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【手続補正書】
【提出日】平成26年6月2日(2014.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板と間隔をあけて配置された保護部材と、
前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、前記配線基板に電気的に接続された半導体素子と、
前記半導体素子を囲うように前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に膨張する第１の壁部材と、
前記第１の壁部材を囲うように前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に膨張する第２の壁部材と、を備え、
前記第１の壁部材及び前記第２の壁部材のうち一方の壁部材は、前記一方の壁部材の高さ方向の一端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち一方に固定され、前記一方の壁部材の高さ方向の他端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち他方に固定され、前記一方の壁部材を通気する多孔質層を有しており、
前記第１の壁部材及び前記第２の壁部材のうち他方の壁部材は、前記一方の壁部材よりも線膨張係数が小さい材料で構成されており、常温では前記配線基板と前記保護部材の隙間を塞ぎ、常温よりも高い温度では隙間を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記他方の壁部材は、高さ方向の一端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち一方に固定されており、常温では前記他方の壁部材の高さ方向の他端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち他方に接触することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
開口部を有する第１の配線基板と、
前記第１の配線基板と間隔をあけて配置された保護部材と、
前記開口部を通じて前記保護部材に相対する位置に配置され、前記第１の配線基板と電気的に接続された第２の配線基板と、
前記第２の配線基板において前記開口部に対応する位置に実装された半導体素子と、
前記半導体素子を囲うように前記第１の配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に膨張する第１の壁部材と、
前記第１の壁部材を囲うように前記第１の配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に膨張する第２の壁部材と、を備え、
前記第１の壁部材及び前記第２の壁部材のうち一方の壁部材は、前記一方の壁部材の高さ方向の一端が、前記第１の配線基板及び前記保護部材のうち一方に固定され、前記一方の壁部材の高さ方向の他端が、前記第１の配線基板及び前記保護部材のうち他方に固定され、前記一方の壁部材を通気する多孔質層を有しており、
前記第１の壁部材及び前記第２の壁部材のうち他方の壁部材は、前記一方の壁部材よりも線膨張係数が小さい材料で構成されており、常温では前記第１の配線基板と前記保護部材の隙間を塞ぎ、常温よりも高い温度では隙間を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記他方の壁部材は、高さ方向の一端が、前記第２の配線基板及び前記保護部材のうち一方に固定されており、常温では前記他方の壁部材の高さ方向の他端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち他方に接触することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
配線基板と、
前記配線基板と間隔をあけて配置された保護部材と、
前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、前記配線基板に電気的に接続された半導体素子と、
前記半導体素子を囲うように前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に膨張する第１の壁部材と、
前記第１の壁部材を囲うように前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に膨張する第２の壁部材と、を備え、
前記第１の壁部材及び前記第２の壁部材のうち一方の壁部材は、前記一方の壁部材の高さ方向の一端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち一方に固定され、前記一方の壁部材の高さ方向の他端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち他方に固定され、前記一方の壁部材を通気する多孔質層を有しており、
前記第１の壁部材及び前記第２の壁部材のうち他方の壁部材は、互いに対向する一対の壁部からなり、前記一方の壁部材よりも線膨張係数が小さい材料で構成されており、常温では前記配線基板と前記保護部材の隙間を塞ぎ、常温よりも高い温度では隙間を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記他方の壁部材は、高さ方向の一端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち一方に固定されており、常温では前記他方の壁部材の高さ方向の他端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち他方に接触することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
配線基板と、
前記配線基板と間隔をあけて配置された保護部材と、
前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、前記配線基板に電気的に接続された半導体素子と、
前記半導体素子を囲うように前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、前記配線基板に固定された枠体と、
前記半導体素子を囲うように前記枠体と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に膨張する第１の壁部材と、
前記第１の壁部材を囲うように前記枠体と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に膨張する第２の壁部材と、を備え、
前記第１の壁部材及び前記第２の壁部材のうち一方の壁部材は、前記一方の壁部材の高さ方向の一端が、前記枠体及び前記保護部材のうち一方に固定され、前記一方の壁部材の高さ方向の他端が、前記枠体及び前記保護部材のうち他方に固定され、前記一方の壁部材を通気する多孔質層を有しており、
