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【手続補正書】
【提出日】平成26年7月9日(2014.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のトレンチ深さを有する複数の高アスペクト比のトレンチを、基板の正面側に形成するステップと、
複数のフォトダイオードを基板の正面側に形成し、各フォトダイオードが少なくとも１つのトレンチに近接するようにするステップと、
各トレンチの内壁に酸化物層を形成し、該酸化物層を除去することによって、撮像装置の量子効率を増加させるステップと、
各トレンチを高ドープ材料で充填するステップと、
基板を、正面に対向した裏面から所定の最終基板厚さまで薄型化するステップと、を含む方法。
【請求項２】
各トレンチは、幅の少なくとも１０倍の深さを有する請求項１記載の方法。
【請求項３】
所定のトレンチ深さは、所定の最終基板厚さと等しいか、それより大きい、請求項１記載の方法。
【請求項４】
高ドープ材料は、高ドープのポリシリコンを含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの電気コンタクトを正面側に形成するステップをさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
誘電体層を正面側に形成するステップをさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項７】
各フォトダイオードを形成することは、
井戸を正面側に形成することと、
井戸に近接したフォトダイオードを形成することと、を含む請求項１記載の方法。
【請求項８】
各井戸は、基板の導電型とは反対の導電型を有する請求項７記載の方法。
【請求項９】
酸化物層を形成することは、
ＩＳＳＧ酸化、ウェット酸化、ドライ酸化および急速加熱酸化の少なくとも１つを用いて、酸化物層を形成することを含む請求項１記載の方法。
【請求項１０】
各トレンチを高ドープ材料で充填した後、化学機械研磨を行うことをさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項１１】
所定のドーピングプロファイルを持つ基板を用意するステップと、
所定のトレンチ深さを有する複数の高アスペクト比のトレンチを、基板の正面側に形成するステップと、
複数のフォトダイオードを基板の正面側に形成し、各フォトダイオードが少なくとも１つのトレンチに近接するようにするステップと、
各トレンチの内壁に酸化物層を形成し、該酸化物層を除去することによって、撮像装置の量子効率を増加させるステップと、
各トレンチを高ドープ材料で充填するステップと、
基板を、正面に対向した裏面から所定の最終基板厚さまで薄型化するステップと、を含む方法。
【請求項１２】
所定のドーピングプロファイルは、傾斜ドーピングプロファイルを含む請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
傾斜ドーピングプロファイルは、光生成した少数キャリアの流れを正面側へ向けて案内するのに適した内部電界を提供する請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
傾斜ドーピングプロファイルは、連続スロープドーピングプロファイルおよび階段ドーピングプロファイルの１つを含む請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
基板を用意することは、
犠牲基板を用意することと、
犠牲基板の上に、所定のドーピングプロファイルを持つシリコン層をエピタキシャル成長させて、傾斜ドーピングプロファイルを設けることと、を含む請求項１１記載の方法。
【請求項１６】
基板を薄型化することは、犠牲基板の少なくとも一部を除去することを含む請求項１１記載の方法。
【請求項１７】
複数の裏面照射用ＣＭＯＳ撮像装置を製造する方法であって、
所定のトレンチ深さを有する複数の高アスペクト比のトレンチを、基板の正面側に形成するステップと、
複数のフォトダイオードを基板の正面側に形成し、各フォトダイオードが少なくとも１つのトレンチに近接するようにするステップと、
各トレンチの内壁に酸化物層を形成し、該酸化物層を除去することによって、撮像装置の量子効率を増加させるステップと、
各トレンチを高ドープ材料で充填するステップと、
基板を、正面に対向した裏面から所定の最終基板厚さまで薄型化するステップとを含む方法。
【請求項１８】
裏面側で表面処理を実施することをさらに含む請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
ＣＭＯＳ撮像装置に、読み出し集積回路を集積化することをさらに含む請求項１７記載の方法。
【請求項２０】
基板は、所定のドーピングプロファイルを有する請求項１７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月25日(2014.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
酸化物半導体層と、
前記ゲート電極と前記酸化物半導体層とに挟まれている領域を有するゲート絶縁層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されているソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されているドレイン電極と、
前記酸化物半導体層と接する領域を有する絶縁層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記ゲート絶縁層と前記絶縁層とに挟まれている領域を有し、
前記絶縁層は、ハロゲン元素の濃度が１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
酸化物半導体層と、
前記ゲート電極と前記酸化物半導体層とに挟まれている領域を有するゲート絶縁層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されているソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されているドレイン電極と、
前記酸化物半導体層と接する領域を有する絶縁層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記ゲート絶縁層と前記絶縁層とに挟まれている領域を有し、
