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【手続補正書】
【提出日】平成26年3月25日(2014.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＥＬ表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＬ素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量と、を有する画素を複数有し、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記ＥＬ素子と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記容量は、前記容量の一方の端子として機能する第１の導電膜を有し、
前記第１の導電膜と、前記第１のトランジスタのゲートとは、同一の導電膜をエッチングする工程を経て形成されたものであり、
前記第３の配線は、前記第１の導電膜と重なる領域を有することを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項２】
ＥＬ素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量と、を有する画素を複数有し、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記ＥＬ素子と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記容量は、前記容量の一方の端子として機能する第１の導電膜を有し、
前記第１の導電膜と、前記第１のトランジスタのゲートとは、同一の導電膜をエッチングする工程を経て形成されたものであり、
前記第１の配線は第１の方向にのびており、
前記第２の配線は前記第１の方向と交わる第２の方向にのびており、
前記第３の配線は、前記第１の方向にのびる第１の部分と、前記第２の方向にのびる第２の部分と、を有し、
前記第３の配線の前記第２の部分は、前記第１の導電膜と重なる領域を有することを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項３】
ＥＬ素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量と、を有する画素を複数有し、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記ＥＬ素子と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記容量は、前記容量の一方の端子として機能する第１の導電膜を有し、
前記第１の導電膜上に第１の絶縁膜を有し、
前記第１の導電膜と、前記第１のトランジスタのゲートとは、同一の導電膜をエッチングする工程を経て形成されたものであり、
前記第１の配線は第１の方向にのびており、
前記第２の配線は前記第１の方向と交わる第２の方向にのびており、
前記第３の配線は、前記第１の方向にのびる第１の部分と、前記第２の方向にのびる第２の部分と、を有し、
前記第３の配線の前記第２の部分は、前記第１の絶縁膜上に位置し、
前記第３の配線の前記第２の部分は、前記第１の絶縁膜を間に挟んで、前記第１の導電膜と重なる領域を有することを特徴とするＥＬ表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月1日(2014.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークに接続されたクライアント端末からの経路検索要求を受信して、その要求に応じた経路検索を実行して前記クライアント端末にその乗り換え案内を送信する経路検索システムであって、
少なくとも前記経路検索要求の検索条件のログ情報を記憶するログ情報記憶手段と、
前記ログ情報から作成した乗り換え案内結果の駅利用状況から混雑度を予測する混雑度予測手段と、
を有する経路検索システムを用いた混雑度予測装置。
【請求項２】
前記乗り換え案内に前記混雑度を示すメッセージを付加することを特徴とする請求項１に記載の経路検索システムを用いた混雑度予測装置。
【請求項３】
前記ログ情報記憶手段を含む第１のサーバ装置と、
前記混雑度予測手段を含む第２のサーバ装置と、
を有し、
前記第２のサーバ装置とは別に、前記ログ情報から乗り換え案内を作成する第３のサーバを有する請求項１に記載の経路検索システムを用いた混雑度予測装置。
【請求項４】
ネットワークに接続されたクライアント端末からの経路検索要求を受信して、その要求に応じた経路検索を実行して前記クライアント端末にその乗り換え案内を送信する経路検索システムであって、
少なくとも前記経路検索要求の検索条件および前記乗り換え案内のログ情報を記憶するログ情報記憶手段と、
前記ログ情報から作成した乗り換え案内結果の駅利用状況から混雑度を予測する混雑度予測手段と、
を有する経路検索システムを用いた混雑度予測装置。
【請求項５】
前記駅間利用状況データは、所定時間単位に、経路検索ルート間の駅毎に検索回数をカウントした値を示していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の経路検索システムを用いた混雑度予測装置。
【請求項６】
前記混雑度を示すメッセージは、検索対象日の駅間利用状況データと過去の同一曜日又は同一日の駅間利用状況データと比較することで判断したものであることを特徴とする請求項１又は４に記載の経路検索システムを用いた混雑度予測装置。
【請求項７】
前記混雑度を示すメッセージは、検索対象日の駅間利用状況データと過去の所定期間の駅間利用状況データの平均値とを比較することで判断したものであることを特徴とする請求項１又は４に記載の経路検索システムを用いた混雑度予測装置。
【請求項８】
ネットワークに接続されたクライアント端末からの経路検索要求を受信して、その要求に応じた経路検索を実行して前記クライアント端末にその乗り換え案内を送信する経路検索システムであって、少なくとも前記経路検索要求の検索条件のログ情報を記憶するログ情報記憶手段に接続されるサーバに搭載され、
少なくとも前記経路検索要求の検索条件のログ情報を受信する機能と、
前記ログ情報から乗り換え案内を作成し、作成した乗り換え案内結果の駅利用状況から混雑度を予測する機能と、
をサーバコンピュータに実現する混雑度予測プログラム。
【請求項９】
ネットワークに接続されたクライアント端末からの経路検索要求を受信して、その要求に応じた経路検索を実行して前記クライアント端末にその乗り換え案内を送信する経路検索システムであって、少なくとも前記経路検索要求の検索条件および前記乗り換え案内のログ情報を記憶するログ情報記憶手段に接続されるサーバに搭載され、
