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【手続補正書】
【提出日】平成26年9月9日(2014.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
文書と個々の文書が登録されたファイル・フォルダと、該ファイル・フォルダが配置されたファイル・キャビネットとの、ホストコンピュータ、マスターリストを有する文書保管システムにおいて、各ファイル・キャビネットは制御ユニットを有し、ファイル・キャビネットのファイル・フォルダ内に物理的に配置された文書を遠隔で位置特定し取り出す方法であって、
（ａ）見つけるべき文書を指定するため前記ホスト・コンピュータを使用するステップと、
（ｂ）前記マスターリストに従って前記文書を収容する前記ファイル・フォルダが配置された、前記制御ユニットの前記ファイル・キャビネットに前記ホスト・コンピュータから直接ファイル・フォルダ要求を伝送するステップと、
（ｃ）前記要求において識別された前記ファイル・フォルダについて前記ファイル・キャビネットの局所的に検索するため前記制御ユニットを使用するステップと、
（ｄ）前記ファイル・フォルダが見つかったときに、ファイル・フォルダ発見信号を前記ホスト・コンピュータに直接伝送するため前記制御ユニットを使用するステップと、
（ｅ）前記見つかったファイル・フォルダを収容する前記ファイル・キャビネットの前記制御ユニットに文書識別子信号を前記ホスト・コンピュータから直接伝送するステップと、
（ｆ）前記文書識別子信号により指定された前記文書について前記見つかったファイル・フォルダを前記制御ユニットを使用して局所的に検索するステップと、
（ｇ）前記文書識別子信号により指定された前記文書が見つかったときに、前記文書識別子信号のソースに前記見つかった文書の内容を伝送するため前記制御ユニットを使用し、遠隔で前記ホスト・コンピュータの記録位置へ見つかった書類を取り出すため、前記ファイル・キャビネットにおいて人間のオペレータの物理的存在が不必要となるようにするステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記使用ステップ（ａ）は、前記マスターリストを含む、前記ホスト・コンピュータに前記文書指定情報をキーボード入力することによって行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ファイル・フォルダ要求を伝送するステップ（ｂ）は、通信リンク上で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記通信リンクは無線リンクである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ステップ（ｃ）は前記制御ユニットによってＲＦ検索技術を用いて行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＲＦ検索技術は、前記要求において識別された前記ファイル・フォルダ内に配置される水晶の周波数と合致する周波数を有するＲＦ信号を生成するステップを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ステップ（ｃ）は前記制御ユニットによってアドレスマッチング検索技術を用いて行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記アドレスマッチング検索技術は、前記要求において識別された前記ファイル・フォルダ内に配置されるデコーダ回路に格納されたアドレス値と合致するアドレス値を有するアドレス信号を生成するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記各文書は、文書識別子及び前記文書の電子バージョンを含む読み出し専用メモリを備えたＲＦＩＤタグを含み、前記ステップ（ｆ）は、前記制御ユニットによって前記文書識別子を含むＲＦ文書タグ質問信号を生成することにより行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
文書の遠隔的な位置特定及び取り出しを可能にする文書管理システムであって、前記システムは、
ホスト・コンピュータと、
複数のファイル引き出しを有する複数のファイル・キャビネットと、
前記ファイル引き出し内に配置された複数のファイル・フォルダと、
文書識別子及び前記文書の内容の電子的コピーを含むＲＦＩＤタグを各々が有する、前記複数のファイル・フォルダ内に配置された複数の文書と、を含み、
前記各ファイル・キャビネットは、前記ホスト・コンピュータからファイル・フォルダ要求信号を直接受信し、前記ファイル・フォルダ要求信号の受信に応答してファイル・フォルダ検索を行い、前記ファイル・フォルダ検索の結果を示す応答を前記ホスト・コンピュータに直接送信するための制御ユニットを有し、
前記各ファイル・フォルダは、前記ファイル・フォルダ要求信号が前記ファイル・フォルダの識別と合致したときに応答信号を生成するための前記ファイル・フォルダ要求信号により開始される検索に応答する回路を有し、
前記各ファイル・キャビネットは、前記ホスト・コンピュータから文書要求信号を受信し、前記文書要求信号の受信に応答して文書検索を行い、見つかった文書の内容を前記ホスト・コンピュータに直接送信するためのＲＦＩＤ読取装置を更に含み、遠隔で前記ホスト・コンピュータの記録位置へ見つかった書類を取り出すため、前記ファイル・キャビネットにおいて人間のオペレータの物理的存在が不必要となるようにする、システム。
【請求項１１】
前記制御ユニットは、周波数成分を有する検索信号を生成するためのＲＦ信号生成装置を含み、前記ファイル・フォルダ回路は、特定の共振周波数を有する水晶を備え、前記検索信号の周波数成分が前記水晶の共振周波数と合致したときに前記応答信号が生成されるようにする、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記制御ユニットは、前記ファイル・フォルダ要求信号の受信に応答して、ファイル・フォルダ・アドレス信号を生成するためのアドレス・エンコーダを含み、前記ファイル・フォルダ回路は、固有アドレスを含むアドレス・デコーダを備え、前記アドレス・エンコーダにより生成された前記アドレス信号が前記固有アドレスと合致したときに前記応答信号が生成されるようにする、請求項１０に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月22日(2014.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部に複数のオブジェクトを表示させる情報処理装置であって、
前記表示部に表示された複数のオブジェクトのレイアウトを取得する取得手段と、
前記取得手段により取得されたレイアウトにおける、前記複数のオブジェクト同士の表示上の視覚的な関係を特定する特定手段と、
