Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月11日(2014.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トリアゾール誘導体および複素環化合物
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｇ０）で表されるトリアゾール誘導体。
【化１】
2012054542.tif 000001
（式中、Ａは、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表し、Ｅは、置換もしくは無置換のトリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン、又は置換もしくは無置換のトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリンを表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、前記アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。）
【請求項２】
式（Ｇ１−１）で表されるトリアゾール誘導体。
【化２】
2012054542.tif 000002
（式中、Ａは、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表し、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、前記アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ１及びＲ２は互いに結合して六員環を形成しても良い。）
【請求項３】
式（Ｇ１−２）で表されるトリアゾール誘導体。
【化３】
2012054542.tif 000003
（式中、Ａは、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表し、Ｒ１１〜Ｒ１８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、前記アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。）
【請求項４】
式（Ｇ２−１）で表されるトリアゾール誘導体。
【化４】
2012054542.tif 000004
（式中、Ｑは、酸素又は硫黄を表し、Ｒ１〜Ｒ６、及びＲ２１〜Ｒ２７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、前記アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ１及びＲ２は互いに結合して六員環を形成しても良い。）
【請求項５】
式（Ｇ２−２）で表されるトリアゾール誘導体。
【化５】
2012054542.tif 000005
（式中、Ｑは、酸素又は硫黄を表し、Ｒ１１〜Ｒ１８、及びＲ２１〜Ｒ２７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、前記アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。）
【請求項６】
式（Ｇ３−１）で表されるトリアゾール誘導体。
【化６】
2012054542.tif 000006
（式中、Ｒ１〜Ｒ８、及びＲ３１〜Ｒ３８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、前記アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ１及びＲ２は互いに結合して六員環を形成しても良い。）
【請求項７】
式（Ｇ３−２）で表されるトリアゾール誘導体。
【化７】
2012054542.tif 000007
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１８、及びＲ３１〜Ｒ３８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、前記アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。）
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記Ａｒが、置換もしくは無置換のフェニレン基、又は置換もしくは無置換のビフェニルジイル基であるトリアゾール誘導体。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記Ａｒは、置換又は無置換のフェニレン基であるトリアゾール誘導体。
【請求項１０】
式（Ｇ４）で表される複素環化合物。
【化８】
2012054542.tif 000008
（式中、Ｅは、置換もしくは無置換のトリアゾロ［４，３−ｆ］フェナントリジン、又は置換もしくは無置換のトリアゾロ［３，４−ａ］イソキノリンを表し、Ｘは、ヨウ素又は臭素を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、前記アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。）
【請求項１１】
式（Ｇ５−１）で表される複素環化合物。
【化９】
2012054542.tif 000009
（式中、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｘは、ヨウ素又は臭素を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、前記アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ１及びＲ２は互いに結合して六員環を形成しても良い。）
【請求項１２】
式（Ｇ５−２）で表される複素環化合物。
【化１０】
2012054542.tif 000010
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｘは、ヨウ素又は臭素を表し、Ａｒは、置換又は無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表す。なお、前記アリーレン基が有する置換基は互いに結合して環を形成しても良い。）
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記Ａｒが、置換もしくは無置換のフェニレン基、又は、置換もしくは無置換のビフェニルジイル基である複素環化合物。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記Ａｒが置換又は無置換のフェニレン基である複素環化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月15日(2014.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物絶縁層上に膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の結晶性酸化物半導体層を形成し、
