Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月19日(2014.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の未硬化樹脂を型に接触させ硬化させて、前記基板上に硬化した樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型と前記未硬化樹脂との押し付けに際し、前記型の側から前記基板上に向けてガスを供給し、かつ供給された前記ガスを前記型の側で回収するガス供給機構と、
前記基板を保持しつつ移動可能であり、かつ、保持された前記基板の表面に合わせた表面高さで前記基板を囲むように外側に配置される平板部を有する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の外周側面と、前記平板部の前記基板に向かう内周側面との間に存在する間隙領域に入り込んだ前記ガスを回収するガス回収機構と、
を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記ガス回収機構は、前記間隙領域に面する前記平板部の前記内周側面、または前記基板が保持される側の外周側面の少なくとも一方の面に、前記ガスを吸引する複数の吸引口を有することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記複数の吸引口は、それぞれ独立した回収管に接続され、
前記回収管は、前記平板部の内部に、前記基板が保持される中心位置から円周方向に向かうような放射状に配置されることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記ガス供給機構を構成する前記ガスを供給する複数の供給口は、前記型に形成されたパターン部の外周領域に隣設され、一方、前記ガス供給機構を構成する前記ガスを回収する複数の回収口は、前記型の外周側面に隣設されており、
前記ガス回収機構の動作を制御する制御部は、前記基板に対する前記パターン部の位置に応じて、前記回収管による回収動作を独立して制御することを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記パターン部が前記間隙領域に対向する位置に存在する場合には、前記ガスを回収する際に、前記間隙領域に対向する位置にある前記供給口の間に前記吸引口が存在する前記回収管では回収動作を行わせないことを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記回収動作を行わせない前記回収管の以外の前記回収管のうち、前記回収動作を行わせない前記回収管に最も近くに隣設した前記回収管でのみ回収動作を行わせることを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記ガスは、ペンタフルオロプロパンであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板上に樹脂のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、基板上の未硬化樹脂を型に接触させ硬化させて、基板上に硬化した樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、型と未硬化樹脂との押し付けに際し、型の側から基板上に向けてガスを供給し、かつ供給されたガスを型の側で回収するガス供給機構と、基板を保持しつつ移動可能であり、かつ、保持された基板の表面に合わせた表面高さで基板を囲むように外側に配置される平板部を有する基板保持部と、基板保持部に保持された基板の外周側面と、平板部の基板に向かう内周側面との間に存在する間隙領域に入り込んだガスを回収するガス回収機構と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月13日(2014.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
半導体パッケージと基板とを接続する半導体装置の実装構造であって、
該基板表面上には、該半導体パッケージと該基板を電気的に接続するための複数の第１の電極パッドと、該基板の電源層又はグラウンドに接続された複数の第３の電極パッドとが形成されており、
該半導体パッケージ表面上には、該半導体パッケージと該基板を電気的に接続するための複数の第２の電極パッドと、該半導体パッケージの電源層又はグラウンドに接続された複数の第４の電極パッドとが形成されており、
該半導体パッケージと該基板は、該第１及び第２の電極パッドを電気的に接続する第１の導電性接合体と、該第３及び第４の電極パッドを電気的に接続する第２の導電性接合体と、により接続され、
複数の前記第２の導電性接合体が、該第１の導電性接合体のそれぞれの周囲に配置されている、ことを特徴とする実装構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第１の視点において、本発明に係る実装構造は、半導体パッケージと基板とを接続する半導体装置の実装構造であって、該基板表面上には、該半導体パッケージと該基板を電気的に接続するための複数の第１の電極パッドと、該基板の電源層又はグラウンドに接続された複数の第３の電極パッドとが形成されており、該半導体パッケージ表面上には、該半導体パッケージと該基板を電気的に接続するための複数の第２の電極パッドと、該半導体パッケージの電源層又はグラウンドに接続された複数の第４の電極パッドとが形成されている。該半導体パッケージと該基板は、該第１及び第２の電極パッドを電気的に接続する第１の導電性接合体（導電性材料）と、該第３及び第４の電極パッドを電気的に接続する第２の導電性接合体（導電性材料）と、により接続され、複数の前記第２の導電性接合体が、該第１の導電性接合体のそれぞれの周囲に配置されている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月22日(2014.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査用の基板上に装着された電子部品の位置を測定する測定装置であって、前記基板として光源から照射された光を内部で乱反射する基板を使用し、この乱反射した光による前記電子部品の透過像をカメラで撮像するようにしたことを特徴とする測定装置。
【請求項２】
検査用の基板上に装着された電子部品の位置を測定する測定装置であって、前記基板として光源から照射された光を内部で乱反射する基板を使用し、この乱反射した光による前記電子部品の透過像と前記基板表面に設けられた位置決めマークの透過像とをカメラで撮像し、撮像した透過像を認識処理装置が認識して前記基板上の前記電子部品の位置を測定するようにしたことを特徴とする測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また第２の発明は、検査用の基板上に装着された電子部品の位置を測定する測定装置であって、前記基板として光源から照射された光を内部で乱反射する基板を使用し、この乱反射した光による前記電子部品の透過像と前記基板表面に設けられた位置決めマークの透過像とをカメラで撮像し、撮像した透過像を認識処理装置が認識して前記基板上の前記電子部品の位置を測定するようにしたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月4日(2014.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一態様の画像処理装置は、
