【手続補正書】
【提出日】平成26年7月29日(2014.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素アレイの一部を構成する第１回路が形成された第１半導体領域を有する第１半導体基板と、前記画素アレイの別の一部を構成する第２回路が形成された第２半導体領域を有する第２半導体基板とを備え、前記第１半導体基板と前記第２半導体基板とが重なって配置され、前記第１回路と前記第２回路とが電気的に接続された固体撮像装置であって、
前記第１半導体基板は、前記第１半導体領域に第１定電圧を供給するための１つ以上の第１コンタクトプラグを有し、
前記第２半導体基板は、前記第２半導体領域に第２定電圧を供給するための１つ以上の第２コンタクトプラグを有し、
前記画素アレイ内にある前記第１コンタクトプラグの数と前記画素アレイ内にある前記第２コンタクトプラグの数とは互いに異なることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１回路は、光電変換部と、フローティングディフュージョンと、前記光電変換部で発生した電荷を前記フローティングディフュージョンへ転送するためのトランジスタとを含み、
前記第２回路は、前記フローティングディフュージョンをリセットするためのトランジスタと、前記フローティングディフュージョンからの信号を増幅するためのトランジスタとの内の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記画素アレイ内にある前記第１コンタクトプラグの数は前記画素アレイ内にある前記第２コンタクトプラグの数よりも多いことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第１半導体基板は前記第１定電圧が供給される導電パターンを更に有し、
前記第１コンタクトプラグは前記導電パターンに電気的に接続され、
前記第１半導体基板は、前記第１半導体基板の表面から露出し、前記導電パターンに電気的に接続された接続部を更に有し、
前記第２コンタクトプラグは前記接続部に電気的に接続され、前記導電パターンから供給される前記第１定電圧が前記第２コンタクトプラグを通じて前記第２定電圧として前記第２半導体基板に供給されることを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記画素アレイ内にある前記第２コンタクトプラグの数は前記画素アレイ内にある前記第１コンタクトプラグの数よりも多いことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第２半導体基板は前記第２定電圧が供給される導電パターンを更に有し、
前記第２コンタクトプラグは前記導電パターンに電気的に接続され、
前記第２半導体基板は、前記第２半導体基板の表面から露出し、前記導電パターンに電気的に接続された接続部を更に有し、
前記第１コンタクトプラグは前記接続部に電気的に接続され、前記導電パターンから供給される前記第２定電圧が前記第１コンタクトプラグを通じて前記第１定電圧として前記第１半導体基板に供給されることを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第１半導体領域と前記第２半導体領域とは同じ導電型であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第１半導体領域と前記第２半導体領域とは互いに異なる導電型であることを特徴とする請求項１、２、３及び５の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
光電変換部および前記光電変換部で生じた信号を増幅して出力する増幅トランジスタをそれぞれが含む複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれに含まれる前記光電変換部が形成された第１領域を有する第１半導体基板と、
前記複数の画素のそれぞれに含まれる前記増幅トランジスタが形成された第２領域を有する第２半導体基板と、を備え、
前記第１半導体基板と前記第２半導体基板とが重なって配置された固体撮像装置であって、
前記第１領域には、前記第１領域に第１接地電圧又は第１電源電圧を供給するための１つ以上の第１コンタクトプラグが接続され、
前記第２領域には、前記第２領域に第２接地電圧又は第２電源電圧を供給するための１つ以上の第２コンタクトプラグが接続され、
前記第１領域に接続された前記第１コンタクトプラグの数は、前記第２領域に接続された前記第２コンタクトプラグの数と異なることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第１半導体基板は、前記第１領域とは別の第３領域をさらに有し、
前記第２半導体領域は、前記第２領域とは別の第４領域をさらに有し、
前記第３領域および前記第４領域の少なくとも一方に、前記画素アレイからの信号を処理する回路が形成されることを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置によって得られた信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【請求項１２】
画素アレイの一部を構成する第１回路が形成された第１半導体領域を有する第１半導体基板と、前記画素アレイの別の一部を構成する第２回路が形成された第２半導体領域を有する第２半導体基板とを備え、前記第１半導体基板と前記第２半導体基板とが重なって配置され、前記第１回路と前記第２回路とが電気的に接続された固体撮像装置の設計方法であって、
前記第１回路に含まれる回路素子を決定する工程と、
前記第２回路に含まれる回路素子を決定する工程と、
前記第１半導体基板の前記第１半導体領域に第１定電圧を供給するための１つ以上の第１コンタクトプラグの配置を決定する工程と、
前記第２半導体基板の前記第２半導体領域に第２定電圧を供給するための１つ以上の第２コンタクトプラグの配置を決定する工程と
を有することを特徴とする設計方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題に鑑みて、本発明の１つの実施形態は、画素アレイの一部を構成する第１回路が形成された第１半導体領域を有する第１半導体基板と、前記画素アレイの別の一部を構成する第２回路が形成された第２半導体領域を有する第２半導体基板とを備え、前記第１半導体基板と前記第２半導体基板とが重なって配置され、前記第１回路と前記第２回路とが電気的に接続された固体撮像装置であって、前記第１半導体基板は、前記第１半導体領域に第１定電圧を供給するための１つ以上の第１コンタクトプラグを有し、前記第２半導体基板は、前記第２半導体領域に第２定電圧を供給するための１つ以上の第２コンタクトプラグを有し、前記画素アレイ内にある前記第１コンタクトプラグの数と前記画素アレイ内にある前記第２コンタクトプラグの数とは互いに異なることを特徴とする固体撮像装置を提供する。本発明の別の実施形態は、光電変換部および前記光電変換部で生じた信号を増幅して出力する増幅トランジスタをそれぞれが含む複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれに含まれる前記光電変換部が形成された第１領域を有する第１半導体基板と、前記複数の画素のそれぞれに含まれる前記増幅トランジスタが形成された第２領域を有する第２半導体基板と、を備え、前記第１半導体基板と前記第２半導体基板とが重なって配置された固体撮像装置であって、前記第１領域には、前記第１領域に第１接地電圧又は第１電源電圧を供給するための１つ以上の第１コンタクトプラグが接続され、前記第２領域には、前記第２領域に第２接地電圧又は第２電源電圧を供給するための１つ以上の第２コンタクトプラグが接続され、前記第１領域に接続された前記第１コンタクトプラグの数は、前記第２領域に接続された前記第２コンタクトプラグの数と異なることを特徴とする固体撮像装置を提供する。