Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月23日(2014.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所望の照射野に向けてＸ線を照射するＸ線源と、
前記Ｘ線源から照射された前記Ｘ線の強度を検出するＸ線検出器と、
前記Ｘ線検出器で検出された前記Ｘ線の強度に基づいてＸ線画像を生成する画像データ生成部と、
を備えたＸ線診断装置であって、
前記Ｘ線検出器と前記Ｘ線源との間に介在し、前記Ｘ線源から照射された前記Ｘ線の線量を検出する線量検出部と、
前記照射野における複数の部分領域ごとにあらかじめＸ線のＳＮ比を算出し、当該部分領域ごとのＸ線の強度を基に、所定の領域に対する各領域のＸ線のＳＮ比の分布を示す分布データを生成する分布データ生成部と、
あらかじめ生成された前記分布データと、前記線量検出部で検出された前記線量とを基に、前記領域ごとの線量を算出する線量データ生成部と、
を備えたことを特徴とするＸ線診断装置。
【請求項２】
分布データ生成部は、前記所定の領域におけるＸ線のＳＮ比に対する、前記各領域におけるＸ線のＳＮ比の比率の分布を基に前記分布データを生成することを特徴とする請求項１に記載のＸ線診断装置。
【請求項３】
前記領域ごとに算出された前記線量を、前記Ｘ線画像上の当該領域に対応する部分に識別可能に表示させる表示制御部を備えたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＸ線診断装置。
【請求項４】
所望の照射野に向けてＸ線を照射するＸ線源と、
前記Ｘ線源から照射された前記Ｘ線の強度を検出するＸ線検出器と、
前記Ｘ線検出器で検出された前記Ｘ線の強度に基づいてＸ線画像を生成する画像データ生成部と、
前記Ｘ線検出器と前記Ｘ線源との間に介在し、前記Ｘ線源から照射された前記Ｘ線の線量を検出する線量検出部と、
を備えたＸ線診断装置を用いた線量管理方法であって、
前記Ｘ線源から前記照射野に向けてＸ線を照射し、前記Ｘ線検出器で検出された前記Ｘ線の強度を基に、前記照射野における部分領域ごとのＸ線の強度を算出し、当該部分領域ごとのＸ線の強度を基に、所定の領域に対する各領域のＸ線のＳＮ比の分布を示す分布データをあらかじめ生成する準備段階と、
前記Ｘ線源から被検体に向けて前記Ｘ線を照射し、前記線量検出部で前記線量を検出するととともに、前記Ｘ線検出器で前記領域ごとに前記Ｘ線の強度を検出する検査段階と、
検出された当該線量と、前記分布データとを基に、前記領域ごとの線量を算出する線量算出段階と、
を備えたことを特徴とする線量管理方法。
【請求項５】
前記検査段階において、前記被検体を透過し前記Ｘ線検出器で検出された前記Ｘ線の強度を基に、前記被検体に対する前記Ｘ線画像を生成する画像データ生成段階と、
前記線量算出段階において、前記領域ごとに算出された線量を、前記Ｘ線画像上の当該領域に対応する部分に識別可能に表示させる表示段階と、
を備えたことを特徴とする請求項４に記載の線量管理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、この実施形態の第１の態様は、Ｘ線源と、Ｘ線検出器と、画像データ生成部と、線量検出部と、分布データ生成部と、線量データ生成部と、を備えたＸ線診断装置である。Ｘ線源は、所望の照射野に向けてＸ線を照射する。Ｘ線検出器は、Ｘ線源から照射されたＸ線の強度を検出する。画像データ生成部は、Ｘ線検出器で検出されたＸ線の強度に基づいてＸ線画像を生成する。線量検出部は、Ｘ線検出器とＸ線源との間に介在し、Ｘ線源から照射されたＸ線の線量を検出する。分布データ生成部は、照射野における複数の部分領域ごとにあらかじめＸ線のＳＮ比を算出する。また、分布データ生成部は、当該部分領域ごとのＸ線の強度を基に、所定の領域に対する各領域のＸ線のＳＮ比の分布を示す分布データを生成する。線量データ生成部は、あらかじめ生成された分布データと、線量検出部で検出された線量とを基に、領域ごとの線量を算出する。
また、この実施形態の第２の態様は、Ｘ線源と、Ｘ線検出器と、画像データ生成部と、線量検出部と、を備えたＸ線診断装置を用いた線量管理方法である。Ｘ線源は、所望の照射野に向けてＸ線を照射する。Ｘ線検出器は、前記照射野を複数の領域に分割し、前記領域ごとに、前記Ｘ線源から照射された前記Ｘ線の強度を検出する。画像データ生成部は、前記Ｘ線検出器で検出された前記Ｘ線の強度に基づいてＸ線画像を生成する。線量検出部は、前記Ｘ線検出器と前記Ｘ線源との間に介在し、前記Ｘ線源から照射された前記Ｘ線の線量を検出する。線量管理方法は、準備段階と、検査段階と、線量算出段階と、を備えている。準備段階では、前記Ｘ線源から前記照射野に向けてＸ線を照射し、前記Ｘ線検出器で検出された前記Ｘ線の強度を基に、前記照射野における部分領域ごとのＸ線の強度を算出する。また、準備段階では当該部分領域ごとのＸ線の強度を基に、所定の領域に対する各領域のＸ線のＳＮ比の分布を示す分布データをあらかじめ生成する。検査段階は、前記Ｘ線源から被検体に向けて前記Ｘ線を照射し、前記線量検出部で前記線量を検出するととともに、前記Ｘ線検出器で前記領域ごとに前記Ｘ線の強度を検出する。線量算出段階は、検出された当該線量と、前記分布データとを基に、前記領域ごとの線量を算出する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月2日(2014.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ローパス型ΔΣ変調器のｚ領域モデルにおけるｚを、以下のｚ’に置き換えることでバンドパス型ΔΣ変調器（θ０＝±（π／２）×ｎを除く；ｎは１以上の整数）を得ることを特徴とするバンドパス型ΔΣ変調器の設計方法。
ｚ’＝ｆｃｎｖ（ｚ，θ０）
ただし、
ｆｃｎｖ（ｚ，θ０）は、任意のｚ，θ０について、ｆｃｎｖ（ｚ，θ０）の絶対値が常に１となる関数
θ０＝２π×（ｆ０／ｆｓ）
ｆｓは、サンプリング周波数
ｆ０は、前記バンドパス型ΔΣ変調器の量子化雑音阻止帯域の中心周波数
【請求項２】
ｆｃｎｖ（ｚ，θ０）は、一方の辺の値が１又は−１である恒等式における他方の辺の式であり、前記恒等式は、以下の式を変形することで得られたものである
請求項１記載の設計方法。
【数１】
2013081104.tif 000001
【請求項３】
ｚ’は、以下の式で表される請求項１又は２記載の設計方法。
【数２】
2013081104.tif 000002
【請求項４】
ｚ’は、以下の式で表される請求項１又は２記載の設計方法。
【数３】
2013081104.tif 000003
【請求項５】
ｚ’は、以下の式で表される請求項１又は２記載の設計方法。
【数４】
2013081104.tif 000004
【請求項６】
ｚ’は、以下の式で表される請求項１又は２記載の設計方法。
【数５】
2013081104.tif 000005
【請求項７】
ローパス型ΔΣ変調器のｚ領域モデルにおけるｚを、以下のｚ’に置き換えて得られたバンドパス型ΔΣ変調器（θ０＝±（π／２）×ｎを除く；ｎは１以上の整数）。
