【手続補正書】
【提出日】平成26年5月12日(2014.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超臨界または亜臨界状態にある水を反応場として、カルボキシル基、アミノ基、水酸基のいずれかの官能基を有する有機修飾剤を、前記官能基を介して、原料である無機充填材に対して化学結合させた粒子であって、
前記原料である無機充填材は、０．５〜１μｍに粒度分布の極大点を有する、表面処理粒子。
【請求項２】
超臨界または亜臨界状態にある水を反応場として、カルボキシル基、アミノ基、水酸基のいずれかの官能基を有する有機修飾剤を、前記官能基を介して、原料である無機充填材に対して化学結合させた粒子であって、
前記原料である無機充填材は、３〜８μｍに粒度分布の極大点を有する、表面処理粒子。
【請求項３】
超臨界または亜臨界状態にある水を反応場として、カルボキシル基、アミノ基、水酸基のいずれかの官能基を有する有機修飾剤を、前記官能基を介して、原料である無機充填材に対して化学結合させた粒子であって、
前記原料である無機充填材は、３６〜５０μｍに粒度分布の極大点を有する、表面処理粒子。
【請求項４】
前記無機充填材が球状である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表面処理粒子。
【請求項５】
前記有機修飾剤が、シラノール基も、加水分解してシラノール基となる基も有しない  請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表面処理粒子。
【請求項６】
前記有機修飾剤は、炭素数が４以上、１８以下である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表面処理粒子。
【請求項７】
前記有機修飾剤は、ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ（但し、式中のｎは２以上、１６以下の整数）、ＣＨ３−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ（但し、式中のｎは２以上、１６以下の整数）、ＮＨ２−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ（但し、式中のｎは３以上、１７以下の整数）からなる群より選ばれる少なくとも１種以上である、  請求項１乃至６のいずれか一項に記載の表面処理粒子。
【請求項８】
前記有機修飾剤は、ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）４−ＣＯＯＨ、ＣＨ３−（ＣＨ２）４−ＣＯＯＨ、ＮＨ２−（ＣＨ２）５−ＣＯＯＨのいずれかである請求項７に記載の表面処理粒子。
【請求項９】
超臨界または亜臨界状態にある水を反応場として、原料である無機充填材と、カルボキシル基、アミノ基、水酸基のいずれかの官能基を有する有機修飾剤とを反応させる工程と、
前記官能基を介して前記有機修飾剤を、前記原料である無機充填材に化学結合させた表面処理粒子を製造する工程と、を含み、
前記無機充填材と、前記有機修飾剤とを反応させる工程において、前記有機修飾剤と反応させる前記原料である無機充填材は、０．５〜１μｍに粒度分布の極大点を有するものである表面処理粒子の製造方法。
【請求項１０】
超臨界または亜臨界状態にある水を反応場として、原料である無機充填材と、カルボキシル基、アミノ基、水酸基のいずれかの官能基を有する有機修飾剤とを反応させる工程と、
前記官能基を介して前記有機修飾剤を、前記原料である無機充填材に化学結合させた表面処理粒子を製造する工程と、を含み、
前記無機充填材と、前記有機修飾剤とを反応させる工程において、前記有機修飾剤と反応させる前記原料である無機充填材は、３〜８μｍに粒度分布の極大点を有するものである表面処理粒子の製造方法。
【請求項１１】
超臨界または亜臨界状態にある水を反応場として、原料である無機充填材と、カルボキシル基、アミノ基、水酸基のいずれかの官能基を有する有機修飾剤とを反応させる工程と、
無機充填材を、前記官能基を介して前記有機修飾剤を、前記原料である無機充填材に化学結合させた表面処理粒子を製造する工程と、を含み、
前記無機充填材と、前記有機修飾剤とを反応させる工程において、前記有機修飾剤と反応させる前記原料である無機充填材は、３６〜５０μｍに粒度分布の極大点を有するものである表面処理粒子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表面処理粒子および表面処理粒子の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、表面処理粒子および表面処理粒子の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
たとえば、前記実施形態では、エポキシ樹脂組成物を半導体装置の封止材料として使用したが、これに限られるものではない。接着材等に使用されるものであってもよい。
また、エポキシ樹脂組成物は、硬化剤（Ｂ）を含んでいないものであってもよい。
以下、参考形態の例を付記する。
１．エポキシ樹脂（Ａ）を含むエポキシ樹脂組成物であって、
カルボキシル基、アミノ基、水酸基のいずれかの官能基を有する有機修飾剤を、前記官能基を介して、無機充填材に対して化学結合させた有機修飾無機充填材（Ｃ）を含むエポキシ樹脂組成物。
２．１．に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記有機修飾剤が、シラノール基または加水分解してシラノール基となる基を有しないエポキシ樹脂組成物。
３．１．または２．に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記有機修飾剤は、炭素数が４以上、１８以下であるエポキシ樹脂組成物。
４．１．乃至３．のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記有機修飾剤は、ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ（但し、式中のｎは２以上、１６以下の整数）、ＣＨ３−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ（但し、式中のｎは２以上、１６以下の整数）、ＮＨ２−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ（但し、式中のｎは３以上、１７以下の整数）からなる群より選ばれる少なくとも１種以上であるエポキシ樹脂組成物。
５．４．に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記有機修飾剤は、ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）４−ＣＯＯＨ、ＣＨ３−（ＣＨ２）４−ＣＯＯＨ、ＮＨ２−（ＣＨ２）５−ＣＯＯＨのいずれかであるエポキシ樹脂組成物。
６．１．乃至５．のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記無機充填材が、粒度分布の極大点を０．５〜１μｍ、３〜８μｍ、３６〜５０μｍにそれぞれ有するものであるエポキシ樹脂組成物。
７．１．乃至６．のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
粒度分布の極大点が３６〜５０μｍである単分散の無機充填材に対し、前記有機修飾剤を化学結合させた前記有機修飾無機充填材（Ｃ）を、前記有機修飾無機充填材（Ｃ）全体に対し５０質量％以上、７０質量％以下の割合で含むエポキシ樹脂組成物。
８．１．乃至７．のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記無機充填材が球状アルミナであるエポキシ樹脂組成物。
９．１．乃至８．のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
硬化剤（Ｂ）を含むエポキシ樹脂組成物。
１０．１．乃至９．のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
当該エポキシ樹脂組成物は、半導体装置の封止用途に用いられるものであるエポキシ樹脂組成物。
１１．１０．に記載のエポキシ樹脂組成物を封止材として使用した半導体装置。
１２．エポキシ樹脂に配合して用いられる有機修飾無機充填材であって、
前記有機修飾無機充填材は、カルボキシル基、アミノ基、水酸基のいずれかの官能基を有する有機修飾剤を、前記官能基を介して、無機充填材に対して化学結合させたものである有機修飾無機充填材。
１３．１２．に記載の有機修飾無機充填材は、エポキシ樹脂を含む半導体装置の封止材に添加されるものである有機修飾無機充填材。
１４．超臨界または亜臨界状態にある水を反応場として、無機充填材と、カルボキシル基、アミノ基、水酸基のいずれかの官能基を有する有機修飾剤とを反応させ、前記官能基を介して前記有機修飾剤を、前記無機充填材に化学結合させた有機修飾無機充填材（Ｃ）を製造する工程と、
前記有機修飾無機充填材（Ｃ）と、エポキシ樹脂（Ａ）とを混合して、エポキシ樹脂組成物を得る工程とを含むエポキシ樹脂組成物の製造方法。