少なくとも前記経路検索要求の検索条件および前記乗り換え案内のログ情報を受信する機能と、
前記ログ情報の乗り換え案内結果の駅利用状況から混雑度を予測する機能と、
をサーバコンピュータに実現する混雑度予測プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本実施形態の経路検索システムを用いた混雑度予測装置は、ネットワークに接続されたクライアント端末からの経路検索要求を受信して、その要求に応じた経路検索を実行して前記クライアント端末にその乗り換え案内を送信する経路検索システムであって、少なくとも前記経路検索要求の検索条件のログ情報を記憶するログ情報記憶手段と、前記ログ情報から作成した乗り換え案内結果の駅利用状況から混雑度を予測する混雑度予測手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本実施形態の混雑度予測プログラムは、ネットワークに接続されたクライアント端末からの経路検索要求を受信して、その要求に応じた経路検索を実行して前記クライアント端末にその乗り換え案内を送信する経路検索システムであって、少なくとも前記経路検索要求の検索条件のログ情報を記憶するログ情報記憶手段に接続されるサーバに搭載され、少なくとも前記経路検索要求の検索条件のログ情報を受信する機能と、前記ログ情報から乗り換え案内を作成し、作成した乗り換え案内結果の駅利用状況から混雑度を予測する機能と、をサーバコンピュータに実現することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月19日(2013.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層及び第２の導電層を有し、
前記第１の導電層上方及び前記第２の導電層上方に、第１の絶縁膜を有し、
前記第１の絶縁膜上方に、半導体膜を有し、
前記半導体膜上方に、第２の絶縁膜を有し、
前記第２の絶縁膜上方に、第３の導電層と、第４の導電層と、を有し、
トランジスタは、前記第１の導電層と、前記第１の絶縁膜と、前記半導体膜と、を有し、
前記第１の導電層は、前記トランジスタのゲート電極となる機能を有し、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４の導電層を介して、前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第１の導電層は、前記第３の導電層と電気的に接続され、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、前記第３の導電層と重なる領域を有し、
前記第３の導電層は、光を遮ることができる機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、第１の導電膜をエッチング加工する工程を経て形成されたものであり、
前記第３の導電層及び前記第４の導電層は、第２の導電膜をエッチング加工する工程を経て形成されたものであることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月18日(2013.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電力を交流電力に変換して一対の線路に前記交流電力を供給するインバータ回路と
、
前記一対の線路と商用電力系統とを接続する第一の系統連系用リレーと第二の系統連系
用リレーと、
前記インバータ回路、前記第一の系統連系用リレー、及び前記第二の系統連系用リレー
の動作の制御を行う制御回路と、を備えた系統連系装置において、
前記一対の線路の内一方の線路に前記第一の系統連系用リレーが配置され、
前記一対の線路の内他方の線路に前記第二の系統連系用リレーが配置され、
前記第一の系統連系用リレーの前記インバータ回路側と前記第二の系統連系用リレーの
前記商用電力系統側との電位差を検出する第一電位差検出回路と、
前記第一の系統連系用リレーの前記商用電力系統側と前記第二の系統連系用リレーの前
記インバータ回路側との電位差を検出する第二電位差検出回路と、を備え、
前記商用電力系統が停電している場合に、前記制御回路は、前記インバータ回路から前
記一対の線路に電圧を印加させた際に、該電圧印加動作時に前記第二の系統連系用リレー
を開放状態に制御したときは、前記第一電位差検出回路の検出する電位差が所定値以上で
あれば前記第二の系統連系用リレーの接点が溶着していると判別し、前記インバータ回路
から前記一対の線路に電圧を印加させた際に、前記第一の系統連系用リレーを開放状態に
制御したときは、前記第二電位差検出回路の検出する電位差が所定値以上であれば前記第
一の系統連系用リレーの接点が溶着していると判別することを特徴とする系統連系装置。
【請求項２】
前記制御回路は、前記インバータ回路を停止させた際に、前記第一の系統連系用リレー
を開放状態に制御しているときは、前記第一電位差検出回路の検出する電位差が所定値以
上であれば前記第一の系統連系用リレーの接点が溶着状していると判別し、前記インバー
タ回路を停止させた際に、前記第二の系統連系用リレーを開放状態に制御しているときは
、前記第二電位差検出回路の検出する電位差が所定値以上であれば前記第二の系統連系用
リレーの接点が溶着していると判別することを特徴とする請求項１に記載の系統連系装置
。
【請求項３】
前記制御回路は、前記第一の系統連系用リレーの接点の溶着を判別する場合に、前記第
二の系統連系用リレーを接続状態にし、前記第二の系統連系用リレーの接点の溶着を判別
する場合に、前記第一の系統連系用リレーを接続状態にすることを特徴とする請求項１又
は請求項２に記載の系統連系装置。
【請求項４】
前記第一電位差検出回路および／又は前記第二電位差検出回路は、発光部に電流が流れ
ると作動するフォトカプラを有する検出回路であり、
前記検出回路は、前記所定値以上の電位差が加えられると、前記電流が前記発光部に流
れて発光し、
前記制御回路は、前記発光を検知した場合に、前記リレーが溶着していると判断するこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載の系統連系装置。
【請求項５】
前記直流電力は太陽電池や燃料電池、風力発電などの発電設備から発電されたことを特
徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の系統連系装置。
【請求項６】
直流電力を交流電力に変換して商用電力系統に接続される一対の線路に前記交流電力を
供給するインバータ回路と、
前記一対の線路の内一方の線路に接続されるリレーと、
前記インバータ回路及び前記リレーの動作の制御を行う制御回路と、を備えた系統連系
装置において、
前記リレーの出力側と前記一対の線路の内他方の線路との電位差を検出する電位差検出
回路と、を備え、
