【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年11月29日(2013.11.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一表面を有する透明層と、
該透明層の第一表面の上方に形成された第一ドープ層であって、その上に複数の第一伝導型金属電極を有する第一ドープ層と、
前記透明層の第一表面の上方に形成された第二ドープ層であって、その上に複数の第二伝導型金属電極を有する第二ドープ層と、
前記透明層の第一表面の上方に形成され、前記第一ドープ層と前記第二ドープ層との間に配置された量子井戸構造を有する活性層と
を具え、前記第一伝導型金属電極および前記第二伝導型金属電極は、互い違いに配列され、各第一伝導型金属電極と、それと隣接する第二伝導型金属電極との間の距離が実質的に等しく、かつ電極対における前記第一伝導型金属電極と前記第二伝導型金属電極との間の電位差が、実質的に等しいことを特徴とする半導体。
【請求項２】
第一表面を有する透明層と、
該透明層の第一表面の上方に形成された第一ドープ層であって、その上に複数の第一伝導型金属電極が平行に配置される第一ドープ層と、
前記透明層の第一表面の上方に形成された第二ドープ層であって、その上に複数の第二伝導型金属電極が平行に配置される第二ドープ層と、
前記透明層の第一表面の上方に形成され、前記第一ドープ層と前記第二ドープ層との間に配置された活性層と
を具え、前記第一伝導型金属電極および前記第二伝導型金属電極は、互い違いに平行に配列され、各第一伝導型金属電極と、それと隣接する第二伝導型金属電極との間の距離が実質的に等しく、かつ前記第一伝導型金属電極のピッチの半分の位置に前記第二伝導型金属電極が配置され、電極対における前記第一伝導型金属電極と前記第二伝導型金属電極との間の電位差が、実質的に等しいことを特徴とする半導体。
【請求項３】
前記第一ドープ層、前記第二ドープ層および前記活性層が、III-Ｖ族化合物の半導体材料からなる請求項１又は２に記載の半導体。
【請求項４】
前記第一ドープ層がｎ-GaN層であり、前記第二ドープ層がｐ-GaN層である請求項３に記載の半導体。
【請求項５】
各第一伝導型金属電極および／または各第二伝導型金属電極での電流分布が実質的に同一である請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体。
【請求項６】
各第一伝導型金属電極が第一等電位を有し、かつ各第二伝導型金属電極が第二等電位を有する請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体。
【請求項７】
少なくとも２つの第一伝導型金属電極を接続するための、第一ドープ層上に形成された第一金属ワイヤ経路と、
少なくとも２つの第二伝導型金属電極を接続するための、第二ドープ層上に形成された第二金属ワイヤ経路と
をさらに具える請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体。
【請求項８】
各第一伝導型金属電極の面積が、前記第二伝導型金属電極の面積と実質的に等しい請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体。
【請求項９】
前記半導体が、発光ダイオードである請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体。
【請求項１０】
前記透明層が、サファイア基板を具える請求項１から９のいずれか一項に記載の半導体。
【請求項１１】
パッケージ基板と、
第一表面および該第一表面とは反対側の第二表面を有する透明層、
該透明層の第一表面の上方に形成された第一ドープ層であって、その上に複数の第一伝導型金属電極を有する第一ドープ層、
前記透明層の第一表面の上方に形成された第二ドープ層であって、その上に複数の第二伝導型金属電極を有する第二ドープ層、および
前記透明層の第一表面の上方に形成され、前記第一ドープ層と前記第二ドープ層との間に配置された活性層を有し、前記第一伝導型金属電極および前記第二伝導型金属電極は、互い違いに配列され、各第一伝導型金属電極と、それと隣接する第二伝導型金属電極との間の距離が実質的に等しい発光ダイオードデバイスと
