Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月9日(2014.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多目的進化型アルゴリズム（ＭＯＥＡ）に基づいた製品の工学設計最適化において１セットの多様なパレート最適解を求めるためにコンピュータによって実現される方法であって、
コンピュータシステムにおいて、最適化される製品の記述を受け取るステップと、
前記製品に対し、ＭＯＥＡに基づいた複数の工学設計最適化を独立して行なうステップであって、該複数の工学設計最適化は１セットの共通の設計変数および１セットの共通の設計目的関数を用いるように構成されており、初期世代の設計選択肢や非優越ソート遺伝的アルゴリズム（Ｎｏｎ−ｄｏｍｉｎａｔｅｄ  Ｓｏｒｔｉｎｇ  Ｇｅｎｅｔｉｃ  Ａｌｇｏｒｉｔｈｍ  （ＮＳＧＡ−ＩＩ））および強化パレート進化型アルゴリズム（ｓｔｒｅｎｇｔｈ  Ｐａｒｅｔｏ  ｅｖｏｌｕｔｉｏｎａｒｙ  ａｌｇｏｒｉｔｈｍ  （ＳＰＥＡ））からなる進化スキームによって該複数の工学設計最適化のそれぞれは他の工学設計最適化とは異なっているステップと、
工学最適化の前記それぞれから得られるパレート最適解を組み合わせることにより、１つ以上の予め定義されたチェックポイントにおいて組み合わされた１セットのパレート最適解を求めるステップと、
いずれか１つあるいはすべての工学設計最適化が拡散および均一性測定に基づいて収束したとき、前記組み合わされた１セットのパレート最適解をグローバルパレート最適解として指定するステップであって、該グローバルパレート最適解が記憶装置に記憶されユーザの指示に応じてモニタに図表によって表示されるステップと、
を備えるコンピュータによって実現される方法。
【請求項２】
請求項１に記載のコンピュータによって実現される方法であって、さらに、初期世代の前記設計選択肢を工学設計最適化の前記それぞれに対してランダムに生成するステップを備える、コンピュータによって実現される方法。
【請求項３】
請求項１に記載のコンピュータによって実現される方法であって、前記予め定義された１つ以上のチェックポイントは多数の世代によって測定される、コンピュータによって実現される方法。
【請求項４】
請求項１に記載のコンピュータによって実現される方法であって、前記予め定義された１つ以上のチェックポイントは多数の目的関数評価によって測定される、コンピュータによって実現される方法。
【請求項５】
請求項１に記載のコンピュータによって実現される方法であって、組み合わされた１セットのパレート最適解のそれぞれは、他の最適解に対して非優勢である、コンピュータによって実現される方法。
【請求項６】
方法によって、製品の多目的進化型アルゴリズム（ＭＯＥＡ）に基づいた工学設計最適化において１セットの多様なパレート最適解を求めるコンピュータシステムを制御するための命令を有するコンピュータ可読媒体であって、該方法は、
コンピュータシステムにおいて、最適化される製品の記述を受け取るステップと、
前記製品に対し、複数のＭＯＥＡに基づいた工学設計最適化を独立して行なうステップであって、該複数の工学設計最適化は１セットの共通の設計変数および１セットの共通の設計目的関数を用いるように構成されており、初期世代の設計選択肢や非優越ソート遺伝的アルゴリズム（Ｎｏｎ−ｄｏｍｉｎａｔｅｄ  Ｓｏｒｔｉｎｇ  Ｇｅｎｅｔｉｃ  Ａｌｇｏｒｉｔｈｍ  （ＮＳＧＡ−ＩＩ））および強化パレート進化型アルゴリズム（ｓｔｒｅｎｇｔｈ  Ｐａｒｅｔｏ  ｅｖｏｌｕｔｉｏｎａｒｙ  ａｌｇｏｒｉｔｈｍ  （ＳＰＥＡ））からなる進化スキームによって該複数の工学設計最適化のそれぞれは他の工学設計最適化とは異なっているステップと、
工学最適化の前記それぞれから得られるパレート最適解を組み合わせることにより、１つ以上の予め定義されたチェックポイントにおいて組み合わされた１セットのパレート最適解を求めるステップと、
いずれか１つあるいはすべての工学設計最適化が拡散および均一性測定に基づいて収束したとき、前記組み合わされた１セットのパレート最適解をグローバルパレート最適解として指定するステップであって、該グローバルパレート最適解が記憶装置に記憶されユーザの指示に応じてモニタに図表によって表示されるステップと、
を備えている、コンピュータ可読媒体。
【請求項７】
請求項６のコンピュータ可読媒体であって、前記方法がさらに、前記初期世代の設計選択肢を工学設計最適化の前記それぞれに対してランダムに生成するステップを備えているコンピュータ可読媒体。
【請求項８】
多目的進化型アルゴリズム（ＭＯＥＡ）に基づいた製品の工学設計最適化において１セットの多様なパレート最適解を求めるシステムであって、
少なくとも１つのアプリケーションモジュールに関するコンピュータ読取り可能なコードを記憶しているメインメモリと、
前記メインメモリに連結される少なくとも１つのプロセッサであって、該少なくとも１つのプロセッサがメインメモリ内のコンピュータが読み取り可能なコードを実行して、前記少なくとも１つのアプリケーションモジュールに、次の方法に基づいてオペレーションを実行させる少なくとも１つのプロセッサと、を備えるシステムであって、
該方法が、
最適化される製品の記述を受け取るステップと、
前記製品に対し、複数のＭＯＥＡに基づいた工学設計最適化を独立して行なうステップであって、該複数の工学設計最適化は１セットの共通の設計変数および１セットの共通の設計目的関数を用いるように構成されており、初期世代の設計選択肢や非優越ソート遺伝的アルゴリズム（Ｎｏｎ−ｄｏｍｉｎａｔｅｄ  Ｓｏｒｔｉｎｇ  Ｇｅｎｅｔｉｃ  Ａｌｇｏｒｉｔｈｍ  （ＮＳＧＡ−ＩＩ））および強化パレート進化型アルゴリズム（ｓｔｒｅｎｇｔｈ  Ｐａｒｅｔｏ  ｅｖｏｌｕｔｉｏｎａｒｙ  ａｌｇｏｒｉｔｈｍ  （ＳＰＥＡ））からなる進化スキームよって該複数の工学設計最適化のそれぞれは他の工学設計最適化とは異なっているステップと、
工学最適化の前記それぞれから得られるパレート最適解を組み合わせることにより、１つ以上の予め定義されたチェックポイントにおいて組み合わされた１セットのパレート最適解を求めるステップと、
いずれか１つあるいはすべての工学設計最適化が拡散および均一性測定に基づいて収束したとき、前記組み合わされた１セットのパレート最適解をグローバルパレート最適解として指定するステップであって、該グローバルパレート最適解が記憶装置に記憶されユーザの指示に応じてモニタに図表によって表示されるステップと、
を備えているシステム。
【請求項９】
請求項８のシステムであって、前記方法がさらに、前記初期世代の設計選択肢を工学設計最適化の前記それぞれに対してランダムに生成するステップを備えているシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月5日(2014.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面と、前記第１の表面と反対側の第２の表面とを有する半導体層と、
前記半導体層の前記第１の表面に接する第１の導体電極と、
前記半導体層の前記第１の表面に接する第２の導体電極と、
前記第１の導体電極と前記第２の導体電極との間において、前記半導体層の前記第１の表面に接する第３の導体電極と、
前記半導体層の前記第２の表面上のゲートと、を有し、
前記第３の導体電極は、前記第１の表面において、前記半導体層の第１の端部から前記第１の端部と対向する第２の端部にわたって位置し、
