Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月4日(2014.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の目的は、交流電源を用いた撮影環境下で画像中に発生する線状のノイズの検出処理中での、動画撮影の処理負担を軽減させることを目的とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一態様は、撮像手段と、
複数の商用電源周波数のうちの一つを選択して設定する設定手段と、
この設定手段によって設定された商用電源周波数に対応するフレームレートを設定するフレームレート設定手段と、
このフレームレート設定手段に対応するフレームレートで撮像するよう前記撮像手段を制御し、連続的に画像データを取得する制御手段と、
この制御手段により連続的に取得された画像データ間において、輝度が９変化する走査線部分を検出する検出手段と、
前記検出手段による検出処理中に、動画記録の為の指示が検出されたか否かを判断する検出判断手段と、
この検出判断手段によって動画記録の指示が検出されたと判断すると、所定の方式の映像信号と親和性が高いフレームレートを設定するよう前記フレームレート設定手段を制御するフレームレート制御手段と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、交流電源を用いた撮影環境下で画像中に発生する線状のノイズの検出処理中での、動画撮影の処理負担を軽減させることが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段と、
複数の商用電源周波数のうちの一つを選択して設定する設定手段と、
この設定手段によって設定された商用電源周波数に対応するフレームレートを設定するフレームレート設定手段と、
このフレームレート設定手段に対応するフレームレートで撮像するよう前記撮像手段を制御し、連続的に画像データを取得する制御手段と、
この制御手段により連続的に取得された画像データ間において、輝度が変化する走査線部分を検出する検出手段と、
前記検出手段による検出処理中に、動画記録の為の指示が検出されたか否かを判断する検出判断手段と、
この検出判断手段によって動画記録の指示が検出されたと判断すると、所定の方式の映像信号と親和性が高いフレームレートを設定するよう前記フレームレート設定手段を制御するフレームレート制御手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
表示手段と、
前記制御手段によって連続的に撮像されている画像データを前記表示手段に表示する表示制御手段と、と更に備え、
前記フレームレート制御手段によって制御されるフレームレートは、前記表示制御手段によって制御されるフレームレートを含むことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
複数の商用電源周波数のうちの一つを選択して設定する設定ステップと、
この設定ステップにて設定された商用電源周波数に対応するフレームレートを設定するフレームレート設定ステップと、
このフレームレート設定ステップにて対応するフレームレートで撮像するよう撮像部を制御し、連続的に画像データを取得する制御ステップと、
この制御ステップにて連続的に取得された画像データ間において、輝度が変化する走査線部分を検出する検出ステップと、
前記検出ステップでの検出処理中に、動画記録の為の指示が検出されたか否かを判断する検出判断ステップと、
この検出判断ステップにて動画記録の指示が検出されたと判断すると、所定の方式の映像信号と親和性が高いフレームレートを設定するよう制御するフレームレート制御ステップと、
を含むことを特徴とする撮像制御方法。
【請求項４】
撮像部を備える撮像装置が有するコンピュータを、
複数の商用電源周波数のうちの一つを選択して設定する設定手段、
この設定手段によって設定された商用電源周波数に対応するフレームレートを設定するフレームレート設定手段、
このフレームレート設定手段に対応するフレームレートで撮像するよう前記撮像部を制御し、連続的に画像データを取得する制御手段、
この制御手段により連続的に取得された画像データ間において、輝度が変化する走査線部分を検出する検出手段、
前記検出手段による検出処理中に、動画記録の為の指示が検出されたか否かを判断する検出判断手段、
この検出判断手段によって動画記録の指示が検出されたと判断すると、所定の方式の映像信号と親和性が高いフレームレートを設定するよう前記フレームレート設定手段を制御するフレームレート制御手段、
として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月2日(2014.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御信号が入力される制御端子並びに前記制御信号により電気的接続がオンオフされる第１端子及び第２端子を有する半導体スイッチング素子と、
一方の端子が前記第１端子と接続し他方の端子が前記第２端子と接続して前記半導体スイッチング素子に並列に接続した第１フリーホイールダイオードと、
一方の端子が前記第１端子と接続し他方の端子が前記第２端子と接続して前記半導体スイッチング素子に並列に接続し、同一の順方向電圧に対する順方向電流が前記第１フリーホイールダイオードよりも低い第２フリーホイールダイオードと、
を備え、
前記第１フリーホイールダイオードを介して前記第１端子と前記第２端子とを結ぶ経路の電気抵抗が、前記第２フリーホイールダイオードを介して前記第１端子と前記第２端子とを結ぶ経路の電気抵抗よりも、高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１フリーホイールダイオードを介して前記第１端子と前記第２端子とを結ぶ経路において前記第１フリーホイールダイオードと直列に接続された第１抵抗と、
前記第２フリーホイールダイオードを介して前記第１端子と前記第２端子とを結ぶ経路において前記第２フリーホイールダイオードと直列に接続され、前記第１抵抗の抵抗値よりも低い抵抗値を有する第２抵抗と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１抵抗の抵抗値および前記第２抵抗の抵抗値は、一つの順方向電流値に応じた前記第１フリーホイールダイオードの順方向電圧値と前記一つの順方向電流に前記第１抵抗の抵抗値を乗じて求めた電圧値とを加えた第１の和と、前記一つの順方向電流値に応じた前記第２フリーホイールダイオードの順方向電圧値と前記一つの順方向電流に前記第２抵抗の抵抗値を乗じて求めた電圧値とを加えた第２の和とを等しくする値であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体装置は、前記半導体スイッチング素子、前記第１フリーホイールダイオードおよび前記第２フリーホイールダイオードを固定する放熱板を備え、
前記放熱板は、表面に前記半導体スイッチング素子の裏面電極並びに前記第１フリーホイールダイオードおよび前記第２フリーホイールダイオードの裏面電極が固定される第１電極パターン部と、前記第１電極パターン部の隣に配置され前記第１電極パターン部と電気的に分離された第２電極パターン部とを有し、
