【手続補正書】
【提出日】平成26年1月14日(2014.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状基体の上に堆積膜を形成して電子写真感光体の製造するための電子写真感光体の製造装置であって、
内部の反応空間を真空気密状態に保持することが可能な円筒状の反応容器と、
前記反応容器の内部に前記円筒状基体を設置するための手段と、
前記反応容器の内部に前記堆積膜の形成に用いる原料ガスを導入するための原料ガス導入管と、
前記反応容器の内部より排気するための排気手段と、
放電エネルギーにより前記原料ガスを励起するための手段と、
を有する電子写真感光体の製造装置において、
前記原料ガス導入管が、周方向に複数のガス放出孔を有し、
前記製造装置が、
前記原料ガス導入管を回転させることが可能な回転機構と、
前記原料ガス導入管の前記複数のガス放出孔のうち、原料ガスの導入に利用しないガス放出孔を塞ぐ手段と、
を有し、
前記回転機構を用いて前記原料ガス導入管を回転させ、前記塞ぐ手段によって塞がれるガス放出孔を切り替えることによって、前記反応空間の内部への原料ガスの導入に利用するガス放出孔が切り替え可能である
ことを特徴とする電子写真感光体の製造装置。
【請求項２】
前記原料ガス導入管が、前記反応容器の側壁に内在し、前記ガス放出孔が、前記反応容器の側壁に沿って配置されている請求項１に記載の電子写真感光体の製造装置。
【請求項３】
前記原料ガス導入管の軸方向において、複数のガス放出孔からなるガス放出孔群が形成されており、かつ、原料ガス導入管の周方向において、複数のガス放出孔群が形成されている請求項１又は２に記載の電子写真感光体の製造装置。
【請求項４】
前記ガス放出孔群のパターンが、前記原料ガス導入管の周方向で異なる請求項３に記載の電子写真感光体の製造装置。
【請求項５】
前記塞ぐ手段が、反応容器の側壁の一部であり、
前記塞ぐ手段が、第２のガス放出孔を有し、
前記回転機構を用いて前記原料ガス導入管を回転させ、前記原料ガス導入管が有するガス放出孔と前記塞ぐ手段が有する第２のガス放出孔とを連通させることで、前記反応空間の内部への原料ガスの導入に利用するガス放出孔が切り替え可能である
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造装置。
【請求項６】
前記ガス導入管が内管となり、前記塞ぐ手段が外管となる構造になっており、
前記塞ぐ手段が、第２のガス放出孔を有し、
前記回転機構を用いて前記ガス導入管を回転させる、および／または、前記塞ぐ手段を回転させることが可能な回転機構を用いて前記塞ぐ手段を回転させることで、前記原料ガス導入管が有するガス放出孔と前記塞ぐ手段が有する第２のガス放出孔とを連通させることで、前記反応空間の内部への原料ガスの導入に利用するガス放出孔が切り替え可能である
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造装置。
【請求項７】
前記塞ぐ手段が有する第２のガス放出孔が、前記円筒状基体に対向しない方向に前記原料ガスを放出するように設置されている請求項６に記載の電子写真感光体の製造装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造装置を用い、円筒状基体の上に堆積膜を形成して電子写真感光体を製造することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子写真感光体の製造装置および電子写真感光体の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は円筒状の基体の表面にケイ素原子を母材とする非晶質材料からなる電子写真感光体の製造装置および電子写真感光体の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記目的を達成するため、本発明は、
円筒状基体の上に堆積膜を形成して電子写真感光体の製造するための電子写真感光体の製造装置であって、
内部の反応空間を真空気密状態に保持することが可能な円筒状の反応容器と、
前記反応容器の内部に前記円筒状基体を設置するための手段と、
前記反応容器の内部に前記堆積膜の形成に用いる原料ガスを導入するための原料ガス導入管と、
前記反応容器の内部より排気するための排気手段と、
放電エネルギーにより前記原料ガスを励起するための手段と、
を有する電子写真感光体の製造装置において、
前記原料ガス導入管が、周方向に複数のガス放出孔を有し、
前記製造装置が、
前記原料ガス導入管を回転させることが可能な回転機構と、
前記原料ガス導入管の前記複数のガス放出孔のうち、原料ガスの導入に利用しないガス放出孔を塞ぐ手段と、
を有し、
前記回転機構を用いて前記原料ガス導入管を回転させ、前記塞ぐ手段によって塞がれるガス放出孔を切り替えることによって、前記反応空間の内部への原料ガスの導入に利用するガス放出孔が切り替え可能である
ことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
そして、原料ガス導入管２０１を回転させることにより、原料ガスの導入に利用するガス放出孔２０３はカバー２０４に覆われずに円筒状基体２０５に対向する位置へ移動し、利用しないガス放出孔２０３はカバー２０４に覆われて塞がれる位置に移動させる。
