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【手続補正書】
【提出日】平成26年7月18日(2014.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内壁に複数のエアノズルが固定されており、内部を搬送される検査対象物に前記エアノズルからエアジェットを噴射して前記検査対象物に付着した試料物質を剥離する剥離部と、
前記剥離した試料物質を検査する検査部と、
前記検査対象物を搬送する搬送手段と、
前記搬送手段によって搬送される検査対象物の大きさを検出する大きさ検出部と、
前記複数のエアノズルの動作を制御するエアノズル制御部とを有し、
前記エアノズル制御部は、前記大きさ検出部からの出力信号に基づいて、前記検査対象物表面に１５ｍ／ｓ以上のエアジェットを噴射できるエアノズルを選択し、前記選択したエアノズルからエアジェットを噴射させることを特徴とする付着物検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の付着物検査装置において、前記エアノズル制御部は、前記大きさ検出部からの出力信号に対応して動作させるべきエアノズル及び当該動作させるべきエアノズルに供給する圧縮空気の圧力に関する情報を予め記憶しており、前記記憶した情報に従ってエアノズルの選択及び圧力調整を行うことを特徴とする付着物検査装置。
【請求項３】
請求項１に記載の付着物検査装置において、前記試料物質を含む空気から試料微粒子を分離する分離部と、前記剥離部からの試料物質を含む空気を前記分離部へ誘導するすり鉢状の捕集部とを備え、前記捕集部は内面にエアジェットを吹き付ける複数のエアノズルを備えることを特徴とする付着物検査装置。
【請求項４】
請求項３に記載の付着物検査装置において、前記分離部はサイクロン現象を利用した分離部であり、前記捕集部と前記分離部はＬ字形配管によって接続され、前記Ｌ字型配管は内面にエアジェットを吹き付けるエアノズルを備えることを特徴とする付着物検査装置。
【請求項５】
請求項１に記載の付着物検査装置において、前記剥離部の複数のエアノズルは前記剥離部の内壁の上面と両側面に配置され、前記エアノズル制御部は、前記複数のエアノズルを上方から下方に向かう順序で動作させることを特徴とする付着物検査装置。
【請求項６】
請求項１に記載の付着物検査装置において、前記搬送手段の上流側に、前記検査対象物の大きさに応じた前記剥離部への前記検査対象物の導入位置の目安となるマークを形成したことを特徴とする付着物検査装置。
【請求項７】
検査対象物の外形に依存する外形信号を取得するステップと、
前記外形信号と動作させるべきエアノズル及び当該動作させるべきエアノズルに供給する圧縮空気の圧力に関する記憶情報を参照して、剥離部に設けられた複数のエアノズルのうち動作させるエアノズルの選択と圧力調整を行うステップと、
前記選択されたエアノズルから圧力が制御されたエアジェットを前記剥離部の内部を搬送されている検査対象物に向けて噴射するステップと、
前記検査対象物から剥離した試料物質と空気をすり鉢状の捕集部で捕集して分離部に送るステップと、
前記分離部で前記検査対象物から剥離した試料物質と空気を分離するステップと、
前記分離した前記試料物質を気化して試料ガスを生成するステップと、
前記試料ガスを検査することにより前記試料物質を同定するステップと
を含むことを特徴とする付着物検査方法。
【請求項８】
請求項７に記載の付着物検査方法において、
前記エアジェットを前記剥離部の内部を搬送されている検査対象物に向けて噴射するステップに続いて、前記剥離部の内壁と前記捕集部の内壁にエアジェットを噴射するステップを有することを特徴とする付着物検査方法。
【請求項９】
請求項７に記載の付着物検査方法において、
前記検査によって前記試料物質が危険物質であると同定された場合に、前記剥離部の内壁と前記捕集部の内壁にエアジェットを噴射して自己クリーニングを行うステップを有することを特徴とする付着物検査方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の付着物検査方法において、
前記自己クリーニングの後、前記剥離部の内壁と前記捕集部の内壁にエアジェットを噴射して発生した気流から試料微粒子を分離するステップと、
前記分離した試料物質を気化して試料ガスを生成するステップと、
前記試料ガスを検査することにより前記試料物質を同定するステップと、
前記検査において、前記危険物質が検出された場合、再び前記剥離部の内壁と前記捕集部の内壁にエアジェットを噴射して自己クリーニングを行うステップと
を含むことを特徴とする付着物検査方法。
【請求項１１】
請求項３記載の付着物検査装置において、
前記分離部が、前記試料微粒子が堆積する第１の捕集フィルタと、前記第１の捕集フィルタを収納し加熱するヒートブロックと、前記第１の捕集フィルタとは別の第２の捕集フィルタを格納するケースと、前記第２の捕集フィルタを前記ヒートブロック内に押し込むフィルタ交換駆動部と、前記ヒートブロックから排出される前記第１の捕集フィルタを回収する回収容器を備えたことを特徴とする付着物検査装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の付着物検査装置において、
前記フィルタ交換駆動部は、前記検査部が、前記第１の捕集フィルタの交換を判定するしきい値を超えた事を感知してから駆動することを特徴とする付着物検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月15日(2013.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムにおける送信端でＡＲＱブロックの送信方法であって、
再送信待機状態で
前記ＡＲＱブロックの再送信を待機する過程と、
前記ＡＲＱブロックを再配列して再送信すると決定した場合、再配列状態に遷移する過程と、
前記再配列状態で
前記ＡＲＱブロックを各々に順次割り当てるシーケンス番号を有するＡＲＱ下位ブロックに分割する過程と、
前記ＡＲＱ下位ブロックを再送信する過程と、
前記ＡＲＱブロック又は前記ＡＲＱブロックの ＡＲＱ下位ブロックに対するＡＲＱフィードバックを待機する過程と、
前記ＡＲＱブロックに対するＡＣＫを受信した場合、完了状態に遷移する過程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
送信待機状態で前記ＡＲＱブロックを送信し、前記ＡＲＱブロックに対するＡＲＱフィードバックの受信を待機する未解決状態に遷移する過程と、
前記ＡＲＱブロックを再配列して再送信すると決定した場合、前記未解決状態に遷移する過程と、
前記未解決状態で前記ＡＲＱブロックに対するＮＡＣＫを受信する場合、再送信待機状態に遷移する過程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記再配列状態で
前記ＡＲＱ下位ブロックに対するＮＡＣＫを受信する場合、前記ＮＡＣＫ対したＡＲＱ下位ブロックの再送信する過程と、
