Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月30日(2014.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複数種類の図柄の変動開始から図柄の確定停止までを１回とする図柄変動ゲームを表示する表示手段と、前記図柄変動ゲームを前記表示手段で実行させる図柄変動ゲーム制御手段と、を備え、１回の図柄変動ゲームで擬似変動を複数回連続して実行する連続演出が実行され得る遊技機において、
前記連続演出の演出内容を決定する演出内容決定手段と、
前記演出内容決定手段が決定した演出内容で前記連続演出を実行させる連続演出制御手段と、を備え、
前記演出内容決定手段が決定する演出内容には、
前記連続演出を構成する最終擬似変動の１回前の擬似変動で、前記表示手段にて図柄を特定時間変動させた後に一旦停止表示させ、その後に前記最終擬似変動を実行させ、該最終擬似変動でリーチ形成図柄を導出させた後に前半リーチ演出を実行させてから後半リーチ演出を実行させる第１演出と、
前記連続演出を構成する最終擬似変動の擬似変動で、前記リーチ形成図柄を導出させた後に前記前半リーチ演出を実行させ、その後に前記特定時間に亘って大当りとなるか否かの期待度を示す予告演出のうち特定演出を実行させてから前記後半リーチ演出を実行させる第２演出と、を含み、
前記第１演出と前記第２演出とは同一変動時間に亘って行われることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記連続演出制御手段は、前記第２演出で前記連続演出を実行させる場合、前記第１演出における前記最終擬似変動の１回前の擬似変動の変動時間と前記第１演出における前記最終擬似変動の変動時間とを合算した合算変動時間に亘って、前記リーチ形成図柄を導出させた後に前記前半リーチ演出を実行させ、その後に前記特定時間に亘って前記特定演出を実行させてから前記後半リーチ演出を実行させることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、複数種類の図柄の変動開始から図柄の確定停止までを１回とする図柄変動ゲームを表示する表示手段と、前記図柄変動ゲームを前記表示手段で実行させる図柄変動ゲーム制御手段と、を備え、１回の図柄変動ゲームで擬似変動を複数回連続して実行する連続演出が実行され得る遊技機において、前記連続演出の演出内容を決定する演出内容決定手段と、前記演出内容決定手段が決定した演出内容で前記連続演出を実行させる連続演出制御手段と、を備え、前記演出内容決定手段が決定する演出内容には、前記連続演出を構成する最終擬似変動の１回前の擬似変動で、前記表示手段にて図柄を特定時間変動させた後に一旦停止表示させ、その後に前記最終擬似変動を実行させ、該最終擬似変動でリーチ形成図柄を導出させた後に前半リーチ演出を実行させてから後半リーチ演出を実行させる第１演出と、前記連続演出を構成する最終擬似変動の擬似変動で、前記リーチ形成図柄を導出させた後に前記前半リーチ演出を実行させ、その後に前記特定時間に亘って大当りとなるか否かの期待度を示す予告演出のうち特定演出を実行させてから前記後半リーチ演出を実行させる第２演出と、を含み、前記第１演出と前記第２演出とは同一変動時間に亘って行われることを要旨とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の遊技機において、前記連続演出制御手段は、前記第２演出で前記連続演出を実行させる場合、前記第１演出における前記最終擬似変動の１回前の擬似変動の変動時間と前記第１演出における前記最終擬似変動の変動時間とを合算した合算変動時間に亘って、前記リーチ形成図柄を導出させた後に前記前半リーチ演出を実行させ、その後に前記特定時間に亘って前記特定演出を実行させてから前記後半リーチ演出を実行させることを要旨とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月15日(2013.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクをインクジェットヘッドにより吐出し画像を形成する画像形成部を内包するキャリッジと、
前記キャリッジを記録媒体の搬送方向と直交する方向に沿って双方向に走査する走査手段と、
前記キャリッジに対向して配置され、前記インクジェットヘッドにより画像が形成される記録媒体を裏面側から支持するプラテンと、
前記キャリッジに設けられた、または、脱着可能に設けられた温度調節機構により、前記プラテンの温度制御を行なう温度制御手段と、を備え、
前記温度制御手段は、前記走査手段により前記キャリッジを移動させることで、前記プラテンの幅方向全域の温度制御を行うインクジェット記録装置。
【請求項２】
前記温度調節機構は、前記キャリッジ内部に、前記キャリッジの走査方向に沿って配置された断熱管、および、ヒータである請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項３】
前記温度調節機構は、前記キャリッジ内部に、前記キャリッジの走査方向に沿って配置された断熱管、および、ヒートシンクである請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項４】
前記インクジェットヘッドのノズルを保湿するためのキャップを有するメンテナンス部を備え、
前記温度調節機構は、前記キャップの前記ノズルを保湿する面の反対側の面の一部または全部に設けられており、
前記プラテンの温度調節時は、前記キャップを前記メンテナンス部と分離し、前記キャップを前記インクジェットヘッドに固定する請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項５】
前記温度調節機構は、前記キャップに断熱材を介して備えられている請求項４に記載のインクジェット記録装置。
【請求項６】
前記プラテンの温度調節開始時、前記キャップ内の廃液を予め排出する請求項４又は５に記載のインクジェット記録装置。
【請求項７】
前記温度調節機構は、ヒータおよびファンである請求項４から６のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項８】
前記温度調節機構は加熱用ランプであり、前記プラテンと非接触で加熱する請求項４から６のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項９】
