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【手続補正書】
【提出日】平成26年10月24日(2014.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体領域の中に形成された第１導電型の電荷蓄積領域と、
前記半導体領域の中に形成された第２導電型の不純物半導体領域からなる素子分離半導体領域と、
前記半導体領域の中であって前記素子分離半導体領域の上に形成された第２導電型の不純物半導体領域からなるチャネルストップ領域と、
前記チャネルストップ領域の上に配置された絶縁体とを含み、
前記絶縁体は、
前記チャネルストップ領域の上に配置された第１絶縁部と、
前記第１絶縁部の外側に隣接して配置されて前記第１絶縁部から遠ざかるに従って厚さが薄くなる構造を有する第２絶縁部と、
前記第１絶縁部の上に形成された第３絶縁部を含み、
前記絶縁体のうち厚さが徐々に変化する部分は、前記第２絶縁部からなり、
前記第３絶縁部は、平坦な上面と、前記平坦な上面と前記第２絶縁部の上面とを接続する側面とを有し、前記第３絶縁部は、前記側面が前記絶縁体の表面の一部を構成するように、前記第１絶縁部および前記第２絶縁部からなる構造から突出するように構成されている、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記電荷蓄積領域は、前記チャネルストップ領域と接している周辺部を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記チャネルストップ領域の外側境界の一部は、前記第２絶縁部の内側境界の外側かつ前記第２絶縁部の外側境界の内側に存在する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第１絶縁部の上面が前記第２絶縁部の前記上面の最大高さよりも低い位置に配置され、これにより前記第１絶縁部の前記上面および前記第２絶縁部の前記上面によって凹部が形成され、前記第３絶縁部は、前記凹部を充填する部分を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記側面は、前記平坦な上面に対して垂直である、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１絶縁部および前記第２絶縁部がシリコン酸化物で構成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第１絶縁部、前記第２絶縁部および前記第３絶縁部がシリコン酸化物で構成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
半導体領域の上にポリシリコン膜を形成する工程と、
開口を有するマスクを前記ポリシリコン膜の上に形成する工程と、
前記マスクを使って前記ポリシリコン膜の一部分を選択的に熱酸化することによって、第１絶縁部と、前記第１絶縁部の外側に隣接して配置されて前記第１絶縁部から遠ざかるに従って厚さが薄くなる構造を有する第２絶縁部とを形成する工程と、
前記半導体領域にイオンを注入することによって第２導電型の不純物半導体領域からなるチャネルストップ領域を形成する工程と、前記半導体領域にイオンを注入することによって第２導電型の不純物半導体領域からなる素子分離半導体領域を形成する工程と、
前記マスクの前記開口に絶縁体を充填することによって前記第１絶縁部の上に第３絶縁部を形成する工程と、
前記第２絶縁部をマスクとして前記半導体領域にイオンを注入することによって、前記チャネルストップ領域と接するように、前記半導体領域の中に第１導電型の電荷蓄積領域を形成する工程と、
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記ポリシリコン膜を形成する前に前記半導体領域の上に絶縁膜を形成する工程を更に含み、前記ポリシリコン膜は、前記絶縁膜の上に形成される、
ことを特徴とする請求項８に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記マスクを形成する工程は、
前記ポリシリコン膜の上にシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜の上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを使って前記シリコン窒化膜をエッチングして前記シリコン窒化膜に開口を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項８又は９に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記マスクを形成した後であって前記ポリシリコン膜を熱酸化させる前に、前記マスクの前記開口に露出した領域における前記ポリシリコン膜をエッチングすることによって前記ポリシリコン膜に凹部を形成する工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１絶縁部と第２絶縁部とを形成する工程の後に、前記チャネルストップ領域を形成する工程を実施することを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【請求項１４】
半導体領域の上にポリシリコン膜を形成する工程と、
開口を有するマスクを前記ポリシリコン膜の上に形成する工程と、
前記マスクを使って前記ポリシリコン膜の一部分を選択的に熱酸化することによって、第１絶縁部と、前記第１絶縁部の外側に隣接して配置されて前記第１絶縁部から遠ざかるに従って厚さが薄くなる構造を有する第２絶縁部とを形成する工程と、
前記マスクの前記開口に絶縁体を充填することによって前記第１絶縁部の上に第３絶縁部となる絶縁膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１５】
前記半導体領域の上にシリコン酸化膜を形成する工程を更に有し、
前記熱酸化する工程において形成される前記第１絶縁部は前記シリコン酸化膜を含むことを特徴とする請求項１４に記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の１つの側面は、固体撮像装置に係り、該固体撮像装置は、半導体領域の中に形成された第１導電型の電荷蓄積領域と、前記半導体領域の中に形成された第２導電型の不純物半導体領域からなる素子分離半導体領域と、前記半導体領域の中であって前記素子分離半導体領域の上に形成された第２導電型の不純物半導体領域からなるチャネルストップ領域と、前記チャネルストップ領域の上に配置された絶縁体とを含み、前記絶縁体は、前記チャネルストップ領域の上に配置された第１絶縁部と、前記第１絶縁部の外側に隣接して配置されて前記第１絶縁部から遠ざかるに従って厚さが薄くなる構造を有する第２絶縁部と、前記第１絶縁部の上に形成された第３絶縁部を含み、前記絶縁体のうち厚さが徐々に変化する部分は、前記第２絶縁部からなり、前記第３絶縁部は、平坦な上面と、前記平坦な上面と前記第２絶縁部の上面とを接続する側面とを有し、前記第３絶縁部は、前記側面が前記絶縁体の表面の一部を構成するように、前記第１絶縁部および前記第２絶縁部からなる構造から突出するように構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月6日(2014.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電素子であって、
