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【手続補正書】
【提出日】平成26年4月11日(2014.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダミーゲートを除去することにより形成された溝に金属膜を埋め込み、前記金属膜を研磨することによってゲートラスト方式のメタルゲートを形成するプラズマ処理方法において、
プラズマエッチングにより前記ダミーゲートの一部を除去することによって前記ダミーゲートの側壁に配置された絶縁膜を露出させるラウンド調整工程と、
前記ラウンド調整工程後、前記露出した絶縁膜の上部に等方性プラズマエッチングによりラウンドを形成するラウンド形成工程と、
プラズマエッチングにより前記ラウンド形成工程後に残っているダミーゲートを除去するメインエッチング工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記ラウンド形成工程は、フッ素含有ガスとＯ2ガスとの混合ガスを用いたプラズマにより、等方性プラズマエッチングを行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマ処理方法において、
前記ラウンド形成工程のプラズマエッチングは、前記ゲートラスト方式のメタルゲートが形成されるウエハに高周波電力を供給しない状態で行われることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
ダミーゲートを除去することにより形成された溝に金属膜を埋め込み、前記金属膜を研磨することによってメタルゲートを形成するゲートラスト方式のメタルゲートの製造方法において、
プラズマエッチングにより前記ダミーゲートの一部を除去することによって前記ダミーゲートの側壁に配置された絶縁膜を露出させるラウンド調整工程と、
前記ラウンド調整工程後、前記露出した絶縁膜の上部に等方性プラズマエッチングによりラウンドを形成するラウンド形成工程と、
プラズマエッチングにより前記ラウンド形成工程後に残っているダミーゲートを除去するメインエッチング程と、
前記メインエッチング工程後に形成された溝に前記金属膜を埋め込む埋め込み工程と、
前記メインエッチング工程後に形成された溝の上部に前記埋め込み工程により堆積した金属膜を研磨する研磨工程とを有することを特徴とするゲートラスト方式のメタルゲートの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、ダミーゲートを除去することにより形成された溝に金属膜を埋め込み、前記金属膜を研磨することによってゲートラスト方式のメタルゲートを形成するプラズマ処理方法において、プラズマエッチングにより前記ダミーゲートの一部を除去することによって前記ダミーゲートの側壁に配置された絶縁膜を露出させるラウンド調整工程と、前記ラウンド調整工程後、前記露出した絶縁膜の上部に等方性プラズマエッチングによりラウンドを形成するラウンド形成工程と、プラズマエッチングにより前記ラウンド形成工程後に残っているダミーゲートを除去するメインエッチング工程とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、ダミーゲートを除去することにより形成された溝に金属膜を埋め込み、前記金属膜を研磨することによってメタルゲートを形成するゲートラスト方式のメタルゲートの製造方法において、プラズマエッチングにより前記ダミーゲートの一部を除去することによって前記ダミーゲートの側壁に配置された絶縁膜を露出させるラウンド調整工程と、前記ラウンド調整工程後、前記露出した絶縁膜の上部に等方性プラズマエッチングによりラウンドを形成するラウンド形成工程と、プラズマエッチングにより前記ラウンド形成工程後に残っているダミーゲートを除去するメインエッチング程と、前記メインエッチング工程後に形成された溝に前記金属膜を埋め込む埋め込み工程と、前記メインエッチング工程後に形成された溝の上部に前記埋め込み工程により堆積した金属膜を研磨する研磨工程とを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理方法及びゲートラスト方式のメタルゲートの製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月10日(2014.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクチュエータで可動体を加圧対象物に衝突するまで移動させて該加圧対象物に対する該可動体の加圧力を制御する機能を備えた生産機械において、
前記可動体が加圧対象物に衝突したときの衝撃力を緩和するために用いる衝撃緩和アクチュエータと、
前記可動体が加圧対象物に衝突したときの衝撃力を検出する衝撃力検出手段と、
前記衝撃力検出手段の出力信号から低周波帯域の信号成分を抽出する低周波帯域信号抽出手段と、
前記低周波信号抽出手段で抽出した低周波帯域の信号成分と加圧力指令との偏差が小さくなるように前記メインアクチュエータの駆動力を制御する駆動力フィードバック制御手段と、
前記衝撃力検出手段の出力信号から高周波帯域の信号成分を抽出する高周波帯域信号抽出手段と、
前記高周波信号抽出手段で抽出した高周波帯域の信号成分に基づいて前記可動体が加圧対象物に衝突したときの衝撃力を緩和するように前記衝撃緩和アクチュエータの駆動力を制御する衝撃緩和制御手段と
を備えていることを特徴とする生産機械。
【請求項２】
前記衝撃緩和アクチュエータ及び前記衝撃力検出手段は、１つの圧電素子により構成されていることを特徴とする請求項１に記載の生産機械。
【請求項３】
アクチュエータで可動体を加圧対象物に衝突するまで移動させて該加圧対象物に対する該可動体の加圧力を制御する機能を備えた生産機械において、
前記可動体が加圧対象物に衝突したときの衝撃力を緩和するために用いる衝撃緩和アクチュエータと、
前記可動体が加圧対象物に衝突したときの衝撃力を検出する衝撃力検出手段と、
前記可動体が加圧対象物に衝突したときの衝撃力を緩和するように前記衝撃緩和アクチュエータの駆動力を制御する衝撃緩和制御手段とを備え、
前記衝撃緩和アクチュエータ及び前記衝撃力検出手段は、それぞれ別の圧電素子により構成されていると共に、前記可動体の駆動方向に直列に設けられ、
前記衝撃緩和制御手段は、前記衝撃力検出手段を構成する圧電素子が加圧対象物との衝突による歪みを検出した瞬間に、前記衝撃緩和アクチュエータを構成する圧電素子が前記歪みの方向とは反対方向に変形するように該圧電素子の駆動電圧を制御することを特徴とする生産機械。
