Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月17日(2014.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と、
前記基部から延出していて水晶を含む振動腕と、
前記振動腕に設けられている第１電極と、
前記第１電極の上方に設けられている第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置されている圧電体と、を有し、
前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方に、ＩＴＯを含んでいることを特徴とする振動片。
【請求項２】
前記第１電極と前記圧電体との間に絶縁体を有することを特徴とする請求項１に記載の振動片。
【請求項３】
前記絶縁体は、ＳｉＯ2を含んでいることを特徴とする請求項２に記載の振動片。
【請求項４】
前記圧電体は、ＺｎＯを含んでいることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の振動片。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の振動片と、
前記振動片を収容しているパッケージと、
を備えていることを特徴とする振動子。
【請求項６】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の振動片と、
前記振動片を発振させる発振回路と、
を備えていることを特徴とする発振器。
【請求項７】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の振動片を備えていることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかる振動片は、基部と、前記基部から延出していて水晶を含む振動腕と、前記振動腕に設けられている第１電極と、前記第１電極の上方に設けられている第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置されている圧電体と、を有し、前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方に、ＩＴＯを含んでいることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月17日(2014.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と、
前記基部から第１方向に延びる少なくとも３本の振動腕と、を備え、
前記３本の振動腕は、前記第１方向と直交する第２方向に配列されると共に、前記第１方向と前記第２方向とで特定される平面に沿った主面に励振電極を有し、
前記３本の振動腕の内、２本の振動腕の間にある振動腕を第１振動腕とし、前記２本の振動腕の各々を第２振動腕としたとき、前記第１振動腕と前記第２振動腕とは互いに逆方向に振動し、
前記第１振動腕の前記第２方向の腕幅をＷ１、前記第２振動腕の前記第２方向の腕幅をＷとし、
前記第１振動腕における前記励振電極の前記第２方向の電極幅をＡ１、前記第２振動腕
における前記励振電極の前記第２方向の電極幅をＡとしたとき、
１．３５＜Ｗ１／Ｗ＜１．９０、且つ、１．３５＜Ａ１／Ａ＜１．９０であることを特
徴とする振動片。
【請求項２】
前記励振電極は、前記主面側に設けられた第１電極と、
前記第１電極に対向して設けられた第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に延在する圧電体と、
を備えたことを特徴とする請求項１に記載の振動片。
【請求項３】
前記主面と直交する第３方向から見たときに、前記第１振動腕の前記第１電極、前記第２電極、及び前記圧電体が重複する幅をＡ１’、前記第２振動腕の各々の前記第１電極、前記第２電極、及び前記圧電体が重複する幅をＡ’としたとき、
１．３５＜Ａ１’／Ａ’＜１．９０であることを特徴とする請求項２に記載の振動片。
【請求項４】
前記第３方向における前記基部の厚さは、前記第３方向における前記各振動腕の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の振動片。
【請求項５】
前記基部の前記第２方向の両端部に固定部が設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の振動片。
【請求項６】
前記Ｗ１と前記Ｗとの比が、
Ｗ１／Ｗ＝１．６０であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の振動片に振動片。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の振動片と、
前記振動片を収容しているパッケージと、
を備えていることを特徴とする振動子。
【請求項８】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の振動片と、
前記振動片を発振させる発振回路と、
を備えていることを特徴とする発振器。
【請求項９】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の振動片を備えていることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本適用例にかかる振動片は、基部と、前記基部から第１方向に延びる少なくとも３本の振動腕と、を備え、前記３本の振動腕は、前記第１方向と直交する第２方向に配列されると共に、前記第１方向と前記第２方向とで特定される平面に沿った主面に励振電極を有し、
前記３本の振動腕の内、２本の振動腕の間にある振動腕を第１振動腕とし、前記２本の振動腕の各々を第２振動腕としたとき、前記第１振動腕と前記第２振動腕とは互いに逆方向に振動し、前記第１振動腕の前記第２方向の腕幅をＷ１、前記第２振動腕の前記第２方向の腕幅をＷとし、前記第１振動腕における前記励振電極の前記第２方向の電極幅をＡ１、前記第２振動腕における前記励振電極の前記第２方向の電極幅をＡとしたとき、１．３５＜Ｗ１／Ｗ＜１．９０、且つ、１．３５＜Ａ１／Ａ＜１．９０であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月20日(2014.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
前記ウェーハテーブルは、前記保持面を上に向けて水平に設置され、
前記ウェーハテーブルの下方から前記ウェーハテーブルに保持された前記ウェーハにレーザ光を照射することを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか１項に記載のレーザダイシング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
