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【手続補正書】
【提出日】平成26年9月18日(2014.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極、強誘電体膜及び上部電極を備えた強誘電体キャパシタを形成するプラズマ処理方法において、
前記上部電極を、ハードマスクを用いてプラズマエッチングするエッチング工程と、
その後、前記ハードマスクの少なくとも表面を除去する除去工程と、
を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記除去工程は、不活性ガスを用いたプラズマエッチング処理を含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
下部電極、強誘電体膜及び上部電極を備えた強誘電体キャパシタを形成するプラズマ処理方法において、
前記上部電極上に設けたハードマスクをマスクとし、塩素を含むガスを用いて前記上部電極をプラズマエッチングするエッチング工程と、
その後、前記ハードマスクの表面層に滞在した塩素を不活性ガスのプラズマエッチングにより塩素が残留するハードマスク層のみを除去する工程と、
を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ処理方法において、
前記ハードマスクは、ＴｉＮ、ＴｉＡｌＮ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｌ２Ｏ３、或いはＡｌＮを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
強誘電体膜と、電極材料膜と、ハードマスク材料膜と、パターニングされたレジストマスクとが順次積層された被処理体を準備する準備工程と、
前記レジストマスクに対して露出した領域の前記ハードマスク材料膜をプラズマエッチングしてハードマスクを形成する第１工程と、
前記ハードマスクに対して露出した領域の前記電極材料膜をプラズマエッチングして電極を形成する第２工程と、
前記ハードマスクの少なくとも表面を除去する第３工程と、を有し、
少なくとも前記第２工程から前記第３工程までの工程を真空中で行い、前記第３工程終了後に前記被処理体を大気中に取り出すことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】
請求項５に記載のプラズマ処理方法において、
前記電極材料膜は、Ｉｒ、Ｐｔ、ＩｒＯ２、Ａｕ、Ｔａ、或いはＲｕの膜であり、
前記ハードマスク材料膜は、ＴｉＮ、ＴｉＡｌＮ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｌ２Ｏ３、或いはＡｌＮの膜であり、
前記強誘電体膜は、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、或いはＢＳＴの膜であることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】
請求項５に記載のプラズマ処理方法において、
前記第１工程は、塩素を含むガスを用いて前記ハードマスク材料膜をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項８】
請求項５に記載のプラズマ処理方法において、
前記第２工程は、Ｃｌ２とＯ２とを含むガスを用い、前記レジストマスクを灰化除去し、前記ハードマスクの表面を酸化し、前記電極材料膜をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項９】
請求項５に記載のプラズマ処理方法において、
前記第３工程は、不活性ガスを用いて前記ハードマスクの表面をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１０】
請求項８に記載のプラズマ処理方法において、
前記第３工程は、Ｃｌ２とＢＣｌ３とを含むガスを用いて前記ハードマスクを全てプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月9日(2014.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極活物質、水系バインダー、三酸化タングステン（ＷＯ３）及び水を含むことを特徴とするリチウム電池用の正極スラリー組成物。
【請求項２】
前記三酸化タングステン（ＷＯ３）の平均粒径は、１０ｎｍないし５μｍであることを特徴とする請求項１に記載のリチウム電池用の正極スラリー組成物。
【請求項３】
前記三酸化タングステン（ＷＯ３）の含量は、正極活物質１００重量部に対して、０．００１ないし５０重量部であることを特徴とする請求項１又は２に記載のリチウム電池用の正極スラリー組成物。
【請求項４】
前記正極活物質は、リチウムコバルト系酸化物、リチウムニッケルコバルトマンガン系酸化物、及びリチウムニッケルコバルトアルミニウム系酸化物からなる群から選択される少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のリチウム電池用の正極スラリー組成物。
【請求項５】
前記水系バインダーは、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジエン、ブチルゴム、フッ素ゴム、ポリエチレンオキサイド、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸及びその塩、ポリビニルピロリドン、ポリエピクロロヒドリン、ポリホスファゼン、ポリアクリロニトリル、ポリスチレン、ポリビニルピリジン、クロロスルホン化ポリエチレン、ラテックス、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、プロピレンと炭素数２ないし８のオレフィンとの重合体、（メタ）アクリル酸と（メタ）アクリル酸アルキルエステルとの共重合体、及びそれらの組み合わせから選択される少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のリチウム電池用の正極スラリー組成物。
【請求項６】
前記水系バインダーの含量は、正極活物質１００重量部に対して０．１ないし１０重量部であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のリチウム電池用の正極スラリー組成物。
【請求項７】
前記正極素材は、導電剤をさらに含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のリチウム電池用の正極スラリー組成物。
【請求項８】