【請求項４】
アクチュエータで可動体を加圧対象物に衝突するまで移動させて該加圧対象物に対する該可動体の加圧力を制御する機能を備えた生産機械において、
前記可動体が加圧対象物に衝突したときの衝撃力を緩和するために用いる衝撃緩和アクチュエータと、
前記可動体が加圧対象物に衝突したときの衝撃力を検出する衝撃力検出手段と、
前記可動体が加圧対象物に衝突したときの衝撃力を緩和するように前記衝撃緩和アクチュエータの駆動力を制御する衝撃緩和制御手段とを備え、
前記衝撃緩和アクチュエータ及び前記衝撃力検出手段は、それぞれ別の圧電素子により構成されていると共に、前記衝撃緩和アクチュエータを構成する圧電素子にはカウンターマスが取り付けられ、
前記衝撃緩和制御手段は、前記衝撃力検出手段を構成する圧電素子が加圧対象物との衝突による歪みを検出した瞬間に、前記衝撃緩和アクチュエータを構成する圧電素子の駆動電圧を前記カウンターマスが衝撃力を緩和する方向に移動するように制御することを特徴とする生産機械。
【請求項５】
アクチュエータで可動体を加圧対象物に衝突するまで移動させて該加圧対象物に対する該可動体の加圧力を制御する機能を備えた生産機械において、
位置指令に基づいて前記アクチュエータを駆動して前記可動体の位置を制御する位置制御を実行する位置制御手段と、
前記加圧対象物に対する前記可動体の加圧力が加圧力指令と一致するように前記アクチュエータを制御する加圧力制御を実行する加圧力制御手段と、
前記可動体が加圧対象物に衝突したことを検出する衝突検出手段と、
前記衝突検出手段で前記可動体の衝突を検出する前は前記位置制御手段による位置制御を実行し、前記衝突検出手段で前記可動体の衝突を検出した後は前記加圧力制御手段による加圧力制御を実行する制御方式切換手段と
を備えていることを特徴とする生産機械。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、請求項５のように、位置指令に基づいてアクチュエータを駆動して可動体の位置を制御する位置制御を実行する位置制御手段と、前記加圧対象物に対する前記可動体の加圧力が加圧力指令と一致するように前記アクチュエータを制御する加圧力制御を実行する加圧力制御手段と、前記可動体が加圧対象物に衝突したことを検出する衝突検出手段と、前記衝突検出手段で前記可動体の衝突を検出する前は前記位置制御手段による位置制御を実行し、前記衝突検出手段で前記可動体の衝突を検出した後は前記加圧力制御手段による加圧力制御を実行する制御方式切換手段とを備えた構成としても良い。この構成によれば、位置制御により可動体が加圧対象物に衝突した瞬間に、位置制御から加圧力制御に切り換えることができるため、位置制御により可動体の駆動速度を高速化しながら、衝突後は加圧力制御により衝撃力を効果的に緩和して、加圧対象物に対する可動体の加圧力を安定させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月4日(2014.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
前記基板に対して荷電粒子線を射出する光学鏡筒と、
前記基板を保持し、前記光学鏡筒の軸に対して少なくとも垂直な方向に可動とするステージと、
検出器と、前記ステージの側面に対向するように前記検出器を支持する支持部とを含み、前記ステージの位置を計測するための検出部と、
前記ステージに設けられ、前記ステージの上面に対向する前記光学鏡筒の開口を磁場から遮蔽する遮蔽部と、を備え、
前記遮蔽部は、前記軸の方向に関して、前記検出部が備えられている領域とは異なる領域において、前記ステージに備えられている、
ことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記光学鏡筒を支持する第１定盤を備え、
前記支持部は、前記第１定盤に支持され、
前記遮蔽部は、前記ステージの下面に備えられている、
ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記ステージを支持する第２定盤を備え、
前記ステージは、チャックと、該チャックを支持するステージ本体とを含み、
前記支持部は、前記第２定盤に支持され、
前記遮蔽部は、前記ステージ本体の上面に備えられている、
ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項４】
前記遮蔽部は、磁気シールド板を含む、
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項５】
前記検出器は、前記側面に備えられたミラーに光を照射し、該ミラーで反射された光を検出する、
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
前記光学鏡筒は、前記基板に対して複数の荷電粒子線を射出する、
ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で前記描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、基板に対して荷電粒子線を射出する光学鏡筒と、基板を保持し、光学鏡筒の軸に対して少なくとも垂直な方向に可動とするステージと、検出器と、ステージの側面に対向するように検出器を支持する支持部とを含み、ステージの位置を計測するための検出部と、ステージに設けられ、ステージの上面に対向する光学鏡筒の開口を磁場から遮蔽する遮蔽部とを備え、遮蔽部は、軸の方向に関して、検出部が備えられている領域とは異なる領域において、ステージに備えられていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月26日(2014.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
