【手続補正書】
【提出日】平成26年10月3日(2014.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の液晶層と、を有し、
前記第１の基板は、画素を有し、
前記画素は、
遮光膜と、
前記遮光膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上のチャネル形成領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の電極と、
前記第２の絶縁膜上の信号線と、
前記信号線及び前記電極上の有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜に設けられたコンタクトホールと、
前記有機樹脂膜上の画素電極と、を有し、
前記電極は、前記半導体膜と電気的に接続され、
前記信号線は、前記半導体膜と電気的に接続され、
前記画素電極は、前記コンタクトホールを介して前記電極と電気的に接続され、
前記遮光膜と、前記ゲート電極と、前記信号線と、前記電極とは、それぞれＡｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒのいずれかを有する導電膜であり、
前記遮光膜は、前記チャネル形成領域と重なる領域と、前記ゲート電極と重なる領域と、前記信号線と重なる領域と、前記電極と重なる領域と、前記コンタクトホールと重なる領域と、前記画素電極と重なる領域と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の液晶層と、を有し、
前記第１の基板は、画素を有し、
前記画素は、
遮光膜と、
前記遮光膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上のチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の電極と、
前記第２の絶縁膜上の信号線と、
前記信号線及び前記電極上の有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜に設けられたコンタクトホールと、
前記有機樹脂膜上の画素電極と、を有し、
前記ソース領域又は前記ドレイン領域の一方は、前記遮光膜と重ならない第１の領域を有し、
前記電極は、前記第１の領域の少なくとも一部と接し、
前記信号線は、前記ソース領域又は前記ドレイン領域の他方と電気的に接続され、
前記画素電極は、前記コンタクトホールを介して前記電極と電気的に接続され、
前記チャネル形成領域の幅は、前記第１の領域の最も広い幅より狭く、
前記遮光膜と、前記ゲート電極と、前記信号線と、前記電極とは、それぞれＡｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒのいずれかを有する導電膜であり、
前記遮光膜は、前記チャネル形成領域と重なる領域と、前記ゲート電極と重なる領域と、前記信号線と重なる領域と、前記電極と重なる領域と、前記コンタクトホールと重なる領域と、前記画素電極と重なる領域と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の液晶層と、を有し、
前記第１の基板は、画素を有し、
前記画素は、
遮光膜と、
前記遮光膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上のチャネル形成領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の電極と、
前記第２の絶縁膜上の信号線と、
前記信号線及び前記電極上の有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜に設けられたコンタクトホールと、
前記有機樹脂膜上の導電膜と、
前記導電膜上の第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の画素電極と、を有し、
前記電極は、前記半導体膜と電気的に接続され、
前記信号線は、前記半導体膜と電気的に接続され、
前記画素電極は、前記コンタクトホールを介して前記電極と電気的に接続され、
少なくとも前記画素電極と、前記第３の絶縁膜と、前記導電膜と、で形成される容量を有し、
前記遮光膜と、前記ゲート電極と、前記信号線と、前記電極とは、それぞれＡｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒのいずれかを有する導電膜であり、
前記遮光膜は、前記チャネル形成領域と重なる領域と、前記ゲート電極と重なる領域と、前記信号線と重なる領域と、前記電極と重なる領域と、前記コンタクトホールと重なる領域と、前記導電膜と重なる領域と、前記画素電極と重なる領域と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の液晶層と、を有し、
前記第１の基板は、画素を有し、
前記画素は、
遮光膜と、
前記遮光膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上のチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の電極と、
前記第２の絶縁膜上の信号線と、
前記信号線及び前記電極上の有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜に設けられたコンタクトホールと、
前記有機樹脂膜上の導電膜と、
前記導電膜上の第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の画素電極と、を有し、
前記ソース領域又は前記ドレイン領域の一方は、前記遮光膜と重ならない第１の領域を有し、
前記電極は、前記第１の領域の少なくとも一部と接し、
前記信号線は、前記ソース領域又は前記ドレイン領域の他方と電気的に接続され、
前記画素電極は、前記コンタクトホールを介して前記電極と電気的に接続され、
前記チャネル形成領域の幅は、前記第１の領域の最も広い幅より狭く、
少なくとも前記画素電極と、前記第３の絶縁膜と、前記導電膜と、で形成される容量を有し、
前記遮光膜と、前記ゲート電極と、前記信号線と、前記電極とは、それぞれＡｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒのいずれかを有する導電膜であり、
前記遮光膜は、前記チャネル形成領域と重なる領域と、前記ゲート電極と重なる領域と、前記信号線と重なる領域と、前記電極と重なる領域と、前記コンタクトホールと重なる領域と、前記導電膜と重なる領域と、前記画素電極と重なる領域と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の液晶層と、を有し、
