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【手続補正書】
【提出日】平成26年2月4日(2014.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
現在、ＲｅＲＡＭ（Resistance Random Access Memory)やＰＲＡＭ（Phase-Change Random Access Memory）などの抵抗変化型メモリが、微細化の限界を超えることが可能な次世代不揮発性メモリとして提案されている（例えば、特許文献１，非特許文献１参照）。これらのメモリは、２つの電極間に抵抗変化層を備えた単純な構造を有している。また、特許文献１のメモリでは抵抗変化層の代わりに、第１電極と第２電極との間にイオン源層および酸化膜（記憶用薄膜）を備えている。これら抵抗変化型メモリでは、原子またはイオンが熱や電界によって移動し伝導パスが形成されることにより抵抗値が変化すると考えられている（例えば、特許文献２参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
このようなイオン源層２１の具体的な材料としては、例えば、ＺｒＴｅＡｌ，ＴｉＴｅＡｌ，ＣｒＴｅＡｌ，ＷＴｅＡｌおよびＴａＴｅＡｌが挙げられる。また、例えば、ＺｒＴｅＡｌに対して、Ｃｕを添加したＣｕＺｒＴｅＡｌ，さらにＧｅを添加したＣｕＺｒＴｅＡｌＧｅ，更に、添加元素を加えたＣｕＺｒＴｅＡｌＳｉＧｅとしてもよい。あるいは、Ａｌの他にＭｇを用いたＺｒＴｅＭｇとしてもよい。イオン化する金属元素としては、Ｚｒの代わりに、Ｍｏ，Ｍｎ，Ｈｆなどの他の遷移金属元素を選択した場合でも同様な添加元素を用いることは可能であり、例えばＣｕＭｏＴｅＡｌ，ＣｕＭｎＴｅＡｌなどとすることも可能である。更に、イオン導電材料としては、Ｔｅ以外に硫黄（Ｓ）やセレン（Ｓｅ）、あるいはヨウ素（Ｉ）を用いてもよく、具体的にはＺｒＳＡｌ，ＺｒＳｅＡｌ，ＺｒＩＡｌ，ＣｕＧｅＴｅＡｌ等を用いてもよい。更に、ＴａあるいはＷ等を添加してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
以下、本実施の形態の記憶素子１の製造方法について説明する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
以上のように本実施の形態の記憶素子１では、イオン源層の抵抗率を２．８ｍΩｃｍ以上１Ωｃｍ未満としたので、イオン源層２１と下部電極との間、即ち抵抗変化層２１中に形成されたフィラメントのうち、形成反応が進行しているイオン源層２１と抵抗変化層２２との界面に効率よく電圧を印加することが可能となる。これにより、低電圧においてもフィラメントを効率よく溶解し、抵抗変化層２２の抵抗値を回復することが可能となる。即ち、繰り返し特性が向上する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
図３および図４は多数の記憶素子１をマトリクス状に配置した記憶装置（メモリセルアレイ）の一例を表したものであり、図３は断面構成、図４は平面構成をそれぞれ表している。このメモリセルアレイでは、各記憶素子１に対して、その下部電極１０側に接続される配線と、その上部電極３０側に接続される配線とを交差するよう設け、例えばこれら配線の交差点付近に各記憶素子１が配置されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
（実施例１）
上記実施の形態と同様にして図１および図５に示した記憶素子１，２を作製した。まず、下地にトランジスタを組み込んだＴｉＮよりなる下部電極１０をアルゴンプラズマによるクリーニングおよびプラズマ酸化をしたのち、下部電極１０上にスパッタリング装置を用いて記録層２０，６０および上部電極３０を形成した。電極径は１５０ｎｍφとした。また、合金からなる層は、構成元素のターゲットを用いて同時に成膜した。続いて、上部電極３０の表面に対してエッチングを行い、中間電位（Ｖｄｄ／２）を与えるための外部回路接続用のコンタクト部分に接続されるように厚さ２００ｎｍの配線層（Ａｌ層）を形成した。そののち、ポストアニール処理として真空熱処理炉において、２時間、３２０℃の加熱処理を施した。このようにして、図３および図４に示したメモリセルアレイを作製して組成および膜厚の異なる実験例１−１〜１−９とした。これら実験例１−１〜１−９において、上部電極３０に接続された上部配線をＶｄｄ／２の中間電位に接地し、選択するメモリセルのゲート電極即ちワード線ＷＬに電圧を印加してオン状態にし、トランジスタＴｒのソース／ドレイン１３のうち、記憶素子１，２に接続されていない方に接続されている電極、即ちビット線ＢＬに、パルス幅、書き込み１０ｎｓ／消去１０ｎｓ、書き込み時印加電圧を３．０Ｖを印加する「書き込み動作」をメモリセルアレイ中の１０素子ｘ２列で合計２０素子に対して行い、その後に抵抗値を読み出した。次いで、ゲート電極（書き込み時３〜３．５Ｖ、消去時１．６〜２Ｖ）を印加してオン状態にして上部電極と下部電極に電圧を「書き込み」とは逆の電圧を印加し、「消去動作」を行い、消去状態の抵抗値を読み出した。この書き込みおよび消去動作をメモリセルアレイに対して繰り返して行い、繰り返し動作特性を評価した。これらの結果を図６，７に示す。なお、本実施例で用いたメモリセルアレイは１トランジスタ１素子（１Ｔ１Ｒ）構造であり、トランジスタサイズはＷ／Ｌ＝０．３６／２．０μｍである。また、３．５Ｖのゲート電圧を印加した際に素子がショートしても最大で７５μｍ程度しか流れない。但し、実験例１−１に用いたトランジスタのみ大電流駆動が可能となっている。また、ＴｉＮのプラズマ酸化では電極材料のＴｉとＴｅが反応を起こさないように行ったがＴｉＮが必須の要件ではなく、前述の電極材料であれば今回の特性には寄与しない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
実験例３−１〜３−４における「下部電極／抵抗変化層／中間層／イオン源層／上部電極」の組成，各膜厚およびイオン源層２１（６１）の抵抗値は以下のとおりである。なお、中間層に記載の数値は比である。また、イオン源層２１（４１）の抵抗率はシート抵抗から測定したものである。
（実験例３−１）ＴｉＮ電極／プラズマ酸化／Ｔｅ（５ｎｍ）／Ｃｕ１３Ｈｆ１３Ｔｅ３３Ａｌ４１ 原子％（４５ｎｍ）／Ｈｆ（５０ｎｍ）；０．７３ｍΩｃｍ
（実験例３−２）ＴｉＮ電極／プラズマ酸化／Ｔｅ（５ｎｍ）／Ｃｕ１３Ｈｆ７Ｗ６Ｔｅ３３Ａｌ４１原子％（４５ｎｍ）／Ｈｆ（５０ｎｍ）
（実験例３−３）ＴｉＮ電極／プラズマ酸化／Ｔｅ（５ｎｍ）／Ｃｕ１４Ｈｆ７．５Ｍｏ２．５Ｔｅ３５Ａｌ４１原子％（４５ｎｍ）／Ｈｆ（５０ｎｍ）；８．５ｍΩｃｍ
（実験例３−４）ＴｉＮ電極／プラズマ酸化／Ｔｅ（５ｎｍ）／Ｃｕ１４Ｈｆ７．５Ｍｏ２．５Ｔｅ３５Ａｌ４１原子％（２０ｎｍ）／Ｈｆ（５０ｎｍ）；８．５ｍΩｃｍ
