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【手続補正書】
【提出日】平成26年10月31日(2014.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像装置に対する位置姿勢センサの位置および姿勢を校正するための校正用入力データを処理する情報処理装置であって、
前記撮像装置により撮像された画像を取得する画像取得手段と、
前記画像から指標情報を検出する指標検出手段と、
前記位置姿勢センサにより計測された前記位置姿勢センサ自身の位置および姿勢の計測値を取得する計測値取得手段と、
前記指標情報と前記計測値とを含む前記校正用入力データの推奨レベルを、前記指標情報と前記計測値とに基づいて導出する導出手段と、
前記推奨レベルを提示する提示手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記位置姿勢センサは、前記撮像装置に装着されていることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
撮像装置によって撮像される物体に対する位置姿勢センサの位置および姿勢を校正するための校正用入力データを処理する情報処理装置であって、
前記撮像装置により撮像された画像を取得する画像取得手段と、
前記画像から指標情報を検出する指標検出手段と、
前記位置姿勢センサにより計測された前記位置姿勢センサ自身の位置および姿勢の計測値を取得する計測値取得手段と、
前記指標情報と前記計測値とを含む前記校正用入力データの推奨レベルを、前記指標情報と前記計測値とに基づいて導出する導出手段と、
前記推奨レベルを提示する提示手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項４】
前記位置姿勢センサは、前記物体に装着されていることを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
撮像装置に対する姿勢センサの姿勢を校正するための校正用入力データを処理する情報処理装置であって、
前記撮像装置により撮像された画像を取得する画像取得手段と、
前記画像から指標情報を検出する指標検出手段と、
前記姿勢センサにより計測された前記姿勢センサ自身の姿勢の計測値を取得する計測値取得手段と、
前記指標情報と前記計測値とを含む前記校正用入力データの推奨レベルを、前記指標情報と前記計測値とに基づいて導出する導出手段と、
前記推奨レベルを提示する提示手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項６】
前記姿勢センサは、前記撮像装置に装着されていることを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記提示手段は、前記推奨レベルに対応する色またはテクスチャを前記推奨レベルごとに提示することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記提示手段は、前記推奨レベルに対応する作業者への指示をテキスト情報として提示することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記提示手段は、前記推奨レベルに対応する作業者への指示を音声情報として提示することを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記撮像装置は、頭部装着型表示装置であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
画像取得手段と、指標検出手段と、計測値取得手段と、導出手段と、提示手段とを備え、撮像装置に対する位置姿勢センサの位置および姿勢を校正するための校正用入力データを処理する情報処理装置の制御方法であって、
前記画像取得手段が、前記撮像装置により撮像された画像を取得する画像取得工程と、
前記指標検出手段が、前記画像から指標情報を検出する指標検出工程と、
前記計測値取得手段が、前記位置姿勢センサにより計測された前記位置姿勢センサ自身の位置および姿勢の計測値を取得する計測値取得工程と、
前記導出手段が、前記指標情報と前記計測値とを含む前記校正用入力データの推奨レベルを、前記指標情報と前記計測値とに基づいて導出する導出工程と、
前記提示手段が、前記推奨レベルを提示する提示工程と、
を有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１２】
画像取得手段と、指標検出手段と、計測値取得手段と、導出手段と、提示手段とを備え、撮像装置よって撮像される物体に対する位置姿勢センサの位置および姿勢を校正するための校正用入力データを処理する情報処理装置の制御方法であって、
前記画像取得手段が、前記撮像装置により撮像された画像を取得する画像取得工程と、
前記指標検出手段が、前記画像から指標情報を検出する指標検出工程と、
前記計測値取得手段が、前記位置姿勢センサにより計測された前記位置姿勢センサ自身の位置および姿勢の計測値を取得する計測値取得工程と、
前記導出手段が、前記指標情報と前記計測値とを含む前記校正用入力データの推奨レベルを、前記指標情報と前記計測値とに基づいて導出する導出工程と、
前記提示手段が、前記推奨レベルを提示する提示工程と、
を有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１３】
画像取得手段と、指標検出手段と、計測値取得手段と、導出手段と、提示手段とを備え、撮像装置に対する姿勢センサの姿勢を校正するための校正用入力データを処理する情報処理装置であって、
前記画像取得手段が、前記撮像装置により撮像された画像を取得する画像取得工程と、
前記指標検出手段が、前記画像から指標情報を検出する指標検出工程と、
前記計測値取得手段が、前記姿勢センサにより計測された前記姿勢センサ自身の姿勢の計測値を取得する計測値取得工程と、
前記導出手段が、前記指標情報と前記計測値とを含む前記校正用入力データの推奨レベルを、前記指標情報と前記計測値とに基づいて導出する導出工程と、
前記提示手段が、前記推奨レベルを提示する提示工程と、
を有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の情報処理装置の各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記の目的を達成する本発明に係る情報処理装置は、
撮像装置に対する位置姿勢センサの位置および姿勢を校正するための校正用入力データを処理する情報処理装置であって、
前記撮像装置により撮像された画像を取得する画像取得手段と、
前記画像から指標情報を検出する指標検出手段と、
前記位置姿勢センサにより計測された前記位置姿勢センサ自身の位置および姿勢の計測値を取得する計測値取得手段と、
前記指標情報と前記計測値とを含む前記校正用入力データの推奨レベルを、前記指標情報と前記計測値とに基づいて導出する導出手段と、
前記推奨レベルを提示する提示手段と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月18日(2014.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられた画素回路と、を有し、
前記画素回路は、
ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を供給する第１トランジスターと、
