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【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年9月29日(2014.9.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
図3はどのようにして電解液４が電気化学セル2a, 2bに挿入されるかを表している。電気化学セル2a, 2bは、針などの注入装置8を使う上部側6以外の全ての部分が閉じているポーチ5にパックできる。図3はバイセル型の3組の電気化学セル2bを示しており、接点12, 22は図を明瞭にするために省略されている。注入装置8は所定量の電解液4を電気化学セル2a, 2bに挿入することができる。ポーチ5にパックされた電気化学セル2a, 2bへの電解液4の注入は、例えば圧力約10から500 mbar absの真空下で行える。電解液4は片側のみから注入してもよく、実質的に注入手順が簡略化される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月6日(2014.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み２０〜１８８μｍの透明基材の少なくとも片面上に［Ａ］厚みが１０〜５００ｎｍである含ケイ素無機層、［Ｂ］厚みが１〜５０ｎｍであるカーボンナノチューブ層、［Ｃ］厚みが１０〜１２０ｎｍである透明保護層が透明基材側からこの順に設けられ、［Ａ］層の層内に、硫化亜鉛と二酸化ケイ素の合計に対する硫化亜鉛のモル分率が０．７〜０．９である硫化亜鉛−二酸化ケイ素共存相からなる、厚みが［Ａ］層の全厚みの４０〜１００％である層状の領域を有することを特徴とする透明導電積層体。
【請求項２】
前記［Ａ］層と［Ｂ］層との間に以下の層を有する請求項１に記載の透明導電積層体。
［Ｄ］厚みが１０〜１００ｎｍである金属酸化物層。
【請求項３】
前記［Ｃ］層の波長５５０ｎｍの屈折率と前記［Ｂ］層の波長５５０ｎｍの屈折率との差が０．３以上で、かつ［Ｂ］層の波長５５０ｎｍの屈折率が［Ｃ］層の波長５５０ｎｍの屈折率より高く、かつ［Ｂ］層の波長５５０ｎｍの屈折率が１．６〜１．９の範囲にある請求項１または２に記載の透明導電積層体。
【請求項４】
前記［Ｃ］層側の表面抵抗値が１×１００Ω／□以上１×１０８Ω／□以下である請求項１〜３のいずれかに記載の透明導電積層体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の透明導電積層体を用いた電子ペーパー。
【請求項６】
厚み２０〜１８８μｍの透明基材の少なくとも片面上に［Ａ］厚みが１０〜５００ｎｍである含ケイ素無機層、［Ｂ］厚みが１〜５０ｎｍであるカーボンナノチューブ層、［Ｃ］厚みが１０〜１２０ｎｍである透明保護層が透明基材側からこの順に設けられ、［Ａ］層の層内に、硫化亜鉛と二酸化ケイ素の合計に対する硫化亜鉛のモル分率が０．７〜０．９である硫化亜鉛−二酸化ケイ素共存相からなる、厚みが［Ａ］層の全厚みの４０〜１００％である層状の領域を有する透明導電積層体の製造方法であって、前記［Ｂ］層を前記［Ａ］層の上に非接触式塗工法によって設けることを特徴とする透明導電積層体の製造方法。
【請求項７】
前記［Ｃ］層を前記［Ｂ］層の上に非接触式塗工法によって設ける請求項6に記載の透明導電積層体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月28日(2014.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、長さＸ（Ｘは５ｍｍ以下）の端子部と素子部とを形成し、
前記素子部上に、前記素子部を覆うように段差層を形成し、
前記段差層上に、前記素子部を覆うように可撓性を有する保護部材を設置し、
前記保護部材と、張り合わせ部材とを押し当てることで、前記保護部材を前記段差層に接着させ、
前記断層の厚さは、０．３８Ｘ以上２ｍｍ以下であり、
前記張り合わせ部材は、表面硬度は５０以上１００以下の弾性材料であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に、長さＸ（Ｘは５ｍｍ以下）の端子部と素子部とを形成し、
前記素子部上に、前記素子部を覆うように段差層を形成し、
前記段差層上に、前記素子部を覆うように可撓性を有する保護部材を設置し、
前記保護部材と、張り合わせ部材とを押し当てることで、前記保護部材を前記段差層に溶着させ、
前記断層の厚さは、０．３８Ｘ以上２ｍｍ以下であり、
前記張り合わせ部材は、表面硬度は５０以上１００以下の弾性材料であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月31日(2014.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜上に、第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を形成し、
前記種結晶上に、第２の条件により混相粒を成長させて前記混相粒の隙間を埋めるように第１の微結晶半導体膜を形成し、
前記第１の微結晶半導体膜上に、第１の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を広げず、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を成膜する第３の条件により、第２の微結晶半導体膜を形成することを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項２】
絶縁膜上に、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする第１の条件を用いたプラズマＣＶＤ法により種結晶を形成し、
前記種結晶上に、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ前記処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする第２の条件を用いたプラズマＣＶＤ法により第１の微結晶半導体膜を形成し、
第１の微結晶半導体膜上に、シリコンを含む堆積性気体と、水素との流量比を交互に増減させながら前記処理室に供給し、且つ前記処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする第３の条件を用いたプラズマＣＶＤ法により第２の微結晶半導体膜を形成することを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項３】
基板上に、ゲート電極を形成し、
前記基板及び前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、第１の条件により種結晶を形成し、
前記種結晶上に、第２の条件により第１の微結晶半導体膜を形成し、
第１の微結晶半導体膜上に、第３の条件により第２の微結晶半導体膜を形成し、
前記第２の微結晶半導体膜上に、微結晶半導体領域及び非晶質半導体領域を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第１の不純物半導体膜を形成し、
前記第１の不純物半導体膜の一部をエッチングして、島状の第２の不純物半導体膜を形成し、
