(57)【要約】【課題】厚みを薄くしても割れの生じるおそれの少ない半導体ウエハ、また、そのような半導体ウエハの加工方法及び加工装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、表面に半導体素子が形成された半導体ウエハ１０裏面の外縁部を第１の砥石２２で研削して環状の溝１２を形成する工程と、溝１２の内側の凸部１４を第２の砥石２４ａで研削して半導体ウエハ１０の裏面に溝１２と一体に凹部２０を形成する工程と、第２の砥石２４ａによる研削面を含む凹部２０の底面を、第３の砥石２６ａでさらに研削する工程とを具備する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に半導体素子が形成された半導体ウエハ裏面の外縁部を第１の砥石で研削して環状の溝を形成する工程と、
前記溝の内側の凸部を第２の砥石で研削して前記半導体ウエハの裏面に前記溝と一体に凹部を形成する工程と、
前記第２の砥石による研削面を含む前記凹部の底面を第３の砥石でさらに研削する工程と
を有することを特徴とする半導体ウエハの加工方法。
【請求項２】
前記第２の砥石の粒度が、前記第１の砥石及び前記第３の砥石の各粒度より粗であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハの加工方法。
【請求項３】
前記第１の砥石による研削面の表面粗さ（Ｒｙ）が０．１μｍ〜２．５μｍ、前記第２の砥石による研削面の表面粗さ（Ｒｙ）が３．０μｍ以上、前記第３の砥石による研削面の表面粗さ（Ｒｙ）が０．５μｍ以下あることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハの加工方法。
【請求項４】
表面に半導体素子が形成された半導体ウエハ裏面の外縁部を研削して環状の溝を形成する第１の砥石と、前記第１の砥石により形成された前記溝の内側の凸部を研削して前記半導体ウエハの裏面に前記環状の溝と一体に凹部を形成する第２の砥石と、前記凹部の底面を研削する第３の砥石とを備えることを特徴とする半導体ウエハの加工装置。
【請求項５】
表面に半導体素子が形成され、裏面に凹部が形成された半導体ウエハであって、
前記凹部は、前記半導体ウエハ裏面の外縁部を研削して形成された環状の溝の内側を前記溝より深く研削することにより形成されたものであり、前記溝で形成された前記凹部内側面の表面粗さ（Ｒｙ）が０．１μｍ〜２．５μｍで、それ以外の凹部内側面の表面粗さ（Ｒｙ）が０．５μｍ以下であることを特徴とする半導体ウエハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体ウエハの加工方法及び加工装置、並びに、半導体ウエハに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハを薄化する方法として、半導体ウエハ裏面の外周部数ｍｍを残して中央部のみを機械研削する、ＴＡＩＫＯプロセスと称する方法が知られている。この方法によれば、半導体ウエハは外周部が研削されずに元の厚みのまま残るので、機械的強度が保たれ、その後の加工時や搬送時における半導体ウエハの割れや反りを抑制することができる。
【０００３】
ところで、ＴＡＩＫＯプロセスでは、中央部を機械研削する際、通常、インデックスアップのために、粗い粒度の砥石を用いて粗研削し、次いで、細かい粒度の砥石を用いて仕上げ研削が行われている。この場合、仕上げ研削は粗研削より内側の領域を研削するため、仕上げ研削領域の外周には粗研削面が残ってしまう。その結果、半導体ウエハは、この粗研削面が起点になって割れが発生しやすいという問題があった。そして、このような割れの発生のしやすさは、半導体ウエハの厚みが薄くなればなるほど顕著であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１９４６１号公報
【特許文献２】特開２００７−３５７５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、厚みを薄くしても割れの生じるおそれの少ない半導体ウエハ、また、そのような半導体ウエハの加工方法及び加工装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の半導体ウエハの加工方法は、表面に半導体素子が形成された半導体ウエハ裏面の外縁部を第１の砥石で研削して環状の溝を形成する工程と、前記溝の内側の凸部を第２の砥石で研削して前記半導体ウエハの裏面に前記溝と一体に凹部を形成する工程と、前記第２の砥石による研削面を含む前記凹部の底面を、第３の砥石でさらに研削する工程とを具備する。
