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【手続補正書】
【提出日】平成26年4月1日(2014.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザから選択された複数のファイルを結合して１つのファイルを生成するファイル生成手段と、
前記ファイル生成手段により生成された前記１つのファイルに対して識別情報を設定する第１設定手段と、
結合される前の前記複数のファイルのそれぞれに対して前記識別情報を設定する第２設定手段と、
を備えることを特徴とするデータ処理装置。
【請求項２】
前記識別情報はジョブ名であり、
前記ユーザにより設定された前記ジョブ名を前記識別情報として受け付ける受付手段、をさらに備え、
前記第２設定手段は、前記受付手段により受け付けた前記ジョブ名を前記複数のファイルそれぞれの属性情報として設定することを特徴とする請求項１に記載のデータ処理装置。
【請求項３】
前記識別情報に基づいて前記複数のファイルそれぞれを検索する検索手段、をさらに備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のデータ処理装置。
【請求項４】
前記画像処理は印刷処理であり、
前記１つのファイルに対して実行される前記画像処理のためのジョブを前記印刷装置に送信する送信手段、をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のデータ処理装置。
【請求項５】
データ処理装置において実行されるデータ処理方法であって、
前記データ処理装置のファイル生成手段が、ユーザから選択された複数のファイルを結合して１つのファイルを生成するファイル生成工程と、
前記データ処理装置の第１設定手段が、前記ファイル生成工程において生成された前記１つのファイルに対して識別情報を設定する第１設定工程と、
前記データ処理装置の第２設定手段が、結合される前の前記複数のファイルのそれぞれに対して前記識別情報を設定する第２設定工程と、
を有することを特徴とするデータ処理方法。
【請求項６】
前記識別情報はジョブ名であり、
前記データ処理装置の受付手段が、前記ユーザにより設定された前記ジョブ名を前記識別情報として受け付ける受付工程、をさらに有し、
前記第２設定工程では、前記受付工程において受け付けた前記ジョブ名を前記複数のファイルそれぞれの属性情報として設定することを特徴とする請求項５に記載のデータ処理方法。
【請求項７】
前記データ処理装置の検索手段が、前記識別情報に基づいて、前記複数のファイルそれぞれを検索する検索工程、をさらに有することを特徴とする請求項５又は６に記載のデータ処理方法。
【請求項８】
前記画像処理は印刷処理であり、
前記データ処理装置の送信手段が、前記１つのファイルに対して実行される前記画像処理のためのジョブを前記印刷装置に送信する送信工程、をさらに有することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載のデータ処理方法。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか１項に記載のデータ処理方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明に係るデータ処理装置は、ユーザから選択された複数のファイルを結合して１つのファイルを生成するファイル生成手段と、前記ファイル生成手段により生成された前記１つのファイルに対して識別情報を設定する第１設定手段と、結合される前の前記複数のファイルのそれぞれに対して前記識別情報を設定する第２設定手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月4日(2014.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
前記Ｃｕ膜成膜装置は、前記第１のＣｕ膜を成膜する際に、基板温度が６５℃以上３５０℃以下に設定されることを特徴とする請求項１８に記載の成膜システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
前記Ｃｕ膜成膜装置は、処理容器と、前記処理容器内で直流電圧が印加されることによりＣｕを放出するＣｕターゲットとを有し、前記第２のＣｕ膜を形成する際に、処理容器の圧力が前記第１のＣｕ膜を形成する際よりも低くなるような条件、またはＣｕターゲットに印加される直流パワーが前記第１のＣｕ膜を形成する際よりも高くなるような条件、またはこれらの両方の条件で行われることを特徴とする請求項１８または請求項１９に記載の成膜システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月3日(2014.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱試料が熱処理される熱処理室と、
前記熱処理室内に配置された平板状の第一の電極と、
前記第一の電極と対向し前記被加熱試料を載置するとともに前記熱処理室内に配置された平板状の第二の電極と、
前記第一の電極と前記第二の電極の間にプラズマを生成するための高周波電力を第一の給電線を介して前記第一の電極に供給する高周波電源と、
前記第一の電極と前記第二の電極からの放射熱を抑制し前記第一の電極と前記第二の電極を覆うように配置された断熱材とを備え、
前記第二の電極は、第二の給電線を介して接地され、
前記第一の電極の基材と前記第二の電極の基材は、それぞれ、グラファイトであり、
前記第一の給電線と前記第二の給電線は、それぞれ、グラファイトからなり、
前記第一の電極から前記断熱材までの距離は、前記第一の電極と前記第二の電極の間の距離より長く、
前記第二の電極から前記断熱材までの距離は、前記第一の電極と前記第二の電極の間の距離より長いことを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の熱処理装置において、
前記第一の電極は、前記第二の電極と対向する面の反対側に高融点かつ低輻射率の材料がコーティングされ、
前記第二の電極は、前記第一の電極と対向する面の反対側に高融点かつ低輻射率の材料がコーティングされていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の熱処理装置において、
前記第一の電極は、前記第二の電極と対向する面の反対側に高融点かつ低輻射率の平板が配置され、
前記第二の電極は、前記第一の電極と対向する面の反対側に高融点かつ低輻射率の平板が配置されていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載の熱処理装置において、
前記第一の給電線の一部と前記第二の給電線の一部は、前記熱処理室内に配置されていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項５】
請求項２に記載の熱処理装置において、
前記第一の電極にコーティングされた高融点かつ低輻射率の材料は、ＴａＣであることを特徴とする熱処理装置。
【請求項６】
請求項１に記載の熱処理装置において、
