Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月6日(2014.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷ヘッドを有するテープ印刷装置に装着されて使用されるためのテープカートリッジであって、
印刷テープと、インクリボンと、プラテンと、
前記テープカートリッジが前記テープ印刷装置に着座装着されたときに、前記印刷ヘッドが臨む位置に設けたヘッド受容部と、を備え、
前記プラテンは前記テープカートリッジが前記テープ印刷装置に着座装着されたときに、前記印刷ヘッドによって前記印刷テープおよび前記インクリボンを介して当接されることになる被当接部を有し、
前記プラテンの前記被当接部は、前記ヘッド受容部の縁端のうち着座側の縁端から突出していることを特徴とするテープカートリッジ。
【請求項２】
前記プラテンの前記被当接部近傍にリボン送り経路が臨むように、前記インクリボンの送りをガイドするリボン送りガイド部を、さらに備えたことを特徴とする請求項１に記載のテープカートリッジ。
【請求項３】
前記リボン送りガイド部の一部は前記プラテンの前記被当接部近傍に臨むように配設されていることを特徴とする請求項２に記載のテープカートリッジ。
【請求項４】
前記リボン送りガイド部の一部はリボンピンであることを特徴とする請求項３に記載のテープカートリッジ。
【請求項５】
前記リボン送りガイド部の一部は前記インクリボンを前記プラテンの前記被当接部に導き、さらに他の前記リボン送りガイド部の一部が前記インクリボンをガイドして前記インクリボンが巻き取りコアに巻き取られることを特徴とする請求項３または４に記載のテープカートリッジ。
【請求項６】
前記リボン送りガイド部は、周壁ガイド部を含むこと特徴とする請求項２ないし５のいずれか一項に記載のテープカートリッジ。
【請求項７】
前記テープカートリッジが前記テープ印刷装置に着座装着されたときに、前記印刷ヘッドを挿通させるための挿通開口、を具備すると共に前記印刷テープ、前記インクリボン、および前記プラテンを収容するカートリッジケースを備え、前記ヘッド受容部の縁端は前記印刷ヘッドを挿通させる挿通開口の縁端でもあることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載のテープカートリッジ。
【請求項８】
前記カートリッジケースは、前記プラテンの前記被当接部が突出するように前記挿通開口の縁端の一部が切り欠かれた切欠き部を有することを特徴とする請求項７に記載のテープカートリッジ。
【請求項９】
前記テープカートリッジが前記テープ印刷装置に着座装着されたときに、
前記切欠き部が、前記テープ印刷装置のテープ装着部に設けられたガイド突起に対応する位置に配設されていることを特徴とする請求項８に記載のテープカートリッジ。
【請求項１０】
前記カートリッジケースは、前記着座側のケース壁を有し、
前記ケース壁の厚みは、前記ガイド突起の高さに対応していることを特徴とする請求項９に記載のテープカートリッジ。
【請求項１１】
前記プラテンはプラテンローラーであり、前記カートリッジケースは、前記プラテンを回転自在に軸支する軸受け孔を有し、
前記軸受け孔のうち着座側のものは、前記挿通開口と連通していることを特徴とする請求項７に記載のテープカートリッジ。
【請求項１２】
前記カートリッジケースは、第１ケースと、第２ケースと、を有し、
前記第１ケースと前記第２ケースとは、それぞれ前記軸受け孔を有することを特徴とする請求項１１に記載のテープカートリッジ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明のテープカートリッジは、印刷ヘッドを有するテープ印刷装置に装着されて使用されるためのテープカートリッジであって、印刷テープと、インクリボンと、プラテンと、テープカートリッジがテープ印刷装置に着座装着されたときに、印刷ヘッドが臨む位置に設けたヘッド受容部と、を備え、プラテンはテープカートリッジがテープ印刷装置に着座装着されたときに、印刷ヘッドによって印刷テープおよびインクリボンを介して当接されることになる被当接部を有し、プラテンの被当接部は、ヘッド受容部の縁端のうち着座側の縁端から突出していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この場合、プラテンの被当接部近傍にリボン送り経路が臨むように、インクリボンの送りをガイドするリボン送りガイド部を、さらに備えたことが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この場合、リボン送りガイド部の一部はプラテンの被当接部近傍に臨むように配設されていることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この場合、リボン送りガイド部の一部はリボンピンであることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この場合、リボン送りガイド部の一部はインクリボンをプラテンの被当接部に導き、さらに他のリボンガイド部の一部がインクリボンをガイドしてインクリボンが巻き取りコアに巻き取られることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この場合、リボン送りガイド部は、周壁ガイド部を含むことが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この場合、テープカートリッジがテープ印刷装置に着座装着されたときに、印刷ヘッドを挿通させるための挿通開口、を具備すると共に印刷テープ、インクリボン、およびプラテンを収容するカートリッジケースを備え、ヘッド受容部の縁端は印刷ヘッドを挿通させる挿通開口の縁端でもあることが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この場合、カートリッジケースは、プラテンの被当接部が突出するように挿通開口の縁端の一部が切り欠かれた切欠き部を有することが好ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この場合、テープカートリッジがテープ印刷装置に着座装着されたときに、切欠き部が、テープ印刷装置のテープ装着部に設けられたガイド突起に対応する位置に配設されていることが好ましい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この場合、カートリッジケースは、着座側のケース壁を有し、ケース壁の厚みは、ガイド突起の高さに対応していることが好ましい。
