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【手続補正書】
【提出日】平成26年9月25日(2014.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１領域および第２領域を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第１領域の上に配置された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に配置された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の上に配置された第３絶縁膜と、前記半導体基板の前記第２領域の上に配置された第４絶縁膜と、前記第４絶縁膜の上に配置された第５絶縁膜と、前記第５絶縁膜の上に配置された第６絶縁膜と、を有する構造体を準備する工程と、
前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜および前記第３絶縁膜を貫通する第１コンタクトホールを形成する第１開口工程と、
前記第４絶縁膜、前記第５絶縁膜および前記第６絶縁膜を貫通する第２コンタクトホールを形成する第２開口工程と、を含み、
前記第１絶縁膜、前記第３絶縁膜、前記第４絶縁膜および前記第６絶縁膜は、第１組成を有し、前記第２絶縁膜および前記第５絶縁膜は、前記第１組成とは異なる第２組成を有し、
前記第１開口工程では、前記第２絶縁膜をエッチングストッパとして前記第３絶縁膜をエッチングした後に、前記第２絶縁膜および前記第１絶縁膜を互いに異なるエッチング条件でエッチングすることによって前記第１コンタクトホールを形成し、
前記第２開口工程では、前記第５絶縁膜をエッチングストッパとして前記第６絶縁膜をエッチングした後に、前記第５絶縁膜および前記第４絶縁膜を同一のエッチング条件で連続的にエッチングすることによって前記第２コンタクトホールを形成する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２開口工程は、前記第１コンタクトホールにコンタクトプラグが形成された後に実施される、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１開口工程は、前記第２コンタクトホールにコンタクトプラグが形成された後に実施される、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１絶縁膜、前記第３絶縁膜、前記第４絶縁膜および前記第６絶縁膜は、シリコン酸化膜であり、前記第２絶縁膜および前記第５絶縁膜は、シリコン窒化膜である、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１開口工程は、
前記第３絶縁膜の上に形成された第１フォトレジストパターンを使って前記第３絶縁膜をエッチングして前記第３絶縁膜に開口を形成する工程と、
前記第３絶縁膜のエッチングの後に前記第１フォトレジストパターンを除去する工程と、
前記第１フォトレジストパターンを除去した後に前記第３絶縁膜に形成された前記開口を通して前記第２絶縁膜および前記第１絶縁膜を互いに異なるエッチング条件でエッチングする工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２開口工程は、
前記第６絶縁膜の上に形成された第２フォトレジストパターンを使って前記第６絶縁膜をエッチングして前記第６絶縁膜に開口を形成する工程と、
前記第６絶縁膜のエッチングの後に前記第２フォトレジストパターンを除去する工程と、
前記第２フォトレジストパターンを除去した後に前記第６絶縁膜に形成された前記開口を通して前記第５絶縁膜および前記第４絶縁膜を同一のエッチング条件で連続的にエッチングする工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２開口工程では、シリサイド化された金属、または、金属を露出させるように前記第２コンタクトホールを形成する、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体装置は、固体撮像装置を含み、
前記第１領域は、光電変換部を含む画素を有する画素領域を含み、前記第２領域は、前記画素から信号を読み出すための周辺回路領域を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の１つの側面は、半導体装置の製造方法に係り、該製造方法は、第１領域および第２領域を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第１領域の上に配置された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に配置された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の上に配置された第３絶縁膜と、前記半導体基板の前記第２領域の上に配置された第４絶縁膜と、前記第４絶縁膜の上に配置された第５絶縁膜と、前記第５絶縁膜の上に配置された第６絶縁膜と、を有する構造体を準備する工程と、前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜および前記第３絶縁膜を貫通する第１コンタクトホールを形成する第１開口工程と、前記第４絶縁膜、前記第５絶縁膜および前記第６絶縁膜を貫通する第２コンタクトホールを形成する第２開口工程と、を含み、前記第１絶縁膜、前記第３絶縁膜、前記第４絶縁膜および前記第６絶縁膜は、第１組成を有し、前記第２絶縁膜および前記第５絶縁膜は、前記第１組成とは異なる第２組成を有し、前記第１開口工程では、前記第２絶縁膜をエッチングストッパとして前記第３絶縁膜をエッチングした後に、前記第２絶縁膜および前記第１絶縁膜を互いに異なるエッチング条件でエッチングすることによって前記第１コンタクトホールを形成し、前記第２開口工程では、前記第５絶縁膜をエッチングストッパとして前記第６絶縁膜をエッチングした後に、前記第５絶縁膜および前記第４絶縁膜を同一のエッチング条件で連続的にエッチングすることによって前記第２コンタクトホールを形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月1日(2014.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インジウムと、ジルコニウムと、亜鉛とを含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重なるゲート電極層とを有する半導体装置。
【請求項２】
