【手続補正書】
【提出日】平成26年1月29日(2014.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
封止金型内で、第一の金属基板の一部に、第二の金属基板の一部である、又は前記第二の金属基板に接続された金属部材である、接合対象金属部材の一部を、金属接合材料を介して押圧しつつ、前記封止金型内にモールド樹脂を充填させる充填工程と、
前記モールド樹脂を硬化するとともに、前記金属接合材料を用いて前記第一の金属基板の一部と前記接合対象金属部材の一部の間を接合する硬化接合工程とを備え、
前記第一の金属基板及び前記第二の金属基板の少なくともいずれかには半導体素子が搭載されている、
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記硬化接合工程は、
前記封止金型内で、前記モールド樹脂を仮硬化するとともに、前記金属接合材料を用いて前記第一の金属基板の一部と前記接合対象金属部材の一部の間を仮接合する仮硬化接合工程と、
前記モールド樹脂を本硬化するとともに、前記金属接合材料を用いて前記第一の金属基板の一部と前記接合対象金属部材の一部の間を本接合する本硬化接合工程とを有する、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記金属接合材料は、Ｓｎ−Ｂｉ合金膜である、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記仮硬化接合工程において、
前記第一の金属基板の一部と、前記接合対象金属部材の一部は、Ｃｕ合金によって形成されており、
前記第一の金属基板の前記一部側に、金属間化合物であるＣｕ６Ｓｎ５の仮第１接合層が形成され
前記接合対象金属部材の前記一部側に、金属間化合物であるＣｕ６Ｓｎ５の仮第２接合層が形成され、
前記仮第１接合層と前記仮第２接合層の間に、マーブル状にＳｎ−ＢｉとＢｉが配置された仮第３接合層が形成され、
前記本硬化接合工程において、
前記第一の金属基板の前記一部側に、金属間化合物であるＣｕ６Ｓｎ５の本第１接合層が形成され、
前記接合対象金属部材の前記一部側に、金属間化合物であるＣｕ６Ｓｎ５の本第２接合層が形成され、
前記本第１接合層と前記本第２接合層の間に、Ｂｉの本第３接合層が形成される、請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記Ｓｎ―Ｂｉ合金は、Ｓｎが２５ａｔｍ％〜６０ａｔｍ％含まれている、請求項３又は４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記硬化接合工程は、１７０℃〜１８０℃で行われる、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記充填工程において、前記封止金型に配置された押圧ピンによって前記押圧が行われる、請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記充填工程において、前記封止樹脂が注入されている途中で、前記押圧ピンが前記封止金型内から引き抜かれる、請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記金属接合材料は、前記第一の金属基板の一部と前記第二の金属基板の一部に、電解メッキによって、予め形成されている、請求項１〜８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記金属部材は、前記第二の金属基板に前記金属接合材料を介して接続されている、請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
第一の金属基板と、
前記第一の金属基板の上側に配置された第二の金属基板とを備え、
前記第一の金属基板の一部と、前記第二の金属基板の一部である、又は前記第二の金属基板に接続された金属部材である、接合対象金属部材の一部は接合部で接合されており、
前記接合部は、
前記第一の金属基板の前記一部側に形成された、金属間化合物であるＣｕ６Ｓｎ５の第１接合層と、
前記接合対象金属部材の前記一部側に形成された、金属間化合物であるＣｕ６Ｓｎ５の第２接合層と、
前記第１接合層と前記第２接合層の間に形成された、Ｂｉの第３接合層とを有している、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するために、第１の本発明は、
封止金型内で、第一の金属基板の一部に、第二の金属基板の一部である、又は前記第二の金属基板に接続された金属部材である、接合対象金属部材の一部を、金属接合材料を介して押圧しつつ、前記封止金型内にモールド樹脂を充填させる充填工程と、
前記モールド樹脂を硬化するとともに、前記金属接合材料を用いて前記第一の金属基板の一部と前記接合対象金属部材の一部の間を接合する硬化接合工程とを備え、
前記第一の金属基板及び前記第二の金属基板の少なくともいずれかには半導体素子が搭載されている、
半導体装置の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
第１１の本発明は、
第一の金属基板と、
前記第一の金属基板の上側に配置された第二の金属基板とを備え、
前記第一の金属基板の一部と、前記第二の金属基板の一部である、又は前記第二の金属基板に接続された金属部材である、接合対象金属部材の一部は接合部で接合されており、
前記接合部は、
前記第一の金属基板の前記一部側に形成された、金属間化合物であるＣｕ６Ｓｎ５の第１接合層と、
前記接合対象金属部材の前記一部側に形成された、金属間化合物であるＣｕ６Ｓｎ５の第２接合層と、
前記第１接合層と前記第２接合層の間に形成された、Ｂｉの第３接合層とを有している、半導体装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図１（ｂ）は、接合部８の拡大構成図である。図１（ｂ）に示すように、接合部８では、第二の金属基板４の裏側部分４１側に金属間化合物１００による金属間化合物層１１ｂが形成されている。また、第一の金属基板２の表側部分２０側に金属間化合物１００による金属間化合物層１１ａが形成されている。そして、２つの金属間化合物層１１ａ、１１ｂに挟まれて、金属単相１２１から形成された単一金属層１２が形成されている。この金属間化合物１００は、例えばＣｕ６Ｓｎ５である。又、金属単相１２１は、例えばＢｉである。又、本発明の第一の金属基板の一部の一例は、本実施の形態１の第一の金属基板２の表側部分２０に対応し、本発明の第二の金属基板の一部の一例は、本実施の形態１の第二の金属基板４の裏側部分４１に対応する。又、本発明の第１接合層の一例は、本実施の形態１の金属間化合物層１１ａに対応し、本発明の第２接合層の一例は、本実施の形態１の金属間化合物層１１ｂに対応し、本発明の第３接合層の一例は、本実施の形態１の単一金属層１２に対応する。また、本発明の接合対象金属部材の一例は、本実施の形態１の第二の金属基板４の一部に対応する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
この接合部３３及び接合部３４における構造は、実施の形態１と同様である。図７（ｂ）は、接合部３３の拡大構成図である。例えば、接合部３３では、図７（ｂ）に示すように、第一の金属基板２の表側部分２０側に金属間化合物層１１ａが形成されており、金属クリップ１５の一端の裏側部分１５１側に金属間化合物層１１ｂが形成されており、これら２つの金属間化合物層１１ａ、１１ｂの間に金属単相１２１による単一金属層１２が形成されている。この金属間化合物層１１ａ、１１ｂを形成する金属化合物は、例えばＣｕ６Ｓｎ５であり、単一金属層１２を形成する金属単相１２１は、例えばＢｉである。また、本発明の金属部材の一例は、本実施の形態１の金属クリップ１５に対応する。