この場合、プラテンはプラテンローラーであり、カートリッジケースは、プラテンを回転自在に軸支する軸受け孔を有し、軸受け孔のうち着座側のものは、挿通開口と連通していることが好ましい。
この場合、カートリッジケースは、第１ケースと、第２ケースと、を有し、第１ケースと第２ケースとは、それぞれ軸受け孔を有することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月24日(2013.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型ＧａＮ系半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造と、
前記ｐ型ＧａＮ系半導体領域の主面上に形成された電極と
を備え、
前記ｐ型ＧａＮ系半導体領域における前記主面の法線とｍ面の法線とが形成する角度が１°以上５°以下であり、
前記電極は、前記ｐ型ＧａＮ系半導体領域の前記主面に接触したＺｎ層を含み、
Ｚｎ層は、少なくとも一部がＰｄと合金化したＺｎを含む層である、
窒化物系半導体素子。
【請求項２】
前記ｐ型ＧａＮ系半導体領域は、ＡｌxＩｎyＧａzＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ≧０，ｙ≧０，ｚ≧０）半導体から形成される、請求項１に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項３】
前記電極は、前記Ｚｎ層と、前記Ｚｎ層の上に形成された金属層とを含み、
前記金属層は、Ｐｄからなる、請求項１または２に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項４】
前記窒化物系半導体積層構造は、
ＡｌaＩｎbＧａcＮ層（ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ａ≧０，ｂ≧０，ｃ≧０）を含む活性層を有し、前記活性層は光を発する、請求項１、２または３に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項５】
前記ｐ型ＧａＮ系半導体領域は、ｐ型コンタクト層である、請求項１から４の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子。
【請求項６】
前記Ｚｎ層の厚さは前記金属層の厚さ以下である、請求項３に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項７】
前記窒化物系半導体積層構造を支持する半導体基板を有している、請求項１から６の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子。
【請求項８】
前記Ｚｎ層はアイランド状である請求項１から７の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子。
【請求項９】
前記Ｚｎ層は、Ｚｎと、Ｐｄとの合金から形成されている、請求項１から８の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子。
【請求項１０】
前記電極は、前記Ｚｎ層のみから構成され、
前記Ｚｎ層は、Ｚｎと、Ｐｄとの合金から形成されている、請求項９に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項１１】
窒化物系半導体発光素子と、
前記窒化物系半導体発光素子から放射された光の波長を変換する蛍光物質を含む波長変換部と
を備える光源であって、
前記窒化物系半導体発光素子は、
ｐ型ＧａＮ系半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造と、
前記ｐ型ＧａＮ系半導体領域の主面上に形成された電極と
を備え、
前記ｐ型ＧａＮ系半導体領域における前記主面の法線とｍ面の法線とが形成する角度が１°以上５°以下であり、
前記電極は、前記ｐ型ＧａＮ系半導体領域の前記主面に接触したＺｎ層を含み、
Ｚｎ層は、少なくとも一部がＰｄと合金化したＺｎを含む層である、光源。
【請求項１２】
前記ｐ型ＧａＮ系半導体領域は、ＡｌxＩｎyＧａzＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ≧０，ｙ≧０，ｚ≧０）半導体からなる、請求項１１に記載の光源。
【請求項１３】
基板を用意する工程（ａ）と、
主面の法線とｍ面の法線とが形成する角度が１°以上５°以下であるｐ型ＧａＮ系半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造を前記基板上に形成する工程（ｂ）と、
前記窒化物系半導体積層構造の前記ｐ型ＧａＮ系半導体領域の前記主面上に電極を形成する工程（ｃ）と
を含み、
前記工程（ｃ）は、
前記ｐ型ＧａＮ系半導体領域の前記主面上に、Ｚｎ層を形成する工程を含み、
Ｚｎ層は、少なくとも一部がＰｄと合金化したＺｎを含む層である、窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
前記ｐ型ＧａＮ系半導体領域は、ＡｌxＩｎyＧａzＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ≧０，ｙ≧０，ｚ≧０）半導体からなる、請求項１３に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項１５】
前記工程（ｃ）は、
前記Ｚｎ層を形成した後に、Ｐｄからなる金属層を形成する工程を含む、請求項１３または１４に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項１６】
前記工程（ｃ）において、前記Ｚｎ層を加熱処理する工程を実行する、請求項１３、１４または１５に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項１７】
前記加熱処理は、４００℃以上６５０℃以下の温度で実行される、請求項１６に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項１８】
前記加熱処理は、４５０℃以上６００℃以下の温度で実行される、請求項１７に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
【請求項１９】
