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【手続補正書】
【提出日】平成26年10月29日(2014.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
制御端子を有し、前記制御端子の電位に応じて前記発光素子を駆動する駆動部と、
前記制御端子に接続されたノードと、
前記発光素子の発光光量を監視するモニタと、
前記モニタによって検出された前記発光素子の発光光量が目標値に近づくように前記ノードの電位を制御する電位制御部と、
前記モニタによって検出された前記発光素子の発光光量と前記目標値との差が基準量より大きい場合に、前記電位制御部による前記ノードの電位の制御を補助する補助電位制御部と、を備える、
ことを特徴とする発光素子駆動回路。
【請求項２】
前記ノードに接続された容量をさらに備える、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子駆動回路。
【請求項３】
前記補助電位制御部は前記電位制御部よりも駆動力が大きい、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光素子駆動回路。
【請求項４】
前記補助電位制御部は電流源を有しており、
前記電流源は、前記発光素子の発光光量と前記目標値との差が前記基準量より大きい場合に、当該差が小さくなるように前記ノードへの電流の供給を行う、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の発光素子駆動回路。
【請求項５】
前記電流源は、前記発光素子の発光光量と前記目標値との差が前記基準量以下になった場合に、前記電流の供給を終了する、
請求項４に記載の発光素子駆動回路。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の発光素子駆動回路と、前記発光素子駆動回路が備える発光素子の発光光を反射する反射型光学式スケールと、前記反射型光学式スケールからの反射光を検知するセンサ部と、を備え、
前記センサ部からの出力を演算処理することによりレンズ位置の情報を取得する、
ことを特徴とする光学式エンコーダ。
【請求項７】
請求項６に記載の光学式エンコーダの出力にしたがってレンズ位置を調整する、
ことを特徴とするカメラ。
【請求項８】
発光素子と、制御端子を有し、前記制御端子の電位に応じて前記発光素子を駆動する駆動部と、前記制御端子に接続されたノードと、前記発光素子の発光光量を監視するモニタと、前記ノードの電位を制御する電位制御部と、前記電位制御部による前記ノードの電位の制御を補助する補助電位制御部と、を備える発光素子駆動回路の制御方法であって、
前記モニタによって検出された前記発光素子の発光光量が目標値に近づくように前記電位制御部を制御する工程と、
前記モニタによって検出された前記発光素子の発光光量と前記目標値との差が基準量より大きい場合に、前記電圧制御部を補助するように前記補助電位制御部を制御する工程と、を含む
ことを特徴とする発光素子駆動回路の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子駆動回路、光学式エンコーダ、カメラ及び発光素子駆動回路の制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、発光素子駆動回路、光学式エンコーダ、カメラ及び発光素子駆動回路の制御方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一つの側面は発光素子駆動回路に係り、前記発光素子駆動回路は、発光素子と、制御端子を有し、前記制御端子の電位に応じて前記発光素子を駆動する駆動部と、前記制御端子に接続されたノードと、前記発光素子の発光光量を監視するモニタと、前記モニタによって検出された前記発光素子の発光光量が目標値に近づくように前記ノードの電位を制御する電位制御部と、前記モニタによって検出された前記発光素子の発光光量と前記目標値との差が基準量より大きい場合に、前記電位制御部による前記ノードの電位の制御を補助する補助電位制御部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月20日(2014.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上の一対の電極と、
前記一対の電極と接する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、
を有し、
前記一対の電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
少なくとも前記領域は、ハロゲン元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上のゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の一対の電極と、
前記一対の電極と接する酸化物半導体膜と、
を有し、
前記一対の電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
少なくとも前記領域は、ハロゲン元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記一対の電極は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｔａ、ＳｎまたはＷから選択された一種以上を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面上に一対の電極を形成し、
前記一対の電極に対してハロゲン化処理を行った後、前記一対の電極と接する酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に一対の電極を形成し、
前記一対の電極に対してハロゲン化処理を行った後、前記一対の電極と接する酸化物半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記ハロゲン化処理は、ハロゲン元素を含む雰囲気におけるプラズマ処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月10日(2014.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント配線板の第１の表面には、マトリックス状に配置された複数の第１のはんだボール電極を介して第１の半導体パッケージが実装され、プリント配線板の第１の表面の裏面となる第２の表面には、マトリックス状に配置された複数の第２のはんだボール電極を介して第２の半導体パッケージが実装されたプリント回路板において、
前記第２の半導体パッケージのマトリックス状に配置された複数の第１のはんだボール電極の中央部には、前記第１のはんだボール電極が接合されていない領域が形成されており、
前記第２の半導体パッケージは、前記第１の半導体パッケージよりも小型の半導体パッケージであり、
