【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年5月12日(2014.5.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）セレン／第３ａ族錯体と（ｂ）液体キャリアとを含む、セレン／第３ａ族インクであって；
前記セレン／第３ａ族錯体は、
セレン粉体；
式Ｒ−ＣＯＯＨ（式中、ＲはＣ１−１０アルキル、Ｃ１−１０ハロアルキルおよびＣ１−１０メルカプトアルキルからなる群から選択される）を有するカルボン酸成分；
多座配位子と錯体形成した少なくとも１種の第３ａ族物質を含む第３ａ族錯体であって、前記第３ａ族物質がアルミニウム、インジウム、ガリウムおよびタリウムからなる群から選択され、並びに前記多座配位子がブタンジオナート、ペンタンジオナート、ヘキサンジオナート、ヘプタンジオナート、シクロヘキサンジオナート、および１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンからなる群から選択される、第３ａ族錯体：
の組み合わせを当初成分として含み；
前記液体キャリアが窒素含有溶媒であり、
当該窒素含有溶媒が、分子あたり２つの窒素原子を有し、それら窒素原子が脂肪族鎖において少なくとも３つの炭素原子で隔てられているか、またはそれら窒素原子が両方とも不飽和環構造に含まれているアミン溶媒；並びに分子あたり少なくとも３つの窒素原子を有するアミン溶媒から選択され；
前記セレン粉体、前記カルボン酸成分および前記第３ａ族錯体が前記液体キャリア中での混合の際に沈殿物を形成せず；
前記セレン粉体および前記第３ａ族錯体が（ｉ）前記液体キャリア中に一緒に分散されたままであるか、（ｉｉ）セレンおよび前記第３ａ族物質の双方を組み込んでいる錯体を形成しているか、または（ｉｉｉ）（ｉ）および（ｉｉ）の組み合わせであり；並びに
前記セレン／第３ａ族インクが、１００ｐｐｍ未満しかヒドラジンを含まず、かつセレンと錯体形成したヒドラジニウムを１００ｐｐｍ未満しか含まない；
セレン／第３ａ族インク。
【請求項２】
前記第３ａ族錯体がインジウム錯体を含む請求項１に記載のインク。
【請求項３】
前記第３ａ族錯体がガリウム錯体を含む請求項１に記載のインク。
【請求項４】
前記液体キャリアが１，３−ジアミノプロパン、ジエチレントリアミン、１−メチルイミダゾール、トリス（２−アミノエチル）アミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンおよびテトラメチルグアニジンからなる群から選択される、請求項１に記載のインク。
【請求項５】
前記液体キャリアが１，３−ジアミノプロパンである請求項１に記載のインク。
【請求項６】
セレン粉体を提供し；
２−メルカプトプロピオン酸、ギ酸、トリフルオロ酢酸、酢酸、プロピオン酸およびこれらの混合物からなる群から選択されるカルボン酸成分を提供し；
多座配位子と錯体形成した少なくとも１種の第３ａ族物質を含む第３ａ族錯体であって、前記第３ａ族物質がアルミニウム、インジウム、ガリウムおよびタリウムからなる群から選択され、並びに前記多座配位子がブタンジオナート、ペンタンジオナート、ヘキサンジオナート、ヘプタンジオナート、シクロヘキサンジオナート、および１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンからなる群から選択される、第３ａ族錯体を提供し；
液体キャリアを提供し、前記液体キャリアは、（ａ）分子あたり２つの窒素原子を有し、（ｉ）それら窒素原子が脂肪族鎖において少なくとも３つの炭素原子で隔てられているか、または（ｉｉ）それら窒素原子が両方とも不飽和環構造に含まれているアミン溶媒；並びに（ｂ）分子あたり３つ以上の窒素原子を有するアミン溶媒、から選択される窒素含有溶媒であり；
