【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年11月25日(2013.11.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機化合物が結合した半導体ナノ物質が分散している有機半導体マトリックスを含むタイプのハイブリッド半導体材料であって、前記有機マトリックスが小半導体分子を含み、半導体ナノ物質に結合した前記有機化合物が、前記小半導体分子の場合と同様のπ電子共役系の構造をもつ活性電気官能基を有しており、前記ナノ物質が、１００ナノメートルよりも短い少なくとも２つの寸法と、１０を超える長さ／直径比を有することを特徴とする材料。
【請求項２】
前記有機化合物が、ナノ物質に共有結合的に結合するための官能基も有することを特徴とする、請求項１に記載の材料。
【請求項３】
ナノ物質がナノワイヤであることを特徴とする、請求項１または２に記載の材料。
【請求項４】
ナノワイヤがシリコンナノワイヤであることを特徴とする、請求項３に記載の材料。
【請求項５】
ナノワイヤがゲルマニウム−シリコンナノワイヤであることを特徴とする、請求項３に記載の材料。
【請求項６】
ナノワイヤが、酸化亜鉛ＺｎＯのナノワイヤであることを特徴とする、請求項３に記載の材料。
【請求項７】
ナノワイヤが、ヒ化ガリウムＧａＡｓのナノワイヤであることを特徴とする、請求項３に記載の材料。
【請求項８】
ナノ物質がカーボンナノチューブであることを特徴とする、請求項１または２に記載の材料。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の材料を含むことを特徴とするデバイス。
【請求項１０】
トランジスタであることを特徴とする請求項９に記載のデバイス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
ナノ物質は、空間における３つの寸法のうち少なくとも２つが、１００ナノメートルよりも短い物質と定義される
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
この特許出願では、単純な有機基であるが半導体マトリックスを構成するポリマーを構成する単位とは全て異なる基が、無機半導体ナノ粒子に共有結合的に結合している。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
しかし、結合した有機基は、マトリックスを構成する有機半導体部分とシリコンナノ粒子との間に電荷移動をもたらす適切な基を持たない。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
この目的のため、本発明は、有機化合物が結合した半導体ナノ物質が分散している有機半導体マトリックスを含むタイプの半導体ハイブリッドであって、前記有機マトリックスが小さい半導体分子を含み、半導体ナノ物質に結合した前記有機化合物が、小さい前記半導体分子の場合と同様のπ電子共役系の構造を有する活性電気官能基を有することを特徴とする、半導体ハイブリッドを提案する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
好ましくは、前記有機化合物は、ナノ物質に共有結合的に結合するための官能基も有する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
本発明のハイブリッド半導体材料は、有機化合物が結合した、ドープされまたはドープされていない半導体ナノ物質を、有機半導体マトリックス中に分散させることによって調製される。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
したがって、ナノ物質に結合した有機化合物は、２官能性タイプのものであり、その一方は、本明細書では反応性基と呼ばれ、ナノ物質との共有結合性の結合に役立つものであり、もう一方は、本明細書では活性電気部分と呼ばれ、ホストマトリックスとの適合化および電荷移動に役立つ。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
電荷移動を得るために、本発明のナノ物質に結合した有機化合物は、π結合、ｎ電子、ｄ軌道、または酸化還元タイプの種など、電荷移動を得るのに適したモチーフを含む。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
ホストマトリックスとの適合化を得るために、結合した有機化合物の活性電気部分は、使用される有機マトリックスに応じて選択される。活性部分は、有機マトリックスと同様であり、即ち同じ基本骨格を有すると言える。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
活性有機化合物は、いくつかのステップで結合させることができる。例えば、第１の有機部分は、ペンダント反応性基と共にナノ物質に結合させることができ、次いでこのペンダント反応性基を、１つまたは複数の反応によって官能化して、活性電気官能基に結合することができる。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
２重の目的は、ナノ物質に有機化合物を共有結合的に結合させることによって達成される。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
有機化合物は、ナノ物質が基材に結合するときに、一般に結合される。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
ナノ物質の壁は、酸化物が事前に除去されているシリコン表面での不飽和化合物またはジアゾニウム塩の反応によって、トリハロゲン化シランまたはトリアルコキシシランにより表面酸化物に化学的に結合させるなどの、様々な方法によって、化学的に官能化することができる。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
トリフェニルアミン誘導体が結合したシリコンナノワイヤによる、ｐ型のハイブリッド材料の被膜を有するトランジスタの製造。
１）ＴＰＡ誘導体の合成：
１−（４−（ジフェニルアミノ）フェニル）−３−（３−（トリエトキシシリル）プロピル）尿素（ＴＰＡの誘導体）を、ジフェニルアミンおよび４−フルオロニトロベンゼンから３つのステップで、即ちｐ−ニトロ−トリフェニルアミンを形成するステップと、ニトロ基からアミノに還元するステップと、乾燥エタノール中での還流下、ｐ−アミノ−トリフェニルアミンにイソシアナトプロピルトリエトキシシランを添加することによってトリエトキシシラン官能基を導入するステップで合成する。生成物は、ペンタンにおける沈殿、濾過、および乾燥により、褐色固体の形態で得られ、その全収率は３７％である。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
NMR 1H (200MHz, DMSO, 300 K): δ (ppm) = 0.55 (t, 2H, 3J = 8.3Hz, Hc), 1.14 (t, 9H, 3J = 7.3Hz, Ha), 1.47 (p, 2H, 3J = 8.3Hz, Hd), 3.03 (t, 2H, 3J = 8.3Hz, He),
3.74 (q, 6H, 3J = 7.3Hz, Hb), 6.14 (s, 1H, Hf), 6.94 (m, 8H, Hk + Hn + Hp), 7.28 (m, 6H, Hj+ Ho), 8.41 (s, 1H, Hh).
