Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月10日(2013.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
特許文献１に記載の技術によれば、熱交換チューブの上下側に隣接するコルゲートフィンとの間に保水される水を誘引する流水路を、鍔部を傾斜状に切起して形成することで、熱交換器の表面に付着した凝縮水（結露水）を排水することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記のように構成される熱交換器１において、図１ないし図３に示すように、熱交換チューブ３の幅方向の側端部には、熱交換チューブ３の長手方向に沿って鍔部７が延設されており、この鍔部７に適宜ピッチをおいて切込みを介して傾斜状に切り起こされる複数の切起し片８を列設すると共に、各切起し片８の上下端部を熱交換チューブ３の上下側に隣接するコルゲートフィン４に接触することで、コルゲートフィン４間に保水される水を誘引する流水路１０が形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
この排水メカニズムにおいて、熱交換チューブ３に形成される流水路１０の望ましい配置としては、その両脇すなわち熱交換チューブ３の厚さ方向の両側に位置するコルゲートフィン４を結ぶことである。このため、切起し片８の幅は熱交換チューブ３の厚さにより制約を受ける。また、切起し片８の幅は、コルゲートフィンの山頂点と谷頂点間のピッチの２倍以下であることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図４に示すコルゲートフィン４の山頂点と谷頂点間のピッチ（Ｐ）が、１．２ｍｍ，１．４ｍｍ，１．６ｍｍ，１．８ｍｍ、切起し片８の幅（Ｌ）が、１．２ｍｍ，１．６ｍｍ，２ｍｍ，２．４ｍｍ，２．８ｍｍ，３．２ｍｍ，３．６ｍｍ，４ｍｍであって、厚さが０．５ｍｍ、熱交換チューブ３の厚さ（Ｔ）が、１．２ｍｍ，１．６ｍｍ，２ｍｍの場合について、Ｌ≧ＴではＬ×ｓｉｎθ＝Ｔ、Ｌ＜ＴではＬ×ｓｉｎθ＝最大となる角度（θ）で設定して、排水速度が速く、排水性が良好（◎）、排水性良好（○）、排水機能は有するが速度が遅い（△）、排水性が劣る、もしくは不可（×）の４段階の評価試験を行った。その結果、表１に示すような結果が得られた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
１  熱交換器
２ａ，２ｂ  ヘッダーパイプ
３  熱交換チューブ
４  コルゲートフィン
４a  フィンルーバ
７  鍔部
８  切起し片
１０  流水路
Ｐ  コルゲートフィンのピッチ
Ｌ  切起し片の幅
Ｔ  熱交換チューブの厚さ
θ  切起し片の角度
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月28日(2014.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項１〜３に記載の空調システムの運転方法における前記空調システムを構築する方法であって、
蓄熱槽内の水を、中央熱源方式の冷熱源として使用している空調設備を更新してビルマルチ方式の空調システムを構築する際に、前記空調設備の既設の蓄熱槽を前記空調システムの蓄熱槽として用い、
前記熱交換器と前記蓄熱槽との間に、水の循環系配管を施工し、
前記冷却装置と前記蓄熱槽との間に、水の循環系配管を施工することを特徴とする、空調システムの構築方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
またかかる空調システムの運転方法における前記空調システムを構築する方法としては、蓄熱槽内の水を、中央熱源方式の冷熱源として使用している空調設備を更新してビルマルチ方式の空調システムを構築する際に、前記空調設備の既設の蓄熱槽を、前記空調システムの蓄熱槽として用い、前記熱交換器と前記蓄熱槽との間に水の循環系配管を施工し、前記冷却装置と前記蓄熱槽との間に水の循環系配管を施工することを特徴とする、空調システムの構築方法を提案できる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月13日(2014.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
基紙の表面に溶液を付与した後、乾燥工程で加熱して乾燥させ、表面層とする。乾燥工程における乾燥温度は１００〜１２０℃が好ましい。乾燥温度が１００℃未満であると溶液と基紙を構成する原料パルプとの親和性が低くなり所望の摩擦係数を確保するに塗被量を増加させる必要が生じ、製造コストの上昇と被膜の摩擦係数が高くなる傾向がある。一方、１２０℃を超えると、乾燥時間にもよるが、加熱により合成樹脂や潤滑剤が基紙中に過剰に浸透し、所望の被膜が得られ難いとともに、基紙表面の平坦性が低下する傾向がある。
特に乾燥工程での１２０℃を超える乾燥は、本発明の構成である潤滑剤の基紙への浸透が助長され、動摩擦係数、静摩擦係数を所望の範囲に調整することが困難となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
また、上記表面層が設けられた本発明にかかる段ボール用ライナーにおいて、表面層が設けられた表面のＪＩＳ  Ｐ  ８１５１「紙および板紙−表面粗さおよび平滑度試験方法（エア・リーク法）−プリント・サーフ試験機法」において、ソフトバッキングを使用し１ＭＰａに加圧して測定したプリント・サーフ表面粗さが７．０μｍ〜１０．０μｍであることが好ましい。プリント・サーフ表面粗さが７．０μｍ未満の場合、商品包装袋にピンホールの発生を抑制する効果が得られにくい傾向がある。一方、１０．０を超える場合には、段ボールケース内面と商品との接触面積が過度に広くなり、面での接触による傷入りとともに、段ボールケース内面と商品とが「面」で接触することによる段ボールケース内面からの紙粉発生を助長する傾向がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
＜実施例１＞
坪量１７０ｇ／ｍ2のライナー（商品名：ＪＥＫライナー、大王製紙社製）の片面に、アクリル樹脂として星光ＰＭＣ（株）製のＶＳ−１０２８を、スチレン−アクリル樹脂としてＢＡＳＦジャパン（株）製のジョンクリル６３１を、潤滑剤としてパラフィン系ワックス（荒川化学工業（株）製ＨＡ−５４１）を表１に記載の割合で混合した溶液を、ハンドプルーファーで絶乾固形分として５ｇ／ｍ2塗布した。塗布後１３０℃に調整した送風乾燥機に入れて６０秒間乾燥した。ザーンカップＮｏ．４（２５℃）で測定した粘度は８秒〜３５秒であった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
ｇ）糊貼り適性