前記セレン粉体、前記カルボン酸成分、前記第３ａ族錯体および前記液体キャリアを一緒にしてセレン／第３ａ族インクを形成する：ことを含み、
前記セレン粉体、前記カルボン酸成分および前記第３ａ族錯体が前記液体キャリア中での混合の際に沈殿物を形成せず；
前記セレン粉体および前記第３ａ族錯体が（ｉ）セレン錯体および第３ａ族錯体として前記液体キャリア中に一緒に分散されたままであるか、（ｉｉ）セレンおよび前記第３ａ族物質の双方を組み込んでいる錯体を形成しているか、または（ｉｉｉ）（ｉ）および（ｉｉ）の組み合わせであり；並びに
前記セレン／第３ａ族インクが、１００ｐｐｍ未満しかヒドラジンを含まず、かつセレンと錯体形成したヒドラジニウムを１００ｐｐｍ未満しか含まない；
セレン／第３ａ族インクを製造する方法。
【請求項７】
前記第３ａ族錯体と前記カルボン酸成分とが一緒にされて、化合した第３ａ族錯体／カルボン酸成分を形成し、その後に前記セレン粉体と一緒にされて前記セレン／第３ａ族インクを形成する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
基体を提供する工程；
請求項６の方法に従ってセレン／第３ａ族インクを形成する工程；
前記セレン／第３ａ族インクを基体上に堆積させる工程；
堆積したセレン／第３ａ族インクを加熱して液体キャリアを除いてＭａＳｅｈ物質を残す工程、ここで、Ｍは前記第３ａ族物質であり、基体上に堆積したＭａＳｅｈ物質におけるＭ：Ｓｅのモル比は６：１〜１：６である；並びに、
場合によっては堆積したＭａＳｅｈ物質をアニールする工程：
を含む、基体上にＭａＳｅｈ物質を堆積させる方法。
【請求項９】
前記第３ａ族錯体と前記カルボン酸成分とが一緒にされて、化合した第３ａ族錯体／カルボン酸成分を形成し、その後に前記セレン粉体と一緒にされて前記セレン／第３ａ族インクを形成する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記セレン粉体と前記カルボン酸成分とが一緒にされて、化合したセレン／カルボン酸成分を形成し、その後に前記第３ａ族錯体と一緒にされて前記セレン／第３ａ族インクを形成する、請求項８に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
本発明のセレン／第３ａ族インクを製造する方法は、セレン成分を提供し；カルボン酸成分を提供し；第３ａ族錯体を提供し；液体キャリアを提供し；並びに、セレン成分、カルボン酸成分、第３ａ族錯体および液体キャリアの組み合わせ物を形成して、セレン／第３ａ族インクを提供する：ことを含む。好ましくは、第３ａ族錯体とカルボン酸成分とが一緒にされて化合した第３ａ族錯体／カルボン酸成分を形成し、その後にセレン成分と一緒にされて、セレン／第３ａ族インクを形成する。あるいは、セレン成分とカルボン酸成分とが一緒にされて化合したセレン／カルボン酸成分を形成し、その後に第３ａ族錯体と一緒にされてセレン／第３ａ族インクを形成する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
本発明のセレン／第３ａ族インクの製造において使用するための化合した第３ａ族錯体／カルボン酸成分の提供は、第３ａ族錯体を提供し；カルボン酸成分を提供し；並びに好適な液体ビヒクルを提供し、液体ビヒクルは液体キャリア（本明細書において定義されるとおり）、補助溶媒（本明細書において定義されるとおり）、またはこの混合物から選択され；第３ａ族錯体、カルボン酸成分および液体ビヒクルを一緒にして；場合によっては、この組み合わせ物を攪拌しつつ（好ましくは液体ビヒクルの沸点温度より低い温度で）（好ましくは０．１〜１２時間の期間にわたって、より好ましくは０．１〜８時間の期間にわたって）加熱して、液体ビヒクル中に安定に分散された、化合した第３ａ族錯体／カルボン酸成分を形成することを含む。好ましくは、化合した第３ａ族錯体／カルボン酸成分における第３ａ族物質：カルボン酸成分のモル比は２：１〜１：６、より好ましくは１：１〜１：６、さらにより好ましくは１：１〜１：４、最も好ましくは１：１〜１：２である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
