【手続補正書】
【提出日】平成26年8月26日(2014.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記第２絶縁層は、前記第６部分の上に設けられた部分を含む請求項１または２に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第２絶縁層２２は、第１絶縁層２１の上に設けられる。第２絶縁層２２は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ及びＺｒの少なくともいずれかと、酸素と、を含む。すなわち、第２絶縁層２２は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ及びＺｒの少なくともいずれかと、酸素と、を含む第２化合物を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
この例では、配線５０が設けられる。この例では、配線５０は、第１配線５１と、第２配線５２と、第３配線５３と、を含む。第１配線５１、第２配線５２及び第３配線５３のそれぞれは、Ｚ軸方向に沿って延びる。第１配線５１は、基板１５０の層間絶縁層１５０ｉをＺ軸方向に沿って貫通する。第１配線５１の一端は、例えば、機能素子１５５に電気的に接続される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
第３絶縁層２３は、半導体層３０のうちの、第４部分ｐ４（第１導電層４１と接する部分）、及び、第５部分ｐ５（第２導電層４２と接する部分）を除く部分を覆う。例えば、第３絶縁層２３は、半導体層３０の第６部分ｐ６の上面３０ａを覆う。  
図３に例示したように、第３絶縁層２３は、半導体層３０の側面３０ｓも覆う。側面３０ｓは、Ｘ−Ｙ平面に対して交差する面である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
一方、薄膜トランジスタ１１０のゲート絶縁膜として、金属酸化物（例えば、Ａｌ２Ｏ３など）の層を用いると、半導体層３０を加工する際の十分な選択比が得られ、金属酸化物の層にダメージを実質的に与えることなく、半導体層３０の加工ができる。しかしながら、金属酸化物は、下地絶縁層１６０に形成される第１ゲート電極１１に対するブロック性が低い。このため、例えば、第１ゲート電極１１に含まれる金属元素など（例えばＣｕなど）が、金属酸化物の層を介して、半導体層３０中に移動し易い。これにより、半導体層３０における特性が劣化する場合がある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
この例では、第１ゲート電極１１は、第１ゲート電極１１用の第１層１１ａと、第１ゲート電極１１用の第２層１１ｂと、を含む。第２層１１ｂは、第１層１１ａと積層される。第２層１１ｂは、第１層１１ａと下地絶縁層１６０との間に配置される。第１層１１ａは、アルミニウム、銅、タングステン、タンタル、モリブデン及びチタンの少なくともいずれかの金属を含む。第２層１１ｂには、第１層１１ａとは異なる材料が用いられる。第２層１１ｂは、タンタル、窒化タンタル及び窒化チタンの少なくともいずれかを含む。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
この例では、第１導電層４１は、第１導電層４１用の第１層４１ａと、第１導電層４１用の第２層４１ｂと、を含む。第２層４１ｂは、第１層４１ａと積層される。第２層４１ｂは、第１層４１ａと第３絶縁層２３との間に配置される。第１層４１ａは、アルミニウム、銅、タングステン、タンタル、モリブデン及びチタンの少なくともいずれかの金属を含む。第２層４１ｂには、第１層４１ａとは異なる材料が用いられる。第２層４１ｂは、タンタル、窒化タンタル及び窒化チタンの少なくともいずれかを含む。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
この例では、第２導電層４２は、第２導電層４２用の第１層４２ａと、第２導電層４２用の第２層４２ｂと、を含む。第２層４２ｂは、第１層４２ａと積層される。第２層４２ｂは、第１層４２ａと第３絶縁層２３との間に配置される。第１層４２ａは、アルミニウム、銅、タングステン、タンタル、モリブデン及びチタンの少なくともいずれかの金属を含む。第２層４２ｂには、第１層４２ａとは異なる材料が用いられる。第２層４２ｂは、タンタル、窒化タンタル及び窒化チタンの少なくともいずれかを含む。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
この例では、第２ゲート電極１２は、第２ゲート電極１２用の第１層１２ａと、第２ゲート電極１２用の第２層１２ｂと、を含む。第２層１２ｂは、第１層１２ａと積層される。第２層１２ｂは、第１層１２ａと第３絶縁層２３との間に配置される。第１層１２ａは、アルミニウム、銅、タングステン、タンタル、モリブデン及びチタンの少なくともいずれかの金属を含む。第２層１２ｂには、第１層１２ａとは異なる材料が用いられる。第２層１２ｂは、タンタル、窒化タンタル及び窒化チタンの少なくともいずれかを含む。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
この例において、第３絶縁層２３の材料をゲート絶縁層１６の材料と同じにしても良い。この場合には、第３絶縁層２３とゲート絶縁層１６とが連続的であり、境界が観測されない。この材料の絶縁層のうちで、半導体層３０と第１ゲート電極１１との間に位置する部分が、ゲート絶縁層１６となる。それ例外の部分が、第３絶縁層２３となる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
半導体層３０の上及び第２絶縁層２２の上に、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ及びＺｒの少なくともいずれかと、酸素と、を含む第３絶縁層２３を形成する（ステップＳ１６０）。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
上記の第１孔４１ｈ及び第２孔４２ｈの形成（ステップＳ１７０）は、第３絶縁層２３の上面から、半導体層３０から離間する第３孔４３ｈを形成することを含んでも良い。第３孔４３ｈは、第１孔４１ｈと第２孔４２ｈとの間に形成される。そして、導電材料の埋め込み（ステップＳ１８０）は、第３孔４３ｈに導電材料を埋め込むことを含むことができる。これにより、第２ゲート電極１２が形成できる。  
本実施形態に係る製造方法によれば、高集積度で実用的な半導体装置の製造方法が提供できる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
図１２（ｃ）に表したように、第３絶縁層２３の上面から、半導体層３０に到達する第１孔４１ｈと、半導体層３０に到達し第１孔４１ｈから離間する第２孔４２ｈと、第１孔４１ｈと第２孔４２ｈとの間において半導体層３０から離間する第３孔４３ｈと、を形成する（ステップＳ１７１）。第１孔４１ｈ、第２孔４２ｈ及び第３孔４３ｈの形成には、例えば、ドライエッチングが用いられる。この場合も、ドライエッチングにおいては、例えば、四フッ化メタン、トリフルオロメタン及び酸素の少なくともいずれかを含むガスが用いられる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
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