(57)【要約】【課題】プリフォームリードフレーム及びリードフレームパッケージデバイスを提供する。【解決手段】リードフレームパッケージデバイスは、プリフォームリードフレーム２００Ａと、半導体チップユニット４と、封止樹脂層５とを備えている。プリフォームリードフレーム２００Ａは、プリフォーム樹脂層２と、リードフレームユニット３Ａとを備えている。プリフォーム樹脂層２は、センターエリア２１とセンターエリア２１を取り囲む外周エリア２２と、相反する上面２３と下面２４と、上面２３と下面２４とに連結された外周面２５と、互いに独立するように外周面２５から下面２４に延伸されるように貫通して設けられた複数の半田通し穴２６とを有する。リードフレームユニット３Ａは、センターエリア２１に嵌設されたチップ座３１と、チップ座３１から所定の間隔をおいて外周エリア２２に設けられた複数のリード３２を有する。【選択図】図３
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ所定の方向に延伸されると共に所定の間隔をおいて縦横に交差して並ぶように設けられた複数本のカットスロットと、縦方向の隣接した２本の前記カットスロットと横方向の隣接した２本の前記カットスロットとにより囲まれて形成された複数のチップ取付ユニットとが画成されるように構成されたプリフォーム樹脂層であって、相反する上面と下面と、前記カットスロットに対応する前記下面から前記上面に窪んで形成された切り欠きとを有し、前記チップ取付ユニットは、センターエリアと前記センターエリアを取り囲む外周エリアとを含み、前記切り欠きは、前記カットスロットの延伸する方向である延伸方向と垂直の幅方向の両端で前記外周エリアと隣接する２つの第２の領域と、２つの前記第２の領域によって挟まれる第１の領域とを有し、前記第１の領域の前記延伸方向沿いの第１の幅は前記第２の領域の前記延伸方向沿いの第２の幅よりも大であるように構成された前記プリフォーム樹脂層と、
１つの前記チップ取付ユニットの前記外周エリアから隣接する前記カットスロットを経由して他の１つの前記チップ取付ユニットの前記外周エリアに延伸されるように前記プリフォーム樹脂層との間に複数のリードが設けられ、前記リードは、前記上面と同一平面上にあるように前記上面から露出する繋ぎ面と、前記下面と同一平面上にあるように前記下面から露出する２つの底面と、２つの前記底面の間を連結すると共に前記上面に向かって窪んで形成されたはんだ面とを有し、前記はんだ面は、前記プリフォーム樹脂層とにより前記切り欠きを画成すると共に画成された前記切り欠きから露出するように形成されたリードフレームと、
を備えていることを特徴とするプリフォームリードフレーム。
【請求項２】
前記プリフォーム樹脂層は更に、前記外周エリアから前記切り欠きに至る肉厚を有する絶縁ブロックが前記はんだ面に設けられ、
前記絶縁ブロックの前記肉厚が前記切り欠きの深さの半分であることを特徴とする請求項１に記載のプリフォームリードフレーム。
【請求項３】
更に、複数の前記チップ取付ユニットの前記センターエリアに嵌められて設けられた複数のチップ座を有し、各前記チップ座は、前記上面と同一平面上にあるように前記上面から露出するアッパー面と、前記下面と同一平面上にあるように前記下面から露出するボトム面とを有することを特徴とする請求項１に記載のプリフォームリードフレーム。
【請求項４】
前記リードと前記チップ座との露出表面に、前記リードと前記チップ座と異なる構成材料からなった少なくとも１つの導電めっき層が設けられていることを特徴とする請求項３に記載のプリフォームリードフレーム。
【請求項５】
センターエリアと前記センターエリアを取り囲む外周エリアと、相反する上面と下面と、前記上面と前記下面とに連結された外周面と、互いに独立するように前記外周面から前記下面に延伸されるように貫通して設けられた複数の半田通し穴とを有する、プリフォーム樹脂層と、
