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【手続補正書】
【提出日】平成26年5月16日(2014.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１プリント基板と、
電線と、前記電線の両端を露出させつつ前記電線を覆う被膜を有し、前記電線の一端が前記第１プリント基板に接続されたフラットケーブルと、
前記電線の他端と接続された第２プリント基板と、を備え、
前記フラットケーブルは、前記第１プリント基板と前記第２プリント基板を対向させるように屈曲しており、
前記被膜の一部には平坦面が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記皮膜は熱可塑性樹脂で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記平坦面は前記電線と略直交する方向に伸びる細長い形状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に形成された半導体素子と、
一端が前記半導体素子と電気的に接続され、他端が前記第１プリント基板に電気的に接続された導線を備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子と接続されたワイヤと、
前記ワイヤと接続された中継端子と、を備え、
前記導線の一端は前記中継端子と接続されたことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記導線の一端は前記半導体素子と接続されたことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記導線は、フラットケーブル又はボンディングワイヤであることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
電線の両端を露出させつつ前記電線を覆う被膜を有するフラットケーブルの前記被膜に、平坦面を形成する工程と、
平坦な吸着面を有する吸着器の前記吸着面を前記平坦面に当てて、前記吸着器で前記フラットケーブルを保持しつつ移動させ、前記フラットケーブルの一端を第１プリント基板に接続し他端を第２プリント基板に接続する工程と、
前記フラットケーブルを折り曲げて前記第１プリント基板と前記第２プリント基板を対向させる工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、電線の両端を露出させつつ該電線を覆う被膜を有するフラットケーブルの該被膜に、平坦面を形成する工程と、平坦な吸着面を有する吸着器の該吸着面を該平坦面に当てて、該吸着器で該フラットケーブルを保持しつつ移動させ、該フラットケーブルの一端を第１プリント基板に接続し他端を第２プリント基板に接続する工程と、該フラットケーブルを折り曲げて該第１プリント基板と該第２プリント基板を対向させる工程と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月31日(2014.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローブ基板と、
前記プローブ基板に固定されたソケットと、
前記ソケットに巻きつけられた電熱線と、
前記ソケットに着脱可能に接続されたプローブ先端部と、
被測定物を搭載するステージと、
前記ステージを加熱する加熱部と、を備えたことを特徴とする検査装置。
【請求項２】
前記プローブ先端部と前記ステージの温度を一致させるように前記電熱線と前記加熱部の発熱量を制御する制御部を備えたことを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
【請求項３】
前記ソケットに着脱可能に接続されたプラグを備え、
前記プローブ先端部は、前記プラグと接続されたことを特徴とする請求項１又は２に記載の検査装置。
【請求項４】
前記プローブ先端部はプローブピンで形成されたことを特徴とする請求項１又は２に記載の検査装置。
【請求項５】
前記ソケットに取り付けられたペルチエ素子と、
前記ステージを冷却する冷却部と、を備えたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項６】
前記ソケットに取り付けられたペルチエ素子と、
前記ステージを冷却する冷却部と、を備え、
前記制御部は前記ペルチエ素子と前記ステージの温度を一致させるように前記ペルチエ素子と前記冷却部を制御することを特徴とする請求項２に記載の検査装置。
【請求項７】
プローブ基板と、
前記プローブ基板に接続されたプローブと、
前記プローブに赤外線を直接照射し、前記プローブを加熱するヒータと、
被測定物を搭載するステージと、
前記ステージを加熱する加熱部と、を備えたことを特徴とする検査装置。
【請求項８】
前記ヒータは近赤外線を照射することを特徴とする請求項７に記載の検査装置。
【請求項９】
前記ヒータはハロゲンヒータであることを特徴とする請求項８に記載の検査装置。
【請求項１０】
前記ヒータの先端に前記ヒータの照射範囲を狭める集光部を有し、
前記ヒータは前記プローブを局所加熱することを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項１１】
前記プローブの一部に有機物又は高分子化合物で形成された熱吸収体を有し、
前記ヒータは、前記熱吸収体に遠赤外線を直接照射し、
前記プローブは金属製であることを特徴とする請求項７に記載の検査装置。
【請求項１２】
前記ヒータはセラミックヒータであることを特徴とする請求項１１に記載の検査装置。
【請求項１３】
前記ヒータの先端に前記ヒータの照射範囲を狭める集光部を有し、
前記ヒータは前記熱吸収体を局所加熱することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の検査装置。
【請求項１４】
前記プローブと前記ステージの温度を一致させるように前記ヒータと前記加熱部の発熱量を制御する制御部を備えたことを特徴とする請求項７乃至１３のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項１５】
前記プローブに取り付けられた温度センサーと、
前記温度センサーの出力信号を受信する温度制御部と、を備え、
前記温度制御部は、前記プローブの温度が所望の温度になるように前記ヒータの発熱量を調整することを特徴とする請求項７乃至１４のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項１６】
前記プローブ基板の上に形成され、前記プローブ基板の熱を放出する放熱体を備えたことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
実施の形態５．
