Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月3日(2014.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクジェット印刷装置の液体インクを供給するためのシステムであって、
前記インクジェット印刷装置によって排出される液体インクを格納するためのインク槽によって構成されたインクジェット印刷装置と、
前記インク槽と流体連結する複数のインクジェット排出器であって、各インクジェット排出器は、前記インク槽からインクを受け取り、前記各インクジェット排出器において形成された開口から前記インクを排出するように構成されている、前記複数のインクジェット排出器と、
前記複数のインクジェット排出器を介して前記インク槽から除去されたインクを受け取るように構成されている前記複数のインクジェット排出器に隣接して取り付けられ、前記インク槽に流動的に連結されている放出口を有する、容器であって、前記インク槽は、前記インクが前記インク槽に流れることができ、前記インクを前記インク槽から引き付けることができる、接続部を備えている、前記容器と、
前記容器の前記放出口に位置付けられた、前記容器の前記インクが前記インク槽に流れることができ、かつ、前記インク槽から前記容器の前記放出口を介して前記容器への前記インクの流れに抵抗することができるように構成されている、一方向弁と、
前記液体インクを受け取るための注入口、および、前記液体インクを前記インク槽に供給するための放出口を有する液体インクの入れ物と、
前記インク槽の前記接続部、および、前記液体インクの入れ物の前記放出口に、流動的に連結されている、導管と、
前記導管に動作可能に接続され、可逆的な操作用に構成された、ポンプと、
前記ポンプに動作可能に接続されており、前記液体インクの入れ物から前記接続部を介して前記インク槽に前記インクを供給するために第１方向に前記ポンプを操作し、前記一方向弁を開いて前記容器から前記容器の前記放出口を介して前記インク槽に前記インクを引き付けるために、前記インク槽の前記接続部において陰圧を発生させるために第２方向に前記ポンプを操作するように構成されている、制御装置とを含む、インク供給システム。
【請求項２】
前記インク槽の底から、第１チャンバと第２チャンバとに前記インク槽を分割する前記インク槽内の位置に伸びる堰と、
前記インク槽中の前記堰と前記接続部との間にある前記インク槽の前記第１チャンバの中に位置付けられた細孔を有し、第１圧力において前記インクが前記細孔を通過でき、前記第１圧力よりも大きい第２圧力において空気が前記細孔を通過することができるように構成されている、薄膜とをさらに含む、請求項１に記載のインク供給システム。
【請求項３】
前記薄膜と前記ポンプとの間の第１位置において前記導管に動作可能に接続されており、第２位置において前記インクの入れ物に動作可能に接続されており、前記第１圧力と前記第２圧力との間にある前記薄膜での圧力を規定するために、前記インクの入れ物から第２流体流出経路を介して前記第１位置にインクを流すことができるように構成されている、流量制限器をさらに含む、請求項２に記載のインク供給システム。
【請求項４】
前記制御装置は、さらに、前記第１方向に前記ポンプを操作して、第１の所定時間の間に前記インクを前記インク槽に注入し、また、前記第２方向に前記ポンプを操作して、第２の所定時間の間に前記容器から前記インク槽内へ前記インクを引き付けるように構成された、請求項１に記載のインク供給システム。
【請求項５】
前記第２の所定時間は、前記第１の所定時間よりも短い、請求項４に記載のインク供給システム。
【請求項６】
通気孔と、
前記通気孔を大気圧に開くための、前記通気孔に動作可能に接続されている作動装置と、
前記作動装置に動作可能に接続されており、さらに、前記通気孔を開くために、および、前記複数のインクジェット排出器が前記インク槽から前記インクを引き付け、前記インクジェット印刷装置から前記インクを排出することができるように、前記作動装置を選択的に操作するように構成された、前記制御装置とをさらに含む、請求項１に記載のインク供給システム。
【請求項７】
前記一方向弁から前記インク槽のあらかじめ定められた位置に伸びる第２導管をさらに含む、請求項６に記載のインク供給システム。
【請求項８】
前記あらかじめ定められた位置は、前記インク槽の満杯レベルよりも上である、請求項７に記載のインク供給システム。
【請求項９】
前記インク槽内において前記容器の前記放出口と前記複数のインクジェット排出器との間の位置に配置されたフィルタをさらに含む、請求項７に記載のインク供給システム。
【請求項１０】
前記インク槽の幅に広がり、前記インク槽の底から、前記インク槽の高さ未満であるあらかじめ定められた位置に伸びる壁と、
前記インク槽の前記幅に広がり、前記インク槽の前記底から前記インク槽の一番高い所まで伸びるフィルタとを含み、
前記接続部、および、前記容器の前記放出口は、前記フィルタの一側面に位置付けられており、前記壁が、前記フィルタの反対側面に位置付けられている、請求項１に記載のインク供給システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インク供給システム
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月30日(2014.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶けた相転移インクの滴を放出するように構成されたインクジェット画像装置と、
相転移インクを溶かして、前記溶けたインクを前記インクジェット画像装置に送出するように構成された相転移インク溶融システムと、
前記インクジェット画像装置と前記相転移インク溶融システムとを動作可能に支持して取り囲むハウジングと、
前記ハウジングの中に動作可能に接続されたインクローダとを含み、前記インクローダは複数の供給チャネルを有しており、各供給チャネルは、その経路に沿ってインクスティックを供給方向の前記溶融装置の方へ動かす供給経路を形成し、各供給チャネルの少なくとも一部分は、（ｉ）前記供給チャネルが前記ハウジングの中に位置する第１の位置と、（ｉｉ）少なくとも１つの供給チャネルの中に固体インクを挿入できるようにするために、前記少なくとも１つの供給チャネルの少なくとも一部分が前記ハウジングの外部にある第２の位置との間で、前記ハウジングに対して動くように構成されており、
各供給チャネルが、前記第１の位置と前記第２の位置との間で移動するように構成された前記供給チャネルの前記部分の中に位置する挿入領域を有しており、
各供給チャネルの前記可動部分が、前記供給経路の全長よりも短い前記供給チャネルにより形成された前記供給経路の一部分を含んでおり、
前記可動部分が、前記挿入領域からの固体インクの動きが抑制されている保持位置と、前記挿入領域からの固体インクの動きが可能であるクリア位置とに移動するように構成されたインク保持器を含み、前記インクローダの前記可動部分が前記第１の位置から離れているときには、前記インク保持器は前記保持位置に移動するように構成されており、前記可動部分が前記第２の位置にあるときには、前記インク保持器は前記クリア位置に移動するように構成されている、相転移インク画像装置。
【請求項２】
