Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月18日(2013.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、マトリクス状に配置された複数の変換素子と、複数の前記変換素子と１対１に対応して前記基板と複数の前記変換素子との間にマトリクス状に配置された複数のスイッチ素子と、複数の前記変換素子と複数の前記スイッチ素子との間に配置された絶縁体と、を有し、
複数の前記変換素子が、互いに離間して複数の前記スイッチ素子と１対１に対応して接続された複数の第１電極と、複数の前記変換素子に渡って設けられた第２電極と、複数の前記第１電極と前記第２電極との間に複数の前記変換素子に渡って配置された半導体層と、を含む検出装置であって、
前記絶縁体は複数の絶縁層を含み、
前記複数の絶縁層は、複数の前記第１電極のそれぞれの直下に位置する複数の第１領域と、複数の前記第１領域の間に位置する第２領域と、を含み、
前記第２領域と前記半導体層とが接する部分の電位を前記第２電極の電位と前記第１電極の電位の間の電位に規定する電位が供給される第３電極が、前記複数の絶縁層のうち隣接する２つの絶縁層の間の前記第２領域の内部に設けられていることを特徴とする検出装置。
【請求項２】
前記変換素子が蓄積状態を開始する際に、前記第２電極に供給される電位をＶ１、前記第１電極の基準電位をＶｘ、前記半導体層の誘電率をε１、前記半導体層の膜厚をｔ、前記複数の絶縁層のうち前記半導体層と前記第３電極との間に配置された絶縁層の誘電率をε２、前記複数の絶縁層のうち前記半導体層と前記第３電極との間に配置された絶縁層の膜厚をｄとすると、前記第３電極に供給される電位Ｖ２は以下の式を満たすことを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【数１】
2012114166.tif 000001
【請求項３】
前記スイッチ素子は、ｎ型の第１不純物半導体層を含み、
前記変換素子は、前記第１電極と前記半導体層との間に配置されたｎ型の第２不純物半導体層と、前記半導体層と前記第２電極との間に配置されたｐ型の第３不純物半導体層と、を更に含み、
前記第３電極に供給される電位Ｖ２は
【数２】
2012114166.tif 000002
を満たすことを特徴とする請求項２に記載の検出装置。
【請求項４】
前記スイッチ素子は、ｎ型の第１不純物半導体層を含み、
前記変換素子は、前記第１電極と前記半導体層との間に配置されたｐ型の第２不純物半導体層と、前記半導体層と前記第２電極との間に配置されたｎ型の第３不純物半導体層と、を更に含み、
前記第３電極に供給される電位Ｖ２は
【数３】
2012114166.tif 000003
を満たすことを特徴とする請求項２に記載の検出装置。
【請求項５】
前記スイッチ素子は、ｎ型の第１不純物半導体層を含み、
前記変換素子は、前記第１電極と前記半導体層との間に配置され前記画素毎に分離された層間絶縁層と、前記半導体層と前記第２電極との間に配置されたｎ型の第３不純物半導体層と、を更に含み、
前記第３電極に供給される電位Ｖ２は
【数４】
2012114166.tif 000004
を満たすことを特徴とする請求項２に記載の検出装置。
【請求項６】
前記スイッチ素子は、ｎ型の第１不純物半導体層を含み、
前記変換素子は、前記第１電極と前記半導体層との間で複数の画素に渡って配置され層間絶縁層と、前記半導体層と前記第２電極との間に配置されたｎ型の第３不純物半導体層と、を更に含み、
前記第２電極に供給される電位をＶ１、前記第１電極に供給される基準電位をＶｘ、前記半導体層の誘電率をε１、前記半導体層の膜厚をｔ１、前記層間絶縁層の誘電率をε２、前記層間絶縁層の膜厚をｔ２、前記複数の絶縁層のうち前記半導体層と前記第３電極との間に配置された絶縁層の誘電率をε３、前記複数の絶縁層のうち前記半導体層と前記第３電極との間に配置された絶縁層の膜厚をｄとすると、前記第３電極に供給される電位Ｖ２は以下の式を満たすことを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【数５】
2012114166.tif 000005
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の検出装置と、
前記半導体装置からの信号を処理する信号処理手段と、を具備することを特徴とする放射線検出システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の検出装置は、基板上に、マトリクス状に配置された複数の変換素子と、複数の前記変換素子と１対１に対応して前記基板と複数の前記変換素子との間にマトリクス状に配置された複数のスイッチ素子と、複数の前記変換素子と複数の前記スイッチ素子との間に配置された絶縁体と、を有し、複数の前記変換素子が、互いに離間して複数の前記スイッチ素子と１対１に対応して接続された複数の第１電極と、複数の前記変換素子に渡って設けられた第２電極と、複数の前記第１電極と前記第２電極との間に複数の前記変換素子に渡って配置された半導体層と、を含む検出装置であって、前記絶縁体は複数の絶縁層を含み、前記複数の絶縁層は、複数の前記第１電極のそれぞれの直下に位置する複数の第１領域と、複数の前記第１領域の間に位置する第２領域と、を含み、前記第２領域と前記半導体層とが接する部分の電位を前記第２電極の電位と前記第１電極の電位の間の電位に規定する電位が供給される第３電極が、前記複数の絶縁層のうち隣接する２つの絶縁層の間の前記第２領域の内部に設けられていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月21日(2014.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み方向に貫通するスルーホールを備えた基板を用意する工程と、
前記基板の下面に保護フィルムを配置する工程と、
前記スルーホール内に樹脂部を充填する工程と、
前記保護フィルムを除去して、前記基板の下面及び前記樹脂部の下面を露出させる工程と、
前記基板の下面及び前記樹脂部の下面にシード層を形成する工程と、
前記スルーホール内から樹脂部を除去する工程と、
