(57)【要約】【課題】長期にわたって高い表示品位を維持することができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置は、液晶表示パネルＬＰＮと、補強板と、液晶表示パネル及び補強板を接着する接着材と、を備えている。液晶表示パネルＬＰＮは、第１偏光板ＰＬ１と、第２偏光板ＰＬ２とを備えている。第１偏光板ＰＬ１は、偏光子層５１と、支持層５２、５３とを有している。第２偏光板ＰＬ２は、偏光子層６１と、支持層６２、６３とを有している。支持層５２、５３、６２、６３の少なくとも１つは、４０μｍ未満の厚み（Ｔ５２、Ｔ５３、Ｔ６２、Ｔ６３）を有する。【選択図】図１４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び第２基板間に挟持された液晶層と、前記第１基板の外面に対向した第１偏光板と、前記第２基板の外面に対向した第２偏光板と、前記第１基板及び第１偏光板を接着する第１接着材と、前記第２基板及び第２偏光板を接着する第２接着材と、を備えた液晶表示パネルと、
前記液晶表示パネルの外面に対向した補強板と、
前記液晶表示パネル及び補強板を接着する第３接着材と、を備え、
前記第１偏光板及び第２偏光板は、それぞれ偏光子層と、前記偏光子層の両面に設けられた支持層と、を有し、
前記支持層の少なくとも１つは、４０μｍ未満の厚みを有する液晶表示装置。
【請求項２】
第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び第２基板間に挟持されＹ軸に略平行な方向に液晶分子が初期配向した液晶層と、前記第１基板の外面に対向し前記Ｙ軸又は前記Ｙ軸に直交したＸ軸に平行な第１吸収軸を有した第１偏光板と、前記第２基板の外面に対向し前記第１吸収軸に対してクロスニコルの位置関係にある第２吸収軸を有した第２偏光板と、前記第１基板及び第１偏光板の間に位置し前記Ｙ軸に平行な第１遅相軸を有した第１位相差板と、前記第１位相差板及び第１偏光板の間位置し前記第１位相差板に積層され前記Ｙ軸に平行な第２遅相軸を有した第２位相差板と、前記第２位相差板と前記第１偏光板とを接着する第１接着材と、前記第２基板と前記第２偏光板とを接着する第２接着材と、前記第１基板と前記第１位相差板とを接着する第３接着材と、を備えた液晶表示パネルと、
前記液晶表示パネルの外面に対向した補強板と、
前記液晶表示パネル及び補強板を接着する第４接着材と、を備え、
前記第１偏光板は、偏光子層と、前記偏光子層の前記第２位相差板と対向した面とは反対側の面に設けられた支持層と、を有し、
前記第２偏光板は、偏光子層と、前記偏光子層の両面に設けられた支持層と、を有し、
前記支持層の少なくとも１つは、４０μｍ未満の厚みを有する液晶表示装置。
【請求項３】
前記補強板は、化粧板である請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記補強板は、入力された個所の位置情報を検出するセンシング基板である請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記補強板は、入力された個所の位置情報を検出するセンシング基板と、前記センシング基板に対向した化粧板と、前記センシング基板及び化粧板間に位置し前記センシング基板及び化粧板を接着する第５接着材と、の組立品で形成され、
前記第５接着材は、前記液晶表示パネル及びセンシング基板を接着する請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第３接着材は、紫外線硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂で形成されている請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第４接着材は、紫外線硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂で形成されている請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
第１方向に沿った長さが前記第１方向に直交した第２方向に沿った長さよりも短い画素において、
前記第１基板は、前記第２方向に長手方向を持つ主画素電極を含んだ画素電極を有し、
前記第２基板は、前記第１方向に前記主画素電極を挟んで位置し前記第２方向に長手方向を持つ主共通電極を含んだ共通電極を有している請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記画素電極は、前記第１方向に延出して形成された副画素電極をさらに含み、
前記共通電極は、前記第２方向に前記副画素電極を挟んで位置し前記第１方向に延出して形成された副共通電極をさらに含んでいる請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び第２基板間に挟持された液晶層と、前記第１基板の外面に対向した第１偏光板と、前記第２基板の外面に対向した第２偏光板と、前記第１基板及び第１偏光板を接着する第１接着材と、前記第２基板及び第２偏光板を接着する第２接着材と、を備えた液晶表示パネルと、
前記液晶表示パネルの外面に対向した補強板と、
前記液晶表示パネル及び補強板を接着する第３接着材と、を備え、
前記第１偏光板及び第２偏光板は、それぞれ偏光子層と、前記偏光子層の両面に設けられた支持層と、を有し、
第１方向に沿った長さが前記第１方向に直交した第２方向に沿った長さよりも短い画素において、前記第１基板は前記第２方向に長手方向を持つ主画素電極を含んだ画素電極を有し、前記第２基板は前記第１方向に前記主画素電極を挟んで位置し前記第２方向に長手方向を持つ主共通電極を含んだ共通電極を有している液晶表示装置。
【請求項１１】
前記支持層の少なくとも１つは、４０μｍ未満の厚みを有する請求項１０に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力等の利点から特に注目を集めている。特に、各画素にスイッチング素子を組み込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モードやＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードなどの横電界（フリンジ電界も含む）を利用した構造が注目されている。このような横電界モードの液晶表示装置は、アレイ基板に形成された画素電極と対向電極とを備え、アレイ基板の主面に対してほぼ平行な横電界で液晶分子をスイッチングする。
【０００３】
一方で、アレイ基板に形成された画素電極と、対向基板に形成された対向電極との間に、横電界あるいは斜め電界を形成し、液晶分子をスイッチングする技術も提案されている。
【０００４】
上記液晶表示装置は、偏光板を利用している。偏光板の基材である偏光子層は、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）フィルムにヨウ素化合物を染色し、次いでＰＶＡフィルムを１方向に延伸するなどし、形成されている。延伸方向が偏光子層の吸収軸方向となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２７９３２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、偏光子層は、熱や湿気の影響を受けると、上記延伸方向に収縮が起こることになる。このため、偏光板が剥がれたり液晶表示パネルが反ったりするなどの不具合が生じることが懸念される。上記不具合が生じると、表示画像に輝度ムラが生じるなどの不良が発生し、表示品位の低下を招いてしまう。  
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、長期にわたって高い表示品位を維持することができる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施形態に係る液晶表示装置は、
第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び第２基板間に挟持された液晶層と、前記第１基板の外面に対向した第１偏光板と、前記第２基板の外面に対向した第２偏光板と、前記第１基板及び第１偏光板を接着する第１接着材と、前記第２基板及び第２偏光板を接着する第２接着材と、を備えた液晶表示パネルと、
前記液晶表示パネルの外面に対向した補強板と、
前記液晶表示パネル及び補強板を接着する第３接着材と、を備え、
前記第１偏光板及び第２偏光板は、それぞれ偏光子層と、前記偏光子層の両面に設けられた支持層と、を有し、
前記支持層の少なくとも１つは、４０μｍ未満の厚みを有する。
【０００８】
また、一実施形態に係る液晶表示装置は、
第１基板と、第２基板と、前記第１基板及び第２基板間に挟持されＹ軸に略平行な方向に液晶分子が初期配向した液晶層と、前記第１基板の外面に対向し前記Ｙ軸又は前記Ｙ軸に直交したＸ軸に平行な第１吸収軸を有した第１偏光板と、前記第２基板の外面に対向し前記第１吸収軸に対してクロスニコルの位置関係にある第２吸収軸を有した第２偏光板と、前記第１基板及び第１偏光板の間に位置し前記Ｙ軸に平行な第１遅相軸を有した第１位相差板と、前記第１位相差板及び第１偏光板の間位置し前記第１位相差板に積層され前記Ｙ軸に平行な第２遅相軸を有した第２位相差板と、前記第２位相差板と前記第１偏光板とを接着する第１接着材と、前記第２基板と前記第２偏光板とを接着する第２接着材と、前記第１基板と前記第１位相差板とを接着する第３接着材と、を備えた液晶表示パネルと、