表面を有し、前記表面に垂直である法線方向を含む基板と、
複数の不規則の空洞構造を含み、前記基板の前記表面に位置する第一半導体層と、
前記空洞構造の側壁に位置する保護層と、
前記第一半導体層上に位置する緩衝層とを含むことを特徴とする光電素子。
【請求項２】
前記複数の空洞構造は、互いに独立するか、或いは互いに連結されるか、或いは一つ又は複数のメッシュ状の第一空洞群を形成するか、或いは規則的なアレイを形成し、かつ前記複数の空洞構造の平均間隔は１００Å〜１．５μｍの範囲にあり、空洞隙率は５％〜９０％の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の光電素子。
【請求項３】
前記緩衝層上に形成される第二半導体層、能動層及び第三半導体層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の光電素子。
【請求項４】
前記緩衝層は、不純物を添加していない層、未混合層又は−ｎ型混合層であることを特徴とする請求項１に記載の光電素子。
【請求項５】
前記保護層の材料は、SiO2、HSQ(Hydrogen  Silesquioxane)又はMSQ(Methylsequioxane)等のようなシルセスキオキサン（Silsequioxane）を基材とする重合体であることを特徴とする請求項１に記載の光電素子。
【請求項６】
光電素子の製造方法であって、
表面を有し、前記表面に垂直である法線方向を含む基板を提供するステップと、
前記基板の前記表面上に第一半導体層を形成するステップと、
前記第一半導体層をパターン化して、複数の空洞構造を形成するステップと、
前記空洞構造の側壁に保護層を被覆するステップと、
前記第一半導体層上に緩衝層を形成するステップとを含むことを特徴とする光電素子の製造方法。
【請求項７】
前記第一半導体層をパターン化するステップは、
第一種結晶層上にエッチングレジスト層を形成するステップと、
前記エッチングレジスト層上に金属薄膜層を形成するステップと、
前記金属薄膜層が複数の金属粒になるように加熱するステップと、
前記複数の金属粒をマスクとして、前記エッチングレジスト層に対して異方性エッチングを行ってパターンを形成するステップと、
前記複数の金属粒を除去するステップと、
前記パターン化されたエッチングレジスト層をマスクとして、前記第一種結晶層に対してドライエッチングを行うステップとを含むことを特徴とする請求項６に記載の光電素子の製造方法。
【請求項８】
前記複数の空洞構造は、互いに独立するか、或いは互いに連結されるか、或いは一つ又は複数のメッシュ状の第一空洞群を形成するか、或いは規則的なアレイを形成し、かつ前記複数の空洞構造の平均間隔は１００Å〜１．５μｍの範囲にあり、空洞隙率は５％〜９０％の範囲にあることを特徴とする請求項６に記載の光電素子の製造方法。
【請求項９】
前記緩衝層上に形成される第二半導体層、能動層及び第三半導体層をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の光電素子の製造方法。
【請求項１０】
前記保護層は、スピンオングラス塗布（SOG,  spin  on  glass  coating）方法で形成することを特徴とする請求項６記載の光電素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月14日(2013.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素回路が形成された基板の裏面側から、有機ＥＬ素子が発する光を取り出すボトムエミッション構造を採り、
前記画素回路の上に設けられたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタの周辺を囲むように形成された金属配線と
を有し、
前記金属配線は、前記有機ＥＬ素子のアノード電位に設定されている
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記金属配線は、前記カラーフィルタの周縁部に沿って形成されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記金属配線は、前記カラーフィルタの周縁部とオーバーラップして形成されている
請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記金属配線は、前記カラーフィルタの周縁部に対して当該カラーフィルタの膜厚以上にオーバーラップしている
請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記画素回路は、
信号電圧を画素内に書き込む書込みトランジスタと、
前記書込みトランジスタによって書き込まれた信号電圧を保持する保持容量と、
前記有機ＥＬ素子のアノード電極に対して一方のソース／ドレイン電極が接続され、前記保持容量の保持電圧に応じて前記有機ＥＬ素子を駆動する駆動トランジスタとを有する
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記金属配線は、前記駆動トランジスタの前記一方のソース／ドレイン電極の電位と同電位に設定されている
請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記金属配線は、前記駆動トランジスタの前記一方のソース／ドレイン電極の配線である
請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン電極は、第１電源電位と当該第１電源電位よりも低い第２電源電位とを選択的に供給する電源供給線に接続されており、
前記第１電源電位は、前記有機ＥＬ素子を発光駆動する駆動電流を前記駆動トランジスタに供給するための電源電位であり、
前記第２電源電位は、前記有機ＥＬ素子に対して逆バイアスを掛けるための電源電位である
請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記カラーフィルタは、オンチップカラーフィルタである
