Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月19日(2014.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路のスキャンテストに使用するための装置であって、
複数の他のスキャンセルとともに、スキャンシフト動作モード及び機能動作モードを有するスキャンチェーンを成して配置されるように構成されたスキャンセル
を含み、
前記スキャンセルは、前記スキャンシフト動作モードでは前記スキャンセルの機能データ出力をディスエーブルし、前記機能動作モードでは前記スキャンセルのスキャン出力をディスエーブルするように構成された出力制御回路を含む、装置。
【請求項２】
前記スキャンセルが、
機能データ入力と、
スキャン入力と、
スキャン・イネーブル入力と、
前記機能データ入力に結合された第１の入力、前記スキャン入力に結合された第２の入力、および前記スキャン・イネーブル入力に結合された選択ラインを有するマルチプレクサと、
前記マルチプレクサの出力に結合された入力を有するフリップフロップと
をさらに備え、
前記出力制御回路は、前記フリップフロップの出力と、前記スキャンセルの前記機能データ出力およびスキャン出力との間に結合される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記出力制御回路は、スキャン・イネーブル信号が第１の２値論理レベルであることに応答して前記スキャンセルの前記機能データ出力をディスエーブルし、前記スキャンセルの前記スキャン出力をイネーブルし、ならびに前記スキャン・イネーブル信号が第２の２値論理レベルであることに応答して前記スキャンセルの前記スキャン出力をディスエーブルし、前記スキャンセルの機能データ出力をイネーブルするように動作する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記出力制御回路は、
前記フリップフロップの前記出力と、前記スキャンセルの前記機能データ出力との間に結合された第１のトライステート・バッファと、
前記フリップフロップの前記出力と、前記スキャンセルの前記スキャン出力との間に結合された第２のトライステート・バッファと
を備え、前記第１および第２のトライステート・バッファのうちの一方の制御入力にスキャン・イネーブル信号が印加され、前記第１および第２のトライステート・バッファのうちの他方の前記制御入力に前記スキャン・イネーブル信号の補数をとったものが印加される、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記出力制御回路は、
そのゲートが前記スキャン・イネーブル入力に結合され、そのソースが前記フリップフロップの前記出力に結合され、そのドレインが前記スキャンセルの前記機能データ出力に結合された第１のＰＭＯＳトランジスタと、
そのゲートが前記スキャン・イネーブル入力に結合され、そのドレインが上位電源電位に結合され、そのソースが前記スキャンセルの前記機能データ出力に結合された第１のＮＭＯＳトランジスタと、
そのゲートが前記スキャン・イネーブル入力に結合され、そのソースが前記スキャンセルの前記スキャン出力に結合され、そのドレインが下位電源電位に結合された第２のＰＭＯＳトランジスタと、
そのゲートが前記スキャン・イネーブル入力に結合され、そのソースが前記スキャンセルの前記スキャン出力に結合され、そのドレインが前記フリップフロップの前記出力に結合された第２のＮＭＯＳトランジスタと
を備える、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記スキャンセルの前記スキャン・イネーブル入力に印加されたスキャン・イネーブル信号が論理ハイレベルにあることに応答して、前記第１および第２のＰＭＯＳトランジスタはターン・オフされ、前記第１および第２のＮＭＯＳトランジスタはターン・オンされ、それにより前記スキャンセルの前記機能データ出力は、前記第１のＰＭＯＳトランジスタにより前記フリップフロップ出力から切断されることによってディスエーブルされ、前記スキャンセルの前記スキャン出力は、前記第２のＮＭＯＳトランジスタにより前記フリップフロップ出力に接続されることによってイネーブルされる、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記スキャンセルの前記スキャン・イネーブル入力に印加されたスキャン・イネーブル信号が論理ローレベルにあることに応答して、前記第１および第２のＰＭＯＳトランジスタはターン・オンされ、前記第１および第２のＮＭＯＳトランジスタはターン・オフされ、それにより前記スキャンセルの前記機能データ出力は、前記第１のＰＭＯＳトランジスタにより前記フリップフロップ出力に接続されることによってイネーブルされ、前記スキャンセルの前記スキャン出力は、前記第２のＮＭＯＳトランジスタにより前記フリップフロップ出力から切断されることによってディスエーブルされる、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記出力制御回路は、前記フリップフロップの前記出力に結合された第１の入力、前記スキャンセルの前記スキャン・イネーブル入力に結合された第２の入力、前記スキャンセルの前記機能データ出力に結合された第１の出力、および前記スキャンセルの前記スキャン出力に結合された第２の出力を有する論理ゲートを備える、請求項２に記載の装置。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか一項に記載の装置を含むスキャンテスト回路と、
前記スキャンテスト回路を使用してテストを受ける追加回路と
を備える集積回路。
【請求項１０】
集積回路をスキャンテストする方法であって、
複数のスキャンセルを有する少なくとも１つのスキャンチェーンであって、スキャンシフト動作モードではシリアル・シフトレジスタとして動作し、機能動作モードでは前記集積回路の追加回路の少なくとも一部分からの機能データを捕捉するように構成された、スキャンチェーンを備えたスキャンテスト回路を設けるステップと、
前記スキャンシフト動作モードでは、前記スキャンセルの少なくとも所与の１つの機能データ出力をディスエーブルするステップと、
前記機能動作モードでは、前記所与のスキャンセルのスキャン出力をディスエーブルするステップと
を含む方法。
【請求項１１】
集積回路のスキャンテストに使用するためにコンピュータ読取可能媒体において実施されるコンピュータプログラムコードを含む当該コンピュータ読取可能媒体を含むコンピュータプログラム製品であって、前記コンピュータプログラムが、テストシステムにおいて実行されたときに、前記テストシステムに、請求項１０に記載の方法のステップを実施させる、コンピュータプログラム製品。
【請求項１２】
プロセッサと、
前記プロセッサに結合され、集積回路設計を特徴付ける情報を記憶するように構成されたメモリと
を備える処理システムであって、
