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【手続補正書】
【提出日】平成26年9月2日(2014.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上のビット線と、４以上のワード線と、２以上のセルと、を有し、
前記セルは、２以上のメモリセルと、サブビット線と、第１の選択トランジスタと、第２の選択トランジスタと、増幅回路と、を有し、
前記第１の選択トランジスタのドレインは、第１のビット線に電気的に接続し、
前記第１の選択トランジスタのソースと、前記増幅回路の第１の端子とは、前記サブビット線に電気的に接続し、
前記増幅回路の第２の端子は、前記第２の選択トランジスタのソースに電気的に接続し、
前記第２の選択トランジスタのドレインもしくは前記増幅回路の第３の端子は、前記第１のビット線あるいは他のビット線に電気的に接続し、
前記メモリセルは、１以上のトランジスタと１以上の容量素子を有し、
前記容量素子の容量は、１ｆＦ以下であり、
前記メモリセルのトランジスタの一のゲートは、前記ワード線の一と電気的に接続し、
前記メモリセルのトランジスタの一のドレインは、前記サブビット線と電気的に接続し、
前記メモリセルのトランジスタの一のソースは、前記容量素子の電極の一に電気的に接続することを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項２】
１以上のビット線と、４以上のワード線と、ワード線と平行な１以上の第１選択線と、ワード線と平行な１以上の第２選択線と、２以上のセルと、を有し、
前記セルは、２以上のメモリセルと、サブビット線と、第１の選択トランジスタと、第２の選択トランジスタと、増幅回路と、を有し、
前記第１の選択トランジスタのドレインは、第１のビット線に電気的に接続し、
前記第１の選択トランジスタのゲートは、前記第１選択線の一に電気的に接続し、
前記第２の選択トランジスタのゲートは、前記第２選択線の一に電気的に接続し、
前記第１の選択トランジスタのソースと前記増幅回路の第１の端子とは、前記サブビット線に電気的に接続し、
前記増幅回路の第２の端子は、第２の選択トランジスタのソースに電気的に接続し、
前記第２の選択トランジスタのドレインもしくは前記増幅回路の第３の端子は、前記第１のビット線あるいは他のビット線に電気的に接続し、
前記メモリセルは、１以上のトランジスタと１以上の容量素子を有し、
前記容量素子の容量は、１ｆＦ以下であり、
前記メモリセルのトランジスタの一のゲートは、前記ワード線の一に電気的に接続することを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項３】
請求項１および２のいずれか一において、
前記第１の選択トランジスタと、前記メモリセルの一のトランジスタの一とは、異なる層に設けられていることを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の選択トランジスタに用いられる半導体と、前記メモリセルの一のトランジスタに用いられる半導体とは、異なる材料であることを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記メモリセルの一のトランジスタの一と、他のメモリセルのトランジスタの一とは、異なる層に設けられていることを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記増幅回路は、相補型インバータであることを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記セルは、４乃至６４のメモリセルを有することを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項８】
１以上のビット線と、４以上のワード線と、２以上のセルと、を有し、
前記セルは、２以上のメモリセルと、サブビット線と、第１の選択トランジスタと、第２の選択トランジスタと、増幅回路と、を有し、
前記第１の選択トランジスタのドレインは、前記ビット線の一に電気的に接続し、
前記第１の選択トランジスタのソースと、前記増幅回路の第１の端子とは、前記サブビット線に電気的に接続し、
前記増幅回路の第２の端子は、前記第２の選択トランジスタのソースに電気的に接続し、
前記メモリセルは、１以上のトランジスタと、１以上の容量素子と、を有し、
前記容量素子の容量は、１ｆＦ以下であり、
前記メモリセルのトランジスタの一のゲートは、前記ワード線の一と電気的に接続し、
前記メモリセルのトランジスタの一のドレインは、前記サブビット線と電気的に接続し、
前記メモリセルのトランジスタの一のソースは、前記容量素子の電極の一に電気的に接続し、
前記第１の選択トランジスタをオンとすることにより前記サブビット線の電位を特定の電位とする第１の過程と、前記メモリセルの一のトランジスタの一をオンとする第２の過程と、を有することを特徴とする半導体メモリ装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月28日(2013.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置、その制御方法及びプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、撮像装置、その制御方法及びプログラムに関し、特に、映像信号から撮影シーンを判別し、複数の撮影モードから当該撮影シーンに最適な撮影モードを自動で決定する技術に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記問題に鑑みて成されたものであり、撮影シーンを判別してから撮影モードを切り替えるまでの時間を制御することによって、撮影者の望む映像を撮影可能にする撮像装置、その制御方法及びプログラムを提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の撮像装置は、動画を撮影する撮像手段を備える撮像装置において、前記撮像装置の動きを判定する動き判定手段と、前記撮像手段により得られた映像信号から撮影シーンを判別するシーン判別手段と、前記シーン判別手段による判別結果から撮影モードを決定する撮影モード決定手段とを備え、前記撮影モード決定手段は、前記動き判定手段による判定結果から、前記決定した撮影モードの切り替えやすさを変更することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画を撮影する撮像手段を備える撮像装置において、
前記撮像装置の動きを判定する動き判定手段と、
前記撮像手段により得られた映像信号から撮影シーンを判別するシーン判別手段と、
前記シーン判別手段による判別結果から撮影モードを決定する撮影モード決定手段とを備え、
