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【手続補正書】
【提出日】平成26年10月24日(2014.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
これにより、９２４４ｋｇ／時間の９９．５重量％のジメチルカーボネートを含む液体底部生成物が得られる。メタノールに加えて、１１ｐｐｍのメトキシエタノールおよび５ｐｐｍのＭＭＥＣが存在する。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
［１］  式（ＩＩ）：
【化１】
2012092101.tif 000001
〔式中、
Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、直鎖または分枝状の、置換または非置換Ｃ１〜Ｃ６アルキルを表す〕
で示されるジアルキルカーボネートを、１以上の塔において、式（Ｖ）：
【化２】
2012092101.tif 000002
〔式中、
Ｒ３およびＲ４は、互いに独立して、置換または非置換Ｃ１〜Ｃ４アルキル、置換または非置換Ｃ２〜Ｃ４アルケニル、または置換または非置換Ｃ６〜Ｃ１２アリールを表す〕
で示されるアルキレンオキシドおよび式（ＩＶ）：
【化３】
2012092101.tif 000003
〔式中、
Ｒ５は、直鎖または分枝状のＣ１〜Ｃ４アルキルを表す〕
で示されるアルキルアルコールの存在下で精製する工程を含む方法であって、ジアルキルカーボネートの精製のための１以上の塔の底部における温度は、１２０℃〜２１０℃である、方法。
［２］  ジアルキルカーボネートの精製のための１以上の塔の底部における温度は、１４０℃〜１９０℃である、［１］に記載の方法。
［３］  アルキルアルコールは、メタノールまたはエタノールを含む、［１］に記載の方法。
［４］  アルキレンオキシドは、エチレンまたはプロピレンを含む、［１］に記載の方法。
［５］  ジアルキルカーボネートの精製に用いる１以上の塔の少なくとも１つにおける圧力は、０．５〜５０バール絶対である、［１］に記載の方法。
［６］  ジアルキルカーボネートの精製に用いる１以上の塔の少なくとも１つにおける圧力は、２〜２０バール絶対である、［５］に記載の方法。
［７］  ジアルキルカーボネートの精製のための１以上の塔における液相の平均滞留時間は、０．３〜３時間である、［１］に記載の方法。
［８］  ジアルキルカーボネートの精製のための塔における液相の平均滞留時間は、０．５〜２時間である、［７］に記載の方法。
［９］  ジアルキルカーボネートの精製に用いる１以上の塔の少なくとも１つは、充填塔である、［１］に記載の方法。
［１０］  アルキルアルコールは、メタノールまたはエタノールを含み、およびアルキレンオキシドは、エチレンまたはプロピレンを含む、［１］に記載の方法。
［１１］  ジアルキルカーボネートの精製に用いる１以上の塔の少なくとも１つにおける圧力は、０．５〜５０バール絶対である、［１０］に記載の方法。
［１２］  ジアルキルカーボネートの精製のための１以上の塔における液相の平均滞留時間は、０．３〜３時間である、［１１］に記載の方法。
［１３］  ジアルキルカーボネートの精製に用いる１以上の塔の少なくとも１つは、充填塔である、［１２］に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（ＩＩ）：
【化１】
2012092101.tif 000004
〔式中、
Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、直鎖または分枝状の、置換または非置換Ｃ１〜Ｃ６アルキルを表す〕
で示されるジアルキルカーボネートを、１以上の塔において、式（Ｖ）：
【化２】
2012092101.tif 000005
〔式中、
Ｒ３およびＲ４は、互いに独立して、置換または非置換Ｃ１〜Ｃ４アルキル、置換または非置換Ｃ２〜Ｃ４アルケニル、または置換または非置換Ｃ６〜Ｃ１２アリールを表す〕
で示されるアルキレンオキシドおよび式（ＩＶ）：
【化３】
2012092101.tif 000006
〔式中、
Ｒ５は、直鎖または分枝状のＣ１〜Ｃ４アルキルを表す〕
で示されるアルキルアルコールの存在下で精製する工程を含む方法であって、ジアルキルカーボネートの精製のための１以上の塔の底部における温度は、１２０℃〜２１０℃である、方法。
【請求項２】
ジアルキルカーボネートの精製のための１以上の塔の底部における温度は、１４０℃〜１９０℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アルキルアルコールは、メタノールまたはエタノールを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
アルキレンオキシドは、エチレンまたはプロピレンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ジアルキルカーボネートの精製に用いる１以上の塔の少なくとも１つにおける圧力は、０．５〜５０バール絶対である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ジアルキルカーボネートの精製のための１以上の塔における液相の平均滞留時間は、０．３〜３時間である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ジアルキルカーボネートの精製に用いる１以上の塔の少なくとも１つは、充填塔である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
アルキルアルコールは、メタノールまたはエタノールを含み、およびアルキレンオキシドは、エチレンまたはプロピレンを含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月24日(2014.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
これにより、９２５０ｋｇ／時間の９９．５重量％のジメチルカーボネートを含む液体底部生成物が得られる。メタノールに加えて、５３ｐｐｍのメトキシエタノールおよび１１１ｐｐｍのＭＭＥＣが存在する。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
［１］  式（ＩＩ）：
【化１】
2012092102.tif 000001
〔式中、
Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、直鎖または分枝状の、置換または非置換Ｃ１〜Ｃ６アルキルを表す〕
で示されるジアルキルカーボネートを、１以上の塔において、式（Ｖ）：
【化２】
2012092102.tif 000002
〔式中、
