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【手続補正書】
【提出日】平成26年1月14日(2014.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】エネルギー問題の解消による平和な世の中への貢献も期待できる。
技術面では、既存及び将来発展したエネルギー技術（バッテリーやエネルギー増幅技術等々）や資源活用技術（磁力の高い形状・性質の開発やより効果的なコイルの形状・性質の開発等々）との組み合わせなどによる様々な応用・活用が期待できる。
また、発明方法（思考方法）からは、何らかの解明された原理等を基に、浮力や重力等々といったその他のエネルギーについても更なる応用・発展可能性が期待できる。
なお、補正により次の補記を行った。
自身が電気について全くの素人であることもあり、本発見において電気を完全にコントロールするには至ってはいない。（複数の磁石やコイルの組合せ等を試した。反発・帯磁性等々も関係している可能性がある。）しかし、理に適っていると考えられ、可能性に期待するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月10日(2014.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】断熱材、樹脂繊維集合体の製造方法、樹脂繊維集合体及び断熱材を用いた断熱箱
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、断熱材、樹脂繊維集合体の製造方法、樹脂繊維集合体及び断熱材を用いた断熱箱に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、以上のような課題を解決するためになされたもので、断熱性能を向上させた断熱材、樹脂繊維集合体の製造方法、樹脂繊維集合体及び断熱材を用いた断熱箱を提供することを目的としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る断熱材は、樹脂繊維をシート状に形成した樹脂繊維集合体を有する芯材と、当該芯材を収容する外包材とを有し、外包材の内部を減圧密封した断熱材において、樹脂繊維集合体は、スチレンモノマー、エチルベンゼン及びトルエンの３種類の有機揮発性成分の総含有量が１００（μｇ／ｇ）以下のスチレン系樹脂繊維である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂繊維をシート状に形成した樹脂繊維集合体を有する芯材と、当該芯材を収容する外包材とを有し、前記外包材の内部を減圧密封した断熱材において、
前記樹脂繊維集合体は、
スチレンモノマー、エチルベンゼン及びトルエンの３種類の有機揮発性成分の総含有量が１００（μｇ／ｇ）以下のスチレン系樹脂繊維である
ことを特徴とする断熱材。
【請求項２】
前記樹脂繊維集合体は、
前記樹脂繊維の直径が５μｍ以上２０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の断熱材。
【請求項３】
前記芯材は、
前記樹脂繊維集合体が複数積層されて構成された
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の断熱材。
【請求項４】
前記外包材には、
当該外包材内部の水分を吸着するための水分吸着剤が収容されている
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の断熱材。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の断熱材と、
外郭を構成する外箱と、
前記外箱内に設けられ、貯蔵品が設置される空間を有する内箱と、
を有し、
前記断熱材は、
前記外箱と前記内箱との間であって、前記内箱の外側面に沿うように設けられた
ことを特徴とする断熱箱。
【請求項６】
スチレン系樹脂を加熱溶融する工程と、
加熱溶融した前記スチレン系樹脂を混練する工程と、
混練した前記スチレン系樹脂を紡糸して樹脂繊維とする工程と、
前記樹脂繊維をシート状に形成して樹脂繊維集合体とする工程と、
前記樹脂繊維集合体を加熱処理して、当該樹脂繊維集合体に含まれる有機揮発性成分の総含有量を１００（μｇ／ｇ）以下にする工程と、を含む
ことを特徴とする樹脂繊維集合体の製造方法。
【請求項７】
スチレン系樹脂を加熱溶融する工程と、
加熱溶融した前記スチレン系樹脂を水と混練する工程と、
混練した前記スチレン系樹脂を紡糸して樹脂繊維とする工程と、
前記樹脂繊維をシート状に形成して樹脂繊維集合体とする工程と、を含む樹脂繊維集合体の製造方法であって、
加熱溶融した前記スチレン系樹脂を水と混練する工程において、前記スチレン系樹脂の前記有機揮発性成分の総含有量を１００（μｇ／ｇ）以下とする
ことを特徴とする樹脂繊維集合体の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の製造方法によって得られた
ことを特徴とする樹脂繊維集合体。
【請求項９】
請求項６又は７に記載の製造方法によって得られた樹脂繊維集合体を含む断熱材と、
外郭を構成する外箱と、
前記外箱内に設けられ、貯蔵品が設置される空間を有する内箱と、
を有し、
前記断熱材は、
前記外箱と前記内箱との間であって、前記内箱の外側面に沿うように設けられた
ことを特徴とする断熱箱。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月23日(2014.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トリレンジイソシアネートと、
ペンタメチレンジイソシアネートと、
ペンタエリスリトールテトラキスメルカプトアセテート、ペンタエリスリトールテトラキスメルカプトプロピオネートから選ばれる１種以上のポリチオールと
を含むことを特徴とする光学材料用重合性組成物。
【請求項２】
さらに分子内に２個以上の活性水素基を含む活性水素化合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の光学材料用重合性組成物。
【請求項３】
請求項１または２に記載の光学材料用重合性組成物を硬化して得た光学材料。
【請求項４】
請求項１または２に記載の光学材料用重合性組成物を硬化する光学材料の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の製造方法において、注型重合により前記光学材料用重合性組成物を成形することを特徴とする光学材料の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち、本発明は、以下に記載されるものである。
（１）トリレンジイソシアネートと、ペンタメチレンジイソシアネートと、ペンタエリスリトールテトラキスメルカプトアセテート、ペンタエリスリトールテトラキスメルカプトプロピオネートから選ばれる１種以上のポリチオールとを含むことを特徴とする光学材料用重合性組成物。
（２）さらに分子内に２個以上の活性水素基を含む活性水素化合物を含むことを特徴とする（１）に記載の光学材料用重合性組成物。
（３）（１）または（２）に記載の光学材料用重合性組成物を硬化して得た光学材料。
（４）（１）または（２）に記載の光学材料用重合性組成物を硬化する光学材料の製造方法。