段ボール用ライナーを表層および裏層として、中芯（１２０ｇ／ｍ2、大王製紙社製）とコルゲータマシン（型番：ベルトンプレス６０Ｇ、三菱重工業（株）製）を用い、貼合速度１８０ｍ／分で、塗布層を有する面を段ボールシートの表側となるよう（塗布層を中芯ライナーと貼合しないよう）貼合し、Ａ式の段ボールシートを製造する。得られた段ボールシートを製函機（フレキソフォルダグルアー  サミット１００  三菱重工業（株）製）および糊（セビアンＡ５６１０４  ダイセル化学工業（株）製）を用い、加工速度２００枚／分にてＡ式の段ボールケースに製函加工し、１分後に貼合部分（シートのジョイント部分）を手で剥がし、次のとおり糊貼り適性を評価する。
◎：糊貼り個所が剥離しなかった（段ボールシートが破壊された）部分が、糊貼り面積全体うち２／３以上あり、糊貼り適性に優れる。
○：糊貼り個所が剥離しなかった（段ボールシートが破壊された）部分が、糊貼り面積全体うち１／３以上あり、糊貼り適性がよい。
△：糊貼り個所が剥離しなかった（段ボールシートが破壊された）部分が、糊貼り面積全体うち１／３以下あり、糊貼り適性がよい。
×：糊貼り個所が剥離しなかった（段ボールシートが破壊された）部分がなく、糊貼り適性が悪い。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月10日(2014.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属原子を内部に配置しているガスセルが収容されている第１パッケージと、
前記金属原子が励起するように光を出射する光出射部が収容されている第２パッケージと、
前記光を調整するための光学部品を備えている第３パッケージと、を有し、
前記第３パッケージが前記第１パッケージと前記第２パッケージとの間に配置されていることを特徴とする原子発振器。
【請求項２】
前記第１パッケージには、前記ガスセル内を通過した前記光を検出する光検出部が収納されている請求項１に記載の原子発振器。
【請求項３】
前記光学部品が、光学レンズ、前記光の量を減少させる光学フィルター、偏光板、および波長板のうちの少なくとも１つである請求項１または２に記載の原子発振器。
【請求項４】
前記第３パッケージには、前記光が通過する貫通孔が配置されており、前記貫通孔の内壁に沿った段差に前記光学部品が保持される請求項１ないし３のいずれかに記載の原子発振器。
【請求項５】
前記第１パッケージには、前記ガスセルを加熱する加熱手段が収納されており、
前記第２パッケージには、前記光出射部の温度を調節する温調手段が収納されている請求項１ないし４のいずれかに記載の原子発振器。
【請求項６】
前記第３パッケージは、断熱性を有し、前記第１パッケージから前記第２パッケージへの熱の移動を低減する請求項５に記載の原子発振器。
【請求項７】
金属原子を内部に配置しているガスセルが収容されている第１パッケージ、前記金属原子が励起するように光を出射する光出射部が収容されている第２パッケージ、および前記光を調整するための光学部品を備えている第３パッケージと、を準備する工程と、
前記ガスセルに対する前記光の入射方向、入射位置、偏光方向、および入射強度のうちの少なくとも１つを調整するために、前記第１パッケージ、前記第２パッケージおよび前記第３パッケージの互いの相対的位置を調節する位置調節工程と、
を含むことを特徴とする原子発振器の製造方法。
【請求項８】
前記位置調節工程は、前記第２パッケージと前記第３パッケージとの相対的位置を調節して固定するステップと、
前記第２パッケージおよび前記第３パッケージに対する前記第１パッケージの相対的位置を調節して固定するステップと、を含む請求項７に記載の原子発振器の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本発明の原子発振器は、金属原子を内部に配置しているガスセルが収容されている第１パッケージと、
前記金属原子が励起するように光を出射する光出射部が収容されている第２パッケージと、
前記光を調整するための光学部品を備えている第３パッケージと、を有し、
前記第３パッケージが前記第１パッケージと前記第２パッケージとの間に配置されていることを特徴とする。
これにより、第１パッケージ、第２パッケージおよび第３パッケージの位置関係を調節することにより、ガスセル、光出射部および光学部品の位置関係を所望のものとすることができるため、簡単に、優れた特性を有する原子発振器が得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
［適用例２］
本発明の原子発振器では、前記第１パッケージには、前記ガスセル内を通過した前記光を検出する光検出部が収納されていることが好ましい。
これにより、予め、ガスセルと光検出部の位置関係を固定することができるため、原子発振器の製造の容易化を図ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
［適用例３］
本発明の原子発振器では、前記光学部品が、光学レンズ、前記光の量を減少させる光学フィルター、偏光板、および波長板のうちの少なくとも１つであることが好ましい。
これにより、励起光を原子発振器に適したものとすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
［適用例４］
本発明の原子発振器では、前記第３パッケージには、前記光が通過する貫通孔が配置されており、前記貫通孔の内壁に沿った段差に前記光学部品が保持されることが好ましい。
これにより、第３パッケージの小型化を図ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
［適用例５］
本発明の原子発振器では、前記第１パッケージには、前記ガスセルを加熱する加熱手段が収納されており、
前記第２パッケージには、前記光出射部の温度を調節する温調手段が収納されていることが好ましい。
これにより、原子発振器の特性が安定かつ向上する。
［適用例６］
本発明の原子発振器では、前記第３パッケージは、断熱性を有し、前記第１パッケージから前記第２パッケージへの熱の移動を低減することが好ましい。
これにより、第３パッケージの構成が簡単となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
［適用例７］
本発明の原子発振器の製造方法は、金属原子を内部に配置しているガスセルが収容されている第１パッケージ、前記金属原子が励起するように光を出射する光出射部が収容されている第２パッケージ、および前記光を調整するための光学部品を備えている第３パッケージと、を準備する工程と、
前記ガスセルに対する前記光の入射方向、入射位置、偏光方向、および入射強度のうちの少なくとも１つを調整するために、前記第１パッケージ、前記第２パッケージおよび前記第３パッケージの互いの相対的位置を調節する位置調節工程と、
を含むことを特徴とする。
