【手続補正書】
【提出日】平成26年2月21日(2014.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極と重なり、第１２族元素及び第１６族元素（但し、酸素元素は除く）または第１３族元素及び第１５族元素を含む非結晶質の多元系化合物（ｍｕｌｔｉ−ｅｌｅｍｅｎｔｓ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を含んでおり、電子移動度が約０．８ｃｍ２／Ｖｓ以上である半導体パターンと、
前記半導体パターンの第１端部と重なるソース電極と、
前記半導体パターンの前記第１端部とは別の第２端部と重なり、前記ソース電極と離隔されたドレイン電極と、を含む薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記多元系化合物は、
ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、ガリウムアンチモン（ＧａＳｂ）、ガリウムビスマス（ＧａＢｉ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、インジウムヒ素（ＩｎＡｓ）、インジウムアンチモン（ＩｎＳｂ）、インジウムビスマス（ＩｎＢｉ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、カドミウムセレン（ＣｄＳｅ）、カドミウムテルル（ＣｄＴｅ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、亜鉛セレン（ＺｎＳｅ）、亜鉛テルル（ＺｎＴｅ）、硫化水銀（ＨｇＳ）、水銀セレン（ＨｇＳｅ）、水銀テルル（ＨｇＴｅ）、リン化アルミニウム（ＡｌＰ）、アルミニウムヒ素（ＡｌＡｓ）、アルミニウムアンチモン（ＡｌＳｂ）及びアルミニウムビスマス（ＡｌＢｉ）からなる群から選択された一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記多元系化合物は、
インジウムガリウムリン（ＩｎＧａＰ）、インジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓ）、インジウムガリウムアンチモン（ＩｎＧａＳｂ）、インジウムアルミニウムリン（ＩｎＡｌＰ）、インジウムアルミニウムヒ素（ＩｎＡｌＡｓ）、インジウムアルミニウムアンチモン（ＩｎＡｌＳｂ）、アルミニウムガリウムリン（ＡｌＧａＰ）、アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）、アルミニウムガリウムアンチモン（ＡｌＧａＳｂ）、リン化ガリウムヒ素（ＧａＡｓＰ）、ガリウムヒ素アンチモン（ＧａＡｓＳｂ）、ガリウムヒ素ビスマス（ＧａＡｓＢｉ）、リン化ガリウムアンチモン（ＧａＳｂＰ）、ガリウムアンチモンビスマス（ＧａＳｂＢｉ）、リン化ガリウムアンチモン（ＧａＳｂＰ）、リン化ガリウムビスマス（ＧａＢｉＰ）、アルミニウムヒ素リン（ＡｌＡｓＰ）、アルミニウムヒ素アンチモン（ＡｌＡｓＳｂ）、アルミニウムヒ素ビスマス（ＡｌＡｓＢｉ）、アルミニウムアンチモンリン（ＡｌＳｂＰ）、アルミニウムアンチモンビスマス（ＡｌＳｂＢｉ）、アルミニウムアンチモンリン（ＡｌＳｂＰ）、アルミニウムビスマスリン（ＡｌＢｉＰ）、インジウムヒ素リン（ＩｎＡｓＰ）、インジウムヒ素アンチモン（ＩｎＡｓＳｂ）、インジウムヒ素ビスマス（ＩｎＡｓＢｉ）、インジウムアンチモンリン（ＩｎＳｂＰ）、インジウムアンチモンビスマス（ＩｎＳｂＢｉ）、インジウムアンチモンリン（ＩｎＳｂＰ）、及びインジウムビスマスリン（ＩｎＢｉＰ）からなる群から選択された一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記多元系化合物は、
第２族元素、第３族元素、第４族元素、第５族元素、第６族元素、第７族元素、第８族元素、第９族元素、第１０族元素、第１１族元素、及び第１４族元素からなる群から選択された少なくとも一つの元素をドーパントとしてさらに含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記ドーパントは、ベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、ラジウム（Ｒａ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオビウム（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、テクネチウム（Ｔｃ）、レニウム（Ｒｅ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、鉄（Ｆｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び白金（Ｐｔ）からなる群から選択された少なくとも一つの元素を含むことを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記多元系化合物は、前記多元系化合物１ｃｍ３に対して各々１×１０１３個以上１×１０１９個以下の炭素原子、水素原子、または酸素原子をさらに含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項７】
基板上に形成されたゲート電極と、