前記絶縁層は、フッ素の濃度が１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記絶縁層は、水素濃度が６×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記ゲート絶縁層は、ハロゲン元素の濃度が１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記ゲート絶縁層は、フッ素の濃度が１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記ゲート絶縁層は、水素濃度が６×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月17日(2014.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＺｎＯ結晶を主成分とし、ＺｎＯ結晶中にＡｌが固溶されてなる複合材料であって、
前記複合材料は下記式（Ｉ）の組成式で表されるものであり、
Ｚｎ（１−ｘ）ＡｌｘＯ        （Ｉ）
（式中、Ｚｎは亜鉛であり、Ａｌはアルミニウムであり、０＜Ｘ＜０．０５である）
前記複合材料の相対密度が９０％以上であり、
ＺｎＡｌ２Ｏ４で表される亜鉛とアルミニウムとの酸化物のＸ線回折測定による相対強度が、ＺｎＯのＸ線回折測定による相対強度を１としたときに、０．０３以下であることを特徴とする、複合材料。
【請求項２】
前記式（Ｉ）において、０．０１≦Ｘ≦０．０４である、請求項１に記載の複合材料。
【請求項３】
ＺｎＯ結晶を主成分とし、Ａｌ元素を含んでなる複合材料の製造方法であって、
亜鉛イオン、アルミニウムイオン、および２つ以上のカルボキシル基を有する有機化合物からなる錯化剤を含んでなる水溶液を用意し、この水溶液からを加熱処理することで酸化物前駆体を生成し、この前駆体を焼成することで酸化物を得ることを少なくとも含んでなることを特徴とする、製造方法。
【請求項４】
前記錯化剤が、クエン酸であることを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記亜鉛イオン、アルミニウムイオン、および錯化剤を含んでなる水溶液が、さらに分子内に２つ以上の水酸基を有する有機化合物からなるバインダーを含んでなることを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項６】
前記バインダーがエチレングリコールであることを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
すなわち、本発明の一つの態様によれば複合材料が提供され、その複合材料は、ＺｎＯ結晶を主成分とし、ＺｎＯ結晶中にＡｌが固溶されてなる複合材料であって、前記複合材料は下記式（Ｉ）の組成式で表されるものであり、
Ｚｎ（１−ｘ−ｙ）ＡｌｘＯ        （Ｉ）
（式中、Ｚｎは亜鉛であり、Ａｌはアルミニウムである）
複合材料の相対密度が９０％以上であり、ＺｎＡｌ２Ｏ４で表される亜鉛とアルミニウムとの酸化物のＸ線回折測定による相対強度が、ＺｎＯのＸ線回折測定による相対強度を１としたときに、０．０３以下であることを特徴とするものである。
また、本発明による複合材料の製造方法が提供され、その方法は、ＺｎＯ結晶を主成分とし、Ａｌ元素を含んでなる複合材料の製造方法であって、亜鉛イオン、アルミニウムイオン、および２つ以上のカルボキシル基を有する有機化合物からなる錯化剤を含んでなる水溶液を用意し、この水溶液からを加熱処理することで酸化物前駆体を生成し、この前駆体を焼成することで酸化物を得ることを少なくとも含んでなることを特徴とする方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月23日(2014.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線層を形成し、
前記第１の配線層を覆って絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の導電膜、第２の導電膜及び第３の導電膜を下から順に積層して形成し、
前記第１乃至第３の導電膜に少なくとも３段階のエッチングを行って、３層でなる第２の配線層と、３層でなる第３の配線層とを離間させて形成し、
前記３段階のエッチングは、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜を選択的に除去し、前記第１の導電膜を露出させる第１のエッチング工程と、
前記半導体層はエッチングせずに、前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜と重ならない前記第１の導電膜部分をエッチングする第２のエッチング工程と、
前記第２の導電膜の側面が階段状になるように行う第３のエッチング工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のエッチング工程はＢＣｌ３ガスとＣｌ２ガスの混合ガスを用いて行い、
前記第２のエッチング工程はＳＦ６ガスを用いて行い、
前記第３のエッチング工程はＢＣｌ３ガスとＣｌ２ガスの混合ガスを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の導電膜及び前記第３の導電膜はチタン膜であり、
前記第２の導電膜はアルミニウム膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記半導体層は酸化物半導体層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月29日(2014.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層にハロゲン元素を含むガスによりプラズマ処理を行い、
前記酸化物半導体層上に接してソース電極及びドレイン電極を離間して形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に前記酸化物半導体層と一部が接するゲート絶縁層を形成し、
前記酸化物半導体層上に前記ゲート絶縁層を介してゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層にハロゲン元素を含むガスによりプラズマ処理を行い、
前記酸化物半導体層上に接してソース電極及びドレイン電極を離間して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクに用いて、前記酸化物半導体層の一部にソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記酸化物半導体層及び前記ゲート電極上に保護絶縁層を形成し、
前記保護絶縁層に前記ソース領域及び前記ドレイン領域と重畳する部分に開口部を形成し、
前記酸化物半導体層の前記ソース領域及び前記ドレイン領域に対しハロゲン元素を含むガスによりプラズマ処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一つにおいて、
