【手続補正書】
【提出日】平成26年4月18日(2014.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
ストライプ領域幅の情報を入力し、描画領域をストライプ領域幅で短冊状の複数のストライプ領域に分割する際に、最終段のストライプ領域の幅がストライプ領域幅よりも狭くなるかどうかを判定する工程と、
最終段のストライプ領域の幅がストライプ領域幅よりも狭くなる場合には、最終段のストライプ領域と最終段のストライプ領域から１つ前のストライプ領域とを合成して１つのストライプ領域になるように、最終段のストライプ領域から２つ前以前のストライプ領域はそれぞれストライプ領域幅のストライプ領域になるように、描画領域を短冊状の複数のストライプ領域に分割する工程と、
分割されたストライプ領域毎に、ビームのショット数が同等になるように当該ストライプ領域を複数の処理領域に分割する工程と、
ストライプ領域毎に、複数の処理領域について並列的に内部のパターン密度を演算する工程と、
演算されたパターン密度を用いてビームの照射量を演算する工程と、
得られた照射量の荷電粒子ビームで、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図３は、実施の形態１におけるストライプ領域の一例を示す図である。図３（ａ）に示すように、描画装置１００では、描画領域４０（チップ領域）を例えばｙ方向に所定の幅で短冊状の複数のストライプ領域３０（３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ）に分割する。そして、描画処理は、ストライプ領域単位で行われることになる。かかるストライプ領域の幅（所定の幅）は、一般に、主偏向器２０８で偏向可能なサイズで設定される。通常、描画装置１００では、外部からかかるストライプ分割幅Ｄ１を入力し、このストライプ分割幅Ｄ１で描画領域を描画開始側から複数のストライプ領域３０に分割していく。図３では、例えば下側から上側へと分割している。その際、図３（ａ）に示すように、チップサイズによっては、最終段のストライプ領域３２の幅Ｄ２が、それまでの各ストライプ領域３０ａ〜３０ｄの幅Ｄ１に比べて著しく狭くなってしまう場合がある。判定部１０は、かかる最終段のストライプ領域の幅がストライプ領域幅よりも狭くなるかどうかを判定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
合成処理工程（Ｓ１０４）として、合成処理部１１は、最終段のストライプ領域３２の幅Ｄ２が設定されたストライプ領域幅Ｄ１よりも狭くなる場合には、最終段のストライプ領域３２の幅Ｄ２と最終段のストライプ領域３２から１つ前のストライプ領域３０ｄの幅Ｄ１とを合成する。そして、合成された幅Ｄ３を出力する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
ストライプ分割工程（Ｓ１１０）として、ストライプ分割部１２は、図３（ｂ）に示すように、最終段のストライプ領域３２から２つ前以前のストライプ領域３０ａ〜３０ｃはそれぞれ設定されたストライプ領域幅Ｄ１のストライプ領域になるように、描画領域４０を短冊状の複数のストライプ領域に分割する。そして、ストライプ分割部１２は、図３（ｂ）に示すように、最終段のストライプ領域３２の幅Ｄ２がストライプ領域幅よりも狭くなる場合には、最終段のストライプ領域３２と最終段のストライプ領域３２から１つ前のストライプ領域３０ｄとを合成して、ストライプ領域幅Ｄ３の１つのストライプ領域３４になるように分割する。言い換えれば、最終段のストライプ領域３２を最終段のストライプ領域３２から１つ前のストライプ領域３０ｄが取り込んで１つのストライプ領域３４とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
以上のように、実施の形態１によれば、最終段のストライプ領域３４のＤＰＢ領域５４（５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５４ｄ，５４ｅ）内に割り当てられるセルの数が、他のストライプ領域３０でのＤＰＢ領域に比べて突出して多くなることを抑制できる。よって、最終段のストライプ領域３４のＤＰＢ領域５４にセルが所属しているかどうかの判定処理時間の長期化を抑制できる。その結果、最終段のストライプのデータ処理領域内のパターン面積密度等を計算する際の計算時間が、他のストライプ領域でのデータ処理領域に比べて遅延してしまうことを抑制できる。よって、描画時間を短縮できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
図７は、実施の形態２におけるストライプ領域の一例を示す図である。図７（ａ）に示すように、描画装置１００では、描画領域４０（チップ領域）を例えばｙ方向に所定の幅で短冊状の複数のストライプ領域３０に分割する。描画装置１００では、上述したように外部からかかるストライプ分割幅Ｄ１を入力し、このストライプ分割幅Ｄ１で描画領域を描画開始側から複数のストライプ領域３０に分割していく。その際、図７（ａ）に示すように、チップサイズによっては、最終段のストライプ領域３２の幅Ｄ２が、それまでの各ストライプ領域３０ａ〜３０ｄの幅Ｄ１に比べて著しく狭くなってしまう場合がある。判定部１０は、かかる最終段のストライプ領域の幅がストライプ領域幅よりも狭くなるかどうかを判定する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
