Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月3日(2014.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明に係るエレベータ装置は、かごおよび乗場のうちの何れか一方の出入口付近の領域における被検出体を検出する検出装置と、前記領域にアナウンスをするアナウンス装置と、前記かごの昇降を制御するエレベータ制御装置と、前記かごおよび前記乗場のうちの他方に設けられ、操作されることにより前記エレベータ制御装置が呼びを登録する操作装置と、前記呼びによって前記かごが前記乗場に停止するときに、前記検出装置の検出信号に基づいて、前記アナウンス装置にアナウンスをさせるアナウンス制御装置とを備え、前記検出装置は、前記乗場の出入口付近の領域における前記被検出体を検出する乗場側検出装置を有し、前記アナウンス装置は、前記乗場の出入口付近の領域にアナウンスをする乗場側アナウンス装置を有し、前記操作装置は、操作されることにより前記エレベータ制御装置がかご呼びを登録するかご側操作装置を有し、前記アナウンス制御装置は、前記かご呼びによって前記かごが前記乗場に停止するときに、前記乗場側検出装置の検出信号に基づいて、前記乗場側アナウンス装置にアナウンスをさせる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
かごおよび乗場のうちの何れか一方の出入口付近の領域における被検出体を検出する検出装置と、
前記領域にアナウンスをするアナウンス装置と、
前記かごの昇降を制御するエレベータ制御装置と、
前記かごおよび前記乗場のうちの他方に設けられ、操作されることにより前記エレベータ制御装置が呼びを登録する操作装置と、
前記呼びによって前記かごが前記乗場に停止するときに、前記検出装置の検出信号に基づいて、前記アナウンス装置にアナウンスをさせるアナウンス制御装置とを備え、
前記検出装置は、前記乗場の出入口付近の領域における前記被検出体を検出する乗場側検出装置を有し、
前記アナウンス装置は、前記乗場の出入口付近の領域にアナウンスをする乗場側アナウンス装置を有し、
前記操作装置は、操作されることにより前記エレベータ制御装置がかご呼びを登録するかご側操作装置を有し、
前記アナウンス制御装置は、前記かご呼びによって前記かごが前記乗場に停止するときに、前記乗場側検出装置の検出信号に基づいて、前記乗場側アナウンス装置にアナウンスをさせることを特徴とするエレベータ装置。
【請求項２】
前記検出装置は、前記かごの出入口付近の領域における前記被検出体を検出するかご側検出装置を有していることを特徴とする請求項１に記載のエレベータ装置。
【請求項３】
前記アナウンス装置は、前記かごの出入口付近の領域にアナウンスをするかご側アナウンス装置を有していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のエレベータ装置。
【請求項４】
かごおよび乗場のうちの何れか一方の出入口付近の領域における被検出体を検出する検出装置と、
前記領域にアナウンスをするアナウンス装置と、
前記かごの昇降を制御するエレベータ制御装置と、
前記かごおよび前記乗場のうちの他方に設けられ、操作されることにより前記エレベータ制御装置が呼びを登録する操作装置と、
前記呼びによって前記かごが前記乗場に停止するときに、前記検出装置の検出信号に基づいて、前記アナウンス装置にアナウンスをさせるアナウンス制御装置とを備え、
前記検出装置は、前記かごの出入口付近の領域における前記被検出体を検出するかご側検出装置を有し、
前記アナウンス装置は、前記かごの出入口付近の領域にアナウンスをするかご側アナウンス装置を有し、
前記操作装置は、操作されることにより前記エレベータ制御装置が乗場呼びを登録する乗場側操作装置を有し、
前記アナウンス制御装置は、前記乗場呼びによって前記かごが前記乗場に停止するときに、前記かご側検出装置の検出信号に基づいて、前記かご側アナウンス装置にアナウンスをさせることを特徴とするに記載のエレベータ装置。
【請求項５】
前記検出装置は、前記乗場の出入口付近の領域における前記被検出体を検出する乗場側検出装置を有していることを特徴とする請求項４に記載のエレベータ装置。
【請求項６】
前記アナウンス装置は、前記乗場の出入口付近の領域にアナウンスをする乗場側アナウンス装置を有していることを特徴とする請求項４または請求項５に記載のエレベータ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月29日(2014.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記被処理基板をプラズマし、
前記被処理基板を加熱処理し、
前記加熱処理は、質量分析計、ガスクロマトグラフまたは圧力計により検出された検出値に基づいて終了することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記加熱処理は、プラズマ処理され真空搬送された前記被処理基板を加熱処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記加熱処理は、プラズマ処理される前の前記被処理基板を加熱処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
被処理基板をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記被処理基板をプラズマ処理し、
前記被処理基板を真空搬送する搬送アームを加熱処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記加熱処理は、ハロゲンランプを用いて行われることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記加熱処理の後、前記被処理基板を冷却することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記加熱処理は、大気圧より低い圧力で行われることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記加熱処理は、大気圧以上の圧力で行われることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項９】
被処理基板をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、
