Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月11日(2014.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属原子を有するガスセルと、
前記ガスセルの温度を調整する第１の温度可変部と、
前記金属原子を励起する励起光を出射する光出射部と、
前記光出射部の温度を調整する第２の温度可変部と、
前記ガスセル、前記第１の温度可変部、前記光出射部および前記第２の温度可変部を収納する第１のパッケージと、
前記第１のパッケージの温度を調整する第３の温度可変部と、
環境温度が所定温度ＴＬより低いか、或いは前記ＴＬよりも高温の所定温度ＴＨより高い場合に、前記第３の温度可変部を駆動する制御部と、
を有することを特徴とする原子発振器。
【請求項２】
前記制御部は、前記環境温度が前記ＴＬ以上、且つ前記ＴＨ以下の場合に、前記第３の温度可変部の駆動を停止させ、前記第１の温度可変部および前記第２の温度可変部を駆動させる請求項１に記載の原子発振器。
【請求項３】
前記制御部が制御する前記ガスセルの所定温度をＴａとし、前記光出射部の所定温度をＴｂとしたとき、前記制御部は、前記第１のパッケージの温度をＴａとＴｂの間の温度になるように制御する請求項１または２に記載の原子発振器。
【請求項４】
前記第３の温度可変部は、ペルチェ素子を有し、
前記ペルチェ素子は、一方の面が前記第１のパッケージの外側の面側に配置されている請求項１ないし３のいずれかに記載の原子発振器。
【請求項５】
前記第１のパッケージおよび前記第３の温度可変部を収納する第２のパッケージを有する請求項４に記載の原子発振器。
【請求項６】
前記第２のパッケージは、前記ペルチェ素子の他方の面側に配置されている請求項５に記載の原子発振器。
【請求項７】
前記第２のパッケージは、熱伝導率が１４（Ｗ・ｍ−１・Ｋ−１）以上の材料を含んでいる請求項５または６に記載の原子発振器。
【請求項８】
前記第１のパッケージは、前記ガスセルおよび前記第１の温度可変部が配置されている空間と、前記光出射部および前記第２の温度可変部が配置されている空間とを仕切る仕切部を有しており、前記仕切部は、光透過性を有している請求項１ないし７のいずれかに記載の原子発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本発明の原子発振器は、金属原子を有するガスセルと、
前記ガスセルの温度を調整する第１の温度可変部と、
前記金属原子を励起する励起光を出射する光出射部と、
前記光出射部の温度を調整する第２の温度可変部と、
前記ガスセル、前記第１の温度可変部、前記光出射部および前記第２の温度可変部を収納する第１のパッケージと、
前記第１のパッケージの温度を調整する第３の温度可変部と、
環境温度が所定温度ＴＬより低いか、或いは前記ＴＬよりも高温の所定温度ＴＨより高い場合に、前記第３の温度可変部を駆動する制御部と、
を有することを特徴とする。
これにより、環境温度に関わらず、ガスセルおよび光出射部を所定温度範囲に保つことができ、安定して所望の特性を発揮することのできる原子発振器を提供することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
［適用例２］
本発明の原子発振器では、前記制御部は、前記環境温度が前記ＴＬ以上、且つ前記ＴＨ以下の場合に、前記第３の温度可変部の駆動を停止させ、前記第１の温度可変部および前記第２の温度可変部を駆動させることが好ましい。
これにより、省電力駆動が可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
［適用例３］
本発明の原子発振器では、前記制御部が制御する前記ガスセルの所定温度をＴａとし、前記光出射部の所定温度をＴｂとしたとき、前記制御部は、前記第１のパッケージの温度をＴａとＴｂの間の温度になるように制御することが好ましい。
これにより、より効率的かつ確実に、第１の温度可変部によってガスセルを所定温度とするとともに、第２の温度可変部によって光出射部を所定温度とすることができる。また、第１の温度可変部、第２の温度可変部および第３の温度可変部をバランスよく駆動させること、すなわち第１の温度可変部、第２の温度可変部、第３の温度可変部のうちのいずれかの温調部が他の温調部に対して過度に駆動することを防止できるため、省電力駆動が可能となる。また、これにより、各温調部の仕事量を抑えることができ、各温調部の小型化、すなわち原子発振器の小型化を図ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
［適用例４］
本発明の原子発振器では、前記第３の温度可変部は、ペルチェ素子を有し、
前記ペルチェ素子は、一方の面が前記第１のパッケージの外側の面側に配置されていることが好ましい。
これにより、第１のパッケージをより精度よく温調することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
［適用例６］
本発明の原子発振器では、前記第２のパッケージは、前記ペルチェ素子の他方の面側に配置されていることが好ましい。
これにより、吸発熱体から発生する熱を原子発振器の外部へ効率的に放出することができる。
［適用例７］
本発明の原子発振器では、前記第２のパッケージは、熱伝導率が１４（Ｗ・ｍ−１・Ｋ−１）以上の材料を含んでいることが好ましい。
これにより、より効率的に、吸発熱体から発生する熱を原子発振器の外部へ効率的に放出することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
［適用例８］
本発明の原子発振器では、前記第１のパッケージは、前記ガスセルおよび前記第１の温度可変部が配置されている空間と、前記光出射部および前記第２の温度可変部が配置されている空間とを仕切る仕切部を有しており、前記仕切部は、光透過性を有していることが好ましい。
これにより、ガスセルおよび光出射部をそれぞれ効率的にかつ安定して所定温度に温調することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月12日(2014.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホスト装置に、
ネットワークに設置された第１のネットワーク装置のネットワーク情報を含む設定情報を保持させ、
前記第１のネットワーク装置の稼働状況に関する情報を取得させ、
取得された前記第１のネットワーク装置の稼働状況に関する情報を保持させ、
前記ネットワークに前記第１のネットワーク装置と異なるネットワーク装置が設置されることを検出させ、
第２のネットワーク装置が設置されたことを検知した時、検出された第２のネットワーク装置が前記第１のネットワーク装置と同機種で、保持された前記第１のネットワーク装置の稼働状況に関する情報が稼働していないことを示す情報である場合、前記第１のネットワーク装置の前記設定情報を、前記第２のネットワーク装置に設定する設定指示を出させること、
を実行させることを特徴とするネットワーク設定プログラム。
【請求項２】
前記ネットワーク情報は、ＩＰアドレスを含む、請求項１に記載のネットワーク設定プログラム。