そこで、本発明者らは、給電側ヘリカルコイル３３及び受電側ヘリカルコイル５１の大きさや距離を変えずに給電側ヘリカルコイル３３及び受電側ヘリカルコイル５１の結合を調整できる方法を検討すべく、製品Ｂについて周波数０．１ｆ０付近でのインピーダンス特性をシミュレーションしてみた。結果を図５に示す。また、本発明者らは製品Ｃについて周波数０．００１ｆｏ付近でのインピーダンス特性をシミュレーションした。結果を図６に示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、本発明者らは、給電部３及び受電部５のインピーダンスが０．３ΩになるようにＤＣ／ＡＣ変換器３１、ＡＣ／ＤＣ変換器５３のインピーダンスを調整し、周波数０．０１ｆ０が共鳴周波数となるようにコンデンサＣ１、Ｃ２の容量が調整された給電システム１（製品Ｅ）について周波数０．００１ｆ０付近での通過特性及び反射特性とインピーダンス特性とをシミュレーションした。結果を図９及び図１０に示す。なお、製品Ａの給電側、受電側ヘリカルコイル３３、５１と製品Ｅの給電側、受電側ヘリカルコイル３３、５１とは、その大きさ、コイル間距離が互いに同じである。同図からも明らかなように、特性インピーダンスを下げることにより臨界結合が得られることが分かった。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月16日(2014.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インナーロータ型のブラシレスモータのステータコアに装着される略環形状を有するインシュレータと、
前記インシュレータに配置され、前記ステータコアにおける複数の突極に巻回されたコイル巻線の渡り線が接続された導通端子と
を備え、
前記導通端子は、軸中心から離れる方向に向いた部分で前記渡り線と接触する第１の導通部と、前記第１の導通部に接続されて前記第１の導通部の外側に配置され、前記第１の導通部との間で前記渡り線を挟んで保持する第２の導通部とを備え、
前記渡り線を前記インシュレータの外側に露出させた状態で渡らせ前記導通端子に接続した構造を有することを特徴とするモータにおけるコイル巻線の結線構造。
【請求項２】
前記第２の導通部は前記第１の導通部よりも小さい形状を有することを特徴とする請求項１に記載のモータにおけるコイル巻線の結線構造。
【請求項３】
前記渡り線は、前記第１の導通部と前記第２の導通部の間において、ヒュージング加工によって固定されていることを特徴とする請求項１または２に記載のモータにおけるコイル巻線の結線構造。
【請求項４】
前記導通端子は、軸方向に突出し、回路基板に挿入される接続端子として機能することを特徴とする請求項２または３に記載のモータにおけるコイル巻線の結線構造。
【請求項５】
前記第１の導通部が前記接続端子として機能し、
前記第２の導通部が前記第１の導通部に向かって湾曲し、該湾曲した部分の内側で前記第２の導通部に前記渡り線が固着していることを特徴とする請求項４に記載のモータにおけるコイル巻線の結線構造。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のコイル巻線の結線構造を備えた略筒状のステータと、
前記ステータの内側で回転自在な状態で保持されたロータと
を備えることを特徴とするモータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項１に記載の発明は、インナーロータ型のブラシレスモータのステータコアに装着される略環形状を有するインシュレータと、前記インシュレータに配置され、前記ステータコアにおける複数の突極に巻回されたコイル巻線の渡り線が接続された導通端子とを備え、前記導通端子は、軸中心から離れる方向に向いた部分で前記渡り線と接触する第１の導通部と、前記第１の導通部に接続されて前記第１の導通部の外側に配置され、前記第１の導通部との間で前記渡り線を挟んで保持する第２の導通部とを備え、前記渡り線を前記インシュレータの外側に露出させた状態で渡らせ前記導通端子に接続した構造を有することを特徴とするモータにおけるコイル巻線の結線構造である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１に記載の発明によれば、渡り線をインシュレータの外側に向けて露出した状態で引き回して導通端子に接続する構造とすることで、導通端子に接触した渡り線に対する各種の作業（例えば、治具を用いてのヒュージング加工等）が容易な構造が得られる。なお、導通端子に接触した渡り線に対する作業が容易な構造である優位性は、ヒュージング加工以外の固定方法（例えば、半田や導電性接着剤を用いた固定等）においても同様に得ることができる。つまり、請求項１に記載の発明は、ヒュージング加工以外の方法で渡り線を導通端子に接続する場合にも利用することができる。また、請求項１に記載の発明によれば、第１の導通部と第２の導通部との隙間に渡り線が挟まれることで、導通端子への渡り線の接続が行われる。この構造は、導通端子への渡り線の電気的な接触を確実なものとできる。特に、第１の導通部と第２の導通部との間に渡り線を挟んだ状態において、第２の導通部に第１の導通部の方向への圧力を加え、更にその状態で第１の導通部と第２の導通部との間に電流を流すこと行われるヒュージング加工を容易に、且つ、確実に行うことができる。つまり、ヒュージング加工を用いた渡り線の導通端子への接続に適した構造とすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記第２の導通部は前記第１の導通部よりも小さい形状を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記渡り線は、前記第１の導通部と前記第２の導通部の間において、ヒュージング加工によって固定されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月27日(2014.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電圧が入力される第１の端子と、
第２の電圧が入力される第２の端子と、
前記第１の端子及び第２の端子に接続され、前記第１の電圧と第２の電圧を比較するコンパレータと、
前記コンパレータから出力されたデジタル信号を、平均化し、積分し、デジタルパルス幅変調処理するデジタル演算処理回路と、
前記デジタル演算処理回路から出力されたデジタル信号を増幅するパルス幅変調出力ドライバと、
前記増幅されたデジタル信号を平滑する平滑化回路と、
を有することを特徴とする電源回路。
【請求項２】
第１の電圧が入力される第１の端子と、
第２の電圧が入力される第２の端子と、
前記第１の端子及び第２の端子に接続され、前記第１の電圧と第２の電圧を比較するコンパレータと、
前記コンパレータから出力されたデジタル信号を平均化する加算回路と、
前記平均化されたデジタル信号を積分する加減算回路と、
前記積分されたデジタル信号をデジタルパルス幅変調処理するカウント比較回路及びラッチ回路と、
前記ラッチ回路から出力されたデジタル信号を増幅するパルス幅変調出力ドライバと、
前記増幅されたデジタル信号を平滑する平滑化回路と、
