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【手続補正書】
【提出日】平成26年3月11日(2014.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）
【化１】
2013136733.tif 000001
〔式（１）中、Ｒ1は、水素原子を示し、Ｒ2は、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ3は、水素原子又はヒドロキシ基を示し、Ｒ4は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ5は、水素原子又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ6は、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１４のアルコキシ基、総炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数３〜１２のシクロアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、総炭素数７〜１４のアラルキルオキシ基、又は総炭素数２〜１２のアルカノイルオキシ基を示す。〕
で表される化合物を有効成分とする冷感剤。
【請求項２】
下記式（１）
【化２】
2013136733.tif 000002
〔式（１）中、Ｒ1は、水素原子を示し、Ｒ2は、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ3は、水素原子又はヒドロキシ基を示し、Ｒ4は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ5は、水素原子又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ6は、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１４のアルコキシ基、総炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数３〜１２のシクロアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、総炭素数７〜１４のアラルキルオキシ基、又は総炭素数２〜１２のアルカノイルオキシ基を示す。〕
で表される化合物を有効成分とするＴＲＰＭ８活性化剤。
【請求項３】
下記式（１）
【化３】
2013136733.tif 000003
〔式（１）中、Ｒ1は、水素原子を示し、Ｒ2は、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ3は、水素原子又はヒドロキシ基を示し、Ｒ4は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ5は、水素原子又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ6は、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１４のアルコキシ基、総炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数３〜１２のシクロアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、総炭素数７〜１４のアラルキルオキシ基、又は総炭素数２〜１２のアルカノイルオキシ基を示す。〕
で表される化合物を用いる冷感付与方法。
【請求項４】
下記式（１）
【化４】
2013136733.tif 000004
〔式（１）中、Ｒ1は、水素原子を示し、Ｒ2は、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ3は、水素原子又はヒドロキシ基を示し、Ｒ4は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ5は、水素原子又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ6は、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１４のアルコキシ基、総炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数３〜１２のシクロアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、総炭素数７〜１４のアラルキルオキシ基、又は総炭素数２〜１２のアルカノイルオキシ基を示す。〕
で表される化合物を用いるＴＲＰＭ８活性化方法。
【請求項５】
冷感剤を製造するための、下記式（１）
【化５】
2013136733.tif 000005
〔式（１）中、Ｒ1は、水素原子を示し、Ｒ2は、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ3は、水素原子又はヒドロキシ基を示し、Ｒ4は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ5は、水素原子又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ6は、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１４のアルコキシ基、総炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数３〜１２のシクロアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、総炭素数７〜１４のアラルキルオキシ基、又は総炭素数２〜１２のアルカノイルオキシ基を示す。〕
で表される化合物の使用。
【請求項６】
ＴＲＰＭ８活性化剤を製造するための、下記式（１）
【化６】
2013136733.tif 000006
〔式（１）中、Ｒ1は、水素原子を示し、Ｒ2は、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ3は、水素原子又はヒドロキシ基を示し、Ｒ4は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ5は、水素原子又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ6は、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１４のアルコキシ基、総炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数３〜１２のシクロアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、総炭素数７〜１４のアラルキルオキシ基、又は総炭素数２〜１２のアルカノイルオキシ基を示す。〕
