Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月6日(2013.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザを一意に特定するためのユーザ情報と、複数のユーザから成るグループを示すグループ情報とを記憶する記憶手段と、
ユーザを撮影する撮影手段と、
前記撮影手段での撮影により生成された複数の画像データごとに当該画像データに含まれるユーザを認識するユーザ認識手段と、
前記記憶手段で記憶された前記ユーザ情報と前記グループ情報とを基に、前記ユーザ認識手段で認識されたユーザが最も多いグループを特定するグループ特定手段と、
前記撮影手段での撮影により生成された複数の画像データの中から、前記グループ特定手段で特定されたグループのユーザのうち、前記ユーザ認識手段で認識したユーザがすべて含まれる画像データを、前記撮影手段での撮影に引き続いて抽出する抽出手段と
を備えることを特徴とする撮影装置。
【請求項２】
前記抽出手段は、前記撮影手段での撮影により生成された複数の画像データの中から、前記グループ特定手段で特定されたグループのユーザのうち、前記ユーザ認識手段で認識したユーザを中心とする画像データを、前記撮影手段での撮影に引き続いて抽出することを特徴とする請求項１または２に記載の撮影装置。
【請求項３】
前記記憶手段は、前記撮影装置を管理するユーザを示す管理者情報を更に記憶しており、
前記抽出手段は、前記グループ特定手段で特定されたグループのユーザのうち、前記管理者情報が示すユーザが中心となる画像データを更に抽出することを特徴とする請求項１または２に記載の撮影装置。
【請求項４】
前記記憶手段は、前記画像データの中心に配置されるユーザを示す中心ユーザ情報を更に記憶しており、
前記抽出手段は、前記グループ特定手段で特定されたグループのユーザのうち、前記記憶手段で記憶された中心ユーザ情報が示すユーザが中心となる画像データを更に抽出することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮影装置。
【請求項５】
前記記憶手段は、
当該撮影により生成された画像データにグループが複数含まれる場合、画像データに含まれているすべてのグループのユーザを１つの新しいグループとして更に記憶することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮影装置。
【請求項６】
前記記憶手段は、当該撮影により生成された画像データの中に、前記記憶手段で記憶されていないユーザが含まれる場合、当該ユーザのユーザ情報を含めたグループ情報を更に記憶することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮影装置。
【請求項７】
ユーザを一意に特定するためのユーザ情報と、複数のユーザから成るグループを示すグループ情報とを記憶する記憶手段を備える撮影装置の制御方法であって、
前記撮影装置の撮影手段が、ユーザを撮影する撮影ステップと、
前記撮影装置のユーザ認識手段が、前記撮影ステップでの撮影により生成された複数の画像データに含まれるユーザを認識するユーザ認識ステップと、
前記撮影装置のグループ特定手段が、前記記憶手段で記憶された前記ユーザ情報と前記グループ情報を基に、前記ユーザ認識ステップで認識されたユーザのグループを特定するグループ特定ステップと、
前記撮影装置の抽出手段が、前記撮影ステップによる撮影により生成された複数の画像データの中から、前記グループ特定ステップで特定されたグループのすべてのユーザが含まれる画像データを、前記撮影ステップでの撮影に引き続いて抽出する抽出ステップと
を備えることを特徴とする撮影装置の制御方法。
⇒  最後の「抽出ステップ」にもしっかり下線を引くようにしてください。
【請求項８】
ユーザを一意に特定するためのユーザ情報と、複数のユーザから成るグループを示すグループ情報とを記憶する記憶手段を備える撮影装置の制御方法を実行可能なプログラムであって、
前記撮影装置を、
ユーザを撮影する撮影手段と、
前記撮影手段での撮影により生成された複数の画像データに含まれるユーザを認識するユーザ認識手段と、
前記記憶手段で記憶された前記ユーザ情報と前記グループ情報を基に、前記ユーザ認識手段で認識されたユーザのグループを特定するグループ特定手段と、
前記撮影手段での撮影により生成された複数の画像データの中から、前記グループ特定手段で特定されたグループのすべてのユーザが含まれる画像データを、前記撮影手段での撮影に引き続いて抽出する抽出手段として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は上記の課題を鑑みてなされたもので、撮影装置における撮影に引き続き、所定のグループに属するすべてのユーザが含まれる画像データを抽出することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明の撮影装置は、ユーザを一意に特定するためのユーザ情報と、複数のユーザから成るグループを示すグループ情報とを記憶する記憶手段と、ユーザを撮影する撮影手段と、前記撮影手段での撮影により生成された複数の画像データごとに当該画像データに含まれるユーザを認識するユーザ認識手段と、前記記憶手段で記憶された前記ユーザ情報と前記グループ情報とを基に、前記ユーザ認識手段で認識されたユーザが最も多いグループを特定するグループ特定手段と、前記撮影手段での撮影により生成された複数の画像データの中から、前記グループ特定手段で特定されたグループのユーザのうち、前記ユーザ認識手段で認識したユーザがすべて含まれる画像データを、前記撮影手段での撮影に引き続いて抽出する抽出手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、撮影装置における撮影に引き続き、所定のグループに属するすべてのユーザが含まれる画像データを抽出することのできる効果を奏する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月23日(2014.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
なお、転積装置は周知の構造となって、鉄心片１８を第１のブランクダイに抜き落とした後、第１のブランクダイをサーボモータによって所定角度回転駆動するようになっている。
一方、パイロット孔１１、１２はこの実施の形態では、帯状打ち抜き板１０の両側で、隣り合う捨て孔１３、１６及び１４、１５のそれぞれ中心位置に形成されている。
