Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月7日(2014.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
他のプロジェクタとマルチプロジェクションを実行するプロジェクタであって、
画像データを入力する入力手段と、
前記画像データに対して歪み補正を行う補正手段と、
前記補正手段による歪み補正の補正量に関するパラメータと、前記他のプロジェクタにおける歪み補正の補正量に関するパラメータとに基づいて、付加画像を投射すべきプロジェクタを決定する決定手段と、
前記他のプロジェクタが前記付加画像を投射すべきプロジェクタとして前記決定手段により決定された場合、前記他のプロジェクタに対して前記付加画像の投射位置に関する情報を出力する出力手段と
を備えることを特徴とするプロジェクタ。
【請求項２】
前記付加画像のサイズ情報を取得する取得手段を更に備え、
前記決定手段は、前記歪み補正により前記入力済み画像データが表示されなくなる空白領域のうち、前記付加画像を包含する空白領域を前記付加画像のサイズ情報に基づいて特定し、当該特定された空白領域に投射領域が対応するプロジェクタを、前記付加画像を投射すべきプロジェクタとして決定する
ことを特徴とする請求項１に記載のプロジェクタ。
【請求項３】
前記決定手段は、前記歪み補正により前記入力済み画像データが表示されなくなる複数の空白領域が、前記付加画像を包含しないことを前記サイズ情報に基づいて判定した場合、前記複数の空白領域のうち、前記付加画像との重複面積が最大となる空白領域を特定し、当該特定された空白領域に投射領域が対応するプロジェクタを、前記付加画像を投射すべきプロジェクタとして決定する
ことを特徴とする請求項２に記載のプロジェクタ。
【請求項４】
前記決定手段は、前記歪み補正により前記入力済み画像データが表示されなくなる複数の空白領域が、前記付加画像を包含する空白領域であることを前記サイズ情報に基づいて判定した場合、前記複数の空白領域のうち、前記歪み補正による変形量が最小となる空白領域を特定し、当該特定された空白領域に投射領域が対応するプロジェクタを、前記付加画像を投射すべきプロジェクタとして決定する
ことを特徴とする請求項２又は３に記載のプロジェクタ。
【請求項５】
前記決定手段は、前記歪み補正により前記入力済み画像データが表示されなくなる複数の空白領域が、前記付加画像を包含する空白領域であることを前記サイズ情報に基づいて判定した場合、前記複数の空白領域に投射領域が対応する複数のプロジェクタのうち、他のプロジェクタよりも高い優先度が設定されたプロジェクタを、前記付加画像を投射すべきプロジェクタとして決定する
ことを特徴とする請求項２又は３に記載のプロジェクタ。
【請求項６】
前記付加画像に対応するグラフィクスデータを生成する生成手段を更に備え、
前記出力手段は、前記付加画像を投射すべきプロジェクタに対して、前記生成手段が生成したグラフィクスデータを出力する
ことを特徴とする請求項１乃至５のうち、何れか１項に記載のプロジェクタ。
【請求項７】
前記付加画像を投射すべきプロジェクタ以外のプロジェクタが投射する投射領域のうち、前記付加画像の投射領域に対応する投射領域を黒表示させるための描画制御信号を通知する通知手段を更に備える
ことを特徴とする請求項１乃至６のうち、何れか１項に記載のプロジェクタ。
【請求項８】
前記マルチプロジェクションは、複数のプロジェクタが投射する画像を重ね合わせるスタック表示である
ことを特徴とする請求項１乃至７のうち、何れか１項に記載のプロジェクタ。
【請求項９】
前記マルチプロジェクションは、複数のプロジェクタの投射領域の少なくとも一部をずらすことで、一のプロジェクタの投射領域よりも大きな画像を投射するエッジブレンディング表示であり、
前記決定手段は、前記複数のプロジェクタのそれぞれの歪み補正による空白領域を連結した連結空白領域を特定し、当該特定された複数の連結空白領域のうち、前記付加画像を包含する連結空白領域を前記サイズ情報に基づいて特定し、前記特定された連結空白領域に投射領域が対応する複数のプロジェクタを、前記付加画像を投射すべきプロジェクタとして決定し、
前記出力手段は、前記決定手段により決定された前記複数のプロジェクタに対して前記付加画像の投射位置に関する情報を出力する
ことを特徴とする請求項２乃至７のうち、何れか１項に記載のプロジェクタ。
【請求項１０】
他のプロジェクタとマルチプロジェクションを実行するプロジェクタの制御方法であって、
画像データを入力する入力工程と、
前記画像データに対して歪み補正を行う補正工程と、
前記補正工程による歪み補正の補正量に関するパラメータと、前記他のプロジェクタにおける歪み補正の補正量に関するパラメータとに基づいて、付加画像を投射すべきプロジェクタを決定する決定工程と、
前記他のプロジェクタが前記付加画像を投射すべきプロジェクタとして前記決定工程により決定された場合、前記他のプロジェクタに対して前記付加画像の投射位置に関する情報を出力する出力工程と
を備えることを特徴とする制御方法。
【請求項１１】
前記付加画像のサイズ情報を取得する取得工程を備え、
前記決定工程は、前記歪み補正により前記入力済み画像データが表示されなくなる空白領域のうち、前記付加画像を包含する空白領域を前記付加画像のサイズ情報に基づいて特定し、当該特定された空白領域に投射領域が対応するプロジェクタを、前記付加画像を投射すべきプロジェクタとして決定する
ことを特徴とする請求項１０に記載の制御方法。
【請求項１２】
前記決定工程は、前記歪み補正により前記入力済み画像データが表示されなくなる複数の空白領域が、前記付加画像を包含しないことを前記サイズ情報に基づいて判定した場合、前記複数の空白領域のうち、前記付加画像との重複面積が最大となる空白領域を特定し、当該特定された空白領域に投射領域が対応するプロジェクタを、前記付加画像を投射すべきプロジェクタとして決定する
ことを特徴とする請求項１１に記載の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
他のプロジェクタとマルチプロジェクションを実行するプロジェクタであって、
画像データを入力する入力手段と、
前記画像データに対して歪み補正を行う補正手段と、
前記補正手段による歪み補正の補正量に関するパラメータと、前記他のプロジェクタにおける歪み補正の補正量に関するパラメータとに基づいて、付加画像を投射すべきプロジェクタを決定する決定手段と、
前記他のプロジェクタが前記付加画像を投射すべきプロジェクタとして前記決定手段により決定された場合、前記他のプロジェクタに対して前記付加画像の投射位置に関する情報を出力する出力手段と
を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月26日(2014.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共振子の一端から他端へ向かう帰還経路、前記帰還経路中に設けられている第１のインダクタンス素子、および前記第１のインダクタンス素子と直列に接続されている可変容量素子、を有している増幅回路と、
前記第１のインダクタンス素子と前記可変容量素子とを含む回路部に対して並列に接続されているスイッチング素子と、