前記シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記スルーホール内に金属めっき層を充填して貫通電極を得る工程とをこの順で有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記基板はシリコンウェハであり、
前記スルーホールを備えた基板を用意する工程は、前記シリコンウェハの両面及び前記スルーホールの内面に絶縁層を形成することを含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記貫通電極を得る工程の後に、
前記シード層を除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記樹脂部は、アクリル樹脂、フェノール樹脂、又はレジストからなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記シード層を除去する工程の後に、
前記基板の両面側に前記貫通電極に接続されるｎ層（ｎは１以上の整数）の配線層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記基板はシリコンウェハであり、
前記シード層を形成する工程の後に、
前記スルーホール内の内壁面に前記樹脂部を残すように、前記樹脂部に貫通孔を形成することにより側壁絶縁部を得る工程をさらに有し、
前記貫通電極を得る工程の後に、
前記シード層を除去する工程をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記シード層を除去する工程の後に、
前記シリコンウェハの両面側に前記貫通電極の上に開口部が設けられた絶縁パターン層をそれぞれ形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記基板は、ガラス基板又はセラミックス基板であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記基板の下面に保護フィルムを配置する工程において、
前記保護フィルムが前記基板の前記スルーホールに押し込まれて該スルーホールの下部に充填部が部分的に形成され、
前記保護フィルムを除去する工程において、
前記基板の前記スルーホールの下部側面が露出し、
前記シード層を形成する工程において、
前記スルーホールの前記下部側面に前記シード層が形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記保護フィルムを除去する工程の後に、前記樹脂部の下部を部分的に除去することにより、前記基板の前記スルーホールの下部側面を露出させる工程をさらに有し、
前記シード層を形成する工程において、
前記スルーホールの前記下部側面に前記シード層が形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記シード層において、前記スルーホールの前記下部側面に接触する層は、スパッタ法、蒸着法、又はＣＶＤ法によって形成される金属層、無電解金属めっき層、又は導電性ペーストから形成されることを特徴とする請求項９又は１０に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記金属層は、チタン層又はクロム層であることを特徴とする請求項１１に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
以下開示の一観点によれば、厚み方向に貫通するスルーホールを備えた基板を用意する工程と、前記基板の下面に保護フィルムを配置する工程と、前記スルーホール内に樹脂部を充填する工程と、前記保護フィルムを除去して、前記基板の下面及び前記樹脂部の下面を露出させる工程と、前記基板の下面及び前記樹脂部の下面にシード層を形成する工程と、前記スルーホール内から樹脂部を除去する工程と、前記シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記スルーホール内に金属めっき層を充填して貫通電極を得る工程とをこの順で有する配線基板の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月27日(2013.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光部と該発光部から発生された光に指向性をもたせて射出する反射光学系をそれぞれ含む複数の光源部と、
複数の前記光源部をそれぞれ取り付け可能な略矩形状のカセットと、
複数の前記カセットを取り付け可能な支持体と、
前記支持体の前面側に、前記光源部の前面よりも前方に突出して配置され、前記支持体に加わる衝撃力を吸収して前記光源部に作用する前記衝撃力を緩和する複数の支持体用緩衝部材と、
を備えることを特徴とする露光装置用光照射装置。
【請求項２】
前記支持体用緩衝部材は、先端部が平坦面であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置用光照射装置。
【請求項３】
前記カセットは、石英ガラスから形成され、前記光源部からの光を透過する複数のカバーガラスを備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の露光装置用光照射装置。
【請求項４】
前記カバーガラスには、前記光源部を冷却するための空気流通孔が設けられていることを特徴とする請求項３に記載の露光装置用光照射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
（１）  発光部と該発光部から発生された光に指向性をもたせて射出する反射光学系をそれぞれ含む複数の光源部と、
複数の前記光源部をそれぞれ取り付け可能な略矩形状のカセットと、
複数の前記カセットを取り付け可能な支持体と、
前記支持体の前面側に、前記光源部の前面よりも前方に突出して配置され、前記支持体に加わる衝撃力を吸収して前記光源部に作用する前記衝撃力を緩和する複数の支持体用緩衝部材と、
を備えることを特徴とする露光装置用光照射装置。
（２）  前記支持体用緩衝部材は、先端部が平坦面であることを特徴とする上記（１）に記載の露光装置用光照射装置。
（３）  前記カセットは、石英ガラスから形成され、前記光源部からの光を透過する複数のカバーガラスを備えることを特徴とする上記（１）または（２）に記載の露光装置用光照射装置。
