Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月20日(2014.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タービン装置において、
環状内側バンドと環状外側バンドとの間に配置された第１のベーンのアレイを有する第１のノズルを備え、
前記第１のベーンの各々が、根元と、凹状正圧側面と、対向する前縁及び後縁間で翼弦方向に延びる横方向に対向する凸状負圧側面とを含み、前記第１のベーンが、１つには内側バンドにより境界付けられる複数の第１の流路を間に定めるように配列され、前記内側バンドの表面が非軸対称形状で輪郭形成されており、
前記タービン装置が更に、
回転可能ディスクにより保持される複数のブレードを含み、該ブレードの各々が根元、先端、凹状正圧側面、及び横方向に対向する凸状負圧側面を有し、該正圧及び負圧側面が対向する前縁及び後縁間で翼弦方向に延びている、前記第１のノズルから下流側に配置されたロータと、
環状内側バンドと環状外側バンドとの間に配置された第２のベーンのアレイを有する、前記ロータから下流側に配置された第２のノズルと、
を備え、
前記第２のベーンの各々が、凹状正圧側面と、対向する前縁及び後縁間で翼弦方向に延びる横方向に対向する凸状負圧側面とを含み、前記第２のベーンが複数の第２の流路を間に定めるように配列され、
前記第１及び第２のノズルの第１及び第２のベーンが、互いに対して円周方向にクロッキングされ、予め定められた作動条件において、前記第１のベーンから吐出される伴流が前記第２のベーンの前縁と円周方向で整列されるようになり、
前記第１のベーンのスタッキング軸が非線形であり、該スタッキング軸に沿って互いに離間する複数の断面ステーションが接線方向に前記第１のベーンの前記根元から該第１のベーンの前記先端までより大きな程度に漸次的にシフトする、
タービン装置。
【請求項２】
前記第１のノズル及び前記第２のノズルが等しい数のベーンを含む、
請求項１に記載のタービン装置。
【請求項３】
前記第１のベーンのスタッキング軸に沿って離間した複数の断面ステーションが各々、予め定められた作動条件において、前記第１のベーンから吐出される伴流が前記第２のベーンに沿って離間した対応する断面スレ-ションの前縁と円周方向で整列されるように位置付けられる、
請求項１に記載のタービン装置。
【請求項４】
前記タービンブレードの各々が、前記翼形部の先端に配置された外側プラットフォームと、前記翼形部の根元に配置された内側プラットフォームとを含み、前記内側プラットフォームが、前記翼形部に面し、非軸対称形状に輪郭形成された高温側部を有する、
請求項１に記載のタービン装置。
【請求項５】
前記内側プラットフォームの高温側部の各々が、前縁に隣接する翼形部のうちの１つの正圧側面に隣接した比較的高い半径方向高さのピークを含む非軸対称形状に輪郭形成され、比較的低い半径方向高さのトラフが、前縁の後方の翼形部の負圧側面に平行で且つ離間し、前記翼形部に隣接して配置され、前記ピーク及びトラフが、前記内側プラットフォームに軸方向に沿って延びる弓形チャンネルを協働して定める、
請求項４に記載のタービン装置。
【請求項６】
前記ピークは、隣接する翼形部の負圧側面に沿って前記トラフに接合するため第１の翼形部の各前縁の周りで高さが減少し、前記トラフが、前記隣接する翼形部の負圧側面に沿って後縁にまで延びる、
請求項５に記載のタービン装置。
【請求項７】
各内側プラットフォームの高温側部が、前記翼形部の後縁の後方に延びる比較的高い半径方向高さの後縁リッジを含む、
請求項５に記載のタービン装置。
【請求項８】
前記ピークが、前記前縁と翼弦中間位置との間の各翼形部の正圧側面に中心があり、そこから前方、後方、及び側方で高さが減少し、前記トラフが、前記翼形部の最大厚み付近の前記負圧側面に中心があり、そこから前方、後方、及び側方の深さが減少する、
請求項５に記載のタービン装置。
【請求項９】
前記第１の通路の各々における内側バンドの表面が、前縁に隣接する第１のベーンのうちの１つの正圧側面に隣接した比較的高い半径方向高さのピークと、前縁の後方の第１の隣接ベーンの負圧側面に平行で且つ離間して配置された比較的低い半径方向高さのトラフとを含む非軸対称形状で輪郭形成され、
前記ピーク及びトラフが、隣接する第１のベーン間の内側バンドに沿って軸方向に延びる弓形チャンネルを協働して定める、
請求項１に記載のタービン装置。
【請求項１０】
各第１の通路に配置された前記ピークが、前記隣接する第１のベーンの負圧側面に沿って前記トラフに接合するために前記第１のベーンのうちの１つの各前縁の周りで高さが減少し、前記トラフが、前記隣接する第１のベーンの負圧側面に沿って後縁にまで延びる、
請求項９に記載のタービン装置。
【請求項１１】
前記ピークが、前記前縁と翼弦中間位置との間の各第１のベーンの正圧側面に中心があり、そこから前方、後方、及び側方で高さが減少し、前記トラフが、前記翼形部の最大厚み付近の前記負圧側面に中心があり、そこから前方、後方、及び側方の深さが減少する、
請求項１に記載のタービン装置。
【請求項１２】
上流側又は下流側に位置付けられる少なくとも１つの追加の段を更に備え、
前記追加段が、
環状内側バンドと環状外側バンドとの間に配置されたベーンのアレイを含み、該ベーンの各々が凹状正圧側面と対向する前縁及び後縁間で翼弦方向に延びる横方向に対向する凸状負圧側面とを有し、前記ベーンが複数の流路を間に定めるように配列された追加ノズルと、
回転可能ディスクにより保持される複数のブレードを有する、前記追加ノズルから下流側に配置された追加ロータと、
を含み、
前記各ブレードが、根元、先端、凹状正圧側面、及び横方向に対向する凸状負圧側面を有し、該正圧及び負圧側面が対向する前縁及び後縁間で翼弦方向に延びている翼形部を含む、
請求項１に記載のタービン装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月13日(2014.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面（１４）及び第２の表面（１６）を有する少なくとも１つの壁部（１２）を備えた構成要素（１０）内に少なくとも１つのフィルム冷却孔（１８）を形成する方法であって、前記第２の表面が前記フィルム冷却孔（１８）の出口領域（２０）の近傍に非平面曲率を有し、
前記方法が、
前記構成要素壁部（１２）の第１の表面（１４）を通って延びるように、前記構成要素壁部（１２）内に直線セクション（２６）を形成する段階と、
前記フィルム冷却孔（１８）にテーパーをつけて、前記出口領域（２０）内のフィルム冷却孔（１８）の曲率が、前記構成要素壁部（１２）の第２の表面（１６）の非平面曲率と共形であるようにし、これにより前記フィルム冷却孔（１８）の湾曲出口領域（２０）を形成する段階と、
を含み、
前記直線セクション（２６）を形成する段階が、前記構成要素壁部をドリル加工する段階を含み、前記フィルム冷却孔（１８）が内寄り面（２２）及び外寄り面（２４）を有し、前記フィルム冷却孔（１８）にテーパーをつける段階が、前記出口領域（２０）において前記内寄り面（２２）上でレーザをラスタリング処理する段階と、研磨液体ジェットを前記出口領域（２０）の内寄り面（２２）にて選択的に配向する段階と、前記出口領域（２０）の内寄り面（２２）にＥＤＭ工程を実施する段階と、のうちの少なくとも１つを含み、前記構成要素壁部の第２の表面（１６）が前記湾曲出口領域（２０）の近傍で凸面状であり、前記フィルム冷却孔（１８）にテーパーをつける段階が更に、レーザラスタリング処理、研磨液体ジェット、又はＥＤＭ工程を制御して、フィルム冷却孔（１８）に対する所与の点（３２）における曲率Ｒ’の局部半径が、式：
