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【手続補正書】
【提出日】平成26年7月25日(2014.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷却媒体（５８）を流すように構成されたプラットフォーム冷却回路（９０）を画成するプラットフォーム（３２）と、
前記プラットフォーム（３２）から半径方向外向きに延びる翼形部（３４）と、
前記プラットフォーム（３２）から半径方向内向きに延びる下側本体部分（３６）と
を備えるバケット組立体（３０）であって、前記下側本体部分（３６）が、根元（５０）と、該根元（５０）から延びる冷却通路（５２）とを画成し、前記冷却通路（５２）が前記冷却媒体（５８）を流すように構成されており、前記プラットフォーム（３２）及び前記下側本体部分（３６）が更に、前記冷却通路（５２）と前記プラットフォーム冷却回路（９０）との間に靱帯部（９２）を含み、前記冷却通路（５２）が前記根元（５０）の基部から前記冷却通路（５２）及び前記靱帯部（９２）を通って前記プラットフォーム冷却回路（９０）までの直接見通し線（１０２）を与えており、前記靱帯部（９２）が、前記冷却通路（５２）と前記プラットフォーム冷却回路（９０）との間で前記見通し線（１０２）を通って延びるボア孔（１００）を画成する、バケット組立体（３０）。
【請求項２】
前記靱帯部（９２）が複数のボア孔（１００）を画成する、請求項１記載のバケット組立体（３０）。
【請求項３】
前記冷却通路（５２）が突出部（１０４）を含み、該突出部（１０４）が、前記根元（５０）から前記靱帯部（９２）を通って前記プラットフォーム冷却回路（９０）までの見通し線（１０２）を与える、請求項１又は請求項２記載のバケット組立体（３０）。
【請求項４】
前記プラットフォーム（３２）及び前記下側本体部分（３６）が複数の冷却通路（５２、５４、５６）を含む、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のバケット組立体（３０）。
【請求項５】
前記靱帯部（９２）が複数のボア孔（１００）を画成する、請求項４記載のバケット組立体（３０）。
【請求項６】
前記複数のボア孔（１００）の少なくとも１つが、前記複数の冷却通路（５２、５４、５６）の少なくとも１つから前記プラットフォーム冷却回路（９０）まで冷却媒体（５８）を流すように構成されており、前記複数のボア孔（１００）の少なくとも１つが、前記プラットフォーム冷却回路（９０）から前記複数の冷却通路（５２、５４、５６）の少なくとも１つまで冷却媒体（５８）を流すように構成されている、請求項４記載のバケット組立体（３０）。
【請求項７】
前記プラットフォーム（３２）が更に、該プラットフォーム（３２）に隣接する前記プラットフォーム冷却回路（９０）から冷却媒体（５８）を排出するよう構成された排出通路（１０６）を画成する、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載のバケット組立体（３０）。
【請求項８】
前記下側本体部分（３６）が、シャンク（８０）と、前記根元（５０）を画成するダブテール（８２）とを含む、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載のバケット組立体（３０）。
【請求項９】
バケット組立体（３０）を形成する方法であって、当該方法が、
プラットフォーム冷却回路コア（２０８）及び本体冷却回路コア（２０６）を含むモールド（２００）において前記バケット組立体（３０）を形成する段階であって、前記バケット組立体（３０）が、
前記プラットフォーム冷却回路コア（２０８）により形成されたプラットフォーム冷却回路（９０）を画成するプラットフォーム（３２）と、
前記プラットフォーム（３２）から半径方向外向きに延びる翼形部（３４）と、
前記プラットフォーム（３２）から半径方向内向きに延びる下側本体部分（３６）と
を備えていて、前記下側本体部分（３６）が根元（５０）と、該根元（５０）から延びる冷却通路（５２）とを画成し、前記冷却通路（５２）が前記本体冷却回路コア（２０６）により形成され、冷却媒体（５８）を流すように構成されており、前記プラットフォーム（３２）及び前記下側本体部分（３６）が更に、前記冷却通路（５２）と前記プラットフォーム冷却回路（９０）との間に靱帯部（９２）を含む、段階と、
前記モールド（２００）において前記バケット組立体（３０）を形成する段階の後に、前記冷却通路（５２）と前記プラットフォーム冷却回路（９０）との間の前記靱帯部（９２）にボア孔（１００）を形成する段階と
を含んでおり、前記冷却通路（５２）が、前記根元（５０）の基部から前記冷却通路（５２）及び前記靱帯部（９２）を通って前記プラットフォーム冷却回路（９０）までの直接見通し線（１０２）を与える、方法。
【請求項１０】
前記ボア孔（１００）を形成する段階が、前記バケット組立体（３０）の外部修正を必要としない、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記ボア孔（１００）が前記見通し線（１０２）を通って延びる、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記本体冷却回路コア（２０６）が突出コア（２１０）を含み、前記冷却通路（５２）が、前記突出コア（２１０）により形成された突出部（１０４）を含み、該突出部（１０４）が、前記根元（５０）から前記靱帯部（９２）を通って前記プラットフォーム冷却回路（９０）までの見通し線（１０２）を与える、請求項９乃至請求項１１のいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月7日(2014.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
そして、第２ヘッダタンク(4)、第１ヘッダタンク(3)における第３熱交換パス(P3)の第１熱交換管(2A)が接続された部分、第３ヘッダタンク(5)の中間ヘッダ部(73)および上側ヘッダ部(74)、ならびに第１〜第３熱交換パス(P1)〜(P3)により冷媒を凝縮させる凝縮部(70A)が形成され、第１ヘッダタンク(3)における第４熱交換パス(P4)の第１熱交換管(2A)が接続された部分、第３ヘッダタンク(5)の下側ヘッダ部(75)および第４熱交換パス(P4)により冷媒を過冷却する過冷却部(70B)が形成され、グループ(G)の全熱交換パスである第１〜第３熱交換パス(P1)〜(P3)が冷媒を凝縮させる冷媒凝縮パスとなっているとともに、グループ(G)よりも下方に位置する第４熱交換パス(P4)が冷媒を過冷却する冷媒過冷却パスとなっている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月5日(2014.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーダーシステムであって、