前記商用電力系統が停電している場合に、前記制御回路は、前記インバータ回路から前
記一対の線路に電圧を印加させた際に、前記リレーを開放状態に制御したとき、前記電位
差検出回路の検出する電位差が所定値以上であれば前記リレーの接点が溶着していると判
別することを特徴とする系統連系装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の別の形態において、直流電力を交流電力に変換して商用電力系統に接続
される一対の線路に前記交流電力を供給するインバータ回路と、前記一対の線路の内一方
の線路に接続されるリレーと、前記インバータ回路及びリレーの動作の制御を行う制御回
路と、を備えた系統連系装置において、前記リレーの出力側と前記一対の線路の内他方の
線路との電位差を検出する電位差検出回路と、を備え、前記商用電力系統が停電している
場合に、前記制御回路は、前記インバータ回路から前記一対の線路に電圧を印加させた際
に、前記リレーを開放状態に制御したとき、前記電位差検出回路の検出する電位差が所定
値以上であれば前記リレーの接点が溶着していると判別することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、リレーの設置スペースを小さくし、リレーの接点の状態を監視できる
系統連系装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月18日(2013.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御装置、インバーター、通信装置、及び、二次電池を含んで構成される電力供給装置であって、
高周波数パルスを重畳させることで波形特性を商用交流電流に近似させた電力を配電用変電所の担当地域の送電線に供給するための制御を実行する制御装置と、
二次電池から供給される直流電流を電圧Ｖｐに昇圧するとともに前記高周波数パルスを重畳することにより交流電流に変換するインバーターと、
売電区画と自家用区画を有し、売電区画に売電用の電力を蓄える二次電池と、
を備え、一般需要家の二次電池に蓄えられている余剰電力を一般需要家に消費させるとともに、周波数と電圧が安定した電力を、配電用変電所の供給地域に供給することにより、電気送電網全体の送電効率を向上させることを特徴とする電力供給装置。
【請求項２】
前記インバーターは、二次電池から供給される直流電流を交流電流に変換するための位相同期装置を備え、該位相同期装置は、二次電池から前記インバーターを経て供給される交流電流の位相の変動を、送電先の配電用変電所の供給地域における交流電流の波形に前記高周波数パルスを重畳することにより近似又は同期することを特徴とする請求項１に記載の電力供給装置。
【請求項３】
前記位相同期装置は、商用交流電流の波形を解析する波形解析手段と、
前記波形解析手段が解析した商標交流電流の波形に基づき、パルスの重畳を開始するべき位相位置を決定し、重畳終了時における商標交流電流の電圧Ｖｐを検出する重畳位置決定手段と、
前記二次電池から出力される直流電流の電圧をＶｐに変換する電圧変換手段と、
前記電圧変換手段により電圧変換された電圧Ｖｐのパルス波を、前記重畳位置決定手段で決定した期間に発生させるパルス波発生手段と、
前記商用交流電流に電圧Ｖｐのパルスを重畳した交流電流を生成する、パルス波重畳手段と
を備えることを特徴とする請求項２に記載の電力供給装置。
【請求項４】
電池から出力される直流電力を商用交流電流に同期させて供給するインバーター装置であって、
波形解析モジュール（Ｍ１）、重畳位相決定モジュール（Ｍ２）、電圧変換モジュール（Ｍ３）、パルス波発生モジュール（Ｍ４）、及び、パルス波重畳モジュール（Ｍ５）を含んで構成され、
波形解析モジュール（Ｍ１）は、商用交流電流の波形を解析する機能を有し、
重畳位相決定モジュール（Ｍ２）は、波形解析モジュール（Ｍ１）で解析された商用交流電流の波形について、パルスの重畳を開始すべき位相を、重畳開始位相と重畳終了位相として決定し、重畳終了位相における商用交流電流の電圧Ｖｐを検出する機能を有し、
電圧変換モジュール（Ｍ３）は、二次電池から出力される直流電流の電圧を電圧Ｖｐに変換する機能を有し、
パルス波発生モジュール（Ｍ４）は、電圧変換モジュール（Ｍ３）で電圧変換した電圧Ｖｐの電流を高周波数パルス波に変換する機能を有し、
パルス波重畳モジュール（Ｍ５）は、重畳位相決定モジュール（Ｍ２）で決定した重畳開始位相と重畳終了位相との間で、パルス波発生モジュール（Ｍ４）で変換した電圧Ｖｐのパルス波を同期させて重畳することを特徴とするインバーター装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
請求項１の発明は、
制御装置、インバーター、通信装置、及び、二次電池を含んで構成される電力供給装置であって、
高周波数パルスを重畳させることで波形特性を商用交流電流に近似させた電力を配電用変電所の担当地域の送電線に供給するための制御を実行する制御装置と、
二次電池から供給される直流電流を電圧Ｖｐに昇圧するとともに前記高周波数パルスを重畳することにより交流電流に変換するインバーターと、
売電区画と自家用区画を有し、売電区画に売電用の電力を蓄える二次電池と、
を備え、一般需要家の二次電池に蓄えられている余剰電力を一般需要家に消費させるとともに、周波数と電圧が安定した電力を、配電用変電所の供給地域に供給することにより、電気送電網全体の送電効率を向上させることを特徴とする電力供給装置である。
請求項２の発明においては、
前記インバーターは、二次電池から供給される直流電流を交流電流に変換するための位相同期装置を備え、該位相同期装置は、二次電池から前記インバーターを経て供給される交流電流の位相の変動を、送電先の配電用変電所の供給地域における交流電流の波形に前記高周波数パルスを重畳することにより近似又は同期することを特徴とする。
請求項３の発明では、
前記位相同期装置は、商用交流電流の波形を解析する波形解析手段と、
前記波形解析手段が解析した商標交流電流の波形に基づき、パルスの重畳を開始するべき位相位置を決定し、重畳終了時における商標交流電流の電圧Ｖｐを検出する重畳位置決定手段と、
前記二次電池から出力される直流電流の電圧をＶｐに変換する電圧変換手段と、
前記電圧変換手段により電圧変換された電圧Ｖｐのパルス波を、前記重畳位置決定手段で決定した期間に発生させるパルス波発生手段と、
前記商用交流電流に電圧Ｖｐのパルスを重畳した交流電流を生成する、パルス波重畳手段と
を備えることを特徴とする。
請求項４の発明は、
電池から出力される直流電力を商用交流電流に同期させて供給するインバーター装置であって、
波形解析モジュール（Ｍ１）、重畳位相決定モジュール（Ｍ２）、電圧変換モジュール（Ｍ３）、パルス波発生モジュール（Ｍ４）、及び、パルス波重畳モジュール（Ｍ５）を含んで構成され、
波形解析モジュール（Ｍ１）は、商用交流電流の波形を解析する機能を有し、