【０００７】
実施形態の半導体ウエハの加工装置は、表面に半導体素子が形成された半導体ウエハ裏面の外縁部を研削して環状の溝を形成する第１の砥石と、前記第１の砥石により形成された前記溝の内側の凸部を研削して前記半導体ウエハの裏面に前記環状の溝と一体に凹部を形成する第２の砥石と、前記凹部の底面を研削する第３の砥石とを具備する。
【０００８】
実施形態の半導体ウエハは、表面に半導体素子が形成され、裏面に凹部が形成された半導体ウエハである。前記凹部は、前記半導体ウエハ裏面の外縁部を研削して形成された環状の溝の内側を前記溝より深く研削することにより形成されたものであり、前記溝で形成された前記凹部内側面の表面粗さ（Ｒｙ）が０．１μｍ〜２．５μｍで、それ以外の凹部内側面の表面粗さ（Ｒｙ）が０．５μｍ以下である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態による半導体ウエハの加工方法を示す概略断面図である。
【図２】実施形態による半導体ウエハの加工方法を説明するための概略断面図である。
【図３】実施形態との比較のための半導体ウエハの加工方法を示す概略断面図である。
【図４】図３に示した半導体ウエハの加工方法を、図２と対比させて説明するための概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して、実施形態を説明する。
【００１１】
図１は、本実施形態の半導体ウエハの加工方法を工程順に示す概略断面図である。
【００１２】
本実施形態においては、まず、第１の研削工程として、表面に半導体素子が形成されたシリコン等からなる半導体ウエハ１０の裏面の外縁部を研削して環状の溝１２を形成する（図１（ａ））。
【００１３】
この環状の溝１２の形成には、後述する２回の研削工程で用いる第２の砥石及び第３の砥石のうち、少なくとも最初の研削工程（第２の研削工程）で用いる砥石（第２の砥石）より粒度の細かい砥石、例えば、研削面Ｇ１の表面粗さ（Ｒｙ：最大高さ）が０．１μｍ〜２．５μｍ、好ましくは０．１μｍ〜２．０μｍの範囲となる砥石（第１の砥石）を備えた切削ブレード２２が用いられる。本実施形態では、環状の溝１２は、表面粗さ（Ｒｙ）１．０μｍに研削されている。
【００１４】
上記切削ブレード２２を用いて半導体ウエハ１０の裏面に形成する溝１２の位置は、溝１２の外周が、半導体ウエハ１０表面の半導体素子形成領域の外側で、かつ半導体の外周部に結晶方位を示すためのノッチが設けられている場合にそのノッチの内側になるようであればよいが、通常は、半導体ウエハ１０の外縁から溝１２の外周までの距離Ｄ１が２．０ｍｍ〜２．５ｍｍとなる範囲である。本実施形態では、外径３００ｍｍ、厚さ７７５μｍの半導体ウエハ対し、距離Ｄ１が２．１ｍｍとなる位置に溝１２が設けられている。
【００１５】
また、溝１２の深さ及び幅は、半導体ウエハ１０の外径や、目的とする研削後の半導体ウエハ１０の厚み等にもよるが、通常、深さは、溝１２の底面から半導体ウエハの表面までの距離（以下、「残し量」ともいう）Ｔ１が２５μｍ〜６００μｍ程度となる範囲であり、幅Ｗは１００μｍ〜１．０ｍｍ程度である。深さがあまり浅いと、半導体ウエハ１０を薄化するために第３の砥石による研削量を多くしなければならず、加工効率が低下する。また、幅があまり狭いと、後の加工工程（第２の研削工程及び第３の研削工程）における技術的制約（例えば、研削領域に高い寸法精度が要求される等）が多くなり、幅が広すぎると、所望の表面粗さを有する溝１２の形成が困難になる。本実施形態では、溝部における残し量Ｔ１１００μｍ、溝幅Ｗ５００μｍに形成されている。
【００１６】
なお、第１の研削工程では、図示を省略したが、半導体ウエハ１０は、それ自身回転しながら半導体ウエハ１０を保持する保持テーブル上に、裏面を上に向けて保持され、保持テーブルで半導体ウエハ１０を回転させながら、その裏面の外縁部に切削ブレード２２を当接させ、溝１２が形成される。保持テーブルには、例えば、上面に真空チャックを備えたチャックテーブル構造のものが使用される。保持テーブルは、後述する第２及び第３の砥石を用いる第２及び第３の研削工程でも使用される。半導体ウエハ１０を保持テーブルに保持させる際、半導体ウエハ１０の表面には、半導体素子を保護するため、テープ等の保護部材が貼着される。
【００１７】
