Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月17日(2014.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成された第１および第２フォトダイオードを含む固体撮像装置であって、
前記第１および第２フォトダイオードの上方に配置され、第１金属配線層と該第１金属配線層の上方に配置された第２金属配線層とを少なくとも含む、複数の金属配線層と、
前記第２金属配線層を覆う平坦化膜とを備え、
前記第２金属配線層は、前記第１フォトダイオードの上に設けられた第１開口部と、前記第２フォトダイオードの上に設けたられた第２開口部とを有しており、
前記第１金属配線層には、前記第１開口部から入射した光が前記第１フォトダイオードに到達するように前記第１開口部の下に位置する間隙が設けられており、
前記複数の金属配線層は、前記第１金属配線層と同じ層に位置し、前記第２開口部と前記第２フォトダイオードとを結ぶ直線上に位置する、金属膜を有することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
半導体基板に形成された第１および第２フォトダイオードを含む固体撮像装置であって、
前記第１および第２フォトダイオードの上方に配置され、第１金属配線層と該第１金属配線層の上方に配置された第２金属配線層とを少なくとも含む、複数の金属配線層と、
前記第２金属配線層を覆う平坦化膜とを備え、
前記第２金属配線層は、前記第１フォトダイオードの上に設けられた第１開口部と、前記第２フォトダイオードの上に設けたられた第２開口部とを有しており、
前記第１金属配線層には、前記第１開口部から入射した光が前記第１フォトダイオードに到達するように前記第１開口部の下に位置する間隙が設けられており、
前記複数の金属配線層は、前記第１金属配線層と同じ層に位置し、前記平坦化膜の側から前記半導体基板を平面視した際に、前記第２開口部の内側の領域を全て占めるように設けられた、金属膜を有することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】
前記第１フォトダイオードは画素部に位置しており、
前記第２フォトダイオードは、前記画素部の周辺に位置する周辺部の一部であって、基準信号を得るためのオプティカルブラック領域に位置していることを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記画素部における前記第２金属配線の面積占有率が前記周辺部における前記第２金属配線の面積占有率に対して０．６以上であることを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記周辺部における前記第１金属配線層の上に、前記第１金属配線層と前記第２金属配線層とが上下に並ぶ方向と交差する方向に入射する光を遮る、壁状金属部を更に有することを特徴とする請求項３又は４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記壁状金属部は、前記周辺部において前記第２金属配線層と前記第１金属配線層とを接続していることを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記周辺部は、前記画素部からの信号を処理する周辺回路領域を含むことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第２金属配線層は、前記周辺回路領域に開口を有することを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記第２金属配線層は電極パッドとして機能する金属パターンを含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第２金属配線層はアルミニウムを主成分とすることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
半導体基板に形成されたフォトダイオードを含む画素を複数有する画素部と、該画素部の周辺に設けられ、前記画素部から読み出された信号を処理する回路および／または前記画素部を制御する回路を有する周辺部と、前記フォトダイオードおよび前記回路の上方に配置され、第１金属配線層と該第１金属配線層の上方に配置された第２金属配線層とを少なくとも含む複数の金属配線層と、前記第２金属配線層を覆う平坦化膜とを備えた固体撮像装置であって、
前記第２金属配線層は、前記フォトダイオードの上に設けられた第１開口部と前記回路の上に設けたられた第２開口部とを有しており、
前記第１金属配線層には、前記第１開口部から入射した光が前記フォトダイオードに到達するように前記第１開口部の下に位置する間隙が設けられており、
前記複数の金属配線層は、前記第１金属配線層と同じ層に位置し、前記平坦化膜の側から前記半導体基板を平面視した際に、前記第２開口部の内側の領域を全て占めるように設けられた、金属膜を有することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１２】
前記半導体基板に、前記周辺部の一部に位置する基準信号を得るためのオプティカルブラック領域に第２フォトダイオードが形成されており、
前記複数の金属配線層は、前記第２フォトダイオードの上方にも配置されており、
前記第２金属配線層は、前記第２フォトダイオードの上に設けたられた第３開口部を更に有しており、
前記複数の金属配線層は、前記第１金属配線層と同じ層に位置し、前記第３開口部と前記第２フォトダイオードとを結ぶ直線上に位置する、金属膜を有することを特徴とする請求項１１に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記半導体基板に、前記周辺部の一部に位置する基準信号を得るためのオプティカルブラック領域に第２フォトダイオードが形成されており、
前記複数の金属配線層は、前記第２フォトダイオードの上方にも配置されており、
前記第２金属配線層は、前記第２フォトダイオードの上に設けたられた第３開口部を更に有しており、
