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【手続補正書】
【提出日】平成26年5月16日(2014.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】入出力装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤色、青色及び緑色を発光する発光ダイオード、並びに赤外光を発する発光ダイオードを備えるライトユニットと、
表示回路と、
光検出回路と、を有する入出力装置であって、
前記入出力装置はフィールドシーケンシャル方式で駆動され、
前記光検出回路は、赤色、青色及び緑色を吸収するフィルタを有し、
前記発光ダイオードが、赤色、青色及び緑色のいずれかを発する第１の期間では、前記表示回路で表示が行われ、
前記発光ダイオードが、赤外光を発する第２の期間では、前記光検出回路において、前記赤外光の照度に応じたデータが生成されることを特徴とする入出力装置。
【請求項２】
赤色、青色及び緑色を発光する発光ダイオード、並びに赤外光を発する発光ダイオードを備えるライトユニットと、
表示回路と、
光検出回路と、を有する入出力装置であって、
前記入出力装置はフィールドシーケンシャル方式で駆動され、
前記光検出回路は、赤色、青色及び緑色を吸収するフィルタを有し、
前記発光ダイオードが、赤色、青色及び緑色のいずれかを発する第１の期間では、前記表示回路で表示が行われ、
前記発光ダイオードが、赤外光を発する第２の期間では、前記光検出回路において、前記赤外光の照度に応じたデータが生成され、
前記第２の期間は、前記第１の期間と重なる期間を有することを特徴とする入出力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月7日(2014.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリブロック内のビットを消去するステップと、
過消去されたビットを識別するステップと、
過消去された第１サブセットのビットをソフトプログラムするステップと、
前記第１サブセットのビットをソフトプログラムするステップの結果を測定するステップと、
前記第１サブセットのビットをソフトプログラムするステップの結果に基づいて、複数の可能電圧条件から初期電圧条件を選択するステップと、
前記初期電圧条件を過消去された第２サブセットのビットに適用しながら、前記第２サブセットのビットをソフトプログラムするステップであって、前記第２サブセットは前記選択するステップの時に依然として過消去されているビットを含む、ステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記第２サブセットのビット内にさらにソフトプログラムが必要な第３サブセットのビットが存在するかどうかを決定するステップと、
前記第３サブセットのビットが存在する場合、前記初期電圧条件より高い電圧を含む電圧条件を用いて、前記第３サブセットのビットをソフトプログラムするステップと、
をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ビットはゲートを有し、
前記第１サブセットのビットをソフトプログラムするステップは、控えめな初期ゲート電圧を用いて、第１ページの過消去されたビットのゲートに適用するステップを含み、前記第１ページの過消去されたビットは前記第１サブセットのビット内である、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第１の複数のメモリセルが第１閾値電圧と前記第１閾値電圧より低い第２閾値電圧との間である閾値電圧を有するように消去され、第２の複数のメモリセルが前記第２閾値電圧と前記第２閾値より低い第３閾値電圧との間である閾値電圧を有するように消去され、第３の複数のメモリセルが前記第３閾値電圧より低い閾値電圧を有するように消去される、メモリセルのブロックを消去するステップと、
ソフトプログラムに対する前記第２の複数のメモリセルの部分の応答を決定するステップと、
前記ソフトプログラムに対する前記第２の複数のメモリセルの部分の応答に基づいてソフトプログラム条件を選択するステップと、
前記第２閾値電圧と前記第３閾値電圧との間の閾値電圧を有する第２サブセットのメモリセル及び前記第３の複数のメモリセルに、前記選択するステップで選択されたソフトプログラム条件を適用するステップと、
を含む方法。
【請求項５】
メモリブロックの全てのビットを消去するステップと、
前記消去するステップによって過消去された前記メモリブロック内のビットを識別するステップと、
前記消去するステップによって過消去された前記メモリブロック内のビットの一部をテストして、ソフトプログラムの間に適用する所望ゲート電圧を決定するステップであり、前記所望ゲート電圧は、当該所望ゲート電圧でのソフトプログラムによってテストされたビットのうちの少なくとも所定のパーセントの閾値電圧を、最大所望閾値電圧と最低所望閾値電圧との間にある少なくとも中間閾値電圧まで増加させる結果になるゲート電圧である、ステップと、
全ての残りの過消去されたビットをソフトプログラムするために、前記所望ゲート電圧を用いて前記ビットのゲートに適用するステップと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月27日(2014.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂溶解液若しくは重合性単量体、及び、着色剤を含有する混合液を調製する工程と、
前記混合液中において前記着色剤を分散させて着色剤分散液を得る着色剤分散工程と、を有するトナーの製造方法であって、
前記着色剤が、顔料を含み、
前記混合液が、非イオン性界面活性剤を更に含有し、
前記非イオン性界面活性剤が、オキシアルキレン基を有し、
前記非イオン性界面活性剤の親水親油バランス値（ＨＬＢ値）が、９．０以上１７．０以下である
ことを特徴とするトナーの製造方法。
【請求項２】
前記非イオン性界面活性剤が、ポリアルキレングリコール型の界面活性剤である請求項１に記載のトナーの製造方法。
【請求項３】
前記非イオン性界面活性剤が、高級アルコールアルキレンオキサイド付加物又は脂肪酸アルキレンオキサイド付加物である請求項２に記載のトナーの製造方法。
【請求項４】
前記非イオン性界面活性剤が、オキシプロピレン基を有する請求項２又は３に記載のトナーの製造方法。
【請求項５】
前記混合液中における前記非イオン性界面活性剤の含有量が、前記樹脂溶解液若しくは前記重合性単量体１００質量部に対し、０．０３質量部以上０．５０質量部以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載のトナーの製造方法。
【請求項６】
前記混合液が、重合性単量体を含有し、
前記製造方法が、水系媒体中で前記着色剤分散液の液滴を形成し、前記液滴に含有される前記重合性単量体を重合させる重合工程を更に有する
請求項１〜５のいずれか１項に記載のトナーの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明者らは、上記課題を解決すべく、鋭意検討を行った結果、以下の方法によれば前記課題に対し性能を満足するトナーが得られることがわかり本発明に至った。
