【手続補正書】
【提出日】平成26年8月20日(2014.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のポリマーと第２のポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する方法であって、
露光処理された基板上のレジスト膜の表面に酸を付着させる酸付着工程と、
前記酸を付着させた後の基板を加熱処理して前記酸を拡散させる熱処理工程と、
前記熱処理工程後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成するレジスト処理工程と、
前記レジストパターンが形成された基板に対して、前記ブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗布工程と、
前記基板に塗布されたブロック共重合体を前記第１のポリマーと前記第２のポリマーに相分離させるポリマー分離工程と、を有することを特徴とする、基板処理方法。
【請求項２】
前記酸付着工程において、パターン露光後の前記レジスト膜の表面に酸性の液体を供給することで、前記レジスト膜の表面に酸を付着させ、酸付着後の基板を加熱処理して前記レジスト膜の高さを低減することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記酸付着工程において、パターン露光後の前記レジスト膜の表面に紫外線を照射することで、前記レジスト膜の表面に酸を付着させ、酸付着後の基板を加熱処理して前記レジスト膜の高さを低減することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項４】
レジスト処理工程後のレジストパターンが形成された基板上に、中性層を形成する中性層形成工程と、
前記レジストパターンを除去して基板上に中性層のパターンを形成する中性層処理工程と、をさらに有し、
ブロック共重合体塗布工程は、中性層処理工程の後に行われることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項５】
基板上にレジスト膜を形成する前に当該基板上に中性層を形成する中性層形成工程を有していることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記中性層上にレジストパターンが形成された基板に対して、前記レジストパターンから露出した前記中性層の露出面に表面処理を施す中性層処理工程を有し、
ブロック共重合体塗布工程は、前記中性層処理工程後に行われることを特徴とする、請求項５に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記中性層処理工程において、前記中性層の露出面と前記レジストパターン上に親水性を有する親水膜を形成して、当該露出面を親水化し、
前記ブロック共重合体塗布工程において処理される基板には、前記レジストパターンと共に、当該レジストパターン上の前記親水膜が除去され、前記中性層の露出面のみに前記親水膜が残っていることを特徴とする、請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記中性層処理工程において、前記中性層の露出面と前記レジストパターン上に疎水性を有する疎水膜を形成して、当該露出面を疎水化し、
前記ブロック共重合体塗布工程において処理される基板には、前記レジストパターンと共に、当該レジストパターン上の前記疎水膜が除去され、前記中性層の露出面のみに前記疎水膜が残っていることを特徴とする、請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記第１のポリマーは親水性を有する親水性ポリマーであり、前記第２のポリマーは、疎水性を有する疎水性ポリマーであることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記レジストパターンは、平面視において直線状のライン部と直線状のスペース部を有するパターンであり、
前記ブロック共重合体における前記第１のポリマーの分子量の比率は、４０％〜６０％であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記ポリマー分離工程において、前記スペース部に前記第１のポリマーと前記第２のポリマーが交互に奇数層に相分離されることを特徴とする、請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【請求項１３】
第１のポリマーと第２のポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理するシステムであって、
パターン露光された基板上のレジスト膜の表面に酸を付着させる酸付着装置と、
前記酸を付着させた後の基板を加熱処理して前記酸を拡散させる熱処理装置と、
前記加熱処理後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成するレジスト処理装置と、
前記レジストパターンが形成された基板に対して、前記ブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗装置と、
前記基板に塗布されたブロック共重合体を前記第１のポリマーと前記第２のポリマーに相分離させるポリマー分離装置と、
を有することを特徴とする、基板処理システム。
【請求項１４】
レジスト処理工程後のレジストパターンが形成された基板上に、中性層を形成する中性層形成装置と、
前記レジストパターンを除去して基板上に中性層のパターンを形成する中性層処理装置と、をさらに有していることを特徴とする、請求項１３に記載の基板処理システム。
【請求項１５】
基板上にレジスト膜を形成する前に当該基板上に中性層形成する中性層形成装置を有していることを特徴とする、請求項１３に記載の基板処理システム。
【請求項１６】
前記中性層上にレジストパターンが形成された基板に対して、前記レジストパターンから露出した前記中性層の露出面に表面処理を施す中性層処理装置を有していることを特徴とする、請求項１５に記載の基板処理システム。
【請求項１７】
前記レジストパターンは、平面視において円形状のスペース部を有するパターンであり、
前記ブロック共重合体における前記第１のポリマーの分子量の比率は、２０％〜４０％であることを特徴とする、請求項１３〜１６のいずれかに記載の基板処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、親水性を有する親水性ポリマーと疎水性を有する疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いた基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記の目的を達成するため、本発明は、第１のポリマーと第２のポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する方法であって、露光処理された基板上のレジスト膜の表面に酸を付着させる酸付着工程と、前記酸を付着させた後の基板を加熱処理して前記酸を拡散させる熱処理工程と、前記熱処理工程後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成するレジスト処理工程と、前記レジストパターンが形成された基板に対して、前記ブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗布工程と、前記基板に塗布されたブロック共重合体を前記第１のポリマーと前記第２のポリマーに相分離させるポリマー分離工程と、を有することを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、酸付着工程において、パターン露光後のレジスト膜の表面に酸を付着させている。これにより、その後の熱処理工程においてレジスト膜の表面に酸が拡散してレジスト膜において脱保護反応を起こす。その結果、現像処理において露光処理した部分のほかに、酸付着工程においてレジスト膜の表面も溶解し、レジスト膜の膜厚が低減される。そうすると、その後のブロック共重合体塗布工程においてレジストパターン上にブロック共重合体を塗布した際に、当該ブロック共重合体に与えるレジストパターンの段差の影響が緩和される。このため、その後にポリマー分離工程とポリマー除去工程を行って基板上に形成される、第１のポリマー又は第２のポリマーのパターン高さに与える影響を低減することができる。その結果、基板上に所定の微細なパターンを適切に形成することができるので、当該第１のポリマー又は第２のポリマーのパターンをマスクとした被処理膜のエッチング処理を適切に行うことができ、被処理膜に所定のパターンを形成することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記第１のポリマーは親水性を有する親水性ポリマーであり、前記第２のポリマーは、疎水性を有する疎水性ポリマーであってもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
前記レジストパターンは、平面視において直線状のライン部と直線状のスペース部を有するパターンであり、前記ブロック共重合体における前記第１のポリマーの分子量の比率は、４０％〜６０％であってもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
前記ポリマー分離工程において、前記スペース部に前記第１のポリマーと前記第２のポリマーが交互に奇数層に相分離されてもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また別な観点による本発明によれば、別な観点による本発明によれば、前記基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
さらに別な観点による本発明は、第１のポリマーと第２のポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理するシステムであって、パターン露光された基板上のレジスト膜の表面に酸を付着させる酸付着装置と、前記酸を付着させた後の基板を加熱処理して前記酸を拡散させる熱処理装置と、前記加熱処理後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成するレジスト処理装置と、前記レジストパターンが形成された基板に対して、前記ブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗装置と、前記基板に塗布されたブロック共重合体を前記第１のポリマーと前記第２のポリマーに相分離させるポリマー分離装置と、を有することを特徴としている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
前記レジストパターンは、平面視において円形状のスペース部を有するパターンであり、前記ブロック共重合体における前記第１のポリマーの分子量の比率は、２０％〜４０％であってもよい。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明によれば、第１のポリマーと第２のポリマーとを含むブロック共重合体を用いた基板処理において、基板上に所定のパターンを適切に形成することができる。