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【手続補正書】
【提出日】平成26年4月28日(2014.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
給電装置と、受電装置部を含む受電体と、を有し、
前記給電装置は、
電磁波を送受信する給電装置用送受信回路部と、
前記給電装置用送受信回路部が送受信する前記電磁波の電気信号を処理する給電装置用信号処理回路部と、
前記受電体に送信する電力を供給する電源部と、を有し、
前記給電装置用信号処理回路部は、
前記受電体の位置及び共鳴周波数を検出する位置及び共鳴周波数検出機能と、
前記受電体へ送信する電力を制御する送電制御機能と、を有し、
前記受電装置部は、
電磁波を送受信する受電装置部用送受信回路部と、
前記受電装置部用送受信回路部が送受信する前記電磁波の電気信号を処理する受電装置部用信号処理回路部と、
前記給電装置から送信された電力を蓄積し、電源負荷部が消費する電力を供給する二次電池を含む蓄電部と、を有し、
前記受電装置部用送受信回路部は、アンテナ回路、整流回路、ミキサ、復調回路、発振回路、分周回路、及びスイッチを有し、
前記スイッチは、前記ミキサと前記分周回路との間に設けられ、
前記受電装置部用信号処理回路部は、前記給電装置から受電する電力を制御する受電制御機能を有することを特徴とする無線給電システム。
【請求項２】
給電装置と、受電装置部を含む受電体と、を有し、
前記給電装置は、
電磁波を送受信する給電装置用送受信回路部と、
前記給電装置用送受信回路部が送受信する前記電磁波の電気信号を処理する給電装置用信号処理回路部と、
前記受電体に送信する電力を供給する電源部と、を有し、
前記給電装置用信号処理回路部は、
前記受電体の位置及び共鳴周波数を検出する位置及び共鳴周波数検出機能と、
前記受電体へ送信する電力を制御する送電制御機能と、を有し、
前記受電装置部は、
電磁波を送受信する受電装置部用送受信回路部と、
前記受電装置部用送受信回路部が送受信する前記電磁波の電気信号を処理する受電装置部用信号処理回路部と、
前記給電装置から送信された電力を蓄積し、電源負荷部が消費する電力を供給する二次電池を含む蓄電部と、
前記二次電池の電圧、電流、又は電圧及び電流を検出する検出部と、を有し、
前記受電装置部用送受信回路部は、アンテナ回路、整流回路、ミキサ、復調回路、発振回路、分周回路、及びスイッチを有し、
前記スイッチは、前記ミキサと前記分周回路との間に設けられ、
前記受電装置部用信号処理回路部は前記給電装置から受電する電力を制御する受電制御機能を有することを特徴とする無線給電システム。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記給電装置用送受信回路部は、アンテナ回路、整流回路、変調回路、復調回路、発振回路、及び電源回路を含むことを特徴とする無線給電システム。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記受電体は前記受電装置部用信号処理回路部によって読み出される識別情報を記憶するメモリ部を有し、
前記給電装置用信号処理回路部は前記識別情報を識別する識別機能を有することを特徴とする無線給電システム。
【請求項５】
受電体が周波数の異なる複数のサブキャリアを用いて位置及び共鳴周波数検出用信号を給電装置に送信し、前記給電装置が前記位置及び共鳴周波数検出用信号を受信し、前記受電体の位置及び共鳴周波数を検出する第１のステップと、
前記給電装置が前記受電体の位置及び共鳴周波数に基づき送信する電力信号の周波数を調整し前記受電体に電力を送信する第２のステップと、
前記受電体が前記給電装置から前記送信された電力を受電し、蓄電部の二次電池に蓄積する第３のステップと、を有することを特徴とする無線給電方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記周波数の異なる複数のサブキャリアは、分周回路とミキサとの間に設けるスイッチによって調整されることを特徴とする無線給電方法。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、
前記受電体は、前記二次電池の電圧、電流、又は電圧及び電流を検出し、該検出情報に応じて、前記給電装置に給電要求信号又は受電終了信号を送信することを特徴とする無線給電方法。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１のステップの前に、受電体の識別情報を給電装置が認識するステップを行うことを特徴とする無線給電方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月19日(2013.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
次に、中性子線照射システム１の動作について説明する。例えば図４（ａ）に示す初期状態の中性子線照射システム１にて、まず、図４（ｂ）に示すように、収束部１０４及び治療台３２を、ターゲットＴに対し所定距離以上離間するようにレール１１４に沿って相対移動させる。そして、第２放射線遮蔽扉１２０を閉とすると共に、被照射体３４を治療台３２上に載せ、その後、収束部１０４と被照射体３４との間の位置合わせを行う。なお、上記所定距離は、例えばターゲットＴ周辺の放射線の影響が極めて小さくなるような距離としている（以下の所定距離について同様）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
続いて、図５（ａ）に示すように、第２放射線遮蔽扉１２０を開とすると共に、収束部１０４及び治療台３２を、上記位置合わせの状態を保持したままターゲットＴに対し接近するようにレール１１４に沿って相対移動させる。これにより、ターゲットＴ、収束部１０４及び治療台３２を、被照射体３４に中性子線Ｎが適正に照射される位置関係とする。そして、サイクロトロン１０（図１参照）を作動させて荷電粒子線ＰをターゲットＴに照射することにより中性子線Ｎを発生させ、この中性子線Ｎを収束部１０４を介して被照射体３４へ照射する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
続いて、中性子線Ｎの照射後、図５（ｂ）に示すように、治療台３２をターゲットＴ、収容部１０２及び収束部１０４に対し所定距離以上離間するようにレール１１４に沿って相対移動させる。そして、第１放射線遮蔽扉１１８を閉とする。以上により、中性子線照射システム１の動作が終了することとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月27日(2014.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
普通図柄の当否判定に起因して開放される普通電動役物と、常時、遊技球の入球が可能な第１の特別図柄始動口と、前記普通電動役物の開放時に入球が可能となる第２の特別図柄始動口と、前記第１の特別図柄始動口又は前記第２の特別図柄始動口への入球に起因して乱数を抽出し、該乱数を記憶する保留記憶手段とを備え、
