(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることが可能な液晶装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】シール材４０を介して貼り合わされた素子基板１０及び対向基板と、素子基板１０及び対向基板のうち少なくとも一方の基板上に形成されたシランカップリング剤による表面処理が施された無機配向膜１８と、を備え、平面的にシール材４０と画素領域との間に、シランカップリング剤による表面処理が施されていない未処理領域７１を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シール材を介して貼り合わされた一対の基板と、
前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板上に形成されたシランカップリング剤による表面処理が施された無機配向膜と、
を備え、
前記シール材と表示領域との間に、前記シランカップリング剤による表面処理が施されていない未処理領域を有することを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に額縁遮光膜が設けられており、
前記未処理領域は、前記シール材と前記額縁遮光膜との間に設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の液晶装置であって、
前記シール材と重なる少なくとも一部の領域に前記シランカップリング剤による表面処理が施されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、例えば、無機配向膜が設けられた一対の基板間に、シール材を介して液晶が注入封止された構造となっている。このような液晶装置において、一対の基板間に不純物（例えば、水分など）が入り込むことによって、例えば、焼き付きが発生するなど表示特性が劣化する恐れがある。
【０００３】
そこで、基板上に設けられた無機配向膜にシランカップリング剤による表面処理を施すことによって、外部から一対の基板間に不純物が入り込むことを抑える技術が開示されている。また、特許文献１では、無機配向膜をシラン化合物によって表面処理すると共に、シール領域に表面処理を施さない部分を設けることにより、無機配向膜とシール材との密着性を向上させる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−９３６７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１の液晶表示装置は、外部から不純物が入ることが抑えられると共に、シール材と無機配向膜との密着性が向上するものの、注入された液晶に不純物が含まれていた場合には、不純物を除去することが難しく、表示特性の劣化（焼き付きや表示ムラなど）を抑えることが難しいという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、シール材を介して貼り合わされた一対の基板と、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板上に形成されたシランカップリング剤による表面処理が施された無機配向膜と、を備え、前記シール材と表示領域との間に、前記シランカップリング剤による表面処理が施されていない未処理領域を有することを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、無機配向膜上における平面的にシール材と表示領域との間に未処理領域を設けたので、液晶分子の動作によって液晶層に含まれる不純物（水分やイオン成分など）を、シランカップリング剤の表面処理が施されていない未処理領域に掻き集めることが可能となる。よって、未処理領域の無機配向膜が露出した部分（親水基領域）に不純物が集まるので、表示領域における焼き付きの発生を抑えることが可能となり、表示品質を向上させることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置において、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に額縁遮光膜が設けられており、前記未処理領域は、前記シール材と前記額縁遮光膜との間に設けられていることが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、シール材と額縁遮光膜との間に未処理領域を設けたので、未処理領域に不純物を集めることが可能となり、額縁遮光膜から内側の領域の焼き付きの発生を抑えることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置において、前記シール材と重なる少なくとも一部の領域に前記シランカップリング剤による表面処理が施されていることが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、シール材の下側に表面処理が施されていることにより、外部から不純物（水分など）が侵入することを抑えることができると共に、シール材と無機配向膜との密着性を向上させることができる。
【００１３】
［適用例４］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする。
【００１４】
この構成によれば、上記した液晶装置を備えているので、未処理領域に不純物を集めることが可能となり、表示品質を向上させることができる電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）は液晶装置の構造を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図２】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】（ａ）は液晶装置におけるシランカップリング剤処理が施される領域を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＡ−Ａ’断面に沿う模式断面図。
【図４】図３（ｂ）に示す液晶装置のＢ部を拡大して示す拡大断面図。
【図５】液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図６】従来の液晶装置と本実施形態の液晶装置とにおける焼き付きの度合いを比較するグラフ。
【図７】液晶装置を備えた電子機器（投射型表示装置）の構成を示す模式図。
【図８】変形例の液晶装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＣ−Ｃ’断面に沿う模式断面図。
【図９】変形例の液晶装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＤ−Ｄ’断面に沿う模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大又は縮小して表示している。
【００１７】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００１８】
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００１９】
＜液晶装置の構成＞
