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【手続補正書】
【提出日】平成26年1月14日(2014.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型電極と、ｐ型電極と、前記ｎ型電極と前記ｐ型電極との間に配置された半導体からなる活性層と、前記ｐ型電極と前記活性層との間に配置された半導体からなる２次元フォトニック結晶層と、を含む面発光レーザであって、
前記２次元フォトニック結晶層は、
前記活性層の面内方向に、低屈折率媒質と前記低屈折率媒質よりも高屈折率の高屈折率媒質とが周期的に配列され、
前記低屈折率媒質と前記高屈折率媒質との間に、導電性を備えた側壁部材が配置されて構成されていることを特徴とする面発光レーザ。
【請求項２】
前記側壁部材の抵抗率は、前記高屈折率媒質よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
【請求項３】
前記側壁部材の体積は、前記高屈折率媒質の体積以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の面発光レーザ。
【請求項４】
前記高屈折率媒質の前記ｐ型電極側は、前記側壁部材よりも抵抗率が低い部材で構成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項５】
前記高屈折率媒質は、前記ｐ型電極側の方が前記ｎ型電極側よりも抵抗率が低いことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項６】
前記側壁部材は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項７】
前記側壁部材は、Ｍｇを２×１０１８ｃｍ−３以上の濃度で含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項８】
半導体からなる活性層と、２次元フォトニック結晶層と、を含む面発光レーザの製造方法であって、
半導体からなる活性層を形成する工程と、
前記活性層の上に、半導体からなる２次元フォトニック結晶層を形成する工程と、を有し、
前記２次元フォトニック結晶層を形成する工程は、
前記活性層の上に、前記２次元フォトニック結晶層の母材となる母材層を形成する工程と、
前記母材層に、前記活性層の面内方向に周期的に配列した空孔を形成する工程と、
前記空孔が形成された前記母材層を、ドーパントを供給しながら前記母材層の媒質がマストランスポートを起こす温度で熱処理をして、前記空孔を残しつつ、前記空孔の側壁に導電性を備えた側壁部材を形成する工程と、
を有することを特徴とする面発光レーザの製造方法。
【請求項９】
前記２次元フォトニック結晶層を形成する工程は、前記側壁部材を形成する工程の後に、前記母材層の媒質よりも屈折率が低く、空気より屈折率が高い媒質を前記空孔に形成する工程を有することを特徴とする請求項８に記載の面発光レ−ザの製造方法。
【請求項１０】
前記空孔の深さ／幅の比であるアスペクト比は、１以上であることを特徴とする請求項８または９に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項１１】
前記２次元フォトニック結晶層が窒化物半導体で構成され、前記熱処理の熱処理温度が８５０℃以上であることを特徴とする請求項８から１０のいずれか１項に記載の面発光レーザの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】面発光レーザとその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の面発光レーザは、ｎ型電極と、ｐ型電極と、前記ｎ型電極と前記ｐ型電極との間に配置された半導体からなる活性層と、前記ｐ型電極と前記活性層との間に配置された半導体からなる２次元フォトニック結晶層と、を含む面発光レーザであって、前記２次元フォトニック結晶層は、前記活性層の面内方向に、低屈折率媒質と前記低屈折率媒質よりも高屈折率の高屈折率媒質とが周期的に配列され、前記低屈折率媒質と前記高屈折率媒質との間に、導電性を備えた側壁部材が配置されて構成されていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザの製造方法は、半導体からなる活性層と、２次元フォトニック結晶層と、を含む面発光レーザの製造方法であって、半導体からなる活性層を形成する工程と、前記活性層の上に、半導体からなる２次元フォトニック結晶層を形成する工程と、を有し、前記２次元フォトニック結晶層を形成する工程は、前記活性層の上に、前記２次元フォトニック結晶層の母材となる母材層を形成する工程と、前記母材層に、前記活性層の面内方向に周期的に配列した空孔を形成する工程と、前記空孔が形成された前記母材層を、ドーパントを供給しながら前記母材層の媒質がマストランスポートを起こす温度で熱処理をして、前記空孔を残しつつ、前記空孔の側壁に導電性を備えた側壁部材を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月6日(2013.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池パックと、
前記電池パックからの直流電圧を変圧する変圧部と、
前記変圧部の出力電圧が所定範囲から外れた場合に変圧部の動作を停止する制御部と、
を備えたことを特徴とする電源装置。
【請求項２】
前記変圧部は、前記電池パックからの直流電圧を交流電圧に変換する変換部と、
前記変換部の出力を整流・平滑する整流・平滑部と、を備え、
前記制御部は、前記整流・平滑部の平滑電圧が定範囲から外れた場合に前記変換部の動作を停止することを特徴とする請求項１に記載の電源装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記変圧部の出力電圧が下限値を下回った場合、しばらくの間、前記変圧部の動作を継続させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電源装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記変圧部の出力電圧が上限値を超えた場合、すぐに前記変圧部の動作を停止させることを特徴とする請求項３に記載の電源装置。
【請求項５】
前記整流・平滑部の直流電圧を交流電圧に変換するインバータ部を備え、
前記制御部は、前記整流・平滑部の平滑電圧が所定範囲から外れた場合に前記インバータ部の動作を停止する請求項２乃至請求項４のいずれか一項に記載の電源装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電源装置に接続されるモータを備えたことを特徴とする電動工具。
【請求項７】
直流電圧を交流電圧に変圧して出力する変圧回路と、
前記変圧回路から出力された交流電圧を整流・平滑して直流電圧として出力する整流・平滑回路と、
前記整流・平滑回路から出力された直流電圧を交流電圧に変換して出力するインバータ回路と、
前記変圧回路の出力側の電圧が所定範囲から外れた場合に前記インバータ回路からの交流電圧の出力を停止させる停止手段と、
を備えたことを特徴とするインバータ装置。
【請求項８】
