Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月22日(2014.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の格子面と第１の格子壁面とを備えた第１の回折格子と、
前記第１の格子壁面に配置された遮光部材と、
第２の格子面と第２の格子壁面とを備え、該第２の格子面が前記第１の格子面と接し、
かつ、該第２の格子壁面が前記遮光部材と接するように配置された第２の回折格子と、を有し、
前記遮光部材の厚さは、入射光束を受ける前記第１の回折格子および前記第２の回折格子のうち一方の回折格子の谷部から、該一方の回折格子の頂部に向けて増加しており、
前記遮光部材を構成する材料の消衰係数ｋが以下の式を満たすことを特徴とする回折光学素子。
０．００１＜ｋ＜０．５
【請求項２】
前記第１の回折格子は第１の屈折率を有し、
前記第２の回折格子は、前記第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有し、
前記遮光部材は、前記第１の格子壁面と前記第２の格子壁面における入射光束の全反射光および透過光を抑制させることを特徴とする請求項１に記載の回折光学素子。
【請求項３】
前記遮光部材は、前記第１の格子壁面と前記第２の格子壁面との間に配置された膜形状構造であることを特徴とする請求項１又は２に記載の回折光学素子。
【請求項４】
前記遮光部材を構成する材料の屈折率は、前記第１の回折格子または前記第２の回折格子を構成する材料のうち低い屈折率を有する材料の該屈折率より高いことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の回折光学素子。
【請求項５】
前記遮光部材を構成する材料のｄ線の屈折率ｎｄ３、及び、前記第１の回折格子または前記第２の回折格子を構成する材料のうち高い屈折率を有する材料のｄ線の屈折率ｎｄ２は、以下の式を満たすことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の回折光学素子。
｜ｎｄ３−ｎｄ２｜ ＜ ０．２
【請求項６】
前記遮光部材の全体の幅Ｗ及び格子ピッチＰは、以下の式を満たすことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の回折光学素子。
Ｗ／Ｐ ＜ ０．０７
【請求項７】
前記遮光部材は、互いに異なる複数の材料からなる部材を積層して構成された複数の膜形状構造であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の回折光学素子。
【請求項８】
前記第１の回折格子または前記第２の回折格子を構成する材料のうち高い屈折率を有する回折格子の格子壁面と前記遮光部材との界面に、波長以下の微細構造が設けられていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の回折光学素子。
【請求項９】
前記第１の回折格子または前記第２の回折格子を構成する材料のうち高い屈折率を有する回折格子の格子壁面と前記遮光部材との間の媒質には、波長以下の微細構造が設けられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の回折光学素子。
【請求項１０】
前記微細構造のピッチｐ、前記第１の回折格子または前記第２の回折格子を構成する材料のうち高い屈折率を有する材料の使用波長帯域の最短波長の屈折率ｎ２、及び使用波長帯域の最短波長λが以下の関係を満たすことを特徴とする請求項８又は９に記載の回折光学素子。
ｐ ＜ ０．９８×λ／ｎ２
【請求項１１】
前記遮光部材は、異なる消衰係数を有する複数の吸収材料を含むことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の回折光学素子。
【請求項１２】
前記遮光部材は、屈折率が１．５５、消衰係数が０．０３、幅が０．２μｍを有する層と、屈折率が１．４０、消衰係数が０．０９、幅が０．２５μｍを有する層と、屈折率が１．５３、消衰係数が０．０３、幅が０．１５μｍを有する層と、を含むことを特徴とする請求項１１に記載の回折光学素子。
【請求項１３】
前記遮光部材を構成する材料は、屈折率が１．５５、消衰係数が０．１を有する吸収材料であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の回折光学素子。
【請求項１４】
前記遮光部材の最大厚さは０．２μｍであることを特徴とする請求項１３に記載の回折光学素子。
【請求項１５】
前記第１の回折格子のｄ線での屈折率は１．５０４、アッベ数は１６．３、部分分散比は０．３９０、波長５５０ｎｍでの屈折率は１．５１１、であり、
前記第２の回折格子のｄ線での屈折率は１．５６７、アッベ数は４７．０、部分分散比は０．５６９、波長５５０ｎｍでの屈折率は１．５７０、であることを特徴とする請求項１４に記載の回折光学素子。
【請求項１６】
前記遮光部材の高さは、前記第１の格子壁面および前記第２の格子壁面の高さより小さいことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の回折光学素子。
【請求項１７】
前記第１の回折格子の屈折率は、前記第２の回折格子の屈折率より小さいことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の回折光学素子。
【請求項１８】
前記遮光部材の厚さは、前記第１の回折格子の谷部から該第１の回折格子の頂部に向けて増加することを特徴とする請求項１７に記載の回折光学素子。
【請求項１９】
屈折光学素子と、
請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の回折光学素子と、を有することを特徴とする光学系。
【請求項２０】
請求項１９に記載の光学系を有することを特徴とする光学機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一側面としての回折光学素子は、第１の格子面と第１の格子壁面とを備えた第１の回折格子と、前記第１の格子壁面に配置された遮光部材と、第２の格子面と第２の格子壁面とを備え、該第２の格子面が前記第１の格子面と接し、かつ、該第２の格子壁面が前記遮光部材と接するように配置された第２の回折格子とを有し、前記遮光部材の厚さは、入射光束を受ける前記第１の回折格子および前記第２の回折格子のうち一方の回折格子の谷部から、該一方の回折格子の頂部に向けて増加しており、前記遮光部材を構成する材料の消衰係数ｋが０．００１＜ｋ＜０．５を満たすように構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月27日(2013.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極を覆う領域を有する絶縁層と、