ｚ’＝ｆｃｎｖ（ｚ，θ０）
ただし、
ｆｃｎｖ（ｚ，θ０）は、任意のｚ，θ０について、ｆｃｎｖ（ｚ，θ０）の絶対値が常に１となる関数
θ０＝２π×（ｆ０／ｆｓ）
ｆｓは、サンプリング周波数
ｆ０は、前記バンドパス型ΔΣ変調器の量子化雑音阻止帯域の中心周波数
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（１）本発明は、ローパス型ΔΣ変調器のｚ領域モデルにおけるｚを、以下のｚ’に置き換えることでバンドパス型ΔΣ変調器（θ０＝±（π／２）×ｎを除く；ｎは１以上の整数）を得ることを特徴とするバンドパス型ΔΣ変調器の設計方法である。
ｚ’＝ｆｃｎｖ（ｚ，θ０）
ただし、
ｆｃｎｖ（ｚ，θ０）は、任意のｚ，θ０について、ｆｃｎｖ（ｚ，θ０）の絶対値が常に１となる関数
θ０＝２π×（ｆ０／ｆｓ）
ｆｓは、サンプリング周波数
ｆ０は、前記バンドパス型ΔΣ変調器の量子化雑音阻止帯域の中心周波数
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（７）他の観点からみた本発明は、ローパス型ΔΣ変調器のｚ領域モデルにおけるｚを、以下のｚ’に置き換えて得られたバンドパス型ΔΣ変調器（θ０＝±（π／２）×ｎを除く；ｎは１以上の整数）である。
ｚ’＝ｆｃｎｖ（ｚ，θ０）
ただし、
ｆｃｎｖ（ｚ，θ０）は、任意のｚ，θ０について、ｆｃｎｖ（ｚ，θ０）の絶対値が常に１となる関数
θ０＝２π×（ｆ０／ｆｓ）
ｆｓは、サンプリング周波数
ｆ０は、前記バンドパス型ΔΣ変調器の量子化雑音阻止帯域の中心周波数
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月14日(2014.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、
前記光電変換素子により得られた電荷を前記画素から信号として読み出す読み出し動作と、前記画素内の電荷をリセットするためのリセット動作とがそれぞれ行われるように、各画素を駆動する駆動部と、
前記読み出し動作により得られた信号に基づいて所定の信号処理を行い、出力信号を生成する信号処理部と
を備え、
前記駆動部は、前記読み出し動作と前記リセット動作とがそれぞれ所定の単位期間内で間欠的に複数回行われるように各画素を駆動し、
前記信号処理部は、前記単位期間内における１回目の前記読み出し動作により得られた第１の信号と、１回目の前記リセット動作が行われた後の２回目以降の前記読み出し動作により得られた第２の信号とに基づいて、前記信号処理として少なくとも加算処理を行うことにより、前記出力信号を生成する
撮像装置。
【請求項２】
前記信号処理部は、前記第１の信号と、前記第２の信号に対して所定の重み付け処理を行うことにより得られる重み付け信号と、に対して前記加算処理を行うことにより、前記出力信号を生成する
請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記信号処理部は、所定の重み付け係数を用いて前記重み付け処理を行うと共に、
前記第２の信号の信号強度が相対的に低い場合には、その信号強度が相対的に高い場合と比べ、前記重み付け係数がより小さくなるように設定されている
請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第２の信号の信号強度が所定の閾値以下の場合、その信号強度が低くなるのに応じて、前記重み付け係数が徐々に小さくなるように設定されている
請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第２の信号の信号強度が前記閾値以下の場合、前記重み付け係数が０（ゼロ）となるように設定されている
請求項３に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記信号処理部は、前記加算処理を行った後に、
撮像の際の露光強度と前記出力信号の信号強度との対応関係を線形化するための線形化処理を行うことにより、前記出力信号を生成する
請求項２ないし請求項５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記駆動部は、前記単位期間内で前記読み出し動作が間欠的に３回以上行われるように各画素を駆動し、
前記信号処理部は、前記２回目以降の複数回の読み出し動作により得られた前記第２の信号うち、全ての回の第２の信号、または、選択した一部の回の第２の信号を用いて、前記信号処理を行う
請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記単位期間が、１フレーム期間または複数のフレーム期間である
請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記読み出し動作と前記リセット動作とが、単一の駆動によって同時に行われる
請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記駆動部は、前記読み出し動作を行う際に用いられる信号線が一方の入力端子に接続されると共に所定のリセット電圧が他方の入力端子に入力されるチャージアンプを有し、
前記チャージアンプにおける仮想短絡現象を利用して、前記読み出し動作とともに前記リセット動作が行われる
請求項９に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記読み出し動作と前記リセット動作とが、互いに独立した駆動によって個別に行われる
請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
各画素はリセット用トランジスタを有し、
前記リセット用トランジスタがオン状態となることによって、前記リセット動作が行われる
請求項１１に記載の撮像装置。
【請求項１３】
前記リセット動作が、１水平期間を超える期間に亘って間欠的に複数回行われる
請求項１ないし請求項１２のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１４】
前記光電変換素子が、ＰＩＮ型またはＭＩＳ型のフォトダイオードからなる
請求項１ないし請求項１３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１５】
前記撮像部が、入射した放射線に応じて電気信号を発生させるものであり、放射線撮像装置として構成されている
請求項１ないし請求項１４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１６】
前記撮像部は、
前記光電変換素子を構成する光電変換層と、
前記放射線を前記光電変換層の感度域に波長変換する波長変換層と
を有する請求項１５に記載の撮像装置。
【請求項１７】
前記撮像部は、前記光電変換素子を構成すると共に前記放射線に応じて前記電気信号を直接発生させる光電変換層を有する
請求項１５に記載の撮像装置。
