【手続補正書】
【提出日】平成26年1月20日(2014.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
III族窒化物半導体レーザ素子であって、
六方晶系III族窒化物半導体からなる支持基体、及び前記支持基体の上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、
当該III族窒化物半導体レーザ素子における導波路の方向を示す導波路軸の方向に延在し、前記半導体領域の上に設けられた電極と、を備え、
前記半導体領域では、第1の窒化ガリウム系半導体層、第2の窒化ガリウム系半導体層、及び活性層が配列されており、
前記第1の窒化ガリウム系半導体層は第1導電型を示し、
前記第2の窒化ガリウム系半導体層は第2導電型を示し、
前記レーザ構造体は、前記導波路軸に交差する第1及び第2の割断面を含み、
当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器は前記第1及び第2の割断面を含み、
前記第1及び第2の割断面の各々には、前記支持基体の端面及び前記半導体領域の端面が現れており、
前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、
前記第1及び第2の割断面は、それぞれ前記第1の面のエッジから前記第2の面のエッジまで延在し、
前記半導体領域はＩｎＧａＮ層を含み、
前記第1の割断面は、前記ＩｎＧａＮ層の端面に設けられた段差を含み、
前記段差は、当該III族窒化物半導体レーザ素子の一方の側面から他方の側面への方向に延在し、
前記活性層は、前記支持基体と前記ＩｎＧａＮ層との間に設けられる、III族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
III族窒化物半導体レーザ素子であって、
六方晶系III族窒化物半導体からなる支持基体、及び前記支持基体の上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、
当該III族窒化物半導体レーザ素子における導波路の方向を示す導波路軸の方向に延在し、前記半導体領域の上に設けられた電極と、を備え、
前記半導体領域では、第1の窒化ガリウム系半導体層、第2の窒化ガリウム系半導体層、及び活性層が配列されており、
前記第1の窒化ガリウム系半導体層は第1導電型を示し、
前記第2の窒化ガリウム系半導体層は第2導電型を示し、
前記レーザ構造体は、前記導波路軸に交差する第1及び第2の割断面を含み、
当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器は前記第1及び第2の割断面を含み、
前記第1及び第2の割断面の各々には、前記支持基体の端面及び前記半導体領域の端面が現れており、
前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、
前記第1及び第2の割断面は、それぞれ前記第1の面のエッジから前記第2の面のエッジまで延在し、
前記半導体領域はＩｎＧａＮ層を含み、
前記第1の割断面は、前記ＩｎＧａＮ層の端面に設けられた段差を含み、
前記段差は、当該III族窒化物半導体レーザ素子の一方の側面から他方の側面への方向に延在し、
前記ＩｎＧａＮ層は、前記支持基体と前記活性層との間に設けられる、III族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記ＩｎＧａＮ層はガイド層である、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
III族窒化物半導体レーザ素子であって、
六方晶系III族窒化物半導体からなる支持基体、及び前記支持基体の上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、
当該III族窒化物半導体レーザ素子における導波路の方向を示す導波路軸の方向に延在し、前記半導体領域の上に設けられた電極と、を備え、
前記半導体領域では、第1の窒化ガリウム系半導体層、第2の窒化ガリウム系半導体層、及び活性層が配列されており、
前記第1の窒化ガリウム系半導体層は第1導電型を示し、
前記第2の窒化ガリウム系半導体層は第2導電型を示し、
前記レーザ構造体は、前記導波路軸に交差する第1及び第2の割断面を含み、
当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器は前記第1及び第2の割断面を含み、
前記第1及び第2の割断面の各々には、前記支持基体の端面及び前記半導体領域の端面が現れており、
前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、
前記第1及び第2の割断面は、それぞれ前記第1の面のエッジから前記第2の面のエッジまで延在し、
前記半導体領域はＩｎＧａＮ層を含み、
前記第1の割断面は、前記ＩｎＧａＮ層の端面に設けられた段差を含み、
前記段差は、当該III族窒化物半導体レーザ素子の一方の側面から他方の側面への方向に延在し、
前記ＩｎＧａＮ層は、前記活性層のＩｎＧａＮ井戸層である、III族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
III族窒化物半導体レーザ素子であって、
六方晶系III族窒化物半導体からなる支持基体、及び前記支持基体の上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、
当該III族窒化物半導体レーザ素子における導波路の方向を示す導波路軸の方向に延在し、前記半導体領域の上に設けられた電極と、を備え、