前記ＡＲＱブロックに対する定義された時間が満了する場合、廃棄状態に遷移する過程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記再配列状態は、送信待機状態、未解決状態、再送信待機状態及び完了状態をさらに有するＡＲＱ下位ブロックの状態をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＡＲＱ下位ブロック状態の前記送信待機状態は、
前記ＡＲＱブロックを各々に順次割り当てる下位ブロックシーケンス番号を有するＡＲＱ下位ブロックに分割する過程と、
前記ＡＲＱ下位ブロックを再送信する過程と、
前記ＡＲＱ下位ブロックを再送信した場合、前記ＡＲＱ下位ブロック状態の前記未解決状態に遷移する過程をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ＡＲＱ下位ブロック状態の前記未解決状態は、
前記ＡＲＱ下位ブロックに対するＡＣＫを待機する過程と、
前記ＡＲＱ下位ブロックに対するＡＣＫを受信した場合、前記ＡＲＱ下位ブロック状態の前記完了状態に遷移する過程と、
前記ＡＲＱ下位ブロックに対するＮＡＣＫを受信した場合、前記ＡＲＱ下位ブロック状態の前記再送信待機状態に遷移する過程をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記ＡＲＱ下位ブロック状態の前記再送信待機状態は、
前記ＡＲＱ下位ブロックの再送信を待機する過程と、
前記ＡＲＱ下位ブロックを再送信した場合、前記ＡＲＱ下位ブロック状態の前記未解決状態に遷移する過程と、
前記ＡＲＱ下位ブロックに対するＡＣＫを受信した場合、前記ＡＲＱ下位ブロック状態の前記完了状態に遷移する過程をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項８】
無線通信システムにおけるＡＲＱブロックの送信装置であって、
送信機と、
受信機と、
制御部とを備えて構成され、
前記制御部は、
再送信待機状態で
前記ＡＲＱブロックの再送信を待機し、
前記ＡＲＱブロックを再配列して再送信すると決定した場合、再配列状態に遷移し、
前記再配列状態で
前記ＡＲＱブロックを各々に順次割り当てるシーケンス番号を有するＡＲＱ下位ブロックに分割し、
前記ＡＲＱ下位ブロックを再送信し、
前記ＡＲＱブロック又は前記ＡＲＱブロックの ＡＲＱ下位ブロックに対するＡＲＱフィードバックを待機し、
前記ＡＲＱブロックに対するＡＣＫを受信した場合、完了状態に遷移することを特徴とする装置。
【請求項９】
前記制御部は、
送信待機状態で前記ＡＲＱブロックを送信し、前記ＡＲＱブロックに対するＡＲＱフィードバックの受信を待機する未解決状態に遷移し、
前記ＡＲＱブロックを再配列して再送信すると決定した場合、前記未解決状態に遷移し、
前記未解決状態で前記ＡＲＱブロックに対するＮＡＣＫを受信する場合、再送信待機状態に遷移することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記制御部は、
前記再配列状態で
前記ＡＲＱ下位ブロックに対するＮＡＣＫを受信する場合、前記ＮＡＣＫ対したＡＲＱ下位ブロックの再送信し、
前記ＡＲＱブロックに対する定義された時間が満了する場合、廃棄状態に遷移する
することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記再配列状態は、送信待機状態、未解決状態、再送信待機状態及び完了状態をさらに有するＡＲＱ下位ブロックの状態をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記制御部は、
前記ＡＲＱ下位ブロック状態の前記送信待機状態で
前記ＡＲＱブロックを各々に順次割り当てる下位ブロックシーケンス番号を有するＡＲＱ下位ブロックに分割し、
前記ＡＲＱ下位ブロックを再送信し、
前記ＡＲＱ下位ブロックを再送信した場合、前記ＡＲＱ下位ブロック状態の前記未解決状態に遷移することを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記制御部は、
前記ＡＲＱ下位ブロック状態の前記未解決状態で
前記ＡＲＱ下位ブロックに対するＡＣＫを待機し、
前記ＡＲＱ下位ブロックに対するＡＣＫを受信した場合、前記ＡＲＱ下位ブロック状態の前記完了状態に遷移し、
前記ＡＲＱ下位ブロックに対するＮＡＣＫを受信した場合、前記ＡＲＱ下位ブロック状態の前記再送信待機状態に遷移することを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記制御部は、
前記ＡＲＱ下位ブロック状態の前記再送信待機状態で
前記ＡＲＱ下位ブロックの再送信を待機し、
前記ＡＲＱ下位ブロックを再送信した場合、前記ＡＲＱ下位ブロック状態の前記未解決状態に遷移し、
前記ＡＲＱ下位ブロックに対するＡＣＫを受信した場合、前記ＡＲＱ下位ブロック状態の前記完了状態に遷移することを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月25日(2013.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に、第１の層と、第２の層と、発光層とを有する積層構造を少なくとも有し、
前記第１の層は、前記陽極と前記第２の層との間に位置し、
前記第２の層は、前記第１の層と前記発光層との間に位置し、
前記発光層は、前記第２の層と前記陰極との間に位置し、
前記第１の層は、第１の有機化合物と、電子受容性化合物とを含み、
前記第２の層は、前記第１の有機化合物のＨＯＭＯ準位に対して±０．２ｅＶ以内のＨＯＭＯ準位を有する第２の有機化合物を含み、
前記発光層は、前記第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位に対して±０．２ｅＶ以内のＨＯＭＯ準位を有する第３の有機化合物と、前記第３の有機化合物に対して正孔トラップ性を示す発光物質とを含む発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記発光物質は、芳香族アミン化合物、または有機金属錯体であることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記発光物質は、ピレンジアミン化合物、またはイリジウム錯体であることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
陽極と陰極との間に、第１の層と、第２の層と、第１の発光層と、第２の発光層とを有する積層構造を少なくとも有し、
前記第１の層は、前記陽極と前記第２の層との間に位置し、
前記第２の層は、前記第１の層と前記第１の発光層との間に位置し、
前記第１の発光層は、前記第２の層と前記第２の発光層との間に位置し、
前記第２の発光層は、前記第１の発光層と前記陰極との間に位置し、
前記第１の層は、第１の有機化合物と、電子受容性化合物とを含み、
