(57)【要約】  使用および製作のための低プロファイルパッケージおよび関連技法が提供される。一例では、低プロファイルパッケージが提供される。低プロファイルパッケージは、能動面を有する例示的集積回路（ＩＣ）と、面を有する集積受動デバイス（ＩＰＤ）と、ＩＰＤとＩＣとの間に配設された再分配層（ＲＤＬ）とを含む。ＩＣは基板内に埋め込まれる。ＩＣの能動面は、ｆａｃｅ−ｔｏ−ｆａｃｅ（Ｆ２Ｆ）構成としてＩＰＤの面に面する。ＩＰＤの少なくとも１つの接点は、ＩＣに対して重複構成として配置される。ＲＤＬは、ＩＰＤをＩＣと電気的に結合するように構成される。ＲＤＬは、ＩＰＤとＩＣとの間に配設されてもよく、基板内に埋め込まれてもよく、電磁遮蔽として構成され得る。
2018528620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
能動面を有する集積回路であって、基板内に埋め込まれる集積回路と、
面を有する集積受動デバイス（ＩＰＤ）であって、前記集積回路の前記能動面が前記ＩＰＤの前記面に面し、前記ＩＰＤの少なくとも１つの接点が、前記集積回路に対して重複構成として配置される、ＩＰＤと、
前記ＩＰＤと前記集積回路との間に配設された再分配層（ＲＤＬ）であって、前記ＩＰＤと前記集積回路とを電気的に結合するように構成されるＲＤＬとを備える装置。
【請求項２】
前記ＩＰＤが、コンデンサ、インダクタ、変圧器、コイル、またはそれらの組合せのうちの少なくとも１つを含む請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記基板内に埋め込まれた第２の集積回路と、
前記集積回路と前記第２の集積回路との間に配設されたインターポーザであって、前記ＲＤＬの第１の部分および前記ＲＤＬの第２の部分に電気的に結合され、前記ＲＤＬの前記第１の部分上の前記集積回路および前記ＩＰＤと、前記ＲＤＬの前記第２の部分上の前記第２の回路との間で信号を結合するように構成されるインターポーザと
をさらに備える請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記インターポーザが前記基板内に埋め込まれ、前記基板の外部に取り付けられる請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記基板と前記ＩＰＤとの間に配置された電磁遮蔽をさらに備える請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記ＲＤＬの少なくとも一部が前記電磁遮蔽として構成される請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記集積回路が、前記基板上に形成されたランドグリッドアレイに結合される請求項１に記載の装置。
【請求項８】
音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、基地局、および自動車両内のデバイスからなり、前記デバイスをさらに含むグループから選択されたデバイス内に組み込まれる請求項１に記載の装置。
【請求項９】
パッケージを製作する方法であって、
基板の部分として再分配層（ＲＤＬ）を形成するステップと、
前記基板上に集積受動デバイス（ＩＰＤ）を取り付け、前記ＩＰＤを前記ＲＤＬの第１の面に電気的に結合するステップと、
前記基板内に集積回路を前記ＩＰＤと向かい合う向きに埋め込み、前記受動デバイスを前記ＲＤＬの第２の面に電気的に結合して、前記ＩＰＤを前記集積回路に電気的に結合するステップであって、前記ＩＰＤの少なくとも１つの接点が、前記集積回路に対して重複構成として配置される、ステップと
を含む方法。
【請求項１０】
前記ＲＤＬの少なくとも一部が電磁遮蔽として構成される請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＩＰＤが、コンデンサ、インダクタ、変圧器、コイル、またはそれらの組合せのうちの少なくとも１つを含む請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板内に第２の集積回路を埋め込むステップと、
前記集積回路と前記第２の集積回路との間に配設されたインターポーザを埋め込み、前記インターポーザを前記ＲＤＬの第１の部分および前記ＲＤＬの第２の部分に電気的に結合するステップであって、前記インターポーザが、前記ＲＤＬの前記第１の部分上の前記集積回路および前記ＩＰＤと、前記ＲＤＬの前記第２の部分上の前記第２の回路との間で信号を結合するように構成される、ステップと
をさらに含む請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板内に第２の集積回路を埋め込むステップと、
前記集積回路と前記第２の集積回路との間に配設された前記基板上にインターポーザを取り付け、前記インターポーザを前記ＲＤＬの第１の部分および前記ＲＤＬの第２の部分に電気的に結合するステップであって、前記インターポーザが、前記ＲＤＬの第１の部分上の前記集積回路および前記ＩＰＤと、前記ＲＤＬの第２の部分上の前記第２の回路との間で信号を結合するように構成される、ステップと
をさらに含む請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板上にランドグリッドアレイ（ＬＧＡ）を形成するステップと、
前記ＬＧＡを前記集積回路に結合するステップと
をさらに含む請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、基地局、および自動車両内のデバイスからなり、前記デバイスをさらに含むグループから選択されたデバイス内に前記パッケージを組み込むステップをさらに含む請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
能動面を有する集積回路であって、基板内に埋め込まれる集積回路と、
面を有する集積受動デバイス（ＩＰＤ）であって、前記集積回路の前記能動面が前記ＩＰＤの前記面に面し、前記ＩＰＤの少なくとも１つの接点が、前記集積回路に対して重複構成として配置される、ＩＰＤと、
前記ＩＰＤを前記集積回路に電気的に結合するための手段であって、前記ＩＰＤと前記集積回路との間に配設される手段と
を備える装置。
【請求項１７】
前記ＩＰＤが、コンデンサ、インダクタ、変圧器、コイル、またはそれらの組合せのうちの少なくとも１つを含む請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記基板内に埋め込まれた第２の集積回路と、
前記集積回路と前記第２の集積回路との間に配設されたインターポーザであって、電気的に結合するための前記手段の第１の部分と、電気的に結合するための前記手段の第２の部分とに電気的に結合され、電気的に結合するための前記手段の前記第１の部分上の前記集積回路および前記ＩＰＤと、電気的に結合するための前記手段の前記第２の部分上の前記第２の回路との間で信号を結合するように構成されるインターポーザと
をさらに備える請求項１６に記載の装置。
【請求項１９】
前記インターポーザが前記基板内に埋め込まれ、または前記基板の外部に取り付けられる請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記基板と前記ＩＰＤとの間に配置された電磁遮蔽をさらに備える請求項１６に記載の装置。
【請求項２１】
電気的に結合するための前記手段の少なくとも一部が前記電磁遮蔽として構成される請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記集積回路をランドグリッドアレイに電気的に結合するための手段をさらに備え、前記ランドグリッドアレイが前記基板上に形成される請求項１６に記載の装置。
【請求項２３】
音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、基地局、および自動車両内のデバイスからなり、前記デバイスをさらに含むグループから選択されたデバイス内に組み込まれる請求項１６に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は一般にはエレクトロニクスに関し、より詳細には、限定はしないが、受動デバイスを備える低プロファイルパッケージに関する方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来型デバイスと比較して、サイズが小型であり、使用する電力が少なく、生成する熱が少なく、高速であり、集積回路層の数が削減され、製作するのが安価であり、高い製作歩留まりを有し、材料表が削減される回路に対する、絶え間ない市場の需要がある。これらの常に存在する市場の要求によって手を付けられていないままにされている、無線周波数回路を含む回路素子はほとんどない。
