Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月17日(2014.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の、第１の電極と、
前記基板上の、第２の電極と、
前記第１の電極上の、第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上の、第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上の、第３の半導体層と、
前記第２の電極上の、第４の半導体層と、
前記第４の半導体層上の、第５の半導体層と、
前記第５の半導体層上の、第６の半導体層と、
絶縁体と、
前記絶縁体上の、第３の電極と、
前記第３の電極上の、第４の電極と、を有し、
前記第１の半導体層は、第１の導電型を有し、
前記第２の半導体層は、真性半導体を有し、
前記第３の半導体層は、第２の導電型を有し、
前記第４の半導体層は、前記第１の導電型を有し、
前記第５の半導体層は、真性半導体を有し、
前記第６の半導体層は、前記第２の導電型を有し、
前記第１の導電型は、前記第２の導電型と、異なる導電型であり、
前記第１の電極と、前記第２の電極との間には、溝があり、
前記絶縁体は、前記溝を充填しており、
前記絶縁体は、前記第１の電極の一部、及び前記第２の電極の一部を覆う領域を有し、
前記絶縁体は、前記第１の半導体層の側面、前記第２の半導体層の側面、及び前記第３の半導体層の側面と接する領域を有し、
前記第３の電極は、前記絶縁体を覆う領域を有し、
前記第３の電極は、前記第３の半導体層と電気的に接続され、
前記第３の電極は、前記第２の電極と電気的に接続され、
前記第４の電極は、前記第２の電極と電気的に接続され、
前記第２の半導体層は、結晶化していない側面部を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第４の電極は、銀ペースト、ニッケルペースト、モリブデンペースト、及び銅ペーストから選ばれた一つ、またはそれらの積層を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
基板上の、第１の電極と、
前記基板上の、第２の電極と、
前記第１の電極上の、第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上の、第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上の、第３の半導体層と、
前記第２の電極上の、第４の半導体層と、
前記第４の半導体層上の、第５の半導体層と、
前記第５の半導体層上の、第６の半導体層と、
絶縁体と、
前記絶縁体上の、第３の電極と、を有し、
前記第１の半導体層は、第１の導電型を有し、
前記第２の半導体層は、真性半導体を有し、
前記第３の半導体層は、第２の導電型を有し、
前記第４の半導体層は、前記第１の導電型を有し、
前記第５の半導体層は、真性半導体を有し、
前記第６の半導体層は、前記第２の導電型を有し、
前記第１の導電型は、前記第２の導電型と、異なる導電型であり、
前記第１の電極と、前記第２の電極との間には、溝があり、
前記絶縁体は、前記溝を充填しており、
前記絶縁体は、前記第１の電極の一部、及び前記第２の電極の一部を覆う領域を有し、
前記絶縁体は、前記第１の半導体層の側面、前記第２の半導体層の側面、及び前記第３の半導体層の側面と接する領域を有し、
前記第３の電極は、前記絶縁体を覆う領域を有し、
前記第３の電極は、前記第３の半導体層と電気的に接続され、
前記第３の電極は、前記第２の電極と電気的に接続され、
前記第２の半導体層は、結晶化していない側面部を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
基板上の、第１の電極と、
前記基板上の、第２の電極と、
前記第１の電極上の、第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上の、第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上の、第３の半導体層と、
前記第２の電極上の、第４の半導体層と、
前記第４の半導体層上の、第５の半導体層と、
前記第５の半導体層上の、第６の半導体層と、
絶縁体と、
前記絶縁体上の、第３の電極と、を有し、
前記第１の半導体層は、第１の導電型を有し、
前記第２の半導体層は、真性半導体を有し、
前記第３の半導体層は、第２の導電型を有し、
前記第４の半導体層は、前記第１の導電型を有し、
前記第５の半導体層は、真性半導体を有し、
前記第６の半導体層は、前記第２の導電型を有し、
前記第１の導電型は、前記第２の導電型と、異なる導電型であり、
前記第１の電極と、前記第２の電極との間には、溝があり、
前記絶縁体は、前記溝を充填しており、
前記絶縁体は、前記第１の電極の一部、及び前記第２の電極の一部を覆う領域を有し、
前記絶縁体は、前記第１の半導体層の側面、前記第２の半導体層の側面、及び前記第３の半導体層の側面と接する領域を有し、
前記第３の電極は、前記絶縁体を覆う領域を有し、
前記第３の電極は、前記第３の半導体層と電気的に接続され、
前記第３の電極は、前記第２の電極と電気的に接続され、
前記第１の半導体層の側面部は、前記溝の側面部より後退していることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の半導体層は、中央部と結晶化率が異ならない側面部を有し、
前記第３の半導体層は、中央部と結晶化率が異ならない側面部を有することを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月9日(2014.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光電変換層を含む第１のセルと、
前記第１のセルと接する面を有する、第２の光電変換層を含む第２のセルと、
前記第１のセル及び前記第２のセルが接する面とは反対側の前記第１のセルの面の側に設けられた、第１の電極及び第２の電極と、
前記第１のセル及び前記第２のセルが接する面とは反対側の前記第２のセルの面の側に設けられた、第３の電極と、を有し、
前記第２の光電変換層は、前記第１の光電変換層に含まれる第１の材料よりもバンドギャップが大きい第２の材料を含み、
前記第１のセル及び前記第２のセルが接する接触部は、ｐｎ接合が形成されており、
前記第１のセルは、セル内にｐｎ接合又はｐｉｎ接合を有し、
前記第２のセルは、セル内にｐｎ接合又はｐｉｎ接合を有し、
前記第１のセルは、前記第１の電極及び前記第２の電極と電気的に接続され、
前記第２のセルは、前記第３の電極と電気的に接続されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
第１の光電変換層を含む第１のセルと、
第２の光電変換層を含む第２のセルと、
前記第１のセル及び前記第２のセルの間に設けられた、開口を有する絶縁層と、
前記第１のセルを挟んで前記開口を有する絶縁層と対向する前記第１のセルの面の側に設けられた、第１の電極及び第２の電極と、
前記第２のセルを挟んで前記開口を有する絶縁層と対向する前記第２のセルの面の側に設けられた、第３の電極と、を有し、