前記絶縁層上方のゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体層は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の厚さを有し、
前記絶縁層は、前記絶縁層に含まれる材料の比誘電率をεｒ、前記絶縁層の厚さをｄとしたとき、εｒ／ｄが、０．０８（ｎｍ−１）以上７．９（ｎｍ−１）以下の関係を満たし、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間隔は、１０ｎｍ以上１μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極または前記ドレイン電極上方の第１の絶縁層と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記第１の絶縁層を覆う領域を有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上方のゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体層は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の厚さを有し、
前記第２の絶縁層は、前記第２の絶縁層に含まれる材料の比誘電率をεｒ、前記第２の絶縁層の厚さをｄとしたとき、εｒ／ｄが、０．０８（ｎｍ−１）以上７．９（ｎｍ−１）以下の関係を満たし、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間隔は、１０ｎｍ以上１μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、前記ソース電極または前記ドレイン電極と、前記第２の絶縁層との間に、酸化領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月17日(2014.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
立体像を提示するための視差画像を生成する画像処理装置であって、
複数の視点から被写体を撮像した複数の画像を取得する取得手段と、
前記被写体が存在する空間において、前記複数の画像を撮像した撮像装置の光軸に対して垂直でないピント面の位置を設定する設定手段と、
前記立体像を観察するための左視点および右視点の、前記被写体が存在する空間における位置および方向を入力する入力手段と、
前記設定手段により設定された前記ピント面の位置と、前記入力手段により入力された前記左視点の位置および方向に基づいて、前記左視点に対応する左視点画像を生成するための第一の合成パラメータを算出し、前記設定手段により設定された前記ピント面の位置と、前記入力手段により入力された前記右視点の位置および方向とに基づいて、前記右視点に対応する右視点画像を生成するための、前記第一の合成パラメータとは異なる第二の合成パラメータを算出する算出手段と、
前記算出手段により算出された前記第一の合成パラメータに基づいて前記複数の画像を合成することで、前記ピント面に合焦した前記左視点画像を生成し、前記算出手段により算出された前記第二の合成パラメータに基づいて前記複数の画像を合成することで、前記ピント面に合焦した前記右視点画像を生成する生成手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記第一の合成パラメータおよび前記第二の合成パラメータは、前記複数の画像を合成する際の前記複数の画像のシフト量を示すことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記算出手段は、前記左視点および前記右視点から見た前記ピント面の傾き、および前記左視点および前記右視点から前記ピント面までの距離を算出し、該算出したピント面の傾きおよび距離に基づいて、前記第一の合成パラメータおよび前記第二の合成パラメータを算出することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記設定手段は、前記ピント面の位置として、前記ピント面上の点の座標および該ピント面の法線ベクトルを設定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記生成手段は、前記複数の画像のそれぞれを、前記被写体の位置が一致するように前記第一の合成パラメータおよび前記第二の合成パラメータをを用いて変形させた後に重みづけ加算することで、前記左視点画像および前記右視点画像を生成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記設定手段は、ユーザ指示によって示された前記ピント面の位置を設定することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
さらに、前記取得手段で取得された複数の画像の全てについて鮮鋭度を算出し、前記複数の画像の中に、該鮮鋭度が所定の閾値以下である非鮮鋭画像が存在するか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段において前記非鮮鋭画像が存在すると判定された場合に、前記視差画像の生成が不可能である旨を報知する報知手段と、を有し、
前記生成手段は、前記判定手段において前記非鮮鋭画像が存在しないと判定された場合に、前記左視点画像および前記右視点画像の生成を行うことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記取得手段は、複数の撮像部を備えた多眼方式のカメラによって前記被写体が撮像されることで得られる、複数の撮像画像を、前記複数の画像として取得することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
取得手段、設定手段、入力手段、算出手段、生成手段を有し、立体像を提示するための視差画像を生成する画像処理装置における画像処理方法であって、
前記取得手段が、複数の視点から被写体を撮像した複数の画像を取得する取得工程と、
前記設定手段が、前記被写体が存在する空間において、前記複数の画像を撮像した撮像装置の光軸に対して垂直でないピント面の位置を設定する設定工程と、
前記入力手段が、前記立体像を観察するための左視点および右視点の、前記被写体が存在する空間における位置および方向を入力する入力工程と、
前記算出手段が、
前記設定工程により設定された前記ピント面の位置と、前記入力工程により入力された前記左視点の位置および方向に基づいて、前記左視点に対応する左視点画像を生成するための第一の合成パラメータを算出し、前記設定工程により設定された前記ピント面の位置と、前記入力工程により入力された前記右視点の位置および方向とに基づいて、前記右視点に対応する右視点画像を生成するための、前記第一の合成パラメータとは異なる第二の合成パラメータを算出する算出工程と、