測定された被加熱試料の温度に基づいて前記測定された被加熱試料の温度が所望の温度となるように前記高周波電源を制御する制御部をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。
【請求項７】
請求項１に記載の熱処理装置において、
プラズマを生成するための圧力が大気圧付近の場合、前記第一の電極と前記第二の電極の間の距離をプラズマが生成可能である距離以下とすることを特徴とする熱処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月8日(2014.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
低屈折率層４２は、特許請求の範囲の「低屈折率層」の一具体例に相当する。高屈折率層４３は、特許請求の範囲の「高屈折率層」の一具体例に相当する。中間屈折率層４４は、特許請求の範囲の「中間屈折率層」の一具体例に相当する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
なお、本変形例において、中間屈折率層４５は、特許請求の範囲の「第１低屈折率層」の一具体例に相当する。高屈折率層４３は、特許請求の範囲の「高屈折率層」の一具体例に相当する。中間屈折率層４４は、特許請求の範囲の「第２低屈折率層」の一具体例に相当する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
図１２は、後端面膜４０の構成の一例を表したものである。図１２には、中間屈折率層４５および高屈折率層４３を１組とする層が３組、積層されている場合が例示されている。図１２の例では、中間屈折率層４５がＳｉＯ2膜で構成され、高屈折率層４３がＴａ2Ｏ5膜で構成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2012216742.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月25日(2014.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
さらに、上基板１上面には、アクリルやゴム等にキノフタロン系やアゾ系、キノン系、キサンテン系、フタロシアニン系、トリフェニルメタン系、ポリメチン系、アズレニウム系、スクアリリウム系、金属錯体等の所定の色素顔料を分散した反射低減接着層１３が、印刷や塗布等によって形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
つまり、波長が４００ｎｍ付近の青色光を吸収する場合には、キノフタロン系やアゾ系、キノン系、金属錯体等の黄色の色素顔料、波長が６３０〜６４０ｎｍ付近の黄色光を吸収する場合には、キサンテン系やフタロシアニン系、トリフェニルメタン系、アゾ系、キノン系、ポリメチン系、金属錯体等の青色の色素顔料、波長が７１０〜７５０ｎｍ付近の赤色光を吸収する場合には、フタロシアニン系やアズレニウム系、トリフェニルメタン系、キノン系、ポリメチン系、スクアリリウム系、金属錯体等の緑色の色素顔料を分散することで、外部光の反射を低減し、タッチパネル背面の表示素子の表示を見易いものとすることが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
（実施の形態２）
実施の形態２を用いて、本発明の特に請求項３記載の発明について説明する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
また、１９はガラスやアクリル等の板状、またはポリカーボネート等のフィルム状で光透過性の透光板で、この上面には、アクリルやゴム等にキノフタロン系やアゾ系、キノン系、キサンテン系、フタロシアニン系、トリフェニルメタン系、ポリメチン系、アズレニウム系、スクアリリウム系、金属錯体等の所定の色素顔料を分散した反射低減接着層２０が、印刷や塗布等によって形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、前記第１の基板の上に形成された第１の反射変換層と、前記第１の反射変換層の上に形成された複数の帯状の第１の導電層と、前記第１の導電層の上に形成された第１の接着層と、前記第１の接着層の上に配置された第２の基板と、前記第２の基板の上に形成された第２の反射変換層と、前記第２の反射変換層の上に形成された、前記第１の導電層に直交する、複数の帯状の第２の導電層と、前記第２の導電層の上に形成された第２の接着層と、前記第２の接着層の上に配置されたカバー基板と、を有し、前記第１の接着層と前記第２の接着層の少なくとも一方に色素顔料が分散されているタッチパネル。
【請求項２】
前記第１の接着層と前記第２の接着層の少なくとも一方に前記色素顔料が分散されており、前記色素顔料は、キノフタロン系顔料、アゾ系顔料、キノン系顔料、キサンテン系顔料、フタロシアニン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、ポリメチン系顔料、アズレニウム系顔料、スクアリリウム系顔料、金属錯体のうちの少なくとも一つである請求項１記載のタッチパネル。
【請求項３】
第１の基板と、前記第１の基板の上に形成された第１の反射変換層と、前記第１の反射変換層の上に形成された複数の帯状の第１の導電層と、前記第１の導電層の上に形成された第１の接着層と、前記第１の接着層の上に配置された第２の基板と、前記第２の基板の上に形成された第２の反射変換層と、前記第２の反射変換層の上に形成された、前記第１の導電層に直交する、複数の帯状の第２の導電層と、前記第２の導電層の上に形成された第２の接着層と、前記第２の接着層の、前記第２の導電層に対向する側の反対側に形成された第３の接着層と、を有し、前記第３の接着層に色素顔料が分散されているタッチパネル。
【請求項４】
前記第３の接着層に前記色素顔料が分散されており、前記色素顔料は、キノフタロン系顔料、アゾ系顔料、キノン系顔料、キサンテン系顔料、フタロシアニン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、ポリメチン系顔料、アズレニウム系顔料、スクアリリウム系顔料、金属錯体のうちの少なくとも一つである請求項３記載のタッチパネル。
【請求項５】
前記第２の接着層と前記第３の接着層との間に配置された透光板をさらに有する請求項３記載のタッチパネル。
【請求項６】
前記第３の接着層の、前記透光板に対向する側の反対側に配置されたカバーシートをさらに有する請求項５記載のタッチパネル。
【請求項７】
前記第３の接着層の、前記第２の接着層に対向する側の反対側に配置された透光板をさらに有する請求項３記載のタッチパネル。
【請求項８】
前記第２の接着層と前記第３の接着層との間に配置されたカバーシートをさらに有する請求項７記載のタッチパネル。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月8日(2014.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示画面に並べて表示される複数のタブの中からタブを選択するための選択手段と、