前記半導体層は酸化物半導体を有する電界効果トランジスタ。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３の導体電極は、前記第１の導体電極と同じ電位である電界効果トランジスタ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の導体電極の前記半導体層と接する部分の仕事関数、及び前記第２の導体電極の前記半導体層と接する部分の仕事関数は、前記半導体層の電子親和力と０．３電子ボルトとの和よりも小さい電界効果トランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の導体電極と前記半導体層、及び前記第２の導体電極と前記半導体層は、オーミック接合である電界効果トランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第３の導体電極の前記半導体層と接する部分の仕事関数は、前記半導体層の電子親和力と０．６電子ボルトの和よりも大きい電界効果トランジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第３の導体電極と前記半導体層とはショットキーバリヤ型接合である電界効果トランジスタ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記半導体層と前記ゲートとの間にゲート絶縁膜を有する電界効果トランジスタ。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記半導体層の前記第１の表面に接する第４の導体電極を有し、
前記第４の導体電極は、前記第１の導体電極と前記第２の導体電極との間に設けられ、
前記第４の導体電極は、前記第３の導体電極とは離間して設けられ、
前記第４の導体電極は、前記半導体層の前記第１の端部から前記第２の端部にわたって位置する電界効果トランジスタ。
【請求項９】
請求項８において、
前記第４の導体電極は、第２の導体電極と同じ電位である電界効果トランジスタ。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記半導体層は、ドナーあるいはアクセプタを含む第１のドーピング領域と第２のドーピング領域とを有する電界効果トランジスタ。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第１のドーピング領域および前記第２のドーピング領域のドナーあるいはアクセプタの濃度は１×１０１８／ｃｍ３以上１×１０２１／ｃｍ３未満である電界効果トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月28日(2014.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の一導電型を有する第１のシリコン半導体層と、
前記第１のシリコン半導体層上の第２のシリコン半導体層と、
前記第２のシリコン半導体層上の、前記一導電型とは逆の導電型を有する第３のシリコン半導体層と、を有し、
前記第２のシリコン半導体層は、第１の領域と第２の領域とを有し、
前記第１の領域は結晶質領域を有し、
前記第２の領域は非晶質領域を有し、
前記第１の領域と前記第２の領域とは、互いに同一平面上にあることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
基板上の一導電型を有する第１のシリコン半導体層と、
前記第１のシリコン半導体層上の第２のシリコン半導体層と、
前記第２のシリコン半導体層上の、前記第１のシリコン半導体層が有する前記一導電型とは逆の導電型を有する第３のシリコン半導体層と、
前記第３のシリコン半導体層上の透過性導電膜と、
前記透過性導電膜上の、一導電型を有する第４のシリコン半導体層と、
前記第４のシリコン半導体層上の第５のシリコン半導体層と、
前記第５のシリコン半導体層上の、第４のシリコン半導体層が有する前記一導電型とは逆の導電型を有する第６のシリコン半導体層と、を有し、
前記第２のシリコン半導体層は、第１の領域と第２の領域とを有し、
前記第１の領域は結晶質領域を有し、
前記第２の領域は非晶質領域を有し、
前記第１の領域と前記第２の領域とは、互いに同一平面上にあることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第５のシリコン半導体層は、非晶質領域を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の領域は、シリコンの結晶化を促進させる触媒材料を用いて結晶化させた領域であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記シリコンの結晶化を促進する触媒材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類の元素であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
基板上の一導電型を有する第１のシリコン半導体層と、
前記第１のシリコン半導体層上の第２のシリコン半導体層と、
前記第２のシリコン半導体層上の、前記一導電型とは逆の導電型を有する第３のシリコン半導体層と、を有し、
前記第２のシリコン半導体層の面方向の端部近傍を除く領域は、結晶質領域を有し、
前記第２のシリコン半導体層の面方向の端部近傍は、非晶質領域を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
基板上の一導電型を有する第１のシリコン半導体層と、
前記第１のシリコン半導体層上の第２のシリコン半導体層と、
前記第２のシリコン半導体層上の、前記第１のシリコン半導体層が有する前記一導電型とは逆の導電型を有する第３のシリコン半導体層と、
前記第３のシリコン半導体層上の、一導電型を有する第４のシリコン半導体層と、
前記第４のシリコン半導体層上の第５のシリコン半導体層と、
前記第５のシリコン半導体層上の、第４のシリコン半導体層が有する前記一導電型とは逆の導電型を有する第６のシリコン半導体層と、を有し、
前記第２のシリコン半導体層の面方向の端部近傍を除く領域は、結晶質領域を有し、
前記第２のシリコン半導体層の面方向の端部近傍は、非晶質領域を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第５のシリコン半導体層は、非晶質領域を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一において、
前記第２のシリコン半導体層の面方向の端部近傍を除く領域は、シリコンの結晶化を促進させる触媒材料を用いて結晶化させた領域であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一において、
前記第２のシリコン半導体層の面方向の端部近傍を除く領域は、シリコンの結晶化を促進させる触媒材料を有し、
前記第２のシリコン半導体層の面方向の端部近傍は、前記触媒材料を有さないことを特徴とする光電変換装置。
【請求項１１】
請求項９又は１０において、
前記シリコンの結晶化を促進する触媒材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類の元素であることを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月6日(2014.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振波長を連続的に変化可能な光源装置であって、
