間の前記リムの幅の１３％から４７％の範囲の幅を有する、空気入りタイヤ。
【請求項２】
前記第１、第２及び第３のベルト層のうちの少なくとも２つは、前記第２のジグザグベルト補強構造の幅よりも大きな幅を有する、請求項１に記載の空気入りタイヤ。
【請求項３】
前記第１および第２のベルト層は、２つのらせん層を形成しているらせん状に巻かれたコードによって形成されている、請求項１に記載の空気入りタイヤ。
【請求項４】
前記第１のジグザグベルト補強構造の幅Ｗｚと幅が最大であるベルト層の幅Ｗｓとの比は、０．６＜Ｗｓ／Ｗｚ＜１である、請求項１に記載の空気入りタイヤ。
【請求項５】
１つ以上の前記ベルト層は、ナイロンとアラミドの混合物で作られた複数のコードを有する、請求項１に記載の空気入りタイヤ。
【請求項６】
１つ以上の前記ベルト層は、アラミドで作られた複数のコードを有する、請求項１に記載の空気入りタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月23日(2014.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上の、ゲート電極と、
少なくとも亜鉛元素及びＳｉ元素を含む、酸化物半導体層と、
前記ゲート電極と、前記酸化物半導体層との間の、絶縁層とを有し、
前記酸化物半導体層の膜厚方向におけるＳｉ元素濃度は、前記ゲート電極に近い側から前記ゲート電極に遠い側に増加する濃度勾配を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記Ｓｉ元素濃度は、段階的に変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記Ｓｉ元素濃度は、連続的に変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面上の、ゲート電極と、
少なくとも亜鉛元素及びＳｉ元素を含む、酸化物半導体層と、
前記ゲート電極と、前記酸化物半導体層との間の、絶縁層とを有し、
前記酸化物半導体層は、
前記ゲート電極に近い側の、第１の酸化物半導体層と、
前記ゲート電極に遠い側の、第２の酸化物半導体層とを有し、
前記第１の酸化物半導体層は、一定濃度のＳｉ元素を含み、
前記第２の酸化物半導体層の膜厚方向におけるＳｉ元素濃度は、前記ゲート電極に近い側から前記ゲート電極に遠い側に増加する濃度勾配を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面上の、ゲート電極と、
少なくとも亜鉛元素及びＳｉ元素を含む、酸化物半導体層と、
前記ゲート電極と、前記酸化物半導体層との間の、絶縁層とを有し、
前記酸化物半導体層は、
前記ゲート電極に近い側の、第１の酸化物半導体層と、
前記ゲート電極に遠い側の、第２の酸化物半導体層とを有し、
前記第１の酸化物半導体層は、Ｓｉ元素を含まず、
前記第２の酸化物半導体層は、Ｓｉ元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、インジウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、ガリウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを有する第１のソースオペランドを示す命令を復号する復号器と、
前記命令に呼応して、前記命令で示されるデスティネーション格納位置に結果を格納する実行ユニットと、を備え、
前記命令は、第１範囲のビットの２つの端部を示す２つの値を明示的に指定し、前記値の少なくとも１つは、前記命令によって示されるレジスタとメモリロケーションの一方に提供され、
前記結果は、
前記第１範囲のビットの各ビットが、前記第１のソースオペランドの対応する位置にあるビットと値が等しい、前記第１範囲のビットと、
前記第１のソースオペランドの対応する位置にあるビットの値に関わらず、全てのビットが同じ値を持ち、前記第１範囲のビットより上位である第２範囲のビットと、
前記第１のソースオペランドの対応する位置にあるビットの値に関わらず、全てのビットが同じ値を持ち、前記第１範囲のビットより下位である第３範囲のビットと
を有する装置。
【請求項２】
前記２つ値のそれぞれが、レジスタとメモリロケーションの一方に提供される請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記実行ユニットは、前記結果の前記第１範囲のビットの位置に関わらず、前記第１のソースオペランドの前記対応する位置にある同じ値の前記ビットに対して前記結果の前記第１範囲のビットを移動させることなく、前記命令の実行を完了させる請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記命令は、２つのソースオペランドのみを示す請求項１から３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記値のそれぞれが、ビット位置を指定する請求項１から４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記値のそれぞれが、長さを指定する請求項１から４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記第２範囲のビットの全ビットが１であり、前記第３範囲のビットの全ビットが１である請求項１から６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記第２範囲のビットの全ビットがゼロ（０）であり、前記第３範囲のビットの全ビットがゼロ（０）である請求項１から６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