NMR 13C {1H} (200MHz, DMSO, 300 K): δ (ppm) = 8.4 (Cc), 19.4 (Ca), 24.5 (Cd), 42.1 (Ce), 56.9 (Cb), 119.9 (Cj), 122.7 (Cp), 123.3 (Cn), 127.1 (Ck), 130.2 (Co),
137.8 (Cj), 141.1 (Cl), 148.4 (Cm), 156.1 (Cg).
MALDI-TOF: m/z = 530.25 [M+Na]+, 316.16 [M-CH2CH2Si(OEt)3]+.
HRMS (EI): C28H37N3NaO4Siの計算値: 530.24455, 実測値: 530.24656 Err (ppm) - 3.79.
IR (ATR, cm-1): 3321 (ν N-H), 3062 (ν C-HAr), 2973 (νas C-H), 2873 (νs C-H),
1641 (ν C=O), 1597および1509 (ν C=CAr), 1565 (δ N-H), 1271 (ν C-N), 1235 (
ν C-C), 1078 (νas Si-O-C), 957 (νs Si-O-C), 754 (γ C-HAr), 695 (γ 環).
UV/vis (EtOH): λmax/nm (ε/L.mol-1・cm-1, 遷移) = 232 (14420, π→π* E2バンド), 301 (25000, p→π).
２）シリコンナノワイヤへのＴＰＡ誘導体の結合
その成長基材（１ｃｍ２シリコンウェハー）により保持されたままのｐドープシリコンナノワイヤ（Ｂ／Ｓｉ＝４．１０−４）を、エタノールおよびアセトンで洗浄し、次いでプレートをアルゴン中で乾燥した。これらのｐ型シリコンナノワイヤは、その平均長さが５μｍであり、平均直径は１００ｎｍを中心とする。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
次いでプレートをPiranha溶液（Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２  ７０／３０）に１５分間浸漬
し、次いで脱イオン水で濯ぎ、アルゴンで乾燥する。第２の活性化ステップでは、プレートをオゾン中で４５分間紫外線に曝し、次いで１−（４−（ジフェニルアミノ）フェニル）−３−（３−（トリエトキシシリル）プロピル）尿素のトルエン溶液（１０−３Ｍ）に浸漬し、これを、撹拌せずに８０℃で４時間加熱する。冷却後、プレートを除去し、次いでエタノールおよびアセトンで濯ぎ、アルゴンで乾燥する。このように官能化されたナノワイヤを、１分間の超音波処理（出力：１００％）によって１ｍｌのトルエン中で成長基材から分離する。
３）有機半導体マトリックスα−ＮＰＤ中の、ＴＰＡ誘導体によって官能化されたシリコンナノワイヤの分散
ＴＰＡ誘導体によって官能化されたシリコンナノワイヤを分散させるための、この実施例で使用される有機半導体マトリックス（小分子）は、α−（ナフチル）フェニレンジアミン（α−ＮＰＤ）である。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７４】
ペリレン誘導体が結合したシリコンナノワイヤを有するｎ型ハイブリッド材料の被膜を有するトランジスタの製造。
１）シリコンナノワイヤでの非対称ペリレンジイミドの合成および結合：
Ｎ−オクチル−Ｎ’アセチレニルフェニルペリレン−３，４，９，１０−ビス（ジカルボキシミド）（ＰＤＩ−８−アセチレニルフェニル）を、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物（ＰＤＡ）から、３ステップで合成する。この後者の無水物官能基の１つを、高温水酸化カリウム中での処理によって開き、次いで５．５＜ｐＨ＜６．５になるまでリン酸を添加して、ペリレン一無水物一酸モノカルボキシレートの一カリウム塩を得る。Ｎ−オクチルアミンを４当量添加することは、高温水酸化カリウム中での処理によって精製した後にＮ−オクチル−３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸−３，４−無水物−９，１０−イミド（ＰＡＩ−８）を得るのに役立つ。最後に、このペリレン一無水物モノイミドとトルエン中の４当量のエチニルアニリンとの還流下での反応は、溶離剤として９０：１０のクロロホルム／酢酸混合物を用いたシリカカラムでの精製の後に、赤色固体の形態をとる所望の生成物ＰＤＩ−８−アセチレニルフェニルの形成をもたらし、その全収率は４４％である。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