前記取得手段によって取得した複数の画像毎に、画像内における被写体の距離の関係を所定数の画素毎に表すデプスマップを生成する第１のマップ生成手段と、
前記第１のマップ生成手段によって生成した複数のデプスマップに所定の処理を加えて、新たなデプスマップを生成する第２のマップ生成手段と、
前記第２のマップ生成手段によって生成した前記新たなデプスマップで指定される画素毎の合成の割合に従って、前記複数の画像のデータを画素毎に合成して全焦点画像のデータを生成する画像合成手段と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
焦点の異なる複数の画像のデータを取得する取得手段と、
前記取得手段によって取得した複数の画像毎に、画像内における被写体の距離の関係を所定数の画素毎に表すデプスマップを生成する第１のマップ生成手段と、
前記第１のマップ生成手段によって生成した複数のデプスマップに所定の処理を加えて、新たなデプスマップを生成する第２のマップ生成手段と、
前記第２のマップ生成手段によって生成した前記新たなデプスマップで指定される画素毎の合成の割合に従って、前記複数の画像のデータを画素毎に合成して全焦点画像のデータを生成する画像合成手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記取得手段は、焦点を変えながら複数回の撮影を行って複数の画像のデータを取得し、
前記第２のマップ生成手段による所定の処理は、前記第１のマップ生成手段により生成された少なくとも２以上の多値の２つのデプスマップの画素値に対する選択的な演算を行う処理であり、
前記画像合成手段は、前記多値の値に従って合成の割合を選択して合成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記合成の割合は、０％及び１００％であることを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記取得手段は、第１の焦点と第２の焦点の複数の画像データを取得し、
前記第１のマップ生成手段は、前記複数の画像毎に画像内における被写体の距離が前記第１の焦点に対応するか前記第２の焦点に対応するかを２値で表す２つのデプスマップを生成し、
前記第２のマップ生成手段による所定の処理は、２つのデプスマップで値が異なる画素については、前記第１の焦点に対応する値と第２の焦点に対応する値のうち動く被写体に対応する焦点に対応する値を優先して決定する画素値に対する選択的な演算を行う処理であることを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記第２のマップ生成手段による所定の処理は、前記第１のマップ生成手段により生成された３以上の多値の２つのデプスマップの値のうちで最大の値を選択する処理であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記取得手段は、第１の焦点と第２の焦点の複数の画像データを取得し、
前記第１のマップ生成手段は、前記複数の画像毎に画像内における被写体の距離を多値で表す２つのデプスマップを生成し、
前記第２のマップ生成手段による所定の処理は、前記複数の画像毎に生成された多値のデプスマップを用いる場合に、処理を行う値のうちで最大の値を加算する処理であることを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記画像合成手段は、前記取得された画像のうち所定の２枚の画像の合成を行い、以降繰り返して処理される他の画像を同様に繰り返して合成して、全焦点画像のデータを生成することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
焦点の異なる複数の画像のデータを取得する取得ステップと、
前記取得ステップによって取得した複数の画像毎に、画像内における被写体の距離の関係を所定数の画素毎に表すデプスマップを生成する第１のマップ生成ステップと、
前記第１のマップ生成ステップによって生成した複数のデプスマップに所定の処理を加えて、新たなデプスマップを生成する第２のマップ生成ステップと、
前記第２のマップ生成ステップによって生成した前記新たなデプスマップで指定される画素毎の合成の割合に従って、前記画像のデータを画素毎に合成して全焦点画像のデータを生成する画像合成ステップと、
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】
コンピュータに、
焦点の異なる複数の画像のデータを取得する取得機能と、
前記取得機能によって取得した複数の画像毎に、画像内における被写体の距離関係を所定数の画素毎に表すデプスマップを生成する第１のマップ生成機能と、
前記第１のマップ生成機能によって生成した複数のデプスマップに所定の処理を加えて、新たなデプスマップを生成する第２のマップ生成機能と、
前記第２のマップ生成機能によって生成した前記新たなデプスマップで指定される画素毎の合成の割合に従って、前記画像のデータを画素毎に合成して全焦点画像のデータを生成する画像合成機能と、
を実現させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月27日(2014.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体上に開口部を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記半導体上に、第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜に、前記第１の絶縁膜に接する側において第１の大きさを有する第１の開口を形成し、
前記第１の絶縁膜に、前記第２の絶縁膜に接する側において前記第１の大きさより大きな第２の大きさを有する第２の開口を形成し、
前記第１の開口を、前記第１の絶縁膜に接する側において前記第２の大きさより大きな第３の大きさにすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の開口を、前記第２の大きさより大きな第３の大きさにすると同時に、前記第１の開口のへりの角を丸くすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月4日(2014.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
