Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月15日(2013.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一側面の音響システムは、所定のリスニング位置の前に前記リスニング位置に対して略左右対称に配置された第１のスピーカおよび第２のスピーカと前記リスニング位置を中心とした場合に、前記リスニング位置と各スピーカとを結ぶことによって形成される中心角が、前記リスニング位置と前記第１のスピーカおよび前記第２のスピーカとを結ぶことによって形成される中心角より大きくなり、かつ、前記リスニング位置の前後方向において前記第１のスピーカおよび前記第２のスピーカより前記リスニング位置に近くなるように前記リスニング位置の前に、前記リスニング位置に対して略左右対称に配置された第３のスピーカおよび第４のスピーカと、入力音響信号の所定の第１の周波数以下の成分を減衰させる第１の減衰手段と、前記入力音響信号に基づく音を前記第１のスピーカおよび前記第２のスピーカから出力し、前記入力音響信号の前記第１の周波数以下の成分を減衰させた第１の音響信号に基づく音を前記第３のスピーカおよび前記第４のスピーカから出力するように制御する出力制御手段とを備える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
ステップＳ１において、ハイパスフィルタ１２１Ｌ，１２１Ｒは、音響信号の高域成分を抽出する。すなわち、ハイパスフィルタ１２１Ｌは、音響信号ＳＬｉｎの高域成分を抽出し、抽出した高域成分からなる音響信号ＳＬ１を信号処理部１２３に供給する。また、ハイパスフィルタ１２１Ｒは、音響信号ＳＲｉｎの高域成分を抽出し、抽出した高域成分からなる音響信号ＳＲ１を信号処理部１２３に供給する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
［音響システムの構成例］
図８は、本発明を適用した音響システムの第２の実施の形態を示すブロック図である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月13日(2013.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｗｅｂサーバと通信可能な情報処理装置であって、
前記情報処理装置に着脱可能な記憶媒体を接続する接続手段と、
Ｗｅｂブラウザと、
Ｗｅｂサービスプロバイダとを備え、
前記Ｗｅｂブラウザは、
前記記憶媒体に蓄積されている画像ファイルを用いる機能を実行するための機能画面を要求する第１のリクエストを、前記Ｗｅｂサーバに送信する第１の送信手段を備え、
前記Ｗｅｂサービスプロバイダは、
前記第１のリクエストの送信先である前記Ｗｅｂサーバから、前記画像ファイルに関する情報を要求する第２のリクエストを受信する第１の受信手段と、
前記第１の受信手段が受信した前記第２のリクエストに対するレスポンスとして、前記画像ファイルに関する情報を前記Ｗｅｂサーバに送信する第２の送信手段とを備え、
前記Ｗｅｂブラウザは、
前記第２の送信手段が送信した前記画像ファイルに関する情報に基づいて前記Ｗｅｂサーバが生成した画面情報を、前記Ｗｅｂサーバから受信する第２の受信手段と、
前記第２の受信手段が受信した前記画面情報に基づいて、前記機能画面を表示する表示手段とを更に備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記接続手段はＵＳＢ Ｉ／Ｆであることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記記憶媒体はＵＳＢメモリであることを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記機能画面には、前記記憶媒体に蓄積されている画像ファイルが表示されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記記憶媒体に蓄積されている画像ファイルを印刷する印刷手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記印刷手段は、前記記憶媒体に蓄積されている複数の画像ファイルのうち、前記機能画面においてユーザによって選択された画像ファイルを印刷することを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記第１の送信手段によって実行される通信と、前記第１の受信手段によって実行される通信と、前記第２の送信手段によって実行される通信と、前記第２の受信手段によって実行される通信は、ＨＴＴＰに従って実行されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記画面情報はＨＴＭＬデータであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記情報処理装置に着脱可能な記憶媒体を接続する接続手段と、Ｗｅｂブラウザと、Ｗｅｂサービスプロバイダとを備える、Ｗｅｂサーバと通信可能な情報処理装置の制御方法であって、
前記Ｗｅｂブラウザは、
第１の送信手段が、前記記憶媒体に蓄積されている画像ファイルを用いる機能を実行するための機能画面を要求する第１のリクエストを、前記Ｗｅｂサーバに送信する第１の送信ステップを実行し、
前記Ｗｅｂサービスプロバイダは、
第１の受信手段が、前記第１のリクエストの送信先である前記Ｗｅｂサーバから、前記画像ファイルに関する情報を要求する第２のリクエストを受信する第１の受信ステップと、
第２の送信手段が、前記第１の受信ステップにおいて受信した前記第２のリクエストに対するレスポンスとして、前記画像ファイルに関する情報を前記Ｗｅｂサーバに送信する第２の送信ステップとを実行し、
前記Ｗｅｂブラウザは、
第２の受信手段が、前記第２の送信ステップにおいて送信した前記画像ファイルに関する情報に基づいて前記Ｗｅｂサーバが生成した画面情報を、前記Ｗｅｂサーバから受信する第２の受信ステップと、
