【手続補正書】
【提出日】平成26年8月19日(2014.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、さらに、
前記背面プレートに結合され、前記ガス流路を規定するステムを備え、
前記ステムは、非金属材料から成り、
前記１または複数の導体は、前記ステムを貫通している、シャワーヘッドアセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
請求項２０に記載の基板処理システムであって、さらに、
１ＭＨｚより大きい周波数を有するＲＦ信号を前記１または複数の導体に供給するよう構成されている高周波（ＲＦ）回路と、
前記ガス流路に流れる処理ガスを制御すると共に、前記ＲＦ回路の動作を制御するよう構成されているコントローラと、
を備える、基板処理システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
上記で用いたインピーダンスモデルは、平行板コンデンサおよび一様電界を仮定している。実際には、フリンジ電界が生じて、上記の結果と異なるものになるが、この効果は小さいと期待される。フリンジ電界は、ＲＦ電極５０のすぐ近くで最も大きくなる。結果として、第１のギャップ（背面プレート２０とプラズマ抑制構造６０の第１のプレート１００−１との間のギャップ）が、最も寄生放電を点火しやすい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
いくつかの例において、プレート間ギャップは均一である。他の例において、プレート間ギャップは均一でない。例えば、図３において、プレート間ギャップ２００−１、２００−２、２００−３、２００−４、および、２００−５（集合的にプレート間ギャップ２００）の一部または全部が、背面プレート２０からの距離に伴って増加してよい。例えば、プレート間ギャップ２００は、４０−６０−１００−１５０−２００（ミル）の順で増加してよいが、その他の値が用いられてもよい。理解できるように、プレート１００の端部は、例えば、１または複数のプラグ（図示せず）を用いて閉じられてよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
本願に記載の装置および方法は、１または複数のプロセッサによって実行される１または複数のコンピュータプログラムによって部分的または完全に実施されうる。コンピュータプログラムは、少なくとも１つの持続的な有形コンピュータ読み取り可能媒体に格納されたプロセッサ実行可能な命令を含む。また、コンピュータプログラムは、格納されたデータを含みうるおよび／または格納されたデータに依存しうる。
適用例１：基板処理システムのためのシャワーヘッドアセンブリであって、ガス流路に結合されている背面プレートと、前記背面プレートの第１の表面に隣接して結合され、ガス拡散面を備えている前面プレートと、１または複数の導体と、前記背面プレートおよび前記前面プレートの一方に配置され、前記１または複数の導体に接続されている電極と、を備え、ガスプレナムが、前記背面プレートと前記前面プレートとの間に規定され、前記ガス流路と流体連通しており、前記背面プレートおよび前記前面プレートは、非金属材料製造から成る、シャワーヘッドアセンブリ。
適用例２：適用例１に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、さらに、前記背面プレートに結合され、前記ガス流路を規定するステムを備え、前記ステムは、非金属材料から成り、前記１または複数の導体は、前記ステムを貫通している、シャワーヘッドアセンブリ。
適用例３：適用例１に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記前面プレートの前記ガス拡散面は、離間した穴を備えるか、前記前面プレートの前記ガス拡散面は、穿孔を備えるか、もしくは、前記前面プレートの前記ガス拡散面は、多孔質である、シャワーヘッドアセンブリ。
適用例４：適用例２に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、さらに、前記背面プレートの第２の表面に隣接して配置されているプラズマ抑制構造を備え、前記背面プレートの前記第１の表面は、前記背面プレートの前記第２の表面の反対側の面である、シャワーヘッドアセンブリ。
適用例５：適用例４に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記プラズマ抑制構造は、離間して互いに平行に配置されたＮ個のプレートを備え、Ｎは２以上の整数であり、前記Ｎ個のプレートは、誘電材料から成る、シャワーヘッドアセンブリ。
適用例６：適用例５に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記プラズマ抑制構造は、前記Ｎ個のプレートの１つから前記基板処理システムの処理チャンバの上面に向かって伸びるカラーを備え、前記カラーは、誘電材料から成る、シャワーヘッドアセンブリ。
適用例７：適用例５に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、Ｎは３以上であり、前記Ｎ個のプレートは、均一に離間されている、シャワーヘッドアセンブリ。
適用例８：適用例５に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、Ｎは３以上であり、前記Ｎ個のプレートの内の少なくとも一部は、不均一に離間されている、シャワーヘッドアセンブリ。
適用例９：適用例５に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記Ｎ個のプレートの内の少なくとも１つは、複数の穿孔を備える、シャワーヘッドアセンブリ。
適用例１０：適用例５に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記Ｎ個のプレートの内の少なくとも１つは、鋸歯状の表面を備える、シャワーヘッドアセンブリ。
適用例１１：適用例２に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記ステム、前記背面プレート、および、前記前面プレートは、セラミック材料から成る、シャワーヘッドアセンブリ。
適用例１２：適用例２に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記ステム、前記背面プレート、および、前記前面プレートは、窒化アルミニウムおよび酸化アルミニウムの少なくとも一方から成る、シャワーヘッドアセンブリ。
適用例１３：適用例１に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、さらに、前記ガス流路と前記ガスプレナムとの間に配置されたバッフルを備える、シャワーヘッドアセンブリ。
適用例１４：適用例２に記載のシャワーヘッドであって、さらに、前記ステムを基板処理チャンバの上面に結合するカラーを備える、シャワーヘッドアセンブリ。
適用例１５：適用例１に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記前面プレートは、前記背面プレートに対する前記前面プレートの側方運動を許容しつつ、前記前面プレートと前記背面プレートとの間のシールを維持するように、前記背面プレートに結合されている、シャワーヘッドアセンブリ。
適用例１６：適用例１に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記ガスプレナムの高さ寸法は、予測されるプラズマシース厚さの２倍未満である、シャワーヘッドアセンブリ。
適用例１７：適用例１に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記電極と前記背面プレートの前記第１の表面との間の第１の寸法は、前記電極と前記背面プレートの第２の表面との間の第２の寸法より小さく、前記背面プレートの前記第１の表面は、前記背面プレートの前記第２の表面の反対側の面である、シャワーヘッドアセンブリ。
適用例１８：適用例１に記載のシャワーヘッドアセンブリであって、前記電極は円板状である、シャワーヘッドアセンブリ。
適用例１９：適用例２に記載のシャワーヘッドであって、前記１または複数の導体は、前記ガス流路を囲む円筒形の導体を含む、シャワーヘッドアセンブリ。
適用例２０：基板処理システムであって、反応空間を含む処理チャンバと、前記反応空間内に配置されている請求項１のシャワーヘッドアセンブリと、前記反応空間内で前記前面プレートに隣接して配置されている載置台と、を備える、基板処理システム。
適用例２１：適用例２０に記載の基板処理システムであって、さらに、１ＭＨｚより大きい周波数を有するＲＦ信号を前記１または複数の導体に供給するよう構成されている高周波（ＲＦ）回路と、前記ガス流路に流れる処理ガスを制御すると共に、前記ＲＦ回路の動作を制御するよう構成されているコントローラと、を備える、基板処理システム。
適用例２２：適用例２１に記載の基板処理システムであって、前記背面プレートは、前記処理チャンバの壁に直接結合されている、基板処理システム。