前記第２の層は、前記第１の有機化合物のＨＯＭＯ準位に対して±０．２ｅＶ以内のＨＯＭＯ準位を有する第２の有機化合物を含み、
前記第１の発光層は、前記第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位に対して±０．２ｅＶ以内のＨＯＭＯ準位を有する第３の有機化合物と、前記第３の有機化合物に対して正孔トラップ性を示す第１の発光物質とを含み、
前記第２の発光層は、前記第３の有機化合物のＨＯＭＯ準位に対して±０．２ｅＶ以内のＨＯＭＯ準位を有すると共に前記第３の有機化合物のＬＵＭＯ準位に対して±０．２ｅＶ以内のＬＵＭＯ準位を有する第４の有機化合物と、前記第４の有機化合物に対して正孔トラップ性を示す第２の発光物質とを含み、
前記第４の有機化合物は、前記第３の有機化合物とは異なる化合物である発光素子。
【請求項５】
請求項４において、
前記第３の有機化合物の正孔輸送性は、前記第４の有機化合物の正孔輸送性より高く、
前記第３の有機化合物の電子輸送性は、前記第４の有機化合物の電子輸送性より低いことを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第１の発光物質および前記第２の発光物質は、それぞれ独立に、芳香族アミン化合物、または有機金属錯体であることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項４また請求項５において、
前記第１の発光物質および前記第２の発光物質は、それぞれ独立に、ピレンジアミン化合物、またはイリジウム錯体であることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項４乃至請求項７において、
前記第１の発光物質と前記第２の発光物質が同じであることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８において、
前記第１の有機化合物のＨＯＭＯ準位が、−６．０ｅＶ以上、−５．７ｅＶ以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９において、
前記陽極と前記陰極との間に、前記積層構造が複数設けられていることを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の発光素子を用いた発光装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の発光装置を有する電子機器。
【請求項１３】
請求項１１に記載の発光装置を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月18日(2013.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極の上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜の上に設けられた酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜の上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は前記酸化物半導体膜に電気的に接続され、
前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記酸化物半導体膜の上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜の上に設けられた第２のゲート電極と、を有し、
前記第２のゲート絶縁膜の上に設けられた平坦性を有する有機樹脂膜と、
前記平坦性を有する有機樹脂膜の上に設けられた画素電極と、を有し、
前記画素電極は前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第２のゲート電極は、前記有機樹脂膜と重なっていないことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極の上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜の上に設けられた酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜の上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は前記酸化物半導体膜に電気的に接続され、
前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記酸化物半導体膜の上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜の上に設けられた第２のゲート電極と、を有し、
前記第２のゲート絶縁膜の上に設けられた平坦性を有する有機樹脂膜と、
前記平坦性を有する有機樹脂膜の上に設けられた画素電極と、を有し、
前記画素電極は前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第２のゲート電極は、前記有機樹脂膜と重なっておらず、
前記酸化物半導体膜は二次イオン質量分析法で検出される水素原子の濃度が１×１０１６ｃｍ−３未満であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記酸化物半導体膜は、Ｃ軸が表面に対して垂直方向に沿うように配向された針状結晶を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２のゲート電極は、チャネル幅方向において、前記酸化物半導体膜からはみ出していることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月14日(2013.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを有し、
前記トランジスタは、第１のゲート電極層と、第２のゲート電極層と、酸化物半導体層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
前記第２のゲート電極層は、前記チャネル形成領域を介して前記第１のゲート電極層と重なる領域を有し、
前記第２のゲート電極層は、紫外線を透過する機能を有し、
前記トランジスタは、前記第２のゲート電極層を介して、前記チャネル形成領域に紫外線を照射されることで、しきい値を変動させる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
トランジスタを有し、
前記トランジスタは、第１のゲート電極層と、第２のゲート電極層と、酸化物半導体層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
前記第２のゲート電極層は、前記チャネル形成領域を介して前記第１のゲート電極層と重なる領域を有し、
前記第２のゲート電極層は、紫外線を透過する開口部を有し、
