Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月4日(2014.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構成部品（１００）を製造する方法であって、
基材（１１０）の表面（１１２）に１つまたは複数の溝（１３２）を形成するステップであり、前記基材（１１０）が少なくとも１つの中空の内部空間（１１４）を有し、前記１つまたは複数の溝（１３２）の各々が前記基材（１１０）の前記表面（１１２）に少なくとも部分的に沿って延在し、また、底面（１３４）および頂部（１３６）を有し、前記底面（１３４）が前記頂部（１３６）より広く、したがって、前記１つまたは複数の溝（１３２）の各々が窪み形状の溝（１３２）を有する、ステップと、
前記溝（１３２）を前記少なくとも１つの中空の内部空間（１１４）のそれぞれの１つに流体連通させて接続するために、それぞれ１つの前記１つまたは複数の溝（１３２）の前記底面（１３４）を通るように１つまたは複数のアクセス孔（１４０）を形成するステップと、
前記基材（１１０）の前記表面（１１２）の少なくとも一部分の上にコーティング（１５０）を堆積させるステップであり、前記１つまたは複数の溝（１３２）および前記コーティング（１５０）が、前記構成部品（１００）を冷却するための１つまたは複数の窪み形状のチャネル（１３０）を画定する、ステップと、
を含み、
前記１つまたは複数の窪み形状の溝（１３２）が、前記基材（１１０）の前記表面（１１２）に前記研磨液噴射（１６０）を方向付けることによって形成され、
前記１つまたは複数の窪み形状の溝（１３２）が、研磨液噴射（１６０）が最初に通過するときに前記基材（１１０）の前記表面（１１２）に対して外側の角度をつけて前記研磨液噴射（１６０）を方向付けて、次いで次に通過するときに前記外側の角度と実質的に反対の角度にすることにより、形成される、
方法。
【請求項２】
それぞれ１つの前記１つまたは複数の窪み形状の溝（１３２）の前記底面（１３４）が前記それぞれの溝（１３２）の前記頂部（１３６）の約３倍〜４倍の範囲内の幅を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
それぞれ１つの前記１つまたは複数の窪み形状の溝（１３２）の壁（１３８）が表面法線（５２）に対して約２０度〜４５度の範囲内にある角度φで方向付けられる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記基材（１１０）の前記表面（１１２）の少なくとも一部分の上にコーティング（１５０）を堆積させるステップが、
イオンプラズマ蒸着、
高速フレーム溶射（ＨＶＯＦ）、
高速空気燃料溶射（ＨＶＡＦ）、または、
低圧プラズマ溶射（ＬＰＰＳ）プロセス
のうちの少なくとも１つを実行するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
基材（１１０）と、少なくとも１つのコーティング（１５０）とを備える構成部品（１００）であって、
前記基材（１１０）が、外側表面（１１２）および内側表面（１１６）を含み、前記内側表面（１１６）が少なくとも１つの中空の内部空間（１１４）を画定し、前記外側表面（１１２）が１つまたは複数の溝（１３２）を画定し、前記１つまたは複数の溝（１３２）の各々が前記基材（１１０）の前記表面（１１２）に少なくとも部分的に沿って延在し、また、底面（１３４）および頂部（１３６）を有し、前記底面（１３４）が前記頂部（１３６）より広く、したがって、前記１つまたは複数の溝（１３２）の各々が窪み形状の溝（１３２）を有し、１つまたは複数のアクセス孔（１４０）が、前記１つまたは複数の溝（１３２）のそれぞれの１つを前記少なくとも１つの中空の内部空間（１１４）のそれぞれの１つに流体連通させて接続するために、それぞれ１つの前記１つまたは複数の溝（１３２）の前記底面（１３４）を通るように形成され、
前記少なくとも１つのコーティング（１５０）が、前記基材（１１０）の前記表面（１１２）の少なくとも一部分の上に堆積され、前記１つまたは複数の溝（１３２）および前記コーティング（１５０）が、構成部品（１００）を冷却するための１つまたは複数の窪み形状のチャネル（１３０）を画定する、構成部品（１００）。
【請求項６】
それぞれ１つの前記１つまたは複数の窪み形状の溝（１３２）の前記底面（１３４）が前記それぞれの溝（１３２）の前記頂部（１３６）の約３〜４倍の範囲内にある幅を有し、それぞれ１つの前記１つまたは複数の窪み形状の溝（１３２）の壁（１３８）が表面法線（５２）に対して約２０度〜４５度の範囲内にある角度φで方向付けられる、請求項５に記載の構成部品（１００）。
【請求項７】
前記コーティング（１５０）が前記個別の１つまたは複数の溝（１３２）を完全に架橋し、したがって、前記コーティング（１５０）が前記それぞれのチャネル（１３０）を密閉する、請求項５に記載の構成部品（１００）。
【請求項８】
前記コーティング（１５０）が１つまたは複数の多孔性の隙間（１４４）を画定し、したがって、前記コーティング（１５０）が前記個別の１つまたは複数の溝（１３２）の各々を完全には架橋しない、請求項５に記載の構成部品（１００）。
【請求項９】
犠牲充填材を使用することなく構成部品（１００）を被覆する方法であって、
基材（１１０）の表面（１１２）に１つまたは複数の溝（１３２）を形成するステップであり、前記基材（１１０）が少なくとも１つの中空の内部空間（１１４）を有し、前記１つまたは複数の溝（１３２）の各々が前記基材（１１０）の前記表面（１１２）に少なくとも部分的に沿って延在し、また、底面（１３４）および頂部（１３６）を有し、前記頂部（１３６）の幅が約０．１ｍｍから約０．５ｍｍである、ステップと、
前記基材（１１０）の前記表面（１１２）の少なくとも一部分の上に、前記１つまたは複数の溝（１３２）のうちの空いている溝の上に直接にコーティング（１５０）を堆積させるステップであり、前記１つまたは複数の溝（１３２）および前記コーティング（１５０）が、前記構成部品（１００）を冷却するための１つまたは複数のチャネル（１３０）を画定する、ステップと、
前記基材（１１０）の前記表面（１１２）に前記１つまたは複数の溝（１３２）を形成する前に前記基材（１１０）を注型するステップと、
前記溝（１３２）を前記少なくとも１つの中空の内部空間（１１４）のそれぞれの１つに流体連通させて接続するために、それぞれ１つの前記溝（１３２）の前記底面（１３４）を通るように１つまたは複数のアクセス孔（１４０）を形成するステップと
を含み、
前記コーティング（１５０）には、金属コーティング、ボンドコーティング、および、遮熱コーティングのうちの少なくとも１つが含まれ、前記基材（１１０）の前記表面（１１２）の少なくとも一部分の上にコーティング（１５０）を堆積させるステップが、
イオンプラズマ蒸着、
高速フレーム溶射（ＨＶＯＦ）プロセス、