前記停止手段は、前記変圧回路の二次側の電圧がしばらくの間、前記所定範囲から外れ続けた場合に、前記インバータ回路からの交流電圧の出力を停止させることを特徴とする請求項７に記載のインバータ装置。
【請求項９】
前記停止手段は、前記変圧回路の出力側の電圧が前記所定範囲から外れた場合に前記変圧回路の出力を停止させることを特徴とする請求項７または請求項８に記載のインバータ装置。
【請求項１０】
前記停止手段は、前記変圧回路の二次側の電圧がしばらくの間、前記所定範囲から外れ続けた場合に、前記変圧回路の出力を停止させることを特徴とする請求項９に記載のインバータ装置。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一項に記載のインバータ装置に接続されるモータを備えたことを特徴とする電動工具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電源装置、電動工具及びインバータ装置 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の電源装置は、電池パックと、前記電池パックからの直流電圧を変圧する変圧部と、前記変圧部の出力電圧が所定範囲から外れた場合に変圧部の動作を停止する制御部と、を備えたことを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記変圧部は、前記電池パックからの直流電圧を交流電圧に変換する変換部と、前記変換部の出力を整流・平滑する整流・平滑部と、を備え、前記制御部は、前記整流・平滑部の平滑電圧が定範囲から外れた場合に前記変換部の動作を停止することが好ましい。

【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記制御部は、前記変圧部の出力電圧が下限値を下回った場合、しばらくの間、前記変圧部の動作を継続させることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記制御部は、前記変圧部の出力電圧が上限値を超えた場合、すぐに前記変圧部の動作を停止させることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記整流・平滑部の直流電圧を交流電圧に変換するインバータ部を備え、前記制御部は、前記整流・平滑部の平滑電圧が所定範囲から外れた場合に前記インバータ部の動作を停止することが好ましい。
本発明の電動工具は、上記のように構成された電源装置に接続されるモータを備えたことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のインバータ装置は、直流電圧を交流電圧に変圧して出力する変圧回路と、前記変圧回路から出力された交流電圧を整流・平滑して直流電圧として出力する整流・平滑回路と、前記整流・平滑回路から出力された直流電圧を交流電圧に変換して出力するインバータ回路と、前記変圧回路の出力側の電圧が所定範囲から外れた場合に前記インバータ回路からの交流電圧の出力を停止させる停止手段と、を備えたことを特徴としている。
また、前記停止手段は、前記変圧回路の二次側の電圧がしばらくの間、前記所定範囲から外れ続けた場合に、前記インバータ回路からの交流電圧の出力を停止させることが好ましい。
前記停止手段は、前記変圧回路の出力側の電圧が前記所定範囲から外れた場合に前記変圧回路の出力を停止させることが好ましい。
また、前記停止手段は、前記変圧回路の二次側の電圧がしばらくの間、前記所定範囲から外れ続けた場合に、前記変圧回路の出力を停止させることが好ましい。
本発明の電動工具は、上記インバータ装置に接続されるモータを備えたことを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月7日(2014.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項２記載のスイッチギヤにおいて、
前記接地装置は、前記上段ブッシングと前記下段ブッシングとの中間に配置された１台の接地装置で構成され、１個の前記操作機構の操作により、前記ブレードが前記上段ブッシング又は前記下段ブッシングのいずれかの前記中心導体に選択的に接続できるように構成したことを特徴とするスイッチギヤ。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、接地装置は、上段ブッシングと下段ブッシングとの中間に配置された１台の接地装置で構成され、１個の操作機構の操作により、ブレードが上段又は下段ブッシングのいずれかの中心導体に選択的に接続できるように構成したので、上記の効果に加えて、外線ケーブル側と母線側の接地を一つの接地装置で行えるため、装置の小形化を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月26日(2013.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面とその反対側の第２面とを貫通する引き出し孔を有するベースと、
前記第１面側に配設され、前記ベースに対して回転自在に支持される回転体と、
前記第１面側にワイヤにより形成される、前記回転体を回転させるための電機子コイルと、
前記電機子コイルと前記ベースとに介在し、前記引き出し孔の位置に合わせて形成されるシート孔を有するインシュレーションシートと、
前記第２面に設けられ、前記電機子コイルと電気的に接続される配線部材と、を備え、
前記ワイヤは、前記引き出し孔および前記シート孔を通って前記第２面側に引き出され、前記配線部材に接続される引き出しワイヤを有し、
前記インシュレーションシートは、前記シート孔から延出し、前記引き出し孔の周面の少なくとも一部を覆う延出部を有し、
前記延出部は、前記引き出し孔の周面の一部と前記引き出しワイヤとに介在することを特徴とする回転機器。
【請求項２】
前記延出部は、前記引き出し孔の前記第２面側の縁の少なくとも一部を覆うことを特徴とする請求項１に記載の回転機器。
【請求項３】
前記延出部は、前記シート孔に連結する連結部と、前記連結部に連設するカバー部を有し、
前記カバー部は、前記連結部より延出方向と直交する方向に張り出すように形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の回転機器。
【請求項４】
前記延出部は、前記シート孔から突出し、前記シート孔の周方向に複数配設された突出片を有し、
前記突出片は、前記シート孔の縁において前記引き出し孔の周面側に折り曲げられていることを特徴とする請求項１または２に記載の回転機器。
【請求項５】
前記延出部は、前記引き出し孔の周面に接着されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の回転機器。
【請求項６】
前記延出部を前記引き出し孔の周面に接着する粘着部材は、両面テープであることを特徴とする請求項５に記載の回転機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月13日(2014.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端末（ＵＥ）と、ＭＭＥ（Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ｅｎｔｉｔｙ）と、ＭＳＣ/ＶＬＲ（Ｍｏｂｉｌｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  Ｃｅｎｔｅｒ／Ｖｉｓｉｔｅｄ  Ｌｏｃａｔｉｏｎ  Ｒｅｇｉｓｔｅｒ）と、を含む移動通信システムであって、