インジウムと、ジルコニウムと、亜鉛と、錫とを含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重なるゲート電極層とを有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体層の前記ジルコニウムの含有量は、前記インジウムの含有量以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の前記ジルコニウムの含有量は、前記亜鉛の含有量以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、ｃ軸が表面に対して垂直方向に沿うように配向された結晶を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月7日(2014.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷を蓄積する蓄積領域をそれぞれが含む複数の光電変換素子と、１つ以上のＭＯＳトランジスタとが半導体基板に形成され、前記半導体基板のうち互いに隣接する前記蓄積領域の間に分離領域を有する固体撮像装置の製造方法であって、
開口と遮蔽部とを有するレジストパターンを前記半導体基板の上に形成する形成工程と、
前記レジストパターンの前記開口を通じて前記半導体基板にイオンを注入する注入工程と
を有し、
前記形成工程で形成される前記レジストパターンは、
前記半導体基板を第１方向から見た場合に、前記分離領域を前記開口から露出し、
前記半導体基板を前記第１方向とは異なる方向から見た場合に、前記１つ以上のＭＯＳトランジスタが形成される領域を前記開口から露出するとともに、前記分離領域を前記遮蔽部により遮り、
前記注入工程では、
前記第１方向に沿って照射されたイオンが前記分離領域に注入され、
前記異なる方向に沿って照射されたイオンが前記１つ以上のＭＯＳトランジスタが形成される領域に注入される
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１方向に沿って照射されたイオンによって、前記分離領域に不純物拡散層が形成され、前記異なる方向に沿って照射されたイオンによって、前記１つ以上のＭＯＳトランジスタのチャネル領域にイオン導入層が形成されることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記異なる方向は前記第１方向よりも前記半導体基板の表面の法線に対する角度が大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記注入工程では、前記分離領域に注入されたイオンが、前記１つ以上のＭＯＳトランジスタが形成される領域に注入されたイオンよりも、前記半導体基板の表面からの位置が深くなるようにイオンを照射することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記蓄積領域は第１導電型であり、前記異なる方向に沿って照射されたイオンは、第１導電型の半導体領域を形成するためのイオンであることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記１つ以上のＭＯＳトランジスタは第１ＭＯＳトランジスタと第２ＭＯＳトランジスタとを含み、
前記異なる方向は互いに異なる第２方向及び第３方向を含み、
前記形成工程で形成される前記レジストパターンは、
前記半導体基板を前記第２方向から見た場合に、前記第１ＭＯＳトランジスタが形成される領域を前記開口から露出し、
前記半導体基板を前記第３方向から見た場合に、前記第２ＭＯＳトランジスタが形成される領域を前記開口から露出するとともに、前記第１ＭＯＳトランジスタが形成される領域を前記遮蔽部により遮り、
前記注入工程では、
前記第２方向に沿って照射されたイオンが前記第１ＭＯＳトランジスタが形成される領域に注入され
前記第３方向に沿って照射されたイオンが前記第２ＭＯＳトランジスタが形成される領域に注入される
ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記形成工程で形成される前記レジストパターンは、前記半導体基板を前記第２方向から見た場合に、前記第２ＭＯＳトランジスタが形成される領域を前記遮蔽部により遮ることを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記形成工程で形成される前記レジストパターンは、
前記半導体基板を前記第１方向から見た場合に、前記蓄積領域が形成される領域の中央部分を前記開口から露出し、
前記半導体基板を前記異なる方向から見た場合に、前記中央部分を前記遮蔽部により遮り、
前記注入工程では、
前記第１方向に沿って照射されたイオンが前記中央部分に注入される
ことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
電荷を蓄積する蓄積領域をそれぞれが含む複数の光電変換素子と、ＭＯＳトランジスタとが半導体基板に形成された固体撮像装置の製造方法であって、
前記ＭＯＳトランジスタが形成される領域を含む第１領域と、前記第１領域と異なる領域で、隣接する前記蓄積領域の間に位置する分離領域を含む第２領域と、を露出させる開口を有するレジストパターンを前記半導体基板の上に形成する形成工程と、
前記レジストパターンの前記開口を通じて前記半導体基板にイオンを注入する注入工程と、を有し、
前記注入工程は、
第１の角度で、少なくとも前記第１領域にイオンを注入する工程と、
前記第１の角度とは異なる第２の角度で、前記第２領域のみにイオンを注入する工程と、
を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題に鑑みて、本発明の１つの側面は、電荷を蓄積する蓄積領域をそれぞれが含む複数の光電変換素子と、１つ以上のＭＯＳトランジスタとが半導体基板に形成され、前記半導体基板のうち互いに隣接する前記蓄積領域の間に分離領域を有する固体撮像装置の製造方法であって、開口と遮蔽部とを有するレジストパターンを前記半導体基板の上に形成する形成工程と、前記レジストパターンの前記開口を通じて前記半導体基板にイオンを注入する注入工程とを有し、前記形成工程で形成される前記レジストパターンは、前記半導体基板を第１方向から見た場合に、前記分離領域を前記開口から露出し、前記半導体基板を前記第１方向とは異なる方向から見た場合に、前記１つ以上のＭＯＳトランジスタが形成される領域を前記開口から露出するとともに、前記分離領域を前記遮蔽部により遮り、前記注入工程では、前記第１方向に沿って照射されたイオンが前記分離領域に注入され、前記異なる方向に沿って照射されたイオンが前記１つ以上のＭＯＳトランジスタが形成される領域に注入されることを特徴とする固体撮像装置の製造方法を提供する。本発明の別の側面は、電荷を蓄積する蓄積領域をそれぞれが含む複数の光電変換素子と、ＭＯＳトランジスタとが半導体基板に形成された固体撮像装置の製造方法であって、前記ＭＯＳトランジスタが形成される領域を含む第１領域と、前記第１領域と異なる領域で、隣接する前記蓄積領域の間に位置する分離領域を含む第２領域と、を露出させる開口を有するレジストパターンを前記半導体基板の上に形成する形成工程と、前記レジストパターンの前記開口を通じて前記半導体基板にイオンを注入する注入工程と、を有し、前記注入工程は、第１の角度で、少なくとも前記第１領域にイオンを注入する工程と、前記第１の角度とは異なる第２の角度で、前記第２領域のみにイオンを注入する工程と、を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月1日(2014.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