NMR 1H (500MHz, CDCl3, 300 K): δ (ppm) = 0.80 (t, 3H, CH3), 1.32 (m, 10H, CH2),
1.87 (m, 2H, NCH2CH2), 3.12 (s, 1H, CH), 4.21 (t, 2H, NCH2), 7.53 (d, 2H, 3J = 8.1Hz, CHAr), 7.78 (d, 2H, 3J = 8.1Hz, CHAr), 8.28 (d, 2H, 3J = 8.1Hz, CHperylene), 8.39 (d, 2H, 3J = 8.4Hz, CHperylene), 8.48 (d, 2H, 3J = 8.4Hz, CHperylene), 8.60 (d, 2H, 3J = 8.1Hz, CHperylene).
NMR 13C{1H} (500MHz, CDCl3, 300 K): δ (ppm) = 14.1 (CH3); 22.7; 26.7; 28.5; 29.3; 30.2; 31.8; 38.2; (7 C, CH2); 81.4 (CH); 82.3 (C≡CH); 111.3 (CHAr); 118.3 (CAr); 124.5; 126.1; 126.7; 128.1; 128.4; 128.8; 129.2; 129.6; 130.4; 130.6; 130.9; 131.2; 135.2; 135.7; (23 C, CAr + CHAr+ CHperylene + Cperylene); 158.6; 159.3 (4 C, C=O).
IR (ATR, cm-1): 3267 (ν C-H), 3062 (ν C-HAr), 2973 (νas C-H), 2873 (νs C-H),
2103 (ν C≡H), 1693および1652 (ν C=O), 1597および1509 (ν C=CAr), 1271 (ν C-N), 1235 (ν C-C), 808 (γ C-HAr), 747 (γ 環).
２）シリコンナノワイヤへの非対称ペリレンジイミドの結合：
その成長基材（１ｃｍ２シリコンウェハー）により保持されたままのｎドープシリコンナノワイヤ（Ｐ／Ｓｉ＝２×１０−４）を、エタノールおよびアセトンで洗浄し、次いでプレートをアルゴン下で乾燥する。これらのｎ型シリコンナノワイヤは、その平均長さが４μｍであり、平均直径は１００ｎｍを中心とする。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７７】
次いでプレートを、希薄なフッ化水素酸溶液（１％）に２分間浸漬し、次いで脱イオン水で濯ぐ。次いでフッ化アンモニウム溶液（４０％）に２分間浸漬し、次いで脱イオン水で濯ぎ、アルゴンで乾燥する。次いでこれを、Ｎ−オクチル−Ｎ’アセチレニルフェニルペリレン−３，４，９，１０−ビス（ジカルボキシミド）のメシチレン溶液（１０−３Ｍ）が入っている冷却器を備えたフラスコに導入し、後者を撹拌せずにアルゴン下に２時間、１８０℃で加熱する。冷却後、プレートを除去し、次いでエタノールおよびアセトンで濯ぎ、アルゴンで乾燥する。このように官能化されたナノワイヤを、１分間の超音波処理（出力１００％）によって、ＯＤＣＢ（オルトジクロロベンゼン）１ｍｌ中で成長基材から分離する。
３）有機半導体マトリックスＰＤＩ８−ＣＮ２における非対称ペリレンジイミドによって官能化されたシリコンナノワイヤの分散：
非対称ＰＤＩによって機能化されたシリコンナノワイヤを分散させるための、この実施例で使用されるｎ型（小分子）の有機半導体マトリックスは、下記のペリレンジイミドである。