即ち、本発明は、
樹脂溶解液若しくは重合性単量体、及び、着色剤を含有する混合液を調製する工程と、
前記混合液中において前記着色剤を分散させて着色剤分散液を得る着色剤分散工程と、を有するトナーの製造方法であって、
前記着色剤が、顔料を含み、
前記混合液が、非イオン性界面活性剤を更に含有し、
前記非イオン性界面活性剤が、オキシアルキレン基を有し、
前記非イオン性界面活性剤の親水親油バランス値（ＨＬＢ値）が、９．０以上１７．０以下である
ことを特徴とするトナーの製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月18日(2014.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の表示要素に接続可能な複数のコモン端子及び複数のセグメント端子と、前記コモン端子を駆動する第１駆動手段と、表示信号に基づいて前記セグメント端子を駆動する第２駆動手段とを有し、前記第１駆動手段によって所定周期の走査信号で前記複数のコモン端子を駆動すると共に前記第２駆動手段によって表示信号に対応し前記走査信号に同期するセグメント信号で前記複数のセグメント端子を駆動することにより、前記表示要素で前記表示信号に対応する表示を行う表示装置において、
前記第１駆動手段は、前記複数のコモン端子を複数のコモン端子ブロックに分割して駆動すると共に当該分割数が可変であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１駆動手段は、前記複数のコモン端子を所定数のコモン端子ブロックに分割して駆動するように切り替える切替手段を備えて成ることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記各コモン端子と各セグメント端子は各々独立に駆動可能であり、
前記第１、第２駆動手段は、前記表示要素が点灯状態又はオフ状態をとるように駆動することを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１駆動手段及び前記第２駆動手段を実装する回路基板を備え、
前記回路基板は、その対向する両辺のうちの一辺に第１のセグメント端子及び前記対向する両辺の他辺に第２のセグメント端子を備え、
前記第１セグメント端子と前記表示要素とを繋ぐ配線、及び前記第２セグメント端子と前記表示要素とを繋ぐ配線が、入力手段と前記回路基板とを繋ぐ配線と交差しないことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項５】
前記表示要素は、１つのセグメント端子と複数のコモン端子とで駆動されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項６】
前記複数のコモン端子ブロック間の接続を遮断するコモン遮断スイッチを備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項７】
表示手段を有する電子機器において、
前記表示手段として請求項１乃至６のいずれか一に記載の表示装置を用いて成ることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
時間を計時する計時手段を有し、
前記表示手段は、少なくとも前記計時手段で計時した時刻を表示することを特徴とする請求項７記載の電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月24日(2014.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記従動ローラの回転軸の延長された先端にカップリング部材を設け、該カップリング部材によって別部材の回転軸を連結し、前記計測手段は、前記別部材の回転軸の先端部分に設けられたエンコーダであることを特徴とする請求項２に記載の定着装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月16日(2014.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】入出力装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ライトユニットと、
表示回路と
光検出回路と、を有する入出力装置であって、
前記入出力装置は、フィールドシーケンシャル方式で駆動され、
各フレーム期間において、前記光検出回路の全てに同一の光検出制御信号が入力されることで、前記光検出回路は前記ライトユニットからの光の照度に応じたデータを生成し、
前記光検出制御信号のパルス周期は、前記ライトユニットの発光色が切り替わる周期よりも長いことを特徴とする入出力装置。
【請求項２】
ライトユニットと、
表示回路と
光検出回路と、を有する入出力装置であって、
前記入出力装置は、フィールドシーケンシャル方式で駆動され、
各フレーム期間において、前記光検出回路の全てに同一の光検出制御信号が入力されることで、前記光検出回路は前記ライトユニットからの光の照度に応じたデータを生成し、
前記光検出制御信号のパルス周期は、前記ライトユニットの発光色が切り替わる周期よりも長く、
前記ライトユニットが点灯状態である期間に、前記光検出回路が生成する第１のデータと、前記ライトユニットが消灯状態である期間に、前記光検出回路が生成する第２のデータとを比較し、前記第１のデータと前記第２のデータとの差分データである第３のデータを生成することを特徴とする入出力装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記光検出回路は、光電変換素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記光電変換素子の第１の端子に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのチャネルは酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタのチャネルは酸化物半導体を有することを特徴とする入出力装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記光検出回路は、光電変換素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記光電変換素子の第１の端子に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのチャネルは酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタのチャネルはシリコンを有することを特徴とする入出力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月11日(2014.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置されるゲート配線と、