前記複数の金属配線層は、前記第１金属配線層と同じ層に位置し、前記平坦化膜の側から前記半導体基板を平面視した際に、前記第３開口部の内側の領域を全て占めるように設けられた、金属膜を有することを特徴とする請求項１１に記載の固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の固体撮像装置は、半導体基板に形成された第１および第２フォトダイオードとを含む固体撮像装置であって、前記第１および第２フォトダイオードの上方に配置され、第１金属配線層と該第１金属配線層の上方に配置された第２金属配線層とを少なくとも含む、複数の金属配線層と、前記第２金属配線層を覆う平坦化膜とを備え、前記第２金属配線層は、前記第１フォトダイオードの上方に設けられた第１開口部と前記第２フォトダイオードの上方に設けたられた第２開口部とを有しており、前記第１金属配線層には、前記第１開口部から入射した光が前記第１フォトダイオードに到達するように前記第１開口部の下に位置する間隙が設けられており、前記複数の金属配線層は、前記第１金属配線層と同じ層に位置し、前記第２開口部と前記第２フォトダイオードとを結ぶ直線上に位置する、金属膜を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月14日(2014.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に、ゲート電極、窒化シリコンを含む厚さが５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下のゲート絶縁層、結晶シリコンとアモルファスシリコンとを含むシリコン層、コンタクト層、ならびにソース電極及びドレイン電極が、順に積層された薄膜トランジスタであって、前記シリコン層の内部で、前記基板に近い側から前記ソース電極及びドレイン電極に近い側に向かって、前記結晶シリコンの体積比率が大きくなっており、かつ、前記ゲート絶縁層と前記シリコン層との間に厚さが２０ｎｍ以下の酸化シリコンを含む層が挟まれていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記シリコン層は、厚さ方向に平均した結晶シリコンの体積比率が２０％以上であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
基板に、ゲート電極、窒化シリコンを含む厚さが５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下のゲート絶縁層、結晶シリコンとアモルファスシリコンとを含むシリコン層、コンタクト層、ならびにソース電極及びドレイン電極が、順に積層された薄膜トランジスタであって、前記シリコン層の内部で、前記基板に近い側から前記ソース電極及びドレイン電極に近い側に向かって、前記結晶シリコンの粒子同士が接触した粒界面の数が増加しており、かつ、前記ゲート絶縁層と前記シリコン層との間に厚さが２０ｎｍ以下の酸化シリコンを含む層が挟まれていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
薄膜トランジスタの製造方法であって、
（Ａ）基板にゲート電極と窒化シリコンを含む厚さが５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下のゲート絶縁層とを順に形成する工程、
（Ｂ）前記ゲート絶縁層の上に厚さが２０ｎｍ以下の酸化シリコンを含む層を形成する工程、
（Ｃ）前記酸化シリコンを含む層の上に、結晶シリコンとアモルファスシリコンとを含むシリコン層を化学気相成長（ＣＶＤ）法により形成する工程、および
（Ｄ）前記シリコン層の上にコンタクト層とソース電極およびドレイン電極を順に形成する工程
を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記Ｂの工程が、前記ゲート絶縁層の表面を、水蒸気雰囲気、酸素ガス雰囲気、または酸素を含む混合ガス雰囲気に暴露する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記Ｂの工程が、前記ゲート絶縁層の表面を、酸素ガス雰囲気に３０秒以上暴露する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記Ｂの工程が、ＣＶＤ法により前記酸化シリコンを含む層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記Ｃの工程のＣＶＤ法が、シリコンを含む原料ガスと水素ガスからなる希釈ガスとを使用し、前記希釈ガスの流量を前記原料ガスの流量の１０００倍以上とすることを特徴とする請求項４ないし７のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタとその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、基板に、ゲート電極、窒化シリコンを含む厚さが５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下のゲート絶縁層、結晶シリコンとアモルファスシリコンとを含むシリコン層、コンタクト層、ならびにソース電極及びドレイン電極が、順に積層された薄膜トランジスタであって、前記シリコン層の内部で、前記基板に近い側から前記ソース電極及びドレイン電極に近い側に向かって、前記結晶シリコンの体積比率が大きくなっており、かつ、前記ゲート絶縁層と前記シリコン層との間に厚さが２０ｎｍ以下の酸化シリコンを含む層が挟まれていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明は、薄膜トランジスタの製造方法であって、
（Ａ）基板にゲート電極と窒化シリコンを含む厚さが５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下のゲート絶縁層とを順に形成する工程、
（Ｂ）前記ゲート絶縁層の上に厚さが２０ｎｍ以下の酸化シリコンを含む層を形成する工程、
（Ｃ）前記酸化シリコンを含む層の上に、結晶シリコンとアモルファスシリコンとを含むシリコン層を化学気相成長（ＣＶＤ）法により形成する工程、および
（Ｄ）前記シリコン層の上にコンタクト層とソース電極およびドレイン電極を順に形成する工程
を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月26日(2014.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子とを有し、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記容量素子の一方の電極と、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、第１のチャネル形成領域を有し、
前記第２のトランジスタは、第２のチャネル形成領域を有し、
前記第１のチャネル形成領域と、前記第２のチャネル形成領域とは、互いに異なる半導体材料を有し、
前記第１のトランジスタは、ｐチャネル型のトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、第１の導電層と、第２の導電層とを有し、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記容量素子の一方の電極と、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、第１のチャネル形成領域を有し、
前記第２のトランジスタは、第２のチャネル形成領域を有し、
前記第１のチャネル形成領域と、前記第２のチャネル形成領域とは、互いに異なる半導体材料を有し、
前記第１のトランジスタは、ｐチャネル型のトランジスタであり、
