(57)【要約】【課題】ICチップカードのパッケージ形式が、既存のワイヤーボンディング方式の代わりに、表面粘着方式を利用でき、全体構造は双層回路板を利用し、また、メッキを使用せず、双層回路において、ソルダーで導通接続でき、基板の材料コストを節約でき、パッケージのスループットが向上され、有効にパッケージの総コストを低下できるICチップカードを提供する。【解決手段】基板と、複数の上記基板の金属保護層に設置され、被覆領域が第二開口と貫通孔を含む半田バンプと、上記らの半田バンプのすずパッドのダイマウント面に粘着される半導体チップ及び上記すずパッドのダイマウント面とその周りのソルダレジストに設置され、上記半導体チップを封止する封止用コンパウンド体と、からなる。【選択図】図２Ｃ
0003163743.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、
コア板があり、その上下表面に、それぞれ導電層が覆われ、上記上下表面の導電層に、上記コア板の上下表面の一部を露出する複数の第一開口が形成され、また、上記上下表面の導電層が、上記コア板に貫設された貫通孔を通して電気接続するための導電シートであり、上記コア板と上記上表面の導電層との一部に、更に、ソルダレジストが覆われ、少なくとも、上記上表面の導電層の一部と、上記コア板に貫設された貫通孔により、少なくとも、上記下表面の導電層の一部とを露出するための複数の第二開口があり、また、上記第二開口から露出された上記上表面の導電層と上記貫通孔から露出された上記下表面の導電層に、更に金属保護層が、ボールパッドとして、覆われ、上記導電層に、第一、二導電層が含まれる基板と、
上記基板の金属保護層に設置され、その被覆領域が、上記ソルダレジストの第二開口と上記コア板の貫通孔を含み、また、ダイマウント面のすずパッドとして、上記第二開口周りにある上記ソルダレジストの一部と、リフローにより形成された半田ボールと、が含まれる複数の半田バンプと、
上記らのすずパッドのダイマウント面に粘着される半導体チップと、
上記すずパッドのダイマウント面とその周りのソルダレジストに設置されて、上記半導体チップを封止するための封止用コンパウンド体と、が含有される、ことを特徴とするICチップカード。
【請求項２】
上記コア板の貫通孔が、レーザー鑽孔や他の方式により形成されたことを特徴とする請求項１に記載のICチップカード。
【請求項３】
上記金属保護層において、上記第一、二導電層に、化学ニッケル金やメッキニッケル金、銀液浸或いは有機保護薄膜から構成された腐食劣化を防止できる層が形成されることを特徴とする請求項１に記載のICチップカード。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、ICチップカードに関し、特に、ワイヤーボンディング方式（Wire Bonding）の代わりに、表面粘着方式（Surface Mount
Technology、 SMT）を利用し、特に、双層回路において、ソルダーにより導通し、基板の材料コストを節約でき、パッケージスループット（Throughput）が向上され、有効にパッケージの総コストが低減されるものに関する。
【背景技術】
【０００２】
図３Ａ〜３Ｄは、既存のワイヤーボンディング方式により構成されたチップカードパッケージの構造概念図である。図のように、従来のチップカード５００は、基板５０と半導体チップ６０、複数のボンディングワイヤー７０及び封止用コンパウンド体８０からなる。上記基板５０は、コア板５１を有し、上記コア板５１は、複数の貫通孔５２があり、その下表面５１２に、導電層５３が覆われ、上記導電層５３には、上記コア板５１の下表面５１２の一部を露出する複数の開口５４が形成され、また、上記貫通孔５２と上記導電層５３の下に、それぞれ、銅材質の第一、二金属保護層（Metal Finish）５５、５６が覆われ、上記第一金属保護層５５は、それぞれ、ダイマウントパッド５５aとワイヤーボンディングパッド５５bとして、使用される。
【０００３】
