(57)【要約】【課題】フェイスアップ実装方法において、低コストで半導体チップを損傷する虞のない半導体チップの実装方法を提供する。【解決手段】主平面２０Ａと、裏面２０Ｂとを備えた半導体チップ２０を基板１０上に実装する半導体チップ実装方法であって、半導体チップ２０の主平面２０Ａにチップ側バンプ４１を形成するチップ側バンプ形成工程と、ピックアップ手段６０の吸着面６１にチップ側バンプ４１を当接させながら半導体チップ２０をピックアップするピックアップ工程と、裏面２０Ｂが基板１０と対向するように半導体チップ２０を基板１０の所定位置に載置する載置工程と、半導体チップ２０を基板１０に固定する固定工程と、を有する半導体チップの実装方法により上記課題が解決される。【選択図】図５
2013012587.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主平面と、前記主平面と反対側の裏面とを備えた半導体チップを基板上に実装する半導体チップ実装方法であって、
前記半導体チップの前記主平面にチップ側バンプを形成するチップ側バンプ形成工程と、
ピックアップ手段の吸着面に前記チップ側バンプを当接させながら前記半導体チップをピックアップするピックアップ工程と、
前記裏面が前記基板と対向するように、前記半導体チップを前記基板の所定位置に載せる載置工程と、
前記半導体チップを前記基板に固定する固定工程と、を有する半導体チップの実装方法。
【請求項２】
前記チップ側バンプ形成工程において、複数の前記チップ側バンプを形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体チップの実装方法
【請求項３】
前記ピックアップ工程の前に、複数の前記チップ側バンプの高さを揃えるレベリング工程を備えたことを特徴とする請求項２に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項４】
複数の前記チップ側バンプは、前記半導体チップの素子部を囲むように設けられることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項５】
前記ピックアップ工程において、前記チップ側バンプのみが前記吸着面に当接することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項６】
前記固定工程の後に、前記基板に金属線により基板側バンプを形成し、続けて前記金属線を前記チップ側バンプまで延長し、前記金属線を前記チップ側バンプに接続するワイヤボンディング工程を有することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項７】
前記固定工程において、前記ピックアップ手段の前記吸着面を前記チップ側バンプに押圧し、前記半導体チップを前記基板に押し付けて固定することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項８】
前記主平面には外部に露出する端子部が設けられ、
前記チップ側バンプは前記端子部に形成されることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項９】
前記半導体チップの前記主平面には、前記主平面から突出する素子部が設けられており、
前記チップ側バンプの前記主平面からの高さを前記素子部の突出高さよりも大きく形成することを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項１０】
前記半導体チップは、前記主平面に活性層が設けられた光電変換素子であることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項１１】
前記ピックアップ手段は、吸着コレットであり、
前記ピックアップ工程において、前記チップ側バンプを吸着面に当接させながら前記半導体チップをピックアップすることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項１２】
基板と、前記基板上に設けられた半導体チップとしての光電変換素子と、前記基板上に設けられレンズ部を備えた光学部品と、を有する光電変換モジュールの製造方法であって、
