(57)【要約】【課題】動作安定性を向上させることが可能なＭＥＭＳリレーを提供する。【解決手段】ＭＥＭＳリレーは、ベース基板１、第１可動部形成基板２、第２可動部形成基板３、カバー基板４および電磁石装置５を備える。第１可動部形成基板２は、第１フレーム部２１、第１フレーム部２１に第１支持ばね部を介して揺動自在に支持された第１可動部２３、および第１可動部２３に接圧ばね２６を介して支持され第１可動部２３の揺動に伴って固定接点１４に接離する可動接点２７を保持した接点保持部２８を備えている。第２可動部形成基板３は、第２フレーム部３１、第２フレーム部３１に第２支持ばね部を介して揺動自在に支持された第２可動部３３、第２可動部３３の厚み方向の一面側に配置されたアーマチュア３４、および第２可動部３３の揺動に伴って可動接点２７が固定接点１４に接離するように第１可動部２３を動かす動力伝達部３８を備えている。【選択図】図１
2013109908.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に配置されたカバー基板と、前記ベース基板と前記カバー基板との一方に収納された電磁石装置と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に配置され前記固定接点に接離する可動接点を有する第１可動部形成基板と、前記第１可動部形成基板と前記カバー基板との間に配置され前記電磁石装置とともに磁気回路を構成する磁性体板からなるアーマチュアを有する第２可動部形成基板とを備え、前記第１可動部形成基板は、前記ベース基板と前記第２可動部形成基板との間に介在する第１フレーム部と、前記第１フレーム部の内側に配置され前記第１フレーム部に第１支持ばね部を介して揺動自在に支持された第１可動部と、前記第１可動部に接圧ばねを介して支持され前記第１可動部の揺動に伴って前記固定接点に接離する前記可動接点を保持した接点保持部とを備え、前記第２可動部形成基板は、前記第１可動部形成基板と前記カバー基板との間に介在する第２フレーム部と、前記第２フレーム部の内側に配置され前記第２フレーム部に第２支持ばね部を介して揺動自在に支持された第２可動部と、前記第２可動部の厚み方向の一面側に配置された前記アーマチュアと、前記第２可動部の揺動に伴って前記可動接点が前記固定接点に接離するように前記第１可動部を動かす動力伝達部とを備えることを特徴とするＭＥＭＳリレー。
【請求項２】
前記第１可動部形成基板は、前記第１フレーム部と前記接点保持部とを連結し前記接圧ばねとともに前記接点保持部を支持する第３支持ばね部を備えることを特徴とする請求項１記載のＭＥＭＳリレー。
【請求項３】
前記第１可動部形成基板は、前記第１可動部から相反する２方向へ延長された２つの前記第１支持ばね部により前記第１可動部が前記第１フレーム部に支持されてなり、前記第１支持ばね部は、ねじれ変形が可能なトーションばねであることを特徴とする請求項１記載のＭＥＭＳリレー。
【請求項４】
前記第２可動部形成基板は、前記第２可動部から相反する２方向へ延長された２つの前記第２支持ばね部により前記第２可動部が前記第２フレーム部に支持されてなり、前記第２支持ばね部は、ねじれ変形が可能なトーションばねであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳリレー。
【請求項５】
前記第１可動部形成基板は、前記第１可動部における前記動力伝達部との対向部位に、表面が凸曲面状の突起が突設されてなることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のＭＥＭＳリレー。
【請求項６】
前記第１可動部形成基板は、前記第１可動部における前記動力伝達部との対向部位に、前記動力伝達部による衝撃を緩和する衝撃緩和層が設けられてなることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のＭＥＭＳリレー。
【請求項７】
前記第２可動部形成基板は、前記第２可動部の揺動に関わらず前記動力伝達部が前記第１可動部と接していることを特徴とする請求項１記載のＭＥＭＳリレー。
【請求項８】
前記第１可動部形成基板は、前記第１可動部に開口部を有し、前記開口部の内側に前記接点保持部および前記接圧ばね部が配置されてなることを特徴とする請求項３記載のＭＥＭＳリレー。
【請求項９】
前記第１可動部形成基板は、前記第１可動部が枠状に形成されてなり、前記第１可動部の内側において２つの前記支持ばね部を結ぶ直線上に配置され前記ベース基板に固定されたアンカー部を備え、前記接点保持部は、平面視で２つの前記第１支持ばね部の並設方向に直交する規定方向において前記第１可動部側に配置された前記接圧ばね部により前記第１可動部に支持されるとともに、前記アンカー部側に配置された補助ばね部により前記アンカー部に支持されてなることを特徴とする請求項３記載のＭＥＭＳリレー。
【請求項１０】
前記第１可動部形成基板は、前記第１可動部が揺動する際の第１の支点として機能する第１支点突起が前記第１可動部から前記ベース基板側へ突設されて前記ベース基板に当接してなり、前記第２可動部形成基板は、前記第２可動部が揺動する際の第２の支点として機能する第２支点突起が前記第２可動部から前記第１可動部側へ突設されてなり、前記第１可動部形成基板は、前記第１可動部に前記第２支点突起を位置決めする位置決め溝が形成されてなることを特徴とする請求項１記載のＭＥＭＳリレー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（micro electro mechanical systems）リレーに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電磁石装置を備えた電磁式のマイクロリレーが知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００３】
特許文献１には、図２３に示すように、ボディ２０１と、アーマチュアブロック２０２と、カバー２０３と、電磁石装置２０４とを備えたマイクロリレーが記載されている。
【０００４】
ここで、ボディ２０１は、ボディ本体２０１Ａと、薄膜２０１Ｂとからなる。また、ボディ本体２０１は、ガラスにより形成されている。ボディ２０１は、長手方向の両端部の各々に一対の固定接点２１４，２１４が設けられている。また、ボディ２０１は、電磁石装置２０４を収納する収納部が形成されている。アーマチュアブロック２０２は、各一対の固定接点２１４，２１４ごとに接離可能な２つの可動接点（図示せず）が設けられている。また、カバー２０３は、耐熱ガラスにより形成されている。カバー２０３には、アーマチュア部２２３の可動範囲を確保するための凹部（図示せず）が設けられている。
【０００５】
また、特許文献１には、アーマチュアブロック２０２として、図２４〜図２６に示す構成のものが記載されている。
【０００６】
このアーマチュアブロック２０２は、矩形枠状のフレーム部２２１と、フレーム部２２１の内側に配置されて４つの弾性部２２２を介して揺動自在に支持されたアーマチュア部２２３とを有している。ここにおいて、アーマチュアブロック２０２は、アーマチュア部２２３に可動接点２２７が設けられている。また、アーマチュア部２２３は、一面側に磁性体２２４が配置された磁性体保持部２２３ａと、磁性体保持部２２３ａの短手方向の両端の中央部から短手方向へ延設された延設部２２３ｂとを有している。また、アーマチュア部２２３は、各延設部２２３ｂにおけるボディ２０１側の一面に、突起２２３ｃが突設されている。
【０００７】
アーマチュアブロック２０２は、シリコン基板をエッチングして形成されている。そして、アーマチュアブロック２０２は、磁性体保持部２２３ａの上記一面側に配置された磁性体２２４と磁性体保持部２２３ａの他面側に配置された接合補助部材２２５とを結合することで、磁性体２２４が磁性体保持部２２３ａに保持されている。特許文献１には、磁性体２２４と接合補助部材２２５とを互いに結合させる方法として、接合補助部材２２５の一部を熱によって溶融させ結合穴２２９を通じて磁性体２２４に溶着させる方法が開示されている。
【０００８】
また、特許文献２には、図２７に示す構成のマイクロリレー３０１が記載されている。
【０００９】
マイクロリレー３０１は、高周波基板３０９と、可動接点部材３１１と、磁性体板３１２と、スペーサー３１３と、蓋３１５と、磁気駆動部３１７と、カバー３２０とで構成されている。
【００１０】
高周波基板３０９は、図２７および図２８に示すように、周囲に枠部材３０２が一体に形成された浅皿状の形状であり、接点切り替え用の一対の固定接点３０３，３０３を備えている。
【００１１】
また、可動接点部材３１１は、高周波基板３０９に重ねられて、外周部が高周波基板３０９の枠部材３０２に固定されている。ここで、可動接点部材３１１は、押し圧されると一対の固定接点３０３，３０３と面接触するように、上下方向に垂直移動するように設けられた一対の可動接点３１０，３１０を備えている。
【００１２】
可動接点部材３１１は、図２９に示すように、可動接点部材本体３２５と、この可動接点部材本体３２５に支持バネ部３２６および接圧バネ部３２７をそれぞれ介して磁性体板３１２で押し圧されると、一対の固定接点３０３，３０３と面接触するように上下方向に垂直移動する一対の可動接点３１０，３１０とで構成されている。可動接点３１０，３１０は、支持バネ部３２６と接圧バネ部３２７により、横方向への移動が制限されるため、上下方向に移動させることが可能となる。
【００１３】
磁性体板３１２は、可動接点部材３１１の外周部を除く部位で、この可動接点部材３１１の一部を押し圧することができる部位に位置している。この磁性体板３１２は、接着・接合などによる固定がなされていない。
【００１４】
スペーサー３１３は、磁性体板３１２の外周部を覆うように可動接点部材３１１に重ねられて、外周部が可動接点部材３１１に固定されている。スペーサー３１３は、磁性体板３１２の動作空間を得るためのものである。スペーサー３１３は、図３０に示すように、枠状のスペーサー本体３２８と、このスペーサー本体３２８から内側方向へ突出して、磁性体板３１２の位置ずれを防止する、４つの磁性体板支持突起３３０および２つの磁性体板支持突起３３１とで構成されている。
【００１５】
蓋３１５は、スペーサー３１３に重ねられて、外周部がスペーサー３１３に固定されている。蓋３１５は、磁性体板３１２のほぼ中央部と接触する動作支点３１４を有している。
【００１６】
磁気駆動部３１７は、中央部に永久磁石１６が設けられている。
【００１７】
上述のマイクロリレー３０１は、磁気駆動部３１７の駆動で磁性体板３１２が蓋３１５の動作支点３１４によってシーソー動作し、可動接点３１０，３１０と固定接点３０３，３０３とを選択的に接離する。
【００１８】
この時、磁性体板３１２に可動部の一部を押し圧されることにより可動接点３１０，３１０は支持バネ部３２６，３２６および接圧バネ部３２７，３２７によって、上下方向に垂直移動させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１９】
【特許文献１】特開２００６−２１００６５号公報
【特許文献２】特開２０１１−８６５００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
