Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月3日(2014.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルと、
前記表示パネルの表示面の背面側に配置される近接通信部と、
前記近接通信部の配置位置に対応する前記表示パネル上の位置に前記近接通信部を示すマークを表示させる表示制御部と、
を備える、近接通信装置。
【請求項２】
前記表示制御部は、前記近接通信部を通る前記表示面と直交する線上に位置するように前記マークを前記表示パネルに表示させる、請求項１に記載の近接通信装置。
【請求項３】
前記表示制御部は、前記近接通信部を利用する場合に前記マークを前記表示パネルに表示させる、請求項２に記載の近接通信装置。
【請求項４】
前記表示制御部は、前記マークに加え、前記表示パネルの表示面の背面側を通信相手に近づけることを誘導するための表示を前記表示パネルに表示させる、請求項３に記載の近接通信装置。
【請求項５】
前記近接通信装置は、複数種類の近接通信部を備え、
前記表示制御部は、１または２以上の近接通信部が利用される場合、前記１または２以上の近接通信部を示すマークを前記表示パネルに表示させる、請求項４に記載の近接通信装置。
【請求項６】
前記近接通信装置は、前記近接通信部による通信相手との通信の通信品質を測定する品質測定部をさらに備え、
前記表示制御部は、前記品質測定部により測定された通信品質に応じて前記マークの表示態様を変化させる、請求項４に記載の近接通信装置。
【請求項７】
前記表示制御部は、前記品質測定部により測定されたＲＳＳＩが高いほど前記マークの表示サイズを大きくする、請求項６に記載の近接通信装置。
【請求項８】
前記表示制御部は、前記品質測定部により測定されたパケットエラーレートが低いほど前記マークの表示サイズを大きくする、請求項６に記載の近接通信装置。
【請求項９】
前記近接通信装置は、前記近接通信部による通信相手との通信の通信品質を測定する品質測定部をさらに備え、
前記表示制御部は、前記品質測定部により測定された通信品質に応じた案内表示を前記表示パネルに表示させる、請求項４に記載の近接通信装置。
【請求項１０】
前記近接通信装置は、前記近接通信装置の姿勢を検出するセンサをさらに備え、
前記表示制御部は、前記センサによる検出結果に応じて前記マークの前記表示パネルにおける表示向きを変化させる、請求項４に記載の近接通信装置。
【請求項１１】
表示パネルおよび前記表示パネルの表示面の背面側に配置される近接通信部を有する近接通信装置が、
前記近接通信部の配置位置に対応する前記表示パネル上の位置に前記近接通信部を示すマークを表示させる、表示制御方法。
【請求項１２】
前記近接通信部による通信相手との通信の通信品質を測定することと、
測定された通信品質に応じて前記マークの表示態様を変化させることと、
をさらに含む、請求項１１記載の表示制御方法。
【請求項１３】
コンピュータを、
表示パネルと、
前記表示パネルの表示面の背面側に配置される近接通信部と、
前記近接通信部の配置位置に対応する前記表示パネル上の位置に前記近接通信部を示すマークを表示させる表示制御部と、
として機能させるための、プログラム。
【請求項１４】
コンピュータに、
前記近接通信部による通信相手との通信の通信品質を測定することと、
測定された通信品質に応じて前記マークの表示態様を変化させることと、
をさらに行わせるための、請求項１３に記載のプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月10日(2014.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示画面を有する画像処理装置であって、
それぞれの動画ストリームのうち指定された動画ストリームを指定動画ストリームとし、該指定動画ストリーム中の各フレームのうち指定されたフレームを指定フレームとした場合に、前記表示画面において前記指定動画ストリームに対して割り当てられた表示領域内に、前記指定動画ストリーム中のそれぞれの指定フレームを切り替えて表示する表示制御手段と、
前記表示領域に対する指示を検知すると、前記表示画面における表示を、前記指定動画ストリーム中のそれぞれの指定フレームを一覧表示する一覧表示画面に切り替える手段と、
前記一覧表示画面において指定された指定フレームを印刷対象として出力する手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記表示制御手段は、それぞれの動画ストリームのうちユーザによって指定された動画ストリームを指定動画ストリームとし、該指定動画ストリーム中の各フレームのうちユーザによって指定されたフレームを指定フレームとした場合に、前記表示画面においてそれぞれの指定動画ストリームに対して割り当てられた表示領域内に、該指定動画ストリーム中のそれぞれの指定フレームを切り替えて表示することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記表示制御手段は、
前記それぞれの指定動画ストリームについて、該指定動画ストリーム中の各フレームのうちユーザによって指定された指定フレームに固有の情報が登録された管理テーブルを取得し、
該取得した管理テーブルを用いて、前記それぞれの指定動画ストリーム、該指定動画ストリーム中の各フレームのうちユーザによって指定された指定フレーム、を特定し、
前記表示画面において前記それぞれの指定動画ストリームに対して割り当てられた表示領域内に、該指定動画ストリーム中のそれぞれの指定フレームを切り替えて表示する
ことを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記表示制御手段は、それぞれの動画ストリームのうち過去に印刷されたフレームを含む動画ストリームを指定動画ストリームとし、該指定動画ストリーム中の各フレームのうち過去に印刷されたフレームを指定フレームとした場合に、前記表示画面においてそれぞれの指定動画ストリームに対して割り当てられた表示領域内に、該指定動画ストリーム中のそれぞれの指定フレームを切り替えて表示することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記表示制御手段は、
前記それぞれの指定動画ストリームについて、該指定動画ストリーム中の各フレームのうち過去に印刷されたフレームである指定フレームに固有の情報が登録された管理テーブルを取得し、
該取得した管理テーブルを用いて、前記それぞれの指定動画ストリーム、該指定動画ストリーム中の各フレームのうち過去に印刷されたフレーム、を特定し、
前記表示画面において前記それぞれの指定動画ストリームに対して割り当てられた表示領域内に、該指定動画ストリーム中のそれぞれの指定フレームを切り替えて表示する
ことを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
更に、
前記管理テーブルを外部のメモリに出力する手段を備えることを特徴とする請求項３又は５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
表示画面を有する画像処理装置が行う画像処理方法であって、
