【手続補正書】
【提出日】平成26年10月23日(2014.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）熱分解開始温度が２５０℃以上の高分子化合物、及び、（Ｂ）ラジカル重合性モノマーを含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
【請求項２】
前記高分子化合物（Ａ）が、セルロース若しくはセルロース誘導体、又は、スチレン系単量体を重合してなる高分子化合物である、請求項１に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
【請求項３】
前記高分子化合物（Ａ）が、セルロース若しくはセルロース誘導体である、請求項１又は２に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
【請求項４】
前記高分子化合物（Ａ）が、スチレン系単量体を重合してなる高分子化合物である、請求項１又は２に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
【請求項５】
（Ａ’）スチレン系単量体を重合してなる高分子化合物、（Ｂ）ラジカル重合性モノマー、及び、（Ｃ）熱ラジカル重合開始剤を含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
【請求項６】
（Ａ”）セルロース若しくはセルロース類誘導体、及び、（Ｂ）ラジカル重合性モノマーを含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
【請求項７】
セルロース若しくはセルロース類誘導体が、下記一般式（１）で表される、請求項２、３又は６に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
【化１】
2014080570.tif 000001
（一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立して、水素原子又は一価の有機基を表す。ｎは２以上の整数を表す。）
【請求項８】
前記高分子化合物（Ａ），（Ａ’）が、スチレン系単量体と（メタ）アクリル系単量体とを共重合してなる高分子化合物である、請求項４又は５に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
【請求項９】
更に、（Ｃ）熱ラジカル重合開始剤を含む、請求項１〜４、６及び７のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
【請求項１０】
前記熱ラジカル重合開始剤（Ｃ）の熱分解温度が９５℃〜２７０℃である、請求項５又は９に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
【請求項１１】
前記熱ラジカル重合開始剤（Ｃ）が非イオン性の熱ラジカル重合開始剤である、請求項５、９及び１０のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
【請求項１２】
更に、（Ｄ）光ラジカル重合開始剤を含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
【請求項１３】
前記光ラジカル重合開始剤（Ｄ）が非イオン性の光ラジカル重合開始剤である、請求項１２に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
【請求項１４】
前記高分子化合物（Ａ），（Ａ’），（Ａ”）が、ラジカル重合性基を有する、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
【請求項１５】
前記高分子化合物（Ａ），（Ａ’），（Ａ”）が、前記ラジカル重合性基として、下記一般式（１）で表される基、下記一般式（２）で表される基、及び下記一般式（３）で表される基からなる群より選ばれる１種以上の基を有する、請求項１４に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
【化２】
2014080570.tif 000002
（式中、Ｘ及びＹはそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子又は−Ｎ（Ｒ１２）−を表す。Ｚは酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（Ｒ１２）−又はフェニレン基を表す。Ｒ１〜Ｒ１２はそれぞれ独立に、水素原子又は１価の置換基を表す。）
【請求項１６】
基板と、前記基板上に、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層とを有する接着性支持体。
【請求項１７】
被処理部材の第１の面と基板とを、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層を介して接着させる工程、
前記被処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程、及び、
前記接着性層から前記処理済部材の第１の面を脱離する工程を有する、前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記被処理部材の第１の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の前に、前記接着性層の、前記被処理部材の第１の面に接着される面に対して、活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有する、請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
被処理部材の第１の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の後、かつ、前記被処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程の前に、前記接着性層を５０℃〜３００℃の温度で加熱する工程を更に有する、請求項１７又は１８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記接着性層から前記処理済部材の第１の面を脱離する工程が、前記接着性層に剥離液を接触させる工程を含む、請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記被処理部材が、被処理基材と、前記被処理基材の第１の面の上に設けられた保護層とを有してなり、
前記保護層の、前記被処理基材とは反対側の面を、前記被処理部材の前記第１の面とし、