クロック（３４）と、
前記クロックと信号通信する複数の周波数変調／持続波（ＦＭ／ＣＷ）レーダーユニット又はパルス圧縮レーダーユニット（３６）の一方または双方であって、前記複数のＦＭ／ＣＷレーダーユニット又はパルス圧縮レーダーユニットの各々は、アンテナ回路基板の第１の側において同じ平面に沿って取り付けられるアンテナ素子の列を含む、ＦＭ／ＣＷレーダーユニット又はパルス圧縮レーダーユニットと、
前記複数のレーダーユニットと信号通信するプロセッサ（４０）とを備え、
前記アンテナ回路基板は少なくとも１つの隔離壁を含み、前記少なくとも１つの隔離壁は前記アンテナ素子の隣接する列のペアの間に配置され、
前記クロック及び前記複数のレーダーユニットは前記アンテナ回路基板の第２の側に取り付けられ、前記アンテナ回路基板の前記第２の側は前記アンテナ回路基板の前記第１の側の反対側である、レーダーシステム。
【請求項２】
前記プロセッサは任意の方向において１つ又は複数のビームをデジタル処理で形成するように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
アンテナ回路基板の第１の側におけるクロックが、単一のクロック信号を生成するステップであって、前記アンテナ回路基板は少なくとも１つの隔離壁を含む、ステップと、
前記単一のクロック信号を前記アンテナ回路基板の前記第１の側に取り付けられた複数のレーダーユニットに送るステップであって、該複数のレーダーユニットはそれぞれ周波数変調／持続波（ＦＭ／ＣＷ）レーダーユニット又はパルス圧縮レーダーユニットを含み、前記複数のレーダーユニットの各々は前記アンテナ回路基板の第２の側に取り付けられた２つ以上のアンテナ素子からなる列を含み、前記アンテナ回路基板の前記少なくとも１つの隔離壁は前記アンテナ素子の隣接する列のペアの間に配置され、前記アンテナ回路基板の前記第１の側は前記アンテナ回路基板の前記第２の側の反対側である、送るステップと、
前記複数のレーダーユニットと信号通信する第１のプロセッサにおいて少なくとも１つの制御信号を生成するステップと、
前記少なくとも１つの制御信号に基づいて前記複数のレーダーユニットからレーダー信号を送信するステップと、
前記複数のレーダーユニットにおいてレーダー反射信号を受信するステップと、
前記レーダー反射信号を、前記複数のレーダーユニットと信号通信する第２のプロセッサに送るステップと
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月14日(2014.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シフトレジスタを有し、
前記シフトレジスタは、第１乃至第４のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１乃至第４のトランジスタの少なくとも一は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するとともに、チャネル幅１μｍ当たりのオフ電流が１×１０−１６Ａ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
第５のトランジスタを有し、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、第４の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
第６のトランジスタを有し、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
第７及び第８のトランジスタを有し、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのゲートは、第５の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第５の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の配線の配線幅は、前記第１のトランジスタのチャネル幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記酸化物半導体は、高純度化されたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記酸化物半導体は、ｉ型化又は実質的にｉ型化されたものであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月14日(2014.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の集光手段と、
前記基板上の画素と、を有し、
前記集光手段は、集光方向Ｘと非集光方向Ｙとを有し、
前記画素は、画素電極を有し、
前記画素電極は、可視光を透過する領域と可視光を反射する領域を有し、
前記画素電極の可視光を透過する領域は、前記集光手段上に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上の集光手段と、
前記基板上の画素と、を有し、
前記画素は、複数のサブピクセルを有し、
前記集光手段は、集光方向Ｘと非集光方向Ｙとを有し、
前記サブピクセルは、画素電極を有し、
前記画素電極は、可視光を透過する領域と可視光を反射する領域を有し、
前記画素電極の可視光を透過する領域は、前記集光手段上に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板上の複数の集光手段と、
前記基板上の複数の画素と、を有し、
前記画素は、複数のサブピクセルを有し、
前記集光手段は、集光方向Ｘと非集光方向Ｙとを有し、
前記集光手段は、集光方向Ｘに複数配置され、
前記サブピクセルは、画素電極を有し、
前記画素電極は、可視光を透過する領域と可視光を反射する領域を有し、
前記画素電極の可視光を透過する領域は、前記集光手段上に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記複数の集光手段は、レンチキュラレンズであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記集光手段は、可視光を透過する構造体を有し、
前記構造体の対向する傾斜面にそれぞれ反射層を有し、
前記対向する傾斜面の一方の傾斜面と他方の傾斜面のなす角が９０度未満であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記画素電極の可視光を透過する領域の長軸方向は、前記集光手段の非集光方向Ｙと一致していることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月28日(2014.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１において、前記Ｍ１がCo，Ni，Cuからなる群から選ばれた１種以上の元素、
