(57)【要約】      （修正有）【課題】集積回路素子のレイアウトが活性化され、同時に、容易に作製され、特性が安定的である高信頼性の素子を提供する。【解決手段】周縁に、複数の第一欠け口１０が設けられ、上に、複数の第一貫通孔１２と、各第一欠け口や各第一貫通孔と第一伝導領域とを接続する第一布線領域１３が設けられる第一伝導領域が形成され、上記第一貫通孔に、導通誘電体が設置される第一のダイス１００と、該第一のダイスの一面に堆積され、周縁に、上記第一伝導領域に対応する第二欠け口が設けられ、上記第一伝導領域と第二欠け口との間に、導通誘電体が設置され、上に、複数の第二貫通孔と、各第二欠け口や各第二貫通孔２２と第二伝導領域とを接続する第二布線領域２３とが設けられた第二伝導領域２１が形成され、上記第二貫通孔にも、導通誘電体が設置される第二のダイス２００と、上記第一と第二貫通孔とが、高温穿孔により成形される。【選択図】図１
0003163100.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
周縁に、複数の第一欠け口が設けられ、上に、複数の第一貫通孔と、各第一欠け口や各第一貫通孔と第一伝導領域とを接続する第一布線領域が設けられる第一伝導領域が形成され、上記第一貫通孔に、導通誘電体が設置される第一のダイスと、
上記第一のダイスの一面に堆積され、周縁に、上記第一伝導領域に対応する第二欠け口が設けられ、上記第一伝導領域と第二欠け口との間に、導通誘電体が設置され、上に、複数の第二貫通孔と、各第二欠け口や各第二貫通孔と第二伝導領域とを接続する第二布線領域と、が設けられた第二伝導領域が形成され、上記第二貫通孔にも、導通誘電体が設置される第二ダイスと、
上記第一と第二貫通孔とが、高温穿孔により成形され、上記第一と第二貫通孔を形成する時、それぞれ、高温によりその内縁に形成される第一と第二絶縁層と、が含有される、ことを特徴とする集積回路素子層状組織。
【請求項２】
上記第一と第二ダイスは、少なくとも、基板と、基板に堆積された第一回線層と、第一回線層に堆積された絶縁層と、絶縁層に堆積された第二回線層と、から構成される、ことを特徴とする請求項１に記載の集積回路素子層状組織。
【請求項３】
上記第二ダイスは、第三のダイスが堆積され、上記第三のダイスの周縁に、上記第二伝導領域に対応する第三欠け口が設けられ、上記第二伝導領域と第三欠け口との間に、導通誘電体が設置され、上に、複数の第三貫通孔と、各第三欠け口や各第三貫通孔と第三伝導領域とを接続する第三布線領域が設けられる第三伝導領域が形成され、上記第三貫通孔にも、導通誘電体が設置される、ことを特徴とする請求項１に記載の集積回路素子層状組織。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、集積回路素子層状組織に関し、特に、ダイス表面にある接点と欠け口や貫通孔内の導通誘電体により導通が形成され、特に、必要とするシステムを第一と第二ダイスに統合して、集積回路素子のレイアウトが活性化され、同時に、容易に作製され、特性が安定的になり、高信頼性の素子を提供できるものに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般の、従来の二つの集積回路素子を結合する場合、図８のように、一般として、二つのダイス４００、５００を堆積した後、更に、導線６０で、二つのダイス４００、５００の縁を横切り、各導線６０により、上記ふたつのダイス４００、５００の表面にある各接点４０、５０を接続し、これにより、二つのダイス４００、５００が結合されて、集積回路素子として利用できる。
【０００３】
上記の従来の方式は、二つのダイス４００、５００を、導線６０により、接続できるが、上記らの導線６０で接続する時、二つのダイス４００、５００の縁を横切ることが必要であるため、同じ寸歩のダイスを堆積しなければならなく、使用上、不便であり、また、ダイスを利用するシステムの設計も制限され、そして、統合し難く、また、その作製手順が複雑で、エラー検知が困難で、作製歩留まりが悪くなる。
【０００４】