光を増幅させる光増幅媒体と、
前記光増幅媒体より放出される光を波長に応じて分散させる第一の手段と、
前記第一の手段により分散した波長の異なる光束同士を平行にする第二の手段と、
前記第二の手段により平行にされた光束から所定波長の光束を選択する選択手段と、を共振器内に備え、
前記選択手段により選択された前記所定波長の光束を前記光増幅媒体に帰還させることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記第一の手段と前記第二の手段は、同一の素子で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
前記第一の手段と前記第二の手段は、回折格子を用いたものであることを特徴とする請求項２に記載の光源装置。
【請求項４】
前記第一の手段の回折格子と前記第二の手段の回折格子は、平行に配されていることを特徴とする請求項３に記載の光源装置。
【請求項５】
前記第一の手段の回折格子は、前記光増幅媒体より入射する光が回折面に垂直に入射するよう配されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の光源装置。
【請求項６】
前記第一の手段と前記第二の手段は、音響光学素子を用いたものであることを特徴とする請求項２に記載の光源装置。
【請求項７】
前記選択手段は、空間変調素子を用いたもの、又は光が透過する開口部を備えた遮光性の部材を用いたものであることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項８】
前記空間変調素子として前記空間変調素子を用いる場合、前記空間変調素子は、回転型のスリット又はライトバルブを用いたものであることを特徴とする請求項７に記載の光源装置。
【請求項９】
前記空間変調素子として前記ライトバルブを用いる場合、前記ライトバルブは、リボン状の金属箔を用いて光を反射させる素子と可動式のマイクロミラーを用いた素子と音響光学素子と表面弾性波素子のうちいずれか１つを用いたものであることを特徴とする請求項８に記載の光源装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光源装置を用いた光源部と、
前記光源部からの光を検体に照射し、検体からの反射光を伝達させる検体測定部と、
前記光源部からの光を参照ミラーに照射し、前記参照ミラーからの反射光を伝達させる参照部と、
前記検体測定部からの反射光と前記参照部からの反射光との干渉光を検出する光検出部と、
前記光検出部で検出された前記干渉光に基づいて、前記検体の断層像を得る画像処理部と、
を有することを特徴とする光干渉断層撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光源装置及び光干渉断層撮像装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
検査装置における波長可変（掃引）光源の用途としては、レーザ分光器、分散測定器、膜厚測定器、波長掃引型光干渉トモグラフィー（Ｓｗｅｐｔ  Ｓｏｕｒｃｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ  Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ）装置等がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
光干渉トモグラフィー（以下、ＯＣＴともいう）は、光干渉を用いて検体の断層像を撮像するもので、ミクロンオーダーの空間分解能が得られることや無侵襲性等の理由から医用分野における研究が近年、盛んになってきている撮像技術である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
波長掃引型（ＳＳ−ＯＣＴ）装置は、光源の発振波長（周波数）を時間的に掃引するもので、フーリエ領域（ＦＤ）ＯＣＴの範疇に入るが、同じくＦＤＯＣＴの範疇に入るスペクトル領域（スペクトルドメイン：ＳＤ）ＯＣＴが干渉光を分光する分光器を必用とするのに対し、分光器を用いないことから光量のロスが少なく高ＳＮ比の像取得も期待されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明により提供される光源装置は、発振波長を連続的に変化可能な光源装置であって、共振器内に、光を増幅させる光増幅媒体と、前記光増幅媒体より放出される光を波長に応じて分散させる第一の手段と、前記第一の手段により分散した波長の異なる光束同士を平行にする第二の手段と、前記第二の手段により平行にされた光束から所定波長の光束を選択する選択手段と、を備え、前記選択手段により選択された前記所定波長の光束を前記光増幅媒体に帰還させることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２６】
その後、開口１０２８により所定波長の光束が選択（波長幅を制限）されてミラー１００９に到達する。ミラー１００９で反射した波長λ１の光束は往路と同じ光路を経て光増幅器１０１の活性層に入り、半透ミラー１０３までの間で増幅される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月13日(2014.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタ上の絶縁層と、
前記絶縁層上の第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のチャネル形成領域と、
前記第１のチャネル形成領域上の第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート絶縁層上で、前記第１のチャネル形成領域と重畳する領域を有する第１のゲート電極と、
前記第１のチャネル形成領域と電気的に接続された第１のソース電極と、
前記第１のチャネル形成領域と電気的に接続された第１のドレイン電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
酸化物半導体を含む第２のチャネル形成領域と、
前記第２のチャネル形成領域と電気的に接続された第２のソース電極と、
前記第１のチャネル形成領域と電気的に接続された第２のドレイン電極と、
第２のゲート絶縁層を介して前記第２のチャネル形成領域と重畳する領域を有する第２のゲート電極と、を有し、
前記第１のチャネル形成領域は、前記第２のチャネル形成領域と異なる半導体材料を含んでおり、
前記絶縁層は、二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下の表面を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のゲート電極の上面は露出された領域を有し、
前記露出された領域は、前記絶縁層表面と同一面であり、
該第１のゲート電極の上面において、前記第１のゲート電極と前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極とが接することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１のトランジスタは、前記第１のチャネル形成領域を挟むように設けられた不純物領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１のトランジスタを形成し、
