(57)【要約】  撮像システム（１７００）が提供される。撮像システム（１７００）を設置するための方法が提供される。撮像システム（１７００）は、第１モダリティ撮像装置（１７１０）を含むことができる。第１モダリティ撮像装置（１７１０）は、シンチレータユニット（１６１０）と、光検出器ユニット（１６２０）と、回路ユニット（１６３０）と、支持ブロック（１６４０）と、支持ボード（１６５０）とを備える検出器（１６００）を有することができる。支持ブロック（１６４０）は、シンチレータユニット（１６１０）の端部に配置されてもよい。支持ボード（１６５０）は、光検出器ユニット（１６２０）と回路ユニット（１６３０）との間に配置されてもよい。
2018528387.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像システムであって、第１モダリティ撮像装置を備え、前記第１モダリティ撮像装置は検出器を有し、前記検出器は、
シンチレータユニットと、
光検出器ユニットと、
回路ユニットと、
前記シンチレータユニットの端部に配置される支持ブロックと、
前記光検出器ユニットと前記回路ユニットとの間に配置される支持ボードとを備える、撮像システム。
【請求項２】
前記検出器は、前記シンチレータユニット、前記光検出器ユニット、前記支持ボード及び前記回路ユニットを収容するように構成されているシールドシェルを更に備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記支持ボードは、前記シールドシェルを第１キャビティと第２キャビティに分割しており、前記シンチレータユニット及び前記光検出器ユニットは前記第１キャビティに配置され、前記回路ユニットは前記第２キャビティに配置される、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記支持ボードは、冷却媒体を送るように構成されている冷却チャネルを備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記検出器は、前記支持ボードと前記光検出器ユニットとの間に配置されている弾性部材、又は前記支持ボードと前記回路ユニットとの間に配置される弾性部材をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記弾性部材は、スプリング、弾性クッション、又は弾性板である、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記弾性部材は、熱コンダクタンスを有する、請求項５に記載のシステム。
【請求項８】
前記検出器は、軸を有するリングを囲むように構成されており、前記支持ボードと前記リングの前記軸との間の距離は、前記回路ユニットと前記リングの前記軸との間の距離より短い、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
第２モダリティ撮像装置及び設置装置をさらに備え、前記設置装置は、
支持ブロックと、
前記第１モダリティ撮像装置の第１ハウジング上に配置されている第１ガイドブロックと、
前記第２モダリティ撮像装置の第２ハウジング上に配置されている第２ガイドブロックと
を備え、
前記第１ガイドブロックが前記第２ガイドブロックと整列する場合、前記第２モダリティ撮像装置は前記支持ブロック上に載置する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記設置装置は、第１端部及び第２端部を有する第３ガイドブロックをさらに備え、前記第３ガイドブロックの前記第１端部は、前記第１モダリティ撮像装置の前記第１ハウジングに連結され、前記第３ガイドブロックの前記第２端部は、前記支持ブロックに連結される、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記支持ブロックは、第１支持プレート及び調整可能なボルトを備え、前記調整可能なボルトは、前記第１支持プレート上に配置され、前記第１支持プレートの高さを調整するように構成されている、請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記支持ブロックは、第２支持プレートをさらに備え、前記第２支持プレートは、前記第１支持プレートと平行であり、支持塊を介して前記第１支持プレートに連結されている、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記支持ブロックは、ガイドレール及びスライド塊をさらに備え、前記ガイドレールは、第１支持プレート上に配置され、前記スライド塊は、前記第２支持プレートに固定され、前記第２支持プレートを前記ガイドレールにおいて移動させるためにガイドするように構成されている、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記支持ブロックは、前記第２支持プレート上に配置されている制限塊をさらに備え、前記第２モダリティ撮像装置は、前記制限塊に載置する、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
前記第１ガイドブロック及び前記第２ガイドブロックは、それぞれＬ字形状を有し、前記第１ガイドブロックは溝をさらに備え、前記溝は、第２ガイドブロックが前記溝に挿入される場合、前記第１ガイドブロックと前記第２ガイドブロックの整列を示すように構成されている、請求項９に記載のシステム。
【請求項１６】
前記第１ガイドブロックは発光装置であり、前記第２ガイドブロックは受光装置である、請求項９に記載のシステム。
【請求項１７】
撮像システム設置方法であって、
第１スキャンキャビティ及び第１ハウジングを有する第１モダリティ撮像装置を提供するステップと、
第２スキャンキャビティ及び第２ハウジングを有する第２モダリティ撮像装置を提供するステップと、
前記第１モダリティ撮像装置を載置させるステップと、
前記第１モダリティ撮像装置に支持ブロックを設置するステップと、
前記第１モダリティ撮像装置の前記第１ハウジングに第１ガイドブロックを設置するステップと、
前記第２モダリティ撮像装置の前記第２ハウジングに第２ガイドブロックを設置するステップと
を含み、
前記第１ガイドブロック及び第２ガイドブロックは、前記第２スキャンキャビティを、前記第１スキャンキャビティの軸方向において前記第１スキャンキャビティの軸方向と整列させるためにガイドするように構成されている、撮像システム設置方法。
【請求項１８】
第１端部及び第２端部を有する第３ガイドブロックを設置するステップをさらに含み、前記第３ガイドブロックの前記第１端部は、前記第１モダリティ撮像装置の前記第１ハウジングに連結され、前記第３ガイドブロックの前記第２端部は、前記支持ブロックに連結される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記支持ブロックは、第１支持プレートを備え、前記方法は、前記第１支持プレート上に調整可能なボルトを配置するステップと、前記第１支持プレートの高さを調整するステップとをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記支持ブロックは、前記第１支持プレートと平行な第２支持プレートを備え、前記方法は、前記第２支持プレートを支持塊に連結するステップをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１５年１２月１１日に出願された中国特許出願第２０１５１０９２２８６２．４号、２０１６年２月３日に出願された中国特許出願第２０１６１００７９０３４．３号、及び２０１６年６月２日に出願された米国特許出願第１５／１７１，８４６号の優先権を主張し、その各々全体は参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本開示は撮像システムに関し、より詳しくは、陽電子放出断層撮影（ＰＥＴ）システム及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
陽電子放出断層撮影（ＰＥＴ）は、癌診断及び管理、心臓病学及び心臓手術、神経学及び精神医学などの診断及び他の目的のための医学において広く使用されている。近年、ＰＥＴは、陽電子放出断層撮影−コンピュータ断層撮影（ＰＥＴ−ＣＴ）や陽電子放出断層撮影−磁気共鳴撮影（ＰＥＴ−ＭＲＩ）のような高品質画像を生成するためのマルチモダリティ撮像システムにも使用されている。
【発明の概要】
【０００４】
本開示の第１態様では、第１モダリティ撮像装置を有する撮像システムが提供される。幾つかの実施形態では、第１モダリティ撮像装置は、検出器を有することができる。検出器は、シンチレータユニット、光検出器ユニット、回路ユニット、支持ブロック、及び支持ボードを備えることができる。幾つかの実施形態では、検出器は、シンチレータユニットの端部に配置されている支持ブロック、及び光検出器ユニットと回路ユニットとの間に配置されている支持ボードを備えることができる。
【０００５】
本開示の第２態様では、マルチモダリティ撮像システムの設置方法が提供される。この方法は、以下の動作のうちの１つ以上を含むことができる。第１キャビティと第１ハウジングを有する第１モダリティ撮像装置が提供されてもよい。第２キャビティと第２ハウジングを有する第２モダリティ撮像装置が提供されてもよい。第１モダリティ撮像装置は、載置することができる。第１モダリティ撮像装置には、支持ブロックが設置されてもよい。第１モダリティ撮像装置の第１ハウジングには第１ガイドブロックが設置されてもよく、第２モダリティ撮像装置の第２ハウジングには第２ガイドブロックが設置されてもよい。第１ガイドブロック及び第２ガイドブロックは、第２モダリティ撮像装置の第２スキャンキャビティを、第１スキャンキャビティの軸方向において第１スキャンキャビティの軸方向と整列させるためにガイドするように構成することができる。
【０００６】
幾つかの実施形態では、検出器は、シンチレータユニット、光検出器ユニット、支持ボード及び回路ユニットを収容するように構成されているシールドシェルを更に備えることができる。
【０００７】
幾つかの実施形態では、シールドシェルを第１キャビティと第２キャビティに分割することができる。シンチレータユニット及び光検出器ユニットは第１キャビティに配置されてもよく、回路ユニットは第２キャビティに配置されてもよい。
【０００８】
幾つかの実施形態では、支持ボードは、冷却媒体を送るように構成されている冷却チャネルを備えることができる。
【０００９】
幾つかの実施形態では、検出器は、支持ボードと光検出器ユニットとの間に配置されている弾性部材、又は支持ボードと回路ユニットとの間に配置される弾性部材をさらに備えることができる。
【００１０】
幾つかの実施形態では、弾性部材は、スプリング、弾性クッション、又は弾性板であることができる。
【００１１】
幾つかの実施形態では、弾性部材は、熱コンダクタンスを有することができる。
【００１２】
幾つかの実施形態では、検出器は、軸を有するリングを囲むように構成されてもよい。ここで、支持ボードとリングの軸との間の距離は、回路ユニットとリングの軸との間の距離より短い。
【００１３】
幾つかの実施形態では、撮像システムは、第２モダリティ装置及び設置装置をさらに備えることができる。設置装置は、支持ブロック、第１ガイドブロック、及び第２ガイドブロックを備えることができる。幾つかの実施形態では、第１ガイドブロックは、第１モダリティ撮像システムの第１ハウジング上に配置されてもよく、第２ガイドブロックは、第２モダリティ撮像装置の第２ハウジング上に配置されてもよい。幾つかの実施形態では、第１ガイドブロックが第２ガイドブロックと整列する場合、第２モダリティ撮像装置は、支持ブロック上に載置することができる。
【００１４】
幾つかの実施形態では、設置装置は、第１端部及び第２端部を有する第３ガイドブロックをさらに備える。第３ガイドブロックの第１端部は、第１モダリティ撮像装置の第１ハウジングに連結され、第２端部は、前記支持ブロックに連結することができる。
【００１５】
幾つかの実施形態では、支持ブロックは、第１支持プレート及び調整可能なボルトを備えることができる。幾つかの実施形態では、調整可能なボルトは、第１支持プレート上に配置され、第１支持プレートの高さを調整するように構成することができる。
【００１６】
幾つかの実施形態では、支持ブロックは、第１支持プレートと平行な第２支持プレートをさらに備えることができる。幾つかの実施形態では、第２支持プレートは、支持塊を介して第１支持プレートに連結することができる。
【００１７】
幾つかの実施形態では、支持ブロックは、ガイドレール及びスライド塊をさらに備えることができる。幾つかの実施形態では、ガイドレールは、第１支持プレート上に配置することができ、スライド塊は、第２支持プレートに固定され、第２支持プレートをガイドレールにおいて移動させるためにガイドするように構成することができる。
【００１８】
幾つかの実施形態では、支持ブロックは、第２支持プレート上に配置されている制限塊をさらに備えることができ、第２モダリティ撮像装置は、制限塊に載置することができる。
【００１９】
幾つかの実施形態では、第１ガイドブロック及び第２ガイドブロックは、それぞれＬ字形状を有することができ、第１ガイドブロックは溝をさらに備えることができる。この溝は、第２ガイドブロックが溝に挿入される場合、第１ガイドブロックと第２ガイドブロックの整列を指し示すように構成されている。
【００２０】
幾つかの実施形態では、第１ガイドブロックは発光装置であってもよく、第２ガイドブロックは受光装置であってもよい。
【００２１】
追加の特徴は、以下の説明に部分的に記載され、部分的には、以下の添付の図面を検討することにより当業者に明らかになるか、又は実施例の製造又は動作によって学ぶことができる。本開示の特徴は、以下に説明する詳細な実施例に示された方法論、手段及び組み合わせの様々な態様の実施又は使用によって実現及び達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
本開示は、例示的な実施形態に関してさらに説明される。これらの例示的な実施形態は、図面を参照して詳細に記載される。これらの実施形態は、限定するものではない例示的な実施形態であり、同様の参照番号は、図面のいくつかの図を通して同様の構造を表す。
【図１】本開示の幾つかの実施形態に係る撮像システムのブロック図である。
【図２】本開示の幾つかの実施形態に係るスキャナーのブロック図である。
【図３】本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶モジュールのブロック図である。
【図４】本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶モジュールの断面図である。
【図５】本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶モジュールを製造するための例示的なプロセスを示す。
【図６Ａ】本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶モジュールの模式図を示す。
【図６Ｂ】本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶モジュールのＢ−Ｂ方向に沿った断面図を示す。
【図６Ｃ】本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶アレイの模式図を示す。
【図７】本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶アレイを製造するための例示的なプロセスを示す。
【図８】本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶アレイの断面図である。
【図９】本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶アレイを製造するための例示的なプロセスを示す。
【図１０Ａ−１０Ｃ】本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶アレイを製造するための例示的なプロセスを示す。
【図１１Ａ−１１Ｅ】本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶アレイを製造するための例示的なプロセスを示す。
【図１２Ａ−１２Ｅ】本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶アレイを製造するための例示的なプロセスを示す。
【図１３】本開示の幾つかの実施形態に係る検出器を示す図である。
【図１４Ａ−１４Ｃ】本開示の幾つかの実施形態に係る例示的なシンチレーション結晶スティックを示す。