前記ウェーハテーブルは、前記保持面を下に向けて水平に設置され、
前記ウェーハテーブルの上方から前記ウェーハテーブルに保持されたウェーハにレーザ光を照射することを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか１項に記載のレーザダイシング方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
請求項１７に係る発明は、前記目的を達成するために、前記ウェーハテーブルは、前記保持面を上に向けて水平に設置され、前記ウェーハテーブルの下方から前記ウェーハテーブルに保持された前記ウェーハにレーザ光を照射することを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか１項に記載のレーザダイシング方法を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
請求項１８に係る発明は、前記目的を達成するために、前記ウェーハテーブルは、前記保持面を下に向けて水平に設置され、前記ウェーハテーブルの上方から前記ウェーハテーブルに保持されたウェーハにレーザ光を照射することを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか１項に記載のレーザダイシング方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月31日(2014.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置の検査方法であって、
第１インプリント材を基板上に供給する第１ステップと、
前記第１ステップで供給された第１インプリント材をモールドで成形して第１マークを形成する第２ステップと、
第２インプリント材を前記基板上に供給する第３ステップと、
前記第３ステップで供給された第２インプリント材をモールドで成形して第２マークを形成する第４ステップと、
前記第２ステップで形成された前記第１マークと前記第４ステップで形成された前記第２マークとの相対位置を計測する第５ステップと、を有し、
前記第３ステップでは、前記第２ステップで形成された前記第１マークに前記第２インプリント材が接触しないように、前記第２インプリント材を供給する、ことを特徴とする検査方法。
【請求項２】
前記第２ステップで形成される前記第１マークの位置、前記第４ステップで形成される前記第２マークの寸法、及び、前記第２インプリント材の供給量に基づいて、前記第３ステップで供給すべき前記第２インプリント材の供給領域を求めるステップを更に有する、ことを特徴とする請求項１に記載の検査方法。
【請求項３】
前記第１マークは、インナーマークであり、
前記第２マークは、前記インナーマークよりも外側に形成されるアウターマークである、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の検査方法。
【請求項４】
前記第１マークの位置と前記第２インプリント材の供給位置との間の距離と、前記第２インプリント材の供給量とを変数として含む互いに異なる複数の条件を設定し、前記複数の条件のそれぞれについて、前記第１マークが形成された基板上に前記インプリント装置により前記第２マークを形成し、前記複数の条件のうち前記第２インプリント材が前記第１マークに接触せず、且つ、前記第２マークの形状が許容範囲内となる条件に基づいて、前記第２インプリント材の供給位置及び前記第２インプリント材の供給量を求めるステップを更に有する、ことを特徴とする請求項１に記載の検査方法。
【請求項５】
前記第４ステップで用いられるモールドは、前記第１マークを押し潰さないように凹部を含む、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項６】
前記第２ステップで用いられるモールドは、アライメントマークパターンを有し、
前記第２ステップでは、前記第１マークとアライメントマークとを形成し、
前記第３ステップの前に、前記第２ステップで形成された前記アライメントマークを用いて基板のアライメントを行うステップを更に有する、ことを特徴とする請求項１に記載の検査方法。
【請求項７】
前記インプリント装置は、前記第１マーク及び前記第２マークを検出するためのスコープと、前記基板を保持するステージと、を有し、
前記第５ステップは、
前記第１マークが前記スコープの視野内に位置するように前記ステージを移動させて前記第１マークを前記スコープで検出することにより前記第１マークの位置を計測するステップと、
前記第２マークが前記スコープの視野内に位置するように前記ステージを移動させて前記第２マークを前記スコープで検出することにより前記第２マークの位置を計測するステップと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の検査方法。
【請求項８】
前記第１ステップの前に、前記第１インプリント材及び前記第２インプリント材との密着性を向上させるための密着剤を前記基板に供給するステップを更に有する、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項９】
基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の検査方法によって求められた検査結果に基づいて、目標となる相対位置からの前記相対位置のずれが低減するように、前記インプリント処理に関する動作を制御する制御部を有する、ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項１０】
基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記基板上のマークを検出するためのスコープと、
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の検査方法における各ステップに係る動作を制御する制御部と、を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成するステップと、
前記ステップで前記パターンを形成された前記基板を加工するステップと、を有することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月5日(2013.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１または２以上の動画像の各々を形成する複数のフレーム画像の中から所望のフレーム画像を選択する選択手段、