また、ターゲット用薄膜２５５は、イオンビームスパッタのような薄膜堆積法で形成される。ホルダ部２５１の支持される側の端部も気密に接合されており、その内部にはキャップ２５８が設けられ、キャップ２５８の内部と外部との間で形成される流通路に水等の冷媒を循環できるよう構成されている。ダイヤモンド板２５６の厚さは、３００μｍ〜８００μｍであることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月7日(2014.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部が形成されたはんだバンプ形成冶具と、板状のはんだ部材とを準備する工程と、
前記凹部に前記はんだ部材を配置する工程と、
電極を含む基板または電子部品を、前記はんだ部材が設置された前記凹部を前記電極が覆うように配置する工程と、
前記はんだ部材を加熱して溶融させ、前記電極に前記はんだ部材が固着することにより、はんだバンプを形成する工程とを備える、電子機器の製造方法。
【請求項２】
前記準備する工程において、前記凹部は底面部を有し、かつ、前記凹部の深さよりも小さい厚みを有する前記はんだ部材を準備する、請求項１に記載の電子機器の製造方法。
【請求項３】
前記準備する工程では、
前記深さの異なる複数個の前記凹部が形成された前記はんだバンプ形成冶具と、前記厚みの異なる複数個の前記はんだ部材とが準備され、
前記配置する工程では、
前記凹部の前記深さに応じて、前記厚みの異なる前記はんだ部材が配置される、請求項２に記載の電子機器の製造方法。
【請求項４】
前記準備する工程では、
平面形状の異なる複数個の前記凹部が形成された前記はんだバンプ形成冶具と、平面形状の異なる複数個の前記はんだ部材とが準備され、
前記配置する工程では、
前記凹部の前記平面形状に応じて、前記平面形状の異なる前記はんだ部材が配置される、請求項２または３に記載の電子機器の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の電子機器の製造方法は、凹部が形成されたはんだバンプ形成冶具と、板状のはんだ部材とを準備する工程と、凹部にはんだ部材を配置する工程と、電極を含む基板または電子部品を、はんだ部材が設置された凹部を電極が覆うように配置する工程と、はんだ部材を加熱して溶融させ、電極にはんだ部材が固着することにより、はんだバンプを形成する工程とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（実施の形態１）
図１を参照して、本実施の形態１に係る電子機器の製造方法について説明する。本実施の形態１に係る電子機器の製造方法は、はんだバンプによる接続部を有する電子機器の製造方法であり、凹部が形成されたはんだバンプ形成冶具と、板状のはんだ部材とを準備する工程（Ｓ０１）と、凹部にはんだ部材を配置する工程（Ｓ０２）と、電極を含む基板または電子部品を、はんだ部材が設置された凹部を電極が覆うように配置する工程（Ｓ０３）と、はんだ部材を加熱して溶融させ、電極にはんだ部材が固着することにより、はんだバンプを形成する工程（Ｓ０４）とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月16日(2014.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
気相成長装置の汚染量を測定する方法であって、
気相成長装置のチャンバー内をＨＣｌガスによるベーパーエッチングによりクリーニングするベーパーエッチング工程と、
前記ベーパーエッチング後の前記チャンバー内にて所定の枚数のウェーハを１枚ずつ順次非酸化性雰囲気で熱処理する熱処理工程と、
前記熱処理工程で熱処理された各々のウェーハ表面上の金属不純物の濃度を前記気相成長装置の汚染量として測定する測定工程とを含み、
前記ベーパーエッチング工程及び前記熱処理工程を所定の回数繰り返し行い、前記熱処理工程では各回同じウェーハを用いて各回で熱処理するウェーハの順番を変えないようにし、前記ベーパーエッチング工程及び前記熱処理工程を前記所定の回数繰り返し行った後に前記測定工程を行うことを特徴とする気相成長装置の汚染量測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するための、本発明の気相成長装置の汚染量測定方法は、
気相成長装置のチャンバー内をＨＣｌガスによるベーパーエッチングによりクリーニングするベーパーエッチング工程と、
前記ベーパーエッチング後の前記チャンバー内にて所定の枚数のウェーハを１枚ずつ順次非酸化性雰囲気で熱処理する熱処理工程と、
前記熱処理工程で熱処理された各々のウェーハ表面上の金属不純物の濃度を前記気相成長装置の汚染量として測定する測定工程とを含み、
前記ベーパーエッチング工程及び前記熱処理工程を所定の回数繰り返し行い、前記熱処理工程では各回同じウェーハを用いて各回で熱処理するウェーハの順番を変えないようにし、前記ベーパーエッチング工程及び前記熱処理工程を前記所定の回数繰り返し行った後に前記測定工程を行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月20日(2014.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線信号を送受信するための共振器の放射パターンが一面に形成される複数の放射パターン部を有する放射体と、
前記放射体を支持して給電するための給電及びバルーン構造と、を含み、
前記放射体の複数の放射パターン部は、放射パターンが外側及び内側に少なくとも二重に形成され、ここで、前記外側に形成される放射パターンは、該当広帯域のうち予め設定された低い周波数帯域の共振を発生させ、前記内側に形成される放射パターンは、該当広域帯のうち予め設定された高い周波数帯域の共振を発生させるように形成され、前記低い周波数帯域の共振と前記高い周波数帯域の共振の組み合わせによって全体的に一つの広帯域の周波数特性が発生するように構成され、前記内側に形成される放射パターンは、前記外側に形成される放射パターンに比べてその幅を広く形成することを特徴とする広帯域ダイポールアンテナ。
【請求項２】
前記複数の放射パターン部の放射パターンは、四角形状、四角リング形状、及び円形状のうち少なくともいずれか一つであり、所定の幅、長さ及び形態をそれぞれ有することを特徴とする請求項１に記載の広帯域ダイポールアンテナ。
【請求項３】
前記放射体の他面の中央部位に形成される広帯域補償パッドをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の広帯域ダイポールアンテナ。
【請求項４】
前記給電及びバルーン構造は、前記放射体を支持するための給電ケーブル及びバルーンケーブルから構成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の広帯域ダイポールアンテナ。
【請求項５】
前記給電及びバルーン構造は、
給電ケーブルの直径に対応する直径を有する複数のパイプ構造が相互に一体に形成され、下端部は反射板に固定され、前記複数のパイプ構造の上端部は各々前記放射体の複数の放射パターン部に電気的に連結するように構成される給電及びバルーン支持体を含み、
