【手続補正書】
【提出日】平成26年2月26日(2014.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに、本発明は、液処理装置の制御部をなすコンピュータにより読み取り可能なプログラムを記録する記憶媒体であって、前記液処理装置は、薬液からなる洗浄液より表面張力が小さい有機溶剤を吐出する有機溶剤ノズルと、薬液を吐出する薬液ノズルと、前記有機溶剤ノズルに前記有機溶剤を供給する有機溶剤供給機構と、前記薬液ノズルに前記薬液を供給する薬液供給機構とを備えており、前記コンピュータが前記プログラムを実行すると前記制御部が前記液処理装置を制御して、前記有機溶剤を基板に供給して前記基板の凹部の内部を濡らすプリウエット工程と、その後、前記薬液を基板に供給して、前記凹部の内部の液体を前記薬液で置換して、前記薬液によって前記凹部の内部を洗浄する薬液洗浄工程と、を実行させる記憶媒体を提供する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
次に、上記の基板洗浄装置を用いて行われる基板洗浄処理の一連の工程について説明する。なお、以下に説明する一連の工程は、記憶媒体１０１に記憶されたプロセスレシピにおいて定義される各種のプロセスパラメータが実現されるように、制御部１００が基板洗浄装置の各機能部品を制御することにより実行される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
次に、基板洗浄処理の第２実施形態について説明する。本例において処理対象となるウエハＷも、第１実施形態と同様のＴＳＶのための穴がドライエッチングにより形成されたシリコンウエハであるが、穴の内表面には、第１実施形態と異なり、有機系洗浄液による洗浄が適合するポリマー（例えばＣＦ系ポリマー等）が付着している。有機系洗浄液としては、ジメチルスルホキシドと、ジメチルスルホキシドと混和可能な有機溶剤からなるものを用いることができる。ジメチルスルホキシドと混和可能な有機溶剤としては、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルイミダゾリジノンからなる群から選択される少なくとも１つを用いることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に形成された凹部の内部を薬液からなる洗浄液により洗浄する液処理方法であって、
前記薬液より表面張力が小さい有機溶剤を前記基板に供給して前記凹部の内部を前記有機溶剤で濡らすプリウエット工程と、
前記プリウエット工程の後に、前記薬液を前記基板に供給して、前記凹部の内部を濡らしている液体を前記薬液で置換して、前記薬液によって前記凹部の内部を洗浄する薬液洗浄工程と、
を備えた液処理方法。
【請求項２】
前記有機溶剤は、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、キシレン、またはＩＰＡとＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテール）との混合物である、請求項１に記載の液処理方法。
【請求項３】
前記薬液が無機系洗浄液である、請求項１または２に記載の液処理方法。
【請求項４】
前記プリウエット工程の後であって前記薬液洗浄工程の前に、ＤＩＷ（純水）を基板に供給して、前記凹部の内部を濡らしている前記有機溶剤をＤＩＷで置換するＤＩＷ置換工程を更に備え、前記薬液洗浄工程において、前記凹部の内部を濡らしているＤＩＷが前記薬液により置換される、請求項３に記載の液処理方法。
【請求項５】
前記ＤＩＷ置換工程において加熱したＤＩＷが供給される、請求項４に記載の液処理方法。
【請求項６】
前記無機系洗浄液が、
−  ＤＨＦ（希フッ酸）液、
−  ＳＣ−１液、
−  ＳＣ−２液、または
−  ＨＦ液、ＮＨ４Ｆ液およびＮＨ４ＨＦ２液からなる群から選択された１つの液あるいは２以上の液の混合液をＤＩＷで希釈したＨＦ系薬液、
のうちのいずれかである、請求項４または５に記載の液処理方法。
【請求項７】
前記薬液が有機系洗浄液である、請求項１または２に記載の液処理方法。
【請求項８】
前記薬液洗浄工程において、前記凹部の内部を濡らしている前記有機溶剤が直接的に前記有機系洗浄液で置換される、請求項７に記載の液処理方法。
【請求項９】
前記有機系洗浄液は、ジメチルスルホキシドと、ジメチルスルホキシドと混和可能な有機溶剤とを含む混和物からなる、請求項７または８に記載の液処理方法。