Ｒ３およびＲ４は、互いに独立して、水素、置換または非置換Ｃ１〜Ｃ４アルキル、置換または非置換Ｃ２〜Ｃ４アルケニル、または置換または非置換Ｃ６〜Ｃ１２アリールを表す〕
で示されるアルキレンオキシドおよび式（ＩＶ）：
【化３】
2012092102.tif 000003
〔式中、
Ｒ５は、直鎖または分枝状のＣ１〜Ｃ４アルキルを表す〕
で示されるアルキルアルコールの存在下で精製する工程を含む方法であって、塔中でのジアルキルカーボネートの平均滞留時間は、０．３時間〜３時間である、方法。
［２］  塔中でのジアルキルカーボネートの平均滞留時間は、０．５時間〜２時間である、［１］に記載の方法。
［３］  アルコールは、メタノールまたはエタノールを含む、［１］に記載の方法。
［４］  アルコールは、メタノールまたはエタノールを含む、［２］に記載の方法。
［５］  アルキレンは、エチレンまたはプロピレンを含む、［１］に記載の方法。
［６］  アルキレンは、エチレンまたはプロピレンを含む、［４］に記載の方法。
［７］  ジアルキルカーボネートの精製に用いる塔の少なくとも１つにおける圧力は、０．５〜５０バール絶対である、［１］に記載の方法。
［８］  ジアルキルカーボネートの精製に用いる塔の少なくとも１つにおける圧力は、０．５〜５０バール絶対である、［６］に記載の方法。
［９］  ジアルキルカーボネートの精製に用いる塔の少なくとも１つにおける圧力は、２〜２０バール絶対である、［１］に記載の方法。
［１０］  ジアルキルカーボネートの精製に用いる塔の少なくとも１つにおける圧力は、２〜２０バール絶対である、［８］に記載の方法。
［１１］  ジアルキルカーボネートの精製に用いる塔の少なくとも１つにおける温度は、１２０℃〜２１０℃である、［１］に記載の方法。
［１２］  ジアルキルカーボネートの精製に用いる塔の少なくとも１つにおける温度は、１２０℃〜２１０℃である、［１０］に記載の方法。
［１３］  ジアルキルカーボネートの精製に用いる塔の少なくとも１つは、充填塔である、［１］に記載の方法。
［１４］  ジアルキルカーボネートの精製に用いる塔の少なくとも１つは、充填塔である、［１２］に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（ＩＩ）：
【化１】
2012092102.tif 000004
〔式中、
Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、直鎖または分枝状の、置換または非置換Ｃ１〜Ｃ６アルキルを表す〕
で示されるジアルキルカーボネートを、１以上の塔において、式（Ｖ）：
【化２】
2012092102.tif 000005
〔式中、
Ｒ３およびＲ４は、互いに独立して、水素、置換または非置換Ｃ１〜Ｃ４アルキル、置換または非置換Ｃ２〜Ｃ４アルケニル、または置換または非置換Ｃ６〜Ｃ１２アリールを表す〕
で示されるアルキレンオキシドおよび式（ＩＶ）：
【化３】
2012092102.tif 000006
〔式中、
Ｒ５は、直鎖または分枝状のＣ１〜Ｃ４アルキルを表す〕
で示されるアルキルアルコールの存在下で精製する工程を含む方法であって、塔中でのジアルキルカーボネートの平均滞留時間は、０．３時間〜３時間である、方法。
【請求項２】
塔中でのジアルキルカーボネートの平均滞留時間は、０．５時間〜２時間である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アルコールは、メタノールまたはエタノールを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
アルコールは、メタノールまたはエタノールを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
アルキレンは、エチレンまたはプロピレンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
アルキレンは、エチレンまたはプロピレンを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
ジアルキルカーボネートの精製に用いる塔の少なくとも１つにおける圧力は、０．５〜５０バール絶対である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ジアルキルカーボネートの精製に用いる塔の少なくとも１つにおける圧力は、２〜２０バール絶対である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ジアルキルカーボネートの精製に用いる塔の少なくとも１つにおける温度は、１２０℃〜２１０℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ジアルキルカーボネートの精製に用いる塔の少なくとも１つは、充填塔である、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月17日(2014.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合サイクル発電プラント（２）であって、
圧縮機入口（２１）及び圧縮機出口（２２）を備える圧縮機セクション（２０）と、
前記圧縮機セクション（２０）に作動連結されかつタービン入口（２９）及びタービン出口（３０）を備えるタービンセクション（２８）と、
前記タービン出口（３０）に流体連結された熱回収蒸気発生器（ＨＲＳＧ）（１０）と、
前記圧縮機出口（２２）に流体連結されたヘッド端部（３７、３８）及び前記タービン入口（２９）に流体連結された燃焼器吐出口（４０、４１）を備える燃焼器（３４、３５）と、
前記圧縮機出口（２２）及び前記燃焼器（３４、３５）のヘッド端部（３７、３８）の少なくとも一方に流体連結された二酸化炭素収集システム（７０、１２０）であって、前記圧縮機出口（２２）及び前記燃焼器（３４、３５）のヘッド端部（３７、３８）の少なくとも一方から流れる実質的に無酸素の流体流れから二酸化炭素を含む第１の流体並びに第２の流体を抽出するように構成されかつ配置された二酸化炭素収集システム（７０、１２０）と、
前記圧縮機セクション（２０）及び前記タービンセクション（２８）と流体連結された二次流れシステム（３３）であって、前記圧縮機セクション（２０）からの実質的に無酸素の冷却流れを前記タービンセクション（２８）に送る二次流れシステム（３３）と、
前記ＨＲＳＧ（１０）と圧縮機セクション（２８）との間に流体連結された排気ガス再循環（ＥＧＲ）システム（４５）と、
前記圧縮機出口（２２）及び前記燃焼器（３４、３５）のヘッド端部（３７、３８）の少なくとも一方と前記二酸化炭素収集システム（７０、１２０）との間に流体結合された熱交換部材（７４）と、
前記圧縮機出口（２２）及び前記燃焼器（３４、３５）のヘッド端部（３７、３８）の少なくとも一方と前記熱交換部材（７４）との間に流体結合された絞り制御弁（９０）であって、絞り制御弁（９０）と
