【手続補正書】
【提出日】平成26年6月13日(2014.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
特許文献１に記載された基板処理装置は、基板にレジスト膜を形成する塗布処理ユニット、基板上のレジスト膜に現像処理を行う現像処理ユニット、基板を搬送する搬送ロボット、および基板上のレジスト膜の周縁部に露光処理を行うエッジ露光ユニットを含む。エッジ露光ユニットにおいては、保持回転部に保持された基板が回転されるとともに基板の周縁部に光が照射されることにより露光処理が行なわれる。また、保持回転部に保持された基板の端縁部を示すエッジデータが取得される。そのエッジデータに基づいて保持回転部の回転中心に対する基板の中心の偏心量が算出される。それにより、周辺露光ユニットにおける基板の偏心量の異常の有無を判定することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（２）位置検出部は、第２の回転保持装置により回転される基板の外周部の位置および基板上の膜の外周部の位置を示す画像データを検出する画像データ検出部を含み、制御部は、画像データ検出部により検出された画像データに基づいて基板の半径方向における基板の外周部の位置の変化および基板上の膜の外周部の位置の変化を検出し、検出された基板の外周部の位置の変化および基板上の膜の外周部の位置の変化に基づいて基板の中心の位置ずれを判定するとともに、除去液の供給状態を判定してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この場合、画像データ検出部により検出された画像データに基づいて基板の半径方向における基板の外周部の位置の変化および基板上の膜の外周部の位置の変化が検出される。検出された基板の外周部の位置の変化および基板上の膜の外周部の位置の変化に基づいて基板の中心の位置ずれが判定されるとともに、除去液の供給状態が判定される。これにより、処理液の供給時における基板の回転中心と基板の幾何学的中心との位置ずれおよび除去液の供給状態を画像処理により容易に検出することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理システムの模式的平面図である。
【図２】図１の塗布処理部、塗布現像処理部および洗浄乾燥処理部を＋Ｙ方向側から見た図である。
【図３】塗布処理ユニットを＋Ｚ方向側から見た図である。
【図４】図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部を−Ｙ方向側から見た図である。
【図５】図１の塗布処理部、搬送部および熱処理部を−Ｘ方向側から見た図である。
【図６】搬送部を−Ｙ方向側から見た図である。
【図７】搬送機構を示す斜視図である。
【図８】洗浄乾燥処理ブロックの内部構成を示す図である。
【図９】図３の塗布処理ユニットへの基板Ｗの搬入時における図７の搬送機構のハンドの動作を説明するための図である。
【図１０】基板の表面上への反射防止膜、レジスト膜およびレジストカバー膜の形成手順と各膜の除去範囲とを示す図である。
【図１１】基板の表面上への反射防止膜、レジスト膜およびレジストカバー膜の形成手順と各膜の除去範囲とを示す図である。
【図１２】反射防止膜、レジスト膜およびレジストカバー膜が形成された基板の平面図である。
【図１３】エッジ露光部の一側面を模式的に示す図である。
【図１４】エッジ露光部の他の側面を模式的に示す図である。
【図１５】エッジ露光部の模式的平面図である。
【図１６】基板処理システムの制御系の構成を示すブロック図である。
【図１７】周縁部画像データの作成方法について説明するための図である。
【図１８】周縁部画像データに基づく周縁部画像の明るさの分布を示す図である。
【図１９】図１６のメインコントローラの動作を示すフローチャートである。
【図２０】図１６のメインコントローラの動作を示すフローチャートである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図３は、塗布処理ユニット１２９を＋Ｚ方向側から見た図である。図２および図３に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、複数のスピンチャック２５、複数のカップ２７、複数の処理液ノズル２８、複数のエッジリンスノズル３０および複数の待機部２８０を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５、カップ２７およびエッジリンスノズル３０は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４５】
したがって、上記のように、搬送機構１４１（図８）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図６）から載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに基板Ｗが交互に搬送されることにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図６）に搬送される基板Ｗの順序とが一致する。この場合、基板処理装置１００における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５６】
（７）塗布処理ユニット
図９は、図３の塗布処理ユニット１２９への基板Ｗの搬入時における図７の搬送機構１２７のハンドＨ１の動作を説明するための図である。なお、図９では、搬送機構１２７および塗布処理ユニット１２９の構成の一部が上面図で示されている。また、搬送機構１２７のハンドＨ２の動作はハンドＨ１の動作と同様である。さらに、図６の搬送機構１２８，１３７，１３８のハンドＨ１，Ｈ２の動作は、搬送機構１２７のハンドＨ１，Ｈ２の動作と同様である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６７】