【請求項３】
前記第２のネットワーク装置への前記設定指示は、前記第２のネットワーク装置のＩＰアドレスが工場出荷時のＩＰアドレスである場合に実行される、請求項１または２に記載のネットワーク設定プログラム。
【請求項４】
前記ネットワーク装置は、プリンターである、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のネットワーク設定プログラム。
【請求項５】
ネットワークに設置された第１のネットワーク装置のネットワーク情報を含む設定情報、前記第１のネットワーク装置の稼働状況に関する情報、及び前記第１のネットワークの機種を記憶する記憶部と、
前記ネットワークに第２のネットワーク装置が設置されたことを検出する検出部と、
前記第２のネットワーク装置が設置されたことを検出した時、前記第２のネットワーク装置が前記第１のネットワーク装置と同機種で、前記第１のネットワーク装置の稼働状況に関する情報が稼働していないことを示す情報である場合、前記第１のネットワーク装置の前記設定情報を、前記第２のネットワーク装置に設定するネットワーク設定部と、
を有することを特徴とするネットワーク設定装置。
【請求項６】
ホスト装置でネットワークに設置された第１のネットワーク装置のネットワーク情報を含む設定情報を保持し、
前記ホスト装置で前記第１のネットワーク装置の稼働状況に関する情報を取得して保持し、
前記ホスト装置で前記ネットワークに第２のネットワーク装置が設置されたことを検出し、
前記第２のネットワーク装置が設置されたことを検出した時、前記第２のネットワーク装置が前記第１のネットワーク装置と同機種で、前記第１のネットワーク装置の稼働状況に関する情報が稼働していないことを示す情報である場合、前記第１のネットワーク装置の前記設定情報を、前記第２のネットワーク装置に設定することを特徴とするネットワーク設定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明の一つの側面は、ネットワーク設定プログラムが、ホスト装置に、ネットワークに設置された第１のネットワーク装置のネットワーク情報を含む設定情報を保持させ、前記第１のネットワーク装置の稼働状況に関する情報を取得させ、取得された前記第１のネットワーク装置の稼働状況に関する情報を保持させ、前記ネットワークに前記第１のネットワーク装置と異なるネットワーク装置が設置されることを検出させ、第２のネットワーク装置が設置されたことを検知した時、検出された第２のネットワーク装置が前記第１のネットワーク装置と同機種で、保持された前記第１のネットワーク装置の稼働状況に関する情報が稼働していないことを示す情報である場合、前記第１のネットワーク装置の前記設定情報を、前記第２のネットワーク装置に設定する設定指示を出させること、を実行させる、ことである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
更に、上記の発明において、その好ましい態様は、前記第２のネットワーク装置への前記設定指示は、前記第２のネットワーク装置のＩＰアドレスが工場出荷時のＩＰアドレスである場合に実行される、ことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記の目的を達成するために、本発明の別の側面は、ネットワーク設定装置が、ネットワークに設置された第１のネットワーク装置のネットワーク情報を含む設定情報、前記第１のネットワーク装置の稼働状況に関する情報、及び前記第１のネットワークの機種を記憶する記憶部と、前記ネットワークに第２のネットワーク装置が設置されたことを検出する検出部と、前記第２のネットワーク装置が設置されたことを検出した時、前記第２のネットワーク装置が前記第１のネットワーク装置と同機種で、前記第１のネットワーク装置の稼働状況に関する情報が稼働していないことを示す情報である場合、前記第１のネットワーク装置の前記設定情報を、前記第２のネットワーク装置に設定するネットワーク設定部と、を有する、ことである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記の目的を達成するために、本発明の更に別の側面は、ネットワーク設定方法において、ホスト装置でネットワークに設置された第１のネットワーク装置のネットワーク情報を含む設定情報を保持し、前記ホスト装置で前記第１のネットワーク装置の稼働状況に関する情報を取得して保持し、前記ホスト装置で前記ネットワークに第２のネットワーク装置が設置されたことを検出し、前記第２のネットワーク装置が設置されたことを検出した時、前記第２のネットワーク装置が前記第１のネットワーク装置と同機種で、前記第１のネットワーク装置の稼働状況に関する情報が稼働していないことを示す情報である場合、前記第１のネットワーク装置の前記設定情報を、前記第２のネットワーク装置に設定する、ことである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月14日(2014.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの親ノードと複数の子ノードとを含み、前記親ノードによって生成されるスロット割当情報に基づいてフレームを複数の通信スロットに割り当てて通信を行う通信システムであって、
前記親ノードは、
前記スロット割当情報を生成する生成手段と、
前記スロット割当情報を送信した後、前記複数の子ノードから確認応答を受信する応答受信手段と、
前記確認応答を受信すると前記スロット割当情報を有効化するスロット割当有効化情報を前記複数の子ノードへ送信する送信手段とを有し、
前記複数の子ノードは、
前記親ノードから送信された前記スロット割当情報を受信すると、当該親ノードに確認応答を送信する応答送信手段と、
前記スロット割当有効化情報を受信する受信手段と、
所定の時間が経過するまでに前記親ノードから前記スロット割当有効化情報を受信できない場合に通信を制限する制限手段とを有することを特徴とする通信システム。
【請求項２】
前記所定の時間は、前記複数の子ノードに予め設定されているか又は前記親ノードから送信された前記スロット割当情報に含まれていることを特徴とする請求項１に記載の通信システム。
【請求項３】
前記親ノードは、前記スロット割当情報を有効化する有効化期限を生成する有効化生成手段を更に有し、
前記有効化生成手段は、前記スロット割当情報が更新される毎に当該スロット割当情報の有効化期限を生成し、
前記送信手段は前記有効化期限を送信し、
前記複数の子ノードは、前記送信された有効化期限に基づき前記所定の時間を設定することを特徴とする請求項１に記載の通信システム。
【請求項４】
前記親ノードは、前記制限手段によって通信を制限している子ノードを検出する検出手段を更に有し、
通信を制限している子ノードを検出した場合に、前記送信手段は前記スロット割当有効化情報を当該子ノードに送信し、
前記複数の子ノードは、前記制限した通信を再開する再開手段を更に有し、
前記通信を制限している子ノードの前記再生手段は、前記親ノードから前記スロット割当有効化情報を受信すると、通信を再開させることを特徴とする請求項１に記載の通信システム。
