Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月17日(2014.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物体の三次元画像を取得する三次元画像取得手段と、
前記対象物体の断層画像を取得する断層画像取得手段と、
前記三次元画像の注目領域の位置を取得する注目領域位置取得手段と、
前記三次元画像における前記断層画像の断面を算出する算出手段と、
前記三次元画像を前記断面で分割し、当該分割した２つの分割三次元画像のうち、一方の分割三次元画像の前記断面を第１の視点から見た第１のレンダリング画像を生成するとともに、他方の分割三次元画像の前記断面を前記第１の視点とは異なる第２の視点から見た第２のレンダリング画像を生成するレンダリング画像生成手段と、
前記注目領域の位置に応じて前記第１のレンダリング画像および前記第２のレンダリング画像のうちの少なくとも一方のレンダリング画像の前記断面の対応する位置に前記断層画像を重畳する重畳手段と
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記重畳手段は、前記第１のレンダリング画像に前記注目領域が描画されている場合であって、前記第１の視点から見た際に前記第１のレンダリング画像の前記断面の対応する位置に重畳する前記断層画像が前記注目領域を隠すことになる場合には、前記断層画像を重畳するレンダリング画像を前記第１のレンダリング画像から前記第２のレンダリング画像に切り替えることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記注目領域位置取得手段で取得された注目領域の位置が複数ある場合に、１つの注目領域の位置を指定する操作手段を更に有し、
前記重畳手段は、前記操作手段で指定された１つの注目領域の位置に応じて前記第１のレンダリング画像および前記第２のレンダリング画像のうちのいずれか一方のレンダリング画像の前記断面の対応する位置に前記断層画像を重畳することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記三次元画像の前記断面における断面画像を生成する断面画像生成手段を更に有し、
前記重畳手段は、前記第２のレンダリング画像に前記注目領域が描画されている場合には、前記第１のレンダリング画像の前記断面に前記断面画像を重畳するとともに、前記第２のレンダリング画像の前記断面の対応する位置に前記断層画像を重畳することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記第１の視点は、前記一方の分割三次元画像の前記断面を見せる位置に設定され、前記第２の視点は、前記他方の分割三次元画像の前記断面を見せる位置に設定されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記重畳手段は、前記第１のレンダリング画像に前記注目領域が描画されている場合であって、前記第１の視点から見た際に前記第１のレンダリング画像の前記断面の対応する位置に重畳する前記断層画像が前記注目領域を隠すことになる場合には、前記注目領域を描画するレンダリング画像を前記第１のレンダリング画像から前記第２のレンダリング画像に切り替えることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項７】
対象物体の三次元画像を取得する三次元画像取得ステップと、
前記対象物体の断層画像を取得する断層画像取得ステップと、
前記三次元画像の注目領域の位置を取得する注目領域位置取得ステップと、
前記三次元画像における前記断層画像の断面を算出する算出ステップと、
前記三次元画像を前記断面で分割し、当該分割した２つの分割三次元画像のうち、一方の分割三次元画像の前記断面を第１の視点から見た第１のレンダリング画像を生成するとともに、他方の分割三次元画像の前記断面を前記第１の視点とは異なる第２の視点から見た第２のレンダリング画像を生成するレンダリング画像生成ステップと、
前記注目領域の位置に応じて前記第１のレンダリング画像および前記第２のレンダリング画像のうちの少なくとも一方のレンダリング画像の前記断面の対応する位置に前記断層画像を重畳する重畳ステップと
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
対象物体の三次元画像を取得する三次元画像取得ステップと、
前記対象物体の断層画像を取得する断層画像取得ステップと、
前記三次元画像の注目領域の位置を取得する注目領域位置取得ステップと、
前記三次元画像における前記断層画像の断面を算出する算出ステップと、
前記三次元画像を前記断面で分割し、当該分割した２つの分割三次元画像のうち、一方の分割三次元画像の前記断面を第１の視点から見た第１のレンダリング画像を生成するとともに、他方の分割三次元画像の前記断面を前記第１の視点とは異なる第２の視点から見た第２のレンダリング画像を生成するレンダリング画像生成ステップと、
前記注目領域の位置に応じて前記第１のレンダリング画像および前記第２のレンダリング画像のうちの少なくとも一方のレンダリング画像の前記断面の対応する位置に前記断層画像を重畳する重畳ステップと
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の画像処理装置は、対象物体の三次元画像を取得する三次元画像取得手段と、前記対象物体の断層画像を取得する断層画像取得手段と、前記三次元画像の注目領域の位置を取得する注目領域位置取得手段と、前記三次元画像における前記断層画像の断面を算出する算出手段と、前記三次元画像を前記断面で分割し、当該分割した２つの分割三次元画像のうち、一方の分割三次元画像の前記断面を第１の視点から見た第１のレンダリング画像を生成するとともに、他方の分割三次元画像の前記断面を前記第１の視点とは異なる第２の視点から見た第２のレンダリング画像を生成するレンダリング画像生成手段と、前記注目領域の位置に応じて前記第１のレンダリング画像および前記第２のレンダリング画像のうちの少なくとも一方のレンダリング画像の前記断面の対応する位置に前記断層画像を重畳する重畳手段とを有する。
また、本発明は、上述した画像処理装置による画像処理方法、及び、当該画像処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月29日(2014.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種の絵柄を可変表示させる可変表示手段と、
開始条件が成立したか否かを判定する開始判定手段と、
前記開始条件が成立した場合に前記絵柄の可変表示を開始させるべく前記可変表示手段を制御する開始制御手段と、
停止条件が成立した場合に前記絵柄の可変表示を終了させるべく前記可変表示手段を制御する終了制御手段と、
前記絵柄の可変表示が終了した際に前記絵柄が有効位置に所定の組合せを形成したことに基づいて、遊技状態を遊技者に有利な特別遊技状態に移行させる特別遊技状態移行手段と
を備えた遊技機において、
特定操作がなされたか否かを判定する特定操作判定手段と、
前記特定操作がなされた場合、前記特別遊技状態を終了させる特別遊技状態終了手段と、