前記工程（ｂ）を実行した後において、前記基板を除去する工程を含む、請求項１３から１８の何れか一つに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月19日(2013.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、陽イオン界面活性剤としては、四級アンモニウム塩、アミン塩などを挙げることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月13日(2014.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイソレーターを横断してデジタル信号及びアナログ信号を送受信するためのシステムであって、
変調器と、
前記変調器に動作可能に接続された送信器と、
前記変調器に動作可能に接続された信号アイソレーターと、
前記アイソレーターに動作可能に接続された受信器と、
前記受信器に動作可能に接続された周波数弁別器と、
前記受信器に動作可能に接続されたフィルタリング回路
を備え、
前記変調器は、アナログ信号及び第１の周波数を有する第１のデジタル信号を入力として受け入れるように構成され、前記変調器はさらに、前記第１のデジタル信号の前記第１の周波数及び対応する論理状態にしたがって前記アナログ信号を変調して、周波数変調された信号（FM信号）を前記送信器に対する出力として形成するように構成され、前記送信器は、前記FM信号を符号化して、前記アイソレーターを横断して前記受信器への入力として該受信器に送るために、符号化されたFM信号を前記アイソレーターに送信するように構成され、前記受信器は、受信したFM信号を前記周波数弁別器及び前記フィルタリング回路に提供し、前記周波数弁別器は、該FM信号を復号化して復元された第１のデジタル信号を出力として提供するように構成され、前記フィルタリング回路は、該FM信号をフィルタリングして、アナログ信号を出力として提供するように構成される、システム。
【請求項２】
前記第１のデジタル信号が第１の障害信号である、請求項１のシステム。
【請求項３】
第２のデジタル信号が第２の周波数を有し、前記変調器がさらに、
(a)前記第１のデジタル信号の前記第１の周波数及び対応する論理状態、及び、
(b)前記第２のデジタル信号の前記第２の周波数及び対応する論理状態
にしたがって前記アナログ信号を変調して、前記周波数変調された信号（FM信号）を形成するように構成される、請求項１のシステム。
【請求項４】
前記周波数弁別器がさらに、前記FM信号を復号化して復元された第２のデジタル信号を提供するように構成される、請求項３のシステム。
【請求項５】
前記第２のデジタル信号が第２の障害信号である、請求項３のシステム。
【請求項６】
前記フィルタリング回路がバンドパスフィルタリング回路から構成される、請求項１または３のシステム。
【請求項７】
前記バンドパスフィルタリング回路の通過帯域が、前記第１の周波数及び第２の周波数を含まない、請求項６のシステム。
【請求項８】
前記アイソレーターが、容量性アイソレーター、光アイソレーター、磁気アイソレーターのうちの１つである、請求項１のシステム。
【請求項９】
前記変調器がさらに、少なくとも、前記第１の周波数を有する第１の三角波信号及び前記第２の周波数を有する第２の三角波信号を生成して出力として提供するように構成された三角波発生回路を備える、請求項１のシステム。
【請求項１０】
前記変調器がさらに、前記第１及び第２の三角波信号と前記アナログ信号とが入力されるコンパレータを備える、請求項９のシステム。
【請求項１１】
前記三角波発生回路がさらに、前記第１のデジタル信号を入力として受け入れるように構成され、前記第１のデジタル信号が、前記三角波発生回路の出力が、前記第１の周波数を有する三角波信号であるか、前記第２の周波数を有する三角波信号であるかを判定するように構成された制御信号である、請求項９または１０のシステム。
【請求項１２】
前記フィルタリング回路がさらに、前記受信したFM信号の周波数にしたがって開閉するスイッチを有するチャージポンプ回路を備える、請求項１のシステム。
【請求項１３】
前記フィルタリング回路がさらに、受信したFM信号の周波数にしたがって変化する電流を提供するように構成されたチャージポンプ回路を備える、請求項１のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月28日(2014.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１抵抗素子及び第２抵抗素子が直列に設けられた電源線と、
選択線と、
前記選択線とゲート端子とが電気的に接続し、酸化物半導体層を含むスイッチトランジスタと、
前記電源線と前記スイッチトランジスタを介して電気的に接続するトランジスタを含む演算増幅回路とが設けられた電位分割回路を有し、
前記第１抵抗素子と前記第２抵抗素子と前記スイッチトランジスタのソース端子とが電気的に接続し、
前記スイッチトランジスタのドレイン端子と前記演算増幅回路に含まれる前記トランジスタのゲート端子とが電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１抵抗素子及び第２抵抗素子が直列に設けられた電源線と、
選択線と、
前記選択線とゲート端子とが電気的に接続し、酸化物半導体層を含むスイッチトランジスタと、
前記電源線と前記スイッチトランジスタを介して電気的に接続する演算増幅回路とが設けられた電位分割回路を有し、
前記演算増幅回路は、
第１トランジスタ及び第２トランジスタが設けられた差動入力回路と、
第３トランジスタ及び第４トランジスタが設けられたカレントミラー回路と、
定電流源とを含み、
前記第１トランジスタの第１ソース端子と、前記第２トランジスタの第２ソース端子と、前記定電流源とが電気的に接続し、
前記第３トランジスタの第３ソース端子と、前記第４トランジスタの第４ソース端子とが電気的に接続し、
前記第１トランジスタの第１ドレイン端子と、前記第３トランジスタの第３ドレイン端子と、前記第３トランジスタの第３ゲート端子と、前記第４トランジスタの前記第４ゲート端子とが電気的に接続し、
前記第２トランジスタの第２ゲート端子と、前記第２トランジスタの第２ドレイン端子と、前記第４トランジスタの第４ドレイン端子とが電気的に接続し、
前記第１抵抗素子と前記第２抵抗素子と前記スイッチトランジスタのソース端子とが電気的に接続し、
前記スイッチトランジスタのドレイン端子と前記第１トランジスタの第１ゲート端子とが電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１抵抗素子及び第２抵抗素子が直列に設けられた電源線と、
選択線と、
前記選択線とゲート端子とが電気的に接続し、酸化物半導体層を含むスイッチトランジスタと、
前記電源線と前記スイッチトランジスタを介して電気的に接続する容量素子とが設けられた電位分割回路を有し、