を有することを特徴とする電源回路。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月24日(2014.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッテリ（７）と電力網との間で電気エネルギーを交換するための電力交換システムにおいて、
前記バッテリを充電するために前記電力網の交流を直流に変換する、および／又は前記バッテリから前記電力網に電力を供給するためにバッテリの直流を交流に変換する電力変換器（５）と、
前記電力網の電気的パラメータを測定するための電力測定装置と、
前記電力網の前記電気的パラメータに依存して、バッテリを充電するための、直流を調整する、および／又は電力網に電力を供給するための直流を調整するための制御ユニット（２３）と、
を備えることを特徴とする、電力交換システム。
【請求項２】
前記電力網のパラメータは、電力網の電流、電圧、および、周波数を含む群から選択されることを特徴とする、請求項１記載の電力交換システム。
【請求項３】
前記制御ユニットは、前記電気的パラメータに依存して、前記バッテリを充電または放電するための所定の直流を提供するように構成されていることを特徴とする、請求項１または２記載の電力交換システム。
【請求項４】
前記制御部は、前記電力網内の局所的な電力網障害を検出できるおよび／または電力網支援を提供できるように構成されていることを特徴とする、請求項１〜３いずれか１項記載の電力交換システム。
【請求項５】
前記電力交換システムは、単相回路、２相回路、３相回路から成る群から選択される主電流回路を備えることを特徴とする、請求項１〜４いずれか１項記載の電力交換システム。
【請求項６】
前記電力変換器は、バッテリを充電する場合は整流器として動作し、バッテリから放電する場合はインバータとして動作することを特徴とする、請求項１〜５いずれか１項記載の電力交換システム。
【請求項７】
前記電力測定装置および／または前記制御ユニットは、前記電力網および／または前記バッテリから物理的に分離されていることを特徴とする、請求項１〜６いずれか１項記載の電力交換システム。
【請求項８】
前記電力交換システムは、遠隔地からモニタリングおよび／または制御されることを特徴とする、請求項１〜７いずれか１項記載の電力交換システム。
【請求項９】
前記バッテリは、車両のバッテリ、フローバッテリ、および、電気化学的バッテリを含む群から選択されることを特徴とする、請求項１〜８いずれか１項記載の電力交換システム。
【請求項１０】
請求項１〜９いずれか１項記載の少なくとも２つの電力交換システムを備え、前記少なくとも２つの電力交換システムは並列に操作されることを特徴とする、電力網。
【請求項１１】
バッテリと電力網との間に設定されている電力交換システムを操作することによって、バッテリと電力網との間で電気エネルギーを交換する方法において、
ａ）前記電力網の電気的パラメータを測定するステップと、
ｂ）前記電力網のパラメータに依存して、電力網から前記バッテリを充電するための、および／又は前記バッテリから電力網に電流を供給するための、直流を調整するステップと、
ｃ）前記バッテリを充電および／又は放電するために、前記電力網の交流を直流に変換するおよび／又はバッテリの直流を電力網の交流に変換するステップと、
を備えることを特徴とする、電気エネルギーを交換する方法。
【請求項１２】
前記測定、前記調整、前記変換、および／または、前記充電は、同時に実行されることを特徴とする、請求項１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月21日(2014.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアアグリゲーションシステムにおける無線通信方法であって、
基地局は、端末で測定した各キャリアのチャネル品質パラメータを取得することと、
前記チャネル品質パラメータに基づいて、第１キャリアをプライマリコンポーネントキャリアとして選択し、第２キャリアをセカンダリコンポーネントキャリアとして選択することと、を含み、
前記各キャリアのチャネル品質パラメータは、最大のパラメータである第１チャネル品質パラメータと、前記第１チャネル品質パラメータ以外の最大のパラメータである第２チャネル品質パラメータと、を含むことを特徴とする無線通信方法。
【請求項２】
前記第１キャリアは、前記第１のチャネル品質パラメータに対応することを特徴とする請求項１に記載の無線通信方法。
【請求項３】
前記第２キャリアは、前記第２のチャネル品質パラメータに対応することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の無線通信方法。
【請求項４】
前記基地局は、前記プライマリコンポーネントキャリア及び前記セカンダリコンポーネントキャリアの情報を前記端末に通知することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の無線通信方法。
【請求項５】
前記チャネル品質パラメータは、ＲＳＲＰ（Reference  Signal  Received  Power）又はＲＳＲＱ（Reference  Signal  Received  Quality）であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の無線通信方法。
【請求項６】
端末で測定した各キャリアのチャネル品質パラメータを取得するパラメータ取得手段と、
前記チャネル品質パラメータに基づいて、第１キャリアをプライマリコンポーネントキャリアとして選択するプライマリコンポーネントキャリア選択手段と、
前記チャネル品質パラメータに基づいて、第２キャリアをセカンダリコンポーネントキャリアとして選択するセカンダリコンポーネントキャリア選択手段と、を含み、
前記各キャリアのチャネル品質パラメータは、最大のパラメータである第１チャネル品質パラメータと、前記第１チャネル品質パラメータ以外の最大のパラメータである第２チャネル品質パラメータと、を含むことを特徴とする装置。
【請求項７】
前記第１キャリアは、前記第１のチャネル品質パラメータに対応することを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記第２キャリアは、前記第２のチャネル品質パラメータに対応することを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記チャネル品質パラメータは、ＲＳＲＰ（Reference  Signal  Received  Power）又はＲＳＲＱ（Reference  Signal  Received  Quality）であることを特徴とする請求項６から請求項８のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