各供給チャネルの前記可動部分が、前記供給チャネルにより形成された前記供給経路の一部分に対して実質的に垂直な動きを行うように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
各供給チャネルの前記可動部分が、前記相転移インク溶融システムの相転移インク溶融装置を含んでいる、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記インクローダが、インクスティックを前記供給方向に送るように構成された固体インク搬送システムをさらに含んでいる、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記固体インク搬送システムが、各供給チャネルの前記挿入領域から前記供給方向とは逆の後退方向にインクスティックを移動させるように構成されている、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
各供給チャネルが、前記挿入領域から前記後退方向に動かされた固体インクを受け取るように構成された領域を含んでいる、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記インクローダの各供給チャネルの前記挿入領域の中に挿入された固体インクスティックを特定するように構成された検出器システムをさらに含み、前記検出器システムは前記インクローダの前記可動部分といっしょに動くように構成されている、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記インクローダの各供給チャネルの前記挿入領域の中に挿入された固体インクスティックを特定するように構成された検出器システムをさらに含み、各供給チャネルの前記可動部分は前記検出器システムを基準にして動くように構成されている、請求項６に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】相転移インク画像装置
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月28日(2014.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形型内に強化繊維基材からなる積層体を配置し、該積層体の両面に樹脂注入口から延在する前記強化繊維基材よりも樹脂流動抵抗が低い樹脂拡散媒体を配置するとともに、樹脂吸引口から延在する樹脂吸引媒体を前記積層体に接触するように配置し、前記成形型内を該樹脂吸引媒体を介して真空吸引することにより減圧した後、該成形型内に前記樹脂拡散媒体を介して樹脂を注入し、前記積層体に樹脂を含浸させる繊維強化プラスチックの製造方法において、樹脂吸引媒体は、実質的に樹脂注入口と反対側に位置する該積層体の厚みによって形成される側壁に沿って接触するように配置され、前記樹脂吸引媒体の先端の一部が積層体の層間に挿入されていることを特徴とする繊維強化プラスチックの製造方法。
【請求項２】
積層体の厚みによって形成される側壁に沿って接触するように配置される前記樹脂吸引媒体は、前記積層体の両面から積層体内に含浸した樹脂が合流する層間を含むように配置されることを特徴とする請求項１に記載の繊維強化プラスチックの製造方法。
【請求項３】
積層体の厚みよって形成される側壁に沿って接触するように配置される前記樹脂吸引媒体は、前記積層体の厚み中央部を含むように配置することを特徴とする請求項２に記載の繊維強化プラスチックの製造方法。
【請求項４】
樹脂吸引媒体と積層体の厚みによって形成される側壁との間に、封止固定材を介して前記樹脂吸引媒体が固定されてなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の繊維強化プラスチックの製造方法。
【請求項５】
前記封止固定材は、前記積層体の厚みと実質的に同じ高さを有し、前記積層体の厚み中央部に高さ０．１〜５ｍｍ、幅０．１〜５０ｍｍの樹脂吸引口を有することを特徴とする請求項４に記載の繊維強化プラスチックの製造方法。
【請求項６】
前記樹脂拡散媒体が配置される積層体の面上において、前記樹脂吸引媒体が配置されている側壁との間に樹脂拡散媒体の配置されていない隙間を有することを特徴する請求項１〜５のいずれかに記載の繊維強化プラスチックの製造方法。
【請求項７】
前記樹脂吸引媒体は、積層体の厚みによって形成される側壁に沿って接触し、積層体から吸引する箇所以外の箇所を気密材料で覆うことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の繊維強化プラスチックの製造方法。
【請求項８】
前記樹脂拡散媒体の樹脂流動抵抗は前記強化繊維基材の樹脂流動抵抗の１／１０以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の繊維強化プラスチックの製造方法。
【請求項９】
前記樹脂吸引媒体の樹脂流動抵抗は前記強化繊維基材の樹脂流動抵抗の１／３以下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の繊維強化プラスチックの製造方法。
【請求項１０】
樹脂吸引媒体の少なくとも一部を、積層体内に残存させることを特徴とする請求項１に記載の繊維強化プラスチックの製造方法。
【請求項１１】
前記積層体は、実質的に強化繊維が一方向にのみ配列していることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の繊維強化プラスチックの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記の課題を達成するために、本発明の繊維強化プラスチックの製造方法は、成形型内に強化繊維基材からなる積層体を配置し、該積層体の両面に、樹脂注入口から延在し、前記強化繊維基材よりも樹脂流動抵抗が低い樹脂拡散媒体を配置するとともに、樹脂吸引口から延在する樹脂吸引媒体を前記積層体に接触するように配置し、該樹脂吸引媒体を介して前記成形型内を真空吸引することにより減圧した後、該成形型内に前記樹脂拡散媒体を介して樹脂を注入し、前記積層体に樹脂を含浸させる繊維強化プラスチックの製造方法において、樹脂吸引媒体は、実質的に樹脂注入口と反対側に位置する該積層体の厚みによって形成される側壁に沿って接触するように配置し、前記樹脂吸引媒体の先端の一部を積層体の層間に挿入して、樹脂を当該積層体の両面から注入、含浸させるものである。このように積層体の両面から樹脂を含浸させる方法により、一方の面のみから樹脂を注入、含浸する方法に比べて、樹脂の含浸厚みを大幅に向上することができると共に、樹脂吸引媒体を積層体の厚みの側壁に配置し、前記樹脂吸引媒体の先端の一部を積層体の層間に挿入することにより、樹脂を積層体の樹脂注入口側から樹脂吸引口側に向かって厚み方向に含浸させた後、積層体の厚み方向に含浸した樹脂を樹脂吸引媒体から吸引することが可能となり、樹脂のショートパスの形成による未含浸の発生を抑制することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