前記選択手段によるタブの選択に応じて、前記表示画面の表示を制御する表示制御手段と、を有し、
前記表示制御手段は、前記選択手段により選択されたタブを、選択されていないタブよりも小さいサイズで表示させることを特徴とする表示制御装置。
【請求項２】
前記表示制御手段は、前記複数のタブのうち、前記選択されていないタブには、前記選択されているタブよりも多くの情報を表示させることを特徴とする請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項３】
前記表示制御手段は、前記表示画面に表示される複数のタブのうち、選択されていないタブには、それぞれのタブに対応する文字を表示させ、選択されているタブには当該タブに対応する文字を表示させないことを特徴とする請求項１または２に記載の表示制御装置。
【請求項４】
前記表示制御手段は、前記複数のタブのうち、選択されていないタブには、それぞれのタブに対応する文字およびアイコンを表示させ、選択されているタブにはアイコンのみを表示させることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項５】
前記表示画面は、前記複数のタブを表示するタブ表示領域と、前記複数のタブのうち選択されているタブに関する表示を行う詳細表示領域とを有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項６】
前記表示制御手段は、前記選択されているタブに対応する文字を、当該タブには表示させずに、前記詳細表示領域に表示させることを特徴とする請求項５に記載の表示制御装置。
【請求項７】
前記表示制御手段は、前記選択手段によりタブが選択されたことに応じて、前記選択手段により選択されたタブを、選択される前よりも小さく表示させることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項８】
前記表示制御手段は、前記選択手段によりタブが選択されたことに応じて、前記選択手段により選択されたタブを、選択される前よりも小さく表示させると共に、前に選択されていたタブを、選択されていた時よりも大きく表示させることを特徴とする請求項７に記載の表示制御装置。
【請求項９】
前記選択手段は、前記複数のタブのうちの１つを選択することを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項１０】
前記選択手段は、タッチパネルにより前記表示画面に表示されているタブをユーザに選択させることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項１１】
前記選択手段は、マウスより前記表示画面に表示されているタブをユーザに選択させることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の表示制御装置。
【請求項１２】
前記表示制御手段は、前記選択手段によるタブの選択が確定したことに応じて、選択が確定したタブの大きさを、選択されていないタブよりも小さいサイズで表示させることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に表示制御装置。
【請求項１３】
表示装置の表示を制御する表示制御方法であって、
前記表示装置に、複数のタブを並べて表示する表示工程と、
前記複数のタブの中からタブが選択されたことに応じて、前記表示装置に表示される前記複数のタブのうち、選択されたタブを、選択されていないタブよりも小さいサイズに変更して表示させる表示更新工程と、を有することを特徴とする表示装置の制御方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の表示制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１５】
請求項１４のプログラムが格納された、コンピュータが読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上述の課題を解決するため、本発明の表示制御装置は、表示画面に並べて表示される複数のタブの中からタブを選択するための選択手段と、選択手段によるタブの選択に応じて、表示画面の表示を制御する表示制御手段と、を有し、表示制御手段は、選択手段により選択されたタブを、選択されていないタブよりも小さいサイズで表示させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月30日(2014.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射した光量に応じた画素信号を出力する画素が、二次元の行列状に複数配置された画素部と、
前記画素部の１列毎または複数列毎に配置され、対応する列の前記画素から出力された前記画素信号が入力され、入力された画素信号の大きさに応じたｎ（ｎは１以上の自然数）ビットのデジタル信号を出力するｍ（ｍは１より大きい自然数）個のデジタル信号出力回路と、
前記デジタル信号出力回路のそれぞれに対応して配置され、対応する前記デジタル信号出力回路から出力されたｎビットの前記デジタル信号の各ビットの信号をそれぞれ保持するｎ個のラッチユニットを具備したｍ個のラッチ回路と、
前記デジタル信号における同一ビット目の前記信号を保持するｍ個の前記ラッチユニットのそれぞれの前記ラッチユニットの間に配置され、前記ラッチユニットが保持した前記信号を、隣接する前記ラッチユニットに転送するか転送しないかを切り換えるｎ×（ｍ−１）個のスイッチと、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記ラッチユニットに保持された前記信号を出力する水平信号線を更に有し、
前記ｎ×ｍ個のラッチユニットそれぞれは、
前記信号をそれぞれ入力部で入力し、出力部から出力し、
前記ｎ×（ｍ−１）個のスイッチそれぞれは、
隣接する一方の前記ラッチユニットの前記入力部への入力を、当該ラッチユニットに対応する前記デジタル信号出力回路からの出力から、隣接する他方の前記ラッチユニットの前記出力部からの出力に切換え、
前記ラッチユニットのうち、前記入力部側および前記出力部側の両方に前記ラッチユニットが配置されているｎ×（ｍ−２）個の前記ラッチユニットのそれぞれは、
前記入力部側に配置されたすべての前記ラッチユニットに保持された前記信号、および前記デジタル信号出力回路から出力された前記デジタル信号において対応する前記信号を前記入力部から順次入力するとともに、前記入力部から入力された前記信号を、前記出力部側に配置された前記ラッチユニットに前記出力部から順次出力する、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記デジタル信号出力回路は、
入力されたパルス信号を所定の時間だけ遅延させて伝播する複数の遅延ユニットを具備し、
入力された前記画素信号の大きさに応じた遅延時間で、所定のサンプリング期間に前記パルス信号が前記遅延ユニットを伝播した数に基づいた信号を、前記デジタル信号として出力する、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記デジタル信号出力回路は、
