【手続補正書】
【提出日】平成25年11月22日(2013.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部が配された画素領域とｎ型ＭＯＳトランジスタおよびｐ型ＭＯＳトランジスタが配された周辺回路領域とを有する光電変換装置の製造方法であって、
前記画素領域に位置する半導体領域と、前記周辺回路領域に位置する金属を含む部材と、が絶縁層で覆われた基板を用意する工程と、
前記半導体領域を露出するように前記絶縁層に第１のコンタクトホールを形成する第１のコンタクトホール形成工程と、
前記第１のコンタクトホール内に前記半導体領域に接するコンタクトプラグを形成する第１のコンタクトプラグ形成工程と、
前記部材を露出するように前記絶縁層に第２のコンタクトホールを形成する第２のコンタクトホール形成工程と、
前記第２のコンタクトホール内に前記部材に接するコンタクトプラグを形成する第２のコンタクトプラグ形成工程と、を有し、
前記第１のコンタクトプラグ形成工程の後に前記第２のコンタクトホール形成工程を行うこと、又は、前記第２のコンタクトプラグ形成工程の後に前記第１のコンタクトホール形成工程を行うことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
光電変換部が配された画素領域と周辺回路領域とを有する光電変換装置の製造方法であって、
前記画素領域に位置する増幅用のトランジスタの半導体領域と、前記画素領域および前記周辺回路領域の少なくとも一方に位置する金属を含む部材と、が絶縁層で覆われた基板を用意する工程と、
前記半導体領域を露出するように前記絶縁層に第１のコンタクトホールを形成する第１のコンタクトホール形成工程と、
前記部材を露出するように前記絶縁層に第２のコンタクトホールを形成する第２のコンタクトホール形成工程と、を有し、
前記第１のコンタクトホール形成工程の後に前記第１のコンタクトホールが塞がれた状態で前記第２のコンタクトホール形成工程を行うこと、又は、前記第２のコンタクトホール形成工程の後に前記第２のコンタクトホールが塞がれた状態で前記第１のコンタクトホール形成工程を行うことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１のコンタクトホールを介して前記半導体領域に不純物を注入することを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
光電変換部が配された画素領域と周辺回路領域とを有する光電変換装置の製造方法であって、
前記画素領域に位置する半導体領域と、前記画素領域および前記周辺回路領域の少なくとも一方に位置する金属を含む部材と、が絶縁層で覆われた基板を用意する工程と、
前記半導体領域を露出するように前記絶縁層に第１のコンタクトホールを形成する第１のコンタクトホール形成工程と、
前記第１のコンタクトホールを介して前記半導体領域に不純物を注入する工程と、
前記部材を露出するように前記絶縁層に第２のコンタクトホールを形成する第２のコンタクトホール形成工程と、を有し、
前記第１のコンタクトホール形成工程の後に前記第１のコンタクトホールが塞がれた状態で前記第２のコンタクトホール形成工程を行うこと、又は、前記第２のコンタクトホール形成工程の後に前記第２のコンタクトホールが塞がれた状態で前記第１のコンタクトホール形成工程を行うことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項５】
前記注入の後に前記第１のコンタクトホール内を洗浄することを特徴とする請求項３または４に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項６】
光電変換部が配された画素領域と周辺回路領域とを有する光電変換装置の製造方法であって、
前記画素領域に位置する半導体領域と、前記画素領域および前記周辺回路領域の少なくとも一方に位置する金属を含む部材と、が絶縁層で覆われた基板を用意する工程と、
前記半導体領域を露出するように前記絶縁層に第１のコンタクトホールを形成する第１のコンタクトホール形成工程と、
前記第１のコンタクトホール内を洗浄する工程と、
前記部材を露出するように前記絶縁層に第２のコンタクトホールを形成する第２のコンタクトホール形成工程と、を有し、
前記第１のコンタクトホール形成工程の後に前記第１のコンタクトホールが塞がれた状態で前記第２のコンタクトホール形成工程を行うこと、又は、前記第２のコンタクトホール形成工程の後に前記第２のコンタクトホールが塞がれた状態で前記第１のコンタクトホール形成工程を行うことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項７】
前記洗浄を酸性あるいはアルカリ性の溶液で行うことを特徴とする請求項５または６に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項８】