表示手段が、前記第２の受信ステップにおいて受信した前記画面情報に基づいて、前記機能画面を表示する表示ステップとを更に実行することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の情報処理装置の制御方法における各ステップをコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、着脱可能な記憶媒体を接続する情報処理装置において、当該記憶媒体に蓄積されている画像ファイルを用いる機能を実行するための機能画面を、Ｗｅｂサーバが生成した画面情報に基づいて表示することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、例えば、Ｗｅｂサーバと通信可能な情報処理装置であって、前記情報処理装置に着脱可能な記憶媒体を接続する接続手段と、Ｗｅｂブラウザと、Ｗｅｂサービスプロバイダとを備え、前記Ｗｅｂブラウザは、前記記憶媒体に蓄積されている画像ファイルを用いる機能を実行するための機能画面を要求する第１のリクエストを、前記Ｗｅｂサーバに送信する第１の送信手段を備え、前記Ｗｅｂサービスプロバイダは、前記第１のリクエストの送信先である前記Ｗｅｂサーバから、前記画像ファイルに関する情報を要求する第２のリクエストを受信する第１の受信手段と、前記第１の受信手段が受信した前記第２のリクエストに対するレスポンスとして、前記画像ファイルに関する情報を前記Ｗｅｂサーバに送信する第２の送信手段とを備え、前記Ｗｅｂブラウザは、前記第２の送信手段が送信した前記画像ファイルに関する情報に基づいて前記Ｗｅｂサーバが生成した画面情報を、前記Ｗｅｂサーバから受信する第２の受信手段と、前記第２の受信手段が受信した前記画面情報に基づいて、前記機能画面を表示する表示手段とを更に備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、着脱可能な記憶媒体を接続する情報処理装置において、当該記憶媒体に蓄積されている画像ファイルを用いる機能を実行するための機能画面を、Ｗｅｂサーバが生成した画面情報に基づいて表示することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月16日(2013.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法であって、
第１面および第２面を有する半導体基板の前記第１面および前記第２面の上に第１絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、
前記第１面および前記第２面のうち前記第２面の側の前記第１絶縁膜を除去する第１絶縁膜除去工程と、
前記第１面の側の前記第１絶縁膜および前記半導体基板の前記第２面の上にポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜形成工程と、
前記第１面の側および前記第２面の側の前記ポリシリコン膜の上に第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、
開口を有するマスクを使って前記第１面の側の前記第２絶縁膜をエッチングする処理を含み、前記半導体基板の前記第１面における前記開口によって規定される領域に素子分離を形成する素子分離形成工程と、
前記素子分離形成工程の後に前記第１面の側および前記第２面の側の前記第２絶縁膜を除去する第２絶縁膜除去工程と、
前記第２面の側の前記ポリシリコン膜を残しながら前記第１面の側の前記ポリシリコン膜を除去するポリシリコン膜除去工程と、
前記ポリシリコン膜形成工程の後であって前記ポリシリコン膜除去工程の前に、前記第２面の側の前記ポリシリコン膜の上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記素子分離形成工程は、
前記マスクを使って前記半導体基板の前記第１面に溝を形成する工程と、
前記溝に絶縁体を充填する工程とを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記素子分離形成工程は、前記マスクを使って前記第２絶縁膜に酸化用開口部を形成し、前記酸化用開口部を通して前記第１面の側の前記ポリシリコン膜を酸化させるとともに前記半導体基板の前記第１面を部分的に酸化させる工程を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記素子分離形成工程において、前記素子分離はＳＴＩ法またはＬＯＣＯＳ法によって形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ポリシリコン膜除去工程において、前記第１面の側の前記ポリシリコン膜は、ウェットエッチングによって除去される
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記保護膜形成工程は、前記ポリシリコン膜形成工程の後であって前記第２絶縁膜形成工程の前に実施される、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記保護膜形成工程は、前記第２絶縁膜形成工程の後であって前記ポリシリコン膜除去工程の前に実施される、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１絶縁膜がシリコン酸化膜であり、前記第２絶縁膜がシリコン窒化膜である、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月9日(2013.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリックス状に配置された複数のメモリーセルを有するメモリーセルアレイと、
第１の方向に並ぶメモリーセルを選択するための第１のワードラインと、
前記第１の方向と交差する第２の方向に並ぶメモリーセルを選択するための第２のワー
ドラインと、
前記第１のワードラインによって選択された前記第１の方向に並ぶメモリーセルの書き
込みデータ又は読み出しデータが伝送される第１のビットラインと、
前記第１のビットラインが延びる前記第２の方向に延び、該第１のビットラインと互い
に交差するように設けられ、前記第１のビットラインによって伝送される前記書き込みデ
ータの相補データ又は前記読み出しデータの相補データが伝送される第１の相補ビットラ
インと、
前記第２のワードラインによって選択された前記第２の方向に並ぶメモリーセルの書き
込みデータ又は読み出しデータが伝送される第２のビットラインとを含み、
前記第２のワードラインは、
対応する一対の前記第１のビットライン及び前記第１の相補ビットラインに対し、上面
から見て前記第１の方向又は該第１の方向の反対方向において、前記第２の方向に延び
るように配置されることを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のワードラインは、
対応する一対の前記第１のビットライン及び前記第１の相補ビットラインが配置される
配線層とは異なる層に配置されることを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