図１（ａ）は、液晶装置の構造を示す模式平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図２は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構造を、図１及び図２を参照しながら説明する。
【００２０】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０及び対向基板２０は、例えば、透明な石英基板、ガラス基板などが用いられている。
【００２１】
素子基板１０は、対向基板２０よりも一回り大きく形成されている。両基板１０，２０は、額縁状に配置されたシール材４０を介して接合されている。そして、その隙間に、負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０が構成されている。シール材４０は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２２】
額縁状に配置されたシール材４０の内側には、同じく額縁状に額縁遮光膜２１が設けられている。額縁遮光膜２１は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、対向基板２０側に設けられている。そして、額縁遮光膜２１の内側が画素領域Ｅとなっている。画素領域Ｅには、マトリックス状に画素Ｐが複数配置されている。なお、図１では図示省略したが、画素領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部が設けられている。
【００２３】
素子基板１０の１辺部には、１辺部に沿ったシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４０の内側に検査回路１０３が設けられている。更に、該１辺部と交差し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４０の内側には、走査線駆動回路１０２が設けられている。
【００２４】
１辺部と対向する他の１辺部のシール材４０の内側には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線１０５は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子１０４に接続されている。以降、１辺部に沿った方向をＸ方向とし、１辺部と交差し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００２５】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極１５及びスイッチング素子としてのＴＦＴ３０と、信号配線と、これらを覆う第１無機配向膜１８とが形成されている。また、素子基板１０の表面には、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射して光リーク電流が流れ、不適切なスイッチング動作となることを防ぐ遮光構造が採用されている。
【００２６】
対向基板２０の液晶層５０側の表面には、額縁遮光膜２１と、これを覆うように成膜された層間膜２２と、層間膜２２を覆うように設けられた光透過性を有する共通電極２３と、共通電極２３を覆う第２無機配向膜２４とが設けられている。
【００２７】
額縁遮光膜２１は、図１（ａ）に示すように、平面的にデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置において額縁状に設けられている。これにより、対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００２８】
層間膜２２は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して額縁遮光膜２１を覆うように設けられている。このような層間膜２２の形成方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００２９】
共通電極２３は、例えば、ＩＴＯなどの透明導電膜からなり、層間膜２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように、対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線１０５に電気的に接続されている。
【００３０】
画素電極１５を覆う第１無機配向膜１８及び共通電極２３を覆う第２無機配向膜２４は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などからなる無機配向膜によって構成されている。本実施形態では、負の誘電異方性を有する液晶分子が配向膜面に対してプレチルトを与えられて垂直配向するように、所定の方向に配向処理が施されたものである。
【００３１】
また、本実施形態では、画素領域Ｅは実効的な表示がなされる表示領域と、表示領域を囲む周辺領域とを含むものである。周辺領域に配置された画素Ｐはダミー画素として扱われている。
【００３２】
図２に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて交差する複数の走査線３ａ及び複数のデータ線６ａと、データ線６ａに対して一定の間隔をおいて平行するように配置された容量線３ｂとを有する。なお、走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００３３】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、保持容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３４】
ＴＦＴ３０のゲートは走査線３ａに電気的に接続され、ＴＦＴ３０のソースはデータ線６ａに電気的に接続されている。画素電極１５は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
【００３５】
データ線６ａは、データ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００３６】
データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで、互いに重複しないパルス信号として順次供給する。
【００３７】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。
【００３８】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に保持容量１６が接続されている。保持容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００３９】
なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では省略している。また、検査回路１０３は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００４０】
このような液晶装置１００は、透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が上記光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００４１】