前記ゲート配線と絶縁され交差して前記基板上に配置される第１データ配線、第２データ配線、及び第１電源配線と、
前記ゲート配線と前記第１データ配線に接続される第１スイッチング素子と、
前記ゲート配線と前記第１電源配線に接続される第２スイッチング素子と、
前記ゲート配線と前記第２データ配線に接続されている第３スイッチング素子と、
前記ゲート配線と前記第１電源配線に接続されている第４スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子、第３スイッチング素子、及び第４スイッチング素子とそれぞれ接続される第１画素電極、第２画素電極、第３画素電極、及び第４画素電極とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記ゲート配線と平行に配置され前記第１電源配線と接続される第１バス配線をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記ゲート配線と絶縁され交差する第３データ配線、第４データ配線、及び第２電源配線と、
前記ゲート配線と前記第３データ配線に接続される第５スイッチング素子と、
前記ゲート配線と前記第２電源配線に接続される第６スイッチング素子と、
前記ゲート配線と前記第４データ配線に接続される第７スイッチング素子と、
前記ゲート配線と前記第２電源配線に接続される第８スイッチング素子と、
前記第５スイッチング素子、第６スイッチング素子、第７スイッチング素子、及び第８スイッチング素子とそれぞれ接続される第５画素電極、第６画素電極、第７画素電極、及び第８画素電極をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記ゲート配線と平行に配置され前記第２電源配線と接続される第２バス配線をさらに有することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１電源配線には基準電圧に対して第１極性の電圧が印加され、前記第２電源配線には前記基準電圧に対して前記第１極性とは反対の第２極性の電圧が印加されることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１画素電極と接続される第１シールドパターンと、
前記第２画素電極と接続される第２シールドパターンとをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１シールドパターンの一部が前記第１画素電極と重畳することを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第２電源配線と接続される第２接続配線をさらに有し、
前記第６スイッチング素子は前記第２接続配線に接続され、前記第８スイッチング素子は前記第２接続配線に接続されたことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１電源配線に接続される第１接続配線をさらに有し、
前記第１接続配線は、前記第１乃至第４画素電極と同一層に配置されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記ゲート配線と平行に配置され前記第１乃至第４画素電極の一部と重畳するストレージ配線をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月6日(2014.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式Ｌｉ２ＭＳｉＯ４（式中、ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉから選択される少なくとも１種の元素）で表される化合物を主成分として含む核と、
一般式ＬｉＭＰＯ４で表される化合物を主成分として含み、前記核の周囲を覆う被覆層と、
前記核と、前記被覆層との間に、固溶体と、を有し、
前記一般式ＬｉＭＰＯ４で表される化合物は、前記一般式Ｌｉ２ＭＳｉＯ４で表される化合物と比較して導電性が高い電極用材料。
【請求項２】
前記被覆層を覆うカーボンコート層を有する請求項１に記載の電極用材料。
【請求項３】
前記カーボンコート層の膜厚は、０ｎｍより大きく１００ｎｍ以下である請求項１または２に記載の電極用材料。
【請求項４】
一般式Ｌｉ２ＭＳｉＯ４（式中、ＭはＦｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉから選択される少なくとも１種の元素）で表される化合物中のＬｉの供給源と成る化合物、Ｍの供給源と成る化合物、およびＳｉの供給源と成る化合物に溶液を加えて混合し、第１の混合材料を作製する工程と、
前記第１の混合材料に第１の熱処理をする工程と、
前記第１の熱処理をされた混合材料に、一般式ＬｉＭＰＯ４で表される化合物中のＬｉの供給源となる化合物、Ｍの供給源となる化合物、およびＰＯ４の供給源となる化合物を加えて混合し、第２の混合材料を作製する工程と、
前記第２の混合材料に第２の熱処理をする工程と、
を有し、
前記一般式ＬｉＭＰＯ４で表される化合物は、前記一般式Ｌｉ２ＭＳｉＯ４で表される化合物と比較して導電性が高い、電極用材料の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、前記第２の熱処理の際に、有機化合物を添加する電極用材料の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月18日(2014.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムを含む化合物と、
マンガン、鉄、コバルト、またはニッケルから選ばれる第１の金属元素を含む化合物と、
リンまたはケイ素を含む化合物と、
前記第１の金属元素とは異なる価数を有する第２の金属元素を含む化合物と、を混合した混合材料を形成し、
前記混合材料に対して、３００℃以上４００℃以下の温度で第１の熱処理を行い、
前記第１の熱処理後の前記混合材料に対して、５００℃以上８００℃以下の温度で第２の熱処理を行い、前記第１の金属元素を含むリチウム化合物を形成することを特徴とする蓄電装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の金属元素として、前記第１の金属元素の価数より１価または２価多い価数を有する金属元素、もしくは、前記第１の金属元素の価数より１価または２価少ない価数を有する金属元素を用いることを特徴とする蓄電装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第２の金属元素を含む化合物として、Ｆｅ２Ｏ３、Ｔｉ２Ｏ３、Ｃｕ２ＯまたはＳｉＯ２を用いることを特徴とする蓄電装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記混合材料は、前記第１の金属元素に対して、１ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下の前記第２の金属元素を含むことを特徴とする蓄電装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月29日(2014.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電体上にシリコン層を形成し、