（５）（４）に記載の製造方法において、注型重合により前記光学材料用重合性組成物を成形することを特徴とする光学材料の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月7日(2014.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
利用者が所持する携帯機と、当該携帯機との通信により前記携帯機が正規エリアに存在するか否かを判定し、当該判定結果に応じた車載機器の制御を行う車載器から成る車載機器制御システムであって、
前記車載器は、
車両周囲の正規エリアに存在する携帯機に対して、車両に搭載された特定の送信アンテナよりリクエスト信号を送出させるリクエスト信号送出手段と、
車両周囲の非正規エリアに存在する携帯機に対して、前記リクエスト信号を送出した前記特定の送信アンテナ以外の前記送信アンテナより判定用信号を送出させる判定用信号送出手段と、を備え、
前記判定用信号は、一定期間ハイレベルが連続するハイレベル期間と一定期間ローレベルが連続するローレベル期間を有する信号となっており、
前記携帯機は、
前記判定用信号のハイレベル期間とローレベル期間の受信信号強度を別々に測定する受信信号強度測定手段と、
前記リクエスト信号を受信すると、前記判定用信号のハイレベル期間の受信信号強度を表す受信信号強度情報とローレベル期間の受信信号強度を表す受信信号強度情報を含むように、前記リクエスト信号に応答するレスポンス信号を生成し、当該レスポンス信号を前記車載器へ送出するレスポンス信号送出手段と、を備え、
前記車載器は、
前記レスポンス信号を受信したか否かを判定する受信判定手段と、
前記レスポンス信号に含まれる前記判定用信号のハイレベル期間の受信信号強度を表す受信信号強度情報に基づいて前記判定用信号のハイレベル期間の受信強度が規定値よりも大きいか否かを判定する受信強度判定手段と、
前記受信判定手段により前記レスポンス信号を受信したと判定された場合でも、前記受信強度判定手段により前記判定用信号のハイレベル期間の受信強度が規定値よりも大きいと判定された場合、前記携帯機が非正規エリアに存在するものとして前記車載機器の制御を行う車載機器制御手段と、
前記判定用信号のローレベル期間の受信信号強度を表す受信信号強度情報に基づいて車両周囲の雑音レベルが規定値よりも大きいか否かを判定する雑音レベル判定手段と、
前記雑音レベル判定手段により前記車両周囲の雑音レベルが規定値よりも大きいと判定された場合、前記判定用信号送出手段に、より送信レベルを大きくして、前記車両周囲の非正規エリアに存在する携帯機に対し、前記判定用信号を送出するように指示する送信レベル変更指示手段と、を備えたことを特徴とする車載機器制御システム。
【請求項２】
前記車載機器制御手段は、前記受信判定手段により前記レスポンス信号を受信したと判定され、かつ、前記受信強度判定手段により前記判定用信号のハイレベル期間の受信強度が規定値以下と判定された場合、前記携帯機が正規エリアに存在するものとして前記車載機器の制御を行うことを特徴とする請求項１に記載の車載機器制御システム。
【請求項３】
前記判定用信号送出手段は、前記リクエスト信号送出手段により前記リクエスト信号が送出されてから予め定められた期間が経過した後、前記判定用信号を送出させることを特徴とする請求項１または２に記載の車載機器制御システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月4日(2014.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
糊付けして乾燥した紡績単糸を紡績単糸の撚数の１．３〜３倍の撚数で紡績単糸の撚方向と逆方向に撚ったことを特徴とする加工紡績糸。
【請求項２】
糊付けして乾燥した紡績単糸における糊剤の付着量が、糊付け前の紡績単糸の質量に基づいて１〜２０質量％である請求項１に記載の加工紡績糸。
【請求項３】
糊が、水溶性の合成ポリマー、水溶性の澱粉類、澱粉類以外の水溶性の多糖類および水溶性のタンパク質類から選ばれる少なくとも１種の水溶性ポリマーよりなる糊剤を水に溶かした糊液である請求項１または２に記載の加工紡績糸。
【請求項４】
逆方向に撚った後に熱セットされている請求項１〜３のいずれか１項に記載の加工紡績糸。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の加工紡績糸を少なくとも用いて製造した織編物。
【請求項６】
水溶性ポリマーからなる糊剤を水に溶解して調製した糊液を紡績単糸に単糸状で糊付けする工程、糊付けした紡績単糸を乾燥する工程、および糊付けした乾燥紡績単糸を紡績単糸の撚数の１．３〜３倍の撚数で紡績単糸の撚方向と逆方向に撚る工程を少なくとも有することを特徴とする加工紡績糸の製造方法。
【請求項７】
水溶性ポリマーからなる糊剤を水に溶解して調製した糊液を紡績単糸に単糸状で糊付けする工程、糊付けした紡績単糸を乾燥する工程、糊付けした乾燥紡績単糸を紡績単糸の撚数の１．３〜３倍の撚数で紡績単糸の撚方向と逆方向に撚って加工紡績糸を製造する工程、および加工紡績糸に付着している糊剤を水で溶解除去する工程を少なくとも有することを特徴とする膨化した加工紡績糸の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の加工紡績糸を少なくとも用いて製編織を行なって織編物を製造することを特徴とする織編物の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の加工紡績糸を少なくとも用いて製編織を行なって織編物を製造した後、織編物を形成している加工紡績糸に付着している糊剤を水で溶解除去することを特徴とする織編物の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の加工紡績糸から糊剤を除去した加工紡績糸を少なくとも用いて製編織を行なって織編物を製造することを特徴とする織編物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月17日(2013.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パラフィンを含むマスキング剤を前記パラフィンの融点以上に加熱してマスキング液を作製する工程と、
前記マスキング液を基板上にパターニングしてマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンを有する基板を表面処理する工程と、
前記マスクパターンを構成するマスキング剤を、前記パラフィンの融点未満の温度の冷媒によって除去して表面処理基材を得る工程と、
を含む表面処理基材の製造方法。
【請求項２】
パラフィンを含むマスキング剤を前記パラフィンの融点以上に加熱してマスキング液を作製する工程と、
前記マスキング液を基板上にパターニングしてマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンを有する基板をめっき処理して前記マスクパターンの非形成部に金属層を形成する工程と、
前記マスクパターンを構成するマスキング剤を、前記パラフィンの融点未満の温度の冷媒によって除去する工程と、
を含む、請求項１に記載の表面処理基材の製造方法。
【請求項３】
金属層が表面に形成されてなる基板を準備する工程と、
