Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月14日(2013.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形板状をなし、主電力を制御する電力用半導体素子と前記電力用半導体素子を制御する制御信号を出力する制御素子とが厚み方向において段違いに配置されるとともに、前記矩形板状の対向する側面のそれぞれから並列する複数の端子が突出配置された電力用半導体装置を一枚のリードフレームを用いて製造する方法であって、
前記一枚のリードフレームには、前記電力用半導体素子が接合される第１のダイパッドと、前記制御素子が接合される第２のダイパッドが、前記並列する複数の端子となるリードパターンとともに、前記リードパターンの延在方向におけるそれぞれ一端側の領域と他端側の領域で連なるように形成されているとともに、前記一端側の領域から前記他端側の領域にかけて延在する延在パターンが形成され、かつ、前記リードフレームの面に垂直な方向において前記第１のダイパッドに対して前記第２のダイパッドが上方に位置するように段差がつけられており、
前記第１のダイパッドの一面に前記電力用半導体素子を接合するとともに、前記第２のダイパッドに前記制御素子を接合する工程と、
前記リードフレームの面を保ったまま、前記延在パターンの所定部分を屈曲させ、前記リードフレームの面に垂直な方向から見たときに、前記制御素子を、前記電力用半導体素子にオーバーラップさせる工程と、
前記第１のダイパッドの裏面に、放熱部材を接合する工程と、
前記リードフレームを少なくとも外枠部分が露出した状態で上下の金型ではさみ、前記金型内に樹脂を流し込んで、前記放熱部材の放熱面を除いて当該電力用半導体装置を矩形形状に封止する工程と、
を含む電力用半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電力用半導体装置の製造方法により製造した電力用半導体装置。
【請求項３】
前記延在パターンにおける前記所定部分よりも前記一端側の部分と前記電力用半導体素子の制御電極とが配線部材で電気接続されるとともに、前記延在パターンにおける前記所定部分よりも前記他端側の部分と前記制御素子の制御信号を出力する電極とが配線部材で電気接続されていることを特徴とする請求項２に記載の電力用半導体装置。
【請求項４】
前記リードフレームの前記一端側の領域、および前記他端側の領域には、前記リードパターンが並列する方向において、それぞれ前記第１のダイパッドおよび前記第２のダイパッドよりも外側に位置する第１の中継リードと第２の中継リードが形成されており、
前記第１の中継リードと前記電力用半導体素子の制御電極、および、前記第２の中継リードと前記制御素子の制御信号を出力する電極とが、それぞれ配線部材で電気接続されているとともに、
前記屈曲によって接近した前記第１の中継リードと前記第２の中継リードとが、配線部材で電気接続されていることを特徴とする請求項２に記載の電力用半導体装置。
【請求項５】
前記電力用半導体素子は、整流素子とスイッチング素子からなる２つの半導体素子を並列配置したものであり、
前記リードフレームには、前記一端側の領域から前記他端側の領域に達するとともに、前記他端側の端部に所定の大きさのバス部を有するバスパターンが形成されており、
前記バスパターンの前記バス部以外の部分の折り曲げによって、前記バス部を前記２つの半導体素子にオーバーラップさせて、前記２つの半導体素子間が電気接続されているとともに、
前記屈曲によって接近した前記電力用半導体素子の制御電極と前記制御素子の制御信号を出力する電極とが配線部材で電気接続されていることを特徴とする請求項２に記載の電力用半導体装置。
【請求項６】
前記延在パターンの所定部分には、前記リードパターンが並列する方向において向きが異なる複数の切欠きが前記延在方向の異なる位置に設けられ、
前記複数の切欠きを開くことにより、前記所定部分が前記リードパターンの面に平行な方向で屈曲していることを特徴とする請求項２ないし５のいずれか１項に記載の電力用半導体装置。
【請求項７】
前記電力用半導体素子がワイドバンドギャップ半導体材料により形成されていることを特徴とする請求項２ないし６のいずれか１項に記載の電力用半導体装置。
【請求項８】
前記ワイドバンドギャップ半導体材料は、炭化ケイ素、窒化ガリウム、およびダイヤモンド、のうちのいずれかであることを特徴とする請求項７に記載の電力用半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の電力用半導体装置の製造方法は、矩形板状をなし、主電力を制御する電力用半導体素子と前記電力用半導体素子を制御する制御信号を出力する制御素子とが厚み方向において段違いに配置されるとともに、前記矩形板状の対向する側面のそれぞれから並列する複数の端子が突出配置された電力用半導体装置を一枚のリードフレームを用いて製造する方法であって、前記一枚のリードフレームには、前記電力用半導体素子が接合される第１のダイパッドと、前記制御素子が接合される第２のダイパッドが、前記並列する複数の端子となるリードパターンとともに、前記リードパターンの延在方向におけるそれぞれ一端側の領域と他端側の領域で連なるように形成されているとともに、前記一端側の領域から前記他端側の領域にかけて延在する延在パターンが形成され、かつ、前記リードフレームの面に垂直な方向において前記第１のダイパッドに対して前記第２のダイパッドが上方に位置するように段差がつけられており、前記第１のダイパッドの一面に前記電力用半導体素子を接合するとともに、前記第２のダイパッドに前記制御素子を接合する工程と、前記リードフレームの面を保ったまま、前記延在パターンの所定部分を屈曲させ、前記リードフレームの面に垂直な方向から見たときに、前記制御素子を、前記電力用半導体素子にオーバーラップさせる工程と、前記第１のダイパッドの裏面に、放熱部材を接合する工程と、前記リードフレームを少なくとも外枠部分が露出した状態で上下の金型ではさみ、前記金型内に樹脂を流し込んで、前記放熱部材の放熱面を除いて当該電力用半導体装置を矩形形状に封止する工程と、を含むようにしたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月4日(2014.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に設けられ、少なくとも表層がＴａＳｉＮ層である抵抗素子と、
前記第１絶縁層および前記抵抗素子上に設けられた層間絶縁層と、
前記層間絶縁層に設けられ、一端が前記ＴａＳｉＮ層と接続する複数のビアと、
を備え、