前記第２の光電変換層は、前記第１の光電変換層に含まれる第１の材料よりもバンドギャップが大きい第２の材料を含み、
前記第１のセルは、前記開口を介して前記第２のセルと接する領域を有し、
前記第１のセル及び前記第２のセルが接する接触部は、ｐｎ接合が形成されており、
前記第１のセルは、セル内にｐｎ接合又はｐｉｎ接合を有し、
前記第２のセルは、セル内にｐｎ接合又はｐｉｎ接合を有し、
前記第１のセルは、前記第１の電極及び前記第２の電極と電気的に接続され、
前記第２のセルは、前記第３の電極と電気的に接続されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の材料は、単結晶シリコン又は多結晶シリコンであり、
前記第２の材料は、アモルファスシリコンであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２のセル及び前記第３の電極の間に設けられた透明導電膜を有することを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月27日(2014.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜と、ゲート電極と、前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるソース電極およびドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記ゲート電極上に重畳して前記酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に接して、酸化ガリウムを含む第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に接して第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にレジストマスクを形成し、
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜にドライエッチングを行ってコンタクトホールを形成し、
前記レジストマスクを、酸素プラズマによるアッシングを用いて除去し、
前記コンタクトホールを介して、前記ゲート電極、前記ソース電極または前記ドレイン電極のいずれか一または複数と電気的に接続される配線を形成する、半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化物半導体膜と、ゲート電極と、前記酸化物半導体膜と電気的に接続されるソース電極およびドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に接して、酸化ガリウムを含む第１の絶縁膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に重畳して、前記第１の絶縁膜上に接して前記ゲート電極を形成し、
前記第１の絶縁膜上に接して第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にレジストマスクを形成し、
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜にドライエッチングを行ってコンタクトホールを形成し、
前記レジストマスクを、酸素プラズマによるアッシングを用いて除去し、
前記コンタクトホールを介して、前記ソース電極または前記ドレイン電極のいずれか一または複数と電気的に接続される配線を形成する、半導体装置の作製方法。
【請求項３】
前記第１の絶縁膜における前記コンタクトホールの直径は、前記第２の絶縁膜における前記コンタクトホールの直径より小さくする、請求項１または２に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項４】
前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記第１の絶縁膜の膜厚より大きくする、請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項５】
前記ドライエッチングにおいて、フッ素を含むガスを用いる請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項６】
前記第１の絶縁膜はさらに、酸化アルミニウムを含み、前記ドライエッチングにおいて、塩素を含むガスを用いる請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項７】
前記第１の絶縁膜は加熱しながら形成する請求項１乃至６のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月9日(2014.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子と、
前記光電変換素子が有する光電変換層の受光面側に位置するエネルギー変換層と、
を有し、
前記エネルギー変換層は、複数の第１の層と複数の第２の層とを有し、
前記第１の層と前記第２の層とは、交互に積層された構造を有し、
前記第１の層の厚さは、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、
前記第２の層の厚さは、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、
前記第１の層は、シリコンを有し、
前記第２の層は、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは酸化シリコンを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
光電変換素子と、
前記光電変換素子が有する光電変換層の受光面側に位置するエネルギー変換層と、
を有し、
前記エネルギー変換層は、第１のユニットと第２のユニットとを有し、
前記第１のユニットは、第１の厚さを有する複数の第１の層と第２の厚さを有する複数の第２の層とを有し、
前記第１の層と前記第２の層とは、交互に積層された構造を有し、
前記第２のユニットは、第３の厚さを有する複数の第３の層と第４の厚さを有する複数の第４の層とを有し、
前記第３の層と前記第４の層とは、交互に積層された構造を有し、
前記第１の厚さおよび前記第３の厚さは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、
前記第２の厚さおよび前記第４の厚さは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、
前記第１の層および前記第３の層は、シリコンを有し、
前記第２の層および前記第４の層は、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは酸化シリコンを有し、
前記第１の厚さと前記第３の厚さとは異なり、
前記第２の厚さと前記第４の厚さとは異なることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
光電変換素子と、
前記光電変換素子が有する光電変換層の受光面側に位置するエネルギー変換層と、
を有し、
前記エネルギー変換層は、量子ドット層を有し、