前記給電ケーブルが前記複数のパイプ構造の中において所定のパイプ構造に嵌め込まれる形で設置されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の広帯域ダイポールアンテナ。
【請求項６】
前記給電及びバルーン構造は、
給電ケーブルの直径に対応する直径を有する複数のパイプ構造が相互に一体に形成され、下端部は反射板に固定され、前記複数のパイプ構造の上端部は各々前記放射体の複数の放射パターン部に電気的に連結するように構成される給電及びバルーン支持体と、
前記複数のパイプ構造の中において所定のパイプ構造に嵌め込まれる形で設置され、一側の給電ケーブルと他側の前記放射体とに接続されて給電経路を形成する給電補助装置と、
を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の広帯域ダイポールアンテナ。
【請求項７】
前記給電補助装置は、
一側及び他側が前記給電ケーブル及び前記放射体に連結して給電経路を形成する給電補助ピンと、
前記給電補助ピンを支持し、前記給電補助ピンを前記パイプ構造の内部面から絶縁する補助リングと、
を含むことを特徴とする請求項６に記載の広帯域ダイポールアンテナ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月6日(2014.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】太陽光発電装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる太陽光発電装置の製造方法は、シリコン基板の表面に凹凸を形成するためのシリコン基板のエッチング工程を含む太陽光発電装置の製造方法であって、前記シリコン基板のエッチング工程は、前記シリコン基板の表面でのエッチング反応を阻害する添加剤と水とを含む前処理液を前記シリコン基板の表面に供給して前記添加剤を前記シリコン基板の表面に付着させる前処理を実施した後に、前記添加剤と水とアルカリ試薬とを含むエッチング液を前記シリコン基板の表面に供給してウェットエッチングにより前記シリコン基板の表面に前記凹凸を形成するエッチング処理を実施すること、を特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
このような添加剤として、例えば１−ブタノール、２−ブタノール、１，４−ブタンジオール、１，２−ブタンジオール、２−メチル−１−プロパノール、２−メチル−２−プロパノール、２−ブテン−１，４−ジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、１−ペンタノール、２−ペンタノール（ｓｅｃ−アミルアルコール）、３−ペンタノール、２−メチル−１−ブタノール、３−メチル−１−ブタノール（イソアミルアルコール）、２−メチル−２−ブタノール（ｔｅｒｔ−アミルアルコール）、３−メチル−２−ブタノール、２，２−ジメチル−１−プロパノール（ネオペンチルアルコール）、１，５−ペンタンジオール、３−メチル−１，３−ブタンジオール、２−メチル−１，４−ブタンジオール、１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、３−ヘキサノール、１，２−ヘキサンジオール、１，３−ヘキサンジオール、１，４−ヘキサンジオール、１，５−ヘキサンジオール、１，６−ヘキサンジオール、２，３−ヘキサンジオール、２，４−ヘキサンジオール、２，５−ヘキサンジオール、３，４−ヘキサンジオール、１，２，３−ヘキサントリオール、１，２，４−ヘキサントリオール、１，２，５−ヘキサントリオール、１，２，６−ヘキサントリオール、１，３，６−ヘキサントリオール、２−メチル−１−ペンタノール、３−メチル−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、３−メチル−２−ペンタノール、２−メチル−３−ペンタノール、２−メチル−２，４−ペンタンジオール、２−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，２，６−ヘキサントリオール、１−ヘプタノール、２−ヘプタノール、３−ヘプタノール、４−ヘプタノール、５−ヘプタノール、６−ヘプタノール、７−ヘプタノール、８−ヘプタノール、２，４−ジメチル−３−ペンタノール、１，２−ヘプタンジオール、１，３−ヘプタンジオール、１，４−ヘプタンジオール、１，５−ヘプタンジオール、１，６−ヘプタンジオール、１，７−ヘプタンジオール、２，３−ヘプタンジオール、２，４−ヘプタンジオール、２，５−ヘプタンジオール、２，６−ヘプタンジオール、２，７−ヘプタンジオール、３，４−ヘプタンジオール、３，５−ヘプタンジオール、３，６−ヘプタンジオール、３，７−ヘプタンジオール等およびこれらに挙げた物質以外の異性体（同一炭素数で直鎖または側鎖のあるものおよび／またはＯＨ基の位置が異なるもの）が挙げられる。なお、添加剤は、上述した物質に限らず、上記の化学式（１）においてＣとＣの結合は単結合に加えて二重結合や三重結合が存在してもよい。あるいは、上記の化学式（１）に対して炭素Ｃにケイ素Ｓｉが結合するように変更した有機ケイ素化合物でもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の表面に凹凸を形成するためのシリコン基板のエッチング工程を含む太陽光発電装置の製造方法であって、
前記シリコン基板のエッチング工程は、前記シリコン基板の表面でのエッチング反応を阻害する添加剤と水とを含む前処理液を前記シリコン基板の表面に供給して前記添加剤を前記シリコン基板の表面に付着させる前処理を実施した後に、前記添加剤と水とアルカリ試薬とを含むエッチング液を前記シリコン基板の表面に供給してウェットエッチングにより前記シリコン基板の表面に前記凹凸を形成するエッチング処理を実施すること、
を特徴とする太陽光発電装置の製造方法。
【請求項２】
前記前処理を行った後に前記シリコン基板の表面の洗浄処理を実施せずに前記エッチング処理を実施すること、
を特徴とする請求項１に記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項３】
前記前処理液の添加剤濃度が１０ｗｔ％以上であること、
を特徴とする請求項１または２に記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項４】
前記シリコン基板は、主面が（１００）面に沿った面とされた単結晶シリコン基板であり、
前記アルカリ試薬は、水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウムのうち少なくとも一方を含むこと、
を特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項５】
前記添加剤は、前記シリコン基板の表面でのエッチング反応を阻害する界面活性剤を含むこと、
を特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項６】
