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【手続補正書】
【提出日】平成26年6月11日(2014.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内の圧力を検出する圧力センサと、
前記処理室内の圧力が前記処理室外の大気圧と同圧になると、大気圧検出信号を出力する大気圧センサと、
前記処理室内を前記処理室外の大気と連通する大気排気管と、
前記大気排気管に設けられた排気バルブと、
前記大気圧センサが前記大気圧検出信号を出力し、かつ、前記圧力センサの検出値が所定値以上となった場合に、前記排気バルブを開けて前記処理室内を前記処理室外と連通させる制御部と、
を備えた基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理室内へ搬入する搬入ステップと、
前記基板を搬入した状態で、前記処理室内の圧力を検出する圧力センサの検出値に基づき、前記処理室内の圧力を所定の処理圧力に減圧する減圧ステップと、
前記処理室内の基板を熱処理する熱処理ステップと、
前記処理室内の圧力を前記処理室外の大気圧へ復帰させる大気圧復帰ステップと、
前記熱処理した基板を処理室内から搬出する搬出ステップと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記大気圧復帰ステップにおいて、前記処理室内の圧力が前記処理室外の大気圧と同圧になると大気圧検出信号を出力する大気圧センサが前記大気圧検出信号を出力し、かつ、前記圧力センサの検出値が所定値以上となった場合に、前記処理室の内外を連通状態にする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
プロセスレシピ実行中に排気ガス逆流防止処理を行うプログラムが格納された記録媒体であって、
処理室内の圧力の検出値を圧力センサから取得する処理と、
前記検出値が大気圧であるかチェックする大気圧チェック値を取得する処理と、
大気圧センサから大気圧検出信号を受信し判定する処理と、
前記大気圧検出信号を受信していない場合、前記プロセスレシピ実行中に排気バルブを開けることを不可にする処理と、
前記大気圧検出信号を受信していた場合、前記検出値と前記大気圧チェック値とを比較する処理と、
前記検出値が前記大気圧チェック値以上の場合、前記排気バルブを開けることを可能にする処理と、
前記検出値が前記大気圧チェック値より小さい場合、前記排気バルブを開けることを不可にする処理と、
をコンピュータに実行させるプログラム読取可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置、及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月13日(2014.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー媒質と、
前記レーザー媒質を励起させるために前記レーザー媒質に励起光を照射する励起手段と、
前記レーザー媒質を挟むミラーを含む共振器と、
前記共振器の外に配置され、前記共振器から射出されたレーザー光を第一の光と第二の光とに分岐させるビームスプリッターと、
前記ビームスプリッターにより分岐された前記第一の光を検出する光検出器と、
前記ビームスプリッターにより分岐された前記第二の光を遮光できるように構成された遮光手段と、
照射状態と、前記遮光手段により前記第二の光が前記照射状態よりも遮光される遮光状態とを切り替える制御手段と、
を有し、
前記励起手段は、前記励起手段の消耗が前記照射状態よりも軽減するような設定値の制御に基づいて前記励起光を前記レーザー媒質に照射し、
前記制御手段は、前記光検出器の出力に基づいて前記設定値を設定する
をことを特徴とするレーザー装置。
【請求項２】
前記励起手段は、前記遮光状態において、前記励起手段の消耗が前記照射状態よりも軽減するような設定値で駆動され、前記励起光を前記レーザー媒質に照射し、
前記制御手段は、前記遮光状態において、前記光検出器の出力に基づいて前記設定値を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザー装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記光検出器の出力が所定の範囲内となるように前記設定値を制御する
ことを特徴とする請求項１または２に記載のレーザー装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記光検出器の出力が所定の下限値以上となるように前記設定値を制御する
ことを特徴とする請求項３に記載のレーザー装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記光検出器の出力が所定の上限値以下となるように前記設定値を制御する
ことを特徴とする請求項３に記載のレーザー装置。
【請求項６】
前記設定値は、前記励起手段の発光の繰り返し周波数、前記励起手段への励起電流値、および前記励起手段へのシマー電流値の少なくとも１つである
ことを特徴とする請求項１から５に記載のレーザー装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記光検出器の出力が所定の下限値以下であるときに前記繰り返し周波数、前記励起電流値、および前記シマー電流値の少なくとも１つを大きくする
ことを特徴とする請求項６に記載のレーザー装置。
【請求項８】
前記所定の下限値は、所定の期間内に前記照射状態に達することのできる値である
ことを特徴とする請求項４または７に記載のレーザー装置。
【請求項９】
前記所定の期間は５秒以下である
ことを特徴とする請求項８に記載のレーザー装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、前記光検出器の出力が所定の上限値以上であるときに前記繰り返し周波数、前記励起電流値、および前記シマー電流値の少なくとも１つを小さくする
ことを特徴とする請求項６に記載のレーザー装置。
【請求項１１】
前記所定の上限値は、前記照射状態における前記励起手段に設定される設定値である
ことを特徴とする請求項５または１０に記載のレーザー装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載のレーザー装置と、
前記レーザー装置から射出された前記第二のレーザー光の照射により発生した光音響信号を検出するプローブと、
を有することを特徴とする光音響測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザー装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、レーザー装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は以下の構成を採用する。すなわち、
レーザー媒質と、
前記レーザー媒質を励起させるために前記レーザー媒質に励起光を照射する励起手段と、
前記レーザー媒質を挟むミラーを含む共振器と、
