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【手続補正書】
【提出日】平成26年2月18日(2014.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子放出源と、
前記電子放出源に対向して配置されたターゲットとを有し、
前記電子放出源から放出された電子が前記ターゲットの内面に照射されることにより発生するＸ線が、前記内面と対向する外面側から取り出されるＸ線発生装置であって、
前記電子放出源側の開口部から前記ターゲットに向かって前記電子を通過させる電子通過孔を有する遮蔽部材が前記内面側に配置され、
前記ターゲットの内面周縁の少なくとも一部と前記遮蔽部材との重なり領域である重複部を有し、
前記外面上の、前記重複部との対応領域に温度センサーが配置されていることを特徴とするＸ線発生装置。
【請求項２】
更に、前記ターゲット側の開口部から外方に向かって前記Ｘ線を通過させるＸ線通過孔を有する遮蔽部材が配置されていることを特徴とする請求項１に記載のＸ線発生装置。
【請求項３】
前記Ｘ線通過孔のターゲット側の開口部の面積が、前記電子通過孔のターゲット側の開口部の面積よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載のＸ線発生装置。
【請求項４】
前記温度センサーは、熱電対からなり、前記熱電対は、前記外面にロウ付けされていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＸ線発生装置。
【請求項５】
前記ターゲットがアースグランドに接続されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＸ線発生装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のＸ線発生装置と、
前記Ｘ線発生装置から放出され被検体を透過したＸ線を検出するＸ線検出部と、
前記Ｘ線発生装置と前記Ｘ線検出部とを制御する制御部と、
を備えることを特徴とするＸ線撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明は、電子放出源と、
前記電子放出源に対向して配置されたターゲットとを有し、
前記電子放出源から放出された電子が前記ターゲットの内面に照射されることにより発生するＸ線が、前記内面と対向する外面側から取り出されるＸ線発生装置であって、
前記電子放出源側の開口部から前記ターゲットに向かって前記電子を通過させる電子通過孔を有する遮蔽部材が前記内面側に配置され、
前記ターゲットの内面周縁の少なくとも一部と前記遮蔽部材との重なり領域である重複部を有し、
前記外面上の、前記重複部との対応領域に温度センサーが配置されていることを特徴とするＸ線発生装置を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月27日(2014.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置であって、
指向角を制御する指向性アンテナを少なくともいずれかが備えたソースノードと宛先ノードとの間の、複数の無線通信パスのそれぞれが占有する通信帯域を判定する判定手段と、
前記判定手段による判定結果と各無線通信パスを形成する際に用いられる前記指向性アンテナの指向角とに基づいて、使用すべき無線通信パスの組み合わせを選択する選択手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記選択手段は、無線通信パスの組み合わせにおける、当該組み合わせに含まれる無線通信パスのそれぞれを形成する際に用いられる前記指向性アンテナの指向角の角度差を算出する算出手段を含み、当該算出手段によって算出された前記角度差に基づいて、使用すべき無線通信パスの組み合わせを選択する、
ことを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記複数の無線通信パスは、少なくとも受信指向角及び送信指向角の少なくとも何れかを制御する指向性アンテナを備えた中継ノードを介する無線通信パスを含み、
前記算出手段は、前記中継ノードの受信指向角及び送信指向角の少なくとも何れかに基づいて前記無線通信パスの組み合わせにおける前記角度差を算出する、
ことを特徴とする請求項２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記選択手段によって選択された無線通信パスの組み合わせが複数存在する場合に、各無線通信パスの特性情報に基づいて、使用すべき無線通信パスの組み合わせを選択する、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項５】
前記無線通信パスの特性情報は前記無線通信パスの通信品質又は送信電力である、
ことを特徴とする請求項４に記載の通信装置。
【請求項６】
前記選択手段は、前記判定手段によって判定された通信帯域が所定の閾値より小さな無線通信パスの組み合わせの中から、使用すべき無線通信パスの組み合わせを選択する、
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項７】
前記通信装置は、前記ソースノードとして動作する、
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
前記通信装置は、前記宛先ノードとして動作する、
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の通信装置
【請求項９】
通信装置の制御方法であって、
指向角を制御する指向性アンテナを少なくともいずれかが備えたソースノードと宛先ノードとの間の、複数の無線通信パスのそれぞれが占有する通信帯域を判定する判定工程と、
前記判定工程による判定結果と各無線通信パスを形成する際に用いられる前記指向性アンテナの指向角とに基づいて、使用すべき無線通信パスの組み合わせを選択する選択工程と、
を有することを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１０】
コンピュータを請求項１から８のいずれか１項に記載の通信装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信装置およびその制御方法、並びにプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、通信装置であって、指向角を制御する指向性アンテナを少なくともいずれかが備えたソースノードと宛先ノードとの間の、複数の無線通信パスのそれぞれが占有する通信帯域を判定する判定手段と、前記判定手段による判定結果と各無線通信パスを形成する際に用いられる前記指向性アンテナの指向角とに基づいて、使用すべき無線通信パスの組み合わせを選択する選択手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月16日(2014.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