複数の前記遅延ユニットが円環状に接続されて遅延回路が構成され、
前記パルス信号が前記遅延ユニットを周回した周回数を計測するカウンタ回路を、さらに具備し、
前記遅延回路を構成するそれぞれの前記遅延ユニットの出力と、前記カウンタ回路が計測した周回数とを、前記デジタル信号として出力する、
ことを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記デジタル信号出力回路は、
前記遅延回路を構成するそれぞれの前記遅延ユニットの出力と、前記カウンタ回路が計測した周回数とに基づいて、前記デジタル信号を生成するデジタル信号生成回路を、さらに具備する、
ことを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記デジタル信号出力回路は、
入力された前記画素信号の電圧と、前記画素信号の最小の電圧から最大の電圧まで変化する参照ランプ信号の電圧との大小関係を比較し、該大小関係を表す信号を出力する比較回路と、
前記参照ランプ信号が入力されてから、前記大小関係を表す信号が反転するまでの間、基準クロック信号の数を計測するカウンタ回路と、
を具備し、
前記カウンタ回路が計測した基準クロック信号の数を、前記デジタル信号として出力する、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記デジタル信号出力回路は、
入力された前記画素信号を、前記デジタル信号に変換して出力するＡＤ変換回路である、
ことを特徴とする請求項４から請求項６のいずれか１の項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記ラッチ回路に具備した前記ラッチユニットのそれぞれは、１つのフィードバックループによって、前記デジタル信号を、ビット毎に保持する、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記の課題を解決するため、本発明の撮像装置は、入射した光量に応じた画素信号を出力する画素が、二次元の行列状に複数配置された画素部と、前記画素部の１列毎または複数列毎に配置され、対応する列の前記画素から出力された前記画素信号が入力され、入力された画素信号の大きさに応じたｎ（ｎは１以上の自然数）ビットのデジタル信号を出力するｍ（ｍは１より大きい自然数）個のデジタル信号出力回路と、前記デジタル信号出力回路のそれぞれに対応して配置され、対応する前記デジタル信号出力回路から出力されたｎビットの前記デジタル信号の各ビットの信号をそれぞれ保持するｎ個のラッチユニットを具備したｍ個のラッチ回路と、前記デジタル信号における同一ビット目の前記信号を保持するｍ個の前記ラッチユニットのそれぞれの前記ラッチユニットの間に配置され、前記ラッチユニットが保持した前記信号を、隣接する前記ラッチユニットに転送するか転送しないかを切り換えるｎ×（ｍ−１）個のスイッチと、を備えることを特徴とする。
また、本発明の撮像装置は、前記ラッチユニットに保持された前記信号を出力する水平信号線を更に有し、前記ｎ×ｍ個のラッチユニットそれぞれは、前記信号をそれぞれ入力部で入力し、出力部から出力し、前記ｎ×（ｍ−１）個のスイッチそれぞれは、隣接する一方の前記ラッチユニットの前記入力部への入力を、当該ラッチユニットに対応する前記デジタル信号出力回路からの出力から、隣接する他方の前記ラッチユニットの前記出力部からの出力に切換え、前記ラッチユニットのうち、前記入力部側および前記出力部側の両方に前記ラッチユニットが配置されているｎ×（ｍ−２）個の前記ラッチユニットのそれぞれは、前記入力部側に配置されたすべての前記ラッチユニットに保持された前記信号、および前記デジタル信号出力回路から出力された前記デジタル信号において対応する前記信号を前記入力部から順次入力するとともに、前記入力部から入力された前記信号を、前記出力部側に配置された前記ラッチユニットに前記出力部から順次出力する、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月23日(2014.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学強化工程によって表層に圧縮応力層が付与されたＨＤＤ用ガラス基板を検品・選別する工程において、
前記ＨＤＤ用ガラス基板の径方向において、中心孔の径端から０．５ｍｍの位置から、前記ＨＤＤ用ガラス基板の外径端から０．５ｍｍの位置までの位相差の最大値が、５．０ｎｍ未満であるものを選択することを特徴とするＨＤＤ用ガラス基板の検品・選別方法。
【請求項２】
化学強化工程によって表層に２０μｍ未満の圧縮応力層が付与されたＨＤＤ用ガラス基板を検品・選別する工程において、
前記位相差の最大値が、３．０ｎｍ未満であるものを選択することを特徴とする請求項１に記載のＨＤＤ用ガラス基板の検品・選別方法。
【請求項３】
化学強化工程によって表層に２０μｍ以上の圧縮応力層が付与されたＨＤＤ用ガラス基板の検品・選別することを特徴とする請求項１に記載のＨＤＤ用ガラス基板の検品・選別方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載のＨＤＤ用ガラス基板の検品・選別方法により選択されたガラス基板にのみ磁性層を設けることを特徴とするＨＤＤ用情報記録媒体の製造方法。
【請求項５】
表層に圧縮応力層を有し、
径方向において、中心孔の径端より０．５ｍｍの位置から、外径端より０．５ｍｍの位置までの位相差の最大値が、５．０ｎｍ未満であることを特徴とするＨＤＤ用ガラス基板。
【請求項６】
前記圧縮応力層の厚みが、２０μｍ以上であることを特徴とする請求項５に記載のＨＤＤ用ガラス基板。
【請求項７】
前記圧縮応力層の厚みが、２０μｍ未満であり、
前記位相差の最大値が、３．０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項５に記載のＨＤＤ用ガラス基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＨＤＤ用ガラス基板の検品・選別方法、ＨＤＤ用情報記録媒体の製造方法、及びＨＤＤ用ガラス基板
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月25日(2014.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カラーフィルタを有する撮像素子から得られる画像信号を、第１の信号及び第２の信号に変換する変換手段と、
前記第１の信号を間引く間引き手段と、
前記間引き手段で間引かれた前記第１の信号と、前記第２の信号とを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段から読み出した前記第１の信号を補間する補間手段と、
前記記憶手段から読み出した前記第２の信号に対して、前記間引き手段と前記補間手段によって前記第１の信号に行われた間引き及び補間と同様の間引き及び補間を行う間引き補間手段と、