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月27日(2014.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受信装置に対して同一時刻・同一周波数でデータ信号を送信する送信装置であって、
第１の受信装置宛の復調用参照信号と、前記第１の受信装置とは異なる第２の受信装置宛の復調用参照信号とを、同一時刻・同一周波数で送信する送信部と、
前記復調用参照信号に対して、非線形プレコーディングを施す非線形プレコーディング部と、
前記非線形プレコーディングが施された前記復調用参照信号に対して、更に摂動ベクトルを加算するＤＭＲＳ補正部と、を有し、
前記非線形プレコーディング部は、電力の正規化も含めて前記データ信号と同じ非線形プレコーディングを前記復調用参照信号に対しても施すことを特徴とする送信装置。
【請求項２】
前記ＤＭＲＳ補正部は、
前記復調用参照信号に２次元ユークリッド互除法を適用し、既約ベクトルを算出する２次元ユークリッド互除法部と、
前記２次元ユークリッド互除法部が算出する既約ベクトルと前記復調用参照信号の信号候補点を比較する既約ベクトル確認部と、
前記既約ベクトルが前記復調用参照信号の信号候補点の少なくとも１つと一致するように、前記復調用参照信号の少なくとも１つに対して、更に摂動ベクトルを加算する摂動ベクトル加算部と、を有し、
前記２次元ユークリッド互除法部は、第１の前記復調用参照信号に対して、第２の前記復調用参照信号、第２の前記復調用参照信号の位相を９０度回転させた信号、第２の前記復調用参照信号の位相を１８０度回転させた信号、および第２の前記復調用参照信号の位相を２７０度回転させた信号を加算する差分ベクトル算出部を有することを特徴とする請求項１に記載の送信装置。
【請求項３】
復調用参照信号にあらかじめ決めた所定の幅の整数倍の信号を加算する摂動ベクトル加算部と、
前記信号を加算した復調用参照信号を用いて伝搬路推定する仮伝搬路推定部と、
を有することを特徴とする受信装置。
【請求項４】
複数の異なる前記信号を選択する摂動ベクトル候補選択部と、
前記信号それぞれを用いて前記仮伝搬路推定部で伝搬路推定した伝搬路推定結果に基づいて、１つの前記信号を選択する摂動ベクトル推定部と、
を有することを特徴とする請求項３に記載の受信装置。
【請求項５】
複数の異なる前記信号に対応する前記伝搬路推定結果それぞれに基づいてデータ信号を軟推定して対数尤度比をそれぞれ算出する復調部と、
前記対数尤度比ぞれぞれの分散を算出する摂動ベクトル評価値算出部と、
を有し、
前記摂動ベクトル推定部は、前記分散のうち最も大きいものに対応する前記信号を選択することを特徴とする請求項３に記載の受信装置。
【請求項６】
複数の前記復調用参照信号に対して２次元ユークリッドの互除法を適用し、既約ベクトルを算出する２次元ユークリッドの互除法部を有することを特徴とする請求項３に記載の受信装置。
【請求項７】
前記既約ベクトルを用いて伝搬路の複素利得を算出する複素利得算出部を有する請求項６に記載の受信装置。
【請求項８】
復調用参照信号にあらかじめ決めた所定の幅の整数倍の信号を加算するステップと、
前記信号を加算した復調用参照信号を用いて伝搬路推定するステップと、
を有することを特徴とする受信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月3日(2014.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繰り返し復号の１回の復号処理の間隔よりも短い間隔で復号終了条件を満たすか否かの判定を行い、前記復号終了条件を満たす場合、１回の前記復号処理の途中で処理を終了させる判定部を備える
復号装置。
【請求項２】
前記復号終了条件は、線形ブロック符号のパリティチェック方程式を満たすことである
請求項１に記載の復号装置。
【請求項３】
前記線形ブロック符号はLDPC符号である
請求項２に記載の復号装置。
【請求項４】
ビットノード演算を複数の処理に分割して行うビットノード演算部と、
前記ビットノード演算部により分割して処理が行われる毎に、分割して行われた処理の結果に基づいて部分的なビット判定値を求め、復号を行うビット判定部と
をさらに備え、
前記判定部は、前記ビット判定部により求められた前記ビット判定値に基づいて、前記復号終了条件を満たすか否かの判定を行う
請求項３に記載の復号装置。
【請求項５】
前記判定部による直前の前記復号終了条件を満たすか否かの判定時に求められたシンドロームを保存するシンドローム保存部と、
前回の前記復号処理時に前記ビット判定部により求められた前記ビット判定値を保存するビット判定値保存部と
をさらに備え、
前記判定部は、今回の前記復号処理時に前記ビット判定部により求められた前記ビット判定値と、前記ビット判定値保存部に保存されている前記ビット判定値との差分に基づいて、前記シンドローム保存部に保存されている前記シンドロームを更新し、更新した前記シンドロームに基づいて、前記復号終了条件を満たすか否かの判定を行う
請求項４に記載の復号装置。
【請求項６】
前記判定部は、１回目の前記復号処理を開始する前に前記復号終了条件を満たすか否かの判定を行い、前記復号終了条件を満たす場合、前記繰り返し復号を行わない
請求項１乃至５のいずれかに記載の復号装置。
【請求項７】
チェックノード演算を複数の処理に分割して行うチェックノード演算部をさらに備え、
前記ビット判定部は、前記チェックノード演算部により分割して処理が行われる毎に、分割して行われた処理の結果に基づいて前記ビット判定値を求める
請求項４または５に記載の復号装置。
【請求項８】
繰り返し復号の１回の復号処理の間隔よりも短い間隔で復号終了条件を満たすか否かの判定を行い、
前記復号終了条件を満たす場合、１回の前記復号処理の途中で処理を終了させる
ステップを含む復号方法。
【請求項９】
繰り返し復号の１回の復号処理の間隔よりも短い間隔で復号終了条件を満たすか否かの判定を行い、
前記復号終了条件を満たす場合、１回の前記復号処理の途中で処理を終了させる
ステップを含む処理をコンピュータに実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月8日(2014.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自然エネルギーから自然エネルギー電力を生成する自然エネルギー電源装置からの２次電池への電力の供給を制御する充電制御装置であって、
前記自然エネルギー電源装置からの電圧または電流に基づく出力値と前記２次電池の充電が完了するまでに供給すべき電力に関する値とに基づいて算出される、前記自然エネルギー電力のみにより前記２次電池の充電が完了する予測時刻が、前記２次電池の充電を完了すべき時刻である完了時刻より早い場合には前記自然エネルギー電力のみにより前記２次電池を充電させる充電制御部を具備する充電制御装置。
【請求項２】
前記充電制御部は、前記予測時刻が前記完了時刻以降である場合には前記自然エネルギー電源装置以外の電源装置が生成した電力により前記２次電池を充電させる