【請求項５】
前記子ノードは、前記スロット割当有効化情報の再送信を要求するスロット割当有効化要求手段を更に有し、
前記スロット割当有効化要求手段は、自ノードが通信を制限した後、親ノードに対してスロット割当有効化要求を送信し、
前記親ノードの前記送信手段は、当該子ノードからの前記スロット割当有効化要求により前記スロット割当有効化情報を送信することを特徴とする請求項１に記載の通信システム。
【請求項６】
前記親ノードは、前記スロット割当情報の識別子を生成する識別子生成手段を更に有し、
前記識別子生成手段は、前記スロット割当情報が更新されるたびに、異なる前記スロット割当情報の識別子を生成した上で前記スロット割当情報に付加し、
前記複数の子ノードは、前記制限した通信を再開する再開手段を更に有し、
前記再開手段は、自ノードが通信を制限する前に受信した前記スロット割当情報の識別子と、前記通信を制限した後に受信した前記スロット割当情報の識別子が一致する場合に、当該子ノードの送信を再開させることを特徴とする請求項１に記載の通信システム。
【請求項７】
前記生成手段は、所定の位置に再送信のためのスロットを割り当てた前記スロット割当情報を生成し、
前記親ノード及び前記複数の子ノードは、前記再送信のためのスロットを用いて通信を行うことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の通信システム。
【請求項８】
１つの親ノードと複数の子ノードとを含み、親ノードによって生成されるスロット割当情報に基づいてフレームを複数の通信スロットに割り当てて通信を行う通信システムの制御方法であって、
前記親ノードは、
前記スロット割当情報を生成する生成工程と、
前記スロット割当情報を送信した後、前記複数の子ノードから確認応答を受信する応答受信工程と、
前記確認応答を受信すると前記スロット割当情報を有効化するスロット割当有効化情報を前記複数の子ノードへ送信する送信工程とを実行し、
前記複数の子ノードは、
前記親ノードから送信された前記スロット割当情報を受信すると、当該親ノードに確認応答を送信する応答送信工程と、
前記スロット割当有効化情報を受信する受信工程と、
所定の時間が経過するまでに前記親ノードから前記スロット割当有効化情報を受信できない場合に通信を制限する制限工程とを実行することを特徴とする通信システムの制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、１つの親ノードと複数の子ノードとを含み、前記親ノードによって生成されるスロット割当情報に基づいてフレームを複数の通信スロットに割り当てて通信を行う通信システムであって、
前記親ノードは、
前記スロット割当情報を生成する生成手段と、
前記スロット割当情報を送信した後、前記複数の子ノードから確認応答を受信する応答受信手段と、
前記確認応答を受信すると前記スロット割当情報を有効化するスロット割当有効化情報を前記複数の子ノードへ送信する送信手段とを有し、
前記複数の子ノードは、
前記親ノードから送信された前記スロット割当情報を受信すると、当該親ノードに確認応答を送信する応答送信手段と、
前記スロット割当有効化情報を受信する受信手段と、
所定の時間が経過するまでに前記親ノードから前記スロット割当有効化情報を受信できない場合に通信を制限する制限手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月13日(2014.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸を有する第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有する第１導電形の第１半導体層と、
前記第１半導体層の前記第２面の側に設けられた第２導電形の第２半導体層と、
前記第１半導体層の前記第２面のうちの第１領域と、前記第２半導体層と、の間に設けられ、発光光を放出する発光層と、
前記第１半導体層の前記第２面のうちの、前記第１領域とは異なる第２領域において前記第１半導体層と接する第１電極と、
前記第２半導体層の前記発光層とは反対側で前記第２半導体層と接する第２電極と、
前記第２半導体層の前記発光層とは反対側に設けられ前記第１電極と導通する支持基板と、
前記第１電極と前記発光層との間、前記第１電極と前記第２半導体層との間、前記第１電極と前記第２電極との間、及び、前記第２電極と前記支持基板との間に設けられた絶縁層と、
前記支持基板と前記第１電極との間、及び、前記絶縁層と前記支持基板との間に設けられた金属部と、
前記第１電極と前記金属部との間に設けられ、前記第１電極と前記金属部とを接合する中間金属層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記第２電極の前記第２半導体層と接する部分は、反射性であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記金属部は、ＡｕＳｎ合金を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記支持基板は、Ｇｅ基板であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記第１半導体層から前記第２半導体層へ向かう積層方向にみて前記第１及び前記第２半導体層並びに前記発光層と重ならない位置にパッドが設けられ、前記パッド部は前記第２電極と導通されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記第１面は、前記発光光のピーク波長よりも長いピッチの凹凸を有する凹凸部分と、前記凹凸部分よりも平坦な平坦部分と、を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記平坦部分は、前記発光光のピーク波長よりも短いピッチの凹凸を有することを特徴とする請求項６記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記第１半導体層から前記第２半導体層へ向かう積層方向にみたときの前記平坦部分の外縁は、前記積層方向にみたときの前記第１電極と前記第１半導体層との接触面の外縁よりも外側に位置することを特徴とする請求項６または７に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記接触面の前記発光光に対する反射率は、前記第２電極の前記第２半導体層に対向する面の前記発光光に対する反射率よりも低いことを特徴とする請求項８記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記平坦部分を覆う誘電体層をさらに備えたことを特徴とする請求項６〜９のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記第１半導体層は、前記第２面に設けられた凹部を有し、
前記第１電極は、前記凹部の底面において前記第１半導体層と接することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
