(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体基板を処理可能な、プラズマ反応チャンバの交換可能上側チャンバ部を提供する。【解決手段】円錐状内部表面の上端で最も表面が広がる該円錐状内部表面と該円錐状内部表面から水平に離れて突き出した上部フランジ４０２と円錐状内部表面から水平に離れて外向きに突き出した下部フランジ４０４とを有するモノリシック金属シリンダとを備える。このシリンダは、プラズマ反応チャンバの誘電窓に対してシールするよう構成された上部環状真空シーリング面とプラズマ反応チャンバの下方部に対してシールするよう構成された下部環状真空シーリング面とを含む。このシリンダの上方部の熱容量部４１６は、円錐状内部表面４１０と上部フランジ４０２から垂直に広がる外側表面との間のシリンダの一部分で定義され、円錐状内部表面４１０のアジマス方向の温度均一性を与える効果がある。シリンダの下方部に配置された熱チョーク４１４は、下部環状真空シーリング面を通る熱遷移を最小にする効果がある。この熱チョークは、６．３５ｍｍ（０．２５インチ）より小さい厚みを有し、円錐状内部表面の長さの少なくとも約２５％の長さで突き出す。【選択図】図８
0003162873.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を処理可能な、プラズマ反応チャンバの交換可能な上側チャンバ部であって、
円錐状内部表面の上端で最も表面が広がる前記円錐状内部表面と、前記円錐状内部表面から水平に外方に突き出した上部フランジと、前記円錐状内部表面から水平に突き出した下部フランジと、を有するモノリシック金属シリンダと、
前記プラズマ反応チャンバの誘電窓に対してシールするよう構成された上部環状真空シーリング面と、
前記プラズマ反応チャンバの下方部に対してシールするよう構成された下部環状真空シーリング面と、
前記モノリシック金属シリンダの上方部の熱容量であって、前記円錐状内部表面と前記上部フランジから垂直に広がる外側表面との間の前記シリンダの一部分で定義され、前記円錐状内部表面のアジマス方向の温度均一性を与えるのに効果的な熱容量と、
前記下部環状真空シーリング面を通る熱遷移を最小とするのに効果的な、前記モノリシック金属シリンダの下方部の熱チョークであって、６．３５ｍｍ（０．２５インチ）より小さい厚みを有し、前記円錐状内部表面の長さの少なくとも約２５％の長さで突き出した薄い金属部によって形成される熱チョークと、
を備えることを特徴とする交換可能な上側チャンバ部。
【請求項２】
前記上部および下部環状真空シーリング面は、Ｏリングを受け入れるように構成された少なくとも１つの環状溝を含むことを特徴とする請求項１に記載の交換可能な上側チャンバ部。
【請求項３】
前記上部フランジは、水平方向に少なくとも２５．４ｍｍ（１インチ）突き出した保持面を有し、前記上部環状真空シーリング面は、少なくとも２５．４ｍｍ（１インチ）水平方向に突き出ており、前記外側表面は、該外側表面の下端で前記円錐状内部表面から少なくとも２５．４ｍｍ（１インチ）離れ、前記外側表面は、該外側表面の上端で前記円錐状内部表面から少なくとも５０．８ｍｍ（２インチ）離れていることを特徴とする請求項１に記載の交換可能な上側チャンバ部。
【請求項４】
前記プラズマ反応チャンバの下側チャンバ部上への前記上側チャンバ部の取付けおよび取外しに使用される昇降機と係合するための取付穴を備えることを特徴とする請求項１に記載の交換可能な上側チャンバ部。
【請求項５】
前記外側表面は窪みを有し、前記外側表面上に、加熱および冷却配備を位置決めに使用されるアライメントピンを受入れるように構成されたアライメントピンホールを含むことを特徴とする請求項１に記載の交換可能な上側チャンバ部。
【請求項６】
前記上部フランジに及ぶ、少なくとも１つの温度プローブ用取付穴を含むことを特徴とする請求項１に記載の交換可能な上側チャンバ部。