図１１は、本発明の実施の形態５に係る検査装置の正面図である。実施の形態４との相違点を中心に説明する。プローブの先端には温度センサー３５０ａ、３５０ｂが取り付けられている。温度センサー３５０ａ、３５０ｂは、例えば熱電対や非接触の光学式温度センサーで形成されるがこれらに限定されない。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月7日(2014.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製のベース板と、
両面に金属膜が形成されていて、一方の金属膜が前記ベース板にはんだ層を介在して接合されている絶縁基板と、
焼結銀層を介在して前記絶縁基板のもう一方の金属膜に接合されている半導体チップと、前記焼結銀層の周りに形成されていて、はんだと銀からなる合金部とを備え、
前記焼結銀層の面積と前記合金部の面積の和は、前記絶縁基板の面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
金属製のベース板と、
両面に金属膜が形成されていて、一方の金属膜が前記ベース板にはんだ層を介在して接合されている絶縁基板と、
前記絶縁基板のもう一方の金属膜の上に形成された第１の金層と、
第２の金層が形成されていて、焼結銀層を介在して前記第１の金層に接合されている半導体チップと、
前記焼結銀層の周りに形成されていて、はんだと銀からなる合金部と、
前記合金部の周りに形成されていて、はんだの溶融物が固化してなる溶融はんだ部を備え、
前記焼結銀層の面積と前記合金部の面積と前記溶融はんだ部の面積の和は、前記絶縁基板の面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップの少なくとも一部がワイドバンドギャップ半導体により形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、ダイヤモンドのいずれかの半導体であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
金属膜が両面に形成されている絶縁基板の片側に、周囲に余白を残して銀ペーストを塗布する第１工程と、
前記第１工程で塗布された銀ペーストよりも面積が小さい半導体チップを用意し、前記半導体チップと前記絶縁基板を前記銀ペーストを介在させて張り合わせる第２工程と、
前記第２工程で張り合わされた絶縁基板と半導体チップを前記銀ペーストの焼結温度まで昇温し、前記絶縁基板と前記半導体チップとの接合体を得る第３工程と、
前記半導体チップよりも面積が大きくかつ前記銀ペーストよりも面積が小さい開口部が設けられているはんだ枠を前記第３工程で得られた接合体にかぶせる第４工程と、
前記第４工程ではんだ枠がかぶせられた接合体を金属製のベース板にはんだ層を介在させて載置し、前記接合体と前記ベース板との一体物を得る第５工程と、
前記第５工程で得られた接合体とベース板との一体物を加熱し、前記接合体と前記ベース板とを接合する第６工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
金属膜が両面に形成されている絶縁基板の片側に、周囲に余白を残して銀ペーストを塗布する第１工程と、
前記第１工程で塗布された銀ペーストよりも面積が小さい半導体チップを用意し、前記半導体チップと前記絶縁基板を前記銀ペーストを介在させて張り合わせる第２工程と、
前記第２工程で張り合わされた絶縁基板と半導体チップを前記銀ペーストの焼結温度まで昇温し、前記絶縁基板と前記半導体チップとの接合体を得る第３工程と、
はんだ層を介在させて前記第３工程で得られた接合体を金属製のベース板に載置し、前記接合体と前記ベース板との一体物を得る第４工程と、
前記半導体チップよりも面積が大きくかつ前記銀ペーストよりも面積が小さい開口部が設けられているはんだ枠を前記第４工程で得られる一体物にかぶせる第５工程と、
前記第５工程を経た接合体とベース板との一体物を加熱し、前記接合体と前記ベース板とを接合する第６工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
金属膜が両面に形成されている絶縁基板の片側に、周囲に余白を残して第１の金層を形成する第１工程と、
前記第１工程で第１の金層が形成された絶縁基板と前記第１の金層よりも面積が小さく片面に第２の金層が形成されている半導体チップを、前記第１の金層と前記第２の金層を向き合わせて、かつ前記半導体チップよりも面積が小さい銀ペーストを介在させて、張り合わせる第２工程と、
前記第２工程で張り合わされた絶縁基板と半導体チップを前記銀ペーストの焼結温度まで昇温し、前記絶縁基板と前記半導体チップとの接合体を得る第３工程と、
前記半導体チップよりも面積が大きくかつ前記第１の金層よりも面積が小さい開口部が設けられているはんだ枠を前記第３工程で得られた接合体にかぶせる第４工程と、
前記第４工程ではんだ枠がかぶせられた接合体を金属製のベース板にはんだ層を介在させて載置し、前記接合体と前記ベース板との一体物を得る第５工程と、
前記第５工程で得られた接合体とベース板との一体物を加熱し、前記接合体と前記ベース板とを接合する第６工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
金属膜が両面に形成されている絶縁基板の片側に、周囲に余白を残して第１の金層を形成する第１工程と、
前記第１工程で第１の金層が形成された絶縁基板と前記第１の金層よりも面積が小さく片面に第２の金層が形成されている半導体チップを、前記第１の金層と前記第２の金層を向き合わせて、かつ前記半導体チップよりも面積が小さい銀ペーストを介在させて、張り合わせる第２工程と、
前記第２工程で張り合わされた絶縁基板と半導体チップを前記銀ペーストの焼結温度まで昇温し、前記絶縁基板と前記半導体チップとの接合体を得る第３工程と、
はんだ層を介在させて前記第３工程で得られた接合体を金属製のベース板に載置し、前記接合体と前記ベース板との一体物を得る第４工程と、
前記半導体チップよりも面積が大きくかつ前記第１の金層よりも面積が小さい開口部が設けられているはんだ枠を前記第４工程で得られる一体物の接合体にかぶせる第５工程と、前記第５工程を経た接合体とベース板との一体物を加熱し、前記接合体と前記ベース板と
を接合する第６工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体チップの少なくとも一部がワイドバンドギャップ半導体により形成されていることを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、ダイヤモンドのいずれかの半導体であることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月18日(2013.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
立体視画像を表示するための立体画像データを、複数のＴＭＤＳチャネルで、差動信号により、ＨＤＭＩケーブルを介して外部機器に送信するデータ送信部と、
上記外部機器から上記ＨＤＭＩケーブルを介して送られてくる、該外部機器が対応可能な立体画像データの伝送方式情報を受信する伝送方式情報受信部とを備え、