前記半導体領域では、第1の窒化ガリウム系半導体層、第2の窒化ガリウム系半導体層、及び活性層が配列されており、
前記第1の窒化ガリウム系半導体層は第1導電型を示し、
前記第2の窒化ガリウム系半導体層は第2導電型を示し、
前記レーザ構造体は、前記導波路軸に交差する第1及び第2の割断面を含み、
当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器は前記第1及び第2の割断面を含み、
前記第1及び第2の割断面の各々には、前記支持基体の端面及び前記半導体領域の端面が現れており、
前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、
前記第1及び第2の割断面は、それぞれ前記第1の面のエッジから前記第2の面のエッジまで延在し、
前記半導体領域はＩｎＧａＮ層を含み、
前記第1の割断面は、前記ＩｎＧａＮ層の端面に設けられた段差を含み、
前記段差は、当該III族窒化物半導体レーザ素子の一方の側面から他方の側面への方向に延在し、
前記ＩｎＧａＮ層は、前記活性層のＩｎＧａＮ障壁層である、III族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記段差の幅は、180nm以下であり、
前記段差の幅は、前記導波路軸の方向に規定される、請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記ＩｎＧａＮ層のインジウム組成は０．５０以下である、請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記ＩｎＧａＮ層の厚さは1nm以上である、請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記第1の割断面の上に設けられた誘電体多層膜を更に備え、
前記段差の幅は80nm以下である、請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１０】
前記活性層は、波長480nm以上、550nm以下の光を発生するように設けられた発光領域を含む、請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１１】
III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、
六方晶系III族窒化物半導体からなる基板と半導体領域とを含むレーザ構造体、第1の電極、及び第2の電極を有する基板生産物を形成する工程と、
前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸の投影方向と垂直な方向に前記基板生産物をスクライブする工程と、
前記基板生産物への押圧により前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程と、
を備え、
前記半導体領域では、第1の窒化ガリウム系半導体層、活性層、及び第2の窒化ガリウム系半導体層が前記基板の主面の法線軸に沿って配列されており、
前記第1の窒化ガリウム系半導体層は第1導電型を示し、
前記第2の窒化ガリウム系半導体層は第2導電型を示し、
前記レーザバーは前記分離により形成された第1及び第2の端面を有し、
前記III族窒化物半導体レーザ素子における導波路の方向を示す導波路軸は前記第1の端面から前記第2の端面への方向に向き、
前記第1の電極は、前記レーザ構造体の上において前記導波路軸の方向に延在し、
前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、
前記半導体領域は前記第1の面と前記基板との間に位置し、
前記第1及び第2の端面は当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器のために設けられており、
前記半導体領域はＩｎＧａＮ層を含み、
前記第1の端面は、前記ＩｎＧａＮ層の端面に設けられた段差を含み、
前記段差は、前記導波路軸及び前記法線軸に交差する方向に延在し、
前記活性層は、前記基板と前記ＩｎＧａＮ層との間に設けられる、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項１２】
III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、
六方晶系III族窒化物半導体からなる基板と半導体領域とを含むレーザ構造体、第1の電極、及び第2の電極を有する基板生産物を形成する工程と、
前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸の投影方向と垂直な方向に前記基板生産物をスクライブする工程と、
前記基板生産物への押圧により前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程と、
を備え、
前記半導体領域では、第1の窒化ガリウム系半導体層、活性層、及び第2の窒化ガリウム系半導体層が前記基板の主面の法線軸に沿って配列されており、
前記第1の窒化ガリウム系半導体層は第1導電型を示し、
前記第2の窒化ガリウム系半導体層は第2導電型を示し、
前記レーザバーは前記分離により形成された第1及び第2の端面を有し、
前記III族窒化物半導体レーザ素子における導波路の方向を示す導波路軸は前記第1の端面から前記第2の端面への方向に向き、
前記第1の電極は、前記レーザ構造体の上において前記導波路軸の方向に延在し、
