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【手続補正書】
【提出日】平成26年10月20日(2014.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流を制御する装置（５００）であって、
制御回路（９０１）と、
該制御回路（９０１）と連絡しており、該制御回路（９０１）に応答して前記電流の遮断を促進する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチ（５１１）と、
該ＭＥＭＳスイッチ（５１１）と電気的に連絡して配設されており、該ＭＥＭＳスイッチ（５１１）が閉状態から開状態へ状態を変化させることに応答して前記ＭＥＭＳスイッチ（５１１）からの電気エネルギの転移を受け取るように構成されているハイブリッド無電弧制限技術（ＨＡＬＴ）電弧抑制回路（５０８）であって、ＨＡＬＴスイッチと直列に接続されたＨＡＬＴキャパシタ（５２１）を含んでいるＨＡＬＴ電弧抑制回路（５０８）と、
該ＨＡＬＴ電弧抑制回路（５０８）の前記ＨＡＬＴキャパシタ（５２１）と並列に、前記ＨＡＬＴスイッチと直列に電気的に連絡して構成されている可変抵抗（５３４）と
を備えた装置（５００）。
【請求項２】
前記制御回路（９０１）は所定のトリップ事象のパラメータに合致した前記電流に応答して前記ＭＥＭＳスイッチ（５１１）を開く、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記所定のトリップ事象の前記パラメータは障害事象を含んでいる、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記ＭＥＭＳスイッチ（５１１）は、前記制御回路と信号連絡しており前記所定のトリップ事象に続いて前記ＭＥＭＳスイッチ（５１１）を開くように構成されている単一のゲート接点を含んでいる、請求項２または３に記載の装置。
【請求項５】
前記制御回路（９０１）と信号連絡しており、前記所定のトリップ事象の指標を与えるように構成されている検出回路（９０２）をさらに含んでいる請求項２乃至４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
前記ＭＥＭＳスイッチ（５１１）は負荷（５１２）と信号連絡するように構成されている、請求項２乃至５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
前記負荷（５１２）はモータ又は誘導負荷である、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記ＭＥＭＳスイッチ（５１１）と並列接続している電圧スナバ回路（５０５）をさらに含んでいる請求項１乃至７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
前記ＭＥＭＳスイッチ（５１１）の状態変化を交流電流及び絶対ゼロ電圧基準に対する交流電圧の少なくとも一方のゼロ交差の発生に同期させるように構成されている検出回路（９０２）をさらに含んでいる請求項１乃至８のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
前記ＭＥＭＳスイッチ（５１１）は、単一の電流路に対応する複数のＭＥＭＳスイッチの一つであり、該複数のＭＥＭＳスイッチの各々のＭＥＭＳスイッチが、前記制御回路（９０１）に応答して前記単一の電流路を流れる電流の遮断を促進する、請求項１乃至９のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
前記複数のＭＥＭＳスイッチは並列に構成されている、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記複数のＭＥＭＳスイッチは直列に構成されている、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記可変抵抗（５３４）は可変抵抗器（５３３〜５３４）の列である、請求項１乃至１２のいずれかに記載の装置。
【請求項１４】
前記可変抵抗器の各々は酸化金属バリスタ（ＭＯＶ）である、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記可変抵抗器の各々が前記ＨＡＬＴ電弧抑制回路（５０８）の前記容量部分（５２１）と並列に電気的に連絡して構成されている、請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
前記可変抵抗（５３４）は、前記受け取ったエネルギを、前記ＨＡＬＴ電弧抑制回路（５０８）のＤＣ（直流）電圧ピークに基づいて発散するように構成されている、請求項１乃至１５のいずれかに記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月17日(2014.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の膜、第２の膜、及び第３の膜をこの順に積層して形成し、
前記第３の膜上にレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて前記第３の膜をエッチングしてマスク層を形成し、
前記レジストマスクを薬液により除去し、
前記マスク層を用いて前記第２の膜及び前記第１の膜をドライエッチングして、第１の層と、前記第１の層上に第２の層とを形成し、
少なくとも前記第１の層及び前記第２の層を覆って第４の膜を形成し、
前記第４の膜をエッチバック処理して、少なくとも前記第１の層の側面を覆うサイドウォール層を形成することを特徴とする薄膜素子の作製方法。
【請求項２】
第１の導電層を覆って設けられた第１の絶縁膜上に半導体膜、導電膜、及びマスク膜をこの順に積層して形成し、
前記マスク膜上に第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記マスク膜をドライエッチング又はウエットエッチングして第１のマスク層を形成し、
前記第１のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第１のマスク層を用いて前記導電膜及び前記半導体膜をドライエッチングして、第２の導電層と、半導体層とを形成し、
前記第１のマスク層、前記第２の導電層、及び前記半導体層を覆って第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜をエッチバック処理して、少なくとも前記半導体層の側面を覆うサイドウォール絶縁層を形成し、
前記第１のマスク層上に第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第１のマスク層をドライエッチング又はウエットエッチングして第２のマスク層を形成し、
前記第２のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第２のマスク層を用いて前記第２の導電層をドライエッチングして、第１の電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の導電層を覆って設けられた第１の絶縁膜上に半導体膜、導電膜、及び第１のマスク膜をこの順に積層して形成し、