上記データ送信部は、上記伝送方式情報受信部で受信された伝送方式情報に基づいて上記外部機器が対応可能な立体画像データの伝送方式から上記送信立体画像データの伝送方式として選択された所定の伝送方式の情報を、上記送信立体画像データのデータアイランド区間のAVIInfoFrameに挿入し、上記複数のＴＭＤＳチャネルで、上記ＨＤＭＩケーブルを介して上記外部機器に送信する
送信装置。
【請求項２】
外部機器からＨＤＭＩケーブルを介して送られてくる、該外部機器が対応可能な立体画像データの伝送方式情報を受信する伝送方式情報受信ステップと、
立体視画像を表示するための立体画像データを、複数のＴＭＤＳチャネルで、差動信号により、上記ＨＤＭＩケーブルを介して上記外部機器に送信するデータ送信ステップとを有し、
上記データ送信ステップでは、上記伝送方式情報受信ステップで受信された伝送方式情報に基づいて上記外部機器が対応可能な立体画像データの伝送方式から上記送信立体画像データの伝送方式として選択された所定の伝送方式の情報を、上記送信立体画像データのデータアイランド区間のAVIInfoFrameに挿入し、上記複数のＴＭＤＳチャネルで、上記ＨＤＭＩケーブルを介して上記外部機器に送信する
立体画像データ送信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】送信装置および立体画像データ送信方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、送信装置および立体画像データ送信方法、受信装置および立体画像データ受信方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
この発明の概念は、
立体視画像を表示するための立体画像データを、複数のＴＭＤＳチャネルで、差動信号により、ＨＤＭＩケーブルを介して外部機器に送信するデータ送信部と、
上記外部機器から上記ＨＤＭＩケーブルを介して送られてくる、該外部機器が対応可能な立体画像データの伝送方式情報を受信する伝送方式情報受信部とを備え、
上記データ送信部は、上記伝送方式情報受信部で受信された伝送方式情報に基づいて上記外部機器が対応可能な立体画像データの伝送方式から上記送信立体画像データの伝送方式として選択された所定の伝送方式の情報を、上記送信立体画像データのデータアイランド区間のAVIInfoFrameに挿入し、上記複数のＴＭＤＳチャネルで、上記ＨＤＭＩケーブルを介して上記外部機器に送信する
送信装置にある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月24日(2014.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンを注入してイオン注入層を形成する工程と、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを直接又は酸化膜を介して貼り合わせる工程と、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることにより、前記ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを作製する工程とを含む貼り合わせウェーハの製造方法において、
前記貼り合わせ工程の前に、前記ボンドウェーハ及び前記ベースウェーハのうち少なくとも一方の貼り合わせ面に対しプラズマ活性化処理を行う工程を有し、
前記プラズマ活性化処理工程において、前記ボンドウェーハ及び前記ベースウェーハの少なくとも一方の裏面をステージ上に点接触もしくは線接触させた状態で載置しながら前記プラズマ活性化処理を行い、前記プラズマ活性化処理を行った前記ボンドウェーハ又は前記ベースウェーハを、前記貼り合わせ工程の前にバッチ式洗浄機にて洗浄することを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記プラズマ活性化処理工程において、前記ステージの表面に形成された点状もしくは線状の凸部上に前記ボンドウェーハ及び前記ベースウェーハの少なくとも一方を載置することによって点接触もしくは線接触させることを特徴とする請求項１に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記プラズマ活性化処理工程において、前記ステージの表面に配置された点状もしくは線状の支持部を有する台座上に前記ボンドウェーハ及び前記ベースウェーハの少なくとも一方を載置することによって点接触もしくは線接触させることを特徴とする請求項１に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月21日(2014.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の要件ａ１）〜ａ４）、ａ７）およびａ８）を満たすエチレン・α−オレフィン共重合体を含む太陽電池封止材。
ａ１）エチレンに由来する構成単位の含有割合が８０〜９０ｍｏｌ％であるとともに、炭素数３〜２０のα−オレフィンに由来する構成単位の含有割合が１０〜２０ｍｏｌ％である。
ａ２）ＡＳＴＭ  Ｄ１２３８に準拠し、１９０℃、２．１６ｋｇ荷重の条件で測定されるＭＦＲが２ｇ／１０分以上、１０ｇ／１０分未満である。
ａ３）ＡＳＴＭ  Ｄ１５０５に準拠して測定される密度が０．８６５〜０．８８４ｇ／ｃｍ３である。
ａ４）ＡＳＴＭ  Ｄ２２４０に準拠して測定されるショアＡ硬度が６０〜８５である。
ａ７）１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルおよび下記式（１）から求められるＢ値が０．９〜１．５である。
ａ８）１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルにおける、Ｔααに対するＴαβの強度比（Ｔαβ／Ｔαα）が１．５以下である。
Ｂ値＝［ＰＯＥ］／（２×［ＰＯ］×［ＰＥ］）    ・・・（１）
（式（１）中、
［ＰＥ］はエチレン・α−オレフィン共重合体に含まれるエチレンに由来する構成単位の割合（モル分率）を示し、
［ＰＯ］はエチレン・α−オレフィン共重合体に含まれる炭素数３〜２０のα−オレフィンに由来する構成単位の割合（モル分率）を示し、
［ＰＯＥ］は全ｄｙａｄ連鎖に含まれるα−オレフィン・エチレン連鎖の割合（モル分率）を示す）
【請求項２】
以下の要件ａ５）をさらに満たす請求項１に記載の太陽電池封止材。
ａ５）ＪＩＳ  Ｋ６９１１に準拠し、温度１００℃、印加電圧５００Ｖで測定される体積固有抵抗が１．０×１０１３〜１．０×１０１８Ω・ｃｍである。
【請求項３】
前記エチレン・α−オレフィン共重合体が以下の要件ａ６）をさらに満たす請求項１に記載の太陽電池封止材。
ａ６）前記エチレン・α−オレフィン共重合体中のアルミニウム元素の含有量が１０〜５００ｐｐｍである。
【請求項４】
前記エチレン・α−オレフィン共重合体が以下の要件ａ６）をさらに満たす請求項２に記載の太陽電池封止材。
ａ６）前記エチレン・α−オレフィン共重合体中のアルミニウム元素の含有量が１０〜５００ｐｐｍである。
【請求項５】
前記エチレン・α−オレフィン共重合体１００重量部に対し、１分間半減期温度が１００〜１７０℃の範囲にある有機過酸化物を０．１〜３重量部さらに含む請求項１〜４のいずれか一項に記載の太陽電池封止材。
