Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月29日(2014.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の送信アンテナを備え、複数の無線受信装置宛てのデータ信号に対して、それぞれプリコーディングを行ない、プリコーディング後の信号を同一無線リソースに空間多重して送信する無線送信装置であって、
前記複数の無線受信装置と共通の、複数の線形フィルタが記載されたコードブックを記憶する記憶部と、
前記複数の無線受信装置より通知された、前記コードブックより抽出され、前記各無線受信装置の受信信号対雑音電力比、または受信信号対干渉プラス雑音電力比を最小とする第一の線形フィルタに関連付けられた第一の制御情報を取得する制御情報取得部と、
前記第一の制御情報に基づき第三の線形フィルタを算出し、前記第三の線形フィルタと前記データ信号に基づいて第一のベクトルを算出し、前記第三の線形フィルタと前記第一のベクトルに基づいて、前記複数の無線受信装置宛てのデータ信号にプリコーディングを行なうプリコーディング部と、
を備えることを特徴とする無線送信装置。
【請求項２】
前記プリコーディング部は第一のプリコーディングと第二のプリコーディングとを選択的もしくは同時に実行でき、
前記第一のプリコーディングは、前記第一の制御情報に基づき第三の線形フィルタを算出し、前記データ信号に前記第三の線形フィルタが乗算された送信信号を算出する信号処理であり、
前記第二のプリコーディングは、前記第三の線形フィルタと前記データ信号に基づき、第一のベクトルを算出し、前記データ信号に前記第一のベクトルが加算されたのち、更に前記第三の線形フィルタが乗算された送信信号を算出する信号処理であることを特徴とする請求項１記載の無線送信装置。
【請求項３】
前記制御情報取得部は、
前記複数の無線受信装置より通知された、前記コードブックより抽出され、前記無線受信装置の受信信号対雑音電力比、または受信信号対干渉プラス雑音電力比を最大とする第二の線形フィルタに関連付けられた第二の制御情報を更に取得し、
前記プリコーディング部は、
前記第一の制御情報と前記第二の制御情報の少なくとも一部に基づき第三の線形フィルタを算出し、前記第三の線形フィルタと前記データ信号に基づいて第一のベクトルを算出し、前記第三の線形フィルタと前記第一のベクトルに基づいて、前記第三の線形フィルタと前記第一のベクトルに基づいて前記複数の無線受信装置宛てのデータ信号に、プリコーディングを行うことを特徴とする請求項１記載の無線送信装置。
【請求項４】
前記プリコーディング部は、第一のプリコーディングと第二のプリコーディングとを選択的もしくは同時に実行でき、
前記第一のプリコーディングは、前記第一の制御情報と第二の制御情報の少なくとも一部の情報に基づき第三の線形フィルタを算出し、前記データ信号に前記第三の線形フィルタが乗算された送信信号を算出する信号処理であり、
前記第二のプリコーディングは、前記第三の線形フィルタと前記データ信号に基づき、第一のベクトルを算出し、前記データ信号に前記第一のベクトルが加算されたのち、更に前記第三の線形フィルタが乗算された送信信号を算出する信号処理であることを特徴とする請求項３記載の無線送信装置。
【請求項５】
前記複数のプリコーディングのいずれかが行われたことを明示できる第三の制御情報を前記無線受信装置に通知することを特徴とする請求項２または請求項４のいずれかに記載の無線送信装置。
【請求項６】
前記第三の制御情報は、適応変調伝送において参照されるＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ  ａｎｄ  ｃｏｄｉｎｇ  ｓｃｈｅｍｅ  （ＭＣＳ）セットに関連付けられた情報であることを特徴とする請求項５記載の無線送信装置。
【請求項７】
少なくとも一つの受信アンテナを備え、無線送信装置より複数のデータ信号が同一無線リソースに空間多重されて送信された信号を受信する無線受信装置であって、
前記複無線送信装置と共通の、複数の線形フィルタが記載されたコードブックを記憶する記憶部と、
前記コードブックより抽出され、自装置の受信信号対雑音電力比、または受信信号対干渉プラス雑音電力比を最小とする第一の線形フィルタに関連付けられた第一の制御情報と、自装置の受信信号対雑音電力比、または受信信号対干渉プラス雑音電力比を最大とする第二の線形フィルタに関連付けられた第二の制御情報を算出する制御情報生成部と、
前記無線送信装置より送信された信号から、ｍｏｄｕｌｏ演算を含む非線形演算処理によって所望の信号を検出する信号復調部を備え、
前記第一の制御情報を前記無線送信装置に通知することを特徴とする無線受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月1日(2014.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機材料からなる基板本体と、
前記基板本体を厚さ方向に貫通する平面形状が矩形の複数のグランド電極と、
前記基板本体を前記厚さ方向に貫通する平面形状が矩形の複数の電源電極と、を有し、
前記グランド電極と前記電源電極とは所定の間隔を隔てて第１の方向及びそれと直交する第２の方向にそれぞれ交互に配置され、
互いに対向配置された前記グランド電極と前記電源電極との間には、前記基板本体を前記厚さ方向に貫通する平面形状が円形の信号電極が設けられている配線基板。
【請求項２】
前記基板本体の一方の面から露出している前記グランド電極の一端面、前記電源電極の一端面、及び前記信号電極の一端面は、それぞれ前記一方の面と面一であり、
前記基板本体の他方の面から露出している前記グランド電極の他端面、前記電源電極の他端面、及び前記信号電極の他端面は、それぞれ前記他方の面と面一である請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記信号電極は、前記第１の方向又は前記第２の方向のうちの一方向において、複数の前記グランド電極及び複数の前記電源電極の間に配置され、
複数の前記グランド電極のうちの１つは、前記一方向における前記信号電極の一方の側に前記信号電極に隣接して配置され、
複数の前記電源電極のうちの１つは、前記一方向における前記信号電極の前記一方の側とは反対側に前記信号電極に隣接して配置されている請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
前記基板本体はシリコンからなり、
前記基板本体には、前記基板本体の一方の面から他方の面に貫通する第１の貫通孔、第２の貫通孔、及び第３の貫通孔が形成され、
前記基板本体の一方の面、他方の面、前記第１の貫通孔の内側面、前記第２の貫通孔の内側面、及び前記第３の貫通孔の内側面にはシリコン酸化膜が形成され、
前記グランド電極は、前記シリコン酸化膜を介して、前記第１の貫通孔内に形成され、
前記電源電極は、前記シリコン酸化膜を介して、前記第２の貫通孔内に形成され、