前記特別遊技状態終了手段が前記特別遊技状態を終了させた場合、遊技に用いる遊技媒体と異なる特定特典を付与する特定特典付与手段と、
前記特別遊技状態下で特別条件が成立した場合、前記特別遊技状態の終了後に再度特別遊技状態に移行させる特別遊技状態第２移行手段と、
前記特別条件の成立回数を記憶する成立回数記憶手段と、
前記特定操作がなされた場合、前記特別遊技状態終了手段が前記特別遊技状態を終了させなかったと仮定した場合に前記特別遊技状態下で前記特別条件が成立したか否かを判定する仮想成立判定手段と、
を備え、
前記特定特典付与手段は、前記成立回数記憶手段の記憶結果と、前記仮想成立判定手段の判定結果と、に基づいて前記特定特典を付与することを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記開始条件を成立させるべく操作される開始操作手段と、前記停止条件を成立させるべく操作される停止操作手段と、を備え、前記特定操作判定手段は、前記絵柄の可変表示が開始されていない状況下で前記開始操作手段と前記停止操作手段とのうち少なくとも一方に予め定めた所定の操作がなされた場合、前記特定操作がなされたと判定することを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１に記載の発明では、複数種の絵柄を可変表示させる可変表示手段と、開始条件が成立したか否かを判定する開始判定手段と、前記開始条件が成立した場合に前記絵柄の可変表示を開始させるべく前記可変表示手段を制御する開始制御手段と、停止条件が成立した場合に前記絵柄の可変表示を終了させるべく前記可変表示手段を制御する終了制御手段と、前記絵柄の可変表示が終了した際に前記絵柄が有効位置に所定の組合せを形成したことに基づいて、遊技状態を遊技者に有利な特別遊技状態に移行させる特別遊技状態移行手段とを備えた遊技機において、特定操作がなされたか否かを判定する特定操作判定手段と、前記特定操作がなされた場合、前記特別遊技状態を終了させる特別遊技状態終了手段と、前記特別遊技状態終了手段が前記特別遊技状態を終了させた場合、遊技に用いる遊技媒体と異なる特定特典を付与する特定特典付与手段と、前記特別遊技状態下で特別条件が成立した場合、前記特別遊技状態の終了後に再度特別遊技状態に移行させる特別遊技状態第２移行手段と、前記特別条件の成立回数を記憶する成立回数記憶手段と、前記特定操作がなされた場合、前記特別遊技状態終了手段が前記特別遊技状態を終了させなかったと仮定した場合に前記特別遊技状態下で前記特別条件が成立したか否かを判定する仮想成立判定手段と、を備え、前記特定特典付与手段は、前記成立回数記憶手段の記憶結果と、前記仮想成立判定手段の判定結果と、に基づいて前記特定特典を付与することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月12日(2013.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種の絵柄を循環表示させる複数の循環表示手段と、
前記各循環表示手段による前記絵柄の循環表示を開始させるべく操作される開始操作手段と、
役の抽選を行う抽選手段と、
前記絵柄の循環表示を個別に停止させるべく操作される複数の停止操作手段と、
前記役の抽選に当選した当選役と対応する当選絵柄が有効位置に停止した場合、遊技者に特典を付与する特典付与手段と
を備えた遊技機において、
特定演出を実行可能な特定演出実行手段と、
前記特定演出を実行している場合、特定操作手段の操作に基づく特定条件が成立したか否かを判定するとともに、所定時間を経過した場合、前記特定条件が成立しなかったと判定する特定条件判定手段と、
前記特定条件判定手段の判定結果に基づいて、前記特定演出の結果を変化させる演出結果変化手段と、
前記特定条件判定手段の判定結果に基づいて、次回の特定演出における所定時間を変更する所定時間変更手段と
を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記所定時間変更手段は、前記特定演出が終了するまでに前記特定条件判定手段が前記特定条件が成立したと判定しなかったことに基づいて、次回の特定演出における所定時間を、先の特定演出における時間よりも長くすることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記特定条件は、前記特定操作手段を複数回操作することであって、前記特定条件成立となる前記特定操作手段の操作回数を記憶する第１回数記憶手段と、前記特定操作手段になされた操作回数を記憶する第２回数記憶手段と、を備え、前記所定時間変更手段は、前記特定演出が終了するまでに前記特定条件判定手段が前記特定条件が成立したと判定しなかった場合、前記第２回数記憶手段の記憶結果に基づいて、前記所定時間を変更することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記第１回数記憶手段に記憶された操作回数と、前記第２回数記憶手段に記憶された操作回数と、に基づいて前記特定条件の達成度を導出する達成度導出手段を備え、前記所定時間変更手段は、前記達成度導出手段の導出結果に応じて前記所定時間を変更することを特徴とする請求項３に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月28日(2014.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を収納する部品収納部が所定間隔を存して形成された収納テープのカバーテープを剥離し、送り機構により部品取出位置まで前記部品収納部内に収納された電子部品を供給する部品供給ユニットを複数台着脱可能にユニットベース上に設置する部品供給装置において、前記収納テープを巻回収納する部品供給リールを収納するリール収納体を設けて、このリール収納体を部品供給リール格納部の空間内に着脱可能に収納することを特徴とする部品供給装置。
【請求項２】
前記収納体は２枚の板体と、この２枚の板体間に介在された支軸と、この支軸に回動可能に嵌挿された中空円筒状の複数のカラーとを備え、前記２枚の板体間の空間内に前記カラーにより前記部品供給リールを支承した状態で前記部品供給リールを収納することを特徴とする請求項１に記載の部品供給装置。
【請求項３】