【図１５Ａ−１５Ｂ】本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶スティックを製造するための例示的なプロセスを示す。
【図１６】本開示の幾つかの実施形態に係る検出器を示す図である。
【図１７】本開示の幾つかの実施形態に係るマルチモダリティ撮像システムのブロック図である。
【図１８】本開示の幾つかの実施形態に係る設置装置のブロック図である。
【図１９Ａ−１９Ｂ】本開示の幾つかの実施形態に係るマルチモダリティ撮像システムの例示的な設置装置を示す。
【図２０Ａ−２０Ｂ】本開示の幾つかの実施形態に係る例示的な支持ブロックを示す。
【図２１Ａ】本開示の幾つかの実施形態に係る第１ガイドブロックの模式図である。
【図２１Ｂ】本開示の幾つかの実施形態に係る第２ガイドブロックの模式図である。
【図２１Ｃ】本開示の幾つかの実施形態に係る第２ガイドブロックと整列されている第１ガイドブロックの模式図である。
【図２２Ａ】本開示の幾つかの実施形態に係るＣＴセンタインジケータの分解図である。
【図２２Ｂ】本開示の幾つかの実施形態に係る４次元調整プラットフォームの模式図である。
【図２３】本開示の幾つかの実施形態に係るＰＥＴセンタインジケータを示す。
【図２４】本開示の幾つかの実施形態に係るマルチモダリティ撮像システムにおける設置整列の例示的なプロセスを示す。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下の詳細な説明では、関連する開示の完全な理解を提供するために、多くの具体的な詳細を例として記載する。しかしながら、このような詳細がなくても本開示を実施することができることは当業者に明らかである。他の例では、本開示の態様を不必要に不明瞭にすることを避けるために、周知の方法、手順、システム、部材、及び／又は回路は、詳細なしに比較的高レベルで記載されている。開示された実施形態に対する様々な変更は、当業者には容易に明らかとなり、本明細書に定義される一般的な原理は、本開示の精神及び範囲から逸脱することなく他の実施形態及び用途に適用することができる。したがって、本開示は、示された実施形態に限定されず、特許請求の範囲と一致する最も広い範囲が与えられるべきである。
【００２４】
ここで使用される「システム」、「デバイス」、「装置」、「ユニット」、「モジュール」、「部材」及び／又は「ブロック」という用語は、異なるレベルの部材、素子、部品、セクション又はアセンブリを昇順で区別する１つの方法であることが理解される。しかしながら、同じ目的を達成することができれば、これらの用語は交換されるか又は他の表現に置換することができる。
【００２５】
デバイス、装置、ユニット、モジュール、部材又はブロックが別のデバイス、装置、ユニット、モジュール、部材又はブロックの「上にある」、「連結されている」又は「結合されている」と言及されるとき、文脈が明らかにそうでないと示さない限り、これは、直接他のデバイス、装置、ユニット、モジュール、部材、又はブロックの上にあるか、直接他のデバイス、装置、ユニット、モジュール、部材、又はブロックに連結されているか、結合されているか、又は通信していてもよく、又は介在するデバイス、装置、ユニット、モジュール、部材又はブロックが存在してもよいことが理解される。本明細書で使用される場合、「及び／又は」という用語は、１つ又は複数の関連するリストされたアイテムの任意の組み合わせ及びすべての組み合わせを含む。
【００２６】
本明細書で使用される用語は、特定の例及び実施形態のみを説明するためのものであり、限定することを意図するものではない。本明細書で使用されるように、単数形「一（ａ）」、「一（ａｎ）」及び「前記（ｔｈｅ）」は、文脈が明らかにそうでないと示さない限り、複数形も含むことが意図されている。本開示において使用される場合、用語「含む」及び／又は「備える」は、整数、デバイス、動作、述べられた特徴、ステップ、素子、操作及び／又は部材の存在を特定するが、１つ又は複数の他の整数、デバイス、動作、特徴、ステップ、素子、操作、部材、及び／又はそれらのグループの存在又は追加を排除しないことが理解される。本開示において使用される場合、用語「構築」及び「再構成」は、画像がデータから変換することができる同様のプロセスを表すことができることがさらに理解される。
【００２７】
図１は、本開示の幾つかの実施形態に係る撮像システム１００の図である。なお、以下に説明する撮像システム１００は、単に例示すると提供され、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。撮像システムは、例えば医学又は産業のような異なる分野でその用途を見出すことができる。別の例として、システムは、例えば欠陥検査、セキュリティスキャン、不良解析、度量衡学、アセンブリ解析、ボイド解析、肉厚解析など、又はそれらの任意の組み合わせを含む部材の内部検査に使用することができる。図１に示されるように、撮像システム１００は、スキャナー１１０、プロセッサ１２０、端末１３０、ディスプレイ１４０と、データベース１５０と、ネットワーク１６０とを備えることができる。
【００２８】
スキャナー１１０は、被検体をスキャンすることによって何らかのデータを取得するように構成されてもよい。本明細書で使用される被験体は、任意の物質、組織、器官、対象物、関心のある体などであり得る。スキャナー１１０は、デジタルサブトラクション血管造影（ＤＳＡ）スキャナー、磁気共鳴血管造影（ＭＲＡ）スキャナー、コンピュータ断層撮影血管造影（ＣＴＡ）スキャナー、陽電子放出断層撮影（ＰＥＴ）スキャナー、単一光子放出型コンピュータ断層撮影（ＳＰＥＣＴ）スキャナー、コンピュータ断層撮影（ＣＴ）スキャナー、デジタルラジオグラフィー（ＤＲ）スキャナー、マルチモダリティスキャナーなど、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。例示的なマルチモダリティスキャナーは、コンピュータ断層撮影−陽電子放出断層撮影（ＣＴ−ＰＥＴ）スキャナー、コンピュータ断層撮影−磁気共鳴撮影（ＣＴ−ＭＲＩ）スキャナー、陽電子放出断層撮影−磁気共鳴撮影（ＰＥＴ−ＭＲＩ）スキャナー、デジタルサブトラクション血管造影−磁気共鳴撮影（ＤＳＡ−ＭＲ）スキャナーなどを含み得る。
【００２９】
プロセッサ１２０は、スキャナー１１０から取得されたデータを処理するように構成することができる。幾つかの実施形態では、データは、テキスト、画像、音声、力、命令、アルゴリズム、プログラムなど、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。幾つかの実施形態では、プロセッサ１２０は、１つ以上のプロセッサ、１つ以上の処理コア、１つ以上のメモリ、及び画像処理などのための１つ以上の電子機器など、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。単に例として、プロセッサ１２０は、中央処理装置（ＣＰＵ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、特定用途向け命令セットプロセッサ（ＡＳＩＰ）、グラフィック処理ユニット（ＧＰＵ）、フィジックスプロセッシングユニット（ＰＰＵ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、プログラム可能論理デバイス（ＰＬＤ）、コントローラ、マイクロコントローラユニット、プロセッサ、マイクロプロセッサ、ＡＲＭなど、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。幾つかの実施形態では、プロセッサ１２０は、データを処理するためにデータベース１５０にアクセスすることができる。
【００３０】
端末１３０は、ユーザ、ネットワーク１６０、データベース１５０、プロセッサ１２０、ディスプレイ１４０など、又はそれらの任意の組み合わせにデータを入力及び／又はユーザ、ネットワーク１６０、データベース１５０、プロセッサ１２０、ディスプレイ１４０など、又はそれらの任意の組み合わせからデータを受信するように構成されてもよい。幾つかの実施形態では、端末１３０は、例えば、ユーザ入力、コントローラ、プロセッサなどを含み得る。例えば、ユーザ入力は、キーボード入力、マウス入力、タッチスクリーン入力、手書入力、画像入力、音声入力、電磁波入力など、又はそれらの任意の組み合わせであってもよい。コントローラは、スキャナー１１０、プロセッサ１２０、ディスプレイ１４０、又はデータベース１５０を制御するように構成することができる。プロセッサは、端末１３０において取得されたデータを処理するように構成することができる。幾つかの実施形態では、プロセッサ１２０及び端末１３０は、１つのデバイスとして一体化されてもよい。単なる一例として、端末１３０は、コンピュータ、ラップトップ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、携帯電話、タブレットコンピュータ、携帯装置など、又はそれらの任意の組み合わせであってもよい。
【００３１】
ディスプレイ１４０は、スキャナー１１０、プロセッサ１２０、端末１３０、又はネットワーク１４０からの処理されたデータを表示するように構成することができる。ディスプレイ１４０は、任意の表示可能なデバイスであってもよい。幾つかの他の実施形態では、端末１３０及びディスプレイ１４０は、データを入力し、データを出力し、データを表示し、撮像システム１００を制御するための１つのデバイスとして一体化されてもよい。
【００３２】
データベース１５０は、撮像システムに関するデータを記憶するように構成することができる。幾つかの実施形態では、データは、テキスト、画像、音声、力、命令、アルゴリズム、プログラムなど、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。単なる一例として、データベース１５０はメモリであってもよい。メモリは、主メモリ又は補助メモリであってもよい。主メモリは、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、相補型金属酸化物半導体メモリ（ＣＭＯＳ）などを含み得る。補助メモリは、磁気面メモリ、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）、フロッピーディスク、磁気テープ、ディスク（ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭなど）、ＵＳＢフラッシュドライブ（ＵＦＤ）など、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。
【００３３】
ネットワーク１６０は、撮像システム１００の１つ以上の部材を接続するように構成されてもよい。単なる一例として、ネットワーク１６０は、電気通信ネットワーク、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、ワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）、メトロポリタンエリアネットワーク（ＭＡＮ）、広域ネットワーク（ＷＡＮ）、ブルートゥース(登録商標)、ジグビー、近距離無線通信（ＮＦＣ）など、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。幾つかの実施形態では、プロセッサ１２０、データベース１５０、ディスプレイ１４０、又は端末１３０は、スキャナー１１０の近くに配置されてもよい。例えば、スキャナー１１０、プロセッサ１２０、データベース１５０、ディスプレイ１４０、又は端末１３０は、何らかの伝送媒体を介して互いに接続されていてもよい。伝送媒体は、固体、液体、気体、プラズマなど、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。幾つかの他の実施形態では、上記の部材のうちの１つ以上は、スキャナー１１０から離れていてもよい。単なる一例として、プロセッサ１２０及びデータベース１５０は、クラウドプラットフォーム上に実装されてもよい。クラウドプラットフォームは、クラウドコンピューティングプラットフォーム又はクラウド記憶プラットフォームであってもよい。クラウドプラットフォームのタイプは、プライベートクラウド、パブリッククラウド、ハイブリッドクラウド、コミュニティクラウド、分散されたクラウド、インタークラウド、マルチクラウドなど、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。別の例として、ディスプレイ１４０及び端末１３０は、遠隔システムによって操作されてもよい。
【００３４】
なお、上記の説明は、単に例示すると提供されたものであり、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。当業者であれば、本開示の教示の下で複数の変形及び変更を行うことができる。例えば、スキャナー１１０がマルチモダリティスキャナーである場合、撮像システム１００は、幾つかのプロセッサ、データベース、ディスプレイ、端末を含むことができる。別の例として、ディスプレイ１４０、端末１３０、及びプロセッサ１２０は、１つのデバイスとして一体化されてもよい。しかしながら、これらの変形及び変更は、本開示の範囲から逸脱するものではない。
【００３５】
図２は、本開示の幾つかの実施形態に係るスキャナーのブロック図である。図面に示されるように、スキャナー１１０は、シンチレーション結晶モジュール２１０、光検出器モジュール２２０、回路モジュール２３０、及び支持モジュール２４０を備えることができる。
【００３６】
シンチレーション結晶モジュール２１０は、電離放射線を検出して光子を生成するように構成されてもよい。例示的なシンチレーション結晶モジュール２１０は、有機結晶、プラスチックシンチレータ、無機結晶、気体シンチレータ、ガラスなど、又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。幾つかの実施形態では、有機結晶は、アントラセン（Ｃ１４Ｈ１０）、スチルベン（Ｃ１４Ｈ１２）、ナフタレン（Ｃ１０Ｈ８）などを含むことができる。幾つかの実施形態では、有機液体は、有機溶媒中の１つ以上の有機溶質の液体溶液であってもよい。例示的な有機溶質は、蛍光体、例えばｐ−テルフェニル（Ｃ１８Ｈ１４）、ＰＢＤ（Ｃ２０Ｈ１４Ｎ２Ｏ）、ブチルＰＢＤ（Ｃ２４Ｈ２２Ｎ２Ｏ）、ＰＰＯ（Ｃ１５Ｈ１１ＮＯ）、ＰＯＰＯＰ（Ｃ２４Ｈ１６Ｎ２Ｏ）など、又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。例示的な有機溶媒は、トルエン、キシレン、ベンゼン、フェニルシクロヘキサン、トリエチルベンゼン及びデカリンなど、又はそれらの任意の組合せを含むことができる。幾つかの実施形態では、プラスチックシンチレータは、マトリックス中に懸濁した蛍光体を含むことができる。例示的な蛍光体は、ポリフェニル炭化水素、オキサゾール及びオキサジアゾールアリール、ｎ−テルフェニル（ＰＰＰ）、２，５−ジフェニルオキサゾール（ＰＰＯ）、１，４−ジ−（５−フェニル−２−オキサゾリル）−ベンゼン（ＰＯＰＯＰ）、２−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、及び２−（４'−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４"−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾール（Ｂ−ＰＢＤ）など、又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。例示的なマトリックスは、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、芳香族プラスチック、ポリビニルキシレン（ＰＶＸ）ポリメチル、２，４−ジメチル−２，４，５−トリメチルスチレン、ポリビニルジフェニル、ポリビニルナフタレン、ポリビニルテトラヒドロナフタレンなど、又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。例示的な無機結晶は、ＮａＩ（Ｔｌ）、ＣｓＩ（Ｔｌ）、ＣｓＩ（Ｎａ）、ＣｓＩ（純粋）、ＣｓＦ、ＫＩ（Ｔｌ）、ＬｉＩ（Ｅｕ）、ＢａＦ２、ＣａＦ２（Ｅｕ）、ＺｎＳ（Ａｇ）、ＣａＷＯ４、ＣｄＷＯ４、ＹＡＧ（Ｃｅ）（Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２（Ｃｅ））、ＧＳＯ、ＬＳＯ、ＬＹＳＯ、ＢＧＯ、ＭＬＳなど、又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。幾つかの実施形態では、気体シンチレータは、窒素、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノン、ヘリウム及びキセノンなど、又はそれらの任意の組合せを含むことができる。幾つかの実施形態では、ガラスは、セリウム活性化リチウム、ホウケイ酸塩などを含むことができる。