を含んでいることを特徴とする発振回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記スイッチング素子の動作を制御する信号が入力され、該入力された信号を遅延させて前記スイッチング素子に出力する遅延回路をさらに含むことを特徴とする発振回路。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記増幅回路は、前記第１のインダクタンス素子に対して並列又は直列に接続されている第１の抵抗をさらに含むことを特徴とする発振回路。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記増幅回路は、前記共振子の出力信号を増幅する増幅素子を含み、
前記増幅素子と前記スイッチング素子とは、１つの集積回路チップに内蔵されていることを特徴とする発振回路。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記増幅回路は、前記帰還経路上に、前記回路部と直列に接続されている第２のインダクタンス素子を含むことを特徴とする発振回路。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２のインダクタンス素子は、前記第１のインダクタンス素子よりもインダクタンス値が小さいことを特徴とする発振回路。
【請求項７】
請求項５または６において、
前記増幅回路は、前記第２のインダクタンス素子と並列又は直列に設けられている第２の抵抗をさらに含むことを特徴とする発振回路。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の発振回路と、共振子と、を含むことを特徴とする発振器。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の発振回路を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
共振子と、前記共振子の一端から他端への帰還経路を有し、前記帰還経路においてインダクタンス素子と可変容量素子とが直列に接続されている増幅回路と、を含む発振器の起動方法であって、
電源を投入後、所定期間は、前記インダクタンス素子と前記可変容量素子とを含む回路部の両端を短絡させ、
前記所定期間経過後、前記回路部の短絡を解除することを特徴とする発振器の起動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発振回路、発振器、電子機器及び発振器の起動方法
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月23日(2014.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を出射する発光素子と、
前記発光素子から発生した光を一定方向にガイドする光学部材と、
前記光学部材を支持するように前記光学部材の背面に配置される下部シャーシと、
前記発光素子の含まれているモジュールを支持し、前記下部シャーシと一部が接触する支持部材と、
前記光学部材の背面と前記下部シャーシとの間に配置される緩衝部材と、
を含み、
前記支持部材はブラケットであり、前記ブラケットは、前記下部シャーシに垂直な垂直部と、該垂直部に連結され、前記下部シャーシに水平な水平部と、を含むバックライトユニット。
【請求項２】
前記緩衝部材は、前記ブラケットの水平部と前記光学部材との間に配置される、請求項１に記載のバックライトユニット。
【請求項３】
前記支持部材は、ガイドパネルをさらに含む、請求項１または２に記載のバックライトユニット。
【請求項４】
前記ブラケットの水平部は、前記光学部材に向かって突出する少なくとも一つの支持突出部を有し、前記緩衝部材は、前記少なくとも一つの支持突出部の表面に接触する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項５】
前記下部シャーシは、前記光学部材に向かって突出する少なくとも一つの突出部を有し、前記少なくとも一つの突出部と前記光学部材との間に第２緩衝部材をさらに含む、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項６】
前記光学部材は導光板を含む、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項７】
前記光学部材は、前記緩衝部材と前記導光板との間に配置されて、前記導光板の背面から出射する光を前記導光板に再入射させる反射シートをさらに含む、請求項６に記載のバックライトユニット。
【請求項８】
前記緩衝部材の一面は前記光学部材の背面に接触し、他面は前記反射板に接触する、請求項７に記載のバックライトユニット。
【請求項９】
前記緩衝部材は、前記光学部材の背面と前記下部シャーシのうち少なくとも一つと直接接触する、請求項１乃至８のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項１０】
前記緩衝部材は、前記光学部材の領域内に配置される、請求項１乃至９のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項１１】
前記緩衝部材は、ライン形態に配置される、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項１２】
前記緩衝部材は、互いに対向する２個のライン形態である、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項１３】
前記下部シャーシは、前記導光板に向かって突出する少なくとも一つの突出部を有し、前記緩衝部材は、前記少なくとも一つの突出部の表面に接触する、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項１４】
前記緩衝部材は、絶縁テープである、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項１５】
前記モジュールは、回路基板と、該回路基板上に配置された前記発光素子と、を含み、
記モジュールは前記支持部材上に配置される、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１項に記載のバックライトユニットと、
前記バックライトユニット上に配置された液晶パネルと、
を含む、表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月23日(2014.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボトムカバー；
前記ボトムカバーの内側下部に配置される光源モジュール；
前記ボトムカバー上に配置され、第１の固定部材乃至第４の固定部材を含む固定部材；
前記光源モジュールと隣接して配置され、前記ボトムカバーの前方に配置される導光板；前記導光板の枠部分に一側が開放されるように設けられる第１の溝部；
前記光源モジュールが位置するボトムカバーの一側に突出して配置され、前記導光板の第１の溝部に挿入される第１の突出部；及び
前記固定部材を前記ボトムカバーに固定させる結合部材；を含み、
前記第１の固定部材乃至第４の固定部材は、前記ボトムカバーの他の側面にそれぞれ配置される表示装置。
【請求項２】
