【手続補正書】
【提出日】平成26年4月1日(2014.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
ｎ枚の磁気層と、
ｎ−１枚の交換ブレーク層とを備え、ｎは３以上であり、ｎ−１枚の交換ブレーク層は、装置においてｎ枚の磁気層と交互にあり、ｎ枚の磁気層は凸状磁気異方性場勾配を有するよう、それぞれ磁気異方性場を含み、
前記ｎ枚の磁気層のうちの頂部磁気層上に形成される、連続する粒状複合（ＣＧＣ）層をさらに備え、前記粒状複合層および前記頂部磁気層は、交換結合複合層構造を備え、前記交換結合複合層構造は、前記交換結合複合層構造の下のｎ−１枚の交換ブレーク層上に、厚さ重み付きの平均磁気異方性場を有する交換結合複合効果を発揮するように構成される、装置。
【請求項２】
第１の磁気異方性場Ｈk1を有する第１の磁気層と、
第１の磁気層上に形成される第１の交換ブレーク層と、
第１の交換ブレーク層上に形成される第２の磁気層とを備え、第２の磁気層は第２の磁気異方性場Ｈk2を有し、さらに
第２の磁気層上に形成される第２の交換ブレーク層と、
第２の交換ブレーク層上に形成される第３の磁気層とを備え、第３の磁気層は第３の磁気異方性場Ｈk3を有し、Ｈk1−Ｈk2はＨk2−Ｈk3よりも小さい、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
第１の比Ｈk2／Ｈk1は第２の比Ｈk3／Ｈk2よりも大きい、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
第１の磁気層はあるＰｔ含有量Ｐｔ１を有し、これは約１８ａｔ．％および約２２ａｔ．％の間にあり、第２の磁気層はあるＰｔ含有量Ｐｔ２を有し、これは約１４ａｔ．％および約１８ａｔ．％の間にあり、第３の磁気層はあるＰｔ含有量Ｐｔ３を有し、これは約１４ａｔ．％未満であり、Ｐｔ１−Ｐｔ２はＰｔ２−Ｐｔ３よりも小さい、請求項２または３に記載の装置。
【請求項５】
連続する粒状複合（ＣＧＣ）層は層磁気異方性場Ｈk4を有する、請求項２〜４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
第１の磁気層、第２の磁気層、および第３の磁気層の少なくとも１つは、Ｃｏ合金、Ｃｏ合金およびＰｔ合金の交互に重なった層、またはＣｏ合金およびＰｄ合金の交互に重なった層の少なくとも１つを有する、請求項２〜５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
ｎは４であり、第１の磁気層は第１の磁気異方性場Ｈk1を有し、第２の磁気層は第２の磁気異方性場Ｈk２を有し、第３の磁気層は第３の磁気異方性場Ｈk３を有し、第４の磁気層は第４の磁気異方性場Ｈk４を有し、Ｈk1−Ｈk2はＨk2−Ｈk3よりも小さく、Ｈk2−Ｈk3はＨk３−Ｈk４よりも小さい、請求項１〜６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
第１の比Ｈk2／Ｈk1は第２の比Ｈk3／Ｈk2よりも大きく、第２の比は第３の比Ｈk４／Ｈk３よりも大きい、請求項７に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ＲｕまたはＣｏxＲｕ1-x合金に加えて、第１の交換ブレーク層４４および／または第２の交換ブレーク層４８は非磁性酸化物、たとえばＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＣｏＯ2，Ｃｒ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5を任意に含むことができる。この非磁性酸化物は、後で行なわれる第１の交換ブレーク層４４上の粒状の第２の磁気層４６の生成、または第２の交換ブレーク層４８上の粒状の第３の磁気層５０の生成を促進させる役割を果たし得る。一部の実施の形態において、第１の交換ブレーク層４４および第２の交換ブレーク層４８は実質的に同様の組成を含むことができるが、別の実施の形態では、異なる組成を含み得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
