【手続補正書】
【提出日】平成26年2月10日(2014.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上に配された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に配された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上に配された第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜の上に配された第４の絶縁膜とを含み、少なくとも前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜と前記第４の絶縁膜とに渡って連通した開口を有する複数の絶縁膜と、
を有する半導体装置の製造方法において、
前記第１の絶縁膜となる部材と、前記第１の絶縁膜となる部材と異なる材料からなる前記第２の絶縁膜となる部材と、前記第３の絶縁膜となる部材と、前記第３の絶縁膜となる部材と異なる材料の前記第４の絶縁膜となる部材とがこの順に積層された半導体基板の上に、前記複数の絶縁膜の開口を形成するための開口を有するマスクを形成する工程と、
前記第３の絶縁膜となる部材及び前記第４の絶縁膜となる部材に対して、前記第３の絶縁膜となる部材及び前記第４の絶縁膜となる部材が共にエッチングされる条件で、前記マスクを用いてエッチング処理を行い、前記第３の絶縁膜となる部材の前記マスクの開口に対応する部分と前記第４の絶縁膜となる部材の前記マスクの開口に対応する部分を連続して除去する第１の工程と、
前記第１の工程を行った後に、前記第１の絶縁膜となる部材よりも前記第２の絶縁膜となる部材のエッチングされる速度が速い条件で、前記第２の絶縁膜となる部材に対して前記マスクを用いてエッチング処理を行うことで、前記第２の絶縁膜となる部材の前記マスクの開口と対応する部分を除去する第２の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第３の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜と同じ材料からなり、
前記第４の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜と同じ材料からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の絶縁膜は酸化シリコンからなり、
前記第２の絶縁膜は窒化シリコンからなることを特徴とする請求項１あるいは２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の絶縁膜となる部材に対して前記マスクを用いてエッチング処理を行い、前記第１の絶縁膜となる部材の前記マスクの開口に対応する部分を除去する第３の工程を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体基板に複数の光電変換部を形成する工程を有し、前記第１の絶縁膜となる部材を前記半導体基板の上に設ける前に、前記複数の光電変換部の各々に１対１で配置される絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
第１の配線層と第２の配線層とを少なくとも有する配線層の形成工程をさらに有しており、
前記第２の絶縁膜となる部材は前記第１の配線層の下面と接して設けられ、
前記第４の絶縁膜となる部材は前記第２の配線層の下面と接して設けられることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の配線層と前記第２の配線層は、ダマシン法によって形成されており、
前記第２の絶縁膜となる部材と前記第４の絶縁膜となる部材は、前記ダマシン法において溝を形成する際のエッチングストップ膜として機能することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の絶縁膜となる部材と前記第４の絶縁膜となる部材とが窒化シリコンからなり、前記第１の絶縁膜となる部材と前記第３の絶縁膜となる部材とが酸化シリコンからなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
複数の光電変換部を有する半導体基板と、
前記半導体基板の上に配された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に配された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上に配された第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜の上に配された第４の絶縁膜とを含み、少なくとも前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜と前記第４の絶縁膜とに渡って連通し前記複数の光電変換部のそれぞれに対応して設けられた開口を有する、複数の絶縁膜と、
前記開口に配置され、前記第２の絶縁膜および前記第４の絶縁膜の屈折率よりも高い屈折率を有する、高屈折率部材と、
前記高屈折率部材と前記光電変換部との間に配された絶縁膜と、
を有する固体撮像装置の製造方法において、
前記高屈折率部材と前記光電変換部との間に配された前記絶縁膜となる部材と、前記第１の絶縁膜となる部材と、前記第１の絶縁膜となる部材と異なる材料からなる前記第２の絶縁膜となる部材と、前記第３の絶縁膜となる部材と、前記第３の絶縁膜となる部材と異なる材料の前記第４の絶縁膜となる部材とがこの順に積層された半導体基板の上に、前記複数の絶縁膜の開口を形成するための開口を有するマスクを形成する工程と、
前記第３の絶縁膜となる部材及び前記第４の絶縁膜となる部材が共にエッチングされる条件で、前記第３の絶縁膜となる部材及び前記第４の絶縁膜となる部材に対して、前記マスクを用いてエッチング処理を行い、前記第３の絶縁膜となる部材の前記マスクの開口に対応する部分と前記第４の絶縁膜となる部材の前記マスクの開口に対応する部分とを、除去する第１の工程と、
前記第１の工程を行った後に、前記第１の絶縁膜となる部材よりも前記第２の絶縁膜となる部材がエッチングされる速度が速い条件で、前記第２の絶縁膜となる部材に対して前記マスクを用いてエッチング処理を行うことで、前記第２の絶縁膜となる部材の前記マスクの開口に対応する部分を除去する第２の工程と、
前記高屈折率部材と前記光電変換部との間に配された前記絶縁膜となる部材よりも前記第１の絶縁膜となる部材がエッチングされる速度が速い条件で、前記第１の絶縁膜となる部材に対して、前記マスクを用いてエッチング処理を行い、前記第１の絶縁膜となる部材の前記マスクの開口に対応した部分を除去する第３の工程と、
を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
複数の光電変換部を有する半導体基板と、
前記半導体基板の上に配された窒化シリコンよりなる第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に配された酸化シリコンよりなる第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上に配された窒化シリコンよりなる第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜の上に配された酸化シリコンよりなる第４の絶縁膜とを含み、少なくとも前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜と前記第４の絶縁膜とに渡って連通し前記複数の光電変換部のそれぞれに対応して設けられた複数の開口を有する、複数の絶縁膜と、
前記開口に配置された窒化シリコンよりなる部材と、
前記開口に配置された窒化シリコンよりなる前記部材と前記光電変換部との間に配された絶縁膜と、
を有する固体撮像装置の製造方法において、
前記開口に配置された窒化シリコンよりなる前記部材と前記光電変換部との間に配された前記絶縁膜となる部材と、前記第１絶縁膜となる部材と、前記第２絶縁膜となる部材と、前記第３絶縁膜となる部材と、前記第４絶縁膜となる部材とがこの順に積層された半導体基板の上に、開口を有するマスクを形成する工程と、
前記第３絶縁膜となる部材及び前記第４絶縁膜となる部材が共にエッチングされる条件で、前記第３絶縁膜となる部材及び前記第４絶縁膜となる部材に対して、前記マスクを用いてエッチング処理を行い、前記第３絶縁膜となる部材の前記マスクの開口に対応する部分と前記第４絶縁膜となる部材の前記マスクの開口に対応する部分とを、除去する第１の工程と、
前記第１の工程を行った後に、前記第１絶縁膜となる部材よりも前記第２絶縁膜となる部材がエッチングされる速度が速い条件で、前記第２絶縁膜となる部材に対して前記マスクを用いてエッチング処理を行うことで、前記第２絶縁膜となる部材の前記マスクの開口に対応する部分を除去する第２の工程と、
前記開口に配置された窒化シリコンよりなる前記部材と前記光電変換部との間に配された前記絶縁膜となる部材よりも前記第１の絶縁膜となる部材がエッチングされる速度が速い条件で、前記第１絶縁膜となる部材に対して、前記マスクを用いてエッチング処理を行い、前記第１絶縁膜となる部材の前記マスクの開口に対応した部分を除去する第３の工程と、
前記第１の工程、前記第２の工程及び前記第３の工程とによって除去した部分に窒化シリコンよりなる部材を配する、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。