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【手続補正書】
【提出日】平成26年8月28日(2014.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電装置、及び充電装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
第２の基板と、
第１の電極と、
第２の電極と、
電解質と、を有し、
前記電解質は、透光性を有し、
前記第１の基板は、第１の方向に沿うように配置され、
前記第２の基板は、前記第１の方向に沿うように配置され、
前記第２の基板は、前記第１の基板と対向するように配置され、
前記第１の電極は、第２の方向に沿うように配置され、
前記第２の電極は、前記第２の方向に沿うように配置され、
前記第２の電極は、前記第１の電極と対向するように配置され、
前記第１の方向は、前記第２の方向と交わり、
前記電解質は、前記第１の電極と、前記第２の電極との間に配置されたことを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
第１の基板と、
第２の基板と、
第１の集電体と、
第２の集電体と、
第１の活物質と、
第２の活物質と、
第３の活物質と、
第４の活物質と、
電解質と、を有し、
前記電解質は、透光性を有し、
前記第１の活物質は、前記第１の集電体の一方の面に配置され、
前記第２の活物質は、前記第１の集電体の他方の面に配置され、
前記第３の活物質は、前記第２の集電体の一方の面に配置され、
前記第４の活物質は、前記第２の集電体の他方の面に配置され、
前記第１の基板は、第１の方向に沿うように配置され、
前記第２の基板は、前記第１の方向に沿うように配置され、
前記第２の基板は、前記第１の基板と対向するように配置され、
前記第１の集電体は、第２の方向に沿うように配置され、
前記第２の集電体は、前記第２の方向に沿うように配置され、
前記第２の集電体は、前記第１の集電体と対向するように配置され、
前記第１の方向は、前記第２の方向と交わり、
前記電解質は、前記第２の活物質と、前記第３の活物質との間に配置されたことを特徴とする蓄電装置。
【請求項３】
第１の基板と、
第２の基板と、
正極と、
負極と、
電解質と、を有し、
前記電解質は、透光性を有し、
前記第１の基板は、第１の方向に沿うように配置され、
前記第２の基板は、前記第１の方向に沿うように配置され、
前記第２の基板は、前記第１の基板と対向するように配置され、
前記正極は、第２の方向に沿うように配置され、
前記負極は、前記第２の方向に沿うように配置され、
前記負極は、前記正極と対向するように配置され、
前記第１の方向は、前記第２の方向と交わり、
前記電解質は、前記正極と、前記負極との間に配置されたことを特徴とする蓄電装置。
【請求項４】
第１の基板と、
第２の基板と、
第１の正極の集電体と、
第１の正極の活物質と、
第１の負極の集電体と、
第１の負極の活物質と、
第２の正極の集電体と、
第２の正極の活物質と、
第２の負極の集電体と、
第２の負極の活物質と、
電解質と、を有し、
前記電解質は、透光性を有し、
前記第１の正極の活物質、前記第１の正極の集電体、前記第１の負極の集電体、前記第１の負極の活物質は、順に配置され、
前記第２の正極の活物質、前記第２の正極の集電体、前記第２の負極の集電体、前記第２の負極の活物質は、順に配置され、
前記第１の基板は、第１の方向に沿うように配置され、
前記第２の基板は、前記第１の方向に沿うように配置され、
前記第２の基板は、前記第１の基板と対向するように配置され、
前記第１の正極の集電体は、第２の方向に沿うように配置され、
前記第１の負極の集電体は、前記第２の方向に沿うように配置され、
前記第２の正極の集電体は、前記第２の方向に沿うように配置され、
前記第２の負極の集電体は、前記第２の方向に沿うように配置され、
前記第１の正極の集電体は、前記第１の負極の集電体と対向するように配置され、
前記第２の正極の集電体は、前記第２の負極の集電体と対向するように配置され、
前記第１の方向は、前記第２の方向と交わり、
前記電解質は、前記第１の正極の活物質と、前記第２の負極の活物質との間に配置されたことを特徴とする蓄電装置。
【請求項５】
第１の基板と、
第２の基板と、
第１の電極と、
第２の電極と、
第３の電極と、
第４の電極と、
電解質と、を有し、
前記電解質は、透光性を有し、
前記第１の電極は、第１の配線を介して、前記第３の電極と電気的に接続され、
前記第２の電極は、第２の配線を介して、前記第４の電極と電気的に接続され、
前記第１の配線は、前記第１の基板に配置され、
前記第２の配線は、前記第２の基板に配置され、
前記第１の基板は、第１の方向に沿うように配置され、
前記第２の基板は、前記第１の方向に沿うように配置され、
前記第２の基板は、前記第１の基板と対向するように配置され、
前記第１の電極は、第２の方向に沿うように配置され、
前記第２の電極は、前記第２の方向に沿うように配置され、
前記第３の電極は、前記第２の方向に沿うように配置され、
前記第４の電極は、前記第２の方向に沿うように配置され、
前記第１の電極は、前記第２の電極と対向するように配置され、
前記第２の電極は、前記第３の電極と対向するように配置され、
前記第３の電極は、前記第４の電極と対向するように配置され、
前記第１の方向は、前記第２の方向と交わり、
前記電解質は、前記第１の電極と、前記第２の電極との間に配置され、
前記電解質は、前記第２の電極と、前記第３の電極との間に配置され、
前記電解質は、前記第３の電極と、前記第４の電極との間に配置されたことを特徴とする蓄電装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載された蓄電装置と、太陽電池とを有する充電装置であって、
前記太陽電池は、光電変換層を有し、
前記光電変換層は、前記電解質と重なるように配置され、
前記電解質を介して、光が、前記光電変換層へ入射されることを特徴とする充電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月12日(2014.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体と、第２半導体と、第１導電層と、第２導電層と、第３導電層と、第４導電層と、第１絶縁層と、第２絶縁層と、第３絶縁層と、を有し、
前記第１半導体は、第１トランジスタのチャネル形成領域と、前記第１トランジスタのソース領域及びドレイン領域と、を有し、
前記第１導電層は、前記第１トランジスタのゲート電極となる機能を有し、
前記第１絶縁層は、前記第１トランジスタのゲート絶縁層となる機能を有し、
前記第２半導体は、第２トランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第２導電層は、前記第２トランジスタのゲート電極となる機能を有し、
前記第２絶縁層は、前記第２トランジスタのゲート絶縁層となる機能を有し、
前記第１導電層は、容量素子の一対の電極のうちの一方となる機能を有し、
前記第４導電層は、前記容量素子の一対の電極のうちの他方となる機能を有し、
前記第１絶縁層を介して、前記第１トランジスタのチャネル形成領域と重なる領域を有するように、前記第１導電層は設けられており、