前記導電剤は、天然黒鉛、人造黒鉛、カーボンブラック、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、炭素ファイバ、炭素ナノチューブ、金属粉末、金属ファイバ及び伝導性高分子からなる群から選択される少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項７に記載のリチウム電池用の正極スラリー組成物。
【請求項９】
金属基材と、
前記金属基材の少なくとも一面に配置される請求項１〜８のいずれか１項に記載の正極スラリー組成物を用いて製造された正極層と、を備えることを特徴とするリチウム電池用の正極。
【請求項１０】
前記金属基材は、強アルカリに対して腐食性を有することを特徴とする請求項９に記載のリチウム電池用の正極。
【請求項１１】
前記金属基材は、アルミニウム基材であることを特徴とする請求項１０に記載のリチウム電池用の正極。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれか１項に記載の正極と、
負極活物質を含み、前記正極に対向して配置される負極と、
前記正極と負極との間に配置される電解質と、を備えることを特徴とするリチウム電池。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月16日(2014.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板及び光電変換装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の凸構造が設けられた第１の面を有し、
前記第１の面における平均面粗さは１０ｎｍ以上２５ｎｍ以下であり、
前記複数の凸構造の最大高低差は、３５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、
前記第１の面において、最大高さの半分以下の高さを有する凸構造の割合は、前記第１の面に設けられた凸構造全体の２０％以上６０％以下である半導体基板。
【請求項２】
複数の凸構造が設けられた第１の面を有し、
前記第１の面における平均面粗さは１０ｎｍ以上２５ｎｍ以下であり、
前記複数の凸構造の最大高低差は、３５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、
前記第１の面において、最大高さの半分以下の高さを有する凸構造の割合は、前記第１の面に設けられた凸構造全体の２０％以上６０％以下であり、
４００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の波長領域での、前記第１の面における反射率は０％より大きく２％以下である半導体基板。
【請求項３】
一対の電極間に、
一導電型を有する半導体基板と、
前記半導体基板の第１の面に設けられ、前記半導体基板とは逆の導電型を有する第１の領域と、
前記第１の領域上に設けられた絶縁層と、
前記半導体基板の前記第１の面と対向する面に設けられ、前記半導体基板と同じ導電型で、前記半導体基板よりもキャリア密度の高い第２の領域と、を有し、
前記半導体基板の前記第１の面には、複数の凸構造が設けられ、
前記第１の面における平均面粗さは１０ｎｍ以上２５ｎｍ以下であり、
前記複数の凸構造の最大高低差は、３５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、
前記第１の面において、最大高さの半分以下の高さを有する凸構造の割合は、前記第１の面に設けられた凸構造全体の２０％以上６０％以下である光電変換装置。
【請求項４】
一対の電極間に、
一導電型を有する半導体基板と、
前記半導体基板の第１の面に設けられ、前記半導体基板とは逆の導電型を有する第１の領域と、
前記第１の領域上に設けられた絶縁層と、
前記半導体基板の前記第１の面と対向する面に設けられ、前記半導体基板と同じ導電型で、前記半導体基板よりもキャリア密度の高い第２の領域と、を有し、
前記半導体基板の前記第１の面には、複数の凸構造が設けられ、
前記第１の面における平均面粗さは１０ｎｍ以上２５ｎｍ以下であり、
前記複数の凸構造の最大高低差は、３５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、
前記第１の面において、最大高さの半分以下の高さを有する凸構造の割合は、前記第１の面に設けられた凸構造全体の２０％以上６０％以下であり、
４００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の波長領域での、前記第１の面における反射率は０％より大きく２％以下である光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月31日(2014.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バルク状成形体でなる機能性材料であって、金属/合金粒子と、結合領域とを含んでおり、前記結合領域は、金属間化合物又は金属化合物を含むナノコンポジット構造を有し、200ｎｍ以下のサイズで前記金属/合金粒子の周りを埋めている機能性材料。
【請求項２】
機能部分を有する電子デバイスであって、前記機能部分は、金属/合金粒子と、結合領域とを含んでおり、前記結合領域は、金属間化合物又は金属化合物を含むナノコンポジット構造を有し、200ｎｍ以下のサイズで前記金属/合金粒子の周りを埋めている電子デバイス。
【請求項３】
機能部分を有する電子デバイスであって、前記機能部分は、金属/合金粒子と、結合領域とを含んでおり、前記結合領域は、結晶または非結晶のガラス成分もしくはセラミックを含むナノコンポジット構造を有し、200ｎｍ以下のサイズで前記金属/合金粒子の周りを埋めている電子デバイス。
【請求項４】
バルク状成形体でなる機能性材料、又は、機能部分を形成する方法であって、
金属/合金粒子を、揮発性有機分散媒または水性分散媒に分散させた分散系を調製し、
前記分散系を型入れした後、前記型内において、前記分散媒を気化させることにより200ｎｍ以下のサイズの空隙を形成し、
次に、加熱・加圧して、前記空隙を埋める結合領域を生じさせる、
工程を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月5日(2014.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超電導導体層を有する導体部と、前記導体部を収納し、前記超電導導体層を冷却する冷媒が流通する断熱管と、前記断熱管の外側に形成される主電気絶縁層と、を備える常温絶縁型超電導ケーブルの接続構造であって、
前記断熱管の端部から引き出された前記導体部と接続対象とを電気的に接続する接続部と、
前記接続部を収納する断熱容器と、を備え、
前記接続部は、前記接続対象と前記断熱容器に対して前記導体部の熱収縮による可動を許容しながら前記導体部と前記接続対象とを電気的に接続し、
前記断熱容器内には、
前記導体部と接触し、前記導体部を摺動させ案内するガイド部材と、