前記温度調節機構は、高熱伝導率のローラであり、前記プラテンと接触することで冷却する請求項４から６のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は前記目的を達成するために、インクをインクジェットヘッドにより吐出し画像を形成する画像形成部を内包するキャリッジと、キャリッジを記録媒体の搬送方向と直交する方向に沿って双方向に走査する走査手段と、キャリッジに対向して配置され、インクジェットヘッドにより画像が形成される記録媒体を裏面側から支持するプラテンと、キャリッジに設けられた、または、脱着可能に設けられた温度調節機構により、プラテンの温度制御を行なう温度制御手段と、を備え、温度制御手段は、走査手段によりキャリッジを移動させることで、プラテンの幅方向全域の温度制御を行うインクジェット記録装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の他の態様に係るインクジェット記録装置は、インクジェットヘッドのノズルを保湿するためのキャップを有するメンテナンス部を備え、温度調節機構は、キャップのノズルを保湿する面の反対側の面の一部または全部に設けられており、プラテンの温度調節時は、キャップをメンテナンス部と分離し、キャップをインクジェットヘッドに固定することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月7日(2014.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
８−フルオロ−２−｛４−［（メチルアミノ）メチル］フェニル｝−１，３，４，５−テトラヒドロ−６Ｈ−アゼピノ［５，４，３−ｃｄ］インドール−６−オンのカンシル酸塩。
【請求項２】
結晶性である、請求項１に記載の塩。
【請求項３】
結晶性無水塩である、請求項１に記載の塩。
【請求項４】
カンシル酸塩が、Ｓ−カンシル酸塩である、請求項１に記載の塩。
【請求項５】
カンシル酸塩が、Ｒ−カンシル酸塩である、請求項１に記載の塩。
【請求項６】
１２．２±０．２、１４．８±０．２、および２２．４±０．２からなる群から選択される回折角（２θ）における１つもしくは複数または２つ以上または３つのピークを含む粉末Ｘ線回折パターンを有し、前記粉末Ｘ線回折パターンが、１．５４０６オングストロームの波長において銅Ｋ−α１Ｘ線を使用して得られる、請求項１に記載の塩。
【請求項７】
２１３．４±０．２、１７１．８±０．２、および１７．３±０．２ｐｐｍからなる群から選択される１つもしくは複数の１３Ｃ化学シフトを含む固体ＮＭＲスペクトルを有する、請求項１に記載の塩。
【請求項８】
−１１８．９±０．２および−１１９．７ｐｐｍ±０．２からなる群から選択される１つまたは複数の１９Ｆ化学シフトを含む固体ＮＭＲスペクトルを有する、請求項１に記載の塩。
【請求項９】
１．５４０６オングストロームの波長において銅Ｋ−α１Ｘ線を使用して得られる１２．２±０．２、１４．８±０．２および２２．４±０．２からなる群から選択される回折角（２θ）における１つもしくは複数または２つ以上または３つのピークを含む粉末Ｘ線回折パターン；２１３．４±０．２、１７１．８±０．２、および１７．３±０．２ｐｐｍからなる群から選択される１つもしくは複数または２つ以上または３つの１３Ｃ化学シフトを含む固体ＮＭＲスペクトル；ならびに−１１８．９±０．２および−１１９．７±０．２ｐｐｍからなる群から選択される１つもしくは複数または２つの１９Ｆ化学シフトを含む固体ＮＭＲスペクトルを有する、請求項１に記載の塩。
【請求項１０】
Ｓ−カンシル酸塩多形体Ａ形の実質的に純粋な多形体である、請求項１に記載の塩。
【請求項１１】
Ｓ−カンシル酸塩多形体Ｂ形の実質的に純粋な多形体またはＳ−カンシル酸塩多形体Ｃ形の実質的に純粋な多形体である、請求項１に記載の塩。
【請求項１２】
８−フルオロ−２−｛４−［（メチルアミノ）メチル］フェニル｝−１，３，４，５−テトラヒドロ−６Ｈ−アゼピノ［５，４，３−ｃｄ］インドール−６−オンのマレイン酸塩。
【請求項１３】
結晶性である、請求項１２に記載の塩。
【請求項１４】
結晶性無水塩である、請求項１２に記載の塩。
【請求項１５】
６．０±０．２、２０．３±０．２、および２１．７±０．２の回折角（２θ）におけるピークを含む粉末Ｘ線回折パターンを有し、前記粉末Ｘ線回折パターンが、１．５４０６オングストロームの波長において銅Ｋ−α１Ｘ線を使用して得られる、請求項１２に記載の塩。
【請求項１６】
マレイン酸塩多形体Ａ形の実質的に純粋な多形体である、請求項１２に記載の塩。
【請求項１７】
７．５±０．２、１１．３±０．２、および２４．３±０．２の回折角（２θ）におけるピークを含む粉末Ｘ線回折パターンを有し、前記粉末Ｘ線回折パターンが、１．５４０６オングストロームの波長において銅Ｋ−α１Ｘ線を使用して得られる、請求項１２に記載の塩。
【請求項１８】
１７１．３±０．２、１１２．４±０．２、および４３．８±０．２ｐｐｍからなる群から選択される１つまたは複数の１３Ｃ化学シフトを含む固体ＮＭＲスペクトルを有する、請求項１２に記載の塩。
【請求項１９】
−１２３．１±０．２ｐｐｍにおける１９Ｆ化学シフトを含む固体ＮＭＲスペクトルを有する、請求項１２に記載の塩。
【請求項２０】
１．５４０６オングストロームの波長において銅Ｋ−α１Ｘ線を使用して得られる７．５±０．２、１１．３±０．２、および２４．３±０．２からなる群から選択される回折角（２θ）における１つもしくは複数または２つ以上または３つのピークを含む粉末Ｘ線回折パターン；１７１．３±０．２、１１２．４±０．２、および４３．８±０．２ｐｐｍからなる群から選択される１つもしくは複数または２つ以上または３つの１３Ｃ化学シフトを含む固体ＮＭＲスペクトル；ならびに−１２３．１±０．２ｐｐｍにおける１９Ｆ化学シフトを含む固体ＮＭＲスペクトルを有する、請求項１２に記載の塩。
【請求項２１】
マレイン酸塩多形体Ｂ形の実質的に純粋な多形体である、請求項１２に記載の塩。
【請求項２２】
請求項１〜２１のいずれかに記載の塩と薬学的に許容できる担体を含む医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月13日(2014.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
脆弱材料ウェブを搬送するための非接触ダンサー機構であって、
案内レールと、
前記脆弱材料ウェブを上方に離間支持することにより、該脆弱材料ウェブの機械的接触及び損傷を防止するための流体を放出する複数の流体孔を有して成る弓形外表面を備え、前記案内レール上に位置調整可能に設けられた位置可変ウェブ支持プレナムと、
前記位置可変ウェブ支持プレナムに機械的に接続されて受動的に支持する支持プレナム平衡錘であって、前記位置可変ウェブ支持プレナムが、前記案内レールに対し自由に摺動でき、前記案内レール上の前記位置可変ウェブ支持プレナムの位置に関係なく前記脆弱材料ウェブにおける張力が一定になるよう前記支持プレナム平衡錘が前記位置可変ウェブ支持プレナム上に力を与える、支持プレナム平衡錘と、
を有して成ることを特徴とする機構。
【請求項２】
前記支持プレナム平衡錘がエアシリンダーから成ることを特徴とする請求項１記載の機構。
【請求項３】