【請求項６】
前記エチレン・α−オレフィン共重合体が、メタロセン化合物と、有機アルミニウムオキシ化合物および有機アルミニウム化合物からなる群より選択される少なくとも一種の化合物と、からなるオレフィン重合用触媒の存在下で重合された、請求項１〜５のいずれか一項に記載の太陽電池封止材。
【請求項７】
前記エチレン・α−オレフィン共重合体１００重量部に対し、シランカップリング剤０．１〜５重量部を含むエチレン系樹脂組成物からなる請求項１〜６のいずれか一項に記載の太陽電池封止材。
【請求項８】
前記エチレン系樹脂組成物は、前記エチレン・α−オレフィン共重合体１００重量部に対し、紫外線吸収剤、耐熱安定剤、およびヒンダートアミン型光安定剤からなる群より選択される少なくとも一種を０．００５〜５重量部さらに含む請求項７に記載の太陽電池封止材。
【請求項９】
前記エチレン系樹脂組成物は、前記エチレン・α−オレフィン共重合体１００重量部に対し、架橋助剤を０．０５〜５重量部さらに含む請求項７または８に記載の太陽電池封止材。
【請求項１０】
前記エチレン・α−オレフィン共重合体と、添加剤とをカレンダー成形機にて溶融混練後、シート状にカレンダー成形して得られた、請求項１〜９のいずれか一項に記載の太陽電池封止材。
【請求項１１】
前記エチレン・α−オレフィン共重合体の、
ａ９）ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）に基づく分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが１．２〜３．５の範囲にある請求項１〜１０のいずれか一項に記載の太陽電池封止材。
【請求項１２】
前記エチレン・α−オレフィン共重合体の、
ａ１０）固相抽出処理後の抽出液からイオンクロマトグラフィーにより検出される塩素イオンの含有割合が２ｐｐｍ以下である請求項１〜１１のいずれか一項に記載の太陽電池封止材。
【請求項１３】
前記エチレン・α−オレフィン共重合体の、
ａ１１）酢酸メチルへの抽出量が５．０重量％以下である請求項１〜１２のいずれか一項に記載の太陽電池封止材。
【請求項１４】
シート状である請求項１〜１３のいずれか一項に記載の太陽電池封止材。
【請求項１５】
表面側透明保護部材と、
裏面側保護部材と、
太陽電池素子と、
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の太陽電池封止材を架橋させて形成される、前記太陽電池素子を前記表面側透明保護部材と前記裏面側保護部材との間に封止する封止層と、
を備えた太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月20日(2014.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
安全系に属する設備機器を制御する制御装置が接続された安全系ネットワークと、非安全系に属する設備機器を制御する制御装置が接続された非安全系ネットワークとを有し、両ネットワーク間にはゲートウェイ装置が介在されており、上記安全系ネットワークは有線通信で構築され、上記非安全系ネットワークは無線通信で構築されていることを特徴とする原子力発電プラント監視制御システム。
【請求項２】
上記安全系と上記非安全系の各々の上記制御装置から転送されてくるプロセスデータを収集して各々の上記設備機器の運転状態を監視するとともに、各々の上記制御装置に対して各設備運転用の操作情報を送信する複数の演算手段を有し、少なくとも一つの上記演算手段と上記ゲートウェイ装置とは上記非安全系ネットワークの無線状態の良否について相互監視を行うものであることを特徴とする請求項１に記載の原子力発電プラント監視制御システム。
【請求項３】
上記ゲートウェイ装置は、上記制御装置または上記演算手段との間の無線通信が不良である場合でも、上記制御装置または上記演算手段の相互間の有線の伝送路を介したデータ通信が確認できる場合には、一時的な無線状態不良であると判断する一方、上記制御装置または上記演算手段の内、特定の制御装置または特定の演算手段との間の無線通信が不良で、かつ上記制御装置または上記演算手段の相互間の有線の伝送路を介したデータ通信が確認できない場合には、上記特定の制御装置または上記特定の演算手段に障害が生じたものと判断して警報信号を出力するものである、ことを特徴とする請求項２に記載の原子力発電プラント監視制御システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月18日(2014.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマエッチングにより被処理体に溝幅が３０ｎｍ以下でありアスペクト４．５以上の溝を形成するドライエッチング方法において、
堆積性ガスを含むガスを用い、前記被処理体載置された試料台に高周波電力を供給しながら前記溝をエッチングし、
前記高周波電力の出力は、前記溝の底部から堆積物を生成させる電力値であることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２】
請求項１に記載のドライエッチング方法において、
前記ガスは、二酸化炭素ガスと塩素ガスと臭化水素ガスの混合ガスであり、
前記高周波電力をパルス変調されオン期間の電力が２００Ｗ以上である高周波電力とし、前記パルス変調のオフ期間を前記パルス変調のオン期間以上とすることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項３】
請求項１に記載のドライエッチング方法において、
前記溝は、シリコンに形成され、
前記ガスは、塩素ガスと臭素ガス、および、二酸化炭素ガス、一酸化炭素ガス、一酸化窒素または二酸化窒素、の混合ガスであることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項４】
プラズマエッチングによりＦｉｎ ＦＥＴのゲート電極を形成するドライエッチング方法において、
塩素ガスと臭化水素ガスと二酸化炭素ガスの混合ガスを用い、パルス変調されオン期間の電力が２００W以上である高周波電力を被処理体が載置された試料台に供給しながらチャネルとなる前記Ｆｉｎ上のポリシリコン膜をエッチングする第一の工程と、
前記第一の工程後、臭化水素ガスと二酸化炭素ガスとアルゴンガスとメタンガスを含む混合ガスを用い、パルス変調されたオン期間の電力が２００Ｗ以上である高周波電力を前記試料台に供給しながら前記ポリシリコン膜をエッチングする第二の工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項５】
請求項４に記載のドライエッチング方法において、
前記第二の工程のパルス変調のデューティー比を前記第一の工程のパルス変調のデューティー比より小さくすることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載のドライエッチング方法において、