これにより、第１パッケージ、第２パッケージおよび第３パッケージの位置関係を調節することにより、ガスセル、光出射部および光学部品の位置関係を所望のものとすることができるため、簡単に、優れた特性を有する原子発振器を製造することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
［適用例８］
本発明の原子発振器の製造方法では、前記位置調節工程は、前記第２パッケージと前記第３パッケージとの相対的位置を調節して固定するステップと、
前記第２パッケージおよび前記第３パッケージに対する前記第１パッケージの相対的位置を調節して固定するステップと、を含むことが好ましい。
これにより、優れた特性を有する原子発振器を製造することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月10日(2014.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスセルと、
前記ガスセルの表面に重ねられて配置されている第１抵抗体と第２抵抗体とを有して前記ガスセルを加熱する第１ヒーターと、を備え、
前記第１抵抗体に流れる電流の方向と前記第２抵抗体に流れる電流の方向とが互いに逆方向であることを特徴とするガスセルユニット。
【請求項２】
前記第１ヒーターと同一の構成を有する第２ヒーターを備え、
前記ガスセルが前記第１ヒーターと前記第２ヒーターとの間にある請求項１に記載のガスセルユニット。
【請求項３】
前記第１抵抗体と前記第２抵抗体との間に絶縁性を有する基板を備えている請求項１または２に記載のガスセルユニット。
【請求項４】
前記第１抵抗体が前記基板の一方の面に接合され、前記第２抵抗体が前記基板の他方の面に接合されている請求項３に記載のガスセルユニット。
【請求項５】
前記第１抵抗体は前記ガスセルの表面に接合され、前記第２抵抗体は前記基板の他方の面に接合されている請求項３に記載のガスセルユニット。
【請求項６】
前記第１ヒーターの前記第１抵抗体に流れる電流の方向が、前記第２ヒーターの前記第１抵抗体に流れる電流の方向に沿っている請求項３ないし５のいずれか一項に記載のガスセルユニット。
【請求項７】
前記第１抵抗体および第２抵抗体は、いずれも複数の帯状部が並んでいる請求項３ないし６のいずれか一項に記載のガスセルユニット。
【請求項８】
前記複数の帯状部は、互いに隣り合う帯状部に流れる電流の方向が互いに逆方向である請求項７に記載のガスセルユニット。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか一項に記載のガスセルユニットと、
前記ガスセル中のアルカリ金属原子を励起する励起光を出射する光出射部と、
前記ガスセルを透過した前記励起光の強度を検出する光検出部と、
を備えていることを特徴とする原子発振器。
【請求項１０】
請求項９に記載の原子発振器を備えていることを特徴とする電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月13日(2014.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピクチャを複数に分割するスライス毎に独立して行われる符号化において、動き情報について、処理対象である当該領域を、当該領域の周辺に位置する周辺領域とマージさせるマージモードを採用するか否かを、当該領域が属する当該スライスに属する周辺領域の情報に基づいて制御する符号化制御部と、
前記符号化制御部の制御に従って、マージモード若しくはそれ以外のモードで当該領域の符号化を行う符号化部と
を備える画像処理装置。
【請求項２】
前記符号化制御部は、当該スライスに属する周辺領域の少なくとも１つが動き情報を有する場合、前記マージモードを採用させる
請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記符号化制御部は、
当該スライスに属する周辺領域が有する動き情報の数を算出する算出部と、
前記算出部により算出された前記周辺領域が有する動き情報の数が０より大きいか否かを判定する判定部と、
前記判定部により前記周辺領域が有する動き情報の数が０より大きいと判定された場合、前記マージモードを採用させる制御部と
を備える請求項１または請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記算出部は、
各周辺領域が当該スライスに属するか否かを判定する位置判定部と、
前記位置判定部により当該スライスに属すると判定された周辺領域の予測のタイプを判定するタイプ判定部と、
前記タイプ判定部により前記周辺領域の予測のタイプが判定され、動き情報を有すると判定された場合、周辺領域が有する動き情報の数をカウントするパラメータの値を更新する更新部と
を備える請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
予測画像を生成する予測処理を前記スライス毎に独立して行う予測処理部をさらに備える
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記スライスは、前記符号化部による前記ピクチャに対する符号化処理のみを複数に分割するエントロピスライスである
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項７】
画像処理装置の画像処理方法であって、
符号化制御部が、ピクチャを複数に分割するスライス毎に独立して行われる符号化において、動き情報について、処理対象である当該領域を、当該領域の周辺に位置する周辺領域とマージさせるマージモードを採用するか否かを、当該領域が属する当該スライスに属する周辺領域の情報に基づいて制御し、
符号化部が、その制御に従って、マージモード若しくはそれ以外のモードで当該領域の符号化を行う
画像処理方法。
【請求項８】
ピクチャを複数に分割するスライス毎に独立して行われる復号において、動き情報について、処理対象である当該領域を、当該領域の周辺に位置する周辺領域とマージさせるマージモードを採用するか否かを、当該領域が属する当該スライスに属する周辺領域の情報に基づいて制御する復号制御部と、
前記復号制御部の制御に従って、マージモード若しくはそれ以外のモードで当該領域の符号化を行う復号部と
を備える画像処理装置。
【請求項９】
前記復号制御部は、当該スライスに属する周辺領域の少なくとも１つが動き情報を有する場合、前記マージモードを採用させる
請求項８に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記復号制御部は、
当該スライスに属する周辺領域が有する動き情報の数を算出する算出部と、
前記算出部により算出された前記周辺領域が有する動き情報の数が０より大きいか否かを判定する判定部と、
前記判定部により前記周辺領域が有する動き情報の数が０より大きいと判定された場合、前記マージモードを採用させる制御部と
を備える請求項８または請求項９に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記算出部は、