前記第１半導体層、前記発光層及び前記第２半導体層は、窒化物半導体を含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
前記発光光のピーク波長は、３７０ナノメートル以上、４００ナノメートル以下であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
実施形態によれば、凹凸を有する第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有する第１導電形の第１半導体層と、前記第１半導体層の前記第２面の側に設けられた第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層の前記第２面のうちの第１領域と、前記第２半導体層と、の間に設けられ、発光光を放出する発光層と、前記第１半導体層の前記第２面のうちの、前記第１領域とは異なる第２領域において前記第１半導体層と接する第１電極と、前記第２半導体層の前記発光層とは反対側で前記第２半導体層と接する第２電極と、  前記第２半導体層の前記発光層とは反対側に設けられ前記第１電極と導通する支持基板と、前記第１電極と前記発光層との間、前記第１電極と前記第２半導体層との間、前記第１電極と前記第２電極との間、及び、前記第２電極と前記支持基板との間に設けられた絶縁層と、前記支持基板と前記第１電極との間、及び、前記絶縁層と前記支持基板との間に設けられた金属部と、前記第１電極と前記金属部との間に設けられ、前記第１電極と前記金属部とを接合する中間金属層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
積層構造体１００の第２主面１００ｂにおける凹部１００ｔには第１電極５０が設けられている。第１電極５０は積層構造体１００の外側に延びて一部が露出している。この露出した部分にパッド６５が設けられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
そして、引き出し部を被覆している誘電体４５の一部を除去し、その領域にパッド６５を形成する。パッド６５としては、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層膜が用いられる。パッド６５の膜厚は、例えば８００ｎｍである。このパッド６５にはボンディングワイヤが接続される。ボンディング特性を向上させるため、パッド６５の表面に例えばめっきによってＡｕを厚く（例えば１０μｍ）形成することが望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2012195602.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月10日(2014.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、
前記筐体の内部に格納される基板と、を備える携帯端末であって、
前記筐体は、
前記基板の一辺側を貫通する第１の貫通部材と、
前記基板の一辺とは反対側にある他辺側を貫通する第２の貫通部材と、
前記第１の貫通部材または第２の貫通部材の周囲に配置される前記基板の第１面の当接部と、
前記第１面の当接部とは前記基板を挟んで反対側に配置される前記基板の第２面の当接部と、を備え、
前記基板は、
前記第１の貫通部材が貫通する第１の貫通部と、
前記基板の面と平行な方向における前記第１の貫通部材との間の距離が変化可能に、前記第２の貫通部材が貫通する第２の貫通部と、
を備えることを特徴とする携帯端末。
【請求項２】
前記第２の貫通部は、前記第１の貫通部材との間の距離が変化可能な方向において前記第２の貫通部材の直径より大きく、前記第１の貫通部材との間の距離が変化可能な方向と直交し前記基板の面と平行な方向において前記第２の貫通部材の直径と同一の大きさを有することを特徴とする請求項１に記載の携帯端末。
【請求項３】
前記基板は概略長方形であり、
前記第２の貫通部は、前記基板の面と平行でかつ前記基板の長辺に沿った方向における前記第１の貫通部材との間の距離が変化可能に、前記第２の貫通部材が貫通することを特徴とする請求項１に記載の携帯端末。
【請求項４】
前記基板は、その面と平行でかつ前記基板の長辺に沿った方向に複数配置されることを特徴とする請求項１に記載の携帯端末。
【請求項５】
前記複数の基板は、それらの面と直交する方向から見てそれぞれの一部同士が重なっていることを特徴とする請求項４に記載の携帯端末。
【請求項６】
前記複数の基板は、前記複数の基板が互いに重なる重なり部分において、共通の貫通部材が貫通する共通貫通部を備えることを特徴とする請求項５に記載の携帯端末。
【請求項７】
前記重なり部分において、前記複数の基板のうちの第１の基板は、前記共通の貫通部材の位置が前記第１の基板の面と平行方向において固定される第１の共通貫通部を備え、前記複数の基板のうちの第２の基板は、前記共通の貫通部材の位置が前記第２の基板の面と平行方向に移動可能に設けられた第２の共通貫通部を備えることを特徴とする請求項６に記載の携帯端末。
【請求項８】
前記筐体の内部に格納される表示モジュールをさらに備え、
前記筐体は、キー領域と、前記表示モジュールの表示を観察する表示領域とが設けられた正面筐体を備え、
前記複数の基板として、前記筐体の内部の前記キー領域に対応する箇所に取り付けられるキー基板と、前記筐体の内部の前記表示領域に対応する箇所にて表示モジュールが固定される表示モジュール保持基板と、メイン基板とが、前記正面筐体の側から順に配置され、
前記重なり部分では、前記キー基板、前記表示モジュール保持基板、及び前記メイン基板の一部が互いに重なり、
前記重なり部分は、前記正面筐体の側から見て、前記キー領域と前記表示領域との間にあり、
前記メイン基板は、前記正面筐体の側から見て前記表示領域を包含して配置され、
前記表示モジュール保持基板の前記正面筐体と反対側には窪みが設けられることを特徴とする請求項７に記載の携帯端末。
【請求項９】
前記表示モジュール保持基板には、前記メイン基板を系止し、かつ前記メイン基板よりも前記前記正面筐体と反対側に突出した系止爪が設けられることを特徴とする請求項８に記載の携帯端末。
【請求項１０】
前記表示モジュール保持基板および前記メイン基板は、前記重なり部分において、前記第１の共通貫通部を備え、前記重なり部分とは反対側にある端部には、前記共通の貫通部材の位置が基板面と平行方向に移動可能に設けられた第３の共通貫通部を備え、
前記キー基板は、前記重なり部分において前記第１の共通貫通部を備え、前記重なり部分とは反対側にある端部に前記第２の貫通部を備えることを特徴とする請求項８に記載の携帯端末。
【請求項１１】
基板支持構造を有する携帯端末であって、
基板の少なくとも１辺が前記携帯端末の筐体に対して基板の平面方向に移動可能である
基板支持構造を有する携帯端末。
【請求項１２】
前記基板は、概略長方形であり、長手方向に移動可能であることを特徴とする請求項１１に記載の基板支持構造を有する携帯端末。
【請求項１３】
前記基板は、短辺側で支持部材に支持され、前記短辺の少なくとも１辺において、基板の平面に垂直な方向に固定されるとともに、支持部材に対して摺動することにより、基板の平面方向に移動可能であることを特徴とする請求項１２に記載の基板支持構造を有する携帯端末。