前記撮影モード決定手段は、前記動き判定手段による判定結果から、前記決定した撮影モードの切り替えやすさを変更することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記動き判定手段は、少なくとも、パン方向の動きおよびチルト方向の動きを判定することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記撮影モード決定手段は、前記動き判定手段により前記撮像装置がパン方向またはチルト方向へ動いていると判定された場合は、前記動き判定手段により前記撮像装置がパン動作またはチルト動作後に静止したと判定された場合に比べ、前記シーン判別手段による撮影シーンの判別から前記決定した撮影モードに切り替えるまでに要する時間を長く設定することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
光学ズームを行うズーム手段と、
前記ズーム手段によるズーム状態を判定するズーム判定手段とをさらに備え、
前記撮影モード決定手段は、前記動き判定手段による判定結果及び前記ズーム判定手段により判定されたズーム状態から、前記決定した撮影モードの切り替えやすさを変更することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記撮影モード決定手段は、前記動き判定手段により前記撮像装置がパン方向またはチルト方向へ動いていると判定され、前記ズーム判定手段によりズーム中であると判定された場合は、前記撮像装置がパン動作またはチルト動作後またはズーム動作後停止したと判定された場合に比べ、前記シーン判別手段による撮影シーンの判別から前記決定した撮影モードに切り替えるまでに要する時間を長く設定することを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記シーン判別手段による撮影シーンの判別から前記決定した撮影モードに切り替えるまでに要する時間は、複数の撮影モードごとに予め設定されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記シーン判別手段による撮影シーンの判別から前記決定した撮影モードに切り替えるまでに要する時間は、ユーザにより任意に設定されることを特徴とする請求項６記載の撮像装置。
【請求項８】
動画を撮影する撮像手段を備える撮像装置の制御方法において、
前記撮像装置の動きを判定する動き判定工程と、
前記撮像手段により得られた映像信号から撮影シーンを判別するシーン判別工程と、
前記シーン判別工程による判別結果から撮影モードを決定する撮影モード決定工程とを備え、
前記撮影モード決定工程は、前記動き判定工程による判定結果から、前記決定した撮影モードの切り替えやすさを変更することを特徴とする制御方法。
【請求項９】
請求項８記載の制御方法を撮像装置に実行させるための撮像装置に読み取り可能なプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月28日(2013.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音声を送受信するマイク及びスピーカをそれぞれ両端部に配設するハンドセット本体部により構成されるハンドセット送受話器であって、
前記ハンドセット本体部のほぼ中央部には、使用者が把持自在な筒状体として形成されると共に、当該使用者の頬部に対して当接自在な把持部を備え、
前記ハンドセット本体部の上端部には、当該ハンドセット本体部を前記使用者の耳に対して係脱自在な係脱孔を有するイヤーフックを備え、
前記イヤーフックの前記係脱孔を前記耳に係止した場合に、前記ハンドセット本体部が前記使用者の頬部に向けて回動するように、前記耳と前記イヤーフックとの当接点であると共に前記ハンドセット本体部を支持する支点と、当該ハンドセット本体部の重心との距離が位置関係として設定されることを特徴とするハンドセット送受話器。
【請求項２】
前記支点と前記重心との位置関係は、前記ハンドセット本体部の内部に設けられる制御基板と前記スピーカの配設位置または当該制御基板及び当該スピーカの重量に基づいて設定されることを特徴とする請求項１に記載のハンドセット送受話器。
【請求項３】
前記支点と前記重心との位置関係は、前記スピーカと当該スピーカを収納する筐体及び前記ハンドセット本体部の内部に配設される制御基板と当該制御基板を収納する筐体と、前記マイク及び当該マイクを収納する筐体との重量比に基づいて設定されることを特徴とする請求項１に記載のハンドセット送受話器。
【請求項４】
前記ハンドセット本体部を形成する前記把持部の一部には、前記ハンドセット本体部が回動した場合に前記頬部に当接すると共に、当該把持部と一体化するように形成された突起状部が設けられることを特徴とする請求項１、２または３に記載のハンドセット送受話器。
【請求項５】
前記把持部は湾曲形に形成された斜行板からなる背面カバーと長尺状の平板からなる前面カバーで構成されることを特徴とする請求項１〜４の何れか１つに記載のハンドセット送受話器。
【請求項６】
前記イヤーフックには、当該イヤーフックの前記係脱孔が前記耳に係止された場合に耳朶との当接を回避する切り欠き部が形成されることを特徴とする請求項１〜５の何れか１つに記載のハンドセット送受話器。
【請求項７】
前記イヤーフックの基端部には、前記ハンドセット本体部に対して所定の角度に回動自在な回動機構を有することを特徴とする請求項１〜６の何れか１つに記載のハンドセット送受話器。
【請求項８】
前記ハンドセット本体部と前記イヤーフックとの接合部には、当該イヤーフックの配設角度を変形自在とする弾性部材が設けられることを特徴とする請求項１〜７の何れか１つに記載のハンドセット送受話器。
【請求項９】
通信ケーブルは、前記ハンドセット本体部の上端部から延出される位置に固設されることを特徴とする請求項１〜８の何れか１つに記載のハンドセット送受話器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月10日(2014.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子顕微鏡検査のサンプル担体（３１０）を保持するためのマウント（１００、２００）であって、
当該マウント（１００、２００）は、
中央領域に貫通する開口部（１０３）を有する基板（１０１）と、
該開口部（１０３）の周囲に少なくとも部分的に延在するサンプル担体（３１０）の支持表面（１０７）と、
基板（１０１）に備えられた支持表面（１０７）で、サンプル担体（３１０）を摩擦的な係合によって保持するための保持装置（１０４ａ、１０４ｂ）と、
を含み、
前記保持装置（１０４ａ、１０４ｂ）は、サンプル担体（３１０）を摩擦的な係合によって保持するための、少なくとも２つの相互に独立的なクリップ部材（１０４ａ、１０４ｂ）を含み、
前記クリップ部材（１０４ａ、１０４ｂ）が、基板（１０１）から該開口部（１０３）へ向かって延在すること、
