Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月17日(2014.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
外部を流れる被冷却流体と冷媒との間で熱交換を行う冷媒蒸発器（１）であって、
前記被冷却流体の流れ方向に対して直列に配置された第１蒸発部（２０）および第２蒸発部（１０）を備え、
前記第１蒸発部および前記第２蒸発部のそれぞれは、
冷媒が流れる複数のチューブ（４２、４３、５２、５３）を積層して構成された熱交換コア部（１１、２１）と、
前記複数のチューブの一端側に連通し、前記複数のチューブを流れる冷媒の集合あるいは分配を行う一端側の第１、第２タンク部（３２、３１）と、
前記複数のチューブの他端側に連通し、前記複数のチューブを流れる冷媒の集合あるいは分配を行う他端側の第１、第２タンク部（３３、３４）と、を有し、
前記第１蒸発部の前記熱交換コア部（２１）は、前記複数のチューブ（２１１）のうち、第１チューブ（４２）群で構成される第１コア部（２１ａ）および第２チューブ（５２）群で構成される第２コア部（２１ｂ）を有し、
前記第２蒸発部（１０）の前記熱交換コア部（１１）は、前記複数のチューブ（１１１）のうち、前記被冷却流体の流れ方向において前記第１コア部（２１ａ）と対向し、第３チューブ（４３）群で構成される第３コア部（１１ａ）および前記被冷却流体の流れ方向において前記第２コア部（２１ｂ）と対向し、第４チューブ（５３）群で構成される第４コア部（１１ｂ）を有し、
前記第１コア部と前記第３コア部は、一対のコアプレート（４１ａ、４１ｂ）を接合してなる第１チューブユニット（４１）が複数積層された構成となっており、
前記第１チューブユニット（４１）は、前記第１チューブ（４２）と、前記第１チューブの一端側に連通し、前記一端側の第１タンク部（３２）を形成するタンク形成部（４４）と、前記第１チューブの他端側に連通し、前記他端側の第１タンク部（３３）を形成する第１タンク形成部（４６）と、前記第３チューブ（４３）と、前記第３チューブの一端側に連通し、前記一端側の第２タンク部（３１）を形成するタンク形成部（４５）と、前記第３チューブの他端側に連通し、前記他端側の第２タンク部（３４）を形成する第２タンク形成部（４７）とを有し、
前記第２コア部と前記第４コア部は、一対のコアプレート（５１ａ、５１ｂ）を接合してなる第２チューブユニット（５１）を複数積層された構成となっており、
前記第２チューブユニットは、前記第４チューブ（５３）と、前記第４チューブの一端側に連通し、前記一端側の第２タンク部（３１）を形成するタンク形成部（５５）と、前記第４チューブの他端側に連通し、前記他端側の第１タンク部（３３）を形成する第３タンク形成部（５６）と、前記第２チューブ（５２）と、前記第２チューブの一端側に連通し、前記一端側の第１タンク部（３２）を形成するタンク形成部（５４）と、前記第２チューブの他端側に連通し、前記他端側の第２タンク部（３４）を形成する第４タンク形成部（５７）とを有し、
前記複数の第１チューブユニット（４１）のうち、積層方向の端部に配される前記第１チューブユニット（４１）の前記第１タンク形成部（４６）と、前記複数の第２チューブユニット（５１）のうち、前記第１チューブユニット（４１）に隣接する前記第２チューブユニット（５１）の前記第３タンク形成部（５６）とが重なりあっており、
前記複数の第１チューブユニット（４１）のうち、積層方向の端部に配される前記第１チューブユニット（４１）の前記第２タンク形成部（４７）と、前記複数の第２チューブユニット（５１）のうち、前記第１チューブユニット（４１）に隣接する前記第２チューブユニット（５１）の前記第４タンク形成部（５７）とが重なりあっていることを特徴とする冷媒蒸発器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、
第１蒸発部の熱交換コア部（２１）は、複数のチューブ（２１１）のうち、第１チューブ（４２）群で構成される第１コア部（２１ａ）および第２チューブ（５２）群で構成される第２コア部（２１ｂ）を有し、
第２蒸発部（１０）の熱交換コア部（１１）は、複数のチューブ（１１１）のうち、被冷却流体の流れ方向において第１コア部（２１ａ）と対向し、第３チューブ（４３）群で構成される第３コア部（１１ａ）および被冷却流体の流れ方向において第２コア部（２１ｂ）と対向し、第４チューブ（５３）群で構成される第４コア部（１１ｂ）を有し、
第１コア部と第３コア部は、一対のコアプレート（４１ａ、４１ｂ）を接合してなる第１チューブユニット（４１）が複数積層された構成となっており、
第１チューブユニットは、第１チューブの一端側に連通し、一端側の第１タンク部（３２）を形成するタンク形成部（４４）と、第１チューブの他端側に連通し、他端側の第１タンク部（３３）を形成する第１タンク形成部（４６）と、第３チューブ（４３）と、第３チューブの一端側に連通し、一端側の第２タンク部（３１）を形成するタンク形成部（４５）と、第３チューブの他端側に連通し、他端側の第２タンク部（３４）を形成する第２タンク形成部（４７）とを有し、
第２コア部と第４コア部は、一対のコアプレート（５１ａ、５１ｂ）を接合してなる第２チューブユニット（５１）を複数積層された構成となっており、
第２チューブユニットは、第４チューブ（５３）と、第４チューブの一端側に連通し、一端側の第２タンク部（３１）を形成するタンク形成部（５５）と、第４チューブの他端側に連通し、他端側の第１タンク部（３３）を形成する第３タンク形成部（５６）と、第２チューブ（５２）と、第２チューブの一端側に連通し、一端側の第１タンク部（３２）を形成するタンク形成部（５４）と、第２チューブの他端側に連通し、他端側の第２タンク部（３４）を形成する第４タンク形成部（５７）とを有し、
複数の第１チューブユニット（４１）のうち、積層方向の端部に配される第１チューブユニット（４１）の第１タンク形成部（４６）と、複数の第２チューブユニット（５１）のうち、第１チューブユニット（４１）に隣接する第２チューブユニット（５１）の第３タンク形成部（５６）とが重なりあっており、
複数の第１チューブユニット（４１）のうち、積層方向の端部に配される第１チューブユニット（４１）の第２タンク形成部（４７）と、複数の第２チューブユニット（５１）のうち、第１チューブユニット（４１）に隣接する第２チューブユニット（５１）の第４タンク形成部（５７）とが重なりあっていることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月21日(2014.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、
第１の導電層と、
前記半導体層と前記第１の導電層とに挟まれている領域を有する第１の絶縁層と、
前記半導体層と接する領域を有する第２の導電層と、
前記第２の導電層と接する領域を有する第３の導電層と、
前記第３の導電層上方の第２の絶縁層と、
前記第３の導電層上方の発光層と、
前記第２の絶縁層上方及び前記発光層上方の第４の導電層と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
半導体層と、
第１の導電層と、
