(57)【要約】【課題】パッケージダイシングにおける切削バリの発生を抑制する。【解決手段】パッケージダイシング工程で、第１段階の切削として、軟らかいレジンブレード１１でリード２ａを含む封止体４ｈの一部分を切削することで、切削バリの発生を抑制することができ、その後、第２段階の切削として、硬い電鋳ブレード１２を用いて切断残存部４ｆである樹脂部のみを切断することでブレード本体の摩耗の進展も遅いため、切り残しの発生も低減でき、その結果、半導体装置の信頼性の向上を図れる。【選択図】図９
2013069814.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）複数のチップ搭載部、および前記複数のチップ搭載部のそれぞれの周囲に配置された複数のリードを有するリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）前記複数のチップ搭載部のそれぞれの上面上に複数の半導体チップを搭載する工程と、
（ｃ）前記複数の半導体チップのそれぞれの表面に配置された複数のパッドと前記複数のリードとを電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記複数の半導体チップを封止体により一括封止する工程と、
（ｅ）前記封止体および前記複数のリードを切断し、個片化する工程と、を有し、
前記（ｄ）工程は、前記封止体の下面から前記複数のリードのそれぞれの下面が露出するように行い、
前記（ｅ）工程は、さらに
（ｅ１）前記封止体の上面を保持する工程と、
（ｅ２）前記封止体の下面側から前記封止体の一部および前記複数のリードを第１ブレードにより切断する工程と、
（ｅ３）前記（ｅ２）工程で形成された第１溝内に前記第１ブレードの厚さよりも薄い第２ブレードを進入させ、前記封止体の切断残存部を切断する工程と、を有し、
前記第１ブレードの砥粒の保持力は、前記第２ブレードの砥粒の保持力よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ３）工程は、前記第１溝内に水を溜めた状態で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ３）工程は、前記封止体のみを切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記リードフレームは、前記複数のリードが連結されたタイバーをさらに有し、
前記（ｅ２）工程は、前記複数のリードと前記タイバーとを切り分ける工程であって、
前記タイバーの幅は、前記第１ブレードの幅よりも狭いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ２）および（ｅ３）工程は、前記第２ブレードで切断する前記封止体の厚さが、前記第１ブレードで切断する前記封止体の厚さと同等もしくはそれ以上となるように行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１ブレードの前記砥粒と前記砥粒を保持するボンド材とは焼結により結合しており、
前記第２ブレードの前記砥粒と前記砥粒を保持するボンド材とは分子間力により結合していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１ブレードはレジンブレードであって、前記第２ブレードは電鋳ブレードであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ１）工程は、ダイシングテープに前記封止体の上面を貼り付けることにより行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１ブレードの砥粒径は、前記第２ブレードの砥粒径よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２ブレードの送り速度は、前記第１ブレードの送り速度よりも速いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２ブレードの回転数は、前記第１ブレードの回転数よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程は、金属ワイヤにより前記半導体チップの前記複数のパッドと前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において
前記複数の金属ワイヤは、金ワイヤもしくは銅ワイヤもしくはアルミワイヤであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程は、前記封止体の下面から前記チップ搭載部の下面が露出するように行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記リードフレームは、前記チップ搭載部を支持する吊りリードを有し、前記吊りリードの下面はハーフエッチングされており、
前記（ｄ）工程は、前記吊りリードの下面を前記封止体で覆うように行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１溝内に溜められた水は、前記（ｅ２）工程で前記第１ブレードを用いた切断時に前記第１ブレードに対して吹き付けた水であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２ブレードを用いた切断で形成される第２溝の深さは、前記第１溝の深さと同等もしくはそれより深いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２ブレードを用いた切断では、前記ダイシングテープに到達するまで切り込むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
（ａ）複数のチップ搭載部、および前記複数のチップ搭載部のそれぞれの周囲に配置された複数のリードを有するリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）前記複数のチップ搭載部のそれぞれの上面上に複数の半導体チップを搭載する工程と、
（ｃ）前記複数の半導体チップのそれぞれの表面に配置された複数のパッドと前記複数のリードとを電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記複数の半導体チップを封止体により一括封止する工程と、
（ｅ）前記封止体および前記複数のリードを切断し、個片化する工程と、を有し、
前記（ｄ）工程は、前記封止体の下面から前記複数のリードのそれぞれの下面が露出するように行い、