前記量子ドット層に含まれる複数の量子ドットの平均直径は、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、
前記量子ドットは、シリコンを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記光電変換素子と前記エネルギー変換層とが同じ基板に設けられていることを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月24日(2014.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ゲート電極層及び前記酸化物半導体層の間に形成されるゲート絶縁層と、を有し、
前記ゲート絶縁層は、酸化物絶縁層であり、
前記ゲート絶縁層の水素濃度は６×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であり、
前記ゲート絶縁層のフッ素濃度は１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極層と、
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ゲート電極層及び前記酸化物半導体層の間に形成されるゲート絶縁層と、
前記酸化物半導体層を介して前記ゲート絶縁層と対向し、且つ前記酸化物半導体層に接する絶縁層と、を有し、
前記ゲート絶縁層及び前記絶縁層は、酸化物絶縁層であり、
前記ゲート絶縁層の水素濃度及び前記絶縁層の水素濃度は、６×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であり、
前記ゲート絶縁層のフッ素濃度及び前記絶縁層のフッ素濃度は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記酸化物絶縁層は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、又は酸化タンタルであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極層に重畳して、且つ前記ゲート絶縁層上に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
ゲート電極層と、
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ゲート電極層及び前記酸化物半導体層の間に形成される第１のゲート絶縁層及び第２のゲート絶縁層と、を有し、
前記第２のゲート絶縁層は、酸化物絶縁層であり、
前記第１のゲート絶縁層は、前記ゲート電極層を覆って設けられ、
前記第２のゲート絶縁層は、前記第１のゲート絶縁層を覆って、且つ前記酸化物半導体層と接して設けられ、
前記第２のゲート絶縁層の水素濃度は６×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であり、
前記第２のゲート絶縁層のフッ素濃度は１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
ゲート電極層と、
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ゲート電極層及び前記酸化物半導体層の間に形成される第１のゲート絶縁層および第２のゲート絶縁層と、
前記酸化物半導体層を介して前記第１のゲート絶縁層及び前記第２のゲート絶縁層と対向し、且つ前記酸化物半導体層に接する絶縁層と、を有し、
前記第２のゲート絶縁層及び前記絶縁層は、酸化物絶縁層であり、
前記第１のゲート絶縁層は、前記ゲート電極層を覆って設けられ、
前記第２のゲート絶縁層は、前記第１のゲート絶縁層を覆って、且つ前記酸化物半導体層と接して設けられ、
前記第２のゲート絶縁層の水素濃度及び前記絶縁層の水素濃度は、６×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であり、
前記第２のゲート絶縁層のフッ素濃度及び前記絶縁層のフッ素濃度は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５又は６において、
前記酸化物絶縁層は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、又は酸化タンタルであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一において、
第１のゲート絶縁層におけるフッ素濃度は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極層と重畳し、且つ前記第２のゲート絶縁層上に設けられることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月29日(2014.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電層上に、低圧化学的気相堆積法により、第１の導電型を付与する不純物元素を含む第１の半導体領域を形成し、
前記第１の半導体領域上に、低圧化学的気相堆積法により、第２の半導体領域を形成するとともに、前記第１の半導体領域から前記第２の半導体領域の方向に、前記第１の導電型を付与する不純物元素を移動させ、
前記第２の半導体領域上に、低圧化学的気相堆積法により、第２の導電型を付与する不純物元素を含む第３の半導体領域を形成し、
前記第１の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガス及び前記第１の導電型を付与する不純物元素を含むガスを原料ガスに用いて行い、
前記第１の半導体領域の形成は、５５０℃より高く６５０℃より低い温度で行い、
前記第２の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガスを原料ガスに用いて行い、
前記第２の半導体領域の形成は、５５０℃より高く６５０℃より低い温度で行い、
前記第３の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガス及び前記第２の導電型を付与する不純物元素を含むガスを原料ガスに用いて行い、
前記第３の半導体領域の形成は、５５０℃以下または６５０℃以上の温度で行い、
前記第１の半導体領域は、結晶性を有し、
前記第２の半導体領域は、結晶性を有し、
前記第２の半導体領域は、複数の突起を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項２】
導電層上に、低圧化学的気相堆積法により、第１の導電型を付与する不純物元素を含む第１の半導体領域を形成し、
前記第１の半導体領域上に、低圧化学的気相堆積法により、第２の半導体領域を形成するとともに、前記第１の半導体領域から前記第２の半導体領域の方向に、前記第１の導電型を付与する不純物元素を移動させ、
前記第２の半導体領域上に、低圧化学的気相堆積法により、第２の導電型を付与する不純物元素を含む第３の半導体領域を形成し、
前記第１の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガス及び前記第１の導電型を付与する不純物元素を含むガスを原料ガスに用いて行い、
前記第１の半導体領域の形成は、５５０℃より高く６５０℃より低い温度で行い、