前記界面活性剤は、アルコール誘導体を含むこと、
を特徴とする請求項５に記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項７】
前記アルコール誘導体は、下記の化学式（１）で示されるアルコール誘導体を少なくとも１種類含有すること、
を特徴とする請求項６に記載の太陽光発電装置の製造方法。
Ｘ−（ＯＨ）ｎ
（Ｘは炭素数ｋが４以上７以下の飽和または不飽和炭化水素基、ｎは１以上の整数、ｎ＜ｋ）・・・（１）
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを記録材毎のインク量データに変換する色分解部と、
前記色分解部で得られたインク量データに対して、設定された濃度に調整する濃度調整部と、
濃度調整された前記インク量データを複数のドットサイズ別のドット量データに変換するドット量発生部と、
前記ドット量データにハーフトーン処理を施すハーフトーン処理部と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記濃度調整部は、
前記色分解部で得られた前記インク量データに対して、カラーインク量及びブラックインク量毎に、前記記録材の使用量を設定して濃度を調整する、
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記ドット量発生部は、
インク量データの変化に伴う、複数のドットサイズ別のドット量発生の変化における、小さいドットサイズから大きなドットサイズの発生に不均一性を持つドット変換テーブルを備える、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記インク色分解部は、
印刷する際の複数の前記記録材の量の合計に対して、最大インク量の制限が設けられた色変換テーブルを用いて、前記画像データを前記インク量データに変換する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
画像データを記録材毎のインク量データに変換する色分解ステップと、
前記色分解ステップで得られたインク量データに対して、設定された濃度に調整する濃度調整ステップと、
濃度調整された前記インク量データを、複数のドットサイズ別のドット量データに変換するドット量発生ステップと、
前記ドット量データにハーフトーン処理を施すハーフトーン処理ステップと、
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項６】
前記濃度調整ステップは、
前記色分解部で得られた前記インク量データに対して、カラーインク量及びブラックインク量毎に、前記記録材の使用量を設定して濃度を調整する、
ことを特徴とする請求項５に記載の画像処理方法。
【請求項７】
前記ドット量発生ステップは、
インク量データの変化に伴う複数のドットサイズ別のドット量発生の変化における、小さいドットサイズから大きなドットサイズの発生に不均一性を持ったドット変換テーブルを用いて、濃度調整された前記インク量データを、複数のドットサイズ別のドット量データに変換する
ことを特徴とする請求項５又は６に記載の画像処理方法。
【請求項８】
前記インク色分解ステップは、
印刷する際の複数の前記記録材の量の合計に対して、最大インク量の制限が設けられた色変換テーブルを用いて、前記画像データをインク量データに変換する
ことを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の画像処理方法。
【請求項９】
前記請求項５〜８のいずれか１項の画像処理方法の各ステップを画像処理装置に搭載されたコンピューターに実行させることを特徴とする画像処理プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記課題を解決するための本発明の画像処理装置は、画像データを記録材毎のインク量データに変換する色分解部と、前記色分解部で得られたインク量データに対して、設定された濃度に調整する濃度調整部と、濃度調整された前記インク量データを複数のドットサイズ別のドット量データに変換するドット量発生部と、前記ドット量データにハーフトーン処理を施すハーフトーン処理部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記濃度調整部は、前記色分解部で得られた前記インク量データに対して、カラーインク量及びブラックインク量毎に、前記記録材の使用量を設定して濃度を調整する、ことを特徴とする。
また、前記ドット量発生部は、インク量データの変化に伴う、複数のドットサイズ別のドット量発生の変化における、小さいドットサイズから大きなドットサイズの発生に不均一性を持つドット変換テーブルを備える、ことを特徴とする。
また、前記インク色分解部は、印刷する際の複数の前記記録材の量の合計に対して、最大インク量の制限が設けられた色変換テーブルを用いて、前記画像データを前記インク量データに変換することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記課題を解決するための本発明の画像処理方法は、画像データを記録材毎のインク量データに変換する色分解ステップと、前記色分解ステップで得られたインク量データに対して、設定された濃度に調整する濃度調整ステップと、濃度調整された前記インク量データを、複数のドットサイズ別のドット量データに変換するドット量発生ステップと、前記ドット量データにハーフトーン処理を施すハーフトーン処理ステップと、を含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、前記濃度調整ステップは、前記色分解部で得られた前記インク量データに対して、カラーインク量及びブラックインク量毎に、前記記録材の使用量を設定して濃度を調整する、ことを特徴とする。
また、前記ドット量発生ステップは、インク量データの変化に伴う複数のドットサイズ別のドット量発生の変化における、小さいドットサイズから大きなドットサイズの発生に不均一性を持ったドット変換テーブルを用いて、濃度調整された前記インク量データを、複数のドットサイズ別のドット量データに変換することを特徴とする。
また、前記インク色分解ステップは、印刷する際の複数の前記記録材の量の合計に対して、最大インク量の制限が設けられた色変換テーブルを用いて、前記画像データをインク量データに変換することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記課題を解決するための本発明の画像処理プログラムは、上記の画像処理方法の各ステップを画像処理装置に搭載されたコンピューターに実行させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月7日(2014.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を噴射するノズルを有する液体噴射ヘッドと、
前記液体噴射ヘッドが挿通される開口を有し、当該開口の開口縁部に当該液体噴射ヘッドが固定されるヘッド固定部材とを備え、