内側の円形の鉄心片１８の打ち抜きは、このパイロット孔１１、１２を基準として行う。そして、鉄心片１８が打ち抜き除去された帯状打ち抜き板１０から、パイロット孔１１、１２を基準として、鉄心片１８と同心上に形成される固定子用の鉄心片２０を打ち抜き形成し、最終工程で、第２のブランクダイ２１に抜き落とす。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2013110791.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2013110791.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月5日(2014.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｌ値が２０超２５未満であり、焙煎コーヒー豆１ｋｇあたりの（Ａ）ハイドロキノンの含有量が１０ｍｇ以上、且つ（Ｂ）ヒドロキシヒドロキノンの含有量が５０ｍｇ以下である、焙煎コーヒー豆。
【請求項２】
（Ａ）ハイドロキノンと（Ｂ）ヒドロキシヒドロキノンとの含有質量比[（Ｂ）／（Ａ）]が２．７以下である、請求項１記載の焙煎コーヒー豆。
【請求項３】
焙煎コーヒー豆１００ｇ当たりのクロロゲン酸類の含有量が１．５ｇ以上である、請求項１又は２記載の焙煎コーヒー豆。
【請求項４】
Ｌ値が３０未満の原料焙煎コーヒー豆を密閉容器内に収容し、加圧下にて１００〜１６０℃で加熱処理する、焙煎コーヒー豆の製造方法。
【請求項５】
加熱処理の時間が０．５〜４時間である、請求項４記載の焙煎コーヒー豆の製造方法。
【請求項６】
加熱処理の温度が１００〜１４５℃である、請求項４又は５記載の焙煎コーヒー豆の製造方法。
【請求項７】
密閉容器の内容積が原料焙煎コーヒー豆の嵩体積の２〜３０倍である、請求項４〜６のいずれか１項記載の焙煎コーヒー豆の製造方法。
【請求項８】
製造される焙煎コーヒー豆のＬ値が２０超２５未満である、請求項４〜７のいずれか１項記載の焙煎コーヒー豆の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月19日(2014.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
所定の噴射角度の範囲内に均一に油を噴射可能なノズルを表面に凹状の型が複数配列された天板の進行方向に対して直角方向に複数配置した油噴射手段と、
複数の前記ノズルをそれぞれ水平方向へ移動させるためのノズル水平移動機構と、
複数の前記ノズルをそれぞれ上下方向へ移動させるためのノズル上下移動機構と、
搬送装置によって搬送されてくる前記天板の位置を検知する近接センサと、
前記近接センサによって検知した前記天板の位置、及び、予め記憶させてある前記天板の形状に関する情報に基づいて、前記ノズル水平移動機構及び前記ノズル上下移動機構を動作させて前記各ノズルを所定位置に移動させると共に、前記各ノズルから油を噴射して前記天板上に設けられた前記型の内部に所定量の油を均一に塗布するように前記ノズルの位置及び油の噴射を制御する制御手段と、
を備えていることを特徴とする油塗布装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の本発明は、所定の噴射角度の範囲内に均一に油を噴射可能なノズルを表面に凹状の型が複数配列された天板の進行方向に対して直角方向に複数配置した油噴射手段と、複数のノズルをそれぞれ水平方向へ移動させるためのノズル水平移動機構と、複数のノズルをそれぞれ上下方向へ移動させるためのノズル上下移動機構と、搬送装置によって搬送されてくる天板の位置を検知する近接センサと、近接センサによって検知した天板の位置、及び、予め記憶させてある天板の形状に関する情報に基づいて、ノズル水平移動機構及びノズル上下移動機構を動作させて各ノズルを所定位置に移動させると共に、各ノズルから油を噴射して天板上に設けられた型の内部に所定量の油を均一に塗布するようにノズルの位置及び油の噴射を制御する制御手段と、を備えていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【図１】本発明に係る油塗布装置の一実施形態を示すブロック図である。
【図２】図２（ａ）は天板の平面図、図２（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図３】天板の他の構成を示す平面図である。
【図４】ノズルの一例の構成を示す正面断面図である。
【図５】油噴射部の表面と天板の表面との間の高さｈと凹部の直径ｒを説明する図である。
【図６】ノズル水平移動機構及びノズル上下移動機構の構成を示す斜視図である。
【図７】コントローラの構成を示すブロック図である。
【図８】本発明に係る油塗布装置の動作を説明するフローチャートである。
【図９】ノズル列の高さ調整を説明する図である。
【図１０】天板の凹部の形状に応じたノズルの高さ調整を説明する図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
［ノズルの構成］
ノズル列３は、複数のノズル３０，３０を天板１の進行方向（搬送方向）に対して直角な方向にそれぞれ所定の間隔を有して配置した構成になっている。図４はノズル３０の一例の構成を示す正面断面図である。図示されたノズル３０は、概略として、例えば直径約１０ｍｍ程度の筒形状の本体３１と、本体３１の下端に多数の微細な吐出孔３２０，３２０が穿設された半球面状をした凸状の油噴射部３２と、配管ＬＰ１を介して一時的に食用油ＣＯが蓄えられる油室３３と、油室３３内に配設されて油室３３内の食用油ＣＯの油噴射部３２への吐出を制御する開閉弁３４と、本体３１内の上部に配設されて開閉弁３４を上下動させる駆動部３５とを備えて構成されている。油噴射部３２の吐出孔３２０は、例えば、孔径が０．１ｍｍであり、油噴射部３２に数百個が設けられている。各吐出孔３２０，３２０は油噴射部３２の凸面形状の中心から放射状に配置されており、最も外側の吐出孔は食用油ＣＯの噴射角度が、例えば、水平面に対して約４５°（ノズルの垂直方向に対しても約４５°）となるように配置されている。この場合、図５に示すように、天板１の表面からノズル３０の先端までの高さを「ｈ」とし、凹部１１の開口長さ（直径）を「ｒ」とすれば、高さｈは、凹部１１の直径ｒの半分になる。
［数１］
ｔａｎ４５°＝ｒ／２／ｈ
ｈ＝ｒ／２
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月19日(2014.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上にゲート電極と、
絶縁層を介して前記ゲート電極と重なる酸化物半導体層と、
ソース領域を介して前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極層と、
ドレイン領域を介して前記酸化物半導体層と電気的に接続されたドレイン電極層と、を有し、
前記酸化物半導体層は酸化シリコンを含み、
前記ソース領域は、縮退した酸化物半導体材料又は酸窒化物材料を含み、
