Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月27日(2014.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリシリコン、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む基体を提供し；
当初成分として、水、研磨剤、式：
【化１】
2011205096.tif 000001
（式中、Ｒは、分岐Ｃ６-１０アルキル基であり；ｘは２〜８であり；並びにＭはＨ、Ｎａ、Ｋ、ＬｉおよびＮＨ４からなる群から選択される）を有するアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物、式Ｉ：
【化２】
2011205096.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７のそれぞれは、式−（ＣＨ２）ｎ−を有する架橋基であり、ｎは１〜１０から選択される整数である）の物質、並びに、場合によっては、無機酸であるｐＨ調節剤からなる化学機械研磨組成物を提供し；
化学機械研磨パッドに研磨面を提供し；
基体に対して研磨面を動かし；
化学機械研磨組成物を研磨面上に分配し；
基体の少なくとも一部分を摩耗させて、基体を研磨する；
ことを含み；
ポリシリコンの少なくとも幾分かが基体から除去され；
酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも幾分かが基体から除去され；
アルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物がポリシリコンの除去速度を抑制する；基体を化学機械研磨する方法。
【請求項２】
化学機械研磨組成物が５以上：１の酸化ケイ素：ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
化学機械研磨組成物が、２００ｍｍ研磨装置において、９３回転／分のプラテン速度、８７回転／分のキャリア速度、２００ｍｌ／分の化学機械研磨組成物流速、３ｐｓｉの名目ダウンフォースで、５００Å／分以上の酸化ケイ素除去速度を示し；そして、ポリウレタン含浸不織サブパッドおよびポリマー中空コア微小粒子を含むポリウレタン研磨層を化学機械研磨パッドが含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ポリシリコンが非晶質ポリシリコンであり、並びに化学機械研磨組成物が５以上：１の酸化ケイ素：非晶質ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ポリシリコンが結晶質ポリシリコンであり、並びに化学機械研磨組成物が１０以上：１の酸化ケイ素：結晶質ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
化学機械研磨組成物が５以上：１の窒化ケイ素：ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
化学機械研磨組成物が、２００ｍｍ研磨装置において、９３回転／分のプラテン速度、８７回転／分のキャリア速度、２００ｍｌ／分の化学機械研磨組成物流速、３ｐｓｉの名目ダウンフォースで、５００Å／分以上の窒化ケイ素除去速度を示し；そして、ポリウレタン含浸不織サブパッドおよびポリマー中空コア微小粒子を含むポリウレタン研磨層を化学機械研磨パッドが含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ポリシリコンが非晶質ポリシリコンであり、並びに化学機械研磨組成物が５以上：１の窒化ケイ素：非晶質ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ポリシリコンが結晶質ポリシリコンであり、並びに化学機械研磨組成物が１０以上：１の窒化ケイ素：結晶質ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
式Ｉの物質がジエチレントリアミンペンタキス（メチルホスホン酸）である、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月25日(2014.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも１種とポリシリコンとを含む基体を提供し；
アルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物、水、研磨剤、及び、任意的にｐＨ調節剤を当初成分として含む化学機械研磨組成物を提供し；
アルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物が式：
【化１】
2011205097.tif 000001
（式中、Ｒは分岐Ｃ６−１０アルキル基であり；ｎは２〜８であり；並びにＭはＨ、Ｎａ、Ｋ、ＬｉおよびＮＨ４からなる群から選択される）を有し、
ｐＨ調節剤は無機酸であり、
化学機械研磨パッドに研磨面を提供し；
基体に対して研磨面を動かし；
化学機械研磨組成物を研磨面上に分配し；
基体の少なくとも一部分を摩耗させて、基体を研磨し；
ポリシリコンの少なくとも幾分かが基体から除去され； 
酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも１種の少なくとも幾分かが基体から除去され；及び、
アルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物は、ポリシリコンの除去速度を抑制する、
ことを含む、基体を化学機械研磨する方法。
【請求項２】
基体が酸化ケイ素の存在と共にポリシリコンを含み、並びに化学機械研磨組成物が５以上：１の酸化ケイ素：ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
化学機械研磨組成物が、２００ｍｍ研磨装置において、９３回転／分のプラテン速度、８７回転／分のキャリア速度、２００ｍｌ／分の化学機械研磨組成物流速、３ｐｓｉの名目ダウンフォースで、５００Å／分以上の酸化ケイ素除去速度を示し；及び、ポリウレタン含浸不織サブパッドおよびポリマー中空コア微小粒子を含むポリウレタン研磨層を化学機械研磨パッドが含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ポリシリコンが非晶質ポリシリコンであり、並びに化学機械研磨組成物が５以上：１の酸化ケイ素：非晶質ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ポリシリコンが結晶質ポリシリコンであり、並びに化学機械研磨組成物が１０以上：１の酸化ケイ素：結晶質ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