前記処理システムは、集積回路設計内に、複数のスキャンセルを有する少なくとも１つのスキャンチェーンであって、スキャンシフト動作モードではシリアル・シフトレジスタとして動作し、機能動作モードでは前記集積回路の追加回路の少なくとも一部分からの機能データを捕捉するように構成された、スキャンチェーンを備えるスキャンテスト回路を設けるように構成され、
前記スキャンチェーンの前記スキャンセルの少なくとも所与の１つは、前記スキャンシフト動作モードでは前記スキャンセルの機能データ出力をディスエーブルし、前記機能動作モードでは前記スキャンセルのスキャン出力をディスエーブルするように構成された出力制御回路を備える、処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月10日(2014.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明においては、破壊靭性試験片として、ナゲット部の径方向に沿って幅：Ｗ［ｍｍ］、ＸＹ面に平行かつ前記径方向に直交する方向に沿って厚み：Ｔ［ｍｍ］、板厚方向に長さ：Ｌ［ｍｍ］を有する直方体として切り出す。Ｗ、Ｔの値に関しては、後述の式（４）の条件を満足することが必要である。Ｌの値に関しては、特に制約は設けないが、図３に示すような引張型の破壊靱性試験片を作製する場合には、引張治具に装着できるようなつかみ部を設けることのできる長さとすることが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
なお、破壊靱性試験片に残存する疲労予き裂長さａｊ、破壊靭性試験片の厚さ：Ｔおよび幅：Ｗは、破壊力学的に、それぞれ以下の式を満足することが必要である。
【数４】
2012202947.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月4日(2014.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加速されたイオンを単結晶半導体基板に照射して、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、
前記単結晶半導体基板とベース基板とを、絶縁膜を介して貼り合わせ、
前記脆化領域において前記単結晶半導体基板を分離して、前記ベース基板上に前記絶縁膜を介して第１の単結晶半導体層を形成し、
前記第１の単結晶半導体層に対してドライエッチングを行って、端部にテーパー形状を有する第２の単結晶半導体層を形成し、
前記第２の単結晶半導体層の端部に対して、ベース基板側の電位を接地電位とした状態でエッチングを行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板の表面に酸化膜を形成し、
前記酸化膜を介して、加速されたイオンを前記単結晶半導体基板に照射することによって、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、
前記単結晶半導体基板とベース基板とを、前記酸化膜と窒素含有層とを介して貼り合わせ、
前記脆化領域において前記単結晶半導体基板を分離して、前記ベース基板上に前記酸化膜と前記窒素含有層とを介して第１の単結晶半導体層を形成し、
前記第１の単結晶半導体層に対してドライエッチングを行って、端部にテーパー形状を有する第２の単結晶半導体層を形成し、
前記第２の単結晶半導体層の端部に対して、ベース基板側の電位を接地電位とした状態でエッチングを行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の単結晶半導体層の上にマスクパターンを形成し、
前記マスクパターンを用いて、前記ドライエッチングと、前記ベース基板側の電位を接地電位としたエッチングを行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記ベース基板側の電位を接地電位としたエッチングは、エッチングガスとして、塩素を含むガス、四フッ化炭素、又はフッ素を含むガスを用いて行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２の単結晶半導体層の端部は、３０度以上９０度未満のテーパー角を有するテーパー形状を有することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第２の単結晶半導体層の端部は、３０度以上５０度以下のテーパー角を有するテーパー形状を有することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記ドライエッチングは、エッチングガスとして、塩素を含むガス、フッ素を含むガス、トリフルオロメタン、臭化水素、又は、前記ガスの少なくとも一つに酸素を加えたガスを用いて行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の作製方法で作製されたＳＯＩ基板を用いた半導体装置の作製方法であって、
前記第２の単結晶半導体層を含むトランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月1日(2014.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＦＭクリックの影響を受けない受信周波数変調（ＦＭ）信号についての周波数誤差を推定するための装置であって、
周波数変調（ＦＭ）信号を受信するための受信機と、
前記受信信号を復調し、周波数誤差を推定するためのプロセッサとを備え、
前記プロセッサが、第１の信号サンプルの位相を第２の信号サンプルの位相と比較することによって前記受信ＦＭ信号の位相変化を決定するように構成され、前記第１の信号サンプルおよび前記第２の信号サンプルが、時間で２サンプル以上隔てられる、装置。
【請求項２】
前記第１の信号サンプルおよび前記第２の信号サンプルが、互いに隣接していない、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記第１の信号サンプルと前記第２の信号サンプルとの間の前記時間的隔たりが、前記受信信号のナイキストレート未満である、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１の信号サンプルと前記第２の信号サンプルとの間の前記時間的隔たりが、前記受信機の最大周波数誤差に対応する周期を超えない、請求項１乃至３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
前記装置が、周波数変調（ＦＭ）または周波数偏移変調（ＦＳＫ）無線システムである、請求項１乃至４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
ＦＭクリックの影響を受けない受信周波数変調（ＦＭ）信号についての周波数誤差を推定する方法であって、
受信機システムで前記周波数変調信号を受信するステップと、
第１の信号サンプルの位相を第２の信号サンプルの位相と比較して位相誤差を決定するステップを含む前記受信信号を復調するステップであり、前記第１の信号サンプルおよび前記第２の信号サンプルが、時間で２サンプル以上隔てられる、ステップと、
