Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月3日(2014.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の曲調パラメータを有する第１のコンテンツを再生するように再生部を制御する制御部と、
前記第１の曲調パラメータの変更に対応するユーザ入力を取得する取得部と
を備え、
前記制御部は、取得された前記ユーザ入力に基づいて、第２の曲調パラメータを有する第２のコンテンツを再生するように前記再生部を制御する
コンテンツ再生装置。
【請求項２】
前記第１および第２のコンテンツに対応する情報を表示する表示部
をさらに備える請求項１に記載のコンテンツ再生装置。
【請求項３】
前記第１の曲調パラメータの変更に対応する前記ユーザ入力を取得するユーザインタフェース
をさらに備える請求項１または２に記載のコンテンツ再生装置。
【請求項４】
前記ユーザインタフェースは、前記第１および第２のコンテンツに関連する情報を表示する表示部に表示される
請求項３に記載のコンテンツ再生装置。
【請求項５】
前記ユーザインタフェースでは、前記第１の曲調パラメータの増加または減少を表す複数のアイコンが表示部に表示される
請求項３に記載のコンテンツ再生装置。
【請求項６】
前記第１および第２のコンテンツを再生する再生部
をさらに備える請求項１乃至５のいずれかに記載のコンテンツ再生装置。
【請求項７】
前記第１および第２のコンテンツを記憶するコンテンツ記憶部
をさらに備える請求項１乃至６のいずれかに記載のコンテンツ再生装置。
【請求項８】
前記第１および第２のコンテンツに関連する情報を記憶する情報記憶部
をさらに備える請求項１乃至７のいずれかに記載のコンテンツ再生装置。
【請求項９】
前記第１および第２のコンテンツに関連する情報は、曲調パラメータ、タイトル、アーティスト名、アルバム名、コンテンツに関する画像、評価、登録日時のうちの、少なくとも１つを含む
請求項８に記載のコンテンツ再生装置。
【請求項１０】
前記第１および第２の曲調パラメータは、前記第１および第２のコンテンツのテンポに対応するパラメータである
請求項１乃至９のいずれかに記載のコンテンツ再生装置。
【請求項１１】
前記第１および第２の曲調パラメータは、前記第１および第２のコンテンツのムードに対応するパラメータである
請求項１乃至９のいずれかに記載のコンテンツ再生装置。
【請求項１２】
前記第１および第２の曲調パラメータは、前記第１および第２のコンテンツのタイプに対応するパラメータである
請求項１乃至９のいずれかに記載のコンテンツ再生装置。
【請求項１３】
前記第１および第２の曲調パラメータは、前記第１および第２のコンテンツのスタイルに対応するパラメータである
請求項１乃至９のいずれかに記載のコンテンツ再生装置。
【請求項１４】
前記第１および第２のコンテンツは、同一のコンテンツのプレイリストに含まれる
請求項１乃至１３のいずれかに記載のコンテンツ再生装置。
【請求項１５】
前記ユーザ入力が取得されたときに、前記第２の曲調パラメータに対応する曲調パラメータを有するコンテンツをコンテンツ記憶部から検索する処理部
をさらに備える請求項１乃至１４のいずれかに記載のコンテンツ再生装置。
【請求項１６】
前記処理部は、検索結果に基づいて、前記第２のコンテンツを含むコンテンツのプレイリストを作成する
請求項１５に記載のコンテンツ再生装置。
【請求項１７】
前記処理部は、作成した前記プレイリストに含まれるコンテンツを再生するように前記再生部を制御する
請求項１６に記載のコンテンツ再生装置。
【請求項１８】
前記処理部は、作成した前記プレイリストに基づいて、現在再生中のコンテンツ、最近再生されたコンテンツ、次に再生されるコンテンツに関する画像を表示するように表示部を制御する
請求項１７に記載のコンテンツ再生装置。
【請求項１９】
前記コンテンツに関する画像は、そのコンテンツに対応するアルバムのジャケット画像である
請求項１８に記載のコンテンツ再生装置。
【請求項２０】
前記処理部は、表示されたコンテンツに関する画像の一つに対するユーザ選択を取得し、ユーザ選択に対応する付加情報を取り出し、取り出された付加情報を表示する
請求項１８に記載のコンテンツ再生装置。
【請求項２１】
第１の曲調パラメータを有する第１のコンテンツを再生するように再生部を制御し、
前記第１の曲調パラメータの変更に対応するユーザ入力を取得し、
取得された前記ユーザ入力に基づいて、第２の曲調パラメータを有する第２のコンテンツを再生するように前記再生部を制御する
ステップを含むコンテンツ再生方法。
【請求項２２】
第１の曲調パラメータを有する第１のコンテンツを再生するように再生部を制御し、
前記第１の曲調パラメータの変更に対応するユーザ入力を取得し、
取得された前記ユーザ入力に基づいて、第２の曲調パラメータを有する第２のコンテンツを再生するように前記再生部を制御する
ステップを含む処理をコンピュータに実行させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本開示の一側面のコンテンツ再生装置は、第１の曲調パラメータを有する第１のコンテンツを再生するように再生部を制御する制御部と、前記第１の曲調パラメータの変更に対応するユーザ入力を取得する取得部とを備え、前記制御部は、取得された前記ユーザ入力に基づいて、第２の曲調パラメータを有する第２のコンテンツを再生するように前記再生部を制御する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本開示の一側面のコンテンツ再生方法またはプログラムは、第１の曲調パラメータを有する第１のコンテンツを再生するように再生部を制御し、前記第１の曲調パラメータの変更に対応するユーザ入力を取得し、取得された前記ユーザ入力に基づいて、第２の曲調パラメータを有する第２のコンテンツを再生するように前記再生部を制御するステップを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本開示の一側面においては、第１の曲調パラメータを有する第１のコンテンツを再生するように再生部が制御され、第１の曲調パラメータの変更に対応するユーザ入力が取得され、取得された前記ユーザ入力に基づいて、第２の曲調パラメータを有する第２のコンテンツを再生するように再生部が制御される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月29日(2014.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板と、
前記センサ基板において前記光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、