基体が窒化ケイ素の存在と共にポリシリコンを含み、並びに化学機械研磨組成物が５以上：１の窒化ケイ素：ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
化学機械研磨組成物が、２００ｍｍ研磨装置において、９３回転／分のプラテン速度、８７回転／分のキャリア速度、２００ｍｌ／分の化学機械研磨組成物流速、３ｐｓｉの名目ダウンフォースで、５００Å／分以上の窒化ケイ素除去速度を示し；及び、ポリウレタン含浸不織サブパッドおよびポリマー中空コア微小粒子を含むポリウレタン研磨層を化学機械研磨パッドが含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ポリシリコンが非晶質ポリシリコンであり、並びに化学機械研磨組成物が５以上：１の窒化ケイ素：非晶質ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ポリシリコンが結晶質ポリシリコンであり、並びに化学機械研磨組成物が１０以上：１の窒化ケイ素：結晶質ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
化学機械研磨組成物は、当初成分として、水、０．１〜４０重量％の研磨剤、０．０１〜１重量％のアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物、及び、任意的にｐＨ調節剤を含み、研磨剤はコロイダルシリカ研磨剤である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
基体が酸化ケイ素の存在と共にポリシリコンを含み、並びに化学機械研磨組成物が５以上：１の酸化ケイ素：ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
化学機械研磨組成物が、２００ｍｍ研磨装置において、９３回転／分のプラテン速度、８７回転／分のキャリア速度、２００ｍｌ／分の化学機械研磨組成物流速、３ｐｓｉの名目ダウンフォースで、５００Å／分以上の酸化ケイ素除去速度を示し；及び、ポリウレタン含浸不織サブパッドおよびポリマー中空コア微小粒子を含むポリウレタン研磨層を化学機械研磨パッドが含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ポリシリコンが非晶質ポリシリコンであり、並びに化学機械研磨組成物が５以上：１の酸化ケイ素：非晶質ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ポリシリコンが結晶質ポリシリコンであり、並びに化学機械研磨組成物が１０以上：１の酸化ケイ素：結晶質ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
基体が窒化ケイ素の存在と共にポリシリコンを含み、並びに化学機械研磨組成物が５以上：１の窒化ケイ素：ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
化学機械研磨組成物が、２００ｍｍ研磨装置において、９３回転／分のプラテン速度、８７回転／分のキャリア速度、２００ｍｌ／分の化学機械研磨組成物流速、３ｐｓｉの名目ダウンフォースで、５００Å／分以上の窒化ケイ素除去速度を示し；及び、ポリウレタン含浸不織サブパッドおよびポリマー中空コア微小粒子を含むポリウレタン研磨層を化学機械研磨パッドが含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
ポリシリコンが非晶質ポリシリコンであり、並びに化学機械研磨組成物が５以上：１の窒化ケイ素：非晶質ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ポリシリコンが結晶質ポリシリコンであり、並びに化学機械研磨組成物が１０以上：１の窒化ケイ素：結晶質ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月8日(2014.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】微結晶半導体膜の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを含む気体及び水素を混合し、高周波電力を印加して、基板上に第１の微結晶半導体膜を形成し、
前記第１の微結晶半導体膜を平坦化する処理をし、
前記平坦化された第１の微結晶半導体膜の表層を除去する処理をし、
シリコンを含む気体及び水素を混合し、高周波電力を印加して、前記表層が除去された第１の微結晶半導体膜上に第２の微結晶半導体膜を形成することを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項２】
シリコンを含む気体及び水素を混合し、高周波電力を印加して、基板上に第１の微結晶半導体膜を形成し、
前記第１の微結晶半導体膜を、希ガス雰囲気で高周波電力を印加して発生させたプラズマに曝し、前記第１の微結晶半導体膜を平坦化し、
前記希ガス雰囲気で高周波電力を印加して発生させたプラズマに曝された前記第１の微結晶半導体膜を、水素を含む雰囲気で高周波電力を印加して発生させたプラズマに曝し、前記平坦化で非晶質化した部分を除去し、
シリコンを含む気体及び水素を混合し、高周波電力を印加して、前記第１の微結晶半導体膜上に第２の微結晶半導体膜を形成することを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項３】
シリコンを含む気体及び水素を混合し、高周波電力を印加して、基板上に第１の微結晶半導体膜を形成し、
希ガス雰囲気で高周波電力を印加して発生させたプラズマに前記第１の微結晶半導体膜を曝して、平坦化した表面側に非晶質半導体領域を有する第２の微結晶半導体膜を形成し、
水素を含む雰囲気で高周波電力を印加して発生させたプラズマに前記第２の微結晶半導体膜を曝して、前記第２の微結晶半導体膜の前記非晶質半導体領域を除去して、第３の微結晶半導体膜を形成し、
シリコンを含む気体及び水素を混合し、高周波電力を印加して、前記第３の微結晶半導体膜上に第４の微結晶半導体膜を形成することを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月14日(2014.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に褐色の酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に加熱処理を行うことで前記酸化物半導体膜を透明にすることを特徴とする半導体膜の作製方法。