前記共振器の外に配置され、前記共振器から射出されたレーザー光を第一の光と第二の光とに分岐させるビームスプリッターと、
前記ビームスプリッターにより分岐された前記第一の光を検出する光検出器と、
前記ビームスプリッターにより分岐された前記第二の光を遮光できるように構成された遮光手段と、
照射状態と、前記遮光手段により前記第二の光が前記照射状態よりも遮光される遮光状態とを切り替える制御手段と、
を有し、
前記励起手段は、前記励起手段の消耗が前記照射状態よりも軽減するような設定値の制御に基づいて前記励起光を前記レーザー媒質に照射し、
前記制御手段は、前記光検出器の出力に基づいて前記設定値を設定する
をことを特徴とするレーザー装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月10日(2014.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが実装され、半導体チップ実装面に接続パッドが形成された回路基板と、
前記回路基板の半導体チップ実装面に形成された樹脂層と、
前記樹脂層を貫通し、上側に向かって拡径した円錐台状のビアと、
前記接続パッドに接続されるとともに前記樹脂層から一部露出された状態で設けられた実装用端子とを備えた半導体装置において、
前記実装用端子は、球状のコアと、該コアの表面に形成された半田層からなり、
前記実装用端子の上端部は、前記コアの表面に沿って球面状に形成された半田層からなり、前記樹脂層から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記実装用端子は、球状の銅コアの表面に半田層を形成してなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記実装用端子は、球状の鉛フリー半田ボールの表面に低融点半田層を形成してなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
支持板に第１パッド径を有する突起状の半田ボール搭載部を形成するとともに、半田ボール搭載部に半田ボールを搭載する工程と、
半導体チップが実装され、半導体チップの実装面に前記半田ボール搭載部の第１パッド径よりも小さい第２パッド径を有する接続パッドが形成された回路基板と前記支持板とを対向配置し、支持板の半田ボール搭載部と回路基板の接続パッドとを、半田ボール搭載部の第１パッド径と接続パッドの第２パッド径との差に基づき半田ボールから形成される円錐台状の半田層を介して接続する工程と、
前記支持板と回路基板の半導体チップ実装面との間に樹脂層を形成する工程と、
前記支持板を除去し、前記円錐台状の半田層に沿って前記樹脂層に円錐台状のビアを形成する工程と、
リフロー処理を行うことにより、前記ビア内で前記円錐台状の半田層を球面状の半田層に形成するとともに球面状の半田層の一部をビアを介して樹脂層から露出させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半田ボールは、球状の銅コアの表面に半田層を形成してなることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半田ボールは、球状の鉛フリー半田ボールの表面に低融点半田層を形成してなることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記支持板はエッチング処理を介して除去されることを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記支持板は研磨処理を介して除去されることを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本願に開示されている半導体装置は、半導体チップが実装され、半導体チップ実装面に接続パッドが形成された回路基板と、前記回路基板の半導体チップ実装面に形成された樹脂層と、前記樹脂層を貫通し、上側に向かって拡径した円錐台状のビアと、前記接続パッドに接続されるとともに前記樹脂層から一部露出された状態で設けられた実装用端子とを備えた半導体装置において、前記実装用端子は、球状のコアと、該コアの表面に形成された半田層からなり、前記実装用端子の上端部は、前記コアの表面に沿って球面状に形成された半田層からなり、前記樹脂層から露出していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ここに、前記実装用端子は、球状の銅コアの表面に半田層を形成してなることが望ましく、また、球状の鉛フリー半田ボールの表面に低融点半田層を形成してなることが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
前記のように、銅製支持板１０の半田ボール搭載部１１のパッド径と回路基板２の接続パッド４のパッド径との間には差が設けられており、かかるパッド径の差に基づき、銅製支持板１０の半田ボール５を半田リフロー処理により回路基板２の接続パッド４に接続すると、図２（Ａ）に示すように、半田ボール５の表面に形成された半田層５Ｂは下向きの円錐台状の半田層に形成される。これより、銅製支持板１０の半田ボール５と回路基板２上の接続パッド４とは、下側に向かって縮径し上側に向かって拡径した円錐台状の半田層５Ｂを介して接続される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月14日(2014.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み方向に貫通する開口部を備えた基板樹脂層と、
前記基板樹脂層の一方の面の前記開口部を含む領域に形成された配線層と、
前記基板樹脂層の一方の面に形成され、前記配線層を覆う層間絶縁層と
を含む下側配線基板と、
前記下側配線基板の上方に空間を介して配置された上側配線基板と、
前記上側配線基板を貫通して前記基板樹脂層の開口部まで形成されて前記配線層に接続され、前記上側配線基板と前記下側配線基板とを連結する貫通電極とを有し、
前記貫通電極の側面は、前記基板樹脂層の開口部の内壁面と直接接触し、かつ、前記下側配線基板と前記上側配線基板との間に形成された前記空間に露出していることを特徴とするインターポーザ。
【請求項２】
前記上側配線基板内の基板は、シリコン又はガラスからなることを特徴とする請求項１に記載のインターポーザ。
【請求項３】
前記上側配線基板内の基板の熱膨張係数は、半導体チップの熱膨張係数と同一に設定されることを特徴とする請求項１又は２に記載のインターポーザ。
【請求項４】
前記上側配線基板の上面側に形成されたパッドと、前記下側配線基板の下面側に形成されたパッドとは、前記貫通電極を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のインターポーザ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかのインターポーザと、
前記上側配線基板の上面側の配線層にフリップチップ接続された半導体チップと、