前記第１抵抗および前記第２抵抗の少なくとも一方は、前記第２電極パターン部に設けられ前記第１フリーホイールダイオードおよび前記第２フリーホイールダイオードと直列に接続するようにワイヤボンドされたチップ抵抗を含むことを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１抵抗が、第１のワイヤであり、
前記第２抵抗が、前記第１のワイヤよりも本数の多い第２のワイヤであることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１抵抗が、第１のワイヤであり、
前記第２抵抗が、前記第１のワイヤよりも短い第２のワイヤであることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体スイッチング素子、前記第１フリーホイールダイオード、および前記第２フリーホイールダイオードが、それぞれ表面に電極を有し、
電気伝導性材料で形成され、前記半導体スイッチング素子の前記電極、前記第１フリーホイールダイオードの前記電極および前記第２フリーホイールダイオードの前記電極を接続し、前記第１フリーホイールダイオードの表面電極と接合する面積よりも前記第２フリーホイールダイオードの表面電極と接合する面積が大きい電極板を更に備えたことを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体スイッチング素子、前記第１フリーホイールダイオード、および前記第２フリーホイールダイオードが、それぞれ表面に電極を有し、
電気伝導性材料で形成され、前記半導体スイッチング素子の前記電極、前記第１フリーホイールダイオードの前記電極および前記第２フリーホイールダイオードの前記電極を接続し、かつ前記第１フリーホイールダイオードの側に切り欠き部を有する電極板を、更に備えたことを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項９】
制御信号が入力される制御端子並びに前記制御信号により電気的接続がオンオフされる第１端子及び第２端子を有する半導体スイッチング素子と、
一方の端子が前記第１端子と接続し他方の端子が前記第２端子と接続してそれぞれが前記半導体スイッチング素子に並列に接続し、前記半導体スイッチング素子に複数個備えられたフリーホイールダイオードと、
前記複数個のフリーホイールダイオードが択一的に前記半導体スイッチング素子と並列接続するように、前記複数個のフリーホイールダイオードのそれぞれと前記半導体スイッチング素子とを結ぶ回路を切り替え可能なスイッチと、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記スイッチが、それぞれが制御端子を有し前記複数個のフリーホイールダイオードのそれぞれと前記半導体スイッチング素子とを結ぶ各回路中にそれぞれ設けられて前記フリーホイールダイオードと直列接続する複数の第２半導体スイッチング素子を含み、
前記半導体スイッチング素子のスイッチング動作ごとに異なる前記フリーホイールダイオードに電流が流れるように、前記複数の第２半導体スイッチング素子を制御する制御部と、を備えることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置を有する電力変換装置であって、
前記半導体装置の前記半導体スイッチング素子は、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ又はバイポーラトランジスタであり、
２つの前記半導体スイッチング素子が１組となってアーム回路を構成し、
前記アーム回路を１つ以上用いて構成したインバータ回路を備えることを特徴とする電力変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月30日(2014.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチモード電源のためのコントローラであって、前記コントローラは、
電源の入力電圧のゼロ交差条件が存在する時間の長さを表すゼロ交差信号を生成するよう結合されたゼロ交差検出器を含み、
前記入力電圧は調光器出力電圧であり、前記コントローラはさらに、
ゼロ交差信号に応じて前記調光器出力電圧の位相角を表す位相カウントを生成するよう結合されたカウンタを含み、位相カウントに応答して基準信号が生成され、
前記コントローラはさらに、
フィードバック信号および前記基準信号を受信するよう結合されたフィードバック基準回路を含み、前記フィードバック信号は電源の出力を表し、前記コントローラは、ゼロ交差条件が存在する時間の長さに応じて基準信号を調整するよう適合されており、前記コントローラはさらに、
電源の出力を調整するために、フィードバック基準回路の出力に応じて電源に含まれるスイッチの切換を制御するよう結合された駆動信号発生器を含む、コントローラ。
【請求項２】
ゼロ交差検出器は、入力電圧を表す電圧検知信号とゼロ交差基準との比較に応じて、ゼロ交差信号を生成する、請求項１に記載のコントローラ。
【請求項３】
ゼロ交差信号は、電源の入力電圧の大きさがゼロ交差電圧しきい値未満である場合にゼロ交差条件が存在することを示す、請求項１に記載のコントローラ。
【請求項４】
ゼロ交差検出器は、電流検知信号とゼロ交差基準との比較に応じてゼロ交差信号を生成し、電流検知信号はスイッチを通って流れるスイッチ電流を表す、請求項１に記載のコントローラ。
【請求項５】
前記コントローラはさらに、
位相カウントに応じて基準信号を生成するよう結合されたデジタル−アナログコンバータ（ＤＡＣ）を含む、請求項１に記載のコントローラ。
【請求項６】
ＤＡＣは、
複数の電流源と、
複数のスイッチとを含み、各スイッチは、それぞれの電流源に結合され、位相カウントのそれぞれの２進数に応じて基準電流信号に電流を供給するようそれぞれの電流源を結合するよう構成されており、基準信号は基準電流信号を表す、請求項５に記載のコントローラ。
【請求項７】
複数の電流源はバイナリ重み付けされた電流源である、請求項６に記載のコントローラ。
【請求項８】
位相カウントがオフセット量よりも少ない場合に、オフセットブロックの出力が０となるように、非ゼロオフセット量を与えるようＤＡＣに結合されたオフセットブロックをさらに含む、請求項５に記載のコントローラ。
【請求項９】
システムクロックを供給するようカウンタに結合されたライン同期発振器をさらに含み、システムクロックは、入力電圧の周波数とは無関係に入力電圧のハーフラインサイクル毎に一定のサイクルカウントを有する、請求項５に記載のコントローラ。
【請求項１０】
ライン同期発振器は、ゼロ交差信号に応じてクロック信号の周波数を調整する、請求項９に記載のコントローラ。
【請求項１１】
コントローラおよびスイッチが集積回路に含まれる、請求項１に記載のコントローラ。
【請求項１２】
スイッチモード電源であって、
スイッチと、
スイッチに結合され、調光器出力電圧を受信するよう結合されたエネルギ転送要素と、