ＦＭクリックの影響を受けない前記受信信号についての前記周波数誤差を推定するステップと
を含む方法。
【請求項７】
前記第１の信号サンプルおよび前記第２の信号サンプルが、互いに隣接していないことをさらに含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記第１の信号サンプルと前記第２の信号サンプルとの間の前記時間的隔たりが、前記受信信号のナイキストレート未満である、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の信号サンプルと前記第２の信号サンプルとの間の前記時間的隔たりが、前記受信機の最大周波数誤差に対応する周期を超えない、請求項６乃至８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記受信機システムが、周波数変調（ＦＭ）または周波数偏移変調（ＦＳＫ）無線システムである、請求項６乃至９のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月1日(2014.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路（１０４）の導体を通る第１の電流レベルを測定するように構成された電流センサ（１０６）と、
前記回路（１０４）の複数の導体の両端間の第１の電圧レベルを測定するように構成された電圧センサ（１１０）と、
前記回路（１０４）の感度設定を選択するように構成されたスイッチ（１０２）
前記電流センサ（１０６）および前記電圧センサ（１１０）に通信可能に結合したコントローラ（１１６）とを備える電力回路保護システム（１００）であって、前記コントローラ（１１６）が、
前記第１の電流レベルを表す第１の信号を前記電流センサ（１０６）から受信し、
前記第１の電圧レベルを表す第２の信号を前記電圧センサ（１１０）から受信し、
前記第１の電流レベルを前記感度設定に基づいて選択された閾値電流レベルと比較し、
前記第１の電圧レベルを前記感度設定に基づいて選択された閾値電圧レベルと比較し、
前記第１の電流レベルが前記閾値電流レベルより高いとした判定と、前記第１の電圧レベルが前記閾値電圧レベルより高いとした判定との間の第１の時間間隔を測定し、
前記第１の電流レベルが、前記閾値電流レベルより高く、前記第１の電圧レベルが、前記閾値電圧レベルより高いとき、第１の回路保護装置（１１２）を作動させるように構成されている、電力回路保護システム（１００）。
【請求項２】
前記感度設定が、低エネルギー通過（ＲＥＬＴ）モードとノーマルモードの間で選択可能である、請求項１記載の電力回路保護システム。
【請求項３】
前記コントローラ（１１６）が、
前記第１の電流レベルを第２の閾値電流レベルと比較して、前記第１の電流レベルが、前記第２の閾値電流レベルより高いか判定し、
前記回路の前記感度設定に基づいて、前記第１の電流レベルが、前記第２の閾値電流レベルより高いとき、第２の回路保護装置（１１４）を作動させる
ようにさらに構成されている、請求項２記載の電力回路保護システム（１００）。
【請求項４】
前記コントローラ（１１６）が、
前記第１の時間間隔を第２の所定の時間間隔と比較し、
前記第１の時間間隔が、前記第２の所定の時間間隔未満であるとき、前記第１の回路保護装置（１１２）を作動させる
ようにさらに構成されている、請求項１乃至３のいずれかに記載の電力回路保護システム（１００）。
【請求項５】
電力回路保護システム（１００）用のコントローラ（１１６）であって、
電流センサ（１０６）および電圧センサ（１１０）に通信可能に結合し、
回路遮断器（１１４）およびアーク閉じ込め装置（１１２）に通信可能に結合し、
スイッチ（１０２）に通信可能に結合し、
回路（１０４）の導体を通る第１の電流レベルを表す第１の信号を前記電流センサ（１０６）から受信し、
前記回路（１０４）の複数の導体の両端間の第１の電圧レベルを表す第２の信号を前記電圧センサ（１１０）から受信し、
前記回路（１０４）の感度設定を表す第３の信号を受信し、
前記第１の電流レベルを前記感度設定に基づいて選択された閾値電流レベルと比較し、
前記第１の電圧レベルを前記感度設定に基づいて選択された閾値電圧レベルと比較し、
前記第１の電流レベルが前記閾値電流レベルより高いとした判定と、前記第１の電圧レベルが前記閾値電圧レベルより高いとした判定との間の第１の時間間隔を測定し、
前記第１の時間間隔を前記感度設定に基づいて選択された所定の時間間隔と比較し、
前記第１の電流レベルが、前記閾値電流レベルより高く、前記第１の電圧レベルが、前記閾値電圧レベルより高く、前記第１の時間間隔が前記所定の時間間隔未満の時に前記アーク閉じ込め装置（１１２）を作動させるように構成されているコントローラ。
【請求項６】
前記コントローラ（１１６）が、
前記第１の電流レベルが、前記閾値電流レベルより高いとき、前記回路遮断器（１１４）のトリップを開始する
ようにさらに構成されている、請求項５記載のコントローラ（１１６）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月29日(2014.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理液で処理する基板処理装置であって、
前記基板を搬送する基板搬送部と、前記基板搬送部によって搬送される基板の主面に前記処理液を供給するための複数の供給ノズルと、前記基板搬送部によって搬送される前記基板の下方に配置され前記基板の主面の処理に使用された前記処理液を全量回収する処理液回収受け部とを有する基板処理機構部と、
前記基板処理機構部の下部に配置され、前記基板の処理に用いた前記処理液を前記処理液回収受け部から回収する貯留槽と、
前記貯留槽内に配置されて、前記基板の処理に用いた前記処理液から金属イオンを除去する処理液再生部と、
前記処理液再生部により前記金属イオンを除去した前記処理液を前記基板処理機構部に送る送液部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理液再生部には、前記処理液を通すための複数の流路が積み重ねて形成されており、各前記流路には前記処理液から前記金属イオンを除去するための金属イオン除去部材が配置されていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理液再生部は、前記貯留槽内から取り外し可能に前記貯留槽内に配置され、前記金属イオン除去部材は、ブロック状のキレート剤とイオン交換樹脂であることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明の実施形態は、例えば液晶ディスプレイのような液晶ガラス基板等の処理に用いられる基板処理装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明が解決しようとする課題は、処理液から金属イオンを除去でき、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能な基板処理装置を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一態様によれば、  