請求項６に記載の半導体チップの実装方法により、前記光電変換素子を前記基板に搭載した後に、前記レンズ部が前記光電変換素子と対向するように前記光学部品を前記基板上に搭載することを特徴とする光電変換モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの実装方法、及びこれを用いた光電変換モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気配線間の一部を光配線に置き換えて電子機器間の信号の伝送効率を向上させることが試みられている。このように電気配線間の一部を光配線に置き換えるために、電気信号を光信号に変換する、あるいは、光信号を電気信号に変換するために、特許文献１に記載のような光電変換モジュールが用いられている。この特許文献１に記載の光電変換モジュールは、貫通孔を設けた基板に、活性層が貫通孔を向くように半導体チップ（光電変換素子）を取り付けるフェイスダウン実装方法を用いて作成されている。
【０００３】
一方で、半導体チップのフェイスアップ実装方法として、特許文献２は、半導体チップを傷つけないように、矩形状の半導体チップの角部を収容する溝を吸着コレットの吸着面の中心から４隅に向かって延びるように形成することを提案している。このような形状の吸着コレットを採用することにより、半導体チップのサイズが変更された場合でも、同じ吸着コレットを用いることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１２２３１２号公報
【特許文献２】特許第２８０３９５７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで特許文献１に記載の光電変換モジュールの実装方法では、基板に貫通孔を設ける必要があったり、基板と半導体チップとの接合面を目視で確認できないなどの不都合が生じていた。そこで、半導体チップの基板への取り付けに際し、活性層を基板と反対側（基板の上方）を向けて取り付けるフェイスアップ実装方法を採用することが検討されている。しかしながら、単にフェイスアップ実装方法を用いて半導体チップを基板に取り付けるには、以下のような問題が生じる。
【０００６】
すなわち、フェイスアップ実装方法では、半導体チップを吸着コレットに吸着させる際に、吸着コレットによる吸着力が半導体チップに作用し、半導体チップが損傷してしまう虞がある。特に、光電変換素子のように素子部が損傷しやすい半導体チップの実装には何らかの対策を講じることが必要であった。そこで、特許文献２の実装方法を適用することが考えられる。
【０００７】
しかし、特許文献２の実装方法をもってしても、半導体チップの形状が異なれば、その吸着コレットの形状を変更せざるを得ず、異なる形状の半導体チップごとに異なる吸着コレットを用意しなければならない。したがって半導体チップの実装コストが嵩む原因となっていた。
【０００８】
そこで本発明は、フェイスアップ実装方法において、低コストで半導体チップを損傷する虞のない半導体チップの実装方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明によれば以下が提供される。
（１）  主平面と、前記主平面と反対側の裏面とを備えた半導体チップを基板上に実装する半導体チップ実装方法であって、
前記半導体チップの前記主平面にチップ側バンプを形成するチップ側バンプ形成工程と、
ピックアップ手段の吸着面に前記チップ側バンプを当接させながら前記半導体チップをピックアップするピックアップ工程と、
前記裏面が前記基板と対向するように、前記半導体チップを前記基板の所定位置に載せる載置工程と、
前記半導体チップを前記基板へ固定する固定工程と、を有する半導体チップの実装方法。
（２）  前記チップ側バンプ形成工程において、複数の前記チップ側バンプを形成することを特徴とする（１）に記載の半導体チップの実装方法
（３）  前記ピックアップ工程の前に、複数の前記チップ側バンプの高さを揃えるレベリング工程を備えたことを特徴とする（２）に記載の半導体チップの実装方法。
（４）  複数の前記チップ側バンプは、前記半導体チップの素子部を囲むように設けられることを特徴とする（２）または（３）に記載の半導体チップの実装方法。
（５）  前記ピックアップ工程において、前記チップ側バンプのみが前記吸着面に当接することを特徴とする（１）から（４）のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。