【請求項１４】
前記支持部材は、前記基板を一方の面及び他方の面から挟み、ネジ締結によって、前記基板を前記一方の面及び他方の面から締め付けることを特徴とする請求項１３に記載の基板支持構造を有する携帯端末。
【請求項１５】
前記基板の対向する２辺が何れも当該辺と垂直な方向に移動可能であることを特徴とする請求項１１ないし１４のいずれか１項に記載の基板支持構造を有する携帯端末。
【請求項１６】
前記基板の１辺が当該辺と垂直な方向に移動可能であることを特徴とする請求項１１ないし１４のいずれか１項に記載の基板支持構造を有する携帯端末。
【請求項１７】
前記携帯端末は、前記基板の平面方向から見たときに、概略長方形であり、長手方向に分けられた複数の前記基板を含むことをと特徴とする請求項１１ないし１６のいずれか１項に記載の基板支持構造を有する携帯端末。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】携帯端末
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月6日(2014.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る画像処理装置は、露出条件が異なる複数の撮像部を有する多眼方式の撮像装置によって撮影された複数の画像を取得する画像取得部と、前記取得した複数の画像から、前記複数の撮像部において画角が重複する重複領域を算出する重複領域算出部と、前記重複領域算出部で算出された重複領域に対応する前記複数の画像の領域画像を用いて、ぶれを含む画像を検出するぶれ画像検出部と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露出条件が異なる複数の撮像部を有する多眼方式の撮像装置によって撮影された複数の画像を取得する画像取得部と、
前記取得した複数の画像から、前記複数の撮像部において画角が重複する重複領域を算出する重複領域算出部と、
前記重複領域算出部で算出された重複領域に対応する前記複数の画像の領域画像を用いて、ぶれを含む画像を検出するぶれ画像検出部と、
を備えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記領域画像を、前記取得した複数の画像から切り出す画像切出し部をさらに備え、
前記ぶれ画像検出部は、前記画像切出し部で切り出された領域画像を用いて、ぶれを含む画像を検出することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記ぶれ画像検出部は、前記重複領域算出部で算出した重複領域及び前記画像取得部で取得した前記複数の画像を受け取って、前記領域画像を算出し、該算出された領域画像を用いて、ぶれを含む画像を検出することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記ぶれ画像検出部は、前記領域画像に対し、前記複数の撮像部それぞれの露出条件を参照してぶれについての定量的な評価を行うことにより、前記ぶれを含む画像を検出することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記ぶれ画像検出部は、前記ぶれについての定量的な評価を行うための、
前記領域画像から、前記複数の撮像部のうちのいずれかに対応する１の基準画像を選択する基準画像選択部と、
前記領域画像から、前記複数の撮像部のうち前記基準画像に対応する撮像部とは異なる撮像部に対応する画像であって、前記基準画像と比較する１または複数の参照画像を選択する参照画像選択部と、
前記選択された基準画像および参照画像のそれぞれに対応する撮像部の露出条件を参照して、前記選択された基準画像および参照画像との間の差分を示す差分画像を生成する差分画像生成部と、
前記生成された差分画像と前記基準画像との類似度を示す評価値を算出する評価値算出部と、
前記算出された評価値に基づいて、前記ぶれを含む画像を決定するぶれ画像決定部と、
を備えることを特徴とする請求項４記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記評価値算出部は、前記差分画像の周波数特性に着目した評価値を算出することを特徴とする請求項５記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記重複領域算出部は、前記複数の撮像部に関するパラメータに基づいて、前記重複領域を算出することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
露出条件が異なる複数の撮像部を有する多眼方式の撮像装置によって撮影された複数の画像を取得する画像取得部と、
前記複数の撮像部に関するパラメータに基づいて予め算出された前記重複領域を格納した重複領域データベースと、
前記重複領域データベースに格納された重複領域に対応する前記複数の画像の領域画像を用いて、ぶれを含む画像を検出するぶれ画像検出部と、
を備えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項９】
前記パラメータは、前記複数の撮像部それぞれについての、焦点距離、センササイズ、センサの画素数、ピント位置、撮像部の相対位置のいずれか１つを少なくとも含むことを特徴とする請求項７又は８に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記差分画像生成部は、前記選択された基準画像および参照画像における任意の注目する画素位置の近傍画素について差分値を求め、求められた差分値のうち最も小さい差分値の画素位置を差分画像の画素位置とすることにより、前記差分画像を生成することを特徴とする請求項５記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記取得した複数の画像のうち、前記ぶれを含む画像として検出されなかった画像を出力画像として選択する出力画像選択部をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記露出条件は、シャッタースピードであることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
前記出力画像選択部は、前記ぶれを含む画像として検出されなかった画像が複数ある場合、シャッタースピードが最も遅い撮像部によって撮影された画像を出力画像として選択することを特徴とする請求項１２に記載の画像処理装置。
【請求項１４】
前記取得した複数の画像のうち、前記ぶれを含む画像として検出されなかった画像に対し重み付け加算処理を行い、該重み付け加算処理された画像を出力画像とする画像加算部をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１５】
露出条件が異なる複数の撮像部を有する多眼方式の撮像装置によって撮影された複数の画像を取得するステップ、
前記取得した複数の画像から、前記複数の撮像部において画角が重複する重複領域を算出するステップ、