パラフィンを含むマスキング剤を前記パラフィンの融点以上に加熱してマスキング液を作製する工程と、
前記金属層上に前記マスキング液をパターニングしてマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンを有する基板をエッチングする工程と、
前記マスクパターンを構成するマスキング剤を、前記パラフィンの融点未満の温度の冷媒によって除去する工程と、
を含む、請求項１に記載の表面処理基材の製造方法。
【請求項４】
前記冷媒によって除去したマスキング剤を回収する工程をさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記回収する工程は、前記除去したマスキング剤を前記マスキング剤よりも比重が大きい中性の液体中に浮遊させて回収することを含む、請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記冷媒は中性の液体および／または冷風である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記冷媒は水である、請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記冷媒は純水である、請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記マスクパターンを形成する工程は、４０〜５０℃に加熱または保温されている基板上に、前記マスキング液を、塗布する工程を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記マスクパターンを形成する工程は、前記マスキング液を基板上に塗布する工程と、前記マスキング液が塗布された基板を７０〜１１０℃に加熱する工程を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記マスキング剤を除去する工程において、前記マスクパターンを冷却した後に前記パラフィンの融点未満の温度の冷媒によって前記マスキング剤を除去する、請求項１〜１０のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１２】
前記マスキング液のパターニングをインクジェット方式により行う、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記マスキング剤は着色剤をさらに含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月20日(2013.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子写真感光体、放電を伴う帯電手段、像露光手段、現像手段、転写手段、および該電子写真感光体の表面に当接するクリーニングブレードを有するクリーニング手段、を有する電子写真装置であって、
該電子写真感光体の表面層は、２つ以上の重合性官能基を有する電荷輸送性化合物の重合物からなる樹脂、および、下記一般式（１）で示される化合物を含有し、
該電子写真装置は、該電子写真感光体の表面と該クリーニングブレードとが当接する部位に個数平均粒径３０〜５００ｎｍ、かつｐＨ１１．０以下の塩基性粒子を供給する手段をさらに有する
ことを特徴とする電子写真装置。
【化１】
2012113239.tif 000001
（一般式（１）中、Ｘは、酸素原子、または、硫黄原子を示し、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、炭素数が１〜３のアルキル基を示し、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアリール基を示す。ただし、該アリール基が有してもよい置換基は、カルボキシ基、シアノ基、置換もしくは無置換のアミノ基、ヒドロキシ基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、ニトロ基、または、ハロゲン原子である。）
【請求項２】
電子写真感光体、放電を伴う帯電手段、像露光手段、現像手段、転写手段、および該電子写真感光体の表面に当接するクリーニングブレードを有するクリーニング手段、を有する電子写真装置であって、
該電子写真感光体の表面層は、２つ以上の重合性官能基を有する電荷輸送性化合物の重合物からなる樹脂、および、下記一般式（１）で示される化合物を含有し、
該現像手段は、個数平均粒径３０〜５００ｎｍ、かつｐＨ１１．０以下の塩基性粒子を含有する現像剤を有することを特徴とする電子写真装置。
【化２】
2012113239.tif 000002
（一般式（１）中、Ｘは、酸素原子、または、硫黄原子を示し、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、炭素数が１〜３のアルキル基を示し、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のアリール基を示す。ただし、該アリール基が有してもよい置換基は、カルボキシ基、シアノ基、置換もしくは無置換のアミノ基、ヒドロキシ基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、ニトロ基、または、ハロゲン原子である。）
【請求項３】
前記一般式（１）中のＲ１およびＲ２が同一の基であり、Ａｒ１およびＡｒ２が同一の基である請求項１または２に記載の電子写真装置。
【請求項４】
前記電荷輸送性化合物が、下記一般式（４）で示される化合物である請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真装置。
【化３】
2012113239.tif 000003
（一般式（４）中、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、または、メチル基を示し、Ａｒ３は、置換もしくは無置換のアリール基を示す。ｍおよびｎは、それぞれ独立に、０〜５の整数である。）
【請求項５】
前記電子写真感光体の表面の弾性変形率（Ｗｅ％）が４０％以上である請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真装置。
【請求項６】
前記塩基性粒子のｐＨが７．５以上１０．５以下である請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子写真装置。
【請求項７】
前記塩基性粒子が炭酸カルシウム粒子である請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真装置。
【請求項８】
前記電子写真感光体の表面と前記クリーニングブレードとが当接する部位においてアルミナ粒子が介在する請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子写真装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、電子写真感光体、放電を伴う帯電手段、像露光手段、現像手段、転写手段、および該電子写真感光体の表面に当接するクリーニングブレードを有するクリーニング手段、を有する電子写真装置であって、
該電子写真感光体の表面層は、２つ以上の重合性官能基を有する電荷輸送性化合物の重合物からなる樹脂、および、下記一般式（１）で示される化合物を含有し、