差込口が設けられた複数個の導電性のソケット本体部と、
前記ソケット本体部の、差込口を含む少なくとも一部を受容し得る収容部が複数個形成されている連結ソケットであって、
前記連結ソケットは、腐食性を有する処理液を使用する工程において用いられるものであり、
前記ソケット本体部が差込口を前記収容部の底面に向けて収容され、個々の収容部の各底面から連結ソケットの下面に連通する小孔が設けられた絶縁部を備え、
前記絶縁部の少なくとも下面は、耐腐食性を有する材料で構成され、
前記絶縁部の収容部内に前記ソケット本体部の少なくとも一部が収容されて固定され、前記差込口と前記小孔が連通されていることを特徴とする連結ソケット。
【請求項２】
前記絶縁部は、さらに耐熱性をも有する材料で構成されている請求項１に記載の連結ソケット。
【請求項３】
前記絶縁部を構成する材料として、合成樹脂、セラミックス、ガラス及びステンレス鋼からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料が用いられている請求項１または２に記載の連結ソケット。
【請求項４】
前記絶縁部を構成する材料として、透明な材料が用いられている請求項１〜３のいずれか１項に記載の連結ソケット。
【請求項５】
前記小孔を下方より平面視した形状は、直径０．１ｍｍの円形より大きく、一辺が０．５５ｍｍの正方形以下の範囲に入る請求項１〜４のいずれか１項に記載の連結ソケット。
【請求項６】
前記小孔は、リード線を有するコンデンサ用陽極体の該リード線が挿通されるための孔であり、前記小孔を下方より平面視した形状が、前記挿通されるリード線の横断面形状より大きく、かつ、該断面形状を１．１倍に拡大した相似形状と同じかまたはそれより小さい形状範囲に入る請求項１〜５のいずれか１項に記載の連結ソケット。
【請求項７】
前記小孔の深さが、０．２ｍｍ〜８ｍｍである請求項１〜６のいずれか１項に記載の連結ソケット。
【請求項８】
前記収容されたソケット本体部と前記絶縁部との間の隙間の少なくとも一部に充填材が封入されることによって、前記ソケット本体部が前記絶縁部の収容部内に固定されている請求項１〜７のいずれか１項に記載の連結ソケット。
【請求項９】
前記絶縁部の収容部内に前記ソケット本体部の全部が収容され、前記充填材の上面は、前記絶縁部の上面よりも低い位置にある請求項１〜８のいずれか１項に記載の連結ソケット。
【請求項１０】
前記ソケット本体部は、柱部と、該柱部の下端の周縁部から下方に向けて外側に拡がるように延ばされた傾斜面部とを備える請求項１〜９のいずれか１項に記載の連結ソケット。
【請求項１１】
前記ソケット本体部が、電気的に接続された導電性のリード線部を有する請求項１〜１０のいずれか１項に記載の連結ソケット。
【請求項１２】
電気回路が形成された回路基板と、
前記回路基板に着脱自在に取り付けられた請求項１〜１１のいずれか１項に記載の連結ソケットと、を備え、
前記ソケット本体部は、電気的に前記電気回路に接続され、
前記電気回路が個々の前記ソケット本体部毎に電流を制限することを特徴とするコンデンサ素子製造用治具。
【請求項１３】
前記電気回路が定電流回路である請求項１２に記載のコンデンサ素子製造用治具。
【請求項１４】
前記電気回路が、さらに、個々の前記ソケット本体部毎に電圧を制限する回路でもある請求項１２または１３に記載のコンデンサ素子製造用治具。
【請求項１５】
前記連結ソケットにコンデンサ用陽極体が接続されている請求項１２〜１４のいずれか１項に記載のコンデンサ素子製造用治具の回路基板から、陽極体が接続された連結ソケットを、取り外し、該連結ソケットに接続された状態の陽極体に対し熱処理を行う熱処理工程、を含むことを特徴とするコンデンサ素子の製造方法。
【請求項１６】
前記熱処理を２００℃〜５００℃で行う請求項１５に記載のコンデンサ素子の製造方法。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載の製造方法で得たコンデンサ素子の陽極体及び半導体層に、それぞれ電極端子を電気的に接続し、前記電極端子の一部を残して封止するコンデンサの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月14日(2013.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線層と絶縁層が積層され、前記配線層に接続され且つ最外層の絶縁層の表面から露出されるパッドが形成された配線基板であって、
前記パッドは、前記最外層の絶縁層の表面から露出される第１金属層と、前記第１金属層に積層された第２金属層と、前記第２金属層と前記配線層との間に形成された第３金属層とからなり、
前記第１金属層は、金又は銀から選択される金属、もしくは金及び銀の少なくとも一種を含む合金からなり、
前記第２金属層は、パラジウム又はパラジウム合金からなり、
前記第３金属層は、銅又は銅合金からなり、
前記最外層の絶縁層には、前記パッドを露出させる凹部が形成され、
前記凹部の側壁の一部には、前記パッドの一部を覆うように突出された突出部が形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記最外層の絶縁層の表面から露出される、前記第１金属層の第１主面の粗度が、表面粗さＲａ値で０．２１μｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記最外層の絶縁層の表面には、平坦面及び粗化面が形成されるとともに、前記パッドを露出させる凹部が形成され、
前記平坦面は、前記凹部の側壁近傍の前記表面に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
配線層と絶縁層が積層され、前記配線層に接続され且つ最外層の絶縁層の表面から露出するパッドが形成される配線基板の製造方法であって、
支持体の第１主面に前記パッドの形状に対応する開口部を有するレジスト層を形成するレジスト形成工程と、
前記レジスト層の開口部から露出される前記支持体の第１主面に、電解めっきにより、表面が平滑化されためっき層を形成する工程と、
前記めっき層の表面上に、金又は銀から選択される金属、もしくは金及び銀の少なくとも一種を含む合金からなる第１金属層と、パラジウム又はパラジウム合金からなる第２金属層と、銅又は銅合金からなる第３金属層とを順次積層して前記パッドを形成するパッド形成工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、
前記めっき層の側壁の一部を除去する工程と、