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
画素回路が形成された基板の裏面側から、有機ＥＬ素子が発する光を取り出すボトムエミッション構造を採り、
前記画素回路の上に設けられたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタの周辺を囲むように形成された金属配線と
を有し、
前記金属配線は、前記有機ＥＬ素子のアノード電位に設定されている
有機ＥＬ表示装置を有する電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
絶縁平坦化膜７３上には、信号線３３の上層配線３３２が形成されて下層配線３３１とコンタクトがとられている。また、カラーフィルタ７４の上には層間絶縁膜７５が積層され、当該層間絶縁膜７５の上には有機ＥＬ素子２１のアノード電極２１１が画素単位で形成されている。層間絶縁膜７５上に積層されたウインド絶縁膜７６の凹部７６Aには、有機ＥＬ素子２１が設けられている。そして、有機ＥＬ素子２１のカソード電極２１２が全画素共通に形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
［１−４．カラーフィルタの内部抵抗の変化に伴う不具合］
上述したボトムエミッション構造の有機ＥＬ表示装置１０では、有機ＥＬ素子２１が発する光がカラーフィルタ７４を通過する際に、カラーフィルタ７４の材料によっては、自画素の発光を受けることによってカラーフィルタ７４の内部抵抗が変化する場合がある。そして、ボトムエミッション方式の有機ＥＬ表示装置１０にあっては、カラーフィルタ７４の下に画素回路２０が形成されていることから、カラーフィルタ７４の内部抵抗が変化することによって、当該内部抵抗の変化が画素回路２０の回路動作に対して悪影響を及ぼす。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
駆動トランジスタ２２のゲート電極２２１及び保持容量２４の一方の電極２４１の上には、駆動トランジスタ２２のチャネル領域及びソース／ドレイン領域を形成する半導体層２２２と、保持容量２４の他方の電極（以下、「上部電極」と記す）２４２とが、絶縁膜７２を介して形成されている。そして、駆動トランジスタ２２７と保持容量２４を含む画素回路２０の上には、絶縁平坦化膜７３を介してカラーフィルタ７４が直接、即ち、オンチップカラーフィルタとして形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
絶縁平坦化膜７３の上には、信号線３３の上層配線３３２や、駆動トランジスタ２２のコンタクト部２２３が形成されている。信号線３３の上層配線３３２及び駆動トランジスタ２２のコンタクト部２２３の材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）等を用いることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2012142238.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月13日(2013.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料と発電用の酸化剤ガスを反応させることにより電力を生成する固体酸化物型燃料電池装置であって、  複数の固体電解質型燃料電池セルを備えた燃料電池モジュールと、水蒸気改質を発生させる改質反応であるＳＲ１、及び、ＳＲ１よりも少量の燃料を水蒸気改質する改質反応であるＳＲ２を発生させることによって水素を生成する改質器と、  この改質器に燃料を供給することにより、上記改質器で改質された燃料を上記固体電解質型燃料電池セルに送り込む燃料供給手段と、  上記改質器に改質用の水蒸気を供給する水蒸気供給手段と、  上記固体電解質型燃料電池セルに発電用の酸化剤ガスを供給する発電用酸化剤ガス供給手段と、  上記燃料供給手段、上記水蒸気供給手段、及び上記発電用酸化剤ガス供給手段を制御して、予め決定された温度帯域において、上記改質器内で上記ＳＲ１、上記ＳＲ２の順序で改質反応を生じさせて上記燃料電池モジュールから電力を取出可能な発電開始温度まで上記固体電解質型燃料電池セルを昇温させる起動工程を実行する一方で、上記起動工程を終了した後、上記燃料電池モジュールから電力を取出す発電工程を開始するように構成された制御手段と、を有し、  上記制御手段は、上記起動工程中の上記ＳＲ２において、燃料供給量を一定に維持すると共に、上記固体電解質型燃料電池セルが上記発電開始温度に到達している場合でも所定の発電移行時間以上ＳＲ２を実行し、上記発電工程における所定の制御パラメータの初期値を、上記ＳＲ２期間中における上記制御パラメータの推移に基づいて計算することを特徴とする固体酸化物型燃料電池装置。
【請求項２】
上記制御手段は、上記改質器の温度が所定のＳＲ２移行改質器温度を超え、且つ、上記固体電解質型燃料電池セルの温度が所定のＳＲ２移行セル温度を超えると、上記ＳＲ１から上記ＳＲ２に移行するように構成される一方、上記改質器の温度が所定のＳＲ２強制移行温度を超えた場合には、上記固体電解質型燃料電池セルの温度が上記ＳＲ２移行セル温度に到達する前に上記ＳＲ２に移行させる請求項１記載の固体酸化物型燃料電池装置。
【請求項３】
上記制御手段は、上記起動工程中の、上記ＳＲ２を生じさせている間に、上記燃料電池モジュールに所定の微弱電力を発電させる請求項２記載の固体酸化物型燃料電池装置。
【請求項４】
上記制御手段は、上記制御パラメータの初期値を、上記ＳＲ２期間中における上記制御パラメータの移動平均により計算する請求項１記載の固体酸化物型燃料電池装置。
【請求項５】
さらに、上記燃料電池モジュールで発生した熱を蓄積する蓄熱材を有し、上記制御手段は、上記ＳＲ２期間中における上記燃料電池モジュールの温度を積算することにより、上記制御パラメータの初期値として上記蓄熱材の蓄熱量を推定する請求項１記載の固体酸化物型燃料電池装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】  従来、固体酸化物形燃料電池装置（ＳＯＦＣ）は、起動工程において、燃料を改質器において改質する工程、すなわち、水蒸気改質反応工程（ＳＲ工程）を経て、発電工程へ移行するように構成されている（例えば、特許文献１参照）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】ＳＯＦＣでは、この工程を実行することにより、燃料電池モジュール収納室内に配置された改質器や燃料電池セルスタック等を動作温度まで昇温させることができる。