前記選択手段によって選択されたフレーム画像に基づいて静止画像を作成する作成手段、
前記作成手段によって作成された１または２以上の静止画像のいずれか１つを静止画像再生指示に応答して再生する第１再生手段、
前記第１再生手段によって再生された静止画像に対する既定操作を受け付けたとき前記第１再生手段によって再生された静止画像の基礎となるフレーム画像を有する特定動画像を１または２以上の動画像の中から検出する検出手段、および
前記検出手段によって検出された特定動画像を前記検出手段によって注目されたフレーム画像を基準として再生する第２再生手段を備える、画像処理装置。
【請求項２】
前記選択手段によって選択されたフレーム画像を識別する識別情報を取得する取得手段、および
前記取得手段によって取得された識別情報を前記作成手段によって作成された静止画像に割り当てる割り当て手段をさらに備え、
前記検出手段は前記割り当て手段によって割り当てられた識別情報を参照して前記特定動画像を探索する探索手段を含む、請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記割り当て手段によって割り当てられた識別情報のうち前記第１再生手段によって再生された静止画像に対応する識別情報を前記探索手段の非検知に応答して削除する削除手段をさらに備える、請求項２記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記割り当て手段によって割り当てられた識別情報が前記第１再生手段によって再生された静止画像に対応して存在するか否かを判別し、肯定的な判別結果に対応して前記既定操作を許可する一方、否定的な判別結果に対応して前記既定操作を制限する制御手段をさらに備える、請求項３記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記取得手段によって取得された識別情報は前記フレーム画像の位置を識別する位置識別情報を含み、
前記第２再生手段は前記位置識別情報に基づいて再生開始位置を指定する指定手段を含む、請求項２ないし４のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項６】
画像処理装置のプロセッサに、
１または２以上の動画像の各々を形成する複数のフレーム画像の中から所望のフレーム画像を選択する選択ステップ、
前記選択ステップによって選択されたフレーム画像に基づいて静止画像を作成する作成ステップ、
前記作成ステップによって作成された１または２以上の静止画像のいずれか１つを静止画像再生指示に応答して再生する第１再生ステップ、
前記第１再生ステップによって再生された静止画像に対する既定操作を受け付けたとき前記第１再生ステップによって再生された静止画像の基礎となるフレーム画像を有する特定動画像を１または２以上の動画像の中から検出する検出ステップ、および
前記検出ステップによって検出された特定動画像を前記検出ステップによって注目されたフレーム画像を基準として再生する第２再生ステップを実行させるための、画像処理プログラム。
【請求項７】
画像処理装置によって実行される画像処理方法であって、
１または２以上の動画像の各々を形成する複数のフレーム画像の中から所望のフレーム画像を選択する選択ステップ、
前記選択ステップによって選択されたフレーム画像に基づいて静止画像を作成する作成ステップ、
前記作成ステップによって作成された１または２以上の静止画像のいずれか１つを静止画像再生指示に応答して再生する第１再生ステップ、
前記第１再生ステップによって再生された静止画像に対する既定操作を受け付けたとき前記第１再生ステップによって再生された静止画像の基礎となるフレーム画像を有する特定動画像を１または２以上の動画像の中から検出する検出ステップ、および
前記検出ステップによって検出された特定動画像を前記検出ステップによって注目されたフレーム画像を基準として再生する第２再生ステップを備える、画像処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月11日(2013.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記化合物半導体ＨＥＭＴのドレインには、ＡＭ帯の周波数の受信波を当該化合物半導体ＨＥＭＴに増幅させるための第１回路と、ＦＭ帯の周波数の受信波を当該化合物半導体ＨＥＭＴに増幅させるための第２回路との少なくとも一方の回路が接続されている、
請求項５記載の地上放送波受信用増幅器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
このように構成される地上放送波受信用増幅器は、例えばアンテナ素子の高さ（長さ）が短くなることによってその性能（信号対雑音比や受信系の利得等）が劣化しても、その劣化分を、等価雑音抵抗が2［Ω］以下となる化合物半導体ＨＥＭＴにより補償することができるので、例えば、ＦＭ放送帯の地上放送波の0.0125波長以下の長さをもつモノポールアンテナ素子を用いた場合であっても、実用的な性能を実現することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
ＨＥＭＴは、一般的には、地上波デジタル放送（470［ＭＨｚ］〜710［ＭＨｚ］）の受信機やマイクロ波帯の信号を増幅する高周波機器用増幅器において使用されるもので、これまで、ＡＭ帯やＦＭ帯において使用されることがなかった。これは、ＡＭ帯やＦＭ帯でＨＥＭＴを採用することの性能対効果が低いこと、及び、このように低い周波数帯域では、ＨＥＭＴの扱いが難しいことが、その理由になっていると考えられる。
すなわち、もともと熱雑音が信号電力に重畳しているのが当たり前のＡＭ帯やＦＭ帯の受信波では、ＨＥＭＴを採用したとしても、顕著な性能改善に結びつかないので、ＨＥＭＴをＡＭ帯やＦＭ帯で使用するには、100倍程度の増幅能力が過剰となり、100倍もの広範な周波数にわたる回路・部品の動作、放射器の指向性等を考慮した設計・製造技術が余分な負担となる。また、シリコンバイポーラトランジスタに比べ、化合物半導体素材が高価で、基板に形成する際のパターンルールが微細となるので、製造コストも相対的に高くなるばかりでなく、主たる動作周波数がＡＭ帯やＦＭ帯のように、マイクロ波に比べて低い周波数で動作するように設計された素子と比較すれば、パターンルールが過剰に微細となって、電気的ストレスに対して脆弱となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図２に示す増幅器１２−Ａでは、ソース接地されたエンハンスメント型のＨＥＭＴ１２０のゲートＧに、アンテナ素子１０で受信され、給電端子１１，増幅器入力端子Ｒiを通じて入力された受信波と、電源端子Ｐiから直流阻止回路１２２及びバイアス回路１２１を経て供給された正のバイアス電力とを重畳して入力する。