前記開口縁部には、箱形梁部が設けられている
ことを特徴とする液体噴射ヘッドユニット。
【請求項２】
請求項１に記載する液体噴射ヘッドユニットにおいて、
前記ヘッド固定部材には、前記箱形梁部の内部に連通し、前記液体噴射ヘッドのノズル側に開口した貫通孔が設けられ、
前記液体噴射ヘッドは、前記貫通孔を挿通する締結部材で前記ヘッド固定部材に締結されている
ことを特徴とする液体噴射ヘッドユニット。
【請求項３】
請求項１に記載する液体噴射ヘッドユニットにおいて、
前記ヘッド固定部材には、前記箱形梁部の内部に連通し、前記液体噴射ヘッドのノズル側に開口した貫通孔が設けられ、
前記液体噴射ヘッドには、当該液体噴射ヘッドと前記ヘッド固定部材との間に介在する仲介部材が取り付けられ、
前記仲介部材は、前記貫通孔を挿通する締結部材で前記ヘッド固定部材に締結されている
ことを特徴とする液体噴射ヘッドユニット。
【請求項４】
請求項１〜請求項３の何れか一項に記載する液体噴射ヘッドユニットにおいて、
前記ヘッド固定部材は、前記開口が設けられた板状のベース部を備え、
前記箱形梁部は、前記開口に面した側面を有して前記ベース部に立設された第１壁部と、当該第１壁部よりも外側に位置し、当該第１壁部に対向するように前記ベース部に立設された第２壁部と、前記第１壁部及び前記第２壁部を接続するように前記ベース部に立設された第３壁部とから構成されている
ことを特徴とする液体噴射ヘッドユニット。
【請求項５】
請求項１〜請求項４の何れか一項に記載する液体噴射ヘッドユニットにおいて、
前記液体噴射ヘッドは、複数のノズルが列設されたノズル列を有し、当該ノズル列の列設方向における両端部が前記ヘッド固定部材の開口縁部に固定され、
前記箱形梁部は、前記ヘッド固定部材の前記両端部が固定される領域に設けられている
ことを特徴とする液体噴射ヘッドユニット。
【請求項６】
請求項１〜請求項５の何れか一項に記載する液体噴射ヘッドユニットにおいて、
前記ヘッド固定部材の前記開口側に面した少なくとも一つの側面には、当該側面から突出した第１突出部が設けられている
ことを特徴とする液体噴射ヘッドユニット。
【請求項７】
請求項６に記載する液体噴射ヘッドユニットにおいて、
前記第１突出部は、前記ヘッド固定部材の前記開口側に面した少なくとも二つ以上の側面に連続して設けられている
ことを特徴とする液体噴射ヘッドユニット。
【請求項８】
請求項１〜請求項７の何れか一項に記載する液体噴射ヘッドユニットにおいて、
前記ヘッド固定部材には、前記液体噴射ヘッドが挿通される開口が設けられた面から突出した第２突出部が立設されている
ことを特徴とする液体噴射ヘッドユニット。
【請求項９】
請求項８に記載する液体噴射ヘッドユニットにおいて、
前記第２突出部は、前記ヘッド固定部材の前記開口側に面した少なくとも二つ以上の側面に連続して設けられている
ことを特徴とする液体噴射ヘッドユニット。
【請求項１０】
請求項１〜請求項９の何れか一項に記載する液体噴射ヘッドユニットを備えることを特  徴とする液体噴射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月3日(2014.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂組成物を強化繊維に含浸せしめてなるプリプレグにおいて、前記樹脂組成物が、環式ポリアリーレンスルフィドを少なくとも５０重量％以上含み、かつ重量平均分子量が１０，０００未満であるポリアリーレンスルフィドプレポリマーと、ポリアリーレンスルフィドプレポリマー中の硫黄原子に対し０．００１〜２０モル％の０価遷移金属化合物とを含有してなるものであり、前記強化繊維の含有率が６０〜８０重量％であるプリプレグ。
【請求項２】
０価遷移金属化合物が、周期表第８族から第１１族かつ第４周期から第６周期の金属を含む化合物であることを特徴とする請求項１に記載のプリプレグ。
【請求項３】
０価遷移金属化合物が、パラジウムまたはニッケルを含む化合物である、請求項１または２に記載のプリプレグ。
【請求項４】
樹脂組成物を強化繊維に含浸せしめてなるプリプレグにおいて、前記樹脂組成物が、環式ポリアリーレンスルフィドを少なくとも５０重量％以上含み、かつ重量平均分子量が１０，０００未満であるポリアリーレンスルフィドプレポリマーと、ポリアリーレンスルフィドプレポリマー中の硫黄原子に対し０．００１〜２０モル％の低原子価鉄化合物とを含有してなるものであり、前記強化繊維の含有率が６０〜８０重量％であるプリプレグ。
【請求項５】
低原子価鉄化合物が、ＩＩ価の鉄化合物である請求項４に記載のプリプレグ。
【請求項６】
強化繊維が一方向に引き揃えられた炭素繊維である、請求項１〜５のいずれかに記載のプリプレグ。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のプリプレグ中の、ポリアリーレンスルフィドプレポリマーを含有してなる樹脂組成物を重合せしめて得られる繊維強化複合材料。
【請求項８】
ポリアリーレンスルフィドプレポリマーの、ポリアリーレンスルフィドへの転化率が７０％以上である、請求項７に記載の繊維強化複合材料。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれかに記載のプリプレグを積層した後、ポリアリーレンスルフィドプレポリマーを含有してなる樹脂組成物を重合せしめて得られる繊維強化複合材料積層体。
【請求項１０】
ポリアリーレンスルフィドプレポリマーの、ポリアリーレンスルフィドへの転化率が７０％以上である、請求項９に記載の繊維強化複合材料積層体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、前述した目的を達成する為に以下の構成を有する。すなわち、
（１）樹脂組成物を強化繊維に含浸せしめてなるプリプレグにおいて、前記樹脂組成物が、環式ポリアリーレンスルフィドを少なくとも５０重量％以上含み、かつ重量平均分子量が１０，０００未満であるポリアリーレンスルフィドプレポリマーと、ポリアリーレンスルフィドプレポリマー中の硫黄原子に対し０．００１〜２０モル％の０価遷移金属化合物とを含有してなるものであり、前記強化繊維の含有率が６０〜８０重量％であるプリプレグである。
（２）０価遷移金属化合物が、周期表第８族から第１１族かつ第４周期から第６周期の金属を含む化合物であることを特徴とする（１）に記載のプリプレグ。
（３）０価遷移金属化合物が、パラジウムまたはニッケルを含む化合物である、（１）または（２）に記載のプリプレグ。
（４）樹脂組成物を強化繊維に含浸せしめてなるプリプレグにおいて、前記樹脂組成物が、環式ポリアリーレンスルフィドを少なくとも５０重量％以上含み、かつ重量平均分子量が１０，０００未満であるポリアリーレンスルフィドプレポリマーと、ポリアリーレンスルフィドプレポリマー中の硫黄原子に対し０．００１〜２０モル％の低原子価鉄化合物とを含有してなるものであり、前記強化繊維の含有率が６０〜８０重量％であるプリプレグ。
（５）低原子価鉄化合物が、ＩＩ価の鉄化合物である（４）に記載のプリプレグ。
（６）強化繊維が一方向に引き揃えられた炭素繊維である、（１）〜（５）のいずれかに記載のプリプレグ。