前記シリコン層上にリチウムを含んだ溶液を塗布し、熱処理を行い、
前記シリコン層中に少なくともリチウムを導入させることを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【請求項２】
集電体上にシリコン層を形成し、
前記シリコン層上にリチウムを含んだ粒子を分散させた液を塗布し、熱処理を行い、
前記シリコン層中に少なくともリチウムを導入させることを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【請求項３】
集電体上にシリコン層を形成し、
前記シリコン層上にリチウムを含んだ粒子を散布し、熱処理を行い、
前記シリコン層中に少なくともリチウムを導入させることを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【請求項４】
集電体上にシリコン層を形成し、
前記シリコン層上にリチウムを含んだ膜を形成し、熱処理を行い、
前記シリコン層中に少なくともリチウムを導入させることを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記シリコン層が複数のウィスカー状の結晶性シリコンを含むことを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月31日(2014.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電体上に、シリコンを含むガスと窒素ガスとを用いた減圧化学的気相成長法により、ウィスカー群を含む結晶性シリコン層を形成することを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【請求項２】
集電体上に、シリコンを含むガスとヘリウムガスとを用いた減圧化学的気相成長法により、ウィスカー群を含む結晶性シリコン層を形成することを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記集電体として、チタンを用いることを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記結晶性シリコン層は、活物質層として機能することを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月11日(2014.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】活物質、正極、蓄電装置、及び活物質の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式Ｌｉ（２−ｘ）Ｍ１ｙＭ２ｚＳｉＯ４で表される材料を有し、
前記材料は、以下の（Ｉ）乃至（ＩＶ）を満たすことを特徴とする活物質。
（Ｉ）ｘは充放電中のリチウムイオンの挿入及び脱離で変化する値であり、０≦ｘ≦２（ｘは０以上２以下）を満たす。
（ＩＩ）Ｍ１は、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、若しくはコバルト（Ｃｏ）のうちいずれか一又は複数の遷移金属原子である。
（ＩＩＩ）Ｍ２は、チタン（Ｔｉ）、スカンジウム（Ｓｃ）又はマグネシウム（Ｍｇ）の金属原子である。
（ＩＶ）ｙ＋ｚ＝１、０＜ｙ＜１、及び０＜ｚ＜１を満たし、ｚ／（ｙ＋ｚ）は、０．０１以上０．２以下を満たす。
【請求項２】
一般式Ｌｉ（２−ｘ）（ＦｅｓＭｎｔ）ｙＭ２ｚＳｉＯ４で表される材料を有し、
前記材料は、以下の（Ｉ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（ＶＩＩ）を満たすことを特徴とする活物質。
（Ｉ）ｘは充放電中のリチウムイオンの挿入及び脱離で変化する値であり、０≦ｘ≦２（ｘは０以上２以下）を満たす。
（ＩＩＩ）Ｍ２は、チタン（Ｔｉ）、スカンジウム（Ｓｃ）又はマグネシウム（Ｍｇ）の金属原子である。
（ＩＶ）ｙ＋ｚ＝１、０＜ｙ＜１、及び０＜ｚ＜１を満たし、ｚ／（ｙ＋ｚ）は、０．０１以上０．２以下を満たす。
（ＶＩＩ）ｓ＋ｔ＝１、０≦ｓ≦１（ｓは０以上１以下）、及び０≦ｔ≦１（ｔは０以上１以下）を満たす。
【請求項３】
一般式Ｌｉ（２−ｘ）（ＦｅｓＮｉｕ）ｙＭ２ｚＳｉＯ４で表される材料を有し、
前記材料は、以下の（Ｉ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（ＶＩＩＩ）の条件を満たすことを特徴とする活物質。
（Ｉ）ｘは充放電中のリチウムイオンの挿入及び脱離で変化する値であり、０≦ｘ≦２（ｘは０以上２以下）を満たす。
（ＩＩＩ）Ｍ２は、チタン（Ｔｉ）、スカンジウム（Ｓｃ）又はマグネシウム（Ｍｇ）である。
（ＩＶ）ｙ＋ｚ＝１、０＜ｙ＜１、及び０＜ｚ＜１を満たし、ｚ／（ｙ＋ｚ）は、０．０１以上０．２以下を満たす。
（ＶＩＩＩ）ｓ＋ｕ＝１、０≦ｓ≦１（ｓは０以上１以下）、及び０≦ｕ≦１（ｕは０以上１以下）を満たす。
【請求項４】
一般式Ｌｉ（２−ｘ）（ＦｅｓＭｎｔＮｉｕ）ｙＭ２ｚＳｉＯ４で表される材料を有し、
前記材料は、以下の（Ｉ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）及び（ＩＸ）を満たすことを特徴とする活物質。
（Ｉ）ｘは充放電中のリチウムイオンの挿入及び脱離で変化する値であり、０≦ｘ≦２（ｘは０以上２以下）を満たす。
（ＩＩＩ）Ｍ２は、チタン（Ｔｉ）、スカンジウム（Ｓｃ）又はマグネシウム（Ｍｇ）の金属原子である。
（ＩＶ）ｙ＋ｚ＝１、０＜ｙ＜１、及び０＜ｚ＜１を満たし、ｚ／（ｙ＋ｚ）は、０．０１以上０．２以下を満たす。
（ＩＸ）ｓ＋ｔ＋ｕ＝１、０≦ｓ≦１（ｓは０以上１以下）、０≦ｔ≦１（ｔは０以上１以下）、及び０≦ｕ≦１（ｕは０以上１以下）を満たす。
【請求項５】
以下の（Ｖ）又は（ＶＩ）のうち少なくとも一つ以上を満たすことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の活物質。
（Ｖ）空間群Ｐ１２１／ｎ１に属する結晶構造を有する。
（ＶＩ）空間群Ｐｍｎ２１に属する結晶構造を有する。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の活物質と、集電体と、を有することを特徴とする正極。
【請求項７】
請求項６に記載の正極を備えることを特徴とする蓄電装置。
【請求項８】
リチウム導入用の材料と、金属Ｍ１導入用の材料と、金属Ｍ２導入用の材料と、ケイ酸導入用の材料と、を混合した後、焼成を行う活物質の作製方法であり、以下の（Ｘ）乃至（ＸＩＩ）を満たすことを特徴とする活物質の作製方法。
（Ｘ）Ｍ１は、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、若しくはコバルト（Ｃｏ）のうちいずれか一又は複数の遷移金属原子である。
（ＸＩ）Ｍ２は、チタン（Ｔｉ）、スカンジウム（Ｓｃ）又はマグネシウム（Ｍｇ）の金属原子である。
（ＸＩＩ）混合した材料中における金属Ｍ１原子と金属Ｍ２原子との和に対する金属Ｍ２原子のモル比は、０．０１以上０．２以下を満たす。
