【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年3月31日(2014.3.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
他の態様によれば、基板が研磨される面の法線に関する事項を含み、配向を決定する行為が、基板の所定の面について、該所定の面に対する、表面の法線の配向を決定することを含む。本発明の他の態様によれば、基板表面の除去を施す行為が、所定の面に対する表面の法線の配向に基づいて行われる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
ＩＩＩ属窒化物単結晶の使用は、熱伝導性の改善だけでなく、エピタキシャル成長の改善や、熱的および化学的適合性の改善をも与える。ワイドバンドギャップで高温の半導体の応用は、ブルー／ＵＶ固体電荷注入レーザー、ＵＶ光源およびＵＶ検知器、高出力マイクロ波デバイス、高出力スイッチ、および高温応用例の発達を含む。しかしながら、エピタキシャル成長のための窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の表面の適切な下処理方法を得ることが要求されている。例えば、窒化物（例えば、ＡｌＮ、Ａｌｘ、Ｇａ（１−ｘ）Ｎなど）は、例えば有機金属気相エピタキシー（ＯＭＶＰＥ）および他の形成工程により、単結晶ＡｌＮ基板上にエピタキシャルに成長することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
他の化合物半導体、例えばＧａＮ、ＩｎＮ、または２Ｈ−ＳｉＣ、のエピタキシャル成長のために、基板としてＡｌＮ結晶を用いるために、大面積で高い完成度のＡｌＮウエハーが要求されている。ＡｌＮブール(boules)を成長させた後、該ブールを一般的に輪状のダイヤモンドソー(diamond saws)またはワイヤーソー(wire saws)を用いて、ウエハーに切りだされ、そして各々の表面は平坦に研削・研磨される。本発明の一つの態様によれば、ＡｌＮ結晶表面（例えば、ＡｌＮのａ表面、＋ｃ表面または−ｃ表面）は、エピタキシャル成長に適した表面を得るために、ＣＭＰを用いて研磨される。好ましくは、これらの研磨された表面は、平坦で高い完成度であり、かすり傷、窪み、またはダメージ転位(damage dislocation)および他の表面下のダメージは最小限である。また、これらの研磨された表面は、酸化アルミニウムの被覆またはアイランド(islands)がない。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
研削工程において、研削に用いられる粉末は、研削される結晶と同じかそれ以上の微小硬度を有すべきである。基本的な目的は、短時間で結晶から物質を除去することである。研磨は、表面に対しミラーのような仕上がりを与え、表面下をダメージのない結晶にすることを目的とする。この研磨は、“化学的機械的平坦化”工程に酷似しており、多層デバイスのウエハー表面を平坦化するために、最も頻繁に用いられる技術として知られている。この工程において、研磨滑剤は研磨される表面と実際はゆっくり反応する。スラリーおよび研磨パッドは、感知できる程の結晶中の内在的ダメージを与えることなく、反応生成物を継続的に除去するようにデザインされている。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
ＣＭＰにおいて、ウエハー上で高い部分は選択的に除去され（すなわち、高い部分は、より低い部分より迅速に除去される）、改善された平坦性を有する表面を与える。化学的作用により補助される機械的研磨は、そのような選択的除去を実現する。その工程は、ウエハーをキャリアー上にうつ伏せにのせて施される。そのキャリアーはその後に、研磨パッドを備えた回転圧盤に対し加圧される。キャリアーそれ自体も回転する。研磨剤を含有する水性スラリーは、テーブル上に滴下され、パッドを浸す。通常、スラリーは、塩基性媒体または酸性媒体中に懸濁させたシリカ、アルミナ、酸化セリウム、または他のナノメーターサイズの粒子の研磨剤を含む。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
本発明の一面によれば、配向は、ＣＭＰ処理の前の基板表面の機械的下処理に影響を与えることを理解する。ＡｌＮ結晶を結晶のｃ−軸と直角に薄く切るときに、いわゆるｃ−面基板が製造される。これらのｃ−面基板は有極性であり、および基板の両側の表面は全く異なる性質を有するだろう。基板の一方の側面はアルミニウム（Ａｌ）で終結しており（またはいわゆるＡｌ―極性、ｃ―面）、および他の側面は窒素（Ｎ）で終結している（またはいわゆるＮ−極性、ｃ−面）。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