前記半導体層と前記第１の導電層とに挟まれている領域を有する第１の絶縁層と、
前記半導体層と接する領域を有する第２の導電層と、
前記第２の導電層と接する領域を有する第３の導電層と、
前記第３の導電層上方の第２の絶縁層と、
前記第３の導電層上方の発光層と、
前記第２の絶縁層上方及び前記発光層上方の第４の導電層と、
を有し、
前記第２の絶縁層は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域における前記第２の絶縁層の膜厚は、前記第２の領域における前記第２の絶縁層の膜厚よりも厚く、
前記第１の領域は、前記半導体層と重なることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
半導体層と、
第１の導電層と、
前記半導体層と前記第１の導電層とに挟まれている領域を有する第１の絶縁層と、
前記半導体層と接する領域を有する第２の導電層と、
前記第２の導電層と接する領域を有する第３の導電層と、
前記第３の導電層上方の第２の絶縁層と、
前記第３の導電層上方の発光層と、
前記第２の絶縁層上方及び前記発光層上方の第４の導電層と、
を有し、
前記第２の絶縁層は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域における前記第２の絶縁層の膜厚は、前記第２の領域における前記第２の絶縁層の膜厚よりも厚く、
前記第１の領域は、前記第１の導電層を介して前記半導体層と重なることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
半導体層と、
第１の導電層と、
前記半導体層と前記第１の導電層とに挟まれている領域を有する第１の絶縁層と、
前記半導体層と接する領域を有する第２の導電層と、
前記第２の導電層と接する領域を有する第３の導電層と、
前記第３の導電層上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上方の第３の絶縁層と、
前記第３の導電層上方の発光層と、
前記第２の絶縁層上方、前記第３の絶縁層上方及び前記発光層上方の第４の導電層と、
を有し、
前記第２の絶縁層は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第３の絶縁層と重なっており、
前記第２の領域は、前記第３の絶縁層と重なっておらず、
前記第１の領域は、前記半導体層と重なることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
半導体層と、
第１の導電層と、
前記半導体層と前記第１の導電層とに挟まれている領域を有する第１の絶縁層と、
前記半導体層と接する領域を有する第２の導電層と、
前記第２の導電層と接する領域を有する第３の導電層と、
前記第３の導電層上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上方の第３の絶縁層と、
前記第３の導電層上方の発光層と、
前記第２の絶縁層上方、前記第３の絶縁層上方及び前記発光層上方の第４の導電層と、
を有し、
前記第２の絶縁層は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第３の絶縁層と重なっており、
前記第２の領域は、前記第３の絶縁層と重なっておらず、
前記第１の領域は、前記第１の導電層を介して前記半導体層と重なることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の表示装置と、
アンテナ、操作スイッチ、外部接続ポート、及び／又はバッテリーと、
を有することを特徴とする電子機器。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月10日(2014.6.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
このストレーナ10は、上記の問題を軽減するための特徴を取り入れている。図1に図示されるように、ストレーナ10の夫々のストレーナディスク12の主要な表面は輪郭付け構造を有している。この輪郭付け構造を有する表面とする目的は、繊維状残骸物質がストレーナの表面に平らに堆積して繊維状物質の薄膜を形成して、結果として起こる損失水頭を減少させることにある。図1は、ストレーナの表面に輪郭付け構造を設ける好適な方法を図示している。この実施形態では、スクリーン網布32が夫々のディスク12の主要な表面に取り付けられている。スクリーン網布32の構造は、網戸と同様に織られたワイヤ製網布である(この網布は原子炉で使用されるので、より粗い織り方で、分厚いワイヤから通常作られることとなる)。このワイヤ製網布32は、ディスクの表面の間隔を置いた方々の複数位置にリベットなどの適当な締結部材(不図示)を使用してストレーナディスク12に取り付けられる。また、ワイヤ製網布はストレーナディスクの表面へより確実に固定するために必要に応じてスポット溶接して固定しても良い。別の実施形態では、ワイヤ製網布を、ディスクの周りで曲げるか、または、同ワイヤ製網布を、ディスクの表面に配置したスペーサ部材を介在させてディスクの表面から離間させるか、または、これらの双方の方法で固定するようにしてもよい。この点で可能な構成では、ワイヤ製網布をディスクの表面からおよそ0.25インチ離間させると良い。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月20日(2014.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二つの基板を互いに接合する接合方法であって、
少なくとも一方の前記基板の少なくとも一部を凸にする段階と、
前記一方の基板の前記一部を他方の前記基板に接触させる段階と、
少なくとも前記二つの基板を含む空間を真空にする段階と、
前記空間を真空にした状態で、前記二つの基板の接触面積が前記一方の基板の前記一部から広がるように前記二つの基板を互いに接合する段階と、
を含む接合方法。
【請求項２】
前記接触面積を測定する段階と、
前記二つの基板の少なくとも一方を保持する基板保持手段に作用させる力を前記接触面積にしたがって制御する段階と、
を有する請求項１に記載の接合方法。
【請求項３】
前記接触面積を測定する段階では、前記二つの基板の画像を取得することにより前記接触面積を測定する請求項２に記載の接合方法。
【請求項４】
前記接触面積を測定する段階では、前記二つの基板の距離に基づいて前記接触面積を推定する請求項２の記載の接合方法。
【請求項５】
前記接触面積を測定する段階では、前記二つの基板の一方を保持する第１の基板保持手段、および、他方の前記基板を保持する第２の基板保持手段の少なくとも一方の位置に基づいて前記接触面積を推定する請求項２に記載の接合方法。
【請求項６】
二つの基板を互いに接合する接合方法であって、
少なくとも一方の前記基板の少なくとも一部を凸にする段階と、
前記一方の基板の前記一部を他方の前記基板に接触させる段階と、
前記一方の基板の前記一部から接触面積が広がるように接合する段階と、
前記接触面積を測定する段階と、
を含む接合方法。
【請求項７】
二つの基板を互いに接合する接合装置であって、