これにより、矢印Ｑ４０に示す固体撮像素子３２における中央部分の断面、つまりＡ５−Ａ５’断面では、矢印Ｑ４１に示すように、第１転送電極１０２を覆う第１遮光膜１０４の表面に形成された第２遮光膜１０６の一部と、受光部７１近傍の第２遮光膜１０６とが除去されている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月7日(2014.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板と、
前記センサ基板において前記光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、
前記画素領域における前記受光面上に設けられ、前記光電変換部に対応した受光開口を有する遮光膜と、
前記遮光膜を覆って設けられた保護絶縁膜と、
前記画素領域の外側の周辺領域において、前記保護絶縁膜から前記センサ基板にかけて埋め込まれ前記駆動回路に接続された複数の貫通ビアを備えた
固体撮像装置。
【請求項２】
前記保護絶縁膜に埋め込まれ、前記貫通ビアと一体形成された配線を有する
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記センサ基板の駆動回路に配置された電極パッドを露出させるパッド開口が、前記周辺領域において前記受光面側から前記センサ基板を貫通して設けられた
請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記保護絶縁膜が高屈折率膜および低屈折率膜を用いて構成され、
前記遮光膜上に前記低屈折率膜が設けられ、
前記遮光膜の前記受光開口を埋め込むように、前記低屈折率膜上に前記高屈折率膜が設けられた
請求項１〜３の何れかに記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記受光面側の前記光電変換部に対応する各位置において、前記遮光膜の上部に設けられたオンチップレンズを有する
請求項１〜４の何れかに記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記センサ基板の表面側には、駆動回路を有する回路基板が貼り合わせられた
請求項１〜５の何れかに記載の固体撮像装置。
【請求項７】
センサ基板に設定された画素領域に光電変換部を配列形成することと、
前記センサ基板において前記光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に駆動回路を形成することと、
前記画素領域における前記受光面上に遮光膜を形成することと、
前記遮光膜を覆う保護絶縁膜を形成することと、
前記受光面側において前記画素領域の外側に設けられた周辺領域に、前記保護絶縁膜から前記センサ基板にかけて埋め込まれ前記駆動回路に接続された複数の貫通ビアを形成することを含む
固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記貫通ビアを形成する際に、
前記周辺領域において前記保護絶縁膜側に、配線溝および当該配線溝の底部から前記センサ基板を貫通して前記駆動回路まで延設された複数の接続孔を形成し
前記配線溝および前記接続孔に同時に導電部材を埋め込むことにより、前記貫通ビアと当該貫通ビアに接続された配線とを一体に形成する
請求項７記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記保護絶縁膜を成膜後、当該保護絶縁膜の表面を平坦化し、
平坦化された前記保護絶縁膜に前記配線溝を形成する
請求項８記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板と、
前記センサ基板において前記光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、
前記画素領域における前記受光面上に設けられ、前記光電変換部に対応した受光開口を有する遮光膜と、
前記遮光膜を覆って設けられた保護絶縁膜と、
前記画素領域の外側の周辺領域において、前記保護絶縁膜から前記センサ基板にかけて埋め込まれ前記駆動回路に接続された複数の貫通ビアと、
前記光電変換部に入射光を導く光学系を備えた
電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月25日(2014.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
補強材入りの樹脂材からなる基板と、
前記基板に形成された貫通穴と、
前記貫通穴内に充填された貫通電極と、
前記基板の表面に形成され、前記貫通電極と電気的に接続された配線層と、を有し、
前記基板では、前記貫通穴の厚さ方向の中央部における前記補強材の密度が、前記表面近傍における前記補強材の密度より高くなるように前記補強材が設けられていることを特徴とする配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
補強材入りの樹脂材からなり、厚さ方向の中央部における前記補強材の密度が、表面近傍における前記補強材の密度より高くなるように前記補強材が設けられた基板に、前記厚さ方向に貫通する貫通穴を形成する工程と、
前記貫通穴の内壁面を含む前記基板の表面を覆う金属薄膜を形成する工程と、
前記金属薄膜を給電層とする電解めっき法により、前記貫通穴内に導電層を充填して貫通電極を形成する工程と、を有し、
前記電解めっき法は、前記金属薄膜にめっき促進剤を吸着させた後に実施する、又は前記金属薄膜にめっき促進剤を吸着させながら実施することを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一観点によれば、補強材入りの樹脂材からなる基板と、前記基板に形成された貫通穴と、前記貫通穴内に充填された貫通電極と、前記基板の表面に形成され、前記貫通電極と電気的に接続された配線層と、を有し、前記基板では、前記貫通穴の厚さ方向の中央部における前記補強材の密度が、前記表面近傍における前記補強材の密度より高くなるように前記補強材が設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた下層配線と、