前記プリント配線板の前記第１の半導体パッケージが実装された前記第１の半導体パッケージと対向する領域は、前記第１のはんだボール電極が接合されている第１の領域と、前記第１の領域に囲まれた、前記第１のはんだボール電極が接合されていない領域と対向する第２の領域に分けられており、
前記プリント配線板の前記第２の半導体パッケージが実装された前記第２の半導体パッケージと対向する領域は、前記プリント配線板の前記第２の領域の裏面となる領域内に設けられていることを特徴とするプリント回路板。
【請求項２】
前記プリント配線板の表面の第２の領域には、電極が接合されていないことを特徴とする請求項１に記載のプリント回路板。
【請求項３】
前記第１の半導体パッケーは、前記プリント配線板に対して両端が持ち上がるように反ることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のプリント回路板。
【請求項４】
プリント配線板の第１の表面には、マトリックス状に配置された複数の第１のはんだボール電極を介して第１の半導体パッケージが実装され、プリント配線板の第１の表面の裏面となる第２の表面には、マトリックス状に配置された複数の第２のはんだボール電極を介して第２の半導体パッケージが実装されたプリント回路板において、
前記第２の半導体パッケージのマトリックス状に配置された複数の第１のはんだボール電極の中央部には、前記第１のはんだボール電極が接合されていない領域が形成されており、
前記第２の半導体パッケージは、前記第１の半導体パッケージよりも小型の半導体パッケージであり、
前記プリント配線板の前記第１の半導体パッケージが実装された前記第１の半導体パッケージと対向する領域は、前記第１のはんだボール電極が接合されている第１の領域と、前記第１の領域に囲まれた、前記第１のはんだボール電極が接合されていない領域と対向第２の領域に分けられており、
前記プリント配線板の前記第２の半導体パッケージが実装された第２のはんだボール電極が形成されている領域は、前記プリント配線板の前記第２の領域の裏面となる領域内に設けられていることを特徴とするプリント回路板。
【請求項５】
前記プリント配線板の表面の第２の領域には、電極が接合されていないことを特徴とする請求項４に記載のプリント回路板。
【請求項６】
前記第１の半導体パッケージは、前記プリント配線板に対して両端が持ち上がるように反ることを特徴とする請求項４または５のいずれかに記載のプリント回路板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記課題を解決するために本発明では、プリント配線板の第１の表面には、マトリックス状に配置された複数の第１のはんだボール電極を介して第１の半導体パッケージが実装され、プリント配線板の第１の表面の裏面となる第２の表面には、マトリックス状に配置された複数の第２のはんだボール電極を介して第２の半導体パッケージが実装されたプリント回路板において、前記第２の半導体パッケージのマトリックス状に配置された複数の第１のはんだボール電極の中央部には、前記第１のはんだボール電極が接合されていない領域が形成されており、前記第２の半導体パッケージは、前記第１の半導体パッケージよりも小型の半導体パッケージであり、前記プリント配線板の前記第１の半導体パッケージが実装された前記第１の半導体パッケージと対向する領域は、前記第１のはんだボール電極が接合されている第１の領域と、前記第１の領域に囲まれた、前記第１のはんだボール電極が接合されていない領域と対向する第２の領域に分けられており、前記プリント配線板の前記第２の半導体パッケージが実装された前記第２の半導体パッケージと対向する領域は、前記プリント配線板の前記第２の領域の裏面となる領域内に設けられているプリント回路板を提供している。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月11日(2014.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス蓋基板と、
キャビティを有するガラス基板と、
前記ガラス蓋基板と前記ガラス基板のいずれか一方に実装された光センサ素子と、
前記ガラス基板のコーナーに設けられた、４分割されて露出したスルーホール電極と、
前記スルーホール電極により電気的に接続された、前記ガラス基板の上面に設けられた配線電極と下面に設けられた外部電極と、
を備え、
前記光センサ素子と前記配線電極とは、前記キャビティの表面あるいは前記ガラス蓋基板の下面に設けられた実装用電極を介して電気的に接続されており、
前記ガラス蓋基板と前記キャビティ付きガラス基板とは接合されていることを特徴とする光センサ装置。
【請求項２】
ガラス蓋基板と、
キャビティを有するガラス基板と、
前記ガラス蓋基板と前記ガラス基板のいずれか一方に実装された光センサ素子と、
前記ガラス基板の対向する２辺に設けられた、２分割されて露出したスルーホール電極と、
前記スルーホール電極により電気的に接続された、前記ガラス基板の上面に設けられた配線電極と下面に設けられた外部電極と、
を備え、
前記光センサ素子と前記配線電極とは、前記キャビティの表面あるいは前記ガラス蓋基板の下面に設けられた実装用電極を介して電気的に接続されており、
前記ガラス蓋基板と前記キャビティ付きガラス基板とは接合されていることを特徴とする光センサ装置。
【請求項３】
前記ガラス基板が遮光ガラスからなることを特徴とする請求項１または２に記載の光センサ装置。
【請求項４】
前記ガラス蓋基板が、フィルター機能を有していることを特徴とする請求項１または２に記載の光センサ装置。
【請求項５】
複数のキャビティとキャビティ外周部に複数の貫通穴を有するガラス基板に導電膜を所定のパターンに形成する工程と、
前記導電膜を所定の形状にパターニングする工程と、
前記パターニングされた導電膜に光センサ素子を実装する工程と、
ガラス蓋基板と前記ガラス基板とを接着剤で接合する工程と、
接合された前記ガラス基板及び前記ガラス蓋基板を、貫通穴が分断される位置で切断する工程と、を含む光センサ装置の製造方法。
【請求項６】
ガラス蓋基板の片面に導電膜を形成する工程と、
前記ガラス蓋基板に形成された導電膜を所定の形状にパターニングする工程と、
前記パターニングされた導電膜に光センサ素子を実装する工程と、
複数のキャビティとキャビティ外周部に複数の貫通穴を有するガラス基板に導電膜を形成する工程と、
前記ガラス基板に形成された導電膜を所定の形状にパターニングする工程と、
前記ガラス蓋基板と前記ガラス基板を、導電粒子を添加した接着剤で接合する工程と、
接合された前記ガラス基板及びガラス蓋基板を、貫通穴が分断される位置で切断する工程と、を含む光センサ装置の製造方法。
【請求項７】
前記ガラス基板を切断する工程が、ダイシング法であることを特徴とする請求項５又は６に記載の光センサ装置の製造方法。
【請求項８】
前記ガラス基板を切断する工程が、超音波切断法であることを特徴とする請求項５又は６に記載の光センサ装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月24日(2014.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画面への筆記するための部位の接触状況を取得する接触状況取得部と、