前記画像処理装置の表示制御手段が、それぞれの動画ストリームのうち指定された動画ストリームを指定動画ストリームとし、該指定動画ストリーム中の各フレームのうち指定されたフレームを指定フレームとした場合に、前記表示画面において前記指定動画ストリームに対して割り当てられた表示領域内に、前記指定動画ストリーム中のそれぞれの指定フレームを切り替えて表示する表示制御工程と、
前記画像処理装置の切り替え手段が、前記表示領域に対する指示を検知すると、前記表示画面における表示を、前記指定動画ストリーム中のそれぞれの指定フレームを一覧表示する一覧表示画面に切り替える工程と、
前記画像処理装置の出力手段が、前記一覧表示画面において指定された指定フレームを印刷対象として出力する工程と
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
コンピュータを請求項１乃至６の何れか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月3日(2014.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信装置と無線通信する無線通信部と、
前記無線通信部から前記無線通信装置に対するページングチャネルを第１の周期に従って送信させるページング制御部と、
を備え、
前記ページングチャネルは第２の周期を示す情報を含み、
前記ページング制御部は、ページングチャネルを送信するための周期を前記第１の周期から前記第２の周期に変更する、基地局。
【請求項２】
前記ページング制御部は、前記第２の周期に従って送信したページングチャネルに対して前記無線通信装置から応答がない場合、前記ページングチャネルを送信するための周期を前記第２の周期から前記第１の周期に戻す、請求項１に記載の基地局。
【請求項３】
基地局から第１の周期に従ってページングチャネルを受信する無線通信部と、
前記ページングチャネルを受信するための受信周期を、前記第１の周期から、前記無線通信部により受信されるページングチャネルの示す第２の周期に変更する受信制御部と、
を備える、無線通信装置。
【請求項４】
無線通信装置であって、
第１の周期に従って送信したページングチャネルに対して前記無線通信装置から応答が無い場合に前記ページングチャネルを送信するための周期を第２の周期に変更する基地局と無線通信する無線通信部と、
前記無線通信装置の状態変化を検出する検出部と、
前記検出部による検出結果に応じ、前記ページングチャネルを受信するための受信周期を、前記第１の周期から前記第２の周期に切り替える受信制御部と、
を備える、無線通信装置。
【請求項５】
前記無線通信部は、前記第１の周期および前記第２の周期を示す通知を前記基地局から受信し、
前記無線通信装置は、前記無線通信部により受信された前記第１の周期および前記第２の周期を記憶する記憶部をさらに備える、請求項４に記載の無線通信装置。
【請求項６】
前記受信制御部は、前記基地局との非接続時に前記受信周期を前記第１の周期および前記第２の周期のうちで切り替える、請求項４または５に記載の無線通信装置。
【請求項７】
前記検出部は、前記無線通信装置の移動を前記状態変化として検出する、請求項４〜６のいずれか一項に記載の無線通信装置。
【請求項８】
前記検出部は、前記無線通信装置が特定位置に移動したことを前記状態変化として検出する、請求項７に記載の無線通信装置。
【請求項９】
前記検出部は、前記無線通信装置の電源残量の減少を前記状態変化として検出する、請求項４〜６のいずれか一項に記載の無線通信装置。
【請求項１０】
前記無線通信装置は、商品の自動販売機能を有し、
前記検出部は、前記自動販売機能による売り上げの変化または商品在庫の減少を前記状態変化として検出する、請求項４〜６のいずれか一項に記載の無線通信装置。
【請求項１１】
前記ページングチャネルの宛先は、前記無線通信装置に割り当てられた識別情報を用いて指定されており、
前記宛先の指定に用いられる識別情報は、前記第１の周期に従って送信されるページングチャネルと、前記第２の周期に従って送信されるページングチャネルとで異なる、請求項６に記載の無線通信装置。
【請求項１２】
無線通信装置の状態変化を検出し、
前記状態変化の検出結果に応じ、第１の周期に従って送信したページングチャネルに対して前記無線通信装置から応答が無い場合に前記ページングチャネルを送信するための周期を第２の周期に変更する基地局から前記ページングチャネルを受信するための受信周期を、前記第１の周期から前記第２の周期に切り替える、無線通信方法。
【請求項１３】
コンピュータを、
無線通信装置であって、
第１の周期に従って送信したページングチャネルに対して前記無線通信装置から応答が無い場合に前記ページングチャネルを送信するための周期を第２の周期に変更する基地局と無線通信する無線通信部と、
前記無線通信装置の状態変化を検出する検出部と、
前記検出部による検出結果に応じ、前記ページングチャネルを受信するための受信周期を、前記第１の周期から前記第２の周期に切り替える受信制御部と、
を備える、無線通信装置として機能させるための、プログラム。
【請求項１４】
無線通信装置と無線通信する無線通信部と、
第１の周期に従って送信したページングチャネルに対して前記無線通信装置から応答が無い場合に前記ページングチャネルを送信するための周期を第２の周期に変更するページング制御部と、
を備える、基地局。
【請求項１５】
無線通信装置と、
第１の周期に従って送信したページングチャネルに対して前記無線通信装置から応答が無い場合に前記ページングチャネルを送信するための周期を第２の周期に変更する基地局と、
を備え、
前記無線通信装置は、
前記無線通信装置の状態変化を検出する検出部、および、
前記検出部による検出結果に応じ、前記ページングチャネルを受信するための受信周期を、前記第１の周期から前記第２の周期に切り替える受信制御部、
を有する、無線通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月17日(2014.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段と、
入射光量に応じた電荷の蓄積を行う電荷蓄積手段と、
被写体の追尾を行う追尾手段と、
露出制御を行う露出制御手段と、を有し、
前記電荷蓄積手段は、第１の蓄積を行った後に第２の蓄積を行い、
前記追尾手段は、前記第２の蓄積を行って得られた画像信号を用いずに前記第１の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて前記追尾を行い、
前記露出制御手段は、前記第２の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて、前記露出制御を行うことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
撮影レンズを介して入射した光束の光路を前記電荷蓄積手段へ導く第１の状態と前記撮像手段へ導く第２の状態とに変更する光路変更手段を有し、
前記電荷蓄積手段は、前記光路が前記第１の状態のときに前記第１の蓄積及び前記第２の蓄積を行うことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記撮像装置は、連続撮影が可能であって、