で表される化合物の使用。
【請求項７】
冷感付与に使用するための、下記式（１）
【化７】
2013136733.tif 000007
〔式（１）中、Ｒ1は、水素原子を示し、Ｒ2は、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ3は、水素原子又はヒドロキシ基を示し、Ｒ4は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ5は、水素原子又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ6は、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１４のアルコキシ基、総炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数３〜１２のシクロアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、総炭素数７〜１４のアラルキルオキシ基、又は総炭素数２〜１２のアルカノイルオキシ基を示す。〕
で表される化合物。
【請求項８】
ＴＲＰＭ８活性化に使用するための、下記式（１）
【化８】
2013136733.tif 000008
〔式（１）中、Ｒ1は、水素原子を示し、Ｒ2は、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ3は、水素原子又はヒドロキシ基を示し、Ｒ4は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ5は、水素原子又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ6は、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１４のアルコキシ基、総炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数３〜１２のシクロアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、総炭素数７〜１４のアラルキルオキシ基、又は総炭素数２〜１２のアルカノイルオキシ基を示す。〕
で表される化合物。
【請求項９】
下記式（２）
【化９】
2013136733.tif 000009
〔式（２）中、Ｒ1は、水素原子を示し、Ｒ2は、水素原子を示し、Ｒ3は、水素原子又はヒドロキシ基を示し、Ｒ4は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ5は、炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、Ｒ7は、炭素数３〜１４のアルコキシ基、総炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数３〜１２のシクロアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、又は総炭素数７〜１４のアラルキルオキシ基を示す。〕
で表される化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月16日(2014.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚みが２０〜８０μｍであり、４０℃〜９０℃におけるフィルム長手方向（ＭＤ）と幅方向（ＴＤ）の熱膨張係数がともに４０〜１００ｐｐｍ／℃であり、面内方向のレターデーション（Ｒｅ）が−３〜３ｎｍであり、膜厚方向のレターデーション（Ｒｔｈ）が０〜−１５ｎｍであり、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１０５℃〜１７０℃であることを特徴とするアクリルフィルム。
【請求項２】
２５℃におけるフィルム長手方向（ＭＤ）と幅方向（ＴＤ）の弾性率がともに２５００〜４０００ＭＰａである請求項１に記載のアクリルフィルム。
【請求項３】
２５℃におけるフィルム長手方向（ＭＤ）の破断伸度が１５〜３８％である請求項１または２に記載のアクリルフィルム。
【請求項４】
前記アクリルフィルムが、ラクトン環単位、マレイン酸無水物単位またはグルタル酸無水物単位の少なくとも１種の単位を含むアクリルポリマーを含有する請求項１〜３のいずれか一項に記載のアクリルフィルム。
【請求項５】
フィルムの厚みが２０〜６０μｍである請求項１〜４のいずれか一項に記載のアクリルフィルム。
【請求項６】
全光線透過率が９１〜９４％である請求項１〜５のいずれか一項に記載のアクリルフィルム。
【請求項７】
前記アクリルフィルムの片端あるいは両端に厚みだし加工（ナーリング処理）部を有する請求項１〜６のいずれか一項に記載のアクリルフィルム。
【請求項８】
前記厚みだし加工部の凹凸の高さは１μｍ〜５０μｍであり、前記厚みだし加工の幅が１ｍｍ〜５０ｍｍである請求項７に記載のアクリルフィルム。
【請求項９】
前記アクリルフィルムの製膜幅が１.５ｍ〜４．０ｍであることを特徴とする請求項７または８に記載のアクリルフィルム。
【請求項１０】
光学異方性層を設けた請求項１〜９のいずれか一項に記載のアクリルフィルム。
【請求項１１】
反射防止層を設けた請求項１〜９のいずれか一項に記載のアクリルフィルム。
【請求項１２】
プライマー層を有する請求項１〜１１のいずれか一項に記載のアクリルフィルム。
【請求項１３】
前記プライマー層が少なくともセルロース系樹脂を含有する請求項１２に記載のアクリルフィルム。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載のアクリルフィルムを用いた偏光板。
【請求項１５】
ＰＶＡフィルムの長手方向（ＭＤ）と幅方向（ＴＤ）の熱膨張係数が、それぞれ４０〜９０ｐｐｍ／℃と７０〜１２０ｐｐｍ／℃である請求項１４に記載の偏光板。
【請求項１６】
セルロースアシレートフィルムを有することを特徴とする請求項１４または１５に記載の偏光板。
【請求項１７】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載のアクリルフィルムまたは１４〜１６のいずれか一項に記載の偏光板を用いた液晶表示装置。
【請求項１８】
