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【手続補正書】
【提出日】平成26年3月7日(2014.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カロテノイド粒子を含む油性カロテノイド懸濁液であって、ここで、該カロテノイドはアスタキサンチンを含み、そして、該アスタキサンチンは６０重量％〜９８重量％のトランス−アスタキサンチンを含み、ここで、該カロテノイド粒子の平均サイズは１μｍ〜５μｍである、油性カロテノイド懸濁液。
【請求項２】
前記アスタキサンチンは８０重量％〜９６重量％のトランス−アスタキサンチンを含む、請求項１に記載の油性カロテノイド懸濁液。
【請求項３】
０．１重量％〜４０重量％の懸濁されたアスタキサンチンを含む、請求項１〜２のいずれか一項に記載の油性カロテノイド懸濁液。
【請求項４】
前記油の沸点が５０℃〜３００℃である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の油性カロテノイド懸濁液。
【請求項５】
前記油が食用油または脂肪である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の油性カロテノイド懸濁液。
【請求項６】
前記油が植物油、魚油、または、これらの混合物である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の油性カロテノイド懸濁液。
【請求項７】
前記油が、ダイズ油、亜麻仁油、綿実油、ゴマ油、ヤシ油、ラッカセイ油、クヘントウ油、トウモロコシ油、カノーラ油、オリーブ油、ヒマワリ油、サフラワー油、植物性ダイズ油、杏仁油、アボカド油、ホホバ油、オレンジ油、レモン油、パーム核油、カボチャ種子油、ヒマシ油、焙煎ゴマ油、亜麻油、ＧＬＡ油、ブドウ種子油、ヘイゼルナッツ油、ククイナッツ油、マカダミアナッツ油、ママク油、ペカン油、えの油、ピスタチオ油、米糠油、チャノキ油、クルミ油、および、小麦胚種油からなる群から選択される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の油性カロテノイド懸濁液。
【請求項８】
前記油が、ダイズ油である、請求項７に記載の油性カロテノイド懸濁液。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項の懸濁液を加熱（特に、フラッシュ加熱）することによって得られた油性カロテノイド溶液であって、ここで、該油性カロテノイド溶液の油は、５０ｐｐｍ〜２０，０００ｐｐｍのアスタキサンチンを含み、そして、該溶液中でのトランス−アスタキサンチン異性体からシス−アスタキサンチン異性体への転換は、好ましくは５０％未満である、油性カロテノイド溶液。
【請求項１０】
５０ｐｐｍ〜２０，０００ｐｐｍのカロテノイドを含む油性カロテノイド溶液であって、ここで、該カロテノイドがアスタキサンチンであり、そして、該溶液中でのトランス−アスタキサンチン異性体からシス−アスタキサンチン異性体への転換は、好ましくは５０％未満である、油性カロテノイド溶液。
【請求項１１】
溶液中に約１００ｐｐｍ〜５，０００ｐｐｍの間の、好ましくは約２００ｐｐｍ〜１，０００ｐｐｍの間のカロテノイドを含む、請求項９または１０に記載の油性カロテノイド溶液。
【請求項１２】
前記カロテノイドがアスタキサンチンであり、そして、前記溶液中での前記トランス−アスタキサンチン異性体からシス−アスタキサンチン異性体への転換が、異性体の合計の３０％未満である、請求項１０〜１１のいずれか一項に記載の油性カロテノイド溶液。
【請求項１３】
前記カロテノイドがアスタキサンチンであり、そして、総アスタキサンチンの１０重量％未満がアスタセン、セミアスタセン、または、Ｃ−２５アルデヒドに転換される、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の油性カロテノイド溶液。
【請求項１４】
総アスタキサンチンの５重量％未満がアスタセン、セミアスタセン、または、Ｃ−２５アルデヒドに転換される、請求項１３に記載の油性カロテノイド溶液。
【請求項１５】
前記油が、ダイズ油、亜麻仁油、綿実油、ゴマ油、ヤシ油、ラッカセイ油、クヘントウ油、トウモロコシ油、カノーラ油、オリーブ油、ヒマワリ油、サフラワー油、植物性ダイズ油、杏仁油、アボカド油、ホホバ油、オレンジ油、レモン油、パーム核油、カボチャ種子油、ヒマシ油、焙煎ゴマ油、亜麻油、ＧＬＡ油、ブドウ種子油、ヘイゼルナッツ油、ククイナッツ油、マカダミアナッツ油、ママク油、ペカン油、えの油、ピスタチオ油、米糠油、チャノキ油、クルミ油、および、小麦胚種油からなる群から選択される、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の油性カロテノイド溶液。
【請求項１６】
前記油が、ダイズ油である、請求項１５に記載の油性カロテノイド溶液。
【請求項１７】
前記油の沸点が５０℃〜３００℃である、請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の油性カロテノイド溶液。
【請求項１８】
請求項９〜１７のいずれか一項に記載の油性カロテノイド溶液を含む、経口投与、薬学的投与または栄養的投与のための栄養組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月16日(2014.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
ＮＦ−κＢのコンセンサス結合配列（５’−ＡＧＴ ＴＧＡ ＧＧＧ ＧＡＣ ＴＴＴ ＣＣＣ ＡＧＧ Ｃ−３’）或いはＡＰ−１のコンセンサス結合配列（５’−ＣＧＣ ＴＴＧ ＡＴＧ ＡＧＴ ＣＡＧ ＣＣＧ ＧＡＡ−３’）（配列表等については、明細書の［SEQUENCE LISTING］を参照）を含む一本鎖３２Ｐ標識オリゴヌクレオチドプローブと共に核抽出物をインキュベートし、電気泳動によって分離し、オートラジオグラフィーによって可視化した。特異的ＮＦ−κＢサブユニット抗体を用いてＥＭＳＡスーパーシフトを行った。ＥＭＳＡ、ウェスタンブロッティング（タンパク質及びリンタンパク質）、プロモーター特異的レポーター解析及び標的遺伝子発現（例えば、ｆｏｓ及びｊｕｎ）によって、ＮＦκＢ及びＡＰ−１のシグナル伝達に対するＢ．テタイオタオミクロンの作用を測定した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
ＱＩＡａｍｐ ＤＮＡ Ｓｔｏｏｌ Ｍｉｎｉ Ｋｉｔ（キアゲン社、英国、クローリー）を用いてＤＮＡを抽出、精製した。ＰＣＲはテング（Teng）らの方法（２０００年）に基づいた。テング（Teng）ら（２０００年）によって同定されたプライマー対、即ち、５’−ＴＧＧＡＧＴＴＴＴＡＣＴＴＴＧＡＡＴＧＧＡＣ−３’（ＢＴＨ−Ｆ）及び５’−ＣＴＧＣＣＣＴＴＴＴＡＣＡＡＴＧＧＧ−３’（ＢＴＨ−Ｒ）（配列表等については、明細書の［SEQUENCE LISTING］を参照）はシグマジェノシス社（英国、ケンブリッジ）から購入した。ＴａｑＰＣＲ Ｃｏｒｅ Ｋｉｔ（キアゲン社、英国、クローリー）から入手した試薬に基づく反応混合物（５０μｌ）には、上記２種類のプライマー（５０ｐｍｏｌ）、ｄＮＴＰ混合物（１０ｎｍｏｌ）、１０Ｘ Ｑｉａｇｅｎ ＰＣＲバッファー（５μｌ）、５Ｘ Ｑ溶液（１０μｌ）、サンプル（１０μｌ）及びＴａｑＤＮＡポリメラーゼ（１．２５Ｕ）が含まれていた。ホットスタートＰＣＲプログラムを用いた。ＴａｑＤＮＡポリメラーゼを含まない反応混合物を９４℃で１５秒間加熱した後、（９４℃×１０秒、５５℃×３０秒、７４℃×１分）のサイクルを３５回行って加熱し、更にその後（７４℃×２分、４５℃×２秒）のサイクルを１回行って加熱した。アンプリコンを臭化エチジウム（１μｇ／ｍｌゲル）を含むアガロースゲル（１０ｇ／ｌ）で分離した。糞便及びＢ．テタイオタオミクロンからＤＮＡと共に単一アンプリコン（７２１ｂｐ）を得た。これらのアンプリコンの配列は互いに一致しており、また公表された配列（テング（Teng）ら、２０００年）とも一致することが分かった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】配列表