【請求項１８】
前記放射線がＸ線である
請求項１５ないし請求項１７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１９】
撮像装置と、この撮像装置により得られた撮像信号に基づく画像表示を行う表示装置とを備え、
前記撮像装置は、
各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、
前記光電変換素子により得られた電荷を前記画素から信号として読み出す読み出し動作と、前記画素内の電荷をリセットするためのリセット動作とがそれぞれ行われるように、各画素を駆動する駆動部と、
前記読み出し動作により得られた信号に基づいて所定の信号処理を行い、出力信号を生成する信号処理部と
を備え、
前記駆動部は、前記読み出し動作と前記リセット動作とがそれぞれ所定の単位期間内で間欠的に複数回行われるように各画素を駆動し、
前記信号処理部は、前記単位期間内における１回目の前記読み出し動作により得られた第１の信号と、１回目の前記リセット動作が行われた後の２回目以降の前記読み出し動作により得られた第２の信号とに基づいて、前記信号処理として少なくとも加算処理を行うことにより、前記出力信号を生成する
撮像表示システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月1日(2014.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体ケース（１）の一端に体毛処理ヘッド（２）が配置されており、
体毛処理ヘッド（２）に、せん断作用で体毛を切断するせん断部（１４）と、熱切断作用で体毛を切断する熱切断部（１５）とが設けてあることを特徴とする体毛処理装置。
【請求項２】
熱切断部（１５）が体毛処理ヘッド（２）のヘッドフレーム（１０）で、ヘッドフレーム（１０）から突出する第１位置と、第１位置よりヘッドフレーム（１０）に接近する第２位置とに位置変更可能に支持されており、
第１位置における熱切断部（１５）の位置が、せん断部（１４）の位置よりヘッドフレーム（１０）から離反させてある請求項１に記載の体毛処理装置。
【請求項３】
熱切断部（１５）がヘッドフレーム（１０）で、第１位置と、第２位置と、第２位置よりヘッドフレーム（１０）に接近する第３位置とに位置変更可能に支持されており、
第３位置における熱切断部（１５）の位置が、せん断部（１４）の位置よりヘッドフレーム（１０）に接近させてある請求項２に記載の体毛処理装置。
【請求項４】
熱切断部（１５）に、電熱によって体毛を熱切断する切断ユニット（３７）が設けられており、
熱切断部（１５）が第３位置に切換えられた状態において、切断ユニット（３７）への通電を遮断する請求項３に記載の体毛処理装置。
【請求項５】
熱切断部（１５）は、切断ユニット（３７）を備えた熱切断ヘッド（３６）を備えており、
熱切断ヘッド（３６）はヘッドフレーム（１０）で往復動自在に案内支持されて、ヘッドフレーム（１０）と熱切断ヘッド（３６）との間に配置したフロートばね（５１）でフロート支持してある請求項４に記載の体毛処理装置。
【請求項６】
熱切断ヘッド（３６）がフロートばね（５１）の付勢力に抗してフロート限界位置まで変位された状態において、切断ユニット（３７）への通電を遮断する請求項５に記載の体毛処理装置。
【請求項７】
熱切断部（１５）は、ヘッドフレーム（１０）で第１位置と第３位置との間で位置変更可能に支持される熱切断ベース（３５）と、切断ユニット（３７）を備えた熱切断ヘッド（３６）とを備えており、
熱切断ヘッド（３６）は、熱切断ベース（３５）で往復動自在に案内支持されて、熱切断ベース（３５）と熱切断ヘッド（３６）との間に配置したフロートばね（５１）でフロート支持されており、
熱切断ヘッド（３６）が、第１位置と第２位置のそれぞれの切換え位置において、熱切断ベース（３５）に対して上下フロートできる請求項４に記載の体毛処理装置。
【請求項８】
体毛処理ヘッド（２）に、肌面へ向かって加圧空気を送給する送風ファン（１６）が設けてある請求項１から７のいずれかひとつに記載の体毛処理装置。
【請求項９】
切断ユニット（３７）が、回転自在に支持される中心軸（５４）と、中心軸（５４）の周りに支持される１本の発熱線で構成した第１発熱体（５６）と、複数の発熱線で構成した第２発熱体（５７）とを含み、
切断ユニット（３７）を、その中心軸（５４）の回りに回転操作して、第１発熱体（５６）と、第２発熱体（５７）とのいずれかひとつを択一的に使用姿勢に切換え操作できる請求項５から８のいずれかひとつに記載の体毛処理装置。
【請求項１０】
熱切断ヘッド（３６）の外面に体毛を梳き流す毛梳体（５０）が設けられ、熱切断ヘッド（３６）の内部に発熱体（５６）を備えた切断ユニット（３７）と、切断ユニット（３７）を回転駆動するモーター（７６）とが配置されており、
切断ユニット（３７）を回転駆動した状態で体毛を熱切断する請求項５から８のいずれかひとつに記載の体毛処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月7日(2014.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザの脳波を取得する脳波電極と、
前記ユーザの眼電を取得する眼電電極と、
前記ユーザの酸素飽和度を取得する酸素飽和度センサと
を具備するＰＳＧ検査用頭部装具。
【請求項２】
請求項１に記載のＰＳＧ検査用頭部装具であって、
前記ＰＳＧ検査用頭部装具は、前記ユーザの頭部に装着されるヘッドバンドを有し、
前記脳波電極は、前記ヘッドバンドによって前記ユーザの頭部の所定位置に配置され、
前記眼電電極は、前記ヘッドバンドによって前記ユーザのこめかみに配置され、
前記酸素飽和度センサは、前記ヘッドバンドによって前記ユーザの額に配置される
ＰＳＧ検査用頭部装具。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のＰＳＧ検査用頭部装具であって、
前記脳波電極は、国際１０／２０法に規定される、Ｆ３、Ｆ４、Ｃ３、Ｃ４、Ｏ１及びＯ２の電極位置に配置される
ＰＳＧ検査用頭部装具。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＰＳＧ検査用頭部装具であって、
前記ＰＳＧ検査用頭部装具は、取得された信号から終夜睡眠ポリグラフを生成する信号処理部をさらに具備する
ＰＳＧ検査用頭部装具。
【請求項５】
ユーザの脳波を取得する脳波電極と、前記ユーザの眼電を取得する眼電電極と、前記ユーザの酸素飽和度を取得する酸素飽和度センサとを有するＰＳＧ検査用頭部装具と、
前記ユーザの頤筋電を取得する頤筋電電極と、前記ユーザの鼻口呼吸を取得する気流センサとを有するＰＳＧ検査用頤部装具と、
前記ユーザの心電を取得する心電センサと、前記ユーザの呼吸運動を取得する呼吸運動センサとを有するＰＳＧ検査用胸部装具と
を具備するＰＳＧ検査装置。
【請求項６】
請求項５に記載のＰＳＧ検査装置であって、
