(57)【要約】【課題】本発明は、各画素単位をリアルタイムで測定し補償するとともに、全てのグレースケールのデータ信号を効果的に補償することのできるＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムを提供する。【解決手段】ソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールを設け、その内部には第１オペアンプと第２オペアンプが設けられ、前記第１オペアンプの正入力端子と負入力端子には、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と駆動薄膜トランジスタソース電極の実電圧がそれぞれ印加され、出力端子は駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と実電圧の差値を出力し、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧差をリアルタイムで検出した後、第２オペアンプは第１オペアンプの出力端子が出力する駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と実電圧の差値をデータ信号電圧上に累加し、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧差をリアルタイムで補償する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリックス状に配列される複数の画素単位と、データ線と検出線によって各列画素単位に電気的に接続されるソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールと、各行画素単位に電気的に接続されるゲート電極駆動モジュールと、各列画素単位に電気的に接続される検出開始モジュールと、ソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールと、ゲート電極駆動モジュールと、検出開始モジュールに電気的に接続される制御モジュールと、からなるＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムであって、
前記画素単位は、スイッチ薄膜トランジスタと、駆動薄膜トランジスタと、検出薄膜トランジスタと、有機発光ダイオードを備え、
前記ゲート電極駆動モジュールは、各行画素単位にゲート電極駆動信号を提供するのに用いられ、
前記検出開始モジュールは、各列画素単位に検出開始信号を提供するのに用いられ、
前記ソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールは、ラッチバッファユニットと、駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニットと、第１オペアンプと、第２オペアンプを備え、
前記ラッチバッファユニットは、データ信号を受信し、ラッチし、バッファし、出力するのに用いられ、
前記駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニットは、ラッチバッファユニットに電気的に接続され、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧とデータ信号の関数関係ｆ（ｄａｔａ）に基づいて駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧を計算し取得するのに用いられ、
前記第１オペアンプは、駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニットと画素単位に電気的に接続され、その正入力端子と負入力端子には、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と駆動薄膜トランジスタソース電極の実電圧がそれぞれ印加され、出力端子は、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と実電圧の差値を出力し、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧差をリアルタイムで検出し、
前記第２オペアンプは、ラッチバッファユニットと画素単位に電気的に接続され、その正入力端子には、データ信号が印加され、負入力端子は、第１スイッチによってグランドに接続された後、さらに第１オペアンプの出力端子に接続され、出力端子は、まずデータ信号の電圧を出力した後、さらにデータ信号の電圧と第１オペアンプ出力端子の電圧の和を出力することで、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧差をリアルタイムで補償する
ことを特徴とする、ＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システム。
【請求項２】
前記スイッチ薄膜トランジスタのゲート電極には、ゲート電極駆動信号が印加され、ソース電極は、データ線によって第２オペアンプの出力端子に電気的に接続され、前記駆動薄膜トランジスタのゲート電極とスイッチ薄膜トランジスタのドレイン電極は電気的に接続され、ドレイン電極は定電圧高電位に接続され、ソース電極はノードに接続され、
前記検出薄膜トランジスタのゲート電極には、検出開始信号が印加され、ソース電極はノードに接続され、ドレイン電極は検出線によって第１オペアンプの負入力端子に電気的に接続され、
前記有機発光ダイオードのアノードはノードに電気的に接続され、カソードはグランドに接続される
ことを特徴とする、請求項１に記載のＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システム。
【請求項３】
前記画素単位は、メモリキャパシタを備え、前記メモリキャパシタの一端は、駆動薄膜トランジスタのゲート電極に電気的に接続され、他端はノードに電気的に接続される
ことを特徴とする、請求項２に記載のＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システム。
【請求項４】
前記ソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールは、さらに、前記制御モジュールに電気的に接続される電流検出ユニットを備え、前記電流検出ユニットは、第２スイッチによって前記検出線と導通あるいは切断される
ことを特徴とする、請求項２に記載のＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システム。
【請求項５】
さらに制御モジュールに電気的に接続されるメモリモジュールを備え、前記制御モジュールは、電流検出ユニットが測定した電流値に基づいて有機発光ダイオードの閾値電圧差を計算し、前記メモリモジュールは、前記有機発光ダイオードの閾値電圧差を保存するのに用いられる
ことを特徴とする、請求項４に記載のＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システム。
【請求項６】
前記ＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムの作業工程は、工程順に並べると、データ信号入力段階と、データ信号出力段階と、駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム検出段階と、駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム補償段階と、表示段階の５つの段階に分けられ、
前記データ信号入力段階では、制御モジュールがソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールにデータ信号が入力されるのを制御し、ラッチバッファユニットにラッチし、