前記第１トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接して、前記第３導電層は設けられており、
前記第１導電層の側面に、前記第３絶縁層は設けられており、
前記第１導電層と接する領域と、前記第３絶縁層の上面に沿った領域と、前記第１半導体と接する領域と、前記第３導電層と接する領域と、を有するように、前記第２半導体は設けられており、
前記第２半導体の上面に沿った領域と、前記第１導電層の上面に沿った領域と、を有するように、前記第２絶縁層は設けられており、
前記第２絶縁層を介して、前記第２半導体と重なる領域を有するように、前記第２導電層は設けられており、
前記第２絶縁層を介して、前記第１導電層と重なる領域を有するように、前記第４導電層は設けられており、
前記第２半導体は、酸化物半導体であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月18日(2013.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
しかし、現在は安価で小型の３Ｄカメラが販売され、一般ユーザーが気軽に利用可能な状態になっている。例えば、一般ユーザーが旅行先でスナップ写真などを３Ｄ画像として撮影することも多くなってきた。しかし、例えば遠方の山なみなどの被写体のみを含む風景写真は、被写体全体が視差の少ない画像となる。このような被写体を３Ｄ画像として撮影して記録し、その記録画像を３Ｄ表示可能なディスプレイで３Ｄ画像として表示しても、立体感、すなわち遠近感をほとんど認識できないといった事態が発生する。表示装置で３Ｄ表示を実行して立体感を認識するためには、十分な視差を発生させる被写体が含まれていることが必要となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
撮像素子上には通常画素の水平ラインとしてＧ画素とＲ画素とが水平方向に交互に配置されたＧｒラインＬ１と、Ｂ画素とＧ画素とが水平方向に交互に配置されたＧｂラインＬ２とが形成されている。このＧｒラインＬ１とＧｂラインＬ２とが垂直方向に交互に配置されることによりベイヤー配列が構成される。また、撮像素子上には例えば上記通常画素の水平ライン６本毎に位相差検出画素２１１ａ，２１１ｂが水平方向に配列された位相差検出ラインＬｆが形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
そして、第１位相差検出画素２１１ａにおける第１開口部ＯＰ１は、光電変換部ＰＤの中心を通り光軸ＬＴに平行な中心軸ＣＬを基準（起点）にして特定方向（ここでは、右方向（＋Ｘ方向））に偏った位置に設けられている。また、第１位相差検出画素２１１ａにおける第２開口部ＯＰ２は、中心軸ＣＬを基準にして上記特定方向とは反対の方向（「反特定方向」とも称する）に偏った位置に設けられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
上述のような構成を有する一対の位相差検出画素２１１ａ，２１１ｂでは、射出瞳ＥＹにおいて異なる領域（部分）を通過した被写体光についての測距信号が取得される。
具体的には、射出瞳ＥＹの右瞳領域Ｑａを通過した光束Ｔａは、位相差検出画素２１１ａに対応するマイクロレンズＭＬおよび第１遮光板ＡＳ１の第１開口部ＯＰ１を通過し、さらに第２遮光板ＡＳ２によって制限（限定）された後、第１位相差検出画素２１１ａの受光素子ＰＤで受光される。この受光素子の出力が右瞳領域Ｑａの光束Ｔａに関する測距信号ａとして取得される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
図４に示す本発明の撮像装置における撮像部１０１，１０２は、この「位相差検出法」に従った合焦技術を適用して、画像の微細領域単位での被写体距離を算出し、その距離情報を距離データ解析部１０５に出力する。なお、各画素ペアａｂ単位での距離算出処理に際しては、シフト量に基づく演算処理を実行してもよいし、予めシフト量と被写体距離との対応データを予め計測して撮像部内のメモリに格納し、その格納データを適用して距離値を取得する構成としてもよい。
また、撮影レンズの焦点距離をｆ、第１位相差検出画素２１１ａ、第２位相差検出画素２１１ｂの基線長となるピッチサイズをＬ、位相差検出によって得られたずれ量をｎとすると、これから三角測量の原理により被写体までの距離Ｒを以下の式で算出することができる。
Ｒ＝ｆ×Ｌ／ｎ
上記式を用いて被写体までの距離を算出する構成としてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
距離データ解析部１０５は、撮像部１０１、撮像部１０２から各々、撮影画像内の測距ポイント対応の複数の測距データを取得する。例えば図６（ｂ）を参照して説明した７ｂｉｔ（０〜１２７）のデータである。
例えばすべての距離測定点の値が閾値（例えば１２０）以上である場合は、ステップＳ２０３の判定はＹｅｓとなる。それ以外の場合はＮｏとなる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2012124766.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月25日(2013.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
一方、列並列ＡＤ変換回路３５−２のフリップフロップ４２は、水平転送期間XHSの第２フェーズの間にリセットされて、そのタイミングで、アクセスの対象となる画素Ａ２の画素データを読み出して、水平転送期間XHSの第３フェーズの間で次のリセットがされるまで、画素Ａ２の画素データを保持する。そして、そのリセット後、順次アクセスの対象となる画素Ｂ１、画素Ｂ３、および画素Ｂ４の画素データを加算して保持する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
このように、フリップフロップ４２では、水平転送期間XHSの３フェーズ間で４画素加算を行う画素のうちの３つの画素の画素データを加算して保持し、次の水平転送期間XHSの１フェーズで、次の画素加算を行う画素のうちの１つの画素の画素データを保持する処理を交互に行う。また、列並列ＡＤ変換回路３５−１のフリップフロップ４２と、列並列ＡＤ変換回路３５−２のフリップフロップ４２とで、３つの画素の画素データの加算と、１つの画素の画素データの保持とを交互に処理を行う。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
以下、同様に、水平転送期間XHSの１フェーズごとに、列並列ＡＤ変換回路３５−１と列並列ＡＤ変換回路３５−２とで交互に２回ずつ転送信号ＦＳ１が供給される処理が繰り返される。これにより、フリップフロップ４２で加算および保持されている画素データが、データ保持用ラッチ５２に転送されて保持される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
そして、ロジック回路３２は、現在の水平転送期間XHSのフェーズが、４×Ｋ＋１番目であると判定した場合、列並列ＡＤ変換回路３５−１のフリップフロップ４２にリセット信号を出力し、列並列ＡＤ変換回路３５−１のフリップフロップ４２およびラッチ回路４４に転送信号ＦＳ１を出力する。但し、図７における水平転送期間XHSの第５フェーズに示されるように、ロジック回路３２は、転送信号ＦＳ１を出力した後にリセット信号を出力する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