前記第１のマスク膜上に第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記第１のマスク膜をドライエッチング又はウエットエッチングして第１のマスク層を形成し、
前記第１のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第１のマスク層を用いて前記導電膜及び前記半導体膜をドライエッチングして、第２の導電層と、半導体層とを形成し、
前記第１のマスク層をドライエッチングにより除去し、
前記第２の導電層及び前記半導体層を覆って第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜をエッチバック処理して、少なくとも前記半導体層の側面を覆うサイドウォール絶縁層を形成し、
少なくとも前記第２の導電層上に第２のマスク膜を形成し、
前記第２のマスク膜上に第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２のマスク膜をドライエッチング又はウエットエッチングして第２のマスク層を形成し、
前記第２のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第２のマスク層を用いて前記第２の導電層をドライエッチングして、第１の電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１の導電層を覆って設けられた第１の絶縁膜上に半導体膜、導電膜、及びマスク膜をこの順に積層して形成し、
前記マスク膜上に第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記マスク膜をドライエッチング又はウエットエッチングして第１のマスク層を形成し、
前記第１のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第１のマスク層を用いて前記導電膜及び前記半導体膜をドライエッチングして、第２の導電層と、半導体層とを形成し、
前記第１のマスク層、前記第２の導電層、及び前記半導体層を覆って第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜をエッチバック処理して、少なくとも前記半導体層の側面を覆うサイドウォール絶縁層を形成しつつ前記第１のマスク層を除去し、
少なくとも前記第２の導電層上に第２のマスク膜を形成し、
前記第２のマスク膜上に第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２のマスク膜をドライエッチング又はウエットエッチングして第２のマスク層を形成し、
前記第２のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第２のマスク層を用いて前記第２の導電層をドライエッチングして、第１の電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一において、
少なくとも前記第２のマスク層、前記第１の電極層、前記半導体層を覆って第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜の前記第１の電極層と重畳する部分に開口部を形成し、
前記第３の絶縁膜上に、前記開口部を介して前記第１の電極層と電気的に接続される第２の電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
第１の導電層を覆って設けられた第１の絶縁膜上に半導体膜、導電膜、及びマスク膜をこの順に積層して形成し、
前記マスク膜上に第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記マスク膜をドライエッチング又はウエットエッチングして第１のマスク層を形成し、
前記第１のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第１のマスク層を用いて前記導電膜及び前記半導体膜をドライエッチングして、第２の導電層と、半導体層とを形成し、
前記第１のマスク層、前記第２の導電層、及び前記半導体層を覆って第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜をエッチバック処理して、少なくとも前記半導体層の側面を覆う第１のサイドウォール絶縁層を形成し、
前記第１のマスク層、前記第２の導電層、前記半導体層、及び前記第１のサイドウォール絶縁層を覆って第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜をエッチバック処理して、前記第１のサイドウォール絶縁層を介して前記半導体層の側面に第２のサイドウォール絶縁層を形成し、
前記第１のマスク層上に第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第１のマスク層をドライエッチング又はウエットエッチングして第２のマスク層を形成し、
前記第２のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第２のマスク層を用いて前記第２の導電層をドライエッチングして、第１の電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
少なくとも前記第２のマスク層、前記第１の電極層、前記半導体層を覆って第４の絶縁膜を形成し、
前記第４の絶縁膜の前記第１の電極層と重畳する部分に開口部を形成し、
前記第４の絶縁膜上に、前記開口部を介して前記第１の電極層と電気的に接続される第２の電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項２乃至７のいずれか一において、
前記第１の導電層は、ゲート電極層としての機能を有し、
前記電極層は、ソース電極層又はドレイン電極層としての機能を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項２乃至８のいずれか一において、
前記半導体膜はＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体を有し、
前記導電膜はチタンを有し、
前記マスク膜は酸化アルミニウムを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月15日(2014.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のフォトダイオードと、
第２のフォトダイオードと、
第１の増幅回路と、
第２の増幅回路と、を有し、
前記第１のフォトダイオードは、可視光を吸収し赤外光を透過する機能を有し、
前記第２のフォトダイオードは、前記赤外光を吸収し前記可視光を透過する機能を有し、
前記第１の増幅回路は、前記第１のフォトダイオードで発生した光電流に対応する電荷を増幅する機能を有し、
前記第２の増幅回路は、前記第２のフォトダイオードで発生した光電流に対応する電荷を増幅する機能を有し、