また、一般の従来の半導体工程において、貫通孔を利用して二つの集積回路素子を結合することが多いが、一般として、関連チップに、複数の貫通孔を設置して、貫通孔内に導電材料を埋め込み、これにより、チップの両表面が、導通され、また、一般の従来の方法は、ツールで、チップに、複数の貫通孔を形成した後、各貫通孔の内壁面に、印刷や塗布、インクジェット、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、スパッタリング、電解メッキ或いは無電解メッキにより、絶縁層が形成され、絶縁層を利用して、チップの短絡を防止し、その後、貫通孔内に、導電材料を埋め込んで、チップの両表面を導通する。
【０００５】
しかしながら、従来の工程は、チップに、穿孔した後、絶縁層を設置し、最後に、導電材料を埋め込むため、製造過程が複雑になり、歩留まりが悪く、そして、素子の信頼度が良くないため、一般の従来のものは、実用的とは言えまい。
【０００６】
本考案者は、上記欠点を解消するため、慎重に研究し、また、学理を活用して、有効に上記欠点を解消でき、設計が合理である本考案を提案する。
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００７】
本考案の主な目的は、従来の上記問題を解消でき、ダイス表面上の接点と欠け口或いは貫通孔にある導通誘電体を利用して導通が形成され、また、必要とするシステムを、第一や第二のダイスに統合でき、集積回路素子のレイアウトが活性化され、同時に、容易に作製され、特性が安定的である高信頼性の素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本考案は、上記の目的を達成するため、周縁に、複数の第一欠け口が設けられ、上に、複数の第一貫通孔と、各第一欠け口や各第一貫通孔と第一伝導領域とを接続する第一布線領域が設けられる第一伝導領域が形成され、上記第一貫通孔に、導通誘電体が設置される第一のダイスと、上記第一のダイスの一面に堆積され、周縁に、上記第一伝導領域に対応する第二欠け口が設けられ、上記第一伝導領域と第二欠け口との間に、導通誘電体が設置され、上に、複数の第二貫通孔と、各第二欠け口や各第二貫通孔と第二伝導領域とを接続する第二布線領域と、が設けられた第二伝導領域が形成され、上記第二貫通孔にも、導通誘電体が設置される第二ダイスと、上記第一と第二貫通孔とが、高温穿孔により成形され、上記第一と第二貫通孔を形成する時、それぞれ、高温によりその内縁に形成される第一と第二絶縁層と、が含有される、ことを特徴とする集積回路素子層状組織である。
【０００９】
以下、図面を参照しながら、本考案の特徴や技術内容について、詳しく説明するが、それらの図面等は、参考や説明のためであり、本考案は、それによって制限されることが無い。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本考案の第一実施例の立体外観概念図
【図２】本考案の第一実施例の立体分解概念図
【図３】本考案の第一実施例の断面状態概念図
【図４】本考案の第二実施例の立体分解概念図
【図５】本考案の第二実施例の断面状態概念図
【図６】本考案の第三実施例の立体分解概念図
【図７】本考案の第四実施例の断面状態概念図
【図８】従来の立体外観概念図
【考案を実施するための形態】
【００１１】
図１〜図３は、それぞれ、本考案の第一実施例の立体外観概念図と本考案の第一実施例の立体分解概念図及び本考案の第一実施例の断面状態概念図である。図のように、本考案は、集積回路素子層状組織であり、少なくとも、第一のダイス１００と第二のダイス２００から構成され、上記第一のダイス１００と上記第二のダイス２００を堆積して、必要とするシステムを、上記第一と第二のダイス１００、２００に統合し、集積回路素子のレイアウトが活性化されるだけでなく、容易に作製でき、特性が安定的になり、そして、高信頼性が得られる。
【００１２】
