(57)【要約】      （修正有）【課題】外部との半田付け状態を観察することが簡単になる予備成形リードフレームを提供する。【解決手段】成形樹脂層３は、リードフレームを直接に覆うように設けられ、リードフレームのトップ面２１１と同一平面上にある上面３１と、リードフレームユニット２１のボトム面２１２と同一平面上にある底面３２と、底面３２から窪んで形成された複数の半田溝３３とを有する。【選択図】図３
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの実装に適用される予備成形リードフレームにおいて、
互いに所定の間隔をおいて配置された複数のリードフレームユニットと、複数の前記リードフレームユニットを囲むように複数の前記リードフレームユニットと所定の間隔をおいて配置された外枠と、前記リードフレームユニットと前記外枠との間に介在するように形成されたギャップとを有し、各前記リードフレームユニットは、前記半導体チップを支えるトップ面と前記トップ面と反対側のボトム面とを有するリードフレームと、
前記外枠によって囲まれ前記ギャップを塞ぐように配置された成形樹脂層であって、
前記リードフレームユニットの前記ボトム面と同一平面上にある底面と、前記底面から窪んで形成された複数の半田溝とを有し、各前記半田溝は、前記リードフレームユニットの１つと連結された少なくとも１つの端部を有する前記成形樹脂層と、
を備えていることを特徴とする予備成形リードフレーム。
【請求項２】
各前記リードフレームユニットは、所定の間隔をおいて配置された少なくとも２つの接触電極を有し、各前記接触電極は、少なくとも１つの前記半田溝と連通するように設けられたことを特徴とする請求項１に記載の予備成形リードフレーム。
【請求項３】
前記接触電極における前記半田溝から露出した表面は、アーク状に窪んでなった凹面を有することを特徴とする請求項２に記載の予備成形リードフレーム。
【請求項４】
前記成形樹脂層は更に、前記リードフレームの前記トップ面と同一平面上にある上面を有することを特徴とする請求項１に記載の予備成形リードフレーム。
【請求項５】
前記成形樹脂層は、前記リードフレームユニットの間を塞ぐ下部と、前記下部の表面に前記外枠を覆わず且つ前記リードフレームユニットの前記トップ面の少なくとも一部を覆うように設けられた上部とを有することを特徴とする請求項１に記載の予備成形リードフレーム。
【請求項６】
前記成形樹脂層の前記上部は、光反射性を有することを特徴とする請求項５に記載の予備成形リードフレーム。
【請求項７】
前記リードフレームは、銅、鉄ニッケル合金又は銅合金から選ばれた１つの材料で構成されることを特徴とする請求項１に記載の予備成形リードフレーム。
【請求項８】
前記リードフレームユニットの前記ボトム面は更に、前記リードフレームユニットと異なる材料で作られた第１の電解めっき層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の予備成形リードフレーム。
【請求項９】
前記リードフレームユニットの前記トップ面は更に、前記リードフレームユニットと異なる材料で作られた第２の電解めっき層が設けられていることを特徴とする請求項８に記載の予備成形リードフレーム。
【請求項１０】
前記リードフレームユニットの前記半田溝から露出した表面に更に、前記リードフレームユニットと異なる材料で作られた第３の電解めっき層が設けられていることを特徴とする請求項８又は９に記載の予備成形リードフレーム。
【請求項１１】
前記リードフレームは、前記成形樹脂層と直接接触して接合されるように設けられたことを特徴とする請求項１に記載の予備成形リードフレーム。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、予め成形されたリードフレームに関し、複数の半田溝が形成された予備成形リードフレームに関する。
【背景技術】
【０００２】
