【手続補正書】
【提出日】平成26年4月9日(2014.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換素子を含む光電変換ユニットを複数有し、前記光電変換ユニットに含まれる複数の光電変換素子の信号を加算する光電変換装置において、
前記複数の光電変換素子のそれぞれは信号電荷を収集する第１導電型の第１半導体領域を含み、
前記光電変換ユニットに含まれ、互いに隣接して配置された光電変換素子の第１半導体領域の間には第２導電型の第２半導体領域が配され、
隣接して配置された異なる光電変換ユニットに含まれる複数の光電変換素子のうち互いに隣接して配された光電変換素子の第１半導体領域の間には第２導電型の第３半導体領域が配され、
前記第２半導体領域の少なくとも一部の領域の第２導電型の不純物濃度は、前記第３半導体領域の第２導電型の不純物濃度よりも低いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
各光電変換ユニットは、１つのマイクロレンズにより集光される光が入射する複数の光電変換素子を含むことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第３半導体領域の不純物濃度は、前記一部の領域の不純物濃度の３倍以上であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第３半導体領域の不純物濃度は、前記一部の領域の不純物濃度の１０倍以上であることを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第２半導体領域は第１部分と第２部分とを有しており、前記第１部分は前記第２部分よりも不純物濃度が低い、もしくは、前記第１部分の平面視における幅が前記第２部分の平面視における幅よりも狭いことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第１部分は前記第２部分と異なる深さに配されていることを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記第１部分は前記第２部分と平面視において異なる位置に配されることを特徴とする請求項５または６のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記第１部分の不純物濃度ピークの深さは前記第１半導体領域の不純物濃度ピークの深さと異なることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】
各光電変換ユニットは、１つのマイクロレンズにより集光される光が入射する複数の光電変換素子を含み、
前記第１部分は、
前記マイクロレンズの中心位置の受光面への投影位置に対して、少なくとも一方向においてオフセットして配されていることを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記オフセット量は０．１μｍ以上であることを特徴とする請求項９に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
複数の光電変換素子を含む光電変換ユニットを複数有し、前記光電変換ユニットに含まれる複数の光電変換素子の信号を加算する光電変換装置において、
前記複数の光電変換素子のそれぞれは信号電荷を収集する第１導電型の第１半導体領域を含み、
前記光電変換ユニットに含まれ、互いに隣接して配置された光電変換素子の第１半導体領域の間の少なくとも一部の領域の信号電荷に対するポテンシャル障壁の高さは、
隣接して配置された異なる光電変換ユニットに含まれる複数の光電変換素子のうち、互いに隣接して配された光電変換素子の第１半導体領域の間の領域のポテンシャル障壁の高さよりも低いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項１２】
各々が、１つのマイクロレンズにより集光される光が入射する複数の光電変換素子を有する、複数の光電変換ユニットを有する光電変換装置において、
前記複数の光電変換素子のそれぞれは信号電荷を収集する第１導電型の第１半導体領域を含み、
前記光電変換ユニットに含まれ、互いに隣接して配置された光電変換素子の第１半導体領域の間の少なくとも一部の領域の信号電荷に対するポテンシャル障壁の高さは、
隣接して配置された異なる光電変換ユニットに含まれる複数の光電変換素子のうち、互いに隣接して配された光電変換素子の第１半導体領域の間の領域のポテンシャル障壁の高さよりも低いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項１３】
前記光電変換ユニットに含まれ、互いに隣接して配置された光電変換素子の第１半導体領域の間の少なくとも一部の領域には第２導電型の第２半導体領域が配され、
前記隣接して配置された異なる光電変換ユニットに含まれる複数の光電変換素子のうち、互いに隣接して配された光電変換素子の第１半導体領域の間の領域には絶縁体が配されることを特徴とする請求項１１または１２のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項１４】
