Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月19日(2014.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１開始条件の成立にもとづいて、各々を識別可能な複数種類の第１識別情報の可変表示を行い表示結果を導出表示する第１可変表示手段と、第２開始条件の成立にもとづいて、各々を識別可能な複数種類の第２識別情報の可変表示を行い表示結果を導出表示する第２可変表示手段とを備え、前記第１可変表示手段または前記第２可変表示手段に特定表示結果が導出表示されたときに遊技者にとって有利な特定遊技状態に制御する遊技機であって、
前記第１開始条件または前記第２開始条件の成立にもとづいて、前記特定遊技状態に遊技状態を制御するか否かを決定する特定決定手段と、
前記特定決定手段の決定にもとづいて、あらかじめ定められた特定終了条件が成立するまで、前記特定遊技状態に遊技状態を制御する特定遊技状態制御手段と、
前記特定遊技状態に遊技状態を制御する旨が決定されたときに、該特定遊技状態とは異なる遊技者にとって有利な状態である特別遊技状態に遊技状態を制御するか否かを決定する特別決定手段と、
前記特別決定手段の決定にもとづいて、前記特定遊技状態が終了した後に、前記特別遊技状態に遊技状態を制御する特別遊技状態制御手段と、
所定の有利条件が成立したときに、前記第２開始条件の成立頻度および／または前記第２識別情報の可変表示の実行頻度の高まる有利遊技状態に遊技状態を制御する有利遊技状態制御手段と、
少なくとも前記有利遊技状態において、前記第１開始条件と前記第２開始条件の双方が成立しているときに、前記第１識別情報の可変表示よりも前記第２識別情報の可変表示を優先して実行する可変表示制御手段と、
前記特別遊技状態に遊技状態を制御する旨が決定されたときに、該特別遊技状態に制御されることを示す特別情報を、前記特定遊技状態の開始よりも先に報知するか前記特定遊技状態が開始された後に報知するかを決定する報知時期決定手段と、
前記報知時期決定手段の決定結果に応じた時期に、前記特別情報を報知する特別情報報知手段とを備え、
前記報知時期決定手段は、前記第２開始条件の成立にもとづいて前記特別遊技状態に遊技状態を制御する旨が決定されたときに、前記第１開始条件の成立にもとづいて前記特別遊技状態に遊技状態を制御する旨が決定されたときと比較して、高い割合で前記特定遊技状態が開始された後に前記特別情報を報知する旨を決定し、
前記特別情報報知手段は、所定のキャラクタを用いて前記特別情報を報知する
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明による遊技機は、第１開始条件の成立（例えば、第１特別図柄の変動表示中でも第２特別図柄の変動表示中でもなく、大当り遊技状態に移行されている状態でもない場合）にもとづいて、各々を識別可能な複数種類の第１識別情報（例えば、第１特別図柄）の可変表示を行い表示結果を導出表示する第１可変表示手段（例えば、第１特別図柄表示器８ａ）と、第２開始条件の成立（例えば、第１特別図柄の変動表示中でも第２特別図柄の変動表示中でもなく、大当り遊技状態に移行されている状態でもない場合）にもとづいて、各々を識別可能な複数種類の第２識別情報（例えば、第２特別図柄）の可変表示を行い表示結果を導出表示する第２可変表示手段（例えば、第２特別図柄表示器８ｂ）とを備え、第１可変表示手段または第２可変表示手段に特定表示結果（大当り図柄）が導出表示されたときに遊技者にとって有利な特定遊技状態（例えば、大当り遊技状態）に制御する遊技機であって、第１開始条件または第２開始条件の成立にもとづいて、特定遊技状態に遊技状態を制御するか否かを決定する特定決定手段（遊技制御用マイクロコンピュータ５６０におけるステップＳ１５１３と同様の処理を実行して大当りとするか否かを決定する部分）と、特定決定手段の決定にもとづいて、あらかじめ定められた特定終了条件が成立するまで、特定遊技状態に遊技状態を制御する特定遊技状態制御手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０におけるステップＳ３０４〜Ｓ３０７と同様の処理を実行する部分）と、特定遊技状態に遊技状態を制御する旨が決定されたときに、該特定遊技状態とは異なる遊技者にとって有利な状態である特別遊技状態に遊技状態を制御するか否かを決定する特別決定手段と、特別決定手段の決定にもとづいて、特定遊技状態が終了した後に、特別遊技状態に遊技状態を制御する特別遊技状態制御手段と、所定の有利条件が成立（例えば、確変大当りとするとの決定。通常大当り（時短付き）とするとの決定。）したときに、第２開始条件の成立頻度および／または第２識別情報の可変表示の実行頻度の高まる有利遊技状態（例えば、高ベース状態および／または時短状態）に遊技状態を制御する有利遊技状態制御手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０におけるステップＳ４６５，Ｓ４６７，Ｓ４６８と同様の処理を実行する部分）と、少なくとも有利遊技状態において、第１開始条件と第２開始条件の双方が成立しているときに、第１識別情報の可変表示よりも第２識別情報の可変表示を優先して実行する可変表示制御手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０におけるステップＳ１５０３〜Ｓ１５０５と同様の処理を実行し、ステップＳ１５０３と同様の処理で第２保留記憶数があればステップＳ１５０４と同様の処理に移行して、以降、ステップＳ３３４〜Ｓ３３７，Ｓ３５１〜Ｓ３５３，Ｓ１３０１と同様の処理を実行する部分）と、特別遊技状態に遊技状態を制御する旨が決定されたときに、該特別遊技状態に制御されることを示す特別情報を、特定遊技状態の開始よりも先に報知するか特定遊技状態が開始された後に報知するかを決定する報知時期決定手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０におけるステップＳ１５１６と同様の処理を実行する部分）と、報知時期決定手段の決定結果に応じた時期に、特別情報を報知する特別情報報知手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００におけるステップＳ８７２と同様の処理で１５ラウンド大当りであることを特定可能な大当り図柄を停止表示する部分。ステップＳ１９２１〜Ｓ１９３３と同様の処理を実行してラウンド中確変昇格演出と同様の態様で７ラウンド経過後も大当りが継続する旨の報知演出を実行する部分。）とを備え、報知時期決定手段は、第２開始条件の成立にもとづいて特別遊技状態に遊技状態を制御する旨が決定されたときに、第１開始条件の成立にもとづいて特別遊技状態に遊技状態を制御する旨が決定されたときと比較して、高い割合で特定遊技状態が開始された後に特別情報を報知する旨を決定し（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０は、ステップＳ１５１６と同様の処理において、図９と同様に、ラウンド中確変昇格演出と同様の態様で７ラウンド経過後も大当りが継続する旨を報知する報知演出を伴う確変大当りを、第１特別図柄の可変表示を行う場合には１０％の割合で決定するのに対して、第２特別図柄の可変表示を行う場合には２０％の割合で決定する。）、特別情報報知手段は、所定のキャラクタを用いて特別情報を報知することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月28日(2014.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者が操作可能な操作手段と、前記操作手段の外周を覆う取付ベースと、を備えた遊技機において、