前記信号電極は、前記シリコン酸化膜を介して、前記第３の貫通孔内に形成されている請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板。
【請求項５】
前記基板本体の一方の面及び他方の面には、絶縁層及び配線層が形成されている請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項記載の配線基板上に半導体チップを搭載した半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本配線基板は、無機材料からなる基板本体と、前記基板本体を厚さ方向に貫通する平面形状が矩形の複数のグランド電極と、前記基板本体を前記厚さ方向に貫通する平面形状が矩形の複数の電源電極と、を有し、前記グランド電極と前記電源電極とは所定の間隔を隔てて第１の方向及びそれと直交する第２の方向にそれぞれ交互に配置され、互いに対向配置された前記グランド電極と前記電源電極との間には、前記基板本体を前記厚さ方向に貫通する平面形状が円形の信号電極が設けられていることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月10日(2014.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
未硬化樹脂を原版に形成されたパターン部と被処理部材が有する凸部とにより挟み硬化させることにより、前記凸部の表面に樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記被処理部材を保持して移動する部材保持部と、
前記原版を保持して移動する原版保持部と、
前記原版保持部に設置され、前記被処理部材の表面との距離を計測する計測部と、
前記被処理部材に対して前記原版保持部を所定の方向に移動させつつ前記計測部が計測した計測値に基づいて前記凸部の位置を特定し、前記凸部と前記パターン部との位置合わせを実施させた後、前記部材保持部または前記原版保持部の少なくともいずれか一方を前記所定の方向とは異なる方向に移動させることで前記未硬化樹脂を挟む処理を実施させる制御部と、
を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記計測部による前記凸部の被計測位置は、前記凸部の端部の段差を含み、
前記制御部は、前記計測部が前記凸部の前記表面と該凸部以外の表面とを複数の点で計測した前記計測値の差分に基づいて前記凸部の位置を特定し、かつ、前記凸部の中心位置を算出することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記被計測位置は、２つの軸方向に沿った被計測線として設定され、
前記制御部は、前記計測部に対し、一方の前記軸方向の計測を、少なくとも１つ以上の他方の前記軸方向の位置に対して実施させることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記計測部による計測に際し、外形に対して凸部の位置が既知の型、または凸部の位置を示すアライメントマークが配置された型を利用して前記被処理部材の前記凸部の位置を計測させることで、予め前記計測部の計測誤差を補正することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記原版の前記パターン部が形成されている側の表面に配置されたアライメントマークを計測するアライメント計測系を有し、
前記制御部は、前記接触を実施する前に、前記アライメント計測系による計測結果に基づいて前記パターン部の位置を特定することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記制御部により特定される前記被処理部材の前記凸部の位置は、設計上の位置からの回転方向を含む平面方向でのずれ量であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記原版を前記原版保持部に保持させる前に、前記被処理部材の前記凸部と前記計測部との間の距離を、前記原版の高さよりも小さくなるように接近させた状態で、前記計測部により前記距離を計測させることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記被処理部材は、前記凸部に前記パターンが形成されたのち、基板上の未硬化樹脂を型により成形して硬化させて、前記基板上に硬化した樹脂のパターンを形成するインプリント処理で採用される前記型となることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
基板上の未硬化樹脂を型により成形して硬化させて、前記基板上に硬化した樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記インプリント装置は、請求項１ないし８のいずれか１項に記載のインプリント装置であり、
前記部材保持部は、前記被処理部材に換えて前記型を保持し、
前記原版保持部は、前記原版に換えて前記基板を保持する、
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項１０】
請求項９項に記載のインプリント装置を用いて基板上に樹脂のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は、未硬化樹脂を原版に形成されたパターン部と被処理部材が有する凸部とにより挟み硬化させることにより、凸部の表面に樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、被処理部材を保持して移動する部材保持部と、原版を保持して移動する原版保持部と、原版保持部に設置され、被処理部材の表面との距離を計測する計測部と、被処理部材に対して原版保持部を所定の方向に移動させつつ計測部が計測した計測値に基づいて凸部の位置を特定し、凸部とパターン部との位置合わせを実施させた後、部材保持部または原版保持部の少なくともいずれか一方を所定の方向とは異なる方向に移動させることで前記未硬化樹脂を挟む処理を実施させる制御部と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月9日(2014.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
配線層と絶縁層とが複数層積層されてなる配線基板において、
前記積層される複数の絶縁層のうち少なくとも１つの絶縁層は、下層の配線層の上面及び側面を覆うように形成された補強材入り絶縁層と、前記補強材入り絶縁層上に積層され、前記補強材入り絶縁層よりも金属膜との密着性が高い絶縁性樹脂からなり、前記補強材入り絶縁層よりも薄い密着層とを有し、
前記積層される複数の配線層のうち少なくとも１つの配線層は、前記密着層の上に直に形成されるとともに、前記下層の配線層とビア配線により接続されていることを特徴とする配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記密着層の上に直に形成される配線層は、前記密着層の上に直に形成された配線パターンと、前記密着層及び前記補強材入り絶縁層を貫通して形成された前記ビア配線からなり、
