【手続補正書】
【提出日】平成26年11月11日(2014.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層、活性層および第２導電型半導体層がこの順に設けられ、前記第２導電型半導体層に光取り出し面を有する積層体と、
少なくとも前記活性層の端面近傍に設けられ、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する再結合抑制構造と
を備えた発光素子。
【請求項２】
前記再結合抑制構造は、前記活性層の構成材料よりも大きなバンドギャップを有する構成材料からなると共に前記活性層の端面を外側から覆う結晶化膜により構成されている
請求項１記載の発光素子。
【請求項３】
前記結晶化膜は前記積層体全体の端面を覆う
請求項２記載の発光素子。
【請求項４】
前記活性層はＡｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｐ，Ａｓのうちの少なくとも一つの元素を含み、
前記結晶化膜は、前記活性層に含有される元素を少なくとも一つ含む
請求項２または３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記結晶化膜は、Ａｌ2Ｏ3を含み、
前記Ａｌ2Ｏ3は、Ａｌを含む膜を酸化したものである
請求項２ないし４のうちいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項６】
前記Ａｌを含む膜は、ＡｌＡｓ膜である
請求項５記載の発光素子。
【請求項７】
前記結晶化膜の膜厚は１００ｎｍ以下である
請求項２ないし６のうちいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項８】
前記結晶化膜が互いにバンドギャップの大きさの異なる複数の膜により構成されている
請求項２ないし７のうちいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項９】
前記複数の膜のうち、前記活性層から最も離れた膜がＡｌ2Ｏ3を含み、
前記Ａｌ2Ｏ3は、Ａｌを含む膜を成膜した後、酸化させることにより形成されている
請求項８記載の発光素子。
【請求項１０】
前記活性層の周縁に、前記活性層のバンドギャップを拡張する物質を含む拡散部を有する
請求項２ないし９のうちいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項１１】
前記物質は、亜鉛（Ｚｎ）である
請求項１０記載の発光素子。
【請求項１２】
前記積層体の周縁に絶縁部を有する
請求項１ないし１１のうちいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項１３】
前記絶縁部は前記第１導電型半導体層の周縁の第１絶縁部と前記第２導電型半導体層の周縁の第２絶縁部とを含み、
前記第１絶縁部と前記第２絶縁部との間に、前記活性層のバンドギャップを拡張する物質を含む拡散部を有する
請求項１２記載の発光素子。
【請求項１４】
前記活性層の面積は２５００μｍ2以下である
請求項１ないし１３のうちいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項１５】
前記再結合抑制構造は、前記活性層のバンドギャップを拡張する物質を含むと共に前記活性層の周縁に設けられた拡散部により構成されている
請求項１記載の発光素子。
【請求項１６】
発光素子を備え、
前記発光素子は、
第１導電型半導体層、活性層および第２導電型半導体層がこの順に設けられ、前記第２導電型半導体層に光取り出し面を有する積層体と、
少なくとも前記活性層の端面近傍に設けられ、前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する再結合抑制構造と
を備えた発光装置。
【請求項１７】
第１導電型半導体層、活性層および第２導電型半導体層がこの順に設けられ、前記第２導電型半導体層に光取り出し面を有する積層体を形成する工程と、
少なくとも前記活性層の端面近傍に前記活性層よりも大きなバンドギャップを有する再結合抑制構造を形成する工程と
を含む発光素子の製造方法。
【請求項１８】
前記再結合抑制構造は、前記活性層の構成材料よりも大きなバンドギャップを有する構成材料からなると共に前記活性層の端面を外側から覆う結晶化膜により構成され、
前記結晶化膜は、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法またはスパッタリング法のうちどちらか一方により形成する
請求項１７記載の発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記積層体を７００℃以上の温度でアニールした後、前記結晶化膜を成膜する
請求項１８記載の発光素子の製造方法。
【請求項２０】
前記第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層および前記結晶化膜をこの順に形成した後、前記第２導電型半導体層の上面の前記結晶化膜を除去して前記光取り出し面とする