互いに電気的に独立するように前記外周エリアに設けられた複数のリードを有し、各前記リードは、前記上面と同一平面上にあるように前記上面から露出する繋ぎ面と、前記繋ぎ面から延伸されると共に前記外周面と同一平面上にあるように前記外周面から露出する側面と、前記下面と同一平面上にあるように前記下面から露出する底面と、前記側面と前記底面との間を連結するように形成されたはんだ面とを有し、前記はんだ面は、前記プリフォーム樹脂層とにより前記半田通し穴を画成するように前記半田通し穴から露出するように形成され、前記半田通し穴は、前記外周面と前記下面との間に対応する第１の領域と、前記リードの前記底面と前記はんだ面との間に対応する第２の領域とを有し、前記第１の領域の第１の径幅は前記第２の領域の第２の径幅よりも大であるリードフレームユニットと、
前記プリフォーム樹脂層の前記センターエリアに設けられた半導体チップと、前記半導体チップと前記リードとに電気的に連結された複数のボンディングワイヤとを有する半導体チップユニットと、
を備えていることを特徴とするリードフレームパッケージデバイス。
【請求項６】
更に、前記センターエリアに嵌設されたチップ座を有し、
前記チップ座は、前記上面と同一平面上にあるように前記上面から露出するアッパー面と、前記下面と同一平面上にあるように前記下面から露出するボトム面とを有し、
前記半導体チップは、前記チップ座の前記アッパー面に設けられていることを特徴とする請求項５に記載のリードフレームパッケージデバイス。
【請求項７】
更に、前記半導体チップユニットを覆うように設けられた封止樹脂層を有することを特徴とする請求項５に記載のリードフレームパッケージデバイス。
【請求項８】
前記プリフォーム樹脂層は更に、前記外周エリアから前記半田通し穴に至るように延伸された複数の絶縁ブロックを有し、
前記絶縁ブロックは、前記半田通し穴の深さの半分である厚みを有するように前記はんだ面に位置するように設けられていることを特徴とする請求項５に記載のリードフレームパッケージデバイス。
【請求項９】
更に、前記リード及び前記チップ座と異なる材料から構成され、露出する複数の前記リードと複数の前記チップ座を覆うように設けられた少なくとも１層の導電めっき層を有することを特徴とする請求項６に記載のリードフレームパッケージデバイス。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、プリフォームリードフレーム及びリードフレームパッケージデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＱＦＮ（QFN/Quad Flat No-lead）パッケージされたノンリード型のものは、パッケージサイズの小型化の一例として知られている。図１はＱＦＮの1例の構成を示している。ＱＦＮパッケージデバイスは、チップ座１１と、チップ座１１を取り囲んで互いに所定の間隔をおいて設けられた複数のリード１２と、チップ座１１の頂面に設けられた半導体チップ１０３と、半導体チップ１０３と複数のリード１２とが電気的に連結された導線１０４と、成形樹脂層１０５とを備えている。このような構成を備えたＱＦＮパッケージデバイスは、外向きのリードがないので、小型化され得る。しかし、ＱＦＮパッケージデバイスは、外向きのリードがないため、その後の半田付け工程において他のプリント基板１００と接合する際、半田１０１がリフローを介してリード１２の側面１２２に上り難い問題点があった。また、外部からリード１２と半田１０１の半田付け状態を観察することが難しかった。そのため、カット工程によってパッケージデバイスの側面に段差を形成し、リード１２と半田１０１との接合箇所を露出させ、外部からリード１２と半田１０１の半田付け状態を直接観察できるようにする方法がある（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１６／０１４８８７７号明細書
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のカット工程では、図２に示すように、肉幅が厚めのカット刃を使って一先ず各リード１２の上部を切り欠いて凹溝１３を形成する。そして、各リード１２及び対応する凹溝１３にメッキ層１４を形成する。最後に、肉幅が薄めのカット刃を使ってリード１２を切断すると、切断面であるリード１２の側面に段差１５が形成される。このように形成された段差１５を介して該リード１２と半田１０１の半田付け状態を観察することができ、また、プリント基板１００と接合する面積が増えるので、ＱＦＮパッケージデバイスと他のプリント基板１００との接合強度の向上を図ることができる。しかし、ＱＦＮのパッケージ工程の後で上述のようなカット工程を行うためカットに手間が掛かり、また、複数回カットを行わなければならないため、カット刃が消耗しやすく製造コストも嵩張る問題点がある。