マトリックス状に配置された複数のメモリーセルを有するメモリーセルアレイと、
第１の方向に並ぶメモリーセルを選択するための第１のワードラインと、
前記第１の方向と交差する第２の方向に並ぶメモリーセルを選択するための第２のワー
ドラインと、
前記第１のワードラインによって選択された前記第１の方向に並ぶメモリーセルの書き
込みデータ又は読み出しデータが伝送される第１のビットラインと、
前記第１のビットラインが延びる前記第２の方向に延び、該第１のビットラインと互い
に交差するように設けられ、前記第１のビットラインによって伝送される前記書き込みデ
ータの相補データ又は前記読み出しデータの相補データが伝送される第１の相補ビットラ
インと、
前記第２のワードラインによって選択された前記第２の方向に並ぶメモリーセルの書き
込みデータ又は読み出しデータが伝送される第２のビットラインとを含み、
前記第２のワードラインは、
対応する一対の前記第１のビットライン及び前記第１の相補ビットラインが配置される
配線層とは異なる層に、前記第２の方向に延びるように配置されることを特徴とする記憶
装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記第２のワードラインは、
対応する一対の前記第１のビットライン及び前記第１の相補ビットラインが配置される
配線層の上層に配置されることを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
各メモリーセルは、
メモリーセルを構成するトランジスターが配置される領域内に基板電位を第１の電位に
固定する電位固定手段を含むことを特徴とする記憶装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
上面から見て、前記第２のビットライン及び対応する前記第１のワードラインの間に、
第２の電位に固定され前記第１の方向に延びるシールド配線が配置されることを特徴とす
る記憶装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記シールド配線は、
前記メモリーセルを構成するトランジスターが配置される領域内に基板電位を第１の電
位に固定する電位固定手段と電気的に接続されることを特徴とする記憶装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
第（ｎ−１）（ｎは２以上の整数）行の複数のメモリーセル、第ｎ行の複数のメモリー
セル及び第（ｎ＋１）行の複数のメモリーセルが前記第１の方向に並んで配置されるとき
、
前記第（ｎ−１）行について前記第１のビットライン、前記第１の相補ビットライン及
び前記第２のワードライン（２ＷＬ）が上面から見て前記第１の方向に順番に並んで配置
され、
前記第（ｎ−１）行の前記第２のワードラインに対して上面から見て前記第１の方向に
、前記第ｎ行について前記第１の相補ビットライン、前記第１のビットライン及び前記第
２のワードラインが順番に並んで配置され、
前記第ｎ行の前記第２のワードラインに対して上面から見て前記第１の方向に、前記第
（ｎ＋１）行について前記第１のビットライン、前記第１の相補ビットライン及び前記第
２のワードラインが順番に並んで配置されることを特徴とする記憶装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記第１のビットライン及び前記第１の相補ビットラインに接続される第１のポートと
、
少なくとも前記第２のビットラインに接続される第２のポートとを含むことを特徴とす
る記憶装置。
【請求項１０】
中央演算処理装置と、
前記中央演算処理装置によって書き込まれたデータを記憶し、又は記憶しているデータ
を前記中央演算処理装置によって読み出される請求項１乃至９のいずれか記載の記憶装置
とを含むことを特徴とする集積回路装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか記載の記憶装置を含むことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月27日(2013.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟磁性粉の結合体である軟磁性コアと、巻きの中心軸のあるコイルと、伝熱部材を備え、前記伝熱部材内に前記軟磁性コアが配され、前記コイルの少なくとも一部は前記軟磁性コア内に埋設され、前記中心軸を含む一つの平面を基準面としたとき、前記中心軸に垂直な断面内における前記中心軸から引き出された直線が、前記基準面に対してなす角度Ｗ以下となる条件を満たす領域で前記伝熱部材は前記コイル外周面と接し、前記角度Ｗは２度以上９０度以下であることを特徴とする線輪部品。
【請求項２】
前記伝熱部材は一体成形品であることを特徴とする請求項１に記載の線輪部品。
【請求項３】
前記角度Ｗは１５度以上９０度以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の線輪部品。
【請求項４】
前記角度Ｗは１５度以上３０度以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の線輪部品。
【請求項５】
前記領域において、前記伝熱部材と前記コイルの中心軸方向における端面の少なくとも一部とが接していることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の線輪部品。
【請求項６】
放熱手段をさらに備え、前記放熱手段は前記伝熱部材の外面のうち、前記コイルと前記伝熱部材が接する部分の対向部に設置されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の線輪部品。
【請求項７】
前記放熱手段は前記伝熱部材の外面のうち、前記コイル外周面と対向する面に設置され、前記基準面は前記放熱手段の中心と前記中心軸を含む平面であることを特徴とする請求項６に記載の線輪部品。
【請求項８】
前記コイルと前記伝熱部材との間の前記軟磁性コアの厚さは、前記領域近傍の前記厚さが前記コイル全周における前記厚さの平均値よりも厚いことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の線輪部品。
【請求項９】
前記コイルは前記領域における前記コイルと前記伝熱部材が接する部分に押圧されていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の線輪部品。
【請求項１０】
前記押圧は、前記コイル外周面における前記領域と対向する部位に設けられた押圧手段によりなされることを特徴とする請求項９に記載の線輪部品。