調光器出力電圧に応じて電源の出力を調整するようスイッチに結合されたコントローラとを含み、前記コントローラは、
調光器出力電圧のゼロ交差条件が存在する時間の長さを表すゼロ交差信号を生成するよう結合されたゼロ交差検出器と、
フィードバック信号および基準信号を受信するよう結合されたフィードバック基準回路とを含み、フィードバック信号は電源の出力を表し、コントローラは、ゼロ交差条件が存在する時間の長さに応じて基準信号を調整するよう適合され、前記コントローラはさらに、
電源の出力を調整するために、フィードバック基準回路の出力に応じてスイッチの切換を制御するよう結合された駆動信号発生器を含む、スイッチモード電源。
【請求項１３】
位相角を有する調光器出力電圧を供給するようエネルギ転送要素に結合された調光器回路をさらに含む、請求項１２に記載の電源。
【請求項１４】
調光器回路はトライアック調光器回路である、請求項１３に記載の電源。
【請求項１５】
電源の出力は発光ダイオードのアレイを含む負荷に結合されることとなる、請求項１２に記載の電源。
【請求項１６】
ゼロ交差検出器は、調光器出力電圧を表す電圧検知信号とゼロ交差基準との比較に応じてゼロ交差信号を生成する、請求項１２に記載の電源。
【請求項１７】
ゼロ交差信号は、調光器出力電圧の大きさがゼロ交差電圧しきい値未満である場合、ゼロ交差条件が存在することを示す、請求項１２に記載の電源。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月24日(2014.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射層Ａと、熱可塑性樹脂からなり粒子を含有する表面層Ｂとを有する白色反射フィルムであって、
表面層Ｂの反射層Ａとは反対側の表面に上記粒子により形成された突起を有し、
該表面における高さ５μｍ以上の突起個数が１０４〜１０１０個／ｍ２であり、
上記粒子の１０％圧縮強度が０．１〜５ＭＰａであり、
上記突起のビッカース硬度が５〜３０である、白色反射フィルム。
【請求項２】
反射層Ａのボイド体積率が１５体積％以上、７０体積％以下であり、表面層Ｂのボイド体積率が０体積％以上、１５体積％未満である、請求項１または２に記載の白色反射フィルム。
【請求項３】
導光板を備える面光源反射板として用いられる、請求項１または２に記載の白色反射フィルム。
【請求項４】
エッジライト方式バックライトユニット用反射板として用いられる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の白色反射フィルム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記課題を達成するために、以下の構成を採用するものである。
１．反射層Ａと、熱可塑性樹脂からなり粒子を含有する表面層Ｂとを有する白色反射フィルムであって、
表面層Ｂの反射層Ａとは反対側の表面に上記粒子により形成された突起を有し、
該表面における高さ５μｍ以上の突起個数が１０４〜１０１０個／ｍ２であり、
上記粒子の１０％圧縮強度が０．１〜５ＭＰａであり、
上記突起のビッカース硬度が５〜３０である、白色反射フィルム。
２．反射層Ａのボイド体積率が１５体積％以上、７０体積％以下であり、表面層Ｂのボイド体積率が０体積％以上、１５体積％未満である、上記１または２に記載の白色反射フィルム。
３．導光板を備える面光源反射板として用いられる、上記１または２に記載の白色反射フィルム。
４．エッジライト方式バックライトユニット用反射板として用いられる、上記１〜３のいずれか１に記載の白色反射フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月24日(2014.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射層Ａと、熱可塑性樹脂からなり粒子を含有する表面層Ｂとを有する白色反射フィルムであって、
表面層Ｂが配向した層であり、
表面層Ｂの反射層Ａとは反対側の表面に上記粒子により形成された突起を有し、
該表面における高さ５μｍ以上の突起個数が４×１０７〜１０１０個／ｍ２であり、
表面層Ｂにおける上記粒子の含有量が表面層Ｂの体積を基準として３０体積％以下であり、
表面層Ｂにおける上記粒子の、加重０．３ｇｆで圧縮したときの圧縮率が４０％以上である、
白色反射フィルム。
【請求項２】
上記粒子が凝集粒子である、請求項１に記載の白色反射フィルム。
【請求項３】
揮発有機溶剤量が１０ｐｐｍ以下である、請求項１または２に記載の白色反射フィルム。
【請求項４】
反射層Ａのボイド体積率が１５体積％以上、７０体積％以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の白色反射フィルム。
【請求項５】
導光板を備える面光源反射板として用いられる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の白色反射フィルム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記課題を達成するために、以下の構成を採用するものである。
１．反射層Ａと、熱可塑性樹脂からなり粒子を含有する表面層Ｂとを有する白色反射フィルムであって、
表面層Ｂが配向した層であり、
表面層Ｂの反射層Ａとは反対側の表面に上記粒子により形成された突起を有し、
該表面における高さ５μｍ以上の突起個数が４×１０７〜１０１０個／ｍ２であり、
表面層Ｂにおける上記粒子の含有量が表面層Ｂの体積を基準として３０体積％以下であり、
表面層Ｂにおける上記粒子の、加重０．３ｇｆで圧縮したときの圧縮率が４０％以上である、
白色反射フィルム。
２．上記粒子が凝集粒子である、上記１に記載の白色反射フィルム。
３．揮発有機溶剤量が１０ｐｐｍ以下である、上記１または２に記載の白色反射フィルム。
４．反射層Ａのボイド体積率が１５体積％以上、７０体積％以下である、上記１〜３のいずれか１に記載の白色反射フィルム。
５．導光板を備える面光源反射板として用いられる、上記１〜４のいずれか１に記載の白色反射フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月21日(2014.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮影し撮影画像を取得する撮影部と、
複数の光強度の照明光を発光する照明部と、
前記撮影部で取得された撮影画像と前記照明部で発光された照明光の光強度とに基づいて前記撮影部で取得された撮影画像の変化を検出する検出部とを備える
ことを特徴とする物体検出装置。
【請求項２】
前記照明部は第１光強度と前記第１光強度よりも小さい第２光強度とを切り替えて照明光を発光する
ことを特徴とする請求項１に記載の物体検出装置。
【請求項３】
前記撮影部は所定の間隔で撮影画像を取得し、
前記照明部は前記所定の間隔に基づいて前記第１光強度と前記第２光強度とを切り替えて照明光を発光する
ことを特徴とする請求項２に記載の物体検出装置。
【請求項４】
前記検出部は前記照明部が前記第１光強度で照明光を発光し前記撮影部で取得された撮影画像と前記照明部が前記第２光強度で照明光を発光し前記撮影部で取得された撮影画像との差分、及び、前記第１光強度と前記第２光強度との差分、に基づいて前記撮影部で取得された撮影画像の変化を検出する