前記（ｅ）工程は、さらに
（ｅ１）前記封止体の上面を保持する工程と、
（ｅ２）前記封止体の下面側から前記封止体の一部および前記複数のリードを第１ブレードにより切断する工程と、
（ｅ３）前記（ｅ２）工程で形成された第１溝内に前記第１ブレードの厚さよりも薄い第２ブレードを進入させ、前記封止体の切断残存部を切断する工程と、を有し、
前記第１ブレードの摩耗速度は、前記第２ブレードの摩耗速度よりも速いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、パッケージダイシングに適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の組み立てで、樹脂封止体を切断する方法として、前記樹脂封止体を放熱板側から削る工程と、前記樹脂封止体を配線基板側から削る工程とを備え、各工程で異なった砥粒サイズのブレードを使用して切断を行う技術が、例えば、特許文献１に開示されている。
【０００３】
また、半導体装置の組み立てで、ブレードによってリード端子の途中まで裏面側から切り込み、その後、反対側からブレードによって樹脂層とリードフレームを同時に切断して個々に分割した半導体装置を形成する技術が、例えば、特許文献２に開示されている。
【０００４】
また、ウエハのダイシングにおいて、第１のダイシングブレードを用いて途中まで切断し、次に、極薄の第２のダイシングブレードを用いて切り残し部を完全切断する技術が、例えば、特許文献３に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１０３２９７号公報
【特許文献２】特開平１１−１６３００７号公報
【特許文献３】特開２００５−１２９８３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体装置の組み立てにおいて、リードフレームを用いるＭＡＰ（Matrix Array Package）方式の半導体装置の組み立てでは、リードフレームの複数のデバイス領域を一括して樹脂封止して封止体を形成した後、パッケージダイシング（個片化）を行っている。
【０００７】
したがって、パッケージダイシング時には、リードの金属部分と封止体の樹脂部分とを一緒に切断しなければならない。つまり、このことは、異なった複数の材料（ここでは、金属と樹脂）を一緒に切断することを意味する。
【０００８】
一般的に、ダイシング装置で使用されている切断用のブレード（刃物）としては、電鋳ブレード、メタルブレード及びレジンブレード等が知られており、それぞれの特徴に応じて使い分けされている。例えば、各ブレードの摩耗速度や切れ味等の特性、さらには被切断物の材質等に応じて使い分けが行われているが、前述のようにパッケージダイシングでは、従来のウエハダイシングとは異なり、金属と樹脂とが混在した部材を切れ味良く、かつ摩耗速度を考慮しつつ切断を行わなければならないため、何れのブレードを用いてパッケージダイシングを行うかが重要になっている。
【０００９】
近年、半導体装置の小型化もしくは多ピン化の影響により、半導体装置のリード間ピッチが狭くなる傾向にあり（例えば、０．５ｍｍピッチから０．４ｍｍピッチに狭ピッチ化される）、パッケージダイシング時に発生する金属の切削バリが、リード間ショートを引き起こすことが課題となっている。
【００１０】
前述の３種類のブレードの場合、ブレードが硬くなると（硬度が上がると）、ブレード自身の摩耗は少なくなって、切り残しが発生するという懸念は低減するが、その反面、切削バリが発生し易くなり、リード間ショートや実装不良を引き起こすことになる。
【００１１】
これに対してブレードが軟らかくなる（硬度が下がる）と、切削バリは低減する一方、ブレード自身の摩耗が速くなって切り残しが発生し易くなる。
【００１２】
このように、ブレードの硬度一つを取ってみても、メリット・デメリットが有り、パッケージダイシングにおいては、ブレードの選択が非常に難しいものとなっている。
【００１３】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、パッケージダイシングにおける切削バリの発生を抑制することができる技術を提供することにある。
【００１４】
また、本発明の他の目的は、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる技術を提供することにある。
【００１５】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１７】
代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップを封止体により一括封止し、その後、前記封止体および複数のリードを切断して個片化する際に、前記封止体の上面を保持する工程と、前記封止体の下面側から前記封止体の一部および前記複数のリードを第１ブレードにより切断する工程と、前記切断工程で形成された第１溝内に前記第１ブレードの厚さよりも薄い第２ブレードを進入させて前記封止体の切断残存部を切断する工程と、を有しており、前記第１ブレードの砥粒の保持力は、前記第２ブレードの砥粒の保持力よりも低い。
【００１８】
また、代表的な他の実施の形態による半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップを封止体により一括封止し、その後、前記封止体および複数のリードを切断して個片化する際に、前記封止体の上面を保持する工程と、前記封止体の下面側から前記封止体の一部および前記複数のリードを第１ブレードにより切断する工程と、前記切断工程で形成された第１溝内に前記第１ブレードの厚さよりも薄い第２ブレードを進入させて前記封止体の切断残存部を切断する工程と、を有しており、前記第１ブレードの摩耗速度は、前記第２ブレードの摩耗速度よりも速い。
【発明の効果】
【００１９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００２０】
パッケージダイシング時の切削バリの発生を抑制することができる。
【００２１】
また、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す半導体装置の構造の一例を示す平面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の構造の一例を示す裏面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図５】図３のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図６】図１に示す半導体装置の組み立て手順におけるワイヤボンドまでを示す平面図である。