上記半導体チップ６０は、粘着材６により、上記基板５０のダイマウントパッド５５a上に設置され、また、上記半導体チップ６０の主動面に、複数のボールパッド６１が形成される。これにより、ワイヤーボンディングから形成された上記らのボンディングワイヤー７０により、上記らのボールパッド６１と上記らのワイヤーボンディングパッド５５bとが、接続され、また、点粘着により、上記封止用コンパウンド体８０が、上記基板５０のコア板５１の上表面５１１と上記らのワイヤーボンディングパッド５５b上に設置されて、上記半導体チップ６０と上記らのボンディングワイヤー７０とを封止する。しかしながら、この従来のチップカード５００の基板５０は、特殊のプロセスによって作製され、また、海外業者の許可を取るべき、そのため、その材料コストが高くて、業界は、パッケージスループットを向上して、パッケージの総コストを低減することができない。
【０００４】
上記の問題を解消するため、他に、上記基板の代わりに、業界に良く知られている双層回路板を使用する技術が登場し、しかしながら、その双層金属層は、メッキ方式により、その回路を導通するため、有効に、コストダウンを実現できない。そのため、業界において、成熟してきた双層回路技術を利用して、また、メッキを必要せず、回路を導通でき、大幅に、コストを低減できる構造が、要請されている。
【０００５】
本考案者は、上記欠点を解消するため、慎重に研究し、また、学理を活用して、有効に上記欠点を解消でき、設計が合理である本考案を提案する。
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００６】
本考案の主な目的は、従来技術の上記問題を解消でき、ワイヤーボンディング方式の代わりに表面粘着方式を利用し、全体構造は、双層回路板を利用し、また、メッキを必要せず、即ち、双層回路において、ソルダーで、導通でき、基板の材料コストを低減して、パッケージスループットを向上でき、有効にパッケージの総コストを低下できるICチップカードを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本考案は、以上の目的を達成するため、ICチップカードであり、主として、基板と複数の半田バンプ（Solder Bump）、半導体チップ及び封止用コンパウンド体からなる。上記基板は、双層回路板（Laminate）であり、コア板があり、その上、下表面に、それぞれ、導電層が覆われ、上記上、下表面の導電層において、上記コア板の上、下表面の一部を露出する複数の第一開口があり、また、上記上、下表面の導電層は、上記コア板の貫通孔を介して、電気接続する導電シートであり、上記コア板と上記上表面の導電層は、一部に、更に、ソルダレジスト（Solder Resist）が覆われ、また、少なくとも、上記上表面の導電層の一部を露出する複数の第二開口が形成され、そして、上記コア板の貫通孔を介して、少なくとも、上記下表面の導電層が露出し、また、上記第二開口から露出した上記上表面の導電層と上記貫通孔から露出した上記下表面の導電層に、更に、金属保護層が覆われ、それから、上記コア板の貫通孔は、レーザー鑽孔や他の方式により形成され、また、上記コア板の上、下表面の導電層は、エッチングにより形成された第一、二導電層で、銅金属から形成されたものであり、また、上記金属保護層においては、上記第一、二導電層に、化学ニッケル金やメッキニッケル金、銀液浸（Immersion Silver）或いは有機保護薄膜（Organic Solderability
Preservative、 OSP）から構成された腐食劣化を防止できる層であり、上記金属保護層は、上記第一、二導電層に、腐食劣化を防止できる層が構成される。上記らの半田バンプは、上記基板の金属保護層に設置され、その被覆領域は、上記ソルダレジストの第二開口と上記コア板の貫通孔を含み、また、上記らの半田バンプは、印刷によって形成され、ダイマウント（Die Mount）面のすずパッドとして、上記第二開口周りの上記ソルダレジストの一部とリフローにより形成された半田ボールを含む。上記半導体チップは、上記らのすずパッドのダイマウント面に粘着される。また、上記封止用コンパウンド体は、上記すずパッドのダイマウント面とその周りのソルダレジストに設置され、上記半導体チップを封止する。