前記カラーの軸線方向の両端部には、軸線と直交する外方に環状に延び且つ外端部に向けて薄い傾斜面を有するフランジを形成したことを特徴とする請求項２に記載の部品供給装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このため第１の発明は、電子部品を収納する部品収納部が所定間隔を存して形成された収納テープのカバーテープを剥離し、送り機構により部品取出位置まで前記部品収納部内に収納された電子部品を供給する部品供給ユニットを複数台着脱可能にユニットベース上に設置する部品供給装置において、前記収納テープを巻回収納する部品供給リールを収納するリール収納体を設けて、このリール収納体を部品供給リール格納部の空間内に着脱可能に収納することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第２の発明は、第１の発明において、前記収納体は２枚の板体と、この２枚の板体間に介在された支軸と、この支軸に回動可能に嵌挿された中空円筒状の複数のカラーとを備え、前記２枚の板体間の空間内に前記カラーにより前記部品供給リールを支承した状態で前記部品供給リールを収納することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第３の発明は、第２の発明において、前記カラーの軸線方向の両端部には、軸線と直交する外方に環状に延び且つ外端部に向けて薄い傾斜面を有するフランジを形成したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月30日(2014.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯状のシート基板を搬送する搬送装置であって、
前記シート基板を案内する表面を有し、前記表面と前記シート基板との間に液状媒体を介して前記シート基板を案内するローラー部材
を備える搬送装置。
【請求項２】
前記ローラー部材の表面と前記シート基板との間に前記液状媒体を供給する供給系を更に備える
請求項１に記載の搬送装置。
【請求項３】
前記供給系は、前記液状媒体を吐出する供給口を有する
請求項２に記載の搬送装置。
【請求項４】
前記供給口は、前記シート基板に対向して配置され、前記シート基板に向けて前記液状媒体を吐出する
請求項３に記載の搬送装置。
【請求項５】
前記供給口は、前記ローラー部材の表面に対向して配置され、前記ローラー部材の表面に向けて前記液状媒体を吐出する
請求項３に記載の搬送装置。
【請求項６】
前記供給口は、前記ローラー部材の表面に設けられている
請求項２又は請求項３に記載の搬送装置。
【請求項７】
前記ローラー部材は、表面に多孔質層を有し、
前記供給系は、前記多孔質層を介して前記ローラー部材の表面に前記液状媒体を供給する液状媒体供給部を有する
請求項２に記載の搬送装置。
【請求項８】
前記供給系は、前記ローラー部材の表面に供給される前記液状媒体の量を調整する調整部を有する
請求項７に記載の搬送装置。
【請求項９】
前記ローラー部材の表面と前記シート基板との間の前記液状媒体を回収する回収系を更に備える
請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の搬送装置。
【請求項１０】
前記回収系は、前記ローラー部材に向けられた回収口を有する
請求項９に記載の搬送装置。
【請求項１１】
前記回収系は、前記ローラー部材よりも前記シート基板の搬送方向の下流側に配置されたスキージ部材を有する
請求項９又は請求項１０に記載の搬送装置。
【請求項１２】
前記ローラー部材の表面の少なくとも一部は、前記液状媒体に対して親液性に形成されている
請求項１から請求項１１のうちいずれか一項に記載の搬送装置。
【請求項１３】
前記ローラー部材は、回転可能に設けられている
請求項１から請求項１２のうちいずれか一項に記載の搬送装置。
【請求項１４】
帯状のシート基板を搬送する搬送装置と、
前記シート基板に対して所定の処理を行う処理装置と
を備え、
前記搬送装置として、請求項１から請求項１３のうちいずれか一項に記載の搬送装置が用いられる
基板処理装置。
【請求項１５】
可撓性を有する帯状のシート基板を長尺方向に搬送して、前記シート基板の被処理面に電子デバイスを形成する基板処理装置であって、
前記シート基板の被処理面の裏面の一部を円筒状又は曲面状の外周面によって支持する案内部材を含み、前記シート基板を長尺方向に送る搬送装置と、
前記シート基板と前記案内部材との間の摩擦を低減する為に、前記案内部材の外周面のうちの前記シート基板の裏面を支持する支持領域と前記シート基板の裏面との間に液状媒体を供給する供給系と、
前記シート基板の搬送の方向に関して前記支持領域の下流で、前記案内部材の外周面上、又は前記シート基板の裏面に付着した前記液状媒体を回収する回収系と、
前記案内部材の円筒状又は曲面状の支持領域で前記液状媒体を介して支持される前記シート基板の被処理面に所定の処理を行う処理装置と、
を備える基板処理装置。
【請求項１６】
前記案内部材は、前記シート基板の長尺方向と直交した幅方向に延びる回転軸を有し、該回転軸の回りに回転可能なローラー部材である、
請求項１５に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記処理装置は、隔壁形成装置、電極形成装置、発光層形成装置、液滴塗布装置、成膜装置、露光装置、現像装置、表面改質装置、洗浄装置のいずれか１つである、
請求項１６に記載の基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月12日(2013.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
穴部が形成された基板の形状情報に基づいて、照射データ及び打滴データを取得する取得手段と、
前記照射データに基づいて、前記穴部の開口部にレーザ光を入射する照射手段と、
前記穴部の底面に前記開口部と対向して配置され、前記開口部から入射されたレーザ光を反射して反射光を前記穴部の内面に照射する反射手段と、
前記打滴データに基づいて、前記穴部に導電性インクを打滴する吐出手段と、
前記照射手段及び前記反射手段によりレーザ光を穴部の内面に照射することで前記穴部の内面を改質し、前記吐出手段により前記内面が改質された穴部に導電性インクを打滴する制御手段と、
を備えたことを特徴とするパターン形成装置。
【請求項２】
前記穴部は、直径が前記開口部から前記底面に向かって増加しているまたは一定であることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成装置。
【請求項３】
前記穴部は前記基板の前記開口部の形成された上面から該上面とは反対面である下面までを貫通して形成されており、
前記反射手段は、前記基板の下面に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載のパターン形成装置。
【請求項４】
前記反射手段は、前記穴部の底面に整合する位置に配置された電極の表面であることを特徴とする請求項１または２に記載のパターン形成装置。
【請求項５】
前記反射手段は、金属の反射面を有することを特徴とする請求項３または４に記載のパターン形成装置。
【請求項６】
前記反射面は、光散乱構造が形成されていることを特徴とする請求項５に記載のパターン形成装置。
【請求項７】
前記基板の歪みを検出する検出手段と、
前記検出された基板の歪みに基づいて前記照射データ及び前記打滴データを補正する算出手段と、
を備えたことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のパターン形成装置。
【請求項８】
前記検出手段は、前記基板上に形成されたアライメントマークに基づいて、前記基板の歪みを検出することを特徴とする請求項７に記載のパターン形成装置。
【請求項９】
前記レーザ光の径は、前記穴部の開口部の直径よりも小さいことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載のパターン形成装置。
【請求項１０】