高速酸素燃料溶射（ＨＶＡＦ）プロセス、または、
低圧プラズマ溶射（ＬＰＰＳ）プロセス、
のうちの少なくとも１つを実行するステップを含む、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月4日(2014.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
そのロータの周りに円周方向に配置された少なくとも２つの隣接するブレード組立体（１０、１０'）を有するタービンであって、前記少なくとも２つの隣接するブレード組立体（１０、１０'）の各々が、
その後側面に形成された第１のポケット（２０）及びその前側面に形成された第２のポケット（２２）を備えたプラットフォーム（１６）を有しかつ前記第１のポケット（２０）の一端部における第１のダンパピンスロット（４２）及び前記第２のポケット（２２）の一端部における第２のダンパピンスロット（９６）をさらに有するバケット（１２）と、
前記プラットフォーム（１６）から外向きに延びかつ該タービンのストリーム内に突出し、それによって前記ロータの回転を通して該ストリームの運動エネルギーを機械的エネルギーに変換する翼形部（１４）と、
を備え、
当該タービンがさらに、
（ｉ）前記少なくとも２つの隣接するブレード組立体の第１のもの（１０）の第１のダンパピンスロット（４２）及び
（ｉｉ）前記少なくとも２つの隣接するブレード組立体の第２のもの（１０'）の第２のダンパピンスロット（９６'）の少なくとも１つ内に受けられたダンパピン（４８）
を備え、
前記少なくとも２つの隣接するブレード組立体の第１のもの（１０）の第１のダンパピンスロット（４２）が、前記少なくとも２つの隣接するブレード組立体の第２のもの（１０'）の第２のダンパピンスロット（９６'）に対して、前記ダンパピン（４８）が該少なくとも２つの隣接するブレード組立体の第１のもの（１０）の第１のダンパピンスロット（４２）及び該少なくとも２つの隣接するブレード組立体の第２のもの（１０'）の第２のダンパピンスロット（９６'）内で移動するのを可能にするように配置され、
前記第１のダンパピンスロット（４２）が、その中に前記ダンパピン（４８）を完全に受けるのに十分な深さを有し、平らな表面に直接近接して配置された凹形の表面を有し、
前記少なくとも２つの隣接するブレード組立体の第１のもの（１０）の第１のダンパピンスロット（４２）が、前記少なくとも２つの隣接するブレード組立体の第２のもの（１０'）の第２のダンパピンスロット（９６'）に対して、ある角度傾斜して配置され、前記ある角度が該タービンの内側流路角度とほぼ同じである、
タービン。
【請求項２】
前記第２のダンパピンスロット（９６'）が、その中に前記ダンパピン（４８）を部分的に受けるのに十分な深さを有する、請求項１に記載のタービン。
【請求項３】
（ｉ）前記少なくとも２つの隣接するブレード組立体の第１のもの（１０）の第１のポケット（２０）及び（ｉｉ）前記少なくとも２つの隣接するブレード組立体の第２のもの（１０'）の第２のポケット（２２'）の少なくとも１つの各側部に設けられたシールピンスロット（５６、５８）と、
前記シールピンスロット（５６、５８）内に受けられたシールピン（６４、７６）と、
をさらに含む、請求項１に記載のタービン。
【請求項４】
前記シールピンスロット（５６、５８）の各々が、その中に前記シールピン（６４、７６）の１つを完全に受けるのに十分な深さを有する、請求項３に記載のタービン。
【請求項５】
前記シールピンスロット（５６、５８）が、前記第１のダンパピンスロット（４２）及び第２のダンパピンスロット（９６）の少なくとも１つの端縁部と整列した線を越えて延び、前記シールピン（６４、７６）が前記ダンパピン（４８）とオーバラップする、請求項３に記載のタービン。
【請求項６】
前記少なくとも２つの隣接するブレード組立体（１０、１０'）の各々が、前記プラットフォーム（１６）から垂下したシャンク部分（１８）をさらに有し、前記シャンク部分（１８）が、前記第１及び第２のポケット（２０、２２）を形成する、請求項１に記載のタービン。
【請求項７】
前記少なくとも２つの隣接するブレード組立体（１０、１０'）の各々が、前記シャンク部分（１８）から延びる相互連結コネクタ部分を含み、前記相互連結コネクタ部分が、前記ロータの開口部内に受けられるように構成される、請求項６に記載のタービン。
【請求項８】
前記相互連結コネクタ部分がダブテール（２８）である、請求項７に記載のタービン。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月29日(2014.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸気タービンケーシングセグメント（２２）であって、
水平継手表面（２４）と、
前記水平継手表面（２４）における第１の開口部（３８）及びほぼ半径方向外向きに面した第２の開口部（４０）を有するポケット（３６）と、
該蒸気タービンケーシングセグメント（２２）の半径方向外側表面（４４）からアクセス可能なポート（４２）であって、前記ポケット（３６）の第２の開口部（４０）と流体連結したポート（４２）と、
を備える、蒸気タービンケーシングセグメント（２２）。
【請求項２】
前記ポート（４２）内に調整ボルトをさらに含んでおり、前記調整ボルトが、該蒸気タービンケーシングセグメント（２２）の半径方向外側表面（４４）から前記ポケット（３６）内に少なくとも部分的に延在する、請求項１に記載の蒸気タービンケーシングセグメント（２２）。
【請求項３】
前記水平継手表面（２４）とほぼ平行に延在する半径方向に延在するスロット（３０）をさらに含んでおり、前記半径方向に延在するスロット（３０）が、調整部材（５２）を受けるように構成される、請求項１に記載の蒸気タービンケーシングセグメント（２２）。
【請求項４】
前記ポケット（３６）の一部分が、支持アーム（２６、２８）内に設置され、前記支持アーム（２６、２８）が、前記ポケット（３６）の第２の開口部（４０）及び前記ポート（４２）間で前記水平継手表面（２４）とほぼ平行に延在するスロット（３０）を含む、請求項１に記載の蒸気タービンケーシングセグメント（２２）。
【請求項５】
前記支持アーム（２６、２８）が、前記水平継手表面（２４）とほぼ同一平面の表面を含む、請求項４に記載の蒸気タービンケーシングセグメント（２２）。
【請求項６】
蒸気タービン装置（１０）であって、
（ｉ）ダイアフラムセグメント（１４）と、
（ｉｉ）前記ダイアフラムセグメント（１４）を少なくとも部分的に収容したケーシングセグメント（２２）であって、
（ｉｉａ）水平継手表面（２４）と、
（ｉｉｂ）前記水平継手表面（２４）における第１の開口部（３８）及びほぼ半径方向外向きに面した第２の開口部（４０）を有するポケット（３６）と、
（ｉｉｃ）該ケーシングセグメント（２２）の半径方向外側表面（４４）からアクセス可能でありかつ前記ポケット（３６）の第２の開口部（４０）と流体連結したポート（４２）と、
