【手続補正書】
【提出日】平成26年3月13日(2014.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
共通電極２１は、例えばカソードとして機能するものであり、金属導電膜により構成されている。例えば、表示装置１Ａがボトムエミッション方式である場合には、反射性を有する金属膜、具体的には、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ）およびナトリウム（Ｎａ）のうちの１種からなる単体金属、またはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金よりなる単層膜、あるいはそれらのうちの２種以上を積層した多層膜からなる。あるいは、表示装置１Ａがトップエミッション方式である場合には、ＩＴＯ等の透明導電膜が用いられる。この共通電極２１は、アノード（本実施の形態では、後述のソース・ドレイン電極層１８）と絶縁された状態で機能層２０上に形成され、各画素に共通して設けられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（トランジスタ部１０Ｂ）
トランジスタ部１０Ｂは、例えば後述の画素回路５０Ａにおけるサンプリング用トランジスタ５Ａまたは駆動トランジスタ５Ｂに相当するものであり、逆スタガ構造を有する（いわゆるボトムゲート型の）ＴＦＴである。トランジスタ部１０Ｂでは、基板１１上に、ゲート電極１２ａが配設され、このゲート電極１２ａ上には、ゲート絶縁膜１３を間にして、半導体層１４が設けられている。半導体層１４上には、第１保護膜１５、第２保護膜１６および平坦化膜１７がこの順に積層されている。これらの第１保護膜１５、第２保護膜１６および平坦化膜１７には、平坦化膜１７の表面から半導体層１４の表面まで（平坦化膜１７、第２保護膜１６および第１保護膜１５）を貫通するコンタクトホールＨ３（開口）が設けられ、平坦化膜１７上には、そのコンタクトホールＨ３を埋め込むように、ソース・ドレイン電極層１８（ソース・ドレイン電極１８ａ）が形成されている。これらのうち、半導体層１４、第１保護膜１５、第２保護膜１６、平坦化膜１７、ソース・ドレイン電極層１８および画素分離膜１９からなる積層膜２４が、本発明における「積層膜」の一具体例となっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
第１保護膜１５は、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜およびシリコン窒化酸化膜のうちの１種よりなる単層膜、または２種以上よりなる積層膜である。この第１保護膜１５は、半導体層１４の損傷を防止する機能を有している。この第１保護膜１５を設けることにより、半導体層１４の特性を長期的に安定して保持することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
（容量部１０Ｃ）
容量部１０Ｃは、例えば後述の画素回路５０Ａにおける保持容量素子５Ｃとして機能するものである。この容量部１０Ｃでは、基板１１上に、電極層１２ｂが配設され、この電極層１２ｂ上にゲート絶縁膜１３を介して半導体層１４が設けられている。電極層１２ｂは、上記トランジスタ部１０Ｂにおけるゲート電極１２ａと同層に、例えば同一工程においてパターン形成される電極であり、ゲート絶縁膜１３および半導体層１４は、トランジスタ部１０Ｂから連続して形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
（配線コンタクト部１０Ｄ）
配線コンタクト部１０Ｄでは、基板１１上において、電極層１２ｂが、容量部１０Ｃに対応する領域から延在して設けられている。配線コンタクト部１０Ｄは、この電極層１２ｂ上に、ゲート絶縁膜１３、第２保護膜１６および平坦化膜１７を貫通するコンタクトホールＨ１が設けられている。電極層１２ｂ上には、そのコンタクトホールＨ１を埋め込むように、ソース・ドレイン電極層１８における配線コンタクト部１０Ｄに対応する部分（電極層１８ｃ）が形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
次いで、コンタクトホールＨ１〜Ｈ３形成後の平坦化膜１７上の全面にわたって、かつコンタクトホールＨ１〜Ｈ３の底面を覆うように、例えばスパッタ法により上述した材料を堆積させることにより、ソース・ドレイン電極層１８を成膜する。この後、図６に示したように、フォトリソグラフィ法により図示しないフォトマスクＭ４を使用して、ソース・ドレイン電極層１８を、パターニングする。具体的には、ソース・ドレイン電極層１８を、領域１０Ｂ１，１０Ｃ１，１０Ｄ１毎に分離すると共に、所望の形状となるように成形する。これにより、トランジスタ部１０Ｂ、容量部１０Ｃおよび配線コンタクト部１０Ｄがそれぞれ基板１１上に形成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