（４）  前記カバーガラスには、前記光源部を冷却するための空気流通孔が設けられていることを特徴とする上記（３）に記載の露光装置用光照射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月2日(2014.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、
ゲート電極と、
前記ゲート電極及び前記酸化物半導体層の間のゲート絶縁層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体層は、窒素を含み、
前記酸化物半導体層に含まれる窒素の濃度は、０．１ａｔｏｍｉｃ％以上３０ａｔｏｍｉｃ％以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層は、低抵抗化された領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
酸化物半導体層と、
ゲート電極と、
前記ゲート電極及び前記酸化物半導体層の間のゲート絶縁層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記酸化物半導体層は、イオンドーピング法又はイオンインプランテーション法により、酸化物半導体層に窒素を導入して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
酸化物半導体層と、
ゲート電極と、
前記ゲート電極及び前記酸化物半導体層の間のゲート絶縁層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記酸化物半導体層は、窒素又は窒素を含むガスによるプラズマに曝すことにより、酸化物半導体層に窒素を導入して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３又は４において、
前記酸化物半導体層の一部に低抵抗化の処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか一において、
前記酸化物半導体層に含まれる窒素の濃度は、０．１ａｔｏｍｉｃ％以上３０ａｔｏｍｉｃ％以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月3日(2014.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉ行（Ｉは２以上の自然数）Ｊ列（Ｊは自然数）に配列された複数のメモリセルを有し、
前記メモリセルは、
第１の半導体層と、
第２の半導体層と、
前記第１の半導体層上方及び前記第２の半導体層上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の第１の導電層と、
前記第１の絶縁層上方の第３の半導体層と、
前記第３の半導体層上方の第２の導電層と、
前記第３の半導体層上方の第３の導電層と、
前記第３の半導体層上方、前記第２の導電層上方及び前記第３の導電層上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上方の第４の導電層と、
を有し、
前記第１の半導体層は、第１のトランジスタのチャネル形成領域として機能する領域を有し、
前記第２の半導体層は、前記第１の半導体層と同じ材料を有し、
前記第２の半導体層は、前記第１の半導体層と同層であり、
前記第２の半導体層は、前記第１の半導体層と離間しており、
前記第２の半導体層は、第２のトランジスタの第１のゲートとして機能する領域を有し、
前記第１の導電層は、前記第１の半導体層と重なる領域を有し、
前記第３の半導体層は、前記第２の半導体層と重なる領域を有し、
前記第３の半導体層は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域として機能する領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第３の半導体層と電気的に接続され、
前記第３の導電層は、前記第３の半導体層と電気的に接続され、
前記第３の導電層は、前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第４の導電層は、前記第３の半導体層と重なる領域を有し、
前記第４の導電層は、前記第２のトランジスタの第２のゲートとしての機能する領域を有し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層のそれぞれは、シリコンを有し、
前記第３の半導体層は、酸化物半導体を有し、
同じ列に配置されたメモリセルにおいて、ｋ行目（ｋは２以上Ｉ以下の自然数）のメモリセルの前記第２の導電層は、ｋ−１行目のメモリセルの前記第３の半導体層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３の半導体層は、ｃ軸が表面に対して垂直な方向に配向した結晶を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月19日(2014.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量素子を有し、
前記容量素子は、第１の電極と、第２の電極と、絶縁層と、酸化物半導体層と、を有し、
前記絶縁層と前記酸化物半導体層とは、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置され、
前記第１の電極は前記絶縁層と接して配置され、
前記第２の電極は前記酸化物半導体層と接して配置され、
前記第１の電極と前記酸化物半導体層とが重なる領域の面積は、前記第１の電極と前記酸化物半導体層と前記第２の電極とが重なる領域の面積よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の電極の仕事関数は、前記酸化物半導体層の電子親和力以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記容量素子の容量値は、前記第１の電極の電位が前記第２の電極の電位よりも高いときに第１の容量値となり、前記第１の電極の電位が前記第２の電極の電位よりも低い時に第２の容量値となり、
前記第２の容量値は前記第１の容量値よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
画素に前記容量素子を有し、