【請求項９】
請求項８において、
焼成を行う時間は、１０時間以上１５時間以下であり、
焼成を行う温度は、８００℃以上１１００℃以下であることを特徴とする活物質の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月26日(2014.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電体と、前記集電体上に形成されたウィスカーを有する結晶性半導体層とを有し、
サイクル数１回目に対する１０回目の比容量が９０％以上であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
集電体と、前記集電体上に形成されたウィスカーを有する結晶性半導体層とを有し、
サイクル数１回目に対する１０回目の比容量が９０％以上であり、
前記集電体は、フッ酸を用いた表面処理が行われていることを特徴とする蓄電装置。
【請求項３】
集電体と、前記集電体上に形成されたウィスカーを有する結晶性半導体層とを有し、
サイクル数１回目に対する１０回目の比容量が９０％以上であり、
前記集電体の表面には、前記集電体の材料と前記結晶性半導体層の材料とを含む層が形成されていることを特徴とする蓄電装置。
【請求項４】
集電体をフッ酸を用いて処理し、
前記集電体上に、シリコンを含む原料ガスを用い、低圧化学的気相堆積法により、ウィスカーを有する結晶性シリコン層を形成することを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月16日(2014.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホログラム・データ記憶媒体から情報を取り出す方法（３００）であって、
ホログラム・データ記憶媒体の第一の層に位置する第一のマイクロ・ホログラム・シンボルにレーザ・ビームを照射するステップ（３０２）と、
前記第一の層、又は該第一の層と異なる第二の層に位置する第二のマイクロ・ホログラム・シンボルに前記レーザ・ビームを照射するステップ（３０４）と
を備え、
前記ホログラム・データ記憶媒体は、１又は複数のデータ層の１又は複数の位置に配置されたマイクロ・ホログラム・シンボルの系列を含んでおり、
前記マイクロ・ホログラム・シンボルは、層番号、前記ホログラム記憶媒体における半径位置及び／若しくは角度位置の情報、並びに／又はデータ区画のアドレス情報のような位置情報を含んでおり、
複数の層に配置された前記マイクロ・ホログラム・シンボルの系列は階段型構造を形成しており、各々のマイクロ・ホログラム・シンボルは、前記ホログラム・データ記憶媒体の隣接する層の対応するシンボルから角度についてオフセットされている、方法（３００）。
【請求項２】
当該方法は、サーボ信号が前記オフセット距離に従って適応することを可能にしており、該最適オフセット距離は可変である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ホログラム・データ記憶媒体の前記多数の層を通して前記レーザ・ビームを集束させるステップ（５０２）と、
帰投ビームを受光するステップ（５０４）と、
前記ホログラム・データ記憶媒体の対応する各層についての極大値列を有する結果を与えるように前記帰投ビームを解析するステップ（５０６）と、
を含む請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記レーザ・ビームによる初期集束層を決定するステップ（５０８）と、
前記初期層と標的層との間の極大値の数を加算式で又は減算式で計数するステップ（５１０）と、
データの読み出し又は記録のために前記計数に基づいて前記標的層に前記レーザ・ビームを照射するステップ（５１２）と
を含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
記憶媒体（１１）から情報を読み出しまた記録する光学レンズ付きの１又は複数のピックアップ・ヘッド装置（１７）と、
該１又は複数のピックアップ・ヘッド装置（１７）を移動させる１又は複数の作動装置と、
前記ピックアップ・ヘッドにより検出されるデータに応答する制御器（２６）及びプロセッサ（２４）の少なくとも一方であって、該プロセッサは、前記１又は複数のピックアップ・ヘッド装置（１７）を移動させるために前記１又は複数の作動装置に位置信号を送信することが可能であり、前記１又は複数のピックアップ・ヘッド装置（１７）は、標的トラック又は標的層に１又は複数のレーザ・ビーム（４０６）を照射する、制御器（２６）及びプロセッサ（２４）の少なくとも一方と、
前記記憶媒体（１１）から読み出された情報を記憶するメモリであって、前記データ記憶媒体の情報を読み取り、情報を記録する間にルックアップ・テーブルに構成された複数のデータを記憶し、前記制御器がレーザ・ビームを標的位置に照射することを可能にする参照電圧を前記ルックアップ・テーブルにさらに記憶する大容量記憶ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）４０であるメモリと
を備え、
前記ホログラム・データ記憶媒体は、各マイクロ・ホログラム・シンボルが前記データ記憶媒体の円周方向において最適オフセット距離で配置された階段型構造を形成する複数のデータ層に配置されたマイクロ・ホログラム・シンボルの系列を含む、
情報を処理するシステム（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月21日(2014.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体のＣｏ系磁性層をスパッタリング法で形成するために用いるターゲットであって、前記ターゲットはＣｒまたはＣｒ合金を５モル％以上含み、ＣｏＯを５モル％以上含み、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜２０モル％の範囲内で含み、気孔率が７％以下であり、８００℃以下で焼結させて製造したことを特徴とするターゲット。
【請求項２】
前記ターゲットが、さらに、ＳｉＯ２、ＴｉＯ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２からなる群から選ばれる何れか１種を含むことを特徴とする請求項１に記載のターゲット。
【請求項３】
前記ターゲットが、Ｃｏを５５モル％〜７５モル％の範囲内で含み、ＣｒまたはＣｒ合金を５モル％〜２８モル％の範囲内で含み、Ｐｔを５モル％〜２５モル％の範囲内で含み、ＣｏＯを５モル％〜１５モル％の範囲内で含み、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜１５モル％の範囲内で含み、ＳｉＯ２、ＴｉＯ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２からなる群から選ばれる酸化物を合計で５モル％〜２５モル％の範囲内で含むことを特徴とする請求項１または２に記載のターゲット。
【請求項４】