前記ＴａＳｉＮ層は、表層側のＳｉ濃度が大きい方向に組成が傾斜している半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記抵抗素子の抵抗温度係数の絶対値は、０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下である半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
前記ＴａＳｉＮ層は、ＴａＮ層にＳｉ含有ガスを照射することにより形成された改質層である半導体装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記抵抗素子は、ＴａＮ層をさらに備え、
前記ＴａＳｉＮ層は、前記ＴａＮ層の表層に設けられている半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記抵抗素子の上に位置するＳｉＮ層をさらに備える半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記ＴａＳｉＮ層は、アモルファスである半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記ＴａＳｉＮ層のシート抵抗は、１０２Ω／ｓｑ以上１０７Ω／ｓｑ以下である半導体装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記抵抗素子は、平面視で複数回屈曲している半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記抵抗素子は、基準電圧回路の一部を構成している半導体装置。
【請求項１０】
第１絶縁層上にＴａＮ層を形成する工程と、
Ｓｉ含有ガスを照射することにより、前記ＴａＮ層のうち、少なくとも表層をＴａＳｉＮ層に変化させるシラン照射工程と、
前記第１絶縁層および前記ＴａＳｉＮ層上に層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層に、一端が前記ＴａＳｉＮ層と接続する複数のビアを形成する工程と、
を備え、
前記シラン照射工程において、前記ＴａＮ層の表層側のＳｉ濃度が大きい方向に組成が傾斜するように前記ＴａＳｉＮ層を形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記シラン照射工程において、前記ＴａＮ層上にＳｉＮ層を形成し、前記ＳｉＮ層と前記ＴａＮ層との界面に前記ＴａＳｉＮ層を形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ＴａＮ層を形成する工程において、第１絶縁層上の全面に前記ＴａＮ層を形成し、
前記シラン照射工程において、前記ＴａＮ層上の全面に前記ＳｉＮ層を形成し、
前記シラン照射工程の後において、前記ＴａＳｉＮ層を、前記ＳｉＮ層と同一工程でパターニングする工程を備える半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月21日(2014.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通電極を有する第１の基板及びバンプを有する第２の基板を互いに接続して半導体装置を製造する方法であって、
前記第２の基板は、前記バンプを囲う環状導電部を有し、
前記貫通電極と前記バンプとを接続すると共に、前記第１の基板の周縁部を前記環状導電部に埋入させる実装工程と、
前記実装工程の後で、前記第１の基板に空洞部を形成するエッチング工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記実装工程の前に、前記貫通電極の前記バンプと接続される側の面に凹部を形成する凹部形成工程、をさらに含み、
前記実装工程では、前記凹部の内側に前記バンプの先端部を入れた状態で前記貫通電極と前記バンプとを接続することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
第１の基板及び第２の基板が互いに接続された半導体装置であって、
前記第１の基板は、
第１の面及び該第１の面の反対側の第２の面を有し、前記第１の面側に空洞部が設けられた第１の基材と、
前記第１の基材の前記第１の面と前記第２の面との間を貫通する貫通電極と、を有し、
前記第２の基板は、
前記第２の面と対向する第３の面を有する第２の基材と、
前記第２の基材の前記第３の面側に設けられ、前記貫通電極に接続されたバンプと、
前記第２の基材の前記第３の面側に設けられ、前記バンプを囲む環状導電部と、を有し、
前記第１の基板の周縁部が前記環状導電部に埋入していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記第１の基板は、
前記第１の基材の前記第１の面と前記第２の面との間であって、前記貫通電極よりも前記周縁部に近い位置を貫通する第２の貫通電極、をさらに有し、
前記第２の貫通電極と前記環状導電部とが接続されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の基板の前記第２の面と前記第２の基板の前記第３の面との間であって、前記環状導電部で囲まれる領域に設けられた樹脂、をさらに有することを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
請求項３から請求項５の何れか一項に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を発光する光源と、
前記光源に光を発光させる駆動電流を生成する駆動電流生成手段と、
前記光源から発光された光の光量を検出する光量検出手段と、
前記駆動電流生成手段によって生成された駆動電流を前記光量検出手段によって検出された光量が所定の目標光量になる駆動電流量に基いて、駆動補助電流を生成する駆動補助電流生成手段と、
前記駆動電流生成手段による駆動電流の出力開始の初期期間に前記駆動電流生成手段によって生成された駆動電流に前記駆動補助電流生成手段によって生成された駆動補助電流を加算する加算手段とを有し、
前記駆動補助電流生成手段は、前記駆動電流生成手段によって生成された駆動電流に所定の調整率幅を掛けて前記光量検出手段によって検出された光量の積分値が所定の目標光量積分値になる駆動補助電流を生成する手段を有することを特徴とする光源駆動装置。
【請求項２】
光源から照射した光によって画像を形成する画像形成装置であって、請求項１記載の光源駆動装置を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来、光ディスク装置、プリンタ、複写機、並びに複合機等の画像形成装置においては、ディスクに対するデータの書込みの際にディスクに照射する光や、画像形成時に感光体に照射する光源として、赤外の７８０ｎｍ帯の光を発光する半導体レーザ装置が広く使用されていた。