静止画表示を行う場合に、前記容量素子の容量値を前記第１の容量値とし、
動画表示を行う場合に、前記容量素子の容量値を前記第２の容量値とすることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月29日(2014.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート絶縁層を介して酸化物半導体と重なるゲート電極を有するトランジスタと、前記ゲート電極に正の電圧を１００μｓｅｃ以上加える駆動回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート絶縁層を介して酸化物半導体と重なるゲート電極を有するトランジスタに光が照射されたことにより閾値電圧がマイナス側に変化した後、前記ゲート電極に正の電圧を１００μｓｅｃ以上印加することで、前記閾値電圧を前記光照射前と略同等の状態にすることを特徴とするトランジスタの駆動方法。
【請求項３】
ゲート絶縁層を介して酸化物半導体と重なるゲート電極を有するトランジスタに光が照射されたことにより閾値電圧がマイナス側に変化した後、前記トランジスタのオフ状態時に、前記ゲート電極に正の電圧を１００μｓｅｃ以上印加することで、前記閾値電圧を前記光照射前と略同等の状態にすることを特徴とするトランジスタの駆動方法。
【請求項４】
ゲート絶縁層を介して酸化物半導体と重なるゲート電極を有するトランジスタに光が照射されたことにより閾値電圧がマイナス側に変化した後、前記トランジスタが遮光されている時に、前記ゲート電極に正の電圧を１００μｓｅｃ以上印加することで、前記閾値電圧を前記光照射前と略同等の状態にすることを特徴とするトランジスタの駆動方法。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一項において、
ソース電極及びドレイン電極に電圧を印加しないで、前記ゲート電極に正の電圧が印加されることを特徴とするトランジスタの駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月2日(2014.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコン基板の一方の面上に第１の非晶質シリコン層を形成し、
前記第１の非晶質シリコン層上に一導電型を有する第１の微結晶シリコン層を形成し、
前記単結晶シリコン基板の他方の面上に第２の非晶質シリコン層を形成し、
前記第２の非晶質シリコン層上に前記一導電型とは逆の導電型を有する第２の微結晶シリコン層を形成する工程において、
前記第１の非晶質シリコン層、前記第２の非晶質シリコン層、前記第１の微結晶シリコン層及び前記第２の微結晶シリコン層は、
下部電極と対向した上部電極に設けられたガス管のガス導入口から第１のガス拡散室に成膜ガスを供給し、
前記ガス導入口と対向しない複数のガス孔が設けられている分散板を介して前記第１のガス拡散室から第２のガス拡散室に前記成膜ガスを導入し、
シャワー板を介して前記第２のガス拡散室から処理室に成膜ガスを導入して前記処理室内の圧力を調整し、
前記上部電極に高周波電力を供給して、
前記上部電極及び前記下部電極間にプラズマを生成させ、
前記下部電極上において成膜することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記シャワー板には複数のガス孔が設けられており、
前記シャワー板のガス孔の数は、前記分散板のガス孔の数よりも多いことを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記シャワー板には複数のガス孔が設けられており、
前記シャワー板のガス孔の一主表面における総面積は、前記分散板のガス孔の一主表面における総面積よりも大きいことを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記上部電極には温度計が接続され、
前記上部電極における前記温度計の接続箇所は、前記上部電極の電極面の中心点を基準として前記上部電極内の前記ガス管のガス導入口と点対称の位置にあることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記上部電極には、前記上部電極内の前記ガス管のガス導入口近傍を迂回する冷却媒体の経路が設けられていることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第１及び前記第２の非晶質シリコン層の導電型はｉ型、前記第１の微結晶シリコン層の導電型はｐ型またはｎ型であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第１の非晶質シリコン層、及び前記第２の非晶質シリコン層の成膜は、前記処理室内の圧力を１０Ｐａ以上１００Ｐａ以下とすることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記第１の微結晶シリコン層、及び前記第２の微結晶シリコン層の成膜は、前記処理室内の圧力を４５０Ｐａ以上１０００００Ｐａ以下とすることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月8日(2014.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接する領域を有するバッファ層と、
前記バッファ層を介して前記酸化物半導体層と重なる領域を有するソース電極層またはドレイン電極層と、
ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重なる領域を有するゲート電極層と、
を有し、
前記ゲート電極層は、第１の層と、第２の層と、第３の層と、を有し、
前記第１の層と前記ゲート絶縁層との間に、前記第２の層を有し、
前記第２の層と前記ゲート絶縁層との間に、前記第３の層を有し、
前記第１の層は、アルミニウムまたは銅を有し、
前記第２の層は、金属窒化物を有し、
前記第３の層は、窒素を含む金属酸化物を有し、
前記バッファ層は、窒素を含む金属酸化物を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記バッファ層は、前記ソース電極層の側面または前記ドレイン電極層の側面から突出した断面形状を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月16日(2014.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜上に、第１の条件を用いたプラズマＣＶＤ法により種結晶を形成し、