前記プラズマ処理に用いるハロゲン元素を含むガスは、ＮＦ３であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月13日(2014.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電極の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気二重層キャパシタに用いる電極の作製方法であって、
水素の標準電極電位より高い標準電極電位を有する第１の金属材料、及び水素の標準電極電位より低い標準電極電位を有する第２の金属材料を含む合金を、酸に含浸させて前記合金に含まれている前記第２の金属材料を除去することにより、多孔質金属を含む電極を形成することを特徴とする電極の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の金属材料として銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、または金（Ａｕ）を用い、
前記第２の金属材料としてマグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、錫（Ｓｎ）、または鉛（Ｐｂ）を用い、
前記酸として塩酸を用いることを特徴とする電極の作製方法。
【請求項３】
電気二重層キャパシタに用いる電極の作製方法であって、
銅及び亜鉛を含む合金を酸に含浸させて前記合金に含まれている前記亜鉛を除去することにより、多孔質金属を含む電極を形成することを特徴とする電極の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月4日(2014.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、
前記半導体層と電気的に接続された配線と、を有し、
前記配線は、
第１の層と、
前記第１の層上の第２の層と、
前記第２の層上の第３の層と、を有し、
前記第１の層は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ又はタングステンを有し、
前記第２の層は、前記第１の層が有する金属を含む酸化物を有し、
前記第３の層は、銅、アルミニウム、又は銀を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体層と、
前記半導体層と電気的に接続された、ソース電極と
前記半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極はそれぞれ、
第１の層と、
前記第１の層上の第２の層と、
前記第２の層上の第３の層と、を有し、
前記第１の層は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ又はタングステンを有し、
前記第２の層は、前記第１の層が有する金属を含む酸化物を有し、
前記第３の層は、銅、アルミニウム、又は銀を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体層と、
前記半導体層と電気的に接続された配線と、を有し、
前記配線は、
第１の層と、
前記第１の層上の第２の層と、
前記第２の層上の第３の層と、を有し、
前記第１の層は、膜厚が薄い第１の領域を有し、
前記第１の領域において、前記第２の層は、膜厚が厚くなり、
前記第１の層は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ又はタングステンを有し、
前記第２の層は、前記第１の層が有する金属を含む酸化物を有し、
前記第３の層は、銅、アルミニウム、又は銀を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の層は、フッ素を１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月2日(2014.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、
前記表面に曲面を有するレジストマスクを用いて前記導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層をエッチングして前記第１の導電層の一部を露出し、
前記絶縁層上に前記第１の導電層と接する第２の導電層を形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に導電膜を形成し、
前記導電膜上にテーパーを有するレジストマスクを形成し、
前記テーパーを有するレジストマスクを加熱処理して表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、
前記表面に曲面を有するレジストマスクを用いて前記導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層をエッチングして前記第１の導電層の一部を露出し、
前記絶縁層上に前記第１の導電層と接する第２の導電層を形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、前記レジストマスクのテーパーの角度は９０度未満とすることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記絶縁層のエッチングは、化学的機械研磨法を用いることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項５】
導電膜を形成し、
前記導電膜上に表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、
前記表面に曲面を有するレジストマスクを用いて前記導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１のトランジスタのゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層をエッチングして前記ゲート電極層の一部を露出し、
前記絶縁層上に前記ゲート電極層と接する第２のトランジスタのソース電極層又はドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
導電膜を形成し、
前記導電膜上にテーパーを有するレジストマスクを形成し、
前記テーパーを有するレジストマスクを加熱処理して表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、
前記表面に曲面を有するレジストマスクを用いて前記導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１のトランジスタのゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層をエッチングして前記ゲート電極層の一部を露出し、
