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【手続補正書】
【提出日】平成25年11月18日(2013.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気共鳴（ＭＲ）データを無線で送信する方法（３００）であって、
ＲＦコイル内の無線周波数（ＲＦ）チャネルから、ラーモア周波数を有する少なくとも１つのＭＲ信号を得るステップであって、前記ＲＦコイルが複数のＲＦチャネルを備え、各ＲＦチャネルが単一の撮像エレメントに関連付けられる、ステップ（ステップ３０２）と、
前記ＭＲ信号に基づいて変調信号を発生するステップ（ステップ３０４）と、
所定の周波数を有するキャリア信号を発生するステップであって、前記所定の周波数が前記ＲＦチャネルに関連付けられる、ステップ（ステップ３０６）と、
前記変調信号を用いて前記キャリア信号を位相変調して位相変調された信号を形成するステップ（ステップ３０８）と
を含む方法（３００）。
【請求項２】
前記位相変調された信号の周波数を第１の所定の係数だけ逓倍するステップ（ステップ３１０）であって、前記第１の所定の係数が約１から１００の範囲にある、ステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法（３００）。
【請求項３】
ＲＦスイッチアレイ（２０２）を用いて、送信するためのＲＦチャネルを選択するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法（３００）。
【請求項４】
前記位相変調された信号を、第２の所定の係数だけアップコンバートするステップであって、前記第２の所定の係数が前記選択されたＲＦチャネルに関連付けられ、前記第２の所定の係数が約１から１００の範囲にある、ステップをさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の方法（３００）。
【請求項５】
前記位相変調された信号を周波数分割多重化するステップをさらに含み、前記周波数分割多重化するステップが、
プログラマブル周波数発振器（５０２）を用いて基準信号を発生するステップと、
前記基準信号に基づいて複数のキャリア信号を発生するように直接デジタルシンセサイザ（５０５、５０６、および５０７）のアレイを構成するステップであって、各キャリア信号が固定キャリア周波数を有し、前記固定キャリア周波数が前記選択されたＲＦチャネルを表す、ステップと、
を含むことを特徴とする請求項３に記載の方法（３００）。
【請求項６】
前記変調信号を発生するステップ（３０４）が、
前記ラーモア周波数を有する前記ＭＲ信号を、中間周波数を有する周波数変換された信号に変換するステップと、
前記周波数変換された信号を前記変調信号として用いるステップと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法（３００）。
【請求項７】
前記中間周波数が前記ラーモア周波数より低く、約１ＭＨｚから３ＭＨｚの範囲にあることを特徴とする請求項６に記載の方法（３００）。
【請求項８】
ＭＲデータを通信する方法（３００）を実行するための命令を含む、コンピュータ可読媒体に記憶されたコンピュータ可読プログラムであって、前記命令が、
少なくとも１つの位相変調された信号を無線で送信するルーチンと、
前記送信された位相変調された信号を、受信アンテナ（１１２）によって検知するルーチンと、
前記受信した位相変調された信号を増幅して信号強度を高めるルーチンと、
前記増幅された位相変調された信号をダウンコンバートして中間周波数信号を得るルーチンと、
前記中間周波数信号を復調器（１１４）に印加することによって前記中間周波数信号を復調するルーチンと、
前記復調された信号を、画像情報を処理するための量子化器（１１６）に供給するルーチンと、
を含む、コンピュータ可読プログラム。
【請求項９】
少なくとも１つの位相変調された信号を無線で送信する前記ルーチンが、
ラーモア周波数を有する少なくとも１つのＭＲ信号を、ＲＦコイル内のＲＦチャネルから得るためのルーチンであって、前記ＲＦコイルが複数のＲＦチャネルを備え、各ＲＦチャネルが単一の撮像エレメントに関連付けられる、ルーチンと、
前記ＭＲ信号に基づいて変調信号を発生するルーチンと、
所定の周波数を有するキャリア信号を発生するルーチンであって、前記所定の周波数が前記ＲＦチャネルに関連付けられる、ルーチンと、
前記変調信号を用いて前記キャリア信号を位相変調して位相変調された信号を形成するルーチンと、
を含むことを特徴とする請求項８に記載のコンピュータ可読プログラム製品。
【請求項１０】
ＭＲデータを通信するためのＭＲＩ装置用のＲＦモジュール（１００）において、
前記ＭＲデータを含む位相変調された信号を送信するように構成された送信器（１０２）を備え、前記送信器（１０２）が、
基準信号を生じるように構成されたプログラマブル周波数発振器（５０２）と、
前記プログラマブル周波数発振器（５０２）に結合され、前記基準信号を複数のＲＦチャネルに供給するように構成されたチャネル分割器（５０４）と、
前記チャネル分割器（５０４）に結合された直接デジタルシンセサイザ（ＤＤＳ）（５０５、５０６、および５０７）のアレイであって、ＤＤＳ（５０５、５０６、および５０７）のアレイ内の各ＤＤＳが単一のＲＦチャネルに関連付けられ、さらに前記基準信号に基づいて固定周波数キャリア信号を発生するように構成され、前記固定周波数が前記関連するＲＦチャネルに対応する、直接デジタルシンセサイザ（ＤＤＳ）のアレイと、
前記ＤＤＳ（５０５、５０６、および５０７）のアレイに結合された変調器（５１０、５１１、および５１２）のアレイであって、変調器（５１０、５１１、および５１２）のアレイ内の各変調器が単一のＤＤＳに結合され、前記ＤＤＳにて発生された前記固定周波数キャリア信号を変調して位相変調された信号を形成するように構成される、変調器のアレイと、
前記変調器（５１０、５１１、および５１２）のアレイに結合された高調波発生器（５１５、５１６、および５１７）のアレイであって、高調波発生器（５１５、５１６、および５１７）のアレイ内の各高調波発生器が、前記位相変調された信号を所定の係数だけ逓倍するように構成される、高調波発生器のアレイと、
前記高調波発生器（５１５、５１６、および５１７）のアレイに結合されたチャネルコンバイナ（５２５）であって、前記高調波発生器（５１５、５１６、および５１７）のアレイからの１つまたは複数の出力を組み合わせるように構成された、チャネルコンバイナ（５２５）と、
を備え、
ＲＦモジュール（１００）が、前記送信器（１０２）に無線で接続され、後続のデータ処理および画像再構成のために、前記位相変調された信号を受信するように構成された受信器（１０４）を備える、
ＲＦモジュール（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月8日(2014.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の回路を有し、
第２の回路を有し、
第１のトランジスタを有し、
第２のトランジスタを有し、