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の物体検出装置。
【請求項５】
前記照明部は前記第１光強度、前記第２光強度、前記第２光強度よりも小さい第３光強度の順で照明光を発光する、又は前記第３光強度、前記第２光強度、前記第１光強度の順で照明光を発光する
ことを特徴とする請求項２〜４の何れか一項に記載の物体検出装置。
【請求項６】
前記検出部は、前記照明部が前記第１光強度で照明光を発光し前記撮影部で取得された撮影画像と前記照明部が前記第２光強度で照明光を発光し前記撮影部で取得された撮影画像と前記照明部が前記第３光強度で照明光を発光し前記撮影部で取得された撮影画像との差分、及び、前記第１光強度と前記第２光強度と前記第３光強度との差分、に基づいて前記撮影部で取得された撮影画像の変化を検出する
ことを特徴とする請求項５に記載の物体検出装置。
【請求項７】
外乱の特性を検出する外乱特性検出部を備え、
前記照明部は前記外乱特性検出部が検出した前記外乱の特性に基づいて光強度を切り替えて照明光を発光する
ことを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の物体検出装置。
【請求項８】
表示部を備え、
前記撮影部は前記撮影部の光学系の光軸と前記表示部の表示面の一部に直交する法線とが交わるように配置され、
前記照明部は前記照明部で発光された照明光と前記表示部の前記表示面の一部に直交する法線とが交わるように配置される
ことを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載の物体検出装置。
【請求項９】
前記照明部は赤外光を発光する
ことを特徴とする請求項１〜８の何れか一項に記載の物体検出装置。
【請求項１０】
前記撮影部を支持する支持部を備える
ことを特徴とする請求項１〜９の何れか一項に記載の物体検出装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れか一項に記載の物体検出装置を備える
ことを特徴とするデジタルフォトフレーム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】物体検出装置及びデジタルフォトフレーム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、物体検出装置及びデジタルフォトフレームに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る物体検出装置は、被写体を撮影し撮影画像を取得する撮影部と、複数の光強度の照明光を発光する照明部と、前記撮影部で取得された撮影画像と前記照明部で発光された照明光の光強度とに基づいて前記撮影部で取得された撮影画像の変化を検出する検出部とを備えることを特徴とする。
また、本発明に係るデジタルフォトフレームは、本発明の物体検出装置を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月21日(2014.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部と、
前記表示部の表示面の一部に直交する法線と撮影光学系の光軸とが交わるように配置された前記撮影光学系を有する撮影部と、
前記表示部の前記表示面の一部に直交する法線と照明光とが交わるように配置された前記照明光を発光する照明部とを備える
ことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記照明部は複数の光強度で照明光を発光し、
前記撮影部は前記照明部で照明された被写体を撮影する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記撮影部で撮影された被写体に基づいて前記表示部を制御する表示制御部を備える
ことを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記照明部は第１光強度と前記第１光強度よりも小さい第２光強度とを切り替えて照明光を発光する
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記撮影部は所定の間隔で撮影し、
前記照明部は前記所定の間隔に基づいて前記第１光強度と前記第２光強度とを切り替えて照明光を発光する
ことを特徴とする請求項４に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記撮影部で取得された撮影画像と前記照明部で発光された照明光とに基づいて前記撮影部で取得された撮影画像の変化を検出する検出部を備え、
前記表示制御部は前記検出部で検出された前記撮影部で取得された撮影画像の変化に基づいて前記表示部を制御する
ことを特徴とする請求項３に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記撮影部は前記撮影光学系の前記光軸と前記表示部の前記表示面の一部に直交する法線とが前記表示部の前記表示面側で交わるように配置され、
前記照明部は前記照明光と前記表示部の一部に直交する法線とが前記表示部の前記表示面側で交わるように配置される
ことを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記照明部は前記第１光強度、前記第２光強度、前記第２光強度よりも小さい第３光強度の順で照明光を発光する、又は前記第３光強度、前記第２光強度、前記第１光強度の順で照明光を発光する
ことを特徴とする請求項４又は５に記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記撮影部を支持する支持部を備える
ことを特徴とする請求項１〜８の何れか一項に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記表示部の前記表示面の一部に直交する法線と前記撮影光学系の前記光軸とが交わるように前記支持部を自動で調整する調整部を備える
ことを特徴とする請求項９に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
前記照明部は赤外光を発光する
ことを特徴とする請求項１〜１０の何れか一項に記載の画像表示装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１の何れか一項に記載の画像表示装置を備える
ことを特徴とするデジタルフォトフレーム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像表示装置及びデジタルフォトフレーム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像表示装置及びデジタルフォトフレームに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る画像表示装置は、表示部と、前記表示部の表示面の一部に直交する法線と撮影光学系の光軸とが交わるように配置された前記撮影光学系を有する撮影部と、前記表示部の前記表示面の一部に直交する法線と照明光とが交わるように配置された前記照明光を発光する照明部とを備えることを特徴とする。