前記液晶表示パネルの外面に対向した補強板と、
前記液晶表示パネル及び補強板を接着する第４接着材と、を備え、
前記第１偏光板は、偏光子層と、前記偏光子層の前記第２位相差板と対向した面とは反対側の面に設けられた支持層と、を有し、
前記第２偏光板は、偏光子層と、前記偏光子層の両面に設けられた支持層と、を有し、
前記支持層の少なくとも１つは、４０μｍ未満の厚みを有する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、一実施形態に係る液晶表示装置を概略的に示す分解斜視図である。
【図２】図２は、上記液晶表示装置を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、上記液晶表示装置の構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【図４】図４は、上記液晶表示装置の液晶表示パネルを対向基板側から見たときの一画素の構造例を概略的に示す平面図である。
【図５】図５は、図４に示した液晶表示パネルをＶ−Ｖ線で切断したときの断面構造を概略的に示す断面図である。
【図６】図６は、上記液晶表示パネルにおける画素電極と共通電極との間に形成される電界、及び、この電界による液晶分子のダイレクタと透過率との関係を説明するための図である。
【図７】図７は、上記液晶表示装置のセンシング基板の一部を示す拡大平面図である。
【図８】図８は、図７の線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿って示すセンシング基板の一部を示す断面図である。
【図９】図９は、上記実施形態に係る変形例の液晶表示パネルを対向基板側から見たときの一画素の構造例を概略的に示す平面図である。
【図１０】図１０は、上記実施形態に係る実施例１の液晶表示装置を示す断面図である。
【図１１】図１１は、上記実施例１の液晶表示パネルの一部を示す分解斜視図であり、液晶層、偏光板及び位相差板を概略的に示す図である。
【図１２】図１２は、上記実施形態に係る実施例２の液晶表示装置を示す断面図である。
【図１３】図１３は、上記実施例２の液晶表示パネルの一部を示す分解斜視図であり、液晶層、偏光板及び位相差板を概略的に示す図である。
【図１４】図１４は、上記実施形態に係る液晶表示装置の変形例を示す断面図である。
【図１５】図１５は、上記実施例１の液晶表示パネルの変形例の一部を示す分解斜視図であり、液晶層、偏光板及び位相差板を概略的に示す図である。
【図１６】図１６は、上記実施例２の液晶表示パネルの変形例の一部を示す分解斜視図であり、液晶層、偏光板及び位相差板を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながら一実施形態に係る液晶表示装置について詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１１】
図１は、一実施形態に係る液晶表示装置を概略的に示す分解図である。図２は、上記液晶表示装置を概略的に示す断面図である。  
図１及び図２に示すように、液晶表示装置は、液晶表示パネルＬＰＮと、センシング基板５と、化粧板６（保護板）と、接着材７、８と、を備えている。
【００１２】
液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示する表示領域Ｒ１を有している。センシング基板５は、液晶表示パネルＬＰＮの表示面に対向している。センシング基板５は、表示領域Ｒ１に重なった入力領域Ｒ２を有している。センシング基板５は、タッチパネルとしての機能を備え、入力領域Ｒ２に入力された個所の位置情報を検出する。
【００１３】
接着材７は、少なくとも表示領域Ｒ１及び入力領域Ｒ２に重ねられ、液晶表示パネルＬＰＮ及びセンシング基板５間に位置し、液晶表示パネルＬＰＮ及びセンシング基板５を接着するものである。上記のように、液晶表示パネルＬＰＮとセンシング基板５の間に透明樹脂からなる接着材を充填して基板を一体化するスクリーンフィット方式が採用されている。
【００１４】
接着材７は、少なくとも可視光を透過する材料で形成されている。また、接着材７は、紫外線で硬化するタイプの樹脂（紫外線硬化型樹脂）や、加熱されることにより硬化するタイプの樹脂（熱硬化型樹脂）で形成することができる。
【００１５】
化粧板６は、センシング基板５に対向している。化粧板６は、センシング基板５の入力面（液晶表示パネルＬＰＮの表示面）側を装飾するものであり、すなわち液晶表示装置の外観を飾るものである。化粧板６は、平型であり、ガラスやアクリル樹脂などの透明な絶縁材料で形成されている。ここでは、化粧板６は、さらに矩形状に形成されている。化粧板６は、表示領域Ｒ１及び入力領域Ｒ２から外れた額縁領域を有している。化粧板６の額縁領域には、周辺遮光層が形成されていてもよい。周辺遮光層は、黒色の樹脂などを利用して形成することができる。
【００１６】
接着材８は、表示領域Ｒ１及び入力領域Ｒ２に重ねられ、センシング基板５及び化粧板６間に位置し、センシング基板５及び化粧板６を接着するものである。接着材８は、少なくとも可視光を透過する材料で形成されている。上記のように、センシング基板５及び化粧板６の接着には、スクリーンフィット方式が採用されている。また、接着材８は、紫外線硬化型樹脂や、熱硬化型樹脂で形成することができる。
【００１７】
センシング基板５の位置検出方式としては、静電容量方式、抵抗感圧方式、光検出方式、電磁誘導方式などを利用することができる。入力手段１００としては、操作者の指や導体などを挙げることができ、位置検出方式に合ったものを選択すればよい。化粧板６の外面は、入力手段１００で叩かれたり、押されたり、スライドされたりする。上記のように、外圧が加えられることで、センシング基板５は入力された個所の位置情報を検出することができる。
【００１８】
センシング基板５と化粧板６との組立品は、液晶表示パネルＬＰＮを補強する補強板を形成している。補強板は、液晶表示パネルＬＰＮが反ったりするなどの不具合の発生を抑制する機能を有している。
【００１９】
次に、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モード及びＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードと異なる手法にて横電界モードあるいは斜め電界モードを採るための液晶表示装置の構成について説明する。
【００２０】
図３は、液晶表示パネルＬＰＮの構成及び等価回路を概略的に示す図である。  
図３に示すように、液晶表示パネルＬＰＮは、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルである。液晶表示パネルＬＰＮは、第１基板であるアレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向して配置された第２基板である対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に挟持された液晶層ＬＱと、を備えている。このような液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示する表示領域Ｒ１を備えている。表示領域Ｒ１は、アレイ基板ＡＲ、対向基板ＣＴ及び液晶層ＬＱに重なっている。この表示領域Ｒ１には、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸが位置している（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。
【００２１】
液晶表示パネルＬＰＮは、表示領域Ｒ１において、ｎ本のゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、ｎ本の補助容量線Ｃ（Ｃ１〜Ｃｎ）、ｍ本のソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）などを備えている。ゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃは、例えば、第１方向ｄ１に沿って略直線的に延出している。これらのゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃは、第１方向ｄ１に交差する第２方向ｄ２に沿って交互に並列配置されている。ここでは、第１方向ｄ１と第２方向ｄ２とは互いに略直交している。ソース配線Ｓは、ゲート配線Ｇ及び補助容量線Ｃと交差している。ソース配線Ｓは、第２方向ｄ２に沿って略直線的に延出している。なお、ゲート配線Ｇ、補助容量線Ｃ、及びソース配線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。
【００２２】
各ゲート配線Ｇは、表示領域Ｒ１の外側に引き出され、ゲートドライバＧＤに接続されている。各ソース配線Ｓは、表示領域Ｒ１の外側に引き出され、ソースドライバＳＤに接続されている。これらのゲートドライバＧＤ及びソースドライバＳＤの少なくとも一部は、例えば、アレイ基板ＡＲに形成され、コントローラを内蔵した駆動ＩＣチップ２と接続されている。
