Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月10日(2013.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の凹部が形成された主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の当該主面上に形成され、かつ前記複数の凹部の直上にそれぞれ設けられた複数の開口部を有するマスクパターンと、
前記複数の凹部から前記複数の開口部を介して前記マスクパターンの上方に向けて成長したIII族窒化物半導体からなる複数の微細柱状結晶と、
前記複数の微細柱状結晶上にそれぞれ成長した活性層または光吸収層と、
前記各活性層または光吸収層を被覆する半導体層と、
を備える半導体光素子アレイ。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体光素子アレイにおいて、
前記各微細柱状結晶上には活性層が形成されている半導体光素子アレイ。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体光素子アレイにおいて、
径が異なる前記複数の微細柱状結晶を含み、
径が小さな個々の前記微細柱状結晶上の前記活性層から放出される発光のピーク波長は、径が大きな個々の前記微細柱状結晶上の前記活性層から放出される発光のピーク波長よりも短波長である半導体光素子アレイ。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体光素子アレイにおいて、
前記各微細柱状結晶は、先端部にファセット構造を有するとともに、前記各微細柱状結晶における前記ファセット構造の表面積は異なっており、
前記活性層は、前記ファセット構造を覆うようそれぞれ形成されており、
前記ファセット構造の表面積が小さな前記微細柱状結晶から放出される光のピーク波長は、前記ファセット構造の表面積が大きな前記微細柱状結晶から放出される光のピーク波長よりも短波長である半導体光素子アレイ。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体光素子アレイにおいて、
前記各微細柱状結晶は、ウルツ鉱型結晶構造を有しており、
前記ファセット構造を構成するファセット面は、前記ウルツ鉱型結晶構造の半極性面を含む半導体光素子アレイ。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体光素子アレイにおいて、
前記ファセット構造は、前記ウルツ鉱型結晶構造の極性面を含む、半導体光素子アレイ。
【請求項７】
請求項４に記載の半導体光素子アレイにおいて、
前記各微細柱状結晶は、ウルツ鉱型結晶構造を有しており、
前記ファセット構造は、前記ウルツ鉱型結晶構造の極性面を含む半導体光素子アレイ。
【請求項８】
請求項２から７のうちのいずれか１項に記載の半導体光素子アレイにおいて、
前記各微細柱状結晶の径は、１０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下である半導体光素子アレイ。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体光素子アレイにおいて、
前記微細柱状結晶の先端部には、ファセット面が形成されており、
前記活性層は、このファセット面を被覆する半導体光素子アレイ。
【請求項１０】
請求項２から９のうちのいずれか１項に記載の半導体光素子アレイであって、
前記活性層は、前記半導体層により完全に被覆されている、半導体光素子アレイ。
【請求項１１】
請求項２から１０のうちのいずれか１項に記載の半導体光素子アレイであって、
前記微細柱状結晶の導電型は、第１導電型であり、
前記半導体層は、前記第１導電型とは逆の第２導電型のIII族窒化物半導体層を含む、半導体光素子アレイ。
【請求項１２】
請求項２から１１のうちのいずれか１項に記載の半導体光素子アレイであって、
前記複数の微細柱状結晶は、発光波長の異なる複数の柱状結晶群からなる、半導体光素子アレイ。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体光素子アレイであって、
前記複数の柱状結晶群は、少なくとも、３原色の波長の光をそれぞれ放出する３つの柱状結晶群を含む、半導体光素子アレイ。
【請求項１４】
請求項２から１３のうちのいずれか１項に記載の半導体光素子アレイであって、前記活性層は、量子井戸層と、前記量子井戸層よりも大きなバンドギャップを有し前記量子井戸層を挟み込む障壁層とを含む量子井戸構造を有する、半導体光素子アレイ。
【請求項１５】
請求項２から１４のうちのいずれか１項に記載の半導体光素子アレイであって、前記マスクパターンの構成材料は、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、コバルト（Ｃｏ）およびタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）からなる群より選択された１種または２種以上の金属である、半導体光素子アレイ。
【請求項１６】
請求項２から１５のうちのいずれか１項に記載の半導体光素子アレイであって、前記III族窒化物半導体は窒化ガリウムを含む、半導体光素子アレイ。
【請求項１７】
請求項２から１６のうちのいずれか１項に記載の半導体光素子アレイであって、前記III族窒化物半導体はＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、かつ０≦ｘ＋ｙ≦１）を含む、半導体光素子アレイ。
【請求項１８】
半導体基板上に複数の開口部を有するマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをエッチングマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより前記半導体基板の主面に複数の凹部を形成する工程と、
前記各凹部から前記各開口部を介して前記マスクパターンの上方に向けて複数の微細柱状結晶を成長させる工程と、
前記微細柱状結晶上に活性層または光吸収層を成長させる工程と、
前記活性層または光吸収層を被覆する半導体層を形成する工程と、
を備える半導体光素子アレイの製造方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の半導体光素子アレイの製造方法であって、前記マスクパターンの上方に向けて複数の微細柱状結晶を成長させる前記工程と同時に、前記微細柱状結晶を前記半導体基板の面内方向に沿った横方向へ成長させる工程をさらに備える半導体光素子アレイの製造方法。
【請求項２０】
請求項１８または１９に記載の半導体光素子アレイの製造方法であって、
前記微細柱状結晶の導電型は、第１導電型であり、