前記ＨＲＳＧ（１０）に流体連結されたタービンバイパス弁（９４）であって、前記絞り制御弁（９０）が閉鎖されたときに前記ＥＧＲシステム（４５）の過剰圧力状態を防ぐために開放されるように構成されているタービンバイパス弁（９４）と
を備える、複合サイクル発電プラント（２）。
【請求項２】
前記第２の流体が窒素を含む、請求項１記載の複合サイクル発電プラント（２）。
【請求項３】
前記二酸化炭素収集システム（７０、１２０）が、膨張部材（１３７）に流体連結された加圧部材（８０、８３、８４、８５）を含む、請求項１又は請求項２記載の複合サイクル発電プラント（２）。
【請求項４】
前記タービンバイパス弁（９４）に流体連結されたブローアウト弁（９２）をさらに含む、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の複合サイクル発電プラント（２）。
【請求項５】
前記ＨＲＳＧ（１０）の排出部分に配置されたブローオフベント（１２）をさらに含む、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の複合サイクル発電プラント（２）。
【請求項６】
前記二酸化炭素収集システム（７０、１２０）が、前記燃焼器（３４、３５）のヘッド端部（３７、３８）に流体連結される、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の複合サイクル発電プラント（２）。
【請求項７】
複合サイクル発電プラントの運転方法であって、
流体流れを圧縮機セクションに流して加圧流体流れを生成させるステップと、
圧縮機出口からの加圧流体流れを燃焼器のヘッド端部に案内するステップと、
燃焼器で生成した燃焼ガスをタービンセクションの入口に導くステップと、
排気ガスをタービンセクションの出口から排出して熱回収蒸気発生器（ＨＲＳＧ）に送るステップと、
加圧流体流れの実質的に無酸素部分を圧縮機出口及び燃焼器のヘッド端部の一方から二酸化炭素収集システムに流すステップと、
加圧空気流の実質的に無酸素部分から二酸化炭素を含む第１の流体と第２の流体とを抽出するステップと、
前記圧縮機セクションから実質的に無酸素の冷却流れを直接前記タービンセクション（２８）に送るステップと、
排気ガス再循環（ＥＧＲ）システムを介して前記ＨＲＳＧから圧縮機セクションに排気ガスを循環させるステップと、
前記加圧流体流れの実質的に無酸素部分を絞り制御弁及び熱交換部材を介して前記二酸化炭素収集システムに送るステップと、
前記絞り制御弁が閉鎖されたときに、前記ＥＧＲシステムの過剰圧力状態を防ぐために、前記ＨＲＳＧに流体連結されたタービンバイパス弁を開放するステップと
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月15日(2014.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズル（１２）であって、
ａ．中心胴体（３４）と、
ｂ．前記中心胴体（３４）の少なくとも一部分を円周方向に囲むシュラウド（３６）であって、前記中心胴体（３４）とシュラウド（３６）との間に環状通路（４０）を画成するシュラウド（３６）と、
ｃ．前記中心胴体を貫通して前記環状通路（４０）に至る複数の開口（４６）と、
ｄ．前記中心胴体（３４）内部に延在しかつ前記複数の開口（４６）と流体連通したプレナム（４４）と、
ｅ．前記中心胴体（３４）とシュラウド（３６）の間の１以上の翼（４２）であって、該１以上の翼（４２）を貫通して前記環状通路（４０）に至る複数のポート（４８）を画成する１以上の翼（４２）と、
ｆ．前記プレナム（４４）と流体連通した冷却媒体（３２）と
を備えるノズル（１２）。
【請求項２】
前記冷却媒体（３２）が、蒸気、不活性ガス又は希釈剤の少なくとも１つを含む、請求項１記載のノズル（１２）。
【請求項３】
前記プレナム（４４）が前記１以上の翼（４２）の複数のポート（４８）と流体連通している、請求項１又は請求項２記載のノズル（１２）。
【請求項４】
前記シュラウド（３６）が、該シュラウド（３６）を貫通して前記環状通路（４０）に至る複数の通路（５０）を画成する、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のノズル（１２）。
【請求項５】
前記プレナム（４４）が、前記シュラウド（３６）を貫通する前記複数の通路（５０）と流体連通している、請求項４記載のノズル（１２）。
【請求項６】
前記中心胴体（３４）に連結されかつ前記複数の開口（４６）の少なくとも１つに近接したルーバ（５２）をさらに含む、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載のノズル（１２）。
【請求項７】
ノズル（１２）であって、
ａ．中心胴体（３４）と、
ｂ．前記中心胴体（３４）の少なくとも一部分を円周方向に囲むシュラウド（３６）であって、前記中心胴体（３４）とシュラウド（３６）との間に環状通路（４０）を画成するシュラウド（３６）と、
ｃ．前記シュラウドを貫通する複数の通路（５０）と連通したプレナム（４４）と、
ｄ．前記中心胴体（３４）とシュラウド（３６）の間の１以上の翼（４２）であって、該１以上の翼（４２）を貫通して前記環状通路（４０）に至る複数のポート（４８）を画成する１以上の翼（４２）と、
ｅ．前記プレナム（４４）と流体連通した冷却媒体（３２）と
を備えるノズル（１２）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月10日(2014.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シール装置（２０）であって、当該シール装置（２０）が、
細長い本体（３１，４１）を各々含んでいる第１及び第２の隣接するシールセグメント（３０，４０）であって、細長い本体（３１，４１）の両端部に画成された端部（３２，３３，４２，４３）が、第１のシールセグメントの端部と第２のシールセグメントの相補的な端部とが接合するように構成されている、第１及び第２の隣接するシールセグメント（３０，４０）を
少なくとも備えており、
第１のシールセグメントの端部が、第１のシール表面（６１）の平面から突出する第１の雄部品（６０）を含んでいて、第１の雄部品（６０）の周囲に第１の雌対合部（６２）を画成しており、
第２のシールセグメントの端部が、第２のシール表面（７１）の平面から突出する第２の雄部品（７０）を含んでいて、第２の雄部品（７０）の周囲に第２の雌対合部（７２）を画成しており、
第１及び第２の雄部品（６０，７０）がそれぞれ第２及び第１の雌対合部（７２，６２）に嵌め込むことができて、少なくとも２方向に第１及び第２の雄部品重なり部（８０，９０）を形成するとともに各々相補的に反転した構成で３つの突起部分（１１０，１２０）を備えており、