前記第１トランジスターにより供給された電流に応じた輝度で発光する二端子型の発光素子と、
前記データ線と前記第１トランジスターのゲートとの間でオンまたはオフする第２トランジスターと、
前記第１トランジスターにおけるゲートとドレインとの間でオンまたはオフする第３トランジスターと、
前記第１トランジスターによって前記発光素子に供給される電流経路でオンまたはオフする第４トランジスターと、
前記発光素子における二端子のうち、前記第１トランジスター側の端子と、所定のリセット電位を給電する第１給電線との間でオンまたはオフする第５トランジスターと、
を含み、
前記第１トランジスターと前記発光素子とは、高位側の電源と低位側の電源との間で直列に接続され、
前記画素回路が形成される領域は第１領域および第２領域を含み、
前記第１領域には、前記第１トランジスター、前記第２トランジスターおよび前記第３トランジスターが配置され、
前記第２領域には、前記第４トランジスターおよび前記第５トランジスターが配置された
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
一端が前記データ線に接続された第１保持容量と、
一端が前記データ線に接続され、他端が前記第１給電線に接続された第２保持 
容量と、
前記画素回路を駆動する駆動回路を、有し、
前記駆動回路は、
第１期間に、
前記データ線と初期電位を給電する第２給電線とを電気的に接続し、前記第１保持容量の他端と所定電位を給電する第３給電線とを電気的に接続し、
前記第１期間に続く第２期間に、
前記データ線と前記第２給電線とを電気的に非接続とし、前記第１保持容量の他端と第３給電線との接続を維持した状態で前記第２トランジスターおよび前記第３トランジスターをオンさせ、
前記第２期間に続く第３期間に、
前記第１保持容量の他端と第３給電線とを電気的に非接続として、前記輝度に応じた電位の信号を前記第１保持容量の他端に供給し、
前記第３期間の終了時に前記第２トランジスターをオフさせ、
前記第３期間に続く第４期間に、前記第４トランジスターをオンさせ、
前記第３トランジスターを、前記第３期間の終了時までにオフさせ、
前記第５トランジスターを、第１期間の開始時から第４期間の開始時までの一部または全部の期間でオンさせる
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１領域と第２領域との間にシールド配線が設けられ、
前記発光素子に電流が流れないときに、前記シールド配線の電位が固定されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記シールド配線には、前記電源の一方が給電される
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記シールド配線には、前記リセット電位が給電される
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１トランジスターと前記第４トランジスターとは、導電配線を介して互いに接続された
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項７】
複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられた画素回路と、を有し、
前記画素回路は、
ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を供給する第１トランジスターと、
前記第１トランジスターにより供給された電流に応じた輝度で発光する二端子型の発光素子と、
前記データ線と前記第１トランジスターのゲートとの間でオンまたはオフする第２トランジスターと、
前記第１トランジスターによって前記発光素子に供給される電流経路でオンまたはオフする第３トランジスターと、
を有し、
前記第１トランジスターと前記第３トランジスターと前記発光素子とは、高位側の電源と低位側の電源との間で直列に接続され、
前記画素回路が形成される領域は第１領域および第２領域を含み、
前記第１領域には、前記第１トランジスターおよび前記第２トランジスターが配置され、
前記第２領域には、前記第３トランジスターが配置された
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられた画素回路と、を有し、
前記画素回路は、
ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を供給する第１トランジスターと、
前記第１トランジスターにより供給された電流に応じた輝度で発光する二端子型の発光素子と、
前記データ線と前記第１トランジスターのゲートとの間でオンまたはオフする第２トランジスターと、
前記発光素子における二端子のうち、前記第１トランジスター側の端子と、所定のリセット電位を給電する第１給電線との間でオンまたはオフする第３トランジスターと、
を有し、
前記第１トランジスターと前記発光素子とは、高位側の電源と低位側の電源との間で直列に接続され、
前記画素回路が形成される領域は第１領域および第２領域を含み、
前記第１領域には、前記第１トランジスターおよび前記第２トランジスターが配置され、
前記第２領域には、前記第３トランジスターが配置された
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の電気光学装置を備える
ことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月20日(2014.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線源とＸ線結晶分光器とＸ線検出器によってなる蛍光Ｘ線分析装置において、１方向の長さが25mm以上300ｍｍ以下で板状単結晶からなる３次元形状に湾曲した１枚のＸ線結晶分光器と、位置敏感かつエネルギー分解能力のあるＸ線検出器の少なくとも何れか一方を用いることにより、結晶分光器の角度走査をすることなくＸ線の分光波長帯域の蛍光Ｘ線分析を行うことを特徴とする蛍光Ｘ線分析装置。
【請求項２】
前記請求項１に記載した蛍光Ｘ線分析装置において、前記Ｘ線結晶分光器が回転楕円面の一部を切り出した形状であり、前記Ｘ線検出器が２次元の位置敏感型、あるいは、同心円状あるいは同心円の一部を切り出した形状の位置敏感型Ｘ線検出器であることを特徴とする蛍光Ｘ線分析装置。
【請求項３】
前記請求項１又は２に記載した蛍光Ｘ線分析装置において、前記Ｘ線結晶分光器が異なる結晶面の板状単結晶を複数組み合わせて分光波長帯域を拡大したことを特徴とする蛍光Ｘ線分析装置。
【請求項４】
前記請求項１乃至３の何れか一つに記載した蛍光Ｘ線分析装置において、分析しようとする試料に照射するＸ線がＸ線源と試料との間に設置されたＸ線光学素子によって収束され試料の一部のみの分析を行うことを特徴とする蛍光Ｘ線分析装置。
【請求項５】
Ｘ線源とＸ線結晶分光器とＸ線検出器によってなる蛍光Ｘ線分析装置において、前記Ｘ線結晶分光器が、軸に対して回転対称な回転LogSpiral面の一部を切り出した３次元湾曲形状であり、前記Ｘ線検出器がエネルギー分解能力をもつＸ線検出器であることを特徴とする特定の元素の分析する蛍光Ｘ線分析装置。
【請求項６】