前記種結晶、前記第１の微結晶半導体膜、第２の微結晶半導体膜、及び前記半導体膜の一部をエッチングして、島状の第１の半導体積層体を形成し、
前記第２の不純物半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極として機能する配線を形成し、
前記第２の不純物半導体膜をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域として機能する一対の不純物半導体膜を形成し、
前記第１の条件は、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件であり、
前記第２の条件は、シリコンを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ前記処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件であり、
前記第３の条件は、シリコンを含む堆積性気体と、水素との、流量比を交互に増減させながら前記処理室に供給し、且つ前記処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に絶縁層を形成し、
前記絶縁層が形成された前記半導体基板にイオンを照射して脆化領域を形成し、
ベース基板を加熱して前記ベース基板表面に付着した水分量を低減し、加熱された前記ベース基板と、前記脆化領域が形成された前記半導体基板と、を対向して接触させて貼り合わせ、
貼り合わされた前記ベース基板と前記半導体基板とを加熱して、前記脆化領域において分離させ、前記ベース基板上に半導体層を形成する、ことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
半導体基板に絶縁層を形成し、
前記絶縁層が形成された前記半導体基板にイオンを照射して脆化領域を形成し、
ベース基板を加熱した後冷却して前記ベース基板表面に付着した水分量を低減し、冷却された前記ベース基板と、前記脆化領域が形成された前記半導体基板と、を対向して接触させて貼り合わせ、
貼り合わされた前記ベース基板と前記半導体基板とを加熱して、前記脆化領域において分離させ、前記ベース基板上に半導体層を形成する、ことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
前記ベース基板を加熱する際に、
前記ベース基板を５５℃以上９５℃以下に加熱する、請求項１又は２に記載のＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
前記ベース基板を加熱する際に、
前記ベース基板の加熱温度以上の温度の気体を吹きつけて加熱を行う、請求項１乃至３のいずれか一に記載のＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、第２のゲート電極と、第１の酸化物半導体膜と、第１のソース電極と、第１のドレイン電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、第３のゲート電極と、第４のゲート電極と、第２の酸化物半導体膜と、第２のソース電極と、第２のドレイン電極と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極とに挟まれている領域を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記第３のゲート電極と前記第４のゲート電極とに挟まれている領域を有し、
前記第１のゲート電極は、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第２のゲート電極は、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第３のゲート電極は、ワード線と電気的に接続され、
前記第４のゲート電極は、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第２のソース電極又は前記第２のドレイン電極の一方は、ビット線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、第２のゲート電極と、第１の酸化物半導体膜と、第１のソース電極と、第１のドレイン電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、第３のゲート電極と、第４のゲート電極と、第２の酸化物半導体膜と、第２のソース電極と、第２のドレイン電極と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極とに挟まれている領域を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記第３のゲート電極と前記第４のゲート電極とに挟まれている領域を有し、
前記第１のゲート電極は、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第２のゲート電極は、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第３のゲート電極は、ワード線と電気的に接続され、
前記第４のゲート電極は、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第２のソース電極又は前記第２のドレイン電極の一方は、ビット線と電気的に接続され、
前記容量素子は、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の一方と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、第２のゲート電極と、第１の酸化物半導体膜と、第１のソース電極と、第１のドレイン電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、第３のゲート電極と、第４のゲート電極と、第２の酸化物半導体膜と、第２のソース電極と、第２のドレイン電極と、を有し、
前記第３のトランジスタは、第５のゲート電極と、第６のゲート電極と、第３の酸化物半導体膜と、第３のソース電極と、第３のドレイン電極と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極とに挟まれている領域を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記第３のゲート電極と前記第４のゲート電極とに挟まれている領域を有し、
前記第３の酸化物半導体膜は、前記第５のゲート電極と前記第６のゲート電極とに挟まれている領域を有し、
前記第１のゲート電極は、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第２のゲート電極は、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第３のゲート電極は、ワード線と電気的に接続され、
前記第４のゲート電極は、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第２のソース電極又は前記第２のドレイン電極の一方は、第１のビット線と電気的に接続され、
前記第５のゲート電極は、前記ワード線と電気的に接続され、