Ｒ’＝ＦＳmax［Ｒ／（Ｓmax−Ｓ）］
に従って移行点（２８）から端点（３０）に移行するようになり、上式で、Ｆはスカラー調整係数、Ｓmaxは移行点（２８）と端点（３０）との間の表面距離、Ｓは端点（３０）と所与の点（３２）との間の距離である
方法。
【請求項２】
第１の表面（１４）及び第２の表面（１６）を有する少なくとも１つの壁部（１２）を備えた構成要素（１０）内に少なくとも１つのフィルム冷却孔（１８）を形成する方法であって、前記第２の表面が前記フィルム冷却孔（１８）の出口領域（２０）の近傍に非平面曲率を有し、
前記方法が、
前記構成要素壁部（１２）の第１の表面（１４）を通って延びるように、前記構成要素壁部（１２）内に直線セクション（２６）を形成する段階と、
前記フィルム冷却孔（１８）にテーパーをつけて、前記出口領域（２０）内のフィルム冷却孔（１８）の曲率が、前記構成要素壁部（１２）の第２の表面（１６）の非平面曲率と共形であるようにし、これにより前記フィルム冷却孔（１８）の湾曲出口領域（２０）を形成する段階と、
を含み、
前記直線セクション（２６）を形成する段階が、前記構成要素壁部をドリル加工する段階を含み、前記フィルム冷却孔（１８）が内寄り面（２２）及び外寄り面（２４）を有し、前記フィルム冷却孔（１８）にテーパーをつける段階が、前記出口領域（２０）において前記内寄り面（２２）上でレーザをラスタリング処理する段階と、研磨液体ジェットを前記出口領域（２０）の内寄り面（２２）にて選択的に配向する段階と、前記出口領域（２０）の内寄り面（２２）にＥＤＭ工程を実施する段階と、のうちの少なくとも１つを含み、前記構成要素壁部の第２の表面（１６）が前記湾曲出口領域（２０）の近傍で凹面状であり、前記フィルム冷却孔（１８）にテーパーをつける段階が更に、レーザラスタリング処理、研磨液体ジェット、又はＥＤＭ工程を制御して、前記構成要素の外部から定められるフィルム冷却孔（１８）に対する所与の点（３２）における曲率Ｒ’の局部半径が、式：
Ｒ’＝ＦＳmax［Ｒ／（Ｓmax−Ｓ）］
に従って移行点（２８）から端点（３０）に移行するようになり、上式で、Ｆはスカラー調整係数、Ｓmaxは移行点（２８）と端点（３０）との間の表面距離、Ｓは端点（３０）と所与の点（３２）との間の距離である
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上流側表面（６０）と、下流側表面（６２）と、前記上流側表面と前記下流側表面の間を延びる半径方向外側表面（５８）とを備えるロータディスク（４８）であって、前記半径方向外側表面が入口表面（１４８）と、出口表面（１５０）と、前記入口表面と前記出口表面の間を延びる移行表面（１５２）とを備え、前記ロータディスクが中央線軸（５４）を画成する、ロータディスク（４８）と、
前記半径方向外側表面に連結される複数のベーン（４６）であって、隣接するベーンが、対を形成し、隣接するベーンの各前記対の間に流路（８６）が画成されるように配向され、前記流路が入口開口部と出口開口部の間を延び、前記入口表面が、前記入口開口部と前記移行表面の間を延びる入口平面（１５４）を画成し、前記出口表面が、前記出口開口部と前記入口平面に対して平行でない前記移行表面との間を延びる出口平面（１５６）を画成する、ベーン（４６）と、
前記流路内に少なくとも１つの圧縮波（１１２）を形成するのを助けるように、前記流路内に配置され一様なスロートを画成する後縁を有する少なくとも１つの超音速圧縮ランプ（１１０）と、
を備える、超音速圧縮機ロータ。
【請求項２】
前記入口表面（１４８）が、前記流路（８６）が前記入口開口部（８２）から前記移行表面（１５２）までの軸方向流れ経路（１６４）を画成するように、前記中央線軸（５４）に対して実質的に平行に配向され、前記出口表面（１５０）が、前記流路が前記移行表面から前記出口開口部（１８４）までの斜め方向流れ経路を画成するように、前記中央線軸に対して斜め方向角度に配向される、請求項１に記載の超音速圧縮機ロータ。
【請求項３】
前記入口表面（１４８）が、前記流路（８６）が前記入口開口部（８２）から前記移行表面（１５２）までの軸方向流れ経路（１６４）を画成するように、前記中央線軸（５４）に対して実質的に平行に配向され、前記出口表面（１５０）が、前記流路が前記移行表面から前記出口開口部（８４）までの半径方向流れ経路を画成するように、前記中央線軸に対して実質的に直角に配向される、請求項１に記載の超音速圧縮機ロータ。
【請求項４】
前記入口表面（１４８）が、前記流路（８６）が前記入口開口部（８２）から前記移行表面（１５２）までの半径方向流れ経路（１６２）を画成するように、前記中央線軸（５４）に対して実質的に直角に配向され、前記出口表面（１５０）が、前記流路が前記移行表面から前記出口開口部（８４）までの軸方向流れ経路（１６４）を画成するように、前記中央線軸（５４）に対して実質的に平行に配向される、請求項１に記載の超音速圧縮機ロータ。
【請求項５】
前記入口表面（１４８）が、前記流路（８６）が前記入口開口部（８２）から前記移行表面（１５２）までの半径方向流れ経路（１６２）を画成するように、前記中央線軸（５４）に対して実質的に直角に配向され、前記出口表面（１５０）が、前記流路が前記移行表面から前記出口開口部（８４）までの斜め方向流れ経路（１６４）を画成するように、前記中央線軸に対して斜め方向角度に配向される、請求項１に記載の超音速圧縮機ロータ。
【請求項６】
前記入口表面（１４８）が、前記流路（８６）が前記入口開口部（８２）から前記移行表面（１５２）までの斜め方向流れ経路（１６４）を画成するように、前記中央線軸（５４）に対して斜め方向角度に配向され、前記出口表面（１５０）が、前記流路が前記移行表面から前記出口開口部（８４）までの軸方向流れ経路（１６４）を形成するように、前記中央線軸に対して実質的に平行に配向される、請求項１に記載の超音速圧縮機ロータ。
【請求項７】
前記入口表面（１４８）が、前記流路（８６）が前記入口開口部（８２）から前記移行表面（１５２）までの斜め方向流れ経路（１６４）を画成するように、前記中央線軸（５４）に対して斜め方向角度に配向され、前記出口表面（１５０）が、前記流路が前記移行表面から前記出口開口部（８４）までの半径方向流れ経路（１６２）を形成するように、前記中央線軸に対して実質的に直角に配向される、請求項１に記載の超音速圧縮機ロータ。
【請求項８】
前記入口表面（１４８）が、前記流路（８６）が前記入口開口部（８２）から前記移行表面（１５２）までの斜め方向流れ経路（１６４）を画成するように、前記中央線軸（５４）に対して斜め方向角度に配向され、前記出口表面（１５０）が、前記流路が前記移行表面から前記出口開口部（８４）までの斜め方向流れ経路を形成するように、前記中央線軸に対して斜め方向角度に配向される、請求項１に記載の超音速圧縮機ロータ。
【請求項９】
流体入口（２６）および流体出口（２８）の間を延びる空洞を画成するケーシングと、
前記ケーシング内に配置され、中央線軸（５４）を画成し、駆動アセンブリ（１８）に回転可能に連結される駆動シャフト（２２）と、
