Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月11日(2014.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
なお、本例の場合、イヤーピース３Ｌｐは、ハウジングフロントピース３Ｌｈ-fに形成されている筒状部（その先端に放音口を有する）に対してその穴部が嵌合されることで、ハウジング３Ｌｈに対して装着される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
＜４．各種機能＞
ここで、本実施の形態のＮＣイヤホン装置１において、Ｌｃｈ側マイクロコンピュータ１０ｌ、Ｒｃｈ側マイクロコンピュータ１０ｒが有する各種機能について図７を参照して説明しておく。
なお図７では、Ｌｃｈ側マイクロコンピュータ１０ｌ、Ｒｃｈ側マイクロコンピュータ１０ｒのソフトウエア処理により実現されるそれぞれの機能を、機能ごとにブロック化して示している。以下では便宜上、ソフトウエア処理で実現される各種機能について、その機能を実現するハードウエア（機能部Ｆｎ）が構成されているものと擬製して説明を行う。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
Ｌｃｈ側では、上記ステップＳ４０１による返信が行われたか否かを、ステップＳ３０３にて判別する。
ステップＳ３０３において、上記返信があったとして肯定結果が得られた場合は、先のステップＳ３０１に戻る。すなわち、このように返信がある場合にステップＳ３０１に戻ることで、Ｒｃｈ側の動作停止状態（異常状態）が検知されるまで待機するループ処理が形成されているものである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月5日(2014.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のフレームで構成される動画の画像データを、演算装置によって処理する画像処理方法であり、
フレーム間の前記画像データの差分を演算し、対象物領域と背景領域とで構成される２値の差分マスクデータを作成する処理を行い、
前記対象物領域の中心座標データを演算する処理を行い、
前記対象物領域の平均輝度値を演算し、前記背景領域に対して、前記平均輝度値に応じたグラデーションパターンを施したグラデーションマスクデータを作成する処理を行い、
前記画像データを、前記グラデーションマスクデータに応じた画像データに変換する処理を行う、画像処理方法。
【請求項２】
請求項１において、前記差分マスクデータは、（ｎ−１）フレーム目とｎフレーム目との前記画像データの輝度値の差分、及びｎフレーム目と（ｎ＋１）フレーム目の前記画像データの輝度値の差分より得られる差分画像データを元に、作成される画像処理方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記中心座標データの演算は、ラベリング処理により求められる画像処理方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記平均輝度値は、前記対象物領域の各画素の輝度値を加算し、前記対象物領域の画素数で割った値である画像処理方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記グラデーションパターンは、前記平均輝度値に応じて、前記中心座標データから離間する方向に向けて輝度値が減少するパターン、または前記中心座標データから離間する方向に向けて輝度値が増大するパターンを選択して得られる画像処理方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記グラデーションマスクデータに応じた変換が行われる前記画像データは、
前記対象物領域において、当該画像データの輝度値を用い、
前記背景領域において、前記グラデーションマスクデータの輝度値と、当該画像データの輝度値との平均値に変換された輝度値を用いる画像処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月11日(2014.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｌチャンネル音を放音するＬチャンネル側ドライバユニットと、外部音を収音するＬチャンネル側マイクロフォンと、上記Ｌチャンネル側マイクロフォンの収音信号に基づくノイズキャンセリング処理についての設定制御を行うＬチャンネル側マイクロコンピュータとが少なくとも収納されたＬチャンネル側ハウジング部と、
Ｒチャンネル音を放音するＲチャンネル側ドライバユニットと、外部音を収音するＲチャンネル側マイクロフォンと、上記Ｒチャンネル側マイクロフォンの収音信号に基づくノイズキャンセリング処理についての設定制御を行うＲチャンネル側マイクロコンピュータとが少なくとも収納されたＲチャンネル側ハウジング部と
を備え、
上記Ｌチャンネル側マイクロコンピュータと上記Ｒチャンネル側マイクロコンピュータとが互いにデータ通信可能となるように構成されている
音響再生装置。
【請求項２】
上記Ｌチャンネル側マイクロコンピュータ又は上記Ｒチャンネル側マイクロコンピュータの何れか一方がマスターコンピュータとされ、
上記マスターコンピュータは、
上記マイクロフォンによる収音信号に基づき、上記ノイズキャンセリング処理のモードとして何れのモードを設定すべきかを判定するＮＣモード判定処理を実行し、当該ＮＣモード判定処理で判定されたＮＣモードを、同チャンネル側のＮＣ処理部に設定すると共に、他方のチャンネル側のマイクロコンピュータに対して通知する
請求項１に記載の音響再生装置。
【請求項３】
上記マスターコンピュータは、
同チャンネル側のＮＣモードの切り替えタイミングと他方のチャンネル側のＮＣモードの切り替えタイミングとが一致するように制御を行う
請求項２に記載の音響再生装置。
【請求項４】
上記Ｌチャンネル側マイクロコンピュータ又は上記Ｒチャンネル側マイクロコンピュータの何れか一方がマスターコンピュータとされ、
上記マスターコンピュータは、
他方のチャンネル側のマイクロコンピュータの異常を検知し、異常が検知されたことに応じた処理を実行する
請求項１乃至請求項３の何れかに記載の音響再生装置。
【請求項５】
上記マスターコンピュータは、
上記異常として、上記他方のチャンネル側のマイクロコンピュータからの応答が無いことを検知し、異常が検知された場合は、自らをオフ状態とする
請求項４に記載の音響再生装置。
【請求項６】
上記Ｌチャンネル側マイクロコンピュータの動作電源となる電池が上記Ｌチャンネル側ハウジング部内に収納され、上記Ｒチャンネル側マイクロコンピュータの動作電源となる電池が上記Ｒチャンネル側ハウジング部内に収納されている
請求項１乃至請求項５の何れかに記載の音響再生装置。
【請求項７】
上記Ｌチャンネル側マイクロコンピュータ又は上記Ｒチャンネル側マイクロコンピュータの何れか一方がマスターコンピュータとされ、
上記マスターコンピュータは、
双方のチャンネルの電池残量が十分であるか否かを判別し、一方でも電池残量が十分でないとされる場合は、自チャンネル側と他チャンネル側の双方がオフ状態となるように制御を行う
請求項６に記載の音響再生装置。