【０００３】
携帯電話（たとえば、スマートフォン、スマートウォッチなど）、コンピュータ（たとえば、タブレットコンピュータ、ラップトップコンピュータなど）、ナビゲーションデバイス（たとえば、ＧＰＳ受信機、ＧＬＯＮＡＳＳ受信機など）などの現代のコンシューマデバイスはワイヤレスに通信し、したがって無線周波数（ＲＦ）回路を含む。デバイス内の無線周波数回路は多くの場合、受動構成要素から構成される。受動構成要素は、コンデンサ、インダクタ、変圧器、コイル、および抵抗器を含み得る。受動構成要素サイズや集積回路製作プロセスの制限などの制約のために、いくつかの受動構成要素は、ＲＦ回路とともにダイ上に（たとえば、集積回路上に）集積することができない。したがって、ＲＦ回路を製作するとき、受動構成要素は、ダイの外部の、ダイからかなりの距離のところに物理的に配置され、ダイに電気的に結合される。従来の技法は、プリント回路板（ＰＣＢ）上にダイを含む集積回路パッケージを取り付けること、ＰＣＢ上に受動構成要素を取り付けること、および金属トレースを用いてダイを受動構成要素に電気的に結合することを含む。
【０００４】
ダイからかなりの距離に配置された受動構成要素とともにＲＦ回路を製作することは、問題を引き起こし得る。１つの問題は漏話であり、ＲＦ信号漏れが、ダイを受動構成要素に結合する導体から、ＲＦ回路内の他の導体に、およびそれを越えて意図せずに注入される。したがって、高絶縁ＲＦ遮蔽を実現し、ＲＦ仕様劣化を最小限に抑え（すなわち、低減し）、非常に絶縁されたグランド層の必要を実現することが業界で求められている。ダイからかなりの距離に配置された受動構成要素とともにＲＦ回路を製作することはまた、ＲＦ回路パッケージサイズを大きく増大させ、ＲＦ回路の材料表上の品目数を増大させる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
多くの従来型回路技法は機能的であるが、市場の圧力は、従来型技法の改善を求めている。したがって、提供される改良型の方法および改良型の装置を含む、従来型の方法および装置を改善する方法および装置が、以前から対処されておらず、長く業界から求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この概要は、本教示のいくつかの態様の基本的理解を与える。この概要は、細部にわたって網羅的ではなく、すべての不可欠な特徴を特定するためのものでも、特許請求の範囲を限定するためのものでもない。
【０００７】
受動デバイスを備える低プロファイルパッケージに関する例示的方法および装置が提供される。
【０００８】
一例では、装置が提供される。装置は、能動面を有する集積回路を含む。集積回路は基板内に埋め込まれる。装置はまた、面を有する集積受動デバイス（ＩＰＤ）をも含む。集積回路の能動面はＩＰＤの面に面する。ＩＰＤの少なくとも１つの接点が、集積回路に対して重複構成として配置される。装置はまた、ＩＰＤと集積回路との間に配設された再分配層（ＲＤＬ）をも有する。ＲＤＬは、ＩＰＤと集積回路とを電気的に結合するように構成される。ＩＰＤは、コンデンサ、インダクタ、変圧器、コイル、またはそれらの組合せを含み得る。装置は、基板内に埋め込まれた第２の集積回路と、集積回路と第２の集積回路との間に配設されたインターポーザとを含み得る。インターポーザは、ＲＤＬの第１の部分と、ＲＤＬの第２の部分とに電気的に結合される。インターポーザは、ＲＤＬの第１の部分上の集積回路およびＩＰＤと、ＲＤＬの第２の部分上の第２の回路との間で信号を結合するように構成される。インターポーザは基板内に埋め込まれ、または基板の外部に取り付けられ得る。装置は、基板とＩＰＤとの間に配置された電磁遮蔽を含み得る。再分配層の少なくとも一部が電磁遮蔽として構成され得る。集積回路は、基板上に形成されたランドグリッドアレイに結合され得る。装置は、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、基地局、および自動車両内のデバイスからなり、デバイスをさらに含むグループから選択されたデバイス内に組み込まれ得る。
【０００９】
別の例では、パッケージを製作するための方法が提供される。方法は、基板の部分としてＲＤＬを形成すること、基板上にＩＰＤを取り付け、ＩＰＤをＲＤＬの第１の面に電気的に結合すること、基板内に集積回路をＩＰＤと向かい合う向きに埋め込み、ＩＰＤをＲＤＬの第２の面に電気的に結合して、ＩＰＤを集積回路に電気的に結合することを含み得る。ＩＰＤの少なくとも１つの接点が、集積回路に対して重複構成として配置される。前記ＲＤＬの少なくとも一部が、電磁遮蔽として構成され得る。ＩＰＤは、コンデンサ、インダクタ、変圧器、コイル、またはそれらの組合せのうちの少なくとも１つを含み得る。方法は、基板内に第２の集積回路を埋め込むこと、集積回路と第２の集積回路との間に配設されたインターポーザを埋め込み、インターポーザをＲＤＬの第１の部分およびＲＤＬの第２の部分に電気的に結合することを含み得る。インターポーザは、ＲＤＬの第１の部分上の集積回路およびＩＰＤと、ＲＤＬの第２の部分上の第２の回路との間で信号を結合するように構成される。方法はまた、基板内に第２の集積回路を埋め込むこと、集積回路と第２の集積回路との間に配設された基板上にインターポーザを埋め込み、インターポーザをＲＤＬの第１の部分およびＲＤＬの第２の部分に電気的に結合することをも含み得る。インターポーザは、ＲＤＬの第１の部分上の集積回路およびＩＰＤと、ＲＤＬの第２の部分上の第２の回路との間で信号を結合するように構成される。方法はまた、基板上にランドグリッドアレイ（ＬＧＡ）を形成すること、およびＬＧＡを集積回路に結合することをも含み得る。方法はまた、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、基地局、および自動車両内のデバイスからなり、デバイスをさらに含むグループから選択されたデバイス内にパッケージを組み込むことをも含み得る。
【００１０】
別の例では、別の装置が提供される。装置は、能動面を有する集積回路を含む。集積回路は基板内に埋め込まれる。装置はまた、能動面を有する受動デバイスをも含み得る。集積回路の能動面は、受動デバイスの能動面に面する。装置はまた、受動デバイスを集積回路に電気的に結合するための手段をも含む。受動デバイスは、コンデンサ、インダクタ、変圧器、コイル、またはそれらの組合せを含み得る。インターポーザが基板内に埋め込まれ得る。装置はまた、基板と受動デバイスとの間に配置された電磁遮蔽をも含み得る。再分配層の少なくとも一部は、電磁遮蔽として構成され得る。装置はまた、集積回路をランドグリッドアレイに電気的に結合するための手段をも含み得る。ランドグリッドアレイは基板上に形成される。基板は再分配層を含み得る。装置は、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、基地局、および自動車両内のデバイスからなり、デバイスをさらに含むグループから選択されたデバイス内に組み込まれ得る。
【００１１】
上記は、詳細な説明および図面がより良く理解され得るように、本教示の特徴および技術的利点のいくつかを大まかに略述するものである。追加の特徴および利点も、詳細な説明において説明される。概念および開示される例は、本教示の同じ目的を実施するための他のデバイスを修正または設計するための基礎として使用され得る。そのような等価な構成は、特許請求の範囲に記載の教示の技術から逸脱しない。教示の特徴を示す本発明の特徴は、別の目的および利点とともに、詳細な説明および添付の図からより良く理解される。図の各々は、例示および説明のために与えられるものにすぎず、本教示を限定しない。
【００１２】
添付の図面は、本教示の例を説明するために提示され、限定的なものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】集積受動デバイスを備える例示的低プロファイルパッケージを示す図である。