前記駆動シャフトに連結され、流体を前記流体入口から前記流体出口まで導くために前記流体入口（２６）と前記流体出口（２８）の間に配置される超音速圧縮機ロータと
を備え、前記超音速圧縮機ロータが、
上流側表面（６０）と、下流側表面（６２）と、前記上流側表面（１４８）と前記下流側表面（１５０）の間を延びる半径方向外側表面（５８）とを備えるロータディスク（４８）であり、前記半径方向外側表面が、入口表面と、出口表面と、前記入口表面と前記出口表面の間を延びる移行表面（１５２）とを備える、ロータディスク（４８）と、
前記半径方向外側表面に連結される複数のベーン（４６）であり、隣接するベーンが、対を形成し、隣接するベーンの各前記対の間に流路（８６）が画成されるように配向され、前記流路が入口開口部と出口開口部の間を延び、前記入口表面が、前記入口開口部と前記移行表面の間を延びる入口平面（１５４）を画成し、前記出口表面が、前記出口開口部と前記入口平面に対して平行でない前記移行表面の間を延びる出口平面（１５６）を画成する、複数のベーン（４６）と、
前記流路内に少なくとも１つの圧縮波（１１２）を形成するのを助けるように前記流路内に配置され一様なスロートを画成する後縁を有する少なくとも１つの超音速圧縮ランプ（１１０）と、
を備える、超音速圧縮機システム（１０）。
【請求項１０】
前記入口表面（１４８）が、前記流路（８６）が前記入口開口部（８２）から前記移行表面（１５２）までの軸方向流れ経路（１６２）を画成するように、前記中央線軸（５４）に対して実質的に平行に配向され、前記出口表面（１５０）が、前記流路が前記移行表面から前記出口開口部（８４）までの斜め方向流れ経路（１６４）を画成するように、前記中央線軸に対して斜め方向角度に配向される、請求項９に記載の超音速圧縮機システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置（１２、１４）内の複数のブレード（１６、１８）に対応する到着時間（ＴＯＡ）データを生成するデータ獲得システム（３２、３４）と、
前記ＴＯＡデータを利用して前記複数のブレード（１６、１８）それぞれの特徴を決定し、
前記決定した特徴に基づいて前記複数のブレード（１６、１８）それぞれの健全性を評価する（１２６）、
中央処理サブシステム（４２）と
を含み、
前記中央処理サブシステム（４２）は、前記複数のブレード（１６、１８）の変位オフセットの影響に基づいて、前記ＴＯＡデータの調整後に、前記複数のブレード（１６、１８）それぞれの特徴を決定する、
システム（１０）。
【請求項２】
前記複数のブレード（１６、１８）のそれぞれが、それぞれの基準点に到着することを検知することによりブレード通過信号（ＢＰＳ）（２８、３０）を生成するセンサ（２０、２２、２４、２６）をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記データ獲得システム（３２、３４）が、前記ＢＰＳ信号（２８、３０）を利用して前記ＴＯＡデータを決定する、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記ＴＯＡデータが、隙間データ、前記センサ（２０、２２、２４、２６）のＩＤ、前記複数のブレード（１６、１８）それぞれのＩＤ、前記装置（１２、１４）のＩＤ、前記複数のブレード（１６、１８）のそれぞれに関連する実到着時間（ＴＯＡ）、および前記センサ（２０、２２、２４、２６）が前縁センサであるか、それとも後縁センサであるかを示す前記センサ（２０、２２、２４、２６）のカテゴリのうちの少なくとも１つを含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記特徴が、静的撓み、動的撓み、および共振周波数の変動のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記装置（１２、１４）の動作データを収集するための現場監視機械（ＯＳＭ）（３８）をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記動作データが、入口ガイドベーン（ＩＧＶ）角度、入口温度（ＣＴＩＭ）、前記装置に関連する負荷（ＤＷＡＴＴ）、前記装置に関連する質量流量、および前記装置の吐出し圧力のうちの少なくとも１つを含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記中央処理サブシステム（４２）が、前記動作データに関連する影響に基づいて前記ＴＯＡデータにおける前記実到着時間を調節した後、前記複数のブレード（１６、１８）それぞれの前記特徴を決定する、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
装置（１２、１４）内の複数のブレード（１６、１８）の健全性を監視するための方法であって、
前記装置（１２、１４）内の前記複数のブレード（１６、１８）のそれぞれに対応する到着時間（ＴＯＡ）データを生成するステップと、
処理サブシステムが、前記ＴＯＡデータを利用して、前記複数のブレード（１６、１８）の変位オフセットの影響に基づいて、前記ＴＯＡデータの調整後に、前記複数のブレード（１６、１８）それぞれの特徴を決定するステップと、
処理サブシステムが、前記決定した特徴に基づいて前記複数のブレード（１６、１８）それぞれの前記健全性を評価するステップと、
を含む、方法。
【請求項１０】
前記ＴＯＡデータを生成するステップが、
センサにより、前記複数のブレードに対応するブレード通過信号（ＢＰＳ）を生成するステップと、
前記センサ（２０、２２、２４、２６）から前記ＢＰＳ信号（２８、３０）を受け取るステップと、
前記ＢＰＳ信号（２８、３０）を利用して前記複数のブレードの実ＴＯＡを決定するステップと、
前記ＢＰＳ信号（２８、３０）を利用して前記到着時間ＴＯＡデータを生成するステップと、
を含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月18日(2014.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自己分散顔料、及び、塩を含有するインクジェット用のインクであって、
前記自己分散顔料は、水素結合性を有する基及び２つのホスホン酸基を少なくとも含む官能基が粒子表面に結合している顔料であり、かつ、該２つのホスホン酸基のカウンターイオンがＫ+及びＮＨ4+の少なくとも一方を含み、
前記塩は、Ｋ+及びＮＨ4+の少なくとも一方のカチオンと、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＣｌＯ-、ＣｌＯ2-、ＣｌＯ3-、ＣｌＯ4-、ＮＯ2-、ＮＯ3-、ＳＯ42-、ＣＯ32-、ＨＣＯ3-、ＨＣＯＯ-、（ＣＯＯ-）2、ＣＯＯＨ（ＣＯＯ-）、ＣＨ3ＣＯＯ-、Ｃ2Ｈ4（ＣＯＯ-）2、Ｃ6Ｈ5ＣＯＯ-、Ｃ6Ｈ4（ＣＯＯ-）2、ＰＯ43-、ＨＰＯ42-、及びＨ2ＰＯ4-からなる群から選ばれる少なくとも１種のアニオンとが結合して構成され、
インク中のカチオン濃度が０．０４ｍｏｌ／Ｌ以上であり、
インクの１５質量％を蒸発させて得られた液体の２５℃における粘度が３．５ｍＰａ・ｓ未満であることを特徴とするインク。
【請求項２】