前記位置可変ウェブ支持プレナムの前記案内レール上の変位量を測定するための変位センサーを更に有して成ることを特徴とする請求項１記載の機構。
【請求項４】
前記変位センサーが、前記支持プレナム平衡錘と連動して動作することを特徴とする請求項３記載の機構。
【請求項５】
前記案内レールが、垂直に配向されることを特徴とする請求項１記載の機構。
【請求項６】
前記脆弱材料ウェブが前記位置可変ウェブ支持プレナムの弓形外表面の上方に延伸されると、該位置可変ウェブ支持プレナムによって、該脆弱材料ウェブの方向が第１経路から該第１経路に非平行な第２経路に変えられることを特徴とする請求項１記載の機構。  
【請求項７】
脆弱材料ウェブを処理する間、上流プロセスと下流プロセスとを互いに分離するための装置であって、
流体を放出するための複数の流体孔を有して成る弓形外表面を備えた位置固定ウェブ支持プレナム、
流体を放出するための複数の流体孔を有して成る弓形外表面を備え、案内レール上に位置調整可能に設けられ、支持プレナム平衡錘に機械的に接続されて成る位置可変ウェブ支持プレナム、及び
前記位置固定ウェブ支持プレナムの弓形外表面に対し位置調整可能に設けられたウェブ装着支持体であって、該ウェブ装着支持体が、空中浮揚テーブル、ウェブ支持シャトル、及び、複数の流体孔を有するウェブ支持面を備え、該ウェブ支持面の少なくとも一部が前記位置固定ウェブ支持プレナムの弓形外表面の曲率半径を補完する曲率半径を有し、前記ウェブ支持シャトルが前記位置固定ウェブ支持プレナムの弓形該表面に対向配置可能である、ウェブ装着支持体、
を有して成り、
前記脆弱材料ウェブが前記位置固定ウェブ支持プレナムの弓形外表面の上方に離間支持されると、該位置固定ウェブ支持プレナムによって、該脆弱材料ウェブの方向が初期経路から前記位置可変ウェブ支持プレナムが設けられている第１経路に変えられ、
前記脆弱材料ウェブが前記位置可変ウェブ支持プレナムの弓形外表面の上方に離間支持されると、該位置可変ウェブ支持プレナムによって、該脆弱材料ウェブの方向が前記第１経路から第２経路に変えられ、
前記上流プロセスのプロセス変数、前記下流プロセスのプロセス変数、又は該上流及び下流プロセス両方のプロセス変数に基づいて、前記位置可変ウェブ支持プレナムの前記案内レール上の位置が調整されることを特徴とする装置。
【請求項８】
前記支持プレナム平衡錘がエアシリンダーから成ることを特徴とする請求項７記載の機構。
【請求項９】
前記位置可変ウェブ支持プレナムの前記案内レール上の変位量を測定するための変位センサーを更に有して成ることを特徴とする請求項７記載の装置。
【請求項１０】
前記変位センサーが、前記支持プレナム平衡錘と連動して動作することを特徴とする請求項９記載の機構。
【請求項１１】
前記案内レールが、垂直に配向されることを特徴とする請求項７記載の機構。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月13日(2014.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フュージョンダウンドロープロセスにおいて溶融ガラスを搬送する槽の間の間隙を封止する装置であって、
溶融ガラスを均質化する調整部、
開口している遠位端および前記調整部に連結されて溶融ガラスを流す近位端を有している第１導管、
入口、溝、および合流成形面を画成する成形本体、
開口している遠位端および前記成形本体の入口に連結されて溶融ガラスを該成形本体中に流す近位端を有している第２導管であって、前記第１導管の遠位端付近の該第１導管の少なくとも第１部分が、前記第２導管と接触することなく前記第２導管内に配置され、前記第２導管内の溶融ガラスの自由表面を第１雰囲気に曝す間隙が前記第１導管と前記第２導管との間に存在している、該第２導管、
前記第２導管の開口遠位端から延びている前記第１導管の第２部分近傍に配置された、柔軟なバリア、
前記第１導管に結合された第１封止フランジ、
前記第２導管に結合された第２封止フランジ、を備え、さらに、
前記柔軟なバリア、前記第１封止フランジ、および前記第２封止フランジが、前記第１雰囲気を周囲雰囲気から分離する、気密シールを構成することを特徴とする装置。
【請求項２】
前記柔軟なバリアが蛇腹部であることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記第１および第２フランジ夫々が、内側リングと、該各内側リングに結合された外側リングとを備えていることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記第１導管のフランジおよび前記第２導管のフランジの両方の内側リングが白金を含むことを特徴とする請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記第１導管および前記第２導管が白金を含むことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項６】
前記柔軟なバリアが、前記第１および第２導管と電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項７】
前記第１フランジの前記内側リングが非平面であることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項８】
前記第１雰囲気が前記第２雰囲気と異なることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項９】
前記第２導管の位置が、前記第１導管の位置を変化させることなく変化可能であることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項１０】
前記柔軟なバリアがニッケルまたはクロムを含むことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項１１】
前記柔軟なバリアが非磁性であることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項１２】
前記第１または前記第２導管が、アースと電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項１記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月28日(2013.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室に基板を搬入する基板搬入工程と、
前記処理室に第１の処理ガス及び第２の処理ガスを同時に供給して前記基板に所定の膜を形成する膜形成工程と、
前記第１の処理ガス及び前記第２の処理ガスの供給を停止して前記処理室内に残留する第１の処理ガス及び第２の処理ガスを除去する除去工程と、