【請求項１１】
前記領域において、前記伝熱部材と前記コイルの内周面の少なくとも一部とが接していることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれかに記載の線輪部品。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月16日(2013.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の下面に接するように配置され電荷蓄積領域として機能する第２導電型の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域に接する上面、下面、および、前記第２半導体領域によって取り囲まれた側面を含み、前記第１半導体領域に接しない第３半導体領域と、
前記第２半導体領域から離隔して配置された第２導電型の第４半導体領域と、
前記第３半導体領域の前記下面および前記第２半導体領域の下面に接するように配置された第２導電型の第５半導体領域と、
前記第２半導体領域に蓄積された電荷を前記第４半導体領域に転送するためのチャネルを形成する転送ゲートとを含み、
前記第３半導体領域の前記上面から前記第３半導体領域の前記下面まで延びた部分は、第１導電型の半導体領域からなるか、第２導電型の不純物濃度が前記第２半導体領域よりも低い第２導電型の半導体領域からなる、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第５半導体領域の下面に接する第１導電型の第６半導体領域を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
複数の画素を有するように構成され、
各画素が前記第２半導体領域、前記第３半導体領域および前記転送ゲートを含み、１つの画素の前記第２半導体領域と他の画素の前記第２半導体領域との間に第１導電型の半導体領域が配置されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
複数の画素を有するように構成され、
各画素が前記第２半導体領域、前記第３半導体領域および前記転送ゲートを含み、１つの画素の前記第２半導体領域と他の画素の前記第２半導体領域との間に第１導電型の半導体領域が配置され、
前記第３半導体領域および前記半導体領域は、同一の深さに配置され、かつ、同一の不純物濃度を有する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
半導体基板の中に配置された光電変換部と、前記光電変換部から電荷を転送するための転送ゲートと、を含む固体撮像装置であって、
前記光電変換部は、第１導電型の第１領域と、電荷蓄積領域として機能する第２導電型の第２領域と、第３領域を含み、
前記第３領域は、前記第１領域に接しておらず、
前記第２領域は、前記第３領域を取り囲み、前記第３領域の上面、下面および側面と接し、
前記第３領域は、第１導電型の半導体領域であり、第２導電型の半導体領域を含まない、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項６】
半導体基板の中に配置された光電変換部と、前記光電変換部から電荷を転送するための転送ゲートと、を含む固体撮像装置であって、
前記光電変換部は、第１導電型の第１領域と、電荷蓄積領域として機能する第２導電型の第２領域と、第３領域を含み、
前記第３領域は、前記第１領域に接しておらず、
前記第２領域は、前記第３領域を取り囲み、前記第３領域の上面、下面および側面と接し、
前記第３領域は、第２導電型の不純物濃度が前記第２領域よりも低い第２導電型の半導体領域であり、第１導電型の半導体領域を含まない、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【請求項８】
第１導電型の第１半導体領域と、前記第１半導体領域の下面に接するように配置されて電荷蓄積領域として機能する第２導電型の第２半導体領域と、前記第２半導体領域から離隔して配置された第２導電型の第４半導体領域と、第２導電型の第５半導体領域とが配された基板と、前記第２半導体領域に蓄積された電荷を前記第４半導体領域に転送するためのチャネルを形成する転送ゲートとを含む固体撮像装置の製造方法であって、
第３半導体領域が形成されるように、前記基板に対して第１導電型のイオンを注入するイオン注入工程を含み、
前記第３半導体領域は、前記第２半導体領域に接する上面、前記第５半導体領域に接する下面、および、前記第２半導体領域によって取り囲まれた側面を含み、前記第１半導体領域に接せず、
前記第３半導体領域の前記上面から前記第３半導体領域の前記下面まで延びた部分は、第１導電型である、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
第１導電型の第１半導体領域と、前記第１半導体領域の下面に接するように配置されて電荷蓄積領域として機能する第２導電型の第２半導体領域と、前記第２半導体領域から離隔して配置された第２導電型の第４半導体領域と、第２導電型の第５半導体領域とが配置された基板と、前記第２半導体領域に蓄積された電荷を前記第４半導体領域に転送するためのチャネルを形成する転送ゲートとを含む固体撮像装置の製造方法であって、
第２導電型の第３半導体領域が形成されるように、前記基板に対してイオンを注入することによって前記第２半導体領域を形成するイオン注入工程を含み、
前記第３半導体領域は、前記第２半導体領域に接する上面、前記第５半導体領域に接する下面、および、前記第２半導体領域によって取り囲まれた側面を含み、前記第１半導体領域に接せず、
前記第３半導体領域の前記上面から前記第３半導体領域の前記下面まで延びた部分は、第２導電型であり、第２導電型の不純物濃度が前記第２半導体領域よりも低い半導体領域である、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記固体撮像装置は、複数の画素を有し、各画素が前記第２半導体領域、前記第３半導体領域および前記転送ゲートを含み、
前記イオン注入工程では、１つの画素の前記第２半導体領域と他の画素の前記第２半導体領域との間に、第１導電型の半導体領域が前記第３半導体領域とともに形成されるように、前記基板にイオンを注入する、
ことを特徴とする請求項８又は９に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記イオン注入工程では、前記第３半導体領域および前記半導体領域が、同一の深さに配置され、かつ、同一の不純物濃度を有するように、イオンが前記基板に注入される、