【００２３】
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥなどを備えている。保持容量Ｃｓは、例えば補助容量線Ｃと画素電極ＰＥとの間に形成される。補助容量線Ｃは、補助容量電圧が印加される電圧印加部ＶＣＳと電気的に接続されている。
【００２４】
なお、本実施形態においては、液晶表示パネルＬＰＮは、画素電極ＰＥがアレイ基板ＡＲに形成される一方で共通電極ＣＥの少なくとも一部が対向基板ＣＴに形成された構成であり、これらの画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界を主に利用して液晶層ＬＱの液晶分子をスイッチングする。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界は、第１方向ｄ１と第２方向ｄ２とで規定される平面あるいは基板主面に対してわずかに傾いた斜め電界（あるいは、基板主面にほぼ平行な横電界）である。
【００２５】
スイッチング素子ＳＷは、例えば、ｎチャネル薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成されている。このスイッチング素子ＳＷは、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓと電気的に接続されている。このようなスイッチング素子ＳＷは、トップゲート型あるいはボトムゲート型のいずれであっても良い。また、スイッチング素子ＳＷの半導体層は、例えば、ポリシリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンによって形成されていても良い。
【００２６】
画素電極ＰＥは、各画素ＰＸに配置され、スイッチング素子ＳＷに電気的に接続されている。共通電極ＣＥは、液晶層ＬＱを介して複数の画素ＰＸの画素電極ＰＥに対して共通に配置されている。このような画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されているが、アルミニウムなどの他の金属材料によって形成されても良い。
【００２７】
アレイ基板ＡＲは、共通電極ＣＥに電圧（コモン電圧）を印加するための給電部ＶＳを備えている。この給電部ＶＳは、例えば、表示領域Ｒ１の外側の非表示領域に形成されている。共通電極ＣＥは、表示領域Ｒ１の外側に引き出され、図示しない導電部材を介して、給電部ＶＳと電気的に接続されている。
【００２８】
図４は、液晶表示パネルＬＰＮを対向基板ＣＴ側から見たときの一画素ＰＸの構造例を概略的に示す平面図である。  
図４に示すように、画素ＰＸは、破線で示したように、第１方向ｄ１に沿った長さが第２方向ｄ２に沿った長さよりも短い長方形状である。ゲート配線Ｇ１及びゲート配線Ｇ２は、第１方向ｄ１に沿って延出している。補助容量線Ｃ１は、隣合うゲート配線Ｇ１とゲート配線Ｇ２との間に配置され、第１方向ｄ１に沿って延出している。ソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２は、第２方向ｄ２に沿って延出している。画素電極ＰＥは、隣合うソース配線Ｓ１とソース配線Ｓ２との間に配置されている。また、この画素電極ＰＥは、ゲート配線Ｇ１とゲート配線Ｇ２との間に位置している。
【００２９】
図示した例では、画素ＰＸにおいて、ソース配線Ｓ１は左側端部に配置され、ソース配線Ｓ２は右側端部に配置されている。厳密には、ソース配線Ｓ１は当該画素ＰＸとその左側に隣接する画素との境界に跨って配置され、ソース配線Ｓ２は当該画素ＰＸとその右側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。また、画素ＰＸにおいて、ゲート配線Ｇ１は上側端部に配置され、ゲート配線Ｇ２は下側端部に配置されている。厳密には、ゲート配線Ｇ１は当該画素ＰＸとその上側に隣接する画素との境界に跨って配置され、ゲート配線Ｇ２は当該画素ＰＸとその下側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。補助容量線Ｃ１は、画素の略中央部に配置されている。
【００３０】
スイッチング素子ＳＷは、図示した例では、ゲート配線Ｇ１及びソース配線Ｓ１に電気的に接続されている。このスイッチング素子ＳＷは、ゲート配線Ｇ１とソース配線Ｓ１の交点に設けられ、そのドレイン配線はソース配線Ｓ１及び補助容量線Ｃ１に沿って延長され、補助容量線Ｃ１と重なる領域に形成されたコンタクトホールＣＨを介して画素電極ＰＥと電気的に接続されている。このようなスイッチング素子ＳＷは、ソース配線Ｓ１及び補助容量線Ｃ１と重なる領域に設けられ、ソース配線Ｓ１及び補助容量線Ｃ１と重なる領域からほとんどはみ出すことはなく、表示に寄与する開口部の面積の低減を抑制している。
【００３１】
複数の画素電極ＰＥは、第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２に間隔を置いて並べられている。複数の画素電極ＰＥは、それぞれ第２方向ｄ２に沿って延出して形成された主画素電極ＰＡを含んでいる。
【００３２】
この実施形態において、画素電極ＰＥは、互いに電気的に接続された主画素電極ＰＡ及びコンタクト部ＰＣを含んでいる。主画素電極ＰＡは、コンタクト部ＰＣから画素ＰＸの上側端部付近及び下側端部付近まで第２方向ｄ２に沿って直線的に延出している。このような主画素電極ＰＡは、第１方向ｄ１に沿って略同一の幅を有する帯状に形成されている。コンタクト部ＰＣは、補助容量線Ｃ１と重なる領域に位置し、コンタクトホールＣＨを介してスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。このコンタクト部ＰＣは、主画素電極ＰＡよりも幅広に形成されている。
【００３３】
このような画素電極ＰＥは、ソース配線Ｓ１とソース配線Ｓ２との略中間の位置、つまり、画素ＰＸの中央に配置されている。ソース配線Ｓ１と画素電極ＰＥとの第１方向ｄ１に沿った間隔は、ソース配線Ｓ２と画素電極ＰＥとの第１方向ｄ１に沿った間隔と略同等である。
【００３４】
共通電極ＣＥは、複数の主共通電極ＣＡを含んでいる。複数の主共通電極ＣＡは、液晶表示パネルＬＰＮの平面内において、第１方向ｄ１に間隔を置いて並べられ、第１方向ｄ１に複数の主画素電極ＰＡを挟み、それぞれ主画素電極ＰＡと略平行な第２方向ｄ２に沿って直線的に延出している。あるいは、主共通電極ＣＡは、ソース配線Ｓとそれぞれ対向するとともに主画素電極ＰＡと略平行に延出している。このような主共通電極ＣＡは、帯状に形成され、第１方向ｄ１に沿って略同一の幅を有する。
【００３５】
図示した例では、主共通電極ＣＡは、第１方向ｄ１に沿って２本平行に並んでおり、画素ＰＸの左右両端部にそれぞれ配置されている。以下では、これらの主共通電極ＣＡを区別するために、図中の左側の主共通電極をＣＡＬと称し、図中の右側の主共通電極をＣＡＲと称する。主共通電極ＣＡＬはソース配線Ｓ１と対向し、主共通電極ＣＡＲはソース配線Ｓ２と対向している。
【００３６】
画素ＰＸにおいて、主共通電極ＣＡＬは左側端部に配置され、主共通電極ＣＡＲは右側端部に配置されている。厳密には、主共通電極ＣＡＬは当該画素ＰＸとその左側に隣接する画素との境界に跨って配置され、主共通電極ＣＡＲは当該画素ＰＸとその右側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。
【００３７】
画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡとの位置関係に着目すると、画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡとは、第１方向ｄ１に沿って交互に配置されている。これらの画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡとは、互いに略平行に配置されている。このとき、液晶表示パネルＬＰＮの平面内において、主共通電極ＣＡのいずれも画素電極ＰＥとは重ならない。
【００３８】
すなわち、隣接する主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲの間には、１本の画素電極ＰＥが位置している。換言すると、一対の主共通電極（主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲ）は、画素電極ＰＥの直上の位置を挟んだ両側に配置されている。あるいは、画素電極ＰＥは、主共通電極ＣＡＬと主共通電極ＣＡＲとの間に配置されている。このため、主共通電極ＣＡＬ、主画素電極ＰＡ及び主共通電極ＣＡＲは、第１方向ｄ１に沿ってこの順に配置されている。
【００３９】
これらの画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの第１方向ｄ１に沿った間隔は略一定である。すなわち、主共通電極ＣＡＬと主画素電極ＰＡとの第１方向ｄ１に沿った間隔は、主共通電極ＣＡＲと主画素電極ＰＡとの第１方向ｄ１に沿った間隔と略同等である。
【００４０】
図５は、図４に示した液晶表示パネルＬＰＮをＶ−Ｖ線で切断したときの断面構造を概略的に示す断面図である。なお、ここでは、説明に必要な箇所のみを図示している。  