を有するケーシングセグメント（２２）と、
（ｉｉｉ）前記ポケット（３６）内に配置された支持部材（５４）と、
（ｉｖ）前記ケーシングセグメント（２２）を前記ダイアフラムセグメント（１４）に少なくとも部分的に結合しかつ前記支持部材（５４）に接触した支持バー（３４）と、
（ｖ）前記ポート（４２）内に配置されかつ前記支持部材（５４）に接触した調整組立体（４７）であって、前記支持部材（５４）を介して前記支持バー（３４）の移動を行なわせるように構成されている調整組立体（４７）と、
を備える、蒸気タービン装置（１０）。
【請求項７】
蒸気タービンシステム（３００）であって、当該蒸気タービンシステムが、
上部ケーシングセグメント（２０）と、
ケーシング水平継手表面（２４）において前記上部ケーシングセグメント（２０）に結合された下部ケーシングセグメント（２２）と
を備え、
前記下部ケーシングセグメント（２２）が、
前記水平継手表面（２４）における第１の開口部（３８）及びほぼ半径方向外向きに面した第２の開口部（４０）を有するポケット（３６）と、
該下部ケーシングセグメント（２２）の半径方向外側表面（４４）からアクセス可能でありかつ前記ポケット（３６）の第２の開口部（４０）と流体連結したポート（４２）と、
を備える、
蒸気タービンシステム（３００）。
【請求項８】
ダイアフラムリング（１２、１４）をさらに含み、前記ダイアフラムリング（１２、１４）が、
上部ダイアフラムセグメント（１２）と、
ダイアフラム水平継手表面（１６）において前記上部ダイアフラムセグメント（１２）に結合された下部ダイアフラムリングセグメント（１４）と、
を含み、
前記上部ケーシングセグメント（２０）及び下部ケーシングセグメント（２２）が、前記ダイアフラムリング（１２、１４）を囲む、
請求項７に記載の蒸気タービンシステム（３００）。
【請求項９】
傾斜面（６４）を有しかつ前記ポケット（３６）内に配置された支持部材（５４）と、
前記上部ケーシングセグメント（２０）を前記下部ダイアフラムセグメント（１４）に少なくとも部分的に結合しかつ前記傾斜面（６４）以外の面において前記支持部材（５４）に接触した支持バー（３４）と、
前記ポート（４２）内に配置されかつ前記支持部材（５４）に接触した調整組立体（４７）であって、傾斜面を有する調整部材（５２）を含んでいるとともに、前記ケーシングセグメント（２２）の半径方向外側表面（４４）からアクセス可能でありかつ前記ダイアフラム水平継手表面（１６）の位置に対して前記ケーシング水平継手表面（２４）の位置を調整するように構成されている調整組立体（４７）と、
をさらに備える、
請求項８に記載の蒸気タービンシステム（３００）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月29日(2014.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タービンエンジンの圧縮機内に設置されたステータベーン組立体の高静圧側から低静圧側に流れて該圧縮機の主作動流体流れ通路内に戻る漏洩空気を該ステータベーンの前縁において該作動流体流れと干渉するのを回避するように導くためのシステムであって、
ステータベーンと、
前記ステータベーンの半径方向内側先端部に連結されたシュラウド組立体と、
前記シュラウド組立体の半径方向内側先端部に連結された固定シール組立体と、
前記固定シール組立体の半径方向内側に設置されかつ該固定シール組立体との間の境界面に漏洩流れ通路を形成した、少なくとも１つの回転表面をシールと、
前記ステータベーンの前縁において前記作動流体流れと干渉するのを回避するように前記圧縮機の主作動流体流れ通路内に前記漏洩空気流れを導く少なくとも１つのカバーと、
を備え、
前記カバーが、
速度の後向き成分を有する状態で前記漏洩空気を前記主作動流体流れ通路内に戻るように吐出する前記チャネルの後向き配置出口セクションをさらに含み、かつ、
前記流れ迂回装置及び内側シュラウド組立体間で前記ステータベーンの前縁の上流に円周方向に近接して前記漏洩空気流れ通路内に配置されている、
漏洩空気を導くためのシステム。
【請求項２】
前記漏洩空気流れを導くための前記カバーが、前記シュラウド組立体の前端縁部に連結されまた前記少なくとも１つのシールから流出する前記漏洩空気を捕捉しかつ前記主作動流体流れ通路と直接流体連通したチャネルを有し、それによって該漏洩空気流れを該主作動流体流れ通路内に戻るように導く流れ迂回装置を含む、請求項１に記載の漏洩空気を導くためのシステム。
【請求項３】
前記少なくとも１つのカバーが、前記流れ迂回装置及び内側シュラウド組立体間で前記漏洩空気流れ通路の出口に近接してさらに配置される、請求項１に記載の漏洩空気を導くためのシステム。
【請求項４】
前記少なくとも１つのカバーが、前記ステータベーンを通過する前記漏洩空気流れ通路内にステータベーンピッチの約３０％〜約７０％の円周方向円弧にわたって配置される、請求項３に記載の漏洩空気を導くためのシステム。
【請求項５】
前記少なくとも１つのカバーが、前記ステータベーンの前縁の周りで円周方向に対称に配置される、請求項４に記載の漏洩空気を導くためのシステム。
【請求項６】
前記少なくとも１つのカバーが、前記シュラウド組立の前端縁部及び前記流れ迂回装置の後壁間に固定取付けされて、該流れ迂回装置を支持するための手段を構成する、請求項１に記載の漏洩空気を導くためのシステム。
【請求項７】
前記少なくとも１つのカバーが、弓形スライスを含む、請求項６に記載の漏洩空気を導くためのシステム。
【請求項８】
タービンエンジンの圧縮機内に設置されたステータベーン組立体の高静圧側から低静圧側に流れて該圧縮機の主作動流体流れ通路内に戻る漏洩空気を該ステータベーンの前縁が該漏洩空気の再配向によって直接的衝突から保護されるように導くためのシステムであって、
前記エンジンの固定ケーシング要素に固定された複数の円周方向に間隔を置いて配置されたステータベーンを備えたステータベーン組立体と、
前記ステータベーン組立体の半径方向内側に設置されかつ該ステータベーン組立体と共に該ステータベーン組立体の後方に位置した高静圧空洞から該ステータベーン組立体の前方に位置した低静圧空洞に至る漏洩空気流れ通路を形成したロータ手段と、
前記主作動流体流れ通路内に戻る前記漏洩空気流れ通路からの前記漏洩空気流れを該漏洩空気流れが前記複数の円周方向に間隔を置いて配置されたステータベーンの前縁を迂回するように導くための手段と、
を備え、
前記漏洩空気流れ通路からの前記漏洩空気流れを導くための手段が、前記漏洩空気を封鎖する複数のカバーを含み、
前記複数のカバーが、前記複数の円周方向に間隔を置いて配置されたステータベーンの前縁の上流に円周方向に近接して前記漏洩空気通路内で上流に配置される、
漏洩空気を導くためのシステム。
【請求項９】