前記洗浄をフッ酸で行うことを特徴とする請求項５、６または７に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１のコンタクトホール形成工程の後に前記第１のコンタクトホールがフォトレジストで塞がれた状態で前記第２のコンタクトホール形成工程を行うこと、又は、前記第２のコンタクトホール形成工程の後に前記第２のコンタクトホールがフォトレジストで塞がれた状態で前記第１のコンタクトホール形成工程を行うことを特徴とする請求項２、４または６に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１のコンタクトホール形成工程の後に前記第２のコンタクトホール形成工程を行うことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１１】
前記部材は前記金属を前記金属のシリサイドとして含むことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１２】
前記部材は前記周辺回路領域に配されたＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域およびゲート電極の少なくとも一方の上に位置するシリサイド層であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１３】
前記半導体領域は前記画素領域のウェルの電位を供給するためのウェルコンタクト領域であることを特徴とする請求項１、４または６に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１４】
前記画素領域には、前記光電変換部で変換された電荷を保持する電荷保持部が配されており、前記部材は、前記光電変換部を開口し、前記電荷保持部を覆う遮光膜であることを特徴とする請求項２、４または６に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１５】
前記部材は前記画素領域に配されたＭＯＳトランジスタのゲート電極の上に位置するシリサイド層であり、前記半導体領域は前記画素領域に配されたＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域であることを特徴とする請求項２、４または６に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１６】
前記用意する工程では、
前記絶縁層と前記半導体領域との間、および、前記絶縁層と前記周辺回路領域に配された抵抗素子との間には絶縁膜が位置しており、前記絶縁層と前記部材との間に前記絶縁膜が位置しないことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１７】
前記用意する工程では、前記絶縁層を形成する前に、前記基板の上に形成された絶縁膜の前記半導体領域を覆う部分および前記周辺回路領域に配された抵抗素子を覆う部分を残しつつ、前記絶縁膜の前記周辺回路領域に位置する部分をエッチングして前記絶縁膜から前記周辺回路領域に配されたＭＯＳトランジスタのサイドスペーサを形成し、
前記絶縁膜を覆うように前記基板の上に形成された前記金属を含む金属膜と前記ＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域とを反応させることで前記部材を形成することを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１８】
前記用意する工程では、前記絶縁層を形成する前に、
前記基板の上に形成された第１絶縁膜の前記光電変換部を覆う部分を残しつつ、前記第１絶縁膜の前記周辺回路領域に位置する部分をエッチングして前記第１絶縁膜から前記周辺回路領域に配されたＭＯＳトランジスタのサイドスペーサを形成し、
前記基板の上に形成された第２絶縁膜の前記半導体領域を覆う部分を残しつつ、前記第２絶縁膜の前記ＭＯＳトランジスタを覆う部分を除去し、
前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜を覆う様に前記基板の上に形成された前記金属を含む金属膜と前記ＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域とを反応させることで前記部材を形成することを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１９】
前記用意する工程では、前記絶縁層を形成する前に、前記基板の上に形成された絶縁膜の前記画素領域に位置する部分を前記画素領域に配された増幅用のトランジスタの上に残しつつ、前記絶縁膜の前記周辺回路領域に位置する部分をエッチングして前記絶縁膜から前記周辺回路領域に配されたＭＯＳトランジスタのサイドスペーサを形成し、
前記第１のコンタクトホール形成工程では、前記増幅用のトランジスタの半導体領域を露出するコンタクトホールを、前記絶縁層および前記絶縁膜に形成することを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項２０】
複数のＭＯＳトランジスタを有する装置の製造方法であって、
ソース・ドレイン領域の上にシリサイド層を有しない第１のＭＯＳトランジスタと、ソース・ドレイン領域およびゲート電極の少なくとも一方の上にシリサイド層を有する第２のＭＯＳトランジスタと、が絶縁層で覆われた基板を用意する工程と、
前記第１のＭＯＳトランジスタの前記ソース・ドレイン領域を露出するように前記絶縁層に第１のコンタクトホールを形成する第１のコンタクトホール形成工程と、
前記第１のコンタクトホールを介して前記ソース・ドレイン領域に不純物を注入した後に前記第１のコンタクトホール内を洗浄する工程と、