前記レーザ光の径は、導電性インク滴の径よりも小さいことを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載のパターン形成装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、複数回に分けて前記吐出手段により前記内面が改質された穴部に前記導電性インクを打滴させることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載のパターン形成装置。
【請求項１２】
前記穴部に反応ガスを供給するガス供給手段を備え、
前記制御手段は、前記照射手段及び前記反射手段によりレーザ光を穴部の内面に照射する際に、前記ガス供給手段により前記穴部に反応ガスを供給することを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載のパターン形成装置。
【請求項１３】
前記反応ガスは、酸素、窒素、フッ素、または水素を含むことを特徴とする請求項１２に記載のパターン形成装置。
【請求項１４】
前記穴部は、ビアホール、コンタクトホール、またはスルーホールであることを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載のパターン形成装置。
【請求項１５】
穴部が形成された基板の形状情報に基づいて、照射データ及び打滴データを取得する取得工程と、
前記穴部の底面に、前記穴部の開口部から入射されたレーザ光を反射して反射光を前記穴部の内面に照射する反射手段を配置する工程と、
前記照射データに基づいて前記開口部からレーザ光を入射して前記穴部の内面を改質する改質工程と、
前記打滴データに基づいて、前記改質された穴部に導電性インクを打滴する打滴工程と、
を有することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１６】
穴部が形成された基板の形状情報に基づいて、照射データ及び打滴データを取得する取得工程と、
前記穴部の底面に、前記穴部の開口部から入射されたレーザ光を反射して反射光を前記穴部の内面に照射する反射手段を配置する工程と、
前記照射データに基づいて前記開口部からレーザ光を入射して前記穴部の内面を改質する改質工程と、
前記打滴データに基づいて、前記改質された穴部に導電性インクを打滴する打滴工程と、
を有することを特徴とするパターン形成基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、パターン形成装置の一の態様は、穴部が形成された基板の形状情報に基づいて、照射データ及び打滴データを取得する取得手段と、前記照射データに基づいて、前記穴部の開口部にレーザ光を入射する照射手段と、前記穴部の底面に前記開口部と対向して配置され、前記開口部から入射されたレーザ光を反射して反射光を前記穴部の内面に照射する反射手段と、前記打滴データに基づいて、前記穴部に導電性インクを打滴する吐出手段と、前記照射手段及び前記反射手段によりレーザ光を穴部の内面に照射することで前記穴部の内面を改質し、前記吐出手段により前記内面が改質された穴部に導電性インクを打滴する制御手段と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
上記目的を達成するために、パターン形成方法の一の態様は、穴部が形成された基板の形状情報に基づいて、照射データ及び打滴データを取得する取得工程と、前記穴部の底面に前記穴部の開口部から入射されたレーザ光を反射して反射光を前記穴部の内面に照射する反射手段を配置する工程と、前記基板の前記穴部に反応ガスを供給しつつ、前記照射データに基づいて前記開口部からレーザ光を入射して前記穴部の内面を改質する改質工程と、前記打滴データに基づいて、前記改質された穴部に導電性インクを打滴する打滴工程とを有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
上記目的を達成するために、パターン形成基板の製造方法の一の態様は、穴部が形成された基板の形状情報に基づいて、照射データ及び打滴データを取得する取得工程と、前記穴部の底面に、前記穴部の開口部から入射されたレーザ光を反射して反射光を前記穴部の内面に照射する反射手段を配置する工程と、前記照射データに基づいて前記開口部からレーザ光を入射して前記穴部の内面を改質する改質工程と、前記打滴データに基づいて、前記改質された穴部に導電性インクを打滴する打滴工程とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月7日(2014.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと第２のトランジスタとを有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１のトランジスタは、シリコン半導体を有し、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタは、前記シリコン半導体上にゲート電極を有し、
前記第１のトランジスタの前記ゲート電極と同一工程で、前記第２のトランジスタの第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極の形成後に、前記酸化物半導体を形成し、
前記酸化物半導体上に、第２のゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体のキャリア濃度は１×１０１４／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２のトランジスタのチャネル幅１μｍあたりのオフ電流は１００ｚＡ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月22日(2013.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ形半導体層と、
ｐ形半導体層と、
前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられた発光部と、
前記ｐ形半導体層に設けられたｐ側電極と、
を備え、
前記ｐ形半導体層は、
第１濃度でｐ形不純物を含み、前記ｐ側電極側に設けられた第１ｐ形層と、
Ａｌを含み前記第１濃度よりも低い第２濃度でｐ形不純物を含み前記発光部側に設けられた第２ｐ形層と、
前記第１ｐ形層と前記第２ｐ形層との間に設けられ、前記第２濃度よりも低い第３濃度でｐ形不純物を含む第３ｐ形層と、
前記第２ｐ形層と前記第３ｐ形層との間に設けられ、前記ｎ形半導体層から前記ｐ形半導体層に向かう第１方向に沿ってｐ形不純物の濃度が前記第２濃度から前記第３濃度に漸減する第４ｐ形層と、
を含み、
前記第３ｐ形層の厚さは、１０ナノメートル以上８０ナノメートル以下であり、
前記第３濃度は、１×１０１９ｃｍ−３以上２．５×１０１９ｃｍ−３未満であり、
前記第３濃度は、前記第３濃度の変動が前記第３濃度の平均のプラスマイナス２０％以内であるように一定であり、