給電端子１１及び増幅器入力端子ＲiからＨＥＭＴ１２０のゲートＧまでを接続する配線線路は、アンテナ素子１０のインピーダンスが非常に高いことから、200［Ω］以上（好ましくは１[ｋΩ］以上）の高インピーダンスとなるように線路幅が制限されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
増幅器の特性値として、Ｇｏｐｔ、Γｏｐｔ、Γｍｉｎ、Ｒｎが（その製造メーカより）与えられると、ΩＮ、ＲＮ、ＦＮ、ｒｎは、それぞれ、以下のようにして算出される。
ΩＮ  ＝Γｏｐｔ／（１＋Ｎ）
ＲＮ  ＝√［Ｎ２＋Ｎ（１−｜Γｏｐｔ｜２）]／（１＋Ｎ）
ＦＮ  ＝Ｆｍｉｎ＋４ｒｎ Ｎ／（｜１＋Γｏｐｔ｜２）
ｒｎ＝Ｒｎ／ＺＯ
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
１０・・・アンテナ素子、１１・・・給電端子、１２，１２−Ａ，１２−Ｂ，１２−Ｃ・・・増幅器、１３・・・出力端子、１４・・・接地端子、１５・・・グランド板、３０・・・車両導体面、１２０・・・ＨＥＭＴ、Ｐｉ・・・電源端子、Ｒｉ・・・増幅器入力端子、Ｒo・・・増幅器出力端子、Ｇｒ・・・増幅器接地端子、１２１・・・バイアス回路、１２２・・・直流阻止回路、１２３・・・ＦＭ並列共振回路、１２４・・・ＡＭ並列共振回路、１２５・・・出力整合回路、２１・・・分波回路、２２・・・ＡＭ整合回路、２３・・・ＡＭ帯増幅器、２４・・・合成回路。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2012160878.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2012160878.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月31日(2014.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の色の入射光に基づく電荷を生成する第１の光電変換部と、
第１の色の入射光に基づく電荷を生成する第２の光電変換部と、
第２の色の入射光に基づく電荷を生成する第３の光電変換部と、
前記第１ないし第３の光電変換部に共通に設けられ、前記第１ないし第３の光電変換部によって生成された電荷に基づく信号を出力する増幅トランジスタと、
を含む画素ユニットと、
前記増幅トランジスタの制御電極の電位によって前記画素ユニットを選択状態又は非選択状態にする制御部と、
を有する撮像装置であって、
前記制御部は、前記第１の光電変換部に基づく信号を出力する動作に先立って、前記画素ユニットを非選択状態にする動作を行い、
前記第１の光電変換部に基づく信号が出力された後、第２の光電変換部に基づく信号を出力する動作に先立って、前記画素ユニットを非選択状態にする動作を行い、
前記第１の光電変換部に基づく信号が出力された後、前記第３の光電変換部に基づく信号を出力する動作に先立っては、前記画素ユニットを非選択状態にする動作を行わないこと
を特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第１ないし第３の光電変換部は、前記第１の光電変換部、前記第３の光電変換部、前記第２の光電変換部の順に１次元状に配列されたことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記画素ユニットはさらに、第２の色の入射光に基づく電荷を生成する第４の光電変換部を含み、前記第１ないし第４の光電変換部は、前記第１の光電変換部、前記第３の光電変換部、前記第２の光電変換部、前記第４の光電変換部の順に１次元状に配列されることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記信号を処理する、２以上のチャンネルを備える読み出し回路をさらに有し、
前記第１および第２の光電変換部によって生成された電荷に基づく信号は、同一の前記チャンネルで処理され、
前記第３および第４の光電変換部によって生成された電荷に基づく信号は、別の同一の前記チャンネルで処理されること
を特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記信号を処理するチャンネルを備える読み出し回路をさらに有し、
前記第１ないし第４の光電変換部によって生成された電荷に基づく信号は、同一の前記チャンネルで処理されること
を特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記第４の光電変換部と、
第２の色の入射光に基づく電荷を生成する第５の光電変換部と、
前記第３の色の入射光に基づく電荷を生成する第６の光電変換部と、
前記第４ないし第６の光電変換部に共通に設けられ、前記第４ないし第６の光電変換部によって生成された電荷に基づく信号を出力する増幅トランジスタと、
を含む第２の画素ユニットをさらに有することを特徴とする請求項３から５のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項７】
複数の光電変換部と、
前記複数の光電変換部に共通に設けられ、前記光電変換部によって生成された電荷に基づく信号を出力する増幅トランジスタと、
を有する画素ユニットと、
前記信号を処理する、２以上のチャンネルを備える読み出し回路と、
前記増幅トランジスタの制御電極の電位によって前記画素ユニットを選択あるいは非選択状態にする制御部と、を有する
撮像装置であって、
前記制御部は、前記画素ユニットに含まれる、一の前記チャンネルで信号が処理される複数の前記画素の読み出し動作に先立って、前記画素ユニットを非選択状態にした後に選択状態にし、
前記画素ユニットに含まれる、別の一の前記チャンネルで信号が処理される前記画素の読み出し動作に先立っては、前記画素ユニットを非選択状態にしないこと
を特徴とする撮像装置。
【請求項８】
３以上の光電変換部と、
前記３以上の光電変換部に共通に設けられ、前記３以上の光電変換部によって生成された電荷に基づく信号を出力する増幅トランジスタと、
を含む画素ユニットと、
前記増幅トランジスタの制御電極の電位によって前記画素ユニットを選択状態又は非選択状態にする制御部と、
を有する撮像装置であって、
前記制御部は、前記３以上の光電変換部に基づく信号を順次出力させ、
一の前記光電変換部からの信号を前記画素ユニットから出力させる動作に先立って、前記画素ユニットを非選択状態にする動作と、
前記画素ユニットを非選択状態にせずに別の前記光電変換部に基づく信号を出力する動作と、
を交互に行うことを特徴とする撮像装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の撮像装置と、