超小型化の流れにおいて、半導体デバイスパッケージは、更なる多機能化、高集積度化による超小型化、製造コストの低下が望まれている。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）装置は、小型化でき、エネルギー効率が高く、使用時間が長く、応答時間が短い等の利点を有するので、従来の光源例えば白熱ランプの代わりに光源として使われている。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体パッケージ領域では、応答時間を一層短縮し、ＬＥＤ装置パッケージの信頼性を高める等の目的においてはなおも改善すべき点がある。集積度を上げ、更なる小型化を図るためのものとして、例えば、外向きのリードがないＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏ  Ｌｅａｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）が知られている。ＱＦＮは、そのリードフレームの底面に半田接合部が形成されているので、外部のデバイスと接合した際、外部から半田接合部と半田の半田付け状態を観察することが難しいという問題点がある。
【０００４】
本考案は、上記従来の問題点を解消するようになされた予備成形リードフレームを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本考案は、半導体チップの実装に適用される予備成形リードフレームにおいて、互いに所定の間隔をおいて配置された複数のリードフレームユニットと、複数の前記リードフレームユニットを囲むように複数の前記リードフレームユニットと所定の間隔をおいて配置された外枠と、前記リードフレームユニットと前記外枠との間に介在するように形成されたギャップとを有し、各前記リードフレームユニットは、前記半導体チップを支えるトップ面と前記トップ面と反対側のボトム面とを有するリードフレームと、前記外枠によって囲まれ前記ギャップを塞ぐように配置された成形樹脂層であって、前記リードフレームユニットの前記ボトム面と同一平面上にある底面と、前記底面から窪んで形成された複数の半田溝とを有し、各前記半田溝は、前記リードフレームユニットの１つと連結された少なくとも１つの端部を有する前記成形樹脂層と、を備えていることを特徴とする予備成形リードフレームを提供する。
【考案の効果】
【０００６】
本考案に係る半田溝が形成された予備成形リードフレームによれば、半導体デバイスパッケージの単一化に有利であり、外部との半田付け状態を観察することが簡単になる。
【０００７】
本考案の他の特徴および利点は、添付の図面を参照する以下の実施形態の詳細な説明において明白になるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本考案に係る予備成形リードフレームの第１の実施例の上面図である。
【図２】図１の下面図である。
【図３】図１の線III−IIIの一部に沿った断面図である。
【図４】単一化された第１の実施例に係る予備成形リードフレームの斜視図である。
【図５】第１の実施例に係る予備成形リードフレームの製造方法を示すフローチャートを示す図である。
【図６】本考案に係る予備成形リードフレームの第２の実施例の上面図である。
【図７】図６の線VII−VIIの一部に沿った断面図である。
【図８】単一化された第２の実施例に係る予備成形リードフレームの斜視図である。
【図９】第１の電解めっき層が更に設けられた図８の予備成形リードフレームの断面図である。
【図１０】第２の電解めっき層が更に設けられた図９の予備成形リードフレームの断面図である。
【図１１】第３の電解めっき層が更に設けられた図９の予備成形リードフレームの断面図である。
【図１２】第３の電解めっき層が更に設けられた図１０の予備成形リードフレームの断面図である。
【図１３】更に第１の電解めっき層が更に設けられた第１の実施例に係る予備成形リードフレームの断面図である。
【図１４】第２の電解めっき層が更に設けられた第１の実施例に係る予備成形リードフレームの断面図である
【図１５】第３の電解めっき層が更に設けられた図１３の予備成形リードフレームの断面図である。
【図１６】第３の電解めっき層が更に設けられた図１４の予備成形リードフレームの断面図である。
【考案を実施するための形態】
【０００９】
以下、本考案のいくつかの実施例について図面を参照して説明する。なお、同一構成及び機能を有する構成要素については、同一番号を付してその説明を省略する。