前記下側配線基板の下面側の接続端子に接続された実装基板とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記実装基板は、樹脂を含む有機基板であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
上側基板にスルーホールを形成する工程と、
前記上側基板の一方の面に、前記スルーホールに対応する位置に開口部が設けられた犠牲樹脂層を形成する工程と、
前記犠牲樹脂層の外面に前記スルーホールに対応する位置に開口部が設けられた樹脂層を形成することにより、前記スルーホールと前記犠牲樹脂層の前記開口部と前記樹脂層の前記開口部とが連通して形成される連通スルーホールを得る工程と、
前記連通スルーホールに貫通電極を形成する工程と、
前記樹脂層に、前記貫通電極に接続される下側配線層及び絶縁層を積層することにより、下側配線基板を形成する工程と、
前記犠牲樹脂層を除去することにより、前記樹脂層と前記上側基板との間を離間させる工程とを有することを特徴とするインターポーザの製造方法。
【請求項８】
上側基板にスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホールに第１貫通電極部を形成する工程と、
前記上側基板の一方の面に、前記スルーホールに対応する位置に開口部が設けられた犠牲樹脂層を形成する工程と、
前記犠牲樹脂層の外面に前記スルーホールに対応する位置に開口部が設けられた樹脂層を形成することにより、前記犠牲樹脂層の前記開口部と前記樹脂層の前記開口部とが連通して形成される連通ホールを得る工程と、
前記連通ホールに、第１貫通電極部に接続される第２貫通電極部を形成することにより、前記上側基板、前記犠牲樹脂層及び前記樹脂層を貫通する貫通電極を得る工程と、
前記樹脂層に、前記貫通電極に接続される下側配線層及び絶縁層を積層することにより下側配線基板を形成する工程と、
前記犠牲樹脂層を除去することにより、前記樹脂層と前記上側基板との間を離間させる工程とを有することを特徴とするインターポーザの製造方法。
【請求項９】
前記上側基板の上面に前記貫通電極の上端に接続される上側配線層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項７又は８に記載のインターポーザの製造方法。
【請求項１０】
前記上側基板は、シリコン又はガラスからなることを特徴とする請求項８又は９に記載のインターポーザの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以下開示の一観点によれば、厚み方向に貫通する開口部を備えた基板樹脂層と、前記基板樹脂層の一方の面の前記開口部を含む領域に形成された配線層と、前記基板樹脂層の一方の面に形成され、前記配線層を覆う層間絶縁層とを含む下側配線基板と、前記下側配線基板の上方に空間を介して配置された上側配線基板と、前記上側配線基板を貫通して前記基板樹脂層の開口部まで形成されて前記配線層に接続され、前記上側配線基板と前記下側配線基板とを連結する貫通電極とを有し、前記貫通電極の側面は、前記基板樹脂層の開口部の内壁面と直接接触し、かつ、前記下側配線基板と前記上側配線基板との間に形成された前記空間に露出していることをインターポーザが提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月21日(2013.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
〔実験例１〕
まず、ＬＰＤの発生原因を突き止めるために、直径８１０ｍｍの石英ルツボに多結晶シリコンを４１０ｋｇ充填し、溶融後に特許文献２に開示されたようにシリコンの固相／液相境界領域の温度勾配（Ｇ）と成長速度（Ｖ）を制御することにより直径３００ｍｍの無欠陥シリコン単結晶を育成した。この際、比抵抗は１０Ω・ｃｍとなるようにボロンをドープし、結晶軸方位は成長軸方向と垂直な面が＜１００＞であるようにした。この無欠陥シリコン単結晶に工業的に一般に適用されるスライス、ラッピング、エッチング、鏡面研磨等を施し鏡面研磨ウェーハＩを作製した。この鏡面研磨ウェーハＩをパーティクルカウンター（ＫＬＡ  Ｔｅｎｃｏｒ社  モデル名＝ＳＰ２  検出粒径サイズは０．０３７μｍ以上）にて測定した。ウェーハ面内のＬＰＤマップの検出結果を図１（ａ）に示した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
〔実験例６：鏡面研磨ウェーハＩＩの再研磨〕
実験例２の鏡面研磨ウェーハＩＩに形成されたＬＰＤは、ＳＥＭによる詳細な形状観察より、実験例３で示した空洞欠陥（ＣＯＰ）とは明白に異なる。また、実験例４で示した研磨工程の影響によるＰＩＤとも異なる欠陥形状を示した。実験例５と同様に、更に、研磨工程によるＬＰＤへの影響を再度確認するために、鏡面研磨ウェーハＩＩを再研磨して鏡面研磨ウェーハＶＩとし、鏡面研磨ウェーハＶＩのＬＰＤの再測定を行った。再研磨は研磨量１．５μｍとした。再研磨後のＬＰＤマップを図６（ａ）に示し、ＳＥＭによる欠陥形状の確認結果を図６（ｂ）に示した。図６（ａ）、図６（ｂ）に示されるように、鏡面研磨ウェーハＶＩには鏡面研磨ウェーハＩＩと同一の不定形の凸状のヒロックが見られた。これより鏡面研磨ウェーハＩＩのＬＰＤ欠陥は研磨工程によるものではないことが確認できた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
（実施例１）
直径８１０ｍｍの石英ルツボに多結晶シリコンを４１０ｋｇ充填し、シリコンの固相／液相境界領域の温度勾配（Ｇ）と成長速度（Ｖ）を制御することにより直径３００ｍｍの無欠陥シリコン単結晶を育成した。この際、比抵抗は１０Ω・ｃｍとなるようにボロンをドープし、結晶軸方位は成長軸方向と垂直な面が＜１００＞であるようにした。この無欠陥シリコン単結晶にスライス、面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨を施し鏡面研磨ウェーハを作製した。この鏡面研磨ウェーハを熱処理温度５００℃、熱処理時間４時間で熱処理をし、その後、再研磨量１．５μｍとして再研磨を行ってシリコンウェーハを作製した。熱処理、再研磨後のシリコンウェーハのＬＰＤをパーティクルカウンター（ＫＬＡ  Ｔｅｎｃｏｒ社  モデル名＝ＳＰ２  検出粒径サイズは０．０３７μｍ以上）にて検出した。結果を表６に示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−５６５８８号公報
【特許文献２】特開平７−２５７９９１号公報
【特許文献３】ＷＯ２０１０／１４０６７１Ａ１号公報
【特許文献４】特開平９−６４０５２号公報
【非特許文献１】Ｊｐｎ．  Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．，２９（１９９０），Ｌ１９４７−Ｌ１９４９
【非特許文献２】日本結晶成長学会  ｖｏｌ．２５  Ｎｏ．５，（１９９８）
【非特許文献３】Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．，７８（１９９５），Ｐ５９８４−５９８８
【非特許文献４】最新シリコンデバイスと結晶技術、リアライズ社、平成１７年１２月２６日発行  Ｐ．１７１