ことを特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
第１導電型の前記半導体領域の下に更に第１導電型の半導体領域が形成されるように前記基板にイオンを注入する工程を更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第３半導体領域を形成するためのイオン注入工程の後に、
前記第１半導体領域と、前記第２半導体領域とを形成する工程を含むことを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月2日(2013.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｎｍ厚さの薄膜を有する試料の前記薄膜を４×Ａｎｍ／ｍｉｎ未満の低エッチングレートでプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
前記試料を載置する試料台に時間変調された間欠の高周波電力を印加しながら前記薄膜をプラズマエッチングし、
前記高周波電力が印加されていない時間を前記高周波電力が印加されている時間より４倍〜１００倍長い時間とすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記時間変調された間欠の高周波電力における１周期の平均電力を４×Ａｎｍ／ｍｉｎ未満の低エッチングレートとなるような電力とすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理方法において、
前記薄膜の厚さが０.０５ｎｍから５０ｎｍであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
被エッチング膜を有する試料の前記被エッチング膜を７０ｎｍ／min以下の低エッチングレートでプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
前記試料を載置する試料台に時間変調された間欠の高周波電力を印加しながら前記被エッチング膜をプラズマエッチングし、
前記高周波電力が印加されていない時間を前記高周波電力が印加されている時間より４倍〜１００倍長い時間とすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、Ａｎｍ厚さの薄膜を有する試料の前記薄膜を４×Ａｎｍ／ｍｉｎ未満の低エッチングレートでプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、前記試料を載置する試料台に時間変調された間欠の高周波電力を印加しながら前記薄膜をプラズマエッチングし、前記高周波電力が印加されていない時間を前記高周波電力が印加されている時間より４倍〜１００倍長い時間とすることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月17日(2013.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内層に設けられた電源層、内層に設けられたグラウンド層、前記グラウンド層に隣接して設けられた第一の信号配線層、および前記電源層に隣接して設けられた第二の信号配線層が絶縁層を介して積層されたプリント配線板と、
前記プリント配線板の一方の表面層に実装された第一のコンデンサと、
前記プリント配線板の他方の表面層に実装された第二のコンデンサと、を備え、
前記プリント配線板には、前記電源層に電気的に接続された電源用スルーホールと、
前記グラウンド層に電気的に接続されたグラウンド用スルーホールと、前記第一の信号配線層に設けられた第一の信号配線と、前記第二の信号配線層に設けられた第二の信号配線とを電気的に接続する信号用ビアホールと、が形成されており、
前記第一のコンデンサ及び前記第二のコンデンサの一端が同一の前記電源用スルーホールに電気的に接続され、かつ前記第一のコンデンサ及び前記第二のコンデンサの他端が同一の前記グラウンド用スルーホールに電気的に接続されていることを特徴とするプリント回路板。
【請求項２】
前記第一のコンデンサ及び前記第二のコンデンサのうち、少なくとも一方のコンデンサが、前記信号用ビアホールに隣接して配置されていることを特徴とする請求項１に記載のプリント回路板。
【請求項３】
前記プリント配線板の面に対して垂直方向に前記他方の表面層に投影したときの前記第一のコンデンサの投影像が前記第二のコンデンサの少なくとも一部に重なるように前記第一のコンデンサ及び前記第二のコンデンサが配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント回路板。
【請求項４】
前記第一の信号配線に電気的に導通するように、前記一方の表面層に実装された第一の半導体素子と、
前記第二の信号配線に電気的に導通するように、前記他方の表面層に実装された第二の半導体素子と、を備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリント回路板。
【請求項５】
前記第一の信号配線に電気的に導通するように、前記一方の表面層に実装された第一の半導体素子と、
前記第二の信号配線に電気的に導通するように、前記一方の表面層に実装された第二の半導体素子と、を備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリント回路板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、内層に設けられた電源層、内層に設けられたグラウンド層、前記グラウンド層に隣接して設けられた第一の信号配線層、および前記電源層に隣接して設けられた第二の信号配線層が絶縁層を介して積層されたプリント配線板と、前記プリント配線板の一方の表面層に実装された第一のコンデンサと、前記プリント配線板の他方の表面層に実装された第二のコンデンサと、を備え、前記プリント配線板には、前記電源層に電気的に接続された電源用スルーホールと、前記グラウンド層に電気的に接続されたグラウンド用スルーホールと、前記第一の信号配線層に設けられた第一の信号配線と、前記第二の信号配線層に設けられた第二の信号配線とを電気的に接続する信号用ビアホールと、が形成されており、前記第一のコンデンサ及び前記第二のコンデンサの一端が同一の前記電源用スルーホールに電気的に接続され、かつ前記第一のコンデンサ及び前記第二のコンデンサの他端が同一の前記グラウンド用スルーホールに電気的に接続されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
（比較例１）
