Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年5月12日(2014.5.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
発明の別の側面によれば、本発明は、上述の発明の方法による畳み込み符号化データの復号のために最適化されたプロセッサに関する。プロセッサは、複数のファントム（phantom）レジスタでプロセッサのレジスタセットを拡張するためにアレンジされ、複数のファントムレジスタは、物理的にどのようなレジスタ記憶装置ももたないが、ループ制御レジスタとして用いられるコアレジスタフィールドと、現在状態コストセット割当及びデータ構造のためのベースアドレスを示し、現在及び次の状態テーブルのマッピングを選択する状態レジスタフィールドと、に基づき、ソースおよびデスティネーション（destination）状態コストオペランドのためのアドレスを戻す。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８７】
本発明によれば、オペコード１４７は、レジスタファイル１４１中の別々の記憶スペースに対応しないが、レジスタＲ０−Ｒ３１内の値およびまたはＣＰＵ内部または外部の追加の値１５１、１５２の論理関数である“ファントムレジスタ”１４３へのアドレスを含むことができる。命令によってアドレスされた時、１つまたは複数のファントムレジスタは、命令により明示的にアドレスされていないレジスタ及びまたは信号から計算された値を戻す。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
畳み込み符号化データの復号を最適化するプロセッサであって、
前記プロセッサのレジスタセットをファントムレジスタで拡張するようにアレンジされており、
前記ファントムレジスタは、ループ制御レジスタとして用いられるコアレジスタフィールドと、現在状態コストセット割当及びデータ構造についてのベースアドレスを示し、現在及び次の状態テーブルのマッピングを選択する状態レジスタフィールドとに基づき、ソース状態コストオペランドについての第１のアドレスと、デスティネーション状態コストオペランドについての第２のアドレスを計算するようにアレンジされ、
前記ファントムレジスタは、第１の命令によりアドレスされたとき、前記第１のアドレスのレジスタ及びまたは信号から状態コストを計算する、プロセッサ。
【請求項２】
コアデータレジスタに記憶される複数のオペランドで動作する加算−比較−選択オペレーションを実施する第２の命令を実行するようにアレンジされる、請求項１記載のプロセッサ。
【請求項３】
前記第２の命令は、１つまたは複数の加算−比較−選択オペレーションを同時に実行し、複数のデスティネーション（destination）レジスタに記憶され得る複数の適切な状態について、関連ある状態コストを更新する、請求項２に記載のプロセッサ。
【請求項４】
前記第２の命令が、ループについての最小累積コスト状態の計算を同時に実行する、請求項３記載のプロセッサ。
【請求項５】
前記第２の命令が、ループについての最小コスト状態結果が予め決定された閾値より大きいかどうかを同時に計算する、請求項３記載のプロセッサ。
【請求項６】
前記第２の命令が、前記計算された状態コストから、それらを記憶する前に、予め定められた値を減算する、請求項３記載のプロセッサ。
【請求項７】
前記予め定められた値は２の累乗として表され、前記減算は、ＣＰＵレジスタに記憶され得るステータスフラグに基づき、状態コストのＭＳＢを０にマスキングすることにより実行される、請求項６記載のプロセッサ。
【請求項８】
トレースバックオペレーションを実施するための第３の命令を実行するようにアレンジされ、
トレースバック履歴は、１ペアのコアＣＰＵレジスタに表され、
前記第３の命令は、前記トレースバック履歴内のビットを、トレースバック状態に基づき、明確にセット／クリアすることができ、前記命令の各オペレーションにおいてセット／クリアされたビットまでインデックスをカウントすることができる、請求項１記載のプロセッサ。
【請求項９】
前記第３の命令は、前記トレースバック履歴が現在ステップにより変更されたかどうかを検出し、前記トレースバックオペレーションを前の値をもつ収束で終了するためにフラグを設定できる、請求項８のプロセッサ。
【請求項１０】
トレースバック状態と、システムメモリ内の前記データ構造のアドレスとに基づく第２のファントムレジスタを備え、
前記第２のファントムレジスタは、読まれるべき次の３２ビットトレースバック履歴ワードについての正しいアドレスを戻し、
前記第２のファントムレジスタは、インダイレクトロードについてのアドレスレジスタとしてＣＰＵにより使用されることができ、
前記アドレスは、現在トレースバック状態とトレースバックサンプルインデックスとの関数である、請求項１記載のプロセッサ。
【請求項１１】
送信データの正しいビット順の表現におけるトレースバックデータの最も古いビットを検索する命令を実行するようにアレンジされた、請求項１０記載のプロセッサ。
【請求項１２】
複数の局在衛星を含む、複数の無線局在ビーコンにより受信された信号に基づき地理的位置を決定するＧＮＳＳ受信機であって、
前記信号に含まれるデータのいくつかは、畳み込み符号に従って符号化され、
前記受信機は、前記畳み込み符号を復号する特別命令を含むソフトウェアプログラムを実行するようにアレンジされた請求項１記載のプロセッサを含む、受信機。
【請求項１３】
前記特別命令のうちの少なくともいくつかは、ビタビ復号アルゴリズムの加算−比較−選択オペレーションを同時に実施する命令を含み、
前記命令は複数のコアデータレジスタ上で動作し、暗黙的にアドレスされる追加のコアＣＰＵレジスタを使用する、請求項１２記載の受信機。
【請求項１４】
前記命令は、前記ビタビ復号アルゴリズムのビタビループについて、最小累積コスト状態の計算を同時に実行する、請求項１３記載の受信機。
【請求項１５】
ビタビアルゴリズムのトレースバック状態と、システムメモリ内のデータ構造のアドレスとに基づく第２のファントムレジスタを備え、
前記レジスタは、読まれるべき次の３２ビットトレースバック履歴ワードについての正しいアドレスを戻し、
前記第２のファントムレジスタは、インダイレクトロードについてのアドレスレジスタとしてＣＰＵにより使用されることができ、
前記アドレスは、現在トレースバック状態とトレースバックサンプルインデックスとの関数である、請求項１２から１４のうちのいずれか１つに記載の受信機。
【請求項１６】
前記畳み込み符号の復号は、データ状態間の遷移コストの計算を含み、前記遷移は、０からＭまでの範囲の負でない値として表され、ＭはＫ回のステップで得ることのできる最大遷移コストであり、Ｋは前記畳み込み符号化データ内のメモリビットの数であり、
複数の累積パスコストそれぞれにＮビットを割り当て、前記最大遷移コストＭは、
（２＾（Ｋ＋１）＊Ｍ）−１＜２＾Ｎ−１により定義され、