図５に示すように、液晶表示パネルＬＰＮを構成するアレイ基板ＡＲの背面側には、バックライトユニット４が配置されている。バックライトユニット４としては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したものや冷陰極管（ＣＣＦＬ）を利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。
【００４１】
アレイ基板ＡＲは、光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。ソース配線Ｓは、第１層間絶縁膜１１の上に形成され、第２層間絶縁膜１２によって覆われている。なお、図示しないゲート配線や補助容量線は、例えば、第１絶縁基板１０と第１層間絶縁膜１１の間に配置されている。画素電極ＰＥは、第２層間絶縁膜１２の上に形成されている。この画素電極ＰＥは、隣合うソース配線Ｓのそれぞれの直上の位置よりもそれらの内側に位置している。
【００４２】
第１配向膜ＡＬ１は、アレイ基板ＡＲの対向基板ＣＴと対向する面に配置され、表示領域Ｒ１の略全体に亘って延在している。この第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥなどを覆っており、第２層間絶縁膜１２の上にも配置されている。このような第１配向膜ＡＬ１は、水平配向性を示す材料によって形成されている。  
なお、アレイ基板ＡＲは、さらに、共通電極ＣＥの一部を備えていても良い。
【００４３】
対向基板ＣＴは、光透過性を有する第２絶縁基板２０を用いて形成されている。この対向基板ＣＴは、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、共通電極ＣＥ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
【００４４】
ブラックマトリクスＢＭは、各画素ＰＸを区画し、画素電極ＰＥと対向する開口部ＡＰを形成する。すなわち、ブラックマトリクスＢＭは、ソース配線Ｓ、ゲート配線、補助容量線、スイッチング素子などの配線部に対向するように配置されている。ここでは、ブラックマトリクスＢＭは、第２方向ｄ２に沿って延出した部分のみが図示されているが、第１方向ｄ１に沿って延出した部分を備えていてもよい。このブラックマトリクスＢＭは、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲに対向する内面２０Ａに配置されている。
【００４５】
カラーフィルタＣＦは、各画素ＰＸに対応して配置されている。すなわち、カラーフィルタＣＦは、第２絶縁基板２０の内面２０Ａにおける開口部ＡＰに配置されるとともに、その一部がブラックマトリクスＢＭに乗り上げている。第１方向ｄ１に隣接する画素ＰＸにそれぞれ配置されたカラーフィルタＣＦは、互いに色が異なる。例えば、カラーフィルタＣＦは、赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。赤色に着色された樹脂材料からなる赤色カラーフィルタＣＦＲは、赤色画素に対応して配置されている。青色に着色された樹脂材料からなる青色カラーフィルタＣＦＢは、青色画素に対応して配置されている。緑色に着色された樹脂材料からなる緑色カラーフィルタＣＦＧは、緑色画素に対応して配置されている。これらのカラーフィルタＣＦ同士の境界は、ブラックマトリクスＢＭと重なる位置にある。
【００４６】
オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。このオーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦの表面の凹凸の影響を緩和する。
【００４７】
共通電極ＣＥは、オーバーコート層ＯＣのアレイ基板ＡＲと対向する側に形成されている。この共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの第３方向ｄ３に沿った間隔は略一定である。第３方向ｄ３とは、第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２に直交する方向、あるいは、液晶表示パネルＬＰＮの法線方向である。
【００４８】
第２配向膜ＡＬ２は、対向基板ＣＴのアレイ基板ＡＲと対向する面に配置され、表示領域Ｒ１の略全体に亘って延在している。この第２配向膜ＡＬ２は、共通電極ＣＥ及びオーバーコート層ＯＣなどを覆っている。このような第２配向膜ＡＬ２は、水平配向性を示す材料によって形成されている。
【００４９】
これらの第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２には、液晶層ＬＱの液晶分子を初期配向させるための配向処理（例えば、ラビングや光配向処理）がなされている。この実施形態において、液晶層ＬＱは、例えば、正の誘電率異方性を有し、すなわちｐ型液晶で形成されている。
【００５０】
上述したようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、それぞれの第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。このとき、アレイ基板ＡＲの第１配向膜ＡＬ１と対向基板ＣＴの第２配向膜ＡＬ２との間には、例えば、樹脂材料によって一方の基板に一体的に形成された柱状スペーサにより、所定のセルギャップ、例えば２〜７μｍのセルギャップが形成される。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、所定のセルギャップが形成された状態で、表示領域Ｒ１の外側のシール材ＳＢによって貼り合わせられている。
【００５１】
尚、主画素電極ＰＡと主共通電極ＣＡとの第１方向ｄ１の間隔は、液晶層ＬＱの厚み（セルギャップ）よりも大きく、主画素電極ＰＡと主共通電極ＣＡとの間隔は、液晶層ＬＱの厚み（セルギャップ）の２倍以上の大きさを持つ。
【００５２】
液晶層ＬＱは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に形成されたセルギャップに保持され、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に配置されている。
【００５３】
アレイ基板ＡＲの外面、つまり、アレイ基板ＡＲを構成する第１絶縁基板１０の外面１０Ｂには、第１光学素子ＯＤ１が接着剤などにより貼付されている。この第１光学素子ＯＤ１は、液晶表示パネルＬＰＮのバックライトユニット４と対向する側に位置しており、バックライトユニット４から液晶表示パネルＬＰＮに入射する入射光の偏光状態を制御する。この第１光学素子ＯＤ１は、第１偏光軸（あるいは第１吸収軸）ＡＸ１を有する第１偏光板ＰＬ１を含んでいる。
【００５４】
対向基板ＣＴの外面、つまり、対向基板ＣＴを構成する第２絶縁基板２０の外面２０Ｂには、第２光学素子ＯＤ２が接着剤などにより貼付されている。この第２光学素子ＯＤ２は、液晶表示パネルＬＰＮの表示面側に位置しており、液晶表示パネルＬＰＮから出射した出射光の偏光状態を制御する。この第２光学素子ＯＤ２は、第２偏光軸（あるいは第２吸収軸）ＡＸ２を有する第２偏光板ＰＬ２を含んでいる。
【００５５】
第１偏光軸ＡＸ１と、第２偏光軸ＡＸ２とは、例えば、直交する位置関係にあるため、第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２はクロスニコル配置されている。このとき、一方の偏光板は、例えば、その偏光軸が液晶分子の初期配向方向と平行となるように、又は直交するように配置されている。この実施形態において、略Ｙ軸に沿った方向に液晶分子ＬＭが初期配向しているため、一方の偏光板の偏光軸は、Ｙ軸と平行、又はＹ軸に直交したＸ軸に平行である。
【００５６】
この実施形態において、Ｘ軸は第１方向ｄ１に平行であり、Ｙ軸は第２方向ｄ２に平行である。このため、液晶分子ＬＭは、略Ｙ軸に沿った方向に初期配向している。言い換えると、液晶分子ＬＭは、は、主画素電極ＰＡ及び主共通電極ＣＡの延出した第２方向ｄ２に初期配向している。
【００５７】
図４において、（ａ）で示した例では、第１偏光板ＰＬ１は、その第１偏光軸ＡＸ１が液晶分子ＬＭの初期配向方向（Ｙ軸）に対して直交する（つまり、Ｘ軸に平行となる）ように配置され、また、第２偏光板ＰＬ２は、その第２偏光軸ＡＸ２が液晶分子ＬＭの初期配向方向に対して平行となる（つまり、Ｙ軸と平行となる）ように配置されている。
【００５８】
また、図４において、（ｂ）で示した例では、第２偏光板ＰＬ２は、その第２偏光軸ＡＸ２が液晶分子ＬＭの初期配向方向（Ｙ軸）に対して直交する（つまり、Ｘ軸に平行となる）ように配置され、また、第１偏光板ＰＬ１は、その第１偏光軸ＡＸ１が液晶分子ＬＭの初期配向方向に対して平行となる（つまり、Ｙ軸と平行となる）ように配置されている。
【００５９】
次に、上記構成の液晶表示パネルＬＰＮの動作について説明する。  
図４及び図５に示すように、液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態、つまり、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていない状態（ＯＦＦ時）には、液晶層ＬＱの液晶分子ＬＭは、その長軸が第１配向膜ＡＬ１の配向処理方向及び第２配向膜ＡＬ２の配向処理方向を向くように配向している。このようなＯＦＦ時が初期配向状態に相当し、ＯＦＦ時の液晶分子ＬＭの配向方向が初期配向方向に相当する。