前記操作手段は、発光手段と、前記発光手段を被覆する被覆部材と、を備え、
前記発光手段は、
発光体と、
前記発光体からの光を誘導するための導光部と、
前記発光体からの光を拡散するための拡散シート部と、を備え、
前記被覆部材は透光性を有し、
前記取付ベースは、前記操作手段が取り付けられた状態で、前記遊技機に取り付けられる
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記拡散シート部は、前記導光部に重畳して配設され、前記導光部と前記被覆部材とにより挟持される
ことを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記遊技機は、遊技球が転動可能な遊技領域を有する遊技盤と、
前記遊技領域に遊技球を発射する発射装置と、
前記発射装置により発射される遊技球を溜め置く玉受皿を備え、
前記取付べースは、前記玉受皿に形成された凹部に取り付けられる
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このような目的を達成するために、第１の発明は、遊技者が操作可能な操作手段と、前記操作手段の外周を覆う取付ベースと、を備えた遊技機において、
前記操作手段は、発光手段と、前記発光手段を被覆する被覆手段と、を備え、
前記発光手段は、
発光体と、
前記発光体からの光を誘導するための導光部と、
前記発光体からの光を拡散するための拡散シート部と、を備え、
前記被覆部材は透光性を有し、
前記取付ベースは、前記操作手段が取り付けられた状態で、前記遊技機に取り付けられる
ことを特徴とする遊技機としたことである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第２の発明は、第１の発明において、前記拡散シート部は、前記導光部に重畳して配設され、前記導光部と前記被覆部材とにより挟持されることを特徴とする遊技機としたことである。
第３の発明は、第１又は第２の発明において、前記遊技機は、遊技球が転動可能な遊技領域を有する遊技盤と、
前記遊技領域に遊技球を発射する発射装置と、
前記発射装置により発射される遊技球を溜め置く玉受皿を備え、
前記取付べースは、前記玉受皿に形成された凹部に取り付けられることを特徴とする遊技機としたことである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月7日(2014.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ドーナッツ状の被プリント面を上方に向けて載置したプリント対象物を回転させる回転台と、
インクを吐出するノズルを複数備え、前記回転台に載置された前記プリント対象物の被プリント面の回転の外側から回転中心に向かって移動可能なプリントヘッドと、
前記プリントヘッドの移動速度、前記回転台の回転速度及び前記複数のノズルからのインクの吐出を制御するコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、前記回転台に載置した前記プリント対象物を回転させつつ、前記プリントヘッドを連続的に移動させながら前記複数のノズルからインクを吐出させると共に、回転中心に近づくにしたがって前記回転速度及び前記プリントヘッドの移動速度を速くすることにより前記被プリント面と前記プリントヘッドの相対速度が一定になるようにして前記被プリント面に螺旋状にプリントするように制御することを特徴とするプリント装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の本発明は、ドーナッツ状の被プリント面を上方に向けて載置したプリント対象物を回転させる回転台と、インクを吐出するノズルを複数備え、回転台に載置されたプリント対象物の被プリント面の回転の外側から回転中心に向かって移動可能なプリントヘッドと、プリントヘッドの移動速度、回転台の回転速度及び複数のノズルからのインクの吐出を制御するコントローラとを備え、コントローラは、回転台に載置したプリント対象物を回転させつつ、プリントヘッドを連続的に移動させながら複数のノズルからインクを吐出させると共に、回転中心に近づくにしたがって回転速度及びプリントヘッドの移動速度を速くすることにより被プリント面とプリントヘッドの相対速度が一定になるようにして被プリント面に螺旋状にプリントするように制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月3日(2014.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
［Ｐｔｓ：０．７３〜０．９５］
前記Ｃ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＭｏおよびＴｉの含有量を独立変数、溶接金属の強度および靭性を従属変数とする重回帰分析を行い、［Ｃ］の係数を１として他の成分の回帰係数式として表現したのが下記式のＰｔｓであって、この式により溶接用ワイヤの成分に基づいて算出される溶接金属の強度および靭性の推定値をＰｔｓとした。Ｃ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＭｏおよびＴｉの含有量を、下記式のＰｔｓで０．７３〜０．９５にすることによって、強度を確保しつつ低温での良好で安定した靭性を有する溶接金属が得られる。Ｐｔｓが０．７３未満であると、溶接金属の強度が低くなる。一方、０．９５を超えると、溶接金属の強度が高くなり安定した低温靭性が得られない。
Ｐｔｓ＝［Ｃ］＋［Ｓｉ］／７＋［Ｍｎ］／５＋［Ｃｕ］／７＋［Ｎｉ］／２０＋［Ｃｒ］／８＋［Ｍｏ］／２＋［Ｔｉ］／  ５                      ・・・式（１）
なお、Ａｌは、製鋼時に微量必然的に含有するが、溶接金属中に非金属介在物を形成して靭性を低下させるので少ない方が好ましく０．０１０％以下に制限する。ＳおよびＰは、不純物であり溶接金属の靭性を低下させるため、その含有量をそれぞれ０．０２０質量％以下とするのが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月26日(2013.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式１で表されるポリブタジエン（メタ）アクリレート化合物及び下記式２で表されるポリブタジエン（メタ）アクリレート化合物からなる群から選択される少なくとも１つのポリブタジエン（メタ）アクリレート化合物と、水素添加されたダイマー酸とが含まれているフラックス。