【０００８】
以下、図面を参照しながら、本考案の特徴や技術内容について、詳しく説明するが、それらの図面等は、参考や説明のためであり、本考案は、それによって制限されることが無い。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】本考案のより良い實施例である双層板構造の概念図
【図１Ｂ】本考案の図形が図１Ａの双層板にエッチングされる状態の構造概念図
【図１Ｃ】本考案の図１Ｂの双層板に貫通孔が形成された状態の構造概念図
【図１Ｄ】本考案のソルダレジストを図１Ｃの双層板に塗布してある状態の構造概念図
【図１Ｅ】本考案の金属保護層を図１Ｄの双層板に塗布してある状態のコア基板構造概念図
【図２Ａ】本考案の半田バンプを図１Ｅのコア基板に印刷した状態の構造概念図
【図２Ｂ】本考案の半導体チップが図２Ａの半田バンプにリフローされて粘着された状態の構造概念図
【図２Ｃ】本考案の封止用コンパウンド体で図２Ｂの半導体チップを封止するICチップカードの構造概念図
【図３Ａ】従来基板の構造概念図
【図３Ｂ】従来の半導体チップを図３Ａの基板に粘着した状態の構造概念図
【図３Ｃ】従来の図３Ｂの基板に接合されたワイヤーボンディングと半導体チップの構造概念図
【図３Ｄ】従来の封止用コンパウンド体で図３Ｃの半導体チップを封止するチップカードの構造概念図
【考案を実施するための形態】
【００１０】
図１Ａ〜図１Ｅと図２Ａ〜図２Ｃは、それぞれ、本考案のより良い實施例である双層板構造の概念図と、本考案の図形が図１Ａの双層板にエッチングされる状態の構造概念図と、本考案の図１Ｂに貫通孔が形成された状態の双層板の構造概念図と、本考案のソルダレジストを図１Ｃの双層板に塗布してある状態の構造概念図と、本考案の金属保護層を図１Ｄの双層板に塗布してある状態のコア基板構造概念図、本考案印刷半田バンプ於第１Ｅ図のコア基板の構造概念図と、本考案の半導体チップが図２Ａの半田バンプにリフローされて粘着された状態の構造概念図及び本考案の封止用コンパウンド体で図２Ｂの半導体チップに封止してある状態のICチップカード構造概念図である。図のように、本考案は、ICチップカード１００であり、主として、基板１０と複数の半田バンプ（Solder Bump）２０、半導体チップ３０及び封止用コンパウンド体４０が含有される。
【００１１】
上記基板１０は、図１Ａ〜図１Ｅ図のように、双層回路板（Laminate）であり、コア板１１があり、その上、下表面１１１、１１２に、それぞれ、導電層１２が覆われ、上記上、下表面１１１、１１２の導電層１２に、上記コア板１１の上、下表面１１１、１１２の一部が露出された複数の第一開口１３が形成され、また、上記上、下表面１１１、１１２の導電層１２は、上記コア板１１の貫通孔１４を介して電気接続する導電シートであり、上記コア板１１と上記上表面１１１の導電層１２との一部に、更に、ソルダレジスト（Solder Resist）１５が覆われ、また、少なくとも、上記上表面１１１の導電層１２の一部を露出する複数の第二開口１６があり、上記コア板１１の貫通孔１４を介して、上記下表面１１２の導電層１２の一部が露出し、そして、上記第二開口１６から露出した上記上表面１１１の導電層１２と、上記貫通孔１４から露出した上記下表面１１２の導電層１２とに、更に、金属保護層（Metal Finish）１７が覆われて、ボールパッド（Ball Pad）１７aとされ、また、上記コア板１１の貫通孔１４は、レーザー鑽孔や他の方式により形成され、また、上記コア板１１の上、下表面１１１、１１２の導電層１２は、エッチングにより形成された第一、二導電層１２a、１２bで、銅金属から形成されたものであり、また、上記金属保護層１７においては、上記第一、二導電層１２a、１２bに、化学ニッケル金やメッキニッケル金、銀液浸（Immersion Silver）或いは有機保護薄膜（Organic
Solderability Preservative、 OSP）から構成された腐食劣化を防止できる層である。