各キャリアのチャネル品質パラメータを測定する測定手段と、
前記各キャリアのチャネル品質パラメータを報告する通信手段と、を含み、
前記通信手段は、前記チャネル品質パラメータに基づいてプライマリコンポーネントキャリアとして選択された第１キャリア及びセカンダリコンポーネントキャリアとして選択されたセカンダリコンポーネントキャリアで通信し、
前記各キャリアのチャネル品質パラメータは、最大のパラメータである第１チャネル品質パラメータと、前記第１チャネル品質パラメータ以外の最大のパラメータである第２チャネル品質パラメータと、を含むことを特徴とする端末。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線通信方法、装置及び端末
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月25日(2014.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
符号化ツールおよび／またはそれらに関連する符号化パラメータのセットを指定する符号化方法に従って符号化された、ピクチャが複数の符号化エンティティに分割されるピクチャ・シーケンスの再構築方法であって、ＩＮＴＥＲモードで符号化される符号化エンティティ毎に、
前記符号化エンティティについて少なくとも１つの参照ピクチャを決定するステップと、
符号化ツールに関連する符号化パラメータによって構成された符号化ツールを用いて、前記少なくとも１つの参照ピクチャから前記符号化エンティティを再構築するステップと、を含む再構築方法において、
前記符号化ツールおよび／または前記関連する符号化パラメータが、前記参照ピクチャのタイプによって決まる、前記再構築方法。
【請求項２】
前記ピクチャ・シーケンスの少なくとも一部に関連するヘッダ中で、参照ピクチャのタイプにそれぞれ関連するいくつかのプロファイルを指定するデータ項目を復号し、且つプロファイル毎に、符号化ツールおよび／またはそれらに関連する符号化パラメータのセットを定義するデータを復号するステップをさらに含む、請求項１に記載の再構築方法。
【請求項３】
前記符号化エンティティが属するピクチャの少なくとも一部に関連するヘッダ中で、前記少なくとも１つの参照ピクチャと関連付けられた、関連するプロファイルを示すプロファイル識別子を復号するステップをさらに含む、請求項２に記載の再構築方法。
【請求項４】
前記プロファイル識別子が、前記符号化エンティティが属するピクチャ・スライスのヘッダから復号される、請求項３に記載の再構築方法。
【請求項５】
前記参照ピクチャのタイプが、
ソース・ピクチャ、
フィルタリング済みピクチャ、および
動き補償済みピクチャ、を含むピクチャ・タイプのセットに属する、請求項１から４の何れか一項に記載の再構築方法。
【請求項６】
前記符号化エンティティの前記再構築ステップが、
前記符号化エンティティについて、前記少なくとも１つの参照ピクチャの動き補償によって予測符号化エンティティを決定するステップと、
前記符号化エンティティについて、係数符号化エンティティを復号するステップと、
前記係数符号化エンティティを、逆量子化係数符号化エンティティに逆量子化するステップと、
前記逆量子化係数符号化エンティティを、残差符号化エンティティに変換するステップと、
前記予測符号化エンティティと前記残差符号化エンティティをマージして、前記再構築符号化エンティティを形成するステップとを含む、請求項１から５の何れか一項に記載の再構築方法。
【請求項７】
前記参照ピクチャが、低域フィルタでフィルタリングされたピクチャである場合に、前記符号化エンティティを再構築するために使用される前記符号化ツールが、前記符号化方法によって指定される符号化ツールおよび／または関連する符号化パラメータのセットのサブセットである、請求項１から６の何れか一項に記載の再構築方法。
【請求項８】
前記サブセットが、
双一次補間フィルタを用い、１／２のピクセル精度の動きベクトルを用いる動き補償と、
低周波数に有利な量子化マトリクスを用いた一様量子化と、
前記参照ピクチャの低域フィルタリングの方向に適応した変換済み係数の走査を用いるエントロピ符号化と、を含む、請求項７に記載の再構築方法。
【請求項９】
前記参照ピクチャが、解像度を高めたフィルタを用いてフィルタリングされたピクチャである場合に、前記符号化エンティティを再構築するために使用される前記符号化ツールおよび／または関連する符号化パラメータが、多相一次補間フィルタを用い、１／８のピクセル精度の動きベクトルを用いる動き補償を含む、請求項１から６の何れか一項に記載の再構築方法。
【請求項１０】
前記参照ピクチャが、大域動きモデルによる動き補償ピクチャである場合に、前記符号化エンティティを再構築するために使用される前記符号化ツールが、
Ｎに制限された範囲を有する１／８のピクセル精度の動きベクトルを用いる双一次補間フィルタを用いる動き補償、
サイズ１６×１６のブロックに制限されたパーティショニング、および
他より優先度の高いスキップ・モード、を含む符号化ツールおよび／または関連する符号化パラメータを含む、請求項１から６の何れか一項に記載の再構築方法。
【請求項１１】
Ｎ＝２である、請求項１０に記載の再構築方法。
【請求項１２】
複数の符号化エンティティに分割されたピクチャ・シーケンスを表す符号化データのストリームであって、前記ピクチャ・シーケンスの少なくとも一部に関連するヘッダ中に、参照ピクチャのタイプにそれぞれ関連するいくつかのプロファイルを指定するデータ項目を含み、プロファイル毎に、符号化ツールおよび／またはそれらに関連する符号化パラメータのセットを定義するデータを含み、前記シーケンスのピクチャ毎に、前記ピクチャの少なくとも一部分に関連するヘッダ中に、前記ピクチャの一部分の符号化エンティティを符号化するために使用される各参照ピクチャについて関連するプロファイルを示すプロファイル識別子を含む、前記ストリーム。
【請求項１３】
ピクチャが複数の符号化エンティティに分割されるピクチャ・シーケンスの符号化方法であって、ＩＮＴＥＲモードで符号化される符号化エンティティ毎に、
前記符号化エンティティについて、少なくとも１つの参照ピクチャを決定するステップと、
符号化ツールに関連する符号化パラメータによって構成される符号化ツールを用いて、前記少なくとも１つの参照ピクチャから前記符号化エンティティを符号化するステップと、を含み、
