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【手続補正書】
【提出日】平成26年4月16日(2014.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明部材の一方の面側から該透明部材に向けて光を照射する光源と、
前記透明部材の他方の面に付着した異物によって反射された前記光源からの光、及び、前記他方の面側から前記透明部材を透過した光を撮像する撮像素子を有する撮像手段と、
前記透明部材と前記撮像素子との間に配置され、有効撮像領域の所定領域において所定の波長範囲の光のみ透過させる光学フィルタと、
前記撮像手段で撮像された撮像画像データを解析する画像解析手段と、を備え、
前記撮像画像データは、前記所定領域に対応する異物検出用の第１の画像領域を含む第１画像領域用フレームと、前記所定領域以外の前記有効撮像領域に対応する第２の画像領域を含む第２画像領域用フレームと、からなり、
前記画像解析手段は、前記撮像手段における前記第１画像領域用フレームの画素データの読み出しデータ量と、前記第２画像領域用フレームの読み出しデータ量とを異ならせることを特徴とする画像処理システム。
【請求項２】
前記撮像手段は、前記第１画像領域用フレームを第１の露光量で撮像するとともに、前記第２画像領域用フレームを第２の露光量で撮像することを特徴とする請求項１に記載の画像処理システム。
【請求項３】
前記第１画像領域用フレームの数が、前記第２画像領域用フレームの数よりも少ないことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の画像処理システム。
【請求項４】
前記画像解析手段は、前記第１画像領域用フレームの画素データの読み出しを前記第１の画像領域のみに対して行うことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の画像処理システム。
【請求項５】
前記画像解析手段は、前記第１画像領域用フレームを画素間引きして読み出すことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の画像処理システム。
【請求項６】
前記画像解析手段は、前記第２画像領域用フレームの画素データの読み出しを前記第２の画像領域のみに対して行うことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の画像処理システム。
【請求項７】
前記所定領域の面積が、前記所定領域以外の前記有効撮像領域の面積よりも小さいことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の画像処理システム。
【請求項８】
前記光学フィルタは、
使用帯域の光に対して透明な基板と、
前記基板上の前記透明部材側の前記有効撮像領域の全面に形成され、波長λ１〜λ２、λ３〜λ４（λ１＜λ２＜λ３＜λ４）の範囲の波長成分の光のみ透過させる第１の分光フィルタ層と、
前記基板上の前記撮像素子側の前記有効撮像領域の前記所定領域に形成され、波長λ３〜λ４の範囲の波長成分の光のみ透過させる第２の分光フィルタ層と、を有し、
前記波長λ３〜λ４の範囲に前記光源の発光波長が含まれることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の画像処理システム。
【請求項９】
画像処理システムと、
フロントガラスに付着した異物を除去するためのワイパーと、
前記画像処理システムが備える画像解析手段の異物検出結果を受けて、前記ワイパーを制御するための制御信号を生成するワイパー制御ユニットと、を備え、
前記画像処理システムは、
前記フロントガラスの一方の面側から該フロントガラスに向けて光を照射する光源と、
前記フロントガラスの他方の面に付着した異物によって反射された前記光源からの光、及び、前記他方の面側から前記フロントガラスを透過した光を撮像する撮像素子を有する撮像手段と、
前記フロントガラスと前記撮像素子との間に配置され、有効撮像領域の所定領域において所定の波長範囲の光のみ透過させる光学フィルタと、
前記撮像手段で撮像された撮像画像データを解析する前記画像解析手段と、を備え、
前記撮像画像データは、前記所定領域に対応する異物検出用の第１の画像領域を含む第１画像領域用フレームと、前記所定領域以外の前記有効撮像領域に対応する第２の画像領域を含む第２画像領域用フレームと、からなり、
前記画像解析手段は、前記撮像手段における前記第１画像領域用フレームの画素データの読み出しデータ量と、前記第２画像領域用フレームの読み出しデータ量とを異ならせることを特徴とする車両。
【請求項１０】
画像処理システムで実行される画像処理方法であって、
前記画像処理システムは、
透明部材の一方の面側から該透明部材に向けて光を照射する光源と、
有効撮像領域の所定領域において所定の波長範囲の光のみ透過させる光学フィルタと、を備え、
前記光学フィルタを透過した、前記透明部材の他方の面に付着した異物によって反射された前記光源からの光、及び、前記他方の面側から前記透明部材を透過した光を撮像する撮像ステップと、
前記撮像ステップで撮像された撮像画像データを解析する画像解析ステップと、を含み、
前記撮像ステップは、前記所定領域に対応する異物検出用の第１の画像領域を含む第１画像領域用フレームの撮像と、前記所定領域以外の前記有効撮像領域に対応する第２の画像領域を含む第２画像領域用フレームの撮像とを行い、
前記画像解析ステップは、前記第１画像領域用フレームの画素データの読み出しデータ量と、前記第２画像領域用フレームの読み出しデータ量とを異ならせることを特徴とする画像処理方法。
【請求項１１】
透明部材の一方の面側から該透明部材に向けて光を照射する光源と、
有効撮像領域の所定領域において所定の波長範囲の光のみ透過させる光学フィルタと、を備える画像処理システムとしてコンピュータを機能させるためのプログラムであって、
前記コンピュータに、
前記光学フィルタを透過した、前記透明部材の他方の面に付着した異物によって反射された前記光源からの光、及び、前記他方の面側から前記透明部材を透過した光を撮像する撮像ステップと、
前記撮像ステップで撮像された撮像画像データを解析する画像解析ステップと、を実行させ、
前記撮像ステップは、前記所定領域に対応する異物検出用の第１の画像領域を含む第１画像領域用フレームの撮像と、前記所定領域以外の前記有効撮像領域に対応する第２の画像領域を含む第２画像領域用フレームの撮像とを行い、
前記画像解析ステップは、前記第１画像領域用フレームの画素データの読み出しデータ量と、前記第２画像領域用フレームの読み出しデータ量とを異ならせることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月16日(2014.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電位系の信号を、前記第１の電位系よりも電源電位の差が大きい第２の電位系へと伝達するレベルシフター回路であって、
高電位側である第１の高電位と低電位側である第１の低電位とを電源電位とする前記第１の電位系の入力信号が入力され、前記第１の電位系の信号である第１の信号を出力する第１の回路と、