【００１０】
（第１の実施例）
図１〜図３は、本考案に係る予備成形リードフレームの第１の実施例を示している。第１の実施例に係る予備成形リードフレームは、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）又は集積回路（ＩＣ）チップ等の半導体チップ（図示せず）の実装に応用されるものである。本例では、予備成形リードフレームは、リードフレーム２と成形樹脂層３とを備えている。
【００１１】
リードフレーム２は、銅、鉄ニッケル合金又は銅合金から選ばれた１つの材料で構成され、互いに所定の間隔をおいて配置された複数のリードフレームユニット２１と、複数のリードフレームユニット２１を囲むように複数のリードフレームユニット２１と所定の間隔をおいて配置された外枠２３と、リードフレームユニット２１と外枠２３との間に介在するように形成されたギャップ２１０とを有する。
【００１２】
複数のリードフレームユニット２１は、アレイ状に配置され、半導体チップを支えるトップ面２１１と、トップ面２１１と反対側のボトム面２１２とを有する。
【００１３】
特に、図５を参照すると、各リードフレームユニット２１は、ギャップ２１０をおいて離れるように配置された少なくとも２つの接触電極２１３を有する。接触電極２１３は、リードフレームユニット２１のボトム面２１２を互いに協働して形成する下面２１２´と、トップ面２１１を互いに協働して形成する上面２１１´とを有する。
【００１４】
リードフレームユニット２１の少なくとも１つの接触電極２１３の上面２１１´は、図示しないが、半導体チップを支えるために適用される。この例では、各リードフレーム２１の接触電極２１３の数は２つと例示されている。
【００１５】
成形樹脂層３は、外枠２３によって囲まれギャップ２１０を塞ぐように配置されている。接触電極２１３の上面２１１´と下面２１２´とは、成形樹脂層３によって覆われずに露出している。リードフレームユニット２１と外枠２３は成形樹脂層３によって一体に接合されている。
【００１６】
特に、成形樹脂層３は、リードフレーム２を直接に覆うように設けられ、リードフレーム２のトップ面２１１と同一平面上にある上面３１と、リードフレームユニット２１のボトム面２１２と同一平面上にある底面３２と、底面３２から窪んで形成された複数の半田溝３３とを有する。
【００１７】
各半田溝３３は、図３に示されるように、リードフレームユニット２１の１つと連結された少なくとも１つの端部３３０を有する。各接触電極２１３は少なくとも１つの半田溝３３と連結するように設けられている。
【００１８】
この例では、各半田溝３３は、ギャップ２１０を横切ってギャップ２１０と水平に延伸されるようにリードフレームユニット２１と外枠２３との間に形成され、互いに相反する端部３３０を有する。隣接する２つの接触電極２１３に挟まれた半田溝３３では、その１つの端部３３０が隣接する２つの接触電極２１３の１つと連結され、他の１つの端部３３０が隣接する２つの接触電極２１３の他の１つと連結され、そして、接触電極２１３と外枠２３との間に形成された半田溝３３ではその１つの端部３３０が接触電極２１３と連結され、他の１つの端部３３０は外枠２３と連結されている。ここでの半田溝３３は、半導体パッケージ分野においてはＳＳＴ（ｓｏｌｄｅｒ  ｓｅｅｎ  ｔｅｒｍｉｎａｌ）とも呼ばれているものである。
【００１９】
１つの形態では、各接触電極２１３は、１つの半田溝３３における底面３２から露出した露出面部２１４を有する。各接触電極２１３の露出面部２１４は、凹面状又は傾斜状に構成されてよい。このようにすると、接触電極２１３の下面２１２´における例えば導電性接着剤や半田などの液体材料の材料を導くことが可能である。さらに、成形樹脂層３の上面３１はリードフレーム２のトップ面２１１と同一平面上にあり、底面３２はリードフレームユニット２１のボトム面２１２と同一平面上にあり、この例に係る予備成形リードフレームは板形状に形成されている。
【００２０】