また、本発明に係るデジタルフォトフレームは、本発明の画像表示装置を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨ブラシを用いて円環状のガラス基板の端部を鏡面研磨する工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
ガラス基板の主表面と垂直な側壁部と、主表面と側壁部の間に介在する面取り部とを研磨すべく、前記研磨ブラシは、チャンネルブラシを軸芯に巻き付けて固定したチャンネルロールブラシであって、前記チャンネルブラシは、チャンネルの延伸方向から見て、毛先の短い第１部分と、第１部分の両側の毛先の長い第２部分とが形成されていることを特徴とする、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記チャンネルブラシは、毛材をその中央部分で芯線の回りに二つ折りにして巻き付けることで形成され、芯線から毛先に行くにつれてチャンネルの延伸方向から見たときの毛材の幅が短くなっていることを特徴とする、請求項１に記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記研磨ブラシは、第１部分と第２部分の毛先の長さの差が０．１〜０．３ｍｍであり、チャンネル幅が２．３〜３ｍｍであることを特徴とする、請求項１または２に記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記研磨ブラシは、円環状のガラス基板の内周端部を鏡面研磨する工程に用いられることを特徴とする、請求項１〜３に記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、円環状のガラス基板の端部を鏡面研磨する工程に用いられる研磨ブラシであって、
ガラス基板の主表面と垂直な側壁部と、主表面と側壁部の間に介在する面取り部とを研磨すべく、前記研磨ブラシは、チャンネルブラシを軸芯に巻き付けて固定したチャンネルロールブラシであって、
前記チャンネルブラシは、毛材をその中央部分で芯線の回りに二つ折りにして巻き付けることで形成され、チャンネルの延伸方向から見たときに、毛先の短い第１部分と、第１部分の両側の毛先の長い第２部分とが形成され、かつ芯線から毛先に行くにつれて毛材の幅が短くなっていることを特徴とする、
研磨ブラシ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月3日(2014.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも活物質粒子と導電剤粒子とを含む電極材料を集電体上に被着した非水電解質二次電池の電極であって、
前記電極材料の厚みを５０μm以上とすると共に、当該電極材料には、前記活物質粒子の平均粒径の２倍以上の平均粒径を有するヒビ割れ防止剤を、含ませたことを特徴とする非水電解質二次電池用電極。
【請求項２】
前記ヒビ割れ防止剤を、前記活物質１００に対して５〜３０重量比含ませたことを特徴とする請求項１に記載の非水電解質二次電池用電極。
【請求項３】
前記活物質粒子の粒径が０．５〜１５μmである請求項１または２に記載の非水電解質二次電池用電極。
【請求項４】
前記ヒビ割れ防止剤の平均粒径が５〜１８０μmである請求項１−３の何れかに記載の非水電解質二次電池用電極。
【請求項５】
前記ヒビ割れ防止剤が導電性粒子である請求項１−４の何れかに記載の非水電解質二次電池用電極。
【請求項６】
前記ヒビ割れ防止剤が活物質粒子であることを特徴とする請求項１−５の何れかに記載の非水電解質二次電池用電極。
【請求項７】
前記活物質粒子がリン酸鉄リチウムである請求項１−６の何れかに記載の非水電解質二次電池用電極。
【請求項８】
前記活物質は、Si,Sn,またはこれらを含む金属酸化物であることを特徴とする請求項１−６の何れかに記載の非水電解質二次電池用電極。
【請求項９】
請求項１〜８の何れかに記載の電極材料を溶剤を用いてスラリー状とし、集電体上に塗布した後に乾燥することを特徴とする非水電解質二次電池用電極の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜８の何れかに記載の電極を用いた非水電解質二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月11日(2014.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極および第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間の、発光層を含む有機層と、
前記第１電極の周縁を表面から側面にかけて覆うと共に前記有機層に接する内壁面を有し、前記内壁面に、稜線が前記第１電極の表面に平行な少なくとも一つの角部を有する絶縁膜と
を備えた有機発光素子。
【請求項２】
前記絶縁膜の内壁面は前記稜線を境とした複数の面により構成され、前記複数の面の前記第１電極の表面に対する傾斜角度が互いに異なる
請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】
前記絶縁膜の複数の面の各傾斜角度は、前記第２電極側から前記第１電極側に近づくにつれて大きくなる
請求項２に記載の有機発光素子。
【請求項４】
前記内壁面のうち前記第１電極側の面の前記第１電極の表面とのなす角度は、７０°以上９０°未満である
請求項１ないし３のうちいずれか１つに記載の有機発光素子。
【請求項５】
前記内壁面のうち前記第２電極側の面の前記第１電極の表面とのなす角度は、２０°以上４５°以下である
請求項１ないし４のうちいずれか１つに記載の有機発光素子。
【請求項６】
前記絶縁膜は、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）からなる
請求項１ないし５のうちいずれか１つに記載の有機発光素子。
【請求項７】
前記角部は絶縁膜に対する逆スパッタリング処理により形成されたものである
請求項１ないし６のうちいずれか１つに記載の有機発光素子。
【請求項８】
第１電極および第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間の、発光層を含む有機層と、
前記第１電極の側面を覆うと共に、前記側面の上端から下端にかけて傾斜面を有する絶縁膜と
を備えた有機発光素子。
【請求項９】
前記第１電極、第２電極および有機層は基板上に設けられ、
前記基板と前記傾斜面とのなす角度は、７０°以下である
請求項８に記載の有機発光素子。
【請求項１０】
前記基板と前記傾斜面とのなす角度は、３０°以上６０°以下である
請求項９に記載の有機発光素子。
【請求項１１】
前記基板と前記第１電極との間に平坦化層が設けられ、
前記傾斜面は前記平坦化層に接する
請求項９または１０に記載の有機発光素子。
【請求項１２】
前記第１電極、第２電極および有機層は基板上に設けられ、
