【手続補正書】
【提出日】平成26年7月29日(2014.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部、及び外面と前記凹部の底面とを繋ぐ第１の貫通孔を有する放熱板と、
前記凹部の底面に林立するように形成された線状の熱伝導性物質と、
前記線状の熱伝導性物質の先端部を覆うとともに、前記凹部が形成されている凹部形成面の少なくとも一部に延在し、前記凹部の底面に対向する面の反対面に半導体素子と接触する半導体素子接触領域を有する金属層と、を備え、
前記反対面の垂直方向から視て、前記金属層の前記半導体素子接触領域の外側には、前記反対面と前記凹部の底面に対向する面とを繋ぐ第２の貫通孔が形成されている放熱用部品。
【請求項２】
前記第２の貫通孔は、前記金属層の前記半導体素子接触領域の外側を囲むように複数個形成されており、
前記反対面の垂直方向から視て、前記第１の貫通孔の前記凹部の底面側の端部は、複数の前記第２の貫通孔に囲まれた領域内に開口している請求項１記載の放熱用部品。
【請求項３】
前記第１の貫通孔は、前記凹部内に樹脂を注入可能な孔であり、
前記第２の貫通孔は、前記凹部内に注入された樹脂を前記半導体素子側に流出可能な孔である請求項１又は２記載の放熱用部品。
【請求項４】
一方の面に半導体素子を実装した配線基板と、
前記配線基板に搭載された請求項１乃至３の何れか一項記載の放熱用部品と、を有し、
前記半導体素子接触領域は、前記半導体素子の前記配線基板と対向する面の反対側の面と接触しており、
前記凹部内の隣接する線状の熱伝導性物質の形成する空隙部には樹脂が充填され、更に、前記半導体素子の側面の少なくとも一部に前記樹脂が形成されている半導体パッケージ。
【請求項５】
凹部、及び外面と前記凹部の底面とを繋ぐ第１の貫通孔を有する放熱板の、前記凹部の底面に林立するように線状の熱伝導性物質を形成する熱伝導性物質形成工程と、
前記線状の熱伝導性物質の先端部を覆うとともに、前記凹部が形成されている凹部形成面の少なくとも一部に延在し、前記凹部の底面に対向する面の反対面に半導体素子と接触する半導体素子接触領域を有し、前記反対面の垂直方向から視て、前記半導体素子接触領域の外側に、前記反対面と前記凹部の底面に対向する面とを繋ぐ第２の貫通孔が形成された金属層を形成する金属層形成工程と、を含む工程により放熱用部品を作製する放熱用部品作製工程と、
配線基板の一方の面に実装された半導体素子の前記配線基板と対向する面の反対側の面が前記半導体素子接触領域と接触するように、前記配線基板に前記放熱用部品を装着する放熱用部品装着工程と、
前記第１の貫通孔を介して、前記凹部内の隣接する線状の熱伝導性物質の形成する空隙部に樹脂を注入し、更に、前記空隙部に注入された前記樹脂の一部を前記第２の貫通孔を介して前記半導体素子側に流出させ、前記空隙部に前記樹脂を充填するとともに前記半導体素子の側面の少なくとも一部に前記樹脂を形成する樹脂形成工程と、を有する半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記金属層形成工程では、前記金属層の前記半導体素子接触領域の外側を囲むように前記第２の貫通孔を複数個形成し、
前記樹脂形成工程では、第１の貫通孔を介して前記空隙部に注入された前記樹脂を、複数個の前記第２の貫通孔を介して前記半導体素子側に流出させる請求項５記載の半導体パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本放熱用部品は、凹部、及び外面と前記凹部の底面とを繋ぐ第１の貫通孔を有する放熱板と、前記凹部の底面に林立するように形成された線状の熱伝導性物質と、前記線状の熱伝導性物質の先端部を覆うとともに、前記凹部が形成されている凹部形成面の少なくとも一部に延在し、前記凹部の底面に対向する面の反対面に半導体素子と接触する半導体素子接触領域を有する金属層と、を備え、前記反対面の垂直方向から視て、前記金属層の前記半導体素子接触領域の外側には、前記反対面と前記凹部の底面に対向する面とを繋ぐ第２の貫通孔が形成されていることを要件とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本半導体パッケージの製造方法は、凹部、及び外面と前記凹部の底面とを繋ぐ第１の貫通孔を有する放熱板の、前記凹部の底面に林立するように線状の熱伝導性物質を形成する熱伝導性物質形成工程と、前記線状の熱伝導性物質の先端部を覆うとともに、前記凹部が形成されている凹部形成面の少なくとも一部に延在し、前記凹部の底面に対向する面の反対面に半導体素子と接触する半導体素子接触領域を有し、前記反対面の垂直方向から視て、前記半導体素子接触領域の外側に、前記反対面と前記凹部の底面に対向する面とを繋ぐ第２の貫通孔が形成された金属層を形成する金属層形成工程と、を含む工程により放熱用部品を作製する放熱用部品作製工程と、配線基板の一方の面に実装された半導体素子の前記配線基板と対向する面の反対側の面が前記半導体素子接触領域と接触するように、前記配線基板に前記放熱用部品を装着する放熱用部品装着工程と、前記第１の貫通孔を介して、前記凹部内の隣接する線状の熱伝導性物質の形成する空隙部に樹脂を注入し、更に、前記空隙部に注入された前記樹脂の一部を前記第２の貫通孔を介して前記半導体素子側に流出させ、前記空隙部に前記樹脂を充填するとともに前記半導体素子の側面の少なくとも一部に前記樹脂を形成する樹脂形成工程と、を有することを要件とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
半導体素子４０が発熱すると配線基板３０が反る場合があるが、半導体パッケージ２では、配線基板３０が反っても半導体素子４０と金属層２２との密着性が低下する懸念は少ない。なぜなら、半導体パッケージ２では、半導体素子４０の各側面に樹脂５０を形成し、半導体素子４０と金属層２２とを固定している。そのため、半導体素子４０が発熱して配線基板３０が反っても、半導体素子４０の面４０ａと金属層２２の面２２ａとの密着性を維持できるからである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
次に、図１０に示すように、一方の面に半導体素子４０が実装され、他方の面に外部接続端子３５が形成された配線基板３０を周知の方法で作製する。そして、放熱用部品１の突起部１０ｚの面１０ｄに接着剤６０を塗布し、金属層２２の面２２ａの半導体素子接触領域２２ｚと配線基板３０上に実装された半導体素子４０の面４０ａとを接触させて押圧する。そして、接着剤６０を硬化させ、配線基板３０に放熱用部品１を装着する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
そして、放熱用部品１の突起部１０ｚの面１０ｄに接着剤６０を塗布し、一方の面に半導体素子４０が実装され、他方の面に外部接続端子３５が形成された配線基板３０に放熱用部品１を装着する。その際、半導体素子４０の面４０ａに金属層２２の面２２ａを接触させて押圧した後、接着剤６０を硬化させる。更に、隣接するカーボンナノチューブ２１の形成する空隙部、及び半導体素子４０の各側面に、例えばホットメルト樹脂や熱硬化性樹脂等をリフローし、樹脂５０を形成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
又、隣接するカーボンナノチューブ２１の形成する空隙部を充填する樹脂５０を、金属層２２に形成した貫通孔２２ｘを介して半導体素子４０側に流出させ、半導体素子４０の各側面に樹脂５０を形成する。これにより、半導体素子４０と金属層２２とは樹脂５０により固定され、半導体素子４０が発熱して配線基板３０が反っても、半導体素子４０の面４０ａと金属層２２の面２２ａとの密着性が維持される。そのため、配線基板３０の反りにより放熱性が低下することを防止できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
例えば、上記実施の形態では、隣接するカーボンナノチューブ２１の形成する空隙部を充填する樹脂５０を、金属層２２に形成した貫通孔２２ｘを介して半導体素子４０側に流出させ、半導体素子４０の各側面の少なくとも一部に樹脂５０を形成した。しかし、配線基板３０の一方の面に実装されている他の電子部品（例えば、コンデンサや抵抗等）を樹脂５０で封止しても問題ない場合には、放熱板１０の凹部形成面１０ａ側と配線基板３０の一方の面とで形成する空間を充填するように樹脂５０を形成してもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
又、半導体素子４０が発熱して配線基板３０が反った場合に、半導体素子４０の面４０ａと金属層２２の面２２ａとの密着性を維持するためには、半導体素子４０の各側面に樹脂５０を形成することが好ましい。しかしながら、半導体素子４０の全側面に樹脂５０を形成せずに、例えば、半導体素子４０の１対の対向する側面のみに樹脂５０を形成した場合等にも一定の効果を奏する。