但し、図７における水平転送期間XHSの第６フェーズに示されるように、ロジック回路３２は、転送信号ＦＳ３を出力した後に選択信号HSELを出力し、転送信号ＦＳ１およびＦＳ２を出力した後に選択信号HSELとリセット信号とを出力する。なお、転送信号ＦＳ１とＦＳ２とが出力されるタイミングや、選択信号HSELとリセット信号とが出力されるタイミングは、それぞれ同時であっても、異なっていてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
また、ロジック回路３２は、現在の水平転送期間XHSのフェーズが、４×Ｋ＋３番目であると判定した場合、列並列ＡＤ変換回路３５−２のフリップフロップ４２にリセット信号を出力し、列並列ＡＤ変換回路３５−２のフリップフロップ４２およびラッチ回路４４に転送信号ＦＳ１を出力する。但し、図７における水平転送期間XHSの第７フェーズに示されるように、ロジック回路３２は、転送信号ＦＳ１を出力した後にリセット信号を出力する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
但し、図７における水平転送期間XHSの第８フェーズに示されるように、ロジック回路３２は、転送信号ＦＳ３を出力した後に選択信号HSELを出力し、転送信号ＦＳ１およびＦＳ２を出力した後に選択信号HSELとリセット信号とを出力する。なお、転送信号ＦＳ１とＦＳ２とが出力されるタイミングや、選択信号HSELとリセット信号とが出力されるタイミングは、それぞれ同時であっても、異なっていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月9日(2013.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズル開口に連通する圧力発生室と、
圧電体層と前記圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子と、を具備し、
前記圧電体層は、Ａサイトに、カリウム、ナトリウム、及びビスマスを含み、Ｂサイトにニオブ、鉄、及びクロムを含むペロブスカイト構造の複合酸化物からなることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項２】
前記複合酸化物は、ニオブ酸カリウムナトリウムと鉄酸ビスマスとクロム酸ビスマスとの混晶としての組成比を有することを特徴とする請求項１に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項３】
前記複合酸化物は、クロムとニオブとのモル比（クロム／ニオブ）が０．０３以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項４】
前記複合酸化物は、クロムとニオブとのモル比（クロム／ニオブ）が０．０５以上０．０８以下であることを特徴とする請求項３に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項５】
前記圧電体層は、厚さが１μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【請求項７】
圧電体層と前記圧電体層に設けられた電極とを備え、
前記圧電体層は、Ａサイトに、カリウム、ナトリウム、及びビスマスを含み、Ｂサイトにニオブ、鉄、及びクロムを含むペロブスカイト構造の複合酸化物からなることを特徴とする圧電素子。
【請求項８】
請求項７に記載の圧電素子を具備することを特徴とする赤外線センサー。
【請求項９】
請求項７に記載の圧電素子を具備することを特徴とする超音波センサー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、赤外線センサー及び超音波センサー
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月20日(2013.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
コンピュータ等の情報機器においては、ＲＡＭ（Random Access Memory）として動作が高速且つ高密度なＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）が広く使用されている。しかしながら、ＤＲＡＭは電子機器に用いられる一般的な論理回路ＬＳＩ（Large Scale Integration）や信号処理回路と比較して製造工程が複雑であるためコストが高い。また、頻繁にリフレッシュ動作、即ち書き込んだ情報を読み出し、増幅し直して再度書き込み直す動作を行う必要がある。更に、ＤＲＡＭは電源供給がなくなると記憶情報が失われる揮発性メモリであるため、長期記録の用途には向かないという欠点がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで、２つの電極間に金属元素（例えば、銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ），亜鉛（Ｚｎ））とカルコゲン元素（例えば、硫黄（Ｓ），セレン（Ｓｅ），テルル（Ｔｅ））を含むイオン導電体層を挿入した記憶素子が、微細化の限界を超える次世代不揮発性メモリとして提案されている（例えば、特許文献１，非特許文献１参照）。この記憶素子は、２つのうちの一方の電極が、イオン導電体層中に含まれる金属を含有している。２つの電極間に電圧を印加すると、電極中に含まれる金属がイオン導電体層中にイオンとして拡散し、これによりイオン導電体層の抵抗値あるいはキャパシタンス等の電気特性が変化する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そこで、データの保持特性を改善した記憶素子として、以下に示す記憶素子が提案されている。例えば特許文献２に記載の記憶素子では、一方の電極とイオン導電体層との間に、イオンの移動を制限するバリア層として希土類酸化膜が挿入されている。これにより、閾値電圧以上の記録電圧の印加により、Ｃｕ，ＡｇあるいはＺｎ等の金属元素を含む電極から上記金属元素のイオンが希土類酸化膜に拡散し、他方の電極側で電子と結合して析出、あるいは希土類酸化膜内部に拡散した状態で留まる。即ち、希土類酸化膜内にＣｕ，Ａｇ，Ｚｎを多量に含む電流パス（フィラメント）が形成される（フィラメント型）。あるいは、希土類酸化膜内にＣｕ，Ａｇ，Ｚｎによる欠陥が多数形成される（非フィラメント型）。これにより希土類膜の抵抗値が低くなる。また、逆極性の電圧を印加することにより、希土類酸化膜内に形成された電流パスあるいは不純物準位を構成するＣｕ，Ａｇ，Ｚｎが再びイオン化して希土類酸化膜内を移動して負電極側に戻り、希土類酸化膜の抵抗値が高くなる。この希土類酸化膜の抵抗変化による記憶素子では、微細化した場合においても高温環境下および長期保存においても優れたデータ保持特性を示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の記憶素子または記憶装置では、抵抗変化層と第１電極との間に設けられたバリア層により、金属イオンの移動効率が改善される。これにより、データ消去時における電流パスあるいは不純物準位を形成する金属イオンの残存量が低減される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
