Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月12日(2014.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光センサ、及び、入出力装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光電変換素子と、第２の光電変換素子と、第３の光電変換素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、を有し、
前記第１の光電変換素子、前記第２の光電変換素子、又は、前記第３の光電変換素子に照射された光に対応する信号を前記第５のトランジスタを介して出力する機能を有し、
前記第４のトランジスタと前記第５のトランジスタとは、直列に電気的に接続され、
前記第１の光電変換素子は、前記第１のトランジスタを介して、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２の光電変換素子は、前記第２のトランジスタを介して、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３の光電変換素子は、前記第３のトランジスタを介して、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲート、前記第２のトランジスタのゲート、及び、前記第３のトランジスタのゲートには、互いに異なる信号が入力され、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、及び、前記第３のトランジスタは、チャネルが酸化物半導体層に形成され、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物半導体層の被形成面に対して垂直な方向に沿うようにｃ軸配向した複数の領域を有し、
前記複数の領域では、ａ軸又はｂ軸の向きが異なることを特徴とする光センサ。
【請求項２】
第１の光電変換素子と、第２の光電変換素子と、第３の光電変換素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、第６のトランジスタと、を有し、
前記第１の光電変換素子、前記第２の光電変換素子、又は、前記第３の光電変換素子に照射された光に対応する信号を前記第５のトランジスタを介して出力する機能を有し、
前記第４のトランジスタと前記第５のトランジスタとは、直列に電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１の光電変換素子は、前記第１のトランジスタを介して、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２の光電変換素子は、前記第２のトランジスタを介して、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３の光電変換素子は、前記第３のトランジスタを介して、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲート、前記第２のトランジスタのゲート、及び、前記第３のトランジスタのゲートには、互いに異なる信号が入力され、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、及び、前記第３のトランジスタは、チャネルが酸化物半導体層に形成され、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物半導体層の被形成面に対して垂直な方向に沿うようにｃ軸配向した複数の領域を有し、
前記複数の領域では、ａ軸又はｂ軸の向きが異なることを特徴とする光センサ。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、及び、前記第３のトランジスタは、１５０℃において、オフ電流が１００ｚＡ／μｍ以下であることを特徴とする光センサ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第４のトランジスタは、チャネルがシリコンに形成されることを特徴とする光センサ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の光センサと、表示素子と、を有することを特徴とする入出力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月3日(2014.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子と、
前記入力端子に並列に接続されたｎ個（ｎは３以上の整数）のスイッチと、
ｎ個の第１メモリ素子と、
ｎ個の転送用スイッチと、
ｎ個の第２メモリ素子と、
ｎ個のバッファと、を有し、
前記ｎ個の第１メモリ素子は、互いに異なる前記ｎ個のスイッチの出力に接続され、
前記ｎ個の転送用スイッチは、互いに異なる前記ｎ個の第１メモリ素子の出力に接続され、
前記ｎ個の第２メモリ素子は、互いに異なる前記ｎ個の転送用スイッチの出力に接続され、
前記ｎ個のバッファは、互いに異なる前記ｎ個の第２メモリ素子の出力に接続され、
前記ｎ個のスイッチは、異なる信号によりオン、オフが制御され、
前記ｎ個の転送用スイッチは、同じ信号によりオン、オフが制御されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記スイッチは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記転送用スイッチは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月19日(2014.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重ね合わされた複数の基板を有する第一の重ね合わせ基板を加熱する第一の加熱部と、
重ね合わされた複数の基板を有する第二の重ね合わせ基板を加熱する第二の加熱部と、
前記第一の重ね合わせ基板と前記第二の重ね合わせ基板との間に配置された断熱部と、
を備える基板貼り合わせ装置。
【請求項２】
前記第一の重ね合わせ基板と前記第二の重ね合わせ基板とを前記断熱部を介して加圧する加圧部を備える請求項１に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項３】
前記複数の基板の各々に対応させた複数の温度検出部を更に備える請求項１または２に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項４】
前記第一の加熱部及び前記第二の加熱部は誘導加熱により加熱する請求項１から３のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項５】
