(57)【要約】  半導体結晶の物理気相輸送成長のための装置は、対称軸を画定する円筒状真空エンクロージャと、真空エンクロージャの内部において反応セルを支持するための反応セル支持体と、ＲＦエネルギーに対して透過性である材料により製造され、対称軸に沿って画定される高さＨｃｅｌｌを有する円筒状反応セルと、真空エンクロージャの外側の周囲に設けられ対称軸の軸方向中央に位置し、少なくとも高さＨｃｅｌｌに沿って均一なＲＦ場を形成するよう構成されているＲＦコイルと、反応セルの内部に対称軸に沿って温度勾配を形成するように構成されている断熱材とを有する。高さＨｃｅｌｌに対する対称軸に沿って測定されるＲＦ誘導コイルの高さの比は、２．５〜４．０又は２．８〜４．０の範囲であってよい。
2018510831.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
昇華再結晶成長により半導体結晶を成長させるための誘導炉装置であって、
石英製真空チャンバと、
前記石英製真空チャンバと同軸上に配置された円筒状ＲＦ誘導コイルと、
前記ＲＦ誘導コイルと接続したＲＦ電源と、
種結晶及び原料物質を収容するよう構成された反応セルであって、前記反応セルの回転対称軸に沿って前記反応セルの高さとして測定される軸方向長さを画定する、反応セルと、
前記反応セルの内部に温度勾配を形成するよう構成された、前記セルの周囲の断熱材層の配列と、
前記反応セルを前記石英製真空チャンバの内部に配置するための支持体と、を備え、
前記ＲＦ誘導コイルは、前記反応セルが、前記誘導コイルと同軸上に配置され、前記石英製真空チャンバと同軸上、かつ前記誘導コイルの軸方向長さに対して前記コイルの中央近傍又は中央に配置されているときに、前記反応セルの周囲に均一な電磁場を形成するよう構成されており、
前記反応セルの前記軸方向長さに対する、前記回転対称軸に沿って測定される前記ＲＦ誘導コイルの高さの比が２．５〜４．０である、装置。
【請求項２】
前記反応セルの前記軸方向長さに対する、前記回転対称軸に沿って測定される前記ＲＦ誘導コイルの高さの比が２．８〜４．０である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記反応セル及び前記断熱材は、黒鉛から製造されている、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記石英製真空チャンバの外壁の周囲に強制的に空気を流す機構を更に備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記回転対称軸に沿って測定される前記ＲＦ誘導コイルの高さは、前記回転対称軸に沿って測定される前記石英製真空チャンバの高さよりも低いが、前記反応セルの前記軸方向長さよりは長い、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記反応セルの高さに対する前記石英製真空チャンバの高さの比は、５．９〜６．５の範囲である、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記反応セルの高さに対する前記石英製真空チャンバの高さの比は、７．１〜７．８の範囲である、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記ＲＦ誘導コイルは、内径が３３０〜７２５ｍｍの範囲である、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記石英製真空チャンバの外壁に配置されたウォータージャケットを更に備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記支持体は、ＲＦ場からエネルギーを吸収せず、反応セルを前記真空エンクロージャ内において支持するように構成され、前記反応セルを前記対称軸に対して軸方向中央に位置するように支持する、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記高さＨｃｅｌｌに対する、前記対称軸に沿って測定される前記ＲＦ誘導コイルの高さの比は、２．８〜４．０の範囲である、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記ＲＦコイルは、内径が３３０〜５５０ｍｍの範囲である、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
半導体結晶の物理気相成長方法であって、
反応セルの対称軸に沿って前記反応セルの高さとして画定される高さＨｃｅｌｌを有する反応セルの内部に、種及び原料物質を配置することと、
前記反応セルの内部に温度勾配を形成するよう構成された断熱材層の配列を、前記セルの周囲へ配置して提供することと、
前記反応セルを石英製真空チャンバの内部に配置することと、
前記石英製真空チャンバの内部を真空にすることと、
前記真空チャンバの内部にＲＦ場を形成することと、を含み、前記反応セルが前記コイルの中央近傍に配置されているときは、少なくとも前記高さＨｃｅｌｌと同じ長さの領域においては、前記ＲＦコイルの、前記対称軸に沿って画定される高さを、２．６〜４．０倍前記高さＨｃｅｌｌよりも長くすることにより前記ＲＦ電磁場は均一である、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１５年２月５日出願の米国特許仮出願第６２／１１２，６２２号に対する優先権及び利益を主張するものであり、本明細書において参照されることにより、この出願はその全体が本明細書に組み込まれる。
【０００２】
１．技術分野
本開示は、ＳｉＣの物理気相輸送（ＰＶＴ）成長に関し、より具体的にはＰＶＴ装置の組み立てに関する。
【背景技術】
【０００３】
２．背景技術