前記第３濃度は、前記ｐ形半導体層におけるｐ形不純物の最も低い濃度であることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記第２ｐ側層には、ＡｌＧａＮ層が用いられ、
前記第１ｐ形層、前記第３ｐ形層及び前記第４ｐ形層には、ＧａＮ層が用いられることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記第１ｐ形層の厚さは、前記第３ｐ形層の厚さよりも薄く、前記第４ｐ形層の厚さよりも薄く、
前記第２ｐ形層の厚さは、前記第３ｐ形層の厚さよりも薄く、前記第４ｐ形層の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記第３ｐ形層の厚さと前記第４ｐ形層の厚さとの差は、
前記第３ｐ形層の厚さと前記第１ｐ形層の厚さとの差よりも小さく、
前記第３ｐ形層の厚さと前記第２ｐ形層の厚さとの差よりも小さいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記第１濃度は、２×１０２０ｃｍ−３以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記第２濃度は、２．５×１０１９ｃｍ−３以上２×１０２０ｃｍ−３未満であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記第１ｐ形層の厚さは、１ナノメートル以上１０ナノメートル未満であり、
前記第２ｐ形層の厚さは、１ナノメートル以上１０ナノメートル未満であり、
前記第３ｐ形層の厚さは、８０ナノメートル以下であり、
前記第４ｐ形層の厚さは、１０ナノメートル以上８０ナノメートル以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記第４ｐ形層における前記ｐ形不純物の濃度は、前記第２濃度から前記第３濃度に段階的に漸減し、前記第２ｐ形層側の漸減する割合は、前記第３ｐ形層側の漸減する割合より大きいことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、発光部と、ｐ側電極と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光部は、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられる。前記ｐ側電極は、前記ｐ形半導体層に設けられる。前記ｐ形半導体層は、第１ｐ形層と、第２ｐ形層と、第３ｐ形層と、第４ｐ形層と、を含む。前記第１ｐ形層は、第１濃度でｐ形不純物を含み、前記ｐ側電極側に設けられる。前記第２ｐ形層は、Ａｌを含み、前記第１濃度よりも低い第２濃度でｐ形不純物を含み前記発光部側に設けられる。前記第３ｐ形層は、前記第１ｐ形層と前記第２ｐ形層との間に設けられ、前記第２濃度よりも低い第３濃度でｐ形不純物を含む。前記第４ｐ形層は、前記第２ｐ形層と前記第３ｐ形層との間に設けられる。前記第４ｐ形層におけるｐ形不純物の濃度は、前記ｎ形半導体層から前記ｐ形半導体層に向かう第１方向に沿って、前記第２濃度から前記第３濃度に漸減する。前記第３ｐ形層の厚さは、１０ナノメートル以上８０ナノメートル以下である。前記第３濃度は、１×１０１９ｃｍ−３以上２．５×１０１９ｃｍ−３未満である。前記第３濃度は、前記第３濃度の変動が前記第３濃度の平均のプラスマイナス２０％以内であるように、前記第３ｐ形層におけるｐ形不純物濃度は一定である。前記第３濃度は、前記ｐ形半導体層におけるｐ形不純物の最も低い濃度である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月3日(2014.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸を有する部品（２４）の上に複合積層材（２０）を形成及び配置する方法であって、
部品の凹凸とほぼ一致する輪郭を有するツール（２５）の上に、凹凸を有する複合積層材を形成すること、
ツールに対する部品の位置を表わす一組の位置データ（４５ａ）を生成すること、
マニピュレータ（３６）及び位置データを使用して、部品の近くへとツールを動かし、凹凸を有する部品の上に、凹凸を有する積層材を配置すること、
ツール上でブラダー（５４）を膨張させることにより、部品に対して積層材を圧密化すること、及び
ツール上でバッグ（５６）を膨張させることにより、部品に対して積層材を更に圧密化すること
を含む方法。
【請求項２】
バッグを減圧することにより、圧密化された積層材からバッグを後退させること
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
まずバッグを、それからブラダーを真空引きすることにより、バッグ及びブラダーを減圧し複合積層材（２０）から引き離すことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
凹凸を有する複合積層材を形成することを、ツール上に複合材料を自動的に配置する自動積層成形装置（４２）を使用して実行する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
位置データを生成することを、共通の三次元（３Ｄ）座標系（５５）において、部品の輪郭の３Ｄ位置に対するツールの輪郭の３Ｄ位置を決定することにより実行する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
凹凸を有する基板（２２）上に複合積層材（２０）を適用するための装置であって、
基板の近くへとツールを動かすためのマニピュレータ（３６）に取り付けられるツールであって、基板の輪郭とほぼ一致する凹凸を有するツール面（２８）を含むツール（２５）、
基板上に積層材を圧密化するための第１の柔軟なコンパクタであって、ツールにシールされた真空バッグ（５６）を含み、ツール面を覆い、上に複合積層材が配置されるよう適合された第１の柔軟なコンパクタ、
第１のコンパクタと基板上に積層材を圧密化するためのツール面との間に配置され、柔軟で膨張させることが可能なブラダーを（５４）含む、ツール上の第２の柔軟なコンパクタ、及び
圧力源（６２）と、真空源（６４）と、圧力源及び真空源をバッグ及びブラダーと選択的に連結させるためのコントローラ（７４）とを含んでいる、第１及び第２のコンパクタを制御する手段
を備える装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月14日(2014.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
関連する作像装置の給送チャネルから除去可能に構成したインクスティックであって、
上面と底面と前面と背面と２つの側面とを有するインクスティック本体と、
上面に沿った回収用フィーチャで、この回収用フィーチャを２本の指の間に把持できるようにする十分な垂直寸法を有する回収用フィーチャとを備え、
前記回収用フィーチャは前記上面内の第１の凹所と前記上面内の第２の凹所により形成され、前記第１の凹所と前記第２の凹所は対向するに把持面を有し、前記上面内に垂直寸法に亙って延在する、インクスティック。
【請求項２】
前記回収用フィーチャは、前記上面の中心部に沿って配置される、請求項１に記載のインクスティック。
【請求項３】