前記第２の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガスを原料ガスに用いて行い、
前記第２の半導体領域の形成は、５５０℃より高く６５０℃より低い温度で行い、
前記第３の半導体領域の形成は、シリコンを含む堆積性ガス及び前記第２の導電型を付与する不純物元素を含むガスを原料ガスに用いて行い、
前記第３の半導体領域の形成は、５５０℃以下または６５０℃以上の温度で行い、
前記第１の半導体領域は、結晶性を有し、
前記第２の半導体領域は、結晶性を有し、
前記第１の半導体領域は、複数の突起を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月10日(2014.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極上の第１の導電型を有する第１の結晶性半導体領域と、
前記第１の結晶性半導体領域上の、第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第２の結晶性半導体領域と、を有し、
前記第１の結晶性半導体領域は、第１の導電型を有する結晶性半導体で形成された複数のウィスカーを有することにより凹凸状の表面を有し、
前記第２の結晶性半導体領域は、前記凹凸状の表面を被覆するように設けられていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
電極上の第１の導電型を有する第１の結晶性半導体領域と、
前記第１の結晶性半導体領域上の、第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第２の結晶性半導体領域と、を有し、
前記第２の結晶性半導体領域は、第２の導電型を有する結晶性半導体で形成された複数のウィスカーを有することにより凹凸状の表面を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
電極上の第１の導電型を有する第１の結晶性半導体領域と、
前記第１の結晶性半導体領域上の、第２の導電型を有する第２の結晶性半導体領域と、を有し、
前記第１の結晶性半導体領域は、第１の導電型を有する第３の結晶性半導体領域と、前記第３の結晶性半導体領域上の、第１の導電型を有する結晶性半導体で形成された複数のウィスカーと、を有し、
前記第２の結晶性半導体領域の表面は、凹凸状であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
電極上の、第１の導電型を有する第１の結晶性半導体領域と、
前記第１の結晶性半導体領域上の、第２の導電型を有する第２の結晶性半導体領域と、を有し、
前記第２の結晶性半導体領域は、第２の導電型を有する第３の結晶性半導体領域と、前記第３の結晶性半導体領域上の、第２の導電型を有する結晶性半導体で形成された複数のウィスカーと、を有し、
前記第２の結晶性半導体領域は、凹凸状の表面を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の結晶性半導体領域は、ｎ型半導体領域又はｐ型半導体領域の一方であり、
前記第２の結晶性半導体領域は、ｎ型半導体領域又はｐ型半導体領域の他方であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
電極上の第１の導電型を有する第１の結晶性半導体領域と、
前記第１の結晶性半導体領域上の、第２の導電型を有する第２の結晶性半導体領域と、
前記第２の結晶性半導体領域上の、第３の導電型を有する第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域上の、真性である第２の半導体領域と、
前記第２の半導体領域上の、第４の導電型を有する第３の半導体領域と、を有し、
前記第１の結晶性半導体領域は、第１の導電型を有する第３の結晶性半導体領域と、前記第３の結晶性半導体領域上の、第１の導電型を有する結晶性半導体で形成された複数のウィスカーと、を有し、
前記第３の半導体領域は、凹凸状の表面を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
電極上の第１の導電型を有する第１の結晶性半導体領域と、
前記第１の結晶性半導体領域上の、第２の導電型を有する第２の結晶性半導体領域と、
前記第２の結晶性半導体領域上の、第３の導電型を有する第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域上の、真性である第２の半導体領域と、
前記第２の半導体領域上の、第４の導電型を有する第３の半導体領域と、を有し、
前記第２の結晶性半導体領域は、第２の導電型を有する第３の結晶性半導体領域と、前記第３の結晶性半導体領域上の、第２の導電型を有する結晶性半導体で形成された複数のウィスカーと、を有し、
前記第３の半導体領域は、凹凸状の表面を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記第１の結晶性半導体領域及び前記第１の半導体領域は、ｎ型半導体領域又はｐ型半導体領域の一方であり、
前記第２の結晶性半導体領域及び前記第３の半導体領域は、ｎ型半導体領域又はｐ型半導体領域の他方であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記ウィスカーの軸の方向は、不揃いであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記ウィスカーの軸の方向は、前記電極の法線方向であることを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月29日(2014.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電層と、
前記導電層上方の第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域上方の第２の半導体領域と、
前記第２の半導体領域上方の第３の半導体領域と、
前記第３の半導体領域上方の第４の半導体領域と、
を有し、
前記第１の半導体領域は、第１の導電型を付与する不純物元素を有し、
前記第４の半導体領域は、前記第１の導電型とは逆の第２の導電型を付与する不純物元素を有し、
前記第１の導電型を付与する不純物元素は、前記第１の半導体領域から前記第２の半導体領域の方向に濃度勾配を有し、
前記第１の半導体領域は、結晶性を有し、
前記第２の半導体領域は、結晶性を有し、
前記第４の半導体領域は、結晶性を有し、
前記第２の半導体領域は、複数の突起を有する光電変換装置。
【請求項２】
導電層と、
前記導電層上方の第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域上方の第２の半導体領域と、
前記第２の半導体領域上方の第３の半導体領域と、
前記第３の半導体領域上方の第４の半導体領域と、
を有し、
前記第１の半導体領域は、第１の導電型を付与する不純物元素を有し、
前記第４の半導体領域は、前記第１の導電型とは逆の第２の導電型を付与する不純物元素を有し、
前記第１の導電型を付与する不純物元素は、前記第１の半導体領域から前記第２の半導体領域の方向に濃度勾配を有し、
前記第１の半導体領域は、結晶性を有し、