前記絶縁層上に前記ゲート電極層と接する第２のトランジスタのソース電極層又はドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、前記レジストマスクのテーパーの角度は９０度未満とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一項において、前記絶縁層のエッチングは、化学的機械研磨法を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
第１の導電層と、前記第１の導電層の側面を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ、かつ前記第１の導電層の前記絶縁層から突出する部分と接する第２の導電層とを有し、
前記第１の導電層において前記絶縁層から突出する部分の表面は曲面であることを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
請求項９において、前記第１の導電層の線幅は１μｍ以下であることを特徴とする配線基板。
【請求項１１】
第１のトランジスタのゲート電極層と、前記ゲート電極層の側面を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ、かつ前記ゲート電極層の前記絶縁層から突出する部分と接する第２のトランジスタのソース電極層又はドレイン電極層とを有し、
前記ゲート電極層において前記絶縁層から突出する部分の表面は曲面であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１において、前記ゲート電極層の線幅は１μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月4日(2014.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御装置（２０）のマスターインターフェース（２２）に接続できるスラーブインターフェース（１２）と、
測定装置（３０）のスラーブインターフェース（３２）に接続できるマスターインターフェース（１８）と、
各一方のインターフェース（１２、１８）によって少なくとも一つのデータ入力信号（ＤＩＮ＿Ｓ，ＤＩＮ＿Ｍ）が供給され且つ各データ入力信号（ＤＩＮ＿Ｓ，ＤＩＮ＿Ｍ）によって一つの一致するデータ出力信号（ＤＯＵＴ＿Ｍ，ＤＯＵＴ＿Ｓ）を各他方のインターフェース（１２、１８）に出力する回路配列（１５）とを備えて、インターフェース信号を操作する装置において、回路配列（１５）は少なくとも一つの操作ユニット（１１０，１２０）とプロトコールユニット（１００）とを包含し、データ入力信号（ＤＩＮ＿Ｓ，ＤＩＮ＿Ｍ）と補償データ信号（ＤＥ＿Ｓ，ＤＥ＿Ｍ）が操作ユニットに供給され、操作ユニットが一致するデータ出力信号（ＤＯＵＴ＿Ｍ，ＤＯＵＴ＿Ｓ）を出力し、少なくとも一つの記録関連インターフェース信号（ＤＩＮ＿Ｓ，ＤＩＮ＿Ｍ，ＴＣＬＫ＿Ｓ）がプロトコールユニットに供給され、プロトコールユニットが操作規定且つ少なくとも一つの記録関連インターフェース信号（ＤＩＮ＿Ｓ，ＤＩＮ＿Ｍ，ＴＣＬＫ＿Ｓ）と共に受信した情報に基づいて、いつ少なくとも一つの操作ユニット（１１０，１２０）がデータ出力信号（ＤＯＵＴ＿Ｍ，ＤＯＵＴ＿Ｓ）として一致するデータ入力信号（ＤＩＮ＿Ｓ，ＤＩＮ＿Ｍ）或いは補償データ信号（ＤＥ＿Ｓ，ＤＥ＿Ｍ）を出力するかを選択することを特徴とする装置。
【請求項２】
装置（１０）は、さらに、一つの操作インターフェース（１６）を包含し、操作ユニット（４０）が操作インターフェースに接続でき、操作インターフェースを介して回路配列（１５）がプログラムできるか、或いは操作できるかの少なくとも一方が出来ることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
回路配列（１５）には、さらに、操作制御が記憶できる操作メモリー（１３０）が設けられていることを特徴とする請求項１或いは２に記載の装置。
【請求項４】
操作メモリー（１３０）が操作インターフェース（１６）によって記録できることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
装置（１０）には、操作要素（５０）が設けられていて、この操作要素により装置が操作できることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
装置には、さらに、表示ユニット（６０）が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
インターフェースコントロラー（２４）のマスターインターフェース（２２）が装置（１０）のスレーブインターフェイス（１２）と接続されていることを特徴とする少なくとも一つのインターフェースコントロラー（２４）と請求項１乃至４のいずれか一項に記載の装置（１０）とを備える制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月3日(2014.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】入出力装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表示モードのときに表示選択信号を出力し、第２の表示モードのときに前記表示選択信号の出力が停止する第１の回路と、
入力された画像信号をもとに表示データ信号を出力する第２の回路と、
前記表示選択信号と前記表示データ信号とが入力され、画像を表示する複数の画素と、
第１の光検出モードのときにＮ個（Ｎは２以上の自然数）の光検出リセット信号を出力し、第２の光検出モードのときにＭ個（ＭはＮより小さい自然数）の光検出リセット信号を出力する第３の回路と、
前記第１の光検出モードのときにＮ個の出力選択信号を出力し、前記第２の光検出モードのときにＭ個の出力選択信号を出力する第４の回路と、
前記光検出リセット信号に従ってリセット状態になった後、入射する光の照度に応じたデータを生成し、前記出力選択信号に従って前記データを出力する、複数の光検出回路と、
を有し、
前記複数の画素はそれぞれ、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタを有し、
前記複数の光検出回路はそれぞれ、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタを有し、
前記複数の光検出回路は、グローバルシャッター方式で駆動することを特徴とする入出力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月29日(2014.4.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有するメモリセルと、
増幅回路と、スイッチ素子と、を有する回路と、を有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域と、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域とは、互いに異なる材料を主成分として有し、