データ信号出力段階では、前記ゲート電極駆動信号は高電位であり、データ信号は高電位であり、検出開始信号は低電位であり、第１スイッチはグランドに接続され、第２オペアンプの出力端子はデータ信号を出力し、スイッチ薄膜トランジスタは導通し、駆動薄膜トランジスタは導通し、前記駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニットは、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧とデータ信号の関数関係ｆ（ｄａｔａ）に基づいて駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧を計算し取得し、
駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム検出段階では、検出開始信号は高電位であり、検出薄膜トランジスタは導通し、第１オペアンプの正入力端子と負入力端子には、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と駆動薄膜トランジスタソース電極の実電圧がそれぞれ印加され、出力端子は駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と実電圧の差値を出力し、
駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム補償段階では、第１スイッチは第１オペアンプの出力端子に接続され、第２オペアンプの正入力端子には、データ信号が印加され、負入力端子は第１オペアンプの出力端子に接続され、出力端子は、データ信号の電圧と第１オペアンプ出力端子の電圧の和を出力し、
表示段階では、ゲート電極駆動信号と検出開始信号は低電位に変化し、スイッチ薄膜トランジスタと検出薄膜トランジスタは遮断され、有機発光ダイオードは、発光して表示する
ことを特徴とする、請求項２に記載のＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システム。
【請求項７】
前記ＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムの作業工程は、工程順に並べると、データ信号入力段階と、データ信号出力段階と、駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム検出段階と、駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム補償段階と、表示段階の５つの段階に分けられ、
前記データ信号入力段階では、制御モジュールがソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールにデータ信号が入力されるのを制御し、ラッチバッファユニットにラッチし、
データ信号出力段階では、前記ゲート電極駆動信号は高電位であり、データ信号は高電位であり、検出開始信号は低電位であり、第１スイッチはグランドに接続され、第２オペアンプの出力端子はデータ信号を出力し、スイッチ薄膜トランジスタは導通し、駆動薄膜トランジスタは導通し、前記駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニットは、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧とデータ信号の関数関係ｆ（ｄａｔａ）に基づいて駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧を計算し取得し、
駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム検出段階では、検出開始信号は高電位であり、検出薄膜トランジスタは導通し、第１オペアンプの正入力端子と負入力端子には、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と駆動薄膜トランジスタソース電極の実電圧がそれぞれ印加され、出力端子は駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と実電圧の差値を出力し、
駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム補償段階では、第１スイッチは第１オペアンプの出力端子に接続され、第２オペアンプの正入力端子には、データ信号が印加され、負入力端子は第１オペアンプの出力端子に接続され、出力端子は、データ信号の電圧と第１オペアンプ出力端子の電圧の和を出力し、
表示段階では、ゲート電極駆動信号と検出開始信号は低電位に変化し、スイッチ薄膜トランジスタと検出薄膜トランジスタは遮断され、有機発光ダイオードは、発光して表示する
ことを特徴とする、請求項５に記載のＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システム。
【請求項８】
前記ＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムの作業工程は、さらに、データ信号入力段階の前に設けられる有機発光ダイオード閾値電圧差検出段階を備え、
前記ゲート電極駆動信号は高電位であり、
データ信号は低電位であり、検出開始信号は高電位であり、
第１スイッチはグランドに接続され、第２スイッチは閉じられ、
駆動薄膜トランジスタは遮断され、検出薄膜トランジスタは導通し、
前記電流検出ユニットは、第２スイッチによって前記検出線と導通し、
電流検出ユニットは、検出線によって有機発光ダイオードに放電し、
電流検出ユニットは、測定された電流値を前記制御モジュールに送信し、
前記制御モジュールは、有機発光ダイオードの閥値電圧偏差値を算出するとともに、メモリモジュールに保存し、
続くデータ信号入力段階では、制御モジュールは、まず有機発光ダイオードの閥値電圧偏差をデータ信号に補償し、さらに補償されたデータ信号をソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールに入力する
ことを特徴とする、請求項６に記載のＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システム。
【請求項９】
前記ＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムの作業工程は、さらに、データ信号入力段階の前に設けられる有機発光ダイオード閾値電圧差検出段階を備え、
前記ゲート電極駆動信号は高電位であり、データ信号は低電位であり、検出開始信号は高電位であり、
第１スイッチはグランドに接続され、第２スイッチは閉じられ、
駆動薄膜トランジスタは遮断され、検出薄膜トランジスタは導通し、
前記電流検出ユニットは、第２スイッチによって前記検出線と導通し、
電流検出ユニットは、検出線によって有機発光ダイオードに放電し、電流検出ユニットは、測定された電流値を前記制御モジュールに送信し、
前記制御モジュールは、有機発光ダイオードの閥値電圧偏差値を算出するとともに、メモリモジュールに保存し、
続くデータ信号入力段階では、制御モジュールは、まず有機発光ダイオードの閥値電圧偏差をデータ信号に補償し、さらに補償されたデータ信号をソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールに入力する
ことを特徴とする、請求項７に記載のＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システム。
【請求項１０】
前記第１スイッチは、低電位の制御下においてグランドに接続され、高電位の制御下において第１オペアンプの出力端子に接続される
ことを特徴とする、請求項６に記載のＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システム。
【請求項１１】
前記第１スイッチは、低電位の制御下においてグランドに接続され、高電位の制御下において第１オペアンプの出力端子に接続される
ことを特徴とする、請求項７に記載のＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システム。
【請求項１２】
