【手続補正書】
【提出日】平成26年9月19日(2014.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記周期的構造は、レーザ集光手段にて前記レーザ光を前記基板の表面に向けて照射することによって形成され、前記レーザ集光手段は、前記基板内部において、前記レーザ光を光軸に軸対称に集光するとともに、前記レーザ集光手段の外周部に入射した光が、前記レーザ集光手段の内周部に入射した光より、前記レーザ集光手段側で集光するように構成されていることが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記改質層は、所定の厚さを有し、前記単結晶の基板の表面から所定の深さに形成されたことが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記基板の表面は、鏡面仕上げであることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
前記改質層は、所定の厚さを有し、前記単結晶の基板の表面から所定の深さに形成されたことが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
前記基板の表面は、鏡面仕上げであることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
実施例１においては、基板内部加工装置１００のレーザ光源１５０として波長１０６４ｎｍ、繰り返し周波数２００ｋＨｚ、出力１．６Ｗ、パルス幅１０ｎｍのものを使用した。基板内部加工装置１００において、ｘ軸、ｙ軸方向にそれぞれ最大速度２００ｍｍ／ｓで移動可能なｘｙステージ１１０上に、大きさ５０×５０ｍｍ、厚み０．７ｍｍ、表面が鏡面仕上げ加工された単結晶シリコンからなる基板１０を載置固定した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
この基板１０を直線状の照射方向に直角に劈開を行い、断面を観察した。この結果、図１４に示すように、基板１０鏡面仕上げ側表面から０．３ｍｍの深さに加工領域の長さが３０μｍ、かつ隣接する加工痕同士が連結する状態が確認できた。この加工跡は、レーザ照射による溶解及び冷却により単結晶構造が多結晶構造に変化（相変化）したものであり、単結晶の結晶方位とは異なる結晶方位の結晶を含み、多結晶構造の領域が連結した周期的構造を有する内部加工層１４を構成している。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
レーザ光源１５０として波長１０６４ｎｍのファイバーレーザＡを用いて、繰り返し周波数２００ｋＨｚ、レーザ集光部１６０として開口数０．８５の赤外用対物レンズを用い、対物レンズ後の出力１．６Ｗ、パルス幅３９ｎｓ、レーザ照射間隔１μｍ、オフセット１μｍ、空気中換算でＤＦ８０μｍ、シリコン収差補正環０．６ｍｍで厚み７２５μｍ両面鏡面仕上げ加工（１００）のシリコン単結晶の基板１０の表面５ｍｍ×２０ｍｍの領域に向けてレーザ光１９０を照射して内部改質層１４を形成した。なお、基板１０の表面とはレーザ集光部１６０に対向する基板１０の主面をいい、基板１０のレーザ集光部１６０に対する反対側の主面を裏面というものとする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
レーザ光源１５０として波長１０６４ｎｍのファイバーレーザＢを用いて、繰り返し周波数２００ｋＨｚ、レーザ集光部１６０として開口数０．８５の赤外用対物レンズを用い、対物レンズ後の出力０．８Ｗ、パルス幅３９ｎｓ、レーザ照射間隔１μｍ、オフセット１μｍ、空気中換算でＤＦ８０μｍ、シリコン収差補正環０．６ｍｍで厚み７２５μｍ両面鏡面仕上げ加工（１００）のシリコン単結晶の基板１０の表面５ｍｍ×２０ｍｍの領域に向けてレーザ光１９０を照射して内部加工層１４を形成した。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
レーザ光源１５０として波長１０６４ｎｍのファイバーレーザＢを用いて、繰り返し周波数２００ｋＨｚ、レーザ集光部１６０として開口数０．８５の赤外用対物レンズを用い、対物レンズ後の出力０．８Ｗ、パルス幅３９ｎｓ、レーザ照射間隔１μｍ、オフセット２μｍ、空気中換算でＤＦ８０μｍ、シリコン収差補正環０．６ｍｍで厚み７２５μｍ両面鏡面仕上げ加工（１００）のシリコン単結晶の基板１０の表面５ｍｍ×２０ｍｍの領域に向けてレーザ光１９０を照射して内部加工層１４を形成した。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
〔比較例１〕
レーザ光源１５０として波長１０６４ｎｍのファイバーレーザＡを用いて、繰り返し周波数２００ｋＨｚ、レーザ集光部１６０として開口数０．８５の赤外用対物レンズを用い、対物レンズ後の出力１．２Ｗ、パルス幅３９ｎｓ、レーザ照射間隔１μｍ、オフセット１μｍ、空気中換算でＤＦ８０μｍ、シリコン収差補正環０．６ｍｍで厚み７２５μｍ両面鏡面仕上げ加工（１００）のシリコン単結晶の基板１０の表面５ｍｍ×１０ｍｍの領域に向けてレーザ光１９０を照射して内部加工層１４を形成した。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
〔比較例２〕
レーザ光源１５０として波長１０６４ｎｍのファイバーレーザＢを用いて、繰り返し周波数２００ｋＨｚ、レーザ集光部１６０として開口数０．８５の赤外用対物レンズを用い、対物レンズ後の出力０．６Ｗ、パルス幅６０ｎｓ、レーザ照射間隔１μｍ、オフセット１μｍ、空気中換算でＤＦ８０μｍ、シリコン収差補正環０．６ｍｍで厚み７２５μｍ両面鏡面仕上げ加工（１００）のシリコン単結晶の基板１０の表面５ｍｍ×１０ｍｍの領域に向けてレーザ光１９０を照射して内部加工層１４を形成した。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記周期的構造は、前記レーザ集光手段と前記基板を相対的に移動させて、前記レーザ集光手段により前記レーザ光を前記基板に向けて照射することによって形成されたことを特徴とする請求項２記載の基板。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記改質層は、所定の厚さを有し、前記単結晶の基板の表面から所定の深さに形成されたことを特徴とする請求項１記載の基板。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記基板の表面は、鏡面仕上げであることを特徴とする請求項１記載の基板。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記改質層は、所定の厚さを有し、前記単結晶の基板の表面から所定の深さに形成されたことを特徴とする請求項１０記載の方法。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
前記基板の表面は、鏡面仕上げであることを特徴とする請求項１０記載の方法。