請求項１２から１４のうちのいずれか１つに記載の受信機。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月19日(2013.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部と前記光電変換部で生成された信号電荷に基づく信号を増幅して出力する増幅トランジスタとを含む画素が複数配された画素領域が第１導電型の半導体基板に配され、
バーティカルオーバーフロードレイン動作により電子シャッタを行なう固体撮像装置であって、
前記光電変換部の一部を構成する第１導電型の第１の半導体領域と、
前記光電変換部とは別に設けられ、前記第１の半導体領域で生成した電荷を蓄積する第１導電型の第２の半導体領域と、
前記第２の半導体領域の下部に配され、該第２の半導体領域の蓄積電荷に対するポテンシャル障壁として機能する第２導電型の第３の半導体領域と、
前記第１の半導体領域と前記半導体基板との間から、前記第３の半導体領域と前記半導体基板との間まで延在して配された第２導電型の第４の半導体領域と、
前記第３の半導体領域へ所定の電圧を供給するための電圧供給部を有することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記電圧供給部は前記画素領域に複数配されていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記増幅トランジスタのソース、ドレイン領域は第２導電型のウェルに配されており、
前記ウェルと前記第３の半導体領域とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項４】
更に、前記増幅トランジスタのゲートと接続された第１導電型のフローティングディフュージョン領域を有し、
前記第３の半導体領域は、前記増幅トランジスタのソース、ドレイン領域の下部まで延在して配されていることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第３の半導体領域の前記第１の半導体領域側の端部が、前記第２の半導体領域の前記第１の半導体領域側の端部よりも、前記第１の半導体領域へ近いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第３の半導体領域の不純物濃度は、前記第４の半導体領域の不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第３の半導体領域と前記第４の半導体領域との間の領域の不純物濃度は、前記第４の半導体領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記電圧供給部とは別に、前記画素領域に配された前記第４の半導体領域へ基準電圧を供給するための第２の電圧供給部を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月24日(2014.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ガス種を初期基板へ導入することによって薄層を形成して、前記初期基板の残りから膜を分離する弱化層を形成する段階を備え、前記薄層は第１の接触面と称する自由面を有するものであり、
（ｂ）分子結合によって薄層の第１の接触面を介在基板の面に結合させる段階と、
（ｃ）初期基板において弱化層で破面を行う段階であって、第２の接触面と称されかつ第１の接触面の反対側の面である薄層の自由面を露出し、前記破面が前記初期基板と前記介在基板とからなるアセンブリに熱処理を行うことを含む段階と、
（ｄ）ターゲット基板の面を第２の接触面の少なくとも一部と結合させる段階と、
（ｅ）積層構造を得るために介在基板の少なくとも一部を除去する段階と、を備え、
段階（ｅ）における前記除去が機械的及び／又は化学的攻撃により実施される、
ターゲット基板に結合された少なくとも１つの薄層を備えた積層構造を作製する方法。
【請求項２】
段階（ｅ）における前記除去が、研磨、及び介在基板の化学的攻撃を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
化学的攻撃が水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）又はカリ溶液で実施される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
段階（ｃ）の後にさらなる熱処理を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
さらなる熱処理は、犠牲酸化によって薄層を薄化するための高温熱処理である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
段階（ａ）及び（ｃ）は、薄層及び／又は介在基板の第１の接触面のラフネスが第２の接触面及び／又はターゲット基板のラフネスより小さくなるように実施し、段階ｄ）において結果的に得られた構造は、第２の接触面の少なくとも一部をターゲット基板の面に結合することによって、及び介在基板を除去することによって、介在基板の全て又は一部のその後の除去を可能にすることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ターゲット基板は薄層のための一時的な支持体に過ぎず、前記方法における前記段階は全て又はその一部を繰り返し、ターゲット基板は初期基板又は介在基板として扱われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
薄層及び／又は介在基板及び／又はターゲット基板が１つ以上の接触面を有する少なくとも１つの付加層を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
段階（ｄ）の前の付加層は、少なくとも１つのコンポーネントの全て又はその一部を備えることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
付加層は、酸化物又は多結晶シリコン又はアモルファスシリコンから成ることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
薄層の第１の接触面及び／又は第２の接触面の結合接触は、機械化学的及び／又はイオン研磨、薄層の接触面と、対応する介在基板又はターゲット基板との間への介在層の挿入、熱処理、及び化学的処理を含む処理の中から単独で又は組み合わせて選択される結合接触を可能とする処理を行って形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
段階（ｄ）で実現される薄層の第２の接触面とターゲット基板との結合接触の結合エネルギーは、段階（ｅ）の後のターゲット基板の除去を可能とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