（６）  前記固定工程の後に、前記基板に金属線により基板側バンプを形成し、続けて前記金属線を前記チップ側バンプまで延長し、前記金属線を前記チップ側バンプに接続するワイヤボンディング工程を有することを特徴とする（１）から（５）のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。
（７）  前記固定工程において、前記ピックアップ手段の吸着面を前記チップ側バンプに押圧し、前記半導体チップを前記基板に押し付けて固定することを特徴とする（１）から（６）のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。
（８）  前記主平面には外部に露出する端子部が設けられ、
前記チップ側バンプは前記端子部に形成されることを特徴とする（１）から（７）のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。
（９）  前記半導体チップの前記主平面には、前記主平面から突出する素子部が設けられており、
前記チップ側バンプの前記主平面からの高さを前記素子部の突出高さよりも大きく形成することを特徴とする（１）から（８）のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。
（１０）  前記半導体チップは、前記主平面に活性層が設けられた光電変換素子であることを特徴とする（１）から（９）のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。
（１１）  前記ピックアップ手段は、吸着コレットであり、
前記ピックアップ工程において、前記チップ側バンプを吸着面に当接させながら前記半導体チップをピックアップすることを特徴とする（１）から（１０）のいずれか一項に記載の半導体チップの実装方法。
（１２）  基板と、前記基板上に設けられた半導体チップとしての光電変換素子と、前記基板上に設けられレンズ部を備えた光学部品と、を有する光電変換モジュールの製造方法であって、
（６）に記載の半導体チップの実装方法により、前記光電変換素子を前記基板に搭載した後に、前記レンズ部が前記光電変換素子と対向するように前記光学部品を前記基板上に搭載することを特徴とする光電変換モジュールの製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る半導体チップの実装方法によれば、半導体チップをピックアップする際に、チップ側バンプをピックアップ手段の吸着面に当接させるので、ピックアップ時に作用する応力をチップ側バンプに集中させることができ、半導体チップが損傷することがない。また、チップ側バンプは半導体チップの主平面上の任意の位置に形成することができるので、どのような形状の半導体チップにも本実装方法を適用することができ、低コストで信頼性の高い半導体チップを提供することができる。
【００１１】
また、本発明に係る光電変換モジュールの製造方法によれば、チップ側バンプと基板側バンプとを接続するワイヤを基板に沿うように配線できるため、基板からのワイヤ高さを低くすることができる。ゆえに、ワイヤと光学部品とを干渉させずにレンズ部と光電変換素子との距離を短くすることができ、光結合効率の高い光電変換モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明を適用した光電変換モジュールを用いた光コネクタを示す斜視図である。
【図２】本発明を適用した光電変換モジュールを示す断面図である。
【図３】図２に示す光電変換モジュールの製造方法のチップ側バンプ形成工程を示す図である。
【図４】図２に示す光電変換モジュールの製造方法のレベリング工程を示す図である。
【図５】図２に示す光電変換モジュールの製造方法のピックアップ工程を示す図である。
【図６】図２に示す光電変換モジュールの製造方法の載置工程を示す図である。
【図７】図２に示す光電変換モジュールの製造方法の固定工程を示す図である。
【図８】図２に示す光電変換モジュールの製造方法のワイヤボンディング工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明に係る半導体チップの実装方法及び光電変換モジュールの製造方法の実施形態を、図面を参照して説明する。なお、以下では半導体チップとして光電変換素子を採用した実施形態を説明する。