前記絶縁体の下部に第２導電型の第３半導体領域が配されることを特徴とする請求項１３に記載の光電変換装置。
【請求項１５】
各々が、１つのマイクロレンズにより集光される光が入射する複数の光電変換素子を有する、複数の光電変換ユニットを有する光電変換装置において、
前記複数の光電変換素子のそれぞれは信号電荷を収集する第１導電型の第１半導体領域を含み、
前記光電変換ユニットに含まれ、互いに隣接して配置された光電変換素子の第１半導体領域の間には第２導電型の第２半導体領域が配され、
隣接して配置された異なる光電変換ユニットに含まれる複数の光電変換素子のうち互いに隣接して配された光電変換素子の第１半導体領域の間には第２導電型の第３半導体領域が配され、
前記第２半導体領域の少なくとも一部の領域の第２導電型の不純物濃度は、前記第３半導体領域の第２導電型の不純物濃度よりも低いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項１６】
前記第３半導体領域の不純物濃度は、前記一部の領域の不純物濃度の１０倍以上であることを特徴とする請求項１５に記載の光電変換装置。
【請求項１７】
前記第２半導体領域は第１部分と第２部分とを有しており、前記第１部分は前記第２部分よりも不純物濃度が低い、もしくは、前記第１部分の平面視における幅が前記第２部分の平面視における幅よりも狭いことを特徴とする請求項１５または１６のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項１８】
前記第１部分は前記第２部分と異なる深さに配されていることを特徴とする請求項１７に記載の光電変換装置。
【請求項１９】
前記第１部分は前記第２部分と平面視において異なる位置に配されることを特徴とする請求項１７または１８のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項２０】
前記第１部分の不純物濃度ピークの深さは前記第１半導体領域の不純物濃度ピークの深さと異なることを特徴とする請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項２１】
前記第１部分は、
前記マイクロレンズの中心位置の受光面への投影位置に対して、少なくとも一方向においてオフセットして配されていることを特徴とする請求項１７〜２０のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項２２】
前記オフセット量は０．１μｍ以上であることを特徴とする請求項２１に記載の光電変換装置。
【請求項２３】
前記複数の光電変換素子は平面視において互いに異なる位置に配されることを特徴とする請求項１〜２２のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項２４】
複数の光電変換素子を含む光電変換ユニットを複数有し、前記光電変換ユニットに含まれる複数の光電変換素子の信号を用いて撮像面での位相差検出による焦点検出が可能な撮像装置において、
前記複数の光電変換素子のそれぞれは信号電荷を収集する第１導電型の第１半導体領域を含み、
前記光電変換ユニットに含まれ、互いに隣接して配置された光電変換素子の第１半導体領域の間には第２導電型の第２半導体領域が配され、
隣接して配置された異なる光電変換ユニットに含まれる複数の光電変換素子のうち互いに隣接して配された光電変換素子の第１半導体領域の間には第２導電型の第３半導体領域が配され、
前記第２半導体領域の少なくとも一部の領域の第２導電型の不純物濃度は、前記第３半導体領域の第２導電型の不純物濃度よりも低いことを特徴とする撮像装置。
【請求項２５】
複数の光電変換素子を含む光電変換ユニットを複数有し、前記光電変換ユニットに含まれる複数の光電変換素子の信号を用いて撮像面での位相差検出による焦点検出が可能な撮像装置において、
前記複数の光電変換素子のそれぞれは信号電荷を収集する第１導電型の第１半導体領域を含み、
前記光電変換ユニットに含まれ、互いに隣接して配置された光電変換素子の第１半導体領域の間の少なくとも一部の領域の信号電荷に対するポテンシャル障壁の高さは、
隣接して配置された異なる光電変換ユニットに含まれる複数の光電変換素子のうち、互いに隣接して配された光電変換素子の第１半導体領域の間の領域のポテンシャル障壁の高さよりも低いことを特徴とする撮像装置。
【請求項２６】
請求項１〜２３のいずれか１項に記載の光電変換装置を有し、
前記光電変換ユニットに含まれる複数の光電変換素子の信号を加算して得られた信号により撮像を行ない、
前記光電変換ユニットに含まれる複数の光電変換素子の信号の少なくとも一つの信号を用いることで前記撮像時の焦点検出を行なうことを特徴とする撮像システム。
【請求項２７】
請求項２６に記載の撮像システムにおいて、前記光電変換ユニット内の一つ以上の光電変換素子が蓄積可能な電荷量を超えたときに、焦点検出を停止させることを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置、撮像装置および撮像システム