前記クリップ部材（１０４ａ、１０４ｂ）が、互いに間隔を空けて離れた電子顕微鏡検査のサンプル担体（３１０）の端部領域（３１３ａ、３１３ｂ）でサンプル担体（３１０）を支持表面（１０７）に保持することができること、
を特徴とするマウント。
【請求項２】
保持装置が、厳密には２つのクリップ部材（１０４ａ、１０４ｂ）を含むことを特徴とする請求項１に記載のマウント。
【請求項３】
前記クリップ部材（１０４ａ、１０４ｂ）が、互いに対向して配設されることを特徴とする請求項２に記載のマウント。
【請求項４】
前記クリップ部材（１０４ａ、１０４ｂ）が帯状に構成され、基板（１０１）と実質的に平行に配設されることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のマウント。
【請求項５】
前記クリップ部材（１０４ａ、１０４ｂ）がバネ部材として構成されることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のマウント。
【請求項６】
各クリップ部材（１０４ａ、１０４ｂ）が、基板（１０１）へ固定される第１の末端（１０５ａ、１０５ｂ）と、該開口部（１０３）に向けられて、支持表面（１０７）にサンプル担体（３１０）を摩擦的な係合によって保持する第２の末端（１０６ａ、１０６ｂ）とを含むことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載のマウント。
【請求項７】
該開口部（１０３）において、前記クリップ部材（１０４ａ、１０４ｂ）の第２の末端（１０６ａ、１０６ｂ）が、支持表面（１０７）の端の位置に揃っていることを特徴とする請求項６に記載のマウント。
【請求項８】
基板（１０１）に配設されるカバープレート（１０２）が、中央領域に、サンプル担体（３１０）及び前記クリップ部材（１０４ａ、１０４ｂ）へのアクセスを可能にする中央開口領域（１０９）を含むことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載のマウント。
【請求項９】
各クリップ部材（１０４ａ、１０４ｂ）の第１の末端（１０５ａ、１０５ｂ）が、基板（１０１）とカバープレート（１０２）との間に固定されていることを特徴とする請求項８に記載のマウント。
【請求項１０】
中間プレートが基板（１０１）とカバープレート（１０２）との間に配設され、クリップ部材（１０４ａ、１０４ｂ）が中間プレートの構成要素であることを特徴とする請求項８に記載のマウント。
【請求項１１】
カバープレート（１０２）の前記中央開口領域（１０９）が、偏心状態でサンプル担体（３１０）を載置することが可能な大きさを有すること、
すなわち、先ず、マウント（１００、２００）内でサンプル担体（３１０）を保持することが可能な位置（３１２）の横側にサンプル担体（３１０）を載置することができ、次に、マウント（１００、２００）内でサンプル担体（３１０）を保持することが可能な位置（３１２）へ載置されたサンプル担体（３１０）を横方向移動させることができること、
を特徴とする請求項８〜１０の何れか１項に記載のマウント
【請求項１２】
基板（１０１）を貫通して延在する開口部（１２０ａ、１２０ｂ）が各クリップ部材（１０４ａ、１０４ｂ）の下に配設されることを特徴とする請求項１〜１１の何れか１項に記載のマウント。
【請求項１３】
マウント（１００）が回転対称的な構造を有する外側の端部輪郭（１１０）を含み、４回回転対称に相当することを特徴とする請求項１〜１２の何れか１項に記載のマウント。
【請求項１４】
マウント（２００）が実質的に丸い外側の端部輪郭（２１０）を有することを特徴とする請求項１〜１２の何れか１項に記載のマウント。
【請求項１５】
電子顕微鏡の標本保持装置（４００、５００）に受容可能なように構成されることを特徴とする請求項１〜１４の何れか１項に記載のマウント。
【請求項１６】
電子顕微鏡検査のサンプル担体を搭載したマウント（１００、２００）を載置するための載置装置（３００）であって、
当該載置装置（３００）は、請求項１〜１５の何れか１項に記載のマウント（１００、２００）と、該マウント（１００、２００）を載置することが可能な載置補助要素（３０１）とを含み、
前記載置補助要素（３０１）は、当接部材（３０５ａ、３０５ｂ）を含み、
前記当接部材（３０５ａ、３０５ｂ）が、該マウント（１００、２００）の基板（１０１）における各クリップ部材（１０４ａ、１０４ｂ）の下に配設された開口部（１２０ａ、１２０ｂ）を通過すること、
前記当接部材（３０５ａ、３０５ｂ）が、該マウント（１００、２００）のクリップ部材（１０４ａ、１０４ｂ）の保持力に対抗して、基板（１０１）から離れる方向へクリップ部材（１０４ａ、１０４ｂ）を移動させること、
を特徴とする載置装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の載置装置（３００）によって電子顕微鏡検査のサンプル担体（３１０）を搭載したマウント（１００、２００）を載置する方法であって、
ａ）載置補助要素（３０１）にマウント（１００、２００）を載置するステップと、
ｂ）載置補助要素（３０１）の当接部材（３０５ａ、３０５ｂ）がクリップ部材（１０４ａ、１０４ｂ）を、基板（１０１）から離れる方向であって上昇した位置へ移動させるステップと、
ｃ）マウント（１００、２００）の支持表面（１０７）にサンプル担体（３１０）を載置するステップと、
ｄ）マウント（１００、２００）を載置補助要素（３１０）から取り出して、クリップ部材（１０４ａ、１０４ｂ）が元の位置へ戻ることによって、サンプル担体（３１０）を摩擦的な係合様式で支持表面（１０７）において保持するステップと、
を含む方法。
【請求項１８】
電子顕微鏡の標本保持装置（４００、５００）であって、
分離可能なように受容可能な請求項１〜１５の何れか１項に記載のマウント（１００、２００）を含む標本保持装置。
【請求項１９】
ゴニオメータの形状であることを特徴とする請求項１８に記載の標本保持装置。
【請求項２０】
マウントが、サンプル担体の平面における少なくとも１本の軸を中心としてチルト運動が可能なように載置されることを特徴とする請求項１８又は１９に記載の標本保持装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月11日(2014.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に、誘電性材料と、低表面張力添加剤とを含む誘電性組成物を堆積させることと；
前記誘電性組成物を加熱し、前記基板の上に誘電層を作成することとを含み、
前記低表面張力添加剤は、ポリアクリレートで改質されたヒドロキシル官能化ポリシロキサンであることを特徴とする電子機器を製造するプロセス。
【請求項２】
前記誘電性組成物は架橋剤を更に含むことを特徴とする請求項１記載の電子機器を製造するプロセス。
【請求項３】