前記ドレイン領域は、縮退した酸化物半導体材料又は酸窒化物材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記縮退した酸化物半導体材料は、透光性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記酸化物半導体層は、亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、酸化シリコンを２．５重量％以上２０重量％以下含む酸化物半導体ターゲットを用いたスパッタ法で形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に、第１の酸化物半導体ターゲットを用いたスパッタ法で酸化シリコンを含む酸化物半導体層を成膜し、
前記酸化シリコンを含む酸化物半導体層上に、窒素を含む雰囲気下で第２の酸化物半導体ターゲットを用いたスパッタ法で酸窒化物層を形成し、
前記酸窒化物層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記第１の酸化物半導体ターゲットは、酸化シリコンを２．５重量％以上２０重量％以下含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面上に、第１の酸化物半導体ターゲットを用いたスパッタ法で酸化物半導体層を成膜し、
前記酸化シリコンを含む酸化物半導体層上に、窒素を含む雰囲気下で第２の酸化物半導体ターゲットを用いたスパッタ法で酸窒化物層を形成し、
前記酸窒化物層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸窒化物層、前記ソース電極層、及びドレイン電極層上に、絶縁層を形成し、
前記絶縁層上にゲート電極を形成し、
前記第１の酸化物半導体ターゲットは、酸化シリコンを２．５重量％以上２０重量％以下含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月2日(2013.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の画像形成装置は、調整動作時の速度を、第１の速度と、前記第１の速度よりも遅い第２の速度との間で切り替える切替手段と、前記第１の速度で実行可能な第１の調整動作と、前記第１の速度及び前記第２の速度のいずれでも実行可能な第２の調整動作とを実行する調整手段と、（１）前記第２の速度での動作中に前記第１の調整動作を実行する場合は、前記切替手段により前記第２の速度から前記第１の速度に切り替えて前記第１の調整動作を実行し、（２）前記第２の速度での動作中に前記第２の調整動作を実行する場合は、前記第２の速度のままで前記第２の調整動作を実行し、（３）前記第２の速度での動作中に前記第１の調整動作と前記第２の調整動作の両方を実行する場合は、前記切替手段により前記第２の速度を前記第１の速度に切り替えた後、前記第１の調整動作と前記第２の調整動作とを実行するように、前記調整手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
調整動作時の速度を、第１の速度と、前記第１の速度よりも遅い第２の速度との間で切り替える切替手段と、
前記第１の速度で実行可能な第１の調整動作と、前記第１の速度及び前記第２の速度のいずれでも実行可能な第２の調整動作とを実行する調整手段と、
（１）前記第２の速度での動作中に前記第１の調整動作を実行する場合は、前記切替手段により前記第２の速度から前記第１の速度に切り替えて前記第１の調整動作を実行し、
（２）前記第２の速度での動作中に前記第２の調整動作を実行する場合は、前記第２の速度のままで前記第２の調整動作を実行し、
（３）前記第２の速度での動作中に前記第１の調整動作と前記第２の調整動作の両方を実行する場合は、前記切替手段により前記第２の速度を前記第１の速度に切り替えた後、前記第１の調整動作と前記第２の調整動作とを実行するように、前記調整手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記画像形成装置の画像形成方式は、感光体に形成された静電潜像をトナーで現像し、該現像されたトナー像を転写体を介して用紙に転写することで画像形成を行う電子写真方式であり、
前記第１の調整動作は、前記トナー像が前記転写体を介して用紙に転写される際のずれを補正する画像レジストレーション調整動作であり、
前記第２の調整動作は、前記現像に用いるトナーの濃度を調整するトナー濃度調整動作であることを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記画像形成装置の画像形成方式は、感光体に形成された静電潜像をトナーで現像し、該現像されたトナー像を転写体を介して用紙に転写することで画像形成を行う電子写真方式であり、
前記第１の調整動作は、前記トナー像が前記転写体を介して用紙に転写される際のずれを補正する画像レジストレーション調整動作であり、
前記第２の調整動作は、前記感光体に形成された前記トナー像を前記転写体を介して用紙に転写する際の転写電圧を調整する転写電圧調整動作であることを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記第２の調整動作の実行に要する時間は、前記第１の調整動作の実行に要する時間よりも短時間であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記第２の速度での動作中における、前記第１の調整動作の実行タイミングと前記第２の調整動作の実行タイミングとの間にずれがあっても、当該ずれが所定範囲内である場合は、前記切替手段により前記第２の速度を前記第１の速度に切り替えた後、前記第１の調整動作と前記第２の調整動作とを実行することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月27日(2014.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から出射された光束を測定光束と参照光束に分割し、測定光束を被検物に導き，参照光束を参照光学系に導いた後、被検物で反射した測定光束と参照光束が合成された光を受光する干渉光学系と、
前記測定光束の光路中に配置され，被検物上でＸ−Ｙ方向に前記測定光束を走査させるために前記測定光束の進行方向を変える光スキャナと、
前記合成された光のスペクトルを検出する検出ユニットと、を備え、各走査位置に関し，前記スペクトルに含まれる干渉信号を深さプロファイルに変換処理して被検物の断層画像を得る光断層像撮影装置において、
被検物上で測定光がＸ−Ｙ方向に二次元走査されたときの各走査位置に関し，前記スペクトルに含まれる前記干渉信号におけるゼロクロス点の数を検出し、その検出結果に基づいて被検物のＸ―Ｙ方向に関する二次元画像を得る画像処理手段を備えることを特徴とする光断層像撮影装置。
【請求項２】
請求項１の光断層像撮影装置において、
前記画像処理手段は、前記干渉信号の実信号をヒルベルト変換することによって前記干渉信号の実信号と虚信号を合わせた解析信号を取得し、前記解析信号に基づいて干渉光の波長毎の位相を示す位相信号を取得し、該位相信号に基づいてゼロクロス点の数を検出することを特徴とする光断層像撮影装置。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれかの光断層像撮影装置において、