特許文献１に開示されたマイクロリレーでは、接合補助部材２２５と磁性体２２４との溶着に伴う残留応力に起因して磁性体保持部２２３ａに反りが生じることがあった。このため、このマイクロリレーでは、可動接点２２７と一対の固定接点２１４，２１４との距離や、可動接点２２７と一対の固定接点２１４，２１４との接触圧が、それぞれの設計値からばらついて、動作特性や寿命がばらついてしてしまう懸念があった。
【００２１】
また、特許文献２に開示されたマイクロリレー３０１では、一対の可動接点３１０，３１０が、可動接点部材本体３２５に支持バネ部３２６および接圧バネ部３２７をそれぞれ介して磁性体板３１２で押し圧されると、一対の固定接点３０３，３０３と面接触するように上下方向に垂直移動する構成となっているので、図２７の左右方向における磁性体板３１２と可動接点３１０との位置ずれに起因して安定動作できない場合がある。
【００２２】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、動作安定性を向上させることが可能なＭＥＭＳリレーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明のＭＥＭＳリレーは、厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に配置されたカバー基板と、前記ベース基板と前記カバー基板との一方に収納された電磁石装置と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に配置され前記固定接点に接離する可動接点を有する第１可動部形成基板と、前記第１可動部形成基板と前記カバー基板との間に配置され前記電磁石装置とともに磁気回路を構成する磁性体板からなるアーマチュアを有する第２可動部形成基板とを備え、前記第１可動部形成基板は、前記ベース基板と前記第２可動部形成基板との間に介在する第１フレーム部と、前記第１フレーム部の内側に配置され前記第１フレーム部に第１支持ばね部を介して揺動自在に支持された第１可動部と、前記第１可動部に接圧ばねを介して支持され前記第１可動部の揺動に伴って前記固定接点に接離する前記可動接点を保持した接点保持部とを備え、前記第２可動部形成基板は、前記第１可動部形成基板と前記カバー基板との間に介在する第２フレーム部と、前記第２フレーム部の内側に配置され前記第２フレーム部に第２支持ばね部を介して揺動自在に支持された第２可動部と、前記第２可動部の厚み方向の一面側に配置された前記アーマチュアと、前記第２可動部の揺動に伴って前記可動接点が前記固定接点に接離するように前記第１可動部を動かす動力伝達部とを備えることを特徴とする。
【００２４】
このＭＥＭＳリレーにおいて、前記第１可動部形成基板は、前記第１フレーム部と前記接点保持部とを連結し前記接圧ばねとともに前記接点保持部を支持する第３支持ばね部を備えることが好ましい。
【００２５】
このＭＥＭＳリレーにおいて、前記第１可動部形成基板は、前記第１可動部から相反する２方向へ延長された２つの前記第１支持ばね部により前記第１可動部が前記第１フレーム部に支持されてなり、前記第１支持ばね部は、ねじれ変形が可能なトーションばねであることが好ましい。
【００２６】
このＭＥＭＳリレーにおいて、前記第２可動部形成基板は、前記第２可動部から相反する２方向へ延長された２つの前記第２支持ばね部により前記第２可動部が前記第２フレーム部に支持されてなり、前記第２支持ばね部は、ねじれ変形が可能なトーションばねであることが好ましい。
【００２７】
このＭＥＭＳリレーにおいて、前記第１可動部形成基板は、前記第１可動部における前記動力伝達部との対向部位に、表面が凸曲面状の突起が突設されてなることが好ましい。
【００２８】
このＭＥＭＳリレーにおいて、前記第１可動部形成基板は、前記第１可動部における前記動力伝達部との対向部位に、前記動力伝達部による衝撃を緩和する衝撃緩和層が設けられてなることが好ましい。
【００２９】
このＭＥＭＳリレーにおいて、前記第２可動部形成基板は、前記第２可動部の揺動に関わらず前記動力伝達部が前記第１可動部と接していることが好ましい。
【００３０】
このＭＥＭＳリレーにおいて、前記第１可動部形成基板は、前記第１可動部に開口部を有し、前記開口部の内側に前記接点保持部および前記接圧ばね部が配置されてなることが好ましい。
【００３１】
このＭＥＭＳリレーにおいて、前記第１可動部形成基板は、前記第１可動部が枠状に形成されてなり、前記第１可動部の内側において２つの前記支持ばね部を結ぶ直線上に配置され前記ベース基板に固定されたアンカー部を備え、前記接点保持部は、平面視で２つの前記第１支持ばね部の並設方向に直交する規定方向において前記第１可動部側に配置された前記接圧ばね部により前記第１可動部に支持されるとともに、前記アンカー部側に配置された補助ばね部により前記アンカー部に支持されてなることが好ましい。
【００３２】
このＭＥＭＳリレーにおいて、前記第１可動部形成基板は、前記第１可動部が揺動する際の第１の支点として機能する第１支点突起が前記第１可動部から前記ベース基板側へ突設されて前記ベース基板に当接してなり、前記第２可動部形成基板は、前記第２可動部が揺動する際の第２の支点として機能する第２支点突起が前記第２可動部から前記第１可動部側へ突設されてなり、前記第１可動部形成基板は、前記第１可動部に前記第２支点突起を位置決めする位置決め溝が形成されてなることが好ましい。
【発明の効果】
【００３３】
本発明のＭＥＭＳリレーにおいては、動作安定性を向上させることが可能となるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】実施形態１のＭＥＭＳリレーの概略断面図である。
【図２】実施形態１のＭＥＭＳリレーの概略分解斜視図である。
【図３】実施形態１のＭＥＭＳリレーのベース基板側から見た概略斜視図である。
【図４】実施形態１のＭＥＭＳリレーにおける第１可動部形成基板の概略斜視図である。
【図５】実施形態１のＭＥＭＳリレーにおける第２可動部形成基板の概略分解斜視図である。
【図６】実施形態１のＭＥＭＳリレーにおける第２可動部形成基板の他の概略分解斜視図である。
【図７】（ａ）は実施形態１のＭＥＭＳリレーにおける第２可動部形成基板の概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’概略断面図、（ｃ）は第２可動部形成基板の要部概略下面図である。
【図８】実施形態２のＭＥＭＳリレーの概略断面図である。
【図９】実施形態２のＭＥＭＳリレーにおける第１可動部形成基板の一部破断した平面図である。
【図１０】実施形態３のＭＥＭＳリレーの概略断面図である。
【図１１】実施形態３のＭＥＭＳリレーの概略分解斜視図である。
【図１２】実施形態４のＭＥＭＳリレーの概略断面図である。
【図１３】実施形態４のＭＥＭＳリレーの概略分解斜視図である。
【図１４】実施形態５のＭＥＭＳリレーの概略断面図である。
【図１５】実施形態５のＭＥＭＳリレーの第１可動部形成基板における要部の形成方法を説明するための主要工程断面図である。
【図１６】実施形態６のＭＥＭＳリレーの概略断面図である。
【図１７】実施形態７のＭＥＭＳリレーの概略断面図である。
【図１８】実施形態８のＭＥＭＳリレーの概略断面図である。
【図１９】実施形態８のＭＥＭＳリレーにおける第１可動部形成基板の平面図である。
【図２０】実施形態９のＭＥＭＳリレーの概略断面図である。
【図２１】実施形態９のＭＥＭＳリレーにおける第１可動部形成基板の平面図である。
【図２２】実施形態１０のＭＥＭＳリレーの概略断面図である。
【図２３】従来例のマイクロリレーの概略分解斜視図である。
【図２４】他の従来例のマイクロリレーにおけるアーマチュアブロックの概略平面図である。
【図２５】他の従来例のマイクロリレーにおけるアーマチュアブロックの要部概略断面図である。
【図２６】他の従来例のマイクロリレーにおけるアーマチュアブロックの概略分解斜視図である。
【図２７】別の従来例のマイクロリレーにおいて一方の可動接点を固定接点に当接させた状態の説明図である。
【図２８】別の従来例のマイクロリレーにおける高周波基板の平面図である。
【図２９】別の従来例のマイクロリレーにおける可動接点部材の平面図である。
【図３０】別の従来例のマイクロリレーにおけるスペーサーの斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
（実施形態１）
以下では、図１〜図７に基づいて本実施形態のＭＥＭＳリレーについて説明する。
【００３６】
ＭＥＭＳリレーは、厚み方向の一表面側に固定接点１４が設けられたベース基板１と、このベース基板１の上記一表面側に配置されたカバー基板４とを備えている。また、ＭＥＭＳリレーは、ベース基板１に収納された電磁石装置５を備えている。また、ＭＥＭＳリレーは、ベース基板１とカバー基板４との間に配置され固定接点１４に接離する可動接点２７を有する第１可動部形成基板２を備えている。また、ＭＥＭＳリレーは、第１可動部形成基板２とカバー基板１との間に配置され電磁石装置５とともに磁気回路を構成する磁性体板からなるアーマチュア３４を有する第２可動部形成基板３を備えている。
【００３７】
第１可動部形成基板２は、ベース基板１と第２可動部形成基板３との間に介在する第１フレーム部２１と、第１フレーム部２１の内側に配置され第１フレーム部２１に第１支持ばね部２２を介して揺動自在に支持された第１可動部２３とを備えている。また、第１可動部形成基板２は、第１可動部２３に接圧ばね２６を介して支持され第１可動部２３の揺動に伴って固定接点１４に接離する可動接点２７を保持した接点保持部２８を備えている。
【００３８】
第２可動部形成基板３は、第１可動部形成基板２とカバー基板４との間に介在する第２フレーム部３１と、第２フレーム部３１の内側に配置され第２フレーム部３１に第２支持ばね部３２を介して揺動自在に支持された第２可動部３３とを備えている。また、第２可動部形成基板３は、第２可動部３３の厚み方向の一面側に配置されたアーマチュア３４と、第２可動部３３の揺動に伴って可動接点２７が固定接点１４に接離するように第１可動部２３を動かす動力伝達部３８とを備えている。
【００３９】
以下、ＭＥＭＳリレーの各構成要素について詳細に説明する。
【００４０】
ベース基板１は、絶縁性基板の一種であるガラス基板からなる第１の基板１０を用いて形成されている。第１の基板１０は、ガラス基板に限らず、例えば、高抵抗率のシリコン基板や、低温同時焼成セラミック基板（Low Temperature Co-fired Ceramic Substrate：ＬＴＣＣ基板）を用いてもよい。第１の基板１０として用いるガラス基板のガラス材料としては、硼珪酸ガラスを採用しているが、これに限らず、ソーダガラス、無アルカリガラス、石英ガラスなどを採用してもよい。硼珪酸ガラスとしては、例えば、パイレックス（登録商標）やテンパックス（登録商標）を採用することができる。また、高抵抗率のシリコン基板としては、例えば、ＭＥＭＳリレーを高周波信号の伝送用に用いる場合、抵抗率がより高い方が好ましく、例えば、伝送対象の高周波信号の周波数が６ＧＨｚであれば、抵抗率が１００Ωｃｍ以上であることが好ましく、１０００Ωｃｍ以上であることがより好ましい。また、伝送対象の高周波信号の周波数が高いほど、抵抗率が高い方が好ましい。