近年、画像形成装置においては、画像形成での更なる高解像度化を求めて、６５０ｎｍの赤色光の半導体レーザ光（「赤色レーザ光」）を発光する光源や、更に４００ｎｍの青紫色光の半導体レーザ光（「青紫色レーザ光」）を発光する光源を用いたシステムが実用化され始めてきている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
また、赤外レーザ光を発光する光源でも、４０本程度のレーザ光が照射可能な面発光レーザ装置（ＶＣＳＥＬ）を用いた光源を、感光体を露光するレーザ光の光源として採用し、より高精細で高速な画像形成を行う画像形成装置が提案されている。
ただし、７８０ｎｍの赤外レーザ光の光源に対し、６５０ｎｍの赤色レーザ光や４００ｎｍの青紫色レーザ光の光源は、一般的に微分抵抗が大きい。
したがって、光源を搭載している基板の駆動回路内の寄生容量やドライバの端子容量と、レーザ半導体の微分抵抗によってＣＲの時定数が発生し、思うような高速応答が得られず、光波形の鈍りが発生する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、赤外レーザ光のＶＣＳＥＬにおいても、他の赤外レーザ光源との構造上の違いにより、微分抵抗が数百Ω程度と非常に大きく、同じく光波形の応答性が悪かった。
例えば、図８の（ａ）の波形８０で示した駆動電流の変化で光源を発光させると、図８の（ｂ）の波形８１に示した光波形の変化になり、その波形は所定の光量までの立上がりに時間がかかり、応答性が悪かった。
そのため、例えば、数ｎｓ（ナノセコンド）以下のごく短い時間の光出力により低濃度を表現しようとする場合、光波形の積分光量（光波形を面積分した値）が十分得られず、正しく濃度が表現できないという問題があった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明は上記の目的を達成するため、光を発光する光源と、上記光源に光を発光させる駆動電流を生成する駆動電流生成手段と、上記光源から発光された光の光量を検出する光量検出手段と、上記駆動電流生成手段によって生成された駆動電流を上記光量検出手段によって検出された光量が所定の目標光量になる駆動電流量に基いて、駆動補助電流を生成する駆動補助電流生成手段と、上記駆動電流生成手段による駆動電流の出力開始の初期期間に上記駆動電流生成手段によって生成された駆動電流に上記駆動補助電流生成手段によって生成された駆動補助電流を加算する加算手段とを有し、上記駆動補助電流生成手段は、上記駆動電流生成手段によって生成された駆動電流に所定の調整率幅を掛けて上記光量検出手段によって検出された光量の積分値が所定の目標光量積分値になる駆動補助電流を生成する手段を有することを特徴とする光源駆動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月23日(2014.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上述の目的を達成するために、本発明の画像処理装置は、撮像画像を取得する手段と、
センサによりユーザをセンシングすることで得られた、該ユーザの状態を表すセンサ情報を受信する受信手段と、
前記ユーザの属性情報と、前記撮像画像中における前記ユーザを識別するための識別パラメータと、を取得する取得手段と、
前記受信手段が受信したセンサ情報と、前記取得手段が取得した識別パラメータと、に基づいて、前記撮像画像中の被写体の中から、前記ユーザを識別する識別手段と、
前記取得手段が取得した属性情報を、前記識別手段による識別の結果に応じた前記撮像画像上の位置に合成して出力する出力手段と
を有することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像画像を取得する手段と、
センサによりユーザをセンシングすることで得られた、該ユーザの状態を表すセンサ情報を受信する受信手段と、
前記ユーザの属性情報と、前記撮像画像中における前記ユーザを識別するための識別パラメータと、を取得する取得手段と、
前記受信手段が受信したセンサ情報と、前記取得手段が取得した識別パラメータと、に基づいて、前記撮像画像中の被写体の中から、前記ユーザを識別する識別手段と、
前記取得手段が取得した属性情報を、前記識別手段による識別の結果に応じた前記撮像画像上の位置に合成して出力する出力手段と
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記出力手段は、前記識別手段が識別した前記ユーザの前記撮像画像中における位置の近傍に、前記属性情報を合成して出力することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記識別手段は、前記取得手段が取得した識別パラメータを用いて前記撮像画像の中から前記ユーザを識別できなかった場合、
前記撮像画像中の被写体の動きを求め、前記受信手段が受信したセンサ情報に含まれている前記ユーザの動きと一致する動きの被写体を前記ユーザとして識別することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記識別手段は、前記取得手段が取得した識別パラメータを用いて前記撮像画像の中から前記ユーザを識別できなかった場合、
前記撮像画像中の被写体の動きを求め、前記受信手段が受信したセンサ情報に含まれている前記ユーザの生体情報に対して予め対応づけられている動きと一致する動きの被写体を前記ユーザとして識別することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記識別手段は、前記取得手段が取得した識別パラメータを用いて前記撮像画像の中から前記ユーザを識別できなかった場合、
前記撮像画像中の被写体の口の動きを求め、前記受信手段が受信したセンサ情報に含まれている前記ユーザの口の動きと一致する口の動きの被写体を前記ユーザとして識別することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記識別手段は、前記取得手段が取得した識別パラメータを用いて前記撮像画像の中から前記ユーザを識別できなかった場合、
赤外線画像を取得して該赤外線画像から被写体の温度を求め、前記受信手段が受信したセンサ情報に含まれている前記ユーザの温度にもっとも近い温度の被写体を前記ユーザとして識別することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項７】