前記基板と前記第１電極の側面とのなす角度は、８０°以上９０°以下である
請求項８ないし１１のうちいずれか１つに記載の有機発光素子。
【請求項１３】
複数の有機発光素子を備え、
前記有機発光素子は、
第１電極および第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間の、発光層を含む有機層と、
前記第１電極の周縁を表面から側面にかけて覆うと共に前記有機層に接する内壁面を有し、前記内壁面に、稜線が前記第１電極の表面に平行な少なくとも一つの角部を有する絶縁膜とを備えた
表示装置。
【請求項１４】
複数の有機発光素子を備え、
前記有機発光素子は、
第１電極および第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間の、発光層を含む有機層と、
前記第１電極の側面を覆うと共に、前記側面の上端から下端にかけて傾斜面を有する絶縁膜とを備えた
表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
絶縁膜２５は第１電極１４の側面（端面）のみに設けられ、第１電極１４の表面全体が露出されている。絶縁膜２５は第１電極１４の上端から下端を傾斜して覆っており、基板１１（平坦化層１３）に対して角度θ４で傾斜する傾斜面（傾斜面２５Ｉ）を有している。傾斜面２５Ｉは絶縁膜２５の上端と下端とをつなぐ面（表面）であり、平坦であることが好ましいが、有機層１６の膜厚に対して十分小さい凹凸があってもよい。この傾斜面２５Ｉの端は、平坦化層１３に接している。即ち、絶縁膜２５では第１電極１４の側面にテーパ形状が設けられ、隣り合う有機ＥＬ素子間（例えば、図１４ 有機ＥＬ素子１０Ｒと有機ＥＬ素子１０Ｇ）では絶縁膜２５が離間している。この絶縁膜２５の傾斜面２５Ｉにより、第２電極１７および有機層１６の断線、第２電極１７の電流集中による有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの劣化を防ぐことができる。角度θ４は７０°以下であることが好ましく、３０°以上６０°以下（３０°≦θ４≦６０°）であることがより好ましい。このθ４は、有機層１６および第２電極１７の厚み、画素サイズおよび画素間距離によって適宜調整する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2012216495.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月28日(2014.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と
前記基板上の画素に形成された有機発光層と、
前記有機発光層を覆う封止膜と、
前記封止膜を介して前記画素を覆う光学レンズと、
前記光学レンズを覆う平坦化層と、
前記平坦化層上において前記画素ごとに形成されたカラーフィルターと、を備え、
前記光学レンズの屈折率が、前記平坦化層の屈折率よりも大きいことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記光学レンズの屈折率が１．６以上１．９以下を満たし、
前記平坦化層の屈折率が１．２以上１．５以下で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記平坦化層がＳｉＯ（酸化シリコン）を骨格とした無機膜あるいは有機膜と前記無機膜のハイブリッド膜であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記光学レンズがフッ素系の樹脂であること特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記光学レンズが無機のナノ粒子を混入した樹脂であること特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記光学レンズの弾性率が０．１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記光学レンズの立ち上がり角度が５°以上７０°以下であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項８】
前記封止膜が酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウムのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項９】
前記平坦化層と前記カラーフィルターの間に第２の封止層が設置されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記光学レンズがシリンドリカルレンズであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月18日(2013.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に前記基板の主面側から順に形成された第１電極、有機発光層および第２電極と、前記発光層を覆うように前記基板上に設けられた封止膜とを有する光半導体装置であって、
前記封止膜は平坦化膜とバリア膜とを交互に積層した積層膜を含み、
前記平坦化膜および前記バリア膜は酸窒化シリコン膜を含み、
前記平坦化膜は前記バリア膜よりもヤング率が低く、前記バリア膜は前記平坦化膜よりも膜密度が大きく水分バリア性が高いことを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記第１電極の上面は前記平坦化膜と前記基板との間に形成された第１絶縁膜の開口部から露出しており、前記開口部上に形成された最下層の前記平坦化膜の底面は凹凸を有し、最下層の前記平坦化膜上面は平坦であることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記平坦化膜は炭素を含有する酸窒化シリコン膜を含み、
前記バリア膜は無機の酸窒化シリコン膜を含んでいることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記平坦化膜は、真空紫外光を用いた光ＣＶＤ法とリモートプラズマを用いたプラズマＣＶＤ法とを併用して形成されていることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記バリア膜は、真空紫外光を用いた光ＣＶＤ法とリモートプラズマを用いたプラズマＣＶＤ法とを併用して形成されていることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項６】
前記有機発光層および前記封止膜の間に、真空紫外光を吸収する第２絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項７】
前記第２絶縁膜は真空紫外光を９０％以上吸収する絶縁膜であることを特徴とする請求項６記載の光半導体装置。
【請求項８】
（ａ）基板上に第１電極を形成する工程と、
（ｂ）前記第１電極上に前記第１電極と電気的に接続された有機発光層を形成する工程と、
（ｃ）前記有機発光層上に前記有機発光層と電気的に接続された第２電極を形成する工程と、