前記画像処理手段は、検出ユニットからの出力信号に基づいて深さ方向に関する断層像の取得位置を検出し、検出された位置情報に基づいて断層像の取得位置による正面像の輝度変化を補正する光断層像撮影装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかの光断層像撮影装置において、
前記画像処理手段は、前記スペクトルから抽出された干渉信号の周波数を変換し、変換された干渉信号におけるゼロクロス点の数を検出し、その検出結果に基づいて被検物のＸ―Ｙ方向に関する二次元画像を得る光断層像撮影装置。
【請求項５】
請求項４の光断層像撮影装置において、
前記画像処理手段は、前記スペクトルから抽出された干渉信号に対して周波数が増加する側に前記干渉信号の周波数を変換する光断層像撮影装置。
【請求項６】
光源から出射された光束を測定光束と参照光束に分割し、測定光束を被検物に導き，参照光束を参照光学系に導いた後、被検物で反射した測定光束と参照光束が合成された光を受光する干渉光学系と、
前記測定光束の光路中に配置され，被検物上でＸ−Ｙ方向に前記測定光束を走査させるために前記測定光束の進行方向を変える光スキャナと、
前記合成された光のスペクトルを検出する検出ユニットと、を備え、各走査位置に関し，前記スペクトルに含まれる干渉信号を深さプロファイルに変換処理して被検物の断層画像を得る光断層像撮影装置において、
被検物上で測定光がＸ−Ｙ方向に二次元走査されたときの各走査位置に関し，前記スペクトルに含まれる前記干渉信号における位相の進み具合を検出し、その検出結果に基づいて被検物のＸ―Ｙ方向に関する二次元画像を得る画像処理手段を備えることを特徴とする光断層像撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（１）  
光源から出射された光束を測定光束と参照光束に分割し、測定光束を被検物に導き，参照光束を参照光学系に導いた後、被検物で反射した測定光束と参照光束が合成された光を受光する干渉光学系と、
前記測定光束の光路中に配置され，被検物上でＸ−Ｙ方向に前記測定光束を走査させるために前記測定光束の進行方向を変える光スキャナと、
前記合成された光のスペクトルを検出する検出ユニットと、を備え、各走査位置に関し，前記スペクトルに含まれる干渉信号を深さプロファイルに変換処理して被検物の断層画像を得る光断層像撮影装置において、
被検物上で測定光がＸ−Ｙ方向に二次元走査されたときの各走査位置に関し，前記スペクトルに含まれる前記干渉信号におけるゼロクロス点の数を検出し、その検出結果に基づいて被検物のＸ―Ｙ方向に関する二次元画像を得る画像処理手段を備えることを特徴とする。
（２）  
光源から出射された光束を測定光束と参照光束に分割し、測定光束を被検物に導き，参照光束を参照光学系に導いた後、被検物で反射した測定光束と参照光束が合成された光を受光する干渉光学系と、
前記測定光束の光路中に配置され，被検物上でＸ−Ｙ方向に前記測定光束を走査させるために前記測定光束の進行方向を変える光スキャナと、
前記合成された光のスペクトルを検出する検出ユニットと、を備え、各走査位置に関し，前記スペクトルに含まれる干渉信号を深さプロファイルに変換処理して被検物の断層画像を得る光断層像撮影装置において、
被検物上で測定光がＸ−Ｙ方向に二次元走査されたときの各走査位置に関し，前記スペクトルに含まれる前記干渉信号における位相の進み具合を検出し、その検出結果に基づいて被検物のＸ―Ｙ方向に関する二次元画像を得る画像処理手段を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月20日(2014.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置され該基板から離れるに従って屈折率が低くなる第１の層と、該第１の層の上に配置され屈折率が一様な第２の層と、を有し、
前記第２の層の屈折率をｎａ、前記第１の層の前記第２の層側の有効屈折率をｎｂ、とするとき、
ｎｂ−ｎａ＞０．１０
なる条件を満足することを特徴とする反射防止構造。
【請求項２】
１．１０＜ｎａ＜１．３５
なる条件を満足することを特徴とする請求項１に記載の反射防止構造。
【請求項３】
前記基板の屈折率をｎｓ、前記第１の層の前記基板側の有効屈折率をｎｃ、とするとき、
｜ｎｓ−ｎｃ｜＜０．１０
なる条件を満足することを特徴とする請求項１又は２に記載の反射防止構造。
【請求項４】
前記基板と前記第１の層との間に配置され屈折率が一様な第３の層を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の反射防止構造。
【請求項５】
前記第１の層は、入射光の波長以下の微細な凹凸形状から成るベース層と、該ベース層よりも低い屈折率を有し前記ベース層に充填される第１の媒質と、を含み、前記第１の層における前記第１の媒質の充填率は、前記基板から離れるに従って高くなることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の反射防止構造。
【請求項６】
前記ベース層は、前記基板と同じ媒質であることを特徴とする請求項５に記載の反射防止構造。
【請求項７】
前記第１の媒質は、前記第２の層と同じ媒質であることを特徴とする請求項５又は６に記載の反射防止構造。
【請求項８】
前記第２の層は、多孔質層であることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の反射防止構造。
【請求項９】
前記第２の層は、シリカもしくはフッ化マグネシウムを含むことを特徴とする請求項８に記載の反射防止構造。
【請求項１０】
前記第２の層は、メソポーラス層であることを特徴とする請求項８に記載の反射防止構造。
【請求項１１】
前記第２の層の厚さをＤａ、λｏ＝５５０ｎｍ、とするとき、
０．１＜ｎａ・Ｄａ／λｏ＜０．５
なる条件を満足することを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の反射防止構造。
【請求項１２】
ｎｂ−ｎａ＞０．１７
なる条件を満足することを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の反射防止構造。
【請求項１３】
前記第１の層と前記第２の層との間に界面を有することを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の反射防止構造。
【請求項１４】
前記界面での反射光と、前記第２の層と空気との界面での反射光と、が互いに干渉して打ち消し合うことを特徴とする請求項１３に記載の反射防止構造。
【請求項１５】
前記基板と請求項１から１４のいずれか一項に記載の反射防止構造とを有することを特徴とする光学素子。