上記の第一のダイス１００は、少なくとも、基板１０１と、基板１０１に堆積された第一回線層１０２と、第一回線層１０２に堆積された絶縁層１０３と、絶縁層１０３に堆積された第二回線層１０４と、から構成され、また、上記第一のダイス１００の周縁に、複数の第一欠け口１０が設けられ、上記第一のダイス１００に、第一伝導領域１１と複数の第一貫通孔１２及び各第一欠け口１０や各第一貫通孔１２と第一伝導領域１１とを接続する第一布線領域１３が設置され、上記第一貫通孔１２内に導通誘電体１４が埋め込まれ、例えば、導電銀ペーストで、上記第一伝導領域１１は、複数の接点１１１を有し、上記第一布線領域１３は、複数の導線１３１を有し、各導線１３１は、各第一欠け口１０と第一伝導領域１１、或いは各第一貫通孔１２と第一伝導領域１１を接続する他に、第一のダイス１００のもう一面に伸びても良い。
【００１３】
上記第二のダイス２００は、上記第一のダイス１００の一面に堆積され、また、上記第二のダイス２００は、少なくとも、基板２０１と、基板２０１に堆積された第一回線層２０２と、第一回線層２０２に堆積された絶縁層２０３と、絶縁層２０３に堆積された第二回線層２０４とから構成され、また、上記第二のダイス２００は、周縁に、上記第一伝導領域１１に対応する第二欠け口２０が設置され、上記第一伝導領域１１と第二欠け口２０との間に、導通誘電体２４が充填され、上記導通誘電体２４は、導電銀ペーストであり、また、上記第二のダイス２００には、第二伝導領域２１と、複数の第二貫通孔２２と、各第二欠け口２０や各第二貫通孔２２と第二伝導領域２１とを接続する第二布線領域２３と、が設置され、上記第二貫通孔２２内にも、導通誘電体２４が充填され、上記第二伝導領域２１は、複数の接点２１１を有し、上記第二布線領域２３は、複数の導線２３１を有し、また、各導線２３１は、各第二欠け口２０と第二伝導領域２１、或いは各第二貫通孔２２と第二伝導領域２１を接続する他に、第二のダイス２００のもう一面まで伸びても良い。
【００１４】
上記第一と第二のダイス１００、２００は、シリコン（Ｓｉ）やシリコンドーピング、例えば、シリコンにホウ素（Ｂｏｒｏｎ）やりん（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ）、砒素（Ａｒｓｅｎｉｃ）或いはアンチモン（Ａｎｔｉｍｏｎｙ）等の元素がドーピングされて形成されたＮ型材質やＰ型材質からなり、また、上記第一と第二のダイス１００、２００は、酸素雰囲気において、高温穿孔設備（例えば、レーザー）により、上記第一と第二貫通孔１２、２２が形成され、また、上記第一と第二貫通孔１２、２２を形成する時、高温により、その内縁に、それぞれ、第一と第二絶縁層１２１、２２１が形成される（図３のように）。上記の構造により、新規の集積回路素子層状組織が構成される。
【００１５】
堆疊する時、本考案は、上記第二のダイス２００とその周縁に、上記第一伝導領域１１に対応する第二欠け口２０と第二貫通孔２２が設けられ、各第二欠け口２０と各第二貫通孔２２を介して各導線２３１と連通し、そして、上記第一伝導領域１１と第二欠け口２０との間に、そして、第二貫通孔２２に導通誘電体２４が充填されることにより、第一と第二のダイス１００、２００が、導線１３１、２３１と、第二欠け口２０や第二貫通孔２２により電気的に接続され、これにより、上記第一と第二のダイス１００、２００の両面が導通される。
【００１６】
図４と図５は、それぞれ、本考案の第二実施例の立体分解概念図と本考案の第二実施例の断面状態概念図である。図のように、本考案は、上記第一実施例の構造形態の他に、実用上、上記第二のダイス２００に、第三のダイス３００が堆積されてもよく、上記第三のダイス３００は、周縁に、上記第二伝導領域２１に対応する第三欠け口３０が設置され、上記第二伝導領域２１と第三欠け口３０との間に、導通誘電体３４が充填され、また、上記第三のダイス３００に、第三伝導領域３１と、複数の第三貫通孔３２と、各第三欠け口３０や各第三貫通孔３２と第三伝導領域３１とを接続する第三布線領域３３が、設けられ、上記第三貫通孔３２の内縁に、第三絶縁層３２１が形成され、上記第三貫通孔３２にも、導通誘電体３４が充填され、これにより、上記第二のダイス２００に、更に、第三のダイス３００が堆積され、そのため、本考案は、より実用的になる。
【００１７】