ＩＰＳまたはＶＡ液晶を有する請求項１７に記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月16日(2014.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚みが２０μｍ〜６０μｍであり、添加剤を少なくとも一種含有し、該添加剤のフィルム面内における添加剤濃度分布が０.０１％〜３％であり、前記添加剤が安定剤、可塑剤および紫外線吸収剤からなる群より選ばれる少なくとも一種であり、前記添加剤の２４０℃１時間加熱前後の重量減少量が０％〜３０％であることを特徴とするアクリルフィルム［ここで添加剤のフィルム面内における添加剤濃度分布とは、１０ｃｍ×１０ｃｍのフィルム中の添加剤量をシリコンカラムと窒素ガスを用いたガスクロマトグラフィーで測定し、それぞれ３０箇所点での最大添加剤濃度と最小添加剤濃度との濃度差を、全計測添加剤濃度の平均値で割り、百分率で表示したものである］。
【請求項２】
前記添加剤が安定剤または紫外線吸収剤であることを特徴とする請求項１に記載のアクリルフィルム。
【請求項３】
前記添加剤の分子量が５００以上である請求項１または２に記載のアクリルフィルム。  
【請求項４】
前記厚みが２０μｍ〜４０μｍである請求項１〜３のいずれか一項に記載のアクリルフィルム。
【請求項５】
前記アクリルフィルムが、ラクトン環単位、無水マレイン酸単位、グルタル酸無水物単位の少なくとも１種の単位を含む請求項１〜４のいずれか一項に記載のアクリルフィルム。
【請求項６】
面内方向のレタデーション（Ｒｅ）が０．１ｎｍ〜１０ｎｍであり、厚み方向のレタデーション（Ｒｔｈ）が−１５ｎｍ〜−０．１ｎｍである請求項１〜５のいずれか一項に記載のアクリルフィルム。
【請求項７】
Ｒｅの波長分散が０．００１ｎｍ〜１．５ｎｍであり、Ｒｔｈの波長分散が０．１ｎｍ〜４ｎｍである請求項１〜６のいずれか一項に記載のアクリルフィルム。
【請求項８】
１μｍ〜１０ｍｍの異物が３個／ｍ2以下である請求項１〜７のいずれか一項に記載のアクリルフィルム。
【請求項９】
前記アクリルフィルムの製膜幅が１.５ｍ〜４．０ｍであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のアクリルフィルム。
【請求項１０】
横ダンが０〜１５本／ｍである請求項９に記載のアクリルフィルム。
【請求項１１】
前記アクリルフィルムの片端あるいは両端に厚みだし加工（ナーリング処理）部を有する請求項９または１０のいずれか一項に記載のアクリルフィルム。
【請求項１２】
前記厚みだし加工部の凹凸の高さは１μｍ〜５０μｍであり、前記厚みだし加工の幅が１ｍｍ〜５０ｍｍである請求項１１に記載のアクリルフィルム。
【請求項１３】
光学異方性層を設けた請求項１〜１２のいずれか一項に記載のアクリルフィルム。
【請求項１４】
反射防止層を設けた請求項１〜１２のいずれか一項に記載のアクリルフィルム。
【請求項１５】
プライマー層を設けた請求項１〜１４のいずれか一項に記載のアクリルフィルム。
【請求項１６】
前記プライマー層がセルロース系樹脂である請求項１５に記載のアクリルフィルム。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか一項に記載のアクリルフィルムを用いた偏光板。
【請求項１８】
セルロースアシレートフィルムを有する請求項１７に記載の偏光板。
【請求項１９】
請求項１〜１６のいずれか一項に記載のアクリルフィルム、あるいは、請求項１７または１８に記載の偏光板を用いた液晶表示装置。
【請求項２０】
ＩＰＳまたはＶＡ液晶を有する請求項１９に記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月20日(2013.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々を識別可能な複数種類の識別情報を可変表示する可変表示部を備え、該可変表示部における識別情報の表示結果が予め定められた特定表示結果となったときに遊技者にとって有利な特定遊技状態に制御する遊技機であって、
前記特定遊技状態に制御するか否かを、前記識別情報の表示結果が導出表示される以前に決定する事前決定手段と、
該事前決定手段の決定結果に基づいて、前記特定遊技状態に制御される可能性があることを報知する複数の予告演出のうちから実行する予告演出を決定する予告演出決定手段と、
該予告演出決定手段により決定された予告演出を実行する予告演出実行手段と、を備え、
前記予告演出決定手段は、前記予告演出の態様に基づいて分類された複数種類の予告演出種別のうちいずれの予告演出種別に属する予告演出を実行するかを決定する予告種別決定手段と、該予告種別決定手段により決定された予告演出種別に属する予告演出のうちから前記実行する予告演出を決定する予告決定手段とを有してなり、
前記複数の予告演出は、予め定められた順番に従って１段階目の演出から複数段階目の演出までの複数の演出を段階的に行う予告演出であって、前記特定遊技状態に制御される場合は該特定遊技状態に制御されない場合よりも高い割合で予め定められた段階目の演出まで演出が行われるステップアップ予告演出を含み、
前記ステップアップ予告演出は、該ステップアップ予告演出において行われる複数の演出の態様が第１の態様である第１ステップアップ予告演出と、該ステップアップ予告演出において行われる複数の演出の態様が前記第１の態様と異なる第２の態様である第２ステップアップ予告演出とを含み、
前記第１ステップアップ予告演出と前記第２ステップアップ予告演出とで前記特定遊技状態に制御される場合に予め定められた段階目まで演出が行われる割合が異なり、
前記第１ステップアップ予告演出と前記第２ステップアップ予告演出は、前記可変表示中の同一期間に同時に実行されることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
まず手段１に係る発明は、
各々を識別可能な複数種類の識別情報（第１特別図柄、第２特別図柄、演出図柄）を可変表示する可変表示部（第１特別図柄表示器８ａ、第２特別図柄表示器８ｂ、演出表示装置９）を備え、該可変表示部における識別情報の表示結果が予め定められた特定表示結果（大当り図柄）となったときに遊技者にとって有利な特定遊技状態（大当り遊技状態）に制御する遊技機（パチンコ機）であって、
前記特定遊技状態に制御するか否かを、前記識別情報の表示結果が導出表示される以前に決定する事前決定手段（遊技制御用マイクロコンピュータ５６０におけるＳ６１の処理を実行する部分）と、
該事前決定手段の決定結果に基づいて、前記特定遊技状態に制御される可能性があることを報知する複数の予告演出のうちから実行する予告演出を決定する予告演出決定手段（演出制御用マイクロコンピュータ１００におけるＳ５１８Ａの処理を実行する部分）と、