ＳＯＦＣの動作温度は６００〜８００℃であり、起動工程において、燃料電池セルスタック等をこの温度まで昇温させた後、発電工程が開始される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】上述した課題を解決するために、本発明は、燃料と発電用の酸化剤ガスを反応させることにより電力を生成する固体酸化物型燃料電池装置であって、複数の固体電解質型燃料電池セルを備えた燃料電池モジュールと、水蒸気改質を発生させる改質反応であるＳＲ１、及び、ＳＲ１よりも少量の燃料を水蒸気改質する改質反応であるＳＲ２を発生させることによって水素を生成する改質器と、この改質器に燃料を供給することにより、改質器で改質された燃料を固体電解質型燃料電池セルに送り込む燃料供給手段と、改質器に改質用の水蒸気を供給する水蒸気供給手段と、固体電解質型燃料電池セルに発電用の酸化剤ガスを供給する発電用酸化剤ガス供給手段と、燃料供給手段、水蒸気供給手段、及び発電用酸化剤ガス供給手段を制御して、予め決定された温度帯域において、改質器内でＳＲ１、ＳＲ２の順序で改質反応を生じさせて燃料電池モジュールから電力を取出可能な発電開始温度まで固体電解質型燃料電池セルを昇温させる起動工程を実行する一方で、起動工程を終了した後、燃料電池モジュールから電力を取出す発電工程を開始するように構成された制御手段と、を有し、制御手段は、起動工程中のＳＲ２において、燃料供給量を一定に維持すると共に、固体電解質型燃料電池セルが発電開始温度に到達している場合でも所定の発電移行時間以上ＳＲ２を実行し、発電工程における所定の制御パラメータの初期値を、ＳＲ２期間中における制御パラメータの推移に基づいて計算することを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】このように構成された本発明においては、制御手段が、燃料供給手段、水蒸気供給手段を夫々制御して、燃料、水蒸気を改質器に供給し、起動工程中に改質器内において、ＳＲ１、ＳＲ２の各改質反応を順次発生させ水素を生成させる。起動工程により、燃料電池モジュールに備えられた固体電解質型燃料電池セルの温度が発電開始温度まで上昇した後、燃料電池モジュールから電力を取出す発電工程が開始される。制御手段は、起動工程中のＳＲ２において、燃料供給量を一定に維持すると共に、固体電解質型燃料電池セルが発電開始温度に到達している場合でも所定の発電移行時間以上ＳＲ２を実行する。制御手段は、発電工程における所定の制御パラメータの初期値を、ＳＲ２期間中における制御パラメータの推移に基づいて計算する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月21日(2013.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面側基板上に走査電極および維持電極からなる複数の表示電極対が設けられた前面板と、
背面側基板上に前記表示電極対と立体交差する複数のアドレス電極が設けられ、前記アドレス電極と前記表示電極対の交差部に各々放電セルを区画する隔壁が設けられ、前記隔壁間に蛍光体層が設けられた背面板と、
前記各放電セルの前記蛍光体層に対応させて前記前面板上に配置され有機顔料を用いて形成されたカラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層の上部に設けられ、前記カラーフィルタ層からの放出ガスの透過を抑制する無機コート層と、
前記前面板と前記背面板の間の外周縁領域に枠状に設けられ、前記前面板と前記背面板の間を封着しているシール層とを備え、
前記無機コート層は、前記走査電極が配置された領域においては、その成膜範囲の外縁が前記シール層の下部領域よりも外側に延在して配置されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明のプラズマディスプレイパネルは、基本構造として、前面側基板上に走査電極および維持電極からなる複数の表示電極対が設けられた前面板と、背面側基板上に前記表示電極対と立体交差する複数のアドレス電極が設けられ、前記アドレス電極と前記表示電極対の交差部に各々放電セルを区画する隔壁が設けられ、前記隔壁間に蛍光体層が設けられた背面板と、前記各放電セルの前記蛍光体層に対応させて前記前面板上に配置され有機顔料を用いて形成されたカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層の上部に設けられ、前記カラーフィルタ層からの放出ガスの透過を抑制する無機コート層と、前記前面板と前記背面板の間の外周縁領域に枠状に設けられ、前記前面板と前記背面板の間を封着しているシール層とを備える。
上記課題を解決するために、本発明のプラズマディスプレイパネルは、前記無機コート層が、前記走査電極が配置された領域においては、その成膜範囲の外縁が前記シール層の下部領域よりも外側に延在して配置されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
すなわち、前記カラーフィルタ層及び前記表示電極対の上部にオーバーコート層が設けられ、前記オーバーコート層の上部に前記無機コート層が形成された構成とすることができる。また、前記無機コート層の下層に有機誘電体層が設けられた構成とすることができる。
また、前記シール層は、封着シール材を局所加熱して形成されている構成であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月22日(2014.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】活物質
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の突起を有する形状の、結晶性シリコンの表面に接して、厚さが０ｎｍより大きく１０ｎｍ以下の、薄膜を有し、
前記薄膜は、フッ素を有することを特徴とする活物質。
【請求項２】
複数の突起を有する形状の、結晶性シリコンの表面に接して、厚さが４ｎｍ以上９ｎｍ以下の、薄膜を有し、
前記薄膜は、フッ素を有することを特徴とする活物質。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記薄膜は、酸化シリコン膜であることを特徴とする活物質。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記薄膜は、５．０×１０１９ａｔｏｍｓ・ｃｍ−３以上のフッ素を有することを特徴とする活物質。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記薄膜は、６．０×１０２０ａｔｏｍｓ・ｃｍ−３以下の窒素を有することを特徴とする活物質。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月24日(2013.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを発生させる領域にマイクロ波を放射して前記プラズマを発生させるプラズマ発生装置であって、
マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部と、
前記マイクロ波を共振させる共振部と、
前記共振部から前記プラズマを発生させる領域への前記マイクロ波の放射を制御する放射制御部と、
を備え、
前記放射制御部は、前記マイクロ波の放射を抑制してマイクロ波エネルギーを前記共振部に蓄積し、前記蓄積されたマイクロ波エネルギーを放出することで電界強度を強めることを特徴とするプラズマ発生装置。
【請求項２】
前記共振部は、前記マイクロ波を放射させる開口部を有し、
前記放射制御部は、前記開口部の開口率を変化させることを特徴とする請求項１記載のプラズマ発生装置。
【請求項３】
前記放射制御部は、前記開口部における前記マイクロ波の透過率を電気的に制御する電子デバイスを有したことを特徴とする請求項１記載のプラズマ発生装置。
【請求項４】
前記マイクロ波発生部と、前記放射制御部と、を制御する制御部をさらに備え、
前記制御部は、前記マイクロ波発生部を制御することでパルス状の前記マイクロ波を発生させ、前記放射制御部を制御することで前記パルス状のマイクロ波が前記共振部に導入されている際に前記共振部からの前記マイクロ波の放射を抑制してマイクロ波エネルギーを前記共振部に蓄積し、前記蓄積されたマイクロ波エネルギーを放出することで電界強度を強めることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のプラズマ発生装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載のプラズマ発生装置と、
内部にプラズマを発生させる領域を有する処理容器と、
前記処理容器の内部にガスを供給するガス供給部と、
被処理物を載置する載置台と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記処理容器は、前記供給されたガスを流通させる流路を有し、
前記プラズマを発生させる領域は、前記流路に設けられたことを特徴とする請求項５記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部をさらに備え、
前記処理容器は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持し、
前記載置台は、前記処理容器の内部に設けられたことを特徴とする請求項５記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか１つに記載のプラズマ発生装置と、
内部にプラズマを発生させる領域を有する処理容器と、
前記処理容器の内部に液体を供給する液体供給部と、
前記処理容器の内部に供給される液体に気泡を形成する、または形成しやすくする気泡形成部と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記気泡形成部は、前記処理容器の内部に供給された液体の流速を上昇させることで前記液体の圧力を減圧させて前記気泡を形成すること、を特徴とする請求項８記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
プラズマを発生させる領域にマイクロ波を放射して前記プラズマを発生させるプラズマ発生方法であって、
マイクロ波を発生させる工程と、
前記マイクロ波を共振させる工程と、
前記プラズマを発生させる領域へ前記共振させたマイクロ波を放射する工程と、
を備え、
前記共振させたマイクロ波を放射する工程において、前記マイクロ波の放射を抑制してマイクロ波エネルギーを蓄積し、前記蓄積されたマイクロ波エネルギーを放出することで電界強度を強めること、を特徴とするプラズマ発生方法。
【請求項１１】
プラズマを発生させる領域にガスを供給する工程と、
請求項１０記載のプラズマ発生方法により、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を放射して前記プラズマを発生させる工程と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１２】
液体に気泡を形成する工程と、
プラズマを発生させる領域に前記気泡が形成された液体を供給する工程と、
請求項１０記載のプラズマ発生方法により、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を放射して前記プラズマを発生させる工程と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月24日(2013.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を供給する液体供給部と、
マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部と、
前記液体の流速を上昇させることで前記液体の圧力を減圧させて気泡を発生させるまたは前記気泡を発生させやすくする減圧部と、
前記マイクロ波を共振させ、前記減圧部に前記共振させたマイクロ波を放射する共振部と、
を備え、
前記減圧部により、前記液体と、前記共振部と、が離隔されたことを特徴とする液中プラズマ発生装置。
【請求項２】
前記液体には気体が溶存しており、前記減圧部においては、前記液体自体の気化による気体を内包した気泡、および、前記液体に溶存していた気体を内包する気泡の少なくともいずれかを発生させること、を特徴とする請求項１記載の液中プラズマ発生装置。
【請求項３】
前記共振部は、前記マイクロ波を共振させることで、前記気泡に含まれた気体の絶縁破壊電界強度を超えた電界強度を生じさせることを特徴とする請求項１または２に記載の液中プラズマ発生装置。
【請求項４】
前記共振部は、環状を呈した前記マイクロ波が導入される環状部と、前記環状部の内周側に設けられた互いに平行な一対の板状体を有した強電界発生部と、を有し、
前記一対の板状体同士の間の寸法は、前記環状部の軸方向の寸法よりも短いことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の液中プラズマ発生装置。
【請求項５】
前記共振部は、前記マイクロ波を導波する管状の導波部と、前記導波部の終端側の内部に設けられた可動板と、前記可動板の位置を変化させる移動部と、を有し、
前記移動部は、前記可動板の位置を変化させることで前記導波部の内部に形成された定在波の最大電界強度位置が、前記マイクロ波を放射する位置となるようにすることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の液中プラズマ発生装置。