【請求項８】
上記Ｌチャンネル側マイクロコンピュータ又は上記Ｒチャンネル側マイクロコンピュータの何れか一方がマスターコンピュータとされ、
上記マスターコンピュータは、
起動指示が行われた場合、他方のチャンネルのマイクロコンピュータに電池残量を通知させ、双方のチャンネルの電池残量が十分であるか否かを判別した結果に基づき、双方のチャンネルがオン状態となるように制御を行う
請求項６又は請求項７に記載の音響再生装置。
【請求項９】
電池残量についての表示を行う表示部をさらに備え、
上記Ｌチャンネル側マイクロコンピュータ又は上記Ｒチャンネル側マイクロコンピュータのうち少なくとも一方が、Ｌチャンネル側又はＲチャンネル側のうち少ない方の電池残量が上記表示部に表示されるように制御を行う
請求項６乃至請求項８の何れかに記載の音響再生装置。
【請求項１０】
上記電池残量についての表示制御を起動時に実行する請求項９に記載の音響再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月11日(2014.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノイズキャンセリング機能を有する耳孔挿入型のイヤホン装置であって、
Ｌチャンネル音を放音するＬチャンネル側ドライバユニットが収納されるＬチャンネル側ハウジング部と、
Ｒチャンネル音を放音するＲチャンネル側ドライバユニットが収納されるＲチャンネル側ハウジング部とを備え、
双方の上記ハウジング部に、少なくともノイズキャンセリング用のマイクロフォン及び電池がそれぞれ収納されている
イヤホン装置。
【請求項２】
双方の上記ハウジング部に、ノイズキャンセリング機能を実現するための処理を実行するＮＣ処理部が実装された基板が収納されている
請求項１に記載のイヤホン装置。
【請求項３】
カナル型である請求項１又は請求項２に記載のイヤホン装置。
【請求項４】
上記ドライバユニットが共にバランスドアーマチュア型とされる請求項３に記載のイヤホン装置。
【請求項５】
上記マイクロフォンが共にＭＥＭＳマイクロフォンとされる請求項１乃至請求項４の何れかに記載のイヤホン装置。
【請求項６】
上記電池が共にボタン型の二次電池とされる請求項１乃至請求項５の何れかに記載のイヤホン装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月5日(2014.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、青色を発する第１の有機ＥＬ素子と、前記第１の有機ＥＬ素子とはそれぞれ異なる色を発する第２および第３の有機ＥＬ素子を有し、前記第１、第２および第３の有機ＥＬ素子は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間にある発光層とを備えている表示装置であって、
前記第１の有機ＥＬ素子の第１の発光層は、前記第２および第３の有機ＥＬ素子に共通に形成されており、
前記第２の有機ＥＬ素子の第２の発光層および前記第３の有機ＥＬ素子の第３の発光層は、前記第１の発光層に接し且つ、前記第１の発光層よりも前記陰極側に形成されており、
前記第１の発光層は、ホスト材料と発光ドーパント材料とを含み、下記の式（１）及び（２）を満たすように構成されていることを特徴とする。
｜ＬＵＭＯD1｜＞｜ＬＵＭＯH1｜・・・（１）
｜ＬＵＭＯD1｜−｜ＬＵＭＯH1｜＞｜ＨＯＭＯH1｜−｜ＨＯＭＯD1｜・・・（２）
上記式中、ＬＵＭＯH1、ＨＯＭＯH1はそれぞれ、前記第１の発光層に含まれる前記ホスト材料のＬＵＭＯ準位エネルギー、ＨＯＭＯ準位エネルギーを表し、ＬＵＭＯD1、ＨＯＭＯD1はそれぞれ、前記第１の発光層に含まれる前記発光ドーパント材料のＬＵＭＯ準位エネルギー、ＨＯＭＯ準位エネルギーを表している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
青色を発する第１の有機ＥＬ素子と、前記第１の有機ＥＬ素子とはそれぞれ異なる色を発する第２および第３の有機ＥＬ素子を有し、前記第１、第２および第３の有機ＥＬ素子は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間にある発光層とを備えている表示装置であって、
前記第１の有機ＥＬ素子の第１の発光層は、前記第２および第３の有機ＥＬ素子に共通に形成されており、
前記第２の有機ＥＬ素子の第２の発光層および前記第３の有機ＥＬ素子の第３の発光層は、前記第１の発光層に接し且つ、前記第１の発光層よりも前記陰極側に形成されており、
前記第１の発光層は、ホスト材料と発光ドーパント材料とを含み、下記の式（１）及び（２）を満たすように構成されていることを特徴とする表示装置。
｜ＬＵＭＯD1｜＞｜ＬＵＭＯH1｜・・・（１）
｜ＬＵＭＯD1｜−｜ＬＵＭＯH1｜＞｜ＨＯＭＯH1｜−｜ＨＯＭＯD1｜・・・（２）
〔上記式中、ＬＵＭＯH1、ＨＯＭＯH1はそれぞれ、前記第１の発光層に含まれる前記ホスト材料のＬＵＭＯ準位エネルギー、ＨＯＭＯ準位エネルギーを表し、ＬＵＭＯD1、ＨＯＭＯD1はそれぞれ、前記第１の発光層に含まれる前記発光ドーパント材料のＬＵＭＯ準位エネルギー、ＨＯＭＯ準位エネルギーを表している。〕
【請求項２】
前記第１の発光層は、下記の式（３）を満たすように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
｜ＨＯＭＯD1｜＞｜ＨＯＭＯH1｜・・・（３）
【請求項３】
前記第２の発光層は、前記第２の発光層のＨＯＭＯ準位エネルギーＨＯＭＯ2と前記ＨＯＭＯH1が下記の式（４）を満たすように構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
｜ＨＯＭＯ2｜＜｜ＨＯＭＯH1｜・・・（４）
【請求項４】
前記第２の有機ＥＬ素子では、前記第２の発光層のみが発光することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１の発光層の前記ドーパント材料は１０重量％以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第３の有機ＥＬ素子では、前記第３の発光層のみが発光することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第３の発光層は、前記第３の発光層のＨＯＭＯ準位エネルギーＨＯＭＯ3と前記ＨＯＭＯH1が下記の式（５）を満たすように構成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
｜ＨＯＭＯ3｜＜｜ＨＯＭＯH1｜・・・（５）
【請求項８】
前記第２の発光層は赤色を発光し、前記第３の発光層は緑色を発光することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示装置と、撮像装置と、を備えた撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月6日(2014.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