第１の容量を有し、
第２の容量を有し、
前記第１の回路は、入力された信号に対して反転した信号を出力することができる機能を有し、
前記第２の回路は、入力された信号に対して反転した信号を出力することができる機能を有し、
前記第１の回路の出力は、前記第２の回路の入力と電気的に接続され、
前記第２の回路の出力は、前記第１の回路の入力と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第１の回路の入力と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１の容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第２の回路の入力と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第２の容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第１の回路が有する第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第２の回路が有する第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体層を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体層を有し、
前記第３のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンを有し、
前記第４のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のインバータを有し、
第２のインバータを有し、
第１のトランジスタを有し、
第２のトランジスタを有し、
第１の容量を有し、
第２の容量を有し、
前記第１のインバータの出力は、前記第２のインバータの入力と電気的に接続され、
前記第２のインバータの出力は、前記第１のインバータの入力と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第１のインバータの入力と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１の容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第２のインバータの入力と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第２の容量の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第１のインバータが有する第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第２のインバータが有する第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体層を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体層を有し、
前記第３のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンを有し、
前記第４のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第３のトランジスタのゲートの上方又は前記第４のトランジスタのゲートの上方に絶縁層を有し、
前記絶縁層の上方に前記第１のトランジスタ又は前記第２のトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月22日(2013.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の周波数の駆動信号を発生する信号発生手段と、
前記駆動信号に応じて電圧を出力する圧電トランスと、
前記圧電トランスの出力電圧を検出する検出手段と、
前記出力電圧が目標電圧より大きくなるまで、もしくは、前記出力電圧が目標電圧より小さくなるまでは、前記駆動信号の周波数を第一の所定値ずつ増加または減少するように変更し、前記出力電圧が前記目標電圧よりも大きくなった後、もしくは、前記出力電圧が前記目標電圧よりも小さくなった後は、前記駆動信号の周波数を前記第一の所定値よりも小さい第二の所定値ずつ変更するように前記信号発生手段を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする高圧電源装置。
【請求項２】
前記出力電圧が前記目標電圧に到達したことに応じて、前記周波数を示すデータを記憶する記憶手段を備え、
前記制御手段は、前記出力電圧が前記目標電圧に到達したときの前記駆動信号の周波数を示すデータを前記記憶手段に記憶させ、前記記憶手段に記憶させたデータに応じた周波数から前記駆動信号の周波数を減少または増加させることで、前記出力電圧が前記目標電圧に一致するように制御することを特徴とする請求項１に記載の高圧電源装置。
【請求項３】
前記制御手段が前記信号発生手段に初期周波数を設定したときに前記検出手段により検出された初期電圧が前記目標電圧を上回っているかどうかを判定する判定手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記出力電圧が前記目標電圧を下回るまで、前記初期周波数から段階的に前記駆動信号の周波数を減少または増加するよう前記信号発生手段からの前記駆動信号の周波数を制御し、前記出力電圧が前記目標電圧を下回ったことを確認すると、前記出力電圧が目標電圧を上回るようになるまで、前記出力電圧が前記目標電圧を下回ったときの周波数から段階的に前記駆動信号の周波数を増加または減少するよう前記信号発生手段を制御することで、前記出力電圧が前記目標電圧に一致するように前記駆動信号の周波数を制御することを特徴とする請求項１に記載の高圧電源装置。
【請求項４】
前記高圧電源装置に対する負荷の変動を検知する負荷検知手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記負荷の変動が検知されると、再度、前記出力電圧が目標電圧になるように、前記駆動信号の周波数を段階的に増加または減少するよう前記信号発生手段を制御することで、前記出力電圧が前記目標電圧に一致するときの周波数の値を探索することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の高圧電源装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記出力電圧が前記目標電圧に一致するときの周波数の値を探索するために前記駆動信号の周波数を減少から増加または増加から減少に転じるときに、該周波数の段階的な変更幅を小さくすることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の高圧電源装置。
【請求項６】
画像形成装置であって、
画像を形成する画像形成手段と、
前記画像形成手段に高電圧を印加する高圧電源と、
を備え、
前記高圧電源は、