前記第１のトランジスタ上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を平坦化して、前記絶縁層の表面の二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以下とし、
前記絶縁層上に接して第２のトランジスタを形成し、
前記第１のトランジスタは、第１のチャネル形成領域と、前記第１のチャネル形成領域上の第１のゲート絶縁層と、前記第１のゲート絶縁層上で、前記第１のチャネル形成領域と重畳する領域を有する第１のゲート電極と、前記第１のチャネル形成領域と電気的に接続された第１のソース電極と、前記第１のチャネル形成領域と電気的に接続された第１のドレイン電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を含む第２のチャネル形成領域と、前記第２のチャネル形成領域と電気的に接続された第２のソース電極と、前記第２のチャネル形成領域と電気的に接続された第２のドレイン電極と、第２のゲート絶縁層を介して前記第２のチャネル形成領域と重畳する領域を有する第２のゲート電極と、を有し、
前記第１のチャネル形成領域は、前記第２のチャネル形成領域と異なる半導体材料を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記平坦化は、ＣＭＰ処理によって行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
第１のトランジスタを形成し、
前記第１のトランジスタ上に絶縁層を形成し、
ＣＭＰ処理を行って前記絶縁層を平坦化し、
前記絶縁層上に接して第２のトランジスタを形成し、
前記第１のトランジスタは、第１のチャネル形成領域と、前記第１のチャネル形成領域上の第１のゲート絶縁層と、前記第１のゲート絶縁層上で、前記第１のチャネル形成領域と重畳する領域を有する第１のゲート電極と、前記第１のチャネル形成領域と電気的に接続された第１のソース電極と、前記第１のチャネル形成領域と電気的に接続された第１のドレイン電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を含む第２のチャネル形成領域と、前記第２のチャネル形成領域と電気的に接続された第２のソース電極と、前記第２のチャネル形成領域と電気的に接続された第２のドレイン電極と、第２のゲート絶縁層を介して前記第２のチャネル形成領域と重畳する領域を有する第２のゲート電極と、を有し、
前記平坦化において、前記第１のゲート電極の上面は露出されて、前記絶縁層表面と同一面となっており、
前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極は、前記第１のゲート電極の上面と接する領域を有し、
前記第１のチャネル形成領域は、前記第２のチャネル形成領域と異なる半導体材料を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記平坦化後、前記絶縁層の表面の二乗平均平方根粗さは、１ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項４乃至７のいずれか一において、
前記第２のチャネル形成領域は、前記絶縁層の表面に形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビット線と、ソース線と、電位切り替え回路と、メモリセルと、を有し、
前記メモリセルは、
第１のゲート電極、第１のソース電極、第１のドレイン電極、及び第１のチャネル形成領域を含む第１のトランジスタと、
第２のゲート電極、第２のソース電極、第２のドレイン電極、及び第２のチャネル形成領域を含む第２のトランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記第１のチャネル形成領域は、前記第２のチャネル形成領域とは、異なる半導体材料を含み、
前記第１のゲート電極と、前記第２のドレイン電極と、前記容量素子の電極の一方とは、電気的に接続され、電荷が保持されるノードを構成し、
前記ソース線と、前記電位切り替え回路の端子の一と、前記第１のソース電極とは、電気的に接続され、
前記ビット線と、前記第２のソース電極と、前記第１のドレイン電極と、は電気的に接続され、
前記電位切り替え回路は、前記ビット線の電位と等しい電位または前記ビット線の電位と異なる電位を前記ソース線に選択的に与える機能を備えた半導体装置。
【請求項２】
書き込みワード線と、読み出しワード線と、ビット線と、ソース線と、電位切り替え回路と、メモリセルと、を有し、
前記メモリセルは、
第１のゲート電極、第１のソース電極、第１のドレイン電極、及び第１のチャネル形成領域を含む第１のトランジスタと、
第２のゲート電極、第２のソース電極、第２のドレイン電極、及び第２のチャネル形成領域を含む第２のトランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記第１のチャネル形成領域と前記第２のチャネル形成領域は、異なる半導体材料を含み、
前記第１のゲート電極と、前記第２のドレイン電極と、前記容量素子の電極の一方とは、電気的に接続され、電荷が保持されるノードを構成し、
前記ソース線と、前記電位切り替え回路の端子の一と、前記第１のソース電極とは、電気的に接続され、
前記ビット線と、前記第２のソース電極と、前記第１のドレイン電極と、は電気的に接続され、
前記読み出しワード線と、前記容量素子の電極の他方と、は電気的に接続され、
前記書き込みワード線と、前記第２のゲート電極と、は電気的に接続され、
前記電位切り替え回路は、前記ビット線の電位と等しい電位または前記ビット線の電位と異なる電位を前記ソース線に選択的に与える機能を備えた半導体装置。
【請求項３】
前記第２のトランジスタの前記第２のチャネル形成領域は、酸化物半導体を含む請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記電位切り替え回路は、
前記ノードに前記第１のトランジスタがオン状態となる電位が与えられる際に、前記ビット線の電位と等しい電位を前記ソース線に与える機能を備えた請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項５】
第１のトランジスタのゲート電極と、第２のトランジスタのドレイン電極と、容量素子の電極の一方と、が電気的に接続されて構成されるノードに電荷を保持させる半導体装置の駆動方法であって、
前記ノードに前記第１のトランジスタがオン状態となる電位を与える際に、前記第１のトランジスタのソース電極の電位と、前記第１のトランジスタのドレイン電極の電位と、を等しい電位とする半導体装置の駆動方法。
【請求項６】
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域とは、異なる半導体材料を含む請求項５に記載の半導体装置の駆動方法。
【請求項７】
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を含む請求項５または６に記載の半導体装置の駆動方法。
【請求項８】
前記第１のトランジスタのソース電極の電位と、前記第１のトランジスタのドレイン電極の電位と、を等しくする動作は、
前記第１のトランジスタのソース電極に接続されたソース線の電位を電位切り替え回路によって制御することにより行われる、請求項５乃至７のいずれか一に記載の半導体装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月5日(2014.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、対向配置した一組のターゲットを用いたスパッタリング法により、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に第１の熱処理を行い、