前記第１の壁部材及び前記第２の壁部材のうち他方の壁部材は、前記一方の壁部材よりも線膨張係数が小さい材料で構成されており、常温では前記枠体と前記保護部材の隙間を塞ぎ、常温よりも高い温度では隙間を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記他方の壁部材は、高さ方向の一端が、前記枠体及び前記保護部材のうち一方に固定されており、常温では前記他方の壁部材の高さ方向の他端が、前記枠体及び前記保護部材のうち他方に接触することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記常温とは２５℃であり、前記常温よりも高い温度とは６０℃以上の温度であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の半導体装置は、配線基板と、前記配線基板と間隔をあけて配置された保護部材と、前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、前記配線基板に電気的に接続された半導体素子と、前記半導体素子を囲うように前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に膨張する第１の壁部材と、前記第１の壁部材を囲うように前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に膨張する第２の壁部材と、を備え、前記第１の壁部材及び前記第２の壁部材のうち一方の壁部材は、前記一方の壁部材の高さ方向の一端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち一方に固定され、前記一方の壁部材の高さ方向の他端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち他方に固定され、前記一方の壁部材を通気する多孔質層を有しており、前記第１の壁部材及び前記第２の壁部材のうち他方の壁部材は、前記一方の壁部材よりも線膨張係数が小さい材料で構成されており、常温では前記配線基板と前記保護部材の隙間を塞ぎ、常温よりも高い温度では隙間を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月2日(2014.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板と間隔をあけて配置された保護部材と、
前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、前記配線基板に電気的に接続された半導体素子と、
前記半導体素子を囲うように前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に膨張する壁部材と、を備え、
前記壁部材の高さ方向の一端が、前記配線基板及び前記保護部材の一方に固定され、前記壁部材の高さ方向の他端が、前記配線基板及び前記保護部材の他方に固定され、
前記壁部材には、前記配線基板と前記保護部材と前記壁部材とにより形成される内部空間と、前記壁部材の外部空間とを連通する通気孔が形成され、
前記通気孔には、前記壁部材よりも線膨張係数が小さい材料で構成された柱部材が設けられ、
前記柱部材は、常温では前記通気孔を塞ぎ、常温よりも高い温度では前記通気孔の一部が連通することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記通気孔に設けられた前記柱部材は、高さ方向の一端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち一方に固定されており、常温では前記柱部材の高さ方向の他端が、前記配線基板及び前記保護部材のうち他方に接触することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
開口部を有する第１の配線基板と、
前記第１の配線基板と間隔をあけて配置された保護部材と、
前記開口部を通じて前記保護部材に相対する位置に配置され、前記第１の配線基板と電気的に接続された第２の配線基板と、
前記第２の配線基板において前記開口部に対応する位置に実装された半導体素子と、
前記半導体素子を囲うように前記第１の配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に膨張する壁部材と、を備え、
前記壁部材の高さ方向の一端が、前記第１の配線基板及び前記保護部材の一方に固定され、前記壁部材の高さ方向の他端が、前記第１の配線基板及び前記保護部材の他方に固定され、
前記壁部材には、前記第２の配線基板と前記保護部材と前記壁部材とにより形成される内部空間と、前記壁部材の外部空間とを連通する通気孔が形成され、
前記通気孔には、前記壁部材よりも線膨張係数が小さい材料で構成された柱部材が設けられ、
前記柱部材は、常温では前記通気孔を塞ぎ、常温よりも高い温度では前記通気孔の一部が連通することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記通気孔に設けられた前記柱部材は、高さ方向の一端が、前記第１の配線基板及び前記保護部材のうち一方に固定されており、常温では前記柱部材の高さ方向の他端が、前記第１の配線基板及び前記保護部材のうち他方に接触することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
配線基板と、
前記配線基板と間隔をあけて配置された保護部材と、
前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、前記配線基板に電気的に接続された半導体素子と、
前記半導体素子を囲うように前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、前記配線基板に固定された枠体と、
前記半導体素子を囲うように前記枠体と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に膨張する壁部材と、を備え、
前記壁部材の高さ方向の一端が、前記枠体及び前記保護部材の一方に固定され、前記壁部材の高さ方向の他端が、前記枠体及び前記保護部材の他方に固定され、
前記壁部材には、前記配線基板と前記枠体と前記保護部材と前記壁部材とにより形成される内部空間と、前記壁部材の外部空間とを連通する通気孔が形成され、
前記通気孔には、前記壁部材よりも線膨張係数が小さい材料で構成された柱部材が設けられ、