図３に示されているように、第１の例では、各リードフレーム２１は２つの接触電極２１３を有する。ギャップ２１０は、リードフレームユニット２１と外枠２３との間に介在し、成形樹脂層３が充満されているものであり、ダイシング領域Ｘとするスクライブライン（図示せず）を画成している。半導体チップ（図示せず）を備えた予備成形リードフレームが実装された半導体装置パッケージはスクライブラインに沿ってカットされ、単一化されたパッケージデバイスが得られる。
【００２１】
図４に示されているように、単一化されたパッケージデバイス（図４では１つのみ）のそれぞれは、金属が外部に露出していない側面に半田の半田付け状態を観察することが可能な半田溝３３が形成されている。
【００２２】
次に上記のような第１の実施例に係る予備成形リードフレームの製造について図５のＡ〜Ｄを参照して説明する。まず、銅、鉄ニッケル合金又は銅合金から選ばれた１つの材料で構成されている導電性基材を用意し、エッチング工程を経て該導電性基材における不要な部分を除去する等により、リードフレーム半製品１００Ａが得られる。
【００２３】
リードフレーム半製品１００Ａは、外枠２３と、外枠２３によって囲まれた複数の離間したリードフレームユニット２１と、複数の離間した連結部１０２とを有する。各リードフレームユニット２１は互いに離間した２つの接触電極２１３を有する。接触電極２１３はアレイ状に配置され、相反する上面２１１´と下面２１２´とを有する。
【００２４】
図５のＡのように、一部の連結部１０２は、各リードフレームユニット２１の２つの接触電極２１３の１つと、隣接する１つのリードフレームユニット２１の隣接した１つの接触電極２１３とを連結するよう配置され、他の一部の連結部１０２は、外枠２３とリードフレームユニット２１の隣接する接触電極２１３との間に連結されて配置されている。このように、リードフレーム半製品１００Ａは外枠２３とリードフレームユニット２１とを連結して一体に構成され、外枠２３とリードフレームユニット２１との間にギャップ２１０が形成されている。
【００２５】
次に、リードフレーム半製品１００Ａを成形装置（図示せず）に入れ、封止材料を用いてギャップ２１０を充満させ、接触電極２１３の上面２１１´と下面２１２´を被覆せずに連結部１０２を覆う。そして、封止材料を固めて成形樹脂層３が形成される。
【００２６】
図５のＢ、Ｃに示されたように、成形樹脂層３が形成されたリードフレーム半製品１００Ａは、上面３１と底面３２とを有する。そして、エッチング工程を経て、底面３２に半田溝３３が形成される（図５のＤ）。このようにすると、第１の実施例に係る予備成形リードフレームが得られる。
【００２７】
（第２の実施例）
図６と図７は、第２の実施例に係る予備成形リードフレームの構成を示している。第２の実施例は成形樹脂層３を有する第１の実施例の構成とほぼ同じだが、成形樹脂層３の構成が異なる。なお、本実施例では、図示のように、成形樹脂層３は、リードフレームユニット２１の間を塞ぐ下部３５と、下部３５の表面に設けられている上部３６とを有する。
【００２８】
特に、成形樹脂層３の上部３６は、図７に示すように、外枠２３を被覆せずにリードフレームユニット２１のトップ面２１１の一部を覆うように形成されている。成形樹脂層３の上部３６と上部３６から露出したトップ面２１１とが協働して半導体チップを配置する収容空間３４が画成されている。
【００２９】
１つの形態では、成形樹脂層３の上部３６は、光反射性を有してもよい。半導体チップが発光チップとして収容空間３４に装着された時、発光チップが放射した光が成形樹脂層３の上部３６によって反射されて複数の反射光が生成されることができるので、発光チップの光取り出し効率を高めることができる。
【００３０】
図７は、図６の線VII−VIIの一部を示す断面図、図８は、単一化された第２の実施例に係る予備成形リードフレームの斜視図である。図７に示すように、第２の実施例に係る予備成形リードフレームのダイシング領域Ｘに定義されたスクライブライン（図示せず）に沿って単一化されたパッケージデバイスが切り出される。
【００３１】
このように得られたパッケージデバイスは、半田溝３３が形成された成形樹脂層３の下部３５によって囲まれたリードフレームユニット２１と、リードフレームユニット２１のトップ面２１１の一部を覆うように成形樹脂層３の下部３５の上に設けられた成形樹脂層３の上部３６とを備えている。リードフレームユニット２１と連結されて半田溝３３に設けられた半田（図示せず）の品質は半田溝３３を介して視覚的に検出することができる。