前記第１の溝部は、少なくとも２個設けられ、互いに離隔して配置される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の突出部は、前記第１の溝部の位置に対応するように少なくとも２個設けられ、互いに離隔して配置される、請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記導光板と隣接して配置される光学シート及び反射シートをさらに含み、
前記導光板は、前記光学シートと前記反射シートとの間に配置され、
記光学シートに設けられる第１の溝部の位置、前記導光板に設けられる第１の溝部の位置及び前記反射シートに設けられる第１の溝部の位置は同一である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記光学シート、前記導光板及び前記反射シートが重なり、
前記光学シート、前記導光板及び前記反射シートは前記第１の突出部によって共に支持される、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１の溝部は、外側が前記導光板、前記光学シート及び前記反射シートの枠方向に開放されるように形成される、請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１の溝部は、内側が丸みを帯びて形成される、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１の突出部は、円筒状のボスに形成される、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
丸みを帯びて形成される前記第１の溝部の内側部分の曲率半径は、円筒状に設けられる前記ボスの半径よりも大きく形成される、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１の溝部はＵ字状に形成される、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１の溝部の左右幅と上下高さは、前記第１の突出部の直径よりも大きく形成される、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１の突出部は、前記ボトムカバーの前面に形成される、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１の固定部材は合成樹脂からなり、
前記第２の固定部材乃至第４の固定部材は金属からなる、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記導光板の前面に配置される液晶表示パネルをさらに含み、
前記第２の固定部材は、前記液晶表示パネルを支持する第１の部分を含む、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１の固定部材は、前記第１の部分から上側方向に突出して前記液晶表示パネルの移動を防止する第２の部分をさらに含む、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第１の固定部材は、前記第１の部分から下側方向に突出する第３の部分及び第４の部分をさらに含み、
前記第３の部分及び第４の部分は、前記ボトムカバーの側壁の内側及び外側に互いに離隔して交互に配置される、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第２の固定部材は、前記第３の部分に形成される各結合突起をさらに含む、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記ボトムカバーの前面に互いに離隔して配置される第１の放熱部材；及び
前記第１の放熱部材の下部に配置される第２の放熱部材；をさらに含む、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記ボトムカバーの下部に配置される第２の突出部をさらに含み、
前記第２の突出部は、隣接した前記各第２の放熱部材間に配置される、請求項１８に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記導光板に配置され、前記各第２の突出部が挿入される第２の溝部をさらに含む、請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記固定部材は、前記ボトムカバーと前記トップカバーを固定させる、請求項２０に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記導光板と隣接して配置される光学シート及び反射シートをさらに含み、
前記導光板は、前記光学シートと前記反射シートとの間に配置され、
前記固定部材は、前記導光板、反射シート及び光学シートの外側に配置される、請求項１に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月1日(2014.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と、
負極と、を有し、
前記正極は、正極集電体と、正極活物質とを有し、
前記正極活物質は、前記正極集電体上に設けられ、
前記正極活物質は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域を覆い、
前記第１の領域は、リチウムと、ニッケルとを含むリン酸化合物を有し、
前記第２の領域は、リチウムと、鉄、マンガン、又はコバルトの一以上とを含み、且つニッケルを含まない化合物を有し、
前記第１の領域のリン酸化合物は、オリビン構造を有することを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
正極と、
負極と、を有し、
前記正極は、正極集電体と、正極活物質とを有し、
前記正極活物質は、前記正極集電体上に設けられ、
前記正極活物質は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域を覆い、
前記第１の領域は、リチウムと、ニッケルとを含むリン酸化合物を有し、
前記第２の領域は、リチウムと、鉄、マンガン、又はコバルトの一以上とを含み、且つニッケルを含まないリン酸化合物を有し、
前記第１の領域のリン酸化合物は、オリビン構造を有することを特徴とする蓄電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月24日(2014.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と、負極と、前記正極と前記負極との間に設けられた電解質と、を有し、
前記正極が有する活物質は、粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、且つ、表面積が１０ｍ２／ｇ以上であり、且つ、ＸＲＤ半値幅が０．１２度以上０．１７度未満であること特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記活物質は、以下の（ＩＩＩ）、（Ｖ）、（ＶI）のうち少なくとも一つ以上を満たすことを特徴とする蓄電装置。
（ＩＩＩ）空間群Ｐ１２１１に属する結晶構造を有する。
（Ｖ）空間群Ｐ１２１／ｎ１に属する結晶構造を有する。
（ＶＩ）空間群Ｐｂｎ２１に属する結晶構造を有する。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記活物質は、表面が炭素材料で担持されていることを特徴とする蓄電装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記負極は、結晶性シリコン層を有し、