前記乱数を用いて当否抽選を行い、かつ前記第１の特別図柄始動口への入球による当否抽選よりも前記第２の特別図柄始動口への入球による当否抽選を優先的に実行し、当否抽選が実行されると特別図柄を図柄表示装置に変動表示し、後に確定表示せしめて前記当否抽選の結果を報知し、当否抽選の結果が大当りであれば特別遊技を行い、特別遊技終了後に通常よりも前記当否抽選が有利な特典遊技状態へ移行可能な弾球遊技機において、
前記特別遊技として前記第２の特別図柄始動口への入球を起因とする特別遊技は、前記第１の特別図柄始動口への入球を起因とする特別遊技よりも賞球の獲得に有利な構成とし、
前記特典遊技状態での前記第２の特別図柄始動口への入球に起因する前記当否抽選時に、前記図柄表示装置に変動表示せしめる特別図柄の変動時間を選択する変動テーブルとして、平均変動時間を異ならせた第１の変動テーブル、第２の変動テーブル及び第３の変動テーブルを設け、
遊技状態が前記特典遊技状態へ変更されると、前記第１の変動テーブルを選択し、該第１の変動テーブルが選択された状態で、特別図柄の変動回数が所定回数に達することを条件に前記第１の変動テーブルから前記第２の変動テーブルに変更し、
前記特典遊技状態で大当りすることを条件に前記第３の変動テーブルに変更せしめる変動テーブル設定手段を備え、
前記第２の変動テーブルへの変更は、前記特典遊技状態への変更の起因となる前記当否抽選が、前記第１の特別図柄始動口への入球による当否抽選の場合と、前記第２の特別図柄始動口への入球による当否抽選の場合とで異なる条件とした
ことを特徴とする弾球遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、普通図柄の当否判定に起因して開放される普通電動役物と、常時、遊技球の入球が可能な第１の特別図柄始動口と、前記普通電動役物の開放時に入球が可能となる第２の特別図柄始動口と、前記第１の特別図柄始動口又は前記第２の特別図柄始動口への入球に起因して乱数を抽出し、該乱数を記憶する保留記憶手段とを備え、
前記乱数を用いて当否抽選を行い、かつ前記第１の特別図柄始動口への入球による当否抽選よりも前記第２の特別図柄始動口への入球による当否抽選を優先的に実行し、当否抽選が実行されると特別図柄を図柄表示装置に変動表示し、後に確定表示せしめて前記当否抽選の結果を報知し、当否抽選の結果が大当りであれば特別遊技を行い、特別遊技終了後に通常よりも前記当否抽選が有利な特典遊技状態へ移行可能な弾球遊技機において、
前記特別遊技として前記第２の特別図柄始動口への入球を起因とする特別遊技は、前記第１の特別図柄始動口への入球を起因とする特別遊技よりも賞球の獲得に有利な構成とし、
前記特典遊技状態での前記第２の特別図柄始動口への入球に起因する前記当否抽選時に、前記図柄表示装置に変動表示せしめる特別図柄の変動時間を選択する変動テーブルとして、平均変動時間を異ならせた第１の変動テーブル、第２の変動テーブル及び第３の変動テーブルを設け、
遊技状態が前記特典遊技状態へ変更されると、前記第１の変動テーブルを選択し、該第１の変動テーブルが選択された状態で、特別図柄の変動回数が所定回数に達することを条件に前記第１の変動テーブルから前記第２の変動テーブルに変更し、
前記特典遊技状態で大当りすることを条件に前記第３の変動テーブルに変更せしめる変動テーブル設定手段を備え、
前記第２の変動テーブルへの変更は、前記特典遊技状態への変更の起因となる前記当否抽選が、前記第１の特別図柄始動口への入球による当否抽選の場合と、前記第２の特別図柄始動口への入球による当否抽選の場合とで異なる条件とした構成とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月19日(2014.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランスデューサ（１０４）を囲むエンクロージャ（１０６）であって、前記トランスデューサ（１０４）からの波がプローブ面（１１８）を介して波放出ターゲットに入ることができるように前記ターゲットに係合するように構成された前記プローブ面（１１８）を含むエンクロージャ（１０６）と、
軸周りで前記トランスデューサ（１０４）を振動させるように構成され、前記プローブ面（１１８）に向かってまたは離れるように前記トランスデューサ（１０４）を移動することによって前記トランスデューサ（１０４）の焦点動作深度を調整するように構成された位置決め機構（２００）と、
前記エンクロージャ（１０６）内に含まれ、前記トランスデューサ（１０４）と前記プローブ面（１１８）との間の空間を充たす流体と
前記プローブ面（１１８）に向かってまたは離れるように前記トランスデューサ（１０４）を駆動するために前記位置決め機構（２００）に連絡結合される、駆動機構（２５０）であって、前記スライダ（２５６）が、親ねじ（２５４）に結合された親ねじナット（２５６）であり、前記親ねじナット（２５６）が前記親ねじ（２５４）のねじ山に係合し、前記親ねじナット（２５６）が回転していない時の前記親ねじ（２５４）の回転が前記ねじ山を介して前記親ねじ（２５４）の長さに沿って前記親ねじナット（２５６）を移動するようになっている、前記駆動機構（２５０）と、
捕捉特徴部（２６８）であって、前記親ねじナット（２５６）が前記プローブ面（１１８）に関して垂直に固定されるように、また前記親ねじナット（２５６）が前記捕捉特徴部（２６８）によって係合される間に、前記軸が、前記親ねじ（２５４）が第１方向に回転しつつある時には前記プローブ面（１１８）から離れ、前記親ねじ（２５４）が前記第１方向と反対の第２方向に回転しつつある時には前記プローブ面（１１８）に向かって移動するように前記捕捉特徴部（２６８）が前記親ねじナット（２５６）と係合可能である、前記捕捉特徴部（２６８）と、
を含み、
前記位置決め機構（２００）が、
被駆動リンク（６０２）の第１端にて蝶番結合部周りで回転可能である被駆動リンク（６０２）と、
トランスデューサリンク（６０８）の第１端内の溝および前記被駆動リンク（６０２）の第２端内のピン（６１０）を介して前記被駆動リンクに結合されたトランスデューサリンク（６０８）であって、トランスデューサリンク（６０８）の第２端がトランスデューサ（６１６）に結合される、トランスデューサリンク（６０８）と、
前記蝶番結合部周りで前記被駆動リンク（６０２）を回転するように構成されたモータ（２５０）と
を含む、多焦点超音波プローブ（１００）。
【請求項２】
前記位置決め機構（２００）が、前記エンクロージャ（１０６）に向かってまたは離れるように直線的に前記軸を移動するように構成される、請求項１記載の多焦点超音波プローブ（１００）。
【請求項３】
駆動機構（２５０）が、前記プローブ面（１１８）に向かってまたは離れるように前記トランスデューサ（１０４）を駆動するために前記位置決め機構（２００）に連絡結合される、請求項１記載の多焦点超音波プローブ（１００）。
【請求項４】
前記駆動機構（２５０）が、前記軸周りで前記トランスデューサ（１０４）を振動させるために前記位置決め機構（２００）を駆動するように構成される、請求項３記載の多焦点超音波プローブ（１００）。