炭化ケイ素（ＳｉＣ）は、結晶性半導体材料であり、材料科学、電子工学、及び物理学に精通した者には、広いバンドギャップ特性、更に、超高硬度、高熱伝導性、及び化学的不活性といった特性に関して有利であると、認識されている。これらの特性は、ＳｉＣを、パワー半導体デバイスの作製にとって非常に魅力的な半導体としており、ケイ素のようなより一般的な材料から生産されたデバイスに勝るパワー密度及び性能強化が可能となる。
【０００４】
最も一般的なＳｉＣの形態は、原子の立方晶配列又は六方晶配列からなる。Ｓｉ層とＣ層の積層は、ポリタイプとして知られる多くの形態をとり得る。炭化ケイ素結晶の種類は、積層シーケンスにおける繰り返し単位の数を示す数字と、それに続く結晶様式を表す文字によって示される。例えば、３Ｃ−ＳｉＣポリタイプとは、繰り返し単位が３で、かつ立方（Ｃ）格子であることを指し、４Ｈ−ＳｉＣポリタイプとは、繰り返し単位が４で、かつ六方（Ｈ）格子であることを指す。
【０００５】
異なる炭化ケイ素ポリタイプは、材料特性（最も顕著には電気特性）において多少の差異を有する。４Ｈ−ＳｉＣポリタイプは、より広いバンドギャップを有する一方で、３Ｃ−ＳｉＣはより狭いバンドギャップを有し、他のほとんどのポリタイプのバンドギャップは、その中間に属する。バンドギャップがより広い場合、その材料は、高性能パワーデバイス用に、理論上、相対的に高いハイパワー及び熱伝導性能を提供する、より高い能力があることになる。
【０００６】
ＳｉＣ結晶は、天然には産生しないため、合成する必要がある。ＳｉＣ結晶の成長は、昇華／物理気相輸送法、又は化学気相堆積法によって行うことができる。
【０００７】
昇華再結晶によるＳｉＣの成長は非常に難しい。昇華再結晶では、昇華によりＳｉ／Ｃ化学種の蒸気流を発生させるためには、２０００℃超の温度を必要とし、反応セル部品及び炉の設計を大きく制限している。元来は、アチソン法のような製法により形成されたＳｉＣ研磨材が、結晶のためのＳｉ原子源及びＣ原子源として使用されていたが、技術の成熟に伴い、複数のグループによって、ＳｉＣ結晶の成長専用のＳｉＣ原料粉末を合成する手段が開発された。黒鉛容器を誘導加熱する。容器は、容積内に制御された温度勾配を形成するように、注意して断熱される。種結晶が使用され、通常、板又は円盤状に成形される。種結晶は、一般的にその成長表面が原料物質に対向するように配向される。容器内での種結晶の位置は、容器が加熱されたときに、種が比較的低い温度位置にある一方で、Ｓｉ−Ｃ原料物質がより高い温度位置にあるように、設計される。容器が原料物質を昇華させるのに十分な温度まで加熱されたときに、この蒸気は、温度の低い領域へ向かって移動し、種結晶上で凝固する。概念としては単純と思われるものの、ＳｉＣの成長は実際には非常に複雑であり、実務者には、実行が非常に困難なものとして認識されている。
【０００８】
昇華成長用の炉の設計が報告されている。Ｄｕｎｃａｎ，ｅｔ．ａｌ，（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ  １１（１９７１），ｐ．５０−５２）は、結晶成長用誘導炉の設計を開示した。Ｐｏｔｔｅｒ及びＳａｔｔｅｌｌｅ（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ  １２（１９７２）２４５−２４８）は、Ｌｅｌｙ昇華法による炭化ケイ素の結晶成長用ＲＦ誘導炉の設計を報告した。Ｋｏｎｓｔａｎｔｉｎｏｖ（Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｃａｒｂｉｄｅ，Ｇ．Ｌ．Ｈａｒｒｉｓ，ｅｄ．Ｉｎｓｐｅｃ，ＩＳＢＮ  ０  ８５２９６  ８７０  １，（１９９５），ｐｐ．１７０−３）は、ＳｉＣの昇華再結晶成長用ＲＦ誘導炉の構成及び使用について詳述している。誘導炉は、非金属製円筒状真空チャンバ（例えば、石英又はガラス）から構成され、水冷式又はファンを使用した対流冷却式であってよい。円筒状誘導コイルは、真空チャンバを取り囲んでいる。制御された量のガスを供給する手段もまた、設けられている。ＳｉＣ結晶成長では、ガスは通常アルゴン等の不活性ガス及び窒素等のドーピングガスである。反応セル温度は上部及び／又は底部から光学パイロメトリにより測定され、パイロメータの出力は、成長の間の、ＲＦパワー、温度、圧力及びガス流を制御するためのプログラムを実行するコンピュータコントローラへと送られる。Ｋｏｎｓｔａｎｔｉｎｏｖは、誘導型の炉における重要な利点は、温度場の調節の簡便さであることを指摘している。るつぼ内の温度勾配の値及び符号の両方は、誘導コイルを、軸に沿って反応セルに対して相対的に移動させることにより、変化させ得る。
【０００９】
歴史的には、ＳｉＣの昇華に基づいた結晶成長における初期の進歩は、Ｌｅｌｙ（米国特許第２８５４３６４号−１９５８年）によって最初に記述され、種結晶を使用しない結晶成長法によって、小さな六方晶ＳｉＣの板状晶がもたらされた。１９７０年代及び１９８０年代に、デバイスを生産するために魅力的な寸法の最初の結晶を生産する技術が、ロシアでＴａｉｒｏｖ及びＴｓｖｅｔｋｏｖにより行われた（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ，５２（１９８１）ｐ．１４６−５０、及びＰｒｏｇｒｅｓｓ  ｉｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇ  ｔｈｅ  Ｇｒｏｗｔｈ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｔｙｐｉｃ  Ｃｒｙｓｔａｌｓ  ｉｎ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ  ａｎｄ  Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｔｙｐｅ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ，Ｐ．Ｋｒｉｓｈｎａ，ｅｄ．，Ｐｅｒｇａｍｍｏｎ  Ｐｒｅｓｓ，Ｌｏｎｄｏｎ，ｐ．１１１（１９８３））。彼らの手法では、Ｌｅｌｙの結晶が種として使用され、上述したような昇華及び輸送によって成長させた。これらの成果により、種の選択、圧力制御、及び温度勾配によって、ポリタイプを制御するための方法が示された。その後に、Ｄａｖｉｓ（米国特許第４８６６００５号−１９８９年）は、原料物質の賢明な選択及び勾配制御による改善を発表した。Ｔａｉｒｏｖ、Ｔｓｖｅｔｋｏｖ、及びＤａｖｉｓの方法に対する改良が、今日に至るまで発表され続けている。
