Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月5日(2014.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成手段を制御し、
第１の電力モードと、当該第１の電力モードより消費電力が少ない第２の電力モードと、を含む複数の電力モードの何れかで動作可能な画像形成装置であって、
前記画像形成装置の起動を行う起動手段と、
前記起動手段が前記画像形成装置の起動を行う際に、前記画像形成手段の調整を行う調整手段と、
前記起動手段が前記画像形成装置の起動を行った後に、前記画像形成装置を前記第１の電力モード又は前記第２の電力モードに移行させる移行手段と、
前記移行手段が前記画像形成装置を前記第２の電力モードに移行させる場合に、前記調整手段が前記画像形成手段の調整を行わないよう制御する制御手段と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記移行手段が前記画像形成装置を前記第１の電力モードに移行させる場合に、前記調整手段が前記画像形成手段の調整を行うよう制御することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記画像形成装置がシャットダウンする際に保持された情報に従って、前記調整手段が前記画像形成手段の調整を行わないよう制御すべきか否か判断することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】
画像形成手段を制御し、
第１の電力モードと、当該第１の電力モードより消費電力が少ない第２の電力モードと、を含む複数の電力モードの何れかで動作可能な画像形成装置の制御方法であって、
前記画像形成装置の起動を行う起動工程と、
前記起動工程で前記画像形成装置の起動を行う際に、前記画像形成手段の調整を行う調整工程と、
前記起動工程で前記画像形成装置の起動を行った後に、前記画像形成装置を前記第１の電力モード又は前記第２の電力モードに移行させる移行工程と、
前記移行工程で前記画像形成装置を前記第２の電力モードに移行させる場合に、前記調整工程で前記画像形成手段の調整を行わないよう制御する制御工程と、
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項５】
画像形成手段を制御し、
第１の電力モードと、当該第１の電力モードより消費電力が少ない第２の電力モードと、を含む複数の電力モードの何れかで動作可能な画像形成装置に、
前記画像形成装置の起動を行う起動工程と、
前記起動工程で前記画像形成装置の起動を行う際に、前記画像形成手段の調整を行う調整工程と、
前記起動工程で前記画像形成装置の起動を行った後に、前記画像形成装置を前記第１の電力モード又は前記第２の電力モードに移行させる移行工程と、
前記移行工程で前記画像形成装置を前記第２の電力モードに移行させる場合に、前記調整工程で前記画像形成手段の調整を行わないよう制御する制御工程と、
を実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成する本発明の画像形成装置は以下に示す構成を備える。
画像形成手段を制御し、第１の電力モードと、当該第１の電力モードより消費電力が少ない第２の電力モードと、を含む複数の電力モードの何れかで動作可能な画像形成装置であって、前記画像形成装置の起動を行う起動手段と、前記起動手段が前記画像形成装置の起動を行う際に、前記画像形成手段の調整を行う調整手段と、前記起動手段が前記画像形成装置の起動を行った後に、前記画像形成装置を前記第１の電力モード又は前記第２の電力モードに移行させる移行手段と、前記移行手段が前記画像形成装置を前記第２の電力モードに移行させる場合に、前記調整手段が前記画像形成手段の調整を行わないよう制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月17日(2014.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
癌を処置するための組み合わせ物であって、式（Ｉ）の構造：
【化３】
2013227347.tif 000001
を有する化合物もしくはその薬学的に受容可能な塩を含む組成物；ならびに
ボルテゾミブ、デキサメタゾン、イリノテカンおよびオキサリプラチンから選択される、１種以上の他の治療剤を含む組成物
を含む、組み合わせ物。
【請求項２】
前記化合物もしくはその薬学的に受容可能な塩を含む前記組成物は、薬学的キャリアをさらに含む処方物として提供され、ここで該処方物は、５〜７のｐＨを有する、請求項１に記載の組み合わせ物。
【請求項３】
前記化合物もしくはその薬学的に受容可能な塩を含む前記組成物は、経口投与されることを特徴とする、請求項１または２に記載の組み合わせ物。
【請求項４】
前記化合物もしくはその薬学的に受容可能な塩を含む前記組成物は、静脈内投与されることを特徴とする、請求項１または２に記載の組み合わせ物。
【請求項５】
前記化合物もしくはその薬学的に受容可能な塩および前記１種以上の他の治療剤の治療効果は、一緒になって相乗的である、請求項１に記載の組み合わせ物。
【請求項６】
前記１種以上の他の治療剤は、ボルテゾミブおよびオキサリプラチンから選択される、請求項１に記載の組み合わせ物。
【請求項７】
前記１種以上の他の治療剤は、デキサメタゾンおよびイリノテカンから選択される、請求項１に記載の組み合わせ物。
【請求項８】
前記癌は、脳、肺、肝臓、脾臓、腎臓、リンパ節、小腸、膵臓、血球、骨、結腸、胃、乳房、子宮内膜、前立腺、精巣、卵巣、中枢神経系、皮膚、頭頸部、食道、および骨髄の癌から選択される、請求項１に記載の組み合わせ物。
【請求項９】
前記癌は、血液学的な癌である、請求項１に記載の組み合わせ物。
【請求項１０】
前記癌は、白血病、リンパ腫、多発性骨髄腫、骨髄形成異常、骨髄増殖性疾患、難治性白血病および前骨髄球性白血病から選択される、請求項１に記載の組み合わせ物。
【請求項１１】
前記化合物もしくはその薬学的に受容可能な塩を含む前記組成物および前記１種以上の他の治療剤を含む前記組成物は、同時に投与される、請求項１に記載の組み合わせ物。
【請求項１２】
前記１種以上の他の治療剤を含む前記組成物は、前記化合物もしくはその薬学的に受容可能な塩を含む前記組成物の投与前もしくは投与後に、５分以内から４８時間以内に投与される、請求項１に記載の組み合わせ物。
【請求項１３】
前記１種以上の他の治療剤を含む前記組成物は、前記化合物もしくはその薬学的に受容可能な塩を含む前記組成物の投与前もしくは投与後に、５分以内から１時間以内に投与される、請求項１２に記載の組み合わせ物。
【請求項１４】
式（Ｉ）の構造：
【化３】
2013227347.tif 000002
を有する化合物もしくはその薬学的に受容可能な塩、ならびに
ボルテゾミブ、メルファラン、デキサメタゾン、イリノテカン、オキサリプラチンおよびドキソルビシンから選択される別の治療剤を含む、癌を処置するためのキット。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月30日(2014.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の（i）〜（ｖ）の要件を満たす共重合体（Ａ）と、