該予告演出決定手段により決定された予告演出を実行する予告演出実行手段（演出制御用マイクロコンピュータ１００におけるＳ８４６〜Ｓ８５５の処理を実行する部分）と、を備え、
前記予告演出決定手段は、前記予告演出の態様に基づいて分類された複数種類の予告演出種別のうちいずれの予告演出種別に属する予告演出を実行するかを決定する予告種別決定手段（演出制御用マイクロコンピュータ１００におけるＳ５７０の処理を実行する部分）と、該予告種別決定手段により決定された予告演出種別に属する予告演出のうちから前記実行する予告演出を決定する予告決定手段（演出制御用マイクロコンピュータ１００におけるＳ５７３，Ｓ５７６，Ｓ５７９，Ｓ５８１，Ｓ５８３の処理を実行する部分）とを有してなり、
前記複数の予告演出は、予め定められた順番に従って１段階目の演出から複数段階目の演出までの複数の演出を段階的に行う予告演出であって、前記特定遊技状態に制御される場合は該特定遊技状態に制御されない場合よりも高い割合で予め定められた段階目の演出まで演出が行われるステップアップ予告演出を含み、
前記ステップアップ予告演出は、該ステップアップ予告演出において行われる複数の演出の態様が第１の態様である第１ステップアップ予告演出と、該ステップアップ予告演出において行われる複数の演出の態様が前記第１の態様と異なる第２の態様である第２ステップアップ予告演出とを含み、
前記第１ステップアップ予告演出と前記第２ステップアップ予告演出とで前記特定遊技状態に制御される場合に予め定められた段階目まで演出が行われる割合が異なり、
前記第１ステップアップ予告演出と前記第２ステップアップ予告演出は、前記可変表示中の同一期間に同時に実行されることを特徴とする遊技機である。
これによれば、予告種別決定手段が、予告演出の種類に基づいて分類された複数種類の予告演出種別のうちいずれの予告演出種別に属する予告演出を実行するかを決定し、予告決定手段が、該決定された予告演出種別に属する予告演出のうちから実行する予告演出を決定するので、特定の予告演出が実行される振分率を変更したい場合の作業効率を向上できる。また、第１ステップアップ予告演出と第２ステップアップ予告演出を可変表示中の同一期間に同時に実行して、興趣の向上を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月13日(2014.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属を含む媒体から１つ以上の金属を除去する方法であって、以下の（ａ）および（ｂ）のステップを含む方法。
（ａ）金属を含む前記媒体を、少なくとも２つのモノマーである、アクリリック−Ｘ及びアルキルアミンから誘導されるポリマーを含む組成物であって、前記アクリリック−Ｘが下式の構造を有する組成物で処理すること。
【化１】
2013136051.tif 000001
式中、Ｘ＝ＯＨ及びそれらの塩、又はＮＨＲ２であり、Ｒ１及びＲ２は、Ｈ又はアルキル又はアリール基であり、式中Ｒはアルキル又はアリール基であり、式中前記ポリマーの分子量は５００〜２００，０００であり、並びに前記ポリマーは、１つ以上の金属を含む１つ以上の組成物を捕捉する能力のある官能基を含むように修飾されている。
（ｂ）処理された金属を収集すること。
【請求項２】
金属を含む媒体から１つ以上の金属を除去する方法であって、以下の（ａ）および（ｂ）のステップを含む方法。
（ａ）金属を含む前記媒体を、少なくとも２つのモノマーである、アクリリック−Ｘ及びアルキルアミンから誘導されるポリマーを含む組成物であって、前記アクリリック−Ｘが下式の構造を有する組成物で処理すること。
【化２】
2013136051.tif 000002
式中、Ｘ＝ＯＲ及び式中Ｒはアルキル又はアリール基であり、Ｒ１は、Ｈ又はアルキル又はアリール基であり、式中前記ポリマーの分子量は１，０００〜１６，０００であり、並びに前記ポリマーは、１つ以上の金属を含む１つ以上の組成物を捕捉する能力のある官能基を含むように修飾されている。
（ｂ）処理された金属を収集すること。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】金属を含む媒体から１つ以上の金属を除去する方法
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月19日(2013.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
皮膚神経線維腫、皮下神経線維腫または表在叢状神経線維腫の治療を必要としている被検者における、皮膚神経線維腫、皮下神経線維腫または表在叢状神経線維腫の治療ための組成物であって、前記組成物が腫瘍の領域に局所投与されるためのものであり、前記組成物は、（ａ）前記神経線維腫を被験者において治療するための少なくとも一つの非発癌性の薬剤と、任意選択的に（ｂ）前記神経線維種中に前記非発癌性薬剤を運ぶことを補助する医薬的に許容できる賦形剤とを含み、前記組成物は神経線維腫を治療するのに十分な時間維持され、
前記非発癌性薬剤が、代謝拮抗物質またはヌクレオシド類似体；トポイソメラーゼ阻害剤；微小管阻害剤；硬化剤；抗炎症剤または非ステロイド性抗炎症剤（ＮＳＡＩＤ）；ＨＤＡＣ阻害剤；免疫修飾物質；血管形成阻害薬；化学予防剤；アルキルリン脂質；熱ショックタンパク質（ＨＳＰ）阻害剤；および突然変異遺伝子の機能を回復する薬剤からなる群より選択される組成物。
【請求項２】
前記局所投与が、腫瘍の領域における皮膚の表面に前記組成物を局所適用することであり、前記賦形剤が、皮膚を通過させて前記非発癌性薬剤を腫瘍まで運ぶことを補助し、前記非発癌性薬剤を被験者の皮膚の上に維持する、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記局所投与が、前記組成物を腫瘍中に病巣内注入することである、請求項１に記載の組成物方法。
【請求項４】
前記非発癌性薬剤が硬化薬を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
前記免疫修飾物質が、免疫調節物質、免疫抑制剤、または免疫刺激剤である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
前記非発癌性薬剤が、５−フルオロウラシル、トリシリビン、サンギバマイシンまたはツベルシジン；ポドフィロトキシン；メベンダゾール；ドキシサイクリンまたはその類似体；ジクロフェナク；トリコスタチンＡまたはバルプロ酸；レチノイド、フェンレチニド；ミルテフォシン；ゲルダナマイシン誘導体、１７−ＡＡＧ、ラジシコールまたはその類似体；ハロフギノン、ゲンタマイシン、ラパマイシン、イミキモドまたはそれらの組み合わせである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項７】
