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【手続補正書】
【提出日】平成26年3月7日(2014.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記２番目に硬化感度の低いインクは、前記イエローのインクである請求項３に記載のインクジェット記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
活性エネルギーの付与により硬化する硬化性インクを吐出するノズルが第１の方向に所定のピッチＰで配置されたノズル列であって、シアン、マゼンタ、イエロー、ブラックの４色の濃インク、及び前記濃インクと同色系の淡インクのうち少なくとも１色の淡インクをそれぞれ吐出するＮ個（Ｎ≧５）の色毎のノズル列を有するインクジェットヘッドと、前記ノズルから吐出され、記録媒体の記録面に打滴されたインク滴に前記活性エネルギーを付与する活性エネルギー付与手段と、前記インクジェットヘッドと前記活性エネルギー付与手段とを前記第１の方向に直交する第２の方向に沿って配置して保持する保持手段と、を備えたインクジェット記録装置の制御方法において、
前記インクジェットヘッドの各ノズル列を、前記第１の方向について、ノズルをＰ／Ｎずつずらして配置すると共に前記インクジェットヘッドに対する前記記録媒体の相対移動の最上流側に最も硬化感度の低いインクのノズルを配置し、かつ２つの異なる前記濃インクのノズルの間に前記淡インクのノズルを配置する配置工程と、
前記保持手段により保持された前記インクジェットヘッド及び前記活性エネルギー付与手段を前記記録媒体の各領域に対して所定の回数だけ相対的に走査させながら前記記録媒体の記録面に画像を形成させる制御工程であって、前記記録媒体の相対移動の上流側に配置されたノズルのインクほど前記記録媒体の記録面に近い層に配置して前記記録媒体の記録面に画像を形成させる制御工程と、
を備えたインクジェット記録装置の制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
前記目的を達成するためにインクジェット記録装置の制御方法の一の態様は、活性エネルギーの付与により硬化する硬化性インクを吐出するノズルが第１の方向に所定のピッチＰで配置されたノズル列であって、シアン、マゼンタ、イエロー、ブラックの４色の濃インク、及び濃インクと同色系の淡インクのうち少なくとも１色の淡インクをそれぞれ吐出するＮ個（Ｎ≧５）の色毎のノズル列を有するインクジェットヘッドと、ノズルから吐出され、記録媒体の記録面に打滴されたインク滴に活性エネルギーを付与する活性エネルギー付与手段と、インクジェットヘッドと活性エネルギー付与手段とを第１の方向に直交する第２の方向に沿って配置して保持する保持手段と、を備えたインクジェット記録装置の制御方法において、インクジェットヘッドの各ノズル列を、第１の方向について、ノズルをＰ／Ｎずつずらして配置するとともにインクジェットヘッドに対する記録媒体の相対移動の最上流側に最も硬化感度の低いインクのノズルを配置し、かつ２つの異なる濃インクのノズルの間に淡インクのノズルを配置する配置工程と、保持手段により保持されたインクジェットヘッド及び活性エネルギー付与手段を記録媒体の各領域に対して所定の回数だけ相対的に走査させながら記録媒体の記録面に画像を形成させる制御工程であって、最も硬化感度の低いインクから記録媒体の相対移動の上流側に位置するノズルのインクの順に記録媒体の記録面に近い層に配置して記録媒体の記録面に画像を形成させる制御工程を備えたインクジェット記録装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月27日(2013.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニッケル及びコバルトと、鉄、マグネシウム、マンガンの何れか１つ以上を少なくとも含む不純物金属とを含有する硫酸水溶液に硫化水素ガスを吹き込み、ニッケル及びコバルトを含む硫化物を形成する硫化処理から得られる貧液中に残留した金属イオンを中和除去する中和処理方法であって、
上記貧液に対して、第１の中和剤として炭酸カルシウムスラリーを用い、ｐＨ５．０〜６．０の範囲を終点として中和処理を行う第１の中和処理工程と、
上記第１の中和処理工程で得られた溶液に、第２の中和剤として消石灰スラリーを用いて中和処理を施し、上記貧液中に残留した金属を含む沈殿物と該金属イオンが除去された中和終液とを得る第２の中和処理工程と
を有することを特徴とする中和処理方法。
【請求項２】
上記第１の中和処理工程における終点のｐＨを５．４〜５．８の範囲とすることを特徴とする請求項１に記載の中和処理方法。
【請求項３】
上記第２の中和処理工程では、ｐＨ８．５〜９．５の範囲を終点として中和処理を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の中和処理方法。
【請求項４】
上記硫酸水溶液は、ニッケル酸化鉱石からニッケルを回収する高温加圧浸出に基づく湿式製錬方法において、浸出工程、固液分離工程、及び中和工程を経て回収されるニッケル及びコバルトと、鉄、マグネシウム、マンガンの何れか１つ以上を少なくとも含む不純物金属とを含有する硫酸水溶液からなる母液であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の中和処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、本発明に係る中和処理方法は、ニッケル及びコバルトと、鉄、マグネシウム、マンガンの何れか１つ以上を少なくとも含む不純物金属とを含有する硫酸水溶液に硫化水素ガスを吹き込み、ニッケル及びコバルトを含む硫化物を形成する硫化処理から得られる貧液中に残留した金属イオンを中和除去する中和処理方法であって、上記貧液に対して、第１の中和剤として炭酸カルシウムスラリーを用い、ｐＨ５．０〜６．０の範囲を終点として中和処理を行う第１の中和処理工程と、第１の中和処理工程で得られた溶液に、第２の中和剤として消石灰スラリーを用いて中和処理を施し、上記貧液中に残留した金属を含む沈殿物と該金属イオンが除去された中和終液とを得る第２の中和処理工程とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月23日(2014.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）酸基を有する高分子化合物、（Ｂ）希釈剤、及び、（Ｃ）溶剤を含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
【請求項２】
前記高分子化合物（Ａ）が、カルボン酸基を有するポリウレタン樹脂、（メタ）アクリル系重合体、又は、ノボラック樹脂である、請求項１に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
【請求項３】
更に、（Ｄ）活性光線又は放射線の照射によりラジカル又は酸を発生する化合物を含有する、請求項１又は２に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