前記官能基が、−ＣＱ（ＰＯ3〔Ｍ1〕2）2（式中のＱは、水素原子、Ｒ、ＯＲ、ＳＲ、及びＮ（Ｒ）2のいずれかであり、該Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アシル基、アラルキル基、及びアリール基のいずれかである。式中のＭ1はそれぞれ独立に、Ｈ、Ｋ、及びＮＨ4のいずれかであり、かつ、Ｋ及びＮＨ4の少なくとも一方を含む。）の構造を含む請求項１に記載のインク。
【請求項３】
前記官能基におけるＱが、水素原子である請求項２に記載のインク。
【請求項４】
前記水素結合性を有する基が、アミド基、アミノ基、ケトン基、エステル基、及びヒドロキシ基からなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインク。
【請求項５】
前記水素結合性を有する基が、アミド基である請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインク。
【請求項６】
前記自己分散顔料に結合している官能基の導入量が、０．３８ｍｍｏｌ／ｇ以下である請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインク。
【請求項７】
前記自己分散顔料に結合している官能基の導入量が、０．１０ｍｍｏｌ／ｇ以上である請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインク。
【請求項８】
前記塩を構成するアニオンが、Ｃ2Ｈ4（ＣＯＯ-）2、Ｃ6Ｈ4（ＣＯＯ-）2、及びＳＯ42-からなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインク。
【請求項９】
インク中のカチオン濃度が、０．０９ｍｏｌ／Ｌ以下である請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインク。
【請求項１０】
インク中の前記自己分散顔料の含有量が、０．１質量％以上１５．０質量％以下である請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインク。
【請求項１１】
インク中のＫ+及びＮＨ4+の濃度の合計が、インク中のアルカリ金属イオンとアンモニウムイオンの濃度の合計に対して、モル換算で７３％以上である請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインク。
【請求項１２】
さらに、ポリオキシエチレンアルキルエーテルを含有する請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のインク。
【請求項１３】
前記ポリオキシエチレンアルキルエーテルの、グリフィン法により求められるＨＬＢ値が１３以上２０以下であるとともに、アルキル基の炭素原子数が１２以上２０以下である請求項１２に記載のインク。
【請求項１４】
インク中の前記ポリオキシエチレンアルキルエーテルの含有量が、０．０５質量％以上１．０質量％以下である請求項１２又は１３に記載のインク。
【請求項１５】
最大泡圧法により２５℃において測定される、前記インクの寿命時間５０ｍ秒における動的表面張力が、４０ｍＮ／ｍ以上である請求項１乃至１４のいずれか１項に記載のインク。
【請求項１６】
インクと、前記インクを収容するインク収容部とを備えたインクカートリッジであって、
前記インクが、請求項１乃至１５のいずれか１項に記載のインクであることを特徴とするインクカートリッジ。
【請求項１７】
インクをインクジェット方式の記録ヘッドから吐出させて記録媒体に画像を記録するインクジェット記録方法であって、
前記インクが、請求項１乃至１５のいずれか１項に記載のインクであることを特徴とするインクジェット記録方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月18日(2014.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自己分散顔料、塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、及び水溶性有機溶剤を含有するインクジェット用のインクであって、
前記自己分散顔料が、ホスホン酸基を少なくとも含む官能基が粒子表面に結合している顔料であり、かつ、前記自己分散顔料に結合している官能基の導入量が、０．１０ｍｍｏｌ／ｇ以上０．３３ｍｍｏｌ／ｇ以下であり、
前記塩が、アルカリ金属イオン、アンモニウムイオン、及び有機アンモニウムイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種のカチオンと、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＣｌＯ-、ＣｌＯ2-、ＣｌＯ3-、ＣｌＯ4-、ＮＯ2-、ＮＯ3-、ＳＯ42-、ＣＯ32-、ＨＣＯ3-、ＨＣＯＯ-、（ＣＯＯ-）2、ＣＯＯＨ（ＣＯＯ-）、ＣＨ3ＣＯＯ-、Ｃ2Ｈ4（ＣＯＯ-）2、Ｃ6Ｈ5ＣＯＯ-、Ｃ6Ｈ4（ＣＯＯ-）2、ＰＯ43-、ＨＰＯ42-、及びＨ2ＰＯ4-からなる群から選ばれる少なくとも１種のアニオンとが結合して構成され、かつ、インク中の該塩のアニオンの濃度×アニオンの価数が０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上０．０６ｍｏｌ／Ｌ以下であり、
前記水溶性有機溶剤がグリセリンを含み、かつ、インク中の前記グリセリンの含有量がインク中の水溶性有機溶剤の合計含有量に対して占める割合が、３５質量％以上７８質量％以下であることを特徴とするインク。
【請求項２】
前記官能基が、少なくとも２つのホスホン酸基を含む請求項１に記載のインク。
【請求項３】
インク中の前記水溶性有機溶剤の含有量が、２０．０質量％以上２５．０質量％以下である請求項１又は２に記載のインク。
【請求項４】
前記塩の水１００ｍＬに対する溶解度が、２５℃において１０ｇ以上である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインク。
【請求項５】
インク中の前記自己分散顔料の含有量が、０．１質量％以上１５．０質量％以下である請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインク。
【請求項６】
インク中の前記塩の含有量が、０．０５質量％以上２．０質量％以下である請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインク。
【請求項７】
インク中の前記ポリオキシエチレンアルキルエーテルの含有量が、０．０５質量％以上１．０質量％以下である請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインク。
【請求項８】
インク中の前記グリセリンの含有量が、８．０質量％以上２０．０質量％以下である請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインク。
【請求項９】
前記ポリオキシエチレンアルキルエーテルの、グリフィン法により求められるＨＬＢ値が１３以上２０以下であるとともに、アルキル基の炭素原子数が１２以上２０以下である請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインク。
