【手続補正書】
【提出日】平成26年7月17日(2014.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記憶装置であって、
基板上の軟磁性下地層（ＳＵＬ）と、
前記ＳＵＬ上の磁気記録層と、
前記磁気記録層の上面の強磁性媒体オーバーコートと、
前記ＳＵＬと前記磁気記録層との間の強磁性中間層とを備える、磁気記憶装置。
【請求項２】
前記強磁性中間層は、Ｒｕを含む第１の粒状層を含み、
第１の結晶層は、第２の結晶層と第３の結晶層との間に位置付けられ、
前記第２および第３の結晶層はＲｕＣｏを含む、請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項３】
前記第１の結晶層は、Ｎｉ合金を含むとともに、１〜２００オングストロームの厚さを有し、前記ＳＵＬまたはアモルファス層上にあり、
前記第２の結晶層は、０．１〜１００オングストロームの厚さを有し、前記第１の粒状層上にあり、
前記第３の結晶層は、Ｒｕを含むとともに、１〜５０オングストロームの厚さを有し、
前記強磁性中間層は、ＲｕＣｏを含む第４の結晶層をさらに含み、
前記第４の結晶層は、前記第３の結晶層を介して前記第２の結晶層に反強磁性的に結合する、請求項２に記載の磁気記憶装置。
【請求項４】
前記第１および第２の結晶層は、前記第４の結晶層に反強磁性的に結合され、
前記第１、第２および第４の結晶層の各々は、１〜２００オングストロームの厚さを有するとともに、１００〜１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有する、請求項３に記載の磁気記憶装置。
【請求項５】
前記強磁性媒体オーバーコートは、磁気ライタの表面上に堆積された強磁性ヘッドオーバーコートとともに機能するように構成される、請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項６】
前記強磁性中間層は、
前記ＳＵＬ上に、ＲｕＣｏを含むとともに、１〜２００オングストロームの厚さを有する第１の粒状層と、
ＲｕＣｏを含む前記第１の粒状層上に、Ｒｕを含むとともに、０．１〜１００オングストロームの厚さを有する第２の粒状層と、
Ｒｕを含む前記第２の粒状層上に、ＲｕＣｏを含むとともに、１〜２００オングストロームの厚さを有する第３の粒状層とを備え、
Ｒｕを含む前記第２の粒状層は、ＲｕＣｏを含む前記第１および第３の粒状層と、反強磁性的に結合される、請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項７】
前記強磁性中間層は、Ｒｕを含む第１の粒状層を含み、前記第１の粒状層は、ＲｕＣｏを含む第２および第３の粒状層の間に位置付けられ、
前記第１の粒状層は、前記第２および第３の粒状層と反強磁性的に結合され、
前記第２および第３の粒状層の各々は、１〜２００オングストロームの厚さを有するとともに、１００〜１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有し、
前記第１の粒状層は、０．１〜１００オングストロームの間の厚さを有する、請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項８】
前記強磁性中間層は、１００〜１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有するとともに、１〜１０００オングストロームの厚さを有する、請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項９】
前記強磁性中間層は、結晶質かつ粒状であり、ルテニウム（Ｒｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）およびニッケル（Ｎｉ）を含む、請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１０】
前記強磁性中間層は粒状であり、ルテニウム（Ｒｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、炭素（Ｃ）、または結晶磁性材料を含む、請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１１】