前記第１抵抗素子と前記第２抵抗素子と前記スイッチトランジスタのソース端子とが電気的に接続し、
前記スイッチトランジスタのドレイン端子と前記容量素子の一方の端子とが電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１抵抗素子及び第２抵抗素子が直列に設けられた電源線と、
前記第１抵抗素子と、
前記第２抵抗素子と、
ゲート端子とソース端子とが電気的に接続し、酸化物半導体層を含むトランジスタと、
前記電源線と前記酸化物半導体層を含むトランジスタを介して電気的に接続するトランジスタとが設けられた電位分割回路を有し、
前記酸化物半導体層を含むトランジスタのドレイン端子と前記トランジスタのゲート端子とが電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記電源線において、酸化物半導体層を含むトランジスタ、前記第１抵抗素子及び前記第２抵抗素子が直列に設けられ、
前記電源線に供給された電位は、前記酸化物半導体層を含むトランジスタを介して、前記第１抵抗素子及び前記第２抵抗素子に供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、前記電源線に設けられる酸化物半導体層を含むトランジスタのゲート端子と、前記スイッチトランジスタのゲート端子とが電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記電位分割回路に電位を供給する電位供給源と、前記電位分割回路及び前記電位供給源より電位を供給される負荷を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１抵抗素子及び第２抵抗素子が直列に設けられた電源線と、
選択線と、
前記選択線とゲート端子とが電気的に接続し、酸化物半導体層を含むスイッチトランジスタと、
前記電源線と前記スイッチトランジスタを介して電気的に接続するトランジスタを含む演算増幅回路とが設けられた電位分割回路を有し、
前記第１抵抗素子と前記第２抵抗素子と前記スイッチトランジスタのソース端子とが電気的に接続し、
前記スイッチトランジスタのドレイン端子と前記演算増幅回路に含まれる前記トランジスタのゲート端子とが電気的に接続してノードを構成し、
前記電源線に供給された電位は、前記第１抵抗素子及び前記第２抵抗素子によって分割され、
前記分割された電位は前記スイッチトランジスタがオン状態の時に前記スイッチトランジスタを介して前記演算増幅回路に供給され、
前記分割された電位は前記スイッチトランジスタがオフ状態の時に前記ノードに保持され、
前記分割された電位は前記スイッチトランジスタ及び前記演算増幅回路を介して出力されることを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項９】
第１抵抗素子及び第２抵抗素子が直列に設けられた電源線と、
選択線と、
前記選択線とゲート端子とが電気的に接続し、酸化物半導体層を含むスイッチトランジスタと、
前記電源線と前記スイッチトランジスタを介して電気的に接続する容量素子とが設けられた電位分割回路を有し、
前記第１抵抗素子と前記第２抵抗素子と前記スイッチトランジスタのソース端子とが電気的に接続し、
前記スイッチトランジスタのドレイン端子と前記容量素子の一方の端子とが電気的に接続してノードを構成し、
前記電源線に供給された電位は、前記第１抵抗素子及び前記第２抵抗素子によって分割され、
前記分割された電位は前記スイッチトランジスタがオン状態の時に前記スイッチトランジスタを介して前記容量素子に供給され、
前記分割された電位は前記スイッチトランジスタがオフ状態の時に前記ノードに保持され、
前記分割された電位は前記スイッチトランジスタ及び前記容量素子を介して出力されることを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９において、
前記電源線において、酸化物半導体層を含むトランジスタ、前記第１抵抗素子及び前記第２抵抗素子が直列に設けられ、
前記電源線に供給された電位は、前記酸化物半導体層を含むトランジスタがオン状態の時に前記酸化物半導体層を含むトランジスタを介して前記第１抵抗素子及び前記第２抵抗素子に供給され、
前記酸化物半導体層を含むトランジスタは前記スイッチトランジスタがオフ状態の時にオフ状態となることを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月11日(2014.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、
前記トランジスタのゲートと電気的に接続された制御回路と、
容量素子と、
基準電圧生成回路と、を有し、
前記トランジスタの第１電極は、前記容量素子と電気的に接続されており、
前記トランジスタの第２電極は、前記基準電圧生成回路と電気的に接続されており、
前記制御回路は、
前記基準電圧生成回路が停止するより前に前記トランジスタをオン状態からオフ状態として、前記第２電極に入力される電圧を、前記第１電極と前記容量素子との間のノードに保持させる機能と、
前記基準電圧生成回路が起動するときに前記トランジスタをオフ状態からオン状態として、前記ノードに保持された電圧を前記トランジスタの第２電極へ出力させる機能と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記トランジスタのチャネルを形成する半導体材料は、酸化物半導体材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記トランジスタのオフ状態における、チャネル幅１μｍあたりの電流密度は、１００ｙＡ／μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記基準電圧生成回路への電源供給を制御する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記容量素子の容量の値は、基準電圧生成回路に接続された負荷容量の値よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月16日(2014.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のベクトルおよび第２のベクトルに関数を適用した結果を求めるための方法であって、該関数は、正規化和型関数であり、前記第１のベクトルは、第１のプロセッサにおいて格納され、前記第２のベクトルは、第２のプロセッサにおいて格納され、該方法は、
セキュアなマルチパーティー計算（ＳＭＰＣ）を用いて前記第１のベクトルおよび前記第２のベクトルの経験的同時確率分布（ＪＥＰＤ）を求めるステップと、