前記生成手段が、
前記算出工程により算出された前記第一の合成パラメータに基づいて前記複数の画像を合成することで、前記ピント面に合焦した前記左視点画像を生成し、前記算出工程により算出された前記第二の合成パラメータに基づいて前記複数の画像を合成することで、前記ピント面に合焦した前記右視点画像を生成する生成工程と
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１０】
コンピュータ装置で実行されることにより、該コンピュータ装置を請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、立体像を提示するための視差画像を生成する画像処理装置であって、
複数の視点から被写体を撮像した複数の画像を取得する取得手段と、
前記被写体が存在する空間において、前記複数の画像を撮像した撮像装置の光軸に対して垂直でないピント面の位置を設定する設定手段と、
前記立体像を観察するための左視点および右視点の、前記被写体が存在する空間における位置および方向を入力する入力手段と、
前記設定手段により設定された前記ピント面の位置と、前記入力手段により入力された前記左視点の位置および方向に基づいて、前記左視点に対応する左視点画像を生成するための第一の合成パラメータを算出し、前記設定手段により設定された前記ピント面の位置と、前記入力手段により入力された前記右視点の位置および方向とに基づいて、前記右視点に対応する右視点画像を生成するための、前記第一の合成パラメータとは異なる第二の合成パラメータを算出する算出手段と、
前記算出手段により算出された前記第一の合成パラメータに基づいて前記複数の画像を合成することで、前記ピント面に合焦した前記左視点画像を生成し、前記算出手段により算出された前記第二の合成パラメータに基づいて前記複数の画像を合成することで、前記ピント面に合焦した前記右視点画像を生成する生成手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月24日(2014.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のケースモールド型コンデンサは、金属化フィルムを巻回又は積層し両端面に外部電極が設けられた複数のコンデンサ素子と、このコンデンサ素子の外部電極に接続され、外部と電気的に接続するための端子部が設けられたバスバーとをケース内に収納し、バスバーの端子部を除いて樹脂モールドしたケースモールド型コンデンサにおいて、バスバーと、このバスバーに近接し対面するコンデンサ素子との間に導電体を設けたものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属化フィルムを巻回又は積層し両端面に外部電極が設けられた複数のコンデンサ素子と、
このコンデンサ素子の外部電極に接続され、外部と電気的に接続するための端子部が設けられたバスバーとをケース内に収納し、前記バスバーの端子部を除いて樹脂モールドしたケースモールド型コンデンサにおいて、
前記バスバーと、このバスバーに近接し対面するコンデンサ素子との間に導電体が設けられていることを特徴とするケースモールド型コンデンサ。
【請求項２】
前記導電体は、前記複数のコンデンサ素子の内、コンデンサ素子と対面する部分のバスバーに流れる電流値が最も大きいコンデンサ素子と、前記バスバーとの間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のケースモールド型コンデンサ。
【請求項３】
前記導電体は、前記複数のコンデンサ素子の内、前記バスバーに設けられた前記端子部との距離が最も短い位置に対面しているコンデンサ素子と、前記バスバーとの間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のケースモールド型コンデンサ。
【請求項４】
前記導電体は、前記バスバーに、電気的に絶縁された状態で接触していることを特徴とする請求項１に記載のケースモールド型コンデンサ。
【請求項５】
前記導電体と絶縁体とを有する積層体を前記バスバーと、このバスバーに近接し対面す
るコンデンサ素子との間に設け、この積層体の少なくとも、前記バスバーと対向する面に絶縁体が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のケースモールド型コンデンサ。
【請求項６】
前記導電体が銅であることを特徴とする請求項１に記載のケースモールド型コンデンサ。
【請求項７】
前記導電体が、アルミニウムであることを特徴とする請求項１に記載のケースモールド型コンデンサ。
【請求項８】
前記導電体がグラファイトシートであることを特徴とする請求項１に記載のケースモールド型コンデンサ。
【請求項９】
前記グラファイトシートの面方向の熱伝導率が、厚み方向の熱伝導率よりも大きいことを特徴とする請求項８に記載のケースモールド型コンデンサ。
【請求項１０】
前記導電体に、面方向の熱伝導率が、厚み方向の熱伝導率よりも大きいグラファイトシートを貼り付けたことを特徴とする請求項１に記載のケースモールド型コンデンサ。
【請求項１１】
前記導電体の表面とこの前記導電体の表面と対面する前記コンデンサ素子の側面との距離が５ｍｍ以上１２ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のケースモールド型コンデンサ。
【請求項１２】
前記導電体の表面とこの前記導電体の表面と対面する前記バスバーの表面との距離が２ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載のケースモールド型コンデンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月24日(2014.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通電により発熱する第１発熱抵抗体と、
通電により発熱する第２発熱抵抗体と、
前記第１発熱抵抗体と前記第２発熱抵抗体との間に配置され、金属原子を封入しているガスセルと、
を備え、
前記第１発熱抵抗体に流れる電流と前記第２発熱抵抗体に流れる電流とが互いに同一方向に沿って流れる電流成分を含むことを特徴とするガスセルユニット。
【請求項２】
前記第１発熱抵抗体および前記第２発熱抵抗体は、それぞれ、平面視において前記ガスセルの前記金属原子が封入されている領域を含んでいる請求項２に記載のガスセルユニット。
【請求項３】
前記第１発熱抵抗体および前記第２発熱抵抗体は、それぞれ、平面視において長方形をなし、短辺に沿う方向に電流が流れる請求項１または２に記載のガスセルユニット。
【請求項４】
前記第１発熱抵抗体上および前記第２発熱抵抗体上には、それぞれ、１対の長辺に沿って１対の電極が設けられている請求項３に記載のガスセルユニット。
【請求項５】
