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【手続補正書】
【提出日】平成25年11月26日(2013.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
【図１】本発明に係る扁平形状繊維強化プラスチック線材の製造方法の一実施例を説明するための製造装置の概略構成図である。
【図２】本発明に係る扁平形状繊維強化プラスチック線材の製造方法の一実施例を説明するための製造装置の概略構成図であり、図２（ａ）は平面図であり、図２（ｂ）は正面図である。
【図３】本発明に係る扁平形状繊維強化プラスチック線材製造装置における加熱板装置の一実施例を示す概略構成図である。
【図４】本発明に係る扁平形状繊維強化プラスチック線材の製造方法の一実施例を説明するための製造装置における巻き出しボビンの作動を説明する概略構成図である。
【図５】本発明の繊維強化シートを構成する扁平形状繊維強化プラスチック線材の断面図である。
【図６】本発明の繊維強化シートの一実施例を示す斜視図である。
【図７】本発明に係る扁平形状繊維強化プラスチック線材の製造方法の他の実施例を説明するための製造装置の概略構成図である。
【図８】本発明に係る扁平形状繊維強化プラスチック線材の製造方法の他の実施例を説明するための製造装置における巻き取りボビンの作動を説明する概略構成図である。
【図９】従来のプルトルージョン法を説明するための線材製造装置の概略構成図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
各加熱板２７ａ１、２７ａ２は、互いに対向する内側面間に挿入される丸形状線材を厚み（ｔ）、幅（ｗ）の扁平形状の線材へと成形するために、少なくとも幅方向（加熱板装置２７ａ内へと挿入される線材の移動方向に対して直交する方向）両側に厚み調整用シム板２７ａ７が配置され、所定の距離（ｔ１、ここで、ｔ１＞ｔ）だけ離間されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
図示するように、各加熱板２７ａ１、２７ａ２は、厚み調整用シム板２７ａ７を挟持して上下加熱板締付金具２７０にて一体とされる。即ち、上下加熱板締付金具２７０は、第１加熱板２７ａ１の外側（図３にて上側）に位置した水平金具２７１と、第２加熱板２７ａ２の外側（図３にて下側）に位置した水平金具２７２とを備えている。水平金具２７１、２７２は、幅方向において、第１、第２加熱板２７ａ１、２７ａ２の幅（Ｗ２７ａ）より大とされ、両側へと突出している。水平金具２７１、２７２は、この突出した部分を利用して、ボルト２７３が貫通して配置され、ナット２７４にて締め付けることにより、各加熱板２７ａ１、２７ａ２及び厚み調整用シム板２７ａ７を挟持して一体に保持する。図３では、上下加熱板締付金具２７０は、加熱板装置２７ａの長さＬ２７ａに沿って一つだけ図示されているが、加熱板装置２７ａの長さＬ２７ａに応じて適当数、例えば、２〜４個程度配置される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
通常、成形硬化セクション１００Ｂを移動する強化繊維束の移動速度は０．３〜２．０ｍ／分とされ、また、加熱板装置２７ａ内の温度は、１２０〜１４０℃、２次硬化炉２７ｂ内の温度は、１３０〜１５０℃とされる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2012131874.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月24日(2014.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクから粒子を分離する層状のデバイスであって、
ベース層と、
前記ベース層に配置された層状スタックであって、前記層状スタックは、第１のチャネル、第２のチャネル、及び少なくとも２列の障害物を含む障害物の配列を備える分離器を形成すると共にインクジェットプリンタ内に配置され、前記障害物は、第１の分離器におけるインクの流路に対して横方向へ延び、前記障害物の列は互いからオフセット率によってオフセットされ、前記障害物の配列は、臨界直径より大きい直径を有するより大きい粒子を前記配列を通って、インク流路に対して前記オフセット率であるある角度に曲げられた第１の軌道ベクトルに沿って優先的に前記第１のチャネルにルーティングするように、かつ前記臨界直径より小さい直径を有するより小さい粒子を、前記インク流路に対して実質上ある角度に曲げられていない第２の軌道に沿って前記第１のチャネル又は前記第２のチャネルにルーティングするように構成される、前記層状スタックと、
カバー層と、
を備えるデバイス。
【請求項２】
前記配列は、前記第１の分離器における約１００Ｐａより小さいインクの圧力降下を維持するように構成される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記配列は、約２列と約１０列との間の障害物を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記粒子は、泡を含む請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
インクジェットプリンタにおいてインクから粒子を除去するためのデバイスを製造する方法であって、
ベース層とカバー層とを形成することと、
前記ベース層に多層スタックを配置することと、
前記多層スタックの隣接する層に関して前記多層スタックの各層を配列することであって、前記多層スタックの各層はバーの配列のうちの少なくとも１つのバーを形成し、前記バーの配列は少なくとも２列のバーを含む分離器を形成し、前記バーは前記分離器を横断して延び、前記バーの列は互いからオフセット率によってオフセットされ、前記バーの配列は、より大きい粒子を前記配列を通って前記インクの流路に対して前記オフセット率の関数であるある角度曲げられた第１の軌道に沿って優先的にルーティングするように、かつより小さい粒子を前記配列を通って前記インクの流路に対して実質的にある角度に曲げられていない第２の軌道に沿ってルーティングするように構成される、前記配列することと、
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月2日(2014.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つずつの糸（３０）を紡績コップ（９）から綾巻きパッケージ（１１）に巻き取る複数の作業ユニット部（２）を有するワインダ（１）を動作させる方法であって、
前記の糸（３０）の走行時に、当該の糸のテンションを表す量を測定する１つずつのセンサ（２０）と、