前記誘電性材料は、低ｋ誘電性材料と、高ｋ誘電性材料とを含み、前記低ｋ誘電性材料は、ポリ（メチルシルセスキオキサン）であり、前記高ｋ誘電性材料は、ポリ（ビニルフェノール）であることを特徴とする請求項１記載の電子機器を製造するプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月27日(2014.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が実装された回路基板と、
上記電子部品に積層された熱伝導シートと、
上記熱伝導シートに積層されたヒートシンクと、
を備えた電子回路であって、
上記ヒートシンクが、１０10Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有し、気孔率が１５〜５０体積％の多孔質セラミックスによって構成され、
上記多孔質セラミックスは、少なくとも二酸化ケイ素と、アルミナと、炭化ケイ素とを混合して得られる粒径１０μｍ以上の造粒粒子を焼結してなることを特徴とする電子回路。
【請求項２】
１０10Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有し、気孔率が１５〜５０体積％の多孔質セラミックスによって構成され、
上記多孔質セラミックスは、少なくとも二酸化ケイ素と、アルミナと、炭化ケイ素とを混合して得られる粒径１０μｍ以上の造粒粒子を焼結してなることを特徴とするヒートシンク。
【請求項３】
上記炭化ケイ素は、その平均粒径が１５０μｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載のヒートシンク。
【請求項４】
上記多孔質セラミックスが、６０〜８５重量％の炭化ケイ素と、少なくとも１０重量％以上の二酸化ケイ素とを含むことを特徴とする請求項２又は３に記載のヒートシンク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達するためになされた本発明の電子回路は、電子部品が実装された回路基板と、上記電子部品に積層された熱伝導シートと、上記熱伝導シートに積層されたヒートシンクと、を備えた電子回路であって、上記ヒートシンクが、１０10Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有し、気孔率が１５〜５０体積％の多孔質セラミックスによって構成され、上記多孔質セラミックスは、少なくとも二酸化ケイ素と、アルミナと、炭化ケイ素とを混合して得られる粒径１０μｍ以上の造粒粒子を焼結してなることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明のヒートシンクは、１０10Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有し、気孔率が１５〜５０体積％の多孔質セラミックスによって構成され、上記多孔質セラミックスは、少なくとも二酸化ケイ素と、アルミナと、炭化ケイ素とを混合して得られる粒径１０μｍ以上の造粒粒子を焼結してなることを特徴としている。このように構成された本発明のヒートシンクは、一般的に絶縁体とされる１０10Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有する多孔質セラミックスによって構成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、上記多孔質セラミックスは、少なくとも二酸化ケイ素と、アルミナと、炭化ケイ素(ＳｉＣ)とを混合して得られる粒径１０μｍ以上の造粒粒子を焼結してなるものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の電子回路及びヒートシンクでは、上記多孔質セラミックスが、少なくとも二酸化ケイ素と、アルミナと、炭化ケイ素とを混合して得られる粒径１０μｍ以上の造粒粒子を焼結してなるので、ヒートシンクの製造(原料)コストを良好に低減することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
なお、上記造粒粒子は、上記各セラミックの原料、バインダー等を、例えばミキサー、ニーダー等の方法で混合することで製造される。
本発明のヒートシンクは、上記多孔質セラミックスが、６０〜８５重量％の炭化ケイ素と、少なくとも１０重量％以上の二酸化ケイ素とを含むものであってもよい。その場合、前述の体積抵抗率及び気孔率を有する多孔質セラミックスを、一層安定してかつ容易に製造することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月19日(2014.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に第１の酸化物層を形成し、
前記第１の酸化物層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層の一部と接する、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に第２の酸化物層を形成し、
前記第２の酸化物層上に前記酸化物半導体層の一部と重なるようにゲート電極層を形成する工程において、
前記第１の酸化物層は、ガリウム及び亜鉛を含む金属酸化物をスパッタすることにより形成し、
前記第２の酸化物層は、ガリウム及び亜鉛を含む金属酸化物をスパッタすることにより形成し、
前記酸化物半導体層は、スパッタガスの全流量に対する酸素流量の割合を９０％以上１００％以下として、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む金属酸化物をスパッタすることにより形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に第１の酸化物層を形成し、
前記第１の酸化物層上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に第２の酸化物層を形成し、
前記第２の酸化物層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層の一部と接する、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に第３の酸化物層を形成する工程において、
前記第２の酸化物層は、ガリウム及び亜鉛を含む金属酸化物をスパッタすることにより形成し、
前記第３の酸化物層は、ガリウム及び亜鉛を含む金属酸化物をスパッタすることにより形成し、