【図７】図６に示す組み立て手順におけるワイヤボンドまでを示す断面図である。
【図８】図１の半導体装置の組み立て手順における樹脂封止〜組み立て完了までを示す平面図及び斜視図である。
【図９】図８に示す組み立て手順における組み立て完了までを示す断面図である。
【図１０】図８に示す組み立て手順における個片切断の詳細を示す平面図である。
【図１１】パッケージダイシングにおける切削バリの発生メカニズムを示す概念図である。
【図１２】図１１の切削バリの発生メカニズムを示す概念図である。
【図１３】図１１の切削バリの発生メカニズムを示す概念図である。
【図１４】パッケージダイシングにおいてブレードの目詰まり無しの状態を示す概念図である。
【図１５】パッケージダイシングにおいてブレードの目詰まり有りの状態を示す概念図である。
【図１６】本発明の実施の形態で用いられる各ブレードの製造方法の一例を示す概念図である。
【図１７】本発明の実施の形態で用いられる各ブレードの特徴の一例を示す概念図である。
【図１８】本発明の実施の形態で用いられる各ブレードの仕様と切削条件の一例を示す概念図である。
【図１９】本発明の実施の形態の個片切削工程の第１ブレードによる切削時の状態の一例を示す斜視図である。
【図２０】本発明の実施の形態の個片切削工程の第２ブレードによる切削時の状態の一例を示す斜視図である。
【図２１】図１９の第１ブレードによる切削後の構造の一例を示す平面図である。
【図２２】図２０の第２ブレードによる切削後の構造の一例を示す平面図である。
【図２３】電鋳ブレードとレジンブレードで測定した切削バリの発生量の比較図である。
【図２４】図２３の測定における切削バリを示す概念図である。
【図２５】パッケージダイシングにおいて発生する切削バリの一例を示す斜視図である。
【図２６】パッケージダイシングにおいて発生する切り残しの一例を示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２４】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００２５】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２６】
また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００２７】
また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａからなる」、「Ａよりなる」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２９】
（実施の形態）
図１は本発明の実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す斜視図、図２は図１に示す半導体装置の構造の一例を示す平面図、図３は図１に示す半導体装置の構造の一例を示す裏面図、図４は図３のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図５は図３のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【００３０】
図１〜図５に示す本実施の形態の半導体装置は、半導体チップ１を搭載するための板状のダイパッド（チップ搭載部、タブ）２ｄの上面２ｅ上に搭載された半導体チップ１が樹脂製の封止体４によって樹脂封止され、かつ半導体チップ１が金属製のリード２ａと金属ワイヤ５を介して電気的に接続されて成るリードフレームタイプの半導体パッケージである。
【００３１】
さらに、半導体チップ１の周囲に配置された複数のリード２ａは、それぞれ外部端子として封止体４の下面４ｂの周縁部に露出している。本実施の形態では、前述のような半導体装置の一例として、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package) ６を取り上げて説明する。
【００３２】
ＱＦＮ６は、ＭＡＰ方式を採用して組み立てられたものである。つまり、ＱＦＮ６は、その組み立てにおいて、複数の半導体チップ１が一括して樹脂封止され、その後、パッケージダイシング（ブレードダイシング、個片切削）を行うことにより組み立てられたものである。
【００３３】
図４に示すようにＱＦＮ６に組み込まれた半導体チップ１は、内部に半導体集積回路が組み込まれている。半導体チップ１は、例えば、銀ペースト等のダイボンド材を介してダイパッド２ｄの上面２ｅ上に配置され、固着（固定、接着）されている。言い換えると、半導体チップ１の裏面１ｂとダイパッド２ｄの上面２ｅとが前述のダイボンド材を介して接合されている。さらに、半導体チップ１の表面１ａには、前述の半導体集積回路の一部と電気的に接続された複数の電極パッド１ｃが形成されている。これら複数の電極パッド１ｃと複数のリード２ａとは、それぞれ複数の金属ワイヤ５によって電気的に接続されている。複数のリード２ａのそれぞれは、上面２ｂとその反対側の下面２ｃを有しており、上面２ｂに金属ワイヤ５が接続され、一方、下面２ｃは、図３に示すように封止体４の下面４ｂの周縁部に露出している。
【００３４】
また、ここでは、半導体チップ１が固着されたダイパッド２ｄについても、上面２ｅの反対側の下面２ｆが封止体４の下面４ｂから露出している。すなわち、ＱＦＮ６は、ダイパッド露出型（タブ露出型）の半導体装置である。
【００３５】
また、図５に示すように、ＱＦＮ６には、ダイパッド２ｄを支持する吊りリード２ｇが設けられている。ここでは、４本の吊りリード２ｇがダイパッド２ｄの角部を支持している。これらの吊りリード２ｇは、ハーフエッチングによって、そのリード厚さが薄くなっている。つまり、吊りリード２ｇの下面２ｈは、ハーフエッチングによって形成された面である。４本の吊りリード２ｇのそれぞれは、下面２ｈ側がハーフエッチング加工により削られて、ダイパッド２ｄの約１／２程度の厚さになっている。そのため、４本の吊りリード２ｇのそれぞれは、下面２ｈが封止体４によって覆われており、図３及び図５に示すように封止体４の下面４ｂには露出していない。
【００３６】
また、本実施の形態のＱＦＮ６の封止体４は、基板等に対する実装面となる下面４ｂと、図２及び図４に示すような、その反対側の平坦な上面４ａと、さらにこれら上面４ａと下面４ｂとの間に位置する４つの側面とを有している。前記４つの側面のそれぞれは、第１側面４ｃと、第１側面４ｃよりも内側に位置する第２側面４ｄとを有する。図１に示すように、各第１側面４ｃは樹脂３のみから構成される。さらに、各第２側面４ｄは、複数のリード２ａそれぞれの切断面２ｋと、これら切断面２ｋを挟むように両端に配置された複数の吊りリード２ｇの切断面２ｍとが露出している。