第１の磁気層４２、第２の磁気層４６および第３の磁気層５０に対して相対的に高い平均磁気異方性場を達成しながらＥＣＣ構造によって与えられる利点をも得る１つの方法は、Ｈk1およびＨk2の差（すなわち、Ｈk1−Ｈk2）がＨk2およびＨk3の差（すなわち、Ｈk２−Ｈk３）よりも小さいよう、第１の磁気層４２、第２の磁気層４６および第３の磁気層５０の組成を選択することである。すなわち、磁気記録層４０の個々の層４２、４６および５０の磁気異方性は、第１の磁気層４２の近くではより遅く減少、または増加し、第１の磁気層４２からの距離が大きくなるにつれより速く減少する。磁気記録層４０におけるこのような磁気異方性場の分布は、凸状磁気異方性場分布と呼ぶ。凸状磁気異方性場分布は、磁気記録層４０の磁気配向の熱的安定性および記録層４０の書込容易性を与え得る。一部の例において、凸状磁気異方性分布は、相対的に高い磁気異方性場の材料からなる磁気記録層４０のより大きい割合をもたらし得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
実施例１
図７Ａおよび図７Ｂは、磁気層１の磁気異方性値ＨA1が２０ｋＯｅであり、磁気層２の磁気異方性値ＨA２が１６ｋＯｅであり、磁気層３の磁気異方性値ＨA３が９ｋＯｅである例を示す。このような磁気異方性分布は、本開示に従い凸状磁気異方性勾配である。ＨＡ1−ＨＡ2は４ｋＯｅであり、これは７ｋＯｅであるＨＡ2−ＨＡ3よりも小さい。さらに、ＨＡ2／ＨＡ1は０．８であり、これはＨＡ3／ＨＡ2（０．５６２５）よりも大きい。実施例１において、Δ2＝Δ3＝０．５、κ2＝０．４、κ3＝０．２２５である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
実施例１の磁気配向スイッチング性能を基準コヒーレントスイッチング磁気記録層と比べると、最小正規化Ｈsw値（磁気記録層の有効保磁力；磁気記録層の配向が切換わった適用磁場に等しく、第１の磁気層の保磁力によって正規化される）は、基準磁気記録層のエネルギバリア（１．６２５）と実質的に等しいエネルギバリアで見出された。図７Ａおよび図７Ｂを参照すると、円８２の近似座標はχ12＝０．４５およびχ23＝０．４５である。図７Ａを参照すると、χ12＝０．４５およびχ23＝０．４５での正規化Ｈsw値は、円８４によって示されるように約０．７３である。これを基準膜の正規化Ｈsw値０．８１２５と比較すると、実施例１の磁気異方性勾配は、約１１％減少した正規Ｈswをもたらした。すなわち、凸状磁気異方性勾配を与えるよう選択された３つの磁気層を有する磁気記録層は、線形の磁気異方性勾配を与えるよう選択された３つの磁気層を有する磁気記録層と比べて、より容易に切換わり、匹敵する熱安定性を有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
実施例２
図８Ａおよび図８Ｂは、磁気層１の磁気異方性値ＨA1が２０ｋＯｅであり、磁気層２の磁気異方性値ＨA２が１９ｋＯｅであり、磁気層３の磁気異方性値ＨA３が６ｋＯｅである例を示す。このような磁気異方性分布は、本開示に従い凸状磁気異方性勾配である。ＨＡ1−ＨＡ2は１ｋＯｅであり、これは１３ｋＯｅであるＨＡ2−ＨＡ3よりも小さい。さらに、ＨＡ2／ＨＡ1は０．９５であり、これはＨＡ3／ＨＡ2（０．３１５８）よりも大きい。実施例１において、Δ2＝Δ3＝０．５、κ2＝０．４７５、κ3＝０．１５である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