前記光路変更手段は、前記撮像手段により撮像を行うときは前記光路を前記第２の状態にして前記撮像手段により撮像を行った後は前記光路を前記第１の状態にし、
前記電荷蓄積手段は、前記光路が前記第２の状態から前記第１の状態に変更されてから、前記第１の状態から前記第２の状態に変更されるまでの間に、前記第１の蓄積及び前記第２の蓄積を行うことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記電荷蓄積手段は、連続撮影における連続撮影速度が所定値よりも高速である場合、前記第１の蓄積及び前記第２の蓄積を行うことを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記露出制御手段は、前記第１の蓄積を行って得られた画像信号に基づく輝度値と前記第２の蓄積を行って得られた画像信号に基づく輝度値との平均値に基づいて、前記露出制御を行うことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記平均値は加重平均値であることを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記追尾手段の追尾結果に基づいて焦点調節を行う焦点調節手段と、を有し、
前記追尾手段は、前記焦点調節手段が前記焦点調節を行う前に前記追尾の演算処理を終了させることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記焦点調節手段は、前記光路が前記第２の状態のときに前記焦点調節を行うことを特徴とする請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記電荷蓄積手段は、前記焦点調節手段が前記焦点調節を行う前に前記追尾手段による前記追尾の演算処理を終了できるような蓄積時間で前記第１の蓄積を行うことを特徴とする請求項７または８に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記電荷蓄積手段は、前記第１の蓄積の蓄積時間と前記第２の蓄積の蓄積時間との和が光源の光量変化周期の整数倍と略等しくなるように、前記第１の蓄積及び前記第２の蓄積を行うことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記第１の蓄積及び前記第２の蓄積の少なくとも１つは間欠した複数回の蓄積を行うものであって、
前記電荷蓄積手段は、前記第１の蓄積及び前記第２の蓄積のいずれか１つとしての前記複数回の蓄積がすべて終了してから前記画像信号を出力することを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記追尾手段は、所定の条件を満たす対象の追尾を行うことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１３】
撮像手段と、入射光量におうじた電荷の蓄積を行う電荷蓄積手段と、を備えた撮像装置の制御方法であって、
前記電荷蓄積手段により第１の蓄積を行う第１の電荷蓄積ステップと、
前記第１の蓄積の後に第２の蓄積を行う第２の電荷蓄積ステップと、
前記第２の蓄積を行って得られた画像信号を用いずに前記第１の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて、被写体の追尾を行う追尾ステップと、
前記第２の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて、露出制御を行う露出制御ステップと、を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の目的を達成するために、本発明にかかる撮像装置は、撮像手段と、入射光量に応じた電荷の蓄積を行う電荷蓄積手段と、被写体の追尾を行う追尾手段と、露出制御を行う露出制御手段と、を有し、前記電荷蓄積手段は、第１の蓄積を行った後に第２の蓄積を行い、前記追尾手段は、前記第２の蓄積を行って得られた画像信号を用いずに前記第１の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて前記追尾を行い、前記露出制御手段は、前記第２の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて、前記露出制御を行うことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、上記の目的を達成するために、本発明にかかる撮像装置の制御方法は、撮像手段と、入射光量におうじた電荷の蓄積を行う電荷蓄積手段と、を備えた撮像装置の制御方法であって、前記電荷蓄積手段により第１の蓄積を行う第１の電荷蓄積ステップと、前記第１の蓄積の後に第２の蓄積を行う第２の電荷蓄積ステップと、前記第２の蓄積を行って得られた画像信号を用いずに前記第１の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて、被写体の追尾を行う追尾ステップと、前記第２の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて、露出制御を行う露出制御ステップと、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月17日(2014.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続撮影が可能な撮像装置であって、
撮像手段と、
入射光量に応じた電荷の蓄積を行う電荷蓄積手段と、
前記電荷蓄積手段で第１の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて、被写体領域の検出を行う被写体検出手段と、
前記電荷蓄積手段で第２の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて、前記被写体検出手段により検出された被写体領域の追尾を行う追尾手段と、
撮影レンズを介して入射した光束の光路を前記電荷蓄積手段へ導く第１の状態と前記撮像手段へ導く第２の状態とに変更する光路変更手段と、を有し、
前記光路変更手段は、前記撮像手段により撮像を行うときは前記光路を前記第２の状態にして前記撮像手段により撮像を行った後は前記光路を前記第１の状態にし、
前記電荷蓄積手段は、連続撮影時の各撮像を行う前の前記光路が前記第１の状態のときに前記第１の蓄積と前記第２の蓄積を行い、
前記追尾手段は、連続撮影における今回の前記光路が前記第１の状態のときに前記第２の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて、前回の前記光路が前記第１状態のときに前記第１の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて前記被写体検出手段により検出された被写体領域の追尾を行うことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記追尾手段は、連続撮影における今回の撮像のための追尾処理において、今回の前記光路が前記第１状態のときに前記第１の蓄積を行って得られた画像信号を用いないことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
