Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月25日(2014.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の移動局装置と通信を行う基地局装置であって、
制御チャネルと、前記制御チャネルの信号の復調に用いられる参照信号とが配置される可能性のあるリソースの領域であって、複数の前記領域を下りリンクのシステム帯域内に構成する制御部と、
前記制御チャネルの信号と前記参照信号に同一のプリコーディング処理を行い、前記領域毎に独立にプリコーディング処理を行うプリコーディング処理部と、
前記領域のリソースを用いてプリコーディング処理が行われた前記制御チャネルの信号とプリコーディング処理が行われた前記参照信号を送信する送信処理部と、を有し、
協調マルチポイント通信が行われる、当該基地局装置とは異なる装置毎に対して前記領域が構成されることを特徴とする基地局装置。
【請求項２】
複数の移動局装置および前記複数の移動局装置と通信を行う基地局装置から構成される通信システムであって、
前記基地局装置は、
制御チャネルと、前記制御チャネルの信号の復調に用いられる参照信号とが配置される可能性のあるリソースの領域であって、複数の前記領域を下りリンクのシステム帯域内に構成する制御部と、
前記制御チャネルの信号と前記参照信号に同一のプリコーディング処理を行い、前記領域毎に独立にプリコーディング処理を行うプリコーディング処理部と、
前記領域のリソースを用いてプリコーディング処理が行われた前記制御チャネルの信号とプリコーディング処理が行われた前記参照信号を送信する送信処理部と、を有し、
前記移動局装置は、
前記基地局装置から通知された情報に基づき前記領域を設定する移動局装置制御部と、
設定された前記領域で前記制御チャネルの信号と前記参照信号を受信し、前記参照信号を用いて前記制御チャネルの信号の復調を行う受信処理部と、を有し、
協調マルチポイント通信が行われる、当該基地局装置とは異なる装置毎に対して前記領域が構成されることを特徴とする通信システム。
【請求項３】
複数の移動局装置と通信を行う基地局装置に用いられる通信方法であって、
制御チャネルと、前記制御チャネルの信号の復調に用いられる参照信号とが配置される可能性のあるリソースの領域であって、複数の前記領域を下りリンクのシステム帯域内に構成するステップと、
前記制御チャネルの信号と前記参照信号に同一のプリコーディング処理を行い、前記領域毎に独立にプリコーディング処理を行うステップと、
前記領域のリソースを用いてプリコーディング処理が行われた前記制御チャネルの信号とプリコーディング処理が行われた前記参照信号を送信するステップとを少なくとも含み、
協調マルチポイント通信が行われる、当該基地局装置とは異なる装置毎に対して前記領域が構成されることを特徴とする通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月25日(2014.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局装置と通信を行う端末装置であって、
一つのサブフレームにおいて、共通の探索領域における物理下りリンク制御チャネルと、端末固有の探索領域における物理下りリンク制御チャネルとをモニタリングする制御チャネル処理部を含み、
前記制御チャネル処理部は、拡張物理下りリンク制御チャネルのモニタリングが設定された場合、一つのサブフレームにおいて、前記共通の探索領域における物理下りリンク制御チャネルと、端末固有探索領域における前記拡張物理下りリンク制御チャネルとをモニタリングする、端末装置。
【請求項２】
基地局装置と通信を行う端末装置であって、
一つのサブフレームにおいて、共通の探索領域における物理下りリンク制御チャネルと、端末固有の探索領域における物理下りリンク制御チャネルとをモニタリングする制御チャネル処理部を含み、
前記制御チャネル処理部は、拡張物理下りリンク制御チャネルのモニタリングのためのサブフレームが設定された場合、前記設定されたサブフレームにおいて、前記共通の探索領域における物理下りリンク制御チャネルと、端末固有の探索領域における前記拡張物理下りリンク制御チャネルとをモニタリングする、端末装置。
【請求項３】
前記設定されたサブフレーム以外のサブフレームにおいて、前記共通の探索領域における物理下りリンク制御チャネルと、前記端末固有の探索領域における物理下りリンク制御チャネルとをモニタリングする、請求項２に記載の端末装置。
【請求項４】
前記物理下りリンク制御チャネルは、セル固有参照信号の送信に用いられる送信ポートを用いて送信され、
前記拡張物理下りリンク制御チャネルは、端末固有参照信号の送信に用いられる送信ポートを用いて送信される、請求項１に記載の端末装置。
【請求項５】
端末装置と通信を行う基地局装置であって、
一つのサブフレームにおいて、共通の探索領域における物理下りリンク制御チャネルと、端末固有の探索領域における物理下りリンク制御チャネルとを送信する送信部と、
拡張物理下りリンク制御チャネルのモニタリングを設定する上位層処理部とを含み、
前記拡張物理下りリンク制御チャネルのモニタリングが設定された場合、前記送信部は、一つのサブフレームにおいて、前記共通の探索領域における物理下りリンク制御チャネルと、端末固有の探索領域における前記拡張物理下りリンク制御チャネルとを送信する基地局装置。
【請求項６】
端末装置と通信を行う基地局装置であって、
一つのサブフレームにおいて、共通の探索領域における物理下りリンク制御チャネルと、端末固有の探索領域における物理下りリンク制御チャネルとを送信する送信部と、
拡張物理下りリンク制御チャネルのモニタリングのためのサブフレームを設定する上位層処理部とを含み、
前記拡張物理下りリンク制御チャネルのモニタリングのための前記サブフレームが設定された場合、前記送信部は、前記設定されたサブフレームにおいて、前記共通の探索領域における物理下りリンク制御チャネルと、端末固有の探索領域における前記拡張物理下りリンク制御チャネルとを送信する基地局装置。
【請求項７】
前記送信部は、前記物理下りリンク制御チャネルを、セル固有参照信号の送信に用いられる送信ポートを用いて送信し、前記拡張物理下りリンク制御チャネルを、端末固有参照信号の送信に用いられる送信ポートを用いて送信する、請求項５に記載の基地局装置。
【請求項８】
基地局装置と通信を行う端末装置における通信方法であって、
一つのサブフレームにおいて、共通の探索領域における物理下りリンク制御チャネルと、端末固有の探索領域における物理下りリンク制御チャネルとをモニタリングするステップと、
拡張物理下りリンク制御チャネルのモニタリングが設定された場合、一つのサブフレームにおいて、前記共通の探索領域における物理下りリンク制御チャネルと、端末固有の探索領域における前記拡張物理下りリンク制御チャネルとをモニタリングするステップとを含む、通信方法。
【請求項９】
端末装置と通信を行う基地局装置における通信方法であって、
一つのサブフレームにおいて、共通の探索領域における物理下りリンク制御チャネルと、端末固有の探索領域における物理下りリンク制御チャネルとを送信するステップと、
拡張物理下りリンク制御チャネルのモニタリングを設定するステップと、