高電位側である第２の高電位と低電位側である第２の低電位とを電源電位とする前記第２の電位系の、前記入力信号に応じた出力信号を生成する第２の回路と、
前記入力信号が入力される、前記第１の電位系の信号であって前記入力信号と論理的に等価な第２の信号を生成するバッファー回路と、を含み、
前記第２の回路は、
前記第２の信号が入力され、第３の信号を出力するインバーター回路である初段インバーターと、
前記第１の信号に基づいて、前記初段インバーターと前記第２の高電位を供給する電源又は前記第２の低電位を供給する電源との接続、切断を切り換える初段スイッチと、
を含み、
前記第３の信号に基づいて前記出力信号を生成するレベルシフター回路。
【請求項２】
請求項１に記載のレベルシフター回路において、
前記第２の回路は、前記第３の信号を反転した信号を前記出力信号とするレベルシフター回路。
【請求項３】
請求項１乃至２のいずれか１項に記載のレベルシフター回路において、
前記第１の高電位と前記第２の高電位とを同電位とするレベルシフター回路。
【請求項４】
請求項３に記載のレベルシフター回路において、
前記第２の回路は、
前記入力信号がローレベルの場合に、前記初段スイッチによって前記初段インバーターを前記第２の低電位を供給する電源から切断し、
前記入力信号がハイレベルの場合に、前記初段スイッチによって前記初段インバーター
を前記第２の低電位を供給する電源に接続するレベルシフター回路。
【請求項５】
請求項１乃至２のいずれか１項に記載のレベルシフター回路において、
前記第１の低電位と前記第２の低電位とを同電位とするレベルシフター回路。
【請求項６】
請求項５に記載のレベルシフター回路において、
前記第２の回路は、
前記入力信号がハイレベルの場合に、前記初段スイッチによって前記初段インバーターを前記第２の高電位を供給する電源から切断し、
前記入力信号がローレベルの場合に、前記初段スイッチによって前記初段インバーターを前記第２の高電位を供給する電源に接続するレベルシフター回路。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載のレベルシフター回路において、
前記バッファー回路は、
偶数段のインバーターで構成されているレベルシフター回路。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のレベルシフター回路を含む集積回路装置。
【請求項９】
請求項８に記載の集積回路装置を含む電子時計。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月9日(2014.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微細空間内に機能部分を形成する方法であって、
熱溶解性を有する機能性微粉末を、液状分散媒中に分散させた分散系機能性材料を、微細空間内に充填し、
次に、前記微細空間内の前記液状分散媒を蒸発させ、
次に、加熱し、加圧しながら硬化させる、
工程を含む。
【請求項２】
微細空間内に機能部分を形成する方法であって、
機能性微粉末及び結合材微粉末を液状分散媒中に分散させた分散系機能性材料を、微細空間内に充填し、
次に、前記微細空間内の前記液状分散媒を蒸発させ、
次に、加熱し、加圧しながら硬化させる、
工程を含む、方法。
【請求項３】
請求項２に記載された方法であって、前記機能性微粉末及び前記結合材微粉末は、高融点金属微粉末及び低融点金属微粉末でなる、方法。
【請求項４】
微細空間内に機能部分を形成する方法であって、
機能性微粉末を液状分散媒中に分散させた分散系機能性材料を、微細空間内に充填し、
次に、前記微細空間内において、前記液状分散媒を蒸発させ、
次に、前記微細空間内の前記機能性微粉末の微粒子間の隙間に液状結合材を含浸させ、
次に、加熱し、加圧しながら硬化させる、
工程を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月6日(2014.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
放熱体１７には、熱伝導性、放熱性の良い材料が用いられる。例えば、放熱体１７には、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウムシリコンカーバイド（ＡｌＳｉＣ）、アルミニウムカーバイド（ＡｌＣ）、シリコンゴム等を用いることができる。放熱体１７は、プレス加工や成形法等により形成することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
実装する電子部品１３には、ここでは一例としてチップコンデンサを用いる。基板１１には、このようなチップコンデンサの一対の電極１３ａに合わせて、上記電極パッド１１ｂが設けられる。電子部品１３は、その電極１３ａが半田等の導電性の接合部材（図３では図示を省略）を用いて電極パッド１１ｂに接続され、基板１１に実装される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
次いで、このようにして基板１１の上に実装された半導体素子１２及び電子部品１３を封止する封止材の位置合わせを行う。
図５は第１の実施の形態に係る封止材位置合わせ工程の一例の説明図である。尚、図５において、（Ａ）は断面模式図、（Ｂ）は平面模式図であり、（Ａ）は（Ｂ）のＬ５−Ｌ５断面模式図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
次いで、図１３（Ｂ）のように、半田の熱伝導材１６を、放熱体１７０と半導体素子１２で挟み、固定する。半田の熱伝導材１６の表面には、通常、図１５のように、酸化膜１６ａが形成されている。尚、図１５では、熱伝導材１６の側面にのみ酸化膜１６ａを図示しているが、酸化膜１６ａは、熱伝導材１６と接合層１８及び放熱体１７０（接合層が形成されていればその接合層）との間にも存在し得る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
図１９は組み立て工程の一例を示す断面模式図である。尚、図１９（Ａ），（Ｂ）は組み立て工程の平面模式図である。
図１９のように、基板１１を上側、放熱体１７０を下側にして加熱と押圧を行った場合にも、上記同様、熱伝導材１６の表面の酸化膜が破れ、そこから内部の熱伝導材１６が流出する。例えば、図１９（Ａ）のように、その熱伝導材１６の流出部１６ｂに空気１００が含まれている、或いは流出の過程で空気１００が取り込まれる場合がある。その場合、その空気１００の加熱による膨張、押圧による収縮により、図１９（Ｂ）のように、流出部１６ｂの破裂が起こり、周囲に熱伝導材１６が飛散する場合がある。飛散した熱伝導材１６は、流出部１６ｂ付近の半導体素子１２の側面やアンダーフィル樹脂１５の表面（フィレット部）のほか、電子部品１３や基板１１にも付着し得る。飛散して付着した熱伝導材１６の場所や量によっては、短絡等の電気的不具合が起こり得る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
