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【手続補正書】
【提出日】平成26年7月31日(2014.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムの少なくとも一方の面にポリビニルアルコール系樹脂を含有する塗工液を塗工した後、乾燥させることによりポリビニルアルコール系樹脂層を形成して積層フィルムを得る樹脂層形成工程と、
前記積層フィルムを延伸して延伸フィルムを得る延伸工程と、
前記延伸フィルムのポリビニルアルコール系樹脂層を二色性色素で染色して偏光子層を形成することにより偏光性積層フィルムを得る染色工程と、
を備え、
前記延伸工程は、第１ニップロール、３以上の複数の加熱ゾーン及び第２ニップロールの順に前記積層フィルムを通過させて、第１ニップロールと第２ニップロールとの間の周速差により縦一軸延伸を行う工程を含み、
前記複数の加熱ゾーンのうち、積層フィルムが最初に通過する加熱ゾーンを第１加熱ゾーン、ゾーン内の雰囲気温度が最も高い加熱ゾーンを第２加熱ゾーンとするとき、
前記第１加熱ゾーンは、ゾーン内の雰囲気温度が最も低い加熱ゾーンであり、
前記第２加熱ゾーンは、積層フィルムが最後に通過する加熱ゾーンであり、
前記第２加熱ゾーン内の雰囲気温度が、前記第１加熱ゾーン内の雰囲気温度よりも１０℃以上高い、偏光性積層フィルムの製造方法。
【請求項２】
前記複数の加熱ゾーン内の雰囲気温度は、前記第２ニップロールに近い加熱ゾーンほど高い請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記積層フィルムは、５倍超の延伸倍率で延伸される請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記積層フィルムのポリビニルアルコール系樹脂層の厚みが３〜３０μｍである請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
前記基材フィルムは、ポリプロピレン系樹脂からなる請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法によって得られる偏光性積層フィルムを用意する工程と、
前記偏光性積層フィルムの偏光子層上に保護フィルムを貼合して貼合フィルムを得る工程と、
前記貼合フィルムから前記基材フィルムを剥離する工程と、
を備える偏光板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月23日(2014.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリビニルアルコール系樹脂を含有する塗工液を基材フィルムに塗工した後、乾燥させることにより、前記基材フィルムの一方の面に第１樹脂層を備え、他方の面に第２樹脂層を備える積層フィルムを得る樹脂層形成工程と、
前記積層フィルムを延伸して延伸フィルムを得る延伸工程と、
前記延伸フィルムをガイドロールで支持して搬送させながら、巻取り部の軸の周りに巻付ける巻取り工程と、
巻取った前記延伸フィルムを巻出しながら、その第１樹脂層及び第２樹脂層を二色性色素で染色して偏光子層を形成することにより偏光性積層フィルムを得る染色工程と、
を備え、
前記巻取り工程において、前記巻取り部に最も近いガイドロールの軸の中心と前記巻取り部の軸の中心との距離を６００ｍｍ以下にして前記延伸フィルムの巻付けを行い、かつ巻付けられる前記延伸フィルムにかかる単位幅あたりの張力を１００Ｎ／ｍ以下とする偏光性積層フィルムの製造方法。
【請求項２】
前記巻取り工程において、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とが接触するように前記延伸フィルムの巻付けを行う請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記積層フィルムは、５倍超の延伸倍率で延伸される請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記積層フィルムの第１樹脂層及び第２樹脂層の厚みが３〜３０μｍである請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
前記基材フィルムは、ポリプロピレン系樹脂からなる請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法によって得られた偏光性積層フィルムを用意する工程と、
前記偏光性積層フィルムの偏光子層上に保護フィルムを貼合して貼合フィルムを得る工程と、
前記貼合フィルムから前記基材フィルムを剥離する工程と、
を備える偏光板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月20日(2014.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】携帯機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光装置を有する携帯機器であって、
前記発光装置は、
可撓性を有する第１の基板と、
可撓性を有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の、素子を含む層と、を有し、
前記素子を含む層は、前記第１の基板に貼り付けられており、
前記素子を含む層は、画素部と、駆動回路と、を有し、
前記画素部は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと電気的に接続された発光素子と、を有し、
前記駆動回路は、第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、前記第１のトランジスタのチャネル長方向と前記第２のトランジスタのチャネル長方向とが、第１の方向に沿うように配置されており、
前記第１の基板と前記第２の基板とは、第２の方向に湾曲しており、
前記第１の方向は、前記第２の方向と直交するような方向であることを特徴とする携帯機器。
【請求項２】
発光装置を有する携帯機器であって、
前記発光装置は、
可撓性を有する第１の基板と、
可撓性を有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の、素子を含む層と、を有し、
前記素子を含む層は、前記第１の基板に貼り付けられており、
前記素子を含む層は、画素部と、駆動回路と、を有し、
前記画素部は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと電気的に接続された発光素子と、を有し、
前記駆動回路は、第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、前記第１のトランジスタのチャネル長方向と前記第２のトランジスタのチャネル長方向とが、第１の方向に沿うように配置されており、
前記第１の基板と前記第２の基板とは、第２の方向に湾曲しており、
前記第１の方向は、前記第２の方向と直交するような方向であり、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタの各々は、結晶性を有する半導体層を有することを特徴とする携帯機器。