【請求項１０】
最大泡圧法により２５℃において測定される、前記インクの寿命時間５０ｍ秒における動的表面張力が、４０ｍＮ／ｍ以上である請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインク。
【請求項１１】
インクと、前記インクを収容するインク収容部とを備えたインクカートリッジであって、
前記インクが、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインクであることを特徴とするインクカートリッジ。
【請求項１２】
インクをインクジェット方式の記録ヘッドの吐出口から吐出させて記録媒体に画像を記録する工程、及び、前記記録ヘッドの吐出口をキャップにより覆う工程、を有するインクジェット記録方法であって、
前記インクが、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインクであることを特徴とするインクジェット記録方法。
【請求項１３】
インクが内部に収容されたインク収容部、インクジェット方式の記録ヘッドの吐出口からインクを吐出させて記録媒体に画像を記録する手段、及び、前記記録ヘッドの吐出口を覆うキャップ、を具備するインクジェット記録装置であって、
前記インクが、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインクであることを特徴とするインクジェット記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月29日(2014.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チューブ構造を有し、外径ｄが２〜２０ｎｍであり、内径ｄ0と外径ｄとの比（ｄ0／ｄ）が０．６〜０．９である非直線状の炭素繊維が、同じ方向に揃って伸張した凝集体。
【請求項２】
炭素繊維の末端が無機粉末の（００２）面と接している請求項１に記載の凝集体。
【請求項３】
前記無機粉末が酸化マグネシウムである請求項１または２に記載の凝集体。
【請求項４】
前記無機粉末の粒径が２０〜１５０μｍである請求項２〜３のいずれかに記載の凝集体。
【請求項５】
前記非直線状の炭素繊維が、くねくねと湾曲している請求項１〜４のいずれかに記載の凝集体。
【請求項６】
凝集体の形状が、帯状またはリボン状である請求項１〜５のいずれかに記載の凝集体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の凝集体を含有する複合材料。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月27日(2013.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
仕上げ焼鈍済みの方向性電磁鋼板に、該鋼板の圧延方向と交差する向きに電子ビームを照射する、磁区細分化処理を施すに当り、前記電子ビーム照射直前の鋼板に反りを付与し、該反りの凸面側に電子ビームを照射して該鋼板を平坦に矯正することを特徴とする方向性電磁鋼板の製造方法。
【請求項２】
前記鋼板の反りは、鋼板をコイル状に巻き取って行う前記仕上げ焼鈍における該コイル由来の反りを残存させて付与することを特徴とする請求項１に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
【請求項３】
前記鋼板の反りは、前記仕上げ焼鈍済みの方向性電磁鋼板の表裏面に施す張力被膜の目付量を該鋼板の表裏面間で異ならせて付与することを特徴とする請求項１に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
【請求項４】
前記鋼板の反りは、前記仕上げ焼鈍前に鋼板表裏面に施す焼鈍分離剤の塗布量を該鋼板の表裏面で異ならせて付与することを特徴とする請求項１に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
【請求項５】
前記鋼板の反りは、
鋼板をコイル状に巻き取って行う前記仕上げ焼鈍における該コイル由来の反りを残存させること、
前記仕上げ焼鈍済みの方向性電磁鋼板の表裏面に施す張力被膜の目付量を該鋼板の表裏面間で異ならせることおよび、
前記仕上げ焼鈍前に鋼板表裏面に施す焼鈍分離剤の塗布量を該鋼板の表裏面で異ならせること、
のいずれか少なくとも２つの手法を複合して、前記電子ビーム照射直前の鋼板に反りを付与することを特徴とする請求項１に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
【請求項６】
仕上げ焼鈍済みの方向性電磁鋼板に、該鋼板の圧延方向と交差する向きにレーザーを照射する、磁区細分化処理を施すに当り、前記仕上げ焼鈍済みの方向性電磁鋼板の表裏面に施す張力被膜の目付量を該鋼板の表裏面間で異ならせて、前記レーザー照射直前の鋼板に反りを付与し、該反りの凸面側にレーザーを照射して該鋼板を平坦に矯正することを特徴とする方向性電磁鋼板の製造方法。
【請求項７】
仕上げ焼鈍済みの方向性電磁鋼板に、該鋼板の圧延方向と交差する向きにレーザーを照射する、磁区細分化処理を施すに当り、前記仕上げ焼鈍前に鋼板表裏面に施す焼鈍分離剤の塗布量を該鋼板の表裏面で異ならせて、前記レーザー照射直前の鋼板に反りを付与し、該反りの凸面側にレーザーを照射して該鋼板を平坦に矯正することを特徴とする方向性電磁鋼板の製造方法。
【請求項８】
仕上げ焼鈍済みの方向性電磁鋼板に、該鋼板の圧延方向と交差する向きにレーザーを照射する、磁区細分化処理を施すに当り、
鋼板をコイル状に巻き取って行う前記仕上げ焼鈍における該コイル由来の反りを残存させること、
前記仕上げ焼鈍済みの方向性電磁鋼板の表裏面に施す張力被膜の目付量を該鋼板の表裏面間で異ならせることおよび、
前記仕上げ焼鈍前に鋼板表裏面に施す焼鈍分離剤の塗布量を該鋼板の表裏面で異ならせること、
のいずれか少なくとも２つの手法を複合して、前記レーザー照射直前の鋼板に反りを付与し、該反りの凸面側にレーザーを照射して該鋼板を平坦に矯正することを特徴とする方向性電磁鋼板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（２）前記鋼板の反りは、鋼板をコイル状に巻き取って行う前記仕上げ焼鈍における該コイル由来の反りを残存させて付与することを特徴とする前記（１）に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（３）前記鋼板の反りは、前記仕上げ焼鈍済みの方向性電磁鋼板の表裏面に施す張力被膜の目付量を該鋼板の表裏面間で異ならせて付与することを特徴とする前記（１）に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（４）前記鋼板の反りは、前記仕上げ焼鈍前に鋼板表裏面に施す焼鈍分離剤の塗布量を該鋼板の表裏面で異ならせて付与することを特徴とする前記（１）に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（５）前記鋼板の反りは、
鋼板をコイル状に巻き取って行う前記仕上げ焼鈍における該コイル由来の反りを残存させること、
前記仕上げ焼鈍済みの方向性電磁鋼板の表裏面に施す張力被膜の目付量を該鋼板の表裏面間で異ならせることおよび、