前記除去工程の後に、前記処理室に前記第２の処理ガスを供給して前記基板に形成された膜を改質する改質工程と、
前記処理室から前記基板を搬出する基板搬出工程と、
を有し、
前記膜形成工程では、前記処理室に前記第２の処理ガスを供給する時間が、前記処理室に前記第１の処理ガスを供給する時間より長いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記膜形成工程では、前記第１の処理ガスの供給を止めた状態で前記処理室に前記第２の処理ガスを供給し、その後、前記処理室に前記第２の処理ガスを供給しつつ同時に前記処理室に前記第１の処理ガスを供給し、さらに、前記第１の処理ガスの供給を止めた状態で前記処理室に前記第２の処理ガスを供給する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
処理室に基板を搬入する工程と、
前記処理室に第１の処理ガス及び第２の処理ガスを同時に供給する工程と、
前記第１の処理ガス及び前記第２の処理ガスの供給を停止して前記処理室内に残留する第１の処理ガス及び第２の処理ガスを除去する工程と、
前記処理室に前記第２の処理ガスを供給する工程と、
前記第２の処理ガスの供給を停止し、前記処理室に前記第１の処理ガスを供給する工程と、
前記処理室から前記基板を搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
処理室に基板を搬入する工程と、
前記処理室に第１の元素を含む第１の処理ガスを供給する吸着工程と、
前記処理室に前記第１の処理ガスを供給しつつ第２の元素を含む第２の処理ガスを供給する工程と、
前記第１の処理ガスの供給を停止して前記処理室に前記第２の処理ガスを供給する工程と、
前記第２の処理ガスの供給を停止して前記処理室内に残留する第１の処理ガス及び第２の処理ガスを除去する工程と、
前記処理室から前記基板を搬出する工程と、
を有し、
各工程を順に所定回数繰り返すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
処理室に基板を搬入する第１の工程と、
前記処理室に第１の処理ガスを供給する第２の工程と、
前記処理室に前記第１の処理ガスを供給しつつ前記処理室に前記第２の処理ガスを供給する第３の工程と、
前記第１の処理ガスの供給を停止して前記第２の処理ガスを供給する第４の工程と、
前記第２の処理ガスの供給を停止して前記処理室内に残留する第１の処理ガス及び第２の処理ガスを除去する第５の工程と、
前記処理室から前記基板を搬出する第６の工程と、
を有し、
前記第１の工程から前記第６の工程を順に所定回数繰り返すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
基板を収容する処理室と、
前記処理室に第１の処理ガスを供給する第１の処理ガス供給手段と、
前記処理室に第２の処理ガスを供給する第２の処理ガス供給手段と、
前記処理室内を排気する排気手段と、
前記第１の処理ガス及び前記第２の処理ガスを同時に前記処理室に供給して前記基板に膜を形成し、次に前記第１の処理ガス及び前記第２の処理ガスの供給を停止して前記処理室内に残留する第１の処理ガス及び第２の処理ガスを排気し、さらに前記処理室に前記第２の処理ガスを供給して前記基板に形成された膜を改質するよう前記第１の処理ガス供給手段、前記第２の処理ガス供給手段及び前記排気手段を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記第１の処理ガス及び前記第２の処理ガスを同時に前記処理室に供給する際は、前記処理室に前記第２の処理ガスを供給する時間が、前記処理室に前記第１の処理ガスを供給する時間より長くなるよう前記第１の処理ガス供給手段及び前記第２の処理ガス供給手段を制御するよう構成されることを特徴とする基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月24日(2013.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の樹脂及びカーボンブラックを含有するインクであって、
前記複数の樹脂は、酸価が２００ｍｇＫＯＨ／ｇ以上３００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である樹脂Ａと、酸価が８０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上１８０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である樹脂Ｂとを含み、かつ、前記樹脂Ａの重量平均分子量が前記樹脂Ｂの重量平均分子量よりも大きく、
前記カーボンブラックは、そのＤＢＰ吸油量が７５ｍＬ／１００ｇ以下で、比表面積が２００ｍ2／ｇ以上であり、かつ、その粒子の表面に、−Ｐｈ−(ＣＨ2)n−ＮＨ2及び−Ｐｈ−(ＣＨ2)n−ＮＨ−Ｒ（これらの式中のＰｈはフェニレン基であり、ｎは０乃至２の整数であり、Ｒは、前記樹脂Ａである）が官能基としてそれぞれ結合してなることを特徴とするインク。
【請求項２】
前記樹脂Ａは、重量平均分子量が１５，５００以上２０，０００以下である請求項１に記載のインク。
【請求項３】
前記樹脂Ｂは、重量平均分子量が５，０００以上１４，５００以下である請求項１又は２に記載のインク。
【請求項４】
インク全質量を基準としたときに、前記樹脂Ａの含有量（質量％）と前記樹脂Ｂの含有量（質量％）との合計が、０．８質量％以上４．７質量％以下の範囲内にある請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインク。
【請求項５】
前記樹脂Ａは、疎水性ユニット及び親水性ユニットを有する共重合体であり、
前記疎水性ユニットが、芳香族基を有するモノマーに由来するユニット、及び、（メタ）アクリル酸アルキルエステル系モノマーに由来するユニットからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
前記親水性ユニットが、カルボキシ基を有するアニオン性モノマーに由来するユニット、スルホン酸基を有するアニオン性モノマーに由来するユニット、ホスホン酸基を有するアニオン性モノマーに由来するユニット、水酸基を有するノニオン性モノマーに由来するユニット、ノニオン性モノマーに由来するユニット、ビニルエーテル系モノマーに由来するユニット、及び、ポリシロキサン構造を有するモノマーに由来するユニットからなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインク。
【請求項６】
前記樹脂Ｂは、疎水性ユニット及び親水性ユニットを有する共重合体であり、
前記疎水性ユニットが、芳香族基を有するモノマーに由来するユニット、及び、（メタ）アクリル酸アルキルエステル系モノマーに由来するユニットからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