大気側から前記被処理基板が搬入され大気圧と真空状態が切替え可能なロードロック室と、
前記被処理基板を真空中で搬送アームにより搬送する搬送機構と、
前記搬送アームにより前記ロードロック室から真空搬送された前記被処理基板がプラズマ処理されるプラズマ処理室と、
真空状態で前記搬送アームを加熱処理する加熱機構とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載のプラズマ処理装置において、
前記プラズマ処理は、プラズマエッチングであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月24日(2014.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板の再生方法、及びＳＯＩ基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
損傷領域を有する半導体基板に対し、第１の工程、第２の工程及び第３の工程を行う半導体基板の再生方法であって、
前記第１の工程は、
前記半導体基板を構成する半導体材料を酸化する物質と、酸化された前記半導体材料を溶解する物質と、前記半導体材料の酸化速度及び前記酸化された半導体材料の溶解速度を制御する物質とを含む混合液を用いたエッチングにより、前記損傷領域を選択的に除去する工程を有し、
前記第２の工程は、
アルカリ性の溶液を用いて、前記第１の工程で除去されなかった前記損傷領域を除去する工程を有し、
前記第３の工程は、
研磨処理を有することを特徴とする半導体基板の再生方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記研磨処理は、高い研磨レートの処理と、低い研磨レートの処理とを、順に行うことを特徴とする半導体基板の再生方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記混合液が、さらに亜硝酸を含むことを特徴とする半導体基板の再生方法。
【請求項４】
請求項１乃至３に記載の半導体基板の再生方法を経て再生された半導体基板中に、イオンを添加することで脆化領域を形成し、
絶縁層を介して、前記半導体基板とベース基板とを貼り合わせ、
熱処理によって、前記半導体基板を分離して、前記ベース基板上に半導体層を形成するＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月4日(2014.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面部が開口されたユニット筐体、上記ユニット筐体の前面部から内部側に挿入される回路基板、上記回路基板に実装された発熱ＩＣ、上記発熱ＩＣに放熱部材を介して接触する第一の放熱面部と、上記第一の放熱面部に延在し、上記ユニット筐体の背面部に設けられた背面開口部に露出される第二の放熱面部とを含む放熱板を備えたことを特徴とする電子機器ユニット。
【請求項２】
上記放熱板は、上記回路基板に平行配置される上記第一の放熱面部と、上記第一の放熱面部に直交し、上記ユニット筐体の背面開口部の一部を塞ぐ上記第二の放熱面部よりなるＬ字形状の部分を含むことを特徴とする請求項１記載の電子機器ユニット。
【請求項３】
上記放熱板の上記第二の放熱面部には、上記ユニット筐体の背面開口部から外側へ突出するようにヒートシンクが取り付けられたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子機器ユニット。
【請求項４】
上記放熱板は、上記回路基板の上面側、裏面側の各々に配置されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の電子機器ユニット。
【請求項５】
上記ユニット筐体は、底面部が開放された形状であり、上記放熱板の上記第一の放熱面部が、上記ユニット筐体の底面部を遮蔽することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の電子機器ユニット。
【請求項６】
上記放熱板は、上記第一の放熱面部に延在し、上記ユニット筐体の前面部を塞ぐ前面パネル部を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の電子機器ユニット。
【請求項７】
上記ユニット筐体の内側面下端側に設けられたガイドレールに、上記第一の放熱面部の端部を嵌合させ、上記放熱板を介して上記回路基板を上記ユニット筐体に保持させることを特徴とする請求項５記載の電子機器ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
１、１３  ユニット筐体（ユニット板金）
１ａ  背面開口部
１ｂ  前面開口部
１ｃ  底面開口部
２  前面パネル
３  回路基板
４、１０  発熱ＩＣ
５、１２、１４、１６  Ｌ字放熱板（放熱板）
５ａ、１２ａ、１４ａ、１５ａ、１６ａ  第一の放熱面部
５ｂ、１２ｂ、１４ｂ、１５ｂ、１６ｂ  第二の放熱面部
６  ヒートシンク
７  固定金具
８、９、１１  放熱ラバー（放熱部材）
１５  Ｕ字放熱板（放熱板）
１５ｃ  前面パネル部
１７  ガイドレール
１８、１９  ユニット板金。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月28日(2014.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
引張強さが５９０ＭＰａ以上の鋼板を少なくとも１枚含む、２枚以上の鋼板を重ね合せた板組を、一対の溶接電極で挟持し、加圧しながら通電して溶接する抵抗スポット溶接方法であって、
通電により所定の径のナゲットを形成する本通電と、
１０〜３０サイクルの保持時間後、５サイクル以下の通電と５サイクル以下の休止を繰返し２回以上行う後熱通電の２つの工程からなることを特徴とする抵抗スポット溶接方法。
【請求項２】
上記後熱通電における電流値を、本通電の電流値の１〜３倍とすることを特徴とする請求項１に記載の抵抗スポット溶接方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
すなわち、本発明は、引張強さが５９０ＭＰａ以上の鋼板を少なくとも１枚含む、２枚以上の鋼板を重ね合せた板組を、一対の溶接電極で挟持し、加圧しながら通電して溶接する抵抗スポット溶接方法であって、通電により所定の径のナゲットを形成する本通電と、１０〜３０サイクルの保持時間後、５サイクル以下の通電と５サイクル以下の休止を繰返し２回以上行う後熱通電の２つの工程からなることを特徴とする抵抗スポット溶接方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
