【手続補正書】
【提出日】平成26年2月27日(2014.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気−光変換器（ＥＯＣ）を制御するためのＥＯＣ制御回路、前記ＥＯＣを駆動するための駆動電流を発生する第１の電流源、及び同相モード・パルス・イベントが生じているかどうかを検知して、生じている場合は補償電流を発生する同相モード・パルス補償（ＣＭＰＣ）回路を備える送信回路と、
前記送信回路に動作的に接続された電気−光変換器（ＥＯＣ）と、
光−電気変換器（ＯＥＣ）、増幅器、コンパレータ及び出力ドライバを有する送信回路と
を具備し、前記補償電流が、前記ＣＭＰＣ回路の第１の出力端子から前記電流源に対して出力され、前記補償電流と前記駆動電流が加算されて、前記ＥＯＣを駆動するために使用される新しい駆動電流が発生され、また同相モード・パルス・イベントは、前記送信回路の基準グラウンドＧＮＤ１と前記受信回路の基準グラウンドＧＮＤ２との間に発生する同相モード・パルス波形に対応し、
前記ＥＯＣは前記ＣＭＰＣ回路から前記新しい駆動電流を受け取り、そして前記ＥＯＣが受信した前記新しい駆動電流による光信号を発生し、
前記ＯＥＣは、前記ＥＯＣが発生した光信号を受け取り、前記光信号を電気信号に変換し、そして前記電気信号を出力し、前記増幅器は、前記ＯＥＣから出力された電気信号出力を増幅し、前記コンパレータは、前記増幅された電気信号を基準信号と比較して、比較結果に基づいて電気出力信号を発生し、前記出力ドライバは前記電気出力信号を受け取り、そして前記オプトアイソレーターに対して電気出力駆動信号を発生する、オプトアイソレーター。
【請求項２】
前記ＣＭＰＣ回路は、前記ＣＭＰＣ回路が負の傾斜を有する同相モード・パルス波形に対応する同相モード・パルス・イベントを検知した場合にのみ、前記電流を発生する請求項１に記載のオプトアイソレーター。
【請求項３】
前記ＣＭＰＣ回路は、前記ＣＭＰＣ回路が正の傾斜を有する同相モード・パルスに対応する同相モード・パルス・イベントを検知した場合に、前記補償電流を所定の最大レベルに固定する保護回路を含む請求項２に記載のオプトアイソレーター。
【請求項４】
前記ＣＭＰＣ回路が、約−１０ＫＶ／μｓｅｃから約−５０ＫＶ／μｓｅｃの範囲の負の傾斜を有する検知された同相モード・パルス・イベントに対して、前記補償電流を発生する請求項２に記載のオプトアイソレーター。
【請求項５】
第１及び第２の端部を有するワイヤーの導電性部分をさらに含み、前記ワイヤーの第１の端部は前記ＣＭＰＣ回路の第１の入力端子に接続され、前記ワイヤーは固有の寄生容量Ｃｐａｒａｓｉｔｉｃ２を有し、また前記ＣＭＰＣ回路は、前記第１の入力端子に存在する電流Ｉ＿ｓｅｎｓｅに基づいて、同相モード・パルス・イベントが発生しているかどうかを検知し、前記電流Ｉ＿ｓｅｎｓｅはＣｐａｒａｓｉｔｉｃ２×−ｄＶ／ｄｔに等しく、ここでｄＶ／ｄｔは検知された前記同相モード・パルス・イベント波形の傾斜に対応すると共に、前記同相モード・パルス・イベント波形の経時変化として定義される請求項２に記載のオプトアイソレーター。
【請求項６】
前記ＥＯＣがボンド・ワイヤによって前記送信回路に電気的に接続され、前記ボンド・ワイヤが固有の寄生容量Ｃｐａｒａｓｉｔｉｃ１を有し、かつ前記ボンド・ワイヤが電流Ｉ＿ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎを有し、前記電流Ｉ＿ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎがＣｐａｒａｓｉｔｉｃ１×−ｄＶ／ｄｔに等しく、また前記ＣＭＰＣ回路が、前記ＣＭＰＣ回路の前記第１の出力端子に接続された電流ミラーを備え、前記電流ミラーは少なくとも第１及び第２の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を含み、前記第１及び第２のＭＯＳＦＥＴはそれぞれ前記ＣＭＰＣ回路のＰＡＤ＿ＳＥＮＳＥノードに接続されたゲートを有し、また前記ＰＡＤ＿ＳＥＮＳＥノードは前記ＣＭＰＣ回路の前記第１の入力端子に接続され、そして前記第１及び第２のＭＯＳＦＥＴはそれぞれ幅Ｗ１及びＷ２を有し、またＷ１及びＷ２の値が、比率Ｗ２／Ｗ１が比率Ｃｐａｒａｓｉｔｉｃ１／Ｃｐａｒａｓｉｔｉｃ２に等しくなる又はほぼ等しくなるように前記ＣＭＰＣ回路が設計されるときに選択される請求項５に記載のオプトアイソレーター。
【請求項７】
前記第１及び第２のＭＯＳＦＥＴがｐ型ＭＯＳＦＥＴである請求項６に記載のオプトアイソレーター。
【請求項８】