前記可視光と前記赤外光とを含む入射光が入射される側に前記第１のフォトダイオードが位置し、前記第１のフォトダイオードと前記第２のフォトダイオードとは重なる領域を有するように設けられることを特徴とする光検出装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のフォトダイオードは、ｐ型半導体領域と、ｉ型半導体領域と、ｎ型半導体領域と、を有し、
前記入射光が入射される側からみた場合に、前記第１のフォトダイオードの面積は、前記第２のフォトダイオードにおける前記ｉ型半導体領域の面積よりも大きいことを特徴とする光検出装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の増幅回路と前記第２の増幅回路とは、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタを有することを特徴とする光検出回路。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月28日(2013.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ蓄電池の正極に用いられる粉末であって、
正極活物質からなる核粒子と、
炭素からなる導電材粒子と、
を含み、
前記核粒子の表面に、前記正極活物質と水酸イオンとの反応部と、前記導電材粒子によって覆われた導電部とが形成されている、
アルカリ蓄電池正極用粉末。
【請求項２】
請求項１において、前記核粒子が、炭素を介して２個以上結合しているアルカリ蓄電池正極用粉末。
【請求項３】
請求項１または２において、前記導電材粒子が、前記核粒子よりも小さい粒径を有しており、前記核粒子の表面の一部が前記導電材粒子によって覆われているアルカリ蓄電池正極用粉末。
【請求項４】
請求項３において、前記核粒子の前記導電材粒子による表面被覆率が１０〜９５％の範囲にあるアルカリ蓄電池用正極用粉末。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項において、前記正極活物質が水酸化ニッケルであるアルカリ蓄電池用正極粉末。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項において、前記導電材粒子が、黒鉛化度（Ｇ値）０．３〜０．８の炭素材料で形成されているアルカリ電池用正極粉末。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項において、前記核粒子と前記導電材粒子の粒径比が５：１〜１００：１の範囲内にあるアルカリ蓄電池用正極粉末。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項において、前記核粒子に前記導電材粒子を付着させるバインダとしてエチレン系コポリマーを含むアルカリ蓄電池用正極粉末。
【請求項９】
請求項８において、前記バインダの添加量が、前記炭素との重量比で５０〜１５０重量％であり、前記正極活物質との重量比で０．１〜１０重量％であるアルカリ蓄電池用正極粉末。
【請求項１０】
アルカリ蓄電池に使用される正極用粉末を製造する方法であって、
正極活物質からなる核粒子の粉末に、下方から空気流を吹き付けて前記核粒子粉末を流動化させる流動化工程と、
炭素からなる導電材粒子とバインダを溶媒に分散させてコーティング液を作製するコーティング液作製工程と、
前記流動化した核粒子粉末に向けて、前記コーティング液を噴霧して、前記核粒子の表面に前記導電材粒子を付着させる噴霧工程と、
を含む、
アルカリ蓄電池正極用粉末の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記流動化工程が、前記正極活物質として水酸化ニッケルを用いることを含み、前記コーティング液作製工程が、前記バインダとしてエチレン系コポリマーを用いることを含むアルカリ蓄電池正極用粉末の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０または１１において、さらに、前記流動化工程における前記空気流を利用して、前記導電材粒子が付着した前記核粒子を乾燥する乾燥工程を含むアルカリ蓄電池正極用粉末の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０から１２のいずれか一項に記載の製造方法によって製造された正極用粉末。
【請求項１４】
請求項１から９のいずれか一項に記載の正極用粉末、もしくは請求項１０から１２のいずれか一項に記載の製造方法によって製造された粉末を用いたアルカリ蓄電池用正極。
【請求項１５】
請求項１から９のいずれか一項に記載の正極用粉末、もしくは請求項１０から１２のいずれか一項に記載の製造方法によって製造された正極用粉末を正極に含むアルカリ蓄電池。
【請求項１６】
請求項１５に記載のアルカリ蓄電池を複数直列に接続してなる組電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の一実施形態に係るアルカリ蓄電池正極用粉末において、前記導電材粒子が、前記核粒子よりも小さい粒径を有しており、前記核粒子の表面の一部が前記導電材粒子によって被覆されていることが好ましい。この構成によれば、核粒子の表面に導電材粒子が存在することにより、十分な導電性を確保することができるとともに、核粒子表面の一部のみが導電材粒子によって覆われており、粒子表面に導電材粒子が存在しない部分が残されていることにより、正極活物質の反応面積が確保され、正極活物質の利用率の低下が抑制される。具体的には、前記核粒子の前記導電材粒子による表面被覆率が１０〜９５％の範囲内にあることが好ましい。また、核粒子と導電材粒子の粒径比は、例えば５：１〜１００：１の範囲内にあることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の一実施形態に係るアルカリ蓄電池正極用粉末において、前記導電材粒子が、黒鉛化度（Ｇ値）０．３〜０．８の炭素材料で形成されていることが好ましい。この構成によれば、正極活物質粒子に高い導電性が付与されるとともに、耐酸化性能が向上する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の一実施形態に係るアルカリ蓄電池正極用粉末において、前記核粒子に前記導電材粒子を付着させるバインダとしてエチレン系コポリマーを含むことが好ましい。この構成によれば、核粒子と導電材粒子とを安定的に、かつ均一に結着させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月16日(2014.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超伝導コイルと、
前記超伝導コイルを支持する複数の支持ビームであって、少なくとも１つの支持ビームがヘリウムガスを貯蔵するためのヘリウムガスタンクを画定している複数の支持ビームと、
前記超伝導コイルに結合されかつ前記少なくとも１つの支持ビームに接続された複数の冷却チューブであって、液体ヘリウムをその中を通って転送するように構成された複数の冷却チューブと、
を備える超伝導コイル支持機構。
【請求項２】
超伝導コイルと、
前記超伝導コイルを支持しておりかつその内部に冷却用流体を貯蔵するためのタンクを画定している少なくとも１つの支持ビームと、