前記補間手段によって補間された前記第１の信号と、前記間引き補間手段で間引き及び補間された前記第２の信号とを用いて、信号処理を行う信号処理手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記間引き手段が、前記画像信号の偶数位相又は奇数位相を選択して前記間引きを行い、前記補間手段が、前記間引き手段が間引いた偶数位相又は奇数位相を補間することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記第１の信号が色信号であり、前記第２の信号が輝度信号であることを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記画像信号が、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の信号から構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記第１の信号が前記Ｒの信号および前記Ｂの信号であり、前記第２の信号が輝度信号であることを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記信号処理が倍率色収差補正処理を含むことを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記信号処理手段が、前記補間手段によって補間された前記Ｒの信号および前記Ｂの信号と、前記間引き補間手段で間引き及び補間された前記輝度信号とから色差信号を生成し、前記色差信号に対して前記信号処理を行うことを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記信号処理がノイズ低減処理を含むことを特徴とする請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記画像処理装置が、前記変換手段が変換した前記第１の信号及び前記第２の信号を、複数の周波数帯域に分割する分割手段をさらに有し、
前記間引き手段、前記記憶手段、前記補間手段、前記間引き補間手段、及び前記信号処理手段が、前記分割された周波数帯域ごとの前記第１の信号または前記第２の信号に対して処理を行い、
前記画像処理装置が、前記信号処理手段が出力する前記周波数帯域ごとの前記信号処理の結果を合成して出力する合成手段をさらに有することを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
画像処理装置が実行する画像処理方法であって、
カラーフィルタを有する撮像素子から得られる画像信号を、第１の信号及び第２の信号に変換する変換工程と、
前記第１の信号を間引く間引き工程と、
前記間引き工程で間引かれた前記第１の信号と、前記第２の信号とを記憶装置に記憶する記憶工程と、
前記記憶装置から読み出した前記第１の信号を補間する補間工程と、
前記記憶装置から読み出した前記第２の信号に対して、前記間引き工程と前記補間工程によって前記第１の信号に行われた間引き及び補間と同様の間引き及び補間を行う間引き補間工程と、
前記補間工程によって補間された第１の信号と、前記間引き補間工程で間引き及び補間された第２の信号とを用いて、信号処理を行う信号処理工程と、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の画像処理装置が有する各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上述の目的は、カラーフィルタを有する撮像素子から得られる画像信号を、第１の信号及び第２の信号に変換する変換手段と、第１の信号を間引く間引き手段と、間引き手段で間引かれた第１の信号と、第２の信号とを記憶する記憶手段と、記憶手段から読み出した第１の信号を補間する補間手段と、記憶手段から読み出した第２の信号に対して、間引き手段と補間手段によって第１の信号に行われた間引き及び補間と同様の間引き及び補間を行う間引き補間手段と、補間手段によって補間された第１の信号と、間引き補間手段で間引き及び補間された第２の信号とを用いて、信号処理を行う信号処理手段と、を有することを特徴とする画像処理装置によって達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月5日(2014.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチャンネルのAVストリームから構成されるデジタル放送信号を受信する受信部と、
受信された前記デジタル放送信号から得られるビデオストリーム信号を記憶するバッファと、
記憶された前記ビデオストリーム信号に含まれるIピクチャを検出するIピクチャ検出部と、
チャンネルごとに検出された前記Iピクチャのうち、相対的な時間位置が先頭となる前記Iピクチャを含んでいる前記ビデオストリーム信号から前記時間位置の順に順次デコードが行われるように、前記ビデオストリーム信号のデコードを制御するデコード制御部と
を備える受信装置。
【請求項２】
チャンネルごとに検出された前記Iピクチャの相対的な時間位置に関する時刻情報を格納するテーブルを記憶する記憶部をさらに備え、
前記デコード制御部は、前記テーブルに格納された前記時刻情報に基づいて、チャンネルごとの前記ビデオストリーム信号のデコードの順番を制御する
請求項１に記載の受信装置。
【請求項３】
前記時間位置は、DTS（Decoding Time Stamp）又はPTS（Presentation Time Stamp）により特定される
請求項２に記載の受信装置。
【請求項４】
前記テーブルには、チャンネルごとのデコード制御情報として、前記時刻情報、前記ビデオストリーム信号を識別する識別情報、及び前記バッファに記憶される前記Iピクチャのアドレス情報が少なくとも格納される
請求項２又は３に記載の受信装置。
【請求項５】
前記デコード制御部は、所定のチャンネルの前記ビデオストリーム信号が、デコード可能なデータ量だけ前記バッファに記憶された場合、前記バッファに記憶させる前記ビデオストリーム信号を、他のチャンネルのものに切り替える
請求項１乃至４のいずれかに記載の受信装置。
【請求項６】
前記バッファから供給される前記ビデオストリーム信号をデコードするデコーダと、
デコードにより得られるチャンネルごとのビデオ信号をリサイズして、複数のチャンネルの映像を一画面に表示可能に合成する画像処理部と
をさらに備える請求項１乃至５のいずれかに記載の受信装置。
【請求項７】
受信装置が、
複数のチャンネルのAVストリームから構成されるデジタル放送信号を受信し、
受信された前記デジタル放送信号から得られるビデオストリーム信号を記憶し、
記憶された前記ビデオストリーム信号に含まれるIピクチャを検出し、
チャンネルごとに検出された前記Iピクチャのうち、相対的な時間位置が先頭となる前記Iピクチャを含んでいる前記ビデオストリーム信号から前記時間位置の順に順次デコードが行われるように、前記ビデオストリーム信号のデコードを制御する
ステップを含む受信方法。
【請求項８】
受信装置の制御用のプログラムであって、
複数のチャンネルのAVストリームから構成されるデジタル放送信号を受信し、
受信された前記デジタル放送信号から得られるビデオストリーム信号を記憶し、
記憶された前記ビデオストリーム信号に含まれるIピクチャを検出し、