【請求項３】
発光装置を有する携帯機器であって、
前記発光装置は、
可撓性を有する第１の基板と、
可撓性を有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の、素子を含む層と、を有し、
前記素子を含む層は、前記第１の基板に貼り付けられており、
前記素子を含む層は、画素部と、駆動回路と、を有し、
前記画素部は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと電気的に接続された発光素子と、を有し、
前記駆動回路は、第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、前記第１のトランジスタのチャネル長方向と、前記第２のトランジスタのチャネル長方向とが、第１の方向に沿うように配置されており、
前記第１の基板と前記第２の基板とは、第２の方向に湾曲しており、
前記第１の方向は、前記第２の方向と直交するような方向であり、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタの各々は、レーザー光を用いて結晶化された半導体層を有し、
前記第１のトランジスタにおける前記レーザー光の走査方向と、前記第２のトランジスタにおける前記レーザー光の走査方向とは、同じであることを特徴とする携帯機器。
【請求項４】
発光装置を有する携帯機器であって、
前記発光装置は、
第１のプラスチック基板と、
第２のプラスチック基板と、
前記第１のプラスチック基板と前記第２のプラスチック基板との間の、素子を含む層と、を有し、
前記素子を含む層は、前記第１のプラスチック基板に貼り付けられており、
前記素子を含む層は、画素部と、駆動回路と、を有し、
前記画素部は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと電気的に接続された発光素子と、を有し、
前記駆動回路は、第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、前記第１のトランジスタのチャネル長方向と前記第２のトランジスタのチャネル長方向とが、第１の方向に沿うように配置されており、
前記第１のプラスチック基板と前記第２のプラスチック基板とは、第２の方向に湾曲しており、
前記第１の方向は、前記第２の方向と直交するような方向であることを特徴とする携帯機器。
【請求項５】
発光装置を有する携帯機器であって、
前記発光装置は、
第１のプラスチック基板と、
第２のプラスチック基板と、
前記第１のプラスチック基板と前記第２のプラスチック基板との間の、素子を含む層と、を有し、
前記素子を含む層は、前記第１のプラスチック基板に貼り付けられており、
前記素子を含む層は、画素部と、駆動回路と、を有し、
前記画素部は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと電気的に接続された発光素子と、を有し、
前記駆動回路は、第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、前記第１のトランジスタのチャネル長方向と前記第２のトランジスタのチャネル長方向とが、第１の方向に沿うように配置されており、
前記第１のプラスチック基板と前記第２のプラスチック基板とは、第２の方向に湾曲しており、
前記第１の方向は、前記第２の方向と直交するような方向であり、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタの各々は、結晶性を有する半導体層を有することを特徴とする携帯機器。
【請求項６】
発光装置を有する携帯機器であって、
前記発光装置は、
第１のプラスチック基板と、
第２のプラスチック基板と、
前記第１のプラスチック基板と前記第２のプラスチック基板との間の、素子を含む層と、を有し、
前記素子を含む層は、前記第１のプラスチック基板に貼り付けられており、
前記素子を含む層は、画素部と、駆動回路と、を有し、
前記画素部は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと電気的に接続された発光素子と、を有し、
前記駆動回路は、第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、前記第１のトランジスタのチャネル長方向と、前記第２のトランジスタのチャネル長方向とが、第１の方向に沿うように配置されており、
前記第１のプラスチック基板と前記第２のプラスチック基板とは、第２の方向に湾曲しており、
前記第１の方向は、前記第２の方向と直交するような方向であり、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタの各々は、レーザー光を用いて結晶化された半導体層を有し、
前記第１のトランジスタにおける前記レーザー光の走査方向と、前記第２のトランジスタにおける前記レーザー光の走査方向とは、同じであることを特徴とする携帯機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月1日(2014.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を捉えて中間像に変換する複数個のレンズと、
中間像を捉えて中間光をもたらす少なくとも１個の像面レンズと、
中間光を捉え標本に制御光を供給するよう、少なくとも１個の像面レンズと標本の間に配置されたカタジオプトリック群と、
を備え、
各像面レンズが、中間像とカタジオプトリック群の間、且つ、中間像形成位置から完全に離れた位置に配置されており、
使用可能スペクトル域の幅が、少なくとも５５ｎｍであることを特徴とする、使用可能スペクトル域が広い標本イメージング用の対物系。
【請求項２】
請求項１記載の対物系であって、その使用可能スペクトル域が少なくとも１９３〜２６６ｎｍの領域に亘る対物系。
【請求項３】
請求項１記載の対物系であって、その像面位置における多色シュトレール比が０．９超である対物系。
【請求項４】
請求項１記載の対物系であって、そのカタジオプトリック群が、マンジャンミラーに更に他のレンズを備えた構成を有する対物系。
【請求項５】
請求項１記載の対物系であって、その像面レンズのうち少なくとも１個が熔融シリカによって形成された対物系。
【請求項６】
請求項５記載の対物系であって、像面レンズのうち少なくとも１個に加えられた他のレンズのうち少なくとも１個が弗化カルシウムによって形成された対物系。
【請求項７】
請求項１記載の対物系であって、標本に射突した光のうち少なくとも一部が標本から戻り、カタジオプトリック群、並びに上記複数個のレンズのうち少なくとも１個を通り抜ける対物系。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】使用可能スペクトル域が広い標本イメージング用の対物系
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月24日(2014.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図３は、設定ファイルＤＢに記憶される情報の例を示す図である。なお、図３では、入力ファイルが２つであり、出力ファイルが２つである場合を例示している。入力ファイルとは、突合プログラムが処理対象とする種類の異なる複数のファイルであり、出力ファイルとは、各スレーブ計算機が外部プログラムを実行した結果を格納するＨＤＦＳ上の共有ディレクトリ上の共有ファイルである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