【請求項５】
前記親ねじナット（２５６）がレセプタクルを含み、前記捕捉特徴部（２６８）が、前記レセプタクルと係合するように構成されたアクチュエータを含む、請求項１乃至４のいずれかに記載の多焦点超音波プローブ（１００）。
【請求項６】
前記捕捉特徴部（２６８）が、前記親ねじ（２５４）の長さに沿って異なる位置に配置された１対のペグを含む、請求項１乃至５のいずれかに記載の多焦点超音波プローブ（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月18日(2014.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図７は、実施の形態１における最大セルサイズのセルとの外接枠と照射量演算用のデータ処理領域との関連付けを説明するための概念図である。図７では、例えば、照射量演算用のＤＰＢ（２）として、座標（２，４）のＤＰＢ４０を示している。座標（２，４）のＤＰＢ４０と一部でも重なる外接枠５０は、ＤＰＢ２０ａの外接枠５０ａ、ＤＰＢ２０ｂの外接枠５０ｂ、ＤＰＢ２０ｃの外接枠５０ｃ、ＤＰＢ２０ｄの外接枠５０ｄ、及びＤＰＢ２０ｅの外接枠５０ｅとなる。よって、ここでは、照射量演算用の座標（２，４）のＤＰＢ４０に対して、面積密度計算用のＤＰＢ２０ａ〜２０ｅを関連付けする。残りの座標の各ＤＰＢ４０に対しても、同様に、面積密度計算用のＤＰＢ２０の少なくとも１つを関連付けする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図９は、実施の形態１における抽出されたセルとの外接枠と照射量演算用のデータ処理領域との関連付けを説明するための概念図である。図９では、例えば、照射量演算用のＤＰＢ（２）として、座標（２，４）のＤＰＢ４０を示している。座標（２，４）のＤＰＢ４０と一部でも重なる外接枠６０は、ＤＰＢ２０ａの外接枠６０ａ、ＤＰＢ２０ｂの外接枠６０ｂ、ＤＰＢ２０ｃの外接枠６０ｃ、ＤＰＢ２０ｄの外接枠６０ｄ、及びＤＰＢ２０ｅの外接枠６０ｅとなる。よって、ここでは、照射量演算用の座標（２，４）のＤＰＢ４０に対して、面積密度計算用のＤＰＢ２０ａ〜２０ｅを関連付けする。残りの座標の各ＤＰＢ４０に対しても、同様に、面積密度計算用のＤＰＢ２０の少なくとも１つを関連付けする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
照射量演算工程（Ｓ１２４）として、照射量演算部９４は、計算された面積密度を用いて、電子ビームの照射量を演算する。照射量演算部９４は、ＤＰＢ（２）毎に、外接枠６０で関連付けされた少なくとも１つのＤＰＢ（１）における面積密度ρの算出が終了した後に、関連付けされた少なくとも１つのＤＰＢ（１）における面積密度ρを用いて、電子ビーム２００の照射量を演算する。また、照射量演算部９４は、ＤＰＢ（２）を所定のサイズのメッシュ領域に分割して、かかるメッシュ領域（照射量演算用メッシュ）毎に必要な照射量を演算する。照射量は、基準照射量Ｄｂａｓｅに補正係数を乗じた値で演算できる。補正係数として、例えば、近接効果の補正を行うための近接効果補正照射係数Ｄｐ（ρ）を用いると好適である。近接効果補正照射係数Ｄｐ（ρ）は、近接効果用メッシュのパターン面積密度ρに依存する関数である。また、かぶり補正を行う際には、基準照射量Ｄｂａｓｅに、かぶり効果補正照射係数Ｄｆ（ρ）を乗じた値で演算できる。かぶり効果補正照射係数Ｄｆ（ρ）は、かぶり用メッシュのパターン密度ρに依存する関数である。その他、照射量は、ローディング効果補正用の補正係数Ｄｌ（ρ）等で補正しても好適である。また、これらの一部或いは全ての補正係数を基準照射量Ｄｂａｓｅに乗じて補正してもよい。これらの補正においてもそれぞれの計算用のメッシュ領域におけるパターン密度が利用される。そして、照射量演算部９４は、演算された各照射量を領域毎に定義した照射量マップを作成する。生成された照射量マップは、記憶装置１４２に記憶される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2012243967.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2012243967.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月19日(2014.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷却ファンと、
前記冷却ファンを収容するハウジングと、
前記冷却ファンから前記ハウジングの外側に向かって開いた排気開口まで続く、前記冷却ファンよりも下流側の空気流路と、
前記空気流路を前記ハウジング内の他の空間から区画する壁部材と、
前記空気流路に配置される第１の冷却対象部品と、
前記壁部材の外側に位置し前記壁部材に沿って配置される回路基板と、
前記回路基板に第２の冷却対象部品として配置される電子部品と、を備え、
前記壁部材には、前記空気流路に位置し、前記電子部品に向かって開いており、前記空気流路から前記電子部品に向かって空気が流れる通気孔が形成されている、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
請求項１に記載の電子機器において、
前記壁部材は、前記回路基板と向き合い且つ前記通気孔が形成されたプレートを含み、
前記通気孔は前記プレートと前記回路基板とが向き合う方向において前記電子部品とオーバーラップしている、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項３】
請求項２に記載の電子機器において、
前記通気孔は前記電子部品の直上に位置している、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の電子機器において、
前記通気孔は前記空気流路における前記第１の冷却対象部品の下流側の領域を避けた位置に形成されている、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項５】
請求項４に記載の電子機器において、
前記通気孔の位置は、前記空気流路における空気の流れ方向に対して直交する方向に、前記第１の冷却対象部品からずれている、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれかに記載の電子機器において、
前記冷却ファンはその回転中心線が前記回路基板に対して垂直になるように配置され、
前記空気流路は前記冷却ファンの外周に形成される第１の空気流路と、前記第１の空気流路に続く前記第１の空気流路よりも大きな流路断面積を有する第２の空気流路とを有し、
前記第１の冷却対象部品と前記通気孔は前記第２の空気流路に位置している、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項７】
請求項６に記載の電子機器において、
前記通気孔の位置は、前記第２の空気流路における空気の流れ方向に対して直交する方向において、前記第１の冷却対象部品からずれている、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の電子機器において、