一方の前記基板を保持する第１の基板保持手段と、
他方の前記基板を保持する第２の基板保持手段と、
を備え、
少なくとも前記二つの基板を含む空間が真空にされており、
少なくとも前記第１の基板保持手段は、前記二つの基板を互いに接合する際に前記一方の基板の一部が前記他方の基板に最初に接触し、前記二つの基板の接触面積が前記一方の基板の前記一部から広がるように、前記一方の基板の少なくとも前記一部を凸にする接合装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板接合装置及び基板接合方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、複数の基板を位置合わせして接合させる基板接合装置及び基板接合方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明による基板接合装置は、二つの基板を互いに接合する接合装置であって、一方の前記基板を保持する第１の基板保持手段と、他方の前記基板を保持する第２の基板保持手段と、を備え、少なくとも前記二つの基板を含む空間が真空にされており、少なくとも前記第１の基板保持手段は、前記二つの基板を互いに接合する際に前記一方の基板の一部が前記他方の基板に最初に接触し、前記二つの基板の接触面積が前記一方の基板の前記一部から広がるように、前記一方の基板の少なくとも前記一部を凸にすることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明による基板接合方法は、二つの基板を互いに接合する接合方法であって、少なくとも一方の前記基板の少なくとも一部を凸にする段階と、前記一方の基板の前記一部を他方の前記基板に接触させる段階と、少なくとも前記二つの基板を含む空間を真空にする段階と、前記空間を真空にした状態で、前記二つの基板の接触面積が前記一方の基板の前記一部から広がるように前記二つの基板を互いに接合する段階と、を含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の参考形態による基板接合装置用基板ホルダは、基板を保持する面の周縁部の少なくとも一部を除く領域に凸の部分を有し、基板を保持する面に弾性材料を備えたことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の参考形態による基板接合装置用基板ホルダは、基板を保持する面に弾性材料を備えているので、基板面の一部のみが接触した場合に、弾性材料が変形し、基板の形状が変化するので、基板面の接触した部分のみに過大な力が作用するのを防止できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の参考形態による基板接合装置用基板ホルダは、基板を保持する面の周縁部の少なくとも一部を除く領域に凸の部分を有し、気体または液体を充填した、中空部を備えたことを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の参考形態による基板接合装置用基板ホルダは、気体または液体を充填した、中空部を備えているので、基板面の一部のみが接触した場合に、中空部内の気体または液体の圧力は均一となるので、基板面の接触した部分のみにおいて圧力が過大になるのが防止される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明によれば、接合した基板の間に空気だまりが発生しないようにしながら、基板の面全体にわたり接合を均一に行うことのできる基板接合装置及び基板接合方法が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月4日(2014.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
作動流体を圧縮する圧縮機構部と、
先端部が前記圧縮機構部の吸込口に接続している吸込パイプと、
前記吸込パイプの内側に位置し、前記先端部を前記吸込口の周壁に圧着させる圧入部材と、を備え、
前記吸込パイプは拡径部を有し、前記圧入部材は少なくとも一部が前記拡径部の内側に位置し、
前記拡径部の内径Ｗ２は、前記吸込パイプの前記先端部が形成されない一端から前記拡径部まで形成される基部の内径Ｗ１より大きく、前記圧入部材の外径Ｗ３は、前記基部の内径Ｗ１以上、且つ、前記拡径部の内径Ｗ２未満であり、さらに、前記先端部の内径Ｗ４よりも大きいこと、を特徴とする密閉型電動圧縮機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記課題を解決するため本発明は、圧縮される作動流体を吸い込む吸込口に吸込パイプの先端部が接続し、この吸込パイプの内側に位置して、先端部を内側から全周に亘って押圧して当該先端部を吸込口の周壁に圧着させる圧入部材を備える密閉型電動圧縮機とする。そして、吸込パイプには基部が拡径された拡径部が形成され、圧入部材は少なくとも一部が拡径部の内側に位置し、圧入部材の外径Ｗ３が、基部の内径Ｗ１以上で拡径部の内径Ｗ２未満であり、さらに、吸込パイプの先端部の内径Ｗ４よりも大きいという特徴を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月28日(2014.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで本発明はこの様な状況に鑑みなされたものであり、その目的は、用紙の円滑な搬送性を維持し或いは用紙先端が媒体搬送ローラーの外周面に設けられた隙間へ引っ掛かることを防止しながらも、より一層高精度或いは高信頼性を実現可能な媒体搬送ローラーを備えた記録装置を提供することにある。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月4日(2014.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
癌治療における外科手術、１以上の化学療法剤、１以上のホルモン療法、１以上の抗体、１以上の免疫療法、放射性ヨード療法、および放射線から独立して選択される１以上の治療と組み合わせて癌を治療するための医薬であって、治療有効量の式Ｉ：
2014034576.tif 000001
［Ｒ１は、水素、任意に置換されたアルキル、任意に置換されたシクロアルキル、任意に置換されたシクロアルキルアルキル、任意に置換されたアリール、任意に置換されたアリールアルキル、任意に置換されたヘテロシクロアルキル、任意に置換されたヘテロシクロアルキルアルキル、任意に置換されたヘテロアリール、または任意に置換されたヘテロアリールアルキルであり、
Ｒ２は、水素またはアルキルであって、前記アルキルは、１、２、３、４、または５個のＲ８基で任意に置換され、
Ｘは、−ＮＲ３−であり、
Ｒ３は、水素であり、
Ｒ６は、フェニル、アシル、またはヘテロアリールであって、前記フェニルおよびヘテロアリールは、１、２、３、４、または５個のＲ９基で任意に置換され、
各Ｒ８は、存在する場合、独立してヒドロキシ、ハロ、アルコキシ、ハロアルコキシ、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノアルキル、またはアルコキシアルキルアミノであり、