このほか、突起１７ｂは、図２４（Ａ）のような四角柱形状とすることができ、また、空気の取り込みをより効果的に抑制する観点から、図２４（Ｂ）のようにその根元部分１７ｃをテーパ状としたり、図２４（Ｃ）のように角錐台形状としたりすることもできる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
突起１７ｂを設けていない放熱体１７０を用いる半導体装置の組み立てでは、熱伝導材１６と半導体素子１２の位置ずれが比較的生じ易い。熱伝導材１６と半導体素子１２が位置ずれした状態で接合されると、半導体素子１２の上面側に熱伝導材１６で被覆されない領域ができ、動作時の半導体素子１２から放熱体１７０への伝熱性が低下する（熱抵抗が高くなる）可能性がある。その結果、半導体素子１２の過熱が起こって半導体素子１２の動作不良が発生する恐れがあり、また、半導体装置の組み立ての歩留まりも低下する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２９】
2013115083.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月28日(2014.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と負極とがセパレータを介して扁平形に捲回され、中心部に軸芯を有する扁平形捲回電極群を備えた角形リチウムイオン電池であって、
前記扁平形捲回電極群の捲回方向幅をＷ（ｍｍ）、該扁平形捲回電極群の平坦部の厚みをＸ（ｍｍ）、前記軸芯の層厚みをＹ（ｍｍ）としたときに、電極部厚みをＴ（ｍｍ）＝（Ｘ−Ｙ）としたときの比率Ｗ／Ｔが、１．７以上３．８以下であることを特徴とする角形リチウムイオン電池。
【請求項２】
前記比率Ｗ／Ｔが２．０以上３．３以下であることを特徴とする請求項１に記載の角形リチウムイオン電池。
【請求項３】
前記正極の厚み及び前記負極の厚みに対する合剤層の厚みの比率が０．９６〜０．７８であることを特徴とする請求項１または２に記載の角形リチウムイオン電池。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月3日(2014.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
上記、アルケンのヨウ化水素付加反応により、３−ヨード−２，２−ジメチルブタン、２−ヨードヘキサン、３−ヨードヘキサン、２−ヨード−４−メチルペンタン、３−ヨード−２−メチルペンタン、２−ヨード−３，３−ジメチルペンタン、４−ヨード−２，２−ジメチルペンタン、２−ヨードヘプタン、３−ヨード−ヘプタン、４−ヨードヘプタン、２−ヨード−３−メチルヘキサン、２−ヨード−４−メチルヘキサン、３−ヨード−４−メチルヘキサン、２−ヨード−５−メチルヘキサン、４−ヨード−２−メチルヘキサン、２−ヨード−３，３−ジメチルヘキサン、２−ヨード−３，４−ジメチルヘキサン、２−ヨード−５−メチルヘプタン、３−ヨード−５−メチルヘプタン、４−ヨード−３−メチルヘプタン、３−ヨード−オクタン、４−ヨードオクタン、２−ヨードオクタン、２−ヨードノナン、３−ヨードノナン、４−ヨードノナン、５−ヨードノナン、２−ヨード−３，３，５−トリメチルヘキサン、２−ヨードデカン、３−ヨードデカン、４−ヨードデカン、５−ヨードデカン、５−ヨードドデカン、６−ヨード−ドデカン、７−ヨードテトラデカン、９−ヨードトリコサン、１０−ヨードトリコサンを得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月12日(2014.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明のＬＥＤパッケージでは、上記凹部の開口の外周の形状の内接円または外接円の中心（開口が円の場合はその中心）を通り開口の外周との２つの交点を結ぶ直線の半分の寸法をｄ、上記凹部の深さをｈとした場合、上記開口面の最大傾斜角度αｍａｘは、式（２）を満たすことがより好ましい。あるいは、上記開口面の最大傾斜角度αｍａｘは、式（１）および式（２）をともに満たすだけでなく、式（２）のみを満たしてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明は、凹状の曲面形状からなる開口面における最大傾斜角度αｍａｘを、上記の式（１）および、式（２）、あるいは式（２）のみにより規定したことにより、光の取り出し効率が高く、立体的な嵩を抑え、低背化や小型化できると共に、容易に加工することができ、製造コストを抑えつつ、より信頼性が高いＬＥＤパッケージとその製造方法を提供することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部が形成されたフレームと、
上記凹部の底面の中心部に実装されたＬＥＤ素子と、
上記凹部に充填され、開口面を凹状の曲面形状に形成された透明構造体とを備え、
上記透明構造体の屈折率をｎ、上記透明構造体の外部の屈折率ｎ’（ｎ’＜ｎ）とした場合、上記開口面の最大傾斜角度αｍａｘは、式（１）を満たすことを特徴とするＬＥＤパッケージ。
αｍａｘ≧４５ｄｅｇ−ｓｉｎ−１（ｎ’／ｎ）＞０ｄｅｇ・・・・・（１）
【請求項２】
上記凹部の開口の外周の形状の内接円または外接円の中心（開口が円の場合はその中心）を通り開口の外周との２つの交点を結ぶ直線の半分の寸法をｄ、上記凹部の深さをｈとした場合、上記開口面の最大傾斜角度αｍａｘは、式（２）を満たすことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
αｍａｘ≧ｔａｎ−１（ｄ／ｈ）−ｓｉｎ−１（ｎ’／ｎ）・・・・・（２）
【請求項３】
凹部が形成されたフレームと、
上記凹部の底面の中心部に実装されたＬＥＤ素子と、
上記凹部に充填され、開口面を凹状の曲面形状に形成された透明構造体とを備え、
上記透明構造体の屈折率をｎ、上記透明構造体の外部の屈折率ｎ’（ｎ’＜ｎ）とし、
上記凹部の開口の外周の形状の内接円または外接円の中心（開口が円の場合はその中心）を通り開口の外周との２つの交点を結ぶ直線の半分の寸法をｄ、上記凹部の深さをｈとした場合、上記開口面の最大傾斜角度αｍａｘは、式（２）を満たすことを特徴とするＬＥＤパッケージ。
αｍａｘ≧ｔａｎ−１（ｄ／ｈ）−ｓｉｎ−１（ｎ’／ｎ）・・・・・（２）
【請求項４】
上記凹部の側壁は、傾斜していることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項５】
上記最大傾斜角度αｍａｘは、式（３）を満たすことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のＬＥＤパッケージ。
αｍａｘ≧５．０ｄｅｇ・・・・・（３）
【請求項６】
上記透明構造体が、透明性を有する硬化収縮性の樹脂系材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項７】
請求項６に記載のＬＥＤパッケージを製造するＬＥＤパッケージの製造方法であって、
上記ＬＥＤ素子を実装する工程と、