該電子写真装置は、該電子写真感光体の表面と該クリーニングブレードとが当接する部位に個数平均粒径３０〜５００ｎｍのｐＨ１１．０以下の塩基性粒子を供給する手段をさらに有することを特徴とする電子写真装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、電子写真感光体、放電を伴う帯電手段、像露光手段、現像手段、転写手段、および該電子写真感光体の表面に当接するクリーニングブレードを有するクリーニング手段、を有する電子写真装置であって、
該電子写真感光体の表面層は、２つ以上の重合性官能基を有する電荷輸送性化合物の重合物からなる樹脂、および、下記一般式（１）で示される化合物を含有し、
該現像手段は、個数平均粒径３０〜５００ｎｍのｐＨ１１．０以下の塩基性粒子を含有する現像剤を有することを特徴とする電子写真装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月27日(2014.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像機能を有する表示装置であって、
表示素子と、
撮像素子と、を有し、
前記表示素子は、第１の発光素子と、第１のカラーフィルターと、を有し、
前記撮像素子は、第２の発光素子と、第２のカラーフィルターと、第３のカラーフィルターと、フォトダイオードと、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記フォトダイオードと電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されており、
前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子の各々は、白色の光を発光することができる機能を有し、
前記第２のカラーフィルターは、前記第３のカラーフィルターと重なる領域を有し、
前記第１のカラーフィルターは、前記第１の発光素子の上に直接設けられており、
前記第２のカラーフィルター及び前記第３のカラーフィルターの各々は、前記第２の発光素子の上に直接設けられており、
前記第１のカラーフィルター、前記第２のカラーフィルター、及び前記第３のカラーフィルターの各々は、可視光を透過する特性を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
撮像機能を有する表示装置であって、
表示素子と、
撮像素子と、を有し、
前記表示素子は、第１の発光素子と、第１のカラーフィルターと、を有し、
前記撮像素子は、第２の発光素子と、第２のカラーフィルターと、第３のカラーフィルターと、フォトダイオードと、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記フォトダイオードと電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されており、
前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子の各々は、白色の光を発光することができる機能を有し、
前記第２のカラーフィルターは、前記第３のカラーフィルターと重なる領域を有し、
前記第１のカラーフィルターは、前記第１の発光素子の上に直接設けられており、
前記第２のカラーフィルター及び前記第３のカラーフィルターの各々は、前記第２の発光素子の上に直接設けられており、
前記第１のカラーフィルター、前記第２のカラーフィルター、及び前記第３のカラーフィルターの各々は、可視光を透過する特性を有し、
前記第１のカラーフィルター及び前記第３のカラーフィルターの各々は、第１の特定範囲の波長の光を吸収する特性を有し、
前記第２のカラーフィルターは、第２の特定範囲の波長の光を吸収する特性を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
撮像機能を有する表示装置であって、
表示素子と、
撮像素子と、を有し、
前記表示素子は、第１の発光素子と、第１のカラーフィルターと、を有し、
前記撮像素子は、第２の発光素子と、第２乃至第５のカラーフィルターと、フォトダイオードと、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記フォトダイオードと電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されており、
前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子の各々は、白色の光を発光することができる機能を有し、
前記第２のカラーフィルターは、前記第３のカラーフィルターと重なる領域を有し、
前記第４のカラーフィルターは、前記第５のカラーフィルターと重なる領域を有し、
前記第１のカラーフィルターは、前記第１の発光素子の上に直接設けられており、
前記第２のカラーフィルター及び前記第３のカラーフィルターの各々は、前記第２の発光素子の上に直接設けられており、
前記第１乃至前記第５のカラーフィルターの各々は、可視光を透過する特性を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１のカラーフィルター、前記第３のカラーフィルター、及び前記第５のカラーフィルターの各々は、第１の特定範囲の波長の光を吸収する特性を有し、
前記第２のカラーフィルター及び前記第４のカラーフィルターは、第２の特定範囲の波長の光を吸収する特性を有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１のカラーフィルターを介して前記第１の発光素子からされた光は、赤色、緑色、青色、又は黄色であることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子の各々は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の発光素子と前記第１の発光素子との間で、発光層が共有されていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記表示素子は、前記第１の発光素子と電気的に接続された第３のトランジスタを有し、
前記撮像素子は、前記第２の発光素子と電気的に接続された第４のトランジスタを有し、
前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタの各々において、チャネル幅をＷ、チャネル長をＬとするとき、前記第４のトランジスタのＷ／Ｌの値は、前記第３のトランジスタのＷ／Ｌの値よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の信号線と電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、電源電位を供給することができる機能を有する配線と電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の信号線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月21日(2014.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、