【請求項１６】
請求項１５に記載の光学素子と撮像素子とを備えることを特徴とする光学機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一側面としての反射防止構造は、基板上に配置され該基板から離れるに従って屈折率が低くなる第１の層と、該第１の層の上に配置され屈折率が一様な第２の層と、を有し、
前記第２の層の屈折率をｎａ、前記第１の層の前記第２の層側の有効屈折率をｎｂ、とするとき、
ｎｂ−ｎａ＞０．１０
なる条件を満足することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月27日(2014.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
壁面材が上下に積み重ねられて成る擁壁と、
前記擁壁の後方に形成される盛土と、
前記擁壁に結合され前記盛土中を後方に延びるチェーンとを備え、
前記壁面材が、上下に開口するセルに仕切られた枠体内に充填材が充填されて成る
ことを特徴とする補強土壁構造。
【請求項２】
前記枠体が、前記擁壁の幅方向に延び平面視で波状曲線の帯片を複数備え、
一対の前記帯片により前記セルが区画される
ことを特徴とする請求項１に記載の補強土壁構造。
【請求項３】
前記枠体に設けられた係止部材に前記チェーンが係止されている
ことを特徴とする請求項２に記載の補強土壁構造。
【請求項４】
前記充填材に打設されたアンカー部材に前記チェーンが繋ぎ止められている
ことを特徴とする請求項２に記載の補強土壁構造。
【請求項５】
前記係止部材が、上下に隣接する二段の前記壁面材同士の相対的な位置を規定する
ことを特徴とする請求項３に記載の補強土壁構造。
【請求項６】
一本の前記チェーンに、上下に隣接する二段の前記壁面材が結合されている
ことを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載の補強土壁構造。
【請求項７】
上段の前記壁面材が下段の前記壁面材より後退して積み重ねられて、前記擁壁が形成される
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の補強土壁構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項７に記載の発明は、上段の前記壁面材が下段の前記壁面材より後退して積み重ねられて、前記擁壁が形成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の補強土壁構造である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
請求項７に記載の発明によれば、傾斜した法面を有する擁壁を設けることができ、さらに後退した壁面材から露出する充填材の上面部分の緑化が可能な、補強土壁構造を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月17日(2014.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
さらに、本実施形態においては、ゴデットローラ２１〜２４の軸芯２１ａ〜２４ａは、ボビンホルダ７の軸芯７ａに対して平行であったが、作業空間３０にいる作業者から見て、ゴデットローラ２１〜２４の端面２１ｂ〜２４ｂが対向可能であれば、平行ではなく多少傾いていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月23日(2014.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルプを主原料とした３層以上の多層構造で、表層と裏層との間に形成された少なくとも１つの内層に再生パルプを含有する多層紙の製造方法であって、次の（１）及び（２）の工程を含む製造方法。
（１）各層の繊維配向比がマシン全幅にわたり１．５０±０．２０の範囲内となるように、各層を抄造する。
（２）各層を抄き合せしたときの、各層のＣＤ方向の水中伸度のバラツキが、各層のＣＤ方向の水中伸度の平均値に対しそれぞれ９．０％以下とする。
【請求項２】
パルプを主原料とした３層以上の多層構造で、表層と裏層との間に形成された少なくとも１つの内層に再生パルプを含有する多層紙であって、全ての層の繊維配向比がマシン全幅にわたり１．５０±０．２０の範囲内であり、各層のＣＤ方向の水中伸度のバラツキが、各層のＣＤ方向の水中伸度の平均値に対しそれぞれ９．０％以下である、多層紙。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月6日(2014.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
（実施例１）
叩解してフリーネスを６００ｍｌに調整した市販のＮＢＫＰ６０質量％と、ダイワボウポリテック（株）製のＮＢＦ（ＭＷＰ）２５質量％と、レオニア社製のポロサニアＪ１５質量％とを配合した原料スラリーに、湿潤紙力剤（（星光ＰＭＣ（株）製、品名：ＷＳ４０２４）を繊維材固形分に対し固形分で１．５質量％添加し、円網抄紙機きにて抄紙し、坪量２０ｇ／ｍ２の繊維材層を作製した。得られた繊維材層と市販のＯＰフィルム（フタムラ化学（株）製、品名：ＦＯＨ、厚さ３０μ）をドライラミネートにて貼合し、転写型食品用包材を作製した。得られた転写型食品用包材について、上記評価を行った。結果を表１および表２に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月10日(2014.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
一方で、ニトロソ化工程終了後、ワンポット（一気に）で、後述の還元工程に移行する条件の下で、化学式４で示される酸化発色化合物またはその塩の製造を試みると、中間体であるニトロソ体（化学式３で示される化合物またはその塩）の単離をすることが非常に困難なのである。つまりは、中間体であるニトロソ体（化学式３で示される化合物またはその塩）中に存在する副生成物の分離除去を行うことが困難なのである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５４】
ｃ．触媒除去工程
上記触媒含有反応物洗浄工程終了後、触媒を除去することが好ましい。触媒を除去するために、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液に目的物を溶解し、溶け残った触媒は、濾過によって除去される。濾過は、常圧、減圧いずれでもよく、濾材としては通常の濾紙を用いてもよいが、メンブランフィルターやセライトを使用することによってさらに触媒の残留量を減少させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５５】
ｄ．酸析工程