前記特定された視覚的関係に基づくデータを、前記複数のオブジェクトそれぞれに対してメタデータとして付与する付与手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記複数のオブジェクト同士の表示上の視覚的な関係とは、オブジェクトの間の距離、またはオブジェクトが表示されるサイズ、またはオブジェクトが配置される位置のいずれか１つまたはその組み合わせに基づく関係であることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
更に、前記表示される複数のオブジェクトのうち、少なくとも１つのオブジェクトを選択する操作を実行する操作手段を備え、
前記取得手段は、前記操作手段により選択されたオブジェクトのうち少なくとも１つを更に移動させる操作がなされた場合には、前記移動に伴って変更されたレイアウトを取得することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
更に、前記操作手段により選択された少なくとも１つのオブジェクトにおいて、キーオブジェクトを分類する分類手段を備え、
前記特定手段は、前記キーオブジェクトと表示される他のオブジェクトそれぞれとの前記表示上の視覚的な関係を特定し、
前記付与手段は、前記複数のオブジェクトそれぞれに前記特定手段により特定された結果に基づくメタデータを付与することを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記分類手段は、前記操作手段によって選択された２つ以上のオブジェクトのうち、初めに選択したオブジェクトをキーオブジェクトとして分類することを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記分類手段は、前記操作手段によって選択された２つ以上のオブジェクトのうち、移動されないオブジェクトをキーオブジェクトとして分類することを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記操作手段は、表示部に表示された複数のオブジェクトのうち２つ以上のオブジェクトを選択し、
前記付与手段は、前記表示中の複数のオブジェクトのうち、前記操作手段により選択された前記２つ以上のオブジェクトにのみ前記特定手段により特定された結果に基づいたメタデータを付与することを特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記分類手段は、前記操作手段によって選択された２つ以上のオブジェクトのうち、キーオブジェクトとして分類されない他のオブジェクトを、サブオブジェクトとして分類し、
前記特定手段は、前記キーオブジェクトとサブオブジェクトとの前記表示上の視覚的な関係を特定し、
前記付与手段は、前記特定手段により特定された結果に基づいて、前記表示中の複数のオブジェクトのうち、前記操作手段により選択された前記２つ以上のオブジェクトにのみ前記特定手段により特定された結果に基づいたメタデータを付与することを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
更に、前記付与手段によりメタデータを付与されたオブジェクトと共に、前記メタデータが示す情報を前記表示部に視覚的に表示させる表示制御手段を備えることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記メタデータは、前記表示中の複数のオブジェクトそれぞれの、ある指標における程度を示す値であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
コンピュータに読み込み込ませ実行させることで、前記コンピュータを請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の情報処理装置として機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項１２】
表示部に複数のオブジェクトを表示させる情報処理装置の制御方法であって、
取得手段により、前記表示される複数のオブジェクトのレイアウトを取得する工程と、特定手段により、前記取得手段により取得されたレイアウトにおける、前記複数のオブジェクト同士の表示上の視覚的な関係を特定する工程と、
付与手段により、前記特定手段により特定された結果に基づいて、前記複数のオブジェクトそれぞれに対してメタデータを付与する工程と
を有することを特徴とする情報処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月16日(2014.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体チップの回路形成面及び側面を封止する第１の封止絶縁層と、
前記第１の封止絶縁層の前記回路形成面側の面である第１面に積層された配線層及び絶縁層と、
前記第１の封止絶縁層の前記第１面の反対面である第２面に搭載された第２の半導体チップと、
前記第２の半導体チップを封止するように前記第２面に形成された第２の封止絶縁層と、
前記第２面から露出し、前記第２の半導体チップと電気的に接続されている電極パッドと、
前記第１の封止絶縁層を貫通し、前記第１面に形成されている配線層と前記電極パッドとを電気的に接続する貫通配線と、を有する半導体パッケージ。
【請求項２】
前記第２の封止絶縁層の厚さは、前記第１の封止絶縁層、前記配線層及び前記絶縁層を含んでなる配線基板の厚さと同じである請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記第１の半導体チップの裏面及び前記電極パッドの露出面は、前記第２面と面一である請求項１又は２記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記第２の半導体チップに代えて無機材料からなる板状体が搭載された請求項１乃至３の何れか一項記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
第１の支持体の一方の面に第１の半導体チップを回路形成面を上にして配置する第１の半導体チップ配置工程と、
前記第１の半導体チップの回路形成面及び側面を封止するように、前記第１の支持体の一方の面に第１の封止絶縁層を形成する第１の封止絶縁層形成工程と、
前記第１の封止絶縁層の前記回路形成面側の面である第１面に、配線層及び絶縁層を交互に積層する積層工程と、
前記絶縁層上に第２の支持体を形成する第２の支持体形成工程と、
前記第２の支持体形成工程よりも後に、前記第１の支持体を除去する第１の支持体除去工程と、
前記第１の支持体除去工程よりも後に、前記第１の封止絶縁層の前記第１面の反対面である第２面に第２の半導体チップを搭載する第２の半導体チップ搭載工程と、