上記凹部に透明性を有する硬化収縮性の上記樹脂系材料を充填する工程と、
上記開口面の凹状の曲面形状を硬化収縮により形成する工程と、
を含むことを特徴とするＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項８】
上記硬化収縮が、熱硬化収縮、光硬化収縮、乾燥硬化収縮、化学処理収縮、紫外線硬化収縮、加圧収縮のうち少なくとも一つであることを特徴とする請求項７に記載のＬＥＤパッケージの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月6日(2014.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力の発電形態に関する属性情報が入力される入力部と、
前記属性情報に応じて前記属性情報に対応する電力の発電形態を判別する判別部と、
前記判別部による判別結果に応じて電力の使用を制御する電力制御部と、
を備える、電力制御装置。
【請求項２】
前記判別部は、前記属性情報に対応する電力が自然環境に対して影響が大きいエネルギーかを判別し、
前記電力制御部は、前記自然環境に対して影響が少ないエネルギーの使用を優先する、請求項１に記載の電力制御装置。
【請求項３】
前記判別部は、前記属性情報に対応する電力が再生可能エネルギーであるか枯渇性エネルギーであるかを判別し、
前記電力制御部は、前記再生可能エネルギーの使用を優先する、請求項２に記載の電力制御装置。
【請求項４】
前記判別部は、前記属性情報に対応する電力が温室効果ガスを所定値以上排出するエネルギーか否かを判別し、
前記電力制御部は、前記温室効果ガスの排出量が前記所定値未満のエネルギーの使用を優先する、請求項２に記載の電力制御装置。
【請求項５】
前記判別部は、前記属性情報に対応する電力が原子力エネルギーであるか否かを判別し、
前記電力制御部は、前記原子力エネルギーでないエネルギーの使用を優先する、請求項２に記載の電力制御装置。
【請求項６】
前記電力制御部は、発電形態ごとの電力の料金の関係に応じて電力の使用を制御する、請求項１に記載の電力制御装置。
【請求項７】
前記判別部は、前記属性情報に対応する電力が再生可能エネルギーであるか枯渇性エネルギーであるかを判別し、
前記電力制御部は、前記再生可能エネルギーの単位量当たりの料金と前記枯渇性エネルギーの単位量当たりの料金の関係に応じて電力の使用を制御する、請求項６に記載の電力制御装置。
【請求項８】
前記電力制御部は、前記再生可能エネルギーの単位量当たりの料金が前記枯渇性エネルギーの単位量当たりの料金と設定値との加算値を下回る場合、前記再生可能エネルギーの使用を選択する、請求項７に記載の電力制御装置。
【請求項９】
前記設定値は、地域または国によって指定された値である、請求項８に記載の電力制御装置。
【請求項１０】
前記電力制御部は、前記再生可能エネルギーの単位量当たりの料金と前記枯渇性エネルギーの単位量当たりの差分に応じた割合で前記再生可能エネルギーの使用と前記枯渇性エネルギーの使用を選択する、請求項８に記載の電力制御装置。
【請求項１１】
前記判別部は、前記属性情報に対応する電力が再生可能エネルギーであるか枯渇性エネルギーであるかを判別し、
前記電力制御部は、前記再生可能エネルギーの余剰電力がある場合には当該余剰電力が蓄電されるように制御する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電力制御装置。
【請求項１２】
前記判別部は、前記属性情報に対応する電力が再生可能エネルギーであるか枯渇性エネルギーであるかを判別し、
前記電力制御部は、前記枯渇性エネルギーの余剰電力がある場合には当該余剰電力の所定の割合が蓄電されるように制御する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電力制御装置。
【請求項１３】
前記電力制御部は、ピーク時間帯において使用する電力のうちの自家発電電力の割合が、他の時間帯より高くなるように電力の使用を制御する、請求項１に記載の電力制御装置。
【請求項１４】
前記電力制御部は、気象条件、温度または湿度に応じて優先的に使用する電力の発電形態を選択する、請求項１に記載の電力制御装置。
【請求項１５】
前記電力制御部は、今後に供給される再生可能エネルギーの予測値に応じて、蓄電池への蓄電を制御する、請求項１に記載の電力制御装置。
【請求項１６】
前記電力制御部は、枯渇性エネルギーの単位時間当たりの実使用量に応じて電力の使用を制御する、請求項１に記載の電力制御装置。
【請求項１７】
前記電力制御部は、電力に対応する他の属性情報に応じて電力の使用を制御する、請求項１に記載電力制御装置。
【請求項１８】
前記属性情報は、発電形態ごとの電力の構成比率を示し、
前記電力制御部は、前記属性情報の示す構成比率に従って電力の使用を制御する、請求項１に記載の電力制御装置。
【請求項１９】
前記電力制御部は、発電形態を指定して電力を要求する、請求項１に記載の電力制御装置。
【請求項２０】
送電部と、
前記送電部から送電される電力に、前記電力の発電形態に関する属性情報および優先度情報を付加する情報付加部と、
を備える、送電装置。
【請求項２１】
送電部、および
前記送電部から送電される電力に、前記電力の発電形態に関する属性情報を付加する情報付加部、
を有する送電装置と、
前記属性情報が入力される入力部、
前記属性情報に応じて前記属性情報に対応する電力の発電形態を判別する判別部、および、
前記判別部による判別結果に応じて電力の使用を制御する電力制御部、
を有する電力制御装置と、
を備える、電力制御システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月9日(2014.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性材でなり、底板部と相対向する一対の接極部と相対向する一対のコイル装着部とを有するヨークと、上記各コイル装着部に装着された励磁コイルと、磁性材でなり、上記一対の接極部間に設置された可動子とを備えており、
上記各接極部は、上記底板部の長手方向における両端部において、上記底板部の一方の面に略垂直に立設しており、且つ立設部と上記立設部内面の上端部における両方の隅部から、各々略垂直に突出した柱状の突出部とで形成されており、
上記各コイル装着部は、上記底板部の長手方向の中央部における幅方向の両端部において、上記底板部の一方の面に略垂直に立設しており、
上記各コイル装着部に装着された上記各励磁コイルどうしは、直列に接続されており、
上記可動子は、その長手方向が、上記各立設部間に配置され、その幅方向が、上記各接極部における上記２個の突出部間と上記各コイル装着部間とに配置され、その長手方向に移動可能な状態で設置されており、
永久磁石が、一方の接極部側に配置される一方の接極部側永久磁石と他方の接極部側に配置される他方の接極部側永久磁石とで形成され、且つ一方の上記接極部に対する上記一方の接極部側永久磁石の磁極の方向と他方の上記接極部に対する上記他方の接極部側永久磁石の磁極の方向とが逆になるようにして、上記各接極部あるいは上記可動子の各接極部側端部のいずれかに設けられた電磁アクチュエータ。