溶媒と、を含む、組成物。
（i）４−メチル−１−ペンテンおよび／または３−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位を８０〜９９モル％含み、エチレン及び炭素原子数３〜４のαーオレフィンからなる群から選ばれる少なくとも１種類のオレフィンに由来する構成単位を１〜２０モル％含む共重合体である
（ii）１３５℃デカリン中で測定した極限粘度［η］が０．５〜５．０（ｄｌ／ｇ）である
（iii）ＤＳＣで測定した融点（Ｔｍ）が１６０℃〜２４０℃の範囲にある
（iv）密度が８２０〜８５０（ｋｇ／ｍ３）である
（v）ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定する重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比である分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．０〜３．５である
【請求項２】
前記共重合体（Ａ）が、４−メチル−１−ペンテンおよび／または３−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位を８０〜９９モル％含み、プロピレンに由来する構成単位を１〜２０モル％含む共重合体である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
共重合体（Ａ）を、組成物１００重量％に対して０．１〜２５重量％含む、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
前記溶媒が２５℃における比誘電率が５以下の溶媒である、請求項1〜３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
前記溶媒が、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、トルエン及びキシレンからなる群より選択される少なくとも１種の溶媒である請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物を含む、コーティング剤。
【請求項７】
下記の（i）〜（ｖ）の要件を満たす共重合体（Ａ）と、
溶媒と、を含む、フィルムであって、前記フィルム１００重量％に対して前記溶媒を０．００１〜０．５重量％含むフィルム。
（i）４−メチル−１−ペンテンおよび／または３−メチル−１−ペンテンに由来する構成単位を８０〜９９モル％含み、エチレン及び炭素原子数３〜４のαーオレフィンからなる群から選ばれる少なくとも１種類のオレフィンに由来する構成単位を１〜２０モル％含む共重合体である
（ii）１３５℃デカリン中で測定した極限粘度［η］が０．５〜５．０（ｄｌ／ｇ）である
（iii）ＤＳＣで測定した融点（Ｔｍ）が１６０℃〜２４０℃の範囲にある
（iv）密度が８２０〜８５０（ｋｇ／ｍ３）である
（v）ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定する重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比である分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０〜３．５である
【請求項８】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物または請求項６に記載のコーティング剤を塗布する第一の工程と、前記組成物中の溶媒を除去する第二の工程と、を含む、フィルムの製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載のフィルムを備えた、キャパシタ。 
【請求項１０】
請求項７に記載のフィルムを最表面の少なくとも一部に備えた離型フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月7日(2014.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
キー挿入孔（１４）を中心部に有する横断面円形のロータ（１３）が固定のシリンダボディ（１２）に回動可能に嵌合され、前記ロータ（１３）の一直径線（Ｌ）の両側もしくは片側に配置されて前記ロータ（１３）の外面に両端を開口するタンブラー挿入孔（１８，１９，２０，２１，２２，２３，２４，２５，２６）が、前記ロータ（１３）の軸線に直交する平面内で前記キー挿入孔（１４）の一部と交差しつつ前記ロータ（１３）の軸線方向に間隔をあけた複数箇所に設けられ、前記一直径線（Ｌ）に沿う両端部の一方に係合部（４７）を有する複数のハーフタンブラー（２９，３０，３１，３２，３３，３４，３５，３６，３７）が、前記係合部（４７）を前記ロータ（１３）の外面から突出させる係合位置ならびに前記キー挿入孔（１４）への正規のメカニカルキー（１５）の挿入に応じて前記係合部（４７）を前記タンブラー挿入孔（１８〜２６）内に退避させる係合解除位置間で移動することを可能として前記タンブラー挿入孔（１８〜２６）にそれぞれ挿入され、前記ハーフタンブラー（２９〜３７）および前記ロータ（１３）間に、前記ハーフタンブラー（２９〜３７）を前記係合位置側に付勢するばね（３８，３９，４０，４１，４２，４３，４４，４５，４６）がそれぞれ設けられ、前記シリンダボディ（１２）の上部側壁および下部側壁の内面に、前記係合位置にある前記ハーフタンブラー（２９〜３７）の前記係合部（４７）を挿入、係合せしめるようにしつつ前記ロータ（１３）の軸線方向に沿って延びる係止凹部（４９，５０，５１，５２）が設けられるシリンダ錠において、前記タンブラー挿入孔（１８〜２６）の前記ハーフタンブラー（２９〜３７）に両側から対向する内側面（５４，６４）が、前記ハーフタンブラー（２９〜３７）に近接、対向して該ハーフタンブラー（２９〜３７）の移動方向に延びるガイド部（５５，６５）と、前記キー挿入孔（１４）の側縁部を横切って前記ハーフタンブラー（２９〜３７）の移動方向に延びるとともに前記ロータ（１３）の外面に両端を開口する逃げ通路（５９，７０）を前記ハーフタンブラー（２９〜３７）との間に形成するようにして前記ハーフタンブラー（２９〜３７）との間のクリアランスを前記ガイド部（５５，６５）よりも大きくした通路形成部（５７，６８）とを少なくとも有するように形成されることを特徴とするシリンダ錠。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