前記第６のゲート電極は、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第３のソース電極又は前記第３のドレイン電極の一方は、第２のビット線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、第２のゲート電極と、第１の酸化物半導体膜と、第１のソース電極と、第１のドレイン電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、第３のゲート電極と、第４のゲート電極と、第２の酸化物半導体膜と、第２のソース電極と、第２のドレイン電極と、を有し、
前記第３のトランジスタは、第５のゲート電極と、第６のゲート電極と、第３の酸化物半導体膜と、第３のソース電極と、第３のドレイン電極と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極とに挟まれている領域を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記第３のゲート電極と前記第４のゲート電極とに挟まれている領域を有し、
前記第３の酸化物半導体膜は、前記第５のゲート電極と前記第６のゲート電極とに挟まれている領域を有し、
前記第１のゲート電極は、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第２のゲート電極は、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第３のゲート電極は、ワード線と電気的に接続され、
前記第４のゲート電極は、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第２のソース電極又は前記第２のドレイン電極の一方は、第１のビット線と電気的に接続され、
前記第５のゲート電極は、前記ワード線と電気的に接続され、
前記第６のゲート電極は、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の一方と電気的に接続され、
前記第３のソース電極又は前記第３のドレイン電極の一方は、第２のビット線と電気的に接続され、
前記容量素子は、前記第１のソース電極又は前記第１のドレイン電極の一方と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１の金属元素及び第２の金属元素を有する酸化物よりなる第１の膜を基板上に形成する第１の工程と、
前記第１の膜を加熱処理することにより、前記第１の金属元素を主たる金属成分とする酸化物の結晶を含む第１の層と、前記第１の層より前記基板側にあり、前記第２の金属元素を主たる金属成分とする酸化物よりなる第２の層と、を形成する第２の工程と、
前記第１の層に接して酸化物よりなる第２の膜を形成した後、加熱処理する第３の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の膜は半導体性酸化物膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の工程においてＡＣスパッタリング法により前記第１の膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２の工程において前記第１の膜を加熱処理することにより、前記第１の層及び前記第２の層におけるナトリウムの濃度を５×１０１６ｃｍ−３以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２の層をゲート絶縁層として用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月5日(2014.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】エッチング方法、半導体装置の作製方法、及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性半導体膜と、前記結晶性半導体膜上の非晶質半導体膜とを有する積層半導体膜の一部に対して、少なくとも、Ｂｒ系ガスと、Ｆ系ガスと、酸素ガスとを有する混合ガスを用いてエッチングを行い、
前記結晶性半導体膜の一部を露出させることを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
結晶性半導体膜と、前記結晶性半導体膜上の非晶質半導体膜とを有し、上面に第１の領域と第２の領域とを有する積層半導体膜の前記第１の領域上にエッチングマスクを形成し、
少なくとも、Ｂｒ系ガスと、Ｆ系ガスと、酸素ガスとを有する混合ガスを用いてエッチングを行い、前記第２の領域の前記結晶性半導体膜を露出させることを特徴とするエッチング方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記エッチングは、０より大きく１００Ｗ以下のバイアス電力で行うことを特徴とするエッチング方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記Ｂｒ系ガスはＨＢｒガスであることを特徴とするエッチング方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記Ｆ系ガスはＳＦ６ガスであることを特徴とするエッチング方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記Ｂｒ系ガスと前記Ｆ系ガスと前記酸素ガスの流量比は、２５：２：１であることを特徴とするエッチング方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記結晶性半導体膜は、微結晶半導体膜であることを特徴とするエッチング方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記微結晶半導体膜は微結晶シリコンであり、
前記非晶質半導体膜は非晶質シリコンであることを特徴とするエッチング方法。
【請求項９】
第１の導電層を覆って設けられた第１の絶縁層上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上に不純物半導体膜を形成し、
前記不純物半導体膜上に第１のエッチングマスクを選択的に形成し、
前記第１のエッチングマスクと重畳していない部分の前記結晶性半導体膜、前記第１のエッチングマスクと重畳していない部分の前記非晶質半導体膜、及び前記第１のエッチングマスクと重畳していない部分の前記不純物半導体膜に対して第１のエッチングを行って、前記第１のエッチングマスクと重畳する部分の前記非晶質半導体膜、前記第１のエッチングマスクと重畳する部分の前記結晶性半導体膜、及び前記第１のエッチングマスクと重畳する部分の前記不純物半導体膜を有する薄膜積層体を形成し、
前記第１のエッチングマスクを除去し、
前記薄膜積層体上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に第２のエッチングマスクを選択的に形成し、
前記導電膜をエッチングして第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層と重畳していない部分の前記薄膜積層体に対して第２のエッチングを行って、前記第２の導電層と重畳していない部分の前記結晶性半導体層を露出させ、
前記第２のエッチングには、Ｂｒ系ガスと、Ｆ系ガスと、酸素ガスとを有する混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