前記導体部の長手方向への熱伸長に伴うガイド部材との摺動を補助する摺動補助部材とを備える常温絶縁型超電導ケーブルの接続構造。
【請求項２】
前記接続対象が、常温側に引き出される引き出し導体である請求項１に記載の常温絶縁型超電導ケーブルの接続構造。
【請求項３】
前記接続対象が、別の常温絶縁型超電導ケーブルの導体部である請求項１に記載の常温絶縁型超電導ケーブルの接続構造。
【請求項４】
前記ガイド部材が、前記導体部を摺動可能に収容する筒状体である請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の常温絶縁型超電導ケーブルの接続構造。
【請求項５】
前記摺動補助部材は、前記導体部を熱伸長する方向に付勢するバネである請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の常温絶縁型超電導ケーブルの接続構造。
【請求項６】
前記筒状体の少なくとも一部が導電材料で形成され、
前記導体部が前記筒状体と電気的に接続されており、
前記導体部が、前記筒状体を介して、前記接続対象と電気的に接続されている請求項４に記載の常温絶縁型超電導ケーブルの接続構造。
【請求項７】
前記導電材料の一部が超電導材料である請求項６に記載の常温絶縁型超電導ケーブルの接続構造。
【請求項８】
前記導体部と前記筒状体とが、マルチコンタクトにより電気的に接続されている請求項６又は請求項７に記載の常温絶縁型超電導ケーブルの接続構造。
【請求項９】
前記導体部と前記筒状体とが、フレキシブル導体により電気的に接続されている請求項６又は請求項７に記載の常温絶縁型超電導ケーブルの接続構造。
【請求項１０】
前記導体部の可動域を規制するストッパを備える請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載の常温絶縁型超電導ケーブルの接続構造。
【請求項１１】
前記導体部と前記接続対象とが、フレキシブル導体により電気的に接続されている請求項１〜請求項１０のいずれか一項に記載の常温絶縁型超電導ケーブルの接続構造。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月2日(2013.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ酸および硝酸の少なくとも一方を含有する薬液によりシリコン系材料をエッチングするためのシステムに用いられる熱交換器であって、
前記熱交換器は、
前記薬液をエッチング槽から容器内に導き冷媒による除熱後に前記エッチング槽に返送する薬液循環部と、
前記冷媒を除熱するための冷媒冷却剤を前記熱交換器とチラーとの間で循環させる流路部とを備え、
前記熱交換器の容器内には前記冷媒が収容されており、
前記熱交換器は、更に、前記冷媒を前記容器内に循環させる冷媒流路部を備えており、
前記冷媒が前記冷媒冷却剤により除熱され、
該除熱後の冷媒により前記薬液の除熱がなされる、
ことを特徴とする熱交換器。
【請求項２】
前記冷媒流路部は、前記冷媒の酸性度を調整するためのｐＨ制御部を備えている、請求項１に記載の熱交換器。
【請求項３】
前記冷媒冷却剤は、アルコール類を含有する水性不凍液、又は、高水溶性塩の塩水溶液の何れかである、請求項１又は２に記載の熱交換器。
【請求項４】
フッ酸および硝酸の少なくとも一方を含有するシリコン系材料のエッチング液の除熱方法であって、
前記エッチング液を除熱する冷媒を冷媒冷却剤により除熱しながら前記エッチング液の除熱を行う、ことを特徴とするシリコン系材料用エッチング液の除熱方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月12日(2013.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高圧タービン（１０４）、中圧タービン（１０６）及び３つの低圧タービンを含むロータトレーンを備え、前記３つの低圧タービンが、デュアルフロー低圧タービン（１０８）を構成する２つの低圧タービンと１つのシングルフロー低圧タービン（１１０）とを備え、前記高圧タービン（１０４）及び中圧タービン（１０６）が、各々が他方のスラスト力と実質的に釣合うように構成され、前記デュアルフロー低圧タービン（１０８）の２つの低圧タービンの各々が他方のスラスト力と実質的に釣合うように構成され、抽出手段が、前記高圧タービン（１０４）からの高圧蒸気を前記シングルフロー低圧タービン（１１０）の前方に配置された空洞に供給し、前記空洞が、前記シングルフロー低圧タービンに向かう方向において、前記ロータトレーンのシャフト（１０２）を囲む固定構造体によって実質的に境界付けられる蒸気タービン発電プラントにおいて、前記シャフト（１０２）に連結されたスラストピストン（１２８）であって、
前記空洞が、前記シングルフロー低圧タービンから離れる方向において、前記スラストピストン（１２８）によって実質的に境界付けられ、
前記スラストピストン（１２８）が、運転時に前記シングルフロー低圧タービン（１１０）によって発生されたスラスト力の所望の量を相殺するように構成される、スラストピストン（１２８）。
【請求項２】
該スラストピストン（１２８）が、運転時に前記シングルフロー低圧タービン（１１０）によって発生された前記スラスト力の全てを実質的に相殺するように構成される、請求項１記載のスラストピストン（１２８）。
【請求項３】
前記空洞を境界付ける該スラストピストン（１２８）の表面積が、該空洞に供給される前記高圧蒸気の圧力を前提として、前記シングルフロー低圧タービン（１１０）によって発生された前記スラスト力の全てを実質的に相殺するのに必要な寸法を備えるように構成される、請求項２記載のスラストピストン（１２８）。
【請求項４】
前記抽出する手段が、前記空洞を境界付ける該スラストピストン（１２８）の表面積の寸法を前提として、前記シングルフロー低圧タービンによって発生された前記スラスト力の全てを実質的に相殺するのに十分な圧力の高圧蒸気を前記空洞に供給する前記高圧蒸気タービン内における抽出ポイントを含む、請求項２記載のスラストピストン（１２８）。
【請求項５】
前記シングルフロー低圧タービン（１１０）が、前記高圧タービン（１０４）の排出口に隣接する位置を含み、前記デュアルフロー低圧タービン（１０８）の１つが、前記中圧タービン（１０６）の排出口に隣接する位置を含む、請求項１記載のスラストピストン（１２８）。
【請求項６】
該スラストピストン（１２８）が、前記シャフト（１０２）よりも大きい直径を備えた該シャフト（１０２）の無孔セクションを含み、該スラストピストン（１２８）が、その軸線が前記シャフト（１０２）の軸線と整列した円筒形形状を含み、該スラストピストン（１２８）が、比較的薄い軸方向厚さ及び所定の円形断面積を含み、前記所定の円形断面積が、前記所望の相殺するスラスト力及び前記空洞に送給される前記高圧蒸気の圧力レベルを前提として、必要な断面積を含む、請求項１記載のスラストピストン（１２８）。
【請求項７】