関連する作像装置の給送チャネルから除去可能に構成したインクスティックであって、
上面と底面と前面と背面と２つの側面とを有するインクスティック本体と、
上面に沿った回収用フィーチャで、この回収用フィーチャを２本の指の間に把持できるようにする十分な垂直寸法を有する回収用フィーチャとを備え、
前記回収用フィーチャは、前記前面と前記背面と前記２つの側面とから少なくとも５ｍｍ離間する、インクスティック。
【請求項４】
関連するインク印刷機の給送チャネルから手動で除去する構成としたインクスティックであって、
上面を有するインクスティック本体と、
上面に沿う回収用フィーチャで、この回収用フィーチャを２本の指の間に把持できるようにする十分な垂直寸法を有する２つの対向面を備える回収用フィーチャとを備え、
前記回収用フィーチャは前記上面内の第１の凹所と前記上面内の第２の凹所により形成され、前記第１の凹所と前記第２の凹所は対向するに把持面を有し、前記上面内に垂直寸法に亙って延在し、
前記第１の凹所と前記第２の凹所はそれぞれ前記上面中心部分の垂直寸法から前記上面にかけて長手方向に次第に浅くしてある、インクスティック。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月27日(2014.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血糖降下物質の候補となり得る物質の評価探索方法であって、下記の工程（１）ないし（５）、
（１）カイコにガラクトースを投与する工程
（２）該カイコの体液を採取する工程
（３）該体液中の成分を分画する工程
（４）分画されたそれぞれの画分を高血糖状態のカイコに投与する工程
（５）該カイコの体液中の糖濃度が低下する画分を選択する工程
を含むことを特徴とする血糖降下物質の候補となり得る物質の評価探索方法。
【請求項２】
上記工程（５）の後に、更に、下記工程（６）、上記工程（４）、上記工程（５）の順に１回又は複数回の繰り返しを含む請求項１記載の血糖降下物質の候補となり得る物質の評価探索方法。
（６）工程（５）で選択された画分中の成分を分画する工程
【請求項３】
上記工程（５）で選択されたカイコの体液中の糖濃度が低下する画分は、インスリンが関与する機能以外の機能でも血糖降下作用を持つ請求項１又は請求項２記載の血糖降下物質の候補となり得る物質の評価探索方法。
【請求項４】
上記工程（５）で選択されたカイコの体液中の糖濃度が低下する画分は、動物に投与後６時間以内で血糖値を下げる作用を持つ請求項１ないし請求項３の何れかの請求項記載の血糖降下物質の候補となり得る物質の評価探索方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４の何れかの請求項記載の血糖降下物質の候補となり得る物質の評価探索方法を使用することを特徴とする血糖降下物質の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項４の何れかの請求項記載の血糖降下物質の候補となり得る物質の評価探索方法を使用して評価探索されたものであることを特徴とする血糖降下物質。
【請求項７】
請求項５記載の血糖降下物質の製造方法を使用して製造されたものであることを特徴とする血糖降下物質。
【請求項８】
以下の（ａ）のアミノ酸配列からなるタンパク質、又は（ｂ）に示すタンパク質であることであることを特徴とする血糖降下物質。
（ａ）配列表の配列番号１に示されるアミノ酸配列
（ｂ）Ｃｈｉｔｉｎａｓｅ３−ｌｉｋｅ３、Ｃｈｉｔｉｎａｓｅ３−ｌｉｋｅ４、Ｃｈｉｔｉｎａｓｅ３−ｌｉｋｅ１、Ｃｈｉｔｉｎａｓｅ  ａｃｉｄｉｃ  ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ、Ｃｈｉｔｉｎａｓｅ  ｌｉｋｅ、Ｃｈｉｔｉｎａｓｅ１、Ｃｈｉｔｉｎａｓｅ３−ｌｉｋｅ２  ｉｓｏｆｏｒｍ  ａ、Ｃｈｉｔｉｎａｓｅ３−ｌｉｋｅ２  ｉｓｏｆｏｒｍ  ｂ、もしくは、Ｃｈｉｔｏｔｒｉｏｓｉｄａｓｅ  ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ
【請求項９】
インスリンが関与する機能以外の機能でも血糖降下作用を持つ請求項８記載の血糖降下物質。
【請求項１０】
動物に投与後６時間以内で血糖値を下げる作用を持つ請求項８又は請求項９記載の血糖降下物質。
【請求項１１】
請求項６ないし請求項１０の何れかの請求項記載の血糖降下物質を含有することを特徴とする糖尿病治療薬又は糖尿病予防薬。
【請求項１２】
請求項６ないし請求項１０の何れかの請求項記載の血糖降下物質を含有することを特徴とする機能性食品。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月19日(2014.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
賦形剤のみからなる核粒子がなく、アンブロキソール又はその塩と賦形剤とからなり、平均粒子径が４００〜１０００μｍで、粒度分布の幾何標準偏差が１．５以下であることを特徴とする製剤粒子。
【請求項２】
賦形剤として、アメ粉、マルトース、タルク、結晶セルロース及びケイ酸の少なくとも１種を含有する請求項１記載の製剤粒子。
【請求項３】
エチルセルロース又はアミノアルキルメタアクリレートを含有するフィルム層で被覆されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の製剤粒子。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月24日(2014.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
符号化された音声を示す音声信号の複数のパケットに応じて受信器において実行される方法であって、
前記複数のパケットのうちの各パケットが良好なパケットであるか不良なパケットであるかを判断し、良好なパケットは、遺失、破損、消去、または遅延の無いパケットを含み、不良なパケットは、パケットが遺失、破損、消去、または遅延したものを含み、
前記判断において、１つまたはそれ以上のパケットが良好なパケットであると判断された場合、前記１つまたはそれ以上のパケットを復号化して複数の音声サンプルをバッファ内に作成し、
前記判断においてさらに、前記１つまたはそれ以上のパケットに続く１つまたはそれ以上の後続パケットが１つまたはそれ以上の不良なパケットであると判断された場合、前記バッファに記憶された前記複数の音声サンプルのうちの一部を用いて合成音声セグメントを生成し、前記バッファに記憶された前記複数の音声サンプルのうちの、前記合成音声セグメントの生成に用いる前記一部の期間は、前記１つまたはそれ以上の不良なパケットの数量に基づいて決定されることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記複数の音声サンプルのうちの前記一部の前記期間が、前記音声信号の推定ピッチ周期に基づくものであることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、前記複数の音声サンプルのうちの前記一部の前記期間が、前記推定ピッチ周期の数量に基づくものであることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、前記１つまたはそれ以上の不良なパケットの数量が増大するにつれて、前記推定ピッチ周期の前記数量が増大することを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項３に記載の方法であって、前記数量分の前記推定ピッチ周期が、前記バッファ内の前記複数の音声サンプルを復号化する順序と同じ順序で再生されることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項３に記載の方法であって、前記数量分の前記推定ピッチ周期が、前記バッファ内の前記複数の音声サンプルを復号化する順序と同じ順序では再生されないことを特徴とする方法。