前記壁部材には、それぞれ前記通気孔として機能する複数の通気孔が形成されている、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項８に記載の電子機器において、
前記複数の通気孔の位置は前記空気流路における空気の流れ方向に対して直交する方向において互いにずれている、
ことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月26日(2014.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタンを含有する膜が配置された被処理基板をエッチング処理室内でプラズマを用いて処理するプラズマ処理方法において、
前記チタンを含有する膜をフッ素を含有するガスを用いてエッチングし、
Ｃｌ２ガスとＣＨＦ３ガスの混合ガスを用いて前記エッチング処理室内をプラズマクリーニングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記Ｃｌ２ガスとＣＨＦ３ガスの混合ガスにさらにシリコン含有ガスを混合することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記プラズマクリーニングは、被処理基板が載置される試料台にシリコンウエハを載置して行われることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記プラズマクリーニングは、被処理基板が載置される試料台に高周波電力を供給しながら行われることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法において、
前記プラズマクリーニングは、前記チタンを含有する膜が配置された被処理基板の任意の枚数のプラズマ処理毎に行われることを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
被処理基板１０２にＳｉ膜の露出面積率を０％、２５％、５０％、９５％とＳｉの露出面積率を大きくしたＴｉＮウエハを用い、これを試料台１０３に載置し、ＴｉＮ膜のエッチングレート確認を行ったところ、表３に示すようにＳｉ面積率０％の場合、リファレンス条件２では１２．０ｎｍ／ｍｉｎの除去速度、一方、本発明では３２．５ｎｍ／ｍｉｎの除去速度、Ｓｉ面積率２５％の場合、リファレンス条件２では１７．０ｎｍ／ｍｉｎの除去速度、一方、本発明では１２５．０ｎｍ／ｍｉｎの除去速度、Ｓｉ面積率５０％の場合、リファレンス条件２では２１．０ｎｍ／ｍｉｎの除去速度、一方、本発明では１９６．９ｎｍ／ｍｉｎの除去速度、Ｓｉ面積率９５％の場合、リファレンス条件２では３０．０ｎｍ／ｍｉｎの除去速度、一方、本発明では２７０．０ｎｍ／ｍｉｎの除去速度であり、リファレンス条件２に比べ除去速度に極めて顕著な効果を奏することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月14日(2014.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒形状の部品を基板の上に実装する方法であって、
前記円筒形状の部品を、円筒側面と基板面とが沿うように前記基板上に寝かせて実装して下段部品とし、前記下段部品の円筒側面を、線接触、点接触、または面接触で支持する工程と、
前記下段部品の上部に、円筒形状の上段部品を、前記下段部品に接触させて実装する工程とを有し、
前記基板上に実装された前記上段および下段部品の短手方向断面において、前記下段部品の断面の円の中心から前記基板面に対して鉛直に伸びる線分と、前記下段部品の断面の円の中心と前記下段部品を支持する点とを結んだ線分とがなす角である下段角が、前記上段部品の断面の円の中心から前記基板面に対して鉛直に伸びる線分と、前記上段部品と前記下段部品の断面の円の中心同士を結んだ線分とがなす角である上段角より大きい
ことを特徴とする部品実装方法。
【請求項２】
前記下段部品の円筒側面を支持する工程は、前記基板に設けられた矩形穴に前記下段部品の一部を落とし込み、該矩形穴の長手方向に平行な端部において前記下段部品を線接触で支持する工程を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の部品実装方法。
【請求項３】
前記下段部品の円筒側面を支持する工程は、前記下段部品の円筒側面を、前記基板上に立たせて実装された円筒形状の部品に点接触させて支持する工程を有し、
前記上段部品を実装する工程は、前記上段部品の円筒側面を、前記基板上に立たせて実装された円筒形状の部品に点接触させて支持する工程を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の部品実装方法。
【請求項４】
前記下段部品の円筒側面を支持する工程は、前記基板に設けられた曲面凹部に前記下段部品の一部を落とし込み、該曲面凹部が有する曲面において前記下段部品を面接触で支持する工程を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の部品実装方法。
【請求項５】
前記上段部品の径が、前記下段部品の径より大きい
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の部品実装方法。
【請求項６】
円筒形状の部品が実装される基板であって、
前記円筒形状の部品の実装状態において、
前記基板上に、円筒側面と基板面とが沿うように前記基板上に寝かせて実装される円筒形状の下段部品と、
前記下段部品の上部に接触して実装される円筒形状の上段部品とを備え、
前記下段部品の円筒側面は、線接触、点接触、または面接触で支持され、
前記基板上に実装される前記上段および下段部品の短手方向断面において、前記下段部品の断面の円の中心から前記基板面に対して鉛直に伸びる線分と、前記下段部品の断面の円の中心と前記下段部品を支持する点とを結んだ線分とがなす角である下段角が、前記上段部品の断面の円の中心から前記基板面に対して鉛直に伸びる線分と、前記上段部品と前記下段部品の断面の円の中心同士を結んだ線分とがなす角である上段角より大きい
ことを特徴とする基板。
【請求項７】
前記下段部品の円筒側面は、当該下段部品の円筒側面を、前記基板上に立たせて実装された円筒形状の部品に点接触させて支持されており、
前記実装される上段部品は、当該上段部品の円筒側面を、前記基板上に立たせて実装された円筒形状の部品に点接触させて支持されている
ことを特徴とする請求項６に記載の基板。
【請求項８】
前記上段部品の径が、前記下段部品の径より大きい
ことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の基板。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月12日(2013.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（工程７）：レジストマスク形成工程