前記Ｍ２がTi，Zr，Ta，Cr，Mn，Mo，Ｗからなる群から選ばれた１種以上の元素、
前記Ｍ３がSi，Ga，Ge，Sn，Sbからなる群から選ばれた１種以上の元素、
であるホイスラー型鉄系熱電材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項２のものは、請求項１において、前記Ｍ１がCo，Ni，Cuからなる群から選ばれた１種以上の元素、前記Ｍ２がTi，Zr，Ta，Cr，Mn，Mo，Ｗからなる群から選ばれた１種以上の元素、前記Ｍ３がSi，Ga，Ge，Sn，Sbからなる群から選ばれた１種以上の元素、であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月6日(2014.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のステップにより被処理体を処理するプラズマプロセスにおいてステップ毎に設定温度を変えることが可能なプラズマ処理装置の温度制御方法であって、
前記プラズマ処理装置の処理容器から被処理体を搬出する搬出工程と、
前記複数のステップからなるプラズマプロセスを実行するプロセス実行工程と、
前記実行されたプラズマプロセスの終了のタイミングに応じて次のプロセスの設定温度に制御する第１の温度制御、又は前記搬出工程に並行して前記次のプロセスの設定温度に制御する第２の温度制御、の少なくともいずれかを行う温度制御工程と、
を含むことを特徴とする温度制御方法。
【請求項２】
前記温度制御工程では、前記実行されたプラズマプロセスの終了のタイミングにおけるプロセスの最終ステップの設定温度と、次のプロセスの最初のステップの設定温度とが異なっていることを特徴とする請求項１に記載の温度制御方法。
【請求項３】
前記処理容器内に設けられた搬送用のゲートバルブが開口してから、搬送アーム上に保持された被処理体が前記処理容器内に搬入され、プッシャーピンにより保持されてから該処理容器内の載置台上に載置されるまでの搬入工程を有し、
前記温度制御工程は、
前記第１の温度制御、又は、前記搬入工程或いは前記搬出工程に並行して前記次のプロセスの設定温度に制御する第２の温度制御、の少なくともいずれかを行う、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の温度制御方法。
【請求項４】
前記搬出工程は、前記プラズマプロセス実行後に被処理体がプッシャーピンにより保持されてから、搬送アーム上に保持され、前記搬送用のゲートバルブから搬出されるまでであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の温度制御方法。
【請求項５】
前記搬入工程と前記搬出工程との設定温度が異なる場合、前記第１の温度制御及び前記第２の温度制御を行うことを特徴とする請求項３又は４のいずれか一項に記載の温度制御方法。
【請求項６】
前記温度制御工程は、前記第１の温度制御を行う場合、一のプラズマプロセスの終了とともに前記次のプロセスの設定温度に制御することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の温度制御方法。
【請求項７】
前記温度制御工程は、前記第２の温度制御を行う場合、被処理体の前記搬出工程とともに前記次のプロセスの設定温度に制御することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の温度制御方法。
【請求項８】
前記温度制御工程では、前記次のプロセスの設定温度は、複数のステップからなる前記一のプラズマプロセスのいずれかのステップの設定温度よりも高いことを特徴とする請求項６又は７に記載の温度制御方法。
【請求項９】
前記温度制御工程は、前記搬出工程前及び前記搬出工程中に温度監視は行わず、前記搬出工程後に温度監視を開始することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の温度制御方法。
【請求項１０】
複数のステップにより被処理体を処理するプラズマプロセスにおいてステップ毎に設定温度を変えることが可能なプラズマ処理装置の制御装置であって、
前記プラズマ処理装置の処理容器内から被処理体の搬出を行う搬送制御部と、
前記複数のステップからなるプラズマプロセスを実行するプロセス実行部と、
前記実行されたプラズマプロセスの終了のタイミングに応じて次のプロセスの設定温度に制御する第１の温度制御、又は前記被処理体の搬出に並行して前記次のプロセスの設定温度に制御する第２の温度制御、の少なくともいずれかを行う温度制御部と、
を備えることを特徴とする制御装置。
【請求項１１】
処理容器と、
前記処理容器内にガスを供給するガス供給源と、
プラズマを生成するためのパワーを供給し、ガスからプラズマを生成するプラズマ源と、
前記処理容器内に設けられた載置台、上部電極、デポシールド又は前記処理容器の少なくともいずれかの温度を制御する温度制御部と、
前記プラズマ処理装置の処理容器から被処理体の搬出を行う搬送制御部と、
前記生成されたプラズマにより前記複数のステップからなるプラズマプロセスを実行するプロセス実行部と、を備え、
前記温度制御部は、
前記実行されたプラズマプロセスの終了のタイミングに応じて次のプロセスの設定温度に制御する第１の温度制御、又は前記被処理体の搬出に並行して前記次のプロセスの設定温度に制御する第２の温度制御、の少なくともいずれかを行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月31日(2014.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続する、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続する、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上の、第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸素と、シリコンとを有し、
前記第２の絶縁膜は、酸素と、窒素と、シリコンとを有し、
前記第２の絶縁膜は、前記酸素の含有量が前記窒素の含有量よりも多く、
前記第２の絶縁膜の密度は、２．３２ｇ／ｃｍ３以上を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続する、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続する、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上の、第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸素と、シリコンとを有し、