【００１０】
炭化ケイ素結晶成長方法では、通常、反応セルは、黒鉛製断熱材で取り囲まれた、高密度な等方性黒鉛の容器で構成されている。Ｌｅｌｙ昇華法による昇華成長では、温度勾配を最小限とする炉及び反応セルを設計することが目的である。昇華再結晶では、結晶品質の最適化は、成長期間中の軸方向及び半径方向の温度勾配の制御を確立する能力に密接に関連している。軸方向勾配は、種の温度が原料物質の温度よりもわずかに低くなるように調整される。半径方向の勾配は、種結晶上の成長前面の形状が平面からわずかに凸状となるよう調整される。勾配は２つの方法で確立することができる。１つ目は反応セルにおけるＲＦ場及び電磁場結合（coupling）を制御することであり、２つ目は、反応セルの特定の位置の断熱を制限して、熱損失に強弱をつけることである。昇華再結晶成長に関連する高温のため、種結晶での温度勾配を直接監視する方法は存在せず、必要な温度勾配を達成するための反応セル及びコイルの設計は、通常、有限要素解析モデリングにより実行されている。Ｋｏｎｓｔａｎｔｉｎｏｖが指摘するように、黒鉛の性質は変動が大きいので、結晶成長における再現性を制限するであろう。更に、高温では正確な材料定数を得られないため、モデルは正確に熱流を予測することができない。ひいては、コイルと反応セル、そしてコイルと炉の形状の間の結合モデルも、不正確なものとなる。これらの問題全てが組み合わさっていくつかの寄生誤差となり、モデルと成長結果との間での不連続点を生じさせる。
【００１１】
より大きな結晶を生産する方法が出現すると、焦点も結晶中の欠陥を制御することへと移った。欠陥は、インクルージョン及び結晶転位として分類することができる。ＳｉＣ結晶における、主要な結晶欠陥は、らせん転位である。らせん転位の中でも、マイクロパイプ又は中空コアらせん転位（hollow core screw dislocation）として知られる、特別な場合がある。加えて、基底面転位及び貫通刃状転位がある。これらの欠陥は、多くの発生源に由来するものである。例えば、種結晶内に包含されていた欠陥が、新しく成長した結晶体積へ移行する場合がある。温度勾配及び熱膨張の不一致から生じて、種及び成長中の結晶にかかる応力が、転位の形成をもたらす場合もある。昇華での蒸気流が、ＳｉＣを形成するために必要な蒸気流から化学量論的に逸脱していると、不安定なポリタイプの成長をもたらすことがあり、ひいては、成長後の結晶中におけるポリタイプのインクルージョンにつながり、これにより、ポリタイプの境界において転位の形成が引き起こされる。各転位間の相互作用でさえ、転位を形成させたり、又は消滅させたりする場合がある。
【００１２】
すでに示した方法によって生産されたＳｉＣ結晶は、転位濃度が大きい。本出願の時点で一般的に報告されている、らせん転位濃度及び基底面濃度の値は、名目上それぞれ５，０００〜１０，０００／ｃｍ２である。転位は、最も一般的には、結晶の対称軸に対して垂直な平面で結晶を薄片化することによって評価される。露出した結晶面を水酸化カリウムのような溶融塩を用いて３５０〜５００℃の範囲の温度でエッチングすることにより、転位が明らかになるであろう。それぞれの種類の転位は、特有の形状を有しているため、区別してカウントすることができる。転位は、一般的に、検査面積で除した数として、カウントされ、報告される。この特性評価方法は、結晶平面上に形成される平面状半導体デバイスに含有される欠陥の相関付けを容易にするものであり、有用である。文献には、観察平面内に転位が均一に分布しているわけではないことを示す多くの例がある。特に、今日では、直径１００ｍｍの円よりも広い、又はそれと等しい区画に対する検査が求められる場合があり、転位のカウント数が多く、全ての転位を１つずつカウントすることが、全く現実的でないものとなっている。従って、エッチングされた領域をサンプリングして、転位の量を決定する。大きな結晶と関連する転位濃度を求める際、誤ったサンプリング方法によって誤差が引き起こされる場合がある。ほとんどの報告において、サンプリング方法の詳細が提供されないため、結果の再現は、不可能でないとしても、大抵は困難である。
【００１３】
固体物理学及び半導体デバイス分野で経験を有する科学者たちには、転位によって、材料の理論上の特性を下回るデバイス性能がもたらされることが知られている。それ故、半導体ＳｉＣ結晶の品質改善に焦点を当てた近年の努力は、結晶成長に由来する欠陥を減少させることができる因子を特定し、制御することを目指している。
【００１４】
十分に大きい結晶が生産された後は、平面作製法により半導体デバイスを作製する装置において便利であるように、結晶を切断して、ウェハへ加工しなければならない。多くの半導体結晶（例えば、ケイ素、ヒ化ガリウム等）の開発、及びウェハ製品への商品化が成功しているため、バルク状の結晶からウェハを作製する方法は既知である。ウェハ作製に対する一般的な手法及び要件、並びに標準的な特性評価方法の考察は、Ｗｏｌｆ  ａｎｄ  Ｔａｕｂｅｒ，Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｆｏｒ  ｔｈｅ  ＶＬＳＩ  Ｅｒａ，Ｖｏｌ．１−Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｃｈａｐｔｅｒ  １（Ｌａｔｔｉｃｅ  Ｐｒｅｓｓ−１９８６）に見出すことができる。
【００１５】