融点が８００℃以下の酸化物が、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化モリブテン、低融点ガラスから選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のターゲット。
【請求項５】
Ｃｏを５５モル％〜７５モル％の範囲内、ＣｒまたはＣｒ合金を５モル％〜２８モル％の範囲内、Ｐｔを５モル％〜２５モル％の範囲内、ＣｏＯを５モル％〜１５モル％の範囲内、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜１５モル％の範囲内、ＳｉＯ２、ＴｉＯ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２からなる群から選ばれる酸化物を合計で５モル％〜２５モル％の範囲内とした粉体を混合後、予備成形し、その後、４３０℃〜８００℃の範囲内で気孔率を７％以下として焼結させることを特徴とする磁気記録媒体の磁性層を成膜するためのターゲットの製造方法。
【請求項６】
融点が８００℃以下の酸化物が、酸化ホウ素、酸化バナジウム、酸化テルル、酸化モリブテン、低融点ガラスから選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項５に記載のターゲットの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜４の何れか１項に記載のターゲットを用いてスパッタリング法で基板上に磁性層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月19日(2014.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体を含む領域と、
前記半導体を含む領域の上面と電気的に接続された下部電極と、
前記下部電極上にコンタクトホールを備え、且つ前記半導体を含む領域を覆う絶縁層と、
前記コンタクトホールにおいて前記下部電極と接する接続電極と、
前記接続電極と電気的に接続された上部電極と、を有し、
前記接続電極は、導電性を有するシリコンウィスカーを含み、
前記コンタクトホールは、前記接続電極と前記コンタクトホールの壁面との間に隙間を有する領域を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体を含む領域と、
前記半導体を含む領域の上面と電気的に接続された下部電極と、
前記下部電極上にコンタクトホールを備え、且つ前記半導体を含む領域を覆う絶縁層と、
前記コンタクトホールにおいて前記下部電極と接する接続電極と、
前記接続電極と電気的に接続された上部電極と、を有し、
前記接続電極は、導電性を有する二以上のシリコンウィスカーを含み、
前記コンタクトホールは、前記接続電極と前記コンタクトホールの壁面との間に隙間を有する領域を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記下部電極は、前記半導体と、金属と、を含む金属化合物を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記シリコンウィスカーと前記上部電極との間にシリサイドを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月20日(2014.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に絶縁膜を形成し、
第１の条件で第１の処理室内に水素と堆積性気体とを供給して、前記絶縁膜上に種結晶を形成し、
第２の条件で第２の処理室内に水素と前記堆積性気体とを供給して、前記種結晶上に微結晶半導体膜を形成し、
前記第１の条件において、前記堆積性気体の流量に対する前記水素の流量を５０倍以上１０００倍以下とし、前記第１の処理室内の圧力を０．５Ｔｏｒｒ以上１０Ｔｏｒｒ以下とし、
前記第２の条件において、前記堆積性気体の流量を第１の値と第２の値との間で周期的に変化させ、前記第２の処理室内の圧力を１０ｏｒｒ以上１００Ｔｏｒｒ以下とし、
前記第２の値は、前記第１の値よりも低く、
前記微結晶半導体膜を形成する間、前記第２の処理室内における前記堆積性気体の前記水素に対する流量比を、周期的に変化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に絶縁膜を形成し、
第１の条件で第１の処理室内に水素と堆積性気体とを供給して、前記絶縁膜上に種結晶を形成し、
第２の条件で第２の処理室内に水素と前記堆積性気体とを供給して、前記種結晶上に微結晶半導体膜を形成し、
前記第１の条件において、前記堆積性気体の流量に対する前記水素の流量を５０倍以上１０００倍以下とし、前記第１の処理室内の圧力を０．５Ｔｏｒｒ以上１０Ｔｏｒｒ以下とし、
前記第２の条件において、前記第２の処理室内の圧力を１０ｏｒｒ以上１００Ｔｏｒｒ以下とし、
前記微結晶半導体膜を形成する間、前記第２の処理室内における前記堆積性ガスの前記水素に対する流量比を周期的に変化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上にゲート電極を形成し、
前記基板上及び前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
第１の条件で第１の処理室内に水素と堆積性気体とを供給して、前記ゲート絶縁膜上に種結晶を形成し、
第２の条件で第２の処理室内に水素と前記堆積性気体とを供給して、前記種結晶上に微結晶半導体膜を形成し、
前記微結晶半導体膜上に半導体膜を形成し、
前記種結晶の一部、前記微結晶半導体膜の一部、及び前記半導体膜の一部をエッチングして、半導体積層体を形成し、
前記半導体積層体上に配線を形成し、
前記第１の条件において、前記堆積性気体の流量に対する前記水素の流量は５０倍以上１０００倍以下とし、前記第１の処理室内の圧力を０．５Ｔｏｒｒ以上１０Ｔｏｒｒ以下とし、
前記第２の条件において、前記堆積性気体の流量を第１の値と第２の値との間で周期的に変化させ、前記第２の処理室内の圧力を１０ｏｒｒ以上１００Ｔｏｒｒ以下とし、
前記第２の値は、前記第１の値よりも低く、
前記微結晶半導体膜を形成する間、前記第２の処理室内における前記堆積性ガスの前記水素に対する流量比を周期的に変化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上にゲート電極を形成し、
前記基板上及び前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
第１の条件で第１の処理室内に水素と堆積性気体とを供給して、前記ゲート絶縁膜上に種結晶を形成し、
第２の条件で第２の処理室内に水素と前記堆積性気体とを供給して、前記種結晶上に微結晶半導体膜を形成し、
前記微結晶半導体膜上に半導体膜を形成し、
前記種結晶の一部、前記微結晶半導体膜の一部、及び前記半導体膜の一部をエッチングして、半導体積層体を形成し、
前記半導体積層体上に配線を形成し、
前記第１の条件において、前記堆積性気体の流量に対する前記水素の流量を５０倍以上１０００倍以下とし、前記第１の処理室内の圧力を０．５Ｔｏｒｒ以上１０Ｔｏｒｒ以下とし、
前記第２の条件において、前記第２の処理室内の圧力を１０ｏｒｒ以上１００Ｔｏｒｒ以下とし、