前記第１の熱処理後、前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記酸化物半導体層上に接して絶縁層を形成し、
前記絶縁層形成後、第２の熱処理を行い、
前記第１の熱処理により、前記酸化物半導体層に含まれる水素を低減し、
前記第２の熱処理により、前記酸化物半導体層に酸素を供給する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に、対向配置した一組のターゲットを用いたスパッタリング法により、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に第１の熱処理を行い、
前記第１の熱処理後、前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記酸化物半導体層のチャネル形成領域と接するゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極形成後、第２の熱処理を行い、
前記第１の熱処理により、前記酸化物半導体層に含まれる水素を低減し、
前記第２の熱処理により、前記酸化物半導体層に酸素を供給する半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月24日(2013.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に形成されたコイル配線の内側の中央孔に第２の基板上に形成されたコアを挿入することによって形成されたコア付きインダクタ。
【請求項２】
半導体基板、絶縁性基板、または導電性基板である第１の基板上に少なくとも１層のコイル配線を形成する工程と、第２の基板上に形成されたコアを前記コイル配線の内側に配置する工程と、第２の基板からコアを分離する工程とを含むコア付きインダクタの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月27日(2014.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極に挟持された有機エレクトロルミネッセンス層と、を有する発光素子が設けられた第１の基板と、
前記発光素子と対向して設けられ、該発光素子の放射光のうち特定波長帯域の光に対して透過性を示す有色層と、
前記発光素子の放射光を遮光するように前記有色層の周辺部を囲んで設けられた光電変換素子と、が設けられた第２の基板と、を有し、
前記発光素子の放射光が前記第２の基板側から射出されることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極に挟持された有機エレクトロルミネッセンス層と、を有する発光素子が設けられた第１の基板と、
前記発光素子と対向して設けられ、該発光素子の放射光のうち特定波長帯域の光に対して透過性を示す有色層と、
前記発光素子の放射光を遮光するように前記有色層の周辺部を囲んで設けられた光電変換素子と、が設けられた第２の基板と、
前記発光素子に電力を供給する発光制御回路と、
前記光電変換素子の起電力を充電する蓄電部と、を有し、
前記発光素子の放射光が前記第２の基板側から射出されることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の電極は、アルミニウム、アルミニウムを含む合金、または銀の中から選ばれた材料を有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置を用いた電子機器。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置を用いた照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月27日(2014.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、
該ゲート電極層に接する第１の絶縁層と、
該第１の絶縁層に接する酸化物半導体層と、
該酸化物半導体層に接する第２の絶縁層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、前記酸化物半導体層との界面に窒素濃度のピークを有し、
前記酸化物半導体層は、前記第２の絶縁層との界面に酸素濃度のピークを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極層と、
該ゲート電極層に接する第１の絶縁層と、
該第１の絶縁層に接する酸化物半導体層と、
該酸化物半導体層に接する第２の絶縁層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、前記酸化物半導体層との界面近傍に窒素が添加された領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第２の絶縁層との界面近傍に酸素が添加された領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に第１の絶縁層を形成し、
Ｎ２またはＮ２Ｏガスを用いてプラズマ処理を行って前記第１の絶縁層の一部に窒素を添加し、
前記第１の絶縁層を介して前記ゲート電極層と重なる位置に酸化物半導体層を形成し、
酸素プラズマ処理を行って前記酸化物半導体層の一部に酸素を添加し、
前記酸化物半導体層上に第２の絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月29日(2014.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に第１の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜上に第２の酸化物半導体膜を形成した後に、加熱処理を行って、前記第１の酸化物半導体膜を第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜とし、前記第２の酸化物半導体膜を第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜とし、
前記第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜及び前記第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜を選択的にエッチングして酸化物半導体積層体を形成し、
前記第１の結晶構造は非ウルツ鉱構造、ＹｂＦｅ２Ｏ４型構造、Ｙｂ２Ｆｅ３Ｏ７型構造及びその変形型構造のいずれか一種から選ばれた結晶構造であり、