第１２族元素及び第１６族元素（但し、酸素元素は除く）または第１３族元素及び第１５族元素を含む結晶質と、第１２族元素及び第１６族元素（但し、酸素元素は除く）または第１３族元素及び第１５族元素を含む非結晶質とが混合された混合相を有する多元系化合物を含み、前記ゲート電極と重なる半導体パターンと、
前記半導体パターンの第１端部と重なるソース電極と、
前記半導体パターンの前記第１端部とは別の第２端部と重なり、前記ソース電極と離隔されたドレイン電極と、を含む薄膜トランジスタ。
【請求項８】
前記結晶質は、
グレ−ンサイズ（ｇｒａｉｎ  ｓｉｚｅ）が約０．１ｎｍ以上約１ｕｍ未満である複数のグレーン（ｇｒａｉｎｓ）を含むことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項９】
前記多元系化合物は、
ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、ガリウムアンチモン（ＧａＳｂ）、ガリウムビスマス（ＧａＢｉ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、インジウムヒ素（ＩｎＡｓ）、インジウムアンチモン（ＩｎＳｂ）、インジウムビスマス（ＩｎＢｉ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、カドミウムセレン（ＣｄＳｅ）、カドミウムテルル（ＣｄＴｅ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、亜鉛セレン（ＺｎＳｅ）、亜鉛テルル（ＺｎＴｅ）、硫化水銀（ＨｇＳ）、水銀セレン（ＨｇＳｅ）、水銀テルル（ＨｇＴｅ）、リン化アルミニウム（ＡｌＰ）、アルミニウムヒ素（ＡｌＡｓ）、アルミニウムアンチモン（ＡｌＳｂ）、及びアルミニウムビスマス（ＡｌＢｉ）からなる群から選択された一つを含むことを特徴とする請求項７または８に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
前記多元系化合物は、
インジウムガリウムリン（ＩｎＧａＰ）、インジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓ）、インジウムガリウムアンチモン（ＩｎＧａＳｂ）、インジウムアルミニウムリン（ＩｎＡｌＰ）、インジウムアルミニウムヒ素（ＩｎＡｌＡｓ）、インジウムアルミニウムアンチモン（ＩｎＡｌＳｂ）、アルミニウムガリウムリン（ＡｌＧａＰ）、アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）、アルミニウムガリウムアンチモン（ＡｌＧａＳｂ）、リン化ガリウムヒ素（ＧａＡｓＰ）、ガリウムヒ素アンチモン（ＧａＡｓＳｂ）、ガリウムヒ素ビスマス（ＧａＡｓＢｉ）、リン化ガリウムアンチモン（ＧａＳｂＰ）、ガリウムアンチモンビスマス（ＧａＳｂＢｉ）、リン化ガリウムアンチモン（ＧａＳｂＰ）、リン化ガリウムビスマス（ＧａＢｉＰ）、アルミニウムヒ素リン（ＡｌＡｓＰ）、アルミニウムヒ素アンチモン（ＡｌＡｓＳｂ）、アルミニウムヒ素ビスマス（ＡｌＡｓＢｉ）、アルミニウムアンチモンリン（ＡｌＳｂＰ）、アルミニウムアンチモンビスマス（ＡｌＳｂＢｉ）、アルミニウムアンチモンリン（ＡｌＳｂＰ）、アルミニウムビスマスリン（ＡｌＢｉＰ）、インジウムヒ素リン（ＩｎＡｓＰ）、インジウムヒ素アンチモン（ＩｎＡｓＳｂ）、インジウムヒ素ビスマス（ＩｎＡｓＢｉ）、インジウムアンチモンリン（ＩｎＳｂＰ）、インジウムアンチモンビスマス（ＩｎＳｂＢｉ）、インジウムアンチモンリン（ＩｎＳｂＰ）、及びインジウムビスマスリン（ＩｎＢｉＰ）からなる群から選択された一つを含むことを特徴とする請求項７または８に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
前記多元系化合物は、
第２族元素、第３族元素、第４族元素、第５族元素、第６族元素、第７族元素、第８族元素、第９族元素、第１０族元素、第１１族元素、及び第１４族元素からなる群から選択された少なくとも一つの元素をドーパントとしてさらに含むことを特徴とする請求項７から１０のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１２】
前記ドーパントは、ベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、ラジウム（Ｒａ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオビウム（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、テクネチウム（Ｔｃ）、レニウム（Ｒｅ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、鉄（Ｆｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び白金（Ｐｔ）からなる郡から選択された少なくとも一つの元素を含むことを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１３】
前記半導体パターンの電子移動度は約０．８ｃｍ２／Ｖｓ以上約３５００ｃｍ２／Ｖｓ以下であることを特徴とする請求項７から１２のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。