【００３７】
つまり、封止体４の４つの側面のぞれぞれは、段差形状となっている。封止体４の上面４ａから繋がる第１側面４ｃと、この第１側面４ｃよりパッケージ内方に向かって引っ込んだ位置に形成された第２側面４ｄとから成り、第２側面４ｄは下面４ｂに繋がる。各第２側面４ｄには、各リード２ａ及び各吊りリード２ｇの切断面２ｋ，２ｍが露出している。なお、第１側面４ｃと第２側面４ｄは、第２下面４ｋにも繋がっている。第２下面４ｋは、上面４ａと下面４ｂとの間に位置する面である。
【００３８】
このように４つの側面それぞれが段差形状になっているため、上面４ａに比べて下面４ｂが小さくなっている。つまり、平面視において、下面４ｂの面積は、上面４ａの面積よりも小さい。
【００３９】
ここで、ＱＦＮ６に組み込まれた半導体チップ１は、例えば、シリコンによって形成され、さらに金属ワイヤ５は、例えば、金（Ａｕ）ワイヤ、銅（Ｃｕ）ワイヤ、もしくはアルミ（Ａｌ）ワイヤ等である。また、封止体４を形成するレジンである樹脂３は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂である。さらに、各リード２ａや吊りリード２ｇ及びダイパッド２ｄは、鉄−ニッケル系の合金もしくは銅合金等である。
【００４０】
次に、本実施の形態のＱＦＮ６の組み立て（製造方法）について説明する。
【００４１】
図６は図１に示す半導体装置の組み立て手順におけるワイヤボンドまでを示す平面図、図７は図６に示す組み立て手順におけるワイヤボンドまでを示す断面図、図８は図１の半導体装置の組み立て手順における樹脂封止〜組み立て完了までを示す平面図及び斜視図、図９は図８に示す組み立て手順における組み立て完了までを示す断面図、図１０は図８に示す組み立て手順における個片切断の詳細を示す平面図である。
【００４２】
本実施の形態のＱＦＮ６の組み立ては、ＭＡＰ方式を採用したものである。まず、図６及び図７のステップＳ１のフレーム投入に示すように、半導体装置の形成領域であるデバイス領域２ｊが複数個マトリクス配列で形成された薄板状のリードフレーム２を準備し、ＱＦＮ６の組み立てラインに投入する。
【００４３】
なお、各デバイス領域２ｊは、タイバー２ｉによって区分けされており、さらに、各デバイス領域２ｊには、その中央付近に設けられたダイパッド２ｄと、ダイパッド２ｄの周囲に配置された複数のリード２ａと、ダイパッド２ｄをその角部で支持する４本の吊りリード２ｇとが設けられている。
【００４４】
また、４本の吊りリード２ｇは、それぞれダイパッド２ｄ側と反対側の先端付近で二股に分岐し、タイバー２ｉに連結している。さらに、それぞれの吊りリード２ｇは、図５に示すように、それぞれの下面ハーフエッチング加工によって薄く形成されており、下面２ｈが形成されている。吊りリード２ｇのリード厚は、ダイパッド２ｄの約１／２程度の厚さになっている。
【００４５】
また、複数のリード２ａは、それぞれタイバー２ｉによって支持されている（タイバー２ｉに連結されている）。
【００４６】
なお、リードフレーム２は、例えば、鉄−ニッケル系の合金もしくは銅合金等から成る金属フレームである。
【００４７】
その後、ステップＳ２に示すダイボンドを行う。すなわち、図７のステップＳ２に示すように、リードフレーム２の複数のダイパッド２ｄのそれぞれの上面２ｅ上に図示していないダイボンド材を介して半導体チップ１を搭載する。
【００４８】
その後、図６及び図７のステップＳ３に示すワイヤボンドを行う。本ワイヤボンド工程では、複数の半導体チップ１のそれぞれの表面１ａに配置された複数の電極パッド１ｃと複数のリード２ａとをそれぞれ金属ワイヤ５により電気的に接続する。これにより、半導体チップ１とリード２ａとが金属ワイヤ５によって電気的に接続される。
【００４９】
なお、前記複数の金属ワイヤ５は、金ワイヤ、銅ワイヤ、もしくはアルミワイヤ等である。
【００５０】
その後、図８及び図９のステップＳ４に示す樹脂封止（モールド）を行う。すなわち、複数の半導体チップ１を封止体４ｈにより一括封止する。
【００５１】
また、封止時には、図９に示すように、封止体４ｈの下面４ｉからダイパッド２ｄの下面２ｆが露出するように行う。
【００５２】
さらに、図５に示すように、それぞれの吊りリード２ｇの下面がハーフエッチング加工によって薄く形成されているため、樹脂を吊りリード２ｇの下面２ｈ側に回り込ませて、吊りリード２ｇの下面２ｈを封止体４ｈ（４）で覆うように樹脂封止する。
【００５３】
これにより、一括封止後は、図１０のステップＳ４に示すように、封止体４ｈの下面４ｉ側にダイパッド２ｄ（ダイパッド２ｄの下面２ｆ）や複数のリード２ａ（複数のリード２ａの下面２ｃ）、及びタイバー２ｉが露出した状態となっている。
【００５４】
その後、図８及び図９のステップＳ５に示す個片切削を行う。ここでは、封止体４ｈ及び複数のリード２ａを切断して個片化を行う。
【００５５】
本実施の形態では、個片切削工程で用いられるブレードの特性とその用い方に特徴がある。そのため、最初にパッケージダイシング（ブレードダイシング）において発生する切削バリ（切断バリともいう）の発生メカニズムについて説明する。
【００５６】
図１１はパッケージダイシングにおける切削バリの発生メカニズムを示す概念図、図１２は図１１の切削バリの発生メカニズムを示す概念図、図１３は図１１の切削バリの発生メカニズムを示す概念図、図１４はパッケージダイシングにおいてブレードの目詰まり無しの状態を示す概念図、図１５はパッケージダイシングにおいてブレードの目詰まり有りの状態を示す概念図である。
【００５７】
図１１に示すように、ブレード２０を用いてワーク２３を切削する際に、ブレード２０の回転（Ｐ）とワーク２３の進行（Ｑ）によって切削が行われ、ブレード２０の砥粒２１によりワーク２３の表面が削られて、砥粒２１を保持するボンド材２２やワーク２３の切削屑（切り粉）２４が発生する。その際、切削屑２４は、チップポケットと呼ばれるＣ部の窪みに引っ掛かり、ブレード２０の回転（Ｐ）に伴って排出される。
【００５８】
切削が進むと、図１２に示すように、ブレード２０では切削時に古い砥粒２１がボンド材２２の摩耗及び切削抵抗によって脱落し、新しい砥粒２１が現れることにより切れ味を持続している。
【００５９】
