【手続補正書】
【提出日】平成26年2月21日(2014.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電素子と、
前記圧電素子を搭載している素子搭載パッドを有する基板と、を備え、
前記素子搭載パッドは、平面視で前記圧電素子と重なる位置に配置され、かつ前記圧電素子の端縁から離間していることを特徴とする振動子。
【請求項２】
平面視で前記圧電素子と重なる位置に配置され、前記基板を貫通して前記素子搭載パッドと導通接続しているビア電極を備えている請求項１に記載の振動子。
【請求項３】
前記基板は矩形であり、前記素子搭載パッドは、前記基板の短手方向に沿って離間配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の振動子。
【請求項４】
前記基板は矩形であり、前記素子搭載パッドは、前記基板の長手方向に沿って離間配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の振動子。
【請求項５】
前記素子搭載パッドは、銀を含んでいることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項
に記載の振動子。
【請求項６】
ガラス材を介して前記基板に接続し、前記基板と供に、前記圧電素子を収容する内部空間を構成している蓋部材を備えていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の振動子。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の振動子と、前記振動子を励振させる発振回路を搭載しているＩＣ部品とを備えていることを特徴とする発振器。
【請求項８】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の振動子を備えていることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】振動子、発振器、及び電子機器
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電振動子に関し、特に低背化、低価格化等を図った圧電振動子と、この圧
電振動子を用いた圧電発振器、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面実装型圧電振動子は、小型であること、高精度、高安定な周波数が得られること、
経年変化が少ないこと等の優れた電気的特性を有することから、通信用機器から民生用機
器の基準周波数源として広く用いられている。近年、機器の小型化、軽量化と共に、表面
実装型圧電振動子の更なる小型化、低背化及び低価格化が進められている。特に、周波数
−温度特性が広温度範囲で滑らかな３次曲線を呈し、経年変化の少ない圧電振動子の小型
化は、各方面から求められている。
【０００３】
特許文献１には、平板状のセラミック単層基板と、金属製箱型キャップとを用いた圧電
デバイス用パッケージと、それらを用いた圧電デバイスとが開示されている。圧電デバイ
スは、単層基板の一方の主面上に音叉型水晶振動片が搭載され、金属製キャップによって
水晶振動片を含む基板が密閉されている。音叉型水晶振動片の一対の振動腕に形成された
励振電極に電圧を印加するために、単層基板を貫通する複数の孔部が形成されている。こ
の孔部を介して単層基板上のマウント部と裏面に形成された実装端子とが導通され、マウ
ント部上には音叉型水晶振動片の基部が支持固定される。マウント部、内部配線及び外部
配線は、銀白金や銀パラジウムなどの導電材料を用いて形成され、孔部の内周部も銀白金
又は銀パラジウムがスルーホール印刷され焼成されている。この孔部に銀白金又は銀パラ
ジウムの導電性ペーストを所定の量だけ充填して焼成するが、空気の流通が可能なように