一方、前記シリンダボディ１２の上部側壁および下部側壁の内面には、ロータ１３の回動位置が中立位置にある状態で前記各タンブラー挿入孔１８；１９，２０；２１，２２；２３，２４；２５，２６の両端に対応する一対ずつ２組の係止凹部４９，５０；５１，５２が、対をなす両係止凹部４９，５０；５１，５２の一方に前記ハーフタンブラー２９；３０，３１；３２，３３；３４，３５；３６，３７の係合部４７…を挿入、係合せしめることを可能として設けられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図４および図５を併せて参照して、第３係合位置Ｐ３における一対のタンブラー挿入孔２１，２２の一方２１のハーフタンブラー３２に両側から対向する内側面５４，５４は、前記ハーフタンブラー３２に近接、対向して該ハーフタンブラー３２の移動方向に延びる第１のガイド部５５，５５と、前記キー挿入孔１４の側縁部を横切って前記ハーフタンブラー３２の移動方向に延びるとともに前記ロータ１３の外面に両端を開口する第１の逃げ通路５９，５９を前記ハーフタンブラー３２との間に形成するようにして前記ハーフタンブラー３２との間のクリアランスを第１のガイド部５５…よりも大きくした第１の通路形成部５７，５７とを少なくとも有するように形成されており、この実施の形態では、前記タンブラー挿入孔２１の前記内側面５４…が、第１のガイド部５５…と、前記ハーフタンブラー３２に近接、対向して該ハーフタンブラー３２の移動方向に延びる第２のガイド部５６，５６とを、前記ハーフタンブラー３２の移動方向と直交する方向に間隔をあけて有するように形成され、第１および第２のガイド部５５…，５６…相互間において前記内側面５４…は、第１の逃げ通路５９…と同様に前記ハーフタンブラー３２の移動方向に延びるとともに前記ロータ１３の外面に両端を開口する第２の逃げ通路６０，６０を前記ハーフタンブラー３２との間に形成するようにして前記ハーフタンブラー３２との間のクリアランスを第１および第２のガイド部５５…，５６…よりも大きくした第２の通路形成部５８，５８を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また第３のガイド部６７…は、前記タンブラー挿入孔２１の外側面に連なる位置に配置されており、前記タンブラー挿入孔２１の前記内側面６４…は、前記ハーフタンブラー３２との間のクリアランスを第１〜第３のガイド部６５…，６６…，６７…よりも大きくした第２の通路形成部６９，６９を第１および第３のガイド部６５…，６７…間に有するように形成され、前記ハーフタンブラー３２の移動方向に延びるとともにロータ１３の外面に一端を開口する第２の逃げ通路７１…が、第１および第３のガイド部６５…，６７…間で前記タンブラー挿入孔２１の前記内側面６４…およびハーフタンブラー３２間に形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月20日(2013.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部室；
該内部室の上部に連結している気体排出部；
上記内部室の低部に連結している液体排出部；
上記内部室の入口部に取り付けられ、のど部を有する流路を含む入口ノズル；および
上記流路内の可動バルブプレートを含み、このバルブプレートは、上記流路内ののど部の第１のど部領域を規定する第１位置およびこの第１のど部領域よりも小さい横断面積を有する第２のど部領域を規定する第２位置を含むものであることを特徴とするフラッシュタンク。
【請求項２】
バルブプレートが、端部に結合した平面状表面を有する方形プレートである請求項１のフラッシュタンク。
【請求項３】
流路の側壁に取り付けられたヒンジをさらに含み、該ヒンジがバルブプレートの上流端に取り付けられ、バルブプレートのためのピボット軸を生じる請求項１のフラッシュタンク。
【請求項４】
バルブプレートに連結したアクチュエーターをさらに含み、アクチュエーターはバルブプレートを多くの位置の間で移動させる請求項１のフラッシュタンク。
【請求項５】
流路が方形断面を有する請求項１のフラッシュタンク。
【請求項６】
バルブプレートを移動させるためにバルブプレートに連結した延伸し得るシャフトを有するアクチュエーターを含む請求項５のフラッシュタンク。
【請求項７】
加圧された液体をフラッシュタンクの入口ノズルに供給し；
上記液体が入口ノズルからフラッシュタンクの内部室に流入するときに、上記加圧された液体をフラッシュさせ；
フラッシュにより形成された気体排出物を上記内部室の上部から排出させ；
フラッシュにより形成された液体を上記内部室の下部から排出させ；および
入口ノズルにおける流路の横断面積のど部領域を上記流路におけるバルブプレートを移動させることにより調節することを含むことを特徴とする加圧された液体をフラッシュさせるための方法。
【請求項８】
加圧された液体の供給工程が、バルブプレートが流路中の第１のど部領域を規定する第１位置にあるときに、加圧された液体が流路を流れる第１供給工程と、バルブプレートが第１のど部領域よりも小さい横断面積を有する第２のど部領域を規定する第２位置にあるときに、加圧された液体が流路を流れる第２供給工程を含んでいる請求項７の方法。
【請求項９】
請求項７の方法であって、加圧された液体の供給工程が、バルブプレートが流路中の第１のど部領域を少なくとも規定する第１位置にあるときに、加圧された液体が流路を流れる第１供給工程と、バルブプレートが第１のど部領域よりも小さい横断面積をそれぞれ有する複数ののど部を規定する複数の位置にあるときに、加圧された液体が流路を流れる第２供給工程を含んでいる請求項７の方法。
【請求項１０】
形成された気体排出物がスチームである請求項７の方法。
【請求項１１】
形成された液体が凝縮物である請求項７の方法。
【請求項１２】
フラッシュタンクの入口ノズルに供給される加圧された液体が黒液である請求項７の方法。
【請求項１３】
入口ノズルにおける流路の横断面積のど部領域の調節が、フラッシュタンクに入る加圧された液体の流量および／または流速の調節を可能にする請求項７の方法。
【請求項１４】
入口ノズルにおける流路の横断面積のど部領域の調節が、フラッシュタンクにおける圧力損失のコントロールを可能にする請求項７の方法。
【請求項１５】
入口ノズルにおける流路の横断面積のど部領域の調節が、フラッシュタンクへの入口ノズルの上流にある導管内における十分な圧力を保証する請求項７の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月18日(2014.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この場合には、溶融状態のすべり止め部材ならびに溶融状態の熱接着性樹脂を浸透させる添片が必要であり、その分だけすべり止め部材が分厚くなるのみならず、コストも高くなるという欠点を有している。
そこで、このような添片を用いることなく、シリコーン樹脂からなるすべり止め部材に直接熱接着性樹脂フィルムを貼着したものとすることができれば、上記欠点を容易に解消することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
「剥離強さ」試験は、同じ大きさ（１８ｍｍ×４５ｍｍ）の「本発明による試料」と「従来品の試料」とを用意し、強度試験方法：ＪＩＳ  Ｌ  １０８６（２００８年）に準じて行った。ＪＩＳ規格に準ずるこの強度試験方法は、各試料の一部であるすべり止め部材をあらかじめ端から５ｍｍだけ生地から剥がしておき、はがされた各部分（掴み間５ｍｍ×全巾）を「定速伸張型引っ張り試験機」で摘んで、均一の引張速度１０ｃｍ／ｍｉｎを掛けて剥がして行く操作を５回行い、そのデータを集計する（平均値を得る）試験方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