前記第２の半導体チップを封止するように前記第２面に第２の封止絶縁層を形成する第２の封止絶縁層形成工程と、を有する半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記第２の半導体チップ搭載工程よりも後に、前記第２の支持体を除去する第２の支持体除去工程を更に有する請求項５記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記第１の封止絶縁層形成工程よりも前に、前記第１の支持体の一方の面に電極パッドを形成し、
前記第１の封止絶縁層形成工程では、前記第１の半導体チップの回路形成面及び側面、並びに、前記電極パッドの上面及び側面を封止するように、前記第１の支持体の一方の面に第１の封止絶縁層を形成し、
前記第１の封止絶縁層形成工程と前記積層工程との間に、前記第１の封止絶縁層を貫通し、前記電極パッドの上面を露出する貫通孔を形成し、
前記積層工程で前記第１面に形成する配線層は、前記貫通孔内に形成され前記電極パッドと電気的に接続される貫通配線を含む請求項５又は６記載の半導体パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本半導体パッケージは、第１の半導体チップの回路形成面及び側面を封止する第１の封止絶縁層と、前記第１の封止絶縁層の前記回路形成面側の面である第１面に積層された配線層及び絶縁層と、前記第１の封止絶縁層の前記第１面の反対面である第２面に搭載された第２の半導体チップと、前記第２の半導体チップを封止するように前記第２面に形成された第２の封止絶縁層と、前記第２面から露出し、前記第２の半導体チップと電気的に接続されている電極パッドと、前記第１の封止絶縁層を貫通し、前記第１面に形成されている配線層と前記電極パッドとを電気的に接続する貫通配線と、を有することを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月16日(2014.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体チップの回路形成面及び側面を封止する第１の封止絶縁層と、
前記第１の封止絶縁層の前記回路形成面側の面である第１面に積層された配線層及び絶縁層と、
前記絶縁層上に搭載された第２の半導体チップと、
前記第２の半導体チップを封止するように前記絶縁層上に形成された第２の封止絶縁層と、を有し、
前記第１の封止絶縁層と前記絶縁層とは同じ材料で形成されており、
前記第１の半導体チップの裏面又は前記第１の半導体チップの裏面に形成された接着層は、前記第１の封止絶縁層から外部に露出している半導体パッケージ。
【請求項２】
前記第１面には、複数の配線層及び複数の絶縁層が交互に積層され、
前記第２の半導体チップは、前記第１の封止絶縁層から最も遠い絶縁層上に搭載されている請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記第１の封止絶縁層の第１面の反対面である第２面から露出する電極パッドと、
前記第１の封止絶縁層を貫通し、前記第１面に形成されている配線層と前記電極パッドとを電気的に接続する貫通配線と、を更に有する請求項１又は２記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記第１の半導体チップの裏面及び前記電極パッドの露出面は、前記第２面と面一である請求項３記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記第２の半導体チップに代えて無機材料からなる板状体が搭載された請求項１乃至４の何れか一項記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
支持体の一方の面に第１の半導体チップを回路形成面を上にして配置する第１の半導体チップ配置工程と、
前記第１の半導体チップの回路形成面及び側面を封止するように、前記支持体の一方の面に第１の封止絶縁層を形成する第１の封止絶縁層形成工程と、
前記第１の封止絶縁層の前記回路形成面側の面である第１面に、配線層及び絶縁層を交互に積層する積層工程と、
前記絶縁層上に第２の半導体チップを搭載する第２の半導体チップ搭載工程と、
前記第２の半導体チップを封止するように前記絶縁層上に第２の封止絶縁層を形成する第２の封止絶縁層形成工程と、
前記第２の半導体チップ搭載工程よりも後に、前記支持体を除去する支持体除去工程と、を有する半導体パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記第１の封止絶縁層形成工程よりも前に、前記支持体の一方の面に電極パッドを形成し、
前記第１の封止絶縁層形成工程では、前記第１の半導体チップの回路形成面及び側面、並びに、前記電極パッドの上面及び側面を封止するように、前記支持体の一方の面に第１の封止絶縁層を形成し、
前記第１の封止絶縁層形成工程と前記積層工程との間に、前記第１の封止絶縁層を貫通し、前記電極パッドの上面を露出する貫通孔を形成し、
前記積層工程で前記第１面に形成する配線層は、前記貫通孔内に形成され前記電極パッドと電気的に接続される貫通配線を含む請求項６記載の半導体パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本半導体パッケージは、第１の半導体チップの回路形成面及び側面を封止する第１の封止絶縁層と、前記第１の封止絶縁層の前記回路形成面側の面である第１面に積層された配線層及び絶縁層と、前記絶縁層上に搭載された第２の半導体チップと、前記第２の半導体チップを封止するように前記絶縁層上に形成された第２の封止絶縁層と、を有し、前記第１の封止絶縁層と前記絶縁層とは同じ材料で形成されており、前記第１の半導体チップの裏面又は前記第１の半導体チップの裏面に形成された接着層は、前記第１の封止絶縁層から外部に露出していることを要件とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本半導体パッケージの製造方法は、支持体の一方の面に第１の半導体チップを回路形成面を上にして配置する第１の半導体チップ配置工程と、前記第１の半導体チップの回路形成面及び側面を封止するように、前記支持体の一方の面に第１の封止絶縁層を形成する第１の封止絶縁層形成工程と、前記第１の封止絶縁層の前記回路形成面側の面である第１面に、配線層及び絶縁層を交互に積層する積層工程と、前記絶縁層上に第２の半導体チップを搭載する第２の半導体チップ搭載工程と、前記第２の半導体チップを封止するように前記絶縁層上に第２の封止絶縁層を形成する第２の封止絶縁層形成工程と、前記第２の半導体チップ搭載工程よりも後に、前記支持体を除去する支持体除去工程と、を有することを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月13日(2014.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ化したエッチングガスを用いて、処理チャンバ内に配置された基台上に載置されるワイドギャップ半導体基板をエッチングし、該ワイドギャップ半導体基板にテーパ状のエッチング構造を形成するプラズマエッチングする方法であって、