前記医薬的に許容できる賦形剤が皮膚浸透剤を含む、請求項１〜６に記載の組成物。
【請求項８】
前記非発癌性薬剤が、５−フルオロウラシルである、請求項６に記載の組成物。
【請求項９】
前記非発癌性薬剤が、イミキモドである、請求項６に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月28日(2014.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シフトレジスタと、第１の画素と、第２の画素と、第３の画素と、を有し、
前記シフトレジスタは、第１乃至第６のトランジスタを有し、
前記第１乃至第６のトランジスタの少なくとも一は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記第１の画素は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２の画素は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第３の画素は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第５の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第５の配線と電気的に接続され、
前記第４の配線は、第１のクロック信号を伝達することができる機能を有し、
前記第５の配線は、第２のクロック信号を伝達することができる機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記シフトレジスタは、第７及び第８のトランジスタを有し、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第６の配線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第６の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の配線と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記シフトレジスタは、第９及び第１０のトランジスタを有し、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第６の配線と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第６の配線と電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の配線と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の表示装置と、
スピーカ、受像部、センサ、マイクロフォン、ＬＥＤランプ、及び／又は、アンテナと、
を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月6日(2013.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】熱処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持具と、該基板保持具を囲む様に設けられ反応室を構成する筒状発熱材と、該筒状発熱材を囲む様に設けられた反応管と、前記筒状発熱材と前記反応管との間に設けられた筒状断熱部と、前記筒状発熱材と前記筒状断熱部との間に設けられた温度測定用チップと、該温度測定用チップの温度を測定する放射温度計とを具備し、該放射温度計が前記反応管の下端より下方に配置される熱処理装置。
【請求項２】
前記温度測定用チップと前記放射温度計との間に、前記温度測定用チップからの放射光の光路を囲む様に筒状の保護管が設けられた請求項１の熱処理装置。
【請求項３】
前記温度測定用チップが前記保護管の上端に固定された請求項２の熱処理装置。
【請求項４】
筒状発熱材の内部に構成された反応室内に基板を搬送する工程と、前記筒状発熱材を囲む様に設けられた反応管の下端より下方に配置された放射温度計により、前記筒状発熱材と前記反応管との間に設けられた筒状断熱部と前記筒状発熱材との間に設けられた温度測定用チップの温度を測定し前記筒状発熱材の温度を制御し前記基板を熱処理する工程と、前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
筒状発熱材の内部に構成された反応室内に基板を搬送する工程と、前記筒状発熱材を囲む様に設けられた反応管の下端より下方に配置された放射温度計により、前記筒状発熱材と前記反応管との間に設けられた筒状断熱部と前記筒状発熱材との間に設けられた温度測定用チップの温度を測定し前記筒状発熱材の温度を制御し前記基板を熱処理する工程と、前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有する基板処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月13日(2014.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース線と、ビット線と、第１の信号線と、第２の信号線と、ワード線と、前記ソース線と前記ビット線との間に接続されたメモリセルと、を有し、
前記メモリセルは、
第１のゲート電極、第１のソース電極、第１のドレイン電極、及び第１のチャネル形成領域を含む第１のトランジスタと、
第２のゲート電極、第２のソース電極、第２のドレイン電極、及び第２のチャネル形成領域を含む第２のトランジスタと、
容量素子と、
を有し、
前記第１のチャネル形成領域は、前記第２のチャネル形成領域とは異なる半導体材料を有すると共に、前記第１のトランジスタのしきい値電圧が正となるように導電性を付与する不純物元素が添加され、
前記第１のゲート電極と、前記第２のドレイン電極と、前記容量素子の電極の一方と、は電気的に接続されて電荷が保持されるノードを構成し、
前記ソース線と、前記第１のソース電極とは、電気的に接続され、
前記ビット線と、前記第１のドレイン電極とは、電気的に接続され、
前記第１の信号線と、前記第２のソース電極とは、電気的に接続され、
前記第２の信号線と、前記第２のゲート電極とは、電気的に接続され、
前記ワード線と、前記容量素子の電極の他方とは、電気的に接続された半導体装置。
【請求項２】