好ましくは、本発明のセレン／第３ａ族インクの製造に使用するための化合した第３ａ族錯体／カルボン酸成分の提供において、カルボン酸成分は好ましくは一緒になった第３ａ族錯体および液体ビヒクルに添加される。より好ましくは、本発明のセレン／第３ａ族インクの製造において使用するための化合した第３ａ族錯体／カルボン酸成分の提供は、場合によっては、カルボン酸成分の添加前、添加後もしくは添加中の少なくとも１つにおいて、一緒にされた第３ａ族錯体および液体キャリアを加熱することをさらに含む。さらにより好ましくは、一緒にされた第３ａ族錯体および液体キャリアは、カルボン酸成分の添加中に２０〜１００℃の温度に維持される。最も好ましくは、一緒にされた第３ａ族錯体および液体キャリアに、連続的に攪拌しつつカルボン酸成分を徐々に添加することにより、一緒にされた第３ａ族錯体および液体キャリアに、カルボン酸成分が添加される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
本発明のセレン／第３ａ族インクは例えば、スイッチ、太陽電池（ＣＩＧＳ吸収体層もしくはγ−Ｉｎ２Ｓｅ３ウィンドウ層の製造）、非線形光学素子、イオン性蓄電池および高密度相変換データ記憶素子の製造に使用されうる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
実施例６２〜６５：セレン／第３ａ族膜の製造
実施例６２〜６５の膜は窒素雰囲気下でグローブボックス内で製造された。それぞれの膜の製造に使用された基体はモリブデンコーティングしたガラスの５×５ｍｍ片であった。それぞれの例において、基体は８０℃に設定されたホットプレート上で加熱された。それぞれの例において、表３に示されるセレン／第３ａ族インクの１滴が基体上に置かれた。セレン／第３ａ族インクを基体上に滴下した後、約１５分の上昇時間にわたってホットプレート設定温度を４００℃に上げた。次いで、このホットプレート設定温度を５分間４００℃に保持し、その後スイッチを切った。次いで、基体をホットプレートの表面上で室温まで冷却した。次いで、生成物膜が表３に示されるようにｘ−線回折（２−シータスキャン）（ＸＲＤ）およびエネルギー分散型ｘ−線分析（ＥＤＳ）の少なくとも１つによって分析された。ｘ−線回折（２−シータスキャン）によって分析されるこれらの膜は、ニッケルフィルター銅Ｋα放射の５０ｋＶ／２００ｍＡでのリガクＤ／ＭＡＸ２５００を用いて分析された。サンプルは０．０３度のステップで０．７５度／分で５〜９０度の２θでスキャンされた。回折ジオメトリが使用され、サンプルは２０ＲＰＭで回転させられた。実施例６２および６３についてのＸＲＤスキャンアウトプットは３．２７６、２．０１７１および１．７５２４のｄ−スペーシングでのｘ線回折ピークを示した。これらのピークはマリックら、Ｊ．ＭＡＴＥＲ．ＲＥＳ．第２４巻、Ｎｏ．４、１３７５〜１３８７ページ（２００９）において言及されている立方体ＩｎｘＳｅｙ相についての報告と適合している。ＥＤＳサンプルは導電性炭素テープ上に取り付けられ、日立３４００ＶＰ−ＳＥＭにおいて様々な圧力モードでコーティングされずに試験された。ＥＤＳスペクトルは１５ＫｅＶで３０ｍｍ２ＳＤ検出器を用いて集められた。ＥＤＳデータは堆積した膜における第３ａ族物質とセレンとの間の重量％比を提供する。ＥＤＳデータは最適化されていない膜における５〜１５重量％の炭素含量、および下地モリブデン基体からのシグナルも示した。