樹脂吸引媒体は、成形後に繊維強化プラスチックから取り除くことができる。樹脂拡散媒体は多くの場合、繊維強化プラスチックとして用いられる部材ではないために取り除かれる。樹脂吸引媒体においても、積層体との間に剥離用のピールプライなどを介して積層体の厚みによって形成される側壁に沿って接触するように配置することにより、成形後に容易に剥がして、取り除くことができる。そのため、切断などの後加工が不要であり、製造時間を短縮できる効果が期待できる。そのため、成形体の寸法が大きいほど、その効果が大きくなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
一方、積層体の厚みよって形成される側壁にそって接触するように配置される樹脂吸引媒体の先端の一部が積層体の層間に挿入されていることが重要である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月7日(2014.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データに基づいて画素データを順次生成する描画処理を実行し、前記描画処理の実行によって生成される画素データを、画素データに対して所定の画像処理を実行する画像処理手段に出力する描画手段を有し、
前記描画手段は、前記描画処理の実行中に前記描画処理の実行の停止指示を受け付けた場合に、所定の画素値の画素データを前記画像処理手段に出力することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記画像処理手段は、所定の画素数単位で、画素データに対する画像処理を実行することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記画像処理手段は、前記所定の画像処理の実行を開始してから前記所定の画素数分の画素データに対して前記所定の画像処理を実行し終えることで、前記所定の画像処理の実行を停止することを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記描画手段は、前記描画処理の実行中に前記描画処理の実行の停止指示を受け付けた場合に、前記画像処理手段が前記所定の画像処理の実行を停止するために要する画素数分の前記所定の画素値の画素データを前記画像処理手段に出力することを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記描画処理の実行中に前記描画処理の実行の停止指示を受け付けた場合における、前記画像処理手段が前記所定の画像処理の実行を停止するために要する画素数は、前記描画処理の実行中に前記描画処理の実行の停止指示を受け付けた場合における、前記描画処理の実行によって生成される画素データの画素数に基づいて決定されることを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記描画手段は、前記所定の画素数と、前記描画処理の実行中に前記描画処理の実行の停止指示を受け付けた場合における、前記描画処理の実行によって生成される画素データの画素数との差の画素数を、前記描画処理の実行中に前記描画処理の実行の停止指示を受け付けた場合における、前記画像処理手段が前記所定の画像処理の実行を停止するために要する画素数として決定することを特徴とする請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記描画手段は、前記描画処理の実行中に前記描画処理の実行の停止指示を受け付けた場合に、当該停止指示を受け付けた際に前記描画処理の実行によって画素データが生成されているスキャンラインの次のスキャンラインから最終のスキャンラインまでに含まれる画素数を、前記描画処理の実行中に前記描画処理の実行の停止指示を受け付けた場合における、前記画像処理手段が前記所定の画像処理の実行を停止するために要する画素数として決定することを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記描画手段は、前記描画処理の実行中に前記描画処理の実行の停止指示を受け付けた場合に、当該停止指示を受け付けた際に前記描画処理の実行によって画素データが生成されているスキャンラインについては前記描画処理を実行し続けることを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記描画処理の実行中とは、前記描画処理の実行による前記所定の画素数分の画素データの生成が未完了の状態のことであることを特徴とする請求項２乃至８のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記所定の画素数とは、１ページ分の画素数のことであることを特徴とする請求項２乃至９のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記描画手段は、前記描画処理の実行中に前記描画処理の実行の停止指示を受け付けた場合に、前記描画処理の実行を停止することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項１２】
前記描画手段による前記描画処理の実行が前記画像データのデータ量を削減するためになされるか否かを判定する判定手段を更に有し、
前記描画手段による前記描画処理の実行が前記画像データのデータ量を削減するためになされると判定された場合、
前記描画手段は、前記描画処理の実行によって生成された画素データを前記画像処理手段ではなく記憶手段に出力し、
前記描画手段は、前記描画処理の実行中に前記描画処理の実行の停止指示を受け付けた場合に、前記描画手段に対して前記描画処理の実行の停止を指示し、かつ、前記所定の画素値の画素データを前記画像処理手段に出力せず、
前記描画手段による前記描画処理の実行が前記画像データのデータ量を削減するためになされると判定されなかった場合、
前記描画手段は、前記描画処理の実行によって生成された画素データを前記画像処理手段に出力し、
前記描画手段は、前記描画処理の実行中に前記描画処理の実行の停止指示を受け付けた場合に、前記描画手段に対して前記描画処理の実行の停止を指示し、かつ、前記所定の画素値の画素データを前記画像処理手段に出力する
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項１３】
前記所定の画像処理は、ハーフトーン処理であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項１４】
前記画像データは、ＰＤＬデータから生成される中間データであることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項１５】
画像データに基づいて画素データを順次生成する描画処理を実行し、前記描画処理の実行によって生成される画素データを、画素データに対して所定の画像処理を実行する画像処理手段に出力する描画工程を有し、