前記仕上げ焼鈍前に鋼板表裏面に施す焼鈍分離剤の塗布量を該鋼板の表裏面で異ならせること、
のいずれか少なくとも２つの手法を複合して、前記電子ビーム照射直前の鋼板に反りを付与することを特徴とする前記（１）に記載の方向性電磁鋼板の製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（６）仕上げ焼鈍済みの方向性電磁鋼板に、該鋼板の圧延方向と交差する向きにレーザーを照射する、磁区細分化処理を施すに当り、前記仕上げ焼鈍済みの方向性電磁鋼板の表裏面に施す張力被膜の目付量を該鋼板の表裏面間で異ならせて、前記レーザー照射直前の鋼板に反りを付与し、該反りの凸面側にレーザーを照射して該鋼板を平坦に矯正することを特徴とする方向性電磁鋼板の製造方法。
（７）仕上げ焼鈍済みの方向性電磁鋼板に、該鋼板の圧延方向と交差する向きにレーザーを照射する、磁区細分化処理を施すに当り、前記仕上げ焼鈍前に鋼板表裏面に施す焼鈍分離剤の塗布量を該鋼板の表裏面で異ならせて、前記レーザー照射直前の鋼板に反りを付与し、該反りの凸面側にレーザーを照射して該鋼板を平坦に矯正することを特徴とする方向性電磁鋼板の製造方法。
（８）仕上げ焼鈍済みの方向性電磁鋼板に、該鋼板の圧延方向と交差する向きにレーザーを照射する、磁区細分化処理を施すに当り、
鋼板をコイル状に巻き取って行う前記仕上げ焼鈍における該コイル由来の反りを残存させること、
前記仕上げ焼鈍済みの方向性電磁鋼板の表裏面に施す張力被膜の目付量を該鋼板の表裏面間で異ならせることおよび、
前記仕上げ焼鈍前に鋼板表裏面に施す焼鈍分離剤の塗布量を該鋼板の表裏面で異ならせること、
のいずれか少なくとも２つの手法を複合して、前記レーザー照射直前の鋼板に反りを付与し、該反りの凸面側にレーザーを照射して該鋼板を平坦に矯正することを特徴とする方向性電磁鋼板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月13日(2014.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム又はアルミニウム合金を含む導体と、該導体を被覆する絶縁体とを具備し、薄肉細径の耐熱ノンハロゲンアルミニウム電線であって、
前記絶縁体が、（Ａ）ポリオレフィン樹脂と（Ｂ）硬度（ショアＤ）が４０以上であるエチレン共重合体樹脂とを重量比で１：９〜３：７の配合比率で含むベース樹脂、（Ｃ）金属水和物を該ベース樹脂１００重量部に対して４０〜１００重量部、及び（Ｄ）シリコーンポリマーを含む樹脂組成物により形成される耐熱ノンハロゲンアルミニウム電線。
【請求項２】
前記金属水和物が水酸化アルミニウムである請求項１に記載の耐熱ノンハロゲンアルミニウム電線。
【請求項３】
前記金属水和物は、平均粒子径が０．５〜３０μｍであり、低ソーダ処理又は表面処理がされている請求項１又は請求項２に記載の耐熱ノンハロゲンアルミニウム電線。
【請求項４】
前記樹脂組成物における前記（Ｄ）シリコーンポリマーの含有量がベース樹脂１００重量部に対して１．０〜５．０重量部である請求項１〜３のいずれか一項に記載の耐熱ノンハロゲンアルミニウム電線。
【請求項５】
前記絶縁体の厚さが０．５ｍｍ以下である請求項１〜４のいずれか一項に記載の耐熱ノンハロゲンアルミニウム電線。
【請求項６】
前記樹脂組成物が、さらに（Ｅ）酸化防止剤及び重金属不活性化剤の少なくとも一方を、前記ベース樹脂１００重量部に対して０．１重量部以上含む請求項１〜５のいずれか一項に記載の耐熱ノンハロゲンアルミニウム電線。
【請求項７】
前記（Ａ）ポリオレフィン樹脂の融点が８０〜２５０℃である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の耐熱ノンハロゲンアルミニウム電線。
【請求項８】
導体と、該導体を被覆する絶縁体とを具備し、薄肉細径の耐熱ノンハロゲン電線であって、
前記絶縁体が、（Ａ）ポリオレフィン樹脂と（Ｂ）硬度（ショアＤ）が４０以上であるエチレン共重合体樹脂とを重量比で１：９〜３：７の配合比率で含むベース樹脂、（Ｃ）金属水和物を該ベース樹脂１００重量部に対して４０〜１００重量部、及び（Ｄ）シリコーンポリマーを含む樹脂組成物により形成される耐熱ノンハロゲン電線。
【請求項９】
（Ａ）ポリオレフィン樹脂と（Ｂ）硬度（ショアＤ）が４０以上であるエチレン共重合体樹脂とを重量比で１：９〜３：７の配合比率で含むベース樹脂、（Ｃ）金属水和物を該ベース樹脂１００重量部に対して４０〜１００重量部、及び（Ｄ）シリコーンポリマーを含む薄肉細径の電線被覆用樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記のように従来はエチレン共重合体樹脂をベースとした配合組成では柔軟性が付与されるが故に厚肉（絶縁体の厚さ１．０ｍｍ前後）の太物の電線サイズに使用が限定されていた。
本発明者は、鋭意検討した結果、以下の構成により上記の目的を達成することを見出した。
（１）  アルミニウム又はアルミニウム合金を含む導体と、該導体を被覆する絶縁体とを具備し、薄肉細径の耐熱ノンハロゲンアルミニウム電線であって、
前記絶縁体が、（Ａ）ポリオレフィン樹脂と（Ｂ）硬度（ショアＤ）が４０以上であるエチレン共重合体樹脂とを重量比で１：９〜３：７の配合比率で含むベース樹脂、（Ｃ）金属水和物を該ベース樹脂１００重量部に対して４０〜１００重量部、及び（Ｄ）シリコーンポリマーを含む樹脂組成物により形成される耐熱ノンハロゲンアルミニウム電線。
（２）  前記金属水和物が水酸化アルミニウムである上記（１）に記載の耐熱ノンハロゲンアルミニウム電線。
（３）  前記金属水和物は、平均粒子径が０．５〜３０μｍであり、低ソーダ処理又は表面処理がされている上記（１）又は（２）に記載の耐熱ノンハロゲンアルミニウム電線。
（４）  前記樹脂組成物における前記（Ｄ）シリコーンポリマーの含有量がベース樹脂１００重量部に対して１．０〜５．０重量部である上記（１）〜（３）のいずれか一に記載の耐熱ノンハロゲンアルミニウム電線。
（５）  前記絶縁体の厚さが０．５ｍｍ以下である上記（１）〜（４）のいずれか一に記載の耐熱ノンハロゲンアルミニウム電線。
（６）  前記樹脂組成物が、さらに（Ｅ）酸化防止剤及び重金属不活性化剤の少なくとも一方を、前記ベース樹脂１００重量部に対して０．１重量部以上含む上記（１）〜（５）のいずれか一に記載の耐熱ノンハロゲンアルミニウム電線。
（７）  前記（Ａ）ポリオレフィン樹脂の融点が８０〜２５０℃である、上記（１）〜（６）のいずれか一に記載の耐熱ノンハロゲンアルミニウム電線。
（８）  導体と、該導体を被覆する絶縁体とを具備し、薄肉細径の耐熱ノンハロゲン電線であって、
前記絶縁体が、（Ａ）ポリオレフィン樹脂と（Ｂ）硬度（ショアＤ）が４０以上であるエチレン共重合体樹脂とを重量比で１：９〜３：７の配合比率で含むベース樹脂、（Ｃ）金属水和物を該ベース樹脂１００重量部に対して４０〜１００重量部、及び（Ｄ）シリコーンポリマーを含む樹脂組成物により形成される耐熱ノンハロゲン電線。
（９）  （Ａ）ポリオレフィン樹脂と（Ｂ）硬度（ショアＤ）が４０以上であるエチレン共重合体樹脂とを重量比で１：９〜３：７の配合比率で含むベース樹脂、（Ｃ）金属水和物を該ベース樹脂１００重量部に対して４０〜１００重量部、及び（Ｄ）シリコーンポリマーを含む薄肉細径の電線被覆用樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月22日(2014.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