チャンネルごとに検出された前記Iピクチャのうち、相対的な時間位置が先頭となる前記Iピクチャを含んでいる前記ビデオストリーム信号から前記時間位置の順に順次デコードが行われるように、前記ビデオストリーム信号のデコードを制御する
ステップを含む処理を受信装置のコンピュータに実行させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
ここで、ビデオストリーム信号３（ストリームID="3"）から、Iピクチャが検出され、その時刻情報が"150"であった場合、時刻情報が"100"と"200"の間であるので、そのデコード制御情報は、ビデオストリーム信号１（ストリームID="1"）とビデオストリーム信号２（ストリームID="2"）のデコード制御情報の間に挿入される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月11日(2014.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイドロフルオロカーボンガスとＯ２ガスの混合ガスを用いて窒素原子とシリコン原子を含有する膜を処理室内でプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
第一の期間と前記第一の期間の振幅より小さい振幅を有する第二の期間との和を一周期とする波形により時間変調された前記高周波電力を前記窒素原子とシリコン原子を含有する膜を有する被処理体に供給しながら前記ハイドロフルオロカーボンガスとＯ２ガスの混合ガスを用いて前記窒素原子とシリコン原子を含有する膜をプラズマエッチングする工程を有し、
前記時間変調の繰り返し周波数は、前記第一の期間に生成された反応生成物が前記処理室内壁面へ堆積する膜厚と前記第二の期間に生成された反応生成物が前記処理室内壁面へ堆積する膜厚がそれぞれ１ｎｍ以下となる周波数であることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記時間変調の繰り返し周波数は、１Ｈｚ以上２０００Ｈｚ以下の範囲内の周波数であることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマ処理方法において、
さらに前記処理室をプラズマクリーニングする工程を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ処理方法において、
前記ハイドロフルオロカーボンは、ＣＨ3Ｆガスであり、
前記プラズマクリーニングは、Ｏ2ガスを用いて行われることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
ハイドロフルオロカーボンガスとＯ２ガスの混合ガスを用いて窒素原子とシリコン原子を含有する膜を処理室内でプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
前記ハイドロフルオロカーボンガスとＯ２ガスの混合ガスによるプラズマにより前記窒素原子とシリコン原子を含有する膜をプラズマエッチングする工程を有し、
前記プラズマは、第一の期間と前記第一の期間の振幅より小さい振幅を有する第二の期間との和を一周期とするパルスにより時間変調され、
前記時間変調の繰り返し周波数は、前記第一の期間に生成された反応生成物が前記処理室内壁面へ堆積する膜厚と前記第二の期間に生成された反応生成物が前記処理室内壁面へ堆積する膜厚がそれぞれ１ｎｍ以下となる周波数であることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】
請求項５に記載のプラズマ処理方法において、
前記時間変調の繰り返し周波数は、１Ｈｚ以上２０００Ｈｚ以下の範囲内の周波数であることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】
請求項６に記載のプラズマ処理方法において、
さらに前記処理室をプラズマクリーニングする工程を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項８】
請求項７に記載のプラズマ処理方法において、
前記ハイドロフルオロカーボンは、ＣＨ3Ｆガスであり、
前記プラズマクリーニングは、Ｏ2ガスを用いて行われることを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、ハイドロフルオロカーボンガスとＯ２ガスの混合ガスを用いて窒素原子とシリコン原子を含有する膜を処理室内でプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、第一の期間と前記第一の期間の振幅より小さい振幅を有する第二の期間との和を一周期とする波形により時間変調された前記高周波電力を前記窒素原子とシリコン原子を含有する膜を有する被処理体に供給しながら前記ハイドロフルオロカーボンガスとＯ２ガスの混合ガスを用いて前記窒素原子とシリコン原子を含有する膜をプラズマエッチングする工程を有し、前記時間変調の繰り返し周波数は、前記第一の期間に生成された反応生成物が前記処理室内壁面へ堆積する膜厚と前記第二の期間に生成された反応生成物が前記処理室内壁面へ堆積する膜厚がそれぞれ１ｎｍ以下となる周波数であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明は、ハイドロフルオロカーボンガスとＯ２ガスの混合ガスを用いて窒素原子とシリコン原子を含有する膜を処理室内でプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、前記ハイドロフルオロカーボンガスとＯ２ガスの混合ガスによるプラズマにより前記窒素原子とシリコン原子を含有する膜をプラズマエッチングする工程を有し、前記プラズマは、第一の期間と前記第一の期間の振幅より小さい振幅を有する第二の期間との和を一周期とするパルスにより時間変調され、前記時間変調の繰り返し周波数は、前記第一の期間に生成された反応生成物が前記処理室内壁面へ堆積する膜厚と前記第二の期間に生成された反応生成物が前記処理室内壁面へ堆積する膜厚がそれぞれ１ｎｍ以下となる周波数であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月25日(2013.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極の一方の表面を覆うように配置されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に重ねて配置された酸化物半導体と、
前記酸化物半導体に重ねて配置されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート絶縁膜層との間に、前記酸化物半導体に接するように配置された、水分を含有する水分含有膜がアニール処理されて形成された酸素原子含有膜と、
を有する半導体装置。
【請求項２】
前記酸化物半導体は、第１の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層を含み、