【補正方法】追加
【補正の内容】
【配列表】
2013046615000001.app
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月27日(2014.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号16で示される塩基配列を含むRNA鎖、配列番号17で示される塩基配列を含むRNA鎖、配列番号18で示される塩基配列を含むRNA鎖、
からなる群から選ばれる1種以上のRNA鎖に対してRNAi作用を有する、1本鎖または2本鎖のポリヌクレオチドを含有する、多能性幹細胞誘導剤。
【請求項２】
配列番号16で示される塩基配列を含むRNA鎖、配列番号17で示される塩基配列を含むRNA鎖、配列番号18で示される塩基配列を含むRNA鎖、
からなる群から選ばれる1種以上のRNA鎖に対してRNAi作用を有する、1本鎖または2本鎖のポリヌクレオチドを含有する、悪性腫瘍の治療薬。
【請求項３】
配列番号16で示される塩基配列を含むRNA鎖、配列番号17で示される塩基配列を含むRNA鎖、配列番号18で示される塩基配列を含むRNA鎖、
からなる群から選ばれる1種以上のRNA鎖に対してRNAi作用を有する、1本鎖または2本鎖のポリヌクレオチドを含有し、未分化細胞マーカーの発現を調節する、未分化細胞マーカー発現調節剤。
【請求項４】
配列番号16で示される塩基配列を含むRNA鎖、配列番号17で示される塩基配列を含むRNA鎖、配列番号18で示される塩基配列を含むRNA鎖、
からなる群から選ばれる1種以上のRNA鎖に対してRNAi作用を有する、1本鎖または2本鎖のポリヌクレオチドを含有し、体細胞又は悪性腫瘍細胞におけるp53の発現量を促進する、体細胞又は悪性腫瘍細胞のp53発現促進剤。
【請求項５】
配列番号16で示される塩基配列を含むRNA鎖、配列番号17で示される塩基配列を含むRNA鎖、配列番号18で示される塩基配列を含むRNA鎖、
からなる群から選ばれる1種以上のRNA鎖に対してRNAi作用を有する、siRNA又はshRNA。
【請求項６】
配列番号16で示される塩基配列を含むRNA鎖、配列番号17で示される塩基配列を含むRNA鎖、配列番号18で示される塩基配列を含むRNA鎖、
からなる群から選ばれる1種以上のRNA鎖に対してRNAi作用を有する、1本鎖または2本鎖のポリヌクレオチドに相補的な塩基配列を含む、ベクター。
【請求項７】
A）配列番号16で示される塩基配列を含むRNA鎖、配列番号17で示される塩基配列を含むRNA鎖、配列番号18で示される塩基配列を含むRNA鎖、
からなる群から選ばれる1種以上のRNA鎖に対してRNAi作用を有する、1本鎖または2本鎖のポリヌクレオチド、又は
B）請求項6に記載のベクター、
を細胞に導入する工程を含む、多能性幹細胞の生産方法。
【請求項８】
請求項7に記載の生産方法で得られる、多能性幹細胞。
【請求項９】
HPS0002：253G1株に比べて内在性のp53の発現量が増大している、請求項8に記載の多能性幹細胞。
【請求項１０】
配列番号8の塩基配列、またはその塩基配列に対して1個の塩基が欠失、置換もしくは付加された塩基配列、
を含む1本鎖または2本鎖のポリヌクレオチドを含有し、細胞を多能性幹細胞へ誘導する、多能性幹細胞誘導剤。
【請求項１１】
配列番号8の塩基配列、またはその塩基配列に対して1個の塩基が欠失、置換もしくは付加された塩基配列、
を含むポリヌクレオチドに相補的な塩基配列を含むベクターを含有し、細胞を多能性幹細胞へ誘導する、多能性幹細胞誘導剤。
【請求項１２】
請求項10又は11に記載の多能性幹細胞誘導剤を、細胞に導入する工程を含む、多能性幹細胞の生産方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
他の実施形態は、配列番号１６、１７、および１８からなる群から選ばれる１種以上の塩基配列を含むＲＮＡ鎖に対して、ＲＮＡｉ作用を有する１本鎖または２本鎖のポリヌクレオチドである。この１種以上の塩基配列を含むＲＮＡ鎖は、後述する実施例で配列番号７の塩基配列を含むＲＮＡ鎖を、ダイサーで処理して得られるＲＮＡ鎖であることが実証されている。そのため、上記のダイサー処理後の相補的な塩基配列を含む１または複数本鎖のポリヌクレオチドと同様の作用効果を有し、同様の用途に使用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月7日(2014.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
始動手段により遊技球が検出されたことに起因して所定の遊技情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された遊技情報に基づき、通常遊技状態よりも有利な特別遊技状態を発生させるか否かを抽選する抽選手段と、
所定の変動態様に基づく遊技図柄の変動表示動作を行い、前記抽選手段による抽選結果を反映させた表示態様にて当該遊技図柄を停止表示するための図柄表示手段と、
前記取得手段により取得された所定の遊技情報を、前記図柄表示手段における前記遊技図柄の変動表示動作を行う始動権利として所定の上限値である最大保留記憶数を上限に保留記憶する保留手段と、
少なくとも前記抽選手段による抽選結果を含む所定の選択条件に基づいて、前記図柄表示手段における前記遊技図柄の変動態様を、あらかじめ定められた複数種類の変動態様のうちから選択する変動態様選択手段と、
前記変動態様選択手段により選択された変動態様に基づき、前記図柄表示手段における前記遊技図柄の変動表示動作を制御する図柄表示制御手段と、
前記遊技図柄が特定の表示態様で停止表示された後、前記特別遊技状態を発生させる特別遊技制御手段と、
所定の開始条件を満たした場合、前記特別遊技状態が終了した後に前記特定の表示態様が表示される確率を、前記通常遊技状態における確率よりも向上させた確率変動状態に制御し、所定の終了条件を満たすまで当該確率変動状態を継続させる確率変動制御手段と、
前記選択条件を指定して、当該選択条件下で前記変動態様選択手段に対して前記遊技図柄の変動態様を選択させるための選択条件指定手段と、
を備え、
前記選択条件指定手段は、
前記確率変動制御手段により前記確率変動状態が継続されている場合において前記遊技図柄の変動表示回数が所定回数終了した後、前記選択条件を第１の条件から第２の条件に変更する選択条件変更手段と、
前記第１の条件下である場合において、前記抽選手段により前記特別遊技状態に制御しないと抽選された場合には前記保留手段に記憶されている保留記憶数に基づいて前記変動態様選択手段に対して前記遊技図柄の変動態様を選択させ、前記抽選手段により前記特別遊技状態に制御すると抽選された場合には前記保留手段に記憶されている保留記憶数を考慮せずに前記変動態様選択手段に対して前記遊技図柄の変動態様を選択させる第１の変動態様選択条件指定手段と、