図３（ａ）は、液晶装置においてシランカップリング剤の表面処理が施される領域を示す模式平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す液晶装置のＡ−Ａ’断面に沿う模式断面図である。図４は、図３（ｂ）に示す液晶装置のＢ部を拡大して示す拡大断面図である。以下、シランカップリング剤の表面処理が施された液晶装置について、図３及び図４を参照しながら説明する。なお、図３（ｂ）に示す液晶装置は、素子基板から画素電極までの層の図示を省略している。
【００４２】
図３に示すように、素子基板１０上には、第１無機配向膜１８が形成されている。一方、対向基板２０上には、第２無機配向膜２４が設けられている。そして、素子基板１０と対向基板２０とは、シール材４０を介して貼り合わされている。
【００４３】
第１無機配向膜１８上における画素領域Ｅの外側からその内側全体には、シランカップリング剤によって表面処理が施された表面処理部６１が設けられている。また、第２無機配向膜２４側も同様に、第２無機配向膜２４上における画素領域Ｅの外側からその内側全体には、シランカップリング剤によって表面処理が施された表面処理部６２が設けられている。
【００４４】
シランカップリング剤としては、官能基としてアルキル基を有するものが用いられる。具体的には、有機官能基（Ｙ）がアルキル基であるものが用いられ、より具体的には、例えば、Ｓｉ（ＯＣＨ３）３（Ｃ１８Ｈ３７）が好適に用いられる。さらには、アルキル基を有するシランカップリング剤の一部又は全部の有機官能基をＣＦ基に置換したものを用いるようにしてもよい。
【００４５】
そして、平面的にシール材４０と画素領域Ｅとの間に、シランカップリング剤の表面処理が施されていない、未処理領域７１，７２が設けられている。これにより、図４の拡大図に示すように、シランカップリング剤の表面（一対の基板１０，２０間）に存在する不純物８１（水分など）が、表面処理が施された表面上から弾かれて、未処理領域７１の第１無機配向膜１８の表面に集められる。
【００４６】
これにより、画素領域Ｅ内に存在する不純物８１（水分など）に起因する表示ムラや焼き付きが発生することを抑えることが可能となり、その結果、表示品質を向上させることができる。
【００４７】
＜液晶装置の製造方法＞
図５は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。以下、液晶装置の製造方法を、図５を参照しながら説明する。なお、素子基板上に設けられた各層を含めて素子基板と称する場合がある。また、対向基板上に設けられた各層を含めて対向基板と称する場合がある。
【００４８】
最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。ステップＳ１１では、ガラス基板などからなる素子基板１０上にＴＦＴ３０等を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、素子基板１０上にＴＦＴ３０などを形成する。
【００４９】
ステップＳ１２では、画素電極１５を形成する。具体的には、ＴＦＴ３０等の形成と同様に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、素子基板１０上のＴＦＴ３０の上方に画素電極１５を形成する。
【００５０】
ステップＳ１３では、画素電極１５の上方に第１無機配向膜１８を形成する。第１無機配向膜１８の製造方法としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着する斜方蒸着法が用いられる。
【００５１】
ステップＳ１４では、第１無機配向膜１８上にシランカップリング剤の表面処理を施す。具体的には、シランカップリング剤を用いた第１無機配向膜１８の表面処理は、気相法と液相法の二通りの手法が可能である。気相法では、例えば、第１無機配向膜１８を形成した基板をＣＶＤ装置に入れ、シランカップリング剤を蒸気として導入することにより、このシランカップリング剤の蒸気によって第１無機配向膜１８の表面に処理を施す。液相法で表面処理する場合には、シランカップリング剤を適宜な溶媒に溶解して第１無機配向膜１８を表面処理することができる。
【００５２】
更に、表面処理が施されない未処理領域７１，７２を形成する。具体的には、シランカップリング剤をエッチングガスで除去する方法や、ＵＶ（紫外線）で分解させる方法などがある。なお、エッチングガスを用いて除去する場合は、マスクを形成してからシランカップリング剤を除去する。以上により、素子基板１０側が完成する。
【００５３】
次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる対向基板２０上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、共通電極２３を形成する。
【００５４】
ステップＳ２２では、共通電極２３上に第２無機配向膜２４を形成する。第２無機配向膜２４の製造方法は、第１配向膜と同様であり、例えば、斜方蒸着法を用いて形成する。
【００５５】
ステップＳ２３では、第２無機配向膜２４上にシランカップリング剤の表面処理を施す。具体的には、第１無機配向膜１８にシランカップリング剤の表面処理を行った方法と同様の方法を用いることができる。以上により、対向基板２０側が完成する。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。
【００５６】
ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材４０を塗布する。詳しくは、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における画素領域Ｅの周縁部に（画素領域Ｅを囲むように）シール材４０を塗布する。
【００５７】
ステップＳ３２では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１０に塗布されたシール材４０を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。より具体的には、互いの基板１０，２０の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。
【００５８】
ステップＳ３３では、液晶注入口（図示せず）から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止する。封止には、例えば、樹脂等の封止材が用いられる。以上により、液晶装置１００が完成する。
【００５９】
図６は、従来の液晶装置と本実施形態の液晶装置とにおいて焼き付きの度合いを比較するグラフである。以下、焼き付きの度合いについて、図６を参照しながら説明する。
【００６０】
図６に示すグラフは、横軸に従来の液晶装置及び本実施形態の液晶装置１００の２つの液晶装置を示している。一方、縦軸に焼き付き度合いを示しており、図示上側に向かって程度が悪くなる。
【００６１】
具体的には、例えば、液晶装置をプロジェクターに搭載した状態で、市松模様（パターン）の画像を投射した状態において焼き付きの評価試験を行う。
【００６２】