請求項１記載の充電制御装置。
【請求項３】
前記充電制御部は、前記予測時刻が前記完了時刻以降である場合には前記自然エネルギー電力をさらに供給して前記２次電池を充電させる
請求項２記載の充電制御装置。
【請求項４】
前記充電制御部は、天候を示す天候予報データに基づき天候ごとに予測される前記出力値と、前記電力に関する値とに基づいて前記予測時刻を算出する
請求項３記載の充電制御装置。
【請求項５】
前記自然エネルギー電力による前記２次電池の充電容量と前記自然エネルギー電力以外の電力による前記２次電池の充電容量とを示す情報を充電データとして生成して出力する充電データ生成部をさらに具備する請求項２から４のいずれかに記載の充電制御装置。
【請求項６】
前記自然エネルギー電源装置以外の電源装置により受電された交流波形から、電力の供給源を識別するための電源識別信号を分離する分離部をさらに具備し、
前記充電データ生成部は、前記分離された電源識別信号に基づいて前記充電データを生成する
請求項５記載の充電制御装置。
【請求項７】
前記充電制御部は、現在時刻から前記完了時刻までの時間である残り時間が所定の時間以上である場合には前記自然エネルギー電力のみにより前記２次電池を充電させる
請求項１から６のいずれかに記載の充電制御装置。
【請求項８】
前記充電制御部は、前記２次電池の残存容量が所定の容量以上である場合には前記自然エネルギー電力のみにより前記２次電池を充電させる
請求項１から７のいずれかに記載の充電制御装置。
【請求項９】
前記充電制御部は、天候を示す天候予報データをさらに設定し、前記設定された天候予報データに基づいて前記出力値を天候ごとに予測し、前記予測された天候ごとの前記出力値および前記電力に関する値に基づいて前記予測時刻を算出する
請求項１から８のいずれかに記載の充電制御装置。
【請求項１０】
自然エネルギーから自然エネルギー電力を生成する自然エネルギー電源装置からの２次電池への電力の供給を制御する充電制御装置であって、前記自然エネルギー電源装置からの電圧または電流に基づく出力値と前記２次電池の充電が完了するまでに供給すべき電力に関する値とに基づいて算出される、前記自然エネルギー電力のみにより前記２次電池の充電が完了する予測時刻が、前記２次電池の充電を完了すべき時刻である完了時刻より早い場合には前記自然エネルギー電力のみにより前記２次電池を充電させる充電制御部と、
前記自然エネルギー電力による前記２次電池の充電容量と前記自然エネルギー電力以外の電力による前記２次電池の充電容量とを示す情報を充電データとして生成して出力する充電データ生成部と、
前記出力された充電データを記憶する充電データ記憶部と、
２次電池と
を具備する充電システム。
【請求項１１】
前記自然エネルギー電源装置以外の電源装置により受電された交流波形から、電力の供給源を識別するための電源識別信号を分離する分離部をさらに具備し、
前記充電データ生成部は、前記分離された電源識別信号に基づいて前記充電データを生成する
請求項１０記載の充電システム。
【請求項１２】
前記充電データに基づいて前記自然エネルギー電力による前記２次電池の充電容量と前記自然エネルギー電力以外の電力による前記２次電池の充電容量とを表示する表示部をさらに具備する請求項１０または１１に記載の充電システム。
【請求項１３】
自然エネルギーから自然エネルギー電力を生成する自然エネルギー電源装置からの電圧または電流に基づく出力値と前記２次電池の充電が完了するまでに供給すべき電力に関する値とに基づいて算出される、前記自然エネルギー電力のみにより前記２次電池の充電が完了する予測時刻が、前記２次電池の充電を完了すべき時刻である完了時刻より早い場合には前記自然エネルギー電力のみにより前記２次電池を充電させる充電制御手順と、
前記自然エネルギー電力による前記２次電池の充電容量と前記自然エネルギー電力以外の電力による前記２次電池の充電容量とを示す情報を充電データとして生成して出力する充電データ生成手順と
を具備する充電方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月13日(2014.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電素子を振動させて回転体を回転させる圧電モーターの制御方法であって、
前記回転体を回転させる回転工程と、
前記圧電素子の振動の周波数を下げ、前記圧電モーターの出力が最大トルクとなる周波数に近づけて前記圧電素子の振動を停止させる停止工程と、を有することを特徴とする圧電モーターの制御方法。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電モーターの制御方法において、
前記停止工程は、前記圧電モーターの出力が最大トルクとなる前記圧電素子の振動の周波数で、前記圧電素子の振動を停止させることを特徴とする圧電モーターの制御方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の圧電モーターの制御方法において、
前記回転工程と前記停止工程との間に、切替判断工程を有し、
前記切替判断工程は、前記回転体が回転する角度を検出し、前記回転体が停止する場所より前記角度だけ手前の場所にて前記回転工程から前記停止工程に切り替える切り替え判断を行うことを特徴とする圧電モーターの制御方法。
【請求項４】
圧電素子を振動させて回転体を回転させる圧電モーターであって、
前記圧電素子が振動する周波数を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記圧電素子の振動の周波数を下げ、前記圧電モーターの出力が最大トルクとなる周波数に近づけて前記圧電素子の振動を停止させることを特徴とする圧電モーター。
【請求項５】
請求項４に記載の圧電モーターにおいて、
前記制御部は、前記圧電モーターの出力が最大トルクとなる前記圧電素子の振動の周波数で、前記圧電素子の振動を停止させることを特徴とする圧電モーター。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月1日(2014.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次電池と、
機器が外部より接続可能な接続部と、を備え、
前記接続部は、少なくとも
信号ライン用の第１及び第２の端子と、
外部より電力が供給され得る第３の端子と、
を備える電子機器であって、
少なくとも前記第１の端子と前記第２の端子が短絡されていない場合は、前記二次電池の電圧が所定の値より低い場合に、前記第３の端子より供給される電力を基に前記二次電池を充電する、
電子機器。
【請求項２】
請求項１に記載の電子機器であって、
前記接続部に機器が接続され、かつ前記第１の端子と前記第２の端子が短絡されていない場合は、前記二次電池の電圧が所定の値より低い場合に、前記第３の端子より供給される電力を基に前記二次電池を充電する、