ここで、上記保持時間Ｔｈは１０〜３０サイクルの範囲とする必要がある。その理由は、本発明の溶接方法における後熱通電は、マルテンサイトを焼き戻す処理であることから、本通電後の保持時間において、少なくともマルテンサイト変態が開始し、かつ、ある程度のマルテンサイトが生成していることが必要である。そこで、Ｃ：０．１３ｍａｓｓ％、Ｓｉ：１．４ｍａｓｓ％、Ｍｎ：２．２ｍａｓｓ％を含有する鋼板を２枚重ねた板組が本通電でナゲット形成した後、マルテンサイト変態開始温度までの冷却時間と、ある程度のマルテンサイト変態が進行する１００℃までの冷却時間を計算したところ、図４に示したように、２００〜６００ｍｓの範囲、すなわち、１０〜３０サイクルの範囲にあるからである。保持時間Ｔｈが長すぎると、溶接継手全体が過度に冷却されて、後熱通電で再加熱することが難しくなる。なお、図４から、板組の総厚が５ｍｍ程度までなら、保持時間Ｔｈは２０サイクル以下（４００ｍｓ以下）とするのが望ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
上記の１０〜３０サイクルの保持時間を経過後、溶接継手の十字引張強さを高めるため、ナゲットおよびＨＡＺを焼き戻す後熱通電を施す。この後熱通電は、５サイクル以下の通電時間Ｔｂと５サイクル以下の休止時間Ｔｃを２回以上繰り返して行う必要がある。上記各時間が５サイクル以上となると、加熱温度が上がり過ぎたり、総溶接時間の延長をもたらしたりするからである。後熱通電は２回以上繰り返すことが必要であるが、繰り返し回数を多くし過ぎても、その効果が飽和したり、総溶接時間の延長につながったりすることから、上限は６回程度とするのが好ましい。なお、繰り返し回数の決定に当っては、板組の総厚を考慮するのが望ましく、総厚が厚くなるほど溶接後の冷却が遅くなるので、繰り返し回数を少なくするのが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
【表１】
2013128945.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
表１に、溶接条件と共に、十字引張試験の結果を示した。なお、溶接時間の評価は、本通電が終了してから最後の後熱通電が終了するまでの総後熱時間が０．７秒未満である場合を○、０．７秒以上１秒未満である場合を△、１秒以上である場合を×とした。また、溶接継手の十字引張強さＣＴＳの評価は、後熱通電を行わない比較例１の十字引張強さに対する強度上昇量が１ｋＮ以上である場合を〇、上昇量が０〜１ｋＮ未満である場合を△、強度が下回る場合を×とした。
表１から、本発明の条件を満たす発明例および参考例は、比較例（１）に比べて、十字引張強さがすべて１ｋＮ以上上昇している。また、総後熱時間についても、従来のテンパー通電を行う比較例２は１秒を超えているのに対して、発明例および参考例では、保持時間や繰返し通電回数を多くとったものは長くなる傾向があるものの、全て１秒未満に短縮されていることがわかる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月20日(2014.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続鋳造用鋳型より引抜かれた鋳造鋳片の引抜き移動中に該鋳造鋳片の拘束性ブレークアウトを予知する方法において、
前記連続鋳造用鋳型の鋳型内壁面に埋設固定された複数の温度計により鋳型内温度を測定し、測定された温度から温度変化率を求めるとともに、前記鋳造鋳片の鋳込み速度の変更に伴う外乱を前記温度変化率から除外する修正を行い、この修正された温度変化率と予め設定された判定閾値とを比較することにより鋳造鋳片の拘束性ブレークアウトを予知することを特徴とする連続鋳造における鋳造鋳片の拘束性ブレークアウトの予知方法。
【請求項２】
前記温度変化率を、下記式によって求められた修正量Ｒに従って修正する、ことを特徴とする請求項１に記載した連続鋳造における鋳造鋳片の拘束性ブレークアウトの予知方法。
記
Ｒ(ｓ)＝Ｋ／（Ｊｓ＋１）＊ΔＶｃ／Δｔ（ｓ）          
ΔＶｃ／Δｔ：鋳造鋳片の鋳込み速度変化率（（ｍ／ｍｉｎ）／秒）
Ｋ：ゲイン（℃／（ｍ／ｍｉｎ））
Ｊ：時定数（秒）
【請求項３】
連続鋳造用鋳型より引抜かれたスラブの引抜き移動中に該鋳造鋳片の拘束性ブレークアウトを予知する方法において、
前記連続鋳造用鋳型の鋳型内壁面に埋設固定された複数の温度計により鋳型内温度を測定し、測定された温度から温度変化率を求めるとともに、前記スラブの鋳込み速度の変更に伴う外乱を前記温度変化率から除外する修正を行い、この修正された温度変化率と予め設定された判定閾値とを比較することによりスラブの拘束性ブレークアウトを予知することを特徴とするスラブの連続鋳造方法。
【請求項４】
前記温度変化率を、下記式によって求められた修正量Ｒに従って修正する、ことを特徴とする請求項３に記載したスラブの連続鋳造方法。
記
Ｒ(ｓ)＝Ｋ／（Ｊｓ＋１）＊ΔＶｃ／Δｔ（ｓ）          
ΔＶｃ／Δｔ：スラブの鋳込み速度変化率（（ｍ／ｍｉｎ）／秒）
Ｋ：ゲイン（℃／（ｍ／ｍｉｎ））
Ｊ：時定数（秒）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】連続鋳造における鋳造鋳片の拘束性ブレークアウトの予知方法およびその予知方法を用いたスラブの連続鋳造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、連続鋳造における鋳造鋳片の拘束性ブレークアウトの発生を未然に防止するのに適した予知方法およびその予知方法を用いたスラブの連続鋳造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そこで、本発明の目的は、連続鋳造において鋳込み速度の変更に伴う場合においても、拘束性ブレークアウトを、高い精度のもとに予知することができるブレークアウト予知方法およびその予知方法を用いたスラブの連続鋳造方法を提案するところにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、連続鋳造用鋳型より引抜かれた鋳造鋳片の引抜き移動中に該鋳造鋳片の拘束性ブレークアウトを予知する方法において、前記連続鋳造用鋳型の鋳型内壁面に埋設固定された複数の温度計により鋳型内温度を測定し、測定された温度から温度変化率を求めるとともに、前記鋳造鋳片の鋳込み速度の変更に伴う外乱を前記温度変化率から除外する修正を行い、この修正された温度変化率と予め設定された判定閾値とを比較することにより鋳造鋳片の拘束性ブレークアウトを予知することを特徴とする連続鋳造における鋳造鋳片の拘束性ブレークアウトの予知方法である。