平均化処理工程（Ｓ１０６）として、平均化処理部１３は、最終段のストライプ領域３２の幅Ｄ２が設定されたストライプ領域幅Ｄ１よりも狭くなる場合には、最終段のストライプ領域３２の幅Ｄ２と最終段のストライプ領域３２から１つ前のストライプ領域３０ｄの幅Ｄ１とを合成して平均化した同じ幅Ｄ４を演算する。そして、平均化された幅Ｄ４を出力する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
ストライプ分割工程（Ｓ１１０）として、ストライプ分割部１２は、図７（ｂ）に示すように、最終段のストライプ領域３２から２つ前以前のストライプ領域３０ａ〜３０ｃはそれぞれ設定されたストライプ領域幅Ｄ１のストライプ領域になるように、描画領域４０を短冊状の複数のストライプ領域に分割する。そして、ストライプ分割部１２は、図７（ｂ）に示すように、最終段のストライプ領域３２の幅Ｄ２がストライプ領域幅よりも狭くなる場合には、最終段のストライプ領域３２と最終段のストライプ領域３２から１つ前のストライプ領域３０ｄとを合成して平均化した、同じストライプ領域幅Ｄ４の２つのストライプ領域３６ａ，３６ｂになるように分割する。言い換えれば、最終段のストライプ領域３２を最終段のストライプ領域３２から１つ前のストライプ領域３０ｄが取り込んで平均化した２つのストライプ領域３６ａ，３６ｂとする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
次に、セル割当工程（Ｓ１１４）として、セル割当部１６は、分割された各ＤＰＢ領域に少しでも含まれるセルをそれぞれ割り当てる。よって、従来のように、最終ストライプ領域３２がその他のストライプ領域３０（ここではストライプ領域３０ｄを図示している）に比べて著しく幅が狭い場合、図８（ａ）に示すように、１つのＤＰＢ領域５２にセルＡ，Ｃ〜Ｇの６つのセルが割り当てられることになる。一方、ＤＰＢ領域５２とショット数が同等のＤＰＢ領域５０ａでは、セルＡ，Ｂの２つが割り当てられることになる。同様に、ＤＰＢ領域５０ｂでは、セルＢ，Ｃ，Ｄの３つが割り当てられることになる。同様に、ＤＰＢ領域５０ｃでは、セルＤ，Ｅの２つが割り当てられることになる。同様に、ＤＰＢ領域５０ｄでは、セルＥ，Ｆ，Ｈの３つが割り当てられることになる。同様に、ＤＰＢ領域５０ｅでは、セルＦ，Ｇ，Ｊの３つが割り当てられることになる。このように、最終段のストライプ領域３２のＤＰＢ領域５２には、１つ前のストライプ領域３０ｄの各ＤＰＢ領域５０ａ〜５０ｅに比べて多くのセルが割り当てられてしまうことになる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
図１１は、実施の形態３におけるストライプ領域の一例を示す図である。図１１（ａ）は、図３（ａ）と同様である。図１１（ａ）に示すように、描画装置１００では、描画領域４０（チップ領域）を例えばｙ方向に所定の幅で短冊状の複数のストライプ領域３０に分割する。描画装置１００では、上述したように外部からかかるストライプ分割幅Ｄ１を入力し、このストライプ分割幅Ｄ１で描画領域を描画開始側から複数のストライプ領域３０に分割していく。その際、図１１（ａ）に示すように、チップサイズによっては、最終段のストライプ領域３２の幅Ｄ２が、それまでの各ストライプ領域３０ａ〜３０ｄの幅Ｄ１に比べて著しく狭くなってしまう場合がある。ストライプ数演算部２６は、かかる著しく狭い最終段のストライプ領域も含めてストライプ領域数を演算する。図１１（ａ）の例では、ストライプ領域数は、「５」となる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
ストライプ幅算出工程（Ｓ１０９）として、ストライプ幅算出部２８は、図１１（ｂ）に示すように、描画領域を演算されたストライプ領域数で序した幅５を演算する。言い換えれば、当初設定されたストライプ幅Ｄ１ではなく、描画領域全体をストライプ領域数で平均化したストライプ幅Ｄ５を求める。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
ストライプ分割工程（Ｓ１１０）として、ストライプ分割部１２は、図１１（ｂ）に示すように、描画領域をストライプ領域数で序した幅Ｄ５で描画領域を短冊状の複数のストライプ領域３８ａ〜３８ｅに分割する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストライプ領域幅の情報を入力し、描画領域を前記ストライプ領域幅で短冊状の複数のストライプ領域に分割する際に、最終段のストライプ領域の幅が前記ストライプ領域幅よりも狭くなるかどうかを判定する判定部と、