透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランクであって、
前記遮光膜は、前記透光性基板側から、下層及び上層の少なくとも二層構造からなり、
前記下層は、遷移金属、ケイ素、及び窒素を含む材料を主成分とし、
前記上層は、遷移金属、ケイ素、及び窒素を含む材料を主成分とし、
対象部分にフッ素を含有する物質を供給し、かつ荷電粒子を照射して行うエッチングにおける前記上層のエッチングレートに対する前記下層のエッチングレートの比が１．０以上５．０以下であることを特徴とするマスクブランク。
【請求項２】
前記下層は、酸素を実質的に含有しておらず、前記上層は、その表層を除いた部分では酸素を実質的に含有していないことを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク。
【請求項３】
前記上層中の窒素含有量と前記下層中の窒素含有量との差が３０原子％未満であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のマスクブランク。
【請求項４】
前記下層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と、前記上層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率との差が４％以下であることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載のマスクブランク。
【請求項５】
前記下層の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と窒素含有量は、下記式（１）の条件を満たす範囲であることを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載のマスクブランク。
式（１）
遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率をＣＭｏ、窒素含有量をＣＮとしたとき、
ＣＮ≧−０．００５２６ＣＭｏ２−０．６４０ＣＭｏ＋２６．６２４
【請求項６】
前記下層の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と窒素含有量は、下記式（２）の条件を満たす範囲であることを特徴とする請求項１から請求項５のうちいずれか１項に記載のマスクブランク。
式（２）
遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率をＣＭｏ、窒素含有量をＣＮとしたとき、
ＣＮ≦−３．６３×１０−７ＣＭｏ５＋７．６０×１０−５ＣＭｏ４
−４．６７×１０−３ＣＭｏ３＋５．０６×１０−２ＣＭｏ２
＋２．０８２ＣＭｏ＋１．０７５
【請求項７】
前記上層中の遷移金属の含有量が１０原子％以下であることを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか１項に記載のマスクブランク。
【請求項８】
前記下層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率が１５％以下であることを特徴とする請求項１から請求項７のうちいずれか１項に記載のマスクブランク。
【請求項９】
前記遮光膜の上面には、エッチングマスク膜が設けられ、該エッチングマスク膜は、クロムに、窒素、酸素のうち少なくともいずれかの成分を含み、該エッチングマスク膜中のクロムの含有量が５０原子％以上であることを特徴とする請求項１から請求項８のうちいずれか１項に記載のマスクブランク。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のうちいずれか１項に記載のマスクブランクを用いて作製されることを特徴とする転写用マスク。
【請求項１１】
ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用され、透光性基板上に転写パターンが形成された遮光膜を有してなる転写用マスクであって、
前記遮光膜は、前記透光性基板側から、下層及び上層の少なくとも二層構造からなり、
前記下層は、遷移金属、ケイ素、及び窒素を含む材料を主成分とし、
前記上層は、遷移金属、ケイ素、及び窒素を含む材料を主成分とし、
対象部分にフッ素を含有する物質を供給し、かつ荷電粒子を照射して行うエッチングにおける前記上層のエッチングレートに対する前記下層のエッチングレートの比が１．０以上５．０以下であることを特徴とする転写用マスク。
【請求項１２】
前記下層は、酸素を実質的に含有しておらず、前記上層は、その表層を除いた部分では酸素を実質的に含有していないことを特徴とする請求項１１に記載の転写用マスク。
【請求項１３】
前記上層中の窒素含有量と前記下層中の窒素含有量との差が３０原子％未満であることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の転写用マスク。
【請求項１４】
前記下層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と、前記上層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率との差が４％以下であることを特徴とする請求項１１から請求項１３のうちいずれか１項に記載の転写用マスク。
【請求項１５】
前記下層の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と窒素含有量は、下記式（３）の条件を満たす範囲であることを特徴とする請求項１１から請求項１４のうちいずれか１項に記載の転写用マスク。
式（３）
遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率をＣＭｏ、窒素含有量をＣＮとしたとき、
ＣＮ≧−０．００５２６ＣＭｏ２−０．６４０ＣＭｏ＋２６．６２４
【請求項１６】
前記下層の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と窒素含有量は、下記式（４）の条件を満たす範囲であることを特徴とする請求項１１から請求項１５のうちいずれか１項に記載の転写用マスク。
式（４）
遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率をＣＭｏ、窒素含有量をＣＮとしたとき、
ＣＮ≦−３．６３×１０−７ＣＭｏ５＋７．６０×１０−５ＣＭｏ４
−４．６７×１０−３ＣＭｏ３＋５．０６×１０−２ＣＭｏ２
＋２．０８２ＣＭｏ＋１．０７５
【請求項１７】
前記上層中の遷移金属の含有量が１０原子％以下であることを特徴とする請求項１１から請求項１６のうちいずれか１項に記載の転写用マスク。
【請求項１８】
前記下層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率が１５％以下であることを特徴とする請求項１１から請求項１７のうちいずれか１項に記載の転写用マスク。
【請求項１９】
請求項１から請求項９のうちいずれか１項に記載のマスクブランクを用いた転写用マスクの製造方法であって、
設計上の転写パターンと前記遮光膜に形成された転写パターンとを比較し、遮光膜が残存している欠陥部分に対してフッ素を含有する物質を供給し、かつ荷電粒子を照射してエッチングを行う欠陥修正工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
