【手続補正書】
【提出日】平成26年1月29日(2014.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体素子と、
樹脂材料により形成されておりかつパッケージ又は基板である光半導体装置構成部材と、
前記光半導体素子を封止するようにかつ前記光半導体装置構成部材と接するように配置された封止剤、又は前記光半導体素子上に前記光半導体装置構成部材と接するように配置されたレンズと、
を備える光半導体装置の製造方法であって、
前記封止剤又は前記レンズを配置する前に、樹脂材料により形成されている前記光半導体装置構成部材の前記封止剤又は前記レンズと接する表面をプラズマ処理する工程と、
プラズマ処理後に、前記光半導体素子を封止するようにかつ前記光半導体装置構成部材と接するように封止剤を配置するか、又は前記光半導体素子上に前記光半導体装置構成部材と接するようにレンズを配置する工程とを備え、
前記プラズマ処理が、大気圧プラズマ処理である、光半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記光半導体素子と、
樹脂材料により形成されており、枠部を有し、かつパッケージである前記光半導体装置構成部材と、
前記光半導体装置構成部材と接するようにかつ前記光半導体素子を封止するように前記枠部内に配置された前記封止剤と、
を備える光半導体装置の製造方法であって、
前記封止剤を配置する前に、前記光半導体装置構成部材の前記封止剤と接する表面をプラズマ処理する工程と、
プラズマ処理後に、前記光半導体素子を封止するようにかつ前記光半導体装置構成部材と接するように前記封止剤を前記枠部内に配置する工程とを備える、請求項１に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記封止剤及び前記レンズが、硬化性組成物を硬化させることにより形成されており、
前記硬化性組成物が、アルケニル基を２個以上有する第１のオルガノポリシロキサンと、珪素原子に結合した水素原子を２個以上有する第２のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む、請求項１に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記光半導体素子と、
樹脂材料により形成されており、枠部を有し、かつパッケージである前記光半導体装置構成部材と、
前記光半導体装置構成部材と接するようにかつ前記光半導体素子を封止するように前記枠部内に配置された前記封止剤と、
を備える光半導体装置の製造方法であって、
前記封止剤を配置する前に、前記光半導体装置構成部材の前記封止剤と接する表面をプラズマ処理する工程と、
プラズマ処理後に、前記光半導体素子を封止するようにかつ前記光半導体装置構成部材と接するように前記封止剤を前記枠部内に配置する工程とを備え、
前記封止剤が、硬化性組成物を硬化させることにより形成されており、
前記硬化性組成物が、アルケニル基を２個以上有する第１のオルガノポリシロキサンと、珪素原子に結合した水素原子を２個以上有する第２のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む、請求項３に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記硬化性組成物が接着付与剤をさらに含む、請求項３又は４に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記接着付与剤がシランカップリング剤である、請求項５に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記接着付与剤がウレイド基を有する第１のシラン化合物を含む、請求項５又は６に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記接着付与剤が、ウレイド基を有する第１のシラン化合物と、エポキシ基、ビニル基又は（メタ）アクリロイル基を有する第２のシラン化合物とを含む、請求項７に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合した全官能基のうち、メチル基の占める個数比率が８０％以上であり、
前記第２のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合した全官能基のうち、メチル基の占める個数比率が８０％以上である、請求項３〜８のいずれか１項に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合した全官能基のうち、アリール基の占める個数比率が３０％以上、７０％以下であり、
前記第２のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合した全官能基のうち、アリール基の占める個数比率が３０％以上、７０％以下である、請求項３〜８のいずれか１項に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合した水素原子を有さず、
前記第２のオルガノポリシロキサンが、アルケニル基を有する、請求項３〜１０のいずれか１項に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１のオルガノポリシロキサンが、下記式（１Ａ）で表され、アルケニル基及び珪素原子に結合したメチル基を有する第１のオルガノポリシロキサンであり、かつ前記第２のオルガノポリシロキサンが、下記式（５１Ａ）で表され、珪素原子に結合した水素原子及び珪素原子に結合したメチル基を有する第２のオルガノポリシロキサンであるか、又は、
前記第１のオルガノポリシロキサンが、下記式（１Ｂ）で表され、アリール基及びアルケニル基を有する第１のオルガノポリシロキサンであり、かつ前記第２のオルガノポリシロキサンが、下記式（５１Ｂ）で表され、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第２のオルガノポリシロキサンである、請求項３〜８のいずれか１項に記載の光半導体装置の製造方法。
【化１】
2013191687.tif 000001
前記式（１Ａ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．３０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．７０〜１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．１０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。
【化２】
2013191687.tif 000002
前記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１０〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０〜０．４０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．４０〜０．９０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が水素原子を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、水素原子及びメチル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。
【化３】
2013191687.tif 000003
前記式（１Ｂ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．４０〜１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．５０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、アリール基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
【化４】
2013191687.tif 000004
前記式（５１Ｂ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．２０〜０．８０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がアリール基を表し、少なくとも１個が水素原子を表し、アリール基及び水素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
【請求項１３】
前記式（１Ａ）又は前記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合した水素原子を有さず、
前記式（５１Ａ）又は前記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンが、アルケニル基を有し、
前記式（５１Ａ）中、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が水素原子を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、水素原子、メチル基及びアルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表し、
前記式（５１Ｂ）中、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がアリール基を表し、少なくとも１個が水素原子を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、アリール基、水素原子及びアルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す、請求項１２に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１のオルガノポリシロキサンが、前記式（１Ａ）で表され、かつ前記第２のオルガノポリシロキサンが前記式（５１Ａ）で表される、請求項１２又は１３に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
光半導体素子と、
樹脂材料により形成されておりかつパッケージ又は基板である光半導体装置構成部材と、
前記光半導体素子を封止するようにかつ前記光半導体装置構成部材と接するように配置された封止剤、又は前記光半導体素子上に前記光半導体装置構成部材と接するように配置されたレンズと、
を備え、
樹脂材料により形成されている前記光半導体装置構成部材の前記封止剤又は前記レンズと接する表面がプラズマ処理されており、
前記プラズマ処理が、大気圧プラズマ処理である、半導体装置。
【請求項１６】
前記光半導体素子と、
樹脂材料により形成されており、枠部を有し、かつパッケージである前記光半導体装置構成部材と、
前記光半導体素子を封止するようにかつ前記光半導体装置構成部材と接するように前記枠部内に配置された前記封止剤とを備え、
樹脂材料により形成されている前記光半導体装置構成部材の前記封止剤と接する表面がプラズマ処理されている、請求項１５に記載の光半導体装置。