【手続補正書】
【提出日】平成26年2月6日(2014.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気基板と、該電気基板に接合される半導体を備える半導体システムであって、
前記半導体のパッケージ表面温度を測定する温度測定手段と、
前記半導体に電源を供給する電源供給手段と、
前記温度測定手段の測定の結果に基づいて、前記半導体の再起動の可否を判定する再起動判定手段とを備え、
前記再起動判定手段は、前記温度測定手段の測定の結果、前記電源を供給前の前記パッケージ表面温度が第一の温度より低い場合において、前記電源を供給後に、前記パッケージ表面温度の所定の温度上昇を検出した場合に前記半導体を再起動する
ことを特徴とする半導体システム。
【請求項２】
電気基板と、該電気基板に接合される半導体を備える半導体システムであって、
前記半導体のパッケージ表面温度を測定する温度測定手段と、
前記半導体に電源を供給する電源供給手段と、
前記温度測定手段の測定の結果に基づいて、前記半導体の再起動の可否を判定する再起動判定手段とを備え、
前記再起動判定手段は、前記温度測定手段の測定の結果、前記電源を供給前の前記パッケージ表面温度が第一の温度より低い場合において、前記電源を供給後に、前記パッケージ表面温度が前記電源を供給前のパッケージ表面温度より所定の温度だけ上昇した場合に半導体を再起動する
ことを特徴とする半導体システム。
【請求項３】
電気基板と、該電気基板に接合される半導体を備える半導体システムであって、
前記半導体のパッケージ表面温度を測定する温度測定手段と、
前記半導体に電源を供給する電源供給手段と、
前記温度測定手段の測定の結果に基づいて、前記半導体の再起動の可否を判定する再起動判定手段と、
前記半導体を外部から加熱する外部加熱手段とを備え、
前記再起動判定手段は、前記温度測定手段の測定の結果、
前記電源を供給前の前記パッケージ表面温度が第一の温度と第二の温度の間にあるときは、前記電源を供給させて、前記パッケージ表面温度の所定の温度上昇を検出した場合に前記半導体を再起動し、
前記電源を供給前の前記パッケージ表面温度が前記第二の温度より低いときは、前記外部加熱手段を動作させて、前記パッケージ表面温度が第三の温度より高くなった場合に前記半導体を再起動する
ことを特徴とする半導体システム。
【請求項４】
電気基板と、該電気基板に接合される半導体を備える半導体システムであって、
前記半導体のパッケージ表面温度を測定する温度測定手段と、
前記半導体に電源を供給する電源供給手段と、
前記温度測定手段の測定の結果に基づいて、前記半導体の再起動の可否を判定する再起動判定手段と、
前記半導体を外部から加熱する外部加熱手段とを備え、
前記再起動判定手段は、前記温度測定手段の測定の結果、
前記電源を供給前の前記パッケージ表面温度が第一の温度と第二の温度の間にあるときは、前記電源を供給させて、前記パッケージ表面温度が前記電源を供給前のパッケージ表面温度より所定の温度だけ上昇したときに前記半導体を再起動し、
前記電源を供給前のパッケージ表面温度が前記第二の温度より低いときは、前記外部加熱手段を動作させて、前記パッケージ表面温度が第三の温度より高くなった場合に前記半導体を再起動する
ことを特徴とする半導体システム。
【請求項５】
前記第一の温度は、前記半導体の最低動作保証温度である
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体システム。
【請求項６】
前記第二の温度は、前記第一の温度から、前記電源の供給前後の前記半導体と前記電気基板との接合部での飽和温度との差分温度を引いた温度である
ことを特徴とする請求項３または４に記載の半導体システム。
【請求項７】
前記第三の温度は、前記第二の温度に、前記電源を供給したときの前記半導体と前記電気基板との接合部での飽和温度と前記半導体のパッケージ表面の飽和温度との差分温度を加えた温度である
ことを特徴とする請求項３または４に記載の半導体システム。
【請求項８】
前記再起動判定手段による前記半導体の再起動は、前記半導体への電源の再供給によって実行される
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体システム。
【請求項９】
前記再起動判定手段による前記半導体の再起動は、前記半導体が備えるリセット端子へのリセット信号の再供給によって実行される
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体システム。