充填した部分に隙間が生じるようなっている。単層基板上に音叉型水晶振動片を搭載し内
部を真空にした後、孔部に金錫等の低融点金属よりなるボールを溶融して気密封止して圧
電デバイスが完成される。
【０００４】
また、特許文献２には、水晶振動子の製造方法が開示されている。水晶振動子は、水晶
振動素子と、パッケージ本体と、蓋部材と、を備えている。パッケージ本体の素子搭載パ
ッドにシリコン系接着剤を塗布した後、水晶振動素子を搭載して接着・固定する。これを
温度３５０℃の真空中で数時間の熱処理した後、気密封止して水晶振動子を構成する。こ
のように構成することにより、プラスマイナス０．５ｐｐｍ以下の経時変化特性を有する
水晶振動子が得られたと開示されている。
【０００５】
また、特許文献３には、電子デバイス用パッケージの製造方法が開示されている。水晶
振動素子を収納するパッケージは、セラミック基板と、蓋体とから構成されている。セラ
ミック基板は無収縮ガラスセラミック基板（ＬＴＣＣ基板）で形成され、ＬＴＣＣ基板に
は、水晶振動素子を収容するキャビティ、素子搭載パッド、実装端子、素子搭載パッドと
実装端子とを接続するビア電極、基板周縁に枠状に形成されたメタライズ層が形成されて
いる。蓋体は、コバール等の帯材を加工し、ろう材を予め被着させてから、プレス抜き法
で形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１８６８２６公報
【特許文献２】特開２０００−３０７３６７公報
【特許文献３】特開２００４−１８６９９５公報
【特許文献４】特開２００１−１７７３６３公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に開示のセラミック単層基板の外部配線及び内部配線、孔部
、マウント部、実装端子には、高価な銀白金又は銀パラジウムが用いられ、パッケージが
高価になるという問題と、高周波振動子（ＡＴカット）用のパッケージ構造については開
示が不十分であるという問題があった。また、本発明の課題の一つである圧電デバイスの
周波数調整法に関しては開示されていない。
また、特許文献２に開示の水晶振動子は、多層構造のパッケージを用いており、水晶振
動子の形状が大きく成り過ぎるという問題があった。
また、特許文献３に開示された水晶振動子は、単層基板の素子搭載パッドに導電性接着
を介して水晶振動素子が搭載され、蓋体によって密封された水晶振動子の断面図が開示さ
れている。しかし、素子搭載パッドが水晶振動素子の圧電基板の外側に露出しており、本
発明の課題の一つであり、特許文献４に開示されているアルゴン（Ａｒ）イオンを用いた
プラズマエッチングによる周波数調整法には、適さないという問題があった。
本発明は上記問題を解決するためになされたもので、アルゴン（Ａｒ）イオンを用いた
プラズマエッチングによる周波数調整法（プラズマエッチング法）に適し、小型化、低背
化が可能であり、低価格の圧電振動子と、それを用いた圧電発振器と、電子機器を提供す
ることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の
形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例に係る振動子は、圧電素子と、前記圧電素子を搭載している素子搭載パッドを有する基板と、を備え、前記素子搭載パッドは、平面視で前記圧電素子と重なる位置に配置され、かつ前記圧電素子の端縁から離間していることを特徴とする。
【００１０】
素子搭載パッドが、圧電基板の端縁から内側の領域に形成されているので、周波数の調整に、調整時間が早く、精度が高いプラズマエッチング法を用いても、素子搭載パッドが酸化されず、圧電振動子のＣＩの劣化を低減できるという効果がある。
【００１１】