前記ワイドギャップ半導体基板の表面に開口部を有するマスクを形成する工程と、
前記エッチングガス及び保護膜形成ガスを前記処理チャンバ内に供給し、該エッチングガス及び保護膜形成ガスをプラズマ化する工程と、
前記ワイドギャップ半導体基板が載置された基台にバイアス電位を印加して、前記ワイドギャップ半導体基板をエッチングする工程とを行うプラズマエッチング方法において、
前記保護膜形成ガスの供給流量を調整することにより、形成されるエッチング構造のテーパ状態を制御し、
前記エッチングガスは六フッ化硫黄ガスであり、前記保護膜形成ガスは酸素ガスであり、
前記六フッ化硫黄ガスを１００〜１０００ｓｃｃｍの流量で処理チャンバ内に供給するとともに、前記酸素ガスを、六フッ化硫黄ガスの流量に対して５０〜１００％の流量で処理チャンバ内に供給するようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】
前記ワイドギャップ半導体基板は、炭化ケイ素から構成された基板であることを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング方法。
【請求項３】
前記エッチングガスはフッ素系ガスであり、前記保護膜形成ガスは酸素系ガスであることを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマエッチング方法。
【請求項４】
前記マスクは、ニッケル、或いは、二酸化ケイ素から構成されてなることを特徴とする請求項１乃至３記載のいずれかのプラズマエッチング方法。
【請求項５】
前記ワイドギャップ半導体基板をエッチングする工程を行うよりも前に、前記基台上に載置したワイドギャップ半導体基板を加熱する工程を更に行うことを特徴とする請求項１乃至４記載のプラズマエッチング方法。
【請求項６】
前記ワイドギャップ半導体基板を加熱する工程において、前記ワイドギャップ半導体基板を２００℃以上に加熱することを特徴とする請求項５記載のプラズマエッチング方法。
【請求項７】
テーパ角度が７０〜７５°のエッチング構造を形成するようにしたことを特徴とする請求項１乃至６記載のいずれかのプラズマエッチング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するための本発明は、
プラズマ化したエッチングガスを用いて、処理チャンバ内に配置された基台上に載置されるワイドギャップ半導体基板をエッチングし、該ワイドギャップ半導体基板にテーパ状のエッチング構造を形成するプラズマエッチングする方法であって、
前記ワイドギャップ半導体基板の表面に開口部を有するマスクを形成する工程と、
前記エッチングガス及び保護膜形成ガスを前記処理チャンバ内に供給し、該エッチングガス及び保護膜形成ガスをプラズマ化する工程と、
前記ワイドギャップ半導体基板が載置された基台にバイアス電位を印加して、前記ワイドギャップ半導体基板をエッチングする工程とを行うプラズマエッチング方法において、
前記保護膜形成ガスの供給流量を調整することにより、形成されるエッチング構造のテーパ状態を制御することを特徴とするプラズマエッチング方法に係る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ついで、表面にマスクが形成されたワイドギャップ半導体基板を前記基台上に載置する。尚、基台上に載置されたワイドギャップ半導体基板を加熱するようにしても良く、ワイドギャップ半導体基板の加熱温度は、精度良くエッチング構造を形成するために２００℃以上であることが好ましく、２００℃〜１０００℃であることがより好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、上記プラズマエッチング方法においては、エッチングガスとしてＳＦ６ガスを用い、保護膜形成ガスとしてＯ２ガスを用い、ＳＦ６ガスを１００〜１０００ｓｃｃｍの流量で処理チャンバ内に供給するとともに、Ｏ２ガスは、ＳＦ６ガスの流量に対して５０〜１００％の流量で処理チャンバ内に供給する。因みに、本願発明者らの実験結果によると、エッチングガスとしてＳＦ６ガスを用い、当該ＳＦ６ガスを２００ｓｃｃｍの流量で処理チャンバ内に供給するとともに、保護膜形成ガスとしてＯ２ガスを用い、当該Ｏ２ガスを８０〜２２０ｓｃｃｍ内の流量で処理チャンバ内に供給した場合、Ｏ２ガスの流量に応じて、７０〜７５°内の所望のテーパ角度を有するテーパ状凹部を形成できる。また、この場合、炭化ケイ素基板を加熱し、その温度を２００℃以上にしているため、３〜４μｍ／ｍｉｎ程度の比較的早いエッチング速度で凹部の形成が進行する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月8日(2014.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子線を物体に照射する照射装置であって、
複数の開口を有する遮蔽板と、前記複数の開口をそれぞれ通過した複数の荷電粒子線をそれぞれ検出する複数の検出器とを含む計測器と、
前記複数の荷電粒子線がそれぞれ前記複数の開口のエッジを横切るように前記複数の荷電粒子線と前記計測器との間の相対的な走査を行う走査手段と、
前記走査手段と前記計測器との制御を行って前記複数の荷電粒子線それぞれの特性を求める制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記走査の期間において、前記複数の荷電粒子線のうちの１つの荷電粒子線の前記遮蔽板により遮断される第１部分の増加が時間とともに起こり、前記複数の荷電粒子線のうちの他の１つの荷電粒子線の前記遮蔽板により遮断される第２部分の減少が前記第１部分の増加と並行して時間とともに起こるように、前記制御を行う、ことを特徴とする照射装置。
【請求項２】
前記複数の荷電粒子線のそれぞれは、第１グループ及び第２グループのいずれかに属し、
前記制御部は、前記走査の期間において、前記第１グループに属する荷電粒子線の前記遮蔽板により遮断される第１部分の増加が時間とともに起こり、前記第２グループに属する荷電粒子線の前記遮蔽板により遮断される第２部分の減少が前記第１部分の増加と並行して時間とともに起こるように、前記制御を行う、ことを特徴とする請求項１に記載の照射装置。
【請求項３】
前記走査は、前記複数の荷電粒子線と前記計測器との間において同一の方向になされ、前記複数の開口は、前記走査の期間において、前記第２部分の減少が前記第１部分の増加と並行して起こるように、前記遮蔽板に配列されている、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の照射装置。