前記強磁性媒体オーバーコートは、１００〜１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有するとともに、０．１〜１００オングストロームの厚さを有する、請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１２】
前記強磁性媒体オーバーコートは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃ、またはＮｉ−Ｃｏ−Ｃを含む、請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１３】
磁気記憶装置であって、
軟磁性下地層（ＳＵＬ）上の磁気記録層と、
前記磁気記録層の上面の強磁性媒体オーバーコートと
前記ＳＵＬと前記磁気記録層との間の強磁性中間層とを備え、
前記強磁性中間層は、Ｎｉを含む第１の結晶層と、ＲｕＣｏを含む第２の結晶層と、Ｒｕを含む第３の結晶層とを含み、
前記第３の結晶層は、前記第２の結晶層と第４の結晶層との間に位置付けられ、
前記第４の結晶層はＲｕＣｏを含む、磁気記憶装置。
【請求項１４】
前記第１の結晶層は、Ｎｉ合金を含むとともに、１〜２００オングストロームの厚さを有し、前記ＳＵＬまたはアモルファス層上にあり、
前記第２の結晶層は、０．１〜１００オングストロームの厚さを有するとともに、第１
の粒状層上にあり、
前記第３の結晶層は、１〜５０オングストロームの厚さを有し、
前記第４の結晶層は、前記第３の結晶層を介して前記第２の結晶層に反強磁性的に結合する、請求項１３に記載の磁気記憶装置。
【請求項１５】
前記第１および第２の結晶層は、前記第４の結晶層に反強磁性的に結合され、
前記第１、第２、および第４の結晶層の各々は、１〜２００オングストロームの厚さ、および１００〜１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有する、請求項１３に記載の磁気記憶装置。
【請求項１６】
磁気記憶装置であって、
基板上の軟磁性下地層（ＳＵＬ）と、
前記ＳＵＬ上の磁気記録層と、
前記ＳＵＬと前記磁気記録層との間の強磁性中間層とを備え、
前記強磁性中間層は、Ｒｕを含む第１の粒状層を含み、
第１の結晶層は、第２の結晶層と第３の結晶層との間に位置付けられ、
前記第２および第３の結晶層はＲｕＣｏを含む、磁気記憶装置。
【請求項１７】
前記第１の結晶層は、Ｎｉ合金を含むとともに、１〜２００オングストロームの厚さを有し、前記ＳＵＬまたはアモルファス層上にあり、
前記第２の結晶層は、０．１〜１００オングストロームの厚さを有し、前記第１の粒状層上にあり、
前記第３の結晶層は、Ｒｕを含むとともに、１〜５０オングストロームの厚さを有し、
前記強磁性中間層は、ＲｕＣｏを含む第４の結晶層をさらに含み、
前記第４の結晶層は、前記第３の結晶層を介して前記第２の結晶層に反強磁性的に結合する、請求項１６に記載の磁気記憶装置。
【請求項１８】
前記磁気記録層の上面に強磁性媒体オーバーコートをさらに備え、
前記強磁性媒体オーバーコートは、１００〜１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有するとともに、０．１〜１００オングストロームの厚さを有する、請求項１６に記載の磁気記憶装置。
【請求項１９】
前記第１および第２の結晶層は、第４の結晶層に反強磁性的に結合され、
前記第１、第２、および第４の結晶層の各々は、１〜２００オングストロームの厚さ、および１００〜１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有する、請求項１６に記載の磁気記憶装置。
【請求項２０】
磁気記憶装置であって、
基板上の軟磁性下地層（ＳＵＬ）と、
前記ＳＵＬ上の磁気記録層と、
前記磁気記録層の上面の強磁性媒体オーバーコートと、
前記ＳＵＬと前記磁気記録層との間の常磁性中間層とを備える、磁気記憶装置。
【請求項２１】
前記常磁性中間層は、
ＲｕＣｏを含む第２および第３の粒状層の間に位置付けられ、Ｒｕを含む第１の粒状層と、
磁気ライタの表面上の強磁性ヘッドオーバコートとを含む、請求項２０に記載の磁気記憶装置。
【請求項２２】
前記常磁性中間層は、
前記ＳＵＬ上に、ＲｕＣｏを含むとともに、１〜２００オングストロームの厚さを有する第１の粒状層と、