前記の糸（３０）に糸テンションを与える糸テンショナ（１４）とが配置されており、
前記の糸テンションを表す測定量（ｙ）と、前記の糸テンションを表す量の目標値（ｖ）とを比較し、当該の比較（ｅ）に依存して、前記の糸テンションを調整するために前記の糸テンショナ（１４）に対する調整信号（ｕ）を生成することによって前記の糸テンションを閉ループ制御し、
１つのセンサ（２０）の故障を確認した後、前記の糸テンションを開ループ制御する、ワインダ（１）を動作させる方法において、
前記の紡績コップ（９）に残っている糸の長さを表す量をそれぞれ検出し、
当該の紡績コップ（９）に残っている糸の長さに依存して、閉ループ制御された糸テンションによる巻き取り中に検出した少なくとも１つの調整信号（ｕ）から、当該の調整信号（ｕ）に対する経験値を求め、
１つのセンサ（２０）が故障した場合、前記の糸テンショナ（１４）によって糸テンションを開ループ制御するため、前記の紡績コップ（９）に残っている糸の長さに依存して、前に求めた前記の調整信号（ｕ）に対する経験値を調整信号（ｕ）として使用することを特徴とする、
ワインダ（１）を動作させる方法。
【請求項２】
前記の経験値を求めるため、複数の作業ユニット部の調整信号を検出する、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記の紡績コップ（９）から巻き取った糸の長さを、当該の紡績コップ（９）に残っている糸の量を表す量として使用する、
請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
１つの作業ユニット部（２）のセンサ（２０）が故障した場合に前記の糸テンションを開ループ制御するために使用される前記の経験値を、当該のセンサ（２０）が故障する前に同じ作業ユニット部の少なくとも１つの紡績コップ（９）の巻き取り中に検出した調整信号から求める、
請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
１つの作業ユニット部（２）のセンサ（２０）が故障した場合に前記の糸テンションを開ループ制御するために使用される前記の経験値を、当該のセンサ（２０）が故障する前に当該の作業ユニット部（２）の最後の紡績コップ（９）の巻き取り中に検出した調整信号から求める、
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
１つの作業ユニット部（２）のセンサ（２０）が故障した場合に前記の糸テンションを開ループ制御するために使用される前記の経験値は、当該の作業ユニット部（２）にて巻き取られる複数の紡績コップ（９）の前記の調整信号（ｕ）の平均値である、
請求項４に記載の方法。
【請求項７】
１つの作業ユニット部（２）のセンサ（２０）が故障した場合に前記の糸テンションを開ループ制御するために使用される前記の経験値は、同じロットの複数の作業ユニット部（２）における複数の調整信号（ｕ）の平均値である、
請求項２または３に記載の方法。
【請求項８】
１つの作業ユニット部（２）のセンサ（２０）が故障した場合に前記の糸テンションを開ループ制御するために使用される前記の経験値は、前記のロットの複数の作業ユニット部（２）にて最後の紡績コップ（９）を巻き取った際に検出した複数の調整信号（ｕ）の平均値である、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
センサ（２０）の故障を表示する、
請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
閉ループ制御された糸テンションによる巻き取り中、前記の巻き取り速度を前記の糸テンショナ（１４）の調整に依存して調整し、
前記の紡績コップに残っている糸の長さに依存して、巻き取り速度に対する経験値を検出し、
センサ（２０）が故障した場合、前記の残った糸の長さに依存して、前もって求めた巻き取り速度に対する前記の経験値を使用して前記の巻き取り速度を設定する、
請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
紡績コップ（９）から綾巻きパッケージ（１１）に糸（３０）をそれぞれ巻き取るために構成されている複数の作業ユニット部（２）を有するワインダであって、
前記の糸（３０）の走行時に、当該の糸のテンションを表す量を測定する１つずつのセンサ（２０）と、
前記の糸（３０）に糸テンションを与える糸テンショナ（１４）とが配置されており、
前記の糸テンションを閉ループ制御するための制御手段（４０，５０）が設けられており、
当該の制御手段は、前記の糸テンションを表す測定量（ｙ）と、前記の糸テンションを表す量の目標値（ｖ）とを比較し、当該の比較（ｅ）に依存して、前記の糸テンションを調整するために糸テンショナ（１４）に対する調整信号（ｕ）を生成するために構成されており、
前記の制御手段（４０，５０）は、前記のセンサ（２０）が故障した場合に前記の糸テンションを開ループ制御するように構成されている、ワインダにおいて、
前記の制御手段（４０，５０）は、
前記の紡績コップに残っている糸の長さを表す量を検出するため、
当該の紡績コップに残る糸の長さを表す量に依存して、閉ループ制御された糸テンションによる巻き取り中に検出した少なくとも１つの調整信号（ｕ）から、当該の調整信号（ｕ）に対する経験値を求めるため、および
センサ（２０）が故障した場合には、前記の紡績コップ（９）に残っている糸の長さを表す量に依存して、前記の経験値の少なくとも一部を調整信号（ｕ）として使用して、前記の糸テンショナ（１４）に対する糸テンションを開ループ制御するように構成されている、
請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法を実施するワインダ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月19日(2013.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被記録媒体を搬送する搬送経路に向けてプレート状の被搬送媒体を案内するガイド手段を備えた、被記録媒体に記録を行う記録装置において着脱可能に設けられる、被記録媒体を収容する被記録媒体カセット。
【請求項２】
請求項１に記載の被記録媒体カセットにおいて、前記ガイド手段が、前記被記録媒体カセットから出没可能に設けられたガイド部材により構成されている、
ことを特徴とする被記録媒体カセット。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の被記録媒体カセットにおいて、被記録媒体を収容する下段側トレイと、当該下段側トレイの上部に設けられた、被記録媒体を載置する上段側トレイと、を備えて構成され、