上記触媒除去工程終了後、さらに不純物を除去するために、目的物を含有する炭酸水素ナトリウム水溶液に酸またはその水溶液を添加して酸析することが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５８】
ｅ．再溶解工程
上記酸析工程終了後、水溶性とするために、炭酸水素ナトリウム水溶液に再
溶解して、ナトリウム塩にもどすことが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５９】
ｆ．抽出工程
上記再溶解工程を経た後、得られた混合物から、さらに残留する無機塩を除くため、抽出工程を経ることが好ましい。かような抽出工程を経ることにより、より高純度かつ高収率で、化学式４で示される酸化発色化合物またはその塩を得ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７１】
［試薬組成物］
化学式４で示される酸化発色化合物またはその塩は、血液や尿をはじめとする体液中の生体成分の測定法の一つである、酵素を用いた比色分析法に好適に使用される。特に２分子で機能する酸化型発色試薬のうちのカプラーとして用いられうる。すなわち、化学式４で示される酸化発色化合物またはその塩は、例えば、前記背景技術の項で記載したトリンダー試薬と共に用いられ、被測定物質の酵素的酸化で生じる過酸化水素をさらにペルオキシダーゼで酸化して生成した活性酸素によって、２分子が酸化縮合することによって呈色する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８１】
化学式４で示される酸化発色化合物またはその塩は、血液や尿をはじめとする体液中の生体成分の測定法の一種である、酵素を用いた比色分析法に好適に使用されるカプラーとして用いられうる。すなわち、化学式４で示される酸化発色化合物またはその塩は、前記トリンダー試薬と共に用いられ、測定対象物の酵素的酸化で生じる過酸化水素を、さらにペルオキシダーゼ酸化して生成した活性酸素によって、化学式４で示される酸化発色化合物またはその塩を含むカプラーと、トリンダー試薬と、が酸化縮合することによって呈色する。そのため化学式４で示される酸化発色化合物またはその塩は、上記の通り、その化合物自体に特徴を有するものであるが、カプラーとして使用することが特に好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月15日(2014.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるビイミダゾール化合物からなることを特徴とするフォトクロミック材料。
【化１】
2012214673.tif 000001
（式中、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立してハロゲン原子又はアルキル基を示し、Ｒ１〜Ｒ３及びＲ６〜Ｒ８はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、フルオロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルキルカルボニル基、ニトロ基、シアノ基又はアリール基を示す。Ａｒ１〜Ａｒ４はそれぞれ独立して置換又は無置換のアリール基を示す。Ｒ４は、Ｒ３と共に、縮合した置換又は無置換のアリール環を形成してもよく、Ｒ５は、Ｒ６と共に、縮合した置換又は無置換のアリール環を形成してもよい。）
【請求項２】
前記一般式（１）中、Ｒ４及びＲ５がメチル基である請求項１に記載のフォトクロミック材料であって、下記一般式（２）で表されることを特徴とするフォトクロミック材料。
【化２】
2012214673.tif 000002
（式中Ｒ１〜Ｒ３及びＲ６〜Ｒ８はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、フルオロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルキルカルボニル基、ニトロ基、シアノ基又はアリール基を示す。Ａｒ１〜Ａｒ４はそれぞれ独立して置換又は無置換のアリール基を示す。）
【請求項３】
前記一般式（１）中、Ｒ４は、Ｒ３と共に、縮合した置換又は無置換のベンゼン環を形成し、Ｒ５は、Ｒ６と共に、縮合した置換又は無置換のベンゼン環を形成する請求項１に記載のフォトクロミック材料であって、下記一般式（３）で表されることを特徴とするフォトクロミック材料。
【化３】
2012214673.tif 000003
（式中Ｒ１〜Ｒ２及びＲ７〜Ｒ１４はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、フルオロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルキルカルボニル基、ニトロ基、シアノ基又はアリール基を示す。Ａｒ１〜Ａｒ４はそれぞれ独立して置換又は無置換のアリール基を示す。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究を重ねた結果、全く新しいフォトクロミック分子を見出した。具体的には、本発明者らは、ビイミダゾールを基本骨格とし、一般式（１）のＲ４およびＲ５に嵩高い置換基を導入することでフォトクロミズムを示す新しい化合物を見出した。
【化１】
2012214673.tif 000004
（式中、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立してハロゲン原子又はアルキル基を示し、Ｒ１〜Ｒ３及びＲ６〜Ｒ８はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、フルオロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルキルカルボニル基、ニトロ基、シアノ基又はアリール基を示す。Ａｒ１〜Ａｒ４はそれぞれ独立して置換又は無置換のアリール基を示す。Ｒ４は、Ｒ３と共に、縮合した置換又は無置換のアリール環を形成してもよく、Ｒ５は、Ｒ６と共に、縮合した置換又は無置換のアリール環を形成してもよい。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
一般式（１）において、Ｒ４は、Ｒ３と共に、縮合した置換又は無置換のアリール環を形成し、且つ、Ｒ５は、Ｒ６と共に、縮合した置換又は無置換のアリール環を形成するものであってもよい。ここで、アリール環がベンゼン環であることが好ましい。この場合のフォトクロミック材料は、下記一般式（３）で表される。下記一般式（３）で表されるフォトクロミック材料は通常、遮光状態にすることで異性体(Ｉ)になり得るが、図２に示される異性体（ＩＩ）にはならない。
【化３】
2012214673.tif 000005