前記柱部材は、常温では前記通気孔を塞ぎ、常温よりも高い温度では前記通気孔の一部が連通することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記通気孔に設けられた前記柱部材は、高さ方向の一端が、前記枠体及び前記保護部材のうち一方に固定されており、常温では前記柱部材の高さ方向の他端が、前記枠体及び前記保護部材のうち他方に接触することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記柱部材の高さ方向の一端が、前記常温よりも高い温度において先細り形状に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記常温とは２５℃であり、前記常温よりも高い温度とは６０℃以上の温度であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の半導体装置は、配線基板と、前記配線基板と間隔をあけて配置された保護部材と、前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、前記配線基板に電気的に接続された半導体素子と、前記半導体素子を囲うように前記配線基板と前記保護部材との間に配置され、加熱時に高さ方向に膨張する壁部材と、を備え、前記壁部材の高さ方向の一端が、前記配線基板及び前記保護部材の一方に固定され、前記壁部材の高さ方向の他端が、前記配線基板及び前記保護部材の他方に固定され、前記壁部材には、前記配線基板と前記保護部材と前記壁部材とにより形成される内部空間と、前記壁部材の外部空間とを連通する通気孔が形成され、前記通気孔には、前記壁部材よりも線膨張係数が小さい材料で構成された柱部材が設けられ、前記柱部材は、常温では前記通気孔を塞ぎ、常温よりも高い温度では前記通気孔の一部が連通することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月26日(2014.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部電極および下部電極の間に誘電層を有する薄膜キャパシタを備えた機能領域と、前記機能領域以外の周辺領域とを有し、
前記周辺領域の少なくとも一部に、前記誘電層および導電層が積層された係留部が設けられ、
前記導電層の前記誘電層に接する面のラフネスが、前記上部電極または前記下部電極の前記誘電層に接する面のラフネスよりも大きい
多層配線基板。
【請求項２】
前記誘電層は、前記機能領域と前記周辺領域との共通層として設けられている
請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記係留部が、外形線に沿って設けられている
請求項１または２記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記周辺領域に貫通孔が設けられており、
前記係留部は、前記貫通孔を囲んで設けられている
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記係留部は、上部導電層および下部導電層の間に前記誘電層を有し、前記上部導電層と前記下部導電層とが、前記誘電層を貫通して物理的につながっている
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項６】
金属箔の表面の一部のラフネスを悪化させる工程と、
前記金属箔の表面に誘電層および導電材料層をこの順に積層する工程と、
前記金属箔を成形することにより、薄膜キャパシタの下部電極を形成すると共に、前記ラフネスを悪化させた領域に、前記誘電層および下部導電層が積層された係留部を形成する工程と、
前記導電材料層を成形することにより、前記薄膜キャパシタの上部電極を形成する工程と
を含む多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記金属箔の表面の一部のラフネスを悪化させる工程の前に、前記金属箔の表面のうち少なくとも前記下部電極となる領域のラフネスを改善させる工程を含む
請求項６記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記ラフネスを悪化させる手法として、レーザ加工を用いる
請求項６または７記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記ラフネスを悪化させる手法として、薬液による粗化処理を用いる
請求項６または７記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１０】
金属箔の表面に誘電層および導電材料層をこの順に積層する工程と、
レーザ加工により前記金属箔または前記導電材料層の前記誘電層に接する面の一部のラフネスを悪化させる工程と、
前記金属箔を成形することにより、薄膜キャパシタの下部電極を形成すると共に、前記ラフネスを悪化させた領域に、前記誘電層および下部導電層が積層された係留部を形成する工程と、
前記導電材料層を成形することにより、前記薄膜キャパシタの上部電極を形成すると共に、前記係留部に上部導電層を形成する工程と
を含む多層配線基板の製造方法。
【請求項１１】
金属箔の表面に誘電層および導電材料層をこの順に積層する工程と、
前記金属箔を成形することにより、薄膜キャパシタの下部電極を形成すると共に、前記誘電層および下部導電層が積層された係留部を形成する工程と、
レーザ加工により前記係留部における前記下部導電層または前記導電材料層の前記誘電層に接する面のラフネスを悪化させる工程と、
前記導電材料層を成形することにより、前記薄膜キャパシタの上部電極を形成する工程と
を含む多層配線基板の製造方法。
【請求項１２】
金属箔の表面に誘電層および導電材料層をこの順に積層する工程と、
前記金属箔を成形することにより、薄膜キャパシタの下部電極を形成すると共に、前記誘電層および下部導電層が積層された係留部を形成する工程と、
前記導電材料層を成形することにより、前記薄膜キャパシタの上部電極を形成すると共に、前記係留部に上部導電層を形成する工程と、
レーザ加工により前記係留部における前記上部導電層または前記下部導電層の前記誘電層に接する面のラフネスを悪化させる工程と
を含む多層配線基板の製造方法。
【請求項１３】
上部電極および下部電極の間に誘電層を有する薄膜キャパシタを備えた機能領域と、前記機能領域以外の周辺領域とを有し、
前記周辺領域の少なくとも一部に、上部導電層および下部導電層の間に前記誘電層を有する係留部が設けられ、
前記上部導電層と前記下部導電層とが、前記誘電層を貫通して物理的につながっている
多層配線基板。
【請求項１４】
金属箔の表面に誘電層および導電材料層をこの順に積層する工程と、
レーザ加工により前記金属箔と前記導電材料層とを、前記誘電層を貫通して物理的につなげる工程と、
前記金属箔を成形することにより、薄膜キャパシタの下部電極を形成すると共に、前記金属箔と前記導電材料層とを物理的につなげた領域に、前記誘電層および下部導電層が積層された係留部を形成する工程と、
前記導電材料層を成形することにより、前記薄膜キャパシタの上部電極を形成すると共に、前記係留部に上部導電層を形成する工程と
を含む多層配線基板の製造方法。
【請求項１５】
金属箔の表面に誘電層および導電材料層をこの順に積層する工程と、
前記金属箔を成形することにより、薄膜キャパシタの下部電極を形成すると共に、前記誘電層および下部導電層が積層された係留部を形成する工程と、
レーザ加工により前記係留部における前記下部導電層と前記導電材料層とを、前記誘電層を貫通して物理的につなげる工程と、
前記導電材料層を成形することにより、前記薄膜キャパシタの上部電極を形成すると共に、前記係留部に上部導電層を形成する工程と
を含む多層配線基板の製造方法。
【請求項１６】
金属箔の表面に誘電層および導電材料層をこの順に積層する工程と、
前記金属箔を成形することにより、薄膜キャパシタの下部電極を形成すると共に、前記誘電層および下部導電層が積層された係留部を形成する工程と、
前記導電材料層を成形することにより、前記薄膜キャパシタの上部電極を形成すると共に、前記係留部に上部導電層を形成する工程と、
レーザ加工により前記係留部における前記上部導電層と前記下部導電層とを、前記誘電層を貫通して物理的につなげる工程と
を含む多層配線基板の製造方法。
【請求項１７】
チップおよび多層配線基板を備え、
前記多層配線基板は、