前記ガイド手段が、前記上段側トレイに設けられている、
ことを特徴とする被記録媒体カセット。
【請求項４】
被記録媒体に記録を行う記録手段と、
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の被記録媒体カセットと、
を備えたことを特徴とする記録装置。
【請求項５】
請求項４に記載の記録装置において、被記録媒体の搬送経路において前記記録手段の下流側に、被記録媒体を排出する排出手段を備え、
前記排出手段は、下側に位置する排出駆動ローラーを備え、
前記ガイド手段のガイド面は、前記排出駆動ローラーの上部外周面と略同じ高さ位置である、
ことを特徴とする記録装置。
【請求項６】
被記録媒体に記録を行う記録手段と、
請求項２に記載の被記録媒体カセットと、
前記ガイド部材を出没動作させる駆動機構と、
前記駆動機構を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記プレート状の被搬送媒体、又は前記プレート状の被搬送媒体にセットされた被記録媒体への記録を実行するモードが選択された際、没状態にある前記ガイド部材を進出させる、
ことを特徴とする記録装置。
【請求項７】
請求項６に記載の記録装置において、前記被記録媒体カセットは、被記録媒体を収容する下段側トレイと、当該下段側トレイの上部に設けられた、被記録媒体を載置する上段側トレイと、を備えて構成され、
前記上段側トレイは、トレイ駆動手段によって当該上段側トレイから被記録媒体を給送可能な給送可能位置と、前記下段側トレイから被記録媒体を給送する際の退避位置と、の間を変位可能に設けられ、
前記ガイド部材は、前記上段側トレイが前記退避位置にあるときに出没可能に設けられており、
前記制御部は、前記プレート状の被搬送媒体、又は前記プレート状の被搬送媒体にセットされた被記録媒体への記録を実行するモードが選択された際、前記上段側トレイが前記給送可能位置にある場合には当該上段側トレイを前記退避位置に変位させる、
ことを特徴とする記録装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載の記録装置において、前記制御部は、前記被記録媒体カセットから被記録媒体を給送して記録を行う記録モードにおいては、前記ガイド部材を没状態に維持する、
ことを特徴とする記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第３の態様は、第１のまたは第２の態様において、被記録媒体を収容する下段側トレイと、当該下段側トレイの上部に設けられた、被記録媒体を載置する上段側トレイと、を備えて構成され、前記ガイド手段が、前記上段側トレイに設けられていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
発明の第６の態様は、第５の態様において、前記被記録媒体カセットは、被記録媒体を収容する下段側トレイと、当該下段側トレイの上部に設けられた、被記録媒体を載置する上段側トレイと、を備えて構成され、前記上段側トレイは、トレイ駆動手段によって当該上段側トレイから被記録媒体を給送可能な給送可能位置と、前記下段側トレイから被記録媒体を給送する際の退避位置と、の間を変位可能に設けられ、前記ガイド部材は、前記上段側トレイが前記退避位置にあるときに出没可能に設けられており、前記制御部は、前記プレート状の被搬送媒体、又は前記プレート状の被搬送媒体にセットされた被記録媒体への記録を実行するモードが選択された際、前記上段側トレイが前記給送可能位置にある場合には当該上段側トレイを前記退避位置に変位させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月20日(2013.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
ワイパーブレードなどの形状を主に形成するエラストマーは、その靱性故に、表面形状に比較的凹凸を生じやすい傾向があると考えられる。特許文献１にはワイパーブレードの表面に減摩塗料と記載される前述のバインダー樹脂と同様の樹脂を含む塗料を用いて塗膜を形成した後、特定の粒子径を有するポリアミド樹脂やポリエチレン樹脂を含む塗膜を形成することで、摺動性だけでなく払拭性も含めた挙動全般の適合をなし得ると開示されている。これは前記ワイパーブレードのエラストマー部位の表面の凹凸を、先ず塗膜形成によって平滑性を向上させているのではないかと考えられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
前記塗装体−２をトヨタ自動車製アルファード（型式：ＣＢＡ−ＡＮＨ１０Ｗ）のワイパーアームに装着し、ＪＩＳ−Ｄ５７１０、１９９８に準じ、雰囲気温度２７℃、湿度６５％でふき性能試験を行い、目視で確認されるライン数で評価した。ライン数が少ないことが良い結果であることを意味している。結果を表４に示した。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月17日(2014.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のシンチレータ（５７）を有するシンチレータ・アレイ（５６）であって、
少なくとも２個の隣り合ったシンチレータ（５７）の間に介在して配設される反射ユニット（８３）を含み、
該反射ユニット（８３）は、一対の二層反射体（８８）の間に配置された光吸収複合材層（８６）を含み、
前記二層反射体（８８）は形状適応性平滑化層（８７）と鏡面層（８９）とを含んでおり、該鏡面層はアルミニウムを含み、
前記平滑化層（８７）は、前記シンチレータ（５７）の表面凹凸を減少させる、シンチレータ・アレイ（５６）。
【請求項２】
複数のシンチレータ（５７）を有するシンチレータ・アレイ（５６）であって、
少なくとも２個の隣り合ったシンチレータ（５７）の間に介在して配設される反射ユニット（８３）を含み、
該反射ユニット（８３）は、一対の二層反射体（８８）の間に配置された光吸収複合材層（８６）を含み、
前記二層反射体（８８）は形状適応性平滑化層（８７）と鏡面層（８９）とを含んでおり、前記二層反射体（８８）は介在する還元剤も接着材層も含まない、シンチレータ・アレイ。
【請求項３】
前記鏡面層はアルミニウム金属を含んでいる、請求項１または２に記載のシンチレータ・アレイ。
【請求項４】
前記アルミニウム金属は５００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲において最低９０％の反射率を与える、請求項３に記載のシンチレータ・アレイ。
【請求項５】
前記平滑化層（８７）は、低粘度ポリマー材料を含んでいる請求項１乃至４のいずれかに記載のシンチレータ・アレイ。