前記第１の導電層は、前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域と、前記容量素子の一方の電極として機能する領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、第１の導電層と、第２の導電層とを有し、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記容量素子の一方の電極と、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、第１のチャネル形成領域を有し、
前記第２のトランジスタは、第２のチャネル形成領域を有し、
前記第１のチャネル形成領域と、前記第２のチャネル形成領域とは、互いに異なる半導体材料を有し、
前記第１のトランジスタは、ｐチャネル型のトランジスタであり、
前記第２のトランジスタは、ｎチャネル型のトランジスタであり、
前記第１の導電層は、前記第１のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域と、前記容量素子の一方の電極として機能する領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２または３において、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１のチャネル形成領域は、シリコンを有し、
前記第２のチャネル形成領域は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月12日(2014.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された第１の電極と、
前記酸化物半導体層に電気的に接続された第２の電極と、
を有し、
前記酸化物半導体層の光応答性は、前記酸化物半導体層に光を照射し、光源をオフ状態とした後に、光電流値が急峻に低下する第１のモードと、光電流値が緩やかに低下する第２のモードと、を示し、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物半導体層に光を照射し、光源をオフ状態とした後に、１ｐＡ以上１０ｎＡ以下の光電流値を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月23日(2014.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されるゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成される微結晶シリコン膜と、
前記微結晶シリコン膜上に形成されるシリコンカーバイド膜と、
前記シリコンカーバイド膜上に形成される一対の不純物半導体膜と、
前記不純物半導体膜に接する配線とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記微結晶シリコン膜及び前記シリコンカーバイド膜の側面と、前記配線との間に、絶縁領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記シリコンカーバイド膜は、非晶質シリコンカーバイド膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、前記微結晶シリコン膜及び前記シリコンカーバイド膜の間に、炭素を含む微結晶シリコン膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３において、前記微結晶シリコン膜及び前記シリコンカーバイド膜の間に、窒素を含む微結晶シリコン膜と、前記窒素を含む微結晶シリコン膜に接する窒素を含む非晶質シリコン膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項３において、前記微結晶シリコン膜及び前記シリコンカーバイド膜の間に、炭素及び窒素を含む微結晶シリコン膜と、前記炭素及び窒素を含む微結晶シリコン膜に接する炭素及び窒素を含む非晶質シリコン膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１または請求項２において、前記シリコンカーバイド膜は、微結晶シリコンカーバイド膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、前記微結晶シリコン膜及び前記シリコンカーバイド膜の間に、窒素を含む微結晶シリコン膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７において、前記微結晶シリコン膜及び前記シリコンカーバイド膜の間に、炭素及び窒素を含む微結晶シリコン膜を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月27日(2014.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化ケイ素を含む基体を提供し；
当初成分として、水、１０〜２００ｎｍの平均粒子サイズを有するコロイダルシリカである研磨剤の５〜２５重量％、無機酸および無機塩基からなる群から選ばれるｐＨ調整剤、並びに式Ｉ
【化１】
2011216873.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３はそれぞれ独立してＣ１−４アルキル基から選択される）
の物質の０．００１〜１重量％からなり、ｐＨが１０〜１１である化学機械研磨組成物を提供し；
ポリマー中空コア微小粒子およびウレタン含浸不織サブパッドを含むポリウレタン研磨層を含む化学機械研磨パッドに研磨面を提供し；
基体に対して研磨面を動かして、酸化ケイ素の少なくとも幾分かが基体から除去され；
化学機械研磨組成物を研磨面上に分配し；そして
基体の少なくとも一部分を摩耗させて、基体を研磨する；
ことを含み；
化学機械研磨組成物に含まれる式Ｉの物質は増大した酸化ケイ素除去速度および改善した研磨ディフェクト性能を提供し、ここで改善した研磨ディフェクト性能は、２００ｍｍ研磨装置において、９３回転／分のプラテン速度、８７回転／分のキャリア速度、２００ｍｌ／分の化学機械研磨組成物流速、２０．７ｋＰａの名目ダウンフォースで決定され、以下の式：
Ｘ＜Ｘ０
（Ｘは、化学機械研磨後フッ化水素洗浄後の研磨された基体上のスクラッチディフェクト数であり、Ｘ０は、式Ｉの物質が化学研磨組成物に存在しないことを除いて同じ条件下で得られるスクラッチディフェクト数である）を満足させる；
基体の化学機械研磨方法。
【請求項２】
化学機械研磨組成物が、２００ｍｍ研磨装置において、９３回転／分のプラテン速度、８７回転／分のキャリア速度、２００ｍｌ／分の化学機械研磨組成物流速、２０．７ｋＰａの名目ダウンフォースで、２，０００Å／分以上の酸化ケイ素除去速度を示し；ポリウレタン含浸不織サブパッドおよびポリマー中空コア微小粒子を含むポリウレタン研磨層を化学機械研磨パッドが含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