前記ＰＳＧ検査用頭部装具は、取得された信号から終夜睡眠ポリグラフを生成する信号処理部をさらに具備し、
前記ＰＳＧ検査用胸部装具は、前記心電センサ及び前記呼吸運動センサの出力信号を前記信号処理部に無線送信する胸部送信部をさらに具備する
ＰＳＧ検査装置。
【請求項７】
請求項６に記載のＰＳＧ検査装置であって、
前記ＰＳＧ検査用頭部装具は、前記信号処理部によって生成された終夜睡眠ポリグラフを外部機器に無線送信する外部送信部をさらに具備する
ＰＳＧ検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月14日(2014.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技用価値を用いて１ゲームに対して所定数の賭数を設定することによりゲームが開始可能となるとともに、各々が識別可能な複数種類の識別情報を変動表示可能な可変表示装置に表示結果が導出されることにより１ゲームが終了し、該可変表示装置に導出された表示結果に応じて入賞が発生可能とされたスロットマシンであって、
前記可変表示装置に表示結果が導出される前に入賞の発生を許容するか否かを決定する事前決定手段と、
遊技者にとって有利な権利を付与する権利付与手段と、
前記権利が付与された場合に、該権利が消費されるまで当該権利を次ゲーム以降に持ち越す持越手段と、
１ゲームにおける所定のタイミングから前記権利が付与されている可能性を示唆する演出を実行し、次ゲームが開始する前に少なくとも前記権利が付与されているか否かの演出結果を導く１ゲーム演出を実行する１ゲーム演出実行手段と、
複数ゲームにわたり前記権利が付与されている可能性を示唆する演出を実行し、最終的に少なくとも前記権利が付与されているか否かの演出結果を導く連続演出を実行する連続演出実行手段と、
を備え、
前記持越手段により前記権利が持ち越されていない非持越状態で前記事前決定手段により特定入賞の発生を許容する旨が決定されたゲームにおいて前記権利付与手段により前記権利が付与される場合と、前記非持越状態で前記事前決定手段により前記特定入賞の発生を許容する旨が決定されなかったゲームにおいて前記権利付与手段により前記権利が付与される場合と、があり、
前記非持越状態で前記特定入賞の発生を許容する旨が決定されなかったゲームにおいて前記権利が付与された場合には、前記非持越状態で前記特定入賞の発生を許容する旨が決定されたゲームにおいて前記権利が付与された場合よりも、前記１ゲーム演出及び前記連続演出のうち前記１ゲーム演出による演出結果にて前記権利が付与されている旨が報知される割合が高い
ことを特徴とするスロットマシン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載のスロットマシンは、
遊技用価値を用いて１ゲームに対して所定数の賭数を設定することによりゲームが開始可能となるとともに、各々が識別可能な複数種類の図柄を変動表示可能な可変表示装置（リール２Ｌ、２Ｃ、２Ｒ）に表示結果が導出されることにより１ゲームが終了し、該可変表示装置に導出された表示結果に応じて入賞が発生可能とされたスロットマシン（スロットマシン１）であって、
前記可変表示装置に表示結果が導出される前に入賞の発生を許容するか否かを決定する事前決定手段（内部抽選）と、
遊技者にとって有利な権利（特別役）を付与する権利付与手段（内部抽選）と、
前記権利（特別役）が付与された場合に、該権利（特別役）が消費されるまで当該権利（特別役）を次ゲーム以降に持ち越す持越手段と、
１ゲームにおける所定のタイミング（開始時、第１停止時、第２停止時、第３停止時）から前記権利（特別役）が付与されている可能性を示唆する演出を実行し、次ゲームが開始する前に少なくとも前記権利（特別役）が付与されているか否かの演出結果を導く１ゲーム演出（ルーレット演出）を実行する１ゲーム演出実行手段（サブ制御部９１）と、
複数ゲームにわたり前記権利（特別役）が付与されている可能性を示唆する演出を実行し、最終的に前記権利（特別役）が付与されているか否かの演出結果を導く連続演出を実行する連続演出実行手段（サブ制御部９１）と、
を備え、
前記持越手段により前記権利（特別役）が持ち越されていない非持越状態で前記事前決定手段により特定入賞（一般役）の発生を許容する旨が決定されたゲームにおいて前記権利付与手段により前記権利（特別役）が付与される場合と、前記非持越状態で前記事前決定手段により前記特定入賞（一般役）の発生を許容する旨が決定されなかったゲームにおいて前記権利付与手段により前記権利（特別役）が付与される場合と、があり、
前記非持越状態で前記特定入賞（一般役）の発生を許容する旨が決定されなかったゲームにおいて前記権利（特別役）が付与された場合には、前記非持越状態で前記特定入賞（一般役）の発生を許容する旨が決定されたゲームにおいて前記権利（特別役）が付与された場合よりも、前記１ゲーム演出及び前記連続演出のうち前記１ゲーム演出（ルーレット演出）による演出結果にて前記権利（特別役）が付与されている旨が報知される割合が高い
ことを特徴としている。
この特徴によれば、非持越状態で特定入賞の発生を許容する旨が決定されなかったゲームにおいて権利が付与された場合には、非持越状態で特定入賞の発生を許容する旨が決定されたゲームにおいて権利が付与された場合よりも、１ゲーム演出及び連続演出のうち１ゲーム演出による演出結果にて権利が付与されている旨が報知される割合が高いので、非持越状態で特定入賞の発生を許容する旨が決定されなかったゲームにおいて権利が付与された場合、すなわち非持越状態で特定入賞の発生を許容する旨が決定されたゲームにおいて権利が付与される場合に比較して権利が付与されていることが期待できない状況にも関わらず連続演出により権利が付与されている可能性を煽ることにより、連続演出による興趣が低下してしまうことを防止できる。一方、非持越状態で特定入賞の発生を許容する旨が決定されたゲームにおいて権利が付与された場合には、非持越状態で特定入賞の発生を許容する旨が決定されなかったゲームにおいて権利が付与された場合よりも、１ゲーム演出及び連続演出のうち連続演出による演出結果にて権利が付与されている旨が報知される割合が相対的に高くなるので、特定入賞が発生することにより示唆された権利が付与されていることに対する可能性を次ゲーム以降も持続させることができる機会を増やすことができる。
尚、前記非持越状態で前記特定入賞の発生を許容する旨が決定されなかったゲームにおいて前記権利が付与された場合には、前記非持越状態で前記特定入賞の発生を許容する旨が決定されたゲームにおいて前記権利が付与された場合よりも、前記１ゲーム演出及び前記連続演出のうち前記１ゲーム演出による演出結果にて前記権利が付与されている旨が報知される割合が高いとは、前記非持越状態で前記特定入賞の発生を許容する旨が決定されなかったゲームにおいて前記権利が付与された場合に、前記１ゲーム演出及び前記連続演出のうち前記１ゲーム演出の演出結果のみにて前記権利が付与されている旨が報知されるものでも良いし、前記非持越状態で前記特定入賞の発生を許容する旨が決定されたゲームにおいて前記権利が付与された場合に、前記１ゲーム演出及び前記連続演出のうち前記連続演出の演出結果のみにて前記権利が付与されている旨が報知されるものでも良い。