各Ｒ９は、存在する場合、独立してハロ、アルキル、ハロアルキル、アルコキシ、ハロアルコキシ、シアノ、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルコキシアルキル、カルボキシアルキル、アルコキシカルボニル、アミノアルキル、シクロアルキル、アリール、アリールアルキル、アリールオキシ、ヘテロシクロアルキル、またはヘテロアリールであって、前記シクロアルキル、アリール、ヘテロシクロアルキル、およびヘテロアリールは、それぞれ単独で、あるいはＲ９中の別の基の一部として、ハロ、アルキル、ハロアルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、ハロアルコキシ、アミノ、アルキルアミノ、およびジアルキルアミノから選択される、１、２、３、または４個の基で独立して任意に置換される］
の化合物、またはその薬剤として許容される塩を含む医薬。
【請求項２】
前記癌が、乳癌、結腸癌、直腸癌、子宮内膜癌、消化管カルチノイド腫瘍、消化管間質腫瘍、膠芽腫、肝細胞癌、小細胞肺癌、非小細胞肺癌、黒色腫、卵巣癌、子宮頸癌、膵臓癌、前立腺癌、急性骨髄性白血病、慢性骨髄性白血病、非ホジキンリンパ腫、および甲状腺癌から選択される、請求項１に記載の医薬。
【請求項３】
前記治療が１の化学療法剤であり、化学療法剤がプラチンである、請求項１または２に記載の医薬。
【請求項４】
前記治療が１の化学療法剤であり、化学療法剤がタキサンである、請求項１または２に記載の医薬。
【請求項５】
前記治療が１の化学療法剤であり、化学療法剤がラパマイシンまたはラパマイシンアナログである、請求項１または２に記載の医薬。
【請求項６】
前記式Ｉの化合物が、
2014034576.tif 000002
2014034576.tif 000003
2014034576.tif 000004
2014034576.tif 000005
から選択される、請求項１または２に記載の医薬。
【請求項７】
前記治療が、ＥＧＦＲ抗体およびＥｒｂＢ２抗体から選択される１の抗体であるか、または前記治療は、ラパマイシン、ラパマイシンアナログ、アルキル化剤、タキサン、プラチン、ＥＧＦＲ阻害剤、またはＥｒｂＢ２阻害剤から独立して選択される、１または２の化学療法剤である、請求項１、２、または６に記載の医薬。
【請求項８】
前記治療が、ラパマイシン、パクリタキセル、カルボプラチン、ラパチニブ、またはエルロチニブから独立して選択される１または２の化学療法剤である、請求項７に記載の医薬。 
【請求項９】
前記治療が１の化学療法剤であって、化学療法剤がエルロチニブである、請求項１、２、または６に記載の医薬。
【請求項１０】
前記治療が１の化学療法剤であって、化学療法剤がラパチニブである、請求項１、２、または６に記載の医薬。
【請求項１１】
前記治療が１の化学療法剤であって、化学療法剤がカルボプラチンである、請求項１、２、または６に記載の医薬。
【請求項１２】
前記治療が１の化学療法剤であって、化学療法剤がパクリタキセルである、請求項１、２、または６に記載の医薬。
【請求項１３】
前記治療が１の化学療法剤であって、化学療法剤がラパマイシンである、請求項１、２、または６に記載の医薬。
【請求項１４】
前記治療が、ベバシズマブ、トラスツズマブ、セツキシマブ、またはパニツムマブから選択される１の抗体である、請求項１、２、または６に記載の医薬。
【請求項１５】
前記治療が１の化学療法剤であって、化学療法剤がテモゾロミドである、請求項１、２、または６に記載の医薬。
【請求項１６】
前記式Ｉの化合物が、
2014034576.tif 000006
2014034576.tif 000007
から選択される、請求項１または２に記載の医薬。
【請求項１７】
前記式Ｉの化合物が、
2014034576.tif 000008
である、請求項１または２に記載の医薬。
【請求項１８】
前記治療が、ラパマイシン、パクリタキセル、カルボプラチン、またはエルロチニブである、請求項１７に記載の医薬。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月27日(2013.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排気を上流側から下流側に導く排気管と、
前記排気管の内部に設けられた前記排気の分岐口と、
前記分岐口から分岐された前記排気と熱交換媒体との間で熱交換を行う熱交換部と、
前記熱交換部を通過した前記排気を前記排気管の外部において排出する排出口と、
前記排気管の出口を開閉する開閉部と、
前記出口及び前記排出口から排出された前記排気を下流側に導くシェル部材と、
を備え、
前記出口のうち、前記排出口側の端部を起点とし、前記排気管の軸方向に対し７°の角度で外側に傾斜した半直線を想定したとき、前記シェル部材は、前記半直線に交差する交差面を備え、前記交差面は、前記半直線に対し９０〜９７°の角度を成し、
前記軸方向における前記排出口の位置は、前記出口と前記交差面との間であることを特徴とする排気熱回収装置。
【請求項２】
前記排出口は、前記軸方向から見たとき、前記排気管の外周における一部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の排気熱回収装置。
【請求項３】
前記排出口は、前記シェル部材に内接する板状部材のうち、前記シェル部材から離れた部分を切り欠いたものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の排気熱回収装置。
【請求項４】
前記排出口に設けられ、前記排気を下流側に誘導する通路を形成する仕切板を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の排気熱回収装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月13日(2014.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、第３の容量素子と、第１の抵抗素子と、第２の抵抗素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートと、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記第１の容量素子の一方の端子と、は電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートと、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方と、前記第２の容量素子の一方の端子と、前記第３の容量素子の一方の端子と、前記第１の抵抗素子の一方の端子と、は電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方と、前記第２の容量素子の他方の端子と、前記第１の抵抗素子の他方の端子と、前記第２の抵抗素子の一方の端子と、は電気的に接続され、