【請求項７】
前記円錐状内部表面は、ガス噴射器を取付るように構成された複数の取付穴を含むことを特徴とする請求項１に記載の交換可能な上側チャンバ部。
【請求項８】
前記上部フランジは、前記誘電窓上のＲＦコイルの位置決めをするＲＦコイル取付配備を受入れるように構成された取付穴を含むことを特徴とする請求項１に記載の交換可能な上側チャンバ部。
【請求項９】
前記円錐状内部表面は、該表面に熱溶射されたイットリアコーティングを含むことを特徴とする請求項１に記載の交換可能な上側チャンバ部。
【請求項１０】
前記モノリシック金属シリンダは、陽極酸化アルミニウムであることを特徴とする請求項１に記載の交換可能な上側チャンバ部。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この出願は、３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１９に基づき、２００９年３月２７日に出願された米国仮出願のＮｏ． ６１/１６４，２７０（発明名称「プラズマ処理装置の交換可能な上側チャンバ部」）の優先権を主張し、ここに出願の全内容を記載する。
【０００２】
この考案は、一般に半導体基板の製造技術に関し、特にプラズマチャンバの交換用上側チャンバ部に関する。
【背景技術】
【０００３】
例えば、半導体基板あるいはフラットパネルディスプレイの製造に用いられるガラスパネルなどの基板の処理において、プラズマが用いられることが多い。この基板の処理の一部として、例えば、基板が複数のダイ(die)または長方形のエリアに分割され、その各々が集積回路となる。そしてこの基板は、一連のステップで処理され、電気部品を基板上に形成するために、このステップの中で、材料が選択的に除去（エッチング）および蒸着される。 
【０００４】
典型的なプラズマ処理では、基板は、エッチングされる前に、固化エマルション（例えばフォトレジストマスク）の薄膜でコーティングされる。そして、固化エマルションのエリアは選択的に除去され、これにより下層のコンポーネントが露出する。更に、この基板は、プラズマ処理チャンバの中の基板支持構造の上に設置される。この基板支持構造は、チャックまたはぺデスタルと呼ばれる、モノポーラまたはバイポーラの電極を備える。そして、適切なエッチング源がチャンバに流され、プラズマが形成されてこの基板の露出エリアがエッチングされる。
【０００５】
図１に、誘導結合プラズマ処理システムのコンポーネントの概略図が示される。一般に、プラズマチャンバ（チャンバ）２０２は、チャンバの側壁を形成する下部チャンバ部２５０と、これもチャンバの壁面を形成する上部チャンバ部２４４と、カバー２５２とを備える。適当なガスが、ガス分配システム２２２からチャンバ２０２に流入する。この後、このプラズマ処理ガスは、静電チャック（チャック）２１６上でエッジリング２１５により位置合わせされた半導体基板またはガラス板のような基板２２４の露出エリアを処理（エッチングまたは蒸着）するために、イオン化されプラズマ２２０を形成する。ガス分配システム２２２は、普通、圧搾ガスシリンダ（不図示）を備え、プラズマ処理用のガス（例えば、Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ３、ＣＦ４、ＨＢｒ、ＣＨ３Ｆ、Ｃ２Ｆ４、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ、Ｘｅ、Ｈｅ、Ｈ２、ＮＨ３、ＳＦ６、ＢＣｌ３、Ｃｌ２など）を含む。
【０００６】