【請求項６】
前記鏡面層は銀、金、銅、ロジウム、マグネシウム、アルミニウム、又はこれらの組み合わせを含んでいる、請求項１乃至５のいずれかに記載のシンチレータ・アレイ。
【請求項７】
複数の三次元シンチレータ（５７）に二層反射体（８８）を形成する方法であって、
前記三次元シンチレータ（５７）に形状適応性平滑化層（８７）を施工するステップと、
該形状適応性平滑化層（８７）に鏡面層（８９）を直接施工するステップと、
前記三次元シンチレータ（５７）の上面を除去するステップと、
光吸収複合材（８６）を施工するステップと
を備えた方法。
【請求項８】
前記鏡面層は気相金属化を用いて施工される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれかに記載のシンチレータ・アレイ（５６）と、
複数の検出器（２０）と
を備えた検出器アレイ（１８）。
【請求項１０】
複数のスイッチ・アレイをさらに含んでいる請求項９に記載の検出器アレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月23日(2014.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のブレード（１２）の健全性を監視する方法であって、
処理サブシステムにより、前記複数のブレードに対応するデルタ到着時間（デルタＴＯＡ）を利用して標準偏差を決定するステップ（４０４）と、
前記処理サブシステムにより、前記標準偏差及び初期標準偏差を利用して第１のデルタ標準偏差を決定するステップ（４１２）と、
前記処理サブシステムにより、前記第１のデルタ標準偏差を利用して前記複数のブレードのうちの１つまたは複数のブレードに対応する正規化デルタＴＯＡを決定するステップ（４１４）と、
前記処理サブシステムにより、前記正規化デルタＴＯＡの標準偏差を決定するステップ（４１６）と、
前記処理サブシステムにより、前記正規化デルタＴＯＡの前記標準偏差及び前記正規化デルタＴＯＡの以前の標準偏差を利用して、第１のデルタ標準偏差を決定するステップ（４１８）と、
前記処理サブシステムにより、前記第２のデルタ標準偏差に基づいて前記複数のブレードのうちの１つまたは複数のブレードに対応する補正デルタＴＯＡを決定するステップ（４１８）と、
を含み、
前記正規化デルタＴＯＡを決定するステップ（４１４）は、以下の方程式を用いて前記正規化デルタＴＯＡを決定するステップを含む、方法。
【数１】
2012013082.tif 000001
【請求項２】
前記初期標準偏差は、前記複数のブレード（１２）が始動後に初めて動作している場合に決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記正規化デルタＴＯＡを決定するステップ（４１４）は、
前記複数のブレードに対応するデルタＴＯＡの平均値を決定するステップと、
前記複数のブレードに対応するデルタＴＯＡの前記平均値に基づいて定数を決定するステップと、
前記デルタＴＯＡ、前記デルタＴＯＡの平均値、前記第１のデルタ標準偏差、及び前記定数を利用して正規化デルタＴＯＡを決定するステップとを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記補正デルタＴＯＡを決定するステップ（４１８）は、
前記複数のブレードの各々に対応する復位によるずれを決定するステップ（４２２）と、
前記復位によるずれを前記正規化デルタＴＯＡから差し引いて前記補正デルタＴＯＡを生ずるステップ（４２８）と、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記復位によるずれは、前記第２のデルタ標準偏差が所定の閾値以上であるか、又は前記複数のブレード（１２）が始動後に初めて動作している場合に決定される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記復位によるずれを決定するステップ（４２２）は、
前記複数のブレードのうちの１つ又は複数のブレードの各々に対応する１つ又は複数の正規化デルタＴＯＡ（６０２）を検索するステップと、
前記１つ又は複数の正規化デルタＴＯＡを利用して１つ又は複数の補正デルタＴＯＡ（６０４）を決定するステップと、
前記１つ又は複数の正規化デルタＴＯＡの第１の平均値を決定するステップ（６１２）と、
前記１つ又は複数の補正デルタＴＯＡの第２の平均値を決定するステップ（６１４）と、
前記第１の平均値から前記第２の平均値を減算して復位によるずれを生じるステップ（６１６）と、
を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記１つ又は複数の正規化デルタＴＯＡは、前記１つ又は複数のブレードが過渡状態で動作していない場合に決定される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
複数のブレード（１２）の健全性を監視する方法であって、
処理サブシステムにより、前記複数のブレードに対応するデルタ到着時間（デルタＴＯＡ）の標準偏差を計算するステップ（４０４）と、
前記処理サブシステムにより、前記複数のブレードのうちの１つまたは複数のブレードに対応する正規化デルタＴＯＡを決定するステップ（４１２）と、
前記処理サブシステムにより、前記正規化デルタＴＯＡの標準偏差を決定するステップ（４１６）と、
前記処理サブシステムにより、前記正規化デルタＴＯＡの前記標準偏差及び正規化デルタＴＯＡの以前の標準偏差を利用して第３のデルタ標準偏差を決定するステップ（４１８）と、
前記処理サブシステムにより、前記第３のデルタ標準偏差に基づいて補正デルタＴＯＡを決定するステップ（４２８）と、
を含み、
前記正規化デルタＴＯＡを決定するステップ（４１４）は、以下の方程式を用いて前記正規化デルタＴＯＡを決定するステップを含む、方法。
【数２】
2012013082.tif 000002
【請求項９】
複数のブレードに対応するデルタ到着時間（デルタＴＯＡ）を利用して標準偏差を決定し（４０４）、
前記標準偏差及び初期標準偏差を利用して第１のデルタ標準偏差を決定し（４１２）、
前記第１のデルタ標準偏差を利用して前記複数のブレードのうちの１つ又は複数のブレードに対応する正規化デルタＴＯＡを決定し（４１４）、
前記正規化デルタＴＯＡの標準偏差を決定し（４１６）、
前記正規化デルタＴＯＡの標準偏差及び正規化デルタＴＯＡの以前の標準偏差を利用して第２のデルタ標準偏差を決定し（４１８）、
前記第２のデルタ標準偏差に基づいて前記複数のブレードのうちの１つ又は複数のブレードに対応する補正デルタＴＯＡを決定する（４１８）、
処理サブシステム（２２）を含み、
前記正規化デルタＴＯＡを決定するステップ（４１４）は、以下の方程式を用いて前記正規化デルタＴＯＡを決定する、システム。