基板を処理液で処理する基板処理装置であって、前記基板を搬送する基板搬送部と、前記基板搬送部によって搬送される基板の主面に前記処理液を供給するための複数の供給ノズルと、前記基板搬送部によって搬送される前記基板の下方に配置され前記基板の主面の処理に使用された前記処理液を全量回収する処理液回収受け部とを有する基板処理機構部と、前記基板処理機構部の下部に配置され、前記基板の処理に用いた前記処理液を前記処理液回収受け部から回収する貯留槽と、前記貯留槽内に配置されて、前記基板の処理に用いた前記処理液から金属イオンを除去する処理液再生部と、前記処理液再生部により前記金属イオンを除去した前記処理液を前記基板処理機構部に送る送液部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、処理液から金属イオンを除去でき、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能な基板処理装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月4日(2013.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さが１２．５〜３０μｍのポリイミドフィルムの少なくとも片面に、エポキシ樹脂のアンカーコート層を設け、該アンカーコート層上に多層カーボンナノチューブ水分散液と樹脂水分散液とを混合してなる塗工液を、多層カーボンナノチューブとして１ｇ／ｍ２以上、且つ、可燃性有機物であるエポキシ樹脂、多層カーボンナノチューブの分散剤及び樹脂水分散液の固形分総量が１５ｇ／ｍ２以下となるように塗工して得られる難燃性の電磁波吸収シート。
【請求項２】
樹脂水分散液の樹脂がポリエステル系樹脂である請求項１に記載された電磁波吸収シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
塗工用基材としてポリイミドフィルムを用いる。繊維状の基材では裁断時に繊維が脱落する恐れがあるので好ましくない。ポリイミドフィルムは高強度、高耐熱性及び高耐化学的特性を持っており、柔軟性にも優れ、フィルム自体が難燃性であり、極薄タイプが市販されている。厚さ30μｍ以下のフィルムを用いることにより、塗工液を塗工しても50μｍ以下の難燃性の電磁波吸収シートを提供できる。ポリイミドフィルムとしては例えば、カネカ製の商品名「アピカル１２．５ＮＰＩ」（１２．５μｍ）、東レ・デュポン製の商品名「カプトン１００Ｈ」（２５μｍ）が挙げられる。何れもＵＬ９４規格の垂直燃焼試験ＵＬ９４ＶでＶ−０クラスである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（難燃性）
ＵＬ９４規格の垂直燃焼試験ＵＬ９４Ｖに基づいて実施した。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月24日(2014.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、画像を記憶する記憶手段と、表示手段と、この表示手段の表示面に対しての外部からの指示による指示情報を検出する検出手段と、前記記憶手段から画像を読み出し、前記表示手段に表示するよう制御する第１の表示制御手段と、この第１の表示制御手段によって表示されている画像の特徴量情報を取得する取得手段と、前記検出手段によって検出された指示情報、及び、この指示情報が検出された位置に対応している前記画像の特徴量情報に基づいて、前記指示情報に対応する画像領域を加工する加工手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、請求項７記載の発明は、画像を記憶する記憶手段と、表示手段とを備える機器が有するコンピュータを、この表示手段の表示面に対しての外部からの指示による指示情報を検出する検出手段、前記記憶手段から画像を読み出し、前記表示手段に表示するよう制御する表示制御手段、この表示制御手段によって表示されている画像の特徴量情報を取得する取得手段、前記検出手段によって検出された指示情報、及び、この指示情報が検出された位置に対応している前記画像の特徴量情報に基づいて、前記指示情報に対応する画像領域を加工する加工手段、として機能させることを特徴とする。
また、請求項８記載の発明は、表示手段の表示面に対しての外部から指示による指示情報を検出する検出ステップと、記憶手段から画像を読み出し、前記表示手段に表示するよう制御する表示制御ステップと、この表示制御ステップにて表示されている画像の特徴量情報を取得する取得ステップと、前記検出ステップにて検出された指示情報、及び、この指示情報が検出された位置に対応している前記画像の特徴量情報に基づいて、前記指示情報に対応する画像領域を加工する加工ステップと、を含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を記憶する記憶手段と、
表示手段と、
この表示手段の表示面に対しての外部からの指示による指示情報を検出する検出手段と、
前記記憶手段から画像を読み出し、前記表示手段に表示するよう制御する第１の表示制御手段と、
この第１の表示制御手段によって表示されている画像の特徴量情報を取得する取得手段と、
前記検出手段によって検出された指示情報、及び、この指示情報が検出された位置に対応している前記画像の特徴量情報に基づいて、前記指示情報に対応する画像領域を加工する加工手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記指示情報は、前記検出手段による外部からの指示の検出に続いて、その指示が検出された位置を含む画像領域を含むことを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記画像領域とは、前記検出手段による外部からの指示の検出に続いて、その指示が検出された位置を始点として継続的に指示が検出された場合、その指示された位置の軌跡を少なくとも含む領域であることを特徴とする請求項２記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記取得手段は、この第１の表示制御手段によって表示されている画像を複数の画像領域に分割し、この分割された画像領域毎に特徴量情報を取得し、
前記加工手段は、前記検出手段によって検出された指示情報、及び、この指示情報が検出された位置に対応している前記分割された画像領域の特徴量情報に基づいて、前記指示情報に対応する画像領域を加工することを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記加工手段によって加工された画像を加工前の画像から徐々に変化させて表示するよう制御する第２の表示制御手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記加工手段によって加工された画像を記録媒体に記録する記録制御手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の画像処理装置。