マトリックス状に配列される複数の画素単位と、データ線と検出線によって各列画素単位に電気的に接続されるソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールと、各行画素単位に電気的に接続されるゲート電極駆動モジュールと、各列画素単位に電気的に接続される検出開始モジュールと、ソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールと、ゲート電極駆動モジュールと、検出開始モジュールに電気的に接続される制御モジュールと、からなるＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムであって、
前記画素単位は、スイッチ薄膜トランジスタと、駆動薄膜トランジスタと、検出薄膜トランジスタと、有機発光ダイオードを備え、
前記ゲート電極駆動モジュールは、各行画素単位にゲート電極駆動信号を提供するのに用いられ、
前記検出開始モジュールは、各列画素単位に検出開始信号を提供するのに用いられ、
前記ソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールは、ラッチバッファユニットと、駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニットと、第１オペアンプと、第２オペアンプを備え、
前記ラッチバッファユニットは、データ信号を受信し、ラッチし、バッファし、出力するのに用いられ、
前記駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニットは、ラッチバッファユニットに電気的に接続され、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧とデータ信号の関数関係ｆ（ｄａｔａ）に基づいて駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧を計算し取得するのに用いられ、
前記第１オペアンプは、駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニットと画素単位に電気的に接続され、その正入力端子と負入力端子には、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と駆動薄膜トランジスタソース電極の実電圧がそれぞれ印加され、出力端子は、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と実電圧の差値を出力し、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧差をリアルタイムで検出し、
前記第２オペアンプは、ラッチバッファユニットと画素単位に電気的に接続され、その正入力端子には、データ信号が印加され、負入力端子は、第１スイッチによってグランドに接続された後、さらに第１オペアンプの出力端子に接続され、出力端子は、まずデータ信号の電圧を出力した後、さらにデータ信号の電圧と第１オペアンプ出力端子の電圧の和を出力することで、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧差をリアルタイムで補償し、
そのうち、前記スイッチ薄膜トランジスタのゲート電極には、ゲート電極駆動信号が印加され、ソース電極は、データ線によって第２オペアンプの出力端子に電気的に接続され、前記駆動薄膜トランジスタのゲート電極とスイッチ薄膜トランジスタのドレイン電極は電気的に接続され、ドレイン電極は定電圧高電位に接続され、ソース電極はノードに接続され、前記検出薄膜トランジスタのゲート電極には、検出開始信号が印加され、ソース電極はノードに接続され、ドレイン電極は検出線によって第１オペアンプの負入力端子に電気的に接続され、前記有機発光ダイオードのアノードはノードに電気的に接続され、カソードはグランドに接続され、
そのうち、前記画素単位は、メモリキャパシタを備え、前記メモリキャパシタの一端は、駆動薄膜トランジスタのゲート電極に電気的に接続され、他端はノードに電気的に接続され、
そのうち、前記ソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールは、さらに、前記制御モジュールに電気的に接続される電流検出ユニットを備え、前記電流検出ユニットは、第２スイッチによって前記検出線と導通あるいは切断され、
さらに制御モジュールに電気的に接続されるメモリモジュールを備え、前記制御モジュールは、電流検出ユニットが測定した電流値に基づいて有機発光ダイオードの閾値電圧差を計算し、前記メモリモジュールは、前記有機発光ダイオードの閾値電圧差を保存するのに用いられ、
そのうち、前記ＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムの作業工程は、工程順に並べると、データ信号入力段階と、データ信号出力段階と、駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム検出段階と、駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム補償段階と、表示段階の５つの段階に分けられ、
前記データ信号入力段階では、制御モジュールがソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールにデータ信号が入力されるのを制御し、ラッチバッファユニットにラッチし、
データ信号出力段階では、前記ゲート電極駆動信号は高電位であり、データ信号は高電位であり、検出開始信号は低電位であり、第１スイッチはグランドに接続され、第２オペアンプの出力端子はデータ信号を出力し、スイッチ薄膜トランジスタは導通し、駆動薄膜トランジスタは導通し、前記駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニットは、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧とデータ信号の関数関係ｆ（ｄａｔａ）に基づいて駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧を計算し取得し、
駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム検出段階では、検出開始信号は高電位であり、検出薄膜トランジスタは導通し、第１オペアンプの正入力端子と負入力端子には、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と駆動薄膜トランジスタソース電極の実電圧がそれぞれ印加され、出力端子は、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と実電圧の差値を出力し、
駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム補償段階では、第１スイッチは第１オペアンプの出力端子に接続され、第２オペアンプの正入力端子には、データ信号が印加され、負入力端子は、第１オペアンプの出力端子に接続され、出力端子は、データ信号の電圧と第１オペアンプ出力端子の電圧の和を出力し、
表示段階では、ゲート電極駆動信号と検出開始信号は低電位に変化し、スイッチ薄膜トランジスタと検出薄膜トランジスタは遮断され、有機発光ダイオードは、発光して表示する
ことを特徴とする、ＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システム。
【請求項１３】
前記ＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムの作業工程は、さらに、データ信号入力段階の前に設けられる有機発光ダイオード閾値電圧差検出段階を備え、
前記ゲート電極駆動信号は高電位であり、データ信号は低電位であり、検出開始信号は高電位であり、
第１スイッチはグランドに接続され、第２スイッチは閉じられ、駆動薄膜トランジスタは遮断され、検出薄膜トランジスタは導通し、
前記電流検出ユニットは、第２スイッチによって前記検出線と導通し、
電流検出ユニットは、検出線によって有機発光ダイオードに放電し、
電流検出ユニットは、測定された電流値を前記制御モジュールに送信し、
前記制御モジュールは、有機発光ダイオードの閥値電圧偏差値を算出するとともに、メモリモジュールに保存し、
