(57)【要約】      （修正有）【課題】必要に応じた高さのピラーバンプを形成でき、有効にコストダウンできるウェハバンプ構造を提供する。【解決手段】ウェハ状態の半導体チップ１０と前処理層２０、第一電気化学鍍金保護層３０及び複数のピラーバンプ４０から構成される。前処理層２０は、半導体チップ１０のダイパッド１１が半導体チップ１０の保護層１２の貫通孔により露出した表面に堆積される。第一電気化学鍍金保護層３０は、前処理層２０と保護層１２の貫通孔壁付近に堆積される。ピラーバンプ４０は第一電気化学鍍金保護層３０と保護層１２の一部表面に堆積され、誘電金属層４１と第二電気化学鍍金保護層４２からなる。【選択図】図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
表面に、複数のダイパッドがあり、また、上記表面と上記ダイパッドに保護層があり、上記保護層に各ダイパッドに対応する貫通孔があり、上記ダイパッドの一部の表面を露出するウェハ状態の半導体チップと、
上記ダイパッドの露出した表面に堆積される前処理層と、
上記前処理層と上記保護層の貫通孔側壁及び上記保護層の上記貫通孔外部の表面に堆積される第一電気化学鍍金保護層と、
上記第一電気化学鍍金保護層と上記保護層の一部表面に堆積され、それぞれ、必要に応じる高さの導電金属層と、上記導電金属層の外周縁に緊密に結合するように覆う第二電気化学鍍金保護層とからなり、対応する素子を連結するソルダー性が向上される複数のピラーバンプと、が含有される。
ことを特徴とするウェハバンプ構造。
【請求項２】
上記前処理層は、上記ダイパッドの露出表面において、ジンケーティング処理により構成された腐食劣化を防止できる層を含むことを特徴とする請求項１に記載のウェハバンプ構造。
【請求項３】
上記第一電気化学鍍金保護層は、上記前処理層と上記保護層の貫通孔側壁及び上記保護層の上記貫通孔の外部表面において、無電解ニッケル金によって構成された腐食劣化を防止できる層を含むことを特徴とする請求項１に記載のウェハバンプ構造。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、ウェハバンプ構造に関し、特に、バンプ下金属化（Under Bump Metallization、 UBM）工程の代わりに、ジンケーティング処理（Zincating）と無電解ニッケル金（Electroless
Nickel / Immersion Gold、 ENIG）工程を利用し、また、金電気メッキ工程によって形成された金バンプの代わりに、印刷方式によって形成された導電金属ペースト（Metal Paste）であるピラーバンプ（Pillar Bump）を利用し、特に、その後の
対応する素子との連結ソルダー性が向上され、また、有効に、コストダウンできるものに関する。
【背景技術】
【０００２】
図２は、既存のバンプ下金属化工程により構成されたウェハバンプの構造概念図である。図のように、従来のウェハバンプ構造５は、半導体チップ５０とバンプ下金属層６０及びピラーバンプ７０から構成される。上記半導体チップ５０は、表面５０１に、複数のダイパッド（Die Pad）５１があり、また、上記表面５０１と上記ダイパッド５１は、保護層（Passivation Layer）５２を有し、上記保護層５２には、各ダイパッド５１に対応する貫通孔があり、これにより、上記ダイパッド５１の表面５０１の一部が露出される。
【０００３】
上記ウェハバンプ構造５は、バンプ下金属化工程により、そのダイパッド５１を保護するが、上記工程は、価額が高いだけでなく、産出量がやや低く、また、上記構造５は、上記工程の後において、金電気メッキ工程で、上記ピラーバンプ７０を形成するため、上記ピラーバンプ７０の全体構造が、金からなり、金バンプになり、そのため、金金属が、他の金属材料より、コストが高い貴重金属材料でありながら、今では、金の値段が暴騰しているため、従来構造５の作製コストが更に高くなる。金の値段が高くなって、従来技術によれば、金電気メッキ工程によって金バンプを作製するため、その材料コストが更に高くなり、そのため、実用的とは言えまい。