【００６０】
なお、厳密には、液晶分子ＬＭは、液晶表示パネルＬＰＮの平面に平行に配向しているとは限らず、配向膜の近傍ではプレチルトしている。このため、ここでの液晶分子ＬＭの初期配向方向とは、ＯＦＦ時の液晶分子ＬＭの長軸をＸ−Ｙ平面に正射影した方向である。以下では、説明を簡略にするために、液晶分子ＬＭは、Ｘ−Ｙ平面に平行に配向しているものとし、Ｘ−Ｙ平面と平行な面内で回転するものとして説明する。
【００６１】
ＯＦＦ時においては、液晶分子ＬＭは、図４に破線で示したように、その長軸がＹ軸と略平行な方向に初期配向する。つまり、液晶分子ＬＭの初期配向方向は、Ｙ軸と平行（あるいは、Ｙ軸に対して０°）である。
【００６２】
バックライトユニット４からのバックライトは、その一部が第１偏光板ＰＬ１を透過し、液晶表示パネルＬＰＮに入射する。液晶表示パネルＬＰＮに入射した光の偏光状態は、液晶層ＬＱを通過する際に液晶分子ＬＭの配向状態によって異なる。ＯＦＦ時においては、液晶層ＬＱを通過した光は、第２偏光板ＰＬ２によって吸収される（黒表示）。
【００６３】
一方、液晶層ＬＱに電圧が印加された状態、つまり、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成された状態（ＯＮ時）では、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に基板と略平行な横電界（あるいは斜め電界）が形成される。液晶分子ＬＭは、電界の影響を受け、その長軸が図中の実線で示したようにＸ−Ｙ平面と略平行な平面内で回転する。
【００６４】
図２に示した液晶層ＬＱの例では、画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＬとの間の領域内の液晶分子ＬＭは、Ｙ軸に対して時計回りに回転し、図中の左下を向くように配向する。画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＲとの間の領域内の液晶分子ＬＭは、Ｙ軸に対して反時計回りに回転し、図中の右下を向くように配向する。
【００６５】
このように、各画素ＰＸにおいて、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成された状態では、液晶分子ＬＭの配向方向は、画素電極ＰＥを境界として複数の方向に分かれ、それぞれの配向方向でドメインを形成する。つまり、一画素ＰＸには、複数のドメインが形成される。
【００６６】
このようなＯＮ時には、バックライトユニット４から液晶表示パネルＬＰＮに入射したバックライトは、その一部が第１偏光板ＰＬ１を透過し、液晶表示パネルＬＰＮに入射する。液晶層ＬＱに入射したバックライトは、その偏光状態が変化する。このようなＯＮ時においては、液晶層ＬＱを通過した少なくとも一部の光は、第２偏光板ＰＬ２を透過する（白表示）。
【００６７】
図６は、図４に示した液晶表示パネルＬＰＮにおける画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界、及び、この電界による液晶分子ＬＭのダイレクタと透過率との関係を説明するための図である。
【００６８】
図６に示すように、ＯＦＦ状態では、液晶分子ＬＭは、Ｙ軸に略平行な方向に初期配向している。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電位差が形成されたＯＮ状態では、液晶分子ＬＭのダイレクタ（あるいは液晶分子ＬＭの長軸方向）が、Ｘ−Ｙ平面内で、第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸ＡＸ１及び第２偏光板ＰＬ２の第２偏光軸ＡＸ２に対して概ね４５°ずれた状態となったときに、液晶の光学的な変調率が最も高くなる（つまり、開口部での透過率が最大となる）。
【００６９】
図示した例では、ＯＮ状態となったとき、主共通電極ＣＡＬと画素電極ＰＥとの間、及び、主共通電極ＣＡＲと画素電極ＰＥとの間のそれぞれの液晶分子のダイレクタは、画素電極ＰＥに対して４５°傾いた方向を向く。これにより、ピーク透過率が得られる。このとき、一画素あたりの透過率分布に着目すると、画素電極ＰＥ上及び共通電極ＣＥ上においては透過率が略ゼロとなる一方で、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間の電極間隙では、略全域に亘って高い透過率が得られる。
【００７０】
なお、ソース配線Ｓ１の直上に位置する主共通電極ＣＡＬ及びソース配線Ｓ２の直上に位置する主共通電極ＣＡＲは、それぞれブラックマトリクスＢＭと対向しているが、これらの主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲは、ともにブラックマトリクスＢＭの第１方向ｄ１に沿った幅と同等以下の幅を有しており、ブラックマトリクスＢＭと重なる位置よりも画素電極ＰＥの側に延在していない。このため、一画素あたり、表示に寄与する開口部は、ブラックマトリクスＢＭの間もしくはソース配線Ｓ１とソース配線Ｓ２との間の領域のうち、画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲとの間の領域に相当する。
【００７１】
図７は、上記センシング基板５の一部を示す拡大平面図である。図８は、図７の線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿って示すセンシング基板５の一部を示す断面図である。  
図２、図７及び図８に示すように、センシング基板５の位置検出方式としては、静電容量方式を利用している。センシング基板５は、化粧板６の表面側からの入力手段１００による入力位置情報を検出するものである。センシング基板５は、透明な絶縁基板としてガラス基板３０Ｓを備えている。
【００７２】
センシング基板５は、入力手段１００による入力により静電容量が変化する検知電極として、複数の第１検知電極３１と、複数の第２検知電極３２とを有している。センシング基板５の電極パターンは、複数の第１検知電極３１及び複数の第２検知電極３２の他、複数の接続配線３６及び複数の接続配線３７も含んでいる。
【００７３】
第１検知電極３１、第２検知電極３２、接続配線３６及び接続配線３７は、入力領域Ｒ２内のガラス基板３０Ｓ上に配置され、化粧板６と対向し、透明な導電材料として、例えばＩＴＯで形成されている。
【００７４】
複数の第１検知電極３１は、第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２に並べられている。第１検知電極３１は、それぞれ第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２に沿った対角線を持つ正方形である。第１検知電極３１は、第１方向ｄ１に沿って対向し合う第１角部を有している。第１方向ｄ１において、隣合う第１角部同士は接続されている。
【００７５】
この実施形態において、第１検知電極３１の正方形の第１角部は潰れ第１短辺３３を有している。このため、第１検知電極３１は、第１短辺３３を有した六角形である。また、隣合う第１短辺３３同士は、接続配線３６を介して接続されている。接続配線３６は、ガラス基板３０Ｓ上に島状に配置されている。
【００７６】
互いに接続された複数の第１検知電極３１及び複数の接続配線３６は、第１方向ｄ１に延出した第１配線Ｗ１を形成している。複数の第１配線Ｗ１は、第２方向ｄ２に並べられている。複数の第１検知電極３１及び複数の接続配線３６は、互いに異なる製造工程で形成されている。第１配線Ｗ１を利用して静電容量の変化を検出することにより、入力位置のＸ座標を検出することができる。
【００７７】
複数の第２検知電極３２は、複数の第１検知電極３１に隙間を置いて第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２に並べられている。第２検知電極３２は、それぞれ第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２に沿った対角線を持つ正方形である。第２検知電極３２は、第２方向ｄ２に沿って対向し合う第２角部を有している。第２方向ｄ２において、隣合う第２角部同士は接続されている。
【００７８】
この実施形態において、第２検知電極３２の正方形の第２角部は潰れ第２短辺３４を有している。このため、第２検知電極３２は、第２短辺３４を有した六角形である。また、隣合う第２短辺３４同士は、接続配線３７を介して接続されている。接続配線３７は、ガラス基板３０Ｓ上に島状に配置されている。
【００７９】
互いに接続された複数の第２検知電極３２及び複数の接続配線３７は、第２方向ｄ２に延出した第２配線Ｗ２を形成している。複数の第２配線Ｗ２は、第１方向ｄ１に並べられている。第２配線Ｗ２の複数の第２検知電極３２及び複数の接続配線３７は、同一の製造工程で一体に形成されている。第２配線Ｗ２を利用して静電容量の変化を検出することにより、入力位置のＹ座標を検出することができる。
【００８０】
第１検知電極３１及び第２検知電極３２間に、格子状のスリット３９が形成されている。  
ガラス基板３０Ｓ上には、複数の絶縁膜３８が島状に配置されている。複数の絶縁膜３８は、ガラス基板３０Ｓ上の複数の第１配線Ｗ１及び複数の第２配線Ｗ２の複数の交差部に配置され、複数の第１配線Ｗ１及び複数の第２配線Ｗ２間に介在されている。絶縁膜３８は、第１配線Ｗ１及び第２配線Ｗ２間の短絡を防止するものである。