【請求項２】
基板上に、アルゴン１００％の雰囲気でスパッタにより褐色の酸化物半導体膜を形成し、
酸素を有する雰囲気で前記酸化物半導体膜を加熱することで結晶化した透明の酸化物半導体膜を形成することを特徴とする半導体膜の作製方法。
【請求項３】
基板上に、酸素を含まない雰囲気でスパッタにより褐色の酸化物半導体膜を形成し、
酸素を有する雰囲気で前記酸化物半導体膜を加熱することで結晶化した透明の酸化物半導体膜を形成することを特徴とする半導体膜の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜は前記基板面に対して垂直方向に、ｃ軸が配向していることを特徴とする半導体膜の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜のキャリア密度は１×１０１４／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体膜の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月18日(2014.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に半導体材料ガスを導入し、
前記処理室内で基板上に半導体膜を形成し、
前記処理室内の前記半導体材料ガスを排気し、
前記処理室内に希ガスのみを導入し、
前記処理室内で前記半導体膜にプラズマ処理を行い、
前記半導体膜の形成及び前記プラズマ処理は、前記処理室内の圧力及び温度を変化させずに行い、前記処理室内のガス種のみが異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
処理室内に半導体材料ガスを導入し、
前記処理室内で基板上に半導体膜を形成し、
前記処理室内の前記半導体材料ガスを排気し、
前記処理室内に希ガス及び水素ガスを導入し、
前記処理室内で前記半導体膜にプラズマ処理を行い、
前記半導体膜の形成及び前記プラズマ処理は、前記処理室内の圧力及び温度を変化させずに行い、前記処理室内のガス種のみが異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記希ガスは、アルゴンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月23日(2014.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体層と、前記圧電体層に設けられた電極とを具備する圧電素子を備えた液体噴射ヘッドであって、
前記圧電体層は、ペロブスカイト構造を有する鉄酸マンガン酸ビスマスを主成分とするペロブスカイト型化合物及びＳｉＯ２を含む圧電材料からなることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項２】
前記ペロブスカイト型化合物は、チタン酸バリウムをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載する液体噴射ヘッド。
【請求項３】
前記ペロブスカイト型化合物は６０モル％以上の鉄酸マンガン酸ビスマスを含み、前記圧電体層は前記ペロブスカイト型化合物に対して０．５モル％以上５モル％以下のＳｉＯ２を含むことを特徴とする請求項１または２に記載する液体噴射ヘッド。
【請求項４】
請求項３に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【請求項５】
圧電体層と、前記圧電体層に設けられた電極とを具備する圧電素子であって、
前記圧電体層は、ペロブスカイト構造を有する鉄酸マンガン酸ビスマスを主成分とするペロブスカイト型化合物及びＳｉＯ２を含む圧電材料からなることを特徴とする圧電素子。
【請求項６】
請求項５に記載の圧電素子を具備することを特徴とする超音波センサー。
【請求項７】
請求項５に記載の圧電素子を具備することを特徴とする赤外センサー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波センサー及び赤外センサー
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月23日(2014.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体層と、前記圧電体層に設けられた電極とを具備する圧電素子を備えた液体噴射ヘッドであって、
前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマス及びチタン酸バリウムを含むペロブスカイト型化合物を含有する圧電材料からなり、
（１１０）面に優先配向し、且つ、この（１１０）面に由来するＸ線の回折ピーク位置（２θ）が３１．８０°以上３２．００°以下であることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項２】
前記圧電体層は、ＳｉＯ２をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載する液体噴射ヘッド。
【請求項３】
前記圧電体層は前記ペロブスカイト型化合物に対して０．５モル％以上５モル％以下のＳｉＯ２を含むことを特徴とする請求項２に記載する液体噴射ヘッド。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【請求項５】
圧電体層と、前記圧電体層に設けられた電極とを具備する圧電素子であって、
前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマス及びチタン酸バリウムを含むペロブスカイト型化合物を含有する圧電材料からなり、
（１１０）面に優先配向し、且つ、この（１１０）面に由来するＸ線の回折ピーク位置（２θ）が３１．８０°以上３２．００°以下であることを特徴とする圧電素子。
【請求項６】
請求項５に記載の圧電素子を具備することを特徴とする超音波センサー。
【請求項７】
請求項５に記載の圧電素子を具備することを特徴とする赤外センサー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波センサー及び赤外センサー
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月23日(2014.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｂｉ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｂａ及びＴｉを含有する金属化合物を含む前駆体溶液により圧電体前駆体膜を形成する工程と、前記圧電体前駆体膜を加熱して結晶化することにより（１１０）面に優先配向した圧電体膜を得る工程とを有することを特徴とする圧電体膜の製造方法。