前記半導体基板及び前記下層配線上に設けられ、前記下層配線上に第１の開口を有する樹脂膜と、
前記下層配線及び前記樹脂膜上に設けられ、前記第１の開口内に第２の開口を有する第１のＳｉＮ膜と、
前記下層配線及び前記樹脂膜の一部上に設けられた上層配線と、
前記上層配線及び前記樹脂膜上に設けられ、前記樹脂膜上において前記第１のＳｉＮ膜に付着した第２のＳｉＮ膜とを備え、
前記上層配線は、前記第１及び第２の開口を介して前記下層配線に接続されたＴｉ膜と、前記Ｔｉ膜上に設けられたＡｕ膜とを有し、
前記第１及び第２のＳｉＮ膜は前記Ｔｉ膜の周囲を保護することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２のＳｉＮ膜は、前記上層配線上に第３の開口を有し、
前記第３の開口を介して前記上層配線に接続された金属パッドを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記金属パッドはパッドＡｕ膜を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記金属パッドは、
前記上層配線に接続されたパッドＴｉ膜と、
前記パッドＴｉ膜と前記パッドＡｕ膜との間に設けられ、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒの何れかからなるパッド金属膜とを更に有することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体基板の裏面に設けられ、前記半導体基板を貫通するバイアホールを介して前記下層配線に接続された裏面パッドを更に備え、
前記第２のＳｉＮ膜は開口を有しないことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体基板上に下層配線を形成する工程と、
前記半導体基板及び前記下層配線上に樹脂膜を形成し、前記下層配線上において前記樹脂膜に第１の開口を形成する工程と、
前記下層配線及び前記樹脂膜上に第１のＳｉＮ膜を形成し、前記第１の開口内において前記第１のＳｉＮ膜に第２の開口を形成する工程と、
前記下層配線及び前記樹脂膜上に上層配線を形成する工程と、
異方性エッチングにより前記上層配線及び前記第１のＳｉＮ膜をパターニングする工程と、
パターニングした前記上層配線及び前記樹脂膜上に第２のＳｉＮ膜を形成する工程とを備え、
前記上層配線は、前記第１及び第２の開口を介して前記下層配線に接続されたＴｉ膜と、前記Ｔｉ膜上に設けられたＡｕ膜とを有し、
前記第１及び第２のＳｉＮ膜は前記Ｔｉ膜の周囲を保護することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月22日(2014.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビット線と、書き込み選択線と、読み出し選択線と、第１のワード線と、第２のワード線と、メモリブロックと、増幅回路と、読み出しトランジスタと、を有し、
前記メモリブロックは、サブビット線と、書き込みトランジスタと、第１のメモリセルと、第２のメモリセルと、を有し、
前記第１のメモリセルは、第１のトランジスタと、第１の容量素子と、を有し、
前記第２のメモリセルは、第２のトランジスタと、第２の容量素子と、を有し、
前記書き込みトランジスタのゲートは、前記書き込み選択線と接続され、
前記書き込みトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記ビット線と接続され、
前記書き込みトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記サブビット線と接続され、
前記サブビット線は、前記増幅回路の入力と接続され、
前記読み出しトランジスタのゲートは、前記読み出し選択線と接続され、
前記読み出しトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記ビット線と接続され、
前記読み出しトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記増幅回路の出力と接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のワード線と接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、一定の電位を与えることができる機能を有するノードと接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第１の容量素子の電極の一方と接続され、
前記第１の容量素子の電極の他方は、前記サブビット線と接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２のワード線と接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記ノードと接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の容量素子の電極の一方と接続され、
前記第２の容量素子の電極の他方は、前記サブビット線と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の容量素子は、１ｆＦ以下の容量を有し、
前記第２の容量素子は、１ｆＦ以下の容量を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月10日(2014.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ及び他の人物のネットワークを介した所定のサービスの利用により構成された前記ユーザと前記他の人物との関係を判定する第１の判定手段と、
前記ユーザの第１の画像と前記他の人物の画像であって、画像補正処理が施されている第２の画像との関連を判定する第２の判定手段と、
前記第１の判定手段による判定結果と第２の判定手段による判定結果に応じて、前記第２の画像に施された画像補正処理を前記ユーザに推奨する推奨手段とを有することを特徴とする画像処理システム。
【請求項２】
前記第２の判定手段は、前記第１の画像と画像補正処理が施されている複数の画像夫々との関連を判定し、
前記第１の判定手段は、前記ユーザと前記複数の画像夫々に対応する人物との関係を判定し、
前記第１の判定手段による判定結果と第２の判定手段による判定結果に応じて、前記複数の画像夫々に施された画像補正処理を評価する評価手段と、
前記推奨手段は、前記評価手段による評価に基づいて、前記複数の画像に施された画像補正処理の少なくとも一部を前記ユーザに推奨することを特徴とする請求項１記載の画像処理システム。
【請求項３】
前記推奨手段は、前記複数の画像に施された夫々の画像補正処理により前記第１の画像を補正した結果を前記ユーザに提示することを特徴とする請求項２に記載の画像処理システム。