【請求項２】
上記永久磁石が、上記各突出部における、上記可動子の側面と対向する部分に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項３】
上記永久磁石が、上記各突出部の先端面に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項４】
上記永久磁石が、上記各立設部における上記可動子と対向する面に設けられた溝に設置されたことを特徴とする請求項１に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項５】
上記永久磁石が、上記可動子における各接極部側端部の側面に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項６】
上記立設部に孔を設け、上記可動子に、上記孔を挿通するとともにリレーの接点電極とつながる接続ロッドを接続し、上記接続ロッドの途中に、接圧バネを設けたことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項７】
上記可動子が、上記一方の接極部に当接した状態では、上記接圧バネが圧縮状態になり、上記他方の接極部に当接した状態では、上記接圧バネが伸張状態となるように、調整してあることを特徴とする請求項６に記載の電磁アクチュエータ。
【請求項８】
第１のケースとこの第１のケースに圧入される第２のケースとカバーとで構成される筐体と、上記第１のケースに設置される電磁アクチュエータと、外部端子として取り付けられた、第１の固定接触子とこの第１の固定接触子と開閉回路を形成する第１の可動接触子と、第２の固定接触子とこの第２の固定接触子と開閉回路を形成する第２の可動接触子とで構成される電磁リレーであって、上記電磁アクチュエータが請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の電磁アクチュエータであることを特徴とする電磁リレー。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月11日(2014.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体基板と第２の半導体基板が接合された半導体基板に形成された、アスペクト比が異なる第１の開口と第２の開口それぞれの下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行う第１の工程を含む
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の開口は、前記第１の半導体基板を貫通する貫通接続孔であり、前記第２の開口は、前記第１の半導体基板内の接続孔である
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の開口と第２の開口それぞれは、同一高さで、アスペクト比が異なる接続孔である
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の工程後に、同一チャンバで、前記バリアメタル膜の成膜のみを行う第２の工程をさらに含む
請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
第１の半導体基板と第２の半導体基板が接合された半導体基板に形成された、アスペクト比が異なる第１の開口と第２の開口それぞれの下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行う工程を含む製造方法により製造された
半導体装置。
【請求項６】
第１の半導体基板と第２の半導体基板が接合された半導体基板に形成された、アスペクト比が異なる第１の開口と第２の開口それぞれの下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行う工程を含む製造方法により製造された半導体装置
を備える電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
次いで、第２の半導体基板４５の表面上に、１層目の層間絶縁膜４９が形成され、その後、層間絶縁膜４９に接続孔を形成し、所要のトランジスタに接続する接続導体５４が形成される。高さの異なる接続導体５４の形成に際しては、前述と同様に、トランジスタ上面を含む全面に第１絶縁薄膜４３ａ、例えばシリコン酸化膜と、エッチングストッパとなる第２絶縁薄膜４３ｂ、例えばシリコン窒化膜が積層される。この第２絶縁薄膜４３ｂ上に１層目の層間絶縁膜４９が形成される。そして、１層目の層間絶縁膜４９に深さの異なる接続孔が、エッチングストッパとなる第２絶縁薄膜４３ｂまで選択的に形成される。次いで、各接続孔に連続するように、各部で同じ膜厚の第１絶縁薄膜４３ａ及び第２絶縁薄膜４３ｂを選択エッチングして接続孔が形成される。そして、各接続孔に接続導体５４が埋め込まれる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月7日(2014.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
以上のような磁気抵抗効果型磁気ヘッドの上に積層形成されたインダクティブ型磁気ヘッドは、第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２によって構成される磁気コアと、当該磁気コアを巻回するように形成された薄膜コイル１３３とを備えている。
上層コア１３２は、第２の磁気シールド１２７と共に閉磁路を形成して、このインダクティブ型磁気ヘッドの磁気コアとなるものであり、Ｎｉ−Ｆｅ等のような軟磁性材からなる。ここで、第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２は、それらの前端部が磁気記録媒体対向面に露呈し、且つ、それらの後端部において第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２が互いに接するように形成されている。ここで、第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２の前端部は、磁気記録媒体対向面において、第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２が所定の間隙ｇをもって離間するように形成されている。
すなわち、この複合型磁気ヘッド１００において、第２の磁気シールド１２７は、磁気抵抗効果素子１０１の上層側を磁気的にシールドするだけでなく、インダクティブ型磁気ヘッドの磁気コアも兼ねており、第２の磁気シールド１２７と上層コア１３２によってインダクティブ型磁気ヘッドの磁気コアが構成されている。そして間隙ｇが、インダクティブ型磁気ヘッドの記録用磁気ギャップとなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