また、遊技者にとって有利な権利とは、遊技者にとって有利な遊技状態へ移行させることが可能となる権利（有利な遊技状態を発生するか否かを決定する抽選に当選すること、有利な遊技状態へ移行する入賞が許容されることなど）、遊技者にとって有利な表示結果を導出させるための操作態様が報知される権利などが該当する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月9日(2014.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内側で第１と第２の流体を混合する中空筒状の本体と、
前記本体の上流側端部に設けられて前記第１の流体を流入させる第１の流入口と、
前記本体の内側に配置され、前記第１の流体の流れる方向に沿った軸心を有し、両端が開口した中空筒状の混合促進体と、
前記本体の周壁に設けられて前記混合促進体の外周面に向かって前記第２の流体を流入させる第２の流入口とを備え、
前記混合促進体が前記本体とほぼ同心に配置されている流体混合器。
【請求項２】
請求項１において、前記本体を形成する第１の配管に、前記第２の流入口に第２の流体を供給する第２の配管が直交して接続されている流体混合器。
【請求項３】
請求項１において、前記本体を形成する第１の配管に、前記第２の流入口に前記第２の流体を供給する第２の配管が接続され、その接続部における前記第２の配管の端縁が前記第１の配管の内周面と面一またはこれよりも径方向外方に配置されている流体混合器。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項において、前記第１の流体は前記第２の流体よりも低温である流体混合器。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項において、前記本体における下流部が、下流に向かって通路面積が増大する拡径部により形成されている流体混合器。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の流体混合器が、熱交換器の上流側に配置されてなる熱交換システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
第２の配管２８は排気ダクト２５の円筒状部２５ａに直交して溶接により接続され、第２の配管２８からの第２の流体である加温用ガスＧ５が、第２の配管２８の下流端縁４６によって形成された第２の流入口４５から、本体４１内に流入し、混合促進体３８の外周面３８ａに衝突するようになっている。混合促進体３８の外周面３８ａに衝突した加温用ガスＧ５は、混合促進体３８の外周面３８ａに沿って案内されながら、排気ダクト２５の円筒状部２５ａの内周面２９と混合促進体３８の外周面３８ａとの間を流れる。第１の流体である排ガスＧ４は第２の流体である加温用ガスＧ５よりも低温である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月5日(2014.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの導体を含む回路に適用される回路保護装置（１００）であって、
前記少なくとも１つの導体と電気的に結合された少なくとも１つの位相電極アセンブリ（３００）であって、調節可能電極アセンブリ（２５６）を含む少なくとも１つの位相電極アセンブリ（３００）と、
前記調節可能電極アセンブリ（２５６）を内部に固定するように寸法決めされた少なくとも１つの絶縁領域（２２０）と、側壁と内壁とを有する導体基部（２０４）と、
前記導体基部（２０４）に結合された、少なくとも１つの絶縁チャネル（２６２）を有する導体カバー（２２８）であって、前記調節可能電極アセンブリ（２５６）が前記少なくとも１つの絶縁領域（２２０）を少なくとも部分的に介して延在する、導体カバー（２２８）と、
を備え、
前記側壁と前記内壁は、前記少なくとも１つの絶縁領域（２２０）の各々を画定するように配置されており、
前記内壁は、前記少なくとも１つの位相電極アセンブリ（３００）の複数の位相ストラップ（３０２）間の絶縁を提供する、
回路保護装置（１００）。
【請求項２】
前記調節可能電極アセンブリ（２５６）が、
電極（２５８）と、
開口（４３６）であって、該開口（４３６）内の前記電極（２５８）の位置が第１方向（４２６）及びその反対側の第２方向（４２８）に調節可能なように、前記電極（２５８）を受け入れるように寸法決めされた開口（４３６）を画定するクランプ部（４２４）を有する電極ホルダ（２６０）と、
を備える、請求項１に記載の回路保護装置（１００）。
【請求項３】
前記クランプ部（４２４）が、前記電極（２５８）を前記開口（４３６）内に固定するように構成されたクランプ機構（４３８）を備える、請求項２に記載の回路保護装置（１００）。
【請求項４】
前記電極（２５８）が第１面（４０６）を有し、
前記開口（４３６）がその反対側の第２面を有し、
前記第２面から前記第１面（４０６）へ電気エネルギーが移動するように、前記電極（２５８）が前記開口（４３６）内に固定されるように前記クランプ部（４２４）が構成されている、請求項２に記載の回路保護装置（１００）。
【請求項５】
前記少なくとも１つの位相電極アセンブリ（３００）が、前記少なくとも１つの導体から前記電極（２５８）に電流を流すための、前記電極ホルダ（２６０）に結合された位相ストラップ（３０２）を更に備える、請求項２乃至４のいずれかに記載の回路保護装置（１００）。
【請求項６】
前記少なくとも１つの位相電極アセンブリ（３００）が、前記少なくとも１つの導体から前記位相ストラップ（３０２）に電流を流すための、前記少なくとも１つの導体に結合されたコネクタを更に備える、請求項５に記載の回路保護装置（１００）。
【請求項７】
前記少なくとも１つの導体から前記電極（２５８）へ電気エネルギーを移動させるために、前記コネクタ、前記位相ストラップ（３０２）、及び前記電極ホルダ（２６０）によって導電路が画定されている、請求項６に記載の回路保護装置（１００）。
【請求項８】
基板（２０２）を更に備え、
前記導体基部（２０４）によって、前記位相ストラップ（３０２）と前記基板（２０２）とを電気的に絶縁する、請求項５に記載の回路保護装置（１００）。
【請求項９】
前記少なくとも１つの位相電極アセンブリ（３００）が複数の位相電極アセンブリ（３００）から成り、
前記導体基部（２０４）は、各々が前記複数の位相電極アセンブリ（３００）のそれぞれの位相ストラップ（３０２）を受け入れるように寸法決めされた複数の絶縁領域（２２０）を有し、
前記導体カバー（２２８）は、各々が前記複数の位相電極アセンブリ（３００）の各位相電極アセンブリ（３００）を収容するように寸法決めされた複数の絶縁チャネル（２６２）を備える、請求項５に記載の回路保護装置（１００）。
【請求項１０】
前記回路保護装置（１００）が、アークを生じるように構成されており、