【請求項４】
前記推奨手段により推奨した複数の画像補正処理のうちから、ユーザ操作に基づいて選択された画像補正処理を前記第１の画像に施す画像補正処理として決定する決定手段を更に有することを特徴とする請求項２記載の画像処理システム。
【請求項５】
前記第１の判定手段は、前記所定のサービスにおける画像の評価、メッセージの送受信、前記ユーザの属するグループ、前記ユーザの他のユーザの友人としての設定の少なくとも何れか一つに基づいて、前記ユーザと前記他の人物との関係を判定する請求項１乃至４何れか１項に記載の画像処理システム。
【請求項６】
前記第２の判定手段は、前記第１の画像と前記第２の画像との類似性に基づいて、前記第１の画像と前記第２の画像との関連を判定することを特徴とする請求項１乃至５何れか１項に記載の画像処理システム。
【請求項７】
前記第１の判定手段は、前記ユーザと前記他の人物との関係を前記所定のサービスにより構成されたソーシャルグラフを用いて判定するであることを特徴とする求項１乃至６何れか１項に記載の画像処理システム。
【請求項８】
前記推奨手段が推奨した画像補正処理のうち採用された画像補正処理の履歴を記録する記録手段とを更に有し、
前記評価手段は、前記記録手段が記録した前記履歴に基づいて、前記複数の画像を評価することを特徴とする請求項２に記載の画像処理システム。
【請求項９】
第１の判定手段は、前記ユーザが使用した画像補正処理と前記他の人物が使用した画像補正処理とに基づいて、前記ユーザと前記他の人物との関連を判定することを特徴とする請求項１乃至７何れか１項に記載の画像処理システム。
【請求項１０】
前記評価手段は、前記ユーザと前記他の人物との関連が深いほど、当該他の人物に対応する前記第２の画像を高く評価し、前記第１の画像と前記第２の画像とが関連が深いほど当該第２の画像を高く評価することを特徴とする請求項２に記載の画像処理システム。
【請求項１１】
前記第１の判定手段による判定結果と第２の判定手段による判定結果に応じて、複数の画像夫々を評価する評価手段を更に有し、
前記画像処理システムは、前記評価手段による評価が最も高い画像に施された画像補正処理により前記第１の画像を補正することを決定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理システム。
【請求項１２】
ユーザ及び他の人物のネットワークを介した所定のサービスの利用により構成された前記ユーザと前記他の人物との関係を判定する第１の判定手段と、
前記ユーザの第１の画像と前記他の人物の画像であって、画像補正処理が施されている第２の画像との関連を判定する第２の判定手段と、
前記第１の判定手段による判定結果と第２の判定手段による判定結果に応じて、前記第２の画像に施された画像補正処理を前記ユーザに推奨する推奨手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項１３】
画像処理システムによる画像推奨方法であって、
ユーザ及び他の人物のネットワークを介した所定のサービスの利用により構成された前記ユーザと前記他の人物との関係を判定し、
前記ユーザの第１の画像と前記他の人物の画像であって、画像補正処理が施されている第２の画像との関連を判定し、
前記ユーザと前記他の人物との関係及び前記第１の画像と前記第２の画像との関連に応じて、前記第２の画像に施された画像補正処理を前記ユーザに推奨することを特徴とする画像推奨方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の画像推奨方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記の解決するために本発明は、ユーザ及び他の人物のネットワークを介した所定のサービスの利用により構成された前記ユーザと前記他の人物との関係を判定する第１の判定手段と、前記ユーザの第１の画像と前記他の人物の画像であって、画像補正処理が施されている第２の画像との関連を判定する第２の判定手段と、前記第１の判定手段による判定結果と第２の判定手段による判定結果に応じて、前記第２の画像に施された画像補正処理を前記ユーザに推奨する推奨手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月26日(2014.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オペレータとの音声による対話サービスである音声対話サービス、または、オペレータとのテキストによる対話サービスであるテキスト対話サービスを指定した対話要求を顧客の端末から受け付ける受付部と、
前記対話要求において音声対話サービスが指定された場合、電話を介してなされた顧客とオペレータとの対話内容を示す音声データをテキストデータへ変換する第１の変換部と、
前記対話要求においてテキスト対話サービスが指定された場合、顧客とオペレータとの対話内容を示すテキストデータを顧客の端末とオペレータの端末との間で中継する中継部と、
前記第１の変換部により変換されたテキストデータと、前記中継部により中継されたテキストデータのそれぞれを要約して蓄積する要約部と、
を備え、
前記中継部は、前記対話要求において音声対話サービスが指定された場合も、顧客の端末もしくはオペレータの端末においてテキストデータが入力された場合は、入力されたテキストデータを顧客の端末とオペレータの端末との間で中継し、前記入力されたテキストデータを顧客とオペレータとの対話内容を示す証左物として所定の記憶領域に蓄積する一方、前記入力されたテキストデータは前記要約部による要約の対象から除外されることを特徴とする顧客応対支援システム。
【請求項２】
前記対話要求においてテキスト対話サービスが指定された場合、前記オペレータの端末において、オペレータの発言内容を示す音声データをテキストデータへ変換し、変換後のテキストデータを、前記顧客の端末へ送信すべきテキストデータとして出力する第２の変換部をさらに備え、
前記オペレータの発言内容を示す音声データは、前記要約部による要約の対象から除外されることを特徴とする請求項１に記載の顧客応対支援システム。
【請求項３】
前記要約部は、要約したデータを編集可能な態様でオペレータの端末へ提示することを特徴とする請求項１または２に記載の顧客応対支援システム。
【請求項４】
オペレータとの音声による対話サービスである音声対話サービス、または、オペレータとのテキストによる対話サービスであるテキスト対話サービスを指定した対話要求を顧客の端末から受け付けるステップと、
前記対話要求において音声対話サービスが指定された場合、電話を介してなされた顧客とオペレータとの対話内容を示す音声データをテキストデータへ変換するステップと、
前記対話要求においてテキスト対話サービスが指定された場合、顧客とオペレータとの対話内容を示すテキストデータを顧客の端末とオペレータの端末との間で中継するステップと、