このようなイオン源層２１の具体的な材料としては、例えば、ＺｒＴｅＡｌ，ＴｉＴｅＡｌ，ＣｒＴｅＡｌ，ＷＴｅＡｌおよびＴａＴｅＡｌが挙げられる。また、例えば、ＺｒＴｅＡｌに対して、Ｃｕを添加したＣｕＺｒＴｅＡｌ，さらにＧｅを添加したＣｕＺｒＴｅＡｌＧｅ，更に、添加元素を加えたＣｕＺｒＴｅＡｌＳｉＧｅとしてもよい。あるいは、Ａｌの他にＭｇを用いたＺｒＴｅＭｇとしてもよい。イオン化する金属元素としては、Ｚｒの代わりに、ＴｉやＴａなどの他の遷移金属元素を選択した場合でも同様な添加元素を用いることは可能であり、例えばＴａＴｅＡｌＧｅなどとすることも可能である。更に、イオン導電材料としては、Ｔｅ以外に硫黄（Ｓ）やセレン（Ｓｅ）、あるいはヨウ素（Ｉ）を用いてもよく、具体的にはＺｒＳＡｌ，ＺｒＳｅＡｌ，ＺｒＩＡｌ，ＣｕＧｅＴｅＡｌ等を用いてもよい。また、必ずしもＡｌを含んでいる必要はなく、ＣｕＧｅＴｅＺｒ等を用いてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
バリア層２３は抵抗変化層２２と下部電極１０との間に設けられている。このバリア層２３は、抵抗変化層２２にかかる電界の分布を均一にする機能を有している。このバリア層２３は、抵抗変化層２２よりも高い導電率を有し、具体的には抵抗変化層２２に対して１０倍以上２００倍以下であることが好ましい。より好ましくは２０倍以上１００倍以下である。このバリア層２３に用いられる材料としては、例えばＴｉ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，ＭｏあるいはＺｒの酸化物または窒化物が挙げられる。また、膜厚は、例えば０．１ｎｍ以上２．０ｎｍ以下である。バリア層２３の導電率は酸化条件または窒化条件を変えることにより調整することができる。具体的には、例えばＴｉＮよりなる下部電極１０の上面に、例えばＴｉ，ＴｉＮ，ＺｒあるいはＺｒＮ膜を形成した後に、酸素プラズマによって酸化することにより、ＴｉＯｘ，ＴｉＯＮ，ＺｒＯｘあるいはＺｒＯＮよりなるバリア層２３が形成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
以下、本実施の形態の記憶素子１の製造方法について説明する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
なお、最適な構造としては特にイオン源層２１にＺｒ等の遷移金属を用いることによってイオン源層のカルコゲナイド膜が安定化するので望ましい。また、Ａｌは可動イオンとしても機能するが、Ａｌ4Ｔｅ6を形成すると融点がＴｅの融点よりも上昇するため、構造体として用いることもできる。更に、実施の形態等において陰イオンを形成するカルコゲナイド材料としてＴｅを用いたが、その他ＳあるいはＳｅを用いても構わない。但し、イオン源層２１に含まれる陽イオンよりも動きにくいものが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
例えば、上記実施の形態および実施例では、記憶素子１およびメモリセルアレイ２の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月20日(2013.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持した状態で搬送される基板ホルダであって、
前記基板を保持面に保持する本体部と、
前記本体部に設けられ、外部から測定可能な指標と、
前記指標の情報と、外部からの測定により得られるべき前記指標の測定結果の情報とが対応付けられて記憶される情報記憶部と、
を備える基板ホルダ。
【請求項２】
前記指標は、測定により互いに異なる複数の前記測定結果のいずれか一つが測定されるべく設けられており、
前記情報記憶部は、前記複数の測定結果のうちの前記一つを、前記基板ホルダを識別する識別情報に対応付けて記憶されている請求項１に記載の基板ホルダ。
【請求項３】
前記指標は、前記本体部の外観形状である請求項１または２に記載の基板ホルダ。
【請求項４】
前記指標は、前記本体部の物理量である請求項１または２に記載の基板ホルダ。
【請求項５】
外部からの電力供給により、前記基板を前記保持面に静電吸着する電極をさらに備え、
前記指標は、前記電極の電気な特性である請求項１または２に記載の基板ホルダ。
【請求項６】
前記情報記憶部は、バーコードである請求項１から５のいずれか一項に記載の基板ホルダ。
【請求項７】
前記情報記憶部は、QRコードである請求項１から５のいずれか一項に記載の基板ホルダ。
【請求項８】
基板を保持する基板ホルダ、および、前記基板を前記基板ホルダと共に搬送して複数の前記基板を貼り合わせる貼り合わせ装置を備える貼り合わせシステムであって、
前記ホルダは、
前記基板を保持面に保持する本体部と、
前記本体部に設けられ、外部から測定可能な指標と、
前記指標の情報と、外部からの測定により得られるべき前記指標の測定結果の情報とが対応付けられて記憶される情報記憶部と
を備え、
前記貼り合わせ装置は、
前記基板ホルダの情報記憶部から前記指標の情報、および、前記測定結果の情報を読み出す読み出し部と、
前記読み出し部により読み出された前記指標の情報に基づいて、前記指標を測定する指標測定部と、
前記読み出し部により読み出された前記測定結果の情報と前記指標測定部の測定の結果とを比較して出力する比較部と、
を備える貼り合わせシステム。
【請求項９】
前記比較部による比較の結果、前記読み出し部により読み出された前記測定結果の情報と前記指標測定部の測定の結果とが一致していない場合、または、その違いが予め定められた閾値を超えた場合、警告を出す警告部を備える請求項８に記載の貼り合わせシステム。
【請求項１０】
前記貼り合わせ装置は、前記基板を保持する前記基板ホルダを保持するステージ装置と、前記ステージ装置を制御する制御部とを有し、
前記制御部は、前記比較部による比較の結果、前記読み出し部により読み出された前記測定結果の情報と前記指標測定部の測定の結果とが一致していない場合、または、その違いが予め定められた閾値を超えた場合、前記ステージ装置を停止させる請求項８または９に記載の貼り合わせシステム。
【請求項１１】
請求項８から１０のいずれか一項に記載の貼り合わせシステムにより複数の基板を積層して積層半導体装置を製造する積層半導体装置製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板ホルダ、貼り合わせシステム及び積層半導体装置製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月14日(2013.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に沿って切り込み部が設けられている基部と、
平面視で、前記基部の端部を付け根にして前記第１方向と交差する第２の方向に沿って延出されている振動腕と、
を含む振動片を備え、
前記付け根は、平面視で、
前記振動腕の一方の外縁に位置している第１の付け根部と、