前記支持体の第１主面上に、前記パッドを被覆するとともに、前記第１金属層の下に入り込むように前記めっき層の側壁を被覆する第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層上に、所要数の前記配線層と前記絶縁層とを交互に積層する工程と、
前記支持体及び前記めっき層を除去する除去工程と
を有する配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記めっき層を形成する工程は、
前記レジスト層の開口部から露出される前記支持体の第１主面を平滑化する平滑化工程と、
前記レジスト層の開口部から露出される前記支持体の第１主面に、電解めっきにより、表面が平滑化された前記めっき層を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記めっき層を形成する工程では、前記めっき層の表面の粗度が、表面粗さＲａ値で０．２１μｍ未満になるように前記めっき層が形成されることを特徴とする請求項４又は５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記めっき層の側壁の一部を除去する工程では、前記第３金属層の表面、前記支持体の第１主面及び前記めっき層の側壁に粗化処理を施すことを特徴とする請求項４〜６のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記レジスト形成工程前に、前記支持体の第１主面に粗化処理を施す粗化工程を含むことを特徴とする請求項４〜７のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一観点によれば、配線層と絶縁層が積層され、前記配線層に接続され且つ最外層の絶縁層の表面から露出されるパッドが形成された配線基板であって、前記パッドは、前記最外層の絶縁層の表面から露出される第１金属層と、前記第１金属層に積層された第２金属層と、前記第２金属層と前記配線層との間に形成された第３金属層とからなり、前記第１金属層は、金又は銀から選択される金属、もしくは金及び銀の少なくとも一種を含む合金からなり、前記第２金属層は、パラジウム又はパラジウム合金からなり、前記第３金属層は、銅又は銅合金からなり、前記最外層の絶縁層には、前記パッドを露出させる凹部が形成され、前記凹部の側壁の一部には、前記パッドの一部を覆うように突出された突出部が形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2012186296.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月26日(2014.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版のパターンの像を投影光学系によって基板に投影し該基板を露光する露光装置であって、
前記原版を保持する原版ステージを位置決めする原版位置決め機構と、前記基板を保持する基板ステージを位置決めする基板位置決め機構と、前記基板ステージに搭載された計測器と、制御部と、を備え、
前記原版または前記原版ステージには、ピッチおよび幅の少なくとも一方が互いに異なる複数のパターンを含む第１計測パターンが設けられ、前記計測器は、第２計測パターンと、前記第１計測パターン、前記投影光学系および前記第２計測パターンを通過した光を検出するセンサとを含み、
前記第１計測パターンの照明領域は、前記照明領域内の前記複数のパターンの面積の比率に応じて前記複数のパターンのそれぞれの一部が照明されるように設定され、前記比率は前記原版に関する情報に応じて定まり、
前記制御部は、前記照明領域内の前記複数のパターンのそれぞれの前記一部を照明して前記基板ステージを移動させながら得られた前記センサの出力に基づいて、前記照明領域における前記第１計測パターンの像に関する情報を得る
ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記原版に関する情報は、前記原版のデバイスパターンのライン幅およびラインのピッチを含むこと特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記原版に関する情報は、前記原版のデバイスパターンの特徴と前記第１計測パターンの照明領域とを対応づけたテーブルを含むこと特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記原版に関する情報は、前記原版と前記第１計測パターンの照明領域とを対応づけたテーブルを含むこと特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第２計測パターンは、前記第１計測パターンを前記投影光学系の投影倍率に応じて縮小したパターンであることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
デバイスを製造するデバイス製造方法であって、
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光された該基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項７】
物体面のパターンの像を像面に投影する投影光学系を用いた計測方法であって、
ピッチおよび幅の少なくとも一方が互いに異なる複数のパターンを含む第１計測パターンを照明する工程と、
前記第１計測パターンと前記投影光学系とを通過し、更に、第２計測パターンを通過した光をセンサを用いて検出する工程と、を有し、
前記第１計測パターンの照明領域は、前記照明領域内の前記複数のパターンの面積の比率に応じて前記複数のパターンのそれぞれの一部が照明されるように設定され、前記比率は、前記像面に配置される基板を露光するために前記物体面に配置される原版に関する情報に応じて定まり、
前記第１計測パターンの照明領域内の前記複数のパターンのそれぞれの前記一部を照明して前記第２計測パターンを移動させながら得られた前記センサの出力に基づいて、前記照明領域における前記第１計測パターンの像に関する情報を得ることを特徴とする計測方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置、デバイス製造方法および計測方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、露光装置、それを用いてデバイスを製造するデバイス製造方法、および計測方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の１つの側面は、原版のパターンの像を投影光学系によって基板に投影し該基板を露光する露光装置に係り、前記露光装置は、前記原版を保持する原版ステージを位置決めする原版位置決め機構と、前記基板を保持する基板ステージを位置決めする基板位置決め機構と、前記基板ステージに搭載された計測器と、制御部と、を備え、