【０００５】
本考案は、上記従来の問題点を解消するようになされたプリフォームリードフレーム及びリードフレームパッケージデバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するために、１の観点によれば、本発明は、それぞれ所定の方向に延伸されると共に所定の間隔をおいて縦横に交差して並ぶように設けられた複数本のカットスロットと、縦方向の隣接した２本の前記カットスロットと横方向の隣接した２本の前記カットスロットとにより囲まれて形成された複数のチップ取付ユニットとが画成されるように構成されたプリフォーム樹脂層であって、相反する上面と下面と、前記カットスロットに対応する前記下面から前記上面に窪んで形成された切り欠きとを有し、前記チップ取付ユニットは、センターエリアと前記センターエリアを取り囲む外周エリアとを含み、前記切り欠きは、前記カットスロットの延伸する方向である延伸方向と垂直の幅方向の両端で前記外周エリアと隣接する２つの第２の領域と、２つの前記第２の領域によって挟まれる第１の領域とを有し、前記第１の領域の前記延伸方向沿いの第１の幅は前記第２の領域の前記延伸方向沿いの第２の幅よりも大であるように構成された前記プリフォーム樹脂層と、１つの前記チップ取付ユニットの前記外周エリアから隣接する前記カットスロットを経由して他の１つの前記チップ取付ユニットの前記外周エリアに延伸されるように前記プリフォーム樹脂層との間に複数のリードが設けられ、前記リードは、前記上面と同一平面上にあるように前記上面から露出する繋ぎ面と、前記下面と同一平面上にあるように前記下面から露出する２つの底面と、２つの前記底面の間を連結すると共に前記上面に向かって窪んで形成されたはんだ面とを有し、前記はんだ面は、前記プリフォーム樹脂層とにより前記切り欠きを画成すると共に画成された前記切り欠きから露出するように形成されたリードフレームと、を備えていることを特徴とするプリフォームリードフレームを提供する。
【０００７】
また、他の観点によれば、本発明は、センターエリアと前記センターエリアを取り囲む外周エリアと、相反する上面と下面と、前記上面と前記下面とに連結された外周面と、互いに独立するように前記外周面から前記下面に延伸されるように貫通して設けられた複数の半田通し穴とを有する、プリフォーム樹脂層と、互いに電気的に独立するように前記外周エリアに設けられた複数のリードを有し、各前記リードは、前記上面と同一平面上にあるように前記上面から露出する繋ぎ面と、前記繋ぎ面から延伸されると共に前記外周面と同一平面上にあるように前記外周面から露出する側面と、前記下面と同一平面上にあるように前記下面から露出する底面と、前記側面と前記底面との間を連結するように形成されたはんだ面とを有し、前記はんだ面は、前記プリフォーム樹脂層とにより前記半田通し穴を画成するように前記半田通し穴から露出するように形成され、前記半田通し穴は、前記外周面と前記下面との間に対応する第１の領域と、前記リードの前記底面と前記はんだ面との間に対応する第２の領域とを有し、前記第１の領域の第１の径幅は前記第２の領域の第２の径幅よりも大であるリードフレームユニットと、前記プリフォーム樹脂層の前記センターエリアに設けられた半導体チップと、前記半導体チップと前記リードとに電気的に連結された複数のボンディングワイヤとを有する半導体チップユニットと、を備えていることを特徴とするリードフレームパッケージデバイスを提供する。
【考案の効果】
【０００８】