重畳位相決定モジュール（Ｍ２）は、波形解析モジュール（Ｍ１）で解析された商用交流電流の波形について、パルスの重畳を開始すべき位相を、重畳開始位相と重畳終了位相として決定し、重畳終了位相における商用交流電流の電圧Ｖｐを検出する機能を有し、
電圧変換モジュール（Ｍ３）は、二次電池から出力される直流電流の電圧を電圧Ｖｐに変換する機能を有し、
パルス波発生モジュール（Ｍ４）は、電圧変換モジュール（Ｍ３）で電圧変換した電圧Ｖｐの電流を高周波数パルス波に変換する機能を有し、
パルス波重畳モジュール（Ｍ５）は、重畳位相決定モジュール（Ｍ２）で決定した重畳開始位相と重畳終了位相との間で、パルス波発生モジュール（Ｍ４）で変換した電圧Ｖｐのパルス波を同期させて重畳することを特徴とするインバーター装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月14日(2014.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の領域に記録すべき画像の色を示す色情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記色情報に基づいて、前記所定の領域に対して前記記録材を付与するためのデータを生成する生成手段と、
を備え、
前記生成手段は、前記色情報が黒ではない所定の色を示す場合に前記所定の領域に対して付与する記録材の量を低減する比率が、前記色情報が黒を示す場合に前記所定の領域に対して付与する記録材の量を低減する比率よりも低くなるように、前記データを生成することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記所定の領域は、所定の属性を示すオブジェクトのエッジ部の内部の領域である非エッジ部であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記所定の属性は、文字または線画であることを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記生成手段は、前記色情報が黒を示す場合、前記所定の領域に対して黒の記録材を付与するためのデータを生成し、前記色情報が黒ではない色を示す場合、前記所定の領域に対して前記黒の記録材とは異なる色の記録材を付与するためのデータを生成することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の画像処置装置。
【請求項５】
前記記録材はインクであることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記生成手段は、マスクパターンを用いて前記所定の領域に対して前記記録材を付与するためのデータを生成することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
所定の領域に記録すべき画像の色を示す色情報を取得する取得工程と、
前記取得工程において取得された前記色情報に基づいて、前記所定の領域に対して前記記録材を付与するためのデータを生成する生成工程と、
を備え、
前記生成工程において、前記色情報が黒ではない所定の色を示す場合に前記所定の領域に対して付与する記録材の量を低減する比率が、前記色情報が黒を示す場合に前記所定の領域に対して付与する記録材の量を低減する比率よりも低くなるように、前記データを生成することを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
コンピュータを、請求項１から６のいずれか１項に記載の画像処理装置として機能させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の画像処置装置は、所定の領域に記録すべき画像の色を示す色情報を取得する取得手段と、前記取得手段により取得された前記色情報に基づいて、前記所定の領域に対して前記記録材を付与するためのデータを生成する生成手段と、を備え、前記生成手段は、前記色情報が黒ではない所定の色を示す場合に前記所定の領域に対して付与する記録材の量を低減する比率が、前記色情報が黒を示す場合に前記所定の領域に対して付与する記録材の量を低減する比率よりも低くなるように、前記データを生成することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月20日(2013.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース線と、
ビット線と、
第１信号線と、
複数の第２信号線と、
複数のワード線と、
前記ソース線と前記ビット線との間に、直列に接続された複数のメモリセルと、
入力されたアドレス信号によって指定されたメモリセルを選択するように、前記複数の第２信号線および前記複数のワード線を駆動する、第２信号線およびワード線の駆動回路と、
書き込み電位を前記第１信号線に出力する、書き込み回路と、
前記指定されたメモリセルに接続された前記ビット線から入力されるビット線の電位と、複数の読み出し電位とを比較する読み出し回路と、
前記ビット線の電位と前記複数の読み出し電位の比較結果に基づいて複数の補正電圧のいずれかを選択する制御回路と、
前記書き込み電位及び前記複数の読み出し電位を生成して、前記書き込み回路および前記読み出し回路に供給する、電位生成回路と、
を有し、
前記複数のメモリセルの一は、
第１のゲート電極、第１のソース電極、および第１のドレイン電極を有する第１のトランジスタと、
第２のゲート電極、第２のソース電極、および第２のドレイン電極を有する第２のトランジスタと、
容量素子と、
を有し、
前記第１のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、
前記第２のトランジスタは酸化物半導体層を含んで構成され、
前記第１のゲート電極と、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極の一方と、前記容量素子の電極の一方とは、電気的に接続され、
前記ソース線と、前記第１のソース電極とは、電気的に接続され、
前記ビット線と、前記第１のドレイン電極とは、電気的に接続され、
前記第１信号線と、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極の他方とは、電気的に接続され、
前記複数の第２信号線の一と、前記第２のゲート電極とは、電気的に接続され、
前記複数のワード線の一と、前記容量素子の電極の他方とは電気的に接続された半導体装置。
【請求項２】
ソース線と、
ビット線と、
第１信号線と、
複数の第２信号線と、
複数のワード線と、
前記ソース線と前記ビット線との間に、直列に接続された複数のメモリセルと、
入力されたアドレス信号によって指定されたメモリセルを選択するように、前記複数の第２信号線および前記複数のワード線を駆動する、第２信号線およびワード線の駆動回路と、