第１の導電層を覆って設けられた第１の絶縁層上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上に不純物半導体膜を形成し、
前記不純物半導体膜上に第１のエッチングマスクを選択的に形成し、
前記第１のエッチングマスクと重畳していない部分の前記結晶性半導体膜、前記第１のエッチングマスクと重畳していない部分の前記非晶質半導体膜、及び前記第１のエッチングマスクと重畳していない部分の前記不純物半導体膜に対して第１のエッチングを行って、前記第１のエッチングマスクと重畳する部分の前記非晶質半導体膜、前記第１のエッチングマスクと重畳する部分の前記結晶性半導体膜、及び前記第１のエッチングマスクと重畳する部分の前記不純物半導体膜を有する薄膜積層体を形成し、
前記第１のエッチングマスクを除去し、
前記薄膜積層体上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第２のエッチングマスクを選択的に形成し、
前記絶縁膜に対して第３のエッチングを行って第２の絶縁層を形成し、
前記導電膜に対して第４のエッチングを行って第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層と重畳していない部分の前記薄膜積層体に対して第５のエッチングを行って、前記第２の導電層と重畳していない部分の前記結晶性半導体層を露出させ、
前記第５のエッチングには、Ｂｒ系ガスと、Ｆ系ガスと、酸素ガスとを有する混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第２の絶縁層と前記第２の導電層は、同一のエッチング工程で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第２のエッチングマスクは、前記第５のエッチングよりも前に除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一において、
前記エッチングは、０より大きく１００Ｗ以下のバイアス電力で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項９乃至請求項１３のいずれか一において、
前記Ｂｒ系ガスはＨＢｒガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項９乃至請求項１４のいずれか一において、
前記Ｆ系ガスはＳＦ６ガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項９乃至請求項１５のいずれか一において、
前記Ｂｒ系ガスと前記Ｆ系ガスと前記酸素ガスの流量比は、２５：２：１であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項９乃至請求項１６のいずれか一において、
前記結晶性半導体膜は、微結晶半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記微結晶半導体膜は微結晶シリコンであり、
前記非晶質半導体膜は非晶質シリコンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項９乃至請求項１８のいずれか一において、
前記結晶性半導体層の露出された部分では、
ＳＩＭＳによるＢｒの検出値が１．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
第１の導電層と、
前記第１の導電層を覆って設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に設けられた結晶性半導体層と、
前記結晶性半導体層の一部を露出するように設けられた非晶質半導体層と、
前記非晶質半導体層上に設けられた不純物半導体層と、
前記不純物半導体層上に少なくとも一部が接して設けられた第２の導電層と、を有し、
前記結晶性半導体層の露出された前記一部では、ＳＩＭＳによるＢｒの検出値が１．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月28日(2014.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層を覆って設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に設けられた第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に、前記第１の半導体層を露出させて離間して設けられた第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に設けられた不純物半導体層と、
前記不純物半導体層上に、少なくとも一部が接するように設けられた第２の導電層と、
前記第２の導電層上に設けられた第２の絶縁層と、
前記第１の半導体層、前記第２の半導体層、前記不純物半導体層、前記第２の導電層、及び前記第２の絶縁層を覆って設けられた第３の絶縁層と、
少なくとも、前記第３の絶縁層上に設けられた第３の導電層と、を有し、
前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層には、前記第１の導電層の一部に達する第１の開口部が設けられており、
前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層には、前記第２の導電層の一部に達する第２の開口部が設けられており、
前記第１の絶縁層の厚さと前記第２の絶縁層の厚さは等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の導電層を覆って設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に設けられた第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に、前記第１の半導体層を露出させて離間して設けられた第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に設けられた不純物半導体層と、
前記不純物半導体層上に、少なくとも一部が接するように設けられた第２の導電層と、
前記第２の導電層上に設けられた第２の絶縁層と、
前記第１の半導体層、前記第２の半導体層、前記不純物半導体層、前記第２の導電層、及び前記第２の絶縁層を覆って設けられた第３の絶縁層と、
少なくとも、前記第３の絶縁層上に設けられた第３の導電層と、を有し、
前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層には、前記第１の導電層の一部に達する第１の開口部が設けられており、
前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層には、前記第２の導電層の一部に達する第２の開口部が設けられており、
前記第１の開口部の深さと前記第２の開口部の深さは等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第３の絶縁層は、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の導電層を覆って設けられた第１の絶縁層上に、第１の半導体層、第２の半導体層及び不純物半導体層がこの順に積層された薄膜積層体を形成し、