【００４１】
上述のベース基板１は、矩形板状に形成されており、上記一表面側において第１の基板１０の長手方向の両端部それぞれに一対の信号線１３，１３が形成されている。ここで、各一対の信号線１３，１３は、ベース基板１の上記一表面側において第１の基板１０の短手方向に沿って配置されている。また、ベース基板１は、各信号線１３それぞれの一端部に、上述の固定接点１４が設けられ、各信号線１３それぞれの他端部が、第１の基板１０の厚み方向に貫設された貫通孔配線１５と電気的に接続されている。
【００４２】
また、信号線１３は、金属層（例えば、Ａｕ層）により構成されている。信号線１３の材料としては、例えば、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓの群から選択される１種あるいはこれらの合金を採用することができるが、それ以外の材料を採用してもよい。
【００４３】
固定接点１４の材料としては、例えば、Ａｕなどの導電性が良好な金属材料を採用することが好ましい。また、固定接点１４は、例えば、スパッタ法、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成すればよい。なお、固定接点１４は、単層構造に限らず、多層構造でもよい。また、固定接点１４の材料は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕや、これらの合金などを採用してもよいが、それ以外の材料を採用してもよい。また、固定接点１４は、単層膜に限らず、多層積層膜でもよい。
【００４４】
また、ベース基板１において上述の貫通孔配線１５が内側に設けられた貫通孔１１は、第１の基板１０の上記一表面から上記他表面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状に形成されている。ここで、貫通孔配線１５は、貫通孔１１の内面に沿って形成され第１の基板１０の上記一表面側において貫通孔１１を閉塞している。
【００４５】
また、ベース基板１は、電磁石装置５を収納する収納部１６が形成されている。ここで、ベース基板１は、第１の基板１０の中央部に、電磁石装置５が挿入される開口部１７が貫設されている。また、ベース基板１は、第１の基板１０の上記一表面側に、開口部１７を閉塞する薄膜状の蓋体部１８が接合されている。要するに、ベース基板１は、開口部１７の内周面と蓋体部１８とで囲まれた空間が収納部１６を構成している。これにより、本実施形態のＭＥＭＳリレーは、ベース基板１と、第１可動部形成基板２の第１フレーム部２１と、第２可動部形成基板３の第２フレーム部３１と、カバー基板４とで囲まれた空間を、気密空間とすることが可能となっている。なお、蓋体部１８の材料としては、Ｓｉを採用している。蓋体部１８の厚さは、電磁石装置５からアーマチュア３４に作用させる吸引力などの観点から５μｍ〜５０μｍ程度が好ましく、蓋体部１８の機械的強度などの観点から２０μｍ〜３０μｍ程度がより好ましい。
【００４６】
上述の開口部１７は、第１の基板１０の上記一表面から他表面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状となっている。しかして、ベース基板１は、第１可動部形成基板２側とは反対側から電磁石装置５を挿入し易く、且つ、第１の基板１０の上記一表面における開口部１７の開口面積を比較的小さくすることができる。なお、上述の開口部１７および貫通孔１１は、例えば、サンドブラスト法やエッチング法などによって形成することができる。
【００４７】
電磁石装置５は、Ｕ字状のヨーク５０と、ヨーク５０に巻回された２つのコイル５２，５２とを備えている。ヨーク５０は、両コイル５２，５２が直接巻回される細長の矩形板状のコイル巻回部５０ａと、コイル巻回部５０ａの長手方向の両端部それぞれからコイル巻回部５０ａの厚み方向に延設された側片５０ｂ，５０ｂとを有している。そして、ヨーク５０は、コイル５２，５２への励磁電流に応じて一対の側片５０ｂ，５０ｂの互いの先端面が異極に励磁される。なお、ヨーク５０は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工、鋳造加工、プレス加工などにより加工することによって形成されており、両側片５０ｂ，５０ｂの断面が矩形状となっている。
【００４８】
また、電磁石装置５は、ヨーク５０の両側片５０ｂ，５０ｂの間でコイル巻回部５０ａの長手方向の中央部に重ねて配置された矩形板状の永久磁石５１を備えている。しかして、電磁石装置５は、永久磁石５１とヨーク５０の側片５０ｂ，５０ｂとによって、コイル巻回部５０ａの長手方向への各コイル５２，５２の移動が規制される。
【００４９】
電磁石装置５は、２つのコイル５２，５２に励磁電流を通電したときに電磁力を発生する。電磁石装置５は、この電磁力によって、矩形板状のアーマチュア３４の長手方向の両端部のうちの一方を吸引する吸引力、当該両端部のうちの他方を反発する反発力を発生させることができる。
【００５０】
永久磁石５１は、厚み方向の両面それぞれの磁極面が異極に着磁されており、一方の磁極面がヨーク５０のコイル巻回部５０ａに当接し、他方の磁極面がヨーク５０の両側片５０ｂ，５０ｂの先端面と同一平面上に位置するように厚み寸法を設定してある。ここにおいて、電磁石装置５は、ヨーク５０の両側片５０ｂ，５０ｂの各先端面および永久磁石５１の上記他方の磁極面が蓋体部１８に当接する形で収納部１６に収納されている。これにより、ＭＥＭＳリレーは、永久磁石５１の上記他方の磁極面とヨーク５０の両側片５０ｂ，５０ｂの先端面とを同一平面上に位置させることができるので、電磁石装置５とアーマチュア３４との間のギャップ長の精度を高めることが可能となる。
【００５１】
また、電磁石装置５は、細長の矩形板状に形成されたプリント基板５３を備えている。このプリント基板５３は、図３に示すように、絶縁性基板５３ａの一表面における長手方向の両端部それぞれに導体パターン５３ｂ，５３ｂが形成されている。各導体パターン５３ｂ，５３ｂは、円形状に形成された部位が外部接続用電極５３ｂａ，５３ｂａを構成し、矩形状に形成された部位がコイル接続部５３ｂｂ，５３ｂｂを構成している。ここにおいて、コイル接続部５３ｂｂ，５３ｂｂには、コイル５２，５２の端末が接続される。コイル５２，５２は、外部接続用電極５３ｂａ，５３ｂａ間に電源を接続してコイル５２，５２へ励磁電流を流したときにヨーク５０の両側片５０ｂ，５０ｂの先端面が互いに異なる磁極となるように接続されている。
【００５２】
第１可動部形成基板２は、半導体基板（ここでは、シリコン基板）からなる第２の基板２０を用いて形成されている。第２の基板２０は、シリコン基板以外の半導体基板でもよく、例えば、シリコン層／絶縁層（ＳｉＯ２層）／シリコン層の３層構造を有するＳＯＩ（Silicon  On  Insulator）基板や、シリコン層／絶縁層（ＳｉＯ２層）／シリコン層／絶縁層（ＳｉＯ２層）／シリコン層の５層構造（ダブルＳＯＩ構造）を有するダブルＳＯＩ基板などを用いてもよい。
【００５３】
第１可動部形成基板２は、ベース基板１と第２可動部形成基板３との間に介在する第１フレーム部２１と、第１フレーム部２１の内側に配置され第１フレーム部２１に４つの第１支持ばね部２２を介して揺動自在に支持された第１可動部２３とを有している。
【００５４】
ここで、第１可動部形成基板２は、第１可動部２３および接点保持部２８それぞれの厚みを、第１フレーム部２１の厚みよりも薄く設定してある。また、第１可動部形成基板２は、第１可動部２３の厚みを接点保持部２８の厚みよりも薄く設定してある。
【００５５】
本実施形態では、第１フレーム部２１の厚さを２００μｍ、第１可動部２３の厚さを５０μｍに設定してあるが、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。例えば、第２の基板２０としてシリコン基板を用いる場合、このシリコン基板の基礎となるシリコンウェハの厚さに応じて適宜変更してもよく、例えば、５０μｍ〜１０００μｍ程度の範囲で設定してもよく、第２の基板２０の厚さ寸法に基づいて、第１可動部２３および接点保持部２８それぞれの厚さを適宜変更すればよい。第１可動部２３の厚さ寸法は、ＭＥＭＳリレーの小型化を図るなどの観点からは小さい方が好ましい。
【００５６】
上述の第１可動部形成基板２は、第１フレーム部２１が、矩形枠状に形成され、第１可動部２３が、矩形板状に形成されている。
【００５７】
第１支持ばね部２２は、第１可動部２３の短手方向の両側縁側の各々において第１可動部２３の長手方向に離間した２箇所に形成されている。各第１支持ばね部２２は、一端部が第１可動部２３に連結され他端部が第１フレーム部２１の内周面に連結されている。各第１支持ばね部２２は、平面形状において上記一端部と上記他端部との間の部位を同一面内で蛇行した形状に形成することにより長さ寸法を長くしてある。これにより、第１可動部形成基板２は、第１可動部２３が揺動する際に各第１支持ばね部２２の各々に発生する応力を各々で分散させることが可能となり、各第１支持ばね部２２が破損するのを抑制することが可能となる。
【００５８】
また、第１可動部形成基板２は、第１可動部２３の短手方向の両側縁それぞれの中央部から矩形状の第１突片２３ａが１つずつ延設されている。また、第１可動部形成基板２は、第１フレーム部２１の内周面において第１可動部２３の各第１突片２３ａの各々に対応する各部位から、矩形状の第２突片２１ａが１つずつ延設されている。すなわち、第１可動部形成基板２は、１対１で対応する第１突片２３ａと第２突片２１ａとの、互いの先端面同士が対向している。第１可動部２３から延設された各第１突片２３ａの各々の先端面には、凸部２３ｂが形成されている。一方、第１フレーム部２１から延設された各第２突片２１ａの各々の先端面には、凸部２３ｂが入り込む凹部２１ｂが形成されている。したがって、第１可動部形成基板２は、凸部２３ｂが凹部２１ｂの内周面に当接することにより、第１フレーム部２１の厚み方向に直交する面内における第１可動部２３の移動が規制される。第１可動部２３の同一の側縁側にある２つの第１支持ばね部２２は、同一の側縁から延設されている第１突片２３ａの両側に位置している。
【００５９】
第１可動部形成基板２は、第１可動部２３の各第１突片２３ａにおけるベース基板１との対向面に、支点突起２３ｃ（図４参照）が突設されている。支点突起２３ｃは、第１可動部２３が揺動（回動）する際の支点として機能する。要するに、第１可動部形成基板２は、第１可動部２３の短手方向において離間して配置された２つの支点突起２３ｃがベース基板１に当接しており、一対の支点突起２３ｃ，２３ｃを結ぶ直線を回動軸として回動可能となっている。
【００６０】
また、第１可動部形成基板２は、第１可動部２３の４隅から当該可動部２３の短手方向の両側に向かって矩形状の第３突片２３ｄ（図２参照）が延設されている。各第３突片２３ｄにおけるベース基板１との対向面には、第１可動部２３の揺動範囲を規制するストッパ部２３ｅ（図４参照）が形成されている。これらのストッパ部２３ｅは、ベース基板１の上記一表面と接触することにより、第１可動部２３の変位量を制限する。これにより、ＭＥＭＳリレーは、第１支持ばね部２２が破損するのを防止することが可能となる。
【００６１】