前記第一の工程を前記ポリシリコン膜が５ｎｍから１５ｎｍの範囲の膜厚になる時点で前記第二の工程に切り替えることを特徴とするドライエッチング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月20日(2013.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】デジタル放送受信装置及びデジタル放送受信方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル放送信号を受信して出力するデジタル放送受信装置において、
前記デジタル放送信号は、番組の映像音声ストリームと、少なくとも無制限にコピー可、コピー禁止、１世代のみコピー可の状態を示すコピー制御情報と、番組情報とを含むトランスポートストリームであり、
前記デジタル放送信号を受信する受信手段と、
前記受信手段で受信したデジタル放送信号から所望の番組データを選択する選択手段と、
前記デジタル放送受信装置とバス接続された外部の装置への前記選択手段で選択された番組データの映像音声ストリームの出力と、前記外部の装置からの制御コマンドの受信とが可能なインタフェース手段と、
前記受信手段、前記選択手段および前記インタフェース手段を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記受信手段で受信したデジタル放送信号から前記番組情報を読み取ってユーザに提示するためのデータを生成して前記インタフェース手段より出力するように制御し、
前記デジタル放送受信装置とバス接続された前記外部の装置からの制御コマンドによって前記インタフェース手段における前記外部の装置への映像音声ストリームの出力を可能とし、
前記コピー制御情報に応じて前記インタフェース手段における前記外部の装置への映像音声ストリームの出力状態を制御し、
前記インタフェース手段における前記外部の装置への映像音声ストリームの出力状態には、
前記コピー制御情報が無制限にコピー可であることを示している場合に、前記デジタル放送受信装置とバス接続された複数の前記外部の装置との間でポイント−トゥ−ポイントのコネクションを設立し、該コネクションを設立した前記外部の装置へ映像音声ストリームをスクランブルしないで出力する第１の出力状態と、
前記コピー制御情報がコピー禁止または１世代のみコピー可であることを示している場合に、前記デジタル放送受信装置とバス接続された前記外部の装置との間でポイント−トゥ−ポイントのコネクションを設立し、該コネクションを設立した前記外部の装置を認証し、認証が成功した前記外部の装置へ映像音声ストリームをスクランブルして出力し、かつ、前記デジタル放送受信装置とバス接続された複数の前記外部の装置との間でポイント−トゥ−ポイントのコネクションを設立して映像音声ストリームを出力可能なときに、該コネクションを設立し、認証が成功して映像音声ストリームを出力する前記外部の装置の数を管理し、該外部の装置の数を制限する第２の出力状態と、
があることを特徴とするデジタル放送受信装置。
【請求項２】
デジタル放送信号を受信して出力する受信装置におけるデジタル放送受信方法において、
前記デジタル放送信号は、番組の映像音声ストリームと、少なくとも無制限にコピー可、コピー禁止、１世代のみコピー可の状態を示すコピー制御情報と、番組情報とを含むトランスポートストリームであり、
前記デジタル放送信号を受信するステップと、
受信した前記デジタル放送信号から所望の番組データを選択するステップと、
前記受信装置とバス接続された外部の装置からの制御コマンドを受信するステップと、
前記受信装置とバス接続された前記外部の装置からの制御コマンドによって前記外部の装置への前記選択された番組データの映像音声ストリームの出力を可能となるようにするステップと、
前記受信したデジタル放送信号から番組情報を読み取ってユーザに提示するためのデータを生成して出力するステップと、を備え、
前記外部の装置への映像音声ストリームの出力状態には、
前記コピー制御情報が無制限にコピー可であることを示している場合に、前記受信装置とバス接続された複数の前記外部の装置との間でポイント−トゥ−ポイントのコネクションを設立し、該コネクションを設立した前記外部の装置へ映像音声ストリームをスクランブルしないで出力する第１の出力状態と、
前記コピー制御情報がコピー禁止または１世代のみコピー可であることを示している場合に、前記受信装置とバス接続された前記外部の装置との間でポイント−トゥ−ポイントのコネクションを設立し、該コネクションを設立した前記外部の装置を認証し、認証が成功した前記外部の装置へ映像音声ストリームをスクランブルして出力し、かつ、前記受信装置とバス接続された複数の前記外部の装置との間でポイント−トゥ−ポイントのコネクションを設立して映像音声ストリームを出力可能なときに、該コネクションを設立し、認証が成功して映像音声ストリームを出力する前記外部の装置の数を管理し、該外部の装置の数を制限する第２の出力状態と、
があることを特徴とするデジタル放送受信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月9日(2014.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板に搭載された電子部品と、
前記電子部品上に設けられ、前記電子部品の外形に沿って枠状に形成された枠基体部と、前記枠基体部の上面に設けられ前記枠基体部よりも幅広の接着部とを有する枠状部材と、
前記接着部の上面に接着されたキャップ部材と、
前記接着部の下面に接するように形成され、前記枠状部材よりも外側の前記電子部品及び前記配線基板を封止する封止樹脂と、を有し、
前記キャップ部材が配置された接着部の上面は、前記枠基体部よりも幅広に形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記接着部の上面は、前記封止樹脂よりも上方に突出していることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記キャップ部材は、平板状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記電子部品と前記枠状部材と前記キャップ部材とによって、気密封止された空間が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記接着部の上面の外縁は前記枠基体部の外周面よりも外側に形成され、前記接着部の上面の内縁は前記枠基体部の外周面よりも内側に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記接着部の上面には、凹部が形成され、
前記凹部に充填され、且つ前記接着部の上面に塗布された接着剤を介して、前記キャップ部材が前記接着部の上面に接着されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記凹部は、前記接着部の外形に沿って環状に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記枠状部材の内周面には、底面側の部材が内側に突出されて段差部が形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