前記結晶性シリコン層は、導電性酸化物を有することを特徴とする蓄電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月13日(2014.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボトムカバーと、
前記ボトムカバーの一側に配置される発光モジュールと、
前記ボトムカバーから離隔して、前記ボトムカバーの上部に設けられる反射シートと、
前記反射シートと前記ボトムカバーとの間に複数個が設けられ、相互離隔して配置される第１放熱部材と、
前記光源モジュールと前記第１放熱部材との間に配置される第２放熱部材と、
前記反射シートの下部の第２放熱部材に位置し、前記反射シートが前記第１放熱部材から離隔するように前記反射シートを支持する突出部と、
を含むことを特徴とするバックライトユニット。
【請求項２】
前記第２放熱部材は、
前記第１放熱部材と接触するように設けられる第１放熱部と、
前記発光モジュールと接触するように配置される第２放熱部と、
を含み、
前記突出部は、前記第１放熱部の一部領域が突出してなることを特徴とする、請求項１に記載のバックライトユニット。
【請求項３】
前記発光モジュールは、モジュール基板と、前記モジュール基板の上面に設けられる発光素子と、を含み、
前記第１放熱部は、前記モジュール基板の側面に接触し、前記第２放熱部は前記モジュール基板の下面に接触することを特徴とする、請求項２に記載のバックライトユニット。
【請求項４】
前記モジュール基板の側面と前記第１放熱部とは第１接着剤を介して接触し、前記モジュール基板の下面と前記第２放熱部とは第２接着剤を介して接触することを特徴とする、請求項３に記載のバックライトユニット。
【請求項５】
前記第２放熱部材の第１放熱部は、前記第１放熱部材の上面と水平に配置され、前記第２放熱部材の第２放熱部は、前記第１放熱部材の上面に垂直に配置されることを特徴とする、請求項２乃至４のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項６】
前記突出部の上面は、前記反射シートの下面と接触し、
前記第１放熱部材の上面と前記反射シートの下面との間には第１間隔が形成され、前記第２放熱部材の第１放熱部の上面と前記反射シートの下面との間には第２間隔が形成され、
前記第１間隔は前記第２間隔よりも大きいことを特徴とする、請求項２乃至４のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項７】
前記突出部の一部は、前記第１放熱部材と重なることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項８】
前記突出部の全体面積のうち前記第１放熱部材と重なる面積は、前記突出部の全体面積対比１〜４９％であることを特徴とする、請求項７に記載のバックライトユニット。
【請求項９】
前記第１放熱部材は、前記ボトムカバー上に第１方向に配置され、
前記第２放熱部材は、前記ボトムカバーの一側上に、前記第１方向と直交する第２方向に配置され、
前記第２放熱部材は、前記第１放熱部材上に配置され、前記突出部は、前記第２放熱部材から前記反射シート方向に突出することを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項１０】
前記突出部は、前記第１放熱部材の左右側の境界線に跨って配置され、
前記第１放熱部材の左側の境界線に配置される突出部と、前記第１放熱部材の右側の境界線に配置される突出部は、互いに離隔して配置されることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項１１】
前記突出部は、前記第１放熱部材と非接触状態を維持し、前記第１放熱部材に一部が重なり、
前記第１放熱部材に重なる前記突出部の面積は、前記突出部の全体面積のうち、前記第１放熱部材に重ならない残りの面積よりも小さいことを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項１２】
前記ボトムカバーは、前記隣接する第１放熱部材間の領域が、前記反射シートの方向に突出してなるフォーミング部を含み、
前記突出部は、前記第１放熱部材に対応する位置に設けられる第１突出部と、前記フォーミング部に対応する位置に設けられる第２突出部と、を含むことを特徴とする、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項１３】
前記第２突出部の面積は、前記第１突出部の面積よりも大きいことを特徴とする、請求項１２に記載のバックライトユニット。
【請求項１４】
ボトムカバーと、
前記ボトムカバーの一側に配置される発光モジュールと、
前記ボトムカバーから離隔するとともに、前記ボトムカバーの上部に設けられる反射シートと、
前記反射シートと前記ボトムカバーとの間に複数個が設けられ、相互離隔して配置される第１放熱部材と、
前記光源モジュールと前記第１放熱部材との間に配置される第２放熱部材と、
前記反射シートの下部の第２放熱部材に位置して、前記反射シートが前記第１放熱部材から離隔するように前記反射シートを支持する突出部と、
前記反射シート上に配置される導光板と、
前記導光板上に配置される光学シートと、
前記光学シートの上部に配置されるディスプレイパネルと、
を含むバックライトユニットを備える表示装置。
【請求項１５】
前記第１放熱部材は、前記ボトムカバー上に第１方向に配置され、
前記第２放熱部材は、前記ボトムカバーの一側上に前記第１方向と直交する第２方向に配置され、
前記第２放熱部材は、前記第１放熱部材上に配置され、前記突出部は、前記第２放熱部材から前記反射シートの方向に突出してなることを特徴とする、請求項１４に記載のバックライトユニットを備える表示装置。
【請求項１６】
前記モジュール基板の側面と前記第１放熱部とが第１接着剤によって接触し、前記モジュール基板の下面と前記第２放熱部とが第２接着剤によって接触することを特徴とする、請求項１４に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月28日(2014.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流調整器と、
前記電流調整器に結合される制御器であって、
負荷と関連するパルス幅変調（ＰＷＭ）制御信号であって、
スイッチングモード電源の観点から負荷変化を生じさせる前記ＰＷＭ制御信号を受け取り、
前記制御信号に応答して前記電源のインダクタを介しての電流を前記電源に調節させ、
前記電流調整器への前記制御信号の送出を遅延させ、前記制御信号の前記遅延の間に、前記インダクタを介しての前記電流が、前記ＰＷＭ制御信号に関連するデューティーサイクルの逆に基づく負荷電流に比例する十分に安定した状態に増加することを許容するために、負荷変化の時間を遅延させる、
ように構成されており、
前記ＰＷＭ制御信号が１つ又はそれ以上の発光ダイオード（ＬＥＤ）をターンオンする要求を含み、
前記負荷が前記電流調整器を含む、前記制御器と、
を含む装置であって、
前記制御器が、
前記ＰＷＭ制御信号内のパルスを受け取ることにより前記１つ又はそれ以上のＬＥＤのターンオンの要求を受け取り、