次に、ハードマスク２２の層の上に、レジスト２４をスピンコート法等によって形成した後、ソフトベークを行い、露光、現像を行ってからポストベークを行う。なお、ポストベークの代わり、紫外線照射による硬化処理（ＵＶキュア）を行っても良い。こうして、上部電極パターニング用のレジスト２４をパターニングする（図１（ｇ））。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
＜ドライエッチング装置の構成例＞
図２は本実施形態に係るドライエッチング方法を使用するドライエッチング装置の構成図である。ドライエッチング装置１１０は、例えば誘電結合方式（Inductive Coupling Plasma：ＩＣＰ）の装置を用いる。その他には、ヘリコン波励起プラズマ（Helicon Wave Plasma：ＨＷＰ）、電子サイクロトロン共鳴（Electron Cyclotron resonance：ＥＣＲ）プラズマ、マイクロ波励起表面波プラズマ（Surface Wave Plasma：ＳＷＰ）などのプラズマ源を用いた方式を適用することも可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
以上のことから、バイアス周波数は８００ｋＨｚ以上４ＭＨｚ未満が望ましい。さらには略１ＭＨｚが望ましい。略１ＭＨｚという場合の「略」の範囲としては、相応の作用効果が得られる範囲で適宜の許容範囲を設定し得る。例えば、±１５％（±１５０ｋＨｚ）を許容範囲とすると８５０ｋＨｚ〜１．１５ＭＨｚの範囲であり、±１０％（±１００ｋＨｚ）を許容範囲とすると９００ｋＨｚ〜１．１ＭＨｚの範囲である。また、±５％（±５０ｋＨｚ）を許容範囲とすると９５０ｋＨｚ〜１．０５ＭＨｚの範囲である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
［２］ガス圧（エッチング圧力）について
エッチング圧力は、１Ｐａ未満の場合、イオンエネルギーが高く、下地膜である強誘電体（ＰＺＴ）のエッチングレートが速く十分な選択比が得られない。逆に５Ｐａ以上の場合は、ラジカルが多く生成されイオン量が少なく且つイオンエネルギーが低く、貴金属材料を十分にエッチングすることが出来ない。以上のことから、エッチング圧力（「処理圧力」とも言う。）は、１Ｐａ以上５Ｐａ未満であることが望ましい。さらには、略３Ｐａが望ましい。略３Ｐａという場合の「略」の範囲としては、相応の作用効果が得られる範囲で適宜の許容範囲を設定し得る。例えば、±０．５Ｐａを許容範囲とすると３Ｐａ±０．５Ｐａの範囲であり、±１０％を許容範囲とすると３Ｐａ±０．３Ｐａの範囲である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
本発明のドライエッチング方法は、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｐｔなどの貴金属或いはその金属酸化物を良好にエッチングすることができる手段である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
（発明９）：基板上に第１の導電性材料による第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、前記第１の電極に誘電体材料を積層する誘電体層形成工程と、前記誘電体材料の上に第２の導電性材料による第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、前記第２の電極を構成する前記第２の導電性材料を、発明１から６のいずれか１項に記載のドライエッチング方法を使用してエッチングし、前記第２の電極をパターニングするパターニング工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月14日(2014.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに異なる極性を有する第１および第２の端子を有する円筒形状の部品を、円筒側面と基板面とが沿うように前記基板上に寝かせて実装して下段部品とする工程と、
前記下段部品の上部に、前記第１および第２の端子を有する円筒形状の上段部品を、接触させて実装する工程と、
前記下段部品、上段部品のそれぞれの底面から前記第１および第２の端子をリード線により引き出して、前記下段部品と前記上段部品とが有する端子のうち、同じ極性の端子同士が電気的に接続されるように前記リード線を前記基板に実装する工程とを有し、
前記リード線を前記基板に実装する工程は、少なくとも、前記上段部品のリード線を前記上段部品の底面から所定の距離の位置で屈曲加工することによって、前記電気的に接続される同じ極性の端子側のリード線同士を近接する位置に実装する工程を有する
ことを特徴とする部品実装方法。
【請求項２】
前記リード線を前記基板に実装する工程は、さらに、
前記下段部品、上段部品のそれぞれについて、前記第１の端子側のリード線と前記第２の端子側のリード線とを前記底面からの距離が互いに異なる位置で屈曲加工する工程を有し、
前記下段部品と前記上段部品とが有する端子のうち、前記電気的に接続される同じ極性の端子側のリード線は、前記底面からの距離が互いに同じ位置で屈曲加工される
ことを特徴とする請求項１に記載の部品実装方法。
【請求項３】
前記円筒形状の部品を前記基板上に寝かせて実装して下段部品とする工程は、前記基板に設けられた矩形穴に前記下段部品の一部を落とし込み、該矩形穴の長手方向に平行な端部において前記下段部品の円筒側面を線接触で支持する工程を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の部品実装方法。
【請求項４】
前記基板上に実装された前記上段および下段部品の短手方向断面において、前記下段部品の断面の円の中心から前記基板面に対して鉛直に伸びる線分と、前記下段部品の断面の円の中心と前記下段部品を支持する点とを結んだ線分とがなす角である下段角が、前記上段部品の断面の円の中心から前記基板面に対して鉛直に伸びる線分と、前記上段部品と前記下段部品の断面の円の中心同士を結んだ線分とがなす角である上段角より大きい
ことを特徴とする請求項３に記載の部品実装方法。
【請求項５】
円筒形状の部品が実装される基板であって、
前記円筒形状の部品の実装状態において、
互いに異なる極性を有する第１および第２の端子を有し、円筒側面と基板面とが沿うように前記基板上に寝かせて実装される円筒形状の下段部品と、
前記第１および第２の端子を有し、前記下段部品の上部に接触して実装される円筒形状の上段部品とを備え、
前記下段部品、上段部品のそれぞれの底面から前記第１および第２の端子がリード線により引き出され、前記下段部品と前記上段部品とが有する端子のうち、同じ極性の端子同士が電気的に接続されるように前記リード線が前記基板に実装されており、
少なくとも、前記上段部品のリード線が前記上段部品の底面から所定の距離の位置で屈曲加工されることによって、前記電気的に接続される同じ極性の端子側のリード線同士が近接する位置に実装されている
ことを特徴とする基板。
【請求項６】