（式中Ｒ１〜Ｒ２及びＲ７〜Ｒ１４はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、フルオロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルキルカルボニル基、ニトロ基、シアノ基又はアリール基を示す。Ａｒ１〜Ａｒ４はそれぞれ独立して置換又は無置換のアリール基を示す。）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【化４】
2012214673.tif 000006
（式中Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立してハロゲン原子又はアルキル基を示し、Ｒ１〜Ｒ３及びＲ６〜Ｒ８はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、フルオロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルキルカルボニル基、ニトロ基、シアノ基又はアリール基を示す。Ａｒ１〜Ａｒ４はそれぞれ独立して置換又は無置換のアリール基を示す。Ｒ４は、Ｒ３と共に、縮合した置換又は無置換のアリール環を形成してもよく、Ｒ５は、Ｒ６と共に、縮合した置換又は無置換のアリール環を形成してもよい。）
【化５】
2012214673.tif 000007
（式中Ａｒ１、Ａｒ２はそれぞれ独立して置換又は無置換のアリール基を示す。）
【化６】
2012214673.tif 000008
（式中Ａｒ３、Ａｒ４はそれぞれ独立して置換又は無置換のアリール基を示す。）
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月15日(2014.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるビイミダゾール化合物からなることを特徴とするフォトクロミック材料。
【化１】
2012214622.tif 000001
（式中、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立してアルキル基又は置換基を有したアルキル基を示し、Ｒ１〜Ｒ３及びＲ６〜Ｒ８はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、フルオロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルキルカルボニル基、ニトロ基、シアノ基又はアリール基を示す。Ａｒ１〜Ａｒ４はそれぞれ独立して置換又は無置換のアリール基を示す。）
【請求項２】
前記一般式（１）中、Ｒ４及びＲ５がメチル基である請求項１に記載のフォトクロミック材料であって、下記一般式（２）で表されることを特徴とするフォトクロミック材料。
【化２】
2012214622.tif 000002
（式中Ｒ１〜Ｒ３及びＲ６〜Ｒ８はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、フルオロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルキルカルボニル基、ニトロ基、シアノ基又はアリール基を示す。Ａｒ１〜Ａｒ４はそれぞれ独立して置換又は無置換のアリール基を示す。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究を重ねた結果、全く新しいフォトクロミック分子を見出した。具体的には、本発明者らは、ビイミダゾールを基本骨格とし、下記一般式（１）のＲ４およびＲ５に嵩高い置換基を導入することでフォトクロミズムを示す新しい化合物を見出した。この分子は安定状態で淡黄色であり、光を照射することで無色の構造へと異性化し、さらに遮光下に置いておくと赤色の着色体に異性化した後にもとの淡黄色へと異性化するフォトクロミック特性を示した。
【化１】
2012214622.tif 000003
（式中Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立してアルキル基又は置換基を有したアルキル基を示し、Ｒ１〜Ｒ３及びＲ６〜Ｒ８はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、フルオロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルキルカルボニル基、ニトロ基、シアノ基又はアリール基を示す。Ａｒ１〜Ａｒ４はそれぞれ独立して置換又は無置換のアリール基を示す。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【化３】
2012214622.tif 000004
（式中Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立してアルキル基又は置換基を有したアルキル基を示し、Ｒ１〜Ｒ３及びＲ６〜Ｒ８はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、フルオロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルキルカルボニル基、ニトロ基、シアノ基又はアリール基を示す。Ａｒ１〜Ａｒ４はそれぞれ独立して置換又は無置換のアリール基を示す。）
【化４】
2012214622.tif 000005
（式中Ａｒ１、Ａｒ２はそれぞれ独立して置換又は無置換のアリール基を示す。）
【化５】
2012214622.tif 000006
（式中Ａｒ３、Ａｒ４はそれぞれ独立して置換又は無置換のアリール基を示す。）
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月17日(2014.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される部位を有するジヒドロキシ化合物に由来する構造単位を有するポリカーボネート樹脂と、コア・シェル構造からなるエラストマーとを含むポリカーボネート樹脂組成物であって、前記ポリカーボネート樹脂のガラス転移温度が１４５℃未満であり、前記エラストマーのコア層がブタジエン−スチレン共重合体からなる、ポリカーボネート樹脂組成物。
【化１】
2012214693.tif 000001
［ただし、上記式（１）で表される部位が−ＣＨ２−Ｏ−Ｈを構成する部位である場合を除く。］
【請求項２】
ポリカーボネート樹脂組成物を厚さ３ｍｍの成形体に成形したときの全光線透過率が６０％未満である、請求項１に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項３】
前記ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して前記エラストマーを０．０５〜５０重量部含む、請求項１又は２に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項４】