前記ＰＷＭ制御信号内の前記パルスを遅延させて前記遅延されたパルスを前記電流調整器に供給する、
ように構成されている、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記制御器が前記電源の少なくとも１つのパラメータに基づいて特定されたレベルを適応的に決定するように構成されている、装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、
前記制御器が、前記電源の出力に結合されているコンデンサにおける電圧スパイクを最小とし、前記コンデンサからの可聴的ノイズを最小とするように構成されている、装置。
【請求項４】
１つ又はそれ以上の発光ダイオード（ＬＥＤ）と、
前記１つ又はそれ以上のＬＥＤに対して調整された電圧を発生するように構成されているスイッチングモード電源であって、インダクタを含む、前記スイッチングモード電源と、
前記１つ又はそれ以上のＬＥＤを介する電流を制御するように構成されている電流調整器であって、前記電流が前記調節された電圧に基づいている、前記電流調整器と、
前記電流調整器に結合される制御器であって、
（ｉ）前記１つ又はそれ以上のＬＥＤをターンオンする要求であって、パルス幅変調（ＰＷＭ）制御信号を含む、前記要求を受け取り、
（ｉｉ）前記電源に遅延期間の間に前記要求に応答して前記インダクタを介する電流を増加させ、
（ｉｉｉ）前記電流調整器に、前記遅延期間の後に前記要求に応答して前記１つ又はそれ以上のＬＥＤをターンオンさせ、前記制御信号の遅延の間に、前記インダクタを介した前記電流が、前記ＰＷＭ制御信号に関連するデューティーサイクルの逆に基づく負荷電流に比例する十分に安定した状態に増加することを許容するために、負荷変化の時間を遅延させる、
ように構成され、
前記ＰＷＭ制御信号が前記１つ又はそれ以上のＬＥＤをターンオンする要求を含み、
前記負荷が前記電流調整器を含む、前記制御器と、
を含む、システムであって、
前記制御器が、
前記ＰＷＭ制御信号内のパルスを受け取ることにより前記１つ又はそれ以上のＬＥＤのターンオンの要求を受け取り、
前記ＰＷＭ制御信号内の前記パルスを遅延させて前記遅延されたパルスを前記電流調整器に供給する、
ように構成されている、システム。
【請求項５】
請求項４に記載のシステムであって、
前記制御器が、前記電源の出力に結合されているコンデンサにおいて、電圧スパイクを最小とし、可聴的ノイズを最小とするように構成されている、システム。
【請求項６】
請求項４に記載のシステムであって、
前記制御器が、前記電源の少なくとも１つのパラメータに基いて特定されたレベルを適応的に決定するように構成されている、システム。
【請求項７】
請求項４に記載のシステムであって、
前記スイッチングモード電源がブーストコンバータを含む、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月14日(2014.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体膜の作製方法、電極の作製方法、２次電池の作製方法、および太陽電池の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板上に、気相エピタキシャル成長法によって単結晶半導体膜を形成し、
前記単結晶半導体膜上に、熱硬化性樹脂膜を形成し、
前記熱硬化性樹脂膜を加熱によって硬化させ、
前記硬化させた熱硬化性樹脂膜上に、フィルムを粘着し、
前記フィルム上から、前記単結晶半導体膜に力を加えて、前記単結晶半導体基板と前記単結晶半導体膜とを分離する半導体膜の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記単結晶半導体基板と前記単結晶半導体膜とを分離する前に、
前記フィルムおよび前記硬化させた熱硬化性樹脂膜に溝を形成する半導体膜の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記熱硬化性樹脂膜は、導電性を有する半導体膜の作製方法。
【請求項４】
単結晶半導体基板上に、気相エピタキシャル成長法によって単結晶半導体膜を形成し、
前記単結晶半導体膜上に、銀ペースト膜を形成し、
前記銀ペースト膜を加熱によって硬化させ、
前記硬化させた銀ペースト膜上に、フィルムを粘着し、
前記フィルム上から、前記単結晶半導体膜に力を加えて、前記単結晶半導体基板と前記単結晶半導体膜とを分離する半導体膜の作製方法。
【請求項５】
単結晶半導体基板上に、気相エピタキシャル成長法によって単結晶半導体膜を形成し、
前記単結晶半導体膜上に、ＩＴＯ膜を形成し、
前記ＩＴＯ膜を加熱によって硬化させ、
前記硬化させたＩＴＯ膜上に、フィルムを粘着し、
前記フィルム上から、前記単結晶半導体膜に力を加えて、前記単結晶半導体基板と前記単結晶半導体膜とを分離する半導体膜の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一に記載の半導体膜の作製方法を用いた電極の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一に記載の半導体膜の作製方法を用いた２次電池の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれか一に記載の半導体膜の作製方法を用いた太陽電池の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月11日(2014.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板上に絶縁膜を介して単結晶シリコン層を有するＳＯＩ基板を用意し、
前記単結晶シリコン層上に、シリコン層を形成し、前記シリコン層は、針状結晶領域と非晶質領域とを有し、
前記針状結晶領域を種結晶として、前記非晶質領域を固相成長させて、前記シリコン層を結晶シリコン層とすることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項２】
ベース基板上に絶縁膜を介して単結晶シリコン層を有するＳＯＩ基板を用意し、
原料ガスが堆積性ガス１００％のプラズマ励起ＣＶＤ法により、前記単結晶シリコン層上にシリコン層を形成し、
前記シリコン層は、針状結晶領域と非晶質領域とを有し、前記シリコン層中の水素濃度が２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３．５×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であり、
前記針状結晶領域を種結晶として、前記非晶質領域を固相成長させて、前記シリコン層を結晶シリコン層とすることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記プラズマ励起ＣＶＤ法は、１０２ｍＷ／ｃｍ２未満の高周波電源からの電力を供給し、基板温度を４００℃以上前記ベース基板の歪み点未満で行うことを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記堆積性ガスは、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、またはＳｉＦ４であることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月28日(2014.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体を半導体層に用いたトランジスタを、遮光性を有する測定室に配置し、