前記ビア配線が前記下層の配線層と接続されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
絶縁性樹脂を用いて絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、配線層を形成する配線層形成工程とを支持基板上で繰り返し実施した後に、前記支持基板を除去する工程を実施する配線基板の製造方法において、
前記絶縁層形成工程のうち少なくとも１つの絶縁層形成工程は、補強材を含む第１絶縁性樹脂により補強材入り絶縁層を形成し、前記補強材入り絶縁層よりも金属膜との密着性が高い第２絶縁性樹脂により、前記補強材入り絶縁層よりも薄い密着層を前記補強材入り絶縁層上に形成する第１工程を有し、
前記配線層形成工程のうち少なくとも１つの配線層形成工程は、前記第１工程で形成された絶縁層の前記密着層の上に直に前記配線層を形成する第２工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記第１工程では、
前記支持基板を含む構造体上に、半硬化状態の前記第１絶縁性樹脂と半硬化状態の前記第２絶縁性樹脂とを配置し、加熱・加圧によって前記第１絶縁性樹脂及び前記第２絶縁性樹脂を硬化させることにより、前記補強材入り絶縁層及び前記密着層を形成すると同時に、前記構造体上に前記補強材入り絶縁層及び前記密着層を積層することを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一観点によれば、配線層と絶縁層とが複数層積層されてなる配線基板において、前記積層される複数の絶縁層のうち少なくとも１つの絶縁層は、下層の配線層の上面及び側面を覆うように形成された補強材入り絶縁層と、前記補強材入り絶縁層上に積層され、前記補強材入り絶縁層よりも金属膜との密着性が高い絶縁性樹脂からなり、前記補強材入り絶縁層よりも薄い密着層とを有し、前記積層される複数の配線層のうち少なくとも１つの配線層は、前記密着層の上に直に形成されるとともに、前記下層の配線層とビア配線により接続されている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月5日(2014.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理ガスを用いて基板に対して所定の処理を行う処理装置からの排ガスを流入させる流入口と、
前記流入口から流入した前記排ガスを流出させる流出口と、
第１の開口寸法を有する一又は複数の第１の開口部、及び前記第１の開口寸法よりも小さい第２の開口寸法を有する複数の第２の開口部を有し、前記流入口と前記流出口との間において、前記流入口から前記流出口へ流れる前記排ガスの流れの方向と交差するように配置される複数のバッフル板と
を備え、
前記複数のバッフル板のうちの一つのバッフル板の前記第１の開口部と、隣のバッフル板の前記第１の開口部とが前記流れの方向に対して互いにずれており、
前記複数のバッフル板のうちの隣り合う２つのバッフル板の間隔が、前記第２の開口寸法の０．５から２倍の範囲にある排気トラップ。
【請求項２】
前記複数のバッフル板における前記複数の第２の開口部が、前記第２の開口寸法以下の間隔で配置される、請求項１に記載の排気トラップ。
【請求項３】
前記複数のバッフル板の間隔を調整する調整部材を更に備える、請求項１又は２に記載の排気トラップ。
【請求項４】
所定の目開きを有するメッシュ部を有し、互いに間隔をあけて配置されるメッシュプレートを含み、前記流出口と連通するフィルターユニットを更に備える、請求項１から３のいずれか一項に記載の排気トラップ。
【請求項５】
前記複数のバッフル板のうちの隣り合う２つのバッフル板の間隔が、前記第２の開口寸法の０．５から１倍の範囲にある、請求項１から４のいずれか一項に記載の排気トラップ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図３を参照すると、バッフル板１２は、円板状の上面形状を有しており、例えばステンレススチールなどの金属で形成されている。バッフル板１２の厚さは、バッフル板１２に堆積性物質が付着したときに、バッフル板１２が堆積性物質の重量に耐え得るように設定することが好ましい。例えばバッフル板１２の厚さは、例えば０．５ｍｍから５．０ｍｍまでであって良く、本実施形態においては約１ｍｍである。また、バッフル板１２の外径は、バッフル板１２が本体１１内に配置される限りにおいて、本体１１の内径にできるだけ近い値であることが好ましく、本実施形態においては約２００ｍｍである。  
バッフル板１２は、４個の大口径孔１２ａと、複数（図示の例では３８個）の小口径孔１２ｂと、中央に位置するガイド孔１２ｃとを有している。４個の大口径孔１２ａは、これらの中心が、バッフル板１２の外周円と同心状の円の円周上に位置し、約９０°の角度間隔で互いに離間している。大口径孔１２ａの内径は、バッフル板１２に例えば４個の大口径孔１２ａを形成できるように設定することが好ましい。例えば大口径孔１２ａの内径は、４２ｍｍから７６ｍｍまでであって良く、本実施形態においては約５０ｍｍである。また、複数の小口径孔１２ｂは、４個の大口径孔１２ａ以外の部分において所定の規則性に沿って又はランダムに配置される。図示の例では、ガイド孔１２ｃの周囲に６０°の角度間隔で６個の小口径孔１２ｂが設けられ、隣接する２つの大口径孔１２ａの間においてバッフル板１２の半径方向にほぼ等間隔で４個の小口径孔１２ｂが設けられている。また、小口径孔１２ｂの内径は、大口径孔１２ａの内径よりも小さく、例えば１０ｍｍから２０ｍｍまでであることが好ましく、本実施形態においては約１２ｍｍである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ガイド孔１２ｃは、上述のロッド１１ｅの外径よりも僅かに大きい内径を有しており、ガイド孔１２ｃにロッド１１ｅが挿入されることにより、バッフル板１２が位置決めされる。具体的には、図４に示すように、バッフル板１２と、ロッド１１ｅが挿入される円筒状のスペーサ１２ｓとが上下方向に交互にロッド１１ｅに挿入されることにより、バッフル板１２が上下方向及び水平方向に位置決めされる。スペーサ１２ｓの高さにより、バッフル板１２の間隔を適宜調整することができ、本実施形態においては約１０ｍｍである。すなわち、バッフル板１２は約１１ｍｍのピッチ（バッフル板１２の厚さ１ｍｍと間隔１０ｍｍ）で配置されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
上述の実施形態においては、排気トラップ１０の上にフィルターユニット１４が配置されていたが、フィルターユニット１４は無くても良い。また、排気トラップ１０のガス流出口１１ｃは、天板１１ａになく、本体１１の側周部の上方部分に設けても良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2013062362.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2013062362.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月30日(2014.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