前記複数のカバーの各カバーが、前記ステータベーンの前縁の周りで前記ステータベーンを通過する前記漏洩空気流れ通路内においてステータベーンピッチの約３０％〜約７０％の円周方向円弧を封鎖する、請求項８に記載の漏洩空気を導くためのシステム。
【請求項１０】
前記複数のカバーのそれぞれが、前記ステータベーンの前縁の周りで円周方向に対称に配置される、請求項９に記載の漏洩空気を導くためのシステム。
【請求項１１】
前記複数のカバーが、前記ステータベーン組立体の前方表面に結合されかつ該ステータベーン組立体の前方表面との間に該ステータベーン組立体の下方を軸方向前向きに流れる漏洩流れを該ステータベーン組立体の前方表面に沿って半径方向外向きに前記複数のステータベーンに向けて流れるように導くチャネルを形成した流れ迂回装置を含み、
前記複数のカバーが、前記流れ迂回装置及びステータベーン組立体間で前記ステータベーンの前縁に円周方向に近接して前記チャネルの出口に配置される、
請求項８に記載の漏洩空気を導くためのシステム。
【請求項１２】
前記複数のカバーのそれぞれが、前記流れ迂回装置及びステータベーン組立体間に機械的に取付けられて、流れ迂回装置に対するその上部端部における支持を行なう、請求項１０に記載の漏洩空気を導くためのシステム。
【請求項１３】
前記複数のカバーが、前記ステータベーンの前縁の軸方向前方で前記ステータベーン組立体上に配置される、請求項１０に記載の漏洩空気を導くためのシステム。
【請求項１４】
ステータベーンの後方に位置した高静圧側からステータベーン組立体の前方の低静圧側に流れる漏洩空気流れを該ステータベーンの前縁における空気力学的流れを妨げないように迂回させることによってガスタービン圧縮機の性能を向上させる方法であって、
流れ迂回装置の半径方向内側端縁部を前記ステータベーン組立体の低静圧側において漏洩空気通路の半径方向内側に配置するステップと、
前記ステータベーン組立体の高静圧側から低静圧側に流れる前記漏洩空気流れを途中捕捉して、主作動流れと再合流させるステップと、
複数の翼形部の前縁を該前縁に近接させた複数のカバーにより前記漏洩空気流れから被覆するステップと
を含み、
前記被覆するステップが、前記複数の翼形部の前縁を該前縁に対して上流かつ円周方向に配向させた状態で前記複数のカバーを配置するステップを含む、
ガスタービン圧縮機の性能を向上させる方法。
【請求項１５】
前記被覆するステップが、ステータピッチの約３０％〜約７０％の円周方向円弧にわたって前記複数の翼形部の前縁を被覆するステップをさらに含む、請求項１４に記載のガスタービン圧縮機の性能を向上させる方法。
【請求項１６】
前記被覆するステップが、前記流れ迂回装置及びステータベーン組立体間で該流れ迂回装置のチャネルの出口に前記カバーを配置するステップさらに含む、請求項１４に記載のガスタービン圧縮機の性能を向上させる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月4日(2014.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スロット（１２２）を備えるドラムロータ（１０４、３０４）と、
前記スロット（１２２）内に配置されるように構成されたクロージャバケット（１０２、３０２）と、
を備える組立体であって、
前記クロージャバケット（１０２、３０２）が、該クロージャバケット（１０２、３０２）のベース部材（１０８、３１０）内に配置されたロックピン（１１０、３１８、３１９）を含み、
前記ロックピン（１１０、３１８、３１９）の一部分が、前記スロット（１２２）の空洞（１２６）内に回転可能に伸展し、それによって該スロット（１２２）内に前記クロージャバケット（１０２、３０２）を固定するように構成される突出部を備え、
前記ロックピンが、前記ロックピンが回転軸の周りに回転できるように構成された径方向に配向されたスロット部分と、ロックされていない方向への前記ロックピンの回転を阻止するために前記突出部によって妨げるように構成された周方向のスロット部分とを有するＬ字形のスロット内で、前記ベース部材の前縁側面および後縁側面に保持される、
組立体。
【請求項２】
前記ロックピン（１１０、３１８、３１９）が、駆動ヘッド（１１６、３２２、３３６）に結合されたシャフト（１１４）を含み、
前記駆動ヘッド（１１６、３２２、３３６）が、所定の位置に回転して、前記ロックピン（１１０、３１８、３１９）の一部分を前記空洞（１２６）内に伸展させるように構成される、
請求項１に記載の組立体。
【請求項３】
前記ロックピン（１１０、３１８、３１９）が、該ロックピン（１１０、３１８、３１９）を選択位置に固定する回転防止装置（３２４、３３８）を含む、請求項１に記載の組立体。
【請求項４】
前記空洞（１２６）が、前記スロット（１２２）の表面内に弓形空洞（１２６）を含む、請求項１に記載の組立体。
【請求項５】
前記ロックピン（１１０、３１８、３１９）が、シャフト（１１４）及び前記空洞（１２６）内に伸展ように構成された前記突出部（１１２、３３４、３２０）を含み、前記ロックピン（１１０、３１８、３１９）が、前記シャフト（１１４）を選択方向に回転させることによって、前記クロージャバケット（１０２、３０２）を前記スロット（１２２）から取外すことができるように構成される、請求項１に記載の組立体。
【請求項６】
ドラムロータ（１０４、３０４）内にクロージャバケット（１０２、３０２）を固定する方法であって、
前記ドラムロータ（１０４、３０４）のスロット（１２２）内に前記クロージャバケット（１０２、３０２）を受けるステップと、
前記クロージャバケット（１０２、３０２）の凹部（３２６）内に配置されたロックピン（１１０、３１８、３１９）を回転させるステップと、
前記ロックピンを、Ｌ字形のスロット内で、前記クロージャバケットのベース部材の前縁側面および後縁側面に保持するステップと、
前記ロックピンが回転軸の周りに回転できるように構成された径方向に配向されたスロット部分と、ロックされていない方向への前記ロックピンの回転を阻止するために前記突出部によって妨げるように構成された周方向のスロット部分とを有する前記Ｌ字形を形成するステップと、
を含み、
前記回転させるステップが、突出部を備える前記ロックピン（１１０、３１８、３１９）の一部分を前記スロット（１２２）の空洞（１２６）内に伸展させ、それによって該スロット（１２２）内に前記クロージャバケット（１０２、３０２）を固定するステップを含む、
方法。
【請求項７】
前記クロージャバケット（１０２、３０２）の第２の凹部（３４０）内に配置された第２のロックピン（３１９）を回転させるステップを含み、
前記第２のロックピン（３１９）を回転させるステップが、該第２のロックピン（３１９）の突出部（３３４）を前記スロット（１２２）の第２の空洞（１２６）内に伸展させるステップを含む、
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ロックピン（１１０、３１８、３１９）を回転させるステップが、該ロックピン（１１０、３１８、３１９）のシャフト（１１４）に結合された駆動ヘッド（１１６、３２２、３３６）にコンタクトするステップを含み、