前記請求項１乃至５の何れか一つに記載した蛍光Ｘ線分析装置において、分析しようとする試料に照射するＸ線がＸ線源と試料との間に設置されたＸ線光学素子によって波長選択され、かつ、収束され試料の一部分の分析を行うことを特徴とする蛍光Ｘ線分析装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月24日(2014.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池と、
前記太陽電池の時計表側に配置された透光性の文字板と、
前記太陽電池の裏面に固定された太陽電池保持部材と、
前記太陽電池保持部材の裏面に配置される地板とを備え、
前記太陽電池保持部材および地板の互いに対向する対向面の一方にはフック部が形成され、他方には前記フック部を配置可能に形成された案内穴が形成され、
前記太陽電池保持部材は、前記フック部を介して前記地板に固定される
ことを特徴とする太陽電池付電子時計。
【請求項２】
請求項１に記載の太陽電池付電子時計において、
前記太陽電池保持部材は、前記太陽電池の裏面に接着剤または粘着テープで固定される
ことを特徴とする太陽電池付電子時計。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の太陽電池付電子時計において、
前記太陽電池保持部材は、前記地板に形成された位置決め突起に係合する位置決め部を備える
ことを特徴とする太陽電池付電子時計。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の太陽電池付電子時計において、
ムーブメントの外周に沿って設けられたリング部材を備え、
前記太陽電池保持部材は、前記リング部材に形成された位置決め突起に係合する位置決め部を備える
ことを特徴とする太陽電池付電子時計。
【請求項５】
請求項４に記載の太陽電池付電子時計において、
前記太陽電池保持部材は、前記フック部または案内穴が形成された本体部と、前記本体部から放射状に延出された複数本の腕部とを備え、
少なくとも１本以上の前記腕部の先端には、前記位置決め部が形成されている
ことを特徴とする太陽電池付電子時計。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の太陽電池付電子時計において、
前記地板の表面には円環状の暦車が配置され、
前記太陽電池保持部材は、前記暦車の時計厚さ方向の位置決め機能を備える
ことを特徴とする太陽電池付電子時計。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月21日(2014.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を透過させる入射スリットと、前記入射光を分光する回折格子と、前記回折格子により分光された分光光を検出する分光光検出器と、を有する分光器において、前記分光光の結像面に設置されるとともに前記分光光を透過させる複数のスリットを有するスリット部を備え、前記分光光検出器は、受光面の波長分散方向の大きさが、前記スリット部に設けられた全てのスリットを包含する大きさ以上の大きさを有し、前記スリット部の入射側前面に設置され特定波長の分光光のみ透過可能なスリットを設けたマスクを備え、さらに、前記回折格子により反射されたゼロ次光を検出するゼロ次光検出器を備えたことを特徴とする分光器。
【請求項２】
前記スリット部のスリットまたは前記マスクのスリットに減光フィルタを設置したことを特徴とする請求項１記載の分光器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月24日(2013.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトセンサと、アナログ／デジタル変換回路とを有し、
前記フォトセンサは、フォトダイオードを有し、
前記アナログ／デジタル変換回路は、発振回路と、カウンタ回路とを有し、
前記フォトセンサより出力された第１の信号は、前記発振回路に入力され、
前記発振回路は、前記第１の信号の発振周波数を変更した第２の信号を出力する機能を有し、
前記カウンタ回路は、前記第２の信号をクロック信号として、加算または減算するカウント機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
フォトセンサと、アナログ／デジタル変換回路とを有し、
前記フォトセンサは、フォトダイオード、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタを有し、
前記アナログ／デジタル変換回路は、発振回路と、カウンタ回路とを有し、
前記フォトダイオードの一方の電極は、第１の配線に電気的に接続され、
前記フォトダイオードの他方の電極は、前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第１の信号を出力する第３の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線に電気的に接続され、
前記第１の信号は、前記発振回路に入力され、
前記発振回路は、前記第１の信号の発振周波数を変更した第２の信号を出力する機能を有し、
前記カウンタ回路は、前記第２の信号をクロック信号として、加算または減算するカウント機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
フォトセンサと、アナログ／デジタル変換回路とを有し、
前記フォトセンサは、画素部に設けられ、
前記フォトセンサは、フォトダイオード、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタを有し、
前記アナログ／デジタル変換回路は、発振回路と、カウンタ回路とを有し、
前記フォトダイオードの一方の電極は、第１の配線に電気的に接続され、
前記フォトダイオードの他方の電極は、前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第１の信号を出力する第３の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線に電気的に接続され、
前記第１の信号は、前記発振回路に入力され、
前記発振回路は、前記第１の信号の発振周波数を変更した第２の信号を出力する機能を有し、
前記カウンタ回路は、前記第２の信号をクロック信号として、加算または減算するカウント機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記フォトダイオードの他方の電極と前記第１のトランジスタのゲートとの間に第３のトランジスタを有し、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方は前記フォトダイオードの他方の電極に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは第５の配線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタそれぞれは結晶性シリコンを有し、
前記第３のトランジスタは酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記酸化物半導体は、キャリア濃度が１×１０１４／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記フォトダイオードは、シリコンが用いられたｐｉｎフォトダイオード、またはシリコンが用いられたｐｎフォトダイオードであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記フォトセンサが第１の状態であるときに前記フォトセンサが生成した電気信号から得られた前記カウンタ回路の計数値を用いて、前記フォトセンサが第２の状態であるときに前記フォトセンサが生成した電気信号から得られた前記カウンタ回路の計数値を補正し、