各周辺領域が当該スライスに属するか否かを判定する位置判定部と、
前記位置判定部により当該スライスに属すると判定された周辺領域の予測のタイプを判定するタイプ判定部と、
前記タイプ判定部により前記周辺領域の予測のタイプが判定され、動き情報を有すると判定された場合、周辺領域が有する動き情報の数をカウントするパラメータの値を更新する更新部と
を備える請求項１０に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
予測画像を生成する予測処理を前記スライス毎に独立して行う予測処理部をさらに備える
請求項８乃至請求項１１のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項１３】
前記スライスは、前記復号部による前記ピクチャに対する復号処理のみを複数に分割するエントロピスライスである
請求項８乃至請求項１１のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項１４】
画像処理装置の画像処理方法であって、
復号制御部が、ピクチャを複数に分割するスライス毎に独立して行われる復号において、動き情報について、処理対象である当該領域を、当該領域の周辺に位置する周辺領域とマージさせるマージモードを採用するか否かを、当該領域が属する当該スライスに属する周辺領域の情報に基づいて制御し、
復号部が、その制御に従って、マージモード若しくはそれ以外のモードで当該領域の復号を行う
画像処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月14日(2014.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のアクセスポイントと通信する第１の無線通信部と、
前記第１のアクセスポイントのハンドオーバ先候補である第２のアクセスポイントと通信する第２の無線通信部と、
前記第１および第２の無線通信部による無線通信を制御する通信制御部と
を備え、
前記通信制御部は、前記第１のアクセスポイントとの間の通信の回線状況と、前記第２のアクセスポイントへのハンドオーバの実施状況とに基づき、前記第１および第２の無線通信部からの送信適否を決定し、少なくとも画像領域または画像解像度が互いに異なるデータが符号化された優先映像データと非優先映像データとを個別の２つの映像ストリームとして前記第１および第２の無線通信部から送信する
ことを特徴とする無線映像送信装置。
【請求項２】
前記通信制御部は、前記回線状況が、前記送信適否に関わる第１の基準を満たさない場合、前記２つの映像ストリームの双方を前記第１の無線通信部から前記第１のアクセスポイントに対して送信することを決定する請求項１に記載の無線映像送信装置。
【請求項３】
前記通信制御部は、前記回線状況が、前記第１の基準よりも低い第２の基準を満たさない場合、前記２つの映像ストリームの一方を前記第２の無線通信部から前記第２のアクセスポイントに対して送信することを決定する請求項２に記載の無線映像送信装置。
【請求項４】
前記通信制御部は、前記第１のアクセスポイントから前記第２のアクセスポイントへのハンドオーバが完了した場合、前記第１のアクセスポイントに対する前記２つの映像ストリームの送信を停止する一方、前記２つの映像ストリームの双方を前記第２の無線通信部から前記第２のアクセスポイントに対して送信することを決定する請求項１から請求項３の何れかに記載の無線映像送信装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４の何れかに記載の無線映像送信装置と通信する無線映像受信装置であって、
前記第１および第２のアクセスポイントを介して前記無線映像送信装置から送信された前記２つの映像ストリームを受信するデータ受信部と、
受信した少なくとも１つの映像ストリームに含まれる映像データを復号する映像復号部と
を備えたことを特徴とする無線映像受信装置。
【請求項６】
前記無線映像受信装置に対して、前記第２のアクセスポイントへのハンドオーバの完了を通知するハンドオーバ完了通知部を更に備えたことを特徴とする請求項５に記載の無線映像受信装置。
【請求項７】
前記データ受信部が、同種の映像ストリームを複数受信した場合、それら各映像ストリームの受信状況に応じて、前記映像復号部にて復号される映像ストリームを選択するストリーム選択部を更に備えたことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の無線映像受信装置。
【請求項８】
さらに表示部を備え、ハンドオーバ中の優先映像の表示位置を、前記回線状況に応じて固定する請求項５から請求項７の何れかに記載の無線映像受信装置。
【請求項９】
請求項１から請求項４の何れかに記載の無線映像送信装置と、請求項５から請求項８の何れかに記載の無線映像受信装置とを備えた無線映像伝送システム。
【請求項１０】
無線映像伝送システムが実行する無線映像送信方法であって、
第１のアクセスポイントとの間の通信の回線状況を取得するステップと、
前記第１のアクセスポイントのハンドオーバ先である第２のアクセスポイントへのハンドオーバの実施状況を取得するステップと、
前記回線状況と前記実施状況とに基づいて、少なくとも画像領域または画像解像度が互いに異なるデータが符号化された優先映像データと非優先映像データとを個別の２つの映像ストリームとして前記第１および第２のアクセスポイントへ送信する送信ステップと、
を含む無線映像送信方法。
【請求項１１】
前記送信ステップにおいては、
前記回線状況が、送信適否に関わる第１の基準を満たさない場合、前記２つの映像ストリームの双方を前記第１のアクセスポイントに対して送信する請求項１０に記載の無線映像送信方法。
【請求項１２】
前記送信ステップにおいては、
前記回線状況が、前記第１の基準よりも低い第２の基準を満たさない場合、前記２つの映像ストリームの一方を前記第２のアクセスポイントに対して送信する請求項１１に記載の無線映像送信方法。
【請求項１３】
前記送信ステップにおいては、
前記第１のアクセスポイントから前記第２のアクセスポイントへのハンドオーバが完了した場合、前記第１のアクセスポイントに対する前記２つの映像ストリームの送信を停止する一方、前記２つの映像ストリームの双方を前記第２のアクセスポイントに対して送信する請求項１０から１２の何れかに記載の無線映像送信方法。
【請求項１４】
前記無線映像伝送システムが実行する、請求項１０から請求項１３の何れかに記載の無線映像送信方法によって送信されたデータを受信する無線映像受信方法であって、
前記第１および第２のアクセスポイントを介して前記２つの映像ストリームを受信するステップと、受信した少なくとも１つの映像ストリームに含まれる映像データを復号する復号ステップとを含む無線映像受信方法。
【請求項１５】