前記第２の条件下である場合において、前記抽選手段により前記特別遊技状態に制御しないと抽選された場合、および前記抽選手段により前記特別遊技状態に制御すると抽選された場合のいずれの場合も前記保留手段に記憶されている保留記憶数を考慮せずに前記変動態様選択手段に対して前記遊技図柄の変動態様を選択させる第２の変動態様選択条件指定手段と、を含む、
ことを特徴とする弾球遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月11日(2014.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３−クロロプロパン−１，２−ジオール、３−クロロプロパン−１，２−ジオールの脂肪酸エステル、グリシドール及びグリシドールの脂肪酸エステルからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有し、及び／又は、ジグリセリドを３質量％以上含有するグリセリド組成物を、１００〜２４０℃の温度条件にて脱臭処理し、
前記脱臭処理前及び／又は前記脱臭処理後に、前記グリセリド組成物を（１）の方法で酸性下に暴露することを特徴とするグリセリド組成物の製造方法。
（１）前記グリセリド組成物を炭素数１〜２２の有機酸と、前記グリセリド組成物の酸価が５．８〜１０．９となるように１００〜２６０℃で接触させる
【請求項２】
前記グリセリド組成物は精製油である請求項１に記載のグリセリド組成物の製造方法。
【請求項３】
前記グリセリド組成物を、前記有機酸、並びに、硫酸、リン酸、硝酸及び塩酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の無機酸の存在下で酸性下に暴露する請求項２に記載のグリセリド組成物の製造方法。
【請求項４】
３−クロロプロパン−１，２−ジオール、３−クロロプロパン−１，２−ジオールの脂肪酸エステル、グリシドール及びグリシドールの脂肪酸エステルからなる群より選ばれる少なくとも１種を含有し、及び／又は、ジグリセリドを３質量％以上含有するグリセリド組成物を、１００〜２４０℃の温度条件にて脱臭処理し、
前記脱臭処理前及び／又は前記脱臭処理後に、前記グリセリド組成物を（１）の方法で酸性下に暴露することにより、グリセリド組成物中のグリシドールの脂肪酸エステル及び／又は３−クロロプロパンー１，２−ジオールの脂肪酸エステルを低減又はこれらの生成を抑制する方法。
（１）前記グリセリド組成物を炭素数１〜２２の有機酸と、前記グリセリド組成物の酸価が５．８〜１０．９となるように１００〜２６０℃で接触させる
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月24日(2014.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光性組成物を硬化させるための照明装置であって、
電磁スペクトルの紫外光及び／又は可視光の領域内の光に対して実質的に透明である光学式の集光部を含み、前記集光部は、棒を含むと共に長さ及び幅を有し、集光部の長さに沿った入光領域、及び、集光部の長さに沿って入光領域から間隔を空けた位置にある光出力領域を有し、
それぞれ入光端及び光出力端を有する複数の導光部を含み、前記導光部の光出力端は、集光部の長さに沿って入光領域に接しており、
前記導光部の入光端に並置され、導光部の入光端に光を発することが可能である、複数の発光ダイオードを含む照明装置。
【請求項２】
発光ダイオードの近傍に設置され、発光ダイオードからの熱を集光部から熱伝導で取り去ることが可能である１つ又は複数の放熱装置をさらに含む、請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
導光部が、円形、四角形、六角形又は長円形の断面を有する棒を含む、請求項１又は請求項２に記載の照明装置。
【請求項４】
集光部が、半円形の断面を有する棒を含む、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の照明装置。
【請求項５】
電磁スペクトルの紫外光及び／又は可視光の領域内の光に対して実質的に透明である第２の集光部をさらに含み、前記第２の集光部は、棒を含むと共に長さ及び幅を有し、前記第２の集光部は、集光部の長さに沿った入光領域、及び集光部の長さに沿って入光領域から間隔を空けた位置にある光出力領域を有し、第２の集光部の入光領域がもう一つの集光部の光出力領域の長さに沿って位置するように、前記第２の集光部が設置された、請求項１〜請求項４のいずれかに記載の照明装置。
【請求項６】
導光部が、広い円錐部及び狭い円錐部を有する先細の円錐状の断面を有し、広い円錐部が、集光部の入光領域に接する導光部の光出力端にある、請求項１〜請求項５のいずれかにに記載の照明装置。
【請求項７】
ｉ）感光性組成物を硬化させるための照明装置であって、
電磁スペクトルの紫外光及び／又は可視光の領域内の光に対して実質的に透明である光学式の集光部を含み、
前記集光部は、棒を含むと共に長さ及び幅を有し、集光部の長さに沿った入光領域、及び、集光部の長さに沿って入光領域から間隔を空けた位置にある光出力領域を有し、
それぞれ入光端及び光出力端を有する複数の導光部を含み、
前記導光部の光出力端は、集光部の長さに沿って入光領域に接しており、
前記導光部の入光端に並置され、導光部の入光端に光を発することが可能である、複数の発光ダイオードを含む照明装置を用意すること、
ｉｉ）基材上に配置された感光性組成物を用意すること、次いで、
ｉｉｉ）電磁スペクトルの紫外光及び／又は可視光の領域内の光を、集光部の光出力領域から感光性組成物に導くことにより、感光性組成物を露光させること、
を含む、感光性組成物の露光方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月7日(2014.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハが載置され、載置状態のウエーハを加熱するステージと、
前記ステージにより加熱された前記ウエーハの塗布領域に向けて接着剤を吐出する塗布ヘッドと、
前記ステージによる前記ウエーハの加熱温度及び前記塗布ヘッドによる前記接着剤の吐出を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記ウエーハの前記塗布領域に対する前記接着剤の塗布を、当該塗布領域の外周縁に沿う塗布と前記外周縁の内側の領域に対する塗布とに分けて行うように前記塗布ヘッドによる接着剤の吐出を制御し、前記外周縁に沿って前記接着剤を塗布するときは前記内側の領域に前記接着剤を塗布するときよりも前記ウエーハの温度が高くなるように前記ステージによる加熱温度を制御することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記接着剤を前記塗布領域の外周縁に沿う枠状に複数回重ねて塗布するように前記塗布ヘッドを制御することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記塗布領域の外周縁に沿う枠状に、前記接着剤を複数回に分けて塗布するように前記塗布ヘッドを制御し、１回目の塗布では塗布された前記接着剤の液滴同士が離間するようにし、２回目以降の塗布では、当該塗布によって塗布された前記接着剤の液滴が前記１回目で離間して塗布された前記液滴の間に位置するように前記塗布ヘッドを制御することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造装置。
【請求項４】
接着剤を吐出する塗布ヘッドを用いて、加熱ステージに載置されたウエーハの塗布領域に接着剤を塗布する半導体装置の製造方法において、
前記塗布領域に対する前記接着剤の塗布を、当該塗布領域の外周縁に沿う塗布と前記外周縁の内側の領域に対する塗布とに分けて行うとともに、