前記半導体層は、前記第１導電型とは逆の第２導電型のIII族窒化物半導体層を含む半導体光素子アレイの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月16日(2014.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明による画像検索システムは、撮像手段による所定領域についての撮像画像の画像情報と、前記撮像画像と同時に得られ該撮像画像より情報量が少なくかつ外乱光の影響が排除された画像を取得可能なセンサによる前記所定領域についてのセンサ画像のセンサ情報とを、関連付けて記憶する記憶手段と、前記センサ情報を用いて、複数の前記撮像画像から選択された対象撮像画像と類似する類似画像を検索する検索処理手段と、を備えて構成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明による画像検索システムによれば、外乱光の影響が排除された画像を取得可能なセンサからのセンサ画像のセンサ情報を用いて、複数の撮像画像から選択された対象撮像画像と類似する類似画像を検索することができるため、外乱光による影響を受けずに安定した検索精度で類似画像を検索することができる。また、センサからのセンサ情報は撮像手段からの画像情報よりも情報量が少ないため、センサ情報を用いて類似画像を検索することで、処理すべき情報量を減らすことができ、計算機リソースへの負荷を減らすことができる。このようにして、外乱光による影響を受けずに、従来の画像検索システムよりも安定した検索精度で類似画像を検索することが画像検索システムを提供することができる。また、計算機リソースへの負荷を減らすことが可能な画像検索システムを提供することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段による所定領域についての撮像画像の画像情報と、前記撮像画像と同時に得られ該撮像画像より情報量が少なくかつ外乱光の影響が排除された画像を取得可能なセンサによる前記所定領域についてのセンサ画像のセンサ情報とを、関連付けて記憶する記憶手段と、
前記センサ情報を用いて、複数の前記撮像画像から選択された対象撮像画像と類似する類似画像を検索する検索処理手段と、
を備える画像検索システム。
【請求項２】
前記検索処理手段は、前記対象撮像画像の画像情報と関連付けられた前記センサ情報を検索キー情報とし、該検索キー情報と前記対象撮像画像以外の他の撮像画像の画像情報と関連付けられた他のセンサ情報とをそれぞれ比較し、前記検索キー情報と類似するセンサ情報を検索し、この検索したセンサ情報と関連する前記画像情報に基づく撮像画像を前記類似画像とすることを特徴とする請求項１に記載の画像検索システム。
【請求項３】
前記検索処理手段は、前記対象撮像画像の画像情報と関連付けられた前記センサ情報を検索キー情報とし、該検索キー情報を加工処理した情報である加工検索キー情報と前記対象撮像画像以外の他の撮像画像の画像情報と関連付けられた他のセンサ情報を加工処理した情報である加工センサ情報とをそれぞれ比較して、前記加工検索キー情報と類似する加工センサ情報を検索し、この検索した加工センサ情報の加工処理前のセンサ情報と関連する前記画像情報に基づく撮像画像を前記類似画像とすることを特徴とする請求項１に記載の画像検索システム。
【請求項４】
前記加工処理は前記検索キー情報及び前記センサ情報の画素毎の情報を所定の画素数単位で平均化処理して情報量を減じる処理であることを特徴とする請求項３に記載の画像検索システム。
【請求項５】
前記記憶部に記憶される前記センサ情報は、複数の種類の情報を含み、
前記検索処理手段は、前記複数の種類の情報のうちの少なくとも１種類の情報を用いて、前記類似画像の検索を行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の画像検索システム。
【請求項６】
前記検索処理手段は、前記対象撮像画像において所定の画像範囲を設定し、該所定の画像範囲に対応する範囲で前記類似画像を検索することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の画像検索システム。
【請求項７】
前記センサ情報は、前記センサ画像の各画素における濃淡情報及び前記所定領域内の対象物までの距離情報の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の画像検索システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月19日(2013.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
ＥＣＣ２処理部２３２は、上記のようにしてＥＣＣバッファ２３０上に一時的に保持されたエラー訂正コードＥＣＣ２を用いて、ＮＶＲＡＭ２２のデータ２２Ｄに対するビット誤り検出・訂正処理を行うものである。なお、この際のエラー訂正コードＥＣＣ２を用いたビット誤り検出・訂正処理は、例えば一般的に利用されているハミング符号方式を用いて行われる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
（２−２．比較例２）
次いで、図５は、比較例２に係るメモリシステム（不揮発性メモリシステム２０２）を備えたデータ記憶システム（データ記憶システム２０１）のブロック構成を表したものである。この比較例２のデータ記憶システム２０１は、ＣＰＵ１０、ＤＲＡＭ１１、ＤＲＡＭコントローラ１２および不揮発性メモリシステム２０２を備えている。すなわち、本実施の形態のデータ記憶システム１において、本実施の形態の不揮発性メモリシステム２の代わりに、比較例２の不揮発性メモリシステム２０２を設けたものであり、他の構成は同様となっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
ここで、前述したステップＳ１０３の後には、ＮＶＭコントローラ２３は、エラー訂正コードＥＣＣ２を用いて、ＮＶＲＡＭ２２において読み出し対象となっているデータ２２Ｄに対するビット誤り検出・訂正処理を行う（ステップＳ１１１）。この際、エラー訂正コードＥＣＣ２を用いたビット誤り検出・訂正処理は、例えば、一般的に利用されているハミング符号方式を用いて行う。なお、訂正を行うのが不可能なビット誤りが検出された場合には、ＮＶＭコントローラ２３は、例えばその旨をＣＰＵ１０へ通知するようにする。そして、ＮＶＭコントローラ２３は、このようなビット誤り検出・訂正処理後の該当するデータ２２Ｄを、ＣＰＵ１０へ出力する（ステップＳ１１２）。以上により、図６に示したＮＶＲＡＭ２２からＣＰＵ１０へのデータ読み出し処理が終了となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
不揮発性メモリシステム２Ａは、ＥＣＣを内蔵したＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１Ａと、ＮＶＲＡＭ２２と、ＮＶＭコントローラ２３Ａとを備えている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１Ａは、前述したＥＣＣ１処理部２３１を内蔵することを特徴としている。そのため、本変形例のＮＶＭコントローラ２３Ａは、エラー訂正コードＥＣＣ１を用いてビット誤り検出・訂正処理を行ったデータを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１Ａから受信し、ＥＣＣバッファ２３０に一時的に保存する。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１Ａに対して書込みを行う場合にも、データ２１Ｄのみを送信する。このＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１Ａはまた、ページ２１１Ｐ単位で構成されるデータブロック２１１と、ページ２１２Ｐ単位で構成されるＥＣＣ２ブロック２１２とを有している。なお、ページ２１１Ｐ，２１２Ｐにおけるデータ構成は、上記実施の形態におけるページ２１１Ｐ，２１２Ｐにおけるデータ構成と同様となっているが、エラー訂正コードＥＣＣ１を保存する領域にはＮＶＭコントローラ２３Ａからはアクセスすることはできない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