電子機器。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電子機器であって、
少なくとも前記第１の端子と前記第２の端子が短絡されている場合は、前記第３の端子より供給される電力を基に前記二次電池を充電し、
少なくとも前記第１の端子と前記第２の端子が短絡されていない場合は、前記二次電池の電圧が所定の値より低い場合に、前記第３の端子より供給される電力を基に前記二次電池を充電する、
電子機器。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電子機器であって
少なくとも前記第１の端子と前記第２の端子が短絡されている場合は、前記第３の端子より供給される電力を基に前記二次電池を充電し、
少なくとも前記第１の端子と前記第２の端子が短絡されていない場合で、かつ前記二次電池の電圧が所定の値より高い場合は、前記第３の端子より供給される電力を基に前記二次電池を充電せず、
少なくとも前記第１の端子と前記第２の端子が短絡されていない場合で、かつ前記二次電池の電圧が所定の値より低い場合は、前記第３の端子より供給される電力を基に前記二次電池を充電する、
電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の電子機器は、二次電池と、機器が外部より接続可能な接続部と、を備え、前記接続部は、少なくとも信号ライン用の第１及び第２の端子と、外部より電力が供給され得る第３の端子と、を備える電子機器であって、少なくとも前記第１の端子と前記第２の端子が短絡されていない場合は、前記二次電池の電圧が所定の値より低い場合に、前記第３の端子より供給される電力を基に前記二次電池を充電する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この構成により、第１の端子と第２の端子との間の短絡状態から接続部に接続された機器が、充電専用の機器か否かを判別することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の電子機器は、前記接続部に機器が接続され、かつ前記第１の端子と前記第２の端子が短絡されていない場合は、前記二次電池の電圧が所定の値より低い場合に、前記第３の端子より供給される電力を基に前記二次電池を充電する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の電子機器は、少なくとも前記第１の端子と前記第２の端子が短絡されている場合は、前記第３の端子より供給される電力を基に前記二次電池を充電し、少なくとも前記第１の端子と前記第２の端子が短絡されていない場合は、前記二次電池の電圧が所定の値より低い場合に、前記第３の端子より供給される電力を基に前記二次電池を充電する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の電子機器は、少なくとも前記第１の端子と前記第２の端子が短絡されている場合は、前記第３の端子より供給される電力を基に前記二次電池を充電し、少なくとも前記第１の端子と前記第２の端子が短絡されていない場合で、かつ前記二次電池の電圧が所定の値より高い場合は、前記第３の端子より供給される電力を基に前記二次電池を充電せず、少なくとも前記第１の端子と前記第２の端子が短絡されていない場合で、かつ前記二次電池の電圧が所定の値より低い場合は、前記第３の端子より供給される電力を基に前記二次電池を充電する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月18日(2014.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を搬入してバッチ処理用縦型炉の処理室内へ挿入するように構成される搬入装置に用いられるウエハボート組立体であって、
前記ウエハボート組立体は、
ベース部と、前記ベース部に取り付けられる第１のカバー部分とを有する第１のウエハボート部分と、
複数の半導体基板を垂直方向に離間するように保持する受入れスロットを含む第２のカバー部分を有する第２のウエハボート部分と、を具備し、
前記第２のカバー部分は、半導体基板を前記受入れスロットに搬入する際に介する開口を第１の長手縁部から第２の長手縁部の間に形成する実質的に円弧状の形状を有し、
前記第１及び第２のウエハボート部分は、取外し可能に相互接続され、相互接続状態にある場合には、前記第１及び第２のカバー部分が互いに一致し、前記ウエハボート組立体に搬入された半導体基板の外側周縁部全体を囲むように、全周に渡って前記外側周縁部から距離ｄの位置に延在する、
ことを特徴とする、ウエハボート組立体。
【請求項２】
前記それぞれのカバー部分は開口を備えて、実質的に均一な薄膜形成を可能にする請求項１に記載のウエハボート組立体。
【請求項３】
前記第１及び第２のカバー部分は、使用時において、ウエハボート組立体内において受けられる前記半導体基板の外側周縁部から、４〜６ｍｍの距離に配設される請求項１に記載のウエハボート組立体。
【請求項４】
バッチ処理用に構成される縦型炉内において半導体基板を搬入する搬入装置において、
請求項１に記載の前記ウエハボート組立体と、
前記ウエハボート組立体の組立と分解とを行うボート組立位置と、前記ウエハボート組立体を縦型炉の処理室内へ挿入するボート搬入位置とを有し、前記ボート組立位置と前記ボート搬入位置の間で前記ウエハボート組立体を移送するために回転可能に形成された搬入コンベアと、
を含むことを特徴とする搬入装置。
【請求項５】
前記第１のウエハボート部分はボート組立位置に配設される請求項４に記載の搬入装置。
【請求項６】
前記第２のウエハボート部分は前記第１のウエハボート部分に取外し可能に結合されて、使用時において、前記第２のウエハボート部分を取り外して前記第２のウエハボート部分内に半導体基板を搬入することができるようになっている請求項５に記載の搬入装置。
【請求項７】
前記ボート組立位置に隣接してグリッパアームが設けられて、前記第２のウエハボート部分を前記第１のウエハボート部分に対して変位させる請求項４に記載の搬入装置。
【請求項８】
前記グリッパアームは、前記搬入位置に隣接して設けられるウエハ取扱い装置に対して前記第２のウエハボート部分を接近方向及び離反方向に変位させるように構成される請求項７に記載の搬入装置。
【請求項９】
前記グリッパアームはグリッパベースとグリッパ担持要素とを含み、前記グリッパベースは自身の中心軸の周りにおいて回転可能である請求項７に記載の搬入装置。
【請求項１０】
前記グリッパ担持要素は前記グリッパベースに枢動可能に接続されて、使用時において前記グリッパ担持要素の回転を手段として前記第１のウエハボート部分に対する前記第２のウエハボート部分の配向を調節することができるようになっている請求項９に記載の搬入装置。
【請求項１１】
前記グリッパアームは前記第２のウエハボート部分を前記第２のウエハボート部分の中心軸に対して軸方向に変位させるように構成される請求項７に記載の搬入装置。