上部電極および下部電極の間に誘電層を有する薄膜キャパシタを備えた機能領域と、前記機能領域以外の周辺領域とを有し、
前記周辺領域の少なくとも一部に、前記誘電層および導電層が積層された係留部が設けられ、
前記導電層の前記誘電層に接する面のラフネスが、前記上部電極または前記下部電極の前記誘電層に接する面のラフネスよりも大きい
半導体装置。
【請求項１８】
チップおよび多層配線基板を備え、
前記多層配線基板は、
上部電極および下部電極の間に誘電層を有する薄膜キャパシタを備えた機能領域と、前記機能領域以外の周辺領域とを有し、
前記周辺領域の少なくとも一部に、上部導電層および下部導電層の間に前記誘電層を有する係留部が設けられ、
前記上部導電層と前記下部導電層とが、前記誘電層を貫通して物理的につながっている
半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月5日(2014.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流をスイッチングするためのゲート電極を有する炭化珪素半導体装置であって、
前記電流が貫通する厚さ方向を有し、第１導電型の不純物濃度Ｎ1dを有するドリフト層と、
前記ドリフト層の一部の上に設けられ、前記ゲート電極によってスイッチングされるチャネルを有し、前記第１導電型の不純物濃度Ｎ1bと、前記不純物濃度Ｎ1bよりも大きい第２導電型の不純物濃度Ｎ2bとを有するボディ領域と、
前記ドリフト層上において前記ボディ領域に隣接し、前記第１導電型の不純物濃度Ｎ1jと、前記不純物濃度Ｎ1jよりも小さい前記第２導電型の不純物濃度Ｎ2jとを有し、Ｎ1j−Ｎ2j＞Ｎ1dかつＮ2j＜Ｎ2bを満たすＪＦＥＴ領域とを備え、
Ｎ1j＝Ｎ1bが満たされる、炭化珪素半導体装置。
【請求項２】
Ｎ1j−Ｎ2j＜Ｎ2b−Ｎ1bが満たされる、請求項１に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項３】
電流をスイッチングするためのゲート電極を有する炭化珪素半導体装置であって、
前記電流が貫通する厚さ方向を有し、第１導電型の不純物濃度Ｎ1dを有するドリフト層と、
前記ドリフト層の一部の上に設けられ、前記ゲート電極によってスイッチングされるチャネルを有し、前記第１導電型の不純物濃度Ｎ1bと、前記不純物濃度Ｎ1bよりも大きい第２導電型の不純物濃度Ｎ2bとを有するボディ領域と、
前記ドリフト層上において前記ボディ領域に隣接し、前記第１導電型の不純物濃度Ｎ1jと、前記不純物濃度Ｎ1jよりも小さい前記第２導電型の不純物濃度Ｎ2jとを有し、Ｎ1j−Ｎ2j＞Ｎ1dかつＮ2j＜Ｎ2bを満たすＪＦＥＴ領域とを備え、
Ｎ1d＝Ｎ1bが満たされる、炭化珪素半導体装置。
【請求項４】
Ｎ1j−Ｎ2j＜Ｎ2b−Ｎ1bが満たされる、請求項３に記載の炭化珪素半導体装置。
【請求項５】
電流をスイッチングするためのゲート電極を有する炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記電流が貫通する厚さ方向を有し、第１導電型の不純物濃度Ｎ1dを有するドリフト層を形成する工程と、
前記ドリフト層の一部の上に、前記ゲート電極によってスイッチングされるチャネルを有し、前記第１導電型の不純物濃度Ｎ1bと、前記不純物濃度Ｎ1bよりも大きい第２導電型の不純物濃度Ｎ2bとを有するボディ領域を形成する工程と、
前記ドリフト層上において前記ボディ領域に隣接し、前記不純物濃度Ｎ1bに等しい前記第１導電型の不純物濃度Ｎ1jと、前記不純物濃度Ｎ1jよりも小さい前記第２導電型の不純物濃度Ｎ2jとを有し、Ｎ1j−Ｎ2j＞Ｎ1dかつＮ2j＜Ｎ2bを満たすＪＦＥＴ領域を形成する工程とを備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ＪＦＥＴ領域を形成する工程は、前記ドリフト層の上に前記第１導電型のエピタキシャル層を成長させる工程を含む、請求項５に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項７】
電流をスイッチングするためのゲート電極を有する炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記電流が貫通する厚さ方向を有し、第１導電型の不純物濃度Ｎ1dを有するドリフト層を形成する工程と、
前記ドリフト層の一部の上に、前記ゲート電極によってスイッチングされるチャネルを有し、前記不純物濃度Ｎ1ｄに等しい前記第１導電型の不純物濃度Ｎ1bと、前記不純物濃度Ｎ1bよりも大きい第２導電型の不純物濃度Ｎ2bとを有するボディ領域を形成する工程と、
前記ドリフト層上において前記ボディ領域に隣接し、前記第１導電型の不純物濃度Ｎ1jと、前記不純物濃度Ｎ1jよりも小さい前記第２導電型の不純物濃度Ｎ2jとを有し、Ｎ1j−Ｎ2j＞Ｎ1dかつＮ2j＜Ｎ2bを満たすＪＦＥＴ領域を形成する工程とを備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記ＪＦＥＴ領域を形成する工程は、前記ドリフト層へ前記第１導電型の不純物をイオン注入する工程を含む、請求項７に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月13日(2014.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のチャネル形成領域と、
前記第１のチャネル形成領域上の、第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート絶縁層上の、第１のゲート電極と、
第１のソース領域と、
第１のドレイン領域と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
第２のチャネル形成領域と、
第２のゲート電極と、
前記第２のチャネル形成領域と、前記第２のゲート電極との間の、第２のゲート絶縁層と、
第２のソース電極と、
第２のドレイン電極と、を有し、
前記第２のチャネル形成領域と、前記第１のソース領域又は前記ドレイン領域と間に、絶縁層を有し、
前記第１のゲート電極は、前記第２のソース電極又は前記第２のドレイン電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタがオフ状態となる期間において、前記第１のソース領域又は前記第１のドレイン領域に正の電位が与えられ、かつ前記第２のゲート電極に負の電位が与えられることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のチャネル形成領域と、
前記第１のチャネル形成領域上の、第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート絶縁層上の、第１のゲート電極と、
第１のソース領域と、
第１のドレイン領域と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
第２のチャネル形成領域と、
第２のゲート電極と、
前記第２のチャネル形成領域と、前記第２のゲート電極との間の、第２のゲート絶縁層と、
第２のソース電極と、
第２のドレイン電極と、を有し、
前記第２のチャネル形成領域と、前記第１のソース領域又は前記ドレイン領域と間に、絶縁層を有し、
前記第２のチャネル形成領域は、前記第１のソース領域又は前記第１のドレイン領域の一部と重なり、