また、第１可動部形成基板２は、第１可動部２３の長手方向の両側に接点保持部２８，２８が配置されている。各接点保持部２８は、一対の接圧ばね部２６，２６を介して第１可動部２３に支持されている。各接点保持部２８には、ベース基板１の厚み方向において対向する一対の固定接点１４，１４に接離する可動接点２７が設けられている。可動接点２７の材料としては、例えば、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓの群から選択される１種あるいはこれらの合金を採用することができるが、それ以外の材料を採用してもよい。可動接点２７は、単層膜でもよいし、多層積層膜でもよい。
【００６２】
各接点保持部２８の厚さ寸法は、第１フレーム部２１の厚さ寸法よりも小さく且つ第１可動部２３の厚さ寸法よりも大きな値に設定してある。また、接点保持部２８の厚み方向において重なる接点保持部２８と可動接点２７とを合わせた厚さ寸法も、このような条件を満たす値に設定してある。各接点保持部２８は、平面視形状が細長の矩形状であり、短手方向が可動部２３の長手方向に一致するように配置されている。
【００６３】
各接圧ばね部２６は、一方の端部が第１可動部２３の長手方向に沿った側縁に連結され、他方の端部が接点保持部２８の短手方向に沿った側縁に連結されており、上記一方の端部と上記他方の端部との間の中間部の一部を、可動部２３の厚み方向に直交する面内で蛇行した形状としてある。また、各接圧ばね部２６の長さは、同じとしてある。しかして、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、各接圧ばね部２６の長さを適当な長さとして各接圧ばね部２６のばね力を適宜設定することにより、各可動接点２７と対応する一対の固定接点１４，１４との接点圧を所望の大きさに設定することが可能となり、各可動接点２７と対応する一対の固定接点１４，１４との接触信頼性を向上させることが可能となる。
【００６４】
第１可動部形成基板２は、第１フレーム部２１が、ベース基板１および第２可動部形成基板３の第２フレーム部３１と接合されている。これにより、第１可動部形成基板２は、各可動接点２７が、対応する一対の固定接点１４，１４に対向し当該一対の固定接点１４，１４間を短絡する位置と開放する位置との間で変位可能となっている。以下では、説明を簡単にするために、図２において右側に位置している一対の固定接点１４，１４を一対の第１固定接点１４ａ，１４ａ、第１固定接点１４ａ，１４ａに対応する可動接点２７を第１可動接点２７ａ（図４参照）と称することもある。また、以下では、図２において左側に位置している一対の固定接点１４，１４を一対の第２固定接点１４ｂ，１４ｂ、第２固定接点１４ｂ，１４ｂに対応する可動接点２７を第２可動接点２７ｂ（図４参照）と称することもある。
【００６５】
第１可動部形成基板２は、第２可動部形成基板３のアーマチュア３４の動作（揺動）に伴って、第１可動接点２７ａが一対の第１固定接点１４ａ，１４ａ間を短絡し且つ第２可動接点２７ｂが一対の第２固定接点１４ｂ，１４ｂ間を開放した第１状態と、第１可動接点２７ａが一対の第１固定接点１４ａ，１４ａ間を開放し且つ第２可動接点２７ｂが一対の第２固定接点１４ｂ，１４ｂ間を短絡した第２状態とが交互に現われる。
【００６６】
ここで、第１可動部形成基板２の基礎となる第２の基板２０として、上述のダブルＳＯＩ基板を用いれば、第１可動部２３とベース基板１との距離をベース基板１側のシリコン層の厚みによって規定することが可能となる。これにより、ＭＥＭＳリレーは、可動接点２７と対応する一対の固定接点１４，１４とが開放されている状態での可動接点２７と一対の固定接点１４，１４との間の距離（絶縁距離）を高精度に設定することが可能となる。
【００６７】
第２可動部形成基板３は、半導体基板（ここでは、シリコン基板）からなる第３の基板３０を用いて形成されている。第３の基板３０は、シリコン基板以外の半導体基板でもよく、例えば、シリコン層／絶縁層（ＳｉＯ２層）／シリコン層の３層構造を有するＳＯＩ（Silicon  On  Insulator）基板や、シリコン層／絶縁層（ＳｉＯ２層）／シリコン層／絶縁層（ＳｉＯ２層）／シリコン層の５層構造（ダブルＳＯＩ構造）を有するダブルＳＯＩ基板などを用いてもよい。
【００６８】
第２可動部形成基板３は、第１可動部形成基板２とカバー基板４との間に介在する第２フレーム部３１と、第２フレーム部３１の内側に配置され第２フレーム部３１に４つの第２支持ばね部３２を介して揺動自在に支持された第２可動部３３とを有している。
【００６９】
また、第２可動部形成基板３は、第２可動部３３の上記一面側に配置された上述のアーマチュア３４と、アーマチュア３４の中央部との間に第２可動部３３を挟んで配置されたプレート３５とを有している。
【００７０】
プレート３５は、第２可動部３３の厚み方向に貫通した貫通孔３９（図５〜図７参照）を通してアーマチュア３４に溶接されている。プレート２５をアーマチュア３４に溶接するにあたっては、第２可動部３３の上記一面側にアーマチュア３４を配置し他面側にプレート３５を配置した状態で、プレート３５において貫通孔３９に対応する部分にレーザ光を照射してプレート３５を局所的に溶融させてアーマチュア３４に溶接させるようにしている。要するに、プレート３５は、アーマチュア３４にレーザ溶接法により溶接されている。なお、レーザ溶接法により溶接する際のレーザ光源としては、例えば、ＹＡＧレーザを用いればよいが、これに限定するものではなく、例えば、プレート３５の材料に応じて適宜変更してもよい。
【００７１】
アーマチュア３４を構成する磁性体板の材料としては、鉄−コバルト合金からなる磁性体材料を採用しているが、これに限らず、例えば、電磁軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイなどの磁性体材料であればよい。
【００７２】
また、プレート３５の材料としては、フェライト系ステンレス鋼の一種であるＳＵＳ４３０を採用しているが、これに限らず、例えば、ＳＵＳ４３０以外のステンレス鋼や、金属、合金などを採用してもよい。
【００７３】
第２可動部形成基板３は、第２可動部３３の厚みを、第２フレーム部３１の厚みよりも薄く設定してある。アーマチュア３４の厚み寸法は、第２可動部形成基板３の第２フレーム部３１と第１可動部形成基板２の第１フレーム部２１とが固着された状態においてアーマチュア３４と第１可動部２３との間に適宜の空隙が形成されるように設定してある。プレート２５の厚み寸法は、第２可動部３３とカバー基板４との間に適宜の空隙が形成されるように設定されている。
【００７４】
本実施形態では、第２フレーム部３１の厚さを２００μｍ、第２可動部３３の厚さを５０μｍ、アーマチュア３４の厚さを１００μｍ、プレート３５の厚さを１００μｍに設定してあるが、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。例えば、第３の基板３０としてシリコン基板を用いる場合、このシリコン基板の基礎となるシリコンウェハの厚さに応じて適宜変更してもよく、例えば、５０μｍ〜１０００μｍ程度の範囲で設定してもよく、第３の基板３０の厚さ寸法に基づいて、第２可動部３３の厚さ、アーマチュア３４の厚さ、およびプレート３５の厚さ、それぞれを適宜変更すればよい。ただし、アーマチュア３４の厚さ寸法は、電磁石装置５による所望の吸引力を確保するように設定する必要がある。これに対して、第２可動部３３およびプレート３５それぞれの厚さ寸法は、ＭＥＭＳリレーの小型化を図るなどの観点からは小さい方が好ましい。
【００７５】
上述の第２可動部形成基板３は、第２フレーム部３１が、矩形枠状に形成され、第２可動部３３が、矩形板状に形成されている。また、アーマチュア３４は、第２可動部３３よりも小さな矩形板状に形成されている。また、プレート３５は、長手方向の寸法が第２可動部３３の短手方向の寸法よりもやや大きな細長の板状に形成されており、長手方向の両端部が先細り状の形状となっている。そして、プレート３５は、第２可動部３３の長手方向の中央部において、当該プレート３５の長手方向を第２可動部３３の短手方向に合わせて配置されている。なお、プレート３５の形状は、特に限定するものではなく、例えば、長方形状でもよいし、菱形状でもよい。
【００７６】
また、第２可動部３３には、上述の貫通孔２９が２つ形成されている。これら２つの貫通孔３９は、第２可動部３３の長手方向の中央部において第２可動部３３の短手方向に沿った中心線上で並んで形成されている。また、各貫通孔３９は、円形状の開口形状となっている。これに対して、プレート３５は、長手方向の寸法が、第２可動部３３の短手方向の寸法よりも大きな値に設定されている。また、プレート３５は、長手方向の中間部における短手方向の寸法が、貫通孔３９の内径よりも大きな値に設定されている。なお、各貫通孔３９の開口形状は特に限定するものではない。要するに、プレート３５の短手方向の寸法は、第２可動部３３の上記他面における貫通孔３９の最大寸法（第２可動部３３の長手方向における貫通孔３９の最大寸法）よりも大きな値であればよい。
【００７７】
そして、プレート３５は、第２可動部３３の各貫通孔３９を通してアーマチュア３４に溶接されている。要するに、プレート３５は、アーマチュア３４に２箇所が溶接されている。なお、溶接箇所は、２箇所に限定するものではない。
【００７８】
第２可動部形成基板３は、第２可動部３３とアーマチュア３４とプレート３５とを含む部分が、第２可動部３３の短手方向に沿った中心線に対して対称となり、且つ、第２可動部３３の長手方向に沿った中心線に対して対称となるように、第２可動部３３に対するアーマチュア３４およびプレート３５それぞれの配置領域が規定されている。要するに、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、第２可動部３３の重心とアーマチュア３４およびプレート３５それぞれの重心とが一直線上に位置するように上記各配置領域を規定している。さらに、第２可動部形成基板３は、第２フレーム部３１の内側の部分全体（可動ブロック）が、第２可動部３３の短手方向に沿った中心線に対して対称となり、且つ、第２可動部３３の長手方向に沿った中心線に対して対称となるように、各第２支持ばね部３２、各ばね部３６、各動力伝達部３８の形状および配置を規定してある。
【００７９】
また、第２可動部形成基板３は、第２可動部３３に、第２可動部３３の上記一面から突設されアーマチュア３４を位置決めする第１突起３３ｇ（図６および図７（ｂ），（ｃ）参照）が一体に設けられている。また、第２可動部３３には、第２可動部３３の上記他面から突設されプレート３５を位置決めする第２突起３３ｆ（図５および図７（ａ），（ｂ）参照）が一体に設けられている。
【００８０】
第１突起３３ｇの突出寸法は、第１突起３３ｇがアーマチュア３４の揺動範囲を狭めないように、アーマチュア３４の厚さ寸法よりも小さい方が好ましい。例えば、アーマチュア３４の厚さ寸法が１００μｍの場合、第１突起３３ｇの突出寸法は、１０μｍ程度であれば十分である。なお、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。
【００８１】