【００３７】
光検出器モジュール２２０は、シンチレーション結晶モジュール２１０によって生成された光子を電気信号に変換するように構成されてもよい。例示的な光検出器モジュール２２０は、光電子増倍管（ＰＭＴ）、アバランシェ光検出器（ＡＰＤ）、位置感応型光検出器（ＰＳＰＤ）、位置感応型ＡＰＤ（ＰＳＡＰＤ）、シリコン光電子増倍管（ＳｉＰＭ）、位置感応型光電子増倍管（ＰＳＰＭＴ）、電荷敏感前置増幅器（ＣＳＰ）、テルル化カドミウム亜鉛検出器（ＣＺＴ）など、又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。
【００３８】
回路モジュール２３０は、光検出器モジュール２２０によって生成された電気信号を処理して読み出すように構成されてもよい。例えば、回路モジュール２３０は、電気信号を増幅してもよい。別の例として、回路モジュール２３０は、光検出器モジュール２２０から受信したデータをネットワーク１６０、プロセッサ１２０、データベース１５０、ディスプレイ１４０、又は端末１３０に送信することができる。単なる一例として、回路モジュール２３０は、プリント回路基板（ＰＣＢ）であってもよい。
【００３９】
支持モジュール２４０は、スキャナー１１０のコンパクトさと堅さを改善するように構成されてもよい。幾つかの実施形態では、支持モジュール２４０は、支持ブロック、支持ボード、シールドシェル、又は弾性部材を含むことができる。
【００４０】
なお、上記の説明は、単に例示すると提供されたものであり、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。当業者であれば、本開示の教示の下で複数の変形及び変更を行うことができる。例えば、幾つかの実施形態では、支持モジュール２４０はスキャナー１１０に含まれなくてもよい。別の例として、スキャナー１１０は、他の部材、例えば設置装置を含んでもよい。しかしながら、これらの変形及び変更は、本開示の範囲から逸脱するものではない。
【００４１】
図３は、本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶モジュール２１０のブロック図である。なお、以下に説明するシンチレーション結晶モジュール２１０は、単に例示すると提供され、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。図３に示されるように、シンチレーション結晶モジュール２１０は、複数のシンチレーション結晶スライス３１０、少なくとも１つの反射膜３２０、及び少なくとも１つのバンプ３３０を備えることができる。幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶スライス３１０は、シンチレーション結晶モジュール２１０を製造するために、少なくとも１つの反射膜３２０に交互に粘着又は接着されてもよい。幾つかの他の実施形態では、シンチレーション結晶モジュール２１０は、少なくとも１つのシンチレーション結晶スライス３１０に取り付け又は接着された少なくとも１つのバンプ３３０をさらに備えることができる。
【００４２】
図４は、本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶モジュールの断面図である。例示すると、図４は、シンチレーション結晶モジュールにおける２つのシンチレーション結晶スライスと１つの反射膜を示す。シンチレーション結晶スライス及び／又は反射膜の一方又は両方の量、サイズ又は形状は変更されてもよく、本開示の範囲を限定するものではないことに留意すべきである。幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶モジュール４００は、少なくとも１つのシンチレーション結晶スライス３１０及び少なくとも１つの反射膜３２０を備えることができる。シンチレーション結晶スライス３１０は、側面４１０と、側面４１０に本質的に垂直な底面４２０を含むことができる。反射膜３２０は、主部３２０−１と折曲部３２０−２を含むことができる。幾つかの実施形態では、主部３２０−１及び折曲部は一体式部品であってもよい。幾つかの実施形態では、折曲部３２０−２は、主部３２０−１に取り付けられるか、又は連結することができる。反射膜３２０の主部３２０−１は、接着剤を介して２つのシンチレーション結晶スライス３１０の間の側面４１０に粘着又は接着されてもよい。単なる一例として、接着剤は、液体感光性硬化型接着剤（ＵＶ接着剤）、ガラスセメント接着剤（シリコーン）などであってもよい。反射膜３２０の折曲部３２０−２は、シンチレーション結晶スライス３１０の底面４２０に押し付けられてもよい。単なる一例として、折曲部３２０−２の長さｄは、１．５〜２．５ミリメートルの範囲にあってもよい。折曲部３２０−２は、シンチレーション結晶モジュール４００の底部の下にあってもよい。折曲部３２０−２は、シンチレーション結晶モジュール４００の底部の一部又は全部をカバーしてもよい。
【００４３】
幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶スライス３１０及び反射膜３２０は、シンチレーション結晶モジュール４００の四側面からのプレスストリップによって押圧されてもよい。シンチレーション結晶モジュール４００の四側面は、前側、後側、左側及び右側を含むことができる。シンチレーション結晶モジュール４００が押圧されると、折曲部３２０−２又は対応する底面４２０は、平行であり、水平であり得る。幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶モジュール４００は、シンチレーション結晶モジュール４００の四側面のうちの１つ以上が押圧された後に硬化されてもよい。シンチレーション結晶モジュール４００の表面（例えば、６つの表面）のいずれか１つ上の接着剤は、硬化後に洗浄されてもよい。幾つかの実施形態では、折曲部３２０−２が除去されてもよい。単なる一例として、折曲部３２０−２の一部又は全部は、工具を用いて切断することによって除去されてもよい。
【００４４】
幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶モジュール４００は、様々な方法で形成することができる。例えば、主部３２０−１が側面４１０に粘着された後に折曲部３２０−２が底面４２０と接触し、次にシンチレーション結晶モジュール４００が形成されてもよい。別の例として、主部３２０−１と折曲部３２０−２とは一体式部品を形成することができる。主部３２０−１は最初に側面４１０に粘着され、次いで一体式部品の残りの部分は折り曲げ及び／又は底面４２０に押し付けられて折曲部３２０−２を形成する。
【００４５】
幾つかの実施形態では、主部３２０−１のサイズは、予め定められてもよい。例えば、主部３２０−１のサイズは、シンチレーション結晶モジュール２１０のサイズ、又はシンチレーション結晶スライス３１０の底面４１０のサイズに従って決定されてもよい。幾つかの実施形態では、折曲部３２０−２及び主部３２０−１は、一体構造であってもよいし、又は別々の部品としてもよい。折曲部３２０−２と主部３２０−１との間には、折り目があってもよい。折り目は、印刷された点線のマークであってもよい。主部３２０−１及び／又は折曲部３２０−０２がシンチレーション結晶スライス３１０の１つ又は２つに粘着又は接着されると、印刷された点線のマークは、識別及び／又は位置決めの目的で使用されてもよい。幾つかの実施形態では、折曲部３２０−２は、主部３２０−１に外部連結されてもよい。
【００４６】
幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶スライス３１０の側面４１０は、反射膜３２０が粘着する面であってもよい。幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶スライス３１０の２つの比較的大きな表面は側面４１０であってもよい。シンチレーション結晶スライス３１０の底面４２０は、側面４１０に本質的に垂直な４つの面のいずれか１つであってもよい。幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶スライス３１０の底面４２０は、反射膜３２０の折曲部３２０−２と接触してもよい。底面４２０は、反射膜３２０の折曲部３２０−２の表面に押し付けられてもよい。
【００４７】
なお、上記の説明は、単に例示すると提供されたものであり、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。当業者であれば、本開示の教示の下で複数の変形及び変更を行うことができる。例えば、接着剤は、シンチレーション結晶モジュール４００を製造するのに適した別の接着材料であってもよい。別の例では、シンチレーション結晶モジュールが検出器に組み込まれているとき、底面が底部に位置することを意味しない場合がある。しかしながら、これらの変形及び変更は、本開示の範囲から逸脱するものではない。
【００４８】
図５は、本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶モジュール４００を製造するための例示的なプロセスを示す。ステップ５１０では、少なくとも１つのシンチレーション結晶スライス３１０を提供することができる。シンチレーション結晶スライス３１０は、側面４１０及び底面４２０を含み得る。ここで、底面４２０は、側面４１０に対して垂直であり得る。ステップ５２０では、少なくとも１つの反射膜３２０を提供することができる。反射膜は、主部３２０−１と、主部に連結されている折曲部３２０−２を含むことができる。ステップ５３０では、反射膜３２０をシンチレーション結晶スライス３１０に粘着又は接着することができる。幾つかの実施形態では、反射膜３２０の主部３２０−１は、シンチレーション結晶スライス３１０の側面４１０に粘着又は接着されてもよい。ステップ５４０では、シンチレーション結晶モジュール４００を形成するために、反射膜３２０をシンチレーション結晶スライス３１０に交互に粘着又は接着することができる。幾つかの実施形態では、反射膜３２０の折曲部３２０−２は、シンチレーション結晶スライス３１０の底面４２０に接触するか、そうでなければ取り付けられ得る。
【００４９】
幾つかの実施形態では、ステップ５３０において、側面４１０及び主部３２０−１を最初にゼラチン化することができる。例えば、液体感光性硬化型接着剤は、側面４１０及び主部３２０−１にゼラチン化されてもよい。折曲部３２０−２と主部３２０−１との間の折り目は、整列のために使用されてもよい。折目は、側面４１０の縁と整列し得る。折曲部３２０−２は折り目に沿って折り曲げられ、底面４２０に押し付けられるか、又は別の方法で取り付けられる。単なる一例として、主部３２０−１は側面４１０に粘着され、折曲部３２０−２は、例えば本質的に同時に、底面４２０に押し付けられてもよい。
【００５０】
幾つかの実施形態では、ステップ５４０において、所望の数のシンチレーション結晶スライスが組み立てられてシンチレーション結晶モジュール４００を形成するまで、反射膜３２０をシンチレーション結晶スライス３１０に交互に粘着することができる。例えば、シンチレーション結晶モジュール４００は、３つのシンチレーション結晶スライス及び２つの反射膜、又は５つのシンチレーション結晶スライス及び４つの反射膜などを含むことができる。幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶モジュール４００は、サンドイッチ構造であってもよい。
【００５１】
なお、上記の説明は、単に例示すると提供されたものであり、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。当業者であれば、本開示の教示の下で複数の変形及び変更を行うことができる。例えば、シンチレーション結晶モジュール４００を形成するために、図５における１つ又は複数のステップを省略又は反復することができる。しかしながら、これらの変形及び変更は、本開示の範囲から逸脱するものではない。
【００５２】
図６Ａは、本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶モジュールの模式図を示す。幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶モジュール６００は、少なくとも１つの第１シンチレーション結晶スライス６１０、少なくとも１つの反射膜６３０、少なくとも１つのバンプ６２０、及び接着剤６４０を含むことができる。第１シンチレーション結晶スライス６１０は、側面６１０−１を備えることができる。バンプ６２０は、側面６１０−１上に配置されてもよい。幾つかの実施形態では、バンプ６２０の厚さは、反射膜６３０の厚さと本質的に同じであってもよい。例えば、バンプ６２０の厚さは、反射膜６３０の厚さの約７０％〜約７５％の間、又は反射膜６３０の厚さの約７５％〜約８０％の間、又は反射膜６３０の厚さの約９０％〜約９５％の間、又は反射膜６３０の厚さの約９５％〜約１００％の間、又は反射膜６３０の厚さの約１００％〜約１０５％の間、又は反射膜６３０の厚さの約１０５％〜約１１０％の間、又は反射膜６３０の厚さの約７０％〜約１３０％の間、又は反射膜６３０の厚さの約８０％〜約１２０％の間などであってもよい。バンプ６２０は、２つのシンチレーション結晶スライス６１０の間の空間を維持するための機械的支持を提供することができる。第１シンチレーション結晶スライス６１０は、側面６１０−１上の接着剤６４０を介して反射膜６３０に粘着又は接着されてもよい。幾つかの実施形態では、所望の数の層を含むシンチレーション結晶モジュール６００を形成するために、第１シンチレーション結晶スライス６１０は、接着剤６４０を介して反射膜６３０に交互に粘着又は接着されてもよい。次に、接着剤６４０は硬化され、第１シンチレーション結晶スライス６１０は押圧されてシンチレーション結晶モジュール６００を作製することができる。幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶モジュール６００の構造は、サンドイッチであってもよい。幾つかの実施形態では、側面６１０−１及び反射膜６３０の一方又は両方は、粘着又は接着される前にゼラチン化により全処理されてもよい。
【００５３】
幾つかの実施形態では、バンプ６２０は、液体接着剤を側面６１０−１にゼラチン化させて硬化させることによって製造することができる。幾つかの実施形態では、バンプ６２０は、他の方法によって処理されてもよい。幾つかの実施形態では、液体接着剤は、反射膜６３０を底面６１０−１上に粘着又は接着するための接着剤６４０と同じであってもよい。
【００５４】
図６Ａ及び図６Ｂに示されるように、反射膜６３０は、第１シンチレーション結晶スライス６１０の側面６１０−１の下部に粘着又は接着することができる。バンプ６２０は、側面６１０−１の上部に位置することができる。バンプ６２０は、反射膜６３０の上方に配置することができる。接着剤６４０は、バンプ６２０と反射膜６３０が占める空間以外の２つの隣接する第１シンチレーション結晶スライス６１０間の隙間を充填してもよい。幾つかの実施形態では、側面６１０−１のサイズ（例えば、面積、１つ以上の寸法の長さなど）は、反射膜６３０より大きくてもよい。例えば、側面６１０−１の高さは、反射膜６３０の高さより大きくてもよい。
【００５５】
なお、上記の説明は、単に例示すると提供されたものであり、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。当業者であれば、本開示の教示の下で複数の変形及び変更を行うことができる。例えば、バンプ６２０及び反射膜６３０の厚さは、±０．０１ミリメートルのような誤差範囲を有してもよい。別の例として、上述した側面６１０−１の下部と上部の位置は相対的であってもよい。バンプ６２０及び反射膜６３０は、他の実施形態において、シンチレーション結晶スライス６１０の任意の他の位置に配置されてもよい。さらに、側面領域６１０の上部又は下部は、シンチレーション結晶モジュール６００がＰＥＴスキャナーに置かれたとき、又はＰＥＴスキャナーが動作しているときの位置を示さない。しかしながら、これらの変形及び変更は、本開示の範囲から逸脱するものではない。
【００５６】
幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶モジュール６００は、Ｂ−Ｂ方向と平行な少なくとも１つのシンチレーション結晶スライスに切断することができる。図６Ｃは、本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶アレイ６７０の模式図を示す。幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶アレイ６７０は、少なくとも１つの第２シンチレーション結晶スライス６５０、少なくとも１つの反射膜６３０、少なくとも１つのバンプ６６０、及び接着剤６４０を含むことができる。第２シンチレーション結晶スライス６５０は、側面６５０−１を備えることができる。バンプ６６０は、側面６５０−１上に配置されてもよい。幾つかの実施形態では、バンプ６６０の厚さは、反射膜６３０の厚さと本質的に同じであってもよい。例えば、バンプ６６０の厚さは、反射膜６３０の厚さの約７０％〜約７５％の間、又は反射膜６３０の厚さの約７５％〜約８０％の間、又は反射膜６３０の厚さの約９０％〜約９５％の間、又は反射膜６３０の厚さの約９５％〜約１００％の間、又は反射膜６３０の厚さの約１００％〜約１０５％の間、又は反射膜６３０の厚さの約１０５％〜約１１０％の間、又は反射膜６３０の厚さの約７０％〜約１３０％の間、又は反射膜６３０の厚さの約８０％〜約１２０％の間などであってもよい。バンプ６６０は、２つのシンチレーション結晶スライス６５０の間の空間を維持するための機械的支持を提供することができる。幾つかの実施形態では、所望の数の層を含む予備シンチレーション結晶アレイを形成するために、第２シンチレーション結晶スライス６５０は、接着剤６４０を介して反射膜６３０に交互に粘着又は接着されてもよい。次に、接着剤６４０は硬化され、シンチレーション結晶スライス６７０は押圧されてシンチレーション結晶アレイ６７０を製造することができる。幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶アレイ６７０の構造は、サンドイッチであってもよい。幾つかの実施形態では、側面６５０−１及び反射膜６３０の一方又は両方は、粘着又は接着される前にゼラチン化されてもよい。
【００５７】
幾つかの実施形態では、バンプ６６０は、液体接着剤を側面６５０−１にゼラチン化させて硬化させることによって製造することができる。幾つかの実施形態では、バンプ６６０は、他の方法によって処理されてもよい。幾つかの実施形態では、液体接着剤は、反射膜６３０を底面６５０−１上に粘着又は接着するための接着剤６４０と同じであってもよい。
【００５８】
幾つかの実施形態では、反射膜６３０は、第２シンチレーション結晶スライス６５０の側面６５０−１の下部に粘着又は接着することができる。バンプ６６０は、側面６５０−１の上部に位置することができる。バンプ６６０は、反射膜６３０の上方に配置することができる。接着剤６４０は、バンプ６６０と反射膜６３０が占める空間以外の隣接する２つの第２シンチレーション結晶スライス６５０間の残余空間を充填してもよい。幾つかの実施形態では、側面６５０−１のサイズ（例えば、面積、１つ以上の寸法の長さなど）は、反射膜６３０より大きくてもよい。例えば、パテ面（ｐａｔｅｓ  ｆａｃｅ）６５０−１の高さは、反射膜６３０の高さより大きくてもよい。
【００５９】
なお、上記の説明は、単に例示すると提供されたものであり、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。当業者であれば、本開示の教示の下で複数の変形及び変更を行うことができる。例えば、バンプ６６０及び反射膜６３０の厚さは、±０．０１ミリメートルのような合理的な誤差範囲を有してもよい。別の例として、上述した側面６５０−１の下部と上部の位置は相対的であってもよい。バンプ６６０及び反射膜６３０は、シンチレーション結晶スライス６５０の任意の他の位置に配置されてもよい。さらに、側面領域６５０の上部又は下部は、シンチレーション結晶モジュール６００がＰＥＴスキャナーに置かれたとき、又はＰＥＴスキャナーが動作しているときの位置を示さない。しかしながら、これらの変形及び変更は、本開示の範囲から逸脱するものではない。
【００６０】
図７は、本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶アレイを製造するための例示的なプロセスを示す。ステップ７１０では、少なくとも１つの反射膜６３０を提供することができる。ステップ７２０では、少なくとも１つの第１シンチレーション結晶スライス６１０を提供することができる。第１シンチレーション結晶スライス６１０は、側面６１０−１を備えることができる。側面６１０−１上には、バンプ６２０が配置されてもよい。幾つかの実施形態では、バンプ６２０の厚さは、反射膜６３０の厚さと本質的に同じであってもよい。
【００６１】
ステップ７３０では、シンチレーション結晶モジュール６００を形成するために、反射膜６３０を第１シンチレーション結晶スライス６１０に交互に粘着又は接着することができる。幾つかの実施形態では、側面６１０−１及び反射膜６３０は、粘着又は接着される前にゼラチン化されてもよい。バンプ６２０と反射膜６３０との間には、間隔があってもよい。幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶モジュール６００を形成するために、第１シンチレーション結晶スライス６１０及び反射膜６３０を硬化させることができる。
【００６２】
ステップ７４０では、シンチレーション結晶モジュール６００を、側面６１０−１に垂直な方向に沿って、少なくとも１つの第２シンチレーション結晶スライス６５０に切断することができる。第２シンチレーション結晶スライス６５０は、側面６５０−１を備えることができる。側面６５０−１上には、バンプ６６０が設けられてもよい。幾つかの実施形態では、バンプ６６０の厚さは、反射膜６３０の厚さと本質的に同じであってもよい。
【００６３】
ステップ７５０では、シンチレーション結晶アレイ６７０を形成するために、反射膜６３０を第２シンチレーション結晶スライス６５０に交互に粘着又は接着することができる。幾つかの実施形態では、側面６５０−１及び反射膜６３０は、粘着又は接着される前にゼラチン化によって前処理されてもよい。バンプ６６０と反射膜６３０との間には、間隔があってもよい。幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶アレイ６７０を形成するために、第２シンチレーション結晶スライス６５０及び反射膜６３０を硬化させることができる。
【００６４】
なお、上記の説明は、単に例示すると提供されたものであり、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。当業者であれば、本開示の教示の下で複数の変形及び変更を行うことができる。例えば、シンチレーション結晶アレイ６７０を形成するために、図７における１つ又は複数のステップを省略又は反復することができる。別の例として、幾つかのステップの順序を交換することができる。しかしながら、これらの変形及び変更は、本開示の範囲から逸脱するものではない。
【００６５】
図８は、本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶アレイ８００の断面図である。シンチレーション結晶アレイ８００は、少なくとも１つのシンチレーション結晶ユニット８１０及び傾斜面８２０を含むことができる。シンチレーション結晶ユニット８１０の高さは、傾斜面８２０に沿って変化してもよい。一部のシンチレーション結晶ユニット８１０の高さは、第１方向（図８のＸ方向）において互いに異なっていてもよい。幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶ユニット８１０の高さは、傾斜面８２０に基づいて設計されてもよい。幾つかの実施形態では、一部のシンチレーション結晶ユニット８１０の高さは同じであってもよい。単なる一例として、傾斜面８２０に沿った位置におけるシンチレーション結晶ユニット８１０の高さは、その位置におけるシンチレーション結晶アレイ８００の最大高さに応じて決定されてもよい。ある位置におけるシンチレーション結晶アレイ８００の最大高さは、傾斜面８２０に応じて決定されてもよい。
【００６６】
幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶ユニット８１０は、シンチレーション結晶スライスや、シンチレーション結晶スティックなどであってもよい。シンチレーションアレイ８００のシンチレーション結晶ユニット８１０のサイズ又は形状は、本質的に同じであっても異なっていてもよい。単なる一例として、シンチレーション結晶スライスは、シンチレーション結晶モジュールを第１方向に沿って切断することによって生成されてもよい。シンチレーション結晶モジュールは、第１方向に沿って複数回切断されて、複数のシンチレーション結晶スライスを生成することができる。複数のシンチレーション結晶スライスのサイズは、本質的に同じであっても異なっていてもよい。例えば、シンチレーション結晶スライスの厚さが本質的に同じであるように、第１方向に沿った切断は、本質的に等間隔であってもよい。シンチレーションスライスの厚さは、第１方向に沿った２つの連続した操作（例えば、切断など）によって生成される寸法を意味してもよい。単なる一例として、シンチレーションモジュールにおけるシンチレーション結晶スライスの厚さの変化は、シンチレーション結晶スライスの平均厚さの２％、５％、８％、又は１０％以内であってもよい。
【００６７】
シンチレーション結晶スティックは、シンチレーション結晶スライスを第１方向と異なる方向に沿って切断することによって生成されてもよい。例えば、第２方向は、第１方向に実質的に垂直であってもよい。単なる一例として、第１方向と第２方向との間の角度は、約７０°〜約７５°の間、約７５°〜約８０°の間、約８０°〜約８５°の間、約８５°〜約９０°の間、約９０°〜約９５°の間、約９５°〜約１００°の間、約１００°〜約１０５°の間、約７０°〜約１２０°の間、約８０°〜約１１０°の間、又は約８５°〜約９５°の間である。シンチレーション結晶スライスは、第２方向に沿って複数回切断されて、複数のシンチレーション結晶スティックを生成することができる。複数のシンチレーション結晶スティックのサイズは、本質的に同じであっても異なっていてもよい。例えば、シンチレーション結晶スティックの厚さが本質的に同じであるように、第２方向に沿った切断は、本質的に等間隔であってもよい。単なる一例として、シンチレーションモジュールにおけるシンチレーション結晶スライスの厚さの変化は、シンチレーション結晶スライスの平均厚さの２％、５％、８％、又は１０％以内であってもよい。シンチレーション結晶スティックの厚さは、第２方向に沿った２つの連続した操作（例えば、切断など）によって生成されたシンチレーション結晶スティックの寸法を意味してもよい。シンチレーションスティックの厚さは、シンチレーション結晶スティックが、例えば、切断によって生成される基礎となるシンチレーション結晶スライスの厚さと同じであってもよい。
【００６８】
例示すると、シンチレーション結晶ユニット８１０の高さを以下に説明する。図８に示されるように、シンチレーション結晶アレイ８００は、最大高さ及び最小高さを有することができる。シンチレーション結晶アレイ８００は、シンチレーション結晶ユニット８１０−１及びシンチレーション結晶ユニット８１０−２を含むことができる。シンチレーション結晶ユニット８１０−１の高さは、シンチレーション結晶アレイ８００の最大高さに応じて決定することができる。シンチレーション結晶ユニット８１０−２の高さは、シンチレーション結晶アレイ８００の最小高さに応じて決定することができる。幾つかの実施形態では、傾斜面８２０は、シンチレーション結晶モジュール及び光増幅器（図示せず）の位置に応じて決定することができる。２つの隣接するシンチレーション結晶ユニット８１０の高さの差ｈは、シンチレーション結晶ユニット８１０の角度θ及び厚さｔに応じて決定することができる。角度θは、傾斜面８２０とＸ方向との間の角度であってもよい。高さの差ｈは、以下の式によって決定されてもよい。
ｈ＝ｔ＊ｔｇθ（式１）
【００６９】
幾つかの実施形態では、Ｙ方向に沿ったシンチレーション結晶ユニット８１０の長さは本質的に同じであってもよい。図８に示されるように、Ｙは紙面に垂直な方向である。シンチレーション結晶ユニット８１０の長さは、Ｙ方向に沿ったシンチレーション結晶アレイ８００の長さに本質的に等しくてもよい。幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶ユニット８１０の厚さｔは、本質的に同じであってもよい。例えば、厚さｔは、Ｘ方向に沿ったシンチレーション結晶アレイ８００の長さとＸ方向に沿ったシンチレーション結晶ユニット８１０の数との比に実質的に等しくてもよい。本明細書で使用されるように、パラメータ又は特性に関する「本質的に等しい」、「本質的に同じ」、「本質的に一致する」、「本質的に平行」などの「本質的に」は、その偏差が例えば、シンチレーション結晶アレイ又はシンチレーション結晶モジュールなどにおけるパラメータ若しくは特性、又はパラメータの平均値の２％以内、５％以内、８％以内、１０％以内、又は１５％以内である。幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶アレイ８００の少なくとも幾つかのシンチレーション結晶ユニット８１０の長さ及び／又は厚さが異なってもよい。
【００７０】
図８に示されるように、異なる高さを有するシンチレーション結晶ユニット８１０は、Ａ及びＢのような１つ以上のラダー変曲点を生成することがある。変曲点Ａ及びＢによって線を決定することができる。この線は、傾斜面８２０と本質的に一致してもよい。
【００７１】
幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶アレイ８００の形状は、プリズムであってもよい。単なる一例として、シンチレーション結晶アレイ８００の形状は、四角柱であってもよい。
【００７２】
なお、上記の説明は、単に例示すると提供されたものであり、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。当業者であれば、本開示の教示の下で複数の変形及び変更を行うことができる。例えば、シンチレーション結晶ユニット８１０の高さは、他の幾つかの方法によって設計されてもよいし、ランダム値が割り当てられてもよい。別の例として、シンチレーション結晶アレイの少なくとも幾つかのシンチレーション結晶ユニットの厚さは異なっていてもよい。しかしながら、これらの変形及び変更は、本開示の範囲から逸脱するものではない。
【００７３】
図９は、本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶アレイ８００を製造するための例示的なプロセスを示す。ステップ９１０では、シンチレーション結晶ユニット８１０の高さを設計することができる。幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶ユニット８１０の少なくとも２つが異なる高さを有することができる。隣接するシンチレーション結晶ユニット８１０の間に位置するシンチレーション結晶ユニット８１０の高さ又は隣接するシンチレーション結晶ユニット８１０の間の高さの差は、シンチレーション結晶アレイ８００の傾斜面８２０に従って決定することができる。
【００７４】
ステップ９２０では、シンチレーション結晶ユニット８１０を共にスプライスして、シンチレーション結晶アレイ８００を形成することができる。幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶ユニット８１０は、光学カップリング剤、コーティング、接着剤、反射剤など、又はそれらの任意の組み合わせを使用することによって、共にスプライスされてもよい。幾つかの実施形態では、スプライシングプロセスは、本開示の他の箇所に記載されるシンチレーション結晶モジュールを製造するプロセスと同じであってもよい。
【００７５】
ステップ９３０では、シンチレーション結晶アレイ８００を処理して、傾斜面８２０を生成することができる。幾つかの実施形態では、処理方法は、研削、切断、研磨、洗浄、彫刻など、又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。
【００７６】
幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶アレイ８００を処理するためのステップ９３０は、ステップ９２０の前に実行されてもよい。シンチレーション結晶ユニット８１０をスプライスすることは、最終的なシンチレーション結晶アレイ８００を形成する最後のステップであり得る。
【００７７】
なお、上記の説明は、単に例示すると提供されたものであり、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。当業者であれば、本開示の教示の下で複数の変形及び変更を行うことができる。例えば、シンチレーション結晶アレイ８００を形成するために、図９における１つ又は複数のステップを省略又は反復することができる。別の例として、傾斜面８２０は、シンチレーション結晶アレイ８００を形成するために他の方法（例えば、浸食など）に従って形成されてもよい。しかしながら、これらの変形及び変更は、本開示の範囲から逸脱するものではない。