【図２】集積受動デバイスを備える別の例示的低プロファイルパッケージを示す図である。
【図３Ａ】例示的無線周波数絶縁テスト結果を示す図である。
【図３Ｂ】例示的無線周波数絶縁テスト結果を示す図である。
【図３Ｃ】例示的無線周波数絶縁テスト結果を示す図である。
【図３Ｄ】例示的無線周波数絶縁テスト結果を示す図である。
【図３Ｅ】例示的無線周波数絶縁テスト結果を示す図である。
【図４】集積受動デバイスを備える低プロファイルパッケージを製作するための例示的方法を示す図である。
【図５Ａ】集積受動デバイスを備える低プロファイルパッケージを製作するための別の例示的方法を示す図である。
【図５Ｂ】集積受動デバイスを備える低プロファイルパッケージを製作するための別の例示的方法を示す図である。
【図５Ｃ】集積受動デバイスを備える低プロファイルパッケージを製作するための別の例示的方法を示す図である。
【図６】集積受動デバイスを備える低プロファイルパッケージを含み得る様々な電子デバイスを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
一般的な慣習に従って、図面で示される特徴は、原寸に比例しないことがある。したがって、示される特徴の寸法は、明解のために任意に拡大または縮小され得る。一般的な慣習に従って、図面のうちのいくつかは、明解のために簡略化される。したがって、図面は、特定の装置または方法のすべての構成要素を示さないことがある。さらに、本明細書および図の全体にわたって、同様の参照番号は同様の特徴を表す。
【００１５】
一般にはエレクトロニクスに関し、より詳細には、限定はしないが、集積受動デバイスを備える低プロファイルパッケージに関する方法および装置が提供される。与えられる例には、集積受動デバイスおよび埋込みインターポーザまたはフリップチップ（ＦＣ）インターポーザ構成を有する低プロファイル無線周波数（ＲＦ）集積回路（ＩＣ）が含まれる。
【００１６】
ｆａｃｅ−ｔｏ−ｆａｃｅ（Ｆ２Ｆ）は、複数の集積回路チップ間の高密度（したがって高帯域幅）結合を有し得る、積み重ねた形で複数の集積回路チップ（たとえば、ダイ）を組み合わせるための３次元（３Ｄ）技法である。スタッキングは多層デバイスを形成する。高密度結合は、積み重ねたチップの各々の垂直バイアを整合すること、再分配層を介して、積み重ねたチップを電気的に結合すること、金属ワイヤを介して積み重ねたチップを電気的に結合すること、電気的相互接続を対合すること、またはそれらの組合せによるものであり得る。各例では、電気的相互接続は、ピラー、銅ピラー、はんだボール、はんだパッド、ワイヤボンド、パッド、接点など、またはそれらの組合せであり得る。これらの電気的相互接続は、構成要素をＦ２Ｆ構成として電気的に結合することを可能にする。
【００１７】
有利なことに、本明細書で開示される例示的装置および例示的方法は、長きにわたる業界のニーズ、ならびに他の以前には特定されなかったニーズに対処し、従来型方法および従来型装置の欠点を軽減する。たとえば、利点の中でもとりわけ、従来型技法と比較したとき、有利なことに、本明細書で開示される技法は、電力消費を低減し、材料表（ＢＯＭ）の削減を実現し、低い製作コストを実現し、高絶縁ＲＦ遮蔽を実現し、ＲＦ仕様劣化を低減し、パッケージサイズを低減し、非常に絶縁されたグランド層の必要を軽減し、熱生成を低減し、それらの組合せを実現し得る。
【００１８】
本出願の本文および図面において例が開示される。本開示の範囲から逸脱することなく、代替例が考案され得る。さらに、この教示の態様を不明瞭にすることを避けるために、この教示の従来型要素は、詳細には説明されないことがあり、または省略されることがある。
【００１９】
本明細書で用いられる空間的記述（たとえば、「頂部」、「中間」、「底部」、「左」、「中央」、「右」、「上方」、「下方」、「垂直」、「水平」など）は、例示のためにすぎず、限定的な記述子ではない。本明細書で説明される構造の実際の実装は、空間的に、本明細書で説明される機能を提供する任意の向きに配置され得る。さらに、集積回路素子間の空間的関係について説明するために本明細書で「隣接する」という用語を使用する際に、隣接する集積回路素子は、直接的に物理的に接触している必要はなく、他の集積回路素子が、隣接する集積回路素子間に配置され得る。
【００２０】
本明細書では、「例示的」という用語は、「一例、事例、または例示としての働きをすること」を意味する。「例示的」と説明されるどんな例も、必ずしも他の例よりも好ましい、または有利なものと解釈されるべきではない。同様に、「例」という用語は、すべての例が、論じられる特徴、利点、または動作の方法を含むことを必要とするわけではない。本明細書での「一例では」、「一例」、「一特徴では」、および／または「一特徴」という用語の使用は、必ずしも同一の特徴および／または例を指すわけではない。さらに、特定の特徴および／または構造が、１つまたは複数の他の特徴および／または構造と組み合わされ得る。さらに、本明細書で説明される装置の少なくとも一部は、本明細書で説明される方法の少なくとも一部を実施するように構成され得る。
【００２１】
「接続される」、「結合される」という用語、およびそれらの任意の変形は、直接的または間接的な、要素間の任意の接続または結合を意味し、中間要素を介して互いに「接続」または「結合」される２つの要素間の中間要素の存在を包含し得ることに留意されたい。要素間の結合および接続は、物理的、論理的、またはそれらの組合せであり得る。要素は、たとえば１つまたは複数のワイヤ、ケーブル、プリントされた電気的接続、電磁エネルギーなどを使用することによって、互いに「接続」または「結合」され得る。電磁エネルギーは、実施可能なものとして、無線周波数、マイクロ波周波数、可視光周波数、不可視光周波数などの波長を有し得る。これらは、いくつかの非限定的で非網羅的な例である。
【００２２】
「信号」という用語は、データ信号、オーディオ信号、ビデオ信号、マルチメディア信号、アナログ信号、デジタル信号などの任意の信号を含み得る。本明細書で説明される情報および信号は、様々な異なる技術および技法のいずれかを使用して表され得る。たとえば、本明細書で参照されるデータ、命令、プロセスステップ、プロセスブロック、コマンド、情報、信号、ビット、シンボルなどは、特定の応用例に少なくとも部分的に応じて、所望の設計に少なくとも部分的に応じて、対応する技術に少なくとも部分的に応じて、かつ／または同様の要素に少なくとも部分的に応じて、電圧、電流、電磁波、磁場、磁気粒子、光場、光粒子、および／またはそれらの任意の実用的な組合せによって表され得る。
【００２３】
「第１」、「第２」などの指定を用いる参照は、それらの要素の量または順序を限定しない。むしろ、これらの指定は、２つ以上の要素または要素の例を区別する好都合な方法として用いられる。したがって、第１または第２の要素への参照は、ただ２つの要素が利用され得ること、または第１の要素が必ず第２の要素に先行しなければならないことを意味しない。さらに、別段に記載されていない限り、要素のセットは１つまたは複数の要素を含み得る。さらに、説明または特許請求の範囲内で用いられる「Ａ、Ｂ、またはＣのうちの少なくとも１つ」または「Ａ、Ｂ、またはＣのうちの１つまたは複数」または「Ａ、Ｂ、およびＣからなるグループの少なくとも１つ」という形の用語は、「ＡまたはＢまたはＣあるいはこれらの要素の任意の組合せ」と解釈され得る。たとえば、この用語は、Ａ、またはＢ、またはＣ、または（ＡおよびＢ）、または（ＡおよびＣ）、または（ＢおよびＣ）、または（ＡおよびＢおよびＣ）、または２Ａ、または２Ｂ、または２Ｃなどを含み得る。
【００２４】
本明細書で用いられる用語は、特定の例を説明するためのものにすぎず、限定を意図するものではない。本明細書では、文脈が別段に明確に規定しない限り、単数形「ａ」、「ａｎ」、および「ｔｈｅ」は複数形も含む。言い換えれば、実施可能である場合、単数は複数を示す。さらに、「備える」および「含む」という用語は、特徴、完全体、ステップ、ブロック、動作、要素、構成要素などの存在を指定するが、別の特徴、完全体、ステップ、ブロック、動作、要素、構成要素など存在または追加を必ずしも除外しない。
【００２５】