前記第１の結晶性酸化物半導体層上に前記第１の結晶性酸化物半導体層よりも厚い第２の結晶性酸化物半導体層を形成し、
前記第２の結晶性酸化物半導体層上にソース電極層と、ドレイン電極層と、を形成し、
前記ソース電極層上及び前記ドレイン電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化物絶縁層上にソース電極層と、ドレイン電極層と、を形成し、
前記ソース電極層上及び前記ドレイン電極層上に膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の結晶性酸化物半導体層を形成し、
前記第１の結晶性酸化物半導体層上に前記第１の結晶性酸化物半導体層よりも厚い第２の結晶性酸化物半導体層を形成し、
前記第２の結晶性酸化物半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
酸化物絶縁層上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にソース電極層と、ドレイン電極層と、を形成し、
前記ソース電極層上及び前記ドレイン電極層上に膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の結晶性酸化物半導体層を形成し、
前記第１の結晶性酸化物半導体層上に前記第１の結晶性酸化物半導体膜よりも厚い第２の結晶性酸化物半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
酸化物絶縁層上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の結晶性酸化物半導体層を形成し、
前記第１の結晶性酸化物半導体層上に前記第１の結晶性酸化物半導体層よりも厚い第２の結晶性酸化物半導体層を形成し、
前記第２の結晶性酸化物半導体層上にソース電極層と、ドレイン電極層と、を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の結晶性酸化物半導体層は、亜鉛を含み、Ｃ軸配向をしていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第２の結晶性酸化物半導体層は、亜鉛を含み、Ｃ軸配向をしていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の結晶性酸化物半導体層は、スパッタリング法を用い、そのスパッタリング法による成膜時における基板温度は２００℃以上４００℃以下とし、成膜後に４００℃以上７５０℃以下の加熱処理を行うことで得ることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第２の結晶性酸化物半導体層は、スパッタリング法を用い、そのスパッタリング法による成膜時における基板温度は２００℃以上４００℃以下とし、成膜後に４００℃以上７５０℃以下の加熱処理を行うことで得ることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月11日(2014.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上であって、前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体層上、前記ソース電極上及びドレイン電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、それぞれ、下端部にテーパー角を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、それぞれ、上端部に曲面形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上であって、前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体層上、前記ソース電極上及びドレイン電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、それぞれ、下端部にテーパー角を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、それぞれ、上端部に曲面形状を有し、
前記曲面形状は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の厚さの１／１００以上１／２以下である曲率半径を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の下端部のテーパー角の角度が、２０°以上９０°未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層には、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎの少なくとも一が含まれることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月17日(2014.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な表面上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクにスリミング処理を行うことにより、第２のマスクを形成し、
前記第２のマスクを用いて前記絶縁膜にエッチング処理を行うことにより、絶縁層を形成し、
前記絶縁層を覆うように酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を覆うように導電膜を形成し、
前記導電膜に研磨処理を行うことにより、前記導電膜の表面を平坦化し、
前記導電膜にエッチング処理を行うことにより、前記酸化物半導体層の最上部の表面よりも低い表面を有する導電層を形成し、
前記導電層及び前記酸化物半導体層に接するゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の上で前記絶縁層と重なる領域を有するゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
化学的機械研磨により、前記研磨処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
平坦な表面上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクにスリミング処理を行うことにより、第２のマスクを形成し、
