【手続補正書】
【提出日】平成26年10月23日(2014.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層上のエッチングストッパ層と、
前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に設けられた一対のコンタクト層と、
前記半導体層に前記一対のコンタクト層を介して電気的に接続されると共に前記絶縁層に接するソース・ドレイン電極と、
を備えたトランジスタ。
【請求項２】
前記一対のコンタクト層は互いの対向面と反対側に端面を有し、
前記ソース・ドレイン電極は前記一対のコンタクト層それぞれの端面を覆っている
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記一対のコンタクト層それぞれの端面は、前記半導体層の端面と一致する
請求項２に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記一対のコンタクト層は前記エッチングストッパ層の上面にも設けられている
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記一対のコンタクト層は、前記エッチングストッパ層の上面と前記有機半導体層上との間で分断されている
請求項４に記載のトランジスタ。
【請求項６】
前記一対のコンタクト層は前記エッチングストッパ層の上面および端面にも設けられている
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項７】
前記一対のコンタクト層は、前記エッチングストッパ層の上面からその端面を介し、連続して前記半導体層上に設けられている
請求項６に記載のトランジスタ。
【請求項８】
前記絶縁層は、前記ソース・ドレイン電極と前記絶縁層よりも下層の電極とを接続するための接続孔を有する
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項９】
前記半導体層は、有機半導体材料を含む
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項１０】
ゲート電極を形成する工程と、
絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上にエッチングストッパ層を形成する工程と、
前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に一対のコンタクト層を形成する工程と、
前記一対のコンタクト層上から前記絶縁層上にかけてソース・ドレイン電極を形成する工程と
を含むトランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記半導体層および前記コンタクト層を形成するためのパターニングを同時に行う
請求項１０に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記パターニングはレーザアブレーションにより行う
請求項１１に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１３】
複数の画素と前記複数の画素を駆動するためのトランジスタとを備え、
前記トランジスタは、
ゲート電極と、
絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層上のエッチングストッパ層と、
前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に設けられた一対のコンタクト層と、
前記半導体層に前記一対のコンタクト層を介して電気的に接続されると共に前記絶縁層に接するソース・ドレイン電極とを備えた
表示装置。
【請求項１４】
複数の画素および前記複数の画素を駆動するためのトランジスタを有する表示装置を備え、
前記トランジスタは、
ゲート電極と、
絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層上のエッチングストッパ層と、
前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に設けられた一対のコンタクト層と、
前記半導体層に前記一対のコンタクト層を介して電気的に接続されると共に前記絶縁層に接するソース・ドレイン電極とを備えた
電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本技術のトランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置および電子機器によれば、コンタクト層を半導体層上に設けて絶縁層にソース・ドレイン電極が直接接するようにしたので、半導体層の周囲の領域でのコンタクト層に起因する膜剥がれを防ぐことができる。よって、製造不良を抑え、高い歩留まりで製造することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ゲート絶縁層１３は、ゲート電極１２とソース・ドレイン電極１７Ａ，１７Ｂに電気的に接続された有機半導体層１４とを絶縁するため、ゲート電極１２と有機半導体層１４との間に設けられている。このゲート絶縁層１３は、例えば、ＰＶＰ（ポリビニルフェノール），ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート），ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）またはＰＩなどの有機絶縁膜により構成されている。ゲート絶縁層１３には、酸化シリコン（ＳｉＯ2），酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3），酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等の無機絶縁膜を用いるようにしてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
