【手続補正書】
【提出日】平成26年3月18日(2014.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に複数の発光層を形成する工程と、
前記発光層を発光させる電流を流すための複数の導電部を前記複数の発光層のそれぞれの上に形成する工程と、
前記複数の導電部の間に封止材料を供給して封止層を形成する工程と、
前記導電部と前記封止層とを支持体として前記基板を取り除く工程と、
を備えたことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記複数の導電部のそれぞれは、正極と負極のいずれかを含み、
前記基板を取り除く工程の後に、少なくとも前記正極及び負極を含むように個片化を行う工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板を取り除く工程の後に、隣接する前記発光層の間で個片化する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板を取り除く工程の後に、少なくとも、一つの前記発光層を含むように個片化を行う工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記個片化する工程において、隣接する前記発光層の間をダイサによりダイシングすることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１つに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記封止層を形成する工程において、隣接する前記発光層の間を前記封止層が埋めるように前記封止層を形成することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記基板を取り除く工程の後に、前記発光層の前記導電部が存在する面とは反対の面側に、前記発光層からの光を透過させる透光層を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記透光層は、前記発光層よりもはみ出て形成されることを特徴とする請求項７記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記透光層は、隣接する前記発光層の間を覆うように形成されることを特徴とする請求項７記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記基板を取り除く工程の後であって、前記個片化する工程の前に、前記発光層の前記導電部が存在する面とは反対の面側に、前記発光層からの光を透過させる透光層を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項２〜６のいずれか１つに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記透光層は、隣接する前記発光層の間を覆うように形成されることを特徴とする請求項１０記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記個片化する工程の後に、前記透光層の側面と前記封止層の側面とは面一になっていることを特徴とする請求項１１記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記個片化する工程において、前記透光層と前記封止層を一括で切断することを特徴とする請求項７〜１２のいずれか１つに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記基板を取り除く工程の後に、前記発光層の前記導電部が存在する面とは反対の面側に、蛍光体を含んだ蛍光層を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１つに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記蛍光層は、前記発光層よりもはみ出て形成されることを特徴とする請求項１４記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記蛍光層は、隣接する前記発光層の間を覆うように形成されることを特徴とする請求項１４記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記蛍光層は、前記封止層よりも厚さが薄いことを特徴とする請求項１４〜１６のいずれか１つに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記基板を取り除く工程の後に、前記発光層の前記導電部が存在する面とは反対の面側に、蛍光体を含んだ蛍光層を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項２〜５のいずれか１つに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記蛍光層は、隣接する前記発光層の間を覆うように形成されることを特徴とする請求項１８記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記個片化する工程の後、前記蛍光層の側面と前記封止層の側面とは面一になっていることを特徴とする請求項１８または１９に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記個片化する工程において、前記蛍光層と前記封止層とを一括で切断することを特徴とする請求項１８〜２０のいずれか１つに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記個片化する工程において、前記蛍光層の少なくとも一部分と前記封止層の少なくとも一部分とを一括で切断することを特徴とする請求項１８〜２０のいずれか１つに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
前記導電部は、金属で形成されることを特徴とする請求項１〜２２のいずれか１つに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
前記複数の導電部のそれぞれは、電極、再配線層及びピラーのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１〜２３のいずれか１つに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
前記封止材料は、樹脂を含むことを特徴とする請求項１〜２４のいずれか１つに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
前記封止材料は、熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする請求項１〜２５のいずれか１つに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
前記封止層は、複数の前記発光層と、複数の前記導電部と、を連続して封止するように形成されることを特徴とする請求項１〜２６のいずれか１つに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