前記第２のマスクを用いて前記絶縁膜にエッチング処理を行うことにより、絶縁層を形成し、
前記絶縁層を覆うように酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を覆うように導電膜を形成し、
前記導電膜上に平坦化膜を形成し、
前記平坦化膜及び前記導電膜にエッチング処理を行うことにより、前記酸化物半導体層の最上部の表面よりも低い表面を有する導電層を形成し、
前記導電層及び前記酸化物半導体層に接するゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の上で前記絶縁層と重なる領域を有するゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
エッチング処理により前記絶縁層の角を丸くした後、前記絶縁層を覆うように前記酸化物半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
酸素ラジカルを用いたアッシング処理により、前記スリミング処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の最上部の表面と前記導電層の表面とで形成される段差は、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記平坦な表面を二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下の表面とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月21日(2014.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＳＯＩ基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一方の面に、第１の濃度で水素を含む、第１の膜を形成する、第１のステップと、
前記半導体基板の一方の面に、加速した水素イオンを第２の濃度で照射して、脆化領域を形成する、第２のステップと、
前記脆化領域が形成された前記半導体基板とベース基板とを、前記第１の膜を介して貼り合わせ、加熱処理を行って、前記脆化領域を境に前記半導体基板を分離して、前記ベース基板に半導体層を形成する、第３のステップと、を有し、
前記第１の濃度は、前記第２の濃度より高いことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
半導体基板の一方の面に、第１の濃度で水素を含む、第１の膜を形成する、第１のステップと、
前記半導体基板の一方の面に、加速した水素イオンを第２の濃度で照射して、脆化領域を形成する、第２のステップと、
前記第１の膜と脆化領域とが形成された前記半導体基板に、第１の加熱処理を行う、第３のステップと、
前記脆化領域が形成された前記半導体基板とベース基板とを、前記第１の膜を介して貼り合わせ、加熱処理を行って、前記脆化領域を境に前記半導体基板を分離して、前記ベース基板に半導体層を形成する、第４のステップと、を有し、
前記第１の濃度は、前記第２の濃度より高いことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２の濃度は、５×１０２０以上３×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下を有することを特徴とするＳＯＩ基板の作成方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１のステップの後に、前記第２のステップを行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２のステップの後に、前記第１のステップを行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月29日(2014.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する導電材料からなり、互いに対向する一対の集電体と、
前記一対の集電体の互いに対向する面上に分散された活物質と、
前記一対の集電体の間に設けられ、透光性を有する電解質層と、を有し、
前記活物質は、前記一対の集電体が透光性を失わないように、前記面上に分散されることを特徴とする電気二重層キャパシタ。
【請求項２】
請求項１において、
前記透光性を有する導電材料は、水分散性ポリエステル、インジウム錫酸化物、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛、酸化亜鉛を含むインジウム亜鉛酸化物、ガリウムをドープした酸化亜鉛、酸化スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物のいずれか一であることを特徴とする電気二重層キャパシタ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記活物質は、活性炭又はポリアセン系材料であることを特徴とする電気二重層キャパシタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記電解質層は、ポリエチレンオキシド又はポリプロピレンオキシドであることを特徴とする電気二重層キャパシタ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一の電気二重層キャパシタと、
前記電気二重層キャパシタと電気的に接続する太陽電池と、を有し、
前記太陽電池は、
透光性を有する基板上に、透光性を有する第１の導電膜と、
前記第１の導電膜に接して設けられた光電変換層と、
前記光電変換層に接して設けられ、透光性を有する第２の導電膜と、を有し、
前記電気二重層キャパシタと太陽電池とは、前記端子部を介して電気的に接続されていることを特徴とする太陽光発電装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記二重層キャパシタと前記太陽電池とは重畳することを特徴とする太陽光発電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
開示される発明の一様態により、太陽電池と蓄電装置の占める面積を抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月5日(2014.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平膜状の振動膜と、該振動膜の両面に配置された電極膜と、前記振動膜と前記電極膜との間に介在させた緩衝膜と、を有する多層膜体と、
前記多層膜体を平膜面に直交する方向に挟持し、前記多層膜体を内包する形状からなる一対の外装体と、を備え、