送電部１１０は、後述する送電コイル（１次側コイル）Ｌ１等を含んで構成されている。送電部１１０は、この送電コイルＬ１およびキャパシタＣ１を利用して、電子機器２Ａ，２Ｂ（詳細には、後述する受電部２１０）に対して磁界を用いた電力伝送を行うものである。具体的には、送電部１１０は、給電面Ｓ１から電子機器２Ａ，２Ｂへ向けて磁界（磁束）を放射する機能を有している。なお、この送電部１１０の詳細構成については、後述する（図３）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
制御部１１４は、電源回路１１１および高周波電力発生回路１１２の動作をそれぞれ制御する機能を有している。具体的には、制御部１１４は、詳細は後述するが、所定の周波数およびデューティ比を有する制御信号ＣＴＬを用いて、高周波電力発生回路１１２を駆動するようになっている。また、制御部１１４は、電流・電圧検出部１１３において検出された電流Ｉ１および電圧Ｖ１に基づいて、送電部１１０による給電対象機器（２次側機器；ここでは電子機器２Ａ，２Ｂ）が近傍（給電面Ｓ１の付近；例えば、給電が可能な領域。以下同様。）に存在するのか否かを検出する機能も有している。具体的には、詳細は後述するが、この制御部１１４は、送電部１１０付近でのインピーダンス（ここでは、高周波電力発生回路１１２（後述するスイッチングアンプ）の負荷インピーダンス）の変化を利用して、給電対象機器の検出を行う。ここで、この負荷インピーダンスとは、後述するスイッチングアンプに接続される負荷のインピーダンスのことであり、上記した交流電流（電流Ｉ１）および交流電圧（電圧Ｖ１）により求められるようになっている。なお、このような制御部１１４は、例えばマイクロコンピュータ等からなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
次に、制御部１１４は、そのようにして電流・電圧検出部１１３により検出された電流Ｉ１および電圧Ｖ１を用いて、送電部１１０付近でのインピーダンスＺ１（高周波電力発生回路１１２（スイッチングアンプ）の負荷インピーダンス；図３参照）を算出する（ステップＳ１０３）。具体的には、このインピーダンスＺ１の絶対値｜Ｚ１｜は、以下の（１）式により求めることができる。
｜Ｚ１｜＝（Ｖ１／Ｉ１）  ……（１）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
また、例えば図７（Ａ），（Ｂ）に示したように、制御部１１４は、インピーダンスＺ１の絶対値｜Ｚ１｜の変化量ΔＺができるだけ大きくなるように、制御信号ＣＴＬにおけるデューティ比ＣＴＬ（Ｄ）を制御する。これは、以下の現象を利用して制御する。すなわち、例えば図８（Ａ），（Ｂ）中の符号Ｐ５１，Ｐ５２で示したように、デューティ比ＣＴＬ（Ｄ）＝５０％と相対的に高い場合（図７（Ａ）に相当）と、デューティ比ＣＴＬ（Ｄ）＝１０％と相対的に低い場合（図７（Ｂ）に相当）とでは、インピーダンスＺ１の絶対値｜Ｚ１｜における高調波成分の大きさが異なる。したがって、例えば図９中の符号Ｇ３Ｌ，Ｇ３Ｈおよび矢印Ｐ５Ｌ，Ｐ５Ｈで示したように、制御部１１４は、デューティ比ＣＴＬ（Ｄ）の変化に応じてインピーダンスＺ１の絶対値｜Ｚ１｜における高調波成分の大きさが変化することを考慮して、変化量ΔＺを調整するのが望ましいと言える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
（給電装置１Ａ）
給電装置１Ａは、給電装置１と同様に、磁界を用いて電子機器２Ａ，２Ｂに対して電力伝送を行うものである。この給電装置１Ａは、送電部１１０、電源回路１１１、高周波電力発生回路１１２、電流・電圧検出部１１３Ａ、制御部１１４およびキャパシタＣ１を有する送電装置１１Ａを備えている。すなわち、この送電装置１１Ａは、第１の実施の形態で説明した送電装置１１において、電流・電圧検出部１１３の代わりに電流・電圧検出部１１３Ａを設けたものとなっている。なお、電流・電圧検出部１１３Ａおよび制御部１１４が、本開示における「検出部」の一具体例に対応している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
このとき、送電部１１０以外での電力消費が大きいとインピーダンスＺ１の傾向と直流抵抗値Ｒ２の傾向が一致せず、２次側機器の検出精度を低下させる。このような送電部１１０以外での電力消費としては、コイル１１２Ｌやスイッチング素子（トランジスタ１１２Ｔ）による損失が大部分となる。これらによる電力損失を減らすには、損失の少ない素子を選択することに加え、電流の比率を低減させるために高い直流電圧での駆動や、スイッチングアンプの駆動デューティ比を低下させてスイッチング素子のオン期間を短くすることなどが考えられる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
具体的には、図１４（Ａ）に示した変形例３では、制御部１１４は、給電対象機器の検出期間（検出期間Ｔｄ１，Ｔｄ３）内で、２種類の値（デューティ比Ｄｕｔｙ１，Ｄｕｔｙ２）を１つずつ順次用いている。これにより、以下説明する図１４（Ｂ）の手法と比べ、検出に要する時間を相対的に短くすることが可能となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
一方、図１４（Ｂ）に示した変形例４では、制御部１１４は、給電対象機器の検出期間ごと（検出期間Ｔｄ１，Ｔｄ３のたび）に、２種類の値（デューティ比Ｄｕｔｙ１，Ｄｕｔｙ２）のうちの１つを選択的に用いている。これにより、上記した図１４（Ａ）の手法と比べ、検出動作の際の消費電力を相対的に少なくすることが可能となる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
具体的には、図１５（Ａ）に示した変形例５では、制御部１１４は、給電対象機器の検出期間（検出期間Ｔｄ１，Ｔｄ４）内で、２種類の値（周波数ｆ１，ｆ２およびデューティ比Ｄｕｔｙ１，Ｄｕｔｙ２の各々）を１つずつ順次用いている。これにより、以下説明する図１５（Ｂ）の手法と比べ、検出に要する時間を相対的に短くすることが可能となる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
一方、図１５（Ｂ）に示した変形例６では、制御部１１４は、給電対象機器の検出期間ごと（検出期間Ｔｄ１，Ｔｄ４のたび）に、２種類の値（周波数ｆ１，ｆ２およびデューティ比Ｄｕｔｙ１，Ｄｕｔｙ２の各々）のうちの１つずつを選択的に用いている。これにより、上記した図１５（Ａ）の手法と比べ、検出動作の際の消費電力を相対的に少なくすることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月28日(2014.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