前記測定室内に、乾燥空気、窒素、又はアルゴンを導入し、
露点−１１０℃以上−５℃以下の雰囲気下に保持された前記測定室内で、前記トランジスタのゲート電極に所定の電圧を一定時間印加して、しきい値電圧の経時変化を測定するトランジスタの測定方法。
【請求項２】
酸化物半導体を半導体層に用いたトランジスタを、遮光性を有する測定室に配置し、
前記測定室内に、乾燥空気、窒素、又はアルゴンを導入し、
露点−１１０℃以上−３０℃以下の雰囲気下に保持された前記測定室内で、前記トランジスタのゲート電極に所定の電圧を一定時間印加して、しきい値電圧の経時変化を測定するトランジスタの測定方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
乾燥空気、窒素、又はアルゴンを導入する前に、前記測定室内を真空排気する、トランジスタの測定方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記測定室が、波長４００ｎｍ以下の光に対する遮光性を有する、トランジスタの測定方法。
【請求項５】
酸化物半導体を半導体層に用いたトランジスタを、測定室に配置し、
前記測定室内に、乾燥空気、窒素、又はアルゴンを導入し、
露点−１１０℃以上−５℃以下の雰囲気下に保持された前記測定室内で、
前記トランジスタのしきい値電圧を測定する第１のステップと、前記トランジスタのゲート電極に所定の電圧を一定時間印加した後、前記トランジスタのしきい値電圧を測定する第２のステップとをこの順で行うトランジスタの測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月3日(2014.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンド基板とベース基板とを対向させ、
前記ボンド基板または前記ベース基板の端部に圧力をかけて前記ボンド基板と前記ベース基板の貼り合わせを開始させる時、または前に、
前記ボンド基板表面の前記貼り合わせの開始地点における接平面に対して、前記ボンド基板における前記貼り合わせの終了地点が前記ベース基板から離れるように前記ボンド基板を反らせ、
前記貼り合わせを開始させた後に、前記ボンド基板の反り量を制御することにより、前記ボンド基板と前記ベース基板の前記貼り合わせに係る速度を制御する、ＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
ボンド基板とベース基板とを対向させ、
前記ボンド基板または前記ベース基板の端部に圧力をかけて前記ボンド基板と前記ベース基板の貼り合わせを開始させる時、または前に、
前記ベース基板表面の前記貼り合わせの開始地点における接平面に対して、前記ベース基板における前記貼り合わせの終了地点が前記ボンド基板から離れるように前記ベース基板を反らせ、
前記貼り合わせを開始させた後に、前記ベース基板の反り量を制御することにより、前記ボンド基板と前記ベース基板の前記貼り合わせに係る速度を制御する、ＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
ボンド基板とベース基板とを対向させ、
前記ボンド基板または前記ベース基板の端部に圧力をかけて前記ボンド基板と前記ベース基板の貼り合わせを開始させる時、または前に、
前記ボンド基板表面の前記貼り合わせの開始地点における接平面に対し、前記ボンド基板における前記貼り合わせの終了地点が前記ベース基板から離れるように前記ボンド基板を反らせ、かつ、前記ベース基板表面の前記貼り合わせの開始地点における接平面に対して、前記ベース基板における前記貼り合わせの終了地点が前記ボンド基板から離れるように前記ベース基板を反らせ、
前記貼り合わせを開始させた後に、前記ボンド基板の反り量および前記ベース基板の反り量を制御することにより、前記ボンド基板と前記ベース基板の前記貼り合わせに係る速度を制御する、ＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
前記ボンド基板および前記ベース基板は略四角形状である、請求項１乃至３のいずれか一に記載のＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
前記開始地点は、前記ボンド基板または前記ベース基板の、角部の一または辺の一であり、前記終了地点は、前記角部の一または辺の一に対向する角部または辺である、請求項４に記載のＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
前記ベース基板はガラス基板である、請求項１乃至５のいずれか一に記載のＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
前記貼り合わせを開始させる前に前記ボンド基板に加速されたイオンを照射する、請求項１乃至６のいずれか一に記載のＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月28日(2014.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】微結晶半導体膜の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
堆積性ガスを含む雰囲気中で連続放電を行うことによりプラズマを発生させて複数の結晶核を生成させる第１の工程と、
前記堆積性ガスを含む雰囲気中でパルス放電を行うことによりプラズマを発生させて前記複数の結晶核の間を埋める第２の工程と、を有し、
前記第２の工程は前記第１の工程の後に行い、
前記第２の工程の後に、前記第１の工程を更に行い、その後前記第２の工程を更に行うことを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項２】
堆積性ガスを含む雰囲気中で連続放電を行うことによりプラズマを発生させて複数の結晶核を生成させる第１の工程と、
前記堆積性ガスを含む雰囲気中でパルス放電を行うことによりプラズマを発生させて前記複数の結晶核の間を埋める第２の工程と、を有し、
前記第２の工程は前記第１の工程の後に行い、
前記第２の工程の後に、前記第１の工程と前記第２の工程をこの順に更に複数回行うことを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記堆積性ガスがシリコンまたはゲルマニウムを含むことを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月28日(2014.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第４の配線と、第１及び第２の記憶セルと、を有する半導体メモリ装置において、
前記第１および第２の配線は平行であり、
前記第３および第４の配線は平行であり、
前記第１の配線と前記第３の配線は交差し、
前記第１の記憶セルは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１のキャパシタと、を有し、
前記第２の記憶セルは、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第２のキャパシタと、を有し、