【数３】
2012013082.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月23日(2014.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ又は複数のブレードの健全性を監視する方法であって、
処理サブシステムにより、前記１つ又は複数のブレード（１２）のそれぞれの実際の到着時間（ＴＯＡ）に基づいて、前記１つ又は複数のブレード（１２）の各々に対応するデルタＴＯＡを決定するステップ（１０６）と、
前記処理サブシステムにより、前記１つ又は複数の動作データに基づいて１つ又は複数の係数を決定するステップ（３０８）と、
前記１つ又は複数の係数及び前記１つ又は複数の動作データを利用して、前記１つ又は複数の動作データが前記それぞれの実ＴＯＡに及ぼす影響を決定するステップ（３１４、３１６、３１８）と、
前記処理サブシステムにより、１つ又は複数の動作データの影響を前記デルタＴＯＡから取り除くことによって、前記１つ又は複数のブレード（１２）の各々に対応する正規化されたデルタＴＯＡを決定するステップ（３２０）と、
前記処理サブシステムにより、前記１つ又は複数のブレードの復位の影響を前記正規化デルタＴＯＡから取り除くことによって、前記１つ又は複数のブレード（１２）の各々に対応する補正デルタＴＯＡを決定するステップ（３３０）と、
を含む、方法。
【請求項２】
前記１つ又は複数のブレードの復位の影響を前記正規化デルタＴＯＡからの除去が、  前記１つ又は複数の動作データの影響を前記デルタＴＯＡから差し引いて、前記正規化デルタＴＯＡを生じるステップ（３２０）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記１つ又は複数の動作データに基づいて１つ又は複数の係数を決定するステップ（３０８）は、以下の方程式を利用するステップを含み、
【数１】
2012013079.tif 000001
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記１つ又は複数の係数は、前記１つ又は複数のブレードが始動後に初めて動作している場合に決定される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記１つ又は複数のブレードの各々に対応する補正デルタＴＯＡをフィルタ処理することにより、前記１つ又は複数のブレードの各々に対応する静的撓み（３３４）を決定するステップ（３３２）を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記補正デルタＴＯＡを決定するステップ（３３０）は、
前記１つ又は複数のブレードの各々に対応する復位によるずれを決定するステップ（３２４）と、
前記正規化デルタＴＯＡから前記復位によるずれを差し引いて前記補正デルタＴＯＡを生じるステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記復位によるずれは、前記１つ又は複数のブレードがベース負荷で動作している場合に決定される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記復位によるずれは、前記１つ又は複数のブレードが始動後に初めて動作している場合に決定される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記復位によるずれを決定するステップ（３２４）は、
前記１つ又は複数のブレードの各々に対応する１つ又は複数の正規化デルタＴＯＡ（６０２）を検索するステップと、
前記１つ又は複数の正規化デルタＴＯＡを利用して１つ又は複数の補正デルタＴＯＡ（６０４）を決定するステップと、
前記１つ又は複数の正規化デルタＴＯＡの第１の平均値を決定するステップ（６１２）と、
前記１つ又は複数の補正デルタＴＯＡの第２の平均値を決定するステップ（６１４）と、
前記第１の平均値から前記第２の平均値を減算して前記復位によるずれを生ずるステップ（６１６）とを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
処理サブシステム（２２）を含むシステムであって、
前記処理サブシステム（２２）は、
１つ又は複数のブレードのそれぞれの実際の到着時間（ＴＯＡ）に基づいて、１つ又は複数のブレードの各々に対応するデルタＴＯＡを決定し（１０６）、
前記処理サブシステムにより、前記１つ又は複数の動作データに基づいて１つ又は複数の係数を決定し（３０８）、
前記１つ又は複数の係数及び前記１つ又は複数の動作データを利用して、前記１つ又は複数の動作データが前記それぞれの実ＴＯＡに及ぼす影響を決定（３１４、３１６、３１８）し、
１つ又は複数の動作データの影響を前記デルタＴＯＡから取り除くことによって、前記１つ又は複数のブレードの各々に対応する正規化されたデルタＴＯＡを決定し（３２０）、
前記１つ又は複数のブレードの復位の影響を前記正規化デルタＴＯＡから取り除くことによって、前記１つ又は複数のブレードの各々に対応する補正デルタＴＯＡを決定する（３３０）、
システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月30日(2014.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ（６）と、該半導体チップ（６）の表面に配置される平らな形状の少なくとも２つの磁場集中装置（７、８）であって、互いに距離をおいて配置される磁場集中装置（７、８）と、４つのホール・センサ（９−１２）とを含む磁気角度センサであって、各々の該ホール・センサは該磁場集中装置（７、８）の１つに割り当てられ、ホール要素またはホール要素の一群を含み、該ホール要素は該半導体チップ（６）において一体化され、該割り当てられた磁場集中装置（７、８）の端の領域で配置されて、それらは、該磁場集中装置（７、８）の端の領域において該半導体チップ（６）の表面にほぼ垂直に延長する磁場の磁力線によって広げられ、そこにおいて、２つのホール・センサ（９、１１）は、磁場の第１の構成要素を測定するためのセンサの第１の対を形成し、他の２つのホール・センサ（１０、１２）は、磁場の第２の構成要素を測定するためのセンサの第２の対を形成し、そして、同じ該磁場集中装置の端の領域に配置される該ホール・センサを連結する連結線は互いに関して平行である、または、単一の共通の線（１３）を形成する、磁気角度センサ。
【請求項２】
前記磁場集中装置（７、８）が円形であることにおいて特徴付けられる、請求項１記載の磁気角度センサ。
【請求項３】