［適用例２］本適用例に係る振動子は、平面視で前記圧電素子と重なる位置に配置され、前記基板を貫通して前記素子搭載パッドと導通接続しているビア電極を備えていることを特徴とする。
【００１２】
素子搭載パッドとビア電極とも、圧電振動素子の圧電基板の外周輪郭線から内側の領域に形成されているので、周波数の調整に、調整時間が早く、且つ精度の高いプラズマエッチング法を用いても、素子搭載パッド及びビア電極とも酸化されることを低減できる効果がある。
【００１３】
［適用例３］本適用例に係る振動子は、前記基板が矩形であり、前記素子搭載パッドが、前記基板の短手方向に沿って離間配置されていることを特徴とする。
【００１４】
素子搭載パッドを絶縁基板の短手方向に沿って離間配置することにより、圧電振動素子
を片持ち支持することができる。このため、圧電振動素子に生じるマウント歪が少なくな
り、電気的特性の優れた圧電振動子が得られるという効果がある。
【００１５】
［適用例４］本適用例に係る振動子は、前記基板が矩形であり、前記素子搭載パッドが、前記基板の長手方向に沿って離間配置されていることを特徴とする。
【００１６】
素子搭載パッドを絶縁基板の長手方向に沿って離間配置することにより、圧電振動素子
を両持ち支持することができる。このため、耐衝撃性に強い圧電振動子が得られるという
効果がある。
【００１７】
［適用例５］本適用例に係る振動子は、前記素子搭載パッドは、銀を含んでいることを特徴とする。
【００１８】
素子搭載パッドが、銀を含んでいる材料で形成することができるので、低コストの絶縁基板が得られるという効果がある。
【００１９】
［適用例６］本適用例に係る振動子は、ガラス材を介して前記基板に接続し、前記基板と供に、前記圧電素子を収容する内部空間を構成している蓋部材を備えていることを特徴とする。
【００２０】
圧電振動素子を搭載した絶縁基板と、蓋部材とをガラス材を溶融して融着密封すること
ができるので、低コストの絶縁基板が得られると共に、ガラス材の幅は狭くすることが可
能であり、抵抗溶接等に比べのり代も狭くできるので、小型の圧電振動子が得られるとい
う効果がある。
【００２１】
［適用例７］本適用例に係る振動子は、適用例１乃至６の何れか一項に記載の振動子と、前記振動子を励振させる発振回路を搭載しているＩＣ部品とを備えていることを特徴とする。
【００２２】
本適用例の圧電振動子と、発振回路を搭載したＩＣ部品と、パッケージと、を備えた圧電発振器を構成すると、小型、低背で低コストの圧電発振器が得られるという効果がある。
【００２３】
［適用例８］本適用例に係る電子機器は、適用例１乃至６の何れか一項に記載の振動子を備えていることを特徴とする電子機器である。
【００２４】
本適用例の圧電振動子を用いて電子機器を構成すると、小型で低コストの電子機器が得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】（ａ）は第１の実施形態の圧電振動子の概略平面図であり、（ｂ）は断面図。
【図２】（ａ）は絶縁基板の平面図であり、（ｂ）は断面図。
【図３】（ａ）は第２の実施形態の圧電振動子の概略平面図であり、（ｂ）は断面図。
【図４】（ａ）は絶縁基板の平面図であり、（ｂ）は断面図。
【図５】第１の実施形態の絶縁基板の、（ａ）は表面図であり、（ｂ）は裏面図。
【図６】第２の実施形態の絶縁基板の、（ａ）は表面図であり、（ｂ）は裏面図。
【図７】絶縁基板の変形例１の、（ａ）は表面図であり、（ｂ）は裏面図。
【図８】絶縁基板の変形例２の、（ａ）は表面図であり、（ｂ）は裏面図。
【図９】圧電発振器の概略構成図。
【図１０】電子機器の概略構成図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１（ａ）は、蓋部材を
除き、本発明の一実施形態に係る圧電振動子１の構成を示す概略平面図であり、同図（ｂ
）は、（ａ）のＰ−Ｐ断面図である。