前記酸化物半導体層は、スパッタガスの全流量に対する酸素流量の割合を９０％以上１００％以下として、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む金属酸化物をスパッタすることにより形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ゲート電極層は積層であり、前記第２の酸化物層と接する側の層は、窒素を含むスパッタガスを用いて、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む金属酸化物をスパッタすることにより形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は基板温度２００℃以上４５０℃以下で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月25日(2013.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の複合相互接続を含む半導体ダイを提供することであって、前記複数の複合相互接続は、前記半導体ダイの表面上に形成され、前記複合相互接続は、可融性部分および非可融性部分を含む、ことと、
基板を提供することと、
前記基板上に相互接続部位を含む複数の伝導性トレースを形成することであって、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つの幅よりも小さく、前記複数の伝導性トレースのそれぞれの１つの幅の１．２倍よりも小さい幅を各相互接続部位は含む、ことと、
前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つが前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つで前記複数の伝導性トレースのうちのそれぞれの１つの頂面および側面を覆うように、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つを前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つに接着することと
を含む、半導体素子を作製する方法。
【請求項２】
前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つの前記非可融性部分は、金、銅、ニッケル、鉛はんだ、または鉛スズ合金を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つの前記可融性部分は、スズ、無鉛合金、スズ銀合金、スズ・銀・銅合金、スズ・銀・インジウム合金、または共晶はんだを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つは、伝導柱と、前記伝導柱上に形成されたバンプとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つは、バンプを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
半導体ダイと、
基板と、
前記基板上に形成される、複数の相互接続部位を含む複数の伝導性トレースであって、前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つの幅は、前記複数の伝導性トレースのうちのそれぞれの１つの幅の１．２倍よりも小さい、複数の伝導性トレースと、
前記基板上で前記半導体ダイと前記相互接続部位との間に形成された複数の相互接続構造であって、前記相互接続構造は、相互接続部位で前記伝導性トレースに接着され、前記複数の相互接続構造のうちのそれぞれの１つは、前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つの幅よりも大きい幅を含む、複数の相互接続構造と、
前記半導体ダイと前記基板との間に堆積させられた封入材と
を備える、半導体素子。
【請求項７】
前記相互接続構造は、金、銅、ニッケル、鉛はんだ、または鉛スズ合金を含む非可融性部分を含む、請求項６に記載の半導体素子。
【請求項８】
前記相互接続構造は、スズ、無鉛合金、スズ銀合金、スズ・銀・銅合金、スズ・銀・インジウム合金、または共晶はんだを含む可融性部分を含む、請求項６に記載の半導体素子。
【請求項９】
前記相互接続構造は、伝導柱と、前記伝導柱上に形成されたバンプとを含む、請求項６に記載の半導体素子。
【請求項１０】
半導体ダイを提供することと、
基板を提供することと、
前記基板上に形成される、相互接続部位を含む伝導性トレースを提供することであって、前記相互接続部位は、前記伝導性トレースの幅の１．２倍よりも小さい前記相互接続部位の幅を含む、ことと、
前記基板上で前記半導体ダイと前記相互接続部位との間に相互接続構造を形成することと、
前記相互接続部位で前記相互接続構造を前記伝導性トレースに接着することと
を含む、半導体素子を作製する方法。
【請求項１１】
前記相互接続部位の幅は、前記相互接続構造の幅よりも小さい、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記相互接続構造は、
伝導柱と、
前記伝導柱上に形成されたバンプと
を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記相互接続構造は、金、銅、ニッケル、鉛はんだ、または鉛スズ合金を含む非可融性部分を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記相互接続構造は、スズ、無鉛合金、スズ銀合金、スズ・銀・銅合金、スズ・銀・インジウム合金、または共晶はんだを含む可融性部分を含む、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月27日(2013.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を作製する方法であって、
半導体ダイを提供することであって、該半導体ダイは、該半導体ダイの周辺領域中の２つ以下の周辺列に位置する信号パッドと、主に該信号パッドから該半導体ダイの内部領域中に位置する電力パッドおよび接地パッドとを有するダイパッドレイアウトを有する、ことと、
該半導体ダイの該信号パッド、電力パッド、および接地パッド上に複数のバンプを形成することと、
基板を提供することと、
該基板上に相互接続部位を有する複数の伝導性トレースを形成することであって、該半導体ダイの該信号パッド、電力パッド、および接地パッド上の該バンプは、該伝導性トレースの該相互接続部位よりも幅広い、ことと、
該半導体ダイを該基板に載置することであって、該半導体ダイの該信号パッド、電力パッド、および接地パッド上の該バンプは、該バンプが該相互接続部位の頂面および側面を覆うように、該基板上の該相互接続部位に接着される、ことと、
該半導体ダイと基板との間で該バンプの周囲に封入材を堆積させることと
を含む、方法。
【請求項２】