プリフォームリードフレームは最大の視野角を有する切り欠きを設けているので、その対応するリードのカット位置に対応して最大径幅を有する半田通し穴を設けることができる。また、リードフレームパッケージデバイスは、その対応するリードのカット位置に対応して最大径幅を有する半田通し穴を設けることができる。これによって、後工程のリードの半田付け状態を観察するための面積を大きくすることができる。また、半田通し穴を通った半田が凝集力によって外周面において半球体形状になることで、外部からリードと半田の半田付け状態を直接観察することが簡単になる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】従来のＱＦＮパッケージデバイスの一例を示す側面断面図である。
【図２】図１のＱＦＮパッケージデバイスにおけるリードの段差構造の形成を示す一連のプロセスを示す側面断面図である。
【図３】本考案に係るリードフレームパッケージデバイスの１例を示す上面斜視図である。
【図４】図３の底面斜視図である。
【図５】図３の線Ｖ−Ｖの断面の一部を示す図である。
【図６】本考案に係るリードフレームパッケージデバイスの１例の製造において用意する基材を示す斜視図である。
【図７Ａ】リードフレームパッケージデバイスを製造するフローを示す構造図である。
【図７Ｂ】リードフレームパッケージデバイスを製造するフローを示す構造図である。
【図７Ｃ】リードフレームパッケージデバイスを製造するフローを示す構造図である。
【図７Ｄ】リードフレームパッケージデバイスを製造するフローを示す構造図である。
【図７Ｅ】リードフレームパッケージデバイスを製造するフローを示す構造図である。
【図７Ｆ】図７Ｅの一部を拡大して示す斜視図である。
【図８】導電めっき層が設けられたリードフレームパッケージデバイスの側面断面図である。
【考案を実施するための形態】
【００１０】
本考案の他の特徴および利点は、添付の図面を参照する以下の実施形態の詳細な説明において明白になるであろう。
【００１１】
以下、添付図面に従って本考案について詳説する。
【００１２】
図３は、本考案に係るリードフレームパッケージデバイスの１例を示す上面斜視図、図４は、図３の底面斜視図、図５は、図３の線Ｖ−Ｖの断面の一部を示す図である。
【００１３】
本考案の１例に係るリードフレームパッケージデバイスは、図示の如く、プリフォームリードフレーム２００Ａと、半導体チップユニット４と、封止樹脂層５とを備えている。プリフォームリードフレーム２００Ａは、プリフォーム樹脂層２と、リードフレームユニット３Ａとを備えている。
【００１４】
プリフォーム樹脂層２は、例えば絶縁高分子材料から構成され、センターエリア２１とセンターエリア２１を取り囲む外周エリア２２と、相反する上面２３と下面２４と、上面２３と下面２４とに連結された外周面２５と、互いに独立するように外周面２５から下面２４に延伸されるように貫通して設けられた複数の半田通し穴２６とを有し、外周エリア２２から半田通し穴２６に至るように延伸される絶縁ブロック２７が各半田通し穴２６において設けられている。
【００１５】
リードフレームユニット３Ａは、センターエリア２１に嵌設されたチップ座３１と、互いに電気的に独立すると共にチップ座３１から所定の間隔をおいて外周エリア２２に設けられた複数のリード３２を有する。チップ座３１とリード３２とは同じ導電材料例えば銅合金又は鉄ニッケル合金の導電材料でつくられる。
【００１６】
チップ座３１は、センターエリア２１において相反するアッパー面３１１とボトム面３１２とを有する。アッパー面３１１は、上面２３と同一平面上にあるように上面２３から露出する。ボトム面３１２は、下面２４と同一平面上にあるように下面２４から露出する。
【００１７】
各リード３２は、上面２３と同一平面上にあるように上面２３から露出する繋ぎ面３２１と、繋ぎ面３２１から延伸されると共に外周面２５と同一平面上にあるように外周面２５から露出する側面３２３と、下面２４と同一平面上にあるように下面２４から露出する底面３２２と、側面３２３と底面３２２との間を連結するように形成されたはんだ面３２４とを有する。はんだ面３２４は、プリフォーム樹脂層２とにより半田通し穴２６を画成するように半田通し穴２６より露出するように形成されている。絶縁ブロック２７は、はんだ面３２４に設けられ、外周エリア２２から半田通し穴２６に至る肉厚を有する。具体的には、絶縁ブロック２７は半田通し穴２６の深さの半分だけの肉厚を有する。
【００１８】