前記枠状部材の内周面は、前記枠基体部の底面から前記接着部の上面に向かって内径が小さくなるテーパ形状に形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記枠状部材は、前記キャップ部材を取り囲むように前記接着部の外周に立設された立設部を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記接着部と前記キャップ部材とを接着する接着剤、及び前記電子部品と前記枠状部材とを接着する接着剤の少なくとも一方は、熱硬化型及び紫外線硬化型の接着剤であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項１２】
前記電子部品は撮像素子であり、前記キャップ部材はガラスから形成されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一観点によれば、配線基板と、前記配線基板に搭載された電子部品と、前記電子部品上に設けられ、前記電子部品の外形に沿って枠状に形成された枠基体部と、前記枠基体部の上面に設けられ前記枠基体部よりも幅広の接着部とを有する枠状部材と、前記接着部の上面に接着されたキャップ部材と、前記接着部の下面に接するように形成され、前記枠状部材よりも外側の前記電子部品及び前記配線基板を封止する封止樹脂と、を有し、前記キャップ部材が配置された前記接着部の上面は、前記枠基体部よりも幅広に形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月16日(2014.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板と、
前記コア基板を一方の面から他方の面に貫通する半導体素子収容孔と、
回路形成面を前記一方の面側に向けて前記半導体素子収容孔に収容された半導体素子と、
前記半導体素子の背面に形成された第１の金属膜と、
前記コア基板の前記他方の面に形成された第２の金属膜と、
前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜を被覆する絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、前記絶縁層を貫通するビア配線を介して前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とを接続する第３の金属膜と、を有し、
前記コア基板は、無機誘電体を含む絶縁性基材と、前記絶縁性基材の一方の面から他方の面に貫通する複数の線状導体と、を備え、
前記複数の線状導体の一部は、前記第２の金属膜と接続されている半導体装置。
【請求項２】
コア基板と、
前記コア基板の一方の面から他方の面に貫通する半導体素子収容孔と、
回路形成面を前記一方の面側に向けて前記半導体素子収容孔に収容された半導体素子と、
前記半導体素子の背面に形成された第１の金属膜と、
前記コア基板の前記他方の面に形成された第２の金属膜と、
前記コア基板の前記一方の面に形成された第４の金属膜と、
前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜を被覆する絶縁層と、を有し、
前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とは一体に形成されており、
前記コア基板は、無機誘電体を含む絶縁性基材と、前記絶縁性基材の一方の面から他方の面に貫通する複数の線状導体と、を備え、
前記複数の線状導体の一部は、前記第２の金属膜と接続されており、
前記第４の金属膜は、前記複数の線状導体の一部を介して、前記第２の金属膜と接続されている半導体装置。
【請求項３】
前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とは一体に形成されており、
前記コア基板の前記一方の面に形成された第４の金属膜を更に有し、
前記第４の金属膜は、前記複数の線状導体の一部を介して、前記第２の金属膜と接続されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の金属膜は、信号用金属膜と、放熱用金属膜と、を含み、
前記信号用金属膜と前記放熱用金属膜とは電気的に独立しており、
前記放熱用金属膜は、前記信号用金属膜の周囲を除いてベタに形成されている請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記放熱用金属膜は基準電位に接続されており、
前記放熱用金属膜及び前記放熱用金属膜と接続された線状導体とが、前記信号用金属膜及び前記信号用金属膜と接続された線状導体に対してシールド層となる請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２の金属膜は、前記コア基板の周縁部に延在しており、前記コア基板の周縁部に延在する前記第２の金属膜は、前記絶縁層から露出している請求項１乃至５の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
前記コア基板の側壁は、平面視において、凹凸が連続する形状とされている請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記各金属膜は、放熱経路を構成している請求項１乃至７の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項記載の半導体装置を複数個積層し、相互に電気的に接続した半導体装置。
【請求項１０】
複数個積層した前記半導体装置のうちの隣接する半導体装置に形成された何れかの金属膜同士を、金属柱を介して接続した請求項９記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本半導体装置の一形態は、コア基板と、前記コア基板を一方の面から他方の面に貫通する半導体素子収容孔と、回路形成面を前記一方の面側に向けて前記半導体素子収容孔に収容された半導体素子と、前記半導体素子の背面に形成された第１の金属膜と、前記コア基板の前記他方の面に形成された第２の金属膜と、前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜を被覆する絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記絶縁層を貫通するビア配線を介して前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とを接続する第３の金属膜と、を有し、前記コア基板は、無機誘電体を含む絶縁性基材と、前記絶縁性基材の一方の面から他方の面に貫通する複数の線状導体と、を備え、前記複数の線状導体の一部は、前記第２の金属膜と接続されていることを要件とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本半導体装置の他の形態は、コア基板と、前記コア基板の一方の面から他方の面に貫通する半導体素子収容孔と、回路形成面を前記一方の面側に向けて前記半導体素子収容孔に収容された半導体素子と、前記半導体素子の背面に形成された第１の金属膜と、前記コア基板の前記他方の面に形成された第２の金属膜と、前記コア基板の前記一方の面に形成された第４の金属膜と、前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜を被覆する絶縁層と、を有し、前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とは一体に形成されており、前記コア基板は、無機誘電体を含む絶縁性基材と、前記絶縁性基材の一方の面から他方の面に貫通する複数の線状導体と、を備え、前記複数の線状導体の一部は、前記第２の金属膜と接続されており、前記第４の金属膜は、前記複数の線状導体の一部を介して、前記第２の金属膜と接続されていることを要件とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