【非特許文献５】ＵＬＳＩ製造のための分析ハンドブック、リアライズ社、平成６年７月２９日発行、Ｐ．１１５
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月14日(2014.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上の開口を有する第１の電極と、１以上の開口を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に介在し、前記第１の電極と前記第２の電極とを、電気的に絶縁して所定の位置関係で支持する支持体と、を備える荷電粒子線レンズであって、
前記第１の電極の開口と前記第２の電極の開口とに連通した前記支持体の開口の側面は、少なくとも１以上の凸部又は凹部を有する非平坦部とテーパ状に形成されたテーパ部とを含み、
前記テーパ部と、前記テーパ部が置かれている前記第２の電極の面とのなすテーパ角が０°より大きく９０°より小さいことを特徴とする荷電粒子線レンズ。
【請求項２】
前記非平坦部は前記第１の電極側に形成され、前記テーパ部は前記第２の電極側に形成されて、前記非平坦部と前記テーパ部は分離して形成されているか、又は少なくとも一部重複して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線レンズ。
【請求項３】
前記非平坦部が凸部と凹部とを有し、前記凸部の頂面と前記凹部の底面との差が２０μｍ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子線レンズ。
【請求項４】
前記テーパ角は４５°以上で７５°以下であることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の荷電粒子線レンズ。
【請求項５】
前記第２の電極に接した前記テーパ部の先端位置と前記非平坦部の頂面位置は、前記開口の中心軸に沿った光軸の方向に平行な同一直線上にあることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の荷電粒子線レンズ。
【請求項６】
荷電粒子源と、
前記荷電粒子源から放射される荷電粒子線を平行ビームとする照射荷電粒子光学系と、
前記照射荷電粒子光学系からの荷電粒子線を、描画パターンに応じてオンオフする偏向器と、
前記偏向器を通過した荷電粒子線を収束させる、請求項１から５の何れか１項に記載の荷電粒子線レンズと、
を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題に鑑み、本発明の荷電粒子線レンズは、１以上の開口を有する第１の電極と１以上の開口を有する第２の電極を備え、第１の電極と第２の電極との間に介在し、第１の電極と第２の電極とを、電気的に絶縁して所定の位置関係で支持する支持体を有する。そして、第１の電極の開口と第２の電極の開口とに連通した支持体の開口の側面は、少なくとも１以上の凸部又は凹部を有する非平坦部とテーパ状に形成されたテーパ部とを含み、テーパ部と、前記テーパ部が置かれている第２の電極の面とのなす角度が０°より大きく９０°より小さい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の荷電粒子線レンズの特徴は、電極間に介在する支持体の開口の側面（電極間で伸びる支持体の開口の面）が非平坦部とテーパ部を含み、テーパ部と、テーパ部が置かれている第２の電極の面とのなすテーパ角が０°より大きく９０°より小さいことである。ここで、非平坦部は一方の電極側に形成され、テーパ部は他方の電極側に形成されて、非平坦部とテーパ部が完全に分離して形成されてもよいし、少なくとも一部重複して形成されてもよい。非平坦部は、主に、凹部内に侵入した荷電粒子を凸部で閉じ込めて支持体の帯電状態の変動を抑制し、テーパ部は、主に、荷電粒子を支持体より離して支持体の帯電状態の変動を抑制するが、何れにせよ、両者が協働して支持体の帯電状態の変動を抑制する。テーパ部からの荷電粒子を支持体より離し非平坦部で荷電粒子を閉じ込めて支持体の帯電状態の変動を抑制するという機能の充分な発揮、加工容易性、構造のコンパクト性等の観点からは、非平坦部とテーパ部を分離するのが好ましい。しかし、全体の設計や材料などによっては、一部または全部重複して形成しても充分に上記機能が発揮される場合があるので、こうした構成も可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月10日(2014.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１対の電極を有する放電灯と、
前記１対の電極に駆動電流を供給する駆動装置と、を有し、
前記駆動装置は、周波数が１ｋＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の交流電流を前記１対の電極に供給する交流電流供給部と、直流電流を前記１対の電極に供給する直流電流供給部とを有し、
前記交流電流供給部は、前記交流電流を供給する交流電流供給区間と、前記交流電流の供給を停止する交流電流停止区間とを交互に繰り返すよう構成され、
前記直流電流供給部は、前記交流電流停止区間の期間中に前記直流電流を供給するよう構成されていることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記直流電流を供給する際、該直流電流の方向が少なくとも１回変化する請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
前記直流電流を供給する際、前記交流電流停止区間の期間の全部にわたって、前記直流電流の供給が行なわれる請求項１または２に記載の光源装置。
【請求項４】
前記交流電流停止区間の期間中に前記直流電流の供給も停止する期間が設けられている請求項１または２に記載の光源装置。
【請求項５】
前記直流電流を供給する際、該直流電流の大きさは一定である請求項１ないし４のいずれかに記載の光源装置。
【請求項６】
前記交流電流供給区間での前記交流電流の大きさの平均値と、前記交流電流停止区間での前記直流電流の大きさとは、同じである請求項１ないし５のいずれかに記載の光源装置。
【請求項７】
前記交流電流供給区間と前記交流電流停止区間との合計の期間をＡ、前記交流電流供給区間の期間をＢとしたとき、Ｂ／Ａが５０％以上９９％以下に設定されている請求項１ないし６のいずれかに記載の光源装置。
【請求項８】
前記交流電流供給区間において、前記交流電流の大きさは、一定である請求項１ないし７のいずれかに記載の光源装置。
【請求項９】
前記交流電流供給区間において、前記交流電流の大きさは、段階的に変化している請求項１ないし７のいずれかに記載の光源装置。
【請求項１０】
前記交流電流の周波数は、１ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下、または、３ＭＨｚ以上１０ＧＨｚ以下である請求項１ないし９のいずれかに記載の光源装置。
【請求項１１】
前記放電灯が点灯している際、前記１対の電極の温度が変動し、該１対の電極の先端部に突起が形成される請求項１ないし１０のいずれかに記載の光源装置。
【請求項１２】
１対の電極を有する放電灯の駆動方法であって、