その硬度のために、ＳｉＣからのウェハ基板の作製では、ケイ素又はヒ化ガリウムのような他の一般的な半導体結晶の加工と比較して、特有の課題が提起される。機械に変更を加えなければならず、かつ研磨剤の選択は、一般的に使用される材料の範疇を超えて変更された。一般的なウェハの作製技術に対し、ＳｉＣに適応させるために施された変更は、しばしば、その発明者らによって、独占的な情報として保持されている。表面下の実質的な損傷は、鏡面研磨したＳｉＣウェハ上で観察可能であり、この表面下の損傷は、シリコン産業で使用されているものに類似した、化学的に増強した機械的研磨法を使用して、減少又は除去することができることが報告されている（Ｚｈｏｕ，Ｌ．，ｅｔ  ａｌ．，Ｃｈｅｍｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｃａｒｂｉｄｅ，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．１４４，ｎｏ．６，Ｊｕｎｅ  １９９７，ｐｐ．Ｌ１６１〜Ｌ１６３）。
【００１６】
ＳｉＣウェハ上に半導体デバイスを構築するためには、更なる結晶性ＳｉＣ膜を、ウェハ上に堆積して、必要な導電性値及び導体の種類を有するデバイス活性領域を形成しなければならない。典型的には、この作業は、化学気相成長（ＣＶＤ）法を使用して行われる。１９７０年代より、ＣＶＤエピタキシーによるＳｉＣの成長のための技術が、ロシア、日本、及び米国のグループから発表されてきた。ＣＶＤ法によるＳｉＣの成長のための最も一般的な化学成分は、ケイ素含有原料ガス（例えば、モノシラン又はクロロシラン等）と、炭素含有原料ガス（例えば、炭化水素ガス等）との混合物である。欠陥の少ないエピタキシャル層の成長の鍵となる要素は、結晶の対称軸から遠ざかるように基板表面を傾斜させて、基板の結晶によって確立された積層順で、表面に化学原子を付着させることを可能にすることである。この傾斜が適切でないときは、ＣＶＤ法によって、表面に３次元的な欠陥が生じ、このような欠陥により、半導体デバイスが動作しなくなってしまう。クラック、表面下の損傷、ピット、粒子、傷、又は汚染等の表面の欠陥は、ＣＶＤ法によるウェハの結晶構造の再現を妨げる（例えば、Ｐｏｗｅｌｌ  ａｎｄ  Ｌａｒｋｉｎ，Ｐｈｙｓ．Ｓｔａｔ．Ｓｏｌ．（ｂ）２０２，５２９（１９９７）を参照されたい）。ウェハの作製に用いられる研磨及び洗浄工程によって、表面欠陥が最小化されることが重要である。これらの表面欠陥の存在下では、基底面転位及び立方体型のＳｉＣインクルージョン等の複数の欠陥が、エピタキシャル膜に発生する場合がある（例えば、Ｐｏｗｅｌｌ，ｅｔ．ａｌ．Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  Ｔｈｉｒｄ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｈｉｇｈ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，Ｖｏｌｕｍｅ  １，ｐｐ．ＩＩ−３〜ＩＩ−８，Ｓａｎｄｉａ  Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ，Ａｌｂｕｑｕｅｒｑｕｅ，ＮＭ  ＵＳＡ，９〜１４  Ｊｕｎｅ  １９９６を参照）。
【００１７】
ＳｉＣにおける欠陥は、その欠陥の上に形成された半導体デバイスの動作を制限し、又は破壊することが知られている。Ｎｅｕｄｅｃｋ及びＰｏｗｅｌｌは、中空コアらせん転位（マイクロパイプ）がＳｉＣダイオードの電圧阻止性能を厳しく制限することを報告している（Ｐ．Ｇ．Ｎｅｕｄｅｃｋ  ａｎｄ  Ｊ．Ａ．Ｐｏｗｅｌｌ，ＩＥＥＥ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．１５，ｎｏ．２，ｐｐ．６３〜６５，（１９９４））。１９９４年に、Ｎｅｕｄｅｃｋは、らせん転位及び形態的なエピタキシー欠陥に起因するパワー装置の機能の制限に焦点を当てて、パワー装置における結晶（ウェハ）及びエピタキシー由来の欠陥の影響について考察している（Ｎｅｕｄｅｃｋ，Ｍａｔ．Ｓｃｉ．Ｆｏｒｕｍ，Ｖｏｌｓ  ３３８−３４２，ｐｐ．１１６１−１１６６（２０００））。Ｈｕｌｌは、らせん転位密度の低い基板上にダイオードが作製されたときに、高電圧ダイオードの逆バイアスでの漏れ電流の分布が、より低い値へ変化することを報告している（Ｈｕｌｌ，ｅｔ．ａｌ．，Ｍａｔ．Ｓｃｉ．ｆｏｒｕｍ，Ｖｏｌ．６００〜６０３，ｐ．９３１〜９３４（２００９））。Ｌｅｎｄｅｎｍａｎｎは、バイポーラダイオードにおける順方向電圧劣化は、基板での基底面転位に由来した、エピ層における基底面転位と関連があることを報告している（Ｌｅｎｄｅｎｍａｎｎ  ｅｔ．ａｌ．，Ｍａｔ．Ｓｃｉ．Ｆｏｒｕｍ，Ｖｏｌｓ３３８〜３４２，ｐｐ．１４２３〜１４２６（２０００））。
【００１８】
ＳｉＣ及びＡｌＮ等のワイドバンドギャップ結晶を、再現可能に作製するために、温度勾配の制御を達成する必要がある。反応セルの材料及び炉の設計は、本制御への直接的な影響を有している。
【００１９】
特開２０１３−２１６５４９号では、るつぼ本体の側面部分の外側に位置し、反応セル又はるつぼの誘導加熱を行う加熱コイルを開示し、更に、るつぼ本体の開口部に対向する底部部分の外側に位置する底部側加熱コイルを含み、るつぼの誘導加熱を行う。このような配列により、るつぼ内の温度勾配の制御を提供するものと主張されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２０】
【特許文献１】米国特許第２８５４３６４号
【特許文献２】米国特許第４８６６００５号
【特許文献３】特開２０１３−２１６５４９号
【非特許文献】
【００２１】
【非特許文献１】Ｄｕｎｃａｎ，ｅｔ．ａｌ，（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ  １１（１９７１），ｐ．５０−５２）
【非特許文献２】Ｐｏｔｔｅｒ及びＳａｔｔｅｌｌｅ（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ  １２（１９７２）２４５−２４８）