前記封止層は、前記発光層と、前記導電部と、を覆うように形成されることを特徴とする請求項１〜２６のいずれか１つに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
前記封止層から前記導電部の端面を露出させる工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜２８のいずれか１つに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
前記露出した端面に金属層を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項２９記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項３１】
基板と、前記基板の上に設けられた複数の発光層と、前記複数の発光層のそれぞれの上に設けられ前記発光層を発光させる電流を流すための複数の導電部と、前記導電部の間に設けられた封止層と、を含む積層構造を形成する工程と、
前記導電部と前記封止層とにより前記発光層を支持しつつ前記基板を取り除く工程と、
を備えたことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項３２】
基板の上に発光層を形成する工程と、
前記発光層を発光させる電流を流すための複数の導電部を前記発光層の上に形成する工程と、
前記複数の導電部の間に樹脂を含む材料を供給して封止層を形成する工程と、
前記導電部と前記封止層とを支持体として前記基板を取り除く工程と、
を備えたことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項３３】
基板と、前記基板の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられ前記発光層を発光させる電流を流すための複数の導電部と、前記導電部の間に設けられた封止層と、を含む積層構造を形成する工程と、
前記導電部と前記封止層とにより前記発光層を支持しつつ前記基板を取り除く工程と、
を備えたことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項３４】
複数の発光層と、
前記発光層上に設けられ前記発光層を発光させる電流を流すための複数の導電部と、
前記導電部の間に設けられた封止層と、
を備え
前記導電部と前記封止層とを支持体として基板が取り除かれたことを特徴とする光半導体装置。
【請求項３５】
隣接する前記発光層の間を前記封止層が埋めるように設けられていることを特徴とする請求項３４記載の光半導体装置。
【請求項３６】
前記発光層の前記導電部が存在する面とは反対の面側に設けられ、前記発光層からの光を透過させる透光層をさらに備えたことを特徴とする請求項３４または３５に記載の光半導体装置。
【請求項３７】
前記透光層は、前記発光層よりもはみ出していることを特徴とする請求項３６記載の光半導体装置。
【請求項３８】
前記透光層は、隣接する前記発光層の間を覆うように形成されていることを特徴とする請求項３６記載の光半導体装置。
【請求項３９】
前記透光層の側面と前記封止層の側面とは、面一になっていることを特徴とする請求項３６記載の光半導体装置。
【請求項４０】
前記発光層の前記導電部が存在する面とは反対の面側に設けられ、蛍光体を含んだ蛍光層をさらに備えたことを特徴とする請求項３４または３５に記載の光半導体装置。
【請求項４１】
前記蛍光層は、前記発光層よりもはみ出していることを特徴とする請求項４０記載の光半導体装置。
【請求項４２】
前記蛍光層は、隣接する前記発光層の間を覆うように形成されていることを特徴とする請求項４０記載の光半導体装置。
【請求項４３】
前記蛍光層の側面と前記封止層の側面とは、面一になっていることを特徴とする請求項４０記載の光半導体装置。
【請求項４４】
前記蛍光層は、前記封止層よりも厚さが薄いことを特徴とする請求項４０〜４３のいずれか１つに記載の光半導体装置。
【請求項４５】
前記導電部は、金属で形成されていることを特徴とする請求項３４〜４４のいずれか１つに記載の光半導体装置。
【請求項４６】
前記複数の導電部のそれぞれは、電極、再配線層及びピラーのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項３４〜４５のいずれか１つに記載の光半導体装置。
【請求項４７】
前記封止層は、樹脂材料を含むことを特徴とする請求項３４〜４６のいずれか１つに記載の光半導体装置。
【請求項４８】
前記封止層は、熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする請求項３４〜４７のいずれか１つに記載の光半導体装置。
【請求項４９】
前記封止層は、複数の前記発光層と、複数の前記導電部と、を連続して封止するように形成されていることを特徴とする請求項３４〜４８のいずれか１つに記載の光半導体装置。
【請求項５０】
前記封止層は、前記発光層と、前記導電部と、を覆うように形成されていることを特徴とする請求項３４〜４９のいずれか１つに記載の光半導体装置。
【請求項５１】
前記導電部の端面は、前記封止層から露出していることを特徴とする請求項３４〜５０のいずれか１つに記載の光半導体装置。
【請求項５２】
前記露出した端面に設けられた金属層をさらに備えたことを特徴とする請求項５１記載の光半導体装置。
【請求項５３】
支持基板を用いずに基板が取り除かれた光半導体装置であって、
複数の発光層と、
前記発光層の上に設けられ前記発光層を発光させる電流を流すための複数の導電部と、
前記導電部の間に設けられた封止層と、
を備えたことを特徴とする光半導体装置。
【請求項５４】
発光層と、
前記発光層上に設けられ前記発光層を発光させる電流を流すための複数の導電部と、
前記導電部の間に設けられた封止層と、
を備え、
前記導電部と前記封止層とを支持体として基板が取り除かれたことを特徴とする光半導体装置。
【請求項５５】
支持基板を用いずに基板が取り除かれた光半導体装置であって、
発光層と、
前記発光層上に設けられ前記発光層を発光させる電流を流すための複数の導電部と、
前記導電部の間に設けられた封止層と、
を備えたことを特徴とする光半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光半導体装置の製造方法及び光半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明の実施形態は、光半導体装置の製造方法及び光半導体装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の実施形態は、低コストで大量生産が可能であり、半導体発光素子と同程度に小型化することも可能な光半導体装置の製造方法及び光半導体装置を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
実施形態によれば、基板の上に複数の発光層を形成する工程と、前記発光層を発光させる電流を流すための複数の導電部を前記複数の発光層のそれぞれの上に形成する工程と、前記複数の導電部の間に封止材料を供給して封止層を形成する工程と、前記導電部と前記封止層とを支持体として前記基板を取り除く工程と、を備えたことを特徴とする光半導体装置の製造方法が提供される。