前記緩衝膜の一方端辺は、前記外装体に固定され、前記緩衝膜の他方端辺が前記外装体に固定されていない、静電型スピーカ。
【請求項２】
前記一対の外装体は、互いに引き寄せ合う力を発生する磁力発生部材を備える、請求項１に記載の静電型スピーカ。
【請求項３】
前記多層膜体と前記外装体との間に配設された保護膜を備え、
前記保護膜の前記緩衝膜に重なり合う一方の端辺は、前記外装体に固定され、前記保護膜の他方の端辺が前記外装体に固定されていない、請求項１または請求項２に記載の静電型スピーカ。
【請求項４】
前記振動膜と前記緩衝膜の間にギャップ層が配置される、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の静電型スピーカ。
【請求項５】
前記外装体に、前記外装体の厚み方向に貫通する穴が形成される、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の静電型スピーカ。
【請求項６】
平膜状の振動膜と、該振動膜の両面に配置された電極膜と、前記振動膜と前記電極膜との間に介在した緩衝膜と、を有する多層膜体と、
前記電極膜の一方の外側に配置された巻回補助体と、を備え、
前記緩衝膜の一方端辺および他方端辺はそれぞれ互いに固定されており、
前記電極膜および前記緩衝膜は伸縮性を有する、静電型スピーカ。
【請求項７】
前記多層膜体と前記巻回補助体との間に配設された保護膜を備え、
前記保護膜は前記緩衝膜とともに前記一方端辺および他方端辺がそれぞれ互いに固定されており、
前記保護膜は伸縮性を有する、請求項６に記載の静電型スピーカ。
【請求項８】
前記振動膜と前記緩衝膜の間にギャップ層が配置される、請求項６または請求項７に記載の静電型スピーカ。
【請求項９】
前記巻回補助体に、貫通孔が形成される、請求項６乃至請求項８のいずれかに記載の静電型スピーカ。
【請求項１０】
前記一方端辺が固定される軸部材を備え、
該軸部材の内部には、前記振動膜および前記電極膜に接続する接続導体が配設されている、請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の静電型スピーカ。
【請求項１１】
前記多層膜体が前記軸部材に巻き付けられた状態を定常状態とし、前記多層膜体が前記軸部材から引き出された状態で前記定常状態に戻るように、前記軸部材を回転させる付勢力を発生する付勢力発生部材を備える、請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の静電型スピーカ。
【請求項１２】
前記多層膜体が前記軸部材から所定長さ引き出された状態を維持するラチェット機構部材を備える、請求項１１に記載の静電型スピーカ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月5日(2014.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体と相互作用するように構成されたヘッドトランスデューサと、 
前記ヘッドトランスデューサを熱的に作動させるように構成されたヒータと、
前記ヘッドトランスデューサに、またはその近接に位置し、センサ信号を生成するように構成された熱センサと、 
前記ヒータに結合され、ヒータ電力の振動を生じさせるように構成された回路であって、前記ヒータ電力の振動が、前記センサ信号の振動を生じさせる、回路と、
前記熱センサに結合され、前記振動するセンサ信号およびヒータ電力を使用して、ヘッド・媒体接触を検出するように構成された検出器と、
を備える、装置。
【請求項２】
前記熱センサが、抵抗温度係数を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記検出器が、前記センサの抵抗の変化およびヒータ電力の変化に基づく計量を使用して、ヘッド・媒体接触を検出するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記検出器が、前記センサの抵抗の変化率およびヒータ電力の変化率に基づく計量を使用して、ヘッド・媒体接触を検出するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記検出計量が、比率ΔＲ／ΔＰによって定義され、ΔＲが、前記センサの抵抗の変化率、およびΔＰが、ヒータ電力の変化率である、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記検出器が、ｄＰ振幅を有する誘導されたヒータ振動に応答する熱センサとして、ΔＲ／ΔＰの直接の原位置測定を行うように構成される、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
検出器が、前記比率ΔＲ／ΔＰの最小値を検出することによって、ヘッド・媒体接触を検出するように構成される、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記回路が、ヒータ電力の前記振動を生じるために基準信号を生成するように構成され、
前記検出器が、前記センサと基準信号との間の位相差、前記センサ信号に適合する曲線と、前記基準信号との間の誤差、および、前記センサと基準信号との間のノイズの差のうちのいずれかを検出するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記ヘッドトランスデューサが、前記媒体に対する非変調ヘッド・媒体間インターフェースを画定するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記ヘッドトランスデューサが、前記媒体に対する変調ヘッド・媒体間インターフェースを画定するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記回路が、サーボ回路を備え、
前記ヒータ電力振動の周波数が、前記磁気記録媒体上のサーボパターンの周波数に関係する、
請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記検出器が、
（１）前記センサの抵抗の変化率、およびヒータ電力の変化率、 
（２）前記センサ信号と、前記センサ信号と同じ周波数の基準信号との間の位相差、ならびに
（３）前記センサ信号に適合する曲線と、前記基準信号との間の誤差、
を使用して、変調する空気軸受のためにヘッド・媒体接触を検出するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記検出器が、少なくとも前記センサの抵抗の変化率およびヒータ電力の変化率を使用して、変調しない空気軸受のためにヘッド・媒体接触を検出するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
ヘッドトランスデューサのヒータに供給される電力に振動を生じさせることと、
前記振動するヒータ電力によって、前記ヘッドトランスデューサにある熱センサによって生成される信号に振動を生じさせることと、