前記リード線は、前記下段部品、上段部品のそれぞれについて、前記第１の端子側のリード線と前記第２の端子側のリード線とを前記底面からの距離が互いに異なる位置で屈曲加工することで、前記基板に実装され、
前記下段部品と前記上段部品とが有する端子のうち、前記電気的に接続される同じ極性の端子側のリード線は、前記底面からの距離が互いに同じ位置で屈曲加工される
ことを特徴とする請求項５に記載の基板。
【請求項７】
前記下段部品とされる前記円筒形状の部品は、前記基板に設けられた矩形穴に前記円筒形状の部品の一部を落とし込み、該矩形穴の長手方向に平行な端部において前記円筒形状の部品の円筒側面を線接触で支持することで、前記基板上に実装される
ことを特徴とする請求項５に記載の基板。
【請求項８】
前記基板上に実装された前記上段および下段部品の短手方向断面において、前記下段部品の断面の円の中心から前記基板面に対して鉛直に伸びる線分と、前記下段部品の断面の円の中心と前記下段部品を支持する点とを結んだ線分とがなす角である下段角が、前記上段部品の断面の円の中心から前記基板面に対して鉛直に伸びる線分と、前記上段部品と前記下段部品の断面の円の中心同士を結んだ線分とがなす角である上段角より大きい
ことを特徴とする請求項７に記載の基板。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月16日(2014.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
発散する荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割する第１アパーチャアレイと、
前記第１アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線からそれぞれ第１の複数のクロスオーバーを形成する集束レンズアレイと、
前記第１の複数のクロスオーバーが形成される主平面を有するコリメータレンズと、
前記コリメータレンズから射出した複数の荷電粒子線の角度を補正し、かつ、第２の複数のクロスオーバーを形成する補正系と、
前記第２の複数のクロスオーバーにそれぞれ対応する複数の開口を有する素子と、を有し、
前記主平面における前記第１の複数のクロスオーバーの配列を前記複数の開口の配列に対して異ならせることにより、前記素子上において前記第２の複数のクロスオーバーがそれぞれ前記複数の開口に整合するように、前記第１アパーチャアレイにおける開口及び前記集束レンズアレイにおける集束レンズは配置されている、ことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記第１アパーチャアレイにおける開口及び前記集束レンズアレイにおける集束レンズのそれぞれは、前記複数の開口のうちの対応する開口に対して、像高に関する３次の多項式に基づく量だけ偏心している、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記補正系は、前記複数の荷電粒子線のそれぞれの主光線を規定する第２アパーチャアレイと、前記複数の主光線の角度をそれぞれ補正する補正レンズアレイとを含む、ことを特徴とする請求項１または２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記第２アパーチャアレイにおける開口及び前記補正レンズアレイにおける補正レンズのそれぞれは、前記複数の開口のうちの対応する開口に対して、像高に関する３次の多項式に基づく量だけ偏心している、ことを特徴とする請求項３に記載の描画装置。
【請求項５】
前記補正系は、前記補正レンズアレイが形成する第３の複数のクロスオーバーを拡大投影して前記第２の複数のクロスオーバーを形成する拡大レンズアレイをさらに含む、ことを特徴とする請求項３に記載の描画装置。
【請求項６】
前記補正系は、前記複数の荷電粒子線のそれぞれの主光線を規定する第２アパーチャアレイと、前記複数の主光線の角度をそれぞれ補正する補正偏向器アレイとを含む、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の描画装置。
【請求項７】
複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
発散する荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割する第１アパーチャアレイと、
前記第１アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線からそれぞれ第１の複数のクロスオーバーを形成する集束レンズアレイと、
前記複数のクロスオーバーが形成される主平面を有するコリメータレンズと、
前記コリメータレンズから射出した複数の荷電粒子線の角度を補正し、かつ、第２の複数のクロスオーバーを形成する補正系と、
前記第２の複数のクロスオーバーにそれぞれ対応する複数の開口を有する素子と、を有し、
前記主平面における前記第１の複数のクロスオーバーの配列を前記複数の開口の配列に対して異ならせることにより、前記素子上において前記第２の複数のクロスオーバーがそれぞれ前記複数の開口に整合するように、前記第１アパーチャアレイにおける開口及び前記集束レンズアレイにおける集束レンズは配置され、前記補正系は、２段のレンズアレイを含み、前記素子上において前記第２の複数のクロスオーバーがそれぞれ前記複数の開口に整合するように、前記２段のレンズアレイは、前記複数の開口のうちの対応する開口に対して偏心したレンズを有する、ことを特徴とする描画装置。
【請求項８】
前記素子は、ブランキングストップアパーチャアレイである、ことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項９】
前記素子は、ブランキング偏向器アレイである、ことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一つの側面は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
発散する荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割する第１アパーチャアレイと、
前記第１アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線からそれぞれ第１の複数のクロスオーバーを形成する集束レンズアレイと、
前記第１の複数のクロスオーバーが形成される主平面を有するコリメータレンズと、
前記コリメータレンズから射出した複数の荷電粒子線の角度を補正し、かつ、第２の複数のクロスオーバーを形成する補正系と、
前記第２の複数のクロスオーバーにそれぞれ対応する複数の開口を有する素子と、を有し、