前記第１のゲート電極は、前記第２のソース電極又は前記第２のドレイン電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタがオフ状態となる期間において、前記第１のソース領域又は前記第１のドレイン領域に正の電位が与えられ、かつ前記第２のゲート電極に負の電位が与えられることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記負の電位は、下記式（１）を満たすことを特徴とする半導体装置。
【数１】
2012253312.tif 000001
（但し、式（１）中、Ｖａは前記負の電位を示し、Ｖｂは前記正の電位を示し、ｔａは前記第２のゲート絶縁層の膜厚を示し、εｒａは前記第２のゲート絶縁層の比誘電率を示し、ｔｂは前記絶縁層の膜厚を示し、εｒｂは前記絶縁層の比誘電率を示す。）
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月27日(2014.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の図形パターンを有するチップの各図形パターンの形状、配置座標、およびサイズを示す各図形パターンデータが定義されたチップデータを記憶する記憶部と、
前記チップデータ内の各図形パターンデータを入力し、図形パターン毎に、荷電粒子ビームによる１回のショットで照射可能なサイズで前記図形パターンが複数のショット図形に分割された際の、分割後の各ショット図形のサイズおよび前記図形パターン内での配列位置が識別可能なショット分割イメージ情報を生成するショット分割イメージ情報生成部と、
図形パターン毎の前記ショット分割イメージ情報と前記図形パターンの配置座標の情報とを用いて、チップデータが示すチップ領域内において図形パターンの端部とは異なる基準位置から所定のサイズでメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割されたメッシュ領域毎に、当該メッシュ領域内に配置される分割後の各ショット図形を割り当てる割当処理部と、
メッシュ領域毎に、割り当てられたショット図形数から当該メッシュ領域内を描画する際の荷電粒子ビームのショット数を演算するショット数演算部と、
各メッシュ領域のショット数に基づいて、当該チップを描画するための描画時間を予測する描画時間予測部と、
荷電粒子ビームを用いて、当該チップ内のパターンを試料に描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記ショット分割イメージ情報は、当該図形パターンの基準位置から第１の方向に向かって、前記第１の方向が当該図形パターンの端部まで到達したらその都度第１の方向と直交する第２の方向にずれた上で再度第１の方向に向かって、ショット図形の形状を示す図形コード、サイズ、及び連続して並ぶ同一のショット図形の個数を順に当該図形パターンが分割されたすべてのショット図形が網羅されるまで定義することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記ショット分割イメージ情報は、当該図形パターンの基準位置から第１の方向に向かって、分割元となる当該図形パターンの形状を示す図形コード、最大ショットサイズで分割された連続して並ぶショット図形の個数、および第１の方向に残った図形のサイズを定義することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記チップは、少なくとも１つの図形パターンから構成される複数のセルを有し、
前記複数のメッシュ領域として、各セルの領域の端部から所定のサイズでそれぞれメッシュ状に仮想分割された複数のセル分割領域が用いられ、
前記割当処理部は、セル分割領域毎に、当該セル分割領域内に配置される各ショット図形を割り当てることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
複数の図形パターンを有するチップの各図形パターンの形状、配置座標、およびサイズを示す各図形パターンデータが定義されたチップデータを記憶する記憶装置から前記チップデータ内の各図形パターンデータを入力し、図形パターン毎に、荷電粒子ビームによる１回のショットで照射可能なサイズで前記図形パターンが複数のショット図形に分割された際の、分割後の各ショット図形のサイズおよび前記図形パターン内での配列位置が識別可能なショット分割イメージ情報を生成する工程と、
図形パターン毎の前記ショット分割イメージ情報と前記図形パターンの配置座標の情報とを用いて、チップデータが示すチップ領域内において図形パターンの端部とは異なる基準位置から所定のサイズでメッシュ状の複数のメッシュ領域に仮想分割されたメッシュ領域毎に、当該メッシュ領域内に配置される分割後の各ショット図形を割り当てる工程と、
メッシュ領域毎に、割り当てられたショット図形数から当該メッシュ領域内を描画する際の荷電粒子ビームのショット数を演算する工程と、
各メッシュ領域のショット数に基づいて、当該チップを描画するための描画時間を予測する工程と、
荷電粒子ビームを用いて、当該チップ内のパターンを試料に描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項６】
前記ショット分割イメージ情報は、当該図形パターンの形状を示す図形コード、および予め設定された順序で、第１の方向と前記第１の方向に直交する第２の方向とのうちの少なくとも一方の方向について最大ショットサイズで分割されたショット図形の個数を並べることにより定義されることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項７】
当該図形パターンが、底辺と４５度の角度と１３５度の角度とで繋がる２つの斜辺を有する台形である場合に、前記ショット分割イメージ情報は、前記台形を示す図形コードと、ｘ方向とｙ方向のうちの一方の方向について予め設定された順序で最大ショットサイズで分割されたショット図形の個数を並べることにより定義されることを特徴とする請求項６記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項８】
当該図形パターンが、底辺と４５度の角度で繋がる１つの斜辺と前記底辺と９０度の角度で繋がる１辺とを有する台形である場合に、前記ショット分割イメージ情報は、前記台形を示す図形コードと、ｘ方向とｙ方向のうちの一方の方向について予め設定された順序で最大ショットサイズで分割されたショット図形の個数を並べることにより定義されることを特徴とする請求項６記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項９】
当該図形パターンが、４５度の角度をもつ平行四辺形である場合に、前記ショット分割イメージ情報は、前記平行四辺形を示す図形コードと、ｘ方向について最大ショットサイズで分割されたショット図形の個数と、ｙ方向について最大ショットサイズで分割されたショット図形の個数とを並べることにより定義されることを特徴とする請求項６記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項１０】