第１の書き込み動作において、第１の書き込み電位を前記第１信号線に出力し、第２の書き込み動作において、複数の第２の書き込み電位のいずれかを前記第１信号線に出力する書き込み回路と、
第１の読み出し動作において、前記指定されたメモリセルに接続された前記ビット線から入力される第１のビット線の電位と、複数の第１の読み出し電位とを比較し、第２の読み出し動作において、前記指定されたメモリセルに接続された前記ビット線から入力される第２のビット線の電位と、複数の第２の読み出し電位とを比較して該メモリセルのデータを読み出す、読み出し回路と、
前記第１のビット線の電位と、前記複数の第１の読み出し電位の比較結果に基づいて複数の補正電圧のいずれかを選択し、前記複数の第２の書き込み電位のいずれかを選択する制御回路と、
前記第１の書き込み電位、前記複数の第２の書き込み電位、前記複数の第１の読み出し電位、及び前記複数の第２の読み出し電位を生成して、前記書き込み回路および前記読み出し回路に供給する電位生成回路と、
を有し、
前記複数のメモリセルの一は、
第１のゲート電極、第１のソース電極、および第１のドレイン電極を有する第１のトランジスタと、
第２のゲート電極、第２のソース電極、および第２のドレイン電極を有する第２のトランジスタと、
容量素子と、
を有し、
前記第１のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、
前記第２のトランジスタは酸化物半導体層を含んで構成され、
前記第１のゲート電極と、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極の一方と、前記容量素子の電極の一方とは、電気的に接続され、
前記ソース線と、前記第１のソース電極とは、電気的に接続され、
前記ビット線と、前記第１のドレイン電極とは、電気的に接続され、
前記第１信号線と、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極の他方とは、電気的に接続され、
前記複数の第２信号線の一と、前記第２のゲート電極とは、電気的に接続され、
前記複数のワード線の一と、前記容量素子の電極の他方とは電気的に接続された半導体装置。
【請求項３】
前記半導体装置は、
第１の選択線と、
第２の選択線と、
前記第１の選択線と、ゲート電極において電気的に接続された第３のトランジスタと、
前記第２の選択線と、ゲート電極において電気的に接続された第４のトランジスタと、を有し、
前記ビット線は、前記第３のトランジスタを介して、前記第１のドレイン電極と、電気的に接続され、
前記ソース線は、前記第４のトランジスタを介して、前記第１のソース電極と、電気的に接続された請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１のトランジスタは、
半導体材料を含む基板に設けられたチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を挟むように設けられた不純物領域と、前記チャネル形成領域上の第１のゲート絶縁層と、前記第１のゲート絶縁層上の第１のゲート電極と、前記不純物領域と電気的に接続する第１のソース電極および第１のドレイン電極と、を有する請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２のトランジスタは、
前記半導体材料を含む基板上の第２のゲート電極と、前記第２のゲート電極上の第２のゲート絶縁層と、前記第２のゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と電気的に接続する第２のソース電極および第２のドレイン電極と、を有する請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７の結晶を含んでなる、請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月20日(2013.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に第１の酸化物半導体膜を形成した後、第１の加熱処理を行って、前記第１の酸化物半導体膜の表面に垂直な方向に沿うようにｃ軸が配向した第１の結晶性を有する酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性を有する酸化物半導体膜上に第２の酸化物半導体膜を形成した後、第２の加熱処理を行って第２の結晶性を有する酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の結晶性を有する酸化物半導体膜及び前記第２の結晶性を有する酸化物半導体膜を島状にエッチングした後、前記第２の結晶性を有する酸化物半導体膜上に第２の電極を形成し、
前記第１の電極、前記第１の結晶性を有する酸化物半導体膜、前記第２の結晶性を有する酸化物半導体膜、及び第２の電極を覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上の第１の電極と、
前記第１の電極上の、表面に対して垂直な方向に沿うようにｃ軸が配向した第１の結晶性を有する酸化物半導体膜と、前記第１の結晶性を有する酸化物半導体膜上の第２の結晶性を有する酸化物半導体膜と、の積層を有する積層体と、
前記酸化物半導体積層体上の第２の電極と、
前記第１の電極、前記積層体、及び前記第２の電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、少なくとも前記積層体の側面と対向する第３の電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上の第１の電極と、
前記第１の電極に接し、表面に対して垂直な方向に沿うようにｃ軸が配向した第１の結晶性を有する酸化物半導体膜と、前記第１の結晶性を有する酸化物半導体膜上の第２の結晶性を有する酸化物半導体膜と、の積層を有する積層体と、
前記積層体に接し、端部が前記積層体の端部より内側に形成される第２の電極と、