前記変換するステップにおいて変換されたテキストデータと、前記中継するステップにおいて中継されたテキストデータのそれぞれを要約して蓄積するステップと、
を情報処理システムが実行し、
前記情報処理システムは、前記対話要求において音声対話サービスが指定された場合も、顧客の端末もしくはオペレータの端末においてテキストデータが入力された場合は、入力されたテキストデータを顧客の端末とオペレータの端末との間で中継し、前記入力されたテキストデータを顧客とオペレータとの対話内容を示す証左物として所定の記憶領域に蓄積するステップをさらに実行する一方、前記入力されたテキストデータは要約の対象から除外されることを特徴とする顧客応対支援方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月9日(2014.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路組立体であって、
両端部に被固定手段を有する配線基板と、
電気コネクタであり、
電気絶縁性を有するハウジングであり、開放面を有する該ハウジングと、
複数の導電性の接触子であり、前記ハウジングに保持され、その中央部分が前記開放面から外方向に傾斜しつつ突出する、該接触子と、
前記ハウジングの両端部において前記配線基板の前記被固定手段に対応して設けられた固定手段と、を有する前記電気コネクタと、を備え、
前記電気コネクタと前記配線基板とが結合するときに、前記固定手段が前記配線基板の前記被固定手段に嵌合する、回路組立体。
【請求項２】
前記固定手段は、前記被固定手段と嵌合したときに、前記配線基板の中心から横方向に相反する力を当該配線基板に与える、請求項１記載の回路組立体。
【請求項３】
前記配線基板上に配置される押圧部材であって、前記配線基板を前記ハウジング側に押圧する該押圧部材を備える、請求項１記載の回路組立体。
【請求項４】
前記配線基板上に配置される押圧部材であり、前記配線基板を前記ハウジング側に押圧する該押圧部材を備え、
前記固定手段は、前記被固定手段と嵌合したときに、前記配線基板の中心から横方向に相反する力を当該配線基板に与える、請求項１記載の回路組立体。
【請求項５】
前記ハウジングは、対向して配置される第１側壁部及び第２側壁部を少なくとも有し、当該第１側壁部及び第２側壁部により前記開放面が画成されており、
前記接触子は、前記第１側壁部と前記第２側壁部との間の所定の位置に配置されると共に前記第１側壁部及び第２側壁部のいずれか一方、もしくは両方に保持されている、請求項１〜４のいずれか一項記載の回路組立体。
【請求項６】
前記ハウジングは、前記接触子が配置される接触子保持部を有し、
前記接触子は、一端部もしくは両端部において前記接触子保持部に保持されている、請求項１〜４のいずれか一項記載の回路組立体。
【請求項７】
前記接触子は、
前記第１側壁部の所定の位置に埋め込まれる第１端部と、
前記第２側壁部の所定の位置に埋め込まれる第２端部と、
前記第１端部側に連設され、前記第２側壁部側に延びる第１部分と、
前記第２端部側に連設され、前記第１側壁部側に延びる第２部分と、
前記第１部分と前記第２部分とを屈曲部により連結する前記中央部分と、を備え、
前記第２部分は、複数の直線部分と複数の屈曲部分とを有し、
前記複数の直線部分のうちの一の直線部分と前記第１部分とは、略平行をなして前記開放面に対して傾斜しており、
前記中央部分は、前記電気コネクタが前記配線基板と結合するときに、前記開放面に向かって弾性的に移動する、請求項５記載の回路組立体。
【請求項８】
前記被固定手段は、前記配線基板の両端部に形成された穴を含み、
前記固定手段は、
前記配線基板の前記穴に嵌合可能に構成された嵌合部と、
前記嵌合部と連設され、前記ハウジングに固定される基部と、
を有する、請求項１〜７のいずれか一項記載の回路組立体。
【請求項９】
配線基板と電気コネクタとを含む回路組立体の組立方法であって、
前記配線基板は、両端部に被固定手段を有し、
前記電気コネクタは、
電気絶縁性を有するハウジングであり、開放面を有する該ハウジングと、
複数の導電性の接触子であり、前記ハウジングに保持され、その中央部分が前記開放面から外方向に傾斜しつつ突出する、該接触子と、
前記ハウジングの両端部において前記配線基板の前記被固定手段に対応して設けられた固定手段と、を有しており、
前記配線基板上に前記電気コネクタの前記ハウジングを載置し、前記固定手段を前記配線基板の被固定手段に嵌合させてなる、回路組立体の組立方法。
【請求項１０】
配線基板と結合する電気コネクタであって、
電気絶縁性を有するハウジングであり、開放面を有する該ハウジングと、
複数の導電性の接触子であり、前記ハウジングに保持され、その中央部分が前記開放面から外方に傾斜しつつ突出する、該接触子と、
前記ハウジングの両端部において前記配線基板の被固定手段に対応して設けられた固定手段と、
を備え、
前記電気コネクタと前記配線基板とが結合するときに、前記固定手段が前記配線基板の前記被固定手段に嵌合する、電気コネクタ。
【請求項１１】
前記固定手段は、前記被固定手段と嵌合したときに、前記配線基板の中心から横方向に相反する力を当該配線基板に与える、請求項１０記載の電気コネクタ。
【請求項１２】
前記被固定手段は、前記配線基板の両端部に形成された穴を含み、
前記固定手段は、
前記配線基板の前記穴に嵌合可能に構成された嵌合部と、
前記嵌合部と連設され、前記ハウジングに固定される基部と、
を有する、請求項１０又は１１記載の電気コネクタ。
【請求項１３】
前記ハウジングは、対向して配置される第１側壁部及び第２側壁部を少なくとも有し、当該第１側壁部及び第２側壁部により前記開放面が画成されており、
前記接触子は、前記第１側壁部と前記第２側壁部との間の所定の位置に配置されると共に前記第１側壁部及び第２側壁部のいずれか一方、もしくは両方に保持されている、請求項１０〜１２のいずれか一項記載の電気コネクタ。
【請求項１４】
前記接触子は、
前記第１側壁部の所定の位置に埋め込まれる第１端部と、
前記第２側壁部の所定の位置に埋め込まれる第２端部と、
前記第１端部側に連設され、前記第２側壁部側に延びる第１部分と、
前記第２端部側に連設され、前記第１側壁部側に延びる第２部分と、
前記第１部分と前記第２部分とを屈曲部により連結する前記中央部分と、を備え、
前記第２部分は、複数の直線部分と複数の屈曲部分とを有し、
前記複数の直線部分のうちの一の直線部分と前記第１部分とは、略平行をなして前記開放面に対して傾斜しており、
前記中央部分は、前記電気コネクタが前記配線基板と結合するときに、前記開放面に向かって弾性的に移動する、請求項１３記載の電気コネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月30日(2014.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
処理対象の画像を取得する取得工程と、