圧電振動子１は、矩形平板状の圧電振動素子１３と、表面に圧電振動素子１３を搭載す
るための複数の素子搭載パッド７ａ、７ｂを有すると共に、裏面に外部回路との接続用の
実装端子８を形成した単層の絶縁基板４と、圧電振動素子１３を含む絶縁基板４上の空間
を気密封止する蓋部材３０と、を概略備えている。
圧電振動素子１３は、矩形平板状の、例えば水晶ＡＴカット基板等の圧電基板１５と、
圧電基板１５の表面及び裏面に対向配置された励振電極１７ａ、１７ｂと、励振電極１７
ａ、１７ｂから圧電基板１５の短手方向の端部に向けて夫々延長形成されたリード電極１
８ａ、１８ｂと、を備えている。ＡＴカット基板の場合、圧電基板１５の長辺方向をＸ軸
に、短辺方向をＺ’軸にするのが一般的である。また、励振電極１７ａ（１７ｂ）は、例
えば下地にクロム（Ｃｒ）、その上に金（Ａｕ）を用いる場合が多い。
図１（ｂ）の実施の形態に示した蓋部材３０は、中央部に凸部（凹部）を有し、凸部の
周縁が平坦部を有するように絞り加工した金属製の蓋部材であるが、蓋部材３０は、必ず
しも金属である必要はなく、絶縁材、ガラス等であってもよい。
【００２７】
図２（ａ）は、パッケージ本体（以下、絶縁基板という）４の実施の形態例を示す平面
図であり、同図（ｂ）は（ａ）のＱ−Ｑ断面図である。絶縁基板４は、矩形平板状の低温
共焼成セラミック基板（Low Temperature Co-fired Ceramics、以下、ＬＴＣＣ基板とい
う）５と、ＬＴＣＣ基板５の表面に形成された複数の素子搭載パッド７ａ、７ｂ（図２（
ａ）の実施形態例では２個）及び中継電極７ｃと、裏面に形成された複数の実装端子８と
、ＬＴＣＣ基板５を貫通して配置されて各素子搭載パッド７ａ、７ｂと各実装端子８との
間を導通接続する複数のビア電極６と、を備えている。
図２の実施の形態例では、絶縁基板４の短辺側に形成した素子搭載パッド７ａ、７ｂの
中、一方の素子搭載パッド７ａは、ビア電極６を介して一つの実装端子８と導通接続され
ている。他方の素子搭載パッド７ｂは、内部配線９と、中継電極７ｃと、絶縁基板の領域
に形成されたビア電極６とを介して他の実装端子８と導通接続されている。
更に、ＬＴＣＣ基板５の表面周縁に沿って、蓋部材の下面外周と接着して圧電振動素子
１３を気密封止するための低融点のガラス材１０が塗布されている。
【００２８】
本発明の特徴は、各素子搭載パッド７ａ、７ｂ、内部配線９、中継電極７ｃ、ビア電極
６、及び複数の実装端子８が、銀（Ａｇ）を主成分とした材料で構成されていることと、
図２（ａ）に示すように各素子搭載パッド７ａ、７ｂ、中継電極７ｃ、及び内部配線９が
、素子搭載パッド７ａ、７ｂ上に接着保持された圧電振動素子１３（圧電基板１５）の外
周輪郭線よりも内側の圧電基板１５の領域に形成されていることである。各素子搭載パッ
ド７ａ、７ｂ、中継電極７ｃ、内部配線９、及び複数の実装端子８を形成する際には、Ｌ
ＴＣＣ基板材面に銀ペーストを印刷してから低温でＬＴＣＣ基板材と同時に焼成される。
また、ビア電極６は、ＬＴＣＣ基板材の所定の位置に孔をあけ、孔の周縁及び上下の縁に
無電解ニッケルメッキ等を施した後、この孔に銀ペースを充填し、ＬＴＣＣ基板材と同時
に焼成して形成される。
【００２９】
各素子搭載パッド７ａ、７ｂ及び内部配線９は、ＬＴＣＣ基板５の加工精度（寸法精度
）を略５０μｍ、圧電振動素子１３の搭載精度を略１０μｍとして、圧電基板１５の設計
搭載位置から、６０μｍだけ圧電基板１５の面積の内側に形成する。
各素子搭載パッド７ａ、７ｂ及び内部配線９を、搭載する圧電基板１５の領域に形成する
理由について以下に説明する。
【００３０】
ＬＴＣＣ基板（低温共焼成セラミック基板）は、従来のアルミナセラミックに代表され
る基板の弱点を改善するために開発された基板である。アルミナセラミック基板に導体材
料として用いられているタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点・高抵抗