少なくとも１つの例では、図１〜図２に与えられる装置は、限定はしないが、モバイルデバイス、ナビゲーションデバイス（たとえば、全地球測位システム受信機）、ワイヤレスデバイス、カメラ、オーディオプレーヤ、カムコーダ、コンピュータ、およびゲームコンソールのうちの少なくとも１つなどの電子デバイスの一部であり、かつ／またはそれに結合され得る。「モバイルデバイス」という用語は、携帯電話、モバイル通信デバイス、ページャ、携帯情報端末、個人情報マネージャ、携帯情報端末、モバイルハンドヘルドコンピュータ、ポータブルコンピュータ、タブレットコンピュータ、ワイヤレスデバイス、ワイヤレスモデム、通常は個人によって持ち運ばれ、通信機能（たとえば、ワイヤレス、セルラー、赤外線、近距離無線など）を有する他のタイプのポータブル電子デバイスなど、またはそれらの組合せについて説明し得るが、それに限定されない。さらに、「ユーザ機器」（ＵＥ）、「移動端末」、「ユーザデバイス」、「モバイルデバイス」、および「ワイヤレスデバイス」という用語は相互交換可能であり得る。
【００２６】
図１は、集積受動デバイス１０２を有する例示的ＩＣパッケージ１００を示す。ＩＣパッケージ１００は基板１０４を含み、基板１０４はコアを含むことができ、またはコアレス基板であり得る。基板１０４は、誘電体材料１１０によって分離された第１の金属層１０６および第２の金属層１０８を含み得る。第１の金属層１０６および第２の金属層１０８は、異なる入力／出力ピッチを有するＩＣデバイスとの間で信号（たとえば、信号、電力、グランド）を再分配するように機能し得る。一例では、基板１０４はただ２つの金属層を有する。しかしながら、基板は３つ以上の金属層を有し得る。第１の金属層１０６および第２の金属層１０８は、再分配層（ＲＤＬ）（すなわち、電気的に結合するための手段）として機能し得る。第１の金属層１０６および第２の金属層１０８の少なくとも一方は、少なくとも部分的に無線周波数（ＲＦ）遮蔽（すなわち、遮蔽するための手段）としても機能し得る。図１に示される厚さは例示的なものであり、限定的なものではない。
【００２７】
基板１０４内の金属層の数を削減することは、ＩＣパッケージ１００の全高を削減するので有利である。ただ２つの金属層を有することは、「ｚ」高さ（すなわち、ＩＣパッケージ１００のパッケージ厚さ）を削減し、ＩＣパッケージ１００の機能的ＲＦ応用を可能にする。
【００２８】
第１の集積回路（ＩＣ）１１２（たとえば、メモリダイ、ＲＦダイ、プロセッサなど、またはそれらの組合せ）が基板１０４内に埋め込まれ得る。第１のＩＣ１１２は能動面１１４を有する。第１のＩＣ１１２の能動面１１４は、電気的相互接続１１６（すなわち、ピラー、銅ピラー、はんだボール、はんだパッド、ワイヤボンド、パッド、接点など、またはそれらの組合せなどの、電気的に結合するための手段）を用いて第２の金属層１０８に結合される。
【００２９】
受動デバイス１０２が第１のＩＣ１１２および基板１０４の外部にあるために、第１のＩＣ１１２がより小型となり得るので、ＩＣパッケージ１００はより小型のサイズを有する。ＩＣパッケージ１００の構成は、第１のＩＣ１１２および基板１０４の外部の場所に受動デバイス１０２を配置することを可能にする。したがって、第１のＩＣ１１２は、受動デバイス１０２を第１のＩＣ１１２および／または基板１０４内に一体化する必要がなく、そのことは、金属層、キープアウトゾーン、およびＲＦ遮蔽のための要件を低減する。非限定的な例では、金属層の削減は、基板１０４が従来型基板の場合の約２９８ｕｍではなく、約１５０ｕｍの（たとえば、「ｚ」方向の）厚さを有することを可能にする。
【００３０】
一例では、集積受動デバイス１０２はコイル１１８を含み得る。コイル１１８は集積受動デバイスルーティング領域１２０内に埋め込まれ得る。一例では、集積受動デバイスルーティング領域１２０は、機械的ウェハまたはガラスウェハから形成され得る。集積受動デバイス１０２は、電気的相互接続１２２（すなわち、ピラー、銅ピラー、はんだボール、はんだパッド、ワイヤボンド、パッド、接点など、またはそれらの組合せなどの、電気的に結合するための手段）を用いて第１の金属層１０６に電気的に結合され得る。あるいは、集積受動デバイス１０２は、第１の金属層１０６にワイヤボンディングされ得る（図示せず）。ＩＣパッケージ１００はまた、表面取付けデバイス（ＳＭＤ）１２４をも含み得る。集積受動デバイス１０２またはＳＭＤ１２４の少なくとも一方は、コンデンサ、インダクタ、変圧器、コイルなど、またはそれらの組合せを含み得る。ＳＭＤ１２４は電気的相互接続１２６（すなわち、ピラー、銅ピラー、はんだボール、はんだパッド、ワイヤボンド、パッド、接点など、またはそれらの組合せなどの、電気的に結合するための手段）を有し、電気的相互接続１２６はＳＭＤ１２４を第１の金属層１０６に結合する。
【００３１】
集積受動デバイス１０２またはＳＭＤ１２４の少なくとも一方は、低コストフリップチップ内に一体化され得る。一例では、集積受動デバイス１０２またはＳＭＤ１２４の少なくとも一方は、少なくとも部分的に第１のＩＣ１１２の上に配置され得る。たとえば、図１に示されるように、集積受動デバイス１０２は、基板１０４の表面１２８の上に、第１のＩＣ１１２の能動面１１４との間でＦ２Ｆの向きに配置され得、その中で集積受動デバイス１０２と第１のＩＣ１１２とが少なくとも部分的に重複する。第１のＩＣ１１２と集積受動デバイス１０２との重複は、集積受動デバイス１０２の電気的相互接続１２２を第１のＩＣ１１２の上に配置することを可能にする。一例では、重複は少なくとも５つの電気的相互接続を含む。別の例では、ＳＭＤ１２４は、基板１０４の表面１２８の上に、第１のＩＣ１１２との間でＦ２Ｆの向きに配置され得、その中でＳＭＤ１２４と第１のＩＣ１１２とが重複する。一例では、第１のＩＣ１１２とＳＭＤ１２４との重複は、少なくとも１つの電気的相互接続についてのものである。
【００３２】
有利なことに、ＩＣパッケージ１００の固有の幾何形状および構成はＲＦ絶縁を実現し、同時にＩＣパッケージ１００の「ｚ」高さを削減する。（たとえば、図示されるようにはんだボールとして構成された）電気的相互接続１２２は、基板１０４と第１のＩＣ１１２との間の追加の分離（たとえば、図３Ａでの高さ「ｄ」）を与え、集積受動デバイス１０２と第１のＩＣ１１２との間のＲＦ絶縁の改善を実現する。したがって、ＩＣパッケージ１００は、ＲＦ絶縁を実現するために、その他の方法でより厚くする必要はない。ＩＣパッケージ１００の固有の幾何形状および構成はまた、構成要素間の間隔の考慮すべき点（たとえば、Ｌ／Ｓ基板設計規則）を緩和し得る。
【００３３】
有利なことに、ＩＣパッケージ１００は製作コストも削減し得る。ＩＣパッケージ１００では、電磁構成要素が、集積回路チップから集積受動デバイス１０２内に移動される。集積受動デバイス１０２を集積回路チップの外部にあるデバイスとして製作することは、集積回路チップの内部に集積受動デバイス１０２を一体化することよりもコストが低い。したがって、集積受動デバイス１０２を別々のデバイスとして製作することは、集積受動デバイス１０２を第１のＩＣ１１２内に一体化することよりもコストが低いので、ＩＣパッケージ１００は全製作コストが低い。
【００３４】
さらに、ＩＣパッケージ１００の構成および幾何形状は、集積受動デバイス１０２と第１のＩＣ１１２との間の長いトレースを使用することを回避するので、ＩＣパッケージ１００のサイズはより小型である。長いトレースの代わりに、ＩＣパッケージ１００内のＦ２Ｆ構成は、上記で論じたように、集積受動デバイス１０２を第１のＩＣ１１２に少なくとも部分的に重複して配置することによって、より短い接続を使用する。さらに、有利なことに、第１のＩＣ１１２の外部の集積受動デバイス１０２を備えるＩＣパッケージ１００を構成することは、ＩＣパッケージ１００がプリント回路板（ＰＣＢ）上に取り付けられるとき、ＰＣＢ導体との間の漏話によるＲＦ仕様劣化および電磁効果を低減する。
【００３５】