【化１】
2013188761.tif 000001
【化２】
2013188761.tif 000002
【請求項２】
前記ダイマー酸が、下記式３で表されるダイマー酸及び下記式４で表されるダイマー酸からなる群から選択される少なくとも１つである請求項１に記載のフラックス。
【化３】
2013188761.tif 000003
【化４】
2013188761.tif 000004
【請求項３】
ロジン、水素添加ロジン、重合ロジン、不均化ロジン及びアクリル酸変性ロジンからなる群から選択される少なくとも一種のロジン系樹脂が、さらに含まれている請求項１または２に記載のフラックス。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のフラックスを含むはんだ組成物。
【請求項５】
鉛フリーはんだ合金が含まれている請求項４に記載のはんだ組成物。
【請求項６】
電子回路基板の表面の導体部に、請求項４または５に記載のはんだ組成物を印刷してはんだ印刷パターンを形成することと、
前記はんだ印刷パターン上に電子部品を搭載することと、
前記電子部品が搭載された電子回路基板を空気雰囲気中で１５０℃以上２００℃以下でプリヒートした後、本加熱するリフローを行なうこととを含む電子回路実装基板の製造方法。
【請求項７】
前記プリヒートを、６０秒間以上１８０秒間以下行う請求項６に記載の電子回路実装基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
前記フラックスは、プリント配線板の表面の導電部の金属酸化物を除去したり、はんだ付け時にはんだ合金が再酸化することを防止したり、あるいは、はんだの表面張力を低下させたりして、はんだ付け性を向上させるためにはんだ組成物等に配合される。
一方、前記フラックスを用いたはんだを用いてはんだ付けをすると、はんだ付けを行った後の電子回路実装基板に、前記フラックス中の樹脂成分に起因するフラックス残渣といわれる皮膜部分が残る。かかるフラックス残渣には、冷熱サイクル等の温度変化等により亀裂（クラック）が入るおそれがあり、前記クラックから水分がフラックス残渣内部に浸透した場合には、リード間の絶縁低下が発生する等の不良の原因になるおそれがある。
特に、自動車等のエンジン部に使用される電子回路実装基板のように、温度差の大きい部分で使用される電子回路実装基板においては、前記フラックス残渣におけるクラックが発生しやすく、クラック発生の抑制が要求される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のフラックスは、
下記式１で表されるポリブタジエン（メタ）アクリレート化合物及び下記式２で表されるポリブタジエン（メタ）アクリレート化合物からなる群から選択される少なくとも１つのポリブタジエン（メタ）アクリレート化合物と、水素添加されたダイマー酸とが含まれている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明における一つの態様として、前記ダイマー酸が、下記式３で表されるダイマー酸及び下記式４で表されるダイマー酸からなる群から選択される少なくとも１つであってもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本実施形態の水素添加ダイマー酸は、下記式７で表されるダイマー酸及び下記式８で表されるダイマー酸からなる群から選択される少なくとも１つのダイマー酸である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
本実施形態のはんだ組成物は、前記フラックス８質量％〜２０質量％、好ましくは１０質量％〜１５質量％に、前記はんだ合金粉末を８０質量％〜９２質量％、好ましくは８５質量％〜９０質量％を混合して、ペースト状にしたソルダペーストであることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月7日(2014.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記結晶異方性エッチング工程では、前記第２シリコン基板が前記第１シリコン基板を
結晶異方性エッチングする際のエッチングストッパとして機能する請求項１から４のいず
れか１項記載のノズルプレートの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月11日(2014.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
二色成形用射出成形機１は、図２に示すように、機台１００上に設置した型締装置１ｃと、左右に並べて設置した一対の射出装置１ｉａ，１ｉｂを備える。なお、図２は射出成形機１の平面視の外観を示す。型締装置１ｃは、機台１００の中程に固定した固定盤４と、機台１００の端部に固定した支持盤１１と、この支持盤１１と固定盤４間に架設した四本のタイバー１２…を備えるとともに、各タイバー１２…にスライド自在に装填した可動盤２を備える。各タイバー１２…は、可動盤２（支持盤１１，固定盤４）の四隅に配される。一方、支持盤１１の背面には、型締シリンダ１３ａ及び１３ｂを配設する。この場合、型締シリンダ１３ａは後述する一次側の金型Ｃａの位置に対応し、型締シリンダ１３ｂは後述する二次側の金型Ｃｂの位置に対応して配する。そして、各型締シリンダ１３ａ，１３ｂの図に現れないピストンロッドの先端は可動盤２に結合するとともに、各型締シリンダ１３ａ，１３ｂは、それぞれ後述する油圧回路３４に接続する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2013188998.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月23日(2014.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホウ酸アルミニウムの質量を基準にして０．３〜２質量％となる量のＬａ２Ｏ３で修飾された式９Ａｌ２Ｏ３・２Ｂ２Ｏ３で表わされるホウ酸アルミニウムを含むことを特徴とする排気ガス浄化用触媒のための担体。
【請求項２】
ホウ酸アルミニウムの質量を基準にして０．３〜２質量％となる量のＬａ２Ｏ３で修飾された式９Ａｌ２Ｏ３・２Ｂ２Ｏ３で表わされるホウ酸アルミニウムを含む担体と、該担体に担持されたＰｄとを含むことを特徴とする排気ガス浄化用触媒。
【請求項３】
セラミックス又は金属材料からなる触媒支持体と、該触媒支持体上に担持されている請求項１又は２記載の排気ガス浄化用触媒の層とを含むことを特徴とする排気ガス浄化用触媒構成体。
【請求項４】