断面形状が丸又は略四角形の導体、及び該導体を被覆する絶縁皮膜を有する絶縁電線であって、導体の断面形状が丸の場合は２本の絶縁電線を長さ１２０ｍｍ中に１８回撚り合わせた試験片、導体の断面形状が略四角形の場合は２本の絶縁電線を略四角形の長辺同士を１２０ｍｍ接触させた試験片について、２本の絶縁電線の両端に交流電圧を印加し、電圧を７０Ｖ／秒の速さで上昇して放電量が１００ｐＣに達した時の交流電圧の最大値（ピーク値）をコロナ放電開始電圧とした時に、温度１５０℃で測定したコロナ放電開始電圧が、温度２５℃で測定したコロナ放電開始電圧の８４％以上であることを特徴とする絶縁電線。
【請求項２】
前記絶縁皮膜がポリイミド樹脂からなることを特徴とする、請求項１に記載の絶縁電線。
【請求項３】
前記ポリイミド樹脂のイミド基濃度が３３％以下であることを特徴とする、請求項２に記載の絶縁電線。
【請求項４】
前記絶縁皮膜の厚みが１０μｍ以上１５０μｍ以下である、請求項１又は２に記載の絶縁電線。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月2日(2014.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有する箔状電極板上において、前記箔状電極板の表面を露出させる未塗工部が形成されるように、導電体層と活物質層とを順次に重ねて積層させて、電池の電極を作製する電池用電極の製造方法であって、
前記活物質層の形成領域における前記未塗工部の存在側の端縁部の少なくとも一部において、上層側の前記活物質層の端縁が、下層側の前記導電体層の端縁よりも前記未塗工部側に位置する活物質層はみ出し部を形成する工程と、
前記活物質層はみ出し部において、光学的位置検出手段にて前記活物質層の存在位置を特定する工程とを有する電池用電極の製造方法。
【請求項２】
前記活物質層はみ出し部において、前記活物質層の端縁と前記導電体層の端縁との距離が２ｍｍ以下に設定されている請求項１記載の電池用電極の製造方法。
【請求項３】
正極側の前記箔状電極板に形成した前記活物質層はみ出し部における前記活物質層の端縁位置を前記光学的位置検出手段にて検出し、
その検出した位置情報に基づいて、正極側の前記箔状電極板上における前記活物質層と前記未塗工部との境界部分の上に、前記箔状電極板よりも電気抵抗の大きい短絡防止層を形成する請求項１又は２記載の電池用電極の製造方法。
【請求項４】
前記活物質層はみ出し部における前記活物質層の端縁位置を前記光学的位置検出手段にて検出し、
その検出した位置情報に基づいて、前記導電体層及び前記活物質層を積層した状態の前記箔状電極板の切断位置を設定する請求項１〜３のいずれか１項に記載の電池用電極の製造方法。
【請求項５】
前記箔状電極板は長尺帯状に形成され、前記導電体層及び前記活物質層は、前記箔状電極板の幅方向端部に前記未塗工部が位置する状態で、前記箔状電極板の長手方向に延びる帯状に形成され、
前記活物質層と前記未塗工部との境界部分の略全長に亘る範囲が前記活物質層はみ出し部として設定されている請求項１〜４のいずれか１項に記載の電池用電極の製造方法。
【請求項６】
導電性を有する箔状電極板上における、前記箔状電極板の表面を露出させる未塗工部の形成位置以外の領域に、導電体層と活物質層とが順次に重ねて積層された電池用電極であって、
前記活物質層の形成領域における前記未塗工部の存在側の端縁部の少なくとも一部において、上層側の前記活物質層の端縁が、下層側の前記導電体層の端縁よりも前記未塗工部側に位置する活物質層はみ出し部が形成されている電池用電極。
【請求項７】
前記活物質層はみ出し部において、前記活物質層の端縁と前記導電体層の端縁との距離が２ｍｍ以下に設定されている請求項６記載の電池用電極。
【請求項８】
正極側の前記箔状電極板における前記活物質層と前記未塗工部との境界部分の上に、前記箔状電極板よりも電気抵抗の大きい短絡防止層が形成されている請求項６又は７記載の電池用電極。
【請求項９】
導電性を有する箔状電極板と、
前記箔状電極板の上に積層される導電体層及び活物質層と、
前記箔状電極板が露出する未塗工部と、
前記活物質層が前記導電体層の形成位置から前記未塗工部側へはみ出した活物質層はみ出し部と、
を備える電池用電極。
【請求項１０】
前記活物質層はみ出し部は、前記活物質層と前記未塗工部との境界部分の略全長に亘る範囲に形成されている請求項６〜９のいずれか１項に記載の電池用電極。
【請求項１１】
請求項６〜１０のいずれか１項に記載の電池用電極を有する発電要素と、
前記発電要素を収納する筐体と、
を備える電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、導電性を有する箔状電極板上において、前記箔状電極板の表面を露出させる未塗工部が形成されるように、導電体層と活物質層とを順次に重ねて積層させて、電池の電極を作製する電池用電極の製造方法、及び、電池用電極に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月5日(2014.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電体と、
前記集電体上の、酸化ニオブを有する粒子および粒状の活物質を有する活物質層と、
を有する電極を有し、
前記活物質はシリコン、スズ、アルミニウムまたはゲルマニウムから選択された一種以上の材料を有することを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化ニオブを有する粒子は、ニオブリチウム合金を含むことを特徴とする蓄電装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記酸化ニオブを有する粒子は、Ｌｉ２Ｎｂ２Ｏ５を含むことを特徴とする蓄電装置。
【請求項４】
集電体上に、バインダ、導電助剤、酸化ニオブを有する粒子および粒状の活物質を有するスラリーを塗布することによって形成される電極において、
前記活物質はシリコン、スズ、アルミニウムまたはゲルマニウムから選択された一種以上の材料を有し、
前記酸化ニオブを有する粒子を、ゾルゲル法によって作製することを特徴とする電極の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月2日(2014.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有する箔状電極板上において、前記箔状電極板の表面を露出させる未塗工部が形成されるように、導電体層と活物質層とを順次に重ねて積層させて、電池の電極を作製する電池用電極の製造方法であって、
前記活物質層の形成領域における前記未塗工部の存在側の端縁部の少なくとも一部において、上層側の前記活物質層の端縁が、下層側の前記導電体層の端縁よりも前記未塗工部側に位置する活物質層はみ出し部を形成する工程と、
前記はみ出し部に隣接する前記未塗工部に対して、押圧力を作用させて延伸させる未塗工部押圧工程と、
前記活物質層を形成した領域に対して押圧力を作用させる活物質層押圧工程とを有する電池用電極の製造方法。
【請求項２】
前記活物質層はみ出し部において、前記活物質層の端縁と前記導電体層の端縁との距離が２ｍｍ以下に設定されている請求項１記載の電池用電極の製造方法。
【請求項３】
前記箔状電極板は長尺帯状に形成され、前記導電体層及び前記活物質層は、前記箔状電極板の幅方向端部に前記未塗工部が位置する状態で、前記箔状電極板の長手方向に延びる帯状に形成され、