集積受動デバイス１０２は（従来型デバイスと比較したとき）より厚い金属導体を有することができ、そのことは、集積受動デバイス１０２の電気的性能を改善する。より厚い金属導体とともに集積受動デバイス１０２を製作できることは、集積受動デバイス１０２内の受動デバイス（たとえば、インダクタ、コイル１１８など）の品質因子を改善し得る。一例では、集積受動デバイス１０２がインダクタであるとき、集積受動デバイス１０２のコイル（たとえば、コイル１１８）が、ガラス基板（または機械的基板）を使用するとき、ダイ（８〜９ｕｍの厚さ）に対してより厚くなり得る（最大で３７ｕｍの厚さ）。たとえば、集積受動デバイス１０２のコイルの金属が厚いほど、実現するコイルの抵抗が低くなり、そのことはインダクタの品質因子を改善する。高品質受動デバイス（たとえば、チョークインダクタ）を使用することも電力消費を削減するので有利であり得る。さらに、有利なことに、ＩＣパッケージ１００の固有の幾何形状および構成は、コイルが高ノードシリコンプロセスを必要としないので、集積受動デバイス１０２についての低コスト製作プロセスを使用することを可能にする。低コスト製作プロセスは、ガラスウェハまたは機械的ウェハ上に集積受動デバイス１０２を製作することを含み得る。さらに、集積受動デバイス１０２を備えるＩＣパッケージ１００を製作することは、集積受動デバイス１０２がコストの高いダイ（たとえば、１６ｎｍノードダイ）内に埋め込まれるのではなく、低コストダイ内に埋め込まれ得るので、コストが低い。
【００３６】
第１の金属層１０６または第２の金属層１０８の少なくとも一方は、ＲＦ絶縁を改善するために、少なくとも部分的に電磁遮蔽として構成され、いくつかの例では、最大でほぼ−７０ｄＢの電磁絶縁を実現し得る。たとえば、第１の金属層１０６はグランド遮蔽パターン（たとえば、遮蔽するための手段）とともに構成され、グランド遮蔽パターンは、第１のＩＣ１１２と、集積受動デバイス１０２およびＳＭＤ１２４の少なくとも一方との間のクロスハッチ（たとえば、図３、参照番号３１５を参照）または任意の適切なパターン内にあり得る。グランド遮蔽パターンは、集積受動デバイス１０２の磁場および／またはＳＭＤ１２４の磁場を第１のＩＣ１１２から減結合するためのＲＦ遮蔽として働く。
【００３７】
第１の金属層１０６または第２の金属層１０８の少なくとも一方を少なくとも部分的に電磁遮蔽として構成することは、金属層が再分配層と電磁遮蔽の両方として働くことができ、したがってＩＣパッケージ１００を製作するのに必要な材料の量を削減するので、材料表を削減する。金属層の２重の使用はまた、ＩＣパッケージ１００が追加の専用ＲＦ遮蔽層を必要としないので、ＩＣパッケージ１００のサイズを低減する。
【００３８】
ＩＣパッケージ１００はまた、第２のＩＣ１３０（たとえば、メモリダイ、ＲＦダイ、プロセッサ）をも含み得る。第２のＩＣ１３０は、第１のＩＣ１１２と分割ダイ配置として構成され得る。第２のＩＣ１３０は基板１０４内に埋め込まれ、能動面１３２を有する。第２のＩＣ１３０は、ＲＤＬ（たとえば、第１の金属層１０６および／または第２の金属層１０８）を介して、やはり基板１０４内に埋め込まれるインターポーザ１３４（すなわち、ルーティングデバイスなどの、電気的に結合するための手段）に電気的に結合され得る。インターポーザ１３４は、第１のＩＣ１１２と第２のＩＣ１３０との間を電気的に結合するために使用され得る。したがって、インターポーザ１３４は分割ダイ構成を実装することを可能にする。したがって、両方のＩＣの組み合わせた特徴を有する単一のＩＣを使用する代わりに、第１のＩＣ１１２および第２のＩＣ１３０が使用され得る。独立のＩＣが使用されるので、インターポーザ１３４は、分割ダイ構成においてしばしば使用される（たとえば、第１および／または第２の金属層内の）ＲＤＬ内のルーティング方式および追加のはんだ相互接続（たとえば、はんだバンプ、はんだパッド、はんだボールなど）の複雑さも低減し得る。一例では、インターポーザ１３４は、第１のＩＣ１１２と第２のＩＣ１３０との間に配設され得る。インターポーザは、第１のＩＣ１１２についてのルーティングに一般に関連するＲＤＬの第１の部分と、第２のＩＣ１１２についてのルーティングに一般に関連するＲＤＬの第２の部分とに電気的に結合され得る。上記で論じたように、インターポーザ１３４は、ＲＤＬの第１の部分上の第１のＩＣ１１２およびＩＰＤ１０２および他の構成要素と、ＲＤＬの第２の部分上の第２のＩＣ１３０との間で信号を結合するように構成され得る。インターポーザ１３４および分割ダイ構成は、ルーティング方式の複雑さを低減し、有利なことに、そのことは、ブレークアウト問題、およびファインピッチ接続での高い絶縁のためのグランド層使用も削減し得る。
【００３９】
分割ダイ配置は、それぞれのプロセスを使用してそれぞれ製作される様々な集積回路および他の構成要素とともにＩＣパッケージ１００を製作することを可能にするので、分割ダイ構成を実装することは製作コストを削減し得る。非限定的な例では、第１のＩＣ１１２は、より高コストのプロセス（たとえば、１８０ｎｍシリコンオンインシュレータプロセス）を使用して製作されてもよく、一方、第２のＩＣ１３０および／または第２のＩＣ１３０は、より低コストのプロセス（たとえば、ＣＭＯＳプロセス）を使用して製作され得る。分割ダイ構成を実装することはまた、第１のＩＣ１１２および第２のＩＣ１３０の少なくとも一方を、ＩＣパッケージ１００がその上に取り付けられるＰＣＢに熱的に結合することによって、より良好な熱性能を可能にする。熱結合は、第１のＩＣ１１２、第２のＩＣ１３０、またはその両方からの熱を放散する。
【００４０】
集積受動デバイス１０２は、モールディング、アンダーフィルなど、またはそれらの組合せなどの封入材１３８を使用して、ＩＣパッケージ１００内の定位置に機械的に固定され得る。
【００４１】
さらに、ＩＣパッケージ１００は、電気的相互接続１４０（すなわち、ピラー、銅ピラー、はんだボール、はんだパッド、ワイヤボンド、パッド、接点、ランドグリッドアレイなど、またはそれらの組合せなどの、電気的に結合するための手段）を含むことができ、電気的相互接続１４０は、第１の金属層１０６および／または第２の金属層１０８を介して、第１のＩＣ１１２、第２のＩＣ１３０、集積受動デバイス１０２、ＳＭＤ１２４など、またはそれらの組合せに電気的に結合されてよく、第１の金属層１０６および／または第２の金属層１０８は再分配層として機能し得る。電気的相互接続１４０は、ＩＣパッケージ１００をＰＣＢに結合するために使用され得る。
【００４２】
追加の任意選択の構成要素が示されている。たとえば、第２のＩＣ１３０とＦ２Ｆ構成として配置され得る集積受動デバイス１５０が示されている。任意選択で、ＩＣパッケージ１００の所与の設計に基づいて回路機能をサポートするために、表面取付けデバイス１６０および１７０（たとえば、受動デバイス、ＳＭＤ、ＩＣなど、およびそれらの組合せ）も設けられ得る。
【００４３】
図２は、集積受動デバイス２０２およびインターポーザ２３０を有する例示的ＩＣパッケージ２００を示す。図２に示される構成では、図１に示される埋込みインターポーザの代わりに、インターポーザ２３０が基板２０４の外部に取り付けられる。集積受動デバイス２０２は、コンデンサ、インダクタ、変圧器、コイルなど、またはそれらの組合せを含み得る。ＩＣパッケージ２００は基板２０４を含み、基板２０４はコアを含むことができ、またはコアレス基板であり得る。基板２０４は、誘電体材料２１０によって分離された第１の金属層２０６および第２の金属層２０８を含み得る。第１の金属層２０６および第２の金属層２０８は、異なる入力／出力ピッチを有するＩＣデバイスとの間で信号（たとえば、信号、電力、グランド）を再分配するように機能し得る。一例では、基板２０４はただ２つの金属層を有する。第１の金属層２０６および第２の金属層２０８の少なくとも一方は、再分配層（ＲＤＬ）として機能し得る。第１の金属層２０６および第２の金属層２０８の少なくとも一方は、無線周波数（ＲＦ）遮蔽（すなわち、遮蔽するための手段）として機能し得る。図２に示される厚さは例示的なものであり、限定的なものではない。
【００４４】
基板２０４内の金属層の数を削減することは、ＩＣパッケージ２００の全高を削減するので有利である。ただ２つの金属層を有することは、「ｚ」高さ（すなわち、ＩＣパッケージ２００のパッケージ厚さ）を削減し、図１に関連して上記で論じたように、ＩＣパッケージ２００の機能的ＲＦ応用を可能にする。
【００４５】
第１の集積回路（ＩＣ）２１２（たとえば、メモリダイ、ＲＦダイ、プロセッサ）が基板２０４内に埋め込まれ得る。第１のＩＣ２１２は能動面２１４を有する。ＩＣ２１２の能動面２１４は、電気的相互接続２１６（たとえば、ピラー、銅ピラー、はんだボール、はんだパッド、ワイヤボンド、パッド、接点など、またはそれらの組合せなどを含む、電気的に結合するための手段）を用いて第２の金属層２０８に結合される。
【００４６】