前記第２の結晶構造はウルツ鉱型の結晶構造であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記加熱処理により、前記第１の酸化物半導体膜は、前記第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として結晶成長し、前記第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜となることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜、および前記第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜は、非単結晶であり、且つ層全体が非晶質状態ではなく、ｃ軸配向の結晶領域を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜は、亜鉛、インジウム、またはガリウムを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記加熱処理は、１５０度以上６５０度以下の加熱処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜は、酸化亜鉛、または酸窒化物半導体であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月22日(2014.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層と、
前記ゲート電極層と接する絶縁層と、
前記絶縁層に接する酸化物半導体層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、結晶構造を有し、
前記酸化物半導体層は、窒素高濃度領域と、窒素低濃度領域とを有し、
前記窒素高濃度領域は、前記窒素低濃度領域よりも、前記第１の絶縁層側に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に絶縁層を形成し、
真空チャンバー内に窒素ガスのみを導入して、前記基板を１５０℃以上４５０℃以下に加熱して、前記絶縁層上に、第１の酸化物半導体層を成膜し、
前記真空チャンバー内に窒素ガス及び希ガスを導入して、前記基板を１５０℃以上４５０℃以下に加熱して、前記第１の酸化物半導体層上に接して第２の酸化物半導体層を成膜し、
前記第１の酸化物半導体層中の窒素濃度は、前記第２の酸化物半導体層中の窒素濃度よりも高く、
前記第１の酸化物半導体層は、結晶構造を有する半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月10日(2014.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体膜、半導体素子、及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面に一方の面を接し、第１の結晶構造を有する結晶を含む種結晶層と、
前記種結晶層の他方の面に接し、第２の結晶構造を有する結晶を含む酸化物半導体膜と、を有し、
前記第１の結晶構造はウルツ鉱型の結晶構造であり、
前記第２の結晶構造はウルツ鉱以外の六方晶であるヘテロ構造を有することを特徴とする半導体膜。
【請求項２】
絶縁表面に一方の面を接し、第１の結晶構造を有する結晶を含む種結晶層と、
前記種結晶層の他方の面に接し、第２の結晶構造を有する結晶を含む酸化物半導体膜と、を有し、
前記第１の結晶構造はウルツ鉱型の結晶構造であり、
前記第２の結晶構造はＹｂＦｅ２Ｏ４型構造、Ｙｂ２Ｆｅ３Ｏ７型構造、及びその変形型構造のいずれか一であるヘテロ構造を有することを特徴とする半導体膜。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記種結晶層の厚さは、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体膜。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記種結晶層は、窒化インジウム又は窒化ガリウムを含むことを特徴とする半導体膜。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記種結晶層は、亜鉛、インジウム、ガリウム、酸素、及び窒素を含むことを特徴とする半導体膜。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記種結晶層は、窒素を０．１原子％以上５原子％未満含むことを特徴とする半導体膜。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、窒素を１×１０１７／ｃｍ３以上５×１０１９／ｃｍ３未満含むことを特徴とする半導体膜。
【請求項８】
ゲート電極と、
前記ゲート電極と接する領域を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有し、且つヘテロ構造を有する半導体膜と、
前記半導体膜と接する第２の絶縁膜と、を有し、
前記半導体膜は、前記第１の絶縁膜と接して第１の結晶構造を有する結晶を含む種結晶層と、前記第２の絶縁膜と接してｃ軸配向した第２の結晶構造を有する異方性結晶を含む酸化物半導体膜と、を有し、
前記第１の結晶構造はウルツ鉱型の結晶構造であり、
前記第２の結晶構造はウルツ鉱以外の六方晶であるヘテロ構造を有することを特徴とする半導体素子。
【請求項９】
ゲート電極と、
前記ゲート電極と接する領域を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有し、且つヘテロ構造を有する半導体膜と、
前記半導体膜と接する第２の絶縁膜と、を有し、
前記半導体膜は、前記第１の絶縁膜と接して第１の結晶構造を有する結晶を含む種結晶層と、前記第２の絶縁膜と接してｃ軸配向した第２の結晶構造を有する異方性結晶を含む酸化物半導体膜と、を有し、
前記第１の結晶構造はウルツ鉱型の結晶構造であり、
前記第２の結晶構造はＹｂＦｅ２Ｏ４型構造、Ｙｂ２Ｆｅ３Ｏ７型構造及びその変形型構造のいずれか一であるヘテロ構造を有することを特徴とする半導体素子。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９記載の半導体素子を用いることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月19日(2013.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の相転移温度を有する材料で形成され、厚み方向に分極された圧電体と、前記分極された方向と直交する方向の圧電体の両端面に設けられた電極と、を備えた圧電デバイスに、
電界印加手段によって交流電界を発生させることにより振動を生じさせる圧電デバイスの駆動方法であって、
前記電界印加手段によって発生される交流電界における前記分極された方向と逆方向の電界の絶対値が、
前記分極された方向と逆方向の電界により前記圧電体の分極が反転しないように、温度変化に伴う前記抗電界の変化に合わせてバイアス電界を印加することを特徴とする圧電デバイスの駆動方法。
【請求項２】
前記抗電界の或る温度ｔにおける抗電界をＥｃ（ｔ）、前記温度ｔにおける前記分極された方向と逆方向の交流電界の振幅をＶAC（ｔ）、前記分極された方向と順方向に前記バイアス電界として印加される直流電界の絶対値をＶDC（ｔ）とするとき、
Ｅｃ（ｔ）＞ＶAC（ｔ）−ＶDC（ｔ）の関係式を満たすように、ＶDC（ｔ）を設定することを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイスの駆動方法。
【請求項３】
前記圧電体の或る温度ｔにおける圧電定数をｄ（ｔ）、比例係数をＡとするとき、
ＶAC（ｔ）＝ｘ／（Ａ×ｄ（ｔ））の関係式を満たすように、前記温度に応じて前記ＶAC（ｔ）を設定することによって、所定の変位を得ることを特徴とする請求項２に記載の圧電デバイスの駆動方法。
【請求項４】