請求項１８または１９に記載の発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る発光素子の構成を表す図である。
【図２】図１に示した発光素子の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図３】図２に続く工程を表す断面図である。
【図４】発光素子の大きさと発光強度との関係を表す図である。
【図５】比較例に係る発光素子の構成を表す図である。
【図６】図１に示した発光素子のＰＬ（Photo luminescence）像の強度ラインプロファイルを表す図である。
【図７】図５に示した発光素子のＰＬ像の強度ラインプロファイルを表す図である。
【図８】図１に示した発光素子のＣＬ（Cathode luminescence）像を表す図である。
【図９】図１に示した発光素子および図５に示した発光素子の発光効率を表す図である。
【図１０】図１に示した活性層および結晶化膜のエネルギーバンドを模式的に表す図である。
【図１１】変形例１に係る発光素子の構成を表す断面図である。
【図１２】変形例２に係る発光素子の構成を表す図である。
【図１３】図１２に示した発光素子の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図１４】本開示の第２の実施の形態に係る発光素子の構成を表す図である。
【図１５】図１４に示した発光素子の製造方法の第１例を工程順に表す断面図である。
【図１６】図１５に示した発光素子の製造方法の一工程における他の例を表す断面図である。
【図１７】図１４に示した発光素子の製造方法の第２例を工程順に表す断面図である。
【図１８】図１４に示した発光素子の製造方法の第３例を工程順に表す断面図である。
【図１９】図１４に示した発光素子の製造方法の第４例を工程順に表す断面図である。
【図２０】変形例３に係る発光素子の構成を表す断面図である。
【図２１】図２０に示した発光素子の製造方法の一例を工程順に表す断面図である。
【図２２】本開示の第３の実施の形態に係る発光素子の構成を表す図である。
【図２３】変形例４に係る発光素子の構成を表す断面図である。
【図２４】図１等に示した発光素子を適用した発光装置の構成を表す図である。
【図２５】図２４に示した発光装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２６】適用例２の外観を表す斜視図である。
【図２７】適用例２の外観の他の例を表す斜視図である。
【図２８】適用例３の外観を表す斜視図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態
結晶化膜により活性層の端面を覆った例
２．変形例１
結晶化膜が複数の膜により構成されている例
３．変形例２
積層体の周縁に絶縁部を有する例
４．第２の実施の形態
活性層の周縁に拡散部を設けた例
５．変形例３
積層体の周縁に絶縁部を有する例
６．第３の実施の形態
結晶化膜および拡散部を有する例
７．変形例４
積層体の周縁に絶縁部を有する例
８．適用例
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
まず、拡散物質dを含んだ結晶化膜２１Ｃを、上記結晶化膜２１と同様にして形成した後（図２（Ｃ））、ｐ型クラッド層１４の表面の結晶化膜２１Ｃをドライエッチングまたはウェットエッチング等の方法により除去する（図１５（Ａ））。このとき、図１６に表したように、ｐ型クラッド層１４の表面の端部には結晶化膜２１Ｃが残っていてもよい。次いで、例えば、４００〜６００℃の熱処理により結晶化膜２１Ｃから端面１０Ｅを介して活性層１３の周縁に拡散物質dを拡散させ、拡散部１０Ｄを形成する（図１５（Ｂ））。結晶化膜２１Ｃに代えて、ＺｎＯ膜あるいはＳｉＮ，ＳｉＯ等の絶縁膜３１を介してＺｎを拡散させるようにしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
更に、ｐ型クラッド層１４の第２絶縁部１４Ｉを用いて、拡散部１０Ｄを形成するようにしてもよい。まず、図１９（Ａ）に表したように、ｐ型クラッド層１４の所望の位置２箇所（内周と外周）に例えばインプラにより第２絶縁部１４Ｉを形成する。この２箇所の第２絶縁部１４Ｉの間の領域が拡散部１０Ｄ形成領域となる。次いで、ｐ型クラッド層１４の表面に、開口部分が拡散部１０Ｄ形成領域に対応するようマスク４３を形成した後、マスク４３上に拡散源層２２を形成する（図１９（Ｂ））。マスク４３を使用せずに上記のように（図１８）、パターニングした拡散源層２２を用いるようにしてもよい。拡散源層２２を形成した後、例えば熱処理等を行うことにより拡散部１０Ｄを形成する（図１９（Ｃ））。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
図２５は、上記発光装置５が適用される表示装置の外観を表したものである。この表示装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態に係る発光装置５により構成されている。