前記トランジスタは、前記第２のゲート電極層を介して、前記チャネル形成領域に紫外線を照射されることで、しきい値を変動させる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
トランジスタを有し、
前記トランジスタは、第１のゲート電極層と、第２のゲート電極層と、酸化物半導体層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
前記第２のゲート電極層は、前記チャネル形成領域を介して前記第１のゲート電極層と重なる領域を有し、
前記第２のゲート電極層は、紫外線を透過する機能を有し、
前記トランジスタは、前記第２のゲート電極層を介して、前記チャネル形成領域に紫外線を照射されることで、しきい値を変動させ保持する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
トランジスタを有し、
前記トランジスタは、第１のゲート電極層と、第２のゲート電極層と、酸化物半導体層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
前記第２のゲート電極層は、前記チャネル形成領域を介して前記第１のゲート電極層と重なる領域を有し、
前記第２のゲート電極層は、紫外線を透過する開口部を有し、
前記トランジスタは、前記第２のゲート電極層を介して、前記チャネル形成領域に紫外線を照射されることで、しきい値を変動させ保持する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記しきい値の変動の前後で、前記トランジスタの抵抗値が、２桁以上変化するゲート電圧の範囲を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月14日(2013.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極を有するトランジスタを有し、
前記ゲート電極にしきい値電圧以上の電圧を印加した際の、前記ソース電極及び前記ドレイン電極間の電流の温度依存性より求めた前記酸化物半導体膜の活性化エネルギーは、０ｍｅＶ以上２５ｍｅＶ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極を有するトランジスタを有し、
前記酸化物半導体膜は、結晶性を有する領域を有し、
前記ゲート電極にしきい値電圧以上の電圧を印加した際の、前記ソース電極及び前記ドレイン電極間の電流の温度依存性より求めた前記酸化物半導体膜の活性化エネルギーは、０ｍｅＶ以上２５ｍｅＶ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記ゲート絶縁膜の膜厚は、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜の膜厚は、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記トランジスタのオフ電流は、−２５℃において検出下限以下であるとともに、１５０℃においても検出下限以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月15日(2013.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に複数の画素と複数の信号線、及び複数の走査線を有するアクティブマトリクス型表示装置であり、
前記絶縁基板上に、電界効果移動度が少なくとも５０ｃｍ２／Ｖｓ以上であるトランジスタを有し、
前記トランジスタを１つの構成要素とするゲートドライバ、及びソース線駆動アナログスイッチを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体層を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
絶縁基板上に複数の画素と複数の信号線、及び複数の走査線を有するアクティブマトリクス型表示装置であり、
前記絶縁基板上に、電界効果移動度が１００ｃｍ２／Ｖｓ以上であるトランジスタを有し、
前記トランジスタを１つの構成要素とするゲートドライバ、及びソース線駆動アナログスイッチを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体層を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体層は、第１の金属酸化物層と、第２の金属酸化物層とが積層され、
前記第１の金属酸化物層と、前記第２の金属酸化物層とは、それぞれ結晶性を有し、
前記第１の金属酸化物層の結晶構造の格子定数と、前記第２の金属酸化物層の結晶構造の格子定数との、ミスマッチは１％以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、ゲート絶縁層を介してゲート電極層と重なるチャネル形成領域を少なくとも有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記ゲートドライバ、及び前記ソース線駆動アナログスイッチは、同一絶縁基板上に設けられていることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月18日(2013.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
海底におけるケーブル、長い管、または、パイプラインを覆うように、所定の塊状物を含む袋状のフィルターユニットを設置するステップを含み、
前記フィルターユニットは、合成繊維からなる糸で編網され、
前記フィルターユニット内を通過する過程で掃流力が軽減されるように、塊状物の量は、フィルターユニットにおける編地の空隙率が４５％〜９０％である、
海底におけるケーブル、長い管、または、パイプラインの保護方法。
【請求項２】
前記フィルターユニットを設置するステップは、ＧＰＳを用いてフィルターユニットを設置する位置を特定するステップを含む、請求項１に記載の海底におけるケーブル、長い管、または、パイプラインの保護方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】海底におけるケーブル、長い管、または、パイプラインの保護方法
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月14日(2014.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルと、
ゲート、ソース、及びドレインを有し、前記ソース及び前記ドレインの一方からの出力が前記コイルに入力され、前記ソース及び前記ドレインの他方に入力電圧が与えられる第１のトランジスタと、
第１の電極及び第２の電極を有し、前記第１の電極に前記コイルの出力が与えられ、前記第２の電極に低電源電圧が与えられる容量素子と、