【非特許文献３】Ｋｏｎｓｔａｎｔｉｎｏｖ（Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｃａｒｂｉｄｅ，Ｇ．Ｌ．Ｈａｒｒｉｓ，ｅｄ．Ｉｎｓｐｅｃ，ＩＳＢＮ  ０  ８５２９６  ８７０  １，（１９９５），ｐｐ．１７０−３）
【非特許文献４】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ，５２（１９８１）ｐ．１４６−５０
【非特許文献５】Ｐｒｏｇｒｅｓｓ  ｉｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇ  ｔｈｅ  Ｇｒｏｗｔｈ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｔｙｐｉｃ  Ｃｒｙｓｔａｌｓ  ｉｎ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ  ａｎｄ  Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｔｙｐｅ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ，Ｐ．Ｋｒｉｓｈｎａ，ｅｄ．，Ｐｅｒｇａｍｍｏｎ  Ｐｒｅｓｓ，Ｌｏｎｄｏｎ，ｐ．１１１（１９８３）
【非特許文献６】Ｗｏｌｆ  ａｎｄ  Ｔａｕｂｅｒ，Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｆｏｒ  ｔｈｅ  ＶＬＳＩ  Ｅｒａ，Ｖｏｌ．１−Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｃｈａｐｔｅｒ  １（Ｌａｔｔｉｃｅ  Ｐｒｅｓｓ−１９８６
【非特許文献７】Ｚｈｏｕ，Ｌ．，ｅｔ  ａｌ．，Ｃｈｅｍｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｃａｒｂｉｄｅ，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．１４４，ｎｏ．６，Ｊｕｎｅ  １９９７，ｐｐ．Ｌ１６１〜Ｌ１６３
【非特許文献８】Ｐｏｗｅｌｌ  ａｎｄ  Ｌａｒｋｉｎ，Ｐｈｙｓ．Ｓｔａｔ．Ｓｏｌ．（ｂ）２０２，５２９（１９９７）
【非特許文献９】Ｐｏｗｅｌｌ，ｅｔ．ａｌ．Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  Ｔｈｉｒｄ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｈｉｇｈ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，Ｖｏｌｕｍｅ  １，ｐｐ．ＩＩ−３〜ＩＩ−８，Ｓａｎｄｉａ  Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ，Ａｌｂｕｑｕｅｒｑｕｅ，ＮＭ  ＵＳＡ，９〜１４  Ｊｕｎｅ  １９９６
【非特許文献１０】Ｐ．Ｇ．Ｎｅｕｄｅｃｋ  ａｎｄ  Ｊ．Ａ．Ｐｏｗｅｌｌ，ＩＥＥＥ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．１５，ｎｏ．２，ｐｐ．６３〜６５，（１９９４）
【非特許文献１１】Ｎｅｕｄｅｃｋ，Ｍａｔ．Ｓｃｉ．Ｆｏｒｕｍ，Ｖｏｌｓ  ３３８−３４２，ｐｐ．１１６１−１１６６（２０００）
【非特許文献１２】Ｈｕｌｌ，ｅｔ．ａｌ．，Ｍａｔ．Ｓｃｉ．ｆｏｒｕｍ，Ｖｏｌ．６００〜６０３，ｐ．９３１〜９３４（２００９）
【非特許文献１３】Ｌｅｎｄｅｎｍａｎｎ  ｅｔ．ａｌ．，Ｍａｔ．Ｓｃｉ．Ｆｏｒｕｍ，Ｖｏｌｓ３３８〜３４２，ｐｐ．１４２３〜１４２６（２０００）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
次の本開示の概要は、本発明のいくつかの態様及び特徴の基本的な理解を提供するために提示される。この発明の概要は、本発明の広範な概要ではないため、本発明の鍵となる要素若しくは重要な要素を具体的に特定したり、又は本発明の範囲を詳細に記述したりする意図のものではない。この発明の概要の唯一の目的は、以下に提示するより詳細な説明に対する導入部として、簡潔な形式にて本発明のいくつかの概念を提示することである。
【００２３】
特開２０１３−２１６５４９（Ａ）号に反し、本発明者らは、昇華再結晶において、温度勾配の効率的な制御の最良の達成方法は、ＲＦコイルを、反応セル内の温度勾配を形成するＲＦ場の摂動を最小にするように設計することであることを発見した。本発明者らは、反応セルの軸方向高さに対するコイルの軸方向高さの比に臨界比があるということを予期せずに見出した。この比率が低すぎる場合、コイルの両端は反応セルに過剰に近接し、ＲＦ場は非線形となり、反応セル内の温度勾配は予測不能となる。この点において、コイルの高さはコイルの軸に沿った長さとして画定され、反応セルの高さは、断熱材は含まない、セルの軸に沿った長さとして画定される。反応セルは原料物質及び種物質を保持する容器本体であり得、又種物質及び原料物質を保持するインナーセルを包み込むサセプタ容器であり得る。
【００２４】
開示される態様によると、コイルは勾配を生じさせるのではなく、均一な温度分布を提供するよう設計されている。その結果、温度勾配制御は、コイルではなく、主として反応セルの設計及び反応セル周囲の断熱材の配置によって制御される。誘導コイルの温度勾配効果と反応セルを切り離すことで、再現性が高い結晶成長を達成できる。この設計方針は、１００ｍｍ径以上の結晶を成長させるのに、特に効果的である。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