前記回路保護装置（１００）が、前記導体カバー（２２８）に結合された封じ込め区画（１０２）を更に備え、前記封じ込め区画（１０２）は、アークによって発生した電気エネルギーを封じ込めるように構成された外殻（１０４）を含む、請求項１乃至９のいずれかに記載の回路保護装置（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月5日(2014.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】照明装置、表示装置および電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
モニタ用発光素子と、
前記発光素子及び前記モニタ用発光素子を定電流駆動させる定電流回路と、
前記モニタ用発光素子に発生する電圧を検出し、概略同電圧を出力する電圧制御型スイッチングレギュレータと、を有し、
前記発光素子の一方の端子と、前記電圧制御型スイッチングレギュレータの出力端子とは、電気的に接続されており、
前記モニタ用発光素子の一方の端子と、前記定電流回路とは、電気的に接続されていることを特徴とする照明装置。
【請求項２】
発光素子と、
モニタ用発光素子と、
前記発光素子及び前記モニタ用発光素子を定電流駆動させる電流制御型スイッチングレギュレータと、
前記モニタ用発光素子に発生する電圧を検出し、概略同電圧を出力する電圧制御型スイッチングレギュレータと、を有し、
前記発光素子の一方の端子と、前記電圧制御型スイッチングレギュレータの出力端子とは、電気的に接続されており、
前記モニタ用発光素子の一方の端子と、前記電流制御型スイッチングレギュレータの出力端子とは、電気的に接続されていることを特徴とする照明装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記電圧制御型スイッチングレギュレータの入力端子及び前記定電流回路は、高電源電位を供給する配線に電気的に接続されていることを特徴とする照明装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記電圧制御型スイッチングレギュレータの入力端子及び前記電流制御型スイッチングレギュレータの入力端子は、高電源電位を供給する配線に電気的に接続されていることを特徴とする照明装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記発光素子の他方の端子及び前記モニタ用発光素子の他方の端子は、低電源電位を供給する配線に電気的に接続されていることを特徴とする照明装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記モニタ用発光素子の数は、前記発光素子の数より少ないことを特徴とする照明装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記発光素子及び前記モニタ用発光素子は同一の基板上に形成されていることを特徴とする照明装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記発光素子が相互に並列接続され、前記モニタ用発光素子が相互に並列接続されていることを特徴とする照明装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記発光素子が、相互に直列接続され、前記モニタ用発光素子が相互に直列接続されていることを特徴とする照明装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一に記載の照明装置を、表示部に含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか一に記載の照明装置を、バックライト部に含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至９のいずれか一に記載の照明装置を、表示部に含むことを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求項１乃至９のいずれか一に記載の照明装置を、バックライト部に含むことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月2日(2014.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アブレーション材料から形成されたカップを有するアブレーションプラズマガン（１００）であって、
前記カップが、
第１の直径（１１０）を有する第１の部分（１０６）と、前記第１の直径（１１０）より大きな第２の直径（１１２）を有する第２の部分（１０８）とを備え、チャンバ（１０４）が、前記カップないにおいて、前記第１の部分（１０６）および前記第２の部分（１０８）によって画定される、アブレーションプラズマガン（１００）。
【請求項２】
前記第２の部分（１０８）が前記第１の部分（１０６）の上に配置される、請求項１記載のアブレーションプラズマガン（１００）。
【請求項３】
前記第１の部分（１０６）と前記第２の部分（１０８）が一体形成される、請求項１または２に記載のアブレーションプラズマガン（１００）。
【請求項４】
第１の端部（１２６）を備える第１のガン電極（１２２）と、第２の端部（１２８）を備える第２のガン電極（１２４）とをさらに備え、前記第１の端部（１２６）と前記第２の端部（１２８）が前記チャンバ（１０４）の中心軸から反対方向に延びる、請求項１乃至３のいずれかに記載のアブレーションプラズマガン（１００）。
【請求項５】
前記第１のガン電極（１２２）の前記第１の端部（１２６）および前記第２のガン電極（１２４）の前記第２の端部（１２８）が、前記チャンバ（１０４）の径方向両側で前記チャンバ（１０４）に入る、請求項４記載のアブレーションプラズマガン（１００）。
【請求項６】
前記チャンバ（１０４）が、開放端（１２０）がノズル（１１８）を画定するように、前記第２の直径（１１２）を部分的に横切って延びる開放端（１２０）をさらに備える、請求項１乃至５のいずれかに記載のアブレーションプラズマガン（１００）。
【請求項７】
開放端（１２０）を有し、中に前記チャンバ（１０４）が形成されるカップ（１０２）と、
前記カップ（１０２）を囲繞するようにサイズ設定され、ノズル（１１８）を備えるカバー（１１４）とをさらに備える、請求項１乃至６のいずれかに記載のアブレーションプラズマガン（１００）。
【請求項８】
基部（１１６）をさらに備え、前記カバー（１１４）が前記基部（１１６）に取り付けられ、前記カップ（１０２）が前記基部（１１６）と前記カバー（１１４）の間に配置される、請求項７記載のアブレーションプラズマガン（１００）。
【請求項９】
それぞれが電気回路（３１０、３１２）の異なる部分に結合される複数の主電極（３０４、３０６）と、