前記親水性ユニットが、カルボキシ基を有するアニオン性モノマーに由来するユニット、スルホン酸基を有するアニオン性モノマーに由来するユニット、ホスホン酸基を有するアニオン性モノマーに由来するユニット、水酸基を有するノニオン性モノマーに由来するユニット、ノニオン性モノマーに由来するユニット、ビニルエーテル系モノマーに由来するユニット、及び、ポリシロキサン構造を有するモノマーに由来するユニットからなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインク。
【請求項７】
インク全質量を基準としたときに、前記樹脂Ａの含有量（質量％）と前記樹脂Ｂの含有量（質量％）との合計が、前記カーボンブラックの含有量（質量％）に対して、質量比率で、０．７倍以上１１．０倍以下である請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインク。
【請求項８】
前記カーボンブラックは、ＤＢＰ吸油量が４０ｍＬ／１００ｇ以上である請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインク。
【請求項９】
前記カーボンブラックは、比表面積が３００ｍ2／ｇ以下である請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインク。
【請求項１０】
さらに、平均分子量が６００以上２，０００以下であるポリエチレングリコールを含有する請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインク。
【請求項１１】
インクジェット用である請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインク。
【請求項１２】
インクをインクジェット方式の記録ヘッドから吐出させて、記録媒体にインクを付与して記録を行う工程を有するインクジェット記録方法であって、
前記インクが、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のインクであることを特徴とするインクジェット記録方法。
【請求項１３】
インクを収容してなるインク収容部を備えたインクカートリッジであって、
前記インク収容部に収容されてなるインクが、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のインクであることを特徴とするインクカートリッジ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年8月21日(2014.8.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
可塑化エステルは、適当なアルコールと、しばしば無水フタル酸、無水トリメリット酸又は無水マイレン酸のような無水酸との反応により、又は、酸との反応により製造される。酸は、しばしば、アジピン酸、トリメリット酸、シクロヘキサノン、一塩基酸及び二塩基酸、安息香酸、クエン酸等が用いられる。エステル化は一般に、特に、チタニウムやスズをベースとする有機金属化合物触媒を用いるが、硫酸、メチルスルフォン酸、及びパラトルエンスルフォン酸のような他の多くのエステル化触媒もまた知られている。エステル化の後にも生のエステルは汚染物質を含んでいるので精製を必要とする。これらの汚染物質は、酸性の残留物、未反応アルコール、触媒残留物、水、及びアルコール供給時にすでに存在していた汚染物質の系統に属し、これらの物質は、後で説明する可塑剤ガスクロマトグラム又はＧＣ−スペクトラムのいわゆる「ライトエンド」領域で溶出されるいわゆる一量体成分である。生のエステルはまた、アルコール（ジアルキル基）エーテル、ベンゾアートエステル、二塩基酸からのモノエステル、アルコールオキソ酸エステル、ヘミアセタール、及びビニルエーテル（これらはいわゆる二量体成分と呼ばれ、可塑剤ガスクロマトグラム又はＧＣ−スペクトラムにより単量体のライトエンドと「三量体の」ジエステルとの間で抽出されるので総称的に「エーテル」又は「中間体」と呼ばれる）のような、副生成物も含むことがある。これらの二量体の物質の多くは、「三量体の」化合物であるアセタールと同様、アルデヒド及び／又はライトエンドのような臭気を生じさせるものを処理する後段階で、加水分解される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
「ライトエンド」と「中間体」の用語は、当業者にはよく分かっており、「ターゲットエステル」のガスクロマトグラフィーのスペクトラムにおけるピークのグループで表し、それぞれ明確に区別でき、ターゲットエステル自身の対応するピークから明確に区別できる。ライトエンドは、エステルの親アルコールが溶出する領域に現れるピークのグループにより表される。ターゲットエステルは、主ピークの肩部にみられる小さなピークも含めて、ターゲットエステルのピークの特徴により表現される。中間体は、ライトエンドとターゲットエステルとの間の領域にあるピークのグループにより表現される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月30日(2014.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂混合物を形成するために、少なくとも一つの有機溶媒および相転移剤と少なくとも一つのポリエステル樹脂を接触させる工程と、
前記樹脂混合物に少なくとも第一級アミンを含む中和剤を添加する工程と、
樹脂溶液を形成するために、前記樹脂を溶解する工程と、
ラテックス粒子を含むラテックスエマルジョンを提供するために、前記混合物に水を添加する工程と、
前記ラテックス粒子を連続的に回収する工程とを
含む方法。
【請求項２】