（ｄ）前記有機発光層上に、真空紫外光を用いた光ＣＶＤ法により酸窒化シリコン膜を形成する工程と、
を有し、
前記（ｄ）工程では、前記真空紫外光の照射中にリモートプラズマによるラジカル照射を行うことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記（ｄ）工程では、前記酸窒化シリコン膜を複数層積層し、前記有機発光層上に複数の前記酸窒化シリコン膜の一つを含む平坦化膜と、複数の前記酸窒化シリコン膜の一つを含むバリア膜とを前記有機発光層側から順に交互に積層することを特徴とする請求項８記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記（ｄ）工程では、前記平坦化膜は炭素を有する有機物を原料として形成し、前記バリア膜は無機物のみを原料として形成することを特徴とする請求項９記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記平坦化膜は形成過程において流動性を示す膜であり、前記バリア膜は前記平坦化膜よりも膜密度が大きく水分バリア性が高い膜であることを特徴とする請求項９記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記（ａ）工程の後であって前記（ｂ）工程の前に、前記基板上に第１絶縁膜を形成した後、前記第１絶縁膜を開口して前記第１電極の上面を露出する工程をさらに有することを特徴とする請求項８記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記（ｄ）工程では、窒素ラジカルまたは酸素ラジカルのうち少なくとも一方と有機シリコンガスとを前記酸窒化シリコン膜を形成する原料ガスとして用いることを特徴とする請求項８記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記（ｄ）工程では、酸素ラジカルまたは酸素ガスのうちいずれか一方と、高次シランガスおよび窒素ラジカルとを前記酸窒化シリコン膜を形成する原料ガスとして用いることを特徴とする請求項８記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記（ｄ）工程の前に、前記有機発光層上に真空紫外光を９０％以上吸収する第２絶縁膜を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項８記載の光半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月24日(2014.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉄心、この鉄心に巻回され通電されると磁束を発生する投入コイル、前記鉄心に巻回され通電されると磁束を発生する保持コイル、前記投入コイルおよび前記保持コイルを取り囲むヨーク、回動時に開閉器の可動接点を駆動する回動軸、及び一端が前記回動軸に取り付けられ自由端が前記鉄心及び前記ヨークとで前記磁束の通路を形成する磁性の可動子を備えた開閉装置の電磁操作装置であって、
前記投入コイルへの通電により前記ヨークの端面に前記可動子が吸引されて前記回動軸が回動し前記可動接点が前記開閉器の固定接点に当接し、この当接状態を前記投入コイルおよび前記保持コイルへの通電により保持する
開閉装置の電磁操作装置。
【請求項２】
請求項１に記載の開閉装置の電磁操作装置において、
前記投入コイルと前記保持コイルとが同心状に配設されている
ことを特徴とする開閉装置の電磁操作装置。
【請求項３】
請求項１に記載の開閉装置の電磁操作装置において、
前記投入コイルが前記保持コイルの内側に配設されている
ことを特徴とする開閉装置の電磁操作装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の開閉装置の電磁操作装置において、
前記投入コイルと前記保持コイルとが絶縁されている
ことを特徴とする開閉装置の電磁操作装置。
【請求項５】
鉄心、この鉄心に巻回され通電されると磁束を発生する投入コイル、前記鉄心に巻回され通電されると磁束を発生する保持コイル、前記投入コイルおよび前記保持コイルを取り囲むヨーク、回動時に開閉器の可動接点を駆動する回動軸、及び一端が前記回動軸に取り付けられ自由端が前記鉄心及び前記ヨークとで前記磁束の通路を形成する磁性の可動子を備えた開閉装置の電磁操作装置を駆動する駆動回路であって、
交流を直流に変換する交直変換回路、
投入操作時に前記交直変換回路の直流出力端に前記投入コイルを接続する第１のスイッチ、および
前記第１のスイッチの投入操作による前記投入コイルへの通電により前記ヨークの端面に前記可動子が吸引されて前記回動軸が回動すると動作し前記交直変換回路の直流出力端に前記保持コイルを接続する第２のスイッチ、
を備え、
前記交直変換回路の直流出力端への前記投入コイルの接続により前記投入コイルが通電されることにより前記ヨークの端面に前記可動子が吸引されて前記回動軸が回動し前記可動接点が前記開閉器の固定接点に当接し、この当接状態を、前記交直変換回路の直流出力端への前記投入コイルおよび前記保持コイルの接続による前記投入コイルおよび前記保持コイルへの通電により保持する
電磁操作装置の駆動回路。
【請求項６】
請求項５に記載の電磁操作装置の駆動回路において、前記保持コイルをバイパスするバイパス回路を有し、
前記バイパス回路を介して前記投入コイルの前記通電が行われることにより前記当接が行われ、
前記第２のスイッチにより前記バイパス回路から前記保持コイルに切り替えて前記投入コイル及び前記保持コイルへの前記通電が行われることにより前記保持が行われる
ことを特徴とする電磁操作装置の駆動回路。
【請求項７】
請求項６に記載の電磁操作装置の駆動回路において、
前記第２のスイッチによる前記切り替えにより、前記バイパス回路は通電解除され、前記投入コイルと前記保持コイルとが直列接続される
ことを特徴とする電磁操作装置の駆動回路。
【請求項８】
請求項５〜７の何れか一に記載の電磁操作装置の駆動回路において、
前記第１のスイッチは人為的操作スイッチであり、前記第２のスイッチは位置検出スイッチである
ことを特徴とする電磁操作装置の駆動回路。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月10日(2014.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理装置から送信される測定データを蓄積する測定データ蓄積手段と、
予め定められた測定範囲において、前記測定データ蓄積手段に蓄積された測定データのうち判定対象である前記測定データの項目、前記項目に対応する測定データの判定基準となる基準データ、及び該基準データについて上下限値を設定する設定手段と、
前記設定手段により設定された項目に対応する測定データの値が、前記設定手段により設定された前記基準データについての上下限値から外れた回数を計数する計数手段と、
前記計数手段により計数された計数値が、予め定められた値を超えた場合に前記判定対象とした測定データについて異常と判定する判定手段と
を有する管理装置。
