【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を作製する方法であって、前記方法は、
半導体ダイを提供することと、
基板を提供することと、
露出側壁を含む相互接続部位を伴って、前記基板上に複数の伝導性トレースを形成することと、
前記相互接続部位の上方に複数のはんだレジスト開口部を形成することであって、各相互接続部位は、対応するはんだレジスト開口部よりも大きく作成されている、ことと、
前記半導体ダイと前記相互接続部位との間に、複数の相互接続構造を形成することと、
各相互接続構造が、対応する相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記相互接続構造を前記相互接続部位に接着することと、
前記半導体ダイと前記基板との間に封入材を堆積させることと
を含む、方法。
【請求項２】
前記相互接続部位は、ＳＲＯ＋２＊ＳＲＲ−２Ｘによって定義される設計規則に従ってサイズ決定され、式中、ＳＲＯは、前記はんだレジスト開口部であり、ＳＲＲは、製造工程のための位置合わせであり、Ｘは、前記相互接続部位の前記露出側壁の厚さの関数である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記相互接続構造は、可融性部分と、非可融性部分とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記相互接続構造の前記非可融性部分は、金、銅、ニッケル、鉛はんだ、または鉛スズ合金を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
半導体素子を作製する方法であって、前記方法は、
半導体ダイを提供することと、
基板を提供することと、
露出側壁を含む相互接続部位を伴って、前記基板上に複数の伝導性トレースを形成することと、
前記相互接続部位の上方に複数のはんだレジスト開口部を形成することであって、前記相互接続部位およびはんだレジスト開口部を形成するために用いられる設計規則は、個々の相互接続部位の物理的面積に対する個々のはんだレジスト開口部の不整合を可能にする、ことと、
前記半導体ダイと前記相互接続部位との間に、複数の相互接続構造を形成することと、
前記相互接続構造が、前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記相互接続構造を前記相互接続部位に接着することと
を含む、方法。
【請求項６】
前記半導体ダイと前記基板との間に封入材を堆積させることをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記設計規則は、ＳＲＯ＋２＊ＳＲＲ−２Ｘによって定義され、式中、ＳＲＯは、前記はんだレジスト開口部であり、ＳＲＲは、製造工程のための位置合わせであり、Ｘは、前記相互接続部位の前記露出側壁の厚さの関数である、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記相互接続構造の非可融性部分は、金、銅、ニッケル、鉛はんだ、または鉛スズ合金を含み、前記相互接続構造の可融性部分は、スズ、無鉛合金、スズ銀合金、スズ・銀・銅合金、スズ・銀・インジウム合金、共晶はんだ、または銀、銅、あるいは鉛を伴う他のスズ合金を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記相互接続構造は、伝導柱と、前記伝導柱上に形成されるバンプとを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
半導体ダイと、
基板と、
露出側壁を伴う相互接続部位を含む前記基板上に形成された複数の伝導性トレースと、
前記相互接続部位の上方に形成された複数のはんだレジスト開口部であって、各相互接続部位は、対応するはんだレジスト開口部よりも大きい、複数のはんだレジスト開口部と、
前記半導体ダイと前記相互接続部位との間に形成された複数の相互接続構造であって、前記相互接続構造が、前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記相互接続構造は、前記相互接続部位に接着される、複数の相互接続構造と、
前記半導体ダイと前記基板との間に堆積させられた封入材と
を備える、半導体素子。
【請求項１１】
前記相互接続部位は、ＳＲＯ＋２＊ＳＲＲ−２Ｘによって定義される設計規則に従ってサイズ決定され、式中、ＳＲＯは、前記はんだレジスト開口部であり、ＳＲＲは、製造工程のための位置合わせであり、Ｘは、前記相互接続部位の前記露出側壁の厚さの関数である、請求項１０に記載の半導体素子。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