また、本発明は、連続鋳造用鋳型より引抜かれたスラブの引抜き移動中に該鋳造鋳片の拘束性ブレークアウトを予知する方法において、前記連続鋳造用鋳型の鋳型内壁面に埋設固定された複数の温度計により鋳型内温度を測定し、測定された温度から温度変化率を求めるとともに、前記スラブの鋳込み速度の変更に伴う外乱を前記温度変化率から除外する修正を行い、この修正された温度変化率と予め設定された判定閾値とを比較することによりスラブの拘束性ブレークアウトを予知することを特徴とするスラブの連続鋳造方法である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記の構成からなる連続鋳造における鋳造鋳片の拘束性ブレークアウトの予知方法、その予知方法を用いたスラブの連続鋳造方法によれば、鋳込み速度の変更に伴う外乱を取り除いた温度変化率に修正して拘束性ブレークアウトの予知を行うようにしたため、予知精度が高まる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の連続鋳造における鋳造鋳片の拘束性ブレークアウトの予知方法、その予知方法を用いたスラブの連続鋳造方法によれば、温度計によって測定された温度の温度変化率を、Ｒ（ｓ）＝Ｋ／（Ｊｓ＋１）＊ΔＶｃ／Δｔ（ｓ）によって求められた修正量に従って修正するようにしたため、温度変化率の迅速な修正が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月8日(2014.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティを含む型内空間を構成する金型と、
前記キャビティと連通された真空タンクと、
前記キャビティと前記真空タンクとの連通路を開閉するバルブと、
前記型内空間の外部に設けられ、前記型内空間側へ超音波を繰り返し送信し、反射した超音波を受信する第１センサ素子と、
前記バルブを開いた状態で前記キャビティへ成形材料を射出しているときに、前記第１センサ素子が受信した超音波に基づいて、前記成形材料が前記型内空間内の第１位置に到達したか否かを判定し、到達したと判定したときに前記バルブを閉じる制御装置と、
を有する金型付き成形機。
【請求項２】
前記第１位置は、前記金型の内面の、前記型内空間を構成する領域内に位置し、
前記制御装置は、前記第１位置にて反射した超音波の強度が所定の第１範囲内となったときに前記第１位置に前記成形材料が到達したと判定する
請求項１に記載の金型付き成形機。
【請求項３】
前記制御装置は、成形品の押し出し後、前記金型の内面の、前記型内空間を構成する領域内に位置する第２位置にて反射した超音波の強度が所定の第２範囲内にあるときに成形品が前記金型に残っていると判定する
請求項１又は２に記載の金型付き成形機。
【請求項４】
前記制御装置は、離型剤の塗布後、前記金型の内面の、前記型内空間を構成する領域内に位置する第３位置にて反射した超音波の強度が所定の第３範囲内にないときに離型剤の塗布に異常が生じたと判定する
請求項１〜３のいずれか１項に記載の金型付き成形機。
【請求項５】
前記第１位置は、前記金型の内面の、前記キャビティを構成する領域内に位置している
請求項１〜４のいずれか１項に記載の金型付き成形機。
【請求項６】
前記型内空間の外部に設けられ、前記型内空間側へ超音波を繰り返し送信し、反射した超音波を受信する第２センサ素子を更に備え、
前記制御装置は、成形品の押し出し後、所定の第４位置にて反射した超音波の強度が所定の第２範囲内にあるときに成形品が前記金型に残っていると判定し、
前記第４位置は、前記金型の内面の、成形品の突起を形成するための凹部を構成する領域内に位置している
請求項１〜５のいずれか１項に記載の金型付き成形機。
【請求項７】
前記型内空間の外部に設けられ、前記型内空間側へ超音波を繰り返し送信し、反射した超音波を受信する第２センサ素子を更に備え、
前記制御装置は、成形品の押し出し後、所定の第４位置にて反射した超音波の強度が所定の第２範囲内にあるときに成形品が前記金型に残っていると判定し、
前記第４位置は、前記金型の内面の、オーバーフローを構成する領域内に位置している
請求項１〜５のいずれか１項に記載の金型付き成形機。
【請求項８】
金型によって構成された型内空間に含まれるキャビティと連通された真空タンクと、
前記キャビティと前記真空タンクとの連通路を開閉するバルブと、
前記型内空間の外部から前記型内空間側へ超音波を繰り返し送信し、反射した超音波を受信する第１センサ素子が受信した超音波に基づいて、前記バルブを開いた状態で前記キャビティへ成形材料を射出しているときに、前記成形材料が前記型内空間内の第１位置に到達したか否かを判定し、到達したと判定したときに前記バルブを閉じる制御装置と、
を有する成形機。
【請求項９】
キャビティを含む型内空間を構成する金型と、
前記型内空間の外部に設けられ、前記型内空間側へ超音波を繰り返し送信し、反射した超音波を受信するセンサ素子と、
を有し、
前記センサ素子は、前記金型の内面の、成形品の突起を形成するための凹部若しくはオーバーフローを構成する領域に超音波を送信可能に設けられている
金型ユニット。
【請求項１０】
金型によって構成された型内空間に含まれるキャビティと真空タンクとの連通路を開閉するバルブを開いた状態で前記キャビティへ成形材料を射出しているときに、前記型内空間の外部に設けられた第１センサ素子によって前記型内空間側へ超音波を繰り返し送信し、反射した超音波を受信し、その受信した超音波に基づいて、前記成形材料が前記型内空間内の第１位置に到達したか否かを判定し、到達したと判定したときに前記バルブを閉じる
成形品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】金型付き成形機、成形機、金型ユニット及び成形品の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月11日(2014.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉを０．５ｍａｓｓ％以上含有するＳｉ含有鋼の連続鋳造方法において、