前記外周縁に対して前記接着剤を塗布するときは前記内側の領域に前記接着剤を塗布するときよりも前記ウエーハの温度を高くすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記塗布領域の外周縁に沿う枠状に前記接着剤を複数回重ねて塗布することを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記塗布領域の外周縁に沿う枠状に、前記接着剤を複数回に分けて塗布し、１回目の塗布では塗布された前記接着剤の液滴同士が離間するようにし、２回目以降の塗布では当該塗布によって塗布された接着剤の液滴が前記１回目で離間して塗布された前記液滴の間に位置するようにすることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の実施の形態に係る第１の特徴は、半導体装置の製造装置において、ウエーハが載置され、載置状態のウエーハを加熱するステージと、
前記ステージにより加熱された前記ウエーハの塗布領域に向けて接着剤を吐出する塗布ヘッドと、
前記ステージによる前記ウエーハの加熱温度及び前記塗布ヘッドによる前記接着剤の吐出を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記ウエーハの前記塗布領域に対する前記接着剤の塗布を、当該塗布領域の外周縁に沿う塗布と前記外周縁の内側の領域に対する塗布とに分けて行うように前記塗布ヘッドによる接着剤の吐出を制御し、前記外周縁に沿って前記接着剤を塗布するときは前記内側の領域に前記接着剤を塗布するときよりも前記ウエーハの温度が高くなるように前記ステージによる加熱温度を制御することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の実施の形態に係る第２の特徴は、接着剤を吐出する塗布ヘッドを用いて、加熱ステージに載置されたウエーハの塗布領域に接着剤を塗布する半導体装置の製造方法において、
前記塗布領域に対する前記接着剤の塗布を、当該塗布領域の外周縁に沿う塗布と前記外周縁の内側の領域に対する塗布とに分けて行うとともに、
前記外周縁に対して前記接着剤を塗布するときは前記内側の領域に前記接着剤を塗布するときよりも前記ウエーハの温度を高くすることである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月21日(2014.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極層と、
前記電極層の上に電流密度調節パターンと、
前記電極層及び前記電流密度調節パターンの上に配置された発光構造物と、を含み、
前記発光構造物の上部領域に柱パターンまたは孔パターンの共振器構造が提供されたことを特徴とする、発光素子。
【請求項２】
前記発光構造物は、第２導電型半導体層と、前記第２導電型半導体層の上に活性層と、前記活性層の上に第１導電型半導体層を含み、前記柱パターンまたは孔パターンは、前記第１導電型半導体層に形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記柱パターンまたは孔パターンは、前記電流密度調節パターンと対応して配置されたことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記柱パターンまたは孔パターンは、前記電流密度調節パターンと行き違いに配置されたことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項５】
前記電流密度調節パターンの幅は、前記柱パターンまたは孔パターンの幅と相異することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
前記柱パターンまたは孔パターンの側面に反射膜が配置されたことを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１導電型半導体層は、前記柱パターンまたは孔パターンを提供する第１厚さと、前記柱パターンまたは孔パターンの下部に提供された第２厚さと、を含むことを特徴とする、請求項２に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第２厚さは５００ｎｍ乃至１０００ｎｍであることを特徴とする、請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第１厚さは少なくともλ／ｎであり、ここで、前記λは前記活性層から放出される光の主波長であり、前記ｎは前記発光構造物の屈折率であることを特徴とする、請求項７に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記発光構造物は１μｍ乃至２μｍの厚さを有することを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１１】
前記電流密度調節パターンは、非導電性物質で提供されるか、又は、前記第２導電型半導体層と非オーミック接触を形成する金属材質で提供されることを特徴とする、請求項２に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記電極層は、伝導性支持部材と、前記伝導性支持部材の上に反射層と、前記反射層の上にオーミック層と、を含むことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１３】
胴体と、
前記胴体の上に配置された少なくとも１つのリード電極と、
前記リード電極に電気的に連結され、前記請求項１乃至請求項１２のうちのいずれか１項による発光素子と、
を含むことを特徴とする、発光素子パッケージ。
【請求項１４】
基板と、
前記基板の上に配置され、前記請求項１乃至請求項１２のうちのいずれか１項による発光素子を含む発光モジュールと、
を含むことを特徴とする、照明システム。
【請求項１５】
前記発光モジュールから放出される光の進行経路上に配置される光ガイド部材、拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートのうち、少なくともいずれか１つをさらに含むことを特徴とする、請求項１４に記載の照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月19日(2014.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極層と、
前記第１電極層上に形成されて、主ピーク波長領域が４３０ｎｍ〜４７０ｎｍである青色系の光を発光し、光抽出構造を含む発光構造物と、
前記光抽出構造上にプラズモン振動数が前記青色系の光の波長と異なる金属材質から形成される第１層を備える第２電極層とを備える発光素子。
【請求項２】
前記光抽出構造は、ランダムな表面粗さを有するように形成されるか、又は周期的なパターンを有するように形成された請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記光抽出構造は、周期的なパターンを有し、当該パターンが２００ｎｍ〜３０００ｎｍの周期を有する請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１層は、アルミニウム（Ａｌ）から形成された請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１電極層は、導電性支持部材、前記導電性支持部材上に反射層、前記反射層上にオーミック層を備える請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１層は、前記光抽出構造に対応して形成される請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項７】