前記フォトセンサが前記第１の状態のとき、前記カウンタ回路は計数値を減算し、
前記フォトセンサが前記第２の状態のとき、前記カウンタ回路は計数値を加算することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一に記載の半導体装置を具備する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月8日(2014.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＰＯＮの冗長性を与えるシステムにおいて、
（ａ）ＯＮＵを有し、
前記ＯＮＵが通常状態にある時は、前記ＯＮＵは、第１のＯＬＴからの第１暗号キーで暗号化されたパス上を伝搬する入力通信を監視し、第１のタイムスタンプを用いて、前記第１のＯＬＴによる脱登録状態を回避し、
前記入力通信が所定の期間クワイエット状態にある時には、前記ＯＮＵは、レニエント状態に、前記第１のＯＬＴから独立して、移行し、
前記レニエント状態においては、
（ｉ）前記ＯＮＵは、前記第１のＯＬＴからの第１暗号キーと第２のＯＬＴからの第２暗号キーを用いて脱暗号化し、
（ｉｉ）パケットを送信する時に、前記ＯＮＵは、前記記第１暗号キーを用いて、前記送信するパケットを暗号化し、
（ｉｉｉ）パケットを受領すると、
（Ａ）前記ＯＮＵは、ＯＮＵのタイムスタンプを、前記パケットのタイムスタンプに基づいて更新し、この更新されたＯＮＵのタイムスタンプを用いて、前記第２のＯＬＴによる脱登録状態を回避し、
（Ｂ）前記ＯＮＵは、前記通常状態に移行し、
前記ＯＮＵが前記レニエント状態にある間、前記入力通信が所定の期間クワイエット状態にある時には、前記ＯＮＵは、脱登録状態に移行し、
前記クワイエット状態にある入力通信は、前記ＯＮＵに着信するが前記ＯＮＵ宛てではない信号を含む
ことを特徴とするＥＰＯＮに冗長性を与えるシステム。
【請求項２】
前記パケットを受領すると、前記ＯＮＵは、前記パケットのセキュリティ・カウンタに基づいて、ＯＮＵのセキュリティ・カウンタを更新する
ことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記第１のＯＬＴは、第１の場所に配置され、
前記第２のＯＬＴは、第２の場所に配置され、
（ｂ）パッシブ型光学スプリッタを更に有し、
前記パッシブ型光学スプリッタは、前記ＯＬＴと前記ＯＮＵとの間でパケットを交換する
ことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記ＯＬＴは、切替信号を送信し、
前記ＯＬＴは、他のＯＬＴから切替信号を受領する
ことを特徴とする請求項３記載のシステム。
【請求項５】
前記ＯＬＴが前記切替信号を受領すると、前記ＯＬＴは切替プロセスを実行する
ことを特徴とする請求項４記載のシステム。
【請求項６】
前記ＯＬＴは、前記切替プロセスの後、ＩＧＭＰとＭＡＣアドレステーブル情報を決定するよう、構成される
ことを特徴とする請求項５記載のシステム。
【請求項７】
（ｃ）ホストを更に有し、
前記ホストは、切替信号を送信し、
前記ＯＬＴは、前記切替信号を、前記ホストから受領する
ことを特徴とする請求項３記載のシステム。
【請求項８】
前記ＯＬＴが切替信号を受領すると、前記ＯＬＴは切替プロセスを実行する
ことを特徴とする請求項７記載のシステム。
【請求項９】
（ｄ）ネットワーク交換機を更に有し、
前記ネットワーク交換機は、前記ＯＬＴに接続され、
前記ネットワーク交換機は、前記ＯＬＴとネットワークとの間のインターフェースを構成する
ことを特徴とする請求項３記載のシステム。
【請求項１０】
前記ＯＬＴは、独立した統計カウンタを保持し、監視とトラブルシューティングを実行する
ことを特徴とする請求項３記載のシステム。
【請求項１１】
前記入力通信は、以下の場合にクワイエット状態にある
（ｉ）前記ＯＮＵでパケットを受領してない場合；
（ｉｉ）前記ＯＮＵが受領したパケットを脱暗号化する為の正確なセキュリティ・キーを有していない場合；からなるグループから選択された前記ＯＮＵと前記ＯＬＴとの間でのパケット通信がない場合、
ことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月6日(2014.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトダイオードと、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有するフォトセンサを複数有し、
前記フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を前記第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有し、
前記第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能を有し、
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタのゲートに蓄積された電荷を保持する機能を有し、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記複数のフォトセンサはリセット動作、累積動作、及び選択動作を行う機能を有し、
前記複数のフォトセンサは、前記リセット動作を共通して行う機能と、前記累積動作を共通して行う機能と、前記選択動作を順次行う機能と、を有し、
前記選択動作に要する合計の時間は、前記累積動作に要する時間より長いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
フォトダイオードと、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、を有するフォトセンサを複数有し、
前記フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を前記第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有し、
前記第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、前記蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有し、
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタのゲートに前記蓄積された電荷を保持する機能を有し、
前記第３のトランジスタは、前記出力信号の読み出しを制御する機能を有し、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記複数のフォトセンサはリセット動作、累積動作、及び選択動作を行う機能を有し、
前記複数のフォトセンサは、前記リセット動作を共通して行う機能と、前記累積動作を共通して行う機能と、前記選択動作を順次行う機能と、を有し、
前記選択動作に要する合計の時間は、前記累積動作に要する時間より長いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記フォトダイオードと前記第１のトランジスタとは同一表面上に形成されており、