【００１２】
上記半田バンプ２０は、図２Ａのように、上記基板１０の金属保護層１７に設置され、その被覆領域は、上記ソルダレジスト１５の第二開口１６と上記コア板１１の貫通孔１４を含み、また、上記らの半田バンプ２０は、印刷により形成され、上記第二開口１６周りの上記ソルダレジスト１５の一部とダイマウント（Die Mount）面２０１aとするすずパッド２０a及びリフローによって形成された半田ボール２０bが含まれる。
【００１３】
上記半導体チップ３０は、図２Ｂのように、上記らのすずパッド２０aのダイマウント面２０１aに粘着される。
【００１４】
上記封止用コンパウンド体４０は、図２Ｃのように、上記すずパッド２０aのダイマウント面２０１aとその周りのソルダレジスト１５に設置され、上記半導体チップ３０を封止する。以上のように、新規のICチップカード１００が構成される。
【００１５】
上記の構成により、本考案は、ICチップカードのパッケージ形式は、既存のワイヤーボンディング方式（Wire
Bonding）の代わりに、表面粘着方式（Surface Mount Technology、 SMT）を利用でき、全体構造は、双層回路板を利用し、また、メッキを使用せず、双層回路において、ソルダーで導通接続でき、基板の材料コストを節約でき、パッケージのスループット（Throughput）が向上され、有効にパッケージの総コストを低下できる。
【００１６】
以上のように、本考案に係るICチップカードは、有効に、従来の諸欠点を解消でき、ICチップカードのパッケージ形式は、既存のワイヤーボンディング方式の代わりに、表面粘着方式を利用し、全体構造は、双層回路板を利用し、メッキを利用せず、双層回路において、ソルダーで導通接続でき、基板の材料コストを節約でき、パッケージのスループットが向上され、有効に、パッケージの総コストが低下され、そのため、本考案は、より進歩的かつより実用的で、法に従って実用新案登録請求を出願する。
【００１７】
以上は、ただ、本考案のより良い実施例であり、本考案は、それによって制限されることが無く、本考案に係わる考案登録請求の範囲や明細書の内容に基づいて行った等価の変更や修正は、全てが、本考案の考案登録請求の範囲内に含まれる。
【符号の説明】
【００１８】
（本考案部分）
１０    基板
１００  ICチップカード
１１    コア板
１１１、１１２  上、下表面
１２    導電層
１２a、１２b  第一、二導電層
１３    第一開口
１４    貫通孔
１５    ソルダレジスト
１６    第二開口
１７    金属保護層
１７a  ボールパッド
２０    半田バンプ
２０a    すずパッド
２０１a  ダイマウント面
２０b    半田ボール
３０     半導体チップ
４０     封止用コンパウンド体
（従来部分）
５０    基板
５００  チップカード
５１    コア板
５１１  上表面
５１２  下表面
５２    貫通孔
５３    導電層
５４    開口
５５    第一金属保護層
５５a  ダイマウントパッド
５５b  ワイヤーボンディングパッド
５６   第二金属保護層
６    
粘着材
６０  半導体チップ
６１  ボールパッド
７０  ボンディングワイヤー
８０  封止用コンパウンド体
【図１Ａ】
0003163743.tif 000003
【図１Ｂ】
0003163743.tif 000004
【図１Ｃ】
0003163743.tif 000005
【図１Ｄ】
0003163743.tif 000006
【図１Ｅ】
0003163743.tif 000007
【図２Ａ】
0003163743.tif 000008
【図２Ｂ】
0003163743.tif 000009
【図２Ｃ】
0003163743.tif 000010
【図３Ａ】
0003163743.tif 000011
【図３Ｂ】
0003163743.tif 000012
【図３Ｃ】
0003163743.tif 000013
【図３Ｄ】
0003163743.tif 000014