【請求項４】
前記複数の荷電粒子線を個別に偏向する偏向器を備え、
前記制御部は、前記偏向器を制御して、前記走査の期間において、前記第２部分の減少が前記第１部分の増加と並行して起こるように、前記複数の荷電粒子線のうちの一部の荷電粒子線と他の一部の荷電粒子線とを互いに異なる方向に偏向させる、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の照射装置。
【請求項５】
前記特性は、強度、強度分布および照射位置のうち少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか１項に記載の照射装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記複数の荷電粒子線がすべて前記遮蔽板によって遮断される期間および前記走査の期間において、前記複数の荷電粒子線の前記遮蔽板により遮断される部分の量が時間とともに変動しないように、前記制御を行う、ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のうちいずれか１項に記載の照射装置。
【請求項７】
前記複数の荷電粒子線を射出する荷電粒子光学系を備え、
前記制御部は、前記複数の荷電粒子線がすべて前記遮蔽板によって遮断される期間において、前記荷電粒子光学系が前記遮蔽板を照射する荷電粒子線の数および照射時間のうち少なくとも一方を制御する、ことを特徴とする請求項６に記載の照射装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のうちいずれか１項に記載の照射装置を含み、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う、ことを特徴とする描画装置。
【請求項９】
請求項８に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、複数の荷電粒子線を物体に照射する照射装置であって、複数の開口を有する遮蔽板と、前記複数の開口をそれぞれ通過した複数の荷電粒子線をそれぞれ検出する複数の検出器とを含む計測器と、前記複数の荷電粒子線がそれぞれ前記複数の開口のエッジを横切るように前記複数の荷電粒子線と前記計測器との間の相対的な走査を行う走査手段と、前記走査手段と前記計測器との制御を行って前記複数の荷電粒子線それぞれの特性を求める制御部と、を備え、前記制御部は、前記走査の期間において、前記複数の荷電粒子線のうちの１つの荷電粒子線の前記遮蔽板により遮断される第１部分の増加が時間とともに起こり、前記複数の荷電粒子線のうちの他の１つの荷電粒子線の前記遮蔽板により遮断される第２部分の減少が前記第１部分の増加と並行して時間とともに起こるように、前記制御を行う、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月19日(2014.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
入射した荷電粒子線に応じた電流を出力する検出器と、
前記検出器の出力電流で充電されるキャパシタを含み、前記キャパシタの電圧値を検出し、前記キャパシタの容量値および前記電圧値に基づいて前記検出器に入射した荷電粒子線の強度を求める処理部と、
を有し、
前記処理部は、抵抗を含み、入射した荷電粒子線に応じた前記検出器の出力電流を前記抵抗での電圧降下を介して検出し、該検出に基づいて決定された電流値を有する電流を前記キャパシタに供給して前記キャパシタの電圧値を検出し、該電圧値と前記キャパシタに供給された前記電流の前記電流値とに基づいて、前記容量値を求める、ことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記処理部は、前記キャパシタの電圧値を検出する電圧検出部と、前記決定された電流値を有する電流を前記キャパシタに供給する供給部とを備え、前記供給部と前記検出器とを接続する伝送路は、前記電圧検出部と前記検出器とを接続する伝送路より短い、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記処理部は、前記キャパシタを介して荷電粒子線の強度を求める場合、該荷電粒子線のブランキングにより該荷電粒子線のパルスを前記検出器に入射させ、前記検出器の出力電流を前記抵抗での電圧降下を介して検出する場合、連続した荷電粒子線を前記検出器に入射させる、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の描画装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項５】
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
入射した荷電粒子線に応じた電流を出力する検出器と、
前記検出器の出力電流で充電されるキャパシタと、
前記キャパシタの電圧値を検出し、前記キャパシタの容量値および前記電圧値に基づいて前記検出器に入射した前記パルスの強度を求めるデータ処理部と、
抵抗と、
を有し、
前記データ処理部は、入射した荷電粒子線に応じた前記検出器の出力電流を前記抵抗での電圧降下を介して検出し、該検出に基づいて決定された電流値を有する電流を前記キャパシタに供給させて前記キャパシタの電圧値を検出し、該電圧値と前記キャパシタに供給された前記電流の前記電流値とに基づいて、前記容量値を求める、ことを特徴とする描画装置。
【請求項６】
前記キャパシタの電圧値を検出する電圧検出部と、前記決定された電流値を有する電流を前記キャパシタに供給する供給部とを備え、前記供給部と前記検出器とを接続する伝送路は、前記電圧検出部と前記検出器とを接続する伝送路より短い、ことを特徴とする請求項５に記載の描画装置。
【請求項７】
前記データ処理部は、前記キャパシタを介して前記検出器からの出力を検出するために荷電粒子線を前記検出器に入射させる期間より長い期間の間、前記抵抗を介して前記検出器からの出力を検出するために、荷電粒子線を前記検出器に入射させる、ことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の描画装置。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のうちいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項９】
荷電粒子線の強度を得るための方法であって、
荷電粒子線が入射した検出器からの出力を、抵抗を介し、該抵抗での電圧降下に基づいて検出し、
前記出力に基づいて決定された電流値を有する電流をキャパシタに供給し、該電流が供給された前記キャパシタの電圧値を検出し、
前記電流値と前記電圧値とに基づいて前記キャパシタの容量値を得、