露出制御を行う露出制御手段を有し、
前記露出制御手段は、連続撮影における今回の前記光路が前記第１の状態のときに前記第２の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて今回の撮像のための露出制御を行うことを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記電荷蓄積手段は、前記光路が前記第１の状態のときに、前記第２の蓄積を行った後に前記第１の蓄積を行うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記光路変更手段は、前記電荷蓄積手段で前記第１の蓄積を行ってから当該第１の蓄積に応じた画像信号の取得が終了する前に、前記光路を前記第１の状態から前記第２の状態へ変更し始めることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記被写体検出手段は、前記光路変更手段が前記光路を前記第１の状態から前記第２の状態へ変更し始めた後に、被写体領域を検出するための演算処理を行うことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記撮像手段による撮像を行う前に、前記追尾手段の追尾結果に基づいて焦点調節を行う焦点調節手段と、を有し、
前記追尾手段は、前記焦点調節手段が前記焦点調節を行う前に前記追尾の演算処理を終了させることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
撮像手段と、入射光量に応じた電荷の蓄積を行う電荷蓄積手段とを備えた、連続撮影が可能な撮像装置の制御方法であって、
前記電荷蓄積手段により第１の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて、被写体領域の検出を行う被写体検出ステップと、
前記電荷蓄積手段により第２の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて、前記被写体検出ステップで検出された被写体領域の追尾を行う追尾ステップと、
撮影レンズを介して入射した光束の光路を、前記撮像手段により撮像を行うときは前記電荷蓄積手段へ導く第１の状態にし、前記撮像手段により撮像を行った後は前記撮像手段へ導く第２の状態にする光路変更ステップと、
連続撮影時の各撮像を行う前の前記光路が前記第１の状態のときに前記第１の蓄積と前記第２の蓄積を行う電荷蓄積ステップと、を有し、
前記追尾ステップは、連続撮影における今回の前記光路が前記第１の状態のときに前記第２の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて、前回の前記光路が前記第１状態のときに前記第１の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて前記被写体検出ステップで検出された被写体領域の追尾を行うことを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明にかかる撮像装置は、連続撮影が可能な撮像装置であって、撮像手段と、入射光量に応じた電荷の蓄積を行う電荷蓄積手段と、前記電荷蓄積手段で第１の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて、被写体領域の検出を行う被写体検出手段と、前記電荷蓄積手段で第２の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて、前記被写体検出手段により検出された被写体領域の追尾を行う追尾手段と、撮影レンズを介して入射した光束の光路を前記電荷蓄積手段へ導く第１の状態と前記撮像手段へ導く第２の状態とに変更する光路変更手段と、を有し、前記光路変更手段は、前記撮像手段により撮像を行うときは前記光路を前記第２の状態にして前記撮像手段により撮像を行った後は前記光路を前記第１の状態にし、前記電荷蓄積手段は、連続撮影時の各撮像を行う前の前記光路が前記第１の状態のときに前記第１の蓄積と前記第２の蓄積を行い、前記追尾手段は、連続撮影における今回の前記光路が前記第１の状態のときに前記第２の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて、前回の前記光路が前記第１状態のときに前記第１の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて前記被写体検出手段により検出された被写体領域の追尾を行うことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、上記の目的を達成するために、本発明にかかる撮像装置の制御方法は、撮像手段と、入射光量に応じた電荷の蓄積を行う電荷蓄積手段とを備えた、連続撮影が可能な撮像装置の制御方法であって、前記電荷蓄積手段により第１の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて、被写体領域の検出を行う被写体検出ステップと、前記電荷蓄積手段により第２の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて、前記被写体検出ステップで検出された被写体領域の追尾を行う追尾ステップと、撮影レンズを介して入射した光束の光路を、前記撮像手段により撮像を行うときは前記電荷蓄積手段へ導く第１の状態にし、前記撮像手段により撮像を行った後は前記撮像手段へ導く第２の状態にする光路変更ステップと、連続撮影時の各撮像を行う前の前記光路が前記第１の状態のときに前記第１の蓄積と前記第２の蓄積を行う電荷蓄積ステップと、を有し、前記追尾ステップは、連続撮影における今回の前記光路が前記第１の状態のときに前記第２の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて、前回の前記光路が前記第１状態のときに前記第１の蓄積を行って得られた画像信号に基づいて前記被写体検出ステップで検出された被写体領域の追尾を行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月13日(2014.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置本体と、
基板を搬送する搬送手段を備え、前記基板処理装置本体に基板を搬入出する搬入出部と、
前記基板処理装置本体内において基板を移送する移送装置と、
前記搬入出部と前記移送装置とを離間させるようにして設けられ、前記基板処理装置本体内に搬入された基板を収納する収納部と、を有し、
前記搬送手段は、前記移送装置に向けて伸縮する伸縮部と、
前記伸縮部の伸縮動作に伴って、当該伸縮部の伸縮する長さよりも大きくなるように基板を移動させる移動部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記搬送手段は、前記基板が収容される基板収容器を載置する載置部をさらに備え、