前記拡張物理下りリンク制御チャネルのモニタリングが設定された場合、一つのサブフレームにおいて、前記共通の探索領域における物理下りリンク制御チャネルと、端末固有の探索領域における前記拡張物理下りリンク制御チャネルとを送信するステップとを含む通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月25日(2014.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信装置の送信アンテナから送信された直交性を有しない信号を受信し、該受信信号に対してキャンセル処理を行なう受信装置であって、
前記受信信号の復号化を行なって、符号化ビットの事後ＬＬＲ（Log Likelihood Ratio）を出力する復号部と、
少なくとも前記復号部が出力した事後ＬＬＲに基づいて干渉レプリカを生成する干渉レプリカ生成部と、
干渉レプリカ生成部が生成した干渉レプリカを前記受信信号から減算するキャンセル部を備えることを特徴とする受信装置。
【請求項２】
前記事前ＬＬＲに任意の定数を乗算する乗算部と、
前記復号部が出力した事後ＬＬＲから前記乗算部の出力を減算する減算部を更に備え、
前記減算部は、前記復号部が出力した事後ＬＬＲから、前記乗算部が出力した信号を減算することを特徴とする請求項１記載の受信装置。
【請求項３】
前記直交性を有しない信号は、受信アンテナの数よりも多い数の送信信号が同一時刻同一周波数で送信されることで生成されることを特徴とする請求項１または請求項２記載の受信装置。
【請求項４】
前記直交性を有しない信号は、前記送信装置において、シングルキャリアスペクトルの一部のみを削除するクリッピングによって生成されることを特徴とする請求項１または請求項２記載の受信装置。
【請求項５】
前記乗算部は、前記任意の定数を通信パラメータに応じて変更することを特徴とする請求項２記載の受信装置。
【請求項６】
前記通信パラメータは、ＭＣＳ（Modulation and Coding Scheme）であることを特徴とする請求項５記載の受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月25日(2014.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主走査方向に並ぶ複数の画素の第１の列に対応する第１の副走査方向の補正の値と、主走査方向に並ぶ前記複数の画素とは異なる複数の画素の第２の列に対応する第２の副走査方向の補正の値とを記憶する記憶手段と、
前記第１の補正の値および前記第２の補正の値を用いた補間を行うことで、前記複数の画素および前記異なる複数の画素のそれぞれの副走査方向の補正の値を決定する決定手段と、
前記決定されたそれぞれの補正の値に基づいて、前記複数の画素および前記異なる複数の画素のそれぞれを副走査方向にずらす補正を行う補正手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記第１の補正の値と前記第２の補正の値との差が閾値以下かを判定する判定手段を有し、
前記決定手段は、
前記差が前記閾値以下であると前記判定手段によって判定された場合に、前記第１の補正値と前記第２の補正の値との補間を行うことで、前記それぞれの補正の値を決定し、
前記差が前記閾値を超えると前記判定手段によって判定された場合に、前記第２の補正の値を前記第１の値に近づけるように、前記第２の補正の値から所定の値を増減した値を求め、前記第１の補正の値と前記求められた値との補間を行うことで、前記それぞれの補正の値を決定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記決定されたそれぞれの補正の値は、所定の整数画素数未満の整数画素数に対応し、
前記補正手段は、前記複数の画素および前記異なる複数の画素のそれぞれを、前記決定されたそれぞれの補正の値に対応する整数画素数だけ副走査方向にずらす前記補正を行うことを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記所定の値は、前記所定の整数画素数に対応し、
前記画像処理装置は、
前記補正手段による補正が行われた画素を、前記所定の整数画素数の倍数だけ副走査方向にずらす補正を行う別の補正手段を有することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記補正手段は、第１のメモリを用いて前記補正を行い、
前記別の補正手段は、第２のメモリを用いて前記補正を行い、
前記第１のメモリは、前記第２のメモリよりも高速なランダムアクセスが可能なメモリであることを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記第１のメモリは、ＳＲＡＭであり、
前記第２のメモリは、ＤＲＡＭであることを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記第１の補正の値および前記第２の補正の値のそれぞれは、前記所定の値未満の整数であることを特徴とする請求項２乃至６の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記閾値は、前記所定の値の半分の値であることを特徴とする請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記第１の列および前記第２の列は、互いに主走査方向で隣接することを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記第１の補正の値および前記第２の補正の値を用いた補間とは、線形補間であることを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
記憶手段が、主走査方向に並ぶ複数の画素の第１の列に対応する第１の副走査方向の補正の値と、主走査方向に並ぶ前記複数の画素とは異なる複数の画素の第２の列に対応する第２の副走査方向の補正の値とを記憶する記憶工程と、
決定手段が、前記第１の補正の値および前記第２の補正の値を用いた補間を行うことで、前記複数の画素および前記異なる複数の画素のそれぞれの副走査方向の補正の値を決定する決定工程と、
補正手段が、前記決定されたそれぞれの補正の値に基づいて、前記複数の画素および前記異なる複数の画素のそれぞれを副走査方向にずらす補正を行う補正工程と、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１０の何れか１項に記載の各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の画像処理装置は、主走査方向に並ぶ複数の画素の第１の列に対応する第１の副走査方向の補正の値と、主走査方向に並ぶ前記複数の画素とは異なる複数の画素の第２の列に対応する第２の副走査方向の補正の値とを記憶する記憶手段と、前記第１の補正の値および前記第２の補正の値を用いた補間を行うことで、前記複数の画素および前記異なる複数の画素のそれぞれの副走査方向の補正の値を決定する決定手段と、前記決定されたそれぞれの補正の値に基づいて、前記複数の画素および前記異なる複数の画素のそれぞれを副走査方向にずらす補正を行う補正手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月25日(2014.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光タンパク質をコードする発光遺伝子と、