前記第１の電極、前記積層体、及び前記第２の電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、少なくとも前記積層体及び前記第２の電極の側面と対向する第３の電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月19日(2014.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明により得られる工程２終了後の共重合芳香族ポリエステルの固有粘度は機械的強度、成形性の点から０．５０〜０．６０ｄＬ／ｇが好ましい。より好ましい固有粘度範囲は０．５０５〜０．５８ｄＬ／ｇである。固有粘度が０．５０ｄＬ／ｇ未満では機械的強度に劣り、０．６０ｄＬ／ｇを超える場合には流動性が低下して成形加工性に劣るので好ましくない。この固有粘度の値は通常ポリエステルで用いられるようなオルトクロロフェノールを用いた溶液中で３５℃下で測定された値で表すことが好ましい。また本発明により得られる共重合芳香族ポリエステルのガラス転移温度は１３５℃以上であることが好ましく、より好ましくは１４０℃以上であり、更に好ましくは１４１〜１６０℃である。このガラス転移温度の値は通常ポリエステルで用いられるような示差走査熱量計を用いて、昇温速度１０℃／分、２０℃／分の条件により測定された値で表すことが好ましい。ガラス転移温度が１３５℃以下では成形品の耐熱性に劣り好ましくない。十分な固有粘度値と上記式（Ｉ）で表される化合物の共重合率によって、このガラス転移温度の値の範囲を達成することができる。十分な固有粘度値とするためには、上記の工程１におけるエステル交換反応率を高い状態まで進行させ、その後の重縮合反応を適正な真空度、重縮合温度、重縮合時間を保って行うことが必要である。重縮合温度は得られる共重合芳香族ポリエステルの融点以上とすることは、重縮合反応を進行させるためには明らかであるが、好ましくは２６０〜３８０℃、より好ましくは２７０〜３７０℃、さらにより好ましくは２８０〜３５０℃である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
芳香族ジカルボン酸またはその誘導体と、脂肪族ジオールおよび下記式（Ｉ）で示される芳香族ジオールを原料として用いる共重合芳香族ポリエステルの製造方法において、少なくとも下記の工程を含んでなることを特徴とする共重合芳香族ポリエステルの製造方法。
工程１：前記芳香族ジカルボン酸またはその誘導体と、前記脂肪族ジオールおよび前記下記式（Ｉ）で示される芳香族ジオールとをエステル交換反応触媒を使用し０．０８ＭＰａ以上の加圧下でエステル交換反応させる工程
工程２：工程１で製造した反応物を下記式（ＩＩ）で示されるリン化合物とゲルマニウム化合物を使用して重縮合させる工程
【化１】
2013124291.tif 000001
【化２】
2013124291.tif 000002
［上記式中、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、同一または異なって炭素数原子数１〜４のアルキル基を示し、Ｘは、−ＣＨ２−または―ＣＨ（Ｙ）−を示す（Ｙは、ベンゼン環を示す）。］
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記共重合芳香族ポリエステルを成形する際の流動性が５０ｃｍ３／１０ｍｉｎ以上であることを特徴とする請求項３に記載の共重合芳香族ポリエステル。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月8日(2014.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記各抑え板部のうちで軸方向に関して同じ側の側縁から折れ曲がった一対の抑え板部に、前記頭部よりも径方向内方に延長した延長部を設けており、これら各延長部に、前記各頭部の鍔部のうちの径方向内端縁と係合して、前記各クリップが径方向外方に変位するのを阻止する係止部を設けている、請求項２〜４のうちの何れか１項に記載した複合型ディスクロータ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月8日(2014.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のステアリングロック装置は、前述した従来から知られているステアリングロック装置と同様に、ステアリングコラムと、ステアリングシャフトと、キーロックカラーと、ロック用透孔と、ロックユニットとを備える。
このうちのステアリングコラムは、筒状で、車体に支持される。
又、前記ステアリングシャフトは、前記ステアリングコラムの内径側に回転自在に支持されている。
又、前記キーロックカラーは、前記ステアリングシャフトの一部に支持され、外周面に係合凹部を設けている。
又、前記ロック用透孔は、前記ステアリングコラムのうち、前記キーロックカラーと対向する部分に形成されている。
又、前記ロックユニットは、前記ステアリングコラムの外周面に当接する突き当て面を有し、この突き当て面に形成したガイド部を前記ロック用透孔の内側部分に配置した状態で、前記ステアリングコラムに支持されている。そして、イグニッションキーをＯＦＦした状態でこのロックユニットを構成するキーロックピンを径方向内方に変位させ、このキーロックピンの先端部を前記係合凹部に係合させる事により、前記ステアリングコラムの内径側での前記ステアリングシャフトの回転を抑える。
特に、本発明のステアリングロック装置に於いては、前記ステアリングコラムの外周面のうち前記ロック用透孔の周囲に、全周に亙り、又は周方向に関して間欠的に、突壁部を設けている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
又、本例の場合、前記ステアリングコラム２ｂの凹部１８、１８と、前記ロックユニット１２ａの突き当て面１９に設けた凸部２１、２１とを係合させている。この為、前記イグニッションキーをＯＦＦした状態で、前記ステアリングホイール４を大きな力で回転させようとした場合に、前記ステアリングシャフト３ａから前記ステアリングコラム２ｂに加わる力を効果的に分散させる事ができる。
更に、本例の場合、前記ステアリングコラム２ｂのうち、前記ロックユニット１２側の凸部２１、２１と係合する部分を有底の凹部１８、１８としている。この為、前述した特許文献２に記載の従来構造の様に、ステアリングコラムのうち、ロックユニット側の凸部と係合する部分を通孔とした場合と比較して、前記ステアリングコラム２ｂの強度及び剛性をより向上させる事ができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
筒状のステアリングコラムと、このステアリングの内側に回転自在に支持されて、このステアリングコラムよりも後方に突出した後端部にステアリングホイールを固定するステアリングシャフトと、このステアリングシャフトの一部に支持されたキーロックカラーと、前記ステアリングコラムのうち、このキーロックカラーと対向する部分に形成されたロック用透孔と、このステアリングコラムの外周面に当接する突き当て面を有し、この突き当て面に形成したガイド部をこのロック用透孔の内側部分に配置した状態で、前記ステアリングコラムに支持されたロックユニットとを備え、イグニッションキーをＯＦＦした状態でこのロックユニットを構成するキーロックピンを径方向内方に変位させ、このキーロックピンの先端部を前記キーロックカラーに設けた係合凹部に係合させる事により、前記ステアリングコラムの内径側での前記ステアリングシャフトの回転を実質的に防止するステアリングロック装置に於いて、