ＭＦＤ２１Ｂは、ブロック単位（ここでは、セクタ２１１Ｓ，２１２Ｓ単位）でデータのアクセスが行われるＮＡＮＤ型フラッシュを搭載したストレージデバイスである。このＭＦＤ２１Ｂは、前述したＥＣＣ１処理部２３１と同等の機能を内蔵することを特徴としている。そのため、本変形例のＮＶＭコントローラ２３Ａは、エラー訂正コードＥＣＣ１を用いてビット誤り検出・訂正処理を行ったデータをＭＦＤ２１Ｂから受信し、ＥＣＣバッファ２３０に一時的に保存する。ＭＦＤ２１Ｂに対して書込みを行う場合にも、データ２１Ｄのみを送信する。このＭＦＤ２１Ｂはまた、セクタ２１１Ｓ単位で構成されるデータブロック２１１と、セクタ２１２Ｓ単位で構成されるＥＣＣ２ブロック２１２とを有している。なお、セクタ２１１Ｓ，２１２Ｓにおけるデータ構成は、上記実施の形態におけるページ２１１Ｐ，２１２Ｐにおけるデータ構成と同様となっているが、エラー訂正コードＥＣＣ１を保存する領域にはＮＶＭコントローラ２３Ａからはアクセスすることはできない。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月24日(2014.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷データからプリンタが解釈可能な印刷コマンドへ変換する印刷コマンド生成処理を行う印刷コマンド生成手段と、
前記印刷コマンド生成手段による印刷コマンド生成処理が遅延するか否かを前記印刷データに基づいて判定する判定手段と、
前記判定手段が前記印刷コマンド生成処理が遅延すると判定した場合に、前記印刷コマンド生成処理が遅延することを示す遅延コマンドを生成する遅延コマンド生成手段と、
前記遅延コマンド生成手段が前記遅延コマンドを生成した場合に、前記印刷コマンド生成処理が遅延することを示すステータスを表示する表示手段と
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記印刷コマンドと前記遅延コマンドを前記プリンタに送信する送信手段を更に有することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記プリンタのステータスを取得する取得手段を更に有し、
前記プリンタのステータスがエラーもしくは印刷中であった場合、エラーもしくは印刷中のステータス表示は、前記表示手段の前記印刷コマンド生成処理が遅延することを示す前記ステータスよりも優先して表示されることを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記判定手段は、前記印刷データに含まれる画像データのサイズの合計が印刷するページのデータサイズより大きい場合、もしくは、前記印刷データに対して復号化処理が必要である場合に前記印刷コマンド生成処理が遅延すると判定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
印刷データからプリンタが解釈可能な印刷コマンドへ変換する印刷コマンド生成処理を行う印刷コマンド生成工程と、
前記印刷コマンド生成工程における印刷コマンド生成処理が遅延するか否かを前記印刷データに基づいて判定する判定工程と、
前記判定工程にて前記印刷コマンド生成処理が遅延すると判定した場合に、前記印刷コマンド生成処理が遅延することを示す遅延コマンドを生成する遅延コマンド生成工程と、
前記遅延コマンド生成工程にて前記遅延コマンドを生成した場合に、前記印刷コマンド生成処理が遅延することを示すステータスを表示する表示工程と
を有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項６】
コンピュータを、
印刷データからプリンタが解釈可能な印刷コマンドへ変換する印刷コマンド生成処理を行う印刷コマンド生成手段、
前記印刷コマンド生成手段による印刷コマンド生成処理が遅延するか否かを前記印刷データに基づいて判定する判定手段、
前記判定手段が前記印刷コマンド生成処理が遅延すると判定した場合に、前記印刷コマンド生成処理が遅延することを示す遅延コマンドを生成する遅延コマンド生成手段、
前記遅延コマンド生成手段が前記遅延コマンドを生成した場合に、前記印刷コマンド生成処理が遅延することを示すステータスを表示する表示手段
として機能させるためのプログラム。
【請求項７】
コンピュータを更に、
前記印刷コマンドと前記遅延コマンドを前記プリンタに送信する送信手段として機能させることを特徴とする請求項６に記載のプログラム。
【請求項８】
コンピュータを更に、
前記プリンタのステータスを取得する取得手段として機能させ、
前記プリンタのステータスがエラーもしくは印刷中であった場合、エラーもしくは印刷中のステータス表示は、前記表示手段の前記印刷コマンド生成処理が遅延することを示す前記ステータスよりも優先して表示されることを特徴とする請求項６又は７に記載のプログラム。
【請求項９】
前記判定手段は、前記印刷データに含まれる画像データのサイズの合計が印刷するページのデータサイズより大きい場合、もしくは、前記印刷データに対して復号化処理が必要である場合に前記印刷コマンド生成処理が遅延すると判定することを特徴とする請求項６乃至８いずれか一項に記載のプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置およびその制御方法、並びにプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために本願発明は以下の構成を有する。すなわち、印刷データからプリンタが解釈可能な印刷コマンドへ変換する印刷コマンド生成処理を行う印刷コマンド生成手段と、前記印刷コマンド生成手段による印刷コマンド生成処理が遅延するか否かを前記印刷データに基づいて判定する判定手段と、前記判定手段が前記印刷コマンド生成処理が遅延すると判定した場合に、前記印刷コマンド生成処理が遅延することを示す遅延コマンドを生成する遅延コマンド生成手段と、前記遅延コマンド生成手段が前記遅延コマンドを生成した場合に、前記印刷コマンド生成処理が遅延することを示すステータスを表示する表示手段とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月24日(2014.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ処理装置であって、
データ領域を含み、工場出荷時における前記データ領域の使用状況を示す第１の情報を記憶し、かつ、ユーザデータを前記データ領域に記憶する記憶部と、
前記記憶部からの前記ユーザデータの一括削除を実行するする削除手段と、
前記一括削除の実行後における前記データ領域の使用状況を示す第２の情報を生成する情報生成手段と、