前記ポリカーボネート樹脂が環状構造を有するジヒドロキシ化合物に由来する構造単位を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項５】
前記ポリカーボネート樹脂が下記式（２）で表されるジヒドロキシ化合物に由来する構造単位を含む、請求項４に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
【化２】
2012214693.tif 000002
【請求項６】
前記エラストマーのシェル層が（メタ）アクリル酸アルキルよりなる、請求項１〜５のいずれか１項に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項７】
前記ポリカーボネート樹脂が脂肪族ジヒドロキシ化合物に由来する構造単位を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項８】
前記ポリカーボネート樹脂が、全ジヒドロキシ化合物に由来する構造単位に対して前記脂肪族ジヒドロキシ化合物に由来する構造単位を２０ｍｏｌ％以上含む、請求項７に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項９】
前記ポリカーボネート樹脂が、５員環構造を有するジヒドロキシ化合物及び６員環構造を有するジヒドロキシ化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種のジヒドロキシ化合物に由来する構造単位を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項１０】
前記ポリカーボネート樹脂が、シクロヘキサンジメタノール類とトリシクロデカンジメタノール類とからなる群より選ばれる少なくとも１種のジヒドロキシ化合物に由来する構造単位を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載のポリカーボネート樹脂組成物を成形して得られる、ポリカーボネート樹脂成形品。
【請求項１２】
前記ポリカーボネート樹脂組成物を射出成形して得られる、請求項１１に記載のポリカーボネート樹脂成形品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
［１］  下記式（１）で表される部位を有するジヒドロキシ化合物に由来する構造単位を有するポリカーボネート樹脂と、コア・シェル構造からなるエラストマーとを含むポリカーボネート樹脂組成物であって、前記ポリカーボネート樹脂のガラス転移温度が１４５℃未満であり、前記エラストマーのコア層がブタジエン−スチレン共重合体からなる、ポリカーボネート樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月26日(2014.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顔料分散体とワニス組成物とを混合することにより得られる印刷インキ組成物。
ただし、下記（１）〜（４）を特徴とする。
（１）印刷インキ組成物全量中、顔料分散体が２５〜７０重量％、ワニス組成物が３０〜７５重量％である。
（２）顔料分散体は、顔料、酸価１５０〜２２０であるアルカリ可溶型スチレン‐アクリル樹脂（Ａ）、ノニオン性活性剤、水および溶剤からなる。
（３）ワニス組成物は、酸価１４０〜３３０であるアルカリ可溶型スチレン−アクリル樹脂（Ｂ）、酸価１０〜１２０であるスチレン−アクリルエマルジョン（Ｃ）、水および溶剤からなる。
（４）ワニス組成物全量中、樹脂（Ｂ）の固形分が１〜４５重量％、エマルジョン（Ｃ）の固形分が１〜４５重量％である。
【請求項２】
請求項１に記載のワニス組成物が、さらに、酸価２００〜２５０であるスチレンーアクリル酸―マレイン酸エマルジョン（Ｄ）を含むことを特徴とする請求項１記載の印刷インキ組成物。
【請求項３】
顔料分散体の表面張力とワニス組成物の表面張力との差の絶対値が、１０ｍＮ／ｍ（２５℃）以下であることを特徴とする請求項１または２記載の印刷インキ組成物。
【請求項４】
顔料分散体とワニス組成物を印刷インキの調色充填装置を用いて混合してなることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の印刷インキ組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
すなわち、本発明は、顔料分散体とワニス組成物とを混合することにより得られる印刷インキ組成物に関する。
ただし、下記（１）〜（４）を特徴とする。
（１）印刷インキ組成物全量中、顔料分散体が２５〜７０重量％、ワニス組成物が３０〜７５重量％である。
（２）顔料分散体は、顔料、酸価１５０〜２２０であるアルカリ可溶型スチレン‐アクリル樹脂（Ａ）、ノニオン性活性剤、水および溶剤からなる。
（３）ワニス組成物は、酸価１４０〜３３０であるアルカリ可溶型スチレン−アクリル樹脂（Ｂ）、酸価１０〜１２０であるスチレン−アクリルエマルジョン（Ｃ）、水および溶剤からなる。
（４）ワニス組成物全固形文中、樹脂（Ｂ）が１〜４５重量％、エマルジョン（Ｃ）が１〜４５重量％である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
さらに、請求項１に記載のワニス組成物が、酸価２００〜２５０であるスチレンーアクリル酸―マレイン酸エマルジョン（Ｄ）を含むことを特徴とする上記印刷インキ組成物に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
さらに、本発明は、顔料分散体の表面張力とワニス組成物の表面張力との差の絶対値が、１０ｍＮ／ｍ（２５℃）以下であることを特徴とする上記印刷インキ組成物に関する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに、本発明は、顔料分散体とワニス組成物を印刷インキの調色充填装置を用いて混合してなることを特徴とする上記印刷インキ組成物に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月4日(2013.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記延出部が、前記成形体本体の下端部に移行するに連れて、幅方向端部から幅方向中央側に漸次接近するように延出していることを特徴とする請求項１に記載の薄板ガラス製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記延出部が、耐熱性及び耐食性を有する金属、これらの合金、又はこれらの複合材料で形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の薄板ガラス製造装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記延出部の幅方向の最大延出量が、１０〜２００ｍｍであることを特徴とする請求項
１〜６のいずれか１項に記載の薄板ガラス製造装置。