集積受動デバイス２０２が第１のＩＣ２１２の外部にあるために、第１のＩＣ２１２がより小型となり得るので、ＩＣパッケージ２００はより小型のサイズを有する。ＩＣパッケージ２００の構成は、第１のＩＣ２１２の外部の場所に集積受動デバイス２０２を配置することを可能にする。したがって、第１のＩＣ２１２は、集積受動デバイス２０２を第１のＩＣ２１２内に一体化する必要がない。非限定的な例では、金属層の削減は、基板２０４が従来型基板の場合の約２９８ｕｍではなく、約１５０ｕｍの（たとえば、「ｚ」方向の）厚さを有することを可能にする。
【００４７】
一例では、集積受動デバイス２０２はコイル２１８を含み得る。コイル２１８は集積受動デバイスルーティング領域２２０内に埋め込まれ得る。一例では、集積受動デバイスルーティング領域２２０は、機械的ウェハまたはガラスウェハから形成され得る。集積受動デバイス２０２は、電気的相互接続２２２（すなわち、ピラー、銅ピラー、はんだボール、はんだパッド、ワイヤボンド、パッド、接点など、またはそれらの組合せなどの、電気的に結合するための手段）を用いて第１の金属層２０６に電気的に結合され得る。あるいは、集積受動デバイス２０２は、第１の金属層２０６にワイヤボンディングされ得る（図示せず）。ＩＣパッケージ２００はまた、表面取付けデバイス（ＳＭＤ）２２４をも含み得る。集積受動デバイス２０２またはＳＭＤ２２４の少なくとも一方は、コンデンサ、インダクタ、変圧器、コイルなど、またはそれらの組合せを含み得る。ＳＭＤ２２４は電気的相互接続２２６（すなわち、ピラー、銅ピラー、はんだボール、はんだパッド、ワイヤボンド、パッド、接点など、またはそれらの組合せなどの、電気的に結合するための手段）を有し、電気的相互接続２２６はＳＭＤ２２４を第１の金属層２０６に結合する。
【００４８】
集積受動デバイス２０２またはＳＭＤ２２４の少なくとも一方は、少なくとも部分的に第１のＩＣ２１２の上に配置され得る。たとえば、集積受動デバイス２０２は、基板２０４の表面２２８の上に、第１のＩＣ２１２の能動面２１４との間でＦ２Ｆの向きに配置されてもよく、その中で集積受動デバイス２０２と第１のＩＣ２１２とが重複する。一例では、第１のＩＣ２１２と集積受動デバイス２０２との重複は、少なくとも１つの電気的相互接続についてのものである。別の例では、重複は少なくとも５つの電気的相互接続についてのものである。別の例では、ＳＭＤ２２４は、基板２０４の表面２２８の上に、第１のＩＣ２１２との間でＦ２Ｆの向きに配置されてもよく、その中でＳＭＤ２２４と第１のＩＣ２１２とが重複する。一例では、第１のＩＣ２１２とＳＭＤ２２４との重複は、少なくとも１つの電気的相互接続についてのものである。別の例では、重複は少なくとも５つの電気的相互接続についてのものである。
【００４９】
有利なことに、ＩＣパッケージ２００の固有の幾何形状および構成はＲＦ絶縁を実現し、同時にＩＣパッケージ２００のサイズとＩＣパッケージ２００のプロファイルの両方を低減する。電気的相互接続２２６および電気的相互接続２２２は、追加の高さ（図３Ａでの「ｄ」）を与え、集積受動デバイス２０２、ＳＭＤ２２４、および第１のＩＣ２１２の間のＲＦ絶縁の改善を実現する。ＩＣパッケージ２００の固有の幾何形状および構成はまた、ＲＦ絶縁を実現するために追加の高さを加えることなく、電気的相互接続２２６および電気的相互接続２２２のためにすでに使用されている高さを再利用する。したがって、ＩＣパッケージ２００は、ＲＦ絶縁を実現するために、その他の方法でより厚くする必要はない。ＩＣパッケージ２００の固有の幾何形状および構成はまた、構成要素間の間隔の考慮すべき点（たとえば、Ｌ／Ｓ基板設計規則）を緩和し、いくつかのケースでは解消し得る。
【００５０】
有利なことに、ＩＣパッケージ２００は製作コストも削減し得る。ＩＣパッケージ２００では、電磁構成要素が、集積回路チップから基板２０４上に移動される。集積受動デバイス２０２を集積回路チップの外部にあるデバイスとして製作することは、集積回路チップの内部に集積受動デバイス２０２を一体化することよりもコストが低い。したがって、集積受動デバイス２０２を別々のデバイスとして製作することは、集積受動デバイス２０２を第１のＩＣ２１２内に一体化することよりもコストが低いので、ＩＣパッケージ２００は全製作コストが低い。
【００５１】
さらに、ＩＣパッケージ２００の構成および幾何形状は、集積受動デバイス２０２と第１のＩＣ２１２との間の長いトレースを使用することを回避するので、ＩＣパッケージ２００のサイズはより小型である。長いトレースの代わりに、ＩＣパッケージ２００は、より短い接続である電気的相互接続２２６および電気的相互接続２２２を使用する。さらに、有利なことに、第１のＩＣ２１２の外部の集積受動デバイス２０２を備えるＩＣパッケージ２００を構成することは、ＩＣパッケージ２００がＰＣＢ上に取り付けられるとき、ＰＣＢ導体との間の漏話によるＲＦ仕様劣化および電磁効果を低減する。
【００５２】
さらに、有利なことに、ＩＣパッケージ２００の固有の幾何形状および構成は、（従来型デバイスと比較したとき）より厚い金属導体を有する集積受動デバイス２０２を使用することを可能にし、そのことは、集積受動デバイス２０２の電気的性能を改善する。より厚い金属導体とともに集積受動デバイス２０２を製作できることは、集積受動デバイス２０２がインダクタであるとき、集積受動デバイス２０２の品質を向上させる。したがって、有利なことに、ＩＣパッケージ２００の固有の幾何形状および構成は、高品質受動構成要素を使用することを可能にする。したがって、集積受動デバイス２０２がインダクタであるとき、集積受動デバイス２０２のコイル（たとえば、コイル２１８）が、ガラス基板（または機械的基板）を使用するとき、ダイ（８〜９ｕｍの厚さ）に対してより厚くなり得る（最大で３７ｕｍの厚さ）。コイルの金属が厚いほど、実現するコイルの抵抗が低くなり、そのことはコイルのインダクタンスおよび品質因子を改善する。高品質受動デバイス（たとえば、チョークインダクタ）を使用することも電力消費を削減するので有利であり得る。さらに、有利なことに、ＩＣパッケージ２００の固有の幾何形状および構成は、コイルが高ノードシリコンプロセスを必要としないので、集積受動デバイス２０２についての、ガラス基板または機械的基板を使用する製作プロセスなどの低コスト製作プロセスを使用することを可能にする。低コスト製作プロセスは、ガラスウェハまたは機械的ウェハ上に集積受動デバイス２０２を製作することを含み得る。さらに、集積受動デバイス２０２を備えるＩＣパッケージ２００を製作することは、集積受動デバイス２０２がコストの高いダイ（たとえば、１６ｎｍノードダイ）内に埋め込まれるのではなく、低コストダイ内に埋め込まれ得るので、コストが低い。
【００５３】
第１の金属層２０６または第２の金属層２０８の少なくとも一方は、ＲＦ絶縁を改善するために、少なくとも部分的に電磁遮蔽として構成され、いくつかの例では、最大でほぼ−７０ｄＢの電磁絶縁を実現し得る。たとえば、第１の金属層２０６は、グランド遮蔽パターン（たとえば、遮蔽するための手段）とともに構成されてもよく、グランド遮蔽パターンは、第１のＩＣ２１２と、集積受動デバイス２０２およびＳＭＤ２２４の少なくとも一方との間のクロスハッチ（たとえば、図３、参照番号３１５を参照）または任意の適切なパターン内にあり得る。グランド遮蔽パターンは、集積受動デバイス１０２の磁場および／またはＳＭＤ１２４の磁場を第１のＩＣ２１２から減結合するためのＲＦ遮蔽として働く。グランド遮蔽パターンはまた、ＰＣＢ上の導体および他の構成要素の磁場を集積受動デバイス２０２から減結合するためのＲＦ遮蔽として働く。
【００５４】
第１の金属層２０６または第２の金属層２０８の少なくとも一方を少なくとも部分的に電磁遮蔽として構成することは、金属層が再分配層および電磁遮蔽として機能し、したがってＩＣパッケージ２００を製作するのに必要な材料の量を削減し得るので、材料表を削減する。金属層の２重の使用はまた、ＩＣパッケージ２００が追加の専用ＲＦ遮蔽層を必要としないので、ＩＣパッケージ２００のサイズを低減する。
【００５５】
ＩＣパッケージ２００はまた、上記のようにインターポーザ２３０をも含み得る。インターポーザ２３０は、第１のＩＣ２１２に関連するＲＤＬの第１の部分（たとえば、金属層２０６および２０８）と、第２のＩＣ２５２に関連するＲＤＬの第２の部分との間の信号を電気的に結合するために使用され得る。上記で論じたように、図１に関連して、インターポーザ２３０は、インターポーザ１３４と同様の機能を実現し、分割ダイ構成を容易にすることができ、分割ダイ構成は、ＩＣパッケージ２００についてのルーティング方式の複雑さを低減し得る。