前記超伝導コイルに結合されかつ前記少なくとも１つの支持ビームに接続された複数の冷却チューブであって、冷却用流体をその中を通って転送するように構成された複数の冷却チューブと、
前記複数の冷却チューブを、（ｉ）前記熱シールド冷却チューブを介してコールドヘッドの再凝縮器に対して、あるいは（ｉｉ）直接再凝縮器に対して接続し、前記熱シールド冷却チューブを介して前記再凝縮器に流れる冷却用流体の量及び、再凝縮器に直接流れる冷却用流体の量を制御する流体分割器と、
を備える超伝導コイル支持機構。
【請求項３】
前記超伝導コイルは複数のコイルを含みかつ前記複数の冷却チューブは該複数のコイルの外周に結合されている、請求項１または２に記載の超伝導コイル支持機構。
【請求項４】
前記冷却チューブから分離されていると共にその中を通って流れる冷却用流体を有している複数の予冷却チューブをさらに備える請求項１乃至３のいずれかに記載の超伝導コイル支持機構。
【請求項５】
前記複数の冷却チューブ内の冷却用流体は液体ヘリウムであり、かつ前記予冷却チューブ内の冷却用流体は非ヘリウム液体である、請求項４に記載の超伝導コイル支持機構。
【請求項６】
前記複数の予冷却チューブは、前記超伝導コイルが前記少なくとも１つの支持ビームに沿って整列するように構成された剛性のチューブを含む、請求項４に記載の超伝導コイル支持機構。
【請求項７】
熱シールドと、該熱シールドの周囲を囲繞する複数の熱シールド冷却チューブと、をさらに備える請求項１乃至６のいずれかに記載の超伝導コイル支持機構。
【請求項８】
前記複数の冷却チューブは、パルスチューブ冷却器タイプのコールドヘッドまたは４Ｋ Ｇｉｆｆｏｒｄ−ＭｃＭａｈｏｎ（ＧＭ）タイプのコールドヘッドのうちの一方を含むコールドヘッドの再凝縮器に接続されている、請求項１乃至７のいずれかに記載の超伝導コイル支持機構。
【請求項９】
その少なくとも１つが超伝導コイルと締め嵌めされておりかつその少なくとも１つが超伝導コイルと恒久的に結合されている複数の支持ビームをさらに備える請求項１乃至８のいずれかに記載の超伝導コイル支持機構。
【請求項１０】
超伝導マグネット向けの多段冷却機構であって、
その内部に冷却用液体を有する複数の液体冷却タンクと、
超伝導マグネットのコイルに結合された複数の冷却チューブと、
ボイルオフした冷却用液体を再凝縮させるように構成されたコールドヘッドと、
熱シールドと、
複数の冷却チューブの間においてかつ（ｉ）直接コールドヘッドに対してまたは（ｉｉ）熱シールドを介してコールドヘッドに対して接続された流体分割器と、
を備える多段冷却機構。
【請求項１１】
超伝導マグネットのコイルを冷却するための方法であって、
複数の冷却チューブを超伝導マグネットのコイルに結合させるステップと、
その内部に冷却用液体タンクを有しかつ超伝導マグネットのコイルを支持するように構成された少なくとも１つのコイル支持体を形成するステップと、
複数の冷却チューブを熱シールドに結合させるステップと、
（ｉ）超伝導マグネットのコイルに結合された複数の冷却チューブ及び（ｉｉ）熱シールドに結合された複数の冷却チューブに対して接続させて流体分割器を設けるステップと、を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月24日(2014.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体層、第２半導体層、及び前記第１及び第２半導体層の間に形成される活性層を含む発光構造物と、
前記発光構造物の下面に接触する絶縁層と、
前記発光構造物の下に配置され、前記絶縁層が配置されるパターンが形成された保護層と、を含み、
前記パターンは、少なくとも一つの溝を含み、
前記少なくとも１つの溝の深さは、
前記保護層の厚さ対比０．３倍〜０．７倍である発光素子。
【請求項２】
第１半導体層、第２半導体層、及び前記第１及び第２半導体層の間に形成される活性層を含む発光構造物と、
前記第１半導体層に接触する少なくとも２つ以上の突起が形成された保護層と、
前記少なくとも２つ以上の突起の間に形成されたパターン内に配置され、前記第１半導体層に接触する絶縁層と、を含み、
前記少なくとも２つ以上の突起の高さは、
前記保護層の厚さ対比０．３倍〜０．７倍である発光素子。
【請求項３】
前記保護層の厚さは、１μｍ〜１０μｍである、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記保護層は、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、鉛（Ｐｂ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、鉄（Ｆｅ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）及びタングステン（Ｗ）のうち少なくとも一つを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項５】
前記パターンは、少なくとも一側面がオープンされたパターンである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項６】
前記保護層は、前記発光構造物と垂直的に重なり合い、前記発光構造物の一部分に接触する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項７】
前記パターンの断面形状は、多角形または半円形である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記絶縁層は、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯｘ、ＴｉＯ２及びＡｌＮのうち少なくとも一つを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項９】
前記保護層は、
前記第１半導体層の下に隣接し、前記パターンが形成された第１面と、
前記第１面と対向し、前記基板上に隣接した第２面と、
を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記保護層は、
第１厚さを有する第１領域と、
前記第１領域を取り囲み、かつ、前記パターンが形成された第２領域と、
を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記第２領域は、前記第１厚さよりも厚い第２厚さを有する、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第１領域上に配置され、前記第１半導体層の下面に接触する電極層と、
を含む、請求項１０または１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記保護層と前記電極層との間に反射層を含み、
前記反射層の幅は、前記電極層の幅と同一であるか、または、狭い、請求項１２に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記反射層は、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ及びＨｆのうち少なくとも一つを含む、請求項１３に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記第１半導体層と前記電極層との間に電流閉じ込め層をさらに含み、