【請求項６】
前記減圧部は、蛇行形状および螺旋形状の少なくともいずれかを有したことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の液中プラズマ発生装置。
【請求項７】
前記減圧部は、前記マイクロ波を共振させることで生じた強電界発生領域を複数回貫通するように設けられたことを特徴とする請求項６記載の液中プラズマ発生装置。
【請求項８】
前記強電界発生領域の前記減圧部以外の部分には、前記気泡に含まれた気体以上の絶縁破壊電界強度を有した絶縁部が設けられたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の液中プラズマ発生装置。
【請求項９】
前記共振部と、前記減圧部と、の間に設けられた前記マイクロ波の前記減圧部への導入を制御する導入制御部と、
前記マイクロ波発生部と、前記導入制御部と、を制御する制御部と、
をさらに備え、
前記制御部は、前記マイクロ波発生部を制御することで前記マイクロ波を発生させ、前記導入制御部を制御することで前記共振部からの前記マイクロ波の放射を抑制してマイクロ波エネルギーを蓄積し、前記蓄積されたマイクロ波エネルギーを放出することで電界強度を強めることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の液中プラズマ発生装置。
【請求項１０】
前記減圧部の前記液体の流出側先端には吐出口が設けられたことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の液中プラズマ発生装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１つに記載の液中プラズマ発生装置と、
前記液中プラズマ発生装置でプラズマ処理された液体により処理される被処理物を載置する載置部と、
を備えたことを特徴とする液中プラズマ処理装置。
【請求項１２】
液体の流速を上昇させることで前記液体の圧力を減圧させて気泡を発生させる工程と、
マイクロ波を発生させる工程と、
共振器を用いて前記マイクロ波を共振させる工程と、
前記気泡が発生した領域に前記共振させたマイクロ波を放射する工程と、
を備え、
前記マイクロ波を放射する工程において、前記共振器と、前記液体と、を誘電体により離隔したことを特徴とする液中プラズマ発生方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の液中プラズマ発生方法により液体をプラズマ処理する工程を備えたことを特徴とする液中プラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月10日(2013.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持したトレイが移送されることにより基板を搬送する基板搬送装置において、
前記トレイに移載するための基板が配置される基板ステージを有する基板移載部と、前記基板移載部からロードロック室へトレイを搬送する搬送部と、前記基板移載部に配設した第一のトレイ搬送ユニットと、前記搬送部に配設した第二のトレイ搬送ユニットおよび第三のトレイ搬送ユニットと、前記基板搬送を制御する制御手段と、を有し、
前記第一のトレイ搬送ユニットは、予め前記制御手段に記憶された第一のポジションと、第二のポジションと、第三のポジションとのいずれかに、前記第一のトレイ搬送ユニットに設けた回動軸を中心に回動可能であり、
前記制御手段は、前記基板を前記トレイに移載する際には第一のトレイ搬送ユニットを前記第一のポジションに前記回動させ、
前記第一のトレイ搬送ユニットから前記第二のトレイ搬送ユニットにトレイを搬送する際には前記第一のトレイ搬送ユニットを前記第二のポジションに回動させ、
前記第一のトレイ搬送ユニットから前記第三のトレイ搬送ユニットにトレイを搬送する際には前記第一のトレイ搬送ユニットを前記第三のポジションに回動させることを特徴とする基板搬送装置。
【請求項２】
前記第一のポジションは、前記第一のトレイ搬送ユニットの所定位置に静止した前記トレイと前記基板ステージが平行状態となるように、前記第一のトレイ搬送ユニットが角度調整されたポジションであり、 前記第二のポジションは、前記第一のトレイ搬送ユニットと前記第二のトレイ搬送ユニットが直線状態に並ぶように角度調整されたポジションであり、 前記第三のポジションは、前記第一のトレイ搬送ユニットと前記第三のトレイ搬送ユニットが直線状態に並ぶように角度調整されたポジションであることを特徴とする請求項１に記載の基板搬送装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板搬送装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の基板搬送装置は、基板を保持したトレイが移送されることにより基板を搬送する基板搬送装置において、前記トレイに移載するための基板が配置される基板ステージを有する基板移載部と、前記基板移載部からロードロック室へトレイを搬送する搬送部と、前記基板移載部に配設した第一のトレイ搬送ユニットと、前記搬送部に配設した第二のトレイ搬送ユニットおよび第三のトレイ搬送ユニットと、前記基板搬送を制御する制御手段と、を有し、前記第一のトレイ搬送ユニットは、予め前記制御手段に記憶された第一のポジションと、第二のポジションと、第三のポジションとのいずれかに、前記第一のトレイ搬送ユニットに設けた回動軸を中心に回動可能であり、前記制御手段は、前記基板を前記トレイに移載する際には第一のトレイ搬送ユニットを前記第一のポジションに前記回動させ、前記第一のトレイ搬送ユニットから前記第二のトレイ搬送ユニットにトレイを搬送する際には前記第一のトレイ搬送ユニットを前記第二のポジションに回動させ、
前記第一のトレイ搬送ユニットから前記第三のトレイ搬送ユニットにトレイを搬送する際には前記第一のトレイ搬送ユニットを前記第三のポジションに回動させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月7日(2014.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電位制御回路と、
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
第１のメモリセルと、
第２のメモリセルと、を有し、
前記第１のトランジスタは、前記電位制御回路の出力を、第１のビット線に供給する機能を有し、
前記第２のトランジスタは、前記電位制御回路の出力を、第３のビット線に供給する機能を有し、
前記第１のメモリセルは、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第１の容量とを有し、