第１の雄部品（６０）の３つの突起部分（１１０）が、第１の中央突起（１１１）と、第１の中央突起の幅（Ｗ２）よりも狭い幅（Ｗ１）で互いに分離された第１の側部突起（１１２）であって第１の中央突起の表面（１１３）と接触して配置された第１の側部突起（１１２）とを含んでおり、
第２の雄部品（７０）の３つの突起部分（１２０）が、第１の側部突起（１１２）の間に受け入れられて第１の中央突起の表面（１１３）と接触する第２の中央突起（１２１）と、第２の中央突起の幅（Ｗ４）よりも広い幅（Ｗ３）で互いに分離された第２の側部突起（１２２）であって、第２の側部突起（１２２）のそれぞれの表面（１２３）と接触するように第１の中央突起（１１１）を受け入れる空間を画成する第２の側部突起（１２２）とを含んでいる、シール装置（２０）。
【請求項２】
少なくとも第１及び第２のシールセグメントが、タービンの静止部品間に配設するための環状シール（５０）を形成するように配置される、請求項１記載のシール装置（２０）。
【請求項３】
前記タービンが蒸気タービンを含んでおり、前記環状シール（５０）が蒸気漏洩流を制限する、請求項２記載のシール装置（２０）。
【請求項４】
前記静止部品が任意の２つの静止部品を備える、請求項２記載のシール装置（２０）。
【請求項５】
少なくとも第１及び第２のシールセグメント（３０，４０）が４以上のシールセグメントを含む、請求項２乃至請求項４のいずれか１項記載のシール装置（２０）。
【請求項６】
少なくとも第１及び第２のシールセグメント（３０，４０）が金属材料又は金属合金材料から形成される、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載のシール装置（２０）。
【請求項７】
第１及び第２の雄部品重なり部（８０，９０）が、少なくとも第１及び第２のシールセグメント（３０，４０）が熱膨張する間、維持される充分な長さを各々有する、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載のシール装置（２０）。
【請求項８】
少なくとも第１及び第２のシールセグメント（３０，４０）のそれぞれの断面が、ハブ（１００）と、前記少なくとも２方向のうちの１方向に前記ハブから延在するフランジ（１０１）と、前記少なくとも２方向の別の１方向に前記ハブから延在するシール歯（１０２）とを備える、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載のシール装置（２０）。
【請求項９】
１以上の第１及び第２の雄部品（３０，４０）の３つの突起部分（１１０，１２０）がシールを備える、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載のシール装置（２０）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月30日(2014.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に下記一般式（Ｇ１）で表される化合物を有する発光素子。
【化１】
2012092087.tif 000001
（但し、一般式（Ｇ１）中、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、または、下記一般式（Ｇ１−１）で表される置換基のいずれか一を示す。また、一般式（Ｇ１）中、Ｒ２は、水素、炭素数１〜１２のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、または、下記一般式（Ｇ１−２）で表される置換基のいずれか一を示す。また、一般式（Ｇ１）中、α３は、置換又は無置換のフェニレン基、または、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一を示す。また、一般式（Ｇ１）中、Ａｒ３は、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれか一を示す。）
【化２】
2012092087.tif 000002
（但し、一般式（Ｇ１−１）中、Ａｒ１は、炭素数１〜１２のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれか一を示す。また、一般式（Ｇ１−１）中、α１は、置換又は無置換のフェニレン基、または、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一を示す。また、一般式（Ｇ１−１）中、ｎは０または１である。）
【化３】
2012092087.tif 000003
（但し、一般式（Ｇ１−２）中、Ａｒ２は、炭素数１〜１２のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれか一を示す。また、一般式（Ｇ１−２）中、α２は、置換又は無置換のフェニレン基、または、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一を示す。）
【請求項２】
請求項１において、
前記一般式（Ｇ１）中のＲ１は、下記構造式（Ｓ−１）乃至（Ｓ−５）、または、下記一般式（Ｇ１−１）で表される構造のいずれか一である化合物を有する発光素子。
【化４】
2012092087.tif 000004
（但し、一般式（Ｇ１−１）中、Ａｒ１は、炭素数１〜１２のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれか一を示す。また、一般式（Ｇ１−１）中、α１は、置換又は無置換のフェニレン基、または、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一を示す。また、一般式（Ｇ１−１）中、ｎは０または１である。）
【請求項３】
請求項１または２において、
前記一般式（Ｇ１）中のＲ２は、下記構造式（Ｓ−１１）乃至（Ｓ−１６）、または、下記一般式（Ｇ１−２）で表される構造のいずれか一である化合物を有する発光素子。
【化５】
2012092087.tif 000005
（但し、一般式（Ｇ１−２）中、Ａｒ２は、炭素数１〜１２のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基のいずれか一を示す。また、一般式（Ｇ１−２）中、α２は、置換又は無置換のフェニレン基、または、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれか一を示す。）
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記一般式（Ｇ１）中のα３、前記一般式（Ｇ１−１）中のα１、及び前記一般式（Ｇ１−２）中のα２はそれぞれ独立に、下記構造式（α−１）乃至（α−７）で表される構造のいずれか一である化合物を有する発光素子。
【化６】
2012092087.tif 000006