前記第２の半導体領域は、結晶性を有し、
前記第４の半導体領域は、結晶性を有し、
前記第１の半導体領域は、複数の突起を有する光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月10日(2014.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電層上に設けられ、第１の導電型を有する結晶性半導体領域と、
前記第１の導電型を有する結晶性半導体領域上に設けられ、複数のウィスカーを有する結晶性半導体領域と、
前記複数のウィスカーを被覆するように設けられ、前記第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する結晶性半導体領域と、を有し、
前記第１の導電型を有する結晶性半導体領域から前記複数のウィスカーを有する結晶性半導体領域の方向に、前記第１の導電型を付与する不純物元素の濃度勾配を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記複数のウィスカーを有する結晶性半導体領域と、前記第２の導電型を有する結晶性半導体領域との界面は、凹凸状を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月11日(2014.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、前記第１の導電層上に接して設けられた複数の第２の導電層と、を有する電極と、
前記第１の導電層上及び前記第２の導電層上の、第１の導電型を有する第１の結晶性半導体領域と、
前記第１の結晶性半導体領域上の、第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第２の結晶性半導体領域と、を有し、
前記第１の結晶性半導体領域は、第１の導電型を有する結晶性半導体で形成された複数のウィスカーを有することにより凹凸状の表面を有し、
前記第２の結晶性半導体領域は、前記凹凸状の表面を被覆するように設けられていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の結晶性半導体領域と前記第２の結晶性半導体領域との間に、第３の結晶性半導体領域を有し、
前記第１の結晶性半導体領域と前記第３の結晶性半導体領域との界面は、凹凸状であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
電極上の第１の導電型を有する第１の結晶性半導体領域と、
前記第１の結晶性半導体領域上の、第２の導電型を有する第２の結晶性半導体領域と、を有し、
前記電極は、第１の導電層と、前記第１の導電層上に接して設けられた複数の第２の導電層と、を有し、
前記第１の結晶性半導体領域は、第１の導電型を有する第３の結晶性半導体領域と、前記第３の結晶性半導体領域上の、第１の導電型を有する結晶性半導体で形成された複数のウィスカーと、を有し、
前記第２の結晶性半導体領域は、凹凸状の表面を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記第１の結晶性半導体領域と前記第２の結晶性半導体領域との間に、第４の結晶性半導体領域を有し、
前記第１の結晶性半導体領域と前記第４の結晶性半導体領域との界面は、凹凸状であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の結晶性半導体領域は、ｎ型半導体領域又はｐ型半導体領域の一方であり、
前記第２の結晶性半導体領域は、ｎ型半導体領域又はｐ型半導体領域の他方であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
電極上の第１の導電型を有する第１の結晶性半導体領域と、
前記第１の結晶性半導体領域上の、第２の導電型を有する第２の結晶性半導体領域と、
前記第２の結晶性半導体領域上の、第３の導電型を有する第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域上の、真性である第２の半導体領域と、
前記第２の半導体領域上の、第４の導電型を有する第３の半導体領域と、を有し、
前記電極は、第１の導電層と、前記第１の導電層上に接して設けられた複数の第２の導電層と、を有し、
前記第１の結晶性半導体領域は、第１の導電型を有する第３の結晶性半導体領域と、前記第３の結晶性半導体領域上の、第１の導電型を有する結晶性半導体で形成された複数のウィスカーと、を有し、
前記第３の半導体領域は、凹凸状の表面を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１の結晶性半導体領域と前記第２の結晶性半導体領域との間に、真性である第４の結晶性半導体領域を有し、
前記第１の結晶性半導体領域と前記第４の結晶性半導体領域との界面は、凹凸状であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第４の結晶性半導体領域のバンドギャップは、前記第２の半導体領域のバンドギャップと異なることを特徴とする光電変換装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、
前記第１の結晶性半導体領域及び前記第１の半導体領域は、ｎ型半導体領域又はｐ型半導体領域の一方であり、
前記第２の結晶性半導体領域及び前記第３の半導体領域は、ｎ型半導体領域又はｐ型半導体領域の他方であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記ウィスカーの軸の方向は、不揃いであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記ウィスカーの軸の方向は、前記第１の導電層の法線方向であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、
前記第２の導電層の形状は、錐体または多面体であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、
前記第２の導電層の形状は、柱状または錐台であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項において、
前記複数のウィスカーのうち少なくとも一つのウィスカーが、前記第２の導電層と重なる領域を有することを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月13日(2014.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光の測定方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、
第１の電極と、
前記酸化物半導体層と、前記第１の電極とに挟まれた絶縁層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された第２の電極と、を有し、