前記コンタクトするステップが、前記駆動ヘッド（１１６、３２２、３３６）を枢動させて、前記ロックピン（１１０、３１８、３１９）の一部分を前記空洞（１２６）内に伸展させるステップをさらに含む、
請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記ロックピン（１１０、３１８、３１９）を回転させるステップが、回転防止装置（３２４、３３８）により該ロックピン（１１０、３１８、３１９）を選択位置に固定するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月4日(2014.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
統合型ターボ機械酸素プラント（１０）であって、
燃焼器（２８）と、
前記燃焼器（２８）に作動連結されたターボ機械であって圧縮機（２２）及びタービンエキスパンダ（２４）を備えるターボ機械（１６）と、
前記圧縮機（２２）から前記タービンエキスパンダ（２４）を通して加圧空気（３２）を流して、該タービンエキスパンダ（２４）を冷却する１以上の圧縮機通路（３４）と、
前記１以上の圧縮機通路（３４）に作動連結された空気分離ユニット（３６）であって前記タービンエキスパンダ（２４）から出た加圧空気（３２）を酸素（４０）及び低酸素空気（４２）に分離するように構成された空気分離ユニット（３６）と
を含むプラント（１０）。
【請求項２】
前記１以上の圧縮機通路（３４）に沿って配置されて、前記加圧空気（３２）の温度をさらに上昇させる１以上の熱交換器（３８）をさらに含む、請求項１記載のプラント（１０）。
【請求項３】
前記空気分離ユニット（３６）から前記タービンエキスパンダ（２４）に前記低酸素空気（４２）を流して、該タービンエキスパンダ（２４）の回転を駆動する１以上の低酸素空気通路（４４）をさらに含む、請求項１記載のプラント（１０）。
【請求項４】
前記空気分離ユニット（３６）から前記燃焼器（２８）に前記低酸素空気（４２）を流して、該燃焼器（２８）内で燃料ガスと共に燃焼させる１以上の燃焼器通路（４６）をさらに含む、請求項１記載のプラント（１０）。
【請求項５】
前記１以上の燃焼器通路（４６）に沿って配置されて、該１以上の燃焼器通路（４６）を通って流れる前記低酸素空気（４２）の温度を低下させる熱交換器をさらに含む、請求項４記載のプラント（１０）。
【請求項６】
前記１以上の燃焼器通路（４６）に連結されて、該１以上の燃焼器通路（４６）を通る流れを推進する補助圧縮機（２２Ａ）をさらに含む、請求項４記載のプラント（１０）。
【請求項７】
前記空気分離ユニット（３６）が約１４００°Ｆ〜約１６００°Ｆの範囲の温度で作動するように構成される、請求項１記載のプラント（１０）。
【請求項８】
前記加圧空気（３２）が約６００°Ｆ〜約１０００°Ｆの範囲の温度での前記圧縮機（２２）からの出力である、請求項１記載のプラント（１０）。
【請求項９】
前記加圧空気（３２）の温度が約１４００°Ｆ〜約１６００°Ｆの範囲に上昇される、請求項８記載のプラント（１０）。
【請求項１０】
当該プラントが前記燃焼器（２８）に作動連結されたガス化装置（１２）をさらに備えていて、ガス化装置（１２）で生成した燃料ガスが前記燃焼器（２８）に供給される、請求項１記載のプラント（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月8日(2013.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リグニン又はリグニン含有材料を、水及びアルコール溶媒中、固体酸触媒存在下で分解反応させ、リグニンを可溶化する方法。
【請求項２】
水とアルコールのモル比（水（ｍｏｌ）／アルコール（ｍｏｌ））が０．５〜２０である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アルコールが、１−ブタノール、２−ブタノール又は２−メチル−１−プロパノールである請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記固体酸触媒が、シリカアルミナ又はアルミナである請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記リグニン含有材料が、リグニン含有バイオマスである請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記リグニンが、セルロース系バイオマスからのバイオエタノール製造時の副生リグニンである請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
水及びアルコール溶媒中において、固体酸触媒存在下でリグニン又はリグニン含有材料を分解反応させる工程を有するリグニン分解生成物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月25日(2014.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ある一方向に沿って配置される複数のメモリセル、
これらの複数のメモリセルに接続されるビット線、
電源電圧を供給する電源供給線、
前記複数のメモリセルに接続されるセル電源線、
データ線、
選択信号によって制御されて、前記ビット線と前記データ線との間を電気的に接続する列選択ゲート、および、
前記選択信号によって制御されて、前記電源供給線と前記セル電源線とを電気的に接続するｐチャネル型トランジスタを備え、
前記複数のメモリセルのうち前記セル電源線を介して前記ｐチャネル型トランジスタに最短に接続されるメモリセルは、前記複数のメモリセルのうち前記ビット線を介して前記列選択ゲートに最短に接続されるメモリセルである、半導体装置。
【請求項２】
前記ビット線を介して前記複数のメモリセルのうちの選択されたメモリセルにデータが書き込まれるとき、前記ｐチャネル型トランジスタは前記電源供給線から前記セル電源線を電気的に切り離す、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記列選択ゲートが前記ビット線を前記データ線に電気的に接続するとき前記ｐチャネル型トランジスタは前記セル電源線を前記電源供給線から電気的に切り離す、請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記選択信号が活性化されたときに前記列選択ゲートはビット線を前記データ線に電気的に接続し、前記選択信号が非活性とされたとき前記ｐチャネル型トランジスタは前記セル電源線を前記電源供給線と電気的に接続する、請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
