【手続補正書】
【提出日】平成26年8月4日(2014.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層結晶構造体の製造方法であって、該方法が：
水素、ヘリウムおよびそれらの組合せから成る群から選択したイオンをドナー構造体内に注入し、
該ドナー構造体が、中央軸と、中央軸に対してほぼ垂直である注入表面およびデバイス表面を有するデバイス層であって、デバイス層の注入表面からデバイス表面まで中央軸方向に延在している平均厚さ（ｔ）を有するデバイス層と、ハンドル層と、デバイス表面とハンドル層との間においてドナー構造体の中央軸方向に配置されており誘電層である中間層とを含んでおり、
イオンを、注入表面を通過してデバイス層の厚さ（ｔ）よりも大きい注入深さＤ１まで、ドナー構造体内に注入して、注入したドナー構造体内に損傷層を形成し、該損傷層が、中央軸に対してほぼ垂直であり、および中間層内および/またはハンドル層内に位置しており；
注入したドナー構造体を第２構造体に結合して、結合構造体を形成し；
損傷層に沿ってドナー構造体を離層して、第２構造体とデバイス層と残留材料とを含む多層結晶構造体を形成し、該残留材料が、中間層の少なくとも一部分と必要に応じてハンドル層の一部分とを含み；および
残留材料を多層結晶構造体から除去する、
多層結晶構造体の製造方法。
【請求項２】
多層結晶構造体の製造方法であって、該方法が：
水素、ヘリウムおよびそれらの組合せから成る群から選択したイオンを、中央軸を有するドナー構造体内に注入し、
ドナー構造体が、デバイス層とハンドル層と中間層とから成り、デバイス層が、中央軸に対してほぼ垂直である注入表面およびデバイス表面と、デバイス層の注入表面からデバイス表面まで中央軸方向に延在している平均厚さ（ｔ）とを有しており、中間層が、デバイス表面とハンドル層との間においてドナー構造体の中央軸方向に配置されており、
イオンを、注入表面を通過してデバイス層の厚さ（ｔ）よりも大きい注入深さＤ１まで、ドナー構造体内に注入して、注入したドナー構造体内に損傷層を形成し、該損傷層が、中央軸に対してほぼ垂直であり、および中間層内および/またはハンドル層内に位置しており；
注入したドナー構造体を第２構造体に結合して、結合構造体を形成し；
損傷層に沿ってドナー構造体を離層して、第２構造体とデバイス層と残留材料とを含む多層結晶構造体を形成し、該残留材料が、中間層の少なくとも一部分と必要に応じてハンドル層の一部分とを含み；および
残留材料を多層結晶構造体から除去する、
多層結晶構造体の製造方法。
【請求項３】
少なくとも約１０ｋｅＶの注入エネルギーを用いて、イオンを注入する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも約１×１０１６イオン/ｃｍ２をドナー構造体内に注入する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
離層面の形成を開始するのに、注入したドナー構造体を熱処理することを更に含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
注入したドナー構造体を熱処理することが、約１５０℃〜約３００℃の温度で約１時間〜約１００時間に亘って注入したドナー構造体を加熱することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
注入したドナー構造体を第２構造体に結合することがドナー構造体と第２構造体との間の結合を強化しおよび損傷層を形成するように、結合構造体を熱処理することを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項８】
結合構造体を熱処理することが、結合構造体に低温熱アニールを行うことを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
低温熱アニールが、約１５０℃〜約６００℃の温度で約１分〜約１００時間に亘って多層構造体を加熱することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
デバイス層が、シリコン、シリコンカーバイド、サファイア、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、ガリウムナイトライド、アルミニウムナイトライド、ガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素またはそれらの任意の組合せから成る群から選択した材料を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１１】
中間層が、誘電層である、請求項２に記載の方法。
【請求項１２】
中間層が、二酸化シリコンとシリコンナイトライドとから成る群から選択した材料を含む、請求項１又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
ハンドル層が、分離可能な材料を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１４】
ハンドル層が、シリコン、シリコンカーバイド、サファイア、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、ガリウムナイトライド、アルミニウムナイトライド、ガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素またはそれらの任意の組合せから成る群から選択した材料を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