同種の映像ストリームを複数受信した場合、それら各映像ストリームの受信状況に応じて、前記復号ステップで復号される映像ストリームを選択するストリーム選択ステップを更に含む請求項１４に記載の無線映像受信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月5日(2014.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子と、
被写体からの光線を像側共役面に集光するレンズ群と、
複数のレンズセルを有するレンズアレイを有し、
前記レンズアレイは、前記像側共役面と前記撮像素子が共役になるように配置され、
前記レンズアレイの物体側主平面から前記像側共役面までの距離をσ１、前記レンズ群の射出瞳から前記像側共役面までの距離をＰｅｘとしたとき、
2012191376.tif 000001
を満足することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
隣接するレンズセルによって前記像側共役面に形成される前記撮像素子の画素の像が、前記撮像素子の画素の像のピッチの整数倍とは異なる長さだけ互いにずれるように、前記レンズアレイが配置されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記レンズアレイの像側主平面から前記撮像素子までの距離をσ２、前記撮像素子の画素ピッチをΔ、前記レンズアレイのピッチをΔＬＡ、
2012191376.tif 000002
を満たす整数をＭ、Ｍよりも小さく、且つ、Ｍとの最大公約数が１となる整数をｍとしたとき、
2012191376.tif 000003
を満足することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記レンズセルの像側の面は、凸形状であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記レンズセルの物体側の面は、平面又は凸形状であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記レンズアレイは、前記レンズ群の前記像側共役面よりも物体側に配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
撮像素子に被写体からの光線を集光する撮像光学系であって、
被写体からの光線を像側共役面に集光するレンズ群と、
複数のレンズセルを有するレンズアレイを有し、
前記レンズアレイは、前記像側共役面と前記撮像素子が共役になるように配置され、
前記レンズアレイの物体側主平面から前記像側共役面までの距離をσ１、前記レンズ群の射出瞳から前記像側共役面までの距離をＰｅｘとしたとき、
2012191376.tif 000004
を満足することを特徴とする撮像光学系。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月3日(2014.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像することによって互いに視差を有する２つの画像データを生成する撮像部と、
前記撮像部が生成する前記２つの画像データそれぞれに対応する２つの画像を用いて３次元画像を表示する表示部と、
前記２つの画像を重畳した際に、該２つの画像内において一致する一致領域を検出する一致領域検出部と、
前記一致領域検出部の検出結果に応じて、前記３次元画像を前記表示部の表示画面と直交する方向へ仮想的に飛び出した状態から前記表示部の表示画面を基準として仮想的に引っ込んだ状態に逆転させて前記表示部に表示させる逆転表示が可能であるか否かを判定する逆転表示判定部と、
を備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記一致領域検出部は、当該撮像装置から距離が異なる前記一致領域を検出し、
前記逆転表示判定部は、前記一致領域検出部が前記一致領域を２つ以上検出した場合、前記逆転表示が可能であると判定することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記３次元画像に含まれる人物の顔を検出する顔検出部をさらに備え、
前記逆転表示判定部は、前記顔検出部が複数の顔を検出した場合、前記逆転表示が不可能であると判定する一方、前記顔検出部が一つの顔を検出した場合、前記逆転表示が可能であると判定することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記２つの画像を前記表示画面における水平方向の１画素毎に交互に並べて前記表示部に表示させることによって前記３次元画像を前記表示部に表示させる表示制御部をさらに備え、
前記表示制御部は、前記逆転表示判定部によって前記逆転表示が可能と判定された場合、前記表示画面における前記２つの画像の画素の位置を逆に並び換えて前記表示部に表示させることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の撮像装置。
【請求項５】
前記逆転表示判定部によって前記逆転表示が不可能と判定された場合、前記逆転表示が不可能であることを示す情報を出力する出力部をさらに備えたことを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記２つの画像の視差を調整する指示信号の入力を受け付ける視差調整部をさらに備え、
前記表示制御部は、前記指示信号に応じて前記２つの画像の視差が調整された前記３次元画像を前記表示部に表示させることを特徴とする請求項４または５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記一致領域検出部が検出した一致領域を前記２つの画像それぞれから抽出する一致領域抽出部と、
前記一致領域抽出部が抽出した一致領域に対応する２つの一致領域画像それぞれを、他の背景画像に合成して合成画像を生成する画像合成部と、
をさらに備え、
前記表示制御部は、前記合成画像を用いて前記３次元画像を前記表示部に表示させることを特徴とする請求項４〜６のいずれか一つに記載の撮像装置。
【請求項８】
前記表示制御部は、前記撮像部が生成した前記３次元画像のライブビュー画像を前記表示部に表示させる、または前記撮像部が撮影した直後の前記３次元画像を所定時間だけ表示させることを特徴とする請求項４〜７のいずれか一つに記載の撮像装置。
【請求項９】
被写体を撮像することによって互いに視差を有する２つの画像データを生成する撮像ステップと、
前記撮像ステップが生成する前記２つの画像データそれぞれに対応する２つの画像を用いて３次元画像を表示部に表示する表示ステップと、
前記２つの画像を重畳した際に、該２つの画像内において一致する一致領域を検出する一致領域検出ステップと、
前記一致領域検出ステップの検出結果に応じて、前記３次元画像を前記表示部の表示画面と直交する方向へ仮想的に飛び出した状態から前記表示部の表示画面を基準として仮想的に引っ込んだ状態に逆転させて前記表示ステップで表示させる逆転表示が可能であるか否かを判定する逆転表示判定ステップと、