前記抽出する手段が、前記高圧タービン（１０４）の所定の段から前記高圧蒸気を抽出するように構成された第１の導管を含む、請求項１記載のスラストピストン（１２８）。
【請求項８】
第２の導管が、前記高圧蒸気を前記空洞から前記高圧タービン（１０４）の後方段に導くように構成され、
前記後方段が、前記高圧蒸気が抽出される前記所定の段に対して下流に位置する段を含む、請求項７記載のスラストピストン（１２８）。
【請求項９】
前記空洞が、前記シングルフロー低圧タービンに向かう方向において、前記固定構造体及びシャフト（１０２）間のシールを行なうように構成された第１の複数のシールによってさらに境界付けられ、
前記空洞が、前記シングルフロー低圧タービンから離れる方向において、前記固定構造体及びスラストピストン（１２８）間のシールを行なうように構成された第２の複数のシールによってさらに境界付けられる、請求項１記載のスラストピストン（１２８）。
【請求項１０】
前記シャフト（１０２）が、所望に応じて前記ロータトレーンに対して前記シングルフロー低圧タービン（１１０）を係合及び離脱させるように作動するクラッチ（１１８）を含む、請求項１記載のスラストピストン（１２８）。
【請求項１１】
前記クラッチ（１１８）によって前記シングルフロー低圧タービン（１１０）を係合させた時には、前記抽出する手段が、前記高圧タービン（１０４）からの前記高圧蒸気を前記空洞に供給するように作動し、前記クラッチ（１１８）によって前記シングルフロー低圧タービン（１１０）を離脱させた時には、前記抽出する手段が、前記高圧タービン（１０４）からの前記高圧蒸気を前記空洞に供給するのを中止する、請求項１記載のスラストピストン（１２８）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月17日(2013.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非ピクセル型ガンマ検出器（２５２）用の較正マップを与える方法（１００）であって、
非ピクセル型ガンマ検出器（２５２）について、参照放射性同位体についての較正マップを決定するステップ（１０２）と、
前記参照放射性同位体の前記較正マップに、もう一つの放射性同位体に対応するデルタ・マップであって、前記参照放射性同位体と前記もう一つの放射性同位体との間の関係に基づくデルタ・マップを適用することにより、前記もう一つの放射性同位体についての較正マップを作成するステップ（１１６）と
を備えた方法。
【請求項２】
各々が複数の放射性同位体又はエネルギ・ピークの一方に関係付けられる複数のデルタ・マップが、前記非ピクセル型ガンマ検出器（２５２）に結合されているシステム（２５０）に記憶されている、請求項１に記載の方法（１００）。
【請求項３】
前記デルタ・マップは、同じ検出器幾何学的構成を有する非ピクセル型ガンマ検出器に対応する、請求項１または２に記載の方法（１００）。
【請求項４】
二つの放射性同位体についてのデルタ・マップが、前記検出器（２５２）に結合されているシステム（２５０）に記憶されており、第三の放射性同位体の前記デルタ・マップを生成するように、前記システムに記憶されている前記第一及び第二の放射性同位体の前記デルタ・マップを補間するステップ（１１４）をさらに含んでいる請求項１乃至３のいずれかに記載の方法（１００）。
【請求項５】
前記第三の放射性同位体の前記デルタ・マップは特定のピーク・エネルギにおいて補間により求められる、請求項４に記載の方法（１００）。
【請求項６】
前記較正マップは直線性マップであり、もう一つの放射性同位体についての較正マップを作成する前記ステップは、前記参照放射性同位体の前記較正マップに前記デルタ・マップを加算することをさらに含んでいる、請求項１乃至５のいずれかに記載の方法（１００）。
【請求項７】
前記デルタ・マップは、前記もう一つの放射性同位体の較正マップから前記参照放射性同位体の較正マップを減算することにより決定される、請求項６に記載の方法（１００）。
【請求項８】
もう一つの放射性同位体についての較正マップを作成する前記ステップは、検出器ピクセル毎に前記較正マップを作成することをさらに含んでいる、請求項１乃至７のいずれかに記載の方法（１００）。
【請求項９】
前記参照放射性同位体はテクネチウムである、請求項１乃至８のいずれかに記載の方法（１００）。
【請求項１０】
前記較正マップは一様性マップであり、前記参照放射性同位体の前記較正マップにデルタ・マップを適用する前記ステップは、前記参照放射性同位体の前記較正マップを前記もう一つの放射性同位体の前記デルタ・マップと乗算することをさらに含んでいる、請求項１乃至９のいずれかに記載の方法（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月6日(2013.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）単結晶又は非結晶基板上に金属又は半導体薄膜を蒸着させてなるシード層（seed layer）を形成する工程、
（２）前記シード層上に凝集現象が起こる金属を蒸着させてなる中間層（buffer layer）を形成する工程、
（３）前記中間層の形成後、200〜400 ℃の温度で熱処理してパターンを形成する工程、及び
（４）前記パターン上に誘電体、半導体、又は金属を蒸着させてなるターゲット層（target layer）を形成する工程を含む自己組織化されたナノ構造薄膜の製造方法。
【請求項２】
前記凝集現状が起こる金属がAu、Ag、Cu、Pt、Pd及びSnで構成された群から選ばれることを特徴とする請求項１に記載のナノ構造薄膜の製造方法。
【請求項３】
前記熱処理が300〜400 ℃で行われることを特徴とする請求項１又は２に記載のナノ構造薄膜の製造方法。
【請求項４】
前記熱処理が２時間〜８時間行われることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のナノ構造薄膜の製造方法。
【請求項５】
前記基板がガラス基板、シリコン酸化物基板、酸化マグネシウム（MgO）基板及び酸化アルミニウム（Al2O3）基板で構成された群から選ばれることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のナノ構造薄膜の製造方法。
【請求項６】
前記シード層を構成する物質が遷移金属であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のナノ構造薄膜の製造方法。
【請求項７】
前記シード層を構成する物質がFe又はTiであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のナノ構造薄膜の製造方法。
【請求項８】
前記シード層の厚さが0 nmを超え、2 nm以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のナノ構造薄膜の製造方法。
【請求項９】