セラミックス又は金属材料からなる触媒支持体と、該触媒支持体上に担持されている請求項１又は２記載の排気ガス浄化用触媒の層と、該排気ガス浄化用触媒の層の上に担持されているＲｈ触媒層とを含むことを特徴とする排気ガス浄化用触媒構成体。
【請求項５】
式９Ａｌ２Ｏ３・２Ｂ２Ｏ３で表わされるホウ酸アルミニウムとランタン化合物の水溶液とを混合し、蒸発乾固させ、焼成してＬａ２Ｏ３で修飾された式９Ａｌ２Ｏ３・２Ｂ２Ｏ３で表わされるホウ酸アルミニウムを製造し、次いで、該修飾されたホウ酸アルミニウムとＰｄ化合物の水溶液とを混合するか、又は該修飾されたホウ酸アルミニウムとＢａ化合物とＰｄ化合物の水溶液とを混合し、その後、蒸発乾固させ、焼成することを特徴とする排気ガス浄化用触媒の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月7日(2014.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
ろ液のビスフェノールＡ含量は、約１０．０重量％である。
本明細書の当初の開示は、少なくとも下記の態様を包含する。
〔１〕連続的ろ過装置上で、固液懸濁液を連続的にろ過するための装置であって、有効ろ過層が、エチレン−クロロトリフルオロエチレンコポリマー（Ｅ−ＣＴＦＥ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）およびポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）からなる群から選択される合成繊維から形成された縦糸および横糸の織物材を含む装置。
〔２〕有効ろ過層が可動フィルターの円筒状側面に位置する前記〔１〕に記載の装置。
〔３〕回転ドラムフィルターでろ過を行う前記〔２〕に記載の装置。
〔４〕繊維の太さが３００〜１０００μｍの範囲である前記〔１〕に記載の装置。
〔５〕織物材の透気性が、２０ｍｍ水柱の圧力で、９０〜１５００［Ｌ／ｄｍ２×ｍｉｎ］の範囲であることを特徴とする、前記〔１〕に記載の装置。
〔６〕エチレン−クロロトリフルオロエチレンコポリマー（Ｅ−ＣＴＦＥ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）およびポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）からなる群から選択される合成繊維の縦糸および横糸の織物材を含むろ過層の、連続的ろ過装置で固液懸濁液を連続的にろ過するための使用。
〔７〕液体フェノール中のビスフェノール−フェノール付加物結晶の懸濁液を連続的にろ過するための前記〔６〕に記載の使用。
〔８〕液体フェノール中のビスフェノール−フェノール付加物結晶の懸濁液を前記〔１〕に記載する装置でろ過することにより、該懸濁液からビスフェノール−フェノール付加物結晶を単離するための方法。
〔９〕ビスフェノールが、次の式（Ｉ）：
2012016700.tif 000001
〔式中、
ＲＡは、直鎖または分枝鎖Ｃ１−Ｃ１８−アルキレン基またはＣ５−Ｃ１８−シクロアルキレン基を表し、
Ｒは、独立して直鎖または分枝鎖Ｃ１−Ｃ１８−アルキル基、Ｃ５−Ｃ１８−シクロアルキル基、Ｃ６−Ｃ２４−アリール基またはハロゲン基を表し、および、
ｘおよびｙは、独立して０または１〜４の整数を表す〕
に従う、前記〔８〕に記載の方法。
〔１０〕ビスフェノールが、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡ（ＢＰＡ））、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンおよび１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（ビスフェノールＴＭＣ）から選択される、前記〔９〕に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続的ろ過装置上で、固液懸濁液を連続的にろ過するための装置であって、有効ろ過層が、エチレン−クロロトリフルオロエチレンコポリマー（Ｅ−ＣＴＦＥ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）およびポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）からなる群から選択される合成繊維から形成された縦糸および横糸の織物材を含む装置。
【請求項２】
有効ろ過層が可動フィルターの円筒状側面に位置する請求項１に記載の装置。
【請求項３】
回転ドラムフィルターでろ過を行う請求項２に記載の装置。
【請求項４】
繊維の太さが３００〜１０００μｍの範囲である請求項１に記載の装置。
【請求項５】
織物材の透気性が、２０ｍｍ水柱の圧力で、９０〜１５００［Ｌ／ｄｍ２×ｍｉｎ］の範囲であることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
液体フェノール中のビスフェノール−フェノール付加物結晶の懸濁液を請求項１に記載する装置でろ過することにより、該懸濁液からビスフェノール−フェノール付加物結晶を単離するための方法。
【請求項７】
ビスフェノールが、次の式（Ｉ）：
【化１】
2012016700.tif 000002
〔式中、
ＲＡは、直鎖または分枝鎖Ｃ１−Ｃ１８−アルキレン基またはＣ５−Ｃ１８−シクロアルキレン基を表し、
Ｒは、独立して直鎖または分枝鎖Ｃ１−Ｃ１８−アルキル基、Ｃ５−Ｃ１８−シクロアルキル基、Ｃ６−Ｃ２４−アリール基またはハロゲン基を表し、および、
ｘおよびｙは、独立して０または１〜４の整数を表す〕
に従う、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ビスフェノールが、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡ（ＢＰＡ））、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンおよび１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（ビスフェノールＴＭＣ）から選択される、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月14日(2014.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍ個のロータ磁極片（３）と、磁界生成手段とを有するロータ（２）と、
Ｃ個のステータコイル（７、Ｓ１，１、Ｓ２，１、Ｓ３，１、Ｓ１，２、Ｓ２，２、…、Ｓ１，Ｃ、Ｓ２，Ｃ、Ｓ３，Ｃ）が巻き付けられているステータ（５）と、
前記ステータコイル（７、Ｓ１，１、Ｓ２，１、Ｓ３，１、Ｓ１，２、Ｓ２，２、…、Ｓ１，Ｃ、Ｓ２，Ｃ、Ｓ３，Ｃ）にそれぞれ接続されている複数のダイオード整流器（１１、１１’、１１’’）を有する発電機−配電網インタフェースと、
を備える発電機であって、