誘導コイル２３１は、チャンバの上部壁を形成する誘電窓２０４によりプラズマから分離される。そして一般に、誘導コイル２３１は、プラズマ２２０を作り出すためプラズマ処理ガス中で時変電流を誘起する。誘電窓は、プラズマ２２０から誘導コイルを保護し、発生したＲＦ界２０８にプラズマ処理チャンバ内の誘導電流２１１を生成させる。更に、誘導コイル２３１は、整合ネットワーク２３２と接続され、整合ネットワーク２３２は、ＲＦ発生器２３４と更に接続される。整合ネットワーク２３２は、ＲＦ発生器２３４のインピーダンスと整合をとり、ＲＦ発生器２３４は、通常、プラズマ２２０のインピーダンスに対して約１３．５６ＭＨｚ、約５０オームで動作する。更に、プラズマにバイアスを与えるために、第２のＲＦエネルギ源２３８もまた、整合ネットワーク２３６を介して基板２２４に接続され、プラズマをプラズマ処理システム内の構造体から離し、基板に向かわせる。ガスおよび副産物は、ポンプ２２０によってチャンバから除去される。
【０００７】
一般に、プラズマを発生させると、熱的平衡に到達させるために、ある種の冷却システム２４０はチャック２１６に接続される。冷却システム自体は、通常冷却装置を備え、この冷却装置により、チャック内のキャビティを通して冷媒が注入され、またヘリウムガスがチャックと基板の間に注入される。ヘリウムガスは、発生した熱を除去するのに加え、またクーリングシステムが急速に熱消散を制御することを可能になる。すなわち、ヘリウムの圧力を増加させると、これに従って熱の遷移速度が増加する。また、プラズマ処理システムの多くは、動作用のソフトウェアプログラムを備える洗練したコンピュータにより制御される。標準的な動作環境では、製造処理のパラメータ（例えば、電圧、ガスフローの混合、ガスフローレート、圧力など）は、一般に特定のプラズマ処理システムおよび特定のレシピに合わせて構成される。
【０００８】
これに加えて、加熱・冷却装置２４６は、プラズマ処理装置２０２の上側チャンバ部２４４の温度を制御するために動作させることができ、これにより、動作期間中のプラズマに曝される上側チャンバ部２４４の内表面が制御された温度に維持される。加熱・冷却装置２４６は、加熱および冷却動作の両方を提供するため、異なる材料層のいくつかによって形成される。
【０００９】
上側チャンバ部自体は、普通、複数のプラズマ耐性の材料で製作され、接地されるか、あるいは、プラズマ処理システム内で生成されるＲＦ界に対して透過なもの（例えば、コーティングされたアルミまたは未コーティングのアルミ、セラミックなど）にする。
【００１０】
例えば、上側チャンバ部は、機械加工されたアルミニウムの塊で製作でき、洗浄あるいは交換のためそこから取り外すことができる。上側チャンバ部の内表面は、熱溶射されたイットリアコーティングのようなプラズマ耐性の材料でコーティングされることが望ましい。この種のセラミックコーティングは、傷つきやすいのでクリーニングをするのには、問題がある。プラズマ処理の中に傷つきやすい処理があるため、洗浄のために取り外すよりもむしろ上側チャンバ部を交換する方が望ましいことがある。
【００１１】
更に、メインテナンス後、上側チャンバ部を正しく設置するのが困難なことがある。それは、一連のガスケットが上側チャンバ部の回りを適切にシールするように、上側チャンバ部が下側チャンバ部と適切に位置合わせさせなければならないからである。少しでも位置あわせがうまくいかないと、適切なマウント配置が不可能になる。
【００１２】
また、上側チャンバ部の材料の体積は、プラズマ処理システムにかなりの熱容量を与える。材料を表わす熱容量は、膨張期間の熱エネルギを蓄積する容量を有する。一般に、プラズマ処理は、温度変化に対してとても敏感である。例えば、設置された処理ウィンドウの外の温度変化は、基板上のポリフルオロカーボンのような高分子フィルムのエッチング速度や蒸着速度に直接影響を与える。またプラズマ処理のレシピの多くは、１℃の数１０分の１のオーダに依存する温度変化も求められることがあるので、基板間の温度再現性がしばしば求められる。このために、上側チャンバ部は、定められたパラメータの中でプラズマ処理を実質的に維持するために、しばしば加熱されたり冷却されたりする。