荷電粒子線が入射した前記検出器からの出力で前記キャパシタを充電し、前記キャパシタの電圧値と前記容量値とに基づいて該荷電粒子線の強度を得る、ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記検出器からの出力で前記キャパシタを充電するために荷電粒子線を前記検出器に入射させる期間より長い期間の間、前記抵抗を介して前記検出器からの出力を検出するために、荷電粒子線を前記検出器に入射させる、ことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】荷電粒子線描画装置、荷電粒子線の強度を得るための方法、及び、物品の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線描画装置、荷電粒子線の強度を得るための方法、及び、物品の製造方法に関する。  
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の１つの側面は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、入射した荷電粒子線に応じた電流を出力する検出器と、前記検出器の出力電流で充電されるキャパシタを含み、前記キャパシタの電圧値を検出し、前記キャパシタの容量値および前記電圧値に基づいて前記検出器に入射した荷電粒子線の強度を求める処理部と、を有し、前記処理部は、抵抗を含み、入射した荷電粒子線に応じた前記検出器の出力電流を前記抵抗での電圧降下を介して検出し、該検出に基づいて決定された電流値を有する電流を前記キャパシタに供給して前記キャパシタの電圧値を検出し、該電圧値と前記キャパシタに供給された前記電流の前記電流値とに基づいて、前記容量値を求める、ことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2013069811.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月19日(2014.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着脱可能な記録媒体が接続される記録媒体接続部と、
この記録媒体接続部に接続された前記着脱可能な記録媒体の接続状態および識別情報の検知、並びに前記着脱可能な記録媒体へのデータの記録制御あるいは再生制御を行う記録媒体制御部と、
この記録媒体制御部と前記着脱可能な記録媒体との間に接続され、前記着脱可能な記録媒体へのデータの記録時には前記データの暗号化処理を行い、前記着脱可能な記録媒体からのデータの再生時には前記データの復号化処理を行う暗復号化部と、
番組および番組管理情報を含むデータの受信を行うデータ受信部と、
このデータ受信部で受信された前記番組および番組管理情報を前記記録媒体制御部および前記暗復号化部を介して前記着脱可能な記録媒体への録画制御を行う録画制御部と、
前記着脱可能な記録媒体に録画された前記番組および番組管理情報を前記記録媒体制御部および前記暗復号化部を介して再生制御を行う再生制御部と、
前記データ受信部、前記録画制御部および前記再生制御部から前記番組の番組管理情報の取得並びに取得された前記番組管理情報から新たな番組管理情報を生成する番組管理情報取得生成部と、
この番組管理情報取得生成部または前記着脱可能な記録媒体から前記番組管理情報を取得し、この取得した前記番組管理情報から前記着脱可能な記録媒体に録画された番組に関する情報を抽出して前記識別情報に対応した番組リスト情報を生成記憶する番組リスト情報記憶部とを備え、
前記番組リスト情報は、前記番組管理情報から、前記番組のチャンネル番号、前記番組の番組名、前記番組の録画日時、前記番組の録画時間、前記番組が再生されたか否かを示す視聴フラグ、前記番組の削除を行えないようにするか否かを示す保護フラッグおよび前記番組が再生後停止された位置に関するレジューム情報を含み、
前記番組リスト情報に含まれる前記番組の録画日時、前記番組の録画時間、前記番組が再生されたか否かを示す視聴フラグ、前記番組の削除を行えないようにするか否かを示す保護フラッグおよび前記番組が再生後停止された位置に関するレジューム情報の少なくともひとつの情報に基づいて、予め定められた数の番組リスト情報を記憶することを特徴とすることを特徴とする録画再生装置。
【請求項２】
前記番組リスト情報記憶部は、前記記録媒体制御部において、前記着脱可能な記録媒体が接続されていると検知された場合には、前記番組管理情報を前記着脱可能な記録媒体から取得することを特徴とする請求項１に記載の録画再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明に係る録画再生装置においては、着脱可能な記録媒体が接続される記録媒体接続部と、この記録媒体接続部に接続された前記着脱可能な記録媒体の接続状態および識別情報の検知、並びに前記着脱可能な記録媒体へのデータの記録制御あるいは再生制御を行う記録媒体制御部と、この記録媒体制御部と前記着脱可能な記録媒体との間に接続され、前記着脱可能な記録媒体へのデータの記録時には前記データの暗号化処理を行い、前記着脱可能な記録媒体からのデータの再生時には前記データの復号化処理を行う暗復号化部と、番組および番組管理情報を含むデータの受信を行うデータ受信部と、このデータ受信部で受信された前記番組および番組管理情報を前記記録媒体制御部および前記暗復号化部を介して前記着脱可能な記録媒体への録画制御を行う録画制御部と、前記着脱可能な記録媒体に録画された前記番組および番組管理情報を前記記録媒体制御部および前記暗復号化部を介して再生制御を行う再生制御部と、前記データ受信部、前記録画制御部および前記再生制御部から前記番組の番組管理情報の取得並びに取得された前記番組管理情報から新たな番組管理情報を生成する番組管理情報取得生成部と、この番組管理情報取得生成部または前記着脱可能な記録媒体から前記番組管理情報を取得し、この取得した前記番組管理情報から前記着脱可能な記録媒体に録画された番組に関する情報を抽出して前記識別情報に対応した番組リスト情報を生成記憶する番組リスト情報記憶部とを備え、前記番組リスト情報は、前記番組管理情報から、前記番組のチャンネル番号、前記番組の番組名、前記番組の録画日時、前記番組の録画時間、前記番組が再生されたか否かを示す視聴フラグ、前記番組の削除を行えないようにするか否かを示す保護フラッグおよび前記番組が再生後停止された位置に関するレジューム情報を含み、前記番組リスト情報に含まれる前記番組の録画日時、前記番組の録画時間、前記番組が再生されたか否かを示す視聴フラグ、前記番組の削除を行えないようにするか否かを示す保護フラッグおよび前記番組が再生後停止された位置に関するレジューム情報の少なくともひとつの情報に基づいて、予め定められた数の番組リスト情報を記憶するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月16日(2014.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウム金属酸化物からなる活物質が、チタン酸バリウムおよび導電性カーボンとともに結着剤に分散していることを特徴とするリチウムイオン二次電池用正極材。