前記中間層の厚さが1〜10 nmであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のナノ構造薄膜の製造方法。
【請求項１０】
前記中間層の厚さが2〜8 nmであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のナノ構造薄膜の製造方法。
【請求項１１】
前記ターゲット層の厚さが0 nmを超え、30 nm以下であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載のナノ構造薄膜の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載のナノ構造薄膜の製造方法によって製造されたナノ構造薄膜。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月13日(2013.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）の化合物
【化１】
2011137156.tif 000001
【請求項２】
式（Ｉ）の化合物を調製する方法であって、
【化２】
2011137156.tif 000002
フェノールフタレインとメチルアミン水溶液とをＮ−メチルピロリドンの存在中で反応させることを包含する方法。
【請求項３】
前記式（Ｉ）の化合物を、塩酸を含有する水溶液中で沈殿させ、次いで前記式（Ｉ）の化合物を水酸化ナトリウム溶液中に溶解することによって単離精製することを、さらに包含する請求項２の方法。
【請求項４】
式（Ｉａ）のビスフェノール
【化３】
2011137156.tif 000003
を（コ）ポリカーボネート中の繰り返しモノマーユニットとして含有する前記（コ）ポリカーボネート。
【請求項５】
使用されるジフェノールの量に基づいて、９５ｍｏｌ％までの、式（ＩＩ）のジフェノール
【化４】
2011137156.tif 000004
（ここで、
Ｒ１およびＲ２は互いに独立して、水素、Ｃ１〜Ｃ１８−アルキル、Ｃ１〜Ｃ１８−アルコキシ、ハロゲンおよび任意に置換されたアリールまたはアラルキルであり、
Ｘは、単結合、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、Ｃ１〜Ｃ６−アルキレン、Ｃ２〜Ｃ５−アルキリデンまたはＣ５〜Ｃ６−シクロアルキリデンであり、ここで前記Ｃ１〜Ｃ６−アルキレン、Ｃ２〜Ｃ５−アルキリデンおよびＣ５〜Ｃ６−シクロアルキリデンは任意にＣ１〜Ｃ６−アルキルで置換され、またはＣ６〜Ｃ１２−アリーレンであり、これはヘテロ原子を含有するさらなる芳香族環と任意に縮合する）および／または
式（ＩＶａ）および（ＩＶｂ）のジフェノールの単量体混合物である式（ＩＶ）のジフェノール
【化５】
2011137156.tif 000005
（ここで、
Ｒ５は互いに独立して、水素またはＣ１〜Ｃ１０−アルキルであり、
Ｒ６は、Ｃ１〜Ｃ１０−アルキルまたは任意に置換されたフェニルまたはベンジルである）から選択される１以上のジフェノールに基づく繰り返しモノマーユニットをさらに含有する請求項４の（コ）ポリカーボネート。
【請求項６】
各場合、使用されるジフェノールの量に基づいて、２０〜１００ｍｏｌ％の式（Ｉ）のジフェノールに基づく繰り返しモノマーユニットと、８０〜０ｍｏｌ％の式（ＩＩ）および／または（ＩＶ）のジフェノールに基づく繰り返しモノマーユニットとを含有する請求項５の（コ）ポリカーボネート。
【請求項７】
前記（コ）ポリカーボネートはさらに、熱安定剤、モールド取り外し剤、ＵＶ吸収剤および充填剤から成る群から選択される１以上の添加剤を含有する請求項４の（コ）ポリカーボネート。
【請求項８】
１以上の請求項４の（コ）ポリカーボネートと１以上の熱可塑性ポリマーを含有する混合物。
【請求項９】
請求項４の（コ）ポリカーボネートから得られる成形物品。
【請求項１０】
基材層が、少なくとも一方側にさらなる層を備えて成る多層製品であって、前記基材層は請求項４のポリカーボネートを含有する多層製品。
【請求項１１】
前記基材層上の前記さらなる層は金属層である請求項１０の多層製品。
【請求項１２】
さらに、前記金属層に保護層が塗布されてなる請求項１１の多層製品。
【請求項１３】
ＰＥＣＶＤまたはプラズマ重合法で前記保護層を塗布する工程を包含する、請求項１２の多層製品製造方法。
【請求項１４】
ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、テトラメチルジシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、およびトリメトキシメチルシランから成る群から選択される１以上の容易に揮発する成分から、ＰＥＣＶＤまたはプラズマ重合法で前記保護層を塗布する工程を包含する、請求項１３の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月5日(2013.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）成分ＡおよびＢの重量部の合計に基づいて、５〜９０重量部の、式（１）のジフェノール構造ブロックの化合物から誘導される１以上のモノマーユニットを含有するコポリカーボネート
【化１】
2011137153.tif 000001
（ここで、
Ｒ１は水素またはＣ１〜Ｃ４−アルキルであり、
Ｒ２はＣ１〜Ｃ４−アルキルであり、かつ
ｎは０、１、２または３である）と、
Ｂ）成分ＡおよびＢの重量部の合計に基づいて、９５〜１０重量部の、式（２）の化合物の１以上のモノマーユニットを含有する（コ）ポリカーボネート
【化２】
2011137153.tif 000002
（ここで、
Ｒ３はＨまたは線形または分岐Ｃ１〜Ｃ１０−アルキルであり、
Ｒ４は線形または分岐Ｃ１〜Ｃ１０−アルキルである）と
を含有し、
ここで、成分ＡまたはＢの少なくとも１つは、少なくとも部分的に、式（３）の構造ユニット
【化３】
2011137153.tif 000003
を末端基として含有するポリカーボネート組成物。
【請求項２】
Ｒは水素であり、Ｒはメチルであり、ｎは３である請求項１のポリカーボネート組成物。
【請求項３】
成分ＡまたはＢの少なくとも１つがさらに、式（４）のジフェノールに基づくモノマーユニットを含有し、
【化４】
2011137153.tif 000004
ここで、
Ｒ５およびＲ６は互いに独立して、水素、Ｃ１〜Ｃ１８−アルキル、Ｃ１〜Ｃ１８−アルコキシ、ハロゲンおよび任意に置換されたアリールまたはアラルキルであり、
Ｘは、単結合、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、Ｃ１〜Ｃ６−アルキレン、Ｃ２〜Ｃ５−アルキリデンまたはＣ５〜Ｃ６−シクロアルキリデンであり、ここで前記Ｃ１〜Ｃ６−アルキレン、Ｃ２〜Ｃ５−アルキリデンまたはＣ５〜Ｃ６−シクロアルキリデンは任意にＣ１〜Ｃ６−アルキルで置換され、またはＣ６〜Ｃ１２−アリーレンであり、これはヘテロ原子を含有するさらなる芳香族環と任意に縮合する