前記ＭＭＥは前記ＭＳＣ／ＶＬＲからＩＭＳＩ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｍｏｂｉｌｅ―Ｓｔａｔｉｏｎ  Ｓｕｂｓｃｒｉｐｔｉｏｎ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）に関するページング要求メッセージ（ＳＧｓＡＰ−ＰＡＧＩＮＧ−ＲＥＱＵＥＳＴ  ｍｅｓｓａｇｅ）を受信すると、前記ＭＭＥは前記ＭＳＣ／ＶＬＲから提供された位置情報を含む前記ページング要求メッセージを送信し、前記端末をページングする、ことを特徴とする移動通信システム。
【請求項２】
端末（ＵＥ）と、ＭＳＣ/ＶＬＲ（Ｍｏｂｉｌｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  Ｃｅｎｔｅｒ／Ｖｉｓｉｔｅｄ  Ｌｏｃａｔｉｏｎ  Ｒｅｇｉｓｔｅｒ）と、を含む移動通信システムに用いられるＭＭＥ（Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ｅｎｔｉｔｙ）であって、
前記ＭＭＥは前記ＭＳＣ／ＶＬＲからＩＭＳＩ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｍｏｂｉｌｅ―Ｓｔａｔｉｏｎ  Ｓｕｂｓｃｒｉｐｔｉｏｎ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）に関するページング要求メッセージ（ＳＧｓＡＰ−ＰＡＧＩＮＧ−ＲＥＱＵＥＳＴ  ｍｅｓｓａｇｅ）を受信すると、前記ＭＭＥは前記ＭＳＣ／ＶＬＲから提供された位置情報を含む前記ページング要求メッセージを送り、前記端末をページングする手段を有する、ことを特徴とするＭＭＥ。
【請求項３】
ＭＭＥ（Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ｅｎｔｉｔｙ）と、ＭＳＣ/ＶＬＲ（Ｍｏｂｉｌｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  Ｃｅｎｔｅｒ／Ｖｉｓｉｔｅｄ  Ｌｏｃａｔｉｏｎ  Ｒｅｇｉｓｔｅｒ）と、を含む移動通信システムに用いられる端末（ＵＥ）であって、
前記ＭＭＥは前記ＭＳＣ／ＶＬＲからＩＭＳＩ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｍｏｂｉｌｅ―Ｓｔａｔｉｏｎ  Ｓｕｂｓｃｒｉｐｔｉｏｎ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）に関するページング要求メッセージ（ＳＧｓＡＰ−ＰＡＧＩＮＧ−ＲＥＱＵＥＳＴ  ｍｅｓｓａｇｅ）を受信すると、前記ＭＭＥは前記ＭＳＣ／ＶＬＲから提供された位置情報を含む前記ページング要求メッセージを送り、前記ＭＭＥによりページングされる、ことを特徴とする端末。
【請求項４】
端末（ＵＥ）と、ＭＭＥ（Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ｅｎｔｉｔｙ）と、ＭＳＣ/ＶＬＲ（Ｍｏｂｉｌｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  Ｃｅｎｔｅｒ／Ｖｉｓｉｔｅｄ  Ｌｏｃａｔｉｏｎ  Ｒｅｇｉｓｔｅｒ）と、を含む移動通信システムの通信方法であって、
前記ＭＭＥは前記ＭＳＣ／ＶＬＲからＩＭＳＩ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｍｏｂｉｌｅ―Ｓｔａｔｉｏｎ  Ｓｕｂｓｃｒｉｐｔｉｏｎ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）に関するページング要求メッセージ（ＳＧｓＡＰ−ＰＡＧＩＮＧ−ＲＥＱＵＥＳＴ  ｍｅｓｓａｇｅ）を受信すると、前記ＭＭＥは前記ＭＳＣ／ＶＬＲから提供された位置情報を含む前記ページング要求メッセージを送り、前記端末をページングする、ことを特徴とする移動通信システムの通信方法。
【請求項５】
端末（ＵＥ）と、ＭＳＣ/ＶＬＲ（Ｍｏｂｉｌｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  Ｃｅｎｔｅｒ／Ｖｉｓｉｔｅｄ  Ｌｏｃａｔｉｏｎ  Ｒｅｇｉｓｔｅｒ）とを含む移動通信システムに用いられるＭＭＥ（Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ｅｎｔｉｔｙ）の通信方法であって、
前記ＭＭＥは前記ＭＳＣ／ＶＬＲからＩＭＳＩ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｍｏｂｉｌｅ―Ｓｔａｔｉｏｎ  Ｓｕｂｓｃｒｉｐｔｉｏｎ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）に関するページング要求メッセージ（ＳＧｓＡＰ−ＰＡＧＩＮＧ−ＲＥＱＵＥＳＴ  ｍｅｓｓａｇｅ）を受信すると、前記ＭＭＥは前記ＭＳＣ／ＶＬＲから提供された位置情報を含む前記ページング要求メッセージを送り、前記端末をページングする、ことを特徴とするＭＭＥの通信方法。
【請求項６】
ＭＭＥ（Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ｅｎｔｉｔｙ）と、ＭＳＣ/ＶＬＲ（Ｍｏｂｉｌｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  Ｃｅｎｔｅｒ／Ｖｉｓｉｔｅｄ  Ｌｏｃａｔｉｏｎ  Ｒｅｇｉｓｔｅｒ）と、を含む移動通信システムに用いられる端末（ＵＥ）の通信方法であって、
前記ＭＭＥは、前記ＭＳＣ／ＶＬＲからＩＭＳＩ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｍｏｂｉｌｅ―Ｓｔａｔｉｏｎ  Ｓｕｂｓｃｒｉｐｔｉｏｎ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）に関するページング要求メッセージ（ＳＧｓＡＰ−ＰＡＧＩＮＧ−ＲＥＱＵＥＳＴ  ｍｅｓｓａｇｅ）を受信すると、前記ＭＭＥは、前記ＭＳＣ／ＶＬＲから提供された位置情報を含む前記ページング要求を送信し、
前記ＭＭＥよりページングされる、ことを特徴とする端末の通信方法。
【請求項７】
前記ＭＭＥでは、再開が発生している、ことを特徴とする請求項１記載の移動通信システム。
【請求項８】
前記位置情報は、位置登録エリア情報である、ことを特徴とする請求項１記載の移動通信システム。
【請求項９】
ＭＭＥ（Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ｅｎｔｉｔｙ）またはＳＧＳＮ（Ｓｅｒｖｉｎｇ  ＧＰＲＳ  Ｓｕｐｐｏｒｔ  Ｎｏｄｅ）と、ＳＧＷ（Ｓｅｒｖｉｎｇ  Ｇａｔｅｗａｙ）とを含む移動通信システムであって、
前記ＳＧＷは、前記ＭＭＥまたは前記ＳＧＳＮが復帰したことを検出した場合に、前記ＳＧＷは、ネットワークトリガ型のサービス復帰に適した特定のＳ５／Ｓ８ベアラに関するベアラリソースを保持し、他のすべてのＳ５／Ｓ８ベアラに関するベアラリソースを削除する、ことを特徴とする移動通信システム。
【請求項１０】