前記振動腕の前記一方の外縁とは反対側の他方の外縁に位置している第２の付け根部と、
を含み、
前記第２の付け根部は、平面視で、前記第１の付け根部よりも前記切り込み部の開口側に配置され、
前記第１の付け根部から前記第２の付け根部までの長さをＡ、
前記第１の付け根部から前記切り込み部の内端部までの長さをＢとしたとき、
Ａ≧Ｂ
を満足していることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
請求項１において、
前記切り込み部は、前記第２の付け根部から前記第１の付け根部に向う方向に沿って切り込まれていることを特徴とする電子機器。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記振動腕は、
腕部と、
前記腕部と前記付け根との間に設けられ、前記第２の方向に沿った幅が、前記付け根側から前記腕部側へ向かうに従って縮幅している第１のテーパー部と、
を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項４】
請求項３において、
前記腕部は、
前記第２の方向に沿った幅が、前記第１のテーパー部から前記付け根とは反対側へ向かうに従って縮幅している第２のテーパー部を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項において、
前記振動腕は、
平面視で、前記付け根側とは反対側の先端側に錘部を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項５において、
前記錘部は、前記付け根へ向かうに従って縮幅している第３のテーパー部を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項７】
請求項５または６において、
前記錘部の前記第２の方向に沿った幅をＣとしたとき、
Ａ≧Ｃ
を満足していることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項において、
前記振動腕は、互いに表裏の関係にある第１の主面と第２の主面の少なくとも何れかに溝が設けられていることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項において、
前記基部に接続されている支持部を含むことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例または形態として実現することが可能である。
本発明のある形態に係る電子機器は、第１方向に沿って切り込み部が設けられている基部と、平面視で、前記基部の端部を付け根にして前記第１方向と交差する第２の方向に沿って延出されている振動腕と、を含む振動片を備え、前記付け根は、平面視で、前記振動腕の一方の外縁に位置している第１の付け根部と、前記振動腕の前記一方の外縁とは反対側の他方の外縁に位置している第２の付け根部と、を含み、前記第２の付け根部は、平面視で、前記第１の付け根部よりも前記切り込み部の開口側に配置され、前記第１の付け根部から前記第２の付け根部までの長さをＡ、前記第１の付け根部から前記切り込み部の内端部までの長さをＢとしたとき、Ａ≧Ｂを満足していることを特徴とする。
本発明のある別の形態に係る電子機器は、前記切り込み部は、前記第２の付け根部から前記第１の付け根部に向う方向に沿って切り込まれていることを特徴とする。
本発明のある別の形態に係る電子機器は、前記振動腕は、腕部と、前記腕部と前記付け根との間に設けられ、前記第２の方向に沿った幅が、前記付け根側から前記腕部側へ向かうに従って縮幅している第１のテーパー部と、を含むことを特徴とする。
本発明のある別の形態に係る電子機器は、前記腕部は、前記第２の方向に沿った幅が、前記第１のテーパー部から前記付け根とは反対側へ向かうに従って縮幅している第２のテーパー部を含むことを特徴とする。
本発明のある別の形態に係る電子機器は、前記振動腕は、平面視で、前記付け根側とは反対側の先端側に錘部を含むことを特徴とする。
本発明のある別の形態に係る電子機器は、前記錘部は、前記付け根へ向かうに従って縮幅している第３のテーパー部を含むことを特徴とする。
本発明のある別の形態に係る電子機器は、前記錘部の前記第２の方向に沿った幅をＣとしたとき、Ａ≧Ｃを満足していることを特徴とする。
本発明のある別の形態に係る電子機器は、前記振動腕は、互いに表裏の関係にある第１の主面と第２の主面の少なくとも何れかに溝が設けられていることを特徴とする。
本発明のある別の形態に係る電子機器は、前記基部に接続されている支持部を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月29日(2014.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方に、ソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うように絶縁層を形成し、
前記絶縁層の表面に平坦化処理を施して、平坦化処理が施された絶縁層を形成すると共に、前記ソース電極および前記ドレイン電極を露出させ、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を薄膜化することで、前記平坦化処理が施された絶縁層表面の一部と前記ソース電極表面との高低差、または前記平坦化処理が施された絶縁層表面の一部と前記ドレイン電極表面との高低差を設け、
前記平坦化処理が施された絶縁層の表面、前記ソース電極表面、および前記ドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記絶縁層の表面に平坦化処理を施して、二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下の表面を一部に有する平坦化処理が施された絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記平坦化処理が施された絶縁層表面の一部と前記ソース電極表面との高低差、または前記平坦化処理が施された絶縁層表面の一部と前記ドレイン電極表面との高低差を２０ｎｍ以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域上の第１のゲート絶縁層と、前記チャネル形成領域と重畳する、前記第１のゲート絶縁層上の第１のゲート電極と、前記チャネル形成領域と電気的に接続する第１のソース電極および第１のドレイン電極と、を有する第１のトランジスタを形成し、
前記第１のトランジスタを覆う、第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層の表面に第２のソース電極および第２のドレイン電極を形成し、
前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極を覆うように第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層の表面に平坦化処理を施して、平坦化処理が施された絶縁層を形成すると共に、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極を露出させ、