中間段階は段階（ｃ）と段階（ｄ）との間に実施され、薄層の第２の接触面及び／又はターゲット基板に要素を形成することを備え、段階（ｄ）の後に得られる構造は前記要素の存在によって可能となる、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
中間段階は段階ｄ）の前に実施され、第２の接触面の少なくとも１つの領域を孤立させるためのトリミング作業から成り、段階ｄ）はこれらの領域の少なくとも１つの領域をターゲット基板に結合接触させる、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
段階（ａ）は、少なくとも１つの材料層（３）で被覆された基板（１）から始めて実施する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
段階（ｅ）の後に、段階（ａ）において基板（１）を被覆する材料層（３）を除去する段階を備える請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
初期基板（１）はシリコンから成り、それを被覆する材料層（３）は酸化シリコンから成る、請求項１５又は１６に記載の方法。
【請求項１８】
段階（ｅ）の終了時に得られる積層構造は、第１の接触面側を薄化する、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
単結晶シリコンから成る初期基板、単結晶シリコンから成る介在基板、多結晶又は初期基板のシリコンより低質の単結晶シリコンから成るターゲット基板を用いることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
ＳｉＣもしくはＧａＡｓ初期基板、ＳｉＣもしくはＧａＡｓ介在基板、初期基板材料より低質のＳｉＣもしくはＧａＡｓターゲット基板、初期基板を起源とするＳｉＣもしくはＧａＡｓを含む薄層を用いることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
薄層が、Ｓｉ、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＬｉＮｂＯ３、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、サファイア及び半導体から成る群から選択された材料の層であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月25日(2013.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技の進行に応じて表示状態を変化可能な表示装置の表示面の端側である通常位置に取り付けられた演出作動装置を備え、各々が識別可能な複数種類の識別情報の変動表示を行なって表示結果を導出表示し、該表示結果が特定表示結果となったときに遊技者にとって有利な特定遊技状態に制御する遊技機であって、
前記演出作動装置は、
前記通常位置と前記表示装置の表示面と重複する駆動位置との間で変位可能であり、かつ、前記通常位置および前記駆動位置において遊技者に視認可能な第１装飾体と、
遊技の進行に応じて前記第１装飾体を駆動させる駆動手段と、
該第１装飾体の前記表示装置側に配置される第２装飾体とを含み、
前記第２装飾体は、前記第１装飾体が前記通常位置にあるときに当該第１装飾体と重複する位置に変位し、前記第１装飾体が前記駆動位置にあるときに前記第１装飾体から突出する位置に変位し、
前記表示装置は、前記演出作動装置の変位に応じて表示状態を変化可能であることを特徴とする、遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
しかしながら、従来の遊技機は、遊技が単調になり興趣を低下させてしまう虞があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この発明はかかる実情に鑑み考え出されたものであり、その目的は、遊技の興趣を向上させることができる遊技機を提供することである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
（１）  遊技の進行に応じて表示状態を変化可能な表示装置（液晶表示装置４４ｂ）の表示面の端側である通常位置（上方）に取り付けられた演出作動装置（拡大型演出装置１０１）を備え、各々が識別可能な複数種類の識別情報（特別図柄、飾り図柄）の変動表示を行なって表示結果を導出表示し、該表示結果が特定表示結果（大当り図柄）となったときに遊技者にとって有利な特定遊技状態（大当り）に制御する遊技機（パチンコ遊技機１）であって、
前記演出作動装置は、
前記通常位置（上方）と前記表示装置の表示面と重複する駆動位置（液晶表示装置４４ｂの表示面と重複する位置）との間で変位可能であり、かつ、前記通常位置および前記駆動位置において遊技者に視認可能な第１装飾体（第１装飾体１１０）と、
遊技の進行に応じて前記第１装飾体を駆動させる駆動手段（アーム部材１２１ａ、１２１ｂ、駆動モータ１２４ａ、１２４ｂ、ウォームギアおよびウォームホイールを含む駆動機構１３６ａ、１３６ｂ）と、
該第１装飾体の前記表示装置側（後面側）に配置される第２装飾体（第２装飾体１１１）とを含み、
前記第２装飾体は、前記第１装飾体が前記通常位置にあるときに当該第１装飾体と重複する位置に変位し（図３（ａ）参照）、前記第１装飾体が前記駆動位置にあるときに前記第１装飾体から突出する位置に変位し（図３（ｂ）参照）、
前記表示装置は、前記演出作動装置の変位に応じて表示状態を変化可能である。
このような構成によれば、遊技の興趣を向上させる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、所定の入賞領域（第１始動口５８ａ）と、該入賞領域よりも上方に設けられた装飾部材（装飾部材６６）と、各々が識別可能な複数種類の識別情報（特別図柄、飾り図柄）の変動表示を行なって表示結果を導出表示する変動表示装置（特別図柄表示装置４４ａ、液晶表示装置４４ｂ）とを含む遊技領域（遊技領域４１）を備え、遊技球が前記遊技領域に打込まれることにより遊技が行なわれ、前記変動表示装置の表示結果が特定表示結果（大当り図柄）となったときに遊技者にとって有利な特定遊技状態（大当り）に制御する遊技機（パチンコ遊技機１）であって、
前記装飾部材は、
前記遊技領域に打込まれて落下する遊技球を上部または側部から受入れ可能（ワープ受入口１０４ａ、ワープ排出口１０４ｂ）に形成され、当該受入れた遊技球を転動させる転動面（ステージ１０６）上の遊技球を前記遊技領域に放出するものであり、
前記転動面は、
当該装飾部材に受入れた遊技球が導入される第１転動面（第１ステージ１６０）と、
該第１転動面より正面手前側に配置された第２転動面（第２ステージ１６１）とで構成され、