前記載置部を前記基板処理装置本体外に位置する搬入出位置と、前記基板処理装置本体内に位置する受渡位置の間で搬送する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記載置部が移動する長さは、前記伸縮部の延伸する長さの２倍となる請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記搬送手段は、前記伸縮部に接続される第１の移動部と、
前記第１の移動部の上部に設けられた第２の移動部とをさらに備え、
前記第２の移動部の移動する長さは前記第１の移動部の移動する長さの２倍となる請求項１から３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板処理装置は、前記搬送装置を旋回自在とする旋回部をさらに備える請求項１から４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
伸縮部の伸縮する長さよりも大きくなるように基板を移動させ、基板処理装置本体に当該基板を搬入出する工程と、
前記基板処理装置本体内において基板を移送する工程と、
基板を搬入出する搬入出部と基板を移送する移送装置とを離間させるようにして設けられた収納部に基板を収納する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月10日(2014.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
５は曲がり部６内、つまりはダクト１内のうち流入口２と流出口３との間における空気流れ方向での一部の領域に設けられた流速制御構造である。流速制御構造は、空気流れ方向に交差する方向において空気を通過させる空間５ｂと交互に設けられた複数の流速制御部材５ａを含む。ここで、空気流れ方向に交差する方向には、流れ方向に９０°で交わる、つまりは直交する方向だけでなく、９０°以外の角度で交わる方向も含む。以下の説明において、空気流れ方向に交差する方向を、流れ交差方向という。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
次に、本実施例における流速制御構造５の決定方法について、図１１を用いて説明する。図１１中の曲線Ｅは、図７のように流速制御構造５を設けない場合における図９に示したｃ０−ｃ１線に沿った断面での流速分布（各位置での流速を結んだ曲線）を示している。なお、曲線Ｅとしてｂ０−ｂ１線やｄ０−ｄ１線に沿った断面での流速分布を用いてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図１１において、曲線ＨがＹ＝ｆ（−Ｘ）＋｜Ｙｍａｘ−Ｙｍｉｎ｜を計算して得られる曲線である。そして、この曲線Ｈは、曲線Ｆ（近似関数Ｙ＝ｆ（Ｘ））をＸＹ座標上で反転して得られる曲線（反転関数）である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月6日(2013.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の電極箔と第二の電極箔とがセパレータを介して積層された電気素子と、
前記第一の電極箔の一部に接続された第一の端部と前記電気素子の一端から引き出された第二の端部とを有する第一の引出端子と、
前記第一の電極箔の一部と前記第二の電極箔との間に設けられた第一の絶縁材と、
前記電気素子に含浸した電解質と、
前記電気素子と前記電解質とを収容する外装体と、を備え、
前記第一の絶縁材は前記電気素子の一端から突出する一端を有する、電子部品。
【請求項２】
前記第一の絶縁材の一端は、前記電気素子の一端から０．１ｍｍ以上突出しかつ前記外装体内に収容されている、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第二の電極箔の一部に接続された第一の端部と前記電気素子の一端から引き出された第二の端部とを有する第二の引出端子と、
前記第二の電極箔の一部と前記第一の電極箔との間に設けられた第二の絶縁材と、をさらに備え、
前記第二の絶縁材は前記電気素子の一端から突出する一端を有する、請求項１又は請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第二の電極箔の一部に接続された第一の端部と前記電気素子の一端から引き出された第二の端部とを有する第二の引出端子をさらに備え、
前記第一の絶縁材は、前記第一の電極箔の一部と前記第二の電極箔との間から前記第二の電極箔の一部と前記第一の電極箔との間に亘って連続的に延びている、請求項１又は請求項２に記載の電子部品。
【請求項５】
前記第一の電極箔と前記セパレータと前記第二の電極箔とは巻回されている、請求項１乃至請求項４いずれかに記載の電子部品。
【請求項６】
引出端子の第一の端部を電極箔に接続するステップと、絶縁材の一部がセパレータの端部から突出し前記電極箔における前記引出端子の第一の端部が接続された部位と対応する位置に前記絶縁材が配置されるようにして絶縁材とセパレータと電極箔とを巻回するステッ
プと、を含む電気素子作製工程を備える、電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記電気素子作製工程にて作製した電気素子に対して前記電気素子の端面と略平行に直進性の光を照射させるステップと、前記電気素子に直進性の光を照射することで前記絶縁材と前記引出端子との位置関係を認識するステップと、を含む良否判別工程をさらに備える、請求項６に記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記直進性の光を２方向以上から照射し、少なくともそのうちの２方向が略対向関係にある請求項７に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記直進性の光の光源として、発光ダイオードを用いた請求項７又は請求項８に記載の電子部品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月21日(2013.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体と、前記第１半導体上に設けられた第２半導体と、前記第１半導体上に設けられた第１電極と、前記第２半導体上に設けられた第２電極と、を有し、前記第１電極及び前記第２電極が設けられた側で光取り出しが可能な発光素子において、
前記第２半導体は、前記第１半導体が露出するように開口した開口部を有し、
前記第１電極は、外部と接続するための第１接続部と、前記第１接続部から延伸する第１延伸部と、を有し、
前記第１接続部は、前記第２半導体上に誘電体多層膜よりなる絶縁部を介して設けられ、
前記第１延伸部は、前記開口部から露出した前記第１半導体と接続されていることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記第２電極は、外部と接続するための第２接続部と、前記第２接続部から延伸する第２延伸部と、を有することを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１延伸部は、前記第２接続部に向かって延伸し、
前記第２延伸部は、前記第１延伸部の両側に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