アノード及びカソードを有し、前記アノードに前記低電源電圧が与えられ、前記カソードが前記第１のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの一方に電気的に接続されたダイオードと、
前記コイルの出力電圧に応じてデューティ比が設定されたパルス信号を、前記第１のトランジスタの前記ゲートに出力するヒステリシスコンパレータと、を具備し、
前記ヒステリシスコンパレータは、
第１の基準電圧と、前記コイルからの出力が入力される第１のコンパレータと、
前記コイルからの出力と、第２の基準電圧が入力される第２のコンパレータと、
前記第１のコンパレータの出力が入力される第１のインバータと、
前記第２のコンパレータの出力が入力される第２のインバータと、
前記第１のトランジスタの前記ゲートへ出力され、前記第１のインバータからの出力が入力される第１のＮＯＲゲートと、
前記第１のＮＯＲゲートへ出力され、前記第１のＮＯＲゲートからの出力と、前記第２のインバータからの出力が入力される第２のＮＯＲゲートと、を具備し、
前記第１のコンパレータ、前記第２のコンパレータ、前記第１のインバータ、前記第２のインバータ、前記第１のＮＯＲゲート、及び前記第２のＮＯＲゲートのそれぞれは、ゲート、ソース、及びドレインを有する第２のトランジスタを具備し、
前記第２のトランジスタは、チャネル形成層として酸化物半導体層を有する直流変換回路。
【請求項２】
コイルと、
ゲート、ソース、及びドレインを有し、前記ソース及び前記ドレインの一方からの出力が前記コイルに入力され、前記ソース及び前記ドレインの他方に入力電圧が与えられる第１のトランジスタと、
第１の電極及び第２の電極を有し、前記第１の電極が前記コイルの出力が与えられ、前記第２の電極に低電源電圧が与えられる容量素子と、
アノード及びカソードを有し、前記アノードに前記低電源電圧が与えられ、前記カソードが前記第１のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの一方に電気的に接続されたダイオードと、
前記コイルの出力電圧に応じてデューティ比が設定されたパルス信号を、前記第１のトランジスタの前記ゲートに出力するヒステリシスコンパレータと、を具備し、
前記ヒステリシスコンパレータは、同一の導電型の第２のトランジスタで構成され、
前記第２のトランジスタは、チャネル形成層として酸化物半導体層を有する直流変換回路。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記酸化物半導体層の水素濃度は５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である直流変換回路。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリオール化合物、発泡剤である水を含有するポリオール組成物とポリイソシアネート成分とを混合、反応させて得られ、縦方向、幅方向および厚み方向を有するポリウレタンフォームパネルであって、
幅方向の１０％圧縮強度Ｓｂが３Ｎ／ｃｍ２以下であり、かつ熱伝導率λが、λ≦０．０４Ｗ／ｍ・Ｋであり、
フォーム密度が１５ｋｇ／ｍ３以下であることを特徴とするポリウレタンフォームパネル。
【請求項２】
前記ポリウレタンフォームパネルの厚み方向と、フォーム内セルの発泡方向とが略垂直である請求項１に記載のポリウレタンフォームパネル。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月18日(2014.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性流体媒体の存在下で組織を治療する電気手術器具において、
前記電気手術器具が器具シャフトと、前記器具シャフトの一端の電極アセンブリとを備え、前記電極アセンブリが組織治療電極と、絶縁部材によって組織治療電極から電気的に絶縁されたリターン電極とを備え、前記組織治療電極が組織を治療する露出した表面を有し、前記リターン電極が、使用する際、前記組織治療電極と前記リターン電極との間の電気回路を完成する導電性流体経路を画定するように流体接触表面を有し、前記絶縁部材が、前記組織治療電極が受け入れられるチャンバを含み、前記組織治療電極が、露出した組織治療表面を含む上部と、それに従属する下部とを備え、前記組織治療電極の前記下部が胴体部を備え、前記チャンバに、前記組織治療電極を前記チャンバ内に保持するため前記組織治療電極の前記胴体部と協働するのに適した少なくとも１つの肩が設けられている電気手術器具。
【請求項２】
前記組織治療電極を取り囲む領域から気泡及び／又は粒子状物質を吸引できる通路となる少なくとも１つの開口が提供され、前記電気手術器具がさらに、前記開口又は各前記開口を吸引源に接続する吸引チューブを備える、請求項１に記載の電気手術器具。
【請求項３】
前記胴体部が、前記組織治療電極を前記吸引チューブに接続し前記組織治療電極を前記チャンバ内に保持するため前記吸引チューブ内に受け入れられる、請求項２に記載の電気手術器具。
【請求項４】
前記組織治療電極が、前記組織治療電極と前記絶縁部材との間に間隙が存在して吸引チャネルを形成するように前記チャンバ内に設置される、請求項２に記載の電気手術器具。
【請求項５】
前記組織治療電極と前記絶縁部材との間の前記間隙が前記組織治療電極の周囲の大部分を囲んで延びる、請求項４に記載の電気手術器具。
【請求項６】
前記間隙が前記組織治療電極の全周囲を囲んで延びる、請求項５に記載の電気手術器具。
【請求項７】
前記組織治療電極が平面の胴体部を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の電気手術器具。
【請求項８】
前記組織治療電極の前記組織治療表面に、突起を取り囲む領域で前記組織治療電極が発生する電界を集中する少なくとも１つの突起が設けられている、請求項７に記載の電気手術器具。
【請求項９】
前記吸引チューブが、前記組織治療電極内の前記開口又は各前記開口及び前記吸引チャネルを前記吸引源と接続する、請求項４に記載の電気手術器具。
【請求項１０】
前記吸引チューブが導電性材料から製造されているので、前記吸引チューブが、ＲＦ発生器から前記組織治療電極への電気入力を構成する、請求項９に記載の電気手術器具。
【請求項１１】
前記吸引チューブが器具シャフト内に設置される、請求項１０に記載の電気手術器具。
【請求項１２】
前記胴体部が、前記組織治療電極を前記吸引チューブに接続するため前記吸引チューブ内に受け入れられる、請求項１１に記載の電気手術器具。
【請求項１３】
前記吸引チューブが前記組織治療電極を前記絶縁部材内に保持する、請求項１２に記載の電気手術器具。
【請求項１４】
さらに、前記組織治療電極と前記リターン電極とに接続された双極出力を有するＲＦ発生器を備える、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の電気手術器具。
【請求項１５】