前記第１転動面には、遊技球を前記第２転動面の所定位置（導入口１８７が設けられている位置）へ誘導する所定位置誘導部（第１誘導突起１７７）が形成され、
前記第２転動面には、前記所定位置誘導部の誘導方向において遊技球を受入れる受入口（導入口１８７）が形成され（図１０参照）、
前記装飾部材には、前記受入口に連通し、当該受入口から受入れられた遊技球を前記遊技領域に放出する放出口（放出口１８８）が前記入賞領域のほぼ真上の位置（第１始動口５８ａ開口を通る鉛直線の一部または全部と、遊技盤面の垂線であって放出口１８８開口を通る垂線の一部または全部とが交わる位置に、第１始動口５８ａと放出口１８８とが配置されている位置関係）に形成されている（図１０参照）としてもよい。
このような構成によれば、転動面に遊技球が受入れられた場合、当該遊技球が第１転動面に形成された所定位置誘導部により誘導されることへの期待感と、第２転動面に形成された受入口に直接受入れられることへの期待感とを遊技者に抱かせることができる。すなわち、遊技球の転動の仕方に対して２つの異なる期待感を遊技者に抱かせることができる。このため、期待感を抱かせる機会を増加させることができ、遊技の興趣を向上させる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月17日(2013.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極上の電界発光層と、
前記電界発光層上の第２の電極と、
前記第２の電極と接し、パッシベーション膜としての機能を有する第１の層と、
前記第１の層と接し、有機材料を含む第２の層と、
前記第２の層と接し、前記第２の層に比較して屈折率が小さい第３の層と、を有し、
前記第２の電極は、透光性を有し、
前記第１の層は、窒化珪素膜、酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜、または酸化窒化珪素膜から選ばれた膜の積層構造を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の電極と、
前記第１の電極上の電界発光層と、
前記電界発光層上の第２の電極と、
前記第２の電極と接し、パッシベーション膜としての機能を有する第１の層と、
前記第１の層と接し、有機材料を含む第２の層と、
前記第２の層と接し、前記第２の層に比較して屈折率が小さい第３の層と、を有し、
前記第２の電極は、透光性を有し、
前記第１の層は、窒化珪素膜の積層構造を有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記有機材料は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、またはスチレン樹脂であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
第１の電極と、
前記第１の電極上の電界発光層と、
前記電界発光層上の第２の電極と、
前記第２の電極と接し、パッシベーション膜としての機能を有する第１の層と、
前記第１の層と接し、応力を緩和する機能を有する第２の層と、
前記第２の層と接し、前記第２の層に比較して屈折率が小さい第３の層と、を有し、
前記第２の電極は、透光性を有し、
前記第１の層は、窒化珪素膜、酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜、または酸化窒化珪素膜から選ばれた膜の積層構造を有することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
第１の電極と、
前記第１の電極上の電界発光層と、
前記電界発光層上の第２の電極と、
前記第２の電極と接し、パッシベーション膜としての機能を有する第１の層と、
前記第１の層と接し、応力を緩和する機能を有する第２の層と、
前記第２の層と接し、前記第２の層に比較して屈折率が小さい第３の層と、を有し、
前記第２の電極は、透光性を有し、
前記第１の層は、窒化珪素膜の積層構造を有することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第３の層は、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、またはフッ化バリウムを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記発光装置は、照明機能を有することを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月4日(2014.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ぱちんこ遊技機の遊技領域とは反対面側である裏側に取り付けられる球払出機構であって、
球払出機構は、
遊技球を流下させるための複数設けられた通路であって、遊技機の裏側に取り付けられた遊技球貯留部から流下してきた当該遊技球を受け入れるための通路口である球導入口を有する第一供給通路と、
第一供給通路から流下してきた遊技球を保持するための球保持部が形成され、球保持部は複数設けられた第一供給通路の夫々に対応して１つずつ且つ任意角度ずらして設けられている球払出用回転体と、
球払出用回転体を回転させるための球払出用モータと、
球払出用回転体が回転することにより球払出用回転体から払い出された遊技球を、球払出用回転体から更に流下させるための複数設けられた通路であって、当該球払出機構から当該遊技球を外部に供給するための通路口である球供給口を有する第二供給通路と
を有しており、第一供給通路、球払出用回転体、球払出用モータ及び第二供給通路が一のユニット又は複数のユニットの組み合わせとして形成されているユニット化球払出機構において、
第二供給通路は、
複数設けられた通路において開始点が異なる遊技球落下速度を減速させるための折り曲げ部を備え、
第二供給通路の遊技球流下方向に対して垂直に切断した断面における中点の軌跡が同一平面上にはない、遊技機の裏側から眺めた際に左右方向及び前後方向に屈曲した形状を成し、且つ、略同一箇所にて左右方向にも前後方向にも屈曲した屈曲部を有すると共に、
球供給口に至るまでの通路内壁に設けられた部材であって、電気伝導体からなる導電部材を更に有する
ことを特徴とするユニット化球払出機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本態様に係るユニット化球払出機構及びぱちんこ遊技機は、
ぱちんこ遊技機の遊技領域とは反対面側である裏側に取り付けられる球払出機構であって、
球払出機構は、
遊技球を流下させるための複数設けられた通路であって、遊技機の裏側に取り付けられた遊技球貯留部から流下してきた当該遊技球を受け入れるための通路口である球導入口を有する第一供給通路と、
第一供給通路から流下してきた遊技球を保持するための球保持部が形成され、球保持部は複数設けられた第一供給通路の夫々に対応して１つずつ且つ任意角度ずらして設けられている球払出用回転体と、