前記微結晶半導体膜を形成する間、前記第２の処理室内における前記堆積性ガスの前記水素に対する流量比を周期的に変化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３又は４において、
前記半導体積層体の側面にプラズマ処理を行って、前期半導体積層体の前記側面に障壁領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか一において、
前記配線上、前記半導体積層体上、前記ゲート絶縁膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にバックゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記ゲート電極は、前記バックゲート電極と接続されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記バックゲート電極はフローティングであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記第２の条件における前記水素の流量は一定であり、前記第１の条件における前記水素の流量と同じであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月20日(2014.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを含む堆積性気体と、不純物元素を有する気体とを原料ガスとして混合して反応室に導入し、
パッシェン曲線において放電開始電圧が最小放電開始電圧となる前記反応室の圧力及び電極間隔とし、
パルス変調した前記放電開始電圧を前記電極に印加して、不純物元素を有する非晶質半導体膜を形成することを特徴とする半導体膜の作製方法。
【請求項２】
基板上にゲート電極を形成し、
前記基板上及び前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を形成し、
前記微結晶半導体膜上に、微結晶半導体領域及び非晶質半導体領域を有する半導体膜を形成し、
シリコンを含む堆積性気体と、不純物元素を有する気体とを原料ガスとして混合して反応室に導入し、
パッシェン曲線において放電開始電圧が最小放電開始電圧となる前記反応室の圧力及び電極間隔とし、
パルス変調した前記放電開始電圧を前記電極に印加して、前記半導体膜上に不純物元素を有する非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜の一部、前記微結晶半導体膜の一部、及び前記半導体膜の一部をエッチングして、島状の非晶質半導体膜と、島状の微結晶半導体膜及び島状の半導体膜を有する第１の半導体積層体と、を形成し、
前記島状の非晶質半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極として機能する配線を形成し、
前記島状の非晶質半導体膜をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域として機能する一対の非晶質半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記島状の非晶質半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極として機能する配線を形成する前において、前記第１の半導体積層体の側面をプラズマに曝して、前記第１の半導体積層体の側面に障壁領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２又は３において、
前記第１の半導体積層体の一部をエッチングして、微結晶半導体領域及び一対の非晶質半導体領域が積層される第２の半導体積層体を形成し、
前記配線上、前記一対の非晶質半導体膜上、前記第２の半導体積層体上、及び前記ゲート絶縁膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、バックゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記ゲート電極は、前記バックゲート電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４において、
前記バックゲート電極はフローティングであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に、第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に、第１の導電型を有する半導体膜を形成し、
前記第１の導電型を有する半導体膜上に、光電変換を行う半導体膜を形成し、
前記光電変換を行う半導体膜上に、第２の導電型を有する半導体膜を形成し、
前記第２の導電型を有する半導体膜上に第２の電極を形成し、
前記第１の導電型を有する半導体膜又は前記第２の導電型を有する半導体膜の少なくとも一として、シリコンを含む堆積性気体と、不純物元素を有する気体とを原料ガスとして混合して反応室に導入し、パッシェン曲線において放電開始電圧が最小放電開始電圧となる前記反応室の圧力及び電極間隔とし、パルス変調した前記放電開始電圧を前記電極に印加して、不純物元素を有する非晶質半導体膜を形成する光電変換装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月19日(2014.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆う第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜上の第２の金属酸化物膜と、
前記第２の金属酸化物膜上に位置し、前記ゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上の第３の金属酸化物膜と、
前記第３の金属酸化物膜上の第４の金属酸化物膜と、を有し、
前記第１乃至第４の金属酸化物膜はそれぞれ、第１３族元素および酸素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第４の金属酸化物膜上に導電層を有し、
前記導電層は、前記酸化物半導体層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜上の第２の金属酸化物膜と、
前記第２の金属酸化物膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上の第３の金属酸化物膜と、
前記第３の金属酸化物膜上の第４の金属酸化物膜と、
前記第４の金属酸化物膜上に位置し、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有するゲート電極と、を有し、
前記第１乃至第４の金属酸化物膜はそれぞれ、第１３族元素および酸素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２の金属酸化物膜と、前記第３の金属酸化物膜とは、互いに接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１乃至第４の金属酸化物膜はそれぞれ、化学量論的組成より多い酸素を含有する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の金属酸化物膜は、酸化アルミニウムまたは酸化アルミニウムガリウムのいずれか、または双方を有し、