第２構造体を、サファイア、石英結晶、ガラス、シリコンカーバイド、シリコン、ガリウムナイトライド、アルミニウムナイトライド、ガリウムアルミニウムナイトライド、ガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素またはそれらの任意の組合せから成る群から選択する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
ドナー構造体を注入することが、ドナー構造体のデバイス層を通過して中間層内に、ヘリウムと水素とから成る群から選択した原子を注入することを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１７】
イオンを、少なくとも約２００オングストロームの深さＤ１まで注入する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１８】
第２構造体が、サファイアから成る群から選択した材料を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１９】
第２構造体が、多層基板を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項２０】
当該方法が、ドナー構造体を第２構造体に結合する前に、結合層を、第２構造体およびデバイス層の少なくとも１つの上に堆積または成長させることを更に含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項２１】
結合構造体が、ドナー構造体と第２構造体とから成る、請求項１又は２に方法。
【請求項２２】
ハンドルウエハをドナーウエハに結合して、結合したウエハの対を形成し、ドナーウエハの層をハンドルウエハに移動することによってドナー構造体を製造することを更に含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項２３】
ドナーウエハを離層して、ドナーウエハの層をハンドルウエハに移動する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
多層結晶構造体を製造するための結合構造体であって、
中央軸と、中央軸に対してほぼ垂直である注入表面およびデバイス表面を有するデバイス層であって、デバイス層の注入表面からデバイス表面まで中央軸方向に延在している平均厚さ（ｔ）を有するデバイス層と、ハンドル層と、デバイス表面とハンドル層との間においてドナー構造体の中央軸方向に配置されている誘電層と、中央軸に対してほぼ垂直であり、誘電層内および／またはハンドル層内に位置している損傷層と、を有するドナー構造体と、
ドナー構造体に結合された第２構造体と、を有する結合構造体。
【請求項２５】
損傷層がイオンを含む請求項２４に記載の結合構造体。
【請求項２６】
デバイス層が、シリコン、シリコンカーバイド、サファイア、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、ガリウムナイトライド、アルミニウムナイトライド、ガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素またはそれらの任意の組合せから成る群から選択された材料を含む、請求項２４に記載の結合構造体。
【請求項２７】
誘電層は、二酸化シリコンとシリコンナイトライドとから成る群から選択されている請求項２４に記載の結合構造体。
【請求項２８】
ハンドル層は、シリコン、シリコンカーバイド、サファイア、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、ガリウムナイトライド、アルミニウムナイトライド、ガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素またはそれらの任意の組合せから成る群から選択された材料を含む、請求項２４に記載の結合構造体。
【請求項２９】
第２構造体は、サファイア、石英結晶、ガラス、シリコンカーバイト、シリコン、ガリウムナイトライド、アルミニウムナイトライド、ガリウムアルミニウムナイトライド、ガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素またはそれらの任意の組合せから成る群から選択されている、請求項２４に記載の結合構造体。
【請求項３０】
第２構造体は、サファイアから成る群から選択された材料を含む、請求項２４に記載の結合構造体。
【請求項３１】
第２構造体は、多層基板を含む、請求項２４に記載の結合構造体。
【請求項３２】
ドナー構造体と第２構造体との間に介在する結合層をさらに有する、請求項２４に記載の結合構造体。
【請求項３３】
結合構造体は、基本的に、ドナー構造体と、第２構造体と、から成る請求項２４に記載の結合構造体。
【請求項３４】
ドナー構造体は、シリコン−オン−インシュレータ構造体である請求項２４に記載の結合構造体。
【請求項３５】
損傷層は、誘電層内に配置されている、請求項２４に記載の結合構造体。
【請求項３６】
損傷層は、ハンドル層に配置されている、請求項２４に記載の結合構造体。
【請求項３７】
損傷層は、注入表面から少なくとも約２００オングストリームの深さＤ１の位置にある、請求項２４に記載の結合構造体。