さらに、設定ファイルには、Reduceアプリケーションやソートキーが設定される。例えば、Reduceアプリケーションには「a.out  %in01  %in02  %out01  %out02」が設定されており、これは、外部プログラムに入力ファイルを渡す際に、１番目の入力ファイルは第１引数で渡し、２番目の入力ファイルは第２引数として渡すことを示す。また、ソートキー０１には「4BYTE〜8BYTE」が設定されており、これは、入力ファイル０１の「4BYTE〜8BYTE」をソートキーとして使用することを示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
Shuffle処理部２５ａは、Hadoopのreduce  side  joinなどで実行されるシャッフルソート処理を実行する処理部である。例えば、Shuffle処理部２５ａは、マスタ計算機１０に対してReduceタスク要求を送信して、Reduceタスク情報を受信する。そして、Shuffle処理部２５ａは、受信したReduceタスク情報のMap結果情報にしたがって、自装置がシャッフルソート処理の対象とするMap処理結果を各スレーブ計算機から収集して中間ファイルＤＢ２２ａに格納する。一例を挙げると、Shuffle処理部２５ａは、MapタスクＩＤ「task＿m＿2」のMap処理の結果をスレーブ計算機３０から取得し、MapタスクＩＤ「task＿m＿1」のMap処理の結果を自装置内の中間ファイルＤＢ２２ａから取得する。なお、割当てられる手法は、Hadoopの分散手法を用いる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
例えば、Reduce初期化部２５ｂは、「a.out  %in01  %in02  %out01  %out02」と指定して、１番目の入力ファイルを外部プログラムの第１引数に渡す。あるいは、Reduce初期化部２５ｂは、「ENVNAME.01=TRAN」と指定して、入力ファイル０１のファイル名をTRAN環境変数に設定して、外部プログラムを呼び出すと設定する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
図７に示すように、マスタ計算機１０の設定読込部１４は、設定ファイルＤＢ１２ａから設定情報を読込む（Ｓ１０１）。続いて、Mapタスク管理部１５は、入力ＤＢサーバ３から入力ファイルが予め読み込まれたＨＤＦＳなどの共有ファイルシステムから入力ファイルを１つ読込み（Ｓ１０２）、データを所定サイズごとに分割し（Ｓ１０３）、タスクリストに登録する（Ｓ１０４）。例えば、Mapタスク管理部１５は、入力ファイルの番号で、フォーマット処理およびMap処理のクラス名を切替えて登録する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
その後、Reduce初期化部２５ｂは、ジョブ設定で指定されたReduceアプリケーションの引数の「%inNN」を入力用名前付きパイプＮＮのファイル名で置き換える（Ｓ４０７）。例えば、Reduce初期化部２５ｂは、Reduceアプリケーション「a.out  %in01  %in02  %out01  %out02」を「a.out  ./tmp/in01.txt  ./tmp/in02.txt  %out01  %out02」に書き換える。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
その後、Reduce初期化部２５ｂは、ジョブ設定で指定されたReduceアプリケーションの引数の「%outNN」を出力用名前付きパイプＮＮのファイル名で置き換える（Ｓ４１７）。例えば、Reduce初期化部２５ｂは、Reduceアプリケーション「a.out  ./tmp/in01.txt  ./tmp/in02.txt  %out01  %out02」を「a.out  ./tmp/in01.txt  ./tmp/in02.txt  ./tmp/out01.txt  ./tmp/out02.txt」に書き換える。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2014078085.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月20日(2014.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の遮光膜と、
前記第１の遮光膜上の、第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の、半導体膜と、
前記半導体膜上の、第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の、第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上の、第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上の、第２の導電膜と、
前記第２の導電膜上の、第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜上の、第２の遮光膜と、を有し、
前記半導体膜は、屈曲部を有し、
前記半導体膜は、前記第１の導電膜と重なる第１の領域を有し、
前記半導体膜は、前記第１の導電膜と重なる第２の領域を有し、
前記半導体膜は、前記第１の領域と、前記第２の領域との間に、第３の領域を有し、
前記第３の領域は、前記第１の遮光膜と重なる領域を有し、
少なくとも前記第１の領域は、前記第１の遮光膜と、前記第１の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜と、前記第１の導電膜と、前記第３の絶縁膜と、前記第２の導電膜と、前記第４の絶縁膜と、前記第２の遮光膜と、は重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の遮光膜は、樹脂を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月19日(2014.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置、携帯情報端末、携帯電話
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板と、
前記ガラス基板上方の第１の導電膜と、
前記ガラス基板上方の第２の導電膜と、
前記第１の導電膜上方及び前記第２の導電膜上方の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上方であって、前記第１の導電膜と重なる領域を有する第１の半導体膜と、
前記第１の絶縁膜上方であって、前記第２の導電膜と重なる領域を有する第２の半導体膜と、