前記接触状況取得部が取得した前記筆記するための部位の接触状況に応じて実行する処理を判断する判断部と、
前記判断部による判断に基づいて前記画面に表示する内容を制御するとともに、前記筆記するための部位を用いて前記画面に実線を引かせる記入領域を設定する画面表示制御部と、
前記画面表示制御部が設定した前記記入領域に実線が引かれたことを判定する判定部と、
を備え、
前記判断部は、前記接触状況取得部が取得した前記筆記するための部位の接触状況を取得して、前記記入領域に実線が引かれたことを前記判定部に判定させることを特徴とする、情報処理装置。
【請求項２】
前記画面表示制御部は、前記画面に表示する所定の文章の下部に前記記入領域を、該所定の文章の行単位で設定することを特徴とする、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記画面表示制御部は、前記記入領域の内部の所定の領域に始点領域及び終点領域を設定し、
前記判定部は、前記記入領域に実線が引かれたことを、該実線の始点が前記始点領域に、終点が前記終点領域に存在しているかどうかで判定することを特徴とする、請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記画面表示制御部は、前記始点領域を、前記記入領域の左端から、前記画面に表示する前記所定の文章の先頭の文字と２文字目の間まで設定することを特徴とする、請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記画面表示制御部は、前記終点領域を、前記記入領域の右端から、前記画面に表示する前記所定の文章の最後の文字と右から２文字目の間まで設定することを特徴とする、請求項３または４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記画面表示制御部は、前記所定の文章が句読点で区切られている場合に、前記記入領域を、該句読点に対応する位置で区切って設定することを特徴とする、請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記判定部は、前記記入領域に引かれた前記実線が該記入領域をはみ出していないことを、前記記入領域に実線が引かれたことの条件とすることを特徴とする、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記筆記するための部位は、筆記具であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項９】
画面への筆記するための部位の接触状況を取得する接触状況取得ステップと、
前記接触状況取得ステップで取得された前記筆記するための部位の接触状況に応じて実行する処理を判断する判断ステップと、
前記判断ステップでの判断に基づいて前記画面に表示する内容を制御するとともに、前記筆記するための部位を用いて前記画面に実線を引かせる記入領域を設定する画面表示制御ステップと、
前記画面表示制御ステップで設定された前記記入領域に実線が引かれたことを判定する判定ステップと、
を備え、
前記判断ステップは、前記接触状況取得ステップで取得された前記筆記するための部位の接触状況を取得して、前記記入領域に実線が引かれたことを前記判定ステップで判定させることを特徴とする、情報処理方法。
【請求項１０】
コンピュータに、
画面への筆記するための部位の接触状況を取得する接触状況取得ステップと、
前記接触状況取得ステップで取得された前記筆記するための部位の接触状況に応じて実行する処理を判断する判断ステップと、
前記判断ステップでの判断に基づいて前記画面に表示する内容を制御するとともに、前記筆記するための部位を用いて前記画面に実線を引かせる記入領域を設定する画面表示制御ステップと、
前記画面表示制御ステップで設定された前記記入領域に実線が引かれたことを判定する判定ステップと、
を実行させ、
前記判断ステップは、前記接触状況取得ステップで取得された前記筆記するための部位の接触状況を取得して、前記記入領域に実線が引かれたことを前記判定ステップで判定させることを特徴とする、コンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、画面への筆記するための部位の接触状況を取得する接触状況取得部と、前記接触状況取得部が取得した前記筆記するための部位の接触状況に応じて実行する処理を判断する判断部と、前記判断部による判断に基づいて前記画面に表示する内容を制御するとともに、前記筆記するための部位を用いて前記画面に実線を引かせる記入領域を設定する画面表示制御部と、前記画面表示制御部が設定した前記記入領域に実線が引かれたことを判定する判定部と、を備え、前記判断部は、前記接触状況取得部が取得した前記筆記するための部位の接触状況を取得して、前記記入領域に実線が引かれたことを前記判定部に判定させることを特徴とする、情報処理装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記判定部は、前記記入領域に引かれた前記実線が該記入領域をはみ出していないことを、前記記入領域に実線が引かれたことの条件とするようにしてもよい。また、前記筆記するための部位は、筆記具であってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、画面への筆記するための部位の接触状況を取得する接触状況取得ステップと、前記接触状況取得ステップで取得された前記筆記するための部位の接触状況に応じて実行する処理を判断する判断ステップと、前記判断ステップでの判断に基づいて前記画面に表示する内容を制御するとともに、前記筆記するための部位を用いて前記画面に実線を引かせる記入領域を設定する画面表示制御ステップと、前記画面表示制御ステップで設定された前記記入領域に実線が引かれたことを判定する判定ステップと、を備え、前記判断ステップは、前記接触状況取得ステップで取得された前記筆記するための部位の接触状況を取得して、前記記入領域に実線が引かれたことを前記判定ステップで判定させることを特徴とする、情報処理方法が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、コンピュータに、画面への筆記するための部位の接触状況を取得する接触状況取得ステップと、前記接触状況取得ステップで取得された前記筆記するための部位の接触状況に応じて実行する処理を判断する判断ステップと、前記判断ステップでの判断に基づいて前記画面に表示する内容を制御するとともに、前記筆記するための部位を用いて前記画面に実線を引かせる記入領域を設定する画面表示制御ステップと、前記画面表示制御ステップで設定された前記記入領域に実線が引かれたことを判定する判定ステップと、を実行させ、前記判断ステップは、前記接触状況取得ステップで取得された前記筆記するための部位の接触状況を取得して、前記記入領域に実線が引かれたことを前記判定ステップで判定させることを特徴とする、コンピュータプログラムが提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月26日(2014.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークに接続可能な１以上の携帯端末と、前記ネットワークと前記１以上の携帯端末との間でデータを中継する中継装置から構成される携帯端末システムであって、