画像処理装置が行う画像処理方法であって、
撮像画像を取得する工程と、
センサによりユーザをセンシングすることで得られた、該ユーザの状態を表すセンサ情報を受信する受信工程と、
前記ユーザの属性情報と、前記撮像画像中における前記ユーザを識別するための識別パラメータと、を取得する取得工程と、
前記受信工程で受信したセンサ情報と、前記取得工程で取得した識別パラメータと、に基づいて、前記撮像画像中の被写体の中から、前記ユーザを識別する識別工程と、
前記取得工程で取得した属性情報を、前記識別工程による識別の結果に応じた前記撮像画像上の位置に合成して出力する出力工程と
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
コンピュータを、請求項１乃至６の何れか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月23日(2014.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子と、
前記撮像素子が出力する画像信号のブラックバランスを調整するための補正値を、前記撮像素子の出力する画像信号に基づく評価値と予め定めた黒の基準値とに基づいて算出する算出手段と、
前記撮像素子への入射光量を減少させる減光部材を制御し、当該減光部材による入射光量の減光率を制御する制御手段と、を有する撮像装置であって、
前記算出手段は、前記減光率が最大でない状態で前記撮像素子から出力される画像信号に基づく輝度値が予め定められた閾値以下である場合に、前記補正値の算出を行うことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記減光部材が光学フィルタを含み、
前記算出手段は、前記光学フィルタが光路から退避された状態で前記撮像素子から出力される画像信号に基づく輝度値が前記予め定められた閾値以下である場合に、前記補正値の算出を行うことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記減光部材が絞りを含み、
前記算出手段は、前記絞りが特定の状態で前記撮像素子から出力される画像信号に基づく輝度値が前記予め定められた閾値以下である場合に、前記補正値の算出を行うことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項４】
前記減光部材が光学フィルタ及び絞りを含み、
前記制御手段は、少なくとも前記光学フィルタを光路から退避させた状態か、前記絞りが特定の状態で前記撮像素子から出力される画像信号に基づく輝度値が前記予め定められた閾値以下である場合に、前記補正値の算出を行うことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項５】
前記特定の状態が、開放の状態であることを特徴とする請求項３または４に記載の撮像装置。
【請求項６】
さらに、前記撮像素子への入射光の遮断・非遮断を前記制御手段により制御可能な遮光手段を有し、
前記算出手段は、前記遮光手段を遮光状態とし、前記減光部材による入射光量の減光率が最大でない状態で前記撮像素子から出力される画像信号に基づく輝度値が前記予め定められた閾値以下である場合に、前記補正値の算出を行うことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
撮像素子と、
前記撮像素子が出力する画像信号のブラックバランスを調整するための補正値を、前記撮像素子の出力する画像信号に基づく評価値と予め定めた黒の基準値とに基づいて算出する算出手段と、
前記撮像素子への入射光量を減少させる減光部材を制御し、当該減光部材による入射光量の減光率を制御する制御手段と、を有する撮像装置の制御方法であって、
前記制御手段が、前記減光部材を、前記減光率が最大でない状態に制御する工程と、
前記制御手段が、前記減光部材を前記減光率が最大でない状態に制御した状態で前記撮像素子から出力される画像信号に基づく輝度値が予め定められた閾値以下か否かを判定する工程と、
前記算出手段が、前記輝度値が前記予め定められた閾値以下であると判定された場合に、前記補正値の算出を行う工程と、を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述の目的は、撮像素子と、撮像素子が出力する画像信号のブラックバランスを調整するための補正値を、撮像素子の出力する画像信号に基づく評価値と予め定めた黒の基準値とに基づいて算出する算出手段と、撮像素子への入射光量を減少させる減光部材を制御し、当該減光部材による入射光量の減光率を制御する制御手段と、を有する撮像装置であって、算出手段は、前記減光率が最大でない状態で撮像素子から出力される画像信号に基づく輝度値が予め定められた閾値以下である場合に、前記補正値の算出を行うことを特徴とする撮像装置によって達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月23日(2014.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体層と、一対の電極と、を具備し、
前記圧電体層は、ビスマス、バリウム、鉄、及びチタンを含むペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなり、Ｘ線光電子分光測定においてＣ  １ｓに起因するピークのＣ−Ｃ、Ｃ−Ｈ状態の結合エネルギーを２８４．８ｅＶとして規格化し、結合エネルギー７７５ｅＶ以上７８５ｅＶ以下の範囲において得られたピークを、ガウス関数を用いてピーク分離したとき、７７９．０±０．８ｅＶにピークを有すると共に、前記ピークよりも強度の低いピークを高結合エネルギー側に１本以上有することを特徴とする圧電素子。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電素子において、前記複合酸化物は、マンガン、コバルト、クロム、ニッケル、及び銅からなる群から選択される少なくとも１つをさらに含むことを特徴とする圧電素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載する圧電素子を具備することを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項４】
請求項３に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【請求項５】
請求項１又は２に記載する圧電素子を具備することを特徴とする超音波デバイス。