前記関数の前記結果を、前記ＪＥＰＤの値と該関数の対応する値との積の正規化された総和として求めるステップと
を含み、該方法の前記２つのステップは、少なくとも前記第１のプロセッサおよび前記第２のプロセッサによって実行される、方法。
【請求項２】
前記第１のベクトルおよび前記第２のベクトルの受信に応じて難読化されたＪＥＰＤを求めるステップであって、前記第１のベクトルおよび前記第２のベクトルは、それぞれ第１の難読化規則および第２の難読化規則に基づいて可逆的に難読化される、求めるステップと、
前記難読化されたＪＥＰＤを第１の加法シェアおよび第２の加法シェアに分割するステップと、
前記第１の加法シェアを前記第１のプロセッサに送信し、前記第２の加法シェアを前記第２のプロセッサに送信するステップであって、前記第１のプロセッサが前記第１の難読化規則および前記第２の難読化規則に基づいて前記第１の加法シェアを逆にして前記関数の前記結果の第１の加法シェアを求め、前記第２のプロセッサが前記第１の難読化規則および前記第２の難読化規則に基づいて前記第２の加法シェアを逆にして前記関数の前記結果の第２の加法シェアを求めるようにする、送信するステップと、
それぞれ前記第１のプロセッサおよび前記第２のプロセッサから受信した前記関数の前記結果の前記第１の加法シェアおよび前記第２の加法シェアに基づいて前記関数の前記結果を求めるステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記難読化されたＪＥＰＤに対応する１組のインジケーター行列を求めるステップであって、各該インジケーター行列が前記第１の加法シェアおよび前記第２の加法シェアに分割されるようにする、求めるステップ
をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記関数は、前記第１のベクトルおよび前記第２のベクトルの値の対応する対の該関数のとり得る結果としてメモリ内に明示的に格納される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のベクトルおよび前記第２のベクトルは、各該ベクトルから要素をランダムに選択することによってサブサンプリングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＪＥＰＤは部分ＪＥＰＤである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ＳＭＰＣは、計算機密性に基づくプロトコル、無条件機密性に基づくプロトコル、およびそれらの組み合わせからなるグループから選択されたプロトコルである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ＳＭＰＣは、前記第１のベクトルおよび前記第２のベクトルの難読化に対して前記ＪＥＰＤが不変であることに基づいている、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のベクトルおよび前記第２のベクトルは、それぞれ第１のパッドベクトルおよび第２のパッドベクトルに基づいて、前記第１のベクトルおよび前記第２のベクトルからの要素を、それぞれ前記第１のパッドベクトルおよび前記第２のパッドベクトルの対応する要素と結合することによって可逆的に難読化され、前記第１のベクトルおよび前記第２のベクトルのそれぞれのアルファベットは、有限加法群として扱われる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記アルファベットは、バイナリである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
可逆的に難読化された形式で前記第１のベクトルおよび前記第２のベクトルを受信するステップと、
前記第１のベクトルおよび前記第２のベクトルの要素の対応する対毎に、難読化されたＪＥＰＤを表す１組のインジケーター行列を求めるステップと、
前記１組のインジケーター行列を第１の加法シェアおよび第２の加法シェアに分割するステップと、
前記第１の加法シェアを前記第１のプロセッサに送信し、前記第２の加法シェアを前記第２のプロセッサに送信するステップであって、前記第１のプロセッサが前記第１の難読化規則および前記第２の難読化規則に基づいて前記第１の加法シェアを逆にして前記関数の前記結果の第１の加法シェアを求め、前記第２のプロセッサが前記第１の難読化規則および前記第２の難読化規則に基づいて前記第２の加法シェアを逆にして前記関数の前記結果の第２の加法シェアを求めるようにする、送信するステップと、
それぞれ前記第１のプロセッサおよび前記第２のプロセッサから受信した前記関数の前記結果の前記第１の加法シェアおよび前記第２の加法シェアに基づいて前記関数の前記結果を求めるステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
第３のプロセッサを用いて第１のベクトルおよび第２のベクトルに関数を適用した結果をセキュアに求めるためのシステムであって、該関数は、正規化和型関数であり、前記第１のベクトルは、第１のプロセッサのみにおいて格納され、前記第２のベクトルは、第２のプロセッサのみにおいて格納され、該システムは、
セキュアなマルチパーティー計算（ＳＭＰＣ）を用いて前記第１のベクトルおよび前記第２のベクトルの経験的同時確率分布（ＪＥＰＤ）を求める手段と、
前記関数を、前記ＪＥＰＤの値と該関数の対応する値との積の正規化された総和として求める手段と
を備え、前記方法の前記ステップは少なくとも前記第１のプロセッサおよび前記第２のプロセッサによって実行される、システム。
【請求項１３】
可逆的に難読化された形式で前記第１のベクトルおよび前記第２のベクトルを受信する手段と、
前記第１のベクトルおよび前記第２のベクトルの要素の対応する対毎に、難読化されたＪＥＰＤを表す１組のインジケーター行列を求める手段と、
前記１組のインジケーター行列を第１の加法シェアおよび第２の加法シェアに分割する手段と、
前記第１の加法シェアを前記第１のプロセッサに送信し、前記第２の加法シェアを前記第２のプロセッサに送信する手段であって、前記第１のプロセッサが前記第１の難読化規則および前記第２の難読化規則に基づいて前記第１の加法シェアを逆にして前記関数の前記結果の第１の加法シェアを求め、前記第２のプロセッサが前記第１の難読化規則および前記第２の難読化規則に基づいて前記第２の加法シェアを逆にして前記関数の前記結果の第２の加法シェアを求めるようにする、送信する手段と、
それぞれ前記第１のプロセッサおよび前記第２のプロセッサから受信した前記関数の前記結果の前記第１の加法シェアおよび前記第２の加法シェアに基づいて前記関数の前記結果を求める手段と