前記薄膜積層体を覆って、第２の導電層となる導電膜及び第２の絶縁層となる絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁層となる絶縁膜をエッチングすることで前記第２の絶縁層を形成し、
前記第２の導電層となる導電膜をエッチングすることで前記第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層と重畳していない部分の前記不純物半導体層及び前記第２の半導体層を除去することで、前記第２の導電層と重畳していない部分の前記第１の半導体層を露出させて半導体素子を形成し、
前記半導体素子を覆って第３の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層には、前記第１の導電層の一部に達する第１の開口部を形成し、
前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層には、前記第２の導電層の一部に達する第２の開口部を形成し、
前記第１の絶縁層の厚さと前記第２の絶縁層の厚さは等しいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
第１の導電層を覆って設けられた第１の絶縁層上に、第１の半導体層、第２の半導体層及び不純物半導体層がこの順に積層された薄膜積層体を形成し、
前記薄膜積層体を覆って、第２の導電層となる導電膜及び第２の絶縁層となる絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁層となる絶縁膜をエッチングすることで前記第２の絶縁層を形成し、
前記第２の導電層となる導電膜をエッチングすることで前記第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層と重畳していない部分の前記不純物半導体層及び前記第２の半導体層を除去することで、前記第２の導電層と重畳していない部分の前記第１の半導体層を露出させて半導体素子を形成し、
前記半導体素子を覆って第３の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層には、前記第１の導電層の一部に達する第１の開口部を形成し、
前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層には、前記第２の導電層の一部に達する第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部の深さと前記第２の開口部の深さは等しいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第２の絶縁層と前記第２の導電層は、同一のエッチング工程で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月10日(2014.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップパッケージを形成する方法であって、
初期ポリマー積層構造を提供する工程と、
前記初期ポリマー積層構造の一方の面の一部分のみを覆うように前記初期ポリマー積層構造の面に金属シールド要素を堆積させる工程と、
前記初期ポリマー積層構造と前記金属シールド要素の上とに接着剤層を塗布する工程であって、前記接着層がその一部分が除去されて、前記接着剤層に窓部が形成され、前記窓部が、前記金属シールド要素の表面積とほぼ等しい面積を有し且つ金属シールド要素と位置合わせされている、前記工程と、
前記接着剤層を介して前記初期ポリマー積層構造にダイを接着させる工程であって、前記ダイの周囲部が前記接着剤層と接触し且つ前記ダイの中央部分と前記金属シールド要素との間にエアポケットが形成されるように、前記ダイが前記窓部を覆うように位置決めされる、前記工程と、
前記初期ポリマー積層構造を前記ダイに電気接続するための複数のビア及び複数の金属配線部を含むように前記初期ポリマー積層構造をパターニングする工程と、
前記接着剤層の前記窓部に対応する前記初期ポリマー積層構造の部分を規定する工程と、
前記ダイの前面を露出させるように、前記金属シールド要素と前記初期ポリマー積層構造の一部分を前記接着剤層から除去する工程とを含む、方法。
【請求項２】
前記接着剤層（２４）にレーザーアブレーションを実行して前記窓部を形成する工程を含み、前記金属シールド要素が前記レーザーアブレーションの間に「背面ストッパ」として作用する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記接着剤層（２４）のベントポート（２８）にレーザーアブレーションを実行する工程を含み、前記ベントポート（２８）が、前記接着剤層（２４）に形成された前記窓部（２６）から外へ延在し、前記接着剤層（２４）に配置される前記ダイの前記周囲部を超えて延びる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記窓部に接着材料が侵入することを防止するために、前記窓部の周囲に沿って前記接着剤層（２４）を硬化させる工程を含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記接着剤層の前記窓部に対応する前記初期ポリマー積層構造の部分を規定する前記工程が、前記初期ポリマー積層構造から前記金属シールド要素までレーザーアブレーションを実行する工程を含む、請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記金属シールド要素と前記初期ポリマー積層構造の一部分を前記接着剤層から除去する前記工程が、真空ピックアップ又は水洗浄を実行する工程を含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記初期ポリマー積層構造に少なくとも１つの追加のポリマー層を接着させる工程と、
複数のビア及び複数の金属相互接続部を含むように前記少なくとも１つの追加のポリマー層の各々をパターニングする工程と、
を含む、請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
チップモジュールを製造する方法であって、
ベース再配線層を提供する工程と、
前記ベース再配線層の一方の面の一部分を覆うように前記ベース再配線層のその面にシールド要素を堆積させる工程と、
前記シールド要素を覆うように前記ベース再配線層に接着剤層を塗布する工程と、
少なくとも前記シールド要素の大部分を露出させるように前記シールド要素に隣接する領域で前記接着剤層の一部分をアブレーションによって除去する工程と、
ダイが前記シールド要素と位置合わせが行われるように前記ダイの前面を接着剤層に接着させる工程であって、前記ダイの周囲部が前記接着剤層と接触し且つ前記ダイと前記シールド要素との間に形成されるエアギャップによってダイの中央部分は前記シールド要素から分離される、前記工程と、
前記ベース再配線層を前記ダイに電気接続するために複数のビア及び複数の金属配線部を形成する後続のベース再配線層のパターニング中に前記シールド要素を所定の場所に維持する工程と、
前記シールド要素に隣接する前記ベース再配線層の部分に対してアブレーションを実行する工程と、
前記ダイの前面を露出させるように前記シールド要素及び前記ベース再配線層のその部分を除去する工程とを含む、方法。
【請求項９】