ＭＭＥ（Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ｅｎｔｉｔｙ）またはＳＧＳＮ（Ｓｅｒｖｉｎｇ  ＧＰＲＳ  Ｓｕｐｐｏｒｔ  Ｎｏｄｅ）を含む移動通信システムに用いられるＳＧＷ（Ｓｅｒｖｉｎｇ  Ｇａｔｅｗａｙ）であって、
前記ＭＭＥまたは前記ＳＧＳＮが復帰したことを検出した場合に、ネットワークトリガ型のサービス復帰に適した特定のＳ５／Ｓ８ベアラに関するベアラリソースを保持し、他のすべてのＳ５／Ｓ８ベアラに関するベアラリソースを削除する手段を有する、ことを特徴とするＳＧＷ。
【請求項１１】
ＭＭＥ（Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ｅｎｔｉｔｙ）またはＳＧＳＮ（Ｓｅｒｖｉｎｇ  ＧＰＲＳ  Ｓｕｐｐｏｒｔ  Ｎｏｄｅ）と、ＳＧＷ（Ｓｅｒｖｉｎｇ  Ｇａｔｅｗａｙ）とを含む移動通信システムに用いられる端末（ＵＥ）であって、
前記端末は、前記移動通信システムよりページングされ、前記ぺージングに応答して前記移動通信システムに再アタッチする手段を有し、
前記ＳＧＷは、前記ＭＭＥまたは前記ＳＧＳＮが復帰したことを検出した場合に、前記ＳＧＷはネットワークトリガ型のサービス復帰に適する特定のＳ５／Ｓ８ベアラに関するベアラリソースを保持し、他のすべてのＳ５／Ｓ８ベアラに関するベアラリソースを削除する、ことを特徴とする端末。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月13日(2014.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、絶縁膜を形成し、
前記基板を加熱しながら、前記絶縁膜上に、酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有する、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記酸化物半導体膜に、窒素、リン、及び砒素のうち少なくともいずれか一の元素を添加する半導体装置の作製方法であって、
前記酸化物半導体膜は、前記元素が添加された第１の領域と、前記元素が添加されていない第２の領域とを有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域より結晶性が低下していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に、絶縁膜を形成し、
前記基板を加熱しながら、前記絶縁膜上に、酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有する、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記酸化物半導体膜に、窒素、リン、及び砒素のうち少なくともいずれか一の元素を添加する半導体装置の作製方法であって、
前記絶縁膜は、加熱により、酸素原子又は酸素分子を放出する機能を有し、
前記放出された酸素原子又は酸素分子は、前記酸化物半導体膜に供給され、
前記酸化物半導体膜は、前記元素が添加された第１の領域と、前記元素が添加されていない第２の領域とを有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域より結晶性が低下していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に、第１の絶縁膜を形成し、
前記基板を加熱しながら、前記第１の絶縁膜上に、酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有する、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記酸化物半導体膜に、窒素、リン、及び砒素のうち少なくともいずれか一の元素を添加し、
前記酸化物半導体膜及び前記ゲート電極上に、第２の絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記酸化物半導体膜は、前記元素が添加された第１の領域と、前記元素が添加されていない第２の領域とを有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域より結晶性が低下しており、
前記第２の絶縁膜は、少なくとも第２の領域へ、水素を供給する機能を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の領域は、前記基板表面に垂直な方向に沿うｃ軸に配向した領域を含んでいることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の領域の前記元素濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月22日(2014.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、容量素子と、を有し、
前記トランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、第１の酸化物半導体層と、ソース電極およびドレイン電極と、を有し、
前記容量素子は、第１の電極と、第２の酸化物半導体層と、第２の電極と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、前記ゲート絶縁層を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続され、
前記第１の電極は、前記ソース電極または前記ドレイン電極と同一の導電層からなり、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の電極と前記第２の電極に挟まれる領域を有する半導体装置。
【請求項２】
トランジスタと、容量素子と、を有し、
前記トランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、第１の酸化物半導体層と、ソース電極およびドレイン電極と、を有し、
前記容量素子は、第１の電極と、第２の酸化物半導体層と、第２の電極と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層は、前記ゲート絶縁層を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続され、