を具え、
前記発光ダイオードデバイスは、裏返されて、前記透明層の第二表面が、前記パッケージ基板から離れて外方に向くよう、前記パッケージ基板上にひっくり返され、かつ前記発光ダイオードデバイスは、前記第一伝導型金属電極および前記第二伝導型金属電極を介して前記パッケージ基板に電気的に接続され、かつ電極対における前記第一伝導型金属電極と前記第二伝導型金属電極との間の電位差が、実質的に等しいことを特徴とするフリップチップ発光ダイオードパッケージ構造。
【請求項１２】
パッケージ基板と、
第一表面および該第一表面とは反対側の第二表面を有する透明層、
該透明層の第一表面の上方に形成された第一ドープ層であって、その上に複数の第一伝導型金属電極が平行に配置される第一ドープ層、
前記透明層の第一表面の上方に形成された第二ドープ層であって、その上に複数の第二伝導型金属電極が平行に配置される第二ドープ層、および
前記透明層の第一表面の上方に形成され、前記第一ドープ層と前記第二ドープ層との間に配置された活性層を有し、前記第一伝導型金属電極および前記第二伝導型金属電極は、互い違いに平行に配列され、各第一伝導型金属電極と、それと隣接する第二伝導型金属電極との間の距離が実質的に等しい発光ダイオードデバイスと
を具え、
前記発光ダイオードデバイスは、裏返されて、前記透明層の第二表面が、前記パッケージ基板から離れて外方に向くよう、前記パッケージ基板上にひっくり返され、かつ前記発光ダイオードデバイスは、前記第一伝導型金属電極および前記第二伝導型金属電極を介して前記パッケージ基板に電気的に接続され、かつ前記第一伝導型金属電極のピッチの半分の位置に前記第二伝導型金属電極が配置され、電極対における前記第一伝導型金属電極と前記第二伝導型金属電極との間の電位差が、実質的に等しいことを特徴とするフリップチップ発光ダイオードパッケージ構造。
【請求項１３】
前記パッケージ基板と前記第二ドープ層との間に形成され、前記パッケージ基板と前記第二ドープ層との間に、電流伝導経路および放熱経路を設ける金属バンプ層およびパッド層をさらに具える請求項１１又は１２に記載のフリップチップ発光ダイオードパッケージ構造。
【請求項１４】
第一表面を有する透明層を設ける工程と、
前記透明層の第一表面の上方に、その上に複数の第一伝導型金属電極を有する第一ドープ層を形成する工程と、
前記透明層の第一表面の上方に活性層を形成する工程と、
前記透明層の第一表面の上方に、その上に複数の第二伝導型金属電極を有する第二ドープ層を形成する工程と、
を具え、前記第一伝導型金属電極および前記第二伝導型金属電極は、互い違いに配列され、各第一伝導型金属電極と、それと隣接する第二伝導型金属電極との間の距離が実質的に等しく、かつ電極対における前記第一伝導型金属電極と前記第二伝導型金属電極との間の電位差が、実質的に等しいことを特徴とする半導体の製造方法。
【請求項１５】
第一表面を有する透明層を設ける工程と、
前記透明層の第一表面の上方に、その上に複数の第一伝導型金属電極が平行に配置される第一ドープ層を形成する工程と、
前記透明層の第一表面の上方に活性層を形成する工程と、
前記透明層の第一表面の上方に、その上に複数の第二伝導型金属電極が平行に配置される第二ドープ層を形成する工程と、
を具え、前記第一伝導型金属電極および前記第二伝導型金属電極は、互い違いに平行に配列され、各第一伝導型金属電極と、それと隣接する第二伝導型金属電極との間の距離が実質的に等しく、かつ前記第一伝導型金属電極のピッチの半分の位置に前記第二伝導型金属電極が配置され、電極対における前記第一伝導型金属電極と前記第二伝導型金属電極との間の電位差が、実質的に等しいことを特徴とする半導体の製造方法。
【請求項１６】
前記第一ドープ層、前記第二ドープ層および前記活性層が、III-Ｖ族化合物の半導体材料からなる請求項１４又は１５に記載の半導体の製造方法。
【請求項１７】
前記第一ドープ層がｎ-GaN層であり、前記第二ドープ層がｐ-GaN層である請求項１６に記載の半導体の製造方法。
【請求項１８】
少なくとも２つの第一伝導型金属電極を接続するため、第一ドープ層上に第一金属ワイヤ経路を形成する工程と、