前記中継装置は、前記携帯端末の何れかが自中継装置に帰属すると、自中継装置が提供可能な１以上のアプリケーションプログラムに係るプログラムリストを送信するリスト送信手段と、前記携帯端末の何れかからの要求に応じて自中継装置または所定のファイルサーバに存在しているアプリケーションプログラムを当該携帯端末に送信するプログラム送信手段と、を有し、
前記携帯端末は、前記中継装置から前記プログラムリストを受信するリスト受信手段と、１以上のアプリケーションプログラムの送信を前記中継装置に要求するプログラム送信要求手段と、前記中継装置から前記１以上のアプリケーションプログラムを受信すると、当該アプリケーションプログラムを記憶するプログラム記憶手段と、前記記憶した１以上のアプリケーションプログラムのいずれかを実行すると、当該アプリケーションプログラムの起動日時を記録する起動日時記録手段と、
前記記憶したアプリケーションプログラムのいずれかを削除するプログラム削除手段と、を有し、
前記プログラム削除手段は、前記起動日時記録手段を参照し、最新の起動日時から予め定められた期間が経過したアプリケーションプログラムを、自動的に削除することを特徴とするアプリケーションプログラム削除機能を有する携帯端末システム。
【請求項２】
請求項１に記載の携帯端末システムであって、
前記携帯端末は、新たに別の中継装置に帰属し、前記リスト受信手段が当該別の中継装置から新たなプログラムリストを受信すると、前記プログラム送信要求手段は、前記新たなプログラムリストから前記プログラム記憶手段が既に記憶したアプリケーションプログラムまたは前記プログラム削除手段が既に削除したアプリケーションプログラム以外のアプリケーションプログラムを前記他中継装置に要求することを特徴とするアプリケーションプログラム削除機能を有する携帯端末システム。
【請求項３】
請求項１または２に記載の携帯端末システムであって、
前記携帯端末は、前記中継装置に帰属している状態における起動日時と、前記中継装置に帰属していない状態における起動日時とに分類して前記アプリケーションプログラムの各々の起動日時を前記起動日時記録手段に記録し、前記中継装置に帰属していない状態において起動したアプリケーションプログラムの内、最新の起動日時から予め定められた期間が経過したアプリケーションプログラムを、自動的に削除することを特徴とするアプリケーションプログラム削除機能を有する携帯端末システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
例えば、本発明は、  ネットワークに接続可能な１以上の携帯端末と、前記ネットワークと前記１以上の携帯端末との間でデータを中継する中継装置から構成される携帯端末システムであって、
前記中継装置は、前記携帯端末の何れかが自中継装置に帰属すると、自中継装置が提供可能な１以上のアプリケーションプログラムに係るプログラムリストを送信するリスト送信手段と、前記携帯端末の何れかからの要求に応じて自中継装置または所定のファイルサーバに存在しているアプリケーションプログラムを当該携帯端末に送信するプログラム送信手段と、を有し、
前記携帯端末は、前記中継装置から前記プログラムリストを受信するリスト受信手段と、１以上のアプリケーションプログラムの送信を前記中継装置に要求するプログラム送信要求手段と、前記中継装置から前記１以上のアプリケーションプログラムを受信すると、当該アプリケーションプログラムを記憶するプログラム記憶手段と、前記記憶した１以上のアプリケーションプログラムのいずれかを実行すると、当該アプリケーションプログラムの起動日時を記録する起動日時記録手段と、
前記記憶したアプリケーションプログラムのいずれかを削除するプログラム削除手段と、を有し、
前記プログラム削除手段は、前記起動日時記録手段を参照し、最新の起動日時から予め定められた期間が経過したアプリケーションプログラムを、自動的に削除することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月17日(2014.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
他の表示制御装置の１つ以上の項目を含む画面の構成情報および前記項目から実行されるコマンドに対する権限情報を取得する情報取得部と、
前記権限情報が前記コマンドの実行が制限される旨を示す場合、前記画面の認識結果と前記構成情報とに基づいて、前記コマンドの実行が制限される旨を示す表示である制限表示を行うように制御する表示制御部と、
を備える、表示制御装置。
【請求項２】
前記表示制御装置は、
前記画面の撮像画像を取得する画像取得部をさらに備え、
前記表示制御部は、
前記画像取得部により取得された前記撮像画像を表示するように制御し、前記撮像画像に対して前記制限表示を付加する、
請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項３】
前記表示制御部は、
前記画面の認識結果として前記画面の位置および姿勢が認識された場合、前記画面の位置および姿勢に基づいて前記項目の座標が変換された後の座標である変換座標が示す位置に、前記制限表示を付加する、
請求項２に記載の表示制御装置。
【請求項４】
ユーザ操作を検出する操作検出部と、
前記操作検出部により前記画面上の座標を指定座標として指定する操作が検出された場合、前記画面の位置および姿勢に基づいて前記指定座標が変換された後の座標を前記他の表示制御装置に送信するように制御する送信制御部と、
をさらに備える、請求項３に記載の表示制御装置。
【請求項５】
前記送信制御部は、
前記画面の位置および姿勢に基づいて前記指定座標が変換された後の座標が前記項目の座標に一致または近接する場合、前記指定座標が変換された後の座標を前記他の表示制御装置に送信するように制御する、
請求項４に記載の表示制御装置。
【請求項６】
前記送信制御部は、
前記権限情報が前記コマンドの実行が許容される旨を示す場合、前記画面の位置および姿勢に基づいて前記指定座標が変換された後の座標を前記他の表示制御装置に送信するように制御する、
請求項４に記載の表示制御装置。
【請求項７】
ユーザ操作を検出する操作検出部と、
前記操作検出部により前記コマンドを指定する操作が検出された場合、前記コマンドを識別するためのコマンド識別情報を前記他の表示制御装置に送信するように制御する送信制御部と、
をさらに備える、請求項３に記載の表示制御装置。
【請求項８】
前記送信制御部は、
前記操作検出部により前記画面上の座標を指定座標として指定する操作が検出された場合、かつ、前記画面の位置および姿勢に基づいて前記指定座標が変換された後の座標が前記項目の座標に一致または近接する場合、前記コマンドを識別するためのコマンド識別情報を前記他の表示制御装置に送信するように制御する、
請求項７に記載の表示制御装置。
【請求項９】
前記送信制御部は、
前記権限情報が前記コマンドの実行が許容される旨を示す場合、前記コマンド識別情報を前記他の表示制御装置に送信するように制御する、
請求項７に記載の表示制御装置。
【請求項１０】
前記表示制御装置は、
前記画面を認識することにより前記認識結果を取得する認識部をさらに備える、