前記電流閉じ込め層は、前記保護層及び前記絶縁層の少なくとも一方と同じ材質からなる、請求項１２または１３に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記少なくとも２つ以上の突起の少なくとも一方は、前記第１半導体層内に挿入された、請求項２に記載の発光素子。
【請求項１７】
第１半導体層、第２半導体層及び前記第１及び第２半導体層の間に形成される活性層を含む発光構造物と、
前記第１半導体層の下面の一部分に接触する絶縁層と、
前記第１半導体層の下に配置され、前記絶縁層と接触しない前記第１半導体層の下面に接触する保護層と、
を含む、発光素子。
【請求項１８】
前記絶縁層及び前記保護層は、交互に配置された、請求項１７に記載の発光素子。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか１項に記載の発光素子を含む照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月15日(2014.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトダイオードと、第１のトランジスタと、複数の第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、を有し、
前記フォトダイオードのアノードは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記フォトダイオードのアノードは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記フォトダイオードのアノードは、前記複数の第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記フォトダイオードのアノードは、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記フォトダイオードのアノードは、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記フォトダイオードのカソードは、前記複数の第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記フォトダイオードのカソードは、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記複数の第２のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記フォトダイオードのカソードは、第１の電源電位と第２の電源電位とを選択する回路に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第３の電源電位を伝達する配線に電気的に接続され、
前記第１の電源電位は、前記第２の電源電位よりも高く、
前記第２の電源電位は、接地電位であり、
前記第３の電源電位は、前記第１の電源電位よりも低いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第３のトランジスタは酸化物半導体を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第３のトランジスタのゲート幅は、前記第１のトランジスタのゲート幅よりも大きいことを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第３のトランジスタのゲート長は、前記第１のトランジスタのゲート長よりも小さいことを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月26日(2014.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板に接してアモルファスシリコン層を形成し、
プラズマＣＶＤ法を用いて反応室内を４５０Ｐａ以上１００００Ｐａ以下の圧力に調整した成膜条件で、前記アモルファスシリコン層に接して微結晶シリコン層を形成する光電変換装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記微結晶シリコン層は、ｐ型の不純物元素又はｎ型の不純物元素を含むことを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項３】
単結晶半導体基板の一方の面に接して第１のアモルファスシリコン層を形成し、
前記第１のアモルファスシリコン層に接して第１の極性の不純物拡散層を形成し、
前記単結晶半導体基板のもう一方の面に接して第２のアモルファスシリコン層を形成し、
前記第２のアモルファスシリコン層に接して第２の極性の不純物拡散層を形成し、
前記第１の極性の不純物拡散層の形成及び前記第２の極性の不純物拡散層の形成は、反応室内を４５０Ｐａ以上１００００Ｐａ以下の圧力下で行われることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項４】
単結晶半導体基板と、
前記単結晶半導体基板の一方の面に接する第１のアモルファスシリコン層と、
前記第１のアモルファスシリコン層に接する第１の極性の不純物拡散層と、
前記単結晶半導体基板のもう一方の面に接する第２のアモルファスシリコン層と、
該第２のアモルファスシリコン層に接する第２の極性の不純物拡散層と、を有し、
前記第１の極性の不純物拡散層及び前記第２の極性の不純物拡散層は、反応室内を４５０Ｐａ以上１００００Ｐａ以下の圧力下で成膜された微結晶シリコン層であることを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月20日(2013.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の印刷設定情報を設定可能な情報処理装置であって、
選択された印刷設定情報の使用を制限する制限手段と、
前記使用を制限された印刷設定情報を含まない一括設定情報の使用を許可し、かつ、前記使用を制限された印刷設定情報を含む一括設定情報の使用を許可しないように制御する制御手段と
を備え、
前記一括設定情報は、複数の印刷設定情報で構成されることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
複数の一括設定情報から１つの一括設定情報を選択するための設定画面を表示する表示手段を更に有することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記設定画面は、印刷ジョブを生成するプリンタドライバにより提供されることを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