前記発光遺伝子の発現を誘導する一連の遺伝子セットと、
を含み、
前記遺伝子セットが、調節遺伝子norRと、前記調節遺伝子norRによってコードされるタンパク質NorRによって前記発光遺伝子の転写を誘導するプロモーター部位と、を含むことを特徴とする、一酸化窒素を探知するための形質転換用組換えベクター。
【請求項２】
前記プロモーター部位が、norオペロンのプロモーター部位である、請求項１に記載の組換えベクター。
【請求項３】
前記発光遺伝子が、luxCDABE遺伝子である、請求項１または２に記載の組換えベクター。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の組換えベクターを用いて宿主を形質転換してなる形質転換体からなる一酸化窒素センサ細胞。
【請求項５】
前記宿主が、大腸菌またはサルモネラ菌である、請求項４に記載の一酸化窒素センサ細胞。
【請求項６】
前記宿主が、腸管出血性大腸菌EHEC EDL933である、請求項４または５に記載の一酸化窒素センサ細胞。
【請求項７】
細胞内の一酸化窒素を検出または定量するための方法であって、請求項４〜６のいずれか１項に記載の一酸化窒素センサ細胞におけるシグナル変化を測定することを含む、検出または定量方法。
【請求項８】
刺激による細胞内での一酸化窒素濃度の変化をモニタリングするための方法であって、請求項４〜６のいずれか１項に記載の一酸化窒素センサ細胞に刺激を付与し、刺激付与前後におけるシグナル変化を測定することを含む、モニタリング方法。
【請求項９】
被検細胞が産生する一酸化窒素を検出または定量するための方法であって、一酸化窒素の産生を検出または定量したい被検細胞と、請求項４〜６のいずれか１項に記載の一酸化窒素センサ細胞とを近接配置し、前記一酸化窒素センサ細胞におけるシグナル変化を測定することを含む、細胞産生一酸化窒素の検出または定量方法。
【請求項１０】
前記被検細胞が貪食細胞である、請求項９に記載の検出または定量方法。
【請求項１１】
前記被検細胞がマクロファージである、請求項９または１０に記載の検出または定量方法。
【請求項１２】
前記マクロファージが、感染症に罹患した生体由来のものである、請求項１１に記載の検出または定量方法。
【請求項１３】
前記被検細胞が腸管上皮細胞であり、前記一酸化窒素センサ細胞がサルモネラ菌由来のものである、請求項９に記載の検出または定量方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月23日(2014.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
１  エンジン
２  交流発電機
３  整流器
４  三相インバータ
５、５ａ、５ｂ  三相変圧器
６  フィルタ
７  制御回路
８  三相４線式出力端子部
９  単相３線式出力端子部
５１  一次側結線
５２、５３、５４  二次側結線
７１  電圧検出手段
７２  補正演算手段
７３  インバータ制御手段
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月5日(2014.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象画像について、該対象画像を撮像した撮像装置の動きに起因して生じる、基準画像とのずれを補正する補正量を出力する画像処理装置であって、
前記対象画像を複数の領域に分割する分割手段と、
前記基準画像に基づいて、前記複数の領域の各々について、該領域におけるずれを補正するための変換係数を決定する決定手段と、
前記複数の領域のうちの１つの領域について、該領域内の注目点を該領域について前記決定手段により決定された変換係数で補正する場合の第１の補正量と、前記注目点を該領域の近傍領域について決定された変換係数で補正する場合の第２の補正量との差分が、予め定められた限界量に収まるように設定した変換係数で該領域におけるずれを補正する補正量を出力する出力手段と、を有する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記出力手段は、前記第１の補正量と前記第２の補正量との差分が前記予め定められた限界量に収まらない場合に、該差分が前記予め定められた限界量に収まるような新たな変換係数を前記１つの領域に設定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記出力手段は、
前記１つの領域内の複数の前記注目点について、前記第１の補正量と前記第２の補正量とをそれぞれ算出し、
前記複数の注目点の少なくとも１つについて前記第１の補正量と前記第２の補正量との差分が前記予め定められた限界量に収まらない場合に、前記複数の注目点の全てについて前記第１の補正量と前記第２の補正量との差分が前記予め定められた限界量に収まるように変換係数を前記１つの領域に設定することを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記出力手段は、前記第１の補正量と前記第２の補正量との差分が前記予め定められた限界量に収まらない場合に、当該差分が前記予め定められた限界量となるように変換係数を前記１つの領域に設定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記出力手段は、前記第１の補正量と前記第２の補正量との差分が前記予め定められた限界量に収まらない場合に、前記近傍領域について決定された変換係数に前記１つの領域の変換係数を変更することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記決定手段は、前記複数の領域の各々について前記基準画像の対応する領域との動きベクトルを検出する検出手段を備え、
前記決定手段は、前記検出手段により検出された前記動きベクトルに基づいて前記複数の領域の各々についての変換係数を算出することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記予め定められた限界量が、前記１つの領域と前記近傍領域の各々について前記基準画像とのずれを補正した場合に、補正後の領域間において、被写体像の位置ずれが目立たないとして定められた量であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記近傍領域が、前記１つの領域に隣接する領域であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記出力手段により出力された補正量を用いて、前記複数の領域の各々におけるずれを補正する補正手段をさらに有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
対象画像について、該対象画像を撮像した撮像装置の動きに起因して生じる、基準画像とのずれを補正する補正量を出力する画像処理装置の制御方法であって、
分割手段が、前記対象画像を複数の領域に分割する分割工程と、
決定手段が、前記基準画像に基づいて、前記複数の領域の各々について、該領域におけるずれを補正するための変換係数を決定する決定工程と、
出力手段が、前記複数の領域のうちの１つの領域について、該領域内の注目点を該領域について前記決定工程において決定された変換係数で補正する場合の第１の補正量と、前記注目点を該領域の近傍領域について決定された変換係数で補正する場合の第２の補正量との差分が、予め定められた限界量に収まるように設定した変換係数で該領域におけるずれを補正する補正量を出力する出力工程と、を有する