所定の周波数の駆動信号を発生する信号発生手段と、
前記駆動信号に応じて電圧を出力する圧電トランスと、
前記圧電トランスの出力電圧を検出する検出手段と、
前記出力電圧が目標電圧より大きくなるまで、もしくは、前記出力電圧が目標電圧より小さくなるまでは、前記駆動信号の周波数を第一の所定値ずつ増加または減少するように変更し、前記出力電圧が前記目標電圧よりも大きくなった後、もしくは、前記出力電圧が前記目標電圧よりも小さくなった後は、前記駆動信号の周波数を前記第一の所定値よりも小さい第二の所定値ずつ変更するように前記信号発生手段を制御する制御手段と
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項７】
前記画像形成手段は、
像担持体と、
前記像担持体を帯電する帯電手段と、
前記像担持体の上に静電潜像を形成する潜像形成手段と、
前記静電潜像を現像してトナー像を形成するする現像手段と、
前記トナー像を転写材に転写する転写手段と、
前記トナー像を転写材に加熱定着させる定着手段と、
を含み、
前記高圧電源から前記帯電手段、現像手段、転写手段のいずれかに高電圧を印加することを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、
所定の周波数の駆動信号を発生する信号発生手段と、
前記駆動信号に応じて電圧を出力する圧電トランスと、
前記圧電トランスの出力電圧を検出する検出手段と、
前記出力電圧が目標電圧より大きくなるまで、もしくは、前記出力電圧が目標電圧より小さくなるまでは、前記駆動信号の周波数を第一の所定値ずつ増加または減少するように変更し、前記出力電圧が前記目標電圧よりも大きくなった後、もしくは、前記出力電圧が前記目標電圧よりも小さくなった後は、前記駆動信号の周波数を前記第一の所定値よりも小さい第二の所定値ずつ変更するように前記信号発生手段を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする高圧電源装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月26日(2013.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に第１の熱を加え、
前記酸化物半導体層上に第２の導電層と第３の導電層とを形成し、
前記第２の導電層上及び前記第３の導電層上に、酸素を有する第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層に第２の熱を加え、
前記第２の絶縁層上の、前記第１の導電層と重なる領域に第４の導電層を形成し、
前記第４の導電層上及び前記第２の絶縁層上に、水素を有する第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層に第３の熱を加え、
前記第１の熱を加えると、前記酸化物半導体層から水素が放出され、
前記第２の熱を加えると、前記第２の絶縁層から酸素が放出され、前記酸化物半導体層に酸素が入り、
前記第３の熱を加えると、前記第３の絶縁層から水素が放出され、前記酸化物半導体層に水素が入ることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の導電層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に、チャネル保護層として機能することができる第４の絶縁層を形成し、
前記酸化物半導体層上及び前記第４の絶縁層上に、第２の導電層と第３の導電層とを形成し、
前記第４の絶縁層上、前記第２の導電層上、及び前記第３の導電層上に、酸素を有する第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層に第２の熱を加え、
前記第２の絶縁層上に、水素を有する第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層に第３の熱を加え、
前記第１の熱を加えると、前記酸化物半導体層から水素が放出され、
前記第２の熱を加えると、前記第２の絶縁層から酸素が放出され、前記酸化物半導体層に酸素が入り、
前記第３の熱を加えると、前記第３の絶縁層から水素が放出され、前記酸化物半導体層に水素が入ることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に第１の熱を加え、
前記酸化物半導体層上に第２の導電層と第３の導電層とを形成し、
前記酸化物半導体層上、前記第２の導電層上、及び前記第３の導電層上に、酸素を有する第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層に第２の熱を加え、
前記第２の絶縁層上に第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上及び前記第２の絶縁層上に、水素を有する第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層に第３の熱を加え、
前記第１の熱を加えると、前記酸化物半導体層から水素が放出され、
前記第２の熱を加えると、前記第２の絶縁層から酸素が放出され、前記酸化物半導体層に酸素が入り、
前記第３の熱を加えると、前記第３の絶縁層から水素が放出され、前記酸化物半導体層に水素が入ることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第３の絶縁層は、シランと窒素を含む気体を用いてＣＶＤ法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の熱は、４００℃以上７５０℃以下の温度であり、
前記第２の熱は、２００℃以上４５０℃以下の温度であり、
前記第３の熱は、１５０℃以上４５０℃以下の温度であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月26日(2013.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層を覆うように第１の酸化物絶縁層を形成し、
前記ゲート電極層および前記第１の酸化物絶縁層上に第１の酸化物半導体層を形成し、
第１の加熱処理を行うことにより、前記第１の酸化物半導体層の表面から内部に向かって結晶成長し、該表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を形成し、
前記第１の酸化物半導体層上に第２の酸化物半導体層を形成し、
第２の加熱処理を行うことにより、前記結晶領域から結晶成長させて前記第２の酸化物半導体層の少なくとも一部を結晶化し、
前記第２の酸化物半導体層上に導電層を形成し、
前記導電層をエッチングすることにより、ソース電極層およびドレイン電極層を形成し、
前記第２の酸化物半導体層、前記ソース電極層、および前記ドレイン電極層を覆うように第２の酸化物絶縁層を形成し、
第３の加熱処理を行うことにより、前記第２の酸化物半導体層に酸素を供給し、
の酸化物絶縁層上に、水素を含む窒化物絶縁層を形成し、