前記第１の基板は、画素を有し、
前記画素は、
遮光膜と、
前記遮光膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上のチャネル形成領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の電極と、
前記第２の絶縁膜上の信号線と、
前記信号線及び前記電極上の有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜に設けられたコンタクトホールと、
前記有機樹脂膜上の画素電極と、を有し、
前記電極は、前記半導体膜と電気的に接続され、
前記信号線は、前記半導体膜と電気的に接続され、
前記画素電極は、前記コンタクトホールを介して前記電極と電気的に接続され、
前記遮光膜と、前記ゲート電極と、前記信号線と、前記電極とは、それぞれＡｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒのいずれかを有する導電膜であり、
前記遮光膜は、前記半導体膜と重なる第１の領域を有し、
前記第１の領域は、前記ゲート電極と重なる領域と、前記信号線と重なる領域と、前記電極と重なる領域と、前記コンタクトホールと重なる領域と、前記画素電極と重なる領域と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の液晶層と、を有し、
前記第１の基板は、画素を有し、
前記画素は、
遮光膜と、
前記遮光膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上のチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の電極と、
前記第２の絶縁膜上の信号線と、
前記信号線及び前記電極上の有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜に設けられたコンタクトホールと、
前記有機樹脂膜上の画素電極と、を有し、
前記ソース領域又は前記ドレイン領域の一方は、前記遮光膜と重ならない第１の領域を有し、
前記電極は、前記第１の領域の少なくとも一部と接し、
前記信号線は、前記ソース領域又は前記ドレイン領域の他方と電気的に接続され、
前記画素電極は、前記コンタクトホールを介して前記電極と電気的に接続され、
前記チャネル形成領域の幅は、前記第１の領域の最も広い幅より狭く、
前記遮光膜と、前記ゲート電極と、前記信号線と、前記電極とは、それぞれＡｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒのいずれかを有する導電膜であり、
前記遮光膜は、前記半導体膜と重なる第２の領域を有し、
前記第２の領域は、前記ゲート電極と重なる領域と、前記信号線と重なる領域と、前記電極と重なる領域と、前記コンタクトホールと重なる領域と、前記画素電極と重なる領域と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の液晶層と、を有し、
前記第１の基板は、画素を有し、
前記画素は、
遮光膜と、
前記遮光膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上のチャネル形成領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の電極と、
前記第２の絶縁膜上の信号線と、
前記信号線及び前記電極上の有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜に設けられたコンタクトホールと、
前記有機樹脂膜上の導電膜と、
前記導電膜上の第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の画素電極と、を有し、
前記電極は、前記半導体膜と電気的に接続され、
前記信号線は、前記半導体膜と電気的に接続され、
前記画素電極は、前記コンタクトホールを介して前記電極と電気的に接続され、
少なくとも前記画素電極と、前記第３の絶縁膜と、前記導電膜と、で形成される容量を有し、
前記遮光膜と、前記ゲート電極と、前記信号線と、前記電極とは、それぞれＡｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒのいずれかを有する導電膜であり、
前記遮光膜は、前記半導体膜と重なる第１の領域を有し、
前記第１の領域は、前記ゲート電極と重なる領域と、前記信号線と重なる領域と、前記電極と重なる領域と、前記コンタクトホールと重なる領域と、前記導電膜と重なる領域と、前記画素電極と重なる領域と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の液晶層と、を有し、
前記第１の基板は、画素を有し、
前記画素は、
遮光膜と、
前記遮光膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上のチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の電極と、
前記第２の絶縁膜上の信号線と、
前記信号線及び前記電極上の有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜に設けられたコンタクトホールと、
前記有機樹脂膜上の導電膜と、
前記導電膜上の第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の画素電極と、を有し、
前記ソース領域又は前記ドレイン領域の一方は、前記遮光膜と重ならない第１の領域を有し、
前記電極は、前記第１の領域の少なくとも一部と接し、
前記信号線は、前記ソース領域又は前記ドレイン領域の他方と電気的に接続され、
前記画素電極は、前記コンタクトホールを介して前記電極と電気的に接続され、
前記チャネル形成領域の幅は、前記第１の領域の最も広い幅より狭く、
少なくとも前記画素電極と、前記第３の絶縁膜と、前記導電膜と、で形成される容量を有し、
前記遮光膜と、前記ゲート電極と、前記信号線と、前記電極とは、それぞれＡｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒのいずれかを有する導電膜であり、
前記遮光膜は、前記半導体膜と重なる第２の領域を有し、
前記第２の領域は、前記ゲート電極と重なる領域と、前記信号線と重なる領域と、前記電極と重なる領域と、前記コンタクトホールと重なる領域と、前記導電膜と重なる領域と、前記画素電極と重なる領域と、を有することを特徴とする液晶表示装置。