有機半導体層１４を例えばｎ型の有機半導体材料により構成した場合、コンタクト層１６Ａ，１６Ｂには、ＬｉまたはＣｓ等の金属、Ｃｓ2ＣＯ3またはＲｂ2ＣＯ3等の金属炭酸塩、テトラセン、ペリレン、アントラセン、コロネン、ペンタセン、クリセン、フェナントレン、ナフタレン、p-ジメトキシベンゼン、ルブレンあるいはヘキサメトキシトリフェニレン等の芳香族炭化水素および類縁体、ＨＭＴＴＦ、ＯＭＴＴＦ、ＴＭＴＴＦ、ＢＥＤＯ−ＴＴＦ、ＴＴｅＣｎ−ＴＴＦ、ＴＭＴＳＦ、ＥＤＯ−ＴＴＦ、ＨＭＴＳＦ、ＴＴＦ、ＥＯＥＴ−ＴＴＦ、ＥＤＴ−ＴＴＦ、（ＥＤＯ）２ＤＢＴＴＦ、ＴＳＣｎ−ＴＴＦ、ＨＭＴＴｅＦ、ＢＥＤＴ−ＴＴＦ、ＣｎＴＥＴ−ＴＴＦ、ＴＴＣｎ−ＴＴＦ、ＴＳＦあるいはＤＢＴＴＦ等のＴＴＦ類および類縁体、テトラチオテトラセン、テトラセレノテトラセンあるいはテトラテルロテトラセン等のＴＴＴ類、ジベンソ[c,d]-フェノチアジン、ベンゾ[c]-フェノチアジン、フェノチアジン、Ｎ-メチル-フェノチアジン、ジベンソ[c,d]-フェノセレナジン、Ｎ,Ｎ-ジメチルフェナジンあるいはフェナジン等のアジン類、Ｎ,Ｎ-ジエチル-ｍ-トルイジン、Ｎ,Ｎ-ジエチルアニリン、Ｎ-エチル-ｏ-トルイジン、ジフェニルアミン、スカトール、インドール、Ｎ,Ｎ-ジメチル-ｏ-トルイジン、ｏ-トルイジン、ｍ-トルイジン、アニリン、ｏ-クロロアニリン、ｏ-ブロモアニリンあるいはｐ-ニトロアニリン等のモノアミン類、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-テトラメチル-ｐ-フェニレンジアミン、２,３,５,６-テトラメチル-（ジュレンジアミン）、ｐ-フェニルジアミン、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-テトラメチルベンジジン、３,３',５,５'-テトラメチルベンジジン、３,３'-ジメチルベンジジン、３,３'-ジメトキシベンジジン、ベンジジン、３,３'-ジブロモ-５,５'-ジメチルベンジジン、３,３'-ジクロロ-５,５'-ジメチルベンジジンあるいは１,６-ジアミノピレン等のジアミン類、その他、４,４',４''-tris(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)-triphenylamine：(ｍ−ＭＴＤＡＴＡ)、４,４',４''-tris(Ｎ-(２-Naphtyl)-Ｎ-phenylamino)-triphenylamine：(２ＴＮＡＴＡ)、α-ＮＤＰ、銅フタロシアニン、１,４,６,８-テトラキスジメチルアミノピレン、１,６-ジチオピレン、デカメチルフェロセンあるいはフェロセン等を用いることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
トランジスタ１０１は、島状の有機半導体層１４を形成した後、コンタクト層２１６Ａ，２１６Ｂの材料膜およびソース・ドレイン電極１７Ａ，１７Ｂとなる金属膜を連続して成膜してこれらを同時にパターニングする。即ち、コンタクト層２１６Ａ，２１６Ｂそれぞれの端面とソース・ドレイン電極１７Ａ，１７Ｂそれぞれの端面が一致し、コンタクト層２１６Ａ，２１６Ｂの端面が露出される。このため、ソース・ドレイン電極１７Ａ，１７Ｂの形成時あるいはその後の工程で使用するアルカリ水溶液や水によりコンタクト層２１６Ａ，２１６Ｂが意図せずにサイドエッチングされる虞がある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
コンタクト材料膜２６Ｍを成膜した後、トランジスタ１と同様にして、レーザアブレーションによる有機膜１４Ｍおよびコンタクト材料膜２６Ｍのパターニング（図９（Ａ）コンタクト材料膜２６Ｍ’）、および金属膜１７Ｍの形成（図９（Ｂ））をこの順に行う。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
金属膜１７Ｍを成膜した後、これをパターニングしてソース・ドレイン電極１７Ａ，１７Ｂを形成する。ここでは、コンタクト材料膜２６Ｍ’（コンタクト層２６Ａ，２６Ｂ）がエッチングストッパ層１５により段切れしているため、エッチング液による有機半導体層１４上のコンタクト材料膜２６Ｍ’の劣化を防ぐことができる。よって、ソース・ドレイン電極１７Ａ，１７Ｂをウェットエッチングにより形成することができる。トランジスタ１と同様にドライエッチングにより金属膜１７Ｍをパターニングするようにしてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
金属膜１７Ｍのパターニングと同時に、あるいはソース・ドレイン電極１７Ａ，１７Ｂを形成した後、コンタクト材料膜２６Ｍ’をエッチングしてコンタクト層２６Ａ，２６Ｂを形成する。以上の工程によりトランジスタ１Ａが完成する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
また、上記実施の形態等では、有機半導体層１４の端面とコンタクト層１６Ａ，１６Ｂ（２６Ａ，２６Ｂ）の端面とが一致している場合を例示したが、コンタクト層１６Ａ，１６Ｂは、有機半導体層１４上にあればその端面が有機半導体層１４の端面と一致していなくてもよい。