【００７８】
図１０Ａ〜図１０Ｃは、本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶アレイ１０００を製造するための例示的なプロセスを示す。図１０Ｃに示されるように、シンチレーション結晶アレイ１０００は、複数のシンチレーション結晶スティック１０１０を含んでもよい。図１０Ａに示されるように、複数のシンチレーション結晶スティック１０１０が提供されてもよい。Ｘ方向に沿ったシンチレーション結晶スティック１０１０の高さは、傾斜面１０２０に従って設計することができる。例えば、Ｘ方向に沿った少なくとも２つのシンチレーション結晶スティック１０１０は、異なる高さを有してもよい。Ｙ方向に沿ったシンチレーション結晶スティック１０１０の高さは、本質的に同じであってもよい。図１０Ｂに示されるように、シンチレーション結晶スティック１０１０は、シンチレーション結晶アレイ１０００を形成するために、Ｘ方向及びＹ方向の両方に共にスプライスされてもよい。シンチレーション結晶アレイ１０００は、さらに処理されて、図１０Ｃに示されるような傾斜面１０２０を形成してもよい。幾つかの実施形態では、処理方法は、研削、切断、研磨、洗浄、彫刻など、又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。
【００７９】
図１１Ａ〜図１１Ｅは、本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶アレイ１１００を製造するための例示的なプロセスを示す。シンチレーション結晶アレイ１１００は、複数の第１シンチレーション結晶スライス１１１０、複数の第２シンチレーション結晶スライス１１３０、及び複数のシンチレーション結晶スティック１１４０を含むことができる。シンチレーション結晶アレイ１１００は、傾斜面１０５０を有してもよい。
【００８０】
幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶スライスの長さは、Ｙ方向に沿ったシンチレーション結晶アレイ１１００の長さと本質的に同じであってもよい。図１１Ａに示されるように、複数の第１シンチレーション結晶スライス１１１０が提供されてもよい。Ｘ方向に沿った第１シンチレーション結晶スライス１１１０の高さは、傾斜面１１５０に従って設計することができる。例えば、Ｘ方向に沿った少なくとも２つの第１シンチレーション結晶スライス１１１０は、異なる高さを有してもよい。図１１Ｂに示されるように、第１シンチレーション結晶スライス１１１０は、初期のシンチレーション結晶アレイ１１２０を形成するために、Ｘ方向に沿って共にスプライスされてもよい。図１１Ｃに示されるように、初期のシンチレーション結晶アレイ１１２０は、Ｘ方向に沿って切断されてもよい。初期のシンチレーション結晶アレイ１１２０は、複数の第２シンチレーション結晶スライス１１３０に切断されてもよい。第２シンチレーション結晶スライス１１３０は、複数のシンチレーション結晶スティック１１４０を含んでもよい。次に、図１１Ｄに示されるように、第２シンチレーション結晶スライス１１３０は、Ｙ方向に沿って共にスプライスされてもよい。図１１Ｅにおいて、スプライスされたシンチレーション結晶アレイ１１００は、傾斜面１１５０を形成するように処理されてもよい。幾つかの実施形態では、処理方法は、研削、切断、研磨、洗浄、彫刻など、又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。
【００８１】
図１２Ａ〜図１２Ｅは、本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶アレイ１２００を製造するための例示的なプロセスを示す。シンチレーション結晶アレイ１２００は、複数の第１シンチレーション結晶スライス１２１０、複数の第２シンチレーション結晶スライス１２３０、及び複数のシンチレーション結晶スティック１２４０を含むことができる。シンチレーション結晶アレイ１２００は、傾斜面１２５０を有してもよい。
【００８２】
図１２Ａに示されるように、複数の第１シンチレーション結晶スライス１２１０が提供されてもよい。Ｘ方向に沿った第１シンチレーション結晶スライス１２１０の高さは、傾斜面１２５０に従って設計することができる。例えば、Ｘ方向に沿った少なくとも２つの第１シンチレーション結晶スライス１２１０は、異なる高さを有してもよい。図１２Ｂに示されるように、第１シンチレーション結晶スライス１２１０は、初期のシンチレーション結晶アレイ１２２０を形成するために、Ｘ方向に沿って共にスプライスされてもよい。次に、図１２Ｃに示されるように、初期のシンチレーション結晶アレイ１２２０は、傾斜面１２５０を形成するように処理されてもよい。幾つかの実施形態では、処理方法は、研削、切断、研磨、洗浄、彫刻など、又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。図１２Ｄに示されるように、初期のシンチレーション結晶アレイ１２２０は、Ｘ方向に沿って複数の第２シンチレーション結晶スライス１２３０に切断されてもよい。第２シンチレーション結晶スライス１２３０は、複数のシンチレーション結晶スティック１２４０を含んでもよい。図１２Ｅに示されるように、第２シンチレーション結晶スライス１２３０は、シンチレーション結晶アレイ１２００を形成するために、Ｙ方向に沿って共にスプライスされてもよい。
【００８３】
なお、上記の説明は、単に例示すると提供されたものであり、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。当業者であれば、本開示の教示の下で複数の変形及び変更を行うことができる。例えば、シンチレーション結晶スライス又はシンチレーション結晶スティックの数は、特定のシナリオに従って選択することができる。別の例として、シンチレーション結晶スライス又はシンチレーション結晶スティックの形状は、特定のシナリオに従って異なる場合がある。さらに別の例では、スプライシングプロセスは、本開示の他の箇所に記載された方法を使用することができる。しかしながら、これらの変形及び変更は、本開示の範囲から逸脱するものではない。
【００８４】
図１３は、本開示の幾つかの実施形態に係る検出器１３００を示す図である。検出器１３００は、撮像システム１００において使用されてもよい。撮像システム１００は、例えば、デジタルサブトラクション血管造影（ＤＳＡ）システム、磁気共鳴血管造影（ＭＲＡ）システム、コンピュータ断層撮影血管造影（ＣＴＡ）、陽電子放出断層撮影（ＰＥＴ）システム、単一光子放出型コンピュータ断層撮影（ＳＰＥＣＴ）システム、コンピュータ断層撮影（ＣＴ）システム、デジタルラジオグラフィー（ＤＲ）システムなどのシングルモダリティ撮像システムであってもよい。幾つかの実施形態では、撮像システムは、例えば、コンピュータ断層撮影−陽電子放出断層撮影（ＣＴ−ＰＥＴ）システム、陽電子放出断層撮影−磁気共鳴撮影（ＰＥＴ−ＭＲＩ）システム、単一光子放出型コンピュータ断層撮影−陽電子放出断層撮影（ＳＰＥＣＴ−ＰＥＴ）システム、デジタルサブトラクション血管造影−磁気共鳴撮影（ＤＳＡ−ＭＲ）システムなどのマルチモダリティ撮像システムであってもよい。図に示されるように、検出器１３００は、シンチレーション結晶アレイ１３１０及びアバランシェフォトダイオードアレイ１３２０を含むことができる。
【００８５】
幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶アレイ１３１０は、異なる行及び列に配置されている１つ以上のシンチレーション結晶スティックを含むことができる。例示すると、図１３において、行はＸ方向に平行であってもよく、列はＹ方向に平行であってもよい。単なる一例として、シンチレーション結晶アレイ１３１０の列には、シンチレーション結晶スティック１３３０−１、１３３０−２、１３３０−３、…、１３３０−Ｎ（Ｎは整数）が含まれてもよい。シンチレーション結晶スティックは、天面、底面、及び側面を含むことができる。底面は、天面と対向してもよい。側面は、底面と天面との間にあってもよい。
【００８６】
幾つかの実施形態では、アバランシェフォトダイオードアレイ１３２０は、１つ以上のアバランシェフォトダイオードを含むことができる。アバランシェフォトダイオードアレイ１３２０は、片状、膜状、スライス状、フレーク状、スティック状、ブロック状、又はそれらの任意の組み合わせの形状であってもよい。幾つかの実施形態では、アバランシェフォトダイオードアレイ１３２０は、１つ以上のシンチレーション結晶スティックに結合されてもよい。例えば、アバランシェフォトダイオードアレイ１３２０の一片は、図１３に示されるように、シンチレーション結晶アレイ１３１０の列に接続されてもよい。幾つかの実施形態では、アバランシェフォトダイオードアレイ１３２０は、１つ以上のマイクロ回路ユニット（図示せず）を含んでもよい。マイクロ回路ユニットは、並列接続又は直列接続で互いにリンクされてもよい。幾つかの実施形態では、マイクロ回路ユニットは、アバランシェフォトダイオード及びクエンチング抵抗器をさらに含むことができる。
【００８７】
図１４Ａ〜図１４Ｃは、本開示の幾つかの実施形態に係る例示的なシンチレーション結晶スティックを示す。図１４Ａに示されるように、シンチレーション結晶スティックは、１つ以上の表面１４１０及び１つ以上の反射膜１４２０を含んでもよい。表面１４１０は、結合表面１４１０−１、結合表面１４１０−１に近接する１つ以上の隣接表面（例えば、１４１０−２、１４１０−３、１４１０−４、及び１４１０−５）、及び結合表面１４１０−１に本質的に平行な平行表面１４１０−６を含んでもよい。結合表面１４１０−１は、アバランシェフォトダイオードアレイ１３２０と結合するように構成されてもよい。幾つかの実施形態では、１つの行又は列のシンチレーション結晶スティックの結合表面は、同じ平面内で整列してもよい。反射膜１４２０は、γ光子によって生成される可視光の透過損失を減少させることができる。反射膜１４２０は、反射膜１４２０−２、１４２０−３、１４２０−４、１４２０−５、及び１４２０−６を含んでもよい。幾つかの実施形態では、反射膜は、ある光反射率を有する材料によって作製することができる。単に例示すると、材料は、金、銀、アルミニウム、銅、クロム、パラジウム、シリコン、チタンなど、又はそれらの合金、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。
【００８８】
図１４Ｂに示されるように、結合表面１４１０−１と隣接表面１４１０−２又は１４１０−４との間の角度αは、９０°以下、例えば、α≦９０°であってもよい。例えば、αは、３０°〜９０°の間、又は４５°〜９０°の間に設定されてもよい。単なる一例として、αは４５〜８４°の間に設定することができる。幾つかの実施形態では、結合表面１４１０−１と隣接表面１４１０−２との間の角度は、結合表面１４１０−１と隣接表面１４１０−６との間の角度と異なっていてもよい。図１４Ｃに示されるように、結合表面１４１０−１と隣接表面１４１０−３又は１４１０−５との間の角度βは、９０°以下、例えば、β≦９０°であってもよい。例えば、βは、６０°〜９０°の間、又は８０°〜９０°の間に設定されてもよい。単なる一例として、βは８７〜８８°の間に設定することができる。幾つかの実施形態では、結合表面１４１０−１と隣接表面１４１０−３との間の角度は、結合表面１４１０−１と隣接表面１４１０−５との間の角度と異なっていてもよい。なお、角度α及び角度βの値は、単に例示のためのものであり、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。当業者であれば、本開示の教示の下で複数の変形及び変更を行うことができる。例えば、角度α及び／又は角度βは、シンチレーション結晶スティックによる反射機能を低下させるために、より小さい値に割り当てることができる。
【００８９】
図１５Ａ及び図１５Ｂは、本開示の幾つかの実施形態に係るシンチレーション結晶スティックの例示的な製造プロセスを示す。図１５Ａに示されるように、直方体の形状を有するシンチレーション結晶ブロック１５１０が提供されてもよい。シンチレーション結晶ブロック１５１０の形状は、直方体、立方体、球体、又は他の規則的若しくは不規則な形状であってもよい。図１５Ａに示される実施形態では、シンチレーション結晶ブロック１５１０は、天面１５１０−２、底面１５１０−４、及び１つ以上の側面（例えば、１５１０−１，１５１０−３，１５１０−５、及び１５１０−６）を含むことができる。幾つかの実施形態では、側面の長さと天面又は底面の長さの比は、５：１以上であってもよい。いずれか１つの側面は、結合表面として選択することができる。例示すると、側面１５１０−１は、結合表面であってもよい。次いで、側面１５１０−１に隣接して及び／又は反対側にある１５１０−３、１５１０−５及び１５１０−６を含む１つ以上の他の表面が処理されてもよい。例示的な処理方法は、切断、研削、浸食、表面処理など、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。
【００９０】
図１５Ｂに示されるように、シンチレーション結晶スティック１５２０を生成することができる。単なる一例として、結合表面１５１０−１と天面１５２０−２又は底面１５２０−４との間の角度は、４５°〜８４°の間の値が割り当てられてもよく、結合表面１５１０−１と側面１５２０−３又は側面１５２０−５との間の角度は、８７°〜８８°の間の値を割り当てられてもよい。そして、反射膜は、シンチレーション結晶スティック１５２０の表面（結合表面１５１０−１を除く）、例えば、天面１５２０−２、底面１５２０−４、側面１５２０−３、側面１５２０−５、及び／又は側面１５２０−６に配置されてもよい。例示的な配置方法は、接着、噴霧、物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）など、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。ＰＶＤは、蒸発、スパッタリング、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）などを含み得る。幾つかの実施形態では、１つ以上のシンチレーション結晶スティック１５２０は、１つ以上の列で一緒に組み立てることができ、ここで、１つの列におけるすべてのシンチレーション結晶スティックの結合表面は、本質的に同じ平面に設定されてもよく、アバランシェフォトダイオードアレイは、結合表面に結合されてもよい。１つ以上のシンチレーション結晶スティックは、シンチレーション結晶アレイ（図１３に示されるように）に設置することができる。
【００９１】
図１６は、本開示の幾つかの実施形態に係る検出器１６００を示す図である。検出器１６００は、撮像システム１００において使用されてもよい。撮像システム１００は、例えば、デジタルサブトラクション血管造影（ＤＳＡ）システム、磁気共鳴血管造影（ＭＲＡ）システム、コンピュータ断層撮影血管造影（ＣＴＡ）、陽電子放出断層撮影（ＰＥＴ）システム、単一光子放出型コンピュータ断層撮影（ＳＰＥＣＴ）システム、コンピュータ断層撮影（ＣＴ）システム、デジタルラジオグラフィー（ＤＲ）システムなどのシングルモダリティ撮像システムであってもよい。幾つかの実施形態では、撮像システムは、例えば、コンピュータ断層撮影−陽電子放出断層撮影（ＣＴ−ＰＥＴ）システム、陽電子放出断層撮影−磁気共鳴撮影（ＰＥＴ−ＭＲＩ）システム、単一光子放出型コンピュータ断層撮影−陽電子放出断層撮影（ＳＰＥＣＴ−ＰＥＴ）システム、デジタルサブトラクション血管造影−磁気共鳴撮影（ＤＳＡ−ＭＲ）システムなどのマルチモダリティ撮像システムであってもよい。例示すると、ＰＥＴで使用される検出器は、例示的な実施形態として以下に説明され、本開示の範囲を限定することを意図しない。図面に示されるように、検出器１６００は、シンチレーション結晶アレイ１６１０、光検出器アレイ１６２０、回路板１６３０、支持ブロック１６４０、支持ボード１６５０、及びシールドシェル１６６０を備えることができる。
【００９２】
幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶アレイ１６１０は、一次元配列、二次元配列、又は三次元配列の１つ以上のシンチレーション結晶スティックを含むことができる。一次元アレイの実施形態では、シンチレーション結晶スティックは、一列に配置されてもよい。例えば、アレイは１×Ｎであってもよく、ここで、Ｎは整数であってもよい。二次元アレイの実施形態では、シンチレーション結晶スティックは、水平方向及び垂直方向の両方に配置されてもよい。例えば、アレイはＭ×Ｎであってもよく、ここで、Ｍ及び／又はＮは整数であってもよい。
【００９３】
