【手続補正書】
【提出日】平成26年10月28日(2014.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のレジストをインプリントモールドでインプリントして、得られたインプリントされたレジスト上に地形的な表面パターンを形成するステップと、
前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体（「ＢＣＰ」）材料を堆積させるステップとを含み、前記ＢＣＰ材料は、前記得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関して、前記地形的な表面パターンの複数の凹領域の間の前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分を覆い、さらに、
堆積されたＢＣＰ材料をアニールして、アニールされたＢＣＰを形成するステップと、  前記アニールされたＢＣＰの少なくとも一部分を除去するステップとを含み、離散領域を有する、基板上のパターンを形成することが可能である、方法。
【請求項２】
前記ＢＣＰ材料を堆積させる前に化学的な表面パターンを形成するように、前記得られたインプリントされたレジストを処理するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記処理するステップは、前記得られたインプリントされたレジストを酸素プラズマに露出させることを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＢＣＰ材料を堆積させる前に、前記得られたインプリントされたパターンを直接基板上に転写するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
インプリントするステップは、ＵＶインプリント、熱インプリント、およびインキ盛りインプリントからなるプロセスのグループから選択されるインプリントプロセスを適用することを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記堆積させるステップは、層状のブロック共重合体、円筒状のブロック共重合体、および球状のブロック共重合体からなるＢＣＰ材料のグループから選択されるＢＣＰ材料を堆積させることを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記ＢＣＰ材料は、ポリスチレン−ブロック−ポリメチルメタクリレート（ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ）、ポリスチレン−ブロック−ポリ２−ビニルピリジン、ポリスチレン−ブロック−ポリ４−ビニルピリジン、ポリスチレン−ブロック−ポリエチレンオキシド、ポリスチレン−ブロック−ポリイソプレン、ポリスチレン−ブロック−ブタジエン、およびそれらの混合物からなるＢＣＰ材料のグループから選択される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記ＢＣＰ材料は、ポリスチレン−ブロック−ポリジメチルシロキサン（ＰＳ−ｂ−ＰＤＭＳ）、ポリスチレン−ブロック−ポリフェロセニルシラン、およびそれらの混合物からなるＢＣＰ材料のグループから選択される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記アニールするステップは、熱アニールまたは溶媒アニールを含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記除去するステップは、レジストを、ＵＶ照射および少なくとも１つの酸に露出させること、または、少なくとも１つの溶媒に露出させることを含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記除去するステップは、レジストを酸素プラズマに露出させることを含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記アニールされたＢＣＰの少なくとも一部分を除去するステップにおいて形成されたパターンは、５〜１００ｎｍの特徴ピッチを有する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記アニールされたＢＣＰの少なくとも一部分を除去するステップにおいて形成されたパターンは、長範囲の横方向に配列された一次元または二次元アレイを有する、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
基板上のレジストをインプリントモールドでインプリントして、得られたインプリントされたレジスト上に地形的な表面パターンを形成するステップと、
前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体（「ＢＣＰ」）材料を堆積させるステップとを含み、前記ＢＣＰ材料は、前記得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関して、前記地形的な表面パターンの複数の凹領域の間の前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分を覆い、さらに、
堆積されたＢＣＰ材料をアニールして、アニールされたＢＣＰを形成するステップと、
前記アニールされたＢＣＰの少なくとも一部分を除去するステップとを含み、離散領域を有するテンプレートを形成することが可能であり、
前記テンプレートを使用して基板上のレジストをパターン化し、前記基板上にパターンを形成する、方法。
【請求項１５】
前記アニールされたＢＣＰの少なくとも一部分を除去するステップにおいて形成されたパターンは、５〜１００ｎｍの特徴ピッチを有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
基板上のレジストをインプリントモールドでインプリントして、得られたインプリントされたレジスト上に地形的な表面パターンを形成するステップと、
前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体（「ＢＣＰ」）材料を堆積させるステップとを含み、前記ＢＣＰ材料は、前記得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関して、前記地形的な表面パターンの複数の凹領域の間の前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分を覆い、さらに、
堆積されたＢＣＰ材料をアニールして、アニールされたＢＣＰを形成するステップと、
前記アニールされたＢＣＰの少なくとも一部分を除去するステップとを含み、離散領域を有するテンプレートを形成することが可能であり、さらに、
前記テンプレートをマスクとして使用するステップを含む、方法。
【請求項１７】
前記アニールされたＢＣＰの少なくとも一部分を除去するステップにおいて形成されたパターンは、５〜１００ｎｍの特徴ピッチを有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
基板上のレジストをインプリントして、得られたインプリントされたレジスト上に地形的な表面パターンを形成するためのインプリントモールドと、
前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体（「ＢＣＰ」）材料を堆積させるための堆積装置とを備え、前記ＢＣＰ材料は、前記得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関して、前記地形的な表面パターンの複数の凹領域の間の前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分を覆い、さらに、
堆積されたＢＣＰ材料をアニールして、アニールされたＢＣＰを形成するためのアニール装置と、
前記アニールされたＢＣＰの少なくとも一部分を除去するためのＢＣＰ除去装置とを備え、５〜１００ｎｍの特徴ピッチを有する離散領域を有するテンプレートを形成することが可能である、システム。
【請求項１９】
基板上のレジストをインプリントして、得られたインプリントされたレジスト上に地形的な表面パターンを形成するための手段と、
前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分上にブロック共重合体（「ＢＣＰ」）材料を堆積させるための手段とを備え、前記ＢＣＰ材料は、前記得られたインプリントされたレジスト上の地形的な表面パターンに相関して、前記地形的な表面パターンの複数の凹領域の間の前記得られたインプリントされたレジストの少なくとも一部分を覆い、さらに、
堆積されたＢＣＰ材料をアニールして、アニールされたＢＣＰを形成するための手段と、
前記アニールされたＢＣＰの少なくとも一部分を除去するための手段とを備え、５〜１００ｎｍの特徴ピッチを有する離散領域を有するテンプレートを形成することが可能である、システム。