また、第２の磁気シールド１２７上には、絶縁層１２３に埋設された薄膜コイル１３３が形成されている。ここで、薄膜コイル１３３は、第２の磁気シールド１２７及び上層コア１３２からなる磁気コアを巻回するように形成されている。図示していないが、この薄膜コイル１３３の両端部は、外部に露呈するようになされ、薄膜コイル１３３の両端に形成された端子が、このインダクティブ型磁気ヘッドの外部接続用端子となる。すなわち、磁気記録媒体への磁気信号の記録時には、これらの外部接続用端子から薄膜コイル１３３に記録電流が供給されることとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月29日(2014.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理容器と、
前記基板に対して、前記処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理容器を排気する排気手段と、
を有し、
前記排気手段は、前記処理容器と真空ポンプとを接続する排気配管を備え、前記排気配管の少なくとも一部が、リブ構造を有すると共に、排気方向と垂直な方向の断面が、長方形または楕円形状の部分を有する配管で構成される基板処理装置。
【請求項２】
前記排気配管の排気方向と垂直な方向の断面が長方形の部分では、前記長方形の断面の縦横比が８：１以下である請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
処理容器に収容された基板に対して、処理ガスを供給する工程と、
前記処理容器に接続され、少なくとも一部がリブ構造を有すると共に、排気方向と垂直な方向の断面が、長方形または楕円形状の部分を有する排気配管から前記処理ガスを排気する工程と、
を行う工程を有する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記処理ガスを供給する工程では、前記基板に対して前記処理ガスを供給することにより、高誘電率膜を形成する請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月24日(2014.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型を有する結晶シリコン基板と、
前記第１の導電型と反対の導電型である第２の導電型を有するアモルファスシリコンカーバイドからなり、前記結晶シリコン基板上に堆積された半導体層と、
前記半導体層と前記結晶シリコン基板との間に設けられ、アモルファスシリコンカーバイドからなるバッファ層と、
前記半導体層と前記結晶シリコン基板との間に設けられたシリコン薄膜とを備える光電変換素子。
【請求項２】
前記シリコン薄膜は、前記バッファ層と前記結晶シリコン基板との間に配置される、請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項３】
前記シリコン薄膜は、厚み方向において前記バッファ層によって挟まれている、請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項４】
前記シリコン薄膜は、前記半導体層と前記バッファ層との間に配置される、請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項５】
第１の導電型を有する結晶シリコン基板上にアモルファスシリコンカーバイドからなるバッファ層を堆積する第１の工程と、
前記第１の導電型と反対の導電型である第２の導電型を有するアモルファスシリコンカーバイドからなる半導体層を前記バッファ層上に堆積する第２の工程と、
前記半導体層と前記結晶シリコン基板との間に配置されるようにシリコン薄膜を堆積する第３の工程とを備える光電変換素子の製造方法。
【請求項６】
前記第３の工程は、前記第１の工程の前に実行される、請求項５に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項７】
前記バッファ層は、第１および第２のバッファ層からなり、
前記第１の工程は、
前記第１のバッファ層を前記結晶シリコン基板上に堆積する第１のサブ工程と、
前記第２のバッファ層を前記第１のバッファ層上に堆積する第２のサブ工程とを含み、
前記第３の工程は、前記第１のサブ工程と前記第２のサブ工程との間に実行される、請求項５に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項８】
前記第３の工程は、前記第１の工程と前記第２の工程との間に実行される、請求項５に記載の光電変換素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月30日(2014.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極パッドが外周に沿って矩形枠状に配列された半導体素子と、前記半導体素子の各々の電極パッドに対応して形成された複数の接続パッドを有する配線基板と、を有する半導体装置の製造方法であって、
前記複数の接続パッドは、対応する前記電極パッドの配列方向と直交する方向に沿って延びる矩形状に形成され、
前記複数の接続パッドの上面に、中央部が膨出するようにはんだを披着し、
前記半導体素子の電極パッドに立設されて前記接続パッドと接続される柱状の電極端子を、前記矩形枠状に配列された複数の電極パッドのうち、前記半導体素子の一辺に沿って配列された前記複数の電極パッドに対応する複数の電極端子を、前記電極パッドの中心から全て同じ方向にずらして前記電極パッド上に形成し、
前記接続パッドに前記電極端子を前記はんだにより電気的に接続する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記電極端子の先端面にはんだを形成し、
前記接続パッド上のはんだと、前記電極端子先端のはんだとにより、前記接続パッドに前記電極端子を接続する、
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
複数の前記電極端子を、前記電極パッドの中心から、前記半導体素子の外側にずれた位置に形成する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
複数の前記電極端子を、前記電極パッドの中心から、前記半導体素子の内側にずれた位置に形成する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記はんだは、前記電極パッドの中心から見た前記電極端子のずれ方向とは反対の方向に移動することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
複数の電極パッドが外周に沿って矩形枠状に配列された半導体素子と、
前記半導体素子の各々の電極パッドに対応し、対応する前記電極パッドの配列方向と直交する方向に沿って延びる矩形状に形成された複数の接続パッドを有する配線基板と、
前記半導体素子の電極パッドに接続され、その中心軸が前記電極パッドの中心から前記電極パッドの配列方向と直交する方向に沿って、内側と外側の何れか一方にずれた位置に形成された柱状の電極端子と、