前記原版または前記原版ステージには、ピッチおよび幅の少なくとも一方が互いに異なる複数のパターンを含む第１計測パターンが設けられ、前記計測器は、第２計測パターンと、前記第１計測パターン、前記投影光学系および前記第２計測パターンを通過した光を検出するセンサとを含み、前記第１計測パターンの照明領域は、前記照明領域内の前記複数のパターンの面積の比率に応じて前記複数のパターンのそれぞれの一部が照明されるように設定され、前記比率は前記原版に関する情報に応じて定まり、前記制御部は、前記照明領域内の前記複数のパターンのそれぞれの前記一部を照明して前記基板ステージを移動させながら得られた前記センサの出力に基づいて、前記照明領域における前記第１計測パターンの像に関する情報を得る。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月3日(2014.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層と、前記活性層に対応して配置されたフォトニック結晶層と、を有し、波長λで発振する面発光レーザであって、
前記活性層と前記フォトニック結晶層の間に、隣接する層より屈折率の低い低屈折率層を有し、
前記面内方向に導波する前記波長λの光に対して高次の横モードを示す高次導波モードを少なくとも１つ有し、
前記高次導波モードの光強度分布のピークのうち少なくとも１つが、前記フォトニック結晶層と前記低屈折率層との間に位置していることを特徴とする面発光レーザ。
【請求項２】
前記低屈折率層を構成する材料の屈折率又は前記低屈折率層の平均屈折率が、前記フォトニック結晶層の平均屈折率より小さいことを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
【請求項３】
前記低屈折率層が、多孔質構造で構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の面発光レーザ。
【請求項４】
前記フォトニック結晶層が、半導体材料中に空気孔を周期配列して構成されており、
前記低屈折率層を構成する多孔質構造における空気孔の体積充填率が、前記フォトニック結晶層における空気孔の体積充填率より大きいことを特徴とする請求項３に記載の面発光レーザ。
【請求項５】
前記隣接する層と前記低屈折率層は、Ａｌ、Ｇａ、Ａｓを含む半導体材料又はＡｌ、Ｇａ、Ｎを含む半導体材料で構成され、
前記低屈折率層のＡｌの比率が、前記隣接する層のＡｌの比率よりも高いことを特徴とする請求項１又は２に記載の面発光レーザ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の面発光レーザが複数配列されたアレイ。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の面発光レーザと、感光ドラムと、を有する画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】面発光レーザ、アレイ及び画像形成装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、活性層と、前記活性層に対応して配置されたフォトニック結晶層と、を有し、波長λで発振する面発光レーザであって、前記活性層と前記フォトニック結晶層の間に、隣接する層より屈折率の低い低屈折率層を有し、前記面内方向に導波する前記波長λの光に対して高次の横モードを示す高次導波モードを少なくとも１つ有し、前記高次導波モードの光強度分布のピークのうち少なくとも１つが、前記フォトニック結晶層と前記低屈折率層との間に位置していることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月4日(2014.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る画像処理装置は、２種類以上のフィルタセットのうちいずれかを搭載したカメラをアレイ状に配置した多眼カメラにより撮影された複数の撮影画像のデータを処理する画像処理装置であって、前記複数の撮影画像の画素値から共通の色空間における色情報である第一の色情報を算出する第一の色情報算出手段と、前記算出された第一の色情報を用いて、前記複数の撮影画像間の対応点を算出することで前記複数の撮影画像における被写体の奥行き情報を算出する距離情報算出手段と、前記被写体の色を再現するために用いられる色情報である第二の色情報を前記複数の撮影画像の画素値から算出する第二の色情報算出手段と、前記算出された奥行き情報及び第二の色情報を用いて、前記複数の撮影画像を合成する合成手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２種類以上のフィルタセットのうちいずれかを搭載したカメラをアレイ状に配置した多眼カメラにより撮影された複数の撮影画像のデータを処理する画像処理装置であって、
前記複数の撮影画像の画素値から共通の色空間における色情報である第一の色情報を算出する第一の色情報算出手段と、
前記算出された第一の色情報を用いて、前記複数の撮影画像間の対応点を算出することで前記複数の撮影画像における被写体の奥行き情報を算出する距離情報算出手段と、
前記被写体の色を再現するために用いられる色情報である第二の色情報を前記複数の撮影画像の画素値から算出する第二の色情報算出手段と、
前記算出された奥行き情報及び第二の色情報を用いて、前記複数の撮影画像を合成する合成手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記第一の色情報は、輝度値であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記第二の色情報は、分光反射率であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記複数の撮影画像のそれぞれは、６色のカラーフィルタを３色ずつ２セットに分けたフィルタセットのうちいずれかを搭載したカメラにより撮影されたものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記複数の撮影画像の合成条件を入力するための合成条件設定手段を備え、
前記合成手段は、前記入力された合成条件に基づいて合成を行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
２種類以上のフィルタセットのうちいずれかを搭載したカメラをアレイ状に配置した多眼カメラと、
前記多眼カメラにより撮影された複数の撮影画像の画素値から共通の色空間における色情報である第一の色情報を算出する第一の色情報算出手段と、
前記算出された第一の色情報を用いて、前記複数の撮影画像間の対応点を算出することで前記複数の撮影画像における被写体の奥行き情報を算出する距離情報算出手段と、