前記描画工程において、前記描画処理の実行中に前記描画処理の実行の停止指示を受け付けた場合に、所定の画素値の画素データを前記画像処理手段に出力することを特徴とする画像形成方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の画像形成装置の各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置、画像形成方法、およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は以下の構成を有する。すなわち、画像形成装置であって、画像データに基づいて画素データを順次生成する描画処理を実行し、前記描画処理の実行によって生成される画素データを、画素データに対して所定の画像処理を実行する画像処理手段に出力する描画手段を有し、前記描画手段は、前記描画処理の実行中に前記描画処理の実行の停止指示を受け付けた場合に、所定の画素値の画素データを前記画像処理手段に出力する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月10日(2014.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ハロゲン、一般的に塩素の存在は、パラフィンおよびナフテンの異性化反応ならびにパラフィンの環化反応のための十分な酸機能を触媒が有するためには必須である。反応条件下に、供給原料中および反応装置中の水の存在に起因して触媒上の塩素含有量は減少する。水は、最も不安定な塩素原子を同伴し、数多くの不利な点をもたらす。溶出した塩素は触媒の床を通過し、この床の下流に位置する触媒上の塩素量が増加する。このことは、触媒上の塩素含有量が床全体にわたって均一でないことを意味する。より高い酸度を有し、炭化水素の分解ならびに触媒のコークス化を促進する帯域が生み出される。触媒中の塩素含有量を一定に保つために、塩素化された前駆体を装置中に連続的に注入することが必要である。触媒の塩素保持が乏しい場合、この注入速度は速くなる。しかし、塩素は、改質装置中の腐食の元である。したがって、触媒中の塩素保持の増加に努めることは重要である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
床中の触媒は、粒子（ビーズであってもよい）、押出物（多葉であってもよい）、ペレットの形態、または日常的に使用されるあらゆる他の形態である。好ましくは、触媒は押出物の形態である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月13日(2014.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子から放出された光経路上に配置されたレンズ状の密封部材と、
前記密封部材内に封入され、量子点を含む波長変換部と、を含み、
前記密封部材は、外部面及び前記発光素子に向かう内部面を備え、前記外部面及び前記内部面は、前記発光素子の上部に向かって凸形状を有することを特徴とする発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記発光素子は、凸状の前記内部面で囲まれるように配置されたことを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記密封部材において、前記内部面で定義される空間に充填された透明封止材をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
一対のリードフレームをさらに含み、前記一対のリードフレームの一方は前記発光素子の実装領域に提供されることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記発光素子と前記一対のリードフレームを電気的に接続する導電性ワイヤをさらに含み、前記導電性ワイヤは凸状の前記内部面で囲まれるように配置されたことを特徴とする請求項４に記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記発光素子の実装領域を提供し、前記発光素子から放出された光を前記密封部材が位置する方向に反射するパッケージ本体をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記発光素子に電気信号を伝達するための導電性ワイヤをさらに含み、前記導電性ワイヤの少なくとも一部は前記パッケージ本体の内部に形成されたことを特徴とする請求項６に記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
発光素子と、
前記発光素子の一面に付着された密封部材と、
前記密封部材内に封入され、量子点を含む波長変換部と、
前記発光素子において、前記密封部材の反対側に配置された一対の電極と、を含むことを特徴とする発光素子パッケージ。
【請求項９】
前記発光素子において、前記密封部材が付着された面を除いた面を覆うように形成され、前記発光素子から放出された光を前記密封部材が位置する方向に反射するパッケージ本体をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記パッケージ本体は、前記一対の電極を外部に露出させるように形成されたことを特徴とする請求項９に記載の発光素子パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】量子点を利用した発光素子パッケージ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、量子点を利用した発光素子パッケージに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の目的は、量子点を安定した形態で利用できる発光素子パッケージを提供することにある。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月12日(2014.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する基板上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に光透過防止層を形成し、
前記光透過防止層上にポジ型の感光性を有するフォトレジスト層を形成し、
前記フォトレジスト層にフォトマスクを介して前記フォトレジスト層が感光する光を照射して、前記光透過防止層上にレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクと重なる領域を残して前記光透過防止層を除去し、
前記光透過防止層と重なる領域を残して前記酸化物半導体層を除去し、
前記光透過防止層は、酸化物半導体が吸収する波長帯の光を吸収又は反射する機能を有することを特徴とする半導体膜の作製方法。
【請求項２】
透光性を有する基板上に光透過防止層を形成し、
前記光透過防止層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上にポジ型の感光性を有するフォトレジスト層を形成し、
前記フォトレジスト層にフォトマスクを介して前記フォトレジスト層が感光する光を照射して、前記酸化物半導体層上にレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクと重なる領域を残して前記酸化物半導体層を除去し、
前記光透過防止層は、酸化物半導体が吸収する波長帯の光を吸収又は反射する機能を有することを特徴とする半導体膜の作製方法。
【請求項３】