図６は、本考案の第三実施例の立体分解概念図である。図のように、本考案は、上記第一と第二実施例の構造形態の他に、実用上、直接に、上記第二のダイス２００の一面にある第二伝導領域２１と第一のダイス１００にある第一伝導領域１１と、対応して接続することができ、これにより、上記第一、二伝導領域１１、２１にある接点１１１、２１１が、互いに接触でき、同じように、第一のダイス１００と第二のダイス２００とが堆積されて利用され、必要とするシステムを、第一と第二のダイス１００、２００に統合することができ、また、本実施例において、上記第二のダイス２００には、実用に応じて、選択的に、上記第二欠け口と第二貫通孔、導通誘電体及び第二布線領域を設置することができる。
【００１８】
図７は、本考案の第四実施例の断面状態概念図である。図のように、本考案は、上記第一、第二及び第三実施例の構造形態の他に、同じ寸歩のダイスを堆積しても良い。実用上、本考案は、上記第一や第三実施例の構造形態に組立てられてもよく、その第一のダイス１００と第二のダイス２００の堆積は、上記第三実施例の方式によって行われ、その第一、二伝導領域１１、２１上の接点１１１、２１１を互いに接触させることにより、堆積して統合することができ、また、第二のダイス２００と第三のダイス３００の堆積は、上記第一実施例の方式によって行われ、上記第三のダイス３００とその周縁に、上記第二伝導領域２１に対応する第三欠け口３０と第三貫通孔３２を設け、各第三欠け口３０や各第三貫通孔３２を介して、各導線３３１と連通され、また、上記第二伝導領域２１と第三欠け口３０との間に、そして、第三貫通孔３２内に、導通誘電体３４が充填されることにより、第二と第三のダイス２００、３００は、導線２３１、３３１とが、第三欠け口３０や第三貫通孔３２を介して電気的に接続され、これにより、上記第二と第三のダイス２００、３００の両面が導通されて堆積して統合する目的が実現される。
【００１９】
以上のように、本考案は、集積回路素子層状組織であり、有効的に、従来の諸欠点を解消でき、第一のダイスと第二のダイスの堆積により、必要とするシステムを、第一と第二のダイスに統合でき、集積回路素子のレイアウトが活性化されるだけでなく、容易に作製され、特性が安定的になり、そして、素子の信頼性が向上される。そのため、本考案は、より進歩的かつより実用的で、法に従って実用新案登録請求を出願する。
【００２０】
以上は、ただ、本考案のより良い実施例であり、本考案は、それによって制限されることが無く、本考案に係わる考案登録請求の範囲や明細書の内容に基づいて行った等価の変更や修正は、全てが、本考案の考案登録請求の範囲内に含まれる。
【符号の説明】
【００２１】
（本考案）
１０            第一欠け口
１００          第一のダイス
１０１、２０１  基板
１０２、２０２  第一回線層
１０３、２０３  絶縁層
１０４、２０４  第二回線層
１１            第一伝導領域
１１１          接点
１２            第一貫通孔
１２１          第一絶縁層
１３            第一布線領域
１３１          導線
１４            導通誘電体
２０            第二欠け口
２００          第二のダイス
２１            第二伝導領域
２１１          接点
２２            第二貫通孔
２２１          第二絶縁層
２３            第二布線領域
２３１          導線
２４            導通誘電体
３０            第三欠け口
３００          第三のダイス
３１            第三伝導領域
３２            第三貫通孔
３２１          第三絶縁層
３３            第三布線領域
３４            導通誘電体
（従来）
４０、５０      接点
４００、５００  ダイス
６０            導線
【図１】
0003163100.tif 000003
【図２】
0003163100.tif 000004
【図３】
0003163100.tif 000005
【図４】
0003163100.tif 000006
【図５】
0003163100.tif 000007
【図６】
0003163100.tif 000008
【図７】
0003163100.tif 000009
【図８】
0003163100.tif 000010