前記磁場の第１の構成要素および前記連結線は−４５°の角度を含み、前記磁場の第２の構成要素および前記連結線は４５°の角度を含むことにおいて特徴付けられる、請求項１または２記載の磁気角度センサ。
【請求項４】
４つの前記ホール・センサ（９−１２）は、半導体チップ（６）の表面に配置された円形の前記磁場集中装置（７、８）の端の領域に配置され、円形の前記磁場集中装置（７、８）が互いに重なり合うように配置されると、４つの前記ホール・センサ（９−１２）は前記磁場集中装置（７、８）の中心に対して互いに９０°の角度を有するように配置されることにおいて特徴づけられる、請求項１から３のいずれか１項に記載の磁気角度センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月25日(2013.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】フレキシブル発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の第１の接着剤層と、
前記第１の接着剤層上の絶縁層と、
前記絶縁層上の発光素子と、
前記発光素子上の第２の接着剤層と、
前記第２の接着剤層上の金属基板と、
前記金属基板上の放熱材料層と、を有し、
前記基板は、可撓性及び可視光に対する透光性を有し、
前記発光素子は、第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極の間の発光性の有機化合物を含む層と、を有することを特徴とするフレキシブル発光装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上の第１の接着剤層と、
前記第１の接着剤層上の絶縁層と、
前記絶縁層上のトランジスタと、
前記トランジスタを覆う層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上の発光素子と、
前記発光素子上の第２の接着剤層と、
前記第２の接着剤層上の金属基板と、
前記金属基板上の放熱材料層と、を有し、
前記基板は、可撓性及び可視光に対する透光性を有し、
前記発光素子は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極との間の発光性の有機化合物を含む層と、を有することを特徴とするフレキシブル発光装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記トランジスタには、結晶質シリコンが用いられていることを特徴とするフレキシブル発光装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記トランジスタには、酸化物半導体が用いられていることを特徴とするフレキシブル発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記放熱材料層の熱放射率が、前記金属基板の熱放射率よりも高いことを特徴とするフレキシブル発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記放熱材料層の熱放射率が、０．９０以上であることを特徴とするフレキシブル発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記金属基板はステンレス、アルミニウム、銅、ニッケル、アルミニウム合金から選ばれる材料によりなることを特徴とするフレキシブル発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記金属基板と前記放熱材料層との間に樹脂層が設けられていることを特徴とするフレキシブル発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月25日(2013.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】フレキシブル発光装置、電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の接着剤層と、
前記接着剤層上の導電層と、
前記導電層上の絶縁層と、
前記絶縁層上のトランジスタと、
前記トランジスタを覆う層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上の発光素子と、
前記発光素子を覆う封止層と、を有し、
前記基板は、可撓性及び可視光に対する透光性を有し、
前記導電層は、可視光に対する透光性を有し、
前記発光素子は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極の間の発光性の有機化合物を含む層と、を有することを特徴とするフレキシブル発光装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上の接着剤層と、
前記接着剤層上の絶縁層と、
前記絶縁層上の導電層と、
前記導電層上の下地絶縁層と、
前記下地絶縁層上のトランジスタと、
前記トランジスタを覆う層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上の発光素子と、
前記発光素子を覆う封止層と、を有し、
前記基板は、可撓性及び可視光に対する透光性を有し、
前記導電層は、可視光に対する透光性を有し、
前記発光素子は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極の間の発光性の有機化合物を含む層と、を有することを特徴とするフレキシブル発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記トランジスタの活性層には、結晶質シリコンが用いられていることを特徴とするフレキシブル発光装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記トランジスタの活性層には、酸化物半導体が用いられていることを特徴とするフレキシブル発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記封止層は、金属基板を含むことを特徴とするフレキシブル発光装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記金属基板はステンレス、アルミニウム、銅、ニッケル、アルミニウム合金から選ばれる材料を有することを特徴とするフレキシブル発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記接着剤層は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂から選ばれる一種若しくは複数種の材料を有することを特徴とするフレキシブル発