【請求項７】
画像を記憶する記憶手段と、表示手段とを備える機器が有するコンピュータを、
この表示手段の表示面に対しての外部からの指示による指示情報を検出する検出手段、
前記記憶手段から画像を読み出し、前記表示手段に表示するよう制御する表示制御手段、
この表示制御手段によって表示されている画像の特徴量情報を取得する取得手段、
前記検出手段によって検出された指示情報、及び、この指示情報が検出された位置に対応している前記画像の特徴量情報に基づいて、前記指示情報に対応する画像領域を加工する加工手段、
として機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項８】
表示手段の表示面に対しての外部から指示による指示情報を検出する検出ステップと、
記憶手段から画像を読み出し、前記表示手段に表示するよう制御する表示制御ステップと、
この表示制御ステップにて表示されている画像の特徴量情報を取得する取得ステップと、
前記検出ステップにて検出された指示情報、及び、この指示情報が検出された位置に対応している前記画像の特徴量情報に基づいて、前記指示情報に対応する画像領域を加工する加工ステップと、
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月22日(2013.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報処理装置と有線又は無線により接続されてデータ通信可能な携帯電子機器であって、
外部ネットワークと接続して無線通信を行う第１の通信部と、
前記情報処理装置により読み込まれて起動可能な第１のオペレーティングシステムを記憶する第１の記憶部と、
前記情報処理装置により前記第１のオペレーティングシステムが起動されたか否かを判定し、前記第１のオペレーティングシステムが起動されているときは、前記第１の通信部によりデータ通信を行う制御部と、を備える携帯電子機器。
【請求項２】
前記制御部は、前記第１のオペレーティングシステムが起動されていないときは、前記第１の記憶部を動作させ、前記情報処理装置により当該第１の記憶部を認識させ、前記第１のオペレーティングシステムが起動されたことに応じて、前記第１の記憶部を停止させると共に、前記第１の通信部を動作させ、前記情報処理装置により当該第１の通信部を認識させる請求項１に記載の携帯電子機器。
【請求項３】
前記第１の記憶部には、前記情報処理装置により前記第１のオペレーティングシステムが起動されたことを示すデータが書き込まれ、
前記制御部は、前記第１の記憶部に前記データが書き込まれていない場合、前記第１のオペレーティングシステムが起動されていないと判定し、前記第１の記憶部に前記データが書き込まれた場合、前記第１のオペレーティングシステムが起動されたと判定する請求項１又は請求項２に記載の携帯電子機器。
【請求項４】
前記制御部は、前記第１の記憶部が前記情報処理装置により認識されたことに応じて、当該制御部から前記第１の記憶部へのアクセスが切断された場合、当該第１の記憶部を読み取り専用の記憶装置として認識する請求項３に記載の携帯電子機器。
【請求項５】
第２のオペレーティングシステムを記憶する第２の記憶部をさらに備え、
前記制御部は、前記情報処理装置と切断されている場合、前記第２のオペレーティングシステムを起動すると共に、前記第１の通信部を動作させて前記外部ネットワークと接続する請求項１から請求項４のいずれかに記載の携帯電子機器。
【請求項６】
情報処理装置と有線又は無線により接続されてデータ通信可能な携帯電子機器の制御方法であって、
前記携帯電子機器は、外部ネットワークと接続して無線通信を行う通信部と、前記情報処理装置により読み込まれて起動可能なオペレーティングシステムを記憶する記憶部と、を有し、
前記情報処理装置により前記オペレーティングシステムが起動されたか否かを判定する判定ステップと、
前記オペレーティングシステムが起動されているときは、前記通信部によりデータ通信を行う制御ステップと、を含む制御方法。
【請求項７】
前記制御ステップにおいて、前記携帯電子機器は、前記オペレーティングシステムが起動されていないときは、前記記憶部を動作させ、前記情報処理装置により当該記憶部を認識させ、前記オペレーティングシステムが起動されたことに応じて、前記記憶部を停止させると共に、前記通信部を動作させ、前記情報処理装置により当該通信部を認識させる請求項６に記載の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月25日(2014.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに異なる位相を有する第１および第２クロック信号を生成する粗調整回路と、
第１クロック信号の位相と第２クロック信号の位相との間の位相を有する第３クロック信号を生成する微調整回路と、を備え、
前記微調整回路は、第１クロック信号を受ける複数の第１トランジスタと第２クロック信号を受ける複数の第２トランジスタとを含み、
前記微調整回路は、ｍを自然数としｎを２ｍ以下の自然数とするとき、調整コードに基づき選択された０個以上の第１トランジスタから出力される第１クロック信号と調整コードに基づき選択された０個以上の第２トランジスタから出力される第２クロック信号とを合成することにより、２ｍ＋ｎステップで第３クロック信号の位相を制御し、
最も小さなサイズの第１トランジスタは第３クロック信号の位相を１ステップ変えることを可能とし、最も大きなサイズの第１トランジスタは第３クロック信号の位相を２ｍステップより小さいステップ変えることを可能とし、
最も小さなサイズの第２トランジスタは第３クロック信号の位相を１ステップ変えることを可能とし、最も大きなサイズの第２トランジスタは第３クロック信号の位相を２ｍステップより小さいステップ変えることを可能とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
少なくとも２つの第１トランジスタは同じサイズを有し、少なくとも２つの第２トランジスタは同じサイズを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記少なくとも２つの第１トランジスタおよび前記少なくとも２つの第２トランジスタのそれぞれは、ｋをｍより小さな整数とするとき、第３クロック信号の位相を２ｋステップ変えることを可能とすることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記少なくとも２つの第１トランジスタおよび前記少なくとも２つの第２トランジスタのそれぞれは、ｋをｍより小さな整数とするとき、第３クロック信号の位相を２ｋ−１ステップ変えることを可能とすることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記微調整回路は、第３クロック信号の位相を２ｍ＋１ステップで調整することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