材料の代わりに、ＬＴＣＣ基板では、低導通抵抗金属である銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等が
用いられる。これらの金属は低融点であるため、アルミナセラミック基板の焼成温度であ
る１、５００℃〜１、６００℃で、焼成することができない。アルミナセラミックの代わ
りに、８００℃〜１、０００℃で焼成可能なガラス−フィラー系の材料が用いられる。ガ
ラス−フィラー系の材料を用いて焼成されたＬＴＣＣ基板は、低誘電率、高寸法精度、高
平坦性という特性を有し、無電解ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）メ
ッキが可能であるいう特性を備えている。このため、ＬＴＣＣ基板には高価な厚膜Ａｕ、
Ａｇ／Ｐｄ導体を使わないで、安価な基板が実現できるという特徴が、ある。
【００３１】
また、圧電振動素子の周波数調整法には、質量を付加して周波数を調整する方法と、質
量を削減して周波数を調整する方法と、がある。後者の方法には、レザー光線を用いて電
極を蒸散させて周波数を調整する方法、イオンビームにより電極をエッチングする方法、
特許文献４に開示されたアルゴン（Ａｒ）イオンを用いたプラズマエッチングによる周波
数調整法等がある。
アルゴン（Ａｒ）イオンを用いたプラズマエッチングによる周波数調整法（以下、プラ
ズマエッチング法という）では、筒体内にアルゴンガスを充填し、筒体内の電極棒に直流
電流を印加すると、筒体内でアルゴンプラズマが発生する。このプラズマの作用によりア
ルゴンガスがイオン化され、このイオン化されたアルゴンガスが筒体の先端の開口から照
射される。イオン化された粒子のアルゴンガスが圧電振動素子の励振電極に当てられ、励
振電極のエッチングが起る。励振電極を形成する電極材料によりエッチングレートが異な
り、電極材料を適切に設定することにより、粗調、微調を行うことができる。従って、プ
ラズマエッチング法を用いる場合は、圧電振動素子の周波数は、所望の周波数より低く設
定されている。
【００３２】
しかし、アルゴンイオンを用いたプラズマエッチング法では、金（Ａｕ）材料はエッチ
ングされるだけであるが、銀（Ａｇ）材料の場合はエッチングされると同時に酸化され、
抵抗率が大きくなるという問題がある。そこで、アルゴンイオンの照射を避ける手段が必
要になる。つまり、図１（ａ）、図２（ａ）の実施の形態に示すように、素子搭載パッド
７ａ、７ｂ、中継電極７ｃ、及び内部配線９が、圧電基板１５により覆われるように圧電
振動子を構成することにより、アルゴンイオンの照射が避けられ、銀（Ａｇ）材料の酸化
を防止するこが可能になる。
【００３３】
圧電振動子１の構成は、単層のＬＴＣＣ基板５の表裏面に素子搭載パッド７ａ、７ｂ、
中継電極７ｃ、内部配線９、実装端子８を形成し、且つ表面の周縁に沿ってガラス部材１
０を備えた絶縁基板４を用意し、その素子搭載パッド７ａ、７ｂに導電性接着剤２２、例
えばシリコン系接着剤、エポキシ系接着剤、ポリイミド系接着剤、ビスマレイミド系接着
剤等の何れかを適量塗布し、その上に圧電振動素子１３を載置して荷重をかける。
絶縁基板４に塗布した導電性接着剤２２を硬化させるために、所定の温度の高温炉に所
定の時間入れる。アニール処理を施した後、周波数調整は、上記のプラズマエッチング法
を用いて、励振電極１７ａ、１７ｂの質量を削減して行われる。絶縁基板４の上面周縁に
塗布した低融点のガラス材１０に蓋部材３０を載置し、略３００℃の真空炉の中でガラス
材１０を溶融して、絶縁基板４と蓋部材３０とを気密封止する。絶縁基板４と蓋部材３０
とからなるキャビティ内が真空状態の圧電振動子１が完成する。
【００３４】
図１の実施の形態例に示すように、単層の低温共焼成セラミック基板（ＬＴＣＣ基板）