【００１４】
＜全体構造＞
図１は光電変換モジュール１を用いた光コネクタの斜視図である。光電変換モジュール１は、基板１０と、基板１０の上に設けられた光電変換素子２０と、光電変換素子２０を覆うように基板１０の上に設けられた光学部品３０とを備えている。また、光電変換モジュール１と光接続されるコネクタは、コネクタ本体３と、コネクタ本体３に端部が収容された複数の光ファイバ２とを備えている。
【００１５】
光電変換モジュール１は、その内部に設けられた光電変換素子２０により、複数の光ファイバ２から入力される光信号を電気信号に変換する、あるいは、電気信号を光信号に変換して光ファイバ２に出力するものである。
【００１６】
図２は光電変換モジュール１の断面図である。光電変換モジュール１は、基板１０と、半導体チップとしての光電変換素子２０と、第１レンズ部３１，第２レンズ部３２及び反射面３３を備えた光学部品３０とを備えている。
【００１７】
光電変換素子２０は、フォトダイオード等の受光素子や、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）等の発光素子である。光電変換素子２０は受発光面である活性層２１が光学部品３０の第１レンズ部３１と対向するように、基板１０上に固定されている。
【００１８】
光学部品３０は透明樹脂により一体成形された部材であり、底面には第１レンズ部３１が形成されている。この底面から基板１０に向かって突出する脚部３４が形成され、基板１０と第１レンズ部３１とを所定間隔離間させている。また、第１レンズ部３１及び第２レンズ部３２はコリメートレンズである。
【００１９】
光電変換素子２０が発光素子である場合は、第１レンズ部３１が光電変換素子２０から発光された光をコリメートして平行光化し、平行光とされた光は反射面３３で第２レンズ部３２に向けて反射され、第２レンズ部３２は反射光を集光しながら外部に出射する。光学部品３０は、第２レンズ部３２に対向するように配置された光ファイバ２を介して光信号を伝達する。
【００２０】
また、光電変換素子２０にはチップ側バンプ４１が形成され、ワイヤ４０を介して基板１０上に形成された基板側バンプ４２と電気的に接続されている。基板側バンプ４２は基板１０上の基板電極１１を介して、例えば、光電変換素子２０を駆動するＩＣまたはＴＩＡ（Transimpedance Amplifier）といった図示せぬ制御回路と接続される。
【００２１】
以上の如く構成された光電変換モジュール１において、光電変換素子２０が発光素子の場合、外部から基板電極１１とワイヤ４０を介して電気信号が光電変換素子２０に入力されると、その電気信号に応じて光電変換素子２０が光信号を発生させ、光信号は光ファイバ２を通じて外部機器に伝達される。また、光電変換素子２０が受光素子の場合は、光ファイバ２を通じて光信号が光電変換素子２０に入力されると、その光信号に応じて光電変換素子２０が電気信号を発生させ、電気信号がワイヤ４０を介して基板電極１１に伝達される。
【００２２】
＜光電変換素子の実装方法及び光電変換モジュールの製造方法＞
以上のように構成される光電変換モジュール１の製造方法及び光電変換素子の実装方法を、図２から図８を参照して説明する。
【００２３】
（チップ側バンプ形成工程）
まず図３に示すように、光電変換素子２０のチップ本体２２のうち、活性層２１が形成された主平面２０Ａに複数のチップ側バンプ４１を形成する。このチップ側バンプ４１は活性層２１を除く主平面２０Ａ上の任意の場所に形成することができる。本実施形態においては、主平面２０Ａ上に形成されたチップ側電極２３の上にチップ側バンプ４１を形成している。また、光電変換素子２０の主平面２０Ａ上には活性層２１に接続された金属製のチップ側電極２３が設けられている。
【００２４】
チップ側バンプ４１は、例えばワイヤボンディング装置を用いて、ボンディングワイヤ（金属線）の先端を溶融させてイニシャルボールを形成し、このイニシャルボールを熱圧着あるいは加熱と超音波を併用して主平面２０Ａ上に固定してボールボンドを形成し、ボンディングワイヤをボールボンドから引きちぎることにより、形成できる。チップ側バンプ４１は、およそ外径が１００μｍの球状に形成される。なお、一般的な活性層２１の主平面２０Ａからの突出高さは２〜３μｍなので、チップ側バンプ４１は活性層２１よりも大きく形成される。
【００２５】