【請求項２】
前記結着剤が、アクリル系共重合体を含むことを特徴とする請求項１に記載のリチウムイオン二次電池用正極材。
【請求項３】
前記リチウム金属酸化物が、下記式（１）で表される複合金属酸化物であることを特徴とする請求項１または２に記載のリチウムイオン二次電池用正極材。
ＬｉＮｉｘＭｎｙＣｏｚＯ２    ・・・（１）
（式（１）中、Ｌｉはリチウム、Ｎｉはニッケル、Ｍｎはマンガン、Ｃｏはコバルト、Ｏは酸素を表し、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。）
【請求項４】
前記チタン酸バリウムの含有量が、結着剤１００質量部に対して３．３〜６６．７質量部であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のリチウムイオン二次電池用正極材。
【請求項５】
集電体と、該集電体上に請求項１に記載のリチウムイオン二次電池用正極材を用いて形成された合剤層とを備えた正極を有することを特徴とするリチウムイオン二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち、本発明のリチウムイオン二次電池用正極材は、リチウム金属酸化物からなる活物質が、チタン酸バリウムおよび導電性カーボンとともに結着剤に分散していることを特徴とする。
ここで、前記結着剤が、アクリル系共重合体を含むことが好ましい。
また、前記リチウム金属酸化物が、下記式（１）で表される複合金属酸化物であることが好ましい。
ＬｉＮｉｘＭｎｙＣｏｚＯ２    ・・・（１）
（式（１）中、Ｌｉはリチウム、Ｎｉはニッケル、Ｍｎはマンガン、Ｃｏはコバルト、Ｏは酸素を表し、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。）
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月28日(2014.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属含浸炭素系基材と、
該金属含浸炭素系基材の表面に設けられた金属反射層と、
前記金属含浸炭素系基材の裏面にナノメートルオーダからサブミクロメートルオーダの幅の凸部及び凹部を有する第１の凹凸構造を形成した放熱基板と、
該放熱基板の前記金属反射層上に形成された蛍光体層と、
前記蛍光体層及び前記放熱基板より空間的に離れて配置された発光素子と、
を具備する光半導体装置。
【請求項２】
前記放熱基板の第１の凹凸構造の高さはサブミクロメートルオーダ以上である請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項３】
さらに、前記放熱基板の第１の凹凸構造の幅より大きい不規則的幅の第２の凹凸構造を前記金属含浸炭素系基材の裏面に形成した請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記放熱基板の第２の凹凸構造はミクロメートルオーダ以上の幅の凸部及び凹部を有する請求項３に記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記放熱基板の第２の凹凸構造の高さはミクロメートルオーダ以上である請求項４に光半導体装置。  
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は放熱基板を用いた光半導体装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上述の課題を解決するために、本発明に係る光半導体装置は、金属含浸炭素系基材と、該金属含浸炭素系基材の表面に設けられた金属反射層と、前記金属含浸炭素系基材の裏面にナノメートルオーダからサブミクロメートルオーダの幅の凸部及び凹部を有する第１の凹凸構造を形成した放熱基板と、該放熱基板の前記金属反射層上に形成された蛍光体層と、前記蛍光体層及び前記放熱基板より空間的に離れて配置された発光素子とを具備するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月9日(2014.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明は、複数の画像を記憶する第１の記憶手段と、前記第１の記憶手段により記憶された複数の画像の各々の特徴領域を検出する検出手段と、前記検出手段により検出された、前記複数の画像の各々の特徴領域を抽出する抽出手段と、前記抽出手段により抽出された、前記複数の画像の各々の特徴領域の大きさが均一となるように前記特徴領域を表示手段に一覧表示する表示制御手段とを備えることを特徴とする画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画像を記憶する第１の記憶手段と、
前記第１の記憶手段により記憶された複数の画像の各々の特徴領域を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された、前記複数の画像の各々の特徴領域を抽出する抽出手段と、
前記抽出手段により抽出された、前記複数の画像の各々の特徴領域の大きさが均一となるように前記特徴領域を表示手段に一覧表示する表示制御手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記表示制御手段により前記複数の画像の各々の特徴領域の大きさが均一になるように前記特徴領域を前記表示手段に表示させる際に、前記抽出手段により抽出された特徴領域に対して画素補間をする画素補間処理手段を更に備え、
前記表示制御手段は、画素補間処理手段により画素補間がされた前記特徴領域を前記表示手段に一覧表示することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記第１の記憶手段により記憶された複数の画像の中の少なくとも一つから、ユーザ操作に基づいて前記特徴領域を指定する指定手段を更に備え、
前記抽出手段は、前記指定手段により指定された特徴領域を、前記第１の記憶手段により記憶された複数の画像から抽出する、
ことを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記第１の記憶手段に記憶されている前記複数の画像の各々における特徴領域を検出するための輝度分布を複数記憶する第２の記憶手段と、
前記第１の記憶手段に記憶された前記複数の画像を輝度画像に変換する変換手段と、