【請求項４】
更に、（Ｅ）熱によりラジカル又は酸を発生する化合物を含有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
【請求項５】
前記化合物（Ｅ）が、有機過酸化物である、請求項４に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
【請求項６】
前記希釈剤（Ｂ）が、ラジカル又は酸の作用により架橋することが可能な反応性化合物である、請求項３〜５のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
【請求項７】
シリコン貫通電極形成用である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
【請求項８】
基板と、前記基板上に、請求項１〜７のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層とを有する接着性支持体。
【請求項９】
披処理部材の第１の面と基板とを、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層を介して接着させる工程、
前記披処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程、及び、
前記接着性層から前記処理済部材の第１の面を脱離する工程
を有する、前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記披処理部材の第１の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の前に、前記接着性層の、前記披処理部材の第１の面に接着される面に対して、活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有する、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
披処理部材の第１の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の後、かつ、前記披処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程の前に、前記接着性層を５０℃〜３００℃の温度で加熱する工程を更に有する、請求項９又は１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記接着性層から前記処理済部材の第１の面を脱離する工程が、前記接着性層にアルカリ水溶液又は剥離溶剤を接触させる工程を含む、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記アルカリ水溶液が、界面活性剤を、前記アルカリ水溶液の総質量に対して０．１〜２０質量％の割合で含有する、請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記剥離溶剤が、アセトン、アニソール、シクロヘキサノン、エタノールアミン、ヘキサン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、又は、フッ素系溶剤である、請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
〔１〕  （Ａ）酸基を有する高分子化合物、（Ｂ）希釈剤、及び、（Ｃ）溶剤を含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
〔２〕  前記高分子化合物（Ａ）が、カルボン酸基を有するポリウレタン樹脂、（メタ）アクリル系重合体、又は、ノボラック樹脂である、上記〔１〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔３〕  更に、（Ｄ）活性光線又は放射線の照射によりラジカル又は酸を発生する化合物を含有する、上記〔１〕又は〔２〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔４〕  更に、（Ｅ）熱によりラジカル又は酸を発生する化合物を含有する、上記〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔５〕  前記化合物（Ｅ）が、有機過酸化物である、上記〔４〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔６〕  前記希釈剤（Ｂ）が、ラジカル又は酸の作用により架橋することが可能な反応性
化合物である、上記〔３〕〜〔５〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔７〕  シリコン貫通電極形成用である、上記〔１〕〜〔６〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔８〕  基板と、前記基板上に、上記〔１〕〜〔７〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層とを有する接着性支持体。
〔９〕  披処理部材の第１の面と基板とを、上記〔１〕〜〔７〕のいずれか1項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層を介して接着させる工程、
前記披処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程、及び、
前記接着性層から前記処理済部材の第１の面を脱離する工程
を有する、前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法。
〔１０〕  前記披処理部材の第１の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の前に、前記接着性層の、前記披処理部材の第１の面に接着される面に対して、活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有する、上記〔９〕に記載の半導体装置の製造方法。
〔１１〕  披処理部材の第１の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の後、かつ、前記披処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程の前に、前記接着性層を５０℃〜３００℃の温度で加熱する工程を更に有する、上記〔９〕又は〔１０〕に記載の半導体装置の製造方法。
〔１２〕  前記接着性層から前記処理済部材の第１の面を脱離する工程が、前記接着性層にアルカリ水溶液又は剥離溶剤を接触させる工程を含む、上記〔９〕〜〔１１〕のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
〔１３〕  前記アルカリ水溶液が、界面活性剤を、前記アルカリ水溶液の総質量に対して０．１〜２０質量％の割合で含有する、上記〔１２〕に記載の半導体装置の製造方法。