【請求項１２】
半導体基板をバッチ処理する縦型炉内に前記半導体基板を搬入する方法において、
ベース部と、前記ベース部に取り付けられる第１のカバー部を有する第１のウエハボート部分と、複数の半導体基板を垂直方向に離間するように保持する受入れスロットを含む第２のカバー部分を有する第２のウエハボート部分とを備え、前記第２のカバー部分は、半導体基板を前記受入れスロットに搬入する際に介する開口を第１の長手縁部から第２の長手縁部の間に形成する実質的に円弧状の形状を有し、前記第１及び第２のウエハボート部分は、取外し可能に相互接続され、相互接続状態にある場合には、前記第１及び第２のカバー部分が互いに一致し、前記ウエハボート組立体に搬入された半導体基板の外側周縁部全体を囲むように、全周に渡って前記外側周縁部から距離ｄの位置に延在する、ことを特徴とするウエハボート組立体と、前記ウエハボート組立体の組立と分解とを行うボート組立位置と、前記ウエハボート組立体を縦型炉の処理室内へ挿入するボート搬入位置とを有し、前記ボート組立位置と前記ボート搬入位置の間で前記ウエハボート組立体を移送するために回転可能に形成された搬入コンベアと、を含むことを特徴とする搬入装置を設ける段階と、
前記第２のウエハボート部分を前記ボート組立位置に隣接するウエハ取扱い装置の方へと変位させて、前記第２のウエハボート部分のウエハ受入れ開口が前記ウエハ取扱い装置に面するようにする段階と、
少なくとも１つの半導体基板を前記第２のウエハボート部分内に搬入して、前記基板が前記第２のカバー部分の受入れスロット内に受けられるようにする段階と、
前記第２のウエハボート部分を前記第１のウエハボート部分の方へと変位させる段階と、
前記第２のウエハボート部分を前記第１のウエハボート部分に取り付ける段階と、
少なくとも１つのウエハを載せた前記ウエハボート組立体を前記縦型炉内に挿入する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記第１のウエハボート部分に対して前記第２のウエハボート部分を実質的に円弧状の軌跡に沿って変位させる段階を含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２のウエハボート部分を自身の中心軸の周りにおいて回転させる段階を含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
基板を載せた前記ウエハボート組立体を前記ボート組立位置から前記搬入位置に移送する段階と、前記ボート組立体を持ち上げて前記ボート搬入位置から前記縦型炉内に送り込む段階とを含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１及び第２のカバー部分に、実質的に均一な薄膜形成を可能にする開口が設けられることを特徴とする、請求項４に記載の搬入装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月10日(2014.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱素子を備える回路基板と、この回路基板が取り付けられる放熱部材からなる制御回路構造において、前記放熱部材の前記回路基板の取付面に、アルマイト処理層を形成し、その上にＳｉ処理層を形成し、このＳｉ処理層の上にＤＬＣ処理層を形成したことを特徴とする制御回路構造。
【請求項２】
前記アルマイト処理層、前記Ｓｉ処理層、前記ＤＬＣ処理層と前記放熱部材に絶縁性のグリースを塗布することを特徴とする請求項１に記載の制御回路構造。
【請求項３】
前記Ｓｉ処理層のシリコン含有率が、前記アルマイト処理層から前記ＤＬＣ処理層に向かって徐々に減少することを特徴とする請求項１に記載の制御回路構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
さらに請求項２に記載の発明は、前記アルマイト処理層、前記Ｓｉ処理層、前記ＤＬＣ処理層と前記放熱部材に絶縁性のグリースを塗布することを要旨としている。  この制御回路構造にすると、絶縁性のグリースにより、ピンホールによる絶縁性の低下を防止できる。また、確実に密着できるため、絶縁性と熱伝導性が両立できる。  さらに請求項３に記載の発明は、前記Ｓｉ処理層のシリコン含有率が、前記アルマイト処理層から前記ＤＬＣ処理層に向かって徐々に減少することを要旨としている。  このようにすると、放熱部材の上に絶縁硬化層、さらに密着補助層を形成し、この密着補助層の上にＤＬＣ処理層を形成していることにより、ＤＬＣ処理層と放熱部材との密着強度を向上させることができ、ＤＬＣ処理層が剥がれることを防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月26日(2014.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エア供給源に接続するとともに、密閉されたケーシングであって、イオン放射側に複数の放電電極を設けるとともに、上記イオン放射側に設けた壁面に、上記放電電極の数よりも多いエア放射用小孔を形成する一方、上記放電電極をエア放射用小孔に対向させた防爆用放電装置。
【請求項２】
上記放電電極の先端から上記壁までの距離を変更可能にする電極位置調整手段を設けたことを特徴とする請求項１に記載の防爆用放電装置。
【請求項３】
上記放電電極に印加する高電圧を制御する電源制御回路を、上記ケーシング内に収容したことを特徴とする請求項１または２に記載の防爆用放電装置。
【請求項４】
上記ケーシング内の圧力を検出する圧力センサを備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載の防爆用放電装置。
【請求項５】
上記ケーシング内のイオン放射側に、上記エア放射用小孔に連続し、このエア放射用小孔の開口より大きな流路断面を有する絶縁材料からなるエア導入路を設け、このエア導入路内に上記放電電極の先端を設けたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１に記載の防爆用放電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第２の発明は、上記放電電極の先端から上記壁までの距離を変更可能にする電極位置調整手段を設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第３の発明は、上記放電電極に印加する高電圧を制御する電源制御回路を、上記ケーシング内に収容したことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2012182054.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月24日(2014.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水溶性エーテル系溶剤、水溶性ケトン系溶剤、及び水溶性アルコール系溶剤から選択される１種以上の有機溶剤、並びに、水を含む溶剤に、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有し、末端にアミノ基を有し、且つイミド化率が０．２以下である樹脂と、有機アミン化合物と、が溶解しているポリイミド前駆体組成物。 