透光性を有する基板上に互いに離間したソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の端部並びに当該間隙を覆う酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に光透過防止層を形成し、
前記光透過防止層上に、ポジ型の感光性を有するフォトレジスト層を形成し、
前記フォトレジスト層にフォトマスクを介して前記フォトレジスト層が感光する光を照射して、前記光透過防止層上に前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の端部並びに当該間隙に重畳するレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクと重なる領域を残して前記光透過防止層を除去し、
前記光透過防止層と重なる領域を残して前記酸化物半導体層を除去し、
前記酸化物半導体層に接してゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層に接し、前記間隙と重畳するゲート電極層を形成し、
前記光透過防止層は、酸化物半導体が吸収する波長帯の光を吸収又は反射する機能を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
透光性を有する基板上に光透過防止層を形成し、
前記光透過防止層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上にポジ型の感光性を有するフォトレジスト層を形成し、
前記フォトレジスト層にフォトマスクを介して前記フォトレジスト層が感光する光を照射して、前記酸化物半導体層上にレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクと重なる領域を残して前記酸化物半導体層を除去し、
前記酸化物半導体層と接し、互いに離間したソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体層並びに前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層に接してゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層と接し、前記酸化物半導体層並びに前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の間隙と重畳するゲート電極層を形成し、
前記光透過防止層は、酸化物半導体が吸収する波長帯の光を吸収、又は反射するする機能を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月17日(2014.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域を有する酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層上に接して、前記酸化物半導体層と同形状の絶縁膜を有し、
前記絶縁膜は、プラズマ化学気相成長法によりフッ化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
チャネル形成領域を有する酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層上に接して、前記酸化物半導体層と同形状の第１の絶縁膜を有し、
前記酸化物半導体層及び前記第１の絶縁膜を覆う第２の絶縁膜を有し、
前記第１の絶縁膜は、プラズマ化学気相成長法によりフッ化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第２の絶縁膜は、プラズマ化学気相成長法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記第１の絶縁膜の膜厚は、前記第２の絶縁膜の膜厚より薄いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月12日(2014.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層に接する第１の導電層および第２の導電層と、
前記酸化物半導体層、前記第１の導電層および前記第２の導電層上の絶縁層と、
前記絶縁層上の第３の導電層および第４の導電層とを有し、
前記第１の導電層は、ソース電極およびドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
前記第２の導電層は、ソース電極およびドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第４の導電層は、前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極と重なる第１の領域を有し、
前記第１の導電層は、前記第１の領域において、前記酸化物半導体層と接し、
前記第２の導電層は、前記第１の領域において、前記酸化物半導体層と接し、
前記第３の導電層は、前記第１の領域を介して、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体層のチャネル長方向の長さは、前記ゲート電極のチャネル長方向の長さよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層に接する第１の導電層および第２の導電層と、
前記酸化物半導体層、前記第１の導電層および前記第２の導電層上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第５の導電層と、
前記第５の導電層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第３の導電層および第４の導電層と、を有し、
前記第１の導電層は、ソース電極およびドレイン電極の一方として機能する領域を有し、
前記第２の導電層は、ソース電極およびドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
前記第５の導電層は、第２のゲート電極として機能する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第４の導電層は、前記第２の導電層と電気的に接続され、
前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極と重なる第１の領域を有し、
前記第１の導電層は、前記第１の領域において、前記酸化物半導体層と接し、
前記第２の導電層は、前記第１の領域において、前記酸化物半導体層と接し、
前記第３の導電層は、前記第１の領域を介して前記ゲート電極と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体層のチャネル長方向の長さは、前記ゲート電極のチャネル長方向の長さよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体層のチャネル幅方向の端部の一方は、前記ゲート電極と重なる領域に位置し、
前記酸化物半導体層のチャネル幅方向の端部の他方は、前記ゲート電極のチャネル幅方向の端部の外側に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第３の導電層は、前記第１の領域と重なる領域において前記第１の導電層と接する領域を有し、