前記バンプは、可融性部分と、非可融性部分とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記半導体ダイの縁とほぼ平行で前記信号パッドを配設することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記電力パッドおよび接地パッドの１０％未満は、前記周辺領域内に位置し、前記信号パッドの１０％未満は、前記内部領域内に位置する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記相互接続部位から離れた前記基板の領域上にマスキング層を形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
半導体素子を作製する方法であって、
半導体ダイを提供することと、
基板を提供することと、
主に該基板の周辺領域中に位置する信号パッドと、主に該信号パッドから該基板の内部領域中に位置する電力部位および接地部位とを有するレイアウトで配設される、相互接続部位を有する複数の伝導性トレースを形成することであって、該相互接合部位が、該伝導性トレース上にあり、該基板上に配置されている、ことと、
該伝導性トレース上の該相互接続部位よりも幅広いバンプで該半導体ダイを該相互接続部位に接着することと、
該半導体ダイと基板との間に封入材を堆積させることと
を含む、半導体素子を作製する方法。
【請求項７】
前記電力部位および接地部位の１０％未満は、前記周辺領域内に位置する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記信号パッドの１０％未満は、前記内部領域内に位置する、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
周辺列で、または前記基板の縁とほぼ平行な周辺アレイで、前記信号パッドを配設することをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板の中心付近のアレイに前記電力部位および接地部位を配設することをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
半導体ダイであって、該半導体ダイは、主に該半導体ダイの周辺領域中に位置する信号パッドと、主に該信号パッドから該半導体ダイの内部領域中に位置する電力パッドおよび接地パッドとを有するダイパッドレイアウトを有する、半導体ダイと、
基板と、
該基板上に形成される、相互接続部位を有する複数の伝導性トレースと、
該半導体ダイと、複数の相互接続部位の頂面および側面とに接着された複数のバンプと、
該半導体ダイと基板との間に堆積させられた封入材と
を備える、半導体素子。
【請求項１２】
前記バンプは、可融性部分と、非可融性部分とを含む、請求項１１に記載の半導体素子。
【請求項１３】
前記電力パッドおよび接地パッドの１０％未満は、前記周辺領域内に位置する、請求項１１に記載の半導体素子。
【請求項１４】
前記信号パッドの１０％未満は、前記内部領域内に位置する、請求項１１に記載の半導体素子。
【請求項１５】
前記信号パッドは、交互配設または直交配設で隣接する列に配設されている、請求項１１に記載の半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月3日(2013.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層と、基板の面内方向に共振モードを有するフォトニック結晶と、を有する複数の面発光レーザを備えるレーザアレイであって、
前記フォトニック結晶は、正方格子または六方格子のフォトニック結晶であり、
前記複数の面発光レーザのうちの１つの面発光レーザと前記１つの面発光レーザに最も近い面発光レーザとを結ぶ直線と、前記フォトニック結晶の格子ベクトルに平行な直線で分割される角の二等分線と、がなす角度のうち、最も小さい角度θについて、前記正方格子のフォトニック結晶は式（１）を満たし、前記六方格子のフォトニック結晶は式（２）を満たすことを特徴とするレーザアレイ。
０°≦θ≦２２．５°    式（１）
０°≦θ≦１５°        式（２）
【請求項２】
前記複数の面発光レーザが四角格子状または三角格子状に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のレーザアレイ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のレーザアレイを有する露光用光源。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザアレイ及び露光用光源
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係るレーザアレイは、活性層と、基板の面内方向に共振モードを有するフォトニック結晶と、を有する複数の面発光レーザを備えるレーザアレイであって、前記フォトニック結晶は、正方格子または六方格子のフォトニック結晶であり、前記複数の面発光レーザのうちの１つの面発光レーザと前記１つの面発光レーザに最も近い面発光レーザとを結ぶ直線と、前記フォトニック結晶の格子ベクトルに平行な直線で分割される角の二等分線と、がなす角度のうち、最も小さい角度θについて、前記正方格子のフォトニック結晶は式（１）を満たし、前記六方格子のフォトニック結晶は式（２）を満たすことを特徴とするレーザアレイ。
０°≦θ≦２２．５°    式（１）
０°≦θ≦１５°        式（２）
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月19日(2014.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化絶縁層で一表面が覆われ、且つ内部に脆化領域を有する半導体基板と、支持基板とを、前記酸化絶縁層を介して貼り合わせた後、前記脆化領域において前記半導体基板を分断して、前記酸化絶縁層を介して前記支持基板上に半導体層を設け、
前記半導体層の端部に第１のレーザ光を照射して、前記半導体層の一部に多結晶半導体領域を形成し、
前記端部に第１のレーザ光が照射された半導体層の表面の自然酸化層を除去した後、前記端部に第１のレーザ光が照射された半導体層に第２のレーザ光を照射する半導体基板の作製方法であって、
前記第１のレーザ光は、前記半導体層を完全溶融するエネルギーを有し、
前記第２のレーザ光は、前記半導体層を部分溶融するエネルギーを有することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項２】
酸化絶縁層で一表面が覆われ、且つ内部に脆化領域を有する半導体基板と、支持基板とを、前記酸化絶縁層を介して貼り合わせた後、前記脆化領域において前記半導体基板を分断して、前記酸化絶縁層を介して前記支持基板上に半導体層を設け、
前記半導体層の端部にヒーターを圧着して、前記半導体層の一部に多結晶半導体領域を形成し、
前記半導体層に第１のレーザ光を照射する半導体基板の作製方法であって、