５の表裏面に、銀を主成分とする銀ペーストを用いて、素子搭載パッド７ａ、７ｂ、中継
電極７ｃ、内部配線９、ビア電極６及び実装端子８を形成して、絶縁基板を構成する。こ
の絶縁基板４と圧電振動素子１３とを用いて、圧電振動子１を構成するので、小型、低背
で低コストの圧電振動子１が実現できるという効果がある。更に、素子搭載パッド７ａ、
７ｂ、中継電極７ｃ、及び内部配線９が、圧電振動素子１３の圧電基板１５の外周輪郭線
から内側の領域に形成されているので、周波数の調整に調整時間が早く且つ精度の高いア
ルゴンイオンを用いたプラズマエッチング法を用いても、素子搭載パッド７ａ、７ｂ、中
継電極７ｃ、及び内部配線９が酸化される虞がない。つまり、ＣＩの劣化がない圧電振動
子が構成できるという高効果がある。
また、素子搭載パッド７ａ、７ｂを、絶縁基板４の短手方向に沿って離間配置すること
により、圧電振動素子１３を片持ち支持することができる。このため、圧電振動素子１３
に生じるマウント歪を少なくすることが可能であり、電気的特性の優れた圧電振動子１が
得られるという効果がある。
【００３５】
素子搭載パッド７ａ、７ｂ、実装端子８、中継電極７ｃ、内部配線９及びビア電極６を
、銀を主成分とするペースト材で形成することができるので、低コストの絶縁基板４が得
られるという効果がある。
また、圧電振動素子１３を搭載した絶縁基板４と、蓋部材３０とをガラス材１０を溶融
して融着密封することができるので、低コストの絶縁基板４が得られると共に、ガラス材
の幅は狭くすることが可能であり、抵抗溶接等に比べのり代も狭くすることができるので
、小型化の圧電振動子１が得られるという効果がある。
【００３６】
図３（ａ）は、第２の実施の形態の圧電振動子１の構成を示す平面図であり、同図（ｂ
）は、（ａ）のＰ−Ｐ断面図である。図４（ａ）は、第２の実施の形態例の絶縁基板４の
構成を示す平面図であり、同図（ｂ）は、（ａ）のＰ−Ｐ断面図である。
素子搭載パッド７ａ、７ｂは、図３、図４に示すように、絶縁基板４の長手方向に沿っ
て離間配置されており、図２（ａ）で示した内部配線９及び中継電極７ｃを必要としない
。素子搭載パッド７ａ、７ｂは、搭載される圧電振動素子１３の外周輪郭線の内側、即ち
圧電基板１５の領域で、且つ長手方向に離間配置されたビア電極６により実装端子８と導
通している。
図１には片持ち支持の圧電振動子１の例を示したが、図３の第２の実施の形態例のよう
に、圧電振動素子１３を両持ち支持して構成する場合もある。両持ち支持の方が、片持ち
支持に比べ耐衝撃性が強いという特徴がある。
【００３７】
図３、図４の実施形態が図１に示した圧電振動子１と異なる点は、圧電振動素子１３の
リード電極１８ａ、１８ｂの引出し方向と、絶縁基板４の素子搭載パッド７ａ、７ｂの配
置と、内部配線９を必要としないことである。
つまり、圧電振動素子１３は、圧電基板１５の表面及び裏面に対向配置された励振電極
１７ａ（１７ｂ）と、励振電極１７ａ（１７ｂ）から圧電基板１５の長手方向の対向する
各端部に向けて夫々延在するリード電極１８ａ、１８ｂと、を備えている。
絶縁基板４は、矩形平板状のＬＴＣＣ基板５と、ＬＴＣＣ基板５の表面に形成された複
数の素子搭載パッド７ａ、７ｂ（図４（ａ）の実施形態例では２個）と、裏面に形成され
た複数の実装端子８と、ＬＴＣＣ基板５を貫通して配置されて各素子搭載パッド７ａ、７
ｂと、各実装端子８との間を導通接続する複数のビア電極６と、を備えている。
図４の実施の形態例では、絶縁基板４の長辺方向に沿い離間して素子搭載パッド７ａ、
７ｂが形成されており、素子搭載パッド７ａ、７ｂは、夫々ビア電極６を介して実装端子
８に導通接続されている。更に、絶縁基板４には、ＬＴＣＣ基板５の表面周縁に沿って、
気密封止用の低融点のガラス材１０が塗布されている。
なお、圧電振動子の構成は、上記の構成と同様であるので省略する。
【００３８】