前記接着剤層の一部分をアブレーションによって除去する工程が、前記接着剤層を介して前記シールド要素にレーザーアブレーションを実行することを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記シールド要素から外側に延びる前記ベース再配線層の前記一方の面に金属製のベントを形成する工程を含む、請求項８または９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】チップパッケージビルドアップ方法
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月9日(2014.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外筐の内部に配置されると共に部品搭載部と接地回路に接続されたグランド部とを有し前記部品搭載部の一方の面に駆動時に熱源となる電子部品が搭載された回路基板と、
前記回路基板の前記電子部品が搭載された面側に配置され前記電子部品において発生した熱を放出するヒートシンクと、
前記回路基板を挟んで前記電子部品が搭載された側と反対側に配置されると共に平板状のベース部と前記ベース部から前記回路基板側へ突出され前記部品搭載部の他方の面に対向する対向面が形成された突出部とを有する放熱板と、
前記回路基板の部品搭載部の前記他方の面と前記放熱板の突出部における前記対向面とに密着されると共に前記電子部品において発生した熱を前記放熱板に伝達する第１の熱伝達体とを備えた
放熱構造。
【請求項２】
前記回路基板と前記ヒートシンクの間に配置されると共に平板状の放熱面部と前記放熱面部から突出された被取付突部とを有し前記放熱面部の一方の面が前記ヒートシンクに密着されたヒートスプレッダーと、
前記ヒートスプレッダーの他方の面と前記電子部品に密着されると共に前記電子部品において発生した熱を前記ヒートスプレッダー及び前記ヒートシンクに伝達する第２の熱伝達体とを備え、
前記ヒートスプレッダーの被取付突部を前記回路基板のグランド部に取り付けた
請求項１に記載の放熱構造。
【請求項３】
前記外筐の一部を金属材料から成り結合部を有するシャーシによって構成し、
前記シャーシに前記放熱板を取り付け、
前記シャーシの結合部を前記回路基板のグランド部に結合した
請求項２に記載の放熱構造。
【請求項４】
前記放熱板の突出部における対向面と前記回路基板の距離を１．２ｍｍ以上にした
請求項１、請求項２又は請求項３に記載の放熱構造。
【請求項５】
前記放熱板のベース部における前記回路基板に対向する面と反対側の面に放熱孔を有する樹脂シートを取り付けた
請求項１、請求項２、請求項３又は請求項４に記載の放熱構造。
【請求項６】
前記シャーシに挿通孔を形成し、
前記シャーシの外面に前記放熱板のベース部を取り付け、
前記シャーシの挿通孔に前記放熱板の突出部を挿入して配置した
請求項３、請求項４又は請求項５に記載の放熱構造。
【請求項７】
前記シャーシに配置凹部を形成し、
前記挿通孔を配置凹部の一部を貫通する位置に形成し、
前記配置凹部に前記放熱板のベース部を配置し、
前記挿通孔に前記放熱板の突出部を挿入して配置した
請求項６に記載の放熱構造。
【請求項８】
前記放熱板のベース部における前記回路基板に対向する面と反対側の面に放熱孔を有する樹脂シートを取り付け、
前記配置凹部に前記樹脂シートを配置した
請求項７に記載の放熱構造。
【請求項９】
内部に所定の各部が配置された外筐と、
前記外筐の内部に配置されると共に部品搭載部と接地回路に接続されたグランド部とを有し前記部品搭載部の一方の面に駆動時に熱源となる電子部品が搭載された回路基板と、
前記回路基板の前記電子部品が搭載された面側に配置され前記電子部品において発生した熱を放出するヒートシンクと、
前記回路基板を挟んで前記電子部品が搭載された側と反対側に配置されると共に平板状のベース部と前記ベース部から前記回路基板側へ突出され前記部品搭載部の他方の面に対向する対向面が形成された突出部とを有する放熱板と、
前記回路基板の部品搭載部の前記他方の面と前記放熱板の突出部における前記対向面とに密着されると共に前記電子部品において発生した熱を前記放熱板に伝達する第１の熱伝達体とを備えた
電子機器。
【請求項１０】
外筐の内部に配置されると共に部品搭載部と接地回路に接続されたグランド部とを有し前記部品搭載部の一方の面に駆動時に熱源となる電子部品が搭載された回路基板と、
前記回路基板の前記電子部品が搭載された面側に配置されると共に平板状のベース部と前記ベース部から前記回路基板側へ突出され前記部品搭載部の一方の面に対向する対向面が形成された突出部とを有する第１の放熱板と、
前記回路基板の部品搭載部の前記一方の面と前記第１の放熱板の突出部における前記対向面とに密着されると共に前記電子部品において発生した熱を前記第１の放熱板に伝達する第１の熱伝達体とを備えた
放熱構造。
【請求項１１】
前記第１の放熱板に被取付突部を設け、
前記第１の放熱板の被取付突部を前記回路基板のグランド部に取り付けた
請求項１０に記載の放熱構造。
【請求項１２】
前記第１の放熱板の突出部における対向面と前記回路基板の距離を１．２ｍｍ以上にした
請求項１０に記載の放熱構造。
【請求項１３】
前記回路基板を挟んで前記電子部品が搭載された側と反対側に配置されると共に平板状のベース部と前記ベース部から前記回路基板側へ突出され前記部品搭載部の他方の面に対向する対向面が形成された突出部とを有する第２の放熱板と、
前記回路基板の部品搭載部の前記他方の面と前記第２の放熱板の突出部における前記対向面とに密着されると共に前記電子部品において発生した熱を前記第２の放熱板に伝達する第２の熱伝達体とを設けた
請求項１０に記載の放熱構造。
【請求項１４】
前記外筐の一部を金属材料から成り結合部を有するシャーシによって構成し、
前記シャーシに前記第２の放熱板を取り付け、
前記シャーシの結合部を前記回路基板のグランド部に結合した
請求項１３に記載の放熱構造。
【請求項１５】
前記第２の放熱板の突出部における対向面と前記回路基板の距離を１．２ｍｍ以上にした
請求項１３又は請求項１４に記載の放熱構造。
【請求項１６】
前記第２の放熱板のベース部における前記回路基板に対向する面と反対側の面に放熱孔を有する樹脂シートを取り付けた
請求項１３、請求項１４又は請求項１５に記載の放熱構造。
【請求項１７】
前記シャーシに挿通孔を形成し、
前記シャーシの外面に前記第２の放熱板のベース部を取り付け、
前記シャーシの挿通孔に前記第２の放熱板の突出部を挿入して配置した
請求項１４、請求項１５又は請求項１６に記載の放熱構造。
【請求項１８】
前記シャーシに配置凹部を形成し、
前記挿通孔を配置凹部の一部を貫通する位置に形成し、
前記配置凹部に前記第２の放熱板のベース部を配置し、
前記挿通孔に前記第２の放熱板の突出部を挿入して配置した
請求項１７に記載の放熱構造。
【請求項１９】
前記第２の放熱板のベース部における前記回路基板に対向する面と反対側の面に放熱孔を有する樹脂シートを取り付け、
前記配置凹部に前記樹脂シートを配置した
請求項１８に記載の放熱構造。
【請求項２０】
内部に所定の各部が配置された外筐と、
前記外筐の内部に配置されると共に部品搭載部と接地回路に接続されたグランド部とを有し前記部品搭載部の一方の面に駆動時に熱源となる電子部品が搭載された回路基板と、
前記回路基板の前記電子部品が搭載された面側に配置されると共に平板状のベース部と前記ベース部から前記回路基板側へ突出され前記部品搭載部の一方の面に対向する対向面が形成された突出部とを有する第１の放熱板と、