前記被処理基材の前記第１の面とは異なる第２の面を、前記被処理部材の前記第２の面とする、請求項１７〜２０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
〔１〕
（Ａ）熱分解開始温度が２５０℃以上の高分子化合物、及び、（Ｂ）ラジカル重合性モノマーを含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
〔２〕
前記高分子化合物（Ａ）が、セルロース若しくはセルロース誘導体、又は、スチレン系単量体を重合してなる高分子化合物である、上記〔１〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔３〕
前記高分子化合物（Ａ）が、セルロース若しくはセルロース誘導体である、上記〔１〕又は〔２〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔４〕
前記高分子化合物（Ａ）が、スチレン系単量体を重合してなる高分子化合物である、上記〔１〕又は〔２〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔５〕
（Ａ’）スチレン系単量体を重合してなる高分子化合物、（Ｂ）ラジカル重合性モノマー、及び、（Ｃ）熱ラジカル重合開始剤を含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
〔６〕
（Ａ”）セルロース若しくはセルロース類誘導体、及び、（Ｂ）ラジカル重合性モノマーを含有する、半導体装置製造用仮接着剤。
〔７〕
セルロース若しくはセルロース類誘導体が、下記一般式（１）で表される、上記〔２〕、〔３〕又は〔６〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
【化１】
2014080570.tif 000003
（一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立して、水素原子又は一価の有機基を表す。ｎは２以上の整数を表す。）
〔８〕
前記高分子化合物（Ａ），（Ａ’）が、スチレン系単量体と（メタ）アクリル系単量体とを共重合してなる高分子化合物である、上記〔４〕又は〔５〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔９〕
更に、（Ｃ）熱ラジカル重合開始剤を含む、上記〔１〕〜〔４〕、〔６〕及び〔７〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔１０〕
前記熱ラジカル重合開始剤（Ｃ）の熱分解温度が９５℃〜２７０℃である、上記〔５〕又は〔９〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔１１〕
前記熱ラジカル重合開始剤（Ｃ）が非イオン性の熱ラジカル重合開始剤である、上記〔５〕、〔９〕及び〔１０〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔１２〕
更に、（Ｄ）光ラジカル重合開始剤を含む、上記〔１〕〜〔１１〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔１３〕
前記光ラジカル重合開始剤（Ｄ）が非イオン性の光ラジカル重合開始剤である、上記〔１２〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔１４〕
前記高分子化合物（Ａ），（Ａ’），（Ａ”）が、ラジカル重合性基を有する、上記〔１〕〜〔１３〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
〔１５〕
前記高分子化合物（Ａ），（Ａ’），（Ａ”）が、前記ラジカル重合性基として、下記一般式（１）で表される基、下記一般式（２）で表される基、及び下記一般式（３）で表される基からなる群より選ばれる１種以上の基を有する、上記〔１４〕に記載の半導体装置製造用仮接着剤。
【化２】
2014080570.tif 000004
（式中、Ｘ及びＹはそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子又は−Ｎ（Ｒ１２）−を表す。Ｚは酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（Ｒ１２）−又はフェニレン基を表す。Ｒ１〜Ｒ１２はそれぞれ独立に、水素原子又は１価の置換基を表す。）
〔１６〕
基板と、前記基板上に、上記〔１〕〜〔１５〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層とを有する接着性支持体。
〔１７〕
被処理部材の第１の面と基板とを、上記〔１〕〜〔１５〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接着剤により形成された接着性層を介して接着させる工程、
前記被処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程、及び、
前記接着性層から前記処理済部材の第１の面を脱離する工程
を有する、前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法。
〔１８〕
前記被処理部材の第１の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の前に、前記接着性層の、前記被処理部材の第１の面に接着される面に対して、活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有する、上記〔１７〕に記載の半導体装置の製造方法。
〔１９〕
被処理部材の第１の面と基板とを前記接着性層を介して接着させる工程の後、かつ、前記被処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程の前に、前記接着性層を５０℃〜３００℃の温度で加熱する工程を更に有する、上記〔１７〕又は〔１８〕に記載の半導体装置の製造方法。
〔２０〕
前記接着性層から前記処理済部材の第１の面を脱離する工程が、前記接着性層に剥離液を接触させる工程を含む、上記〔１７〕〜〔１９〕のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
〔２１〕
前記被処理部材が、被処理基材と、前記被処理基材の第１の面の上に設けられた保護層とを有してなり、
前記保護層の、前記被処理基材とは反対側の面を、前記被処理部材の前記第１の面とし、
前記被処理基材の前記第１の面とは異なる第２の面を、前記被処理部材の前記第２の面とする、上記〔１７〕〜〔２０〕のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。