このように、基板Ｗのエッジカット幅Ｄ１〜Ｄ３を検出することにより、塗布処理ユニット１２９における基板Ｗの偏心量が許容上限値以下であるか否か、ならびにリンス液の流量および吐出位置が適正であるか否かを判定することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部が円形の外周部を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、
基板上に処理液の膜を形成する膜形成ユニットと、
前記膜形成ユニットによる膜形成後の基板の状態を検出する検出ユニットと、
前記検出ユニットの検出結果に基づく判定を行う制御部とを備え、
前記膜形成ユニットは、
基板を保持して回転させる第１の回転保持装置と、
前記第１の回転保持装置により回転される基板上に処理液を供給することにより処理液の膜を形成する処理液供給部と、
前記第１の回転保持装置により回転される基板の周縁部に除去液を供給することにより基板の周縁部上の処理液を除去する除去液供給部とを含み、
前記検出ユニットは、
基板を保持して回転させる第２の回転保持装置と、
前記第２の回転保持装置により回転される基板の外周部の位置および基板上の膜の外周部の位置を検出する位置検出部とを備え、
前記制御部は、前記位置検出部により検出された基板の外周部の位置および基板上の膜の外周部の位置に基づいて前記第１の回転保持装置の回転中心に対する前記第１の回転保持装置に保持された基板の中心の位置ずれを判定するとともに、前記膜形成ユニットにおける前記除去液供給部による除去液の供給状態を判定することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記位置検出部は、
前記第２の回転保持装置により回転される基板の外周部の位置および基板上の膜の外周部の位置を示す画像データを検出する画像データ検出部を含み、
前記制御部は、前記画像データ検出部により検出された画像データに基づいて基板の半径方向における基板の外周部の位置の変化および基板上の膜の外周部の位置の変化を検出し、検出された基板の外周部の位置の変化および基板上の膜の外周部の位置の変化に基づいて前記基板の中心の位置ずれを判定するとともに、前記除去液の供給状態を判定することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、基板の半径方向における基板の外周部の位置の変化および基板上の膜の外周部の位置の変化に基づいて、基板上の膜が存在しない外周部の幅を算出し、算出された幅に基づいて前記基板の中心の位置ずれを判定するとともに、前記除去液の供給状態を判定することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、算出された幅の最大値と最小値との差に基づいて前記基板の中心の位置ずれを判定するとともに、算出された幅の平均値に基づいて前記除去液の供給状態を判定することを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記除去液の供給状態は、前記除去液供給部により基板の外周部に供給される除去液の流量および前記除去液供給部による基板の外周部への除去液の供給位置の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
基板を保持して搬送するとともに保持した基板を前記膜形成ユニットの前記第１の回転保持装置に載置する保持部を含む基板搬送装置をさらに含み、
前記制御部は、前記基板の中心の位置ずれの判定結果に基づいて前記搬送装置の前記保持部による前記第１の回転保持装置への基板の載置動作を調整することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記制御部による前記除去液の供給状態の判定結果が異常を示す場合に警報の出力および前記除去液供給部による前記除去液の供給状態の調整の少なくとも一方を行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記膜形成ユニットは、前記処理液の膜として感光性膜を形成し、
前記検出ユニットは、基板上の膜の周縁部の露光処理を行う機能をさらに有するエッジ露光部であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
少なくとも一部が円形の外周部を有する基板に処理を行う基板処理方法であって、
膜形成ユニットにおける第１の回転保持装置により基板を保持して回転させるステップと、
前記第１の回転保持装置により回転される基板上に前記膜形成ユニットにおける処理液供給部により処理液を供給することにより処理液の膜を形成するステップと、
前記第１の回転保持装置により回転される基板の周縁部に前記膜形成ユニットにおける除去液供給部により除去液を供給することにより基板の周縁部上の処理液を除去するステップと、
検出ユニットにおける第２の回転保持装置により基板を保持して回転させるステップと、
前記第２の回転保持装置により回転される基板の外周部の位置および基板上の膜の外周部の位置を検出するステップと、
前記検出された基板の外周部の位置および基板上の膜の外周部の位置に基づいて前記第１の回転保持装置の回転中心に対する前記第１の回転保持装置に保持された基板の中心の位置ずれを判定するとともに、前記膜形成ユニットにおける前記除去液供給部による除去液の供給状態を判定するステップとを含むことを特徴とする基板処理方法。