前記画素に像を形成する光学系と、
前記撮像装置から出力された信号を処理して画像データを生成する映像信号処理部と、をさらに備えたこと
を特徴とする撮像システム。
【請求項１０】
第１の色の入射光に基づく電荷を生成する第１の光電変換部と、
第１の色の入射光に基づく電荷を生成する第２の光電変換部と、
第２の色の入射光に基づく電荷を生成する第３の光電変換部と、
前記第１から第３の光電変換部に共通に設けられ、前記第１から第３の光電変換部によって生成された電荷に基づく信号を出力する増幅トランジスタと、
を含む画素ユニットを有し、
前記増幅トランジスタの制御電極の電位によって前記画素ユニットを選択状態又は非選択状態にする撮像装置の駆動方法であって、
前記第１および第２の光電変換部に基づく信号を出力する動作に先立って、前記画素ユニットを非選択状態にする動作を行い、
前記第３の光電変換部に基づく信号を出力する動作に先立っては、前記画素ユニットを非選択状態にする動作を行わないこと
を特徴とする撮像装置の駆動方法。
【請求項１１】
前記信号を処理する、２以上のチャンネルを備える読み出し回路をさらに有し、
前記第１および第２の光電変換部によって生成された電荷に基づく信号は、同一の前記チャンネルで処理され、
前記第３および第４の光電変換部によって生成された電荷に基づく信号は、別の同一の前記チャンネルで処理されること
を特徴とする請求項１０に記載の撮像装置の駆動方法。
【請求項１２】
前記信号を処理するチャンネルを備える読み出し回路をさらに有し、
前記第１から第４の光電変換部によって生成された電荷に基づく信号は、同一の前記チャンネルで処理されること
を特徴とする請求項１１に記載の撮像装置の駆動方法。
【請求項１３】
３以上の光電変換部と、
前記３以上の光電変換部に共通に設けられ、前記３以上の光電変換部によって生成された電荷に基づく信号を出力する増幅トランジスタと、
を含む画素ユニットと、
前記増幅トランジスタの制御電極の電位によって前記画素ユニットを選択状態又は非選択状態にする撮像装置の駆動方法であって、
前記３以上の光電変換部に基づく信号を順次出力させ、
一の前記光電変換部からの信号を前記画素ユニットから出力させる動作に先立って、前記画素ユニットを非選択状態にする動作と、
前記画素ユニットを非選択状態にせずに別の前記光電変換部に基づく信号を出力する動作と、
を交互に行うことを特徴とする撮像装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月20日(2014.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、
前記下地絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行う工程と
前記第１の酸化物半導体膜上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜を加工してソース電極およびドレイン電極を形成した後、前記第１の酸化物半導体膜を加工して第２の酸化物半導体膜を形成する工程と、
少なくとも前記第２の酸化物半導体膜の側面を覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を有し、
前記下地絶縁膜は、前記加熱処理により酸素を放出する機能を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、
前記下地絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成する工程と、
前記第１の酸化物半導体膜上に導電膜を形成した後、加熱処理を行う工程と、
前記導電膜を加工してソース電極およびドレイン電極を形成した後、前記第１の酸化物半導体膜を加工して第２の酸化物半導体膜を形成する工程と、
少なくとも前記第２の酸化物半導体膜の側面を覆ってゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を有し、
前記下地絶縁膜は、前記加熱処理により酸素を放出する機能を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の酸化物半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた二種以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記ゲート電極、前記ソース電極および前記ドレイン電極をマスクとして、前記第２の酸化物半導体膜にイオンを添加して、前記イオンが添加されていない第１の領域と、前記イオンが添加された第２の領域と、を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記イオンとして窒素、リン、ヒ素、または希ガスから選ばれた一種以上の元素のイオンを添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第２の領域には、窒素、リン、ヒ素または希ガスから選ばれた一種以上の元素が、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記加熱処理は３００℃以上４５０℃以下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月15日(2014.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜の下方にある、第１の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜の上方にある、第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、昇温脱離ガス分光法分析にて、酸素の放出量が１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、
前記第１の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜の全体と重なり、
前記第２の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜の端部と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜の下方にある、第１の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜の上方にある、第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜はそれぞれ、昇温脱離ガス分光法分析にて、酸素の放出量が１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、