前記組織治療電極の露出した端部が前記電気手術器具の遠位端部の前記絶縁部材内に提供される切り抜き部を通じて延び、前記リターン電極の前記流体接触表面が、前記切り抜き部の領域内で前記絶縁部材の上に重なっている、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の電気手術器具。
【請求項１６】
前記電気手術器具は、使用中において、前記電気手術器具を吸引源に接続するように配置された吸引チューブをさらに備え、前記吸引チューブは、前記組織治療電極を定位置で保持するように前記組織治療電極の前記胴体部にわたって位置するように配置されている、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の電気手術器具。
【請求項１７】
前記胴体部を有する前記組織治療電極は、前記チャンバ内に下げられ、前記吸引チューブは、前記胴体部にわたって位置するように前方に押される、請求項１６に記載の電気手術器具。
【請求項１８】
前記胴体部は、その遠位端において突起を有し、前記吸引チューブが前方に押されて前記組織治療電極を定位置に固定する時に前記突起が前記少なくとも１つの肩の下ｈ８位置する、請求項１７に記載の電気手術器具。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月2日(2014.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の回胴を回転させて停止させる遊技を行う遊技機において、
所定条件が成立することに基づいて、回胴を用いた回胴演出を行う回胴演出制御手段を備え、
前記回胴演出制御手段は、
前記回胴演出として、回胴を回転させるとともに、所定の操作が行われることに基づいて該回胴の回転を停止させる制御を行うものであって、
回胴の停止態様によって所定の利益が付与されるか否かを遊技者に報知可能とする
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述した課題の少なくとも一部を解決するために、本発明の遊技機は次の構成を採用した。すなわち、
複数の回胴を回転させて停止させる遊技を行う遊技機において、
所定条件が成立することに基づいて、回胴を用いた回胴演出を行う回胴演出制御手段を備え、
前記回胴演出制御手段は、
前記回胴演出として、回胴を回転させるとともに、所定の操作が行われることに基づいて該回胴の回転を停止させる制御を行うものであって、
回胴の停止態様によって所定の利益が付与されるか否かを遊技者に報知可能とする
ことを特徴とする。
また、本発明に関連する関連発明の遊技機は、
遊技媒体の投入後に、所定の回転開始操作を受けて複数の回胴の通常回転を開始し、所定の回転停止操作を受けて前記複数の回胴の通常回転を停止させる図柄変動遊技を行う遊技機において、
前記図柄変動遊技が終了するまでの間に、該図柄変動遊技の進行を停止させる特殊状態を発生させる特殊状態発生手段と、
前記特殊状態において、前記回胴に前記通常回転とは異なる特殊回転を行わせる特殊回転実行手段と、
前記回胴の前記特殊回転中に所定の操作部材が操作されると、前記特殊回転が開始されてから前記操作部材が操作されるまでの前記回胴の回転量に応じて、前記特殊回転する前記回胴を特定態様で停止させるか否かを決定する決定手段と、
前記決定手段の決定結果に従って前記特殊回転する前記回胴を停止させる特殊回転停止手段と、
前記回胴の前記特殊回転が前記特定態様で停止すると、所定の特典を付与する特典付与手段と
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月14日(2013.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
一方側に第１のリアクトルを介して接続した第１のマルチレベル変換器と、
他方側に第２のリアクトルを介して接続した第２のマルチレベル変換器を有して前記一方側と前記他方側との間で電力変換をおこなうものであって、
前記一方側に接続した第１のＹ結線リアクトルと、
前記他方側に接続した第２のＹ結線リアクトルと、
前記第１のマルチレベル変換器の中性点と前記第２のマルチレベル変換器の中性点を接続し、また、
前記第１のＹ結線リアクトルの中性点と前記第２のＹ結線リアクトルの中性点を接続し、
前記第１，第２のマルチレベル変換器の中性点と、前記第１，第２のＹ結線リアクトルの中性点を直流リンクする構成を備えたことを特徴とする電力変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
一方側に第１のリアクトルを介して接続した第１のマルチレベル変換器と、
他方側に第２のリアクトルを介して接続した第２のマルチレベル変換器を有して前記一方側と前記他方側との間で電力変換をおこなうものであって、
前記一方側に接続した第１のＹ結線リアクトルと、
前記他方側に接続した第２のＹ結線リアクトルと、
前記第１のマルチレベル変換器の中性点と前記第２のＹ結線リアクトルの中性点を接続し、また、
前記第１のＹ結線リアクトルの中性点と前記第２のマルチレベル変換器の中性点を接続する構成を備えたことを特徴とする電力変換装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を達成するために、本発明の電力変換装置は、一方側に第１のリアクトルを介して接続した第１のマルチレベル変換器と、他方側に第２のリアクトルを介して接続した第２のマルチレベル変換器を有して前記一方側と前記他方側との間で電力変換をおこなうものであって、前記一方側に接続した第１のＹ結線リアクトルと、前記他方側に接続した第２のＹ結線リアクトルと、前記第１のマルチレベル変換器の中性点と前記第２のマルチレベル変換器の中性点を接続し、また、前記第１のＹ結線リアクトルの中性点と前記第２のＹ結線リアクトルの中性点を接続し、前記第１，第２のマルチレベル変換器の中性点と、前記第１，第２のＹ結線リアクトルの中性点を直流リンクする構成を備えるように構成した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、上記課題を達成するために、本発明の電力変換装置は、一方側に第１のリアクトルを介して接続した第１のマルチレベル変換器と、他方側に第２のリアクトルを介して接続した第２のマルチレベル変換器を有して前記一方側と前記他方側との間で電力変換をおこなうものであって、前記一方側に接続した第１のＹ結線リアクトルと、前記他方側に接続した第２のＹ結線リアクトルと、前記第１のマルチレベル変換器の中性点と前記第２のＹ結線リアクトルの中性点を接続し、また、前記第１のＹ結線リアクトルの中性点と前記第２のマルチレベル変換器の中性点を接続する構成を備えるように構成した。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の始動条件の成立により補助遊技を実行し、該補助遊技が特別な結果となる場合に遊技者に特典を付与する特別遊技状態を発生させる遊技制御を行う遊技制御装置と、該遊技制御装置からの指令により前記補助遊技に関わる表示の制御を行う表示制御装置と、を備えた遊技機において、