周波数が１ｋＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の交流電流と、直流電流とを生成し、
前記交流電流を前記１対の電極に供給する交流電流供給区間と、前記交流電流の供給を停止する交流電流停止区間とが交互に繰り返され、かつ、前記交流電流停止区間の期間中に前記直流電流が供給される駆動電流を生成し、
前記駆動電流を前記１対の電極に供給することを特徴とする放電灯の駆動方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の光源装置と、
前記光源装置から出射した光を画像情報に基づいて変調する変調装置と、
前記変調装置により変調された光を投射する投射装置と、を有することを特徴とするプロジェクター。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の光源装置は、１対の電極を有する放電灯と、
前記１対の電極に駆動電流を供給する駆動装置と、を有し、
前記駆動装置は、周波数が１ｋＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の交流電流を前記１対の電極に供給する交流電流供給部と、直流電流を前記１対の電極に供給する直流電流供給部とを有し、
前記交流電流供給部は、前記交流電流を供給する交流電流供給区間と、前記交流電流の供給を停止する交流電流停止区間とを交互に繰り返すよう構成され、
前記直流電流供給部は、前記交流電流停止区間の期間中に前記直流電流を供給するよう構成されていることを特徴とする。
これにより、放電灯の黒化を抑制し、電極間距離を一定の距離に保持して、放電灯を駆動することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の光源装置では、前記交流電流停止区間の期間中に前記直流電流の供給も停止する期間が設けられていることが好ましい。
これにより、例えば突起の形成の促進を若干抑制したい場合に有効である。
本発明の光源装置では、前記直流電流を供給する際、該直流電流の大きさは一定であることが好ましい。
これにより、より確実に、電極に突起を形成することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の放電灯の駆動方法は、
１対の電極を有する放電灯の駆動方法であって、
周波数が１ｋＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の交流電流と、直流電流とを生成し、
前記交流電流を前記１対の電極に供給する交流電流供給区間と、前記交流電流の供給を停止する交流電流停止区間とが交互に繰り返され、かつ、前記交流電流停止区間の期間中に前記直流電流が供給される駆動電流を生成し、
前記駆動電流を前記１対の電極に供給することを特徴とする。
これにより、放電灯の黒化を抑制し、電極間距離を一定の距離に保持して、放電灯を駆動することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のプロジェクターは、本発明の光源装置と、
前記光源装置から出射した光を画像情報に基づいて変調する変調装置と、
前記変調装置により変調された光を投射する投射装置と、を有することを特徴とする。
これにより、放電灯の黒化を抑制し、電極間距離を一定の距離に保持して、放電灯を駆動することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
具体的には、交流電流供給区間４１の期間Ｂは、１〜１００ｍｓｅｃであるのが好ましく、２〜２０ｍｓｅｃであるのがより好ましい。一方、交流電流停止区間４２の期間Ｃは、１０μｓｅｃ〜１００ｍｓｅｃであるのが好ましく、５０μｓｅｃ〜２０ｍｓｅｃであるのがより好ましい。
前記比Ｂ／Ａが前記下限値よりも小さいと、他の条件によっては、電極温度変動により黒化が発生しやすくなり、また、前記上限値よりも大きいと、他の条件によっては、突起６１８、７１８が形成されない。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月10日(2014.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心部にオリビン型ＬｉＦｅＰＯ４と、前記中心部の外側にＬｉＦｅｘＰｙＯｚで表すことのできるリチウムリン酸鉄を有する中間部と、前記中間部の外側にＬｉＦｅａＰｂＯｃで表すことのできるリチウムリン酸鉄を有する表面部とで構成される正極活物質粒子を含有する正極と、
チタン酸リチウムを含有する負極とを備え、
前記中心部のリチウムリン酸鉄のＰに対するＦｅのモル濃度比は、前記ＬｉＦｅｘＰｙＯｚのｘ／ｙの平均より大きく、
前記正極活物質粒子の表面部のＬｉＦｅａＰｂＯｃのａ／ｂの平均値は、前記ＬｉＦｅｘＰｙＯｚのｘ／ｙの平均より小さく、
前記中間部のＬｉＦｅｘＰｙＯｚのｘ／ｙが表面部から中心部方向に向かって、連続的又は断続的に大きくなる領域が含まれることを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項２】
前記領域は、前記正極活物質粒子の最表面から中心方向に粒子の直径の０．１％以上２０％以下の範囲内に含まれることを特徴とする請求項１に記載の非水電解質二次電池。
【請求項３】
前記領域は、前記正極活物質粒子の最表面から中心方向に粒子の直径の０．５％以上１５％以下の範囲内に含まれることを特徴とする請求項１又は２に記載の非水電解質二次電池。
【請求項４】
前記正極活物質粒子の表面部のＸＰＳ測定によるＬｉＦｅｘＰｙＯｚのｘ／ｙは０．１以上０．５以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の非水電解質二次電池。
【請求項５】
前記正極活物質粒子の表面部には、Ｌｉ３ＰＯ４、Ｌｉ１＋αＦｅＰ２Ｏ７、ＬｉβＦｅ４（Ｐ２Ｏ７）３、Ｌｉ３＋γＦｅ２（ＰＯ４）３（０≦α≦１、０≦β≦３、０≦γ≦２）のうち、少なくとも１種類以上の化合物とオリビン型ＬｉＦｅＰＯ４が含まれていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の非水電解質二次電池。
【請求項６】
前記正極活物質粒子は、酸又は水洗処理し、不活性雰囲気下で加熱処理したものであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の非水電解質二次電池。
【請求項７】
前記中間部及び表面部は、酸又は水洗処理し、不活性雰囲気下で加熱処理したものであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の非水電解質二次電池。
【請求項８】
前記連続的又は断続的に変化する領域の範囲は、前記正極活物質粒子の最表面から中心方向に粒子の直径の０．１％以上深い点から始まることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の非水電解質二次電池。
【請求項９】
前記中心部のリチウムリン酸鉄のＰに対するＦｅのモル濃度比は０．９５以上１．０５以下であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の非水電解質二次電池。