アブレーション材料から形成されたカップを有し、前記複数の主電極（３０４、３０６）に対して配置されたアブレーションプラズマガン（１００）であって、前記カップが、第１の直径（１１０）を有する第１の部分（１０６）と、前記第１の直径（１１０）より大きな第２の直径（１１２）を有する第２の部分（１０８）とを備え、チャンバ（１０４）が前記第１の部分（１０６）および前記第２の部分（１０８）によって画定される、アブレーションプラズマガン（１００）とを備えるアークフラッシュ消去システム（３００）。
【請求項１０】
前記複数の主電極（３０４、３０６）が、前記複数の主電極間の領域が主ギャップ（３０８）を画定するように離隔され、前記アブレーションプラズマガン（１００）が、アブレーションプラズマ（３１８）を前記主ギャップ（３０８）内に注入して前記複数の主電極（３０４、３０６）間でアークをトリガするように構成される、請求項９記載のアークフラッシュ消去システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月5日(2014.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活物質粒子と、バインダーと、１乃至１００枚のグラフェンよりなる２次元カーボンを有する導電助剤と、が混合されて形成された電極を有する電気機器。
【請求項２】
請求項１において、
前記２次元カーボンの面積の平方根は、１００ｎｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする電気機器。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記２次元カーボンの面積の平方根は、前記活物質粒子の粒径の平均値の１倍以上であることを特徴とする電気機器。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記活物質粒子はその表面にカーボンがコーティングされていることを特徴とする電気機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月28日(2014.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メイン論理回路と、
レジスタと、
書き込み禁止論理回路と、を有し、
前記レジスタに入力される信号は、少なくとも、書き込み禁止イネーブルデータと、書き込み禁止列アドレスデータと、書き込み禁止行アドレスデータとを有し、
前記書き込み禁止論理回路で、前記レジスタの出力と前記メイン論理回路の出力を比較する過程を有する半導体装置の駆動方法。
【請求項２】
あるメモリセルの書き込みが失敗した場合に、冗長メモリセルに置き換える機能を有するメイン論理回路と、
書き込みを禁止するメモリセルのアドレスデータを格納するレジスタと、
書き込み禁止回路と、を有する半導体装置において、
前記書き込み禁止回路において、前記レジスタの出力と前記メイン論理回路の出力を比較し、信号を出力することにより冗長機能の検査をおこなう半導体装置の検査方法。
【請求項３】
メイン論理回路と、
レジスタと、
前記レジスタの出力と前記メイン論理回路の出力を比較し、信号を出力する書き込み禁止論理回路と、を有し、
前記レジスタに入力される信号は、少なくとも、書き込み禁止イネーブルデータと、書き込み禁止列アドレスデータと、書き込み禁止行アドレスデータとを有する半導体装置。
【請求項４】
あるメモリセルの書き込みが失敗した場合に、冗長メモリセルに置き換える機能を有するメイン論理回路と、
書き込みを禁止するメモリセルのアドレスデータを格納するレジスタと、
前記レジスタの出力と前記メイン論理回路の出力を比較し、信号を出力する書き込み禁止回路と、を有する半導体装置。
【請求項５】
請求項３又は４において、半導体装置は、書き込み回路を有するメモリ装置を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか一において、半導体装置は、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＯＴＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＦｅＲＡＭ、ＭＲＡＭ、ＰＲＡＭから選ばれた１つを有する半導体装置。
【請求項７】
請求項３乃至６のいずれか一において、半導体装置は、プロービングによってレジスタにデータを格納するための検査パッドを有する半導体装置。
【請求項８】
請求項３乃至７のいずれか一において、前記レジスタは、Ｄフリップフロップ回路を有する半導体装置。
【請求項９】
請求項３乃至８のいずれか一において、前記書き込み禁止論理回路は、２以上のＸＮＯＲゲートと少なくとも１つのＮＡＮＤゲートと少なくとも１つのＡＮＤゲートとを有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月16日(2014.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換モジュール
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ行×ｍ列に設けられた複数の光電変換素子を有し、
各前記光電変換素子は、第１の電極と、前記第１の電極上の半導体層と、前記半導体層上の第２の電極と、を有し、
行方向に並んだｍ個の前記光電変換素子同士は、直列に接続され、
前記直列接続されるｍ個の前記光電変換素子は、ｎ行分あり、
ｎ行分の前記直列接続されるｍ個の前記光電変換素子のうち、ｎ−１行以下分が互いに並列接続され、残りの行分は互いに並列接続されないことを特徴とする光電変換モジュール。
【請求項２】
請求項１において、
互いに前記並列接続される、ｎ−１行分の前記直列接続されるｍ個の前記光電変換素子には、ショートした光電変換素子が含まれないことを特徴とする光電変換モジュール。
【請求項３】
請求項１または２において、
並列接続されない行の前記光電変換素子には、構造欠陥があることを特徴とする光電変換モジュール。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記半導体層は、非晶質シリコンを含むことを特徴とする光電変換モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月14日(2014.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源装置と、
光源装置で発光する光を伝搬する光ファイバと、
撮像部と、
電極針と、
前記電極針に電力を供給する電源装置と、
前記光ファイバ、前記撮像部及び前記電極針を覆う被覆材と、
を有することを特徴とする微粒子捕集装置。
【請求項２】
処理室と、
第１の電源装置と、
ガス供給源と、
排気装置と、を有し、
前記処理室は、電極と、微粒子捕集装置の一部と、を有し、
前記第１の電源装置は、前記電極と接続されており、
前記ガス供給源は、前記処理室と接続されており、
前記排気装置は、前記処理室と接続されており、
前記微粒子捕集装置は、
光源装置と、