比較例１では実施例１と同様の４層のプリント回路板であるが、第一の信号配線層には第一のコンデンサを配置しているが、第二の信号配線層には、第二のコンデンサを配置していない。従って比較例１では、実施例１の第二の信号配線層の第二のコンデンサ、電源用スルーホールと第二のコンデンサとを接続する配線、グラウンド用スルーホールと第二のコンデンサとを接続する配線が設けられていない。これら以外の構成や形態は実施例１と同様である。この時の電源のインピーダンス特性を図６に一点鎖線で示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
（比較例２）
比較例２では実施例１と同様の４層のプリント回路板であるが、第一の信号配線層には第一のコンデンサを配置しているが、第二の信号配線層には、第二のコンデンサを配置していない。また、第一の信号配線層には第一のコンデンサと並列に、第一のコンデンサと同じ容量値のコンデンサを接続している。従って比較例１では、実施例１の第二の信号配線層の第二のコンデンサ、電源用スルーホールと第二のコンデンサとを接続する配線、グラウンド用スルーホールと第二のコンデンサとを接続する配線が設けられていない。これら以外の構成や形態は実施例１と同様である。この時の電源のインピーダンス特性を図６に破線で示す。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月21日(2013.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１成形アパーチャおよび第２成形アパーチャを透過せしめられた荷電粒子ビームを、レジストが上面に塗布された試料に照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを前記試料のレジストに描画する描画部と、
前記試料のレジストに照射される荷電粒子ビームの水平断面形状と合致しない形状を有する図形が設計データに含まれている場合に、処理の実行後の前記図形の形状が、前記試料のレジストに照射される荷電粒子ビームの水平断面形状と合致するように、前記設計データに含まれている前記図形の形状を変更する処理を実行する任意角分割部と、
前記設計データのフォーマットを変換して描画データを生成するフォーマット変換部と、
任意角分割部による処理の実行前に、前記設計データに含まれている図形のうち、前記試料のレジストに照射される荷電粒子ビームの水平断面形状と合致しない形状を有する多角形図形に対し、頂点の数を削減する処理を実行する図形形状変更部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
少なくとも第１成形アパーチャおよび第２成形アパーチャを透過せしめられた荷電粒子ビームを、レジストが上面に塗布された試料に照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを前記試料のレジストに描画する描画部と、
前記試料のレジストに照射される荷電粒子ビームの水平断面形状と合致しない形状を有する多角形図形が設計データに含まれている場合に、前記設計データに含まれている前記多角形図形を分割することによって、共通辺を有する複数の互いに隣接する台形図形を生成すると共に、中間データを生成する中間データ生成部と、
前記試料のレジストに照射される荷電粒子ビームの水平断面形状と合致しない形状を有する図形が中間データに含まれている場合に、処理の実行後の前記図形の形状が、前記試料のレジストに照射される荷電粒子ビームの水平断面形状と合致するように、中間データに含まれている前記図形の形状を変更する処理を実行する任意角分割部と、
前記中間データのフォーマットを変換して描画データを生成するフォーマット変換部と、
任意角分割部による処理の実行前に、前記中間データに含まれている図形のうち、試料のレジストに照射される荷電粒子ビームの水平断面形状と合致しない形状を有する複数の互いに隣接する台形図形に対し、共通辺を削除する処理を実行する図形形状変更部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
少なくとも第１成形アパーチャおよび第２成形アパーチャを透過せしめられた荷電粒子ビームを、レジストが上面に塗布された試料に照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを前記試料のレジストに描画する荷電粒子ビーム描画装置で用いられる描画データを生成する描画データ生成方法において、
前記試料のレジストに照射される荷電粒子ビームの水平断面形状と合致しない形状を有する多角形図形が設計データに含まれている場合に、前記多角形図形の頂点の数を削減するための条件を満足するか否かを判断し、次いで
前記多角形図形の頂点の数を削減するための条件を満足する場合に、前記多角形図形の頂点の数を削減する処理を実行し、次いで
前記頂点の数を削減する処理が実行された図形の形状を、前記試料のレジストに照射される荷電粒子ビームの水平断面形状と合致するように変更する処理を実行すると共に、前記設計データのフォーマットを変換して描画データを生成することを特徴とする描画データ生成方法。
【請求項４】
少なくとも第１成形アパーチャおよび第２成形アパーチャを透過せしめられた荷電粒子ビームを、レジストが上面に塗布された試料に照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを前記試料のレジストに描画する荷電粒子ビーム描画装置で用いられる描画データを生成する描画データ生成方法において、
前記試料のレジストに照射される荷電粒子ビームの水平断面形状と合致しない形状を有する多角形図形が設計データに含まれている場合に、前記設計データに含まれている前記多角形図形を分割することによって、共通辺を有する複数の互いに隣接する台形図形を生成すると共に、前記複数の互いに隣接する台形図形のデータを含む中間データを生成し、
前記中間データを生成する時に、前記複数の互いに隣接する台形図形のデータを前記中間データ上で連続して定義すると共に、分割前の多角形図形が前記試料のレジストに照射される荷電粒子ビームの水平断面形状と合致しない形状を有する旨の情報を、前記複数の互いに隣接する台形図形のデータに含め、
前記中間データに含まれている図形のうち、前記試料のレジストに照射される荷電粒子ビームの水平断面形状と合致しない形状を有する前記複数の互いに隣接する台形図形に対し、共通辺を削除するための条件を満足するか否かを判断し、次いで
前記共通辺を削除するための条件を満足する場合に、前記共通辺を削除する処理を実行し、次いで
