【手続補正書】
【提出日】平成26年10月29日(2014.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に、酸化物半導体膜を共有するトランジスタおよび保持容量素子と、前記トランジスタにより駆動される表示素子と、前記トランジスタおよび保持容量素子と前記表示素子との間に設けられた層間絶縁膜とを備え、
前記酸化物半導体膜は、前記トランジスタのチャネル領域を有すると共に、前記チャネル領域以外の領域の表面から厚み方向の少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも抵抗率の低い低抵抗領域を有し、
前記層間絶縁膜は、前記低抵抗領域に最も近い層として無機絶縁膜を含む多層構造を有し、
前記保持容量素子は、前記無機絶縁膜を間にして、前記低抵抗領域を一方の電極、前記無機絶縁膜の反対側に設けられた導電膜を他方の電極として有する
表示装置。
【請求項２】
前記トランジスタは、前記基板上に前記酸化物半導体膜を有し、前記酸化物半導体膜の前記チャネル領域上にゲート絶縁膜およびゲート電極が設けられ、前記酸化物半導体膜の前記低抵抗領域にソース・ドレイン電極が接続されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記無機絶縁膜は、シリコン酸化膜，シリコン窒化膜およびシリコン酸窒化膜の少なくとも１種により構成されている
請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記無機絶縁膜に含まれる水素濃度は、１×１０20ｃｍ-3以下である
請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
前記保持容量素子の導電膜は、透明導電材料により構成されている
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記表示素子として有機電界発光素子を有する
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記表示素子として液晶表示素子を有する
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記表示素子として電気泳動型表示素子を有する
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
表示装置を備え、
前記表示装置は、
基板に、酸化物半導体膜を共有するトランジスタおよび保持容量素子と、前記トランジスタにより駆動される表示素子と、前記トランジスタおよび保持容量素子と前記表示素子との間に設けられた層間絶縁膜とを備え、
前記酸化物半導体膜は、前記トランジスタのチャネル領域を有すると共に、前記チャネル領域以外の領域の表面から厚み方向の少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも抵抗率の低い低抵抗領域を有し、
前記層間絶縁膜は、前記低抵抗領域に最も近い層として無機絶縁膜を含む多層構造を有し、
前記保持容量素子は、前記無機絶縁膜を間にして、前記低抵抗領域を一方の電極、前記無機絶縁膜の反対側に設けられた導電膜を他方の電極として有する
電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（トランジスタ１０Ｂ）
トランジスタ１０Ｂは、例えば後述の画素駆動回路５０Ａにおけるサンプリング用トランジスタＴｒ１または駆動トランジスタＴｒ２に相当するものであり、スタガ構造を有する（いわゆるトップゲート型の）薄膜トランジスタである。このトランジスタ１０Ｂでは、駆動側基板１０上に、酸化物半導体膜１１が設けられている。この酸化物半導体膜１１上の選択的な領域に、ゲート絶縁膜１２を間にして、ゲート電極１３が配設されている。これらの酸化物半導体膜１１、ゲート絶縁膜１２およびゲート電極１３を覆って、高抵抗膜１４および層間絶縁膜１５が設けられている。層間絶縁膜１５上には、ソース・ドレイン電極層１６が設けられている。ソース・ドレイン電極層１６は、高抵抗膜１４および層間絶縁膜１５に設けられたコンタクトホールＨ１を介して、酸化物半導体膜１１の後述する低抵抗領域１１Ｂに電気的に接続されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ゲート電極１３は、トランジスタ１０Ｂに印加されるゲート電圧（Ｖｇ）によって酸化物半導体膜１１中のキャリア密度を制御すると共に、電位を供給する配線としての機能を有するものである。このゲート電極１３は、例えばモリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），アルミニウム，銀，ネオジウム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のうちの１種からなる単体もしくは合金、もしくはこれらのうちの２種以上からなる積層膜である。具体的には、アルミニウムや銀などの低抵抗金属をモリブデンまたはチタンにより挟み込んだ積層構造や、アルミニウムとネオジウムとの合金（Ａｌ−Ｎｄ合金）が挙げられる。このゲート電極１３は、あるいはＩＴＯ等の透明導電膜から構成されていてもよい。ゲート電極１３の厚みは、例えば１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
加えて、酸化物半導体膜１１の所定の領域を低抵抗化させる手法としては、上記のような金属膜１４Ａと酸化物半導体膜１１との反応による手法の他にも、プラズマ処理によって低抵抗化する手法、プラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化膜を成膜し、このシリコン窒化膜からの水素拡散等により低抵抗化させる手法などを用いてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
続いて、図８に示したように、無機絶縁膜１５Ａおよび導電膜１８の上に、上述した材料よりなる有機絶縁膜１５Ｂを形成する。有機絶縁膜１５Ｂは、例えばスピンコート法やスリットコート法を用いて塗布することで、容易に２μｍ程度の厚みで形成することが可能である。そののち、露光、現像工程を行うことで、有機絶縁膜１５Ｂの所定の箇所にコンタクトホールＨ１を開けることが可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
（変形例１）
図１１は、本開示の変形例１に係る表示装置（液晶表示装置２）の断面構成を表したものである。液晶表示装置２は、表示素子として、有機ＥＬ素子ではなく液晶表示素子３０Ａを有している。すなわち、液晶表示装置２では、駆動側基板１０上に、トランジスタ１０Ｂおよび保持容量素子１０Ｃが配設されており、これらの上層に液晶表示素子３０Ａを有している。このことを除いては、本変形例の液晶表示装置２は、上記第１または第２の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有している。よって、上記第１または第２実施の形態に対応する構成要素については、同一の符号を付して説明する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
（変形例２）
図１２は、本開示の変形例２に係る表示装置（電子ペーパー表示装置３）の断面構成を表したものである。電子ペーパー表示装置３は、表示素子として、有機ＥＬ素子ではなく電気泳動型表示素子４０Ａを有している。すなわち、電子ペーパー表示装置３では、駆動側基板１０上に、トランジスタ１０Ｂおよび保持容量素子１０Ｃが配設されており、これらの上層に電気泳動型表示素子４０Ａを有している。このことを除いては、本変形例２の電子ペーパー表示装置３は、上記第１または第２の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有している。よって、上記第１または第２実施の形態に対応する構成要素については、同一の符号を付して説明する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
（適用例）
以下、上記のような表示装置（有機ＥＬ表示装置１Ａ，１Ｂ、液晶表示装置２、電子ペーパー表示装置３）の電子機器への適用例について説明する。電子機器としては、例えばテレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等が挙げられる。言い換えると、上記表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
また、上記実施の形態では、酸化物半導体膜１１における所定の領域を低抵抗化させるための手法として、金属膜１４Ａと酸化物半導体膜１１との反応による手法を用いたが、この他にも、プラズマ処理によって低抵抗化する手法、プラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化膜を成膜し、このシリコン窒化膜からの水素拡散等により低抵抗化させる手法などを用いてもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2013130615.tif 000001
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2013130615.tif 000002