請求項１〜９のいずれか一項に記載の表示制御装置。
【請求項１１】
他の表示制御装置の１つ以上の項目を含む画面の構成情報および前記項目から実行されるコマンドに対する権限情報を取得することと、
前記権限情報が前記コマンドの実行が制限される旨を示す場合、前記画面の認識結果と前記構成情報とに基づいて、前記コマンドの実行が制限される旨を示す表示である制限表示を行うように制御することと、
を含む、表示制御方法。
【請求項１２】
コンピュータを
他の表示制御装置の１つ以上の項目を含む画面の構成情報および前記項目から実行されるコマンドに対する権限情報を取得する情報取得部と、
前記権限情報が前記コマンドの実行が制限される旨を示す場合、前記画面の認識結果と前記構成情報とに基づいて、前記コマンドの実行が制限される旨を示す表示である制限表示を行うように制御する表示制御部と、
を備える表示制御装置として機能させるためのプログラム。
【請求項１３】
１つ以上の項目を含む画面を表示するように制御する表示制御部と、
前記画面の構成情報および前記項目から実行されるコマンドに対する権限情報を他の表示制御装置に送信するように制御する送信制御部と、
を備える、表示制御装置。
【請求項１４】
前記他の表示制御装置から前記項目の座標を取得する取得部と、
前記取得部により前記項目の座標が取得された場合、かつ、前記権限情報が前記コマンドの実行が許容される旨を示す場合、前記コマンドを実行するコマンド実行部と、
をさらに備える、請求項１３に記載の表示制御装置。
【請求項１５】
前記他の表示制御装置から前記コマンドを識別するためのコマンド識別情報を取得する取得部と、
前記取得部により前記コマンド識別情報が取得された場合、かつ、前記権限情報が前記コマンドの実行が許容される旨を示す場合、前記コマンドを実行するコマンド実行部と、
をさらに備える、請求項１３に記載の表示制御装置。
【請求項１６】
前記表示制御装置は、
ユーザ操作を検出する操作検出部をさらに備え、
前記コマンド実行部は、前記操作検出部により前記コマンドを指定する操作が検出された場合、前記コマンドを実行する、
請求項１４または請求項１５に記載の表示制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
＜３．操作端末の機能構成例＞
図３は、操作端末２０の機能構成例を示すブロック図である。図３を参照すると、操作端末２０は、撮像装置２１、入力装置２２、記憶装置２４、表示装置２６、通信装置２８および表示制御装置２００を備える。表示制御装置２００は、画像取得部２１０、認識部２２０、情報取得部２３０、表示制御部２４０、操作検出部２５０および送信制御部２６０を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月5日(2014.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられ、前記酸化物半導体層と重なる領域を有する第１のゲート電極層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられ、前記第１のゲート電極層と接する領域を有する第２のゲート電極層と、
前記第２のゲート電極層上の側壁絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上、前記第１のゲート電極層上、前記第２のゲート電極層上、及び前記側壁絶縁層上の絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられ、前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられた第１の開口を介して、前記酸化物半導体層と接する領域を有するソース電極層と、
前記絶縁層上に設けられ、前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられた第２の開口を介して、前記酸化物半導体層と接する領域を有するドレイン電極層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、不純物元素を含む第１の領域と、前記不純物元素を含む第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間のチャネル形成領域と、を有し、
前記第２のゲート電極層は、前記第１の領域と重なる領域と、前記第２の領域と重なる領域と、前記第１のゲート電極層の、チャネル長方向における側面と接する領域と、を有し、
前記側壁絶縁層は、前記第２のゲート電極層を介して前記第１のゲート電極層の前記側面と対向する領域と、前記第２のゲート電極層を介して前記ゲート絶縁層の上面の一部と対向する領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ソース電極層上面と接する領域を有するソース配線層と、
前記ドレイン電極層上面と接する領域を有するドレイン配線層と、を有し、
前記チャネル長方向において、前記ソース電極層と前記ドレイン電極層との間の距離は、前記ソース配線層と前記ドレイン配線層との間の距離よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記ゲート絶縁層の前記第１のゲート電極層と接する領域の膜厚は、前記ゲート絶縁層の前記第２のゲート電極と接する領域の膜厚よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記ゲート絶縁層の前記第２のゲート電極層と接する領域の膜厚は、前記ゲート絶縁層の前記絶縁層と接する領域の膜厚よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記側壁絶縁層は、酸化窒化シリコンを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁表面上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を覆ってゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、前記酸化物半導体層と重なる領域を有するゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして前記酸化物半導体層に不純物元素を導入して、前記酸化物半導体層に前記不純物元素を含む第１の領域と、前記不純物元素を含む第２の領域と、を形成し、
前記ゲート絶縁層上及び前記ゲート電極層上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜をエッチングして、前記導電膜上に側壁絶縁層を形成し、
前記導電膜に、前記側壁絶縁層をマスクとしたエッチングを行って、第２のゲート電極層を形成することを半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を覆ってゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、前記酸化物半導体層と重なる領域を有するゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして前記酸化物半導体層に不純物元素を導入して、前記酸化物半導体層に前記不純物元素を含む第１の領域と、前記不純物元素を含む第２の領域と、を形成し、