ＲｕＣｏを含む前記第１の粒状層上に、Ｒｕを含むとともに、０．１〜１００オングストロームの厚さを有する第２の粒状層と、
Ｒｕを含む前記第２の粒状層上に、ＲｕＣｏを含むとともに、１〜２００オングストロームの厚さを有する第３の粒状層とを備え、
Ｒｕを含む前記第２の粒状層は、ＲｕＣｏを含む前記第１および第３の粒状層と、反強磁性的に結合される、請求項２０に記載の磁気記憶装置。
【請求項２３】
前記常磁性中間層は、１００〜１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有するとともに、１〜１０００オングストロームの厚さを有する、請求項２０に記載の磁気記憶装置。
【請求項２４】
前記常磁性中間層は粒状であり、ルテニウム（Ｒｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、炭素（Ｃ）、または結晶磁性材料を含む、請求項２０に記載の磁気記憶装置。
【請求項２５】
前記常磁性中間層は、Ｒｕを含む第１の粒状層を含み、前記第１の粒状層は、ＲｕＣｏを含む第２および第３の粒状層の間に位置付けられ、
前記第１の粒状層は、前記第２および第３の粒状層と反強磁性的に結合され、
前記第２および第３の粒状層の各々は、１〜２００オングストロームの厚さを有するとともに、１００〜１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有し、
前記第１の粒状層は、０．１〜１００オングストロームの間の厚さを有する、請求項２０に記載の磁気記憶装置。
【請求項２６】
磁気記憶装置であって、
軟磁性下地層（ＳＵＬ）上の磁気記録層と、
前記ＳＵＬと前記磁気記録層との間の常磁性中間層とを備える、磁気記憶装置。
【請求項２７】
前記磁気記録層の上面に強磁性媒体オーバコートをさらに備える、請求項２６に記載の磁気記憶装置。
【請求項２８】
前記常磁性中間層は、
Ｒｕを含む第１の層と、
ＲｕＣｏを含む第２の層と、
ＲｕＣｏを含む第３の層とを含む、請求項２７に記載の磁気記憶装置。
【請求項２９】
前記第１の層は、前記第２の層の上に０〜２００オングストロームの厚さを有し、
前記第２の層は、前記ＳＵＬの上に０．１〜１００オングストロームの厚さを有し、
前記第３の層は、前記第１の層の上に１〜２００オングストロームの厚さを有し、
前記第２の層は、前記第１および第３の層と反強磁性的に結合される、請求項２８に記載の磁気記憶装置。
【請求項３０】
前記常磁性中間層は、
ＲｕＣｏを含む第２および第３の粒状層の間に位置付けられ、Ｒｕを含む第１の粒状層と、
磁気ライタの表面上の強磁性ヘッドオーバコートとを含む、請求項２７に記載の磁気記憶装置。
【請求項３１】
前記第２の粒状層は、前記ＳＵＬ上に、１〜２００オングストロームの厚さを有し、
前記第１の粒状層は、ＲｕＣｏを含む前記第２の粒状層上に、０．１〜１００オングストロームの厚さを有し、
前記第３の粒状層は、Ｒｕを含む前記第１の粒状層上に、ＲｕＣｏを含むとともに、１〜２００オングストロームの厚さを有し、
Ｒｕを含む前記第１の粒状層は、ＲｕＣｏを含む前記第２および第３の粒状層と、反強磁性的に結合される、請求項３０に記載の磁気記憶装置。
【請求項３２】
前記第１の粒状層は、前記第２および第３の粒状層と反強磁性的に結合され、
前記第２および第３の粒状層の各々は、１〜２００オングストロームの厚さを有するとともに、１００〜１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有し、
前記第１の粒状層は、０．１〜１００オングストロームの間の厚さを有する、請求項３０に記載の磁気記憶装置。
【請求項３３】
磁気記憶装置であって、
基板上の軟磁性下地層（ＳＵＬ）と、
前記ＳＵＬ上の磁気記録層と、
前記ＳＵＬと前記磁気記録層との間の常磁性中間層とを備え、
前記常磁性中間層は、
ＲｕＣｏを含む第２および第３の粒状層の間に位置付けられ、Ｒｕを含む第１の粒状層と、
磁気ライタの表面上の強磁性ヘッドオーバコートとを含む、磁気記憶装置。
【請求項３４】
前記第２の粒状層は、前記ＳＵＬ上に、１〜２００オングストロームの厚さを有し、
前記第１の粒状層は、ＲｕＣｏを含む前記第２の粒状層上に、０．１〜１００オングストロームの厚さを有し、
前記第３の粒状層は、Ｒｕを含む前記第１の粒状層上に、ＲｕＣｏを含むとともに、１〜２００オングストロームの厚さを有し、