前記圧電体は、主成分がチタン酸バリウム、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸カリウムナトリウムのうちのいずれか一つで構成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の圧電デバイスの駆動方法。
【請求項５】
前記圧電材料は、すくなくとも２つの相転移温度を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の圧電デバイスの駆動方法。
【請求項６】
前記圧電デバイスは、超音波モータであることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の圧電デバイスの駆動方法。
【請求項７】
前記圧電デバイスは、塵埃除去装置であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の圧電デバイスの駆動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の圧電デバイスの駆動方法は、１つ以上の相転移温度を有する材料で形成され、厚み方向に分極された圧電体と、前記分極された方向と直交する方向の圧電体の両端面に設けられた電極と、を備えた圧電デバイスに、
電界印加手段によって交流電界を発生させることにより振動を生じさせる圧電デバイスの駆動方法であって、
前記電界印加手段によって発生される交流電界における前記分極された方向と逆方向の電界の絶対値が、
前記分極された方向と逆方向の電界により前記圧電体の分極が反転しないように、温度変化に伴う前記抗電界の変化に合わせてバイアス電界を印加することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月26日(2014.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
前記発光構造物の下部に形成される反射層と、
前記発光構造物と前記反射層との間に形成される透明支持層と、を含み、
前記反射層は前記発光構造物の方向に形成される少なくとも一つ以上の突出部を含み、前記突出部の側面は前記透明支持層と接する、発光素子。
【請求項２】
前記発光構造物の下部に形成される電流遮断層をさらに含み、
前記突出部は前記電流遮断層と垂直に重なるように形成される、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記発光構造物の下部に形成されるオーミック層と保護層をさらに含み、
前記透明支持層は、前記オーミック層と前記保護層の下部に形成され、前記電流遮断層の下部には形成されない、請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記反射層の下部に形成される伝導層をさらに含む、請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項５】
前記伝導層の両側端部が突出されて前記反射層を取り囲む、請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記透明支持層は、７０％以上の光透過度を有する絶縁物質で形成される、請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項７】
前記透明支持層は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、及び酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）から選択される非伝導性物質、またはこれらが選択的に含まれる非伝導性物質で形成される、請求項１〜６のうちいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記透明支持層の厚さは１μｍ〜１００μｍの範囲内の値で設定される、請求項１〜７のうちいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項９】
前記透明支持層の側面には光抽出構造が形成される、請求項１〜８のうちいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１０】
第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
前記発光構造物の下部に形成される反射層と、
前記発光構造物と前記反射層との間に形成される透明支持層と、を含み、
前記反射層は凹凸形状を含むように形成され、
前記透明支持層は前記凹凸形状に対応される形状を具備する、発光素子。
【請求項１１】
前記凹凸形状は複数のステップ構造を含んで形成される、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記透明支持層は、複数の層(Multilayer)で形成されることができ、各層の厚さは１μｍ〜１００μｍの範囲内の値で設定される、請求項１０又は１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記反射層の下部に形成される伝導層をさらに含む、請求項１０〜１２のうちいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記伝導層の両側端部が突出されて前記反射層を取り囲む、請求項１３に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記透明支持層は、７０％以上の光透過度を有する絶縁物質で形成される、請求項１０〜１４のうちいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記透明支持層は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、及び酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）から選択される非伝導性物質、またはこれらが選択的に含まれる非伝導性物質で形成される、請求項１０〜１５のうちいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記透明支持層の側面には光抽出構造が形成される、請求項１０〜１６のうちいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記透明支持層の一部領域は、前記発光構造物と接する複数の貫通部を含む、請求項１０〜１７のうちいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記発光構造物の下部に形成されるオーミック層、保護層及び電流遮断層をさらに含み、
前記透明支持層は、前記オーミック層と前記保護層の下部に形成され、前記電流遮断層の下部には形成されない、請求項１０〜１８のうちいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項２０】
請求項１〜１９のうちいずれか１項に記載の発光素子を含む発光素子パッケージが少なくとも２個以上位置される支持基板と、
少なくとも一部が、前記発光素子パッケージによって放出される光が透過される光透過性物質からなるケースと、を含む照明装置。
【請求項２１】
前記少なくとも一つ以上の突出部は前記オーミック層と接し、前記反射層は前記オーミック層と電気的に連結される、請求項３に記載の発光素子。
【請求項２２】