前記第２の電極の電位を基準として負の電圧を前記第１の電極にパルス状に印加することで、前記第１の電極に流れた電流値から、前記酸化物半導体層に当たる光の照度を測定することを特徴とする光の測定方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の電極の電位を基準として−１０Ｖ以上−２Ｖ以下の電圧を前記第１の電極にパルス状に印加することを特徴とする光の測定方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記パルス状の電圧は、１ｍｓ以上２ｍｓ以下の期間印加することを特徴とする光の測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月26日(2014.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器及び電波時計
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電子機器及び電波時計に関し、特にアンテナを備えた電子機器及び電波時計に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は以上のような事情に鑑みてなされたものであり、アンテナの受信感度を劣化させることなく、回路基板において広い実装面積を確保するとともに、装置全体の小型化を実現することのできる電子機器及び電波時計を提供することを目的とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記課題を解決するために、本発明に係る電子機器は、
回路基板と、
長さ方向を持ったコアと、このコアに導線を巻回することにより構成されたコイル部とを有し、前記コアの長さ方向が、前記回路基板の一方の面に略平行になるように前記回路基板の一方の面に配置されたアンテナと、
前記回路基板の他方の面であって、前記アンテナに対応する位置に配置された電子部品又は端子部と、
前記回路基板の面上及び前記回路基板の内部のうち少なくともいずれか一方であって前記アンテナと前記電子部品又は端子部との間に配置されたシールドパターンと、
を備え、
前記シールドパターンの前記アンテナと重なる部分の前記長さ方向の長さは、前記アンテナのコイル部の前記長さ方向の長さより短いことを特徴としている。
本発明に係る電波時計は、
時刻情報を含む標準電波を受信して、時刻を修正する電波時計であって、
複数の電子部品及び複数の端子部が設けられた回路基板と、
前記標準電波を受信するためのアンテナで、長さ方向を持ったコアとこのコアに導線を巻回することにより構成されたコイル部とを有し、前記コアの長さ方向が、前記回路基板の一方の面に略平行になるように前記回路基板の一方の面に配置されたアンテナと、
を備え、
前記回路基板の他方の面であって、前記アンテナに対応する位置に、前記複数の電子部品のうち少なくとも１つ、又は前記複数の端子部のうち少なくとも１つの端子部が配置され、
前記回路基板の面上及び前記回路基板の内部のうち少なくともいずれか一方であって前記アンテナと前記少なくとも１つの電子部品又は前記少なくとも１つの端子部との間にシールドパターンが配置され、
そして、前記シールドパターンの前記アンテナと重なる部分の前記長さ方向の長さは、前記アンテナのコイル部の前記長さ方向の長さより短いことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、
長さ方向を持ったコアと、このコアに導線を巻回することにより構成されたコイル部とを有し、前記コアの長さ方向が、前記回路基板の一方の面に略平行になるように前記回路基板の一方の面に配置されたアンテナと、
前記回路基板の他方の面であって、前記アンテナに対応する位置に配置された電子部品又は端子部と、
前記回路基板の面上及び前記回路基板の内部のうち少なくともいずれか一方であって前記アンテナと前記電子部品又は端子部との間に配置されたシールドパターンと、
を備え、
前記シールドパターンの前記アンテナと重なる部分の前記長さ方向の長さは、前記アンテナのコイル部の前記長さ方向の長さより短いことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記回路基板は、複数の絶縁層が積層されて構成されており、
前記シールドパターンは、前記回路基板の内部であっていずれかの前記絶縁層の間に少なくとも１層以上配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記シールドパターンは、グランドに接続されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記回路基板の他方の面に、前記アンテナに対応する位置に端子部が配置され、
前記シールドパターンは、前記他方の面に前記端子部を囲むように設けられていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項５】
前記シールドパターンは、前記回路基板に、回路パターンと同時に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項６】
時刻情報を含む標準電波を受信して、時刻を修正する電波時計であって、
複数の電子部品及び複数の端子部が設けられた回路基板と、
前記標準電波を受信するためのアンテナで、長さ方向を持ったコアとこのコアに導線を巻回することにより構成されたコイル部とを有し、前記コアの長さ方向が、前記回路基板の一方の面に略平行になるように前記回路基板の一方の面に配置されたアンテナと、
を備え、
前記回路基板の他方の面であって、前記アンテナに対応する位置に、前記複数の電子部品のうち少なくとも１つ、又は前記複数の端子部のうち少なくとも１つの端子部が配置され、
前記回路基板の面上及び前記回路基板の内部のうち少なくともいずれか一方であって前記アンテナと前記少なくとも１つの電子部品又は前記少なくとも１つの端子部との間にシールドパターンが配置され、
そして、前記シールドパターンの前記アンテナと重なる部分の前記長さ方向の長さは、前記アンテナのコイル部の前記長さ方向の長さより短いことを特徴とする電波時計。
【請求項７】
時刻を表示するための時刻表示部、前記回路基板、前記アンテナを収納する腕に装着可能なケースを有することを特徴とする請求項６に記載の電波時計。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月18日(2014.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子が配置された表面と、前記表面とのなす角度が９０度以下となるように準備された少なくとも１つの側面と、を有する基材と、
前記光電変換素子を覆うように蒸着によって形成された柱状の蛍光体により構成され前記基材の前記表面と前記少なくとも１つの側面とに連続して配置された蛍光体層と、
前記基材の前記表面と前記少なくとも１つの側面とに連続して配置された蛍光体層を覆う保護層と、
を有する放射線検出パネル。
【請求項２】
前記保護層は、前記蛍光体層を覆ってさらに前記基材の背面に配置されることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出パネル。
【請求項３】
前記側面は、前記表面よりも粗い面であることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線検出パネル。
【請求項４】