前記第４の導電層は、前記第１の領域と重なる領域において前記第２の導電層と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月22日(2014.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体上に、ゲート電極として機能する第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層を覆う第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の導電層と一部が重畳するように、前記第１の絶縁層上に酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続される一対のソース電極及びドレイン電極を含む第２の導電層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層および前記第２の導電層を覆う第２の絶縁層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層に、酸素、ハロゲンから選ばれた一、またはそれらの内の２元素以上を含む陽イオンを添加する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁体上に酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極を含む第１の導電層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層および前記第１の導電層を覆う絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上に、前記酸化物半導体層と一部重畳するゲート電極として機能する第２の導電層を形成する工程と、
前記酸化物半導体層に、酸素、ハロゲンから選ばれた一、またはそれらの内の２元素以上を含む陽イオンを添加する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月7日(2014.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有するメモリセルと、
第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、を有し、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第４の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタはバックゲートを有し、
前記バックゲートは前記第１の配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を有するメモリセルと、
第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第５の配線と、を有し、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第４の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３の配線に電気的に接続され、
前記容量素子の第１の電極は、前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記容量素子の第２の電極は、前記第５の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタはバックゲートを有し、
前記バックゲートは前記第１の配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタは、シリコン、ゲルマニウム、炭素またはガリウムを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月2日(2014.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部電極と下部電極とが対向してチャンバー内に備えられたプラズマ処理装置であって、
前記上部電極と、前記上部電極を覆うチャンバー壁との間の空間は、陽圧の不活性ガス雰囲気であり、
前記上部電極と、前記上部電極を覆う前記チャンバー壁とは、同軸形状であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記上部電極は、整合器と電気的に接続されており、
前記整合器は、前記空間に設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記上部電極はヒーターを有し、
前記空間は、冷却された不活性ガス雰囲気であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月29日(2014.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチアレイであって、
バイア構造をその内部に含まない第１の導電性基板（２２）と、
前記第１の導電性基板（２２）の第１の表面上に配置された第１の表面を有する電気的絶縁層（２４）と、
前記電気的絶縁層（２４）の前記第１の表面の反対側の前記電気的絶縁層（２４）の第２の表面に近接して配置された可動アクチュエータ（２６）と、
前記可動アクチュエータ（２６）に電気的に結合され、前記電気的絶縁層（２４）を貫通し、前記ＭＥＭＳスイッチアレイの電気的閉止状態の間に切り替えられる電流の流れが確立するようにする少なくとも１つの基板コンタクト（２８）と、
を備え、
前記第１の導電性基板（２２）が、前記電流の流れの導電経路を定める、ＭＥＭＳスイッチアレイ。
【請求項２】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチアレイであって、
前記ＭＥＭＳスイッチアレイの少なくとも一部によって共有され、バイア構造をその内部に含まない第１の導電性基板（２２）と、
前記第１の導電性基板（２２）の第１の表面上に配置された第１の表面を有する電気的絶縁層（２４）と、
前記電気的絶縁層（２４）の前記第１の表面の反対側の前記電気的絶縁層（２４）の第２の表面に近接して配置された複数の可動アクチュエータ（２６）と、
前記複数の可動アクチュエータ（２６）の少なくとも１つに電気的に結合され、前記電気的絶縁層（２４）を貫通して、前記ＭＥＭＳスイッチアレイの電気的閉止状態の間に切り替えられる電流の流れが確立するようにする少なくとも１つの基板コンタクト（２８）と、
少なくとも導電性基板領域を含むカバー基板（５０）と、
を備え、
前記第１の導電性基板（２２）が、前記電流の流れの導電経路を定める、ＭＥＭＳスイッチアレイ。
【請求項３】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチアレイであって、
前記ＭＥＭＳスイッチアレイの少なくとも一部によって共有され、バイア構造をその内部に含まない導電性のキャリア基板（２２）と、
前記キャリア基板（２２）の第１の表面上に配置された第１の表面を有する電気的絶縁層（２４）と、
