【手続補正書】
【提出日】平成26年4月7日(2014.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内にクリーニングガスを供給し、このクリーニングガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記処理容器内に付着した付着物を除去するクリーニング工程（ａ）と、
次いで前記処理容器内に、炭素とフッ素と水素とを組成とする成膜ガスを供給し、この成膜ガスをプラズマ化して得たプラズマにより、前記処理容器内に炭素とフッ素とを含む膜を成膜する成膜工程（ｂ）と、
次いで前記処理容器内の載置台に基板を載置し、当該処理容器内にエッチングガスを供給して、このエッチングガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記基板に対してエッチングするエッチング工程（ｃ）と、
このエッチング工程（ｃ）の後に前記処理容器から基板を搬出する工程（ｄ）と、を含み、
前記基板を搬出する工程（ｄ）が終了した後、前記工程（ａ）〜（ｄ）が行われ、
前記基板における被エッチング膜は、前記成膜工程（ｂ）を行わないときには、前記エッチング工程（ｃ）において、基板の中央よりも外縁領域のエッチングレートが高くなる膜であることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】
前記被エッチング膜は、シリコン窒化膜、シリコン膜及び反射防止膜の中から選ばれる膜であることを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング方法。
【請求項３】
１枚の基板に対して前記エッチング工程（ｃ）を行った後、前記クリーニング工程（ａ）を行うことを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマエッチング方法。
【請求項４】
前記クリーニングガスは、酸素ガスとＳＦ６ガスの混合ガス、若しくは酸素ガスとＮＦ３ガスの混合ガスであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項５】
前記付着物は、処理容器内に成膜された炭素とフッ素とを含む膜を含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項６】
前記成膜ガスは、ＣＨＦ３ガス、ＣＨ２Ｆ２ガス及びＣＨ３Ｆガスのいずれかのガス、あるいはこれらのガスから選択される２種以上の混合ガスであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項７】
処理容器内にて、ガスをプラズマ化するプラズマ発生手段と、
前記処理容器内に、この処理容器内に付着した付着物を除去するためのクリーニングガスを供給する手段と、
前記処理容器内に炭素とフッ素とを含む膜を形成するために、当該処理容器内に炭素とフッ素と水素とを組成とする成膜ガスを供給する手段と、
前記処理容器内に、この処理容器内の載置台に載置された基板に対してエッチングを行うためのエッチングガスを供給する手段と、
処理容器内にて前記クリーニングガスをプラズマ化して、前記付着物を除去するステップ、次いで前記処理容器内にて前記成膜ガスをプラズマ化して、前記処理容器内に炭素とフッ素とを含む膜を成膜するステップ、次いで処理容器内にて前記エッチングガスをプラズマ化して前記載置台に載置された基板に対してエッチングを行うステップ、次いで前記処理容器から基板を搬出するステップを行い、前記基板を搬出した後、上記一連のステップを行うように前記各手段を制御する手段と、を備え、
前記基板における被エッチング膜は、前記成膜するステップを行わないときには、前記エッチングを行うステップにおいて、基板の中央よりも外縁領域のエッチングレートが高くなる膜であることを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項８】
前記被エッチング膜は、シリコン窒化膜、シリコン膜及び反射防止膜の中から選ばれる膜であることを特徴とする請求項７記載のプラズマエッチング装置。
【請求項９】
前記クリーニングガスは、酸素ガスとＳＦ６ガスの混合ガス、若しくは酸素ガスとＮＦ３ガスの混合ガスであることを特徴とする請求項７または８記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１０】
前記成膜ガスは、ＣＨＦ３ガス、ＣＨ２Ｆ２ガス及びＣＨ３Ｆガスのいずれかのガス、あるいはこれらのガスから選択される２種以上の混合ガスであることを特徴とする請求項７ないし９のいずれか一項に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項１１】
プラズマエッチング装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項１ないし６のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のプラズマエッチング方法は、
処理容器内にクリーニングガスを供給し、このクリーニングガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記処理容器内に付着した付着物を除去するクリーニング工程（ａ）と、
次いで前記処理容器内に、炭素とフッ素と水素とを組成とする成膜ガスを供給し、この成膜ガスをプラズマ化して得たプラズマにより、前記処理容器内に炭素とフッ素とを含む膜を成膜する成膜工程（ｂ）と、
次いで前記処理容器内の載置台に基板を載置し、当該処理容器内にエッチングガスを供給して、このエッチングガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記基板に対してエッチングするエッチング工程（ｃ）と、
このエッチング工程（ｃ）の後に前記処理容器から基板を搬出する工程（ｄ）と、を含み、
前記基板を搬出する工程（ｄ）が終了した後、前記工程（ａ）〜（ｄ）が行われ、
前記基板における被エッチング膜は、前記成膜工程（ｂ）を行わないときには、前記エッチング工程（ｃ）において、基板の中央よりも外縁領域のエッチングレートが高くなる膜であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のプラズマエッチング装置は、
処理容器内にて、ガスをプラズマ化するプラズマ発生手段と、
前記処理容器内に、この処理容器内に付着した付着物を除去するためのクリーニングガスを供給する手段と、
前記処理容器内に炭素とフッ素とを含む膜を形成するために、当該処理容器内に炭素とフッ素と水素とを組成とする成膜ガスを供給する手段と、
前記処理容器内に、この処理容器内の載置台に載置された基板に対してエッチングを行うためのエッチングガスを供給する手段と、
処理容器内にて前記クリーニングガスをプラズマ化して、前記付着物を除去するステップ、次いで前記処理容器内にて前記成膜ガスをプラズマ化して、前記処理容器内に炭素とフッ素とを含む膜を成膜するステップ、次いで処理容器内にて前記エッチングガスをプラズマ化して前記載置台に載置された基板に対してエッチングを行うステップ、次いで前記処理容器から基板を搬出するステップを行い、前記基板を搬出した後、上記一連のステップを行うように前記各手段を制御する手段と、を備え、
前記基板における被エッチング膜は、前記成膜するステップを行わないときには、前記エッチングを行うステップにおいて、基板の中央よりも外縁領域のエッチングレートが高くなる膜であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】