前記画素領域の外側の周辺領域において、前記センサ基板における前記受光面側から前記駆動回路に達して設けられた貫通ビアと、
前記周辺領域の前記受光面側において、前記貫通ビア上に直接積層されたパッド配線とを備えた
固体撮像装置。
【請求項２】
前記パッド配線を覆って前記受光面上に設けられた保護膜と、
前記保護膜上に設けられたオンチップレンズと、
前記パッド配線を露出する状態で前記保護膜に設けられたパッド開口とを備えた
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記センサ基板の表面側において前記パッド配線と重なる位置には、素子が配置されている
請求項１または２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記貫通ビアは、前記センサ基板の受光面側に設けられた埋込配線部分と当該埋込配線部分と一体に形成された貫通ビア部分とを備え、
前記パッド配線は、前記埋込配線部分上に直接積層されている
請求項１〜３の何れかに記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記埋込配線部分は、前記センサ基板の受光面側に埋め込まれている
請求項４記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記画素領域における前記受光面上には、絶縁層を介して前記光電変換部に対応した受光開口を有する遮光膜が設けられて、
前記パッド配線は、前記遮光膜と同一層で構成されている
請求項１〜５の何れかに記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記受光面上には、前記画素領域の膜厚が当該画素領域の外側に設けられた周辺領域の膜厚よりも薄い段差構造を有する絶縁層が設けられ、
前記絶縁層における段差上部には、前記パッド配線が設けられ、
前記絶縁層における段差下部には、前記光電変換部に対応した受光開口を有する遮光膜が設けられた
請求項１〜５の何れかに記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記絶縁層は、異なる材料を用いて構成された積層構造であり、
前記画素領域においては、前記絶縁層において積層構造の上層部分を構成する膜が除去されている
請求項７記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記センサ基板の表面側には、前記駆動回路を有する回路基板が貼り合わせられた
請求項１〜８の何れかに記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
センサ基板に設定された画素領域に光電変換部を配列形成することと、
前記センサ基板において前記光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に駆動回路を形成することと、
前記画素領域の外側の周辺領域に、前記センサ基板における前記受光面側から前記駆動回路に達する貫通ビアを形成することと、
前記周辺領域における前記受光面側に、前記貫通ビア上に直接積層されたパッド配線を形成することとを行う
固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記貫通ビアを形成する際には、
前記センサ基板の受光面側に、配線溝と、当該配線溝の底部から当該センサ基板を貫通して前記駆動回路にまで延設された接続孔とを形成した後、当該配線溝と接続孔とを同時に埋め込むことにより、埋込配線部分と貫通ビア部分とで構成された貫通ビアを形成する
請求項１０記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
前記パッド配線を形成する際には、
前記光電変換部に対応した受光開口を有する遮光膜を、前記パッド配線と同一層で前記画素領域に形成する
請求項１０または１１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
前記貫通ビアを形成する前に、前記受光面上に絶縁層を成膜し、
次いで前記絶縁層および前記センサ基板を貫通する貫通ビアを形成した後、
前記絶縁層において前記画素領域に対応する部分を前記周辺領域に対して選択的に薄膜化することにより当該絶縁層に段差構造を形成することと、
前記絶縁層における段差上部に、前記貫通ビア上に直接積層されたパッド配線を形成することと、
前記絶縁層における段差下部に、前記光電変換部に対応した受光開口を有する遮光膜を形成することとを行う
請求項１０〜１２の何れかに記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁層を成膜する際には、異なる材料を用いて構成された積層構造として当該絶縁層を成膜し、
前記絶縁層に段差構造を形成する際には、当該絶縁層において積層構造の上層部分を構成する膜を、下層部分を構成する膜に対して選択的に除去する
請求項１３記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１５】
光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板と、
前記センサ基板において前記光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、
前記画素領域の外側の周辺領域において、前記センサ基板における前記受光面側から前記  駆動回路に達して設けられた貫通ビアと、
前記周辺領域の前記受光面側において、前記貫通ビア上に直接積層されたパッド配線と、
前記光電変換部に入射光を導く光学系を備えた
電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月31日(2014.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に酸化シリコン膜を形成し、
前記酸化シリコン膜にビアを形成し、
前記ビアの内側に密着層を形成し、
シリコンを含むガスとボロンを含むガスとを用いて、前記密着層上にシリコン層を形成し、
タングステンを含むガスを前記シリコン層と反応させることにより、前記ビアに埋め込まれたタングステン膜を形成する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記シリコン層の膜厚は、０．２ｎｍ〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記シリコン層の形成は、ボロンを含むガスを成膜チャンバー内に導入し、パージを行い、次いで、シリコンを含むガスを前記成膜チャンバー内に導入して行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記密着層を不連続な膜として形成することを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記密着層は、前記ビアの内側の側壁上部に選択的に形成する、ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板上の酸化シリコン膜に設けられたビアと、