下記式の少なくとも一方
（ｉ）（（（Ａ−Ａ０）／Ａ０）×１００）≧５；
（ｉｉ）（（（Ａ−Ａ０）／Ａ０）×１００）≧１０、
（ここで、Ａは前記化学機械研磨組成物を使用してÅ／分で測定した酸化ケイ素の除去速度であり、Ａ０は式Ｉの物質が存在しないことを除いて同じ条件下でÅ／分で測定した酸化ケイ素の除去速度である）
を満足させる請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月19日(2014.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタは、第１のチャネル形成領域を有し、
前記第２のトランジスタは、第２のチャネル形成領域を有し、
前記第１のチャネル形成領域は、前記第２のチャネル形成領域と異なる半導体材料を含み、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートとしての機能を有する第１の導電層は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能、及び前記容量素子の一方の電極としての機能を有する第２の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の導電層は、前記容量素子の他方の電極としての機能を有する第３の導電層と重なる領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第２のトランジスタのゲートとしての機能を有する第４の導電層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタは、第１のチャネル形成領域を有し、
前記第２のトランジスタは、第２のチャネル形成領域を有し、
前記第１のチャネル形成領域は、酸化物半導体以外の材料を含み、
前記第２のチャネル形成領域は、酸化物半導体を含み、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートとしての機能を有する第１の導電層は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方としての機能、及び前記容量素子の一方の電極としての機能を有する第２の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の導電層は、前記容量素子の他方の電極としての機能を有する第３の導電層と重なる領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第２のトランジスタのゲートとしての機能を有する第４の導電層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記酸化物半導体以外の材料は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、インジウムリン、またはガリウムヒ素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第３の導電層は、前記第１の導電層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月18日(2014.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を処理するためのシステム（１０、５０、１００、２００、３００、４００、５００）であって、
１つまたは複数の記憶媒体（１２、５２、１０２、２０２、３０２、４０２、５０２）の複数のトラック（１４、５８、１０８、２０６、３１０、４０４、５１２）に沿って配置された複数のボリュームに含まれ、各マイクロホログラムがデータを含む複数のマイクロホログラムと、
複数のトラック（１４、５８、１０８、２０６、３１０、４０４、５１２）にレーザビームを誘導するための光学レンズをもつ複数のピックアップヘッドデバイス（２０、２２、１０４、１０６、２０４、３０４、３０６、５１０）と、
１つまたは複数の記憶媒体（１２、５２、１０２、２０２、３０２、４０２、５０２）からの前記データを記録および取り出すための複数のピックアップヘッドデバイス（２０、２２、１０４、１０６、２０４、３０４、３０６、５１０）を配置するためのサブシステム（１６、４０６、５０４）と
を備え、
前記複数のピックアップヘッドデバイス（２０、２２、１０４、１０６、２０４、３０４、３０６、５１０）が、前記１つまたは複数の記憶媒体（１２、５２、１０２、２０２、３０２、４０２、５０２）に含まれる複数のマイクロホログラムのデータを同時に読み出し及び／又は書き込みするように構成されている、
システム。
【請求項２】
前記サブシステムが、（１６、４０６、５０４）１つまたは複数の記憶媒体（１２、５２、１０２、２０２、３０２、４０２、５０２）における複数のピックアップヘッドデバイス（２０、２２、１０４、１０６、２０４、３０４、３０６、５１０）の半径方向移動を可能にするスライダバー（１８、１０３、３０８）を備える、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記サブシステムが、一定のデータ転送速度を取得し、前記１つまたは複数の記憶媒体（１２、５２、１０２、２０２、３０２、４０２、５０２）の回転の一定角速度を維持するために前記複数のピックアップヘッドデバイス（２０、２２、１０４、１０６、２０４、３０４、３０６、５１０）の並列移動を可能にする、請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記ピックアップヘッドが前記記憶媒体の各々に配置され、前記記憶媒体の各々の前記ピックアップヘッドが、一定のデータ転送速度を得るために互いに対して最適に間隔を置かれる、請求項３記載のシステム。
【請求項５】
前記システムが、前記１つまたは複数の記憶媒体（１２、５２、１０２、２０２、３０２、４０２、５０２）の前記複数のトラックをカバーする複数の焦点にレーザビームを誘導するためのグレーティングサブシステムを有する複数のピックアップヘッドデバイス（２０、２２、１０４、１０６、２０４、３０４、３０６、５１０）を備える、請求項１乃至４のいずれか記載のシステム。
【請求項６】
前記ピックアップヘッドデバイスが、前記１つまたは複数の記憶媒体の複数のトラックをカバーする複数の線状焦点またはスポット焦点を生成するための複数の光学レンズを備え、前記線状焦点が円柱レンズを使用して生成される、請求項１乃至５のいずれか記載のシステム。
【請求項７】
前記サブシステム（１６、４０６、５０４）が、前記１つまたは複数の記憶媒体（１２、５２、１０２、２０２、３０２、４０２、５０２）の中心から周辺部へ又は周辺部から中心へ前記複数のピックアップヘッドデバイス（２０、２２、１０４、１０６、２０４、３０４、３０６、５１０）を移動させることができ、