幾つかの実施形態では、光検出器アレイ１６２０は、光エネルギーを吸収して電気エネルギーに変換するように構成することができる。光検出器アレイ１６２０は、フォトダイオード、ＰＩＮフォトダイオード、アバランシェフォトダイオード、フォトトランジスタ、金属−半導体−金属（ＭＳＭ）光検出器、光電子増倍管、焦電型光検出器、熱検出器など、又はそれらの任意の組み合わせ、又は本開示の他の箇所に記載若しくは当技術分野で知られている任意の光検出器であってもよい。光検出器アレイ１６２０は、光検出器アレイ１６２０と光学的に結合され、１つ以上の回路板１６３０上に固定されてもよい幾つかの実施形態では、回路板１６３０はプリント回路板（ＰＣＢ）であってもよい。
【００９４】
幾つかの実施形態では、支持ブロック１６４０は、支持ブロック１６４０−１と支持ブロック１６４０−２の２つの部分を含むことができる。支持ブロック１６４０−１及び１６４０−２は、シンチレーション結晶アレイ１６１０の反対側にある２つの端部に配置されてもよい。例えば、図１６に示されるように、支持ブロック１６４０は、シンチレーション結晶アレイ１６１０に接着されてもよい。幾つかの実施形態では、支持ブロック１６４０−１及び支持ブロック１６４０−２は、支持ボード１６５０を介して相互に連結されてもよい。支持ボード１６５０は、水平方向及び垂直方向に拡張可能な平板であってもよい。支持ボード１６５０は、光検出器アレイ１６２０と回路板１６３０との間に配置されてもよい。支持ボード１６５０の下面は、光検出器アレイ１６２０に対向してもよい。支持ボード１６５０の上面は、回路板１６３０に対向してもよい。幾つかの実施形態では、光検出器アレイ１６２０をシンチレーション結晶アレイ１６１０上に整列させるように構成された支持ブロック１６４０又は支持ボード１６５０上に第１位置構造（図示せず）があってもよい。幾つかの実施形態では、検出器１６００を撮像スキャナーに固定するように構成された支持ブロック１６４０又は支持ボード１６５０上に第２位置構造（図示せず）があってもよい。
【００９５】
幾つかの実施形態では、１つ以上の検出器１６００をリングに囲むことができる。リングの軸線は、撮像システム１００のスキャナー１００の軸線と一致してもよい。幾つかの実施形態では、支持ボード１６５０の軸線からの距離は、回路板１６３０の距離より短くてもよい。
【００９６】
幾つかの実施形態では、検出器１６００は、シールドシェル１６６０を含むことができる。シールドシェル１６６０は、シンチレーション結晶アレイ１６１０、光検出器アレイ１６２０、回路板１６３０及び支持ボード１６５０を含むように構成することができる。幾つかの実施形態では、シールドシェル１６６０は、１つのシールドボード又は互いに接続されている複数のシールドボードで構成することができる。幾つかの実施形態では、支持ブロック１６４０−１及び／又は支持ブロック１６４０−２に接続されている１つ以上のシールドボードで構成することができる。図１６は、２つの例示的なシールドボード１６６０−１及び１６６０−２を示す。シールドボード１６６０の例示的な材料は、アルミニウム、炭素繊維などを含むことができる。図に示されるように、シールドボード１６６０−２の２つの端部は、支持ブロック１６４０−１及び／又は支持ブロック１６４０−２に取り外し不可能又は取り外し可能に取り付けることができる。取り外し不可能な取り付けは、例えば、切断、鋳造、溶接、リソグラフィー微細加工、スタッキング、３Ｄ印刷など、又はそれらの任意の組み合わせによって達成することができる。取り外し可能な取り付けは、例えば、プラッギング、リベット締め、ねじ止め、インターロックなど、又はそれらの任意の組み合わせによって達成することができる。シールドボード１６６０−１、１６６０−２、及び支持ブロック１６４０は、シンチレーション結晶アレイ１６１０に対して支持を提供することができる。
【００９７】
幾つかの実施形態では、シールドシェル１６６０内の空間は、第１キャビティと第２キャビティに分割することができる。幾つかの実施形態では、シンチレーション結晶アレイ１６１０及び光検出器アレイは、第１キャビティ内に配置することができ、回路板１６３０は、第２キャビティ内に配置することができる。幾つかの実施形態では、回路板１６３０は、支持ボード１６５０又はシールドシェル１６６０上に固定することができる。
【００９８】
幾つかの実施形態では、第１キャビティは、冷却媒体のための通路として使用する第１空間を含むことができ、第２キャビティは、冷却媒体のための通路として使用する第２空間を含むことができる。幾つかの実施形態では、第１空間及び第２空間は、通気孔（図示せず）を介して互いに連結することができる。通気孔は、支持ボード１６５０又は支持ブロック１６４０に配置されてもよい。幾つかの実施形態では、撮像システムは、冷却媒体を検出器１６００に供給することができる。第１空間、通気孔、及び／又は第２空間を通過した後、冷却媒体は撮像システムから排出されてもよく、又は冷却されて再使用されてもよい。
【００９９】
幾つかの実施形態では、検出器１６００は、第１弾性部材１６７０及び第２弾性部材（図示せず）も含むことができる。第１弾性部材１６７０は、支持ボード１６５０と光検出器アレイ１６２０との間に間隔をおいて配置されてもよい。支持ボード１６５０は、第１弾性部材１６７０を介して光検出器アレイ１６２０に力を加え、支持ボード１６５０と光検出器アレイ１６２０との間の接続を締め付けることができる。第２弾性部材は、支持ボード１６５０と回路板１６３０との間に配置されてもよい。支持ボード１６５０は、第２弾性部材を介して回路１６３０に力を加え、支持ボード１６５０と回路板１６３０との接続を締め付けることができる。第１及び／又は第２弾性部材は、スプリング、弾性クッション、弾性板など、又はそれらの任意の組合せであってもよい。第１弾性部材及び第２弾性部材は熱伝導性を有してもよく、例えば、熱伝導性材料によって製造されていてもよい。
【０１００】
幾つかの実施形態では、支持ボード１６５０上に冷却チャネルが存在してもよい。これらの実施形態では、支持ボード１６５０は、熱伝導性材料を含むことができる。冷却媒体は、冷却チャネルを通過し、光検出器アレイ１６２０及び回路板１６３０の熱を取り除くことができる。
【０１０１】
なお、上記の説明は、単に例示すると提供されたものであり、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。当業者であれば、本開示の教示の下で複数の変形及び変更を行うことができる。例えば、検出器１６００内のシンチレーション結晶アレイ、光検出器アレイ、回路板、支持ブロック、及び支持ボードの量、サイズ、形状、構造、材料、又は配列は、特定の実施シナリオに従って変更することができる。しかしながら、これらの変形及び変更は、本開示の範囲から逸脱するものではない。
【０１０２】
図１７は、本開示の幾つかの実施形態に係るマルチモダリティ撮像システム１７００のブロック図である。なお、以下に説明するマルチモダリティ撮像システム１７００は、単に例示すると提供され、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。図１７に示されるように、マルチモダリティ撮像システム１７００は、第１モダリティ撮像装置１７１０、第２モダリティ撮像装置１７２０、設置装置１７３０、ワークステーション１７４０、及びプロセッサ１７５０を含むことができる。第１モダリティ撮像装置１７１０は、第１スキャナー１７１１及び第１コントローラ１７１２を含むことができる。第２モダリティ撮像装置１７２０は、第２スキャナー１７２１及び第２コントローラ１７２２を含むことができる。
【０１０３】
マルチモダリティ撮像システム１７００は、コンピュータ断層撮影−陽電子放出断層撮影（ＣＴ−ＰＥＴ）システム、コンピュータ断層撮影−磁気共鳴撮影（ＣＴ−ＭＲＩ）システム、陽電子放出断層撮影−磁気共鳴撮影（ＰＥＴ−ＭＲＩ）システムなどを含み得る。幾つかの実施形態では、マルチモダリティ撮像システム１７００は、第３モダリティ撮像装置をさらに含むことができる。本明細書で使用される放射線は、粒子線、光子線などを含み得る。撮像システムは、例えば、医学又は産業などの異なる分野でその用途を見出すことができる。別の例として、システムは、例えば欠陥検査、セキュリティスキャン、不良解析、度量衡学、アセンブリ解析、ボイド解析、肉厚解析など、又はそれらの任意の組み合わせを含む部材の内部検査に使用することができる。
【０１０４】
第１モダリティ撮像装置１７１０及び／又は第２モダリティ撮像装置１７２０は、陽電子放出断層撮影（ＰＥＴ）システム、単一光子放出型コンピュータ断層撮影（ＳＰＥＣＴ）システム、コンピュータ断層撮影（ＣＴ）システム、デジタルラジオグラフィー（ＤＲ）システムなど、又はそれらの任意の組み合わせであってもよい。第１スキャナー１７１１及び／又は第２スキャナー１７２１は、被検体をスキャンすることによってデータを取得するように構成されてもよい。単なる一例として、第１スキャナー１７１１及び／又は第２スキャナー１７２１は、陽電子放出断層撮影（ＰＥＴ）スキャナー、単一光子放出型コンピュータ断層撮影（ＳＰＥＣＴ）スキャナー、コンピュータ断層撮影（ＣＴ）スキャナー、デジタルラジオグラフィー（ＤＲ）スキャナーなど、又はそれらの任意の組み合わせを含むことができる。幾つかの実施形態では、第１スキャナー１７１１及び／又は第２スキャナー１７２１は、第１コントローラ１７１２及び／又は第２コントローラ１７２２によって操作されて、選択された標的領域の選択された撮像シーケンスを実行することができる。
【０１０５】
設置装置１７３０は、第１モダリティ撮像装置１７１０を第２モダリティ撮像装置１７２０と同軸に整列させるように構成されてもよい。幾つかの実施形態では、設置装置１７３０は、支持ブロック及び１組のガイドブロック等を含むことができる。幾つかの他の実施形態では、設置装置１７３０は、センタインジケータ及びレーザデバイスを含むことができる。
【０１０６】
ワークステーション１７４０は、端末、ディスプレイ、データベース及びネットワークを含み得る。端末は、ネットワーク、データベース、プロセッサ、ディスプレイなどに及び／又はネットワーク、データベース、プロセッサ、ディスプレイなどからデータを入力及び／又は受信するように構成されてもよい。幾つかの実施形態では、端末は、ユーザ入力、コントローラ、プロセッサなどを含むことができる。ディスプレイは、スキャナー、プロセッサ、端末、ネットワークなど、又はそれらの任意の組み合わせからのデータを表示するように構成されてもよい。ディスプレイは、任意の表示可能なデバイスであってもよい。幾つかの実施形態では、端末及びディスプレイは、データを入力し、データを出力し、データを表示し、撮像システムを制御するように構成されている１つのデバイスとして一体化されてもよい。データベースは、撮像システムに関するデータを記憶するように構成することができる。幾つかの実施形態では、データは、テキスト、画像、音声、力、命令、アルゴリズム、プログラムなど、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。ネットワークは、マルチモダリティ撮像システムの１つ以上の部材を接続するように構成されてもよい。単なる一例として、ネットワークは、電気通信ネットワーク、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、ワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）、メトロポリタンエリアネットワーク（ＭＡＮ）、広域ネットワーク（ＷＡＮ）、ブルートゥース、ジグビー、近距離無線通信（ＮＦＣ）など、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。
【０１０７】
プロセッサ１７５０は、マルチモダリティ撮像システム１７００から取得されたデータを処理するように構成することができる。幾つかの実施形態では、データは、テキスト、画像、音声、力、命令、アルゴリズム、プログラムなど、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。幾つかの実施形態では、プログラムは、設置装置１７３０によって提供される幾つかの手順を含むことができる。手順は、マルチモダリティ撮像システム１７００を設置し整列させるように構成されてもよい。幾つかの実施形態では、命令は、幾つかの整列情報を含むことができる。整列情報は、センタインジケータに伝送するようにレーザに命令するように構成されてもよい。幾つかの実施形態では、プロセッサ１７５０は、１つ以上のプロセッサ、１つ以上の処理コア、１つ以上のメモリ、及び画像処理などのための１つ以上の電子機器など、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。単に例として、プロセッサ１７５０は、中央処理装置（ＣＰＵ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、特定用途向け命令セットプロセッサ（ＡＳＩＰ）、グラフィック処理ユニット（ＧＰＵ）、フィジックスプロセッシングユニット（ＰＰＵ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、プログラマブル論理デバイス（ＰＬＤ）、コントローラ、マイクロコントローラユニット、プロセッサ、マイクロプロセッサ、ＡＲＭなど、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。プロセッサは、端末において取得されたデータを処理するように構成されてもよい。幾つかの実施形態では、プロセッサ１７５０及びワークステーション１７４０は、１つのデバイスとして一体化されてもよい。
【０１０８】
なお、上記の説明は、単に例示すると提供されたものであり、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。当業者であれば、本開示の教示の下で複数の変形及び変更を行うことができる。例えば、プロセッサ１７５０及びワークステーション１７４０は、本開示の他の箇所で説明されるように、クラウドプラットフォーム又はリモートシステム上に実装されてもよい。しかしながら、これらの変形及び変更は、本開示の範囲から逸脱するものではない。
【０１０９】
図１８は、本開示の幾つかの実施形態に係る設置装置１７３０のブロック図である。設置装置１７３０は、制御モジュール１８１０、ガイドモジュール１８２０、プロセッサモジュール１８３０、変調モジュール１８４０、及び整列モジュール１８５０を含むことができる。
【０１１０】
制御モジュール１８１０は、第１モダリティ撮像装置１７１０及び／又は第２モダリティ撮像装置１７２０の整列プロセスを制御するように構成されてもよい。幾つかの実施形態では、制御モジュール１８１０は、ガイドモジュール１８２０、プロセッサモジュール１８３０、変調モジュール１８４０、及び／又は整列モジュール１８５０を制御することができる。
【０１１１】
ガイドモジュール１８２０は、第２モダリティ撮像装置１７２０と整列する第１モダリティ撮像装置１７１０を指し示すように構成されてもよい。幾つかの実施形態では、ガイドモジュール１８２０は、第１ガイドブロック及び第２ガイドブロックを含むことができる。第１ガイドブロックは、第１モダリティ撮像装置１７１０の第１ハウジング上に設置されてもよい。第２ガイドブロックは、第２モダリティ撮像装置１７２０の第２ハウジング上に設置されてもよい。第１ガイドブロック及び第２ガイドブロックとの連結部は、第１モダリティ撮像装置と整列して支持ブロック上に設置するように第２モダリティ撮像装置を指し示すことができる。幾つかの実施形態では、ガイドモジュール１８２０は、第１センタインジケータ及び第２センタインジケータを含むことができる。幾つかの実施形態では、第１センタインジケータは、回転センタインジケータであってもよい。第２センタインジケータは、第１センタインジケータ及び第２センタインジケータを含むことができる。レーザデバイスは、第１モダリティ撮像装置と第２モダリティ撮像装置が整列しているか否かを評価するために、回転センタインジケータ、第１センタインジケータ、及び第２センタインジケータを介してレーザを伝送することができる。
【０１１２】
プロセッサモジュール１８３０は、第１モダリティ撮像装置１７１０が第２モダリティ撮像装置１７２０と同軸であるか否かを識別するように構成されてもよい。幾つかの実施形態では、プロセッサモジュール１８３０は、ガイドモジュール１８２０のためのマルチモダリティ撮像システム１７００の中心を計算することができる。幾つかの実施形態では、プロセッサモジュール１８３０は、変調モジュール１８４０の調整量を計算することができる。幾つかの実施形態では、プロセッサモジュール１８３０は、整列モジュール１８５０のためのマルチモダリティ撮像システム１７００の整列を識別することができる。
【０１１３】