前記第２の電極は、前記ソース電極または前記ドレイン電極と同一の導電層からなり、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の電極と前記第２の電極に挟まれる領域を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の酸化物半導体層は、非単結晶であって、且つ、前記第１の酸化物半導体層の被形成面に対して８５°以上９５°以下の範囲でｃ軸が配向した領域を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、非単結晶であって、且つ、前記第２の酸化物半導体層の被形成面に対して８５°以上９５°以下の範囲でｃ軸が配向した領域を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の電極と、前記第２の酸化物半導体層との間に、金属酸化物層を有する半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の電極と、前記第２の酸化物半導体層との間に、金属酸化物層を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体層は、シリコン、ゲルマニウム、セリウム、チタン、タングステン、アルミニウム、銅、イットリウム、ランタン、バナジウムのいずれか一以上の元素を１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上含む半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月12日(2014.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、第１乃至第３の絶縁層と、第１乃至第３の導電層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、前記酸化物半導体層の第１の領域上に設けられ、
前記第１の導電層は、前記第１の絶縁層を介して前記第１の領域と重なる領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第１の導電層の側面に接する領域を有し、
前記第３の絶縁層は、前記第１の導電層上、前記酸化物半導体層上、及び前記第２の絶縁層上に設けられ、
前記第２の導電層は、前記第３の絶縁層に設けられた第１の開口部を介して前記酸化物半導体層の第２の領域と電気的に接続され、
前記第３の導電層は、前記第３の絶縁層に設けられた第２の開口部を介して前記酸化物半導体層の第３の領域と電気的に接続され、
前記第２の領域及び前記第３の領域は、元素を有し、
前記第１の領域と前記第２の領域との間の領域の元素の濃度は、前記第２の領域の元素の濃度よりも低く、
前記第１の領域と前記第３の領域との間の領域の元素の濃度は、前記第３の領域の元素の濃度よりも低く、
前記元素は、窒素、リン又は砒素から選ばれた一以上の元素であり、
前記第１の領域は、前記酸化物半導体層の表面に対して垂直方向に沿うようにｃ軸配向した結晶を有し、
前記第２の領域及び前記第３の領域は、前記第１の領域よりも結晶性が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体層と、第１乃至第３の絶縁層と、第１乃至第３の導電層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、前記酸化物半導体層の第１の領域上に設けられ、
前記第１の導電層は、前記第１の絶縁層を介して前記第１の領域と重なる領域を有し、
前記第１の導電層の端部と、前記第１の絶縁層の端部は一致し、
前記第２の絶縁層は、前記第１の導電層の側面に接する領域を有し、
前記第３の絶縁層は、前記第１の導電層上、前記酸化物半導体層上、及び前記第２の絶縁層上に設けられ、
前記第２の導電層は、前記第３の絶縁層に設けられた第１の開口部を介して前記酸化物半導体層の第２の領域と電気的に接続され、
前記第３の導電層は、前記第３の絶縁層に設けられた第２の開口部を介して前記酸化物半導体層の第３の領域と電気的に接続され、
前記第２の領域及び前記第３の領域は、元素を有し、
前記第１の領域と前記第２の領域との間の領域の元素の濃度は、前記第２の領域の元素の濃度よりも低く、
前記第１の領域と前記第３の領域との間の領域の元素の濃度は、前記第３の領域の元素の濃度よりも低く、
前記元素は、窒素、リン又は砒素から選ばれた一以上の元素であり、
前記第１の領域は、前記酸化物半導体層の表面に対して垂直方向に沿うようにｃ軸配向した結晶を有し、
前記第２の領域及び前記第３の領域は、前記第１の領域よりも結晶性が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第２の領域及び前記第３の領域の元素の濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、第４の絶縁層上に設けられ、
前記第４の絶縁層は、加熱により前記酸化物半導体層へ酸素を供給することができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２の絶縁層は、窒素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月11日(2014.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体表面領域の表面に、互いに間隔を置いて設けられた第２導電型のソース領域とドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体領域表面であるチャネル形成領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域と前記チャネル形成領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられたフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極とコントロール絶縁膜を介して容量結合したコントロールゲート電極とからなる電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリにおいて、
前記ドレイン領域内のトンネル領域にはトンネル絶縁膜が設けられており、前記トンネル絶縁膜を介して前記フローティングゲート電極が配置されており、前記ドレイン領域の前記トンネル領域周囲部分は掘り下げられており、掘り下げられた前記ドレイン領域には、空乏化電極絶縁膜を介して、前記トンネル領域の一部を空乏化するための電位を自由に変えることが可能な空乏化電極が配置されている半導体不揮発性メモリ装置。
【請求項２】
前記トンネル領域の前記トンネル絶縁膜は、前記ドレイン領域の表面から前記ドレイン領域の内部へ掘り下げられた面に形成されている請求項１記載の半導体不揮発性メモリ装置。
【請求項３】
前記空乏化電極は、複数に分割されて前記空乏化電極絶縁膜を介して前記トンネル領域の周囲に配置されている請求項１記載の半導体不揮発性メモリ装置。
【請求項４】
第１導電型の半導体表面領域の表面に、互いに間隔を置いて設けられた第２導電型のソース領域とドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体領域表面であるチャネル形成領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域と前記チャネル形成領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられたフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極とコントロールゲート絶縁膜を介して容量結合したコントロールゲート電極とからなる電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリにおいて、
前記ドレイン領域内のトンネル領域にはトンネル絶縁膜が設けられており、前記トンネル絶縁膜を介して前記フローティングゲート電極が配置されており、前記トンネル絶縁膜の近傍であって、前記トンネル絶縁膜上の前記フローティングゲート電極の周囲に空乏化電極絶縁膜を介して、前記トンネル領域の一部を空乏化するための電位を自由に変えることが可能な空乏化電極が配置されている半導体不揮発性メモリ装置。