続くデータ信号入力段階では、制御モジュールは、まず有機発光ダイオードの閥値電圧偏差をデータ信号に補償し、さらに補償されたデータ信号をソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールに入力する
ことを特徴とする、請求項１２に記載のＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システム。
【請求項１４】
前記第１スイッチは、低電位の制御下においてグランドに接続され、高電位の制御下において第１オペアンプの出力端子に接続される
ことを特徴とする、請求項１２に記載のＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイの技術分野に関し、特に、ＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ）表示装置は、自発光、駆動電圧が低い、発光效率が高い、応答時間が短い、解像度とコントラストが高い、１８０度に近い視角、使用温度の範囲が広い、フレキシブルディスプレイと大面積全色表示を実現できる等の多くの長所を備え、業界において最も発展の可能性がある表示装置であるとみなされている。
【０００３】
ＯＬＥＤ表示装置は、駆動方式により大きくパッシブマトリクス型ＯＬＥＤ（Ｐａｓｓｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  ＯＬＥＤ、ＰＭＯＬＥＤ）とアクティブマトリクス型ＯＬＥＤ（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  ＯＬＥＤ、ＡＭＯＬＥＤ）の２つに、つまり直接アドレッシングと薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）マトリックスアドレッシングの２種類に分類される。そのうち、ＡＭＯＬＥＤは、アレイ状に配置された画素を備え、アクティブ表示型に属し、発光性能に優れ、通常解像度の高い大型の表示装置に用いられる。駆動有機発光ダイオードの薄膜トランジスタ及び有機発光ダイオード自体どちらにも閾値電圧差が存在するため、ＡＭＯＬＥＤ表示装置は、通常補償システムを設けて補償する必要がある。
【０００４】
図１は、従来のＡＭＯＬＥＤ補償システムの構造を示した図であり、マトリックス状に配列される複数の画素単位１０と、各画素単位１０に電気的に接続されるソース電極駆動モジュール２０と、各画素単位１０に電気的に接続されるゲート電極駆動モジュール３０と、各画素単位１０に電気的に接続される検出開始モジュール４０と、各画素単位１０に電気的に接続される検出モジュール５０と、ソース電極駆動モジュール２０と、ゲート電極駆動モジュール３０と、検出開始モジュール４０と、検出モジュール５０に電気的に接続される制御モジュール６０と、制御モジュール６０に電気的に接続されるメモリモジュール７０と、からなる。図２は、図１における１つの画素単位１０の回路図である。前記画素単位１０は、第１ＴＦＴ  Ｔ１０と、第２ＴＦＴ  Ｔ２０と、第３ＴＦＴ  Ｔ３０と、コンデンサＣ１０と、有機発光ダイオードＤ１０を備える。前記第１ＴＦＴ  Ｔ１０のゲート電極には、ゲート電極駆動モジュール３０が提供するゲート電極駆動信号ＷＲが印加され、ソース電極には、ソース電極駆動モジュール２０が提供するデータ信号ｄａｔａが印加される。前記第２ＴＦＴ  Ｔ２０のゲート電極と第１ＴＦＴ  Ｔ１０のドレイン電極は電気的に接続され、ドレイン電極は定電圧高電位Ｖｄｄに接続され、ソース電極はノードＡ１０に接続される。前記第３ＴＦＴ  Ｔ３０のゲート電極には、検出開始モジュール４０が提供する検出開始信号ＲＤが印加され、ソース電極はノードＡ１０に接続され、ドレイン電極は送り配線Ｌによって検出モジュール５０に接続される。有機発光ダイオードＤ１０のアノードはノードＡ１０に接続され、カソードはグランドに接続される。前記コンデンサＣ１０の一端は第２ＴＦＴ  Ｔ２０のゲート電極に電気的に接続され、他端はノードＡ１０に電気的に接続される。
【０００５】
図１と図２を同時に参照する。前記従来のＡＭＯＬＥＤ補償システムの作業工程は、ＴＦＴ検出と、有機発光ダイオード検出と、表示階段と、からなる。ＴＦＴ検出の過程は、ゲート電極駆動モジュール３０によってゲート電極駆動信号ＷＲを大きくして第１ＴＦＴ  Ｔ１０を導通させ、ソース電極駆動モジュール２０は、高電位のデータ信号ｄａｔａを第２ＴＦＴ  Ｔ２０に出力し、第２ＴＦＴ  Ｔ２０は導通する。検出開始モジュール４０は検出開始信号ＲＤを大きく設定し、第３ＴＦＴ  Ｔ３０は導通し、電流は送り配線Ｌによって検出モジュール５０に流入される。前記検出モジュール５０は測定された電流値を制御モジュール６０に送信する。制御モジュール６０は、第２ＴＦＴ  Ｔ２０の閥値電圧偏差値を算出するとともに、メモリモジュール７０に保存する。有機発光ダイオード検出の過程は、ゲート電極駆動モジュール３０によってゲート電極駆動信号ＷＲを大きくし、第１ＴＦＴ  Ｔ１０は導通し、ソース電極駆動モジュール２０は、低電位のデータ信号ｄａｔａを第２ＴＦＴ  Ｔ２０に出力し、第２ＴＦＴ  Ｔ２０は遮断される。検出開始モジュール４０は、検出開始信号ＲＤを大きく設定し、第３ＴＦＴ  Ｔ３０は導通し、検出モジュール５０は、送り配線Ｌによって有機発光ダイオードＤ１０に放電する。検出モジュール５０は、この時測定された電流値を制御モジュール６０に送信する。制御モジュール６０は、有機発光ダイオードＤ１０の閥値電圧偏差値を算出するとともに、メモリモジュール７０に保存する。表示階段では、データ信号ｄａｔａは制御モジュール６０に入力され、前記制御モジュール６０は、メモリモジュール７０に保存されたＴＦＴ  Ｔ２０の閥値電圧偏差値と有機発光ダイオードＤ１０の閥値電圧偏差値に基づいてデータ信号ｄａｔａを補償した後、さらにＡＭＯＬＥＤパネル上に表示する。
【０００６】
上述の従来のＡＭＯＬＥＤ補償システムでは、補償後のデータ信号ｄａｔａがソース電極駆動モジュール２０を通じて出力され、０グレースケールと２５５グレースケールのデータ信号を効果的に補償することができないとともに、各画素単位をリアルタイムで測定したり、リアルタイムで補償したりすることができない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、全てのグレースケールのデータ信号を効果的に補償することができ、さらに、各画素単位をリアルタイムで測定し、リアルタイムで補償することのできるＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の目的を実現するため、本発明が提供するＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムは、マトリックス状に配列される複数の画素単位と、データ線と検出線によって各列画素単位に電気的に接続されるソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールと、各行画素単位に電気的に接続されるゲート電極駆動モジュールと、各列画素単位に電気的に接続される検出開始モジュールと、ソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールと、ゲート電極駆動モジュールと、検出開始モジュールに電気的に接続される制御モジュールと、からなる。
【０００９】
前記画素単位は、スイッチ薄膜トランジスタと、駆動薄膜トランジスタと、検出薄膜トランジスタと、有機発光ダイオードを備える。
【００１０】
前記ゲート電極駆動モジュールは、各行画素単位にゲート電極駆動信号を提供するのに用いられる。
【００１１】
前記検出開始モジュールは、各列画素単位に検出開始信号を提供するのに用いられる。
【００１２】