少なくとも２つの第二伝導型金属電極を接続するため、第二ドープ層上に第二金属ワイヤ経路を形成する工程と
をさらに具える請求項１４から１７のいずれか一項に記載の半導体の製造方法。
【請求項１９】
パッケージ基板を設ける工程と、
前記透明層の第二表面が、前記パッケージ基板から離れて外方に向くよう、前記半導体を前記パッケージ基板上にひっくり返す工程と、
前記第一伝導型金属電極および前記第二伝導型金属電極を介して前記パッケージ基板に前記半導体を電気的に接続する工程と
をさらに具える請求項１４から１８のいずれか一項に記載の半導体の製造方法。
【請求項２０】
前記パッケージ基板と前記第二ドープ層との間に、各々が前記パッケージ基板と前記第二ドープ層との間の電流伝導経路および放熱経路を設ける金属バンプ層およびパッド層を形成する工程をさらに具える請求項１９に記載の半導体の製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
図２は、本発明の典型的な実施形態に従うＬＥＤダイ２００の断面図を示す。ＬＥＤダイ２００は、特に、透明層２０１、ｎ型ドープ層２０２、ｎ電極２０３、活性層２０４、ｐ型ドープ層２０５、光透過層２０６およびｐ電極２０７を具えることができる。透明層２０１は、導電性または非導電性基板とすることができる。透明層２０１は、光が、材料/空気界面で反射して材料に戻ってくるような、高屈折率を有する材料を含むことができる。ある実施形態において、透明層２０１の材料は、シリコン、炭化ケイ素、サファイア、ヒ化物、リン化物、酸化亜鉛(ZnO)および酸化マグネシウムからなる群から選択されることができる。例えば、GaN/InGaN系ＬＥＤでは、サファイア基板を用いることができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
ｎ型ドープ層２０２、活性層２０４、ｐ型ドープ層２０５および光透過層２０６は、例えば、透明層２０１上に連続して一連のエピタキシャルプロセスを行うことによって形成されることができる。ｎ型ドープ層２０２およびｐ型ドープ層２０５の材料は、例えば、(InGaNのような)インジウム含有窒化物半導体、(AlGaNのような)アルミニウム含有窒化物半導体、または、(GaNのような)ガリウム含有窒化物半導体などの、半導体材料のIII-Ｖ族化合物を具えることができる。例えば、青色ＬＥＤは、通常、広いバンドギャップ半導体であるGaNおよびInGaNに基づく。ｎ電極２０３は、ｎ型ドープ層２０２と電気的に接続されたｎ金属片とすることができる。同様に、ｐ電極２０７は、ｐ型ドープ層２０５と電気的に接続されたｐ金属片とすることができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
光透過層２０６は、ｐ型ドープ層２０５とｐ電極２０７との間に形成されることができる。ある実施形態において、光透過層２０６の材料は、インジウムスズ酸化物(ITO)を含むことができるが、これだけではなく、例えば、ITO，CTO，IZO，ZnO:Al，ZnGa2O4，SnO2:Sb，Ga2O3:Sn，AgInO2:Sn，In2O3:Zn，CuAlO2，LaCuOS，NiO，CuGaO2，SrCu2O2、または同様の特性を有する他の透明導電性材料のような材料を含むことができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
図６(Ａ)は、従来の設計に従うＬＥＤ構造６００を示し、本発明の典型的な実施形態に従う、ＬＥＤ構造６１０を示す図６(Ｂ)と対比される。図６(Ａ)に示すように、従来のＬＥＤ構造６００において、ｐ電極６０１は、ｎ電極６０２とは異なる厚さを有し、異なる面積を占める。結果として、ＬＥＤ構造６００は、高いクラック発生可能性および高い熱応力を有するおそれがある。これと比較して、図６(Ｂ)に示すように、ＬＥＤ構造６１０は、本発明と一致して、実質的に同じ厚さを有し、実質的に同じ面積を占めるｐ電極６０３およびｎ電極６０４を具える。さらにまた、ＬＥＤ構造６１０の各電極は、ＬＥＤ構造６００のものよりも体積が小さい。その結果として、熱応力およびクラック発生可能性を減少させることができ、ＬＥＤ構造６１０は、様々な設計適用において、より柔軟性を有することができる。