第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも前記第１の酸化物半導体層と前記第１の酸化物絶縁層の界面に水素を供給する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層を覆うように第１の酸化物絶縁層を形成し、
前記ゲート電極層および前記第１の酸化物絶縁層上に第１の酸化物半導体層を形成し、
第１の加熱処理を行うことにより、前記第１の酸化物半導体層の表面から内部に向かって結晶成長し、該表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を形成し、
前記第１の酸化物半導体層上に第２の酸化物半導体層を形成し、
第２の加熱処理を行うことにより、前記結晶領域から結晶成長させて前記第２の酸化物半導体層の少なくとも一部を結晶化し、
前記第２の酸化物半導体層上に導電層を形成し、
前記導電層をエッチングすることにより、ソース電極層およびドレイン電極層を形成し、
前記第２の酸化物半導体層、前記ソース電極層、および前記ドレイン電極層を覆うように第２の酸化物絶縁層を形成し、
第３の加熱処理を行うことにより、前記第２の酸化物半導体層に酸素を供給し、
前記第２の酸化物絶縁層上に、電極層を形成し、
前記電極層及び前記第２の酸化物絶縁層上に、水素を含む窒化物絶縁層を形成し、
第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも前記第１の酸化物半導体層と前記第１の酸化物絶縁層の界面に水素を供給する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の加熱処理は、４５０℃以上８５０℃以下の温度であり、窒素雰囲気、酸素雰囲気、または乾燥空気雰囲気での加熱であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の加熱処理は、４５０℃以上８５０℃以下の温度であり、窒素雰囲気、酸素雰囲気、または乾燥空気雰囲気での加熱であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第３の加熱処理は、２００℃以上４５０℃以下での加熱であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第４の加熱処理は、１５０℃以上４５０℃以下での加熱であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月5日(2013.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する基板の絶縁表面上に透光性を有するゲート電極と、
前記ゲート電極上に第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に第１の電極、及び第２の電極と、
前記酸化物半導体層と前記第１の電極の間、及び前記酸化物半導体層と前記第２の電極の間にそれぞれ透光性を有するバリア層と、
前記酸化物半導体層に接する第２の絶縁層と、
を有し、
前記酸化物半導体層のキャリア濃度が、１×１０１４／ｃｍ３未満であり、
前記第１の電極、及び前記第２の電極は透光性を有し、抵抗率が２０００×１０−６Ω・ｃｍ以下である酸化物導電層を含み、
前記バリア層が窒化物を含む半導体装置。
【請求項２】
前記第２の絶縁層に設けられた開口を介して、前記第１の電極、または前記第２の電極と電気的に接続された第１の配線を有する請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の配線上に第３の絶縁層を有し、
前記第３の絶縁層と前記第１の絶縁層が接する領域を有する請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の配線上に第３の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層は、第１の層と前記第１の層上の第２の層とを有し、
前記第３の絶縁層は、前記第２の層の側面と接する領域を有し、
前記第３の絶縁層は、前記第１の層の上面と接する領域を有する請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
透光性を有する基板の絶縁表面上に透光性を有するゲート電極と、
前記ゲート電極上に第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上に第１の電極、及び第２の電極と、
前記第１の酸化物半導体層と前記第１の電極の間、及び前記第１の酸化物半導体層と前記第２の電極の間にそれぞれ透光性を有するバリア層と、
前記第１の酸化物半導体層に接する第２の絶縁層と、
を有し、
前記第１の酸化物半導体層のキャリア濃度が、１×１０１４／ｃｍ３未満であり、
前記第１の電極、及び前記第２の電極は透光性を有し、抵抗率が２０００×１０−６Ω・ｃｍ以下である酸化物導電層を含み、
前記バリア層が窒化物を含み、
前記第１の電極、または前記第２の電極と電気的に接続された第１の配線を有し、
前記ゲート電極と電気的に接続された第２の配線を有し、
前記第２の配線と前記第１の配線の交差部に、前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層、及び第２の酸化物半導体層を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月21日(2013.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、を含むトランジスタを有し、
前記酸化物半導体膜は、インジウムとシリコンと亜鉛とを含み、
前記トランジスタは、バイアス温度ストレス試験によるしきい値電圧のマイナス方向への変化量が、０．２２Ｖ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体膜中におけるシリコンの含有量は、４ｍｏｌ％以上８ｍｏｌ％以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記トランジスタのオフ電流は、１×１０−１３Ａ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記トランジスタのオン／オフ比は１０７以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域において、第１の角度を有するテーパ形状を有し、
前記ソース電極または前記ドレイン電極は、端部において、第２の角度を有するテーパ形状を有し、
前記第１の角度と、前記第２の角度とは、異なる角度であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月14日(2014.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
角部に補助パターンを有する遮光部を有し、
前記補助パターンは、（ｋ＋１）個（ｋは３以上の自然数）の辺を有し、前記（ｋ＋１）個のうちの２個の辺でなす角度は鈍角であることを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