薄い厚さの周辺部と、
前記周辺部より中央側で、一主面に前記周辺部よりも第１高さだけ高く形成され第１平面形状を有する平面状の第１凸部と、
前記周辺部より中央側で、前記一主面に対向する他主面に前記周辺部よりも第２高さだけ高く形成され第２平面形状を有する平面状の第２凸部と、を備え、
前記第1凸部の前記第１平面形状が前記第２凸部の前記第２平面形状と面積又は平面形状の少なくとも一方が異なる、もしくは前記第1凸部の前記第１高さが前記第２凸部の前記第２高さと異なるメサ型の水晶振動片。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記一主面の法線方向から見た際に前記第１凸部は円形又は楕円であり、
前記他主面の法線方向から見た際に前記第２凸部は円形又は楕円であり、
前記第１凸部の円形の半径又は楕円の長径もしくは短径と、前記第２凸部の円形の半径又は楕円の長径もしくは短径とが異なる請求項１に記載のメサ型の水晶振動片。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記一主面の法線方向から見た際に前記第１凸部は円形又は楕円形であり、
前記他主面の法線方向から見た際に前記第２凸部は長方形である請求項１に記載のメサ型の水晶振動片。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記一主面の法線方向から見た際に前記第１凸部は長方形であり、
前記他主面の法線方向から見た際に前記第２凸部は長方形であり、
前記第１凸部の長方形の長辺方向と前記第２凸部の長方形の長辺方向の長さとが異なる又は、前記第１凸部の長方形の短辺方向と前記第２凸部の長方形の短辺方向の長さとが異なる請求項１に記載のメサ型の水晶振動片。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月16日(2014.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の目的を達成するために、例えば、本発明の画像処理装置は、第１画像を取得する取得手段と、
前記第１画像を再帰的に縮小することで、第Ｎ（Ｎは２以上の自然数）画像を生成する縮小手段と、
前記第１乃至Ｎ画像のそれぞれに対して被写体検出処理を行う検出手段であって、第ｍ画像（１≦ｍ≦Ｎ）上の各画像領域のうち、予め該第ｍ画像と関連づけられている画像領域に対して被写体検出処理を行う前記検出手段と
を備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１画像を取得する取得手段と、
前記第１画像を再帰的に縮小することで、第Ｎ（Ｎは２以上の自然数）画像を生成する縮小手段と、
前記第１乃至Ｎ画像のそれぞれに対して被写体検出処理を行う検出手段であって、第ｍ画像（１≦ｍ≦Ｎ）上の各画像領域のうち、予め該第ｍ画像と関連づけられている画像領域に対して被写体検出処理を行う前記検出手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
更に、
前記第１乃至Ｎ画像において相対的に同じ位置の画像領域と、前記第１乃至Ｎ画像の何れかと、を関連づけたテーブルを保持する保持手段を備え、
前記検出手段は、前記第ｍ画像上の各画像領域のうち、前記テーブルによって該第ｍ画像と関連づけられている画像領域に対して被写体検出処理を行う
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
更に、
前記第１画像上の各画像領域に対し、該画像領域内に被写体が映った場合に想定される想定被写体サイズを、前記第１画像上に設定された１以上の領域のサイズから求める手段と、
前記第１乃至Ｎ画像において相対的に同じ位置の画像領域に対し、前記第１乃至Ｎ画像のうち該画像領域について求めた想定被写体サイズに対応づけられている画像を関連づけた前記テーブルを生成して前記保持手段に登録する登録手段と
を備えることを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記検出手段は、前記第１画像において動体が映っている領域を動体領域として検出し、前記第ｍ画像上の各画像領域のうち、予め該第ｍ画像と関連づけられており且つ前記第ｍ画像内で前記動体領域に対応する領域を含む画像領域に対して被写体検出処理を行うことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記検出手段は、前記第ｍ画像上の各画像領域のうち、予め該第ｍ画像と関連づけられており且つ被写体が規定回数以上検出される画像領域として予め特定しておいた画像領域に対して被写体検出処理を行うことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
画像処理装置が行う画像処理方法であって、
前記画像処理装置の取得手段が、第１画像を取得する取得工程と、
前記画像処理装置の縮小手段が、前記第１画像を再帰的に縮小することで、第Ｎ（Ｎは２以上の自然数）画像を生成する縮小工程と、
前記画像処理装置の検出手段が、前記第１乃至Ｎ画像のそれぞれに対して被写体検出処理を行う検出工程であって、第ｍ画像（１≦ｍ≦Ｎ）上の各画像領域のうち、予め該第ｍ画像と関連づけられている画像領域に対して被写体検出処理を行う前記検出工程と
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項７】
コンピュータを、請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2013062688.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月16日(2014.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像して得られた画像を順次取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された画像の輝度分布から輝度補正の目標量を決定する決定手段と、
前記取得手段により取得された対象画像の低周波数領域を特定する特定手段と、
前記対象画像に含まれる画素のうち、前記特定手段により特定された前記低周波数領域に含まれ、かつ輝度値が所定値以下の領域に対して、予め前記決定手段により決定された目標量で輝度補正を行う補正手段と、
前記補正手段により前記目標量で補正された補正後の前記対象画像の輝度分布と、補正前の前記対象画像の輝度分布とに基づいて実効補正量を設定する設定手段と、を有し、