従来の液晶装置の焼き付きの程度に対し、本実施形態の液晶装置１００の焼き付きの程度は、およそ半分程度となっている。このように、シール材４０と額縁遮光膜２１との間に、シランカップリング剤の未処理領域７１，７２を設けることにより、未処理領域７１，７２に水分などの不純物８１を集めることが可能となり、水分に起因する焼き付きの発生を抑えることができる。
【００６３】
＜電子機器＞
図７は、上記した液晶装置を備えた電子機器（投射型表示装置）の構成を示す模式図である。以下、電子機器の構成について、図７を参照しながら説明する。
【００６４】
図７に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００６５】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００６６】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００６７】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００６８】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００６９】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００７０】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶中の不純物イオンの偏在が抑制された液晶装置１００を備え、高い表示品位が実現されている。
【００７１】
以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１００、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【００７２】
（１）本実施形態の液晶装置１００によれば、無機配向膜１８，２４上における平面的にシール材４０と画素領域Ｅとの間に、シランカップリング剤の表面処理が施されていない未処理領域７１，７２を設けたので、液晶分子の動作によって液晶層５０に含まれる不純物８１（水分やイオン成分など）を、未処理領域７１，７２に掻き集めることが可能となる。よって、未処理領域７１，７２の無機配向膜１８，２４が露出した部分（親水基領域）に不純物８１が集まるので、画素領域Ｅにおける焼き付きの発生を抑えることが可能となり、表示品質を向上させることができる。
【００７３】
（２）本実施形態の電子機器によれば、上記した液晶装置１００を備えているので、未処理領域７１，７２に不純物８１を集めることが可能となり、表示品質を向上させることができる電子機器を提供することができる。
【００７４】
なお、本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【００７５】
（変形例１）
上記したように、シランカップリング剤の表面処理が施された表面処理部６１，６２は、平面的に額縁遮光膜２１の外側から内側全体の領域のみに限定されず、例えば、図８に示す領域に形成するようにしてもよい。図８は、変形例の液晶装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＣ−Ｃ’断面に沿う模式断面図である。
【００７６】
図８に示すように、液晶装置２００は、上記した実施形態の領域に加えて、シール材４０の下側に表面処理部１６１が設けられている。平面的にシール材４０と額縁遮光膜２１との間の領域には、上記と同様に、シランカップリング剤の表面処理が施されていない未処理領域１７１，１７２が設けられている。
【００７７】
これによれば、シール材４０の下側に表面処理が施されているので、上記した実施形態の効果に加えて、外部から液晶装置２００の内部に不純物８１（水分など）が入り込むことを抑えることができる。更に、シール材４０と第１無機配向膜１８との密着性を向上させることができる。
【００７８】
（変形例２）
上記したように、画素領域Ｅの周囲の全周に未処理領域７１，７２を設けることに限定されず、例えば、図９に示す領域に未処理領域を設けるようにしてもよい。図９は、変形例の液晶装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＤ−Ｄ’断面に沿う模式断面図である。
【００７９】
図９に示すように、液晶装置３００は、画素領域Ｅの周囲における対角の２箇所に未処理領域２７１，２７２が設けられている。それ以外の領域は、シール材４０から内側の領域にシランカップリング剤の表面処理が施されている表面処理部２６１，２６２が設けられている。なお、シール材４０の下側は、表面処理が施されていてもよい。
【００８０】
これによれば、例えば、一軸配向させることが可能な液晶装置３００において、液晶分子の動作により不純物８１を対角に集めることが可能となる。そして、対角に未処理領域２７１，２７２が設けられていることにより、集まった不純物８１を未処理領域の第１無機配向膜１８に付着させることができる。
【００８１】
なお、対向する２コーナーに未処理領域２７１，２７２を設けることに限定されず、平面的に、額縁遮光膜２１の周囲に均等な間隔をあけて未処理領域を設けるようにしてもよい。
【００８２】
更に、これらの方法に限定されず、例えば、素子基板１０側の画素領域Ｅの周囲における１つの角部に未処理領域を設け、更に、対向基板２０側の画素領域Ｅの周囲における前記１つの角部と平面的に対角に位置する角部に未処理領域を設けるようにしてもよい。これによれば、一軸配向させることが可能な液晶装置において、液晶分子の動作により不純物を、上記の方法と比較して最小限の構成でそれぞれの角部に集めることが可能となる。
【００８３】
（変形例３）
上記したように、シランカップリング剤の未処理領域７１，７２を素子基板１０側と対向基板２０側の両方に設けたが、これに限定されず、例えば、どちらか一方の基板側だけに設けるようにしてもよい。これによれば、両方の基板１０，２０に未処理領域７１，７２を設ける場合と比較して、画素領域Ｅ内の不純物８１の分散があると考えられるものの、不純物８１を未処理領域に集めることが可能となり、従来と比較して、表示品質を向上させることができる。
【００８４】
（変形例４）
上記したように、未処理領域７１，７２は、シール材４０と画素領域Ｅとの間に設けることに限定されず、例えば、シール材４０と表示領域（実効的な表示領域）との間に設けるようにしてもよい。この場合においても、表示領域の表示品質を向上させることができる。
【符号の説明】
【００８５】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、１０…素子基板、１５…画素電極、１６…保持容量、１８…第１無機配向膜、２０…対向基板、２１…額縁遮光膜、２２…層間膜、２３…共通電極、２４…第２無機配向膜、３０…ＴＦＴ、４０…シール材、５０…液晶層、６１，６２，１６１，２６１…表面処理部、７１，７２，１７１，１７２，２７１，２７２…未処理領域、８１…不純物、１００，２００，３００…液晶装置、１０１…データ線駆動回路、１０２…走査線駆動回路、１０３…検査回路、１０４…外部接続端子、１０５…配線、１０６…上下導通部、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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