前記活物質層と前記未塗工部との境界部分の略全長に亘る範囲が前記活物質層はみ出し部として設定されている請求項１又は２記載の電池用電極の製造方法。
【請求項４】
導電性を有する箔状電極板上における、前記箔状電極板の表面を露出させる未塗工部の形成位置以外の領域に、導電体層と活物質層とが順次に重ねて積層された電池用電極であって、
前記活物質層の形成領域における前記未塗工部の存在側の端縁部の少なくとも一部において、上層側の前記活物質層の端縁が、下層側の前記導電体層の端縁よりも前記未塗工部側に位置する活物質層はみ出し部が形成され、
前記活物質層の形成領域と前記未塗工部とが、夫々延伸されている電池用電極。
【請求項５】
前記活物質層はみ出し部において、前記活物質層の端縁と前記導電体層の端縁との距離が２ｍｍ以下に設定されている請求項４記載の電池用電極。
【請求項６】
導電性を有する箔状電極板と、
前記箔状電極板の上に積層される導電体層及び活物質層と、
前記箔状電極板が露出する未塗工部と、
前記活物質層が前記導電体層の形成位置から前記未塗工部側へはみ出した活物質層はみ出し部と、
前記未塗工部に形成される加圧痕と、
を備える電池用電極。
【請求項７】
前記加圧痕は、間欠的に形成されている請求項６に記載の電池用電極。
【請求項８】
前記活物質層はみ出し部は、前記活物質層と前記未塗工部との境界部分の略全長に亘る範囲に形成されている請求項４〜７のいずれか１項に記載の電池用電極。
【請求項９】
請求項４〜８のいずれか１項に記載の電池用電極を有する発電要素と、
前記発電要素を収納する筐体と、
を備える電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、導電性を有する箔状電極板上において、前記箔状電極板の表面を露出させる未塗工部が形成されるように、導電体層と活物質層とを順次に重ねて積層させて、電池の電極を作製する電池用電極の製造方法、及び、電池用電極に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月12日(2014.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力電力を電源制御部によってパルス状の出力電流に変換してトランスから出力する電源回路と、
前記トランスからのパルス状の出力電流を整流平滑し、充電制御部によって直流電流である充電電流に変換して充電電池を充電する充電回路とを備え、
前記電源回路は、前記電源制御部により出力電圧０Ｖから所定電圧までは一定の電流を出力する定電流制御となり、出力電圧が所定電圧では定電圧制御となり、
前記充電回路は、前記充電制御部により予め設定された電圧まで前記充電電池の電圧が上昇すると前記充電電流を低下させることを特徴とする充電器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
前記目的を達成するために本発明の充電器は、入力電力を電源制御部によってパルス状の出力電流に変換してトランスから出力する電源回路と、前記トランスからのパルス状の出力電流を整流平滑し、充電制御部によって直流電流である充電電流に変換して充電電池を充電する充電回路とを備え、前記電源回路は、前記電源制御部により出力電圧０Ｖから所定電圧までは一定の電流を出力する定電流制御となり、出力電圧が所定電圧では定電圧制御となり、前記充電回路は、前記充電制御部により予め設定された電圧まで前記充電電池の電圧が上昇すると前記充電電流を低下させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月30日(2014.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に載置された基板に対してプラズマにより成膜を行う方法において、
予めシラン系のガス及び水素ガスを混合した混合ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化し、得られたプラズマにより前記基板上に第１のシリコン層を成膜する第１の工程と、
次いで、水素ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化すると共に水素ガスとは別個にシラン系のガスを前記処理容器内に供給して、プラズマ化された水素ガスにより前記シラン系のガスをラジカル化し、こうして生成されたラジカルにより前記基板上における前記第１のシリコン層の上に第２のシリコン層を成膜する第２の工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
基板、シラン系のガスの供給口及び水素ガスの供給口が下からこの順に配置されていることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】
基板の上方空間をプラズマ生成空間と排気空間とに横方向に分割するために設けられ、前記処理容器の天井部から下方に伸びると共にその下端と基板との間に、前記プラズマ生成空間から排気空間にガスが流れるための隙間が形成された仕切り壁と、プラズマ生成空間に水素ガスを供給するための供給口と、前記プラズマ生成空間に供給された水素ガスをプラズマ化するための活性化手段と、前記プラズマ生成空間内の下部側または当該プラズマ生成空間よりも下方側にシラン系のガスを供給するための供給口と、前記排気空間を真空排気するための真空排気口と、を備えた成膜装置を用いて前記第１の工程と第２の工程とを行うことを特徴とする請求項２記載の成膜方法。
【請求項４】
前記第１の工程と第２の工程を交互に複数回行うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項５】
前記第１の工程と第２の工程との切替えは、連続的または段階的に変化させることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項６】
処理容器内に載置された基板に対してプラズマにより成膜を行う方法において、
予めシラン系のガス及び水素ガスを混合した混合ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化し、得られたプラズマにより前記基板上に第１のシリコン層を成膜する第１の工程と、
水素ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化すると共に水素ガスとは別個にシラン系のガスを前記処理容器内に供給して、プラズマ化された水素ガスにより前記シラン系のガスをラジカル化し、こうして生成されたラジカルにより前記基板上に第２のシリコン層を成膜する第２の工程と、を含み、
前記第１の工程及び第２の工程を同時に行い、同時に行われている間に、第１の工程で供給されるシラン系のガスと第２の工程で供給されるシラン系のガスとの比率を時間と共に変化させることを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
処理容器内に載置された基板に対してプラズマにより成膜を行うための成膜装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項１ないし６のいずれか一つに記載された成膜方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【請求項８】