球払出用回転体を回転させるための球払出用モータと、
球払出用回転体が回転することにより球払出用回転体から払い出された遊技球を、球払出用回転体から更に流下させるための複数設けられた通路であって、当該球払出機構から当該遊技球を外部に供給するための通路口である球供給口を有する第二供給通路と
を有しており、第一供給通路、球払出用回転体、球払出用モータ及び第二供給通路が一のユニット又は複数のユニットの組み合わせとして形成されているユニット化球払出機構において、
第二供給通路は、
複数設けられた通路において開始点が異なる遊技球落下速度を減速させるための折り曲げ部を備え、
第二供給通路の遊技球流下方向に対して垂直に切断した断面における中点の軌跡が同一平面上にはない、遊技機の裏側から眺めた際に左右方向及び前後方向に屈曲した形状を成し、且つ、略同一箇所にて左右方向にも前後方向にも屈曲した屈曲部を有すると共に、
球供給口に至るまでの通路内壁に設けられた部材であって、電気伝導体からなる導電部材を更に有する
ことを特徴とするユニット化球払出機構である。
＜付記＞
尚、本態様とは異なる別態様について以下に列記しておくが、これらには何ら限定されることなく実施することが可能である。
本別態様に係るユニット化球払出機構及びぱちんこ遊技機は、
ぱちんこ遊技機（例えば、ぱちんこ遊技機２）の遊技領域とは反対面側である裏側に取り付けられる球払出機構（例えば、賞球払出ユニット１００）であって、
球払出機構（例えば、賞球払出ユニット１００）は、
遊技球を流下させるための通路であって、遊技機の裏側に取り付けられた遊技球貯留部（例えば、球貯留タンク４０）から流下してきた当該遊技球を受け入れるための通路口である球導入口（例えば、前流入口Ａ１１０１）を有する第一供給通路（例えば、第１前供給通路Ａ１１０２）と、
第一供給通路（例えば、第１前供給通路Ａ１１０２）から流下してきた遊技球を保持するための球保持部（例えば、保持部Ａ１１０３−１）が形成されている球払出用回転体（例えば、回転体Ａ１００３）と、
球払出用回転体（例えば、回転体Ａ１００３）を回転させるための球払出用モータ（例えば、モータＡ１３１０）と、
球払出用回転体（例えば、回転体Ａ１００３）が回転することにより球払出用回転体（例えば、回転体Ａ１００３）から払い出された遊技球を、球払出用回転体（例えば、回転体Ａ１００３）から更に流下させるための通路であって、当該球払出機構（例えば、賞球払出ユニット１００）から当該遊技球を外部に供給するための通路口である球供給口（例えば、流出口Ｂ１１６０）を有する第二供給通路（例えば、第２供給通路Ｂ１１５０）と
を有しており、第一供給通路（例えば、第１前供給通路Ａ１１０２）、球払出用回転体（例えば、回転体Ａ１００３）、球払出用モータ（例えば、モータＡ１３１０）及び第二供給通路（例えば、第２供給通路Ｂ１１５０）が一のユニット又は複数のユニットの組み合わせとして形成されているユニット化球払出機構（例えば、賞球払出ユニット１００）において、
第二供給通路（例えば、第２供給通路Ｂ１１５０）は、
第二供給通路（例えば、第２供給通路Ｂ１１５０）の遊技球流下方向に対して垂直に切断した断面における中点の軌跡が同一平面上にはない、遊技機の裏側から眺めた際に左右方向及び前後方向に屈曲した形状を成し、且つ、略同一箇所にて左右方向にも前後方向にも屈曲した屈曲部を有すると共に、
球供給口（例えば、流出口Ｂ１１６０）に至るまでの通路内壁に設けられた部材であって、電気伝導体からなる第一導電部材（例えば、右板金部材Ｂ１１００−１）を更に有し
、
第一導電部材（例えば、右板金部材Ｂ１１００−１）は、
当該ユニット化球払出機構（例えば、賞球払出ユニット１００）の外部に設けられた部材であって、電気伝導体からなる第二導電部材（例えば、左板金部材Ｂ１２００−１）と導通している
ことを特徴とするユニット化球払出機構（例えば、賞球払出ユニット１００）である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月7日(2014.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜上に、導電膜を形成し、
前記導電膜から、ソース電極層およびドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層および前記ドレイン電極層と重ならず、露出した領域を有する、島状の酸化物半導体膜に不純物除去処理を行い、
前記島状の酸化物半導体膜の側面端部に、酸素添加処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜上に、導電膜を形成し、
前記導電膜から、ソース電極層およびドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層および前記ドレイン電極層と重ならず、露出した領域を有する、島状の酸化物半導体膜に溶液を用いた洗浄処理を行い、
前記島状の酸化物半導体膜の側面端部に、酸素添加処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜上に、導電膜を形成し、
前記導電膜から、ソース電極層およびドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層および前記ドレイン電極層と重ならず、露出した領域を有する、島状の酸化物半導体膜に希フッ酸溶液またはシュウ酸溶液による洗浄処理を行い、
前記島状の酸化物半導体膜の側面端部に、酸素添加処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、結晶部を有し、
前記結晶部は、前記酸化物半導体膜表面の法線ベクトルに平行な方向に沿うｃ軸を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月2日(2014.