図１は、金属接触パッド１４上に形成されたバンプ１２を伴うフリップチップ１０の一部分を図示する。次いで、バンプ１２は、バンプリフロー工程を使用して、基板１６上の金属接触パッド１５に冶金術的かつ電気的に接続される。バンプ１２および接触パッド１５を接続するために、はんだレジストまたははんだマスクに形成された開口部１８は、バンプリフローを接触パッド１５の物理的境界に閉じ込めるように、基板の表面上に配置される（図２ａ参照）。接触パッド１５とはんだレジスト開口部１８との間の相対位置に関する製造整合公差により、はんだレジスト開口部の整合公差を考慮して、接触パッドの全金属領域が露出されることを可能にするように、接触パッド１５は、はんだレジスト開口部１８よりも大幅に大きく作られる。概して、接触パッド１５の最小サイズは、Ｐｍｉｎ＝ＳＲＯ＋２＊ＳＲＲであり、式中、ＳＲＯは、良好な冶金接続を確保するために必要とされる最小はんだレジスト開口部、ＳＲＲは、はんだ位置合わせとしても知られている、はんだレジスト整合公差である。一実施例では、はんだレジスト開口部１８が９０ミクロンであり、はんだレジスト整合公差が２５ミクロンである場合には、公知の設計規則に従って、接触パッド１５は、直径１４０ミクロンに作製される。したがって、公知の設計規則の下で、最大製造整合公差を考慮して、はんだレジスト開口部は、常に接触パッドの範囲内に入り、図２ｂに示されるように、パッドの周囲に空隙または空虚な空間を残さない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
基板接触パッドへのバンプ接続のさらなる詳細が、図６ａ−６ｄに示されている。バンプ１３２は、上記で説明されるように、半導体ダイ１２４の能動領域１２２の中でバンプパッド１３４上に形成される。金属接触パッド１３６は、蒸発、電解めっき、無電解めっき、スクリーン印刷、または他の好適な金属堆積工程を使用して、基板１２６上に形成される。接触パッド１３６は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ、またはＡｇとなり得る。接触パッド１３６は、露出厚さＴを伴う側壁１４２を有する。図６ａでは、はんだレジストまたははんだマスクに形成された開口部１４５は、接触パッド１３６の少なくとも一部分上に配置される。その整合に応じて、はんだレジスト開口部１４５は、図６ｃに示されるように、基板１２６の一部分上に延在することができる。バンプ１３２を接触パッド１３６に電気的かつ冶金術的に接続するために、バンプは、図６ｂおよび６ｄに示されるように、はんだレジスト開口部１４５を通して接触パッド上にリフローされる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
図６ａおよび６ｂは、はんだレジスト開口部１４５が接触パッド１３６の中心領域と実質的に整合している、理想的な場合を示す。実践では、接触パッド１３６は、製造工程中に、はんだレジスト開口部１４５に対して不整合であってもよい。例えば、図６ｃでは、はんだ位置合わせは、より小型の接触パッドと組み合わせて、Ｘという距離だけ接触パッド１３６の設置面積の外側に、はんだレジスト開口部１４５を延在させる。つまり、はんだレジスト開口部１４５は、接触パッド１３６の物理的面積にオフセットまたは不整合である。新規の設計規則は、基板１２６上の接触パッド１３６とはんだレジスト開口部１４５との間で、この不整合を可能にする。湿潤工程中に、フラックス材料の表面張力は、バンプ１３２を接触パッド１３６の表面１４６にわたってリフローさせ、それに付着させる。接触パッド１３６がはんだレジスト開口部１４５と不整合である、すなわち、はんだレジスト開口部の一部分が接触パッドの外側に延在する場合において、バンプ１３２のリフローはまた、接触パッド１３６の側壁１４２に重なって湿潤させ、図６ｄで見られるように、側壁１４２に隣接する領域を実質的に充填する。バンプ１３２は、側壁１４２を含む接触パッド１３６の周囲に空隙または空虚な空間を残さない。いずれの場合において、本設計規則の下で、バンプ１３２は、接触パッド１３６への良好な冶金および電気接続を行う。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