前記算出された重複領域に対応する前記複数の画像の領域画像を用いて、ぶれを含む画像を検出するステップと
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１６】
コンピューターを、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の画像処理装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月12日(2014.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列リアクトルと進相コンデンサとを一体化したユニット形コンデンサ装置であって、前記直列リアクトルを支持体で保持し、前記支持体の直列リアクトルの下方に位置する枠部を金型として利用し、該枠部でコンデンサ素子を樹脂モールドすることにより前記進相コンデンサの製作と組み付けを同時に行って、前記枠部の内部に、前記進相コンデンサを収容し配置したことを特徴とするユニット形コンデンサ装置。
【請求項２】
前記直列リアクトルと進相コンデンサとの電気的接続は、コンデンサ素子と電気的に接続された絶縁被覆電線を進相コンデンサの外装モールド部から導出し、その導出された絶縁被覆電線の先端部を直列リアクトルの端子部に接続した請求項１に記載のユニット形コンデンサ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月26日(2014.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
第２利得領域１６２は、積層体１２０の積層方向からの平面視にて、第１面１３１の垂線Ｐ１に対して角度βで傾いて第１面１３１と接続している。言い換えれば、第２利得領域１６２の長手方向は、垂線Ｐ１に対してβの角度を有しているといえる。角度βは、鋭角であって、臨界角より小さい角度である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月14日(2014.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコンと、
前記単結晶シリコンの表面に形成された、開口部を有するマスク材と、
前記単結晶シリコンの前記開口部から露出した部分に形成された炭化シリコン膜と、
前記炭化シリコン膜及び前記マスク材を覆って形成された単結晶炭化シリコン膜と、
を含み、
前記マスク材は、酸化シリコン膜に不純物が１ｗｔ％以上８ｗｔ％以下の範囲で含まれていることを特徴とする半導体基板。
【請求項２】
単結晶シリコンと、
前記単結晶シリコンの表面に形成された炭化シリコン膜と、
前記炭化シリコン膜の表面に形成された、開口部を有するマスク材と、
前記炭化シリコン膜及び前記マスク材を覆って形成された単結晶炭化シリコン膜と、
を含み、
前記マスク材は、酸化シリコン膜に不純物が１ｗｔ％以上８ｗｔ％以下の範囲で含まれていることを特徴とする半導体基板。
【請求項３】
前記不純物はリンであり、１ｗｔ％以上８ｗｔ％以下の範囲で含まれていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体基板。
【請求項４】
前記不純物はボロンであり、１ｗｔ％以上４ｗｔ％以下の範囲で含まれていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体基板。
【請求項５】
前記マスク材の粘度が９５０℃以上１４００℃以下の温度範囲において１０５Ｐａ・ｓ以上１０１４．５Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体基板。
【請求項６】
単結晶シリコンの表面にマスク材を形成する第１の工程と、
前記マスク材に開口部を形成し、前記単結晶シリコンの一部を露出させる第２の工程と、
前記単結晶シリコンの一部に炭化シリコン膜を形成する第３の工程と、
前記炭化シリコン膜を基点として９５０℃以上１４００℃以下の温度範囲で単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、前記炭化シリコン膜及び前記マスク材を覆う単結晶炭化シリコン膜を形成する第４の工程と、
を含み、
前記マスク材の粘度が９５０℃以上１４００℃以下の温度範囲において１０５Ｐａ・ｓ以上１０１４．５Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項７】
単結晶シリコンの表面に酸化シリコン膜を形成する第１の工程と、
前記酸化シリコン膜に開口部を形成し、前記単結晶シリコンの一部を露出させる第２の工程と、
前記単結晶シリコンの一部に炭化シリコン膜を形成する第３の工程と、
前記炭化シリコン膜を基点として単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、前記単結晶炭化シリコンのエピタキシャル成長を前記酸化シリコン膜の表面が一部露出した状態で止める第４の工程と、
前記酸化シリコン膜に不純物をドープさせてマスク材を形成する第５の工程と、
前記第５の工程の後に前記単結晶炭化シリコンの前記エピタキシャル成長を再開させ、９５０℃以上１４００℃以下の温度範囲で前記マスク材を覆う単結晶炭化シリコン膜を形成する第６の工程と、
を含み、
前記マスク材の粘度が９５０℃以上１４００℃以下の温度範囲において１０５Ｐａ・ｓ以上１０１４．５Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項８】
単結晶シリコンの表面に炭化シリコン膜を形成する第１の工程と、
前記炭化シリコン膜の表面にマスク材を形成する第２の工程と、
前記マスク材に開口部を形成し、前記炭化シリコン膜の一部を露出させる第３の工程と、
前記炭化シリコン膜の一部を基点として９５０℃以上１４００℃以下の温度範囲で単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、前記炭化シリコン膜及び前記マスク材を覆う単結晶炭化シリコン膜を形成する第４の工程と、
を含み、
前記マスク材の粘度が９５０℃以上１４００℃以下の温度範囲において１０５Ｐａ・ｓ以上１０１４．５Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項９】
単結晶シリコンの表面に炭化シリコン膜を形成する第１の工程と、
前記炭化シリコン膜の表面に酸化シリコン膜を形成する第２の工程と、
前記酸化シリコン膜に開口部を形成し、前記炭化シリコン膜の一部を露出させる第３の工程と、
前記炭化シリコン膜の一部を基点として単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、前記単結晶炭化シリコンのエピタキシャル成長を前記酸化シリコン膜の表面が一部露出した状態で止める第４の工程と、
前記酸化シリコン膜に不純物をドープさせてマスク材を形成する第５の工程と、
前記第５の工程の後に前記単結晶炭化シリコンの前記エピタキシャル成長を再開させ、９５０℃以上１４００℃以下の温度範囲で前記マスク材を覆う単結晶炭化シリコン膜を形成する第６の工程と、
を含み、