〔１４〕  前記剥離溶剤が、アセトン、アニソール、シクロヘキサノン、エタノールアミン、ヘキサン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、又は、フッ素系溶剤である、上記〔１２〕に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月14日(2014.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
貫通穴を有する部材を、貫通穴を有する固定部に取り付ける際に、雄ねじ部材を、前記部材の貫通穴と前記固定部の貫通穴とを介して、雌ねじ部材に螺合する構成のものにおいて、
前記雌ねじ部材は、本体と、この本体を貫通する貫通穴を備え、この貫通穴は雌ねじ部と、前記雄ねじ部材が貫通可能で横断面積が前記雌ねじ部の横断面積より広い凹部とが直列に連結した形状であることを特徴とする部材取り付け装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
貫通穴を有する部材を、貫通穴を有する固定部に取り付ける際に、雄ねじ部材を、前記部材の貫通穴と前記固定部の貫通穴とを介して、雌ねじ部材に螺合する構成のものにおいて、
前記雌ねじ部材は、本体と、この本体を貫通する貫通穴と、この貫通穴に連通するように、前記本体に溶接されたナットとを備え、前記本体を貫通する貫通穴は前記雄ねじ部材が貫通可能でその横断面積が前記ナットの雌ねじ部の横断面積より広い形状であることを特徴とする部材取り付け装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、貫通穴を有する部材を、貫通穴を有する固定部に取り付ける際に、雄ねじ部材を、前記部材の貫通穴と前記固定部の貫通穴とを介して、雌ねじ部材に螺合する構成のものにおいて、前記雌ねじ部材は、本体と、この本体を貫通する貫通穴を備え、この貫通穴は雌ねじ部と、前記雄ねじ部材が貫通可能で横断面積が前記雌ねじ部の横断面積より広い凹部とが直列に連結した形状としたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
更に本発明は、貫通穴を有する部材を、貫通穴を有する固定部に取り付ける際に、雄ねじ部材を、前記部材の貫通穴と前記固定部の貫通穴とを介して、雌ねじ部材に螺合する構成のものにおいて、前記雌ねじ部材は、本体と、この本体を貫通する貫通穴と、この貫通穴に連通するように、前記本体に溶接されたナットとを備え、前記本体を貫通する貫通穴は前記雄ねじ部材が貫通可能でその横断面積が前記ナットの雌ねじ部の横断面積より広い形状であることを特徴としたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月12日(2014.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係るロータリ式圧縮機は、仕切板を挟んで積層された圧縮機構部をクランクシャフトにより駆動し、該クランクシャフトは両側の軸受でそれぞれ支持されるロータリ式圧縮機において、前記クランクシャフトは、異なる外径で形成された２つの軸部と、異なる外径で形成された２つの偏芯軸部と、を有し、前記仕切板は、前記クランクシャフトが貫通し前記偏芯軸部の外径のいずれよりも小さい内径の貫通孔を有し、前記クランクシャフトを包囲するように分割されているものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
仕切板を挟んで積層された圧縮機構部をクランクシャフトにより駆動し、該クランクシャフトは両側の軸受でそれぞれ支持されるロータリ式圧縮機において、
前記クランクシャフトは、異なる外径で形成された２つの軸部と、異なる外径で形成された２つの偏芯軸部と、を有し、
前記仕切板は、前記クランクシャフトが貫通し前記偏芯軸部の外径のいずれよりも小さい内径の貫通孔を有し、前記クランクシャフトを包囲するように分割されている
ことを特徴とするロータリ式圧縮機。
【請求項２】
前記クランクシャフトの小径側の軸部と小径側の偏芯軸部とが隣接して配置され、
前記クランクシャフトの大径側の軸部と大径側の偏芯軸部とが隣接して配置されている
ことを特徴とする請求項１記載のロータリ式圧縮機。
【請求項３】
前記クランクシャフトの小径側の軸部の外径は、大径側の軸部の外径の０．８倍以上０．９倍以下である
ことを特徴とする請求項１または２記載のロータリ式圧縮機。
【請求項４】
前記クランクシャフトの小径側の偏芯軸部の外径は、大径側の偏芯軸部の外径の０．８６倍以上０．９４倍以下である
ことを特徴とする請求項１または２記載のロータリ式圧縮機。
【請求項５】
前記クランクシャフトの小径側の偏芯軸部の外径は、大径側の偏芯軸部の外径の０．９２５倍である
ことを特徴とする請求項４記載のロータリ式圧縮機。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月4日(2013.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電性を有するシート状基板と、前記シート状基板を挟む複数の導電性薄膜を備えた第１トランスデューサー素子と、前記シート状基板を挟む複数の導電性薄膜を備えた第２トランスデューサー素子と、が、
前記第１トランスデューサー素子の領域上の点を有する接平面と前記第２トランスデューサー素子の領域上の点を有する接平面とを交差させるように、弾性部材の内部に設置されていることを特徴とするセンサー装置。
【請求項２】
請求項１に記載のセンサー装置において、
前記第１トランスデューサー素子の領域上の点を有する接平面と前記第２トランスデューサー素子の領域上の点を有する接平面とのなす角度が垂直であることを特徴とするセンサー装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のセンサー装置において、
前記シート状基板は切れ込みを有し、該切れ込みの隙間が広げられていて、
前記シート状基板のうち、前記切れ込みによって分割される一方に前記第１トランスデューサー素子を有し、他方に前記第２トランスデューサー素子を有することを特徴とするセンサー装置。
【請求項４】
圧電性を有するシート状基板と、前記シート状基板を挟む複数の導電性薄膜を備えた第１トランスデューサー素子と、前記シート状基板を挟む複数の導電性薄膜を備えた第２トランスデューサー素子と、が前記第１トランスデューサー素子の領域上の点を有する接平面と前記第２トランスデューサー素子の領域上の点を有する接平面とを同じ向きにするように、弾性部材の内部に設置されていることを特徴とするセンサー装置。
【請求項５】
請求項４に記載のセンサー装置において、
前記シート状基板は切れ込みを有し、該切れ込みの隙間が広げられていて、
前記シート状基板のうち、前記切れ込みによって分割される一方に前記第１トランスデューサー素子を有し、他方に前記第２トランスデューサー素子を有することを特徴とするセンサー装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のセンサー装置を有するセンサー装置アレイであって、