前記ノードには、前記第１のトランジスタのコンダクタンスを制御するための複数種類の電荷の一が与えられる請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１のトランジスタのしきい値電圧は、前記ワード線に０Ｖを与える場合に、前記ノードが保持する前記電荷に関わらず前記第１のトランジスタがオフ状態となる電圧である請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２のチャネル形成領域は、酸化物半導体を有する請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１のチャネル形成領域は、シリコンを有し、前記不純物元素として硼素、アルミニウム、またはガリウムの少なくとも一が添加されている請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月12日(2014.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層に酸素を添加する工程と、
前記酸素が添加された酸化物半導体層に２５０℃以上７００℃以下の加熱処理を施す工程と、を含み、
前記酸素を添加する工程は、イオン注入法またはイオンドーピング法を用いて行い、
前記加熱処理を施す工程は、窒素または希ガスの雰囲気下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層に酸素を添加する工程と、
前記酸素が添加された酸化物半導体層に２５０℃以上７００℃以下の加熱処理を施す工程と、を含み、
前記酸素を添加する工程は、イオン注入法またはイオンドーピング法を用いて行い、
前記加熱処理を施す工程は、窒素または希ガスの雰囲気下で行った後、酸素または乾燥空気の雰囲気下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層に酸素を添加する工程と、
前記酸素が添加された酸化物半導体層に２５０℃以上７００℃以下の加熱処理を施す工程と、
前記加熱処理が施された酸化物半導体層に接するソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、を含み、
前記酸素を添加する工程は、イオン注入法またはイオンドーピング法を用いて行い、
前記加熱処理を施す工程は、窒素または希ガスの雰囲気下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層に酸素を添加する工程と、
前記酸素が添加された酸化物半導体層に２５０℃以上７００℃以下の加熱処理を施す工程と、
前記加熱処理が施された酸化物半導体層に接するソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、を含み、
前記酸素を添加する工程は、イオン注入法またはイオンドーピング法を用いて行い、
前記加熱処理を施す工程は、窒素または希ガスの雰囲気下で行った後、酸素または乾燥空気の雰囲気下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月19日(2013.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】成膜装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロードロック室と、
複数の成膜室と、
加熱室と、
搬送室と、を有し、
前記ロードロック室には、第１の真空排気する手段が接続され、
前記複数の成膜室のうち、少なくとも一つは、
基板を加熱する第１の加熱手段が設けられた基板保持部と、
前記基板保持部周辺の壁面を加熱する第２の加熱手段と、
ターゲット保持部とを有し、
前記複数の成膜室のうち、少なくとも一つには、第２の真空排気する手段が接続され、
前記加熱室には、第３の真空排気する手段が接続され、
前記搬送室には、第４の真空排気する手段が接続され、
前記ロードロック室、前記複数の成膜室、前記加熱室はそれぞれ、前記搬送室を介して連結されていることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１乃至第４の真空排気する手段は、クライオポンプ、スパッタイオンポンプ、又はチタンサブリメーションポンプであることを特徴とする成膜装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記複数の成膜室のうち、少なくとも一つにおいて、前記ターゲット保持部は、絶縁体ターゲットを固定する機能を有し、
前記複数の成膜室のうち、少なくとも他の一つにおいて、前記ターゲット保持部は、金属酸化物ターゲットを固定する機能を有することを特徴とする成膜装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記複数の成膜室のうち、少なくとも一つにおいて、前記ターゲット保持部は、金属酸化物ターゲットを固定する機能を有し、
前記複数の成膜室のうち、少なくとも他の一つにおいて、前記ターゲット保持部は、金属ターゲットを固定する機能を有することを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記複数の成膜室のうち、少なくとも一つにおける大気のリーク量は、１０−１１Ｐａ・ｍ３／ｓ以下であることを特徴とする成膜装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
さらに処理室を有し、
前記処理室は、酸素ラジカルを発生させる手段と、第５の真空排気する手段とを有することを特徴とする成膜装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記複数の成膜室のうち、少なくとも一つにおいて、膜厚２ｎｍ以上２００ｎｍ以下の酸化物半導体膜を、１０分以内に成膜することができることを特徴とする成膜装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月9日(2014.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接する領域を有するソース電極と、
前記酸化物半導体層と接する領域を有するドレイン電極と、
前記酸化物半導体層と重なる領域を有するゲート電極と、
前記酸化物半導体層と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、第１の導電層と、第２の導電層と、を有し、
前記第２の導電層は、前記ゲート電極と重畳する領域であって、且つ、前記第１の導電層の端部よりチャネル長方向に伸長した領域を有し、
当該領域の上にサイドウォール絶縁層を有し、
前記サイドウォール絶縁層は、第１の材料層と、第２の材料層と、を有し、
前記第１の材料層と前記第２の材料層は異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の材料層は、窒化物絶縁層を有し、