前記符号化ツールおよび／または前記関連する符号化パラメータが、前記少なくとも１つの参照ピクチャのタイプによって決まることを特徴とする、前記符号化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月7日(2014.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設定メニューを表示する方法であって、
次元の１つが奥行き方向に従って伸張する三次元グラフィック要素を備える前記設定メニューを表示するステップと、
奥行き情報の少なくとも１つのアイテムを表す少なくとも１つの設定を入力するステップであって、前記少なくとも１つの設定が、前記奥行き方向に従って前記三次元グラフィック要素を表示することに適用される、ステップと
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記三次元グラフィック要素の少なくとも一部を選択するステップであって、前記三次元グラフィック要素の前記少なくとも１つの選択部分が前記少なくとも１つの設定に関連付けられている、ステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記奥行きが前記少なくとも１つの設定に依存する少なくとも１つの三次元画像を表示するステップであって、前記少なくとも１つの三次元画像の表示は、前記三次元グラフィック要素の表示における前記少なくとも１つの設定の適用の後でなされる、ステップを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記奥行きが前記少なくとも１つの設定に依存する少なくとも１つの三次元画像を表示するステップであって、前記少なくとも１つの三次元画像の表示は、前記三次元グラフィック要素の表示における前記少なくとも１つの設定の適用と同時になされる、ステップを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つの設定が、表示される画像の最小奥行きに対応する奥行き情報の第１のアイテムと、前記表示される画像の最大奥行きに対応する奥行き情報の第２のアイテムとを表す、請求項１から４のいずれか１に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの設定が、表示される画像の平均奥行きに対応する奥行き情報のアイテムを表す、請求項１から４のいずれか１に記載の方法。
【請求項７】
ユーザジェスチャを解析するステップを含み、前記ユーザジェスチャの解析をすることの結果が解釈されて前記少なくとも１つの設定が制御される、請求項１から６のいずれか１に記載の方法。
【請求項８】
前記ユーザジェスチャの解析が、ユーザの体の２つの決められた部分を離間させている距離を判定するステップを含み、前記判定された距離が前記少なくとも１つの設定に関連付けられている、請求項７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
特に、本発明は、設定メニューの表示方法に限定されず、その方法を実装するマルチメディア端末、及びその表示方法を実装するマルチメディア端末を含むディスプレイデバイスにまでおよぶ。本発明は、３Ｄマルチメディアコンテンツ内の設定メニューのＰＩＰ（picture in picture）表示を含む画像処理方法にも関している。
本発明の好ましい実施形態を以下に示す。
付記１．設定メニューを表示する方法であって、
次元の１つが奥行き方向（ｚ）に従って伸張する三次元グラフィック要素（２０）を備える前記設定メニューを表示するステップ（６１、７１）と、
奥行き情報の少なくとも１つのアイテムを表す少なくとも１つの設定（２０３、２０４、２０５）を入力するステップであって、前記少なくとも１つの設定が、前記奥行き方向（ｚ）に従って前記三次元グラフィック要素（２０）を表示することに適用される、ステップと
を含むことを特徴とする方法。
付記２．前記三次元グラフィック要素（２０）の少なくとも一部を選択するステップであって、前記少なくとも１つの選択部分（２０３、２０４、２０５）が前記少なくとも１つの設定に関連付けられている、ステップを含むことを特徴とする付記１に記載の方法。
付記３．前記奥行きが前記少なくとも１つの設定に依存する少なくとも１つの三次元画像を表示するステップであって、前記少なくとも１つの三次元画像の表示は、前記三次元グラフィック要素（２０）の表示における前記少なくとも１つの設定（２０３、２０４、２０５）の適用の後でなされる、ステップを含むこと特徴とする付記１または２に記載の方法。
付記４．前記奥行きが前記少なくとも１つの設定に依存する少なくとも１つの三次元画像を表示するステップであって、前記少なくとも１つの三次元画像の表示は、前記三次元グラフィック要素（２０）の表示における前記少なくとも１つの設定（２０３、２０４、２０５）の適用と同時になされる、ステップを含むこと特徴とする付記１または２に記載の方法。
付記５．前記少なくとも１つの設定が、前記表示される画像の最小奥行きに対応する奥行き情報の第１のアイテムと、前記表示される画像の最大奥行きに対応する奥行き情報の第２のアイテムとを表すことを特徴とする付記１から４のいずれか１に記載の方法。
付記６．前記少なくとも１つの設定が、表示される画像の平均奥行きに対応する奥行き情報のアイテムを表すことを特徴とする付記１から４のいずれか１に記載の方法。
付記７．ユーザジェスチャを解析するステップ（７２）を含み、前記ユーザジェスチャの解析をすることの結果が解釈されて前記少なくとも１つの設定が制御されることを特徴とする付記１から６のいずれか１に記載の方法。
付記８．前記ユーザジェスチャの解析が、ユーザの体の２つの決められた部分を離間させている距離を判定するステップを含み、前記判定された距離が前記少なくとも１つの設定に関連付けられていることを特徴とする付記７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月5日(2013.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのエネルギーピークを伴うエネルギースペクトルを有する同位体線源（２２）と、
前記同位体線源に隣接させた前記エネルギースペクトル内に少なくとも１つの追加的なエネルギーピークを生成する蛍光層（２４）と、
を備え、
前記蛍光層（２４）は異なる材料から形成される多層構造を備え、
前記多層構造は、前記同位体線源（２２）の側に配置された少なくとも２つの層を備える核医学（ＮＭ）較正線源（２０）。
【請求項２】
前記同位体線源（２２）はコバルト５７フラッド型線源を含む、請求項１に記載のＮＭ較正線源（２０）。