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記基板と前記接着剤層との間に、防水層を有することを特徴とするフレキシブル発光装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記防水層は、珪素及び窒素を含む層またはアルミニウム及び窒素を含む層、であることを特徴とするフレキシブル発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記基板における前記封止層と対向する面と反対の面にコート層を有することを特徴とするフレキシブル発光装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記コート層は、可視光に対する透光性を有する導電層であることを特徴とするフレキシブル発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記絶縁層は、珪素及び窒素を含む層であることを特徴とするフレキシブル発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一に記載のフレキシブル発光装置を表示部に用いることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月23日(2013.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接するソース電極と、
前記酸化物半導体層と接するドレイン電極と、
前記酸化物半導体層と重なるゲート電極と、
前記酸化物半導体層と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層とを有し、
前記ソース電極または前記ドレイン電極は、第１の導電層と、前記第１の導電層の端部よりチャネル長方向に伸長した領域を有する第２の導電層とを含む半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接するソース電極と、
前記酸化物半導体層と接するドレイン電極と、
前記酸化物半導体層と重なるゲート電極と、
前記酸化物半導体層と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、
前記ソース電極は、第１の導電層と、前記第１の導電層よりも高抵抗である第２の導電層とを含み、
前記ドレイン電極は、第３の導電層と、前記第３の導電層よりも高抵抗である第４の導電層とを含み、
前記第２の導電層は、前記酸化物半導体層と接する領域を有し、
前記第４の導電層は、前記酸化物半導体層と接する領域を有する半導体装置。
【請求項３】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接するソース電極と、
前記酸化物半導体層と接するドレイン電極と、
前記酸化物半導体層と重なるゲート電極と、
前記酸化物半導体層と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、
前記ソース電極は、第１の導電層と、前記第１の導電層よりも高抵抗である第２の導電層とを含み、
前記ドレイン電極は、第３の導電層と、前記第３の導電層よりも高抵抗である第４の導電層とを含み、
前記第１の導電層は、前記酸化物半導体層と接する領域を有さず、
前記第２の導電層は、前記酸化物半導体層と接する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記酸化物半導体層と接する領域を有さず、
前記第４の導電層は、前記酸化物半導体層と接する領域を有する半導体装置。
【請求項４】
前記第２の導電層は、金属の窒化物を含む請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の導電層の膜厚は、５ｎｍ乃至１５ｎｍである請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の導電層は、前記第２の導電層の上方に接して位置する請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２の導電層は、前記第１の導電層の上面及び側面を覆って前記第１の導電層の上方に位置する請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ソース電極は、側面において前記酸化物半導体層と接し、
前記ドレイン電極は、側面において前記酸化物半導体層と接する請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月20日(2013.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数のピクセルを含む表示パネルを有し、
前記複数のピクセルの各々は、一又は複数のユニットを有し、
酸化物半導体層がゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するように設けられたトランジスタと、
前記トランジスタのソース又はドレインと電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極と対向するように設けられた対向電極と、
前記画素電極と前記対向電極との間に設けられた液晶層と、を有し、
前記液晶層を駆動する電圧範囲において、前記トランジスタのオフ電流が室温にて１０ｚＡ／μｍ未満であり、８５℃にて１００ｚＡ／μｍ未満であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記表示パネルを照明する照明手段を有し、
前記照明手段の光源は、発光ダイオード、又は有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２おいて、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁層を介して、前記酸化物半導体層の上方又は下方に配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極は、金属窒化物を有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記トランジスタは、オン状態において電界効果移動度の最大値が、５ｃｍ２／Ｖｓｅｃ以上であることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記トランジスタは、オン状態において電界効果移動度の最大値が、１０ｃｍ２／Ｖｓｅｃ以上１５０ｃｍ２／Ｖｓｅｃ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層は、真性又は実質的に真性な半導体を有し、