前記ソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールは、ラッチバッファユニットと、駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニットと、第１オペアンプと、第２オペアンプを備える。前記ラッチバッファユニットは、データ信号を受信し、ラッチし、バッファし、出力するのに用いられる。前記駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニットは、ラッチバッファユニットに電気的に接続され、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧とデータ信号の関数関係ｆ（ｄａｔａ）に基づいて駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧を計算し取得するのに用いられる。前記第１オペアンプは、駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニットと画素単位に電気的に接続され、その正入力端子と負入力端子には、それぞれ駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と駆動薄膜トランジスタソース電極の実電圧が印加され、出力端子は、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と実電圧の差値を出力し、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧差をリアルタイムで検出する。前記第２オペアンプは、ラッチバッファユニットと画素単位に電気的に接続され、その正入力端子には、データ信号が印加され、負入力端子は、第１スイッチによってグランドに接続された後、さらに第１オペアンプの出力端子に接続される。出力端子は、まずデータ信号の電圧を出力した後、さらにデータ信号の電圧と第１オペアンプ出力端子の電圧の和を出力することで、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧差をリアルタイムで補償する。
【００１３】
前記スイッチ薄膜トランジスタのゲート電極には、ゲート電極駆動信号が印加され、ソース電極は、データ線によって第２オペアンプの出力端子に電気的に接続される。前記駆動薄膜トランジスタのゲート電極とスイッチ薄膜トランジスタのドレイン電極は、電気的に接続され、ドレイン電極は定電圧高電位に接続され、ソース電極はノードに接続される。前記検出薄膜トランジスタのゲート電極には、検出開始信号が印加され、ソース電極はノードに接続され、ドレイン電極は検出線によって第１オペアンプの負入力端子に電気的に接続される。前記有機発光ダイオードのアノードは、ノードに電気的に接続され、カソードはグランドに接続される。
【００１４】
前記画素単位は、メモリキャパシタを備え、前記メモリキャパシタの一端は、駆動薄膜トランジスタのゲート電極に電気的に接続され、他端はノードに電気的に接続される。
【００１５】
前記ソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールは、さらに、前記制御モジュールに電気的に接続される電流検出ユニットを備え、前記電流検出ユニットは、第２スイッチによって前記検出線と導通あるいは切断される。
【００１６】
前記ＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムは、さらに、制御モジュールに電気的に接続されるメモリモジュールを備え、前記制御モジュールは、電流検出ユニットが測定した電流値に基づいて有機発光ダイオードの閾値電圧差を計算する。前記メモリモジュールは、前記有機発光ダイオードの閾値電圧差を保存するのに用いられる。
【００１７】
前記ＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムの作業工程は、工程順に並べると、データ信号入力段階と、データ信号出力段階と、駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム検出段階と、駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム補償段階と、表示段階の５つの段階に分けられる。
【００１８】
前記データ信号入力段階では、制御モジュールがソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールにデータ信号が入力されるのを制御し、ラッチバッファユニットにラッチする。
【００１９】
前記データ信号出力段階では、前記ゲート電極駆動信号は高電位であり、データ信号は高電位であり、検出開始信号は低電位であり、第１スイッチはグランドに接続され、第２オペアンプの出力端子はデータ信号を出力し、スイッチ薄膜トランジスタは導通し、駆動薄膜トランジスタは導通する。前記駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニットは、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧とデータ信号の関数関係ｆ（ｄａｔａ）に基づいて駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧を計算し取得する。
【００２０】
前記駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム検出段階では、検出開始信号は高電位であり、検出薄膜トランジスタは導通し、第１オペアンプの正入力端子と負入力端子には、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と駆動薄膜トランジスタソース電極の実電圧がそれぞれ印加され、出力端子は駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と実電圧の差値を出力する。
【００２１】
前記駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム補償段階では、第１スイッチは第１オペアンプの出力端子に接続され、第２オペアンプの正入力端子には、データ信号が印加され、負入力端子は第１オペアンプの出力端子に接続され、出力端子は、データ信号の電圧と第１オペアンプ出力端子の電圧の和を出力する。
【００２２】
前記表示段階では、ゲート電極駆動信号と検出開始信号は低電位に変化し、スイッチ薄膜トランジスタと検出薄膜トランジスタは遮断され、有機発光ダイオードは、発光して表示する。
【００２３】
前記ＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムの作業工程は、さらに、データ信号入力段階の前に設けられる有機発光ダイオード閾値電圧差検出段階を備える。前記ゲート電極駆動信号は高電位であり、データ信号は低電位であり、検出開始信号は高電位である。第１スイッチはグランドに接続され、第２スイッチは閉じられ、駆動薄膜トランジスタは遮断され、検出薄膜トランジスタは導通する。前記電流検出ユニットは、第２スイッチによって前記検出線と導通し、電流検出ユニットは、検出線によって有機発光ダイオードに放電し、電流検出ユニットは、測定された電流値を前記制御モジュールに送信し、前記制御モジュールは、有機発光ダイオードの閥値電圧偏差値を算出するとともに、メモリモジュールに保存する。
【００２４】
続くデータ信号入力段階では、制御モジュールは、まず有機発光ダイオードの閥値電圧偏差をデータ信号に補償し、さらに、補償されたデータ信号をソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールに入力する。
【００２５】
前記第１スイッチは、低電位の制御下においてグランドに接続され、高電位の制御下において第１オペアンプの出力端子に接続される。
【００２６】
本発明がさらに提供するＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムは、マトリックス状に配列される複数の画素単位と、データ線と検出線によって各列画素単位に電気的に接続されるソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールと、各行画素単位に電気的に接続されるゲート電極駆動モジュールと、各列画素単位に電気的に接続される検出開始モジュールと、ソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールと、ゲート電極駆動モジュールと、検出開始モジュールに電気的に接続される制御モジュールと、からなる。
【００２７】
前記画素単位は、スイッチ薄膜トランジスタと、駆動薄膜トランジスタと、検出薄膜トランジスタと、有機発光ダイオードを備える。