第１トランジスタの数はｍ＋２以上であり、第２トランジスタの数はｍ＋２以上であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
少なくとも２つの第１トランジスタは最大のサイズを有し、少なくとも２つの第２トランジスタは最大のサイズを有することを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
全ての第１トランジスタは同じサイズを有し、全ての第２トランジスタは同じサイズを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
互いに異なる位相を有する第１および第２クロック信号を生成する粗調整回路と、
第１クロック信号の位相と第２クロック信号の位相との間の位相を有する第３クロック信号を生成する微調整回路と、を備え、
前記微調整回路は、第１クロック信号を受ける複数の第１トランジスタと第２クロック信号を受ける複数の第２トランジスタとを含み、
前記微調整回路は、調整コードに基づき選択された０個以上の第１トランジスタから出力される第１クロック信号と調整コードに基づき選択された０個以上の第２トランジスタから出力される第２クロック信号とを合成することにより、複数ステップで第３クロック信号の位相を制御し、
少なくとも２つの第１トランジスタのサイズは同じであり、少なくとも２つの第２トランジスタのサイズは同じであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
少なくとも２つの第１トランジスタは最大のサイズを有し、少なくとも２つの第２トランジスタは最大のサイズを有することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
全ての第１トランジスタは同じサイズを有し、全ての第２トランジスタは同じサイズを有することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１２】
第１入力ノードと第１出力ノードと第２出力ノードとを含む粗調整回路と、
第３出力ノードと複数の第１遅延回路と複数の第２遅延回路とを含む微調整回路と、を備え、
第１入力ノードには第１クロック信号が供給され、第１、第２出力ノードにはそれぞれ第２、第３クロック信号が供給され、第２、第３クロック信号の位相はそれぞれ第１クロック信号の位相からシフトしており、かつ、第２、第３クロック信号の位相は互いに異なっており、
複数の第１遅延回路の入力ノードは前記粗調整回路の第１出力ノードに共通に接続され、複数の第１遅延回路の出力ノードは第３出力ノードに共通に接続され、
複数の第２遅延回路の入力ノードは前記粗調整回路の第２出力ノードに共通に接続され、複数の第２遅延回路の出力ノードは第３出力ノードに共通に接続され、
少なくとも２つの第１遅延回路の位相シフト量は実質的に等しく、少なくとも２つの第２遅延回路の位相シフト量は実質的に等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
前記微調整回路は、第１および第２遅延回路から出力されるクロック信号を合わせ、第３出力ノードにおいて第４クロック信号を生成するよう構成されることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
各第１遅延回路は対応する制御信号を受け該制御信号に応じて活性化されるよう構成され、各第２遅延回路は対応する反転制御信号を受け該反転制御信号に応じて活性化されるよう構成されることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
第４クロック信号に合わせて本半導体装置の外部にデータを出力するよう構成されたデータ出力回路をさらに備えることを特徴とする請求項１３または１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記微調整回路の第１遅延回路は複数の第１インバータ回路を含み、少なくとも２つの第１インバータ回路のサイズは実質的に等しく、前記微調整回路の第２遅延回路は複数の第２インバータ回路を含み、少なくとも２つの第２インバータ回路のサイズは実質的に等しいことを特徴とする請求項１２から１５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１７】
各第１インバータ回路のサイズは、対応する第２インバータ回路のサイズと実質的に等しいことを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
本半導体装置の外部から外部クロック信号が供給されるクロック入力端子と、
クロック入力端子と前記粗調整回路との間に設けられ、外部クロック信号に基づき第１クロック信号を生成するクロック入力回路と、をさらに備えることを特徴とする請求項１２から１７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記少なくとも２つの第１遅延回路の位相シフト量と別の第１遅延回路の位相シフト量とは異なり、前記少なくとも２つの第２遅延回路の位相シフト量と別の第２遅延回路の位相シフト量とは異なることを特徴とする請求項１２から１８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記別の第１遅延回路の位相シフト量は前記別の第２遅延回路の位相シフト量と実質的に等しいことを特徴とする請求項１９に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月12日(2014.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動子の共振周波数を調整する周波数調整方法であって、
質量変化手段による前記振動子の質量変化を許容する開状態と、前記質量変化を阻止する閉状態とを切り替えることができるシャッター部と、
前記シャッター部の前記切り替えを制御する制御手段と、を備えているシャッター装置を用意する工程と、
前記振動子と前記質量変化手段との間に、前記シャッター部を配置する工程と、
前記シャッター部を前記開状態として前記振動子の質量変化を開始した後、前記シャッター部を前記閉状態にして前記振動子の共振周波数を調整する周波数調整工程と、
前記周波調整工程における前記閉状態の前に、前記制御手段から前記シャッター部を前記閉状態とする命令が出力された第１時刻と、前記命令を受けて前記シャッター部が前記閉状態となった第２時刻との時間差を求める遅延時間検出工程と、を含み、
前記周波数調整工程では、前記制御手段は、前記時間差に基づいて、前記シャッター部を前記閉状態とする命令を出力する時刻を補正することを特徴とする振動子の周波数調整方法。
【請求項２】
前記遅延時間検出工程では、前記質量変化手段によって前記振動子の質量を変化させている状態において、前記第１時刻における前記振動子の共振周波数と前記第２時刻における振動子の共振周波数の差と、前記振動子の単位時間当たりの共振周波数変化量とに基づいて前記時間差を求める請求項１に記載の振動子の周波数調整方法。
【請求項３】