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記一般式（Ｇ１−１）中のＡｒ１及び前記一般式（Ｇ１−２）中のＡｒ２はそれぞれ独立に、下記構造式（Ａｒ−１）乃至（Ａｒ−１０）で表される構造のいずれか一である化合物を有する発光素子。
【化７】
2012092087.tif 000007
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記一般式（Ｇ１）中のＡｒ３は、下記構造式（Ａｒ−１１）乃至（Ａｒ−１５）で表される構造のいずれか一である化合物を有する発光素子。
【化８】
2012092087.tif 000008
【請求項７】
下記式（１０２）で表される化合物を用いた発光素子。
2012092087.tif 000009
【請求項８】
下記式（１０５）で表される化合物を用いた発光素子。
2012092087.tif 000010
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一に記載の発光素子を用いた発光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の発光装置を用いた照明装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の発光装置を用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月26日(2014.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナ回路と、第１の抵抗と、トランジスタと、容量と、論理回路と、第１の配線と、第２の配線とを有し、
前記第１の抵抗の一方の端子は、前記アンテナ回路と電気的に接続され、
前記第１の抵抗の他方の端子は、前記トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートと、前記容量の一方の端子とは、前記論理回路と電気的に接続され、
前記容量の他方の端子は、前記第２の配線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
アンテナ回路と、第１の抵抗と、第２の抵抗と、トランジスタと、容量と、論理回路と、第１の配線と、第２の配線とを有し、
前記第１の抵抗の一方の端子は、前記アンテナ回路と電気的に接続され、
前記第１の抵抗の他方の端子は、前記トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは、前記容量素子の一方の端子と電気的に接続され、
前記容量の他方の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の抵抗の一方の端子は、前記トランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２の抵抗の他方の端子は、前記論理回路と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
アンテナ回路と、第１の抵抗と、第２の抵抗と、第３の抵抗と、トランジスタと、第１の容量と、第２の容量と、論理回路と、第１の配線と、第２の配線とを有し、
前記第１の抵抗の一方の端子は、前記アンテナ回路と電気的に接続され、
前記第１の抵抗の他方の端子は、前記トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートと、前記第２の抵抗の一方の端子とは、前記第１の容量の一方の端子と電気的に接続され、
前記第２の抵抗の他方の端子と、前記第３の抵抗の一方の端子とは、前記第２の容量の一方の端子と電気的に接続され、
前記第３の抵抗の他方の端子は、前記論理回路と電気的に接続され、
前記第１の容量の他方の端子は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の容量の他方の端子は、前記第２の配線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記容量のインピーダンスは、前記第２の抵抗のインピーダンスよりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２において、
前記容量のインピーダンスは、前記第２の抵抗のインピーダンスと前記論理回路のインピーダンスとの合成インピーダンスよりも低いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月19日(2014.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中間転写部材であって、
ポリイミドを含む基板と、
基板上に配置した最外層と、
前記基板と前記最外層との間にある接着層とを備え、
前記最外層はフッ素樹脂基質内に分散させた複数のフルオロエラストマー被覆カーボンナノチューブを含み、約２５ｍＮ／ｍ未満の界面エネルギーを有し、
前記複数のフルオロエラストマー被覆カーボンナノチューブのそれぞれは、フルオロエラストマーシェルにより囲繞されたカーボンナノチューブを備え、
前記複数のフルオロエラストマー被覆カーボンナノチューブのそれぞれは、フッ素樹脂基質の総量に対して約０．５重量％から約１０重量％の範囲のフルオロエラストマーを備え、
前記最外層のヤング率が少なくとも約２０００ＭＰａに調整された、中間転写部材。
【請求項２】
前記最外層は、約１０９Ω／ｓｑから約１０１３Ω／ｓｑの範囲の表面抵抗率と、約１０８Ω・ｃｍから１０１２Ω・ｃｍの範囲の体積表面抵抗率を有する、請求項１に記載の部材。
【請求項３】
前記フルオロエラストマーシェルが少なくとも約１ｎｍの肉厚を有し、
前記カーボンナノチューブが約１０から約５０００の範囲のアスペクト比を有しており、前記フルオロエラストマーシェルがフッ化ビニリデンとヘキサフルオロプロピレンと四フッ化エチレンとそれらの混合物からなる群から選択されるモノマー繰り返し単位を含む、請求項１に記載の部材。
【請求項４】
中間転写部材であって、
基板と、
基板上に配置した最外層と、
前記基板と前記最外層との間にある接着層とを備え、
前記最外層はフッ素樹脂基質と、前記フッ素樹脂基質に分散させた複数のフルオロエラストマー被覆カーボンナノチューブとを含み、
前記複数のフルオロエラストマー被覆カーボンナノチューブのそれぞれは、フルオロエラストマーシェルにより囲繞されたカーボンナノチューブを備え、
前記複数のフルオロエラストマー被覆カーボンナノチューブのそれぞれは、フッ素樹脂基質の総量に対して約０．５重量％から約１０重量％の範囲のフルオロエラストマーを備え、
前記最外層は約１０９Ω／ｓｑから約１０１３Ω／ｓｑの範囲の表面抵抗率を有し、
前記最外層のヤング率が少なくとも約２０００ＭＰａに調整された、中間転写部材。
【請求項５】
中間転写部材と撮像部材とを備える画像形成装置であって、