前記種結晶上に、第２の条件を用いたプラズマＣＶＤ法により微結晶半導体膜を形成する作製方法であって、
前記第１の条件は、処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下として、第１の原料ガスと第２の原料ガスとを前記処理室内に交互に供給する条件であって、
前記第１の原料ガスは、シリコンを含む堆積性気体と水素とを含み、水素の第１流量は、前記堆積性気体の第２流量に対して５０倍以上１０００倍以下であり、
前記第２の原料ガスは、前記堆積性気体と水素とを含み、前記堆積性気体の第３流量は、前記堆積性気体の前記第２流量よりも小さく、
前記第２の条件は、前記処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下として、第３の原料ガスと第４の原料ガスとを前記処理室内に交互に供給する条件であって、
前記第３の原料ガスは、前記堆積性気体と水素とを含み、水素の第４流量は、前記堆積性気体の第５流量に対して１００倍以上２０００倍以下であり、
前記４の原料ガスは、前記堆積性気体と水素とを含み、前記堆積性気体の第６流量は、前記堆積性気体の前記第５流量よりも小さいことを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項２】
基板上に、ゲート電極を形成し、
前記基板及び前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、第１の条件により種結晶を形成し、
前記種結晶上に、第２の条件により微結晶半導体膜を形成し、
前記微結晶半導体膜上に、微結晶半導体領域及び非晶質半導体領域を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第１の不純物半導体膜を形成し、
前記第１の不純物半導体膜の一部をエッチングして、島状の第２の不純物半導体膜を形成し、
前記種結晶、前記微結晶半導体膜、及び前記半導体膜の一部をエッチングして、島状の第１の半導体積層体を形成し、
前記第２の不純物半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極として機能する配線を形成し、
前記第２の不純物半導体膜をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域として機能する一対の不純物半導体膜を形成し、
前記第１の条件は、処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下として、第１の原料ガスと第２の原料ガスとを前記処理室内に交互に供給する条件であって、
前記第１の原料ガスは、シリコンを含む堆積性気体と水素とを含み、水素の第１流量は、前記堆積性気体の第２流量に対して５０倍以上１０００倍以下であり、
前記第２の原料ガスは、前記堆積性気体と水素とを含み、前記堆積性気体の第３流量は、前記堆積性気体の前記第２流量よりも小さく、
前記第２の条件は、前記処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下として、第３の原料ガスと第４の原料ガスとを前記処理室内に交互に供給する条件であって、
前記第３の原料ガスは、前記堆積性気体と水素とを含み、水素の第４流量は、前記堆積性気体の第５流量に対して１００倍以上２０００倍以下であり、
前記４の原料ガスは、前記堆積性気体と水素とを含み、前記堆積性気体の第６流量は、前記堆積性気体の前記第５流量よりも小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月21日(2013.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のアンテナを有し、少なくとも一つのアンテナを有する複数の移動局装置と通信を行なう基地局装置であって、
前記複数の移動局装置における伝搬路情報を異なる複数の伝搬路情報形式のいずれか一つに基づいて取得し、
前記伝搬路情報に基づいて、前記複数の移動局装置宛のデータ信号にそれぞれプリコーディングを行い、前記プリコーディング後の信号を空間多重して送信し、
前記複数の移動局装置として第１移動局装置と、第２移動局装置とが含まれており、
前記第１移動局装置は、第１伝搬路情報形式に基づいて、前記基地局装置との間の伝搬路情報を前記基地局装置に通知し、
前記第２移動局装置は第２伝搬路情報形式に基づいて、前記基地局装置との間の伝搬路情報を前記基地局装置に通知し、
前記第１の伝搬路情報形式は、伝搬路そのものを量子化した情報であること、を特徴とする基地局装置。
【請求項２】
前記第１伝搬路情報形式は、前記基地局装置と前記移動局装置との間の伝搬路情報を明示する情報形式であり、
前記基地局装置と前記移動局装置との間の複素伝搬路行列、前記基地局装置と前記移動局装置との間の複素伝搬路行列の共分散行列、前記基地局装置と前記移動局装置との間の複素伝搬路行列と前記移動局装置で適用される受信フィルタ行列との行列積で表現される複合伝搬路行列のいずれかの情報であることを特徴とする請求項１記載の基地局装置。
【請求項３】
前記第２伝搬路情報形式は前記基地局装置と前記移動局装置と間の伝搬路情報を暗示する情報形式であり、
前記移動局装置が前記基地局装置に要求するプリコーディングに関連付けられた制御情報であることを特徴とする請求項１記載の基地局装置。
【請求項４】
前記プリコーディングに関連付けられた制御情報は、前記基地局装置と前記移動局装置の間で既知のコードブックに含まれる複数の線形フィルタから、前記移動局装置が要求する線形フィルタを前記基地局装置に通知するための制御情報であることを特徴とする請求項３記載の基地局装置。
【請求項５】
前記伝搬路情報に基づいて第１線形フィルタを生成し、前記伝搬路情報と前記第１線形フィルタに基づいて前記複数の移動局装置宛のデータ信号にそれぞれプリコーディングを行い、前記プリコーディング後の信号を空間多重して送信し、前記第１線形フィルタに関連付けられた制御情報を前記移動局装置宛に通知することを特徴とする請求項１記載の基地局装置。
【請求項６】