前記第２のメモリセルは、第５のトランジスタと、第６のトランジスタと、第２の容量とを有し、
前記第３のトランジスタのゲートは、第１のワード線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のビット線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２のビット線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方には、第１の電位が供給され、
前記第１の容量の第１の電極は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１の容量の第２の電極は、第２のワード線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第１のワード線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のビット線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４のビット線と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方には、前記第１の電位が供給され、
前記第２の容量の第１の電極は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２の容量の第２の電極は、前記第２のワード線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと第２のトランジスタと容量とを有するメモリセルと、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続される第１のビット線と、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続される第２のビット線と、
前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続される第１のワード線と、
前記容量の第１の電極と電気的に接続される第２のワード線と、
前記第２のビット線と電気的に接続される読み出し回路と、
前記読み出し回路と電気的に接続される比較判定回路と、
前記比較判定回路とゲートとが電気的に接続される第３のトランジスタと、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続される電位制御回路と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量の第２の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のビット線と電気的に接続され、
前記読み出し回路は、参照電圧と、前記第２のビット線の電圧とを比較して、読み出し電圧を出力し、
前記比較判定回路は、前記読み出し回路から出力された前記読み出し電圧の正誤を判定し、前記読み出し電圧が正しければ前記第３のトランジスタを非導通にし、前記読み出し電圧が誤っていれば前記第３のトランジスタの導通にし、
前記電位制御回路は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に、段階的に変化する電位を供給する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第３のトランジスタの半導体層及び前記第５のトランジスタの半導体層は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記第１のトランジスタの半導体層は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月16日(2014.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録再生装置であって、
磁気記録媒体に対する磁気記録再生機能および浮上制御機能を有する磁気ヘッドと、
前記磁気記録媒体の複数の周方向位置で前記磁気ヘッドのトラック書き込み性能を測定し、前記磁気ヘッドによる書込み性能の周方向依存性を前記周方向位置を変数として取得することによりフィッティング係数の組を導出するコントローラと、
前記フィッティング係数の組に基づいて前記周方向位置に応じて調整パラメーターを調整して前記磁気ヘッドの浮上高さを制御するヘッド浮上制御用電源と、
を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項２】
磁気記録再生装置であって、
磁気記録媒体に対する磁気記録再生機能および浮上制御機能を有する磁気ヘッドと、
前記磁気記録媒体の複数の周方向位置で前記磁気ヘッドのトラック書き込み性能を測定し、前記磁気ヘッドによる書込み性能の周方向依存性を前記周方向位置を変数として取得することによりフィッティング係数の組を導出するコントローラと、
前記フィッティング係数の組に基づいて前記周方向位置に応じて調整パラメーターを調整して前記磁気ヘッドの書き込み電流を制御する記録信号発生装置と、
を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項３】
前記フィッティング係数の組は、前記書き込み性能と前記変数の関係を周期関数で近似した式のフィッティング係数の組であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の磁気記録再生装置。
【請求項４】
前記フィッティング係数の組は、前記磁気記録媒体の半径方向位置の関数であることを特徴とする請求項３に記載の磁気記録再生装置。
【請求項５】
前記関数は、多項式であることを特徴とする請求項４に記載の磁気記録再生装置。
【請求項６】
磁気記録再生機能および浮上制御機能を有する磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドにより記録再生が行われる磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体の各半径において記録密度が最大となるように選択された、書込み電流、トラックピッチ、線記録密度、及び浮上高さ制御用ヒーターパワーを記憶した不揮発性メモリと、
前記書込み電流または前記浮上高さ制御用ヒーターパワーを書込み性能調整パラメーターとして、前記磁気記録媒体の複数の半径において前記書込み性能調整パラメーターに対するトラック平均書込み性能の傾きを導出し、前記傾きを前記磁気記録媒体の半径に関する多項式として近似した場合の第１の組のフィッティング係数を前記不揮発性メモリに記憶する第１の手段と、