ことを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前述の目的を達成するために、本発明の画像処理装置は、以下の構成を備える。
対象画像について、該対象画像を撮像した撮像装置の動きに起因して生じる、基準画像とのずれを補正する補正量を出力する画像処理装置であって、対象画像を複数の領域に分割する分割手段と、基準画像に基づいて、複数の領域の各々について、該領域におけるずれを補正するための変換係数を決定する決定手段と、複数の領域のうちの１つの領域について、該領域内の注目点を該領域について決定手段により決定された変換係数で補正する場合の第１の補正量と、注目点を該領域の近傍領域について決定された変換係数で補正する場合の第２の補正量との差分が、予め定められた限界量に収まるように設定した変換係数で該領域におけるずれを補正する補正量を出力する出力手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月20日(2014.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁場を発生するように構成されたマグネットと、
前記マグネットの少なくとも一部分を遮蔽するように構成された鉄製シールドと、
前記鉄製シールドの上に配置されると共に該鉄製シールドの温度を安定化するように構成された１つまたは複数の正温度係数ヒーターと、
前記１つまたは複数の正温度係数ヒーターと協働するように前記鉄製シールド上に配置されるかその中に埋め込まれた１つまたは複数の相変化材料と、
を備えた受動型温度制御を有するマグネットアセンブリであって、
前記１つまたは複数の相変化材料は硫酸ナトリウム１０水和物（Ｎａ2ＳＯ4・１０Ｈ2Ｏ）を含み、
能動型の制御器や温度センサを伴わずに受動型温度制御を提供するマグネットアセンブリ。
【請求項２】
前記１つまたは複数の正温度係数ヒーターの各々は所定の保護温度を有する、請求項１に記載のマグネットアセンブリ。
【請求項３】
前記マグネットは永久磁石、常伝導磁石及び超伝導マグネットのうちの１つを備える、請求項１または２に記載のマグネットアセンブリ。
【請求項４】
前記マグネットは、１つまたは複数の超伝導コイルを備えた超伝導マグネットを備えている、請求項３に記載のマグネットアセンブリ。
【請求項５】
前記１つまたは複数の超伝導コイルの各々はソレノイド形状を有しており、かつ前記鉄製シールドは前記マグネットを収容するために円筒形状を有している、請求項４に記載のマグネットアセンブリ。
【請求項６】
前記鉄製シールドは体部と該体部上に配置された１対の端部分とを備えており、かつ前記１つまたは複数の正温度係数ヒーターは該体部と該端部分のうちの少なくとも１つの上に配置されている、請求項１乃至５のいずれかに記載のマグネットアセンブリ。
【請求項７】
前記１つまたは複数の正温度係数ヒーターは、鉄製シールドの少なくとも１つの外部表面上に配置されている、請求項１乃至６のいずれかに記載のマグネットアセンブリ。
【請求項８】
前記１つまたは複数の相変化材料は１つまたは複数の区画に分離されており、該１つまたは複数の区画は鉄製シールドの内部またはその上に配置されている、請求項１乃至７のいずれかに記載のマグネットアセンブリ。
【請求項９】
さらに、前記１つまたは複数の正温度係数ヒーターと電気的に接続するように構成された１つまたは複数の電源を備える請求項１乃至８のいずれかに記載のマグネットアセンブリ。
【請求項１０】
マグネットの少なくとも一部分を遮蔽し該マグネットが発生させる漏洩磁場を限定するように構成された鉄製シールドと、
前記鉄製シールド上に配置させた鉄製シールドの温度を安定化させるための１つまたは複数の正温度係数ヒーターと、
前記１つまたは複数の正温度係数ヒーターと協働するように前記鉄製シールド上に配置されるかその中に埋め込まれた１つまたは複数の相変化材料と、
を備える鉄製シールドアセンブリであって、
前記１つまたは複数の相変化材料は硫酸ナトリウム１０水和物（Ｎａ2ＳＯ4・１０Ｈ2Ｏ）を含み、
温度センサや温度制御器を伴わずに受動型温度制御を提供する鉄製シールドアセンブリ。
【請求項１１】
さらに、前記１つまたは複数の正温度係数ヒーターと電気的に接続するように構成された１つまたは複数の電源を備える請求項１０に記載の鉄製シールドアセンブリ。
【請求項１２】
マグネットアセンブリの温度制御を提供する方法であって、
磁場を発生するように構成されたマグネットを提供するステップと、
前記マグネットの少なくとも一部分の周りに鉄製シールドを配置するステップと、
前記鉄製シールドに１つまたは複数の正温度係数ヒーターを結合させるステップと、
前記鉄製シールドの温度が安定するように前記１つまたは複数の正温度係数ヒーターを構成するステップと、
前記鉄製シールドの内部またはその上に、硫酸ナトリウム１０水和物（Ｎａ2ＳＯ4・１０Ｈ2Ｏ）を含み、前記１つまたは複数の正温度係数ヒーターと協働する１つまたは複数の相変化素子を配置するステップと、
前記鉄製シールドの温度を受動式に制御するステップと、
を含む方法。
【請求項１３】
正温度係数ヒーター向けの保護温度を選択するステップをさらに含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
温度を受動式に制御する前記ステップは、能動型制御器や温度センサを伴わずに実施される、請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記マグネットは、１つまたは複数の超伝導コイルを備えた超伝導マグネットを備えている、請求項１２乃至１４のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月3日(2014.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、前記第１の基板に電気的に接続された電子部品と、を含む第１の構造体と、
前記第１の構造体を封止するように形成された第１の封止樹脂と、
前記第１の封止樹脂によって封止された前記第１の構造体を更に封止する第２の封止樹脂と、
前記第１の基板上及び前記第２の封止樹脂上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、前記絶縁層を貫通するビアを介して前記電子部品と電気的に接続された再配線と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２の封止樹脂によって封止され、その一面側と他面側とが電気的に接続されている第２の基板を更に有し、
前記第２の封止樹脂の一面側と他面側とは前記第２の基板を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の封止樹脂を貫通する貫通電極を介して、前記第２の封止樹脂の一面側と他面側とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の基板は、前記絶縁層上に積層されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記電子部品は、前記第１の基板とはんだを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の基板と前記絶縁層との間には、前記第２の封止樹脂が形成されていることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