【００５６】
集積受動デバイス２０２は、モールディング、アンダーフィルなど、またはそれらの組合せなどの封入材２４０を使用して、ＩＣパッケージ２００内の定位置に機械的に固定され得る。
【００５７】
さらに、ＩＣパッケージ２００は、電気的相互接続２４２（すなわち、ピラー、銅ピラー、はんだボール、はんだパッド、ワイヤボンド、パッド、接点など、またはそれらの組合せなどの、電気的に結合するための手段）を含むことができ、電気的相互接続２４２は、第１の金属層２０６および／または第２の金属層２０８を介して、第１のＩＣ２１２、集積受動デバイス２０２、ＳＭＤ２２４、またはそれらの組合せに電気的に結合されてもよく、第１の金属層２０６および／または第２の金属層２０８は再分配層として機能し得る。電気的相互接続２４２は、ＩＣパッケージ２００をＰＣＢに結合するために使用され得る。
【００５８】
追加の任意選択の構成要素が示されている。たとえば、第２のＩＣ２５２とＦ２Ｆ構成として配置され得る集積受動デバイス２５０が示されている。任意選択で、ＩＣパッケージ２００の所与の設計に基づいて回路機能をサポートするために、表面取付けデバイス２６０および２７０（たとえば、受動デバイス、ＳＭＤ、ＩＣなど、およびそれらの組合せ）も設けられ得る。
【００５９】
図３Ａ〜図３Ｅは、インダクタおよび関連する例示的無線周波数絶縁テスト結果を示す。図３Ａ、図３Ｃ、および図３Ｄに示されるパターンは非限定的な例であり、他の実施可能なパターンが実装され得る。
【００６０】
図３Ａは、距離「ｄ」だけ分離されるインダクタ３００（たとえば、コイル１１８、コイル２１８など、またはそれらの組合せ）および導体３０５を示す。距離「ｄ」は、受動デバイス（たとえば、１０２、２０２、２２４）とＩＣ（たとえば、１１２、１３０、２１２）との間の距離であり得る。距離「ｄ」は、受動デバイス（たとえば、１０２、２０２、２２４）と金属層（たとえば、１０６、１０８）との間の距離の一部であり得る。距離「ｄ」は、電気的相互接続１２２、電気的相互接続２２２など、またはそれらの組合せの高さによって少なくとも部分的に得られ得る。たとえば、電気的相互接続１２２、電気的相互接続２２２など、またはそれらの組合せは、受動デバイス（たとえば、１０２、２０２、２２４）およびＩＣ（たとえば、１１２、１３０、２１２）のＦ２Ｆ構成を実装するために存在する。
【００６１】
図３Ｂは、周波数の範囲にわたる様々な距離「ｄ」での磁束漏れの量を示す例示的テスト結果３１０を示す。図３Ｂのテスト結果３１０は、受動デバイス（たとえば１０２、２０２、２２４）を相互接続および遮蔽から分離した結果、所与の周波数について磁束漏れが低くなったことを示す。たとえば、所与の周波数ｍ３について、「ｄ」が２５０ｕｍ超であるとき、磁束漏れは約−４０ｄｂｍであり、一方、ｄ＝５０ｕｍ、１００ｕｍ、２５０ｕｍでは磁束漏れがより高い。言い換えれば、図１〜２を含む本文書で説明される例では、受動デバイス（たとえば、１０２、２０２、２２４）と、ＩＣ（たとえば、１１２、１３０、２１２）との間の距離「ｄ」は２５０ｕｍ超であり、それによって絶縁が高くなり、磁束漏れが低くなる。電気的相互接続の既存の「ｚ」高さを使用することによって、全パッケージサイズをさらに増大させることなく、より大きい「ｄ」、したがって磁束漏れの低減が得られる。このことは、受動デバイスをチップ上に一体化し、それによって磁束漏れが多くなる従来の技法とは対照的である。さらに、距離「ｄ」はまた、ＩＣパッケージ（たとえば、１００、２００）がその上に取り付けられるＰＣＢから受動デバイス（たとえば、１０２、２０２、２２４）を分離し、したがって受動デバイス（たとえば、１０２、２０２、２２４）とＰＣＢとの間の磁束漏れを低減する。したがって、テスト結果３１０は、与えられる技法の結果、磁束漏れが低くなることを示す。
【００６２】
図３Ｃは、インダクタ３００（たとえば、コイル１１８、コイル２１８）、導体３０５、およびインダクタ３００と導体３０５との間に配置された単一のグランドプレーン３１５を示す。単一のグランドプレーン３１５は、第１の金属層１０６、第２の金属層１０８、第１の金属層２０６、または第２の金属層２０８の一部であり得る。単一のグランドプレーン３１５はパターン形成されたグランドであってもよく、パターン形成されたグランドは、特定の周波数においてより高い絶縁を実現するパターンとともに構成され得る。
【００６３】
図３Ｄは、インダクタ３００（たとえば、コイル１１８、コイル２１８）、導体３０５、インダクタ３００と導体３０５との間に配置された第１のグランドプレーン３２０、ならびにインダクタ３００と導体３０５との間に配置された第２のグランドプレーン３２５を示す。第１のグランドプレーン３２０は、第１の金属層１０６、第２の金属層１０８、第１の金属層２０６、または第２の金属層２０８の一部であり得る。第１のグランドプレーン３２０はパターン形成されたグランドであってもよく、パターン形成されたグランドは、特定の周波数においてより高い絶縁を実現するパターンとともに構成され得る。第２のグランドプレーン３２５は、第１の金属層１０６、第２の金属層１０８、第１の金属層２０６、または第２の金属層２０８の一部であってもよく、第２のグランドプレーン３２５は第１のグランドプレーン３２０と同一の層の一部ではない。第２のグランドプレーン３２５はパターン形成されたグランドであってもよく、パターン形成されたグランドは、特定の周波数においてより高い絶縁を実現するパターンとともに構成され得る。したがって、図３Ｄは２層グランド構成を示す。
【００６４】
図３Ｅは、距離「ｄ」での、周波数の範囲にわたる、異なる遮蔽配置の磁束漏れの量を示す例示的テスト結果３３０を示す。第１のトレース３３５は、単一のグランドプレーン３１５によって与えられるような単一層グランドパターンについての磁束漏れを示す。第２のトレース３４０は、第２のグランドプレーン３２５と組み合わせた第１のグランドプレーン３２０によって与えられるような２層グランドパターンについての磁束漏れを示す。第２のトレース３４０は、２層グランドパターンが、単一層グランドパターンよりも約１〜２ｄＢの絶縁の改善をもたらすことを示す。第３のトレース３４５は、２層グランドパターンよりも約１０〜１２ｄＢの絶縁の改善をもたらす平面連続金属シールドについての磁束漏れを示す。
【００６５】
図４は、パッケージ（たとえば、受動デバイスを含むＩＣパッケージ）を製作するための例示的方法４００を示す。本明細書で説明される構造の少なくとも一部を形成するための材料の堆積が、物理気相堆積（ＰＶＤ、たとえばスパッタリング）、プラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）、熱化学気相堆積（熱ＣＶＤ）、および／またはスピンコーティングなどの堆積技法を使用して実施され得る。本明細書で説明される構造の少なくとも一部を形成するための材料のエッチングが、プラズマエッチングなどのエッチング技法を使用して実施され得る。
【００６６】
ブロック４０５では、ＲＤＬ（たとえば、第１の金属層１０６、第２の金属層１０８など、またはそれらの組合せ）が、基板（たとえば、基板１０４、基板２０４など、またはそれらの組合せ）の部分として形成される。ＲＤＬの少なくとも一部が電磁遮蔽として構成され得る。
【００６７】
ブロック４１０では、ＩＰＤ（たとえば、集積受動デバイス１０２、ＳＭＤ１２４、集積受動デバイス２０２、ＳＭＤ２２４など、またはそれらの組合せ）が基板上に取り付けられる。ＩＰＤはＲＤＬの第１の面に電気的に結合される。ＩＰＤは、コンデンサ、インダクタ、変圧器、コイル（たとえば、コイル１１８、コイル２１８など、またはそれらの組合せ）、またはそれらの組合せのうちの少なくとも１つを含み得る。
【００６８】
ブロック４１５では、集積回路（たとえば、第１のＩＣ１１２、第２のＩＣ１３０、第１のＩＣ２１２など、またはそれらの組合せ）が、基板内にＩＰＤと向かい合う向きに埋め込まれる。ＩＰＤは、ＩＰＤを集積回路に電気的に結合するようにＲＤＬの第２の面に電気的に結合される。ＩＰＤの少なくとも１つの接点が、集積回路に対して重複構成として配置される。
【００６９】
上記のブロックは、例の限定ではない。実施可能なものとして、ブロックが組み合わされてもよく、かつ／または順序が再配置され得る。
【００７０】