前記第１の情報及び前記第２の情報から、前記工場出荷時における前記データ領域の使用状況と、前記一括削除の実行後における前記データ領域の使用状況とを示す画像を生成する画像生成手段と、
前記画像生成手段によって生成された画像を出力する出力手段と、
を有することを特徴とするデータ処理装置。
【請求項２】
前記第２の情報は、更に、前記一括削除の実行前における前記データ領域の使用状況を示し、
前記画像生成手段によって生成された画像は、前記工場出荷時における前記データ領域の使用状況と、前記一括削除の実行前における前記データ領域の使用状況と、前記一括削除の実行後における前記データ領域の使用状況とを並べて提示するための画像である
ことを特徴とする請求項１に記載のデータ処理装置。
【請求項３】
前記情報生成手段は、前記データ領域を複数のブロックに分割し、それぞれのブロックに対してユーザデータの有無を判定し、前記第２の情報を生成することを特徴とする請求項１に記載のデータ処理装置。
【請求項４】
前記情報生成手段は、前記データ領域が複数のパーティションに分割されている場合に、それぞれのパーティションを複数のブロックに更に分割し、それぞれのブロックに対してユーザデータの有無を判定し、前記第２の情報を生成することを特徴とする請求項１に記載のデータ処理装置。
【請求項５】
記憶部を備えるデータ処理装置の制御方法であって、
工場出荷時における前記記憶部のデータ領域の使用状況を示す第１の情報を、前記記憶部に記憶させる第１の記憶工程と、
ユーザデータを前記データ領域に記憶させる第２の記憶工程と、
前記記憶部からの前記ユーザデータの一括削除を実行する削除工程と、
前記一括削除の実行後における前記データ領域の使用状況を示す第２の情報を生成する情報生成工程と、
前記第１の情報及び前記第２の情報から、前記工場出荷時における前記データ領域の使用状況と、前記一括削除の実行後における前記データ領域の使用状況とを示す画像を生成する画像生成工程と、
前記画像生成工程で生成された画像を出力する出力工程と、
を有することを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明に係るデータ処理装置は、データ領域を含み、工場出荷時における前記データ領域の使用状況を示す第１の情報を記憶し、かつ、ユーザデータを前記データ領域に記憶する記憶部と、前記記憶部からの前記ユーザデータの一括削除を実行するする削除手段と、前記一括削除の実行後における前記データ領域の使用状況を示す第２の情報を生成する情報生成手段と、前記第１の情報及び前記第２の情報から、前記工場出荷時における前記データ領域の使用状況と、前記一括削除の実行後における前記データ領域の使用状況とを示す画像を生成する画像生成手段と、前記画像生成手段によって生成された画像を出力する出力手段と、を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
スキャナＩ／Ｆ４６は、第１の調歩同期シリアルＩ／Ｆ５４及び第１のビデオＩ／Ｆ５５を介してスキャナコネクタ５６に接続されている。スキャナコネクタ５６は、リーダ部１０２のスキャナユニット１０７に接続されている。スキャナＩ／Ｆ４６は、スキャナユニット１０７から受信した画像データに対し所望の２値化処理や、主走査方向及び／又は副走査方向の変倍処理を行う。スキャナＩ／Ｆ４６は、スキャナユニット１０７から送られてきたビデオ信号に基づいて制御信号を生成し、生成した制御信号をスキャナバス４５を介してメインコントローラ３２に転送する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ライセンスなどを保存する拡張ソフト格納領域３０５、ＯＳを含むプログラムを保存するプログラム領域３０６に対しては、ユーザデータの一括削除処理を行わない。ユーザの下で画像形成装置１００が稼働している最中にも、ライセンスの追加やプログラムのアップデートが行われた場合には、拡張ソフト格納領域３０５やプログラム領域３０６はサービスマンやユーザによって変更される可能性がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
調整値・設定値格納領域画像７０６は、ＳＲＡＭ４３に対応したデータ領域使用状況情報を画像化したものである。ＳＲＡＭ４３は、ユーザデータを一部保存しているので、ユーザデータ一括削除実行時にユーザに関するデータ項目のみ削除するが、機体の調整値・設定値に関する項目は削除を行わない。機体の調整値・設定値は、ユーザの下での画像形成装置１００の稼働中にも変更されることもあるので、工場出荷時と一括削除実行後でデータ領域使用状況情報に差分が生じる可能性がある。その場合も拡張ソフト領域画像７０５と同様に、この領域に工場出荷時との差分があってもセキュリティ上問題ない旨を７０７のコメントで表示する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月21日(2014.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチパネルと、
前記タッチパネルに対するタッチ入力を検出するタッチ検出手段と、
情報処理装置の振動を検出する振動検出手段と、
前記タッチ検出手段によって、前記タッチパネルにタッチして離す１回のタッチ操作を検出した後、所定時間以内に、前記タッチ検出手段によって再度タッチされたことが検出されず、かつ前記振動検出手段によって所定の条件を満たす振動も検出されなかった場合は第１の機能を実行するように制御し、
前記タッチ検出手段によって前記１回のタッチ操作を検出した後、前記所定時間以内に、前記振動検出手段によって前記所定の条件を満たす振動が検出された場合、第２の機能を実行するように制御する制御手段と、を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記タッチ検出手段によって前記１回のタッチ操作を検出した後、前記所定時間以内に、前記タッチ検出手段によって２回目のタッチ操作を検出した場合、前記第２の機能を実行するように制御することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記タッチ検出手段によって前記１回のタッチ操作を検出した後、前記所定時間以内に、前記振動検出手段によって振動が検出されても、当該振動が前記所定の条件を満たさない場合には、前記第２の機能を実行しないように制御することを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記振動検出手段は、前記情報処理装置に生じる加速度を検出することによって、前記情報処理装置の振動を検出し、
前記制御手段は、前記タッチ検出手段によって前記１回のタッチ操作を検出した後、前記所定時間以内に前記振動検出手段によって振動として検出された加速度が所定の大きさ以上である場合に、前記第２の機能を実行するように制御することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記振動検出手段は、前記情報処理装置に生じる加速度を検出することによって、前記情報処理装置の振動を検出し、