平面視において、前記発光素子の形状は、前記第１接続部と前記第２接続部とを結ぶ方向を長手方向とする長方形であり、
前記第１接続部が前記長手方向の一方の端部近傍に設けられ、前記第２接続部が前記長手方向の他方の端部近傍に設けられていることを特徴とする請求項２又は３に記載の発光素子。
【請求項５】
平面視において、前記発光素子は、前記第１接続部と前記第２接続部とを結ぶ直線を基準として線対称となるように構成されていることを特徴とする請求項２から４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
前記第２延伸部は、前記開口部を超えて延伸していることを特徴とする請求項３から５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１延伸部が延伸する方向に垂直をなす方向における断面視において、
前記第１延伸部は、前記第１半導体側から順に第１幅狭領域と第１幅広領域とを有し、
前記第１電極は、前記第１半導体と前記第１延伸部との間に、前記第１幅狭領域より幅が広い第１透光部を有し、
前記第１幅狭領域には、第１反射部が埋設されていることを特徴とする請求項２から６のいずれかに記載の発光素子。
【請求項８】
前記第２延伸部が延伸する方向に垂直をなす方向における断面視において、
前記第２延伸部は、前記第２半導体側から順に第２幅狭領域と第２幅広領域とを有し、
前記第２電極は、前記第２半導体と前記第２延伸部との間に、前記第２幅狭領域より幅が広い第２透光部を有し、
前記第２幅狭領域には、第２反射部が埋設されていることを特徴とする請求項２から７のいずれかに記載の発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
一実施形態に係る発光素子は、第１半導体と、第１半導体上に設けられた第２半導体と、第１半導体上に設けられた第１電極と、第２半導体上に設けられた第２電極と、を有し、第１電極及び第２電極が設けられた側で光取り出しが可能となっている。第２半導体は第１半導体が露出するように開口した開口部を有し、第１電極は外部と接続するための第１接続部と第１接続部から延伸する第１延伸部とを有し、第１接続部は第２半導体上に誘電体多層膜よりなる絶縁部を介して設けられ、第１延伸部は開口部から露出した第１半導体と接続されている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月21日(2014.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマエッチングにより２０ｎｍ以下の寸法の溝をシリコン膜に形成するプラズマ処理方法において、
前記シリコン膜を有する試料に連続的な高周波電力を印加しながら所定の深さまでエッチングする第一の工程と、
前記第一の工程のガス流量より少ないガス流量のガスを用い、圧力を前記第一の工程の圧力より低くするとともに０．１Ｐａ以下とし、前記第一の工程の高周波電力より大きい高周波電力を前記試料に印加しながら前記所定の深さ以降のエッチングを行う第二の工程とを有し、
前記第二の工程の高周波電力は、時間変調され、デューティー比が５％ないし５０％であることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二の工程のガスは、Ｃｌ2ガスとＮ2ガスの混合ガス、Ｃｌ2ガスとＯ2ガスの混合ガス、ＨＢｒガスとＮ2ガスの混合ガス、ＨＢｒガスとＯ2ガスの混合ガス、Ｃｌ2ガスとＨＢｒガスとＮ2ガスの混合ガスまたはＣｌ2ガスとＨＢｒガスとＯ2ガスの混合ガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一の工程のガスは、ＣＦ4ガスとＮ2ガスの混合ガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二の工程のガスがＮ2ガスを用いる場合、前記第二の工程のＮ2ガス流量は、前記第一の工程のＮ２ガス流量より少ないことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
プラズマエッチングにより２０ｎｍ以下の寸法の溝をシリコン膜に形成するプラズマ処理方法において、
Ｃｌ2ガスとＮ2ガスの混合ガス、Ｃｌ2ガスとＯ2ガスの混合ガス、ＨＢｒガスとＮ2ガスの混合ガス、ＨＢｒガスとＯ2ガスの混合ガス、Ｃｌ2ガスとＨＢｒガスとＮ2ガスの混合ガスまたはＣｌ2ガスとＨＢｒガスとＯ2ガスの混合ガスを用い、圧力を０．１Ｐａ以下とし、時間変調されデューティー比が５％ないし５０％である高周波電力を前記シリコン膜を有する試料に印加しながら前記シリコン膜をエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、プラズマエッチングにより２０ｎｍ以下の寸法の溝をシリコン膜に形成するプラズマ処理方法において、前記シリコン膜を有する試料に連続的な高周波電力を印加しながら所定の深さまでエッチングする第一の工程と、前記第一の工程のガス流量より少ないガス流量のガスを用い、圧力を前記第一の工程の圧力より低くするとともに０．１Ｐａ以下とし、前記第一の工程の高周波電力より大きい高周波電力を前記試料に印加しながら前記所定の深さ以降のエッチングを行う第二の工程とを有し、前記第二の工程の高周波電力は、時間変調され、デューティー比が５％ないし５０％であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明は、プラズマエッチングにより２０ｎｍ以下の寸法の溝をシリコン膜に形成するプラズマ処理方法において、Ｃｌ2ガスとＮ2ガスの混合ガス、Ｃｌ2ガスとＯ2ガスの混合ガス、ＨＢｒガスとＮ2ガスの混合ガス、ＨＢｒガスとＯ2ガスの混合ガス、Ｃｌ2ガスとＨＢｒガスとＮ2ガスの混合ガスまたはＣｌ2ガスとＨＢｒガスとＯ2ガスの混合ガスを用い、圧力を０．１Ｐａ以下とし、時間変調されデューティー比が５％ないし５０％である高周波電力を前記シリコン膜を有する試料に印加しながら前記シリコン膜をエッチングすることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月20日(2013.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板の表面に設けられ、多数本の信号配線の一端を接続するパッドと、該配線基板の裏面に設けられ、前記信号配線の他端を接続するパッドとを、前記配線基板の表面と裏面に同心円状に配設して前記信号配線を等長とし、前記信号配線の上層及び下層に電源配線を配設したことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記電源配線を、前記配線基板の全域に亘って層状に広面積で形成したことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記信号配線の上層及び下層の一方に高電位側電源配線を配設し、他方に低電位側電源配線を配設したことを特徴とする請求項１又は２記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記信号配線を、該信号配線の一端を接続するパッドから、該信号配線の他端を接続するパッドにかけて、放射状に延設したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記配線基板の表面に、前記信号配線を接続するパッドと高電位側電源配線を接続するパッドと低電位側電源配線を接続するパッドを同心円状に配設し、前記配線基板の裏面に、前記信号配線を接続するパッドと前記高電位側電源配線を接続するパッドと前記低電位側電源配線を接続するパッドを同心円状に配設したことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記信号配線と前記高電位側電源配線と前記低電位側電源配線を接続するパッドを、前記配線基板の表裏両面にマトリクス状に配設したパッドから選択して配設したことを特徴とする請求項５記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記信号配線間に電源配線を配設したことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一観点によれば、配線基板の表面に設けられ、多数本の信号配線の一端を接続するパッドと、該配線基板の裏面に設けられ、前記信号配線の他端を接続するパッドを前記配線基板の表面と裏面に同心円状に配設して前記信号配線を等長とし、前記信号配線の上層及び下層に電源配線を配設した。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月6日(2014.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズル開口に連通する圧力発生室と、
圧電体層と該圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子と、を具備し、
前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスセリウムとチタン酸バリウムの混晶として表される複合酸化物であって、Ｃｅと、Ｃｅ及びＢｉの総量とのモル比であるＣｅ／（Ｃｅ＋Ｂｉ）が、０．０３以上０．１０以下であることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【請求項３】
圧電体層と、前記圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子であって、
前記圧電体層は、鉄酸マンガン酸ビスマスセリウムとチタン酸バリウムの混晶として表される複合酸化物であって、Ｃｅと、Ｃｅ及びＢｉの総量とのモル比であるＣｅ／（Ｃｅ＋Ｂｉ）が、０．０３以上０．１０以下であることを特徴とする圧電素子。
【請求項４】
請求項３に記載の圧電素子を具備することを特徴とする超音波デバイス。
【請求項５】
請求項３に記載の圧電素子を具備することを特徴とするＩＲセンサー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波デバイス及びＩＲセンサー
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月30日(2014.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を発振するレーザ光源と、
前記レーザ光源から離間した位置に配置され、入射したレーザ光を拡散しつつ透過する拡散部材と、
前記レーザ光源から発振されたレーザ光を含む照明光を投光する投光部材と、
を備えた光源装置であって、
前記光源装置から外部に照射される照明光のすべては、前記拡散部材を透過したものであることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記拡散部材は、前記投光部材の一部に接して配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
前記拡散部材は、前記投光部材の前記照明光を出射する領域を覆うように配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光源装置。
【請求項４】
前記投光部材は、レンズを含み、
前記拡散部材は、前記レンズの少なくとも一方の面に配置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項５】
前記投光部材は、凹状の反射面を有する反射鏡を含み、
前記拡散部材は、前記反射鏡の内部または開口部に配置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項６】
前記拡散部材は、表面に微小な凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項７】
前記拡散部材は、表面にサーフェスレリーフホログラムパターンまたはマイクロレンズアレイパターンが形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項８】
前記レーザ光源から発振されたレーザ光を散乱させる散乱部材をさらに備え、
前記投光部材は、前記散乱部材により散乱されたレーザ光を含む照明光を投光することを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項９】
前記散乱部材は、前記レーザ光源から発振されたレーザ光の一部により発光し、蛍光を発する蛍光体を含んでいることを特徴とする請求項８に記載の光源装置。
【請求項１０】
前記レーザ光源は、可視光の波長域でレーザ光を発振することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載の光源装置を備えていることを特徴とする照明装置。
【請求項１２】
請求項１から１０のいずれか１項に記載の光源装置を備えていることを特徴とする車両用前照灯。
【請求項１３】
前記拡散部材は、前記光源装置を外部環境から保護するための車両用前照灯カバーとして構成されていることを特徴とする請求項１２に記載の車両用前照灯。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月6日(2014.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記基板の表面は、鏡面仕上げであることを特徴とする請求項１記載の基板加工方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記基板の表面は、鏡面仕上げであることを特徴とする請求項７記載の基板。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
前記基板の表面は、鏡面仕上げであることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
（実施例１）
鏡面仕上げに研磨された１５ｍｍ角、厚さ０．７ｍｍの単結晶シリコンインゴットからなる基板１０を、基板内部加工装置１００のステージ１１０に設けられた基板固定具１３０に固定テーブル１２５を介して固定した。なお、ステージ１１０に固定する基板１０は単数に限らず、複数であってもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