【請求項２】
前記前駆体溶液は、オクチル酸鉄を含むことを特徴とする請求項１に記載する圧電体膜の製造方法。
【請求項３】
（１１１）面に配向している白金膜上に、前記圧電体前駆体膜を形成することを特徴とする請求項１または２に記載する圧電体膜の製造方法。
【請求項４】
前記圧電体膜は、自然配向した膜であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載する圧電体膜の製造方法。
【請求項５】
前記前駆体溶液は、ＳｉＯ２をさらに含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載する圧電体膜の製造方法。
【請求項６】
前記圧電体膜は、鉄酸マンガン酸ビスマス及びチタン酸バリウムを含むペロブスカイト型化合物を含有する圧電材料からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載する圧電体膜の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載する圧電体膜の製造方法により形成された圧電体膜と、前記圧電体膜に電圧を印加する電極とを有することを特徴とする圧電素子。
【請求項８】
請求項７に記載する圧電素子を具備することを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項９】
請求項８に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【請求項１０】
請求項７に記載の圧電素子を具備することを特徴とする超音波センサー。
【請求項１１】
請求項７に記載の圧電素子を具備することを特徴とする赤外センサー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波センサー及び赤外センサー
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月23日(2014.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体層と、前記圧電体層に設けられた電極とを具備する圧電素子を備えた液体噴射ヘッドであって、
前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマス及びチタン酸バリウムを含むペロブスカイト型化合物を含有する圧電材料からなり、
（１１０）面に優先配向していることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項２】
前記電極は（１１１）面に配向している白金膜を含み、前記圧電体層はこの白金膜上に形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載する液体噴射ヘッド。
【請求項３】
前記圧電体層は、自然配向した膜であることを特徴とする請求項１または２に記載する液体噴射ヘッド。
【請求項４】
前記圧電体層は、ＳｉＯ２をさらに含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載する液体噴射ヘッド。
【請求項５】
前記圧電体層は、前記ペロブスカイト型化合物に対して０．５モル％以上５モル％以下のＳｉＯ２を含むことを特徴とする請求項４に記載する液体噴射ヘッド。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【請求項７】
圧電体層と、前記圧電体層に設けられた電極とを具備する圧電素子であって、
前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマス及びチタン酸バリウムを含むペロブスカイト型化合物を含有する圧電材料からなり、
（１１０）面に優先配向していることを特徴とする圧電素子。
【請求項８】
請求項７に記載の圧電素子を具備することを特徴とする超音波センサー。
【請求項９】
請求項７に記載の圧電素子を具備することを特徴とする赤外センサー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波センサー及び赤外センサー
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月3日(2014.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
風車のための発電機を含む電気機械変換器のためのステータ集合体において、
ベース構造体（１１１）と、
コイルホルダ（１０９）と、
コイルホルダに取り付けられたコイル（１１５）と、
ベース構造体をコイルホルダに互いに対して柔軟に結合する柔軟部材（１１３）とが設けられていることを特徴とする、電気機械変換器のためのステータ集合体。
【請求項２】
前記柔軟部材が、第１の方向（１０１）でのベース構造体に対するコイルホルダの移動を許容するように構成されている、請求項１記載のステータ集合体。
【請求項３】
前記柔軟部材が、第１の方向と異なる第２の方向（１１４）でのベース構造体に対するコイルホルダの移動を許容するように構成されている、請求項１又は２記載のステータ集合体。
【請求項４】
前記柔軟部材が、ばねを含む、請求項１から３までのいずれか１項記載のステータ集合体。
【請求項５】
前記コイルホルダ（１０９）に取り付けられた別のコイル（１１７）が設けられている、請求項１から４までのいずれか１項記載のステータ集合体。
【請求項６】
付加的なコイルホルダ（１０７）が設けられており、該付加的なコイルホルダに、付加的なコイル（１３１）と、別の付加的なコイル（１３１）とが取り付けられており、
コイルホルダ（１０９）と付加的なコイルホルダ（１０７）とを互いに対して柔軟に結合するコイルホルダ結合柔軟部材（１３７）が設けられている、請求項１から５までのいずれか１項記載のステータ集合体。
【請求項７】
風車のための発電機を含む電気機械変換器において、
請求項１から６までのいずれか１項記載のステータ集合体（１０３）と、
軸線方向（１０１）を中心にしてベース構造体に対して回転可能なロータ集合体（１０５）とが設けられていることを特徴とする、電気機械変換器。
【請求項８】
前記ロータ集合体が、磁石として働く磁石エレメント（１２３）を有しており、該磁石エレメントが、コイル（１１５）と向き合ってロータ集合体に取り付けられている、請求項７記載の電気機械変換器。
【請求項９】