前記腰裏Ｂは、例えば、図４に示すように、ズボン又はスカートの腰の裏側に取り付けられる。図４では、ズボン又はスカートの腰の表地７の裏側であって腰の裏側に相当する部分に縫着８により腰裏Ｂが取り付けられている。なお、図４において、符号９は芯地、符号１０はバイアスその他の生地である。
前記すべり止め部材Ａを、ズボン又はスカートの腰の裏側に取り付ける帯体５に装着することにより、１つの腰裏Ｂを作製することができ、図４に示すように、この腰裏Ｂをズボン又はスカートの腰の裏側に取り付けた場合には、極めて良好なすべり止め効果が得られる。また、図５に示すように、ズボン又はスカートの腰の表地７の裏側であって腰の裏側に相当する部分に直接取り付けることもでき、この場合にも極めて良好なすべり止め効果が得られる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年10月23日(2014.10.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターボ機械用の機械部品の加工に特に適しているニッケル基超合金であって、構成元素として、
４質量％から６質量％までの範囲のクロム、
３質量％から１５質量％までの範囲のタングステン、
４．５質量％から５．５質量％までの範囲のタンタル、
５質量％から７質量％までの範囲のアルミニウム、
０．１質量％未満の炭素、
０体積％から１５体積％までの酸化イットリウム、
０質量％から１０質量％までの範囲のレニウム、
０質量％から２質量％までの範囲のハフニウム、
０質量％から２質量％までの範囲のジルコニウム、
０質量％から２質量％までの範囲のホウ素、および
残りの割合のニッケルと不純物と、
を含む、ニッケル基超合金。
【請求項２】
前記タングステンの量は、前記レニウムの量と逆比例し、４質量％から６質量％までの範囲、または９質量％から１１質量％までの範囲内の量である、請求項１に記載の超合金。
【請求項３】
ニッケル基超合金を形成するための方法であって、構成元素として、
４質量％から６質量％までの範囲のクロム、
３質量％から１５質量％までの範囲のタングステン、
４．５質量％から５．５質量％までの範囲のタンタル、
５質量％から７質量％までの範囲のアルミニウム、
０．１質量％未満の炭素、
０体積％から１５体積％までの酸化イットリウム、
０質量％から１０質量％までの範囲のレニウム、
０質量％から２質量％までの範囲のハフニウム、
０質量％から２質量％までの範囲のジルコニウム、
０質量％から２質量％までの範囲のホウ素、および
残りの割合のニッケルと不純物と、
を混合および溶融する工程を含む、方法。
【請求項４】
前記タングステンの量は、前記レニウムの量と逆比例し、４質量％から６質量％までの範囲、または９質量％から１１質量％までの範囲内の量である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
請求項１または２に記載のニッケル基超合金で製作される、および／または請求項３または４に記載の方法で製作されるターボ機械の機械部品。
【請求項６】
請求項５に記載の少なくとも１つの機械部品を備える、ターボ機械。
【請求項７】
ガスタービンのパフォーマンスを改善するための方法であって、高温に関して重要であるステータ部品のうちの１つまたは複数の部品を請求項１または２に記載のニッケル基超合金のインサートで置き換える工程を含む、方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
詳細には、この超合金は、「焼結」プロセスを用いて粉末を圧密化するために、高温圧縮により形成されうるが、このプロセスは、主に、
−上述の超合金を、任意的にレニウムとともに、固体粒子または粉末の形態で用意すること、
−任意的に、上述の粉末とイットリウム粉末とを混合すること、
−作製される物体の形状または適当なオーバーサイズの類似の形状を再現する高圧の軟鋳型に粉末を注ぎ込むこと、
−圧力下において、材料の溶融点より約０．７〜０．９倍低い温度でそのような鋳型を加熱し、焼結して、粒子を圧密化し、またそれと同時に、新しい結晶化を誘導すること、
−鋳型を冷却して、開き、仕上がった部品を取り出すことを含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
本発明の第１の応用例として形成された第１の超合金は、Ｎｉ２９と呼ばれるもので、構成元素として、少なくとも、（重量パーセントで）５％のクロム（Ｃｒ）、１０％のタングステン（Ｗ）、５％のタンタル（Ｔａ）、０％のレニウム、６％のアルミニウム（Ａｌ）、０．０５％の炭素、および任意的に、０．５％から２％までの範囲の酸化イットリウム（ＩＩＩ）（Ｙ2Ｏ3）（この最後のは体積パーセント）を含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
本発明の第２の応用例として形成された第２の超合金は、Ｎｉ３２と呼ばれるもので、構成元素として、少なくとも、（重量パーセントで）５％のクロム（Ｃｒ）、５％のタングステン（Ｗ）、５％のタンタル（Ｔａ）、５％のレニウム、６％のアルミニウム（Ａｌ）、０．０５％の炭素、および任意的に、０．５％から２％までの範囲の酸化イットリウム（ＩＩＩ）（Ｙ2Ｏ3）（この最後のは体積パーセント）を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月12日(2014.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複数本の同軸ケーブルが束ねられて外被で覆われた多心ケーブルであって、
前記同軸ケーブルは、中心導体と、前記中心導体の周囲にフッ素樹脂が押出し被覆された絶縁体と、前記絶縁体の周囲に設けられた金属線からなる外部導体と、前記外部導体の周囲の被覆層と、を有し、
前記絶縁体は、断面円形または楕円形状に形成されて長手方向に連続する複数の空隙部を有し、複数の前記空隙部が前記絶縁体の周方向に均等に配置され、
前記空隙部は６〜９個設けられ、前記同軸ケーブルの長さ方向に垂直な断面において、全ての空隙部の面積と絶縁体の面積の和に対する空隙部の割合を空隙率とするときに、全部の空隙部を合わせた空隙率が４３％以上であり、
前記多心ケーブルの端部では、複数本の同軸ケーブルが前記外被から露出された状態で複数の群に分けられて、各群ごとに並列され、
前記各群ごとに前記外部導体にグランドバーが半田付けされ、前記中心導体がそれぞれ接続部材の端子に半田付けされ、前記各群ごとに前記接続部材に接続されている多心ケーブル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決することのできる本発明の多心ケーブルは、複数本の同軸ケーブルが束ねられて外被で覆われた多心ケーブルであって、
前記同軸ケーブルは、中心導体と、前記中心導体の周囲にフッ素樹脂が押出し被覆された絶縁体と、前記絶縁体の周囲に設けられた金属線からなる外部導体と、前記外部導体の周囲の被覆層と、を有し、