前記遊技制御装置には、
遊技制御プログラムを記憶する遊技制御プログラム記憶手段と、
前記遊技制御プログラムにより所要の演算処理を行う演算処理手段と、
前記演算処理を行う際にデータが記憶されるレジスタと、
前記演算処理手段によって更新される情報が記憶される更新情報記憶手段と、
を備え、
前記更新情報記憶手段には複数バイトのアドレスが割り当てられ、該アドレスにより該更新情報記憶手段に記憶される情報が特定され、
前記レジスタには、前記アドレスのうちの上位のアドレスを指定するための上位アドレス指定レジスタが含まれるとともに、
前記演算処理手段は、所定の起動信号が発生すると、前記遊技制御プログラムのリセットアドレスに設定された命令を実行し、
前記起動信号が発生した際に、前記演算処理手段が前記遊技制御プログラムのリセットアドレスに設定された命令を実行するよりも前に、前記上位アドレス指定レジスタに前記更新情報記憶手段に割り当てられた固有のアドレス値を設定する固有値設定手段を備えたことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
従来の遊技機では、遊技制御プログラム全体のコード量を削減することができなかった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、遊技制御プログラム全体のコード量を削減することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月3日(2014.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水を供給するための給水部と、
前記給水部よりも流路断面積を減少させ、前記給水部より供給される水を加速させて下流側に噴射するための絞り部と、
前記絞り部より噴射される水に空気を混入させて気泡混入水と成すための空気導入用の開口が形成されている空気混入部と、
前記空気混入部よりも下流側に設けられ、気泡混入水を吐出するための複数の散水孔が形成されている散水部と、を備えたシャワー装置であって、
前記絞り部から噴射される水を噴射方向へ延伸させた噴射水仮想直線が、前記絞り部より下流側の流路を成す流路内壁のうち、流路末端としての機能を有する先端内壁を除く内壁と干渉しないよう構成されており、
流路末端近傍における気泡混入水の気泡同士の結合を抑制させるために、前記先端内壁は上流側に向かって突出する複数の突出部を有し、かつ、隣接し合う前記突出部の間には、最も下流側に存在する前記散水孔である最下流散水孔が配置されていることを特徴とするシャワー装置。
【請求項２】
隣接し合う前記突出部は、平面視において下流に向かって凹状に湾曲した湾曲部を形成するようにして連なっていることを特徴とする請求項１に記載のシャワー装置。
【請求項３】
前記最下流散水孔は、前記湾曲部の下流側端部に配置されていることを特徴とする請求項２に記載のシャワー装置。
【請求項４】
平面視において、前記突出部の幅が、上流側に向かうにつれて小さくなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のシャワー装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の始動条件の成立により変動表示ゲームが実行され、該変動表示ゲームが特別な結果となる場合に遊技者に特典を付与する特別遊技状態を発生させる遊技機において、
前記特別遊技状態を発生させる制御を行う遊技制御装置と、
該遊技制御装置からの指令により前記変動表示ゲームに関わる表示の制御を行う表示制御装置と、
を備えるとともに、
前記遊技制御装置には、
遊技制御プログラムを記憶する遊技制御プログラム記憶手段と、
前記遊技制御プログラムにより所要の演算処理を行う演算処理手段と、
前記演算処理を行う際にデータが記憶されるレジスタと、
が備えられ、
前記レジスタには、前記演算処理手段によって前記遊技制御プログラムが記憶されるアドレスの値が設定可能な分岐アドレス設定レジスタが含まれ、
前記遊技制御プログラムには、前記分岐アドレス設定レジスタに設定された値のアドレスに処理を分岐させる特定の命令が含まれ、
前記演算処理手段は、所定の起動信号が発生すると、前記遊技制御プログラムのリセットアドレスに設定された命令を実行し、
前記起動信号が発生した際に、前記演算処理手段が前記遊技制御プログラムのリセットアドレスに設定された命令を実行するよりも前に、前記分岐アドレス設定レジスタに固有のアドレス値を設定する固有値設定手段を備えたことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
一方、パチンコ機の制御装置などに用いられるＣＰＵとして、Ｚ８０系のＣＰＵが知られている（例えば、特許文献２）。Ｚ８０系の命令には、特許文献２の段落［００２０］に示されるような「ＪＰ（ＨＬ）」の命令が用意されている。この命令は、ＨＬレジスタに格納された値をアドレスと認識させて、そのアドレスで示されるプログラムの箇所に処理を分岐させるものである。なお、ＣＰＵが起動した時点では、ＨＬレジスタの値は不定な値が格納されている。
特許文献１の従来技術の遊技機のプログラムにて分岐の処理を行う場合には、特許文献２のＣＰＵの「ＪＰ（ＨＬ）」が用いられることがあり、この場合、ＨＬレジスタに分岐先のアドレスの値を格納してから、「ＪＰ（ＨＬ）」の命令を実行する構成となる。
しかしながら、特許文献１の従来技術の遊技機などは、ノイズ環境に晒されているために、ＣＰＵが暴走する危険を有している。特に、特許文献２のような従来のＣＰＵを用いた場合は、遊技機の電源が投入されてＣＰＵが起動を開始した直後では、ＨＬレジスタの値が不定な値であるために、誤ってプログラム中の「ＪＰ（ＨＬ）」命令が実行された場合には、分岐先が不定なためにＣＰＵが暴走するおそれがあった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、遊技機の電源が投入されてＣＰＵが起動を開始した後に分岐する処理が実行されたとしても、分岐先が不定とならないようにすることを目的とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一形態によれば、遊技機の電源が投入されてＣＰＵが起動を開始した後に分岐する処理が実行されたとしても、分岐先が不定とならないようにすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月29日(2014.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の始動条件の成立により補助遊技を実行し、該補助遊技が特別な結果となる場合に遊技者に特典を付与する特別遊技状態を発生させる遊技制御を行う遊技制御装置を備えた遊技機において、
前記遊技制御装置には、
遊技制御プログラムを記憶する遊技制御プログラム記憶手段と、
前記遊技制御プログラムにより所要の演算処理を行う演算処理手段と、
前記演算処理を行う際にデータが記憶されるレジスタと、