請求項１のポリカーボネート組成物。
【請求項４】
前記ポリカーボネート組成物が、各場合、成分ＡおよびＢの重量部の合計に基づいて、１０〜８０重量部の成分Ａおよび９０〜２０重量部の成分Ｂを含有する請求項１のポリカーボネート組成物。
【請求項５】
成分Ａが、式（１ｂ）および（４ｂ）の化合物から誘導されるモノマーユニット
【化５】
2011137153.tif 000005
を含有する請求項１のポリカーボネート組成物。
【請求項６】
さらに、成分ＡおよびＢの重量部の合計に基づいて、０〜５重量部の添加剤を成分Ｃとして含有する請求項１のポリカーボネート組成物。
【請求項７】
請求項１のポリカーボネート組成物から得られる成形物品、押出し物、フィルムまたはフィルムラミネート。
【請求項８】
請求項１のポリカーボネート組成物から得られる共押出し層を含む成形物品、押出し物またはフィルム。
【請求項９】
前記成形物品、押出し物、フィルムまたはフィルムラミネートは、電気または電子装置のキーパッド、レンズ、スクリーン／ディスプレイカバーまたはＬＥＤ用途である請求項７の成形物品、押出し物、フィルムまたはフィルムラミネート。
【請求項１０】
相境界法または溶融エステル交換法を介してポリカーボネートを化合する工程を包含する請求項１によるポリカーボネート組成物調製方法であって、前記ポリカーボネートは式（１）のモノマーユニットまたは式（２）または（４）のジフェノールに基づくモノマーユニットを含有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月29日(2014.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞及び培地を収容するための内室が内部に形成されている容器部を備え、
容器部の、内室に面する内壁面の少なくとも一領域に、フィルム基材層と、フィルム基材層上に配置された、所定の刺激によって細胞接着性から細胞非接着性へと変化することが可能な表面を有する刺激応答性ポリマー層とを少なくとも備える細胞支持フィルムが、刺激応答性ポリマー層が内室側に配置されるように固定されていることを特徴とする細胞培養容器を製造する方法であり、
以下の工程：
長尺状の細胞支持フィルムをカットして枚葉状の細胞支持フィルムを取得するカット工程、
容器部の、細胞支持フィルムが固定される内壁面を備える部分であって、該内壁面が存在する側が開放された形状の第１部材に、枚葉状の細胞支持フィルムが固定化されているフィルム固定化第１部材を製造する、細胞支持フィルム固定工程、並びに
フィルム固定化第１部材と、１以上の他の部材とを接合することにより容器部を形成する部材接合工程
を含む、前記方法。
【請求項２】
長尺状の細胞支持フィルムを製造する細胞支持フィルム製造工程を更に含み、
細胞支持フィルム製造工程が、ロール状に巻かれた長尺状のフィルム基材を繰り出して搬出し、繰り出されたフィルム基材上に刺激応答性ポリマー層を形成し、形成後のフィルム基材をロール状に巻き取る工程を含む、請求項１の方法。
【請求項３】
カット工程が、長尺状の細胞支持フィルムをカットして、多角形の枚葉状の細胞支持フィルムを取得する工程を含む、請求項１又は２の方法。
【請求項４】
細胞支持フィルム固定工程が、第１部材に、枚葉状の細胞支持フィルムを粘着剤を介して貼付する工程を含む、請求項１〜３のいずれか１項の方法。
【請求項５】
細胞支持フィルム固定工程が、第１部材に、枚葉状の細胞支持フィルムをヒートシールにより固定する工程を含む、請求項１〜３のいずれか１項の方法。
【請求項６】
細胞支持フィルム固定工程が、第１部材と枚葉状の細胞支持フィルムとを超音波溶着により溶着させ固定化する工程を含む、請求項１〜３のいずれか１項の方法。
【請求項７】
細胞支持フィルム固定工程が、第１部材と枚葉状の細胞支持フィルムとをレーザー溶着により溶着させ固定化する工程を含む、請求項１〜３のいずれか１項の方法。
【請求項８】
細胞支持フィルム固定工程が、枚葉状の細胞支持フィルムが予め配置された射出成形型内に樹脂を充填して第１部材を製造することにより、フィルム固定化第１部材を得る工程を含む、請求項１〜３のいずれか１項の方法。
【請求項９】
細胞支持フィルムが、フィルム基材層の、刺激応答性ポリマー層が形成されていない側の面に配置されたヒートシール性樹脂層を更に備え、
細胞支持フィルム固定工程が、枚葉状の前記細胞支持フィルムが予め配置された射出成形型内に樹脂を充填して第１部材を製造することにより、フィルム固定化第１部材を得る工程を含む、請求項１〜３のいずれか１項の方法。
【請求項１０】
細胞支持フィルム固定工程が、第１部材に、枚葉状の細胞支持フィルムを物理的な係止手段を介して係止する工程を含む、請求項１〜３のいずれか１項の方法。
【請求項１１】
真空条件において細胞培養容器に対してγ線を照射することにより該細胞培養容器を滅菌する滅菌工程を更に含む、請求項１〜１０のいずれか１項の方法。
【請求項１２】
細胞培養容器の細胞支持フィルムが固定される内壁面が外部に解放されておらず、それが対向する方向に、容器部の内壁面の他の領域が存在している、請求項１〜１１のいずれか１項の方法。
【請求項１３】
細胞培養容器がフラスコ型の形状である、請求項１２の方法。
【請求項１４】
細胞培養容器の容器部が、底部と、該底部の周縁に立設された側壁部と、該側壁部の上端部に接合された、該底部に対向配置される天面部とを少なくとも備える、請求項１３の方法。
【請求項１５】
細胞及び培地を収容するための内室が内部に形成されている容器部を備え、
容器部の、内室に面する内壁面の少なくとも一領域に、フィルム基材層と、フィルム基材層上に配置された、所定の刺激によって細胞接着性から細胞非接着性へと変化することが可能な表面を有する刺激応答性ポリマー層とを少なくとも備える細胞支持フィルムが、刺激応答性ポリマー層が内室側に配置されるように固定されており、
該細胞支持フィルムが固定される内壁面は外部に解放されておらず、それが対向する方向に、容器部の内壁面の他の領域が存在していることを特徴とする細胞培養容器。
【請求項１６】
フラスコ型の形状である、請求項１５の細胞培養容器。
【請求項１７】
容器部が、底部と、該底部の周縁に立設された側壁部と、該側壁部の上端部に接合された、該底部に対向配置される天面部とを少なくとも備える、請求項１６の細胞培養容器。
【請求項１８】
フィルム基材層と、フィルム基材層上に配置された刺激応答性ポリマー層とを少なくとも備える長尺状の細胞支持フィルムと、
該細胞支持フィルムの、フィルム基材層の刺激応答性ポリマー層が形成されていない側に配置された長尺状の剥離フィルム層と
を備え、
該細胞支持フィルムには、切り込み線により包囲された、枚葉片として分離することが可能な領域が複数形成されており、該切り込み線は、該細胞支持フィルムの表面から、フィルム厚さ方向に、該細胞支持フィルムを切断するが該剥離フィルムを完全には切断しない厚さ方向位置まで形成されているハーフカット線である、