鋳片の表面温度が１１７７℃〜下記（３）式で求められるＴｓｃの温度区間における二次冷却水の比水量ＳＷを、下記（１）〜（３）式で求められるＳＷｍａｘの値以下として鋳造することを特徴とするＳｉ含有鋼の連続鋳造方法。
記
ＳＷｍａｘ＝（Ｔｓｃ／１１７７）０．５×ＳＷ０                    ・・・・・（１）
ＳＷ０＝１．６×Ｖｃ０．２                                    ・・・・・（２）
Ｔｓｃ＝１１７７−（９４０×Ｃｕ＋９４５０×Ｓｎ＋１０９２８×Ｓｂ）／３
・・・・・（３）
（ここで、ＳＷｍａｘ：Ｓｉ含有鋼の二次冷却比水量の上限値（ｌ／ｋｇ）、ＳＷ０：普通鋼の二次冷却比水量（ｌ／ｋｇ）、Ｔｓｃ：１５０μｍ以上の深さの粒界酸化スケールが形成される下限温度（℃）、Ｖｃ：鋳造速度（ｍ／ｍｉｎ）、元素記号：その元素の含有量（ｍａｓｓ％）、ただし、Ｃｕ：０．１ｍａｓｓ％超えは０．１ｍａｓｓ％、Ｓｎ：０．１ｍａｓｓ％超えは０．１ｍａｓｓ％、Ｓｂ：０．０５ｍａｓｓ％超えは０．０５ｍａｓｓ％）
【請求項２】
鋳片の表面温度が１１７７℃〜上記（３）式で求められるＴｓｃの温度区間における二次冷却水の衝突圧を２０ｋＰａ以上として鋳片表面の酸化スケールを除去することを特徴とする請求項１に記載のＳｉ含有鋼の連続鋳造方法。
【請求項３】
垂直曲げ型連鋳機で連続鋳造する場合には、垂直部における二次冷却水の衝突圧を２０ｋＰａ以上、湾曲型連鋳機で連続鋳造する場合には、湾曲部から矯正部における二次冷却水の衝突圧を２０ｋＰａ以上、として鋳片表面の酸化スケールを除去することを特徴とする請求項１に記載のＳｉ含有鋼の連続鋳造方法。
【請求項４】
上記二次冷却水の衝突圧の制御に代えて、または、上記二次冷却水の衝突圧の制御に加えてさらに、機械的手段を用いて鋳片表面の酸化スケールを除去することを特徴とする請求項２または３に記載のＳｉ含有鋼の連続鋳造方法。
【請求項５】
上記Ｓｉ含有鋼は、Ｃｕ：０．０１〜０．１ｍａｓｓ％、Ｓｎ：０．０１〜０．１ｍａｓｓ％およびＳｂ：０．００１〜０．０５ｍａｓｓ％のうちの少なくとも１種以上を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のＳｉ含有鋼の連続鋳造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
すなわち、本発明は、Ｓｉを０．５ｍａｓｓ％以上含有するＳｉ含有鋼の連続鋳造方法において、鋳片の表面温度が１１７７℃〜下記（３）式で求められるＴｓｃの温度区間における二次冷却水の比水量ＳＷを、下記（１）〜（３）；
ＳＷｍａｘ＝（Ｔｓｃ／１１７７）０．５×ＳＷ０                    ・・・・・（１）
ＳＷ０＝１．６×Ｖｃ０．２                                    ・・・・・（２）
Ｔｓｃ＝１１７７−（９４０×Ｃｕ＋９４５０×Ｓｎ＋１０９２８×Ｓｂ）／３
・・・・・（３）
（ここで、ＳＷｍａｘ：Ｓｉ含有鋼の二次冷却比水量の上限値（ｌ／ｋｇ）、ＳＷ０：普通鋼の二次冷却比水量（ｌ／ｋｇ）、Ｔｓｃ：１５０μｍ以上の深さの粒界酸化スケールが形成される下限温度（℃）、Ｖｃ：鋳造速度（ｍ／ｍｉｎ）、元素記号：その元素の含有量（ｍａｓｓ％）、ただし、Ｃｕ：０．１ｍａｓｓ％超えは０．１ｍａｓｓ％、Ｓｎ：０．１ｍａｓｓ％超えは０．１ｍａｓｓ％、Ｓｂ：０．０５ｍａｓｓ％超えは０．０５ｍａｓｓ％）
で求められるＳＷｍａｘの値以下として鋳造することを特徴とするＳｉ含有鋼の連続鋳造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
【表１−１】
2013128940.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
【表１−２】
2013128940.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
上記表面割れ有無の調査結果を表１に併記した。表１から、Ｓｉを０．２５ｍａｓｓ％しか含有していない鋳片（Ｎｏ．２９〜３４の参考例）では、二次冷却の比水量ＳＷが本発明のＳＷｍａｘ以上でも表面割れの発生は認められていない。
一方、Ｓｉを１．０ｍａｓｓ％含有する鋳片では、粒界酸化に起因した表面割れを考慮して二次冷却の比水量ＳＷを本発明のＳＷｍａｘ以下に低減した本発明例の鋳片（Ｎｏ．１２〜２４）では、表面割れの発生は認められていない。特に、二次冷却の比水量ＳＷを適正範囲とした上で、さらに、冷却水の衝突圧を２０ｋＰａとしたＮｏ．２３，２４では、スラブ表面性状は非常に良好（◎で表示）であった。
これに対して、粒界酸化に起因した表面割れを考慮せず、低Ｓｉの普通鋼と同様、ＳＷｍａｘを超える比水量ＳＷで二次冷却した比較例の鋳片（Ｎｏ．１〜１１）、および、本発明の温度範囲（１１７７℃〜Ｔｓｃ）で二次冷却の比水量ＳＷをＳＷｍａｘ以下に低減しなかったＮｏ．２５では、鋳片表面に割れの発生が認められた。また、Ｎｏ．２７から、粒界酸化に起因した表面割れを考慮した二次冷却をしない場合には、二次冷却水の衝突圧を高めただけでは、スラブ表面割れを防止することができないことがわかる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月8日(2014.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流水口を有する本体と、
本体に設置された椀状のデフレクターと、
デフレクターには多数の散水孔が環状に並設され、環状に並設された散水孔が上下複数の段に穿設されており、
デフレクター内部の上段散水孔と下段散水孔の間には穴を有する流量調整板が設置され、
最上段の散水孔の上端に鍔部を設置したことを特徴とする放水型ヘッド。
【請求項２】
デフレクターの散水孔が穿設された側面から鍔部の外縁部までの距離は、散水孔の幅以上とした請求項１記載の放水型ヘッド。
【請求項３】
散水孔から鍔部の外縁部に向けて鍔部を上方に傾斜させた請求項１または請求項２記載の放水型ヘッド。
【請求項４】
散水孔が穿設されたデフレクターの側面と、散水孔の上部に形成された鍔部との境界部分がアール形状または傾斜形状である請求項１〜請求項３の何れか１項記載の放水型ヘッド。
【請求項５】
鍔部に散水孔から鍔部の外縁に向かう溝を刻設した請求項１〜請求項４の何れか１項記載の放水型ヘッド。
【請求項６】
流水口を有する本体と、
本体に設置された椀状のデフレクターと、