開示される実施形態によると、昇華再結晶成長により半導体結晶を成長させる誘導炉装置であって、石英製真空チャンバと、石英製真空チャンバの外側の周囲に位置するＲＦ誘導コイルと、ＲＦ誘導コイルと接続したＲＦ電源と、種結晶及び原料物質を収容するよう構成される反応セルであって、反応セルの回転対称軸に沿って反応セルの高さとして測定される軸方向長さが画定される反応セルと、反応セルを石英製真空チャンバの内部に配置するための支持体と、反応セルの外側にあり、反応セル内の温度勾配を生じさせるよう構成された断熱材ラップと、を備えＲＦ誘導コイルは反応セルを均一に誘導加熱するよう構成されている装置が提供される。いくつかの実施形態では、回転対称軸に沿って測定されるＲＦ誘導コイルの高さの、反応セルの軸方向の長さに対する比は、１．８〜４．０、２．０〜５．０、２．５〜４．０又は２．８〜４．０の範囲である。反応セル及び断熱材は、黒鉛から製造されている。いくつかの実施形態では、反応セルの径は、７６〜２００ｍｍ径の結晶の成長に適合するよう構成されている。回転対称軸に沿って測定されるＲＦ誘導コイルの高さは、回転対称軸に沿って測定される石英製真空チャンバの高さよりも低くてよいが、反応セルの軸方向長さよりは長い。反応セル支持体は、ＲＦ場が事実上結合しない材料により製造することができる。ＲＦ誘導コイルは、内径が３３０〜７２５ｍｍ又は３３０〜５５０ｍｍであってよい。石英製真空チャンバの外壁にはウォータージャケットが配置されていてよい。支持体は、石英製真空チャンバの底部開口に嵌め込まれる磁性流体シールを備えていてよい。
【００２６】
更なる実施形態によると、半導体結晶を物理気相輸送成長させる装置であって、ラジオ波に対して透過性である材料で製造され、対称軸を画定する円筒状真空エンクロージャと、部分的に、ＲＦエネルギーを透過させる材料で製造され、真空エンクロージャの内部において、反応セルを反応セルが対称軸に対して軸方向中央に配置されるよう、支持するように構成されている反応セル支持体と、対称軸に沿って画定される高さＨｃｅｌｌを有する円筒状の反応セルと、真空エンクロージャの外側の周囲に設けられ対称軸の軸方向中央に位置し、少なくとも高さＨｃｅｌｌに沿って均一なＲＦ場を形成するよう構成されているＲＦコイルと、反応セルの内部に温度勾配を形成するように構成されている断熱材と、を含む装置が提供される。高さＨｃｅｌｌに対する、対称軸に沿って測定されるＲＦ誘導コイルの高さの比は１．８〜４．０、２．０〜５．０、２．５〜４．０又は２．８〜４．０の範囲であってよい。ＲＦコイルは内径が３３０〜７２５ｍｍ又は３３０〜５５０ｍｍであってよい。反応セル支持体を、ＲＦ場が事実上結合しない材料により製造してよい。反応セル及び断熱材を、黒鉛から製造してよい。反応セル支持体は、石英製真空チャンバの底部開口に嵌め込まれる磁性流体シールを備えていてよい。ウォータージャケットを石英製真空チャンバの外壁に配置してもよい。
【００２７】
更なる態様によると、半導体結晶の物理気相成長方法であって、反応セルの対称軸に沿って高さとして画定される高さＨｃｅｌｌを有する反応セルの内部に、種及び原料物質を配置することと、反応セルを石英製真空チャンバの内部に配置することと、反応セルの内部に温度勾配を形成するよう構成された断熱材層を提供することと、石英製真空チャンバの内部を真空にすることと、真空チャンバの内部にＲＦ場を形成することを含み、ＲＦ場は少なくとも高さＨｃｅｌｌの長さでは均一である方法が提供される。種結晶は六方晶のポリタイプのＳｉＣ単結晶又は窒化アルミニウム単結晶であってよい。ＲＦコイルの、対称軸に沿って画定される高さを、１．８〜４．０、２．０〜５．０、２．６〜４．０だけ高さＨｃｅｌｌよりも長くすることで、ＲＦ場は均一に形成されていてよい。
【００２８】
本明細書に組み込まれ、かつその一部を構成する添付の図面は、本発明の実施形態を例示するものであり、説明と共になって、本発明の原理を説明し、例示する役割を果たすものである。これらの図面は、例示的な実施形態の主要な特徴を図表的に示すことを意図したものである。これらの図面は、実際の実施形態の全ての特徴を示すことを意図したものではなく、示された要素の相対的な寸法を示すことを意図したものでもない。また、これらの図面は、一定の縮尺ではない。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】一実施形態による、炉の構成を示す概略図。
【図１Ａ】図１Ａは、対流冷却を利用した実施形態を示す。
【図２】実施例１の実験の間の、温度安定性の標準偏差の分布を示す。
【図３】実施例１のスライスしたウェハのボウを比較したプロットである。
【図４】実施例１のスライスしたウェハのワープを比較したプロットである。
【図５】実施例２で使用される各コイルの種類に関連したマイクロパイプ密度の分布を比較したプロットである。
【図６】実施例３の７６〜１００ｍｍ厚ｎ＋４Ｈ−ＳｉＣ研磨ウェハの、エッチピット密度分布のプロットである。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
種々の開示される実施形態は、誘導ＰＶＴ反応炉の設計に関する。ＳｉＣを適切に成長させるためには、温度勾配を確立する必要がある。原料物質が占める領域はＳｉＣ種が占める領域よりも高温である。以下に開示する実施形態によると、温度勾配は、反応セルが占有する領域内に、かなり均一な加熱場を形成する誘導コイルを設計することにより達成される。しかしながら、反応セル及び断熱材は、反応セルに不均一な熱損失を生じさせるよう設計されている。
【００３１】
いくつかの具体例によると、比＝（コイル軸方向長さ）／（反応セルの軸方向長さ）と定義されるコイルの高さの反応セルの高さに対する比の最低の値の範囲は、１．８〜４．０、２．０〜５．０、２．０〜４．０で、好ましい値の範囲は名目上２．８〜４．０である。
比が大きくても結晶成長には影響を与えないが、大きな炉の構築を、より高価で、組み立て及び維持が困難なものとするであろう。利用用途上、炉の設計をより大きな結晶の成長に対応させることが必要な場合に、長さの比の臨界値（上に定義した）が径の増加に対し不変であることが分かる。
【００３２】