【００１３】
プラズマを発生させると、基板は熱エネルギを吸収し、その熱エネルギは、その後測定され、冷却システムにより除去される。このように、上側チャンバ部は熱的に制御される。しかし、プラズマ処理では、複数工程の処理期間中に温度を変えることが要求されうる。６０℃台の低温で稼動していた上側チャンバ部を１００℃以上で、例えば１２０℃、１３０℃、１４０℃、１５０℃、あるいは１６０℃、あるいは、これらの中間温度に加熱する必要がありうる。温度が高くなるほど、下側チャンバ部のような隣接コンポーネントに、望ましくない温度上昇が起きやすくなる。例えば、下側チャンバ部が約３０℃の室温で、上側チャンバ部とその上にある誘電窓を１３０℃から１５０℃のオーダの温度で稼動させる場合に、熱がはるかに熱い上側チャンバ部から下側チャンバ部に流れ込み、半導体基板で観測されるプラズマ処理条件へ影響するのに十分な温度に下側チャンバ部の温度を上昇させる。すなわち、上側チャンバ部に起因する熱フローの変化により、基板の温度が外部の狭いレシピパラメータを変化させるように働く。
【００１４】
以上に述べたように、プラズマ処理システムのプラズマ処理を最適化するため、改善された熱特性を有する、交換可能な上側チャンバ部が注目に値することがわかる。
【考案の概要】
【００１５】
好ましい実施形態においては、半導体基板を処理できるプラズマ反応チャンバの交換可能上側チャンバ部は、上端で最も表面が広がる円錐状内表面と、該円錐状内表面から水平に離れて外向きに突き出した上部フランジと該円錐状内表面から水平に離れて外向きに突き出した下部フランジとを有するモノリシック金属シリンダと、前記プラズマチャンバの誘電窓に対してシールするための上部環状真空シーリング面と、前記プラズマチャンバの下方部に対してシールするよう構成された下部環状真空シーリング面と、前記円錐状内表面と前記上部フランジから垂直に広がる外側表面との間の前記シリンダの一部分で定義された、前記モノリシック金属シリンダの上方部の熱容量であって、前記円錐状内表面のアジマス方向の温度均一性を与えるのに効果的な熱容量と、前記下部環状真空シーリング面を通る熱遷移を最小にする効果のある、前記モノリシック金属シリンダの下方部分の熱チョークであって、６．３５ｍｍ（０．２５インチ）以下の厚さを有し、前記円錐状内表面の長さの少なくとも約２５％の長さが突き出した薄い金属部によって定義される熱チョークとを備える。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】プラズマ処理システムの簡略ダイアグラムを示す図である。
【図２】従来の上側チャンバ部の断面図を示す図である。
【図３】一実施形態における上側チャンバ部の断面図を示す図である。
【図４】図２の上側チャンバ部の上面図である。
【図５】図２の上側チャンバ部の側面図である。
【図６】図３の上側チャンバ部の上面図である。
【図７】図３の上側チャンバ部の側面図である。
【図８】上側チャンバ部の透視断面図である。
【図９】図８の上側チャンバ部の断面図である。
【図１０】図８の上側チャンバ部の下面図である。
【図１１】図８の上側チャンバ部の側面図である。
【図１２】図１１の上側チャンバ部の断面側面図である。
【考案を実施するための形態】
【００１７】
本考案は、以下に添付する図面を参照し、好ましい実施形態について詳細に説明する。以下の記載において、この考案をよく理解できるように、数値的で具体的な詳細を説明する。しかし、当業者にとっては、これらの具体的な詳細なしでも本考案が実施可能であることは明らかであろう。他の例において、周知のステップおよび／または構成が詳細に記載されなかったとしても、必ずしも本考案を曖昧にするものではない。ここで使用する「約」という用語は、記載された値に対して上下１０パーセントまでの値を含むものとする。