前記中間転写部材が、基板と、基板上に配置した最外層と、前記基板と前記最外層との間にある接着層とを備え、
前記最外層はフッ素樹脂基質に分散させた複数のフルオロエラストマー被覆カーボンナノチューブを含み、
前記最外層は、約１０９Ω／ｓｑから約１０１３Ω／ｓｑの範囲の表面抵抗率と、約２５ｍＮ／ｍ未満の界面エネルギーとを有し、
前記複数のフルオロエラストマー被覆カーボンナノチューブのそれぞれは、フルオロエラストマーシェルにより囲繞されたカーボンナノチューブを備え、
前記複数のフルオロエラストマー被覆カーボンナノチューブのそれぞれは、フッ素樹脂基質の総量に対して約０．５重量％から約１０重量％の範囲のフルオロエラストマーを備え、
前記最外層のヤング率が少なくとも約２０００ＭＰａに調整された中間転写部材であり、
前記撮像部材を、前記中間転写部材に前記撮像部材から印刷媒体へ現像されたトナー画像を転写させるよう配置した、画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月28日(2014.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板層と、
次式で表されるポリイミドポリマーを含む、前記基板層に配置されている表面層と、
2011221528.tif 000001
〔式中、Ｒは、アルキル、アリール、又はこれらの混合物であり；ｎは、前記ポリイミドポリマーの約５０モル％〜約９９モル％であり、ｍは、前記ポリイミドポリマーの約５０モル％〜約１モル％である〕
中間転写体の重量に対して約１重量％〜約６０重量％のカーボンブラックを含有する導電性添加剤と、
を含む中間転写体。
【請求項２】
請求項１に記載の中間転写体において、
前記アルキルは、イソブチル、イソオクチル、シクロヘキシル、シクロペンチル、およびメチルからなる群より選択される少なくとも１種であり、前記アリールは、フェニル、ドデカフェニル、フェネチル、およびフェネチルイソブチルからなる群より選択される少なくとも１種である、中間転写体。
【請求項３】
次式で表されるポリイミドを溶媒に溶解し、
2011221528.tif 000002
〔式中、Ｒは、アルキル、アリールなど、又はこれらの混合物であり；ｎは、前記ポリイミドの約５０モル％〜約９９モル％であり、ｍは、前記ポリイミドの約５０モル％〜約１モル％である〕
前記溶解したポリイミドを、カーボンブラックを含有する導電性添加剤とともに粉砕して、分散物を作成し、
前記分散物を基板層にコーティングし、該分散物を硬化させて、中間転写体を作成する、中間転写体の製造方法。
【請求項４】
ポリイミドポリマーを含む底部層と、
ヘキサン接触角が約２０°〜約４５°である多面体オリゴマーシルセスキオキサン（ＰＯＳＳ）フルオロポリイミドポリマー、および表面層の重量に対して約５重量％〜約２０重量％のカーボンブラックを含有する導電性添加剤を含み、前記底部層に配置されている表面層と、
を含む、中間転写体。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月28日(2014.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次式で表されるポリイミドポリマーと、
2011221525.tif 000001
〔式中、Ｒは、アルキル、アリールなど、又はこれらの混合物であり；ｎは、前記ポリイミドポリマーの約５０モル％〜約９９モル％であり、ｍは、前記ポリイミドポリマーの約５０モル％〜約１モル％である〕
中間転写体の重量に対して約１重量％〜約６０重量％のカーボンブラックを含有する導電性添加剤と、
を含む中間転写体。
【請求項２】
請求項１に記載の中間転写体において、
前記ポリイミドポリマーは、ヘキサデカン接触角が約２０°〜約４５°である、中間転写体。
【請求項３】
次式で表されるポリイミドを溶媒に溶解し、
2011221525.tif 000002
〔式中、Ｒは、アルキル、アリールなど、又はこれらの混合物であり；ｎは、前記ポリイミドの約５０モル％〜約９９モル％であり、ｍは、前記ポリイミドの約５０モル％〜約１モル％である〕
前記溶解したポリイミドを、カーボンブラックを含有する導電性添加剤とともに粉砕して、分散物を作成し、
前記分散物を基板層にコーティングし、該分散物を硬化させて、中間転写体を作成し、
前記中間転写体を前記基板から分離する、中間転写体の製造方法。
【請求項４】
ヘキサデカン接触角が約２０°〜約４５°である多面体オリゴマーシルセスキオキサン（ＰＯＳＳ）フルオロポリイミドポリマーと、
中間転写体の重量に対して約５〜約２０重量％のカーボンブラックを含有する導電性添加剤と、
を含む、中間転写体。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月27日(2014.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
監視システム（１００）であって、
少なくとも１つの回転構成要素を備えた機械（１０１）と、
前記少なくとも１つの回転構成要素の周波数を検出するように構成された少なくとも１つのセンサ（１１０、１１２）と、
前記少なくとも１つのセンサから受信したデータを記憶するように構成されたメモリ（２０６）と、
プロセッサ（２０２）と、
を含み、
前記プロセッサが、
少なくとも１つの周波数を含む信号を前記少なくとも１つのセンサから受信し、
前記受信した信号をデジタル振動信号に変換し、
前記デジタル振動信号を変形させて第１のエンベロープ信号を生成し、
ダウンサンプリングをして、前記第１のエンベロープ信号を再サンプリングする前に、前記第１のエンベロープ信号のバンド幅を狭め、
前記第１のエンベロープ信号を、前記機械の回転周波数に比例するレートで再サンプリングして、第２のエンベロープ信号を生成し、
前記第２のエンベロープ信号を周波数スペクトルに変換して前記少なくとも１つの周波数を分離する、
ようにプログラミングされている、
監視システム（１００）。
【請求項２】
ディスプレイ（２０４）をさらに含み、
前記プロセッサ（２０２）が、前記ディスプレイ上に前記周波数スペクトルを表示するようにさらにプログラミングされている、
請求項１に記載の監視システム（１００）。
【請求項３】
前記プロセッサ（２０２）が、前記少なくとも１つの回転構成要素の回転周波数の倍数で前記周波数スペクトルを表示するようにさらにプログラミングされている、請求項２に記載の監視システム（１００）。
【請求項４】
前記プロセッサ（２０２）が、前記第２のエンベロープ信号のバンド幅を狭めるようにさらにプログラミングされている、請求項１に記載の監視システム（１００）。
【請求項５】
前記少なくとも１つの回転構成要素が、可変速度で回転する、請求項１に記載の監視システム（１００）。
【請求項６】
前記プロセッサ（２０２）が、前記少なくとも１つの回転構成要素の現在速度を前記第１のエンベロープ信号と相関付けるようにさらにプログラミングされている、請求項５に記載の監視システム（１００）。