新規の設計規則は、方程式（１）に従って、接触パッド１３６のサイズを２Ｘだけ縮小する。Ｘの値は、接触パッド１３６のフラックス材料および厚さの関数である。一般に、Ｘの値は、接触パッドの露出側壁の厚さの１倍から２倍に及ぶ。接触パッド１３６の露出部分（Ｔ）は、典型的には、厚さ５〜２０ミクロンである。Ｘの値は、フラックス有効性とともに増加することができる。したがって、９０ミクロンのはんだレジスト開口部、および２５ミクロンのはんだレジスト整合公差を考慮すると、接触パッド１３６は、Ｘ＝１０ミクロンを伴う設計規則を仮定して、１２０ミクロンに作製することができる。別の実施例では、９０ミクロンのはんだレジスト開口部、および２５ミクロンのはんだレジスト整合公差を考慮すると、接触パッド１３６は、Ｘ＝４０ミクロンを伴う設計規則を仮定して、６０ミクロンに作製することができる。実践では、接触パッドは、典型的には、はんだレジスト開口部と等しい、またはそれよりも小さいサイズで作られる。他の場合においては、接触パッドは、はんだレジスト開口部よりも大きくなり得る。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
図７ａは、はんだレジスト開口部１５２と同じサイズ、またはそれよりもわずかに小さく作られる、円形の接触パッド１５０を示す。この場合、接触パッドの側壁の重複または湿潤は、完全に接触パッドの円周で生じる。代替として、接触パッドは、はんだレジスト開口部より大きく作ることができる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
図８ｃは、接触パッド２３２上に形成される相互接続構造を伴う半導体ウエハ２２０の一部分を示す。導電性バンプ材料２３４は、蒸発、電解めっき、無電解めっき、ボールドロップ、またはスクリーン印刷工程を使用して、接触パッド３３２上に堆積させられる。バンプ材料２３４は、随意的なフラックス溶液とともに、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、はんだ、およびそれらの組み合わせとなり得る。例えば、バンプ材料２３４は、共晶Ｓｎ／Ｐｂ、鉛の含有量が高いはんだ、または無鉛はんだとなり得る。バンプ材料２３４は、略柔軟であり、約２００グラムの垂直荷重と同等の力の下で、約２５マイクロメートル（μｍ）より大きい塑性変形を受ける。バンプ材料２３４は、好適な取付または接着工程を使用して、接触パッド２３２に接着される。例えば、バンプ材料２３４を接触パッド２３２に圧縮接着することができる。バンプ材料２３４はまた、図８ｄに示されるように、球状ボールまたはバンプ２３６を形成するように、その融点を上回って材料を加熱することによって、リフローすることもできる。いくつかの用途では、バンプ２３６は、接触パッド２３２への電気的接続を向上させるように、２回リフローされる。バンプ２３６は、接触パッド２３２上に形成することができる１種類の相互接続構造を表す。相互接続構造はまた、スタッドバンプ、マイクロバンプ、または他の電気的相互接続も使用することができる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９３】
別の実施形態では、導電性バンプ材料は、蒸発、電解めっき、無電解めっき、ボールドロップ、またはスクリーン印刷工程を使用して、基板バンプパッド３４４上に堆積させられる。バンプ材料は、随意的なフラックス溶液とともに、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、はんだ、およびそれらの組み合わせとなり得る。例えば、バンプ材料は、共晶Ｓｎ／Ｐｂ、鉛の含有量が高いはんだ、または無鉛はんだとなり得る。バンプ材料は、好適な取付または接着工程を使用して、基板バンプパッド３４４に接着される。一実施形態では、バンプ材料は、図１７ｂに示されるように、バンプまたは相互接続３４８を形成するように、その融点を上回って材料を加熱することによって、リフローされる。いくつかの用途では、バンプ３４８は、基板バンプパッド３４４への電気接触を向上させるように、２回リフローされる。より狭い基板バンプパッド３４４の周囲のバンプ材料は、リフロー中にダイの配置を維持する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９６】
所望の自己閉じ込め特性を達成するために、伝導性トレース３４２の周辺領域よりも可湿性であるバンプ材料によって領域を選択的に接触させるように、ダイバンプパッド２３２または基板バンプパッド３４４上に配置する前に、バンプ材料をフラックス溶液に浸漬することができる。溶解バンプ材料は、フラックス溶液の可湿特性により、実質的にバンプパッドによって画定される領域内に閉じ込められたままである。バンプ材料は、可湿性の低い領域へと流出しない。バンプ材料が領域の可湿性を低くすることを目的としない領域上で、薄い酸化層または他の絶縁層を形成することができる。したがって、ダイバンプパッド３３２または基板バンプパッド４４４の周囲ではマスキング層４４０が必要とされない。したがって、ダイバンプパッド２３２または基板バンプパッド３４４の周囲ではマスキング層４４０が必要とされない。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０２】