メモリセルへのデータの書込みが指示され且つ前記選択信号が活性化されたときに前記前記ｐチャネル型トランジスタは前記セル電源線を前記電源供給線から電気的に切り離す、請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
ある一方向に沿って配置される複数のメモリセル、
これらの複数のメモリセルに接続されるビット線、
電源電圧を供給する電源供給線、
前記電源供給線及び前記複数のメモリセルに接続されるセル電源線、
データ線、
選択信号によって制御されて、前記ビット線と前記データ線との間を電気的に接続する列選択ゲート、および、
前記選択信号によって制御されて、前記セル電源線を前記電源供給線から電気的に遮断する書込補助回路を備え、
前記複数のメモリセルのうち前記セル電源線を介して前記書込補助回路に最短に接続されるメモリセルは、前記複数のメモリセルのうち前記ビット線を介して前記列選択ゲートに最短に接続されるメモリセルである、半導体装置。
【請求項７】
一列に配置される複数のメモリセル、
これらの複数のメモリセルに接続されるビット線、
電源電圧を供給する電源供給線、
前記電源供給線及び前記複数のメモリセルに接続されるセル電源線、
データ線、
選択信号によって制御されて、前記ビット線と前記データ線との間を電気的に接続する列選択ゲート、および、
前記選択信号によって制御されて、前記セル電源線を前記電源供給線から電気的に遮断する書込補助回路を備え、
前記複数のメモリセルの一方の最端に配置される第１のメモリセルは、前記複数のメモリセルのうちの他のいかなるメモリセルよりも前記列選択ゲートの近くに配置され、且つ、前記複数のメモリセルの他のいかなるメモリセルよりも前記書込補助回路の近くに配置される、半導体装置。
【請求項８】
前記選択信号が活性化されたとき前記列選択ゲートは前記ビット線と前記データ線とを電気的に接続し、前記選択信号が非活性とされたとき前記書込補助回路は前記セル電源線と前記電源供給線とを電気的に接続する、請求項６又は請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
メモリセルへのデータの書込みが指示され且つ前記選択信号が活性化されたときに前記書込補助回路は前記セル電源線と前記電源供給線とを電気的に遮断する、請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記複数のメモリセルの各々は、
第１の負荷トランジスタと第１のドライバトランジスタとを含み、入力が第１のストレージノードに接続され出力が第２のストレージノードに接続される第１のインバータ、および
第２の負荷トランジスタと第２のドライバトランジスタとを含み、入力が前記第２のストレージノードに接続され出力が前記第１のストレージノードに接続される第２のインバータを備え、
前記セル電源線は、前記第１及び第２の負荷トランジスタのそれぞれソースに接続される、請求項１、請求項６及び請求項７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記セル電源線に接続され、前記セル電源線の電圧をクランプするクランプ素子をさらに備える、請求項１、請求項６及び請求項７のいずれ一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１のメモリセルは、前記複数のメモリセルのうちの他のいかなるメモリセルよりも前記クランプ素子よりも遠くに配置される、請求項１１に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この発明のさらに他の実施の形態に係る半導体記憶装置は、行列状に配列される複数のメモリセルと、各メモリセル列に対応して配置され、各々に対応の列のメモリセルが接続する複数のビット線と、各メモリセル列に対応して配置され、各々に対応の列のメモリセルが接続する複数のビット線と、各メモリセル列に対応して配置され、各々が対応の列のメモリセルに第１の電源電圧を伝達する複数の第１のセル電源線と、各メモリセル列に対応して配置され、各々が対応の列のメモリセルに第２の電源電圧を伝達する複数の第２セル電源線と、各メモリセル列に対応して配置され、各々が、書込モード指示信号と列選択信号とに従って対応の列の第１および第２セル電源線の電圧差を低減するようにこれらの第１および第２の電源線の電圧レベルを設定する複数の書込補助回路を備える。
この発明のさらに他の実施の形態においては、選択信号によって制御されて、電源供給線とセル電源線とを電気的に接続するｐチャネル型トランジスタが設けられる。複数のメモリセルのうちセル電源線を介してｐチャネル型トランジスタに最短に接続されるメモリセルは、複数のメモリセルのうちビット線を介して列選択ゲートに最短に接続されるメモリセルである。
この発明のさらに他の実施の形態においては、一方方向に整列する複数のメモリセルのうちセル電源線を介して書込補助回路に最短に接続されるメモリセルは、これらの複数のメモリセルのうちビット線を介して列選択ゲートに最短に接続されるメモリセルである。
この発明のさらに他の実施の形態においては、一方方向に整列する複数のメモリセルの一方の最端に配置される第１のメモリセルは、複数のメモリセルのうちの他のいかなるメモリセルよりも列選択ゲートの近くに配置され、且つ、複数のメモリセルの他のいかなるメモリセルよりも書込補助回路の近くに配置される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月13日(2014.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スピン注入トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)であって、
磁気トンネル接合(MTJ)およびワードライントランジスタを有するビットセルであって、前記ビットセルは、ビットラインおよびソースラインに接続される、ビットセルと、
前記ビットラインに接続されるクランプ回路であって、前記クランプ回路は、前記ビットラインの電圧が所望の電圧のレベルを超過することを防止するために、前記STT-MRAMの読み出し動作の間、前記ビットラインの電圧を前記所望の電圧のレベルにクランプするように構成され、前記所望の電圧のレベルは、前記STT-MRAMの書き込み動作に関連する書き込み電圧しきい値より低い、クランプ回路と、
前記ビットセルと前記クランプ回路との間に置かれる読み出しアイソレーション素子であって、前記読み出しアイソレーション素子は、書き込み動作の間、前記クランプ回路を前記ビットラインから選択的に分離するように構成される、読み出しアイソレーション素子とを備えることを特徴とするSTT-MRAM。
【請求項２】
前記所望の電圧のレベルは、約0.3Vであることを特徴とする請求項1に記載のSTT-MRAM。
【請求項３】