上記作業の際、ステージ支持部１２０によりステージ１１０を所定方向に１０ｍｍ秒で往復移動させた。また、レーザ光１９０の照射停止後、基板１０の外観を観察したが、表面は鏡面仕上げのままであり、外観に変化は見られなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月29日(2014.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体を含むｎ形の第１半導体層と、
窒化物半導体を含むｐ形の第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ、交互に積層された、窒化物半導体を含む複数の障壁層と、前記複数の障壁層のバンドギャップエネルギーよりも低いバンドギャップエネルギーを有し窒化物半導体を含む複数の井戸層と、を含む発光部と、
前記第１半導体層と前記発光部との間に設けられ、交互に積層された、窒化物半導体を含む複数の高バンドギャップエネルギー層と、前記複数の高バンドギャップエネルギー層のバンドギャップエネルギーよりも低いバンドギャップエネルギーを有し窒化物半導体を含む複数の低バンドギャップエネルギー層と、を含む多層構造体と、
を備え、
前記複数の高バンドギャップエネルギー層のうちのいずれかの前記高バンドギャップエネルギー層は、III族元素中におけるＩｎ組成比ｘａと、層厚ｔａ（ナノメートル）と、を有し、
前記いずれかの高バンドギャップエネルギー層と前記第１半導体層の側または前記第２半導体層の側で接する前記低バンドギャップエネルギー層は、III族元素中におけるＩｎ組成比ｘｂと、層厚ｔｂ（ナノメートル）と、を有し、
前記いずれかの高バンドギャップエネルギー層よりも前記第２半導体層の側に位置する他のいずれかの前記高バンドギャップエネルギー層は、III族元素中におけるＩｎ組成比ｘｃと、層厚ｔｃ（ナノメートル）と、を有し、
前記他のいずれかの高バンドギャップエネルギー層と前記第１半導体層の側または前記第２半導体層の側で接する前記低バンドギャップエネルギー層は、III族元素中におけるＩｎ組成比ｘｄと、層厚ｔｄ（ナノメートル）と、を有し、
ＳＡ２＝（ｘｃ・ｔｃ＋ｘｄ・ｔｄ）／（ｔｃ＋ｔｄ）は、ＳＡ１＝（ｘａ・ｔａ＋ｘｂ・ｔｂ）／（ｔａ＋ｔｂ）よりも高く、
前記複数の障壁層のうちのいずれかの前記障壁層は、III族元素中におけるＩｎ組成比ｙａと、層厚ｓａ（ナノメートル）と、を有し、
前記いずれかの障壁層と前記第１半導体層の側または前記第２半導体層の側で接する前記井戸層は、III族元素中におけるＩｎ組成比ｙｂと、層厚ｓｂ（ナノメートル）と、を有し、
前記いずれかの障壁層よりも前記第２半導体層の側に位置する他のいずれかの前記障壁層は、III族元素中におけるＩｎ組成比ｙｃと、層厚ｓｃ（ナノメートル）と、を有し、
前記他のいずれかの障壁層と前記第１半導体層の側または前記第２半導体層の側で接する前記井戸層は、III族元素中におけるＩｎ組成比ｙｄと、層厚ｓｄ（ナノメートル）と、を有し、
ＥＡ２＝（ｙｃ・ｓｃ＋ｙｄ・ｓｄ）／（ｓｃ＋ｓｄ）は、ＥＡ１＝（ｙａ・ｓａ＋ｙｂ・ｓｂ）／（ｓａ＋ｓｂ）よりも高く、
前記ＥＡ１は、前記ＳＡ２よりも高く、
前記ＳＡ２は、前記ＳＡ１の３倍以下であり、
前記ＥＡ２は、前記ＳＡ１の５倍以下であり、
前記多層構造体は、前記層厚ｔａとは異なる前記層厚ｔｃ、及び、前記層厚ｔｂとは異なる前記層厚ｔｄの少なくともいずれかを有し、
ＳＲ＝ＳＡ２／ＳＡ１とし、ＥＲ＝ＥＡ２／ＳＡ１としたとき、
前記ＳＲ及び前記ＥＲは、前記ＳＲを横軸とし前記ＥＲを縦軸とした座標系において、前記ＳＲが１．８であり前記ＥＲが３である第１点と、前記ＳＲが１．８であり前記ＥＲが４である第２点と、前記ＳＲが２．８であり前記ＥＲが４．９である第３点と、のそれぞれを結ぶ線分により囲まれた範囲内の値であることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記複数の高バンドギャップエネルギー層のうちのいずれかの前記高バンドギャップエネルギー層は、III族元素中におけるＩｎ組成比ｘｕと、層厚ｔｕ（ナノメートル）と、を有し、
前記Ｉｎ組成比ｘｕを有する前記高バンドギャップエネルギー層と接する前記低バンドギャップエネルギー層は、III族元素中におけるＩｎ組成比ｘｖと、層厚ｔｖ（ナノメートル）と、を有し、
平均Ｉｎ組成比ＳＰ＝（ｘｕ・ｔｕ＋ｘｖ・ｔｖ）／（ｔｕ＋ｔｖ）は、前記第１半導体層から前記第２半導体層への方向に向かって漸増することを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記複数の障壁層のうちのいずれかの障壁層は、III族元素中におけるＩｎ組成比ｙｕと、層厚ｓｕ（ナノメートル）と、を有し、
前記Ｉｎ組成比ｙｕを有する前記障壁層と接する前記井戸層は、III族元素中におけるＩｎ組成比ｙｖと、層厚ｓｖ（ナノメートル）と、を有し、
平均Ｉｎ組成比ＥＰ＝（ｙｕ・ｓｕ＋ｙｖ・ｓｖ）／（ｓｕ＋ｓｖ）は、前記第１半導体層から前記第２半導体層への方向に向かって漸増することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記発光部は、前記層厚ｓａとは異なる前記層厚ｓｃ、及び、前記層厚ｓｂとは異なる前記層厚ｓｄの少なくともいずれかを有する請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記層厚ｔａ、前記層厚ｔｂ、前記層厚ｔｃ、前記層厚ｔｄの各々は、１．０ナノメートル以上３．０ナノメートル以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記層厚ｓａ、前記層厚ｓｂ、前記層厚ｓｃ、前記層厚ｓｄの各々は、２．５ナノメートル以上５．０ナノメートル以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記複数の障壁層のうちのいずれかの前記障壁層は、III族元素中におけるＩｎ組成比ｙａと、層厚ｓａ（ナノメートル）と、を有す。  
前記いずれかの障壁層と前記第１半導体層の側または前記第２半導体層の側で接する前記井戸層は、III族元素中におけるＩｎ組成比ｙｂと、層厚ｓｂ（ナノメートル）と、を有す。  
前記いずれかの障壁層よりも前記第２半導体層の側に位置する他のいずれかの前記障壁層は、III族元素中におけるＩｎ組成比ｙｃと、層厚ｓｃ（ナノメートル）と、を有す。  前記他のいずれかの障壁層と前記第１半導体層の側または前記第２半導体層の側で接する前記井戸層は、III族元素中におけるＩｎ組成比ｙｄと、層厚ｓｄ（ナノメートル）と、を有す。  
ＥＡ２＝（ｙｃ・ｓｃ＋ｙｄ・ｓｄ）／（ｓｃ＋ｓｄ）は、ＥＡ１＝（ｙａ・ｓａ＋ｙｂ・ｓｂ）／（ｓａ＋ｓｂ）よりも高い。前記ＥＡ１は、前記ＳＡ２よりも高い。前記ＳＡ２は、前記ＳＡ１の３倍以下であり、前記ＥＡ２は、前記ＳＡ１の５倍以下である。前記多層構造体は、前記層厚ｔａとは異なる前記層厚ｔｃ、及び、前記層厚ｔｂとは異なる前記層厚ｔｄの少なくともいずれかを有する。ＳＲ＝ＳＡ２／ＳＡ１とし、ＥＲ＝ＥＡ２／ＳＡ１としたとき、前記ＳＲ及び前記ＥＲは、前記ＳＲを横軸とし前記ＥＲを縦軸とした座標系において、前記ＳＲが１．８であり前記ＥＲが３である第１点と、前記ＳＲが１．８であり前記ＥＲが４である第２点と、前記ＳＲが２．８であり前記ＥＲが４．９である第３点と、のそれぞれを結ぶ線分により囲まれた範囲内の値である。