混合物を形成するために、有機溶媒の不存在下において、トリス（２−アミノエチル）アミン、メチルアミン、エタノールアミン、１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボキサミド、１，２，４，５−ベンゼンテトラミン四塩酸塩、１，２−ジアミノシクロヘキサン、１，３−シクロヘキサンビス（メチルアミン）、１，３−ジアミノアセトン二塩酸塩一水和物、１，４−ジアミノアントラキノン、１，５−ジアミノ−２−メチルペンタン、１，９−ジアミノノナン、２，２’−（エチレンジオキシ）ビス（エチルアミン）、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジアミン、２，３，５，６−テトラメチル−ｐ−フェニレンジアミン、２，４，６−トリメチル−ｍ−フェニレンジアミン、２，４，８，１０−テトラオキサスピロ〔５．５〕ウンデカン−３，９−ジプロパンアミン、２，４−ジアミノトルエン、２，５−ジクロロ−ｐ−フェニレンジアミン、２，５−ジメチル−１，４−フェニレンジアミン、２，６−ジアミノ−４−クロロピリミジン１−オキサイド、２，６−ジアミノプリン、２，６−ジアミノトルエン、２−アミノフェニルジスルフィド、３，３’−メチレンジアニリン、３，４’−オキシジアニリン、３，４−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−（１，１’−ビフェニル−４，４’−ジイルジオキシ）ジアニリン、４，４’−（１，３−フェニレンジイソプロピリデン）ビスアニリン、４，４’−（１，３−フェニレンジオキシ）ジアニリン、４，４’−（１，４−フェニレンジイソプロピリデン）ビスアニリン、４，４’−（４，４’−イソプロピリデンジフェニル−１，１’−ジイルジオキシ）ジアニリン、４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ビス（ｐ−フェニレンオキシ）ジアニリン、４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジアニリン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノオクタフルオロビフェニル、４，４’−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）、４，４’−ジアミノベンズアニリド、４，４’−メチレン−ビス（２−クロロアニリン）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジエチルアニリン）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルアニリン）、４，７，１０−トリオキサ−１，１３−トリデカンジアミン、４，９−ジオキサ−１，１２−ドデカンジアミン、４−アミノフェニルジスルフィド、４−クロロ−ｏ−フェニレンジアミン、５，５’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジ−ｏ−トルイジン、６−クロロ−３，５−ジアミノ−２−ピラジンカルボキサミド、Ｄｙｔｅｋ（登録商標）ＥＰジアミン、ポリ（１，４−ブタンジオール）ビス（４−アミノ安息香酸塩）、ポリ（１，４−ブタンジオール）ビス（４−アミノ安息香酸塩）、ｐ−キシリレンジアミン、エチルアミン、１−ベンゾフラン−２−アミン、キノリン−４−アミン、４−アミノ安息香酸、ビス−（２−アミノエチル）エーテルおよびそれらの組み合わせを含む群から選択された中和剤と、少なくともポリエステル樹脂を接触させる工程と、
前記混合物を溶融させる工程と、
前記混合物に濃縮界面活性剤を添加する工程と、
ラテックス粒子を含むラテックスエマルジョンを提供するために、前記混合物に水を添加する工程と、
任意に、一つ以上のトナー組成物の付加成分を混合物に添加する工程と、
ラテックス粒子を連続的に回収する工程とを
含むポリエステルエマルジョンを製造する方法。
【請求項３】
溶融を約２５℃から約３００℃の温度で、約１０ｒｐｍから約５，０００ｒｐｍの速度で実施する工程と、
水を添加する工程は約２５℃から約１４０℃までの温度で実施する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
少なくともポリエステル樹脂と、
少なくとも第一級アミンと、
水と、
任意に一つ以上のトナー組成物の付加成分とを
含む、トナー。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月14日(2014.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線が通過する貫通孔をそれぞれ有し、互いに絶縁された少なくとも３枚の電極からなる静電型の荷電粒子線レンズであって、
前記荷電粒子線の進行方向に対して最下流側に位置する電極の貫通孔は、第一の開口輪郭を有する第一の領域と、前記第一の領域に対して上流側に位置する第二の開口輪郭を有する第二の領域を有しており、
前記荷電粒子線の進行方向から見て、前記第一の開口輪郭は前記第二の開口輪郭内に含まれることを特徴とする荷電粒子線レンズ。
【請求項２】
前記最下流側に位置する電極の貫通孔は円形断面を有し、
前記第一の領域は第一の内径を有し、前記第二の領域は、前記第一の内径よりも大きい第二の内径を有することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線レンズ。
【請求項３】
前記荷電粒子線の進行方向に対して、最上流側に位置する電極と、最下流側に位置する電極とをアース電位とし、
その間に位置する電極に負電圧を印加することを特徴とする請求項１又は２に記載の荷電粒子線レンズ。
【請求項４】
前記少なくとも３枚の電極は、貫通孔をそれぞれ複数備え、
前記少なくとも３枚の電極のそれぞれ対応する貫通孔は、前記荷電粒子線の進行方向に沿って整列していることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の荷電粒子線レンズ。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載の荷電粒子線レンズを備え、
荷電粒子源から放射された荷電粒子線が、前記荷電粒子線レンズの各電極の貫通孔を通過して対象物に照射されることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項６】
前記荷電粒子線の進行方向に対して最下流側に位置する電極は、前記対象物に最も近い位置に配置され、
前記第一の領域の第一の開口輪郭と前記第二の領域の第二の開口輪郭を、前記荷電粒子線の進行方向に沿って、前記対象物に投影した時の、前記第一の領域の内径の輪郭と前記第二の領域の内径の輪郭との最小間隔をｘ、前記電極の厚さをｈ、前記電極と前記対象物との間隔をＷＤ、前記第一の領域の内径をφ１、前記電極の荷電粒子線の上流側の表面から前記第一の領域までの距離をｙ、とした時に、