前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極を薄膜化することで、前記平坦化処理が施された絶縁層表面の一部と前記第２のソース電極表面との高低差、または前記平坦化処理が施された絶縁層表面の一部と前記第２のドレイン電極表面との高低差を設け、
前記平坦化処理が施された絶縁層の表面、前記第２のソース電極表面、および前記第２のドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を覆う第２のゲート絶縁層を形成し、
前記第２のゲート絶縁層上に第２のゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第２の絶縁層の表面に平坦化処理を施して、二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下の表面を一部に有する平坦化処理が施された絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記平坦化処理が施された絶縁層表面の一部と前記第２のソース電極表面との高低差、または前記平坦化処理が施された絶縁層表面の一部と前記第２のドレイン電極表面との高低差を２０ｎｍ以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月12日(2014.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層中に埋め込まれた配線と、
前記絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体層と重畳して設けられたゲート電極と、
前記酸化物半導体層と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、
前記絶縁層は、前記配線の上面の少なくとも一部を露出するように設けられ、
前記配線は、その上面の一部が前記絶縁層の表面の一部より高い位置に存在し、且つ、前記絶縁層から露出した領域において、前記ソース電極または前記ドレイン電極と電気的に接続され、
前記絶縁層表面の一部であって、前記酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下である半導体装置。
【請求項２】
絶縁層と、
前記絶縁層中に埋め込まれた配線と、
前記絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体層と重畳して設けられたゲート電極と、
前記酸化物半導体層と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、
前記絶縁層は、前記配線の上面の少なくとも一部を露出するように設けられ、
前記配線は、その上面の一部が前記絶縁層の表面の一部より高い位置に存在し、且つ、前記絶縁層から露出した領域において、前記ゲート電極と電気的に接続され、
前記絶縁層表面の一部であって、前記酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下である半導体装置。
【請求項３】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層中に埋め込まれた配線と、
前記第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層中に埋め込まれたソース電極およびドレイン電極と、
前記第２の絶縁層表面、前記ソース電極表面、および前記ドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記酸化物半導体層と重畳して、前記ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記第１の絶縁層は、前記配線の上面の少なくとも一部を露出するように設けられ、
前記配線は、その上面の一部が前記第１の絶縁層の表面の一部より高い位置に存在し、且つ、前記第１の絶縁層から露出した領域において、前記ソース電極または前記ドレイン電極と電気的に接続され、
前記第２の絶縁層表面の一部であって、前記酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下である半導体装置。
【請求項４】
前記配線の側面の一部も露出されている請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項５】
第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタ上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層を介して前記第１のトランジスタ上に設けられた第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のチャネル形成領域と、
前記第１のチャネル形成領域上に設けられた第１のゲート絶縁層と、
前記第１のチャネル形成領域と重畳して、前記第１のゲート絶縁層上に設けられた第１のゲート電極と、
前記第１のチャネル形成領域と電気的に接続された第１のソース電極及び第１のドレイン電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
酸化物半導体を有する第２のチャネル形成領域と、
前記第２のチャネル形成領域と電気的に接続された第２のソース電極及び第２のドレイン電極と、
前記第２のチャネル形成領域と重畳して設けられた第２のゲート電極と、
前記第２のチャネル形成領域と前記第２のゲート電極との間に設けられた第２のゲート絶縁層と、を有し、
前記絶縁層は、前記第１のゲート電極の上面の少なくとも一部を露出するように設けられ、
前記第１のゲート電極は、その上面の一部が前記絶縁層の表面の一部より高い位置に存在し、且つ、前記絶縁層から露出した領域において、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極と電気的に接続され、
前記絶縁層表面の一部であって、前記第２のチャネル形成領域と接する領域は、その二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下である半導体装置。
【請求項６】
第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタ上に設けられた第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層を介して前記第１のトランジスタ上に設けられた第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のチャネル形成領域と、
前記第１のチャネル形成領域上に設けられた第１のゲート絶縁層と、
前記第１のチャネル形成領域と重畳して、前記第１のゲート絶縁層上に設けられた第１のゲート電極と、
前記第１のチャネル形成領域と電気的に接続された第１のソース電極及び第１のドレイン電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
第２の絶縁層中に埋め込まれた第２のソース電極、および第２のドレイン電極と、
前記第２の絶縁層表面、前記第２のソース電極表面、および前記第２のドレイン電極表面、の一部と接し、且つ酸化物半導体を有する第２のチャネル形成領域と、