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の半導体装置は、部品を配置するためのベース基板と脚部とを含む構造モジュールと、前記脚部と接合するマザー基板と、を備えた半導体装置であって、前記構造モジュールは、前記マザー基板と対向する一面に、複数の部品を備え、前記マザー基板と対向する一面及び前記複数の部品は、第１の封止樹脂により覆われ、前記マザー基板は、前記構造モジュールと対向する一面のうち、前記構造モジュールの前記複数の部品が備えられた面において前記複数の部品が備えられていない部分に、部品を備え、前記構造モジュールは、前記マザー基板との接合により密閉されており、前記マザー基板と前記第１の封止樹脂との間に、前記第１の封止樹脂よりも熱伝導性の高い第２の封止樹脂を備える構成を採る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法は、部品を配置するためのベース基板と脚部とを含む構造モジュールと、前記脚部と接合するマザー基板と、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記構造モジュールの、前記マザー基板と対向する一面に、複数の部品を実装し、前記マザー基板と対向する一面及び前記複数の部品を、第１の封止樹脂により覆い、前記マザー基板の、前記構造モジュールと対向する一面のうち、前記構造モジュールの前記複数の部品が備えられた面において前記複数の部品が備えられていない部分に、部品を実装し、前記構造モジュールの前記部品が実装された面と、前記マザー基板の前記部品が備えられた面とを対向して接合し、前記構造モジュールを前記マザー基板により密閉し、前記マザー基板と前記第１の封止樹脂との間に、前記第１の封止樹脂よりも熱伝導性の高い第２の封止樹脂を備えるようにする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品を配置するためのベース基板と脚部とを含む構造モジュールと、前記脚部と接合するマザー基板と、を備えた半導体装置であって、
前記構造モジュールは、
前記マザー基板と対向する一面に、複数の部品を備え、
前記マザー基板と対向する一面及び前記複数の部品は、第１の封止樹脂により覆われ、
前記マザー基板は、
前記構造モジュールと対向する一面のうち、前記構造モジュールの前記複数の部品が備えられた面において前記複数の部品が備えられていない部分に、部品を備え、
前記構造モジュールは、前記マザー基板との接合により密閉されており、
前記マザー基板と前記第１の封止樹脂との間に、前記第１の封止樹脂よりも熱伝導性の高い第２の封止樹脂を備える、
半導体装置。
【請求項２】
前記複数の部品が備えられていない部分は、所定の部品からアンダーフィルがはみ出している部分を含む、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記マザー基板に備えられる部品は、
チップ部品、熱伝導性を有する金属製の部品、多ピンを有する部品、熱を発する部品、バイパスコンデンサ、前記構造モジュールの複数の部品と直接通電されていない部品、のいずれかである、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
部品を配置するためのベース基板と脚部とを含む構造モジュールと、前記脚部と接合するマザー基板と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記構造モジュールの、前記マザー基板と対向する一面に、複数の部品を実装し、
前記マザー基板と対向する一面及び前記複数の部品を、第１の封止樹脂により覆い、
前記マザー基板の、前記構造モジュールと対向する一面のうち、前記構造モジュールの前記複数の部品が備えられた面において前記複数の部品が備えられていない部分に、部品を実装し、
前記構造モジュールの前記部品が実装された面と、前記マザー基板の前記部品が備えられた面とを対向して接合し、前記構造モジュールを前記マザー基板により密閉し、
前記マザー基板と前記第１の封止樹脂との間に、前記第１の封止樹脂よりも熱伝導性の高い第２の封止樹脂を備えるようにする、
半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月2日(2014.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号41で示される塩基配列、またはその塩基配列に対して1個の塩基が欠失、置換もしくは付加された塩基配列、
を含む1本鎖または2本鎖のポリヌクレオチドを、細胞（但し、癌細胞は除く）に導入する工程を含む、多能性幹細胞の生産方法。
【請求項２】
前記導入は、前記ポリヌクレオチドをコードするベクターを細胞に導入する工程を経て行われる、請求項1に記載の生産方法。
【請求項３】
請求項1又は2に記載の生産方法で得られる、多能性幹細胞。
【請求項４】
HPS0002：253G1株に比べて内在性のp53の発現量が増大している、請求項3に記載の多能性幹細胞。
【請求項５】
請求項3又は4に記載の多能性幹細胞と、ES細胞用培地又はReproStem培地と、を含む、培地。
【請求項６】
配列番号41で示される塩基配列、またはその塩基配列に対して1個の塩基が欠失、置換もしくは付加された塩基配列、を含む1本鎖または2本鎖のポリヌクレオチドを、細胞に導入する工程と、
前記細胞をES細胞用培地、又はReproStem培地で培養する工程と、
を含む、多能性幹細胞の生産方法。
【請求項７】
請求項6に記載の生産方法で得られる多能性幹細胞と、ES細胞用培地又はReproStem培地と、を含む、培地。
【請求項８】
配列番号41で示される塩基配列に相補的な塩基配列、またはその塩基配列に対して1個の塩基が欠失、置換もしくは付加された塩基配列をコードするベクターを、細胞（但し、癌細胞は除く）に導入する工程を含む、多能性幹細胞の生産方法。
【請求項９】
配列番号41で示される塩基配列に相補的な塩基配列、またはその塩基配列に対して1個の塩基が欠失、置換もしくは付加された塩基配列をコードするベクターを、細胞に導入する工程と、
前記細胞をES細胞用培地、又はReproStem培地で培養する工程と、
を含む、多能性幹細胞の生産方法。
【請求項１０】
請求項8又は9に記載の生産方法で得られる多能性幹細胞と、ES細胞用培地又はReproStem培地と、を含む、培地。
【請求項１１】
配列番号41で示される塩基配列に相補的な塩基配列、またはその塩基配列に対して1個の塩基が欠失、置換もしくは付加された塩基配列をコードするベクターを含む、
多能性幹細胞誘導用、未分化細胞マーカー発現調節用、または肝臓癌、肺癌、肉腫、グリオーマ、メラノーマからなる群から選ばれる1種以上の悪性腫瘍の治療用のキット。
【請求項１２】
配列番号41で示される塩基配列、またはその塩基配列に対して1個の塩基が欠失、置換もしくは付加された塩基配列、を含む1本鎖または2本鎖のポリヌクレオチドを、細胞（但し、癌細胞は除く）に導入する工程、
を含む、細胞のリプログラミング方法。
【請求項１３】
配列番号41で示される塩基配列、またはその塩基配列に対して1個の塩基が欠失、置換もしくは付加された塩基配列、を含む1本鎖または2本鎖のポリヌクレオチドを、細胞に導入する工程と、
前記細胞をES細胞用培地、又はReproStem培地で培養する工程と、
を含む、細胞のリプログラミング方法。
【請求項１４】
a）配列番号43で示される塩基配列、
b）配列番号43で示される塩基配列に対して、98％以上の相同性を有する塩基配列、
c）配列番号43で示される塩基配列において1個の塩基が欠失、置換もしくは付加された塩基配列、
からなる群から選ばれる1種以上の塩基配列を含むポリヌクレオチドを含有する、肝臓癌、肺癌、肉腫、グリオーマ、メラノーマからなる群から選ばれる1種以上の悪性腫瘍の治療薬。
【請求項１５】
a）配列番号43で示される塩基配列、
b）配列番号43で示される塩基配列に対して、98％以上の相同性を有する塩基配列、