ハーフカット済みの、長尺状剥離フィルム付細胞支持フィルム。
【請求項１９】
フィルム基材層と、フィルム基材層上に配置された刺激応答性ポリマー層とを少なくとも含む、枚葉状の細胞支持フィルムであって、
フラスコ型細胞培養容器の容器部の底部内面の略全体を被覆可能な、該底部内面に対応する形状を有する、枚葉状の細胞支持フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月29日(2014.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を入射する入射面と、該入射面から入射した光を前記入射面と異なる方向に反射する反射面と、前記入射面と直交する方向から入射し、前記反射面で反射された光を直進させて外部に出射する出射面とを有し、光の入射方向からみて略円をなす柱状の光学部材と、
前記出射面から出射された光を受光して光電変換する受光部が表面に形成された撮像素子と、
一端の少なくとも一部の外縁部から前記光学部材の側面形状に応じて突出し、前記入射面の位置を規定して前記光学部材を保持する円筒状の撮像ホルダと、
を備え、
前記撮像ホルダは、前記入射面の最大径に応じた円筒状の内部空間を形成する開口部であって、該円筒状の側面の一部が切り欠かれた切欠き形状をなす切欠部が形成された開口部を有し、
前記切欠部には、前記撮像素子の一部が配置されることを特徴とする撮像ユニット。
【請求項２】
前記光学部材は、前記柱状をなす側面の前記出射面と異なる位置に設けられ、前記柱状に延びる方向に平面状に延びる複数の光学部材側平面部を有し、
前記開口部は、前記光学部材側平面部の位置に応じて設けられる平面状をなすホルダ側平面部を有することを特徴とする請求項１に記載の撮像ユニット。
【請求項３】
前記光学部材は、前記柱状をなす側面の前記出射面と異なる位置に設けられ、前記柱状に延びる方向に延び、外部に向けて開口した凹状をなす複数の凹部を有し、
前記開口部は、前記凹部の位置に応じて設けられ、前記凹状の内部空間に収容可能な平板状をなして突出する突出部と、を有し、
前記光学部材側平面部は、前記凹部の内部壁面であり、
前記ホルダ側平面部は、前記突出部の側面であることを特徴とする請求項２に記載の撮像ユニット。
【請求項４】
光を入射する入射面と、該入射面から入射した光を前記入射面と異なる方向に反射する反射面と、前記入射面と直交する方向から入射し、前記反射面で反射された光を直進させて外部に出射する出射面とを有し、光の入射方向からみて略円をなす柱状の光学部材、前記出射面から出射された光を受光して光電変換する受光部が表面に形成された撮像素子、一端の少なくとも一部の外縁部から前記光学部材の側面形状に応じて突出し、前記入射面の位置を規定して前記光学部材を保持する円筒状の撮像ホルダを有する撮像ユニットと、
両端が開口し、一端から入射した光を集光するとともに、該集光した光を射出するレンズ、および該レンズを保持する中空のレンズホルダを有するレンズユニットと、
を備え、
前記撮像ホルダは、前記入射面の最大径に応じた円筒状の内部空間を形成する開口部を有し、
前記光学部材は、前記柱状をなす側面の前記出射面と異なる位置に設けられ、前記柱状に延びる方向に平面状に延びる複数の光学部材側平面部を有し、
前記開口部は、前記光学部材側平面部の位置に応じて設けられる平面状をなすホルダ側平面部を有することを特徴とする撮像モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる撮像ユニットは、光を入射する入射面と、該入射面から入射した光を前記入射面と異なる方向に反射する反射面と、前記入射面と直交する方向から入射し、前記反射面で反射された光を直進させて外部に出射する出射面とを有し、光の入射方向からみて略円をなす柱状の光学部材と、前記出射面から出射された光を受光して光電変換する受光部が表面に形成された撮像素子と、一端の少なくとも一部の外縁部から前記光学部材の側面形状に応じて突出し、前記入射面の位置を規定して前記光学部材を保持する円筒状の撮像ホルダと、を備え、前記撮像ホルダは、前記入射面の最大径に応じた円筒状の内部空間を形成する開口部であって、該円筒状の側面の一部が切り欠かれた切欠き形状をなす切欠部が形成された開口部を有し、前記切欠部には、前記撮像素子の一部が配置されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明にかかる撮像ユニットは、上記の発明において、前記光学部材は、前記柱状をなす側面の前記出射面と異なる位置に設けられ、前記柱状に延びる方向に延び、外部に向けて開口した凹状をなす複数の凹部を有し、前記開口部は、前記凹部の位置に応じて設けられ、前記凹状の内部空間に収容可能な平板状をなして突出する突出部と、を有し、前記光学部材側平面部は、前記凹部の内部壁面であり、前記ホルダ側平面部は、前記突出部の側面であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明にかかる撮像モジュールは、光を入射する入射面と、該入射面から入射した光を前記入射面と異なる方向に反射する反射面と、前記入射面と直交する方向から入射し、前記反射面で反射された光を直進させて外部に出射する出射面とを有し、光の入射方向からみて略円をなす柱状の光学部材、前記出射面から出射された光を受光して光電変換する受光部が表面に形成された撮像素子、一端の少なくとも一部の外縁部から前記光学部材の側面形状に応じて突出し、前記入射面の位置を規定して前記光学部材を保持する円筒状の撮像ホルダを有する撮像ユニットと、両端が開口し、一端から入射した光を集光するとともに、該集光した光を射出するレンズ、および該レンズを保持する中空のレンズホルダを有するレンズユニットと、を備え、前記撮像ホルダは、前記入射面の最大径に応じた円筒状の内部空間を形成する開口部を有し、前記光学部材は、前記柱状をなす側面の前記出射面と異なる位置に設けられ、前記柱状に延びる方向に平面状に延びる複数の光学部材側平面部を有し、前記開口部は、前記光学部材側平面部の位置に応じて設けられる平面状をなすホルダ側平面部を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月10日(2014.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＤＣモータに搭載されたドライバ基板であって、
前記ＤＣモータの回転に伴う回転検知信号をモータ制御回路に出力する出力部と、
前記モータ制御回路からモータ制御信号が入力される入力部と、
前記入力部に入力された前記モータ制御信号と前記ＤＣモータのホール素子からのホール信号とに応じて前記ＤＣモータへ励磁電圧を供給するドライバ回路と、
を備えるドライバ基板。
【請求項２】
前記ドライバ回路は、４象限ドライバであることを特徴とする請求項１に記載のドライバ基板。
【請求項３】