太陽電池の製造方法であって、
予め水素ガス及びモノシランガスを混合した混合ガスをプラズマ化することにより基板上に第１のシリコン層を形成し、
次いで、水素ガス及びモノシランガスを別々に処理雰囲気に供給して水素ガス及びモノシランガスをプラズマ化し、前記第１のシリコン層に比べて微結晶シリコン含有率が高く、シリコン層中の欠陥密度が低い第２のシリコン層を前記第１のシリコン層の上に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】成膜方法及び記憶媒体並びに太陽電池の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の成膜方法は、処理容器内に載置された基板に対してプラズマにより成膜を行う方法において、
予めシラン系のガス及び水素ガスを混合した混合ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化し、得られたプラズマにより前記基板上に第１のシリコン層を成膜する第１の工程と、
次いで、水素ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化すると共に水素ガスとは別個にシラン系のガスを前記処理容器内に供給して、プラズマ化された水素ガスにより前記シラン系のガスをラジカル化し、こうして生成されたラジカルにより前記基板上における前記第１のシリコン層の上に第２のシリコン層を成膜する第２の工程と、を含むことを特徴とする。
他の発明は、処理容器内に載置された基板に対してプラズマにより成膜を行う方法において、
予めシラン系のガス及び水素ガスを混合した混合ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化し、得られたプラズマにより前記基板上に第１のシリコン層を成膜する第１の工程と、
水素ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化すると共に水素ガスとは別個にシラン系のガスを前記処理容器内に供給して、プラズマ化された水素ガスにより前記シラン系のガスをラジカル化し、こうして生成されたラジカルにより前記基板上に第２のシリコン層を成膜する第２の工程と、を含み、
前記第１の工程及び第２の工程を同時に行い、同時に行われている間に、第１の工程で供給されるシラン系のガスと第２の工程で供給されるシラン系のガスとの比率を時間と共に変化させることを特徴とする成膜方法である。
更に他の発明は、予めモノシランガス及び水素ガスを混合した混合ガスをプラズマ化することにより基板上に第１のシリコン層を形成し、
次いで、水素ガス及びモノシランガスを別々に処理雰囲気に供給して水素ガス及びモノシランガスをプラズマ化し、前記第１のシリコン層に比べて微結晶シリコン含有率が高く、シリコン層中の欠陥密度が低い第２のシリコン層を前記第１のシリコン層の上に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月6日(2014.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に酸化膜で構成された絶縁膜が形成され、当該絶縁膜上に形成された第一の電極と、前記第一の電極の上に形成された有機材料を含む受光層と、前記受光層上に形成された第二の電極とを有する光電変換素子であって、
前記第一の電極が、酸化窒化チタンで構成され、
前記受光層を形成する直前における前記第一の電極の組成が、
（１）前記第一の電極全体に含まれる酸素量がチタン量の７５ａｔｍ％以上
又は、
（２）前記第一の電極の前記基板側から１０ｎｍまでの範囲或いは前記第一の電極の前記基板側から前記第一の電極厚みの２／３までの範囲において、酸素量がチタン量の４０ａｔｍ％以上
の条件を満たす光電変換素子。
【請求項２】
請求項１記載の光電変換素子であって、
前記受光層を形成する直前における前記第一の電極の組成が、更に、
（３）前記第一の電極全体に含まれる窒素量がチタン量の７３ａｔｍ％以下
又は、
（４）前記第一の電極の前記基板側から１０ｎｍまでの範囲或いは前記第一の電極の前記基板側から前記第一の電極厚みの２／３までの範囲において、窒素量がチタン量の９０ａｔｍ％以下
の条件を満たす光電変換素子。
【請求項３】
基板上に酸化膜で構成された絶縁膜が形成され、当該絶縁膜上に形成された第一の電極と、前記第一の電極の上に形成された有機材料を含む受光層と、前記受光層上に形成された第二の電極とを有する光電変換素子であって、
前記第一の電極が、酸化窒化チタンで構成され、
前記受光層を形成する直前における前記第一の電極の組成が、
（１）前記第一の電極全体に含まれる窒素量がチタン量の７３ａｔｍ％以下
又は、
（２）前記第一の電極の前記基板側から１０ｎｍまでの範囲或いは前記第一の電極の前記基板側から前記第一の電極厚みの２／３までの範囲において、窒素量がチタン量の９０ａｔｍ％以下
の条件を満たす光電変換素子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項記載の光電変換素子であって、
前記絶縁膜上に前記第一の電極が複数個並べて形成され、当該複数の第一の電極を覆って前記受光層が形成されている光電変換素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項記載の光電変換素子であって、
前記受光層は、有機材料を含む電荷ブロッキング層と、有機材料を含む光電変換層とを含む光電変換素子。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項記載の光電変換素子と、
前記受光層内で発生し前記第一の電極で捕集された電荷の電荷量に応じた信号を読み出す前記基板に形成された信号読み出し回路とを備える固体撮像素子。
【請求項７】
請求項６記載の固体撮像素子を備える撮像装置。
【請求項８】
基板上に酸化膜で構成された絶縁膜が形成され、当該絶縁膜上に形成された第一の電極と、前記第一の電極の上に形成された有機材料を含む受光層と、前記受光層上に形成された第二の電極とを有する光電変換素子の製造方法であって、
前記絶縁膜上に前記第一の電極を形成する第一の工程と、
前記第一の電極の上に前記受光層を形成する第二の工程と、
前記受光層上に前記第二の電極を形成する第三の工程とを備え、
前記第一の工程では、前記第一の工程終了後に、
（１）前記第一の電極全体に含まれる酸素量がチタン量の７５ａｔｍ％以上
又は、
（２）前記第一の電極の前記基板側から１０ｎｍまでの範囲或いは前記第一の電極の前記基板側から前記第一の電極厚みの２／３までの範囲において、酸素量がチタン量の４０ａｔｍ％以上
の条件を満たすように、前記第一の電極を形成する光電変換素子の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の光電変換素子の製造方法であって、
前記第一の工程では、更に、
（３）前記第一の電極全体に含まれる窒素量がチタン量の７３ａｔｍ％以下
又は、
（４）前記第一の電極の前記基板側から１０ｎｍまでの範囲或いは前記第一の電極の前記基板側から前記第一の電極厚みの２／３までの範囲において、窒素量がチタン量の９０ａｔｍ％以下