半田通し穴２６は、外周面２５と下面２４との間に対応する第１の領域２６１と、リード３２の底面３２２とはんだ面３２４との間に対応する第２の領域２６２とを有する。また、半田通し穴２６は、平面視で曲面状、又は第２の領域２６２から第１の領域２６１に向かって径大に画成される錐形状、放射状に設けられていることに留意されたい。第１の領域２６１における最大径部分は第１の径幅Ｄ１を有し、第１の径幅Ｄ１を有する最大径部分は他の部分つまり第２の領域２６２の第２の径幅Ｄ２よりも大である。半田通し穴２６においては外周面２５と下面２４とに交わる部位（つまり第１の領域２６１）の径幅（つまり第１の径幅Ｄ１）を最大とすればよい。
【００１９】
半導体チップユニット４は、プリフォーム樹脂層２のセンターエリア２１においてチップ座３１のアッパー面３１１に設けられた半導体チップ４１と、半導体チップ４１とリード３２とに電気的に連結された複数のボンディングワイヤ４２とを有する。
【００２０】
封止樹脂層５は、半導体チップユニット４を覆うように設けられている。封止樹脂層５は、透明でも透明でなくてもよく、絶縁高分子材料からつくられる。なお、この例では、透明の絶縁材料からつくられた封止樹脂層５をもって説明する。
【００２１】
以上により構成されたリードフレームパッケージデバイスは、各リード３２に対応して設けられた半田通し穴２６は、外周面２５と下面２４とに交わる部位である第１の領域２６１において最大の径幅Ｄ１を有するので、半田付け工程において外部からリード３２と半田の半田付け状態を直接観察できる面積を大きくすることができる。
【００２２】
また、径大な第１の領域２６１と径小の第２の領域２６２とを有する半田通し穴２６が設けられているので、半田通し穴２６を通った半田が凝集力によって外周面２５において半球体形状になることで、外部からリードと半田の半田付け状態を直接観察することが簡単になる。
【００２３】
また、半田通し穴２６に絶縁ブロック２７が設けられたことによって段差ができるので、半田通し穴２６を這って外周面２５に露出した半田を観察することが簡単になる。
【００２４】
上記構成を備えたリードフレームパッケージデバイスは、プリフォームリードフレームを用いて半導体チップのマウンティング、ワイヤーボンディング、樹脂モールド、カット等の工程を経て得られる。以下、リードフレームパッケージデバイスの製造について説明する。
【００２５】
図６と図７Ｅに示されているように、プリフォームリードフレームは、プリフォーム樹脂層２とリードフレーム３とを備えている。
【００２６】
プリフォーム樹脂層２は、それぞれ所定の方向に延伸されると共に所定の間隔をおいて縦横に交差して並ぶように設けられた複数本のカットスロット９０１と、縦方向の隣接した２本のカットスロット９０１、９０１と横方向の隣接した２本のカットスロット９０１、９０１とにより囲まれて形成された複数のチップ取付ユニット９０２とが画成されるように構成されている。なお、図６では、２つのチップ取付ユニット９０２、９０２を示している。各チップ取付ユニット９０２は、センターエリア２１とセンターエリア２１を取り囲む外周エリア２２とを有する。
【００２７】
プリフォーム樹脂層２は、相反する上面２３と下面２４と、カットスロット９０１に対応する下面２４から上面２３に窪んで形成された複数の切り欠き２６Ａとを有し、外周エリア２２から切り欠き２６Ａに至る肉厚を有する絶縁ブロック２７が設けられている。絶縁ブロック２７は切り欠き２６Ａの深さの半分だけの肉厚を有する。
【００２８】
各切り欠き２６Ａは、カットスロット９０１の延伸する方向である延伸方向と垂直の幅方向の両端で外周エリア２２と隣接する２つの第２の領域２６２と、２つの第２の領域２６２によって挟まれる第１の領域２６１とを有する。第１の領域２６１の延伸方向沿いの第１の幅Ｄ１は第２の領域２６２の延伸方向沿いの第２の幅Ｄ２よりも大である。また、第１の幅Ｄ１は、切り欠き２６Ａにおいて最大である。
【００２９】
リードフレーム３は、複数のチップ取付ユニット９０２のセンターエリア２１に嵌められて設けられた複数のチップ座３１と、対応する１つのチップ取付ユニット９０２の外周エリア２２から隣接するカットスロット９０１を経由して対応する他の１つのチップ取付ユニット９０２の外周エリア２２に延伸される複数のリード３２を有する。
【００３０】