前記決定手段は、輝度補正の新たな目標量を、前記対象画像の輝度分布と前記実効補正量とに基づいて決定する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記決定手段は、前記新たな目標量を、前記対象画像の輝度分布と前記目標量に対する前記実効補正量の比率とに基づいて決定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記決定手段は、前記目標量に対する前記実効補正量の比率の逆数を、前記対象画像の輝度分布から決定された輝度補正の目標量に乗じて得られた値を、前記新たな目標量とすることを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記決定手段は、前記目標量に対する前記実効補正量の比率が閾値以下である場合は、前記目標量以下の値に前記新たな目標量を決定することを特徴とする請求項２または３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記決定手段は、前記新たな目標量と前記目標量の差分が所定値以下になる値に前記新たな目標量を決定することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記決定手段は、前記目標量に対する前記実効補正量の比率が１を超える場合に、前記新たな目標量を前記補正手段による輝度補正が行われない値に決定することを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記決定手段は、前記目標量に対する前記実効補正量の比率が１を超える場合に、前記新たな目標量を前記目標量よりも小さい値に決定することを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記決定手段は、前記目標量での補正後の対象画像における主被写体の露出量と、予め定められた適正露出との差の絶対値が閾値以上である場合に、前記新たな目標量を前記補正手段による輝度補正が行われない値に決定することを特徴とする請求項２乃至７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記取得手段により取得された画像について、顔領域を検出する顔検出手段をさらに有し、
前記決定手段は、前記顔検出手段により顔領域が検出された画像より後に前記取得手段により取得された画像について前記顔検出手段により顔領域が検出されない場合に、輝度補正の目標量を、前記顔領域が検出された画像について決定した目標量と同じ値にする
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
画像処理装置の取得手段が、被写体を撮像して得られた画像を順次取得する取得工程と、
前記画像処理装置の決定手段が、前記取得工程において取得された画像の輝度分布から輝度補正の目標量を決定する決定工程と、
前記画像処理装置の特定手段が、前記取得工程において取得された対象画像の低周波数領域を特定する特定工程と、
前記画像処理装置の補正手段が、前記対象画像に含まれる画素のうち、前記特定工程において特定された前記低周波数領域に含まれ、かつ輝度値が所定値以下の領域に対して、予め前記決定工程において決定された目標量で輝度補正を行う補正工程と、
前記画像処理装置の設定手段が、前記補正工程において前記目標量で補正された補正後の前記対象画像の輝度分布と、補正前の前記対象画像の輝度分布とに基づいて実効補正量を設定する設定工程と、を有し、
前記決定手段は前記決定工程において、輝度補正の新たな目標量を、前記対象画像の輝度分布と前記実効補正量とに基づいて決定する
ことを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置、その制御方法、及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像処理装置、その制御方法、及びプログラムに関し、特に連続的に撮像された画像に対する輝度補正技術に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、周波数成分を考慮せずに目標輝度補正量を決定する場合であっても、良好な輝度補正結果の画像を出力する画像処理装置、その制御方法、及びプログラムを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
前述の目的を達成するために、本発明の画像処理装置は、以下の構成を備える。
被写体を撮像して得られた画像を順次取得する取得手段と、取得手段により取得された画像の輝度分布から輝度補正の目標量を決定する決定手段と、取得手段により取得された対象画像の低周波数領域を特定する特定手段と、対象画像に含まれる画素のうち、特定手段により特定された低周波数領域に含まれ、かつ輝度値が所定値以下の領域に対して、予め決定手段により決定された目標量で輝度補正を行う補正手段と、補正手段により目標量で補正された補正後の対象画像の輝度分布と、補正前の対象画像の輝度分布とに基づいて実効補正量を設定する設定手段と、を有し、決定手段は、輝度補正の新たな目標量を、対象画像の輝度分布と実効補正量とに基づいて決定することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月22日(2014.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面より供給された冷却空気を背面より排気するサーバが夫々収容される複数のサーバラックの前面及び背面の向きを夫々合わせて一列に配置した複数のサーバラック群を、隣り合うサーバラック群の前面同士を対向させて当該対向する前面の間の空間に所定の空気調和装置からの冷却空気を供給して低温領域を形成させるとともに、当該隣り合うサーバラック群の各背面が面する空間に当該サーバラック群の熱気を集めた高温領域を形成させるように配置したサーバ室の空調システムであって、
前記サーバラック群におけるサーバラックの配列方向に沿って前記低温領域の上方の天井に分散配置され、前記空気調和装置から給気ダクトを経由して供給される冷却空気を前記低温領域の床面に向けて前記床面に衝突させるように吹き出す複数の天井吹出口と、
前記サーバラック群におけるサーバラックの配列方向に沿って前記高温領域の上方の天井に分散配置され、前記サーバラック群の熱気を吸い込む複数の天井吸込口と、
前記複数の天井吸込口より夫々吸い込まれた熱気を前記空気調和装置に還気させる還気ダクトと、
を有することを特徴とするサーバ室の空調システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記課題を解決するための主たる本発明は、前面より供給された冷却空気を背面より排気するサーバが夫々収容される複数のサーバラックの前面及び背面の向きを夫々合わせて一列に配置した複数のサーバラック群を、隣り合うサーバラック群の前面同士を対向させて当該対向する前面の間の空間に所定の空気調和装置からの冷却空気を供給して低温領域を形成させるとともに、当該隣り合うサーバラック群の各背面が面する空間に当該サーバラック群の熱気を集めた高温領域を形成させるように配置したサーバ室の空調システムであって、前記サーバラック群におけるサーバラックの配列方向に沿って前記低温領域の上方の天井に分散配置され、前記空気調和装置から給気ダクトを経由して供給される冷却空気を前記低温領域の床面に向けて前記床面に衝突させるように吹き出す複数の天井吹出口と、前記サーバラック群におけるサーバラックの配列方向に沿って前記高温領域の上方の天井に分散配置され、前記サーバラック群の熱気を吸い込む複数の天井吸込口と、前記複数の天井吸込口より夫々吸い込まれた熱気を前記空気調和装置に還気させる還気ダクトと、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月30日(2014.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘはアルギニンであり、ｎは５から１５である、