デフレクターには多数の散水孔が環状に並設され、環状に並設された散水孔が上下複数の段に穿設されており、
デフレクター内部の上段散水孔と下段散水孔の間には穴を有する流量調整板が設置され、
最上段の散水孔の上端には流水口の放水方向と交差する方向に拡張した面が設置されていることを特徴とする放水型ヘッド。
【請求項７】
流水口を有する本体と、
本体に設置された椀状のデフレクターと、
デフレクターには多数の散水孔が環状に並設され、環状に並設された散水孔が上下複数の段に穿設されており、
デフレクター内部の上段散水孔と下段散水孔の間には穴を有する流量調整板が設置され、
最上段の散水孔の上端には流量調整板と平行な方向に拡張した面が設置されていることを特徴とする放水型ヘッド。
【請求項８】
流量調整板の穴の最小部口径は、流水口の最小部口径よりも小さい請求項７記載の放水型ヘッド。
【請求項９】
散水孔とその隣の散水孔までの間隔は、散水孔の幅よりも狭い請求項１〜請求項８の何れか１項記載の放水型ヘッド。
【請求項１０】
上段散水孔の高さ寸法は下段散水孔の高さ寸法よりも短い請求項１〜請求項９の何れか１項記載の放水型ヘッド。
【請求項１１】
上段散水孔の数と下段散水孔の数が等しい請求項１〜請求項１０の何れか１項記載の放水型ヘッド。
【請求項１２】
放水型ヘッドは天井が設置されない場所に設置可能である請求項１〜請求項１１の何れか１項記載の放水型ヘッド。
【請求項１３】
散水孔の上端には散水孔から噴出される水が沿って流れる面を有する請求項１〜請求項１２の何れか１項記載の放水型ヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月25日(2013.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が識別可能な複数種類の識別情報を可変表示する可変表示装置に導出表示した前記識別情報の可変表示結果が予め定められた特定表示結果となった後に、遊技者にとって有利な特定遊技状態に制御する遊技機であって、
前記特定遊技状態に制御するか否かを、前記識別情報の可変表示結果が導出表示される以前に決定する事前決定手段と、
複数の可変表示パターンを記憶する可変表示パターン記憶手段と、
前記事前決定手段による決定結果に基づいて、前記複数の可変表示パターンのうちからいずれかを選択する可変表示パターン選択手段と、
前記可変表示パターン選択手段によって選択された可変表示パターンに対応する演出動作を実行する演出実行手段とを備え、
前記可変表示パターン記憶手段に記憶される前記複数の可変表示パターンには、
リーチ状態とした後に特定表示結果を導出表示する全演出大当り可変表示パターンと、
前記全演出大当り可変表示パターンに比べて可変表示時間が短い可変表示パターンであって、前記識別情報の可変表示中における予め定められた演出切換タイミングにて、前記全演出大当り可変表示パターンによる演出動作と同一の演出動作から前記全演出大当り可変表示パターンによる演出動作とは異なる特定演出に切り換わり、特定表示結果を導出表示する突発大当り可変表示パターンとが含まれ、
前記突発大当り可変表示パターンには、リーチ状態となるより前に前記演出切換タイミングとなるリーチ前突発大当り可変表示パターンと、リーチ状態となった後に前記演出切換タイミングとなるリーチ後突発大当り可変表示パターンとを含む、複数の突発大当り可変表示パターンがあり、
前記演出実行手段は、前記可変表示パターン選択手段によって選択される突発大当り可変表示パターンでの前記演出切換タイミングに応じて異なる割合で切換前演出動作を実行する、
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（１）上記目的を達成するため、本願の請求項に記載の遊技機は、各々が識別可能な複数種類の識別情報（例えば飾り図柄など）を可変表示する可変表示装置（例えば画像表示装置５など）に導出表示した前記識別情報の可変表示結果が予め定められた特定表示結果（例えば大当り組合せの最終停止図柄など）となった後に、遊技者にとって有利な特定遊技状態（例えば大当り遊技状態など）に制御する遊技機（例えばパチンコ遊技機１など）であって、前記特定遊技状態に制御するか否かを、前記識別情報の可変表示結果が導出表示される以前に決定する事前決定手段（例えばＣＰＵ１０３がステップＳ２５０の処理を実行する部分など）と、複数の可変表示パターンを記憶する可変表示パターン記憶手段（例えばハズレ変動パターン設定テーブル１４１Ａ及び大当り変動パターン設定テーブル１４１Ｂ〜１４１Ｄなど）と、前記事前決定手段による決定結果に基づいて、前記複数の可変表示パターンのうちからいずれかを選択する可変表示パターン選択手段（例えばＣＰＵ１０３がステップＳ２６１〜Ｓ２７４の処理を実行する部分など）と、前記可変表示パターン選択手段によって選択された可変表示パターンに対応する演出動作を実行する演出実行手段（例えば演出制御用ＣＰＵ１２０がステップＳ４０６の演出制御プロセス処理を実行する部分や、表示制御部１２３、音声制御基板１３、ランプ制御基板１４など）とを備え、前記可変表示パターン記憶手段に記憶される前記複数の可変表示パターンには、リーチ状態とした後に特定表示結果を導出表示する全演出大当り可変表示パターン（例えば変動パターンＰＡ４−１、ＰＡ４−２、ＰＡ５−１〜ＰＡ５−３、ＰＡ６−１〜ＰＡ６−５、ＰＡ７−１、ＰＡ７−２、ＰＡ８−１〜ＰＡ８−３、ＰＡ９−１〜ＰＡ９−５など）と、前記全演出大当り可変表示パターンに比べて可変表示時間が短い可変表示パターンであって、前記識別情報の可変表示中における予め定められた演出切換タイミングにて、前記全演出大当り可変表示パターンによる演出動作と同一の演出動作から前記全演出大当り可変表示パターンによる演出動作とは異なる特定演出に切り換わり、特定表示結果を導出表示する突発大当り可変表示パターン（例えば変動パターンＰＴ１−１〜ＰＴ１−４、ＰＴ２−１〜ＰＴ２−７、ＰＴ３−１〜ＰＴ３−６など）とが含まれ、前記突発大当り可変表示パターンには、リーチ状態となるより前に前記演出切換タイミングとなるリーチ前突発大当り可変表示パターン（例えば変動パターンＰＴ１−１〜ＰＴ１−４、ＰＴ２−１、ＰＴ２−３〜ＰＴ２−５、ＰＴ２−７、ＰＴ３−１、ＰＴ３−３、ＰＴ３−４など）と、リーチ状態となった後に前記演出切換タイミングとなるリーチ後突発大当り可変表示パターン（例えば変動パターンＰＴ２−２、ＰＴ２−６、ＰＴ３−２、ＰＴ３−５、ＰＴ３−６など）とを含む、複数の突発大当り可変表示パターンがあり、前記演出実行手段は、前記可変表示パターン選択手段によって選択される突発大当り可変表示パターンでの前記演出切換タイミングに応じて異なる割合で切換前演出動作を実行する（例えばＣＰＵ１０３がステップＳ２７４にて変動パターンＰＴ１−１〜ＰＴ１−４、ＰＴ２−１〜ＰＴ２−７、ＰＴ３−１〜ＰＴ３−６のいずれかに決定したことに応じて、演出制御用ＣＰＵ１２０がステップＳ５２３、Ｓ５２７の処理を実行した後、ステップＳ５０６で決定した演出制御パターンに基づきステップＳ５４４の処理を実行する部分など）。