前記第一の加熱部及び前記第二の加熱部の一部は、重ね合わせ基板の積層方向に移動可能である請求項１から４のいずれか１項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項６】
位置決め部材を更に備え、
前記断熱部及び前記位置決め部材の一方には、位置決め凹部が形成されるとともに、
前記断熱部及び前記位置決め部材の他方は、前記断熱部の相対位置を位置決めするために、前記位置決め凹部に係合される位置決め凸部を有する
請求項１から５のいずれか１項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項７】
位置決め部材を更に備え、
前記断熱部及び前記位置決め部材の一方には、ガイド穴が形成されるとともに、
前記断熱部及び前記位置決め部材の他方は、前記ガイド穴に挿通され、前記断熱部をガイドするガイド軸を有する請求項１から５のいずれか１項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項８】
前記断熱部は、固定されている請求項１から４のいずれか１項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項９】
各重ね合わせ基板の前記複数の基板は、基板ホルダによって保持されている請求項１から８のいずれか１項に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１０】
前記基板ホルダの熱輻射を計測する温度検出部を更に備える請求項９に記載の基板貼り合わせ装置。
【請求項１１】
重ね合わされた複数の基板を有する第一の重ね合わせ基板を加熱する第一の加熱段階と、
前記第一の重ね合わせ基板に対して断熱部を介して配置され、重ね合わされた複数の基板を有する第二の重ね合わせ基板を加熱する第二の加熱段階とを備える基板貼り合わせ方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板貼り合わせ装置及び基板貼り合わせ方法
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月9日(2014.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板と電気的に接続された半導体チップと、を備え、
前記配線基板は、一方の面から他方の面に貫通する開口部を有するガラス板と、
前記開口部内に形成された樹脂部と、
前記樹脂部を前記一方の面側から前記他方の面側に貫通し、前記一方の面側に形成された配線層と前記他方の面側に形成された配線層とを電気的に接続する貫通配線と、を有し、
前記半導体チップ、及び、前記貫通配線は、前記開口部内に収容され、
前記樹脂部は、前記開口部の内側面と前記半導体チップの側面とが形成する空隙部を充填するように形成され、
前記空隙部を充填する前記樹脂部に複数の前記貫通配線が形成されている半導体装置。
【請求項２】
配線基板と、
前記配線基板と電気的に接続された半導体チップと、を備え、
前記配線基板は、一方の面から他方の面に貫通する開口部、及び、前記一方の面から前記他方の面に貫通する他の開口部、を有するガラス板と、
前記開口部内、及び、前記他の開口部内に形成された樹脂部と、
前記他の開口部内に形成された樹脂部を前記一方の面側から前記他方の面側に貫通し、前記一方の面側に形成された配線層と前記他方の面側に形成された配線層とを電気的に接続する貫通配線と、を有し、
前記半導体チップは、前記開口部内に収容され、
前記開口部内に形成された樹脂部は、前記開口部の内側面と前記半導体チップの側面とが形成する空隙部を充填するように形成され、
前記他の開口部は、前記樹脂部で充填されており、
前記他の開口部を充填する前記樹脂部に複数の前記貫通配線が形成されている半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップの厚さは、前記ガラス板の厚さと同一である請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記開口部の内側面は、テーパー状である請求項１乃至３の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記他の開口部を充填する前記樹脂部の一部は、前記ガラス板の側面から露出している請求項２記載の半導体装置。
【請求項６】
前記貫通配線は、信号伝送部と、絶縁材料を介して前記信号伝送部の周囲を囲む遮蔽部とを含む請求項１乃至５の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
一方の面から他方の面に貫通する開口部を有するガラス板と、
前記開口部内に形成された樹脂部と、
前記樹脂部を前記一方の面側から前記他方の面側に貫通し、前記一方の面側に形成された配線層と前記他方の面側に形成された配線層とを電気的に接続する貫通配線と、を有する配線基板。
【請求項８】
配線基板を製造する工程と、前記配線基板と半導体チップとを電気的に接続する工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、
前記配線基板を製造する工程は、ガラス板に一方の面から他方の面に貫通する開口部を形成する第１工程と、
前記開口部内に樹脂部を形成する第２工程と、
前記樹脂部を前記一方の面側から前記他方の面側に貫通する貫通孔を複数形成する第３工程と、
それぞれの前記貫通孔内に貫通配線を形成する第４工程と、
前記一方の面側及び前記他方の面側に、それぞれ前記貫通配線と電気的に接続される配線層を形成する第５工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１工程と前記第２工程との間に、前記開口部内に前記半導体チップを収容する工程を更に有し、
前記第２工程では、前記開口部の内側面と前記半導体チップの側面とが形成する空隙部を充填するように樹脂部を形成する請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本半導体装置は、配線基板と、前記配線基板と電気的に接続された半導体チップと、を備え、前記配線基板は、一方の面から他方の面に貫通する開口部を有するガラス板と、前記開口部内に形成された樹脂部と、前記樹脂部を前記一方の面側から前記他方の面側に貫通し、前記一方の面側に形成された配線層と前記他方の面側に形成された配線層とを電気的に接続する貫通配線と、を有し、前記半導体チップ、及び、前記貫通配線は、前記開口部内に収容され、前記樹脂部は、前記開口部の内側面と前記半導体チップの側面とが形成する空隙部を充填するように形成され、前記空隙部を充填する前記樹脂部に複数の前記貫通配線が形成されていることを要件とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本半導体装置の製造方法は、配線基板を製造する工程と、前記配線基板と半導体チップとを電気的に接続する工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、前記配線基板を製造する工程は、ガラス板に一方の面から他方の面に貫通する開口部を形成する第１工程と、前記開口部内に樹脂部を形成する第２工程と、前記樹脂部を前記一方の面側から前記他方の面側に貫通する貫通孔を複数形成する第３工程と、それぞれの前記貫通孔内に貫通配線を形成する第４工程と、前記一方の面側及び前記他方の面側に、それぞれ前記貫通配線と電気的に接続される配線層を形成する第５工程と、を有することを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月6日(2014.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下面に接続端子を複数配置した半導体部品が、接着性樹脂を含むフラックスと、はんだ粉末とを含むはんだペーストによって、前記複数の接続端子と対応する位置にそれぞれランドが形成されたプリント配線板にはんだ付けされた実装構造体であって、