【請求項６】
請求項１又は２に記載する圧電素子を具備することを特徴とするセンサー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波デバイス及びセンサー
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の態様は、圧電体層と、一対の電極と、を具備し、前記圧電体層は、ビスマス、バリウム、鉄、及びチタンを含むペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなり、Ｘ線光電子分光測定においてＣ  １ｓに起因するピークのＣ−Ｃ、Ｃ−Ｈ状態の結合エネルギーを２８４．８ｅＶとして規格化し、結合エネルギー７７５ｅＶ以上７８５ｅＶ以下の範囲において得られたピークを、ガウス関数を用いてピーク分離したとき、７７９．０±０．８ｅＶにピークを有すると共に、前記ピークよりも強度の低いピークを高結合エネルギー側に１本以上有することを特徴とする圧電素子にある。
かかる態様では、圧電体層が結合エネルギー７７５ｅＶ以上７８５ｅＶ以下の範囲において所定のピークを有するものとすることにより、耐電圧性が向上し、絶縁性に優れた圧電素子となる。さらに、鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の他の態様は、上記圧電素子を具備することを特徴とする液体噴射ヘッドにある。また、本発明の他の態様は、上記液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。
かかる態様では、環境への負荷を低減し且つ耐電圧性の高い圧電素子を具備するため、信頼性に優れた液体噴射ヘッドや液体噴射装置を実現することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の他の態様は、上記圧電素子を具備することを特徴とする超音波デバイスにある。また、本発明の他の態様は、上記圧電素子を具備することを特徴とするセンサーにある。
かかる態様では、環境への負荷を低減し且つ耐電圧性が高い圧電素子を具備するため、信頼性に優れた超音波デバイスやセンサーを実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月29日(2013.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する複数の処理ユニットが設けられた処理ステーションと、前記処理ステーションと外部に設けられた露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイスステーションと、を備えた基板処理システムであって、
前記インターフェイスステーションは、
基板を前記露光装置に搬入する前に少なくとも基板の裏面を洗浄する基板洗浄部と、
少なくとも前記洗浄後の基板の裏面について、当該基板の露光が可能かどうかを前記露光装置に搬入する前に検査する基板検査部と、を有し、
前記基板洗浄部と前記基板検査部は、同一の筐体の内部に配置され、
前記筐体の内部には、前記基板洗浄部と前記基板検査部との間で基板を搬送する搬送手段が設けられていることを特徴とする、基板処理システム。
【請求項２】
前記インターフェイスステーションには、前記基板洗浄部で洗浄した後の基板に付着した水分を除去する脱水ユニットが設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記基板検査部での検査の結果、基板の状態が、前記基板洗浄部での再洗浄により露光可能な状態になると判定されれば、当該基板を前記基板洗浄部に再度搬送するように、前記搬送手段を制御する基板搬送制御部を有していることを特徴とする、請求項１または２のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記インターフェイスステーションには、前記基板検査部で検査された後であって且つ前記露光装置に搬入前の基板を所定の温度に調整する温度調整機構が設けられていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記温度調整機構は、前記筐体の内部に設けられていることを特徴とする、請求項４に記載の基板処理システム。
【請求項６】
前記インターフェイスステーションには、前記基板検査部で検査後の基板を一時的に待機させるバッファ待機部が設けられていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項７】
前記バッファ待機部は、前記筐体の内部に設けられていることを特徴とする、請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記筐体の内部には、前記搬送手段を洗浄する搬送手段洗浄機構が設けられていること特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項９】
前記搬送手段洗浄機構は、前記基板洗浄部が兼用していることを特徴とする、請求項８に記載の基板処理システム。
【請求項１０】
基板を処理する複数の処理ユニットが設けられた処理ステーションと、前記処理ステーションと外部に設けられた露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイスステーションと、を備えた基板処理システムにおける基板の搬送方法であって、
前記インターフェイスステーションは、
基板を前記露光装置に搬入する前に少なくとも基板の裏面を洗浄する基板洗浄部と、
少なくとも前記洗浄後の基板の裏面について、当該基板の露光が可能かどうかを前記露光装置に搬入する前に検査する基板検査部と、を有し、
前記基板洗浄部と前記基板検査部は、同一の筐体の内部に配置され、
前記基板洗浄部と前記基板検査部との間の基板の搬送を、前記筐体の内部に設けられた搬送手段により行うことを特徴とする、基板搬送方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板搬送方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月28日(2014.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【図１】実施形態に係るＸ線照射装置の全体の構成を示す上面図である。
【図２】実施形態に係る遮蔽体を示す斜視図である。
【図３】（Ａ）は、第１実施形態に係るＸ線照射装置において、遮蔽体を透過したＸ線ビームの位置と相対線量との関係を示すグラフであり、（Ｂ）は、第１実施形態に係るＸ線照射装置において、遮蔽体を透過したＸ線ビームの出射方向から見た形状を示す図である。