前記第１の絶縁膜上方、前記第１の半導体膜上方及び前記第２の半導体膜上方の、第１の窒化シリコン膜と、
前記第１の窒化シリコン膜上方の有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜上方の第２の窒化シリコン膜と、
前記第２の窒化シリコン膜上方の電極と、を有し、
前記第１の半導体膜及び前記第１の導電膜は、画素部に設けられ、
前記第２の半導体膜及び前記第２の導電膜は、前記画素部以外に設けられ、
前記有機樹脂膜は、前記第１の半導体膜と重なる領域と、前記第２の半導体膜と重なる領域とを有し、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜は、それぞれゲート電極として機能する領域を有し、
前記第１の窒化シリコン膜は第１の開口部を有し、
前記有機物樹脂膜は第２の開口部を有し、
前記第２の窒化シリコン膜は第３の開口部を有し、
前記第１の開口部は前記第２の開口部と重なる領域を有し、
前記第１の開口部は前記第３の開口部と重なる領域を有し、
前記第２の開口部は前記第３の開口部と重なる領域を有し、
前記第２の窒化シリコン膜は、前記有機樹脂膜の上面を覆う領域と、前記第２の開口部において前記有機樹脂膜の側面を覆う領域と、を有し、
前記第１の窒化シリコン膜は、前記第２の開口部において、前記第２の窒化シリコン膜と接する領域を有し、
前記電極は、前記第１の開口部及び前記第３の開口部を介して、前記第１の半導体膜と電気的に接続され、
前記電極は、前記第１の開口部において前記第１の窒化シリコン膜の側面に接する領域と、前記第３の開口部において前記第２の窒化シリコン膜の側面に接する領域とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
ガラス基板と、
前記ガラス基板上方の第１の導電膜と、
前記ガラス基板上方の第２の導電膜と、
前記第１の導電膜上方及び前記第２の導電膜上方の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上方であって、前記第１の導電膜と重なる領域を有する第１の半導体膜と、
前記第１の絶縁膜上方であって、前記第２の導電膜と重なる領域を有する第２の半導体膜と、
前記第１の絶縁膜上方、前記第１の半導体膜上方及び前記第２の半導体膜上方の、第１のバリア層と、
前記第１のバリア層上方の有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜上方の第２のバリア層と、
前記第２のバリア層上方の電極と、を有し、
前記第１の半導体膜及び前記第１の導電膜は、画素部に設けられ、
前記第２の半導体膜及び前記第２の導電膜は、前記画素部以外に設けられ、
前記有機樹脂膜は、前記第１の半導体膜と重なる領域と、前記第２の半導体膜と重なる領域とを有し、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜は、それぞれゲート電極として機能する領域を有し、
前記第１のバリア層は第１の開口部を有し、
前記有機物樹脂膜は第２の開口部を有し、
前記第２のバリア層は第３の開口部を有し、
前記第１の開口部は前記第２の開口部と重なる領域を有し、
前記第１の開口部は前記第３の開口部と重なる領域を有し、
前記第２の開口部は前記第３の開口部と重なる領域を有し、
前記第２のバリア層は、前記有機樹脂膜の上面を覆う領域と、前記第２の開口部において前記有機樹脂膜の側面を覆う領域と、を有し、
前記第１のバリア層は、前記第２の開口部において、前記第２のバリア層と接する領域を有し、
前記電極は、前記第１の開口部及び前記第３の開口部を介して、前記第１の半導体膜と電気的に接続され、
前記電極は、前記第１の開口部において前記第１のバリア層の側面に接する領域と、前記第３の開口部において前記第２のバリア層の側面に接する領域とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の導電膜と前記第２の半導体膜とは、保護回路に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記電極は、前記第１の開口部、前記第２の開口部、及び前記第３の開口部を介して、前記第１の半導体膜と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の液晶表示装置を有する携帯情報端末。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の液晶表示装置を有する携帯電話。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月6日(2014.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状の定着フィルムと、
前記定着フィルムの内側に配置された発熱体と、
前記定着フィルムの内面に摺接するように配置されたニップ板と、
前記ニップ板との間で前記定着フィルムを挟むことで前記定着フィルムとの間にニップ部を形成するローラと、
前記ローラの軸線方向からみて前記ニップ板と前記発熱体とを取り囲み、前記発熱体からの輻射熱を前記ニップ板に向けて反射する反射部を有する反射板と、を備え、前記ニップ部において記録シートを所定の搬送方向へ搬送しながら現像剤像を記録シート上に熱定着する定着装置であって、
前記反射板は、前記反射部から前記記録シートの搬送方向の上流へ延びる第１フランジ部を有し、前記第１フランジ部は前記ニップ板と前記反射板とで取り囲まれる空間の全体よりも前記搬送方向の上流に延びることを特徴とする定着装置。
【請求項２】
前記反射板は、前記反射部から前記記録シートの搬送方向の下流へ延びる第２フランジ部を有し、前記第２フランジ部は前記ニップ板と前記反射板とで取り囲まれる空間の全体よりも前記搬送方向の下流に延びることを特徴とする請求項１に記載の定着装置。
【請求項３】
筒状の定着フィルムと、
前記定着フィルムの内側にて発熱する発熱体と、
前記定着フィルムの内面に摺接するように配置されたニップ板と、
前記ニップ板との間で前記定着フィルムを挟むことで前記定着フィルムとの間にニップ部を形成するローラと、
前記ローラの軸線方向からみて前記発熱体から離れる方向に窪んだ凹が形成され、前記発熱体からの輻射熱を反射する反射部を有する反射板と、を備え、前記ニップ部において記録シートを所定の搬送方向へ搬送しながら現像剤像を記録シート上に熱定着する定着装置であって、
前記反射板は、前記反射部から前記記録シートの搬送方向の上流へ延びる第１フランジ部を有し、前記第１フランジ部は前記反射部の凹の全体よりも前記搬送方向の上流に延びることを特徴とする定着装置。
【請求項４】
前記反射板は、前記反射部から前記記録シートの搬送方向の下流へ延びる第２フランジ部を有し、前記反射部の凹の全体よりも前記搬送方向の下流に延びることを特徴とする請求項３に記載の定着装置。
【請求項５】
前記ニップ板は、前記反射部の前記第１フランジ部を支持する面であって、前記反射部の前記第１フランジ部よりも前記搬送方向の上流及び下流に延びる面を有する、ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の定着装置。
【請求項６】
