【手続補正書】
【提出日】平成25年12月20日(2013.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量素子と、
前記容量素子への充電電流を制限する電流制限部と、
前記容量素子から発光素子に供給される放電電流を一定化させる第１の定電流源と、
前記発光素子に対する前記放電電流の供給をオンオフ制御するスイッチと
を備えた発光素子駆動回路。
【請求項２】
前記電流制限部は、前記容量素子に対して一定の前記充電電流を定常的に供給する第２の定電流源である
請求項１に記載の発光素子駆動回路。
【請求項３】
前記スイッチは間欠的にオン状態になる
請求項１または請求項２に記載の発光素子駆動回路。
【請求項４】
前記充電電流は、前記スイッチがオン状態になったときにおける前記放電電流よりも小さい
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の発光素子駆動回路。
【請求項５】
前記容量素子の一方の端子には、電源から前記電流制限部を介して前記充電電流が供給され、
前記容量素子の他方の端子には、前記電源の電圧に応じた大きさのバイアス電圧が供給される
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の発光素子駆動回路。
【請求項６】
前記バイアス電圧を生成するバイアス回路を備えた
請求項５に記載の発光素子駆動回路。
【請求項７】
前記容量素子の一方の端子には、電源から前記電流制限部を介して前記充電電流が供給され、
前記容量素子の他方の端子は接地されている
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の発光素子駆動回路。
【請求項８】
前記第１の定電流源は、前記放電電流の大きさを変更できるように構成されている
請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の発光素子駆動回路。
【請求項９】
前記発光素子の発光輝度に基づいて、前記第１の定電流源の前記放電電流の大きさを設定する放電電流制御部と
を備えた請求項８に記載の発光素子駆動回路。
【請求項１０】
前記発光素子は発光ダイオードである
請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の発光素子駆動回路。
【請求項１１】
１または複数の発光素子を含む発光部と、
前記発光部を駆動する発光駆動回路と
を備え、
前記発光駆動回路は、
容量素子と、
前記容量素子への充電電流を制限する電流制限部と、
前記容量素子から各発光素子に供給される放電電流を一定化させる第１の定電流源と、
各発光素子に対する前記放電電流の供給をオンオフ制御するスイッチと
を有する発光装置。
【請求項１２】
１または複数の前記発光素子は、表示部に対して光を供給する
請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
複数の前記発光素子を備え、
複数の前記発光素子は、前記表示部の表示面のうちの互いに異なる部分に対して光を供給し、
前記発光駆動回路は、前記発光素子がそれぞれ独立して発光するように駆動する
請求項１２に記載の発光装置。
【請求項１４】
前記表示部は線順次走査により画像を表示するものであり、
複数の前記発光素子は、前記表示部における線順次走査の走査方向に並設され、
前記発光駆動回路は、前記発光素子が前記表示部における線順次走査の走査周期で発光するように前記発光素子を駆動する
請求項１３に記載の発光装置。
【請求項１５】
前記走査周期における、前記発光素子の発光時間の比を示す発光デューティ比が２５％以下である
請求項１４に記載の発光装置。
【請求項１６】
前記走査周期において、
前記容量素子の前記電流制限部による充電量が、前記第１の定電流源による放電量と同じあるいはその放電量よりも多い
請求項１４または請求項１５に記載の発光装置。
【請求項１７】
表示画像に基づいて前記発光素子の発光を制御する
請求項１３に記載の発光装置。
【請求項１８】
表示部と、
前記表示部に対して光を供給する１または複数の発光素子を含む発光部と、
前記発光部を駆動する発光駆動回路と
を備え、
前記発光駆動回路は、
容量素子と、
前記容量素子への充電電流を制限する電流制限部と、
前記容量素子から各発光素子に供給される放電電流を一定化させる第１の定電流源と、
各発光素子に対する前記放電電流の供給をオンオフ制御するスイッチと
を有する
表示装置。
【請求項１９】
容量素子に対して充電電流を制限して充電し、
放電期間において、前記容量素子を一定の放電電流により放電し、その放電電流に基づいて発光素子を発光させる
発光制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本開示の表示装置は、表示部と、発光部と、発光駆動回路とを備えている。発光部は、表示部に対して光を供給する１または複数の発光素子を含むものである。発光駆動回路は、発光部を駆動するものである。上記発光駆動回路は、容量素子と、電流制限部と、第１の定電流源と、スイッチとを有している。電流制限部は、容量素子への充電電流を制限するものである。第１の定電流源は、容量素子から各発光素子に供給される放電電流を一定化させるものである。スイッチは、各発光素子に対する放電電流の供給をオンオフ制御するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本開示の発光素子駆動回路、発光装置、表示装置、および発光制御方法によれば、電流制限部により充電電流が低くなるように制限したので、装置を小型化することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