前記所望の電圧のレベルは、バンドギャップリファレンスにより供給されることを特徴とする請求項1に記載のSTT-MRAM。
【請求項４】
前記所望の電圧は、内部電圧制御部により供給されることを特徴とする請求項1に記載のSTT-MRAM。
【請求項５】
前記所望の電圧は、外部パワーマネージメントICにより供給されることを特徴とする請求項1に記載のSTT-MRAM。
【請求項６】
前記クランプ回路は、受信したプリチャージ信号に基づいて、前記ビットラインを前記所望の電圧のレベルにディスチャージするように構成される少なくとも1つのプリチャージトランジスタを具備することを特徴とする請求項1に記載のSTT-MRAM。
【請求項７】
前記プリチャージ信号は、前記読み出し動作の開始の後で開始されることを特徴とする請求項6に記載のSTT-MRAM。
【請求項８】
前記ビットラインの電圧とリファレンスビットラインの電圧との間の差に基づいて、前記ビットセルに格納されている値を出力するように構成されるセンスアンプをさらに具備し、
前記クランプ回路は、前記リファレンスビットラインにさらに接続され、読み出し動作の間、前記リファレンスビットラインの電圧を前記所望の電圧のレベルにクランプするようにさらに構成されることを特徴とする請求項1に記載のSTT-MRAM。
【請求項９】
前記読み出しアイソレーション素子は、スイッチ、送信ゲート、またはマルチプレクサの少なくとも1つであることを特徴とする請求項１に記載のSTT-MRAM。
【請求項１０】
スピン注入トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)を読み出すための方法であって、
読み出し動作を開始するステップと、
読み出されるビットセルのビットラインに接続されるクランプ回路を駆動するステップと、
前記読み出し動作の間、ビットラインの電圧を所望の電圧のレベルにクランプするステップであって、前記所望の電圧のレベルは、前記STT-MRAMの書き込み動作に関連する書き込み電圧しきい値より低く、前記クランプ回路は、書き込み動作の間、前記ビットラインから選択的に分離される、ステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記所望の電圧のレベルは、約0.3Vであることを特徴とする請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
前記所望の電圧のレベルは、バンドギャップリファレンス、内部電圧制御部、または外部パワーマネージメントICの少なくとも1つにより供給されることを特徴とする請求項10に記載の方法。
【請求項１３】
前記クランプ回路は、前記読み出し動作を開始する信号とは別の信号により駆動される少なくとも1つのプリチャージトランジスタを具備することを特徴とする請求項10に記載の方法。
【請求項１４】
前記クランプ回路を駆動するステップが、前記読み出し動作が開始された後に行われることを特徴とする請求項10に記載の方法。
【請求項１５】
前記読み出し動作の間、リファレンスビットラインの電圧を前記所望の電圧のレベルにクランプするステップと、
前記ビットラインの電圧と前記リファレンスビットラインの電圧との間の電圧差を検出するステップと、
前記ビットラインの電圧とリファレンスビットラインの電圧との間の前記検出した差に基づいて、読み出される前記ビットセルに格納されている値を決定するステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。
【請求項１６】
スピン注入トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)であって、
磁気トンネル接合(MTJ)およびワードライントランジスタを有するビットセルの読み出し動作を開始するための手段であって、前記ビットセルは、ビットラインおよびソースラインに接続される、手段と、
前記読み出し動作の間、ビットラインの電圧を所望の電圧のレベルにクランプするための手段であって、前記所望の電圧のレベルは、前記STT-MRAMの書き込み動作に関連する書き込み電圧しきい値より低い、手段と、
書き込み動作の間、クランプ回路を前記ビットラインから選択的に分離する手段とを具備することを特徴とするSTT-MRAM。
【請求項１７】
前記所望の電圧のレベルは、バンドギャップリファレンス、内部電圧制御部、または外部パワーマネージメントICの少なくとも1つにより供給されることを特徴とする請求項16に記載のSTT-MRAM。
【請求項１８】
前記クランプするための手段は、前記読み出し動作を開始する信号とは別の信号により駆動される少なくとも1つのプリチャージトランジスタを含むことを特徴とする請求項17に記載のSTT-MRAM。
【請求項１９】
前記読み出し動作の間、リファレンスビットラインの電圧を前記所望の電圧のレベルにクランプするための手段と、
前記ビットラインの電圧と前記リファレンスビットラインの電圧との間の電圧差を検出するための手段と、
前記ビットラインの電圧とリファレンスビットラインの電圧との間の前記検出した差に基づいて、読み出される前記ビットセルに格納されている値を表す電圧を出力するための手段とをさらに具備することを特徴とする請求項17に記載のSTT-MRAM。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月26日(2014.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の印刷ヘッドと、
複数の乾燥部と、
シート状基材を搬送する複数のロールと、
連続する２つの前記ロールを結んだ直線が前記ロールを起点に角度を変えて連なることで渦巻状に形成された搬送路と、を有し、
前記シート状基材が前記搬送路を移動して、前記複数の印刷ヘッドのうちの第１の印刷ヘッドにより前記シート状基材に有機発光素子を構成する有機層が印刷され、
前記第１の印刷ヘッドにより印刷された前記有機層が、前記複数の乾燥部のうちの第１の乾燥部により乾燥され、
前記搬送路において前記第１の乾燥部より下流側に位置する第２の印刷ヘッドにより前記シート状基材に有機発光素子を構成する有機層が印刷され、
前記第２の印刷ヘッドにより印刷された前記有機層が、前記複数の乾燥部のうちの第２の乾燥部により乾燥される有機発光素子の製造装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記複数の乾燥部のうち、少なくとも一つの乾燥部が曲がった構造となっている有機発光素子の製造装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の乾燥部は１つの前記直線上に設けられ、