前記被写体の色を再現するために用いられる色情報である第二の色情報を前記複数の撮影画像の画素値から算出する第二の色情報算出手段と、
前記算出された奥行き情報及び第二の色情報を用いて、前記複数の撮影画像を合成する合成手段と
を備えることを特徴とする多眼カメラシステム。
【請求項７】
前記多眼カメラは、異なるフィルタセットが搭載されたカメラが交互に配置されていることを特徴とする請求項６に記載の多眼カメラシステム。
【請求項８】
２種類以上のフィルタセットのうちいずれかを搭載したカメラをアレイ状に配置した多眼カメラにより撮影された複数の撮影画像のデータを処理する画像処理方法であって、
前記複数の撮影画像の画素値から共通の色空間における色情報である第一の色情報を算出する第一の色情報算出ステップと、
前記算出された第一の色情報を用いて、前記複数の撮影画像間の対応点を算出することで前記複数の撮影画像における被写体の奥行き情報を算出する距離情報算出ステップと、
前記被写体の色を再現するために用いられる色情報である第二の色情報を前記複数の撮影画像の画素値から算出する第二の色情報算出ステップと、
前記算出された奥行き情報及び第二の色情報を用いて、前記複数の撮影画像を合成する合成ステップと
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】
コンピューターを、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月24日(2014.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像した時の位置を示す撮像時位置情報を撮像画像に対して付加する撮像装置であって、
前記撮像画像の転送先となる閲覧者が所属するグループが、前記撮像画像を閲覧することを許可された閲覧可能者であるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記グループが前記閲覧可能者でないと判定された場合、前記撮像画像から前記撮像時位置情報を削除する削除手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記撮像時位置情報に基づいて、前記撮像した時の位置が前記閲覧者ごとに予め登録された位置から所定の距離範囲に含まれるか否かを判定する位置判定手段と、
前記位置判定手段により前記撮像した時の位置が前記所定の距離範囲に含まれると判定された場合、前記所定の距離範囲に含まれると判定された前記予め登録された位置と関連付けられた閲覧者が所属するグループを、前記閲覧可能者として設定する設定手段と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記転送先のアドレス情報と、前記閲覧者が所属するグループを示すグループ情報とを関連付けて、管理情報として前記閲覧者ごとに管理する管理手段をさらに備え、
前記判定手段は、前記アドレス情報と前記グループ情報とに基づいて前記転送先となる閲覧者が所属するグループが前記閲覧可能者であるか否かを判定することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記管理手段は、前記転送先となる閲覧者ごとに予め登録された位置を示す情報をさらに関連付けて前記管理情報として管理することを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記撮像画像の転送を中継する通信装置から前記管理情報を取得する取得手段をさらに備えることを特徴とする請求項３または４に記載の撮像装置。
【請求項６】
判定手段と、削除手段とを備え、撮像した時の位置を示す撮像時位置情報を撮像画像に対して付加する撮像装置の制御方法であって、
前記判定手段が、前記撮像画像の転送先となる閲覧者が所属するグループが、前記撮像画像を閲覧することを許可された閲覧可能者であるか否かを判定する判定工程と、
前記削除手段が、前記判定工程により前記グループが前記閲覧可能者でないと判定された場合、前記撮像画像から前記撮像時位置情報を削除する削除工程と、
を備えることを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項７】
コンピュータに請求項６に記載の撮像装置の制御方法の各工程を実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記の課題を解決する本発明に係る撮像装置は、
撮像した時の位置を示す撮像時位置情報を撮像画像に対して付加する撮像装置であって、
前記撮像画像の転送先となる閲覧者が所属するグループが、前記撮像画像を閲覧することを許可された閲覧可能者であるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記グループが前記閲覧可能者でないと判定された場合、前記撮像画像から前記撮像時位置情報を削除する削除手段と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月18日(2013.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の無線通信手段を備え、異なる無線通信帯域を使用した通信方式で無線データを送受信可能な無線通信端末であって、
広範囲のインフラストラクチャモードで通信を行う第１無線通信手段と、
前記第１無線通信手段よりも高帯域を使用して狭い範囲内での通信を行い、受信した無線データを復調して得られる信号から前記無線データの受信状態を算出する算出手段を備え、前記第１無線通信手段とは異なる無線通信帯域を使用した通信方式を用いて通信を行う第２無線通信手段と、
前記第１無線通信手段と、前記第２無線通信手段と、の何れを優先的に用いるかを選択する選択手段と、
前記算出手段により算出された前記無線データの受信状態と、前記選択手段によって選択された無線通信手段が用いる通信方式に対して設定した基準受信状態と、を比較する受信状態比較手段と、
前記受信状態比較手段による比較結果に基づいて、前記第１無線通信手段と前記第２無線通信手段の何れを用いて無線データの送受信を行うかを判断する判断手段と、
を備えることを特徴とする無線通信端末。
【請求項２】
前記判断手段は、
前記算出手段により算出された前記無線データの受信状態が、前記選択手段によって選択された無線通信手段が用いる通信方式に対して設定した基準受信状態よりも良好な場合は、前記第２の無線通信手段による無線データの送受信を行い、
前記算出手段により算出された前記無線データの受信状態が、前記選択手段によって選択された無線通信手段が用いる通信方式に対して設定した基準受信状態よりも低い場合は、前記第１の無線通信手段による無線データの送受信を行うと判断することを特徴とする請求項１に記載の無線通信端末。