前記第２のトランジスタは、前記フォトダイオード及び前記第１のトランジスタ上に絶縁膜を介して形成されており、
前記第２のトランジスタの一部又は全部は、前記フォトダイオードのｐ層又はｎ層と重なって形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記複数のフォトセンサは、前記リセット動作を行った後、前記累積動作と前記選択動作とを複数回繰り返して行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記選択動作に要する合計の時間は、前記累積動作の開始時から前記累積動作の終了時までの時間より長いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
特定の色の光源を有し、
前記複数のフォトセンサは、前記リセット動作を前記特定の色において共通して行い、前記累積動作を前記特定の色において共通して行い、前記選択動作を順次行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
複数色の光源を有し、
前記複数のフォトセンサは、前記リセット動作を前記複数色の各々の色において共通して行い、前記累積動作を前記複数色の各々の色において共通して行い、前記選択動作を順次行うことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月18日(2013.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を含むメモリセルを有し、
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとは、異なる半導体材料を含み、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を含み、
前記メモリセルは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第１のトランジスタのゲートと、前記容量素子の電極の一方と、が電気的に接続されたノードを有し、
前記メモリセルへの情報の書き込みは、前記第２のトランジスタをオン状態として前記ノードに電位を供給した後、前記第２のトランジスタをオフ状態として前記ノードの電荷を保持することにより行い、
前記書き込みを１×１０９回行う前後において、前記メモリセルのメモリウィンドウ幅の変化量が２％以内であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２のトランジスタのオフ電流は、前記第１のトランジスタのオフ電流よりも低く、
前記第２のトランジスタのオフ電流密度は、１００ｚＡ／μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１のトランジスタのスイッチング速度は、前記第２のトランジスタのスイッチング速度よりも大きいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２のトランジスタは、エネルギーギャップが３ｅＶより大きい材料を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月18日(2013.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を含むメモリセルを有し、
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとは、異なる半導体材料を含み、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を含み、
前記メモリセルへの情報の書き込みは、前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、前記容量素子の電極の一方と、前記第１のトランジスタのゲート電極とが電気的に接続されたノードに第１の電位を供給した後、前記第２のトランジスタをオフ状態とすることで行われ、
電力を供給することなく、前記情報を１×１０４秒以上保持することが可能であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を含むメモリセルを有し、
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとは、異なる半導体材料を含み、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を含み、
前記メモリセルへの第１の情報の書き込みは、前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、前記容量素子の電極の一方と、前記第１のトランジスタのゲート電極とが電気的に接続されたノードに第１の電位を供給した後、前記第２のトランジスタをオフ状態とすることで行われ、
前記第１の情報から第２の情報への書き換えは、前記第２のトランジスタをオン状態とすることにより、前記第１の情報を保持した前記ノードに第２の電位を供給した後、前記第２のトランジスタをオフ状態とすることで行われ、
電力を供給することなく、前記第２の情報を１×１０４秒以上保持することが可能であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記第２のトランジスタのオフ電流は、前記第１のトランジスタのオフ電流よりも低いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１のトランジスタのスイッチング速度は、前記第２のトランジスタのスイッチング速度よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２のトランジスタは、エネルギーギャップが３ｅＶより大きい材料を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月3日(2014.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電半導体素子であって、
基板と、
前記基板に形成され、第一シート抵抗値と、第一厚みと、第一ドーパント濃度とを有する第一ウィンドウ層と、
第二シート抵抗値と、第二厚みと、第二ドーパント濃度とを有する第二ウィンドウ層と、
前記第一ウィンドウ層と前記第二ウィンドウ層との間に形成される半導体システムと、を含み、
前記第二ウィンドウ層及び前記半導体システムは、異なる半導体材料を含み、
前記第二シート抵抗値は、前記第一シート抵抗値よりも低い、光電半導体素子。
【請求項２】
前記半導体システムは、第一導電型を有する第一半導体層と、第二導電型を有する第二半導体層と、前記第一半導体層と前記第二半導体層との間に形成される変換ユニットと、を含む、請求項１に記載の光電半導体素子。
【請求項３】
前記第二ウィンドウ層の幅及び前記半導体システムの幅は、幅差を有し、前記幅差は、１μｍよりも大きい、請求項１に記載の光電半導体素子。
【請求項４】
前記第二厚みは、前記第一厚みよりも大きく、及び／又は、前記第二ドーパント濃度は、前記第一ドーパント濃度よりも大きい、請求項１に記載の光電半導体素子。
【請求項５】
前記第二ウィンドウ層の上表面及び側壁は、不平坦な表面を有する、請求項１に記載の光電半導体素子。