また、この一括パターニングにより形成したコンタクトホールＨ３を利用して、ソース・ドレイン電極層１８を平坦化膜１７上に成膜することにより、ソース・ドレイン電極層１８をアノード電極として利用することができる。他方、コンタクトホールＨ２，Ｈ１を利用して、画素駆動に必要な容量部１０Ｃや配線コンタクト部１０Ｄを、トランジスタ部１０Ｂの成膜工程と同工程において形成することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
また、積層膜２４において、トランジスタ部１０Ｂ，容量部１０Ｃには、平坦化膜１７Ａ、第２保護膜１６および第１保護膜１５を貫通するコンタクトホールＨ３，Ｈ５が設けられ、配線コンタクト部１０Ｄには、平坦化膜１７Ａ、第２保護膜１６およびゲート絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールＨ１が設けられている。また、ソース・ドレイン電極層１８が、平坦化膜１７Ａ上において、これらのコンタクトホールＨ１，Ｈ３，Ｈ５を埋め込むように形成された構造を有している。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
続いて、図１９に示したように、フォトリソグラフィ法により図示しないフォトマスクＭ４Ａを使用して、画素分離膜１９Ａをパターニングする。具体的には、発光部３０Ａに対応する領域３０Ａ１に開口Ｈ４を形成すると共に、領域１０Ｂ１に分離溝Ｈ６ａ、領域１０Ｃ１と領域１０Ｄ１との間に分離溝Ｈ６ｂを形成する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
［作用、効果］
上述のように、本実施の形態では、表示装置１Ｂ（駆動用基板１１Ｂ）の製造プロセスにおいて、基板１１上にゲート電極１２ａ，電極層１２ｂを形成した後、このゲート電極１２ａ上に、ゲート絶縁膜１３を介して、半導体層１４、第１保護膜１５、第２保護膜１６、平坦化膜１７Ａ、ソース・ドレイン電極層１８および画素分離膜１９Ａを有する積層膜２４を、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。この後、有機ＥＬ層を含む機能層２０と共通電極２１とをこの順に形成する。積層膜２４の形成工程において、積層膜２４のうちの少なくとも一部において２層以上を一括してパターニングする。ここでは、例えば、上記第１の実施の形態と同様、フォトマスクＭ２を用いて、第１保護膜１５および半導体層１４を一括パターニングする。また、パターニング後の平坦化膜１７Ａをマスクとして、領域１０Ｂ１，３０Ａ１，１０Ｃ１では、第２保護膜１６および第１保護膜１５を、領域１０Ｄ１では、第２保護膜１６およびゲート絶縁膜１３を、それぞれ一括パターニングし、コンタクトホールＨ１，Ｈ３，Ｈ５を形成する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
また、この一括パターニングにより形成したコンタクトホールＨ５において、半導体層１４の一部を露出させ、この露出部分に低抵抗化処理を施すことにより、半導体層１４の一部（１４ａ）をアノード電極として利用することができる。更に、コンタクトホールＨ５の一部およびコンタクトホールＨ１を利用して、画素駆動に必要な容量部１０Ｃや配線コンタクト部１０Ｄを、トランジスタ部１０Ｂの成膜工程と同工程において形成することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２３】
また、上記実施の形態では、駆動用基板をパターニング形成する際、４〜７枚のフォトマスク（積層膜２４の形成工程では３〜６枚のフォトマスク）を使用する場合を例に挙げたが、マスク枚数は８枚（積層膜２４の形成工程におけるマスク枚数が７枚）であってもよい。例えば、図８〜１３に示した比較例に係る製造プロセスにおいて、平坦化膜１０８をマスクとして利用して第２保護膜１０７をエッチングすることにより、比較例の製造プロセスよりもフォトマスクを１枚分減らすことができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３２】
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【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３８】
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