前記第２の材料層は、酸化物絶縁層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、その端部において前記酸化物半導体層と接し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上面と、前記酸化物半導体層との間に、絶縁層を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月18日(2013.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層をエッチングすることで、第１のパターンを形成し、
前記第１のパターンを酸化して第２のパターンを形成し、
前記第２のパターンをマスクとして前記第１の導電層をエッチングして第３のパターンを形成し、
前記第３のパターンは、ソース電極又はドレイン電極として機能し、
前記第２のパターン、前記第３のパターン及び前記酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のパターンは、加熱処理、プラズマ処理、陽極酸化処理、又は溶液による酸化処理により酸化されて形成されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との距離は、露光装置の解像能力限界以下を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２のパターンと、前記第３のパターンとは、同一工程を経て形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月19日(2014.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定キーを含む複数のキーが配置され、ユーザによりキーが押されたときに、押されたキーを特定する情報を出力するキー入力部と、
前記キー入力部から出力された情報に基づき、前記押下されたキーに対応する文字コードを生成するキー制御部と、を備え、
前記キー制御部は、前記特定キーの第１の押下の後、前記特定キーの第２の押下が発生したときに、前記第１の押下と前記第２の押下の間に前記キー入力部において順に押下された複数のキーに対応する複数の文字コードを、前記複数のキーが同時に入力されたものとして出力する、
入力装置。
【請求項２】
前記キー入力部は物理的なキーが配置されたキーボードである、請求項１記載の入力装置。
【請求項３】
前記キー入力部は表示装置に表示される仮想的なキーボードである、請求項１記載の入力装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１つに記載の入力装置を備えた情報処理装置。
【請求項５】
特定キーを含む複数のキーが配置された入力装置の制御方法であって、
入力装置においてキーが押下されたときに、その押下されたキーを特定する情報を生成するステップと、
前記キーを特定する情報に基づき、押下されたキーに対応する文字コードを生成し、出力するステップと、を含み、
前記文字コードを生成し、出力するステップは、
前記特定キーの第１の押下の後、前記特定キーの第２の押下が発生したときに、前記第１の押下と前記第２の押下の間に前記キー入力部において順に押下された複数のキーに対応する複数の文字コードを、前記複数のキーが同時に入力されたものとして出力する、入力装置の制御方法。
【請求項６】
特定キーを含む複数のキーが配置され、ユーザによりキーが押されたときに、押されたキーを特定する情報を出力するキーボードと、
コンピュータに実装され、前記コンピュータを、前記キーボードから出力された情報に基づき、前記押下されたキーに対応する文字コードを生成するように動作させるドライバソフトと、を含み、
前記ドライバソフトは、前記コンピュータを、前記特定キーの第１の押下の後、前記特定キーの第２の押下が発生したときに、前記第１の押下と前記第２の押下の間に前記キーボードにおいて順に押下された複数のキーに対応する複数の文字コードを、前記複数のキーが同時に入力されたものとして出力するように動作させる、
キーボードシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月28日(2014.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
入力面（３２）に入力される操作によって選択されるそれぞれ複数の選択画像部（６３）を表示する表示領域（６０）が、表示画面（５２）に複数規定される表示システムであって、
複数の前記表示領域のうちアクティブ領域（６９）として選定される一つの表示領域を、選択操作に基づいて前記選択画像部の選択が可能な状態で表示する表示画面と、
前記表示画面から離れて位置し、前記選択画像部を選択する選択操作が入力される前記入力面と、
前記入力面に入力される特定の操作を切替操作として予め記憶し、前記入力面に入力された操作が前記切替操作であるか否かを判定する判定手段（５３，Ｓ１０２）と、
前記切替操作が入力されたと前記判定手段によって判定された場合に、前記一つの表示領域から前記複数の表示領域のうちの他の一つの表示領域に、前記アクティブ領域を切り替える切替手段（５３，Ｓ１０５，Ｓ１０６）と、
を備えることを特徴とする表示システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、入力面（３２）に入力される操作によって選択されるそれぞれ複数の選択画像部（６３）を表示する表示領域（６０）が、表示画面（５２）に複数規定される表示システムであって、複数の表示領域のうちアクティブ領域（６９）として選定される一つの表示領域を、選択操作に基づいて選択画像部の選択が可能な状態で表示する表示画面と、表示画面から離れて位置し、選択画像部を選択する選択操作が入力される入力面と、入力面に入力される特定の操作を切替操作として予め記憶し、入力面に入力された操作が切替操作であるか否かを判定する判定手段（５３，Ｓ１０２）と、切替操作が入力されたと判定手段によって判定された場合に、一つの表示領域から複数の表示領域のうちの他の一つの表示領域に、アクティブ領域を切り替える切替手段（５３，Ｓ１０５，Ｓ１０６）と、を備える表示システムとする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月28日(2014.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光体と、
前記感光体を帯電する帯電手段と、
前記帯電手段に直流電圧を印加する直流電圧印加手段と、
前記帯電手段により帯電処理された前記感光体に静電潜像を形成する情報書き込み手段と、
現像剤を担持して搬送する現像剤担持体を備え、前記感光体に形成された静電潜像に前記現像剤担持体にて現像剤を供給して可視化する現像手段と、