前記取得工程において取得された前記処理対象の画像に対して第１の縮小率の縮小処理を行なって得られた画像から、予め設定された画素数を有する記録用の画像を生成する生成工程と、
前記取得工程において取得された前記処理対象の画像から、前記生成工程において生成される前記記録用の画像に対応する領域の輝度画像を抽出する抽出工程と、
前記抽出工程において抽出された前記対応する領域の輝度画像に対して前記第１の縮小率とは異なる第２の縮小率の縮小処理を行い、前記予め設定された画素数よりも少ない画素数を有する輝度画像を生成する縮小工程と、
前記縮小工程において生成された前記縮小処理後の輝度画像に対して、前記第１の縮小率を前記第２の縮小率で除した値の拡大率で拡大処理を行い、前記予め設定された画素数を有する、前記記録用の画像の輝度補正係数決定用の参照画像を生成する拡大工程と、
前記記録用の画像の各画素について、前記参照画像の同一座標の画素の輝度値から決定された輝度補正係数で輝度補正を行う補正工程と、を有し、
前記抽出工程において、前記対応する領域が１画素未満の画素を含む場合、前記対応する領域を１画素未満の画素を含まない領域に変更して前記対応する領域の輝度画像が抽出され、
前記拡大工程において、前記抽出工程における前記対応する領域の変更がなされた場合に、前記縮小処理後の輝度画像の各画素に対応する前記参照画像における領域の重心を、前記抽出工程における前記対応する領域の変更の情報及び前記拡大率に基づいて、前記参照画像と前記記録用の画像間における被写体像の位置ずれ量が最小となる位置に変更して前記参照画像が生成される
ことを特徴とする画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置、画像処理方法、及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像処理装置、画像処理方法、及びプログラムに関し、特に画像の輝度補正を行う技術に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、記録用の画像と輝度補正係数決定用の参照画像間の位置ずれを低減し、好適な輝度補正処理を行う画像処理装置、画像処理方法、及びプログラムを提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月10日(2014.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
顧客は予約を取り消すことができるが、その際には顧客は顧客側通信端末を操作して、取消の対象となる予約情報を旅行販売システムの取消内容確認ページ表示手段により取消内容確認ページを表示させる。同時に取消条件を表示させ、顧客が取消料の額など取消条件を確認できるようにする。取消の確認を顧客が入力すると、取消決済情報送信手段がクレジットカード情報及び取消条件のうち取消料の額を含む取消決済情報をカード決済サーバーに送信する。取消料の額は取消料算出手段により算出されてもよく、その場合予約情報には取消料の額を算出するための取消料算出データを含み、取消料算出データに基づいて取消料算出手段が取消料の額を算出する。まず、カード決済サーバーはカード会社のサーバとの間で予約時のカード決済の取消可否を確認し、次に取消料のカード決済可否を確認し、取消料のカード決済可否の回答に基づいて、取消通知手段が顧客側通信端末に取引が成立した旨を通知するとともに、宿泊施設にも予約が取り消された旨が通知される。その後、予約時の決済が取消可能であれば、予約時の決済を取り消した上で取消料の決済を行い、旅行業者がカード会社から取消料を受け取って、手数料を差し引いた金額を宿泊施設に支払う。予約時の決済が取り消せなければ、旅行業者は既に受け取った宿泊料から取消料を差し引いた額を顧客に返金し、残りの取消料から手数料を差し引いた額を宿泊施設に支払う。取消料のカード決済ができなかったような特殊な場合には、取消が不成立となり、その旨が顧客側通信端末に通知される。その場合、顧客は直接宿泊施設に連絡する等の他の手段により予約の取消をすることになる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月30日(2014.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３色ＬＥＤを備えた照明用３色ＬＥＤ群を備え、周囲環境の照度を検出する照度センサと、人を検知する人感センサとを用いて、前記照明用３色ＬＥＤ群の照明光を制御するＬＥＤ照明器具であって、
前記照明用３色ＬＥＤ群を予め決めた設定色で点灯させる第１の点灯制御部と、前記設定色で点灯している状態で、前記人感センサが周囲環境照度がある照度値以下で人を検知したとき、人を検知後の所定期間は前記照明用３色ＬＥＤ群を白色で点灯させる第２の点灯制御部と、前記所定期間を経過後に前記照明用３色ＬＥＤ群を元の設定色で点灯させる第３の点灯制御部とを備えた点灯制御部と、
ユーザ操作に基づいて前記設定色を変更するためのコマンドを生成する点灯状態設定部と、
を具備したことを特徴とする調色型ＬＥＤ照明器具。
【請求項２】
３色ＬＥＤを備えた照明用３色ＬＥＤ群を備え、周囲環境の照度を検出する照度センサと、人を検知する人感センサとを用いて、前記照明用３色ＬＥＤ群の照明光を制御するＬＥＤ照明器具であって、
前記人感センサによって人を検知しないときは、前記照明用３色ＬＥＤ群を消灯状態とさせる第１の点灯制御部と、前記照明用３色ＬＥＤ群が消灯している状態で、前記人感センサが周囲環境照度がある照度値以下で人を検知したとき、人を検知後の所定期間は前記照明用３色ＬＥＤ群を予め決めた設定色で点灯させる第２の点灯制御部と、前記所定期間を経過後に前記照明用３色ＬＥＤ群を元の消灯状態に戻す第３の点灯制御部とを備えた点灯制御部と、
ユーザ操作に基づいて前記設定色を変更するためのコマンドを生成する点灯状態設定部と、
を具備したことを特徴とする調色型ＬＥＤ照明器具。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月30日(2014.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なった方向の複数の点灯面にそれぞれ対応した複数のＬＥＤ群を切り替えることによって、複数の点灯面を切替え点灯する照明用ＬＥＤ群を備え、周囲環境の照度を検出する照度センサと、人を検知する人感センサとを用いて、前記照明用ＬＥＤ群の複数の点灯面を切替え制御するＬＥＤ照明器具であって、
前記照明用ＬＥＤ群のうちの主の点灯面としての第１の点灯面以外の予め決めた設定点灯面に対応したＬＥＤ群を点灯させる第1の点灯制御部と、前記設定点灯面に対応したＬＥＤ群が点灯している状態で、前記人感センサが周囲環境照度がある照度値以下で人を検知したとき、人を検知後の所定期間は前記照明用ＬＥＤ群のうちの前記第１の点灯面に対応したＬＥＤ群を点灯させる第２の点灯制御部と、前記所定期間を経過後に元の前記設定点灯面に対応したＬＥＤ群を点灯させる第３の点灯制御部とを備えた点灯制御部と、