また、第２突起３３ｆの突出寸法は、第２突起３３ｆがプレート３５の揺動範囲を狭めないように、プレート３５の厚さ寸法よりも小さい方が好ましい。例えば、プレート３５の厚さ寸法が１００μｍの場合、第２突起３３ｆの突出寸法は、１０μｍ程度であれば十分である。なお、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。
【００８２】
また、第２可動部形成基板３は、第１突起３３ｇおよび第２突起３３ｆをそれぞれ複数備えている。第２可動部形成基板３は、複数の第１突起３３ｇが、第２可動部３３の上記一面側においてアーマチュア３４の規定の配置領域を囲むように配置され、複数の第２突起３３ｆが、第２可動部３３の上記他面側においてプレート３５の規定の配置領域を囲むように配置されていることが好ましい。要するに、第２可動部形成基板３は、複数の第１突起３３ｇが、アーマチュア３４の外周に沿って配置され、複数の第２突起３３ｆが、プレート３５の外周に沿って配置されている。本実施形態では、第１突起３３ｇの数を８個、第２突起３３ｆの数を６個としてあるが、これらの数は特に限定するものではない。
【００８３】
ただし、第１突起３３ｇは、第２可動部３３の上記一面側において、第２可動部３３の短手方向に沿った中心線に対して線対称に配置され、且つ、第２可動部３３の長手方向に沿った中心線に対して線対称に配置されていることが好ましい。また、第２突起３３ｆは、第２可動部３３の上記他面側において、第２可動部３３の短手方向に沿った中心線に対して線対称に配置され、且つ、第２可動部３３の長手方向に沿った中心線に対して線対称に配置されていることが好ましい。
【００８４】
各第１突起３３ｇおよび各第２突起３３ｆは、各々、平面形状を矩形状としてあるが、これらの形状は矩形状に限らず、例えば、円形状、三角形状、多角形状でもよい。また、複数の第１突起３３ｇは、全てが同じ形状である必要はない。また、複数の第２突起３３ｆは、全てが同じ形状である必要はない。また、第１突起３３ｇについては、第２可動部３３の上記一面側においてアーマチュア３４の規定の配置領域を囲む枠状の形状として１個だけにしてもよい。また、第２突起３３ｆについては、第２可動部３３の上記他面側においてプレート３５の規定の配置領域を囲む枠状の形状として１個だけにしてもよい。
【００８５】
また、第１突起３３ｇは、アーマチュア３４の規定の配置領域との間に所定の第１隙間（例えば、１０μｍ程度）を設けるように形成位置を設計してある。これにより、アーマチュア３４の配置が容易になるとともに、アーマチュア３４の寸法公差などに起因してアーマチュア３４を配置できないような不具合の発生を抑制することが可能となる。また、第２突起３３ｆは、プレート３５の規定の配置領域との間に所定の第２隙間（例えば、１０μｍ程度）を設けるように形成位置を設計してある。これにより、プレート３５の配置が容易になるとともに、プレート３５の寸法公差などに起因してプレート３５を配置できないような不具合の発生を抑制することが可能となる。
【００８６】
上述のアーマチュア３４およびプレート３５については、各々、打ち抜き加工などの機械加工技術を利用して形成してある。なお、アーマチュア３４およびプレート３５は、真空チャックなどにより、第２可動部３３に対して配置する。
【００８７】
一方、可動部形成基板２は、アーマチュア３４およびプレート３５以外の構成要素を、マイクロマシニング技術を利用して形成してある。つまり、第２可動部形成基板３の第２フレーム部３１、第２可動部３３、各第２支持ばね部３２、各ばね部３６、各動力伝達部３８、各第１突起３３ｇおよび各第２突起３３ｆなどは、第３の基板３０（第３の基板３０の基礎となるウェハ）を、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術などの半導体プロセス技術を利用して加工することにより形成してある。したがって、第２可動部３３に対する各第１突起３３ｇの位置精度は、主に、各第１突起３３ｇをフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して形成する際の、露光工程における重ね合わせ検出マークの重ね合わせ精度（overlay accuracy）と、エッチング工程での寸法シフト（measureshift）とにより決まる。
【００８８】
アーマチュア３４とプレート３５とを溶接するためには、例えば、まず、第２可動部３３に対して先にアーマチュア３４を位置決めしてから、真空チャックなどによってアーマチュア３４あるいは第２可動部３３を吸引し、その後、第２可動部３３に対してプレート３５を位置決めする。続いて、プレート３５において第２可動部３３の貫通孔３９に対応した部位にレーザ光を照射してプレート３５を局所的に溶融させてプレート３５とアーマチュア３４とを溶接すればよい。
【００８９】
第２支持ばね部３２は、第２可動部３３の短手方向の両側縁側の各々において第２可動部３３の長手方向に離間した２箇所に形成されている。各第２支持ばね部３２は、一端部が第２可動部３３に連結され他端部が第２フレーム部３１の内周面に連結されている。各第２支持ばね部３２は、平面形状において上記一端部と上記他端部との間の部位を同一面内で蛇行した形状に形成することにより長さ寸法を長くしてある。これにより、第２可動部形成基板３は、第２可動部３３が揺動する際に各第２支持ばね部３２の各々に発生する応力を各々で分散させることが可能となり、各第２支持ばね部３２が破損するのを抑制することが可能となる。
【００９０】
また、第２可動部形成基板３は、第２可動部３３の短手方向の両側縁それぞれの中央部から矩形状の第４突片３３ａが１つずつ延設されている。また、第２可動部形成基板３は、第２フレーム部３１の内周面において第２可動部３３の各第４突片３３ａの各々に対応する各部位から、矩形状の第５突片３１ａが１つずつ延設されている。すなわち、第２可動部形成基板３は、１対１で対応する第４突片３３ａと第５突片３１ａとの、互いの先端面同士が対向している。第２可動部３３から延設された各第４突片３３ａの各々の先端面には、凸部３３ｂが形成されている。一方、第２フレーム部３１から延設された各第５突片３１ａの各々の先端面には、凸部３３ｂが入り込む凹部３１ｂが形成されている。したがって、第２可動部形成基板３は、凸部３３ｂが凹部３１ｂの内周面に当接することにより、第２フレーム部３１の厚み方向に直交する面内における第２可動部３３の移動が規制される。第２可動部３３の同一の側縁側にある２つの第２支持ばね部３２は、同一の側縁から延設されている第４突片３３ａの両側に位置している。
【００９１】
第２可動部形成基板３は、第２可動部３３の各第４突片３３ａにおける第１可動部形成基板２の第１可動部２３との対向面に、支点突起３３ｃが突設されている。支点突起３３ｃは、第２可動部３３が当該第２可動部３３に一体化されているアーマチュア３４とともに揺動（回動）する際の支点として機能する。要するに、第２可動部形成基板３は、第２可動部３３の短手方向において離間して配置された２つの支点突起３３ｃが第１可動部２３の第１突片２３ａに当接しており、一対の支点突起３３ｃ，３３ｃを結ぶ直線を回動軸として回動可能となっている。
【００９２】
また、第２可動部形成基板３は、第２可動部３３の４隅から当該第２可動部３３の短手方向の両側に向かって矩形状の第６突片３３ｄ（図２参照）が延設されている。各第６突片３３ｄにおける第１可動部形成基板２との対向面には、第２可動部３３の揺動範囲を規制するストッパ部３３ｅ（図６参照）が形成されている。これらのストッパ部３３ｅは、第１可動部形成基板２の第１可動部２３と接触することにより、第２可動部３３の変位量を制限する。これにより、ＭＥＭＳリレーは、第２支持ばね部３２が破損するのを防止することが可能となる。
【００９３】
また、第２可動部形成基板３は、第２可動部３３の長手方向の両側に動力伝達部３８，３８が配置されている。各動力伝達部３８は、一対のばね部３６，３６を介して第２可動部３３に支持されている。
【００９４】
各動力伝達部３８の厚さ寸法は、第２フレーム部３１の厚さ寸法よりも小さく且つ第２可動部３３の厚さ寸法よりも大きな値に設定してある。各動力伝達部３８は、平面視形状が細長の矩形状であり、短手方向が第２可動部３３の長手方向に一致するように配置されている。一対の動力伝達部３８は、第１可動部形成基板２における第１可動部２３の長手方向の両端部の各々を押圧可能とする位置に配置されている。第２可動部形成基板３は、第２可動部３３の長手方向の寸法を、第１可動部２３の長手方向の寸法よりも短く設定してあり、一対の動力伝達部３８の第２可動部３３側とは反対側の面間の距離を第１可動部２３の長手方向の寸法よりもやや短い寸法に設定してある。
【００９５】
各ばね部３６は、一方の端部が第２可動部３３の長手方向に沿った側縁に連結され、他方の端部が動力伝達部３８の短手方向に沿った側縁に連結されており、上記一方の端部と上記他方の端部との間の中間部の一部を、第２可動部３３の厚み方向に直交する面内で蛇行した形状としてある。また、各ばね部３６の長さは、同じとしてある。しかして、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、各ばね部３６の長さを適当な長さとして各ばね部３６のばね力を適宜設定することにより、各可動接点２７と対応する一対の固定接点１４，１４との接点圧を所望の大きさに設定することが可能となり、各可動接点２７と対応する一対の固定接点１４，１４との接触信頼性を向上させることが可能となる。
【００９６】
第２可動部形成基板３は、第２フレーム部３１が、第１可動部形成基板２の第１フレーム部２１およびカバー基板４と接合されている。これにより、第２可動部形成基板３は、各動力伝達部３８が第１可動部２３を押圧して可動接点２７が、対応する一対の固定接点１４，１４に接触して当該一対の固定接点１４，１４間を短絡する位置と、第１可動部２３を押圧せずに可動接点２７が対応する一対の固定接点１４，１４から離れて当該一対の固定接点１４，１４間を開放する位置との間で変位可能となっている。
【００９７】
ＭＥＭＳリレーは、第２可動部形成基板３のアーマチュア３４の動作（揺動）に伴って、第１可動接点２７ａが一対の第１固定接点１４ａ，１４ａ間を短絡し且つ第２可動接点２７ｂが一対の第２固定接点１４ｂ，１４ｂ間を開放した第１状態と、第１可動接点２７ａが一対の第１固定接点１４ａ，１４ａ間を開放し且つ第２可動接点２７ｂが一対の第２固定接点１４ｂ，１４ｂ間を短絡した第２状態とが交互に現われる。
【００９８】
ここで、第２可動部形成基板３の基礎となる第３の基板３０として、上述のダブルＳＯＩ基板を用いれば、第２可動部３３と第１可動部２３との距離を第１可動部形成基板２側のシリコン層の厚みによって規定することが可能となる。これにより、ＭＥＭＳリレーは、アーマチュア３４と電磁石装置５との距離（磁気ギャップ長）を高精度に設定することが可能となる。
【００９９】
カバー基板４は、ガラス基板からなる第４の基板４０を用いて形成されている。第４の基板４０は、第１の基板１０と同様に、ガラス基板に限らず、高抵抗率のシリコン基板や、ＬＴＣＣ基板を用いてもよい。
【０１００】
カバー基板４は、第２可動部形成基板３との対向面に第２可動部３３の揺動空間を確保する凹所４１が形成されている。この凹所４１は、例えば、サンドブラスト法やエッチング法などにより形成することができる。
【０１０１】