前記ビア内側の側壁上部に選択的に形成された密着層と、
前記ビアに埋め込まれたタングステン膜と、
からなるプラグを備える、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記プラグはボロンを含み、
前記ビア内側の側壁上部に選択的に形成された前記密着層と前記タングステン膜との間に含まれるボロンの濃度は、前記ビアの側壁の中部及び下部と前記タングステン膜との間に含まれるボロンの濃度と比べて、高いことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月3日(2014.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記第１の圧電体膜と前記第２の圧電体膜との間に介在する前記金属酸化物膜及び前記金属膜からなる中間層の厚みが５０ｎｍ以上２５０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１又は２に記載の圧電体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
第１の電極１４には、Ｐｔ（白金）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、ＴｉＮ（窒化チタン）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ａｕ（金）、銀（Ａｇ）などの材料を用いることができる。特に、第１の電極１４は、白金族の金属を含む構成が好ましい。また、基材１２との密着性を高めるために、密着層としてＴｉやＴｉＷなどを用いる構成が好ましく、この密着層の上に白金族の金属を積層して形成する態様がさらに好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月29日(2014.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電層および当該第１導電層よりも深く配置された第２導電層を内部に有する基板と、
前記基板の表面側に前記第１導電層および前記第２導電層に重なる大きさの開口を有し、底部の一部に当該第１導電層が露出された大径凹部と、
前記大径凹部の底部から掘り下げて延設され、底部に前記第２導電層が露出された小径凹部と、
前記大径凹部と前記小径凹部からなる接続孔内に設けられ、前記第１導電層と前記第２導電層を接続する導電部材と
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記基板は、前記第１導電層を含む基板と前記第２導電層を含む基板とを貼り合わせた貼合せ基板である
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
第１導電層および当該第１導電層よりも深く配置された第２導電層を内部に有する基板上に、当該第1導電層および第２導電層の上部を露出する開口を有する大径レジストパターンを形成することと、
前記大径レジストパターンをマスクにしたエッチングに基づいて、前記第1導電層を底部に露出させた大径凹部を、前記基板に形成することと、
前記基板上に、前記第２導電層の上部を露出する開口を前記大径凹部の形成範囲内に有する小径レジストパターンを形成することと、
前記小径レジストパターンをマスクにしたエッチングに基づいて、前記第２導電層を底部に露出させた小径凹部を、前記基板に形成することと
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記大径凹部を形成した後、
前記第１導電層を覆う状態で前記小径レジストパターンを形成し、
前記小径レジストパターンをマスクにしたエッチングによって前記小径凹部を形成する
請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記大径レジストパターンを形成する際には、前記基板上にハードマスク層を介して当該大径レジストパターンを形成し、
前記大径凹部を形成する前に、前記大径レジストパターンをマスクにしたエッチングによって前記ハードマスク層をパターニングしたハードマスクを形成し、
次いで前記小径凹部を形成する際には、前記小径レジストパターンをマスクにして前記第２導電層を露出させない深さで前記基板をエッチングした後、当該小径レジストパターンを除去し、さらに前記ハードマスク上からのエッチングを行うことによって、前記第２導電層を露出させて当該小径凹部を形成すると共に、前記第１導電層を露出させて前記大径凹部を形成する
請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記小径レジストパターンをマスクにして前記基板をエッチングする際には、前記第２導電層上における前記小径凹部のエッチング残膜厚を、前記第１導電層上における前記大径凹部のエッチング残膜厚に一致させる
請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記大径レジストパターンをマスクにしたエッチングによって前記ハードマスク層をパターニングしてハードマスクを形成した後、前記第１導電層を露出させない深さで前記基板をエッチングする
請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記基板は、前記第１導電層上に層間絶縁膜と半導体層とを備え、
前記大径レジストパターンをマスクにしたエッチングによって前記ハードマスク層をパターニングしてハードマスクを形成した後、前記層間絶縁膜をエッチングストッパとして前記半導体層をエッチングする
請求項５〜７の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記大径レジストパターンを形成する際には、前記基板上にハードマスク層を介して当該大径レジストパターンを形成し、
前記大径凹部を形成する前に、前記大径レジストパターンをマスクにしたエッチングによって前記ハードマスク層をパターニングしたハードマスクを形成し、さらに前記第１導電層を露出させない深さで前記基板をエッチングし、
次いで前記大径レジストパターンを除去して前記基板の凹部に埋込部材を埋め込んで平坦化し、その後前記小径レジストパターンを形成し、