c）配列番号43で示される塩基配列において1個の塩基が欠失、置換もしくは付加された塩基配列、
からなる群から選ばれる1種以上の塩基配列を含むポリヌクレオチドを、細胞（但し、癌細胞は除く）に導入する工程を含む、多能性幹細胞の生産方法。
【請求項１６】
a）配列番号43で示される塩基配列、
b）配列番号43で示される塩基配列に対して、98％以上の相同性を有する塩基配列、
c）配列番号43で示される塩基配列において1個の塩基が欠失、置換もしくは付加された塩基配列、
からなる群から選ばれる1種以上の塩基配列を含むポリヌクレオチドを、細胞に導入する工程と、
前記細胞をES細胞用培地、又はReproStem培地で培養する工程と、
を含む、多能性幹細胞の生産方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月10日(2014.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記２つの接地体（３６、３７）の間に配置された支持フレーム（１１１）に取り付けられ、上下動することにより前記圃場の植付位置に穴を作る作穴体（１１０）を備えた、請求項１又は請求項２に記載の移植機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記植付具（２８）を側面視でループ状の作動軌跡（１７）で上下動させる上下動機構（１９）を備え、
前記上下動機構は、
所定方向に揺動する複数の第１揺動リンク（８０、８１、９９）と、一端が前記第１揺動リンク（８０、８１、９９）に連結され、他端が前記植付具（２８）に連結し、別の所定方向に揺動する複数の第２揺動リンク（８２、８３、９７）とを有するリンク機構（２９）と、
前記第１揺動リンク（８０、８１、９９）を作動させる第１揺動用部材（８４）と、
前記第２揺動リンク（８２、８３、９７）を作動させる第２揺動用部材（８５）と、を有し、
前記複数の第１揺動リンク（８０、８１、９９）および前記複数の第２揺動リンク（８２、８３、９７）は、それぞれ前記機体の走行方向に対して左右に配置されており、
左右に配置された前記第２揺動リンク（８２、８３、９７）の間に、左右に配置された前記第１揺動リンク（８０、８１、９９）、前記植付具（２８）および前記第２揺動用部材（８５）が配置され、
左右に配置された前記第１揺動リンク（８０、８１、９９）の間に前記第１揺動用部材（８４）が配置されている、請求項１から請求項４の何れか１項に記載の移植機。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、第３の本発明は、
前記２つの接地体（３６、３７）の間に配置された支持フレーム（１１１）に取り付けられ、上下動することにより前記圃場の植付位置に穴を作る作穴体（１１０）を備えた、第１又は第２の本発明の移植機である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、第５の本発明は、
前記植付具（２８）を側面視でループ状の作動軌跡（１７）で上下動させる上下動機構（１９）を備え、
前記上下動機構は、
所定方向に揺動する複数の第１揺動リンク（８０、８１、９９）と、一端が前記第１揺動リンク（８０、８１、９９）に連結され、他端が前記植付具（２８）に連結し、別の所定方向に揺動する複数の第２揺動リンク（８２、８３、９７）とを有するリンク機構（２９）と、
前記第１揺動リンク（８０、８１、９９）を作動させる第１揺動用部材（８４）と、
前記第２揺動リンク（８２、８３、９７）を作動させる第２揺動用部材（８５）と、を有し、
前記複数の第１揺動リンク（８０、８１、９９）および前記複数の第２揺動リンク（８２、８３、９７）は、それぞれ前記機体の走行方向に対して左右に配置されており、
左右に配置された前記第２揺動リンク（８２、８３、９７）の間に、左右に配置された前記第１揺動リンク（８０、８１、９９）、前記植付具（２８）および前記第２揺動用部材（８５）が配置され、
左右に配置された前記第１揺動リンク（８０、８１、９９）の間に前記第１揺動用部材（８４）が配置されている、第１から第４の何れかの本発明の移植機である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
第３の本発明によって、第１又は第２の本発明の効果に加えて、左右の接地体（３６、３７）間のスペースを有効利用することができ、機体のコンパクト化が図れる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
第５の本発明によって、第１から第４の何れかの本発明の効果に加えて、左右の上下揺動リンク（８２、８３、９７）および左右の前後揺動リンク（８０、８１、９９）への伝動をねじれないように安定して行え、植付精度が向上する。また、上下動機構（１９）のコンパクト化が図れる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月26日(2014.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
断面略逆Ｖ字状に形成された固形培地が栽培ベッド上に長手方向に配置された果菜類栽培装置。
【請求項２】
対となる略板状の固形培地用部材を切妻屋根形状に配設することにより、前記断面略逆Ｖ字状の固形培地が形成された請求項１記載の果菜類栽培装置。
【請求項３】
前記栽培ベッド上に長手方向の排水用溝が設けられた請求項１又は請求項２記載の果菜類栽培装置。
【請求項４】
長手方向に延設され、前記固形培地に上方から灌水する灌水手段と、
前記固形培地の頂部及びその近傍を被覆する浸水性シート部材と、を備えた請求項１〜３のいずれか一項記載の果菜類栽培装置。
【請求項５】
前記栽培ベッドと前記固形培地と間に形成された内空部に、温度調節用の空気供給管が設置された請求項１〜４のいずれか一項記載の果菜類栽培装置。
【請求項６】
前記断面略Ｖ字状に形成された固形培地の内角が略９０度である請求項１〜５のいずれか一項記載の果菜類栽培装置。
【請求項７】
前記固形培地が、バーミキュライトを膨積させて成形することにより形成されたものである請求項１〜６のいずれか一項記載の果菜類栽培装置。
【請求項８】
断面略逆Ｖ字状に形成された固形培地を栽培ベッド上に長手方向に配置し、該固形培地上で果菜類の栽培を行う果菜類栽培方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月30日(2014.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を含む情報を読み込む情報入力部と、前記画像に対して画像処理を実行する画像処理部と、前記画像処理部により処理された画像を出力し表示する画像表示部を備える医用画像処理装置であって、
読み込んだ前記画像の各画素値と該各画素値に対応する度数を基に該画像全体のヒストグラム作成する手段と、