片面印刷と両面印刷のうち片面印刷の使用が禁止されている場合、前記制御手段は、前記片面印刷を含まない一括設定情報の使用を許可し、かつ、前記片面印刷を含む一括設定情報の使用を許可しないように制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記使用を制限された印刷設定情報は、使用禁止であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
複数の印刷設定情報を設定可能な情報処理装置の制御方法であって、
制限手段が、選択された印刷設定情報の使用を制限する制限工程と、
制御手段が、前記使用を制限された印刷設定情報を含まない一括設定情報の使用を許可し、かつ、前記使用を制限された印刷設定情報を含む一括設定情報の使用を許可しないように制御する制御工程と
を有し、
前記一括設定情報は、複数の印刷設定情報で構成されることを特徴とする制御方法。
【請求項７】
表示手段が、複数の一括設定情報から１つの一括設定情報を選択するための設定画面を表示する表示工程を更に有することを特徴とする請求項６に記載の制御方法。
【請求項８】
前記設定画面は、印刷ジョブを生成するプリンタドライバにより提供されることを特徴とする請求項７に記載の制御方法。
【請求項９】
片面印刷と両面印刷のうち片面印刷の使用が禁止されている場合、前記制御工程において、前記片面印刷を含まない一括設定情報の使用を許可し、かつ、前記片面印刷を含む一括設定情報の使用を許可しないように制御することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の制御方法。
【請求項１０】
前記使用を制限された印刷設定情報は、使用禁止であることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の制御方法。
【請求項１１】
コンピュータを、
選択された印刷設定情報の使用を制限する制限手段、
前記使用を制限された印刷設定情報を含まない一括設定情報の使用を許可し、かつ、前記使用を制限された印刷設定情報を含む一括設定情報の使用を許可しないように制御する制御手段
として機能させ、
前記一括設定情報は、複数の印刷設定情報で構成されることを特徴とするプログラム。
【請求項１２】
コンピュータを、
複数の一括設定情報から１つの一括設定情報を選択するための設定画面を表示する表示手段として更に機能させることを特徴とする請求項１１に記載のプログラム。
【請求項１３】
前記設定画面は、印刷ジョブを生成するプリンタドライバにより提供されることを特徴とする請求項１２に記載のプログラム。
【請求項１４】
片面印刷と両面印刷のうち片面印刷の使用が禁止されている場合、前記制御手段は、前記片面印刷を含まない一括設定情報の使用を許可し、かつ、前記片面印刷を含む一括設定情報の使用を許可しないように制御することを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載のプログラム。
【請求項１５】
前記使用を制限された印刷設定情報は、使用禁止であることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載のプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明に係る装置は、複数の印刷設定情報を設定可能な情報処理装置であって、選択された印刷設定情報の使用を制限する制限手段と、前記使用を制限された印刷設定情報を含まない一括設定情報の使用を許可し、かつ、前記使用を制限された印刷設定情報を含む一括設定情報の使用を許可しないように制御する制御手段とを備え、前記一括設定情報は、複数の印刷設定情報で構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月9日(2014.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パスポート上に印刷するためのバーコードを生成する方法であって、
１セットの身元データを検索するステップと、
前記１セットの身元データを単一のデータ・ストリングに連結するステップと、
発行機関の秘密鍵を使用して、前記データ・ストリングからデジタル署名を生成するステップと、
前記データ・ストリングから第１のバーコード・シンボルを生成するステップと、
前記デジタル署名から第２のバーコード・シンボルを生成するステップと
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記第１のバーコード・シンボル及び前記第２のバーコード・シンボルが、少なくとも１つの標準化されたバーコード・シンボル・ライブラリから生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記標準化されたバーコード・シンボル・ライブラリが、ＵＰＣ−Ａ、ＵＰＣ−Ｅ、ＩＳＢＮ、ＲＳＳ−１４、ＲＳＳ−１４Ｅ、ＲＳＳ−１４Ｌ、インターリーブド２ｏｆ ５、ＢＡＮ／ＪＡＮ−８、ＥＡＮ／ＪＡＮ−１３、Ｃｏｄｅ ３、Ｃｏｄｅ ３９ Ｆｕｌｌ ＡＳＣＩＩ、Ｃｏｄｅ １２８、ＰＤＦ４１７、ＱＲ Ｃｏｄｅ及びデータ・マトリクスからなるグループから選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記デジタル署名が、公開鍵暗号化標準規格＃７である暗号メッセージ構文規格（ＰＫＣＳ＃７）を使用して準備される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
デリミッタが、前記連結された１セットの身元データのフィールドを分離する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
パスポートの認証性及びデータ保全性を検証する方法であって、
第１のバーコード・シンボル及び第２のバーコード・シンボルを有するパスポートを受け取るステップであって、前記第１のバーコード・シンボルは身元データを含み、且つ、前記第２のバーコード・シンボルはデジタル署名を含む、前記受け取るステップと、
バーコード・リーダを使用して、第１のバーコード・シンボル及び第２のバーコード・シンボルを読み取るステップと、
前記身元データ及び前記デジタル署名をディスプレイ装置上に表示するステップと、
前記表示された身元データが前記パスポート上に印刷された身元データと一致することを検証するステップと、
前記デジタル署名を検証するステップと、
検証結果を前記ディスプレイ装置上に表示するステップと
を含む、前記方法。
【請求項７】
前記第１のバーコード・シンボル及び前記第２のバーコード・シンボルが、少なくとも１つの標準化されたバーコード・シンボル・ライブラリから生成される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記標準化されたバーコード・シンボル・ライブラリが、ＵＰＣ−Ａ、ＵＰＣ−Ｅ、ＩＳＢＮ、ＲＳＳ−１４、ＲＳＳ−１４Ｅ、ＲＳＳ−１４Ｌ、インターリーブド２ｏｆ ５、ＢＡＮ／ＪＡＮ−８、ＥＡＮ／ＪＡＮ−１３、Ｃｏｄｅ ３、Ｃｏｄｅ ３９ Ｆｕｌｌ ＡＳＣＩＩ、Ｃｏｄｅ １２８、ＰＤＦ４１７、ＱＲ Ｃｏｄｅ及びデータ・マトリクスからなるグループから選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記デジタル署名が、公開鍵暗号化標準規格＃７である暗号メッセージ構文規格（ＰＫＣＳ＃７）を使用して準備される、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記発行機関に関係する情報を前記ディスプレイ装置上に表示するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