【請求項２０】
請求項１１から請求項１８のうちいずれか１項に記載の転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。
【請求項２１】
請求項１９に記載の転写用マスクの製造方法で製造された転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月5日(2014.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トナー組成物であって、
樹脂；
任意要素のワックス；および
任意要素の着色剤を含むトナー粒子と；
トナー粒子表面を少なくとも部分的にコーティングする表面添加剤とを含み、前記表面添加剤が、
第１のヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）で表面処理されたシリカ、
第２のＨＭＤＳで表面処理されたシリカ、
表面処理されていないゾル−ゲルシリカ、および
ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）で表面処理されたシリカの混合物を含み：
前記第１のＨＭＤＳで表面処理されたシリカが、前記第２のＨＭＤＳで表面処理されたシリカと異なる体積平均粒径を有し；
前記第１のＨＭＤＳで表面処理されたシリカが、トナー組成物の合計重量を基準として０．０５〜２ｗｔ％の量で存在し；
前記第２のＨＭＤＳで表面処理されたシリカが、トナー組成物の合計重量を基準として０．０５〜０．２５ｗｔ％の量で存在する、トナー組成物。
【請求項２】
前記第１のＨＭＤＳで表面処理されたシリカが、５〜５０ｎｍの体積平均粒径を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記第２のＨＭＤＳで表面処理されたシリカが、５〜２０ｎｍの体積平均粒径を有する、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記第１のＨＭＤＳで表面処理されたシリカと前記ゾル−ゲルシリカと前記ＰＤＭＳで表面処理されたシリカとの重量比が、１．５：１：１〜２：１：１の範囲である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
前記第１のＨＭＤＳで表面処理されたシリカと前記ゾル−ゲルシリカとの混合物が、トナー組成物中に、トナー組成物の合計重量を基準として１．９〜２．９ｗｔ％の量で存在する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
前記第１のＨＭＤＳで表面処理されたシリカ、前記ゾル−ゲルシリカ、前記ＰＤＭＳで表面処理されたシリカの前記混合物が、トナー組成物中に、トナー組成物の合計重量を基準として２．５〜３．７ｗｔ％の量で存在する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項７】
前記トナー粒子が、
第１の架橋していないポリマーを、架橋したポリマーと組み合わせて含む樹脂を含むコアと、
トナーの２０〜４０ｗｔ％の量で存在する第２の架橋していないポリマーを含むシェルと；
分枝鎖炭素を、直鎖炭素と組み合わせて有する改質パラフィンワックスと；
任意要素の着色剤とを含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項８】
前記架橋したポリマーが、トナーの６〜１４ｗｔ％の量で存在する、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
トナー組成物を製造する方法であって、前記方法が、
樹脂を含有するエマルション；
場合により、ワックス；
場合により、着色剤；
場合により、界面活性剤；
場合により、凝固剤；および
１つ以上のさらなる任意要素の添加剤を一緒に混合することによってスラリーを作成することと；
前記スラリーを加熱し、スラリー中に凝集した粒子を形成させることと；
ｐＨを調節することによって、前記粒子を凍結凝集させることと；
前記スラリー中の凝集した粒子を加熱し、粒子をトナー粒子へと融着させることと；
前記トナー粒子を洗浄し、乾燥させることと；
前記トナー粒子を、
第１のヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）で表面処理されたシリカ、
第２のＨＭＤＳで表面処理されたシリカ、
表面処理されていないゾル−ゲルシリカ、および
ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）で表面処理されたシリカの混合物を含む表面添加剤であって：
前記第１のＨＭＤＳで表面処理されたシリカが、前記第２のＨＭＤＳで表面処理されたシリカと異なる体積平均粒径を有し；
前記第１のＨＭＤＳで表面処理されたシリカが、トナー組成物の合計重量を基準として０．０５〜２ｗｔ％の量で存在し；
前記第２のＨＭＤＳで表面処理されたシリカが、トナー組成物の合計重量を基準として０．０５〜０．２５ｗｔ％の量で存在する、表面添加剤でコーティングすることとを含む、方法。
【請求項１０】
前記ＨＭＤＳで表面処理されたシリカと前記ゾル−ゲルシリカと前記ＰＤＭＳで表面処理されたシリカとの重量比が、１．５：１：１〜２：１：１の範囲である、請求項９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トナー組成物およびトナー組成物を製造する方法
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月27日(2013.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、前記光源からの光束を偏向する光偏向手段と、前記光偏向手段からの光束を被走査面に導光する結像光学系と、を有する光走査装置であって、
前記光偏向手段と前記結像光学系の間に、前記光偏向手段からの光束を入射端から入射させて射出端から前記結像光学系の側に射出させる光導波路手段を有し、
前記光導波路手段は、クラッド部と、前記クラッド部によって挟まれた層状のコア部と、を有し、
前記コア部の前記入射端の断面における前記主走査方向と垂直な方向である副走査方向のコア幅が、前記コア部の前記射出端の断面における前記副走査方向のコア幅よりも大きく、
前記入射端のコア部の断面における屈折率分布と前記射出端の側のコア部の断面における屈折率分布が、前記主走査方向において一様であることを特徴とする光走査装置。
【請求項２】
前記光導波路手段は、前記光偏向手段からの光束を前記入射端から入射させる入射側導波路と、前記入射側導波路を介して入射した光束を前記射出端から前記結像光学系の側に射出させる射出側導波路と、を有することを特徴とする請求項１に記載の光走査装置。
【請求項３】
前記光導波路手段は、前記入射側導波路と前記射出側導波路との間に、前記入射側導波路と前記射出側導波路とを断熱的に光結合する光結合手段を有することを特徴とする請求項２に記載の光走査装置。
【請求項４】
前記光結合手段は、テーパー型の導波路によって構成されていることを特徴とする請求項３に記載の光走査装置。
【請求項５】
前記入射側導波路が前記副走査方向に多モードを有する導波路によって構成され、
前記射出側導波路が前記副走査方向に単モードを有する導波路によって構成されていることを特徴とする請求項３または４に記載の光走査装置。