【請求項１０】
前記中心部のリチウムリン酸鉄のＰに対するＦｅのモル濃度比の変化量は、前記中間部の領域内におけるＬｉＦｅｘＰｙＯｚのｘ／ｙの変化量よりも小さいことを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の非水電解質二次電池。
【請求項１１】
前記表面部のＬｉＦｅａＰｂＯｃのａ／ｂの平均は、前記中間部のＬｉＦｅｘＰｙＯｚのｘ／ｙの平均より小さいことを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の非水電解質二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月9日(2014.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
輝度または色を個別に制御可能な複数のブロックから構成される光源装置であって、
入射面から光が入射され、出射面から光を出射する導光部と、
前記導光部の入射面に沿って配列された複数の光源と、
を有し、
前記複数の光源は、１つの光源群が１つのブロックに対応する、複数の光源群からなり、
１つの光源群は、複数の白色光源と複数の有色光源を含み、
１つの光源群に含まれる複数の有色光源のうち、同一の駆動条件で駆動した場合に最も光度の高い発光色の有色光源は、該光源群の両端に配置されており、
前記入射面に沿って配列された複数の光源に含まれる全ての白色光源は、等間隔に配置されている
ことを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記最も光度の高い発光色の有色光源は、緑色光源である
ことを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
１つの光源群は、複数の赤色光源を含み、
１つの光源群に含まれる複数の赤色光源は、互いに隣接して配置されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の光源装置。
【請求項４】
１つの光源群に含まれる発光色が同じ光源は、該光源群に対応するブロックの中心を基準として対称配置されている
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項５】
１つの光源群は、赤色光源、緑色光源、及び、黄色光源を含み、
１つの光源群に含まれる黄色光源は、該光源群に含まれる赤色光源または緑色光源のうち、少なくとも主波長の差が小さい方の光源に隣接して配置されている
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項６】
前記導光部は、ブロック毎に設けられた複数の導光部からなる
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項７】
光源の光度は、前記複数の光源を点灯させたときに、ブロックの中心位置と、該ブロックに隣接するブロックの中心位置との色差が、所定の閾値以下となるように決定されている
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項８】
ブロックを前記複数の光源の配列方向に２つに分割することにより得られる領域をサブブロックとした場合に、
光源の光度は、更に、前記複数の光源を点灯させたときに、サブブロックの中心位置と、該サブブロックに隣接する他のブロックのサブブロックの中心位置との色差が、所定の閾値以下となるように決定されている
ことを特徴とする請求項７に記載の光源装置。
【請求項９】
光源の光度は、前記複数の光源を点灯させたときに、ブロックの中心位置、及び、該ブロックに隣接するブロックの中心位置と、それら中心位置間の中点との色差が、所定の閾値以下となるように決定されている
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光源装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、白色光源と複数の有色光源とを有する光源装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そこで、本発明は、有色光源の光度と白色光源の光度とをそれぞれ独立に制御する場合において、輝度ムラを抑制することのできる光源装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の光源装置は、
輝度または色を個別に制御可能な複数のブロックから構成される光源装置であって、
入射面から光が入射され、出射面から光を出射する導光部と、
前記導光部の入射面に沿って配列された複数の光源と、
を有し、
前記複数の光源は、１つの光源群が１つのブロックに対応する、複数の光源群からなり、
１つの光源群は、複数の白色光源と複数の有色光源を含み、
１つの光源群に含まれる複数の有色光源のうち、同一の駆動条件で駆動した場合に最も光度の高い発光色の有色光源は、該光源群の両端に配置されており、
前記入射面に沿って配列された複数の光源に含まれる全ての白色光源は、等間隔に配置されている
ことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、有色光源の光度と白色光源の光度とをそれぞれ独立に制御する場合において、輝度ムラを抑制することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（構成）
本実施例に係るバックライト装置の構成の一例を図２（Ａ），（Ｂ）に示す。図２（Ａ）は正面図、図２（Ｂ）は側面図である。
本実施例に係るバックライト装置は、入射面から光が入射され、出射面から光を出射する導光板、導光板の入射面に沿って配列された複数の光源（本実施例ではＬＥＤ）、各光源を駆動する（各光源の光度（輝度）を制御する）ＬＥＤ駆動部などを有する。
図２（Ａ），（Ｂ）の例では、導光板は、ブロック毎に設けられた複数の導光板（導光板１００，２００）からなる。また、複数の光源は、１つの光源群（ＬＥＤ群）が１つのブロックに対応する、複数の光源群（ＬＥＤ組１０とＬＥＤ組１１からなる光源群と、ＬＥＤ組２０とＬＥＤ組２１からなる光源群）からなる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、光源（ＬＥＤ）には個体差があり、同じ発光色（例えば赤色）の光源であっても、それらの発光色はわずかに異なる。また、所望の発光色を得るために、発光色が異なる複数の光源を用いる場合がある。具体的には、所望の赤色光を得るために、主波長が異なる赤色光源を複数用いる場合がある。そして、赤色光源からの光（赤色光）は、他の色の光に比べ、人間の視覚特性上、認識されやすい。