ユーザ操作に基づいて前記設定点灯面を変更するためのコマンドを生成する点灯状態設定部と、
を具備したことを特徴とする点灯面切替型ＬＥＤ照明器具。
【請求項２】
異なった方向の複数の点灯面にそれぞれ対応した複数のＬＥＤ群を切り替えることによって、複数の点灯面を切替え点灯する照明用ＬＥＤ群を備え、周囲環境の照度を検出する照度センサと、人を検知する人感センサとを用いて、前記照明用ＬＥＤ群の複数の点灯面を切替え制御するＬＥＤ照明器具であって、
前記人感センサによって人を検知しないときは、前記照明用ＬＥＤ群を消灯状態とさせる第１の点灯制御部と、前記照明用ＬＥＤ群が消灯している状態で、前記人感センサが周囲環境照度がある照度値以下で人を検知したとき、人を検知後の所定期間は前記照明用ＬＥＤ群のうちの予め決めた設定点灯面に対応したＬＥＤ群を点灯させる第２の点灯制御部と、前記所定期間を経過後に前記照明用ＬＥＤ群を元の消灯状態に戻す第３の点灯制御部とを備えた点灯制御部と、
ユーザ操作に基づいて前記設定点灯面を変更するためのコマンドを生成する点灯状態設定部と、
を具備したことを特徴とする点灯面切替型ＬＥＤ照明器具。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月30日(2014.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのＬＥＤを含む照明用ＬＥＤ群を備え、周囲環境の照度を検出する照度センサと、人を検知する人感センサとを用いて、前記照明用ＬＥＤ群の照明光を制御するＬＥＤ照明器具であって、
前記照明用ＬＥＤ群を予め決めた所定の低い輝度で点灯させる第１の点灯制御部と、前記所定の低い輝度で点灯している状態で、前記人感センサが周囲環境照度がある照度値以下で人を検知したとき、人を検知後の所定期間は前記照明用ＬＥＤ群を所定の高い輝度で点灯させる第２の点灯制御部と、前記所定期間を経過後に前記照明用ＬＥＤ群を元の前記所定の低い輝度で点灯させる第３の点灯制御部とを備えた点灯制御部と、
ユーザ操作に基づいて前記所定の低い輝度を変更するためのコマンドを生成する点灯状態設定部と、
を具備したことを特徴とする調光型ＬＥＤ照明器具。
【請求項２】
少なくとも１つのＬＥＤを含む照明用ＬＥＤ群を備え、周囲環境の照度を検出する照度センサと、人を検知する人感センサとを用いて、前記照明用ＬＥＤ群の照明光を制御するＬＥＤ照明器具であって、
前記人感センサによって人を検知しないときは、前記照明用ＬＥＤ群を消灯状態とさせる第１の点灯制御部と、前記照明用ＬＥＤ群が消灯している状態で、前記人感センサが周囲環境照度がある照度値以下で人を検知したとき、人を検知後の所定期間は前記照明用ＬＥＤ群を予め決めた所定の高い輝度で点灯させる第２の点灯制御部と、前記所定期間を経過後に前記照明用ＬＥＤ群を元の消灯状態に戻す第３の点灯制御部とを備えた点灯制御部と、
ユーザ操作に基づいて前記所定の高い輝度を変更するためのコマンドを生成する点灯状態設定部と、
を具備したことを特徴とする調光型ＬＥＤ照明器具。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月2日(2014.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧処理室に、第一のガスを供給するための第一のガス導入機構を有し、かつ、前記減圧処理室の外部から誘電体窓を介して、電磁波を投入してプラズマを生成し、このプラズマにより前記第一のガスからラジカルを生成させ、このラジカルを試料台に載置された試料に照射し、かつ、前記試料台に接続された第一の高周波電源から高周波電力を投入して前記試料にバイアス電圧を発生させ、エッチングを行うプラズマエッチング装置において、
前記第一のガス導入機構とは別に第二のガスを供給するためのガス導入機構を有しており、かつ、前記試料台に第一の高周波電源とは周波数が異なり、前記試料の外周周辺にラジカルを発生させる高周波電力を投入するための第二の高周波電源を有することを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマエッチング装置において、
前記第二のガスは、前記試料の最外周から前記試料直径の１／５以内の位置から供給されるものであることを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項３】
請求項１記載のプラズマエッチング装置において、
前記第二の高周波電源の周波数が４ＭＨｚ以上でかつ、前記第一の高周波電源の周波数が前記第二の高周波電源の周波数より低いことを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項４】
請求項１記載のプラズマエッチング装置において、
前記電磁波がマイクロ波であって、かつ、前記減圧処理室内に磁場を生成させるための、ソレノイドコイルを有することを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項５】
請求項１記載のプラズマエッチング装置において、
前記試料台の外周部に誘電体製のリングを有しており、このリング上に前記第二のガスの導入穴を有することを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項６】
請求項３に記載のプラズマエッチング装置において、
前記試料台の外周部に誘電体製のリングを有しており、このリング上に前記第二のガスの導入穴を有することを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項７】
請求項５記載のプラズマエッチング装置において、
前記第二のガスの導入穴は、前記リング内に設けられた円周状のスリットであることを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項８】
請求項５記載のプラズマエッチング装置において、
前記第二のガスの導入穴は、ピッチａで前記リングに沿い、かつ前記試料の最外周からの距離がｂとなるように配置され、ａ／ｂが１以下であることを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項９】
請求項５記載のプラズマエッチング装置において、
前記第二のガスの導入穴は、前記試料の最外周からの距離がｂ、前記誘電体窓からの距離がｃとなるように配置され、ｂ／（ｂ＋ｃ）が０．５以下であることを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項１０】
請求項１に記載のプラズマエッチング装置において、
前記第二のガスは、酸素ガスもしくはフロロカーボンガスであることを特徴とするプラズマエッチング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】