前記センサー部が前記シート状基板に複数設置されたことを特徴とするセンサー装置アレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月19日(2013.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
ノズルに熱によって溶解（膨潤）したポリマーを送ることで、溶媒にて膨潤したものと同様に静電溶融ナノファイバーを生成できることを可能としたことを特徴とした請求項１のナノファイバーの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
マルチノズルにおいてノズルとノズル間に誘電体からなる電界干渉遮蔽板を設置することでノズル間での電界干渉をなくし高密度にノズルを配置することを可能としたことを特徴とした請求項１のナノファイバーの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月25日(2013.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の非回転部に固定されるキャリアと、該キャリアに摺動可能に支持されディスクの両面に配置される一対の摩擦パッドと、該一対の摩擦パッドのうち一方の摩擦パッドを押圧するピストンを有し前記キャリアに摺動可能に支持されるキャリパとを有するディスクブレーキにおいて、
前記キャリアには、車両前進時のディスク回入側に配置され、前記ディスクを跨いでディスク軸方向に延出し、前記一対の摩擦パッドが摺動する一つのトルク受けピンが設けられ、
前記一対の摩擦バッドは、それぞれの前記ディスク回入側に前記トルク受けピンが挿通する挿通孔が形成され、また、前記挿通孔以外の部位に前記キャリパに係合する係合部が形成され、
前記一つのトルク受けピンは、前記車両前進時の制動中に前記一対の摩擦パッドに発生するそれぞれのディスク回転方向の制動トルクを当該一つのトルク受けピンだけで受けることを特徴とするディスクブレーキ。
【請求項２】
前記係合部は、前記一対の摩擦パッドのそれぞれの車両前進時のディスク回出側に形成され、ディスク軸方向に沿い、且つ、前記摩擦パッドの中心と前記ディスクの中心とを結ぶ線に直交する方向に沿う平面部を有し、該平面部により前記キャリパ側に当接することを特徴とする請求項１記載のディスクブレーキ。
【請求項３】
前記係合部は、前記キャリパに支持されるパッドピンが挿通する係合孔であり、該係合孔と前記パッドピンとは、車両前進時の制動トルクを受けないようにディスク回転方向に隙間が設けられていることを特徴とする請求項２記載のディスクブレーキ。
【請求項４】
前記係合部は、前記一対の摩擦パッドのそれぞれに、前記トルク受けピンの中心と前記摩擦パッドの周方向の中心との距離のほぼ２倍の距離だけ前記トルク受けピンの中心から離れた位置に形成され、前記キャリパに支持されるパッドピンが挿通する係合孔であることを特徴とする請求項２記載のディスクブレーキ。
【請求項５】
前記一対の摩擦パッドは、ディスク周方向の中心が、前記挿通孔と前記係合孔とを結ぶ線分の中心と、ディスク周方向の位置が一致していることを特徴とする請求項３または４記載のディスクブレーキ。
【請求項６】
前記一つのトルク受けピンは、前記一対の摩擦パッドが摺動する部位が、円形状となっていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項記載のディスクブレーキ。
【請求項７】
前記トルク受けピンは、前記キャリアへの固定部からディスク軸方向で前記ディスクから離間する方向に延出して前記キャリパを摺動可能に支持する部位を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項記載のディスクブレーキ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、キャリアに、車両前進時のディスク回入側に配置され、ディスクを跨いでディスク軸方向に延出し、一対の摩擦パッドが摺動する一つのトルク受けピンが設けられ、一対の摩擦バッドは、それぞれのディスク回入側に前記トルク受けピンが挿通する挿通孔が形成され、前記一つのトルク受けピンは、前記車両前進時の制動中に前記一対の摩擦パッドに発生するそれぞれのディスク回転方向の制動トルクを当該一つのトルク受けピンだけで受ける構成とした。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月4日(2014.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂Ａ、樹脂Ｂ及び顔料を含有する、インクジェット用のインクにおいて、
前記顔料が、前記樹脂Ｂにより分散されてなるハロゲン化金属フタロシアニン顔料であり、
前記樹脂Ａがカルボキシ基を有するランダム共重合体であり、前記樹脂Ｂがカルボキシ基を有するブロック共重合体であり、かつ、前記樹脂Ａの酸価が前記樹脂Ｂの酸価よりも低く、
さらに、ｐＫａが４．３以下である官能基及びｐＫａが５．０以上６．６以下である官能基を有する多塩基酸を含有することを特徴とするインク。
【請求項２】
前記樹脂Ａの酸価が、前記樹脂Ｂの酸価に対する比率で、０．６０以上０．８５以下である請求項１に記載のインク。
【請求項３】
前記インク中の、前記樹脂Ａの含有量（質量％）が、前記樹脂Ｂの含有量（質量％）に対する質量比率で、０．０５倍以上１．５０倍以下である請求項１又は２に記載のインク。
【請求項４】
前記多塩基酸のｐＫａが５．０以上６．６以下である官能基量（ｍｍｏｌ／ｋｇ）が、前記樹脂Ａのカルボキシ基量（ｍｍｏｌ／ｋｇ）に対する比率で、０．０１３以上１．０００以下である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインク。
【請求項５】
前記多塩基酸の分子量が、３００以下である請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインク。
【請求項６】
前記インク中の、前記樹脂Ａの含有量（質量％）が、インク全質量を基準として、０．１質量％以上５．０質量％以下である請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインク。
【請求項７】
前記インク中の、前記樹脂Ｂの含有量（質量％）が、インク全質量を基準として、０．１質量％以上５．０質量％以下である請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインク。
【請求項８】
前記インク中の、前記ハロゲン化金属フタロシアニン顔料の含有量（質量％）が、インク全質量を基準として、１．０質量％以上２０．０質量％以下である請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインク。
【請求項９】
前記インク中の、前記多塩基酸の含有量（質量％）が、インク全質量を基準として、０．００１０質量％以上０．５００質量％以下である請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインク。
【請求項１０】