前記側面において前記蛍光体層と前記基材との間に配置された反射防止層を更に有することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の放射線検出パネル。
【請求項５】
前記反射防止層は、前記基材の表面における前記側面との境界部分から所定の領域において前記蛍光体層と前記基材との間にさらに配置されることを特徴とする請求項４に記載の放射線検出パネル。
【請求項６】
前記基材がシリコンで形成され、前記基材の表面に絶縁層が配置されることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の放射線検出パネル。
【請求項７】
前記蛍光体層と前記保護層との間に配置された熱可塑性樹脂層を更に有し、
前記基材の前記側面において前記熱可塑性樹脂層が前記蛍光体層よりも厚いことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の放射線検出パネル。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか１項に記載の放射線検出パネルを備えることを特徴とする放射線撮影装置。
【請求項９】
光電変換素子が配置された表面と少なくとも１つの側面とを含むベース材の前記少なくとも１つの側面を前記表面との間の角度が90度以下となるように準備する工程と、
前記光電変換素子を覆うように、蒸着によって前記表面と前記少なくとも１つの側面の上に連続して柱状の蛍光体を有する蛍光体層を形成する工程と、
前記表面と前記少なくとも１つの側面の上に連続して形成された前記柱状の蛍光体を保護層で覆う工程と、
を行う放射線検出装置の製造方法。
【請求項１０】
前記保護層で覆う工程は、前記表面と前記少なくとも１つの側面と前記ベース材の背面とを連続して前記保護層で覆うことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記準備する工程は、前記少なくとも1つの側面を前記表面よりも粗い面として形成することを特徴とする請求項９又は１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記保護層で覆う工程は、前記蛍光体層と前記保護層との間に熱可塑性樹脂層を挟んだ状態で、前記保護層で前記蛍光体層を覆うことを特徴とする請求項９乃至１１の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記熱可塑性樹脂層は、前記少なくとも１つの側面において前記蛍光体層よりも厚く形成されることを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的を達成する本発明に係る放射線検出パネルは、
光電変換素子が配置された表面と、前記表面とのなす角度が９０度以下となるように準備された少なくとも１つの側面と、を有する基材と、
前記光電変換素子を覆うように蒸着によって形成された柱状の蛍光体により構成され前記基材の前記表面と前記少なくとも１つの側面とに連続して配置された蛍光体層と、
前記基材の前記表面と前記少なくとも１つの側面とに連続して配置された蛍光体層を覆う保護層と、
を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】放射線検出パネル、放射線撮影装置および放射線検出装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月20日(2014.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記課題を解決するために、本発明に係る感度調整装置は、
外部の機器との間で無線信号を送受信可能なアンテナの電波送受信感度を調整する感度調整装置であって、
前記アンテナを収納する外装ケースと、
この外装ケースの外周縁に沿って環状に形成され、前記外装ケースの上であって前記アンテナを覆う位置に配置されるとともに、前記外装ケースに外側から嵌合してその環状中心を中心として回転可能に設けられる回転ベゼルと、
を備え、
前記回転ベゼルは、電波の透過を妨げる遮蔽部と電波を透過させる開放部とを備え、前記遮蔽部により遮蔽される前記アンテナの被遮蔽範囲を調整することを特徴としている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部の機器との間で無線信号を送受信可能なアンテナの電波送受信感度を調整する感度調整装置であって、
前記アンテナを収納する外装ケースと、
この外装ケースの外周縁に沿って環状に形成され、前記外装ケースの上であって前記アンテナを覆う位置に配置されるとともに、前記外装ケースに外側から嵌合してその環状中心を中心として回転可能に設けられる回転ベゼルと、
を備え、
前記回転ベゼルは、電波の透過を妨げる遮蔽部と電波を透過させる開放部とを備え、前記遮蔽部により遮蔽される前記アンテナの被遮蔽範囲を調整することを特徴とする感度調整装置。
【請求項２】
前記遮蔽部は、前記アンテナを被覆する大きさで形成されており、
前記電波送受信感度は、前記内転リングの回転によって前記アンテナが前記遮蔽部に覆われた場合に、低くなることを特徴とする請求項１に記載の感度調整装置。
【請求項３】
前記遮蔽部は、前記回転ベゼルの裏面側に磁性体を貼付することにより構成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の感度調整装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の感度調整装置と、
前記感度調整装置により電波送受信感度を調整されるアンテナと、
を備えることを特徴とする腕時計。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月20日(2014.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記課題を解決するために、本発明に係る感度調整装置は、
外装ケース内に収納され外部の機器との間で無線信号を送受信可能なアンテナの電波送受信感度を調整する感度調整装置であって、
前記アンテナを保持するモジュールと、
環状に形成され、前記モジュールの上方であって前記アンテナを覆う位置に配置されるとともに、その環状中心を中心として回転可能に設けられる内転リングと、
前記外装ケースの側面において内外を貫通して設けられるとともに、前記内転リングを回転させる回転操作部と、
を備え、
前記内転リングは、電波の透過を妨げる遮蔽部と電波を透過させる開放部とを備え、前記遮蔽部により覆われる前記アンテナの被遮蔽範囲を調整することを特徴としている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外装ケース内に収納され外部の機器との間で無線信号を送受信可能なアンテナの電波送受信感度を調整する感度調整装置であって、
前記アンテナを保持するモジュールと、
環状に形成され、前記モジュールの上方であって前記アンテナを覆う位置に配置されるとともに、その環状中心を中心として回転可能に設けられる内転リングと、
前記外装ケースの側面において内外を貫通して設けられるとともに、前記内転リングを回転させる回転操作部と、
を備え、
前記内転リングは、電波の透過を妨げる遮蔽部と電波を透過させる開放部とを備え、前記遮蔽部により覆われる前記アンテナの被遮蔽範囲を調整することを特徴とする感度調整装置。