前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、
前記半導体領域は前記第1の面と前記基板との間に位置し、
前記第1及び第2の端面は当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器のために設けられており、
前記半導体領域はＩｎＧａＮ層を含み、
前記第1の端面は、前記ＩｎＧａＮ層の端面に設けられた段差を含み、
前記段差は、前記導波路軸及び前記法線軸に交差する方向に延在し、
前記ＩｎＧａＮ層は、前記基板と前記活性層との間に設けられる、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項１３】
前記ＩｎＧａＮ層はガイド層である、ことを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項１４】
III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、
六方晶系III族窒化物半導体からなる基板と半導体領域とを含むレーザ構造体、第1の電極、及び第2の電極を有する基板生産物を形成する工程と、
前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸の投影方向と垂直な方向に前記基板生産物をスクライブする工程と、
前記基板生産物への押圧により前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程と、
を備え、
前記半導体領域では、第1の窒化ガリウム系半導体層、活性層、及び第2の窒化ガリウム系半導体層が前記基板の主面の法線軸に沿って配列されており、
前記第1の窒化ガリウム系半導体層は第1導電型を示し、
前記第2の窒化ガリウム系半導体層は第2導電型を示し、
前記レーザバーは前記分離により形成された第1及び第2の端面を有し、
前記III族窒化物半導体レーザ素子における導波路の方向を示す導波路軸は前記第1の端面から前記第2の端面への方向に向き、
前記第1の電極は、前記レーザ構造体の上において前記導波路軸の方向に延在し、
前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、
前記半導体領域は前記第1の面と前記基板との間に位置し、
前記第1及び第2の端面は当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器のために設けられており、
前記半導体領域はＩｎＧａＮ層を含み、
前記第1の端面は、前記ＩｎＧａＮ層の端面に設けられた段差を含み、
前記段差は、前記導波路軸及び前記法線軸に交差する方向に延在し、
前記ＩｎＧａＮ層は、前記活性層のＩｎＧａＮ井戸層である、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項１５】
III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、
六方晶系III族窒化物半導体からなる基板と半導体領域とを含むレーザ構造体、第1の電極、及び第2の電極を有する基板生産物を形成する工程と、
前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸の投影方向と垂直な方向に前記基板生産物をスクライブする工程と、
前記基板生産物への押圧により前記基板生産物の分離を行って、別の基板生産物及びレーザバーを形成する工程と、
を備え、
前記半導体領域では、第1の窒化ガリウム系半導体層、活性層、及び第2の窒化ガリウム系半導体層が前記基板の主面の法線軸に沿って配列されており、
前記第1の窒化ガリウム系半導体層は第1導電型を示し、
前記第2の窒化ガリウム系半導体層は第2導電型を示し、
前記レーザバーは前記分離により形成された第1及び第2の端面を有し、
前記III族窒化物半導体レーザ素子における導波路の方向を示す導波路軸は前記第1の端面から前記第2の端面への方向に向き、
前記第1の電極は、前記レーザ構造体の上において前記導波路軸の方向に延在し、
前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、
前記半導体領域は前記第1の面と前記基板との間に位置し、
前記第1及び第2の端面は当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器のために設けられており、
前記半導体領域はＩｎＧａＮ層を含み、
前記第1の端面は、前記ＩｎＧａＮ層の端面に設けられた段差を含み、
前記段差は、前記導波路軸及び前記法線軸に交差する方向に延在し、
前記ＩｎＧａＮ層は、前記活性層のＩｎＧａＮ障壁層である、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項１６】
前記ＩｎＧａＮ層の厚さは1nm以上であり、
前記基板生産物をスクライブする前記工程では、前記基板生産物の第2の面をスクライブし、
別の基板生産物及びレーザバーを形成する前記工程では、前記基板生産物の第1の面へ押圧する、請求項１１〜請求項１５のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項１７】
前記ＩｎＧａＮ層の厚さは1nm以上であり、
前記基板生産物をスクライブする前記工程では、前記基板生産物の第1の面をスクライブし、
別の基板生産物及びレーザバーを形成する前記工程では、前記基板生産物の第2の面へ押圧する、請求項１１〜請求項１５のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。