前記第２のチャネル形成領域を覆う第２のゲート絶縁層と、
前記第２のチャネル形成領域と重畳して、前記第２のゲート絶縁層上に設けられた第２のゲート電極と、を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第１のゲート電極の上面の少なくとも一部を露出するように設けられ、
前記第１のゲート電極は、その上面の一部が前記第１の絶縁層の表面の一部より高い位置に存在し、且つ、前記第１の絶縁層から露出した領域において、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極と電気的に接続され、
前記第２の絶縁層表面の一部であって、前記第２のチャネル形成領域と接する領域は、その二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下である半導体装置。
【請求項７】
前記第１のゲート電極の側面の一部も露出されている請求項５または請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１のチャネル形成領域と、前記第２のチャネル形成領域とは、異なる半導体材料を有する請求項５乃至請求項７のいずれか一に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月30日(2014.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、
前記チャネル形成領域と重なるゲート電極と、
前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間のゲート絶縁層と、
前記酸化物半導体層と接し、第１の開口及び第２の開口を有する絶縁層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース配線及びドレイン配線とを有し、
前記ソース配線は、第１の導電層と第２の導電層とが積層された領域と、前記第２の導電層の単層でなる領域とを有し、
前記ドレイン配線は、第３の導電層と第４の導電層とが積層された領域と、前記第４の導電層の単層でなる領域とを有し、
前記第２の導電層の膜厚は、前記第１の導電層の膜厚より小さく、
前記第４の導電層の膜厚は、前記第３の導電層の膜厚より小さく、
前記第１の導電層は、前記酸化物半導体層と接する領域を有さず、
前記第２の導電層は、前記第１の開口において前記酸化物半導体層と接し、
前記第３の導電層は、前記酸化物半導体層と接する領域を有さず、
前記第４の導電層は、前記第２の開口において前記酸化物半導体層と接することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
チャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、
前記チャネル形成領域と重なるゲート電極と、
前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間のゲート絶縁層と、
前記酸化物半導体層と接し、第１の開口及び第２の開口を有する絶縁層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース配線及びドレイン配線とを有し、
前記ソース配線は、第１の導電層と第２の導電層とが積層された領域と、前記第２の導電層の単層でなる領域とを有し、
前記ドレイン配線は、第３の導電層と第４の導電層とが積層された領域と、前記第４の導電層の単層でなる領域とを有し、
前記第２の導電層の膜厚は、前記第１の導電層の膜厚より小さく、
前記第４の導電層の膜厚は、前記第３の導電層の膜厚より小さく、
前記第１の導電層は、前記酸化物半導体層と接する領域を有さず、
前記第２の導電層は、前記第１の開口において前記酸化物半導体層と接し、
前記第３の導電層は、前記酸化物半導体層と接する領域を有さず、
前記第４の導電層は、前記第２の開口において前記酸化物半導体層と接し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層とは異なるエッチング工程を経て加工され、
前記第３の導電層は、前記第４の導電層とは異なるエッチング工程を経て加工されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記第２の導電層のチャネル長方向の長さは、前記第１の導電層のチャネル長方向の長さよりも大きく、
前記第４の導電層のチャネル長方向の長さは、前記第３の導電層のチャネル長方向の長さよりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の導電層の材料として、前記酸化物半導体層よりも仕事関数の高い金属材料を有し、
前記第４の導電層の材料として、前記酸化物半導体層よりも仕事関数の高い金属材料を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月7日(2014.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
フォトダイオードと、
選択信号線と、
出力信号線と、
基準信号線と、
リセット信号線と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記選択信号線と電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記出力信号線と電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記基準信号線と電気的に接続されており、
前記フォトダイオードのアノード又はカソードの一方は、前記リセット信号線と電気的に接続されており、
前記フォトダイオードのアノード又はカソードの他方は、前記第１のトランジスタのバックゲートと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
表示素子部と、
第１のトランジスタとフォトダイオードとを有するフォトセンサ部と、
選択信号線と、
出力信号線と、
基準信号線と、
リセット信号線と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記選択信号線と電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記出力信号線と電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記基準信号線と電気的に接続されており、
前記フォトダイオードのアノード又はカソードの一方は、前記リセット信号線と電気的に接続されており、
前記フォトダイオードのアノード又はカソードの他方は、前記第１のトランジスタのバックゲートと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記表示素子部は、液晶素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