前記制御手段は、前記タッチ検出手段によって前記１回のタッチ操作を検出した後、前記所定時間以内に前記振動検出手段によって振動として検出された加速度が、前記１回のタッチ操作に伴って情報処理装置に生じる加速度と同じ特徴を持つ場合には、前記第２の機能を実行するように制御することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記タッチ検出手段によって前記１回のタッチ操作を検出した後、前記所定時間以内に前記振動検出手段によって振動として検出された加速度の特徴が、予め定められた条件を満たす場合には、前記第２の機能を実行するように制御することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記タッチ検出手段は、前記タッチパネルからの出力が特定の条件を満たす場合にタッチ操作として検出し、
前記制御手段は、前記タッチ検出手段によって前記１回のタッチ操作を検出した後、前記所定時間以内に前記振動検出手段によって振動が検出された際に、前記タッチパネルからの出力に変化があった場合、当該出力が前記特定の条件を満たしていなくとも、前記第２の機能を実行するように制御することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記情報処理装置は、撮像手段を有する撮像装置であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
タッチパネルと、
前記タッチパネルに対するタッチ入力を検出するタッチ検出手段と、
情報処理装置の振動を検出する振動検出手段と、を有する情報処理装置の制御方法であって、
前記タッチ検出手段によって、前記タッチパネルにタッチして離す１回のタッチ操作を検出した後、所定時間以内に、前記タッチ検出手段によって再度タッチされたことが検出されず、かつ前記振動検出手段によって所定の条件を満たす振動も検出されなかった場合は第１の機能を実行するように制御し、
前記タッチ検出手段によって前記１回のタッチ操作を検出した後、前記所定時間以内に、前記振動検出手段によって前記所定の条件を満たす振動が検出された場合、第２の機能を実行するように制御する制御工程を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１０】
コンピュータを、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の情報処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の情報処理装置の各手段として機能させるためのプログラムを記憶したコンピュータによる読み取りが可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明の情報処理装置は、タッチパネルと、前記タッチパネルに対するタッチ入力を検出するタッチ検出手段と、情報処理装置の振動を検出する振動検出手段と、前記タッチ検出手段によって、前記タッチパネルにタッチして離す１回のタッチ操作を検出した後、所定時間以内に、前記タッチ検出手段によって再度タッチされたことが検出されず、かつ前記振動検出手段によって所定の条件を満たす振動も検出されなかった場合は第１の機能を実行するように制御し、前記タッチ検出手段によって前記１回のタッチ操作を検出した後、前記所定時間以内に、前記振動検出手段によって前記所定の条件を満たす振動が検出された場合、第２の機能を実行するように制御する制御手段と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月24日(2014.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
画素電極と、
前記基板と前記画素電極との間に配置されたデータ線と、
前記基板と前記画素電極との間に配置され、前記データ線と交差する走査線と、
前記データ線に電気的に接続された第１ソースドレイン領域、及び前記画素電極に電気的に接続された第２ソースドレイン領域を有し、前記基板と前記データ線との間に配置された半導体層と、
前記画素電極と前記半導体層との間に配置された第１絶縁膜と、
前記画素電極と前記半導体層との間に配置された第２絶縁膜と、
前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜を貫通するように設けられた溝を覆うように配置された蓄積容量と、
を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１絶縁膜は、前記データ線と前記半導体層との間に配置され、
前記第２絶縁膜は、前記データ線と前記画素電極との間に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記蓄積容量は、前記半導体層と前記画素電極との間に配置されることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記半導体層は、前記第１ソースドレイン領域と前記第２ソースドレイン領域との間にチャネル領域を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第２ソースドレイン領域に電気的に接続され、前記データ線と前記半導体層との間に配置された中継層をさらに含み、
前記蓄積容量が含む画素電位側容量電極は、前記画素電極に電気的に接続され、前記中継層に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記溝は、前記画素電極の側から前記基板の側を見たとき、前記走査線に沿って延びるように、且つ、前記走査線の一部に重なるように設けられることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記半導体層は、前記画素電極の側から前記基板の側を見たとき、前記データ線に沿って延びるように、且つ、前記データ線の一部に重なるように配置されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の電気光学装置を含むことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一態様の電気光学装置は、基板と、画素電極と、前記基板と前記画素電極との間に配置されたデータ線と、前記基板と前記画素電極との間に配置され、前記データ線と交差する走査線と、前記データ線に電気的に接続された第１ソースドレイン領域、及び前記画素電極に電気的に接続された第２ソースドレイン領域を有し、前記基板と前記データ線との間に配置された半導体層と、前記画素電極と前記半導体層との間に配置された第１絶縁膜と、前記画素電極と前記半導体層との間に配置された第２絶縁膜と、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜を貫通するように設けられた溝を覆うように配置された蓄積容量と、を含むことを特徴とする。
上記の本発明に係る電気光学装置は、基板上に設けられた画素電極と、前記基板と前記画素電極との間に設けられ、互いに交差するデータ線及び走査線と、前記基板と前記データ線との間に設けられ、前記データ線に電気的に接続された第１ソースドレイン領域、及び前記画素電極に電気的に接続された第２ソースドレイン領域を有する半導体層と、前記データ線と前記半導体層との間に設けられた第１絶縁膜と、前記データ線と前記画素電極との間に設けられた第２絶縁膜と、前記半導体層と前記画素電極との間に設けられ、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜を貫通するように設けられた溝内の少なくとも一部に設けられた溝内部分を有する蓄積容量とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月24日(2013.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