インクを収容するインク収容部を有するインクカートリッジであって、前記インク収容部に収容されたインクが、請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインクであることを特徴とするインクカートリッジ。
【請求項１１】
インクをインクジェット方式で吐出して記録媒体に画像を記録するインクジェット記録方法であって、前記インクが、請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインクであることを特徴とするインクジェット記録方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月4日(2013.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表されるポルフィラジン系化合物又はその塩と、カルボキシル基を有
する芳香族化合物及び／又はその塩を含んでなることを特徴とするインク組成物。
【化１】
2012122029.tif 000001
（式（１）中、  破線で表される環Ａ乃至Ｄは、それぞれ独立にポルフィラジン環に縮環したベンゼン環又は６員環の含窒素複素芳香環を表し、含窒素複素芳香環の個数は平均値で０．００を超えて３．００以下であり、残りはベンゼン環であり、  ＥはＣ２−Ｃ１２アルキレンを表し、  Ｘは、置換基として、スルホ基、カルボキシ基、リン酸基、スルファモイル基、カルバモイル基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基、アミノ基、モノＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、モノＣ６−Ｃ１０アリールアミノ基、ジＣ６−Ｃ１０アリールアミノ基、Ｃ１−Ｃ３アルキルカルボニルアミノ基、ウレイド基、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキルスルホニル基、及びＣ１−Ｃ６アルキルチオ基よりなる群から選択される１種類又は２種類以上の置換基を有しても良い、スルホアニリノ基、カルボキシアニリノ基、ホスホノアニリノ基、スルホナフチルアミノ基、カルボキシナフチルアミノ基又はホスホノナフチルアミノ基であり、  Ｒは水素原子；スルホ基；カルボキシ基；リン酸基；スルファモイル基；カルバモイル基；ヒドロキシ基；Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基；アミノ基；モノＣ１−Ｃ６アルキルアミノ基；ジＣ１−Ｃ６アルキルアミノ基；モノアリールアミノ基；ジアリールアミノ基；Ｃ１−Ｃ３アルキルカルボニルアミノ基；ウレイド基；Ｃ１−Ｃ６アルキル基；ニトロ基；シアノ基；ハロゲン原子；Ｃ１−Ｃ６アルキルスルホニル基；又はアルキルチオ基；を表し、  基Ｆはフェニル基；又は、６員含窒素複素芳香環基；を表し、
ａは１以上６以下の整数を表し、
ｂは平均値で０．００以上３．９０未満であり、
ｃは平均値で０．１０以上４．００未満であり、
且つｂ及びｃの和は、平均値で１．００以上４．００未満である。）
【請求項２】
前記式（１）で表されるポルフィラジン系化合物又はその塩において、
環Ａ乃至Ｄにおける含窒素複素芳香環がそれぞれ独立に、２位及び３位で、又は３位及
び４位で縮環したピリジン環；若しくは、２位及び３位で縮環したピラジン環であり、
Ｅが直鎖Ｃ２−Ｃ４アルキレンであり、
Ｘが、置換基として、スルホ基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ
基、アミノ基、モノＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、Ｃ１
−Ｃ３アルキルカルボニルアミノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキルスル
ホニル基及びアルキルチオ基より成る群から選択される１種類又は２種類の置換基を、０
乃至２つ有しても良い、スルホアニリノ基；置換基として、スルホ基、カルボキシ基、ヒ
ドロキシ基、及びスルファモイル基よりなる群から選択される１種類又は２種類の置換基
を０乃至２つ有しても良いカルボキシアニリノ基；ホスホノアニリノ基；若しくは、置換
基として、スルホ基及びヒドロキシ基から選択される１種類又は２種類の置換基を０乃至
２つ有しても良いスルホナフチルアミノ基；であり、
Ｒが水素原子；スルホ基；カルボキシ基；Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基；Ｃ１−Ｃ６アルキ
ル基；又はハロゲン原子；であり、
基Ｆがフェニル基；又は、Ｒが水素原子であるピリジル基；であり、
ａが１又は２の整数である、請求項１に記載のインク組成物。
【請求項３】
前記式（１）で表されるポルフィラジン系化合物又はその塩において、
環Ａ乃至Ｄにおける含窒素複素芳香環が、それぞれ独立に２位及び３位で縮環したピリ
ジン環であり、
Ｅが、エチレンであり、
Ｘが、置換基としてスルホ基を０又は１つ有しても良いスルホアニリノ基；若しくは、
置換基としてスルホ基を２つ有する、スルホナフチルアミノ基であり、
Ｒが水素原子、スルホ基、又はカルボキシ基であり、
基Ｆがフェニル基、又は、Ｒが水素原子であるピリジル基であり、
ａが１の整数であり、
ｂが平均値で０．００以上３．９０未満であり、
ｃが平均値で０．１０以上４．００未満であり、
且つｂ及びｃの和は、平均値で１．００以上４．００未満である請求項１又は２に記載
のインク組成物。
【請求項４】
前記カルボキシル基を有する芳香族化合物及び／又はその塩が、ナフタレン骨格を持つ
化合物及び／又はその塩である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のインク組成物。
【請求項５】
前記ナフタレン骨格を持つ化合物及び／又はその塩が、
１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、
６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−メトキシ−２−ナフトエ酸、６−メトキシ−２−
ナフトエ酸、６−エトキシ−２−ナフトエ酸、６−プロポキシ−２−ナフトエ酸及びそれ
らの塩からなる群から選ばれる一種又は２種以上である、請求項１〜４のいずれか一項に
記載のインク組成物。
【請求項６】
前記カルボキシル基を有する芳香族化合物及び／又はその塩をインク組成物全量に対して  ０．１〜１０質量％含んでなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載のインク組成物。
【請求項７】
更に、下記式（２）で表される化合物を含んでなる、請求項１〜６のいずれか一項に記
載のインク組成物。
【化２】
2012122029.tif 000002
（式（２）中、  Ｍは、水素原子、金属元素、金属酸化物、金属水酸化物、または金属ハロゲン化物を表し、  Ｚ1〜Ｚ4は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、またはヘテロ環基を表し、特にアルキル基、アリール基、ヘテロ環基を表し、各々はさらに置換基を有してもよい。）
【請求項８】
更に、ノニオン系界面活性剤を含んでなる、請求項１〜７のいずれか一項に記載のイン