前記ステータコイル（７、Ｓ１，１、Ｓ２，１、Ｓ３，１、Ｓ１，２、Ｓ２，２、…、Ｓ１，Ｃ、Ｓ２，Ｃ、Ｓ３，Ｃ）の個数Ｃは、前記ロータ磁極片（３）の個数Ｍよりも大きいものであるか、または、
前記ロータ磁極片（３）の個数Ｍは、前記ステータコイル（７、Ｓ１，１、Ｓ２，１、Ｓ３，１、Ｓ１，２、Ｓ２，２、…、Ｓ１，Ｃ、Ｓ２，Ｃ、Ｓ３，Ｃ）の個数Ｃよりも大きいが、その整数倍ではない、
ことを特徴とする発電機（１）。
【請求項２】
前記ステータコイル（７、Ｓ１，１、Ｓ２，１、Ｓ３，１、Ｓ１，２、Ｓ２，２、…、Ｓ１，Ｃ、Ｓ２，Ｃ、Ｓ３，Ｃ）および前記ロータ磁極片（３）は、前記ロータ磁極片（３）の少なくとも一部が、回転中、前記ステータコイル（７、Ｓ１，１、Ｓ２，１、Ｓ３，１、Ｓ１，２、Ｓ２，２、…、Ｓ１，Ｃ、Ｓ２，Ｃ、Ｓ３，Ｃ）を非同期に通過するように設けられている、請求項１記載の発電機。
【請求項３】
前記ステータコイル（７、Ｓ１，１、Ｓ２，１、Ｓ３，１、Ｓ１，２、Ｓ２，２、…、Ｓ１，Ｃ、Ｓ２，Ｃ、Ｓ３，Ｃ）の個数Ｃは、前記ロータ磁極片（３）の個数Ｍよりも大きいが、その整数倍ではない、請求項２記載の発電機。
【請求項４】
前記ステータコイル（７、Ｓ１，１、Ｓ２，１、Ｓ３，１、Ｓ１，２、Ｓ２，２、…、Ｓ１，Ｃ、Ｓ２，Ｃ、Ｓ３，Ｃ）は、前記発電機（１）が電気的に接続される多相の配電網の異なる相（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）に割り当てられる、請求項１乃至３のいずれか１項記載の発電機。
【請求項５】
前記発電機（１）は３相の発電機（１）である、請求項４記載の発電機。
【請求項６】
一群の前記ステータコイル（７、Ｓ１，１、Ｓ２，１、Ｓ３，１、Ｓ１，２、Ｓ２，２、…、Ｓ１，Ｃ、Ｓ２，Ｃ、Ｓ３，Ｃ）は、当該ステータコイルが共通の１相に割り当てられている場合、共通の前記ダイオード整流器を共有しており、前記ロータ（２）の回転中、前記群における各前記ステータコイルは、経時的に同期した同一の電圧形状を保持する、請求項４または５記載の発電機。
【請求項７】
各前記ステータコイル（７、Ｓ１，１、Ｓ２，１、Ｓ３，１、Ｓ１，２、Ｓ２，２、…、Ｓ１，Ｃ、Ｓ２，Ｃ、Ｓ３，Ｃ）は、それぞれの前記ダイオード整流器（１１、１１’、１１’’）に接続されている、請求項１乃至５のいずれか１項記載の発電機。
【請求項８】
前記ダイオード整流器（１１、１１’、１１’’）は、共通の中性点（Ｎ０）を共有している、請求項１乃至７のいずれか１項記載の発電機。
【請求項９】
各前記ダイオード整流器（１１’）は、ブリッジ整流器（１１’）から構成されている、請求項１乃至８のいずれか１項記載の発電機。
【請求項１０】
各前記ダイオード整流器（１１、１１’’）は、最大２つのダイオード（Ｄ１、Ｄ２）から構成されている、請求項１乃至８のいずれか１項記載の発電機。
【請求項１１】
前記ダイオード整流器（１１、１１’、１１’’）は前記ステータ（５）に設けられている、請求項１乃至１０のいずれか１項記載の発電機。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項記載の発電機（１）を備える風力タービン（２０）。
【請求項１３】
ａ）Ｍ個のロータ磁極片（３）と、磁界生成手段とを有するロータ（２）を構成するステップと、
ｂ）Ｃ個のステータコイル（７、Ｓ１，１、Ｓ２，１、Ｓ３，１、Ｓ１，２、Ｓ２，２、…、Ｓ１，Ｃ、Ｓ２，Ｃ、Ｓ３，Ｃ）が巻き付けられているステータ（５）を構成するステップと、ここで、前記ステータコイル（７、Ｓ１，１、Ｓ２，１、Ｓ３，１、Ｓ１，２、Ｓ２，２、…、Ｓ１，Ｃ、Ｓ２，Ｃ、Ｓ３，Ｃ）の個数Ｃは、前記ロータ磁極片（３）の個数Ｍよりも大きいものであるか、または、前記ロータ磁極片（３）の個数Ｍは前記ステータコイル（７、Ｓ１，１、Ｓ２，１、Ｓ３，１、Ｓ１，２、Ｓ２，２、…、Ｓ１，Ｃ、Ｓ２，Ｃ、Ｓ３，Ｃ）の個数Ｃよりも大きいが、その整数倍ではなく、
ｃ）前記ステータ（５）を、前記ロータ（２）、および、前記ステータコイル（７、Ｓ１，１、Ｓ２，１、Ｓ３，１、Ｓ１，２、Ｓ２，２、…、Ｓ１，Ｃ、Ｓ２，Ｃ、Ｓ３，Ｃ）にそれぞれ接続されている複数のダイオード整流器（１１、１１’、１１’’）を有する発電機−配電網インタフェースと集合させるステップと、
を備える、ことを特徴とする発電機（１）の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月6日(2014.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に粒子間空隙構造を有する多孔質シリカ粒子からなり、
該多孔質シリカ粒子が、下記(１)〜(６)を満たし且つ表面にシラノール基、陰イオン交換基又は陽イオン交換基を有するものである
ことを特徴とする蛋白質固定化用担体：
(１) 平均粒子径（Ｄａ）が０．５〜５０μｍの範囲；
(２) 比表面積が３０〜２５０ｍ2／ｇの範囲；
(３) 細孔容積（Ｐｖ）が０．１０〜０．３２ｍｌ／ｇの範囲；
(４) 細孔径分布（Ｘ軸：細孔径［Ｐｓ］、Ｙ軸：細孔容積を細孔径で微分した値）におけるピーク値の細孔径（Ｐｍｓ）が２〜５０ｎｍの範囲；
(５)（Ｐｍｓ）×０．７５〜（Ｐｍｓ）×１．２５ｎｍの範囲内の細孔径を有する細孔の合計細孔容積が、全細孔容積の８０％以上；
(６) 空隙率が５〜５０％の範囲。
【請求項２】
前記多孔質シリカ粒子が、
平均粒子径（Ｄｂ）１０〜５０ｎｍ、真球度０．９〜１の範囲、粒子径変動係数（ＣＶ値）が２〜１０％の範囲にある球状シリカ微粒子であって、粒子径分布が単分散相を示す球状シリカ微粒子が集合した球状集合体からなることを特徴とする請求項１に記載の蛋白質固定化用担体。
【請求項３】
前記陰イオン交換基が、アミノ基又は第４級アンモニウム基を構造中に含む置換基であることを特徴とする請求項１〜２の何れかに記載の蛋白質固定化用担体。
【請求項４】
前記陽イオン交換基が、カルボキシル基、リン酸基及びスルホキシル基から選ばれる何れかの基を構造中に含む置換基であることを特徴とする請求項１〜２の何れかに記載の蛋白質固定化用担体。
【請求項５】
前記多孔質シリカ粒子が、シランカップリング剤又は有機酸で表面処理されたものであることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の蛋白質固定化用担体。
【請求項６】
前記多孔質シリカ粒子が、アミノ基含有シランカップリング剤で処理された多孔質シリカ粒子を、さらに有機酸で表面処理したものであることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の蛋白質固定化用担体。
【請求項７】
酵素の固定化に用いられる請求項１〜６の何れかに記載の蛋白質固定化用担体。
【請求項８】
請求項１〜６の何れかに記載の蛋白質固定化用担体に、蛋白質を固定化してなる固定化蛋白質。
【請求項９】
前記蛋白質が酵素である、請求項８に記載の固定化蛋白質。
【請求項１０】
前記酵素がラセマーゼである請求項９に記載の固定化蛋白質。
【請求項１１】
前記酵素がデオキシリボアルドラーゼである請求項９に記載の固定化蛋白質。