【請求項３】
複数の無線通信手段を備え、異なる無線通信帯域を使用した通信方式で無線データを送受信可能な無線通信端末であって、
広範囲のインフラストラクチャモードで通信を行う第１無線通信手段と、
前記第１無線通信手段よりも高帯域を使用して狭い範囲内での通信を行い、受信した無線データを復調して得られた信号から前記無線データの受信状態を算出する算出手段と、前記無線データの受信強度を検出する検出手段と、を備え、前記第１無線通信手段とは異なる無線通信帯域を使用した通信方式を用いて通信を行う第２無線通信手段と、
前記第１無線通信手段と、前記第２無線通信手段と、の何れを優先的に用いるかを選択する選択手段と、
前記算出手段により算出された前記受信状態と、前記選択手段によって選択された無線通信手段が用いる通信方式に対して設定した基準受信状態と、を比較する受信状態比較手段と、
前記算出手段により算出された前記受信強度と、前記選択手段によって選択された無線通信手段が用いる通信方式について予め設定した基準受信強度と、を比較する受信強度比較手段と、
前記受信状態比較手段及び前記受信強度比較手段による比較結果に基づいて、前記第１無線通信手段と前記第２無線通信手段の何れを用いて無線データの送受信を行うかを判断する判断手段と、
を備えることを特徴とする無線通信端末。
【請求項４】
前記判断手段は、
前記算出手段により算出された前記無線データの受信状態が、前記選択手段によって選択された無線通信手段が用いる通信方式に対して設定した基準受信状態よりも低く、
前記検出手段により検出された前記無線データの受信強度が、前記選択手段によって選択された無線通信手段が用いる通信方式に対して設定した基準受信強度よりも高い場合に、前記第２の無線通信手段による無線データの送受信を行うと判断することを特徴とする請求項３に記載の無線通信端末。
【請求項５】
前記算出手段は、受信した無線データを復調して得られた信号における受信ベクトルと判定ベクトルとの差であるエラーベクトルから得られる変調精度値を、前記無線データの受信状態として算出することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の無線通信端末。
【請求項６】
前記選択手段に対し、前記第１無線通信手段と前記第２無線通信手段の何れを選択するかを設定する設定手段を備えることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の無線通信装置。
【請求項７】
前記選択手段は前記第２無線通信手段を用いた無線データの送受信にビームフォーミングを用いているかどうかを検出し、該検出結果に基づいて、前記第１無線通信手段と前記第２無線通信手段の何れを優先させるかを決定することを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の無線通信端末。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項２の発明は、請求項１の無線通信端末において、前記判断手段は、前記算出手段により算出された前記無線データの受信状態が、前記選択手段によって選択された無線通信手段が用いる通信方式に対して設定した基準受信状態よりも良好な場合は、前記第２の無線通信手段による無線データの送受信を行い、前記算出手段により算出された前記無線データの受信状態が、前記選択手段によって選択された無線通信手段が用いる通信方式に対して設定した基準受信状態よりも低い場合は、前記第１の無線通信手段による無線データの送受信を行うと判断することを特徴とする。
本発明によれば、受信状態を把握して適切に無線通信帯域を切り替えることで、低消費電力で、かつ通信の安定性を確保することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項４の発明は、請求項３の無線通信端末において、前記判断手段は、前記算出手段により算出された前記無線データの受信状態が、前記選択手段によって選択された無線通信手段が用いる通信方式に対して設定した基準受信状態よりも低く、前記検出手段により検出された前記無線データの受信強度が、前記選択手段によって選択された無線通信手段が用いる通信方式に対して設定した基準受信強度よりも高い場合に、前記第２の無線通信手段による無線データの送受信を行うと判断することを特徴とする。
本発明により、受信状態に加え、受信強度を把握してより適切に無線通信帯域を切り替えることで、低消費電力で、かつ通信の安定性を確保することができる。
請求項５の発明は、前記算出手段は、受信した無線データを復調して得られた信号における受信ベクトルと判定ベクトルとの差であるエラーベクトルから得られる変調精度値を、前記無線データの受信状態として算出することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月10日(2014.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つのマイクロレンズに対して複数の光電変換部を有し、当該マイクロレンズが２次元状に配列された撮像素子と、
前記複数の光電変換部から出力された信号を用いて記録用の画像を生成する生成手段と、
前記複数の光電変換部からの信号に基づいて瞳分割方式の焦点検出を行う演算手段と、
前記撮像素子の光電変換部の欠陥情報を記憶する記憶手段と、
前記欠陥情報に基づいて欠陥である光電変換部の信号の補間を行う補間手段と、
を有し、
前記補間手段は、前記欠陥である光電変換部に対し瞳分割方向とは異なる方向にある光電変換部からの信号を用いて補間を行うことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
１つのマイクロレンズに対して複数の光電変換部を有し、当該マイクロレンズが２次元状に配列された撮像素子と、
前記撮像素子の光電変換部の欠陥情報を記憶する記憶手段と、
前記欠陥情報に基づいて欠陥である光電変換部の信号の補間を行う補間手段と、
前記複数の光電変換部で光電変換された信号に基づいて複数の視差のある画像を作る画像処理手段と、
を有し、
前記補間手段は、前記欠陥である光電変換部に対し瞳分割方向とは異なる方向にある光電変換部からの信号を用いて補間を行うことを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
前記補間手段は、前記欠陥である光電変換部と同色のカラーフィルタが配置された光電変換部の出力信号を用いて補間を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記補間手段は、前記欠陥である光電変換部に対し瞳分割方向の垂直方向にある光電変換部からの信号により補間を行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項５】