前記不揮発性メモリに記憶された前記書込み電流、トラックピッチ、線記録密度、及び浮上高さ制御用ヒーターパワーを用いて、前記磁気記録媒体の複数の半径において書込み性能の周方向依存性を取得し、前記周方向依存性を周期関数で近似することにより得られる第２の組のフィッティング係数を前記不揮発性メモリに記憶する第２の手段と、
前記第１の組のフィッティング係数を用いて算出される、半径の関数であるトラック平均書込み性能変化率と、前記第２の組のフィッティング係数を用いて算出される、半径および周方向の関数である局所書込み性能関数とを用いて、各半径及び各方向における書込み性能調整パラメーターを、（局所書込み性能関数−トラック平均書込み性能）／トラック平均書込み性能変化率だけ減ずることより修正する修正手段と
を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項７】
磁気記録再生機能および浮上制御機能を有する磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドにより記録再生が行われる磁気記録媒体とを備えた磁気記録再生装置に用いるコントローラであって、
前記磁気記録媒体の各半径において記録密度が最大となるように選択された、書込み電流、トラックピッチ、線記録密度、及び浮上高さ制御用ヒーターパワーを記憶した不揮発性メモリと、
前記書込み電流または前記浮上高さ制御用ヒーターパワーを書込み性能調整パラメーターとして、前記磁気記録媒体の複数の半径において前記書込み性能調整パラメーターに対するトラック平均書込み性能の傾きを導出し、前記傾きを前記磁気記録媒体の半径に関する多項式として近似した場合の第１の組のフィッティング係数を前記不揮発性メモリに記憶する第１の手段と、
前記不揮発性メモリに記憶された前記書込み電流、トラックピッチ、線記録密度、及び浮上高さ制御用ヒーターパワーを用いて、前記磁気記録媒体の複数の半径において書込み性能の周方向依存性を取得し、前記周方向依存性を周期関数で近似することにより得られる第２の組のフィッティング係数を前記不揮発性メモリに記憶する第２の手段と、
前記第１の組のフィッティング係数を用いて算出される、半径の関数であるトラック平均書込み性能変化率と、前記第２の組のフィッティング係数を用いて算出される、半径および周方向の関数である局所書込み性能関数とを用いて、各半径及び各方向における書込み性能調整パラメーターを、（局所書込み性能関数−トラック平均書込み性能）／トラック平均書込み性能変化率だけ減ずることより修正する修正手段と
を備えることを特徴とする磁気記録再生装置のコントローラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気記録再生装置およびそのコントローラ
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月31日(2014.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の送信元ノード、複数のクロスコネクトノード（ＸＣ）、および複数の宛先ノードを含む光ネットワーク内でバイパスを作成する方法であって、
前記送信元ノードおよび前記宛先ノードの組合せの可能な対ごとにトラフィック需要行列を構築するステップであって、前記トラフィック需要行列は、前記ノードの各対の間の端数需要から構築され、前記ノードの前記各対の間の前記各トラフィック需要は、該ノードの該対の間の光リンクのラインレートＲに対して正規化される、構築するステップと、
前記端数需要を得るために、前記各正規化されたトラフィック需要にｆｌｏｏｒ演算を適用するステップと、
前記トラフィック需要行列に基づいて、前記送信元ノードといずれかのＸＣノードとの間に前記バイパスを作成するための第１のエネルギー削減メトリックを求めるステップと、
前記トラフィック需要行列を用いて、いずれかのＸＣノードと前記宛先ノードとの間に前記バイパスを作成するための第２のエネルギー削減メトリックを求めるステップと、
前記ＸＣノードのうち、最大エネルギー削減メトリックを有する１つのＸＣノードにおいて終了するバイパスを作成するステップと、
を含み、
前記ステップは、プロセッサで実行される、複数の送信元ノード、複数のクロスコネクトノード（ＸＣ）、および複数の宛先ノードを含む光ネットワーク内でバイパスを作成する方法。
【請求項２】
前記光ネットワーク内のデータトラフィックは、光データユニットで送信され、前記バイパスを通過するデータトラフィックは、波長全体を用いる
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記バイパスから特定のノードまでの間の最小ホップ距離は、前記送信元ノードから前記宛先ノードまでの最小ホップ距離よりも小さい
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記トラフィック需要行列を更新するステップ、および前記２つの求めるステップを繰り返すステップ
をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
リソースの分割が必要とされるときに、前記バイパスがエネルギーを削減するか否かを判断するステップと、前記バイパスが前記エネルギーを削減する場合にのみ前記ＸＣノードを置き換えるステップであって、そうでない場合には終了する、置き換えるステップと
をさらに含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記光ネットワークを通る最適なエネルギー効率の良い経路を求めるスパニング木を生成するステップ
をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記送信元ノードは、前記スパニング木のルートによって表され、前記ノードの間のリンクは、前記スパニング木の枝によって表され、前記各リンクに関連付けられた限界イルミネーティッドは、前記枝によって接続された前記ノードの対の間の変動するトラフィック需要に対応する
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記送信元ノードの全ての１ホップの近隣ノードを前記木の異なる枝に、前記限界イルミネーティッドの増加する順で追加するステップ
をさらに含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
一般化マルチプロトコルラベルスイッチングにおいて、ネットワーク−ネットワークインターフェースでエネルギー削減を達成する前記バイパスをアドバタイズするステップ
をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
レイヤ３ルーターで用いられるエネルギーイルミネーティッド関数を提供するステップ
をさらに含む請求項１に記載の方法。