前記ランドの外周を取り囲む位置に凸領域部を備え、
前記ランドの外周と、前記凸領域部の内周との間には距離が設けられており、
前記プリント配線板は、前記ランドが形成された反対側の面において他の部品がはんだ付けされている、半導体部品の実装構造体。
【請求項２】
前記接続端子と、それに対応する位置に形成された前記ランドとの間には、凝集した前記はんだ粉末がはんだ接合部を形成しており、
前記凸領域部と前記半導体部品の下面との間には、前記接着性樹脂が硬化しており、
前記はんだ接合部と前記硬化した前記接着性樹脂との間には隙間が形成されている、請求項１に記載の半導体部品の実装構造体。
【請求項３】
前記ランドは直径Ｄ（ｍｍ）の円形状であり、前記凸領域部はリング形状であり、前記はんだペーストに占める前記はんだ粉末の体積比はＢ（％）であり、前記距離をＡ（ｍｍ）とした場合、
前記距離Ａ（ｍｍ）は、次式
Ａ＝Ｄ[√｛（１００−Ｂ）／Ｂ＋１｝−１]／２
で表される、請求項２に記載の半導体部品の実装構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月9日(2014.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷装置により印刷媒体に印刷される画像を表示部にプレビュー画像として表示させる表示制御装置であって、
前記印刷装置において前記印刷媒体を搬送方向に搬送するときの搬送量を基準搬送量よりも増加又は減少させることにより搬送量が調整された場合、前記搬送方向の搬送量の調整量を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得した調整量に応じて、前記プレビュー画像の前記搬送方向に対応するサイズを変更する表示制御手段と、を有することを特徴とする表示制御装置。
【請求項２】
前記表示制御手段は、前記調整量によって前記画像の前記搬送方向に対応するサイズが変化する量を前記表示部に表示させることを特徴とする請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項３】
前記表示制御手段は、前記調整量によって前記搬送方向に対応するサイズが変化する領域が識別できるように、前記プレビュー画像を表示させることを特徴とする請求項１または２に記載の表示制御装置。
【請求項４】
前記表示制御手段は、前記画像を印刷する印刷媒体のイメージを前記表示部に表示させることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項５】
前記印刷装置は、印刷媒体を切断するための切断手段を有し、前記切断手段により前記印刷媒体を切断する位置を変更可能であって、
前記表示制御手段は、前記調整量によって前記画像の前記搬送方向に対応するサイズが変化した場合に前記切断手段により前記印刷媒体を切断する位置が変更されることに応じて、前記印刷媒体のイメージのサイズを変更して前記表示部に表示させることを特徴とする請求項４に記載の表示制御装置。
【請求項６】
前記表示制御手段は、前記画像を印刷する印刷媒体のサイズを前記表示部に表示させ、前記印刷媒体を切断する位置が変更されることに応じて前記表示部に表示する印刷媒体のサイズを変更することを特徴とする請求項５に記載の表示制御装置。
【請求項７】
前記印刷装置は、前記搬送量を前記調整量により調整して印刷媒体に画像の印刷を行う第１の印刷モード及び前記搬送量を前記調整量で調整をせずに印刷媒体に画像の印刷を行う第２の印刷モードを含む各種印刷モードにより印刷可能であって、
前記表示制御装置は、前記印刷モードを指定するための指定手段をさらに有し、
前記指定手段により第１の印刷モードが指定された場合、前記表示制御手段は、前記取得手段により取得した調整量に応じて、前記プレビュー画像の前記搬送方向に対応するサイズを変更することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項８】
前記調整量は、前記印刷装置が画像の印刷を行う印刷媒体の種類ごとに設定されることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項９】
前記印刷装置は、印刷ヘッドを前記印刷媒体に走査させて画像の印刷を行う装置であって、
前記調整量は、前記印刷ヘッドの１回の走査ごとの搬送量の調整量であることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項１０】
前記表示制御装置は、前記印刷装置を備えることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項１１】
前記印刷装置に前記調整量を要求する要求手段をさらに備え、
前記取得手段は、前記要求手段による要求に応じて、前記印刷装置から送信される調整量を取得することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項１２】
印刷装置により印刷媒体に印刷される画像を表示部にプレビュー画像として表示させる表示制御方法であって、
前記印刷装置において前記印刷媒体を搬送方向に搬送するときの搬送量を基準搬送量よりも増加又は減少させることにより搬送量が調整された場合、前記搬送方向の搬送量の調整量を取得する取得工程と、
前記取得工程において取得した調整量に応じて、前記プレビュー画像の前記搬送方向に対応するサイズを変更する変更工程と、を有することを特徴とする表示制御方法。
【請求項１３】
コンピュータを、請求項１から１１のいずれか１項に記載の表示制御装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、印刷装置により印刷媒体に印刷される画像を表示部にプレビュー画像として表示させる表示制御装置であって、前記印刷装置において前記印刷媒体を搬送方向に搬送するときの搬送量を基準搬送量よりも増加又は減少させることにより搬送量が調整された場合、前記搬送方向の搬送量の調整量を取得する取得手段と、前記取得手段により取得した調整量に応じて、前記プレビュー画像の前記搬送方向に対応するサイズを変更する表示制御手段と、を有することを特徴とすることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月19日(2014.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複数のクライアントと，