前記第１発熱抵抗体上および前記第２発熱抵抗体上には、それぞれ、１対の短辺に沿って１対の磁気シールド性を有する導体が設けられている請求項４に記載のガスセルユニット。
【請求項６】
前記第１発熱抵抗体が配置されている第１基板を有する第１ヒーターと、
前記第２発熱抵抗体が配置されている第２基板を有する第２ヒーターと、
を備えていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のガスセルユニット。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載のガスセルユニットと、
前記ガスセル中の前記金属原子を励起する励起光を出射する光出射部と、
前記ガスセルを透過した前記励起光の強度を検出する光検出部と、
を備えることを特徴とする原子発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本発明のガスセルユニットは、通電により発熱する第１発熱抵抗体と、
通電により発熱する第２発熱抵抗体と、
前記第１発熱抵抗体と前記第２発熱抵抗体との間に配置され、金属原子を封入しているガスセルと、
を備え、
前記第１発熱抵抗体に流れる電流と前記第２発熱抵抗体に流れる電流とが互いに同一方向に沿って流れる電流成分を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このような構成のガスセルユニットによれば、前記第１発熱抵抗体への通電に伴って前記ガスセル内に生じる磁場と、前記第２発熱抵抗体への通電に伴って前記ガスセル内に生じる磁場とが、前記ガスセル内において磁場の強度を互いに弱め合うので、第１発熱抵抗体および第２発熱抵抗体への通電量が変化しても、ガスセル内の磁場の変動を抑制または防止することができる。そのため、ガスセル内の磁場の変動を抑えつつ、ガスセル内の温度を所望の温度に維持することができる。その結果、本発明のガスセルユニットは、周波数精度を向上させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
［適用例２］
本発明のガスセルユニットでは、前記第１発熱抵抗体および前記第２発熱抵抗体は、それぞれ、平面視において前記ガスセルの前記金属原子が封入されている領域を含んでいることが好ましい。
これにより、ガスセルのアルカリ金属原子が封入された領域内全域の磁場の変動を抑えることができる。その結果、簡単かつ確実に周波数精度を向上させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
［適用例３］
本発明のガスセルユニットでは、前記第１発熱抵抗体および前記第２発熱抵抗体は、それぞれ、平面視において長方形をなし、短辺に沿う方向に電流が流れることが好ましい。
これにより、ガスセルのアルカリ金属原子が封入された領域内全域の磁場の変動をより確実に抑えることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
［適用例５］
本発明のガスセルユニットでは、前記第１発熱抵抗体上および前記第２発熱抵抗体上には、それぞれ、１対の短辺に沿って１対の磁気シールド性を有する導体が設けられていることが好ましい。
これにより、ガスセルのアルカリ金属原子が封入された領域内全域の磁場の変動をより確実に抑えることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
［適用例６］
本発明のガスセルユニットでは、前記第１発熱抵抗体が配置されている第１基板を有する第１ヒーターと、
前記第２発熱抵抗体が配置されている第２基板を有する第２ヒーターと、
を備えていることが好ましい。
これにより、第１発熱抵抗体および第２発熱抵抗体の設置が容易となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
［適用例７］
本発明の原子発振器は、本発明のガスセルユニットと、
前記ガスセル中の前記金属原子を励起する励起光を出射する光出射部と、
前記ガスセルを透過した前記励起光の強度を検出する光検出部と、
を備えることを特徴とする。
これにより、優れた周波数精度を有する原子発振器を提供することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
また、磁気シールド用の導体２２５Ｃは、磁気シールド性を有し電極２２４と一体的に形成され、同様に、磁気シールド用の導体２２６Ｃは、磁気シールド性を有し電極２２３と一体的に形成されている。これにより、磁気シールド用の導体２２５Ｃが電極２２４と同極の電極として機能するとともに、磁気シールド用の導体２２６Ｃが電極２２３と同極の電極として機能する。したがって、１対の電極２２３、２２４間への通電および１対の磁気シールド用の導体２２５Ｃ、２２６Ｃ間の通電により発熱抵抗体２２２を発熱させるとともに、各磁気シールド用の導体２２５Ｃ、２２６Ｃが磁気を遮断することができる。
以上説明したような第４実施形態に係るガスセルユニット２Ｃによっても、周波数精度を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月25日(2014.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部にプラズマを生成する処理室と、前記プラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記処理室内に設けられウエハを載置する試料台とを備え、前記ウエハを前記プラズマによりエッチングするプラズマエッチング装置において、前記プラズマ生成手段は、前記プラズマを生成するための電力を供給する電源を具備し、前記電源の前記電力をオンオフ変調するとともにオン時のピーク電力を連続放電にてプラズマを発生させた場合にプラズマの不安定が生じない値に設定し、前記オンオフ変調のデューティー比を変えることにより前記電力の時間平均値を制御することを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマエッチング装置において、前記オンオフ変調は、オフ時間が１０ｍｓ以下となる周波数でオンオフ変調されることを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項３】
請求項２記載のプラズマエッチング装置において、前記プラズマ生成手段は、前記処理室内に磁場を生成する磁場生成手段を具備し、前記電源は、マイクロ波を発振するマグネトロンであることを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３記載のプラズマエッチング装置において、前記処理室の内壁の前記プラズマと接する部分に、直流電流が流れるアース面を形成し、前記処理室の内壁の前記プラズマと接する部分の角部分は、鋭利な凹凸を設けず曲面に形成されていることを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項５】