【００１８】
図２、４および５に示す従来設計の上側チャンバ部と比較すると、図３、６および７に示す再設計の上側チャンバ部には、アジマス方向の温度の改善、上側に配置された誘電窓への熱遷移の改善、および下側に配置された下側チャンバ部への熱遷移の減少が見られる。図２、４および５に示す従来の上側チャンバ部は、軽量とその軽量によるサービスの容易さのために設計された。上側チャンバ部は、上側に配置されたウィンドウと接触する上側表面の接触面積を増加し、またアジマス方向の熱均一性の改善のため質量を増加し、更に下側チャンバ部への熱の遷移を最小にするため壁厚を減少させるという変更を行って、アジマス方向の熱均一性を改善した。
【００１９】
好ましい実施形態において、上側チャンバ部は、硬い陽極酸化処理されたアルミシリンダであり、処理支持ハードウェア（ＲＦ入力コイル、温度制御ウィンドウ、位置決めの特徴、チャンバ温度制御ハードウェアなど）を取り付ける特徴、真空のためにシーリングする特徴、およびこの部分から電流を伝導する特徴を備える。真空シールは、好ましくは、シリンダの頂部および底部のひとつ以上のＯリングである。電気伝導は、好ましくは金属スプリングＲＦガスケットを用いることにより実現される。この金属スプリングＲＦガスケットはシリンダの溝にフィットし、隣接コンポーネントの裸の金属片と接触する。重量および熱容量は、望ましい温度均一性を達成するためにシリンダの上側部で増加される。プラズマ露出表面の内部形状は、従来の上側チャンバ部の電気的特徴およびガスフローおよびプラズマの封じ込めの特徴を踏襲するため、従来の上側チャンバ部と同じである。図２および３に示す断面図と比較することで、設計の変更点が理解できる。
【００２０】
図３に示す上側チャンバ部は、温度制御、搭載およびアライメント用ハードウェアを取り付けるための特徴に関して、図２に示す従来の上側チャンバ部と異なっている。この設計上の変更は、図４および５の図を図６および７の図と比較するとわかる。例えば、新しい上側チャンバ部の設計では、従来の上側チャンバ部よりも少なくとも４０％以上は重量を重くしており、新設計では、取り外し可能な補助的ハードウェア（アライメントやバンパーの特徴）を取り入れ、上側チャンバ部のクリーンサイクルによる潜在的な汚染物質を最小にしている。これに対して、従来の上側チャンバ部は、プラスチックおよびステンレスコンポーネントがなお装着されたままで清浄化されように設計されていた。
【００２１】
図２、４および５を参照すると、従来の上側チャンバ部２４４は、上部フランジ２５０と、下部フランジ２５２と、Ｏリングを受入れる環状溝を含む上部真空シーリング面２５４と、Ｏリングを受入れる環状溝およびＲＦガスケットを受入れるもう一つの環状溝を含む下部真空シーリング面２５６と、内部円錐状表面２５８と、加熱および冷却ハードウェアを取付るための外側表面２６０と、上部保持表面２６２とを含むことがわかる。図２を参照すると、上部真空シーリング面２５４は、下部真空シーリング面２５６よりも小さく、上側チャンバ部２４４からの熱フローは、ウィンドウ２０４に対してよりも下側チャンバピース２５０への熱遷移が大きいことがわかる。また、上側チャンバ部２４４は、軽量に作られており、熱的な均一性は、加熱および冷却ハードウェアにより依存し、上側チャンバ部自体の熱容量にはあまり依存ししていない。
【００２２】