【請求項７】
符号化された音声を示す音声信号の複数のパケットに応じて方法を実行する受信器であって、前記方法では、
遺失フレーム検出器モジュールにおいて、前記複数のパケットのうちの各パケットが良好なパケットであるか不良なパケットであるかを判断し、良好なパケットは、遺失、破損、消去、または遅延の無いパケットを含み、不良なパケットは、パケットが遺失、破損、消去、または遅延したものを含み、
前記判断において、１つまたはそれ以上のパケットが良好なパケットであると判断された場合、前記１つまたはそれ以上のパケットを復号化して複数の音声サンプルをバッファ内に作成し、
前記判断においてさらに、前記１つまたはそれ以上のパケットに続く１つまたはそれ以上の後続パケットが１つまたはそれ以上の不良なパケットを含むと判断された場合、前記バッファに記憶された前記複数の音声サンプルのうちの一部を用いて合成音声セグメントを生成し、前記バッファに記憶された前記複数の音声サンプルのうちの、前記合成音声セグメントの生成に用いる前記一部の期間は、前記１つまたはそれ以上の不良なパケットの数量に基づいて決定されることを特徴とする受信器。
【請求項８】
請求項７に記載の受信器であって、前記複数の音声サンプルのうちの前記一部の前記期間が、前記音声信号の推定ピッチ周期に基づくものであることを特徴とする受信器。
【請求項９】
請求項８に記載の受信器であって、前記複数の音声サンプルのうちの前記一部の前記期間が、前記推定ピッチ周期の数量に基づくものであることを特徴とする受信器。
【請求項１０】
請求項９に記載の受信器であって、前記１つまたはそれ以上の不良なパケットの数量が増大するにつれて、前記推定ピッチ周期の前記数量が増大することを特徴とする受信器。
【請求項１１】
請求項９に記載の受信器であって、前記数量分の前記推定ピッチ周期が、前記バッファ内の前記複数の音声サンプルを復号化する順序と同じ順序で再生されることを特徴とする受信器。
【請求項１２】
請求項９に記載の受信器であって、前記数量分の前記推定ピッチ周期が、前記バッファ内の前記複数の音声サンプルを復号化する順序と同じ順序では再生されないことを特徴とする受信器。
【請求項１３】
復号化された音声信号に基づく省略された信号を使用することによってフレーム消去隠蔽を実行するための装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】受信器において実行される方法、受信器、およびフレーム消去隠蔽を実行するための装置
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月16日(2013.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
逆洗計量槽が洗浄水槽内に収納され、洗浄水槽の内壁と逆洗計量槽の外壁との間に通水路空間が形成されると共に、逆洗計量槽の底部には逆洗計量槽と前記通水路空間とを連通する開口部が形成されるように構成され、
前記洗浄水槽の外側には複数の膜モジュールが立設され、
前記逆洗計量槽と前記洗浄水槽とは同心状に配置されており、且つ前記開口部は前記逆洗計量槽底部の中央位置に形成され、
前記逆洗計量槽内に貯留されている膜ろ過水の液面に圧縮空気を供給する圧力供給手段を備え、
ろ過処理時には、前記膜モジュールによってろ過された膜ろ過水が前記通水路空間の上部から下部に向けて流入し、前記開口部を通って前記逆洗計量槽内に流入して貯留され、
物理洗浄時には、前記圧力供給手段によって、前記逆洗計量槽内に貯留されている膜ろ過水の液面に圧縮空気を供給して、逆洗計量槽内の膜ろ過水を前記開口部を通って前記通水路空間の下部から上部に向けて逆流させて、膜ろ過水を膜モジュールに供給することにより、膜モジュール内を逆流洗浄することを特徴とする自己洗浄槽保有型膜ろ過装置。
【請求項２】
前記洗浄水槽及び前記逆洗計量槽は、装置中央部に配置され、
装置下部には、原水が供給される原水供給ブロックが配置され、
装置上部には、前記膜モジュールによってろ過された膜ろ過水を集める膜ろ過水集水ブロックが配置され、
前記複数の膜モジュールは、前記原水供給ブロックの外方側端部と前記膜ろ過水集水ブロック外方側端部との間に介在されており、これら膜モジュールは装置の中心部を中心とした円周上に立設されており、
前記原水供給ブロックは、中心部から放射線状に延び、中心部に流入された原水を各膜モジュールの下部に供給する原水供給流路を有し、
前記膜ろ過水集水ブロックは、各膜モジュールの上部に連通すると共に洗浄水槽に向けて延び、各膜モジュールでろ過された膜ろ過水を洗浄水槽に集水する膜ろ過水集水流路を有する請求項１記載の自己洗浄槽保有型膜ろ過装置。
【請求項３】
装置中央部には、前記洗浄水槽を収納する返送・排水槽が設けられており、
前記各膜モジュールと前記返送・排水槽との間には、ろ過時には循環水を膜モジュールから返送・排水槽に導き、逆洗浄時には洗浄水槽内の膜ろ過水を膜ろ過水集水流路から膜モジュールを経て返送・排水槽に導く連通管が設けられている請求項２記載の自己洗浄槽保有型膜ろ過装置。
【請求項４】
前記膜ろ過水集水ブロックに装着する膜モジュールの延長上に保守用の膜モジュール点検口が装備されている請求項２又は３記載の自己洗浄槽保有型膜ろ過装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月10日(2014.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、
液晶素子と、
保持容量とを有し、
前記液晶素子は、
前記トランジスタと電気的に接続された第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と、前記第２の電極との間の液晶層と、を有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記保持容量は、前記液晶素子の容量値に対して、１／３以下の値を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
液晶素子と、
保持容量とを有し、
前記液晶素子は、
前記２のトランジスタと電気的に接続された第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と、前記第２の電極との間の液晶層と、を有し、