内部にプラズマを生成する処理室と、前記プラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記処理室内に設けられウエハを載置する試料台とを備え、前記ウエハを前記プラズマによりエッチングするプラズマエッチング装置を用いたドライエッチング方法において、前記プラズマ生成手段は、前記プラズマを生成するための電力を供給する電源を具備しており、前記電源の前記電力をオンオフ変調するとともにオン時のピーク電力を連続放電にてプラズマを発生させた場合にプラズマの不安定が生じない値に設定するステップと、前記オンオフ変調のデューティー比を変えることにより前記電力の時間平均値を制御するステップを備えていることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項６】
請求項５記載のドライエッチング方法において、前記オンオフ変調は、オフ時間が１０ｍｓ以下となる周波数でオンオフ変調されることを特徴とするドライエッチング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月9日(2014.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号が入力される入力端子と、
前記高周波信号を分配する少なくとも１つの分配器と、
前記分配器で分配された各高周波信号がその信号入力部に入力されるまでの伝送経路長がそれぞれに異なる、複数の高周波処理回路と、
前記複数の各高周波処理回路の前段に設けられ、前記伝送経路長が短いほど大きな減衰量が設定された、複数の減衰器とを備えた
回路基板。
【請求項２】
前記複数の各減衰器の前記減衰量は、複数の高周波処理回路の各信号入力部に入力される前記高周波信号の信号レベルがすべて等しくなる値に設定される
請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記複数の減衰器はアッテネータである
請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記複数の減衰器は、前記複数の高周波処理回路の前記信号入力部の近辺に配置される
請求項１乃至３のいずれかに記載の回路基板。
【請求項５】
前記入力端子に入力された前記高周波信号を増幅する高周波増幅器をさらに備えた
請求項１乃至４のいずれかに記載の回路基板。
【請求項６】
前記複数の高周波処理回路は、集積回路である
請求項１乃至５のいずれかに記載の回路基板。
【請求項７】
前記複数の高周波処理回路は、当該回路基板の長辺に沿って配置される
請求項１乃至６のいずれかに記載の回路基板。
【請求項８】
前記高周波処理回路の個数は少なくとも３つであり、前記分配器は、前記高周波増幅器から出力された前記高周波信号を分配する第１の分配器と、前記第１の分配器で分配された前記高周波信号をさらに分配する少なくとも１つの第２の分配器とを備える
請求項１乃至７のいずれかに記載の回路基板。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月25日(2014.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、請求項１の撮像装置は、被写体を撮像する撮像手段と、撮像者による半押し操作と全押し操作が可能な操作部材と、前記撮像手段により撮像して得られた撮像画像から特定の対象物を検出する検出手段と、前記検出手段により検出された複数の対象物のうちから選択されるべき対象物を、前記操作部材が半押し操作されたことに応じて変更する変更手段と、前記操作部材が全押し操作されたことに応じて、選択された対象物を主被写体として撮像するように前記撮像手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像する撮像手段と、撮像者による半押し操作と全押し操作が可能な操作部材と、
前記撮像手段により撮像して得られた撮像画像から特定の対象物を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された複数の対象物のうちから選択されるべき対象物を、前記操作部材が半押し操作されたことに応じて変更する変更手段と、
前記操作部材が全押し操作されたことに応じて、選択された対象物を主被写体として撮像するように前記撮像手段を制御する制御手段と
を備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記撮像画像を表示するための表示手段を有し、
前記表示手段は、前記選択された対象物を示す情報を前記撮像画像に重畳して表示することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記選択された対象物を示す情報は選択枠であることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記変更手段は、前記複数の対象物のうちの１つ対象物を選択することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記対象物は、人の顔であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記主被写体に対する焦点処理、露出調節処理、及びホワイトバランス調節処理のうちの少なくとも１つ処理を行うことで前記対象物を前記主被写体として撮像するように前記撮像手段を制御することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記操作部材が半押し操作されてから全押し操作されるまでに経過した時間が予め定められた時間以下のときに、半押し操作された時点で前記選択画像が重畳された対象物を主被写体として撮像するように前記撮像手段を制御することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
撮像画角を変化させるための他の操作部をさらに備え、
前記操作部が半押し操作され、前記他の操作部が操作されたとき、前記選択画像が重畳された対象物を中心として画角を変化させることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記撮像装置は、動画および静止画の撮像が可能であり、
前記変更手段は、動画撮像中に前記操作部材が半押し操作されると、前記選択画像を重畳させる対象物を変更することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記操作部材は、静止画撮像を指示するための操作部材であることを特徴とする請求項９に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記撮像装置は、動画撮像中に、前記操作部材の全押し操作に応じて静止画の撮像が可能であり、