前記絶縁体は、断面円形または楕円形状に形成されて長手方向に連続する複数の空隙部を有し、複数の前記空隙部が前記絶縁体の周方向に均等に配置され、
前記空隙部は６〜９個設けられ、前記同軸ケーブルの長さ方向に垂直な断面において、全ての空隙部の面積と絶縁体の面積の和に対する空隙部の割合を空隙率とするときに、全部の空隙部を合わせた空隙率が４３％以上であり、
前記多心ケーブルの端部では、複数本の同軸ケーブルが前記外被から露出された状態で複数の群に分けられて、各群ごとに並列され、
前記各群ごとに前記外部導体にグランドバーが半田付けされ、前記中心導体がそれぞれ接続部材の端子に半田付けされ、前記各群ごとに前記接続部材に接続されているものである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月5日(2014.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光パネルと、
前記発光パネルに電力を供給する定電流電源と、
前記発光パネルを同じ周期で点滅するように前記定電流電源を制御する手段と、を有し、
１００Ｈｚ以上５００ｋＨｚ以下の周期で、それぞれの前記発光パネルに定電流が供給される発光装置であって、
前記発光パネルは、第１の電極と、第２の電極の間に有機化合物を含む層を有する発光素子を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
複数の発光パネルを有する第１及び第２の発光モジュールと、
前記発光パネルに電力を供給する定電流電源と、
前記発光パネルを同じ周期で点滅するように前記定電流電源を制御する手段と、を有する発光装置であって、
前記第１の発光モジュールの一の発光パネルと前記第２の発光モジュールの一の発光パネルは、直列に接続され、
前記第１の発光モジュールの他の一の発光パネルと前記第２の発光モジュールの他の一の発光パネルは、直列に接続され、
１００Ｈｚ以上５００ｋＨｚ以下の周期で、前記第１の発光モジュールの一の発光パネル及び前記第２の発光モジュールの一の発光パネルと前記第１の発光モジュールの他の一の発光パネル及び前記第２の発光モジュールの他の一の発光パネルとに定電流が供給され、
前記発光パネルは、第１の電極と、第２の電極の間に有機化合物を含む層を有する発光素子を備えることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月10日(2014.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、
陰極と、
前記陽極と前記陰極の間にｎ（ｎは２以上の自然数）層のＥＬ層と、
を有し、
前記ｎ層のＥＬ層のうち前記陽極からｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目のＥＬ層とｍ＋１番目のＥＬ層の間に、第１の層、第２の層及び第３の層を有し、
前記第１の層は、前記ｍ＋１番目のＥＬ層と前記第２の層との間に設けられ、前記ｍ＋１番目のＥＬ層及び前記第２の層と接し、
前記第１の層は、電荷発生領域としての機能を有し、
前記第１の層は、正孔輸送性を有し、
前記第１の層は、アクセプター性物質を含み、
前記第２の層は、前記第１の層と前記第３の層との間に設けられ、前記第１の層及び前記第３の層と接し、
前記第２の層は、フタロシアニン系材料を有し、
前記第３の層は、前記第２の層と前記ｍ番目のＥＬ層との間に設けられ、前記第２の層及び前記ｍ番目のＥＬ層と接し、
前記第３の層は、電子輸送性を有し、
前記第３の層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物または希土類金属の化合物を含み、
前記フタロシアニン系材料は下記構造式のいずれかであることを特徴とする発光素子。
【化１】
2011228278.tif 000001
【請求項２】
陽極と、
陰極と、
前記陽極と前記陰極の間にｎ（ｎは２以上の自然数）層のＥＬ層と、
を有し、
前記ｎ層のＥＬ層のうち前記陽極からｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目のＥＬ層とｍ＋１番目のＥＬ層の間に、第１の層、第２の層及び第３の層を有し、
前記第１の層は、前記ｍ＋１番目のＥＬ層と前記第２の層との間に設けられ、前記ｍ＋１番目のＥＬ層及び前記第２の層と接し、
前記第１の層は、電荷発生領域としての機能を有し、
前記第１の層は、正孔輸送性を有し、
前記第１の層は、アクセプター性物質を含み、
前記第２の層は、前記第１の層と前記第３の層との間に設けられ、前記第１の層及び前記第３の層と接し、
前記第２の層は、フェノキシ基を有するフタロシアニン系材料を有し、
前記第３の層は、前記第２の層と前記ｍ番目のＥＬ層との間に設けられ、前記第２の層及び前記ｍ番目のＥＬ層と接し、
前記第３の層は、電子輸送性を有し、
前記第３の層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物または希土類金属の化合物を含み、
前記フェノキシ基を有するフタロシアニン系材料は下記構造式であることを特徴とする発光素子。
【化２】
2011228278.tif 000002
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第３の層は、電子輸送性物質を含み、
前記第３の層は、前記電子輸送性物質に対して、質量比で０．００１以上０．１以下の比率で、前記アルカリ金属、前記アルカリ土類金属、前記希土類金属、前記アルカリ金属化合物、前記アルカリ土類金属化合物または前記希土類金属の化合物を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記第３の層は、電子輸送性物質を含み、
前記第３の層は、前記電子輸送性物質を含む層と、前記アルカリ金属、前記アルカリ土類金属、前記希土類金属、前記アルカリ金属化合物、前記アルカリ土類金属化合物または前記希土類金属の化合物を含む層とが積層した構造を有することを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記アクセプター性物質は、遷移金属酸化物または元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記アクセプター性物質は、酸化モリブデンであることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の層は、正孔輸送性物質を含み、
前記第１の層は、前記正孔輸送性物質を含む層と、前記アクセプター性物質を含む層とが積層した構造を有することを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第２の層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物または希土類金属の化合物を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項８において、