（７）（１）〜（６）のいずれかに記載のプリプレグ中の、ポリアリーレンスルフィドプレポリマーを含有してなる樹脂組成物を重合せしめて得られる繊維強化複合材料。
（８）ポリアリーレンスルフィドプレポリマーの、ポリアリーレンスルフィドへの転化率が７０％以上である、（７）に記載の繊維強化複合材料。
（９）（１）〜（６）のいずれかに記載のプリプレグを積層した後、ポリアリーレンスルフィドプレポリマーを含有してなる樹脂組成物を重合せしめて得られる繊維強化複合材料積層体。
（１０）ポリアリーレンスルフィドプレポリマーの、ポリアリーレンスルフィドへの転化率が７０％以上である、（９）に記載の繊維強化複合材料積層体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
使用する０価遷移金属化合物または低原子価鉄化合物の濃度は、目的とするポリアリーレンスルフィドの分子量ならびに０価遷移金属化合物または低原子価鉄化合物の種類により異なるが、ポリアリーレンスルフィドプレポリマー中の硫黄原子に対して０．００１〜２０モル％、好ましくは０．００５〜１５モル％、さらに好ましくは０．０１〜１０モル％である必要がある。０．００１モル％以上ではポリアリーレンスルフィドプレポリマーはポリアリーレンスルフィドへ十分に転化し、２０モル％以下では前述した特性を有するポリアリーレンスルフィドを得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月26日(2013.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）に示されることを特徴とする、有機化合物。
【化１】
2012158542.tif 000001
（式（１）において、Ｒ1乃至Ｒ18は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアルコキシ基、置換アミノ基、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の複素環基、置換あるいは無置換のアリールオキシ基、置換あるいは無置換のシリル基及びシアノ基から選ばれる置換基である。Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ置換あるいは無置換のアリール基を表す。）
【請求項２】
Ｒ1乃至Ｒ18が、それぞれ水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基又は置換あるいは無置換のアリール基であり、
Ａｒ1及びＡｒ2が、それぞれ置換あるいは無置換のアリール基であることを特徴とする、請求項１に記載の有機化合物。
【請求項３】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6及びＲ11乃至Ｒ14が、それぞれ水素原子又は置換あるいは無置換のアリール基であり、
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ7乃至Ｒ10及びＲ15乃至Ｒ18が、水素原子であり、
Ａｒ1及びＡｒ2が、それぞれ置換あるいは無置換のアリール基であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機化合物。
【請求項４】
陰極と陽極と、
前記陽極と前記陰極との間に配置された有機化合物層と、を有する有機発光素子において、
前記有機化合物層の少なくとも１層が、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機化合物を有することを特徴とする、有機発光素子。
【請求項５】
前記有機化合物が発光層に含まれることを特徴とする、請求項４に記載の有機発光素子。
【請求項６】
黄色発光することを特徴とする、請求項４又は５に記載の有機発光素子。
【請求項７】
複数の画素を有し、
前記複数の画素が、請求項４乃至６のいずれか一項に記載の有機発光素子と、前記有機発光素子の発光輝度を制御するＴＦＴ素子と、をそれぞれ有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
表示部と撮像部とを有し、
前記表示部が複数の画素を有し、
前記複数の画素が、請求項４乃至６のいずれか一項に記載の有機発光素子と、前記有機発光素子の発光輝度を制御するＴＦＴ素子と、をそれぞれ有し、
前記撮像部が撮像光学系を有することを特徴とする、撮像装置。
【請求項９】
請求項４乃至６のいずれか一項に記載の有機発光素子を有することを特徴とする、照明装置。
【請求項１０】
露光光源を有する電子写真方式の画像形成装置であって、
前記露光光源が、請求項４乃至６のいずれか一項に記載の有機発光素子を有することを特徴とする、画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月14日(2014.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１−１）もしくは下記式（１−２）のいずれか一方、および下記式（２）を同時に満足するアグリゲートの総数が個数分率で70％以上であって、かつ下記式（２）を満足するアグリゲートの個数分率が下記式（１−１）もしくは下記式（１−２）のいずれか一方を満足するアグリゲートの個数分率を上回ることを特徴とするハードカーボンブラック。
X＞1.7                            式（１−１）
Y  >110であってZ >1.6            式（１−２）
Y  >110であって1.6≧Z
>1.3        式（２）
ここで、X、Y、Zは、透過型電子顕微鏡によるアグリゲートの二次元投影画像を画像解析し、個々のアグリゲートの最大長および最小幅、投影面積、周囲長ならびに包絡面積から、それぞれ下記式（３）〜（５）で計算される値である
X＝（最大長）/（最小幅）                              式（３）
Y＝（周囲長）2/（投影面積）×（１/4π）×100          式（４）
Z＝（包絡面積）/（投影面積）                          式（５）
【請求項２】
ＣＴＡＢ吸着比表面積が１５０〜２５０ｍ２／ｇおよびＤＢＰ吸収量が１００〜１５０ｍｌ／１００ｇであることを特徴とする請求項１に記載のハードカーボンブラック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記した、アグリゲートの最大長および最小幅、投影面積、周囲長ならびに包絡面積の各特性値と、アグリゲートの個数分率は、透過型電子顕微鏡によるアグリゲートの二次元投影画像を画像解析し、以下の方法により得られる。
乾燥させたカーボンブラック試料１mgを試験管に入れ、クロロホルム2mlを加え、3分間超音波で分散させる。分散させた試料をカーボンブラック支持膜に固定し、透過型電子顕微鏡（直接倍率60000倍）で撮影する。得られた二次元投影画像を画像解析装置（NIRECO社製LUZEX−F）にかけ、アグリゲート毎に最大長、最小幅、投影面積、周囲長、包絡面積からX,Y,Zを計算し、式（1−1）もしくは式（１−２）のいずれか一方を満足するもの、式（２）を満足するものに分類する。この手順を1000個のアグリゲートについて行い、式（1−1）もしくは式（１−２）のいずれか一方を満足するもの、式（２）を満足するものの個数分率が算出される。