前記操作部材の全押し操作に応じて、静止画の撮像を行うか、または、静止画を撮像せずに、前記操作部材の半押し操作に応じて選択された対象物を主被写体として撮像するように前記撮像手段を制御するかを、前記操作部材が半押し操作されてから全押し操作されるまでに経過した時間に応じて決定することを特徴とする請求項１０に記載の撮像装置。
【請求項１２】
被写体を撮像する撮像手段と、撮像者による半押し操作と全押し操作が可能な操作部材とを備えた撮像装置の制御方法であって、
前記撮像手段により撮像して得られた撮像画像から特定の対象物を検出する検出ステップと、
前記検出ステップにおいて検出された複数の対象物のうちから選択されるべき対象物を、前記操作部材が半押し操作されたことに応じて変更する変更ステップと、
前記操作部材が全押し操作されたことに応じて、選択された対象物を主被写体として撮像するように前記撮像手段を制御する制御ステップと
を備えたことを特徴とする制御方法。
【請求項１３】
被写体を撮像する撮像手段と、撮像者による半押し操作と全押し操作が可能な操作部材とを備えた撮像装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記制御方法は、
前記撮像手段により撮像して得られた撮像画像から特定の対象物を検出する検出ステップと、
前記検出ステップにおいて検出された複数の対象物のうちから選択されるべき対象物を、前記操作部材が半押し操作されたことに応じて変更する変更ステップと、
前記操作部材が全押し操作されたことに応じて、選択された対象物を主被写体として撮像するように前記撮像手段を制御する制御ステップと
を備えたことを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月25日(2014.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面、前記第１面の裏面である第２面、および、前記第１面と前記第２面とを接続している側面、を有する圧電基板の前記第１面に配置されている櫛歯電極を有するＳＡＷチップと、
前記ＳＡＷチップが配置されているベース基板と、を備え、
前記ＳＡＷチップは、前記ＳＡＷチップの平面視にて、前記櫛歯電極と重ならない領域の前記第２面、および前記櫛歯電極と重ならない領域と前記櫛歯電極が配置されている領域とが並ぶ方向と交差する方向を第１方向として前記側面のうち前記第１方向と交差している側面が前記ベース基板に接合部材を介して接続されており、
前記接合部材は、前記ベース基板の平面視にて、前記ＳＡＷチップの前記第１方向に沿った長さをＷ、前記接合部材の前記第１方向に沿った長さをＤとして、１＜Ｄ／Ｗ≦１．６の関係を満足することを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項２】
前記圧電基板は、水晶であることを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項３】
前記圧電基板の前記第１面と、前記第２面との間の厚さをｔとして、
前記接合部材は、前記接合部材が接合している前記側面において、前記第２面から０．２ｔ以上、０．８ｔ以下の長さまで設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項４】
前記接合部材は、前記ベース基板の平面視にて、前記側面のうち前記ＳＡＷチップの前記櫛歯電極が配置されている領域から前記接合部材が配置されている領域へ向かう方向と交差している側面と、前記ベース基板と、を接合していることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項５】
前記接合部材は、前記ベース基板の平面視にて、前記ＳＡＷチップの外周に沿っていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項６】
前記圧電基板の前記第２面は、前記ベース基板と平行であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項７】
前記ＳＡＷチップは、前記ＳＡＷチップの平面視にて、前記接合部材と重なる位置、且つ前記第１面に配置されている接続パッドを有していることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項８】
前記固定部材のヤング率は、０．０２ＧＰａ以上、４ＧＰａ以下であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか一項に記載のＳＡＷデバイスと、
前記櫛歯電極に電圧を印加し、前記ＳＡＷチップを発振させる発振回路と、を有することを特徴とするＳＡＷ発振器。
【請求項１０】
請求項１ないし８のいずれか一項に記載のＳＡＷデバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
本発明のある形態にかかるＳＡＷデバイスは、第１面、前記第１面の裏面である第２面、および、前記第１面と前記第２面とを接続している側面、を有する圧電基板の前記第１面に配置されている櫛歯電極を有するＳＡＷチップと、前記ＳＡＷチップが配置されているベース基板と、を備え、前記ＳＡＷチップは、前記ＳＡＷチップの平面視にて、前記櫛歯電極と重ならない領域の前記第２面、および前記櫛歯電極と重ならない領域と前記櫛歯電極が配置されている領域とが並ぶ方向と交差する方向を第１方向として前記側面のうち前記第１方向と交差している側面が前記ベース基板に接合部材を介して接続されており、前記接合部材は、前記ベース基板の平面視にて、前記ＳＡＷチップの前記第１方向に沿った長さをＷ、前記接合部材の前記第１方向に沿った長さをＤとして、１＜Ｄ／Ｗ≦１．６の関係を満足することを特徴とする。
本発明のある別の形態にかかるＳＡＷデバイスは、前記圧電基板は、水晶であることを特徴とする。
本発明のある別の形態にかかるＳＡＷデバイスは、前記圧電基板の前記第１面と、前記第２面との間の厚さをｔとして、前記接合部材は、前記接合部材が接合している前記側面において、前記第２面から０．２ｔ以上、０．８ｔ以下の長さまで設けられていることを特徴とする。
本発明のある別の形態にかかるＳＡＷデバイスは、前記接合部材は、前記ベース基板の平面視にて、前記側面のうち前記ＳＡＷチップの前記櫛歯電極が配置されている領域から前記接合部材が配置されている領域へ向かう方向と交差している側面と、前記ベース基板と、を接合していることを特徴とする。
本発明のある別の形態にかかるＳＡＷデバイスは、前記接合部材は、前記ベース基板の平面視にて、前記ＳＡＷチップの外周に沿っていることを特徴とする。
本発明のある別の形態にかかるＳＡＷデバイスは、前記圧電基板の前記第２面は、前記ベース基板と平行であることを特徴とする。
本発明のある別の形態にかかるＳＡＷデバイスは、前記ＳＡＷチップは、前記ＳＡＷチップの平面視にて、前記接合部材と重なる位置、且つ前記第１面に配置されている接続パッドを有していることを特徴とする。