前記マスク材の粘度が９５０℃以上１４００℃以下の温度範囲において１０５Ｐａ・ｓ以上１０１４．５Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項１０】
前記マスク材は、酸化シリコン膜にリンが１ｗｔ％以上８ｗｔ％以下の範囲で含まれることを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第５の工程は、
前記酸化シリコン膜を覆って不純物がドープされた不純物含有層を形成する第７の工程と、
前記不純物含有層を加熱して前記不純物含有層にドープされた前記不純物を前記酸化シリコン膜に拡散させて前記マスク材を形成する第８の工程と、
前記不純物含有層を除去し、前記マスク材を露出させる第９の工程と、
を含むことを特徴とする請求項７または９に記載の半導体基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本発明に係る一態様の半導体基板は、単結晶シリコンと、前記単結晶シリコンの表面に形成された、開口部を有するマスク材と、前記単結晶シリコンの前記開口部から露出した部分に形成された炭化シリコン膜と、前記炭化シリコン膜及び前記マスク材を覆って形成された単結晶炭化シリコン膜と、を含み、前記マスク材は、酸化シリコン膜に不純物が１ｗｔ％以上８ｗｔ％以下の範囲で含まれていることを特徴とする。
上記の課題を解決するため、本発明に係る一態様の半導体基板は、単結晶シリコンと、前記単結晶シリコンの表面に形成された炭化シリコン膜と、前記炭化シリコン膜の表面に形成された、開口部を有するマスク材と、前記炭化シリコン膜及び前記マスク材を覆って形成された単結晶炭化シリコン膜と、を含み、前記マスク材は、酸化シリコン膜に不純物が１ｗｔ％以上８ｗｔ％以下の範囲で含まれていることを特徴とする。
上記の課題を解決するため、本発明の半導体基板は、単結晶シリコンと、前記単結晶シリコンの表面に形成された、開口部を有するマスク材と、前記単結晶シリコンの前記開口部から露出した部分に形成された炭化シリコン膜と、前記炭化シリコン膜及び前記マスク材を覆って形成された単結晶炭化シリコン膜と、を含み、前記マスク材の粘度が９５０℃以上１４００℃以下の温度範囲において１０５Ｐａ・ｓ以上１０１４．５Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月17日(2014.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に、下部ミラーと活性層と上部ミラーとを有する面発光レーザであって、
前記上部ミラーの上部の光出射領域内に設けられ、第１の領域と前記第１の領域とは異なる第２の領域との間に段差を有する段差構造を有し、
前記第１の領域における前記段差構造の光学厚さと前記第２の領域における前記段差構造の光学厚さが異なり、
前記上部ミラーの上部であって、前記第１の領域と前記第２の領域との間の第３の領域に遮光部材が配され、前記第１の領域と前記第２の領域の一部に前記遮光部材が配されていないことを特徴とする面発光レーザ。
【請求項２】
前記第２の領域は、前記第１の領域よりも、前記光出射領域の中心に対して遠い位置に配されていることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
【請求項３】
前記遮光部材が前記第３の領域のすべてに配されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の面発光レーザ。
【請求項４】
前記遮光部材が前記第３の領域の一部に配されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の面発光レーザ。
【請求項５】
前記遮光部材の厚さは、前記段差構造の段差の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項６】
前記遮光部材は、前記段差構造の上部に配されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項７】
前記遮光部材は、前記上部ミラーと前記段差構造との間に配されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項８】
前記面発光レーザの発振波長をλとし、前記第１の領域における前記段差構造の光学厚さと、前記第２の領域における前記段差構造の光学厚さとの差Ｌが、以下の関係を満たすことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
（Ｎ＋１／４）λ＜Ｌ＜（Ｎ＋３／４）λ      （Ｎは整数）
【請求項９】
前記遮光部材は、金属であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項１０】
前記遮光部材と前記段差構造を形成する材料との屈折率差が、前記段差構造を形成する材料の屈折率の２０％以下であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の面発光レーザを複数有することを特徴とする面発光レーザアレイ。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の面発光レーザと、前記面発光レーザからの光により静電潜像を形成する感光体と、前記感光体を帯電する帯電器と、前記静電潜像を現像する現像器と、を有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】面発光レーザ、面発光レーザアレイ及び画像形成装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本願発明に係る面発光レーザは、基板の上に、下部ミラーと活性層と上部ミラーとを有する面発光レーザであって、前記上部ミラーの上部の光出射領域内に設けられ、第１の領域と前記第１の領域とは異なる第２の領域との間に段差を有する段差構造を有し、前記第１の領域における前記段差構造の光学厚さと前記第２の領域における前記段差構造の光学厚さが異なり、前記上部ミラーの上部であって、前記第１の領域と前記第２の領域との間の第３の領域に遮光部材が配され、前記第１の領域と前記第２の領域の一部に前記遮光部材が配されていないことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月14日(2014.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視光線および紫外線を含む放電光を射出するランプと、
前記放電光に含まれる紫外線のうち少なくとも一部の紫外線を前記放電光から分離する分離部と、
前記分離部で分離された紫外線によって励起され、可視光線を発する蛍光体と、
を含む、光源装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記分離部は、可視光線を透過させ、紫外線を反射させるダイクロイックミラーである、光源装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