前記第１のトランジスタのゲートと、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方とは、電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方と、前記増幅回路の入力端子の一とは、電気的に接続され、
前記増幅回路の出力端子は、前記スイッチ素子を介して前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続される半導体装置。
【請求項２】
前記メモリセルは、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続される容量素子を有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記メモリセルのリフレッシュ動作の際は、前記スイッチ素子は導通状態である請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記メモリセルのリフレッシュ動作の際は、前記第２のトランジスタを導通状態とし、前記第２のソースまたはドレインの一方の電位に応じた電位が、前記増幅回路及び前記スイッチ素子を介して、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に書き込まれる請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２のチャネル形成領域の主成分は、酸化物材料である請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１のチャネル形成領域の主成分は、シリコンである請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月4日(2014.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイル状に形成された発熱体を支持するヒータ支持装置であって、
鉛直方向に連設されることで前記発熱体を支持する発熱体支持部を形成する支持用ピースを有し、
前記支持用ピースは、上面と下面のいずれか一方に前記発熱体支持部と交わる方向に嵌合凹部または嵌合凸部が形成されると共に、他方に、前記嵌合凹部または前記嵌合凸部と嵌合可能な嵌合凸部または嵌合凹部が形成されるヒータ支持装置。
【請求項２】
前記支持用ピースが鉛直方向に連接されたピースホルダにより水平方向の動きが規制されるように支持され、前記ピースホルダが前記発熱体の周りに設けられた周囲断熱材に支持された請求項１のヒータ支持装置。
【請求項３】
前記ピースホルダは凹部を有し平断面が凹字状であり、前記凹部の対向面の少なくとも一面と、前記支持用ピース側面の少なくとも一面のいずれか一方に鉛直方向に延びる係止溝を形成し、他方に前記係止溝に嵌合可能で鉛直方向に延びる係止凸部を形成し、前記支持用ピースが前記ピースホルダ間に掛渡った状態で前記凹部に嵌合すると共に、前記係止凸部が前記係止溝に嵌合する請求項２のヒータ支持装置。
【請求項４】
コイル状に形成された発熱体を支持する加熱装置であって、
鉛直方向に連設されることで前記発熱体を支持する発熱体支持部を形成する支持用ピースを有し、
前記支持用ピースは、上面と下面のいずれか一方に前記発熱体支持部と交わる方向に嵌合凹部または嵌合凸部が形成されると共に、
他方に、前記嵌合凹部または前記嵌合凸部と嵌合可能な嵌合凸部または嵌合凹部が形成される加熱装置。
【請求項５】
基板を処理する反応管と、
前記反応管の内部を加熱する加熱装置と、を有し、
前記加熱装置は、コイル状に形成された発熱体と、
鉛直方向に連設されることで前記発熱体を支持する発熱体支持部を形成する支持用ピースと、
前記支持用ピースは、上面と下面のいずれか一方に前記発熱体支持部と交わる方向に嵌合凹部または嵌合凸部が形成されると共に、
他方に、前記嵌合凹部または前記嵌合凸部と嵌合可能な嵌合凸部または嵌合凹部を形成する、基板処理装置。
【請求項６】
鉛直方向に連設されることで、コイル状に形成された発熱体を支持する発熱体支持部を形成し、上面と下面のいずれか一方に前記発熱体支持部と交わる方向に嵌合凹部または嵌合凸部が形成されると共に、他方に、前記嵌合凹部または前記嵌合凸部と嵌合可能な嵌合凸部または嵌合凹部を形成する支持用ピースを有する加熱装置によって、反応管内を加熱しつつ基板を処理する、
半導体装置の製造方法。
【請求項７】
鉛直方向に連設されることで、コイル状に形成された発熱体を支持する発熱体支持部を形成し、上面と下面のいずれか一方に前記発熱体支持部と交わる方向に嵌合凹部または嵌合凸部が形成されると共に、他方に、前記嵌合凹部または前記嵌合凸部と嵌合可能な嵌合凸部または嵌合凹部を形成する支持用ピースを有する加熱装置によって、反応管内を加熱しつつ基板を処理する、
基板の製造方法。
【請求項８】
鉛直方向に連設されることで、コイル状に形成された発熱体を支持する発熱体支持部を形成する支持用ピースであって、
上面と下面のいずれか一方に前記発熱体支持部と交わる方向に嵌合凹部または嵌合凸部が形成されると共に、
他方に、前記嵌合凹部または前記嵌合凸部と嵌合可能な嵌合凸部または嵌合凹部を形成する支持用ピース。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月7日(2014.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のチャネル形成領域を有する半導体と、
前記第１のチャネル形成領域と重なるように設けられた第１のゲート電極と、
前記半導体と電気的に接続される第１の電極及び第２の電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
第２のチャネル形成領域と、前記第２のチャネル形成領域と接するオフセット領域と、を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続される第３の電極及び第４の電極と、
前記第２のチャネル形成領域と重なるように設けられた第２のゲート電極と、を有し、
前記第１のゲート電極と、前記第３の電極とは電気的に接続され
前記オフセット領域は、前記第２のゲート電極、前記第３の電極及び前記第４の電極のいずれとも重ならない領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとは重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１のチャネル形成領域を有する半導体は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２のトランジスタとして、マルチゲート構造のトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月4日(2014.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体によってチャネル領域が形成されるｎチャネル型トランジスタのゲート及びソース間に前記トランジスタのしきい値電圧未満の電圧を印加し且つドレインに前記ゲートに与えられる電位よりも高電位を与えた状態においてゲート電流値を測定し、