【化１】
2014148600.tif 000001
（一般式（Ｉ）中、Ａは４価の有機基を示し、Ｂは２価の有機基を示す。） 
【請求項２】
前記一般式（Ｉ）中、前記Ａが４価の芳香族系有機基を示し、Ｂが２価の芳香族系有機基を示す請求項１に記載のポリイミド前駆体組成物。 
【請求項３】
前記水を、全溶剤に対して３０質量％以上９９．９質量％以下で含有する請求項１又は２に記載のポリイミド前駆体組成物。 
【請求項４】
前記有機アミン化合物を、前記樹脂中に含まれるカルボキシル基に対して、５０モル％以上５００モル％以下で含有する請求項１〜３のいずれか１項に記載のポリイミド前駆体組成物。 
【請求項５】
前記有機アミン化合物が、２級アミン化合物、及び３級アミン化合物から選択される少なくとも一種である請求項１〜４のいずれか１項に記載のポリイミド前駆体組成物。 
【請求項６】
前記樹脂の数平均分子量が、１０００以上１０００００以下である請求項１〜５のいずれか１項に記載のポリイミド前駆体組成物。 
【請求項７】
水溶性エーテル系溶剤、水溶性ケトン系溶剤、及び水溶性アルコール系溶剤から選択される１種以上の有機溶剤、並びに、水を含む溶剤中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物とを重合して樹脂を生成する工程と、 
前記樹脂を生成した後、前記溶剤に有機アミン化合物を添加する工程と、 
を有し、前記ジアミン化合物のモル当量は、前記テトラカルボン酸二無水物のモル当量より過剰に添加するポリイミド前駆体組成物の製造方法。 
【請求項８】
前記有機アミン化合物を添加する工程が、前記樹脂を生成した後、前記溶剤に水を添加して、前記樹脂と前記溶剤とを分離し、分離後の前記溶剤の一部を除去した後、残部に水及び前記有機アミン化合物を添加する工程である請求項７に記載のポリイミド前駆体組成物の製造方法。 
【請求項９】
前記有機アミン化合物を添加する工程が、前記樹脂を生成した後、前記溶剤の一部を留去した後又は前記溶剤の一部を留去しながら、残部に前記有機アミン化合物を添加する工程である請求項７に記載のポリイミド前駆体組成物の製造方法。 
【請求項１０】
前記有機溶剤の沸点が、１６０℃以下である請求項７〜９のいずれか１項に記載のポリイミド前駆体組成物の製造方法。 
【請求項１１】
前記有機アミン化合物の沸点が、６０℃以上２００℃以下である請求項７〜１０のいずれか１項に記載のポリイミド前駆体組成物の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項１に係る発明は、
水溶性エーテル系溶剤、水溶性ケトン系溶剤、及び水溶性アルコール系溶剤から選択される１種以上の有機溶剤、並びに、水を含む溶剤に、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有し、末端にアミノ基を有し、且つイミド化率が０．２以下である樹脂と、有機アミン化合物と、が溶解しているポリイミド前駆体組成物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項１、２に係る発明によれば、樹脂の全末端にカルボキシル基を有する場合に比べ、機械的強度が高く、製膜性に優れたポリイミド成形体が得られるポリイミド前駆体組成物が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
請求項６に係る発明によれば、樹脂の数平均分子量が上記範囲外である場合に比べ、製膜性に優れたポリイミド前駆体組成物が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月9日(2014.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
【数７】
2014148798.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
【数８】
2014148798.tif 000002
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
ここでは、計算条件において、例えば対象地盤のＮ値２０で相対密度Ｄｒ（％）が８０％の地盤に対して、１５０００ｍｍの打設深度Ｚｖで鋼矢板３を打設した条件で計算されているが、このような地盤条件や打設深度に限定されるものではない。ここで、（７）式のσｖは、受働土圧係数（ν）と対象地盤のＮ値（Ｎ）、相対密度（Ｄｒ）により決まる有効土被り圧（σｖ０）との積以下となる。対象地盤の有効土被り圧（σｖ０）の評価方法に関しては、例えば、港湾の施設の技術上の基準・同解説（社団法人日本港湾協会、平成１９年７月、上巻３２０〜３２１頁）に示されている、Ｄｒ（％）＝２１×〔１００×Ｎ／（σｖ０＋７０）〕０．５なる関係式を適用した場合、（７）式のσｖは、ν×｛（４４１×Ｎ）／Ｄｒ２−０．７｝×１０−４ｋＮ／ｍｍ２以下となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2014148798.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月7日(2014.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量％で、
C ：0.06％以上0.13％以下、        Si：0.5％未満、
Mn：0.5％超1.4％以下、            P ：0.05％以下、
S ：0.005％以下、                 N ：0.01％以下、
Al：0.1％以下、                   Ti：0.05％以上0.25％以下、
V ：0.15％超0.4％以下
を、S、N、TiおよびVが下記(1)式を満足するように含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなる組成を有し、フェライト相の分率が90％超であり、Tiを含有する炭化物が析出し、該炭化物のうちの70％以上が粒径9nm未満である組織を有することを特徴とする、バーリング加工性に優れた高強度熱延鋼板。
記
Ti*＋V≧0.35 … (1)
但し、(1)式において、Ti*＝Ti−N×(48/14)−S×(48/32)であり、S、N、Ti、Vは各元素の含有量（質量％）である。
【請求項２】
Tiのうちの50％以上が、粒径20nm未満の析出物として析出した組織を有することを特徴とする、請求項１に記載のバーリング加工性に優れた高強度熱延鋼板。
【請求項３】