前記周波数調整工程には、第１の周波数調整工程である第１工程と第２の周波数調整工程である第２工程とがあって、前記第１工程の後に前記第２工程があって、前記第２工程の単位時間当たりの共振周波数変化量が前記第１工程よりも小さいことを特徴とする請求項１または２に記載の振動子の周波数調整方法。
【請求項４】
前記遅延時間検出工程は、前記第１工程と前記第２工程との間に行われる請求項３に記載の振動子の周波数調整方法。
【請求項５】
前記第１時刻により前記第１工程が終了する請求項４に記載の振動子の周波数調整方法。
【請求項６】
前記遅延時間検出工程は、前記第１工程および前記第２工程の少なくとも一方の工程の途中で、前記シャッター部を閉状態へ切り替えて、前記時間差を求める請求項３に記載の振動子の周波数調整方法。
【請求項７】
前記周波数調整工程は、時系列をもって順番にｍ個（ただしｍは、２以上の自然数）の前記振動子の共振周波数を調整する工程であって、ｎ個目（ただしｎは、２以上かつｍ以下の自然数）の前記振動子の共振周波数を調整するとした場合、前記遅延時間検出工程は、ｎ−１個目の振動子の共振周波数の調整を行う工程と、前記周波数調整工程との間に行われる請求項１または２に記載の振動子の周波数調整方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本発明の振動子の周波数調整方法は、振動子の共振周波数を調整する周波数調整方法であって、
質量変化手段による前記振動子の質量変化を許容する開状態と、前記質量変化を阻止する閉状態とを切り替えることができるシャッター部と、
前記シャッター部の前記切り替えを制御する制御手段と、を備えているシャッター装置を用意する工程と、
前記振動子と前記質量変化手段との間に、前記シャッター部を配置する工程と、
前記シャッター部を前記開状態として前記振動子の質量変化を開始した後、前記シャッター部を前記閉状態にして前記振動子の共振周波数を調整する周波数調整工程と、
前記周波調整工程における前記閉状態の前に、前記制御手段から前記シャッター部を前記閉状態とする命令が出力された第１時刻と、前記命令を受けて前記シャッター部が前記閉状態となった第２時刻との時間差を求める遅延時間検出工程と、を含み、
前記周波数調整工程では、前記制御手段は、前記時間差に基づいて、前記シャッター部を前記閉状態とする命令を出力する時刻を補正することを特徴とする。
これにより、高精度に、振動子の共振周波数を目的の共振周波数に合わせ込むことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
［適用例４］
本発明の振動子の周波数調整方法では、前記遅延時間検出工程は、前記第１工程と前記第２工程との間に行われることが好ましい。
これにより、振動子の周波数調整を円滑に行うことができる。
［適用例５］
本発明の振動子の周波数調整方法では、前記第１時刻により前記第１工程が終了することが好ましい。
これにより、シャッター装置の無駄な駆動を防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月5日(2014.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の一態様の画像処理装置は、複数の画像を取得する取得手段と、前記取得手段により取得された画像同士の共通の領域内で特定の位置を推定する推定手段と、前記推定手段により推定された特定の位置を前記共通の領域内の所定方向に所定の範囲内でずらしながら、当該共通の領域内における前記画像同士の差分値を夫々算出する算出手段と、前記算出手段により夫々算出された差分値に基づいて、前記特定の位置を調整する調整手段と、前記調整手段により調整された特定の位置に基づいて、前記画像同士を合成する合成手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画像を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された画像同士の共通の領域内で特定の位置を推定する推定手段と、
前記推定手段により推定された特定の位置を前記共通の領域内の所定方向に所定の範囲内でずらしながら、当該共通の領域内における前記画像同士の差分値を夫々算出する算出手段と、
前記算出手段により夫々算出された差分値に基づいて、前記特定の位置を調整する調整手段と、
前記調整手段により調整された特定の位置に基づいて、前記画像同士を合成する合成手段と
を備えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記推定手段は、前記画像同士の共通の領域内における特徴点の移動ベクトルを算出する移動ベクトル算出手段を更に備え、
前記移動ベクトル算出手段により算出された移動ベクトルに基づいて、前記特定の位置を推定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記算出手段は、前記調整手段により調整された特定の位置を前記所定の範囲よりも狭い範囲内で前記所定方向にずらしながら、前記共通の領域内における前記画像間の差分値を夫々算出し、
前記調整手段は、更に、前記算出手段に算出された差分値に基づいて、前記特定の位置を再度調整する請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記算出手段は、更に、前記所定の方向として上下方向に前記特定の位置を前記所定の範囲内で所定のドット数ずつずらしながら、当該共通の領域内における前記画像同士の差分値を夫々算出する請求項１から３の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記算出手段は、更に、前記所定の方向として上下方向に前記特定の位置を前記所定の範囲内より狭い範囲内で前記所定のドット数未満のドット数ずつずらしながら、前記共通の領域内における前記画像同士の差分値を夫々算出する請求項１から４の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記算出手段により算出された差分値が閾値以上か否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記差分値が閾値以上であると判定されると、前記差分値に重み付けをする重み付け手段とを備え、
前記調整手段は、前記重み付け手段により重み付けされた差分値に基づいて、前記特定の位置を調整する請求項１から５の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記調整手段は、前記算出手段により算出された差分値が最小となる位置に前記特定の位置を調整することを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記合成手段は、更に、前記画像同士を合成することにより、パノラマ画像を生成することを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記算出手段は、前記特定の位置が前記共通の領域内の所定方向に所定の範囲内で所定の量ずらされる毎に、当該共通の領域内における前記画像同士の差分値を算出することを特徴とする請求項１から８の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記算出手段は、前記共通の領域が変化するように前記特定の位置をずらしながら、前記差分値を算出することを特徴とする請求項１から９の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