【請求項１０】
前記温度測定手段は、前記半導体のパッケージ表面温度の測定にかえて、前記半導体と前記基板との接合部の温度と相関のとれる、前記電気基板上の指定された位置の基板温度を、前記半導体のパッケージ表面温度として測定する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体システム。
【請求項１１】
電気基板と、該電気基板に接合される半導体を備える半導体システムを起動するための起動方法であって、
前記半導体のパッケージ表面温度を測定する温度測定工程と、
前記半導体に電源を供給する電源供給工程と、
前記温度測定工程の測定の結果に基づいて、前記半導体の再起動の可否を判定する再起動判定工程とを備え、
前記再起動判定工程は、前記温度測定工程の測定の結果、前記電源を供給前の前記パッケージ表面温度が第一の温度より低い場合において、前記電源を供給後に、前記パッケージ表面温度の所定の温度上昇を検出した場合に前記半導体を再起動する
ことを特徴とする起動方法。
【請求項１２】
電気基板と、該電気基板に接合される半導体を備える半導体システムを起動するための起動方法であって、
前記半導体のパッケージ表面温度を測定する温度測定工程と、
前記半導体に電源を供給する電源供給工程と、
前記温度測定工程の測定の結果に基づいて、前記半導体の再起動の可否を判定する再起動判定工程とを備え、
前記再起動判定工程は、前記温度測定工程の測定の結果、前記電源を供給前の前記パッケージ表面温度が第一の温度より低い場合において、前記電源を供給後に、前記パッケージ表面温度が前記電源を供給前のパッケージ表面温度より所定の温度だけ上昇した場合に半導体を再起動する
ことを特徴とする起動方法。
【請求項１３】
電気基板と、該電気基板に接合される半導体を備える半導体システムを起動するための起動方法であって、
前記半導体のパッケージ表面温度を測定する温度測定工程と、
前記半導体に電源を供給する電源供給工程と、
前記温度測定工程の測定の結果に基づいて、前記半導体の再起動の可否を判定する再起動判定工程と、
前記半導体を外部から加熱する外部加熱工程とを備え、
前記再起動判定工程は、前記温度測定工程の測定の結果、
前記電源を供給前の前記パッケージ表面温度が第一の温度と第二の温度の間にあるときは、前記電源を供給させて、前記パッケージ表面温度の所定の温度上昇を検出した場合に前記半導体を再起動し、
前記電源を供給前の前記パッケージ表面温度が前記第二の温度より低いときは、前記外部加熱工程を動作させて、前記パッケージ表面温度が第三の温度より高くなった場合に前記半導体を再起動する
ことを特徴とする起動方法。
【請求項１４】
電気基板と、該電気基板に接合される半導体を備える半導体システムを起動するための起動方法であって、
前記半導体のパッケージ表面温度を測定する温度測定工程と、
前記半導体に電源を供給する電源供給工程と、
前記温度測定工程の測定の結果に基づいて、前記半導体の再起動の可否を判定する再起動判定工程と、
前記半導体を外部から加熱する外部加熱工程とを備え、
前記再起動判定工程は、前記温度測定工程の測定の結果、
前記電源を供給前の前記パッケージ表面温度が第一の温度と第二の温度の間にあるときは、前記電源を供給させて、前記パッケージ表面温度が前記電源を供給前のパッケージ表面温度より所定の温度だけ上昇したときに前記半導体を再起動し、
前記電源を供給前のパッケージ表面温度が前記第二の温度より低いときは、前記外部加熱工程を動作させて、前記パッケージ表面温度が第三の温度より高くなった場合に前記半導体を再起動する
ことを特徴とする起動方法。
【請求項１５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体システムとしてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的を達成するための本発明による半導体システムは以下の構成を備える。即ち、
電気基板と、該電気基板に接合される半導体を備える半導体システムであって、
前記半導体のパッケージ表面温度を測定する温度測定手段と、
前記半導体に電源を供給する電源供給手段と、
前記温度測定手段の測定の結果に基づいて、前記半導体の再起動の可否を判定する再起動判定手段とを備え、
前記再起動判定手段は、前記温度測定手段の測定の結果、前記電源を供給前の前記パッケージ表面温度が第一の温度より低い場合において、前記電源を供給後に、前記パッケージ表面温度の所定の温度上昇を検出した場合に前記半導体を再起動する。