前記組成に加えてさらに、質量％でNb：0.002％以上0.1％以下を含有することを特徴とする、請求項１または２に記載のバーリング加工性に優れた高強度熱延鋼板。
【請求項４】
前記組成に加えてさらに、質量％で、Cu：0.005％以上0.2％以下、Ni：0.005％以上0.2％以下、Cr：0.002％以上0.2％以下、Mo：0.002％以上0.2％以下、Sn：0.005％以上0.2％以下のうちの少なくとも１種以上を含有することを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載のバーリング加工性に優れた高強度熱延鋼板。
【請求項５】
前記組成に加えてさらに、質量％でB ：0.0002％以上0.003％以下を含有することを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１項に記載のバーリング加工性に優れた高強度熱延鋼板。
【請求項６】
前記組成に加えてさらに、質量％でCa：0.0002％以上0.005％以下、REM：0.0002％以上0.03％以下のうちの少なくとも１種以上を含有することを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか１項に記載のバーリング加工性に優れた高強度熱延鋼板。
【請求項７】
請求項１、３ないし６のいずれか１項に記載の組成を有する鋼素材を、1100℃以上に加熱し、仕上圧延温度が(Ar3＋25℃)以上であり且つ仕上圧延最終２スタンドの合計圧下率が60％以下である熱間圧延を施した後、平均冷却速度40℃/s以上で冷却し、巻取り温度520℃以上680℃以下で巻き取り、フェライト相の分率が90％超であり、Tiを含有する炭化物が析出し、該炭化物のうちの70％以上が粒径９nm未満である組織、あるいはさらにTiのうちの50％以上が、粒径20nm未満の析出物として析出した組織を有する熱延鋼板とすることを特徴とする、バーリング加工性に優れた高強度熱延鋼板の製造方法。
【請求項８】
請求項１、３ないし６のいずれか１項に記載の組成を有する鋼素材を、1100℃以上に加熱し、仕上圧延温度が(Ar3＋25℃)以上であり且つ仕上圧延最終２スタンドの合計圧下率が60％以下である熱間圧延を施した後、平均冷却速度40℃/s以上で冷却し、巻取り温度500℃以上640℃以下で巻き取り、酸洗後、均熱温度を760℃以下とする焼鈍処理を施し、溶融亜鉛めっき浴に浸漬するめっき処理を施し、フェライト相の分率が90％超であり、Tiを含有する炭化物が析出し、該炭化物のうちの70％以上が粒径９nm未満である組織、あるいはさらにTiのうちの50％以上が、粒径20nm未満の析出物として析出した組織を有する熱延鋼板とすることを特徴とする、バーリング加工性に優れた高強度熱延鋼板の製造方法。
【請求項９】
前記めっき処理を施した後、合金化処理を施すことを特徴とする、請求項８に記載のバーリング加工性に優れた高強度熱延鋼板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
［７］  前記［１］、［３］ないし［６］のいずれかに記載の組成を有する鋼素材を、1100℃以上に加熱し、仕上圧延温度が(Ar3＋25℃)以上であり且つ仕上圧延最終２スタンドの合計圧下率が60％以下である熱間圧延を施した後、平均冷却速度40℃/s以上で冷却し、巻取り温度520℃以上680℃以下で巻き取り、フェライト相の分率が90％超であり、Tiを含有する炭化物が析出し、該炭化物のうちの70％以上が粒径９nm未満である組織、あるいはさらにTiのうちの50％以上が、粒径20nm未満の析出物として析出した組織を有する熱延鋼板とすることを特徴とする、バーリング加工性に優れた高強度熱延鋼板の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
［８］  前記［１］、［３］ないし［６］のいずれかに記載の組成を有する鋼素材を、1100℃以上に加熱し、仕上圧延温度が(Ar3＋25℃)以上であり且つ仕上圧延最終２スタンドの合計圧下率が60％以下である熱間圧延を施した後、平均冷却速度40℃/s以上で冷却し、巻取り温度500℃以上640℃以下で巻き取り、酸洗後、均熱温度を760℃以下とする焼鈍処理を施し、溶融亜鉛めっき浴に浸漬するめっき処理を施し、フェライト相の分率が90％超であり、Tiを含有する炭化物が析出し、該炭化物のうちの70％以上が粒径９nm未満である組織、あるいはさらにTiのうちの50％以上が、粒径20nm未満の析出物として析出した組織を有する熱延鋼板とすることを特徴とする、バーリング加工性に優れた高強度熱延鋼板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月1日(2014.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１種以上のジエンを溶液で重合して溶液ゴムを得る工程と、
カルボキシ基もしくはヒドロキシ基の官能基またはそれらの塩を次に前記溶液ゴム中へフリーラジカル開始剤の存在下で導入してゴムを調製する工程と、
溶媒を、真空又は非真空で、５０〜２００℃の温度の熱水および／または水蒸気を使用して除去する工程と、
次にフィラーを、ゴムの１００重量部を基準として、１０〜５００重量部添加し、且つ、プロセスオイルを添加するか、またはしない工程を含むゴム混合物の製造方法であって、
使用される溶液ゴムの重量をそれぞれ基準として、前記ゴムが０．０２〜３重量％の結合した官能基もしくはそれらの塩を有し、１，２−結合ジエンの含有率（ビニル含有率）が６０〜９５重量％であり、前記ゴムがスチレン−ブタジエンコポリマーを含まず、
前記カルボキシ基の導入が、式：
ＨＳ−Ｒ１−ＣＯＯＸまたは（ＨＳ−Ｒ１−ＣＯＯ）２Ｘ
（式中、
Ｒ１は、それぞれが、３個以下のさらなるカルボキシ基を置換基として有することができるか、または窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子によって中断されることができる、線状、分岐もしくは環状のＣ１〜Ｃ３６アルキレン基もしくはＣ１〜Ｃ３６アルケニレン基であるか、またはアリール基であり、
Ｘは、水素または金属イオン、または、置換基としてＣ１〜Ｃ３６アルキル基、Ｃ１〜Ｃ３６アルケニル基、シクロアルキル基もしくはアリール基を有することができるアンモニウムイオンである）
のカルボキシメルカプタンを用いて行われ、
前記ヒドロキシ基の導入が、式：
ＨＳ−Ｒ２−ＯＨ
（式中、Ｒ２は、それぞれが、３個以下のさらなるヒドロキシ基を置換基として有することができるか、または窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子によって中断されることができるか、またはアリール置換基を有することができる、線状、分岐もしくは環状のＣ１〜Ｃ３６アルキレン基もしくはＣ１〜Ｃ３６アルケニレン基であるか、またはアリール基である）
のヒドロキシメルカプタンを用いて行われ、