本発明のある別の形態にかかるＳＡＷデバイスは、前記固定部材のヤング率は、０．０２ＧＰａ以上、４ＧＰａ以下であることを特徴とする。
本発明のある別の形態にかかるＳＡＷ発振器は、前記ＳＡＷデバイスと、前記櫛歯電極に電圧を印加し、前記ＳＡＷチップを発振させる発振回路と、を有することを特徴とする。
本発明のある別の形態にかかる電子機器は、前記ＳＡＷデバイスを備えることを特徴とする。
［適用例１］
本発明のＳＡＷデバイスは、板状の圧電基板と、前記圧電基板に配置されている櫛歯電極とを有するＳＡＷチップと、
前記ＳＡＷチップが実装されているベース基板と、
前記ＳＡＷチップを、該ＳＡＷチップの平面視にて前記櫛歯電極と重ならない位置で前記ベース基板に固定し、片持ち支持している固定部材と、を有し、
前記櫛歯電極は、前記圧電基板の前記ベース基板と反対側の面に配置されており、
前記ベース基板の平面視にて、前記ＳＡＷチップの固定端と自由端との離間方向に直交する方向を第１方向とし、前記第１方向における前記ＳＡＷチップの長さをＷとし、前記第１方向における前記固定部材の長さをＤとしたとき、１＜Ｄ／Ｗ≦１．６なる関係を満足し、
前記固定部材は、前記ＳＡＷチップの前記固定端の前記ベース基板と対向する面および前記第１方向に対向する一対の側面と、前記ベース基板とを接合するように設けられていることを特徴とする。
これにより、エージング特性、接合強度および平行度の各要素をそれぞれ高いレベルで実現することのできるＳＡＷデバイスを提供することができる。具体的には、常温（２５℃）±２０℃の雰囲気下で１０年連続駆動させたときの周波数変動を±１０ｐｐｍ以内とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月18日(2014.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が光電変換素子を含み、２次元状に配列された複数の画素と、
時間の経過にともなって信号レベルが単調に変化する参照信号を生成する参照信号生成回路と、
前記参照信号生成回路からの参照信号の出力に合わせてカウント動作を行うカウンタ回路と、
前記画素の列毎に配置され、前記画素からの画素信号と前記参照信号生成回路により生成された前記参照信号の比較を行って前記画素信号をアナログデジタル変換するＡＤ変換回路とを備え、
前記ＡＤ変換回路は、
前記画素信号が第１の入力端子に入力され、前記参照信号が第２の入力端子に入力される比較器と、
前記カウンタ回路によるカウント値を、前記比較器の出力が反転したときに記憶する記憶部と、
前記参照信号生成回路の出力端子と前記比較器の前記第２の入力端子との間に設けられ、前記参照信号生成回路からの前記参照信号の時間に対する変化率を変える参照信号変換回路とを有することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記参照信号変換回路は、前記参照信号の時間に対する変化率を容量分割により制御することを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記参照信号変換回路は、
前記参照信号生成回路の出力端子と前記比較器の前記第２の入力端子との間に接続された第１の容量と、
前記比較器の前記第２の入力端子と基準電圧との間に接続され、直列に接続された第２の容量及び第１のスイッチを含む第１の直列回路とを有することを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記比較器の前記第２の入力端子と基準電圧との間に、複数の前記第１の直列回路を並列に接続したことを特徴とする請求項３記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記参照信号変換回路は、
直列に接続された第３の容量及び第２のスイッチを含む第２の直列回路を有し、
前記第１の容量及び前記第２の直列回路を並列に前記参照信号生成回路の出力端子と前記比較器の前記第２の入力端子との間に接続したことを特徴とする請求項３又は４記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記画素からの画素信号が供給され、前記比較器の前記第１の入力端子に接続される第４の容量と、
前記比較器の前記第１の入力端子に接続され、直列に接続された第５の容量及び非導通状態とされるトランジスタを含む第３の直列回路とを有することを特徴とする請求項３記載の固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の固体撮像装置は、各々が光電変換素子を含み、２次元状に配列された複数の画素と、時間の経過にともなって信号レベルが単調に変化する参照信号を生成する参照信号生成回路と、前記参照信号生成回路からの参照信号の出力に合わせてカウント動作を行うカウンタ回路と、前記画素の列毎に配置され、前記画素からの画素信号と前記参照信号生成回路により生成された前記参照信号の比較を行って前記画素信号をアナログデジタル変換するＡＤ変換回路とを備え、前記ＡＤ変換回路は、前記画素信号が第１の入力端子に入力され、前記参照信号が第２の入力端子に入力される比較器と、前記カウンタ回路によるカウント値を、前記比較器の出力が反転したときに記憶する記憶部と、前記参照信号生成回路の出力端子と前記比較器の前記第２の入力端子との間に設けられ、前記参照信号生成回路からの前記参照信号の時間に対する変化率を変える参照信号変換回路とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月30日(2014.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方に配置されている第１電極と、
少なくとも一部が前記第１電極との間に空隙を有した状態で配置され、前記第１電極との間に発生する静電力によって振動可能な梁部と、前記梁部の一端を支持している支持側面を備えて前記基板の上方に配置されている支持部とを有する第２電極と、
を備え、
前記支持側面は、前記基板の厚み方向からの平面視で屈曲している屈曲部を有している、ＭＥＭＳ振動子。
【請求項２】
前記屈曲部は、前記基板の厚み方向からの平面視で円弧の形状を有している、請求項１に記載のＭＥＭＳ振動子。
【請求項３】
前記一端は、前記基板の厚み方向からの平面視で第１半径を有する円弧の形状を有し、
前記梁部の他端は、前記基板の厚み方向からの平面視で前記第１半径よりも小さい第２半径を有する円弧の形状を有している、請求項２に記載のＭＥＭＳ振動子。
【請求項４】
前記第１電極は、
前記支持部の前記支持側面側に位置する第１側面と、
前記第１側面とは反対側に位置し、前記第１側面に沿う形状を有する第２側面と、
を有し、
前記第１側面は、前記基板の厚み方向からの平面視で前記第１半径よりも小さく前記第２半径よりも大きい第３半径を有する円弧の形状を有し、