前記透明支持層は、前記オーミック層を貫通して前記発光構造物と接する複数の貫通部を含む、請求項１９に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月10日(2013.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像時における撮像位置を基準とする全方位の被写体を撮像して前記全方位の被写体を含む円状画像を生成する撮像部と、
前記全方位のうち前記撮像位置における撮像装置の姿勢に基づいて特定される特定方向を基準として前記生成された円状画像における略扇形状の対象領域を特定して当該対象領域の画像を略矩形状の画像に変換する画像処理部と、
前記変換された画像である変換画像と前記生成された円状画像とを同時に表示部に表示させる表示制御部と
を具備する撮像装置。
【請求項２】
前記画像処理部は、前記生成された円状画像における前記特定方向が切断されないように前記対象領域を特定する請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記撮像部は、その光軸方向の被写体を含む前記全方位の被写体を撮像するための全方位撮像光学系を備えるアダプタが装着された状態で前記円状画像を生成し、
前記画像処理部は、前記撮像位置を基準とする場合に前記光軸方向を前記特定方向とする
請求項２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記撮像装置は、前記表示部を備え、
前記光軸方向は、前記表示部における表示面の垂直方向と略一致し、
前記撮像部は、前記アダプタが装着された状態で前記光軸方向の被写体と前記表示面に対向する被写体とを含む前記円状画像を生成する
請求項３記載の撮像装置。
【請求項５】
前記画像処理部は、前記光軸方向の被写体と前記表示面に対向する被写体とのそれぞれが前記変換画像における中央位置となるように、前記生成された円状画像の円周方向を４分割して当該分割された４つの領域を前記対象領域として特定する請求項４記載の撮像装置。
【請求項６】
前記表示制御部は、前記変換画像と前記生成された円状画像とを当該円状画像の撮像動作時に前記表示部に表示させる請求項１記載の撮像装置。
【請求項７】
前記表示部における表示状態を切り替える切替操作を受け付ける操作受付部をさらに具備し、
前記画像処理部は、前記生成された円状画像の円周方向を複数に分割して当該分割された複数の領域を前記対象領域として特定して前記変換画像を複数生成し、
前記表示制御部は、前記切替操作が受け付けられた場合には当該切替操作に応じて前記表示部に表示されている変換画像を他の変換画像に切り替える
請求項１記載の撮像装置。
【請求項８】
前記画像処理部は、前記生成された円状画像の円周方向における前記特定方向に対応する位置が前記略矩形状の画像における前記特定位置となるように前記略扇形状の対象領域を特定する請求項１記載の撮像装置。
【請求項９】
前記撮像部は、前記全方位の被写体を含む画像が環状に配置されている画像を前記円状画像として生成する請求項１記載の撮像装置。
【請求項１０】
全方位のうち撮像時の撮像位置における撮像装置の姿勢に基づいて特定される特定方向を基準として前記撮像位置を基準位置とする全方位の被写体を撮像して生成された前記全方位の被写体を含む円状画像における略扇形状の対象領域を特定して当該対象領域の画像を略矩形状の画像に変換して表示対象画像とする画像処理部を具備する画像処理装置。
【請求項１１】
全方位のうち撮像時の撮像位置における撮像装置の姿勢に基づいて特定される特定方向を基準として前記撮像位置を基準位置とする全方位の被写体を撮像して生成された前記全方位の被写体を含む円状画像における略扇形状の対象領域を特定して当該対象領域の画像を略矩形状の画像に変換する画像処理手順と、
前記変換された画像と前記生成された円状画像とを同時に表示部に表示させる表示制御手順と
を具備する画像処理方法。
【請求項１２】
全方位のうち撮像時の撮像位置における撮像装置の姿勢に基づいて特定される特定方向を基準として前記撮像位置を基準位置とする全方位の被写体を撮像して生成された前記全方位の被写体を含む円状画像における略扇形状の対象領域を特定して当該対象領域の画像を略矩形状の画像に変換する画像処理手順と、
前記変換された画像と前記生成された円状画像とを同時に表示部に表示させる表示制御手順と
をコンピュータに実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月24日(2013.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体部と、前記本体部に対して着脱自在なハンドル部とを備える撮像装置であって、
前記ハンドル部は、
前記ハンドル部と前記本体部とを電気的に接続する第１の端子部を有するハンドル側コネクタと、
前記ハンドル部を前記本体部に取り付ける第１の固定部材と、
前記ハンドル側コネクタを前記ハンドル部に取り付けるための第２の固定部材と、
前記ハンドル側コネクタと前記第２の固定部材との間に介在する弾性部材とを備え、
前記本体部は、
前記ハンドル側コネクタの前記第１の端子部と電気的に接続される第２の端子部を有する本体側コネクタと、
前記第１の固定部材が取り付けられる本体側固定部と、を備え、
前記第１の固定部材が前記本体側固定部に取り付けられた状態で、前記第１の端子部と前記第２の端子部とが電気的に接続されるように、前記ハンドル側コネクタと前記本体側コネクタとが接続されることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第１の固定部材が前記本体側固定部に取り付けられることによって前記ハンドル側コネクタが前記本体側コネクタに接続された状態において、前記ハンドル側コネクタは前記弾性部材によって前記本体側コネクタに押し付けられることを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記ハンドル部は、
前記本体部を操作する操作部及びアクセサリの少なくとも一方が取り付けられる入出力端子と、
前記操作部及び前記入出力端子の少なくとも一方と前記本体部との間で電気信号の送信もしくは受信を行うために前記ハンドル部のフレーム内に設けられ、前記操作部及び前記入出力端子の少なくとも一方と前記ハンドル側コネクタが有する前記第１の端子部とを電気的に接続する信号伝達部と、をさらに有することを特徴とする請求項１又は２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記ハンドル側コネクタは、段ビスが螺合されるビス穴を有し、
前記弾性部材と前記第２の固定部材はそれぞれ前記段ビスが挿通される穴部を有し、
前記段ビスを、前記弾性部材と前記第２の固定部材にそれぞれ設けられた前記穴部に挿通させ、且つ、前記ハンドル側コネクタに設けられた前記ビス穴に螺合させることで、前記ハンドル側コネクタが前記第２の固定部材に取り付けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記ハンドル部は、複数の前記第２の固定部材を有し、
前記ハンドル部が前記本体部に固定された状態において、前記ハンドル側コネクタは前記複数の第１の固定部材の間に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記ハンドル部が前記本体部に固定された状態において、前記ハンドル側コネクタが有する前記第１の端子部は、前記複数の第１の固定部材を結ぶ直線上に位置するように設けられていることを特徴とする請求項５記載の撮像装置。