なお、このチップ側バンプ４１はチップ側電極２３の上に形成すると、金属同士を接合させることができるので、半導体であるチップ本体２２の上にチップ側バンプ４１を形成する場合に比べて、接続強度を向上させることができる。また、後述するようにチップ側バンプ４１を基板電極１１とワイヤ４０で接続することにより、活性層２１の電気的導通を達成するための部位とすることもできる。
【００２６】
（レベリング工程）
次に図４に示すように、形成した複数のチップ側バンプ４１の高さを揃えるために、複数のチップ側バンプ４１にレベリング加工を施す。レベリング加工により、高さの異なる複数のチップ側バンプ４１を圧縮変形させ、高さを揃える。
【００２７】
レベリング加工は、例えば、チップ側バンプ４１が形成された光電変換素子２０を、スペーサ５３を介してステージ５１とレベラ５２で挟み込み、光電変換素子２０に圧縮荷重を作用させながらステージ５１とレベラ５２との間隔を維持し、所定時間保持することにより行われる。スペーサ５３の高さは、レベリング後の目標とするチップ側バンプ４１の高さを勘案して決定する。また、このレベリング工程により、チップ側バンプ４１の頭部を平坦面とすることができるので、後述するピックアップ工程や固定工程において光電変換素子２０の姿勢が安定する。なお、レベリング工程はこのような例に限られず、公知のレベリング加工を用いることができる。
【００２８】
（ピックアップ工程）
次に、図５の如く吸着コレット（ピックアップ手段）６０により光電変換素子２０をピックアップする。吸着コレット６０は、光電変換素子２０を吸着させる吸着面６１を備えている。本実施形態では、吸着コレット６０は真空吸着コレットであり、吸着面６１に開口する貫通孔６２から吸気し、吸着面６１に負圧を発生させることで吸着面６１に光電変換素子２０を吸着させる。なお、吸着面６１は平坦面としてもよいが、図示したように活性層２１のような半導体チップの素子部が接触しにくいように、活性層２１に対応する部位が凹んだ凹面とすることが好ましい。
【００２９】
吸着コレット６０により光電変換素子２０をピックアップすると、チップ側バンプ４１は活性層２１よりも大きいので、吸着面６１は活性層２１やチップ本体２２には当接せず、チップ側バンプ４１に当接する。したがって、ピックアップ時に吸着面６１から光電変換素子２０に作用する応力を、活性層２１やチップ本体２２ではなく、チップ側バンプ４１に集中させることができる。したがって、活性層２１やチップ本体２２を損傷させることなく光電変換素子２０をピックアップすることができる。
【００３０】
（載置工程）
続いて、ピックアップした光電変換素子２０を移動させ、裏面２０Ｂが基板１０と対向するように基板１０の所定位置に載置する。このとき、図６に示すように基板１０上にはダイボンド材Ａを塗布しておく。
【００３１】
（固定工程）
光電変換素子２０を所定位置に載置したら、ダイボンドツール７０により図７中の矢印Ｂの如く、基板１０の上方から光電変換素子２０を基板１０に押し付ける。光電変換素子２０を基板１０に押し付けることにより、光電変換素子２０と基板１０との間に介在するダイボンド材Ａを均一に拡げることができる。また、光電変換素子２０の裏面２０Ｂが基板１０の表面と平行となるように光電変換素子２０を基板１０に密着させることにより、活性層２１が基板１０の主平面２０Ａに対して真上を向くように光電変換素子２０の取り付け姿勢を調整することができる。
【００３２】
このような光電変換素子２０の固定工程においても、チップ側バンプ４１は活性層２１よりも大きいので、ダイボンドツール７０の押圧面７１は、活性層２１やチップ本体２２ではなく、チップ側バンプ４１に当接する。したがって、押圧時に光電変換素子２０に作用する押圧力を、活性層２１やチップ本体２２ではなく、チップ側バンプ４１に集中させることができ、活性層２１やチップ本体２２を損傷させることなく光電変換素子２０を基板１０に押圧することができる。
【００３３】
もっとも本固定工程において、ダイボンドツール７０の代わりに、ピックアップ工程で用いた吸着コレット６０を用い、吸着コレット６０の吸着面６１を光電変換素子２０に押し付け、光電変換素子２０を基板１０に固定してもよい。
【００３４】
（ワイヤボンディング工程）
次に図８に示すように、基板１０の基板電極１１の上に基板側バンプ４２を形成し、基板側バンプ４２と活性層２１に接続されたチップ側バンプ４１とをワイヤ４０でワイヤボンディングする。
【００３５】