上述の第１可動部形成基板２の第１フレーム部２１とベース基板１および第２可動部形成基板３の第２フレーム部３１とは、それぞれ、陽極接合法により接合されている。また、第２可動部形成基板３の第２フレーム部３１とカバー基板４とは、陽極接合法により接合されている。なお、これらの接合方法は、陽極接合法に特に限定するものではなく、他の接合方法を採用してもよい。
【０１０２】
ここで、本実施形態のＭＥＭＳリレーの動作について説明する。
【０１０３】
本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、コイル５２，５２への通電が行われると、磁化の向きに応じてアーマチュア３４の長手方向の一端部がヨーク５０の一方の側片５０ｂに吸引される。これにより、ＭＥＭＳリレーは、アーマチュア３４の上記一端部に近い動力伝達部３８により第１可動部２３が押圧され、第１可動部２３を押圧している動力伝達部３８に近い可動接点２７が、対応する一対の固定接点１４，１４に接触し、且つ、第１可動部２３を押圧していない動力伝達部３８に近い可動接点２７が、対応する一対の固定接点１４，１４から離れた状態となる。この状態では、コイル５２，５２への通電を停止しても、永久磁石５１の発生する磁束により、アーマチュア３４の上記一端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア３４の上記一端部に近い可動接点２７と対応する一対の固定接点１４，１４とが接触した状態が保持される。
【０１０４】
また、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、コイル５２，５２への通電方向を逆向きにすると、アーマチュア３４の長手方向の上記他端部がヨーク５０の他方の側片５０ｂに吸引され、アーマチュア３４の上記他端部に近い動力伝達部３８により第１可動部２３が押圧され、第１可動部２３を押圧している動力伝達部３８に近い可動接点２７が、対応する一対の固定接点１４，１４に接触し、且つ、第１可動部２３を押圧していない動力伝達部３８に近い可動接点２７が、対応する一対の固定接点１４，１４から離れた状態となる。この状態では、コイル５２，５２への通電を停止しても、永久磁石５１の発生する磁束により、アーマチュア３４の上記他端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア２４の上記他端部に近い可動接点２７と対応する一対の固定接点１４，１４とが接触した状態が保持される。
【０１０５】
なお、本実施形態のＭＥＭＳリレーは、アーマチュア３４を動かす電磁石装置５として、永久磁石５１を備えた有極型の電磁石装置を用いているので、ラッチング型のリレー（マイクロリレー）を構成している。ただし、ＭＥＭＳリレーは、電磁石装置５として永久磁石５１を備えていない無極型の電磁石装置を用いてもよい。
【０１０６】
以上説明した本実施形態のＭＥＭＳリレーは、上述のように、ベース基板１、第１可動部形成基板２、第２可動部形成基板３、カバー基板４および電磁石装置５を備えている。ここで、第１可動部形成基板２は、第１フレーム部２１、第１フレーム部２１に第１支持ばね部２２を介して揺動自在に支持された第１可動部２３、および第１可動部２３に接圧ばね２６を介して支持され第１可動部２３の揺動に伴って固定接点１４に接離する可動接点２７を保持した接点保持部２８を備えている。また、第２可動部形成基板３は、第２フレーム部３１、第２フレーム部３１に第２支持ばね部３２を介して揺動自在に支持された第２可動部３３、第２可動部３３の厚み方向の一面側に配置されたアーマチュア３４、および第２可動部３３の揺動に伴って可動接点２７が固定接点１４に接離するように第１可動部２３を動かす動力伝達部３８を備えている。そして、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、可動接点２７を有する第１可動部形成基板２とは別に、アーマチュア３４を有する第２可動部形成基板３を備えており、第１可動部形成基板２の第１可動部２３を押圧していない動力伝達部３８に近い可動接点２７が一対の固定接点１４，１４から離れている。また、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、第１可動部形成基板２の第１可動部２３を押圧している動力伝達部３８に近い可動接点２７が一対の固定接点１４，１４に接触する。しかして、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、第２可動部３３に反りが生じても、可動接点２７が一対の固定接点１４，１４から離れている状態での絶縁距離（ギャップ長）が、ばらつくのを抑制することが可能となり、動作特性がばらつくのを抑制することが可能となり、動作安定性を向上させることが可能となる。また、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、第１可動部２３が動力伝達部３８により押圧された状態で可動接点２７が一対の固定接点１４，１４に接触した状態が維持されるので、可動接点２７が固定接点１４，１４に接触しているときの接触角度および接触位置を安定させることが可能となり、接触圧、接触抵抗などのばらつきを抑制すること可能となり、動作安定性を向上させることが可能となる。また、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、第１可動部２３が第１フレーム部２１に揺動自在に支持され且つ第２可動部３３が第２フレーム部３１に揺動自在に支持されている。これにより、第１可動部２３の長手方向に沿った方向におけるアーマチュア３４と可動接点２７との相対的な位置ずれに起因した動作不良の発生を抑制することが可能となり、動作安定性を向上させることが可能となる。本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、第１可動部２３の揺動軸と第２可動部３３の揺動軸とを、ベース基板１の厚み方向において精度よく揃えることが可能となる。
【０１０７】
また、本実施形態のＭＥＭＳリレーの構成を採用することにより、個々のＭＥＭＳリレー間の動作特性や寿命のばらつきを低減することが可能となる。
【０１０８】
（実施形態２）
以下では、本実施形態のＭＥＭＳリレーについて、図８および図９に基づいて説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【０１０９】
本実施形態のＭＥＭＳリレーは、第１可動部形成基板２が、第１フレーム部２１と接点保持部２８とを連結し接圧ばね２６とともに接点保持部２８を支持する第３支持ばね部２９を備えている点が相違する。第３支持ばね部２９は、第１可動部２３の長手方向に沿った方向において一端部が第１フレーム部２１の内周面に連結され、他端部が接点保持部２８の側面に連結されている。ここで、第３支持ばね部２９は、第１可動部２３の厚み方向に直交する面内で蛇行した形状に形成されている。
【０１１０】
しかして、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、上述の第３支持ばね部２９を備えていることにより、可動接点２７が固定接点１４，１４から離れているときのギャップ長の高精度化を図れるとともに可動接点２７が固定接点１４，１４に接触しているときの接触角度および接触位置の安定化を図れ、動作安定性を更に向上させることが可能となる。
【０１１１】
（実施形態３）
以下では、本実施形態のＭＥＭＳリレーについて、図１０および図１１に基づいて説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【０１１２】
本実施形態のＭＥＭＳリレーは、第１可動部形成基板２の形状が実施形態１とは相違する。本実施形態における第１可動部形成基板２は、第１可動部２３から相反する２方向へ延長された２つの第１支持ばね部２２により、第１可動部２３が第１フレーム部２１に支持されており、第１支持ばね部２２が、ねじれ変形が可能なトーションばね（トーションバー）である点が相違する。２つの第１支持ばね部２２は、第１可動部２３の長手方向の中央部から、第１可動部２３の短手方向に沿って互いに逆向きに延長されている。ここで、各第１支持ばね部２２は、平面視形状が細長の長方形状となっている。要するに、本実施形態のＭＥＭＳリレーは、第１支持ばね部２２の形状、配置および数が実施形態１とは相違している。第１支持ばね部２２は、第１フレーム部２１に比べて薄肉に形成されている。ここで、第１支持ばね部２２の厚さは、第１可動部２３と同じ厚さに設定してあるが、第１可動部２３と異なる厚さでもよい。
【０１１３】
本実施形態のＭＥＭＳリレーにおける第１可動部形成基板２は、第１可動部２３が、第１フレーム部２１に対して、一対の第１支持ばね部２２を揺動軸として揺動可能となっている。
【０１１４】
しかして、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、第１可動部２３が、第１フレーム部２１に対して、一対の第１支持ばね部２２を揺動軸として揺動可能となっているので、実施形態１のように一対の支点突起２３ｃ，２３ｃと４つの第１支持ばね部２２とで第１可動部２３を揺動自在とした構成に比べて、動作安定性を更に向上させることが可能となる。
【０１１５】
（実施形態４）
以下では、本実施形態のＭＥＭＳリレーについて、図１２および図１３に基づいて説明する。なお、実施形態３と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【０１１６】
本実施形態のＭＥＭＳリレーは、第２可動部形成基板３の形状が実施形態３とは相違する。本実施形態における第２可動部形成基板３は、第２可動部３３から相反する２方向へ延長された２つの第２支持ばね部３２により、第２可動部３３が第２フレーム部３１に支持されており、第２支持ばね部３２が、ねじれ変形が可能なトーションばね（トーションバー）である点が相違する。２つの第２支持ばね部３２は、第２可動部３３の長手方向の中央部から、第２可動部３３の短手方向に沿って互いに逆向きに延長されている。ここで、各第２支持ばね部３２は、平面視形状が細長の長方形状となっている。要するに、本実施形態のＭＥＭＳリレーは、第２支持ばね部３２の形状、配置および数が実施形態３とは相違している。第２支持ばね部３２は、第２フレーム部３１に比べて薄肉に形成されている。ここで、第２支持ばね部３２の厚さは、第２可動部３３と同じ厚さに設定してあるが、第２可動部３３と異なる厚さでもよい。
【０１１７】
本実施形態のＭＥＭＳリレーにおける第２可動部形成基板３は、第２可動部３３が、第２フレーム部３１に対して、一対の第２支持ばね部３２を揺動軸として揺動可能となっている。
【０１１８】
しかして、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、第２可動部３３が、第２フレーム部３１に対して、一対の第２支持ばね部３２を揺動軸として揺動可能となっているので、実施形態３のように一対の支点突起３３ｃ，３３ｃと４つの第２支持ばね部３２とで第２可動部３３を揺動自在とした構成に比べて、動作安定性を更に向上させることが可能となる。
【０１１９】
なお、実施形態１や実施形態２のＭＥＭＳリレーにおいて、第２支持ばね部３２を本実施形態と同様の構成として、支点突起３３ｃ，３３ｃなどをなくした構成としてもよい。