変調モジュール１８４０は、第２モダリティ撮像装置１７２０と整列するために、第１モダリティ撮像装置１７１０を調整するように構成されてもよい。幾つかの実施形態では、変調モジュール１８４０は、支持ブロックを含むことができる。第２モダリティ撮像装置は、支持ブロック上に装着されてもよい。支持ブロックの数は２以上であってもよい。幾つかの実施形態では、変調モジュール１８４０は、支持点を含むことができる。支持点の数は２以上であってもよい。幾つかの実施形態では、支持点は、マルチモダリティ撮像システム１７００を整列させるために、マルチモダリティ撮像システム１７００の前端部及び後端部を調整するように構成されてもよい。
【０１１４】
整列モジュール１８５０は、第１モダリティ撮像装置１７１０を第２モダリティ撮像装置１７２０と整列させるように構成されてもよい。幾つかの実施形態では、整列モジュール１８５０はインジケータを含むことができる。インジケータは、整列に関するフィードバックを与えるように構成されてもよい。フィードバック情報は、テキスト、画像、音声、力、命令、アルゴリズム、プログラムなど、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。
【０１１５】
なお、上記の説明は、単に例示すると提供されたものであり、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。当業者であれば、本開示の教示の下で複数の変形及び変更を行うことができる。例えば、プロセッサモジュール１８４０は、計算モジュールにより置き換えられてもよい。別の例として、幾つかのモジュール、例えば、制御モジュールや処理モジュールは、１つのモジュールとして統合されてもよい。しかしながら、これらの変形及び変更は、本開示の範囲から逸脱するものではない。
【０１１６】
図１９Ａは、本開示の幾つかの実施形態に係るマルチモダリティ撮像システムの設置装置を示す。図１９Ａに示されるように、マルチモダリティ撮像システムは、第１モダリティ撮像装置１７１０、第２モダリティ撮像装置１７２０、及び設置装置を含むことができる。設置装置は、第１ガイドブロック１９１０、支持ブロック１９２０、及び第２ガイドブロック１９３０を含むことができる。第１モダリティ撮像装置１７１０は、第１ハウジング、及び第１ハウジングに囲まれた第１スキャンキャビティを含むことができ、第１スキャンキャビティは、軸方向に沿って延びてもよい。第２モダリティ撮像装置１７２０は、第２ハウジング、及び第２ハウジングに囲まれた第２スキャンキャビティを含むことができ、第２スキャンキャビティは、軸方向に沿って延びてもよい。第１ガイドブロック１９１０は、第１モダリティ撮像装置１７１０の第１ハウジング上に設置されてもよい。第２ガイドブロック１９３０は、第２モダリティ撮像装置１７２０の第２ハウジング上に設置されてもよい。第１ガイドブロック１９１０及び第２ガイドブロック１９３０は、第２モダリティ撮像装置１７２０の第２スキャンキャビティを、マルチモダリティ撮像システムの軸方向に沿って第１モダリティ撮像装置１７１０の第１スキャンキャビティと整列させるためにガイドするように構成されてもよい。整列後、第１モダリティ撮像装置の軸方向は、第２モダリティ撮像装置の軸方向と整列してもよい。第１モダリティ撮像装置の軸方向又は第２モダリティ撮像装置の軸方向は、マルチモダリティ撮像システムの軸方向を構成してもよい。幾つかの実施形態では、第１ガイドブロック１９１０は、第１スキャンキャビティの外側に設置することができる。第２ガイドブロック１９３０は、第２スキャンキャビティの外側に設置することができる。幾つかの実施形態では、第１ガイドブロック１９１０は、第１ハウジングの前端部を越えて延びることができ、又は第２ガイドブロック１９３０は、第２ハウジングの前端部を越えて延びることができる。幾つかの実施形態では、第１ガイドブロック１９１０は、第２ガイドブロック１９３０と整列することができる。そして、第２モダリティ撮像装置１７１０は、支持ブロック１９２０上に設置されるようにガイドされてもよい。
【０１１７】
図１９Ｂは、本開示の幾つかの実施形態に係るマルチモダリティ撮像システムの設置装置を示す。図１９Ｂに示されるように、設置装置は、第１ガイドブロック１９１０、支持ブロック１９２０、第２ガイドブロック１９３０、及び第３ガイドブロック１９４０を含むことができる。幾つかの実施形態では、第３ガイドブロック１９４０は、第１端部及び第２端部を有することができる。第３ガイドブロック１９４０の第１端部は、第１モダリティ撮像装置１７１０の第１ハウジングに連結されてもよく、第３ガイドブロック１９４０の第２端部は、支持ブロック１９２０に連結されてもよい。幾つかの実施形態では、第３ガイドブロック１９４０は、支持ブロック１９２０のための設置位置の水平方向を指し示すように構成されてもよい。第３ガイドブロック１９４０は、さらに、水平方向の第２モダリティ撮像装置１７２０の設置位置を決定するように構成されてもよい。幾つかの実施形態では、第３ガイドブロック１９４０、第１モダリティ撮像装置１７１０及び支持ブロック１９２０の連結は、取り外し不可能又は取り外し可能に連結することができる。取り外し不可能な連結は、例えば、切断、鋳造、溶接、リソグラフィー微細加工、スタッキング、３Ｄ印刷など、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。取り外し可能な連結は、例えば、プラッギング、リベット締め、ねじ止め、インターロックなど、又はそれらの任意の組み合わせを含み得る。幾つかの実施形態では、第３ガイドブロック１９４０及び支持ブロック１９２０の数は、２つ以上であってもよい。
【０１１８】
なお、上記の説明は、単に例示すると提供されたものであり、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。当業者であれば、本開示の教示の下で複数の変形及び変更を行うことができる。例えば、マルチモダリティ撮像システムに含まれる撮像装置の数は、３つ以上であってもよい。別の例として、第１ガイドブロック、第２部材、第３ガイドブロック、及び／又は支持ブロックの数、サイズ、構造、形状、材料、及び／又は位置は、異なるシナリオに従って可変であってもよい。しかしながら、これらの変形及び変更は、本開示の範囲から逸脱するものではない。
【０１１９】
図２０Ａは、本開示の幾つかの実施形態に係る支持ブロックを示す。図２０Ａに示されるように、支持ブロック１９２０は、支持プレート２０１０及び調整可能なボルト２０２０を含んでもよい。支持プレート２０１０上には、１つ以上のねじ穴があってもよい。調整可能なボルト２０２０は、地面に配置され、支持プレート２０１０のねじ穴を通過する。調整可能なボルト２０２０は、支持ブロック１９２０の高さを決定するために、第１支持プレート２０１０と地面との間の距離を調整することができる。調整可能なボルト２０２０上には、ロックナット２０３０が設けられてもよい。調整可能なボルト２０２０は、第１支持プレート２０１０と地面との間の距離を調整するために回転されてもよい。次に、ロックナット２０３０を使用して、調整可能なボルト２０２０をロックすることができる。調整可能なボルト２０２０は、中空キャビティ（図示せず）を含んでもよい。固定ボルト２０４０は、中空キャビティを通過して、調整可能なボルト２０２０を地面に固定することができる。次に、支持ブロック１９２０は地面に固定されてもよい。第２モダリティ撮像装置１７２０と第１モダリティ撮像装置１７１０との間の決定された相対位置に応じて、支持ブロック１９２０の位置を決定することができる。支持ブロック１９２０は、第２支持プレート２０５０及び支持塊２０６０をさらに含んでもよい。第２支持プレート２０５０は、第１支持プレート２０１０と平行であり、支持塊２０６０を介して第１支持プレート２０１０に連結されてもよい。第２モダリティ撮像装置１７２０は、第２支持プレート２０５０に装着されてもよい。支持ブロック１９２０に含まれる調整可能なボルト２０２０の数は、１つ以上であってもよい。単なる一例として、各支持ブロック２０２０は、第１支持プレート２０１０の４つのコーナーにそれぞれ装着されている４つの調整可能なボルト２０２０を含むことができる。
【０１２０】
図２０Ｂは、本開示の幾つかの実施形態に係る支持ブロックを示す。図２０Ｂに示されるように、支持ブロック１９２０は、ガイドレール２０７０、及びガイドレール上に位置するスライド塊２０８０を含んでもよい。幾つかの実施形態では、ガイドレール２０７０は、第１支持プレート２０１０上に装着され、固定ブロック２０９０を介して第１支持プレート２０１０に連結することができる。第２支持プレート２０５０は、スライド塊２０８０とガイドレール２０７０に沿って摺動するように、スライド塊２０８０に固定的に接合されてもよい。第２モダリティ撮像装置１７２０は、第２支持プレート２０５０に装着されてもよい。第２モダリティ撮像装置１７２０は、ガイドレール２０７０に沿って第１モダリティ撮像装置１７１０から着脱可能であってもよい。支持ブロック１９２０は、楔形シャフト（図示せず）をさらに含んでもよい。楔形シャフトの一端は、第１支持プレート２０１０に固定され、楔形のシャフトの他端は、第２支持プレート２０５０の穴に挿入することができる。次に、第２支持プレート２０５０及びスライド塊２０８０は、ガイドレール２０７０上にロックすることができる。支持ブロック１９２０は、第２支持プレート２０５０上に設けられる制限塊をさらに含むことができる。第２モダリティ撮像装置１７２０は、第２支持プレート２０５０に対する動きを回避するために、制限塊によって囲まれた領域内に装着されてもよい。
【０１２１】
なお、上記の説明は、単に例示すると提供されたものであり、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。当業者であれば、本開示の教示の下で複数の変形及び変更を行うことができる。例えば、支持ブロック１９２０において上述した部材の数、サイズ、構造、形状、材料、及び／又は位置は、異なるシナリオに従って可変であってもよい。しかしながら、これらの変形及び変更は、本開示の範囲から逸脱するものではない。
【０１２２】
図２１Ａは、本開示の幾つかの実施形態に係る第１ガイドブロックの構造模式図である。図２１Ａに示されるように、第１ガイドブロック１９１０は、Ｌ字型構造を有し、第１フラットプレート２１１０及び第２フラットプレート２１２０を含むことができる。幾つかの実施形態では、第１フラットプレート２１１０及び第２フラットプレート２１２０は、直交してもよい。第１フラットプレート２１１０には、設置ねじ穴２１３０が設けられてもよい。設置ねじ穴２１３０は、第１モダリティ撮像装置１７１０のハウジング上において第１ガイドブロック１９１０を設置位置に設置するために使用することができる。設置位置は、事前に測定されてもよい。第２フラットプレート２１２０の端部は、溝２１４０を含んでもよい。溝２１４０は、第２ガイドブロック１９３０と整列し、支持ブロック１９２０上に設置される第２モダリティ撮像装置１７２０の一部を収容するように構成されてもよい。
【０１２３】
図２１Ｂは、本開示の幾つかの実施形態に係る第２ガイドブロックを示す。図２１Ｂに示されるように、第２ガイドブロック１９３０は、Ｌ字型構造を有し、第３フラットプレート２１５０及び第４フラットプレート２１６０を含むことができる。幾つかの実施形態では、第３フラットプレート２１５０及び第４フラットプレート２１６０は、直交してもよい。第３フラットプレート２１５０には、設置ねじ穴２１７０が設けられてもよい。設置ねじ穴２１７０は、第２モダリティ撮像装置１７２０のハウジング上に第２ガイドブロック１９３０を設置位置に設置するために使用することができる。設置位置は、事前に測定されてもよい。
【０１２４】
図２１Ｃは、本開示の幾つかの実施形態に係る第１ガイドブロックと第２ガイドブロックの整列を示す。図２１Ｃに示されるように、第２ガイドブロック１９３０の第４フラットプレート２１６０の端部は、第１ガイドブロック１９１０の溝２１４０に挿入されてもよい。幾つかの実施形態では、第４フラットプレート２１６０の端部の幅は、溝２１４０の幅と同一であってもよい。
【０１２５】
幾つかの実施形態では、第４フラットプレート２１４０の端部は目盛りが設けられてもよい。第４フラットプレート２１６０の端部が溝２１４０に挿入される場合、第２モダリティ撮像装置１７２０が垂直方向の予定位置に装着されているか否かは、溝２１４０のインジケータ目盛りに応じて決定することができる。第２モダリティ撮像装置１７２０が予定位置に挿入されていない場合、調整可能なボルト２０２０は、第２モダリティ撮像装置１７２０の高さを調整するために、回転することができる。ロックナット２０３０は、予定位置に達するまで調節可能なボルト２０２０をロックするために使用されてもよい。
【０１２６】
幾つかの実施形態では、第１ガイドブロック１９１０は発光装置であってもよく、第２ガイドブロック１９３０は受光装置であってもよい。第１ガイドブロック１９１０が第２ガイドブロック１９３０と整列する場合、第１ガイドブロック１９１０から送信された光信号は、第２ガイドブロック１９３０によって受信されてもよい。
【０１２７】
本開示によれば、マルチモダリティ撮像システムのために使用される設置装置１９００による設置整列方法が提供される。この方法は、以下の手順を含むことができる。
【０１２８】
ステップ１では、第１モダリティ撮像装置１７１０を設置することができる。
【０１２９】
ステップ２では、支持ブロック１９２０を、第１モダリティ撮像装置１７１０のハウジング又は地上に設置することができる。
【０１３０】
ステップ３では、第１モダリティ撮像装置１７１０のハウジングに第１ガイドブロック１９１０を設置し、第２モダリティ撮像装置１７２０のハウジングに第２ガイドブロック１９３０を設置することができる。
【０１３１】
ステップ４では、第１ガイドブロック１９１０及び第２ガイドブロック１９３０は、第２モダリティ装置１７２０の第２スキャンキャビティを、第１モダリティ撮像装置１７１０の第１スキャンキャビティと軸方向に整列させるようにガイドすることができる。ここで、第２モダリティ撮像装置１９１０は、支持部材１９２０上に装着されてもよい。
【０１３２】
なお、上記の説明は、単に例示すると提供されたものであり、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。当業者であれば、本開示の教示の下で複数の変形及び変更を行うことができる。例えば、第１モダリティ撮像装置は、幾つかの実施形態において、対応する支持ブロックに装着されてもよい。しかしながら、これらの変形及び変更は、本開示の範囲から逸脱するものではない。
【０１３３】
例示すると、第１モダリティ装置１７１０はＰＥＴ装置であってもよく、第２モダリティ装置１７２０はＣＴ装置であってもよい。ＰＥＴ装置及びＣＴ装置は、ＰＥＴ−ＣＴラックに結合されてもよい。図２２Ａは、本開示の幾つかの実施形態に係るＣＴセンタインジケータの分解図である。図２２Ｂは、本開示の幾つかの実施形態に係る４次元調整プラットフォームの模式図である。図２３は、本開示の幾つかの実施形態に係るＰＥＴセンタインジケータを示す。図２２Ａ、図２２Ｂ及び図２３に示されるように、ＰＥＴ−ＣＴラックの設置整列インジケータディバスは、ＣＴセンタインジケータ２２００及びＰＥＴセンタインジケータ２３００を含むことができる。幾つかの実施形態では、ＣＴセンタインジケータ２２００は、ＣＴ検出器の回転中心を指し示すように構成されてもよく、ＰＥＴセンタインジケータ２３００は、ＰＥＴ検出器の中心を指し示すように構成されてもよい。
【０１３４】
図２２Ａ及び図２２Ｂに示されるように、ＣＴセンタインジケータ２２００は、支持プレート２２１０、ジョイントブロック２２２０、レーザデバイス２２３０、４次元調整プラットフォーム２２４０、及びレーザデバイス固定ループ２２５０を含むことができる。レーザデバイス２２３０は、レーザデバイス固定ループ２２５０を介して４次元プラットフォーム２２４０に固定されてもよい。幾つかの実施形態では、レーザデバイス２２３０は、フォーカスリング２２３１を含むことができる。フォーカスリング２２３１は、レーザを集束させるように構成されてもよい。４次元調整プラットフォーム２２４０は、４つの調整ノブ２２４１〜２２４４を含んでもよい。調整ノブ２２４１及び／又は調整ノブ２２４３は、Ｘ方向に沿った４次元調整プラットフォームの並進移動を達成することができる。調整ノブ２２４２及び／又は調整ノブ２２４４は、Ｙ方向に沿った４次元調整プラットフォームの並進運動を達成することができる。４次元調整プラットフォーム２２４０は、レーザデバイス２２３０で設けられ、ジョイントブロック２２２０を介して支持プレート２２１０に固定することができる４次元調整プラットフォーム２２４０は、ボルト２２２３及びボルト２２２４を介して、ジョイントブロック２２２０の予備のヒッキーに固定されてもよい。４次元調整プラットフォーム２２４０のジョイントブロック２２２０は、ボルト２２２１及びボルト２２２２を介して支持プレート２２１０上に固定されてもよい。レーザデバイス２２３０の後端部は、支持プレート２２１０の中心の丸穴２２１１を通過することができる。幾つかの実施形態では、丸穴２２１１は、支持プレート２２１０上に予め設計された穴であってもよい。支持プレート２２１０は、穴２２１２、穴２２１３、穴２２１４、及び穴２２１５を含むことができる。幾つかの実施形態では、穴２２１２〜２２１５は、支持プレート２２１１の重量を減少させ、設置及び分解が容易になるように構成することができる。