前記主平面における前記第１の複数のクロスオーバーの配列を前記複数の開口の配列に対して異ならせることにより、前記素子上において前記第２の複数のクロスオーバーがそれぞれ前記複数の開口に整合するように、前記第１アパーチャアレイにおける開口及び前記集束レンズアレイにおける集束レンズは配置されている、ことを特徴とする描画装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月25日(2014.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを用いて移動可能なステージ上に載置される試料にパターンを描画する描画部と、
前記荷電粒子ビームの偏向を制御する偏向制御部と、前記ステージの移動を制御するステージ制御部と、前記偏向制御部と前記ステージ制御部に対する制御を行う制御計算機と、から構成される制御部と、を備え、
前記偏向制御部は、
前記制御計算機において生成される描画データを格納するバッファメモリと、
前記バッファメモリから転送される前記描画データを格納する記憶部と、
前記記憶部への前記描画データの転送量を判断した結果、前記記憶部への前記描画データの転送量が前記試料に描画を行う上で不足すると判断されるのは前記バッファメモリへの前記描画データの格納が設定量に足りないからである場合に、前記ステージ制御部に対して前記ステージの停止を指示するとともに、前記制御計算機を介して前記ステージを前記試料に対する描画の対象とされる位置にまで戻すリカバー処理を行う判断部と、
を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記判断部は、前記バッファメモリへ格納される前記描画データの量を判定する際、前記描画データの量が設定量以上格納されている場合、或いは、前記試料の終端に描画対象領域がありこれ以上の前記描画対象領域がない場合には、前記バッファメモリに前記描画データが十分な量格納されていると判断し、描画処理を継続する判断を行うことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記偏向制御部は、さらに、
時間を計測する計時部と、
前記描画対象領域が描画可能な終端領域にまで到達する到達時間の値を算出する演算部と、
を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
荷電粒子ビームを用いて移動可能なステージ上に載置される試料にパターンを描画するに当たり、記憶部にバッファメモリから転送される描画データの量を判断するステップと、
前記記憶部に格納される前記描画データの転送量を判断した結果、前記記憶部への前記描画データの転送量が前記試料に描画を行う上で不足すると判断される場合に、前記バッファメモリへの前記描画データの格納が設定量に足りているかを判断するステップと、
前記バッファメモリへの前記描画データの格納が設定量に足りない場合に、ステージ制御部に対して前記ステージの停止を指示するステップと、
制御計算機を介して前記ステージを前記試料に対する描画の対象とされる位置にまで戻すリカバー処理を行うステップと、
を備えることを特徴とする描画方法。
【請求項５】
荷電粒子ビームを用いて移動可能なステージ上に載置される試料にパターンを描画するに当たり、記憶部にバッファメモリから転送される描画データの量を判断するステップと、
計時部において時間の計測を開始するステップと、
前記記憶部に格納される前記描画データの転送量を判断した結果、前記記憶部への前記描画データの転送量が前記試料に描画を行う上で不足すると判断される場合に、前記バッファメモリへの前記描画データの格納が設定量に足りているかを判断するステップと、
前記バッファメモリへの前記描画データの格納が設定量に足りない場合に、演算部が前記試料の描画対象領域が描画可能な終端領域にまで到達する到達時間の値を算出するステップと、
前記時間が前記到達時間よりも大きな値であると判断される場合に、ステージ制御部に対して前記ステージの停止を指示するステップと、
制御計算機を介して前記ステージを前記試料に対する描画の対象とされる位置にまで戻すリカバー処理を行うステップと、
を備えることを特徴とする描画方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の実施の形態に係る特徴は、荷電粒子ビーム描画装置において、荷電粒子ビームを用いて移動可能なステージ上に載置される試料にパターンを描画する描画部と、荷電粒子ビームの偏向を制御する偏向制御部と、ステージの移動を制御するステージ制御部と、偏向制御部とステージ制御部に対する制御を行う制御計算機と、から構成される制御部と、を備え、偏向制御部は、制御計算機において生成される描画データを格納するバッファメモリと、バッファメモリから転送される描画データを格納する記憶部と、記憶部への描画データの転送量を判断した結果、記憶部への描画データの転送量が試料に描画を行う上で不足すると判断されるのはバッファメモリへの描画データの格納が設定量に足りないからである場合に、ステージ制御部に対してステージの停止を指示するとともに、制御計算機を介してステージを前記試料に対する描画の対象とされる位置にまで戻すリカバー処理を行う判断部とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の実施の形態に係る特徴は、描画方法において、荷電粒子ビームを用いて移動可能なステージ上に載置される試料にパターンを描画するに当たり、記憶部にバッファメモリから転送される描画データの量を判断するステップと、記憶部に格納される描画データの転送量を判断した結果、記憶部への描画データの転送量が試料に描画を行う上で不足すると判断される場合に、バッファメモリへの描画データの格納が設定量に足りているかを判断するステップと、バッファメモリへの描画データの格納が設定量に足りない場合に、ステージ制御部に対してステージの停止を指示するステップと、制御計算機を介してステージを試料に対する描画の対象とされる位置にまで戻すリカバー処理を行うステップとを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の実施の形態に係る特徴は、描画方法において、荷電粒子ビームを用いて移動可能なステージ上に載置される試料にパターンを描画するに当たり、記憶部にバッファメモリから転送される描画データの量を判断するステップと、計時部において時間の計測を開始するステップと、記憶部に格納される描画データの転送量を判断した結果、記憶部への描画データの転送量が試料に描画を行う上で不足すると判断される場合に、バッファメモリへの描画データの格納が設定量に足りているかを判断するステップと、バッファメモリへの描画データの格納が設定量に足りない場合に、演算部が試料の描画対象領域が描画可能な終端領域にまで到達する到達時間の値を算出するステップと、時間が到達時間よりも大きな値であると判断される場合に、ステージ制御部に対してステージの停止を指示するステップと、制御計算機を介してステージを試料に対する描画の対象とされる位置にまで戻すリカバー処理を行うステップとを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月28日(2013.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】パワー半導体素子用Ａｌ合金膜