そのため、１つの光源群に複数の赤色光源が含まれる場合に、それら赤色光源を互いに離れて配置すると、赤色光源間の発光色の違いが認識されてしまう虞がある（即ち、色ムラが発生する虞がある）。そこで、本実施例では、図２（Ａ）に示すように、１つの光源群に含まれる複数の赤色光源を隣接して配置する。それにより、複数の赤色光源から発せられた赤色光が混色しやすくなるため、赤色光源間の発光色の違いが認識されにくくなり、ひいては色ムラを抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月17日(2014.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光ディスクと第２の光ディスクに情報を記録する記録方法であって、
前記第１の光ディスクと前記第２の光ディスクは、同じ記録層の数を有し、
前記第１の光ディスクは、記録膜の反射率が記録前に比べて記録後に低くなるタイプの光ディスクであり、
前記第２の光ディスクは、記録膜の反射率が記録前に比べて記録後の反射率が高くなるタイプの光ディスクであり、
前記第１の光ディスクと前記第２の光ディスクに対して、共通の訂正符号による訂正符号の付加処理を行う誤り訂正符号付加手段と、
前記第１の光ディスクと前記第２の光ディスクに対して、共通の変調処理を行う変調手段と、
前記第１の光ディスクと前記第２の光ディスクの１層あたりの記録容量が異なるように、前記第１の光ディスクと前記第２の光ディスクに情報を記録する記録手段と、
を備えることを特徴とする記録方法。
【請求項２】
情報を記録する第１の光ディスクであって、
前記第１の光ディスクは、記録膜の反射率が記録前に比べて記録後の反射率が高くなるタイプの光ディスクであり、
記録膜の反射率が記録前に比べて記録後に低くなるタイプの光ディスクを第２の光ディスクとした場合、
前記第１の光ディスクの訂正符号と変調規則は前記第２の光ディスクの訂正符号と変調規則と共通であり、
前記第１の光ディスクと前記第２の光ディスクは、同じ記録層の数を有し、
前記第１の光ディスクの１層あたりの記録容量を、前記第２の光ディスクの１層あたりの記録容量と異ならせる、ことを特徴とする第１の光ディスク。
【請求項３】
情報を記録する第１の光ディスクと第２の光ディスクの製造方法であって、
前記第１の光ディスクを、記録膜の反射率が記録前に比べて記録後の反射率が高くなるタイプの光ディスクとし、
前記第２の光ディスクを、記録膜の反射率が記録前に比べて記録後に低くなるタイプの光ディスクとし、
前記第１の光ディスクと前記第２の光ディスクは、同じ記録層の数を有するように構成し、
前記第１の光ディスクの訂正符号と変調規則は前記第２の光ディスクの訂正符号と変調規則と共通となるように構成し、
前記第１の光ディスクの１層あたりの記録容量を、前記第２の光ディスクの１層あたりの記録容量と異ならせるように構成する、ことを特徴とする光ディスクの製造方法。
【請求項４】
情報を記録する光ディスクであって、
記録膜の反射率が記録前に比べて記録後に低くなるタイプの光ディスクと記録膜の反射率が記録前に比べて記録後の反射率が高くなるタイプの光ディスクがあり、
前記記録膜の反射率が記録前に比べて記録後に低くなるタイプの光ディスクと前記記録膜の反射率が記録前に比べて記録後の反射率が高くなるタイプの光ディスクは、訂正符号と変調規則が共通であり、
同じ層数である、前記記録膜の反射率が記録前に比べて記録後に低くなるタイプの光ディスクと前記記録膜の反射率が記録前に比べて記録後の反射率が高くなるタイプの光ディスクの一層あたりの記録容量が異なることを特徴とすることを特徴とする光ディスク。
【請求項５】
情報を記録する光ディスクの記録装置であって、
同じ層数である、前記記録膜の反射率が記録前に比べて記録後に低くなるタイプの光ディスクと前記記録膜の反射率が記録前に比べて記録後の反射率が高くなるタイプの光ディスクの一層あたりの記録容量が異なり、
記録膜の反射率が記録前に比べて記録後に低くなるタイプの光ディスクと記録膜の反射率が記録前に比べて記録後の反射率が高くなるタイプの光ディスクに対し共通の訂正符号による訂正符号の付加処理を行う誤り訂正符号付加手段と、
記録膜の反射率が記録前に比べて記録後に低くなるタイプの光ディスクと記録膜の反射率が記録前に比べて記録後の反射率が高くなるタイプの光ディスクに対し共通の変調処理を行う変調手段とを持つことを特徴とする光ディスクの記録装置。
【請求項６】
情報を記録する光ディスクの再生装置であって、
同じ層数である、前記記録膜の反射率が記録前に比べて記録後に低くなるタイプの光ディスクと前記記録膜の反射率が記録前に比べて記録後の反射率が高くなるタイプの光ディスクの一層あたりの記録容量が異なり、
記録膜の反射率が記録前に比べて記録後に低くなるタイプの光ディスクと記録膜の反射率が記録前に比べて記録後の反射率が高くなるタイプの光ディスクに対し共通の訂正符号により訂正符号の付加された誤り訂正符号により誤り訂正を行う手段と、
記録膜の反射率が記録前に比べて記録後に低くなるタイプの光ディスクと記録膜の反射率が記録前に比べて記録後の反射率が高くなるタイプの光ディスクに対し共通の変調処理が行われた変調信号に対し復調処理を行う復調手段とを持つことを特徴とする光ディスクの再生装置。
【請求項７】
情報を記録する光ディスクであって、
記録膜の反射率が記録前に比べて記録後に低くなるタイプの光ディスクと記録膜の反射率が記録前に比べて記録後の反射率が高くなるタイプの光ディスクがあり、
前記記録膜の反射率が記録前に比べて記録後に低くなるタイプの光ディスクと前記記録膜の反射率が記録前に比べて記録後の反射率が高くなるタイプの光ディスクは、訂正符号と変調規則が共通であり、
層数もしくは、前記記録膜の反射率が記録前に比べて記録後に低くなるタイプの光ディスクか前記記録膜の反射率が記録前に比べて記録後の反射率が高くなるタイプの光ディスクの違いがある場合、ディスク１枚あたりの記録容量が異なることを特徴とすることを特徴とする光ディスク。
【請求項８】
請求項４記載の光ディスクであって、
前記記録膜の反射率が記録前に比べて記録後の反射率が高くなるタイプの光ディスクの１層あたりの記録容量は、層数の異なる前記記録膜の反射率が記録前に比べて記録後に低くなるタイプの光ディスクの何れかと、１層あたりの容量が等しいことを特徴とする光ディスク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光ディスク、光ディスクの記録装置、光ディスクの再生装置、光ディスクの製造方法および記録方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月4日(2013.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録磁界を発生する磁極と、
前記磁極の近傍に設けられた近接場光発生素子と、
前記近接場光発生素子に光を導く光導波路コアと、
前記光導波路コアの前記近接場光発生素子側端部の側方に近接して配置された光検出素子とを有し、
前記光検出素子は導波路型のフォトダイオードであり、前記導波路型のフォトダイオードの光を導波する方向が前記光導波路コアの長軸方向に平行な方向であることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、前記近接場光発生素子を挟むようにして前記磁極と前記光検出素子とが配置されていることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項３】