前記小径凹部を形成する際には、前記小径レジストパターンをマスクにして前記第２導電層を露出させない深さで前記埋込部材で埋め込まれた基板をエッチングした後、当該小径レジストパターンを除去し、さらに前記ハードマスク上からのエッチングによって、当該小径凹部の底部に前記第２導電層を露出させると共に第１導電層を露出させた大径凹部を形成する
請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記大径レジストパターンを形成する前に、前記小径レジストパターンをマスクにしたエッチングによって前記小径凹部を形成し、
前記大径レジストパターンを形成する際には、前記小径凹部内に前記第２導電層を覆う状態でレジスト材料を残す
請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記大径レジストパターンを形成する前に、前記小径レジストパターンをマスクにしたエッチングによって前記第２導電層を露出させない深さで前記基板をエッチングし、
その後前記大径凹部を形成する際には、前記大径レジストパターンをマスクにしたエッチングを行うことによって、前記第１導電層を露出させて当該大径凹部を形成すると共に、前記第２導電層を露出させて前記小径凹部を形成する
請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記小径レジストパターンをマスクにして前記基板をエッチングする際には、前記第２導電層上における前記小径凹部のエッチング残膜厚を、前記第１導電層上における前記大径凹部のエッチング残膜厚に一致させる
請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記基板は、前記第１導電層上に層間絶縁膜と半導体層とを備え、
前記小径レジストパターンをマスクにして前記基板をエッチングする際には、前記層間絶縁膜をエッチングストッパとして前記半導体層をエッチングする
請求項１１または１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記大径凹部および前記小径凹部を形成した後、当該前記大径凹部と当該小径凹部とで構成された接続孔内に、前記第１導電層および第２導電層に接続された導電部材を形成する
請求項３〜１３の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月29日(2014.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズル開口から液体を吐出する液体噴射ヘッドであって、
圧電体層と前記圧電体層を挟む２つの電極とを具備する圧電素子を備え、
前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、
前記圧電体層に駆動電圧を印加したときの変位量をＺｍａｘ、その後印加電圧を０Ｖにしたときの変位量をＺ０、さらにその後に前記駆動電圧と逆極性の電圧を印加したときの、変位量の最小値をＺｍｉｎとしたときに、（Ｚ０−Ｚｍｉｎ）／（Ｚｍａｘ−Ｚ０）が０．０８以上０．４５以下であることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【請求項３】
圧電体層と前記圧電体層を挟む２つの電極とを備えた圧電素子であって、
前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、
前記圧電体層に駆動電圧を印加したときの変位量をＺｍａｘ、その後印加電圧を０Ｖにしたときの変位量をＺ０、さらにその後に前記駆動電圧と逆極性の電圧を印加したときの、変位量の最小値をＺｍｉｎとしたときに、（Ｚ０−Ｚｍｉｎ）／（Ｚｍａｘ−Ｚ０）が０．０８以上０．４５以下であることを特徴とする圧電素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決する本発明の態様は、ノズル開口から液体を吐出する液体噴射ヘッドであって、圧電体層と前記圧電体層を挟む２つの電極とを具備する圧電素子を備え、前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、前記圧電体層に駆動電圧を印加したときの変位量をＺｍａｘ、その後印加電圧を０Ｖにしたときの変位量をＺ０、さらにその後に前記駆動電圧と逆極性の電圧を印加したときの、変位量の最小値をＺｍｉｎとしたときに、（Ｚ０−Ｚｍｉｎ）／（Ｚｍａｘ−Ｚ０）が０．０８以上０．４５以下であることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる態様では、（Ｚ０−Ｚｍｉｎ）／（Ｚｍａｘ−Ｚ０）が０．０８以上０．４５以下を満たす圧電体層とすることにより、歪量、すなわち、変位量が著しく向上した圧電素子を有する液体噴射ヘッドとなる。また、非鉛又は鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の他の態様は、圧電体層と前記圧電体層を挟む２つの電極とを備えた圧電素子であって、前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、前記圧電体層に駆動電圧を印加したときの変位量をＺｍａｘ、その後印加電圧を０Ｖにしたときの変位量をＺ０、さらにその後に前記駆動電圧と逆極性の電圧を印加したときの、変位量の最小値をＺｍｉｎとしたときに、（Ｚ０−Ｚｍｉｎ）／（Ｚｍａｘ−Ｚ０）が０．０８以上０．４５以下であることを特徴とする圧電素子にある。
かかる態様では、（Ｚ０−Ｚｍｉｎ）／（Ｚｍａｘ−Ｚ０）を０．０８以上０．４５以下を満たす圧電体層とすることにより、歪量、すなわち、変位量が著しく向上した圧電素子を有する液体噴射ヘッドとなる。また、非鉛又は鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月15日(2014.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板または第１の半導体素子の表面にバンプを介して第２の半導体素子を接合する半導体素子の実装方法において、
基板または第１の半導体素子の表面のバンプに仮接合した複数の第２の半導体素子を還元ガス雰囲気中で、加圧手段により、前記基板または第１の半導体素子と複数の前記第２の半導体素子とが近づく方向に加圧し、前記バンプを加熱する加圧加熱工程と、
前記加圧手段により前記加圧を継続しながら前記バンプを冷却する加圧冷却工程と
を有し、
前記加圧手段に前記還元ガスが通過可能な還元ガス流入経路が配設されており、
前記加圧加熱工程と前記加圧冷却工程とにより、前記基板または第１の半導体素子に前記第２の半導体素子を本接合して実装することを特徴とする半導体素子の実装方法。
【請求項２】
前記仮接合した複数の第２の半導体素子の反りを、前記本接合にて抑制することを特徴とする請求項１記載の半導体素子の実装方法。