リード３２は、プリフォーム樹脂層２の上面２３と同一平面上にあるように上面２３から露出する繋ぎ面３２１と、下面２４と同一平面上にあるように下面２４から露出する２つの底面３２２と、２つの底面３２２の間を連結すると共に上面２３に向かって窪んで形成されたはんだ面３２４とを有する。はんだ面３２４は、プリフォーム樹脂層２とにより切り欠き２６Ａを画成すると共に画成された切り欠き２６Ａより露出するように形成されている。
【００３１】
切り欠き２６Ａが形成されたプリフォームリードフレームは、例えばエッチングとプリフォームで作られる。以下、切り欠き２６Ａが形成されたプリフォームリードフレームの製造について図７Ａ等を参照して説明する。
【００３２】
図７Ａのように、銅合金又は鉄ニッケル合金等の導電材料を用いてシート状の基材９００を作る。基材９００は、それぞれ所定の方向に延伸されると共に所定の間隔をおいて縦横に交差して並ぶように設けられた複数本のカットスロット９０１と、縦方向の隣接した２本のカットスロット９０１と横方向の隣接した２本のカットスロット９０１とにより囲まれて形成された複数のチップ取付ユニット９０２とが画成される。なお、図７Ａでは２つのチップ取付ユニット９０２だけが図示されている。
【００３３】
そして、エッチング工程を行う。図７Ｂは、エッチングされた正面を示し、図７Ｃはその裏面を示している。このように、エッチング工程を経て基材９００における不要な部分を除去し、複数のチップ取付ユニット９０２とカットスロット９０１とにより所定の形状のチップ座３１と、基材９００の正面と裏面に互いに対応付けられる複数のリードパターン３２Ａ、３２Ｂとが画成される。各リードパターン３２Ａ、３２Ｂは、対応する１つのチップ取付ユニット９０２の正面と裏面からそれぞれカットスロット９０１を介して隣接する他の１つのチップ取付ユニット９０２に延伸されるようになっている。正面側のリードパターン３２Ａは、チップ取付ユニット９０２とカットスロット９０１のそれぞれの境に正面視で径幅が小のネック部が形成されている。裏側のリードパターン３２Ｂにおけるカットスロット９０１に対応する所は、ネック部の径幅より大である第１の径幅Ｄ１を有し、その外周エリア２２に近い所は、第１の径幅Ｄ１より小でネック部の径幅より大である第２の径幅Ｄ２を有する。この例では、第１の径幅Ｄ１はリードパターン３２Ｂにおいて最大であり、リードパターン３２Ｂはリード３２Ａのネック部から露出するようになっている。
【００３４】
図７Ｄのように、エッチング工程を経た基材９００は、所定のキャビティを備えた成形型（図示せず）に入れられ、該成形型に成形樹脂を注入する。なお、成形樹脂は、通常に使われている絶縁パッケージ材料、例えばエポキシ樹脂を用いる。成形樹脂がエッチングされた基材９００の隙間に充満され、硬化すると、プリフォーム樹脂層２が得られる。このように半製品が得られる。図７Ｄは、半製品の裏面を示している。
【００３５】
次に、半製品の裏面に対してエッチングを行う。図７Ｅは、エッチングされた切り欠きが形成されたプリフォームリードフレームの裏面を示し、図７Ｆは図７Ｅの一部を拡大して示す図である。図６は図７Ｅの正面上面図である。
【００３６】
リードパターン３２Ｂにおけるカットスロット９０１に対応する所をエッチングして除去すると、リードパターン３２Ａが露出する。このようにエッチングされると、切り欠き２６Ａと、切り欠き２６Ａに位置する絶縁ブロック２７が形成され、図７Ｅに示された切り欠き２６Ａが形成されたプリフォームリードフレームが得られる。なお、エッチングされて残されたリードパターン３２Ａと３２Ｂとによりリード３２が構成され、切り欠き２６Ａから露出されたリードパターン３２Ａははんだ面３２４となっている。
【００３７】
そして、図６に示された該プリフォームリードフレームを用いて半導体チップ４１のマウンティング、ワイヤーボンディング、樹脂モールド、図６の破線に沿ったカット等の工程を経て図３に示されたリードフレームパッケージデバイスが得られる。
【００３８】
