【手続補正書】
【提出日】平成26年9月22日(2014.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリセルのメモリセルアレイを含む不揮発性メモリ装置で動作電圧を発生する方法において、
前記不揮発性メモリ装置の現在温度を含む少なくとも１つのメモリセル条件を検出する段階と、
前記メモリセルアレイの選択されたメモリセルに印加される動作電圧を発生する段階と、
前記少なくとも１つのメモリセル条件に応答して前記動作電圧を補償する段階と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つのメモリセル条件は、
前記現在温度に加えて、前記選択されたメモリセルのプログラムされた状態、前記メモリセルアレイの前記選択されたメモリセルの位置、前記選択されたメモリセルに関連するページ情報、及び前記メモリセルアレイの前記選択されたメモリセルに関連する選択されたワードラインの位置の中の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つのメモリセル条件は、前記不揮発性メモリ装置の許容できる温度動作範囲に属する複数の温度範囲を含み、
前記動作電圧を補償する段階は、
前記複数の温度範囲の各１つに複数の補償シフトの中の異なる１つをそれぞれ割当る段階と、
前記現在温度を含む前記複数の温度範囲の中で現在温度範囲を決定する段階と、
前記現在温度範囲に対応する前記動作電圧に前記複数の補償シフトの中の１つを適用する段階と、を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記動作電圧は、前記不揮発性メモリ装置によって遂行される読出し動作の間に前記選択されたメモリセルの閾値電圧分布を識別するのに使用される読出し電圧と、前記不揮発性メモリ装置によって遂行されるプログラム動作の間に前記選択されたメモリセルの閾値電圧分布を識別するのに使用される読出し検証電圧との中の１つであることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記選択されたメモリセルは、第１プログラム状態と第２プログラム状態とにしたがってプログラムされるように構成され、
前記少なくとも１つのメモリセル条件は、前記現在温度を含む温度範囲と前記選択されたメモリセルの前記プログラムされた状態とを含み、
前記動作電圧を補償する段階は、
前記選択されたメモリセルが前記第１プログラム状態にプログラムされる時、前記動作電圧に第１補償シフトを適用する段階と、
前記選択されたメモリセルが前記第２プログラム状態にプログラムされる時、前記第１補償シフトとは異なる第２補償シフトを前記動作電圧に適用する段階と、を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記動作電圧は、前記不揮発性メモリ装置によって遂行される読出し動作の間に前記選択されたメモリセルの閾値電圧分布を識別するのに使用される読出し電圧と、前記不揮発性メモリ装置によって遂行されるプログラム動作の間に前記選択されたメモリセルの閾値電圧分布を識別するのに使用される読出し検証電圧との中の１つであることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記選択されたメモリセルは、前記メモリセルアレイの第１ワードラインに関連する第１メモリセルと、前記メモリセルアレイの第２ワードラインに関連する第２メモリセルとの中の１つであり、
前記少なくとも１つのメモリセル条件は、前記メモリセルアレイの前記選択されたワードラインの位置を含み、
前記動作電圧を補償する段階は、
前記選択されたメモリセルが前記第１メモリセルであれば、前記メモリセルアレイの前記第１ワードラインの位置に対応する前記動作電圧に第１補償シフトを適用する段階と、
前記選択されたメモリセルが前記第２メモリセルであれば、前記メモリセルアレイの前記第２ワードラインの位置に対応する前記動作電圧に前記第１補償シフトとは異なる第２補償シフトを適用する段階と、を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記動作電圧は、前記不揮発性メモリ装置によって遂行される読出し動作の間に前記選択されたメモリセルの閾値電圧分布を識別するのに使用される読出し電圧と、前記不揮発性メモリ装置によって遂行されるプログラム動作の間に前記選択されたメモリセルの閾値電圧分布を識別するのに使用される読出し検証電圧との中の１つであることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つのメモリセル条件は、前記不揮発性メモリ装置の許容できる温度動作範囲に属する複数の温度範囲、前記選択されたメモリセルのプログラムされたデータ状態、及び前記メモリセルアレイの選択されたワードラインの位置を含み、
前記動作電圧を補償する段階は、
前記現在温度を含む前記複数の温度範囲の中で現在温度範囲を考慮して前記動作電圧に第１補償シフトを適用する段階と、
前記選択されたメモリセルのプログラムされた状態を考慮して前記動作電圧に第２補償シフトを適用する段階と、
前記メモリセルアレイの選択されたワードラインの位置を考慮して前記動作電圧に第３補償シフトを適用する段階と、を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１補償シフト、前記第２補償シフト、及び前記第３補償シフトは前記動作電圧に順次的に適用されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１補償シフト、前記第２補償シフト、及び前記第３補償シフトは前記動作電圧に同時に適用されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
動作電圧発生器と不揮発性メモリセルのメモリセルアレイとを含む不揮発性メモリ装置を含むメモリシステムで動作電圧を発生する方法において、
前記メモリセルアレイのトリム情報領域にトリム情報を格納する段階と、
前記不揮発性メモリ装置のパワーアップの時、そして前記トリム情報の使用の時、複数の補償オフセット値を格納する少なくとも１つのルックアップテーブルを構成する段階と、
前記不揮発性メモリ装置の現在温度を検出する段階と、