デバイスが接続されたデバイスサーバとが，
ネットワーク接続されており，
前記デバイスサーバが前記クライアントと前記デバイスとの通信を相互に変換することにより，前記クライアントと前記デバイスとの間においてネットワークを経由した通信が可能であるデバイスサーバシステムにおけるデバイスサーバであって，
前記クライアントと前記デバイスとのデータ通信に先立ち必要な情報（イニシャル情報）を取得するために，前記クライアントが前記デバイスサーバに向けて送信した通信（リクエスト）を受信するリクエスト受信手段と，
前記リクエスト受信手段が受信したリクエストのうち，いずれか１つのクライアントが送信したリクエストに対応する前記イニシャル情報を所定の記憶手段に記憶させるイニシャル情報受信手段と，
前記リクエスト受信手段が，前記イニシャル情報受信手段が記憶させたイニシャル情報に対応するクライアント以外のクライアント（他クライアント）からのリクエストを受信すると，前記所定の記憶手段に記憶されている前記イニシャル情報を当該他クライアントからのリクエストに対して応答する応答手段と，
を備えるデバイスサーバ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
複数のクライアントと，
デバイスが接続されたデバイスサーバとが，
ネットワーク接続されており，
前記デバイスサーバが前記クライアントと前記デバイスとの通信を相互に変換することにより，前記クライアントと前記デバイスとの間においてネットワークを経由した通信が可能であるデバイスサーバシステムにおけるデバイスサーバであって，
前記クライアントと前記デバイスとのデータ通信に先立ち必要な情報（イニシャル情報）を取得するために，前記クライアントが前記デバイスサーバに向けて送信した通信（リクエスト）を受信するリクエスト受信手段と，
前記リクエスト受信手段が受信した通信について，前記デバイスと通信を行い，前記イニシャル情報を取得するか否かを判断する判断手段と，
前記判断手段が，情報取得が必要と判断した場合，前記デバイスと通信を行い前記イニシャル情報を取得し，これを所定の記憶手段に記憶させるイニシャル情報受信手段と，
前記判断手段が，情報取得が不要と判断した場合，前記所定の記憶手段に記憶されている前記イニシャル情報を読み出し，これを前記リクエスト受信手段が受信した通信に対する応答として前記クライアントに送信する応答手段と，
を備えるデバイスサーバ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本願発明にかかる第１の形態は，複数のクライアントと，デバイスが接続されたデバイスサーバとが，ネットワーク接続されており，デバイスサーバがクライアントとデバイスとの通信を相互に変換することにより，クライアントとデバイスとの間においてネットワークを経由した通信が可能であるデバイスサーバシステムにおけるデバイスサーバであって，クライアントとデバイスとのデータ通信に先立ち必要な情報（イニシャル情報）を取得するために，クライアントがデバイスサーバに向けて送信した通信（リクエスト）を受信するリクエスト受信手段と，リクエスト受信手段が受信したリクエストのうち，いずれか１つのクライアントが送信したリクエストに対応するイニシャル情報を所定の記憶手段に記憶させるイニシャル情報受信手段と，リクエスト受信手段が，イニシャル情報受信手段が記憶させたイニシャル情報に対応するクライアント以外のクライアント（他クライアント）からのリクエストを受信すると，所定の記憶手段に記憶されているイニシャル情報を当該他クライアントからのリクエストに対して応答する応答手段と，を備えるデバイスサーバである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本願発明にかかる第２の形態は，複数のクライアントと，デバイスが接続されたデバイスサーバとが，ネットワーク接続されており，デバイスサーバがクライアントとデバイスとの通信を相互に変換することにより，クライアントとデバイスとの間においてネットワークを経由した通信が可能であるデバイスサーバシステムにおけるデバイスサーバであって，クライアントとデバイスとのデータ通信に先立ち必要な情報（イニシャル情報）を取得するために，クライアントがデバイスサーバに向けて送信した通信（リクエスト）を受信するリクエスト受信手段と，リクエスト受信手段が受信した通信について，デバイスと通信を行い，イニシャル情報を取得するか否かを判断する判断手段と，判断手段が，情報取得が必要と判断した場合，デバイスと通信を行いイニシャル情報を取得し，これを所定の記憶手段に記憶させるイニシャル情報受信手段と，判断手段が，情報取得が不要と判断した場合，所定の記憶手段に記憶されているイニシャル情報を読み出し，これをリクエスト受信手段が受信した通信に対する応答としてクライアントに送信する応答手段と，を備えるデバイスサーバである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月3日(2014.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明に係る通行者監視システムは、出入口を通行する通行者を撮影する監視カメラと、前記監視カメラにより撮影された画像から前記通行者を特定する通行者情報を取得する画像処理装置と、前記通行者情報を記憶する記憶装置と、前記画像処理装置が取得する前記通行者情報と前記画像処理装置が前記通行者情報を取得する以前に前記記憶装置に記憶された前記通行者情報とに基づいて、前記通行者が前記出入口を過去に通行したことがあるか否かを判定する通行者判定装置と、注意を要する前記通行者が前記出入口を通行することを監視者に対して報知する報知装置と、前記報知装置の報知を制御する制御装置と、前記通行者情報を登録する登録装置とを備え、前記通行者判定装置は、前記画像処理装置が取得する前記通行者情報が前記登録装置に登録されているか否かをさらに判定し、前記制御装置は、前記通行者が前記出入口を過去に通行したことがないと前記通行者判定装置が判定し、かつ、前記画像処理装置が取得する前記通行者情報が前記登録装置に登録されていないと前記通行者判定装置が判定する場合に、前記報知装置に報知させる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明に係る通行者監視システムの制御方法は、出入口を通行する通行者を撮影する監視カメラと、前記監視カメラにより撮影された画像から前記通行者を特定する通行者情報を取得する画像処理装置と、前記通行者情報を記憶する記憶装置と、前記画像処理装置が取得する前記通行者情報と前記画像処理装置が前記通行者情報を取得する以前に前記記憶装置に記憶された前記通行者情報とに基づいて、前記通行者が前記出入口を過去に通行したことがあるか否かを判定する通行者判定装置と、注意を要する前記通行者が前記出入口を通行することを監視者に対して報知する報知装置と、前記報知装置の報知を制御する制御装置と、前記通行者情報を登録する登録装置とを備えた通行者監視システムの制御方法であって、前記通行者判定装置が、前記画像処理装置が取得する前記通行者情報が前記登録装置に登録されているか否かを判定する登録情報照合工程と、前記通行者判定装置が、前記画像処理装置が取得する前記通行者情報と前記画像処理装置が前記通行者情報を取得する以前に前記記憶装置に記憶された前記通行者情報とに基づいて、前記通行者が前記出入口を過去に通行したことがあるか否かを判定する通行者情報照合工程と、前記通行者情報照合工程で、前記通行者が前記出入口を過去に通行したことがないと前記通行者判定装置が判定し、かつ、前記登録情報照合工程で、前記画像処理装置が取得する前記通行者情報が前記登録装置に登録されていないと前記通常者判定装置が判定した後に、前記制御装置が前記報知装置に報知させる報知工程と、前記通行者情報照合工程の後に、前記記憶装置が、前記画像処理装置が取得する前記通行者情報を記憶する記憶工程とを備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出入口を通行する通行者を撮影する監視カメラと、
前記監視カメラにより撮影された画像から前記通行者を特定する通行者情報を取得する画像処理装置と、
前記通行者情報を記憶する記憶装置と、
前記画像処理装置が取得する前記通行者情報と前記画像処理装置が前記通行者情報を取得する以前に前記記憶装置に記憶された前記通行者情報とに基づいて、前記通行者が前記出入口を過去に通行したことがあるか否かを判定する通行者判定装置と、
注意を要する前記通行者が前記出入口を通行することを監視者に対して報知する報知装置と、
前記報知装置の報知を制御する制御装置と、
前記通行者情報を登録する登録装置と
を備え、
前記通行者判定装置は、前記画像処理装置が取得する前記通行者情報が前記登録装置に登録されているか否かをさらに判定し、
前記制御装置は、前記通行者が前記出入口を過去に通行したことがないと前記通行者判定装置が判定し、かつ、前記画像処理装置が取得する前記通行者情報が前記登録装置に登録されていないと前記通行者判定装置が判定する場合に、前記報知装置に報知させることを特徴とする通行者監視システム。
【請求項２】
前記通行者情報には、前記画像が撮影された日時が含まれており、
前記制御装置は、前記通行者が前記出入口を過去に通行したことがあると前記通行者判定装置が判定する場合であって、前記画像処理装置が取得する前記通行者情報の日時が、前回の通行により前記記憶装置に記憶された前記通行者情報の日時から所定の時間以上が経過した日時である場合に、前記報知装置に報知させることを特徴とする請求項１に記載の通行者監視システム。
【請求項３】
前記通行者情報には、前記画像が撮影された時刻が含まれており、
前記制御装置は、前記通行者が前記出入口を過去に通行したことがあると前記通行者判定装置が判定する場合であって、前記画像処理装置が取得する前記通行者情報の時刻が、前回の通行により前記記憶装置に記憶された前記通行者情報の時刻から所定の時間以上ずれた時刻である場合に、前記報知装置に報知させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の通行者監視システム。
【請求項４】
出入口を通行する通行者を撮影する監視カメラと、前記監視カメラにより撮影された画像から前記通行者を特定する通行者情報を取得する画像処理装置と、前記通行者情報を記憶する記憶装置と、前記画像処理装置が取得する前記通行者情報と前記画像処理装置が前記通行者情報を取得する以前に前記記憶装置に記憶された前記通行者情報とに基づいて、前記通行者が前記出入口を過去に通行したことがあるか否かを判定する通行者判定装置と、注意を要する前記通行者が前記出入口を通行することを監視者に対して報知する報知装置と、前記報知装置の報知を制御する制御装置と、前記通行者情報を登録する登録装置とを備えた通行者監視システムの制御方法であって、
前記通行者判定装置が、前記画像処理装置が取得する前記通行者情報が前記登録装置に登録されているか否かを判定する登録情報照合工程と、
前記通行者判定装置が、前記画像処理装置が取得する前記通行者情報と前記画像処理装置が前記通行者情報を取得する以前に前記記憶装置に記憶された前記通行者情報とに基づいて、前記通行者が前記出入口を過去に通行したことがあるか否かを判定する通行者情報照合工程と、
前記通行者情報照合工程で、前記通行者が前記出入口を過去に通行したことがないと前記通行者判定装置が判定し、かつ、前記登録情報照合工程で、前記画像処理装置が取得する前記通行者情報が前記登録装置に登録されていないと前記通常者判定装置が判定した後に、前記制御装置が前記報知装置に報知させる報知工程と、
前記通行者情報照合工程の後に、前記記憶装置が、前記画像処理装置が取得する前記通行者情報を記憶する記憶工程と
を備えたことを特徴とする通行者監視システムの制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月27日(2014.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体パターンを撮像する撮像部と、
演算部と、を備え、
前記演算部は、
前記撮像部を用いて識別対象者の生体パターンを撮像して得られる画像から、前記生体パターンを特徴付ける複数の識別特徴量及びそれぞれの前記識別特徴量の位置を示す情報を抽出し、
所定の登録部に予め複数登録されている登録対象者の生体パターンを特徴付ける登録特徴量の各々と、前記識別対象者の複数の識別特徴量の各々とが類似するか否かを判断し、
任意の２つの識別特徴量の位置を示す情報から、前記２つの識別特徴量の間の距離を算出し、
前記２つの識別特徴量にそれぞれ類似すると判断された２つの登録特徴量の間の距離と前記識別特徴量の間の距離との差に応じて算出されるスコアに基づいて、前記識別対象者が前記登録対象者であるか否かを識別する、
識別動作を行う演算部と、
を備える生体識別装置。
【請求項２】
請求項１に記載の生体識別装置であって、
前記生体パターンは、指の静脈の形状を表す指静脈パターンであり、
前記登録部には、前記登録特徴量と指の種類を表す指ＩＤとが対応付けられて登録されており、
前記演算部は、
前記識別特徴量に類似すると判断された登録特徴量に対応付けられた指ＩＤに基づいて、同じ指ＩＤに対応付けられる２つの識別特徴量の位置を示す情報から、前記同じ指ＩＤに対応付けられる２つの識別特徴量の間の距離を算出し、
前記同じ指ＩＤに対応付けられる２つの識別特徴量に対応する２つの登録特徴量の間の距離と、前記同じ指ＩＤに対応付けられる識別特徴量の間の距離と、の差に応じて算出されるスコアに基づいて識別を行なうことを特徴とする生体識別装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の生体識別装置であって、
前記演算部は、