を撮像装置に実行させることを特徴とする撮像プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月26日(2014.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
このガスセル１３０に対して、アルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数（波長）差を有する２つの光波（第１側帯波および第２側帯波）が照射されると、アルカリ金属原子がＥＩＴ現象を起こす。例えば、アルカリ金属原子がセシウム原子であれば、Ｄ１線における基底準位ＧＬ１と基底準位ＧＬ２のエネルギー差に相当する周波数が９．１９２６３・・・ＧＨｚなので、周波数差が９．１９２６３・・・ＧＨｚの２つの光波が照射されるとＥＩＴ現象を起こす。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月27日(2014.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスセルと、
第１部、および前記第１部に沿う第２部を備え、前記ガスセルを加熱する第１ヒーターと、を有し、
前記第１部に流れる電流の方向と、前記第２部に流れる電流の方向とは互いに反対方向になることを特徴とするガスセルユニット。
【請求項２】
前記第１ヒーターと同一の構成を有する第２ヒーターを有し、
前記ガスセルが前記第１ヒーターと前記第２ヒーターとの間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のガスセルユニット。
【請求項３】
前記第１ヒーターまたは前記第２ヒーターは、前記第１部および前記第２部を複数備え、前記第１部と前記第２部が交互に並んでいることを特徴とする請求項１または２に記載のガスセルユニット。
【請求項４】
前記第１ヒーターまたは前記第２ヒーターは、蛇行した形状である請求項３に記載のガスセルユニット。
【請求項５】
前記第１部および前記第２部は、膜状の発熱抵抗体であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のガスセルユニット。
【請求項６】
前記第１ヒーターまたは前記第２ヒーターと、前記ガスセルとの間に絶縁性の基板が配置されている請求項５に記載のガスセルユニット。
【請求項７】
前記第１部および前記第２部は、前記ガスセルの外表面に配置されている請求項５に記載のガスセルユニット。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載のガスセルユニットと、
前記ガスセル中の金属原子を励起する光を出射する光出射部と、
前記ガスセルを透過した前記光の強度を検出する光検出部と、
を備えることを特徴とする原子発振器。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれかに記載のガスセルユニットを備えることを特徴とする電子装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本発明のガスセルユニットは、ガスセルと、
第１部、および前記第１部に沿う第２部を備え、前記ガスセルを加熱する第１ヒーターと、を有し、
前記第１部に流れる電流の方向と、前記第２部に流れる電流の方向とは互いに反対方向になることを特徴とする。
このように構成されたガスセルユニットによれば、ヒーター（具体的には発熱抵抗体）への通電量が変化しても、ガスセル内の磁場の変動を抑制または防止することができる。そのため、ガスセル内の磁場の変化を抑えつつ、ガスセル内の温度を所望の温度に維持することができる。その結果、原子発振器の周波数精度を向上させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
［適用例２］
本発明のガスセルユニットでは、前記第１ヒーターと同一の構成を有する第２ヒーターを有し、
前記ガスセルが前記第１ヒーターと前記第２ヒーターとの間に配置されていることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
［適用例３］
本発明のガスセルユニットでは、前記第１ヒーターまたは前記第２ヒーターは、前記第１部および前記第２部を複数備え、前記第１部と前記第２部が交互に並んでいることが好ましい。
これにより、第１帯状部への通電に伴って生じる磁場と、第２帯状部への通電に伴って生じる磁場とを互いに効率的に相殺または緩和させることができる。
［適用例４］
本発明のガスセルユニットでは、前記第１ヒーターまたは前記第２ヒーターは、蛇行した形状であることが好ましい。
これにより、発熱抵抗体への通電のための配線を簡単化することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
［適用例５］
本発明のガスセルユニットでは、前記第１部および前記第２部は、膜状の発熱抵抗体であることが好ましい。
これにより、発熱抵抗体を各種成膜法により簡単かつ高い寸法精度で形成することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
［適用例６］
本発明のガスセルユニットでは、前記第１ヒーターまたは前記第２ヒーターと、前記ガスセルとの間に絶縁性の基板が配置されていることが好ましい。
これにより、発熱抵抗体の各部同士の短絡を防止しつつ、発熱抵抗体の設置を容易なものとすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
［適用例７］
本発明のガスセルユニットでは、前記第１部および前記第２部は、前記ガスセルの外表面に配置されていることが好ましい。
これにより、発熱抵抗体とガスセルの間の距離を小さくし、発熱抵抗体からの熱をガスセルに効率的に伝達することができる。また、発熱抵抗体とガスセルとの間に隙間が生じるのを防止することができる。そのため、ガスセルを均一かつ効率的に加熱することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
［適用例８］
本発明の原子発振器は、本発明のガスセルユニットと、
前記ガスセル中の金属原子を励起する光を出射する光出射部と、
前記ガスセルを透過した前記光の強度を検出する光検出部と、
を備えることを特徴とする。
これにより、優れた周波数精度を有する原子発振器を提供することができる。
［適用例９］
本発明の電子装置は、本発明のガスセルユニットを備えることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する電子装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月26日(2014.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図３は、波長選択部２０から射出された第２光Ｌ２の周波数スペクトラムを示す図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