前記第１の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜の全体と重なり、
前記第２の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜の端部と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の絶縁膜は、酸素が過剰な酸化絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、又は酸化イットリウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極とを有し、
前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜の端部と接せず、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜の端部と接しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記酸化物半導体膜は、結晶を有し、
前記結晶は、前記酸化物半導体膜の表面に垂直な方向と沿うように配向したｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月10日(2014.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換素子、素子電極、基板上分離電極、を有するフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板を位置決めする位置決め手段と、
摺動可能に前記フレキシブル基板の移動をガイドする基板ガイドと、
駆動電力生成手段と、を備え、
前記基板ガイドは、前記素子電極と接触するガイド上電源電極と、ガイド上分離電極と、を有し、
前記位置決め手段は、前記基板上分離電極と前記ガイド上分離電極の接触前後における、当該ガイド上分離電極の抵抗変化に応じて前記フレキシブル基板の移動を停止させることを特徴とする光半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月10日(2014.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換素子を有するフレキシブル基板と、
前記光電変換素子の配列方向に沿って、前記フレキシブル基板を位置決めする位置決め手段と、
摺動可能に前記フレキシブル基板の移動をガイドする基板ガイドと、を備え、
前記基板ガイドは棒状部材により構成され、
前記光電変換素子は、前記棒状部材を介して駆動電力の供給を受けることを特徴とする光半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月22日(2014.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶素子の駆動方法、及び、記憶素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の回路と、第２の回路と、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタと、容量素子と、スイッチとを有し、
前記第１の回路の出力端子は、前記トランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記容量素子の一対の電極のうちの一方、及び前記第２の回路の入力端子と電気的に接続され、
前記第２の回路の出力端子は、前記第１の回路の入力端子と電気的に接続され、
第１の期間においては、電源電圧を供給し、前記トランジスタをオン状態とし、ハイレベル電位とローレベル電位との間で信号電位が周期的に変化するクロック信号及び前記クロック信号の反転信号を供給し、前記クロック信号及び前記クロック信号の反転信号に同期してオン状態となった前記スイッチを介して、前記第１の回路にデータに対応する信号が入力され、前記第１の回路は、入力された信号の反転信号を出力し、前記第２の回路は、オン状態の前記トランジスタを介して前記第１の回路から信号が入力され、当該信号の反転信号を出力し、
前記第１の期間に続く第２の期間においては、電源電圧を供給し、前記クロック信号及び前記クロック信号の反転信号を互いに異なる一定の電位とした後、前記トランジスタをオフ状態とし、
前記第２の期間に続く第３の期間においては、前記トランジスタはオフ状態であり、且つ前記クロック信号及び前記クロック信号の反転信号を互いに異なる一定の電位にしたまま、電源電圧の供給を停止し、
前記第３の期間に続く第４の期間においては、前記トランジスタはオフ状態であり、且つ電源電圧の供給は停止したまま、前記クロック信号及び前記クロック信号の反転信号の供給を停止することを特徴とする記憶素子の駆動方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第４の期間に続く第５の期間においては、前記トランジスタはオフ状態であり、且つ電源電圧の供給は停止したまま、前記クロック信号及び前記クロック信号の反転信号を、前記第２の期間において入力された、互いに異なる一定の電位とし、
前記第５の期間に続く第６の期間においては、前記クロック信号及び前記クロック信号の反転信号を互いに異なる一定の電位にしたまま、電源電圧の供給を開始した後、前記トランジスタをオン状態とし、
前記第６の期間に続く第７の期間においては、電源電圧を供給した状態で、且つ前記トランジスタはオン状態のまま、ハイレベル電位とローレベル電位との間で信号電位が周期的に変化する前記クロック信号及び前記クロック信号の反転信号を供給し、前記クロック信号及び前記クロック信号の反転信号に同期してオン状態となった前記スイッチを介して、前記第１の回路にデータに対応する信号が入力され、前記第１の回路は、入力された信号の反転信号を出力し、前記第２の回路は、オン状態の前記トランジスタを介して前記第１の回路から信号が入力され、当該信号の反転信号を出力することを特徴とする記憶素子の駆動方法。
【請求項３】
第１の回路と、第２の回路と、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタと、容量素子と、スイッチとを有し、
前記第１の回路の出力端子は、前記トランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記容量素子の一対の電極のうちの一方、及び前記第２の回路の入力端子と電気的に接続され、
前記第２の回路の出力端子は、前記第１の回路の入力端子と電気的に接続され、