前記ニップ板は、前記反射部の前記第２フランジ部を支持する面であって、前記反射部の前記第２フランジ部よりも前記搬送方向の上流及び下流に延びる面を有する、ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の定着装置。
【請求項７】
前記反射板を介して前記ニップ板を支持するステイをさらに備え、
前記ステイは、前記反射板の前記第１フランジ部を前記ニップ板との間で挟むことで前記ニップ板を支持する第１壁を有し、
前記第１壁の前記ニップ板を支持する面は、前記第１フランジ部よりも上流へ延びることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の定着装置。
【請求項８】
前記反射板を介して前記ニップ板を支持するステイをさらに備え、
前記ステイは、前記反射板の前記第２フランジ部を前記ニップ板との間で挟むことで前記ニップ板を支持する第２壁を有し、
前記第２壁の前記ニップ板を支持する面は、前記第２フランジ部よりも下流へ延びることを特徴とする請求項２又は請求項７に記載の定着装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記した目的を達成するため、本願第１の発明に係る定着装置は、筒状の定着フィルムと、前記定着フィルムの内側に配置された発熱体と、前記定着フィルムの内面に摺接するように配置されたニップ板と、前記ニップ板との間で前記定着フィルムを挟むことで前記定着フィルムとの間にニップ部を形成するローラと、前記ローラの軸線方向からみて前記ニップ板と前記発熱体とを取り囲み、前記発熱体からの輻射熱を前記ニップ板に向けて反射する反射部を有する反射板と、を備え、前記ニップ部において記録シートを所定の搬送方向へ搬送しながら現像剤像を記録シート上に熱定着する定着装置であって、前記反射板は、前記反射部から前記記録シートの搬送方向の上流へ延びる第１フランジ部を有し、前記第１フランジ部は前記ニップ板と前記反射板とで取り囲まれる空間の全体よりも前記搬送方向の上流に延びることを特徴とする。
また、本願第２の発明に係る定着装置は、筒状の定着フィルムと、前記定着フィルムの内側にて発熱する発熱体と、前記定着フィルムの内面に摺接するように配置されたニップ板と、前記ニップ板との間で前記定着フィルムを挟むことで前記定着フィルムとの間にニップ部を形成するローラと、前記ローラの軸線方向からみて前記発熱体から離れる方向に窪んだ凹が形成され、前記発熱体からの輻射熱を反射する反射部を有する反射板と、を備え、前記ニップ部において記録シートを所定の搬送方向へ搬送しながら現像剤像を記録シート上に熱定着する定着装置であって、前記反射板は、前記反射部から前記記録シートの搬送方向の上流へ延びる第１フランジ部を有し、前記第１フランジ部は前記反射部の凹の全体よりも前記搬送方向の上流に延びることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月8日(2014.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素がマトリックス状に配置された表示画面を有するアクティブマトリックス型ＥＬ表示装置であって、
前記画素に印加する映像信号を出力するソースドライバ回路と、
第１のシフトレジスタ回路と、
第２のシフトレジスタ回路と、
前記ソースドライバ回路が出力する前記映像信号を伝達するソース信号線と、
前記画素を選択する選択電圧、または前記画素を非選択にする非選択電圧を伝達する第１のゲート信号線と第２のゲート信号線を具備し、
前記表示画面に、光透過性を有するカソード電極が形成され、
前記カソード電極の上層に、封止膜と、封止フィルムのうち少なくとも一方が形成され、
前記画素は、
画素電極と、
前記画素電極と前記カソード電極間に形成されたＥＬ素子と、
前記ＥＬ素子に電流を供給する駆動用トランジスタと、
前記ＥＬ素子に流れる電流の経路に配置された第１のスイッチ用トランジスタと、
前記駆動用トランジスタのゲート端子と他の端子間を短絡する第２のスイッチ用トランジスタとを有し、
前記第１のスイッチ用トランジスタのゲート端子は、前記第１のゲート信号線が接続され、
前記第２のスイッチ用トランジスタのゲート端子は、前記第２のゲート信号線が接続され、
前記第２のゲート信号線に選択電圧が印加されている時は、前記第１のゲート信号線に非選択電圧が印加されるように制御され、
前記第１のゲート信号線は前記第１のシフトレジスタ回路により制御され、
前記第２のゲート信号線は前記第２のシフトレジスタ回路により制御されることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項２】
画素がマトリックス状に配置された表示画面を有するアクティブマトリックス型ＥＬ表示装置であって、
前記画素に印加する映像信号を出力するソースドライバ回路と、
第１のシフトレジスタ回路と、
第２のシフトレジスタ回路と、
前記ソースドライバ回路が出力する前記映像信号を伝達するソース信号線と、
前記画素を選択する選択電圧、または前記画素を非選択にする非選択電圧を伝達する第１のゲート信号線と第２のゲート信号線を具備し、
前記表示画面に、光透過性を有するカソード電極が形成され、
前記カソード電極の上層に、封止膜と、封止フィルムのうち少なくとも一方が形成され、
前記画素は、
画素電極と、
前記画素電極と前記カソード電極間に形成されたＥＬ素子と、
前記ＥＬ素子に電流を供給する駆動用トランジスタと、
前記ＥＬ素子に流れる電流の経路に配置された第１のスイッチ用トランジスタと、
前記映像信号を、前記駆動用トランジスタに供給する第３のスイッチ用トランジスタと、
前記駆動用トランジスタのゲート端子と他の端子間を短絡する第２のスイッチ用トランジスタとを有し、
前記第３のスイッチ用トランジスタと、前記駆動用トランジスタとは、同一極性のトランジスタであり、
前記第１のスイッチ用トランジスタのゲート端子および前記第３のスイッチ用トランジスタのゲート端子は、前記第１のゲート信号線が接続され、
前記第２のスイッチ用トランジスタのゲート端子は、前記第２のゲート信号線が接続され、
前記第２のゲート信号線に選択電圧が印加されている時は、前記第１のゲート信号線に非選択電圧が印加されるように制御され、
前記第１のゲート信号線は前記第１のシフトレジスタ回路により制御され、
前記第２のゲート信号線は前記第２のシフトレジスタ回路により制御され、
前記ゲートドライバ回路と、前記画素の駆動用トランジスタとは、同一のプロセスで形成され、
前記ソースドライバ回路は、半導体チップで形成され、
前記ゲートドライバ回路への制御信号は、前記ソースドライバ回路でレベルシフトされて、前記ゲートドライバ回路に印加されることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記ゲート信号線に印加する非選択電圧と選択電圧との制御は、前記ゲートドライバ回路のシフトレジスタに入力するスタートパルスに基づいてなされるよう構成されており、
かつ、前記シフトレジスタの出力側と前記ゲート信号線間に、２以上のインバータ回路が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記ゲートドライバ回路の下層と、前記ゲートドライバ回路の上層のうち、少なくとも一方に、