このように、原料ガスの導入に利用しないガス放出孔２０３をカバー２０４で覆うことで、利用しないガス放出孔２０３は堆積膜形成空間であるプラズマ生成領域に曝されにくくなり、利用しないガス放出孔２０３の近傍への堆積膜の付着を抑制できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
第１の実施形態では図２（ｂ）に示すように、複数のガス放出孔２０３を、原料ガス導入管２０１の軸方向に設けることによってガス放出孔群２０６を形成し、さらには複数のガス放出孔群２０６を原料ガス導入管２０１の周方向に配置する。ガス放出孔群２０６は、周方向で同じパターンの複数のガス放出孔群２０６を配置しても良いし、異なるパターンの複数のガス放出孔群２０６を配置しても良い。または、同じパターンを複数と異なるパターンの両方を配置しても良い。同一の膜を厚く堆積させる場合には、周方向で同じパターンの複数のガス放出孔群２０６を配置して成膜中に切り替えることで、ガス放出孔２０３近傍に堆積する膜が厚くなることにより発生する堆積膜の剥離が抑制できる。「パターン」とは、前記のごとく、それぞれのガス放出孔２０３の位置や個数や径の組み合わせを意味する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
（第２の実施形態）
次に、利用しないガス放出孔を塞ぐ手段として反応容器１０１１０の側壁を用いた第２の実施形態について図を参照して説明する。
図４Ａ（ａ）に示すように、第２の実施形態では第１の実施形態と同様に、原料ガス導入管４０１の周方向に複数の第１のガス放出孔４０２が設けられている。
そして、図４Ａ（ｂ）に示すように、第１の実施形態と同様に、複数の第１のガス放出孔４０２を原料ガス導入管４０１の軸方向に設けてガス放出孔群４０５を形成している。そして、原料ガス導入管４０６の周方向において、同じパターン又は異なるパターンの複数のガス放出孔群４０５を配置することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、図４Ｂ（ｃ）に示すように原料ガス導入管４０１および第１のガス放出孔４０２では、プラズマ生成領域に曝される部分が、側壁４０３に設けられた第２のガス放出孔４０４の開口部分のみとなる。
このように、原料ガスの導入に利用しないガス放出孔４０２を側壁４０３で覆うことで、利用しないガス放出孔４０２は堆積膜形成空間であるプラズマ生成領域に曝されにくくなり、ガス放出孔近傍への堆積膜の付着を抑制できる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
（第３の実施形態）
最後に、原料ガス導入管を内管とし、利用しないガス放出孔を塞ぐ手段として外管を用いる第３の実施形態について図を参照して説明する。
まず、第３の実施形態は、図５に示すように、外管５０１に第２のガス放出孔５０２が設けられる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
そして、原料ガス導入管に当たる内管５０３には複数の第１のガス放出孔５０４が、周方向に設けられる。
さらに、複数の第１のガス放出孔５０４が内管５０３の軸方向に設けられたガス放出孔群５０５を形成する。そして、内管５０３の周方向で、同じパターン又は異なるパターンの複数のガス放出孔群５０５を配置することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
このように、原料ガスの導入に利用しないガス放出孔５０４を外管５０１で覆うことで、利用しないガス放出孔５０４は堆積膜形成空間であるプラズマ生成領域に曝されにくくなり、ガス放出孔５０４の近傍への堆積膜の付着を抑制できる。
また、第１および第２の実施形態と同様に、異なる成膜条件で多層膜形成する場合には、周方向で異なるパターンのガス放出孔群５０５を配置し、各層毎に層の成膜条件に適したガス放出群５０５に切り替えることで、特性の均一性を向上させることができる。
また、外管５０１は回転させずに内管５０３を回転するため、外管５０１に堆積した堆積膜の剥離が発生し難くなり、成膜条件によって内管５０３の周方向に設けられたガス放出孔群５０５を変更した場合にもダストが抑制できる。
さらに、外管５０１の第２の放出孔５０２についてはコンダクタンスの変更に使用されないためにガス導入の分布には影響しないため、大きさや形状は任意に設定できる。このため、第２の放出孔５０２近傍に堆積した堆積膜が、ガス流によって剥離することを抑制するために、第１のガス放出孔５０４より第２のガス放出孔５０２を大きくすることができる。
そして、ガス導入の分布は内管５０３の第１のガス放出孔５０４のコンダクタンスや形状が直接的に依存するため、ガス導入の分布を正確に制御できる。
さらに、堆積膜を厚くする場合に、同じパターンのガス放出孔群５０５と切り替えることで、第１のガス放出孔５０４をリフレッシュでき、ダストを抑制できる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
（実施例６）
図１０に示すように、原料ガス導入管を側壁１００２に内在させ、原料ガス導入管を内管１００６とし、外管１００３に第２のガス放出孔１００４を設けた。それ以外は実施例４と同じ条件で電子写真感光体を作製した。
この時、図１０に示すように、外管１００３に設けられた第２のガス放出孔１００４は、円筒状基体１００５の表面に対向させた。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2012150298.tif 000001