シクロオレフィン系樹脂フィルムは、適宜の市販品を用いることができ、例えば、ドイツの TOPAS ADVANCED POLYMERS GmbH にて生産され、日本ではポリプラスチック（株）から販売されている“TOPAS ”、ＪＳＲ（株）から販売されている“アートン”、日本ゼオン（株）から販売されている“ゼオノア”（ZEONOR）及び“ゼオネックス”（ZEONEX）、三井化学（株）から販売されている“アペル”などを挙げることができる。このようなシクロオレフィン系樹脂を製膜してフィルムとするためには、溶剤キャスト法や溶融押出法など、公知の方法が適宜用いられる。また、例えば、積水化学工業（株）から販売されている“エスシーナ”及び“SCA40 ”、日本ゼオン（株）から販売されている“ゼオノアフィルム”、ＪＳＲ（株）から販売されている“アートンフィルム”（以上、いずれも商品名）など、予め製膜されたシクロオレフィン系樹脂製フィルムの市販品を用いてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
光カチオン重合開始剤の配合量は、エポキシ化合物やオキセタン化合物を包含するカチオン重合性化合物の合計１００重量部に対して、通常 ０.５重量部〜２０重量部であり、好ましくは１重量部〜６重量部である。光カチオン重合開始剤の配合量が少ないと、硬化が不十分になり、機械的強度や偏光フィルムと保護フィルムの間の接着性を低下させる傾向にある。一方、光カチオン重合開始剤の配合量が多すぎると、硬化物中のイオン性物質が増加することで硬化物の吸湿性が高くなり、得られる接着剤層の耐久性能が低下する可能性がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
酢酸セルロース系樹脂フィルムは、セルロースの部分又は完全酢酸エステル化物からなるフィルムであって、例えばトリアセチルセルロースフィルム、ジアセチルセルロースフィルムなどが挙げられる。このような酢酸セルロース系樹脂フィルムとしては、適宜の市販品、例えば、富士フイルム（株）から販売されている“フジタック TD80 ”、“フジタック TD80UF”及び“フジタック TD80UZ”、コニカミノルタオプト（株）から販売されている“KC8UX2M”、“KC8UY”及び“KC4UEW”（以上、いずれも商品名）などを用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月3日(2014.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に周期的な凹凸構造を有する基材と、
前記基材の凹凸構造表面に配置された金属層と、を有し、
前記凹凸構造の周期が１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であり、前記凹凸構造の凸部の頂点と凹部の底との高低差が７０ｎｍ以上４００ｎｍ以下であり、可視領域の光の全光透過率が６０％以上であり、かつ赤外領域の光の全光透過率と全光反射率との和が９０％以下であることを特徴とするワイヤグリッド偏光板。
【請求項２】
前記可視領域の光は、４５０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の波長の光であることを特徴とする請求項１に記載のワイヤグリッド偏光板。
【請求項３】
前記赤外領域の光は、８００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下の波長の光であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のワイヤグリッド偏光板。
【請求項４】
前記金属層のデューティー比が０．２以下であり、アスペクト比が１０以上であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のワイヤグリッド偏光板。
【請求項５】
前記金属層の平均膜厚が１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載のワイヤグリッド偏光板。
【請求項６】
前記金属層は、アルミニウムを含んで構成されたことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載のワイヤグリッド偏光板。
【請求項７】
前記金属層は、前記凹凸構造表面において、凸部の一方側面より他方側面に厚く配置されたことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載のワイヤグリッド偏光板。
【請求項８】
前記金属層は、斜め蒸着法によって形成されたことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載のワイヤグリッド偏光板。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載のワイヤグリッド偏光板を用いたことを特徴とする車両用窓ガラス。
【請求項１０】
請求項１から請求項８のいずれかに記載のワイヤグリッド偏光板を用いたことを特徴とする偏光サングラス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ワイヤグリッド偏光板並びにこれを用いた車両用窓ガラス及び偏光サングラス
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ワイヤグリッド偏光板並びにこれを用いた車両用窓ガラス及び偏光サングラスに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、可視領域の光に対する高い透過性と、近赤外領域以上の長波長の光に対する低い透過性とを備えたワイヤグリッド偏光板並びにこれを用いた車両用窓ガラス及び偏光サングラスを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明のワイヤグリッド偏光板において、前記金属層は、斜め蒸着法によって形成されても良い。
また、本発明の車両用窓ガラスは、上記記載のワイヤグリッド偏光板を用いたことを特徴とする。
また、本発明の偏光サングラスは、上記記載のワイヤグリッド偏光板を用いたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明によれば、可視領域の光に対する高い透過性と、近赤外領域以上の長波長の光に対する低い透過性とを備えたワイヤグリッド偏光板並びにこれを用いた車両用窓ガラス及び偏光サングラスを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月22日(2014.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