前記第１線形フィルタは、前記プリコーディング後の信号を送信するのに要求される送信電力を最小にする規範、または前記無線通信システムの通信容量を最大とする規範のいずれかの規範に基づき決定されることを特徴とする請求項５記載の基地局装置。
【請求項７】
前記制御情報は、前記基地局装置と前記移動局装置の間で既知のコードブックに含まれる複数の線形フィルタから、前記第１線形フィルタを前記基地局装置から前記移動局装置に通知するための制御情報であることを特徴とする請求項５記載の基地局装置。
【請求項８】
前記伝搬路情報と、更に前記第１伝搬路情報形式から算出される伝搬路行列が有する複数の固有値にそれぞれ関連付けられた複数の第２線形フィルタに基づいて、前記複数の移動局装置宛のデータ信号にそれぞれプリコーディングを行い、前記プリコーディング後の信号を空間多重して送信し、
前記第２線形フィルタに関連付けられた制御情報を前記移動局装置宛に通知することを特徴とする請求項１記載の基地局装置。
【請求項９】
前記複数の第２線形フィルタから前記プリコーディングに用いる線形フィルタを決定することによって、利用するアンテナポートを決定することを特徴とする請求項８記載の基地局装置。
【請求項１０】
前記プリコーディングはＭｏｄｕｌｏ演算を含む非線形信号処理であることを特徴とする請求項１に記載の基地局装置。
【請求項１１】
複数のアンテナを有し、少なくとも一つのアンテナを有する複数の移動局装置と通信を行なう基地局装置における通信方法であって、
前記複数の移動局装置における伝搬路情報を異なる複数の伝搬路情報形式のいずれか一つに基づいて取得するステップと、
前記伝搬路情報に基づいて、前記複数の移動局装置宛のデータ信号にそれぞれプリコーディングを行い、前記プリコーディング後の信号を空間多重して送信するステップと、
を有し、
前記複数の移動局装置として第１移動局装置と、第２移動局装置とが含まれており、
前記第１移動局装置は、第１伝搬路情報形式に基づいて、前記基地局装置との間の伝搬路情報を前記基地局装置に通知し、
前記第２移動局装置は第２伝搬路情報形式に基づいて、前記基地局装置との間の伝搬路情報を前記基地局装置に通知し、
前記第１の伝搬路情報形式は、伝搬路そのものを量子化した情報であること、を特徴とする通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月25日(2013.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は、所定の領域と、前記所定の領域に対する画像処理を行う際に参照される、前記所定の領域に隣接する領域と、を含む画像データを取得する取得手段と、前記隣接する領域の画像データが所定の画像データであるかを判定する判定手段と、前記隣接する領域の画像データが所定の画像データであると判定された場合に、前記取得された画像データから前記隣接する領域の画像データを除いた画像データを転送し、前記隣接する領域の画像データが所定の画像データでないと判定された場合に、前記取得された画像データを転送する転送手段と、を有する画像処理装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、転送対象の画像データサイズの増加を抑えることが可能となり、例えばシステムメモリやシステムバスの帯域を改善することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の領域と、前記所定の領域に対する画像処理を行う際に参照される、前記所定の領域に隣接する領域と、を含む画像データを取得する取得手段と、
前記隣接する領域の画像データが所定の画像データであるかを判定する判定手段と、
前記隣接する領域の画像データが所定の画像データであると判定された場合に、前記取得された画像データから前記隣接する領域の画像データを除いた画像データを転送し、前記隣接する領域の画像データが所定の画像データでないと判定された場合に、前記取得された画像データを転送する転送手段と、
を有する画像処理装置。
【請求項２】
画像データを複数の領域に分割する分割手段をさらに有し、
前記取得手段は、前記分割によって得られた前記複数の領域のうちの１つの領域を前記所定の領域として、前記画像データを取得する請求項１の画像処理装置。
【請求項３】
前記転送手段は、転送対象の画像データを圧縮して転送する請求項１または２の画像処理装置。
【請求項４】
前記転送手段は、前記隣接する領域の画像データが所定の画像データであると判定された場合に、前記取得された画像データから前記隣接する領域の画像データを除いた画像データとともに、前記取得された画像データから前記隣接する領域の画像データを除いた画像データが転送されることを示す情報を転送する請求項１乃至３の何れか１の画像処理装置。
【請求項５】
前記情報は、前記隣接する領域が前記所定の領域に対してどこに位置するのかを示す請求項４の画像処理装置。
【請求項６】
前記隣接する領域の画像データが前記所定の画像データであると判定された場合に転送された画像データから、前記取得された画像データを復元する復元手段をさらに有する請求項１乃至５の何れか１の画像処理装置。
【請求項７】
前記情報を用いて、前記隣接する領域の画像データが前記所定の画像データであると判定された場合に転送された画像データから、前記取得された画像データを復元する復元手段をさらに有する請求項１乃至５の何れか１の画像処理装置。
【請求項８】
前記復元された画像データに対して画像処理を行う処理手段をさらに有し、
前記処理手段は、前記画像処理として、注目画素の周囲の画素を参照して前記注目画素を処理するフィルタ処理を行う請求項６または７の画像処理装置。
【請求項９】
前記隣接する領域の画像データは、複数の画素を含む画像データである請求項１乃至８の何れか１の画像処理装置。
【請求項１０】
前記所定の画像データは、白色の画像データであり、
前記判定手段は、前記隣接する領域の画像データに含まれる画素のそれぞれが、前記所定の画像データであるかを判定する請求項９の画像処理装置。
【請求項１１】
前記所定の領域の画像データに含まれる画素のそれぞれが単一色の画像データであるかを判定する手段と、
前記所定の領域の画像データに含まれる画素のそれぞれが単一色の画像データであると判定された場合に、前記所定の画像データとして前記単一色の画像データを設定する手段と、
をさらに有し、