前記補間手段は、前記欠陥である光電変換部の同一マイクロレンズ内にある瞳分割方向とは異なる方向にある光電変換部からの信号により補間を行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項６】
前記補間手段は、前記欠陥である光電変換部の同一マイクロレンズ内にある瞳分割方向の垂直方向にある光電変換部からの信号により補間を行うことを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
１つのマイクロレンズに対して複数の光電変換部を有し、当該マイクロレンズが２次元状に配列された撮像素子と前記撮像素子の光電変換部の欠陥情報を記憶する記憶手段とを有する撮像装置の制御方法であって、
前記複数の光電変換部から出力された信号を用いて記録用の画像を生成する生成工程と、
前記複数の光電変換部からの信号に基づいて瞳分割方式の焦点検出を行う演算工程と、
前記欠陥情報に基づいて欠陥である光電変換部の信号の補間を行う補間工程と、
を有し、
前記補間工程では、前記欠陥である光電変換部に対し瞳分割方向とは異なる方向にある光電変換部からの信号を用いて補間を行うことを特徴とする制御方法。
【請求項８】
１つのマイクロレンズに対して複数の光電変換部を有し、当該マイクロレンズが２次元状に配列された撮像素子と前記撮像素子の光電変換部の欠陥情報を記憶する記憶手段とを有する撮像装置の制御方法であって、
前記欠陥情報に基づいて欠陥である光電変換部の信号の補間を行う補間工程と、
前記複数の光電変換部で光電変換された信号に基づいて複数の視差のある画像を作る画像処理工程と、
を有し、
前記補間工程では、前記欠陥である光電変換部に対し瞳分割方向とは異なる方向にある光電変換部からの信号を用いて補間を行うことを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置およびその制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一側面としての撮像装置は、１つのマイクロレンズに対して複数の光電変換部を有し、当該マイクロレンズが２次元状に配列された撮像素子と、前記複数の光電変換部から出力された信号を用いて記録用の画像を生成する生成手段と、前記複数の光電変換部からの信号に基づいて瞳分割方式の焦点検出を行う演算手段と、前記撮像素子の光電変換部の欠陥情報を記憶する記憶手段と、前記欠陥情報に基づいて欠陥である光電変換部の信号の補間を行う補間手段と、を有し、前記補間手段は、前記欠陥である光電変換部に対し瞳分割方向とは異なる方向にある光電変換部からの信号を用いて補間を行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月6日(2013.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デポジションプロセスとエッチングプロセスとを交互に行うプラズマプロセスにより加工される形状を予測するプログラムであって、
デポジションプロセスで形成した保護膜のうち孔の底部に堆積した膜をエッチングプロセスにより除去するのに必要な時間を予測するステップと、
エッチングプロセスを、孔の底部に形成されている保護膜を除去する第１エッチングプロセスと、孔を掘り進める第２エッチングプロセスに区分けして、前記第１エッチングプロセスでは前記予測した必要な時間に設定し、前記第２エッチングプロセスにおけるエッチング時間、バイアスパワーの何れか一方又は双方をパラメータとして、最適条件を求めるステップと、
を含む、プラズマプロセスにより加工される形状を予測するプログラム。
【請求項２】
前記必要な時間を予測するステップ及び前記最適条件を求めるステップでは、
加工処理対象物に関する条件、エッチングプロセスとデポジションプロセスとを一サイクルとした際のサイクル数を含むプロセス条件及びシミュレーションに関する条件を設定する条件設定ステップと、
エッチングプロセスの条件に基づいたプラズマエッチングによる表面移動量を計算するエッチングプロセス表面移動量計算ステップと、
デポジションプロセスの条件に基づいたプラズマデポジションによる表面移動量を計算するデポジションプロセス表面移動量計算ステップと、
を備え、
前記エッチングプロセス表面移動量計算ステップと前記デポジションプロセス表面移動量計算ステップとを前記条件設定ステップにて設定されたサイクル数で繰り返す、
請求項１に記載のプラズマプロセスにより加工される形状を予測するプログラム。
【請求項３】
前記条件設定ステップでは、エッチングプロセス、デポジションプロセスの何れか一方又は双方を構成する複数のプロセスにおけるパラメータを、プロセス時間、ガス種、ガス圧、ガス流量、加工処理対象物の温度及びバイアスパワーから一以上選択して設定し、
前記エッチングプロセス表面移動量計算ステップと前記デポジションプロセス表面移動量計算ステップでは、前記条件設定ステップにて設定されたサイクル数で繰り返すことにより形成される形状を求める際、前記エッチングプロセス表面移動量計算ステップ、前記デポジションプロセス表面移動量計算ステップの何れか一方又は双方において前記条件設定ステップにおいて設定されたパラメータ毎に表面移動量を算出することにより、パラメータ毎に、前記形成される形状を求める、
請求項２に記載のプラズマプロセスによる加工される形状を予測するプログラム。
【請求項４】
加工処理対象物に関する条件、エッチングプロセスとデポジションプロセスとを一サイクルとした際のサイクル数を含むプロセスにおける条件及びシミュレーションに関する条件を設定する条件設定ステップと、
エッチングプロセスにおける条件に基づいたプラズマエッチングによる表面移動量を計算するエッチングプロセス表面移動量計算ステップと、
デポジションプロセスにおける条件に基づいたプラズマデポジションによる表面移動量を計算するデポジションプロセス表面移動量計算ステップと、
を備え、
前記条件設定ステップにおいて、エッチングプロセス、デポジションプロセスの何れか一方又は双方を構成する複数のプロセスに対してプロセス時間、ガス種、ガス圧、ガス流量、加工処理対象物の温度及びバイアスパワーのうち一以上をパラメータとして設定し、
前記エッチングプロセス表面移動量計算ステップ、前記デポジションプロセス表面移動量計算ステップの何れか一方又は双方において、前記条件設定ステップにおいて設定されたパラメータ毎に表面移動量を算出し、
前記エッチングプロセス表面移動量計算ステップと前記デポジションプロセス表面移動量計算ステップとを前記条件設定ステップにて設定されたサイクル数繰り返すことにより形成される形状を求める、プラズマ加工形状シミュレーションプログラム。
【請求項５】
加工処理対象物に関する条件、エッチングプロセスとデポジションプロセスとを一サイクルとした際のサイクル数を含むプロセス条件及びシミュレーションに関する条件を設定する条件設定手段と、