前記第１のレーザ光は、前記半導体層を部分溶融するエネルギーを有することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月10日(2014.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換モジュール及び装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保護層と、前記保護層上に設けられた光電変換セルと、前記光電変換セルの隙間または前記光電変換セルの外周に設けられた反射部材と、を有し、
前記反射部材の断面形状は、略三角形状を有し、
前記反射部材は、光入射方向側であって、かつ前記光電変換セルの表面より高い位置に頂部を有し、
前記反射部材の表面は、可視光及び赤外光を７０％以上反射する機能を有することを特徴とする光電変換モジュール。
【請求項２】
保護層と、前記保護層上に設けられた光電変換セルと、前記光電変換セルを覆う封止層と、前記封止層上に設けられた反射部材と、を有し、
前記反射部材の断面形状は、略三角形状を有し、
前記反射部材は、光入射方向側であって、かつ前記光電変換セルの表面より高い位置に頂部を有し、
前記反射部材は、前記光電変換セルの隙間または前記光電変換セルの外周と重なる領域を有することを特徴とする光電変換モジュール。
【請求項３】
請求項２において、
前記反射部材は、前記光電変換セルと重なる領域を有し、
前記反射部材が前記光電変換セルと重なる領域の面積は、前記反射部材が前記光電変換セルの隙間及び前記光電変換セルの外周と重なる領域の面積よりも小さいことを特徴とする光電変換モジュール。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記反射部材の頂部及び前記反射部材の底辺端部を結ぶ直線と、前記保護層の表面との交差角度が４５°超かつ９０°未満であることを特徴とする光電変換モジュール。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一に記載の光電変換モジュールを有する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月27日(2014.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜と、
ゲート電極と、
前記酸化物半導体膜と前記ゲート電極とに挟まれている領域を有するゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極上方及び前記酸化物半導体膜上方の絶縁膜と、
前記絶縁膜上方の導電膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
前記第１の領域は、窒素を有し、
前記第２の領域は、窒素を有し、
前記第３の領域は、前記第１の領域と前記第２の領域とに挟まれており、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して前記第３の領域と重なる領域を有し、
前記導電膜は、前記絶縁膜のコンタクトホールを介して前記第１の領域又は前記第２の領域と電気的に接続される半導体装置の作製方法であって、
前記酸化物半導体膜の形成後に、基板温度が１５０℃以上６００℃以下となるように基板を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化物半導体膜と、
ゲート電極と、
前記酸化物半導体膜と前記ゲート電極とに挟まれている領域を有するゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極上方及び前記酸化物半導体膜上方の絶縁膜と、
前記絶縁膜上方の導電膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
前記第３の領域は、前記第１の領域と前記第２の領域とに挟まれており、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜を介して前記第３の領域と重なる領域を有し、
前記導電膜は、前記絶縁膜のコンタクトホールを介して前記第１の領域又は前記第２の領域と電気的に接続される半導体装置の作製方法であって、
前記ゲート電極をマスクとして、前記第１の領域及び前記第２の領域に窒素を含むイオンを注入し、
前記酸化物半導体膜の形成後に、基板温度が１５０℃以上６００℃以下となるように基板を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、窒素濃度が０．０１原子％以上３０原子％以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、水素濃度が１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
前記第３の領域は、水素濃度が１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記絶縁膜は、水素濃度が０．１原子％以上２５原子％以下の領域を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月2日(2013.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板移載機、基板移載方法および基板処理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも旋回機構または昇降機構のいずれか一方によって旋回動作または昇降動作するベースと、
前記ベースにそれぞれ同方向に水平移動自在に設けられた少なくとも複数のスライダと、
前記複数のスライダを水平移動させる駆動機構と、
前記複数のスライダを連結し、かつ連結を解除することのできる連結機構と、
前記複数のスライダそれぞれに１つ以上設けられ、かつ上下方向に所定間隔で並ぶ基板を保持する基板保持プレートと、を備え、
前記複数のスライダは、前記連結機構によって連結または連結解除されることで移載する基板の枚数を変更する基板移載機。
【請求項２】
前記複数のスライダは少なくとも第１のスライダ、第２のスライダ、第３のスライダによって構成され、
前記連結機構は、前記第１のスライダに、前記第２のスライダ、あるいは前記第２のスライダおよび前記第３のスライダを連結し、かつ連結を解除する請求項１に記載の基板移載機。
【請求項３】
前記基板移載機はさらに、前記連結機構を動作させるシリンダを有し、
前記連結機構は、前記シリンダによって前記第１のスライダ、第２のスライダ、第３のスライダのそれぞれを連結し、かつ連結を解除する請求項２に記載の基板移載機。
【請求項４】
少なくとも旋回機構または昇降機構のいずれか一方によって旋回動作または昇降動作させられるベースにそれぞれ同方向に水平移動自在に設けられた、少なくとも複数のスライダと、前記複数のスライダそれぞれに１つ以上設けられ、かつ上下方向に所定間隔で並ぶ基板保持プレートとを備える基板移載機の基板移載方法であって、