前記第３の容量素子の他方の端子と、前記第２の抵抗素子の他方の端子と、は電気的に接続され、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のトランジスタのゲート、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方、前記第２の容量素子の一方の端子、前記第３の容量素子の一方の端子、及び前記第１の抵抗素子の一方の端子には、基準電位が与えられることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、第３の容量素子と、第１の抵抗素子と、第２の抵抗素子と、を有し、
前記第２のトランジスタのゲートと、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記第１の容量素子の一方の端子と、は電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方と、前記第２の容量素子の一方の端子と、前記第３の容量素子の一方の端子と、前記第１の抵抗素子の一方の端子と、は電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートと、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方と、前記第２の容量素子の他方の端子と、前記第１の抵抗素子の他方の端子と、前記第２の抵抗素子の一方の端子と、は電気的に接続され、
前記第３の容量素子の他方の端子と、前記第２の抵抗素子の他方の端子と、は電気的に接続され、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方、前記第２の容量素子の一方の端子、前記第３の容量素子の一方の端子、及び前記第１の抵抗素子の一方の端子には、基準電位が与えられることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月3日(2014.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面及び裏面に磁極が形成された平板状の永久磁石が周方向に沿って等間隔でｎ個（ｎは１以上の整数）配置された回転子と、前記永久磁石の磁極と同極性の磁極が対向するように固定子の周方向に沿って等間隔で固定され、前記永久磁石に磁力を生じさせて前記回転子を回転させるｎ個の電磁石とを具備し、
前記それぞれの永久磁石は、前記回転子を周方向にｎ分割したそれぞれの分割角度に対して４０〜７０％の割合を占めるように配置され、
前記永久磁石の回転方向先端が前記電磁石と対向する際に、該電磁石に通電を行い、前記永久磁石の回転方向後端が前記電磁石を通過する際に、該電磁石への電流を遮断する動作を繰り返し行うことにより、前記回転子に磁力による回転力を付与することを特徴とする磁力回転装置。
【請求項２】
前記永久磁石は、回転子の中心から永久磁石の重心を結ぶ直線と、永久磁石の磁極方向の直線とが交わる角度が、回転子の中心方向からみた場合に３０°以上６０°以下となるように配置されていることを特徴とする請求項１記載の磁力回転装置。
【請求項３】
前記電磁石のコイルに電流を供給するための直流電源と、前記コイルに直列に接続され、当該コイルへの電流の供給のオン・オフを行うスイッチ部と、前記コイルに一方向のみの直流電流が流れるように前記スイッチ部にそれぞれ並列に接続される第１のダイオード及び第２のダイオードと、静電容量が１０μＦ以上２００μＦ以下であり、前記スイッチ部に並列に接続されるコンデンサと、該コンデンサに回生電流が流れるように前記直流電源のプラス端子側に接続される逆流阻止用ダイオードとを有するモータドライブ回路を備えることを特徴とする請求項１又は２記載の磁力回転装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明者は、図５の表における単位入力電力当りの銅損を示す関係式から、ｋ／ｍ２の値が小さくなるように構成することにより、単位入力電力当たりの銅損を小さくし、より効率の良い磁力回転装置を得ることができることを導いた。そこで、通電期間が長く、トルク定数が大きくなるようにするために、請求項１記載の磁力回転装置は、表面及び裏面に磁極が形成された平板状の永久磁石が周方向に沿って等間隔でｎ個（ｎは１以上の整数）同じ向きに配置された回転子と、前記永久磁石の磁極と同極性の磁極が対向するように固定子の周方向に沿って等間隔で固定され、前記永久磁石に磁力を生じさせて前記回転子を回転させるｎ個の電磁石とを具備し、前記それぞれの永久磁石は、前記回転子を周方向にｎ分割したそれぞれの分割角度に対して４０〜７０％の割合を占めるように配置され、前記永久磁石の回転方向先端が前記電磁石と対向する際に、該電磁石に通電を行い、前記永久磁石の回転方向後端が前記電磁石を通過する際に、該電磁石への電流を遮断する動作を繰り返し行うことにより、前記回転子に磁力による回転力を付与することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月17日(2014.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
織物型電子素子パッケージにおいて、
織物ベースと、
前記織物ベースの上段に形成される織物型電子素子及び終端接点を有する多数の伝導性パターンと、
前記織物ベースの下段に形成される熱可塑性接着剤と、
前記熱可塑性接着剤上にパターン形成され、それぞれ伝導性パターンと対向する多数のマウンティングパッドと、
前記多数の伝導性パターンの各終端接点、前記織物ベース及び前記熱可塑性接着剤を貫通する形態で形成されて各伝導性パターンと各マウンティングパッドを電気的に連結させる多数のビアホール型連結部と
を備える織物型電子素子パッケージ。
【請求項２】
前記織物ベースは、
織物、転写紙或いはシームシーリングテープを含む衣類副資材を含むことを特徴とする請求項１に記載の織物型電子素子パッケージ。
【請求項３】
前記多数のビアホール型連結部のそれぞれは、
その内部が伝導性高分子で埋め込まれたビアホール束の形態を有することを特徴とする請求項１に記載の織物型電子素子パッケージ。
【請求項４】
織物型電子素子パッケージにおいて、
織物ベースと、
前記織物ベースの上段に形成される織物型電子素子及び、終端接点を有する多数の伝導性パターンと、
前記織物ベースの下段に形成される熱可塑性接着剤と、
前記多数の伝導性パターンの各終端接点、前記織物ベース及び前記熱可塑性接着剤を貫通する形態で形成されて各伝導性パターンと電気的に連結され、多数のビアホール型連結部と
を備える織物型電子素子パッケージ。
【請求項５】
前記織物ベースは、
織物、転写紙或いはシームシーリングテープを含む衣類副資材を含むことを特徴とする請求項４に記載の織物型電子素子パッケージ。
【請求項６】
前記多数のビアホール型連結部のそれぞれは、
その内部が伝導性高分子で埋め込まれたビア孔束の形態を有することを特徴とする請求項４に記載の織物型電子素子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月9日(2014.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容積が変更可能なポンプ室と、