【請求項２】
前記遮蔽部は、前記アンテナを被覆する大きさで形成されており、
前記電波送受信感度は、前記内転リングの回転によって前記アンテナが前記遮蔽部に覆われた場合に、低くなることを特徴とする請求項１に記載の感度調整装置。
【請求項３】
前記遮蔽部は、前記内転リングの裏面側に磁性体を貼付することにより構成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の感度調整装置。
【請求項４】
前記内転リングは、電波の透過を妨げる電波遮蔽材料で形成されるとともに、前記内転リングの周方向の一部に切り欠き部又は孔部を有し、
前記開放部は、前記内転リングにおける前記切り欠き部又は前記孔部であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の感度調整装置。
【請求項５】
前記内転リングは、その周方向の一部に他の部分よりも厚く形成された肉厚部を有し、
前記遮蔽部は、前記内転リングにおける前記肉厚部であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の感度調整装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の感度調整装置と、
前記感度調整装置により電波送受信感度を調整されるアンテナと、
前記アンテナ、前記モジュール及び前記内転リングを収納する外装ケースと、
を備えることを特徴とする腕時計。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月17日(2014.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
＜ポンプ駆動ユニット６０について＞
まず、ポンプ駆動ユニット６０の構造及び駆動について説明する。図３において、ポンプ駆動ユニット６０は、板状の第１基板６１と、第２基板６２と、第３基板６３とを備え、それぞれの基板の間の空間に、駆動力をポンプユニット３０に与えるモーターと伝達輪列、及び駆動制御のための駆動回路（共に、図示せず）とが備えられている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月25日(2014.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無端状に架け渡されたチェーンと接触する複数のローラと、この複数のローラの支持軸の両端を支持するチェーンの走行方向に沿って設けられた対向する側板部材とからなるチェーンガイドにおいて、前記ローラが、前記支持軸の外周面に設けられた、両端に内向きの鍔部を有する鋼製の外輪と、この外輪内に組込まれる保持器付きのころを備えるころ軸受からなり、外輪の肉厚ｔ１よりも鍔部の肉厚ｔ２を薄く形成したことを特徴とするチェーンガイド。
【請求項２】
前記外輪の幅が、外輪径の８０％以上である請求項１に記載のチェーンガイド。
【請求項３】
前記鋼製の外輪が、プレス成形によって形成されている請求項１又は２に記載のチェーンガイド。
【請求項４】
前記鋼製の外輪が、削り出し成形によって形成されている請求項１又は２に記載のチェーンガイド。
【請求項５】
前記外輪の硬度が、チェーンの硬度よりも高い請求項１〜４のいずれかに記載のチェーンガイド。
【請求項６】
前記外輪の母線形状が、太鼓状又はストレート形状である請求項１〜５のいずれかに記載のチェーンガイド。
【請求項７】
前記外輪の表面に、潤滑油の保持性能を向上させる微小な凹凸が形成されている請求項１〜６のいずれかに記載のチェーンガイド。
【請求項８】
前記外輪の表面に窒化処理を施している請求項１〜７のいずれかに記載のチェーンガイド。
【請求項９】
前記外輪の真円度が２０μｍ以下である請求項１〜８のいずれかに記載のチェーンガイド。
【請求項１０】
無端状に架け渡されたチェーンの途中部分に、請求項１〜９のいずれかに記載のチェーンガイドが配置されたチェーンテンショナ装置。
【請求項１１】
無端状に架け渡されたチェーンの途中部分に、請求項１〜９のいずれかに記載のチェーンガイドが少なくとも２個配置され、一個のチェーンガイドが、一端側が回転軸によって支持され、他端側が押圧装置によって揺動してチェーンに張力を付与するように構成され、他の一個のチェーンガイドが、両端が固定されてチェーンに押し付けられるように構成されているチェーンテンショナ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月12日(2014.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状体を複数鎖状に連結してなる管体であって、環状体の一部又は全部が中空状に形成されており、隣接する環状体の互いに対抗する面にそれぞれ中空部へ通じる通孔が形成されており、両通孔を繋ぐ筒体によって隣接する環状体の中空部が連通されており、筒体を隣接する環状体における一方又は双方の環状体の通孔に対して抜き差し自在に通すことで該筒体を周回するリング状の弾性体が隣接する環状体によって挟まれた状態になることを特徴とする管体。
【請求項２】
一端側に位置する環状体に中空部内へ流動体を送り込むための流入口が形成されており、他端側に位置する環状体に中空部内から流動体を排出するための流出口が形成されている請求項１記載の管体。
【請求項３】
他端側に錘が設けられている請求項２記載の管体。
【請求項４】
Ｃ字状の本体を複数鎖状に連結してなる管体であって、Ｃ字状の本体が中空状に形成されており、隣接するＣ字状の本体の互いに対抗する面にそれぞれ中空部へ通じる通孔が形成されており、両通孔を繋ぐ筒体によって隣接するＣ字状の本体の中空部が連通されており、筒体を隣接するＣ字状の本体における一方又は双方のＣ字状の本体の通孔に対して抜き差し自在に通すことで該筒体を周回するリング状の弾性体が隣接するＣ字状の本体によって挟まれた状態になることを特徴とする管体。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載された管体を水槽内に配置して該水槽に管体内を通過した空気を供給する水槽用ポンプ。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれかに記載された管体を手洗部の上方に垂らして該手洗部に管体内を通過した水を供給する手水舎。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明に係る管体は、Ｃ字状の本体を複数鎖状に連結してなる管体であって、Ｃ字状の本体が中空状に形成されており、隣接するＣ字状の本体の互いに対抗する面にそれぞれ中空部へ通じる通孔が形成されており、両通孔を繋ぐ筒体によって隣接するＣ字状の本体の中空部が連通されており、筒体を隣接するＣ字状の本体における一方又は双方のＣ字状の本体の通孔に対して抜き差し自在に通すことで該筒体を周回するリング状の弾性体が隣接するＣ字状の本体によって挟まれた状態になるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに、本発明に係る水槽用ポンプは、前記いずれかの管体を水槽内に配置して該水槽に管体内を通過した空気を供給するものであり、また、本発明に係る手水舎は、前記いずれかの管体を手洗部の上方に垂らして該手洗部に管体内を通過した水を供給するものである。