【請求項１０】
前記ジメチルスルホキシドと混和可能な有機溶剤として、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノンからなる群から選択される少なくとも１つが用いられる、請求項９に記載の液処理方法。
【請求項１１】
前記プリウエット工程において加熱した有機溶剤が供給される、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の液処理方法。
【請求項１２】
前記薬液洗浄工程の後に、有機溶剤からなる第１リンス液を前記基板に供給して、前記凹部の内部の前記薬液を前記第１リンス液で置換する第１リンス工程と、
前記第１リンス工程の後、ＤＩＷからなる第２リンス液を前記基板に供給して、前記凹部の内部の前記第１リンス液を前記第２リンス液で置換する第２リンス工程と、
前記第２リンス工程の後、前記基板を乾燥させる乾燥工程と、
をさらに備えた、請求項７〜１１のいずれか一項に記載の液処理方法。
【請求項１３】
前記乾燥工程においてＩＰＡが前記基板に供給される、請求項１２に記載の液処理方法。
【請求項１４】
前記薬液洗浄工程の後に、リンス液を前記基板に供給して、前記凹部の内部の前記薬液を前記リンス液で置換するリンス工程と、
前記リンス工程の後、前記基板を乾燥させる乾燥工程と、
をさらに備え、
前記乾燥工程においてＩＰＡが前記基板に供給される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の液処理方法。
【請求項１５】
基板を保持する基板保持部と、
薬液からなる洗浄液を吐出する薬液ノズルと、
前記薬液より表面張力が小さい有機溶剤を吐出する有機溶剤ノズルと、
前記有機溶剤ノズルに有機溶剤を供給する有機溶剤供給機構と、
前記薬液ノズルに薬液を供給する薬液供給機構と、
前記有機溶剤供給機構および前記薬液供給機構の動作を制御して、前記有機溶剤を前記基板保持部により保持された前記基板に供給するプリウエット工程と、その後、前記薬液を前記基板に供給する薬液洗浄工程とを実施させる制御部と、
を備えた液処理装置。
【請求項１６】
ＤＩＷ（純水）を吐出するＤＩＷノズルと、
前記ＤＩＷノズルにＤＩＷを供給するＤＩＷ供給機構と、
を更に備え、
前記制御部は、ＤＩＷ供給機構の動作を制御して、前記プリウエット工程と前記薬液洗浄工程の間に、前記基板にＤＩＷを供給して前記基板上にある前記有機溶剤をＤＩＷで置換するＤＩＷ置換工程を更に実施させるように構成されている、請求項１５に記載の液処理装置。
【請求項１７】
前記制御部は、薬液洗浄工程において前記薬液を前記基板に供給することによって前記基板上にある前記有機溶剤が直接的に前記薬液で置換されるように、前記薬液洗浄工程を実施させるように構成されている、請求項１５に記載の液処理装置。
【請求項１８】
液処理装置の制御部をなすコンピュータにより読み取り可能なプログラムを記録する記憶媒体であって、前記液処理装置は、薬液からなる洗浄液より表面張力が小さい有機溶剤を吐出する有機溶剤ノズルと、薬液を吐出する薬液ノズルと、前記有機溶剤ノズルに前記有機溶剤を供給する有機溶剤供給機構と、前記薬液ノズルに前記薬液を供給する薬液供給機構とを備えており、前記コンピュータが前記プログラムを実行すると前記制御部が前記液処理装置を制御して、前記有機溶剤を基板に供給して前記基板の凹部の内部を濡らすプリウエット工程と、その後、前記薬液を基板に供給して、前記凹部の内部の液体を前記薬液で置換して、前記薬液によって前記凹部の内部を洗浄する薬液洗浄工程と、を実行させる記憶媒体。
【請求項１９】
前記液処理装置が、ＤＩＷ（純水）を吐出するＤＩＷノズルと、前記ＤＩＷノズルにＤＩＷを供給するＤＩＷ供給機構と、を更に備えており、前記記憶媒体は、前記コンピュータが前記プログラムを実行すると前記制御部が前記液処理装置を制御して、前記プリウエット工程と前記薬液洗浄工程の間に、前記基板にＤＩＷを供給して前記基板上にある前記有機溶剤をＤＩＷで置換するＤＩＷ置換工程を更に実施させる、請求項１８に記載の記憶媒体。
【請求項２０】
前記コンピュータが前記プログラムを実行すると前記制御部が前記液処理装置を制御して、薬液洗浄工程において前記薬液を前記基板に供給することによって前記基板上にある前記有機溶剤が直接的に前記薬液で置換されるように、前記薬液洗浄工程を実施させる、請求項１９に記載の記憶媒体。