【０１２０】
（実施形態５）
以下では、本実施形態のＭＥＭＳリレーについて、図１４に基づいて説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【０１２１】
本実施形態のＭＥＭＳリレーは、第１可動部形成基板２の第１可動部２３における動力伝達部３８との対向部位に、表面が凸曲面状の突起２３ｈが突設されている点が実施形態１と相違し、他の構成は同じである。
【０１２２】
突起２３ｈは、動力伝達部３８に向って凸となる形状に形成されている。なお、突起２３ｈの表面は、球面の一部でもよいし、非球面の一部でもよいが、突起２３ｈの平面サイズが同じであれば、非球面のほうが、突起２３ｈの突出寸法を小さくして動作安定性を向上させる点で好ましい。
【０１２３】
以下、突起２３ｈの形成方法について図１５を参照しながら説明するが、第１可動部形成基板２の基礎となる第２の基板２０として、ｐ形のシリコン基板を用いる場合について説明する。
【０１２４】
まず、第２の基板２０の一表面側（図１５（ａ）の下面側）に後述の陽極酸化工程で利用する陽極２５７（図１５（ｂ）参照）の基礎となる所定膜厚（例えば、１μｍ）の導電性膜（例えば、Ａｌ膜、Ａｌ−Ｓｉ膜など）からなる導電性層を形成する導電性層形成工程を行う。この導電性層形成工程では、例えばスパッタ法によって第２の基板２０の上記一表面上に導電性層を成膜した後、Ｎ２ガスおよびＨ２ガス雰囲気中で導電性層のシンタ（熱処理）を行うことで、導電性層と第２の基板２０とのオーミック接触を得る。なお、導電性層の成膜方法はスパッタ法に限らず、例えば蒸着法などを採用してもよい。
【０１２５】
導電性層形成工程の後、導電性層に円形状の開孔部２５７ａを設けるように導電性層をパターニングするパターニング工程を行うことによって、図１５（ｂ）に示す構造を得る。このパターニング工程では、まず、フォトリソグラフィ技術を利用して第２の基板２０の上記一表面側に開孔部２５７ａに対応する部位が開孔されたレジスト層（図示せず）を形成する。その後、レジスト層をマスクとして導電性層の不要部分を例えばウェットエッチング技術あるいはドライエッチング技術によってエッチング除去して開孔部２５７ａを設けることにより導電性層の残りの部分からなる陽極２５７を形成する。その後、レジスト層を除去する。また、上述の導電性層形成工程とパターニング工程とで、所望の曲面形状（ここでは、突起２３ｈの表面の凸曲面状）に応じて第２の基板２０との接触パターンを設計した陽極２５７を第２の基板２０の上記一表面側に形成する陽極形成工程を構成している。
【０１２６】
上述の陽極形成工程の後、陽極酸化用の電解液中で第２の基板２０の他表面側（図１５（ａ）の上面側）に対向配置される陰極（図示せず）と陽極２５７との間に通電して第１半導体基板２０の上記他表面側に除去部位となる多孔質シリコンからなる多孔質部２５８を形成する陽極酸化工程（陽極酸化処理）を行うことによって、図１５（ｃ）に示す構造を得る。なお、電解液としては、第２の基板２０の構成元素であるＳｉの酸化物であるＳｉＯ２をエッチング除去する溶液として、５５ｗｔ％のフッ化水素水溶液とエタノールとを１：１で混合したフッ酸系溶液を用いているが、フッ化水素水溶液の濃度やフッ化水素水溶液とエタノールとの混合比は特に限定するものではない。また、フッ化水素水溶液と混合する液体もエタノールに限らず、メタノール、プロパノール、イソプロパノール（ＩＰＡ）などのアルコールなど、陽極酸化反応で発生した気泡を除去できる液体であれば、特に限定するものではない。
【０１２７】
ところで、ｐ形のシリコン基板からなる第２の基板２０を上述の陽極酸化工程において多孔質化する際には、ホールをｈ＋、電子をｅ−とすると、以下の反応が起こっていると考えられる。
Ｓｉ＋２ＨＦ＋（２−ｎ）ｈ＋→ＳｉＦ２＋２Ｈ＋＋ｎｅ−
ＳｉＦ２＋２ＨＦ→ＳｉＦ４＋Ｈ２
ＳｉＦ４＋２ＨＦ→ＳｉＨ２Ｆ６
すなわち、ｐ形のシリコン基板の陽極酸化では、Ｆイオンの供給量とホールｈ＋の供給量との兼ね合いで多孔質化あるいは電解研磨が起こることが知られており、Ｆイオンの供給量の方がホールの供給量よりも多い場合には多孔質化が起こり、ホールｈ＋の供給量がＦイオンの供給量よりも多い場合には電解研磨が起こる。したがって、第２基板２０としてｐ形のシリコン基板を用いている場合には、陽極酸化による多孔質化の速度はホールｈ＋の供給量で決まるから、第２の基板２０中を流れる電流の電流密度で多孔質化の速度が決まり、多孔質部２５８の厚みが決まることになる。本実施形態では、第２の基板２０の上記他表面側では、陽極２５７の開孔部２５７ａの中心線（第２の基板２０の厚み方向に沿った中心線）から離れるほど電流密度が徐々に大きくなるような電流密度の面内分布を有することとなる。したがって、第２の基板２０の上記他表面側に形成される多孔質部２５８は、陽極２５７の開孔部２５７ａの中心線に近くなるほど徐々に薄くなっている。なお、上述の電流密度の面内分布は、陽極２５７と陰極との間に通電しているときに陽極２５７と第２の基板２０との接触パターンなどにより決まる第２の基板２０内の電界強度の分布に応じて発生し、電界強度が強いほど電流密度が大きくなり、電界強度が弱いほど電流密度が小さくなる。
【０１２８】
上述の陽極酸化工程の終了後、多孔質部２５８を除去する多孔質部除去工程を行う。ここにおいて、多孔質シリコンからなる多孔質部２５８を除去するエッチング液としてアルカリ系溶液（例えば、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、ＴＭＡＨなどの水溶液）やＨＦ系溶液を用いれば、多孔質部２５８を除去する多孔質部除去工程において、Ａｌ膜やＡｌ−Ｓｉ膜により形成されている陽極２５７もエッチング除去することができ、図１５（ｄ）に示すような凸曲面状の表面を有する突起２３ｈを形成することができる。なお、多孔質部２５８を除去する多孔質部除去工程と、陽極２５７を除去する陽極除去工程とを別々に行ってもよい。また、多孔質シリコンからなる多孔質部２５８を除去する多孔質部除去工程においてエッチング液としてアルカリ系溶液を用いる場合には、エッチング液を加熱せずに室温でも多孔質部２５８をエッチング除去することができる。
【０１２９】
上述の突起２３ｈの形成方法では、陽極形成工程にて形成する陽極２５７と第２の基板２０との接触パターンにより陽極酸化工程において第２の基板２０に流れる電流の電流密度の面内分布が決まる。したがって、この突起２３ｈの形成方法では、陽極酸化工程にて形成する多孔質部２５８の厚みの面内分布を制御することができて厚みが連続的に変化した多孔質部２５８を形成することが可能であり、当該多孔質部２５８を多孔質部除去工程にて除去することで所望の凸曲面状の表面を有する突起２３ｈが形成されるから、任意形状で且つ滑らかな凸曲面状の表面を有する突起２３ｈを容易に形成することができる。
【０１３０】
上述の突起２３ｈの形成方法では、陽極形成工程において円形状の開孔部２５７ａが設けられた陽極２５７を形成しており、突起２３ｈの凸曲面状を非球面状の一部により構成される形状としてあるが、これに限らず、球面の一部により構成される形状としてもよい。また、開孔部２５７ａの形状を円形状ではなくて長方形状の形状とすれば、突起２３ｈとして半円柱状の突起２３ｈを形成することも可能である。
【０１３１】
本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、第１可動部形成基板２の第１可動部２３における動力伝達部３８との対向部位に、表面が凸曲面状の突起２３ｈが突設されているので、動力伝達部３８と第１可動部形成基板２との当り方が安定する。要するに、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、動力伝達部３８が第１可動部形成基板２の第１可動部２３に片当たりするのを防止することができ、動作安定性を、より向上させることが可能となる。
【０１３２】
なお、他の実施形態において、本実施形態において説明した突起２３ｈを第１可動部形成基板２の第１可動部２３に設けてもよい。
【０１３３】
（実施形態６）
以下では、本実施形態のＭＥＭＳリレーについて、図１６に基づいて説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【０１３４】
本実施形態のＭＥＭＳリレーは、第１可動部形成基板２の第１可動部２３における動力伝達部３８との対向部位に、動力伝達部３８による衝撃を緩和する衝撃緩和層２４が設けられている点が実施形態１と相違し、他の構成は同じである。
【０１３５】
衝撃緩和層２４は、第１可動部３１における動力伝達部３８の投影領域を含み且つ当該投影領域よりも広い領域に形成することが好ましい。
【０１３６】
衝撃緩和層２４は、アルミニウムなどの比較的柔らかい金属により形成することが好ましい。また、衝撃緩和層２４は、金属に限らず、ポリイミド樹脂などの弾性を有する樹脂により形成することもできる。
【０１３７】
本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、衝撃緩和層２４を備えていることにより、第２可動部形成基板３の動力伝達部３８が第１可動部形成基板２に衝突する際の衝撃を緩和することが可能となる。これにより、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、動力伝達部３８および第１可動部２３などに、衝撃に起因した破損が発生することなどを抑制することが可能となり、信頼性を向上させることが可能となる。
【０１３８】
なお、他の実施形態において、本実施形態において説明した衝撃緩和層２４を第１可動部形成基板２の第１可動部２３に設けてもよい。
【０１３９】
（実施形態７）
以下では、本実施形態のＭＥＭＳリレーについて、図１７に基づいて説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【０１４０】
本実施形態のＭＥＭＳリレーは、第２可動部形成基板３における動力伝達部３８の厚さが実施形態１とは相違し、他の構成は同じである。
【０１４１】
本実施形態における第２可動部形成基板３は、第２可動部３３の揺動に関わらず、つまり、第２可動部３３が傾いていた状態にあるか水平な状態にあるかにかかわらず、動力伝達部３８，３８が第１可動部２３と接している。ここにおいて、第２可動部形成基板３は、第２フレーム部３１の厚さ寸法と動力伝達部３８，３８の厚さ寸法とを同じ値に設定してある。
【０１４２】
本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、第２可動部３３の揺動に関わらず、動力伝達部３８，３８が第１可動部２３と接しているので、動力伝達部３８および第１可動部２３などに、衝撃に起因した破損が発生することなどを抑制することが可能となり、信頼性を向上させることが可能となる。
【０１４３】
なお、他の実施形態において、本実施形態のように、第２可動部３３の揺動に関わらず、動力伝達部３８，３８が第１可動部２３と接するようにしてもよい。
【０１４４】
（実施形態８）
以下では、本実施形態のＭＥＭＳリレーについて、図１８および図１９に基づいて説明する。なお、実施形態３と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【０１４５】