前記サブシステムが、円板形状ホログラフィック記憶媒体の半径方向に沿ってアーム上で移動可能な回転モジュールを備え、前記モジュールが複数のトラックをカバーするための複数のピックアップヘッドデバイス（２０、２２、１０４、１０６、２０４、３０４、３０６、５１０）を備える、請求項１乃至６のいずれか記載のシステム。
【請求項８】
情報を記録および取り出す方法であって、
ホログラフィック記憶媒体（１２、５２、１０２、２０２、３０２、４０２、５０２）の複数のトラックに沿って配置された複数のボリュームに含まれ、データを含む複数のマイクロホログラムを用意するステップ（６０２）と、
光学レンズをもつ複数のピックアップデバイス（２０、２２、１０４、１０６、２０４、３０４、３０６、５１０）を使用して前記複数のトラック上に複数のレーザビームを誘導するステップ（６０４）と、
前記ホログラフィック記憶媒体（１２、５２、１０２、２０２、３０２、４０２、５０２）からの前記データをトラッキングおよび転送するステップ（６０６）と、
前記データを同期してまたは非同期で記録および検査するステップと、
前記１つまたは複数の記憶媒体（１２、５２、１０２、２０２、３０２、４０２、５０２）に含まれる複数のマイクロホログラムのデータを同時に読み出し及び／又は書き込みするステップと、
を含む方法。
【請求項９】
第１のピックアップヘッドデバイスおよび第２のピックアップヘッドデバイスを使用して前記ホログラフィック記憶媒体からの前記データをシークおよび読み出し、それに続いて、前記第１のピックアップヘッドデバイスが前記データを読み出す間に前記第２のピックアップヘッドデバイスがデータトラックジャンプに備えてシークし、さらにそれに続いて、それぞれ、新しいデータトラックにおいて前記第２のピックアップヘッドデバイスが前記データを読み出し、読み出しのために前記第１のピックアップヘッドデバイスが別の並列データトラック上にジャンプするステップをさらに含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
サブシステムが、円板形状ホログラフィック記憶データにおいて約１８０度未満離して配置された複数のバーを含み、前記バーが複数のピックアップヘッドを備える、請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月5日(2014.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタを形成し、
前記第１のトランジスタのゲート電極の上方に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の上方に第２のトランジスタを形成し、
前記第２のトランジスタは酸化物半導体層にチャネル形成領域を有し、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１のトランジスタを形成し、
前記第１のトランジスタのゲート電極の上方に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の上方に第２のトランジスタ及び容量素子を形成し、
前記第２のトランジスタは酸化物半導体層にチャネル形成領域を有し、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記容量素子の第１の電極は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極となる領域を有する導電層は、前記容量素子の第１の電極となる領域を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記第２のトランジスタのゲート電極となる領域を有する導電層は、前記容量素子の第２の電極なる領域を有する導電層と同層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記酸化物半導体は、水素濃度が５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記酸化物半導体は、キャリア濃度が５×１０１２／ｃｍ３以下である領域を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２のトランジスタのオフ電流は、１０ｚＡ／μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月10日(2014.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の記憶部と、第２の記憶部と、比較回路と、を有し、
前記第１の記憶部は、不揮発性の第１の記憶素子を有し、基準データが書き込まれ、第１のデータを記憶する機能を有し、
前記第２の記憶部は、第２の記憶素子と、トランジスタと、を有し、前記基準データが書き込まれ、第２のデータを記憶する機能を有し、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記トランジスタは、オフ状態となることによって、書き込まれた前記基準データに対応して前記第２の記憶素子に蓄積された電荷を、保持する機能を有し、
前記比較回路は、前記第１の記憶部から読み出された前記第１のデータと、前記第２の記憶部から読み出された前記第２のデータと、を比較する機能を有することを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
第１の記憶部と、第２の記憶部と、比較回路と、を有し、
前記第１の記憶部は、不揮発性の第１の記憶素子を有し、基準データが書き込まれ、第１のデータを記憶する機能を有し、
前記第２の記憶部は、第２の記憶素子と、トランジスタと、を有し、前記基準データが書き込まれ、第２のデータを記憶する機能と、前記比較回路から出力される第３のデータを記憶する機能と、を有し、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記トランジスタは、オフ状態となることによって、書き込まれた前記基準データに対応して前記第２の記憶素子に蓄積された電荷を、保持する機能を有し、
前記比較回路は、前記第１の記憶部から読み出された前記第１のデータと、前記第２の記憶部から読み出された前記第２のデータと、を比較し、前記第３のデータを出力する機能を有することを特徴とする記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月13日(2014.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固溶体を有する正極を有し、
前記固溶体は、第１のアルカリ金属酸化物と、第２のアルカリ金属酸化物と、を有し、
前記第１のアルカリ金属酸化物の電気伝導度は、１０−１０Ｓ／ｃｍ以下であり、
前記第２のアルカリ金属酸化物の電気伝導度は、１×１０−６Ｓ／ｃｍ以上３×１０−６Ｓ／ｃｍ以下であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
