【手続補正書】
【提出日】平成25年12月18日(2013.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体を含むｎ形の第１層と、
窒化物半導体を含むｐ形の第２層と、
前記第１層と前記第２層との間に設けられた発光部であって、障壁層と、井戸層と、を含む発光部と、
前記第１層と前記発光部との間に設けられた第２積層体であって、
窒化物半導体を含む複数の第５層と、
前記複数の第５層と交互に積層されＧａＩｎＮを含む複数の第６層と、
を含む第２積層体と、
を備え、
前記第２積層体は、前記第１層に近い第１部分と、前記第１部分と前記発光部との間に位置する第２部分と、を有し、
前記第１部分におけるＩｎ平均組成比は、前記第２部分におけるＩｎ平均組成比よりも高い半導体素子。
【請求項２】
前記第１部分における前記Ｉｎ平均組成比は、前記第１層側から第２層側に向けて低下し、
前記第２部分における前記Ｉｎ平均組成比の変化量は、前記第１部分における前記Ｉｎ平均組成比の変化量よりも小さい請求項１記載の半導体素子。
【請求項３】
前記第２積層体と前記発光部との間に設けられた第１積層体をさらに備え、
前記第１積層体は、
ＡｌＧａＩｎＮを含む複数の第３層と、
前記複数の第３層と交互に積層されＧａＩｎＮを含む複数の第４層と、
を含み、
前記第１積層体は、前記第１積層体の前記発光部側の面に設けられた凹部を有し、前記凹部の少なくとも一部に前記発光部の一部が埋め込まれており、前記第２層の一部は、前記凹部の前記少なくとも一部に埋め込まれた前記発光部の前記一部の上に配置されており、
前記第１積層体を貫通する転位が形成されており、前記凹部の側面は、前記転位の周りを取り囲み、
前記第１積層体の前記転位の周辺におけるＩｎの組成比は、前記第１積層体の前記転位から離れた部分におけるＩｎの組成比よりも低く、
前記第５層は、前記第３層の組成とは異なる組成を有する請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記第１積層体におけるＩｎ平均組成比の、前記第１層から前記第２層に向かう方向に沿った変化量は、前記第２積層体におけるＩｎ平均組成比の前記方向に沿った変化量よりも小さい請求項３記載の半導体素子。
【請求項５】
前記第１積層体と前記第２積層体との間に設けられ、前記発光部の厚さよりも薄い中間層をさらに備えた請求項３または４に記載の半導体素子。
【請求項６】
前記第２層の前記一部は、前記凹部の前記少なくとも一部の中にさらに埋め込まれている請求項３〜５のいずれか１つに記載の半導体素子。
【請求項７】
前記第４層のそれぞれの厚さは、前記井戸層の厚さよりも薄い請求項３〜６のいずれか１つに記載の半導体素子。
【請求項８】
前記凹部は、前記第１積層体を貫通していない請求項３〜７のいずれか１つに記載の半導体素子。
【請求項９】
前記転位は、前記第１層、前記発光部及び前記第２層をさらに貫通する請求項３〜８のいずれか１つに記載の半導体素子。
【請求項１０】
前記複数の障壁層のうちで前記第１積層体に最も近い第１障壁層は、ＡｌＧａＩｎＮを含む請求項３〜９のいずれか１つに記載の半導体素子。
【請求項１１】
前記複数の第５層は、ＧａＮを含み、前記複数の第５層のそれぞれの厚さは、前記複数の障壁層のそれぞれの厚さよりも薄い請求項１〜１０のいずれか１つに記載の半導体素子。
【請求項１２】
前記井戸層は、ＧａＩｎＮ及びＡｌＧａＩｎＮの少なくともいずれかを含む請求項１〜１１のいずれか１つに記載の半導体素子。
【請求項１３】
基板と、
前記基板の上に設けられ窒化物半導体を含むｎ形の第１層と、
前記第１層の上に設けられた発光部であって、複数の障壁層と、前記複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む発光部と、
前記発光部の上に設けられ窒化物半導体を含むｐ形の第２層と、
前記第１層と前記発光部との間に設けられた第２積層体であって、
窒化物半導体を含む複数の第５層と、
前記複数の第５層と交互に積層されＧａＩｎＮを含む複数の第６層と、
を含む第２積層体と、
を備え、
前記第２積層体は、前記第１層に近い第１部分と、前記第１部分と前記発光部との間に位置する第２部分と、を有し、
前記第１部分におけるＩｎ平均組成比は、前記第２部分におけるＩｎ平均組成比よりも高いウェーハ。
【請求項１４】