さらに、前記ランプから射出された前記放電光を、前記分離部に導く光学系を含み、
前記光学系は、
前記放電光を反射させる回転楕円鏡と、
前記回転楕円鏡と対向し、前記回転楕円鏡の第１焦点と第２焦点との間に配置された平面鏡と、
前記平面鏡で反射された光が収束する位置を焦点とする第１回転方物面鏡と、
を有し、
前記第１焦点は、前記回転楕円鏡と前記平面鏡の間に位置し、
前記ランプは、前記ランプの放電位置が前記第１焦点となるように配置されている、光源装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、
さらに、前記分離部で分離された紫外線を、前記蛍光体に導く第２回転方物面鏡を含み、
前記第２回転方物面鏡は、前記第２回転放物面鏡の軸が前記分離部で分離された紫外線の進行方向に沿うように配置され、
前記蛍光体は、前記第２回転方物面鏡の焦点に配置されている、光源装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項において、
さらに、前記蛍光体が発する可視光線の進行方向が前記分離部で分離された可視光線の進行方向と同じ方向となるように、前記蛍光体が発する可視光線を反射させる反射鏡を含む、光源装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、
前記蛍光体は、紫外線によって励起されて緑色光または赤色光を発する、光源装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の光源装置と、
前記光源装置から射出された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投写する投写装置と、
を含む、プロジェクター。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月12日(2014.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【図４】図３に示した画素の一部を表す図である。
【図５】図１に示した表示装置の製造方法の流れを表す図である。
【図６】図５に示した製造方法を工程順に表す断面図である。
【図７】図６に続く工程を表す断面図である。
【図８】比較例に係る画素の一部を表す図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図１０】本発明の変形例に係る表示装置の構成の一部を表す図である。
【図１１】本発明の他の変形例に係る表示装置の構成の一部を表す図である。
【図１２】図１０および図１１に示した下部電極が分断されている箇所数と下部電極へのブランケット到達距離との関係を表す図である。
【図１３】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１４】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１５】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図、（Ｂ）は裏側からみた外観を表す斜視図である。
【図１６】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図１７】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図１８】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本実施の形態において、下部電極１３Ｂの表面（上部電極２０との対向面）は、下部電極１３Ｒ，１３Ｇの表面よりも基板１１側に位置する。図４は、図３に示した下部電極１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂの詳細について表したものである。図４（Ａ）および図４（Ｂ）は、それぞれ下部電極１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂの断面図および平面図を表す。下部電極１３Ｒ，１３Ｇの積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）は、例えば、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、下部電極１３Ｒ，１３Ｇの表面から開口絶縁膜１４の表面までの距離ｄR，ｄGは例えば１０ｎｍ〜３０００ｎｍである。一方、下部電極１３Ｂの表面から開口絶縁膜１４の表面までの距離ｄBは、例えば２０ｎｍ〜６０００ｎｍである。換言すれば、下部電極１３Ｂの表面を、下部電極１３Ｒ，１３Ｇの表面よりも例えば１０ｎｍ〜３０００ｎｍだけ低くする。具体的には、図４（Ａ）に示したように、下部電極１３Ｂの厚みを下部電極１３Ｒ，１３Ｇの厚みよりも薄くして位置の調整を行えばよい。このように下部電極１３Ｂの表面の位置を調整することにより、ブランケットを用いた印刷方法により赤色発光層１７Ｒおよび緑色発光層１７Ｇを成膜する際に、青色画素１０Ｂ（青色画素１０Ｂにおける正孔輸送層１６の表面）にブランケットが強く押し付けられることを防止することができる。なお、図４（Ａ）では下部電極１３Ｂの厚みにより表面の位置を調整した例を示したが、下部電極１３Ｂの下層、例えば青色画素１０Ｂにおける平坦化絶縁膜１２の厚みを調整してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
赤色発光層１７Ｒおよび緑色発光層１７Ｇは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものであり、それぞれ赤色画素１０Ｒ，緑色画素１０Ｇ毎に設けられている。赤色発光層１７Ｒおよび緑色発光層１７Ｇの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば、１０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、１５ｎｍ〜１５０ｎｍであることがより好ましい。赤色発光層１７Ｒおよび緑色発光層１７Ｇを構成する高分子材料としては、例えばポリフルオレン系高分子誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いることができる。具体的には、例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッドあるいはクマリン６等をドープすることにより用いることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
また、印刷法により発光層を成膜した有機ＥＬ表示装置は、コストおよび環境負荷の観点で優れ、早期の実現が望まれているものの、印刷法に適した青色発光層材料の特性に問題を抱えていた。しかし、表示装置１のように共通層として青色発光層１７Ｂを設けることにより、蒸着法による青色発光層１７Ｂの成膜が可能となり、更に、青色画素１０Ｂの下部電極１３Ｂの表面を基板側に配置することにより、赤色発光層１７Ｒおよび緑色発光層１７Ｇの成膜工程において青色画素１０Ｂが受ける影響を抑えることができる。