式Ｉ：
（Ｘ）ｎ                    （Ｉ）
で表されるアミノ酸配列を含み、該アミノ酸配列の０又は１つが置換されている、環状ペプチドの、真菌感染の治療のための医薬の製造における使用。
【請求項２】
真菌感染が皮膚糸状菌感染である請求項１に記載の使用。
【請求項３】
前記ペプチドが５から１３のアミノ酸を含む請求項１に記載の使用。
【請求項４】
前記ペプチドがＲ−Ｒ−Ｒ−Ｒ−Ｒ−Ｒ−Ｒである請求項１に記載の使用。
【請求項５】
皮膚糸状菌感染が白癬感染である請求項２に記載の使用。
【請求項６】
皮膚糸状菌感染が、Trichophyton, Epidermophyton又はMicrosporum属の皮膚糸状菌によって引き起こされる請求項２に記載の使用。
【請求項７】
皮膚糸状菌が、Trichophyton spp.である請求項６に記載の使用。
【請求項８】
皮膚糸状菌が、Trichophyton interdigitaleである請求項７に記載の使用。
【請求項９】
皮膚糸状菌が、Trichophyton rubrumである請求項７に記載の使用。
【請求項１０】
真菌感染が、爪甲真菌症である請求項１に記載の使用。
【請求項１１】
Ｘはアルギニンであり、ｎは５から１５である、
式Ｉ：
（Ｘ）ｎ                    （Ｉ）
で表されるアミノ酸配列を含み、該アミノ酸配列の０又は１つが置換されている、環状ペプチドの製薬上の有効量と、製薬上許容されうるキャリアー、賦形剤又は希釈剤とを含有する薬剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月29日(2014.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式（１）で表される硫酸エステルのアンモニウム塩からなり、窒素含有化合物（ただし、イオン性化合物を除く）との反応によりイオン液体を生成するのに用いられる、イオン液体形成用原料：
【化１】
2014167003.tif 000001
（前記化学式（１）中、Ｒ１は、置換されているかもしくは非置換の炭素数１〜２０の直鎖状、分枝状、もしくは環状のアルキル基、置換されているかもしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基、または置換されているかもしくは非置換の炭素数７〜３１のアリールアルキル基であり、Ａ１は、置換されているかまたは非置換の炭素数２〜４の直鎖状または分枝状のアルキレン基であり、ｎは、０〜５０の整数である。）
ここで、前記窒素含有化合物は、アミン化合物、イミダゾール化合物、ピリジン化合物、ピロリジン化合物、ピロール化合物、ピラジン化合物、ピリミジン化合物、トリアゾール化合物、トリアジン化合物、キノリン化合物、イソキノリン化合物、インドール化合物、キノキサリン化合物、ピペラジン化合物、オキサゾール化合物、チアゾール化合物、およびモルホリン化合物からなる群より選択される少なくとも１種である。
【請求項２】
前記硫酸エステルのアンモニウム塩がポリオキシエチレン多環フェニルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩である、請求項１に記載のイオン液体形成用原料。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月5日(2014.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
約３ｃｐｓ〜約１０００００ｃｐｓの粘度（２０℃で２％水溶液の粘度）を有するゲル化剤および１１−［４−［２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］−１−ピペラジニル］ジベンゾ−［ｂ，ｆ］［１，４］チアゼピンまたはその製剤上認容性の塩３５〜６５質量％を、１種以上の製剤上認容性の賦形剤と共に含有する徐放性製剤。
【請求項２】
ゲル化剤がヒドロキシプロピルメチルセルロースである、請求項１記載の徐放性製剤。
【請求項３】
（ａ）粘度約４０〜６０ｃｐｓ、メトキシ含有量約２８〜３０質量％およびヒドロキシプロポキシ含有量約７〜９質量％未満を有するヒドロキシプロピルメチルセルロース、（ｂ）粘度約３５００〜５６００ｃｐｓ、メトキシ含有量約２８〜３０質量％およびヒドロキシプロポキシ含有量約７〜１２質量％を有するヒドロキシプロピルメチルセルロース、（ｃ）粘度約８０〜１２０ｃｐｓ、メトキシ含有量約１９〜２４質量％およびヒドロキシプロポキシ含有量約７〜９質量％未満を有するヒドロキシプロピルメチルセルロース、ならびに（ｄ）粘度約３５００〜５６００ｃｐｓ、メトキシ含有量約１９〜２４質量％およびヒドロキシプロポキシ含有量約７〜１２質量％を有するヒドロキシプロピルメチルセルロースからなる群から選択されるヒドロキシプロピルメチルセルロースまたはその混合物約５〜５０質量％を含有するが、但し、製剤が前記の（ｄ）のヒドロキシプロピルメチルセルロースを含有する場合、製剤中に存在するヒドロキシプロピルメチルセルロースの総量は２５．８質量％以上でなければならない、請求項１または２記載の徐放性製剤。
【請求項４】
（ａ）〜（ｄ）からなる群から選択されるヒドロキシプロピルメチルセルロースまたはその混合物約５〜４０質量％を含有する、請求項３記載の徐放性製剤。
【請求項５】
（ａ）〜（ｄ）からなる群から選択されるヒドロキシプロピルメチルセルロースまたはその混合物約８〜３５質量％を含有する、請求項４記載の徐放性製剤。
【請求項６】
（ａ）〜（ｄ）からなる群から選択されるヒドロキシプロピルメチルセルロースまたはその混合物約１０〜３０質量％を含有する、請求項５記載の徐放性製剤。
【請求項７】
（ａ）〜（ｄ）からなる群から選択されるヒドロキシプロピルメチルセルロースまたはその混合物約１５〜３０質量％を含有する、請求項６記載の徐放性製剤。
【請求項８】
１種以上の製剤上認容性の賦形剤を、微結晶性セルロース、ラクトース、ステアリン酸マグネシウム、クエン酸ナトリウムおよびポビドンからなる群から選択する、請求項１から７までのいずれか１項記載の製剤。
【請求項９】
１種以上の製剤上認容性の賦形剤を、（ａ）微結晶性セルロース約４〜２０質量％、（ｂ）ラクトース約５〜２０質量％、（ｃ）ステアリン酸マグネシウム約１〜３質量％、（ｄ）クエン酸ナトリウム約１０〜３０質量％および（ｅ）ポビドン約１〜１５質量％からなる群から選択する、請求項８記載の製剤。