前記ゲート絶縁層上及び前記ゲート電極層上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜をエッチングして、前記第１の導電膜上に側壁絶縁層を形成し、
前記第１の導電膜に、前記側壁絶縁層をマスクとしたエッチングを行って、第２のゲート電極層を形成し、
前記ゲート絶縁層上、前記第１のゲート電極層上、前記側壁絶縁層上、及び前記第２のゲート電極層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層をエッチングして、前記第１の領域に達する第１の開口と、前記第２の領域に達する第２の開口と、を形成し、
前記第１の開口及び前記第２の開口を埋め込むように前記絶縁層上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜に研磨処理を行って前記絶縁層上に設けられた前記第２の導電膜を除去して、前記第１の開口内にソース電極層と、前記第２の開口内にドレイン電極層と、を形成し、
前記ソース電極層上に接する領域を有するソース配線層と、前記ドレイン電極層上に接する領域を有するドレイン配線層と、を形成する半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月10日(2014.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出光面から光を出射する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子から出射された光が入射され前記半導体発光素子の出光面に対向して位置された入射面と、前記入射面から入射された光を外部へ出射する出射面と、前記入射面と前記出射面の間に位置する外周面とを有する波長変換層とを備え、
前記波長変換層の外周部の少なくとも一部が前記外周面側に凸の突状部として設けられ、
前記突状部の前記外周面が前記入射面に連続する第１の傾斜部と前記出射面に連続する第２の傾斜部とを有し、
前記波長変換層の外周面に前記入射面から入射された光を反射する光反射層が設けられ、
前記光反射層に前記第１の傾斜部に接する第１の反射面と前記第２の傾斜部に接する第２の反射面とが形成された
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記出射面の面積が前記入射面の面積より小さくされた
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記出射面に、前記入射面から入射された光の前記出射面における全反射を抑制する反射抑制部を設けた
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記半導体発光素子の出光面と前記波長変換層の入射面との間に所定の波長の光を透過させるバンドパスフィルターを設けた
ことを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記波長変換層の表面又は内部に光を拡散する拡散成分を設けた
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３又は請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
車輌用前照灯の発光部として用いられ、
前記波長変換層の出射面に、前記車輌用前照灯の配光パターンにおけるカットラインを形成する遮光膜を設けた
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４又は請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記光反射層が膜である
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５又は請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記出光面と前記入射面が同一の形状及び大きさに形成された
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６又は請求項７に記載の発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
波長変換層３は下面が入射面４として形成され、入射面４が半導体発光素子２の出光面２ａに対向して下方を向く向きで配置され、入射面４が出光面２ａに接合されている。入射面４は出光面２ａと同一の形状及び大きさに形成されている。波長変換層３は上面が出射面５として形成され、出射面５は入射面４の真上に位置されている。入射面４と出射面５はともに矩形状に形成され、略同じ面積にされている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月23日(2014.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップを覆うように形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に積層され、前記半導体チップと電気的に接続された配線層と該配線層上に積層される層間絶縁層とが交互に積層されてなる配線構造と、を有し、
前記半導体チップの搭載面とは反対側の最外層の前記層間絶縁層を厚さ方向に貫通する溝部と、
前記溝部に充填されるとともに、前記最外層の層間絶縁層上に形成された埋込樹脂層と、を有し、
前記埋込樹脂層は、前記層間絶縁層の熱膨張係数よりも前記半導体チップの熱膨張係数に近い熱膨張係数を有することを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
半導体チップと、
前記半導体チップを覆うように形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に積層され、前記半導体チップと電気的に接続された配線層と該配線層上に積層される層間絶縁層とが交互に積層されてなる配線構造と、を有し、
前記半導体チップの搭載面とは反対側の最外層の前記層間絶縁層には、該最外層の層間絶縁層を厚さ方向に貫通する溝部が形成され、
前記溝部は、前記最外層の層間絶縁層の下層に形成された層間絶縁層の厚さ方向の中途位置まで形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項３】
前記溝部は、前記最外層の層間絶縁層の下層に形成された層間絶縁層を厚さ方向に貫通するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記溝部は、前記半導体チップと対向する領域よりも外側の領域に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記溝部は、断面視して楔状に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記最外層の層間絶縁層は、補強材入りの樹脂材からなり、他の前記層間絶縁層の熱膨張係数よりも前記半導体チップの熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する絶縁層であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記半導体チップと同一平面上に、他の半導体パッケージと接続されるパッドが形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