オプトアイソレーターにおいて同相モード・パルス補償を実行する方法であって、
オプトアイソレーターの同相モード・パルス補償（ＣＭＰＣ）回路において、同相モード・パルス・イベントが発生していることを前記ＣＭＰＣ回路が検知した場合に、前記ＣＭＰＣ回路において、前記オプトアイソレーターの電気−光変換器（ＥＯＣ）を駆動するために使用されるＥＯＣ駆動電流に加えられる補償電流を発生するステップであって、同相モード・パルス・イベントは、前記オプトアイソレーターの送信回路の基準グラウンドＧＮＤ１と前記オプトアイソレーターの受信回路の基準グラウンドＧＮＤ２との間に発生する同相モード・パルス波形に対応するものであるステップと、
前記ＣＭＰＣ回路の出力端子から前記補償電流を前記オプトアイソレーターの送信回路の電流源に対して出力するステップと、
前記補償電流を前記電流源によって発生された駆動電流に加え、新しい駆動電流を発生するステップと、
前記新しい駆動電流を使用して、前記オプトアイソレーターの前記ＥＯＣを駆動するステップと
を含み、前記新しい駆動電流を使用して、前記オプトアイソレーターの前記ＥＯＣを駆動することにより、前記電流源によって発生された前記駆動電流における、検知された前記同相モード・パルス・イベントの発生により引き起こされる混乱が補償される、方法。
【請求項９】
前記ＣＭＰＣ回路は、前記ＣＭＰＣ回路が負の傾斜を有する同相モード・パルス波形に対応する同相モード・パルス・イベントの発生を検知した場合にのみ、前記補償電流を発生するステップを実行する請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＣＭＰＣ回路が正の傾斜を有する同相モード・パルスに対応する同相モード・パルス・イベントの発生を検知した場合に、前記ＣＭＰＣ回路の保護回路において、前記補償電流を所定の最大レベルに固定するステップをさらに含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記補償電流を発生するステップの間に、前記ＣＭＰＣ回路が、約−１０ＫＶ／μｓｅｃから約−５０ＫＶ／μｓｅｃの範囲の負の傾斜を有する同相モード・パルス・イベント波形に対応する検知された同相モード・パルス・イベントに対して、前記補償電流を発生する請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＣＭＰＣ回路の第１の入力端子に接続された端部を有する導電性ワイヤーを用いて、前記ワイヤーにおける電流Ｉ＿ｓｅｎｓｅを検知するステップをさらに含み、前記ワイヤーは固有の寄生容量Ｃｐａｒａｓｉｔｉｃ２を有し、また前記ＣＭＰＣ回路は、前記第１の入力端子に存在する電流Ｉ＿ｓｅｎｓｅに基づいて、同相モード・パルス・イベントが発生しているかどうかを検知し、前記電流Ｉ＿ｓｅｎｓｅはＣｐａｒａｓｉｔｉｃ２×−ｄＶ／ｄｔに等しく、ここでｄＶ／ｄｔは検知された前記同相モード・パルス・イベント波形の傾斜に対応すると共に、前記同相モード・パルス・イベント波形の経時変化として定義される請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＥＯＣがボンド・ワイヤによって前記送信回路に電気的に接続され、前記ボンド・ワイヤが固有の寄生容量Ｃｐａｒａｓｉｔｉｃ１を有し、かつ前記ボンド・ワイヤが電流Ｉ＿ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎを有し、前記電流Ｉ＿ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎがＣｐａｒａｓｉｔｉｃ１×−ｄＶ／ｄｔに等しく、また前記ＣＭＰＣ回路が、前記ＣＭＰＣ回路の前記第１の出力端子に接続された電流ミラーを備え、前記電流ミラーは少なくとも第１及び第２の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を含み、前記第１及び第２のＭＯＳＦＥＴがそれぞれ前記ＣＭＰＣ回路のＰＡＤ＿ＳＥＮＳＥノードに接続されたゲートを有し、また前記ＰＡＤ＿ＳＥＮＳＥノードは前記ＣＭＰＣ回路の前記第１の入力端子に接続され、そして前記第１及び第２のＭＯＳＦＥＴはそれぞれ幅Ｗ１及びＷ２を有し、またＷ１及びＷ２が、比率Ｗ２／Ｗ１が比率Ｃｐａｒａｓｉｔｉｃ１／Ｃｐａｒａｓｉｔｉｃ２に等しくなる又はほぼ等しくなるように前記ＣＭＰＣ回路が設計されるときに選択される請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１及び第２のＭＯＳＦＥＴがｐ型ＭＯＳＦＥＴである請求項１３に記載の方法。