前記第２積層体と前記発光部との間に設けられた第１積層体をさらに備え、
前記第１積層体は、
ＡｌＧａＩｎＮを含む複数の第３層と、
前記複数の第３層と交互に積層されＧａＩｎＮを含む複数の第４層と、
を含み、
前記第１積層体は、前記第１積層体の前記発光部側の面に設けられた凹部を有し、前記凹部の少なくとも一部に前記発光部の一部が埋め込まれており、前記第２層の一部は、前記凹部の前記少なくとも一部に埋め込まれた前記発光部の前記一部の上に配置されており、
前記第１積層体を貫通する転位が形成されており、前記凹部の側面は、前記転位の周りを取り囲み、
前記第１積層体の前記転位の周辺におけるＩｎの組成比は、前記第１積層体の前記転位から離れた部分におけるＩｎの組成比よりも低く、
前記第５層は、前記第３層の組成とは異なる組成を有する請求項１３記載のウェーハ。
【請求項１５】
基板の上に窒化物半導体を含むｎ形の第１層を形成し、
前記第１層の上に、窒化物半導体を含む複数の第５層と、前記複数の第５層と交互に積層されＧａＩｎＮを含む複数の第６層と、を交互に積層して第２積層体を形成し、
前記第２積層体の上に、複数の障壁層と、前記複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む発光部を形成し、
前記発光部の上に窒化物半導体を含むｐ形の第２層を形成し、
前記第２積層体は、前記第１層に近い第１部分と、前記第１部分と前記発光部との間に位置する第２部分と、を有し、
前記第２積層体の形成は、前記第１部分におけるＩｎ平均組成比を、前記第２部分におけるＩｎ平均組成比よりも高くすることを含む半導体素子の製造方法。
【請求項１６】
前記第２積層体と前記発光部との間に、前記第５層の組成とは異なる組成を有するＡｌＧａＩｎＮを含む複数の第３層と、ＧａＩｎＮを含む複数の第４層と、を交互に積層して第１積層体をさらに形成し、
前記第１積層体は、前記第１積層体の前記発光部側の面に設けられた凹部を有し、
前記発光部の形成は前記凹部の少なくとも一部に前記発光部の一部を埋め込むことを含み、
前記第２層の形成は、前記凹部の残余の空間の少なくとも一部に前記第２層の一部を埋め込むこと含み、
前記第１積層体を貫通する転位が形成されており、前記凹部の側面は、前記転位の周りを取り囲み、
前記第１積層体の前記転位の周辺におけるＩｎの組成比は、前記第１積層体の前記転位から離れた部分におけるＩｎの組成比よりも低い請求項１５記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１７】
前記第２層の形成の後、前記第２層の上面を接合用基板に接合した後に前記基板を除去することをさらに実施する請求項１５または１６に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１８】
基板の上に窒化物半導体を含むｎ形の第１層を形成し、
前記第１層の上に、窒化物半導体を含む複数の第５層と、前記複数の第５層と交互に積層されＧａＩｎＮを含む複数の第６層と、を交互に積層して第２積層体を形成し、
前記第２積層体の上に、複数の障壁層と、前記複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む発光部を形成し、
前記発光部の上に窒化物半導体を含むｐ形の第２層を形成し、
前記第２積層体は、前記第１層に近い第１部分と、前記第１部分と前記発光部との間に位置する第２部分と、を有し、
前記第２積層体の形成は、前記第１部分におけるＩｎ平均組成比を、前記第２部分におけるＩｎ平均組成比よりも高くすることを含むウェーハの製造方法。
【請求項１９】
前記第２積層体と前記発光部との間に、前記第５層の組成とは異なる組成を有するＡｌＧａＩｎＮを含む複数の第３層と、ＧａＩｎＮを含む複数の第４層と、を交互に積層して第１積層体をさらに形成し、
前記第１積層体は、前記第１積層体の前記発光部側の面に設けられた凹部を有し、
前記発光部の形成は前記凹部の少なくとも一部に前記発光部の一部を埋め込むことを含み、
前記第２層の形成は、前記凹部の残余の空間の少なくとも一部に前記第２層の一部を埋め込むこと含み、
前記第１積層体を貫通する転位が形成されており、前記凹部の側面は、前記転位の周りを取り囲み、
前記第１積層体の前記転位の周辺におけるＩｎの組成比は、前記第１積層体の前記転位から離れた部分におけるＩｎの組成比よりも低い請求項１８記載のウェーハの製造方法。