前記発光構造物と前記第２電極層との間に前記発光構造物の屈折率より低い屈折率を有する低屈折層を備える請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記低屈折層は、透光性材質から形成された請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記低屈折層は、電気伝導性材質から形成された請求項７または８に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記低屈折層は、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯ（Ｉｎ−ＺｎＯ）、ＧＺＯ（Ｇａ−ＺｎＯ）、ＡＺＯ（Ａｌ−ＺｎＯ）、ＡＧＺＯ（Ａｌ−ＧａＺｎＯ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎ−ＧａＺｎＯ）、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘのうち、少なくとも一つから形成された請求項７〜９のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記低屈折層は、電気絶縁性材質から形成された請求項７〜１０のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記低屈折層は、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａ
ｌ２Ｏ３又はＴｉＯ２のうち、少なくとも一つから形成された請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記低屈折層の面積が前記第２電極層の下面の面積より小さな請求項７〜１２のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記第２電極層は、前記第１層上に接着力を有する金属材質から形成された第３層と、
前記第１層と前記第３層との間に層間拡散を防止する金属材質から形成された第２層とを備える請求項１〜１３のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１５】
ボディー部と、
前記ボディー部に設置された第１導電層及び第２導電層と、
前記ボディー部に設置されて、前記第１導電層及び第２導電層と電気的に接続される請求項第１〜１４のうち、何れか１項に記載された発光素子と、
前記ボディー部上に前記発光素子を取り囲むモールディング部材とを備える発光素子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月21日(2014.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体層と、
前記第１半導体層の上に形成されて光を生成する活性層と、
前記活性層の上に形成された第２導電型半導体層と、
前記第２導電型半導体層の上に形成された透明電極層と、
前記透明電極層の上に形成され、第１屈折率を有する第１薄膜層と、前記第１屈折率と相異する第２屈折率を有する第２薄膜層が少なくとも１回反復的に積層された多重薄膜ミラーを含み、
前記第２導電型半導体層の厚さ（ｄ）は下記の＜数式１＞から導出されることを特徴とする、発光素子。
２・Φ１＋Φ２＝Ｎ・２π±Δ、（０≦Δ≦π／２）  …＜数式１＞
［ここで、前記Φ１は垂直方向の光が前記第２導電型半導体層を通過する時に発生する位相変化であって、Φ１＝２πｎｄ／λ（ｎは前記光の屈折率、λは前記光の波長、ｄは前記第２導電型半導体層の厚さ）であり、前記Φ２は前記光が前記透明電極層または前記多重薄膜ミラーのうち、いずれか１つにより反射される時に発生する位相変化であり、前記Ｎは自然数である。］
【請求項２】
前記透明電極層または前記多重薄膜ミラーのうち、いずれか１つにより反射される時に発生する位相変化（Φ２）は０゜であることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記活性層の厚さはλ／ｎ以下であり、前記ｎは前記光の屈折率であり、前記λは前記光の波長であることを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記透明電極層は、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Ｉｎ−ＺｎＯ）、ＧＺＯ（Ｇａ−ＺｎＯ）、ＡＺＯ（Ａｌ−ＺｎＯ）、ＡＧＺＯ（Ａｌ−Ｇａ  ＺｎＯ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ  ＺｎＯ）、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ及びＮｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯのうち、少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記多重薄膜ミラーの前記第１薄膜層の厚さは（２ｍ＋１）・λ／４ｎ１±Δ１であり、Δ１≦λ／８ｎ１であり、前記第２薄膜層の厚さは（２ｍ＋１）・λ／４ｎ２±Δ２であり、Δ２≦λ／８ｎ２であり、
ここで、前記ｎ１は前記第１薄膜層の第１屈折率であり、前記ｎ２は前記第２薄膜層の第２屈折率であり、前記λは光の波長であり、ｍは自然数であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１薄膜層及び第２薄膜層は、酸化物、窒化物、または弗化物系列の化合物のうちのいずれか１つで形成されたことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１薄膜層はＴｉＯ２で形成され、前記第２薄膜層はＳｉＯ２で形成されたことを特徴とする、請求項１乃至６のいずれかに記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１薄膜層の前記第１屈折率は前記透明電極層の屈折率及び前記第２薄膜層の第２屈折率より大きいか、前記透明電極層の屈折率及び前記第２薄膜層の第２屈折率より小さいことを特徴とする、請求項１乃至７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項９】
前記第１半導体層は基板の上に形成されることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第１半導体層の上に第１電極が形成され、前記透明電極層の上に第２電極が形成されたことを特徴とする、請求項１乃至９のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１１】
前記多重薄膜ミラーは前記第１電極及び第２電極と垂直方向でオーバーラップしないように形成されることを特徴とする、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１２】
胴体と、
前記胴体に設置された第１電極層及び第２電極層と、
前記胴体に設置されて前記第１電極層及び前記第２電極層に電気的に連結される請求項１乃至１１のうちのいずれか１つに記載された発光素子と、
前記胴体の上に前記発光素子を囲むモールディング部材と、を含むことを特徴とする、発光素子パッケージ。