前記コイルが、軸線方向でみて磁石エレメントから離間させられている、請求項７又は８記載の電気機械変換器。
【請求項１０】
ロータ集合体（４０５）に配置されたロータ摺動面（４４１，４４６）と、
コイルホルダ（４０９）に配置されたコイルホルダ摺動面（４４３，４４７）とが設けられており、
ロータ摺動面とコイルホルダ摺動面とが、ロータ集合体が回転する際に、コイルと磁石エレメントとの間の間隙（４２７）の寸法（ｄ）が維持されるように、互いに対して摺動するようになっている、請求項７から９までのいずれか１項記載の電気機械変換器。
【請求項１１】
ロータ集合体が、軸線方向に延びた突出部（４４０，４４５）を有しており、ロータ摺動面が、前記突出部の端部に配置されている、請求項７から１０までのいずれか１項記載の電気機械変換器。
【請求項１２】
前記ロータ摺動面が、軸線方向に対して垂直な半径方向（４１４）でみて磁石エレメントから離間させられている、請求項１０又は１１記載の電気機械変換器。
【請求項１３】
前記コイルホルダ摺動面が、半径方向（４１４）でみてコイルから離間させられている、請求項１０から１２までのいずれか１項記載の電気機械変換器。
【請求項１４】
前記ロータ摺動面及び前記コイルホルダ摺動面の少なくともいずれかが、柔軟な材料（４４８）を含んでいる、請求項１０から１３までのいずれか１項記載の電気機械変換器。
【請求項１５】
発電機としての請求項７から１４までのいずれか１項記載の電気機械変換器を含む風車。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月13日(2014.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び無線通信装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
整流回路を有し、
前記整流回路は、
トランジスタと、入力端子と、キャパシタと、出力端子と、を有し、
前記入力端子に、前記トランジスタのゲートと前記トランジスタのソース又はドレインの一方とが電気的に接続され、
前記出力端子に、前記トランジスタのソース又はドレインの他方と前記キャパシタの電極の一方とが電気的に接続され、
前記トランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記酸化物半導体中のキャリア密度が１×１０１４／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記トランジスタは、
室温において、ソース−ドレイン電圧が３．１［Ｖ］のときにオフ電流が１０［ｚＡ／μｍ］以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
整流回路を有し、
前記整流回路は、
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、入力端子と、第１のキャパシタと、第２のキャパシタと、出力端子と、を有し、
前記入力端子に、前記第１のキャパシタの第１の電極が電気的に接続され、
前記第１のキャパシタの第２の電極に、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と前記第１のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方とが電気的に接続され、
前記出力端子に、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と前記第２のキャパシタの第１の電極とが電気的に接続され、
前記第２のキャパシタの第２の電極に、前記第２のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方とが電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとは、酸化物半導体を有し、
前記酸化物半導体中のキャリア密度が１×１０１４／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとは、
室温において、ソース−ドレイン電圧が３．１［Ｖ］のときにオフ電流が１０［ｚＡ／μｍ］以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
アンテナと、
整流回路と、を有し、
前記整流回路は、
トランジスタと、入力端子と、キャパシタと、出力端子と、を有し、
前記入力端子に、前記トランジスタのゲートと前記トランジスタのソース又はドレインの一方とが電気的に接続され、
前記出力端子に、前記トランジスタのソース又はドレインの他方と前記キャパシタの電極の一方とが電気的に接続され、
前記トランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記酸化物半導体中のキャリア密度が１×１０１４／ｃｍ３未満であり、
前記アンテナが受信した交流信号が前記入力端子に入力されることを特徴とする無線通信装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記トランジスタは、
室温において、ソース−ドレイン電圧が３．１［Ｖ］のときにオフ電流が１０［ｚＡ／μｍ］以下であることを特徴とする無線通信装置。
【請求項７】
アンテナと、
整流回路と、を有し、
前記整流回路は、
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、入力端子と、第１のキャパシタと、第２のキャパシタと、出力端子と、を有し、
前記入力端子に、前記第１のキャパシタの第１の電極が電気的に接続され、
前記第１のキャパシタの第２の電極に、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と前記第１のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方とが電気的に接続され、
前記出力端子に、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と前記第２のキャパシタの第１の電極とが電気的に接続され、
前記第２のキャパシタの第２の電極に、前記第２のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方とが電気的に接続され、
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとは、酸化物半導体を有し、
前記酸化物半導体中のキャリア密度が１×１０１４／ｃｍ３未満であり、
前記アンテナが受信した交流信号が前記入力端子に入力されることを特徴とする無線通信装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとは、