【図４】第１実施形態に係るＸ線照射装置１の要部を示す概略図であり、（Ａ）は上面概略図であり、（Ｂ）は側面概略図である。
【図５】第１実施形態に係るＸ線照射装置の要部を示す斜視図である。
【図６】（Ａ）は、第１実施形態に係るＸ線照射装置における遮蔽体に入射する直前のＸ線ビームの出射方向から見た形状を示す図であり、（Ｂ）は、第１実施形態に係るＸ線照射装置における遮蔽体を透過した直後のＸ線ビームの出射方向から見た形状を示す図である。
【図７】第２実施形態に係るＸ線照射装置の要部を示す概略図であり、（Ａ）は上面概略図であり、（Ｂ）は側面概略図である。
【図８】第２実施形態に係るＸ線照射装置における偏向磁石の配置例を示す図である。
【図９】第２実施形態に係るＸ線照射装置の要部を示す斜視図である。
【図１０】（Ａ）は、第２実施形態に係るＸ線照射装置における遮蔽体に入射する直前のＸ線ビームの出射方向から見た形状を示す図であり、（Ｂ）は、第２実施形態に係るＸ線照射装置における遮蔽体を透過した直後のＸ線ビームの出射方向から見た形状を示す図である。
【図１１】第３実施形態に係るＸ線照射装置の要部を示す概略図であり、（Ａ）は上面概略図であり、（Ｂ）は側面概略図である。
【図１２】第３実施形態に係るＸ線照射装置における交流磁石の構成を示す図であり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は側面概略図である。
【図１３】第３実施形態に係るＸ線照射装置により実行されるＸ線制御処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。
【図１４】第３実施形態に係るＸ線照射装置の要部を示す斜視図である。
【図１５】（Ａ）は、第３実施形態に係るＸ線照射装置における遮蔽体に入射する直前のＸ線ビームの出射方向から見た形状を示す図であり、（Ｂ）は、第３実施形態に係るＸ線照射装置における遮蔽体を透過した直後のＸ線ビームの出射方向から見た形状を示す図である。
【図１６】第３実施形態に係るＸ線照射装置において、交流磁石に加える電圧の一例を示すグラフである。
【図１７】（Ａ）は、第４実施形態に係るＸ線照射装置のターゲットの構成を示す正面図であり、（Ｂ）は、第４実施形態に係るＸ線照射装置のターゲットの構成を示す拡大側面図である。
【図１８】第５実施形態に係るＸ線照射装置の要部を示す概略図であり、（Ａ）は上面概略図であり、（Ｂ）は側面概略図である。
【図１９】第５実施形態に係るＸ線照射装置の遮蔽体を示す斜視図である。
【図２０】（Ａ）は、第５実施形態に係るＸ線照射装置の要部を示す概略上面図であり、（Ｂ）は、第５実施形態に係るＸ線照射装置の要部の別例を示す概略上面図である。
【図２１】（Ａ）は、第５実施形態に係るＸ線照射装置において、遮蔽体を透過したＸ線ビームの位置と相対線量との関係を示すグラフであり、（Ｂ）は、第５実施形態に係るＸ線照射装置において、遮蔽体を透過したＸ線ビームの出射方向から見た形状を示す図である。
【図２２】第５実施形態に係るＸ線照射装置において、遮蔽体を透過したＸ線ビームのビームプロファイルを示す図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月30日(2014.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換ユニットと、
原稿からの光を前記光電変換ユニットに案内する光学ユニットと、
を備え、原稿の画像を読み取る画像読取装置であって、
前記光電変換ユニットと前記光学ユニットは、第１の接着部材により接着され、前記第１の接着部材の上から該第１の接着部材と前記光電変換ユニット及び前記光学系ユニットの少なくとも一方とを前記第１の接着部材よりも硬化収縮率が大きい第２の接着部材により接着されることを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
光電変換ユニットと、
原稿からの光を前記光電変換ユニットに案内する光学ユニットと、
を備え、原稿の画像を読み取る画像読取装置であって、
前記光電変換ユニットと前記光学系ユニットは、位置決めの第１の接着部材と、前記第１の接着部材の接着を補強する該第１の接着部材より硬化収縮率が大きい第２の接着部材とで、接着されることを特徴とする画像読取装置。
【請求項３】
前記第１の接着部材と前記第２の接着部材は、前記光電変換ユニットと前記光学系ユニットを異なる位置で接着することを特徴とする請求項２に記載の画像読取装置。
【請求項４】
前記第２の接着部材は、前記光電変換ユニットと前記光学系ユニットの位置関係が調整された状態にて前記第１の接着部材が塗布された後に、塗布されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項５】
前記第２の接着部材は、前記第１の接着部材よりも粘着接着力または弾性接着力が大きいことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項６】
前記光電変換ユニット及び前記光学系ユニットの前記第１の接着部材と前記第２の接着部材による接着箇所は、互いに異なる材質で形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項７】
前記第２の接着部材は、前記第１の接着部材による複数の接着箇所を連続的に繋ぐように塗布されることを特徴とする請求項１、２、請求項４乃至請求項６のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項８】
前記第２の接着部材は、前記第１の接着部材の接着箇所に対して重ねて塗布されることを特徴とする請求項１、２、請求項４乃至請求項６のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項９】
前記第２の接着部材は、前記第１の接着部材のいずれかの接着箇所と前記光電変換ユニットの一部とを繋ぎ、前記第１の接着部材のいずれか他の接着箇所と前記光学系ユニットの一部とを繋ぐように塗布されることを特徴とする請求項１、２、請求項４乃至請求項６のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項１０】
前記第２の接着部材は、前記第１の接着部材の接着領域を含みつつ、前記光電変換ユニットと前記光学系ユニットに跨るように塗布されることを特徴とする請求項１、２、請求項４乃至請求項６のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項１１】
画像を形成する画像形成部と、