前記ポンプ室から液体流路に向けて前記液体が流出する出口流路と、
前記ポンプ室に前記液体を供給する入口流路と、
前記出口流路と前記液体流路との間に設けられた出口側バッファ室と、を備え、
前記出口側バッファ室は、前記ポンプ室のコンプライアンスよりも大きく、且つ前記ポンプ室のコンプライアンスに対して１００倍以下のコンプライアンスを有することを特徴とする送液ポンプ。
【請求項２】
前記出口流路の流路抵抗が、前記液体流路の流路抵抗よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の送液ポンプ。
【請求項３】
前記出口側バッファ室のコンプライアンスは、前記ポンプ室のコンプライアンスに対して１０倍以上であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の送液ポンプ。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３の何れか一項に記載の送液ポンプであって、
前記入口流路と前記ポンプ室との間に設けられた逆止弁と、
前記入口流路と前記逆止弁との間に設けられた入口側バッファ室と、を備えることを特徴とする送液ポンプ。
【請求項５】
前記入口側バッファ室のコンプライアンスが、前記出口側バッファ室のコンプライアンスに対して５倍以上であることを特徴とする請求項４に記載の送液ポンプ。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５の何れか一項に記載の送液ポンプを用いた循環装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項５の何れか一項に記載の送液ポンプを用いた医療機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月9日(2014.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体流路を介して液体を送液する送液ポンプであって、
容積が変更可能なポンプ室と、
前記ポンプ室から前記液体流路に向けて前記液体が流出する出口流路と、
前記出口流路と前記液体流路との間に設けられて、前記ポンプ室のコンプライアンスよりも大きなコンプライアンスを有する出口側バッファー室と、
前記ポンプ室に前記液体を供給する入口流路と、を備え、
前記ポンプ室の容積を増減させる１サイクルあたりの時間が、前記ポンプ室のコンプライアンスと前記出口流路の入口から前記液体流路の出口までの流路抵抗との積で定められる時定数よりも短いことを特徴とする送液ポンプ。
【請求項２】
請求項１に記載の送液ポンプにおいて、
前記出口流路の流路抵抗が、前記液体流路の流路抵抗よりも低いことを特徴とする送液ポンプ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の送液ポンプにおいて、
前記出口側バッファー室のコンプライアンスは、前記ポンプ室のコンプライアンスに対して１０倍以上であることを特徴とする送液ポンプ。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の送液ポンプにおいて、
前記入口流路と前記ポンプ室との間に設けられた逆止弁と、
前記入口流路と前記逆止弁との間に設けられた入口側バッファー室と、を備えることを特徴とする送液ポンプ。
【請求項５】
請求項４に記載の送液ポンプにおいて、
前記入口側バッファー室のコンプライアンスが、前記出口側バッファー室のコンプライアンスに対して５倍以上であることを特徴とする送液ポンプ。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の送液ポンプを用いたことを特徴とする液体循環装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の送液ポンプを用いたことを特徴とする医療機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月17日(2014.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
太陽電池モジュール又は太陽電池アレイを支持する架台の基礎構造であって、
前記架台が設置される箇所に埋設される筒状杭と、
前記筒状杭の上端部にその周方向に移動可能に取り付けられる調整用基台と、
前記調整用基台に設けられる細長状の調整穴と、
前記細長状の調整穴にその長手方向に移動可能に取り付けられ、前記架台の下端に設けられる金具と前記調整用基台とを接続する調整兼接続部材と、を備え、
前記調整用基台は、前記架台の脚部の軸心と前記筒状杭の軸心との芯ずれにあわせて前記筒状杭の周方向に沿って移動させて前記筒状杭の上端部に固定され、
前記調整兼接続部材は、前記架台の脚部の軸心と前記筒状杭の軸心との芯ずれにあわせて前記細長状の調整穴の長手方向に沿って移動させて前記金具の中央部に設けた固定穴を介して前記金具と前記調整用基台とを接続することを特徴とする、太陽電池モジュール又は太陽電池アレイ用架台の基礎構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
太陽電池モジュール又は太陽電池アレイを支持する架台の基礎構造であって、
前記架台が設置される箇所に埋設される筒状杭と、
前記筒状杭の上端部外周面にその周方向に移動可能に取り付けられるリング状の調整用基台と、
前記調整用基台にその周方向に適宜間隔をあけて設けられる複数の長穴と、
前記調整用基台に取り付けられる調整用円板と、
前記調整用円板にその周方向に適宜間隔をあけて設けられる複数の調整長穴と、
前記長穴と前記調整長穴を介して前記調整用円板を前記調整用基台に固定する固定軸と、
前記調整用円板に固定され前記架台の脚部に接続される接続部材と、を備え、
前記調整用基台は、前記架台の脚部の軸心と前記筒状杭の軸心とのずれにあわせて前記筒状杭の周方向に沿って移動させて前記筒状杭の上端部外周面に固定され、
前記調整用円板は、前記架台の脚部の軸心と前記筒状杭の軸心とのずれにあわせて前記調整用基台上で移動調整して前記固定軸を前記調整長穴から前記長穴に挿入して前記調整用基台に固定されることを特徴とする、太陽電池モジュール又は太陽電池アレイ用架台の基礎構造。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2013060711.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2013060711.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月21日(2013.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記の如き実情に鑑みこれらの課題を解決することを目的として創作されたものであって、請求項１の発明は、躯体開口部を戸尻側の躯体に沿って開閉する引き戸式のドア体と、開口部上方の躯体に固定され、ドア体の上端部を移動自在に吊持するレールが設けられる上枠材と、開口部下方の躯体に固定され、ドア体の下端部を振れ止め状に支持する下枠材とを備えてなる引き戸式ドア装置において、戸尻側躯体の屋内外方向一方に設けられ、戸尻側の躯体とともにドア体の戸袋を構成する防護パネルを、防護パネルと躯体側部材とのあいだに設けたロック手段のロック状態で戸袋姿勢に保持され、ロック解除状態で戸袋を開放する開放姿勢に変姿するよう構成するにあたり、防護パネルを上下一対のロック手段でロックする構成とする一方、防護パネルの上方に上枠材の屋内外方向一方を所定間隙を存して覆うカバー体を設けて、防護パネル上端部に設けられる上側ロック手段のロックピンを係脱する上側ピン受け体はカバー体に、防護パネル下端部に設けられる下側ロック手段のロックピンを係脱する下側ピン受け体は下枠材にそれぞれ設ける構成としたことを特徴とする引き戸式ドア装置である。