本実施形態のＭＥＭＳリレーは、第１可動部形成基板２の形状などが相違する。本実施形態における第１可動部形成基板２は、第１可動部２３に２つの開口部２３ｇ，２３ｇを有し、各開口部２３ｇ，２３ｇの各々の内側に接点保持部２８および２つの接圧ばね部２６，２６が配置されている。ここで、第１可動部形成基板２は、第１可動部２３において、当該第１可動部２３の短手方向に沿った中心線の両側に開口部２３ｇ，２３ｇが形成されており、平面視において当該中心線に直交する方向を左右方向とした場合に、２つの開口部２３ｇ，２３ｇが左右対称の位置に形成されている。
【０１４６】
各開口部２３，２３ｇの開口形状は、各々、矩形状としてあるが、これに限らず、例えば、六角形状や円形状などでもよい。また、第１可動部形成基板２は、各開口部２３ｇの中央部に接点保持部２８が配置され、第１可動部２３の長手方向において接点保持部２８の両側に接圧ばね部２６，２６が１つずつ配置されている。各接圧ばね部２６は、第１可動部２３の厚み方向に直交する面内で蛇行した形状に形成されており、一端部が開口部２３ｇの内周面に連結され他端部が接点保持部２８の側面に連結されている。また、各開口部２３ｇの内側において接点保持部２８に連結された接圧ばね部２６は、接点保持部２８の厚み方向に沿った接点保持部２８の中心線に対して回転対称となるように形成されている。図１９では、各開口部２３ｇの内側の２つの接圧ばね部２６が、２回回転対称となるように形成されている。
【０１４７】
また、本実施形態では、電磁石装置５が、ベース基板１ではなく、カバー基板４に収納されている。
【０１４８】
カバー基板４は、第１シリコン層（シリコン基板）４０ａと第２シリコン層４０ｃとの間に絶縁層（ＳｉＯ２層）４０ｂが介在したＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板からなる第４の基板４０を用いて形成されている。各シリコン層４０ａ，４０ｃは高抵抗率のシリコン層であることが好ましい。例えば、ＭＥＭＳリレーの伝送対象の高周波信号の周波数が６ＧＨｚであれば、各シリコン層４０ａ，４０ｃは、抵抗率が１００Ωｃｍ以上であることが好ましく、１０００Ωｃｍ以上であることがより好ましい。なお、第４の基板４０は、ＳＯＩ基板に限らず、例えば、高抵抗率のシリコン基板を用いてもよい。
【０１４９】
上述のカバー基板４は、第２可動部形成基板３側の一表面の中央部に、第２可動部３３の揺動範囲を確保する凹所４１（以下、第１凹所４１と称する）が形成され、他表面の中央部に、上述の電磁石装置５を収納するための凹所４６（以下、第２凹所４６と称する）が形成されている。ここで、カバー基板４は、上述のＳＯＩ基板からなる第４の基板４０における第２シリコン層４０ｃ側に第２シリコン層４０ｃの厚さ寸法よりも深さ寸法が小さな第１凹所４１を形成し、第１シリコン層４０ａ側に第１シリコン層４０ａの厚さ寸法と絶縁層４０ｂの厚さ寸法とを合わせ寸法と略同じ深さ寸法の第２凹所４６を形成してある。要するに、カバー基板４は、第２凹所４６が、電磁石装置５を収納する収納部４７となり、第１凹所４１の内底面と第２凹所４６の内底面との間の部位が、カバー基板４の上記一表面側と上記他表面側とを仕切る平板状の壁部４８となる。したがって、本実施形態におけるＭＥＭＳリレーは、ベース基板１と第１フレーム部２１と第２フレーム部３１とカバー基板４とで囲まれた空間を、気密空間とすることが可能となる。なお、壁部４８の厚さは、電磁石装置５からアーマチュア３４に作用させる吸引力などの観点から５μｍ〜５０μｍ程度が好ましく、機械的強度などの観点から２０μｍ〜３０μｍ程度がより好ましい。
【０１５０】
カバー基板４の第１凹所４１、第２凹所４６は、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用して形成すればよい。
【０１５１】
電磁石装置５は、ヨーク５０の両側片５０ｂの各先端面および永久磁石５１の上記他方の磁極面が壁部４８に当接する形で収納部４７に収納されている。しかして、ＭＥＭＳリレーは、電磁石装置５における永久磁石５１の上記他方の磁極面とヨーク５０の両側片５０ｂの各先端面とを同一平面上に位置させることができるので、電磁石装置５とアーマチュア３４との間のギャップ長の精度を高めることが可能となる。
【０１５２】
本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、第１可動部形成基板２は、第１可動部２３に２つの開口部２３ｇ，２３ｇを有し、各開口部２３ｇ，２３ｇの各々の内側に接点保持部２８および２つの接圧ばね部２６，２６が配置されているので、第１可動部２３の長手方向において第１可動部２３の両側に接点保持部２８が配置されている場合に比べて、ＭＥＭＳリレー全体の平面サイズの小型化を図れ、低コスト化を図ることが可能となる。
【０１５３】
なお、他の実施形態においても、電磁石装置５をベース基板１に収納する構成ではなく、カバー基板４に収納する構成としてもよい。
【０１５４】
（実施形態９）
以下では、本実施形態のＭＥＭＳリレーについて、図２０および図２１に基づいて説明する。なお、実施形態３と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【０１５５】
本実施形態のＭＥＭＳリレーは、第１可動部形成基板２の形状などが相違する。本実施形態における第１可動部形成基板２は、第１可動部２３が枠状に形成されている。そして、第１可動部形成基板２は、第１可動部２３の内側において２つの支持ばね部２２，２２を結ぶ直線上に配置されベース基板１に固定されたアンカー部（固定部）２３ｋを備えている。また、接点保持部２８は、平面視で２つの第１支持ばね部２２，２２の並設方向に直交する規定方向において第１可動部２３側に配置された接圧ばね部２６により第１可動部２３に支持されるとともに、アンカー部２３ｋ側に配置された補助ばね部２５によりアンカー部２３ｋに支持されている。
【０１５６】
アンカー部２３ｋの厚さ寸法は、第１フレーム部２１の厚さ寸法と同じに設定することが好ましい。これにより、アンカー部２３ｋは、第１フレーム部２１とベース基板１との接合時に、ベース基板１に接合することができる。
【０１５７】
第１可動部形成基板２は、矩形枠状の第１可動部２３の内側の中央部にアンカー部２３ｋが配置され、第１可動部２３の長手方向（上述の規定方向）においてアンカー部２３ｋの両側にアンカー部２３ｋから離間して接点保持部２８が配置されている。接圧ばね部２６および補助ばね部２５の各々は、第１可動部２３の厚み方向に直交する面内で蛇行した形状に形成されている。接圧ばね２６は、一端部が矩形枠状の第１可動部２３の内周面に連結され他端部が接点保持部２８の側面に連結されている。また、補助ばね部２５は、一端部がアンカー部２５の側面に連結され他端部が接点保持部２８の他の側面に連結されている。
【０１５８】
また、本実施形態では、電磁石装置５が、ベース基板１ではなく、カバー基板４に収納されている。ここで、カバー基板４の構成は、実施形態８と同じなので、同一の符号を付して説明を省略する。
【０１５９】
以上説明した本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、上述のように、第１可動部形成基板２の第１可動部２３が枠状に形成され、第１可動部形成基板２が、第１可動部２３の内側において２つの支持ばね部２２，２２を結ぶ直線上に配置されベース基板１に固定されたアンカー部２３ｋを備えている。そして、本実施形態のＭＥＭＳリレーは、接点保持部２８が、平面視で２つの第１支持ばね部２２，２２の並設方向に直交する規定方向において第１可動部２３側に配置された接圧ばね部２６により第１可動部２３に支持されるとともに、アンカー部２３ｋ側に配置された補助ばね部２５によりアンカー部２３ｋに支持されている。しかして、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、可動接点２７が固定接点１４，１４から離れているときのギャップ長の高精度化を図れるとともに可動接点２７が固定接点１４，１４に接触しているときの接触角度および接触位置の安定化を図れ、動作安定性を更に向上させることが可能となる。
【０１６０】
なお、枠状の第１可動部２３は、矩形枠状の形状としてあるが、矩形枠状以外の形状でもよい。また、第１可動部２３は、平面視における外周形状が矩形状で内周形状が矩形以外の形状（例えば、六角形状、円形状）としてもよい。
【０１６１】
（実施形態１０）
以下では、本実施形態のＭＥＭＳリレーについて、図２２に基づいて説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。
【０１６２】
本実施形態における第１可動部形成基板２は、実施形態１と同様、第１可動部２３が揺動する際の第１の支点として機能する支点突起（第１支点突起）２３ｃ，２３ｃが、第１可動部２３からベース基板１側へ突設されてベース基板１に当接している。また、第２可動部形成基板３は、実施形態１と同様、第２可動部３３が揺動する際の第２の支点として機能する支点突起（第２支点突起）３３ｃ，３３ｃが、第２可動部３３から第１可動部２３側へ突設されている。そして、本実施形態では、第１可動部形成基板２において、第１可動部２３に第２支点突起３３ｃ，３３ｃを位置決めする位置決め溝２３ｊが形成されている点が実施形態１とは相違する。なお、位置決め溝２３ｊは、２つの支点突起３３ｃ，３３ｃに対して１つだけ形成してもよいし、２つの支点突起３３ｃ，３３ｃごとに１つずつ形成してもよい。
【０１６３】
本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、第１可動部形成基板２において、第１可動部２３に第２支点突起３３ｃ，３３ｃを位置決めする位置決め溝２３ｊが形成されているので、第２可動部形成基板３の動作を安定させることが可能となり、動作安定性を更に向上させることが可能となる。
【０１６４】
上述の各実施形態で説明したＭＥＭＳリレーは、２つの可動接点２７と、各可動接点２７の各々ごとに対応する一対の固定接点１４，１４が設けられているが、対応する可動接点２７と固定接点１４との数は１対２に限らず、例えば、１対１でもよい。また、可動接点２７と対応する固定接点１４との組も２組に限らず、１組でもよい。
【符号の説明】
【０１６５】
１  ベース基板
２  第１可動部形成基板
３  第２可動部形成基板
４  カバー基板
５  電磁石装置
１４  固定接点
２１  第１フレーム部
２２  第１支持ばね部
２３  第１可動部
２３ｃ  支点突起（第１支点突起）
２３ｇ  開口部
２３ｈ  突起
２３ｊ  位置決め溝
２３ｋ  アンカー部
２４  衝撃緩和層
２５  補助ばね部
２６  接圧ばね部
２７  可動接点
２８  接点保持部
２９  第３支持ばね部
３１  第２フレーム部
３２  第２支持ばね部
３３ｃ  支点突起（第２支点突起）
３４  アーマチュア
３６  ばね部
３８  動力伝達部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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