ク組成物。
【請求項９】
更に、浸透促進剤を含んでなる、請求項１〜８のいずれか一項に記載のインク組成物。
【請求項１０】
インク組成物の液滴を吐出し、該液滴を記録媒体に付着させて記録を行うインクジェッ
ト記録方法であって、インク組成物として請求項１〜９のいずれか一項に記載のインク組
成物を使用することを特徴とするインクジェット記録方法。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか一項に記載のインク組成物を用いて記録された、又は請求項１
０に記載の記録方法により記録されたことを特徴とする記録物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月4日(2013.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
標本からの光を検出して電気信号に変換するセルを複数有するマルチセル光検出器と、
該マルチセル光検出器により変換された電気信号を増幅する増幅回路とを備え、
該増幅回路が、
各前記セルにより変換された電気信号のそれぞれの増幅率を設定する設定部と、
該設定部により設定された増幅率に応じて１画素として積算する電気信号のサンプリング数を決定し、決定したサンプリング数の電気信号を積算する積算部とを備える光検出装置。
【請求項２】
各前記セルにより変換された電気信号にゲインを乗じて、前記積算部の増幅幅よりも小さな増幅幅で各前記セルにより変換された電気信号を増幅するゲイン増幅部を備える請求項１に記載の光検出装置。
【請求項３】
前記設定部により設定された増幅率に応じて、前記サンプリング数と前記ゲインとを決定する増幅分担決定部を備える請求項２に記載の光検出装置。
【請求項４】
前記積算部により積算された複数の各前記セルの電気信号を合算する合算部を備える請求項１から請求項３いずれかに記載の光検出装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４いずれかに記載の光検出装置と、
標本からの光をスペクトル成分に分光する分光素子とを備え、
各前記セルが、前記分光素子の分光方向に配列され、前記分光素子により分光されたスペクトル成分をそれぞれ検出する観察装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月3日(2013.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
サイン演算部２７２およびコサイン演算部２７４は、例えば、予め求められたサインとコサインの値をテーブルとしてメモリに保存しておき、式７、式８の｛  ｝内の値に応じてテーブルを参照してサイン信号とコサイン信号を生成するよう構成してもよい。サイン信号の振幅レンジを１２ｂｉｔ、時間分解能を１０ｂｉｔ（１０２４）とした場合に必要なメモリ容量は、１２ｂｉｔ×１０２４＝１２．２８８ｋｂｉｔである。また、ｓｉｎ信号の振幅レンジを１６ｂｉｔ、時間分解能を１２ｂｉｔ（４０９６）とした場合に必要なメモリ容量は、１６ｂｉｔ×４０９６＝６５．５３６ｋｂｉｔである。これらのメモリ容量は、ＦＰＧＡやＡＳＩＣ、またはＤＳＰ等に内蔵されているメモリを使用することにより容易に実現することができる。また、ＰＬＬ２５０の演算は、乗算器および加算器ともに数個程度で実現できるため、デジタル信号処理の演算負荷は極めて低くすることが可能となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2012122850.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月3日(2013.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のグループの中から、入力された入力分光データに対応するグループを判別する情報処理装置であって、
前記複数のグループそれぞれに属する複数の参照分光データに対して主成分分析を行うことによって得られる主成分データを入力する入力手段と、
前記複数のグループそれぞれについて、前記主成分データを用いて前記入力分光データを近似することにより得られる近似分光データと前記入力分光データとの差を算出する算出手段と、
前記算出手段により算出された差から、前記入力分光データに対応するグループを判別する判別手段と
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記判別手段は、前記算出手段により算出された差が最小となるグループを、前記入力分光データに対応するグループであると判別することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記算出手段は、前記参照分光データの次元数よりも少ない次元数の主成分データを用いて近似することにより得られる近似分光データと前記入力分光データとの差を算出することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記参照分光データの次元数は３であることを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記差は、RMS誤差であることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記算出手段は、閾値を下回る最小の主成分数の主成分データを用いて近似することにより得られる近似分光データと前記入力分光データとの差を算出することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記差は、複数の波長の差分であることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項８】
複数のグループの中から、入力された入力分光データに対応するグループを判別する情報処理装置が実行する情報処理方法であって、
前記複数のグループそれぞれに属する複数の参照分光データに対して主成分分析を行うことによって得られる主成分データを入力する入力ステップと、
前記複数のグループそれぞれについて、前記主成分データを用いて前記入力分光データを近似することにより得られる近似分光データと前記入力分光データとの差を算出する算出ステップと、
前記算出ステップにおいて算出された差から、前記入力分光データに対応するグループを判別する判別ステップと
を含むことを特徴とする情報処理方法。
【請求項９】
コンピュータを、
複数のグループそれぞれに属する複数の参照分光データに対して主成分分析を行うことによって得られる主成分データを入力する入力手段と、
前記複数のグループそれぞれについて、前記主成分データを用いて、入力分光データを近似することにより得られる近似分光データと前記入力分光データとの差を算出する算出手段と、
前記算出手段により算出された差から、前記入力分光データに対応するグループを判別する判別手段と