このような構成においては、リーチ前突発大当り可変表示パターンにより、リーチ状態となるより前に演出切換タイミングとなって特定演出に切り換わり、特定表示結果が導出表示されることで、全演出大当り可変表示パターンに比べて短い可変表示時間で特定表示結果が導出表示される。また、リーチ後突発大当り可変表示パターンにより、リーチ状態となった後に演出切換タイミングとなって特定演出に切り換わり、特定表示結果が導出表示されることで、全演出大当り可変表示パターンに比べて短い可変表示時間で特定表示結果が導出表示される。これにより、演出動作が特定演出に切り換わるときには特定表示結果が導出表示され、特定表示結果となることの意外性を高めて、遊技の興趣を向上させることができる。また、リーチ状態となるより前でも特定演出に切り換えられるため、識別情報が可変表示される期間の全体にわたり特定表示結果となることに対する期待感を高めて、遊技の興趣を向上させることができる。
加えて、特定演出に切り換わる演出切換タイミングに応じて切換前演出動作の実行割合を異ならせることができる。これにより、実行される演出動作に応じて、どのようなタイミングで特定演出に切り換わるかの期待感を異ならせて、遊技の興趣を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月14日(2014.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【図１】(A) は第１実施形態の側面図、(B) は背もたれを構成するインナーシェルの斜視図である。
【図２】(A) は主要部材の分離側面視図、(B) は背もたれの取付け状態を示す一部破断分離斜視図である。
【図３】一部を破断した主要部材の概略分離正面図である。
【図４】図１の IV-IV視断面図である（断面表示は省略している。）。
【図５】動きを示す側面図である。
【図６】第２実施形態の非着座状態での側面図である。
【図７】第２実施形態の着座状態での側面図である。
【図８】第３実施形態を示す図である。
【図９】第４実施形態を示す図である。
【図１０】第５実施形態を示す図である。
【図１１】第６実施形態を示す図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2013128824.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2013128824.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月5日(2013.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
演出画像の表示が可能な演出表示手段と、
前記演出表示手段と対向する位置に設けられ、遊技者による接触を検出可能であり、当該接触を検出した際に接触位置を特定するタッチパネルと、
前記演出表示手段に演出画像を表示させる制御を行う演出表示制御手段と、
所定条件が成立したことに基づいて、遊技者に利益を与える当たり抽選を行う当たり抽選手段とを備え、
前記演出表示制御手段は、
前記タッチパネルへの遊技者の接触且つ所定位置への移動である接触移動が行われたときに表示内容へ変化させ、表示内容の変化後である表示結果態様により前記当たり抽選手段の抽選結果を示唆する、
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記接触移動により表示内容を変化させる方向を複数方向備え、
前記演出表示制御手段は、前記当たり抽選手段の抽選結果の示唆を、前記接触移動の方向に応じてそれぞれ異なる表示結果態様により行う、
ことを特徴とする請求項１記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するため、請求項１に記載の本発明の遊技機は、演出画像の表示が可能な演出表示手段（液晶表示装置２１）と、前記演出表示手段と対向する位置に設けられ、遊技者による接触を検出可能であり、当該接触を検出した際に接触位置を特定するタッチパネル（タッチパネル１００）と、前記演出表示手段に演出画像を表示させる制御を行う演出表示制御手段（サブＣＰＵ３０１）と、所定条件が成立したことに基づいて、遊技者に利益を与える当たり抽選を行う当たり抽選手段（メインＣＰＵ２０１）とを備え、前記演出表示制御手段は、前記タッチパネルへの遊技者の接触且つ所定位置への移動である接触移動が行われたときに表示内容へ変化させ、表示内容の変化後である表示結果態様により前記当たり抽選手段の抽選結果を示唆する、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月9日(2013.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の遊技を行うことが可能な遊技機であって、
制御を行う際に発生する変動データを記憶する変動データ記憶手段と、
遊技機への電力供給が停止していても前記変動データ記憶手段の記憶内容を所定期間保持させることが可能な記憶内容保持手段と、
操作に応じて操作信号を出力する初期化操作手段と、
電力供給が開始され、前記初期化操作手段からの前記操作信号が入力されたときに、前記変動データ記憶手段の記憶内容を初期化する初期化処理を実行する初期化処理実行手段と、
所定のエラーが発生しているか否かを判定するエラー判定手段と、
遊技機の外部に信号を出力する信号線を接続するための複数の端子と、
少なくとも、前記初期化処理実行手段によって前記初期化処理が実行されたこと、および前記エラー判定手段によって前記所定のエラーが発生していると判定されたことを含む所定の信号出力条件が成立したことにもとづいて、前記端子を介して遊技機の外部に所定の外部出力信号を出力する外部出力手段と、を備え、
前記外部出力手段は、前記初期化処理実行手段によって前記初期化処理が実行されたときと前記エラー判定手段によって前記所定のエラーが発生していると判定されたときとで、共通の端子から前記所定の外部出力信号を出力し、