具体的には、ワイヤボンディング装置を用い、ボンディングワイヤの先端を溶融させてイニシャルボールを形成し、このイニシャルボールを基板電極１１上に固定してボールボンドを形成し、基板電極１１の上に基板側バンプ４２を形成する。続けて、先端を基板側バンプ４２に固定したまま、チップ側バンプ４１までボンディングワイヤを引き出し、引き出した先でボンディングワイヤに荷重や超音波等を加えてチップ側バンプ４１に固定し、チップ側バンプ４１の上でボンディングワイヤを引きちぎる。このようにして、ワイヤ４０によりチップ側バンプ４１及び基板側バンプ４２とを接続することができる。
【００３６】
本実施形態に係る光電変換素子２０の実装方法によれば、チップ側バンプ形成工程で形成したチップ側バンプ４１は、ピックアップ工程や固定工程において光電変換素子２０を保護するためにだけ形成しているのではなく、ワイヤボンディング工程においてワイヤ４０の接続先として利用される。つまり、本実施形態に係るチップ側バンプ形成工程は、後のワイヤボンディング工程で利用されるチップ側バンプ４１をワイヤボンディング工程より先に形成するものといえる。したがって、ワイヤボンディング工程を含む光電変換素子の実装方法においては、チップ側バンプ形成工程はコストアップの要因とはならない。また、従来の実装方法でも、光電変換素子２０を電気的に導通させるために、ワイヤ４０で基板１０と光電変換素子２０とを接続することが行われている。したがって、従来の実装方法に比べてもチップ側バンプ形成工程がコストアップの要因とはならない。
【００３７】
以上の工程により光電変換素子２０の基板１０への実装が完了する。したがって、本実施形態に係る光電変換素子２０の基板１０への実装方法によれば、活性層２１やチップ本体２２ではなく、チップ側バンプ４１が吸着面６１や押圧面７１に当接する。したがって、吸着面６１や押圧面７１が活性層２１やチップ本体２２に直接外力を作用させることがないので、光電変換素子２０を損傷させることなく基板１０に実装することができる。
【００３８】
また、このチップ側バンプ４１は主平面２０Ａ上の活性層２１を除く任意の場所に形成することができる。つまり、光電変換素子２０の形状や、活性層２１の設けた位置に関わらず、チップ側バンプ４１を形成して本実装方法を適用することができる。また、このチップ側バンプ４１は既存のワイヤボンディング装置を用いて形成することができる。したがって、本実施形態に係る光電変換素子２０の基板１０への実装方法は、特に専用の装置を用いることなく様々な形状の光電変換素子２０を含む半導体チップの実装に適用することができる。
【００３９】
なお、チップ側バンプ４１は活性層２１を囲む複数の任意の位置、より具体的には３箇所に、チップ側バンプ４１を形成することが好ましい。ピックアップ工程及び固定工程において、安定した姿勢で光電変換素子２０を吸着面６１及び押圧面７１に吸着・押圧することができるからである。また、吸着や押圧した際に活性層が吸着面６１あるいは押圧面７１に当接しないように、複数のチップ側バンプ４１が活性層２１を囲むように、チップ側バンプ４１を形成することが好ましい。
【００４０】
（光学部品取り付け工程）
次に、以上のように光電変換素子２０が実装された基板１０に、光電変換素子２０を覆うように光学部品３０を基板１０に取り付けて、図２に示す光電変換モジュール１を作成する。光学部品３０は、第１レンズ部３１の中心が光電変換素子２０の直上に位置するように、基板１０に取り付ける。
【００４１】
このとき、第１レンズ部３１が光電変換素子２０やワイヤ４０と接触することを防止するために、光学部品３０には脚部３４が設けられている。一方で、脚部３４が大きいと、第１レンズ部３１と活性層２１とが離れてしまう。第１レンズ部３１と活性層２１との離間距離が長くなると、活性層２１から出射した光が拡散してしまい、光損失が増大するので、第１レンズ部３１と活性層２１とをできるだけ近づけることが好ましい。
【００４２】
この場合においても、本実施形態に係る光電変換モジュール１の製造方法よれば、チップ側バンプ４１は光電変換素子２０から突出して形成されるので、ワイヤ４０を基板１０に対して浅い角度（基板１０の表面に対して平行に近い角度）でチップ側バンプ４１に接続しても、ワイヤ４０の光電変換素子２０に対する十分な接続強度を確保することができる。そこで、ワイヤ４０を基板１０に対して浅い角度でチップ側バンプ４１に接続することができる。
【００４３】