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の画像読取装置と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の画像読取装置は、光電変換ユニットと、原稿からの光を前記光電変換ユニットに案内する光学ユニットと、を備え、原稿の画像を読み取る画像読取装置であって、前記光電変換ユニットと前記光学ユニットは、第１の接着部材により接着され、前記第１の接着部材の上から該第１の接着部材と前記光電変換ユニット及び前記光学系ユニットの少なくとも一方とを前記第１の接着部材よりも硬化収縮率が大きい第２の接着部材により接着されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の他の画像読取装置は、光電変換ユニットと、原稿からの光を前記光電変換ユニットに案内する光学ユニットと、を備え、原稿の画像を読み取る画像読取装置であって、前記光電変換ユニットと前記光学系ユニットは、位置決めの第１の接着部材と、前記第１の接着部材の接着を補強する該第１の接着部材より硬化収縮率が大きい第２の接着部材とで、接着されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月23日(2014.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子の出力を線形的な入出力特性で変換して出力する線形変換手段と、
前記線形変換手段の出力を非線形な入出力特性で変換して出力する非線形変換手段と、
前記線形変換手段と前記非線形変換手段の入出力特性を制御する制御手段と、を有する撮像装置であって、
前記制御手段は、前記撮像感度の変更指示を受け付けた場合、
変更後の撮像感度が予め定められた基準感度を下回る場合には、前記非線形変換手段の入出力特性を前記基準感度に対応する入出力特性から変更する、ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記変更後の撮像感度が前記基準感度を下回る場合には、前記線形変換手段の入出力特性と前記非線形変換手段の入出力特性との組み合わせにより、前記変更後の撮像感度に対応した出力が前記非線形変換手段から得られるように、前記非線形変換手段の入出力特性を前記基準感度に対応する入出力特性から変更する、ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記変更後の撮像感度が前記基準感度を下回る場合には、前記線形変換手段の前記基準感度に対応する入出力特性と前記非線形変換手段の入出力特性との組み合わせにより、前記変更後の撮像感度に対応した出力が前記非線形変換手段から得られるように、前記非線形変換手段の入出力特性を前記基準感度に対応する入出力特性から変更する、ことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記変更後の撮像感度が前記基準感度以上の場合には、前記線形変換手段の入出力特性を前記基準感度に対応する入出力特性から変更する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記変更後の撮像感度が前記基準感度以上の場合には、前記非線形変換手段の前記基準感度に対応する入出力特性と前記線形変換手段の入出力特性との組み合わせにより、前記変更後の撮像感度に対応した出力が前記非線形変換手段から得られるように、前記線形変換手段の入出力特性を前記基準感度に対応する入出力特性から変更する、ことを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記線形変換手段の前記基準感度に対応する入出力特性が、ゼロ点から所定値までの入力に対して一定の傾きを有し、
前記非線形変換手段の入力範囲が、前記線形変換手段の前記基準感度に対応する入出力特性における前記所定値に対応する出力値を最大入力値とするように定められていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記線形変換手段がゲイン回路であり、前記非線形変換手段がガンマ回路であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
撮像素子の出力を線形的な入出力特性で変換して出力する線形変換手段と、
前記線形変換手段の出力を非線形な入出力特性で変換して出力する非線形変換手段と、を有する撮像装置の制御方法であって、
撮像感度の変更指示による変更後の撮像感度が予め定められた基準感度を下回る場合、制御手段が、前記非線形変換手段の入出力特性を前記基準感度に対応する入出力特性から変更する工程、を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上述の目的は、撮像素子の出力を線形的な入出力特性で変換して出力する線形変換手段と、線形変換手段の出力を非線形な入出力特性で変換して出力する非線形変換手段と、線形変換手段と非線形変換手段の入出力特性を制御する制御手段と、を有する撮像装置であって、制御手段は、撮像感度の変更指示を受け付けた場合、変更後の撮像感度が予め定められた基準感度を下回る場合には、非線形変換手段の入出力特性を基準感度に対応する入出力特性から変更する、ことを特徴とする撮像装置によって達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月16日(2014.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コントローラと、
前記コントローラと、複数のデータを伝送する複数のバス線及び前記複数のデータに関連するストローブ信号を伝送するストローブ線を介してそれぞれ接続される半導体装置と、を備え、
前記コントローラは、
前記複数のデータを前記複数のバス線へ供給するデータ生成回路と、
前記キャリブレーションコマンドによって調整されたタイミングエッジを有する前記ストローブ信号を前記ストローブ線へ供給するストローブ生成回路と、を含み、
前記半導体装置は、
前記複数のバス線を介して供給される前記複数のデータをそれぞれラッチする複数のラッチ回路と、
前記ストローブ線を介して供給される前記ストローブ信号を基に内部ストローブ信号を生成し、前記内部ストローブ信号を前記複数のラッチ回路へ供給するタイミング制御回路と、を含み、
前記タイミング制御回路は、温度変化に対応して前記データと前記ストローブ信号の前記マッチングを維持するように、前記内部ストローブ信号の時間変動を抑制する、ことを特徴とする情報処理システム。
【請求項２】