前記回転検知信号を出力するセンサを備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のドライバ基板。
【請求項４】
前記モータ制御信号は、少なくともＰＷＭ信号を含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のドライバ基板。
【請求項５】
前記モータ制御信号は、方向信号、ブレーキ信号の少なくとも何れか１つをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載のドライバ基板。
【請求項６】
前記ドライバ基板には、励磁用電源が入力され、
前記ドライバ回路は、前記励磁用電源から前記励磁電圧を生成することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項記載のドライバ基板。
【請求項７】
前記回転検知信号の前記ＤＣモータ１回転あたりの分解能が、前記ホール信号よりも高分解能であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項記載のドライバ基板。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項記載のドライバ基板とＤＣモータからなる駆動装置であって、
前記駆動装置は前記ＤＣモータのモータ軸に取り付けられたコードホイールを備え、
前記回転検知信号は前記コードホイールの回転に伴い出力されること、
を特徴とする駆動装置。
【請求項９】
前記ドライバ基板は、前記ＤＣモータが駆動する負荷と前記ＤＣモータを介して反対側に設けられることを特徴とする請求項８記載の駆動装置。
【請求項１０】
前記コードホイールは、前記ＤＣモータが駆動する負荷と前記ＤＣモータを介して反対側に設けられることを特徴とする請求項８又は９記載の駆動装置。
【請求項１１】
前記モータ軸は前記ドライバ基板を貫いて突出していることを特徴とする請求項８乃至１０の何れか１項に記載の駆動装置。
【請求項１２】
前記ＤＣモータは、前記ドライバ基板及び前記コードホイールを覆うカバー部材を備えることを特徴とする請求項８乃至１１の何れか１項に記載の駆動装置。
【請求項１３】
請求項８乃至１２に記載の駆動装置と、モータ制御回路を含むモータシステムであって、
前記ドライバ基板と前記モータ制御回路がハーネスで接続され、前記モータ制御信号は前記ハーネスを介して送信されること
を特徴とするモータシステム。
【請求項１４】
前記ドライバ基板は前記入力部と前記出力部とを含むコネクタを備え、
前記ハーネスは前記コネクタと接続されていることを特徴とする請求項１３に記載のモータシステム。
【請求項１５】
前記モータ制御回路は、前記回転検知信号に基づいてモータの回転方向を検知することを特徴とする請求項１３または請求項１４記載のモータシステム。
【請求項１６】
前記モータ制御回路は、前記回転検知信号に基づいて前記ＤＣモータの回転量と回転方向とを制御し、
前記ＤＣモータの位置を所定の目標位置近傍に保持することを特徴とする請求項１３乃至１５の何れか１項に記載のモータシステム。
【請求項１７】
請求項１３乃至請求項１６の何れか１項に記載のモータシステムを備えるシート搬送装置。
【請求項１８】
請求項１３乃至請求項１６の何れか１項に記載のモータシステムを備える画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ドライバ基板、駆動装置、モータシステム、シート搬送装置及び画像形成装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、ＤＣモータに搭載されたドライバ基板であって、前記ＤＣモータの回転に伴う回転検知信号をモータ制御回路に出力する出力部と、前記モータ制御回路からモータ制御信号が入力される入力部と、前記入力部に入力された前記モータ制御信号と前記ＤＣモータのホール素子からのホール信号とに応じて前記ＤＣモータへ励磁電圧を供給するドライバ回路と、を備えことを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
モータ軸２１３におけるドライバ基板２１６よりも後方の箇所には、第２回転量検知手段としてのモータエンコーダ２１１のコードホイール２１１ａが固定されており、モータ軸２１３の回転に伴ってモータ軸２１３と同じ回転軸線上で回転する。コードホイール２１１ａは、図９に示されるように、回転方向に所定のピッチで並ぶ複数のスリットＳＬを具備している。コードホイール２１１ａの回転に伴ってそれらのスリットＳＬを順次検知するように、透過型フォトセンサーからなる光学センサー２１１ｂが、搬送モータ２１０のドライバ基板２１６に固定されている（図８参照）。なお、便宜上、図示を省略しているが、搬送モータ２１０のモータ本体における後端部には、ドライバ基板２１６やモータエンコーダ２１１を覆うカバー部材が嵌め込まれている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月30日(2014.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の処理を施す処理手段へ容器をボトム吸着手段に吸着させて供給するメインターレットと、前記メインターレットに対峙して容器供給ターレットを有し、
前記メインターレットの容器の受け取り領域に補助ターレットを有し、
前記補助ターレットが、前記受け取り領域において容器のボトム吸着手段へのセンターリングを行うとともに、
前記補助ターレットの周速が、前記メインターレットの周速より速いことを特徴とする容器の処理装置。
【請求項２】
前記補助ターレットのポケットが、容器支持円弧面部と、該容器支持円弧面部から回転方向外周面に延びる導入面とを有し、前記補助ターレットのピッチ円が前記メインターレットのピッチ円に接することを特徴とする請求項１に記載の容器の処理装置。
【請求項３】
前記メインターレットの受け取り開始ポイントの下流側において、前記補助ターレットのピッチ円が、前記メインターレットのピッチ円と接することを特徴とする請求項１又は２に記載の容器の処理装置。
【請求項４】
前記受け取り領域において、前記容器をガイドする受け取り用ガイド部材を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の容器の処理装置。
【請求項５】
前記所定の処理が、缶体のエンボス加工工程前の加熱処理であり、高周波誘導加熱手段をメインターレットの外周側及び中心側に設置したことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の容器の処理装置。
【請求項６】
前記所定の処理が、缶体のピンホールを検査する光学検査処理であり、照明手段をメインターレットの外周側及び中心側に設置したことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の容器の処理装置。