前記酸化物半導体層は、前記トランジスタのチャネル形成領域を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月23日(2013.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタのチャネル形成領域を含む第１の半導体と、
前記第１のトランジスタのゲート絶縁層となる領域を含む第１の絶縁層と、
前記第１のトランジスタのゲート電極となる領域を含む第１の導電層と、
第２のトランジスタのソース電極となる領域を含む第２の導電層と、
前記第２のトランジスタのドレイン電極となる領域を含む第３の導電層と、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を含む第２の半導体と、
前記第２のトランジスタのゲート絶縁層となる領域を含む第２の絶縁層と、
前記第２のトランジスタのゲート電極となる領域を含む第４の導電層と、を有し、
前記第１の半導体は、第１の半導体材料を有し、
前記第２の半導体は、第２の半導体材料を有し、
前記第２の導電層又は前記第３の導電層の一方は、前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの少なくとも一部は、前記第２のトランジスタの少なくとも一部と重畳していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
容量素子の第１の電極となる領域を有する第５の導電層を有し、
前記第２の絶縁層は、前記容量素子の絶縁層となる領域を有し、
前記第２の導電層又は前記第３の導電層の一方は、容量素子の第１の電極となる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第５の導電層は、前記第４の導電層と同層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の半導体材料は、前記第２の半導体材料と異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２の半導体材料のエネルギーギャップは３ｅＶより大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記だ２のトランジスタのオフ電流は、前記第１のトランジスタのオフ電流よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
１５０℃における前記第２のトランジスタのオフ電流は、１００ｚＡ以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月5日(2014.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上面に配列され、それぞれ前記基板の上面に順に形成された第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を有する複数の発光セルと、
前記複数の発光セルを直列、並列または直列及び並列の組み合わせで連結されるように形成された連結部と、
前記複数の発光セルの間の分離領域の上面及び前記基板の下面のうち、少なくとも一面に形成された凹凸部と
を含む半導体発光装置。
【請求項２】
前記分離領域は前記基板が露出した領域及び前記第１導電型半導体層が露出した領域のうち少なくとも一つを含み、
前記凹凸部は前記基板の露出領域及び前記第１導電型半導体層の露出領域の少なくとも１つに形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記凹凸部は、前記基板の下面に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
基板と、
前記基板上に配列され、それぞれ前記基板上に順に形成された第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を有する複数の発光セルと、
前記複数の発光セルを直列、並列または直列及び並列の組み合わせで連結されるように形成された連結部と、
前記複数の発光セルの間の分離領域の間に提供された反射部材と
を含む半導体発光装置。
【請求項５】
前記反射部材は、前記連結部と電気的に絶縁されるように形成された反射金属層及び高反射性粉末が含まれた絶縁性樹脂のうち少なくとも１つであることを特徴とする請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
基板と、
それぞれ前記基板の上面に順に形成された第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を有し、少なくとも活性層が除去されて形成された分離領域により区分される複数の発光セルと、
前記複数の発光セルを直列、並列または直列及び並列の組み合わせで連結されるように形成され、前記発光セルの第１及び第２導電型半導体層にそれぞれ電気的に連結された少なくとも１つの第１及び第２連結部と、
前記基板の上面の一角の隣接領域、または発光に加わらない半導体多層膜部分上に形成され、前記第１及び第２連結部にそれぞれ連結された少なくとも１つの第１及び第２ボンディングパッドと
を含む半導体発光装置。
【請求項７】
前記複数の発光セルは、ほぼ同じ活性層面積を有することを特徴とする請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
特定発光セルは異なる発光セルの第１導電型半導体層の露出領域の面積より大きい面積の第１導電型半導体層の露出領域を有し、前記第１ボンディングパッドは前記特定発光セルの第１導電型半導体層の露出領域に形成されたことを特徴とする請求項７に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８の何れか１項に記載された少なくとも１つの半導体発光装置を含む発光モジュール。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８の何れか１項に記載の少なくとも１つの半導体発光装置を含む照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらに他の例において、上記凹凸部は上記基板の下面に形成されることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記反射部材は上記連結部と電気的に絶縁されるように形成された反射金属層であることができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】