【請求項３】
前記仮接合した前記第２の半導体素子の少なくとも一部には、さらに他の半導体素子または前記第２の半導体素子が仮接合されて積層されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体素子の実装方法。
【請求項４】
前記加圧手段は、複数の前記第２の半導体素子を個別に加圧することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項５】
前記加圧手段は、複数の加圧部材と、前記複数の加圧部材を互いに繋ぐ接続部と、により構成することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項６】
前記接続部が網目形状または格子形状であることを特徴とする請求項５記載の半導体素子の実装方法。
【請求項７】
前記接続部が前記加圧部材の変位に応じて変形可能な弾性を有することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項８】
前記加圧手段を、磁性を有する複数の加圧部材で構成し、電磁石を用いて複数の前記加圧部材の載置および引き上げを制御することを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項９】
前記加圧手段を、前記基板または第１の半導体素子と複数の前記第２の半導体素子とが近づく方向に加圧する複数のピンで構成することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項１０】
前記加圧部材がおもりであることを特徴とする請求項５〜請求項７のいずれか１項に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項１１】
前記加圧手段を、複数の前記第２の半導体素子を取り囲むガイドと、前記ガイドで囲まれた領域内に配置する粒状物とで構成することを特徴とする請求項４記載の半導体素子の実装方法。
【請求項１２】
前記基板または第１の半導体素子が、ウェハに形成された複数の半導体素子であることを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項１３】
前記還元ガスが蟻酸ガスまたは水素ガスであることを特徴とする請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の半導体素子の実装方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の半導体素子の実装方法は、基板または第１の半導体素子の表面にバンプを介して第２の半導体素子を接合する半導体素子の実装方法において、基板または第１の半導体素子の表面のバンプに仮接合した複数の第２の半導体素子を還元ガス雰囲気中で、加圧手段により、前記基板または第１の半導体素子と複数の前記第２の半導体素子とが近づく方向に加圧し、前記バンプを加熱する加圧加熱工程と、前記加圧手段により前記加圧を継続しながら前記バンプを冷却する加圧冷却工程とを有し、前記加圧手段に前記還元ガスが通過可能な還元ガス流入経路が配設されており、前記加圧加熱工程と前記加圧冷却工程とにより、前記基板または第１の半導体素子に前記第２の半導体素子を本接合して実装することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月29日(2014.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極が一方面側に配列された透光性の素子基板と、
前記素子基板の前記一方面側に対向配置された透光性の対向基板と、
前記複数の画素電極が配列された画像表示領域を囲むように設けられ、前記対向基板と前記素子基板とを貼り合わせる光硬化性のシール材と、を有し、
前記素子基板は、前記一方面側で前記素子基板の端部と前記画像表示領域の端部との間の領域において、前記シール材に沿って延在する部分を備えた第１配線と、前記第１配線より広い配線幅寸法をもって前記シール材に沿って延在する部分を備えた第２配線と、を備え、
前記第１配線の前記シール材に沿って延在する部分は、前記シール材と重なるように設けられ、
前記第２配線の前記シール材に沿って延在する部分は、前記シール材の内縁と前記画像表示領域の端部との間に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記素子基板は、前記一方面側で前記素子基板の端部と前記画像表示領域の端部との間の領域に設けられた駆動回路を含み、
前記第１配線は、前記駆動回路に信号を供給する信号線であり、
前記第２配線は、前記駆動回路に電源電位を供給する電源線であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記駆動回路は、シフトレジスタと、前記シフトレジスタと前記画像表示領域の端部との間で前記シフトレジスタから出力された信号を走査信号として出力する出力回路と、を備え、
前記電源線の前記シール材に沿って延在する部分は、前記シフトレジスタと前記出力回路との間に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１配線の前記シール材と重なる部分の配線密度は、４０％から６０％であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記素子基板の前記シール材と重なる領域には、前記第１配線と重ならない部分に配線密度が４０％から６０％の第３配線が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記素子基板および前記画像表示領域は四角形であり、
前記素子基板は、前記素子基板の４つの辺のうち、一部の辺に沿って複数の端子が設けられ、
前記第１配線および前記第２配線は、前記複数の端子のうちのいずれかから延在し、かつ、前記素子基板の４つの辺のうち前記複数の端子が設けられた辺以外の辺と前記画像表示領域との間の領域で前記シール材に沿うように延在していることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記素子基板と前記対向基板の間には、前記シール材で囲まれた領域に液晶層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月29日(2014.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極が一方面側に配列された透光性の素子基板と、
前記素子基板の前記一方面側に対向配置された透光性の対向基板と、
前記複数の画素電極が配列された画像表示領域を囲むように設けられ、前記対向基板と前記素子基板とを貼り合わせる光硬化性のシール材と、を有し、