さらに、前記放熱部は、放熱フィン又は放熱シートのうち少なくとも一つを備えていてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
発光部２００がケース１００の底板１１０と接触しないため、発光部２００の放熱のために発光部２００の基板２２０と接触する放熱部２３０を更に備える。この時、放熱部２３０は、熱を放出する表面積を増加させる放熱フィンを有するか、又は以後に説明される放熱シート２４０を有する。また、放熱シート２４０に放熱フィンが接着されていることもある。これにより、放熱性能が更に向上する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
放熱効果について、更に説明する。第５の実施例で説明したとおり、最外側ルーバー１３０の下端にケース１００をなす更なる部材が形成されてもよく、更なる部材を形成する目的はケース１００の表面積を広げて放熱効果を高めることにあるため、ケース１００の表面積を広げて放熱効果を高めることができるどのような形状であっても可能である。したがって、更なる部材は、ルーバー１３０、側壁１２０と共に閉曲面を形成することもでき、閉曲面を形成するが放熱孔が形成されることもあり、ルーバー１３０又は側壁１２０に凹凸が形成されて放熱フィンの役目を果たすこともできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個のＬＥＤを有する発光部と、
前記発光部上に配置される反射板と、
前記ＬＥＤから放出された光が照射される方向に配置される拡散板と、
内部に前記発光部が配置され、底板及び前記底板の両側端から延びる側壁を有するケースと、
前記ケースの側壁から延び、少なくとも一側にブラケット結合部を有する連結部材と
を備え、
前記発光部は、前記ケースの前記底板と前記拡散板との間に配置され、
前記連結部材はルーバー又は上板を備え、前記ブラケット結合部は前記ルーバー又は上板の端部分に配置されることを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記拡散板は係止部を備え、
前記反射板又は前記ケースのうち少なくとも一つは前記係止部と締結される締結部を備えることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記発光部は、前記ケースの前記底板よりも前記拡散板に更に近接するように配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記反射板は、底面反射板及び前記底面反射板から延びて傾斜を有する側面反射板を備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の照明装置。
【請求項５】
前記発光部と接触する放熱部を更に備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の照明装置。
【請求項６】
前記放熱部は、放熱フィン又は放熱シートのうち少なくとも一つを備えることを特徴とする請求項５に記載の照明装置。
【請求項７】
前記放熱部は、前記発光部と前記ケースの前記底板との間に配置されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の照明装置。
【請求項８】
前記連結部材はルーバー又は上板を備え、
前記ブラケット結合部は前記ルーバー又は上板の端部分に配置されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の照明装置。
【請求項９】
前記ルーバー又は上板は、前記側壁よりも外側に更に傾いた傾斜を有することを特徴とする請求項８に記載の照明装置。
【請求項１０】
前記ケースの側壁は、第１側壁及び前記第１側壁と向かい合う第２側壁を有し、
前記連結部材は、前記第１側壁から延びる第１連結部及び前記第２側壁から延びる第２連結部を有し、
前記第１連結部又は前記第２連結部のうち少なくとも一つは前記ブラケット結合部を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の照明装置。
【請求項１１】
前記拡散板は、前記発光部から放出された光の進行方向に凸の少なくとも一つ以上の放物面を備えることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の照明装置。
【請求項１２】
前記拡散板は、前記発光部から放出された光の入射面が平らであり、前記発光部から放出された光の出射面が凸であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の照明装置。
【請求項１３】
前記反射板は、前記側面反射板から延びる固定突起を更に備え、
前記ケースは前記固定突起と結合される結合溝を更に備えることを特徴とする請求項４に記載の照明装置。
【請求項１４】
前記反射板の前記側面反射板は第１の傾斜を有し、
前記反射板は前記側面反射板から延びて第２の傾斜を有する補助反射板を更に備え、
前記第１の傾斜と前記第２の傾斜とは互いに異なることを特徴とする請求項４に記載の照明装置。
【請求項１５】
前記反射板は、前記補助反射板から延びる固定突起を更に備え、
前記ケースは、前記固定突起と結合される結合溝を更に備えることを特徴とする請求項１４に記載の照明装置。
【請求項１６】
前記反射板は前記締結部を備え、
前記ケースは前記反射板の端部分が挿入される結合溝を更に備え、
前記反射板の前記締結部は前記反射板の端部分よりも前記発光部に更に近く配置されていることを特徴とする請求項２乃至１５のうちいずれかに記載の照明装置。
【請求項１７】
前記拡散板の前記係止部は、係止突起又は係止孔のうち少なくとも一つを備えることを特徴とする、請求項２乃至１６のうちいずれかに記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月3日(2014.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムを含む化合物と、マンガン、鉄、コバルト、またはニッケルから選ばれる金属元素を含む化合物と、珪素を含む化合物と、を混合してなる混合材料に対して、６５０℃以上１０００℃以下で１回目の第１の熱処理をし、前記１回目よりも高温の８００℃以上１５００℃以下で２回目の第１の熱処理をし、
前記第１の熱処理後に前記混合材料を粉砕処理し、
前記混合材料に炭素系材料を添加して混合した後、前記第１の熱処理よりも低温の４００℃以上９００℃以下で第２の熱処理をすることを特徴とする蓄電装置用正極活物質の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記炭素系材料は、グルコース、環状単糖類、直鎖単糖類、または多糖類のいずれかであることを特徴とする蓄電装置用正極活物質の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月28日(2014.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性半導体膜と、