角部に補助パターンを有する遮光部を有し、
前記補助パターンは、
２ｌ個（ｌは２以上の自然数）の辺を有し、
前記２ｌ個のうちの２個の辺でなす角には、第１の角度と第２の角度とがあり、
前記第１の角度は、０°より大きく１８０°未満であり、
前記第２の角度は、１８０°より大きく３６０°未満であり、
前記第１の角度と前記第２の角度は交互に設けられることを特徴とするフォトマスク。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記角部の内角は、０°より大きく、１８０°未満であり、
前記補助パターンは前記角部より突き出ていることを特徴とするフォトマスク。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記角部の内角は、１８０°より大きく、３６０°未満であり、
前記角部において、前記補助パターンが切り欠きされていることを特徴とするフォトマスク。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月2日(2014.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、そのようなイソシアネート系硬化剤と共に配合されるゴム材料は、上述のイソシアネート系硬化剤と反応可能な官能基、及び重合可能な不飽和結合を分子内に有するゴム材料である。イソシアネート系硬化剤と反応可能な官能基としてはカルボキシル基やアミノ基等を、重合可能な不飽和結合としては炭素−炭素二重結合等を、それぞれ例示することが出来る。具体的には、カルボキシル変性アクリロニトリル−ブタジエンゴム（以下、カルボキシル変性ＮＢＲと表わす）やアミン変性アクリロニトリル−ブタジエンゴム（以下、アミン変性ＮＢＲと表わす）等が、有利に用いられる。特に、本発明に従う電子写真機器用無端ベルト２を後述する手法に従って製造する場合には、液状の弾性層用材料が用いられるところ、ゴム材料として固体状のものを用いると有機溶媒が必要となる。有機溶媒を用いて液状とされた弾性層用材料を用いると、基層表面に塗布した後に溶媒除去のための工程（乾燥）が必要となり、製造ラインが大型化する恐れがある。一方、液状のゴム材料（液状ゴム）にあっては、有機溶媒を用いる必要が無い、若しくは使用する場合であっても少量ですむ為、製造ラインのコンパクト化を図ることが出来る。また、液状のゴム材料は、一般に主鎖が短く、分子内に多くの官能基が存在するため、前述のイソシアネート系硬化剤との架橋がより強固になるという利点をも有する。従って、本発明においては、上記したカルボキシル変性ＮＢＲやアミン変性ＮＢＲ等であって液状のものが、特に有利に用いられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
上述したイソシアネート系硬化剤及びゴム材料の配合割合は、ゴム材料中の官能基の種類等に応じて適宜、決定される。例えば、アミン変性ＮＢＲ等のアミノ基を有するゴム材料、又はカルボキシル変性ＮＢＲ等のカルボキシル基を有するゴム材料を用いる場合には、ＮＣＯインデックス［アミノ基又はカルボキシル基の１００当量に対するイソシアネート基の当量］が８０〜１５０の範囲内となるように、イソシアネート系硬化剤及びゴム材料が配合される。ＮＣＯインデックスが８０未満の場合には、硬化性が不十分となる恐れがあり、一方、１５０を超えると、得られる弾性層の硬度が高くなりすぎて画像に悪影響を与える恐れがあるからである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
−弾性層用材料の調製−
下記表１及び表２に示す組成にて各成分を配合し、混合することにより、液状の弾性層用材料を複数種、調製した。尚、各弾性層用材料の調製に際しては、溶媒として所定量のシクロヘキサノン（アノン）を用いた。また、表１及び表２の「溶媒比率（％）」とは、各弾性層用材料に含まれるシクロヘキサノン（アノン）の重量割合を示すものである。弾性層用材料の調製に際して使用した各成分は、以下の通りである。
・ＮＢＲ（固形ゴム）：ニポールDN101 （商品名）、日本ゼオン株式会社製
・カルボキシル変性ＮＢＲ（固形ゴム）
：ニポール1072J（商品名）、日本ゼオン株式会社製
・アミン変性ＮＢＲ（液状ゴム）
：ATBN1300×45（商品名）、エメラルド・パフォーマンス・マテリアルズ社製
・ブロックイソシアネート（イソシアネート系硬化剤）
・ＨＤＩ系イソシアネート
：コロネート2507 （商品名）、日本ポリウレタン工業株式会社製
・ＩＰＤＩ系イソシアネート
：タケネートＢ874（商品名）、三井化学株式会社製
・樹脂架橋剤（フェノール樹脂）
：スミライトレジンPR-11078（商品名）、住友ベークライト株式会社製
・有機系難燃剤：ラビトルFP-390（商品名）、株式会社伏見製薬所製
・無機系難燃剤：キスマ5A（商品名）、協和化学工業株式会社製
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
次いで、かかる基層が形成された金型を、回転数：２００ｒｐｍで軸中心に回転させながら、弾性層用材料を吐出するノズルを、１ｍｍ／ｓｅｃの移動速度にて軸方向に沿って移動させると共に、エアー加圧タンクに０．８ＭＰａの圧力をかけて弾性層用材料をノズルに圧送し、かかるノズルから弾性層用材料を吐出せしめて、金型の外周面上にある基層の表面にらせん状にコーティングし、らせん状塗膜の連続からなる全体塗膜を形成した。なお、形成された全体塗膜の厚さは１７０μｍであった。形成された塗膜に対して加熱処理（常温→１７０℃：表１及び表２に示す必要昇温時間、１７０℃：０．５時間）を施すことにより、金型の外周面上に、基層表面に弾性層が設けられてなるベルト（表面処理前ベルト）を作製した。尚、常温から１７０℃まで昇温させる際の時間（必要昇温時間）は、ゴム材料としてＮＢＲ（固形ゴム）又はカルボキシル変性ＮＢＲ（固形ゴム）を用いたもの（実施例１及び１２、比較例１及び２）については９０分とし、ゴム材料としてアミン変性ＮＢＲ（液状ゴム）を用いたもの（実施例２〜１１、１３〜２２）については５分とした。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
【表１】
2011248333.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
【表２】
2011248333.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
その後、かかるロール基体の外周面に対して、先に調製した弾性層用材料を、ロールコート法により塗工して、芯金の外周面上にあるベースゴム層の表面に塗膜（ロールコート層）を形成した。なお、形成されたロールコート層（弾性層）の厚さは１２０μｍであった。形成された塗膜に対して加熱処理（常温→１７０℃：表４に示す必要昇温時間、１７０℃：０．５時間）を施すことにより、芯金の外周面上に、ベースゴム層、弾性層が順に設けられてなるロール（表面処理前ロール）を作製した。尚、常温から１７０℃まで昇温させる際の時間（必要昇温時間）は、ゴム材料としてＮＢＲ（固形ゴム）又はカルボキシル変性ＮＢＲ（固形ゴム）を用いたもの（実施例２３、比較例３）については９０分とし、ゴム材料としてアミン変性ＮＢＲ（液状ゴム）を用いたもの（実施例２４〜３３）については５分とした。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