像担持体を帯電する帯電工程と、前記像担持体上に静電潜像を形成する工程と、前記静電潜像をトナーで現像してトナー像を形成する工程と、前記トナー像を転写材に転写する転写工程と、転写後の前記像担持体表面から残存するトナーを除去するクリーニング工程と、を有する画像形成方法であって、
前記帯電工程は、少なくとも放電を伴う工程であり、
前記クリーニング工程は、少なくとも弾性部材を、前記像担持体表面に当接させてクリーニングを行う工程であり、
前記像担持体と前記弾性部材との当接部の、像担持体の回転方向を基準とした上流側に、個数平均粒径が５０ｎｍ以上、トナーの重量平均粒径以下で、比表面積が５０ｍ２／ｇ以上５００ｍ２／ｇ以下である炭酸カルシウム粒子を存在させることを特徴とする画像形成方法。
【請求項２】
前記像担持体と前記弾性部材との当接部の、像担持体の回転方向を基準とした上流側に、個数平均粒径が５０ｎｍ以上、前記炭酸カルシウム粒子の個数平均粒径以下の、前記炭酸カルシウム粒子以外の無機微粒子を更に存在させることを特徴とする請求項１に記載の画像形成方法。
【請求項３】
前記無機微粒子の比重の、前記炭酸カルシウム粒子の比重に対する比が、３．０以上１０．０以下であることを特徴とする、請求項２に記載の画像形成方法。
【請求項４】
前記炭酸カルシウム粒子の表面空孔径が、前記無機微粒子の個数平均粒径より小さいことを特徴とする請求項２又は３に記載の画像形成方法。
【請求項５】
前記無機微粒子の平均円形度が、０．９００以上０．９２０以下であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の画像形成方法。
【請求項６】
前記像担持体の、画像形成１００００枚当りの磨耗速度が０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像形成方法。
【請求項７】
前記トナーの平均円形度が、０．９３０以上０．９８０以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像形成方法。
【請求項８】
前記炭酸カルシウム粒子の平均円形度が、０．９３０以上１．０００以下であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像形成方法。
【請求項９】
前記炭酸カルシウム粒子の個数平均粒径が８０ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であり、前記トナーに外添されたものであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像形成方法。
【請求項１０】
少なくとも像担持体と、放電開始電圧以上の帯電バイアスを印加する帯電バイアス印加手段と帯電部材とからなり前記像担持体を帯電する帯電手段と、トナーを有する現像手段と、転写手段と、弾性部材からなるクリーニング手段と、を備えた画像形成装置であって、
前記像担持体と前記弾性部材との当接部の、像担持体の回転方向を基準とした上流側に、個数平均粒径が５０ｎｍ以上、トナーの重量平均粒径以下で、比表面積が５０ｍ２／ｇ以上５００ｍ２／ｇ以下である炭酸カルシウム粒子が存在することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成方法及び画像形成装置
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月9日(2013.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実空間に仮想オブジェクトを重畳して表示する拡張現実アプリケーションをユーザに提供可能な情報処理装置であって、
前記実空間において前記ユーザに及ぶ危険を認識する危険認識部と、
前記拡張現実アプリケーションが前記ユーザに提供されている間に前記危険認識部により危険が認識された場合に、前記ユーザに危険の存在を報知する報知部と、
を備える情報処理装置。
【請求項２】
前記報知部は、前記拡張現実アプリケーションの表示を制御することにより、前記ユーザに危険の存在を報知する、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記報知部は、前記拡張現実アプリケーションに割り込むことにより、前記ユーザに危険の存在を報知する、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記報知部は、前記危険認識部により危険が認識された場合に、前記ユーザに提供されている前記拡張現実アプリケーションを中断し又は停止する、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記報知部は、前記危険認識部により危険が認識された場合に、前記ユーザに提供されている前記拡張現実アプリケーションにおいて表示中の仮想オブジェクトを点滅させ又は透過させる、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記報知部は、前記危険認識部により危険が認識された場合に、前記拡張現実アプリケーションが提供されている画面上に警報のためのオブジェクトを表示させる、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記警報のためのオブジェクトは、前記危険認識部により認識された危険の原因に対応する位置又は領域を指し示す、請求項６に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記危険認識部は、前記実空間において前記ユーザと衝突する可能性のある物体の存在を危険として認識する、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記情報処理装置は、前記実空間における相対的に安全性の低い危険領域を定義する危険領域情報を取得する情報取得部、をさらに備え、
前記危険認識部は、前記危険領域情報により定義された前記危険領域への前記ユーザの接近又は進入を危険として認識する、
請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記情報処理装置は、前記実空間において前記ユーザに危険を及ぼす可能性のある危険物体を定義する危険物体情報を取得する情報取得部、をさらに備え、
前記危険認識部は、前記危険物体情報により定義された前記危険物体への前記ユーザの接近を危険として認識する、
請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記危険認識部は、表示される前記仮想オブジェクトの画面に占める割合が所定の閾値を上回る場合に、危険を認識する、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記報知部は、所定の上限値と等しい回数既に前記ユーザに報知された危険について当該危険の存在を前記ユーザに報知しない、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
前記報知部は、前記ユーザの行動履歴に含まれる行動と同様の行動をユーザが行っている場合には、前記ユーザに危険の存在を報知しない、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
前記情報処理装置は、前記ユーザにより予め指定される危険について前記報知部による報知を無効化する設定部、をさらに備える、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１５】