請求項２の発明において、防護パネルの上方に配されるカバー体は、上枠材に支持される第一垂直片部と、防護パネルの屋内外方向一方側の面と面一状となる第二垂直片部とを備え、第一、第二垂直片部の上下方向中間部から互いに近接する方向に延出し、あいだに隙間が形成される第一、第二水平片部とを備えて構成されるものとし、上側ピン受け体は、第一、第二水平片部の下面に当てがわれる取付け片を第一、第二水平片部の上面にあてがわれる固定プレートに対し、第一、第二水平片部とのあいだの隙間において螺着することによりカバー体に固定されていることを特徴とする請求項１に記載の引き戸式ドア装置である。
請求項３の発明において、防護パネルの下方に配される下側ピン受け体は、基端部が下枠材に固定され先端部が防護パネル側に突出し、ロックピンが挿抜自在に貫通する貫通孔が開設されたプレート体であることを特徴とする請求項１または２に記載の引き戸式ドア装置である。
請求項４の発明において、防護パネルは、躯体に枢支連結された開き戸式に構成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の引き戸式ドア装置である。
請求項５の発明において、防護パネルは、絵や文字を表示する表示装置に構成されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の引き戸式ドア装置である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
躯体開口部を戸尻側の躯体に沿って開閉する引き戸式のドア体と、開口部上方の躯体に固定され、ドア体の上端部を移動自在に吊持するレールが設けられる上枠材と、開口部下方の躯体に固定され、ドア体の下端部を振れ止め状に支持する下枠材とを備えてなる引き戸式ドア装置において、戸尻側躯体の屋内外方向一方に設けられ、戸尻側の躯体とともにドア体の戸袋を構成する防護パネルを、防護パネルと躯体側部材とのあいだに設けたロック手段のロック状態で戸袋姿勢に保持され、ロック解除状態で戸袋を開放する開放姿勢に変姿するよう構成するにあたり、防護パネルを上下一対のロック手段でロックする構成とする一方、防護パネルの上方に上枠材の屋内外方向一方を所定間隙を存して覆うカバー体を設けて、防護パネル上端部に設けられる上側ロック手段のロックピンを係脱する上側ピン受け体はカバー体に、防護パネル下端部に設けられる下側ロック手段のロックピンを係脱する下側ピン受け体は下枠材にそれぞれ設ける構成としたことを特徴とする引き戸式ドア装置。
【請求項２】
防護パネルの上方に配されるカバー体は、上枠材に支持される第一垂直片部と、防護パネルの屋内外方向一方側の面と面一状となる第二垂直片部とを備え、第一、第二垂直片部の上下方向中間部から互いに近接する方向に延出し、あいだに隙間が形成される第一、第二水平片部とを備えて構成されるものとし、上側ピン受け体は、第一、第二水平片部の下面に当てがわれる取付け片を第一、第二水平片部の上面にあてがわれる固定プレートに対し、第一、第二水平片部とのあいだの隙間において螺着することによりカバー体に固定されていることを特徴とする請求項１に記載の引き戸式ドア装置。
【請求項３】
防護パネルの下方に配される下側ピン受け体は、基端部が下枠材に固定され先端部が防護パネル側に突出し、ロックピンが挿抜自在に貫通する貫通孔が開設されたプレート体であることを特徴とする請求項１または２に記載の引き戸式ドア装置。
【請求項４】
防護パネルは、躯体に枢支連結された開き戸式に構成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の引き戸式ドア装置。
【請求項５】
防護パネルは、絵や文字を表示する表示装置に構成されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の引き戸式ドア装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月6日(2014.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に金属アンチモン層を堆積するための原子層堆積（ＡＬＤ）方法であって、
シリルアンチモン前駆体を水又はアルコールと反応させてアンチモン層を形成する工程
を含み、前記シリルアンチモン前駆体が、
【化１】
2013060663.tif 000001
（式中、Ｒ2-10は個々に水素原子、１〜１０個の炭素を有する直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルケニル基、又は芳香族基であり、Ｒ1は個々に水素原子、２〜１０個の炭素を有する直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルケニル基、又は芳香族基であり、Ｒ11及びＲ12は個々に１〜１０個の炭素を有する直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルケニル基、又は芳香族基である）からなる群より選択される、原子層堆積（ＡＬＤ）方法。
【請求項２】
前記アルコールがＲＯＨ（式中、Ｒは１〜１０個の炭素原子を直鎖、分岐若しくは環状の形態で有するアルキル基、又は芳香族基である）の一般式を有するアルコールである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アルコールがメタノールである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記反応の温度が室温から３００℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記堆積チャンバーに以下の一般式、即ち、
【化２】
2013060663.tif 000002
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は独立して水素、１〜１０個の炭素を直鎖、分岐若しくは環状の形態で有し、二重結合を持つか若しくは持たないアルキル基、又は芳香族基である）からなる群より選択されるテルル前駆体を導入する工程であって、Ｔｅがシリル置換基を有する工程、
Ｔｅ上のシリル置換基をＲＯＨ（式中、Ｒは１〜１０個の炭素原子を直鎖、分岐若しくは環状の形態で有するアルキル基、又は芳香族基である）の一般式を有するアルコールと反応させてＴｅ−Ｈ結合を形成する工程、
前記堆積チャンバーに以下の一般式、即ち、