前記判定手段は、前記隣接する領域の画像データに含まれる画素のそれぞれが、前記所定の画像データであるかを判定する請求項９の画像処理装置。
【請求項１２】
所定の領域と、前記所定の領域に対する画像処理を行う際に参照される、前記所定の領域に隣接する領域と、を含む画像データを取得する取得工程と、
前記隣接する領域の画像データが所定の画像データであるかを判定する判定工程と、
前記隣接する領域の画像データが所定の画像データであると判定された場合に、前記取得された画像データから前記隣接する領域の画像データを除いた画像データを転送し、前記隣接する領域の画像データが所定の画像データでないと判定された場合に、前記取得された画像データを転送する転送工程と、
を有する画像処理方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１１の何れか１に記載の各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月22日(2013.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振回路の累積クロック数をデジタル値として検出する累積クロック数検出部と、
前記発振回路の累積クロック数の小数部のデジタル値の、第１の基準クロックを基準とする周期性を検出する周期検出部と、
前記発振回路の出力クロックの１周期のデジタル値、前記発振回路の累積クロック数の小数部が持つ周期性の１周期のデジタル値、および前記発振回路の累積クロック数の小数部が持つ周期性の各周期の開始点から前記第１の基準クロックの数をカウントした値から補正値を算出する補正値算出部と、
前記周期性の各周期の開始点から前記第１の基準クロックの周期で、前記累積クロック数の小数部に前記補正値を加算する加算部と、
を備える、ＰＬＬ回路。
【請求項２】
前記累積クロック数検出部は、前記発振回路の累積クロック数の小数部を検出するＴＤＣ回路を含む、請求項１に記載のＰＬＬ回路。
【請求項３】
前記加算部による前記補正値の加算の有無を切り替える切替部をさらに備え、
前記切替部は、分周比、前記ＴＤＣ回路の分解能、前記累積クロック数の小数部が持つ周期性の１周期のデジタル値およびループ帯域を制御する定数との関係に基づいて、前記加算部による前記補正値の加算の有無の切り替えを制御する、請求項２に記載のＰＬＬ回路。
【請求項４】
ＰＬＬの収束状態を検出する収束検出部をさらに備え、
前記収束検出部は、設定された任意の収束状態に達した後に前記加算部による前記補正値の加算の有無の切り替えを制御する、請求項１に記載のＰＬＬ回路。
【請求項５】
前記第１の基準クロックを前記発振回路の出力クロックまたは該出力クロックを分周したクロックでリタイミングするリタイミング部をさらに備え、
前記累積クロック数検出部は、前記リタイミング部が前記第１の基準クロックをリタイミングして得られるクロックを第２の基準クロックとして用い、発振回路の累積クロック数の整数部の出力を前記第２の基準クロックの立ち上がりエッジのタイミングで保持する、請求項１に記載のＰＬＬ回路。
【請求項６】
前記リタイミング部が、リタイミングするエッジとして立ち上がりエッジを用いた場合には、前記累積クロック数検出部は、前記第１の基準クロックの立ち上がりエッジと前記発振回路の出力クロックまたは該出力クロックを分周したクロックの立ち上がりエッジ間の時間差のデジタル値の周期性を検出する、請求項５に記載のＰＬＬ回路。
【請求項７】
前記リタイミング部が、リタイミングするエッジとして立ち下がりエッジを用いた場合には、前記累積クロック数検出部は、前記第１の基準クロックの立ち上がりエッジと前記発振回路の出力クロックまたは該出力クロックを分周したクロックの立ち下がりエッジ間の時間差のデジタル値の周期性を検出する、請求項５に記載のＰＬＬ回路。
【請求項８】
デジタル値で表示された分周比を前記第１の基準クロック毎に累積加算して得られる値から、前記第２の基準クロックの立ち上がりエッジのタイミングで保持された前記発振回路の累積クロック数の整数部のデジタル値および前記発振回路の累積クロック数の小数部のデジタル値を減じる演算を行う位相比較器をさらに備える、請求項５に記載のＰＬＬ回路。
【請求項９】
前記リタイミング部が、リタイミングするエッジとして立ち上がりエッジを用いた場合には、前記位相比較器は、前記発振回路の累積クロックの小数部として、前記累積クロック数検出部の出力のうち前記第１の基準クロックの立ち上がりエッジと前記発振回路の出力クロックまたは該出力クロックを分周したクロックの立ち上がりエッジ間の時間差のデジタル値から算出される小数部を用いる、請求項８に記載のＰＬＬ回路。
【請求項１０】
前記リタイミング部が、リタイミングするエッジとして立ち下がりエッジを用いた場合には、前記位相比較器は、前記発振回路の累積クロックの小数部として、前記累積クロック数検出部の出力のうち前記第１の基準クロックの立ち上がりエッジと前記発振回路の出力クロックまたは該出力クロックを分周したクロックの立ち下がりエッジ間の時間差のデジタル値から算出される小数部を用いる、請求項８に記載のＰＬＬ回路。
【請求項１１】
発振回路の累積クロック数をデジタル値として検出する累積クロック数検出ステップと、
前記発振回路の累積クロック数の小数部のデジタル値の、第１の基準クロックを基準とする周期性を検出する周期検出ステップと、
前記発振回路の出力クロックの１周期のデジタル値、前記発振回路の累積クロック数の小数部が持つ周期性の１周期のデジタル値、および前記発振回路の累積クロック数の小数部が持つ周期性の各周期の開始点から前記第１の基準クロックの数をカウントした値から補正値を算出する補正値算出ステップと、
前記周期性の各周期の開始点から前記第１の基準クロックの周期で、前記累積クロック数の小数部に前記補正値を加算する加算ステップと、
を備える、ＰＬＬ回路の誤差補償方法。
【請求項１２】
請求項１に記載のＰＬＬ回路を備える、通信装置。
【請求項１３】
クロックを出力するクロック出力部と、
前記クロック出力部からの累積クロック数をデジタル値として検出する第１検出部と、
前記累積クロック数の小数部のデジタル値の、第１の基準クロックを基準とする周期性を検出する第２検出部と、
前記クロック出力部からの出力クロックの１周期のデジタル値、前記累積クロック数の小数部が持つ周期性の１周期のデジタル値、および前記クロック出力部からの累積クロック数の小数部が持つ周期性の各周期の開始点から前記第１の基準クロックの数をカウントした値から補正値を算出する算出部と、
