【手続補正書】
【提出日】平成26年7月17日(2014.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光表示装置、及び発光表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、第２の導電層と、第１の絶縁層と、酸化物半導体層と、第３の導電層と、第４の導電層と、第５の導電層と、第６の導電層と、第２の絶縁層と、第７の導電層と、第３の絶縁層とを有し、
前記第１の絶縁層は、前記第１の導電層と、前記第２の導電層との上に設けられ、
前記酸化物半導体層は、前記第１の絶縁層の上に設けられ、
前記第３の導電層と、前記第４の導電層と、前記第５の導電層と、前記第６の導電層とは、前記酸化物半導体層の上に設けられ、
前記第２の絶縁層は、前記第３の導電層と、前記第４の導電層と、前記第５の導電層と、前記第６の導電層との上に設けられ、
前記第７の導電層は、前記第２の絶縁層の上に設けられ、
前記第３の絶縁層は、前記第７の導電層の上に設けられ、
前記第１の導電層は、第１のトランジスタの第１のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第２の導電層は、第２のトランジスタの第２のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第２の導電層は、容量素子の第１の電極として機能する領域を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第１のトランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第２のトランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
前記第１の絶縁層は、前記容量素子の誘電体として機能する領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１のトランジスタの第１のチャネル形成領域として機能する領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第２のトランジスタの第２のチャネル形成領域として機能する領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記容量素子の誘電体として機能する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第１のトランジスタの第１のソース電極又は第１のドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
前記第４の導電層は、前記第１のトランジスタの第１のソース電極又は第１のドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
前記第５の導電層は、前記第２のトランジスタの第２のソース電極又は第２のドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
前記第５の導電層は、前記容量素子の第２の電極として機能する領域を有し、
前記第６の導電層は、前記第２のトランジスタの第２のソース電極又は第２のドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
前記第７の導電層は、画素電極として機能する領域を有し、
前記第２のゲート電極は、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の他方と電気的に接続され、
前記画素電極は、前記第２のソース電極又は前記第２のドレイン電極の他方と電気的に接続され、
前記第３の絶縁層は、前記画素電極の端部と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとの間に、第１の開口を有し、
前記第２の絶縁層は、第２の開口を有し、
前記第１の開口は、前記第２の開口と重なることを特徴とする発光表示装置。
【請求項２】
第１の導電層と、第２の導電層と、第１の絶縁層と、酸化物半導体層と、第３の導電層と、第４の導電層と、第５の導電層と、第６の導電層と、第２の絶縁層と、第３の絶縁層と、第７の導電層と、第４の絶縁層とを有し、
前記第１の絶縁層は、前記第１の導電層と、前記第２の導電層との上に設けられ、
前記酸化物半導体層は、前記第１の絶縁層の上に設けられ、
前記第３の導電層と、前記第４の導電層と、前記第５の導電層と、前記第６の導電層とは、前記酸化物半導体層の上に設けられ、
前記第２の絶縁層は、前記第３の導電層と、前記第４の導電層と、前記第５の導電層と、前記第６の導電層との上に設けられ、
前記第３の絶縁層は、前記第２の絶縁層の上に設けられ、
前記第７の導電層は、前記第３の絶縁層の上に設けられ、
前記第４の絶縁層は、前記第７の導電層の上に設けられ、
前記第１の導電層は、第１のトランジスタの第１のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第２の導電層は、第２のトランジスタの第２のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第２の導電層は、容量素子の第１の電極として機能する領域を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第１のトランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第２のトランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
前記第１の絶縁層は、前記容量素子の誘電体として機能する領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１のトランジスタの第１のチャネル形成領域として機能する領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第２のトランジスタの第２のチャネル形成領域として機能する領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記容量素子の誘電体として機能する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第１のトランジスタの第１のソース電極又は第１のドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
前記第４の導電層は、前記第１のトランジスタの第１のソース電極又は第１のドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
前記第５の導電層は、前記第２のトランジスタの第２のソース電極又は第２のドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
前記第５の導電層は、前記容量素子の第２の電極として機能する領域を有し、
前記第６の導電層は、前記第２のトランジスタの第２のソース電極又は第２のドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
前記第７の導電層は、画素電極として機能する領域を有し、
前記第２のゲート電極は、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の他方と電気的に接続され、
前記画素電極は、前記第２のソース電極又は前記第２のドレイン電極の他方と電気的に接続され、
前記第４の絶縁層は、前記画素電極の端部と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとの間に、第１の開口を有し、
前記第２の絶縁層は、第２の開口を有し、
前記第３の絶縁層は、第３の開口を有し、
前記第１の開口は、前記第２の開口及び前記第３の開口と重なることを特徴とする発光表示装置。
【請求項３】
第１の導電層と、第２の導電層と、第１の絶縁層と、酸化物半導体層と、第３の導電層と、第４の導電層と、第５の導電層と、第６の導電層と、第２の絶縁層と、第３の絶縁層と、第７の導電層と、第４の絶縁層とを有し、
前記第１の絶縁層は、前記第１の導電層と、前記第２の導電層との上に設けられ、
前記酸化物半導体層は、前記第１の絶縁層の上に設けられ、
前記第３の導電層と、前記第４の導電層と、前記第５の導電層と、前記第６の導電層とは、前記酸化物半導体層の上に設けられ、
前記第２の絶縁層は、前記第３の導電層と、前記第４の導電層と、前記第５の導電層と、前記第６の導電層との上に設けられ、
前記第３の絶縁層は、前記第２の絶縁層の上に設けられ、
前記第７の導電層は、前記第３の絶縁層の上に設けられ、
前記第４の絶縁層は、前記第７の導電層の上に設けられ、
前記第１の導電層は、第１のトランジスタの第１のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第２の導電層は、第２のトランジスタの第２のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第２の導電層は、容量素子の第１の電極として機能する領域を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第１のトランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第２のトランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
前記第１の絶縁層は、前記容量素子の誘電体として機能する領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１のトランジスタの第１のチャネル形成領域として機能する領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第２のトランジスタの第２のチャネル形成領域として機能する領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記容量素子の誘電体として機能する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第１のトランジスタの第１のソース電極又は第１のドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
前記第４の導電層は、前記第１のトランジスタの第１のソース電極又は第１のドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
前記第５の導電層は、前記第２のトランジスタの第２のソース電極又は第２のドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
前記第５の導電層は、前記容量素子の第２の電極として機能する領域を有し、
前記第６の導電層は、前記第２のトランジスタの第２のソース電極又は第２のドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
前記第７の導電層は、画素電極として機能する領域を有し、
前記第２のゲート電極は、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の他方と電気的に接続され、
前記画素電極は、前記第２のソース電極又は前記第２のドレイン電極の他方と電気的に接続され、
前記第４の絶縁層は、前記画素電極の端部と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとの間に、第１の開口を有し、
前記第２の絶縁層は、第２の開口を有し、
前記第３の絶縁層は、第３の開口を有し、
前記第１の開口は、前記第２の開口及び前記第３の開口と重なる発光表示装置の製方法であって、
前記第３の絶縁層として、感光性アクリル樹脂を形成し、
前記感光性アクリル樹脂を露光して、前記第３の開口を形成し、
前記第３の開口を有する感光性アクリル樹脂をマスクとして、前記第２の絶縁層及び前記酸化物半導体層にそれぞれ、前記第２の開口及び前記第１の開口を形成することを特徴とする発光表示装置の作製方法。