前記第２のＭＯＳトランジスタの前記シリサイド層を露出するように前記絶縁層に第２のコンタクトホールを形成する第２のコンタクトホール形成工程と、を有し、
前記第１のコンタクトホール形成工程の後に前記第１のコンタクトホールが塞がれた状態で前記第２のコンタクトホール形成工程を行うこと、又は、前記第２のコンタクトホール形成工程の後に前記第２のコンタクトホールが塞がれた状態で前記第１のコンタクトホール形成工程を行うことを特徴とする装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決するための第１の手段は、光電変換部が配された画素領域とｎ型ＭＯＳトランジスタおよびｐ型ＭＯＳトランジスタが配された周辺回路領域とを有する光電変換装置の製造方法であって、前記画素領域に位置する半導体領域と、前記周辺回路領域に位置する金属を含む部材と、が絶縁層で覆われた基板を用意する工程と、前記半導体領域を露出するように前記絶縁層に第１のコンタクトホールを形成する第１のコンタクトホール形成工程と、前記第１のコンタクトホール内に前記半導体領域に接するコンタクトプラグを形成する第１のコンタクトプラグ形成工程と、前記部材を露出するように前記絶縁層に第２のコンタクトホールを形成する第２のコンタクトホール形成工程と、前記第２のコンタクトホール内に前記部材に接するコンタクトプラグを形成する第２のコンタクトプラグ形成工程と、を有し、前記第１のコンタクトプラグ形成工程の後に前記第２のコンタクトホール形成工程を行うこと、又は、前記第２のコンタクトプラグ形成工程の後に前記第１のコンタクトホール形成工程を行うことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記課題を解決するための第２の手段は、光電変換部が配された画素領域と周辺回路領域とを有する光電変換装置の製造方法であって、前記画素領域に位置する半導体領域と、前記画素領域および前記周辺回路領域の少なくとも一方に位置する金属を含む部材と、が絶縁層で覆われた基板を用意する工程と、前記半導体領域を露出するように前記絶縁層に第１のコンタクトホールを形成する第１のコンタクトホール形成工程と、前記部材を露出するように前記絶縁層に第２のコンタクトホールを形成する第２のコンタクトホール形成工程と、を有し、前記第１のコンタクトホール形成工程の後に前記第１のコンタクトホールが塞がれた状態で前記第２のコンタクトホール形成工程を行うこと、又は、前記第２のコンタクトホール形成工程の後に前記第２のコンタクトホールが塞がれた状態で前記第１のコンタクトホール形成工程を行うことを特徴とする。
上記第２の手段における第１の観点では、前記半導体領域が前記画素領域に位置する増幅用のトランジスタの半導体領域である。上記第２の手段における第２の観点では、前記第１のコンタクトホールを介して前記半導体領域に不純物を注入する工程を有する。上記第２の手段における第３の観点は、前記第１のコンタクトホール内を洗浄する工程を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記課題を解決するための第３の手段は、複数のＭＯＳトランジスタを有する装置の製造方法であって、ソース・ドレイン領域の上にシリサイド層を有しない第１のＭＯＳトランジスタと、ソース・ドレイン領域およびゲート電極の少なくとも一方の上にシリサイド層を有する第２のＭＯＳトランジスタと、が絶縁層で覆われた基板を用意する工程と、前記第１のＭＯＳトランジスタの前記ソース・ドレイン領域を露出するように前記絶縁層に第１のコンタクトホールを形成する第１のコンタクトホール形成工程と、前記第１のコンタクトホールを介して前記ソース・ドレイン領域に不純物を注入した後に前記第１のコンタクトホール内を洗浄する工程と、前記第２のＭＯＳトランジスタの前記シリサイド層を露出するように前記絶縁層に第２のコンタクトホールを形成する第２のコンタクトホール形成工程と、を有し、前記第１のコンタクトホール形成工程の後に前記第１のコンタクトホールが塞がれた状態で前記第２のコンタクトホール形成工程を行うこと、又は、前記第２のコンタクトホール形成工程の後に前記第２のコンタクトホールが塞がれた状態で前記第１のコンタクトホール形成工程を行うことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、コンタクトホール形成時に半導体領域が金属で汚染されることを低減することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【図１】第１の実施形態における光電変換装置の製造工程を説明するための断面図。
【図２】第１の実施形態における光電変換装置の製造工程を説明するための断面図。
【図３】第１の実施形態における光電変換装置の製造工程を説明するための断面図。
【図４】第２の実施形態における光電変換装置の製造工程を説明するための断面図。
【図５】第３及び第４の実施の形態における光電変換装置の単位画素の平面レイアウ    トの模式図。
【図６】第３及び第４の実施の形態における光電変換装置の断面図。
【図７】第３の実施形態における光電変換装置の製造方法を示す断面図。
【図８】第３の実施形態における光電変換装置の製造方法を示す断面図。
【図９】第４の実施形態における光電変換装置の製造方法を示す断面図。
【図１０】第５の実施形態における光電変換装置の製造方法を示す断面図。