ｘ／ｙ＞φ１／（ＷＤ＋ｈ−ｙ）を満たすことを特徴とする請求項５に記載の荷電粒子線露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題に鑑み、荷電粒子線が通過する貫通孔をそれぞれ有し、互いに絶縁された少なくとも３枚の電極からなる本発明の静電型の荷電粒子線レンズは次の特徴を有する。前記荷電粒子線の進行方向に対して最下流側に位置する電極の貫通孔は、第一の開口輪郭を有する第一の領域と、前記第一の領域に対して上流側に位置する第二の開口輪郭を有する第二の領域を有していて、前記荷電粒子線の進行方向から見て前記第一の開口輪郭は前記第二の開口輪郭内に含まれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、光軸方向（前記荷電粒子線の進行方向）から見て第一の領域の開口輪郭が第二の領域の開口輪郭に内包されるため、対象物からの飛散物等が第一の領域で遮蔽され、第二の領域及びこれよりも荷電粒子源側の領域に到達し難くなる。従って、対象物からの飛散物や蒸発物等が第二の領域及びこれよりも荷電粒子源側の領域に付着し難い電極を実現することが出来る。また、別個に遮蔽板などを設ける必要が無いので、電極を含むレンズと対象物との間隔を狭くすることも可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の特徴は、荷電粒子線が通過する貫通孔の下流側の第一の開口輪郭が上流側の第二の開口輪郭内に前記荷電粒子線の進行方向から見て含まれる様に貫通孔を形成することである。荷電粒子線はほぼ貫通孔の中心を通る光軸に沿って上流側から下流側に進んで対象物に照射され、この作用で飛散物等が電極内に侵入しようとするので、上流側の第二の開口輪郭より下流側の第一の開口輪郭を狭小にすれば飛散物等の侵入を抑制できる。下流側の第一の開口輪郭をどの程度狭小にするかは、電極の用いられ方、電極の仕様などに応じて、適宜設計すればよい。本発明において「光軸に沿って」とは「実質的に光軸に沿って」いる状態であればよい。即ち、光軸と厳密に一致している場合だけでなく、誤差範囲でずれていても、光軸に沿っているとみなせる状態も含む。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月5日(2014.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電体の表面に活物質を含む合剤層が形成された電池用電極であって、
前記合剤層は、前記集電体の表面に沿う方向の位置に応じて空隙率が異なる構成を有し、
前記合剤層は、空隙率が互いに異なる複数の領域を有し、
前記集電体は、帯状の金属箔からなり、
前記合剤層は、前記集電体の幅方向に前記複数の領域が配置されており、
前記合剤層は、第１の合剤層領域と、該第１の合剤層領域よりも空隙率が低い第２の合剤層領域を有しており、前記第１の合剤層領域と前記第２の合剤層領域が前記金属箔の幅方向に交互に配置されていることを特徴とする電池用電極。
【請求項２】
前記合剤層は、前記第２の合剤層領域の配置間隔が前記合剤層の厚さの１倍以上１０倍未満であることを特徴とする請求項１に記載の電池用電極。
【請求項３】
前記合剤層は、断面が凹凸形状を有しており、凹部の空隙率と凸部の空隙率が異なることを特徴とする請求項１に記載の電池用電極。
【請求項４】
前記合剤層は、前記凸部の空隙率が前記凹部の空隙率よりも高いことを特徴とする請求項３に記載の電池用電極。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電池用電極を用いたことを特徴とする二次電池。
【請求項６】
集電体の表面に活物質を含む合剤を塗布して表面に凹凸を有する合剤層を形成する工程と、
前記合剤層を加圧圧縮して前記合剤層の表面を平坦にする工程と、
を含むことを特徴とする電池用電極の製造方法。
【請求項７】
前記表面に凹凸を有する合剤層を形成する工程では、前記集電体を該集電体の表面に沿う方向に移動させ、前記集電体の表面に対向して配置されて前記集電体の移動方向に直交する方向に延在しかつ延在方向に所定間隔をおいてスリット幅が狭められているスリットダイから前記合剤を含む合剤スラリーを吐出させ、
前記合剤層の表面を平坦にする工程では、外周面が平坦な一対のローラの間に前記集電体と前記合剤層を挟み込んで通過させることを特徴とする請求項６に記載の電池用電極の製造方法。
【請求項８】
集電体の表面に活物質を含む合剤を塗布して表面が平坦な合剤層を形成する工程と、
前記合剤層を加圧圧縮して前記合剤層の表面に凹凸を形成する工程と、
を含むことを特徴とする電池用電極の製造方法。
【請求項９】
前記表面が平坦な合剤層を形成する工程では、前記集電体を該集電体の表面に沿う方向に移動させ、前記集電体の表面に対向して配置されて前記集電体の移動方向に直交する方向に一定のスリット幅で延在するスリットダイから前記合剤を含む合剤スラリーを吐出させ、
前記合剤層の表面に凹凸を形成する工程では、外周面に凹凸を有する一対のローラの間に前記集電体と前記合剤層を挟み込んで通過させることを特徴とする請求項８に記載の電池用電極の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電池用電極及びその製造方法及び二次電池
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月17日(2014.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
過去の発注単位での購買数量及び購買実績リードタイムを含む購買実績が予め格納された購買実績データベース、
過去の製造部門からの要求単位での要求数量及び要求リードタイムを含む需要実績が予め格納された需要実績データベース、
部品Ｘ及び期間Ｋを入力するための入力手段、
この入力手段により入力された上記期間Ｋで、上記購買実績データベースを参照して、上記部品Ｘの購買実績リードタイムＬを算出する購買実績リードタイム算出部、
上記期間Ｋで、上記需要実績データベースを参照して、上記部品Ｘの要求リードタイムを算出する要求リードタイム算出部、
上記期間Ｋで、上記部品Ｘの上記購買実績リードタイムＬより短い要求リードタイムの確率である短納期確率Ｐｂを算出する短納期確率算出部、
上記期間Ｋで、上記購買実績リードタイムＬより短い要求リードタイムの平均値Ｌａと上記購買実績リードタイムＬとの比である短納期度合いＳｔを算出する短納期要求度合い算出部、
上記期間Ｋで上記部品Ｘの要求数量の平均値χを算出する需要平均算出部、
上記期間Ｋで上記部品Ｘの要求数量の標準偏差σを算出する需要標準偏差算出部、
及び上記短納期確率Ｐｂと上記購買実績リードタイムＬと上記短納期度合いＳｔと上記平均値χと上記標準偏差σとをパラメータとする所定の計算式により基準在庫量ＳＳを算出する基準在庫量算出部を備えたことを特徴とする基準在庫設定装置。
【請求項２】
上記所定の計算式は、次の数式
【数３】
2013008269.tif 000001
であることを特徴とする請求項１記載の基準在庫設定装置。
【請求項３】
基準在庫設定装置の備える入力手段により、基準在庫算出の対象部品及び対象期間を入力する第一の手順、
上記基準在庫設定装置の備える購買リードタイム算出部により、購買実績データベースを参照して上記入力された対象部品の上記対象期間における購買実績リードタイムを算出する第二の手順、
上記基準在庫設定装置の備える要求リードタイム算出部により、需要データベースを参照して上記入力された対象部品の上記対象期間における要求リードタイムを算出する第三の手順、
上記基準在庫設定装置の備える需要平均算出部により、需要実績データベースを参照して上記入力された対象部品及び上記対象期間における製造部門からの要求数量の平均値を算出する第四の手順、