前記第２の層は、前記フタロシアニン系材料に対して、質量比で０．００１以上０．１以下の比率で、前記アルカリ金属、前記アルカリ土類金属、前記希土類金属、前記アルカリ金属化合物、前記アルカリ土類金属化合物または前記希土類金属の化合物を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一に記載の発光素子を用いることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発光装置を用いることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項１０に記載の発光装置を用いることを特徴とする照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月9日(2014.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マクロピンハイブリッド相互接続アレイ（１０）を形成する方法であって、
ただ１つのほぼ平坦な単体のはんだ付け可能なバンプ下地金属（ＵＢＭ）層（１６）を備える結晶アノードアレイ（１８）と、セラミック基板（１４）とを用意し、
前記アレイ（１８）及び前記基板（１４）が共に接合される各領域内で局所歪みを減少させるコンプライアントマイクロピンハイブリッド相互接続（１２）構成を介して前記アレイ（１８）及び前記基板（１４）を共に接合し、熱暴走中の力学的歪みが、結晶アノードアレイを相互接続に接合しマクロピンハイブリッド相互接続アレイを形成するためのはんだボンディングを用いて生じる歪みより低くとどまるようになっている
ことを含んでなる方法。
【請求項２】
結晶アノードアレイ（１８）及びセラミック基板（１４）を備えるマクロピンハイブリッド相互接続アレイ（１０）であって、前記アレイ（１８）及び前記基板（１４）が、１を超える大きい高さ対幅のアスペクト比を有する相互接続（１２）幾何形状を介して共に接合され、前記相互接続（１２）を前記結晶アノードアレイ（１８）に固定する前記継手は、無はんだである、マクロピンハイブリッド相互接続アレイ（１０）。
【請求項３】
前記相互接続（１２）が、銅ピラー、金スタッドバンプ、金めっきピラー、及びそれらの組み合わせのうち１つ以上を含む、請求項２記載のマクロピンハイブリッド相互接続アレイ（１０）。
【請求項４】
前記相互接続（１２）を前記結晶アノードアレイ（１８）に固定する前記継手が、ただ１つのほぼ平坦な単体のはんだ付け可能なバンプ下地金属構造（１６）を備える、請求項２記載のマクロピンハイブリッド相互接続アレイ（１０）。
【請求項５】
前記相互接続（１２）を前記基板（１４）に固定する前記継手が、はんだ継手、圧着継手、接着剤エポキシ樹脂継手、及びそれらの組み合わせのうち１つ以上を含む、請求項２記載のマクロピンハイブリッド相互接続アレイ（１０）。
【請求項６】
結晶アノードアレイ（１８）及びセラミック基板（１４）を備えるマクロピンハイブリッド相互接続アレイ（１０）であって、前記アレイ（１８）及び前記基板（１４）が、コンプライアントマイクロピンハイブリッド相互接続（１２）構成を介して共に接合され、熱暴走中の前記アレイ（１８）と前記相互接続（１２）の間の力学的歪みが、結晶アノードアレイを相互接続に接合しマクロピンハイブリッド相互接続アレイを形成するためのはんだボンディングを用いて生じる歪みより低くとどまるようになっている、マクロピンハイブリッド相互接続アレイ（１０）。
【請求項７】
前記相互接続（１２）が、銅ピラー、金スタッドバンプ、金めっきピラー、及びそれらの組み合わせのうち１つ以上を含む、請求項６記載のマクロピンハイブリッド相互接続アレイ（１０）。
【請求項８】
前記相互接続（１２）を前記結晶アノードアレイ（１８）に固定する前記継手が、ただ１つのほぼ平坦な単体のはんだ付け可能なバンプ下地金属構造（１６）を備える、請求項６記載のマクロピンハイブリッド相互接続アレイ（１０）。
【請求項９】
前記相互接続（１２）を前記基板（１４）に固定する前記継手が、はんだ継手、圧着継手、接着剤エポキシ樹脂継手、及びそれらの組み合わせのうち１つ以上を含む、請求項６記載のマクロピンハイブリッド相互接続アレイ（１０）。
【請求項１０】
前記相互接続（１２）が、１を超える大きい高さ対幅のアスペクト比を有する、請求項６記載のマクロピンハイブリッド相互接続アレイ（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月28日(2014.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上方のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上方の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上方のソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上方の、金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上方の絶縁膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記金属酸化物膜は、酸化ガリウムを有し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上方のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上方の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上方のソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上方の、金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上方の絶縁膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜と同種の成分を有し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上方のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上方の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上方のソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上方の、金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上方の絶縁膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を有し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記金属酸化物膜のエネルギーギャップは、前記酸化物半導体膜のエネルギーギャップよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記金属酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギーは、前記酸化物半導体膜の伝導帯の下端のエネルギーよりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜のエネルギーギャップは、前記酸化物半導体膜のエネルギーギャップよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜の伝導帯の下端のエネルギーは、前記酸化物半導体膜の伝導帯の下端のエネルギーよりも高いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月28日(2014.