図５Ａ〜図５Ｃは、受動デバイスを備える集積回路パッケージを製作する例示的方法５００を示す。本明細書で説明される構造の少なくとも一部を形成するための材料の堆積が、物理気相堆積（ＰＶＤ、たとえばスパッタリング）、プラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）、熱化学気相堆積（熱ＣＶＤ）、および／またはスピンコーティングなどの堆積技法を使用して実施され得る。本明細書で説明される構造の少なくとも一部を形成するための材料のエッチングが、プラズマエッチング、ウェットＨＦエッチングなどのエッチング技法を使用して実施され得る。図５Ａ〜図５Ｃでの図１〜図２の要素への参照は、例として与えられるものであり、限定的なものではない。
【００７１】
任意選択のブロック５０５では、熱エポキシの層がキャリア５０８上に堆積される。熱エポキシの層は、ランドグリッドアレイ（ＬＧＡ）パターンでパターン形成され得る。
【００７２】
任意選択のブロック５１０では、応力解放フィルム５１２が熱エポキシの層上に堆積される。応力解放フィルム５１２もＬＧＡパターンでパターン形成される。ブロック５３０ではキャリア５０８が再び使用される。
【００７３】
ブロック５１５では、少なくとも１つの集積受動デバイス（たとえば、２０２）を含む少なくとも１つの表面取付けデバイス（たとえば、２７０、２０２、２３０、２５０、２６０）が、基板の第１の面上に取り付けられ、基板２０４の部分として形成された再分配層（たとえば、１つまたは複数の金属層）に電気的に結合される。一例では、基板は積層基板である。基板はコアレスであり、またはコアを有し得る。基板は、再分配層の部分としての少なくとも１つの埋め込まれた金属層と、信号、グランド、および電力を分配し得る少なくとも１つの層とを有し得る。取付けは、はんだをリフローして、表面取付けデバイスの電気的相互接続を、基板の第１の面上のそれぞれの電気的相互接続に固着することを含み得る。
【００７４】
任意選択のブロック５２０では、モールディング、アンダーフィル、またはそれらの組合せ（たとえば、２４０）が、表面取付けデバイスに隣接して適用される。
【００７５】
ブロック５２５では、少なくとも１つの集積回路（たとえば２１２、２５２）の能動面が、フリップチップ構成として基板の第２の面に取り付けられる。したがって、少なくとも１つの受動デバイスは、少なくとも１つの集積回路と向かい合う向きに取り付けられる。電気的相互接続（たとえば、パッド、接点、はんだボール、はんだパッドなど、またはそれらの組合せ）も基板の第２の面に取り付けられる。取付けは、はんだをリフローして、集積回路の電気的相互接続を、基板の第２の面上のそれぞれの電気的相互接続に固着することを含み得る。別の例では、取付けは、はんだをリフローして、電気的相互接続を、基板の第２の面上のそれぞれの電気的相互接続に固着することを含み得る。電気的相互接続は、基板内の金属層（たとえば、グランド）を、集積回路パッケージが取り付けられる回路板上のグランドに結合するために使用され得る。
【００７６】
任意選択のブロック５３０では、少なくとも１つの集積回路（たとえば、２１２、２５２）が応力解放フィルム５１２上に配置される。
【００７７】
任意選択のブロック５３５では、モールディング、アンダーフィル、またはそれらの組合せが、少なくとも１つの集積回路に隣接して適用され、少なくとも１つの集積回路および銅ボールが封入される。
【００７８】
任意選択のブロック５４０では、キャリア５０８が熱エポキシの層から除去される。集積回路パッケージはまた、キャリア５０８上に形成された他のデバイスから個別化され得る。
【００７９】
図６は、前述のデバイス６００（たとえば、ＩＣパッケージ１００、ＩＣパッケージ２００）のいずれかとともに一体化され得る様々な電子デバイスを示す。たとえば、携帯電話デバイス６０５、ラップトップコンピュータデバイス６１０、および固定位置端末デバイス６１５のいずれかは、本明細書で説明されるデバイス６００を含み得る。図６に示されるデバイス６０５、６１０、６１５は例示的なものにすぎない。他の電子デバイスも、限定はしないが、モバイルデバイス、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末などのポータブルデータユニット、全地球測位システム（ＧＰＳ）対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、メータ読取り機器などの固定位置データユニット、通信デバイス、スマートフォン、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、サーバ、ルータ、自動車両（たとえば、自律的車両）内に実装された電子デバイス、またはデータもしくはコンピュータ命令を記憶もしくは検索する任意の他のデバイスなど、あるいはそれらの任意の実施可能な組合せを含む、デバイス（たとえば、電子デバイス）のグループを含むデバイス６００を特徴とし得る。
【００８０】
図１〜図６に示される構成要素、プロセス、特徴、および／または機能のうちの１つまたは複数は、単一の構成要素、プロセス、特徴、または機能として再配置され、かつ／または組み合わされてもよく、あるいはいくつかの構成要素、プロセス、または機能として実施され得る。本開示から逸脱することなく、追加の要素、構成要素、プロセス、および／または機能も追加され得る。本開示内の図１〜図６およびそれに対応する説明は、ダイおよび／またはＩＣに限定されないことにも留意されたい。いくつかの実装では、図１〜図６およびそれに対応する説明は、集積デバイスを製造、作成、提供、および／または生産するために使用され得る。いくつかの実装では、デバイスは、ダイ、集積デバイス、ダイパッケージ、集積回路、デバイスパッケージ、集積回路パッケージ、基板、半導体デバイス、パッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）デバイス、および／またはインターポーザを含み得る。
【００８１】
本開示は例を説明するが、添付の特許請求の範囲で定義される範囲から逸脱することなく、本明細書で開示される例に変更および修正が行われ得る。本開示は、具体的に開示された例だけに限定されないものとする。
【符号の説明】
【００８２】
１００  ＩＣパッケージ
１０２  集積受動デバイス
１０４  基板
１０６  第１の金属層
１０８  第２の金属層
１１０  誘電体材料
１１２  第１の集積回路
１１４  能動面
１１６  電気的相互接続
１１８  コイル
１２０  集積受動デバイスルーティング領域
１２２  電気的相互接続
１２４  表面取付けデバイス
１２６  電気的相互接続
１２８  表面
１３０  第２のＩＣ
１３２  能動面
１３４  インターポーザ
１３８  封入材
１４０  電気的相互接続
１５０  集積受動デバイス
１６０  表面取付けデバイス
１７０  表面取付けデバイス
２００  ＩＣパッケージ
２０２  集積受動デバイス
２０４  基板
２０６  第１の金属層
２０８  第２の金属層
２１０  誘電体材料
２１２  第１の集積回路
２１４  能動面
２１６  電気的相互接続
２１８  コイル
２２０  集積受動デバイスルーティング領域
２２２  電気的相互接続
２２４  表面取付けデバイス
２２６  電気的相互接続
２２８  表面
２３０  インターポーザ
２４０  封入材
２４２  電気的相互接続
２５０  集積受動デバイス
２５２  第２のＩＣ
２６０  表面取付けデバイス
２７０  表面取付けデバイス
３００  インダクタ
３０５  導体
３１５  単一のグランドプレーン
３２０  第１のグランドプレーン
３２５  第２のグランドプレーン
５０８  キャリア
５１２  応力解放フィルム
６００  デバイス
６０５  携帯電話デバイス
６１０  ラップトップコンピュータデバイス
６１５  固定位置端末デバイス
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
2018528620.tif 000013
【図６】
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【国際調査報告】
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2018528620.tif 000017
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