第１の基板と、前記第１の基板に電気的に接続された電子部品とを含む第１の構造体を封止するように第１の封止樹脂を形成する第１封止工程と、
前記第１の基板が支持体の粘着面に対向するように、前記第１の構造体を固定する固定工程と、
前記第１の封止樹脂によって封止された前記第１の構造体を更に封止するように前記粘着面上に第２の封止樹脂を形成する第２封止工程と、
前記支持体を剥離する工程と、
前記第１の基板上及び前記第２の封止樹脂上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に、該絶縁層を貫通するビアを介して前記電子部品と電気的に接続される再配線を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記固定工程では、前記第１の構造体と共に、一面側と他面側とが基板内部を通して電気的に接続されている第２の基板を前記支持体に固定し、
前記第２封止工程では、前記第１の封止樹脂によって封止された前記第１の構造体と、前記第２の基板を封止するように前記第２の封止樹脂を形成し、
前記第２の基板を介して前記第２の封止樹脂の一面側と他面側とを電気的に接続する配線を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２の封止樹脂を貫通し、前記第２の封止樹脂の一面側と他面側とを電気的に接続する貫通電極を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一観点によれば、第１の基板と、前記第１の基板に電気的に接続された電子部品と、を含む第１の構造体と、前記第１の構造体を封止するように形成された第１の封止樹脂と、前記第１の封止樹脂によって封止された前記第１の構造体を更に封止する第２の封止樹脂と、前記第１の基板上及び前記第２の封止樹脂上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記絶縁層を貫通するビアを介して前記電子部品と電気的に接続された再配線と、を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一観点によれば、第１の基板と、前記第１の基板に電気的に接続された電子部品とを含む第１の構造体を封止するように第１の封止樹脂を形成する第１封止工程と、前記第１の基板が支持体の粘着面に対向するように、前記第１の構造体を固定する固定工程と、前記第１の封止樹脂によって封止された前記第１の構造体を更に封止するように前記粘着面上に第２の封止樹脂を形成する第２封止工程と、前記第１の基板上及び前記第２の封止樹脂上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上に、該絶縁層を貫通するビアを介して前記電子部品と電気的に接続される再配線を形成する工程と、を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月4日(2014.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
初期成分として、
水；
平均粒径５〜１５０nmを有する砥粒０．１〜４０重量％；
式（II）：
【化２１】
2012039087.tif 000001
（式中、Ａは、Ｎ及びＰから選択され；各Ｒ８は、独立して、水素、飽和又は不飽和Ｃ１−１５アルキル基、Ｃ６−１５アリール基、Ｃ６−１５アラルキル基、Ｃ６−１５アルカリール基から選択され；そして式（II）中のアニオンは、式（II）中のカチオンの＋電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよい）で示されるアダマンチル物質０．００１〜１重量％；
式（Ｉ）：
【化２２】
2012039087.tif 000002
（式中、各Ｘは、独立して、Ｎ及びＰから選択され；Ｒ１は、飽和又は不飽和Ｃ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基及びＣ６−Ｃ１５アラルキル基であり；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立して、水素、飽和又は不飽和Ｃ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基、Ｃ６−Ｃ１５アラルキル基及びＣ６−Ｃ１５アルカリール基から選択され；そして式（Ｉ）中のアニオンは、式（Ｉ）中のカチオンの２＋電荷と釣り合う任意のアニオン又はアニオンの組合せであってもよい）で示される二価第四級物質０〜１重量％；ならびに
水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトライソプロピルアンモニウム、水酸化テトラシクロプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトライソブチルアンモニウム、水酸化テトラtert−ブチルアンモニウム、水酸化テトラsec−ブチルアンモニウム、水酸化テトラシクロブチルアンモニウム、水酸化テトラペンチルアンモニウム、水酸化テトラシクロペンチルアンモニウム、水酸化テトラヘキシルアンモニウム、水酸化テトラシクロヘキシルアンモニウム、及びそれらの混合物から選択される第四級アンモニウム化合物０〜１重量％、
を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物。
【請求項２】
初期成分として、
（ａ）式（Ｉ）で示される二価第四級物質０．００１〜１重量％；及び
（ｂ）第四級アンモニウム化合物０．００５〜１重量％、
の少なくとも一つを含む、請求項１記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。
【請求項３】
初期成分として、式（Ｉ）で示される二価第四級物質を０．００１〜１重量％含む、請求項１記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。
【請求項４】
各Ｘが、Ｎであり；Ｒ１が、−（ＣＨ２）６−基であり；そしてＲ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７が、それぞれ−（ＣＨ２）３ＣＨ３基である、請求項３記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。
【請求項５】
Ａが、Ｎであり、そして各Ｒ８が、−ＣＨ３基である、請求項１記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。
【請求項６】
Ａが、Ｎであり、そして各Ｒ８が、−ＣＨ３基である、請求項３記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。
【請求項７】
二酸化ケイ素を含む基板を提供すること；
請求項１記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること；
ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；
そのケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面にダウンフォース０．６９〜３４．５kPaの動的接触を生成すること；及び
そのケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面又はその付近で、ケミカルメカニカルポリッシング組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上へ分配すること、を含み、
ここでそのケミカルメカニカルポリッシング組成物が、２〜６のpHを有する、基板のケミカルメカニカルポリッシングの方法。
【請求項８】
ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、初期成分として、平均粒径２０〜６０nmを有するコロイダルシリカ砥粒１〜１０重量％；式（Ｉ）で示される二価第四級物質０．０１〜０．０５重量％；ならびに、式（II）（式中、各Ｘが、Ｎであり；Ｒ１が、−（ＣＨ２）６−基であり、そしてＲ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７が、それぞれ−（ＣＨ２）３ＣＨ３基である）で示されるアダマンチル物質０．０１〜０．０５重量％、を含み、式（Ｉ）のアニオンが、２個の水酸化物アニオンであり；Ａが、Ｎであり；各Ｒ８が、−ＣＨ３基であり；式（II）中のアニオンが、水酸化物アニオンである、請求項７記載の方法。
【請求項９】
砥粒が、コロイダルシリカであり、そしてケミカルメカニカルポリッシング組成物が、２００mm研磨機でプラテン速度９３rpm、キャリア速度８７rpm、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の流速２００ml/分、及び名目ダウンフォース２０．７kPaで、少なくとも１，５００Å/分の二酸化ケイ素除去速度を示し、ケミカルメカニカルポリッシングパッドが、高分子中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
基板が、更に、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣＯ及びポリシリコンの少なくとも１種を含む、請求項７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月2日(2014.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍ本（ｍは２以上の整数）の書き込みワード線と、ｍ本の読み出しワード線と、ビット線と、ソース線と、信号線と、前記ビット線と前記ソース線との間に直列に接続された第１乃至第ｍのメモリセルと、を有し、
前記第１乃至第ｍのメモリセルはそれぞれ、
第１のゲート電極、第１のソース電極、第１のドレイン電極および第１のチャネル形成領域を含む第１のトランジスタと、
第２のゲート電極、第２のソース電極、第２のドレイン電極および第２のチャネル形成領域を含む第２のトランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記第１のチャネル形成領域は、前記第２のチャネル形成領域とは異なる半導体材料を含んで構成され、
前記第１乃至第ｍのメモリセルのそれぞれにおいて、前記第１のゲート電極と、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極と、前記容量素子の電極の一方と、は電気的に接続されて電荷が保持されるノードを構成し、
前記第ｍのメモリセルのノードに生じる寄生容量の値は、第ｉ（ｉは、１以上（ｍ−１）以下の整数）のメモリセルのノードに生じる寄生容量の値の半分以上である半導体装置。
【請求項２】
ｍ本（ｍは２以上の整数）の書き込みワード線と、ｍ本の読み出しワード線と、ビット線と、ソース線と、信号線と、前記ビット線と前記ソース線との間に直列に接続された第１乃至第ｍのメモリセルと、を有し、
前記第１乃至第ｍのメモリセルはそれぞれ、
第１のゲート電極、第１のソース電極、第１のドレイン電極および第１のチャネル形成領域を含む第１のトランジスタと、
第２のゲート電極、第２のソース電極、第２のドレイン電極および第２のチャネル形成領域を含む第２のトランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記第１のチャネル形成領域は、前記第２のチャネル形成領域とは異なる半導体材料を含んで構成され、
前記第１乃至第ｍのメモリセルのそれぞれにおいて、前記第１のゲート電極と、前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極と、前記容量素子の電極の一方と、は電気的に接続されて電荷が保持されるノードを構成し、
前記第１乃至第ｍのメモリセルの各ノードに生じる寄生容量は、同等の値である半導体装置。
【請求項３】
ｍ本（ｍは２以上の整数）の書き込みワード線と、ｍ本の読み出しワード線と、ビット線と、ソース線と、信号線と、前記ビット線と前記ソース線との間に直列に接続された第１乃至第ｍのメモリセルと、を有し、
前記第１乃至第ｍのメモリセルはそれぞれ、
第１のゲート電極、第１のソース電極、第１のドレイン電極および第１のチャネル形成領域を含む第１のトランジスタと、
第２のゲート電極、第２のソース電極、第２のドレイン電極および第２のチャネル形成領域を含む第２のトランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記第１のチャネル形成領域は、前記第２のチャネル形成領域とは異なる半導体材料を含んで構成され、
前記第２のトランジスタは、絶縁層を介して、前記第１のトランジスタの少なくとも一部と重畳して設けられ、
前記第２のソース電極または前記第２のドレイン電極の一方は、前記第１のゲート電極上に接して設けられ、
前記第１乃至第ｍの各メモリセルにおいて、
前記第２のソース電極または第２のドレイン電極の一方は、前記第１のゲート電極と接する第１の領域と、前記第１のゲート電極よりも前記第２のチャネル形成領域側に伸長した第２の領域と、前記第１のゲート電極よりも前記第２のチャネル形成領域と逆側に伸長した第３の領域と、を有し、
前記第ｍのメモリセルに含まれる、前記第３の領域と前記第１のトランジスタとの間に生じる寄生容量と、第ｉ（ｉは、１以上（ｍ−１）以下の整数）のメモリセルに含まれる、前記第３の領域と前記第１のトランジスタとの間に生じる寄生容量の値は同等の値である、半導体装置。
【請求項４】
前記第１のチャネル形成領域は、シリコンを含んで構成され、
前記第２のチャネル形成領域は、酸化物半導体を含んで構成される、請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月13日(2014.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線層を形成し、
前記第１の配線層を覆って絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に第１の導電膜、第２の導電膜及び第３の導電膜をこの順に積層して形成し、