前記変換手段により変換された輝度画像の輝度分布を取得する取得手段とを更に備え、
前記検出手段は、前記第２の記憶手段により記憶された輝度分布と前記取得手段により
取得された輝度分布とを照合することで前記特徴領域を検出することを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記表示制御手段により、前記検出手段で検出された前記複数の画像の中の少なくとも一つの特徴領域が前記表示手段に表示されている時、前記特徴領域を前記抽出手段で抽出するか否かをユーザ操作に基づいて判定する判定手段と、
を更に備え、
前記指定手段は、前記判定手段により前記特徴領域を前記抽出手段で抽出しないと判定された場合、前記指定手段により前記複数の画像の中の少なくとも一つの特徴領域をユーザ操作によって指定することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記第１の記憶手段に記憶されている前記複数の画像の縮小画像を生成する生成手段を
更に備え、
前記表示制御手段は、前記生成手段により生成された、前記複数の画像の各々の縮小画像と、前記抽出手段により抽出された、前記複数の画像の各々の特徴領域とを対応付けて表示手段に一覧表示することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
撮像手段を更に備え、
前記複数の画像は、前記撮像手段によって撮像された画像であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記複数の画像は、名刺画像であり、
前記特徴領域は、前記名刺画像の氏名領域であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
複数の画像を記憶している記憶手段と表示手段とを備える画像処理装置での画像処理方法であって、
前記記憶手段に記憶されている複数の画像の各々の特徴領域を検出する検出ステップと、
前記検出ステップで検出された、前記複数の画像の各々の特徴領域を抽出する抽出ステップと、
前記抽出ステップで抽出された、前記複数の画像の各々の特徴領域の大きさが均一となるように前記特徴領域を前記表示手段に一覧表示する表示制御ステップと
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１０】
複数の画像を記憶している記憶手段と表示手段とを備える画像処理装置のコンピュータを、
前記記憶手段に記憶されている前記複数の画像の各々の特徴領域を検出する検出手段、
前記検出手段で検出された、前記複数の画像の各々の特徴領域を抽出する抽出手段、
前記抽出手段で抽出された、前記複数の画像の各々の特徴領域の大きさが均一となるように前記特徴領域を前記表示手段に一覧表示させる表示制御手段
として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月28日(2014.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムの挿入及び脱離が可能な正極活物質を含む正極と、リチウムの挿入及び脱離が可能な負極活物質を含む負極と、電解液と、を有するリチウム二次電池の製造方法において、
前記リチウム二次電池の組立て前に、電解液中で、前記負極と対極に電圧を印加することで、前記負極にリチウムを電気化学的に挿入し、
前記挿入の後に、前記電解液中で、前記負極と前記対極に電圧を印加することで、前記負極に挿入したリチウムの一部を電気化学的に脱離し、
前記脱離の後に、前記リチウム二次電池の組立を行うことを特徴とするリチウム二次電池の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記挿入は、充放電レートを０．２Ｃとしたとき、前記負極と前記対極との電位差が０．０３Ｖ以上０．２Ｖ以下の範囲で行うことを特徴とするリチウム二次電池の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記負極活物質は、シリコンであることを特徴とするリチウム二次電池の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記負極活物質は、突起又は凸状の部分を有することを特徴とするリチウム二次電池の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記挿入は、前記負極にリチウムの挿入量が概略最大となるように行うことを特徴とするリチウム二次電池の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記対極は、金属リチウムであることを特徴とするリチウム二次電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月25日(2014.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板及び封止体に囲まれた空間内に、発光素子及び隔壁を含む発光部を備え、
前記発光素子は、前記第１の基板上に設けられた第１の電極、前記第１の電極上に設けられた発光性の有機化合物を含む層、及び前記発光性の有機化合物を含む層上に設けられた第２の電極を備え、
前記隔壁は、前記第１の電極の端部を覆い、かつ前記発光素子の発光領域と重なる位置に開口部が設けられ、
前記隔壁は、物理吸着型乾燥剤を有し、
前記物理吸着型乾燥剤の最大粒径が１ナノメートル以上前記発光性の有機化合物を含む層の膜厚以下である発光装置。
【請求項２】
互いに対向する第１の基板及び第２の基板と、
発光素子及び隔壁を含む発光部と、
前記発光部の外周を囲むように設けられた封止材と、を有し、
前記第１の基板、前記第２の基板及び前記封止材に囲まれた空間内に前記発光部を備え、
前記発光素子は、前記第１の基板上に設けられた第１の電極、前記第１の電極上に設けられた発光性の有機化合物を含む層、及び前記発光性の有機化合物を含む層上に設けられた第２の電極を備え、
前記隔壁は、前記第１の電極の端部を覆い、かつ前記発光素子の発光領域と重なる位置に開口部が設けられ、
前記隔壁は、物理吸着型乾燥剤を有し、
前記物理吸着型乾燥剤の最大粒径が１ナノメートル以上前記発光性の有機化合物を含む層の膜厚以下である発光装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記隔壁が、０重量パーセントより多く３０重量パーセント以下の割合で前記物理吸着型乾燥剤を含む発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記物理吸着型乾燥剤が、ゼオライトである発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記隔壁が、前記物理吸着型乾燥剤を含まない第１の層と、前記物理吸着型乾燥剤を含む第２の層と、の積層構造である発光装置。