これを模式的に表した例が図１４であり、ブレード２０に目詰まりが無い正常な切削状態を示している。すなわち、図１４の切削状態に示すように、ブレード２０の回転とともにブレード２０の表面の砥粒２１から成る凹凸により、リード２ａ（端子）や封止体４ｈ（樹脂）は切断され、その際に発生する金属屑２４ａや樹脂屑２４ｂ等の切削屑２４は排出され、その結果、図１４のブレード状態（向かって右側の図）に示すように、ブレード２０の摩耗とともに古くなった砥粒２１が脱落し、新しい砥粒２１が露出して切れ味を持続する。
【００６０】
一方、図１３に示すように、ブレード２０において砥粒２１を保持する力である砥粒２１の「保持力」が高い場合（ボンド材２２が硬い場合）は、古い砥粒２１の脱落が発生しにくい。また、ボンド材２２が硬いことにより、ブレード２０自体が摩耗しにくくなるため、前述のチップポケットも形成されにくい（Ｄ部においてチップポケットが押しつぶされた状態となりやすい）。その結果、ブレード２０の目詰まりや目つぶれ（Ｅ部において劣化した砥粒２１が脱落しない状態が続く）が発生し、ブレード２０の表面の凹凸が少なくなる。
【００６１】
これを模式的に表した例が図１５であり、ブレード２０が目詰まりした状態で切削を行っている様子を示している。すなわち、図１５のブレード状態（向かって右側の図）に示すように、砥粒２１の保持力が高い（摩耗しにくい）と、砥粒２１の脱落が発生しにくくなるため、ブレード２０の表面に切削屑２４が付着して表面の凹凸が少なくなり、これにより、ブレード２０の切れ味が低下する（特に延性の高い端子等の金属屑２４ａが付着しやすい）。
【００６２】
その結果、図１５の切削状態（向かって左側の図）に示すように、ブレード２０の表面の凹凸が少なくなるので、リード２ａの金属屑２４ａは確実に切断されずに延びて切削バリ３０が形成される。
【００６３】
以上のようなメカニズムで切削バリ３０が発生する。
【００６４】
したがって、パッケージダイシングで用いられるブレード２０の特性が非常に重要な要素となる。
【００６５】
次に、電鋳ブレードとレジンブレード（メタルブレード）の製造方法とこれらのブレードの特徴について説明する。
【００６６】
図１６は本発明の実施の形態で用いられる各ブレードの製造方法の一例を示す概念図、図１７は各ブレードの特徴の一例を示す概念図である。
【００６７】
まず、図１６に示すレジンブレード（第１ブレード）１１の製造方法について説明する。レジンブレード１１は、砥粒１１ａとボンド材１１ｂの混合粉末を金型１７を用いて圧縮成形して焼き固めること（焼結）により製造する。したがって、金型１７を用いた圧縮による結合であるため、砥粒１１ａとこの砥粒１１ａを保持するボンド材１１ｂとの粒子間の結合力は差程強力にはならない。一般的に、レジンブレード１１のボンド材１１ｂの砥粒１１ａの保持力は、後述する電鋳ブレードに比べて強力ではない（低い）場合が多い。
【００６８】
これにより、レジンブレード１１の特徴としては、金型１７を用いた圧縮成形による焼き固めであるため、製造が容易であること、かつ大量に生産が可能であるため、製造コストも安価となる。また、ブレード本体の摩耗が速いため、切れ味を持続させることができる。なお、メタルブレードについても、その製造方法と特徴についてはレジンブレード１１と同様である。
【００６９】
一方、図１６に示す電鋳ブレード（第２ブレード）１２の製造方法について説明すると、槽１４内に収容された、砥粒１２ａとボンド材１２ｂが含まれる溶解液１３中に、整流器１６に電気的に接続された２つの電極１５（一方は、台座）が設けられ、この状態で電流を流して電気分解を行い、前記台座となる一方の電極１５に砥粒１２ａとこの砥粒１２ａを保持するボンド材１２ｂとを化学成長させて製造を行う。したがって、化学成長による結合であるため、ボンド材１２ｂの粒子間に分子間力が働き、非常に硬い結合となり、ブレード本体が硬質に形成される。一般的に、電鋳ブレード１２のボンド材１２ｂの砥粒１２ａの保持力は、前述したレジンブレード（メタルブレード）に比べて強力である（高い）場合が多い。
【００７０】
これにより、電鋳ブレード１２の特徴は、強固で摩耗しにくいことである。
【００７１】
以上、レジンブレード１１と電鋳ブレード１２のそれぞれの製造方法についてこれまで説明してきた。図１７に電鋳ブレード１２とレジンブレード１１及びメタルブレードの特徴を纏めたものを示す。
【００７２】
主な特徴として、ボンド材（１１ｂ，１２ｂ）の硬さについては、電鋳ブレード１２の方が、レジンブレード１１に比べて硬い。また、砥粒（１１ａ，１２ａ）の保持力については、電鋳ブレード１２の方が、レジンブレード１１に比べて強い（高い）。さらに、摩耗の速度については、電鋳ブレード１２の方が、レジンブレード１１に比べて遅い。また、ブレード本体の切れ味については、電鋳ブレード１２の方が、レジンブレード１１に比べて鈍い。
【００７３】
したがって、切れ味が鋭いレジンブレード１１は、図２５に示すような切削バリ３０が発生しにくいという特徴を有しているため、金属部材や樹脂部材を切削するのに適している。一方、切れ味が鈍い電鋳ブレード１２は、切削バリ３０は発生し易いが、摩耗の速度が遅いという特徴を有しているため、図２６に示すような切り残し３１が発生しにくい。したがって、電鋳ブレード１２は、主に樹脂部材を切削するのに適している。
【００７４】
これにより、レジンブレード１１に求められる性能は、金属フレームに対する目詰まり防止であり、一方、電鋳ブレード１２に求められる性能は、樹脂に対する目詰まり防止や耐摩耗性である。
【００７５】
なお、メタルブレードは、電鋳ブレード１２とレジンブレード１１との中間的な特徴を有する場合が多い。
【００７６】
以上の各ブレードの特徴を活かしてＱＦＮ６の組み立ての個片切削を行う。
【００７７】
本実施の形態の半導体装置（ＱＦＮ６）の組み立ての個片切削工程では、樹脂封止後の構造体、すなわちリード２ａ（金属）と封止体４ｈ（樹脂）の主に２種類の材料が混ざった部材を切削（切断）しなければならない。その際、ＱＦＮ６の構造では、図１，４及び５に示すように、切断される金属部材であるリード２ａや吊りリード２ｇは、封止体４の下面４ｂもしくは厚さ方向の下面４ｂ寄りの位置に配置されている。
【００７８】
したがって、本実施の形態のＱＦＮ６の組み立ての個片切削工程では、まず、リード２ａや吊りリード２ｇを含み、かつその周囲の封止体４ｈを該封止体４ｈの厚さ方向の途中の部分まで切削する（第１切削工程）。この切削には、レジンブレード（第１ブレード）１１を使用する。その後、レジンブレード１１による切削で切り残した樹脂のみの部分（図９の切断残存部４ｆ）を電鋳ブレード１２によって切削して（第２切削工程）切断を完了する。
【００７９】