前記素子基板は、前記一方面側に、駆動回路と、前記シール材の外縁と前記素子基板の端部との間の領域から前記シール材の内縁と前記画像表示領域の端部との間の領域に向けて延在した前記駆動回路に電源電位を供給する電源線と、を備え、
前記電源線の前記シール材と重なる部分には、開口部が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
複数の画素電極が一方面側に配列された透光性の素子基板と、
前記素子基板の前記一方面側に対向配置された透光性の対向基板と、
前記複数の画素電極が配列された画像表示領域を囲むように設けられ、前記対向基板と前記素子基板とを貼り合わせる光硬化性のシール材と、を有し、
前記素子基板は、前記一方面側に、前記シール材の外縁と前記素子基板の端部との間の領域に設けられた静電保護回路と、前記シール材の外縁と前記素子基板の端部との間の領域から前記シール材の内縁と前記画像表示領域の端部との間の領域に向けて延在した前記静電保護回路に電源電位を供給する電源線と、を備え、
前記電源線の前記シール材と重なる部分には、開口部が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記開口部は、前記シール材の幅方向に延在していることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記開口部の両端部は、前記シール材と重なる位置にあることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記電源線の前記シール材と重なる部分の配線密度は、４０％から６０％であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記駆動回路は、前記シール材の内縁と前記画像表示領域の端部との間の領域に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記素子基板は、前記一方面側に、前記シール材と重なる領域で前記シール材に沿って延在する部分を含む前記駆動回路に信号を供給する信号線を備えることを特徴とする請求項１または６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記素子基板と前記対向基板の間には、前記シール材で囲まれた領域に液晶層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
一般式（Ｉ−３）中、Ｒ８及びＲ９は、各々独立に、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３６、より好ましくは１〜１２の直鎖、分岐鎖、又は環状のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ドデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２４、より好ましくは２〜１２のアルケニル基であり、例えば、ビニル基、アリル基、３−ブテン−１−イル基が挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３６、より好ましくは６〜１８のアリール基であり、例えば、フェニル基、ナフチル基が挙げられる。）、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜２４、より好ましくは１〜１２のヘテロ環基であり、例えば、２−チエニル基、４−ピリジル基、２−フリル基、２−ピリミジニル基、１−ピリジル基、２−ベンゾチアゾリル基、１−イミダゾリル基、１−ピラゾリル基、ベンゾトリアゾール−１−イル基が挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３６、より好ましくは１〜１８のアルコキシ基であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２４、より好ましくは６〜１８のアリールオキシ基であり、例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基が挙げられる。）、アルキルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３６、より好ましくは１〜１８のアルキルアミノ基であり、例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ｔ−オクチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルアミノ基が挙げられる。）、アリールアミノ基（好ましくは炭素数６〜３６、より好ましくは６〜１８のアリールアミノ基であり、例えば、フェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルアミノ基が挙げられる。）、又はヘテロ環アミノ基（好ましくは炭素数１〜２４、より好ましくは１〜１２のヘテロ環アミノ基であり、例えば、２−アミノピロール基、３−アミノピラゾール基、２−アミノピリジン基、３−アミノピリジン基が挙げられる。）を表す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
一般式（Ｉ−３）中、Ｒ８及びＲ９表されるアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、又はヘテロ環アミノ基が、更に置換可能な基である場合には、置換されていてもよく、２個以上の置換基で置換されている場合には、それらの置換基は同一であっても異なっていてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
前記一般式（II）において、Ｍは、金属又は金属化合物を表す。
前記金属又は金属化合物としては、錯体を形成可能な金属又は金属化合物であればいずれであってもよく、２価の金属原子、２価の金属酸化物、２価の金属水酸化物、又は２価の金属塩化物が含まれる。
一般式（II）中のＭは、例えば、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、及びＦｅ等、並びに、ＡｌＣｌ、ＩｎＣｌ、ＦｅＣｌ、ＴｉＣｌ２、ＳｎＣｌ２、ＳｉＣｌ２、ＧｅＣｌ２などの金属塩化物、ＴｉＯ、ＶＯ等の金属酸化物、Ｓｉ（ＯＨ）２等の金属水酸化物が含まれる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
（例示化合物６の合成）