図１は、本発明の特徴を利用する成長用チャンバの一実施形態を示す。図１の例では、エンクロージャ１１０は、装置の底部を形成するキャビネット１０５により支持されている。管状台１１５の形態の支持体は反応セル１２０を支持し、垂直方向に移動可能である。図１において、管状台１１５は退避位置に示されている。しかし、延伸位置においては、管状台１１５は反応セル１２０を処理チャンバの内部チューブ１２５内に配置する。内部チャンバチューブ１２５の内部が真空に維持されるように、底部ベースプレート１３５はチャンバベース１３０に接触して封止する。チャンバベース１３０及びベースプレート１３５は水冷されてもよい。また、外部スリーブ１２７は水冷を提供するために内部チューブ１２５を覆うよう設けられてよく、チャンバキャップ１１３は内部チューブ１２５の上部を封止しており、また、水冷されていてもよい。ベースプレート１３５を、シールアダプタ１３７に取り付けてよく、シールアダプタ１３７は磁性流体シールを含んでもよい。シールアダプタ１３７にはまた、成長プロセスの間に反応セルを回転させるための回転モータ及び温度測定のための光ファイバ式パイロメータヘッドが組み込まれてもよい。回転モータも光ファイバ式パイロメータヘッドも具体的には、図１に図示していない。上部のパイロメータ１１７は、断熱された反応セルの上部の温度を測定する。本実施例では、パイロメータ１１７はパイロメータ用Ｘ−Ｙ並進ステージに取り付けられ、異なる位置の測定が可能である。
【００３３】
円筒状ＲＦコイル１４０は内部チューブ１２５の周囲にあり、かつ内部チューブ１２５の同軸上に整列している。コイル１４０は内部チューブ１２５内に均一な電磁場を付与するよう設計されている。特に、反応セルがコイルの中央近くに位置する限り、コイルは反応セルの存在による場の摂動を極小とするような電磁場を発生させるであろう。図１の例では、コイルの軸方向長さ（ＡＬｃｏｉｌとして示されている）の、反応セルの高さ、すなわち、軸方向長さ（ＡＬｃｅｌｌとして示されている）に対する比を２．０〜４．０に設定している。このように、誘導コイルの設計の効果は、反応セルの設計（形状、壁の厚さ、断熱材１２３等）によって、昇華区域内の温度の高さ及び均一さを、主として決定することにある。セル内のＲＦ場への真空チャンバの影響を最小にするためには、チャンバのフランジをアルミニウム又はオーステナイトグレードの鋼鉄により製造すべきである。エンドキャップを含むチャンバの高さの、コイルの高さに対する比は、ＡＬｃｏｉｌの１．７〜２．０倍以上であるべきである。
【００３４】
開示される実施形態によるコイルの設計は、内部チューブの軸方向長さに沿って、反応るつぼの高さに少なくとも等しい長さにわたり、均一な場を発生させる。次に、結晶成長の継続時間の間、反応るつぼをこの均一な場に配置する。いくつかの実施形態では、安全マージンを提供するために、均一な場は反応セルの高さよりも長い距離にわたって発生する。
【００３５】
いくつかの実施形態では、石英製真空チャンバの外壁の周囲に強制的に空気を流す機構が設けられる。図１の実施形態では、強制空気機構は、空気管路１１２と結合し、底部から上部へと空気を送達するエアポンプ１１１を含む。強制空気流は、上部において排気連結部１４４を通りエンクロージャ１１０を出る。反対に、図１Ａでは、チャンバカバーの底部に空気吸込み口１４２を作製することで、矢印によって示すように、空気が底部から入り、空冷が達成される。本実施例では、層流となるのを助けるよう、空気吸込み口が換気ガラリで覆われている。排気連結部１４４は、送風機が補助する排気換気システムに導かれ、熱い空気の排気を助けることができる。
【００３６】
反応セルの内径は結晶成長に適合するよう、７６〜２００ｍｍ径に設計されている。同様に、ＲＦ誘導コイルの内径は、この成長に適合するよう設計されていて、例えば、３３０〜５５０ｍｍ又は３３０〜７２５ｍｍに設定されていてよい。反応セル内でのＲＦ場の均一性を維持するために、反応セルの支持体はＲＦ場が事実上結合しない材料で作製されている。
【実施例】
【００３７】
実施例１  従来のコイル及び新規の誘導コイルを使用した７６ｍｍ径４Ｈ−ＳｉＣ結晶成長。
【００３８】
２つの同一の真空炉の各々に異なる誘導コイルを備え付けた。７６ｍｍの４Ｈ−ＳｉＣ種を使用したＳｉＣ昇華結晶成長のために、断熱材を有する複数の反応セルを同じように準備した。「対照」コイルの炉では、反応セルの軸方向長さに対するコイルの軸方向長さの比は、２．０であり、「新規」コイルの炉では、反応セルの軸方向長さに対するコイルの軸方向（axil）長さの比は３．６であった。各炉において、Ｎドープ４Ｈ−ＳｉＣ結晶を成長させるための同一のプロセスを実行した。反応セルをコイルの軸方向長さの中央に配置し、ＲＦ場が事実上結合しない材料により支持した。
【００３９】
成長段階の間、保持される安定状態の温度値について、各成長の間、温度制御安定性を記録した。各炉での全成長試験について、本温度値の標準偏差の分布を図２にプロットした。図２は、「新規」コイル（比＝３．６）では、ランツーラン（run−to−run）温度安定性が改善したことを示している。温度単位は摂氏である。
【００４０】
ウェハを、マルチワイヤスライスシステムを使用して、同一のプロセスを使用して作製した全結晶からスライスした。図３は、スライスウェハのボウの分布を、図４はスライスウェハのワープの分布を、各炉間で比較して示す。ボウ及びワープの単位はマイクロメートルである。図３及び４は、新規の炉による結晶は、ボウの分布がずっと狭いこと、及びワープの値が低いことを示す。スライスプロセスは、各ウェハに同じだけの表面損傷を与えるので、ボウ／ワープ分布の変化は、新規の炉（比＝３．６）を使用して作製した結晶内では、固有の応力がより低いことに帰することができる。
【００４１】
実施例２  対照コイル及び「新規」誘導コイルを使用した７６ｍｍ径４Ｈ−ＳｉＣ結晶成長
【００４２】
２つの同一の真空炉の各々に異なる誘導コイルを備え付けた。７６ｍｍの４Ｈ−ＳｉＣ種を使用したＳｉＣ昇華結晶成長のために、断熱材を有する複数の反応セルを同じように準備した。「対照」コイルの炉では、反応セルの軸方向長さに対するコイルの軸方向（axil）長さの比は、２．０であり、「新規」コイルの炉では、反応セルの軸方向長さに対するコイルの軸方向長さの比は３．６であった。各炉において、Ｎドープ４Ｈ−ＳｉＣ結晶を成長させるための同一のプロセスを実行した。反応セルをコイルの軸方向（axil）長さの中央に配置し、ＲＦ場が事実上結合しない材料により支持した。