【００２８】
前記ゲート電極駆動モジュールは、各行画素単位にゲート電極駆動信号を提供するのに用いられる。
【００２９】
前記検出開始モジュールは、各列画素単位に検出開始信号を提供するのに用いられる。
【００３０】
前記ソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールは、ラッチバッファユニットと、駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニットと、第１オペアンプと、第２オペアンプを備える。前記ラッチバッファユニットは、データ信号を受信し、ラッチし、バッファし、出力するのに用いられる。前記駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニットは、ラッチバッファユニットに電気的に接続され、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧とデータ信号の関数関係ｆ（ｄａｔａ）に基づいて駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧を計算し取得するのに用いられる。前記第１オペアンプは、駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニットと画素単位に電気的に接続され、その正入力端子と負入力端子には、それぞれ駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と駆動薄膜トランジスタソース電極の実電圧が印加され、出力端子は、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と実電圧の差値を出力し、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧差をリアルタイムで検出する。前記第２オペアンプは、ラッチバッファユニットと画素単位に電気的に接続され、その正入力端子には、データ信号が印加され、負入力端子は、第１スイッチによってグランドに接続された後、さらに第１オペアンプの出力端子に接続される。出力端子は、まずデータ信号の電圧を出力した後、さらにデータ信号の電圧と第１オペアンプ出力端子の電圧の和を出力することで、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧差をリアルタイムで補償する。
【００３１】
そのうち、前記スイッチ薄膜トランジスタのゲート電極には、ゲート電極駆動信号が印加され、ソース電極は、データ線によって第２オペアンプの出力端子に電気的に接続される。前記駆動薄膜トランジスタのゲート電極とスイッチ薄膜トランジスタのドレイン電極は、電気的に接続され、ドレイン電極は定電圧高電位に接続され、ソース電極はノードに接続される。前記検出薄膜トランジスタのゲート電極には、検出開始信号が印加され、ソース電極はノードに接続され、ドレイン電極は検出線によって第１オペアンプの負入力端子に電気的に接続される。前記有機発光ダイオードのアノードは、ノードに電気的に接続され、カソードはグランドに接続される。
【００３２】
そのうち、前記画素単位は、メモリキャパシタを備え、前記メモリキャパシタの一端は、駆動薄膜トランジスタのゲート電極に電気的に接続され、他端はノードに電気的に接続される。
【００３３】
そのうち、前記ソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールは、さらに、前記制御モジュールに電気的に接続される電流検出ユニットを備え、前記電流検出ユニットは、第２スイッチによって前記検出線と導通あるいは切断される。
【００３４】
前記ＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムは、さらに、制御モジュールに電気的に接続されたメモリモジュールを備える。前記制御モジュールは、電流検出ユニットが測定した電流値に基づいて有機発光ダイオードの閾値電圧差を計算し、前記メモリモジュールは、前記有機発光ダイオードの閾値電圧差を保存するのに用いられる。
【００３５】
そのうち、前記ＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムの作業工程は、工程順に並べると、データ信号入力段階と、データ信号出力段階と、駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム検出段階と、駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム補償段階と、表示段階の５つの段階に分けられる。
【００３６】
前記データ信号入力段階では、制御モジュールがソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールにデータ信号が入力されるのを制御し、ラッチバッファユニットにラッチする。
【００３７】
前記データ信号出力段階では、前記ゲート電極駆動信号は高電位であり、データ信号は高電位であり、検出開始信号は低電位であり、第１スイッチはグランドに接続され、第２オペアンプの出力端子はデータ信号を出力し、スイッチ薄膜トランジスタは導通し、駆動薄膜トランジスタは導通する。前記駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニットは、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧とデータ信号の関数関係ｆ（ｄａｔａ）に基づいて駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧を計算し取得する。
【００３８】
前記駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム検出段階では、検出開始信号は高電位であり、検出薄膜トランジスタは導通し、第１オペアンプの正入力端子と負入力端子には、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と駆動薄膜トランジスタソース電極の実電圧がそれぞれ印加され、出力端子は駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と実電圧の差値を出力する。
【００３９】
前記駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム補償段階では、第１スイッチは第１オペアンプの出力端子に接続され、第２オペアンプの正入力端子には、データ信号が印加され、負入力端子は第１オペアンプの出力端子に接続され、出力端子は、データ信号の電圧と第１オペアンプ出力端子の電圧の和を出力する。
【００４０】
前記表示段階では、ゲート電極駆動信号と検出開始信号は低電位に変化し、スイッチ薄膜トランジスタと検出薄膜トランジスタは遮断され、有機発光ダイオードは、発光して表示する。
【発明の効果】
【００４１】
本発明が提供するＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムは、ソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールと、からなり、その内部には第１オペアンプと、第２オペアンプが設けられる。前記第１オペアンプの正入力端子と負入力端子には、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と駆動薄膜トランジスタソース電極の実電圧がそれぞれ印加され、出力端子は駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と実電圧の差値を出力し、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧差をリアルタイムで検出した後、第２オペアンプは、第１オペアンプの出力端子が出力する駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と実電圧の差値をデータ信号の電圧上に累加し、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧差をリアルタイムで補償することで、各画素単位をリアルタイムで測定し、リアルタイムで補償することができるとともに、全てのグレースケールのデータ信号を効果的に補償することができる。
