【手続補正書】
【提出日】平成26年3月17日(2014.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第２保護膜１６はゲート電極１２と対向する領域に設けられている。第２保護膜は第１保護膜と同様に、絶縁膜材料、例えばＳｉＯ2等の酸化物を主成分として構成されている。具体的には、例えば窒化シリコンと酸化シリコンとの積層構造（ＳｉＮ／ＳｉＯ2）または酸化アルミニウムと酸化シリコンとの積層構造（Ａｌ2Ｏ3／ＳｉＯ2）が挙げられる。第２保護膜１６の膜厚は、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲が好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（１−２）配線部
第１配線層２１および第２配線層２４は所定の信号を伝達するためのものであり、例えばＴＦＴ１０を制御する信号線ＤＴＬおよび走査線ＷＳＬ（共に図２参照）等である。第１配線層２１は上記ゲート電極１２と同一材料および同一工程において形成されている。第２配線層２４はソース・ドレイン電極１７と同一材料および同一工程において形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
第１絶縁膜２２および第２絶縁膜２３は、第１配線層２１と第２配線層２４との間における短絡を防ぐためのものである。第１絶縁膜２２および第２絶縁膜２３はそれぞれ上記ゲート絶縁膜１３および第２保護膜１６と同一材料および同一工程において形成されており、第２絶縁膜２３は第１絶縁膜２２上に直接積層された構成を有している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（１−３）表示素子の全体構成
次に、上記ＴＦＴ１０および配線部２０を備えた表示装置の一例を、図２を用いて説明する。図２は極薄型の有機発光カラーディスプレイとして用いられる表示装置１の構成を表したものである。この表示装置１は、例えば、ＴＦＴ１０を備えた基板１１に、表示素子として複数の有機発光素子よりなる画素ＰＸＬＣがマトリクス状に配置されてなる表示領域３０を有する。この表示領域３０の周辺には、信号部である水平セレクタ（ＨＳＥＬ）３１と、スキャナ部であるライトスキャナ（ＷＳＣＮ）３２および電源スキャナ（ＤＳＣＮ）３３とが形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
サンプリング用トランジスタ３Ａは、そのゲートが対応する走査線ＷＳＬ１に接続され、そのソースおよびドレインの一方が対応する信号線ＤＴＬ１に接続され、他方が駆動用トランジスタ３Ｂのゲートｇに接続されている。駆動用トランジスタ３Ｂは、そのドレインｄが対応する電源線ＤＳＬ１に接続され、ソースｓが発光素子３Ｄのアノードに接続されている。発光素子３Ｄのカソードは接地配線３Ｈに接続されている。なお、この接地配線３Ｈは全ての有機発光素子ＰＸＬＣに対して共通に配線されている。保持容量３Ｃは駆動用トランジスタ３Ｂのソースｓとゲートｇとの間に接続されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
続いて、図４（Ｃ）に示したように、第１保護膜１５，ゲート絶縁膜１３および第１絶縁膜２２の全面に例えばプラズマＣＶＤ法により厚さ２００ｎｍのＳｉＯxを成膜し第２保護膜１６および
第２絶縁膜２３を形成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図５は従来の表示装置１００の断面構成を表したものである。この表示装置１００を構成するＴＦＴ１１０にはチャネル層１１４上には１層の保護膜１１６が設けられており、配線部１２０には第１絶縁膜１２２と保護膜１１６との間に半導体層１１４Ａが挟持されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図６は従来の表示装置１００の製造工程を表したものである。以下に各工程を簡単に説明する。まず、図６（Ａ）に示したように、基板１１１上にゲート電極および第１配線層を形成したのち、基板１１１、ゲート電極１１２および第１配線層１２１の全面にゲート絶縁膜１１３および第１絶縁膜１２２を形成する。続いて、図６（Ｂ）に示したように、ゲート絶縁膜１１３上に半導体層１１４Ａおよび保護膜１１６（第２保護膜１６およびだい２絶縁膜２３に相当）を形成する。次に、図６（Ｃ）に示したように保護膜１１６をフォトリソグラフィおよびエッチングにより加工したのち、図６（Ｄ）に示したように半導体層１１４Ａをフォトリソグラフィおよびエッチングにより加工してチャネル層１１４を形成する。最後に、保護膜１１６、チャネル層１１４および基板１１１の全面にソース・ドレイン電極１１７および第２配線層１２４に対応するメタル層を成膜および加工することにより表示装置１００が完成する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
以上のように製造された表示装置１００では、ＴＦＴ１１０および配線部１２０において以下の問題が生じる。まず、ＴＦＴ１１０では、全面に成膜した保護膜１１６を所定の形状に加工するためにエッチングを行うが、その際、保護膜１１６の下層のチャネル層１１４が露出しているためエッチングのための各種プラズマあるいはエッチング液等に曝される。これによりチャネル層１１４の表面が損傷し、ＴＦＴ１１０の特性が劣化する。また、配線部１２０では、第１絶縁膜１２２と保護膜１１６との間に半導体層１１４Ａが残存するため、保護膜１１６の表面から基板１１１にかけて形成される第２配線層１２４と短絡が生じる。これにより、第１配線層１２１と第２配線層１２４との間のクロス容量は実質第１絶縁膜の膜厚となる。即ち、クロス容量の増大により、信号の伝達等に不具合が生じる等の信頼性が低下するという問題があった。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本実施の形態は、チャネル層１４（半導体層１４Ａ）上に第１保護膜１５を形成するようにしたものである。これにより、ＴＦＴ１０では各種プラズマ等によるチャネル層１４の損傷を防ぐことが可能となる。また、本実施の形態は、ゲート電極１２に対向する領域以外の半導体層１４Ａを第１保護膜１５と共に除去、即ち、第１配線層の上部の領域のチャネル層を除去するようにしたものである。これにより、配線部２０では第１絶縁膜２２および第２絶縁膜２３が直接積層される。即ち、第１配線層２１と第２配線層２４との間の十分な膜厚を確保することが可能となる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
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【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
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【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
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