図３、６および７を参照すると、再設計された上側チャンバ部３００は、上部フランジ３０２と、下部フランジ３０４と、Ｏリングを受入れる環状溝を含む上部真空シーリング面３０６と、Ｏリングを受入れる環状溝およびＲＦガスケットを受入れるもう一つの環状溝を含む下部真空シーリング面３０８と、内部円錐状表面３１０と、加熱および冷却ハードウェアを取付るための外側表面３１２と、上部保持表面３１５とを含むことがわかる。図３に示すように、上部真空シーリング面３０６は、従来の上側チャンバ部２４４の上部真空シーリング面よりも大きく、これによりウィンドウ２０４とともに熱遷移を改善する。下側チャンバ部２５０への熱遷移を最小にするために、上側チャンバ部３００は、シリンダの薄壁化された部分により形成された熱チョーク３１４を含む。好ましくは、熱チョーク３１４の厚みは、６．３５ｍｍ（０．２５インチ）より小さく、より好ましくは、約３．１７５ｍｍ（０．１２５インチ）厚であるとよい。熱チョークの長さは、好ましくは、少なくとも１２．７ｍｍ（０．５インチ）、より好ましくは、少なくとも２５．４ｍｍｍ（１インチ）あるとよい。熱チョークは、真空シーリング面３０８の付近で始まり、シリンダの熱容量部３１６で終わるのが望ましい。フランジ３０４は、熱チョーク３１４の外側表面３２２に続くＶ型形状溝３２０を形成する垂直表面３１８を含む。熱容量部３１６は、上部保持表面３１５から少なくとも５０．８ｍｍ（２インチ）、望ましくは約５４．６１ｍｍ（２．１５インチ）離れた水平表面３２４で始まるとよい。
【００２３】
図３の実施形態では、外側表面３１２には、加熱および冷却配備２４６を受入れるためにフランジ３０２と環状リム３２６との間に凹みがある。外側表面３１２の穴に入れるアライメントピン３３０は、加熱および冷却配備２４６を位置決めするために使用できる。上部フランンジ３０２の周辺に間隔をおいて設けられた、一連の取付穴３３２は、ＲＦコイル２３１を含むＲＦコイルアセンブリを取付るために使用できる。上部真空シーリング面３０６上への取付け中にウィンドウ２０４を破損から守るためのバンパーや取付けおよび取外しのため上側チャンバ部を固定する機構のような他の装置と連携した、他の穴やスロットを上部フランジ３０２に設けることができる。単一または複数ゾーンの温度制御のために、１つ以上の温度プローブ取付穴３３４を外側表面３１２に設けることができる。
【００２４】
好ましい実施形態では、上側チャンバ部３００は、モノリシックアルミニウムのシリンダで、真空シーリング面３０６の内端で内径が４５．７２ｃｍ（１８インチ）、上部フランジ３０２の外端で外径が５５．２５ｃｍ（２１．７５インチ）、下部真空シーリング面３０８の内端で内径が５３．７ｃｍ（２１．１５インチ）、そして下部フランジ３０４の外端で外径が５７．１ｃｍ（２２．４８インチ）であることが望ましい。上部真空シーリング面のＯリング溝は、４６．２８ｃｍから４６．４ｃｍ（１８．２２０インチから１８．２７５インチ）の直径上に配置され、また下部真空シーリング面のＯリング溝は、約５４．５ｃｍ（２１．４５インチ）の直径上に配置され、更にＲＦガスケットのＯリング溝は、約５５．７３ｃｍ（２１．９４インチ）の直径上に配置される。上部保持表面の内端は、４９．８４ｃｍ（１９．６２５インチ）の直径を有する。
【００２５】
上側チャンバ部に関して他の実施形態を図８から図１２に示す。この実施形態では、上側チャンバ部４００は、上部フランジ４０２と、下部フランジ４０４と、Ｏリングを受入れる環状溝を含む上部真空シーリング面４０６と、Ｏリングを受入れる環状溝およびＲＦガスケットを受入れる他の環状溝を含む下部真空シーリング面４０８と、ガス噴射器（不図示）の取付のために周辺に間隔を置いて設けられた一連の穴４０９を有する内部円錐状表面４１０と、加熱および冷却ハードウェアを取付る外側表面４１２と、上部保持表面４１５とを含む。図８に示すように、上部真空シーリング面４０６は、従来の上部チャンバ部２４４の上部真空シーリング面よりも大きく、これによりウィンドウ２０４とともに熱遷移を改善する。下側チャンバ部２５０への熱遷移を最小にするために、上側チャンバ部４００は、シリンダの薄壁化された部分により形成された熱チョーク４１４を含む。好ましくは、熱チョーク４１４の厚みは、６．３５ｍｍ（０．２５インチ）より小さく、より好ましくは、約２．５４ｍｍから３．１７５ｍｍ（０．１０インチから０．