前記ステアリングコラムの外周面のうち前記ロック用透孔の周囲に突壁部を設けている事を特徴とするステアリングロック装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月31日(2014.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッキングプレートと、
前記バッキングプレートに金属のろう材で固定されたターゲット板とを有するターゲット装置であって、
前記バッキングプレートの露出部分には、ＴｉＡｌＮ薄膜か、又は、(１  １  １)面の割合が最も大きいＴｉＮ薄膜のいずれか一方の薄膜から成る保護膜が形成されたターゲット装置。
【請求項２】
前記バッキングプレートは、純銅又は銅合金から成る請求項１記載のターゲット装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のターゲット装置を有するスパッタリング装置。
【請求項４】
前記ターゲット装置が真空槽内に配置された請求項３記載のスパッタリング装置。
【請求項５】
バッキングプレートを１気圧よりも低い圧力の窒素ガス雰囲気中に配置し、
金属チタンをイオン化させて蒸発させ、負電圧で絶対値が１００Ｖ以上の電圧を前記バッキングプレートに印加しながら、前記イオンを到達させ、前記バッキングプレートの表面に窒化チタンから成る保護膜を形成した後、前記バッキングプレートにターゲット板を取り付けるターゲット装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
このターゲット装置１０では、バッキングプレート１２の表面のうち、ターゲット板１７が取り付けられておらず、露出している部分には、保護膜２２が形成されており、従って、このターゲット装置１０では、ターゲット板１７の表面又は保護膜の表面が露出されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
原材料５３Ｌ，５３Ｒは金属であり、各るつぼ５２Ｌ，５２Ｒに近接して配置されたホローカソード５５Ｌ，５５Ｒ内でアルゴンガスプラズマを発生させ、アルゴンイオン又は熱電子を引き出して、各るつぼ５２Ｌ，５２Ｒ内の原材料にそれぞれ照射すると、各るつぼ５２Ｌ，５２Ｒ内の原材料５３Ｌ，５３Ｒから、それぞれ金属イオンが放出される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
金属イオンの放出が安定した後、シャッタ５７Ｌ，５７Ｒを開けると、原材料の金属イオンは成膜対象物１１に向かって進行する。
このとき、予め、反応性ガスをガス導入管５９から真空槽５１内に導入させておき、真空槽５１の内部は、反応性ガスを含む真空雰囲気にしておく。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
なお、ターゲット板１７をバッキングプレート１２に取り付ける際に、軟化・溶融したろう材１５は、ターゲット板１７とバッキングプレート１２との間から押し出され、ターゲット板１７の外側にはみ出るが、ターゲット板１７の外側には、保護膜２２が露出しており、はみ出されたろう材は保護膜２２と接触した状態で固化するので、はみ出したろう材はバッキングプレート１２とは接触しないで固化する。ろう材１５の軟化・溶融物は保護膜２２に接着できず、固化物は保護膜２２から簡単に剥離させることができるので、保護膜２２表面の固化物はクリーニングによって除去されている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月22日(2014.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光した光を電流信号に変換する受光素子と、前記電流信号を電圧信号に変換するレシーバと、を備えて、前記受光素子と前記レシーバとが一体成型されて、半田バンプが形成されている受光部と、
前記受光部と接続する配線パターンが敷設され、前記受光部が画素単位に前記半田バンプにより実装される配線層と、
を有する撮像パネル。
【請求項２】
前記配線層上に配列している前記受光部の受光面を一括して覆い、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体と、
前記蛍光媒体を表装する第１のフレキシブル基板と、
前記配線層の下部に設けられる第２のフレキシブル基板と、
をさらに備え、前記蛍光媒体と前記配線層との間に前記受光部を封止した構成を有する請求項１に記載の撮像パネル。
【請求項３】
前記受光部は、２層化構造を有し、前記受光素子は、光が入射される第１層に配置され、前記第１層の下部の第２層に前記レシーバが配置されて、前記受光素子と前記レシーバとが一体成型される請求項１または２に記載の撮像パネル。
【請求項４】
前記受光部は、前記配線層上に半田実装された後、前記受光部毎に透明樹脂でポッティング加工を施し、前記透明樹脂によって屈折した光を前記受光部の受光面に光を集光させる請求項１ないし３のうちいずれか１つに記載の撮像パネル。
【請求項５】
前記受光部の受光面に光を集光させるレンズに半田バンプが形成されたレンズ部をさらに備え、前記レンズ部は、前記受光部毎に前記配線層上に半田実装される請求項１ないし４のうちいずれか１つに記載の撮像パネル。
【請求項６】
前記受光部側に突起部が形成され、前記受光部の受光面を一括して覆って、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体から出射された光を全反射させて、全反射光を前記受光部の受光面上に光を集光させるように、前記受光部の受光面に向けて前記受光部毎に前記突起部の先端が位置しているフレキシブル基板をさらに備え、
前記フレキシブル基板上の隣接する前記突起部の間の窪み部分と、前記配線層との間には、半田バンプが実装される請求項１ないし５のうちいずれか１つに記載の撮像パネル。
【請求項７】
前記配線層上に配列している前記受光部の受光面を一括して覆い、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体と、
前記蛍光媒体を表装するカバーガラス基板と、
前記配線層の下部に設けられる配線側ガラス基板と、
をさらに備え、前記蛍光媒体と前記配線層との間に前記受光部を封止した構成を有する請求項１、３ないし６のうちいずれか１つに記載の撮像パネル。
【請求項８】
受光した光を電流信号に変換する受光素子および前記電流信号を電圧信号に変換するレシーバを含み、前記受光素子と前記レシーバとが一体成型されて、半田バンプが形成されている受光部と、前記受光部と接続する配線パターンが敷設され、前記受光部が画素単位に前記半田バンプにより実装される配線層と、を備える撮像パネルと、