光源装置で発光する光を伝搬する光ファイバと、
撮像部と、
電極針と、
前記電極針に電力を供給する第２の電源装置と、
前記光ファイバ、前記撮像部及び前記電極針を覆う被覆材と、を有し、
前記処理室に設けられた微粒子捕集装置の一部は、前記光ファイバ、前記撮像部、前記電極針、及び被覆材であることを特徴とする真空処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月25日(2014.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部を有し、
前記画素部は、酸化物半導体層と、第１及び第２の層と、第１乃至第３の導電層と、絶縁層と、画素電極と、を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
前記第１の層は、前記酸化物半導体層と前記第１の導電層とに挟まれている領域を有し、
前記第２の層は、前記酸化物半導体層と前記第２の導電層とに挟まれている領域を有し、
前記絶縁層は、前記酸化物半導体層と前記第３の導電層とに挟まれている領域を有し、
前記画素電極は、前記第１の導電層又は前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第１の層は、チタンと酸素とを有し、
前記第２の層は、チタンと酸素とを有し、
前記第１の層は、前記第１の導電層の下端部よりも外側にある下端部を有し、
前記第２の層は、前記第２の導電層の下端部よりも外側にある下端部を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
画素部を有し、
前記画素部は、酸化物半導体層と、第１及び第２の層と、第１乃至第３の導電層と、絶縁層と、画素電極と、を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
前記第１の層は、前記酸化物半導体層と前記第１の導電層とに挟まれている領域を有し、
前記第２の層は、前記酸化物半導体層と前記第２の導電層とに挟まれている領域を有し、
前記絶縁層は、前記酸化物半導体層と前記第３の導電層とに挟まれている領域を有し、
前記画素電極は、前記第１の導電層又は前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第１の層は、チタンと酸素とを有し、
前記第２の層は、チタンと酸素とを有し、
前記第１の層は、前記第１の導電層と重ならない下端部を有し、
前記第２の層は、前記第２の導電層と重ならない下端部を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
画素部を有し、
前記画素部は、酸化物半導体層と、第１及び第２の層と、第１乃至第３の導電層と、絶縁層と、画素電極と、を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
前記第１の層は、前記酸化物半導体層と前記第１の導電層とに挟まれている領域を有し、
前記第２の層は、前記酸化物半導体層と前記第２の導電層とに挟まれている領域を有し、
前記絶縁層は、前記酸化物半導体層と前記第３の導電層とに挟まれている領域を有し、
前記画素電極は、前記第１の導電層又は前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記第１の層は、チタンと酸素とを有し、
前記第２の層は、チタンと酸素とを有し、
前記第１の層及び前記第１の導電層からなる積層は、段差を有し、
前記第２の層及び前記第２の導電層からなる積層は、段差を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
端子部を有し、
前記端子部は、第４の導電層と、前記第４の導電層上方の第５の導電層と、を有し、
前記第４の導電層は、前記第１の導電層又は前記第２の導電層と同層であり、
前記第５の導電層は、前記画素電極と同層であることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記画素部は、遮光性を有する層を有し、
前記遮光性を有する層は、前記酸化物半導体層と重なる領域を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月23日(2014.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体メモリ装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと第２のトランジスタと容量素子とを有するメモリセルを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量素子の第１の端子に電気的に接続され、
前記容量素子の第２の端子に第１の読み出し電位を与えたときの、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方の電位を第１の電位とし、前記容量素子の前記第２の端子に第２の読み出し電位を与えたときの、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方の電位を第２の電位とした場合において、前記第１の電位と前記第２の電位とが異なるときは、前記メモリセルにリフレッシュを行い、
前記第１の読み出し電位と前記第２の読み出し電位とは異なることを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと第２のトランジスタと容量素子とを有するメモリセルを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量素子の第１の端子に電気的に接続され、
前記容量素子の第２の端子に第１の読み出し電位を与えたときの、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方の電位を第１の電位とし、前記容量素子の前記第２の端子に第２の読み出し電位を与えたときの、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方の電位を第２の電位とした場合において、前記第１の電位と前記第２の電位とが異なるときは、前記メモリセルは以後使用せず、
前記第１の読み出し電位と前記第２の読み出し電位とは異なることを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
第３のトランジスタを有する読み出し回路を有し、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されることを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１のトランジスタはチャネルとして酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタはチャネルとしてシリコンを有することを特徴とする半導体メモリ装置。