遮光膜が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記駆動用トランジスタと、前記第２のスイッチ用トランジスタとは、同一極性のトランジスタであることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記第２のスイッチ用トランジスタは、マルチゲート構造であることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記ゲートドライバ回路と、前記画素の駆動用トランジスタとは、同一のプロセスで形成され、
前記ソースドライバ回路は、半導体チップで形成され、
前記ゲートドライバ回路への制御信号は、前記ソースドライバ回路でレベルシフトされて、前記ゲートドライバ回路に印加されることを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記ソース信号線に印加された電圧を放電するディスチャージ回路と、ソース信号線に印加された電圧を充電するプリチャージ回路のうち、少なくとも一方の回路を、更に具備することを特徴とする請求項１または請求項２記載のＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記画素電極を形成している基板は、プラスチック基板であることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記ＥＬ表示装置の光出力側に、円偏光板が配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記トランジスタは、低温ポリシリコン技術で形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記ＥＬ表示装置の温度を測定する温度測定手段を更に具備することを特徴とする請求項１または請求項２記載のＥＬ表示装置。
【請求項１３】
前記駆動用トランジスタのゲート端子に接続されたコンデンサを更に具備し、
前記コンデンサは、前記映像信号に基づく電圧を保持する機能を有し、
前記コンデンサは、隣接する画素間の、非表示領域に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＥＬ表示装置。
【請求項１４】
前記ソース信号線上に、平滑膜が形成され、
前記平滑膜上に、前記画素電極が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＥＬ表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月6日(2014.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧縮データを復元する装置及び方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、映像復号化方法に関し、特に、イントラ予測復号化方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮データを復元する装置であって、
ビット列から符号化ブロックのモード情報を取得する抽出部と、
前記ビット列から前記符号化ブロックを分割する少なくとも一つのサブブロックの各々の剰余データを取得する剰余データ復号化部と、
前記モード情報に基づいて前記少なくとも一つのサブブロックの各々に対する予測を行って予測サブブロックを生成する復号化部と、
前記少なくとも一つのサブブロックの各々に対して取得した剰余データと予測サブブロックとを組み合わせることにより、各サブブロックに対する画素値を復元する加算部と
を具備することを特徴とする映像信号復元装置。
【請求項２】
前記復号化部は、前記モード情報に基づいて各サブブロックに隣接した復元画素値を用いて各サブブロックに対するイントラ予測を行うことで予測サブブロックを生成するイントラ復号化部であることを特徴とする請求項１に記載の映像信号復元装置。
【請求項３】
前記モード情報は、前記符号化ブロックを分割する少なくとも一つのサブブロックに対して同一に適用されたイントラ予測モードであることを特徴とする請求項１に記載の映像信号復元装置。
【請求項４】
前記復元した各サブブロックに対する画素値を記憶する記憶部をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の映像信号復元装置。
【請求項５】
映像信号を復元する方法であって、
ビット列から符号化ブロックのモード情報を取得するステップと、
前記ビット列から前記符号化ブロックを分割する少なくとも一つのサブブロックの各々の剰余データを取得するステップと、
前記モード情報に基づいて前記少なくとも一つのサブブロックの各々に対する予測を行って予測サブブロックを生成するステップと、
前記少なくとも一つのサブブロックの各々に対して取得した剰余データと予測サブブロックとを組み合わせることにより、各サブブロックに対する画素値を復元するステップと
を有することを特徴とする映像信号復元方法。
【請求項６】
前記予測サブブロックを生成するステップは、前記モード情報に基づいて各サブブロックに隣接した復元画素値を用いて各サブブロックに対するイントラ予測を行うことで予測サブブロックを生成するステップであることを特徴とする請求項５に記載の映像信号復元方法。
【請求項７】
前記モード情報は、前記符号化ブロックを分割する少なくとも一つのサブブロックに対して同一に適用されたイントラ予測モードであることを特徴とする請求項５に記載の映像信号復元方法。
【請求項８】
前記復元した各サブブロックに対する画素値を記憶するステップをさらに有することを特徴とする請求項５に記載の映像信号復元方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月1日(2014.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のサブ−フレームを有するＴＴＩ（Transmission Time Interval：送信時間間隔）バンドルを送信するためのＷＴＲＵ（Wireless Transmit Receive Unit：無線送受信ユニット）における方法であって、前記ＴＴＩバンドルの一部が測定ギャップと衝突し、前記方法は、
前記複数のサブ−フレームの内の少なくとも１つのサブ−フレームが測定ギャップと衝突していることを判定するステップと、
前記測定ギャップと衝突していない前記複数のサブ−フレームの第１のサブ−フレームを第１のＲＶ（Redundancy Version：冗長バージョン）に関連付けるステップと、
前記第１のＲＶに関連付けられ、衝突していない前記複数のサブ−フレームの前記第１のサブ−フレームを送信するステップと
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記測定ギャップと衝突していない前記複数のサブ−フレームの第２のサブ−フレームを第２のＲＶに関連付けるステップと、
前記第２のＲＶに関連付けられ、衝突していない前記複数のサブ−フレームの前記第２のサブ−フレームを送信するステップと