前記電気的絶縁層（２４）の前記第１の表面の反対側の前記電気的絶縁層（２４）の第２の表面に近接して配置された複数の可動アクチュエータ（２６）と、
前記複数の可動アクチュエータ（２６）の少なくとも１つに電気的に結合され、前記電気的絶縁層（２４）を貫通して、前記ＭＥＭＳスイッチアレイの電気的閉止状態の間に切り替えられる電流の流れが確立するようにする少なくとも１つの基板コンタクト（２８）と、
バイア構造をその内部に含まない導電性のカバー基板（５０）と、
を備え、
前記キャリア基板（２２）が、界面コンタクト（５２、６０）を介して前記カバー基板（５０）の少なくとも導電性領域に電気的に結合されて、前記スイッチングアレイの電気的閉止状態の間に電流の流れの導電経路を定める、ＭＥＭＳスイッチアレイ。
【請求項４】
少なくとも導電性基板領域を含む第２の基板（５０）を更に備え、
前記第１の基板（２２）の少なくとも導電性基板領域が、界面コンタクト（５２、６０）を介して前記第２の基板（５０）の少なくとも導電性領域に電気的に結合されて、前記スイッチングアレイの電気的閉止状態の間に電流の流れの導電経路を定めるようにする、請求項１乃至３のいずれかに記載のＭＥＭＳスイッチ（２０）アレイ。
【請求項５】
前記第１の基板（２２）がＭＥＭＳキャリア基板を含み、前記第２の基板（５０）がカバー基板を含む、請求項４に記載のＭＥＭＳスイッチ（２０）アレイ。
【請求項６】
前記導電経路が、前記第１及び第２の基板のそれぞれの厚みを越えて延びて、前記電流の流れが前記第１及び第２の基板のそれぞれの厚みを越えて通過する、請求項４または５に記載のＭＥＭＳスイッチアレイ。
【請求項７】
前記第１の基板（２２）の第２の表面上に配置されたオーミック界面（３２）と、切り替えられる電流フローを通すための前記第２の基板（５０）の第１の表面上に配置されるオーミック界面（５４）とを更に備える、請求項４乃至６のいずれかに記載のＭＥＭＳスイッチアレイ。
【請求項８】
前記界面コンタクトが、前記第１の基板（２２）を前記第２の基板（５０）に電気的に結合するよう配置された少なくとも１つの基板間コンタクト（５２）を含む、請求項４乃至７のいずれかに記載のＭＥＭＳスイッチアレイ。
【請求項９】
前記界面コンタクト（２８）が、前記第２の基板（５０）の第１の表面上に配置される少なくとも１つのビームコンタクト（６０）を含み、前記少なくとも１つのビームコンタクト（６０）が、前記スイッチングアレイの電気的閉止状態の間に前記複数の可動アクチュエータ（２６）の少なくとも１つの自由端を前記第２の基板（５０）に電気的に結合するよう配置されている、請求項４乃至８のいずれかに記載のＭＥＭＳスイッチアレイ。
【請求項１０】
前記基板コンタクト（２８）又は界面コンタクト（５２、６０）がオーミックコンタクトを含む、請求項４乃至９のいずれかに記載のＭＥＭＳスイッチアレイ。
【請求項１１】
前記ＭＥＭＳスイッチアレイが、交流（ＡＣ）パワースイッチングアレイを含み、前記電流の周波数の値が電源周波数を含む、請求項１乃至１０のいずれかに記載のＭＥＭＳスイッチアレイ。
【請求項１２】
前記ＭＥＭＳスイッチアレイが、直流（ＤＣ）パワースイッチングアレイを含む、請求項１乃至１０のいずれかに記載のＭＥＭＳスイッチアレイ。
【請求項１３】
前記スイッチングアレイの幾つかのＭＥＭＳスイッチを作動させるよう結合されたゲートライン（６４）を更に備え、前記ゲートライン（６４）が、該ゲートライン（６４）に結合された幾つかのＭＥＭＳスイッチの直列及び／又は並列回路相互接続構成の所望の組み合わせを作動させるように自由に配線される、請求項１乃至１２のいずれかに記載のＭＥＭＳスイッチアレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月3日(2014.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボトムカバーと、
前記ボトムカバーの内部に配置される発光モジュールと、
前記ボトムカバーの一側に装着される第１放熱部材と、
前記ボトムカバーの他側に配置され、前記発光モジュールと前記第１放熱部材との間において前記発光モジュールの熱を前記第１放熱部材に伝達する第２放熱部材と、
を含むことを特徴とするバックライトユニット。
【請求項２】
前記第２放熱部材は、
前記第１放熱部材と接触するように設けられる第１放熱部と、
前記発光モジュールと接触するように設けられる第２放熱部と、
を含むことを特徴とする、請求項１に記載のバックライトユニット。
【請求項３】
前記発光モジュールは、前記ボトムカバーの内部の一側に一列に配置され、
前記第２放熱部材の前記第２放熱部は、前記発光モジュールの下部に配置され、
前記第２放熱部材の前記第１放熱部は、前記第２放熱部から折り曲がって前記第１放熱部材と面接触するように設けられることを特徴とする、請求項２に記載のバックライトユニット。
【請求項４】
前記ボトムカバーの下部に設けられ、前記第２放熱部材の前記第１放熱部が前記第１放熱部材と接触状態を維持しながら装着され、前記ボトムカバーの内部と外部を連通させる装着溝をさらに含むことを特徴とする、請求項２または３に記載のバックライトユニット。
【請求項５】
前記装着溝は、前記第２放熱部材に対応して配置されることを特徴とする、請求項４に記載のバックライトユニット。
【請求項６】
前記装着溝の幅は、前記第２放熱部材の幅と同一であることを特徴とする、請求項４または５に記載のバックライトユニット。
【請求項７】
前記第１放熱部材は、前記ボトムカバーの背面に一方向に装着され、
前記第１放熱部材の一端部は前記ボトムカバーの背面の一端部を経て前記第２放熱部材の前記第１放熱部と面接触するように延在することを特徴とする、請求項２乃至６のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項８】
前記第１放熱部材は、複数個が前記ボトムカバーの背面に配置され、相互離隔して配置されることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項９】
前記発光モジュールは、モジュール基板と、前記モジュール基板の上面に設けられる発光素子と、を含み、
前記第２放熱部材は、前記モジュール基板の側面及び前記第１放熱部材の上面に接触する第１放熱部と、前記モジュール基板の下面に接触する第２放熱部と、を含むことを特徴とする、請求項１に記載のバックライトユニット。
【請求項１０】
前記モジュール基板の側面と前記第１放熱部とは第１接着剤を介して接触し、前記モジュール基板の下面と前記第２放熱部とは第２接着剤を介して接触することを特徴とする、請求項９に記載のバックライトユニット。
【請求項１１】
前記第２放熱部材の前記第１放熱部は、前記第１放熱部材の上面に平行に配置され、前記第２放熱部材の前記第２放熱部は、前記第１放熱部材の上面に垂直に配置されることを特徴とする、請求項９または１０に記載のバックライトユニット。
【請求項１２】
前記第１放熱部の上面には反射シートが配置され、前記第１放熱部の下面には前記第１放熱部材が配置されることを特徴とする、請求項９乃至１１のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項１３】