前記第３の導電膜上にレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて、前記第１乃至第３の導電膜に少なくとも２段階のエッチングを行って、３層の積層構造からなる第２の配線層を離間させて形成し、
前記２段階のエッチングが、
少なくとも前記第１の導電膜を露出させるまで行う第１のエッチング工程と、
前記第１の導電膜に対するエッチングレートが前記第１のエッチング工程よりも高く、前記酸化物半導体層に対するエッチングレートが前記第１のエッチング工程よりも低い条件により行って前記第２の配線層を形成する第２のエッチング工程と、を有し、
前記第２のエッチング工程後にレジスト剥離液を用いて前記レジストマスクを剥離し、
前記レジスト剥離液は、前記第２の導電膜を腐食させる薬液であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に第１の導電膜、第２の導電膜及び第３の導電膜をこの順に積層して形成し、
前記第３の導電膜上にレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて、前記第１乃至第３の導電膜に少なくとも２段階のエッチングを行って、３層の積層構造からなる第１の配線層を離間させて形成し、
前記第１の配線層及び前記酸化物半導体層を覆って絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に前記酸化物半導体層と重畳して第２の配線層を形成し、
前記２段階のエッチングが、
少なくとも前記第１の導電膜を露出させるまで行う第１のエッチング工程と、
前記第１の導電膜に対するエッチングレートが前記第１のエッチング工程よりも高く、前記酸化物半導体層に対するエッチングレートが前記第１のエッチング工程よりも低い条件により行って前記第２の配線層を形成する第２のエッチング工程と、を有し、
前記第２のエッチング工程後にレジスト剥離液を用いて前記レジストマスクを剥離し、
前記レジスト剥離液は、前記第２の導電膜を腐食させる薬液であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のエッチング工程は、主成分としてフッ素よりも塩素が多いガスを用いて行い、
前記第２のエッチング工程は、主成分として塩素よりもフッ素が多いガスを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１のエッチング工程は、ＢＣｌ３ガスとＣｌ２ガスの混合ガスを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記第２のエッチング工程はＳＦ６ガスを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の導電膜は、前記第３の導電膜よりも厚いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第２の導電膜を形成する導電性材料は、前記第１の導電膜及び前記第３の導電膜を形成する導電性材料よりも導電率が高く、
前記第２の導電膜は前記第１の導電膜及び前記第３の導電膜よりも厚いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の導電膜及び前記第３の導電膜はチタン膜であり、
前記第２の導電膜はアルミニウム膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の材料はＩＧＺＯであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月10日(2014.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通ビット線と、選択線と、前記共通ビット線と電気的に接続される複数の分割ビット線とを有し、
前記複数の分割ビット線の一は、選択トランジスタを介して前記共通ビット線と電気的に接続され、
前記選択トランジスタのゲートは、前記選択線と電気的に接続され、
前記複数のビット線の一は、複数のメモリセルと電気的に接続され、
前記メモリセルの一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域とは異なる半導体材料を有し、
前記第１のトランジスタのゲートと、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記容量素子の電極の一方とは電気的に接続され
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記分割ビット線の一と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
共通ビット線と、ソース線と、ワード線と、信号線と、選択線と、前記共通ビット線と電気的に接続される複数の分割ビット線とを有し、
前記複数の分割ビット線の一は、選択トランジスタを介して前記共通ビット線と電気的に接続され、
前記選択トランジスタのゲートは、前記選択線と電気的に接続され、
前記複数のビット線の一は、複数のメモリセルと電気的に接続され、
前記メモリセルの一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子とを有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域とは異なる半導体材料を有し、
前記第１のトランジスタのゲートと、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記容量素子の電極の一方とは電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方とは、前記分割ビット線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記ソース線と電気的に接続され、
前記容量素子の電極の他方は、前記ワード線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記信号線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
共通ビット線と、ソース線と、ワード線と、第１信号線と、第２信号線と、選択線と、前記共通ビット線と電気的に接続される複数の分割ビット線とを有し、
前記複数の分割ビット線の一は、選択トランジスタを介して前記共通ビット線と電気的に接続され、
前記選択トランジスタのゲートは、前記選択線と電気的に接続され、
前記複数のビット線の一は、複数のメモリセルと電気的に接続され、
前記メモリセルの一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子とを有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域とは異なる半導体材料を有し、
前記第１のトランジスタのゲートと、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記容量素子の電極の一方とは電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記分割ビット線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記ソース線と電気的に接続され、