次に、第２の研削工程として、第１の研削工程で形成された環状の溝１２の内側の凸部１４を、第２の砥石２４ａを備えた研削装置２４を用いて研削して、溝１２と一体の凹部２０を形成する（図１（ｂ））。
【００１８】
この第２の研削工程は、いわゆる粗研削工程である。したがって、この工程に用いられる第２の砥石２４ａは、粗研削用の砥石であり、前述したように、上記第１の砥石より粗い粒度の砥石、例えば、研削面Ｇ２の表面粗さ（Ｒｙ）が３．０μｍ以上、好ましくは３．１μｍ〜４．０μｍの範囲となるような砥石が用いられる。本実施例では、研削面Ｇ２の表面粗さ（Ｒｙ）が３．２μｍとなる砥石が用いられている。
【００１９】
研削装置２４は、このような第２の砥石２４ａを下面に固着した研削ホイール２４ｂと、研削ホイール２４ｂを保持するホイールマウント２４ｃが一端に設けられ、他端にモータ（図示なし）が取り付けられたスピンドル２４ｄとを備えており、モータの駆動によりスピンドル２４ｄが回転し、それに伴いホイールマウント２４ｃに装着された研削ホイール２４ｂも一体に回転する構成となっている。さらに、研削装置２４は、研削ホイール２４ｂが回転しながら下降するようにもなっており、この研削ホイール２４ｂの下降によって、その下面に固着した第２の砥石２４ａが半導体ウエハ１０の裏面に接触し、研削が行われる。
【００２０】
この第２の研削工程も、第１の研削工程と同様、半導体ウエハ１０を、それ自身回転しながら半導体ウエハ１０を保持する保持テーブル上に、裏面を上に向けて保持し、保持テーブルで半導体ウエハ１０を回転させながら研削する。研削の深さは、特に限定されないものの、深さがあまり浅いと、半導体ウエハを薄化するために、後の第３の砥石による研削量を多くしなければならず、加工効率が低下する。また、溝１２よりさらに深く研削すると、第２の砥石２４ａによる粗い研削面が第３の砥石による研削後も残り、本発明による効果が得られなくなるおそれがある。したがって、第２の研削工程では、溝１２の深さを超えない範囲で、できるだけ深く研削することが好ましい。本実施形態では、第２の砥石２４ａにより研削した部分の底面から半導体ウエハの表面までの距離、すなわち第２の砥石２４ａによる研削部における残し量Ｔ２が１１０μｍに形成されている。
【００２１】
次に、第３の研削工程として、第１及び第２の研削工程で形成された凹部２０を、第３の砥石２６ａを備えた研削装置２６を用いてさらに深く、第２の砥石２４ａによる研削面Ｇ２がなくなり、かつ半導体ウエハ１０の凹部２０における厚みが所望の厚みになるまで研削する（図１（ｃ））。
【００２２】
この第３の研削工程は、いわゆる仕上げ研削工程である。したがって、この工程に用いられる第３の砥石２６ａは、仕上げ研削用の砥石であり、上記第２の砥石２４ａより細かい粒度の砥石、例えば、研削面Ｇ３の表面粗さ（Ｒｙ）が０．５μｍ以下、好ましくは０．１μｍ〜０．４μｍの範囲となるような砥石が用いられる。本実施例では、研削面Ｇ３の表面粗さ（Ｒｙ）が０．３μｍとなる砥石が用いられている。
【００２３】
研削装置２６は、第３の砥石２６ａが用いられるとともに、砥石２６ａの回転軌道の再外周の直径が、研削装置２４のものより大きく形成されている以外は、第２の砥石２４ａを備えた研削装置２４と基本的に同様に構成されている。すなわち、第３の砥石２６ａを下面に固着した研削ホイール２６ｂと、研削ホイール２６ｂを保持するホイールマウント２６ｃが一端に設けられ、他端にモータ（図示なし）が取り付けられたスピンドル２６ｄとを備えており、モータの駆動によりスピンドル２６ｄが回転し、それに伴いホイールマウント２６ｃに装着された研削ホイール２６ｂも一体に回転する構成となっている。また、研削ホイール２６ｂが回転しながら下降するようになっており、この研削ホイール２６ｂの下降によって、その下面に固着した第２の砥石２６ａが凹部２０の底面に接触し、研削が行われる。
【００２４】
第３の研削工程も、第１及び第２の研削工程と同様、半導体ウエハ１０を、それ自身回転しながら半導体ウエハ１０を保持する保持テーブル上に、裏面を上に向けて保持し、保持テーブルで半導体ウエハ１０を回転させながら研削する。研削の深さは、前述したように、第２の砥石２４ａによる研削面Ｇ２がなくなり、かつ半導体ウエハ１０の凹部２０における厚みが所望の厚みになるまでであり、例えば、凹部２０における残し量Ｔ３が２０〜１００μｍ程度となる範囲である。本実施形態では、凹部２０における残し量Ｔ３が３０μｍに形成されている。また、本実施形態では、この第３の研削工程で研削される研削部外周から半導体ウエハ１０の外縁までの距離Ｄ３が２．６ｍｍとなるように研削されている。