前記不揮発性メモリ装置によるアクセス動作の実行を開始するアクセス命令を入力した後、前記現在温度に応答して前記少なくとも１つのルックアップテーブルに格納された複数の補償オフセット値の中で１つのオフセット値を選択することによって補償された動作電圧を発生する段階と、
前記補償された動作電圧を利用して前記アクセス動作を遂行する段階と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記動作電圧を利用して正常動作電圧を発生する段階と、
前記選択されたオフセット値に応答して前記正常動作電圧を調整する段階と、を含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数の補償オフセット値の中で前記オフセット値を選択する段階は、前記現在温度に応答して前記複数のオフセット値の中で第１オフセット値を選択し、メモリセル条件に応答して前記複数のオフセット値の中で第２オフセット値を選択する段階と、
前記選択されたオフセット値に応答して前記正常動作電圧を調整する段階は、前記第１オフセット値と前記第２オフセット値とに応答して前記正常動作電圧を順次的に調整する段階と、を含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記メモリセル条件は、前記メモリセルアレイの選択されたメモリセルのプログラムされたデータ状態、前記メモリセルアレイに属する前記選択されたメモリセルに関連する選択されたワードラインの位置、前記選択されたメモリセルに関連するページ情報、及び前記メモリセルアレイに属する前記選択されたメモリセルの位置の中の少なくとも１つの条件を含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記補償された動作電圧を発生する段階は、
前記選択されたオフセット値を利用して補償オフセット値を発生する段階と、
前記動作電圧発生器を利用して前記補償オフセット値にしたがって前記補償された動作電圧を発生する段階と、を含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記補償オフセット値を発生する段階は、
前記現在温度に応答して前記複数のオフセット値の中で第１オフセット値を選択する段階と、
メモリセル条件に応答して前記複数のオフセット値の中で第２オフセット値を選択する段階と、
前記第１オフセット値と前記第２オフセット値とを組合せて前記補償オフセット値を発生する段階と、を含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記メモリセル条件は、前記メモリセルアレイの選択されたメモリセルのプログラムされたデータ状態、前記メモリセルアレイに属する前記選択されたメモリセルに関連する選択されたワードラインの位置、前記選択されたメモリセルに関連するページ情報、及び前記メモリセルアレイに属する前記選択されたメモリセルの位置の中の少なくとも１つの条件を含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
不揮発性メモリ装置において、
前記不揮発性メモリ装置の動作を制御する制御ロジックと、
不揮発性メモリセルのメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイに属する選択されたメモリセルに印加される補償された動作電圧を発生する動作電圧発生器と、を含み、
前記動作電圧発生器は、
現在温度を検出し対応する温度コードの発生する温度コード発生器と、
複数の温度範囲に各々対応する複数の第１オフセット値を格納する第１ルックアップテーブルと、
メモリセル条件の変化に各々対応する複数の第２オフセット値を格納する第２ルックアップテーブルと、を含み、
前記制御ロジックは、前記温度コードに応答して前記第１オフセット値の中で１つ、及び前記メモリセル条件の決定された変化に応答して前記第２オフセット値の中で１つを選択し、
前記動作電圧発生器は、前記第１オフセット値と前記第２オフセット値とに応答して前記補償された動作電圧を発生する不揮発性メモリ装置。
【請求項２０】
前記メモリセル条件の変化は、前記選択されたメモリセルのプログラムされたデータ状態に各々対応する請求項１９に記載の不揮発性メモリ装置。
【請求項２１】
前記メモリセル条件の変化は、前記選択されたメモリセルに関連する前記メモリセルアレイに属する少なくとも１つのワードラインの位置に各々対応する請求項１９に記載の不揮発性メモリ装置。
【請求項２２】
前記メモリセル条件の変化は、前記選択されたメモリセルに関連するページ情報に各々対応する請求項１９に記載の不揮発性メモリ装置。
【請求項２３】
前記メモリセル条件の変化は、前記選択されたメモリセルに関連する前記メモリセルアレイに属する前記選択されたメモリセルの位置に各々対応する請求項１９に記載の不揮発性メモリ装置。
【請求項２４】
前記動作電圧は、前記不揮発性メモリ装置によって遂行される読出し動作の間に前記選択されたメモリセルの閾値電圧分布を識別するのに使用される読出し電圧と、前記不揮発性メモリ装置によって遂行されるプログラム動作の間に前記選択されたメモリセルの閾値電圧分布を識別するのに使用される読出し検証電圧との中の１つである請求項１９に記載の不揮発性メモリ装置。
【請求項２５】
少なくとも１つの不揮発性メモリ装置と、
バッファーメモリを含み、前記不揮発性メモリ装置を制御するように構成された制御器と、
前記制御器と外部装置間のインターフェイスを提供するインターフェイスと、を含み、
前記少なくとも１つの不揮発性メモリ装置は、
前記少なくとも１つの不揮発性メモリ装置の動作を制御する制御ロジックと、
不揮発性メモリセルのメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイに属する選択されたメモリセルに印加される補償された動作電圧を発生する動作電圧発生器と、を含み、
前記動作電圧発生器は、
現在温度を検出し対応する温度コードの発生する温度コード発生器と、
複数の温度範囲に各々対応する複数の第１オフセット値を格納する第１ルックアップテーブルと、
メモリセル条件の変化に各々対応する複数の第２オフセット値を格納する第２ルックアップテーブルと、を含み、
前記制御ロジックは、前記温度コードに応答して前記第１オフセット値の中で１つ、及び前記メモリセル条件の決定された変化に応答して前記第２オフセット値の中で１つを選択し、
前記動作電圧発生器は、前記第１オフセット値と前記第２オフセット値とに応答して前記補償された動作電圧を発生するメモリカード。