【表４】
2011248333.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月3日(2014.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パネルと、
位置検出部と、を有し、
前記パネルは、
画素部と、
駆動回路部と、を有し、
前記位置検出部は、前記画素部と重なる領域を有し、
前記画素部は、
トランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続された表示素子と、を有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体膜を有し、
前記酸化物半導体膜は、ｃ軸が表面に対して略垂直に配向した領域を有し、
前記駆動回路部は、前記画素部に、駆動信号を供給する機能を有し、
前記パネルに表示される画像が静止画の場合、前記パネルに表示される画像が動画の場合より、前記駆動信号の周波数が低くなることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記位置検出部は、抵抗膜方式、静電容量方式、超音波方式、赤外線方式、又は電磁誘導方式に基づき、位置を検出する機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
パネルと、
位置検出部と、を有し、
前記パネルは、
画素部と、
駆動回路部と、を有し、
前記位置検出部は、第１の電極と、第２の電極と、を有し、
前記第１の電極は、前記第２の電極と重なる第１の領域を有し、
前記第２の電極は、前記第１の電極に押圧が加えられたとき、前記第１の領域にて前記第１の電極と接することができ、
前記位置検出部は、前記画素部と重なる領域を有し、
前記画素部は、
トランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続された表示素子と、を有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体膜を有し、
前記酸化物半導体膜は、ｃ軸が表面に対して略垂直に配向した領域を有し、
前記駆動回路部は、前記画素部に、駆動信号を供給する機能を有し、
前記パネルに表示される画像が静止画の場合、前記パネルに表示される画像が動画の場合より、前記駆動信号の周波数が低くなることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
パネルと、
位置検出部と、を有し、
前記パネルは、
画素部と、
駆動回路部と、を有し、
前記位置検出部は、第１の電極と、第２の電極と、を有し、
前記第１の電極は、矩形状の第１の導電膜を有し、
前記第２の電極は、矩形状の第２の導電膜を有し、
前記矩形状の第１の導電膜は、前記矩形状の第２の導電膜と重ならない領域を有し、
前記位置検出部は、前記画素部と重なる領域を有し、
前記画素部は、
トランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続された表示素子と、を有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体膜を有し、
前記酸化物半導体膜は、ｃ軸が表面に対して略垂直に配向した領域を有し、
前記駆動回路部は、前記画素部に、駆動信号を供給する機能を有し、
前記パネルに表示される画像が静止画の場合、前記パネルに表示される画像が動画の場合より、前記駆動信号の周波数が低くなることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記駆動回路部は、信号線駆動回路を有し、
前記駆動信号は、スタート信号、クロック信号、又はラッチ信号を有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記駆動回路部は、走査線駆動回路を有し、
前記駆動信号は、スタート信号、又はクロック信号を有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記酸化物半導体の水素濃度は、５×１０１９／ｃｍ３以下を有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記トランジスタのオフ電流は、チャネル幅が１×１０６μｍ、チャネル長が１０μｍの素子の場合、ソース電極とドレイン電極との間の電圧が１Ｖ又は１０Ｖのとき、１×１０−１３Ａ以下を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月19日(2014.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラテックス樹脂を含む混合物を、インペラを備える反応器中で、約４．５メートル／秒〜約４．９メートル／秒の先端速度で約４時間〜約６時間操作して凝集させ、凝集したトナー粒子を作ることと；
前記インペラの先端速度を約２．５メートル／秒〜約３．５メートル／秒の先端速度まで下げることと；
シェル用樹脂を加え、前記凝集したトナー粒子表面にシェルを作ることと；
前記凝集したトナー粒子を融着させることと；
前記トナー粒子を回収することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記混合物の凝集を、約５０．５℃〜約５２．５℃で起こして、凝集したトナー粒子を作る、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記先端速度が、以下：
先端速度＝インペラの回転速度（毎分の回転数）×Π×インペラの直径
のように算出される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