前記熱センサによって生成された前記信号を測定することと、
前記測定されたセンサ信号およびヒータ電力を使用して、ヘッド・媒体接触を検出することと、
を含む、方法。
【請求項１５】
ヘッド・媒体接触を検出することが、
前記センサの抵抗の変化率である、ΔＲを測定することと、 
ヒータ電力の変化率である、ΔＰを測定することと、
比率ΔＲ／ΔＰを使用して、ヘッド・媒体接触を検出することと、
を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
ヘッド・媒体接触を検出することが、前記比率ΔＲ／ΔＰの最小値を検出することを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ヒータ電力の振動を生じることが、基準信号を生成することを含み、
ヘッド・媒体接触を検出することが、
前記振動周波数の前記センサ信号を、前記同じ周波数の前記基準信号と比較することと、
前記センサと基準信号との間の位相差に応答して、ヘッド・媒体接触を検出することと、
を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記ヒータ電力の振動を生じることが、基準信号を生成することを含み、
ヘッド・媒体接触を検出することが、
前記基準信号を、前記センサ信号に適合する曲線に比較することと、
前記基準信号とセンサ信号曲線との間の誤差に応答して、ヘッド・媒体接触を検出することと、
を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
変調する空気軸受のためにヘッド・媒体接触を検出することが、
（１）前記センサの測定された抵抗の変化率、およびヒータ電力の変化率、 
（２）前記センサ信号と、前記センサ信号と同じ周波数の基準信号との間の位相差、ならびに
（３）前記センサ信号に適合する曲線と、前記基準信号との間の誤差、
に基づく、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
非変調空気軸受のためにヘッド・媒体接触を検出することが、前記センサの抵抗の変化率およびヒータ電力の変化率に基づく、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月30日(2014.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミックス基板を並べて形成し得る面積のセラミックス板に、複数の銅回路板を相互間隔をおいて接合した後、これら銅回路板の間で前記セラミックス板を分割して複数のパワーモジュール用基板を製造する方法であって、
前記セラミックス板又は前記銅回路板のいずれか一方に前記銅回路板の外形と同形状の活性金属ろう材からなる接合材層を形成するとともに、他方に常温で固体のポリエチレングリコールを主成分とする仮止め材を溶融状態で塗布しておき、該仮止め材により前記セラミックス板の上に前記接合材層と前記銅回路板とを位置合わせして積層した状態で常温に冷却して仮止めする積層工程と、
その積層体を積層方向に加圧して加熱することにより、前記セラミックス板と前記銅回路板とを接合する接合工程と
を有することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。
【請求項２】
前記接合材層が前記セラミックス板の表面にペーストを塗布して形成されたものであり、前記積層工程は、前記仮止め材を前記銅回路板に塗布して前記セラミックス板上の各接合材層にそれぞれ積層する
ことを特徴とする請求項１記載のパワーモジュール用基板の製造方法。
【請求項３】
前記銅回路板のうちの少なくとも一部は、複数の回路要素をブリッジ部により接続してなり、前記ブリッジ部の裏面は前記回路要素の裏面に対して凹部となるように形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載のパワーモジュール用基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のパワーモジュール用基板の製造方法は、複数のセラミックス基板を並べて形成し得る面積のセラミックス板に、複数の銅回路板を相互間隔をおいて接合した後、これら銅回路板の間で前記セラミックス板を分割して複数のパワーモジュール用基板を製造する方法であって、前記セラミックス板又は前記銅回路板のいずれか一方に前記銅回路板の外形と同形状の活性金属ろう材からなる接合材層を形成するとともに、他方に常温で固体のポリエチレングリコールを主成分とする仮止め材を溶融状態で塗布しておき、該仮止め材により前記セラミックス板の上に前記接合材層と前記銅回路板とを位置合わせして積層した状態で常温に冷却して仮止めする積層工程と、その積層体を積層方向に加圧して加熱することにより、前記セラミックス板と前記銅回路板とを接合する接合工程とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月5日(2014.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁体層が積層されて構成されている積層体と、
前記積層体に設けられ、かつ、積層方向から平面視したときに、所定方向に旋回する第１のコイル導体であって、積層方向から平面視したときに、互いに重なっている第１の並列部を有する複数の第１のコイル導体と、
前記積層体において前記複数の第１のコイル導体よりも積層方向の一方側に設けられ、かつ、積層方向から平面視したときに、所定方向に旋回する第２のコイル導体であって、積層方向から平面視したときに、互いに重なっている第２の並列部を有する複数の第２のコイル導体と、
前記複数の第１の並列部の所定方向の下流側の端部を接続する第１のビアホール導体と、
前記複数の第２の並列部の所定方向の上流側の端部を接続する第２のビアホール導体と、
積層方向の最も一方側に設けられている前記第１のコイル導体と積層方向の最も他方側に設けられている前記第２のコイル導体とを接続する第３のビアホール導体と、
を備えており、
前記第１のビアホール導体ないし前記第３のビアホール導体は、１本に連なっていないこと、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記複数の第１のコイル導体は、
複数の第３のコイル導体と、
前記複数の第３のコイル導体よりも積層方向の一方側に設けられている複数の第４のコイル導体であって、積層方向から平面視したときに、前記第１の並列部よりも所定方向の下流側において互いに重なり合っている第３の並列部を有する複数の第４のコイル導体と、
を含んでおり、
前記複数の第２のコイル導体は、
複数の第５のコイル導体と、
前記複数の第５のコイル導体よりも積層方向の他方側に設けられている複数の第６のコイル導体であって、積層方向から平面視したときに、前記第２の並列部よりも所定方向の上流側において互いに重なり合っている第４の並列部を有する複数の第６のコイル導体と、