【００４２】
本発明の特徴及び技術内容をさらに分かりやすくするため、以下に本発明に関する詳しい説明と図を参照する。しかしながら、図は参考と説明のためにのみ提供するものであって、本発明に制限を加えるためのものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
以下に図と組み合わせて、本発明の具体的な実施方法を詳述することによって、本発明の技術案及びその他の有利な効果をさらに明らかにする。
【図１】従来のＡＭＯＬＥＤ補償システムのチャート図である。
【図２】図１における１つの画素単位の回路図である。
【図３】本発明のＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムのチャート図である。
【図４】図３におけるソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールと画素単位の回路図である。
【図５】本発明のＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムにおけるデータ信号出力段階と、駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム検出段階と、駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム補償段階と、表示段階のタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
本発明が採用した技術手段及びその効果をさらに詳しく説明するため、以下に本発明の好ましい実施例及び図を添えて詳細する。
【００４５】
図３と図４を同時に参照する。本発明が提供するＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムは、マトリックス状に配列される複数の画素単位１と、データ線１１と検出線１２によって各列画素単位１に電気的に接続されるソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュール２と、各行画素単位１に電気的に接続されるゲート電極駆動モジュール３と、各列画素単位１に電気的に接続される検出開始モジュール４と、ソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュール２と、ゲート電極駆動モジュール３と、検出開始モジュール４に電気的に接続される制御モジュール５と、からなる。
【００４６】
具体的には、前記ゲート電極駆動モジュール３は、各行画素単位１にゲート電極駆動信号ＷＲを提供するのに用いられる。
【００４７】
前記検出開始モジュール４は、各列画素単位１に検出開始信号ＲＤを提供するのに用いられる。
【００４８】
前記画素単位１は、スイッチ薄膜トランジスタＴ１と、駆動薄膜トランジスタＴ２と、検出薄膜トランジスタＴ３と、有機発光ダイオードＤと、メモリキャパシタＣを備える。前記スイッチ薄膜トランジスタＴ１のゲート電極には、ゲート電極駆動信号ＷＲが印加され、ソース電極は、データ線１１によって第２オペアンプＹ２の出力端子に電気的に接続される。前記駆動薄膜トランジスタＴ２のゲート電極とスイッチ薄膜トランジスタＴ１のドレイン電極は電気的に接続され、ドレイン電極は定電圧高電位Ｖｄｄに接続され、ソース電極はノードＡに接続される。前記検出薄膜トランジスタＴ３のゲート電極には、検出開始信号ＲＤが印加され、ソース電極はノードＡに接続され、ドレイン電極は、検出線１２によって第１オペアンプＹ１の負入力端子に電気的に接続される。前記有機発光ダイオードＤのアノードは、ノードＡに電気的に接続され、カソードはグランドに接続される。前記メモリキャパシタＣの一端は、駆動薄膜トランジスタＴ２のゲート電極に電気的に接続され、他端はノードＡに電気的に接続される。
【００４９】
重要な点として、前記ソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュール２は、ラッチバッファユニット２１と、駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニット２２と、第１オペアンプＹ１と、第２オペアンプＹ２を備える。
【００５０】
前記ラッチバッファユニット２１は、データ信号ｄａｔａを受信し、ラッチし、バッファし、出力するのに用いられる。
【００５１】
前記駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニット２２は、ラッチバッファユニット２１に電気的に接続され、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧とデータ信号ｄａｔａの関数関係ｆ（ｄａｔａ）に基づいて駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧、つまりノードＡの目標電圧を計算し取得するのに用いられる。ｆ（ｄａｔａ）は、本分野の技術者が相応の既知関数の中から選ぶことができる。
【００５２】
前記第１オペアンプＹ１は、駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニット２２と画素単位１に電気的に接続される。その正入力端子と負入力端子には、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と駆動薄膜トランジスタソース電極の実電圧がそれぞれ印加され、出力端子は、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と実電圧の差値ΔＶ、つまりノードＡの目標電圧と実電圧の差値ΔＶを出力し、駆動薄膜トランジスタＴ２の閾値電圧差をリアルタイムで検出する。
【００５３】
前記第２オペアンプＹ２は、ラッチバッファユニット２１と画素単位１に電気的に接続され、その正入力端子にはデータ信号ｄａｔａが印加され、負入力端子は、第１スイッチＳ１によってまずグランドに接続されてから、さらに第１オペアンプＹ１の出力端子に接続される。出力端子は、まずデータ信号ｄａｔａの電圧を出力してから、さらにデータ信号ｄａｔａの電圧を加えて第１オペアンプＹ１が出力する駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と実電圧の差値ΔＶの和を出力することで、駆動薄膜トランジスタＴ２の閾値電圧差をリアルタイムで補償する。
【００５４】
以下に例を挙げて説明する。データ信号ｄａｔａは、駆動薄膜トランジスタＴ２のゲート電極に入力され、駆動薄膜トランジスタＴ２の実閾値電圧と理想の閾値電圧の差が０．１Ｖである場合、反映される駆動薄膜トランジスタＴ２ソース電極の目標電圧と駆動薄膜トランジスタＴ２ソース電極の実電圧の差値ΔＶも０．１Ｖ、つまりノードＡの目標電圧と実電圧の差値ΔＶも０．１Ｖである。第１オペアンプの出力端子は、前記０．１Ｖの電圧差値を出力し、その後、第２オペアンプは、前記０．１Ｖの電圧差値をデータ信号ｄａｔａの電圧上に累加する。駆動薄膜トランジスタＴ２のソース電極の電圧、つまりノードＡの電圧は、対応して約０．１Ｖ上げられ、駆動薄膜トランジスタＴ２の閾値電圧差が補償される。
【００５５】
有機発光ダイオードＤが一定期間使用されて老朽化すると、その閾値電圧は比較的安定し、有機発光ダイオードの閾値電圧差を補償する必要がなくなるという状況を考慮に入れると、上述のＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムは、各画素単位をリアルタイムで測定し、リアルタイムで補償する效果をすでに達成しているとともに、ノードＡの電圧値とデータ信号ｄａｔａも関数関係を備えることにより、データ信号ｄａｔａのグレースケール値の大きさにかかわらず、いずれも対応するＡ点電圧を備える、つまり前記ＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムは、全てのグレースケールのデータ信号を効果的に補償することができる。
【００５６】