【００８１】
接続配線３６及び接続配線３７は、絶縁膜３８を介して対向している。ここで、第１配線Ｗ１（接続配線３６）は、第１配線Ｗ１及び第２配線Ｗ２の交差部上方に位置している。上記のことから、接続配線３６をブリッジ配線と言うことができる。
【００８２】
第１配線Ｗ１及び第２配線Ｗ２は、図示しない制御部に接続されている。制御部は、第１配線Ｗ１（第１検知電極３１）及び第２配線Ｗ２（第２検知電極３２）における静電容量の変化を取得することにより、入力位置情報（入力位置座標）を取得することができる。
【００８３】
上記のように構成された一実施形態に係る液晶表示装置によれば、各画素ＰＸは、第１絶縁基板１０（アレイ基板ＡＲ）上に形成され、第２方向ｄ２に沿って延出した主画素電極ＰＡと、第２絶縁基板２０（対向基板ＣＴ）上に形成され、第１方向ｄ１に主画素電極ＰＡを挟んで位置し第２方向ｄ２に沿って延出した一対の主共通電極ＣＡとを有している。
【００８４】
液晶表示装置は、主画素電極ＰＡ及び主共通電極ＣＡ間に形成される電界が主に液晶層ＬＱに加わるように構成されている。このため、ＩＰＳモードやＦＦＳモードと異なる横電界モードあるいは斜め電界モードを採る液晶表示装置が得られるものである。
【００８５】
画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間の電極間隙において高い透過率が得られるため、一画素あたりの透過率を十分に高くするためには、画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲとの間の電極間距離を拡大することで対応することが可能となる。また、画素ピッチが異なる製品仕様に対しては、電極間距離を変更する（つまり、画素ＰＸの略中央に配置された画素電極ＰＥに対して主共通電極ＣＡの配置位置を変更する）ことで、図６に示したような透過率分布のピーク条件を利用することが可能となる。つまり、本実施形態の表示モードにおいては、比較的画素ピッチが大きな低解像度の製品仕様から比較的画素ピッチが小さい高解像度の製品仕様まで、微細な電極加工を必ずしも必要とせず、電極間距離の設定により種々の画素ピッチの製品を提供することが可能となる。したがって、高透過率且つ高解像度の要求を容易に実現することが可能となる。
【００８６】
また、本実施形態によれば、図６に示したように、ブラックマトリクスＢＭと重なる領域での透過率分布に着目すると、透過率が十分に低下している。これは、共通電極ＣＥの位置よりも当該画素の外側に電界の漏れが発生せず、また、ブラックマトリクスＢＭを挟んで隣接する画素間で不所望な横電界が生じないため、ブラックマトリクスＢＭと重なる領域の液晶分子がＯＦＦ時（あるいは黒表示時）と同様に初期配向状態を保っているためである。したがって、隣接する画素間でカラーフィルタの色が異なる場合であっても、混色の発生を抑制することが可能となり、色再現性の低下やコントラスト比の低下を抑制することが可能となる。
【００８７】
また、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの位置合わせにずれが生じた際に、画素電極ＰＥを挟んだ両側の共通電極ＣＥとの水平電極間距離に差が生じることがある。しかしながら、このような合わせずれは、全ての画素ＰＸに共通に生じるため、画素ＰＸ間での電界分布に相違はなく、画像の表示に及ぼす影響はきわめて小さい。また、例えアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間で合わせズレが生じたとしても、隣接する画素への不所望な電界の漏れを抑制することが可能となる。このため、隣接する画素間でカラーフィルタの色が異なる場合であっても、混色の発生を抑制することが可能となり、色再現性の低下やコントラスト比の低下を抑制することが可能となる。
【００８８】
また、本実施形態によれば、主共通電極ＣＡは、それぞれソース配線Ｓと対向している。特に、主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲがそれぞれソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２の直上に配置されている場合には、主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲがソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２よりも画素電極ＰＥ側に配置された場合と比較して、開口部ＡＰを拡大することができ、画素ＰＸの透過率を向上することが可能となる。
【００８９】
また、主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲをそれぞれソース配線Ｓ１及びソース配線Ｓ２の直上に配置することによって、画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲとの間の電極間距離を拡大することが可能となり、より水平に近い横電界を形成することが可能となる。このため、従来の構成であるＩＰＳモード等の利点である広視野角化も維持することが可能となる。
【００９０】
また、本実施形態によれば、一画素内に複数のドメインを形成することが可能となる。このため、複数の方向で視野角を光学的に補償することができ、広視野角化が可能となる。
【００９１】
なお、上記の例では、液晶層ＬＱは、正の誘電率異方性を有しているため、液晶分子ＬＭの初期配向方向がＹ軸と平行である場合について説明したが、液晶分子ＬＭの初期配向方向は、図２に示したように、Ｙ軸を斜めに交差する斜め方向Ｄであっても良い。ここで、Ｙ軸に対する初期配向方向Ｄのなす角度θ１は、０°より大きく４５°より小さい角度である。なお、このなす角度θ１については、５°〜３０°程度、より望ましくは２０°以下とすることが液晶分子ＬＭの配向制御の観点で極めて有効である。つまり、液晶分子ＬＭの初期配向方向は、Ｙ軸に対して０°乃至２０°の範囲内の方向と略平行であることが望ましい。
【００９２】
言い換えると、第１配向膜ＡＬ１は、Ｙ軸又はＹ軸から２０°以内に傾斜した方向に付近の液晶分子ＬＭを初期配向させるように形成されている方が望ましい。第２配向膜ＡＬ２も、同様に、Ｙ軸又はＹ軸から２０°以内に傾斜した方向に付近の液晶分子ＬＭを初期配向させるように形成されている方が望ましい。
【００９３】
なお、ＯＮ時においても、画素電極ＰＥ上あるいは共通電極ＣＥ上では、横電界がほとんど形成されない（あるいは、液晶分子ＬＭを駆動するのに十分な電界が形成されない）ため、液晶分子ＬＭは、ＯＦＦ時と同様に初期配向方向からほとんど動かない。このため、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥがＩＴＯなどの光透過性の導電材料によって形成されていても、これらの領域ではバックライト光がほとんど透過せず、ＯＮ時において表示にほとんど寄与しない。したがって、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥは、必ずしも透明な導電材料によって形成される必要はなく、アルミニウムや銀、銅などの導電材料を用いて形成しても良い。
【００９４】
なお、本実施形態においては、共通電極ＣＥは、対向基板ＣＴに備えられた主共通電極ＣＡに加えて、アレイ基板ＡＲに備えられ主共通電極ＣＡと対向する（あるいはソース配線Ｓと対向する）第２主共通電極（シールド電極）を備えていても良い。この第２主共通電極は、主共通電極ＣＡと略平行に延出し、しかも、主共通電極ＣＡと同電位である。このような第２主共通電極を設けることにより、ソース配線Ｓからの不所望な電界をシールドすることが可能である。
【００９５】
また、共通電極ＣＥは、対向基板ＣＴに備えられた主共通電極ＣＡに加えて、アレイ基板ＡＲに備えられゲート配線Ｇや補助容量線Ｃと対向する第２副共通電極（シールド電極）を備えていても良い。この第２副共通電極は、主共通電極ＣＡと交差する方向に延出し、しかも、主共通電極ＣＡと同電位である。このような第２副共通電極を設けたことにより、ゲート配線Ｇや補助容量線Ｃからの不所望な電界をシールドすることが可能である。このような第２主共通電極や第２副共通電極を備えた構成によれば、更なる表示品位の劣化を抑制することが可能となる。
【００９６】
次に、本実施形態に係る変形例の液晶表示パネルについて説明する。図９は、本実施形態に係る変形例の液晶表示パネルＬＰＮを対向基板ＣＴ側から見たときの一画素ＰＸの構造例を概略的に示す平面図である。
【００９７】
図９に示すように、共通電極ＣＥは、複数の副共通電極ＣＢをさらに含んでいる。この実施形態において、複数の副共通電極ＣＢは対向基板ＣＴ側に形成されている。複数の副共通電極ＣＢは、第２方向ｄ２に間隔を置いて並べられ、第２方向ｄ２に複数の主画素電極ＰＡを挟んでいる。複数の副共通電極ＣＢは、それぞれ第１方向ｄ１に沿って延出している。
【００９８】
複数の副共通電極ＣＢは、複数の主共通電極ＣＡと一体又は連続的に形成されている。このため、複数の副共通電極ＣＢ（ＣＢＵ、ＣＢＢ）は、複数の主共通電極ＣＡと電気的に接続されている。給電部ＶＳから与えられる電圧（コモン電圧）は、複数の主共通電極ＣＡ及び複数の副共通電極ＣＢに与えられる。
【００９９】