して機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の情報処理装置は、複数のグループの中から、入力された入力分光データに対応するグループを判別する情報処理装置であって、前記複数のグループそれぞれに属する複数の参照分光データに対して主成分分析を行うことによって得られる主成分データを入力する入力手段と、前記複数のグループそれぞれについて、前記主成分データを用いて前記入力分光データを近似することにより得られる近似分光データと前記入力分光データとの差を算出する算出手段と、前記算出手段により算出された差から、前記入力分光データに対応するグループを判別する判別手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月5日(2014.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上述した技術的課題を有効に解決するための手段として、請求項１の発明に係る密封装置は、第一の金属環に対油シールリップが一体に成形されると共に前記第一の金属環に機外側に面して第二の金属環が密接嵌合され静止側に取り付けられるオイルシールと、このオイルシールの機外側に位置して回転側に取り付けられるダストカバーと、前記第二の金属環に一体に成形されると共に前記ダストカバーに摺動可能に密接される対泥水シールリップを備え、前記ダストカバーに形成された外周筒部が前記オイルシールの第一の金属環に形成された外周筒部の外周側を包囲するように延びるものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、請求項２の発明に係る密封装置は、第一の金属環に対油シールリップが一体に成形されると共に前記第一の金属環に機外側に面して第二の金属環が密接嵌合され静止側に取り付けられるオイルシールと、このオイルシールの機外側に位置して回転側に取り付けられるダストカバーと、前記第二の金属環に一体に成形されると共に前記ダストカバーに摺動可能に密接される対泥水シールリップを備え、前記ダストカバーに形成された外周筒部が前記静止側の外周側を包囲するように延びるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、請求項３の発明に係る密封装置は、第一の金属環に対油シールリップが一体に成形されると共に前記第一の金属環に機外側に面して第二の金属環が密接嵌合され静止側に取り付けられるオイルシールと、このオイルシールの機外側に位置して回転側に取り付けられるダストカバーと、前記ダストカバーに一体に成形されると共に前記第二の金属環のフランジ部に摺動可能に密接される内周側の対泥水シールリップと、前記ダストカバーに一体に成形されると共に前記第二の金属環の外周筒部の内周面に摺動可能に密接される外周側の対泥水シールリップと、を備え、前記ダストカバーに形成された外周筒部が前記オイルシールの第一の金属環に形成された外周筒部の外周側を包囲するように延びるものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の金属環に対油シールリップが一体に成形されると共に前記第一の金属環に機外側に面して第二の金属環が密接嵌合され静止側に取り付けられるオイルシールと、このオイルシールの機外側に位置して回転側に取り付けられるダストカバーと、前記第二の金属環に一体に成形されると共に前記ダストカバーに摺動可能に密接される対泥水シールリップを備え、前記ダストカバーに形成された外周筒部が前記オイルシールの第一の金属環に形成された外周筒部の外周側を包囲するように延びることを特徴とする密封装置。
【請求項２】
第一の金属環に対油シールリップが一体に成形されると共に前記第一の金属環に機外側に面して第二の金属環が密接嵌合され静止側に取り付けられるオイルシールと、このオイルシールの機外側に位置して回転側に取り付けられるダストカバーと、前記第二の金属環に一体に成形されると共に前記ダストカバーに摺動可能に密接される対泥水シールリップを備え、前記ダストカバーに形成された外周筒部が前記静止側の外周側を包囲するように延びることを特徴とする密封装置。
【請求項３】
第一の金属環に対油シールリップが一体に成形されると共に前記第一の金属環に機外側に面して第二の金属環が密接嵌合され静止側に取り付けられるオイルシールと、このオイルシールの機外側に位置して回転側に取り付けられるダストカバーと、前記ダストカバーに一体に成形されると共に前記第二の金属環のフランジ部に摺動可能に密接される内周側の対泥水シールリップと、前記ダストカバーに一体に成形されると共に前記第二の金属環の外周筒部の内周面に摺動可能に密接される外周側の対泥水シールリップと、を備え、前記ダストカバーに形成された外周筒部が前記オイルシールの第一の金属環に形成された外周筒部の外周側を包囲するように延びることを特徴とする密封装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月17日(2014.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポンプを駆動する電動モータが、複数の励磁コイルに電力を供給することで磁界によりロータを駆動回転する駆動構成を備えると共に、
前記励磁コイルに供給する電流のデューティ比を設定する電力制御部と、
前記励磁コイルに流れる電流を電圧信号に変換するシャント抵抗と、
前記シャント抵抗からの電圧信号から前記デューティ比に対応した分圧比となる検出電圧信号を作り出す分圧比設定回路を備え、
前記電力制御部で設定される前記デューティ比を、前記検出電圧信号に基づいて変更する電力補正部を備えており、
前記電力制御部が、設定された前記デューティ比に従って電力制御素子をＯＮ状態に設定する信号を出力し、
前記電力補正部が、前記検出電圧信号が設定値を超えた際に前記電力制御素子のＯＮ時間を短縮する補正作動を行うポンプ制御ユニット。
【請求項２】
前記分圧比設定回路が、前記シャント抵抗からの電圧信号を分圧する複数の分圧抵抗と、複数の前記分圧抵抗のうち接地側の分圧抵抗に並列に配置したコンデンサとで構成されている請求項１記載のポンプ制御ユニット。
【請求項３】
前記ポンプから送り出される流体圧が、予め設定された要求圧を越えた場合に、前記ポンプから送り出される流体の圧力を逃がすリリーフ弁を備えている請求項１又は２に記載のポンプ制御ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の特徴は、ポンプを駆動する電動モータが、複数の励磁コイルに電力を供給することで磁界によりロータを駆動回転する駆動構成を備えると共に、前記励磁コイルに供給する電流のデューティ比を設定する電力制御部と、前記励磁コイルに流れる電流を電圧信号に変換するシャント抵抗と、前記シャント抵抗からの電圧信号から前記デューティ比に対応した分圧比となる検出電圧信号を作り出す分圧比設定回路を備え、前記電力制御部で設定される前記デューティ比を、前記検出電圧信号に基づいて変更する電力補正部を備えており、前記電力制御部が、設定された前記デューティ比に従って電力制御素子をＯＮ状態に設定する信号を出力し、前記電力補正部が、前記検出電圧信号が設定値を超えた際に前記電力制御素子のＯＮ時間を短縮する補正作動を行う点にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この構成によると、励磁コイルに供給された電流をシャント抵抗が電圧信号に変換するので、この電圧信号に基づいて分圧比設定回路が、デューティ比に対応した分圧比となる検出信号値を作り出す。例えば、デューティ比が低い状態と比較して、デューティ比が高い状態で分圧電圧を高くするように分圧比設定回路を構成すると、デューティ比が高い状態で励磁コイルに流れる電流値の変化した場合に検出電圧信号を大きく変化させることも可能となる。そして、電力補正部が検出電圧信号に基づきデューティ比を変更することで励磁コイルに供給される電力を維持することも可能となる。