前記２つの識別特徴量の間の距離と、その２つの識別特徴量に対応する２つの登録特徴量の間の距離と、の差が大きいほど、
前記スコアに対する重みを小さくすることを特徴とする生体識別装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の生体識別装置であって、
前記演算部は、
前記撮像部を用いて登録対象者の指の生体パターンを撮像して得られる画像から、前記登録特徴量及びそれぞれの登録特徴量の位置を示す情報を抽出し、
前記登録対象者の指ＩＤに対応付けて、前記登録特徴量及び前記位置を示す情報を前記登録部に登録することを特徴とする生体識別装置。
【請求項５】
請求項４に記載の生体識別装置であって、
前記識別対象者の指の生体パターンよりも、前記登録対象者の指の生体パターンの方が、前記撮像部によって撮像される領域が大きいことを特徴とする生体識別装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の生体識別装置であって、
前記特徴量が、ＳＩＦＴ（Scale Invariant Feature Transform）を用いて抽出されることを特徴とする生体識別装置。
【請求項７】
識別対象者の生体パターンを撮像して得られる画像から、前記生体パターンを特徴付ける複数の識別特徴量及びそれぞれの識別特徴量の位置を示す情報を抽出することと、
登録対象者の生体パターンを特徴付ける複数の登録特徴量の各々と、前記複数の識別特徴量の各々とを照合することと、
任意の２つの識別特徴量の位置を示す情報から、前記２つの識別特徴量の間の距離を算出することと、
前記２つの識別特徴量にそれぞれ類似すると判断された２つの登録特徴量の間の距離と前記識別特徴量の間の距離との差に応じて算出されるスコアに基づいて、前記識別対象者が前記登録対象者であるか否かを識別することと、
を有する生体識別方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月6日(2014.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子に形成されている接続電極と、
前記半導体素子に形成されているアライメントマークとを備え、
前記アライメントマークの少なくとも１つ以上が磁性体からなる
半導体装置。
【請求項２】
前記接続電極を覆うように形成されているアンダーフィル樹脂を備える請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記磁性体が、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉから選ばれる少なくとも１つ以上を含む請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体素子の、２箇所以上に磁性体からなるアライメントマークが形成されている請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記アライメントマークの前記半導体素子の面からの高さが、前記接続電極の高さ以下であり、且つ、前記接続電極が形成されている面の高さ以上である請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体基体と、
前記半導体基体上に形成された配線層と、
前記配線層の表面に形成された接続電極と、
前記接続電極と同じ層に形成されているアライメントマークと、を備え、
前記アライメントマークの少なくとも１つ以上が磁性体からなる
半導体装置。
【請求項７】
半導体素子が形成された基体を準備する工程と、
前記基体上にアライメントマークを形成する工程と、
前記基体上に接続電極を形成する工程と、を有し、
前記アライメントマークを形成する工程において、前記半導体素子に形成される１つ以上のアライメントマークを磁性体により形成する
半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記磁性体をキュリー温度以上に加熱し、前記アライメントマークを消磁する工程を有する請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月23日(2014.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体パッケージに搭載される搭載用部品の接続端子と電気的に接続される複数の接続用パッドと、
前記接続用パッドのうち少なくとも２つの接続用パッドの領域内に形成され、前記接続用パッドよりも小さい平面形状を有する認識マークと、を有し、
前記接続用パッドとして露出される配線パターンの一部に凹部又は凸部が形成されることで前記認識マークが形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記認識マークは、前記接続用パッドとして露出される配線パターンの一部が除去され該配線パターンの下層の絶縁層が露出されることで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記認識マークは、前記接続用パッドとして露出される配線パターンに対して、エッチング加工又はプレス加工を施すことによって形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記接続用パッドの平面形状は円形形状であり、
前記認識マークの平面形状は、前記接続用パッドと異なる形状であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一観点によれば、半導体パッケージに搭載される搭載用部品の接続端子と電気的に接続される複数の接続用パッドと、前記接続用パッドのうち少なくとも２つの接続用パッドの領域内に形成され、前記接続用パッドよりも小さい平面形状を有する認識マークと、を有する。また、前記接続用パッドとして露出される配線パターンの一部に凹部又は凸部が形成されることで前記認識マークが形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月26日(2014.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子の照射によりＸ線を発生するターゲット金属を含有するターゲット層と、
前記ターゲット層で発生したＸ線を透過するダイアモンド基板と、
前記ターゲット層と前記ダイアモンド基板との間に配され、前記ターゲット層の熱伝導率よりも低い熱伝導率を呈する中間層とを備え、
前記中間層は、炭化物層である事を特徴とするＸ線放出ターゲット。
【請求項２】
前記中間層は、５００℃から１５００℃の温度域における炭化物標準生成自由エネルギーが負である被炭化金属を含有する事を特徴とする請求項１に記載のＸ線放出ターゲット。
【請求項３】
前記中間層の層厚が、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である請求項１または２に記載のＸ線放出ターゲット。
【請求項４】