請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、前記光検出素子の素子高さ方向上端位置は、前記近接場光発生素子の素子高さ方向上端位置と同じか、それよりも低いことを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項４】
請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、前記光検出素子は、ｐ型半導体とｎ型半導体のヘテロ接合を有する積層構造、又はｐ型半導体、ｉ型（真性）半導体、ｎ型半導体のヘテロ接合を有する積層構造からなり、そのＰ−Ｎ接合又はＰ−Ｉ−Ｎ接合を構成する半導体層は、ヘッドの流入端から流出端に向かう方向に積層されていることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項５】
請求項４記載の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、前記ｐ型半導体とｎ型半導体のうち、前記光導波路コアに近いほうの半導体層の厚さが前記光導波路コアから遠いほうの半導体層の厚さよりも薄いことを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項６】
請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、前記光検出素子は珪素を主成分とする材料から構成される半導体であることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項７】
磁気ディスクと、
前記磁気ディスクを駆動する磁気ディスク駆動部と、
前記磁気ディスクに対する情報の書き込み及び読み出しを行うヘッドと、
前記ヘッドを前記磁気ディスクの所望トラックに位置決めするヘッド駆動部と、
光源と、
前記光源を制御する光源制御部とを備え、
前記ヘッドは、記録磁界を発生する磁極と、前記磁極の近傍に設けられた近接場光発生素子と、前記近接場光発生素子に前記光源からの光を導く光導波路コアと、前記光導波路コアの前記近接場光発生素子側端部の側方に近接して配置された光検出素子とを有し、
前記光検出素子は導波路型のフォトダイオードであり、前記導波路型のフォトダイオードの光を導波する方向が前記光導波路コアの長軸方向に平行な方向であり、
前記光源制御部は、前記光検出素子で検出される光強度が一定になるように前記光源を制御することを特徴とする磁気ディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月14日(2014.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クリーンルーム内で固定体部に軸受ユニットと前記軸受ユニットによって前記固定体部に対して回転自在に支持される回転体部とを組み付けてサブアセンブリを組み立てる組立工程と、
前記組立工程の後に、前記サブアセンブリの前記固定体部に洗浄液と第１気体との混合物をスプレー状に射出して吹付けた後連続して帯電した気体を含む第２気体を吹付ける洗浄工程と、
前記洗浄工程の後に、前記サブアセンブリを密封部材により密封する密封工程と、
を含むことを特徴とするディスク駆動装置の製造方法。
【請求項２】
前記洗浄工程は、前記洗浄液を射出する１または複数のノズルの開口に対して前記サブアッセンブリが相対的に移動をしながら実行されることを特徴とする請求項１に記載のディスク駆動装置の製造方法。
【請求項３】
前記洗浄液は沸点が６０℃〜９０℃の範囲である溶媒または２−プロパノールが含まれることを特徴とする請求項１または２に記載のディスク駆動装置の製造方法。
【請求項４】
前記回転体部は記録ディスクの中央孔の内周が嵌められるべき円筒部を含み、
前記組立工程の後であって前記洗浄工程の前に、前記固定体部と前記回転体部との隙間に取り外し可能な部材であって前記円筒部を覆わない形状のカバー部材を取り付ける工程と、
前記密封工程の前に、前記カバー部材を取り外す工程と、を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のディスク駆動装置の製造方法。
【請求項５】
前記カバー部材は、少なくとも一部が透明とされる型に紫外線硬化性の樹脂が注入された後、紫外線が照射されて形成されたことを特徴とする請求項４に記載のディスク駆動装置の製造方法。
【請求項６】
前記洗浄工程は、前記サブアッセンブリの表面を布様物で擦った後、連続して実行されることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のディスク駆動装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明のある態様はディスク駆動装置の製造方法に関する。このディスク駆動装置の製造方法は、クリーンルーム内で固定体部に軸受ユニットと前記軸受ユニットによって前記固定体部に対して回転自在に支持される回転体部とを組み付けてサブアセンブリを組み立てる組立工程と、前記組立工程の後に、前記サブアセンブリの前記固定体部に洗浄液と第１気体との混合物をスプレー状に射出して吹付けた後連続して帯電した気体を含む第２気体を吹付ける洗浄工程と、前記洗浄工程の後に、前記サブアセンブリを密封部材により密封する密封工程と、を含んでいる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月9日(2014.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１パッドの表面にはんだが被着されたフリップチップ接続用の接続パッドと、第２パッドの表面にめっきが施されたワイヤボンディング接続用のボンディングパッドとが設けられた配線基板の製造方法において、
基板の第１主面に前記第１パッド及び前記第２パッドを形成する工程と、
前記第２パッドの表面に前記めっきを施す工程と、
前記第１パッドの表面にのみ選択的に粘着層を被着させる工程と、
前記粘着層にはんだ粉を付着させる工程と、
前記基板にフラックスを塗布する工程と、
前記はんだ粉を溶融して前記パッドに前記はんだを被着させる工程と、を有し、
前記フラックスのハロゲン濃度が０．１０ｗｔ％以上０．１５ｗｔ％以下であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記ハロゲン濃度は、Ｂｒ濃度であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一観点によれば、第１パッドの表面にはんだが被着されたフリップチップ接続用の接続パッドと、第２パッドの表面にめっきが施されたワイヤボンディング接続用のボンディングパッドとが設けられた配線基板の製造方法において、基板の第１主面に前記第１パッド及び前記第２パッドを形成する工程と、前記第２パッドの表面に前記めっきを施す工程と、前記第１パッドの表面にのみ選択的に粘着層を被着させる工程と、前記粘着層にはんだ粉を付着させる工程と、前記基板にフラックスを塗布する工程と、前記はんだ粉をリフローにより溶融して前記パッドに前記はんだを被着させる工程と、を有し、前記フラックスのハロゲン濃度が０．１０ｗｔ％以上０．１５ｗｔ％以下である。