すなわち、本実施の形態の個片切削工程は、切削工程を２段階に分け、それぞれ特性に応じて異なったブレードを使用することで、図２５の切削バリ３０や図２６の切り残し３１の発生を防ぐことに大きな特徴がある。本実施の形態のＱＦＮ６では、前述のように金属部材であるリード２ａや吊りリード２ｇは、封止体４の下面４ｂもしくは厚さ方向の下面４ｂ寄りの位置に配置されている。そこで、個片切削工程において、図９のステップＳ５に示すように樹脂封止後の封止体４ｈの下面４ｉを上方に向けて支持し、この状態で上方から各ブレードを進入させて切削を行う。その際、上方、すなわち下面４ｉ側からブレードを進入させるため、第１段階の切削としてレジンブレード（第１ブレード）１１を用いて封止体４ｈの厚さ方向のおおよそ中央付近もしくはそれより手前まで切り込み、金属部材である複数のリード２ａや吊りリード２ｇ、及びその周囲の封止体４ｈを切断する。
【００８０】
第１段階の切削終了後、ブレードをレジンブレード１１から電鋳ブレード（第２ブレード）１２に切り替え、この電鋳ブレード１２を使用して第２段階の切削を行う。つまり、第２段階の切削では、第１段階の切削で切り残した封止体４ｈの一部（樹脂部分のみである切断残存部４ｆ）を電鋳ブレード１２によって切削して切断（個片切削）を完了する。
【００８１】
ここで、図１８を用いて、本実施の形態の個片切削で使用される第１ブレードと第２ブレードの仕様と切削条件について説明する。図１８は本発明の実施の形態で用いられる各ブレードの仕様と切削条件の一例を示す概念図である。
【００８２】
図１８のブレードの仕様に示すように、第１段階の切削で用いる第１ブレード（レジンブレード１１）は、樹脂とともにリード２ａや吊りリード２ｇ等の金属を切断するため、第１ブレードの切れ味は鋭い方が好ましい。一方、第２段階の切削で用いる第２ブレード（電鋳ブレード１２）は、第１段階で切り残した樹脂部分のみ（切断残存部４ｆ）を切削するため、切れ味は第１段階の第１ブレードに比較して鈍くてもよい。
【００８３】
したがって、第１ブレードの切れ味を向上させるために、砥粒径を第２ブレードの砥粒径よりも大きくする。例えば、第１ブレードの砥粒径は＃１５０〜＃３００程度とし、第２ブレードの砥粒径は＃２６０〜＃４２０程度とするのが好ましい。
【００８４】
砥粒径の組み合わせの一例としては、第１ブレードの砥粒径は＃１６０であり、第２ブレードの砥粒径は＃３２５である。
【００８５】
また、図１８に示すブレードの仕様のうち、ボンド材の硬さ（砥粒の保持力）については、第１段階の切削では、切削時の金属の切削バリ３０の発生を抑えるために、砥粒の保持力が弱い（低い、小さい）ブレードを用いる。すなわち、ボンド材の硬さが軟らかい、つまり、摩耗速度が速いブレードを用いる。
【００８６】
一方、第２段階の切削では、樹脂部分の切削であるとともに、図２６に示すような切り残し３１の発生を防ぐ必要があるために、摩耗速度が遅いブレードを用いる。すなわち、ボンド材の硬さが硬く、砥粒の保持力が強い（高い、大きい）ブレードを用いる。
【００８７】
したがって、第１段階の切削で用いる第１ブレードの砥粒の保持力は、第２段階の切削で用いる第２ブレードの砥粒の保持力よりも低い。つまり、第１ブレードとしてレジンブレード１１、第２ブレードとして電鋳ブレード１２を用いるとよい。
【００８８】
別の表現に言い換えると、第１段階の切削で用いる第１ブレード（レジンブレード１１）の摩耗速度は、第２段階の切削で用いる第２ブレード（電鋳ブレード１２）の摩耗速度よりも速い。
【００８９】
以上のことから、第１段階の切削ではレジンブレード１１を用いることにより、電鋳ブレード１２に比べて、砥粒１１ａの保持力が弱く、ブレードの摩耗が速いため、切れ味が鋭くなり、金属の切削バリ３０の発生を抑えることができる。一方、第２段階の切削では電鋳ブレード１２を用いることにより、レジンブレード１１に比べて、砥粒１２ａの保持力が強く、ブレードが摩耗しにくくなるので、封止体４ｈの切り残し３１の発生を抑えることができる。
【００９０】
また、図１８に示すブレードの仕様のうち、ブレード厚については、第２段階の切削で用いる第２ブレード（電鋳ブレード１２）の厚さが、第１段階の切削で用いる第１ブレード（電鋳ブレード１２）の厚さよりも薄くなるようにする。
【００９１】
これにより、図９のステップＳ５の個片切削に示すように、第２段階の切削で電鋳ブレード１２を用いて切削する際に、第１段階の切削で形成された図１に示す第２側面４ｄに露出するリード２ａの切断面２ｋや吊りリード２ｇの切断面２ｍに電鋳ブレード１２が接触することを防止でき、切削バリ３０の発生を抑えることができる。
【００９２】
例えば、第１ブレード（レジンブレード１１）の厚さは、０．２５〜０．４ｍｍ程度であり、第２ブレード（電鋳ブレード１２）の厚さは、０．２〜０．２５ｍｍ程度である。これらの厚さの範囲内でレジンブレード１１の厚さ＞電鋳ブレード１２の厚さとなるようにブレード厚を選択するのが好ましい。
【００９３】
次に、図１８に示すブレードの切削条件について説明する。第１段階の切削では金属も切削するため、樹脂のみを切削する第２段階の切削に比較して切削抵抗が大きい。したがって、切削条件としては、第１段階の切削におけるブレード側の動作（送り速度や回転数）において、第１段階の切削における切削抵抗を下げて切削バリ３０の発生を抑えるようにすることが好ましい。
【００９４】
したがって、第２段階の切削で用いる第２ブレード（電鋳ブレード１２）の送り速度を、第１段階の切削で用いる第１ブレード（レジンブレード１１）の送り速度よりも速くする。言い換えると、第１ブレード（レジンブレード１１）の送り速度を第２ブレード（電鋳ブレード１２）の送り速度より遅くすることにより、第１段階の切削における切削抵抗を下げることができ、金属の引きずりによる切削バリ３０の発生を抑えることができる。
【００９５】
また、第２ブレード（電鋳ブレード１２）の送り速度を第１ブレード（レジンブレード１１）の送り速度より速くすることにより、樹脂のみを切削する第２段階の切削におけるスループットの向上を図ることができる。
【００９６】
また、ブレードの切削条件として、第２ブレード（電鋳ブレード１２）の切削回転数を、第１ブレード（レジンブレード１１）の切削回転数よりも大きくすることが好ましい。前述の送り速度と同様に、第１ブレード（レジンブレード１１）の切削回転数を第２ブレード（電鋳ブレード１２）の切削回転数より小さくすることで、第１段階の切削における切削抵抗を下げることができ、金属による切削バリ３０の発生を抑えることができる。
【００９７】
同様に、第２ブレード（電鋳ブレード１２）の切削回転数を第１ブレード（レジンブレード１１）の切削回転数より大きくすることにより、樹脂のみを切削する第２段階の切削におけるスループットの向上を図ることができる。
【００９８】
次に、本実施の形態のレジンブレード１１と電鋳ブレード１２を用いた個片切削工程の具体例について説明する。