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上方の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上方の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上方のソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上方の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上方のゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記金属酸化物膜は、酸化ガリウムを有し、
前記第２の絶縁膜は、ゲート絶縁膜としての機能を有し、
前記ゲート電極は、前記第２の絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上方の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上方の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上方のソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上方の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上方のゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜と同種の成分を有し、
前記第２の絶縁膜は、ゲート絶縁膜としての機能を有し、
前記ゲート電極は、前記第２の絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上方の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上方の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上方のソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上方の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上方のゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を有し、
前記第２の絶縁膜は、ゲート絶縁膜としての機能を有し、
前記ゲート電極は、前記第２の絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上方の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上方の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上方のソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上方の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上方のゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記金属酸化物膜のチャネル長方向の側端部と接する領域を有し、
前記金属酸化物膜は、酸化ガリウムを有し、
前記第２の絶縁膜は、ゲート絶縁膜としての機能を有し、
前記ゲート電極は、前記第２の絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上方の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上方の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上方のソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上方の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上方のゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記金属酸化物膜のチャネル長方向の側端部と接する領域を有し、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜と同種の成分を有し、
前記第２の絶縁膜は、ゲート絶縁膜としての機能を有し、
前記ゲート電極は、前記第２の絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上方の金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上方の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上方のソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上方の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上方のゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記金属酸化物膜のチャネル長方向の側端部と接する領域を有し、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を有し、
前記第２の絶縁膜は、ゲート絶縁膜としての機能を有し、