【請求項５】
前記空乏化電極は、複数に分割されて前記トンネル領域の前記フローティングゲート電極の周囲に前記空乏化電極絶縁膜を介して配置されている請求項４記載の半導体不揮発性メモリ装置。
【請求項６】
第１導電型の半導体表面領域の表面に、互いに間隔を置いて設けられた第２導電型のソース領域とドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体領域表面であるチャネル形成領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域と前記チャネル形成領域の上にゲート絶縁膜を介して設けられたフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極とコントロールゲート絶縁膜を介して容量結合したコントロールゲート電極とからなる電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリにおいて、
前記ドレイン領域内のトンネル領域にはトンネル絶縁膜が設けられており、前記トンネル領域上には、前記トンネル絶縁膜を介して前記フローティングゲート電極が配置されており、前記トンネル領域の近傍には前記ドレイン領域および前記トンネル領域に空乏層を発生させるための第１導電型の高不純物濃度領域が形成されており、前記第１導電型の高不純物濃度領域の電位は自在に設定可能である半導体不揮発性メモリ装置。
【請求項７】
前記第１導電型の高不純物濃度領域は複数に分割されて、前記トンネル領域の前記フローティングゲート電極の周囲に配置されており、各々の前記第１導電型の高不純物濃度領域には独立した異なる電位を設定できる請求項６記載の半導体不揮発性メモリ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月13日(2014.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の、第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の、第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の、第２のゲート電極とを有し、
前記第１のゲート電極は、前記酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記第２のゲート電極は、前記酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記第２のゲート電極は、前記第１のゲート電極と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、
第１の領域と、
第２の領域と、
前記第１の領域と、前記第２の領域との間のチャネル形成領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記チャネル形成領域よりも高い濃度で窒素を有し、
前記第２の領域は、前記チャネル形成領域よりも高い濃度で窒素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の、第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の、第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の、第２のゲート電極とを有し、
前記第１のゲート電極は、前記酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記第２のゲート電極は、前記酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記第２のゲート電極は、前記第１のゲート電極と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、
第１の領域と、
第２の領域と、
前記第１の領域と、前記第２の領域との間のチャネル形成領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記チャネル形成領域よりも高い濃度で燐を有し、
前記第２の領域は、前記チャネル形成領域よりも高い濃度で燐を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物半導体層の表面の法線ベクトルに概略平行な方向にｃ軸が揃った結晶を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記酸化物半導体層は、前記結晶を複数有し、
透過型電子顕微鏡では、前記結晶の粒界は確認されないことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の領域の厚さは、前記チャネル形成領域の厚さより薄く、
前記第２の領域の厚さは、前記チャネル形成領域の厚さより薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１のゲート電極のチャネル長方向の長さは、前記第２のゲート電極のチャネル長方向の長さより短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の領域は、前記第１のゲート電極と重なり、
前記第１の領域は、前記第２のゲート電極と重ならず、
前記第２の領域は、前記第１のゲート電極と重なり、
前記第２の領域は、前記第２のゲート電極と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極上に、第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上であって、前記第１のゲート電極と重なる領域に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に、第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上であって、前記酸化物半導体層と重なる領域に、第２のゲート電極を形成し、
前記第２のゲート電極をマスクとして、前記酸化物半導体層に窒素、又は燐を導入して、第１の領域、第２の領域、及びチャネル形成領域を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記導入する手段に、イオンドーピング法又はイオンインプランテーション法を用いたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極上に、第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上であって、前記第１のゲート電極と重なる領域に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に、第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上であって、前記酸化物半導体層と重なる領域に、第２のゲート電極を形成し、