前記共通辺を削除する処理が実行された図形の形状を、前記試料のレジストに照射される荷電粒子ビームの水平断面形状と合致するように変更する処理を実行すると共に、前記中間データのフォーマットを変換して描画データを生成することを特徴とする描画データ生成方法。
【請求項５】
少なくとも第１成形アパーチャおよび第２成形アパーチャを透過せしめられた荷電粒子ビームを、レジストが上面に塗布された試料に照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを前記試料のレジストに描画する荷電粒子ビーム描画装置で用いられる描画データを生成する描画データ生成方法において、
前記試料のレジストに照射される荷電粒子ビームの水平断面形状と合致しない形状を有する多角形図形が設計データに含まれている場合に、前記設計データに含まれている前記多角形図形を分割することによって、共通辺を有する複数の互いに隣接する台形図形を生成すると共に、前記複数の互いに隣接する台形図形のデータを含む中間データを生成し、
前記中間データを生成する時に、前記複数の互いに隣接する台形図形のデータを前記中間データ上で連続して定義すると共に、分割前の多角形図形が前記試料のレジストに照射される荷電粒子ビームの水平断面形状と合致しない形状を有する旨の情報を、前記複数の互いに隣接する台形図形のデータに含め、
前記中間データに含まれている図形のうち、前記試料のレジストに照射される荷電粒子ビームの水平断面形状と合致しない形状を有する前記複数の互いに隣接する台形図形に対し、処理の実行後の前記図形の形状が、前記試料のレジストに照射される荷電粒子ビームの水平断面形状と合致するように、前記台形図形の形状を変更する処理を実行し、次いで
前記形状を変更する処理が実行された前記複数の互いに隣接する図形に対し、前記図形の形状をグリッドの形状に変更し、前記図形の数を削減するためのマージ処理を実行し、前記マージ処理に伴って複数の図形が重複する部分を除去する処理を実行すると共に、中間データのフォーマットを変換して描画データを生成することを特徴とする描画データ生成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月5日(2014.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのポリエステル樹脂と可塑剤とを接触させ、予備混合した混合物を作成することと；
前記予備混合した混合物を中和剤で中和することと；
前記予備混合した混合物と界面活性剤とを接触させることと；
前記予備混合した混合物を溶融混合することと；
前記溶融混合した混合物と脱イオン水とを接触させ、ラテックス粒子を含む水中油エマルションを作成することと；
前記ラテックス粒子を連続的に回収することとを含む、プロセス。
【請求項２】
少なくとも１つのポリエステル樹脂と可塑剤とを、前記少なくとも１つのポリエステル樹脂の約５重量％〜約１００重量％の量で存在する、アルコール、ケトン、アミド、ニトリル、エーテル、スルホン、スルホキシド、ホスホラミド、エステル、ベンゼン、アミンからなる群から選択される前記可塑剤を含む押出機の第１セクションで接触させ、樹脂混合物を作成することと；
前記押出機の第２セクションで、水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化リチウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、有機アミン、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される固体中和剤を用いて前記樹脂混合物を中和することと；
前記押出機中で、前記樹脂混合物と界面活性剤とを接触させることと；
前記押出機中で、前記樹脂混合物を溶融混合することと；
前記押出機中で、前記溶融混合した混合物と脱イオン水とを接触させ、ラテックス粒子を含む水中油エマルションを作成することと；
前記ラテックス粒子を前記押出機から連続的に回収することとを含む、プロセス。
【請求項３】
押出機中で、少なくとも１つのポリエステル樹脂と、前記ポリエステル樹脂の約５重量％〜約１００重量％の量で存在する、アルコール、ケトン、アミド、ニトリル、エーテル、スルホン、スルホキシド、ホスホラミド、エステル、ベンゼン、アミンからなる群から選択される可塑剤とを接触させ、樹脂混合物を作成することと；
前記押出機中で、前記樹脂混合物を中和剤で中和することと；
前記押出機中で、前記樹脂混合物と界面活性剤とを接触させることと；
前記押出機中で、前記樹脂混合物を溶融混合することと；
前記押出機中で、前記溶融混合した混合物と脱イオン水とを接触させ、ラテックス粒子を含む水中油エマルションを作成することと；
前記ラテックス粒子を前記押出機から連続的に回収することとを含む、プロセス。
【請求項４】
前記ポリエステル樹脂が、アモルファス樹脂、結晶性樹脂、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項３に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月10日(2014.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
カーカスとベルト補強構造とを有する空気入りタイヤであって、
前記ベルト補強構造は、中央円周面に対して５度以下の角度に配置されている複数のコードをそれぞれ有する第１、第２、および第３のベルト層であって、前記第２のベルト層は前記第１のベルト層の半径方向内側に位置しており前記第１のベルト層よりも狭い幅を有し、前記第３のベルト層は前記第２のベルト層の半径方向内側に位置しており前記第２のベルト層よりも広い幅を有している、第１、第２、および第３のベルト層と、前記第１のベルト層の半径方向外側に位置しているジグザグのベルト補強構造と、を有し、
前記ジグザグのベルト補強構造は、複数のコードからなる２つの層を構成しており、前記複数のコードは、タイヤの中央面に対して５〜３０度だけ傾いており、交互に各側縁の方向転換点まで延びており、
前記第１、第２、および第３のベルト層のうちの１つは、前記ジグザグのベルト補強構造よりも広い
ことを特徴とする空気入りタイヤ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記ジグザグのベルト補強構造は第１のジグザグのベルト補強構造と第２のジグザグのベルト補強構造とを含み、前記第２のジグザグのベルト補強構造は、前記第１のジグザグのベルト補強構造の半径方向外側に位置しており、前記第１のジグザグのベルト補強構造よりも狭い幅を有する、請求項１０に記載の空気入りタイヤ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