前記結晶性半導体膜上の非晶質半導体膜と、を有する、積層体に対して、第１のエッチングと第２のエッチングとを行って、前記結晶性半導体膜の一部を露出させるエッチング方法であって、
前記第１のエッチングは、ＣＦ４ガスを用い、
前記第２のエッチングは、ＨＢｒガスと、ＣＦ４ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いることを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
結晶性半導体膜と、
前記結晶性半導体膜上の非晶質半導体膜と、を有する、積層体の第１の領域上に、エッチングマスクを形成し、
前記エッチングマスクを用いた、第１のエッチングと第２のエッチングとを行って、第２の領域の前記結晶性半導体膜を露出させるエッチング方法であって、
前記第１のエッチングは、ＣＦ４ガスを用い、
前記第２のエッチングは、ＨＢｒガスと、ＣＦ４ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いることを特徴とするエッチング方法。
【請求項３】
微結晶半導体膜と、
前記微結晶半導体膜上の非晶質半導体膜と、を有する、積層体の第１の領域上に、エッチングマスクを形成し、
前記エッチングマスクを用いて、第１のエッチングと第２のエッチングとを行って、第２の領域の前記微結晶半導体膜を露出させるエッチング方法であって、
前記第１のエッチングは、ＣＦ４ガスを用い、
前記第２のエッチングは、ＨＢｒガスと、ＣＦ４ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いることを特徴とするエッチング方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２のエッチングのバイアス電力は、０より大きく１００Ｗ以下を有することを特徴とするエッチング方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２のエッチングにおける前記ＨＢｒガスと前記ＣＦ４ガスと前記酸素ガスの流量比は、２４：１：１であることを特徴とするエッチング方法。
【請求項６】
ゲート電極層上に、ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上に、非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上に、不純物半導体膜を形成し、
前記不純物半導体膜上に、第１のエッチングマスクを選択的に形成し、
前記第１のエッチングマスクと重畳していない部分の前記結晶性半導体膜、前記非晶質半導体膜、及び前記不純物半導体膜を除去して、積層体を形成し、
前記第１のエッチングマスクを除去し、
前記積層体上に、導電膜を形成し、
前記導電膜上に、第２のエッチングマスクを形成し、
前記導電膜を加工して、ソース電極及びドレイン電極層を形成し、
前記第２のエッチングマスクを除去し、
前記ソース電極及びドレイン電極層と重畳していない領域の前記積層体に対し、第１のエッチングと第２のエッチングとを行い、前記積層体の前記ソース電極及びドレイン電極層と重畳していない前記領域の結晶性半導体層を露出させる半導体装置の作製方法であって、
前記第１のエッチングは、ＣＦ４ガスを用い、
前記第２のエッチングは、ＨＢｒガスと、ＣＦ４ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
ゲート電極層上に、ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、微結晶半導体膜を形成し、
前記微結晶半導体膜上に、非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上に、不純物半導体膜を形成し、
前記不純物半導体膜上に、第１のエッチングマスクを選択的に形成し、
前記第１のエッチングマスクと重畳していない部分の前記微結晶半導体膜、前記非晶質半導体膜、及び前記不純物半導体膜を除去して、積層体を形成し、
前記第１のエッチングマスクを除去し、
前記積層体上に、導電膜を形成し、
前記導電膜上に、第２のエッチングマスクを形成し、
前記導電膜を加工して、ソース電極及びドレイン電極層を形成し、
前記第２のエッチングマスクを除去し、
前記ソース電極及びドレイン電極層と重畳していない領域の前記積層体に対し、第１のエッチングと第２のエッチングとを行い、前記積層体の前記ソース電極及びドレイン電極層と重畳していない前記領域の結晶性半導体層を露出させる半導体装置の作製方法であって、
前記第１のエッチングは、ＣＦ４ガスを用い、
前記第２のエッチングは、ＨＢｒガスと、ＣＦ４ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７において、
前記第１のエッチングマスクを除去することなく、前記積層体の側壁に対して、プラズマ処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月6日(2014.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホスト装置への取り外し可能な接続のための物理インタフェースと、
カウンタを備えた使用時間制限モジュールと
を有し、
前記使用時間制限モジュールは、前記カウンタが所定の値に到達すると、電子装置を無効にするように構成され、
前記使用時間制限モジュールは、前記物理インタフェースが前記ホスト装置に接続されている場合にのみ、且つ、接続されている場合には常に、前記カウンタをデクリメントするように構成される電子装置。
【請求項２】
前記使用時間制限モジュールは、前記物理インタフェースからの給電系統を介して前記ホスト装置により電源供給される、請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記使用時間制限モジュールは、前記物理インタフェースが前記ホスト装置に接続されている場合にのみ、前記物理インタフェースからの給電系統を介して前記ホスト装置により電源供給される、請求項２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記使用時間制限モジュールは、前記電子装置のハードウェアを変更することにより、前記電子装置を無効にするように構成される、請求項１に記載の電子装置。
【請求項５】
前記使用時間制限モジュールは、前記電子装置の通信回線を無効にすることにより、前記ハードウェアを変更するように構成される、請求項４に記載の電子装置。
【請求項６】
前記使用時間制限モジュールは、前記電子装置の給電系統を無効にすることにより、前記ハードウェアを変更するように構成される、請求項４に記載の電子装置。
【請求項７】
前記使用時間制限モジュールは、ヒューズを飛ばすことにより、前記電子装置を無効にするように構成される、請求項１に記載の電子装置。
【請求項８】
前記使用時間制限モジュールは、前記電子装置を論理的に無効にするように構成される、請求項１に記載の電子装置。
【請求項９】
前記電子装置は記憶装置である、請求項１に記載の電子装置。
【請求項１０】
前記物理インタフェースはUSBインタフェースである、請求項１に記載の電子装置。