【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年4月3日(2014.4.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のひずみ層を製造する方法であって、以下の一連の段階、
ａ）電場または磁場または光束の影響の下で、平面内で変形することのできる少なくとも一つの変形可能な基板を備えている第１のひずみ構造と、ひずみを受ける層とを接合させる段階と、
ｂ）前記変形可能な基板に適用された電場または磁場または光束を修正することにより、前記変形可能な基板をひずませて、前記層から前記ひずみ層を得る段階と、
ｃ）前記ひずみ層を遷移基板と接合させる段階と、
ｄ）前記ひずみ層及び前記遷移基板の接合体から前記第１のひずみ構造を全てまたは部分的に除去する段階と、
を備えた方法。
【請求項２】
前記第１のひずみ構造と前記ひずみを受ける層とを接合させる段階ａ）は、基板と前記第１のひずみ構造とを接合する段階、及びそれから前記基板を薄化する段階を備えている請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記薄化は機械的なタイプであるか、または脆化領域に沿った基板の破砕を実行することによるか、または停止層まで機械的及び／または化学的な薄化によることである請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記薄化される基板はＳＯＩ型基板である請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
段階ａ）に先立って、前記ひずみを受ける層に適用されるものと反対の符号を有する事前のひずみで、前記第１のひずみ構造をひずませる段階を備えた事前ひずみの段階と、
段階ａ）の後、且つ段階ｂ）の前に、前記事前ひずみを解放して、その結果前記ひずみを受ける層をひずませる段階と、
を備えた請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記接合させる段階ａ）及びｃ）の少なくとも一つは、分子結合を経て実行される請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のひずみ構造と前記ひずみを受ける層との接合は、前記ひずみ層と前記遷移基板との間の接合より弱い請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記遷移基板は、酸化物表面層を備えている請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記遷移基板は、シリコンから作られ、及びシリコン酸化物表面層を備えており、前記ひずみを受ける層はシリコンから作られている請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のひずみ構造は圧電、または電歪、または磁歪、または光歪材料の変形可能な基板または変形可能な層を実装しており、１μｍと１ｍｍの間の厚さを有している請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ひずみを受ける層が接合される前記変形可能な基板上に中間層が形成されている請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記中間層は、ＳｉＯ２またはＧｅまたはＳｉ３Ｎ４またはＨＦＯ２の厚い層である請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記中間層は、前記ひずみを受ける層に接合される面上に荒さを有している請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ひずみを受ける層は半導体材料から作られている請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１のひずみ構造は、圧電材料から作られた変形可能な基板または変形可能な層、及びこの変形可能な基板またはこの変形可能な層の両側面上に配置された電極を備えている請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記ひずみを受ける層が接合される電極上に中間層が形成されている請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
段階ｄ）の後で、
ａ’）前記第１のひずみ構造または第２のひずみ構造と、前記ひずみ層とを接合させる段階と、
ｂ’）前記第１のひずみ構造または前記第２のひずみ構造をひずませることにより、前記ひずみ層をさらにひずませる段階と、
をさらに備えている請求項１から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記遷移基板は第２のひずみ構造を形成しているか、または備えており、前記方法はさらに、この第２のひずみ構造によって前記ひずみ層をさらにひずませる段階を備えている請求項１から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２のひずみ構造は、電場または磁場、または光束の影響下において、平面内で変形を起こすことが可能である少なくとも一つの変形可能な基板、または一つの変形可能な層を備えており、前記ひずみ層をさらにひずませる段階ｂ’）は、前記変形可能な基板または変形可能な層に適用される電場または磁場または光束を修正することによって実行される請求項１７または１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２のひずみ構造は圧電、または電歪、または磁歪、または光歪材料の変形可能な基板または変形可能な層を実装しており、１μｍと１ｍｍの間の厚さを有している請求項１７から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２のひずみ構造は、圧電材料から作られた変形可能な基板または変形可能な層、及びこの変形可能な基板またはこの変形可能な層の両側面上に配置された電極を備えている請求項１７から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