前記第１放熱部は、相対向する第１端部と第２端部を有し、前記第１放熱部の第１端部は前記ボトムカバーの端部に接触し、前記第１放熱部の第２端部は前記第２放熱部の端部に接触することを特徴とする、請求項９乃至１２のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項１４】
ボトムカバーと、
前記ボトムカバーの内部に配置される発光モジュールと、
前記ボトムカバーの一側に装着される第１放熱部材と、
前記ボトムカバーの他側に配置され、前記発光モジュールと前記第１放熱部材との間において前記発光モジュールの熱を前記第１放熱部材に伝達する第２放熱部材と、
前記発光モジュールの出光方向に配置される導光板と、
前記導光板上に配置される光学シートと、
前記光学シート上部に配置されるディスプレイパネルと、
を含むことを特徴とする、バックライトユニットを備える表示装置。
【請求項１５】
前記発光モジュールは、前記ボトムカバーの内部の一側に一列に配置され、
前記第２放熱部材は、前記第１放熱部材と接触するように設けられる第１放熱部と、前記発光モジュールの下部に設けられて前記発光モジュールと接触する第２放熱部と、を含み、
前記第１放熱部と前記第２放熱部は一体として形成されることを特徴とする、請求項１４に記載のバックライトユニットを備える表示装置。
【請求項１６】
前記第２放熱部材の前記第１放熱部は前記第１放熱部材の上面に対して平行に配置され、前記第２放熱部材の前記第２放熱部は前記第１放熱部材の上面に対して垂直に配置されることを特徴とする、請求項１５に記載のバックライトユニットを備える表示装置。
【請求項１７】
前記第１放熱部の上面上には反射シートが配置され、前記第１放熱部の下面上には前記第１放熱部材が配置されることを特徴とする、請求項１５または１６に記載のバックライトユニットを備える表示装置。
【請求項１８】
前記第１放熱部は、相対向する第１端部及び第２端部を有し、前記第１放熱部の第１端部は前記ボトムカバーの端部に接触し、前記第１放熱部の第２端部は前記第２放熱部の端部に接触することを特徴とする、請求項１５乃至１７のいずれか１項に記載のバックライトユニットを備える表示装置。
【請求項１９】
前記ボトムカバーの下部に設けられ、前記第２放熱部材の前記第１放熱部が前記第１放熱部材と接触状態を維持しながら装着され、前記ボトムカバーの内部と外部を連通させる装着溝をさらに含むことを特徴とする、請求項１５乃至１８のいずれか１項に記載のバックライトユニットを備える表示装置。
【請求項２０】
前記第１放熱部材は、前記ボトムカバーの背面に一方向に装着され、
前記第１放熱部材の一端部は前記ボトムカバーの背面の一端部を経て前記第２放熱部材の前記第１放熱部と面接触するように延在することを特徴とする、請求項１５乃至１９のいずれか１項に記載のバックライトユニットを備える表示装置。
【請求項２１】
前記第１放熱部材は複数の第１放熱部材を含み、
前記複数の第１放熱部材のそれぞれの長軸は、前記ボトムカバーの第１方向に配列され、
前記第２放熱部材の長軸は、前記ボトムカバーの前記第１方向と直交する第２方向に配列され、
前記複数の第１放熱部材は前記ボトムカバーの前記第２方向に配列されて前記第２放熱部材と接触することを特徴とする、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月28日(2014.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底面及び側壁を有するボトムフレームと、
前記ボトムフレームの前記底面の上に配置され、複数の溝部を有する一体型導光板と、
前記ボトムフレームの前記底面の上に配置された複数の反射シートと、
モジュールボード及び複数の発光ダイオードを含む複数の発光モジュールと、を含み、
前記反射シートは、前記対応する複数の溝部の下にそれぞれ配置され、
前記発光モジュールは、前記対応する複数の溝部の下にそれぞれ配置され、
前記複数の溝部のそれぞれは、前記ボトムフレームの前記底面の上に第１方向に延長され、
前記複数の反射シートのそれぞれは、前記ボトムフレームの前記底面の上に前記第１方向に延長され、
前記複数の反射シート及び前記複数の発光モジュールは、前記ボトムフレームの前記底面の上に前記第１方向に交替に延長された表示装置。
【請求項２】
前記一体型導光板と前記ボトムフレームとを結合する結合部を更に含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記結合部は、四角形の形状を有し、少なくとも二つ以上の角に配置される請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記結合部は、前記ボトムフレームの隣り合う二つの側壁が角で段差を有し、前記段差の上に前記一体型導光板の角を覆うガイドモールドが配置された請求項２または３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記ガイドモールドは、
前記一体型導光板の角を覆う上部面と、
前記上部面から垂直に切曲されて延長され、前記ボトムフレームの段差のある前記側壁と位置決めされている二つの側面と、を含む請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記結合部は、前記ガイドモールドの上部面及び前記ボトムフレームの底面に互いに位置決めされている締結孔をそれぞれ含む請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記結合部は、
前記一体型導光板の角で隣り合う二つの辺が垂直に収斂する突起ネックと、
前記突起ネックから延長され、前記突起ネックより広い幅を有するガイド突起と、を含む請求項２に記載の表示装置。
【請求項８】
前記ボトムフレームの側壁は、角で前記一体型導光板の前記ガイド突起を露出する開口部を有し、前記側壁から延長され、前記ガイド突起の一面に沿って屈曲されるガイド部材を更に含む請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記一体型導光板を前記ボトムフレームの前記底面に位置決めさせる位置決め手段を更に含む請求項１〜８のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記位置決め手段は、前記一体型導光板と前記ボトムフレームの側壁とが所定の離隔距離を有し、前記ボトムフレームの側壁から前記一体型導光板の側面に向かってガイド突起が突出することにより、形成されるものである請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記位置決め手段は、
前記一体型導光板の下面から突出される少なくとも一つの突起と、
前記ボトムフレームの底面に形成されて前記突起を受容する溝と、を含む請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記複数の発光ダイオードは前記溝部に収容され、前記複数の発光ダイオードから発光される光が前記溝部の側面に入射する請求項１〜１１のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記一体型導光板の上に配置され、一つの画面を複数の表示領域で定義して前記一体型導光板から光を照射される表示パネルを含む請求項１〜１２のいずれか一項に記載の表示装置。