前記第２側面は、前記基板の厚み方向からの平面視で前記第２半径よりも小さい第４半径を有する円弧の形状を有する、請求項３に記載のＭＥＭＳ振動子。
【請求項５】
前記第１電極は、前記支持部の前記支持側面と対向する第１側面を有し、
前記第１側面は、前記支持部の前記支持側面に沿う形状を有している、請求項１ないし３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ振動子。
【請求項６】
前記支持部の前記支持側面は、前記基板の厚み方向からの平面視において直線部をさらに有する、請求項１に記載のＭＥＭＳ振動子。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ振動子と、
前記ＭＥＭＳ振動子の前記第１電極および前記第２電極と電気的に接続された回路部と、
を有する発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
ＭＥＭＳ振動子１００では、第１電極２０は、支持部３２の側面３２ａ側に位置する第１側面２０ａと、第１側面２０ａとは反対側に位置し、第１側面２０ａに沿う形状を有する第２側面２０ｂと、を有し、第１側面２０ａは、基板１０の厚み方向からの平面視で第１半径Ｒ１よりも小さく第２半径Ｒ２よりも大きい第３半径Ｒ３を有する円弧Ａ３の形状を有し、第２側面２０ｂは、基板１０の厚み方向からの平面視で第２半径Ｒ２よりも小さい第４半径Ｒ４を有する円弧Ａ４の形状を有する。これにより、第１電極２０と第２電極３０との交差面積（両電極が重なる領域の面積）を維持しつつ、第１電極２０の面積（基板１０の厚み方向からみた第１電極２０の大きさ）を小さくすることができる。したがって、第１電極２０と基板１０との間の寄生容量を小さくすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月25日(2014.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像方向の移動を停止した状態で撮像手段により得られる画像データを配信するｎ（ｎ：任意の自然数）番目のプリセット位置とｎ＋１番目のプリセット位置との間に、撮像方向の移動を停止しない状態で前記撮像手段により得られる画像データを配信するサブ・プリセット位置を設定する設定手段と、
前記プリセット位置及び前記サブ・プリセット位置以外の位置では、前記撮像手段により得られる画像データを配信しないように制御する制御手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記撮像手段により得られる画像データの配信タイミングを制御することにより、前記プリセット位置及び前記サブ・プリセット位置以外の位置では、前記撮像手段により得られる画像データを配信しないように制御することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記撮像手段により得られる画像データから、配信対象の画像データを選択することにより、前記プリセット位置及び前記サブ・プリセット位置以外の位置では、前記撮像手段により得られる画像データを配信しないように制御することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
照度を測定する測定手段と、
前記測定手段により測定された照度に基づいて、前記撮像手段の撮像方向の移動速度を変更する変更手段とを更に有することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記測定手段により測定された照度に基づいて、前記撮像手段のシャッタスピード、及び、前記撮像手段により得られる画像データのゲインのうちの少なくとも何れか一方を決定する決定手段を更に有することを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記サブ・プリセット位置において前記撮像手段により得られる画像データから動きを検出する検出手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記検出手段は、前記サブ・プリセット位置において前記撮像手段により得られた時間が異なる第１の画像データと第２の画像データとを比較することにより動きを検出することを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記第１の画像データと前記第２の画像データとは、前記撮像手段の撮像方向が第１の方向から前記サブ・プリセット位置まで移動してきたときに得られた画像データであることを特徴とする請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記検出手段により動きが検出された場合、警告を行う警告手段を更に有することを特徴とする請求項６乃至８の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記検出手段により動きが検出された画像データが前記撮像手段により得られた前記サブ・プリセット位置をプリセット位置として設定することを特徴とする請求項６乃至９の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
撮像装置の制御方法であって、
撮像方向の移動を停止した状態で撮像手段により得られる画像データを配信するｎ（ｎ：任意の自然数）番目のプリセット位置とｎ＋１番目のプリセット位置との間に、撮像方向の移動を停止しない状態で前記撮像手段により得られる画像データを配信するサブ・プリセット位置を設定する設定ステップと、
前記プリセット位置及び前記サブ・プリセット位置以外の位置では、前記撮像手段により得られる画像データを配信しないように制御する制御ステップとを有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項１２】
撮像方向の移動を停止した状態で撮像手段により得られる画像データを配信するｎ（ｎ：任意の自然数）番目のプリセット位置とｎ＋１番目のプリセット位置との間に、撮像方向の移動を停止しない状態で前記撮像手段により得られる画像データを配信するサブ・プリセット位置を設定する設定ステップと、
前記プリセット位置及び前記サブ・プリセット位置以外の位置では、前記撮像手段により得られる画像データを配信しないように制御する制御ステップとをコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の撮像装置は、撮像方向の移動を停止した状態で撮像手段により得られる画像データを配信するｎ（ｎ：任意の自然数）番目のプリセット位置とｎ＋１番目のプリセット位置との間に、撮像方向の移動を停止しない状態で前記撮像手段により得られる画像データを配信するサブ・プリセット位置を設定する設定手段と、前記プリセット位置及び前記サブ・プリセット位置以外の位置では、前記撮像手段により得られる画像データを配信しないように制御する制御手段とを有することを特徴とする。