上記のように得られたプリフォームリードフレームにおけるリードパターン３２Ｂは、カットスロット９０１に対応する所において最大の幅を有するので、エッチングされて形成された切り欠き２６Ａにおいてもカットスロット９０１に対応する所に最大の径幅（Ｄ１）を有する。従って、パッケージされた後で、カットスロット９０１に沿って形成された半田通し穴２６もカットされた所において最大の径幅を有するように得られる。そのため、得られたリードフレームパッケージデバイスの側面に最大の視野角を有する半田通し穴２６が形成されることができる。
【００３９】
この例では、半田通し穴２６内では、絶縁ブロック２７が設けられているが、場合によっては設けなくてもよい。半田通し穴２６内に絶縁ブロック２７が設けられていない場合、基材をエッチングして得られたリードパターン３２Ａ、３２Ｂが同じように制御され、リードパターン３２Ａ、３２Ｂのカットスロットに対応する部位に最大の幅を有するようにしてもよい。
【００４０】
また、リードフレームパッケージデバイスのサイズが小さく、放熱の必要性が低い場合、チップ座３１を設けずに半導体チップ４１をそのままプリフォーム樹脂層２のセンターエリア２１に取り付けてもよい。
【００４１】
図８に示されているように、図７Ｅに示されたプリフォームリードフレームを得た後、チップ座３１とリード３２の露出した面に、例えば金属又は合金を用いて電気めっき法で、一層或いは多層の導電めっき層６を形成する（図８では一層だけを示す）。導電めっき層６を形成した後、半導体チップのパッケージを行う。導電めっき層６の構成材料は例えばニッケル、パラジウム、銀、金等の金属又は合金である。導電めっき層６が形成されていることによって、半田とリード３２の濡れ性がよくなり、半田がはんだ面３２４から這い上がることが簡単になり、プリフォームリードフレームと後のパッケージされる高分子絶縁パッケージ材料と、またボンディングワイヤ４２との接着性又は信頼性を高めることができる。
【００４２】
以上により、本考案に係るプリフォームリードフレームは、予め形成された切り欠き２６Ａと切り欠き２６Ａに設けられた絶縁ブロック２７を有し、切り欠き２６Ａにおけるカットスロット９０１に対応する部位に最大の径幅を有することにより、プリフォームリードフレームは最大の視野角を有する切り欠き２６Ａを備えることができる。
【００４３】
また、プリフォームリードフレームをパッケージ・カットすることによって得られたリードフレームパッケージデバイスは、その対応するリード３２のカット位置に対応して最大径幅を有する半田通し穴２６を設けることができる。従って、半田通し穴２６は、対応するリード３２を露出させ、また、外周面２５と下面２４の境に最大の径幅を有するので、後工程のリードの半田付け状態を観察するための面積を大きくすることができる。さらに、半田通し穴２６に設けられた絶縁ブロック２７によって段差構造が形成されているので、半田が半田通し穴２６に這い上がることが簡単になり、外周面２５に露出するので、半田付け状態を観察することがより簡単になる。
【００４４】
以上、本考案の好ましい実施形態を説明したが、本考案はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本考案に係るプリフォームリードフレームは、リードフレームのパッケージに有用である。
【符号の説明】
【００４６】
２００Ａ  プリフォームリードフレーム
２  プリフォーム樹脂層
２１  センターエリア
２２  外周エリア
２３  上面
２４  下面
２５  外周面
２６Ａ  切り欠き
２６  半田通し穴
２６１  第１の領域
２６２  第２の領域
２７  絶縁ブロック
３Ａ  リードフレームユニット
３１  チップ座
３１１  アッパー面
３１２  ボトム面
３２Ａ、３２Ｂ  リードパターン
３２  リード
３２１  繋ぎ面
３２２  底面
３２３  側面
３２４  はんだ面
４  半導体チップユニット
４１  半導体チップ
４２  ボンディングワイヤ
５  封止樹脂層
６  導電めっき層
９００  基材
９０１  カットスロット
９０２  チップ取付ユニット
Ｄ１  第１の径幅
Ｄ２  第２の径幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図８】
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