【手続補正書】
【提出日】平成26年4月28日(2014.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネルを有する活性領域と、
前記活性領域と接触しているソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間であって、前記活性領域上のゲートと、
複数のスペーサ層と、
複数のフィールドプレートと、
を備え、
前記複数のスペーサ層のうちの第１のスペーサ層は、前記ゲートと前記ドレイン電極および前記ソース電極との間の前記活性領域の表面の少なくとも一部分の上にあり、
前記複数のフィールドプレートのうちの第１のフィールドプレートは、前記ゲートから物理的に分離されており、かつ、前記第１のスペーサ層の上にあり、
前記複数のスペーサ層のうちの１以上の残りのスペーサ層および前記複数のフィールドプレートのうちの１以上の残りのフィールドプレートは、前記第１のスペーサ層および前記第１のフィールドプレートの上に交互に配置され、前記複数のフィールドプレートのうちの第２のフィールドプレートは、前記ゲートを覆う面積が前記第１のフィールドプレートよりも大きく、
前記フィールドプレートのうちの最上部のフィールドプレートは、前記ソース電極に電気的に接続され、
前記複数のフィールドプレートのうちの前記最上部のフィールドプレートの下の前記フィールドプレートのそれぞれは、前記ゲートまたは前記ソース電極に電気的に接続されていることを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
前記第１のフィールドプレートは、前記複数のスペーサ層のうちの一つによって前記ゲートから物理的に分離されていることを特徴とする請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記第１のフィールドプレートは、前記第１のスペーサ層によって前記ゲートから物理的に分離されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記第１のフィールドプレートの底面全体が前記複数のスペーサ層うちの一つのスペーサ層上にあることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記第１のフィールドプレートは、積層方向において前記ゲートから分離されていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のトランジスタ。
【請求項６】
複数の半導体層と、
前記半導体層上のソースおよびドレイン電極と、
前記ソースおよびドレイン電極の間のゲートであって、前記半導体層上に直接設けられたゲートと、
第１のスペーサ層が、少なくとも部分的に、前記ゲート上、および、前記ゲートと前記ドレイン電極との間における活性領域の表面の少なくとも一部の上に設けられた、少なくとも２つのスペーサ層と、
第１のフィールドプレートが前記ゲートのエッジから前記ドレイン電極に向かって距離Ｌf延びている、少なくとも２つのフィールドプレートと、
を備え、前記少なくとも２つのフィールドプレートは、前記ゲートから物理的に分離されており、前記少なくとも２つのスペーサ層および前記少なくとも２つのフィールドプレートの残りが、前記第１のスペーサ層および前記第１のフィールドプレートの上に交互に配置され、最外部のフィールドプレートは、少なくとも部分的に、前記第１のフィールドプレートにオーバーラップしていること
を特徴とするトランジスタ。
【請求項７】
前記最外部のフィールドプレートは、前記ソース電極に電気的に接続されており、前記最外部のフィールドプレート以外の前記フィールドプレートの少なくとも一つは、前記ゲートに電気的に接続されていること
を特徴とする請求項６に記載のトランジスタ。
【請求項８】
前記ゲートは、ガンマ形状であることを特徴とする請求項６または請求項７に記載のトランジスタ。
【請求項９】
複数の半導体層と、
前記半導体層上のソースおよびドレインと、
前記ソースおよびドレインの間のゲートであって、前記半導体層上に直接設けられたゲートと、
第１のスペーサ層が、前記ゲートと前記ドレインとの間の前記半導体層表面の少なくとも一部の上、または、前記ゲートと前記ソースとの間の前記半導体層表面の少なくとも一部の上に設けられた、複数のスペーサ層と、