【請求項１３】
発光素子を光源として使用する照明システムであって、
前記照明システムは、基板と、前記基板の上に設置された少なくとも１つの発光素子を含み、
前記発光素子は請求項１乃至１１のうちのいずれか１つに記載された照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月22日(2014.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
胴体と、
前記胴体の表面にある絶縁層と、
前記絶縁層の上にある少なくとも１つの電極層と、
前記少なくとも１つの電極層の上にある発光素子と、を含み、
前記電極層は熱拡散層及び前記熱拡散層の上に反射層を含み、前記熱拡散層は前記反射層の厚さより少なくとも２０倍さらに厚い厚さを含み、
前記電極層は、
表面粗さを含むボンディング層と、
前記ボンディング層と前記反射層との間にある接着層と、
前記熱拡散層と前記反射層との間にあるバリア層と、
前記バリア層と前記絶縁層との間にあるシード層と、
を含むことを特徴とする、発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記ボンディング層の厚さは５０００±５００Åであることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記電極層は、発光素子が配置され、少なくとも４層の金属層を有する第１領域と、
前記第１領域の外側に少なくとも６層の金属層を有する第２領域と、を含み、
前記発光素子と前記電極層との間に接合部材、
を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記反射層の表面に複数の突起を含むことを特徴とする、請求項３に記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記電極層の厚さは前記絶縁層の厚さより少なくとも２０倍厚い厚さを含むことを特徴とする、請求項１乃至４のうち、いずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記熱拡散層の厚さは１０〜５０μｍを含むことを特徴とする、請求項１乃至５のうち、いずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記電極層は前記反射層の下にボンディング層を有する複数の電極層を含み、前記熱拡散層は前記ボンディング層の厚さより少なくとも６６倍さらに厚い厚さを有することを特徴とする、請求項１乃至６のうち、いずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
前記熱拡散層の厚さは前記電極層の厚さの８５％以上に形成されることを特徴とする、請求項１乃至７のうち、いずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
前記シード層は多層構造に形成されることを特徴とする、請求項１乃至８のうち、いずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記熱拡散層は銅（Ｃｕ）を含み、３０μｍ±２μｍの厚さで形成されることを特徴とする、請求項６乃至９のうち、いずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１１】
前記熱拡散層は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、及び銀（Ａｇ）のグループのうちの少なくとも１つを含み、前記反射層は、アルミニウム、銀、アルミニウム合金、銀合金のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項１乃至９のうち、いずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１２】
前記胴体は、上部が開放されたキャビティを含み、
前記キャビティにモールディング部材を含むことを特徴とする、請求項１乃至１１のうち、いずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１３】
前記胴体はシリコン系列の伝導性材質を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１４】
前記胴体には前記胴体の上面から前記胴体の下面まで貫通される少なくとも１つのビア部材を含むことを特徴とする、請求項１３に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１５】
前記ボンディング層の表面粗さは３０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１２または１３に記載の発光素子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月2日(2014.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
ゲート絶縁層と、
半導体層と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、を有し、
前記半導体層は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記ソース電極または前記ドレイン電極は、連結部と、複数の凸部とを有し、
前記複数の凸部は、前記半導体層と接しており、
前記半導体層の端部は、前記連結部と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
ゲート絶縁層と、
半導体層と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、を有し、
前記半導体層は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記ソース電極または前記ドレイン電極は、連結部と、複数の凸部とを有し、
前記複数の凸部は、前記半導体層と接しており、
チャネル幅方向において、前記半導体層の端部は、前記ソース電極の端部および前記ドレイン電極の端部とは、間隔を有しており、
チャネル長方向において、前記半導体層の端部は、前記連結部と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記半導体層は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月19日(2014.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上に第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜上に前記第１のゲート電極と重なる酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に接するソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上に第２の金属酸化物膜と、
前記第２の金属酸化物膜上に第２のゲート電極とを有し、
前記第１の金属酸化物膜及び前記第２の金属酸化物膜は酸化ガリウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上に第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜上に第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に前記第１のゲート電極と重なる酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に接するソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上に第２の金属酸化物膜と、