前記第２の絶縁膜は、酸素と、窒素と、シリコンとを有し、
前記第２の絶縁膜は、前記酸素の含有量が前記窒素の含有量よりも多く、
前記第２の絶縁膜の密度は、前記第１の絶縁膜の密度より高く、
前記第２の絶縁膜の密度は、２．３２ｇ／ｃｍ３以上を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極と、
前記ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続する、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続する、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上の、第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸素と、シリコンとを有し、
前記第１の絶縁膜は、加熱により、酸素を放出する機能を有し、
前記第２の絶縁膜は、酸素と、窒素と、シリコンとを有し、
前記第２の絶縁膜は、前記酸素の含有量が前記窒素の含有量よりも多く、
前記第２の絶縁膜の密度は、前記第１の絶縁膜の密度より高く、
前記第２の絶縁膜の密度は、２．３２ｇ／ｃｍ３以上を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ゲート電極と、
前記ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続する、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続する、ドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上の、第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸素と、シリコンとを有し、
前記第２の絶縁膜は、酸素と、窒素と、シリコンとを有し、
前記第２の絶縁膜は、前記酸素の含有量が前記窒素の含有量よりも多く、
前記第２の絶縁膜は、温度１３０℃、相対湿度１００％、１２時間の試験後の膨潤率が４体積％以下を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート電極と、
前記酸化物半導体膜と前記ゲート電極の間のゲート絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸素と、窒素と、シリコンとを有し、
前記第１の絶縁膜は、前記酸素の含有量が前記窒素の含有量よりも多く、
前記第２の絶縁膜は、酸素と、シリコンとを有し、
前記第１の絶縁膜の密度が２．３２ｇ／ｃｍ３以上を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート電極と、
前記酸化物半導体膜と前記ゲート電極の間のゲート絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、酸素と、窒素と、シリコンとを有し、
前記第１の絶縁膜は、前記酸素の含有量が前記窒素の含有量よりも多く、
前記第２の絶縁膜は、酸素と、シリコンとを有し、
前記第１の絶縁膜の密度が２．３２ｇ／ｃｍ３以上を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ソース電極と接する第１の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ドレイン電極と接する第２の領域を有し、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、リン、ホウ素、窒素、炭素、又はアルゴンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記酸素と、窒素と、シリコンとを有する膜は、
フーリエ変換型赤外分光法によるスペクトルにおいて、ストレッチングモードのＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合のピークが１０５６ｃｍ−１以上に現れることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月26日(2014.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
型のパターン領域に形成されているパターンを基板上の樹脂に転写するインプリント装置であって、
前記型に力を加え、前記パターン領域を変形させる第１の機構と、
前記基板上の基板側パターン領域を加熱し、前記基板側パターン領域を変形させる第２の機構と、
前記パターン領域と、前記基板側パターン領域との形状の差に関する情報を得、前記得られた情報に基づいて、前記パターン領域と前記基板側パターン領域との形状の差を低減するように、前記第１の機構および前記第２の機構を制御する制御部と、
を備えることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記型に形成されている複数のマークと、前記基板に形成されている複数のマークを検出する検出部を備え、
前記制御部は、前記検出部によって検出された結果に基づいて前記情報を得ることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記検出部は、前記型に形成されている少なくとも４つのマークと、前記基板に形成されている少なくとも４つのマークを計測することを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記基板側パターン領域に温度分布が形成されるように、前記第２の機構を制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記第２の機構は、前記基板上の一部の領域のみを加熱可能であり、
前記制御部は、前記得られた情報に基づいて、前記第２の機構が加熱する領域を決定することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記第２の機構は、光源を含み、
前記光源からの光を前記基板に照射することによって、前記基板側パターン領域を加熱することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記第２の機構は、前記基板側パターン領域に照射される光の照度分布を調整する光調整器を含むことを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記樹脂は、紫外光により硬化する樹脂であり、