前記ショット分割イメージ情報は、当該図形パターンの形状を示す図形コードおよび予め設定された順序で、ｘ方向とｙ方向のうちの少なくとも一方の方向について最大ショットサイズで分割されたショット図形の個数を並べることにより定義されることを特徴とする請求項５記載の荷電粒子ビーム描画方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月11日(2014.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングと、
前記ハウジングの前面側に設けられた表示パネルと、
前記ハウジングの後面側に設けられた背面タッチパネルと、
前記ハウジングに全体が収容されているアンテナと、を備え、
前記アンテナは、前記ハウジングの前後方向において、前記表示パネルと前記背面タッチパネルのうち一方のパネルよりも他方のパネル寄りに配置され、
前記アンテナは、その少なくとも一部が前記ハウジングの前後方向において前記他方のパネルとオーバーラップしないように、前記ハウジングの前後方向に対して垂直な方向に前記他方のパネルからずれて位置している、
ことを特徴とする携帯型電子機器。
【請求項２】
請求項１に記載の携帯型電子機器において、
前記他方のパネルは前記一方のパネルよりも小さなサイズを有している、
ことを特徴とする携帯型電子機器。
【請求項３】
請求項２に記載の携帯型電子機器において、
前記他方のパネルは、上下方向の幅において、前記一方のパネルよりも小さなサイズを有し、
前記他方のパネルは前記一方のパネルに対して上方又は下方のうち一方にオフセットしており、
前記アンテナは前記他方のパネルに対して上方又は下方のうち他方に位置している、
ことを特徴とする携帯型電子機器。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の携帯型電子機器において、
前記一方のパネルは、前記ハウジングの前後方向において前記他方のパネルとオーバーラップしない部分を含み、
前記アンテナは、前記一方のパネルの前記部分と前後方向において重なっている、
ことを特徴とする携帯型電子機器。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の携帯型電子機器において、
前記アンテナはアンテナ本体を含み、
前記アンテナ本体の全体が、前記ハウジングの前後方向において前記他方のパネルとオーバーラップしないように、前記ハウジングの前後方向に対して前記垂直な方向に前記他方のパネルからずれて位置している、
ことを特徴とする携帯型電子機器。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の携帯型電子機器において、
前記他方のパネルは前記ハウジングの外面に位置している、
ことを特徴とする携帯型電子機器。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の携帯型電子機器において、
前記表示パネルの右側に位置し、ユーザによる操作が可能な操作部材と、
前記表示パネルの左側に位置し、ユーザによる操作が可能な操作部材と、をさらに備え、
左右方向における前記アンテナの位置は前記右側の操作部材と前記左側の操作部材との間であり、当該アンテナは前記他方のパネルに対して上方又は下方の一方にずれて配置されている、
ことを特徴とする携帯型電子機器。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の携帯型電子機器において、
前記アンテナとして機能する、前記他方のパネルから上方又は下方の一方にずれて位置する第１のアンテナと、
前記他方のパネルから右方向又は左方向の一方にずれて位置する第２のアンテナと、
を備えることを特徴とする携帯型電子機器。
【請求項９】
請求項８に記載の携帯型電子機器において、
前記ハウジングに収容されるバッテリをさらに備え、
前記バッテリの位置は前記ハウジングの中心に対して右方向又は左方向のうち他方にオフセットしている、
ことを特徴とする携帯型電子機器。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の携帯型電子機器において、
前記アンテナとして機能する、前記他方のパネルから上方又は下方の一方にずれて位置する第１のアンテナと、
前記他方のパネルを挟んで前記第１のアンテナとは反対側に配置される第３のアンテナと、
を備えることを特徴とする携帯型電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月29日(2014.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯電話の上辺において中央から両側面にわたる弾性振動伝導体と前記弾性振動伝導体の内側に配置される振動素子とを有することを特徴とする携帯電話。
【請求項２】
前記弾性振動伝導体は、前記携帯電話の上部両角部に至っていることを特徴とする請求項１記載の携帯電話。
【請求項３】
前記弾性振動伝導体は、耳軟骨と音響インピーダンスが近似する材料で形成されることを特徴とする請求項１または２記載の携帯電話。
【請求項４】
前記振動素子は、圧電バイモルフ素子であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の携帯電話。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月12日(2014.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の撮像手段を有する撮影装置であって、
前記複数の撮像手段のそれぞれに電力を供給する供給手段と、
前記撮影装置の撮影モードおよび動作状態を判定する判定手段と、
前記撮影モード、前記動作状態、および、撮影シーンに含まれる被写体の撮影距離に基づき、前記複数の撮像手段のうち有効にする撮像手段を決定する決定手段と、
有効な撮像手段が撮影した画像データから前記被写体の撮影距離を推定する推定手段と、
前記動作状態が撮影準備状態から静止画撮影状態に遷移する場合、前記供給手段を制御して前記有効にすると決定された撮像手段を有効にする制御手段とを有し、
前記決定手段は、前記動作状態がフレーミング状態の場合は前記複数の撮像手段の一つを有効にする撮像手段に決定し、前記推定手段が推定した最小撮影距離に基づき前記撮影シーンの撮影において有効にする撮像手段を決定し、長時間露光による撮影において、互いに隣接する撮像手段が有効にならないように有効にする撮像手段を決定することを特徴とする撮影装置。
【請求項２】
前記供給手段は、前記有効にする撮像手段の外の撮像手段に対して電力を供給しないか、供給電力を最小限に抑制することを特徴とする請求項1に記載された撮影装置。
【請求項３】
複数の撮像手段を有する撮影装置であって、
前記複数の撮像手段のそれぞれに電力を供給する供給手段と、
前記撮影装置の温度を取得する手段と、
前記撮影装置の動作状態を判定する判定手段と、
前記温度および前記動作状態に基づき、前記複数の撮像手段のうち有効にする撮像手段を決定する決定手段と、
前記動作状態がライブビュー状態から動画撮影状態に遷移する場合、前記供給手段を制御して前記有効にすると決定された撮像手段を有効にする制御手段とを有し、
前記決定手段は、前記動作状態が前記ライブビュー状態の場合は前記複数の撮像手段の一つを有効にする撮像手段に決定し、前記温度に基づき動画撮影において有効にする撮像手段を決定することを特徴とする撮影装置。
【請求項４】
さらに、前記複数の撮像手段の焦点距離を取得する手段を有し、