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属成分として、Ｔａ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｈｆ、Ｔｉ、ＣｒおよびＰｔよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、Ｓｉおよび／またはＧｅとを含み、かつＡｌマトリックスの最大粒径が８００ｎｍ以下であることを特徴とするパワー半導体素子用Ａｌ合金膜。
【請求項２】
膜厚が５００ｎｍ〜５μｍである請求項１に記載のパワー半導体素子用Ａｌ合金膜。
【請求項３】
更に、Ｎｉおよび／またはＣｏを含む請求項１または２に記載のパワー半導体素子用Ａｌ合金膜。
【請求項４】
更に、Ｃｕを含む請求項１〜３のいずれかに記載のパワー半導体素子用Ａｌ合金膜。
【請求項５】
前記Ｘ群元素の含有量は、０．１〜５原子％である請求項１〜４のいずれかに記載のパワー半導体素子用Ａｌ合金膜。
【請求項６】
前記Ｓｉおよび／またはＧｅの含有量は、０．１〜３原子％である請求項１〜５のいずれかに記載のパワー半導体素子用Ａｌ合金膜。
【請求項７】
前記Ｎｉおよび／またはＣｏの含有量は、０．１〜３原子％である請求項３〜６のいずれかに記載のパワー半導体素子用Ａｌ合金膜。
【請求項８】
前記Ｃｕの含有量は、０．１〜２原子％である請求項４〜７のいずれかに記載のパワー半導体素子用Ａｌ合金膜。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載のパワー半導体素子用Ａｌ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、
Ｔａ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｈｆ、Ｔｉ、ＣｒおよびＰｔよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）を０．１〜５原子％含むと共に、Ｓｉおよび／またはＧｅを０．１〜３原子％含み、残部がＡｌおよび不可避的不純物であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項１０】
更に、Ｎｉおよび／またはＣｏを０．１〜３原子％含むものである請求項９に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項１１】
更に、Ｃｕを０．１〜２原子％含むものである請求項９または１０に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項１２】
基板上に少なくとも、請求項１〜８のいずれかに記載のパワー半導体素子用Ａｌ合金膜を備えたパワー半導体構造であって、
前記基板と前記Ａｌ合金膜が直接接触していることを特徴とするパワー半導体構造。
【請求項１３】
前記基板は、Ｓｉ基板、ＳｉＣ基板、またはＧａＮ基板である請求項１２に記載のパワー半導体構造。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月15日(2014.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以上の課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、第１ブロックと、前記第１ブロックに回転可能に結合される第２ブロックと、前記第１ブロック及び第２ブロックを部分的に覆い、且つ前記第１ブロックに回転可能に結合される第３ブロックと、を備える筐体構造であって、前記第２ブロックの前記第１ブロックに対する回動については規制しないように、前記第３ブロックに対し前記第２ブロックを磁性体により保持可能とする保持部を備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ブロックと、
前記第１ブロックに回転可能に結合される第２ブロックと、
前記第１ブロック及び第２ブロックを部分的に覆い、且つ前記第１ブロックに回転可能に結合される第３ブロックと、を備える筐体構造であって、
前記第２ブロックの前記第１ブロックに対する回動については規制しないように、前記第３ブロックに対し前記第２ブロックを磁性部材により保持可能とする保持部を備えることを特徴とする筐体構造。
【請求項２】
前記第１ブロックに第２ブロックを回転可能に結合する第１ヒンジ部の回転軸線と、
前記第１ブロックに第３ブロックを回転可能に結合する第２ヒンジ部の回転軸線とが互いに直交することを特徴とする請求項１に記載の筐体構造。
【請求項３】
前記第３ブロックは、前記第１ブロック及び第２ブロックの周囲を覆うフレーム形状に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の筐体構造。
【請求項４】
前記保持部における前記磁性部材は、前記第２ブロックまたは第３ブロックの何れかに設けられ、前記磁性部材が対向する位置には、前記磁性部材の磁力により吸着する部材が設けられることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の筐体構造。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の筐体構造を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
前記第１ブロックに撮影レンズが設けられて、
前記第２ブロックに表示部及びシャッターボタンが設けられていることを特徴とする請求項５に記載の電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月19日(2014.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された透明電極と、発光層と、誘電体層と、背面電極とを積層して構成される分散型ＥＬ素子において、前記発光層と前記誘電体層との間に、バインダー中に誘電体粉末を分散してなる中間層が形成された分散型ＥＬ素子。
【請求項２】
前記誘電体層が、バインダー中に誘電体粉末を分散してなり、前記中間層中の前記誘電体粉末の混合率は、前記誘電体層のそれに比べて低い請求項１に記載の分散型ＥＬ素子。
【請求項３】
前記誘電体粉末が、酸化チタン、チタン酸バリウム、ジルコニア、イットリア、チタン酸ストロンチウム、または酸化タンタルのいずれかの酸化物誘電体の粉末である請求項１又は２に記載の分散型ＥＬ素子。
【請求項４】
前記バインダーが、フッ素系樹脂である請求項１〜３のいずれかに記載の分散型ＥＬ素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の分散型ＥＬ素子の製造方法において、前記中間層は、前記誘電体粉末がバインダー中に分散混合されたペーストを前記発光層上に塗布することにより形成される分散型ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】
前記発光層を形成する前にあらかじめ透明電極表面に紫外線照射処理を施す、請求項５に記載の分散型ＥＬ素子の製造方法。