さらに、前記凝集したトナー粒子のｐＨを、約２．５〜約７に調整することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ラテックス樹脂が、スチレン類、アクリレート類、メタクリレート類、ブタジエン類、イソプレン類、アクリル酸類、メタクリル酸類、アクリロニトリル類、及びこれらの組合せからなる群から選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ラテックス樹脂が、スチレン、ブチルアクリレート、及びβカルボキシエチルアクリレートを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記混合物がさらに、凝集剤、界面活性剤、官能性モノマー、開始剤、表面活性剤、荷電制御剤、連鎖移動剤、及びこれらの組合せからなる群から選ばれる成分を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記混合物がさらに、ポリ塩化アルミニウム、ポリアルミニウムスルホシリケート、塩化アルミニウム、亜硝酸アルミニウム、硫酸アルミニウム、硫酸アルミニウムカリウム、酢酸カルシウム、塩化カルシウム、亜硝酸カルシウム、カルシウムオキシレート、硫酸カルシウム、酢酸マグネシウム、亜硝酸マグネシウム、硫酸マグネシウム、酢酸亜鉛、亜硝酸亜鉛、硫酸亜鉛、及びこれらの組合せからなる群から選ばれる凝集剤を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記トナー粒子は、約０．０１以上の吸光度を有する、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月12日(2014.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部と、
バックライトユニットと、
駆動回路部とを有し、
前記画素部は、
トランジスタと、容量と、画素電極と、カラーフィルタ層とを有し、
前記トランジスタは、
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層のチャネル形成領域と重なる、ゲート電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有し、
前記容量は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極のいずれかと電気的に接続され、
前記画素電極は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極のいずれかと電気的に接続され、
前記カラーフィルタ層は、前記画素電極と、前記酸化物半導体層との間にある領域を有し、
前記駆動回路部は、選択信号出力回路を有し、
前記選択信号出力回路は、前記トランジスタをオンとする信号と、前記トランジスタをオフとする信号とを出力する機能を有し、
前記駆動回路部は、前記画素部でデータが保持されているとき、前記選択信号出力回路へのスタート信号の入力を停止させる機能を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
画素部と、
バックライトユニットと、
駆動回路部とを有し、
前記画素部は、
トランジスタと、容量と、画素電極と、カラーフィルタ層とを有し、
前記トランジスタは、
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層のチャネル形成領域と重なる、ゲート電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有し、
前記容量は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極のいずれかと電気的に接続され、
前記画素電極は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極のいずれかと電気的に接続され、
前記カラーフィルタ層は、前記画素電極と、前記酸化物半導体層との間にある領域を有し、
前記駆動回路部は、選択信号出力回路を有し、
前記選択信号出力回路は、前記トランジスタをオンとする信号と、前記トランジスタをオフとする信号とを出力する機能を有し、
前記駆動回路部は、前記画素部でデータが保持されているとき、前記選択信号出力回路へのクロック信号の入力を停止させる機能を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
画素部と、
バックライトユニットと、
駆動回路部とを有し、
前記画素部は、
トランジスタと、容量と、画素電極と、カラーフィルタ層とを有し、
前記トランジスタは、
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層のチャネル形成領域と重なる、ゲート電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、を有し、
前記容量は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極のいずれかと電気的に接続され、
前記画素電極は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極のいずれかと電気的に接続され、
前記カラーフィルタ層は、前記画素電極と、前記酸化物半導体層との間にある領域を有し、
前記駆動回路部は、選択信号出力回路を有し、
前記選択信号出力回路は、前記トランジスタをオンとする信号と、前記トランジスタをオフとする信号とを出力する機能を有し、
前記駆動回路部は、前記画素部でデータが保持されているとき、前記選択信号出力回路への電源電圧の入力を停止させる機能を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記バックライトユニットは、冷陰極管を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記トランジスタは、チャネル幅１μｍあたりのオフ電流が１×１０−１７Ａ以下であり、
前記トランジスタがオフとなったとき、前記画素部でデータが保持されることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月6日(2014.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルと、
白色光を発するバックライトと、
画像信号の入力頻度を制御する制御回路と、を有し、
前記表示パネルは、画素を有し、
前記画素は、
前記画像信号の入力を制御するトランジスタと、
前記画像信号に応じた電圧が印加される液晶素子と、
第１乃至第３のカラーフィルターの少なくとも一と、を有し、
前記第１のカラーフィルターは、赤色を呈する波長領域の光を透過し且つその他の可視光領域の光を吸収する機能を有し、
前記第２のカラーフィルターは、緑色を呈する波長領域の光を透過し且つその他の可視光領域の光を吸収する機能を有し、
前記第３のカラーフィルターは、青色を呈する波長領域の光を透過し且つその他の可視光領域の光を吸収する機能を有し、
前記バックライトは、面発光を行い、
前記表示パネルは、第１のＦＰＣを介して、前記制御回路と電気的に接続され、
前記バックライトは、第２のＦＰＣを介して、前記制御回路と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
表示パネルと、
白色光を発するバックライトと、
画像信号の入力頻度を制御する制御回路と、を有し、
前記表示パネルは、第１の画素及び第２の画素を有し、
前記第１の画素は、
前記画像信号の入力を制御するトランジスタと、
前記画像信号に応じた電圧が印加される液晶素子と、
第１乃至第３のカラーフィルターの少なくとも一と、を有し、
前記第２の画素は、
前記画像信号の入力を制御するトランジスタと、
前記画像信号に応じた電圧が印加される液晶素子と、を有し、