【請求項２】
前記設定手段で設定された項目に対応する測定データ、該測定データの判定基準である基準データ、及び該基準データについての上下限値と、前記計数手段により計数された計数値とを関連付けて蓄積する関連蓄積手段と、
前記関連蓄積手段により蓄積された計数値について、前記基板処理装置による処理毎の計数値を表示する表示手段と
を有する請求項１記載の管理装置。
【請求項３】
前記表示手段は、さらに、表示した前記基板処理装置による処理毎の計数値のうち指定された少なくとも１つの計数値について、前記関連蓄積手段により該計数値に関連付けられている少なくとも測定データを表示する
請求項２記載の管理装置。
【請求項４】
基板を処理する基板処理装置から送信される測定データを蓄積し、予め定められた測定範囲における前記測定データの項目、前記測定データの項目に対応する測定データの判定基準である基準データ、及び前記基準データについての上下限値をそれぞれ設定し、蓄積された測定データのうち前記項目の測定データの値が、前記基準データの上下限値から外れた回数を計数し、計数された計数値が、予め定められた値を超えた場合に計数対象とした前記測定データについて異常と判定するデータ解析方法。
【請求項５】
基板を処理する基板処理装置から送信される測定データを蓄積する蓄積手段を備えた管理装置で実行されるプログラムを記録した記録媒体であって、
予め定められた測定範囲における前記測定データの項目、前記測定データの項目に対応する測定データの判定基準である基準データ、及び前記基準データについて上下限値を設定する工程と、  
前記測定データのうち前記項目の測定データの値が、前記基準データの上下限値から外れた回数を計数する工程と、
計数された計数値が、予め定められた値を超えた場合に、計数対象とした測定データについて異常と判定する工程と、
を有するプログラムをコンピュータに読み取り可能に記録した記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月14日(2014.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のパーティションが形成された記録媒体にアクセスするアクセス手段、
第１モードおよび第２モードのいずれか一方を選択する選択手段、
前記複数のパーティションの少なくとも一部を前記選択手段によって選択されたモードに応じて異なる態様で指定する指定手段、
前記選択手段によって選択されたモードが前記第１モードであるとき前記指定手段によって指定されたパーティションの識別情報を参照して前記アクセス手段の処理動作を制御する制御手段、および
前記選択手段によって選択されたモードが前記第２モードであるとき前記指定手段によって指定されたパーティションの識別情報を外部装置による参照のために送出する送出手段を備える、アクセス制御装置。
【請求項２】
前記複数のパーティションの各々はブートレコードを有し、
前記制御手段は前記識別情報によって識別されたパーティションのブートレコードに基づいて前記記録媒体のマッピング状態を認識する認識手段を含む、請求項１記載のアクセス制御装置。
【請求項３】
前記指定手段は指定すべきパーティションの識別情報をレジスタに登録し、
前記アクセス手段および前記送出手段の各々は前記レジスタを参照して処理を実行する、請求項１または２記載のアクセス制御装置。
【請求項４】
前記複数のパーティションは画像データを格納する第１パーティションを含み、
前記第１モードは画像記録／再生モードを含む、請求項１ないし３のいずれかに記載のアクセス制御装置。
【請求項５】
前記複数のパーティションは操作マニュアルデータを格納する第２パーティションを含み、
前記第２モードはマニュアル読み出しモードを含む、請求項１ないし４のいずれかに記載のアクセス制御装置。
【請求項６】
前記記録媒体はファームウェアを格納し、前記第２パーティションは前記ファームウェアに接する位置に形成される、請求項５記載のアクセス制御装置。
【請求項７】
複数のパーティションが形成された記録媒体にアクセスするアクセス手段、および第１モードおよび第２モードのいずれか一方を選択する選択手段を備えるアクセス制御装置によって実行されるアクセス制御方法であって、
前記複数のパーティションの少なくとも一部を前記選択手段によって選択されたモードに応じて異なる態様で指定する指定ステップ、
前記選択手段によって選択されたモードが前記第１モードであるとき前記指定ステップによって指定されたパーティションの識別情報を参照して前記アクセス手段の処理動作を制御する制御ステップ、および
前記選択手段によって選択されたモードが前記第２モードであるとき前記指定ステップによって指定されたパーティションの識別情報を外部装置による参照のために送出する送出ステップを備える、アクセス制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月18日(2014.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動体に設けられた画像撮影装置と、画像と当該画像を特徴付ける付加情報とを対応付けて蓄積する画像管理装置と、利用者が使用する端末装置と、を備えた画像蓄積システムであって、
画像撮影装置は、画像を撮影する画像撮像手段と、画像撮像手段が撮影する画像を特徴付ける付加情報を取得する取得手段と、取得手段が取得した付加情報を無線区間を介して画像管理装置へ送信する付加情報送信手段と、画像管理装置からの要求を受信する要求受信手段と、画像管理装置からの要求に応じて付加情報に対応する画像を無線区間を介して画像管理装置へ送信する画像送信手段と、を有し、
画像管理装置は、画像撮影装置から付加情報を受信する付加情報受信手段と、受信した付加情報に基づいて当該付加情報で特徴付けられた画像の要否を判定する判定手段と、判定手段が要と判定した画像の要求を画像撮影装置へ送信する要求送信手段と、画像撮影装置から画像を受信する画像受信手段と、受信した画像を付加情報に対応付けて記憶する記憶手段と、画像撮影装置から画像を受信するに応じて当該画像撮影装置へ応答を送信する応答手段付加情報による指定を含む指示に応じて記憶手段に記憶されている対応する画像を出力する出力手段と、を有し、画像管理装置から応答を受信しないときは送信した画像をメモリに保持して、応答を受信した後に当該画像を再送し、
端末装置は、付加情報による指定を含む指示を画像管理装置へ出力する出力手段と、画像管理装置から出力された画像を入力する入力手段と、入力された画像を表示する表示手段と、を有することを特徴とする画像蓄積システム。
【請求項２】
請求項１に記載の画像蓄積システムにおいて、
前記付加情報は、前記画像撮像装置が撮像した位置情報を含み、
前記画像管理装置は、前記位置情報に基づいて記憶蓄積する画像を所定の位置範囲ごとに分類することを特徴とする画像蓄積システム。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の画像蓄積システムにおいて、
前記付加情報は、前記移動体の識別情報を含み、
前記画像管理装置は、前記識別情報を利用して、前記端末装置の表示手段に表示される地図上に前記移動体が存する位置を表示することを特徴とする画像蓄積システム。