固溶体を有する正極を有し、
前記固溶体は、第１のリチウム金属酸化物と、第２のリチウム金属酸化物と、を有し、
前記第１のリチウム金属酸化物の電気伝導度は、１０−１０Ｓ／ｃｍ以下であり、
前記第２のリチウム金属酸化物の電気伝導度は、１×１０−６Ｓ／ｃｍ以上３×１０−６Ｓ／ｃｍ以下であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項３】
固溶体を有する正極を有し、
前記固溶体は、第１のリチウム金属酸化物と、第２のリチウム金属酸化物と、を有し、
前記第１のリチウム金属酸化物および第２のリチウム金属酸化物の各々は、リチウムが２価以上のリチウム金属酸化物であり、
前記第１のリチウム金属酸化物の電気伝導度は、１０−１０Ｓ／ｃｍ以下であり、
前記第２のリチウム金属酸化物の電気伝導度は、１×１０−６Ｓ／ｃｍ以上３×１０−６Ｓ／ｃｍ以下であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記固溶体の電気伝導度は、１×１０−７Ｓ／ｃｍ以上１０×１０−７Ｓ／ｃｍ以下であることを特徴とする蓄電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月13日(2014.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極活物質層を有する正極を有し、
前記正極活物質層は、リン酸鉄リチウム粒子を有し、
前記リン酸鉄リチウム粒子の表面に、炭素材料が担持されており、
前記リン酸鉄リチウム粒子のＸＲＤ回折のピークの半値幅は、０．１７°以下であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
正極活物質層を有する正極を有し、
前記正極活物質層は、リン酸鉄リチウム粒子を有し、
前記リン酸鉄リチウム粒子の表面に、炭素材料が担持されており、
前記リン酸鉄リチウム粒子のＸＲＤ回折のピークの半値幅は、０．１３°以上０．１６５°以下であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項３】
正極活物質層を有する正極を有し、
前記正極活物質層は、リン酸鉄リチウム粒子を有し、
前記リン酸鉄リチウム粒子の粒径は、２０ｎｍ以上５０ｎｍ未満であり、
前記リン酸鉄リチウム粒子の表面に、炭素材料が担持されていることを特徴とする蓄電装置。
【請求項４】
正極活物質層を有する正極を有し、
前記正極活物質層は、リン酸鉄リチウム粒子を有し、
前記リン酸鉄リチウム粒子の粒径は、３０ｎｍ以上４０ｎｍ未満であり、
前記リン酸鉄リチウム粒子の表面に、炭素材料が担持されていることを特徴とする蓄電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月20日(2014.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子銃に供給する電力を制御する装置（１０）であって、
電圧が印加されると発熱するように構成されているフィラメント（２２）と、
該フィラメント（２２）により加熱されて電子ビーム（１４）を発生する電子放出器（２０）と、
前記フィラメント（２２）及び前記電子放出器（２０）の各々に電力を供給するように構成されており、複数の電圧供給源（３３、３５、３７）を含む電源（２６）と、
前記電源（２６）と前記電子放出器（２０）との間の電気経路に沿った点において第一の電流を測定する第一の電流センサ（３０）と、
前記電源（２６）と前記フィラメント（２２）との間の電気経路に沿った点において第二の電流を測定する第二の電流センサ（３２）と、
前記フィラメント（２２）及び前記電子放出器（２０）の各々への電力の供給を制御する制御システム（３４）と
を備え、前記制御システム（３４）は、
所望の電子放出器動作温度を示す入力を受け取り、
前記電子放出器（２０）に供給される電力を発生させ、該電子放出器（２０）に供給される電力により、前記電子放出器（２０）と前記フィラメント（２２）との間に印加される初期電圧を発生させ、
前記初期電圧は、前記所望の放出器要素動作温度に基づいて、前記電子放出器（２０）と前記フィラメント（２２）との間に印加され、
前記電子放出器（２０）と前記フィラメント（２２）との間に印加される前記初期電圧に基づいて、初期フィラメント電圧を発生させ、フィラメント動作温度を決定し、
前記第二の電流を初期フィラメント電流と比較し、
前記第二の電流と前記フィラメント電流との前記比較に基づいて修正後のフィラメント電圧を印加し、
前記第二の電流と前記フィラメント電流との前記比較に基づいて前記電子放出器（２０）と前記フィラメント（２２）との間に修正後の電圧を印加する
ように構成されている、装置（１０）。
【請求項２】
前記電子放出器（２０）に隣接して配置されて該電子放出器（２０）からの前記電子ビーム（１４）を抽出する抽出電極（２４）であって、前記電源（２６）に電気的に接続されて該電源（２６）から電力を受ける抽出電極（２４）と、
前記電子ビーム（１４）の経路に配置されており、前記電子ビーム（１４）が衝突すると高周波数電磁エネルギのビームを放出するように構成されているターゲット陽極（１６）と
をさらに含んでおり、
前記制御システム（３４）は、
所望の電子ビーム電流を示す入力を受け取って、
前記所望の電流を有する電子ビーム（１４）を発生するように、前記所望の電子ビーム電流に基づいて、前記電子放出器（２０）と前記抽出電極（２４）との間に望ましい電圧を印加する
ように構成されている、請求項１に記載の装置（１０）。
【請求項３】
前記制御システム（３４）は、
前記第一の電流を前記所望の電子ビーム電流と比較して、
前記第一の電流が前記所望の電子ビーム電流と予め決められた量だけ異なる場合には、前記第一の電流と前記所望の電子ビーム電流との間の前記差に基づいて、前記電子放出器（２０）と前記抽出電極（２４）との間に修正後の電圧を印加する
ように構成されている、請求項２に記載の装置（１０）。
【請求項４】
前記制御システム（３４）は、
前記所望の電子ビーム電流に基づいて前記電子放出器（２０）と前記抽出電極（２４）との間に印加されるべき前記望ましい電圧を決定するためにルックアップ・テーブルにアクセスして、
前記第一の電流が前記所望の電子ビーム電流と前記予め決められた量だけ異なる場合には前記ルックアップ・テーブルを修正する
ように構成されている、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記制御システム（３４）は、
所望の電子ビーム「入」時間を示す入力を受け取って、
前記所望の電流を有する電子ビーム（１４）を前記所望の「入」時間にわたり発生するように、前記所望の電子ビーム「入」時間にわたり前記電子放出器（２０）と前記抽出電極（２４）との間に前記望ましい電圧を印加する
ように構成されている、請求項２乃至４のいずれかに記載の装置（１０）。