前記被炭化金属と、前記ターゲット金属との固溶体が、前記ダイアモンド基板と前記ターゲット層との境界に存在している事を特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＸ線放出ターゲット。
【請求項５】
前記被炭化金属は、チタン、バナジウム、タンタル、クロムのいずれかからなる事を特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＸ線放出ターゲット。
【請求項６】
前記被炭化金属は、５００℃から１５００℃の温度域における炭化物標準生成自由エネルギーが  −  ４０  ｋＪ／（ｍｏｌ℃）  以下であることを特徴とする請求項１または５に記載のＸ線放出ターゲット。
【請求項７】
前記第被炭化金属は、チタンまたはタンタルであることを特徴とする請求項６に記載のＸ線放出ターゲット。
【請求項８】
前記ターゲット金属は、原子番号が４２以上の金属であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のＸ線放出ターゲット。
【請求項９】
前記ターゲット金属は、タングステンであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のＸ線放出ターゲット。
【請求項１０】
内部が減圧されている真空外囲器と、
前記真空外囲器の内部に配された電子放出源と
前記電子放出源と前記ターゲット層とが対向するように配された請求項１乃至９のいずれか１項に記載のＸ線放出ターゲットと、を備えたＸ線発生管。
【請求項１１】
請求項１０に記載のＸ線発生管と、前記電子放出源を駆動する駆動回路と、
を備えることを特徴とするＸ線発生装置。
【請求項１２】
電子の照射によりＸ線を発生するターゲット金属を含有するターゲット層と、
前記ターゲット層で発生したＸ線を透過するダイアモンド基板と、
前記ターゲット層と前記ダイアモンド基板と間に前記ターゲット金属よりも低い熱伝導率を呈する中間層と、を備え、
前記中間層は、５００℃から１５００℃の温度域における炭化物標準生成自由エネルギーが負である被炭化金属を含有することを特徴とするＸ線放出ターゲット。
【請求項１３】
前記中間層の層厚が、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である請求項１２に記載のＸ線放出ターゲット。
【請求項１４】
前記被炭化金属と、前記第２の金属との固溶体が、前記中間層と前記ターゲット層との境界に存在している事を特徴とする請求項１２または１３に記載のＸ線放出ターゲット。
【請求項１５】
前記被炭化金属は、チタン、バナジウム、タンタル、クロムのいずれかからなる事を特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載のＸ線放出ターゲット。
【請求項１６】
前記被炭化金属は、５００℃から１５００℃の温度域における炭化物標準生成自由エネルギーが  −４０  ｋＪ／ｍｏｌ℃  以下であることを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか１項に記載のＸ線放出ターゲット。
【請求項１７】
内部が減圧されている真空外囲器と、
前記真空外囲器の内部に配された電子放出源と
前記電子放出源と前記ターゲット層とが対向するように配された請求項１２乃至１６のいずれか１項に記載のＸ線放出ターゲットと、を備えたＸ線発生管。
【請求項１８】
請求項１７に記載のＸ線発生管と、前記電子放出源を駆動する駆動回路と、
を備えることを特徴とするＸ線発生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の第１のＸ線放出ターゲットは、電子の照射によりＸ線を発生するターゲット金属を含有するターゲット層と、前記ターゲット層で発生したＸ線を透過するダイアモンド基板と、前記ターゲット層と前記ダイアモンド基板との間に配され、前記ターゲット層の熱伝導率よりも低い熱伝導率を呈する中間層とを備え、前記中間層は、炭化物層である事を特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
さらに、本発明の第２のＸ線放出ターゲットは、電子の照射によりＸ線を発生するターゲット金属を含有するターゲット層と、前記ターゲット層で発生したＸ線を透過するダイアモンド基板と、前記ターゲット層と前記ダイアモンド基板と間に前記ターゲット金属よりも低い熱伝導率を呈する中間層と、を備え、前記中間層は、５００℃から１５００℃の温度域における炭化物標準生成自由エネルギーが負である被炭化金属を含有する事を特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月10日(2014.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソードから放出された電子が、ターゲットの一方の面に衝突することにより、前記ターゲットの他方の面側からＸ線を放出する透過型のＸ線管であって、
前記ターゲットの一方の面側に配置され、開口部から前記ターゲットへと電子を通過させる電子通過孔が形成されたＸ線遮蔽部材を有し、
前記Ｘ線遮蔽部材には、前記開口部とは別に、前記電子通過孔の内外を連通させる貫通孔が形成されていることを特徴とするＸ線管。
【請求項２】
カソードから放出された電子が、ターゲットの一方の面に衝突することにより、前記ターゲットの他方の面側からＸ線を放出する透過型のＸ線管であって、
前記ターゲットの一方の面側に配置され、開口部から前記ターゲットへと電子を通過させる電子通過孔が形成されたＸ線遮蔽部材を有し、
前記Ｘ線遮蔽部材と前記ターゲットとの間に、前記電子通過孔の内部を外部と連通させる隙間が形成されていることを特徴とするＸ線管。
【請求項３】
前記貫通孔が、前記ターゲットへの電子の衝突位置から前記貫通孔を通る総ての直線が前記貫通孔の内壁面と交差するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＸ線管。
【請求項４】
前記ターゲットがアノードに保持されていると共に、前記Ｘ線遮蔽部材の周囲の前記アノードの上に補助Ｘ線遮蔽部材が設けられていることを特徴とする請求項２に記載のＸ線管。
【請求項５】
前記電子通過孔の内壁面が導電性材料で構成されており、前記内壁面は前記ターゲットと同電位になっていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のＸ線管。
【請求項６】
前記電子通過孔の内壁面が接地されていることを特徴とする請求項５に記載のＸ線管。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記目的を達成するために、カソードから放出された電子が、ターゲットの一方の面に衝突することにより、前記ターゲットの他方の面側からＸ線を放出する透過型のＸ線管であって、
前記ターゲットの一方の面側に配置され、開口部から前記ターゲットへと電子を通過させる電子通過孔（排気路）が形成されたＸ線遮蔽部材を有し、