前記接続パッドと前記電極端子とを互いに電気的に接続する前記はんだと、
を有し、
前記矩形枠状に配列された複数の電極パッドのうち、前記半導体素子の一辺に沿って配列された前記複数の電極パッドに対応する複数の電極端子は、前記電極パッドの中心から全て同じ方向にずれて形成されること、
を特徴とする半導体装置。
【請求項７】
複数の前記電極端子は、前記電極パッドの中心から、前記半導体素子の外側にずれた位置に形成された、ことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
複数の前記電極端子は、前記電極パッドの中心から、前記半導体素子の内側にずれた位置に形成された、ことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記はんだは、前記電極パッドの中心から見た前記電極端子のずれ方向とは反対の方向に移動することを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
外周に沿って矩形枠状に配列された複数の電極パッドと、
前記電極パッドに接続され、前記電極パッドの中心から、前記電極パッドの配列方向と直交する方向に沿って、内側と外側の何れか一方にずれた位置に形成された柱状の電極端子と、
を有し、
前記矩形枠状に配列された複数の電極パッドのうち、前記外周の一辺に沿って配列された前記複数の電極パッドに対応する複数の電極端子は、前記電極パッドの中心から全て同じ方向にずれて形成されること、
を特徴とする半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一観点によれば、複数の電極パッドが外周に沿って矩形枠状に配列された半導体素子と、前記半導体素子の各々の電極パッドに対応して形成された複数の接続パッドを有する配線基板と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記複数の接続パッドは、対応する前記電極パッドの配列方向と直交する方向に沿って延びる矩形状に形成され、前記複数の接続パッドの上面に、中央部が膨出するようにはんだを披着し、前記半導体素子の電極パッドに立設されて前記接続パッドと接続される柱状の電極端子を、前記矩形枠状に配列された複数の電極パッドのうち、前記半導体素子の一辺に沿って配列された前記複数の電極パッドに対応する複数の電極端子を、前記電極パッドの中心から全て同じ方向にずらして前記電極パッド上に形成し、前記接続パッドに前記電極端子を前記はんだにより電気的に接続する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月12日(2014.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】貼り合わせ装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を設置する第１の設置台と、
接合基板を設置する第２の設置台と、
前記半導体基板と前記接合基板を貼り合わせるための駆動装置と、
前記第１の設置台を加熱する第１の温度調整装置を備えることを特徴とする貼り合わせ装置。
【請求項２】
半導体基板を設置する第１の設置台と、
接合基板を設置する第２の設置台と、
前記半導体基板と前記接合基板を貼り合わせるための駆動装置と、
前記第２の設置台を冷却する第２の温度調整装置を備えることを特徴とする貼り合わせ装置。
【請求項３】
半導体基板を設置する第１の設置台と、
接合基板を設置する第２の設置台と、
前記半導体基板と前記接合基板を貼り合わせるための駆動装置と、
前記第１の設置台を加熱する第１の温度調整装置と、
前記第２の設置台を冷却する第２の温度調整装置を備えることを特徴とする貼り合わせ装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２の設置台の前記接合基板を設置する面が、前記第１の設置台の前記半導体基板を設置する面より広く、
前記第１の設置台を複数台備えることを特徴とする貼り合わせ装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の設置台は、前記第２の設置台に対して傾きを有し、
前記傾きは、前記第２の設置台に前記接合基板を設置し、前記第１の設置台に前記半導体基板を設置した際において、前記半導体基板に対向する前記接合基板の一面と、前記接合基板に対向する前記半導体基板の一面との角度差が０度超３度未満であり、
前記第１の設置台の前記半導体基板を設置する面が、前記半導体基板より小さいことを特徴とする貼り合わせ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月30日(2014.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複数の電極パッドが配列形成された半導体素子と、
各々の前記電極パッドに対応して配列された複数の接続パッドを有する配線基板と、
前記電極パッドに接続された円柱状の基端部と、前記基端部から突出するように形成された誘導部とを有し、柱状に形成された複数の電極端子と、
前記誘導部と前記接続パッドとを互いに電気的に接続するはんだと、
を有し、
前記誘導部は、前記基端部と面一な外周を有する円柱にその外周の一部を残すように切り欠きが形成された形状であり、平面視断面積が前記基端部の平面視断面積よりも小さく、外周の一部が前記基端部の外周の一部と面一な円弧状の外周を有し、前記基端部の外周と面一な円弧状の外周側に向って前記はんだを誘導するように形成されたこと、
を特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
一主面に配列形成された複数の電極パッドと、
前記電極パッドに接続され、柱状に形成された複数の電極端子と、
を有し、
前記電極端子は、前記電極パッドに接続された円柱状の基端部と、前記基端部から突出するように形成された誘導部とを備え、
前記誘導部は、前記基端部と面一な外周を有する円柱にその外周の一部を残すように切り欠きが形成された形状であり、
前記誘導部の外周の一部は、基端部の外周の一部と面一な円弧状であり、
前記誘導部の平面視断面積は、前記基端部の平面視断面積よりも小さく、
前記誘導部は、前記電極パッドと対応して配線基板に形成された接続パッドとはんだにより互いに電気的に接続されること
を特徴とする半導体素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
複数の電極パッドが配列形成された半導体素子と、前記半導体素子の各々の電極パッドに対応して配列された複数の接続パッドを有する配線基板と、を有する半導体装置の製造方法であって、
前記電極パッドに接続される円柱状の基端部と、前記基端部から突出するように形成された誘導部とを含み、前記誘導部は、前記基端部と面一な外周を有する円柱にその外周の一部を残すように切り欠きが形成された形状であり、前記基端部の外周の一部と面一な円弧状の外周を有し、前記誘導部の平面視断面積は前記基端部の平面視断面積よりも小さい、柱状の電極端子を形成し、
前記誘導部と前記接続パッドをはんだにより互いに電気的に接続し、