前記回路基板の部品搭載部の前記一方の面と前記放熱板の突出部における前記対向面とに密着されると共に前記電子部品において発生した熱を前記放熱板に伝達する第１の熱伝達体とを備えた
電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月8日(2014.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面と第２の表面とを有する誘電体を含み、前記第１および第２の表面はほぼ平行であるとともに、前記誘電体の対向する両側部上にあり、
前記第１の表面と前記第２の表面との間に及び前記第１の表面と前記第２の表面とに通信可能に接続すると共に前記誘電体に形成されたビアと、
前記ビア内に配置されて前記第１の表面と前記第２の表面との領域を電気的に接続する電気的導電体と、
互いに物理的および電気的に連通している固定部分と自由部分とを含み、前記誘電体に少なくとも部分的に形成されたマイクロスプリングを含み、
前記自由部分はそれに加わる外力がないときには非平面的な外形を有し、前記自由部分は前記誘電体の前記第１の表面に対して自由に動き、
前記固定部分は前記誘電体に固定され、前記誘電体に電気的に接続するように前記第２の表面に配設されており、
前記マイクロスプリングの前記固定部分と前記自由部分の間の少なくとも一部は前記誘電体の中に配設されると共に前記第１の表面の前記領域と前記第２の表面に配置された前記マイクロスプリングとの間の電気的通信を提供するように、前記ビア内に配置された前記電気的誘電体と電気的通信する、インターポーザ構造。
【請求項２】
基盤に適用されると共に前記マイクロスプリングを少なくとも部分的に囲む実質的に同種のラミネート構造を更に備える、請求項１に記載のインターポーザ構造。
【請求項３】
前記自由部分の前記少なくとも１部は、そこに適用されたハンダの領域を有する、請求項１に記載のインターポーザ構造。
【請求項４】
前記マイクロスプリングが形成さる前記基盤は、前記インターポーザ構造から完全に取り除かれる、請求項２に記載のインターポーザ構造。
【請求項５】
前記実質的に同種のラミネート構造は、少なくとも部分的にシリコンで構成されている  、請求項４に記載のインターポーザ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月14日(2014.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置およびその制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定時間あたりの注目物の位置の変化量を検知する検知手段と、
注目物の位置と前記注目物が指し示す方向とに基づいて表示面上の第１の操作位置を決定する第１のモードと、前記注目物と前記表示面との接触位置に基づいて前記表示面上の第２の操作位置を決定する第２のモードとを、前記検知した変化量を用いて、切り替える切替手段を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記切替手段は、前記所定時間あたりの前記注目物の位置の変化量のうち、前記所定時間あたりの前記表示面に対する垂直方向の変化量が、所定の閾値以上となったとき、前記第１のモードと前記第２のモードとを切り替えることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
更に、前記第１のモードである場合において、前記所定時間あたりの前記注目物の位置の変化量のうち、前記所定時間あたりの前記表示面に対する垂直方向の変化量が、前記表示面に近づく方向に所定の閾値以上となったとき、前記垂直方向の変化量が前記表示面に近づく方向に所定の閾値以上となった所定時間に含まれる所定の時点における前記第１の操作位置を、前記第１の操作位置とする変更手段と、
前記第１のモードから前記第２のモードに切り替わった場合、前記第２の操作位置に対するユーザ操作に応じた処理を、前記第１の操作位置に対して実行する制御手段とを有することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
情報処理装置の制御方法であって、
検知手段が、所定時間あたりの注目物の位置の変化量を検知する検知工程と、
切替手段が、注目物の位置と前記注目物が指し示す方向とに基づいて表示面上の第１の操作位置を決定する第１のモードと、前記注目物と前記表示面との接触位置に基づいて前記表示面上の第２の操作位置を決定する第２のモードとを、前記検知した変化量を用いて、切り替える切替工程を有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項５】
前記切替工程は、前記所定時間あたりの前記注目物の位置の変化量のうち、前記所定時間あたりの前記表示面に対する垂直方向の変化量が、所定の閾値以上となったとき、前記第１のモードと前記第２のモードとを切り替えることを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項６】
更に、前記第１のモードである場合において、前記所定時間あたりの前記注目物の位置の変化量のうち、前記所定時間あたりの前記表示面に対する垂直方向の変化量が、前記表示面に近づく方向に所定の閾値以上となったとき、前記垂直方向の変化量が前記表示面に近づく方向に所定の閾値以上となった所定時間に含まれる所定の時点における前記第１の操作位置を、前記第１の操作位置とする変更工程と、
前記第１のモードから前記第２のモードに切り替わった場合、前記第２の操作位置に対するユーザ操作に応じた処理を、前記第１の操作位置に対して実行する実行工程とを有することを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項７】
コンピュータに読み込ませ実行させることで、前記コンピュータを、請求項１〜３の何れか１項に記載の情報処理装置が有する各手段とて機能させるためのコンピュータプログラム。
【請求項８】
請求項７に記載のコンピュータプログラムを格納した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項９】
ユーザの手を検出する検出手段と、
前記検出手段によって検出されたユーザの手が、前記検出手段によって検出されたユーザの手のうち指先の位置と、前記指先が向けられた方向とに基づいて、表示面上の前記ユーザが指差した位置を特定し、操作位置として利用する第１のモードと、前記指先が前記表示面に接触している位置を特定し、前記操作位置として利用する第２のモードとを、切り替える切替手段を有し、
前記切り替え手段は、前記検出手段によって検出されたユーザの手が、基準よりも速い速さで前記表示面に近づいた場合に、前記第１モードから第２モードへの切り替えを実行し、前記検出手段によって検出されたユーザの手が、基準よりも速い速さで前記表示面から遠ざかった場合に、前記第２モードから前記第１モードへの切り替えを実行することを特徴とする情報処理装置。
【請求項１０】
情報処理装置に制御方法であって、
検出手段により、ユーザの手を検出する検出工程と、
切替手段により、前記検出工程において検出されたユーザの手のうち指先の位置と、前記指先が向けられた方向とに基づいて、表示面上の前記ユーザが指差した位置を特定し、操作位置として利用する第１のモードと、前記指先が前記表示面に接触している位置を特定し、前記操作位置として利用する第２のモードとを、切り替える切替工程を有し、