【請求項６】
前記制御システム（３４）は、
所定の期間にわたり前記電子放出器（２０）に第一のレベルの前記電力を印加し、
前記所定の期間が経過した後に前記電子放出器（２０）に第二のレベルの前記電力を印加する
ように構成されており、
前記所定の期間は、前記放出器要素（２０）を前記所望の電子放出器動作温度にするのに必要とされる時間量に対応している、請求項１乃至５のいずれかに記載の装置（１０）。
【請求項７】
前記制御システム（３４）は、前記電子放出器（２０）と前記フィラメント（２２）との間の前記初期電圧及び前記初期フィラメント電圧の各々を決定するためにルックアップ・テーブルにアクセスするように構成されている、請求項１乃至６のいずれかに記載の装置（１０）。
【請求項８】
前記制御システム（３４）は、前記電子放出器（２０）を電荷制限モードで動作させ、前記フィラメント（２２）を温度制限モードで動作させるように構成されている、請求項１乃至７のいずれかに記載の装置（１０）。
【請求項９】
前記制御システム（３４）は、所定の時間間隔で前記第二の電流を初期フィラメント電流と比較するように構成されている、請求項１乃至８のいずれかに記載の装置（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月19日(2014.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの起動キャパシタ（１２２）を含む回路保護装置（１００）に適用されるキャパシタ充電制御アセンブリ（２００）であって、
第１のユーザ入力及び第２のユーザ入力を受け付けるように構成された、少なくとも１つの入力装置（１１０、１１２）と、
前記少なくとも１つの入力装置（１１０、１１２）が第１の位置と第２の位置との間で可動であるように、前記少なくとも１つの入力装置（１１０、１１２）と結合されたリンケージアセンブリ（２１２）と、
前記少なくとも１つの入力装置（１１０、１１２）と結合され、第１の信号及び第２の信号のうちの一方を生成するように構成された、少なくとも１つのスイッチ（２５４、２５６）であって、前記第１の信号は、前記第１のユーザ入力に基づいており、前記第２の信号は、前記第２のユーザ入力に基づいており、前記第１の信号は、前記少なくとも１つの起動キャパシタ（１２２）に蓄積されたエネルギーを放電させ、前記第２の信号は、前記少なくとも１つの起動キャパシタ（１２２）にエネルギーを蓄積させる、少なくとも１つのスイッチ（２５４、２５６）と、
を備えるキャパシタ充電制御アセンブリ（２００）。
【請求項２】
前記少なくとも１つの入力装置（１１０、１１２）は、前記第１のユーザ入力を受け付けるように構成された第１の入力装置（１１０）と、前記第２のユーザ入力を受け付けるように構成された第２の入力装置（１１２）と、を含み、
前記少なくとも１つのスイッチ（２５４、２５６）は、
前記第１の入力装置（１１０）と結合された第１のスイッチ（２５４）であって、前記第１のユーザ入力によって前記第１の入力装置（１１０）が前記第１の位置から前記第２の位置に移動すると前記第１の信号を送信するように構成された第１のスイッチ（２５４）と、
前記第２の入力装置（１１２）と結合された第２のスイッチ（２５６）であって、前記第２のユーザ入力によって前記第２の入力装置（１１２）が前記第１の位置から前記第２の位置に移動すると前記第２の信号を送信するように構成された第２のスイッチ（２５６）と、を含む、
請求項１に記載のキャパシタ充電制御アセンブリ（２００）。
【請求項３】
前記少なくとも１つの入力装置（１１０、１１２）は、前記第１のユーザ入力を受け付けるように構成された第１の入力装置（１１０）と、前記第２のユーザ入力を受け付けるように構成された第２の入力装置（１１２）と、を含み、前記第１の入力装置（１１０）が前記第１の位置にあるときに前記第２の入力装置（１１２）が前記第２の位置にあるように、前記リンケージアセンブリ（２１２）が前記第１の入力装置（１１０）及び前記第２の入力装置（１１２）と結合されている、請求項１または２に記載のキャパシタ充電制御アセンブリ（２００）。
【請求項４】
前記第１のユーザ入力によって前記第１の入力装置（１１０）が前記第１の位置から前記第２の位置まで移動すると、前記第２の入力装置（１１２）が前記第２の位置から前記第１の位置まで移動するように、前記リンケージアセンブリ（２１２）が前記第１の入力装置（１１０）及び前記第２の入力装置（１１２）と結合されている、請求項３に記載のキャパシタ充電制御アセンブリ（２００）。
【請求項５】
前記少なくとも１つの入力装置（１１０、１１２）の位置に基づいて第１のロックアウト位置と第２のロックアウト位置との間で可動であるように、前記リンケージアセンブリ（２１２）と結合された、少なくとも１つのロックアウト部分（２１４、２１６）を更に備える、請求項１乃至４のいずれかに記載のキャパシタ充電制御アセンブリ（２００）。
【請求項６】
前記少なくとも１つの入力装置（１１０、１１２）は、第１の入力装置（１１０）及び第２の入力装置（１１２）を含み、前記少なくとも１つのロックアウト部分（２１４、２１６）は、第１のロックアウト部分（２１４）及び第２のロックアウト部分（２１６）を含み、前記第１の入力装置（１１０）が前記第１の位置にあるときに、前記第１のロックアウト部分（２１４）は前記第１のロックアウト位置にあり、前記第２のロックアウト部分（２１６）は前記第２のロックアウト位置にある、請求項５に記載のキャパシタ充電制御アセンブリ（２００）。
【請求項７】
前記少なくとも１つの入力装置（１１０、１１２）の位置に基づいてロック位置とロック解除位置との間で可動であるように、前記リンケージアセンブリ（２１２）と結合されたロックアウトパッド（２４２）を更に備える、請求項１乃至６のいずれかに記載のキャパシタ充電制御アセンブリ（２００）。
【請求項８】
前記少なくとも１つの入力装置（１１０、１１２）が前記第２の位置にあるときに、前記ロックアウトパッド（２４２）は延伸位置にある、請求項７に記載のキャパシタ充電制御アセンブリ（２００）。
【請求項９】
回路保護装置（１００）に適用される制御装置であって、
論理回路（３０６）と、
前記論理回路（３０６）と電気的に結合され、前記回路保護装置（１００）を起動するように構成された、複数のキャパシタ（１２２）と、
充電制御アセンブリ（２００）と、を備え、
前記充電制御アセンブリ（２００）は、
第１のユーザ入力及び第２のユーザ入力を受け付けるように構成された、少なくとも１つの入力装置（１１０、１１２）と、
前記少なくとも１つの入力装置（１１０、１１２）のそれぞれが、第１の位置と第２の位置との間で可動であるように、前記少なくとも１つの入力装置（１１０、１１２）と結合されたリンケージアセンブリ（２１２）と、