別の実施形態では、導電性バンプ材料は、蒸発、電解めっき、無電解めっき、ボールドロップ、またはスクリーン印刷工程を使用して、基板バンプパッド３６４上に堆積させられる。バンプ材料は、随意的なフラックス溶液とともに、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、はんだ、およびそれらの組み合わせとなり得る。例えば、バンプ材料は、共晶Ｓｎ／Ｐｂ、鉛の含有量が高いはんだ、または無鉛はんだとなり得る。バンプ材料は、好適な取付または接着工程を使用して、基板バンプパッド３６４に接着される。一実施形態では、バンプ材料は、図１７ｇに示されるように、バンプまたは相互接続３９０を形成するように、その融点を上回って材料を加熱することによって、リフローされる。いくつかの用途では、バンプ３９０は、基板バンプパッド３６４への電気接触を向上させるように、２回リフローされる。より狭い基板バンプパッド３６４の周囲のバンプ材料は、リフロー中にダイの配置を維持する。バンプ材料２３４またはバンプ３９０はまた、図１７ａ―１７ｇの基板バンプパッド構成上に形成することもできる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０５】
所望の自己閉じ込め特性を達成するために、伝導性トレース３６０および３６２の周辺領域よりも可湿性であるバンプ材料によって領域を選択的に接触させるように、ダイバンプパッド２３２または基板バンプパッド３６４上に配置する前に、バンプ材料をフラックス溶液に浸漬することができる。溶解バンプ材料は、フラックス溶液の可湿特性により、実質的にバンプパッドによって画定される領域内に閉じ込められたままである。バンプ材料は、可湿性の低い領域へと流出しない。バンプ材料が領域の可湿性を低くすることを目的としない領域上で、薄い酸化層または他の絶縁層を形成することができる。したがって、ダイバンプパッド２３２または基板バンプパッド３６４の周囲ではマスキング層３６８が必要とされない。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０８】
別の実施形態では、導電性バンプ材料は、蒸発、電解めっき、無電解めっき、ボールドロップ、またはスクリーン印刷工程を使用して、集積バンプパッド３９８上に堆積させられる。バンプ材料は、随意的なフラックス溶液とともに、Ａｌ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、はんだ、およびそれらの組み合わせとなり得る。例えば、バンプ材料は、共晶Ｓｎ／Ｐｂ、鉛の含有量が高いはんだ、または無鉛はんだとなり得る。バンプ材料は、好適な取付または接着工程を使用して、集積バンプパッド３９８に接着される。一実施形態では、バンプ材料は、図１８ｂに示されるように、球状ボールまたはバンプ４０４を形成するように、その融点を上回って材料を加熱することによって、リフローされる。いくつかの用途では、バンプ４０４は、集積バンプパッド３９８への電気接触を向上させるように、２回リフローされる。バンプはまた、集積バンプパッド３９８に圧縮接着することもできる。バンプ４０４は、集積バンプパッド３９８上に形成することができる、１種類の相互接続構造を表す。相互接続構造は、スタッドバンプ、マイクロバンプ、または他の電気的相互接続を使用することができる。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１２】
所望の自己閉じ込め特性を達成するために、伝導性トレース３９４および３９６の周辺領域よりも可湿性であるバンプ材料によって領域を選択的に接触させるように、ダイバンプパッド２３２または集積バンプパッド３９８上に配置する前に、バンプ材料をフラックス溶液に浸漬することができる。溶解バンプ材料は、フラックス溶液の可湿特性により、実質的にバンプパッドによって画定される領域内に閉じ込められたままである。バンプ材料は、可湿性の低い領域へと流出しない。バンプ材料が領域の可湿性を低くすることを目的としない領域上で、薄い酸化層または他の絶縁層を形成することができる。したがって、ダイバンプパッド２３２または集積バンプパッド３９８の周囲ではマスキング層３９２が必要とされない。