前記酸素原子含有膜は、前記第１の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層との間に配置されたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記水分含有膜の水分濃度は、前記酸化物半導体に含まれる水分濃度よりも高いことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記水分含有膜の水分濃度は、１ａｔｍ％乃至３０ａｔｍ％であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記酸素原子含有膜は、前記酸化物半導体の厚さの２割から８割の間に設けられることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記酸素原子含有膜は、不連続膜であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記酸化物半導体の厚さは、５ｎｍ乃至２００ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１の酸化物半導体層の材料は、前記第２の酸化物半導体層の材料と異なることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項９】
基板上に少なくとも第１の電極層を形成し、
前記少なくとも第１の電極層が形成された基板に、酸化物半導体層と酸素原子含有膜を含むチャネル層を形成し、
前記チャネル層が形成された基板に、少なくとも第２の電極層を形成し、
前記酸素原子含有膜に含まれる酸素原子を前記酸化物半導体層に拡散する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体層と第２の酸化物半導体層を含み、
前記第１の電極層が形成された基板に、少なくとも前記第１の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層上に、前記酸素原子含有膜を形成し、
前記酸素原子含有膜上に、前記第２の酸化物半導体層を形成する、
ことにより前記チャネル層を形成することを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月12日(2014.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を基板の上に有し、前記画素が、前記基板の上に配置されたスイッチ素子と、
前記スイッチ素子の上に配置され前記画素毎に分離され前記スイッチ素子と接合された電極の上に設けられた不純物半導体層と前記不純物半導体層の上に設けられた半導体層を含む変換素子と、を有し、前記不純物半導体層の不純物濃度は前記半導体層の不純物濃度よりも高く、前記スイッチ素子を覆うように前記基板と複数の前記電極との間に設けられた有機材料からなる層間絶縁層を有する検出装置の製造方法であって、
前記層間絶縁層に接する複数の前記電極と、複数の前記電極のうち隣接する２つの電極の間において前記層間絶縁層を覆うように配置された無機材料からなる絶縁部材と、を形成する第１の工程と、
前記絶縁部材と複数の前記電極とを覆う、前記不純物半導体層となる不純物半導体膜を成膜する第２の工程と、
を有する検出装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の工程は、前記層間絶縁層を覆うように無機材料からなる絶縁膜を成膜し、前記絶縁膜から前記絶縁部材を形成する工程と、前記層間絶縁層及び前記絶縁部材を覆うように透明導電性酸化物膜を成膜し、前記透明導電性酸化物膜から前記電極を形成する工程と、を有する請求項１に記載の検出装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の工程は、前記層間絶縁層を覆うように透明導電性酸化物膜を成膜し、前記透明導電性酸化物膜から前記電極を形成する工程と、前記層間絶縁層及び前記電極を覆うように無機材料からなる絶縁膜を成膜し、前記絶縁膜から前記絶縁部材を形成する工程と、を有する請求項１に記載の検出装置の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁部材の上において前記不純物半導体膜の一部を除去して、不純物半導体層を形成する第３の工程を更に有する請求項１から３のいずれか１項に記載の検出装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の工程は、前記不純物半導体膜を覆うように半導体膜を成膜する工程を更に有する請求項４に記載の検出装置の製造方法。
【請求項６】
前記第３の工程は、前記絶縁部材の上において前記不純物半導体膜の一部と前記半導体膜の一部とを除去して、前記不純物半導体膜から前記不純物半導体層を、前記半導体膜から前記変換素子の半導体層を、それぞれ形成する工程である請求項５に記載の検出装置の製造方法。
【請求項７】
前記第３の工程は、前記不純物半導体層を覆うように半導体膜を成膜する工程を更に有する請求項４に記載の検出装置の製造方法。
【請求項８】
前記第３の工程は、前記絶縁部材の上で前記不純物半導体膜と前記半導体膜とを除去して、前記不純物半導体膜から前記不純物半導体層を、前記半導体膜から前記変換素子の半導体層を、それぞれ形成する工程である請求項７に記載の検出装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体膜を成膜する前に前記半導体膜よりも水素濃度の高い半導体膜を成膜する工程を更に有する請求項７に記載の検出装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体膜を覆うように前記不純物半導体膜とは異なる導電型の不純物半導体膜を成膜する工程と、前記異なる導電型の不純物半導体膜を覆うように前記電極とは異なる前記変換素子の他の電極となる導電膜を成膜する工程と、前記導電膜と接合する電極配線の正射影の一部が前記絶縁部材と重なるように形成する工程と、を更に有する請求項８又は９に記載の製造方法。
【請求項１１】
複数の画素を基板の上に有し、前記画素が、前記基板の上に配置されたスイッチ素子と、前記スイッチ素子の上に配置され前記画素毎に分離され前記スイッチ素子と接合された電極の上に設けられた不純物半導体層と前記不純物半導体層の上に設けられた半導体層を含む変換素子と、を有し、前記不純物半導体層の不純物濃度は前記半導体層の不純物濃度よりも高く、複数の前記スイッチ素子を覆うように複数の前記スイッチ素子と複数の前記電極との間に設けられた有機材料からなる層間絶縁層を有する検出装置であって、
前記層間絶縁層に接して前記層間絶縁層の上に配置された複数の前記電極のうち隣接する２つの電極の間において前記層間絶縁層を覆うように前記層間絶縁層の上に配置された無機材料からなる絶縁部材を有し、
前記不純物半導体層は前記絶縁部材と複数の前記電極とを覆って成膜された不純物半導体膜が前記絶縁部材の上で分離されたものである検出装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の検出装置と、
前記検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