【請求項１２】
請求項１〜６の何れかに記載の蛋白質固定化用担体に、蛋白質を吸着させる工程を含む固定化蛋白質の製造方法。
【請求項１３】
前記蛋白質が酵素である、請求項１２に記載の固定化蛋白質の製造方法。
【請求項１４】
バッファー溶液中にて、４〜２５℃の範囲で、蛋白質固定化用担体に蛋白質を吸着させることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の固定化蛋白質の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月26日(2014.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乾物あたりの蛋白質含量が25重量％以上、脂質含量（クロロホルム／メタノール混合溶媒抽出物としての含量をいう。以下の請求項において同じ。）が蛋白質含量に対して100重量％以上であって、蛋白質あたりのリポキシゲナーゼ蛋白質含量が４％以上であることを特徴とする大豆乳化組成物。
【請求項２】
乾物あたりの食物繊維含量が10重量％以下である、請求項１記載の大豆乳化組成物。
【請求項３】
乾物あたりの脂質含量が15重量％以上であってNSIが20〜77の範囲に加工された含脂大豆を用い、
１）該含脂大豆に加水して懸濁液を調製する工程、
２）該懸濁液を固液分離し、中性脂質及び極性脂質を不溶性画分に移行させて、蛋白質及び糖質を含む水溶性画分を除去し、不溶性画分を回収する工程、
を含むことを特徴とする、大豆乳化組成物の製造法。
【請求項４】
回収された不溶性画分をさらに均質化した後、該均質化液を固液分離して食物繊維を除去し、上清を回収することを特徴とする、請求項３記載の大豆乳化組成物の製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月17日(2014.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
指先の腹に対向する腹側カバー部材と、
前記指先の少なくとも爪を覆うように配置される爪側カバー部材と、
前記爪に光を照射する光源と、を備え、
前記腹側カバー部材には、前記指先に設けられるネイル樹脂保持部材の一部を収容する収容部が、少なくとも前記指先の近傍に形成されることを特徴とする、
ネイル樹脂硬化用光照射装置。
【請求項２】
前記腹側カバー部材は、少なくとも４本の前記指先の腹に対向しており、
前記腹側カバー部材には、前記収容部が、前記少なくとも４本の前記指先の前記ネイル樹脂保持部材の一部を収容することを特徴とする、
請求項１に記載のネイル樹脂硬化用光照射装置
【請求項３】
前記収容部は、前記指先の指幅よりも狭い領域を含むことを特徴とする、
請求項１又は２に記載のネイル樹脂硬化用光照射装置。
【請求項４】
前記収容部は、前記指先の長手方向に沿ったスリット形状であることを特徴とする、
請求項１乃至３のいずれかに記載のネイル樹脂硬化用光照射装置。
【請求項５】
前記収容部の周囲に、前記指先の前記腹と当接する突起が形成されることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載のネイル樹脂硬化用光照射装置。
【請求項６】
前記光源は、前記爪に対向配置されて前記爪の表面に光を照射する対向側光源と、前記指の延長線上近傍に配置されて、指先に向かって光を照射する前記指先側光源を備えることを特徴とする、
請求項１乃至５のいずれかに記載のネイル樹脂硬化用光照射装置。
【請求項７】
前記爪側カバー部材の内壁には、前記光を吸収する光吸収面が形成されることを特徴とする、
請求項１乃至６のいずれかに記載のネイル樹脂硬化用光照射装置。
【請求項８】
指先の爪に光を照射して、爪に塗布されるネイル樹脂を硬化させるネイル樹脂硬化用光照射装置に用いられ、前記指先が載置されて該指先の腹に対向する腹側カバー部材であって、
前記指先に設けられるネイル樹脂保持部材の一部を収容する収容部が、少なくとも前記指先の近傍に形成されることを特徴とする、
ネイル樹脂硬化用光照射装置用の腹側カバー部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ネイル樹脂用光照射装置、ネイル樹脂硬化用光照射装置用の腹側カバー部材
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、斯かる実情に鑑みてなされたものであり、拡張シールを用いる場合であっても、利便性の高い光照射装置、光照射装置用の腹側カバー部材を提供しようとするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月17日(2014.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
食材を所定の大きさにカットし味付け調味を施す前処理を施した食材を、１００℃を超える過熱蒸気で加熱することにより加熱調理し、その後、真空度２００パスカル以下、温度７０℃以下で真空凍結乾燥して得られた湯戻し用凍結乾燥食品であって、
湯戻しすると、表面にスキン層が認められ、前記スキン層の厚さが０．０５〜２．０ｍｍの範囲であることを特徴とする湯戻し用凍結乾燥食品。
【請求項２】
前記湯戻し用凍結乾燥食品の水分率が５．０％以下である請求項１に記載の湯戻し用凍結乾燥食品。
【請求項３】
前記スキン層の厚さが０．２〜２．０ｍｍの範囲である請求項１又は２に記載の湯戻し用凍結乾燥食品。
【請求項４】
前記所定の大きさにカットした食材の大きさが、縦、横、厚さともに４ｍｍ以上であり、縦及び横は５０ｍｍ以下、厚さは２０ｍｍ以下である請求項１〜３のいずれかに記載の湯戻し用凍結乾燥食品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】凍結乾燥食品
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、凍結乾燥食品に関し、特に湯で復元することにより食品本来の旨味が消失しない凍結乾燥食品に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記従来の問題を解決するため、食材の持つ本来の食感や旨味を保持できる凍結乾燥食品を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の湯戻し用凍結乾燥食品は、食材を所定の大きさにカットし味付け調味を施す前処理を施した食材を、１００℃を超える過熱蒸気で加熱調理し、その後、真空度２００パスカル以下、温度７０℃以下で真空凍結乾燥して得られた湯戻し用凍結乾燥食品であって、湯戻しすると、表面にスキン層が認められ、前記スキン層の厚さが０．０５〜２．０ｍｍの範囲であることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
５．湯戻し