が備えられ、
前記レジスタには、前記演算処理手段によって前記遊技制御プログラムが記憶されるアドレスの値が設定可能な分岐アドレス設定レジスタが含まれ、
前記遊技制御プログラムには、前記分岐アドレス設定レジスタに設定された値のアドレスに処理を分岐させる特定の命令が含まれ、
前記演算処理手段は、所定の起動信号が発生すると、前記遊技制御プログラムのリセットアドレスに設定された命令を実行し、
前記起動信号が発生した際に、前記演算処理手段が前記遊技制御プログラムのリセットアドレスに設定された命令を実行するよりも前に、前記分岐アドレス設定レジスタに固有のアドレス値を設定する固有値設定手段を備え、
前記演算処理手段が前記遊技制御プログラムを実行すると、前記補助遊技の制御状態が予め定められた順序で切り換えられるとともに、前記分岐アドレス設定レジスタには、切り換えられた制御状態に対応する分岐先のアドレスが設定されることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の代表的な一形態では、所定の始動条件の成立により補助遊技を実行し、該補助遊技が特別な結果となる場合に遊技者に特典を付与する特別遊技状態を発生させる遊技制御を行う遊技制御装置を備えた遊技機において、前記遊技制御装置には、遊技制御プログラムを記憶する遊技制御プログラム記憶手段と、前記遊技制御プログラムにより所要の演算処理を行う演算処理手段と、前記演算処理を行う際にデータが記憶されるレジスタと、が備えられ、前記レジスタには、前記演算処理手段によって前記遊技制御プログラムが記憶されるアドレスの値が設定可能な分岐アドレス設定レジスタが含まれ、前記遊技制御プログラムには、前記分岐アドレス設定レジスタに設定された値のアドレスに処理を分岐させる特定の命令が含まれ、前記演算処理手段は、所定の起動信号が発生すると、前記遊技制御プログラムのリセットアドレスに設定された命令を実行し、前記起動信号が発生した際に、前記演算処理手段が前記遊技制御プログラムのリセットアドレスに設定された命令を実行するよりも前に、前記分岐アドレス設定レジスタに固有のアドレス値を設定する固有値設定手段を備え、前記演算処理手段が前記遊技制御プログラムを実行すると、前記補助遊技の制御状態が予め定められた順序で切り換えられるとともに、前記分岐アドレス設定レジスタには、切り換えられた制御状態に対応する分岐先のアドレスが設定される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月29日(2014.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の始動条件の成立により補助遊技を実行し、該補助遊技が特別な結果となる場合に遊技者に特典を付与する特別遊技状態を発生させる遊技制御を行う遊技制御装置を備えた遊技機において、
前記遊技制御装置には、
遊技制御プログラムにより所要の演算処理を行う演算処理手段と、
前記演算処理を行う際にデータが記憶されるレジスタと、
前記演算処理手段によって更新される情報が記憶され、当該遊技機への電源供給が停止しても前記記憶された情報の記憶保持が可能な更新情報記憶手段と、
前記更新情報記憶手段に記憶された情報の更新を規制する更新規制手段と、
を備え、
前記更新情報記憶手段には複数バイトのアドレスが割り当てられ、該アドレスにより該記憶手段に記憶される情報が特定され、
前記レジスタには、前記アドレスのうちの上位のアドレスを指定するための上位アドレス指定レジスタが含まれるとともに、
所定の起動信号が発生すると、前記更新規制手段により、前記記憶手段に記憶された情報の更新が禁止される更新禁止状態が発生し、該更新禁止状態の発生後に前記演算処理手段の動作が開始され、
さらに、該演算処理手段の動作が開始されると、当該演算処理手段によって前記更新禁止状態が解除され、次いで、前記上位アドレス指定レジスタにより指定されるアドレスに記憶された情報を用いて遊技制御が開始されることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月29日(2014.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の始動条件の成立により補助遊技を実行し、該補助遊技が特別な結果となる場合に遊技者に特典を付与する特別遊技状態を発生させる遊技制御を行う遊技制御装置を備えた遊技機において、
前記遊技制御装置には、
遊技制御プログラムにより所要の演算処理を行う演算処理手段と、
前記演算処理を行う際にデータが記憶されるレジスタと、
前記演算処理手段によって更新される情報が記憶され、当該遊技機への電源供給が停止しても前記記憶された情報の記憶保持が可能な更新情報記憶手段と、
前記更新情報記憶手段に記憶された情報の更新を規制する更新規制手段と、
を備え、
前記更新情報記憶手段には複数バイトのアドレスが割り当てられ、該アドレスにより該記憶手段に記憶される情報が特定され、
前記レジスタには、前記アドレスのうちの上位のアドレスを指定するための上位アドレス指定レジスタが含まれるとともに、
所定の起動信号が発生すると、前記演算処理手段により、前記上位アドレス指定レジスタにより指定されるアドレスに記憶された情報を用いて遊技制御が開始され、
前記更新情報記憶手段は、前記補助遊技の実行に関連する乱数を保存する乱数保存領域と、前記遊技制御プログラムの実行に必要なスタック領域とを含み、
前記乱数保存領域が割り当てられた領域の上位アドレスに、前記スタック領域が割り当てられた領域の上位アドレスとは異なるアドレスが設定されていることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の代表的な一形態では、所定の始動条件の成立により補助遊技を実行し、該補助遊技が特別な結果となる場合に遊技者に特典を付与する特別遊技状態を発生させる遊技制御を行う遊技制御装置を備えた遊技機において、前記遊技制御装置には、遊技制御プログラムにより所要の演算処理を行う演算処理手段と、前記演算処理を行う際にデータが記憶されるレジスタと、前記演算処理手段によって更新される情報が記憶され、当該遊技機への電源供給が停止しても前記記憶された情報の記憶保持が可能な更新情報記憶手段と、前記更新情報記憶手段に記憶された情報の更新を規制する更新規制手段と、を備え、前記更新情報記憶手段には複数バイトのアドレスが割り当てられ、該アドレスにより該記憶手段に記憶される情報が特定され、前記レジスタには、前記アドレスのうちの上位のアドレスを指定するための上位アドレス指定レジスタが含まれるとともに、所定の起動信号が発生すると、前記演算処理手段により、前記上位アドレス指定レジスタにより指定されるアドレスに記憶された情報を用いて遊技制御が開始され、前記更新情報記憶手段は、前記補助遊技の実行に関連する乱数を保存する乱数保存領域と、前記遊技制御プログラムの実行に必要なスタック領域とを含み、前記乱数保存領域が割り当てられた領域の上位アドレスに、前記スタック領域が割り当てられた領域の上位アドレスとは異なるアドレスが設定されている。