【０００４】
本考案者は、上記欠点を解消するため、慎重に研究し、また、学理を活用して、有効に上記欠点を解消でき、設計が合理である本考案を提案する。
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
本考案の主な目的は、従来技術の上記問題を解消でき、産出が比較的に低く、コストが高いバンプ下金属化工程による構造層の代わりに、ジンケーティング処理と無電解ニッケル金工程による構造層を利用し、また、産出が比較的に低く、コストが高い金電気メッキ工程によって形成された金バンプの代わりに、印刷方式による導電金属ペーストと、第二無電解ニッケル金工程や他のソルダー性を向上できる工程により構成されたピラーバンプと利用して、有効にコストダウンできるウェハバンプ構造を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本考案は、上記の目的を達成するため、ウェハバンプ構造であり、主として、ウェハ状態の半導体チップがあり、その表面に、複数のダイパッド（Die Pad）があり、また、上記表面と上記ダイパッドに、保護層（Passivation Layer）があり、上記保護層に、各ダイパッドに対応する貫通孔があり、これにより、上記ダイパッドの表面の一部が露出され、また、前処理層があり、それが、上記ダイパッドの露出した表面に堆積され、また、第一電気化学鍍金保護層があり、それが、上記前処理層と上記保護層の貫通孔側壁及び上記貫通孔の外部の表面に堆積され、また、複数のピラーバンプがあり、それが、上記第一電気化学鍍金保護層と上記保護層の一部の表面に堆積され、また、各ピラーバンプは、必要に応じる高さで成形された導電金属層と、上記導電金属層の外周縁に緊密結合されて覆われる第二電気化学鍍金保護層からなる。
【０００７】
以下、図面を参照しながら、本考案の特徴や技術内容について、詳しく説明するが、それらの図面等は、参考や説明のためであり、本考案は、それによって制限されることが無い。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本考案のより良い実施例の構造断面概念図
【図２】既存のバンプ下金属化工程により構成されたウェハバンプの構造概念図。
【考案を実施するための形態】
【０００９】
図１は、本考案のより良い実施例の構造断面概念図である。図のように、本考案は、ウェハバンプ構造１であり、主として、ウェハ状態の半導体チップ１０と前処理層２０、第一電気化学鍍金保護層３０及び複数のピラーバンプ（Pillar Bump）４０から構成される。
【００１０】
上記半導体チップ１０は、表面１０１に、複数のダイパッド（Die Pad）１１があり、上記表面１０１と上記ダイパッド１１に、保護層（Passivation Layer）１２があり、上記保護層１２には、各ダイパッド１１に対応する貫通孔があり、これにより、上記ダイパッド１１の表面１１１の一部が露出される。
【００１１】
上記前処理層２０は、上記ダイパッド１１の露出した表面１１１に堆積され、ジンケーティング処理（Zincating）により構成された、腐食劣化を防止できる層である。
【００１２】
上記第一電気化学鍍金保護層３０は、上記前処理層２０と上記保護層１２の貫通孔側壁及び上記保護層１２の上記貫通孔外部にある表面１２１にに堆積され、無電解ニッケル金（Electroless Nickel / Immersion Gold、 ENIG）により構成された、腐食劣化を防止できる層であり、ニッケル層３１と金層３２が含まれるものである。
【００１３】