本発明で得られる凍結乾燥食品は、通常の湯戻しで食べられるようになる。すなわち、即席麺、即席味噌汁、即席スープなどで使用されているように、高温の湯を加え、数分間浸漬させることで食べられる状態に戻る。参考例として、煮炊きしても戻すことができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年7月4日(2014.7.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
図４は、燃料ノズル１００と共に使用することができる例示的な熱障壁コーティング１１８の概略図である。例示的な実施形態において、熱障壁コーティング１１８は、燃料ノズル１００の複数の内側表面１１９に施工される。熱障壁コーティング１１８は、プラズマスプレー法を用いて施工される。代替の実施形態において、熱障壁コーティング１１８は、電子ビーム物理蒸着（ＥＢ−ＰＶＤ）を用いて、熱障壁コーティング１１８のスラリー溶液を燃料ノズル１００上にスプレーし、及び／又は燃料ノズル１００を熱障壁コーティング１１８のスラリー溶液内に浸漬することにより施工される。熱障壁コーティング１１８は、最初に内側表面１１９の少なくとも一部に施工される金属ボンドコーティング１６４と、次に金属ボンドコーティング１６４の少なくとも一部に施工されるセラミックコーティング１６５とを含む。例示的な実施形態において、熱障壁コーティング１１８は、約１０００分の４インチ（０．００４インチ）から約１０００分の１００インチ（０．１００インチ）までの範囲の厚み１６６で施工される。例示的な実施形態において、熱障壁コーティングは、約１０００分の２０インチ（０．０２０インチ）から１０００分の３０インチ（０．０３０インチ）の間の厚み１６６を有する。しかしながら、熱障壁コーティング１１８の厚み１６６は、本明細書で記載される機能を燃料ノズル１００が実施できる所望の耐熱レベルが確実に達成されるように、可変的に選択することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月30日(2013.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板上に、塩素系ガスでドライエッチング可能な材料で形成される薄膜を備え、該薄膜に転写パターンを形成する際にレジスト膜を用いるマスクブランクであって、
前記薄膜の上面に接して、遷移金属及びケイ素に、さらに窒素及び酸素のうち少なくとも一方の元素を含む材料で形成されるエッチングマスク膜が設けられ、該エッチングマスク膜中の遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が９％未満であることを特徴とするマスクブランク。
【請求項２】
前記エッチングマスク膜の表面に、シラン系カップリング剤による表面処理が施されていることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク。
【請求項３】
前記シラン系カップリング剤は、ヘキサメチルジシラザン（Hexamethyldisilazane）であることを特徴とする請求項２に記載のマスクブランク。
【請求項４】
シラン系カップリング剤による表面処理が施された前記エッチングマスク膜の表面に接してレジスト膜が形成されていることを特徴とする請求項２または３に記載のマスクブランク。
【請求項５】
前記エッチングマスク膜中の遷移金属は、モリブデン（Ｍｏ）であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のマスクブランク。
【請求項６】
前記エッチングマスク膜は、膜厚が５ｎｍ〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のマスクブランク。
【請求項７】
前記レジスト膜は、膜厚が５０ｎｍ〜１８０ｎｍであることを特徴とする請求項４に記載のマスクブランク。
【請求項８】
前記薄膜は、クロムを含有する材料で形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のマスクブランク。
【請求項９】
前記薄膜は、ハフニウム、ジルコニウム、タンタル−ハフニウム、タンタル−ジルコニウムから選ばれるいずれかを含有する材料で形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のマスクブランク。
【請求項１０】
前記薄膜は、遮光膜であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載のマスクブランク。
【請求項１１】
前記透光性基板と前記薄膜との間に位相シフト膜が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク。
【請求項１２】
前記位相シフト膜は、遷移金属及びケイ素に、さらに窒素及び酸素のうち少なくとも一方の元素を含む材料で形成されることを特徴とする請求項１１に記載のマスクブランク。
【請求項１３】
前記位相シフト膜中の遷移金属は、モリブデン（Ｍｏ）であることを特徴とする請求項１２に記載のマスクブランク。
【請求項１４】
請求項１に記載のマスクブランクを用いた転写用マスクの製造方法であって、
前記エッチングマスク膜の表面に、シラン系カップリング剤による表面処理を施す工程と、
前記表面処理後のエッチングマスク膜の表面に接してレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に転写パターンを露光してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記エッチングマスク膜をフッ素系ガスでドライエッチングして、エッチングマスク膜パターンを形成する工程と、
前記エッチングマスク膜パターンをマスクとして、前記薄膜を塩素系ガスでドライエッチングして、薄膜パターンを形成する工程とを有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至１３のいずれかに記載のマスクブランクを用いた転写用マスクの製造方法であって、
前記エッチングマスク膜の表面に、シラン系カップリング剤による表面処理を施す工程と、
前記表面処理後のエッチングマスク膜の表面に接してレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に転写パターンを露光してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記エッチングマスク膜をフッ素系ガスでドライエッチングして、エッチングマスク膜パターンを形成する工程と、
前記エッチングマスク膜パターンをマスクとして、前記薄膜を塩素系ガスでドライエッチングして、薄膜パターンを形成する工程と、
前記薄膜パターンをマスクとして、前記位相シフト膜をフッ素系ガスでドライエッチングして、位相シフト膜パターンを形成する工程とを有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月20日(2013.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のスイッチ乃至第ｎのスイッチ（ｎは２以上の自然数）と、