つまり、活性層２１よりも基板１０から離間した領域を通過するワイヤ４０を、できるだけ基板１０に沿って形成することができるので、第１レンズ部３１をワイヤ４０と接触させないための脚部３４の高さを低くすることができる。ゆえに、第１レンズ部３１を活性層２１にできるだけ近づけることができる。したがって、本実施形態によれば、光変換効率の高い光電変換モジュールを提供することができる。
【００４４】
なお、上述の説明では第１レンズ部３１が光電変換素子２０やワイヤ４０と接触することを防止するために脚部３４を設けた例を挙げて説明したが、脚部３４を設けるかわりに、基板１０から離れるように窪んだ収容凹部を設け、収容凹部の底面に第１レンズ部３１を設けても良い。
【００４５】
以上のような光電変換モジュール１の製造方法により、例えば１ｃｈ当たり３個のチップ側バンプ４１を形成した１２ｃｈの光電変換素子２０を基板１０に取り付ける際には、４８０ｇの押圧力を光電変換素子２０に作用させても、光電変換素子２０に損傷は見られなかった。ところが、チップ側バンプ４１を形成しない場合には、１５０ｇの押圧力を光電変換素子２０に作用させた場合でも光電変換素子２０が損傷した。
【００４６】
特に複数個の活性層２１がアレイ状に配列された光電変換素子２０の場合には、１つでも活性層２１が損傷してしまうと、光電変換素子２０全体が使用できず、廃棄せざるを得ない。したがって、特に複数の活性層２１が形成された光電変換素子２０に本実施形態に係る実装方法を適用すると、歩留まりが格段に向上する。
【００４７】
以上、本発明をその実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に多様な変更または改良を加えることができることは、当業者にとって明らかである。
【００４８】
例えば、上述の実施形態では本発明を光電変換モジュールの製造に適用した例を挙げて説明したが、本発明はこの例に限られない。例えば、ＩＣチップやＬＳＩ等の集積回路、あるいはイメージセンサ等の光電子部品、あるいは各種センサやアクチュエータが搭載されたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）等の実装にも適用することができる。
【００４９】
特にチップ表面から突出した素子部を有する半導体チップを基板に取り付ける際には、本発明に係る半導体チップの実装方法を適用すると、素子部を損傷させることなく容易に基板に実装することができるので好適である。
【００５０】
また、上述の実施形態では複数のチップ側バンプ４１を主平面２０Ａに形成したが、単一のチップ側バンプ４１を形成してもよい。この場合でも、チップ側バンプ４１の高さが十分に大きければ活性層２１を吸着面６１あるいは押圧面７１から保護できる。
【００５１】
また、半導体チップがＬＳＩチップである場合など、素子部が半導体チップの主平面から突出していない場合には、単一のチップ側バンプ４１を設けるだけでもよい。吸着面６１や押圧面７１からの外力がチップ側バンプ４１に集中するので、ピックアップ工程や固定工程において半導体チップに応力が集中することがなく、半導体チップの損傷を防止できる。
【００５２】
もっとも、素子部が半導体チップの主平面から突出している場合でも、チップ側バンプ４１の高さを素子部の突出高さより大きく形成すれば、ピックアップ工程及び固定工程時に、単一のチップ側バンプ４１に応力を集中させることができ、素子部の損傷を防止することができる。
【００５３】
また、本実施形態においては吸着コレットを用いたピックアップ装置を例に挙げて説明したが、本発明は特に吸着コレットに限られない。
【符号の説明】
【００５４】
１：光電変換モジュール、
２：光ファイバ
３：コネクタ本体
１０：基板
１１：基板電極
２０：光電変換素子
２１：活性層
２２：チップ本体
２３：チップ側電極
２０Ａ：主平面
２０Ｂ：裏面
３０：光学部品
３１：第１レンズ部
３２：第２レンズ部
３３：反射面
３４：脚部
４０：ワイヤ
４１：チップ側バンプ
４２：基板側バンプ
５１：ステージ
５２：レベラ
５３：スペーサ
６０：吸着コレット（ピックアップ手段）
６１：吸着面
６２：貫通孔
７０：ダイボンドツール（押圧手段）
７１：押圧面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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