前記複数のスライダのうち１つを水平移動させ、前記水平移動させたスライダに、前記複数のスライダのうち少なくとも１つを連結機構で連結することによって、前記基板保持プレート上の基板を基板保持具に移載することを特徴とする基板移載方法。
【請求項５】
基板を処理する処理室と、
前記基板を保持して前記処理室内に基板を搬入出する基板保持具と、
前記基板保持具に前記基板を移載する基板移載機と、を有し、
前記基板移載機は、少なくとも旋回機構または昇降機構のいずれか一方によって旋回動作または昇降動作するベースと、
前記ベースにそれぞれ同方向に水平移動自在に設けられた少なくとも複数のスライダと、
前記複数の前記複数のスライダを水平移動させる駆動機構と、
前記複数のスライダを連結し、かつ連結を解除することのできる連結機構と、
前記複数のスライダそれぞれに１つ以上設けられ、かつ上下方向に所定間隔で並ぶ基板を保持する基板保持プレートと、を備え、
前記複数のスライダは、前記連結機構によって連結または連結解除されることで移載する基板の枚数を変更するように構成される基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月28日(2013.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物基板と、
当該窒化物基板の主面上に形成され、少なくとも第一導電型半導体層、ピーク波長λの光を発する活性層構造、および第二導電型半導体層を含む半導体層部と、を有する半導体発光素子であって、
当該発光素子の基板部分に、前記主面とのなす角度が０度でも９０度でもない傾斜露出面を含むことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
請求項１記載の半導体発光素子であって、
前記窒化物基板の露出面が、前記主面と略平行な面をも含むことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項３】
請求項１記載の半導体発光素子であって、
前記窒化物基板の露出面が、前記主面に対して略垂直な面をも含むことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光素子であって、
前記主面と垂直な任意の平面内にあって、光取り出し方向となる方向を０度、該主面と平行な一方向を９０度、該９０度方向と対峙する方向を−９０度とし、当該素子を空気中に設置し、実効的に外乱のない状態で配光特性を計測した際に、
その外部発光強度密度分布から求められる半導体発光素子内部における内部発光強度密度の最大値を示す方向θｅｍ  ｍａｘが少なくとも以下の式のいずれか一方を満たす平面が存在することを特徴とする半導体発光素子。
−９０．０度  ＜  θｅｍ  ｍａｘ  ≦−６７．５度
６７．５度  ≦  θｅｍ  ｍａｘ  ＜  ９０．０度
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光素子であって、
前記窒化物基板としてＧａＮ基板を有し、かつ、式ａ１を満たすことを特徴とする半導体発光素子。
式ａ１
Ｌｓｃ×０．４１８≦ｔｔ≦  Ｌｓｃ×２．３９５
（但し、
ｔｔは、前記基板の最大物理厚みｔｓと半導体層部の最大物理厚みｔＬの和を表し、
Ｌｓｃは、前記基板主面の任意の２点の作る最も長い線分長を表す。）
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体発光素子であって、
前記窒化物基板としてＧａＮ基板を有し、かつ、式ａ２を満たすことを特徴とする半導体発光素子。
式ａ２
Ｌｓｃ×０．０４３７≦ｔｔ≦Ｌｓｃ×０．３６３４
（但し、
ｔｔは、前記基板の最大物理厚みｔｓと半導体層部の最大物理厚みｔＬの和を表し、
Ｌｓｃは、前記基板主面の任意の２点の作る最も長い線分長を表す。）
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体発光素子であって、
前記半導体層部が窒化物のみから構成されることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体発光素子であって、
前記主面に対して垂直な十分に広い任意面を仮定し、前記主面と前記任意面が交わる線分上における２つの両端交点において、窒化物基板内側に傾斜する角度方向を＋、窒化物基板外側に傾斜する角度方向を−と定義した場合に、
前記任意面内で前記窒化物基板の傾斜露出面と交わる線分と平行な直線が、前記主面と前記任意面とが交わる線分端の近接側交点に立てた基板主面に対する垂線から傾斜している角度β（Ｎ）（度）（但し、Ｎは１からＭの自然数であり、Ｍは前記任意の面内における傾斜角度の個数）が、以下のいずれかの式を満たす任意面が少なくとも１つ存在することを特徴とする半導体発光素子。
−９０度＜β（Ｎ）≦−６５度
＋  ５度≦β（Ｎ）≦＋３０度
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体発光素子であって、
前記主面に対して垂直な十分に広い任意面を仮定し、前記主面と前記任意面が交わる線分上における２つの両端交点において、窒化物基板内側に傾斜する角度方向を＋、窒化物基板外側に傾斜する角度方向を−と定義した場合に、
前記任意面内で前記窒化物基板の傾斜露出面と交わる線分と平行な直線が、前記主面と前記任意面とが交わる線分端の近接側交点に立てた基板主面に対する垂線から傾斜している角度β（Ｎ）（度）（但しＮは１からＭの自然数であって、Ｍは前記任意の面内における傾斜角度の個数）が、以下のいずれかの式を満たす任意面が少なくとも１つ存在することを特徴とする半導体発光素子。
−７５度＜β（Ｎ）＜−６５度
−６０度＜β（Ｎ）＜−４０度
【請求項１０】
窒化物基板と、当該窒化物基板主面上に形成され、少なくとも第一導電型半導体層、ピーク波長λの光を発する活性層構造、および第二導電型半導体層を含む半導体層部と、を有する半導体発光素子の製造方法であって、
窒化物基板を準備する第一工程と、
前記窒化物基板の主面上に半導体層部を形成する第二工程と、
前記半導体層部を加工する第三工程と、
前記基板と加工された半導体層部を各素子に分離する第四工程と、を含み、
当該発光素子の一部を加工して、当該発光素子の基板部分に前記主面とのなす角度が０度でも９０度でもない傾斜露出面を形成する工程をも含み、
前記第一工程において、
基板全体の厚みを調整する基板厚み調整工程、
素子の一部を加工して新たな露出面を形成する傾斜露出面形成工程、
少なくとも傾斜露出面を洗浄する傾斜露出面仕上げ工程、および、
少なくとも露出面の一部に凹凸加工を付与する露出面上凹凸形状形成工程、
の少なくとも１つの工程を行い、
前記傾斜露出面形成工程を、
ダイシング、機械的スクライビング、光学的スクライビング、ドライエッチング、ウエットエッチングのいずれかの方法もしくはこれらの組み合わせで実施することを特徴とする、半導体発光素子の製造方法。