コンピュータ・システムであって、
少なくとも１つの処理ユニットと、
前記少なくとも１つの処理ユニットに動作可能に関連付けられたメモリと、
前記メモリ内に格納可能であり且つ前記少なくとも１つの処理ユニットによって実行可能なバーコード化ツールと
を備えており、
前記バーコード化ツールが、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法の各ステップを実行させるためのコンポーネントを含む、
前記コンピュータ・システム。
【請求項１２】
コンピュータに、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法の各ステップを実行させるコンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月19日(2013.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
トランスの一次側に入力される電圧をスイッチングする第一スイッチング部と、
前記第一スイッチング部の駆動を制御することにより、前記トランスの二次側の出力電圧を制御する第一制御部と、
前記トランスの二次側に接続され、前記トランスの二次側に発生する電圧に応じて駆動する第二スイッチング部と、
前記第二スイッチング部に供給される電圧の降下に応答して前記第二スイッチング部をオンし、前記二次側の前記出力電圧を低減する低電圧出力モードにおいて、前記第二スイッチング部がオンしてから所定時間経過後に前記第二スイッチング部をオフするように前記第二スイッチング部の動作を制御する第二制御部とを有することを特徴とする電源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
記録材に画像を形成するための画像形成部と、
前記画像形成部の動作を制御する制御部と、
前記制御部に電圧を供給する電源と、を備え、
前記電源は、
トランスの一次側に入力される電圧をスイッチングする第一スイッチング部と、
前記第一スイッチング部の駆動を制御することにより、前記トランスの二次側の出力電圧を制御する第一制御部と、
前記トランスの二次側に接続され、前記トランスの二次側に発生する電圧に応じて駆動する第二スイッチング部と、
前記第二スイッチング部に供給される電圧の降下に応答して前記第二スイッチング部をオンし、前記二次側の前記出力電圧を低減する低電圧出力モードにおいて、前記第二スイッチング部がオンしてから所定時間経過後に前記第二スイッチング部をオフするように前記第二スイッチング部の動作を制御する第二制御部とを有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するための本発明の電源装置は、トランスの一次側に入力される電圧をスイッチングする第一スイッチング部と、前記第一スイッチング部の駆動を制御することにより、前記トランスの二次側の出力電圧を制御する第一制御部と、前記トランスの二次側に接続され、前記トランスの二次側に発生する電圧に応じて駆動する第二スイッチング部と、前記第二スイッチング部に供給される電圧の降下に応答して前記第二スイッチング部をオンし、前記二次側の前記出力電圧を低減する低電圧出力モードにおいて、前記第二スイッチング部がオンしてから所定時間経過後に前記第二スイッチング部をオフするように前記第二スイッチング部の動作を制御する第二制御部とを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の画像形成装置は、記録材に画像を形成するための画像形成部と、
前記画像形成部の動作を制御する制御部と、前記制御部に電圧を供給する電源と、を備え、前記電源は、トランスの一次側に入力される電圧をスイッチングする第一スイッチング部と、前記第一スイッチング部の駆動を制御することにより、前記トランスの二次側の出力電圧を制御する第一制御部と、前記トランスの二次側に接続され、前記トランスの二次側に発生する電圧に応じて駆動する第二スイッチング部と、前記第二スイッチング部に供給される電圧の降下に応答して前記第二スイッチング部をオンし、前記二次側の前記出力電圧を低減する低電圧出力モードにおいて、前記第二スイッチング部がオンしてから所定時間経過後に前記第二スイッチング部をオフするように前記第二スイッチング部の動作を制御する第二制御部とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月6日(2014.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上りリンク制御情報を物理上りリンク共用チャネルで基地局装置へ送信する移動局装置であって、
１つの下りコンポーネントキャリアにおける物理下りリンク共用チャネルの送信に対する前記上りリンク制御情報に第１の処理を施して、前記物理上りリンク共用チャネルで前記基地局装置へ送信する手段と、
複数の前記下りコンポーネントキャリアにおける前記物理下りリンク共用チャネルの送信に対する前記上りリンク制御情報に第２の処理を施して、前記物理上りリンク共用チャネルで前記基地局装置へ送信する手段と、を備えることを特徴とする移動局装置。
【請求項２】
前記上りリンク制御情報は、ランク識別子であることを特徴とする請求項１に記載の移動局装置。
【請求項３】
前記上りリンク制御情報は、プレコーディングマトリックス識別子であることを特徴とする請求項１に記載の移動局装置。
【請求項４】
前記上りリンク制御情報は、伝搬路品質識別子であることを特徴とする請求項１に記載の移動局装置。
【請求項５】
前記上りリンク制御情報は、ＨＡＲＱにおける制御情報であることを特徴とする請求項１に記載の移動局装置。
【請求項６】
上りリンク制御情報を物理上りリンク共用チャネルで移動局装置から受信する基地局装置であって、
１つの下りコンポーネントキャリアにおける物理下りリンク共用チャネルの送信に対する、第１の処理が施された前記上りリンク制御情報を、前記物理上りリンク共用チャネルで前記移動局装置から受信する手段と、
複数の前記下りコンポーネントキャリアにおける前記物理下りリンク共用チャネルの送信に対する、第２の処理が施された前記上りリンク制御情報を、前記物理上りリンク共用チャネルで前記移動局装置から受信する手段と、を備えることを特徴とする基地局装置。
【請求項７】
前記上りリンク制御情報は、ランク識別子であることを特徴とする請求項６に記載の基地局装置。
【請求項８】
前記上りリンク制御情報は、プレコーディングマトリックス識別子であることを特徴とする請求項６に記載の基地局装置。
【請求項９】
前記上りリンク制御情報は、伝搬路品質識別子であることを特徴とする請求項６に記載の基地局装置。
【請求項１０】
前記上りリンク制御情報は、ＨＡＲＱにおける制御情報であることを特徴とする請求項６に記載の基地局装置。
【請求項１１】
上りリンク制御情報を物理上りリンク共用チャネルで基地局装置へ送信する移動局装置の通信方法であって、