前記第２の機構を用いて前記基板に照射される光の波長は、波長が４００〜２０００ｎｍであることを特徴とする請求項６または７に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記基板上の樹脂と前記型とを接触させている状態で、前記第２の機構を制御することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記第１の機構により前記型のパターン領域を変形させた後、もしくは、前記第１の機構により前記型のパターン領域を変形させている間に、前記第２の機構により前記基板側パターンを変形させることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記インプリント装置は、１枚の基板上の複数の基板側パターン領域の各々に対して、前記型のパターンを転写し、
前記制御部は、前記複数の基板側パターン領域の各々に対して、前記第１の機構による補正量と前記第２の機構による補正量を算出することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
型のパターン領域に形成されているパターンを基板上の樹脂に転写するインプリント装置であって、
前記型に力を加え、前記パターン領域を変形させる第１の機構と、
前記基板上の基板側パターン領域を加熱し、前記基板側パターン領域を変形させる第２の機構と、
前記パターン領域と前記基板側パターン領域との形状の差を低減するように、前記第１の機構および前記第２の機構を制御する制御部と、
を備えることを特徴とするインプリント装置。
【請求項１３】
デバイスを製造するデバイス製造方法であって、
インプリント装置を用いて型のパターン領域に形成されているパターンを基板上の樹脂に転写する工程と、転写されたパターンが形成された前記基板をエッチングする工程と、を備え、
前記インプリント装置は、
前記型に力を加え、前記パターン領域を変形させる第１の機構と、前記基板上の基板側パターン領域を加熱し、前記基板側パターン領域を変形させる第２の機構と、
前記パターン領域と前記基板側パターン領域との形状の差を低減するように、前記第１の機構および前記第２の機構を制御する制御部と、
を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１４】
型のパターン領域に形成されているパターンを基板上の樹脂に転写するインプリント方法であって、
前記型に力を加え、前記パターン領域を変形させる加力工程と、
前記基板上の基板側パターン領域を加熱し、前記基板側パターン領域を変形させる加熱工程と、
前記基板側パターン領域と前記パターン領域との形状の差を低減するように前記パターン領域および前記基板側パターン領域を変形させた状態で、前記基板上の樹脂を硬化させる工程と、
を備えることを特徴とするインプリント方法。
【請求項１５】
前記加熱工程は、前記加力工程よりも前、もしくは前記加力工程と同時に行われることを特徴とする請求項１４に記載のインプリント方法。
【請求項１６】
前記型と前記基板上の樹脂とを接触させる接触工程を備え、
前記加熱工程は、前記型と前記基板上の樹脂とを接触させている状態で行われることを特徴とする請求項１４または１５に記載のインプリント方法。
【請求項１７】
前記型に形成されている複数のマークと、前記基板側パターン領域に形成されている複数のマークを検出する検出工程を備えることを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、型のパターン領域に形成されているパターンを基板上の樹脂に転写するインプリント装置であって、型に力を加え、パターン領域を変形させる第１の機構と、基板上の基板側パターン領域を加熱し、基板側パターン領域を変形させる第２の機構と、型に形成されているパターン領域と、基板側パターン領域との形状の差に関する情報を得、得られた情報に基づいて、型に形成されているパターン領域と基板側パターン領域との形状の差を低減するように、第１の機構および第２の機構を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月29日(2014.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメモリセルと、
前記メモリセルにデータを書き込む機能と、前記メモリセルからデータを読み出す機能と、を有する周辺回路と、
導電層と、を有し、
前記メモリセルは、第１のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記容量素子の一方の電極は、前記第１のトランジスタがオフ状態となることによって浮遊状態となるノードに電気的に接続され、
前記周辺回路は、第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのチャネルは、酸化物半導体層に設けられ、
前記第２のトランジスタのチャネルは、単結晶シリコン基板又はＳＯＩ基板に設けられ、
前記第２のトランジスタのゲート電極の上方に、第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に、前記導電層を有し、
前記導電層の上方に、第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層の上方に、前記酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層の上方に、第３の絶縁層を有し、
前記第３の絶縁層の上方に、前記第１のトランジスタのゲート電極を有し、
前記第３の絶縁層は、前記第１のトランジスタのゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記導電層は、前記複数のメモリセルと重なるように、又は、前記周辺回路と重なるように設けられ、
前記導電層は、接地電位、又は、一定の電位が供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数のメモリセルと、
前記メモリセルにデータを書き込む機能と、前記メモリセルからデータを読み出す機能と、を有する周辺回路と、
導電層と、を有し、
前記メモリセルは、第１のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記容量素子の一方の電極は、前記第１のトランジスタがオフ状態となることによって浮遊状態となるノードに電気的に接続され、
前記周辺回路は、第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのチャネルは、酸化物半導体層に設けられ、