【００９９】
図１９は本発明の実施の形態の個片切削工程の第１ブレード（レジンブレード１１）による切削時の状態の一例を示す斜視図、図２０は本発明の実施の形態の個片切削工程の第２ブレード（電鋳ブレード１２）による切削時の状態の一例を示す斜視図、図２１は図１９の第１ブレードによる切削後の構造の一例を示す平面図、図２２は図２０の第２ブレードによる切削後の構造の一例を示す平面図である。
【０１００】
まず、実施の形態の個片切削工程における第１段階の切削について説明する。前述のように、第１段階の切削では、レジンブレード１１（第１ブレード）を用いる。
【０１０１】
個片切削工程では、図９のステップＳ５に示すように、封止体４ｈの上面４ｊをダイシングテープ７に貼り付けることにより封止体４ｈを支持し、封止体４ｈの下面４ｉを上方に向けた状態で第１ブレードや第２ブレードを封止体４ｈの下面４ｉ側（上方側）から進入させて切削を行う。なお、ここでは、封止体４ｈをダイシングテープ７で固定支持する例を挙げたが、これに限定されない。治具ダイシング方式（ステージ治具の上に封止体４ｈを吸着固定する方式）においても、同様である。
【０１０２】
その際、図１０のステップＳ５−１に示す第１ブレード切削（第１段階の切削）では、図９のステップＳ５に示すように、まず、封止体４ｈの上面４ｊをダイシングテープ７によって支持した状態で封止体４ｈの下面４ｉ側からレジンブレード１１を進入させ、複数のリード２ａと図１０に示すタイバー２ｉとを切断するとともに、封止体４ｈの一部を切削する。すなわち、封止体４ｈの下面４ｉ側からレジンブレード１１を進入させて複数のリード２ａとタイバー２ｉとを切り分ける。この時、タイバー２ｉの幅は、レジンブレード１１の幅より狭い。言い換えると、図１０のステップＳ５−１に示すように、タイバー２ｉの幅Ａより幅Ｂが広い（Ａ＜Ｂ）レジンブレード１１を用いて第１ブレード切削を行う。
【０１０３】
なお、一例として、タイバー２ｉの幅は、０．１５ｍｍ程度であり、レジンブレード１１の幅は、０．２５〜０．４ｍｍ程度である。
【０１０４】
このようにレジンブレード１１の幅をタイバー２ｉの幅よりも広くすることにより、タイバー２ｉを図２１に示すように確実に切り落とすことができる。
【０１０５】
また、レジンブレード１１で切削する第１ブレード切削と、第１ブレード切削後に電鋳ブレード１２で切削する第２ブレード切削とでは、電鋳ブレード１２で切断する封止体４ｈの厚さが、レジンブレード１１で切断する封止体４ｈの厚さと同等もしくはそれ以上となるように行う。
【０１０６】
つまり、図１９に示すレジンブレード１１で切断する封止体４ｈの厚さＥが、図２０に示す電鋳ブレード１２で切断する封止体４ｈの厚さＦと同等かそれより小さい。すなわち、第１ブレード切削では金属であるタイバー２ｉを切削するため、切削抵抗も高く、したがって、タイバー２ｉの厚さより僅かに切り込んだ箇所まで切削する程度とし、第２ブレード切削で比較的厚さの厚い図１９に示す切断残存部４ｆを電鋳ブレード１２で切削するようにすることが好ましい。
【０１０７】
なお、図１９に示すように切削工程では、レジンブレード１１とその切断箇所に向けてノズル９から水１０を吹き付けながら切削を行う。これにより、切削抵抗を軽減するとともに、切削屑を排出させることができる。これについて、以下詳しく説明する。
【０１０８】
第１ブレード切削が行われたことで、図８のステップＳ５や図１９及び図２１に示すように封止体４ｈに幅Ｄの第１溝４ｅが形成され、さらに、図１９に示すようにその際吹き付けられた水１０がこの第１溝４ｅに入って溜まった状態となる。
【０１０９】
その後、第１溝４ｅ内に水１０を溜めた状態で図１０及び図２０に示す第２ブレード切削（第２段階の切削）を行う。つまり、図１９に示す第１ブレード切削工程での切断時にレジンブレード１１及び切断箇所に対して吹き付けた水１０が第１溝４ｅ内に溜まった状態で電鋳ブレード１２を用いた第２ブレード切削を行う。
【０１１０】
これにより、第１溝４ｅに溜まった水１０が潤滑水となるため、電鋳ブレード１２と樹脂の摩擦抵抗（切削抵抗）を低減することができる。これにより、電鋳ブレード１２と樹脂の摩擦熱による「焼け」を低減することができる。なお、第２ブレード切削では、レジンブレード１１の厚さよりも薄い電鋳ブレード１２を第１溝４ｅ内に進入させて、封止体４ｈのみから成る切断残存部４ｆを切断する。
【０１１１】
言い換えると、図１０のステップＳ５−２の第２ブレード切削に示すように、第１溝４ｅの幅Ｄより幅Ｃが狭い（Ｃ＜Ｄ）電鋳ブレード１２を用いて図１９の切断残存部４ｆを切削して幅Ｇの第２溝４ｇを形成する。
【０１１２】
これにより、第１ブレード切削で形成されたリード２ａの切断面２ｋや吊りリード２ｇの切断面２ｍに電鋳ブレード１２が接触することを防止でき、切削バリ３０の発生を抑えることができる。
【０１１３】
なお、第２ブレード切削工程においても、図２０に示すように電鋳ブレード１２とその切断箇所に向けてノズル９から水１０を吹き付けながら切削を行う。これにより、電鋳ブレード１２と樹脂の摩擦抵抗（切削抵抗）を軽減するとともに、切削屑を排出させることができる。
【０１１４】
また、図２０に示すように電鋳ブレード１２を用いた切断では、ダイシングテープ７に到達するまで切り込む。これにより、図８のステップＳ５や図２０及び図２２に示すよう幅Ｄの第１溝４ｅより狭い幅Ｇの第２溝４ｇが形成される。
【０１１５】
また、電鋳ブレード１２で切断するのは樹脂のみであるため、電鋳ブレード１２で切断する封止体４ｈの厚さは、レジンブレード１１で切断する封止体４ｈの厚さと同等もしくはそれ以上である。したがって、電鋳ブレード１２を用いた切断で形成される第２溝４ｇの深さは、第１溝４ｅの深さと同等もしくはそれより深くなる。
【０１１６】
ここで、第２ブレード切削において、第１ブレード切削で形成された第１溝４ｅ内に水１０を溜めた状態で切削を行うことの重要性について説明する。
【０１１７】
本実施の形態では、前述のように第２ブレード切削で切断する封止体４ｈの厚さは、第１ブレード切削で切断する封止体４ｈの厚さより厚い。したがって、切削時の摩擦抵抗による摩擦熱を考慮すると、第１ブレード切削で形成された第１溝４ｅ内に水１０を溜めた状態で第２ブレード切削を行うことは、半導体装置の品質を確保する上で非常に有効である。
【０１１８】
このことは、従来のウエハ（Ｓｉ）ダイシングにおけるステップダイシングとは、大きく意味が異なるものと言える。
【０１１９】