前記半導体装置を基準として、前記複数のデータに前記ストローブ信号のタイミングエッジをマッチングさせる様に前記ストローブ信号のタイミングを調整するキャリブレーションコマンドを生成するコマンド生成回路を含み、
前記コマンド生成回路は、前記半導体装置の起動時に限り前記キャリブレーションコマンドを発行する、ことを特徴とする請求項１に記載の情報処理システム。
【請求項３】
前記タイミング制御回路は、前記内部ストローブ信号を遅延し且つ温度変化に対応して前記内部ストローブ信号の遅延量の変動を抑制して前記複数のラッチ回路へ供給する可変遅延回路を含む、請求項１または２に記載の情報処理システム。
【請求項４】
前記タイミング制御回路は、前記内部ストローブ信号として互いに逆相となる第１および第２のストローブ信号を出力し、
前記複数のラッチ回路は、それぞれ対応する前記第１および第２のストローブ信号に従ってそれぞれ対応するデータをラッチする第１および第２のラッチ回路を含む、ことを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理システム。
【請求項５】
前記タイミング制御回路は、更に、前記内部ストローブ信号として互いに逆相となる第１および第２のストローブ信号を出力するレシーバ回路を含み、
前記可変遅延回路は、前記第１および第２のストローブ信号をそれぞれ遅延させる第１および第２の可変遅延回路を含み、
前記複数のラッチ回路は、それぞれ対応する前記第１および第２のストローブ信号に従ってそれぞれ対応するデータをラッチする第１および第２のラッチ回路を含む、ことを特徴とする請求項３に記載の情報処理システム。
【請求項６】
前記第１および第２のラッチ回路は、対応するバス線から時系列に順次供給される複数のデータビットを交互にラッチする、ことを特徴とする請求項５に記載の情報処理システム。
【請求項７】
前記第１および第２のラッチ回路のそれぞれは、データと基準電圧が入力され、対応する前記データのレベルを前記基準電圧のレベルと比較し、対応する前記第１または第２のストローブ信号によりそれぞれ指定されるラッチタイミングに従って、それらの比較結果をライトデータビットとして出力する、ことを特徴とする請求項４乃至６のいずれか一項に記載の情報処理システム。
【請求項８】
前記半導体装置は、前記複数のバス線とそれぞれ接続される複数のデータパッドと、前記ストローブ線と接続されるストローブパッドと、を含み、
前記複数のラッチ回路のそれぞれは、対応する前記データパッドに接続される第１の入力部と、基準電圧が供給される第２の入力部と、前記第１および第２の入力部の出力を比較してその結果をライトデータビットとして出力する判定部と、前記ストローブ信号にしたがって前記第１および第２の入力部を活性化させる活性制御部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の情報処理システム。
【請求項９】
前記タイミング制御回路は、更に、温度検知回路を含み、前記温度検知回路から出力される温度信号にしたがって前記内部ストローブ信号の時間変動を抑制する、ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の情報処理システム。
【請求項１０】
前記コントローラは、前記複数のバス線のそれぞれに複数のデータビットを時系列に順次供給し、
前記タイミング制御回路は、前記複数のデータビットが供給されている期間中においては、前記内部ストローブ信号の時間変動を抑制する制御を、前記温度信号の変化によらず一定に制御する、ことを特徴とする請求項９に記載の情報処理システム。
【請求項１１】
データ信号を供給する第１のパッドと、ストローブ信号を供給する第２のパッドと、温度検知回路と、前記第２のパッドと前記温度検知回路に接続し、内部ストローブ信号を生成するタイミング制御回路と、前記第１のパッドと前記タイミング制御回路に接続し、前記内部ストローブ信号にしたがって前記データ信号を取り込むラッチ回路を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
前記データ信号が前記内部ストローブ信号によってラッチされるか否かを検出し、結果を第３のパッドに出力するキャリブレーション回路を備える、ことを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記タイミング制御回路が、前記温度検知回路の出力に応じて、前記ストローブ信号を遅延させることで前記内部ストローブ信号を生成する可変遅延回路を含む、ことを特徴とする請求項１１から１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記内部ストローブ信号は、互いに逆相となる第１および第２のストローブ信号であり、
前記ラッチ回路は、それぞれ対応する前記第１および第２のストローブ信号に従ってそれぞれ対応するデータをラッチする第１および第２のラッチ回路を含む、ことを特徴とする請求項１１から１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記第１および第２のラッチ回路は、前記第１のパッドに連続して供給される前記データ信号を交互にラッチする、ことを特徴とする請求項１４記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記温度検知回路は動作温度を表す信号を生成する、ことを特徴とする請求項１１から１４に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記第１のパッドに一連のデータ信号が供給されることを特徴とする、請求項１６記載の半導体装置。
【請求項１８】
複数のデータ信号によってキャリブレーションしたストローブ信号を受け取り、内部ストローブ信号を生成するタイミング制御回路と、
複数のデータ信号のそれぞれをラッチする複数のラッチ回路を含み、
前記タイミング制御回路は、温度変化による内部ストローブ信号とデータ信号のずれを、キャリブレーションした状態に維持するよう制御する、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
前記タイミング制御回路は、動作時の温度を示す温度信号を生成する温度検知回路を含み、前記温度信号によって前記内部ストローブ信号の出力タイミングを維持する、ことを特徴する請求項１８記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記タイミング制御回路は、前記内部ストローブ信号を転送する温度依存性を持った信号経路にあり、前記信号経路の前記温度依存性をほぼ打ち消すように制御する、ことを特徴とする請求項１８記載の半導体装置。