前記第２のゲート電極をマスクとして、前記酸化物半導体層に窒素、又は燐を導入して、第１の領域、第２の領域、及びチャネル形成領域を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記導入する手段に、プラズマ処理を用いたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第１のゲート電極を形成する基板を用意し、
前記基板にバイアスを印加しながら、前記窒素、又は前記燐を導入することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１において、
前記第１の領域上の第２の絶縁膜、及び前記第２の領域上の第２の絶縁膜を除去した後に、前記窒素、又は前記燐を導入することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月3日(2013.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセルを利用して複数のサブフレームにわたって基地局装置と通信する移動局装置であって、
前記基地局装置から送信されたデータの受信に対するＡＣＫ／ＮＡＣＫをＰＵＣＣＨを使用して前記基地局装置に送信するに際し、複数のＰＵＣＣＨのリソースから前記ＡＣＫ／ＮＡＣＫの情報に応じて１個のリソースを選択し、前記選択したリソースを使用して所定の送信電力で前記ＰＵＣＣＨを送信するように設定されている場合に、
前記複数のサブフレームにおいて前記データの通信に使用されたセルの数に応じて、前記所定の送信電力に関連するパラメータの値を決定し、１つのセルでのみ前記データを受信した場合と２つ以上のセルで前記データを受信した場合とで異なる値を前記パラメータに設定する、ことを特徴とする移動局装置。
【請求項２】
少なくとも何れか１個の下りリンクサブフレームにおいてデータを受信したセルの数に応じて、リソースの選択に用いられる前記複数のＰＵＣＣＨリソースの数が変わり得る、ことを特徴とする請求項１に記載の移動局装置。
【請求項３】
複数のセルを利用して複数のサブフレームにわたって移動局装置と通信する基地局装置であって、
送信したデータの前記移動局装置での受信に対するＡＣＫ／ＮＡＣＫをＰＵＣＣＨを使用して前記移動局装置から受信するに際し、複数のＰＵＣＣＨのリソースから前記ＡＣＫ／ＮＡＣＫの情報に応じて１個のリソースが選択され、前記選択されたリソースを使用して所定の送信電力で前記ＰＵＣＣＨが送信されるように前記移動局装置を設定し、
前記複数のサブフレームにおいて前記データの通信に使用されたセルの数に応じて、前記所定の送信電力に関連するパラメータの値が決定され、１つのセルでのみ前記データを送信された場合と２つ以上のセルで前記データを送信された場合とで異なる値を前記パラメータに設定される、ことを特徴とする基地局装置。
【請求項４】
少なくとも何れか１個の下りリンクサブフレームにおいてデータを送信したセルの数に応じて、リソースの選択に用いられる前記複数のＰＵＣＣＨリソースの数が変わり得る、ことを特徴とする請求項３に記載の基地局装置。
【請求項５】
複数のセルを利用して複数のサブフレームにわたって基地局装置と通信する移動局装置に用いられる通信方法であって、
前記基地局装置から送信されたデータの受信に対するＡＣＫ／ＮＡＣＫをＰＵＣＣＨを使用して前記基地局装置に送信するに際し、複数のＰＵＣＣＨのリソースから前記ＡＣＫ／ＮＡＣＫの情報に応じて１個のリソースを選択し、前記選択したリソースを使用して所定の送信電力で前記ＰＵＣＣＨを送信するように設定されている場合に、
前記複数のサブフレームにおいて前記データの通信に使用されたセルの数に応じて、前記所定の送信電力に関連するパラメータの値を決定し、１つのセルでのみ前記データを受信した場合と２つ以上のセルで前記データを受信した場合とで異なる値を前記パラメータに設定するステップと、を含むことを特徴とする通信方法。
【請求項６】
少なくとも何れか１個の下りリンクサブフレームにおいてデータを受信したセルの数に応じて、リソースの選択に用いられる前記複数のＰＵＣＣＨリソースの数が変わり得る、ことを特徴とする請求項５に記載の通信方法。
【請求項７】
複数のセルを利用して複数のサブフレームにわたって移動局装置と通信する基地局装置に用いられる通信方法であって、
送信したデータの前記移動局装置での受信に対するＡＣＫ／ＮＡＣＫをＰＵＣＣＨを使用して前記移動局装置から受信するに際し、複数のＰＵＣＣＨのリソースから前記ＡＣＫ／ＮＡＣＫの情報に応じて１個のリソースが選択され、前記選択されたリソースを使用して所定の受信電力で前記ＰＵＣＣＨが送信されるように前記移動局装置を設定するステップと、
前記複数のサブフレームにおいて前記データの通信に使用されたセルの数に応じて、前記所定の送信電力に関連するパラメータの値が決定され、１つのセルでのみ前記データを送信した場合と２つ以上のセルで前記データを送信した場合とで異なる値を前記パラメータに設定されている、ことを特徴とする通信方法。
【請求項８】
少なくとも何れか１個の下りリンクサブフレームにおいてデータを送信したセルの数に応じて、リソースの選択に用いられる前記複数のＰＵＣＣＨリソースの数が変わり得る、ことを特徴とする請求項７に記載の通信方法。
【請求項９】
複数のセルを利用して複数のサブフレームにわたって基地局装置と通信するように設定された移動局装置に実装されることにより、前記移動局装置に複数の機能を発揮させる集積回路であって、
前記基地局装置から送信されたデータの受信に対するＡＣＫ／ＮＡＣＫをＰＵＣＣＨを使用して前記基地局装置に送信するに際し、複数のＰＵＣＣＨのリソースから前記ＡＣＫ／ＮＡＣＫの情報に応じて１個のリソースを選択し、前記選択したリソースを使用して所定の送信電力で前記ＰＵＣＣＨを送信するように設定されている場合に、
前記複数のサブフレームにおいて前記データの通信に使用されたセルの数に応じて、前記所定の送信電力に関連するパラメータの値を決定し、１つのセルでのみ前記データを受信した場合と２つ以上のセルで前記データを受信した場合とで異なる値を前記パラメータに設定する機能を含む一連の機能を、前記移動局装置に発揮させる、集積回路。
【請求項１０】
少なくとも何れか１個の下りリンクサブフレームにおいてデータを受信したセルの数に応じて、リソースの選択に用いられる前記複数のＰＵＣＣＨリソースの数が変わり得る、ことを特徴とする請求項９に記載の集積回路。
【請求項１１】
複数のセルを利用して複数のサブフレームにわたって移動局装置と通信するように設定された基地局装置に実装されることにより、前記基地局装置に複数の機能を発揮させる集積回路であって、
送信したデータの前記移動局装置での受信に対するＡＣＫ／ＮＡＣＫをＰＵＣＣＨを使用して前記移動局装置から受信するに際し、複数のＰＵＣＣＨのリソースから前記ＡＣＫ／ＮＡＣＫの情報に応じて１個のリソースが選択され、前記選択されたリソースを使用して所定の受信電力で前記ＰＵＣＣＨが送信されるように前記移動局装置を設定する機能と、
前記複数のサブフレームにおいて前記データの通信に使用されたセルの数に応じて、前記所定の送信電力に関連するパラメータの値が決定され、１つのセルでのみ前記データを送信した場合と２つ以上のセルで前記データを送信した場合とで異なる値を前記パラメータに設定されること、を含む一連の機能を、前記基地局装置に発揮させる、集積回路。
【請求項１２】