前記第４の金属酸化物膜は、酸化アルミニウムまたは酸化アルミニウムガリウムのいずれか、または双方を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第２の金属酸化物膜は、酸化ガリウムまたは酸化ガリウムアルミニウムのいずれか、または双方を有し、
前記第３の金属酸化物膜は、酸化ガリウムまたは酸化ガリウムアルミニウムのいずれかまたは双方を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、前記ソース電極の下面と接する領域と、前記ドレイン電極の下面と接する領域とを有し、
前記第２の金属酸化物膜は、前記ソース電極の下面と接する領域と、前記ドレイン電極の下面と接する領域とを有し、
前記第３の金属酸化物膜は、前記ソース電極の上面と接する領域と、前記ソース電極の側面と接する領域と、前記ドレイン電極の上面と接する領域と、前記ドレイン電極の側面と接する領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月25日(2014.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
第３のトランジスタと、
第４のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、金属化合物領域を有し、
前記金属化合物領域上に、第１の絶縁膜を有し、
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタの上方にあり、
前記第３のトランジスタは、第２の絶縁膜を介して、前記第２のトランジスタの上方にあり、
前記第４のトランジスタは、前記第３のトランジスタの上方にあり、
前記第２のトランジスタ乃至前記第４のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
第３のトランジスタと、
第４のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、金属化合物領域を有し、
前記金属化合物領域上に、第１の絶縁膜を有し、
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタの上方にあり、
前記第３のトランジスタは、第２の絶縁膜を介して、前記第２のトランジスタの上方にあり、
前記第４のトランジスタは、前記第３のトランジスタの上方にあり、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体以外の半導体を有し、
前記第２のトランジスタ乃至前記第４のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
第３のトランジスタと、
第４のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、金属化合物領域を有し、
前記金属化合物領域上に、第１の絶縁膜を有し、
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタの上方にあり、
前記第３のトランジスタは、第２の絶縁膜を介して、前記第２のトランジスタの上方にあり、
前記第４のトランジスタは、前記第３のトランジスタの上方にあり、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体以外の半導体を有し、
前記第２のトランジスタ乃至前記第４のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートには、異なる複数の電位が供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
第３のトランジスタと、
第４のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、金属化合物領域を有し、
前記金属化合物領域上に、第１の絶縁膜を有し、
前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタの上方にあり、
前記第３のトランジスタは、第２の絶縁膜を介して、前記第２のトランジスタの上方にあり、
前記第４のトランジスタは、前記第３のトランジスタの上方にあり、
前記金属化合物領域と電気的に接続された、第１の配線を有し、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続された、第２の配線を有し、
前記第１の配線は、前記第１の絶縁膜の第１の開口部に設けられた領域を有し、
前記第２の配線は、前記第２の絶縁膜の第２の開口部に設けられた領域を有し、
前記第１の配線は、前記第２の配線と重なる領域を有し、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体以外の半導体を有し、
前記第２のトランジスタ乃至前記第４のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月4日(2014.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層が有するコンタクトホールと、
前記コンタクトホール内の、第１の層と、
前記第１の層と接する領域を有する第２の層と、
前記第２の層と接する領域を有する第３の層と、を有し、
前記第１の層は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ、タングステン、又は窒化チタンを有し、
前記第２の層は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ、又はタングステンのいずれか一と、酸素と、を有し、
前記第３の層は、アルミニウム、銅、又は銀を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁層と、
前記絶縁層が有する溝と、
前記溝内の、第１の層と、
前記第１の層と接する領域を有する第２の層と、
前記第２の層と接する領域を有する第３の層と、を有し、
前記第１の層は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ、タングステン、又は窒化チタンを有し、
前記第２の層は、チタン、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ、又はタングステンのいずれか一と、酸素と、を有し、
前記第３の層は、アルミニウム、銅、又は銀を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の層は、フッ素または塩素を１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上含むことを特徴とする半導体装置。