【請求項６】
前記第二ウィンドウ層は、ｐ型半導体材料を含む、請求項１に記載の光電半導体素子。
【請求項７】
前記基板と前記第一ウィンドウ層との間に形成される透明導電層をさらに含む、請求項１に記載の光電半導体素子。
【請求項８】
前記透明導電層は、金属酸化物を含む、請求項７に記載の光電半導体素子。
【請求項９】
前記基板と前記透明導電層との間に形成される金属反射層をさらに含む、請求項８に記載の光電半導体素子。
【請求項１０】
光電半導体素子であって、
基板と、
前記基板に形成され、金属元素を含む金属層と、
前記金属元素を含む第一ウィンドウ層と、
前記金属層と前記第一ウィンドウ層との間に形成される透明導電層と、
を含み、
前記第一ウィンドウ層の前記金属元素の原子濃度は、１×１０１９ｃｍ−３よりも小さい、光電半導体素子。
【請求項１１】
半導体システムをさらに含み、
前記半導体システムは、第一導電型の第一半導体層と、第二導電型の第二半導体層と、前記第一半導体層と前記第二半導体層との間に形成される変換ユニットと、を含む、請求項１０に記載の光電半導体素子。
【請求項１２】
前記金属元素は、銀を含む、請求項１０に記載の光電半導体素子。
【請求項１３】
前記第一ウィンドウ層の前記金属元素の原子濃度は、１×１０１７ｃｍ−３よりも小さい、請求項１０に記載の光電半導体素子。
【請求項１４】
前記第一ウィンドウ層の前記金属元素の原子濃度は、１×１０１６ｃｍ−３よりも大きい、請求項１０に記載の光電半導体素子。
【請求項１５】
前記透明導電層は、金属酸化物を含む、請求項１０に記載の光電半導体素子。
【請求項１６】
前記金属層の反射率は、９０％を超える、請求項１０に記載の光電半導体素子。
【請求項１７】
前記半導体システムに形成される第二ウィンドウ層をさらに含み、
前記第二ウィンドウ層は、不平坦な表面を有する、請求項１０に記載の光電半導体素子。
【請求項１８】
前記第一ウィンドウ層の幅は、前記半導体システムの幅とは異なり、前記両幅は、幅差を有し、前記幅差は、１μｍより大きい、請求項１０に記載の光電半導体素子。
【請求項１９】
光電半導体素子であって、
基板と、
前記基板に形成されるｎ型ウィンドウ層と、
前記ｎ型ウィンドウ層に形成される半導体システムと、
前記半導体システムに形成されるｐ型ウィンドウ層と、
を含み、
前記光電半導体素子は、琥珀色の光又は赤色の光を発し、駆動電流の密度が０．１〜０．３２ｍＡ／ｍｉｌ２の下で、少なくとも７０ルーメン／ワットの発光効率を有する、光電半導体素子。
【請求項２０】
光電半導体素子の製造方法であって、
基板を提供するステップと、
前記基板に半導体システムを形成するステップと、
前記半導体システムにウィンドウ層を形成するステップであって、前記ウィンドウ層及前記半導体システムは、異なる半導体材料を含むステップと、
前記ウィンドウ層を選択的に除去し、これによって、前記ウィンドウ層及び前記半導体システムに幅差を持たせ、前記幅差は、１μｍよりも大きい、光電半導体素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月23日(2014.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２０℃において正の線膨張係数を有する樹脂と前記樹脂に分散した固形粒子よりなる対熱膨張性樹脂であって、前記固形粒子が下記一般式（１）で表される酸化物を少なくとも含むことを特徴とする対熱膨張性樹脂。
一般式（１）
（Ｂｉ１−ｘＭｘ）ＮｉＯ３
（ＭはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙ、Ｉｎのうちの少なくとも１種の金属元素である。ｘは０．０２≦ｘ≦０．１５の数値を表す。）
【請求項２】
前記正の線膨張係数を有する樹脂がポリベンゾイミダゾール樹脂を含んでいることを特徴とする請求項１に記載の対熱膨張性樹脂。
【請求項３】
２０℃において正の線膨張係数を有する金属と前記金属に分散した固形粒子よりなる対熱膨張性金属であって、前記固形粒子が下記一般式（１）で表される酸化物を少なくとも含むことを特徴とする対熱膨張性金属。
一般式（１）
（Ｂｉ１−ｘＭｘ）ＮｉＯ３
（ＭはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙ、Ｉｎのうちの少なくとも１種の金属元素である。ｘは０．０２≦ｘ≦０．１５の数値を表す。）
【請求項４】
前記正の線膨張係数を有する金属の２０℃における線膨張係数αが、１０×１０−６／Ｋ以上３０×１０−６／Ｋ以下であることを特徴とする請求項３に記載の対熱膨張性金属。
【請求項５】
前記正の線膨張係数を有する金属がアルミニウムを含んでいることを特徴とする請求項４に記載の対熱膨張性金属。
【請求項６】
請求項１または２に記載の対熱膨張性樹脂を備えた、構造材料、記録材料、電子材料、撮像装置、集光装置、露光装置、光学観察装置、セパレータ、封止材、電解コンデンサ材料、のいずれかの物品。
【請求項７】
請求項３乃至５のいずれか一項に記載の対熱膨張性金属を備えた、
メタル基板、放熱基板、構造材、有機感光体の基材、スペーサ部材、電極、バネ、液晶製造装置のステージあるいはテーブルのいずれかの物品。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月4日(2014.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのポリエステル樹脂を、少なくとも１つの有機溶媒およびカルボジイミド含有安定化剤と接触させて樹脂混合物を作成することと、
前記樹脂混合物を混合することと、
前記混合物を中和剤と接触させて中和混合物を作成することと、
前記中和混合物を脱イオン水と接触させてエマルションを作成することと、
前記エマルションからラテックス粒子を回収して、前記ラテックス粒子をアモルファスポリエステル樹脂と接触させると共に、場合により着色剤と、場合によりワックスと接触させ、トナー粒子を作成することとを含む、プロセス。
【請求項２】
前記少なくとも１つの有機溶媒が、エステル、エーテル、ケトン、アルコール、アミン、およびこれらの組み合わせからなる群から選択され、前記有機溶媒の含有量は前記ポリエステル樹脂の１重量％〜１００重量％である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記カルボジイミドが、ポリ（ニトリロメタンテトライルニトリロ（２，４，６−トリス（１−メチルエチル）−１，３−フェニレン）、テトライソプロピルジフェニルカルボジイミド、２，２’，６，６’−テトライソプロピルジフェニルカルボジイミド、Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシルカルボジイミド、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルカルボジイミド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド、テトラメチルキシレンカルボジイミド、ジイソプロピルカルボジイミド、メチル−ｔｅｒｔ−ブチル−カルボジイミド、ジシクロヘキシル−カルボジイミド、ジフェニル−カルボジイミド、ジ−ｐ−トリル−カルボジイミド、２，２’−ジメチル−ジフェニルカルボジイミド、２，２’−ジイソプロピル−ジフェニルカルボジイミド、２−ドデシル−２’−ｎ−プロピル−ジフェニルカルボジイミド、２，２’−ジエトキシ−ジフェニルカルボジイミド、２−０−ドデシル−２’−０−エチル−ジフェニルカルボジイミド、２，２’−ジクロロジフェニルカルボジイミド、２，２’−ジトリル−ジフェニルカルボジイミド、２，２’−ジベンジルジフェニルカルボジイミド、２，２’−ジニトロ−ジフェニルカルボジイミド、２−エチル−２’−イソプロピル−ジフェニルカルボジイミド、２，６，２’，６’−テトラエチル−ジフェニルカルボジイミド、２，６，２’，６’−テトラ−二級−ブチル−ジフェニルカルボジイミド、２，６，２’，６’−テトラエチル−３，３’−ジクロロ−ジフェニルカルボジイミド、２，６，２’，６’−テトライソプロピル−３，３’−ジニトロ−ジフェニルカルボジイミド、２−エチル−シクロヘキシル−２−イソプロピル−フェニルカルボジイミド、２，４，６，２’，４’，６’−ヘキサイソプロピル−ジフェニルカルボジイミド、２，２’−ジエチル−ジシクロヘキシルカルボジイミド、２，６，２’，６’−テトライソプロピル−ジシクロヘキシルカルボジイミド、２，６，２’，６’−テトラ−エチル−ジシクロヘキシルカルボジイミド、２，２’−ジクロロジシクロヘキシルカルボジイミド、２，２’−ジカルボエトキシ−ジフェニルカルボジイミド、２，２’−ジシアノ−ジフェニルカルボジイミド、およびこれらの組み合わせからなる群から選択され、前記カルボジイミドは前記ラテックス粒子の０．０１重量％〜２０重量％の量で存在する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
前記少なくとも１つのポリエステル樹脂が、酸価が５ｍｇ ＫＯＨ／ポリマー１ｇ〜５０ｍｇ ＫＯＨ／ポリマー１ｇの酸性基を含む結晶性樹脂を含み、前記結晶性樹脂は前記トナー粒子の１重量％〜８５重量％の量で存在する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
前記エマルションから有機溶媒を留去することをさらに含む、請求項１に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月25日(2014.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高粘度高分子材料の製造方法であって、
上記方法の少なくとも一段階において、第一の混合手段と第二の混合手段との組合せが用いられ、
上記第一の混合手段は、回転ディスクと、前記回転ディスク上に存在して当該回転ディスクの回転軸の中心から当該回転ディスクの外縁まで延びるワイヤとからなり、
上記第二の混合手段は、回転ディスクを有することなく、ワイヤからなる円筒状基部を有し、前記ワイヤが回転軸の一部から前記円筒状基部の外周まで延びている
ことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の製造方法であって、
複数の上記第一の混合手段および上記第二の混合手段が用いられる
ことを特徴とする製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の製造方法であって、
上記第一の混合手段および上記第二の混合手段は交互の順序で配置される
ことを特徴とする製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の製造方法であって、
上記第一の混合手段および上記第二の混合手段は、処理される上記材料が上記第一の混合手段および上記第二の混合手段を垂直に通過するように配置される
ことを特徴とする製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の製造方法であって、
上記高粘度高分子材料はポリカーボネートである
ことを特徴とする製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の製造方法であって、
処理される上記材料の供給時の数平均分子量は５０００以上である
ことを特徴とする製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の製造方法であって、
少なくとも一個の上記第一の混合手段を出た上記材料の数平均分子量は１００００以上である
ことを特徴とする製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の製造方法であって、
少なくとも一個の上記第一の混合手段と少なくとも一個の上記第二の混合手段との組み合せを出た上記高分子材料の最終数平均分子量は１５０００以上である
ことを特徴とする製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の製造方法であって、
上記第一の混合手段および上記第二の混合手段は、処理される上記材料が上記第一の混合手段および上記第二の混合手段を水平に通過するように配置される
ことを特徴とする製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の製造方法であって、
処理される上記材料の数平均分子量は１００００以上である
ことを特徴とする製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月12日(2014.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスタービン（１０）に装着された燃焼ガス測定装置であって、
前記ガスタービン（１０）内の燃焼ガス通路を通過する放射線ビーム（３４）を生成する波長可変レーザ（２２）と、
ガスの燃焼化学種の温度依存性遷移に対応する少なくとも第１の選択波長及び第２の選択波長であって、吸収強度線に対応する近隣波長のない第１の選択波長及び第２の選択波長の放射線を放出するようレーザを波長調整する波長可変レーザ用コントローラ（２０）と、
前記燃焼ガスを通過する放射線ビームを検知し、前記第１の選択波長及び第２の選択波長の各々において前記燃焼ガスによるビームの吸収を示す吸収信号を生成する検出器（２２）と、
非一時的な記憶媒体上に格納され、前記第１の選択波長及び第２の選択波長の吸収信号の比に基づいて燃焼ガス温度を決定するプログラムを実行するプロセッサと
を備える燃焼ガス測定装置。
【請求項２】
前記第１の選択波長が１３３４ナノメートル（ｎｍ）であり、前記第２の選択波長が１３８０ｎｍ又は１３９１ｎｍである、請求項１に記載の燃焼ガス測定装置。
【請求項３】
前記燃焼化学種が水蒸気である、請求項１又は請求項２に記載の燃焼ガス測定装置。
【請求項４】
前記波長可変レーザ（２２）は、放射線ビームが前記ガスタービンの第１のタービンステータ（３８）と第１のタービンバケット（４０）との間で前記ガス通路（３０）を通過するように前記ガスタービン（１０）内に装着される、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の燃焼ガス測定装置。
【請求項５】
前記波長可変レーザ（２２）が波長可変ダイオードレーザである、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の燃焼ガス測定装置。
【請求項６】
前記放射線ビームが、前記ガスタービンのタービン表面から反射される、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の燃焼ガス測定装置。
【請求項７】
ガスタービン（１０）に装着された燃焼ガス測定装置であって、