前記１のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記２のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記保持容量は、前記液晶素子の容量値に対して、１／３以下の値を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
液晶素子と、
保持容量とを有し、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極と重なる領域を有する第２のゲート電極とを有し、
前記液晶素子は、
前記２のトランジスタと電気的に接続された第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と、前記第２の電極との間の液晶層と、を有し、
前記１のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記２のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記保持容量は、前記液晶素子の容量値に対して、１／３以下の値を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２のゲート電極は、フローティングであることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月17日(2014.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
図８に、特許文献１に記載された従来の技術を用いた電流モードの擬似共振スイッチング電源装置の回路例を示す。このスイッチング電源装置において、トランスＴ１は一次巻線ＷＰ１、二次巻線ＷＳ１及び補助巻線ＷＰ２を有する。一次巻線ＷＰ１は、一端が入力端子Ｐｉに接続され、他端が半導体スイッチとしてのスイッチング素子Ｑ１であるＭＯＳＦＥＴのドレインに接続される。また、二次巻線ＷＳ１は、一端がダイオードＤ１を介して正極出力端子Ｐｏに、他端が負極出力端子Ｎｏに、各々接続される。補助巻線ＷＰ２は、一端がスイッチング制御回路ＩＣ１におけるゼロ電流検出（Zero Current Detection）用の入力端子であるＺＣＤ端子に接続され、他端が一次側回路の接地点（ＧＮＤ）に接続される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上述のように、スイッチング電源装置において、トランス二次側の直流出力電圧を絶縁検出するために、帰還回路にフォトカプラーを用いると、一次側回路に接続されるフォトトランジスタに流れる電流Ｉｃｕｒは、プルアップ抵抗Ｒ１に印加される電圧Ｖｒｅｆとプルアップ抵抗Ｒ１の抵抗値Ｒａと制御電圧Ｖｆｂ（端子ＦＢの電圧）により決定され、下記の式（１）の関係となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
Ｉｃｕｒ＝（Ｖｒｅｆ−Ｖｆｂ）／Ｒａ  ・・・・・式（１）
また、二次側に接続されるフォトカプラーの発光ダイオードに流れる電流Ｉｆは下記の式（２）となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
Ｉｆ＝Ｉｃｕｒ／ＣＴＲ＝（Ｖｒｅｆ−Ｖｆｂ）／Ｒａ／ＣＴＲ  ・・・・・式（２）
ここで、ＣＴＲ(current transfer ratio)は、フォトカプラーの電流伝達率を示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
以上のような動作の結果、フリップフロップＦＦ３から出力されるｂｏｔ−ｓｅｌ信号は、図３に示す期間においてＨレベルになる。ｂｏｔ−ｓｅｌ信号は、トランスＴ１の補助巻線ＷＰ２から出力される電圧（共振時のスイッチング素子Ｑ１のドレイの電圧に対応)のボトムの回数を選択する信号であり、Ｌレベルの時にボトム回数１を選択し、Ｈレベルのときにボトム回数２を選択する。
このｂｏｔ−ｓｅｌ信号は、インバータＧ４を介してアンド回路Ｇ７の一方の入力端子に入力される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
一方、ｂｏｔ−ｓｅｌ信号がＨレベル(軽負荷を示す)の時には、アンド回路Ｇ７の出力端子がＬレベルに固定される。そして、１つ目のｂｏｔ−ｄｌｙ信号の立下りエッジによってＤフリップフロップＦＦ１がそのデータ入力端子Ｄに入力されている電圧ＶＤＤ（スイッチング制御回路ＩＣ２の電源電圧であり、Ｈレベルを示す）を読み込むと、このＤフリップフロップＦＦ１からＨレベルのＱ-ｄｆｆ信号が出力されて、アンド回路Ｇ８の他方の入力端子に加えられる。そこで、２つ目のｂｏｔ−ｄｌｙ信号がアンド回路Ｇ８の一方の端子に入力されると、このアンド回路Ｇ８の出力端子がＨレベルになり、それに伴ってｂｏｔ−ｏｕｔ信号もＨレベルになる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
図６に、本発明の第２の実施例を示す。第１の実施例との違いは、制御回路ＩＣ３内の基準電圧ＶｒｅｆとフォトカプラーＰＣ１のフォトトランジスタのコレクタが接続された端子ＦＢとの間に、抵抗Ｒ２とスイッチＳ２の直列回路と、抵抗Ｒ１との並列回路が接続され、このスイッチＳ２の駆動信号ｌｏａｄ＿ｓｔａがスイッチング幅ボトム制御回路ＳＷＣから生成されている点である。重負荷時は抵抗Ｒ１とＲ２が並列接続されるように、軽負荷時は抵抗Ｒ２が切離され抵抗Ｒ１のみとなるように、スイッチＳ２をオンオフ制御することにより、第１の実施例と同様の効果が得られる。その他の動作、原理は第１の実施例と同じであるので、省略する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図７に、本発明の第３の実施例を示す。第１の実施例及び第２の実施例との違いは、制御回路ＩＣ４内に二つの基準電圧Ｖｒｅｆ１とＶｒｅｆ２を備え、この二つの基準電圧Ｖｒｅｆ１とＶｒｅｆ２を切替える３端子スイッチＳ３と、このスイッチの共通端子とフォトカプラーＰＣ１のフォトトランジスタのコレクタが接続された端子ＦＢとの間に抵抗Ｒ１が接続され、このスイッチＳ３の駆動信号ｌｏａｄ＿ｓｔａがスイッチング幅ボトム制御回路ＳＷＣから生成されている点である。基準電圧をＶｒｅｆ１＞Ｖｒｅｆ２とし、スイッチＳ３を重負荷時はＶｒｅｆ１側に、軽負荷時はＶｒｅｆ２側に切替えることにより、第１又は第２の実施例と同様の効果が得られる。その他の動作、原理は第１の実施例と同じであるので、省略する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2013123322.tif 000001
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2013123322.tif 000002
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2013123322.tif 000003
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2013123322.tif 000004