前記共通の端子は、２つの端子を１のセットとして構成されるとともに、前記信号線を開放するための摘み部が端子ごとに設けられ、
前記摘み部は、相互に互い違いになるように配置されている
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明による遊技機は、所定の遊技を行うことが可能な遊技機であって、制御を行う際に発生する変動データ（例えば、特別図柄プロセスフラグ、保留記憶数カウンタの値）を記憶する変動データ記憶手段（例えば、ＲＡＭ５５）と、遊技機への電力供給が停止していても変動データ記憶手段の記憶内容を所定期間保持させることが可能な記憶内容保持手段（例えば、バックアップ電源としてのコンデンサ）と、操作に応じて操作信号を出力する初期化操作手段（例えば、クリアスイッチ）と、電力供給が開始され、初期化操作手段からの操作信号が入力されたときに、変動データ記憶手段の記憶内容を初期化する初期化処理を実行する初期化処理実行手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０におけるステップＳ１０〜Ｓ１４を実行する部分）と、所定のエラーが発生しているか否かを判定するエラー判定手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０におけるステップＳ１２１〜Ｓ１２６を実行する部分）と、遊技機の外部に信号を出力する信号線を接続するための複数の端子と、少なくとも、初期化処理実行手段によって初期化処理が実行されたこと、およびエラー判定手段によって所定のエラーが発生していると判定されたことを含む所定の信号出力条件が成立したこと（例えば、初期化処理が実行されたこと、始動入賞口１４への異常入賞を検出したこと）にもとづいて、端子を介して遊技機の外部に所定の外部出力信号（例えば、セキュリティ信号）を出力する外部出力手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０におけるステップＳ１４ａ，Ｓ１２７でセキュリティ信号情報タイマをセットした後に、ステップＳ１０６９〜Ｓ１１０３を実行して、セキュリティ信号を出力する部分）と、を備え、外部出力手段は、初期化処理実行手段によって初期化処理が実行されたときとエラー判定手段によって所定のエラーが発生していると判定されたときとで、共通の端子（例えば、ターミナル基板１６０に設けられたコネクタＣＮ７）から所定の外部出力信号を出力し（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０は、ステップＳ１４ａ，Ｓ１２７，Ｓ１０６９〜Ｓ１１０３を実行することによって、ターミナル基板１６０のコネクタＣＮ７から共通のセキュリティ信号として外部出力する）、共通の端子は、２つの端子を１のセットとして構成されるとともに、信号線を開放するための摘み部が端子ごとに設けられ、摘み部は、相互に互い違いになるように配置されていることを特徴とする。そのような構成により、初期化処理が実行されたことにもとづいて所定の外部出力信号を出力することによって、遊技機への電源投入時に行われる不正行為を防止することができる。また、初期化処理が実行されたときと所定のエラーが発生していると判定されたときとで共通の端子に所定の外部出力信号を出力するので、外部出力用の信号線の無駄を低減することができる。従って、遊技機への電源投入時に行われる不正行為を防止しつつ、外部出力用の信号線の無駄を低減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月22日(2014.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体中にて軸受により回転可能に支持される回転軸を備えるフロキュレータの管理方法であって、
前記回転軸を支持する前記軸受の摩耗状態に基づいて、
前記軸受にかかる前記回転軸の荷重の向きを切り替える、
フロキュレータの管理方法。
【請求項２】
前記回転軸に、軸線方向に沿って延在する中空部を設け、
前記中空部内に気体又は液体を供給し、前記軸受にかかる荷重の向きを切り替える、
請求項１記載のフロキュレータの管理方法。
【請求項３】
前記中空部を、前記軸線方向に沿って離間して配置され液体が収容される一対の液体収容室と、前記一対の液体収容室の間に配置され気体が収容される気体収容室と、前記各液体収容室と前記気体収容室との間に配置された一対の調整室と、に画設し、
前記一対の調整室に気体を供給して、前記軸受に上向きの荷重を作用させる上向き荷重発生状態と、
前記一対の調整室に液体を供給して、前記軸受に下向きの荷重を作用させる下向き荷重発生状態と、を切り替えることで、前記軸受にかかる荷重の向きを切り替える、
請求項２記載のフロキュレータの管理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係るフロキュレータの管理方法は、液体中にて軸受により回転可能に支持される回転軸を備えるフロキュレータの管理方法であって、回転軸を支持する軸受の摩耗状態に基づいて、軸受にかかる回転軸の荷重の向きを切り替える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係るフロキュレータの管理方法では、まず、上向き荷重発生状態又は下向き荷重発生状態のいずれか一方の状態でフロキュレータを運転し、軸受において荷重が作用している部分に摩耗が発生した場合に、上向き荷重発生状態又は下向き荷重発生状態のいずれか他方の状態に切替えることで、軸受において荷重が作用する部分を変えることができる。従って、軸受の上部又は下部のいずれか一方に摩耗が発生した場合、荷重が作用する部分を上記状態切替えにより逆側に変えることによって、軸受を交換することなく使用を継続することができる。よって、回転軸を支持する軸受の交換回数を低減することができる。ここで、回転軸に、軸線方向に沿って延在する中空部を設け、中空部内に気体又は液体を供給し、軸受にかかる荷重の向きを切り替えることを特徴とする。また、中空部を、軸線方向に沿って離間して配置され液体が収容される一対の液体収容室と、一対の液体収容室の間に配置され気体が収容される気体収容室と、各液体収容室と気体収容室との間に配置された一対の調整室と、に画設し、一対の調整室に気体を供給して、軸受に上向きの荷重を作用させる上向き荷重発生状態と、一対の調整室に液体を供給して、軸受に下向きの荷重を作用させる下向き荷重発生状態と、を切り替えることで、軸受にかかる荷重の向きを切り替えることを特徴とする。