このガスセル１３０に対して、アルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数（波長）差を有する２つの光波（第１側帯波および第２側帯波）が照射されると、アルカリ金属原子がＥＩＴ現象を起こす。例えば、アルカリ金属原子がセシウム原子であれば、Ｄ１線における基底準位ＧＬ１と基底準位ＧＬ２のエネルギー差に相当する周波数が９．１９２６３・・・ＧＨｚなので、周波数差が９．１９２６３・・・ＧＨｚの２つの光波が照射されるとＥＩＴ現象を起こす。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
光フィルター特性制御装置１２０ｂは、光フィルター素子１２０ａに電場を供給するための第１電極１２８および第２電極１２９を有している。光フィルター特性制御装置１２０ｂは、電極１２８，１２９間に電圧を印加することにより、基板１２３に電場を供給することができる。これにより、電気光学効果が生じて基板１２３の屈折率が変化し、光フィルター素子１２０ａの波長選択特性を変化させることができる。第１電極１２８は、基体１７０の、光フィルター素子１２０ａが位置する側と反対側に位置している。第１電極１２８は、基体１７０の下方に形成されている。第１電極１２８は、上述した半導体レーザー１１０の電極１１８と共通の電極である。第２電極１２９は、光フィルター素子１２０ａの、基体１７０が位置する側と反対側に位置している。第２電極１２９は、絶縁層１９０を介して、光フィルター素子１２０ａの上方に形成されている。電極１２８，１２９
間に、絶縁層１９０が形成されることにより、電極１２８，１２９間に電流が流れて電圧降下が生じることを防ぐことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月26日(2014.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
このような原子発振器によれば、波長選択部が、光源からの光に含まれる基本波の強度を減少または基本波を消滅させることができる。これにより、ＥＩＴ現象に寄与しない基本波がアルカリ金属原子に照射されることを抑制または防止できる。したがって、ＡＣシュタルク効果による周波数変動を抑制することができ、周波数安定度の高い発振器を提供できる。さらに、波長選択部が、ファイバーブラッググレーティングに電圧を印加するための電圧印加部を有しているため、電気光学効果によってファイバーグレーティングの波長選択特性（ファイバーブラッググレーティングが選択する波長範囲）を変化させることができる。これにより、波長選択部は、製造誤差や環境変化等によるファイバーブラッググレーティングの波長選択特性のずれを補正することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
このガスセル１３０に対して、アルカリ金属原子の２つの基底準位のエネルギー差に相当する周波数（波長）差を有する２つの光波（第１側帯波および第２側帯波）が照射されると、アルカリ金属原子がＥＩＴ現象を起こす。例えば、アルカリ金属原子がセシウム原子であれば、Ｄ１線における基底準位ＧＬ１と基底準位ＧＬ２のエネルギー差に相当する周波数が９．１９２６３・・・ＧＨｚなので、周波数差が９．１９２６３・・・ＧＨｚの２つの光波が照射されるとＥＩＴ現象を起こす。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月21日(2014.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
光電変換が行われるフォトダイオードが形成された有効領域、および遮光膜により遮光された光学的黒領域が形成された半導体基板と、
前記有効領域上であって、負の固定電荷を有する層が少なくとも１層以上積層された第１の膜と、
前記光学的黒領域上であって、負の固定電荷を有する層が少なくとも１層以上積層された第２の膜と、を備え、
前記第１の膜が有する層の数が前記第２の膜が有する層の数と異なる
固体撮像素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
半導体基板に、光電変換が行われるフォトダイオードが形成された有効領域および遮光膜により遮光された光学的黒領域を形成する工程と、
前記有効領域上に負の固定電荷を有する層が少なくとも１層以上積層された第１の膜を形成する工程と、
前記光学的黒領域上に、負の固定電荷を有する層が少なくとも１層以上積層され、前記第１の膜が有する層の数とは異なる数の層を有する第２の膜を形成する工程と、を有する
固体撮像素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月16日(2014.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に配置されたフィールド酸化膜と、
前記フィールド酸化膜の上面に配置された導電性多結晶シリコン層と、
前記フィールド酸化膜によって囲まれたアクティブ領域と、
前記アクティブ領域内に設けられた高濃度不純物領域と、
前記導電性多結晶シリコン層および前記高濃度不純物領域の上を覆って設けられた絶縁膜と、
前記導電性多結晶シリコン層の上の前記絶縁膜に設けられた大口径コンタクトホールと、
前記高濃度不純物領域の上の前記絶縁膜に設けられた小口径コンタクトホールと、
前記大口径コンタクトホールの内部の側壁に配置された導電性プラグ材料からなるメタルサイドウォールと、
前記メタルサイドウォールを覆って前記大口径コンタクトホールの内部に設けられた絶縁体のサイドウォールと、
前記絶縁体のサイドウォールを覆って、前記大口径コンタクトホールの内部を充填している抵抗体と、
前記小口径コンタクトホールの内部を生める前記導電性プラグ材料からなる導電性金属ビアと、
前記抵抗体および前記導電性金属ビアにそれぞれ接続された第一および第二の電極と、
からなる半導体装置。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に設けられた第一の絶縁膜と、
前記第一の絶縁膜の表面に配置された第一および第二の電極と、
前記第一および第二の電極の上を覆って設けられた第二の絶縁膜と、
前記第一の電極の上の前記第二の絶縁膜に設けられた大口径コンタクトホールと、
前記第二の電極の上の前記第二の絶縁膜に設けられた小口径コンタクトホールと、
前記大口径コンタクトホールの内部の側壁に配置された導電性プラグ材料からなるメタルサイドウォールと、
前記メタルサイドウォールを覆って前記大口径コンタクトホールの内部に設けられた絶縁体のサイドウォールと、
前記絶縁体のサイドウォールを覆って、前記大口径コンタクトホールの内部を充填している抵抗体と、