オン状態となった前記スイッチを介して、前記第１の回路にデータに対応する信号が入力され、
前記第１の回路は、電源電圧が供給されている間は、入力された信号の反転信号を出力し、
前記第２の回路は、電源電圧が供給されている間は、入力された信号の反転信号を出力し、
前記スイッチは、クロック信号及び前記クロック信号の反転信号の一方または両方に同期して、オン状態またはオフ状態が選択され、
前記トランジスタのゲートには、前記クロック信号及び前記クロック信号の反転信号のいずれとも異なる制御信号が入力されることを特徴とする記憶素子。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年10月10日(2014.10.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
図１３は、従来の誘電体として窒化ケイ素膜のみを有するコンデンサ（線１１２）、厚みが３０ｎｍの二酸化ケイ素層および厚みが３００ｎｍの窒化ケイ素層を有する、本発明の実施形態によるコンデンサ（線１１０）、厚みが３０ｎｍの二酸化ケイ素層および厚み２４０ｎｍの窒化ケイ素層を有するコンデンサ（線１１４）、および厚みが３５０ｎｍの酸窒化ケイ素層を有するコンデンサ（線１１６）についての、ストレス電圧対平均故障寿命のグラフを示す図である。平均故障寿命は、素子を種々のストレス電圧で試験し、素子の固有の欠陥（すなわち、外因的欠陥による故障以外のすべての故障）の結果として故障寿命の平均を求めることによって導いた。この平均が図１３に示すデータ点としてプロットされた。平均故障寿命線は、プロットされた点から外挿された。図１３に見られるように、本発明の実施形態によるコンデンサについての平均故障寿命線１１０は、グラフ上で、従来の窒化ケイ素膜のみの素子についての平均故障寿命線より高いところに移っているだけでなく、従来の窒化ケイ素膜のみの素子についての線より大きな傾斜も有している。したがって、従来の窒化ケイ素膜のみの素子に比べて、本発明を用いる利益が、動作電圧が下がるにつれて増す可能性がある。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月8日(2014.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種類の記録動作が可能な撮像装置であって、
ユーザの操作に応じて第１の記録動作のための第１のアスペクト比を設定する第１の設定手段と、
ユーザの操作に応じて第２の記録動作のための第２のアスペクト比を設定する第２の設定手段と、
前記第１のアスペクト比でもって表示部への画像表示を行なう表示制御手段と、
前記画像表示により前記表示部に表示されている画像において範囲をユーザに指定させる指定手段と、
前記第１または第２の記録動作で撮影された画像に、前記指定手段で指定された範囲を用いて画像処理を施す画像処理手段と、
前記第２の記録動作での撮影を前記画像処理を施しながら行う場合は、前記第２の記録動作におけるアスペクト比を前記第１のアスペクト比に変更して撮影を実行し、そうでない場合は前記第２のアスペクト比で前記第２の記録動作による撮影を実行する実行手段と、を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第１の記録動作は静止画撮影であり、前記第２の記録動作は動画撮影であることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記表示制御手段による前記表示部への画像表示は、電子ビューファインダを提供するリアルタイムな動画表示であることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記動画撮影では、動画の記録画質とアスペクト比が対応付けられており、
前記第２の設定手段では動画の記録画質を設定することにより前記第２のアスペクト比を設定し、
前記実行手段では、前記第２の記録動作での撮影を前記画像処理を施しながら行う場合に、前記第１のアスペクト比に対応した動画の記録画質で前記第２の記録動作による撮影を実行する、ことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記指定手段により前記範囲が指定された後に前記第１の記録動作のアスペクト比の設定が変更された場合には、変更後のアスペクト比にしたがって、前記範囲を自動的に修正する修正手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
複数種類の記録動作が可能な撮像装置の制御方法であって、
第１の設定手段が、ユーザの操作に応じて第１の記録動作のための第１のアスペクト比を設定する工程と、
第２の設定手段が、ユーザの操作に応じて第２の記録動作のための第２のアスペクト比を設定する工程と、
表示制御手段が、前記第１のアスペクト比でもって表示部への画像表示を行なう工程と、
指定手段が、前記画像表示により前記表示部に表示されている画像において範囲をユーザに指定させる工程と、
画像処理手段が、前記第１または第２の記録動作で撮影された画像に、指定された前記範囲を用いて画像処理を施す工程と、
実行手段が、前記第２の記録動作での撮影を前記画像処理を施しながら行う場合は、前記第２の記録動作におけるアスペクト比を前記第１のアスペクト比に変更して撮影を実行し、そうでない場合は前記第２のアスペクト比で前記第２の記録動作による撮影を実行する工程と、を備えることを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項７】
コンピュータを、請求項１乃至５のいずれか１項に記載された撮像装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項８】
コンピュータを、請求項１乃至５のいずれか１項に記載された撮像装置の各手段として機能させるためのプログラムを格納したコンピュータが読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の目的を達成するための本発明の一態様による撮像装置は以下の構成を備える。すなわち、
複数種類の記録動作が可能な撮像装置であって、
ユーザの操作に応じて第１の記録動作のための第１のアスペクト比を設定する第１の設定手段と、
ユーザの操作に応じて第２の記録動作のための第２のアスペクト比を設定する第２の設定手段と、
前記第１のアスペクト比でもって表示部への画像表示を行なう表示制御手段と、
前記画像表示により前記表示部に表示されている画像において範囲をユーザに指定させる指定手段と、
前記第１または第２の記録動作で撮影された画像に、前記指定手段で指定された範囲を用いて画像処理を施す画像処理手段と、