の条件を満たすように、前記第一の電極を形成する光電変換素子の製造方法。
【請求項１０】
基板上に酸化膜で構成された絶縁膜が形成され、当該絶縁膜上に形成された第一の電極と、前記第一の電極の上に形成された有機材料を含む受光層と、前記受光層上に形成された第二の電極とを有する光電変換素子の製造方法であって、
前記絶縁膜上に前記第一の電極を形成する第一の工程と、
前記第一の電極の上に前記受光層を形成する第二の工程と、
前記受光層上に前記第二の電極を形成する第三の工程とを備え、
前記第一の工程では、前記第一の工程終了後に、
（１）前記第一の電極全体に含まれる窒素量がチタン量の７３ａｔｍ％以下
又は、
（２）前記第一の電極の前記基板側から１０ｎｍまでの範囲或いは前記第一の電極の前記基板側から前記第一の電極厚みの２／３までの範囲において、窒素量がチタン量の９０ａｔｍ％以下
の条件を満たすように前記第一の電極を形成する光電変換素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項８〜１０のいずれか１項記載の光電変換素子の製造方法であって、
前記第一の工程では、前記絶縁膜上に前記第一の電極を複数個並べて形成し、前記第二の工程では、当該複数の第一の電極を覆う前記受光層を形成する光電変換素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の光電変換素子の製造方法であって、
前記第一の工程は、前記絶縁膜上に酸化窒化チタンをスパッタ法で成膜する工程と、成膜した前記酸化窒化チタンの膜をパターニングする工程と、前記パターニング後に前記基板を２７０℃以上で加熱する工程とで構成される光電変換素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の光電変換素子の製造方法であって、
前記第一の工程は、前記絶縁膜上に酸化窒化チタンをＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で成膜する工程と、成膜した前記酸化窒化チタンの膜をパターニングする工程とで構成される光電変換素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月7日(2014.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基板と、前記基板上の実装領域に配列された複数の発光素子と、前記基板上の前記実装領域の周囲に形成された枠体と、前記複数の発光素子を封止する光透過性の封止部材と、を備える発光装置において、
前記実装領域は、壁体によって２以上の照射領域に区画され、
前記封止部材は、前記壁体にまたは前記壁体と前記枠体とに囲まれた内側に充填されて、前記照射領域毎に分離されて備えられ、
隣り合う２つの前記照射領域の前記封止部材は、いずれか一方のみが蛍光体を含有し、あるいは互いに異なる蛍光体を含有し、
前記壁体は、当該壁体が設けられた照射領域の前記発光素子の少なくとも一部を被覆し、光透過性の材料からなることを特徴とする発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
すなわち本発明に係る発光装置は、基板と、前記基板上の実装領域に配列された複数の発光素子と、前記基板上の前記実装領域の周囲に形成された枠体と、前記複数の発光素子を封止する光透過性の封止部材と、を備える。前記発光装置は、前記実装領域が壁体によって２以上の照射領域に区画され、前記封止部材が、前記壁体にまたは前記壁体と前記枠体とに囲まれた内側に充填されて前記照射領域毎に分離されて備えられ、隣り合う２つの前記照射領域の前記封止部材は、いずれか一方のみが蛍光体を含有し、あるいは互いに異なる蛍光体を含有し、前記壁体は当該壁体が設けられた照射領域の前記発光素子の少なくとも一部を被覆し、光透過性の材料からなることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月22日(2014.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
絶縁層１１６は、第２クラッド層１０８上であって、柱状部１１１の側方（平面視における、柱状部１１１の周囲）に形成されている。絶縁層１１６は、柱状部１１１の側面に接していることができる。絶縁層１１６の上面は、例えば、コンタクト層１１０の上面１１５と連続している。絶縁層１１６としては、例えば、ＳｉＮ層、ＳｉＯ２層、ＳｉＯＮ層、Ａｌ２Ｏ３層、ポリイミド層などを用いることができる。絶縁層１１６として上記の材料を用いた場合、電極１１２，１１４間の電流は、絶縁層１１６を避けて、該絶縁層１１６に挟まれた柱状部１１１を流れることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
なお、発光装置１００では、出射部１８１，１８６についてもＩＩ族またはＸＩＩ族の元素が拡散されることができる。そのため、出射部１８１，１８６におけるＣＯＤ破壊も抑制することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
発光装置１０００では、基板１１０２として、ＧａＡｓ基板を用いた。第１クラッド層１１０４として、ＩｎＧａＡｌＰ層を用いた。活性層１１０６として、ＩｎＧａＰウェル層およびＩｎＧａＡｌＰバリア層を用いた。第２クラッド層１１０８として、ＩｎＧａＡｌＰ層を用いた。コンタクト層１１１０として、ＧａＡｓ層を用いた。第１電極１１１２として、Ｃｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用い、基板１１０２の下面全面に形成した。第２電極１１１４として、コンタクト層１１１０側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いた。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月21日(2014.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に順に積層された第１の光吸収層、多重反射層、第２の光吸収層、及び、前記第１及び第２の光吸収層より大きいバンドギャップを持つ窓層と、
前記窓層の一部に設けられた第２導電型の第１の不純物拡散領域と、
前記第１の不純物拡散領域上に設けられ、光が入射する開口を持つ上部電極と、
前記半導体基板の下面に設けられた下部電極と、
前記第１の不純物拡散領域の外側に設けられたメサ溝と、
前記メサ溝を挟んで前記第１の不純物拡散領域の反対側に設けられ、前記第１の光吸収層に達する第２の不純物拡散領域と、
前記第２の不純物拡散領域を介して前記第１の光吸収層に接続された金属膜とを備えることを特徴とする半導体受光素子。
【請求項２】
前記金属膜は前記上部電極及び前記下部電極とは電気的に接続されていないことを特徴とする請求項１に記載の半導体受光素子。
【請求項３】
前記メサ溝は、前記第２の光吸収層及び前記窓層に設けられ、
前記第２の不純物拡散領域は、前記第１の光吸収層、前記多重反射層、前記第２の光吸収層、及び前記窓層に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体受光素子。