加工処理対象物の加工表面に照射されるフラックスのエネルギー分布及び／又は照射角度分布に関するデータを格納したフラックス情報データベースと、
エッチング及びデポジションの各プロセスにおける化学反応データを格納した化学反応データベースと、
加工表面における電荷分布により生じる電界分布を計算し加工表面に入射する荷電粒子の軌道を求める軌道計算手段と、
前記軌道計算手段で求まる荷電粒子の軌道に基づいて加工表面に入射する各種イオンを求め、前記フラックス情報データベース及び化学反応データベースに格納されているデータを用いて、加工表面の各領域における反応計算を行い、エッチングレート及びデポジションレートを求めるレート計算手段と、
前記レート計算手段で求まるエッチングレートとデポジションレートとの差分から表面移動量を算出する表面移動量計算手段と、
前記条件設定手段により設定される加工処理対象物に関する条件及びシミュレーションに関する条件に基づいて、前記条件設定手段により設定されるエッチングプロセスの条件に従って前記表面移動量計算手段による表面移動量の算出と、前記条件設定手段により設定されるデポジションプロセスの条件に従って前記表面移動量計算手段による表面移動量の算出と、を繰り返す計算制御手段と、
を備え、
前記条件設定手段が、エッチングプロセス、デポジションプロセスの何れか一方又は双方を構成する複数のプロセスにおけるパラメータを、プロセス時間、ガス種、ガス圧、ガス流量、加工処理対象物の温度及びバイアスパワーから一以上選択して設定し、
前記計算制御手段が、前記条件設定手段において設定されたパラメータ及びプロセスに関する条件に従って前記表面移動量算出手段を制御することにより、サイクル毎に、前記複数のプロセスの条件の順に表面移動量を算出する、プラズマプロセスによる加工形状の予測シミュレーション装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
図９は、本発明の実施形態に係るプラズマ加工形状シミュレーション装置１０を用いて最適条件の探索を示すフロー図である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月14日(2014.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
なお、イオン源層２１に含まれる金属元素としては上記金属元素に限定されるものではなく、例えばＡｌの他にＭｇを用いたＺｒＴｅＭｇとしてもよい。イオン化する金属元素としては、Ｚｒの代わりに、ＴｉやＴａなどの他の遷移金属元素を選択した場合でも同様な添加元素を用いることは可能であり、例えばＴａＴｅＡｌＧｅなどとすることも可能である。更に、イオン導電材料としては、Ｔｅ以外に硫黄（Ｓ）やセレン（Ｓｅ）、あるいはヨウ素（Ｉ）を用いてもよく、具体的にはＺｒＳＡｌ，ＺｒＳｅＡｌ，ＺｒＩＡｌ，ＣｕＧｅＴｅＡｌ等を用いてもよい。また、必ずしもＡｌを含んでいる必要はなく、ＣｕＧｅＴｅＺｒ等を用いてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
［変形例］
次に、上記実施の形態の変形例に係る記憶素子２について説明する。図４は記憶素子２の断面構成を表すものである。なお、記憶素子２について説明するが、上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は省略する。この記憶素子２は、下部電極１０（第１電極）、記憶層６０および上部電極３０（第２電極）をこの順に有するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
第１抵抗変化層６２Ａおよび第２抵抗変化層６２Ｂは、上記実施の形態の抵抗変化層２２と同様に、電気伝導上のバリアとしての機能を有するものであり、互いに組成が異なっている。これにより、この記憶素子２では、複数の記憶素子２の初期状態もしくは消去状態の抵抗値のばらつきを低減すると共に、複数回の書き込み・消去動作に対して書き込み・消去時の抵抗値を保持することが可能となっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
第２抵抗変化層６２Ｂとしては、上記実施の形態の抵抗変化層２２と同様に陰イオン成分として挙動するＴｅを主成分とする化合物から構成されている。このような化合物としては、例えばＡｌＴｅ，ＭｇＴｅまたはＺｎＴｅなどが挙げられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
（実験１）
（サンプル１−１〜１−６１）
まず、図２および図３に示したように、半導体基板１１にＭＯＳトランジスタＴｒを形成した。次いで、半導体基板１１の表面を覆うように絶縁層を形成し、この絶縁層にビアホールを形成した。続いて、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によりビアホールの内部を、Ｗ（タングステン）から成る電極材で充填し、その表面をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により平坦化した。そして、これらの工程を繰り返すことにより、プラグ層１５、金属配線層１６、プラグ層１７および下部電極１０を形成して、更に下部電極１０をメモリセル毎にパターニングした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
サンプル１−１〜１−６１におけるデータ保持特性および繰り返し特性の可否を、表１，２にイオン源層の組成一覧と共に示した。また、データ保持特性および繰り返し特性の特性図の一部を図５〜図７に示した。なお、繰り返し特性図は上段が条件（１−１），（２−１）、中断が条件（１−２），（２−２）、下段が条件（１−３），（２−３）である。更に、上記評価結果をＡｌ，Ｃｕ＋Ｚｒ，Ｔｅの３元組成図として図８に示した。図８（Ａ）が組成図全体を表したものであり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）の実線内を拡大したものである。図中の○がデータ保持特性および繰り返し特性を両立したサンプルである。これらの結果から、データ保持特性および繰り返し特性を両立するイオン源層２１，６１の組成は、アルミニウム（Ａｌ）は２７．７〜４７．４原子％、銅（Ｃｕ）およびジルコニウム（Ｚｒ）の合計（Ｃｕ＋Ｚｒ）は２３．６〜３９．４原子％、テルル（Ｔｅ）は２０．７〜４２．７原子％であることがわかる。なお、図８（Ａ），（Ｂ）に示した３元組成図はゲルマニウム（Ｇｅ）を含まない場合の含有割合になっているが、表１，２に記載されているように、Ｇｅの添加量は１５原子％以下であることが望ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
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