記圧電材料は、ベルリン石（ＡｌＰＯ４），酸化亜鉛（ＺｎＯ），石英，トパーズ，リン酸ガリウム（結晶ＧａＰＯ４），ランガサイト（Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４），チタン酸バリウム（結晶ＢａＴｉＯ３），またはチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３），またはジルコン酸チタン酸鉛（Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ３）（ＰＺＴ），またはニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３），またはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３），またはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３），またはタングステン酸ナトリウム（ＮａｘＷＯ３），またはＢａ２ＮａＮｂ５Ｏ５，またはＰｂ２ＫＮｂ５Ｏ１５の間から選ばれる請求項１５から２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記第１のひずみ構造は、電歪材料から作られた変形可能な基板、及びこの変形可能な基板の両側面上に配置された電極を備えている請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
前記電歪材料は、
‐ニオブ酸鉛マグネシウム（ＰＭＮ）型の化合物
‐ニオブ酸鉛マグネシウムチタン酸鉛（ＰＭＮ‐ＰＴ）型の化合物
‐チタン酸鉛マグネシウムジルコニウム（ＰＬＺＴ）型の化合物
の材料から選ばれる請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１のひずみ構造は、磁歪材料から作られた変形可能な基板を備えている請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記磁歪材料は、コバルト及び化学式ＴｂｘＤｙ１−ｘＦｅ２のＴｅｒＦｅＮｏｌ‐Ｄの間から選ばれる請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記第１のひずみ構造は、光歪材料から作られた変形可能な基板を備えている請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
前記光歪材料は、ＰＬＺＴ‐型セラミック（チタン酸鉛マグネシウムジルコニウムタイプの化合物），またはタングステンがドープされたＰＭＮ‐ＰＴ型の結晶（ニオブ酸鉛マグネシウム及びチタン酸鉛タイプの化合物），またはニオブ酸鉛ジルコニウム及びチタン酸鉛タイプの結晶（ＰＺＮ‐ＰＴ）の間から選ばれる請求項２７に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
前記基板、または変形可能な層は厚く、一般的に、２００μｍより大きな厚さ、または２００μｍと５００μｍまたは１ｍｍの間の厚さを有しうる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
中間層、例えば、ＳｉＯ２またはＧｅ、またはＳｉ３Ｎ４またはＨＦＯ２の厚い層がそれと共に電極上に、または、ひずみ層が集結される前記基板または前記層上に形成されうる。前記中間層は、ひずみ層と集結する面上に荒さを有しうる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
続いて、基準は同様に、直接結合とも呼ばれる分子結合によってなされる。これはより具体的に、ひずみを受ける層に由来する基板とひずみ構造との接合の場合である。この接合技術は特に非特許文献２によって述べられている。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
あるいは、中間層、例えばＳｉＯ２，またはＧｅ，またはＳｉ３Ｎ４，またはＨｆＯ２よりなる厚い層は、例えば選択的エッチングによって、この層とこの電極の後の取り外しを容易にするために、ひずみ材料の層１０と電極６の間に提供されうる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
例えば、圧電性材料の場合、２０ＭＶ／ｍの場が、２００ｐｍ／Ｖの圧電係数ｄ３．１を有するＰＺＴ基板を備えており、薄いシリコンフィルムが遷移される構造の電極の終端に適用される。これは、このフィルムを０．４％ひずませる。第２の構造がそれから得られ、これは−２０ＭＶ／ｍの場を受けた巨大なＰＺＴ材料を備えており、及びそれからシリコンフィルムが、この第２のＰＺＴ基板に関する電極上に遷移される。電圧が消され、これはこの第２の構造を消去し、及びさらにシリコンの単位セルパラメータを０．４％まで増加させる。次に、２０ＭＶ／ｍの場が印加され、これはさらに前記シリコンの単位セルパラメータを０．４％増大させる。シリコンはそれから酸化ケイ素基板の上に遷移され、そしてｓＳＯＩがそれから得られ、これは１．２％の応力の下の単位セルパラメータを有している。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９２】
このような圧電材料の薄い層は、有利的に実装され、及び最終的な受信基板２０は、電圧が最後の結合操作の後に解放された場合に破壊しないように厚くなっている（例えば、１００μｍと１μｍの間の厚さを有している）。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９５】
第１の例となる実施形態において、石英が利用され、圧電材料は２００ｍｍで利用できる利点を有している。初期構造は図４にある。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２１】
これによって、直径が２００ｍｍであり厚さが５００μｍであるテフロン（登録商標）‐Ｄより作られた基板２に対して考慮される。結合層として働くために酸化物が任意に堆積される。前記酸化物は、取り外し可能な結合を作り出すために（化学的またはプラズマ工程を経て）わずかに荒くされうる。