前記ゲート電流値を用いて前記トランジスタを有する半導体装置のＢＴ試験による劣化を評価する、半導体装置の評価方法。
【請求項２】
酸化物半導体によってチャネル領域が形成されるｎチャネル型トランジスタのゲート及びソース間に前記トランジスタのしきい値電圧未満の電圧を印加し且つドレインに前記ゲートに与えられる電位よりも高電位を与えた状態においてゲート電流値の経時変化を測定し、
前記ゲート電流値の経時変化を用いて前記トランジスタを有する半導体装置の信頼性を評価する、半導体装置の評価方法。
【請求項３】
酸化物半導体によってチャネル領域が形成されるｎチャネル型トランジスタのゲート及びソース間に前記トランジスタのしきい値電圧未満の電圧を印加し且つドレインに前記ゲートに与えられる電位よりも高電位を与えた状態においてゲート電流値の経時変化を測定し、
前記ゲート電流値の経時変化を用いて前記トランジスタを有する半導体装置のＢＴ試験による劣化を評価する、半導体装置の評価方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月22日(2014.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、前記第１の絶縁膜にハロゲン原子を供給し、
前記第１の絶縁膜上に、酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に熱処理を行って、前記酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、
前記水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、前記酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、
前記酸素原子が供給された前記酸化物半導体膜に熱処理を行う半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月15日(2014.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎチャネル型トランジスタである第１のトランジスタを有し、
ｐチャネル型トランジスタである第２のトランジスタを有し、
チャネル形成領域に酸化物半導体を含んでいる第３のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは第１のゲート、第１のソース及び第１のドレインを有し、
前記第２のトランジスタは第２のゲート、第２のソース及び第２のドレインを有し、
前記第２のソース及び前記第２のドレインの一方にはハイレベルの電位が印加され、
前記第１のソース及び前記第１のドレインの一方にはローレベルの電位が印加され、
前記第１のソース及び前記第１のドレインの他方は、前記第２のソース及び前記第２のドレインの他方に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタが、前記第１のゲートに加えて、チャネル形成領域を間に挟んで前記第１のゲートと向かい合っている第３のゲートを有するか、または、前記第２のトランジスタが、前記第２のゲートに加えて、チャネル形成領域を間に挟んで前記第２のゲートと向かい合っている第４のゲートを有し、
前記第１のゲートにハイレベルの電位が印加されるときは前記第２のゲートにハイレベルの電位が印加され、
前記第２のゲートにハイレベルの電位が印加されるときは前記第１のゲートにハイレベルの電位が印加され、
前記第１のゲートにローレベルの電位が印加されるときは前記第２のゲートにローレベルの電位が印加され、
前記第２のゲートにローレベルの電位が印加されるときは前記第１のゲートにローレベルの電位が印加され、
前記第３のゲート又は前記第４のゲートへの電位の供給は前記第３のトランジスタにより制御される半導体装置。
【請求項２】
ｎチャネル型トランジスタである第１のトランジスタを有し、
ｐチャネル型トランジスタである第２のトランジスタを有し、
チャネル形成領域に酸化物半導体を含んでいる第３のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは第１のゲート、第１のソース及び第１のドレインを有し、
前記第２のトランジスタは第２のゲート、第２のソース及び第２のドレインを有し、
前記第２のソース及び前記第２のドレインの一方にはハイレベルの電位が印加され、
前記第１のソース及び前記第１のドレインの一方にはローレベルの電位が印加され、
前記第１のソース及び前記第１のドレインの他方は、前記第２のソース及び前記第２のドレインの他方に電気的に接続され、
前記第１のゲートにハイレベルの電位が印加されるときは前記第２のゲートにハイレベルの電位が印加され、
前記第２のゲートにハイレベルの電位が印加されるときは前記第１のゲートにハイレベルの電位が印加され、
前記第１のゲートにローレベルの電位が印加されるときは前記第２のゲートにローレベルの電位が印加され、
前記第２のゲートにローレベルの電位が印加されるときは前記第１のゲートにローレベルの電位が印加され、
前記第１のトランジスタまたは前記第２のトランジスタの基板電位は、前記第３のトランジスタにより制御される半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域はシリコンまたはゲルマニウムを含み、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域はシリコンまたはゲルマニウムを含む半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタの上に絶縁膜を有し、
前記絶縁膜上に前記第３のトランジスタを有する半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記酸化物半導体は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体である半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第３のトランジスタの前記チャネル形成領域の水素濃度は、５×１０１９／ｃｍ３以下である半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第３のトランジスタのオフ電流密度は、１００ｚＡ／μｍ以下である半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月9日(2014.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、酸化物半導体膜がゲート絶縁膜を介して重畳するトランジスタにおいて、