前記第２の乾燥部は複数に分けられて別々の前記直線上に設けられている有機発光素子の製造装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記搬送路の下流側に位置する乾燥機ほど多くに分けられて別々の前記直線上に設けられている有機発光素子の製造装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記第１の印刷ヘッドが存在する領域と前記第１の乾燥部の存在する領域とが分離されている有機発光素子の製造装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１の乾燥部は第１の印刷ヘッドの上部に配置されている製造装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記第２の印刷ヘッドが存在する領域と前記第２の乾燥部の存在する領域とが分離されている有機発光素子の製造装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第２の乾燥部は第２の印刷ヘッドの上部に配置されている有機発光素子の製造装置。
【請求項９】
シート状基材および有機層を有する有機発光素子の製造方法であって、
前記シート状基材が、連続する２つのロールを結んだ直線が前記ロールを起点に角度を変えて連なることで渦巻状に形成された搬送路を移動し、
前記複数の印刷ヘッドのうちの第１の印刷ヘッドにより前記シート状基材に有機発光素子を構成する有機層が印刷され、
前記第１の印刷ヘッドにより印刷された前記有機層が、前記複数の乾燥部のうちの第１の乾燥部により乾燥され、
前記搬送路において前記第１の乾燥部より下流側に位置する第２の印刷ヘッドにより前記シート状基材に有機発光素子を構成する有機層が印刷され、
前記第２の印刷ヘッドにより印刷された前記有機層が、前記複数の乾燥部のうちの第２の乾燥部により乾燥される有機発光素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記複数の乾燥部のうち、少なくとも一つの乾燥部が曲がった構造となっている有機発光素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項９または１０において、
前記第１の乾燥部は１つの前記直線上に設けられ、
前記第２の乾燥部は複数に分けられて別々の前記直線上に設けられている有機発光素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記搬送路の下流側に位置する乾燥機ほど多くに分けられて別々の前記直線上に設けられている有機発光素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のいずれかにおいて、
前記第１の印刷ヘッドが存在する領域と前記第１の乾燥部の存在する領域とが分離されている有機発光素子の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記第１の乾燥部は第１の印刷ヘッドの上部に配置されている有機発光素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項９乃至１４のいずれかにおいて、
前記第２の印刷ヘッドが存在する領域と前記第２の乾燥部の存在する領域とが分離されている有機発光素子の製造方法。
【請求項１６】
請求項８において、
前記第２の乾燥部は第２の印刷ヘッドの上部に配置されている有機発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月7日(2014.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電体と、
集電体に保持され、正極活物質粒子と導電材とバインダとを含む多孔質の正極活物質層と
を備え、
前記正極活物質粒子は、
リチウム遷移金属酸化物で構成された殻部と、
前記殻部の内部に形成された中空部と、
前記殻部を貫通した貫通孔と
を有し、
前記リチウム遷移金属酸化物は、ニッケルを構成元素として含む層状構造の化合物であり、
前記正極活物質層の平均において、前記正極活物質粒子の粒子空孔率が４５％以上であり、かつ、前記殻部の厚さが１．０μｍ以下である、
リチウムイオン二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月1日(2014.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体硬化性樹脂もしくはそれらの組合せ、開始剤および充填剤を含む未硬化ダイ結合接着配合物の製造方法であって、
前記ダイ結合接着配合物が硬化前および後も多相系のままになるように、前記液体硬化性樹脂に溶解しないところの、芳香族ビスマレイミド樹脂粉末を、前記ダイ結合接着配合物に室温で添加することを含む方法であり、
前記液体硬化性樹脂が、液体エポキシ類、アクリレート類もしくはメタクリレート類、マレイミド類、ビニルエーテル類、ポリエステル類、ポリ（ブタジエン類）、珪素化オレフィン類、シリコーン樹脂類、スチレン樹脂類、およびシアネートエステル樹脂類からなる群から選択され、ラジカルあるいはイオン硬化性であり、前記マレイミド類が、式：
【化１】
2014169450.tif 000001
（式中、ｎは、１〜３であり、Ｘ1 は、脂肪族もしくは芳香族基である。）
を有するものであり、
前記芳香族ビスマレイミド樹脂が、下記の構造：
【化２】
2014169450.tif 000002
を有し、Ｘが、下記の式：
【化３】
2014169450.tif 000003
であり、
前記芳香族ビスマレイミドが、前記ダイ結合接着配合物の充填剤を除く総重量に基づいて５重量％よりも多く３０重量％以下の量で存在し、前記芳香族ビスマレイミド：前記液体硬化性樹脂の重量比が１：１．８〜１：１８である方法。
【請求項２】
前記硬化性樹脂が、マレイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリレート樹脂もしくはそれらの樹脂の組合せである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記マレイミド樹脂が、下記の式：
【化４】
2014169450.tif 000004
（式中、Ｃ36は、３６の炭素原子の線状もしくは枝分れ鎖（環状部分を有して、あるいは有さず）を表す）；
【化５】
2014169450.tif 000005
【化６】
2014169450.tif 000006
および
【化７】
2014169450.tif 000007
からなる群から選ばれる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記アクリレート樹脂が、イソボルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレート、ラウリルアクリレート、ラウリルメタクリレート、アクリレート官能基を有するポリ（ブタジエン）およびメタクリレート官能基を有するポリ（ブタジエン）からなる群から選ばれる、請求項２に記載の方法。