ラジアルカーカスプライコード繊維はナイロンである、請求項１０に記載の空気入りタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月23日(2014.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１−［（Ｓ）−ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル］−２−（Ｓ）−（２−ヒドロキシエチル）ピペリジン（本明細書において、以下、Ｓ，Ｓと称される）、１−［（Ｒ）−ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル］−２−（Ｒ）−（＋）−（２−ヒドロキシエチル）ピペリジン（本明細書において、以下、Ｒ，Ｒと称される）、１−［（Ｓ）−ｓｅｃ−ブトキシカルボニル］−２−（Ｒ）−（＋）−（２−ヒドロキシエチル）ピペリジン（本明細書において、以下、Ｓ，Ｒと称される）、１−［（Ｒ）−ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル］−２−（Ｓ）−（＋）−（２−ヒドロキシエチル）ピペリジン（本明細書において、以下、Ｒ，Ｓと称される）からなる群から選択される少なくとも２種のエナンチオマーを、これらのラセミ混合物を除いて含む昆虫およびダニ忌避組成物。
【請求項２】
前記エナンチオマーの前記群Ｓ，Ｓ；Ｒ，Ｒ；Ｓ，Ｒ；Ｒ，Ｓからの２種のエナンチオマーまたは３種のエナンチオマーが、任意により溶剤中で、互いに混合されることを特徴とする昆虫およびダニ忌避組成物の調製方法。
【請求項３】
昆虫およびダニ忌避のための請求項１に記載の組成物の使用。
【請求項４】
請求項１に記載の組成物、ならびに、任意により、さらなる活性処方成分、キャリア、溶剤および／または分散剤、界面活性剤またはさらなる添加剤を含む昆虫およびダニ忌避用配合物。
【請求項５】
請求項１に記載の組成物が、溶剤および／または分散剤、キャリアおよび／または界面活性剤、および、任意により、さらなる活性処方成分および／または添加剤と混合されることを特徴とする、請求項４に記載の昆虫およびダニ忌避用配合物の生成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月5日(2014.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(A)ペミロラスト及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種と、(B)界面活性剤類、ビタミンＢ６類、テルペノイド類、及びグリチルリチン酸類からなる群より選択される少なくとも１種とを含有する、非イオン性シリコーンハイドロゲルコンタクトレンズ用眼科組成物。
【請求項２】
(B)成分として、非イオン性界面活性剤、塩酸ピリドキシン、メントール、及びグリチルリチン酸二カリウムからなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項１に記載の非イオン性シリコーンハイドロゲルコンタクトレンズ用眼科組成物。
【請求項３】
(A)成分の総量１００重量部当たり、(B)成分を総量で０．００１〜２０００００重量部の比率で含有する、請求項１又は２に記載の非イオン性シリコーンハイドロゲルコンタクトレンズ用眼科組成物。
【請求項４】
更に、(C)プラノプロフェン類及びクロルフェニラミン類からなる群より選択される少なくとも１種を含有する、請求項１〜３のいずれかに記載の非イオン性シリコーンハイドロゲルコンタクトレンズ用眼科組成物。
【請求項５】
(C)成分として、プラノプロフェン及びマレイン酸クロルフェニラミンからなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項１〜４のいずれかに記載の非イオン性シリコーンハイドロゲルコンタクトレンズ用眼科組成物。
【請求項６】
(A)成分の総量１００重量部当たり、(C)成分を総量で０．１〜１００００重量部の比率で含有する、請求項１〜５のいずれかに記載の非イオン性シリコーンハイドロゲルコンタクトレンズ用眼科組成物。
【請求項７】
更に、等張化剤を含有する、請求項１〜６のいずれかに記載の非イオン性シリコーンハイドロゲルコンタクトレンズ用眼科組成物。
【請求項８】
点眼剤である、請求項１〜７のいずれかに記載の非イオン性シリコーンハイドロゲルコンタクトレンズ用眼科組成物。
【請求項９】
眼科組成物に、(A)ペミロラスト及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種と、(B)界面活性剤類、ビタミンＢ６類、テルペノイド類、及びグリチルリチン酸類からなる群より選択される少なくとも１種とを含有させることを含む、前記眼科組成物に、非イオン性シリコーンハイドロゲルコンタクトレンズへの角膜上皮細胞の接着抑制作用を付与する方法。
【請求項１０】
眼科組成物に、(A)ペミロラスト及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種と、(B)界面活性剤類、ビタミンＢ６類、テルペノイド類、及びグリチルリチン酸類からなる群より選択される少なくとも１種とを含有させることを含む、前記眼科組成物に、非イオン性シリコーンハイドロゲルコンタクトレンズへの(A)成分の透過性を向上させる作用を付与する方法。
【請求項１１】
眼科組成物に、(A)ペミロラスト及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種と、(B)界面活性剤類、ビタミンＢ６類、テルペノイド類、及びグリチルリチン酸類からなる群より選択される少なくとも１種とを含有させることを含む、前記眼科組成物に、非イオン性シリコーンハイドロゲルコンタクトレンズの摩擦を低減する作用を付与する方法。
【請求項１２】
(A)ペミロラスト及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種と、(B)界面活性剤類、ビタミンＢ６類、テルペノイド類、及びグリチルリチン酸類からなる群より選択される少なくとも１種とを含有する、非イオン性シリコーンハイドロゲルコンタクトレンズの摩擦低減剤。
【請求項１３】
(A)ペミロラスト及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種と、(B)界面活性剤類、ビタミンＢ６類、テルペノイド類、及びグリチルリチン酸類からなる群より選択される少なくとも１種とを含有する、非イオン性シリコーンハイドロゲルコンタクトレンズに適用される眼科組成物からなる、アレルギー症状の緩和剤。