前記第２の金属酸化物膜上に第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に第２のゲート電極とを有し、
前記第１の金属酸化物膜及び前記第２の金属酸化物膜は酸化ガリウムを有し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は酸化ハフニウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上に第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜上にソース電極及びドレイン電極と、
前記第１の金属酸化物膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に第２の金属酸化物膜と、
前記第２の金属酸化物膜を介して前記酸化物半導体層と重なるゲート電極とを有し、
前記第１の金属酸化物膜及び前記第２の金属酸化物膜は酸化ガリウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ゲート電極と、
金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜と接し、前記金属酸化物膜を介して前記ゲート電極と重なる酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極とを有し、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上の第１の絶縁膜と、
第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜とを有し、
前記金属酸化物膜は酸化ガリウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
基板上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に接するソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上に金属酸化物膜と、
前記金属酸化物膜上にゲート電極とを有し、
前記金属酸化物膜は酸化ガリウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記酸化物半導体層は、少なくともガリウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月19日(2014.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜と、金属酸化物膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、絶縁膜と、導電膜と、を有し、
前記ゲート電極上に前記ゲート絶縁膜を有し、
前記ゲート絶縁膜上に前記酸化物半導体膜を有し、
前記酸化物半導体膜上に、当該酸化物半導体膜の一部に接する前記ソース電極及び前記ドレイン電極を有し、
前記酸化物半導体膜上に接して前記金属酸化物膜を有し、
前記金属酸化物膜上に前記絶縁膜を有し、
前記絶縁膜上に前記導電膜を有し、
前記金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記金属酸化物膜のエネルギーギャップは、前記酸化物半導体膜のエネルギーギャップより大きく、
前記絶縁膜のエネルギーギャップは、前記金属酸化物膜のエネルギーギャップより大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記ゲート絶縁膜のエネルギーギャップは、前記金属酸化物膜のエネルギーギャップより大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記金属酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギーは、前記酸化物半導体膜の伝導帯の下端のエネルギーより高く、
前記絶縁膜の伝導帯の下端のエネルギーは、前記金属酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギーより高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜の伝導帯の下端のエネルギーは、前記金属酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギーより高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜と、金属酸化物膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、絶縁膜と、導電膜と、を有し、
前記ゲート電極上に前記ゲート絶縁膜を有し、
前記ゲート絶縁膜上に前記酸化物半導体膜を有し、
前記酸化物半導体膜上に、当該酸化物半導体膜の一部に接する前記ソース電極及び前記ドレイン電極を有し、
前記酸化物半導体膜上に接して前記金属酸化物膜を有し、
前記金属酸化物膜上に前記絶縁膜を有し、
前記絶縁膜上に前記導電膜を有し、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを有し、
前記金属酸化物膜は、酸化ガリウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記絶縁膜のエネルギーギャップは、前記金属酸化物膜のエネルギーギャップより大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記ゲート絶縁膜のエネルギーギャップは、前記金属酸化物膜のエネルギーギャップより大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一において、
前記絶縁膜の伝導帯の下端のエネルギーは、前記金属酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギーより高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜の伝導帯の下端のエネルギーは、前記金属酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギーより高いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月28日(2014.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上のソース電極と、
前記絶縁表面上のドレイン電極と、
前記絶縁表面上の絶縁膜と、
前記ソース電極上、前記ドレイン電極上、及び前記絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記絶縁膜の少なくとも一部は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられており、
前記酸化物半導体膜は、インジウム及び亜鉛を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記絶縁膜と重なる第１の領域と、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方と重なる第２の領域と、を有し、