前記塩の導入が、前記ゴムに導入された前記官能基の中和により行われる、方法。
【請求項２】
前記ジエンが１，３−ブタジエンであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記フィラーが、異なるフィラーの混合物であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月10日(2014.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水、ポリオールＢ−サイド処方物、及びハロゲン化オレフィンである１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンを含む組成物であり、
前記組成物は、安定剤を含まない該組成物。
【請求項２】
前記ポリオールＢ−サイド処方物が、少なくとも１種のポリオールを含む請求項１に記載のハロゲン化オレフィン組成物。
【請求項３】
前記１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンが、７０％を超えるトランス−１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンである請求項１に記載のハロゲン化オレフィン組成物。
【請求項４】
前記１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンが、トランス−１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンからなる請求項１に記載のハロゲン化オレフィン組成物。
【請求項５】
ハイドロフルオロカーボン、ハイドロクロロフルオロカーボン、ハイドロフルオロオレフィン、ハイドロフルオロクロロカーボン、ハイドロカーボン、ハイドロフルオロエーテル、フルオロケトン、クロロフルオロカーボン、トランス−１，２−ジクロロエチレン、二酸化炭素、アンモニアおよびこれらの混合物からなる群から選択される成分をさらに含む請求項１に記載のハロゲン化オレフィン組成物。
【請求項６】
前記ハイドロフルオロカーボンが、ジフルオロメタン（ＨＦＣ−３２）、１−フルオロエタン（ＨＦＣ−１６１）、１，１−ジフルオロエタン（ＨＦＣ−１５２ａ）、１，２−ジフルオロエタン（ＨＦＣ−１５２）、１，１，１−トリフルオロエタン（ＨＦＣ−１４３ａ）、１，１，２−トリフルオロエタン（ＨＦＣ−１４３）、１，１，１，２−テトラフルオロエタン（ＨＦＣ−１３４ａ）、１，１，２，２−テトラフルオロエタン（ＨＦＣ−１３４）、１，１，１，２，２−ペンタフルオロエタン（ＨＦＣ−１２５）、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｆａ）、１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｃａ）、１，１，１，２，３−ペンタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２４５ｅｂ）、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＣ−２３６ｆａ）、１，１，１，２，３，３，３−ヘプタフルオロプロパン（ＨＦＣ−２２７ｅａ）、１，１，１，３，３−ペンタフルオロブタン（ＨＦＣ−３６５ｍｆｃ）、１，１，１，２，３，４，４，５，５，５−デカフルオロプロパン（ＨＦＣ−４３１０）およびこれらの混合物からなる群から選択される請求項５に記載のハロゲン化オレフィン組成物。
【請求項７】
前記ハイドロクロロフルオロカーボンが、クロロジフルオロメタン（ＨＣＦＣ−２２）、１，１−ジクロロ−２，２，２−トリフルオロエタン（ＨＣＦＣ−１２３）、１−クロロ−２，２，２−トリフルオロエタン（ＨＣＦＣ−１２４）、１，１−ジクロロ−１−フルオロエタン（ＨＣＦＣ−１４１ｂ）、１−クロロ−１，１−ジフルオロエタン（ＨＣＦＣ−１４２ｂ）およびこれらの混合物からなる群から選択される請求項５に記載のハロゲン化オレフィン組成物。
【請求項８】
前記クロロフルオロカーボンが、トリクロロフルオロメタン（Ｒ−１１）、ジクロロジフルオロメタン（Ｒ−１２）、１，１，２−トリフルオロ−１，２，２−トリフルオロエタン（Ｒ−１１３）、１，２−ジクロロ−１，１，２，２−テトラフルオロエタン（Ｒ−１１４）、クロロ−ペンタフルオロエタン（Ｒ−１１５）およびこれらの混合物からなる群から選択される請求項５に記載のハロゲン化オレフィン組成物。
【請求項９】
前記ハイドロカーボンが、プロパン、ブタン、イソブタン、ｎ−ペンタン、イソ−ペンタン、ネオ−ペンタン、シクロペンタンおよびこれらの混合物からなる群から選択される請求項５に記載のハロゲン化オレフィン組成物。
【請求項１０】
前記ハイドロフルオロオレフィンが、３，３，３−トリフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｚｆ）、Ｅ−１，３，３，３−テトラフルオロプロペン、２，３，３，３−テトラフルオロプロペン（ＨＦＯ−１２３４ｙｆ）、Ｅ−１，２，３，３，−ペンタフルオロプロペン（Ｅ−ＨＦＯ−１２５５ｙｅ）、Ｚ−１，２，３，３，３−ペンタフルオロプロペン（Ｚ−ＨＦＯ−１２５ｙｅ）、Ｅ−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロブタ−２−エン（Ｅ−ＨＦＯ−１３３６ｍｚｚ）、Ｚ−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロブタ−２−エン（Ｚ−ＨＦＯ−１３３６ｍｚｚ）、１，１，１，４，４，５，５，５−オクタフルオロペント−２−エン（ＨＦＯ−１４３８ｍｚｚ）およびこれらの混合物からなる群から選択される請求項５に記載のハロゲン化オレフィン組成物。
【請求項１１】
前記ハイドロフルオロエーテルが、１，１，１，２，２，３，３−ヘプタフルオロ−３−メトキシ−プロパン、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロ−４−メトキシ−ブタンおよびこれらの混合物である請求項５に記載のハロゲン化オレフィン組成物。
【請求項１２】
前記フルオロケトンが、１，１，１，２，２，４，５，５，５−ノナフルオロ−４（トリフルオロメチル）−３−ペンタノンである請求項５に記載のハロゲン化オレフィン組成物。
【請求項１３】
冷媒組成物であって：
１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンと；
鉱油、アルキルベンゼン油、及びポリオールエステル油からなる群から選択される潤滑剤とを
含む組成物であり、
前記組成物は、１４０℃で４８時間、鋼、ステンレス鋼、アルミニウム、鉄、銅およびこれらの混合物からなる群から選択される金属に曝した後、９９％超の前記１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンを維持する該組成物。