最終段のストライプ領域の幅が前記ストライプ領域幅よりも狭くなる場合には、最終段のストライプ領域と最終段のストライプ領域から１つ前のストライプ領域とを合成して１つのストライプ領域になるように、最終段のストライプ領域から２つ前以前のストライプ領域はそれぞれ前記ストライプ領域幅のストライプ領域になるように、前記描画領域を短冊状の複数のストライプ領域に分割するストライプ分割部と、
分割されたストライプ領域毎に、ビームのショット数が同等になるように当該ストライプ領域を複数の処理領域に分割する処理領域分割部と、
ストライプ領域毎に、複数の処理領域について並列的に内部のパターン密度を演算するパターン密度演算部と、
演算されたパターン密度を用いてビームの照射量を演算する照射量演算部と、
得られた照射量の荷電粒子ビームで、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
ストライプ領域幅の情報を入力し、描画領域を前記ストライプ領域幅で短冊状の複数のストライプ領域に分割する場合に得られるストライプ領域数を演算するストライプ数演算部と、
前記描画領域を前記ストライプ領域数で序した幅で前記描画領域を短冊状の複数のストライプ領域に分割するストライプ分割部と、
分割されたストライプ領域毎に、ビームのショット数が同等になるように当該ストライプ領域を複数の処理領域に分割する処理領域分割部と、
ストライプ領域毎に、複数の処理領域について並列的に内部のパターン密度を演算するパターン密度演算部と、
演算されたパターン密度を用いてビームの照射量を演算する照射量演算部と、
得られた照射量の荷電粒子ビームで、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
ストライプ領域幅の情報を入力し、描画領域を前記ストライプ領域幅で短冊状の複数のストライプ領域に分割する際に、最終段のストライプ領域の幅が前記ストライプ領域幅よりも狭くなるかどうかを判定する判定部と、
最終段のストライプ領域の幅が前記ストライプ領域幅よりも狭くなる場合には、最終段のストライプ領域の幅と最終段のストライプ領域から１つ前のストライプ領域の幅とを合成して平均化した同じ幅の２つのストライプ領域になるように、最終段のストライプ領域から２つ前以前のストライプ領域はそれぞれ前記ストライプ領域幅のストライプ領域になるように、前記描画領域を短冊状の複数のストライプ領域に分割するストライプ分割部と、
分割されたストライプ領域毎に、ビームのショット数が同等になるように当該ストライプ領域を複数の処理領域に分割する処理領域分割部と、
ストライプ領域毎に、複数の処理領域について並列的に内部のパターン密度を演算するパターン密度演算部と、
演算されたパターン密度を用いてビームの照射量を演算する照射量演算部と、
得られた照射量の荷電粒子ビームで、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
ストライプ領域幅の情報を入力し、描画領域を前記ストライプ領域幅で短冊状の複数のストライプ領域に分割する際に、最終段のストライプ領域の幅が前記ストライプ領域幅よりも狭くなるかどうかを判定する工程と、
最終段のストライプ領域の幅が前記ストライプ領域幅よりも狭くなる場合には、最終段のストライプ領域と最終段のストライプ領域から１つ前のストライプ領域とを合成して１つのストライプ領域になるように、最終段のストライプ領域から２つ前以前のストライプ領域はそれぞれ前記ストライプ領域幅のストライプ領域になるように、前記描画領域を短冊状の複数のストライプ領域に分割する工程と、
分割されたストライプ領域毎に、ビームのショット数が同等になるように当該ストライプ領域を複数の処理領域に分割する工程と、
ストライプ領域毎に、複数の処理領域について並列的に内部のパターン密度を演算する工程と、
演算されたパターン密度を用いてビームの照射量を演算する工程と、
得られた照射量の荷電粒子ビームで、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項５】
ストライプ領域幅の情報を入力し、描画領域を前記ストライプ領域幅で短冊状の複数のストライプ領域に分割する場合に得られるストライプ領域数を演算する工程と、
前記描画領域を前記ストライプ領域数で序した幅で前記描画領域を短冊状の複数のストライプ領域に分割する工程と、
分割されたストライプ領域毎に、ビームのショット数が同等になるように当該ストライプ領域を複数の処理領域に分割する工程と、
ストライプ領域毎に、複数の処理領域について並列的に内部のパターン密度を演算する工程と、
演算されたパターン密度を用いてビームの照射量を演算する工程と、
得られた照射量の荷電粒子ビームで、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2012243968.tif 000001
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2012243968.tif 000002
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2012243968.tif 000003
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2012243968.tif 000004