【請求項４】
前記メサ溝は、前記半導体基板に設けられ、
前記第２の不純物拡散領域は、前記半導体基板及び前記第１の光吸収層に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体受光素子。
【請求項５】
前記多重反射層と前記第２の光吸収層との間に設けられ、前記第１及び第２の光吸収層より大きいバンドギャップを持つ障壁層を更に備えることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体受光素子。
【請求項６】
前記障壁層と前記第２の光吸収層との間に設けられたＡｌＩｎＡｓ増倍層を更に備えることを特徴とする請求項５に記載の半導体受光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月5日(2014.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
以下に、どのように本発明による計測装置がキャリブレーションモードにおいて本発明による方法を用いて動作され、これによりキャリブレーションされるかを図面に基づいて詳細に説明する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
開口角度α（第１の角度）及び対称軸を有する計測用プリズム（３８）を備えた前記計測ヘッドが用いられ、前記計測探触子の前記線形の軸の向きが、前記計測用プリズムの前記対称軸に対して第２の角度βをなしており、キャリブレーションが、前記第１の角度α及び／又は前記第２の角度βに関して行われることを特徴とする請求項８又は９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月19日(2014.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面（５０）を有する水蒸気透過性の靴底複合材（１０５）であって、
該靴底複合材の厚さ全体を通って広がる、少なくとも１つの通し空洞（３１）と、
該靴底複合材（１０５）の該上面（５０）を少なくとも部分的に形成する上面、および異物の侵入を阻止する遮断体として形成され、少なくとも１つの通し空洞（３１）を水蒸気が透過できる状態で閉鎖する水蒸気透過性の遮断材（３３）を有する、遮断ユニット（３５）と、
該遮断材（３３）に対応して配置され該靴底複合材（１０５）の機械的安定化のために形成された安定化部材（２５，１１９）であって、少なくとも該遮断材（３３）の表面に配置され該少なくとも１つの通し空洞（３１）を少なくとも部分的に横切る少なくとも１つの安定化帯材（３７）を有する、安定化部材（２５，１１９）と、
該遮断ユニット（３５）の下方に配置された、少なくとも１つの底革部材（１１７）と
を備え、
該安定化部材（２５，１１９）が該遮断材の少なくとも１つの表面上に格子状の構造を形成するいくつかの安定化帯材（３７）を有し、
該少なくとも１つの底革部材（１１７）が接地面（１５３）を含み、該遮断材（３３）の該接地面（１５３）に向いた側から該接地面（１５３）の水平面にまで及ぶ少なくとも１つの支持要素（１５１）が、歩行時に該遮断材（３３）が歩行面上で該支持要素（１５１）によって支えられるように、該通し空洞または通し空洞の少なくとも１つ（３１）の中に、該遮断材（３３）に対応して配置されている、
靴底複合材（１０５）。
【請求項２】
前記安定化部材（２５，１１９）が、実質的に第一の方向に配置された複数の第一の安定化帯材（３７）と、実質的に第二の方向に配置された少なくとも一つの第二の安定化帯材（３７）を有し、該少なくとも一つの第二の安定化帯材（３７）が該複数の第一の安定化帯材（３７）を横切る、請求項１に記載の靴底複合材（１０５）。
【請求項３】
前記複数の第一の安定化帯材（３７）が、前記少なくとも一つの第二の安定化帯材を実質的に直角に横切る、請求項２に記載の靴底複合材（１０５）。
【請求項４】
前記複数の第一の安定化帯材（３７）が実質的に足の幅方向に配置され、前記少なくとも一つの第二の安定化帯材（３７）が実質的に該足の長手方向に配置されている、請求項２または３に記載の靴底複合材（１０５）。
【請求項５】
前記安定化部材（１１９）が複数の第一の安定化帯材と少なくとも一つの第二の安定化帯材を有し、該複数の第一の安定化帯材と該少なくとも一つの第二の安定化帯材の間に少なくとも一つの接触点が形成されている、請求項１に記載の靴底複合材（１０５）。
【請求項６】
前記安定化帯材（３７）が前記通し空洞（３１）に関連した安定化格子（１３７）を形成し、該安定化格子（１３７）が前記遮断材（３３）までの異物の侵入を防止する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の靴底複合材（１０５）。
【請求項７】
前記安定化帯材（３７）が対応する通し空洞（３１）の外周縁内に配置されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の靴底複合材（１０５）。
【請求項８】
前記安定化帯材（３７）の少なくとも１つが同時に支持要素（１５１）として形成されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の靴底複合材（１０５）。
【請求項９】
前記安定化帯材（３７）の前記格子状の構造が、全面的に、または部分的に前記支持要素（１５１）として形成されている、請求項８に記載の靴底複合材（１０５）。
【請求項１０】
前記安定化部材（２５）に、前記通し空洞（３１）の少なくとも一部を成し、前記遮断材（３３）によって閉鎖されている、少なくとも１つの開口部（１３５）が設けられている、請求項１〜９のいずれか一項に記載の靴底複合材（１０５）。
【請求項１１】
前記安定化部材（２５，１１９）が、少なくとも前記靴底複合材（１０５）を安定化させる少なくとも１つの安定化フレーム（１４７）を有しており、前記少なくとも１つの開口部（１３５）が該少なくとも１つの安定化フレーム（１４７）によって境界付けされており、前記安定化帯材（３７）の前記格子状の構造が前記少なくとも１つの開口部（１３５）内に配置されている、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の靴底複合材（１０５）。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの安定化部材（２５，１１９）が、前記靴底複合材の足前方領域に対応する面積の少なくとも１５％が水蒸気透過性になるように形成されている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の靴底複合材（１０５）。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの安定化部材（２５，１１９）が、前記靴底複合材の足中央部領域に対応する面積の少なくとも１５％が水蒸気透過性になるように形成されている、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の靴底複合材（１０５）。
【請求項１４】