【請求項３】
前記蛍光層（２４）は鉛を含む、請求項１または２に記載のＮＭ較正線源（２０）。
【請求項４】
前記蛍光層（２４）は前記同位体線源（２２）の裏当て層を含む、請求項１乃至３のいずれかに記載のＮＭ較正線源（２０）。
【請求項５】
前記同位体線源（２２）を遮蔽し格納するように構成された容器を形成する裏当て層及び着脱式カバー（２８）をさらに備える請求項１乃至４のいずれかに記載のＮＭ較正線源（２０）。
【請求項６】
前記同位体線源（２２）及び蛍光層（２４）を支持する背部カバー（２６）であって、格納容器の内部に挿入されるように構成された背部カバーをさらに備える請求項１乃至５のいずれかに記載のＮＭ較正線源（２０）。
【請求項７】
前記同位体線源（２２）は少なくとも２つのエネルギーピークを伴うエネルギースペクトルを有する、請求項１乃至６のいずれかに記載のＮＭ較正線源（２０）。
【請求項８】
前記蛍光層（２４）は前記エネルギースペクトル内に少なくとも２つの追加的なエネルギーピークを生成する、請求項１乃至７のいずれかに記載のＮＭ較正線源（２０）。
【請求項９】
マルチボアコリメータまたはピンホール形コリメータを備える、請求項１乃至８のいずれかに記載のＮＭ較正線源（２０）。
【請求項１０】
核医学（ＮＭ）システム較正のための方法であって、
少なくとも１つのエネルギーピークを伴うエネルギースペクトルを有する同位体線源（２２）を提供するステップと、
マルチボアコリメータを核医学カメラに取り付けるステップであって、前記コリメータは、前記同位体線源から受け取ったガンマ放射に応答してエネルギースペクトル内に少なくとも１つの追加的なエネルギーピークを生成するＸ線蛍光体を有する隔壁を有している、前記ステップと、
前記少なくとも１つのエネルギーピークと前記少なくとも１つの追加的なエネルギーピークとを使用して前記核医学カメラのマルチエネルギー較正のための較正マップを生成してゲインまたはオフセットを較正するステップと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月28日(2013.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板との間に、液晶材料を含む液晶層を有し、
前記第２の基板と前記液晶層との間に設けられた開口パターンを有する第２の電極層と、
前記第２の電極層と重畳し前記第１の基板と前記液晶層との間に設けられた開口パターンを有する第３の電極層と、
前記第３の電極層の開口パターンの間に設けられ、前記第１の基板の前記液晶層側の面から前記液晶層中に突出する構造体と、
前記構造体の上部に設けられ前記液晶層中において前記第２の電極層と前記第３の電極層との間に配置される開口パターンを有する第１の電極層とを有し、
セルギャップは５μｍ未満であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
第１の基板と第２の基板との間に、液晶材料を含む液晶層を有し、
前記第２の基板の前記液晶層側の面から前記液晶層中に突出する第２の構造体と、
前記第２の構造体の上部に設けられた開口パターンを有する第２の電極層と、
前記第２の電極層と重畳し前記第１の基板と前記液晶層との間に設けられた開口パターンを有する第３の電極層と、
前記第３の電極層の開口パターンの間に設けられ、前記第１の基板の前記液晶層側の面から前記液晶層中に突出する第１の構造体と、
前記第１の構造体の上部に設けられ前記液晶層中において前記第２の電極層と前記第３の電極層との間に配置される開口パターンを有する第１の電極層とを有し、セルギャップは５μｍ未満であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
第１の基板と第２の基板との間に、液晶材料を含む液晶層を有し、
前記第２の基板の前記液晶層側の面から前記液晶層中に突出する第２の構造体と、
前記第２の構造体の上部に設けられた開口パターンを有する第２の電極層と、
前記第１の基板の前記液晶層側の面から前記液晶層中に突出する第３の構造体と、
前記第２の電極層と重畳し前記第３の構造体の上部に設けられた開口パターンを有する第３の電極層と、
前記第３の電極層の開口パターンの間に設けられ、前記第１の基板の前記液晶層側の面から前記液晶層中に突出する第１の構造体と、
前記第１の構造体の上部に設けられ前記液晶層中において前記第２の電極層と前記第３の電極層との間に配置される開口パターンを有する第１の電極層とを有し、
セルギャップは５μｍ未満であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記セルギャップは１μｍ以上であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間の距離と、前記第１の電極層と前記第３の電極層との間の距離は等しいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１又は請求項２において、前記第１の電極層、前記第２の電極層、及び前記第３の電極層は前記液晶層に接していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記第１の電極層、前記第２の電極層、及び前記第３の電極層は櫛歯状であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記液晶層は、カイラル剤を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記液晶層は、光硬化樹脂及び光重合開始剤を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、前記第１の基板と、前記第１の電極層及び前記第３の電極層との間にトランジスタが設けられ、前記第１の電極層は前記トランジスタと電気的に接続していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項１０において、前記トランジスタは酸化物半導体層を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月28日(2013.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板との間に、液晶材料を含む液晶層を有し、
前記第１の基板の前記液晶層側の面から前記液晶層中に突出するリブ状の第１の構造体と、
前記リブ状の第１の構造体の間に設けられ、前記第１の基板の前記液晶層側の面から前記液晶層中に突出するリブ状の第２の構造体と、