第１乃至第３のカラーフィルターは有さず、
前記バックライトからの白色光を透過する機能を有し、
前記第１のカラーフィルターは、赤色を呈する波長領域の光を透過し且つその他の可視光領域の光を吸収する機能を有し、
前記第２のカラーフィルターは、緑色を呈する波長領域の光を透過し且つその他の可視光領域の光を吸収する機能を有し、
前記第３のカラーフィルターは、青色を呈する波長領域の光を透過し且つその他の可視光領域の光を吸収する機能を有し、
前記バックライトは、面発光を行い、
前記表示パネルは、第１のＦＰＣを介して、前記制御回路と電気的に接続され、
前記バックライトは、第２のＦＰＣを介して、前記制御回路と電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記トランジスタのチャネル形成領域が、酸化物半導体によって構成され、
前記酸化物半導体の水素及び酸素欠損に由来するキャリア密度は、１×１０１２／ｃｍ３未満を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記バックライトは、有機エレクトロルミネッセンスを利用して発光を行うものであり、
前記発光は、赤色を呈する波長、緑色を呈する波長、及び青色を呈する波長の光を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記制御回路は、
記憶回路と、
比較回路と、
選択回路と、
出力制御回路とを有し、
前記記憶回路は、第１の画像を形成するための画像信号乃至第ｎの画像（ｎは２以上の自然数）を形成するための画像信号を記憶する機能を有し、
前記比較回路は、前記第ｋの画像（ｋはｎ未満の自然数）を形成するための画像信号と前記第ｋ＋１の画像を形成するための画像信号を比較し、差分を検出する機能を有し、
前記選択回路は、前記差分を基に、前記第（ｋ＋１）の画像を形成するための画像信号の出力を選択する機能を有し、
前記出力制御回路は、前記差分が検出された際に、前記表示パネルへ制御信号を供給し、前記差分が検出されない際に、前記表示パネルへ前記制御信号の供給を停止する機能を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記制御回路が、利用者の入力デバイスの操作に応じて、前記画像信号の入力頻度を制御することを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月8日(2014.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を解釈する方法であって、
因子分解可能な上限を有する目的関数を最適化する、複数変数の構成を発見することを含み、因子分解可能とは、前記上限が、非相互作用パーツの和または非負の相互作用パーツの積の形式に操作処理される、または操作処理され得ることを意味するものであり、
前記発見が、構成候補として既知のエレメントの効率的な動的順序づけに依存する反復アルゴリズムを、優先待ち行列における上限スコアの降順で適用することによって行われ、
前記反復アルゴリズムは、
ａ．優先待ち行列（優先Ｑ）を確立することであって、候補の優先順位は上限（候補）と共に上がることと、
ｂ．カレント候補値を確立し、かつこれを（０，０．．．，０）に設定することと、
ｃ．最良候補値を確立し、かつこれを（０，０．．．，０）に設定することと、
ｄ．優先Ｑに後続候補（カレント）の全エレメントを挿入することであって、初期エレメント値（０，０．．．，０）に後続候補関数を適用して後続候補を得るとともに、当該初期エレメント値の後続候補に再び前記後続候補関数を適用し、さらにこれにより得られた後続候補にも前記後続候補関数を適用して、全ての関連データを生成するような、後続候補関数が定められ、
ｅ．最良候補値が満足解であるか否かについて問合せを行うことと、
ステップｅが正しければ、最良候補を返すことと、
ステップｅが正しくなければ、（ｉ）優先Ｑの先頭における候補をカレント候補値へ割り付けかつこれを優先Ｑから外し、（ｉｉ）優先Ｑに後続候補（カレント）の全エレメントを挿入し、かつこの後、（ｉｉｉ）真のスコア（最良候補）＞真のスコア（カレント）であるかどうかを決定することであって、真のスコアは前記目的関数の実際の値であって、次に、
ステップｅの（ｉｉｉ）が真であれば、ステップｅの開始へ戻ることと、
ステップｅの（ｉｉｉ）が真でなければ、カレント候補値における値を包含するように最良候補を更新し、ステップｅの開始へ戻ることを含み、
当該方法は、少なくとも１つのプロセッサを用いたシステムにより行われる方法。
【請求項２】
前記反復アルゴリズムは、実行中に、その時点で入手可能な最良の完全解を得るために中断されてもよい任意時間アルゴリズムである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記反復アルゴリズムは、適切な基準に基づいて完了前に停止され、当該適切な基準は、限定されないが、カレントスコア及び前記上限の最大値としきい値との比較を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記目的関数は第一項と第二項とを含み、前記第一項はオブジェクトまたはシーンの個々のパーツの特性を記述し、かつ前記第二項はこれらのパーツ間の関係及び／または制約を記述するものである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記目的関数の第一項は、前記オブジェクトまたはシーンの個々のアピアランスモデルを明確に記述するものである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記目的関数の第２項は、前記オブジェクトまたはシーンのパーツ間の空間的関係モデルを記述するものである、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記目的関数は星座モデルより与えられる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
画像を解釈する方法であって、
因子分解可能な上限を有する目的関数を最適化する、複数変数の構成を発見することを含み、因子分解可能とは、前記上限が、非相互作用パーツの和または非負の相互作用パーツの積の形式へと操作処理される、または操作処理され得るものを意味するものであり、前記目的関数は、第一項及び第二項を含み、前記第一項はオブジェクトまたはシーンの個々のパーツの特性を記述し、かつ前記第二項はこれらのパーツ間の関係及び／または制約を記述するものであり且つオブジェクトまたはシーンの個々のパーツの空間的関係モデルを記述するものであり、前記空間的関係モデルは、２つのパート間の距離を含み、
前記発見が、構成候補として知られるエレメントの効率的な動的順序づけに依存する反復アルゴリズムを、優先待ち行列における上限スコアの降順で適用することによって行われ、
既に与えられたカテゴリのオブジェクトまたはそのようなオブジェクトの一部が画像中に存在するか否かを決定する目的で画像解釈を呼び出し、
当該方法が、少なくとも１つのプロセッサを用いたシステムにより行われる方法。