Ｒｕを含む前記第１の粒状層は、ＲｕＣｏを含む前記第２および第３の粒状層と、反強磁性的に結合される、請求項３３に記載の磁気記憶装置。
【請求項３５】
前記磁気記録層の上面の強磁性媒体オーバコートをさらに備え、
前記強磁性媒体オーバコートは、１００〜１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有するとともに、０．１〜１００オングストロームの厚さを有する、請求項３３に記載の磁気記憶装置。
【請求項３６】
前記第１の粒状層は、前記第２および第３の粒状層と反強磁性的に結合され、
前記第２および第３の粒状層の各々は、１〜２００オングストロームの厚さを有するとともに、１００〜１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有し、
前記第１の粒状層は、０．１〜１００オングストロームの間の厚さを有する、請求項３３に記載の磁気記憶装置。
【請求項３７】
方法であって、
基板上の軟磁性下地層（ＳＵＬ）を堆積するステップと、
前記ＳＵＬ上の磁気記録層を堆積するステップと、
前記磁気記録層の上面に強磁性オーバコートを堆積するステップとを備え、
前記強磁性オーバコート上には、保護オーバコート層または潤滑層はなく、
前記強磁性オーバコートを堆積するステップは、１００〜１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有する強磁性オーバコートを堆積するステップを含む、方法。
【請求項３８】
前記強磁性オーバコートは、装置のヘッド媒体間隔（ＨＭＳ）またはヘッド・キーパ間隔（ＨＫＳ）の有効磁気間隔を０．１〜１００オングストロームだけ低減するとともに、強磁性オーバコートを採用していない装置に比べて、装置の面積密度を１０〜２５％だけ増加する、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記強磁性オーバコートは、前記強磁性オーバコートの垂直厚さにわたって濃度が勾配する炭素を含み、
前記磁気記録層の表面に向かう炭素濃度よりも、前記強磁性オーバコートの上面に向かう炭素濃度の方が高い、請求項３７に記載の方法。
【請求項４０】
前記強磁性オーバコートは、Ｎｉ−Ｆｅ−ＣまたはＮｉ−Ｃｏ−Ｃを含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項４１】
方法であって、
基板上の軟磁性下地層（ＳＵＬ）を堆積するステップと、
前記ＳＵＬ上の垂直磁気記録層を堆積するステップと、
前記磁気記録層を覆う強磁性媒体オーバコートを堆積するステップとを備え、
前記強磁性媒体オーバコート上には、保護オーバコート層または潤滑層はなく、
前記強磁性媒体オーバコートを堆積するステップは、１００〜１０００ｅｍｕ／ｃｃの飽和磁化（Ｍｓ）を有する強磁性媒体オーバコートを堆積するステップを含む、方法。
【請求項４２】
前記強磁性媒体オーバコートは、垂直磁気記録装置のヘッド媒体間隔（ＨＭＳ）またはヘッド・キーパ間隔（ＨＫＳ）の有効磁気間隔を０．１〜１００オングストロームだけ低減するとともに、強磁性媒体オーバコートを採用していない垂直磁気記録装置に比べて、前記垂直磁気記録装置の面積密度を１０〜２５％だけ増加する、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
前記強磁性媒体オーバコートは、前記強磁性媒体オーバコートの垂直厚さにわたって濃度が勾配する炭素を含み、
前記磁気記録層の表面に向かう炭素濃度よりも、前記強磁性媒体オーバコートの上面に向かう炭素濃度の方が高い、請求項４１に記載の方法。
【請求項４４】
前記強磁性媒体オーバコートは硬磁性層を含むか、または、前記強磁性媒体オーバコートはヘッド−ディスク接触からの保護を与える、請求項４１に記載の方法。
【請求項４５】
前記強磁性媒体オーバコートを堆積するステップは、０．１〜１００オングストロームの強磁性媒体オーバコートを堆積するステップを含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４６】
前記強磁性媒体オーバコートは、０．５〜５０オングストロームの厚さを有する、請求項４１に記載の方法。
【請求項４７】
前記強磁性媒体オーバコートは、Ｎｉ−Ｆｅ−ＣまたはＮｉ−Ｃｏ−Ｃを含む、請求項４１に記載の方法。