を含んでおり、
前記複数の第３の並列部と前記複数の第４の並列部とは、積層方向から平面視したときに、互いに重なり合っており、
前記第３のビアホール導体は、前記第３の並列部の所定方向の上流側の端部と前記第４の並列部の所定方向の上流側の端部とを接続しており、
前記電子部品は、
前記第３の並列部の所定方向の下流側の端部と前記第４の並列部の所定方向の下流側の端部とを接続する第４のビアホール導体と、
前記複数の第３の並列部の下流側の端部を接続する第５のビアホール導体と、
前記複数の第４の並列部の上流側の端部を接続する第６のビアホール導体と、
を更に備えていること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記複数の第１のビアホール導体、前記第３のビアホール導体及び前記第６のビアホール導体は、１本に連なっており、
前記複数の第２のビアホール導体、前記第４のビアホール導体及び前記第５のビアホール導体は、１本に連なっていること、
を特徴とする請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第３のコイル導体の数と前記第４のコイル導体の数と前記第５のコイル導体の数と前記第６のコイル導体の数とは等しいこと、
を特徴とする請求項２又は請求項３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
前記第１のコイル導体に接続されている第１の外部電極と、
前記第２のコイル導体に接続されている第２の外部電極と、
を更に備えていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層されて構成されている積層体と、前記積層体に設けられ、かつ、積層方向から平面視したときに、所定方向に旋回する第１のコイル導体であって、積層方向から平面視したときに、互いに重なっている第１の並列部を有する複数の第１のコイル導体と、前記積層体において前記複数の第１のコイル導体よりも積層方向の一方側に設けられ、かつ、積層方向から平面視したときに、所定方向に旋回する第２のコイル導体であって、積層方向から平面視したときに、互いに重なっている第２の並列部を有する複数の第２のコイル導体と、前記複数の第１の並列部の所定方向の下流側の端部を接続する第１のビアホール導体と、前記複数の第２の並列部の所定方向の上流側の端部を接続する第２のビアホール導体と、積層方向の最も一方側に設けられている前記第１のコイル導体と積層方向の最も他方側に設けられている前記第２のコイル導体とを接続する第３のビアホール導体と、を備えており、前記第１のビアホール導体ないし前記第３のビアホール導体は、１本に連なっていないこと、を特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月4日(2014.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記通信システムは、前記第１伝送装置及び前記第２伝送装置に接続された制御装置を備え、
前記第１転送装置が前記第２転送装置にＭＰＬＳフレームの送信を開始する場合、前記第１転送装置は、パス確立要求を前記第２転送装置に送信し、
前記第２転送装置は、前記パス確立要求を受信した場合、自身のＭＡＣアドレスを含むシグナリングデータを前記第１転送装置に送信し、
前記第２転送装置に接続された前記第２伝送装置は、前記シグナリングデータを受信した場合、前記受信したシグナリングデータを前記制御装置に送信し、
前記制御装置は、
前記シグナリングデータを受信した場合、
前記受信したシグナリングデータを前記第１伝送装置に送信し、
前記第２転送装置のＭＡＣアドレスを保持させるための保持指令を前記第２伝送装置に送信し、
前記第２伝送装置が前記第２転送装置のＭＡＣアドレスを保持していると判定されるように前記対向装置保持情報を設定させる設定指令を前記第１伝送装置に送信し、
前記第２伝送装置は、前記保持指令を受信した場合、前記第２転送装置のＭＡＣアドレスを保持し、
前記第１伝送装置は、前記設定指令を受信した場合、前記第２伝送装置が前記第２転送装置のＭＡＣアドレスを保持していると判定されるように前記対向装置保持情報を設定することを特徴とする請求項１に記載の通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
前記第１転送装置が前記第２転送装置にデータの送信を開始する場合、前記第１転送装置は、パス確立要求を前記第２転送装置に送信し、
前記第２転送装置は、前記パス確立要求を受信した場合、自身のＭＡＣアドレスを含むシグナリングデータを前記第１転送装置に送信し、
前記第２転送装置に接続された前記対向装置は、前記シグナリングデータを受信した場合、前記対向装置に接続された制御装置に、前記受信したシグナリングデータを送信し、
前記制御装置は、前記シグナリングデータを受信した場合、前記受信したシグナリングデータを前記伝送装置に送信し、前記第２転送装置のＭＡＣアドレスを保持する指令を前記対向装置に送信するとともに、前記対向装置保持情報を、前記対向装置が前記第２転送装置のＭＡＣアドレスを保持していると判定されるように設定する設定指令を前記伝送装置に送信し、
前記伝送装置は、前記設定指令を受信した場合、前記対向装置保持情報を、前記対向装置が前記第２転送装置のＭＡＣアドレスを保持していると判定されるように設定することを特徴とする請求項９に記載の伝送装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月12日(2014.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ異なる１種の径の基板を収納する２つの収納器を少なくとも含む収納器群であって、
前記収納器は、前記基板を収納する収納部を複数備え、
前記収納部は、前記基板と接触する少なくとも２つの接触部を含み、
前記接触部の間の距離は、前記２つの収納器ごとに異なり、
前記２つの収納器は、外形形状および外形寸法が同じであり、かつ、
前記２つの収納器のうちの第１の収納器における、前記第１の収納器の底面に近い側からｎ番目（ｎは１以上前記収納部の数以下の整数）の前記収納部と、前記第１の収納器の底面との間の距離は、
前記２つの収納器のうちの第２の収納器における、前記第２の収納器の底面に近い側からｎ番目の前記収納部と、前記第２の収納器の底面との間の距離と同じである、収納器群。
【請求項２】
前記第１の収納器と前記第２の収納器との前記収納部に、それぞれ前記基板を収納したときに、前記第１の収納器において平面視したときの前記基板の中心位置は、前記第２の収納器において平面視したときの前記基板の中心位置と同じである、請求項１に記載の収納器群。
【請求項３】
前記第１の収納器は、前記基板に直径が５インチの基板を収納し、