発光駆動部６０は、定電流源６１，６２と、容量素子６３と、トランジスタ６４とを備えている。定電流源６１は、昇圧電圧ＶＤＤ１を生成し出力する昇圧回路４２の出力端子と、容量素子６３の一端との間に挿入され、昇圧回路４２から容量素子６３に対して所定の電流Ｊ１を供給するものである。この所定の電流Ｊ１は、例えば１００［ｍＡ］に設定される。定電流源６２は、容量素子６３の一端と発光部ＢＬのＬＥＤ６５（１）のアノードとの間に挿入され、容量素子６３から発光部ＢＬに対して所定の電流Ｊ２を供給するものである。この所定の電流Ｊ２は、例えば１［Ａ］に設定される。容量素子６３は、発光部ＢＬを発光させるための電荷を蓄えるものである。容量素子６３は、一端が定電流源６１，６２に接続され、他端が接地されている。これにより、容量素子６３は、定電流源６１により充電され、定電流源６２により放電されるようになっている。この容量素子６３の一端の電圧Ｖｃは、例えば１２０Ｖ程度に維持される。この容量素子６３としては、リプル耐量が所定の電流Ｊ２以上（この例では１［Ａ］以上）のものを使用するのが望ましい。また、容量素子６３の容量値は、例えば１０００［μＦ］が使用可能である。トランジスタ６４は、オンオフすることにより発光部ＢＬの発光を制御するものである。このトランジスタ６４は、例えばＮ型のＭＯＳ−ＦＥＴにより構成されるものであり、ドレインが発光部ＢＬのＬＥＤ６５（Ｎ）のカソードに接続され、ゲートには放電制御信号ＣＴＬが供給され、ソースは接地されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
図９（Ｂ）において、発光制御部４１は、まず、タイミングｔ１０において、放電制御信号ＣＴＬ（１）の電圧を低レベルから高レベルに変化させる。次に、発光制御部４１は、タイミングｔ１１において、放電制御信号ＣＴＬ（２）の電圧を低レベルから高レベルに変化させる。次に、発光制御部４１は、タイミングｔ１２において、放電制御信号ＣＴＬ（３）の電圧を低レベルから高レベルに変化させる。次に、発光制御部４１は、タイミングｔ１３において、放電制御信号ＣＴＬ（１）の電圧を高レベルから低レベルに変化させるとともに、放電制御信号ＣＴＬ（４）の電圧を低レベルから高レベルに変化させる。発光制御部４１は、このようにして放電制御信号ＣＴＬ（１）〜ＣＴＬ（１０）を生成する。図９（Ｂ）に示した方法では、同時に３つの放電制御信号ＣＴＬが高レベルになる。これにより、バックライト駆動部４０は、３つの発光部ＢＬが同時に発光するように、バックライト５０を駆動する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
上記実施の形態では、昇圧回路７２がバイアス電圧（電圧Ｖmid）を生成したが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、図１６に示したように、バイアス電圧を生成するバイアス回路８１を別途設けてもよい。バイアス回路８１は、昇圧電圧ＶＤＤ１に基づいて電圧Ｖmidを生成し、その電圧を容量素子６３の他端に供給するものである。バイアス回路８１は、ツェナーダイオード８２と、抵抗素子８３，８４，８７と、ダイオード８５，８６と、ＮＰＮトランジスタ８８と、ＰＮＰトランジスタ８９とを有している。ツェナーダイオード８２は、カソードに昇圧電圧ＶＤＤ１が供給され、アノードは抵抗素子８３の一端と接続されている。抵抗素子８３は、一端がツェナーダイオード８２のアノードに接続され、他端は接地されている。抵抗素子８４は、一端には昇圧電圧ＶＤＤ１が供給され、他端はダイオード８５のアノードに接続されている。ダイオード８５は、アノードが抵抗素子８４の他端に接続され、カソードはダイオード８６のアノードに接続されるとともに、ツェナーダイオード８２のアノードに接続されている。ダイオード８６は、アノードがツェナーダイオード８２のアノードに接続されるとともに、ダイオード８５のカソードに接続され、カソードは抵抗素子８７の一端に接続されている。抵抗素子８７は、一端はダイオード８６のカソードに接続され、他端は接地されている。ＮＰＮトランジスタ８８は、コレクタに昇圧電圧ＶＤＤ１が供給され、ベースはダイオード８５のアノードと接続され、エミッタはＰＮＰトランジスタ８９のエミッタに接続されるとともに、容量素子６３の他端に接続されている。ＰＮＰトランジスタ８９は、エミッタがＮＰＮトランジスタ８８のエミッタに接続されるとともに、容量素子６３の他端に接続され、ベースがダイオード８６のカソードに接続され、コレクタが接地されている。なお、図１６に図示していないが、例えば、電圧Ｖmidを安定させるための容量素子を、容量素子６３の他端と接地との間に挿入してもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
また、例えば、上記実施の形態等では、定電流源６１により容量素子６３を充電するようにしたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば抵抗素子を用いても良い。この場合でも、前段の昇圧回路の負荷電流を小さくすることができるため、昇圧回路のサイズを小さくすることができ、部品コストを低減することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2012151057.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１９】
2012151057.tif 000002