上記らのピラーバンプ４０は、上記第一電気化学鍍金保護層３０と上記保護層１２の表面１２１の一部に堆積され、また、各ピラーバンプ４０は、必要とする高さの印刷により形成される導電金属層４１と、無電解ニッケル金や半田浸潤によって形成された第二電気化学鍍金保護層４２が含まれ、それが、上記導電金属層４１の外周縁に、緊密結合されて覆われ、これにより、その後の対応する素子と連結する時のソルダー性が向上され、また、上記導電金属層４１は、上記第一電気化学鍍金保護層３０と上記保護層１２の表面１２１の一部に、導電銀ペーストや金属導体である導電金属ペースト（Metal Paste）から構成された密着力劣化を防止する層を有し、また、上記第二電気化学鍍金保護層４２は、上記導電金属層４１の周縁と上記保護層１２の表面１２１の一部に、ニッケル/金材料や半田浸潤に有利できる材料から構成された腐食劣化を防止できる層とが含まれ、また、ニッケル層４３と金層４４の組合わせてもよい。以上のように、新規のウェハバンプ構造１が構成される。
【００１４】
本考案によれば、上記半導体チップ１０の表面１０１に、上記保護層１２があるか否かに従って、上記保護層１２を塗布でき、あれば、本構造は、上記工程を省略できる。また、一つのより良い実施例において、本構造１によれば、上記ダイパッド１１の露出した表面１１１に、ジンケーティング処理と無電解ニッケル金工程により、上記ダイパッド１１を保護する前処理層２０と第一電気化学鍍金保護層３０を形成し、その後、印刷方式を利用して、導電金属ペーストで、必要とする高さの導電金属層４１を形成し、最後に、無電解ニッケル金工程や他の半田浸潤に有利する工程により、ソルダー性が向上された第二電気化学鍍金保護層４２を形成し、上記導電金属層４１と上記第二電気化学鍍金保護層４２により、上記ピラーバンプ４０が構成される。また、本考案は、上記ジンケーティング処理と無電解ニッケル金工程により上記ダイパッドを保護するだけでなく、バンプ下金属化（Under Bump Metallization、 UBM）工程により形成された多層金属薄層で、上記ダイパッドを保護できる。
【００１５】
以上のように、本考案は、産出が比較的に低く、コストが高いバンプ下金属化工程により形成された多層金属薄層の代わりに、ジンケーティング処理と無電解ニッケル金工程による前処理層と電気化学鍍金保護層を利用し、また、更に、必要に応じて、バンプ下金属化工程による特性を利用でき、そして、本考案は、産出が比較的に低く、コストが高い金電気メッキ工程によって形成された金バンプの代わりに、印刷方式を利用して、導電金属ペーストで、第二無電解ニッケル金工程や他の半田浸潤に有利である工程から形成されるため、ソルダー性が向上される保護層が得られ、必要応じる高さのピラーバンプが形成される。
【００１６】
以上のように、本考案に係るウェハバンプ構造は、有効に従来の諸欠点を解消でき、産出が比較的に低く、コストが高いバンプ下金属化工程による構造層の代わりに、ジンケーティング処理と無電解ニッケル金工程による構造層を利用し、また、産出が比較的に低く、コストが高い金電気メッキ工程によって形成された金バンプの代わりに、印刷方式による導電金属ペーストと、第二無電解ニッケル金工程や他のソルダー性を向上できる工程により構成されたピラーバンプと利用して、有効にコストダウンできるウェハバンプ構造であるため、本考案は、より進歩的かつより実用的で、法に従って実用新案登録請求を出願する。
【００１７】
以上は、ただ、本考案のより良い実施例であり、本考案は、それによって制限されることが無く、本考案に係わる考案登録請求の範囲や明細書の内容に基づいて行った等価の変更や修正は、全てが、本考案の考案登録請求の範囲内に含まれる。
【符号の説明】
【００１８】
（本考案部分）
１      ウェハバンプ構造
１０    半導体チップ
１０１  表面
１１    ダイパッド
１１１  表面
１２    保護層
１２１  表面
２０    前処理層
３０    第一電気化学鍍金保護層
３１    ニッケル層
３２    金層
４０    ピラーバンプ
４１    導電金属層
４２    第二電気化学鍍金保護層
４３    ニッケル層
４４    金層
（従来部分）
５      ウェハバンプ構造
５０    半導体チップ
５０１  表面
５１    ダイパッド
５２    保護層
６０    バンプ下金属層
７０    ピラーバンプ
【図１】
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【図２】
0003163744.tif 000004