１つの下りコンポーネントキャリアにおける物理下りリンク共用チャネルの送信に対する前記上りリンク制御情報に第１の処理を施して、前記物理上りリンク共用チャネルで前記基地局装置へ送信し、
複数の前記下りコンポーネントキャリアにおける前記物理下りリンク共用チャネルの送信に対する前記上りリンク制御情報に第２の処理を施して、前記物理上りリンク共用チャネルで前記基地局装置へ送信することを特徴とする通信方法。
【請求項１２】
上りリンク制御情報を物理上りリンク共用チャネルで移動局装置から受信する基地局装置の通信方法であって、
１つの下りコンポーネントキャリアにおける物理下りリンク共用チャネルの送信に対する、第１の処理が施された前記上りリンク制御情報を、前記物理上りリンク共用チャネルで前記移動局装置から受信し、
複数の前記下りコンポーネントキャリアにおける前記物理下りリンク共用チャネルの送信に対する、第２の処理が施された前記上りリンク制御情報を、前記物理上りリンク共用チャネルで前記移動局装置から受信することを特徴とする通信方法。
【請求項１３】
上りリンク制御情報を物理上りリンク共用チャネルで基地局装置へ送信する移動局装置に用いられる集積回路であって、
１つの下りコンポーネントキャリアにおける物理下りリンク共用チャネルの送信に対する前記上りリンク制御情報に第１の処理を施して、前記物理上りリンク共用チャネルで前記基地局装置へ送信する機能と、
複数の前記下りコンポーネントキャリアにおける前記物理下りリンク共用チャネルの送信に対する前記上りリンク制御情報に第２の処理を施して、前記物理上りリンク共用チャネルで前記基地局装置へ送信する機能と、を前記移動局装置へ発揮されることを特徴とする集積回路。
【請求項１４】
上りリンク制御情報を物理上りリンク共用チャネルで移動局装置から受信する基地局装置に用いられる集積回路であって、
１つの下りコンポーネントキャリアにおける物理下りリンク共用チャネルの送信に対する、第１の処理が施された前記上りリンク制御情報を、前記物理上りリンク共用チャネルで前記移動局装置から受信する機能と、
複数の前記下りコンポーネントキャリアにおける前記物理下りリンク共用チャネルの送信に対する、第２の処理が施された前記上りリンク制御情報を、前記物理上りリンク共用チャネルで前記移動局装置から受信する機能と、を前記基地局装置へ発揮されることを特徴とする集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月19日(2013.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線を偏向させる偏向器と、基板を駆動するステージ機構とを有し、前記偏向器によって荷電粒子線を主走査方向に走査するとともに前記ステージ機構によって前記基板を副走査方向に走査しながら前記基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、
前記基板に対する荷電粒子線の照射および非照射を制御するブランカユニットと、
前記ステージ機構によって前記基板が前記副走査方向に駆動されている状態で、前記基板に対する描画が停止された後に再開される際に、描画の停止から再開までの期間における前記ステージ機構による前記副走査方向における前記基板の駆動量だけ前記副走査方向に荷電粒子線を偏向させるように前記偏向器を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする荷電粒子線描画装置。
【請求項２】
描画データに従って前記ブランカユニットを制御するブランカ制御部と、
前記基板に対する描画がなされている状態において、前記ブランカ制御部に対して正しい描画データが供給されないアンダーランエラーが発生したことを検出する検出部とを更に備え、
前記制御部は、前記検出部によってアンダーランエラーの発生が検出されたことに応じて、描画が停止されるように前記ブランカ制御部を制御する、
ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項３】
前記制御部は、描画の停止から再開までの期間における前記ステージ機構による前記副走査方向における前記基板の駆動量だけ前記ステージ機構による前記副走査方向における前記基板の走査の終了位置を変更する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項４】
前記制御部は、描画の停止前における前記ステージ機構による前記基板の走査速度よりも描画の再開後における前記ステージ機構による前記基板の走査速度を低下させる、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項５】
前記制御部は、描画の停止前における描画速度よりも描画の再開後における描画速度を増加させる、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項６】
感光剤が塗布された基板に請求項１乃至５のいずれか１項に記載の荷電粒子線描画装置を用いてパターンを描画する工程と、
該パターンが描画された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項７】
荷電粒子線を偏向させる偏向器と、基板を駆動するステージ機構とを有し、前記ステージ機構によって前記基板を所定の方向に走査しながら前記基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、
前記基板に対する荷電粒子線の照射および非照射を制御するブランカユニットと、
前記ステージ機構によって前記基板が前記所定の方向に駆動されている状態で、前記基板に対する描画が停止された後に再開される際に、描画の停止から再開までの期間における前記ステージ機構による前記所定の方向における前記基板の駆動量だけ前記所定の方向に荷電粒子線を偏向させるように前記偏向器を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする荷電粒子線描画装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【図１】実施形態の荷電粒子線描画装置の構成を示す図。
【図２】基板に対するパターンの描画手順を例示的に説明する図。
【図３】エラーが発生していない時の偏向器による電子線の副走査方向における偏向量とステージ機構による基板の副偏向方向における駆動位置とを例示する図。
【図４】基板に対する描画の手順を例示する図。
【図５】エラーの発生が検出された場合における荷電粒子線描画装置の動作手順を例示的に説明する。
【図６】第１実施形態においてエラーが発生した時の偏向器による電子線の副走査方向における偏向量とステージ機構による基板の副偏向方向における駆動位置とを例示する図。
【図７】第２実施形態においてエラーが発生した時の偏向器による電子線の副走査方向における偏向量とステージ機構による基板の副偏向方向における駆動位置とを例示する図。
【図８】第３実施形態においてエラーが発生した時の偏向器による電子線の副走査方向における偏向量とステージ機構による基板の副偏向方向における駆動位置とを例示する図。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2012114123.tif 000001