前記切り替え工程では、前記検出手段によって検出されたユーザの手が、基準よりも速い速さで前記表示面に近づいた場合に、前記第１モードから第２モードへの切り替えを実行し、前記検出手段によって検出されたユーザの手が、基準よりも速い速さで前記表示面から遠ざかった場合に、前記第２モードから前記第１モードへの切り替えを実行することを特徴とする情報処理装置。
【請求項１１】
コンピュータに読み込ませ実行させることで、前記コンピュータを、請求項９に項に記載の情報処理装置が有する各手段とて機能させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のコンピュータプログラムを格納した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記の課題を解決する為に、本発明に係る情報処理装置は、所定時間あたりの注目物の位置の変化量を検知する検知手段と、注目物の位置と前記注目物が指し示す方向とに基づいて表示面上の第１の操作位置を決定する第１のモードと、前記注目物と前記表示面との接触位置に基づいて前記表示面上の第２の操作位置を決定する第２のモードとを、前記検知した変化量を用いて、切り替える切替手段を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月19日(2014.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ表示装置であって、
仮想３Ｄ空間に検索結果データを分類毎に分けて、前記検索結果データのサムネイルの集まりとして表示するサムネイル表示手段と、
前記仮想３Ｄ空間に面を描画し、前記サムネイルの集まりの位置と大きさとに合わせた影を前記面に描画する描画手段と、
前記描画された影に前記検索結果データの分類を表す識別情報を表示する識別情報表示手段と、
を備えることを特徴とするデータ表示装置。
【請求項２】
前記識別情報は、前記検索結果データの分類を表す分類名であることを特徴とすることを特徴とする請求項１記載のデータ表示装置。
【請求項３】
前記分類は、前記検索結果データの属性から得られることを特徴とする請求項１記載のデータ表示装置。
【請求項４】
前記サムネイル表示手段は、前記検索結果データのサムネイルの集まりの内部に含まれるサムネイルの表示位置を、前記分類よりさらに詳細な前記検索結果データの分類に基づいて決定する決定手段を更に備えることを特徴とする請求項１記載のデータ表示装置。
【請求項５】
前記識別情報表示手段では、前記検索結果データのサムネイルの集まりの内部に含まれる、前記分類よりさらに詳細な前記検索結果データの分類の詳細分類名を前記面に表示することを特徴とする請求項１記載のデータ表示装置。
【請求項６】
前記描画手段は、前記サムネイル表示手段で表示されるサムネイルの集まりと前記識別情報表示手段で表示される分類名とが対応した位置に、影を前記面に表示することを特徴とする請求項５記載のデータ表示装置。
【請求項７】
前記識別情報表示手段では、前記検索結果データのサムネイルの集まりの回転において、前記分類よりさらに詳細な前記検索結果データのサムネイルの集まりの回転に合わせて前記面に表示された前記詳細分類名を回転させることを特徴とする請求項５記載のデータ表示装置。
【請求項８】
前記サムネイルの集まりの形状は、球体であることを特徴とする請求項１記載のデータ表示装置。
【請求項９】
データ表示装置であって、
仮想３Ｄ空間に、検索結果データを分類毎に分けて前記検索結果データのサムネイルの集まりとして表示するサムネイル表示手段と、
前記仮想３Ｄ空間において視点を変更する変更手段と、
前記視点と前記サムネイルの集まりとの距離に基づいて、前記サムネイルの集まりを、さらに詳細な分類に分裂させるクラスタ表示制御手段と、を備えることを特徴とするデータ表示装置。
【請求項１０】
前記検索結果データのサムネイルの集まりの拡大表示を指示する指示手段をさらに備え、前記変更手段による視点の変更がない場合に、前記指示手段の拡大指示に基づいて、前記クラスタ表示制御手段は前記サムネイルの集まりをさらに詳細な分類へ分裂させることを特徴とする請求項９記載のデータ表示装置。
【請求項１１】
前記視点と前記サムネイルの集まりとの距離が所定の閾値を下回ったら、前記クラスタ表示制御手段は、前記サムネイルの集まりをさらに詳細な分類に分裂させることを特徴とする請求項９記載のデータ表示装置。
【請求項１２】
前記仮想３Ｄ空間に面を描画し、前記サムネイルの集まりの位置と大きさとに合わせた影を前記面に描画する描画手段と、前記描画された影に前記検索結果データの分類を表す識別情報を表示する識別情報表示手段と、をさらに備え、
前記識別情報表示手段は、前記視点の位置に合わせて、前記識別情報を前記視点に対して正面に向くように表示させることを特徴とする請求項９記載のデータ表示装置。
【請求項１３】
データ表示装置が行うデータ表示方法であって、
仮想３Ｄ空間に検索結果データを分類毎に分けて、前記検索結果データのサムネイルの集まりとして表示するサムネイル表示工程と、
前記仮想３Ｄ空間に面を描画し、前記サムネイルの集まりの位置と大きさとに合わせた影を前記面に描画する描画工程と、
前記描画された影に前記検索結果データの分類を表す識別情報を表示する識別情報表示工程と、を備えることを特徴とするデータ表示方法。
【請求項１４】
データ表示装置の制御方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
仮想３Ｄ空間に検索結果データを分類毎に分けて、前記検索結果データのサムネイルの集まりとして表示するサムネイル表示し、
前記仮想３Ｄ空間に面を描画し、前記サムネイルの集まりの位置と大きさとに合わせた影を前記面に描画し、
前記描画された影に前記検索結果データの分類を表す識別情報を表示する識別情報表示することをコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項１５】
データ表示装置が行うデータ表示方法であって、
仮想３Ｄ空間に検索結果データを分類毎に分けて、前記検索結果データのサムネイルの集まりとして表示するサムネイル表示工程と、
前記仮想３Ｄ空間において視点を変更する変更工程と、
前記視点と前記サムネイルの集まりとの距離に基づいて、前記サムネイルの集まりを、さらに詳細な分類に分裂させるクラスタ表示制御工程と、を備えることを特徴とするデータ表示方法。
【請求項１６】
データ表示装置の制御方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
仮想３Ｄ空間に検索結果データを分類毎に分けて、前記検索結果データのサムネイルの集まりとして表示するサムネイル表示し、
前記仮想３Ｄ空間において視点を変更し、
前記視点と前記サムネイルの集まりとの距離に基づいて、前記サムネイルの集まりを、さらに詳細な分類に分裂させることをコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係るデータ表示装置は、以下の構成を備える。即ち、仮想３Ｄ空間に検索結果
データを分類毎に分けて、前記検索結果データのサムネイルの集まりとして表示するサム
ネイル表示手段と、前記仮想３Ｄ空間に面を描画し、前記サムネイルの集まりの位置と大きさとに合わせた影を前記面に描画する描画手段と、前記描画された影に前記検索結果データの分類を表す識別情報を表示する識別情報表示手段。