(57)【要約】【課題】素子の信頼性が向上され、容易に作製される効果が得られるレイアウト構造のある集積回路を提供する。【解決手段】その一面に、多数の接点があるグレインと、グレインの一面に堆積され、それぞれ、各接点に対応する第一開口が形成される第一誘電層と、第一誘電層の一面に堆積され、それぞれ、各第一開口に対応する第二開口が形成される第二誘電層と、各接点に接続されるように、第一と第二開口の中に配置される少なくとも一つのリセット配線層と、第二誘電層とリセット配線層の一面に堆積され、多数の、リセット配線層に対応する貫通孔が配置されるソルダレジスト層と、ソルダレジスト層の各貫通孔に設置され、それぞれ、リセット配線層に接続される多数のはんだ球と、が含有される。【選択図】図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
その一面に、多数の接点があるグレインと、
グレインの一面に堆積され、それぞれ、各接点に対応する第一開口が形成される第一誘電層と、
第一誘電層の一面に堆積され、それぞれ、各第一開口に対応する第二開口が形成される第二誘電層と、
各接点に接続されるように、第一と第二開口の中に配置される少なくとも一つのリセット配線層と、
第二誘電層とリセット配線層の一面に堆積され、多数の、リセット配線層に対応する貫通孔が配置されるソルダレジスト層と、
ソルダレジスト層の各貫通孔に設置され、それぞれ、リセット配線層に接続される多数のはんだ球と、
が含有される、ことを特徴とするレイアウト構造のある集積回路。
【請求項２】
上記第一と第二誘電層は、樹脂や有機或いは無機絶縁材質であることを特徴とする請求項１に記載のレイアウト構造のある集積回路。
【請求項３】
上記第一と第二誘電層は、スピンコートや印刷、CVD或いはスパッターにより、形成されることを特徴とする請求項１に記載のレイアウト構造のある集積回路。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、レイアウト構造のある集積回路に関し、特に、素子の信頼性が向上され、容易に作製される効果が得られるものに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般の、従来の集積回路のパッケージは、グレインを印刷回路基板（やリードフレーム）に粘着して、ワイヤリングにより、グレインにある接点と、対応する印刷回路基板（やリードフレーム）にある接点とを、接続した後、必要とするパッケージ成型を行い、これにより、集積回路のパッケージが作製される。
【０００３】
しかしながら、従来のグレイン印刷回路基板（やリードフレーム）にある接点は、ワイヤリングにより、各ピンを、互いに接続するため、結線の方式が、弾性的にあるが、チップ粒子の堆積パッケージは、上記グレインにおいて、異なる堆積に合わせて、異なる配線を作製することが必要とし、これにより、ウェーハの作製生産に使用されたフォトマスクの設計が、複雑になり、素子の信頼性が低減され、また、生産管理の困難性が増大され、作製コストが高くなる。
【０００４】
本考案者は、上記欠点を解消するため、慎重に研究し、また、学理を活用して、有効に上記欠点を解消でき、設計が合理である本考案を提案する。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
本考案の主な目的は、素子の信頼性が向上され、容易に作製される効果が得られるレイアウト構造のある集積回路を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本考案は、上記の目的を達成するため、レイアウト構造のある集積回路であり、その一面に、多数の接点があるグレインと、グレインの一面に堆積され、それぞれ、各接点に対応する第一開口が形成される第一誘電層と、第一誘電層の一面に堆積され、それぞれ、各第一開口に対応する第二開口が形成される第二誘電層と、各接点に接続されるように、第一と第二開口の中に配置される少なくとも一つのリセット配線層と、第二誘電層とリセット配線層の一面に堆積され、多数の、リセット配線層に対応する貫通孔が配置されるソルダレジスト層と、ソルダレジスト層の各貫通孔に設置され、それぞれ、リセット配線層に接続される多数のはんだ球と、が含有される。
【０００７】
以下、図面を参照しながら、本考案の特徴や技術内容について、詳しく説明するが、それらの図面等は、参考や説明のためであり、本考案は、それによって制限されることが無い。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本考案の実施例１の断面状態概念図
【図２】本考案の実施例１の作製状態概念図
【図３】本考案の実施例１の作製状態概念図
【図４】本考案の実施例１の作製状態概念図
【図５】本考案の実施例１の作製状態概念図
【図６】本考案の実施例１の作製状態概念図
【図７】本考案の実施例１の作製状態概念図
【図８】本考案の実施例１の作製状態概念図
【図９】本考案の実施例１の作製状態概念図
【図１０】本考案の実施例１の作製状態概念図
【図１１】本考案の実施例１の作製状態概念図
【図１２】本考案の実施例１の作製状態概念図
【図１３】本考案の実施例２の断面状態概念図
【考案を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照して本考案の実施の形態を詳細に説明する。
【実施例１】
【００１０】
図１は、本考案の実施例１の断面状態概念図である。図のように、本考案は、レイアウト構造のある集積回路であり、少なくとも、グレイン１と第一誘電層２、第二誘電層３、少なくとも一つのリセット配線層４、ソルダレジスト層５及び多数のはんだ球６から構成される。
【００１１】
上記のグレイン１は、その一面に、多数の接点１１が形成される。
【００１２】