データを有する第１のソースオペランドを示す命令を復号する復号器と、
前記命令に呼応して、前記命令で示されるデスティネーション格納位置に結果を格納する実行ユニットと、を備え、
前記命令は、最上位ビット（ＭＳＢ）として第１範囲のビットの第１の端部を暗示的に示し、かつ、前記第１範囲のビットの第２の端部を示す値を指定し、
前記結果は、
前記第１範囲のビットの各ビットが、前記第１のソースオペランドの対応する位置にあるビットと値が等しく、前記結果の最も上位の部分にある前記第１範囲のビットと、
前記第１のソースオペランドの対応する位置にあるビットの値に関わらず、全てのビットが同じ値を持ち、前記結果の最も下位の部分にある第２範囲のビットと
を有する装置。
【請求項１０】
前記値は、前記命令によって示されるレジスタとメモリロケーションの一方で指定される請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記命令は、２つのソースオペランドのみを示す請求項９又は１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記実行ユニットは、前記結果の前記第１範囲のビットの位置に関わらず、前記第１のソースオペランドの前記対応する位置にある同じ値の前記ビットに対して前記結果の前記第１範囲のビットを移動させることなく、前記命令の実行を完了させる請求項９から１１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記第２範囲のビットの全ビットが１であり、第３範囲のビットの全ビットが１である請求項９から１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
前記第２範囲のビットの全ビットがゼロ（０）であり、第３範囲のビットの全ビットがゼロ（０）である請求項９から１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１５】
前記値のそれぞれが、ビット位置を指定する請求項９から１４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１６】
前記値のそれぞれが、長さを指定する請求項９から１４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１７】
データを有する第１のソースオペランドと、第１範囲のビットの１以上の端部を示す１以上の値を明示的に指定する、レジスタとメモリの一方にある第２のソースオペランドとを示す命令を受信する手段と、
前記命令のに呼応して、前記命令が示すデスティネーションオペランドに結果を格納する手段と
を備え、
前記結果は、
前記１以上の値により示された第１の端部を有し、前記第１範囲のビットの各ビットが、前記第１のソースオペランドの対応する位置にあるビットと値が等しい、前記第１範囲のビットと、
全てのビットが、前記第１のソースオペランドの対応する位置にあるビットの値に関わらず同じ値を持つ、第２範囲のビットと
を有し、
前記結果を格納する前記手段は、前記結果の前記第１範囲のビットの前記位置に関わらず、前記第１のソースオペランドの前記対応する位置にある同じ値の前記ビットに対して前記結果の前記第１範囲のビットを移動させることなく、前記命令の実行を完了させる装置。
【請求項１８】
前記命令は、２つのソースオペランドのみを示し、前記第２範囲のビットの全ビットがゼロ（０）である請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
システムであって、
指定されたビット位置から始まる上位ビットをゼロにする命令（ＢＺＨＩ命令）を格納するメモリと、前記命令を１以上の対応する命令に変換する命令変換ロジックと、前記メモリに連結され、前記１以上の対応する命令に呼応してデスティネーション格納位置に結果を格納するプロセッサと
を備え、
前記命令は、レジスタの第１のソースオペランドと、レジスタおよびメモリのうちいずれかの第２のソースオペランドとを示し、
前記命令は、前記第２のソースオペランドが３２ビットおよび６４ビットのうちいずれかであるようにし、
前記結果は、第１範囲のビットと第２範囲のビットとを含み、
前記第１範囲のビットは、前記ＢＺＨＩ命令が暗示的に示す最下位ビットにある第１の端部と、前記第１のソースオペランドの最下位バイトで明示的に指定されたビット位置より１ビット手前である第２の端部とを有し、
前記第１範囲の各ビットの値は、前記第２のソースオペランドの対応する位置にあるビットの値と等しく、
前記第２範囲のビットは、前記第１のソースオペランドの前記最下位バイトで明示的に指定された前記ビット位置から最上位ビットまでの範囲であり、前記第２範囲のビットの全ビットはゼロの値を有するシステム。
【請求項２０】
前記プロセッサはさらに、前記結果に応じてキャリーフラグを更新し、前記ＢＺＨＩ命令は、３バイトオペコードとＲＥＸプレフィックスを有する請求項１９に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】システムおよび装置