第ｎ＋１のスイッチ乃至第ｍのスイッチ（ｍはｎ＋２以上の自然数）と、
第１の信号線乃至第ｎの信号線と、
第ｎ＋１の信号線乃至第ｍの信号線と、を有し、
前記第１のスイッチ乃至前記第ｎのスイッチは、第１の期間においてオン状態となり、第２の期間においてオフ状態となり、
前記第ｎ＋１のスイッチ乃至前記第ｍのスイッチは、前記第１の期間においてオフ状態となり、前記第２の期間においてオン状態となり、
前記第１の信号線は、前記第１の期間において前記第１のスイッチを介して信号が供給され、前記第２の期間において浮遊状態となり、
前記第ｎの信号線は、前記第１の期間において前記第ｎのスイッチを介して信号が供給され、前記第２の期間において浮遊状態となり、
前記第ｎ＋１の信号線は、前記第１の期間において浮遊状態となり、前記第２の期間において前記第ｎ＋１のスイッチを介して信号が供給され、
前記第ｍの信号線は、前記第１の期間において浮遊状態となり、前記第２の期間において前記第ｍのスイッチを介して信号が供給され、
前記第１の信号線乃至前記第ｍの信号線は、各々が平行又は略平行に配列した領域を有し、
前記第ｎの信号線と前記第ｎ＋１の信号線との間隔は、前記第ｎ−１の信号線と前記第ｎの信号線との間隔よりも広く、且つ前記第ｎ＋１の信号線と前記第ｎ＋２の信号線との間隔よりも広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の信号線乃至前記第ｎの信号線のいずれか一及び前記第ｎ＋１の信号線乃至前記第ｍの信号線のいずれか一に対する信号の供給が、同一の配線を介して行われることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１のスイッチ乃至前記第ｍのスイッチは、第１のトランジスタ乃至第ｍのトランジスタであり、
前記第１の信号線乃至前記第ｍの信号線は、前記第１のトランジスタ乃至前記第ｍのトランジスタのチャネル長方向に垂直又は略垂直に設けられた領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第ｎのトランジスタのソース端子及びドレイン端子の一方は、前記第ｎのトランジスタのソース端子及びドレイン端子の他方よりも前記第ｎ＋１のトランジスタに近接し、
前記第ｎ＋１のトランジスタのソース端子及びドレイン端子の一方は、前記第ｎ＋１のトランジスタのソース端子及びドレイン端子の他方よりも前記第ｎのトランジスタに近接し、
前記第ｎのトランジスタのソース端子及びドレイン端子の他方は、前記第ｎの信号線に電気的に接続され、
前記第ｎ＋１のトランジスタのソース端子及びドレイン端子の他方は、前記第ｎ＋１の信号線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１のスイッチ乃至第ｎのスイッチ（ｎは２以上の自然数）と、
第ｎ＋１のスイッチ乃至第ｍのスイッチ（ｍはｎ＋２以上の自然数）と、
第１のソース信号線乃至第ｎのソース信号線と、
第ｎ＋１のソース信号線乃至第ｍのソース信号線と、を有し、
前記第１のスイッチ乃至前記第ｎのスイッチは、第１の期間においてオン状態となり、第２の期間においてオフ状態となり、
前記第ｎ＋１のスイッチ乃至前記第ｍのスイッチは、前記第１の期間においてオフ状態となり、前記第２の期間においてオン状態となり、
前記第１のソース信号線は、前記第１の期間において前記第１のスイッチを介して画像信号が供給され、前記第２の期間において浮遊状態となり、
前記第ｎのソース信号線は、前記第１の期間において前記第ｎのスイッチを介して画像信号が供給され、前記第２の期間において浮遊状態となり、
前記第ｎ＋１のソース信号線は、前記第１の期間において浮遊状態となり、前記第２の期間において前記第ｎ＋１のスイッチを介して画像信号が供給され、
前記第ｍのソース信号線は、前記第１の期間において浮遊状態となり、前記第２の期間において前記第ｍのスイッチを介して画像信号が供給され、
前記第１のソース信号線乃至前記第ｍのソース信号線は、各々が平行又は略平行に配列した領域を有し、
前記第ｎのソース信号線と前記第ｎ＋１のソース信号線との間隔は、前記第ｎ−１のソース信号線と前記第ｎのソース信号線との間隔よりも広く、且つ前記第ｎ＋１のソース信号線と前記第ｎ＋２のソース信号線との間隔よりも広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１のソース信号線乃至前記第ｎのソース信号線のいずれか一及び前記第ｎ＋１のソース信号線乃至前記第ｍのソース信号線のいずれか一に対する画像信号の供給が、同一のデータ信号線を介して行われることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５又は６において、
前記第１のスイッチ乃至前記第ｍのスイッチは、第１のトランジスタ乃至第ｍのトランジスタであり、
前記第１のソース信号線乃至前記第ｍのソース信号線は、前記第１のトランジスタ乃至前記第ｍのトランジスタのチャネル長方向に垂直又は略垂直に設けられた領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第ｎのトランジスタのソース端子及びドレイン端子の一方は、前記第ｎのトランジスタのソース端子及びドレイン端子の他方よりも前記第ｎ＋１のトランジスタに近接し、
前記第ｎ＋１のトランジスタのソース端子及びドレイン端子の一方は、前記第ｎ＋１のトランジスタのソース端子及びドレイン端子の他方よりも前記第ｎのトランジスタに近接し、
前記第ｎのトランジスタのソース端子及びドレイン端子の他方は、前記第ｎのソース信号線に電気的に接続され、
前記第ｎ＋１のトランジスタのソース端子及びドレイン端子の他方は、前記第ｎ＋１のソース信号線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項３、４、７又は８において、
前記第１のトランジスタ乃至前記第ｍのトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第１のトランジスタ乃至前記第ｍのトランジスタのスイッチングを制御するシフトレジスタ回路を有し、
前記シフトレジスタ回路は、酸化物半導体を有するトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項５乃至８のいずれか一項において、
前記第１のソース信号線乃至前記第ｍのソース信号線のいずれか一に電気的に接続された画素を有し、
前記画素は、酸化物半導体を有するトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記画素が有するトランジスタのスイッチングを制御するゲート信号線駆動回路を有し、
前記ゲート信号線駆動回路は、酸化物半導体を有するトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の半導体装置を有する電子機器。