をさらに備える、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記第１のベクトルおよび前記第２のベクトルの値の対応する対に関する前記関数の結果を格納するためのメモリをさらに備える、請求項１２に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月27日(2014.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱体と、前記発熱体の高さ方向の一部で、前記発熱体の周囲を囲って設置される断熱体と、前記発熱体の前記断熱体に囲まれた断熱部分と、前記断熱体に囲まれていない非断熱部分との温度差を計測する温度差計測装置とを有し、炉心下端部から原子炉圧力容器底部に亘って配置される炉心下部水位計測装置であって、
原子炉圧力容器に収容された炉心の下端部から前記原子炉圧力容器の底部までの水位を少なくとも計測する炉心下部水位計測装置と、
前記温度差に基づいて前記原子炉の水位を評価する水位評価装置とを備えたことを特徴とする原子炉水位計測システム。
【請求項２】
発熱体と、前記発熱体の高さ方向の一部で、前記発熱体の周囲を囲って設置される断熱体と、前記発熱体の前記断熱体に囲まれた断熱部分と、前記断熱体に囲まれていない非断熱部分との温度差を計測する温度差計測装置とを有し、前記炉心の鉛直方向範囲内に配置される炉心内水位計測装置であって、
前記炉心の鉛直方向範囲内の水位を計測する炉心内水位計測装置をさらに備えた請求項１記載の原子炉水位計測システム。
【請求項３】
前記原子炉圧力容器は、前記炉心の中性子束を監視する中性子検出器と、前記中性子検出器を格納する保護管とを備え、
前記炉心下部水位計測装置は、前記中性子検出器と共に前記保護管に格納された請求項１または２記載の原子炉水位計測システム。
【請求項４】
前記原子炉圧力容器は、前記炉心の中性子束を監視する中性子検出器と、前記中性子検出器を格納する保護管とを備え、
前記炉心下部水位計測装置および前記炉心内水位計測装置は、前記中性子検出器と共に同じ前記保護管に格納された請求項２記載の原子炉水位計測システム。
【請求項５】
前記炉心下部水位計測装置は、前記炉心の外周部に配置された請求項１〜４のいずれか一項記載の原子炉水位計測システム。
【請求項６】
前記炉心下部水位計測装置は、炉心に対して異なる区分に複数配置した請求項１〜５のいずれか一項記載の原子炉水位計測システム。
【請求項７】
前記炉心下部水位計測装置または前記炉心内水位計測装置は複数設けられ、各炉心下部水位計測装置または各前記炉心内水位計測装置の前記温度差計測装置は互いに鉛直方向に異なる箇所に設けられた請求項２記載の原子炉水位計測システム。
【請求項８】
前記炉心下部水位計測装置または前記炉心内水位計測装置は、温度を計測する温度計測装置をさらに備えた請求項２記載の原子炉水位計測システム。
【請求項９】
前記温度計測装置は、鉛直方向に沿う複数箇所の温度を計測する請求項８記載の原子炉水位計測システム。
【請求項１０】
前記温度計測装置は、前記炉心の水平方向中心部に配置された請求項８記載の原子炉水位計測システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
引用文献１の監視装置は、冷却水の冷却材が炉心内にある場合の水位評価を想定している。このため、炉内の水位が炉心より低くなる場合には監視不能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る原子炉水位計測システムは、上述した課題を解決するために、発熱体と、前記発熱体の高さ方向の一部で、前記発熱体の周囲を囲って設置される断熱体と、前記発熱体の前記断熱体に囲まれた断熱部分と、前記断熱体に囲まれていない非断熱部分との温度差を計測する温度差計測装置とを有し、炉心下端部から原子炉圧力容器底部に亘って配置される炉心下部水位計測装置であって、原子炉圧力容器に収容された炉心の下端部から前記原子炉圧力容器の底部までの水位を少なくとも計測する炉心下部水位計測装置と、前記温度差に基づいて前記原子炉の水位を評価する水位評価装置とを備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月24日(2014.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材および前記基材上に形成される受光部を有する太陽電池と、
前記太陽電池の時計表側に配置された透光性の文字板と、
前記文字板を保持する文字板受けリング部材と、
前記太陽電池の裏面に固定された太陽電池案内板と、を備え、
前記文字板受けリング部材は、その表面に開口された開口部内に形成されたフック係止部を備え、
前記太陽電池案内板は、
前記太陽電池の受光部よりも外周側に突出して形成される突出部と、
前記突出部から前記文字板受けリング部材の前記開口部内に向かって突出して形成されて前記フック係止部に係止されるフック部と、を備え、
前記基材は、前記太陽電池案内板および前記文字板受けリング部材の前記開口部を被覆する被覆部を備える
ことを特徴とする太陽電池付電子時計。
【請求項２】
請求項１に記載の太陽電池付電子時計において、
前記太陽電池案内板の裏面側に配置されるムーブメントは、前記ムーブメントの平面中心位置から前記ムーブメント外周までの長さが、他の外周面よりも短いサイドカット部を有し、
前記文字板受けリング部材の表面には、前記文字板を固定する文字板固定部が設けられ、
前記フック部は、前記文字板受けリング部材の周方向における配置位置が、前記サイドカット部および前記文字板固定部と異なる位置に設定されている
ことを特徴とする太陽電池付電子時計。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の太陽電池付電子時計において、
前記文字板受けリング部材の表面には、前記開口部に近接して設けられた太陽電池位置決め部が設けられ、
前記太陽電池の基材の被覆部は、前記太陽電池位置決め部に位置決めされる係合部を備える
ことを特徴とする太陽電池付電子時計。
【請求項４】
請求項３に記載の太陽電池付電子時計において、
前記太陽電池位置決め部は、前記文字板受けリング部材の表面に突出する突起により構成され、
前記太陽電池の前記係合部は、前記突起に係合する係合溝で構成され、
前記太陽電池案内板の突出部は、前記突起に係合する係合溝を備える
ことを特徴とする太陽電池付電子時計。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の太陽電池付電子時計において、