装置内の反応室の内壁を加熱して、前記反応室の内壁から不純物を放出させた後、
前記反応室内にフッ素化合物ガスを導入して、プラズマを形成し、前記反応室の内壁から放出した不純物および前記反応室に残留していた不純物を除去し、
前記不純物を除去した反応室の内壁を加熱し続けながら、前記反応室にシリコン元素を含む堆積性気体を導入し、電力を供給して前記ゲート絶縁膜を形成することを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項２】
ゲート電極と、酸化物半導体膜がゲート絶縁膜を介して重畳するトランジスタにおいて、
装置内の反応室の内壁を加熱して、前記反応室の内壁から不純物を放出させた後、
前記反応室内を排気して、前記反応室の内壁から放出した不純物および前記反応室に残留していた不純物を除去し、
前記不純物を除去した反応室の内壁を加熱し続けながら、前記反応室にシリコン元素を含む堆積性気体を導入し、電力を供給して前記ゲート絶縁膜を形成することを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記反応室の内壁は、前記反応室の外壁面に密着させた加熱装置により、１００℃以上３５０℃以下の温度に加熱して、
前記反応室の内壁から放出した不純物および前記反応室に残留していた不純物を除去することを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記反応室の内壁は、前記反応室の内壁面に密着させた加熱装置により、１００℃以上３５０℃以下の温度に加熱して、
前記反応室の内壁から放出した不純物および前記反応室に残留していた不純物を除去することを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項５】
請求項１又は２において、
前記反応室の内壁は、前記反応室の内壁中に埋設させた加熱装置により、１００℃以上３５０℃以下の温度に加熱して、
前記反応室の内壁から放出した不純物および前記反応室に残留していた不純物を除去することを特徴とするトランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月8日(2014.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転可能な第１の支軸に保持された第１の電子装置と、
回転可能な第２の支軸に保持された第２の電子装置と、
前記第１の支軸、及び前記第２の支軸を束ねる結束具と、を有し、
前記第１の電子装置は、対をなす第１の接続端子を備え、
前記対をなす第１の接続端子の極性は、一回転軸を中心に対称であり、
前記第１の電子装置は、前記対をなす第１の接続端子において、前記第１の支軸に固定された第１の連結具と脱着可能であり、
前記第２の電子装置は、対をなす第２の接続端子を備え、
前記対をなす第２の接続端子の極性は、一回転軸を中心に対称であり、
前記第２の電子装置は、前記対をなす第２の接続端子において、前記第２の支軸に固定された第２の連結具と脱着可能であることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
回転可能な支軸に保持された電子装置を有し、
前記電子装置は、対をなす接続端子を備え、
前記対をなす接続端子の極性は、一回転軸を中心に対称であり、
前記電子装置は、前記対をなす接続端子において、前記支軸に固定された連結具と脱着可能であることを特徴とする電子機器。
【請求項３】
支軸に保持された電子装置を有し、
前記電子装置は、対をなす接続端子を備え、
前記対をなす接続端子の極性は、一回転軸を中心に対称であり、
前記電子装置は、前記対をなす接続端子において、前記支軸に固定された連結具と脱着可能であることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月16日(2014.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジェスチャーに基づくマンマシンインターフェースによりコンピュータシステムを使用する方法であって、
コンピュータシステムのスクリーン上に表示される情報を、オブジェクトを用いて指し示すこと、
少なくとも二つのカメラによりスクリーン前方のシーンを捉えること、
カメラが捉えたシーンをプロセッサで分析することにより、オブジェクトを識別し、スクリーン上でオブジェクトが指し示す位置とスクリーンからオブジェクトまでの距離とを決定し、且つオブジェクトが指し示す位置とスクリーンからオブジェクトまでの距離との決定に応答してスクリーン上に表示される情報を修正すること、及び
オブジェクトの運動を追跡することにより、スクリーン上でオブジェクトが指し示している位置を決定すること
を含む方法。
【請求項２】
オブジェクトの縦方向の延長線を決定することにより、スクリーン上でオブジェクトが指し示す位置を決定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
オブジェクトが指し示すスクリーンの部分を、決定されたスクリーンからオブジェクトまでの距離に基づいた倍率でズームすることにより、スクリーン上に表示された情報を修正することを更に含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
一定の時間に亘ってスクリーンからオブジェクトまでの距離を決定することと、当該距離に基づいてオブジェクトの運動速度を決定すること、及びスクリーンに向かう又はスクリーンから離れるオブジェクトの運動速度の決定に応答して、スクリーン上に表示される情報を、プロセッサを用いて修正することを含む、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
オブジェクトの異なる運動速度に応じて、スクリーン上に表示される情報を、プロセッサを用いて様々に修正することを含む、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
ジェスチャーに基づくマンマシンインターフェースを含むコンピュータシステムであって、
情報を表示するスクリーン、
スクリーン前方のシーンを捉えるように配置された少なくとも二つのカメラ、及び
カメラが供給する画像を受信し、画像を分析してスクリーン上に表示された情報を指し示すオブジェクトを識別し、スクリーン上でオブジェクトが指し示す位置とスクリーンからオブジェクトまでの距離とを決定し、オブジェクトが指し示す位置とスクリーンからオブジェクトまでの距離との決定に応答して、スクリーン上に表示される情報を修正するプロセッサであって、オブジェクトの運動を追跡することによりスクリーン上でオブジェクトが指し示す位置を決定するプロセッサ