前記ヒストグラムにおいて第１ヒストグラム領域と前記第１ヒストグラム領域の各画素が有する画素値より低い画素値を有する第２ヒストグラム領域とに分割する際の基準値となる閾値を決定する手段と、
決定した前記閾値を用いて、前記画像の各画素に対して前記第１ヒストグラム領域における重みと、前記第２ヒストグラム領域における重みとを、それぞれ決定する手段と、
決定した前記重みを前記第１ヒストグラム領域における前記画素の各画素値に付加して、前記画像のコントラスト強調を実行する手段とを備えることを特徴とする医用画像処理装置。
【請求項２】
前記閾値を決定する手段は、前記第２ヒストグラム領域における重みを“１”とし、当該領域に対しては前記各画素にコントラスト強調を加えないことを特徴とする請求項１に記載の医用画像処理装置。
【請求項３】
前記第１ヒストグラム領域における重みは、前記閾値における画素値に対して決定されるコントラスト強調度を基に調整されることを特徴とする請求項１に記載の医用画像処理装置。
【請求項４】
前記コントラスト強調度は、前記入力部から操作者により入力された情報を基に決定されることを特徴とする請求項３に記載の医用画像処理装置。
【請求項５】
前記コントラスト強調度は、前記画像処理部に予め設定された情報を基に決定されることを特徴とする請求項３に記載の医用画像処理装置。
【請求項６】
前記閾値を決定する手段は、前記第１ヒストグラム領域における最大値をとる画素値に対して、前記第１ヒストグラム領域における重みを“１”とし、当該最大値を有する画素値が保存されることを特徴とする請求項１に記載の医用画像処理装置。
【請求項７】
画像を含む情報を読み込む情報入力部と、前記画像に対して画像処理を実行する画像処理部と、前記画像処理部により処理された画像を出力し表示する画像表示部を備える医用画像処理装置を用いた医用画像処理方法であって、
読み込んだ前記画像において第１ヒストグラム領域と前記第１ヒストグラム領域の各画素が有する画素値より低い画素値を有する第２ヒストグラム領域とに分割する際の基準値となる閾値を決定するステップと、
読み込んだ前記画像の各画素値と該各画素値に対応する度数を基に該画像全体のヒストグラム作成するステップと、
決定した前記閾値を用いて、前記画像の各画素に対して前記第１ヒストグラム領域における重みと、前記第２ヒストグラム領域における重みとを、それぞれ決定するステップと、
決定した前記重みを前記第１ヒストグラム領域における前記画素の各画素値に付加して、前記画像のコントラスト強調を実行するステップとを備えることを特徴とする医用画像処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月24日(2014.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検眼眼底で反射した光束を受光する撮影光学系を有し、１画素未満のずれを有する複数のフレーム分の眼底画像データを取得する眼底撮影手段と、
眼底撮影光学系によって取得された複数の眼底画像データを複合処理することによって、前記画像データの取得時より解像度の高い高解像度画像を取得する画像処理部と、
を備えることを特徴とする眼底撮影装置。
【請求項２】
請求項１の眼底撮影装置において、
眼底撮影手段は、各フレームの眼底画像データを取得する間に生じる被検者眼の固視微動を利用して、１画素未満のずれを有する複数のフレーム分の眼底画像データを取得することを特徴とする眼底撮影装置。
【請求項３】
被検眼眼底で反射した光束を受光する撮影光学系を有し、サブピクセル単位でのずれを有する複数のフレーム分の眼底画像データを取得する眼底撮影手段と、
眼底撮影光学系によって取得された複数の眼底画像データを複合処理することによって、前記画像データの取得時より解像度の高い高解像度画像を取得する画像処理部と、
を備えることを特徴とする眼底撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（１）  被検眼眼底で反射した光束を受光する撮影光学系を有し、１画素未満のずれを有する複数のフレーム分の眼底画像データを取得する眼底撮影手段と、眼底撮影光学系によって取得された複数の眼底画像データを複合処理することによって、前記画像データの取得時より解像度の高い高解像度画像を取得する画像処理部と、を備えることを特徴とする。
（２）  （１）の眼底撮影装置において、眼底撮影手段は、各フレームの眼底画像データを取得する間に生じる被検者眼の固視微動を利用して、１画素未満のずれを有する複数のフレーム分の眼底画像データを取得することを特徴とする。
（３）  被検眼眼底で反射した光束を受光する撮影光学系を有し、サブピクセル単位でのずれを有する複数のフレーム分の眼底画像データを取得する眼底撮影手段と、眼底撮影光学系によって取得された複数の眼底画像データを複合処理することによって、前記画像データの取得時より解像度の高い高解像度画像を取得する画像処理部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月20日(2014.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
なお、報知態様はこれに限定されず、ステップＴ５では、制御部１３０は、電動歯ブラシ１が有する複数種類の動作モードについて、“接触”と判定された第１操作を受付けたときは、操作を受付ける前の動作モードを、一定時間、他の種類の動作モードに切替えることで、報知してもよい。より具体的には、上述のように、モータ１０に供給する駆動信号を切替え後の動作モードに応じた周波数に変化させることで、ブラシ部品２１の振動周波数を変化させて報知する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月30日(2014.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、体温計から取得した利用者の体温情報及び体調情報を記憶する体温体調情報記憶部と、
前記体温情報及び前記体調情報に基づいて、周期的に到来する基準となる体調変化である基準体調変化が発生する日である体調変化基準日を予測する体調変化基準日生成部と、
前記基準体調変化及び前記体調変化以外の他の複数種類の体調変化を、それぞれの体調変化の種類によって複数の体調変化区分情報に区分し、前記体調変化区分情報に対応した各別のコメント情報及び各別のイラスト情報と関連付けて記憶すると共に、前記体調変化区分情報の対応する日及び／又は期間である体調変化区分時間情報とも関連付けて記憶する体調変化関連情報記憶部と、を有し、
前記体温情報及び体調情報を表示部に表示すると共に、同時に、前記体調変化基準日を表示し、さらに、前記体調変化区分情報に対応した各別の前記コメント情報及び各別の前記イラスト情報を対応する前記体調変化区分時間情報の時間に、前記体温情報及び体調情報及び前記体調変化基準日と共に表示することを特徴とする体温管理装置。