【請求項７】
前記プロセッサ（２０２）が、
前記第１のエンベロープ信号を後処理し、
前記後処理したエンベロープ信号を再サンプリングして、第２のエンベロープ信号を生成する
ようにさらにプログラミングされている、請求項１に記載の監視システム（１００）。
【請求項８】
解析システムであって、
少なくとも１つのセンサ（１１０、１１２）から受信したデータを記憶するように構成されたメモリ（２０６）と、
プロセッサ（２０２）と、
を含み、
前記プロセッサ（２０２）が、
少なくとも１つの周波数を含む信号を前記少なくとも１つのセンサから受信し、
前記受信した信号をデジタル振動信号に変換し、
前記デジタル振動信号を変形させて第１のエンベロープ信号を生成し、
ダウンサンプリングして、前記第１のエンベロープ信号を再サンプリングする前に、前記第１のエンベロープ信号のバンド幅を狭め、
前記第１のエンベロープ信号を、前記機械の回転周波数に比例するレートで再サンプリングして、第２のエンベロープ信号を生成し、
前記第２のエンベロープ信号を周波数スペクトルに変換して前記少なくとも１つの周波数を分離する、
ようにプログラミングされている、
解析システム。
【請求項９】
ディスプレイ（２０４）をさらに含み、
前記プロセッサ（２０２）が、前記ディスプレイ上に前記周波数スペクトルを表示するようにさらにプログラミングされている、
請求項８に記載の解析システム。
【請求項１０】
前記プロセッサ（２０２）が、回転機械（１０１）の駆動シャフト（１０２）の回転周波数の倍数で前記周波数スペクトルを表示するようにさらにプログラミングされている、請求項９に記載の解析システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月10日(2014.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
混合システムであって、
前記混合システムは、
原料と希釈液とを調合して濃縮液を貯液する調合タンクと、
第１の流量調整弁を有する第１のラインと、
第２の流量調整弁を有する第２のラインと、
第３のラインと、
混合機と、を備え、
前記第１のラインを介して前記調合タンク内の濃縮液が前記混合機に流入するように接続され、
前記第２のラインを介して希釈液が前記混合機に流入するように接続され、
前記混合機は、第１及び第２のラインから流入した濃縮液及び希釈液を連続的に混合して前記第３のラインに送液することを特徴とする混合システム。
【請求項２】
前記混合システムは、前記第２のラインに冷却器を備える
ことを特徴とする請求項１に記載の混合システム。
【請求項３】
前記混合システムは、前記第１のラインにポンプを備える
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の混合システム。
【請求項４】
前記第２のラインにおける希釈液の流量は、
前記混合機に送液される、前記第１のラインの濃縮液と前記第２のラインの希釈液との合計流量の７５〜９０％である
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の混合システム。
【請求項５】
前記第１及び第２のラインはいずれも圧力計をさらに有し、
前記濃縮液及び前記希釈液の流量をそれぞれ所定の流量とするとともに、
前記濃縮液及び前記希釈液の圧力を等しくする
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の混合システム。
【請求項６】
前記第１のラインを複数備える
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の混合システム。
【請求項７】
粉体を量る計量器を有する第４のラインをさらに備え、
前記第４のラインは、前記粉体を、前記計量器によって量を調整して前記混合機に輸送する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の混合システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
例えば注射液の製造において、図５に示すようなバッチ方式の注射液製造システムが知られている。注射液製造システム９０は、調合タンク９１と、ポンプ９３ａ、９３ｂと、冷却器９４と、フィルター９５と、貯液タンク９６とを備える。注射液製造システム９０では、調合タンク９１は内部に撹拌機９２を有しており、まず、注射用水Ｗ９と注射液の原料Ｒ９とを調合タンク９１内にそれぞれ所定量入れ、撹拌機９２で注射液Ｍ９を調合する。その後その注射液Ｍ９をポンプ９３ａで冷却器９４及びフィルター９５を通過させて貯液タンク９６に送液する。その後貯液タンク９６内の注射液Ｓ９をポンプ９３ｂで充填機や所定の場所に送液する。このように、この注射液製造システム９０は、各工程（調合、濾過滅菌、輸送、充填等）毎に処理を完結させるため、品質の管理、洗浄、及び滅菌作業が比較的容易に実施できる利点がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る混合システムは、原料と希釈液とを調合して濃縮液を貯液する調合タンクと、第１の流量調整弁を有する第１のラインと、第２の流量調整弁を有する第２のラインと、第３のラインと、混合機と、を備え、前記第１のラインを介して前記調合タンク内の濃縮液が前記混合機に流入するように接続され、前記第２のラインを介して希釈液が前記混合機に流入するように接続され、前記混合機は、第１及び第２のラインから流入した濃縮液及び希釈液を連続的に混合して前記第３のラインに送液することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
混合システム３０では、原薬Ｒ２は調合タンク１１に輸送される。注射用水Ｗ２は、冷却器１４を介して混合機１７へ送液されるとともに、調合タンク１１にも送液される。調合タンク１１では、撹拌機１２で原薬Ｒ２と注射用水Ｗ２とを攪拌して高濃度薬液Ｃ２を調合する。そして、注射用水Ｗ２及び高濃度薬液Ｃ２をそれぞれ混合機１７に送液する。このとき、注射用水Ｗ２及び高濃度薬液Ｃ２の流量（流量計２１ａ、２１ｂ）がそれぞれ所定の流量値となるようにするとともに、注射用水Ｗ２及び高濃度薬液Ｃ２の圧力（圧力計２２ａ、２２ｂ）が等しくなるようにする。レギュレーター２３ａ、２３ｂは、各流量計２１ａ、２１ｂの数値を基にして予め設定された流量となるように流量調整弁１８ａ、１８ｂをそれぞれ調整する。混合機１７では、注射用水Ｗ２と高濃度薬液Ｃ２とが所定の割合で混合され、混合された混合液Ｍ２は、フィルター１５で濾過滅菌され、注射剤Ｓ２として貯液タンク１６に貯液される。その後注射剤Ｓ２は、図示しない充填機や輸送装置等の所定の場所に送液される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月30日(2014.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体を超音波で反復的にスキャンすることにより超音波画像データを逐次に生成する生成部と、