可視化した現像剤像を被転写材に転写する転写手段と、
前記感光体の回転方向にて、前記転写手段より下流側で、前記帯電手段より上流側に位置する前記感光体の表面電位を露光により除電するための光除電手段と、
を有する画像形成装置において、
前記現像手段を画像形成装置本体に装着した直後の現像剤のイニシャライズ動作時において、通常画像形成時に流れる帯電直流電流よりも、帯電直流電流が小さくなるように前記直流電圧印加手段又は前記光除電手段を制御する制御手段を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記制御手段は、通常画像形成時に流れる帯電直流電流よりも現像イニシャライズ動作時に流れる帯電直流電流を小さくするために、現像イニシャライズ動作中に、前記光除電手段の照射する光量を小さくすることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記制御手段は、通常画像形成時に流れる帯電直流電流よりも現像イニシャライズ動作時に流れる帯電直流電流を小さくするために、現像イニシャライズ動作中に、前記帯電手段に印加する直流電圧を通常画像形成時に印加する直流電圧よりも小さくすることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記現像イニシャライズ動作は、現像剤でコートされていない前記現像剤担持体に対して現像剤を搬送してコートする工程を含み、通常の前多回転動作の期間よりも長いことを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月4日(2014.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光軸周りに回転可能な移動カム環に設けられたカム溝に係合するとともに、直進部材によって光軸周りの回転が規制されることによって光軸方向に移動可能であって、レンズを保持するレンズ保持ユニットと、
鏡筒の収納状態と撮影状態との移行における前記直進部材との係合により、バリア羽根が前記レンズを覆う閉じ状態とレンズを開放する開き状態とに移行するよう駆動するバリア羽根駆動部材であって、前記レンズ保持ユニットとともに光軸方向に移動可能なバリア羽根駆動部材と、
鏡筒の収納状態から撮影状態への移行の際に前記直進部材と前記バリア駆動部材との係合が解け、当該係合が解けた状態になって前記バリア羽根が開き状態になった後に前記直進部材の移動を検知するよう配置された位置検出手段とを有し、
鏡筒の収納状態から撮影状態への移行に伴う前記移動カム環の光軸方向への移動に対して前記直進部材が光軸方向に当該移動カム環と離間する方向に移動するよう、前記移動カム環と前記直進部材とが係合していることを特徴とするレンズ鏡筒。
【請求項２】
前記位置検出手段は、フォトインタラプタであって、前記直進部材に設けられた突起部が当該フォトインタラプタを抜けることで前記直進部材の移動を検知することを特徴とする請求項１に記載のレンズ鏡筒。
【請求項３】
前記移動カム環の光軸方向への移動を規定するカム溝が形成された固定筒を備え、
固定筒に対する前記移動カム環の繰り出し方向のリフトと前記移動カム環に対する前記直進筒の繰り込み方向への相対移動のリフトが略同一であることを特徴とする請求項１または２に記載のレンズ鏡筒。
【請求項４】
前記直進部材と前記バリア駆動部材との係合は、前記直進部材に設けられたカム部に前記バリア駆動部材に設けられた突起部が当接することで行われ、
鏡筒の収納状態から撮影状態への移行の際に、前記直進部材の前記移動カム環に対する相対移動が始まり、
前記移動カム環に設けられた前記レンズ保持ユニットが係合するカム溝による移動量と前記移動カム環に対する前記直進部材の相対移動量との和で、前記バリア羽根駆動部材と前記直進部材とが離間していくことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のレンズ鏡筒。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月23日(2014.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像光を形成する画像表示装置と、
前記画像表示装置から射出された前記画像光を入射させる投射光学系と、
導光部と、前記導光部に画像光を入射させる光入射部と、前記導光部によって導かれた画像光を外部に射出させる光射出部とを有し、前記光射出部を介して前記画像光の観察を可能にする導光部材とを備え、
前記導光部は、互いに平行に配置され全反射による導光を可能にする第１反射面と第２反射面とを有し、
前記光入射部は、前記第１反射面に対して所定の角度をなす第３反射面を有し、
前記光射出部は、前記第１反射面に対して所定の角度をなす第４反射面を有し、
前記投射光学系は、前記第１反射面の平面と平行であり、前記第１反射面と前記第３反射面の交線に垂直な方向において、前記第３反射面の開口幅よりも広い射出開口幅を有する、虚像表示装置。
【請求項２】
前記投射光学系の最も光射出側のレンズから前記導光部材の前記第１反射面までの距離が３ｍｍ以下である、請求項１に記載の虚像表示装置。
【請求項３】
前記投射光学系の射出開口幅は、前記第１反射面と前記第３反射面との交線に平行な第１の方向よりも、前記第１反射面と平行で前記第１反射面と前記第３反射面との交線に垂直な第２の方向において、小さくなっている、請求項１及び２のいずれか一項に記載の虚像表示装置。
【請求項４】
前記画像表示装置の有効サイズは、前記第１の方向よりも前記第２の方向において大きくなっている、請求項３に記載の虚像表示装置。
【請求項５】
前記画像表示装置における第１部分領域から射出される第１画像光の前記導光部における反射回数と、導光に際して反射によって光路の折り返しが生じる閉じ込め方向に関して前記第１部分領域とは異なる第２部分領域から射出される第２画像光の前記導光部における反射回数とは、互いに異なる、請求項１から４までのいずれか一項に記載の虚像表示装置。
【請求項６】
前記閉じ込め方向は、前記投射光学系を通る第１光軸と前記第３反射面の法線とを含む断面に平行な方向である、請求項５に記載の虚像表示装置。
【請求項７】
前記第４反射面に、ハーフミラーが施されており、前記第４反射面に対向する透過面を有する楔状の光透過部材をさらに備える、請求項１から６までのいずれか一項に記載の虚像表示装置。
【請求項８】
前記光透過部材は、前記第１反射面と第２反射面とに対してそれぞれ平行に配置される第１面と第２面とを有する、請求項７に記載の虚像表示装置。
【請求項９】
前記導光部材は、射出成型によって独立して一体的に成型される、請求項１から８までのいずれか一項に記載の虚像表示装置。
【請求項１０】
前記導光部材は、熱重合型の樹脂材料によって成型される、請求項９に記載の虚像表示装置。