【手続補正書】
【提出日】平成25年11月29日(2013.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成されたマスクの基準画像と光学画像を取得する取得部と、
前記基準画像と前記光学画像を用いて、リソグラフィプロセスにより基板に転写される前記パターンの各第１のパターンイメージを推定する推定部と、
前記第１のパターンイメージ同士を比較して差異が閾値の少なくとも１つを超えた場合に、前記光学画像の欠陥と判定する比較部と、
前記比較部により欠陥と判定された個所の前記光学画像に対し模擬修正を行う模擬修正部とを有し、
前記基準画像と前記模擬修正部で模擬修正された前記光学画像の模擬修正画像を用いて、前記リソグラフィプロセスにより基板に転写される前記パターンの各第２のパターンイメージを推定し、前記各第２のパターンイメージを互いに比較し、前記欠陥が解消されたか否かを確認することを特徴とする欠陥推定装置。
【請求項２】
パターンが形成されたマスクの基準画像と光学画像を取得する取得部と、
前記基準画像と前記光学画像を用いて、第１のリソグラフィプロセスにより基板に転写される前記パターンの各第１のパターンイメージを推定する第１の推定部と、
前記第１のパターンイメージ同士を比較して差異が閾値の少なくとも１つを超えた場合に、前記パターンが形成されたマスクの光学画像の欠陥と判定する第１の比較部と、
前記第１の比較部により欠陥と判定された個所の前記光学画像に対し模擬修正を行う模擬修正部と、
前記基準画像と前記模擬修正部で模擬修正された前記光学画像の模擬修正画像を用いて、前記第１のリソグラフィプロセスと同じ又は進んでいる第２のリソグラフィプロセスにより基板に転写される前記パターンの各第２のパターンイメージを推定する第２の推定部と、
前記各第２のパターンイメージを互いに比較し、前記欠陥が解消されたか否かを確認する第２の比較部とを有することを特徴とする欠陥推定装置。
【請求項３】
欠陥推定装置を用いてマスクの欠陥を推定する欠陥推定方法であって、
前記マスクに形成されたパターンの基準画像と光学画像とを取得して、
前記基準画像及び前記光学画像から基板に転写される前記パターンの各第１のパターンイメージを推定して、
前記第１のパターンイメージ同士を比較して、
差異が閾値の少なくとも１つを超えた場合に、前記パターンが形成されたマスクの光学画像の欠陥と判定して、
前記比較により欠陥と判定された個所の前記光学画像を模擬修正して、
前記基準画像と前記光学画像の模擬修正画像とから各第２のパターンイメージを推定して、
前記各第２のパターンイメージを互いに比較し、前記欠陥が解消されたか否かを確認することを特徴とする欠陥推定方法。
【請求項４】
パターンが形成されたマスクに光を照明し、前記マスクの像を光学系を介して画像センサに結像し、欠陥の有無を判定する検査装置において、
前記画像センサから前記パターンが形成されたマスクの光学画像と基準画像とを取得する取得部と、
前記基準画像と前記光学画像を用いて、リソグラフィプロセスにより基板に転写される前記パターンの各第１のパターンイメージを推定する推定部と、
前記第１のパターンイメージ同士を比較して差異が閾値の少なくとも１つを超えた場合に、前記パターンが形成されたマスクの光学画像の欠陥と判定する比較部と、
前記比較部により欠陥と判定された個所の前記光学画像に対し模擬修正を行う模擬修正部とを有し、
前記基準画像と前記模擬修正部で模擬修正された前記光学画像の模擬修正画像を用いて、前記リソグラフィプロセスにより基板に転写される前記パターンの各第２のパターンイメージを推定し、前記各第２のパターンイメージを互いに比較し、前記欠陥が解消されたか否かを確認することを特徴とする検査装置。
【請求項５】
パターンが形成されたマスクに光を照明し、前記マスクの像を光学系を介して画像センサに結像し、欠陥の有無を判定する検査装置において、
前記パターンが形成されたマスクの基準画像と光学画像とを取得する取得部と、
前記取得部で取得した前記基準画像と前記光学画像を用いて、第１のリソグラフィプロセスにより基板に転写される前記パターンの各第１のパターンイメージを推定する第１の推定部と、
前記第１のパターンイメージ同士を比較して差異が閾値の少なくとも１つを超えた場合に、前記パターンが形成されたマスクの光学画像の欠陥と判定する第１の比較部と、
前記光学画像の前記第１の比較部により欠陥と判定された個所に対し模擬修正を行う模擬修正部と、
前記基準画像と前記模擬修正部で模擬修正された前記光学画像の模擬修正画像を用いて、前記第１のリソグラフィプロセスと同じ又は進んでいる第２のリソグラフィプロセスにより基板に転写される前記パターンの各第２のパターンイメージを推定する第２の推定部と、
前記各第２のパターンイメージを互いに比較し、前記欠陥が解消されたか否かを確認する第２の比較部とを有することを特徴とする検査装置。
【請求項６】
パターンが形成された試料に光を照明し、該試料の像を光学系を介して画像センサに結像し、欠陥の有無を判定する検査装置において、
前記画像センサから前記試料の光学画像を取得する光学画像取得部と、
前記光学画像を前記判定の基準となる基準画像と比較し、差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定する第１の比較部と、
シミュレーションにより前記光学画像と前記基準画像のそれぞれのパターンを転写装置にて転写した場合の光学像を推定する転写像推定部と、
前記各転写像を比較し、差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定する第２の比較部とを有することを特徴とする検査装置。
【請求項７】
前記第１の比較部および前記第２の比較部からの情報をレビュー装置に出力する出力部、または、前記第１の比較部および前記第２の比較部からの情報をレビューするレビュー画面を有することを特徴とする請求項６に記載の検査装置。