この変形例では、画素電極ＰＥが十字状に形成された点、及び、共通電極ＣＥが一画素ＰＸを取り囲むように格子状に形成された点で、図４に示した液晶表示パネルＬＰＮの例と相違している。すなわち、画素電極ＰＥは、互いに電気的に接続された主画素電極ＰＡ及び副画素電極ＰＢを備えている。主画素電極ＰＡは、副画素電極ＰＢから画素ＰＸの上側端部付近及び下側端部付近まで第２方向ｄ２に沿って直線的に延出している。副画素電極ＰＢは、第１方向ｄ１に沿って延出している。この副画素電極ＰＢは、補助容量線Ｃ１と重なる領域に位置し、コンタクトホールＣＨを介してスイッチング素子と電気的に接続されている。図示した例では、副画素電極ＰＢが画素ＰＸの略中央に設けられており、画素電極ＰＥは、十字状となっている。
【０１００】
副共通電極ＣＢは、ゲート配線Ｇの各々と対向している。図示した例では、副共通電極ＣＢは第１方向ｄ１に沿って２本平行に並んでおり、以下では、これらを区別するために、図中の上側の副共通電極をＣＢＵと称し、図中の下側の副共通電極をＣＢＢと称する。副共通電極ＣＢＵは、画素ＰＸの上側端部に配置され、ゲート配線Ｇ１と対向している。つまり、副共通電極ＣＢＵは、当該画素ＰＸとその上側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。また、副共通電極ＣＢＢは、画素ＰＸの下側端部に配置され、ゲート配線Ｇ２と対向している。つまり、副共通電極ＣＢＢは、当該画素ＰＸとその下側に隣接する画素との境界に跨って配置されている。
【０１０１】
画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの位置関係に着目すると、主画素電極ＰＡと主共通電極ＣＡとは第１方向ｄ１に沿って交互に配置され、副画素電極ＰＢと副共通電極ＣＢとは第２方向ｄ２に沿って交互に配置されている。すなわち、隣接する主共通電極ＣＡＬ及び主共通電極ＣＡＲの間には、１本の主画素電極ＰＡが位置し、第１方向ｄ１に沿って主共通電極ＣＡＬ、主画素電極ＰＡ及び主共通電極ＣＡＲの順に並んでいる。また、隣接する副共通電極ＣＢＢ及び副共通電極ＣＢＵの間には、１本の副画素電極ＰＢが位置し、第２方向ｄ２に沿って副共通電極ＣＢＢ、副画素電極ＰＢ及び副共通電極ＣＢＵの順に並んでいる。
【０１０２】
このような構造例によれば、ＯＦＦ時においてＹ軸に初期配向していた液晶分子ＬＭは、ＯＮ時に画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界の影響を受け、その長軸が図中の実線で示したようにＸ−Ｙ平面と略平行な平面内で回転する。画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＬ及び副共通電極ＣＢＢとで囲まれた領域内の液晶分子ＬＭは、Ｙ軸に対して時計回りに回転し、図中の左下を向くように配向する。画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＲ及び副共通電極ＣＢＢとで囲まれた領域内の液晶分子ＬＭは、Ｙ軸に対して反時計回りに回転し、図中の右下を向くように配向する。画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＬ及び副共通電極ＣＢＵとで囲まれた領域内の液晶分子ＬＭは、Ｙ軸に対して反時計回りに回転し、図中の左上を向くように配向する。画素電極ＰＥと主共通電極ＣＡＲ及び副共通電極ＣＢＵとで囲まれた領域内の液晶分子ＬＭは、Ｙ軸に対して時計回りに回転し、図中の右上を向くように配向する。
【０１０３】
このように、各画素ＰＸにおいて、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成された状態では、４つのドメインに互いに異なる電界を作用させることができるため、視野角を拡大できることはもちろん、図４の画素構造よりも液晶分子ＬＭの配向規制力を強くすることができる。
【０１０４】
上記のように、ＩＰＳモード及びＦＦＳモードと異なる手法にて横電界モードあるいは斜め電界モードを採るための液晶表示装置の構成について説明したが、次に、ＩＰＳモード及びＦＦＳモードと異なる手法にて横電界モードあるいは斜め電界モードを採ることができ、かつ、長期にわたって高い表示品位を維持することができる実施例１及び２の液晶表示装置について説明する。
【０１０５】
次に挙げる実施例は、限定的に列挙するものではなく、例示的に列挙するものである。すなわち、この実施形態に係る液晶表示装置は、実施例１及び２に限らず、種々変形可能である。
【０１０６】
（実施例１）
図１０は、上記実施形態に係る実施例１の液晶表示装置を示す断面図である。図１１は、実施例１の液晶表示パネルＬＰＮの一部を示す分解斜視図であり、液晶層ＬＱ、偏光板及び位相差板を概略的に示す図である。なお、図１０及び図１１では、説明に必要な箇所のみを図示している。
【０１０７】
図５、図１０及び図１１に示すように、液晶表示装置は、輝度向上フィルム４０をさらに備えている。輝度向上フィルム４０は、バックライトユニット４と、液晶表示パネルＬＰＮ（第１光学素子ＯＤ１）との間に位置している。輝度向上フィルム４０は、必要に応じて設けられていればよい。液晶表示装置は、輝度向上フィルム４０を利用することにより、表示画像の輝度レベルの向上を図ることができる。
【０１０８】
第１光学素子ＯＤ１は、第１偏光板ＰＬ１を備えている。第１偏光板ＰＬ１は、偏光板の基材である偏光子層５１と、偏光子層５１の両面に設けられた支持層５２、５３と、を有している。
【０１０９】
偏光子層５１は、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）フィルムにヨウ素化合物を染色し、次いでＰＶＡフィルムを１方向に延伸するなどし、形成されている。延伸方向が偏光子層５１（第１偏光板ＰＬ１）の吸収軸方向となる。
【０１１０】
支持層５２、５３は、例えばＴＡＣ（トリアセチルセルロース）を用いて形成されている。支持層５２は、偏光子層５１の液晶層ＬＱと対向した面に貼り付けられている。支持層５３は、偏光子層５１の別の面に貼り付けられている。支持層５２、５３は、偏光子層５１を保護している。例えば、支持層５２、５３は、防湿機能を有し、偏光子層５１への水分の浸入を低減することができる。また、支持層５２、５３は、偏光子層５１を補強することができる。これにより、支持層５２、５３は、偏光子層５１が熱や湿気の影響を受けた際の偏光子層５１の収縮を抑制することができる。  
接着材９１は、アレイ基板ＡＲ及び第１偏光板ＰＬ１（支持層５２）間に位置し、アレイ基板ＡＲ及び第１偏光板ＰＬ１を接着している。
【０１１１】
第２光学素子ＯＤ２は、第１位相差板７１、第２位相差板７２、第２偏光板ＰＬ２及び位相差板８０を備えている。  
第１位相差板７１は、対向基板ＣＴ及び第２偏光板ＰＬ２の間に配置されている。第１位相差板７１は、その第１遅相軸ＳＡ１がＹ軸と平行となるように配置されている。第２位相差板７２は、第１位相差板７１と第２偏光板ＰＬ２との間に位置し、第１位相差板７１に積層されている。第２位相差板７２は、その第２遅相軸ＳＡ２がＹ軸と平行となるように配置されている。第１位相差板７１及び第２位相差板７２の厚みは、それぞれ２５μｍ程度である。
【０１１２】
第２偏光板ＰＬ２は、偏光板の基材である偏光子層６１と、偏光子層５１の片面に設けられた支持層６３と、を有している。  
偏光子層６１は、偏光子層５１と同様に形成されている。延伸方向が偏光子層６１（第２偏光板ＰＬ２）の吸収軸方向となる。
【０１１３】
支持層６３は、例えばＴＡＣを用いて形成されている。支持層６３は、偏光子層６１の液晶層ＬＱと対向した面とは別の面に貼り付けられている。  
第１位相差板７１及び第２位相差板７２は、支持層としても機能している。支持層６３、第１位相差板７１及び第２位相差板７２は、偏光子層６１を保護している。例えば、支持層６３、第１位相差板７１及び第２位相差板７２は、防湿機能を有し、偏光子層６１への水分の浸入を低減することができる。また、支持層６３、第１位相差板７１及び第２位相差板７２は、偏光子層６１を補強することができる。これにより、支持層６３、第１位相差板７１及び第２位相差板７２は、偏光子層６１が熱や湿気の影響を受けた際の偏光子層６１の収縮を抑制することができる。
【０１１４】
位相差板８０は、第２偏光板ＰＬ２（支持層６３）の外面に貼り付けられている。位相差板８０は、必要に応じて設けられていればよい。液晶表示装置は、位相差板８０を利用することにより、表示画像の輝度レベルの向上を図ることができる。  
接着材９３は、対向基板ＣＴ及び第１位相差板７１間に位置し、対向基板ＣＴ及び第１位相差板７１を接着している。
【０１１５】
尚、接着材９３は導電性粘着材もしくは酸を含まない粘着材である。例えば、対向基板ＣＴ上にＩＴＯが塗布されていない場合、帯電による表示ムラ防止の為、粘着材９３は導電性粘着材を用いる必要がある。また、対向基板ＣＴ上にＩＴＯが塗布されている場合、ＩＴＯの腐食防止の為、粘着材９３は酸を含まない粘着材が必要である。導電性粘着材もしくは酸性を示さない材料の粘着材は、一般的な粘着材と比較して対ガラス密着力が小さい傾向がある。
【０１１６】
支持層５２、５３、６３の少なくとも１つは、４０μｍ未満の厚みＴ５２、Ｔ５３、Ｔ６３を有している。本実施例１において、支持層５２、５３、６３は、それぞれ４０μｍ未満の厚みＴ５２、Ｔ５３、Ｔ６３を有している。例えば、厚みＴ５２、Ｔ５３、Ｔ６３は、それぞれ２５μｍである。
【０１１７】