本発明の一つの態様によれば、異なる結晶配向の間には、基板表面の最適な準備に実質的な差異が存在することが理解される。ＡｌＮ基板の場合、Ａｌで終結したｃ−面は水と反応しないが、Ｎで終結したｃ−面は非極性面とともに水と反応することが理解される。ウエットラッピングおよび研磨の間、Ａｌ−極性面は、非Ａｌ−極性面およびｃ軸が基板表面の法線から２０度以上離れているＡｌ−極性面を機械的に研磨することによく適合した条件と同一条件下で削られる傾向にある。（効果的には、軸上ｃ−面以外の配向に用いられるウエットメカニカル工程は、実際は、固定研磨剤を伴う化学的機械的工程である。）本発明の一つの態様によれば、乾式研削およびポリマーダイヤモンド懸濁液が、ほぼ軸上の（約２０°未満のミス配向(misorientation)）ｃ―面基板のＡｌ―極性側を準備するために用いられる。厳密な機械的研磨下においても、軸上Ａｌ−極性表面で観察される除去速度は、他のすべての結晶配向の除去速度よりも低い。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
例
図１は、従来のＣＭＰ装置を示し、それは、本発明の一態様によるＣＭＰ工程において基板表面を研磨するために用いることができる。研磨されるウエハー１０１は、バックフィルム１０９を一般的に備えるウエハーキャリアー１０２上に乗せられ、該バックフィルム１０９は、ウエハー１０１とチャック１０８との間に配置され、該バックフィルム１０９はウエハーおよびウエハーキャリアー１０２を保持する。ウエハーキャリアー１０２は、支軸１０５により回転される。ウエハー１０１を１つまたは２つ以上の研磨パッド１０３Ａ−１０３Ｂと接触させるために、ウエハーキャリアー１０２に力(force)が加えられる。１つまたは２つ以上の研磨パッド１０３Ａ−１０３Ｂは、同じく回転する圧盤１０６に接着される。さらにスラリー１０７が、パッド１０３Ａ−１０３Ｂに適用され、滴下速度が、例えばコントロールフローディスペンサー(control flow dispenser)（示されていない）により、調節される。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
本発明の一つの態様によれば、より高いｐＨのＫＯＨスラリーが、Ａｌ−極性ｃ−面表面に対しよりよく作用することが理解される。ＳＳ２５スラリーは１１．０のｐＨを有する。その高いｐＨにより、ＳＳ２５と、より低いｐＨを有する他の商業的に入手できるＫＯＨスラリー（SytonおよびGlanzoxのようなもの）とを区別することができる。軸上Ａｌ−極性ｃ−面表面に対しては、本発明の一つの態様によれば、観察可能な除去速度を得るためには、ｐＨは１０．５を越えるべきであることが理解される。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
Ｉ  基板の下処理およびＣＭＰ工程のための装置
１．サンプル表面およびマウンティングブロックから、実質的にすべての可能な汚染粒子（例えば、ワックス、汚れ、およびより大きな機械的粗粒子）が取り除かれるべきである。これは典型的には、例えば有機溶媒（例えば、アセトンおよび／またはメタノールによる）洗浄がブロック３０２で施される。また、前工程から残存する如何なる粒子（例えばＣＭＰ流動性残留物）も、研磨領域と接触する全表面から取り除かれ、それにより、研磨表面を汚染する可能性、および基板表面にダメージを与えことになりかねない可能性を低下させる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
３．取り付けられたサンプルは、サンプルを適切に研磨表面に接触することを可能とするために適切な垂直方向のオフセットを有する。適切な下向きの力を確保するための質量を、ブロック３０４で加えることができる。５×１０５〜７×１０５Ｎ／ｍ２の圧力が適していると示される。これら（５×１０５〜７×１０５Ｎ／ｍ２の圧力）は、非極性面および極性面の双方に対し、最も両立した結果を与える条件である。しかしながら、当然のことながら、本発明は条件の如何なる組み合わせにも限定されない。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
ＩＩ  ＣＭＰ工程
以下は、本発明の一つの態様による、ＡｌＮ基板表面を準備するためのステップの詳細な順序、および本発明の一つの態様によるＣＭＰ工程のための滴下速度である。
新規の“Multitex1000”精密研磨パッドまたは他の適切な精密研磨パッドを研磨テーブル（圧盤）に適用すべきである。一般的に、そのような研磨パッドは、圧盤表面に接着するための自己吸着裏地を有する。ブロック３０５において、研磨パッドは、圧盤表面に接着される。最も良い結果のために、研磨パッドは、パッドに起伏を引き起こす空間をパッドの裏に作らないことを確実にするように、研磨デッキに適用されるべきである。例えば、研磨パッドは、洗浄された棒を用いて先頭の端から他方の端までテーブル上で転がされることで、パッドの裏の空間を避けることができる。