前記ガスタービン（１０）内の燃焼ガス通路（３０）を通過するレーザビームを放出する波長可変ダイオードレーザ（２２）であって、１３３４ナノメートル（ｎｍ）の波長の第１のレーザビームと、１３８０ｎｍ又は１３９１ｎｍの波長の第２のレーザビームとを放出するよう波長調整される波長可変ダイオードレーザ（２２）と、
前記燃焼ガス（３０）を各々通過する第１のレーザビーム及び第２のレーザビームを検知し、燃焼ガスによる第１のレーザビームの吸収を示す第１の吸収信号と燃焼ガスによる第２のレーザビームの吸収を示す第２の吸収信号を生成するレーザセンサ（２２）と、
非一時的な記憶媒体上に格納され、前記第１のレーザビーム及び第２のレーザビームの第１の吸収信号と第２の吸収信号との比に基づいて燃焼ガス温度を決定するプログラムを実行するプロセッサと
を備える燃焼ガス測定装置。
【請求項８】
前記波長可変レーザ（２２）は、レーザビームが前記ガスタービンの第１のタービンステータ（３８）と第１のタービンバケット（４０）との間で前記ガス通路（３０）を通過するように前記ガスタービン内に装着される、請求項７に記載の燃焼ガス測定装置。
【請求項９】
前記放射線ビームが、前記ガスタービンのタービン表面から反射される、請求項７又は請求項８に記載の燃焼ガス測定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月4日(2014.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼器（１０）であって、
ａ．燃焼チャンバ（２０）と、
ｂ．前記燃焼チャンバ（２０）の少なくとも一部分を円周方向に囲む内部壁（１６、１８）であって外部表面（２２）及び長手方向中心線（２４）を形成する内部壁（１６、１８）と、
ｃ．前記内部壁（１６、１８）の外部表面（２２）上に配置された複数のタービュレータ（２８）と、
ｄ．前記内部壁（１６、１８）の少なくとも一部分を円周方向に囲むスリープ（３６）であって該スリーブ（３６）内に複数のアパーチャ（４４）を含んでいるとともに内部壁（１６、１８）と該スリーブ（３６）との間にプレナム（４０）を形成するスリーブ（３６）と、
ｅ．前記内部壁（１６、１８）の周りに位置しかつその少なくとも一部分の周りにベルマウス形状（４２）を有する周辺部を形成した前記スリーブ（３６）の終端部（３８）と
を備える燃焼器（１０）。
【請求項２】
前記内部壁（１６、１８）が徐々に減少する外周を有する、請求項１記載の燃焼器（１０）。
【請求項３】
前記内部壁（１６、１８）の外部表面（２２）上の所定の位置（３４）に前記複数のタービュレータ（２８）のより高い集中配置をさらに含む、請求項１又は請求項２記載の燃焼器（１０）。
【請求項４】
前記複数のタービュレータ（２８）が、前記内部壁（１６、１８）から延びかつ該内部壁（１６、１８）からの遠位端に尖端部（３３）を有する段付き突出部（３０）を含む、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の燃焼器（１０）。
【請求項５】
前記スリーブ（３６）の終端部（３８）の周辺部が、該周辺部の周りに連続ベルマウス形状（４２）を有する、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の燃焼器（１０）。
【請求項６】
前記スリーブ（３６）の終端部（３８）が、前記内部壁（１６、１８）の長手方向中心線（２４）に対して約４５°に整列している、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の燃焼器（１０）。
【請求項７】
前記スリーブ（３６）の終端部（３８）が、前記内部壁（１６、１８）の長手方向中心線（２４）に対して約９０°に整列している、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の燃焼器（１０）。
【請求項８】
前記スリーブ（３６）の終端部（３８）が、前記内部壁（１６、１８）の長手方向中心線（２４）に対して約１３５°に整列している、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の燃焼器（１０）。
【請求項９】
前記複数のタービュレータ（２８）の所定の位置（３４）にわたり流体流れを選択的に導くための手段をさらに含む、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の燃焼器（１０）。
【請求項１０】
前記流体流れを選択的に導くための手段が、前記複数のタービュレータ（２８）の約９０％よりも少ない範囲にわたっている、請求項９記載の燃焼器（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月24日(2014.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
作像装置内の記録媒体を移送する媒体移送システムであって、第１の信号に応答して静音モードで、第２の信号に応答して通常動作モードで動作する構成とし、静音動作モードは通常動作モードに対し減速された印刷速度である媒体移送システムと、
前記記録媒体上にインクを付着させて画像を形成する印刷システムであって、第１の信号に応答して静音モードで、第２の信号に応答して通常動作モードで動作する構成とした印刷システムと、
ユーザ選択可能な選択肢として前記静音モード管理を表示し、ユーザによる静音モード管理モードの選択を可能にするユーザインタフェースと、
前記媒体移送システムと前記ユーザインタフェースと前記印刷システムとに作動可能に接続されたコントローラであって、通常動作モードに関連する属性を有する印刷ジョブに応答して第１の信号を生成し、静音動作モードに関連する属性を有する印刷ジョブに応答して第２の信号を生成し、ユーザによるユーザインタフェースを介した静音モード管理モードの選択に応答し、第１と第２の信号を生成する構成としたコントローラと、
前記コントローラによるアクセス用のデータと命令とを記憶するメモリであって、前記データおよび命令は、前記静音モード管理期間中の通常動作モードに関連する第１群の属性を規定し、前記静音モード管理期間中の静音動作モードに関連する第２群の属性を規定し、前記第１群と第２群の属性内に包含されない属性を有するか、あるいは第１群と第２群の属性の両方に包含される属性を有する印刷ジョブについて、コントローラが印刷ジョブを通常動作モードで実行すべきかあるいは静音動作モードで実行すべきかを特定できるようにする第３群の属性を規定し、前記第１群と第２群と第３群の属性は、印刷ジョブの１以上の頁数と印刷ジョブの適用範囲レベルと媒体種別と画像解像度とジョブタイミングとジョブ起始原点とを含む、メモリと、
を備える、作像装置。
【請求項２】
前記通常動作モードは、標準印刷モード、高画質印刷モード、写真モード、および高速モードの１つを含む、請求項１に記載の作像装置。
【請求項３】
前記第１群の属性は、第１の所定数を上回る頁数を有する印刷ジョブと、騒音に配慮している時間期間中に生成される印刷ジョブと、所定の解像度閾値未満の解像度を有する印刷ジョブのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の作像装置。
【請求項４】
前記第２群の属性は、第２の所定数未満の頁数を有する印刷ジョブと、待機中の他の印刷ジョブを実行すべきものが皆無である期間に生ずる印刷ジョブと、所定の閾値を上回る解像度あるいは適用範囲を有する印刷ジョブのうちの少なくとも１つを含む、請求項３に記載の作像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】作像装置