【請求項６】
前記光導波路手段は、前記コア部の前記副走査方向のコア幅が前記入射端の側から前記射出端の側に向かって連続的に小さくなるようなテーパー型の導波路であることを特徴とする請求項１に記載の光走査装置。
【請求項７】
前記射出端と前記被走査面とが、前記副走査方向において共役関係にあることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光走査装置。
【請求項８】
前記光源と前記入射端とが、前記副走査方向において共役関係にあることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の光走査装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の光走査装置を備えることを特徴とするプリンタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光走査装置および光走査装置を備えるプリンタ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑み、予め光偏向手段の面倒れ角度を検出することなく、副走査方向の集光位置の位置ずれを低減することが可能となる光走査装置および光走査装置を備えるプリンタを提供することを目的とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、光源と、前記光源からの光束を偏向する光偏向手段と、前記光偏向手段からの光束を被走査面に導光する結像光学系と、を有する光走査装置であって、
前記光偏向手段と前記結像光学系の間に、前記光偏向手段からの光束を入射端から入射させて射出端から前記結像光学系の側に射出させる光導波路手段を有し、
前記光導波路手段は、クラッド部と、前記クラッド部によって挟まれた層状のコア部と、を有し、
前記コア部の前記入射端の断面における前記主走査方向と垂直な方向である副走査方向のコア幅が、前記コア部の前記射出端の断面における前記副走査方向のコア幅よりも大きく、
前記入射端のコア部の断面における屈折率分布と前記射出端の側のコア部の断面における屈折率分布が、前記主走査方向において一様であることを特徴とする。
また、本発明の光走査装置を備えるプリンタは、上記した光走査装置を備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、予め光偏向手段の面倒れ角度を検出することなく、副走査方向の集光位置の位置ずれを低減することが可能となる光走査装置および光走査装置を備えるプリン
タを実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月1日(2014.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側より像側へ順に、正の屈折力の第１レンズ群、負の屈折力の第２レンズ群、開口絞り、正の屈折力の第３レンズ群、負の屈折力の第４レンズ群、正の屈折力の第５レンズ群より構成され、広角端から望遠端へのズーミングに際して、前記第１レンズ群は不動であり、前記第２、第３、第４レンズ群は互いに異なる軌跡で移動し、前記開口絞りは物体側に凸状の軌跡を描きながら、各レンズ群とは異なる軌跡で移動することを特徴とするズームレンズ。
【請求項２】
前記第４レンズ群は、前記開口絞りが最も物体側に位置するズーム位置において最も物体側に位置するように、物体側に凸状の軌跡を描いて移動することを特徴とする請求項１のズームレンズ。
【請求項３】
前記第３レンズ群の焦点距離をｆ３、前記開口絞りが最も物体側に位置するズーム位置における前記開口絞りと前記第３レンズ群の間隔をＤＳ３とするとき、
０．５＜ＤＳ３／ｆ３＜２．０
なる条件式を満たすことを特徴とする請求項１又は２のズームレンズ。
【請求項４】
前記第２、第３レンズ群の焦点距離を各々ｆ２、ｆ３とするとき、
−２．５０＜ｆ３／ｆ２＜−１．５０
なる条件式を満たすことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項のズームレンズ。
【請求項５】
前記第２レンズ群の焦点距離をｆ２、広角端と望遠端における全系の焦点距離を各々ｆｗ、ｆｔとするとき、
−１．００＜ｆ２／√（ｆｗ×ｆｔ）＜−０．５０
なる条件式を満たすことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項のズームレンズ。
【請求項６】
広角端と望遠端における前記第２レンズ群の横倍率を各々β２Ｗ、β２Ｔ、広角端と望遠端における前記第３レンズ群の横倍率を各々β３Ｗ、β３Ｔとするとき、
０．３＜（β２Ｔ／β２Ｗ）／（β３Ｔ／β３Ｗ）＜３．０
なる条件式を満たすことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項のズームレンズ。
【請求項７】
広角端と望遠端における前記第３レンズ群の横倍率を各々β３Ｗ、β３Ｔとするとき、１．５＜β３Ｔ／β３Ｗ＜４．５
なる条件式を満たすことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項のズームレンズ。
【請求項８】
前記第４レンズ群に含まれる１つの負レンズの材料の分散値をνｄ４とするとき、
５０＜νｄ４＜９０
なる条件式を満たすことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項のズームレンズ。
【請求項９】
前記第５レンズ群は３つのレンズにより構成されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項のズームレンズ。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項のズームレンズと該ズームレンズによって形成された像を受光する撮像素子を有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のズームレンズは、物体側より像側へ順に、正の屈折力の第１レンズ群、負の屈折力の第２レンズ群、開口絞り、正の屈折力の第３レンズ群、負の屈折力の第４レンズ群、正の屈折力の第５レンズ群より構成され、広角端から望遠端へのズーミングに際して、前記第１レンズ群は不動であり、前記第２、第３、第４レンズ群は互いに異なる軌跡で移動し、前記開口絞りは物体側に凸状の軌跡を描きながら、各レンズ群とは異なる軌跡で移動することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月10日(2014.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（撮像装置・カメラ）
図１は、本発明の実施の形態に係るカメラの外観図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
なお、本実施の形態においては、２枚羽根で説明したが、これに限るものではなく、３枚以上の羽根であっても同様の動作が可能なことは言うまでもない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