【請求項８】
パターンが形成された試料に光を照明し、該試料の像を光学系を介して画像センサに結像し、欠陥の有無を判定する検査装置において、
前記画像センサから前記試料の光学画像を取得する光学画像取得部と、
前記光学画像を前記判定の基準となる基準画像と比較し、差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定する第１の比較部と、
前記第１の比較部で欠陥と判定された前記光学画像を取得し、前記欠陥に模擬修正を行う模擬修正部と、
前記模擬修正部で模擬修正をされた前記光学画像の模擬修正画像の転写像と、前記基準画像の転写像とを、シミュレーションによりそれぞれ推定する転写像推定部と、
前記各転写像を比較し、差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定する第２の比較部とを有することを特徴とする検査装置。
【請求項９】
前記第１の比較部および前記第２の比較部からの情報をレビュー装置に出力する出力部、または、前記第１の比較部および前記第２の比較部からの情報をレビューするレビュー画面を有することを特徴とする請求項８に記載の検査装置。
【請求項１０】
前記第１の比較部からの情報は、欠陥と判定された光学画像と該欠陥の座標を含み、
前記第２の比較部からの情報は、欠陥と判定された前記光学画像の転写像と該欠陥の座標を含むことを特徴とする請求項８または９に記載の検査装置。
【請求項１１】
パターンが形成された試料に光を照明し、該試料の像を光学系を介して画像センサに結像し、欠陥の有無を判定する検査方法において、
前記画像センサから前記試料の光学画像を取得する工程と、
前記光学画像を前記判定の基準となる基準画像と比較し、差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定する工程と、
シミュレーションにより前記光学画像の転写像と前記基準画像の転写像をそれぞれ推定する工程と、
前記光学画像の転写像と前記基準画像の転写像を比較し、差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定する工程と、
前記光学画像、前記基準画像および前記各転写像をレビューして前記欠陥に対する修正の要否を判定する工程とを有することを特徴とする検査方法。
【請求項１２】
前記光学画像と前記基準画像を比較した結果、欠陥と判定された光学画像を取得して該欠陥に模擬修正をする工程を有し、
前記転写像を推定する工程は、前記模擬修正をされた光学画像の転写像と前記基準画像の転写像のそれぞれを推定する工程であることを特徴とする請求項１１に記載の検査方法。
【請求項１３】
前記光学画像の転写像は、所定の範囲内にある全ての欠陥を含む光学画像を基に推定されることを特徴とする請求項１１に記載の検査方法。
【請求項１４】
パターンが形成された試料に光を照明し、該試料の像を光学系を介して画像センサに結像し、前記画像センサから前記試料の光学画像を取得し、得られた光学画像を基準画像と比較して差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定する工程と、
前記欠陥が含まれる光学画像と、該光学画像に対応する基準画像とをレビューして、前記欠陥に対する修正の要否を判定する工程と、
前記光学画像および前記基準画像の各転写像を推定する必要があるか否かを判断する工程と、
前記各転写像を推定する必要がある場合には、前記各転写像を推定して比較し、差異が閾値を超えた場合に欠陥と判定し、前記各転写像をレビューして前記欠陥に対する修正の要否を判定する工程と、
前記各転写像を推定する必要がない場合には、別の欠陥が含まれる光学画像と、該光学画像に対応する基準画像とをレビューして、前記別の欠陥に対する修正の要否を判定する工程とを有することを特徴とする検査方法。
【請求項１５】
前記光学画像を前記基準画像と比較し、欠陥と判定された光学画像を取得して該欠陥に模擬修正を行う工程を有し、
前記各転写像を推定する必要がある場合には、前記模擬修正をされた光学画像の転写像を推定することを特徴とする請求項１４に記載の検査方法。
【請求項１６】
マスクパターンの基準画像と比較対象となる光学画像を用いて、リソグラフィプロセスにより基板に転写される前記マスクパターンの基準パターンイメージと第１の比較パターンイメージとを推定する推定部と、
前記基準パターンイメージと前記第１の比較パターンイメージに基づき、前記光学画像の模擬修正を行う模擬修正部とを有し、
前記模擬修正部で模擬修正された前記光学画像の模擬修正画像を用いて、前記リソグラフィプロセスにより基板に転写される前記マスクパターンの第２の比較パターンイメージを推定し、前記基準パターンイメージと前記各第２の比較パターンイメージを比較し、欠陥が解消されたか否かを確認することを特徴とする欠陥推定装置。
【請求項１７】
マスクパターンの基準画像と比較対象となる光学画像を用いて、第１のリソグラフィプロセスにより基板に転写される前記マスクパターンの第１の基準パターンイメージと第１の比較パターンイメージとを推定する第１の推定部と、
前記基準パターンイメージと前記第１の比較パターンイメージに基づき、前記光学画像の模擬修正を行う模擬修正部と、
前記基準画像と前記模擬修正部で模擬修正された前記光学画像の模擬修正画像を用いて、前記第１のリソグラフィプロセスと同じ又は進んでいる第２のリソグラフィプロセスにより基板に転写される前記マスクパターンの第２の基準パターンイメージと第２の比較パターンイメージを推定する第２の推定部とを有し、
前記第２の基準パターンイメージと第２の比較パターンイメージを比較し、欠陥が解消されたか否かを確認することを特徴とする欠陥推定装置。