前記少なくとも１つの入力装置（１１０、１１２）と結合され、前記第１のユーザ入力に基づく第１の信号と前記第２のユーザ入力に基づく第２の信号とを生成するように構成された、少なくとも１つのスイッチ（２５４、２５６）であって、前記第１の信号は、前記複数のキャパシタ（１２２）に蓄積されたエネルギーを放電させ、前記第２の信号は、前記複数のキャパシタ（１２２）にエネルギーを蓄積させる、少なくとも１つのスイッチ（２５４、２５６）と、を備える、制御装置。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの入力装置（１１０、１１２）は、第１の入力装置（１１０）及び第２の入力装置（１１２）を含み、
前記少なくとも１つのスイッチ（２５４、２５６）は、前記第１の入力装置（１１０）と結合された第１のスイッチ（２５４）と、前記第２の入力装置（１１２）と結合された第２のスイッチ（２５６）とを含み、
前記第１のスイッチ（２５４）は、前記第１のユーザ入力によって前記第１の入力装置（１１０）が前記第１の位置から前記第２の位置に移動すると前記第１の信号を生成するように構成され、前記第２のスイッチ（２５６）は、前記第２のユーザ入力によって前記第２の入力装置（１１２）が前記第１の位置から前記第２の位置に移動すると前記第２の信号を生成するように構成された、請求項９に記載の制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月22日(2014.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のカメラで捕捉された複数のビューを有するマルチ・ビュー・ビデオに透かしを埋め込む方法であって、ビュー毎に、
ｉ）前記カメラの光軸が平行であり、
ｉｉ）光軸が、カメラ全ての光心を通って進む線に対して直交であり、
ｉｉｉ）カメラは全て、同じ焦点距離を共有し、
ｉｖ）前記カメラ間に回転が存在していない
という条件で、前記ビューを、中間合成ビューに対し、かつ、前記複数のビューに対して不変の領域に投影し、不変ベクトルをもたらす工程であって、前記不変の領域は、前記カメラの光心を通って進む線に平行の何れかの線に沿って複数のサンプル値を含み、平行線はビュー不変寸法と呼ばれる工程と、
前記不変ベクトルに透かし入れアルゴリズムを適用し、透かしを入れた不変ベクトルをもたらす工程と、
前記不変ベクトルを、前記透かしを入れた不変ベクトルから減算し、不変透かしベクトルを得る工程と、
前記ビュー不変寸法にわたって前記不変透かしベクトルを分布させる工程であって、前記分布させる工程により、透かし信号がもたらされる工程と、
前記透かし信号を前記ビューとマージして、透かしを入れたビューをもたらす工程とを含む方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、投影する工程は更に、前記ビューの前記不変寸法に沿ってサンプル値を合計する工程を含む方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法であって、前記ビューを投影する工程は更に、前記不変ベクトルを、前記透かしアルゴリズムが適用される不変ベクトルの空間周波数表現に変換する最後の工程を含む方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法であって、前記不変ベクトル透かしを分布させる工程は更に、
前記不変透かしベクトルの空間周波数表現を不変透かしベクトルにもう一度変換する第１の工程を含む方法。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の方法であって、前記ビューを投影する工程は更に、前記ビューの空間周波数表現に前記ビューを変換する第１の工程を含む方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法であって、前記不変透かしベクトルを分布させる工程は更に、
透かしの空間表現に透かしの空間周波数表現をもう一度変換する最後の工程を含む方法。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の方法であって、前記ビューの空間周波数表現に前記ビューを変換する工程は、前記ビューの各列に適用される１Ｄウェーブレット変換を適用する工程を含む方法。
【請求項８】
複数のカメラで捕捉された複数のビューを有するマルチ・ビュー・ビデオに透かしを埋め込む方法であって、ビュー毎に、
ｉ）前記カメラの光軸が平行であり、
ｉｉ）光軸が、カメラ全ての光心を通って進む線に対して直交であり、
ｉｉｉ）カメラは全て、同じ焦点距離を共有し、
ｉｖ）前記カメラ間に回転が存在していない
という条件で、中間合成ビューに対し、かつ、前記複数のビューに対して不変の領域において不変透かしベクトルを生成する工程であって、前記不変の領域は、前記カメラの光心を通って進む線に平行の何れかの線に沿って複数のサンプル値を含み、前記平行線はビュー不変寸法と呼ばれる工程と、
前記ビュー不変寸法にわたって前記不変透かしベクトルを分布させる工程であって、前記分布させる工程により、透かし信号がもたらされる工程と、
前記透かし信号をビューとマージして、透かしを入れたビューをもたらす工程とを含む方法。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の方法であって、前記不変透かしベクトルを分布させる工程は、前記ビュー不変寸法において前記不変透かしベクトルの複製を含む方法。
【請求項１０】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の方法であって、前記透かし信号をマージする工程は、前記透かし信号を前記ビューに加算する工程を含む方法。
【請求項１１】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の方法であって、前記透かし信号をマージする工程は、前記ビューから得られた知覚マスクにより、前記透かし信号をマスキングする工程を含む方法。
【請求項１２】
複数のカメラで捕捉された複数のビューから選択された、又は合成されたレンダリングされたビューを有するマルチ・ビュー・ビデオにおいて透かしを検出する方法であって、
前記レンダリングされたビューについて、
ｉ）前記カメラの光軸が平行であり、
ｉｉ）光軸が、カメラ全ての光心を通って進む線に対して直交であり、
ｉｉｉ）カメラは全て、同じ焦点距離を共有し、
ｉｖ）前記カメラ間に回転が存在していない
という条件で、中間合成ビューに対し、かつ、前記複数のビューに対して不変の領域に対して、前記レンダリングされたビューを投影する工程であって、前記不変の領域は、前記カメラの光心を通って進む線に平行の何れかの線に沿って複数のサンプル値を含み、前記平行線はビュー不変寸法と呼ばれる工程と、
透かしの存在を評価するために、透かし検出アルゴリズムを不変のレンダリングされたベクトルに適用する工程と
を含む方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法であって、レンダリングされたビューを投影する工程は更に、前記不変のレンダリングされたベクトルを、前記不変のレンダリングされたベクトルの空間周波数表現に変換する最後の工程を含む方法。