式（３）のXはアグリゲートの異方性を示す指標であり、値が大きいほど異方性が高い。式（４）のYはアグリゲートを平面視したときの形状を示す指標であり、値が100（理論最小値）で球形状であり、値が100よりも小さい場合は、球形状には及ばないが形状が滑らか、すなわち表面が平滑であり、一方、値が100よりも大きい場合は、ギザギザした構造をとる。式（５）のZは、アグリゲートの内部容積の程度を示し、値が小さいほど内部容積が小さい。Zの理論最小値は１である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月29日(2014.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に、筒状部材に形成された空間としての筒状空間及び前記筒状空間の一端に連続するガス導入空間が形成され、前記ガス導入空間にガスを供給するためのガス供給口が形成されると共に、第１通過孔部を有する閉塞端部が、前記筒状空間の反対側で前記ガス導入空間を閉塞するように設けられたプリテンショナ本体と、
前記ガス供給口を通じて前記ガス導入空間にガスを供給可能なガス発生装置と、
前記筒状空間内を移動可能に配設されたピストンと、
一端部が前記ピストンに連結されると共に、前記ガス導入空間から前記第１通過孔部を通って外部に導出された連結部材と、
前記閉塞端部の内面側に設けられ、前記連結部材が通過可能な第２通過孔部を有する弾性シール部材と、
前記閉塞端部との間で前記弾性シール部材を挟込む位置に設けられ、前記連結部材の断面の形状及び大きさに応じた形状及び大きさの第３通過孔部を有するガス緩衝部材と、
を備えるプリテンショナ装置。
【請求項２】
請求項１記載のプリテンショナ装置であって、
前記連結部材は、束ねられた複数本のワイヤーを有し、
前記第３通過孔部は、前記複数のワイヤーがそれぞれ通過可能な複数の孔が、互いに連なって或は別々な状態で形成されたものである、プリテンショナ装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載のプリテンショナ装置であって、
前記ガス緩衝部材は、
前記ガス導入空間内で前記連結部材が移動自在に挿通された管状部分と、前記管状部分の一端部より外周に張出すように形成され、前記弾性シール部材の前記ガス導入空間側に設けられる鍔状部分とを有する、プリテンショナ装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２記載のプリテンショナ装置であって、
前記ガス緩衝部材は、前記弾性シール部材の前記ガス導入空間側に設けられた板部材である、プリテンショナ装置。
【請求項５】
請求項４記載のプリテンショナ装置であって、
前記ガス導入空間内で前記連結部材が移動自在に挿通された管状部材をさらに備える、プリテンショナ装置。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか１つに記載のプリテンショナ装置であって、
前記閉塞端部と前記弾性シール部材との間に、前記第１通過孔部よりも小さくかつ前記連結部材が通過可能な第４通過孔部を有する介在板が設けられた、プリテンショナ装置。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれか１つに記載のプリテンショナ装置であって、
前記連結部材は、束ねられた複数本のワイヤーを有し、
前記弾性シール部材と接触して設けられる前記閉塞端部又は前記介在板の前記第１通過孔部又は前記第４通過孔部は、前記連結部材の断面の形状及び大きさに応じた形状及び大きさに形成されている、プリテンショナ装置。
【請求項８】
乗物の乗員席に組込まれるシートベルト装置であって、
乗物の乗員を拘束するためのウエビングと、
前記ウエビングに取付けられたタングプレートと、
前記タングプレートと連結及び解除可能なバックルと、
前記連結部材の他端部が前記ウエビングの固定側端部又は前記バックルに連結された、請求項１〜請求項７のいずれか１つに記載のプリテンショナ装置と、
を備えるシートベルト装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
特許文献１に開示のプリ・テンショナは、ボアを形成するシリンダと、ボアにガスを供給する構造と、ボアへのガスの供給に応答してボア内を移動できるピストンとを備えている。ピストンは、安全ベルトの一部に連結された細長要素に連結されており、細長要素はシリンダの端壁の出口通路を通って外部に導出されている。また、シリンダの端壁の出口通路でのガス漏れを抑制するため、ボアの一端内には弾性のある材料で形成されたシールが配設され、細長要素はシールを通って外部に導出される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ところで、特許文献１に開示されたプリ・テンショナでは、ボア内には、ガス発生器による高温高圧ガスが供給される。また、特許文献１において、シールとして用いられる弾性のある材料は、一般的に熱に弱く、また、強度も小さい傾向にある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため、第１の態様は、内部に、筒状部材に形成された空間としての筒状空間及び前記筒状空間の一端に連続するガス導入空間が形成され、前記ガス導入空間にガスを供給するためのガス供給口が形成されると共に、第１通過孔部を有する閉塞端部が、前記筒状空間の反対側で前記ガス導入空間を閉塞するように設けられたプリテンショナ本体と、前記ガス供給口を通じて前記ガス導入空間にガスを供給可能なガス発生装置と、前記筒状空間内を移動可能に配設されたピストンと、一端部が前記ピストンに連結されると共に、前記ガス導入空間から前記第１通過孔部を通って外部に導出された連結部材と、前記閉塞端部の内面側に設けられ、前記連結部材が通過可能な第２通過孔部を有する弾性シール部材と、前記閉塞端部との間で前記弾性シール部材を挟込む位置に設けられ、前記連結部材の断面の形状及び大きさに応じた形状及び大きさの第３通過孔部を有するガス緩衝部材とを備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第７の態様は、第１〜第６のいずれか１つの記載のプリテンショナ装置であって、前記連結部材は、束ねられた複数本のワイヤーを有し、前記弾性シール部材と接触して設けられる前記閉塞端部又は前記介在板の前記第１通過孔部又は前記第４通過孔部は、前記連結部材の断面の形状及び大きさに応じた形状及び大きさに形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
第７の態様によると、閉塞端部又は介在板と弾性シール部材との接触面積をも大きくして、弾性シール部材の過度な変形をより確実に抑制できる。