１２５インチ）厚であるとよい。熱チョークの長さは、好ましくは、少なくとも１２．７ｍｍ（０．５インチ）、より好ましくは、少なくとも２５．４ｍｍｍ（１インチ）あるとよい。熱チョークは、真空シーリング面４０８の付近で始まり、シリンダの熱容量部４１６で終わるのが望ましい。フランジ４０４は、熱チョーク４１４の外側表面４２２とともにＶ型形状溝４２０を形成する傾斜表面４１８を含む。熱容量部４１６は、上部保持表面４１５から少なくとも５０．８ｍｍ（２インチ）、望ましくは５４．６１ｍｍ（２．１５インチ）離れた水平表面４２４で始まるとよい。
【００２６】
図８から図１２に示す実施形態では、外側表面４１２には、加熱および冷却配備２４６を受入れるためにフランジ４０２と環状リム４２６との間に窪みがある。外側表面４１２の穴に入れるアライメントピン４３０は、加熱および冷却配備２４６を位置決めするために使用できる。上部フランンジ４０２の周辺に間隔を置いて設けられた、一連の取付穴４３２は、ＲＦコイル２３１を含むＲＦコイルアセンブリを取付るために使用できる。上部真空シーリング面４０６の取付け中にウィンドウ２０４を破損から守るためのバンパーや取付および取外しのため上側チャンバ部を固定する機構のような他の装置と連携した、その他の穴やスロットを上部フランジ４０２に設けることができる。単一または複数ゾーンの温度コントロールのために、１つ以上の温度プローブ取付穴を外側表面４１２に設けることができる。
【００２７】
好ましい実施形態では、上側チャンバ部４００は、モノリシックのアルミニウムのシリンダで、真空シーリング面４０６の内端で内径が４５．７２ｃｍ（１８インチ）、上部フランジ４０２の外端で外径が５５．２５ｃｍ（２１．７５インチ）、下部真空シーリング面４０８の内端で内径が５３．７ｃｍ（２１．１５インチ）、そして下部フランジ４０４の外端で外径が５７．１ｃｍ（２２．４８インチ）であることが望ましい。上部真空シーリング面のＯリング溝は、４６．２８ｃｍから４６．４ｃｍ（１８．２２０インチから１８．２７５インチ）の直径上に配置され、また下部真空シーリング面のＯリング溝は、約５４．５ｃｍ（２１．４５インチ）の直径上に配置され、更にＲＦガスケットのＯリング溝は、約５５．７３ｃｍ（２１．９４インチ）の直径上に配置される。上部保持表面の内端は、４９．８４ｃｍ（１９．６２５インチ）の直径を有する。
【００２８】
本考案は、いくつかの好ましい実施形態の用語で記載してきたが、この考案の範囲内に入る変更、置き換えおよび等価なものが存在する。例えば、本考案は、Ｌａｍ  Ｒｅｓｅａｃｈ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎからのプラズマ処理システム（例：ＥｘｅｌａｎＴＭ、 ＥｘｅｌａｎＴＭ ＨＰ、 ＥｘｅｌａｎＴＭ ＨＰＴ、 ２３００ＴＭ、 ＶｅｒｓｙｓＴＭ Ｓｔａｒなど）について記載したが、他のプラズマ処理システムに適用することができる。また本考案は、いろいろな半径（例：２００ｍｍ、３００ｍｍなど）の基板を用いて利用できる。さらに、アルミニウム以外の材料、例えばセラミックも使用できる。
【００２９】
例示的な実施形態およびベストモードを開示してきたが、以下の請求項で定義される本考案の主題やスピリットの範囲に留まる限り、開示した実施形態に変更やバリエーションを加えることは可能である。
【図１】
0003162873.tif 000003
【図２】
0003162873.tif 000004
【図３】
0003162873.tif 000005
【図４】
0003162873.tif 000006
【図５】
0003162873.tif 000007
【図６】
0003162873.tif 000008
【図７】
0003162873.tif 000009
【図８】
0003162873.tif 000010
【図９】