室温において、ソース−ドレイン電圧が３．１［Ｖ］のときにオフ電流が１０［ｚＡ／μｍ］以下であることを特徴とする無線通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月8日(2014.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】パルス信号出力回路
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第９のトランジスタと、第１の入力信号生成回路と、第２の入力信号生成回路と、を有し、
前記第１のトランジスタの第２の端子と、前記第２のトランジスタの第１の端子とは第１の出力端子と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタの第２の端子と、前記第４のトランジスタの第１の端子とは第２の出力端子と電気的に接続され、
前記第１の入力信号生成回路は、第５のトランジスタと、第６のトランジスタとを有し、
前記第５のトランジスタの第２の端子と、前記第６のトランジスタの第１の端子とは、電気的に接続され前記第１の入力信号生成回路の出力端子として機能し、
前記第２の入力信号生成回路は、第７乃至第９のトランジスタを有し、
前記第７のトランジスタの第２の端子と、前記第８のトランジスタの第２の端子と、前記第９のトランジスタの第１の端子とは電気的に接続されて前記第２の入力信号生成回路の出力端子として機能し、
前記第１のトランジスタのゲート端子と、前記第３のトランジスタのゲート端子と、前記第１の入力信号生成回路の出力端子と、は電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲート端子と、前記第４のトランジスタのゲート端子と、前記第２の入力信号生成回路の出力端子と、は電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのチャネル長は、前記第３のトランジスタのチャネル長及び前記第４のトランジスタのチャネル長よりも大きく、
前記第９のトランジスタのチャネル長は、前記第３のトランジスタのチャネル長及び前記第４のトランジスタのチャネル長よりも大きいパルス信号出力回路。
【請求項２】
前記第１のトランジスタの第２の端子と、前記第３のトランジスタの第２の端子には、第１のクロック信号が入力され、
前記第２のトランジスタの第２の端子と、前記第４のトランジスタの第２の端子と、前記第６のトランジスタの第２の端子と、前記第９のトランジスタの第２の端子には、第１の電位が与えられ、
前記第５のトランジスタの第２の端子と、前記第７のトランジスタの第１の端子と、前記第８のトランジスタの第１の端子には、前記第１の電位より高い第２の電位が与えられ、
前記第５のトランジスタのゲート端子と、前記第９のトランジスタのゲート端子には第１のパルス信号が入力され、
前記第６のトランジスタのゲート端子には前記第２の入力信号生成回路の出力信号が入力され、
前記第７のトランジスタのゲート端子には第２のクロック信号が入力され、
前記第８のトランジスタのゲート端子には第２のパルス信号が入力され、
前記第１の出力端子または前記第２の出力端子から、第３のパルス信号を出力する請求項１に記載のパルス信号出力回路。
【請求項３】
前記第６のトランジスタまたは前記第９のトランジスタの少なくとも一が、直列配置された少なくとも２つのゲートを有するマルチゲート型のトランジスタである請求項１または２に記載のパルス信号出力回路。
【請求項４】
第１乃至第１１のトランジスタと、第１の入力信号生成回路と、第２の入力信号生成回路と、を有し、
前記第１のトランジスタの第２の端子と、前記第２のトランジスタの第１の端子とは第１の出力端子と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタの第２の端子と、前記第４のトランジスタの第１の端子とは第２の出力端子と電気的に接続され、
前記第１の入力信号生成回路は、第５のトランジスタ乃至第７のトランジスタを有し、
前記第５のトランジスタの第２の端子と、前記第６のトランジスタの第１の端子と、前記第７のトランジスタの第１の端子と、は電気的に接続され、
前記第７のトランジスタの第２の端子は、前記第１の入力信号生成回路の出力端子として機能し、
前記第２の入力信号生成回路は、第８乃至第１１のトランジスタを有し、
前記第１１のトランジスタの第１の端子と、前記第９のトランジスタの第１の端子とは電気的に接続され、
前記第９のトランジスタの第２の端子と、前記第８のトランジスタの第２の端子と、前記第１０のトランジスタの第１の端子とは電気的に接続されて前記第２の入力信号生成回路の出力端子として機能し、
前記第１のトランジスタのゲート端子と、前記第３のトランジスタのゲート端子と、前記第１の入力信号生成回路の出力端子と、は電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲート端子と、前記第４のトランジスタのゲート端子と、前記第２の入力信号生成回路の出力端子と、は電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのチャネル長は、前記第３のトランジスタのチャネル長及び前記第４のトランジスタのチャネル長よりも大きく、
前記第１０のトランジスタのチャネル長は、前記第３のトランジスタのチャネル長及び前記第４のトランジスタのチャネル長よりも大きいパルス信号出力回路。
【請求項５】
前記第１のトランジスタの第１の端子と、前記第３のトランジスタの第１の端子には、第１のクロック信号が入力され、
前記第２のトランジスタの第２の端子と、前記第４のトランジスタの第２の端子と、前記第６のトランジスタの第２の端子と、前記第１０のトランジスタの第２の端子には、第１の電位が与えられ、
前記第５のトランジスタの第１の端子と、前記第７のトランジスタのゲート端子と、前記第８のトランジスタの第１の端子と、前記第１１のトランジスタの第１の端子には、前記第１の電位より高い第２の電位が与えられ、
前記第５のトランジスタのゲート端子と、前記第１０のトランジスタのゲート端子には第１のパルス信号が入力され、
前記第６のトランジスタのゲート端子には前記第２の入力信号生成回路の出力信号が入力され、
前記第８のトランジスタのゲート端子には第２のパルス信号が入力され、
前記第９のトランジスタのゲート端子には第２のクロック信号が入力され、
前記第１１のトランジスタのゲート端子には前記第３のクロック信号が入力され、
前記第１の出力端子または前記第２の出力端子から、第３のパルス信号を出力する請求項４に記載のパルス信号出力回路。