以下、実施の形態１〜４に係る立体撮像光学系を具体的に実施した数値実施例を説明する。なお、各数値実施例において、表中の長さの単位はすべて「ｍｍ」であり、画角の単位はすべて「°」である。また、各数値実施例において、ｒは曲率半径、ｄは面間隔、ｎｄはｄ線に対する屈折率、ｖｄはｄ線に対するアッベ数である。また、各数値実施例において、＊印を付した面は非球面であり、非球面形状は次式で定義している。
【数１】
2012113281.tif 000001
ここで、
Ｚ：光軸からの高さがｈの非球面上の点から、非球面頂点の接平面までの距離
ｈ：光軸からの高さ
ｒ：頂点曲率半径
κ：円錐定数
Ａn：ｎ次の非球面係数
である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2012113281.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月3日(2014.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のシャッター装置は、開口が形成されるシャッター地板と、前記開口を閉じる状態と前記開口を開く状態にするシャッター羽根と、前記シャッター羽根と連結される羽根レバーと、前記シャッター羽根が前記開口を開く方向に前記羽根レバーを付勢する羽根復帰ばねと、前記シャッター羽根が前記開口を閉じる方向に前記羽根レバーを駆動する駆動レバーと、前記シャッター羽根が前記開口を閉じる方向に前記駆動レバーを付勢する羽根駆動ばねと、前記駆動レバーに配置されるアーマチャと、通電されることで前記アーマチャを吸着するヨークと、前記シャッター羽根が前記開口を閉じる状態となるように前記羽根レバーを保持する第１の部材と、前記駆動レバーを移動させることで、前記羽根駆動ばねをチャージする第２の部材と、を有し、前記ヨークが前記アーマチャを吸着することができる第１の位置を超えて前記羽根駆動ばねがオーバーチャージされる状態となる第２の位置まで前記第２の部材によって前記駆動レバーを移動させ、前記羽根レバーが前記第２の位置にあるときには、前記第２の部材が前記駆動レバーを係止し、前記羽根復帰ばねの付勢力によって前記羽根レバーを前記シャッター羽根が開く方向に駆動させたとしても、前記羽根レバーは前記駆動レバーに当接することなく、前記ヨークに通電した後、前記第２の部材による前記駆動レバーの係止が解除されると、前記駆動レバーが前記第２の位置から前記第１の位置まで移動し、前記駆動レバーが前記第２の位置から前記第１の位置まで移動する間に、前記羽根レバーは前記駆動レバーに当接することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口が形成されるシャッター地板と、
前記開口を閉じる状態と前記開口を開く状態にするシャッター羽根と、前記シャッター羽根と連結される羽根レバーと、
前記シャッター羽根が前記開口を開く方向に前記羽根レバーを付勢する羽根復帰ばねと、
前記シャッター羽根が前記開口を閉じる方向に前記羽根レバーを駆動する駆動レバーと、
前記シャッター羽根が前記開口を閉じる方向に前記駆動レバーを付勢する羽根駆動ばねと、
前記駆動レバーに配置されるアーマチャと、
通電されることで前記アーマチャを吸着するヨークと、
前記シャッター羽根が前記開口を閉じる状態となるように前記羽根レバーを保持する第１の部材と、
前記駆動レバーを移動させることで、前記羽根駆動ばねをチャージする第２の部材と、を有し、
前記ヨークが前記アーマチャを吸着することができる吸着位置を超えて前記羽根駆動ばねがオーバーチャージされる状態となるオーバーチャージ位置まで前記第２の部材によって前記駆動レバーを移動させ、
前記羽根レバーが前記オーバーチャージ位置にあるときには、前記第２の部材が前記駆動レバーを係止し、前記羽根復帰ばねの付勢力によって前記羽根レバーを前記シャッター羽根が開く方向に駆動させたとしても、前記羽根レバーは前記駆動レバーに当接することなく、
前記ヨークに通電した後、前記第２の部材による前記駆動レバーの係止が解除されると、前記駆動レバーが前記オーバーチャージ位置から前記吸着位置まで移動し、
前記駆動レバーが前記オーバーチャージ位置から前記吸着位置まで移動する間に、前記羽根レバーは前記駆動レバーに当接することを特徴とするシャッター装置。
【請求項２】
前記羽根復帰ばねの付勢力による前記羽根レバーの駆動が完了するときに、前記シャッター羽根が衝突して衝撃を吸収する羽根緩衝部材を有し、
前記シャッター羽根が前記羽根緩衝部材と衝突するときに、前記羽根レバーは前記駆動レバーに当接することなく、
前記羽根レバーが前記駆動レバーに当接するときに、前記シャッター羽根は前記羽根緩衝部材から離れることを特徴とする請求項１に記載のシャッター装置。
【請求項３】
前記シャッター地板には軸部が形成され、
前記羽根緩衝部材には、穴部が形成され、
前記穴部に前記軸部を篏合させることで前記羽根緩衝部材を前記シャッター地板に取り付けるものであって、
前記羽根緩衝部材の取り付け方向を変えることで、前記軸から前記羽根緩衝部材の前記シャッター羽根から衝撃を受ける面までの距離が変わるように、前記羽根緩衝部材の中心から偏心した位置に前記穴部を形成することを特徴とする請求項１または２に記載のシャッター装置。
【請求項４】
前記羽根緩衝部材は多角形の外形を有し、前記軸部は前記羽根緩衝部材の外形と同じ多角形で形成され、前記羽根緩衝部材を前記シャッター地板に取り付けた状態で、前記羽根緩衝部材の外形の辺と前記軸部の辺が略平行となるように形成されることを特徴とする請求項３に記載のシャッター装置。
【請求項５】
前記羽根緩衝部材の取り付け方向にかかわらず、前記シャッター羽根と前記羽根緩衝部材の間に配置され、前記羽根緩衝部材とは独立して変形可能な羽根接触部材とを有することを特徴とする請求項３または４に記載のシャッター装置。
【請求項６】
前記羽根接触部材は前記羽根緩衝部材よりも耐摩耗性の高い材料からなることを特徴とする請求項５に記載のシャッター装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載のシャッター装置を備えた撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月22日(2013.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
具体的には、位相差検出用画素ＳＨＡの開口部ＯＰＨＡは水平方向右側に偏倚しているため、レンズＴＬの左側の射出瞳ＥＰＨＡを通過した光束を受光する。同様に、位相差検出用画素ＳＨＢの開口部ＯＰＨＢは水平方向左側に偏倚しているため、レンズＴＬの右側の射出瞳ＥＰＨＢを通過した光束を受光する。水平方向に規則的に配列した複数の位相差検出用画素ＳＨＡで取得した輝度波形をＡ像波形（第１の像波形）とする。また、水平方向に規則的に配列した複数の位相差検出用画素ＳＨＢで取得した輝度波形をＢ像波形（第２の像波形）とする。これらＡ像波形とＢ像波形の相対位置を検出することで、水平方向に輝度分布を有する被写体像のピントずれ量（デフォーカス量）が検出できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
垂直方向に規則的に配列した複数の位相差検出用画素ＳＶＣで取得した被写体像をＣ像波形とする。また、垂直方向に規則的に配列した複数の位相差検出用画素ＳＶＤで取得した被写体像をＤ像波形とする。これらＣ像波形とＤ像波形の相対位置を検出することで、垂直方向に輝度分布を有する被写体像のピントずれ量（デフォーカス量）が検出できる。