【００３２】
なお、図６に示された第２の実施例に係る予備成形リードフレームは、第１の実施例と同様な手法で作られる。また、成形樹脂層３の上部３６と下部３５は、製造に用いられる成形装置によって同時にまとめて形成されるが、異なる成形装置によって続いて形成されてもよい。また、成形樹脂層の上部３６と下部３５は、同じ又は異なる高分子封止材料からなってもよい。成形樹脂層３の上部３６は、光反射性を有するために、成形樹脂層３の上部３６の製造に用いられる高分子封止材料としては光反射粒子を含むとよい。
【００３３】
ここでは、成形装置、光反射粒子については、本開示において重要な特徴ではなく、当業者は公知なものを使ってよいので、その説明を省略する。
【００３４】
なお、第１の実施例では、成形樹脂層３が形成された後、又は、第２の実施例では、成形樹脂層の上部３６が形成された後、更にめっき工程を行うことによってめっき層が設けられてもよい。
【００３５】
めっき工程を行う際、更にリードフレームユニット２１と異なる材料で、少なくとも１つの電解めっき層を、リードフレームユニット２１のボトム面２１２、トップ面２１１、又は、接触電極２１３の露出面部２１４に設ける。なお、電解めっき層は金属材料又は合金材料からなることがよいが、好ましくは、ニッケル、パラジウム、銀、金とその組合せを用いて一層又は複数層形成される。
【００３６】
形成された電解めっき層によって、その後のワイヤボンディング工程と封止工程において、成形樹脂層と予備成形リードフレームとの密着や、ワイヤ、封止材料の予備成形リードフレームへの装着、封止、予備成形リードフレームの信頼性等の向上を図ることができる。
【００３７】
図９に示された例では、リードフレームユニット２１と異なる材料を用いて、リードフレームユニット２１のボトム面２１２に第１の電解めっき層４１が設けられている。
【００３８】
図１０に示された例では、リードフレームユニット２１と異なる材料を用いて、図９に示された、成形樹脂層３の上部３６によって覆われていないリードフレームユニット２１のトップ面２１１に第２の電解めっき層４２が設けられている。
【００３９】
図１１に示された例では、リードフレームユニット２１と異なる材料を用いて、接触電極２１３の露出面部２１４に例えば溝状の第３の電解めっき層４３が形成されている。
【００４０】
また、図１２を参照すると、溝状の第３の電解めっき層４３は、図１０に示された予備成形リードフレームの接触電極２１３の少なくとも１つの露出面部２１４に設けられてもよい。
【００４１】
図１３〜１６に示されたように、第２の実施例と同様に、第１の実施例に係る予備成形リードフレームは更に、第１の電解めっき層４１、第２の電解めっき層４２及び／又は第３の電解めっき層４３が形成されてもよい。そして、第２の電解めっき層４２はリードフレームユニット２１のトップ面２１１に設けられ、成形樹脂層３の上面３１と同一平面上にある。
【００４２】
本考案に係る半田溝３３が形成された予備成形リードフレームによれば、半導体デバイスパッケージの単一化に有利であり、外部との半田付け状態を観察することが簡単になる。
【００４３】
以上、本考案の好ましい実施形態を説明したが、本考案はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本考案に係る予備成形リードフレームは、半導体デバイスパッケージの単一化に有用である。
【符号の説明】
【００４５】
２  リードフレーム
２１  リードフレームユニット
２１０  ギャップ
２１１  トップ面
２１２  ボトム面
２１１´  上面
２１２´  下面
２１３  接触電極
２１４  露出面部
２３  外枠
３  成形樹脂層
３１  上面
３２  底面
３３  半田溝
３４  収容空間
３５  下部
３６  上部
３３０  端部
１００Ａ  リードフレーム半製品
１０２  連結部
４１、４２、４３  電解めっき層
Ｘ  ダイシング領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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