【請求項６】
前記第６のトランジスタまたは前記第１０のトランジスタの少なくとも一が、直列配置された少なくとも２つのゲートを有するマルチゲート型のトランジスタである請求項４または５に記載のパルス信号出力回路。
【請求項７】
一方の端子が、前記第２のトランジスタのゲート端子と、前記第４のトランジスタのゲート端子と、前記第２の入力信号生成回路の出力端子と、が電気的に接続されたノードに電気的に接続した容量素子をさらに有する請求項１乃至６に記載のパルス信号出力回路。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年7月17日(2014.7.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
図１に、本開示の少なくともいくつかの例による電気泳動を利用した基板上へ材料を電着するシステム１０を示す。図示のように、システム１０は、材料を支持するための基板１２、ゲル１４、ソース要素１６、導電層１８を含むことができる。本システムは第１の電極（対極とも称することがある）と第２の電極（基準電極とも称することがある）を含むことができる。いくつかの例では、導電層１８は第１の電極として動作し基板１２は第２の電極として動作することができる。いくつかの例では、ソース要素１６と導電層１８は一つの層部材として提供することができる。本システムはさらに、電界が第１の電極と第２の電極との間に発生されゲルとソース要素全体に印加されるように電力を電極に供給するように構成された電源または発振器２０を含むことができる。発振器２０は、電線２２を介し第１の電極（いくつかの例では導電層１８）に電気的に接続されてよい。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
前記ソース要素と前記導電層は一つの層で構成されており、これにより、該ソース要素が該導電層を兼ねる、請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月8日(2014.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補正対象となる補正画素の副走査方向のずらし量の指定を受け付ける受付部と、
指定を受け付けた前記ずらし量に応じた算出式に基づいて、前記補正画素の位置を決定する位置決定処理を行う位置決定部と、
入力画像データの決定された前記位置に前記補正画素を追加または削除することにより前記入力画像データを変倍する変倍部と、
を備える画像形成装置。
【請求項２】
前記位置決定部は、前記ずらし量に応じて前記補正画素が並ぶ方向が変化するように前記補正画素の位置を算出する算出式に基づいて、前記位置決定処理を行うこと、
を特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記受付部は、特定値以上の値である前記ずらし量、または、前記特定値より小さい値である前記ずらし量の指定を受け付け、
前記位置決定部は、前記ずらし量が前記特定値以上の値である場合と、前記ずらし量が前記特定値より小さい値である場合と、で異なる算出式に基づいて前記位置決定処理を行うこと、
を特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記位置決定部は、前記補正画素の位置を表す座標（ｐ、Ｙ）のＹを、Ｂ≧０である場合は式（１）〜（３）により算出し、
Ｂ＜０である場合は、式（４）〜（６）により算出すること、
を特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
ｔ１＝Ｂ×｛（ｐ＋Ｚ）％Ｓ｝・・・（１）
ｔ２＝ｉｎｔ（Ｙ／ｒａｔｅ）×ｒａｔｅ・・・（２）
Ｙ＝ｔ１＋ｔ２・・・（３）
ｔ１＝ｒａｔｅ＋Ｂ×｛（ｐ＋Ｚ）％Ｓ｝・・・（４）
ｔ２＝ｉｎｔ（Ｙ／ｒａｔｅ）×ｒａｔｅ・・・（５）
Ｙ＝ｔ１＋ｔ２・・・（６）
ここで、Ｚは、任意の整数、Ｓは主走査処理周期、Ｂは前記ずらし量、ｒａｔｅ＝（Ｓ×Ｂ）。
【請求項５】
前記受付部は、変倍率で割り切れない値である前記ずらし量と、副走査方向のオフセット値と、の指定を受け付け、
前記位置決定部は、前記変倍率で割り切れない値である前記ずらし量と、前記オフセット値と、を用いた算出式に基づいて前記位置決定処理を行うこと、
を特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記位置決定部は、前記補正画素の位置を表す座標（ｐ、Ｙ）のＹを、式（７）〜（９ ）により算出すること、
を特徴とする請求項５に記載の画像形成装置。
ｔ１＝ｏｆｆｓｅｔ＋（Ｂ×ｐ）％ｒａｔｅ・・・（７）
ｔ２＝ｉｎｔ（Ｙ／ｒａｔｅ）×ｒａｔｅ・・・（８）
Ｙ＝ｔ１＋ｔ２・・・（９）
ここで、Ｓは主走査処理周期、Ｂは前記ずらし量、ｒａｔｅ＝（Ｓ×Ｂ）、ｏｆｆｓｅｔは固定値。
【請求項７】
前記ずらし量の設定値を所定のデータに対応付けた設定値テーブルを記憶する記憶部、
を備え、
前記受付部は、前記設定値テーブルから前記データの値に対応するずらし量を受け付けること、
を特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記所定のデータは、ディザスクリーン角であること、
を特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記受付部は、前記設定値テーブルに対応付けられた前記設定値を変更する指定を受け付け、受け付けた前記指定を前記位置テーブルに保存し、
前記変倍部は、変更後の前記設定値テーブルに基づいて変倍すること、
を特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
補正対象となる補正画素の副走査方向のずらし量の指定を受け付ける受付ステップと、
指定を受け付けた前記ずらし量に応じた算出式に基づいて、前記補正画素の位置を決定する位置決定処理を行う位置決定ステップと、
入力画像データの決定された前記位置に前記補正画素を追加または削除することにより前記入力画像データを変倍する変倍ステップと、
を含む画像形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体アクセス制御（ＭＡＣ）リソースを管理する方法であって、
無線ネットワーク制御装置（ＲＮＣ）において、１つまたは複数の共通拡張専用チャネル（Ｅ−ＤＣＨ）リソースの各共通Ｅ−ＤＣＨリソースに対するＭＡＣエンティティを構成するステップであって、前記１つまたは複数の共通Ｅ−ＤＣＨリソースの各共通Ｅ−ＤＣＨリソースは、セルフォワードアクセスチャネル（ＣＥＬＬ＿ＦＡＣＨ）状態またはアイドルモードの少なくとも１つにおいて、共通制御チャネル（ＣＣＣＨ）送信に対する共通Ｅ−ＤＣＨを使用する複数の無線送信／受信ユニット（ＷＴＲＵ）への通信に対して利用可能である、ステップと、