特に、この構成では、デューティ比が低い状態では、励磁コイルに流れる電流値が変化した場合に検出電圧信号の変化を小さくして、電力補正部によるデューティ比の変更を行わず必要とする電力を励磁コイルに供給する処理も可能となる。
従って、マイクロプロセッサ等の処理装置を備えずとも、励磁コイルに供給される電流を維持し、ポンプから送り出される流体の圧力を目標値に維持する制御を、コスト上昇を招くことなく、応答性良く実現できた。
更に、電力補正部は検出電圧信号が設定値を超えた際に電力制御素子のＯＮ時間を短縮する補正作動を行うことにより、励磁コイルに対して流れる電流の増大を抑制して目標値に維持できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月16日(2013.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
液晶プリズム素子３は、左側の光源７ａから出射され、導光板９及び光制御フィルム１０を通じて入射した光が、ユーザの右眼の位置に集光するように、偏向方向を制御する。また、右側の光源７ｂから出射され、導光板９及び光制御フィルム１０を通じて入射した光が、ユーザの左眼の位置に集光するように、偏向方向を制御する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
液晶プリズム素子３は、外部からの印加電圧の大きさに応じて、透過する光の偏向角度の大きさを制御できる素子である。その原理を簡単に述べる。通常、液晶分子は楕円体形状をしており、長手方向と短手方向とで誘電率が異なる。このため、液晶層２０は、入射光の偏向方向毎に屈折率が異なる複屈折の性質を有する。また、液晶分子の配向（ダイレクタ）の向きが光の偏向方向に対して相対的に変化すれば、液晶層２０の屈折率も変化する。そのため、ある印加電圧を与えて発生させた電場により液晶の配向を変化させると、透過する光に対する屈折率が変わるため、光の屈折角である偏向角が変化する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月4日(2014.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
これにより、３Ｄメガネ２を傾けない状態での３Ｄ画の色ムラを完全に消滅し、かつ３Ｄメガネ２を傾けた状態での３Ｄ画の色ムラおよび輝度落ちを完全に消滅することができるので、３Ｄ画質を大幅に向上させることが可能になる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３原色光を合成して合成光を出射する色合成部と、
前記色合成部の出射側に配置され、前記合成光の各色光の偏光状態を、全方位に対して均一に無偏光状態に変換する偏光変換部と、
前記偏光変換部からの出射光を投射する投射レンズと、
を有する投影装置。
【請求項２】
前記偏光変換部は、所定波長に対して位相をπシフトする波長選択性１／２波長板、光学軸を１つ持つ有機材料である一軸性有機材料、光学軸を１つ持つ結晶である一軸性結晶のいずれかである請求項１記載の投影装置。
【請求項３】
前記色合成部は、色合成プリズムと、前記色合成プリズムの緑色光の入射側に配置された１／２波長板とを備え、
前記偏光変換部は、前記一軸性結晶であり、
前記１／２波長板は、緑色光のＳ偏光をＰ偏光に変換し、
前記色合成プリズムは、赤色光のＳ偏光である赤色Ｓ偏光と、緑色光のＰ偏光である緑色Ｐ偏光と、青色光のＳ偏光である青色Ｓ偏光とを合成し、
前記一軸性結晶は、前記赤色Ｓ偏光と、前記緑色Ｐ偏光と、前記青色Ｓ偏光とを無偏光状態に変換する請求項１または２記載の投影装置。
【請求項４】
前記色合成部は、色合成プリズムと、前記色合成プリズムの緑色光の入射側に配置された１／２波長板とを備え、
前記１／２波長板は、緑色光のＳ偏光をＰ偏光に変換し、
前記色合成プリズムは、赤色光のＳ偏光である赤色Ｓ偏光と、緑色光のＰ偏光である緑色Ｐ偏光と、青色光のＳ偏光である青色Ｓ偏光とを合成し、
前記偏光変換部は、前記赤色Ｓ偏光と、前記緑色Ｐ偏光と、前記青色Ｓ偏光とを無偏光状態に変換する請求項１または２記載の投影装置。
【請求項５】
前記色合成部は、色合成プリズムと、前記色合成プリズムの緑色光の入射側に配置された１／２波長板と、前記偏光変換部の入射側と前記色合成プリズムの出射側との間に配置された１／４波長板とを備え、
前記１／２波長板は、緑色光のＳ偏光をＰ偏光に変換し、
前記色合成プリズムは、赤色光のＳ偏光である赤色Ｓ偏光と、緑色光のＰ偏光である緑色Ｐ偏光と、青色光のＳ偏光である青色Ｓ偏光とを合成し、
前記１／４波長板は、前記赤色Ｓ偏光を左回り円偏光である赤色左回り円偏光に変換し、前記緑色Ｐ偏光を右回り円偏光である緑色右回り円偏光に変換し、前記青色Ｓ偏光を左回り円偏光である青色左回り円偏光に変換し、
前記偏光変換部は、前記赤色左回り円偏光、前記緑色右回り円偏光および前記青色左回り円偏光の各偏光状態を無偏光状態に変換する請求項１または２記載の投影装置。
【請求項６】
前記色合成部は、色合成プリズムを備え、
前記色合成プリズムは、赤色光のＳ偏光である赤色Ｓ偏光と、緑色光のＳ偏光である緑色Ｓ偏光と、青色光のＳ偏光である青色Ｓ偏光とを合成し、
前記偏光変換部は、前記赤色Ｓ偏光と、前記緑色Ｓ偏光と、前記青色Ｓ偏光とを無偏光状態に変換する請求項１または２記載の投影装置。
【請求項７】
前記色合成部は、色合成プリズムと、前記偏光変換部の入射側と前記色合成プリズムの出射側との間に配置された１／４波長板とを備え、
前記色合成プリズムは、赤色光のＳ偏光である赤色Ｓ偏光と、緑色光のＳ偏光である緑色Ｓ偏光と、青色光のＳ偏光である青色Ｓ偏光とを合成し、
前記１／４波長板は、前記赤色Ｓ偏光を左回り円偏光である赤色左回り円偏光に変換し、前記緑色Ｓ偏光を左回り円偏光である緑色左回り円偏光に変換し、前記青色Ｓ偏光を左回り円偏光である青色左回り円偏光に変換し、
前記偏光変換部は、前記赤色左回り円偏光、前記緑色左回り円偏光および前記青色左回り円偏光の各偏光状態を無偏光状態に変換する請求項１または２記載の投影装置。
【請求項８】
前記偏光変換部は、前記色合成部が含む色合成プリズムの出射面に接着して、前記色合成プリズムと一体化する請求項１乃至７のいずれか１項に記載の投影装置。
【請求項９】
前記偏光変換部は、前記色合成部が含む色合成プリズムの出射側と、前記投射レンズの入射側との間に置かれた取り付け機構部を介して固定設置する請求項１乃至７のいずれか１項に記載の投影装置。
【請求項１０】
前記偏光変換部は、前記投射レンズの入射面側に近接に設置して、前記投射レンズのレンズシフトに追従する請求項１乃至７のいずれか１項に記載の投影装置。