前記絶縁表面から前記第１の領域の上面までの高さは、前記絶縁表面から前記第２の領域の上面までの高さと異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上のソース電極と、
前記絶縁表面上のドレイン電極と、
前記絶縁表面上の絶縁膜と、
前記ソース電極上、前記ドレイン電極上、及び前記絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記絶縁膜の少なくとも一部は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられており、
前記酸化物半導体膜は、インジウム及び亜鉛を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記絶縁膜と重なる第１の領域と、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方と重なる第２の領域と、を有し、
前記絶縁表面から前記第１の領域の上面までの高さは、前記絶縁表面から前記第２の領域の上面までの高さと異なり、
前記絶縁膜は、角が丸みを帯びた形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の厚さは、前記絶縁膜の厚さよりも、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記絶縁膜の二乗平均平方根粗さは、１ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で示される酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で示される酸化物半導体を有し、
前記Ｍは、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏから選ばれた一の金属又は複数の金属であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記絶縁表面から前記第１の領域の上面までの高さは、前記絶縁表面から前記第２の領域の上面までの高さよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月18日(2013.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換素子を含む半導体基板を有する固体撮像装置であって、
前記半導体基板の上に配され、前記複数の光電変換素子の上にそれぞれ配された複数の開口部を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の屈折率よりも高い屈折率を有し、前記複数の開口部にそれぞれ配された複数の絶縁体と、
前記複数の絶縁体の上および前記第１の絶縁膜の上面の上に配され、平坦な上面を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記第２の絶縁膜の上面の上に配された第３の絶縁膜と、を備え、
前記複数の絶縁体に入射する光の波長をλ、前記第２の絶縁膜の屈折率をｎ、前記第１の絶縁膜の上面の少なくとも一部の領域の上における前記第２の絶縁膜の膜厚をｔとしたときに、ｔ＜λ／ｎの関係を満たす、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
複数の光電変換素子を含む半導体基板を有する固体撮像装置であって、
前記半導体基板の上に配され、前記複数の光電変換素子の上にそれぞれ配された複数の開口部を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の屈折率よりも高い屈折率を有し、前記複数の開口部にそれぞれ配された複数の絶縁体と、
前記複数の絶縁体の上および前記第１の絶縁膜の上面の上に配され、平坦な上面を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記第２の絶縁膜の上面の上に配された第３の絶縁膜と、を備え、
前記第１の絶縁膜の上面の少なくとも一部の領域の上における前記第２の絶縁膜の膜厚は１９０ｎｍ以下である
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】
前記第３の絶縁膜の上にカラーフィルタを更に備えることを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第２の絶縁膜および前記複数の絶縁体は、互いに異なる材料で形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第２の絶縁膜および前記複数の絶縁体は、窒化シリコンおよび酸窒化シリコンのいずれか１つによって構成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
複数の光電変換素子を含む半導体基板を有する固体撮像装置であって、
前記半導体基板の上に配され、前記複数の光電変換素子の上にそれぞれ配された複数の開口部を有する、酸化シリコンからなる第１の膜と、
前記複数の開口部にそれぞれ配され、窒化シリコンあるいは酸窒化シリコンからなる複数の部分と、
前記複数の部分の上および前記第１の膜の上面の上に配され、平坦な上面を有し、窒化シリコンあるいは酸窒化シリコンからなる第２の膜と、
前記第２の膜の上面の上に配された樹脂からなる第３の膜と、を備え、
前記複数の部分に入射する光の波長をλ、前記第２の膜の屈折率をｎ、前記第１の膜の上面の少なくとも一部の領域の上における前記第２の膜の膜厚をｔとしたときに、ｔ＜λ／ｎの関係を満たす、ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項７】
複数の光電変換素子を含む半導体基板を有する固体撮像装置であって、
前記半導体基板の上に配され、前記複数の光電変換素子の上にそれぞれ配された複数の開口部を有する、酸化シリコンからなる第１の膜と、
前記複数の開口部にそれぞれ配され、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる複数の部分と、
前記複数の部分の上および前記第１の膜の上面の上に配され、平坦な上面を有し、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる第２の膜と、
前記第２の膜の上面の上に配された樹脂または酸化シリコンからなる第３の膜と、を備え、
前記第１の膜の上面の少なくとも一部の領域の上における前記第２の膜の膜厚は１９０ｎｍ以下であることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項８】
前記第３の膜の上にカラーフィルタを更に備えることを特徴とする請求項６または７に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記複数の部分と前記第２の膜とは、互いに異なる材料で形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記開口部は、前記光電変換素子から離れるにしたがって大きくなるテーパー形状を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置によって得られた信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とする撮像システム。