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のサブ−フレームの前記第１のサブ−フレームの後に前記複数のサブ−フレームの前記第２のサブ−フレームを送信するステップをさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記測定ギャップと衝突している前記複数のサブ−フレームの内の前記少なくとも１つのサブ−フレームの送信を回避するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月14日(2014.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
上述したように、電子部品として、より高性能な特性を劣化させることなく、また、製
造歩留まりを高く安定させたＭＥＭＳ振動子１００が活用されることにより、より高性能
で安価な電子機器を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月10日(2014.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
屈折率（ｎａ）が１．６１〜１．７０である基材フィルム（Ａ）と、この基材フィルム（Ａ）の少なくとも一方の面に基材フィルム（Ａ）側から順に、屈折率（ｎｂ）が１．６１〜１．７５である樹脂層（Ｂ）と、屈折率（ｎｃ）が１．６１〜１．８０であるハードコート層（Ｃ）と、屈折率（ｎｄ）が１．５０以下でかつ厚みが５〜６０ｎｍである低屈折率層（Ｄ）とを有し、前記屈折率（ｎａ）、屈折率（ｎｂ）および屈折率（ｎｃ）の関係が下記式１〜式３の全てを満足することを特徴とする、タッチパネル用透明導電性フィルムのベースフィルム。
−０．０２≦（ｎｂ−ｎａ）≦０．０５  ・・・  式１
−０．０２≦（ｎｃ−ｎｂ）≦０．０５  ・・・  式２
｜ｎｂ−｛ｎａ＋（ｎｃ−ｎａ）／２）｝｜≦０．０２  ・・・  式３
【請求項２】
前記樹脂層（Ｂ）の厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ未満である、請求項１に記載のタッチパネル用透明導電性フィルムのベースフィルム。
【請求項３】
前記ハードコート層（Ｃ）の厚みが２００ｎｍ以上５μｍ未満である、請求項１または２に記載のタッチパネル用透明導電性フィルムのベースフィルム。
【請求項４】
前記低屈折率層（Ｄ）の屈折率（ｎｄ）が１．２５以上１．５０以下である、請求項１〜３のいずれかに記載のタッチパネル用透明導電性フィルムのベースフィルム。
【請求項５】
前記基材フィルム（Ａ）がポリエチレンテレフタレートフィルムである、請求項１〜４のいずれかに記載のタッチパネル用透明導電性フィルムのベースフィルム。
【請求項６】
前記基材フィルム（Ａ）の一方の面に基材フィルム（Ａ）側から順に、前記樹脂層（Ｂ）、前記ハードコート層（Ｃ）および前記低屈折率層（Ｄ）を有し、基材フィルム（Ａ）の他方の面に、屈折率（ｎｅ）が１．５５〜１．６０でありかつ厚みが５０〜２００ｎｍである樹脂層（Ｅ）を介して、屈折率（ｎｆ）が１．４８〜１．５４でありかつ厚みが２００ｎｍ以上であるハードコート層（Ｆ）を有する、請求項１〜５のいずれかに記載のタッチパネル用透明導電性フィルムのベースフィルム。
【請求項７】
前記ハードコート層（Ｆ）が、平均粒子径が５００ｎｍ以下の粒子を含有する、請求項６に記載のタッチパネル用透明導電性フィルムのベースフィルム。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のタッチパネル用透明導電性フィルムのベースフィルムの低屈折率層（Ｄ）の上に透明導電膜（Ｇ）を有する、タッチパネル用透明導電性フィルム。
【請求項９】
前記透明導電膜（Ｇ）がパターン化されている、請求項８に記載のタッチパネル用透明導電性フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月7日(2014.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化ガリウム系化合物半導体を有するＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップを直接覆うコーティング樹脂とを有する発光ダイオードであって、
前記コーティング樹脂には、該ＬＥＤチップからの第１の光の少なくとも一部を吸収し、波長変換して前記第１の光とは波長の異なる第２の光を発光する、Ｙ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選ばれた少なくとも１つの元素と、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素を含んでなるＣｅで付括されたガーネット系蛍光体が含有されており、
前記ＬＥＤチップは、その発光層がＩｎを含む窒化ガリウム系半導体で、４２０〜４９０ｎｍの範囲にピーク波長を有するＬＥＤチップであり、
前記コーティング樹脂中の前記ガーネット系蛍光体の濃度が、前記コーティング樹脂の表面側から前記ＬＥＤチップ側に向かって高くなっていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
凹部内に配置された窒化ガリウム系化合物半導体を有するＬＥＤチップと、前記凹部に充填されて前記ＬＥＤチップを覆うコーティング樹脂とを有する発光ダイオードであって、
前記コーティング樹脂には、該ＬＥＤチップからの第１の光の少なくとも一部を吸収し、波長変換して前記第１の光とは波長の異なる第２の光を発光する、Ｙ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選ばれた少なくとも１つの元素と、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素を含んでなるＣｅで付括されたガーネット系蛍光体が含有されており、
前記ＬＥＤチップは、その発光層がＩｎを含む窒化ガリウム系半導体で、４２０〜４９０ｎｍの範囲にピーク波長を有するＬＥＤチップであり、
前記コーティング樹脂中の前記ガーネット系蛍光体の濃度が、前記コーティング樹脂の表面側から前記ＬＥＤチップ側に向かって高くなっていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項３】
前記コーティング樹脂の上に、モールド樹脂が形成されたことを特徴とする請求項１または２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記モールド樹脂に、拡散剤が含有されたことを特徴とする請求項３に記載の発光ダイオード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