通常ウエハは、裏面研削工程（Ｂａｃｋ  Ｇｒｉｎｄ工程）を経て、ダイシングされる。このときのウエハ厚は、通常４００μｍ（０．４ｍｍ）以下程度である。これに対し、パッケージダイシングで切断されるパッケージ厚は、約１０００μｍ（１．０ｍｍ）前後と倍以上である。したがって、切削屑の量は、ウエハをダイシングする場合に比べて圧倒的に多い。切削屑をきちんと排出できないと、切断屑を巻き込んだ状態で切断することになるので、切削屑により切断面が荒れ、半導体装置の品質に影響が出る。また、切断される部分の厚みが大きいことは、ブレードと接触する面も大きい（広い）ことを意味し、ブレードと樹脂との間に生じる摩擦熱による樹脂切断面の「焼け」も無視できなくなる。さらに、切断される部分の厚みが大きいと、切削水がブレードと樹脂とが接触している点（奥・下）の方まで回り込みにくくなるので、摩擦熱もさらに上昇することとなる。そのため、上述した第１溝４ｅ内に水１０を溜めた状態で第２ブレード切削を行うといった特徴は、パッケージダイシングにおいて、半導体装置の外形精度向上、切断面の品質確保といった面で重要なポイントとなる。
【０１２０】
もう１点、これまで本実施の形態で説明してきた主な特徴は、封止体４ｈをダイシングテープ７で固定支持したときの切り残しの発生防止に特に有効である。
【０１２１】
ダイシングテープ７の厚さは、通常約１００μｍ前後である場合が多い。第２ブレード切削では、前述の通りダイシングテープ７に到達するまで切り込み深さを設定するが、ダイシングテープ７を完全に切ってしまうと、個片化されたＱＦＮ６を保持できなくなるため、切り込み深さをダイシングテープ７の厚さ内（つまり１００μｍ内）に収めなければならない。つまり、ＱＦＮ６から抜けているブレード部分は１００μｍもない。仮に、第２ブレードがレジンブレード１１の様に摩耗が速いブレードであった場合は、摩耗が進むとＱＦＮ６からブレードが抜けずに切り残し３１が即座に発生する。そのため、第２ブレードに摩耗が少ない電鋳ブレード１２を使う特徴は、切り残しの発生防止に対してメリットがある。
【０１２２】
以上により、図１０のステップＳ５−２の第２ブレード切削を終了する。
【０１２３】
その後、洗浄・収納を行い、図８のステップＳ６及び図９のステップＳ６に示すＱＦＮ６の組み立て完了となる。
【０１２４】
次に、図２３及び図２４を用いて、電鋳ブレード１２とレジンブレード１１における切削バリの発生量Ｔの評価結果について説明する。
【０１２５】
図２３は電鋳ブレードとレジンブレードで測定した切削バリの発生量Ｔの比較図、図２４は図２３の測定における切削バリを示す概念図である。
【０１２６】
なお、図２３に示す評価データは、電鋳ブレード１２及びレジンブレード１１とも、約５００ｍ程度の切削を行ったブレードに対して取得したものである。
【０１２７】
また、ＱＦＮ６では、図２４に示すリード２ａ間のピッチＰが０．５ｍｍの場合、リード２ａ間の隙間Ｓが０．３８ｍｍであり、リード２ａ間のピッチＰが０．４ｍｍの場合、リード２ａ間の隙間Ｓが０．２８ｍｍである。
【０１２８】
したがって、切削バリ３０によるリード２ａ間ショートを発生させないためには、量産マージンも考慮してリード２ａ間の隙間Ｓの１／２で管理することが望ましい。
【０１２９】
図２３に示すように、電鋳ブレード１２で切削を行った場合、切削バリ発生量Ｔが３σで０．１４ｍｍを越えているため、リード２ａ間のピッチＰが０．４ｍｍのＱＦＮ６では上限オーバーとなってしまう。
【０１３０】
したがって、本実施の形態の個片切削の２段階で行う切削のうち、金属切断（タイバー２ｉ及びリード２ａ）が伴う第１ブレード切削（第１段階の切削）においては、レジンブレード１１を用いることが適切であることがわかる。
【０１３１】
つまり、これまで説明してきた本実施の形態の主な特徴は、半導体装置の多ピン化・小型化の流れの中で、リード間ピッチを狭くする（狭ピッチ化）上において、切削バリ（導電性バリ）による隣接リードのショートを防止するのに有効な技術であるといえる。
【０１３２】
本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、パッケージダイシング（個片切削）時に、まず、第１段階の切削（第１ブレード切削）として、軟らかいレジンブレード（第１ブレード）１１を用いてタイバー２ｉやリード２ａを含む金属部分と封止体４ｈの一部の切断を行うことで、図２５に示す金属部分での切削バリ３０の発生を抑制することができる。
【０１３３】
その後、第２段階の切削（第２ブレード切削）として、硬い電鋳ブレード１２を用いて第１段階の切削で切り残した切断残存部４ｆである樹脂部の切断を行うことで、ブレード本体の摩耗の進展も遅いため、図２６に示すような切り残し３１の発生も低減できる。
【０１３４】
これにより、ＱＦＮ（半導体装置）６の信頼性の向上を図ることができる。
【０１３５】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１３６】
例えば、前記実施の形態では、半導体装置の一例として、ＱＦＮ６を取り上げて説明したが、前記半導体装置は、その組み立てにおいてリードフレームが用いられ、かつＭＡＰ方式の樹脂封止を行った後、ブレードを用いてパッケージダイシング（個片切削）を行うものであれば、ＱＦＮ以外の半導体装置であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１３７】
本発明は、パッケージダイシングが行われる電子装置の組み立てに好適である。
【符号の説明】
【０１３８】
１  半導体チップ
１ａ  表面
１ｂ  裏面
１ｃ  電極パッド
２  リードフレーム
２ａ  リード
２ｂ  上面
２ｃ  下面
２ｄ  ダイパッド（チップ搭載部）
２ｅ  上面
２ｆ  下面
２ｇ  吊りリード
２ｈ  下面
２ｉ  タイバー
２ｊ  デバイス領域
２ｋ，２ｍ  切断面
３  樹脂
４  封止体
４ａ  上面
４ｂ  下面
４ｃ  第１側面
４ｄ  第２側面
４ｅ  第１溝
４ｆ  切断残存部
４ｇ  第２溝
４ｈ  封止体
４ｉ  下面
４ｊ  上面
４ｋ  第２下面
５  金属ワイヤ
６  ＱＦＮ（半導体装置）
７  ダイシングテープ
９  ノズル
１０  水
１１  レジンブレード（第１ブレード）
１１ａ  砥粒
１１ｂ  ボンド材
１２  電鋳ブレード（第２ブレード）
１２ａ  砥粒
１２ｂ  ボンド材
１３  溶解液
１４  槽
１５  電極
１６  整流器
１７  金型
２０  ブレード
２１  砥粒
２２  ボンド材
２３  ワーク
２４  切削屑
２４ａ  金属屑
２４ｂ  樹脂屑
３０  切削バリ
３１  切り残し
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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