前記第２のトランジスタのチャネルは、単結晶シリコン基板又はＳＯＩ基板に設けられ、
前記第２のトランジスタのゲート電極の上方に、第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に、前記導電層を有し、
前記導電層の上方に、第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層の上方に、前記酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層の上方に、第３の絶縁層を有し、
前記第３の絶縁層の上方に、前記第１のトランジスタのゲート電極を有し、
前記第１のトランジスタのゲート電極の上方に、第４の絶縁層を有し、
前記第４の絶縁層の上方に、第５の絶縁層を有し、
前記第３の絶縁層は、前記第１のトランジスタのゲート絶縁層として機能する領域を有し、
前記導電層は、前記複数のメモリセルと重なるように、又は、前記周辺回路と重なるように設けられ、
前記導電層は、接地電位、又は、一定の電位が供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第２の絶縁層は、加熱により酸素の一部を放出する機能を有し、
前記第４の絶縁層は、加熱により酸素の一部を放出する機能を有し、
前記第２の絶縁層と前記第４の絶縁層とは、前記酸化物半導体層の周辺において接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記第２の絶縁層は、加熱により酸素の一部を放出する機能を有し、
前記第４の絶縁層は、加熱により酸素の一部を放出する機能を有し、
前記第２の絶縁層と前記第４の絶縁層とは、前記酸化物半導体層の周辺において接する領域を有し、
前記第５の絶縁層は、酸素の拡散を抑制する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記導電層は、前記容量素子の他方の電極として機能する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２の絶縁層は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域において、前記導電層と、前記容量素子の一方の電極とが重なり、
前記第１の領域における前記第２の絶縁層の厚さは、前記第２の領域における前記第２の絶縁層の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月19日(2014.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記受信信号取得手段は、複数の走査線上の反射点に対応する格子点であって、所望の着目領域に設定される上格子点と、前記上格子点と前記超音波探触子との間に設定される下格子点の反射の受信信号を取得し、
前記局所音速算出手段は、
前記上格子点及び下格子点での反射の受信信号に基づいて、各格子点から前記超音波探触子までの領域の平均音速である環境音速を算出する環境音速算出手段と、
前記上格子点を反射点としたときの第１の受信波を、該上格子点に対応して算出した環境音速に基づいて算出する第１の算出手段と、
前記着目領域における仮定音速を仮定し、前記上格子点から下格子点までの伝播時間を算出する手段と、
前記下格子点からの第２の受信波を、該下格子点に対応して算出した環境音速及び前記算出した伝播時間に基づいて算出する第２の算出手段と、
前記第１の算出手段により算出された第１の受信波と前記第２の算出手段により算出された第２の受信波との誤差が最小となる前記仮定音速を、前記着目領域における局所音速として判定する局所音速判定手段と、を含むことを特徴とする請求項３から５のいずれか１項に記載の超音波診断装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
前記受信信号取得手段は、前記判定手段により屈折のない走査線が判定されると、該走査線上の反射点に対応する格子点であって、所望の着目領域に設定される上格子点と、前記上格子点と前記超音波探触子との間に設定される下格子点の反射の受信信号を取得し、
前記上格子点及び下格子点での反射の受信信号に基づいて、各格子点から前記超音波探触子までの領域の平均音速である環境音速を算出する環境音速算出手段と、
前記上格子点を反射点としたときの第１の受信波を、該上格子点に対応して算出した環境音速に基づいて算出する第１の算出手段と、
前記着目領域における仮定音速を仮定し、前記上格子点から下格子点までの伝播時間を算出する手段と、
前記下格子点からの第２の受信波を、該下格子点に対応して算出した環境音速及び前記算出した伝播時間に基づいて算出する第２の算出手段と、
前記第１の算出手段により算出された第１の受信波と前記第２の算出手段により算出された第２の受信波との誤差が最小となる前記仮定音速を、前記着目領域における局所音速として判定する局所音速判定手段と、
を更に備えたことを特徴とする請求項６から９のいずれか１項に記載の超音波診断装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本発明の更に他の態様に係る超音波診断装置において、前記受信信号取得手段は、複数の走査線上の反射点に対応する格子点であって、所望の着目領域に設定される上格子点と、前記上格子点と前記超音波探触子との間に設定される下格子点の反射の受信信号を取得し、前記局所音速算出手段は、前記上格子点及び下格子点での反射の受信信号に基づいて、各格子点から前記超音波探触子までの領域の平均音速である環境音速を算出する環境音速算出手段と、前記上格子点を反射点としたときの第１の受信波を、該上格子点に対応して算出した環境音速に基づいて算出する第１の算出手段と、前記着目領域における仮定音速を仮定し、前記上格子点から下格子点までの伝播時間を算出する手段と、前記下格子点からの第２の受信波を、該下格子点に対応して算出した環境音速及び前記算出した伝播時間に基づいて算出する第２の算出手段と、前記第１の算出手段により算出された第１の受信波と前記第２の算出手段により算出された第２の受信波との誤差が最小となる前記仮定音速を、前記着目領域における局所音速として判定する局所音速判定手段と、を含むことを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