【請求項１０】
１１−［４−［２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］−１−ピペラジニル］ジベンゾ−［ｂ，ｆ］［１，４］チアゼピンがヘミフマレート塩の形である、請求項１から９までのいずれか１項記載の製剤。
【請求項１１】
１種以上の製剤学上認容性の賦形剤のうちの１種類がｐＨ調整剤である、請求項１から７までのいずれか１項記載の製剤。
【請求項１２】
ｐＨ調整剤がクエン酸ナトリウムである、請求項１１記載の製剤。
【請求項１３】
精神病状態または機能亢進の治療のために使用する請求項１から１２までのいずれか１項記載の徐放性製剤。
【請求項１４】
徐放性製剤の製造方法において、１１−［４−［２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］−１−ピペラジニル］ジベンゾ−［ｂ，ｆ］［１，４］チアゼピンまたはその製剤上認容性の塩、ゲル化剤および他の賦形剤を混合することを特徴とする、請求項１から１３までのいずれか１項記載の徐放性製剤の製造方法。
【請求項１５】
徐放性製剤の製造方法において、
（ａ）１１−［４−［２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］−１−ピペラジニル］ジベンゾ−［ｂ，ｆ］［１，４］チアゼピンまたはその製剤上認容性の塩、ゲル化剤および他の賦形剤の混合、
（ｂ）混合した成分の湿式の顆粒化、
（ｃ）該混合物の乾燥、
（ｄ）乾燥させた混合物のミル、
（ｅ）該混合物と滑沢剤とのブレンド、
（ｆ）ブレンドした混合物の圧縮によるタブレットへの成形、を含むことを特徴とする、請求項１から１３までのいずれか１項記載の徐放性製剤の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月26日(2014.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式：
【化２６３】
2014167027.tif 000001
の置換テトラサイクリン化合物、またはその医薬的に許容しうる塩：
（式中、
Ｒ９ｍ＊は、オキサゾリル、オキサジアゾリル、イソキサゾリル、ピラゾリル、チアゾリル、メチルイミダゾリル、または−ＣＯＮＲ９ｍａＲ９ｍｂであり；
Ｒ９ｍａおよびＲ９ｍｂは、それぞれ独立して、水素、ヒドロキシル、アルキル、ヒドロキシアルキル、アリール、またはアルコキシであり；
該オキサゾリル、オキサジアゾリル、イソキサゾリル、ピラゾリル、およびチアゾリルは、非置換であり得るか、あるいは１個以上の環位置において、ハロゲン、ヒドロキシル、アルコキシ、アルキルカルボニルオキシ、アリールカルボニルオキシ、アルコキシカルボニルオキシ、アリールオキシカルボニルオキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニル、アルキルアミノカルボニル、アリールアルキルアミノカルボニル、アルケニルアミノカルボニル、アルキルカルボニル、アリールカルボニル、アリールアルキルカルボニル、アルケニルカルボニル、アルコキシカルボニル、アミノカルボニル、アルキルチオカルボニル、ホスフェート、ホスホナート、ホスフィナート、シアノ、アミノ（アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノ、ジアリールアミノおよびアルキルアリールアミノを含む）、アシルアミノ（アルキルカルボニルアミノ、アリールカルボニルアミノ、カルバモイルおよびウレイドを含む）、アミジノ、イミノ、スルフヒドリル、アルキルチオ、アリールチオ、チオカルボキシレート、スルフェート、アルキルスルフィニル、スルホナト、スルファモイル、スルホンアミド、ニトロ、トリフルオロメチル、シアノ、アジド、ヘテロシクリル、アルキルアリール、あるいは芳香族またはヘテロ芳香族部分で置換され得る）。
【請求項２】
Ｒ９ｍ＊が、オキサゾリルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ９ｍ＊が、オキサジアゾリルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ９ｍ＊が、イソキサゾリルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
Ｒ９ｍ＊が、ピラゾリルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項６】
Ｒ９ｍ＊が、チアゾリルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項７】
Ｒ９ｍ＊が、メチルイミダゾリルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項８】
Ｒ９ｍ＊が、−ＣＯＮＲ９ｍａＲ９ｍｂであり、Ｒ９ｍａが水素であり、Ｒ９ｍｂがヒドロキシル、ヒドロキシアルキル、アルコキシ、フェニル、またはアルキルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項９】
Ｒ９ｍ＊が、−ＣＯＮＲ９ｍａＲ９ｍｂであり、Ｒ９ｍａがアルキルであり、Ｒ９ｍｂがアルキルまたはヒドロキシである、請求項１に記載の化合物。
【請求項１０】
請求項１に記載の化合物、またはその医薬的に許容しうる塩であって、該化合物が、
【化２６４】
2014167027.tif 000002
【化２６５】
2014167027.tif 000003
化合物、またはその医薬的に許容しうる塩。
【請求項１１】
請求項１に記載の化合物、またはその医薬的に許容しうる塩であって、該化合物が、
【化２６６】
2014167027.tif 000004
化合物、またはその医薬的に許容しうる塩。
【請求項１２】
請求項１に記載の化合物、またはその医薬的に許容しうる塩であって、該化合物が、
【化２６７】
2014167027.tif 000005
化合物、またはその医薬的に許容しうる塩。
【請求項１３】
治療有効量の請求項１〜１２のいずれか一項に記載の化合物と、医薬的に許容しうる担体とを含む、医薬組成物。
【請求項１４】
対象におけるテトラサイクリ応答性状態を治療するための医薬の調製における請求項１〜１２のいずれか一項に記載の化合物の使用であって、該テトラサイクリ応答性状態が、細菌感染、ウィルス感染、寄生虫感染、マラリア、炎症のプロセス、ざ瘡、赤鼻、または多発性硬化症である、使用。
【請求項１５】
前記テトラサイクリ応答性状態が寄生虫感染またはマラリアである、請求項１４に記載の化合物の使用。
【請求項１６】
対象におけるテトラサイクリ応答性状態を治療するための請求項１〜１２のいずれか一項に記載の化合物を含む組成物であって、該テトラサイクリ応答性状態が、細菌感染、ウィルス感染、寄生虫感染、マラリア、炎症のプロセス、ざ瘡、赤鼻、または多発性硬化症である、組成物。
【請求項１７】
前記テトラサイクリ応答性状態が寄生虫感染またはマラリアである、請求項１６に記載の組成物。