前記容量素子の電極の他方は、前記ワード線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１信号線と電気的に接続され
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２信号線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記選択トランジスタのチャネル形成領域は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月26日(2014.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の半導体と、第１乃至第３の導電層と、第１乃至第３の絶縁層と、を有し、
前記第１の半導体は、第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第１の導電層は、前記第１のトランジスタのゲート電極となる領域を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第１のトランジスタのゲート絶縁層となる領域を有し、
前記第２の半導体は、第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第２のトランジスタのゲート電極となる領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第２のトランジスタのゲート絶縁層となる領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極となる領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第２の半導体は、前記第２の絶縁層と前記第３の絶縁層とに挟まれている領域を有し、
前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層は、下記式（１）を満たすことを特徴とする半導体装置。
【数１】
2012039101.tif 000001
（但し、式（１）中、ｔａは前記第２の絶縁層の膜厚を示し、ｔｂは前記第３の絶縁層の膜厚を示し、εｒａは前記第２の絶縁層の誘電率を示し、εｒｂは前記第３の絶縁層の誘電率を示す。）
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の半導体と前記第２の半導体とは、異なる材料を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１の半導体は、シリコンを有し、
前記第２の半導体は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月10日(2014.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア輸送性を有する高分子化合物と、低分子化合物と、を含み、
前記低分子化合物が、式（１）で表される構造を有するものであり、
前記高分子化合物が、アリールアミン構造を含む繰り返し単位とフルオレン構造を含む繰り返し単位とを有するもの、又は、式（３ｃ）で表される構造を含む繰り返し単位を有するもの、であり、
前記高分子化合物と前記低分子化合物との合計１００質量部に対する、前記低分子化合物の含有割合が、５〜９５質量部であり、且つ、
前記高分子化合物と前記低分子化合物との合計１００質量部に対する、前記高分子化合物の含有割合が、５質量部以上３０質量部未満であるか、又は、７０質量部を超え９５質量部以下である、ことを特徴とする有機半導体組成物。
【化１】
2012039103.tif 000001
［式中、Ｅは硫黄原子又はセレン原子を表し、３つのＥはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。式中の芳香環は、置換基を有していてもよい。］
【化２】
2012039103.tif 000002
［式中、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は１価の基を表す。］
【請求項２】
前記高分子化合物が、アリールアミン構造を含む繰り返し単位とフルオレン構造を含む繰り返し単位とを有するものである、ことを特徴とする請求項１に記載の有機半導体組成物。
【請求項３】
前記高分子化合物が、前記式（３ｃ）で表される構造を含む繰り返し単位を有するものである、ことを特徴とする請求項１に記載の有機半導体組成物。
【請求項４】
前記高分子化合物と前記低分子化合物との合計１００質量部に対する、前記高分子化合物の含有割合が、５質量部以上３０質量部未満である、ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機半導体組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機半導体組成物から構成される、ことを特徴とする有機薄膜。
【請求項６】
ソース電極及びドレイン電極と、これらの電極間の電流経路となる有機半導体層と、前記電流経路を通る電流量を制御するゲート電極と、を備え、
前記有機半導体層が、請求項５記載の有機薄膜からなる、ことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月16日(2014.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
識別された色の処理方法であって、
近接アレイ内の配列場所に名目色と実体色とを保存する工程と、
各配列場所が名目色と実体色とを含み、前記実体色がその配列場所に対応する色に最も近い識別された色となるまで前記近接アレイを拡大する工程と、
を含み、
少なくとも１つの名目色について、同じ名目色のために複数の実体色を保存する、方法。
【請求項２】
前記近接アレイの拡大工程は、
所与の名目色を有する原ボクセルを識別する工程と
隣接ボクセルが占有されているかどうか判定する工程と、
前記隣接ボクセルが未だ占有されていない場合、前記隣接ボクセルに前記原ボクセルの前記名目色の値を割り当てる工程と、
前記隣接ボクセルが占有されている場合、前記隣接ボクセルの前記名目色が既に前記隣接ボクセル内にある前記名目色よりも前記原ボクセルの前記名目色に近い場合にだけ、前記隣接ボクセルの値を置換する工程と、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ターゲット色を受け取る工程と、
前記ターゲット色を用いて前記近接アレイ内にインデックスを付す工程と、
前記ターゲット色に対応する前記名目色を特定する工程と、
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
パッチコードに対応する複数のパッチの１以上の写しを印刷する工程と、
前記印刷されたパッチを計測し、前記実体色は、被計測色である工程と、
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも２つの別個の原色あるいは重ね刷り色の少なくとも２つの写しを印刷する工程と、
前記２つの別個の原色あるいは重ね刷り色の線形組み合わせである少なくとも１つの色の少なくとも２つの写しを印刷する工程と、
前記印刷された色を計測する工程で、前記実体色は、被計測色である工程と、
を含む、請求項１に記載の方法。