本発明の更に他の態様に係る超音波診断装置において、前記受信信号取得手段は、前記判定手段により屈折のない走査線が判定されると、該走査線上の反射点に対応する格子点であって、所望の着目領域に設定される上格子点と、前記上格子点と前記超音波探触子との間に設定される下格子点の反射の受信信号を取得し、前記上格子点及び下格子点での反射の受信信号に基づいて、各格子点から前記超音波探触子までの領域の平均音速である環境音速を算出する環境音速算出手段と、前記上格子点を反射点としたときの第１の受信波を、該上格子点に対応して算出した環境音速に基づいて算出する第１の算出手段と、前記着目領域における仮定音速を仮定し、前記上格子点から下格子点までの伝播時間を算出する手段と、前記下格子点からの第２の受信波を、該下格子点に対応して算出した環境音速及び前記算出した伝播時間に基づいて算出する第２の算出手段と、前記第１の算出手段により算出された第１の受信波と前記第２の算出手段により算出された第２の受信波との誤差が最小となる前記仮定音速を、前記着目領域における局所音速として判定する局所音速判定手段と、を更に備えたことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月1日(2014.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体の測定部位における電気インピーダンスを示す第１測定信号を取得する第１取得手段と、
前記測定部位に照射されて前記測定部位で反射した光の受光量を示す第２測定信号を取得する第２取得手段と、
前記生体の動きに応じた物理量を示す第３測定信号を取得する第３取得手段と、
前記第１測定信号又は前記第３測定信号の少なくとも一方に基づいて前記測定部位がうっ血状態であるか否かを検出する検出手段と、
前記検出手段によってうっ血状態であることが検出された場合に、前記第１測定信号と前記第２測定信号とを用いて前記生体の脈波を示す情報を出力する出力手段と、
を備えることを特徴とする脈波信号処理装置。
【請求項２】
前記出力手段は、前記検出手段によってうっ血状態でないことが検出された場合に、前記第２測定信号と前記第３測定信号とを用いて前記生体の脈波を示す情報を出力することを特徴とする請求項１に記載の脈波信号処理装置。
【請求項３】
前記検出手段は、前記第１測定信号が予め定められた閾値以下である場合に前記測定部位がうっ血状態であると検出することを特徴とする請求項１又は２に記載の脈波信号処理装置。
【請求項４】
前記閾値は、前記生体に応じて定められた前記電気インピーダンスに関する値であることを特徴とする請求項３に記載の脈波信号処理装置。
【請求項５】
前記うっ血状態は、前記第１測定信号に基づく前記電気インピーダンスを示す値と、前記第３測定信号に基づいて検出された姿勢情報と、に基づいて判定されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の脈波信号処理装置。
【請求項６】
生体の測定部位に光を照射し、前記照射した光が当該測定部位で反射した光の受光量を示す第１測定信号を出力する受発光手段と、
前記測定部位における電気インピーダンスを示す第２測定信号を出力するインピーダンス出力手段と、
前記生体の動きに応じた物理量を示す第３測定信号を出力する物理量出力手段と、
前記受発光手段から出力された前記第１測定信号と、前記インピーダンス出力手段から出力された前記第２測定信号と、前記物理量出力手段から出力された前記第３測定信号とを取得する、前記請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の脈波信号処理装置と
を備えることを特徴とする脈波測定装置。
【請求項７】
コンピュータを
生体の測定部位における電気インピーダンスを示す第１測定信号を取得する第１取得手段、
前記測定部位に照射されて前記測定部位で反射した光の受光量を示す第２測定信号を取得する第２取得手段、
前記生体の動きに応じた物理量を示す第３測定信号を取得する第３取得手段、
前記第１測定信号又は前記第３測定信号の少なくとも一方に基づいて前記測定部位がうっ血状態であるか否かを検出する検出手段、
前記検出手段によってうっ血状態であることが検出された場合に、前記第１測定信号と前記第２測定信号とを用いて前記生体の脈波を示す情報を出力し、前記検出手段によってうっ血状態でないことが検出された場合に、前記第２測定信号と前記第３測定信号とを用いて前記生体の脈波を示す情報を出力する出力手段、
として機能させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月27日(2013.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技に関する演出画像を表示する表示領域を有する表示手段と、前記表示手段の表示制御を行う表示制御手段と、を備えた遊技機において、
遊技球が入球可能な始動手段と、
前記始動手段に遊技球が入球したときに図柄を変動させて行う図柄変動ゲームの実行の保留を示す始動保留球の記憶数を記憶する保留記憶手段と、
前記表示手段における前記表示領域の前方に位置するように変位可能な可動体と、を備え、
前記表示領域には、始動保留球を示す保留画像を表示する保留表示領域が設定されており、
前記表示制御手段は、図柄変動ゲームにおいて、ノーマルリーチ演出を経由し、当該ノーマルリーチ演出に比して大当り期待度が高まるスーパーリーチ演出へ発展させる演出画像を前記表示手段に表示させることができ、前記ノーマルリーチ演出から前記スーパーリーチ演出へ発展する際にリーチ発展演出として前記ノーマルリーチ演出の実行時には前記保留表示領域の全領域の前方に位置しない前記可動体が前記保留表示領域の少なくとも一部の前方に位置するように変位する可動体演出の実行に伴い、前記保留表示領域に表示されている全ての保留画像を表示させている態様から非表示にさせる態様に制御し、前記スーパーリーチ演出の実行中に前記可動体が元の位置に戻るように変位して前記保留表示領域が視認可能な状態となっても、前記保留画像を非表示にさせる態様を維持させ、前記図柄変動ゲームの終了までに前記保留画像を表示させる態様に制御する遊技機。
【請求項２】
前記表示制御手段は、前記可動体演出の実行時における前記可動体の動作を当該可動体が動作していない状態で前記演出画像として表示させることができ、前記可動体の動作を前記演出画像として表示させる場合には前記保留画像を非表示にさせる態様に制御する請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記表示制御手段は、前記可動体演出の実行に伴い、前記表示領域において前記可動体によって隠れない位置であって、前記可動体演出の実行以前に前記保留画像が表示されていた前記保留表示領域とは別の領域に前記保留画像を表示させる請求項１又は請求項２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記可動体には、動作に伴って前記保留画像を覆う第１の可動体と、動作に伴って前記保留画像を覆わない第２の可動体と、を含み、