を備えるコンピュータシステム。
【請求項７】
プロセッサが、オブジェクトの縦方向の延長線を決定することによりスクリーン上でオブジェクトが指し示す位置を決定する、請求項６に記載のコンピュータシステム。
【請求項８】
プロセッサが、オブジェクトの運動速度を決定し、運動速度の決定に応答して、スクリーン上に表示された情報を修正する、請求項６又は７に記載のコンピュータシステム。
【請求項９】
コンピュータシステムの、ジェスチャーに基づくマンマシンインターフェースであって、
情報を表示するスクリーン、
スクリーン前方のシーンを捉えるように配置された少なくとも二つのカメラ、及び
カメラが供給する画像を受信し、画像を分析してスクリーン上に表示された情報を指し示すオブジェクトを識別し、スクリーン上でオブジェクトが指し示す位置とスクリーンからオブジェクトまでの距離とを決定し、オブジェクトが指し示す位置とスクリーンからオブジェクトまでの距離との決定に応答して、スクリーン上に表示される情報を修正するプロセッサであって、オブジェクトの運動速度を決定し、運動速度の決定に応答してスクリーン上に表示される情報を修正するプロセッサ
を備えるインターフェース。
【請求項１０】
プロセッサが、スクリーン上でオブジェクトが指し示す部分を、決定されたスクリーンからオブジェクトまでの距離に応じた倍率でズームする、請求項９に記載のインターフェース。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月12日(2014.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクチュエータを通る双方向駆動電流を制御するための方法であって、
方向制御信号（５０２、５２０、６０８）を受信するステップと、
前記方向制御信号（５０２、５２０、６０８）を受信することに少なくとも部分的に基づいてアクチュエータ（５１２、６１８）を通る少なくとも１つのスイッチング可能な正（５３４、６２０）電流経路及び少なくとも１つのスイッチング可能な負（５３６、６２２）電流経路を確立するように１つ又は複数のデバイス（５０８、５２６、６１０、６１２、６１４、６１６）を操作するステップと、
交流スイッチト励磁信号（２２８）を生成し、前記アクチュエータ（５１２、６１８）に少なくとも間接的に接続された位置センサの励磁巻線を介して送るステップと、
前記スイッチト励磁信号（２２８）を、前記位置センサに関連付けられた感知巻線に結合するステップと、
前記アクチュエータ（５１２、６１８）又は前記結合されたスイッチト励磁信号（２２８）に関連付けられた電流（５３８、５４０、６１７、６１９）に少なくとも基づいてフィードバック（５０４、５２２）を送るステップと、
前記フィードバック（５０４、５２２）に少なくとも部分的に基づいて前記電流（５３８、５４０、６１７、６１９）を制御するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記電流（５３８、５４０、６１７、６１９）を制御するステップが、前記フィードバック（５０４、５２２）とパルス幅変調信号（５０２、５２０）との比較結果にさらに基づく請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記電流（６１７、６１９）を制御するステップが、少なくとも４つのスイッチ（６１０、６１２、６１４、６１６）を調整することをさらに含み、前記４つのスイッチのうちの少なくとも２つが開成状態にあり、前記他の２つのスイッチのうちの少なくとも一方がパルス幅変調に少なくとも部分的に基づいて前記電流を制御する請求項１記載の方法。
【請求項４】
少なくとも１つの正電流経路（５３４）又は少なくとも１つの負電流経路（５３６）を確立するように１つ又は複数のデバイス（５０８、５２６）を操作するステップが、少なくとも２つのスイッチ（５０８、５２６）を調整することを含み、前記スイッチ（５０８、５２６）のうちの少なくとも１つが開成状態にある請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記電流（５３８、５４０、６１７、６１９）を制御するステップが、少なくとも１つの正電流経路（５３４、６２０）又は少なくとも１つの負電流経路（５３６、６２２）に関連付けられた少なくとも１つのスイッチ（５０８、５２６、６１０、６１２、６１４、６１６）を制御することを含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記電流（５３８、５４０、６１７、６１９）を制御するステップが、パルス幅変調を使用して前記電流を制御することを含む請求項１記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１つの正電流経路（５３４、６２０）又は少なくとも１つの負電流経路（５３６、６２２）を確立するように１つ又は複数のデバイス（５０８、５２６、６１０、６１２、６１４、６１６）を操作するステップが、２つの相互排他的な電流経路（５３４、５３６：６２０、６２２）をアクチュエータ（５１２、６１８）と接続することを含む請求項１記載の方法。
【請求項８】
双方向駆動電流（５３８、５４０、６１７、６１９）を制御するためのシステムであって、
アクチュエータ（６１８）と、
励磁巻線及び感知巻線を含む位置センサと、
少なくとも１つの電源（５０９、５２７、６０２）と、
前記アクチュエータ（６１８）を通る少なくとも１つの正電流経路（５３４、６２０）及び少なくとも１つの負電流経路（５３６、６２２）と、
コントローラ（１０２）と
を備え、
前記コントローラが、
交流スイッチト励磁信号（２２８）を生成し、前記アクチュエータの位置に比例する信号強度と共に前記感知巻線に結合される該交流スイッチト励磁信号（２２８）を前記位置センサの前記励磁巻線を介して送るステップと、
前記アクチュエータ（５１２、６１８）又は前記結合されたスイッチト励磁信号（２２８）に関連付けられた電流（５３８、５４０、６１７、６１９）に少なくとも基づいてフィードバック（５０４、５２２）を送るステップと、
前記フィードバック（５０４、５２２）に少なくとも部分的に基づいて前記電流経路（５３４、５３６、６２０、６２２）を操作し、電流（５３８、５４０、６１７、６１９）を制御するように構成されている
ことを特徴とする、システム。
【請求項９】
前記コントローラ（１０２）が、前記フィードバック（５０４、５２２）とパルス幅変調信号（５０２、５２０）との比較結果に基づいて前記電流経路（５３４、５３６、６２０、６２２）を操作し、電流（６１７、６１９）制御するようにさらに構成される請求項８記載のシステム。
【請求項１０】
前記正電流経路（６２０）が、第１のスイッチングデバイス（６１０）及び第４のスイッチングデバイス（６１６）を含み、前記負電流経路（６２２）が、第２のスイッチングデバイス（６１４）及び第３のスイッチングデバイス（６１２）を含む請求項８記載のシステム。