前記決定手段は、前記温度および前記焦点距離に基づき、前記動画撮影において有効にする撮像手段を決定することを特徴とする請求項3に記載された撮影装置。
【請求項５】
前記決定手段は、前記温度および前記撮影装置の電子式防振処理の設定状態に基づき、前記動画撮影において有効にする撮像手段を決定することを特徴とする請求項3に記載された撮影装置。
【請求項６】
複数の撮像手段、および、前記複数の撮像手段のそれぞれに電力を供給する供給手段を有する撮影装置の制御方法であって、
判定手段が、前記撮影装置の撮影モードおよび動作状態を判定し、
決定手段が、前記撮影モード、前記動作状態、および、撮影シーンに含まれる被写体の撮影距離に基づき、前記複数の撮像手段のうち有効にする撮像手段を決定し、
推定手段が、有効な撮像手段が撮影した画像データから前記被写体の撮影距離を推定し、
前記動作状態が撮影準備状態から静止画撮影状態に遷移する場合、制御手段が、前記供給手段を制御して前記有効にすると決定された撮像手段を有効とし、
前記決定手段は、前記動作状態がフレーミング状態の場合は前記複数の撮像手段の一つを有効にする撮像手段に決定し、前記推定手段が推定した最小撮影距離に基づき前記撮影シーンの撮影において有効にする撮像手段を決定し、長時間露光による撮影において、互いに隣接する撮像手段が有効にならないように有効にする撮像手段を決定することを特徴とする制御方法。
【請求項７】
複数の撮像手段、前記複数の撮像手段のそれぞれに電力を供給する供給手段、温度センサを有する撮影装置の制御方法であって、
取得手段が、前記温度センサから前記撮像装置の温度を取得し、
判定手段が、前記撮影装置の動作状態を判定し、
決定手段が、前記撮像装置の温度および前記動作状態に基づき、前記複数の撮像手段のうち有効にする撮像手段を決定し、
前記動作状態がライブビュー状態から動画撮影状態に遷移する場合、制御手段が、前記供給手段を制御して前記有効にすると決定された撮像手段を有効とし、
前記決定手段は、前記動作状態が前記ライブビュー状態の場合は前記複数の撮像手段の一つを有効にする撮像手段に決定し、前記温度に基づき動画撮影において有効にする撮像手段を決定することを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、撮影装置が有する複数の撮像手段の有効・無効を制御して、熱ノイズを抑制することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、複数の撮像手段、および、前記複数の撮像手段のそれぞれに電力を供給する供給手段を有する撮影装置において、前記撮影装置の撮影モードおよび動作状態を判定し、前記撮影モード、前記動作状態、および、撮影シーンに含まれる被写体の撮影距離に基づき、前記複数の撮像手段のうち有効にする撮像手段を決定し、有効な撮像手段が撮影した画像データから前記被写体の撮影距離を推定し、前記動作状態が撮影準備状態から静止画撮影状態に遷移する場合、前記供給手段を制御して前記有効にすると決定された撮像手段を有効とし、前記動作状態がフレーミング状態の場合は前記複数の撮像手段の一つを有効にする撮像手段に決定し、前記推定した最小撮影距離に基づき前記撮影シーンの撮影において有効にする撮像手段を決定し、長時間露光による撮影において、互いに隣接する撮像手段が有効にならないように有効にする撮像手段を決定することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明によれば、撮影装置が有する複数の撮像手段の有効・無効を制御して、熱ノイズを抑制することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ワンチップマイクロプロセッサ(CPU)200は、内蔵するROMなどに格納された制御プログラムを実行して、各カメラユニット101が出力する画像データを画像処理するとともに、後述する各構成を制御して多眼カメラ100全体の動作を制御する。CPU200の制御対象には、LCDなどの表示部107の表示制御、表示部107のバックライトの制御、各カメラユニット101の電源制御などがある。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月28日(2014.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する画素アレイと、前記画素アレイから複数の列信号線に出力された信号を増幅する複数の信号処理回路とを備える固体撮像装置であって、
前記複数の信号処理回路のそれぞれは、
非反転入力端子、反転入力端子、反転出力端子および非反転出力端子を含む全差動増幅型演算増幅器と、
前記複数の列信号線のうちの第１の列信号線と前記非反転入力端子との間に配された第１の入力容量と、
前記反転出力端子と前記非反転入力端子とを接続する第１のフィードバック回路と、
前記複数の列信号線のうちの第２の列信号線と前記反転入力端子との間に配された第２の入力容量と、
前記非反転出力端子と前記反転入力端子とを接続する第２のフィードバック回路と、
を有し、
前記第１のフィードバック回路は、前記反転出力端子と前記非反転入力端子との間に第１容量素子および第２容量素子が直列に配され、且つ、該第１容量素子と該第２容量素子とを接続する経路と基準電位との間に第３容量素子が配された第１のフィードバック経路を形成しており、
前記第２のフィードバック回路は、前記非反転出力端子と前記反転入力端子との間に第４容量素子および第５容量素子が直列に配され、且つ、該第４容量素子と該第５容量素子とを接続する経路と前記基準電位との間に第６容量素子が配された第２のフィードバック経路を形成している
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１容量素子と前記第２容量素子とは、前記反転出力端子と前記非反転入力端子とを接続するように直列に接続されており、且つ、前記第３容量素子は、前記第１容量素子と前記第２容量素子とを接続するノードと前記基準電位との間に接続されており、
前記第４容量素子と前記第５容量素子とは、前記非反転出力端子と前記反転入力端子とを接続するように直列に接続されており、且つ、前記第６容量素子は、前記第４容量素子と前記第５容量素子とを接続するノードと前記基準電位との間に接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記固体撮像装置は、動作モードとして第１モードと第２モードとを含み、
前記第１のフィードバック回路および前記第２のフィードバック回路は複数のスイッチを有しており、前記第１モードでは前記第１のフィードバック経路および前記第２のフィードバック経路を形成し、前記第２モ−ドでは前記第１のフィードバック経路および前記第２のフィードバック経路を形成しないように、前記複数のスイッチの状態が制御される
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記基準電位は、前記全差動増幅型演算増幅器のコモンモード電位である
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記複数の信号処理回路のそれぞれは、
前記第１容量素子と前記第２容量素子とを接続する経路と前記コモンモード電位との間に、前記第３容量素子と並列に配された第１のスイッチと、