前記第１のトランジスタのドレインは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのドレインは、前記第１のキャパシタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのドレインは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのドレインは、前記第２のキャパシタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のキャパシタの他方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１のキャパシタの他方の電極と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースは、前記第２のトランジスタのソースと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースは、前記第４のトランジスタのドレインと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースは、前記３の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースは、前記第４のトランジスタのソースと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースは、前記第２のトランジスタのドレインと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースは、前記４の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタはバンドギャップが２．５電子ボルト以上の半導体よるなるチャネルを有することを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項２】
第１乃至第５の配線と、第１乃至第４の記憶セルを有する半導体メモリ装置において、
前記第１および第２の配線は平行であり、
前記第３乃至第５の配線は平行であり、
前記第１の配線と前記第３の配線は交差し、
前記第１の記憶セルは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１のキャパシタと、を有し、
前記第２の記憶セルは、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第２のキャパシタと、を有し、
前記第３の記憶セルは、第５のトランジスタと、第６のトランジスタと、第３のキャパシタと、を有し、
前記第４の記憶セルは、第７のトランジスタと、第８のトランジスタと、第４のキャパシタと、を有し、
前記第１のトランジスタのドレインは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのドレインは、前記第１のキャパシタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのドレインは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのドレインは、前記第２のキャパシタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのドレインは、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのドレインは、前記第３のキャパシタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのドレインは、前記第８のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのドレインは、前記第４のキャパシタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のキャパシタの他方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第４のキャパシタの他方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第１のキャパシタの他方の電極と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第７のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第３のキャパシタの他方の電極と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースは、前記第２のトランジスタのソースと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースは、前記第４のトランジスタのドレインと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースは、前記３の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースは、前記第４のトランジスタのソースと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースは、前記第２のトランジスタのドレインと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースは、前記第５のトランジスタのソースと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースは、前記第６のトランジスタのソースと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースは、前記第８のトランジスタのドレインと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースは、前記４の配線と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソースは、前記第８のトランジスタのソースと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソースは、前記第６のトランジスタのドレインと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソースは、前記５の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタはバンドギャップが２．５電子ボルト以上の半導体よるなるチャネルを有することを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のトランジスタの導電型がＮチャネル型であることを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２のトランジスタの導電型がＰチャネル型であることを特徴とする半導体メモリ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月6日(2014.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法、及び酸化物半導体層