前記ゲート電極は、前記第２の絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜のチャネル長方向の側端部は、前記金属酸化物膜のチャネル長方向の側端部と一致していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記金属酸化物膜のエネルギーギャップは、前記酸化物半導体膜のエネルギーギャップよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記金属酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギーは、前記酸化物半導体膜の伝導帯の下端のエネルギーよりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜のエネルギーギャップは、前記酸化物半導体膜のエネルギーギャップよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜の伝導帯の下端のエネルギーは、前記酸化物半導体膜の伝導帯の下端のエネルギーよりも高いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月29日(2014.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板の一つの面上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を介して前記単結晶半導体基板の一つの面から第１の照射角度で第１の水素イオン照射工程を行い、
前記絶縁層を介して前記第１の水素イオン照射工程を行った前記単結晶半導体基板の一つの面から前記第１の照射角度と異なる第２の照射角度で第２の水素イオン照射工程を行うことで、前記単結晶半導体基板の一つの面から一定の深さに脆化領域を形成し、
前記単結晶半導体基板と支持基板とを前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で前記脆化領域に亀裂を生じさせ、該亀裂を境に前記単結晶半導体基板を前記脆化領域で分離する熱処理を行い、前記単結晶半導体基板より単結晶半導体層を前記支持基板上に形成し、
前記第１の照射角度は前記単結晶半導体基板に対して２５°以上８５°以下であり、かつ前記第２の照射角度は前記単結晶半導体基板に対して９５°以上１５５°以下であることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板の一つの面上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を介して前記単結晶半導体基板の一つの面から第１の照射角度で第１の水素イオン照射工程を行い、
前記絶縁層を介して前記第１の水素イオン照射工程を行った前記単結晶半導体基板の一つの面に対し異物除去工程を行い、
異物除去工程を行った前記単結晶半導体基板の一つの面から前記第１の照射角度と異なる第２の照射角度で第２の水素イオン照射工程を行い、
前記単結晶半導体基板の一つの面から一定の深さに脆化領域を形成し、
前記単結晶半導体基板と支持基板とを前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で前記脆化領域に亀裂を生じさせ、該亀裂を境に前記単結晶半導体基板を前記脆化領域で分離する熱処理を行い、前記単結晶半導体基板より単結晶半導体層を前記支持基板上に形成し、
前記第１の照射角度は前記単結晶半導体基板に対して２５°以上８５°以下であり、かつ前記第２の照射角度は前記単結晶半導体基板に対して９５°以上１５５°以下であることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記異物除去工程として洗浄工程を行うことを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体基板の作製方法において形成する前記単結晶半導体層を用いて半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月12日(2014.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、金属酸化物膜と、絶縁膜と、ゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜の上方に設けられ、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記金属酸化物膜は、酸化ガリウムを有し、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の上方と、前記ソース電極の上方と、前記ドレイン電極の上方と、に設けられ、
前記絶縁膜は、ゲート絶縁膜となる機能を有し、
前記絶縁膜は、前記金属酸化物膜の上方に設けられ、
前記ゲート電極は、前記絶縁膜の上方に設けられ、
前記ゲート電極と、前記チャネル形成領域とは、前記絶縁膜を介して重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、金属酸化物膜と、絶縁膜と、ゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜の上方に設けられ、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜と同種の成分を有し、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の上方と、前記ソース電極の上方と、前記ドレイン電極の上方と、に設けられ、
前記絶縁膜は、ゲート絶縁膜となる機能を有し、
前記絶縁膜は、前記金属酸化物膜の上方に設けられ、
前記ゲート電極は、前記絶縁膜の上方に設けられ、
前記ゲート電極と、前記チャネル形成領域とは、前記絶縁膜を介して重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
酸化物半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、金属酸化物膜と、絶縁膜と、ゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜の上方に設けられ、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と電気的に接続され、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一又は複数の金属元素を有し、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の上方と、前記ソース電極の上方と、前記ドレイン電極の上方と、に設けられ、
前記絶縁膜は、ゲート絶縁膜となる機能を有し、
前記絶縁膜は、前記金属酸化物膜の上方に設けられ、
前記ゲート電極は、前記絶縁膜の上方に設けられ、
前記ゲート電極と、前記チャネル形成領域とは、前記絶縁膜を介して重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記金属酸化物膜のエネルギーギャップは、前記酸化物半導体膜のエネルギーギャップより大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記金属酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギーは、前記酸化物半導体膜の伝導帯の下端のエネルギーより高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記絶縁膜の伝導帯の下端のエネルギーは、前記金属酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギーより高いことを特徴とする半導体装置。