前記リブ状の第１の構造体の上面及び側面を覆う第１の電極層と、
前記リブ状の第２の構造体の上面及び側面を覆う第２の電極層とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第１の電極層、及び前記第２の電極層は前記液晶層に接していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記第１の電極層、及び前記第２の電極層は櫛歯状であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
第１の基板と第２の基板との間に、液晶材料を含む液晶層を有し、
前記第１の基板の前記液晶層側の面から前記液晶層中に突出するリブ状の第１の構造体と、
前記リブ状の第１の構造体の間に設けられ、前記第１の基板の前記液晶層側の面から前記液晶層中に突出するリブ状の第２の構造体と、
前記リブ状の第１の構造体の上面及び側面を覆う第１の電極層と、
前記リブ状の第２の構造体の上面及び側面を覆う第２の電極層と、
前記第２の電極層と重畳し前記第２の基板と前記液晶層との間に設けられた開口パターンを有する第３の電極層とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項４において、前記第１の電極層、前記第２の電極層、及び前記第３の電極層は前記液晶層に接していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、前記第１の電極層、前記第２の電極層、及び前記第３の電極層は櫛歯状であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記液晶層は、カイラル剤を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記液晶層は、光硬化樹脂及び光重合開始剤を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記第１の基板と、前記第１の電極層及び前記第２の電極層との間にトランジスタが設けられ、前記第１の電極層は前記トランジスタと電気的に接続していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項９において、前記トランジスタは酸化物半導体層を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月5日(2014.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体メモリ装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ及びキャパシタを有し、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第２のトランジスタのゲートおよびキャパシタの一方の電極に電気的に接続し、
前記第１のトランジスタのゲートは第１の配線に電気的に接続し、
前記キャパシタの他方の電極は第２の配線に電気的に接続し、
前記第１のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は第３の配線に電気的に接続し、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は第４の配線に電気的に接続し、
前記第２のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は第５の配線に電気的に接続し、
前記第２のトランジスタ上に前記第１のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域はシリコンを有していることを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項２】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ及びキャパシタを有し、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第２のトランジスタのゲートおよびキャパシタの一方の電極に電気的に接続し、
前記第１のトランジスタのゲートは第１の配線に電気的に接続し、
前記キャパシタの他方の電極は第２の配線に電気的に接続し、
前記第１のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は第３の配線に電気的に接続し、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は第４の配線に電気的に接続し、
前記第２のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は第５の配線に電気的に接続し、
前記第２のトランジスタ上に前記第１のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域はシリコンを有し、
前記第２のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインには、酸素欠損が生じていることを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項３】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ及びキャパシタを有し、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続し、
前記第１のトランジスタのゲートは第１の配線に電気的に接続し、
前記第１のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は第３の配線に電気的に接続し、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は第４の配線に電気的に接続し、
前記第２のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は第５の配線に電気的に接続し、
前記第２のトランジスタ上に前記第１のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域はシリコンを有し、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲート絶縁膜及び第２の配線と重なって前記キャパシタを構成していることを特徴とする半導体メモリ装置。