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層に、酸素を供給する工程と、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記酸素が供給された酸化物半導体層は、酸素の同位体であるＯ１８を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層に接する領域を有する、絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を介して、前記酸化物半導体層に、酸素を供給する工程と、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記酸素を供給する工程において、前記絶縁層の端部は、前記酸化物半導体層の端部と一致しており、
前記酸素が供給された酸化物半導体層は、酸素の同位体であるＯ１８を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に、塩素ガスを用いたプラズマ処理を行う工程と、
前記絶縁層上に、酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層に、酸素を供給する工程と、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記塩素ガスを用いたプラズマ処理の工程を経て、前記絶縁層に塩素が供給され、
前記酸素が供給された酸化物半導体層は、酸素の同位体であるＯ１８を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記絶縁層は、基板上に形成されており、
前記塩素ガスを用いたプラズマ処理の工程において、前記基板にバイアスを印加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
前記絶縁層に前記塩素が供給される際、同時に、前記絶縁層に酸素が供給されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記酸化物半導体層に、酸素を供給する工程において、酸素をプラズマ化して、前記基板にバイアスを印加しながら、前記酸化物半導体層に、酸素を供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記酸化物半導体層に供給される酸素は、酸素ラジカル、酸素原子、又は酸素イオンを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
酸素が供給された酸化物半導体層であって、
前記酸化物半導体層の酸素の含有量は、水素の含有量よりも多いことを特徴とする酸化物半導体層。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月8日(2014.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リセスを有する胴体と、
前記リセスの底面より突出し、前記リセスの底面を複数の領域に分割する障壁部と、
前記リセスの底面の第１領域に配置された第１発光ダイオード及び前記リセスの底面の第２領域に配置された第２発光ダイオードを含む複数の発光ダイオードと、
前記リセスの内に互いに離隔され、前記複数の発光ダイオードに選択的に連結された複数のリード電極と、
前記複数のリード電極と前記複数の発光ダイオードとを連結する複数のワイヤと、
前記リセスの内に形成された樹脂層と、を含み、
前記複数のリード電極は、第１リード電極と第２電極を含み、
前記複数のワイヤは、第１ワイヤと第２ワイヤを含み、
前記障壁部は、第１部分、第２部分、第３部分を含み、
前記リセスの底面から、前記第２部分は、前記第１部分及び前記第３部分の高さより低く配置され、
前記第１リード電極は前記第１領域に配置され、前記第２リード電極は、前記第２領域に配置され、
前記第１ワイヤは、前記第２部分を介して前記第１発光ダイオードを前記第２リード電極に電気的に連結させ、
前記第２ワイヤは、前記第２部分を介して前記第２発光ダイオードを前記第１リード電極に電気的に連結させることを特徴とする、発光素子。
【請求項２】
前記第１部分と前記第３部分は、互いに離隔されて配置されることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１部分の上部面は前記複数のワイヤの頂点より高く形成されることを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記樹脂層は、
前記リセスの第１領域に形成された第１樹脂層と、
前記リセスの第２領域に形成された第２樹脂層と、
を含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１乃至第２樹脂層のうち、少なくとも１層に添加された少なくとも１種の蛍光体を含むことを特徴とする、請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１及び第２樹脂層の厚さは前記障壁部の第１部分より低く形成されることを特徴とする、請求項４に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１発光ダイオードは青色発光ダイオードであり、前記第２発光ダイオードは緑色発光ダイオードであり、前記第１及び第２樹脂層に添加された赤色蛍光体を含むことを特徴とする、請求項４に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１発光ダイオードは青色発光ダイオードであり、前記第２発光ダイオードはＵＶ発光ダイオードであり、前記第１樹脂層に添加された赤色蛍光体、及び前記第２樹脂層に添加された緑色蛍光体を含むことを特徴とする、請求項４に記載の発光素子。
【請求項９】
前記障壁部は絶縁材質または伝導性材質を含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記障壁部の第２部分の高さは前記リセスの底面を基準にして前記第１及び第２発光ダイオードの厚さより高く形成されることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記障壁部の両側面は前記リセスの分割領域に対応し、前記リセスの底面に対して垂直または傾斜した構造を含むことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第１リード電極は、第１深さを有する前記リセスの第１領域に配置され、
前記第２リード電極は、前記第１深さより深い第２深さを有する前記リセスの第２領域に配置されたことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記第１樹脂層と前記第２樹脂層の上に配置された第３樹脂層をさらに含むことを特徴とする、請求項４に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記複数のリード電極のうち、少なくとも一端部は前記障壁部の上面まで延長されることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のうち、いずれか１項による発光素子及び前記発光素子がアレイされた基板を含む発光モジュールと、
前記発光モジュールの光出射経路に配置された導光板と、を含むことを特徴とする、ライトユニット。