前記文字板受けリング部材の表面側の色は、前記太陽電池の色と同系色である
ことを特徴とする太陽電池付電子時計。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月28日(2014.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、別の光子計数法の一例として、多数のアバランシェフォトダイオード画素を配列
して構成したアレイセンサの、各画素への光子の入射により発生するパルス電流の合計を
計測する方法が知られている。この検出器はＳｉ−ＰＭ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｐｈｏｔｏｍ
ｕｌｔｉｐｌｉｅｒ）、ＰＰＤ（Ｐｉｘｅｌａｔｅｄ  Ｐｈｏｔｏｎ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ
）、あるいはＭＰＰＣ（Ｍｕｌｔｉ−Ｐｉｘｅｌ  Ｐｈｏｔｏｎ  Ｃｏｕｎｔｅｒ、登録商標、商標権者：浜松ホトニクス株式会社）などと呼ばれる。この検出器を用いた計測方法によれば、前述の単一の光電子増倍管やアバランシェフォトダイオードを用いたガイガーモードによる光子計数と異なり、短い時間内に複数個の光子が入射した場合も光量を計測することが可能である。この方法では、検出する信号量を、多数配列した検出器それぞれが出力するパルスのカウント数により計数するため、少ない光量から大光量まで検出するためには、この検出器に多数の画素を形成する必要がある。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月7日(2014.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
家屋の基礎構造を造る方法において、
家屋の基礎を造る土地における複数の箇所にジャッキ設定用穴を掘削する工程と、
該ジャッキ設定用穴の底部に、ジャッキを載置する耐圧板と、該耐圧板上に設置されて該耐圧板上に載置されたジャッキの周囲を囲う側壁と、該側壁の上部開口を閉じるようにして該ジャッキの上方位置に設定される蓋とからなるジャッキ収納部材を設置する工程と、
前記ジャッキ収納部材の蓋を下にして家屋の基礎を造る工程と、
を有し、前記耐圧板上に設定したジャッキを操作して前記蓋を持ち上げ、それにより前記基礎の持ち上げをできるようにした基礎構造を造る方法。
【請求項２】
家屋の基礎の下方位置に設定されて、基礎を持ち上げるために使用されるジャッキを載置する耐圧板と、
該耐圧板上に載置されたジャッキの周囲を囲むように設定される側壁と、
該側壁の上部に形成される上部開口を閉じる蓋であって、該耐圧板上に載置されたジャッキを操作することにより持ち上げられて前記基礎を持ち上げ可能とされた蓋と、
を有するジャッキ収納部材。
【請求項３】
前記側壁が開口を有し、該開口を通して、該側壁の内部に設定したジャッキを操作することが出来るようにした請求項２に記載のジャッキ収納部材。
【請求項４】
前記蓋が第１の蓋と第２の蓋からなり、第１の蓋を外して前記側壁内に収納されているジャッキを操作して第２の蓋を持ち上げ可能とし、該第２の蓋の持ち上げにより前記基礎を持ち上げ可能とした請求項２に記載のジャッキ収納部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】家屋の基礎構造を造る方法、及び、ジャッキ収納部材
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月12日(2014.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に気体原子が封入されたガスセルと、
直線偏光を含む照射光を前記ガスセルに対して照射する照射部と、
前記照射光の前記ガスセルに対する照射方向に垂直な方向の中から磁場が最も強い方向を検知する検知部と、
前記磁場が最も強い方向と前記直線偏光の電場の振動方向とが合うように、前記照射光を調節する調節部と、
前記ガスセルを通過した前記照射光の偏光面の回転角度を計測する計測部と
を具備することを特徴とする磁場測定装置。
【請求項２】
前記照射部は、前記照射光を光ファイバーによって前記ガスセルに導く
ことを特徴とする請求項１に記載の磁場測定装置。
【請求項３】
内部に気体原子が封入されたガスセルと、
測定方向に垂直な方向の中から磁場が最も強い方向を検知する検知部と、
円偏光成分を含むポンプ光を、前記ガスセルに対して、前記測定方向に垂直な方向に沿って照射するポンプ光照射部と、
直線偏光を含むプローブ光を、前記ガスセルに対して、前記測定方向、および前記ポンプ光が照射される方向の両方に垂直な方向に沿って照射するプローブ光照射部と、
前記ガスセルを通過した前記プローブ光の偏光面の回転角度を計測する計測部と、
前記磁場が最も強い方向に沿って前記ポンプ光が照射されるように、前記ポンプ光照射部、前記プローブ光照射部、および前記計測部の各位置を調整する調整部と
を具備することを特徴とする磁場測定装置。
【請求項４】
前記ポンプ光照射部は、前記ポンプ光を光ファイバーによって前記ガスセルに導き、
前記プローブ光照射部は、前記プローブ光を光ファイバーによって前記ガスセルに導く
ことを特徴とする請求項３に記載の磁場測定装置。
【請求項５】
内部に気体原子が封入されたガスセルと、
磁場が最も強い方向を検知方向として検知する検知部と、
直線偏光を含む照射光を、前記ガスセルに対して、前記検知方向に垂直な方向に沿って照射する照射部と、
前記ガスセルを通過した前記照射光の偏光面の回転角度を計測する計測部と
前記検知方向と前記直線偏光の電場の振動方向とが合うように、前記照射光を調節するとともに、前記ガスセル、前記照射部、および前記計測部の位置を調整する調整部と
を具備することを特徴とする磁場測定装置。
【請求項６】
内部に気体原子が封入されたガスセルと、
磁場が最も強い方向を検知方向として検知する検知部と、
円偏光成分を含むポンプ光を、前記ガスセルに対して照射するポンプ光照射部と、
直線偏光を含むプローブ光を、前記ガスセルに対して、前記ポンプ光が照射される方向に垂直な方向に沿って照射するプローブ光照射部と、
前記ガスセルを通過した前記プローブ光の偏光面の回転角度を計測する計測部と、
前記検知方向に沿って前記ポンプ光が照射されるように、前記ポンプ光照射部、前記プローブ光照射部、および前記計測部の各位置を調整する調整部と
を具備することを特徴とする磁場測定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月20日(2014.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