を具備する検出システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月6日(2014.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
また、遮光層１２０Ａを設けることにより、次のようなメリットもある。図９（Ａ），（Ｂ）は、上記比較例に係るフォトダイオード１００の断面構造について模式的に示したものである。ここで、ｐ型半導体層１０３を形成する際には、上述したプロセスと同様、例えばＥＬＡにより非晶質シリコンを多結晶化するが、比較例では、このＥＬＡの後、膜の一部に微結晶の部分（格子欠陥）が生じることがある。微結晶部分が存在すると、後の層間絶縁膜１０４Ａをドライエッチングする工程において、その微結晶部分に孔が形成されてしまう。例えば、図９（Ａ）に模式的に示したように、ｐ型半導体層１０３および絶縁膜１０２と、基板１０１の一部とを貫通する孔Ｈ１００が形成されることがある。このような孔Ｈ１００が形成された状態で、その上に、ｉ型半導体層１０５，ｎ型半導体層１０６および上部電極１０７が順にＣＶＤ法により成膜されると、例えばｉ型半導体層１０５にシーム（空洞）Ｘが発生する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
（フォトダイオードおよびトランジスタの断面構成）
図１６は、単位画素Ｐに配置されたフォトダイオード１およびトランジスタ１１１Ｂの断面構成の一例である。但し、この構成例は、上述のパッシブ駆動方式によって駆動されると共に、基板１１側からｐ型半導体層１２２、ｉ型半導体層１２３およびｎ型半導体層１２４をこの順に積層した構造において、上部のｎ型半導体層１２４から信号電荷を取り出す場合の例である。図１６に示したように、フォトダイオード１およびトランジスタ１１１Ｂにおいて、絶縁膜１２１、第１層間絶縁膜１１２Ａおよび第２層間絶縁膜１１２Ｂが互いに共通の層となっており、また、フォトダイオード１の遮光層１２０ａは、トランジスタ１１１Ｂのゲート電極（ゲート電極１２０）と同層に設けられており、フォトダイオード１の上部電極１２５が、トランジスタ１１１Ｂの配線層１２８に電気的に接続されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
尚、遮光層１２０Ａとゲート電極１２０とを同層に設ける場合には、遮光層１２０Ａが、ゲート電極１２０と電気的に分離され、トランジスタ１１１Ｂを避けた領域に設けられていることが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
＜変形例４＞
図２０は、変形例４に係るフォトダイオード１およびトランジスタ１１１Ｂの断面構成の一例を表したものである。上記適用例では、フォトダイオード１を、基板１１側から順にｐ型半導体層１２２、ｉ型半導体層１２３およびｎ型半導体層１２４を積層した構造としたが、図２０に示したように、基板１１側から、ｎ型半導体層１３２、ｉ型半導体層１２３およびｐ型半導体層１３５の順に積層してもよい。また、この積層構造において、ｎ型半導体層１３２側から信号取り出しを行う場合、ｎ型半導体層１３２が多結晶シリコン（または微結晶シリコン）から構成され、トランジスタ１１１Ｂの半導体層１２６（具体的にはｎ＋領域１２６ｃ）に接続されている。尚、ｎ型半導体層１３２と、半導体層１２６とを接続する際には、上記変形例３のような配線層の設けなくとも、それらが直に接するように形成されていればよい。一方、ｐ型半導体層１３５は、上部電極１２５および電極１３０を介して電源線１７５（図２０には図示せず）に接続されている。尚、本変形例では、ｎ型半導体層１３２が本開示における「第１の半導体層」の一具体例、ｐ型半導体層１３５が「第２の半導体層」の一具体例、ｉ型半導体層１２３が「第３の半導体層」の一具体例にそれぞれ相当する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
以上、実施の形態および変形例を挙げて説明したが、本開示内容は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記適用例では、基板１１において、フォトダイオード１とトランジスタ１１１Ｂとが並設された構成を例示したが、これに限定されず、例えば基板１１上にトランジスタ１１１Ｂおよびフォトダイオード１がこの順に積層された構成であってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月18日(2014.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【図１】本技術が適用された第１の実施の形態に係る固体撮像装置の全体を示す概略構成図である。
【図２】図１の固体撮像装置の画素の概略平面構成を示す図である。
【図３】画素における要部の概略断面構成を示す図である。
【図４】縦型転送路を説明する図である。
【図５】従来の接続部の形成方法について説明する図である。
【図６】接続部の第１ないし第４の製造方法の概略を説明する図である。
【図７】接続部の第１の製造方法を説明する図である。
【図８】接続部の第２の製造方法を説明する図である。
【図９】接続部の第３の製造方法を説明する図である。
【図１０】接続部の第３の製造方法を説明する図である。
【図１１】接続部の第４の製造方法を説明する図である。
【図１２】半導体基板の裏面側の製造工程について簡単に説明する図である。
【図１３】半導体基板の裏面側の製造工程について簡単に説明する図である。
【図１４】半導体基板の裏面側の製造工程について簡単に説明する図である。
【図１５】半導体基板の裏面側の製造工程について簡単に説明する図である。
【図１６】半導体層に３色用の光電変換部を形成する例を示す図である。
【図１７】３層の光電変換層を形成する第１の製造方法を説明する図である。
【図１８】３層の光電変換層を形成する第２の製造方法を説明する図である。
【図１９】本技術が適用された第３の実施の形態に係る電子機器の概略構成図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
第１の製造方法では、薄膜の半導体層８１ａ上の接続部２３となる領域が開口するようにレジスト８２が形成される。そして、高ドーズ量（Dose量）で照射エネルギーを高くして、イオンの注入深さRp（Projection Range）を、ＢＯＸ層７２界面近傍に設定し、ｎ型不純物を高濃度にイオン注入することで、接続部２３が形成される。イオンの注入深さRpは、不純物濃度分布（プロファイル）のピークとなる位置に対応する。第１の製造方法において、薄膜の半導体層８１ａの厚みは、例えば、２００ないし３００nmとし、イオンの注入深さRpは、例えば、ＢＯＸ層７２界面から１００nm以内の範囲とすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
なお、図１２ないし図１５において、図３と対応する部分については同一の符号を付してあるので、その説明は省略する。また、図１２ないし図１５は概略の構成であるので、図３では図示されているが、図１２ないし図１５では図示されていないものもある。