前記小口径コンタクトホールの内部を生める前記導電性プラグ材料からなる導電性金属ビアと、
前記抵抗体および前記導電性金属ビアにそれぞれ接続された第３および第４の電極と、
からなる半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁体がシリコン酸化膜である請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記抵抗体の材質がタングステンシリサイド、クロムシリサイド、モリブデンシリサイド、ニクロム、チタン、多結晶シリコンのいずれかからなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体基板の表面にアクティブ領域を設けるために、フィールド酸化膜を形成する工程と、
前記アクティブ領域の内部に高濃度不純物領域を設ける工程と、
前記フィールド酸化膜の上面に導電性多結晶シリコン層を形成する工程と、
前記導電性多結晶シリコン層および前記高濃度不純物領域の上を覆う絶縁膜を設ける工程と、
大口径コンタクトホールを前記導電性多結晶シリコン層の上の前記絶縁膜に、小口径コンタクトホールを前記高濃度不純物領域の上の前記絶縁膜に、同時に形成する工程と、
前記小口径コンタクトホールの内部を埋める導電性プラグ材料からなる導電性金属ビアと前記大口径コンタクトホールの内部の側壁に前記導電性プラグ材料からなるメタルサイドウォールを同時に形成する工程と、
前記メタルサイドウォールを覆って、絶縁体のサイドウォールを前記大口径コンタクトホールの内部に設ける工程と、
抵抗体により前記絶縁体のサイドウォールを覆うとともに、前記大口径コンタクトホールの内部を充填する工程と、
前記抵抗体および前記導電性金属ビアにそれぞれ接続された第一および第二の電極を形成する工程と、
からなる半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板の表面に第一の絶縁膜を設ける工程と、
前記第一の絶縁膜の表面に第一および第二の電極を配置する工程と、
前記第一および第二の電極上を覆う第二の絶縁膜を設ける工程と、
大口径コンタクトホールを前記第一の電極の上の前記第二の絶縁膜に、小口径コンタクトホールを前記第二の電極の上の前記第二の絶縁膜に、同時に形成する工程と、
前記小口径コンタクトホールの内部を埋める導電性プラグ材料からなる導電性金属ビアと前記大口径コンタクトホールの内部の側壁に前記導電性プラグ材料からなるメタルサイドウォールを同時に形成する工程と、
前記メタルサイドウォールを覆って、絶縁体のサイドウォールを前記大口径コンタクトホールの内部に設ける工程と、
抵抗体により前記絶縁体のサイドウォールを覆うとともに、前記大口径コンタクトホールの内部を充填する工程と、
前記抵抗体および前記導電性金属ビアにそれぞれ接続された第３および第４の電極を形成する工程と、
からなる半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記抵抗体の材質がタングステンシリサイド、クロムシリサイド、モリブデンシリサイド、ニクロム、チタン、多結晶シリコンのいずれかからなることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月17日(2014.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】真空処理装置用の端子ユニット及びその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、真空チャンバの壁面や真空フランジ等の真空隔壁に設けられる真空処理装置用の端子ユニット及びその製造方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月5日(2014.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電層と電極層とが重ねられて構成された電極部と、前記電極部に接して電極層を含まない圧電層から構成された非電極部と、を含む圧電素子であって、
前記電極部の圧電層は銀元素を含有し、
前記非電極部の圧電層は、前記電極部の圧電層よりも密度が小さい領域を含むことを特徴とする圧電素子。
【請求項２】
圧電層と電極層とが重ねられて構成され、前記非電極部を介して前記電極部に隣接する電極部を有し、
前記非電極部の圧電層は、前記電極部の圧電層より密度が小さい領域を含み、
前記非電極部は、前記２つの電極部の間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の圧電素子。
【請求項３】
前記電極部において、前記圧電層は低温焼結助剤を含み、前記電極層は銀元素を含むことを特徴とする請求項１に記載の圧電素子。
【請求項４】
圧電層と電極層とが重ねられて構成された２つの電極部と、
前記２つの電極部の間に設けられ電極層を含まない圧電層から構成された非電極部と、
を含み、
前記非電極部は、前記２つの電極部の圧電層よりも密度が小さい領域を含むことを特徴とする圧電素子。
【請求項５】
前記２つの電極部は、分極極性が異なることを特徴とする請求項２または４に記載の圧電素子。
【請求項６】
前記２つの電極部において、前記圧電層は低温焼結助剤を含み、前記電極層は銀元素を含むことを特徴とする請求項４または５に記載の圧電素子。
【請求項７】
前記低温焼結助剤は、銅元素を含むことを特徴とする請求項３または６に記載の圧電素子。
【請求項８】
前記圧電素子は、最高焼成温度が９４０℃以下で焼成されて形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の圧電素子。
【請求項９】
前記非電極部の密度は、前記電極部の密度の９４％以上、９７％以下であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の圧電素子。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の圧電素子を有することを特徴とする圧電アクチュエータ。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の圧電素子と、振動体とを有し、前記圧電素子により前記振動体を駆動することを特徴とする振動波モータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の圧電素子は、圧電層と電極層とが重ねられて構成された電極部と、前記電極部に接して電極層を含まない圧電層から構成された非電極部と、を含む圧電素子であって、
前記電極部の圧電層は銀元素を含有し、前記非電極部の圧電層は、前記電極部の圧電層よりも密度が小さい領域を含むことを特徴とする。
また、本発明の圧電アクチュエータは、上記した圧電素子を有することを特徴とする。
また、本発明の振動波モータは、上記した圧電素子と、振動体とを有し、該圧電素子により前記振動体を駆動することを特徴とする。