貫通孔１１ｘの形成方法の他の例を以下に示す。貫通孔１１ｘは、例えば陽極酸化法を用いて形成することができる。具体的には、例えばアルミニウム（Ａｌ）の基板の一方の面を絶縁被膜したＡｌ基板、又はガラス基板上にスパッタリング等によりアルミニウム（Ａｌ）の電極層を形成したＡｌ電極層を用意し、用意したＡｌ基板又はＡｌ電極層の表面を洗浄後、電解液（好適には硫酸水溶液）中に浸漬し、浸漬したＡｌ基板又はＡｌ電極層を陽極とし、これに対向配置される白金（Ｐｄ）電極を陰極として通電（パルス電圧を印加）することで、Ａｌ基板又はＡｌ電極層の表面に多孔質金属酸化膜（微小径の孔が規則正しく形成された酸化アルミニウムの膜）を形成することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
他の例として、例えば金属材料として銅（Ｃｕ）を用いる場合には、基板本体１１の表面（貫通孔１１ｘの内壁面を含む）に、無電解銅（Ｃｕ）めっき法によりシード層を形成し、形成したシード層を給電層として利用した電解銅（Ｃｕ）めっき法により、貫通孔１１ｘに銅（Ｃｕ）を充填することができる。又、無電解銅（Ｃｕ）めっき法のみにより、銅（Ｃｕ）を貫通孔１１ｘに充填しても構わない。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月31日(2014.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視光に対して透明な半導体基板の表面にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記半導体基板の表面において前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に表側ゲート電極を形成する工程と、
前記半導体基板の表面において前記ソース電極と前記ドレイン電極との間以外の領域に合わせマークを形成する工程と、
前記半導体基板を透過して見える前記合わせマークに基づいて前記半導体基板を位置合わせして、前記半導体基板の裏面において前記表側ゲート電極と対向する位置に裏側ゲート電極を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記表側ゲート電極と前記合わせマークを同時に形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記表側ゲート電極はＴ字型であり、
前記表側ゲート電極のゲート長は、前記裏側ゲート電極のゲート長と同じであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体基板の裏面に凹部を形成する工程と、
前記凹部内に前記裏側ゲート電極を形成する工程と、
前記凹部内に絶縁体を充填して前記裏側ゲート電極を前記絶縁体で覆う工程と、
前記絶縁体を充填した後に、前記半導体基板の裏面に、前記ソース電極と電気的に接続されたダイボンド用のメタルを形成する工程とを更に備えることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に半田バンプを形成する工程と、
前記半導体基板の表面を回路基板側に向けて、前記半田バンプを介して前記ソース電極及び前記ドレイン電極を前記回路基板の電極に接合する工程とを更に備えることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月20日(2014.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
時間と関連付けられた領域を含む実オブジェクトに仮想表示を付加する表示制御部を備え、
前記表示制御部は、
前記領域に対して前記仮想表示を付加する、表示制御装置。
【請求項２】
前記実オブジェクトは、
放送時間およびチャンネルと関連付けられた複数の領域を含む番組表である、
請求項１に記載の表示制御装置。
【請求項３】
前記表示制御部は、
番組に関して保存されている情報に応じた仮想表示を、前記番組に対応する領域に付加する、
請求項１または２に記載の表示制御装置。
【請求項４】
前記表示制御部は、
番組に関して保存されている情報が、前記番組が録画済みである旨を示す場合には、録画されている番組の再生を制御するための仮想表示を付加する、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の表示制御装置。
【請求項５】
前記表示制御部は、
番組に関して保存されている情報が、前記番組が録画済みである旨を示す場合には、録画されている番組の消去を制御するための仮想表示を付加する、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の表示制御装置。
【請求項６】
前記表示制御部は、
番組に関して保存されている情報が、前記番組が未予約である旨を示す場合には、前記番組の録画予約を制御するための仮想表示を付加する、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の表示制御装置。
【請求項７】
前記表示制御部は、
番組に関して保存されている情報が、前記番組が予約済みである旨を示す場合には、前記番組の予約中止を制御するための仮想表示を付加する、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の表示制御装置。
【請求項８】
前記表示制御装置は、
前記仮想表示に対するユーザ操作を検出する操作検出部と、
前記ユーザ操作に応じて処理の実行を制御する実行制御部と、
をさらに備える、請求項１〜７のいずれか一項に記載の表示制御装置。
【請求項９】
前記実行制御部は、
前記操作検出部により前記仮想表示に対するユーザ操作が検出された場合に、前記仮想表示に対応する処理の実行を制御する、
請求項８に記載の表示制御装置。
【請求項１０】
前記表示制御装置は、
前記実オブジェクトの撮像画像から前記実オブジェクトを認識する認識部と、
前記撮像画像における前記領域を判定する領域判定部と、
をさらに備える、請求項１〜９のいずれか一項に記載の表示制御装置。
【請求項１１】
時間と関連付けられた領域を含む実オブジェクトの当該領域に対して仮想表示を付加する、表示制御方法。