前記第２の収納器は、前記基板に直径が６インチの基板を収納する、請求項１または請求項２に記載の収納器群。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る収納器群は、それぞれ異なる１種の径の基板を収納する２つの収納器を少なくとも含む収納器群であって、当該収納器は、基板を収納する収納部を複数備え、該収
納部は、基板と接触する少なくとも２つの接触部を含み、該接触部の間の距離は、２つの収納器ごとに異なり、２つの収納器は、外形形状および外形寸法が同じであり、かつ、２つの収納器のうちの第１の収納器における、第１の収納器の底面に近い側からｎ番目（ｎは１以上収納部の数以下の整数）の収納部と、第１の収納器の底面との間の距離は、２つの収納器のうちの第２の収納器における、第２の収納器の底面に近い側からｎ番目の収納部と、第２の収納器の底面との間の距離と同じである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月18日(2014.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチと出力コンデンサとを含む一定オン時間又は一定オフ時間（ＣＯＴ）スイッチングレギュレータを使用して出力電圧を発生することと、
検知コンデンサを介して流れる第１の電流であって前記出力コンデンサを介して流れる第２の電流に比例する前記第１の電流を検知することと、
前記検知した第１の電流を使用してフィードバック電圧を発生することと、
前記フィードバック電圧と前記出力電圧とを結合して結合電圧を発生することと、
前記結合電圧に基づいて前記スイッチを制御することと、
を包み、
前記結合電圧に基づいて前記スイッチを制御することが、前記結合電圧のスケーリングしたものと基準電圧とを比較することを含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記結合電圧に基づいて前記スイッチを制御することが、
前記比較に基づいて前記スイッチに対する駆動信号において１個のパルスを発生するためにワンショットタイマーをトリガーさせることを更に含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記出力コンデンサの容量がＮの係数だけ前記検知コンデンサの容量よりも大きく、
前記第２の電流が前記Ｎの係数だけ前記第１の電流よりも大きい、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
フィードバック電圧を発生することが、Ｎに基づく利得を有するトランスインピーダンス増幅器を使用することを含む、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
前記検知コンデンサと前記トランスインピーダンス増幅器とが前記出力コンデンサを横断して並列に結合されている、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記ＣＯＴスイッチングレギュレータが入力電圧を受け取るバックコンバータを含み、前記出力電圧が前記入力電圧よりも小さい、方法。
【請求項７】
出力電圧を発生するように構成され、スイッチと出力コンデンサとを含む、一定オン時間又は一定オフ時間（ＣＯＴ）スイッチングレギュレータと、
前記出力コンデンサを介しての第２の電流に比例する第１の電流を受け取るように構成されている検知コンデンサと、
前記第１の電流を検知し且つその検知した第１の電流に基づいて前記スイッチを制御するように構成されている制御回路と、
を含む装置であって、
前記制御回路が、
前記検知した第１の電流に基づいてフィードバック電圧を発生するように構成されているトランスインピーダンス増幅器と、
前記フィードバック電圧と前記出力電圧とを結合して結合電圧を発生するように構成されている結合器と、
前記結合電圧のスケーリングした電圧を発生するように構成されている電圧分圧器と、
前記結合電圧の前記スケーリングした電圧と基準電圧とを比較するように構成されている比較器と、
前記比較器の出力に基づいて前記スイッチを制御するように構成されている制御及びドライバユニットと、
を含む、装置。
【請求項８】
請求項７に記載の装置であって、
前記制御及びドライバユニットが、前記比較器の出力に基づいて前記スイッチ用の駆動信号において１個のパルスを発生するように構成されているワンショットタイマーを含む、装置。
【請求項９】
請求項７に記載の装置であって、
前記出力コンデンサの容量がＮの係数だけ前記検知コンデンサの容量よりも大きい、装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の装置であって、
前記トランスインピーダンス増幅器がＮに基づく利得を有する、装置。
【請求項１１】
請求項７に記載の装置であって、
前記検知コンデンサと前記トランスインピーダンス増幅器とが前記出力コンデンサを横断して並列に結合されている、装置。
【請求項１２】
請求項７に記載の装置であって、
前記出力コンデンサがセラミックコンデンサを含む、装置。
【請求項１３】
請求項７に記載の装置であって、
前記出力コンデンサと前記検知コンデンサとが実質的に等しい温度係数を有する、装置。
【請求項１４】
請求項７に記載の装置であって、
片側が前記スイッチへ結合されており且つ別の側が前記出力コンデンサと前記検知コンデンサとに結合されているインダクタを更に含む、装置。
【請求項１５】
検知コンデンサへ結合されるように構成されており、一定オン時間又は一定オフ時間（ＣＯＴ）スイッチングレギュレータの出力コンデンサを介しての第２の電流に比例する前記検知コンデンサを介しての第１の電流に基づいてフィードバック電圧を発生するように構成されているトランスインピーダンス増幅器と、
前記フィードバック電圧と前記ＣＯＴスイッチングレギュレータによって発生される出力電圧とを結合して結合電圧を発生するように構成されている結合器と、
前記結合電圧のスケーリングした電圧を発生するように構成されている電圧分圧器と、
前記結合電圧の前記スケーリングした電圧と基準電圧とを比較するように構成されている比較器と、
前記比較器の出力に基づいて前記ＣＯＴスイッチングレギュレータにおけるスイッチを制御するための駆動信号を発生するように構成されている制御及びドライバユニットと、
を含む、回路。
【請求項１６】
請求項１５に記載の回路であって、
前記制御及びドライバユニットが、前記比較器の出力に基づいて前記駆動信号における１個のパルスを発生するように構成されているワンショットタイマーを含む、回路。
【請求項１７】
請求項１５に記載の回路であって、
前記出力コンデンサの容量がＮの係数だけ前記検知コンデンサの容量よりも大きく、
前記トランスインピーダンス増幅器がＮに基づく利得を有する、回路。
【請求項１８】
請求項１５に記載の回路であって、