【００４３】
作製した結晶をスライスにし、スライスを完全に処理し、研磨ウェハとした。各ウェハを、研磨ウェハ内のマイクロパイプを検出可能なＫＬＡ−ＴｅｎｃｏｒのＣＳ２  ｌａｓｅｒ  ｌｉｇｈｔ  ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ  ｓｙｓｔｅｍを使用して試験した（Ｊ．Ｗａｎ，Ｓ．−Ｈ．Ｐａｒｋ，Ｇ．Ｃｈｕｎｇ，ａｎｄ  Ｍ．Ｊ．Ｌｏｂｏｄａ，”Ａ  Ｃｏｍｐａｒａｔｉｖｅ  Ｓｔｕｄｙ  ｏｆ  Ｍｉｃｒｏｐｉｐｅ  Ｄｅｃｏｒａｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｃｏｕｎｔｉｎｇ  ｉｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ａｎｄ  Ｓｅｍｉ−Ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｃａｒｂｉｄｅ  Ｗａｆｅｒｓ，”Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｖｏｌ．３４（１０），ｐ．１３４２（２００５））。測定により、ウェハ上のマイクロパイプの全数が決定し、全測定面積により、その値を除す。これらの測定では、縁の２ｍｍを除外することを例外として、ウェハ全体を測定した。図５では、各コイルの種類に関連づけたマイクロパイプ密度の分布を比較している。図５において、コイルの種類「０」は「対照」コイルで、コイルの種類「１」は「新規」コイルである。マイクロパイプ密度の単位は、欠陥数／ｃｍ２である。図５の検査により「新規」コイル（ｒａｔｉｏ＝３．６）を使用して作製した結晶は、一貫してマイクロパイプがより少なく、分布も狭いことが分かる。
【００４４】
実施例３  従来のコイル及び「新規」の誘導コイルを使用した７６〜１００ｍｍ径４Ｈ−ＳｉＣ結晶成長。
【００４５】
同一の真空炉からなる複数の組のそれぞれに、２つの異なる誘導コイルの一方を備え付けた。７６ｍｍの４Ｈ−ＳｉＣ種を使用したＳｉＣ昇華結晶成長のために、断熱材を有する複数の反応セルを同じように準備した。１００ｍｍの４Ｈ−ＳｉＣ種を使用したＳｉＣ昇華結晶成長のために、断熱材を有する複数の反応セルよりなる別の組を同じように準備した。７６ｍｍの成長用である「対照」コイルの炉では、反応セルの長さに対するコイルの長さの比は２．０であり、「新規」コイルの炉では、反応セルの長さに対するコイルの長さの比は３．６である。１００ｍｍの成長用である「対照」コイルの炉では、反応セルの長さに対するコイルの長さの比は１．６であり、「新規」コイルの炉では、反応セルの長さに対するコイルの長さの比は２．９である。反応セルをコイルの長さの中央に配置し、ＲＦ場が事実上結合しない材料により支持した。成長させた全結晶に、比抵抗０．０１６〜０．０２８オームセンチメートルの範囲に相当する窒素をドープした。
【００４６】
スライスを各結晶から切り出し、溶融ＫＯＨによりエッチングすることにより、基底、刃状、及びらせん転位に対応する転位エッチピットが明らかになった。転位エッチピットの全数を各ウェハ上の９箇所で計数し、次に全数を測定面積で除した。図６は、従来の及び新規のＲＦコイルを比較した、エッチピット密度の値の傾向を示す。
【００４７】
図６は反応セルの長さに対するコイルの比が増加するにつれて、７６ｍｍ及び１００ｍｍの両方において、相関して、４Ｈ−ＳｉＣ結晶のエッチピット密度が下落したことを示している。転位の低減は通常、成長の間の結晶内における応力の低下と関連する。不均一なＲＦ場から生じる寄生温度勾配が低減することにより、結晶成長の間の応力が低減する。
【００４８】
実施例４  １５０ｍｍ径の４Ｈ−ＳｉＣ結晶成長
【００４９】
結晶の２００ｍｍ径までの成長を支持するよう誘導炉を組み立てた。断熱された反応セルを４Ｈ−ＳｉＣ種ウェハを使用して組み立てた。設計は、反応セルの長さに対するコイルの比が約３．５に相当する。窒素をドープした１５５ｍｍ径の４Ｈ−ＳｉＣ結晶（６Ｂ１３４７００１０）を成長させた。結晶をスライスしてウェハにし、Ｘ線トポグラフィにより試験した。らせん転位数及び基底面転位数をスライスウェハ上の９箇所で評価した。転位数を測定面積で除すことで、各箇所の転位密度を決定した。基底面転位密度は、３．１〜６．２×１０３／ｃｍ２の範囲で変化し、らせん転位密度は、０．２５〜３．７５×１０２／ｃｍ２の範囲で変化した。
【００５０】
本明細書に記載した工程及び技術は、いずれかの特定の装置に本来的に関連するものではなく、構成要素の任意の好適な組み合わせによって実装されてもよいことが理解されるべきである。更に、本明細書に記載の教示に従って、汎用の様々な種類の装置を使用してもよい。本明細書に記載の方法の工程を実施するための専用の装置を構築することもまた、有益であり得る。
【００５１】
本発明を、具体的な実施例と関連させて説明したが、これらの実施例は、あらゆる点で、制限的なものではなく、例示的なものであることを意図している。当業者は、本発明の実践のためにハードウェア、ソフトウエア及びファームウェアの多くの異なる組み合わせが好適となるであろうことを、理解するであろう。更に、本明細書の検討及び本明細書に開示した発明の実践から、本発明の他の実装が、当業者にとっては明らかとなるであろう。本明細書及び各実施例は例示的なものとしてのみ解釈され、本発明の真の範囲及び趣旨は、次の特許請求の範囲によって示されることが意図されている。
【図１】
2018510831.tif 000003
【図１Ａ】
2018510831.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
2018510831.tif 000010
2018510831.tif 000011