図３の第２の実施の形態例に示すように、単層の低温共焼成セラミック基板（ＬＴＣＣ
基板）５の表裏面に、銀を主成分とする銀ペーストを用いて素子搭載パッド７ａ、７ｂ、
実装端子８及びビア電極６を形成して絶縁基板４を構成する。この絶縁基板４と圧電振動
素子１３とを用いて圧電振動子１を構成するので、小型、低背で低コストの圧電振動子１
が実現できるという効果がある。更に、素子搭載パッド７ａ、７ｂが、圧電振動素子１３
の圧電基板１５の端縁から内側の領域に形成されているので、周波数の調整に、調整時間
が早く且つ精度の高いアルゴンイオンを用いたプラズマエッチング法を用いても、素子搭
載パッド７ａ、７ｂが酸化されず、圧電振動子のＣＩの劣化の虞がないという高効果があ
る。
また、素子搭載パッド７ａ、７ｂを絶縁基板４の長手方向に沿って離間配置することに
より、圧電振動素子１３を両持ち支持することができる。このため、耐衝撃性に強い圧電
振動子１が得られるという効果がある。
【００３９】
図２、図４の実施の形態例では、絶縁基板４の裏面に形成する実装端子８の形状及び配
置を示していないので、表面図と共に示す。図５（ａ）、（ｂ）は、図１、図２に示した
第１の実施の形態例の絶縁基板４の表面及び裏面の平面図である。片持ち用の絶縁基板４
の素子搭載パッド７ａ、７ｂは、一方の短辺に偏位して配置されており、内部配線９とビ
ア電極６とにより裏面の実装端子８と導通接続されている。
図６（ａ）、（ｂ）は、図３、図４に示した第２の実施の形態例の絶縁基板４の表面及
び裏面の平面図である。両持ち用の絶縁基板４の素子搭載パッド７ａ、７ｂは長手方向の
中央に配置されており、ビア電極６により裏面の実装端子８と導通接続されている。
【００４０】
図７（ａ）、（ｂ）は、絶縁基板４の変形例１の表面及び裏面の平面図である。裏面の
実装端子は４個であり、短手方向の一方に沿って並ぶ２個の実装端子８はダミー端子であ
る。片持ち用の絶縁基板４の素子搭載パッド７ａ、７ｂは、他方の短手方向の辺に偏位し
て配置されており、ビア電極６により裏面の短手方向の他方に沿って並ぶ２個の実装端子
８と導通接続されている。
図８（ａ）、（ｂ）は、絶縁基板４の変形例２の表面及び裏面の平面図である。裏面の
実装端子は４個であり、対角の一方の２個の実装端子８はダミー端子である。これは両持
ち用の絶縁基板４であり、素子搭載パッド７ａ、７ｂは、長手方向に沿って点対称に配置
されている。素子搭載パッド７ａ、７ｂの形状は、矩形と円形とを接続した鍵穴状をして
おり、円形の部分にビア電極６が形成され、対角の他方の裏面の実装端子８と導通接続さ
れている。
図７（ａ）、図８（ａ）に示す絶縁基板４の場合も、素子搭載パッド７ａ、７ｂは、搭
載される圧電振動素子１３の面積（外周輪郭線）内に形成されている。
【００４１】
図９は、圧電発振器２の概略構成図である。圧電発振器２は、上記の圧電振動子１と、
圧電振動子１を励振する発振回路を搭載したＩＣ部品４０と、圧電振動子１及びＩＣ部品
４０を収容するパッケージ４５と、を備えている。
本発明の圧電振動子１と、発振回路を搭載したＩＣ部品４０と、パッケージ４５と、を
備えた圧電発振器２を構成すると、小型、低背化した低コストの圧電発振器２が得られる
という効果がある。
【００４２】
図１０は、電子機器３の概略構成図である。電子機器３は、上記の圧電振動子１を備え
ている。
本発明の圧電振動子１を用いて電子機器３を構成すると、小型で低コストの電子機器が
得られるという効果がある。
【符号の説明】
【００４３】
１…圧電振動子、４…絶縁基板、５…低温共焼成セラミック基板（ＬＴＣＣ基板）、６…
ビア電極、７ａ、７ｂ…素子搭載パッド、７ｃ…中継電極、８…実装端子、９…内部配線
、１０…ガラス材、１３…圧電振動素子、１５…圧電基板、１７ａ、１７ｂ…励振電極、
１８ａ、１８ｂ…リード電極、２２…導電性接着剤、３０…蓋部材、４０…ＩＣ部品、４
５…パッケージ