【００２５】
図１（ｄ）は、以上の第１〜第３の研削工程を経て薄化された半導体ウエハ１０を示しており、表面には半導体素子（図示なし）が形成され、裏面には凹部２０が形成されている。凹部２０は、半導体ウエハ１０裏面の外縁部を第１の砥石を備えた切削ブレード２２を用いて研削して形成された環状の溝１２の内側を、まず、第２の砥石２４ａを備えた研削装置２４で研削し、さらに第３の砥石２６ａを備えた研削装置２６で溝１２より深く研削して形成されたものである。したがって、凹部２０は、第１の砥石による研削面Ｇ１、例えば表面粗さ（Ｒｙ）が０．１μｍ〜２．５μｍの研削面と、第３の砥石２６ａによる研削面Ｇ３、例えば表面粗さ（Ｒｙ）が０．５μｍ以下の研削面のみで構成されている。このため、この薄化後の半導体ウエハは、凹部２０における厚みが薄くても割れるおそれが極めて少なく、その後の取り扱いが容易となる。
【００２６】
なお、図２は、本実施形態により薄化された半導体ウエハ１０の外縁部及びその近傍を拡大して示した図であり、Ｚ１〜Ｚ３は、それぞれ第１〜第３の研削工程における研削部乃至研削量を示している。
【００２７】
以上説明したように、本実施形態においては、半導体ウエハ裏面の外縁部を第１の砥石を備えた切削ブレードを用いて研削して環状の溝を形成し、次いで、粗研削用の第２の砥石で環状の溝の内側の凸部を研削して溝と一体の凹部を形成し、その後、凹部の底面を仕上げ研削用の第３の砥石で研削するので、半導体ウエハの裏面には、内側面が第１の砥石および第３の砥石による研削面のみからなる凹部が形成される。したがって、半導体ウエハの凹部における厚みを薄くしても割れを十分に抑制することができ、その後の加工時や搬送時の取り扱いを容易なものすることができる。
【００２８】
ここで、本実施形態との比較のため、粗研削用の砥石による研削と仕上げ研削用の砥石による研削のみで半導体ウエハの裏面に凹部を形成する場合の加工方法と、この加工方法により得られる半導体ウエハについて記載する。図３は、この加工方法を工程順に示したものである。なお、図３においては、図１に記載のものと同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を付しており、重複する説明を省略する。
【００２９】
図３に示すように、この方法は、まず、半導体ウエハ１０の裏面を、粗研削用の第２の砥石２４ａを備えた研削装置２４を用いて研削して凹部２０Ａを形成し（図３（ａ））、次いで、仕上げ研削用の第３の砥石２６ａを備えた研削装置２６を用いて凹部２０Ａの底面を、半導体ウエハ１０の凹部２０Ａにおける厚みが所望の厚みになるまで研削する（図３（ｂ））ものである。
【００３０】
図３（ｃ）は、この方法で薄化された半導体ウエハ１０を示しており、また、図４は、その外縁部及びその近傍を拡大して示した図である。図３（ｃ）に示すように、半導体ウエハ１０の裏面には、本実施形態の凹部２０と類似した形状の凹部２０Ａが形成されている。しかし、この凹部２０Ａは、半導体ウエハ１０裏面を、粗研削用の第２の砥石２４ａを備えた研削装置２４で研削し、次いで、仕上げ研削用の第３の砥石２６ａを備えた研削装置２６で研削して形成されたものである。したがって、凹部３０の内側面は、図４にも示すように、第２の砥石２４ａによる粗研削面Ｇ２、例えば表面粗さ（Ｒｙ）が３．０μｍ以上の研削面と、第３の砥石２６ａによる研削面Ｇ３、例えば表面粗さ（Ｒｙ）が０．５μｍ以下の研削面で構成されている。このような半導体ウエハ１０は、第２の砥石２４ａによる粗い研削面Ｇ２が起点になって、割れが発生しやすいものである。
【００３１】
これに対し、本実施形態では、図１（ｄ）及び図２に示したように、半導体ウエハ１０裏面の凹部２０の内側には粗研削面が残らないので、半導体ウエハ１０の凹部２０における厚みを薄くしても割れは極めて生じにくい。
【００３２】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３３】
１０…半導体ウエハ、１２…環状の溝、２０…凹部、２２…第１の砥石を備えた切削ブレード、２４，２６…研削装置、２４ａ…第２の砥石、２６ａ…第３の砥石、Ｇ１…第１の砥石による研削面、Ｇ２…第２の砥石による研削面、Ｇ３…第１の砥石による研削面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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