【０１３５】
なお、上記の説明は、単に例示すると提供されたものであり、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。当業者であれば、本開示の教示の下で複数の変形及び変更を行うことができる。例えば、異なるシナリオに従って、穴の量、サイズ、形状、構造、材料、又は配置を変更することができる。しかしながら、これらの変形及び変更は、本開示の範囲から逸脱するものではない。
【０１３６】
図２３は、本開示の幾つかの実施形態に係るＰＥＴセンタインジケータを示す。図２３に示されるように、ＰＥＴセンタインジケータ２３００は、第１センタプレート２３２１、第２センタプレート２３２２、第１センタインジケータ２３２３、及び第２センタインジケータ２３２４を含むことができる。第１センタインジケータ２３２３は、第１センタープレート２３２１の中心に配置され、第２センターインジケータ２３２４は、第２センタープレート２３２２の中心に配置されてもよい。幾つかの実施形態では、第１センタインジケータ２３２３及び第２センタインジケータ２３２４は、それぞれ十字目盛付きインジケータプレートを有することができる。幾つかの実施形態では、第１センタインジケータ２３２３及び第２センタインジケータ２３２４は、それぞれ同心目盛付きインジケータプレートを有することができる。幾つかの実施形態では、第１センタインジケータ２３２３及び第２センタインジケータ２３２４は、それぞれ中心に小さな穴を有するインジケータプレートを有することができる。当業者であれば、本教示が様々な変更及び／又は改良を受けることができることを認識するであろう。例えば、第１センタインジケータ２３２３及び第２センタインジケータ２３２４は、実際の状態に応じて任意の指示物を備えていてもよい。
【０１３７】
なお、上記の説明は、単に例示すると提供されたものであり、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。当業者であれば、本開示の教示の下で複数の変形及び変更を行うことができる。例えば、第１センタインジケータ２３２３及び第２センタインジケータ２３２４は、幾つかの実施形態において、中央にフォトスイッチを有するインジケータプレートを有してもよい。しかしながら、これらの変形及び変更は、本開示の範囲から逸脱するものではない。
【０１３８】
図２４は、本開示の幾つかの実施形態に係るマルチモダリティ撮像システムにおける設置整列の例示的なプロセスを示す。なお、以下に説明するプロセスは、単に例示すると提供され、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。
【０１３９】
ステップ２４１０では、第１モダリティ撮像装置１７１０上のセンタインジケータ２２００を設置することができる。例えば、支持プレート２２１０は、ボルト２２２１及びボルト２２２２を介して、第１モダリティ撮像装置１７１０の予備のヒッキーに固定されてもよい。センタインジケータ２２００は、第１モダリティ撮像装置の中心を指し示すように構成されてもよい。連続的に又は同時に、第２センタインジケータ２３００は、第２モダリティ撮像装置１７２０の予備のヒッキーに設置されてもよい。センタインジケータ２３００は、第２モダリティ撮像装置の中心を指し示すように構成されてもよい。
【０１４０】
ステップ２４２０では、レーザビームを、レーザデバイス２２３０によって送信することができる。幾つかの実施形態では、レーザビームは、第１モダリティ撮像装置１７１０の中心におおよそ焦点を合わせることができる。レーザデバイス２２３０はまた、レーザビームを第２モダリティ撮像装置１７２０に伝送してもよい。第２モダリティ撮像装置１７２０は、設置位置に設けられてもよい。レーザデバイス２２３０から伝送されたレーザビームにより、第１センタープレート２３２１にレーザスポットが発生することがある。レーザスポットは、第１センタプレート２３２１上に位置する第１センタインジケータ２３２３の近くに移動させることができる。レーザデバイス２２３０のフォーカスリング２２３１は、第１センタプレート２３２１のレーザスポットを最小にするように調整することができる。
【０１４１】
ステップ２４３０では、第１モダリティ撮像装置１７１０の中心を識別することができる。幾つかの実施形態では、第１モダリティ撮像装置１７１０はＣＴ装置であってもよく、ＣＴラックは、回転部材によって徐々に回転することができる。幾つかの実施形態では、レーザビームがＣＴ回転中心と厳密に一致しない場合、第１センタプレート２３２１上のレーザ軌跡は円であってもよい。４次元調整プラットフォーム２２４０の調整ノブを回転させて、レーザスポットを不動に保つことができる。
【０１４２】
ステップ２４４０では、第１センタインジケータを整列させるための第１端部を調整することができる。幾つかの実施形態では、第２モダリティ撮像装置１７２０はＰＥＴ装置であってもよく、ＰＥＴラックは移動されてもよく、及び／又はＰＥＴの前端部は、レーザスポットを第１センタインジケータ２３２３と整列させるために調整されてもよい。
【０１４３】
ステップ２４５０では、第２センタインジケータを整列させるための第２端部を調整することができる。幾つかの実施形態では、第２モダリティ撮像装置はＰＥＴであってもよい。第１センタプレート２３２１は静止状態に保たれてもよく、第１センタインジケータ２３２３は分解されてもよい。レーザスポットは、第２センタプレート２３２２の第２センタインジケータ２３２４のより近くに移動させることができる。フォーカスリング２２３１は、レーザスポットを最小にするように調整されてもよい。レーザスポットを第２センタインジケータ２３２４と整列させるために、後端部を調整することができる。幾つかの実施形態では、第１センタインジケータ２３２３は分解されなくてもよい。
【０１４４】
ステップ２４６０では、レーザビームが第１センタインジケータ及び第２センタインジケータを同時に通過するか否かを判断することができる。幾つかの実施形態では、レーザが第１センタインジケータ及び第２センタインジケータを通過する場合、レーザはステップ２４７０を起動することができる。ステップ２４７０では、第１モダリティ撮像装置センタを、第２モダリティ撮像装置検出器センタと整列させることができる。レーザがステップ２４６０の基準を満たさない場合、ステップ２４３０に戻ることができる。幾つかの実施形態では、レーザがステップ２４６０の基準を満たさない場合、ステップ２４４０に戻ることができる。ステップ２４７０の後、マルチモダリティ撮像システムにおける設置整列のプロセスが完了する。
【０１４５】
幾つかの実施形態では、第２モダリティ撮像装置の前端部又は後端部の支持点を調整する前に、第１モダリティ撮像装置の回転中心を再確認してもよい。レーザスポットの位置が不動であれば、レーザスポットが依然としてＣＴ回転中心にあることを指し示すことができる。ＣＴ回転部材の回転中にバックセンタプレート上のレーザ軌跡が円である場合、４次元調整プラットフォーム２２４０の調整ノブを調整して、レーザスポットがＣＴの回転中に不動を保つことを確認する必要がある。
【０１４６】
なお、上記の説明は、単に例示すると提供されたものであり、本開示の範囲を限定することを意図していないことに留意すべきである。当業者であれば、本開示の教示の下で複数の変形及び変更を行うことができる。幾つかの実施形態では、幾つかのステップの順序を交換することができる。例えば、ステップ２４６０のプロセスは、ステップ２４３０又はステップ２４４０の代わりにステップ２４５０に戻ることができる。しかしながら、これらの変形及び変更は、本開示の範囲から逸脱するものではない。
【０１４７】
以上のように基本概念を説明してきたが、この詳細な開示を読めば当業者には明らかであろうが、上記の詳細な開示は単なる例示であり、限定するものではない。様々な修正、改良、及び変更が行われてもよく、当業者には意図されているが、本明細書には明示的に述べられていない。これらの修正、改良、及び変更は、本開示によって示唆されることが意図されており、本開示の例示的実施形態の精神及び範囲内にある。
【０１４８】
さらに、本開示の実施形態を説明するために特定の用語が使用されている。例えば、「一（ｏｎｅ）実施形態」、「（ａｎ）実施形態」及び／又は「幾つかの実施形態」という用語は、この実施形態に関連して説明された特定の特徴、構造又は特性が本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書の様々な部分における「（ａｎ）実施形態」又は「一（ｏｎｅ）実施形態」又は「代替の実施形態」への２つ以上の言及は必ずしもすべて同じ実施形態を指しているわけではないことを強調しておくべきである。さらに、特定の特徴、構造又は特性は、本開示の１つ又は複数の実施形態において適切なものとして組み合わされてもよい。
【０１４９】
さらに、当業者であれば、本開示の態様は、本明細書において、任意の新規で有用なプロセス、機械、製造、又は物質の組成物、又はそれらの任意の新規で有用な改良を含む多数の特許可能なクラス又は文脈のいずれかにおいて例示及び説明することができる。従って、本開示の態様は、完全にハードウェア、完全にソフトウェア（ファームウェア、常駐ソフトウェア、マイクロコード等を含む）、又はソフトウェアとハードウェアとを組み合わせた実施形態の形で実施することができ、本明細書においては、これらは全て、一般的に「ブロック」、「モジュール」、「装置」、「ユニット」、「部材」、「デバイス」又は「システム」と呼ぶことがある。さらに、本発明の態様は、コンピュータ可読プログラムコードが組み入れられた１つ又は複数のコンピュータ可読媒体内に具体化されたコンピュータプログラム製品の形態を取ることができる。
【０１５０】
コンピュータ可読信号媒体は、例えば、ベースバンド内に、又は搬送波の一部として、具体化されたコンピュータ可読プログラムコードをその中に有する、伝搬されたデータ信号を含むことができる。このような伝搬された信号は、電磁気、光など、又はそれらのいずれかの適切な組合せを含む、種々の形態のいずれかを取ることができる。コンピュータ可読信号媒体は、コンピュータ可読ストレージ媒体ではなく、かつ、命令実行システム、装置若しくはデバイスによって、又はこれらと関連して用いるためのプログラムを伝達し、伝搬し、又は搬送することができる任意のコンピュータ可読媒体とすることができる。コンピュータ可読信号媒体上に具体化されたプログラムコードは、無線、有線、光ファイバ・ケーブル、ＲＦなど、又は上記のもののいずれかの適切な組合せを含む、任意の適切な媒体を用いて伝送することができる。
【０１５１】
本開示の態様の操作を実行するためのコンピュータプログラムコードは、Ｊａｖａ（登録商標）、Ｓｃａｌａ、Ｓｍａｌｌｔａｌｋ、Ｅｉｆｆｅｌ、ＪＡＤＥ、Ｅｍｅｒａｌｄ、Ｃ＋＋、Ｃ＃、ＶＢ．ＮＥＴ、Ｐｙｔｈｏｎ等のようなオブジェクト指向型プログラミング言語、「Ｃ」プログラミング言語、Ｖｉｓｕａｌ  Ｂａｓｉｃ、Ｆｏｒｔｒａｎ  ２００３、Ｐｅｒｌ、ＣＯＢＯＬ  ２００２、ＰＨＰ、ＡＢＡＰのような従来の手続き型プログラミング言語、Ｐｙｔｈｏｎ、Ｒｕｂｙ及びＧｒｏｏｖｙのような動的プログラミング言語、又は他のプログラミング言語を含む１つ又は複数のプログラミング言語のいずれかの組合せで記述することができる。プログラムコードは、完全にユーザのコンピュータ上で実行される場合もあり、一部がユーザのコンピュータ上で、独立型ソフトウェア・パッケージとして実行される場合もあり、一部がユーザのコンピュータ上で実行され、一部が遠隔コンピュータ上で実行される場合もあり、又は完全に遠隔コンピュータ若しくはサーバ上で実行される場合もある。後者のシナリオにおいては、遠隔コンピュータは、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）若しくは広域ネットワーク（ＷＡＮ）を含むいずれかのタイプのネットワークを通じてユーザのコンピュータに接続される場合もあり、又は外部コンピュータへの接続（例えば、インターネット・サービス・プロバイダを用いたインターネットを通じて）若しくはクラウドコンピューティング環境での接続が為される場合もあり、又はサービスとしてのソフトウェア（ＳａａＳ）のようなサービスとして提供される場合もある。
【０１５２】
さらに、処理素子若しくはシーケンスの列挙された順序、又は数字、文字、若しくは他の名称の使用は、特許請求の範囲に指定されている場合を除いて、請求されたプロセス及び方法を任意の順序に限定することを意図するものではない。上記の開示は、本開示の様々な有用な実施形態であると現在考えられているものを様々な例を通して論じているが、そのような詳細は、その目的のためのみであり、添付の特許請求の範囲は、開示された実施形態に限定されず、逆に、開示された実施形態の精神及び範囲内にある変更及び均等な構成をカバーすることが意図されることが理解されるべきである。例えば、上述した様々な部材の実施は、ハードウェアデバイス内に具体化することができるが、ソフトウェアのみのソリューションとして実施することもできる（例えば、既存のサーバ又はモバイルデバイス上の設置）。
【０１５３】
同様に、当然のことながら、本開示の実施形態の前述の説明では、本発明の様々な実施形態の１つ又は複数の理解を助ける開示を合理化する目的で、様々な特徴が、単一の実施形態、図、又はその説明においてまとめられることがある。しかしながら、この開示の方法は、請求される主題が各請求項に明示的に記載されているよりも多くの特徴を必要とするという意図を反映するものとして解釈されるべきではない。むしろ、本発明の実施形態は、前述の開示された単一の実施形態のすべての特徴より少ない部分にある。
【０１５４】
幾つかの実施形態では、本出願の特定の実施形態を説明し請求するために使用される、成分の量や、分子量、反応条件などの特性を表す数字は、場合によっては、「約」、「近似の」又は「実質的に」という用語によって修飾されるものとして理解されるべきである。例えば、「約」、「近似の」又は「実質的に」は、他に記載がない限り、それが記載する値の±２０％の変動を示し得る。したがって、幾つかの実施形態では、明細書及び添付の特許請求の範囲に記載の数値パラメータは、特定の実施形態によって得られることが求められる所望の特性に応じて変化し得る近似値である。幾つかの実施形態では、数値パラメータは、報告された有効数字の数に照らして、通常の丸め技術を適用することによって解釈されるべきである。本出願の幾つかの実施形態の広い範囲を示す数値範囲及びパラメータが近似値であるにもかかわらず、特定の実施例に示された数値は、可能な限り正確に報告される。
【０１５５】
本明細書で言及された特許、特許出願、特許出願の刊行物、及び記事、書籍、仕様書、刊行物、文書、物等のような他の資料の各々は、すべての目的のために、参照によりその全体が本明細書に組み込まれ、ただし、これに関連するいずれかの訴追ファイルの履歴、本文書と一致しないか矛盾しているもののいずれか、又は本文書に現在又は後で関連する特許請求の範囲の最も広い範囲について限定的な影響を及ぼすもののいずれかを除く。例として、組み込まれた資料のいずれかに関連する用語の説明、定義、及び／又は使用と、本文書に関連する用語の説明、定義、及び／又は使用との間に不一致又は矛盾がある場合、本文書における用語の説明、定義、及び／又は使用が優先する。
【０１５６】
最後に、ここで開示される本出願の実施形態は、本出願の実施形態の原理の例示であることが理解されるべきである。採用することができる他の変更も、本出願の範囲内にあり得る。よって、限定ではなく例として、本明細書の教示に従って、本出願の実施形態の代替構成を利用することができる。したがって、本出願の実施形態は、図示及び説明したものに厳密に限定されない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１１Ｅ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１２Ｄ】
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【図１２Ｅ】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２１Ｃ】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２３】
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【図２４】
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【国際調査報告】
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