上記基準在庫設定装置の備える需要標準偏差算出部により、需要実績データベースを参照して上記入力された対象部品及び上記対象期間における製造部門からの要求数量の標準偏差を算出する第五の手順、
上記基準在庫設定装置の備える短納期確率算出部により、上記入力された対象部品及び上記対象期間における上記購買実績リードタイムより短い要求リードタイムの確率である短納期確率を算出する第六の手順、
上記基準在庫設定装置の備える短納期要求度合い算出部により、上記入力された対象部品及び上記対象期間における上記購買実績リードタイムより短い要求リードタイムの平均値と購買実績リードタイムとの比である短納期度合いを算出する第七の手順、
及び上記基準在庫設定装置の備える基準在庫量算出部により、上記短納期確率と上記購買実績リードタイムと上記短納期度合いと上記要求数量の平均値と上記要求数量の標準偏差とをパラメータとする所定の計算式により基準在庫量を算出する第八の手順を含むことを特徴とする基準在庫設定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明に係わる基準在庫設定装置においては、過去の発注単位での購買数量及び購買実績リードタイムを含む購買実績が予め格納された購買実績データベース、過去の製造部門からの要求単位での要求数量及び要求リードタイムを含む需要実績が予め格納された需要実績データベース、部品Ｘ及び期間Ｋを入力するための入力手段、この入力手段により入力された期間Ｋで、購買実績データベースを参照して、部品Ｘの購買実績リードタイムＬを算出する購買実績リードタイム算出部、期間Ｋで、需要実績データベースを参照して、部品Ｘの要求リードタイムを算出する要求リードタイム算出部、期間Ｋで、部品Ｘの購買実績リードタイムＬより短い要求リードタイムの確率である短納期確率Ｐｂを算出する短納期確率算出部、期間Ｋで、購買実績リードタイムＬより短い要求リードタイムの平均値Ｌａと購買実績リードタイムＬとの比である短納期度合いＳｔを算出する短納期要求度合い算出部、期間Ｋで部品Ｘの要求数量の平均値χを算出する需要平均算出部、期間Ｋで部品Ｘの要求数量の標準偏差σを算出する需要標準偏差算出部、及び短納期確率Ｐｂと購買実績リードタイムＬと短納期度合いＳｔと平均値χと標準偏差σとをパラメータとする所定の計算式により基準在庫量ＳＳを算出する基準在庫量算出部を備えたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明は、以上説明したように、過去の発注単位での購買数量及び購買実績リードタイムを含む購買実績が予め格納された購買実績データベース、過去の製造部門からの要求単位での要求数量及び要求リードタイムを含む需要実績が予め格納された需要実績データベース、部品Ｘ及び期間Ｋを入力するための入力手段、この入力手段により入力された期間Ｋで、購買実績データベースを参照して、部品Ｘの購買実績リードタイムＬを算出する購買実績リードタイム算出部、期間Ｋで、需要実績データベースを参照して、部品Ｘの要求リードタイムを算出する要求リードタイム算出部、期間Ｋで、部品Ｘの購買実績リードタイムＬより短い要求リードタイムの確率である短納期確率Ｐｂを算出する短納期確率算出部、期間Ｋで、購買実績リードタイムＬより短い要求リードタイムの平均値Ｌａと購買実績リードタイムＬとの比である短納期度合いＳｔを算出する短納期要求度合い算出部、期間Ｋで部品Ｘの要求数量の平均値χを算出する需要平均算出部、期間Ｋで部品Ｘの要求数量の標準偏差σを算出する需要標準偏差算出部、及び短納期確率Ｐｂと購買実績リードタイムＬと短納期度合いＳｔと平均値χと標準偏差σとをパラメータとする所定の計算式により基準在庫量ＳＳを算出する基準在庫量算出部を備えたので、１件当たりの注文量のバラツキが大きい部品であっても、適正な安全在庫を求めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月31日(2014.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
そして、中間層３におけるＡｌxＧａ1-xＮのｘは、０．０５以上０．２４以下が好ましく、０．１５以上０．２３以下がさらに好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
表１の結果から、本発明の好ましい実施範囲においては、しきい値電圧、電流コラプスの改善、さらには耐圧のいずれも、良好な特性が得られた。
一方、本発明の好ましい実施範囲を外れたものは、しきい値電圧、電流コラプスの改善、さらには耐圧のいずれかの少なくとも一部で、特性的にやや劣るものが見られた。
なお、試料２４は、上記の各特性は良好であったが、デバイスの抵抗が増加した。
また、試料３０と試料３１で特性に差が見られなかったことから、Ｓｉ単結晶からなる基板１の面方位の違いによる窒化物半導体基板１０の特性への影響はないことが確認された。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月9日(2014.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメモリセルと、センスアンプと、を有し、
前記複数のメモリセルそれぞれは、トランジスタと、前記トランジスタと電気的に接続されたキャパシタと、を有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体層にチャネルが形成され、
前記センスアンプは、シリコンウエハ又はＳＯＩ基板を用いて形成され、
前記複数のメモリセルは、前記センスアンプの上方に、層間絶縁膜を介して前記センスアンプと重なる領域を有するように配置され、
前記複数のメモリセルのうちの少なくとも２つは、前記キャパシタの容量値が異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数のメモリセルと、センスアンプと、を有し、
前記複数のメモリセルそれぞれは、トランジスタと、前記トランジスタと電気的に接続されたキャパシタと、を有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体層にチャネルが形成され、
前記センスアンプは、シリコンウエハ又はＳＯＩ基板を用いて形成され、
前記複数のメモリセルは、前記センスアンプの上方に、層間絶縁膜を介して前記センスアンプと重なる領域を有するように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有する酸化物であって、複数の結晶部を有し、
前記複数の結晶部は、前記酸化物半導体層の被形成面に垂直な方向に沿うようにｃ軸配向し、
前記複数の結晶部は、ａ軸の向きが異なり、
前記複数の結晶部は、ｂ軸の向きが異なることを特徴とする半導体装置。