前記超音波画像データに基づく動画像を表示手段に表示させる表示制御部と、
記憶部と、
前記スキャンの反復周波数と現に設定されているレートとに基づいて、実質的に当該反復周波数以下である新たなレートを決定し、逐次に生成される前記超音波画像データを前記新たなレートで前記記憶部に逐次に記憶させる記憶制御部と、
を備えることを特徴とする超音波診断装置。
【請求項２】
被検体を超音波で反復的にスキャンすることにより超音波画像データを逐次に生成する生成部と、
前記超音波画像データに基づく動画像と所定の付帯情報とを表示手段に表示させる表示制御部と、
記憶部と、
前記スキャンの反復周波数と現に設定されているレートとに基づいて、実質的に当該反復周波数以下である新たなレートを決定し、前記表示制御部により逐次に生成される前記動画像のフレーム及び前記付帯情報を前記新たなレートで前記記憶部に逐次に記憶させる記憶制御部と、
を備えることを特徴とする超音波診断装置。
【請求項３】
前記新たなレートは前記反復周波数と実質的に等しいことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の超音波診断装置。
【請求項４】
操作部を更に備え、
前記記憶制御部は、前記新たなレートを用いる第１モードでの動作と、ユーザが前記操作部を用いて設定したレートを用いる第２モードでの動作とを選択的に実行可能である、
ことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の超音波診断装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この実施形態に係る超音波診断装置は、生成部と、表示制御部と、記憶部と、記憶制御部とを有する。生成部は、被検体を超音波で反復的にスキャンすることにより超音波画像データを逐次に生成する。表示制御部は、超音波画像データに基づく動画像を表示手段に表示させる。記憶制御部は、スキャンの反復周波数と、現に設定されているレートとに基づいて、実質的に当該反復周波数以下である新たなレートを決定する。更に、記憶制御部は、生成部により逐次に生成される超音波画像データを、当該新たなレートで記憶部に逐次に記憶させる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月14日(2014.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定部分に可撓部を有する管状挿入部と、
前記可撓部に分布して配置された複数の湾曲センサと、
前記複数の湾曲センサの検出情報の組み合わせ演算により、少なくとも前記管状挿入部に加わる外力に関する外力情報を含む操作支援情報を抽出する操作支援情報演算手段と、
を具備することを特徴とする管状挿入装置。
【請求項２】
前記操作支援情報演算手段は、前記管状挿入部に外力が印加されてない状態と外力が印加されている状態における前記複数の湾曲センサの検出情報の差異に基づく検出情報により、前記外力情報として外力の大きさおよび／または方向を抽出する演算を行なうことを特徴とする請求項１に記載の管状挿入装置。
【請求項３】
前記操作支援情報演算手段は、前記管状挿入部に外力が印加されてない状態の前記複数の湾曲センサの検出情報を外力無印加時湾曲検出情報として記憶し、かつ該記憶した外力無印加時湾曲検出情報を参照して前記管状挿入部に印加する外力を推定する機能を有することを特徴とする請求項２に記載の管状挿入装置。
【請求項４】
前記管状挿入部の前記可撓部は、挿入方向に沿って可撓性の異なる部位を有し、
前記複数の湾曲センサは、可撓性の高い部位には、可撓性の低い部位より密に配置されている、あるいは、湾曲センサの湾曲検出部が連続して配置されていることを特徴とする請求項１に記載の管状挿入装置。
【請求項５】
前記操作支援情報演算手段は、前記操作支援情報として、前記外力情報に加えて、前記複数の湾曲センサの検出情報の組合せ演算により前記管状挿入部の形状に関する形状情報を演算することを特徴とする請求項１に記載の管状挿入装置。
【請求項６】
所定部分に可撓部を有する管状挿入部と、
前記可撓部に配置された、前記可撓部全体の湾曲状態を検出する形状センサと、
前記管状挿入部に外力が印加されてない状態での前記形状センサの検出情報と現状の前記形状センサの検出情報との組み合わせ演算により、少なくとも前記管状挿入部に加わる外力に関する外力情報を含む操作支援情報を抽出する操作支援情報演算手段と、
を具備することを特徴とする管状挿入装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の管状挿入装置の一態様は、
所定部分に可撓部を有する管状挿入部と、
前記可撓部に分布して配置された複数の湾曲センサと、
前記複数の湾曲センサの検出情報の組み合わせ演算により、少なくとも前記管状挿入部に加わる外力に関する外力情報を含む操作支援情報を抽出する操作支援情報演算手段と、
を具備することを特徴とする。
また、本発明の管状挿入装置の更に別の態様は、
所定部分に可撓部を有する管状挿入部と、
前記可撓部に配置された、前記可撓部全体の湾曲状態を検出する形状センサと、
前記管状挿入部に外力が印加されてない状態での前記形状センサの検出情報と現状の前記形状センサの検出情報との組み合わせ演算により、少なくとも前記管状挿入部に加わる外力に関する外力情報を含む操作支援情報を抽出する操作支援情報演算手段と、
を具備することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
各部湾曲演算部１０１の入力は、各湾曲検出部５−１，５−２，５−３，５−４を備える各湾曲センサに接続され、出力はトータル湾曲演算部１０２、外力無印加時湾曲データ格納部１０３、差分湾曲データ演算部１０７、および形状演算部１０９に接続されている。トータル湾曲演算部１０２の出力は、外力無印加時湾曲データ格納部１０３、湾曲参照テーブル生成部１０４、外力印加時差分湾曲データ格納部１０５、および差分参照テーブル生成部１０６に接続されている。外力無印加時湾曲データ格納部１０３の出力は、湾曲参照テーブル生成部１０４および外力印加時差分湾曲データ格納部１０５に接続されている。湾曲参照テーブル生成部１０４の出力は、差分湾曲データ演算部１０７に接続されている。外力印加時差分湾曲データ格納部１０５の出力は、差分参照テーブル生成部１０６に接続されている。差分参照テーブル生成部１０６の出力は、外力演算部１０８に説座くされている。外力演算部１０８の出力は、外部情報として、操作支援情報演算部１００の外部に出力される。形状演算部１０９の出力は、形状情報として、操作支援情報演算部１００の外部に出力される。