前記Ｘ線遮蔽部材には、前記開口部とは別に、前記電子通過孔の内外を連通させる貫通孔が形成されていることを特徴とするＸ線管と、
カソードから放出された電子が、ターゲットの一方の面に衝突することにより、前記ターゲットの他方の面側からＸ線を放出する透過型のＸ線管であって、
前記ターゲットの一方の面側に配置され、開口部から前記ターゲットへと電子を通過させる電子通過孔が形成されたＸ線遮蔽部材を有し、
前記Ｘ線遮蔽部材と前記ターゲットとの間に、前記電子通過孔の内部を外部と連通させる隙間（排気路）が形成されていることを特徴とするＸ線管とを提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月26日(2014.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイアモンド基板と、
前記ダイアモンド基板の上に配され、第１の金属を含有する第１の層と、
前記第１の層の上に配され、前記第１の金属の熱伝導率よりも高い熱伝導率を呈する第２の金属を含有する第２の層とを備え、
前記第１の層の層厚が、０．１ｎｍ以上かつ１００ｎｍ以下である事を特徴とするＸ線放出ターゲット。
【請求項２】
前記第１の層の層厚が、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である請求項１に記載のＸ線放出ターゲット。
【請求項３】
前記第１の金属と前記第２の金属との固溶体が、前記第１の層と前記第２の層との境界に存在していることを特徴とする請求項２に記載のＸ線放出ターゲット。
【請求項４】
前記第１の金属は、チタン、バナジウム、タンタル、クロムのいずれかを含有する事を特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＸ線放出ターゲット。
【請求項５】
前記第１の金属は、５００℃から１５００℃の温度域における炭化物生成標準自由エネルギーが−４０ｋＪ／（ｍｏｌ℃）以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＸ線放出ターゲット。
【請求項６】
前記第１の金属は、チタンまたはタンタルを含有することを特徴とする請求項５に記載のＸ線放出ターゲット。
【請求項７】
前記第２の層は、電子の照射によりＸ線を発生するターゲット層であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のＸ線放出ターゲット。
【請求項８】
前記第２の金属は、原子番号が４２以上の金属であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のＸ線放出ターゲット。
【請求項９】
前記第２の金属は、タングステンであることを特徴とする請求項７または８に記載のＸ線放出ターゲット。
【請求項１０】
内部が減圧されている真空外囲器と、
前記真空外囲器の内部に配された電子放出源と
前記電子放出源と前記第２の層とが対向するように配された請求項１乃至９のいずれか１項に記載のＸ線放出ターゲットと、を備えることを特徴とするＸ線発生管。
【請求項１１】
請求項１０に記載のＸ線発生管と、
前記電子放出源を駆動する駆動回路と、
を備えることを特徴とするＸ線発生装置。
【請求項１２】
ダイアモンド基板と、前記ダイアモンド基板の上に配され、第１の金属を含有する第１の層と、前記第１の層の上に配され、前記第１の金属の熱伝導率よりも高い熱伝導率を呈する第２の金属を含有する第２の層と、前記第２の層および前記ダイアモンド基板のそれぞれの周縁において接続され、前記ダイアモンド基板を保持する保持部材と、を有するＸ線放出ターゲットと、
前記第２の層に電子線束を照射し焦点を形成する電子放出源と、
を備えたＸ線発生管であって、
前記焦点から前記保持部材までの熱伝達率において、前記１の層の層厚方向を通過し前記ダイアモンド基板の板面方向を通過する経路の熱伝達率が、前記第２の層の層面方向を通過する経路の熱伝達率より大きい事を特徴とするＸ線発生管。
【請求項１３】
前記第１の層の層厚が、０．１ｎｍ以上かつ１００ｎｍ以下である事を特徴とする請求項１２に記載のＸ線発生管。
【請求項１４】
前記第１の層の層厚が、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である請求項１３に記載のＸ線発生管。
【請求項１５】
前記第１の金属と前記第２の金属との固溶体が、前記第１の層と前記第２の層との境界に存在していることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載のＸ線発生管。
【請求項１６】
前記第１の金属は、チタン、バナジウム、タンタル、クロムのいずれかを含有する事を特徴とする請求項１２乃乃至１５のいずれか１項に記載のＸ線発生管。
【請求項１７】
前記第１の金属は、５００℃から１５００℃の温度域における炭化物生成標準自由エネルギーが−４０ｋＪ／（ｍｏｌ℃）以下であることを特徴とする請求項１２乃至１６のいずれか１項に記載のＸ線発生管。
【請求項１８】
前記第１の金属は、チタンまたはタンタルを含有することを特徴とする請求項１７に記載のＸ線発生管。
【請求項１９】
前記第２の層は、電子の照射によりＸ線を発生するターゲット層であることを特徴とする請求項１２乃至１８のいずれか１項に記載のＸ線発生管。
【請求項２０】
前記第２の金属は、原子番号が４２以上の金属であることを特徴とする請求項１２乃至１９のいずれか１項に記載のＸ線発生管。
【請求項２１】
前記第２の金属は、タングステンであることを特徴とする請求項２０に記載のＸ線発生管。
【請求項２２】
内部が減圧されている真空外囲器と、をさらに備えることを特徴とするＸ線発生管。
【請求項２３】
請求項１２乃至２２のいずれか１項に記載のＸ線発生管と、
前記電子放出源を駆動する駆動回路と、
を備えることを特徴とするＸ線発生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明のＸ線放出ターゲットは、ダイアモンド基板と、前記ダイアモンド基板の上に配され、第１の金属を含有する第１の層と、前記第１の層の上に配され、前記第１の金属の熱伝導率よりも高い熱伝導率を呈する第２の金属を含有する第２の層とを備え、前記第１の層の層厚が、０．１ｎｍ以上かつ１００ｎｍ以下である事を特徴とする。
また、本発明のＸ線発生管は、ダイアモンド基板と、前記ダイアモンド基板の上に配され、第１の金属を含有する第１の層と、前記第１の層の上に配され、前記第１の金属の熱伝導率よりも高い熱伝導率を呈する第２の金属を含有する第２の層と、前記第２の層および前記ダイアモンド基板のそれぞれの周縁において接続され、前記ダイアモンド基板を保持する保持部材と、を有するＸ線放出ターゲットと、前記第２の層に電子線束を照射し焦点を形成する電子放出源と、を備え、前記焦点から前記保持部材までの熱伝達率において、前記１の層の層厚方向を通過し前記ダイアモンド基板の板面方向を通過する経路の熱伝達率が、前記第２の層の層面方向を通過する経路の熱伝達率より大きい事を特徴とする。