前記はんだによる電気的な接続に際し、前記誘導部は前記基端部の外周と面一な円弧状の外周側に向って前記はんだを誘導すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一観点によれば、複数の電極パッドが配列形成された半導体素子と、各々の前記電極パッドに対応して配列された複数の接続パッドを有する配線基板と、前記電極パッドに接続された円柱状の基端部と、前記基端部から突出するように形成された誘導部とを有し、柱状に形成された複数の電極端子と、前記誘導部と前記接続パッドとを互いに電気的に接続するはんだを有し、前記誘導部は、前記基端部と面一な外周を有する円柱にその外周の一部を残すように切り欠きが形成された形状であり、平面視断面積が前記基端部の平面視断面積よりも小さく、外周の一部が前記基端部の外周の一部と面一な円弧状の外周を有し、前記基端部の外周と面一な円弧状の外周側に向って前記はんだを誘導するように形成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
めっき法により形成される電極端子１３は、長さにばらつきが生じる。従って、電極端子１３ａよりも短い電極端子１３ｂの場合、電極端子１３ｂと接続パッド２２ｂの間に、はんだ３１ｂ，３２ｂが残存し、これらによるはんだ３０ｂにより、電極端子１３ｂと接続パッド２２ｂが電気的に接続される。このように、はんだ３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂの量を多くすることにより、長さにばらつきが生じる電極端子１３ａ，１３ｂは、それぞれに対応する接続パッド２２ａ，２２ｂと接続される。従って、ばらつきによる接続不良を低減することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
また、先端部がテーパ状に形成されるとともに先端を平坦に形成した電極端子を用いるようにしてもよい。
例えば、図１９（ａ）に示すように、電極端子１１１ａは、略円柱状に形成され、先端部１１２ａを斜めに切り欠いて傾斜面１１３ａが形成されている。同様に、図１９（ｂ）に示すように、電極端子１１１ｂは、矩形柱状に形成され、先端部１１２ｂを斜めに切り欠いて傾斜面１１３ｂが形成されている。このように形成された電極端子１１１ａ，１１１ｂは、図１９（ｃ）に示すように、先端部１１２ａ，１１２ｂの方向にはんだを誘導する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体からの入射光を光電変換し電気信号として出力する撮像素子を含む撮像部と、
前記撮像部を介して得られる画像の動きを示す画像変化の大きさに応じて、前記撮像素子の欠陥画素を検出するために用いる補正の基準を変化させる画像変化検出部と、
前記補正の基準に基づいて、前記撮像素子の欠陥画素を検出し、前記欠陥画素の画素値を補正する欠陥画素補正部と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記画像変化検出部は、
前記画像変化の大きさが相対的に大きいほど、前記撮像素子の欠陥画素が検出されやすくなるように、前記補正の基準を変化させる
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記画像変化検出部は、前記補正の基準を欠陥画素判定閾値で設定し、前記画像変化の大きさに応じて、前記欠陥画素判定閾値を変化させ、
前記欠陥画素補正部は、前記撮像部を介して取得した画像に対して、前記撮像素子の欠陥についての検査対象の画素である中心画素の画素値と、前記中心画素以外の画素である参照画素の画素値との差分を算出し、前記差分と前記欠陥画素判定閾値とを比較し、前記差分が前記欠陥画素判定閾値よりも大きい場合、前記中心画素が欠陥画素であると判定して、前記中心画素の画素値を補正して、撮像補正信号を生成する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記画像変化検出部は、
前記画像変化の大きさが所定の閾値以上の場合の前記欠陥画素判定閾値を、前記画像変化の大きさが前記所定の閾値未満の場合の前記欠陥画素判定閾値より小さくする
ことを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記撮像素子から出力される信号の大きさを制御する利得調整部と画像信号処理部と、
をさらに備え、
前記欠陥画素補正部は、前記利得調整部から出力される信号を取得して、その取得した信号に対して、前記欠陥画素の画素値を補正して、撮像補正信号を生成し、
前記画像信号処理部は、前記撮像補正信号に所定の処理を施し、映像信号を生成し、
前記画像変化検出部は、前記撮像補正信号の変化または前記映像信号の変化から画像変化の大きさを算出し、算出した前記画像変化の大きさに応じて、前記補正の基準を変化させる
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記画像変化検出部は、
前記画像変化の大きさを、画像変化の速度、画像変化の時間のいずれかまたは双方に基づいて決定する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項７】
被写体からの入射光を光電変換し電気信号として出力する撮像素子を含み、前記撮像素子から出力される信号に所定の処理を施し、映像信号を生成する撮像装置と、
前記撮像装置から得られる映像信号の画像の動きを示す画像変化の大きさに応じて、前記撮像素子の欠陥画素を検出するために用いる補正の基準を変化させる画像変化検出部と、前記補正の基準に基づいて、前記撮像素子の欠陥画素を検出し、前記欠陥画素の画素値を補正する欠陥画素補正部と、を有する監視装置と
を備えることを特徴とする監視システム。
【請求項８】
前記画像変化検出部は、
前記画像変化の大きさが相対的に大きいほど、前記撮像素子の欠陥についての検査対象の画素である中心画素の欠陥が検出されやすくなるように、前記補正の基準を変化させる
ことを特徴とする請求項７に記載の監視システム。
【請求項９】
前記画像変化検出部は、
前記画像変化の大きさを、画像変化の速度、画像変化の時間のいずれかまたは双方に基づいて決定する
ことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の監視システム。
【請求項１０】
被写体からの入射光を光電変換し電気信号として出力する撮像素子を含む撮像部を備え、前記撮像素子の欠陥画素を検出する撮像装置の画像処理方法であって、
前記撮像装置は、
前記撮像部を介して得られる画像の動きを示す画像変化の大きさに応じて、前記撮像素子の欠陥画素を検出するために用いる補正の基準を変化させる画像変化検出ステップと、
前記補正の基準に基づいて、前記撮像素子の欠陥画素を検出し、前記欠陥画素の画素値を補正する欠陥画素補正ステップと、
を実行することを特徴とする撮像方法。
【請求項１１】
前記画像変化検出ステップでは、
前記画像変化の大きさを、画像変化の速度、画像変化の時間のいずれかまたは双方に基づいて決定する
ことを特徴とする請求項１０に記載の撮像方法。