少なくとも何れか１個の下りリンクサブフレームにおいてデータを送信したセルの数に応じて、リソースの選択に用いられる前記複数のＰＵＣＣＨリソースの数が変わり得る、ことを特徴とする請求項１１に記載の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月15日(2014.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記録媒体に対しデータの読み書きが可能な動画編集装置であって、
リレー記録により、少なくとも第１の記録媒体と第２の記録媒体とに跨って記録されたリレー動画を構成する、第１の記録媒体に記録された第１の動画ファイルと第２の記録媒体に記録された第２の動画ファイルとのうち、前記第１の動画ファイルが分割処理された際に、前記分割処理によって分割された前記第１の動画ファイルの前半部分或いは後半部分を、前記第２の記録媒体に移動させる移動手段と、
前記移動手段によって移動された前記前半部分或いは前記後半部分と、前記第２の動画とを結合する結合手段とを有することを特徴とする動画編集装置。
【請求項２】
前記前半部分と前記後半部分のうち、前記第２の動画と連続した順序となっている部分を記録するだけの容量が前記第２の記録媒体にあるか否かを判定する容量判定手段を更に有し、
前記移動手段は、前記容量判定手段によって前記容量が前記第２の記録媒体にあると判定された場合に、前記移動を行うことを特徴とする請求項１に記載の動画編集装置。
【請求項３】
前記前半部分或いは後半部分と、前記第２の動画ファイルとが結合可能か否かを判断する結合判断手段を更に有し、
前記移動手段は、前記結合判断手段の判断の結果、結合処理が可能な場合に、前記前半部分或いは後半部分を、前記第２の記録媒体に移動させることを特徴とする請求項１または２に記載の動画編集装置。
【請求項４】
前記リレー記録した際に作成されたリレー記録情報を検出する検出手段を更に有し、
前記結合判断手段は、前記検出手段により検出されたリレー記録情報に基づいて前記結合が可能か否かを判断することを特徴とする請求項３に記載の動画編集装置。
【請求項５】
前記リレー記録情報は、複数の記録媒体に跨って記録された一連のコンテンツであるか否かを示す情報を有することを特徴とする請求項４に記載の動画編集装置。
【請求項６】
前記リレー記録情報から、リレー記録された順序を解析する解析手段と、
前記解析手段の解析結果に従って前記リレー記録された動画ファイルの再生処理を開始する再生処理手段とを更に有することを特徴とする請求項４または５に記載の動画編集装置。
【請求項７】
前記分割処理の際に、前記移動を実行させるか否かの問合わせ表示を行う表示制御手段を更に有し、
前記移動手段は、前記表示制御手段が前記問合せ表示を行った上でユーザーから前記移動を実行させる旨の指示を受けつた場合に、前記移動を実行することを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の動画編集装置。
【請求項８】
複数の記録媒体に対しデータの読み書きが可能な動画編集装置の制御方法であって、
リレー記録により、少なくとも第１の記録媒体と第２の記録媒体とに跨って記録されたリレー動画を構成する、第１の記録媒体に記録された第１の動画ファイルと第２の記録媒体に記録された第２の動画ファイルとのうち、前記第１の動画ファイルが分割処理された際に、前記分割処理によって分割された前記第１の動画ファイルの前半部分或いは後半部分を、前記第２の記録媒体に移動させる移動ステップと、
前記移動ステップによって移動された前記前半部分或いは前記後半部分と、前記第２の動画とを結合する結合ステップとを有することを特徴とする動画編集装置の制御方法。
【請求項９】
コンピュータを、請求項１乃至７のいずれか１項に記載された動画編集装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１０】
コンピュータを、請求項１乃至７のいずれか１項に記載された動画編集装置の各手段として機能させるためのプログラムを格納したコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】動画編集装置及び動画編集装置の制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は動画編集装置及び動画編集装置の制御方法に関し、特に、複数の記憶媒体に跨って記録された一連の動画像ファイルを分割編集する際に用いて好適な技術に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の動画編集装置は、複数の記録媒体に対しデータの読み書きが可能な動画編集装置であって、リレー記録により、少なくとも第１の記録媒体と第２の記録媒体とに跨って記録されたリレー動画を構成する、第１の記録媒体に記録された第１の動画ファイルと第２の記録媒体に記録された第２の動画ファイルとのうち、前記第１の動画ファイルが分割処理された際に、前記分割処理によって分割された前記第１の動画ファイルの前半部分或いは後半部分を、前記第２の記録媒体に移動させる移動手段と、前記移動手段によって移動された前記前半部分或いは前記後半部分と、前記第２の動画とを結合する結合手段とを有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、リレー記録により複数の記憶媒体に跨るファイルに対し、分割後のファイル数を少なくすることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月17日(2014.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟骨伝導振動源と、耳軟骨に接触することで前記軟骨伝導振動源の振動を耳軟骨に導く伝導体とを有し、前記伝導体は弾性体であることを特徴とする携帯電話。
【請求項２】
前記伝導体は、耳軟骨の音響インピーダンスに近似する音響インピーダンスを有することを特徴とする請求項１記載の携帯電話。
【請求項３】
軟骨伝導振動源と、耳軟骨に接触することで前記軟骨伝導振動源の振動を耳軟骨に導く伝導体とを有し、前記伝導体は、耳軟骨の音響インピーダンスに近似する音響インピーダンスを有することを特徴とする記載の携帯電話。
【請求項４】
前記伝導体は、携帯電話上部の両角部をそれぞれ覆っており、前記両角部を覆っている部分のいずれかを耳軟骨に接触させることを特徴とする請求項１から３のいずれかにに記載の携帯電話。
【請求項５】
前記軟骨伝導振動源は、携帯電話上部の中央に配置されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の携帯電話。
【請求項６】
前記伝導体の表側が耳軟骨に接触するよう構成するとともに、前記軟骨伝導振動源は前記伝導体の裏側に接触していることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の携帯電話。
【請求項７】
耳軟骨の音響インピーダンスに近似する音響インピーダンスを有する伝導体を有し、前記伝導体の表側が耳軟骨に接触するよう構成するとともに、前記伝導体の裏側から軟骨伝導振動を伝えることを特徴とする携帯電話。
【請求項８】
前記伝導体は、携帯電話上部の両角部をそれぞれ覆っており、前記両角部を覆っている部分のいずれかを耳軟骨に接触させることを特徴とする請求項７記載の携帯電話。
【請求項９】
前記伝導体の裏側から軟骨伝導振動を伝えるための軟骨伝導振動源は、携帯電話上部の中央に配置されることを特徴とする請求項７または８記載の携帯電話。
【請求項１０】
前記伝導体は弾性体であることを特徴とする請求項７から９のいずれかに記載の携帯電話。