【請求項１２】
コンピュータを、
時間と関連付けられた領域を含む実オブジェクトに仮想表示を付加する表示制御部を備え、
前記表示制御部は、
前記領域に対して前記仮想表示を付加する、表示制御装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（携帯端末のハードウェア構成）
図２は、携帯端末２０のハードウェア構成を示した説明図である。図２に示したように、携帯端末２０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）２０１と、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）２０２と、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）２０３と、入力装置２０８と、出力装置２１０と、ストレージ装置２１１と、ドライブ２１２と、撮像装置２１３と、通信装置２１５とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
タッチパネル２７は、ディスプレイ２６に積層されてもよく、ディスプレイ２６から離れた場所に配置されてもよい。タッチパネル２７は、ユーザの指やタッチペンなどの操作体の近接または接触を検出することができる。タッチパネル２７により検出された操作体の近接または接触は、ユーザ操作として操作検出部２４０に通知される。なお、タッチパネル２７は、キーボードおよびボタンなどの他の操作用の構成を含んでもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月16日(2014.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の目的を達成するために、例えば、本発明の画像処理装置は以下の構成を備える。即ち、入力画像が変形処理された出力画像を生成する画像処理装置であって、
前記入力画像を取得する取得手段と、
前記入力画像上の第１座標に対応する前記出力画像上の第２座標の整数部と小数部を、前記変形処理で用いられるパラメータによって特定する特定手段と、
前記出力画像上の前記第２座標の整数部に対応する前記出力画像の画素データを生成するために参照される前記入力画像の画素データに対応する複数の座標を、前記特定手段により特定された前記第２座標の小数部の情報を用いて判定する判定手段と、
前記判定手段により判定された複数の座標に対応する前記入力画像の画素データを読み出して、前記第２座標の整数部に対応する前記出力画像の画素データを生成する生成手段と、
前記生成手段により生成された画素データを前記出力画像の画素データとして出力する出力手段と
を有することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像が変形処理された出力画像を生成する画像処理装置であって、
前記入力画像を取得する取得手段と、
前記入力画像上の第１座標に対応する前記出力画像上の第２座標の整数部と小数部を、前記変形処理で用いられるパラメータによって特定する特定手段と、
前記出力画像上の前記第２座標の整数部に対応する前記出力画像の画素データを生成するために参照される前記入力画像の画素データに対応する複数の座標を、前記特定手段により特定された前記第２座標の小数部の情報を用いて判定する判定手段と、
前記判定手段により判定された複数の座標に対応する前記入力画像の画素データを読み出して、前記第２座標の整数部に対応する前記出力画像の画素データを生成する生成手段と、
前記生成手段により生成された画素データを前記出力画像の画素データとして出力する出力手段と
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記生成手段は、前記入力画像の前記複数の座標に対応する画素データを用いた補間処理を実行することで、前記第２座標の整数部に対応する前記出力画像の画素データを生成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記判定手段は、前記出力画像上の前記第２座標の整数部に対応する座標に対して前記第２座標の小数部に応じた所定の位置関係にある前記出力画像上の複数の座標を判定し、前記出力画像上の該複数の座標に対応する前記入力画像上の複数の座標を、前記変形処理で用いられるパラメータに基づいて判定することで、前記第２座標の整数部に対応する前記出力画像の画素データを生成するために参照される前記入力画像の画素データに対応する複数の座標を判定することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記特定手段は、前記第２座標を表す第１座標成分値と第２座標成分値のそれぞれについて整数部及び小数部を特定し、
前記所定の位置関係は、前記第１座標成分値及び前記第２座標成分値のそれぞれの小数部が所定の値よりも大きいか否かに応じて決定されることを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
入力画像が変形処理された出力画像を生成する画像処理装置が行う画像処理方法であって、
前記画像処理装置の取得手段が、前記入力画像を取得する取得工程と、
前記画像処理装置の特定手段が、前記入力画像上の第１座標に対応する前記出力画像上の第２座標の整数部と小数部を、前記変形処理で用いられるパラメータによって特定する特定工程と、
前記画像処理装置の判定手段が、前記出力画像上の前記第２座標の整数部に対応する前記出力画像の画素データを生成するために参照される前記入力画像の画素データに対応する複数の座標を、前記特定工程で特定された前記第２座標の小数部の情報を用いて判定する判定工程と、
前記画像処理装置の生成手段が、前記判定工程で判定された複数の座標に対応する前記入力画像の画素データを読み出して、前記第２座標の整数部に対応する前記出力画像の画素データを生成する生成工程と、
前記画像処理装置の出力手段が、前記生成工程で生成された画素データを前記出力画像の画素データとして出力する出力工程と
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項６】
前記生成工程では、前記入力画像の前記複数の座標に対応する画素データを用いた補間処理を実行することで、前記第２座標の整数部に対応する前記出力画像の画素データを生成することを特徴とする請求項５に記載の画像処理方法。
【請求項７】
前記判定工程では、前記出力画像上の前記第２座標の整数部に対応する座標に対して前記第２座標の小数部に応じた所定の位置関係にある前記出力画像上の複数の座標を判定し、前記出力画像上の該複数の座標に対応する前記入力画像上の複数の座標を、前記変形処理で用いられるパラメータに基づいて判定することで、前記第２座標の整数部に対応する前記出力画像の画素データを生成するために参照される前記入力画像の画素データに対応する複数の座標を判定することを特徴とする請求項５又は６に記載の画像処理方法。
【請求項８】
コンピュータを、請求項１乃至４の何れか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。