実施例２の磁気配向スイッチング性能を基準コヒーレントスイッチング磁気記録層と比べると、最小正規化Ｈsw値は、基準磁気記録層のエネルギバリア（１．６２５）と実質的に等しいエネルギバリアで見出された。図８Ａおよび図８Ｂを参照すると、円８６の近似座標はχ12＝０．４５およびχ23＝０．４５である。図８Ａを参照すると、χ12＝０．４５およびχ23＝０．４５での正規化Ｈsw値は、円８８によって示されるように約０．６８である。これを基準膜の正規化Ｈsw値０．８１２５と比較すると、実施例２の磁気異方性勾配は、約２０％減少した正規Ｈswをもたらした。ここでも、凸状磁気異方性勾配を与えるよう選択された３つの磁気層を有する磁気記録層は、線形の磁気異方性勾配を与えるよう選択された３つの磁気層を有する磁気記録層と比べて、より容易に切換わり、匹敵する熱安定性を有する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
実施例３
図９Ａおよび図９Ｂは、磁気層１の磁気異方性値ＨA1が２０ｋＯｅであり、磁気層２の磁気異方性値ＨA２が２４ｋＯｅであり、磁気層３の磁気異方性値ＨA３が１ｋＯｅである例を示す。このような磁気異方性分布は、本開示に従い凸状磁気異方性勾配である。ＨＡ1−ＨＡ2は−４ｋＯｅであり、これは２３ｋＯｅであるＨＡ2−ＨＡ3よりも小さい。さらに、ＨＡ2／ＨＡ1は１．２であり、これはＨＡ3／ＨＡ2（０．０４１７）よりも大きい。実施例３において、Δ2＝Δ3＝０．５、κ2＝０．６、κ3＝０．０２５である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
実施例４の磁気配向スイッチング性能を基準コヒーレントスイッチング磁気記録層と比べると、最小正規化Ｈsw値（磁気記録層の有効保磁力；磁気記録層の配向が切換わった適用磁場に等しく、第１の磁気層の保磁力によって正規化される）は、基準磁気記録層のエネルギバリア（１．６２５）と実質的に等しいエネルギバリアで見出された。図９Ａおよび図９Ｂを参照すると、円９０の近似座標はχ12＝０．４５およびχ23＝０．４５である。図９Ａを参照すると、χ12＝０．４５およびχ23＝０．４５での正規化Ｈsw値は、円９２によって示されるように約０．５５である。これを基準膜の正規化Ｈsw値０．８１２５と比較すると、実施例１の磁気異方性勾配は、約４８％減少した正規Ｈswをもたらした。ここでも、凸状磁気異方性勾配を与えるよう選択された３つの磁気層を有する磁気記録層は、線形の磁気異方性勾配を与えるよう選択された３つの磁気層を有する磁気記録層と比べて、より容易に切換わり、匹敵する熱安定性を有することを示す。
実施例４
図１０Ａおよび図１０Ｂは、磁気層１の磁気異方性値ＨA1が２４ｋＯｅであり、磁気層２の磁気異方性値ＨA２が１６ｋＯｅであり、磁気層３の磁気異方性値ＨA３が１ｋＯｅである例を示す。このような磁気異方性分布は、本開示に従い凸状磁気異方性勾配である。ＨＡ1−ＨＡ2は４ｋＯｅであり、これは１５ｋＯｅであるＨＡ2−ＨＡ3よりも小さい。さらに、ＨＡ2／ＨＡ1は０．６６７であり、これはＨＡ3／ＨＡ2（０．０６２５）よりも大きい。実施例４において、Δ2＝Δ3＝０．５、κ2＝１／３、κ3＝１／４８である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
実施例４の磁気配向スイッチング性能を基準コヒーレントスイッチング磁気記録層と比べると、最小正規化Ｈsw値は、基準磁気記録層のエネルギバリア（１．３５４）と実質的に等しいエネルギバリアで見出された。図１０Ａおよび図１０Ｂを参照すると、円９４の近似座標はχ12＝０．３５およびχ23＝０．４である。図１０Ａを参照すると、χ12＝０．３５およびχ23＝０．４での正規化Ｈsw値は、円９６によって示されるように約０．４２である。これを基準膜の正規化Ｈsw値０．６７７と比較すると、実施例４の磁気異方性勾配は、約６１％減少した正規Ｈswをもたらした。これは、凸状磁気異方性勾配を与えるよう選択された３つの磁気層を有する磁気記録層は、線形の磁気異方性勾配を与えるよう選択された３つの磁気層を有する磁気記録層と比べて、より容易に切換わり、匹敵する熱安定性を有することを示す。