支持基板上に半導体チップを固定する工程と、
前記半導体チップが固定された前記支持基板上に、前記半導体チップを覆うように第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層上に、前記半導体チップと電気的に接続するように配線層と該配線層上に積層される層間絶縁層とを交互に積層する工程と、
前記層間絶縁層のうち最後に積層した最外層の層間絶縁層に、該最外層の層間絶縁層を厚さ方向に貫通する溝部を形成する工程と、
前記溝部を形成した後に、前記最外層の層間絶縁層上に、前記溝部を充填するように埋込樹脂層を形成する工程と、
前記支持基板を除去する工程と、
を有し、
前記埋込樹脂層は、前記層間絶縁層の熱膨張係数よりも前記半導体チップの熱膨張係数に近い熱膨張係数を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項９】
支持基板上に半導体チップを固定する工程と、
前記半導体チップが固定された前記支持基板上に、前記半導体チップを覆うように第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層上に、前記半導体チップと電気的に接続するように配線層と該配線層上に積層される層間絶縁層とを交互に積層する工程と、
前記層間絶縁層のうち最後に積層した最外層の層間絶縁層に、該最外層の層間絶縁層を厚さ方向に貫通する溝部を形成する工程と、
前記支持基板を除去する工程と、
を有し、
前記溝部を形成する工程では、前記最外層の層間絶縁層の下層に形成された層間絶縁層の厚さ方向の中途位置まで前記溝部を形成することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記支持基板上に前記半導体チップを固定する工程の前に、前記支持基板上に他の半導体パッケージと接続されるパッドを形成する工程を有することを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体パッケージと、
前記半導体パッケージ上に積層される他の半導体パッケージと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一観点によれば、半導体チップと、前記半導体チップを覆うように形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に積層され、前記半導体チップと電気的に接続された配線層と該配線層上に積層された層間絶縁層とが交互に積層されてなる配線構造と、を有し、前記半導体チップの搭載面とは反対側の最外層の前記層間絶縁層を厚さ方向に貫通する溝部と、前記溝部に充填されるとともに、前記最外層の層間絶縁層上に形成された埋込樹脂層と、を有し、前記埋込樹脂層は、前記層間絶縁層の熱膨張係数よりも前記半導体チップの熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月17日(2014.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光密度が１×１０10ワット／ｃｍ2以上であり、且つ、キャリア密度が１×１０19／ｃｍ3以上である電流注入型のモード同期半導体レーザ素子、及び、
モード同期半導体レーザ素子から出射されたレーザ光が入出射される分散補償光学系、
を備えた半導体レーザ装置組立体。
【請求項２】
モード同期半導体レーザ素子は可飽和吸収領域を有する請求項１に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項３】
モード同期半導体レーザ素子は、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１導電型を有する第１化合物半導体層、
ＧａＮ系化合物半導体から成る第３化合物半導体層、及び、
ＧａＮ系化合物半導体から成り、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層、
が、順次、積層されて成る積層構造体を有する請求項２に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項４】
分散補償光学系における群速度分散値は負である請求項３に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項５】
系外に出力されるレーザ光のパルス時間幅が最小値となる群速度分散値あるいはその近傍において動作させられる請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項６】
波長選択手段を備え、
波長選択手段は、系外に出力されるレーザ光の短波長成分を抽出する請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項７】
モード同期半導体レーザ素子から出射されたレーザ光は、分散補償光学系に入射され、
分散補償光学系に入射したレーザ光の一部は、分散補償光学系から出射され、モード同期半導体レーザ素子に戻され、分散補償光学系に入射したレーザ光の残りは、系外に出力される請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項８】
電流注入型のモード同期半導体レーザ素子、及び、
モード同期半導体レーザ素子から出射されたレーザ光が入出射される分散補償光学系、
を備え、
分散補償光学系の群速度分散値を、第１の所定値ＧＶＤ1から第２の所定値ＧＶＤ2（但し、｜ＧＶＤ1｜＜｜ＧＶＤ2｜）まで単調に変化させたとき、モード同期半導体レーザ素子から系外に出力されるレーザ光のパルス時間幅は、減少し、極小値ＰＷminを超えて増加する半導体レーザ装置組立体。
【請求項９】
系外に出力されるレーザ光のパルス時間幅が極小値ＰＷminとなるときの分散補償光学系の群速度分散極小値をＧＶＤminとし、分散補償光学系の群速度分散値が負の第１の所定値ＧＶＤ1であるときのレーザ光のパルス時間幅をＰＷ1、分散補償光学系の群速度分散値が負の第２の所定値ＧＶＤ2であるときのレーザ光のパルス時間幅をＰＷ2としたとき、
（ＰＷ1−ＰＷmin）／｜ＧＶＤmin−ＧＶＤ1｜
≧２×（ＰＷ2−ＰＷmin）／｜ＧＶＤ2−ＧＶＤmin｜
但し、
｜ＧＶＤ1／ＧＶＤmin｜＝０．５
｜ＧＶＤ2／ＧＶＤmin｜＝２
を満足する請求項８に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項１０】
系外に出力されるレーザ光のパルス時間幅が最小値ＰＷminとなる群速度分散極小値ＧＶＤminあるいはその近傍において動作させられる請求項８又は請求項９に記載の半導体レーザ装置組立体。