すなわち、本件第１発明に係る発光ダイオードは、窒化ガリウム系化合物半導体を有するＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップを直接覆うコーティング樹脂とを有する発光ダイオードであって、前記コーティング樹脂には、該ＬＥＤチップからの第１の光の少なくとも一部を吸収し、波長変換して前記第１の光とは波長の異なる第２の光を発光する、Ｙ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選ばれた少なくとも１つの元素と、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素を含んでなるＣｅで付括されたガーネット系蛍光体が含有されており、前記ＬＥＤチップは、その発光層がＩｎを含む窒化ガリウム系半導体で、４２０〜４９０ｎｍの範囲にピーク波長を有するＬＥＤチップであり、前記コーティング樹脂中の前記ガーネット系蛍光体の濃度が、前記コーティング樹脂の表面側から前記ＬＥＤチップ側に向かって高くなっていることを特徴とする。また、本件第２発明に係る発光ダイオードは、凹部内に配置された窒化ガリウム系化合物半導体を有するＬＥＤチップと、前記凹部に充填されて前記ＬＥＤチップを覆うコーティング樹脂とを有する発光ダイオードであって、前記コーティング樹脂には、該ＬＥＤチップからの第１の光の少なくとも一部を吸収し、波長変換して前記第１の光とは波長の異なる第２の光を発光する、Ｙ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選ばれた少なくとも１つの元素と、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素を含んでなるＣｅで付括されたガーネット系蛍光体が含有されており、前記ＬＥＤチップは、その発光層がＩｎを含む窒化ガリウム系半導体で、４２０〜４９０ｎｍの範囲にピーク波長を有するＬＥＤチップであり、前記コーティング樹脂中の前記ガーネット系蛍光体の濃度が、前記コーティング樹脂の表面側から前記ＬＥＤチップ側に向かって高くなっていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月15日(2014.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有するアルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層と、前記回路層上に搭載される半導体素子と、を備えた半導体装置であって、
前記回路層の一方の面には、気孔率が５％以上５５％以下の範囲内とされた下地層が形成され、前記下地層は、前記回路層側に形成されたガラス層と、このガラス層上に形成されたＡｇ層とを備えており、
この下地層の上に、金属粒子及び金属酸化物粒子の少なくとも一方または両方と有機物とを含む接合材の焼成体からなる接合層が形成されており、
前記回路層と前記半導体素子とが、前記下地層及び前記接合層を介して接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記回路層と、前記回路層の他方の面に配設されたセラミックス基板と、を有するセラミックス回路基板を備え、
前記半導体素子は、パワー半導体素子とされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載された半導体装置に用いられるセラミックス回路基板であって、
導電性を有するアルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層と、前記回路層の一方の面に形成された下地層と、前記回路層の他方の面に配設されたセラミックス基板と、を有し、
前記下地層は、前記回路層側に形成されたガラス層と、このガラス層上に形成されたＡｇ層とを備えており、気孔率が５％以上５５％以下の範囲内とされていることを特徴とするセラミックス回路基板。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記回路層の一方の面に、ガラス成分を含むガラス含有Ａｇペーストを塗布して焼成することにより、前記回路層側に形成されたガラス層と、このガラス層上に形成されたＡｇ層とを備え、気孔率が５％以上５５％以下の範囲内とされた下地層を形成する下地層形成工程と、
前記下地層の上に、金属粒子及び金属酸化物粒子の少なくとも一方または両方と有機物とを含む接合材を配設する接合材配設工程と、
前記接合材の上に前記半導体素子を積層する半導体素子積層工程と、
前記半導体素子と前記接合材と前記下地層と前記回路層とを積層した状態で加熱して、前記下地層の上に、金属粒子及び金属酸化物粒子の少なくとも一方または両方と有機物とを含む接合材の焼成体からなる接合層を形成する焼成工程と、を備え、
前記回路層と前記半導体素子とを、前記下地層及び前記接合層を介して接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明の半導体装置は、導電性を有するアルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層と、前記回路層上に搭載される半導体素子と、を備えた半導体装置であって、前記回路層の一方の面には、気孔率が５％以上５５％以下の範囲内とされた下地層が形成され、前記下地層は、前記回路層側に形成されたガラス層と、このガラス層上に形成されたＡｇ層とを備えており、この下地層の上に、金属粒子及び金属酸化物粒子の少なくとも一方または両方と有機物とを含む接合材の焼成体からなる接合層が形成されており、前記回路層と前記半導体素子とが、前記下地層及び前記接合層を介して接合されていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のセラミックス回路基板は、上述の半導体装置に用いられるセラミックス回路基板であって、導電性を有するアルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層と、前記回路層の一方の面に形成された下地層と、前記回路層の他方の面に配設されたセラミックス基板と、を有し、前記下地層は、前記回路層側に形成されたガラス層と、このガラス層上に形成されたＡｇ層とを備えており、気孔率が５％以上５５％以下の範囲内とされていることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の半導体装置の製造方法は、上述した半導体装置の製造方法であって、前記回路層の一方の面に、ガラス成分を含むガラス含有Ａｇペーストを塗布して焼成することにより、前記回路層側に形成されたガラス層と、このガラス層上に形成されたＡｇ層とを備え、気孔率が５％以上５５％以下の範囲内とされた下地層を形成する下地層形成工程と、前記下地層の上に、金属粒子及び金属酸化物粒子の少なくとも一方または両方と有機物とを含む接合材を配設する接合材配設工程と、前記接合材の上に前記半導体素子を積層する半導体素子積層工程と、前記半導体素子と前記接合材と前記下地層と前記回路層とを積層した状態で加熱して、前記下地層の上に、金属粒子及び金属酸化物粒子の少なくとも一方または両方と有機物とを含む接合材の焼成体からなる接合層を形成する焼成工程と、を備え、前記回路層と前記半導体素子とを、前記下地層及び前記接合層を介して接合することを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
また、本実施形態では、回路層及び金属層をアルミニウム板で構成したものとして説明したが、これに限定されることはなく、回路層は、アルミニウム板又はアルミニウム合金板で構成され、金属層は、アルミニウム板又はアルミニウム合金板、銅板又は銅合金板で構成されていてもよい。
さらに、絶縁層としてＡｌＮからなるセラミックス基板を用いたものとして説明したが、これに限定されることはなく、Ｓｉ３Ｎ４やＡｌ２Ｏ３等からなるセラミックス基板を用いてもよいし、絶縁樹脂によって絶縁層を構成してもよい。