前記周期性の各周期の開始点から前記第１の基準クロックの周期で、前記累積クロック数の小数部を前記補正値に基づいて補正する補正部と、
を備える、補正回路。
【請求項１４】
前記クロック出力部は、発振回路を備える、請求項１３に記載の補正回路。
【請求項１５】
前記クロック出力部は、発振回路である、請求項１３に記載の補正回路。
【請求項１６】
前記補正回路は、少なくともＰＬＬ回路の一部である、請求項１３に記載の補正回路。
【請求項１７】
前記補正回路は、ＰＬＬ回路である、請求項１３に記載の補正回路。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月21日(2013.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の目的を達成するため、本発明による物体追尾装置は、複数のフレーム画像を有する画像信号を受けて、当該画像信号において特定の物体を追尾する物体追尾装置において、現フレーム画像よりも前の前フレーム画像において前記物体が結像する領域を示す基準領域に予め設定された数の小領域を設定する小領域設定手段と、前記小領域の各々において前記物体について動きベクトルを検出する動きベクトル検出手段と、前記動きベクトルに応じて前記物体の変化を判断して形状変化情報を得る形状変化判断手段と、前記形状変化情報に応じて前記基準領域の位置及びサイズを補正して補正基準領域とする領域補正手段とを備え、前記補正基準領域によって前記物体の追尾を行うことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明による物体追尾方法は、複数のフレーム画像を有する画像信号を受けて、当該画像信号において特定の物体を追尾する物体追尾装置において用いられる物体追尾方法において、現フレーム画像よりも前の前フレーム画像において前記物体が結像する領域を示す基準領域に予め設定された数の小領域を設定する小領域設定ステップと、前記小領域の各々において前記物体について動きベクトルを検出する動きベクトル検出ステップと、前記動きベクトルに応じて前記物体の変化を判断して形状変化情報を得る形状変化判断ステップと、前記形状変化情報に応じて前記基準領域の位置及びサイズを補正して補正基準領域とする領域補正ステップと、前記補正基準領域によって前記物体の追尾を行う追尾ステップとを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明による物体追尾プログラムは、複数のフレーム画像を有する画像信号を受けて、当該画像信号において特定の物体を追尾する物体追尾装置において用いられる物体追尾プログラムにおいて、前記物体追尾装置が備えるコンピュータに、現フレーム画像よりも前の前フレーム画像において前記物体が結像する領域を示す基準領域に予め設定された数の小領域を設定する小領域設定ステップと、前記小領域の各々において前記物体について動きベクトルを検出する動きベクトル検出ステップと、前記動きベクトルに応じて前記物体の変化を判断して形状変化情報を得る形状変化判断ステップと、前記形状変化情報に応じて前記基準領域の位置及びサイズを補正して補正基準領域とする領域補正ステップと、前記補正基準領域によって前記物体の追尾を行う追尾ステップとを実行させることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のフレーム画像を有する画像信号を受けて、当該画像信号において特定の物体を追尾する物体追尾装置において、
現フレーム画像よりも前の前フレーム画像において前記物体が結像する領域を示す基準領域に予め設定された数の小領域を設定する小領域設定手段と、
前記小領域の各々において前記物体について動きベクトルを検出する動きベクトル検出手段と、
前記動きベクトルに応じて前記物体の変化を判断して形状変化情報を得る形状変化判断手段と、
前記形状変化情報に応じて前記基準領域の位置及びサイズを補正して補正基準領域とする領域補正手段とを備え、
前記補正基準領域によって前記物体の追尾を行うことを特徴とする物体追尾装置。
【請求項２】
前記前フレーム画像における前記基準領域の位置情報及びその画像データを基準領域として記憶する基準領域記憶手段を有することを特徴とする請求項１記載の物体追尾装置。
【請求項３】
前記形状変化判断手段は、前記動きベクトルのｘ成分及びｙ成分の符号に応じて前記物体の変化を判断することを特徴とする請求項１又は２記載の物体追尾装置。
【請求項４】
前記領域補正手段は、前記動きベクトルのｘ成分及びｙ成分の値に応じて前記現フレーム画像における前記基準領域の位置及びサイズを補正することを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の物体追尾装置。
【請求項５】
複数のフレーム画像を有する画像信号を受けて、当該画像信号において特定の物体を追尾する物体追尾装置において用いられる物体追尾方法において、
現フレーム画像よりも前の前フレーム画像において前記物体が結像する領域を示す基準領域に予め設定された数の小領域を設定する小領域設定ステップと、
前記小領域の各々において前記物体について動きベクトルを検出する動きベクトル検出ステップと、
前記動きベクトルに応じて前記物体の変化を判断して形状変化情報を得る形状変化判断ステップと、
前記形状変化情報に応じて前記基準領域の位置及びサイズを補正して補正基準領域とする領域補正ステップと、
前記補正基準領域によって前記物体の追尾を行う追尾ステップとを有することを特徴とする物体追尾方法。
【請求項６】
複数のフレーム画像を有する画像信号を受けて、当該画像信号において特定の物体を追尾する物体追尾装置において用いられる物体追尾プログラムにおいて、
前記物体追尾装置が備えるコンピュータに、
現フレーム画像よりも前の前フレーム画像において前記物体が結像する領域を示す基準領域に予め設定された数の小領域を設定する小領域設定ステップと、
前記小領域の各々において前記物体について動きベクトルを検出する動きベクトル検出ステップと、
前記動きベクトルに応じて前記物体の変化を判断して形状変化情報を得る形状変化判断ステップと、
前記形状変化情報に応じて前記基準領域の位置及びサイズを補正して補正基準領域とする領域補正ステップと、
前記補正基準領域によって前記物体の追尾を行う追尾ステップとを実行させることを特徴とする物体追尾プログラム。