メタクリル酸アリル（７９重量部）、メタクリル酸（３２重量部）、１−メトキシ−２−プロパノール（１４０重量部）、Ｖ−６５（商品名：和光純薬社製、重合開始剤（２，２’−アゾビス（２，４−ジメチル）バレロニトリル）：０．６重量部）の混合溶液を、窒素気流下、７０℃で８時間重合させた。反応溶液を室温まで冷却後、水（２００重量部）を加え、再沈処理をおこなった。凝集したポリマーを濾過、水洗後、乾燥することにより、例示化合物６を合成した。
得られたポリマーの重量平均分子量（ＧＰＣ法、ポリスチレン換算）は、３３，０００であった。
本発明の着色硬化性組成物における（Ｂ）特定バインダーの含有量は、前記（Ａ）染料１質量部に対して、０．１質量部〜２０質量部の範囲であることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８８】
以下に、実施例１の着色感光性組成物の調製で用いた染料（Ａ−１）は、ピロメテン金属錯体染料の例示化合物（１１）である。染料（Ｂ−１）は、下記構造のアントラキノン化合物（アントラセン−９，１０−ジオン骨格を有する化合物）である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月4日(2014.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
電源基板と、
ロボットのモーターに入力される信号を生成する駆動基板と、
制御信号を前記駆動基板に出力する制御基板とを備え、
前記電源基板が、前記制御基板よりも小さく、且つ前記制御基板上に積層され、
前記駆動基板の一部が、前記制御基板の上面のうち前記電源基板で覆われていない部分と前記電源基板の上面とに架設されている
ことを特徴とするロボットコントローラー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記電源基板が、直流電圧を出力する第１出力コネクターを有し、
前記制御基板が、制御信号を出力する第２出力コネクターを有し、
前記第１出力コネクターと前記第２出力コネクターとが、一つの方向に並んで配置され、
前記駆動基板の周辺のうち、筐体内の底面側となる一辺には、前記第１出力コネクターに嵌着される第１入力コネクターと前記第２出力コネクターに嵌着される第２入力コネクターとが、前記一つの方向に並んで配設されている
請求項１に記載のロボットコントローラー。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
筐体が、直方体形状であり、
前記制御基板が、前記筐体内の底面における該筐体の正面側に配置され、且つ前記モーターの回転位置を検出する検出器からの検出信号の入力されるポートを前記筐体の正面側に有し、
前記電源基板が、前記制御基板の上面における該筐体の正面側に配置され、交流電圧の入力される外部コネクターを前記電源基板の正面側に有し、
前記ポート及び前記外部コネクターが、前記筐体の正面パネルに嵌め込まれている
請求項１〜３のいずれか一項に記載のロボットコントローラー。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一つの態様は、電源基板と、ロボットのモーターに入力される信号を生成する駆動基板と、制御信号を前記駆動基板に出力する制御基板とを備え、前記電源基板が、前記制御基板よりも小さく、且つ前記制御基板上に積層され、前記駆動基板の一部が、前記制御基板の上面のうち前記電源基板で覆われていない部分と前記電源基板の上面とに架設されていることを要旨とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
そのうえ、制御基板よりも小さい電源基板が制御基板に積層されるため、制御基板と電源基板とが一つの回路基板として構成される場合と比較して、回路基板を収容するための面積を縮小することが可能でもある。また、制御基板の出力と電源基板の出力とを用いる駆動基板が、電源基板と制御基板とに架設されるため、駆動基板の接続先となる２つの回路基板に対し、これらが互いに離れることを抑えることが可能となる。その結果、駆動基板とその接続先との配線の引き回しや駆動基板内における配線の引き回しを簡素化すること、ひいては、駆動基板の内部構造を簡素化することが可能でもある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の態様の一つは、前記電源基板が、直流電圧を出力する第１出力コネクターを有し、前記制御基板が、制御信号を出力する第２出力コネクターを有し、前記第１出力コネクターと前記第２出力コネクターとが、一つの方向に並んで配置され、前記駆動基板の周辺のうち、筐体内の底面側となる一辺には、前記第１出力コネクターに嵌着される第１入力コネクターと前記第２出力コネクターに嵌着される第２入力コネクターとが、前記一つの方向に並んで配設されていることを要旨とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の態様の一つは、筐体が、直方体形状であり、前記制御基板が、前記筐体内の底面における該筐体の正面側に配置され、且つ前記モーターの回転位置を検出する検出器からの検出信号の入力されるポートを前記筐体の正面側に有し、前記電源基板が、前記制御基板の上面における該筐体の正面側に配置され、交流電圧の入力される外部コネクターを前記電源基板の正面側に有し、前記ポート及び前記外部コネクターが、前記筐体の正面パネルに嵌め込まれていることを要旨とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月15日(2014.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モータ及び該モータの回転を回転打撃力に変換して先端工具に伝達する打撃機構を収容する胴体部と、
前記胴体部に連設されたハンドル部と、
前記ハンドル部に連設されてバッテリーパックを着脱自在に装着するバッテリー装着部と、
前記バッテリー装着部の内部に配置された電気回路基板と、
前記バッテリー装着部と一体に形成されて、前記電気回路基板に搭載された制御回路を働かせる操作部と、
を有することを特徴とするインパクト工具。
【請求項２】
前記操作部に貼り付けられて光が透過するパネルシートと、
前記操作部に配置されて、前記操作部に貼り付けられた前記パネルシートの外側から視認可能で前記回転打撃力の強度を表示する強度表示ランプと、
を有することを特徴とする請求項１に記載のインパクト工具。
【請求項３】
前記操作部に形成されて、前記パネルシートが貼り付けられる凹部と、
前記凹部に設けられて、前記回転打撃力の強度を切り替える打撃力切替ボタンと、を有し、
前記凹部に、前記打撃力切替ボタンの頭部を覆った状態で前記パネルシートが貼り付けられて、前記打撃力切替ボタンを、前記パネルシートの外側から押圧可能としたことを特徴とする請求項２に記載のインパクト工具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インパクト工具