【化３】
2013060663.tif 000003
（式中、Ｒ2-10は個々に水素原子、１〜１０個の炭素を有する直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルケニル基、又は芳香族基であり、Ｒ1は個々に水素原子、２〜１０個の炭素を有する直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルケニル基、又は芳香族基であり、Ｒ11及びＲ12は個々に１〜１０個の炭素を有する直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルケニル基、又は芳香族基である）からなる群より選択されるシリルアンチモン前駆体を導入し、Ｔｅ層の上部にＳｂ層であって、Ｓｂがシリル置換基を有するＳｂ層を形成する工程、
Ｓｂ上のシリル置換基を（ｉ）水及び／又は（ｉｉ）ＲＯＨ（式中、Ｒは１〜１０個の炭素原子を直鎖、分岐若しくは環状の形態で有するアルキル基、又は芳香族基である）の一般式を有するアルコールと反応させてＳｂ−Ｈ結合を形成する工程
を含む、原子層堆積（ＡＬＤ）方法。
【請求項６】
前記アルコールがメタノールである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記反応の温度が室温から３００℃である、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
以下の一般構造、即ち、
【化４】
2013060663.tif 000004
（式中、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ8及びＲ9は個々に水素原子、１〜１０個の炭素を有する直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルケニル基、又は芳香族基であり、Ｒ1、Ｒ4及びＲ7は個々に水素原子、２〜１０個の炭素を有する直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基若しくはアルケニル基、又は芳香族基である）の一般構造を有する組成物であって、Ｒ1、Ｒ4及びＲ7の１つがフェニルである場合には、残りのＲ2とＲ3、Ｒ5とＲ6及びＲ8とＲ9の両方ともメチルということはなく、また、Ｒ1-9のいずれかがＣ1-3又はフェニルである場合には、Ｒ1-9のすべてが同じものであることはない、組成物。
【請求項９】
トリス（ジメチルシリル）アンチモンを含む、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
トリス（ジエチルシリル）アンチモン、トリス（メチルシリル）アンチモン、トリス（エチルシリル）アンチモン、トリス（ｎ−プロピルシリル）アンチモン、トリス（イソ−プロピルシリル）アンチモン、トリス（ｎ−ブチルシリル）アンチモン、トリス（ｔ−ブチルシリル）アンチモン、及びトリス（フェニルシリル）アンチモンからなる群より選択される、請求項８に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月10日(2014.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】堆積膜形成方法および電子写真感光体の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、反応容器に導入された堆積膜形成用原料ガスを励起させて励起種を生成して基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法、および、電子写真感光体の製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底部材および蓋部材ならびに該底部材および該蓋部材から絶縁されている壁部材からなる反応容器の中に基体および該基体を保持している基体ホルダを入れ、該基体ホルダの一端と該底部材とを電気的に接続し、該基体ホルダの他端と該蓋部材とを電気的に接続する工程（ｉ）と、
該蓋部材、該基体ホルダおよび該底部材からなる電気が伝わる経路の電気抵抗値を測定する工程（ｉｉ）と
をこの順に有する堆積膜形成方法であって、
該工程（ｉｉ）で測定して得られた該電気抵抗値が所定値以下である場合、該底部材および該蓋部材を該反応容器の外部で電気的に接続し、該反応容器に堆積膜形成用原料ガスを導入し、該反応容器に導入された該堆積膜形成用原料ガスを励起させて励起種を生成して該基体上に堆積膜を形成する工程（ｉｉｉ）に進み、
該工程（ｉｉ）で測定して得られた該電気抵抗値が所定値を超える場合、該工程（ｉｉｉ）に進まない
ことを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項２】
前記電気抵抗値を測定する工程（ｉｉ）を、前記基体ホルダを加熱した状態で実施する請求項１に記載の堆積膜形成方法。
【請求項３】
前記堆積膜を形成する工程（ｉｉｉ）を、前記基体ホルダを加熱した状態で実施し、かつ、前記堆積膜を形成する工程（ｉｉｉ）における前記基体ホルダの加熱状態を、前記電気抵抗値を測定する工程（ｉｉ）における基体ホルダの加熱状態と略同一の状態とする請求項２に記載の堆積膜形成方法。
【請求項４】
前記電気抵抗値を測定する工程（ｉｉ）を、前記基体ホルダを回転した状態で実施する請求項１〜３のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法。
【請求項５】
前記堆積膜を形成する工程（ｉｉｉ）を、前記基体ホルダを回転した状態で実施し、かつ、前記堆積膜を形成する工程（ｉｉｉ）における前記基体ホルダの回転状態を、前記電気抵抗値を測定する工程（ｉｉ）における基体ホルダの回転状態と略同一の状態とする請求項４に記載の堆積膜形成方法。
【請求項６】
前記堆積膜を形成する工程（ｉｉｉ）の後で、前記底部材および前記蓋部材を前記反応容器の外部で電気的に接続した状態を解除し、前記蓋部材、前記基体ホルダおよび前記底部材からなる電気が伝わる経路の電気抵抗値を測定する工程（ｉｖ）を実施し、
該工程（ｉｖ）で測定して得られた該電気抵抗値が所定値以下である場合、該底部材および該蓋部材を該反応容器の外部で電気的に接続し、該反応容器に堆積膜形成用原料ガスを導入し、該反応容器に導入された該堆積膜形成用原料ガスを励起させて励起種を生成して該基体上に堆積膜を形成する工程（ｖ）に進む
請求項１〜５のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法。
【請求項７】
前記電気抵抗値の所定値が１０Ωである請求項１〜６のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法。
【請求項８】
基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成工程を有する電子写真感光体の製造方法において、該堆積膜形成工程が、請求項１〜７のいずれか１項に記載の堆積膜形成方法によって行われることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。