前記第４容量素子と前記第５容量素子とを接続する経路と前記コモンモード電位との間に、前記第６容量素子と並列に配された第２のスイッチと、
をさらに有する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一つの側面は固体撮像装置にかかり、前記固体撮像装置は、複数の画素を有する画素アレイと、前記画素アレイから複数の列信号線に出力された信号を増幅する複数の信号処理回路とを有する固体撮像装置であって、前記複数の信号処理回路のそれぞれは、非反転入力端子、反転入力端子、反転出力端子および非反転出力端子を含む全差動増幅型演算増幅器と、前記複数の列信号線のうちの第１の列信号線と前記非反転入力端子との間に配された第１の入力容量と、前記反転出力端子と前記非反転入力端子とを接続する第１のフィードバック回路と、前記複数の列信号線のうちの第２の列信号線と前記反転入力端子との間に配された第２の入力容量と、前記非反転出力端子と前記反転入力端子とを接続する第２のフィードバック回路と、を有し、前記第１のフィードバック回路は、前記反転出力端子と前記非反転入力端子との間に第１容量素子および第２容量素子が直列に配され、且つ、該第１容量素子と該第２容量素子とを接続する経路と基準電位との間に第３容量素子が配された第１のフィードバック経路を形成しており、前記第２のフィードバック回路は、前記非反転出力端子と前記反転入力端子との間に第４容量素子および第５容量素子が直列に配され、且つ、該第４容量素子と該第５容量素子とを接続する経路と前記基準電位との間に第６容量素子が配された第２のフィードバック経路を形成している。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月16日(2014.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の動画再生装置は、
動画像を構成する複数のフレーム画像を記憶する記憶手段と、前記複数のフレーム画像のうち、隣合う二つのフレーム画像間を補間する補間フレーム画像を生成する生成手段と、テンポ情報を伴う演奏情報に基づいて演奏される所定の曲の所定のタイミングに同期させて再生される前記複数のフレーム画像のうち、隣合う二つのフレーム画像間における前記所定の曲の演奏の進行度合を逐次算出する算出手段と、前記補間フレーム画像の再生タイミングに対応する前記進行度合についてテンポ変更に伴う変化があったか否かを判定する判定手段と、この判定手段により前記進行度合に変化があったと判定された場合に、当該進行度合より小さい進行度合の前記補間フレーム画像を前記生成手段に生成させる制御手段と、を備えたことを特徴としている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明の動画再生方法は、
動画再生装置を用いた動画再生方法であって、取得された複数のフレーム画像のうち、隣合う二つのフレーム画像間を補間する補間フレーム画像を生成する生成ステップと、テンポ情報を伴う演奏情報に基づいて演奏される所定の曲の所定のタイミングに同期させて再生される前記複数のフレーム画像のうち、隣合う二つのフレーム画像間における前記所定の曲の演奏の進行度合を逐次算出する算出ステップと、前記補間フレーム画像の再生タイミングに対応する前記進行度合についてテンポ変更に伴う変化があったか否かを判定する判定ステップと、前記進行度合に変化があったと判定された場合に、当該進行度合より小さい進行度合の前記補間フレーム画像を前記生成ステップにて生成させる制御ステップと、を含むことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明のプログラムは、
コンピュータを、取得された複数のフレーム画像のうち、隣合う二つのフレーム画像間を補間する補間フレーム画像を生成する生成手段、テンポ情報を伴う演奏情報に基づいて演奏される所定の曲の所定のタイミングに同期させて再生される前記複数のフレーム画像のうち、隣合う二つのフレーム画像間における前記所定の曲の演奏の進行度合を逐次算出する算出手段、前記補間フレーム画像の再生タイミングに対応する前記進行度合についてテンポ変更に伴う変化があったか否かを判定する判定手段、この判定手段により前記進行度合に変化があったと判定された場合に、当該進行度合より小さい進行度合の前記補間フレーム画像を前記生成手段に生成させる制御手段、として機能させることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画像を構成する複数のフレーム画像を記憶する記憶手段と、
前記複数のフレーム画像のうち、隣合う二つのフレーム画像間を補間する補間フレーム画像を生成する生成手段と、
テンポ情報を伴う演奏情報に基づいて演奏される所定の曲の所定のタイミングに同期させて再生される前記複数のフレーム画像のうち、隣合う二つのフレーム画像間における前記所定の曲の演奏の進行度合を逐次算出する算出手段と、
前記補間フレーム画像の再生タイミングに対応する前記進行度合についてテンポ変更に伴う変化があったか否かを判定する判定手段と、
この判定手段により前記進行度合に変化があったと判定された場合に、当該進行度合より小さい進行度合の前記補間フレーム画像を前記生成手段に生成させる制御手段と、
を備えたことを特徴とする動画再生装置。
【請求項２】
前記判定手段により前記進行度合に変化があったと判定された場合に、当該進行度合の変化が少なくなるように補正する補正手段を更に備え、
前記制御手段は、前記補正手段により補正された進行度合に応じた前記補間フレーム画像を前記生成手段に生成させることを特徴とする請求項１に記載の動画再生装置。
【請求項３】
前記補正手段は、前記テンポ変更前に算出された進行度合と、前記テンポ変更後に算出された進行度合との平均値を、前記補正後の進行度合として生成することを特徴とする請求項２に記載の動画再生装置。
【請求項４】
動画再生装置を用いた動画再生方法であって、
取得された複数のフレーム画像のうち、隣合う二つのフレーム画像間を補間する補間フレーム画像を生成する生成ステップと、
テンポ情報を伴う演奏情報に基づいて演奏される所定の曲の所定のタイミングに同期させて再生される前記複数のフレーム画像のうち、隣合う二つのフレーム画像間における前記所定の曲の演奏の進行度合を逐次算出する算出ステップと、
前記補間フレーム画像の再生タイミングに対応する前記進行度合についてテンポ変更に伴う変化があったか否かを判定する判定ステップと、
前記進行度合に変化があったと判定された場合に、当該進行度合より小さい進行度合の前記補間フレーム画像を前記生成ステップにて生成させる制御ステップと、
を含むことを特徴とする動画再生方法。
【請求項５】
コンピュータを、
取得された複数のフレーム画像のうち、隣合う二つのフレーム画像間を補間する補間フレーム画像を生成する生成手段、
テンポ情報を伴う演奏情報に基づいて演奏される所定の曲の所定のタイミングに同期させて再生される前記複数のフレーム画像のうち、隣合う二つのフレーム画像間における前記所定の曲の演奏の進行度合を逐次算出する算出手段、
前記補間フレーム画像の再生タイミングに対応する前記進行度合についてテンポ変更に伴う変化があったか否かを判定する判定手段、
この判定手段により前記進行度合に変化があったと判定された場合に、当該進行度合より小さい進行度合の前記補間フレーム画像を前記生成手段に生成させる制御手段、
として機能させることを特徴とするプログラム。