前記第２の記録動作での撮影を前記画像処理を施しながら行う場合は、前記第２の記録動作におけるアスペクト比を前記第１のアスペクト比に変更して撮影を実行し、そうでない場合は前記第２のアスペクト比で前記第２の記録動作による撮影を実行する実行手段と、を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月28日(2014.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位相差検出方式による焦点検出のための複数の画素を含む固体撮像装置であって、
前記画素は、
互いに独立して信号の読み出しが可能な複数の光電変換部を含む半導体領域と、
第１マイクロレンズと、
前記第１マイクロレンズと前記半導体領域との間に配置された第２マイクロレンズとを含み、
前記第２マイクロレンズは、中央部と、前記中央部を取り囲む周辺部とを含み、前記周辺部のパワーは、前記中央部のパワーよりも大きく、かつ、正の値を有する、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第２マイクロレンズと前記半導体領域との間に導波路を更に含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記導波路は、第１部分と、前記第１部分の側面を取り囲む第２部分とを含み、前記第１部分の屈折率が前記第２部分の屈折率よりも高い、
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記周辺部の曲率半径は、前記中央部の曲率半径よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記画素は、前記第２マイクロレンズに隣接する絶縁膜を更に含み、前記第２マイクロレンズは、前記絶縁膜よりも屈折率が高い材料で、凸面を有するレンズとして構成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記画素は、前記第２マイクロレンズに隣接する絶縁膜を更に含み、前記第２マイクロレンズは、前記絶縁膜よりも屈折率が低い材料で、凹面を有するレンズとして構成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第２マイクロレンズは、回折格子を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記画素は、前記第１マイクロレンズと前記第２マイクロレンズとの間に配置された絶縁膜と、前記絶縁膜と前記第２マイクロレンズとの間に配置された反射防止構造とを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
裏面入射型撮像装置として構成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
位相差検出方式による焦点検出のための複数の画素を含む固体撮像装置であって、
前記画素は、
互いに独立して信号の読み出しが可能な複数の光電変換部を含む半導体領域と、
マイクロレンズと、
前記マイクロレンズと前記半導体領域との間であって隣接する画素との境界の近傍に配置された反射面とを含み、
前記反射面は、それに入射した光が前記半導体領域に向けて反射されるように配置されている、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第２マイクロレンズ１０２は、中央部ＣＰと、中央部ＣＰを取り囲む周辺部（典型的には環状部）ＰＰとを含み、周辺部ＰＰのパワーは、中央部ＣＰのパワーよりも大きく、かつ、正の値を有する。例えば、周辺部ＰＰの曲率半径は、中央部ＣＰの曲率半径より小さい。中央部ＣＰは、例えば、平行平板でありうる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月27日(2013.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッドホンに装着されるイヤパッドであって、
内部が空洞の環状に形成され、ユーザによる前記ヘッドホンの装着時において該ユーザに接する接触面が通気性を有するように構成された外装体と、
該外装体内に配された通気性部材と
からなるイヤパッド。
【請求項２】
前記通気性部材は、複数の小片体であり、前記外装体内に充填されることにより配されている請求項１に記載のイヤパッド。
【請求項３】
前記小片体は、管状に形成されている請求項２に記載のイヤパッド。
【請求項４】
前記通気性部材は、柔軟性または弾力性を有する材料で構成されている請求項１に記載のイヤパッド。
【請求項５】
前記外装体は、
少なくとも前記接触面を構成する第１外装部と、
該第１外装部により構成される面以外の面を構成する第２外装部および第３外装部と
から構成されている請求項１に記載のイヤパッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述した課題を解決するため、本技術は、ヘッドホンに装着されるイヤパッドであって、
内部が空洞の環状に形成され、ユーザによるヘッドホンの装着時においてユーザに接する接触面が通気性を有するように構成された外装体と、外装体内に配された通気性部材とからなるイヤパッドである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月3日(2014.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子の点灯状態を制御するための点灯制御装置であって、
所定値のバイアス電流と、大きさが周期的に増減するパルス状電流を重畳させた電流を前記発光素子へ供給する電流供給手段と、
前記発光素子の導通状態を検出する検出部、
を含む、点灯制御装置。
【請求項２】
前記電流供給手段は、
前記発光素子の一端と基準電位端との間に接続される電流制限回路と、
電流入出力端と制御端を有し、前記電流入出力端を前記電流制限回路に対して並列に接続されるスイッチング素子と、
少なくともパルス状の電圧信号を前記スイッチング素子の前記制御端へ供給する制御信号供給部を有する、請求項１に記載の点灯制御装置。
【請求項３】
前記電流制限回路が抵抗素子を含む、請求項２に記載の点灯制御装置。
【請求項４】
前記発光素子と電源の間に接続され、前記検出部により前記発光素子が非導通状態であることが検出されたときに前記発光素子と前記電源との接続を遮断するスイッチ部を更に含む、請求項１〜３の何れか１項に記載の点灯制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、前記電流制限回路は、例えば抵抗素子を含んで構成される。なお、電流制限回路は、定電流回路やＤＣ−ＤＣコンバータなどであってもよい。