前記情報処理装置は、前記実空間内の物体と前記ユーザとの間の距離を測定する測距センサ、をさらに備え、
前記危険認識部は、前記測距センサにより測定される各物体との間の距離に基づいて、前記ユーザに及ぶ危険を認識する、
請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１６】
前記測距センサは、前記拡張現実アプリケーションの提供のために使用される撮像装置の光軸とは異なる方向に沿って距離を測定可能なように設けられる、請求項１５に記載の情報処理装置。
【請求項１７】
前記情報処理装置は、外部装置から危険に関する情報を受信する通信部、をさらに備え、
前記危険認識部は、前記通信部により受信される前記危険に関する情報を用いて、前記ユーザに及ぶ危険を認識する、
請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１８】
前記外部装置は、前記ユーザに及ぶ危険の原因となる可能性のある物体又は領域に設置される装置である、請求項１７に記載の情報処理装置。
【請求項１９】
実空間に仮想オブジェクトを重畳して表示する拡張現実アプリケーションをユーザに提供可能な情報処理装置における報知方法であって、
前記拡張現実アプリケーションが前記ユーザに提供されている間に、前記実空間において前記ユーザに及ぶ危険を認識するステップと、
危険が認識された場合に、前記拡張現実アプリケーションに割り込むことにより前記ユーザに危険の存在を報知するステップと、
を含む報知方法。
【請求項２０】
実空間に仮想オブジェクトを重畳して表示する拡張現実アプリケーションをユーザに提供可能な情報処理装置を制御するコンピュータを、
前記実空間において前記ユーザに及ぶ危険を認識する危険認識部と、
前記拡張現実アプリケーションが前記ユーザに提供されている間に前記危険認識部により危険が認識された場合に、前記拡張現実アプリケーションに割り込むことにより前記ユーザに危険の存在を報知する報知部と、
として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月9日(2014.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
詳細については後述するが、ユーザが例えば手等を使って音響信号入力部１０１近傍を覆うと、その手（覆った物）と音響信号入力部１０１との間に、小空間が形成され、その小空間の存在（小空間の位置、形状、大きさ、覆った物の材質、形状、角度等）により、音響信号入力部１０１の伝達関数が変化し、集音された音響信号に共振点が観測されるようになる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
周波数特性蓄積部１１１は、例えば、ハードディスク、フラッシュメモリ、若しくはRAM（Random Access Memory）等の任意の記憶媒体を有し、時間周波数変換部１０２から供給された入力音の周波数特性（パワースペクトル）を記憶する。周波数特性蓄積部１１１は、所定のタイミング、若しくは、覆われ特徴量算出部１１２の要求に基づいて、記憶しているパワースペクトルを覆われ特徴量算出部１１２に供給する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
ステップＳ２０５において、覆われ検出部２０３は、覆われ状態の検出を行い、ステップＳ２０１乃至ステップＳ２０４の処理により生成されたパワースペクトルから、覆われ状態情報を生成する。ステップＳ２０６において、機器制御決定部１０４は、図１１のステップＳ１０４の場合と同様に、ステップＳ２０５において生成された覆われ状態情報に基づいて、その覆われ状態に応じた制御内容を決定する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
覆われ状態検出処理が開始されると、周波数特性蓄積部２１１は、ステップＳ２２１において、図１７のステップＳ２０２において算出された音響信号入力部１０１−１の入力音のパワースペクトルを記憶する。また、周波数特性蓄積部２１１は、ステップＳ２２２において、図１７のステップＳ２０４において算出された音響信号入力部１０１−２の入力音のパワースペクトルを記憶する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
ステップＳ２２５の処理が終了すると、覆われ検出部２０３は、覆われ状態検出処理を終了し、処理を図１７のステップＳ２０５に戻し、ステップＳ２０６以降の処理を実行させる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５５】
例えば、ユーザは、ヘッドホンの左右のスピーカの近傍に設けられた、音響信号入力部１０１−Ｒ、１０１−Ｌのいずれか一方を手で覆うことにより、容易に、楽曲を選択したり、楽曲の再生を早送りしたり巻き戻したりすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６７】
また、以上においては、携帯型音楽再生装置に制御装置１００を適用する場合について説明したが、制御装置１００の代わりに制御装置２００を適用するようにしてももちろんよい。その場合、音響信号入力部１０１−Ｌおよび音響信号入力部１０１−Ｒが、それぞれ、図１４乃至図１８を参照して説明したように、２つの音響信号入力部１０１−１および音響信号入力部１０１−２として構成される。覆われ検出部１０３−Ｌおよび覆われ検出部１０３−Ｒは、スペクトルの差分情報に基づいてそれぞれの覆われ状態情報を生成する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７８】
例えば、ユーザが、通話中に、携帯電話機４００の送話部分（音響信号入力部１０１）近傍（口元）に手を当てると、携帯電話機４００は、受話音量（スピーカの出力レベル）を大きくする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８１】
例えば、ユーザが、非通話中に、携帯電話機４００の送話部分（音響信号入力部１０１）近傍（口元）に手を当てて音声を入力すると、携帯電話機４００は、その入力された音声に応じた処理を行う。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９０】
［制御処理の流れ］
図２３のフローチャートを参照して、この場合の制御処理の流れの例を説明する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９１】
この場合、図２３に示されるように、制御処理は、図１１を参照して説明した場合と基本的に同様に行われる。つまり、ステップＳ４０１乃至ステップＳ４０４の各処理は、基本的に、図１１のステップＳ１０１乃至ステップＳ１０４の各処理と同様に行われる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０５】
また、図２４のステップＳ４４６において、覆われ期間が所定の長さ（時間閾値Ｔ）より長くないと判定された場合、制御内容決定部１６２は、制御内容決定処理を終了し、処理を図２３のステップＳ４０４に戻し、ステップＳ４０５以降の処理を実行させる。