撮像手段を更に備え、
前記取得手段は、前記撮像手段により所定時間毎に順次撮像された画像を取得することを特徴とする請求項１から１０の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
複数の画像を取得する取得ステップと、
前記取得ステップにより取得された画像同士の共通の領域内で特定の位置を推定する推定ステップと、
前記推定ステップにより推定された特定の位置を前記共通の領域内の所定方向に所定の範囲内でずらしながら、当該共通の領域内における前記画像同士の差分値を夫々算出する算出ステップと、
前記算出ステップにより夫々算出された差分値に基づいて、前記特定の位置を調整する調整ステップと、
前記調整ステップにより調整された特定の位置に基づいて、前記画像同士を合成する合成ステップと
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１３】
コンピュータを、
複数の画像を取得する取得手段、
前記取得手段により取得された画像同士の共通の領域内で特定の位置を推定する推定手段、
前記推定手段により推定された特定の位置を前記共通の領域内の所定方向に所定の範囲内でずらしながら、当該共通の領域内における前記画像同士の差分値を夫々算出する算出手段、
前記算出手段により夫々算出された差分値に基づいて、前記特定の位置を調整する調整手段、
前記調整手段により調整された特定の位置に基づいて、前記画像同士を合成する合成手段
として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月30日(2014.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に複数の画素が形成された撮像基板と、
前記撮像基板の上方に設けられ、光軸が前記撮像基板の前記上面と交差する結像レンズと、
前記撮像基板と前記結像レンズとの間に設けられ、複数のマイクロレンズが２次元的に配置された面が、前記光軸と交差するマイクロレンズアレイ基板と、
前記撮像基板と前記結像レンズとの間に設けられ、偏光軸の方向が相互に異なる複数の種類の偏光板が２次元的に配置された偏光板アレイ基板と、
を備え、
一つの前記偏光板で偏光された光は、一つの前記マイクロレンズによって集光されて前記撮像基板の前記上面で結像する固体撮像装置。
【請求項２】
前記マイクロレンズによって結像された複数の像のうち、偏光軸の方向が相互に同じである複数の前記偏光板で偏光された光による複数の像を合成して２次元画像を得る請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記マイクロレンズによって結像された複数の像のうち、偏光軸が相互に異なる複数の前記偏光板で偏光された光による複数の像を重ね合わせ、前記像が結像された前記画素における光強度より、偏光主軸を得る請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記偏光軸の角度と前記光強度との関係を表すプロットを正弦関数にフィッティングして、前記光強度が最大値をとる前記角度を前記偏光主軸の方向とする請求項３記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記像が結像される領域に渡る複数の前記画素の前記偏光主軸を求め、前記偏光主軸の２次元画像を得る請求項３または４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記結像レンズと前記マイクロレンズアレイ基板との間の距離及び前記マイクロレンズアレイ基板と前記撮像基板との間の距離のうち少なくともいずれかの距離を変える移動部をさらに備えた請求項３〜５のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
【請求項７】
２つの前記マイクロレンズによって結像された像における位置のズレと、前記２つのマイクロレンズ間の距離と、に基づいて、被写体と前記結像レンズとの間の距離を求める請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記２つのマイクロレンズによって結像された像は、前記偏光軸の方向が相互に等しい前記偏光板で偏光された光による像である請求項７記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記結像レンズの結像面は、前記偏光板アレイ基板の上方にある請求項１〜８のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記結像レンズの結像面は、前記撮像基板の下方にある請求項１〜８のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記複数の種類の偏光板は、複数の第１偏光板と、複数の第２偏光板と、を含み、
前記複数の第１偏光板のそれぞれの偏光軸は、前記複数の第２偏光板のそれぞれの偏光軸と交差し、
前記複数のマイクロレンズは、
前記複数の第１偏光板の１つに対応する第１レンズと、
前記複数の第１偏光板の別の１つに対応する第２レンズと、
前記複数の第２偏光板の１つに対応する第３レンズと、
前記複数の第２偏光板の別の１つに対応する第４レンズと、
を含み、
前記第１レンズは、前記上面に、第１マイクロレンズ像と、被写体の第１被写体像と、を結像し、
前記第２レンズは、前記上面に、第２マイクロレンズ像と、前記被写体の第２被写体像と、を結像し、
前記第３レンズは、前記上面に、第３マイクロレンズ像と、前記被写体の第３被写体像と、を結像し、
前記第４レンズは、前記上面に、第４マイクロレンズ像と、前記被写体の第４被写体像と、を結像し、
前記第１マイクロレンズ像中における前記第１被写体像の相対的な第１相対位置と、前記第２マイクロレンズ像中における前記第２被写体像の相対的な第２相対位置と、のズレと、前記第１レンズの中心と前記第２レンズの中心との距離と、に基づき、
前記第３マイクロレンズ像中における前記第３被写体像の相対的な第３相対位置と、前記第４マイクロレンズ像中における前記第４被写体像の相対的な第４相対位置と、のズレと、前記第３レンズの中心と前記第４レンズの中心との距離と、に基づいて、
前記被写体と前記結像レンズとの間の距離を求める請求項１記載の固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
次に、本実施形態の効果について説明する。
結像面２７を結像レンズ１２に近い結像面２８まで近づけることができる。この結果、固体撮像装置２を小型化することができる。本変形例における上記以外の効果は、前述の第２及び第３の実施形態と同様である。