前記電圧信号をディジタル信号に変換するＡ／Ｄ部と、前記ディジタル信号を信号処理する信号処理部と、信号処理後の画像情報の表示制御を行う表示制御部とを備える画像処理部と、
を有する撮像処理システム。
【請求項９】
前記配線層上に配列している前記受光部の受光面を一括して覆い、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体と、
前記蛍光媒体を表装する第１のフレキシブル基板と、
前記配線層の下部に設けられる第２のフレキシブル基板と、
をさらに備え、前記蛍光媒体と前記配線層との間に前記受光部を封止した構成を有する請求項８に記載の撮像処理システム。
【請求項１０】
前記受光部は、２層化構造を有し、前記受光素子は、光が入射される第１層に配置され、前記第１層の下部の第２層に前記レシーバが配置されて、前記受光素子と前記レシーバとが一体成型される請求項８または９に記載の撮像処理システム。
【請求項１１】
前記受光部は、前記配線層上に半田実装された後、前記受光部毎に透明樹脂でポッティング加工を施し、前記透明樹脂によって屈折した光を前記受光部の受光面に光を集光させる請求項８ないし１０のうちいずれか１つに記載の撮像処理システム。
【請求項１２】
前記受光部の受光面に光を集光させるレンズに半田バンプが形成されたレンズ部をさらに備え、前記レンズ部は、前記受光部毎に前記配線層上に半田実装される請求項８ないし１１のうちいずれか１つに記載の撮像処理システム。
【請求項１３】
前記受光部側に突起部が形成され、前記受光部の受光面を一括して覆って、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体から出射された光を全反射させて、全反射光を前記受光部の受光面上に光を集光させるように、前記受光部の受光面に向けて前記受光部毎に前記突起部の先端が位置しているフレキシブル基板をさらに備え、
前記フレキシブル基板上の隣接する前記突起部の間の窪み部分と、前記配線層との間には、半田バンプが実装される請求項８ないし１２のうちいずれか１つに記載の撮像処理システム。
【請求項１４】
前記配線層上に配列している前記受光部の受光面を一括して覆い、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体と、
前記蛍光媒体を表装するカバーガラス基板と、
前記配線層の下部に設けられる配線側ガラス基板と、
をさらに備え、前記蛍光媒体と前記配線層との間に前記受光部を封止した構成を有する請求項８、１０ないし１３のうちいずれか１つに記載の撮像処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月6日(2014.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらに、図１に示すように、通水孔２６の排水１が自然流入するマンホール１８側の排水導入口に、ごみを除去する粗ごみフィルタ２１が配置され、マンホール１８内へ流入する排水１の粗ごみが取り除かれる。この粗ごみフィルタ２１は、マンホール１８の側壁に深さ（上下）方向に伸びるように配置されたガイドレール２５によってスライド可能に保持され、所定位置に導かれて配置される。マンホール１８の脇の陸上には、清掃時に粗ごみフィルタ２１を吊り上げて移動させる吊上治具２２が設けられる。ガイドレール２５および吊上治具２２がフィルタ移動手段に相当する。このフィルタ移動手段によって、粗ごみフィルタ２１がマンホール１８から陸上へ引き揚げられて異物除去などのメンテナンスが行われる。この点においても、潜水作業は必要なく、メンテナンス性が向上していることが分かる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図６は、本発明の実施の形態２の放水口水モニタと比較するための比較例で、上述の実施の形態１の陸上ポンプ６の代わりに水中ポンプ１４を使用し、放水路２内の流水中に採水口を配置してサンプリングを行う状態を示している。図６の構成では、水中ポンプ１４は、マンホール１８内で上下方向に伸びるガイド管１３内に保持され、その内部に沿って吊り下げられて排水１中に設置される。水中ポンプ１４の先端には、ごみを吸入しないようにフィルタ４１が直付けされる。水中ポンプ１４は、フレキシブルホース１６を中継して吸入配管１７に接続される。なお、上述の実施の形態１の場合は、陸上ポンプ６が測定建屋１１０内に設置されていたが、この実施の形態２の構成では、水中ポンプ１４を用いるため、陸上ポンプを配置する必要はない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
このように、この実施の形態２の放水口水モニタでは、サンプリング手段は、マンホール１８内の排水１を、マンホール１８内に配置された水中ポンプ１４によって、マンホール１８の水面下に配置された採水口（フィルタ４１配置部分と同じ。）からフレキシブルホース１６を介してマンホール１８外へ汲み出す構成である。図６の比較例の構成と比べても、本実施の形態２の放水口水モニタによれば、危険を伴う流水中での潜水作業から作業者を解放することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、この実施の形態２の放水口水モニタは、サンプリング手段として水中ポンプ１４を用いることで、水の泡への耐性が強いことはすでに述べたが、さらに、実施の形態１と同様に、排水１をマンホール１８内に導入することにより、排水１中の泡の量を著しく減少させることができ、ポンプの負荷を軽減させられるので、ポンプの信頼性を一層向上させることが可能である。さらに、支持架台２４はマンホール１８内に配置され、一部が静止水中に設置されるため、速い流水中に設置した場合に比べて部材の物量を大幅に低減させられると共に、強度計算が簡素となり、設置コストが低減できるという効果も得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月8日(2014.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記アンカと、前記バッキングプレートと、前記ナックルと、前記電動アクチュエータユニットの取付フランジとの互いに整合する部分に形成した通孔若しくはねじ孔に挿通若しくは螺合したボルトにより、前記アンカと前記バッキングプレートと前記電動アクチュエータユニットとを前記ナックルに対し支持固定している、請求項１に記載したドラムブレーキ式電動駐車ブレーキ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記バッキングプレート及び前記ナックルの一部で、前記電動アクチュエータユニットの出力部と整合する部分に第二の通孔が形成されており、この出力部と、前記両ブレーキシューの周方向一端部同士の間隔を拡縮する為の拡縮機構の入力部とを出力部材により連結している、請求項２に記載したドラムブレーキ式電動駐車ブレーキ装置。