さらに、図３、図４、図５を組み合わせると、前記ＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムの作業工程は、工程順に並べると、データ信号入力段階と、データ信号出力段階と、駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム検出段階と、駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム補償段階と、表示段階の５つの段階に分けられる。
【００５７】
前記データ信号入力段階では、制御モジュール５が、ソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュール２にデータ信号が入力されるのを制御し、ラッチバッファユニット２１にラッチする。
【００５８】
前記データ信号出力段階では、前記ゲート電極駆動信号ＷＲは高電位であり、データ信号ｄａｔａは高電位であり、検出開始信号ＲＤは低電位である。第１スイッチＳ１は、低電位の制御下においてグランドに接続され、第２オペアンプＹ２の出力端子はデータ信号ｄａｔａを出力し、スイッチ薄膜トランジスタＴ１は導通し、駆動薄膜トランジスタＴ２は導通する。前記駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニット２２は、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧とデータ信号ｄａｔａの関数関係ｆ（ｄａｔａ）に基づいて駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧を計算し取得する。
【００５９】
前記駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム検出段階では、検出開始信号ＲＤは高電位であり、検出薄膜トランジスタＴ３は導通し、第１オペアンプＹ１の正入力端子と負入力端子には、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と駆動薄膜トランジスタソース電極の実電圧がそれぞれ印加され、出力端子は駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と実電圧の差値ΔＶを出力する。
【００６０】
前記駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム補償段階では、第１スイッチＳ１は、高電位の制御下において第１オペアンプＹ１の出力端子に接続され、第２オペアンプＹ２の正入力端子には、データ信号ｄａｔａが印加され、負入力端子は第１オペアンプＹ１の出力端子に接続され、出力端子は、データ信号ｄａｔａの電圧と第１オペアンプＹ１の出力端子の電圧の和を出力する。
【００６１】
前記表示段階では、ゲート電極駆動信号ＷＲと検出開始信号ＲＤは低電位に変化し、スイッチ薄膜トランジスタＴ１と検出薄膜トランジスタＴ３は遮断され、有機発光ダイオードＤは発光して表示する。
【００６２】
使用時間が比較的短いＡＭＯＬＥＤ表示装置については、有機発光ダイオードの閾値電圧差を補償する必要がある。従って本発明のＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムには、さらに、制御モジュール５に電気的に接続されるメモリモジュール６が設けられ、前記ソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュール２内には、さらに、前記制御モジュール５に電気的に接続される電流検出ユニット２３が設けられる。前記電流検出ユニット２３は、第２スイッチＳ２と前記検出線１２によって導通あるいは切断される。前記制御モジュール５は、電流検出ユニット２３によって測定された電流値に基づいて有機発光ダイオードＤの閾値電圧差を計算し、前記メモリモジュール６は、前記有機発光ダイオードＤの閾値電圧差を保存するのに用いられる。
【００６３】
対応して、前記ＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムの作業工程には、データ信号入力段階の前に有機発光ダイオード閾値電圧差検出段階を追加する必要がある。前記ゲート電極駆動信号ＷＲは高電位であり、データ信号ｄａｔａは低電位であり、検出開始信号ＲＤは高電位である。第１スイッチＳ１はグランドに接続され、第２スイッチＳ２は閉じられ、駆動薄膜トランジスタＴ２は遮断され、検出薄膜トランジスタＴ３は導通する。前記電流検出ユニット２３は、第２スイッチＳ２と前記検出線１２によって導通し、電流検出ユニット２３は、検出線１２によって有機発光ダイオードＤに放電する。電流検出ユニット２３は、測定された電流値を前記制御モジュール５に送信し、前記制御モジュール５は、有機発光ダイオードＤの閥値電圧偏差値を算出するとともに、メモリモジュール６に保存する。
【００６４】
続くデータ信号入力段階では、制御モジュール５は、まず有機発光ダイオードＤの閥値電圧偏差をデータ信号に補償し、さらに補償されたデータ信号をソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュール２に入力する。
【００６５】
さらに続くデータ信号出力段階、駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム検出段階、駆動薄膜トランジスタ閾値電圧差リアルタイム補償段階、表示段階は、全て順序通り行われるため、ここで繰り返し説明することはしない。
【００６６】
要約すると、本発明が提供するＡＭＯＬＥＤリアルタイム補償システムには、ソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュールが設けられ、その内部には第１オペアンプと、第２オペアンプが設けられる。前記第１オペアンプの正入力端子と負入力端子には、駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と駆動薄膜トランジスタソース電極の実電圧がそれぞれ印加され、出力端子は駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と実電圧の差値を出力し、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧差をリアルタイムで検出した後、第２オペアンプは、第１オペアンプの出力端子が出力する駆動薄膜トランジスタソース電極の目標電圧と実電圧の差値をデータ信号の電圧上に累加し、駆動薄膜トランジスタの閾値電圧差をリアルタイムで補償することで、各画素単位をリアルタイムで測定し、リアルタイムで補償することができるとともに、全てのグレースケールのデータ信号を効果的に補償することができる。
【００６７】
上述は、本分野の一般の技術者からすると、本発明の技術の解決策と技術構想に基づいてその他の各種対応する変化や変形を作り出すことができるため、これら全ての変化や変形は全て本発明の特許請求範囲に属するものとする。
【符号の説明】
【００６８】
１０、１  画素単位
２０  ソース電極駆動モジュール
３０、３  ゲート電極駆動モジュール
４０、４  検出開始モジュール
５０  検出モジュール
６０、５  制御モジュール
７０、６  メモリモジュール
Ｔ１０  第１ＴＦＴ
Ｔ２０  第２ＴＦＴ
Ｔ３０  第３ＴＦＴ
Ｃ１０  コンデンサ
ＷＲ  ゲート電極駆動信号
ｄａｔａ  データ信号
Ｖｄｄ  定電圧高電位
Ａ１０、Ａ  ノード
ＲＤ  検出開始信号
Ｌ  送り配線
Ｄ１０、Ｄ  有機発光ダイオード
１１  データ線
１２  検出線
２  ソース電極駆動且つリアルタイム検出補償集積モジュール
Ｔ１  スイッチ薄膜トランジスタ
Ｔ２  駆動薄膜トランジスタ
Ｔ３  検出薄膜トランジスタ
Ｃ  メモリキャパシタ
Ｙ１  第１オペアンプ
Ｙ２  第２オペアンプ
２１  ラッチバッファユニット
２２  駆動薄膜トランジスタソース電極目標電圧取得ユニット
Ｓ１  第１スイッチ
Ｓ２  第２スイッチ
２３  電流検出ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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