0003162873.tif 000011
【図１０】
0003162873.tif 000012
【図１１】
0003162873.tif 000013
【図１２】
0003162873.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月16日(2010.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】実用新案登録請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を処理可能な、プラズマ反応チャンバの交換可能な上側チャンバ部であって、
円錐状内部表面の上端で最も表面が広がる前記円錐状内部表面と、前記円錐状内部表面から水平に外方に突き出した上部フランジと、前記円錐状内部表面から水平に突き出した下部フランジと、を有するモノリシック金属シリンダと、
前記プラズマ反応チャンバの誘電窓に対してシールするよう構成された上部環状真空シーリング面と、
前記プラズマ反応チャンバの下方部に対してシールするよう構成された下部環状真空シーリング面と、
前記モノリシック金属シリンダの上方部の熱容量部であって、前記円錐状内部表面と前記上部フランジから垂直に広がる外側表面との間の前記シリンダの一部分で定義され、前記円錐状内部表面のアジマス方向の温度均一性を与えるのに効果的な熱容量部と、
前記下部環状真空シーリング面を通る熱遷移を最小とするのに効果的な、前記モノリシック金属シリンダの下方部の熱チョークであって、６．３５ｍｍ（０．２５インチ）より小さい厚みを有し、前記円錐状内部表面の長さの少なくとも約２５％の長さで突き出した薄い金属部によって形成される熱チョークと、
を備えることを特徴とする交換可能上側チャンバ部。
【請求項２】
前記上部および下部環状真空シーリング面は、Ｏリングを受け入れるように構成された少なくとも１つの環状溝を含むことを特徴とする請求項１に記載の交換可能な上側チャンバ部。
【請求項３】
前記上部フランジは、水平方向に少なくとも２５．４ｍｍ（１インチ）突き出した保持面を有し、前記上部環状真空シーリング面は、少なくとも２５．４ｍｍ（１インチ）水平方向に突き出ており、前記外側表面は、該外側表面の下端で前記円錐状内部表面から少なくとも２５．４ｍｍ（１インチ）離れ、前記外側表面は、該外側表面の上端で前記円錐状内部表面から少なくとも５０．８ｍｍ（２インチ）離れていることを特徴とする請求項１に記載の交換可能な上側チャンバ部。
【請求項４】
前記プラズマ反応チャンバの下側チャンバ部上への前記上側チャンバ部の取付けおよび取外しに使用される昇降機と係合するための取付穴を備えることを特徴とする請求項１に記載の交換可能な上側チャンバ部。
【請求項５】
前記外側表面は窪みを有し、前記外側表面上に、加熱および冷却配備を位置決めに使用されるアライメントピンを受入れるように構成されたアライメントピンホールを含むことを特徴とする請求項１に記載の交換可能な上側チャンバ部。
【請求項６】
前記上部フランジに及ぶ、少なくとも１つの温度プローブ用取付穴を含むことを特徴とする請求項１に記載の交換可能な上側チャンバ部。
【請求項７】
前記円錐状内部表面は、ガス噴射器を取付るように構成された複数の取付穴を含むことを特徴とする請求項１に記載の交換可能な上側チャンバ部。
【請求項８】
前記上部フランジは、前記誘電窓上のＲＦコイルの位置決めをするＲＦコイル取付配備を受入れるように構成された取付穴を含むことを特徴とする請求項１に記載の交換可能な上側チャンバ部。
【請求項９】
前記円錐状内部表面は、該表面に熱溶射されたイットリアコーティングを含むことを特徴とする請求項１に記載の交換可能な上側チャンバ部。
【請求項１０】
前記モノリシック金属シリンダは、陽極酸化アルミニウムであることを特徴とする請求項１に記載の交換可能な上側チャンバ部。