（実施例２）
図１２は、上記実施形態に係る実施例２の液晶表示装置を示す断面図である。図１３は、実施例２の液晶表示パネルＬＰＮの一部を示す分解斜視図であり、液晶層ＬＱ、偏光板及び位相差板を概略的に示す図である。なお、図１２及び図１３では、説明に必要な箇所のみを図示している。
【０１１８】
図５、図１２及び図１３に示すように、第１位相差板７１及び第２位相差板７２はアレイ基板ＡＲ側に設けられていてもよい。  
第１光学素子ＯＤ１は、第１位相差板７１、第２位相差板７２及び第１偏光板ＰＬ１を備えている。第１位相差板７１は、アレイ基板ＡＲ及び第１偏光板ＰＬ１の間に配置されている。第２位相差板７２は、第１位相差板７１と第１偏光板ＰＬ１との間に位置し、第１位相差板７１に積層されている。
【０１１９】
第１偏光板ＰＬ１は、支持層５２無しに形成されている。接着材９３は、アレイ基板ＡＲ及び第１位相差板７１間に位置し、アレイ基板ＡＲ及び第１位相差板７１を接着している。
【０１２０】
第２光学素子ＯＤ２は、第２偏光板ＰＬ２及び位相差板８０を備えている。  
第２偏光板ＰＬ２は、偏光子層６１と、偏光子層５１の両面に設けられた支持層６２、６３と、を有している。上記のように、第２偏光板ＰＬ２は支持層６２をさらに有している。支持層６２は、例えばＴＡＣを用いて形成されている。支持層６２は、偏光子層６１の液晶層ＬＱと対向した面に貼り付けられている。支持層６２は、支持層６３と同様の機能を有している。接着材９２は、対向基板ＣＴ及び第２偏光板ＰＬ２（支持層６２）間に位置し、対向基板ＣＴ及び第２偏光板ＰＬ２を接着している。
【０１２１】
支持層５３、６２、６３の少なくとも１つは、４０μｍ未満の厚みＴ５３、Ｔ６２、Ｔ６３を有している。本実施例２において、支持層５３、６２、６３は、それぞれ４０μｍ未満の厚みＴ５３、Ｔ６２、Ｔ６３を有している。例えば、厚みＴ５３、Ｔ６２、Ｔ６３は、それぞれ２５μｍである。  
上述した他、実施例２の液晶表示装置は、上記実施例１の液晶表示装置と同様に形成されている。
【０１２２】
以上のように構成された一実施形態に係る液晶表示装置によれば、液晶表示装置は、液晶表示パネルＬＰＮと、補強板と、液晶表示パネルＬＰＮ及び補強板を接着する接着材７と、を備えている。第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２は、それぞれ偏光子層５１、６１を有している。
【０１２３】
第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２の一方は、第２位相差板７２と対向し、偏光子層（５１又は６１）の第２位相差板７２と対向した面とは反対側の面に設けられた支持層（５３又は６３）を有している。第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２の他方は、偏光子層（５１又は６１）の両面に設けられた支持層（５２及び５３、又は６２及び６３）を有している。  
偏光子層５１、６１の両面は支持層や位相差板で保護されているため、偏光子層５１、６１への水分の浸入を低減することができる。
【０１２４】
支持層５２、５３、６２、６３の少なくとも１つは、４０μｍ未満の厚みＴ５２、Ｔ５３、Ｔ６２、Ｔ６３を有している。支持層５２、５３、６２、６３を薄く形成することができるため、液晶表示装置の一層の薄型化に寄与することができる。
【０１２５】
支持層５２、５３、６２、６３を薄くすると、偏光子層５１、６１自体の収縮の影響を受け、第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２が剥がれたり、第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２にしわができたり、液晶表示パネルＬＰＮが反ったりするなどの不具合が生じることが懸念されていた。
【０１２６】
しかしながら、本実施形態において、センシング基板５及び化粧板６は、補強板として機能している。薄型化にともなう支持層５２、５３、６２、６３の強度の低下分をセンシング基板５及び化粧板６で補うことができるため、液晶表示パネルＬＰＮが反ったりするなどの不具合の発生を低減することができる。これにより、表示画像に輝度ムラが生じるなどの不良の発生を低減することができ、高い表示品位を保持することができる。
【０１２７】
上記のことから、長期にわたって高い表示品位を維持することができる液晶表示装置を得ることができる。
【０１２８】
なお、この発明は上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化可能である。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。
【０１２９】
例えば、液晶表示装置は、第１位相差板７１及び第２位相差板７２無しに形成されていてもよい。図１４は、上記実施形態に係る液晶表示装置の変形例を示す断面図である。なお、図１４では、説明に必要な箇所のみを図示している。  
図１４に示すように、液晶表示装置は、第１位相差板７１及び第２位相差板７２無しに形成されている。第１光学素子ＯＤ１は、上記実施例１の第１光学素子ＯＤ１と同様に形成されている。第２光学素子ＯＤ２は、上記実施例２の第２光学素子ＯＤ２と同様に形成されている。この場合も、上述した実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１３０】
また、液晶層ＬＱは負の誘電率異方性を有していてもよく、言い換えると、液晶層ＬＱはｎ型液晶で形成されていてもよい。図１５は、上記実施例１の液晶表示パネルＬＰＮの変形例の一部を示す分解斜視図であり、液晶層ＬＱ、偏光板及び位相差板を概略的に示す図である。図１６は、上記実施例２の液晶表示パネルＬＰＮの変形例の一部を示す分解斜視図であり、液晶層ＬＱ、偏光板及び位相差板を概略的に示す図である。なお、図１５、１６では、説明に必要な箇所のみを図示している。
【０１３１】
図１５に示すように、液晶層ＬＱは、ｎ型液晶で形成されている。Ｙ軸は第１方向ｄ１に平行であり、Ｘ軸は第２方向ｄ２に平行である。このため、液晶分子ＬＭが初期配向した方向は第１方向ｄ１に略平行であり、第１位相差板７１は第１遅相軸ＳＡ１が第１方向ｄ１と平行となるように配置され、第２位相差板７２は第２遅相軸ＳＡ２が第１方向ｄ１と平行となるように配置されている。上記のように液晶層ＬＱがｎ型液晶で形成されている場合であっても、上述した実施例１と同様の効果を得ることができる。
【０１３２】
また、図１６に示すように、液晶層ＬＱは、ｎ型液晶で形成されている。Ｙ軸は第１方向ｄ１に平行であり、Ｘ軸は第２方向ｄ２に平行である。このため、液晶分子ＬＭが初期配向した方向は第１方向ｄ１に略平行であり、第１位相差板７１は第１遅相軸ＳＡ１が第１方向ｄ１と平行となるように配置され、第２位相差板７２は第２遅相軸ＳＡ２が第１方向ｄ１と平行となるように配置されている。上記のように液晶層ＬＱがｎ型液晶で形成されている場合であっても、上述した実施例２と同様の効果を得ることができる。
【０１３３】
支持層５２の厚みＴ５２及び支持層５３の厚みＴ５３は、支持層５２、５３を偏光子層５１に貼り付け可能な範囲内で小さくすることが可能である。支持層６２の厚みＴ６２及び支持層６３の厚みＴ６３は、支持層６２、６３を偏光子層６１に貼り付け可能な範囲内で小さくすることが可能である。
【０１３４】
補強板は、板であればよく、センシング基板５と化粧板６との組立品に限定されるものではない。例えば、液晶表示装置は、センシング基板５及び化粧板６の何れか一方を備えていてもよい。この場合、センシング基板５又は化粧板６は、液晶表示パネルＬＰＮに貼り付けられることにより、補強板として機能することができる。  
上述した第１基板が対向基板ＣＴであり、第２基板がアレイ基板ＡＲであってもよい。
【符号の説明】
【０１３５】
ＬＰＮ…液晶表示パネル、ＡＲ…アレイ基板、ＣＴ…対向基板、ＬＱ…液晶層、ＬＭ…液晶分子、ＰＸ…画素、ＰＥ…画素電極、ＰＡ…主画素電極、ＰＢ…副画素電極、ＣＥ…共通電極、ＣＡ，ＣＡＬ，ＣＡＲ…主共通電極、ＣＢ，ＣＢＵ，ＣＢＢ…副共通電極、ＯＤ１…第１光学素子、ＰＬ１…第１偏光板、ＯＤ２…第２光学素子、ＰＬ２…第２偏光板、５１，６１…偏光子層、５２，５３，６２，６３…支持層、７１…第１位相差板、７２…第２位相差板、５…センシング基板、６…化粧板、７，８，９１，９２，９３…接着材、ｄ１…第１方向、ｄ２…第２方向。
【図１】
2013225014.tif 000003
【図２】
2013225014.tif 000004
【図３】
2013225014.tif 000005
【図４】
2013225014.tif 000006
【図５】
2013225014.tif 000007
【図６】
2013225014.tif 000008
【図７】
2013225014.tif 000009
【図８】
2013225014.tif 000010
【図９】
2013225014.tif 000011
【図１０】
2013225014.tif 000012
【図１１】
2013225014.tif 000013
【図１２】
2013225014.tif 000014
【図１３】
2013225014.tif 000015
【図１４】
2013225014.tif 000016
【図１５】
2013225014.tif 000017
【図１６】
2013225014.tif 000018