容量制御弁３３の弁孔４０における開閉具合、即ち容量制御弁３３における第２弁体３８の弁開度は、電磁ソレノイド３４で生じる電磁力、ばね３９のばね力、感圧手段の付勢力のバランスによって決まる。容量制御弁３３は、電磁力を変えることによって容量制御弁３３における第２弁体３８の弁開度を連続的に調整可能である。電磁力を増大すると、容量制御弁３３における第２弁体３８の弁開度は、減少方向に移行する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
次に、第１の実施形態の作用を説明する。
図２は、容量制御弁３３の電磁ソレノイド３４に対する電流供給が停止されている状態
（デューティ比が０であり、以下においてはＯＦＦ運転という）を示し、容量制御弁３３
における第２弁体３８の弁開度は、最大になっている。斜板２２の最小傾角は０°よりも
僅かに大きく、斜板２２の傾角が最小傾角の場合にもシリンダボア１１１から吐出室１３
２への吐出は行われている。斜板２２の傾角が最小である状態では、循環阻止手段３２が
閉じて外部冷媒回路２８における冷媒循環が停止する構成で、最小容量運転となっている
。シリンダボア１１１から吐出室１３２へ吐出された冷媒の一部は、容量制御弁３３の弁
孔４０、弁室４３及び通路４６を経由して制御圧室１２１へ流入する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
第１の実施形態では以下の効果が得られる。
（１）電磁ソレノイド３４が消磁状態では第２弁体３８の弁開度が最大となっており、
制御圧室１２１の圧力（制御圧）が高くなっている。制御圧室１２１の圧力を受圧体５３
の小径部４８２側の面で受けることによって、第１弁体５４が排出通路の一部である弁孔
５７１を閉じる閉弁方向に感圧体４５は付勢されている。従って、制御圧室１２１の圧力
が高くなったとしても、第１弁体５４を閉弁した状態を維持でき、可変容量型圧縮機１０
の最小容量運転を確実に維持することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月15日(2014.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
入射されたＸ線を検出して電気信号に変換するＸ線検出素子を、直交する第１の方向及び第２の方向にマトリクス状に配列し、前記第１の方向及び第２の方向に広がる検出面を有するＸ線検出素子基板と、
前記Ｘ線検出素子基板に積層され、前記電気信号を読み出す配線回路を有する配線基板と、
Ｘ線を吸収または散乱するコリメータ板を複数備え、これらのコリメータ板をすき間を空けて配列してなり、前記すき間が前記Ｘ線検出素子と向かい合うように前記検出面上に設置されたコリメータ部と、
光を光照射点から前記検出面に照射する光照射部と、を備え、
前記光照射部は、前記検出面に入射するＸ線の行路から退避した位置、かつ前記光照射点から照射された光が、前記検出面の前面に入射する位置に配置され、
前記Ｘ線検出素子は、前記光照射点から照射された光を電気信号に変換し、前記配線基板の配線回路はその電気信号の読み出しを行う、
ことを特徴とするＸ線検出器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項４のＸ線検出器において、
前記光照射部は、光を発光する発光部を備え、
前記Ｘ線検出器は、前記配線基板から前記検出面と直交する第３の方向に向けて立設する二つの支柱を備え、
前記二つの支柱は、前記Ｘ線検出素子基板及び前記コリメータ板を前記第一の方向に挟んで対向して備えられ、
前記支柱の少なくとも一つには、その支柱における前記コリメータ板と対向する面に穴または／及び窪みを有し、
前記発光部は、前記穴または／及び窪み内に設けられる、
ことを特徴とするＸ線検出器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項４のＸ線検出器において、
前記Ｘ線検出器は、前記配線基板から前記検出面と直交する第３の方向に向けて立設する二つの支柱を備え、
前記二つの支柱は、前記Ｘ線検出素子基板及び前記コリメータ板を前記第１の方向に挟んで対向して備えられ、
前記光照射部は、前記支柱の少なくとも一つにおける前記コリメータ板と対向する面に備えられる、
ことを特徴とするＸ線検出器。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
更にＸ線ＣＴ装置１は、外部と情報をやり取りする手段を具備することが望ましい。これにより、Ｘ線検出器１０４−１の交換と判断された場合には、装置メーカーなどへ自動的に連絡し、交換を速やかに行うことが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
本実施形態によれば、欠陥素子検出用光源１２２のＸ線によるダメージを除去、低減することができる。また、Ｘ線の行路から退避した位置に欠陥素子検出用光源１２２を位置させることで、Ｘ線撮影画像中に欠陥素子検出用光源１２２の影を作らないように配置することができる。また、欠陥素子検出用光源１２２からの光が垂直に近い角度で反射材１２９に入射するので、より多くの光が反射材１２９を透過し、フォトダイオード素子に到達できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
本実施形態によれば、欠陥素子検出用光源１２２のＸ線によるダメージを除去、低減することができる。また、Ｘ線の行路から退避した位置に欠陥素子検出用光源１２２を位置させることで、Ｘ線撮影画像中に欠陥素子検出用光源１２２の影を作らないように配置することができる。また、欠陥素子検出用光源１２２をコリメータ板１１３とコリメータ支持板１２１との間に挟んで配置するため、欠陥素子検出用光源１２２をより確実に固定することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
１００…Ｘ線源、１０１…ガントリー回転部、１０２…被検体、１０３…寝台天板、１０４…Ｘ線検出装置、１０５…中央処理装置、１０６…表示装置、１０７…回転軸方向（スライス方向）、１０８…回転方向（チャネル方向）、１１３・・・コリメータ板、１１６…Ｘ線絞り装置、１１７…制御装置、１１８…信号収集装置、１１９…入力装置、１２０・・・コリメータ、１２１・・・コリメータ支持板、１２２・・・欠陥素子検出用光源（光照射部）、１２３・・・支柱、１２４・・・配線基板、１２５・・・光電変換基板（Ｘ線検出素子基板）、１２８・・・シンチレータ素子（Ｘ線検出素子）、１５０・・・Ｘ線遮蔽部（Ｘ線限定部）、１５２・・・すき間、１６２・・・穴／窪み。