上記第一誘電層２は、グレイン１の一面に堆積され、それぞれ、各接点１１に対応する第一開口２１を有し、各第一開口２１において、接点１１の一面に堆積された連接層２２が設けられ、上記第一誘電層２は、樹脂や有機或いは無機絶縁材質である。
【００１３】
上記第二誘電層３は、第一誘電層２の一面に堆積され、それぞれ、各第一開口２１に対応する第二開口３１があり、上記第二誘電層３は、樹脂や有機或いは無機絶縁材質である。
【００１４】
上記リセット配線層４は、伝導体であり、上記リセット配線層４は、各接点１１にある連接層２２に接続されるように、第一と第二開口２１、３１の中に設置され、上記リセット配線層４に、金属表面処理層４１（Metal Finish）が堆積されても良い。
【００１５】
上記ソルダレジスト層５は、第二誘電層３とリセット配線層４の金属表面処理層４１の一面に堆積され、多数の金属表面処理層４１に対応する貫通孔５１がある。
【００１６】
各はんだ球６は、ソルダレジスト層５の各貫通孔５１の中に設置され、それぞれ、リセット配線層４にある金属表面処理層４１に接続される。上記の構造により、新規のレイアウト構造のある集積回路が構成される。
【００１７】
図２〜図１２は、本考案の実施例１の作製状態概念図である。図のように、本考案によれば、チップ１０を用意し、上記チップ１０において、分断線１０１により、多数のグレイン１が定義され、また、各グレイン１の一面に、多数の接点１１があり（図２のように）、その後、チップ１０の一面に、樹脂や有機或いは無機絶縁材質を利用して、スピンコートや印刷、CVD或いはスパッターにより、第一誘電層２を成形し（図３のように）、また、上記第一誘電層２において、露光現像やレーザー或いはエッチングで、各接点１１に対応する第一開口２１を成形し（図４のように）、そして、第一誘電層２の第一開口２１において、ＥＮＩＧ(electroless nickel/immersion gold)やImmersion Silver或いはImmersion Tin等により、接点１１の一面に堆積された連接層２２を形成し（図５のように）、また、上記第一誘電層２の一面に、樹脂や有機或いは無機絶縁材質を利用して、スピンコートや印刷、CVD或いはスパッター等で、第二誘電層３を成形し（図６のように）、更に、上記第二誘電層３において、露光現像やレーザー或いはエッチングにより、それぞれ、各第一開口２１に対応する第二開口３１を形成し（図７のように）、それから、上記第二誘電層３において、印刷や塗布、インクジェット、化学蒸着（DVD）、物理蒸着（PVD）、スパッタリング、電解鍍金或いは無電解鍍金により、リセット配線層４を形成し、また、第二誘電層３の表面以外の部分を研磨除去して、上記リセット配線層４が、各接点１１にある連接層２２と接続するように、第一と第二開口２１、３１の中に設置され、これにより、単一層のリセット配線層４が形成され（図８のように）、その後、再び、上記リセット配線層４において、ＥＮＩＧ(electroless nickel/immersion gold、ENIG)やImmersion Silver或いはImmersion Tin等により、金属表面処理層４１が堆積され（図９のように）、更に、上記第二誘電層３と金属表面処理層４１の一面に、ソルダレジスト層５を堆積し、また、上記ソルダレジスト層５は、多数の金属表面処理層４１に対応する貫通孔５１を有し（図１０のように）、その後、各ソルダレジスト層５の各貫通孔５１の中に、金属表面処理層４１を接続するためのはんだ球６を設置し（図１１のように）、最後に、分断線１０１に沿って、チップ１０を分断し（図１２のように）、これにより、必要とする集積回路が構成される（図１のように）。
【００１８】
特に、上記接点１１の一面にある連接層２２と、リセット配線層４にある金属表面処理層４１（Metal Finish）は、リセット配線層４の配線方式に従って、作製するか否かが決定され、印刷回路方式により、リセット配線層４を作製する時、直接に、第一誘電層２に、リセット配線層４を形成することができ、これにより、図６〜図８のプロセスを省略できる。
【実施例２】
【００１９】
図１３は、本考案の実施例２の断面状態概念図である。図のように、本考案に係るリセット配線層４は、上記実施例１に記載された単層構造形態の他に、本実施例２に記載される双層構造形態でもよく、相異箇所は、元のリセット配線層４に、他に、第三と第四誘電層７、８が設置され、更に、上記第三、四誘電層７、８に、更に、リセット配線層４ａが設置され、各リセット配線層４、４ａが、互いに接続されることにより、双層のリセット配線層４、４ａの構造になるところである。
【００２０】
以上のように、本考案に係るレイアウト構造のある集積回路は、有効に、従来の諸欠点を解消でき、また、素子の信頼性が向上され、容易に作製される効果が得られる。そのため、本考案は、より進歩的かつより実用的で、法に従って実用新案登録請求を出願する。
【００２１】
以上は、ただ、本考案のより良い実施例であり、本考案は、それによって制限されることが無く、本考案に係わる実用新案登録請求の範囲や明細書の内容に基づいて行った等価の変更や修正は、全てが、本考案の実用新案登録請求の範囲内に含まれる。
【符号の説明】
【００２２】
１      グレイン
１０    チップ
１０１  分断線
１１    接点
２      第一誘電層
２１    第一開口
２２    連接層
３      第二誘電層
３１    第二開口
４、４ａ  リセット配線層
４１    金属表面処理層
５      ソルダレジスト層
５１    貫通孔
６    はんだ球
７    第三誘電層
８    第四誘電層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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