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、インパクト工具のハウジングに設けた開口部に、スイッチが配置された操作盤を嵌合させ、その嵌合状態で、前記開口部と前記操作盤との間をシールするインパクト工具に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この発明は、このような状況に鑑み提案されたものであって、操作盤に対する防水性を高めたインパクト工具を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１の発明に係るインパクト工具は、モータ及び該モータの回転を回転打撃力に変換して先端工具に伝達する打撃機構を収容する胴体部と、前記胴体部に連設されたハンドル部と、前記ハンドル部に連設されてバッテリーパックを着脱自在に装着するバッテリー装着部と、前記バッテリー装着部の内部に配置された電気回路基板と、前記バッテリー装着部と一体に形成されて、前記電気回路基板に搭載された制御回路を働かせる操作部と、を有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１において、前記操作部に貼り付けられて光が透過するパネルシートと、前記操作部に配置されて、前記操作部に貼り付けられた前記パネルシートの外側から視認可能で前記回転打撃力の強度を表示する強度表示ランプと、を有することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項３の発明は、請求項２において、前記操作部に形成されて、前記パネルシートが貼り付けられる凹部と、前記凹部に設けられて、前記回転打撃力の強度を切り替える打撃力切替ボタンと、を有し、前記凹部に、前記打撃力切替ボタンの頭部を覆った状態で前記パネルシートが貼り付けられて、前記打撃力切替ボタンを、前記パネルシートの外側から押圧可能としたことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１ないし３の発明によれば、操作部がバッテリー装着部に対して切れ目なく形成されることで、操作部とバッテリー装着部との間に隙間が生じることを防止できる。したがって、操作部とバッテリー装着部との間に水が浸入することを防止でき、操作部に対する防水性を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月12日(2014.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記クラッチドラム１００の第１スナップリング溝１０５や第２スナップリング溝１０６に嵌入した切粉１０９は、第１スナップリング溝１０５及び第２スナップリング溝１０６の溝幅Ｗと一致乃至ほぼ一致した幅寸法を有することから、比較的強固に第１スナップリング溝１０５や第２スナップリング溝１０６に嵌り込まれた状態となり、その切粉１０９の目視によるチェック及び除去作業は極めて厄介でかつ作業者に負担を掛ける。また、第１スナップリング溝１０５や第２スナップリング溝１０６に嵌り込んだ切粉１０９の除去に使用する際に工具等によって第１スナップリング溝１０５や第２スナップリング溝１０６及び内歯スプライン１０３等に不用意に損傷を与えることが懸念される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
次ぎに、ホルダ２を前進させて溝入チップ１０の切刃部１２によって第２スナップリング溝１０６を溝入れ加工する。この溝入れ加工は第２スナップリング溝１０６の溝幅Ｗと幅寸法が一致した前部切刃１３を有する溝入れチップ１０によって各内歯スプライン１０３の山部１０４を断続的に切削することから、前部切刃１３によって削り出された切粉は第１スナップリング溝１０５と同じ幅Ｗで前部切刃１３の直後のすくい面１４上をカールしながら矩形板状に分断される。一方、図５（ｄ）に示すように前進する溝入れチップ１０により第２スナップリング溝１０６の溝入れに伴って第１スナップリング溝１０５の溝幅Ｗより幅が小さく形成された切粉排除部２２が第１スナップリング溝１０５の側面１０５ａに接触することなく非接触状態で第１スナップリング溝１０５の底部１０５ｂ近傍まで進入する。この第１スナップリング溝１０５の底部１０５ｂの近傍まで進入した切粉排除部２２の先端２３によって第２スナップリング溝１０６の溝入れ加工の際に発生及び飛散して第１スナップリング溝１０５内に進入した切粉が除去される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
次に、ホルダ２を前進させて溝入れチップ１０の切刃部１２によって第２スナップリング溝１０６を溝入れ加工する。この溝入れ加工は第２スナップリング溝１０６の溝幅Ｗを幅寸法が一致した前部切刃１３を有する溝入れチップ１０によって各内歯スプライン１０３の山部１０４を断続的に切削することから、前部切刃１３によって削り出された切粉は第１スナップリング溝１０５と同じ幅Ｗで前部切刃１３の直後のすくい面１４上をカールしながら矩形板状に分断される。一方、図７（ｄ）に示すように前進する溝入れチップ１０により第２スナップリング溝１０６の溝入れに伴って第１スナップリング溝１０５の溝幅Ｗより小径に形成された切粉排除部３２が第１スナップリング溝１０５の側面１０５ａに接触することなく非接触状態で底部１０５ｂの近傍まで進入する。この第１スナップリング溝１０５の底部１０５ｂの近傍まで進入した切粉排除部３２の先端３３によって第２スナップリング溝１０６の溝入れ加工の際に発生して飛散して第１スナップリング溝１０５に侵入した切粉が除去される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月12日(2014.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記クラッチドラム１００の第１スナップリング溝１０５や第２スナップリング溝１０６に嵌入した切粉１０９は、第１スナップリング溝１０５及び第２スナップリング溝１０６の溝幅Ｗと一致乃至ほぼ一致した幅寸法を有することから、比較的強固に第１スナップリング溝１０５や第２スナップリング溝１０６に嵌り込まれた状態となり、その第１スナップリング溝１０５や第２スナップリング溝１０６に嵌り込んだ切粉１０９の目視によるチェック及び除去作業は極めて厄介でかつ作業者に多くの負担を掛ける。また、第１スナップリング溝１０５や第２スナップリング溝１０６に嵌り込んだ切粉１０９の除去に使用する際に工具等によって第１スナップリング溝１０５や第２スナップリング溝１０６及び内歯スプライン１０３等に不用意に損傷を与えることが懸念される。