前記表示制御手段は、前記可動体演出の実行に伴って前記第１の可動体が動作することにより前記保留画像を非表示にさせる態様に制御し、前記第２の可動体が動作する場合には前記保留画像を非表示にさせる態様で制御せずに表示させている態様で制御する請求項１〜請求項３のうち何れか一項に記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、遊技に関する演出画像を表示する表示領域を有する表示手段と、前記表示手段の表示制御を行う表示制御手段と、を備えた遊技機において、遊技球が入球可能な始動手段と、前記始動手段に遊技球が入球したときに図柄を変動させて行う図柄変動ゲームの実行の保留を示す始動保留球の記憶数を記憶する保留記憶手段と、前記表示手段における前記表示領域の前方に位置するように変位可能な可動体と、を備え、前記表示領域には、始動保留球を示す保留画像を表示する保留表示領域が設定されており、前記表示制御手段は、図柄変動ゲームにおいて、ノーマルリーチ演出を経由し、当該ノーマルリーチ演出に比して大当り期待度が高まるスーパーリーチ演出へ発展させる演出画像を前記表示手段に表示させることができ、前記ノーマルリーチ演出から前記スーパーリーチ演出へ発展する際にリーチ発展演出として前記ノーマルリーチ演出の実行時には前記保留表示領域の全領域の前方に位置しない前記可動体が前記保留表示領域の少なくとも一部の前方に位置するように変位する可動体演出の実行に伴い、前記保留表示領域に表示されている全ての保留画像を表示させている態様から非表示にさせる態様に制御し、前記スーパーリーチ演出の実行中に前記可動体が元の位置に戻るように変位して前記保留表示領域が視認可能な状態となっても、前記保留画像を非表示にさせる態様を維持させ、前記図柄変動ゲームの終了までに前記保留画像を表示させる態様に制御することを要旨とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の遊技機において、前記表示制御手段は、前記可動体演出の実行時における前記可動体の動作を当該可動体が動作していない状態で前記演出画像として表示させることができ、前記可動体の動作を前記演出画像として表示させる場合には前記保留画像を非表示にさせる態様に制御することを要旨とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の遊技機において、前記表示制御手段は、前記可動体演出の実行に伴い、前記表示領域において前記可動体によって隠れない位置であって、前記可動体演出の実行以前に前記保留画像が表示されていた前記保留表示領域とは別の領域に前記保留画像を表示させることを要旨とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３のうち何れか一項に記載の遊技機において、前記可動体には、動作に伴って前記保留画像を覆う第１の可動体と、動作に伴って前記保留画像を覆わない第２の可動体と、を含み、前記表示制御手段は、前記可動体演出の実行に伴って前記第１の可動体が動作することにより前記保留画像を非表示にさせる態様に制御し、前記第２の可動体が動作する場合には前記保留画像を非表示にさせる態様で制御せずに表示させている態様で制御することを要旨とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
次に、上記実施形態及び別例から把握できる技術的思想を以下に追記する。
（イ）前記表示制御手段は、図柄変動ゲーム中において、前記保留表示領域の少なくとも一部の前方に位置するように前記可動体が変位する可動体演出を実行させる場合に、該保留表示領域に表示されていた保留画像の表示を非表示にさせる制御を行うとともに、前記表示領域のうち該保留表示領域とは別であり、前記可動体が前方に位置するようには変位しない第２保留表示領域に、非表示にさせた保留画像を示す画像を表示させる制御を行う遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月17日(2014.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
将来の日時における電力需要者の電力需要を予測する電力需要予測部と、
前記日時において前記電力需要者の電力消費量を取得する電力計測部と、
前記電力需要予測部により予測された電力需要予測量と前記電力消費量とに基づいて、電力需要者に対して前記電力消費量の調整を促すデマンドを決定するデマンド制御部と、
該デマンド制御部により決定された前記デマンドを前記電力需要者に対して発行するデマンド発行部と、
を備える
電力管理装置。
【請求項２】
前記デマンド制御部は、前記電力需要予測量が前記電力消費量よりも少ない場合、前記電力消費量を削減するように前記デマンドを決定する
請求項１に記載の電力管理装置。
【請求項３】
前記デマンド制御部は、前記電力需要者に電気機器の使用を制限させるように前記デマンドを決定する
請求項１または２に記載の電力管理装置。
【請求項４】
前記デマンド制御部は、前記電力需要者に外出を促すように前記デマンドを決定する
請求項１から３のいずれかに記載の電力管理装置。
【請求項５】
前記デマンド制御部は、前記電力需要予測量が前記電力消費量よりも多い場合、前記電力消費量を増加するように前記デマンドを決定する
請求項１から４のいずれかに記載の電力管理装置。
【請求項６】
前記デマンド制御部は、前記電力需要予測量が前記電力消費量よりも多い場合、前記電気機器の使用を促すように前記デマンドを決定する
請求項１から５のいずれかに記載の電力管理装置。
【請求項７】
前記デマンドに対する前記電力需要者の対応状況を把握するデマンド監視部をさらに備え、
前記デマンド発行部により発行された前記デマンドと、前記デマンド監視部により得た前記電力需要者の前記デマンドへの対応状況と関連付けて格納するデータベースを
をさらに備え、
前記デマンド制御部は、前記データベースを参照することにより前記デマンドを決定する
請求項１から６のいずれかに記載の電力管理装置。
【請求項８】
前記デマンド発行部により発行された前記デマンドを前記電力需要者に通知するデマンド通知部をさらに備える
請求項１から７のいずれかに記載の電力管理装置。
【請求項９】
電力需要者の将来の日時における電力需要を予測し、
前記日時において前記電力需要者の電力消費量を測定し、
予測された電力需要予測量と測定された電力消費量とに基づいて電力需要者に対するデマンドを決定し、
決定されたデマンドを発行する
電力管理方法。
【請求項１０】
将来の日時における電力需要者の電力需要を予測する電力需要予測部と、
前記日時における前記電力需要者の電力消費量を測定する電力計測部と、
前記電力需要予測部により予測された電力需要予測量と前記電力計測部により測定された電力消費量とに基づいて電力需要者に対するデマンドを決定するデマンド制御部と、
該デマンド制御部により決定されたデマンドを発行する前記電力需要者に対して発行するデマンド発行部と、
を備える電力管理装置から送信される前記デマンドを受信する通信部と、
前記デマンドを前記電力需要者に通知する通知部と
を備えるデマンド通知装置。