靴底側の靴甲末端領域（２１９）に、防水性で水蒸気透過性の靴甲底部機能層（２４７）が付与された靴甲（１０３）を有する、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の、水蒸気透過性の靴底複合材（１０５）を有する靴製品であって、該靴甲底部機能層（２４７）が少なくとも前記少なくとも１つの通し空洞（３１）の領域では前記遮断材（３３）とは完全に、または殆ど完全なまでに非結合の状態であるように、前記靴底複合材（１０５）が該靴甲底部機能層（２４７）の付与された該靴甲末端領域と結合している、靴製品。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月2日(2014.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の遊戯者により操作される第１の操作手段と、
第２の遊戯者により操作される第２の操作手段と、
ゲームを制御する制御手段と
を有するゲームシステムであって、
前記制御手段は、
操作を指示する操作指示手段と、
第１の態様と、第２の態様とを含む複数の態様のうち、いずれの態様でゲームを行うかを判定する手段とを有し、
前記第１の態様では、
前記第１の操作手段への操作入力のタイミングが、前記操作指示手段の前記操作を指示する出力タイミングと合致するか否か、及び、前記第２の操作手段への操作入力のタイミングが、前記操作指示手段の前記操作を指示する出力タイミングと合致するか否かを判定し、
前記第２の態様では、
前記第１の操作手段への操作入力のタイミングと前記第２の操作手段への操作入力のタイミングとの少なくともいずれか一方が、前記操作指示手段の出力タイミングと合致するか否かを判定し、前記第１の遊戯者と前記第２の遊戯者のうちいずれか一方が他方を支援する、
ことを特徴とするゲームシステム。
【請求項２】
第１の遊戯者により操作される第１の操作手段と、
第２の遊戯者により操作される第２の操作手段と、
ゲームを制御する制御手段と
を有するゲームシステムであって、
前記制御手段は、
操作を指示する操作指示手段と、
第１の態様と、第２の態様とを含む複数の態様のうち、いずれの態様でゲームを行うかを判定する手段とを有し、
前記第１の態様では、
前記第１の操作手段及び前記第２の操作手段への操作入力のタイミングが両方共に前記操作指示手段の前記操作を指示するタイミングと合致するか否かを判定し、
前記第２の態様では、
前記第１の操作手段への操作入力のタイミングと前記第２の操作手段への操作入力のタイミングとの少なくともいずれか一方が、前記操作指示手段の出力タイミングと合致するか否かを判定し、前記第１の遊戯者と前記第２の遊戯者のうちいずれか一方が他方を支援する、
ことを特徴とするゲームシステム。
【請求項３】
前記第１の操作手段又は前記第２の操作手段の操作入力のタイミングと前記操作指示手段の操作を指示する出力タイミングが合致するか否かの判定は、各操作入力のタイミングと前記操作指示手段の操作を指示する出力タイミングとの差が所定範囲に入っているか否かを判定する、
ことを特徴とする請求項１又は２記載のゲームシステム。
【請求項４】
前記第１の態様では、前記判定結果に基づき、前記第１の操作手段及び第２の操作手段の評価を行い、
前記第２の態様では、前記判定結果に基づき、前記第１の操作手段及び第２の操作手段のうち、支援を受ける遊戯者により操作される操作手段の評価を行う、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のゲームシステム。
【請求項５】
前記第２の態様において、
前記操作指示手段で指示された入力すべき操作回数に対し、前記第1及び第２の操作手段への操作入力をそれぞれ計数し、前記第1の操作手段の操作回数、前記第２の操作手段の操作回数、前記第1及び第２の操作手段の操作回数の合計値のいずれかが、前記指示された入力すべき操作回数であるか否かを判定する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のゲームシステム。
【請求項６】
第１の遊戯者により操作される第１の操作手段と、第２の遊戯者により操作される第２の操作手段とを備える遊戯装置に設けられた情報処理部を、ゲームを制御する制御手段として機能ささせるためのプログラムであって、
前記制御手段は、
操作を指示する操作指示手段と、
第１の態様と、第２の態様とを含む複数の態様のうち、いずれの態様でゲームを行うかを判定する手段とを有し、
前記第１の態様では、
前記第１の操作手段への操作入力のタイミングが、前記操作指示手段の前記操作を指示する出力タイミングと合致するか否か、及び、前記第２の操作手段への操作入力のタイミングが、前記操作指示手段の前記操作を指示する出力タイミングと合致するか否かを判定し、
前記第２の態様では、
前記第１の操作手段への操作入力のタイミングと前記第２の操作手段への操作入力のタイミングとの少なくともいずれか一方が、前記操作指示手段の出力タイミングと合致するか否かを判定し、前記第１の遊戯者と前記第２の遊戯者のうちいずれか一方が他方を支援する、
ことを特徴とするプログラム。
【請求項７】
第１の遊戯者により操作される第１の操作手段と、第２の遊戯者により操作される第２の操作手段とを備える遊戯装置に設けられた情報処理部を、ゲームを制御する制御手段として機能ささせるためのプログラムであって、
前記制御手段は、
操作を指示する操作指示手段と、
第１の態様と、第２の態様とを含む複数の態様のうち、いずれの態様でゲームを行うかを判定する手段とを有し、
前記第１の態様では、
前記第１の操作手段及び前記第２の操作手段への操作入力のタイミングが両方共に前記操作指示手段の前記操作を指示するタイミングと合致するか否かを判定し、
前記第２の態様では、
前記第１の操作手段への操作入力のタイミングと前記第２の操作手段への操作入力のタイミングとの少なくともいずれか一方が、前記操作指示手段の出力タイミングと合致するか否かを判定し、前記第１の遊戯者と前記第２の遊戯者のうちいずれか一方が他方を支援する、
ことを特徴とするプログラム。
【請求項８】
前記第１の操作手段又は前記第２の操作手段の操作入力のタイミングと前記操作指示手段の操作を指示する出力タイミングが合致するか否かの判定は、各操作入力のタイミングと前記操作指示手段の操作を指示する出力タイミングとの差が所定範囲に入っているか否かを判定する、
ことを特徴とする請求項６又は７記載のプログラム。
【請求項９】
前記第１の態様では、前記判定結果に基づき、前記第１の操作手段及び第２の操作手段の評価を行い、
前記第２の態様では、前記判定結果に基づき、前記第１の操作手段及び第２の操作手段のうち、支援を受ける遊戯者により操作される操作手段の評価を行う、
ことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載のプログラム。
【請求項１０】
前記第２の態様において、
前記操作指示手段で指示された入力すべき操作回数に対し、前記第1及び第２の操作手段への操作入力をそれぞれ計数し、前記第1の操作手段の操作回数、前記第２の操作手段の操作回数、前記第1及び第２の操作手段の操作回数の合計値のいずれかが、前記指示された入力すべき操作回数であるか否かを判定する、
ことを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載のプログラム。