前記１つまたは複数の共通Ｅ−ＤＣＨリソースの各共通Ｅ−ＤＣＨリソースを識別する信号を、ノードＢに送るステップであって、前記ノードＢは、前記信号に応答して、シグナリングされた共通Ｅ−ＤＣＨリソースごとに別のＭＡＣエンティティを構成する、ステップと
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ＲＮＣは、コントローリングＲＮＣ（ＣＲＮＣ）およびサービングＲＮＣ（ＳＲＮＣ）を含み、ならびに、ＣＣＣＨトラフィックは、前記ＳＲＮＣへの転送がなく、前記ＣＲＮＣにおいて終端されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ＣＥＬＬ＿ＦＡＣＨ状態において共通Ｅ−ＤＣＨを使用する前記複数のＷＴＲＵの少なくとも１つに対し、前記ＳＲＮＣにおいて、専用トラフィック制御（ＤＴＣＨ）または専用制御チャネル（ＤＣＣＨ）送信に対してＭＡＣエンティティを構成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＭＡＣエンティティおよび前記別のＭＡＣエンティティは、同時に１つのＷＴＲＵと関連付けられた共通エンティティとして実行することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＭＡＣエンティティは、共通チャネルに対して構成され、および、コントローリングＲＮＣにおいて終端されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
無線ネットワーク制御装置（ＲＮＣ）であって、
１つまたは複数の共通拡張専用チャネル（Ｅ−ＤＣＨ）リソースの各共通Ｅ−ＤＣＨリソースに対するＭＡＣエンティティをセットアップするように構成されたプロセッサであって、前記１つまたは複数の共通Ｅ−ＤＣＨリソースの各共通Ｅ−ＤＣＨリソースは、セルフォワードアクセスチャネル（ＣＥＬＬ＿ＦＡＣＨ）状態またはアイドルモードの少なくとも１つにおいて、共通制御チャネル（ＣＣＣＨ）送信に対する共通Ｅ−ＤＣＨを使用する複数の無線送信／受信ユニット（ＷＴＲＵ）への通信に対して利用可能である、プロセッサと、
前記１つまたは複数の共通Ｅ−ＤＣＨリソースの各共通Ｅ−ＤＣＨリソースを識別する信号を、ノードＢへの送信に対して送るように構成されたプロセッサあって、前記ノードＢは、前記信号に応答して、シグナリングされた共通Ｅ−ＤＣＨリソースごとに別のＭＡＣエンティティを構成する、プロセッサと
を備えたことを特徴とするＲＮＣ。
【請求項７】
共通制御チャネル（ＣＣＣＨ）を介してデータを受信するように構成された受信機と、
前記データを、ＷＴＲＵに関連付けられた前記ＭＡＣエンティティに転送するように構成された送信機と
を備え、
前記プロセッサは、前記データが前記ＣＣＣＨを介して受信されたことを検出し、および、前記ＷＴＲＵに関連付けられた前記ＭＡＣエンティティを判定するようにさらに構成されていることを特徴とする請求項６に記載のＲＮＣ。
【請求項８】
前記ＲＮＣは、コントローリングＲＮＣ（ＣＲＮＣ）およびサービングＲＮＣ（ＳＲＮＣ）を含み、ならびに、ＣＣＣＨトラフィックは、サービング無線ネットワーク制御装置（ＳＲＮＣ）への転送がなく、前記ＣＲＮＣにおいて終端されることを特徴とする請求項６に記載のＲＮＣ．
【請求項９】
前記ＭＡＣエンティティおよび前記別のＭＡＣエンティティは、同時に１つのＷＴＲＵと関連付けられた共通エンティティとして実行することを特徴とする請求項６に記載のＲＮＣ。
【請求項１０】
前記ＭＡＣエンティティは、共通チャネルに対して構成され、および、コントローリングＲＮＣにおいて終端されることを特徴とする請求項６に記載のＲＮＣ。
【請求項１１】
ノードＢであって、
１つまたは複数の共通Ｅ−ＤＣＨリソースの各共通Ｅ−ＤＣＨリソースを識別する信号を、無線ネットワーク制御装置（ＲＮＣ）から受信するように構成された受信機であって、１つまたは複数のＥ−ＤＣＨリソースの各共通Ｅ−ＤＣＨリソースは、セルフォワードアクセスチャネル（ＣＥＬＬ＿ＦＡＣＨ）状態またはアイドルモードの少なくとも１つにおいて、共通制御チャネル（ＣＣＣＨ）送信に対する共通Ｅ−ＤＣＨを使用する複数の無線送信／受信ユニット（ＷＴＲＵ）への通信に対して利用可能である、受信機と、
前記信号に応答して、シグナリングされた共通Ｅ−ＤＣＨリソースごとにＭＡＣエンティティを構成するように構成されたプロセッサと
を備えたことを特徴とするノードＢ。
【請求項１２】
前記ＭＡＣエンティティおよび別のＭＡＣエンティティは、同時に１つのＷＴＲＵと関連付けられた共通エンティティとして実行するように前記ＲＮＣにおいて構成されていることを特徴とする請求項１１に記載のノードＢ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月26日(2013.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルデヒド基を２個以上有する電荷輸送性化合物と有機遷移金属錯体との反応生成物であり、前記電荷輸送性化合物はアリールアミン誘導体であり、前記有機遷移金属錯体が、クロム、レニウム、鉄、コバルト、白金、亜鉛、及びバナジウムよりなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む、電荷輸送性有機層形成用材料。
【請求項２】
少なくともアルデヒド基を２個以上有する電荷輸送性化合物と有機遷移金属錯体と有機溶媒とを含有する電荷輸送性有機層形成用インクを調製する工程と、
前記少なくともアルデヒド基を２個以上有する電荷輸送性化合物と前記有機遷移金属錯体とを加熱又は光照射により反応させて、アルデヒド基を２個以上有する電荷輸送性化合物と有機遷移金属錯体との反応生成物を調製する工程を有し、
前記電荷輸送性化合物はアリールアミン誘導体であり、前記有機遷移金属錯体が、クロム、レニウム、鉄、コバルト、白金、亜鉛、及びバナジウムよりなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む、電荷輸送性有機層形成用材料の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の電荷輸送性有機層形成用材料を調製するのに用いられる、少なくともアルデヒド基を２個以上有する電荷輸送性化合物と有機遷移金属錯体と有機溶媒とを含有する電荷輸送性有機層形成用インク。
【請求項４】
前記アルデヒド基を２個以上有する電荷輸送性化合物とは異なる正孔輸送性高分子化合物を更に含有することを特徴とする、請求項３に記載の電荷輸送性有機層形成用インク。