第２のトランジスタを有し、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記フォトダイオードのアノードまたはカソードの他方と電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのバックゲートと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記フォトダイオードは、前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４又は５において、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、酸化物半導体層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６に記載の半導体装置を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月10日(2014.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】入出力装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
選択信号を出力する選択信号出力回路と、
リセット信号を出力するリセット信号出力回路と、
前記選択信号及び前記リセット信号が入力される光検出回路と、を有し、
第１の駆動期間と第２の駆動期間とを有し、
前記第１の駆動期間では、前記リセット信号と前記選択信号とが前記光検出回路に入力されることで、前記光検出回路から光の照度に応じたデータ信号が出力され、
前記第２の駆動期間では、前記光検出回路への前記リセット信号と前記選択信号との出力を停止することで、前記光検出回路の動作を停止することを特徴とする入出力装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記選択信号出力回路は第１のシフトレジスタを有し、
前記リセット信号出力回路は第２のシフトレジスタを有し、
前記第１の駆動期間では、前記第１のシフトレジスタに第１のスタート信号及び第１のクロック信号が入力されることで、前記選択信号が前記光検出回路に入力され、第２のシフトレジスタに第２のスタート信号及び第２のクロック信号が入力されることで、前記リセット信号が前記光検出回路に入力され、
前記第２の駆動期間では、前記第１のシフトレジスタへの前記第１のスタート信号及び前記第１のクロック信号の入力が停止されることで、前記光検出回路への前記選択信号の出力が停止され、前記第２のシフトレジスタへの前記第２のスタート信号及び前記第２のクロック信号の入力が停止されることで、前記光検出回路への前記リセット信号の出力が停止されることを特徴とする入出力装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の駆動期間では、前記第１のシフトレジスタに第１の電源電圧が入力され、前記第２のシフトレジスタに第２の電源電圧が入力され、
前記第２の駆動期間では、前記第１のシフトレジスタへの第１の電源電圧の入力が停止され、前記第２のシフトレジスタへの第２の電源電圧の入力が停止されることを特徴とする入出力装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記光検出回路は画素部に設けられ、
前記画素部は表示回路を有し、
前記表示回路は画像を表示することを特徴とする入出力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月20日(2013.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトダイオード、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、及び第４のトランジスタを有し、
前記フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を前記第２のトランジスタを介して前記第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有し、
前記第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、前記蓄積された電荷を出力信号に変換する機能を有し、
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタのゲートに蓄積された電荷を保持する機能を有し、
前記第３のトランジスタは、前記第１のトランジスタのゲートに蓄積された電荷を放電する機能と、前記第１のトランジスタのゲートに蓄積された電荷を保持する機能を有し、
前記第４のトランジスタは、前記出力信号の読み出しを制御する機能を有し、
前記第２のトランジスタの下方に、前記フォトダイオードを有し、
前記第２のトランジスタ側から、被検出物からの光が、前記フォトダイオードに入射されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記フォトダイオードの下方に、遮光膜を有し、
前記遮光膜は、前記第２のトランジスタと重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタを非導通状態とする期間において、前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタのゲートに印加される電圧の電圧レベルは、前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタのソース及びドレインの低電圧の側の電圧レベルより小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続される、前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタの半導体層は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月24日(2014.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジペンタエリスリトールと脂肪酸とのエステルを冷凍機油全量基準で１０質量％以上含有し、
前記エステルを構成する前記脂肪酸における炭素数５〜７の脂肪酸の割合が２０モル％以上であり、且つ前記エステルを構成する前記脂肪酸は炭素数８〜９の分岐脂肪酸を含有し、
ペンタエリスリトールと脂肪酸とのエステルを更に含有する、ジフルオロメタン冷媒用冷凍機油。
【請求項２】
冷凍機油全量基準で０．１〜５質量％のエポキシ化合物を更に含有する、請求項１に記載の冷凍機油。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の冷凍機油と、ジフルオロメタン冷媒とを含有する、冷凍機用作動流体組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、本発明のジフルオロメタン冷媒用冷凍機油は、ジペンタエリスリトールと脂肪酸とのエステルを冷凍機油全量基準で１０質量％以上含有し、エステルを構成する脂肪酸における炭素数５〜７の脂肪酸の割合が２０モル％以上であり、且つエステルを構成する脂肪酸は炭素数８〜９の分岐脂肪酸を含有し、ペンタエリスリトールと脂肪酸とのエステルを更に含有することを特徴とするものである。