前記トランスインピーダンス増幅器が、前記検知コンデンサと直列に且つ前記出力コンデンサと並列に結合されるように構成されている、回路。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年5月19日(2014.5.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２５】
【表１】
2011080059.tif 000001
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融ポリカーボネート、式（Ｉ）：
【化１】
2011080059.tif 000002
［ここで、
Ａｒ１およびＡｒ２は、
同じまたは異なった、任意に置換されたアリール部分であり、
Ｒ’は任意に置換されたアリール部分または以下の（Ｉａ）〜（Ｉｈ）の部分の１つであり、
【化２】
2011080059.tif 000003
（ここで、
Ｒは任意に置換されたＣ６〜Ｃ１４−アリール部分であり、
ｎおよびｍは、
それぞれ互いに独立して、１〜７の整数であり、部分（Ｉａ）〜（Ｉｃ）のＨ原子は任意に置換基で置換され、但し、式（Ｉ）でＡｒ部分が共にそれぞれ任意に置換された４−フェニル−フェニルまたは任意に置換されたα−ナフチルであるなら、Ｒ’も任意に置換された４−フェニル−フェニルまたは任意に置換されたα−ナフチルであってもよい）］
の少なくとも１つのホスフィン、および少なくとも１つの脂肪族カルボン酸エステルを含有する組成物であって：
少なくとも１つのアルキルホスフェートをさらに含有し、
前記少なくとも１つの式（Ｉ）のホスフィンが、前記組成物の全重量に基づいて１０〜２０００ｍｇ／ｋｇの量で使用され、
前記少なくとも１つのアルキルホスフェートが、前記組成物の全重量に基づいて０．５〜５００ｍｇ／ｋｇの量で使用され、
前記少なくとも１つの脂肪族カルボン酸エステルが、前記組成物の全重量に基づいて５０〜８０００ｍｇ／ｋｇの量で使用される
組成物。
【請求項２】
前記溶融ポリカーボネートが、式（ＩＶ）の化合物を含有し、
【化３】
2011080059.tif 000004
ここで、
大括弧は繰り返し構造ユニットを示し、
ＹはＨまたは式（Ｘ）の基であり、
【化４】
2011080059.tif 000005
ここで、
Ｒ１６は同じまたは異なった、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、Ｃ６Ｈ５、またはＣ（ＣＨ３）２Ｃ６Ｈ５であり、かつ
ｕは０、１、２、または３であり、
ＭはＡｒまたは多官能性基Ａ、Ｂ、またはＣ、または基Ｄであり、
ここで、
Ａｒは式（ＶＩＩＩ）または（ＩＸ）の基であり、
【化５】
2011080059.tif 000006
ここで、
ＺはＣ１〜Ｃ８−アルキリデン、Ｃ５〜Ｃ１２−シクロアルキリデン、Ｓ、ＳＯ２、または単結合であり、
Ｒ１３、Ｒ１４、およびＲ１５は、互いに独立して置換または非置換Ｃ１〜Ｃ１８−アルキル部分、好ましくは置換または非置換フェニル、メチル、プロピル、エチル、ブチル、ＣｌまたはＢｒであり、
ｒ、ｓ、およびｔは互いに独立して０、１、または２であり、
多官能性基Ａは次の式の基であり、
【化６】
2011080059.tif 000007
多官能性基Ｂは次の式の基であり、
【化７】
2011080059.tif 000008
多官能性基Ｃは次の式の基であり、
【化８】
2011080059.tif 000009
ここで、
Ｘは、Ｙまたは−［ＭＯＣＯＯ］ｎ−Ｙであり、ここでＭおよびＹは上で規定されたものであり、
基Ｄは次の式の基であり、
【化９】
2011080059.tif 000010
多官能性基Ａ，Ｂ、ＣおよびＤ全体は≧５ｍｇ／ｋｇである
請求項１の組成物。
【請求項３】
前記少なくとも１つの式（Ｉ）のホスフィンが、式（Ｉ）の化合物、その酸化形態、またはその混合物である請求項１の組成物。
【請求項４】
前記少なくとも１つの式（Ｉ）のホスフィンが、トリフェニルホスフィン、その酸化形態、またはその混合物である請求項１の組成物。
【請求項５】
前記少なくとも１つの式（Ｉ）のホスフィンの８０％までがその酸化形態である請求項１の組成物。
【請求項６】
前記少なくとも１つのアルキルホスフェートが式（ＩＩ）であり：
【化１０】
2011080059.tif 000011
ここで、
Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３は、同じまたは異なった、Ｈまたは線形、分岐、または環状アルキル基である請求項１の組成物。
【請求項７】
前記少なくとも１つのアルキルホスフェートが、少なくとも１つのモノ−、ジ−またはトリイソオクチルホスフェート（トリス−２−エチルヘキシルホスフェート）を含有する請求項６の組成物。
【請求項８】
前記少なくとも１つの脂肪族カルボン酸エステルが式（ＩＩＩ）の化合物であって：
（Ｒ４−ＣＯ−Ｏ）ｏ−Ｒ５−（ＯＨ）ｐ
ここで、ｏ＝１〜４およびｐ＝３〜０              （ＩＩＩ）
ここで、
Ｒ４は、脂肪族飽和または不飽和、線形、環状または分岐アルキル部分であり、Ｒ５は、一〜四価の脂肪族アルコールＲ５−（ＯＨ）ｏ＋ｐのアルキレン部分である
請求項１の組成物。
【請求項９】
前記少なくとも１つの脂肪族カルボン酸エステルが、ペンタエリスリトール、グリセロール、トリメチロールプロパン、プロパンジオール、ステアリルアルコール、セチルアルコールまたはミリスチルアルコールと、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸またはモンタン酸またはその混合物とのエステルを含有する請求項１の組成物。
【請求項１０】
前記溶融ポリカーボネートを、ビスフェノールと炭酸ジエステルとの溶融エステル交換反応を介して製造することを包含する請求項１の組成物を製造する方法。
【請求項１１】
前記溶融ポリカーボネートを、ヒドロキシおよび／またはカーボネート末端基を含有するカーボネートオリゴマー、ビスフェノール、および炭酸ジエステルとの縮合を介して製造することを包含する請求項１の組成物を製造する方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの式（Ｉ）のホスフィンおよび前記少なくとも１つのカルボン酸エステルを、前記溶融ポリカーボネートの溶融ストリームへと、最終縮重合段階から下流の補助押出し成形機を介して導入し、前記少なくとも１つの式（Ｉ）のホスフィン、前記少なくとも１つのカルボン酸エステル、および前記溶融ポリカーボネートをスタティックミキサー内で任意に混合することを包含する請求項１の組成物を製造する方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つのカルボン酸エステルを、メンブランポンプまたは他のいずれか好適なポンプを用いて、補助押出し成形機から下流でスタティックミキサーから上流で、前記溶融ポリカーボネートの溶融ストリームへと計量添加することを包含する請求項１の組成物を製造する方法。
【請求項１４】
請求項１の組成物から成る成形物。