【請求項１１】
系外に出力されるレーザ光の主発振周波数に対する雑音成分は−６０ｄＢ以下である請求項８乃至請求項１０のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置組立体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
あるいは又、図１３に概念図を示すように、分散補償光学系１４０は、Ｇｉｒｅｓ−Ｔｏｕｒｎｏｉｓ型の干渉計１４１から成る。Ｇｉｒｅｓ−Ｔｏｕｒｎｏｉｓ型干渉計１４１は、反射率１の反射鏡１４１Ａと反射率１未満の部分反射鏡１４１Ｂから成る。反射鏡１４１Ａと部分反射鏡１４１Ｂとの間の距離を制御することで、あるいは又、入射光の入射角を調整することによって、分散補償光学系１４０における群速度分散値を変えることができる。モード同期半導体レーザ素子１０から出射されたパルス状のレーザ光は、平面鏡１４２で反射され、部分反射鏡１４１Ｂを通過し、反射鏡１４１Ａによって反射され、部分反射鏡１４１Ｂを再び通過し、外部共振器を構成する部分反射鏡１４３に到達する。そして、部分反射鏡１４３に到達したレーザ光の一部は部分反射鏡１４３を通過し、系外に出力される。一方、部分反射鏡１４３に到達したレーザ光の残りは、部分反射鏡１４１Ｂを通過し、反射鏡１４１Ａによって反射され、部分反射鏡１４１Ｂ、平面鏡１４２を再び通過し、モード同期半導体レーザ素子１０に戻される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
実施例３においては、表３に示した層構成における３層の障壁層（Ｇａ0.98Ｉｎ0.02Ｎから成る）と２層の井戸層（Ｇａ0.92Ｉｎ0.08Ｎ）から成るＧａＩｎＮ量子井戸活性層から構成された活性層４０の構成を以下のとおりとした。また、参考例３のモード同期半導体レーザ素子においては、表１に示した層構成における活性層４０の構成を以下のとおりとした。具体的には、実施例１と同じ構成とした。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月27日(2014.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜と、
ゲート電極と、
前記酸化物半導体膜と前記ゲート電極との間に挟まれている領域を有するゲート絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続される電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、インジウムを有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域を有し、
前記第１の領域は、前記電極と接する領域を有し、
前記第１の領域は、前記電極との界面近傍に前記インジウムの濃度が第１の濃度である領域を有し、
前記第１の領域は、前記電極との界面から１５ｎｍの部分に前記インジウムの濃度が第２の濃度である領域を有し、
前記第１の濃度は、前記第２の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体膜は、亜鉛を有し、
前記第１の領域は、前記電極との界面近傍に前記亜鉛の濃度が第３の濃度である領域を有し、
前記第１の領域は、前記電極との界面から１５ｎｍの部分に前記亜鉛の濃度が第４の濃度である領域を有し、
前記第３の濃度は、前記第４の濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体膜は、ガリウムを有し、
前記第１の領域は、前記電極との界面近傍に前記ガリウムの濃度が第５の濃度である領域を有し、
前記第１の領域は、前記電極との界面から１５ｎｍの部分に前記ガリウムの濃度が第６の濃度である領域を有し、
前記第５の濃度は、前記第６の濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体膜は、ガリウムを有し、
前記第１の領域は、前記電極との界面近傍に前記ガリウムの濃度が第５の濃度である領域を有し、
前記第１の領域は、前記電極との界面から１５ｎｍの部分に前記ガリウムの濃度が第６の濃度である領域を有し、
前記第５の濃度は、前記第６の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月24日(2014.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型を有し、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部を含む凹凸構造が一方の表面に形成された結晶シリコン基板と、
前記結晶シリコン基板の前記半球状の凹部を含む凹凸構造に接して形成され、非晶質相からなる第１の非晶質膜と、
前記結晶シリコン基板の前記一方の表面側または前記結晶シリコン基板の他方の表面側に形成されたｐ／ｎ接合部とを備える光電変換素子。
【請求項２】
前記ｐ／ｎ接合部は、
前記結晶シリコン基板のバルク領域と、
前記結晶シリコン基板の前記一方の表面側に前記バルク領域に接して設けられ、前記第１の導電型と反対の第２の導電型を有する拡散領域とを含む、請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項３】
前記結晶シリコン基板は、単結晶シリコン基板からなり、
前記ｐ／ｎ接合部は、
前記単結晶シリコン基板のバルク領域と、
前記単結晶シリコン基板の前記他方の表面側に前記バルク領域に接して設けられ、前記第１の導電型と反対の第２の導電型を有する第１の拡散領域と、
前記単結晶シリコン基板の面内方向において前記第１の拡散領域に隣接するとともに前記バルク領域に接して前記単結晶シリコン基板の前記他方の表面側に設けられ、前記第１の導電型を有する第２の拡散領域とを含む、請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項４】
第１の導電型を有し、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部を含む凹凸構造が一方の表面に形成された単結晶シリコン基板と、
前記単結晶シリコン基板の前記半球状の凹部を含む凹凸構造に接して形成され、非晶質相からなる第１の非晶質膜と、
前記単結晶シリコン基板の他方の表面に接して形成され、ノンドープかつ非晶質相からなる第２の非晶質膜と、
前記第２の非晶質膜に接して配置されるとともに、前記第１の導電型と反対の第２の導電型を有し、非晶質相からなる第３の非晶質膜と、
前記第３の非晶質膜に隣接するとともに前記第２の非晶質膜に接して配置され、前記第１の導電型を有し、かつ、非晶質相からなる第４の非晶質膜とを備える光電変換素子。
【請求項５】
第１の導電型を有し、太陽光の入射方向に突出した半球状の凹部を含む凹凸構造が一方の表面に形成された結晶シリコン基板と、
前記結晶シリコン基板の前記半球状の凹部を含む凹凸構造に接して形成され、ノンドープかつ非晶質相からなる第１の非晶質膜と、
前記第１の非晶質膜に接して形成されるとともに、前記第１の導電型と反対の第２の導電型を有し、かつ、非晶質相からなる第２の非晶質膜とを備える光電変換素子。