第１のフィールドプレートが前記ドレインに向かって延びるように形成され、最外部のフィールドプレートが、少なくとも部分的に、前記第１のフィールドプレートにオーバーラップしている、複数のフィールドプレートと、
を備え、前記複数のフィールドプレートは前記ゲートから物理的に分離していること
を特徴とするトランジスタ。
【請求項１０】
前記第１のフィールドプレートは、前記ゲートに電気的に接続され、前記最外部のフィールドプレートは、前記ソース電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項９に記載のトランジスタ。
【請求項１１】
ＩＩＩ族窒化物活性領域と、
ソースおよびドレイン電極と、
前記ソースおよびドレイン電極の間において前記活性領域上に設けられたゲートであって、前記ゲートの全長に沿って前記活性領域に直接接触するゲートと、
前記活性領域の上で交互に配置された複数のフィールドプレートおよび複数のスペーサ層であって、１番目のスペーサ層が、前記ゲートと前記ソースおよびドレイン電極との間において前記活性領域の表面に設けられ、１番目のフィールドプレートが、前記１番目のスペーサ層によって前記活性領域および前記ゲートから分離され、他のフィールドプレートが、残りの前記スペーサ層の一つによって夫々、下方に位置するフィールドプレートから分離され、最外部のフィールドプレートが、電気的に前記ソース電極に接続され、前記他のフィールドプレートの夫々が、電気的に前記ゲートまたは前記ソース電極に接続された前記複数のフィールドプレートおよび複数のスペーサ層と、
を備え、前記最外部のフィールドプレートが、前記ゲートの両側において前記ソースおよび前記ドレイン電極に向かって、前記１番目のフィールドプレート上で延びていること
を特徴とするトランジスタ。
【請求項１２】
前記スペーサ層の夫々の少なくとも一部は、前記スペーサ層の一つの下の表面と前記フィールドプレートの対応する一つとの間にあることを特徴とする請求項１１に記載のトランジスタ。
【請求項１３】
ＩＩＩ族窒化物活性領域と、
前記活性領域に接触するソースおよびドレイン電極と、
前記ソースおよびドレイン電極の間のゲートであって、前記ゲートの全長に沿って前記活性領域に直接接触するゲートと、
少なくとも２つのスペーサ層と、
少なくとも２つのフィールドプレートと、
を備え、
第１のスペーサ層が前記ゲートと前記ドレインおよびソース電極との間において前記活性領域の表面の実質的に全域上に設けられ、第１のフィールドプレートが第１のスペーサ層上に設けられ、残りのスペーサ層と残りのフィールドプレートとが前記第１のスペーサ層および前記第１のフィールドプレートの上で交互に配置され、最外部のフィールドプレートが前記ソース電極に電気的に接続され、前記最外部のフィールドプレート下方の前記フィールドプレートの夫々が、前記ゲートまたはソース電極と電気的に接続され、
前記最外部のフィールドプレートは、前記第１のフィールドプレート上に広がっていること
を特徴とするトランジスタ。
【請求項１４】
前記最外部のフィールドプレートは、前記ゲートのエッジを越えて、前記ソース電極および前記ドレイン電極に向かって広がっていることを特徴とする請求項１３記載のトランジスタ。
【請求項１５】
炭化ケイ素チャンネルを有する活性領域と、
前記活性領域に接触するソースおよびドレイン電極と、
前記ソースおよびドレイン電極の間のゲートであって、前記ゲートの全長に沿って前記活性領域上に直接設けられたゲートと、
複数のスペーサ層と、
複数のフィールドプレートと、
を備え、
１番目の前記フィールドプレートが１番目の前記スペーサ層上に設けられ、前記複数のスペーサ層および前記複数のフィールドプレートの残りが、前記１番目のスペーサ層および前記１番目のフィールドプレートの上方で交互に配置され、最上部のフィールドプレートが前記ソース電極に電気的に接続され、前記最上部のフィールドプレート下方の前記フィールドプレートの夫々が前記ゲートまたはソース電極に電気的に接続され、前記１番目のスペーサ層が、前記ゲートと前記ソースおよびドレイン電極との間において前記活性領域の表面上に設けられている
ことを特徴とするトランジスタ。
【請求項１６】
前記第１のフィールドプレートは、前記第１のスペーサ層上において接触し、前記ゲートから広がっていることを特徴とする請求項１５記載のトランジスタ。