【手続補正書】
【提出日】平成26年5月9日(2014.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】柱状電極の製造方法、半導体装置の製造方法及び基板の洗浄装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、柱状電極の製造方法及びＷＬＰ（Wafer Level Package）等の半導体装置の製造方法並びにそれらに用いる洗浄装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の課題は、レジスト残滓を確実に除去することができ歩留まりが改善される柱状電極の製造方法、半導体装置の製造方法及び基板の洗浄装置を提供することである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
以上の課題を解決するために、本発明の第１の態様によれば、基板上に貼り付けられたドライフィルムレジストを貫通した開口内に柱状電極を形成した後に、前記基板から前記ドライフィルムレジストを剥離するレジスト剥離工程と、前記レジスト剥離工程後に、前記基板の前記柱状電極が形成された面を下に向けた状態に前記基板を保持して、前記基板の下方にあるノズルから上方に向けて溶剤を前記基板に噴射することによって前記ドライフィルムレジストの残滓を除去するレジスト残滓除去工程と、を備える柱状電極の製造方法が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第２の態様によれば、集積回路が形成された半導体デバイスウェハの表面を覆った絶縁膜上にドライフィルムレジストを貼り付ける第一工程と、前記第一工程後に、前記ドライフィルムレジストをパターニングすることによって開口が前記ドライフィルムレジストを貫通するように前記開口を前記ドライフィルムレジストに形成する第二工程と、前記第二工程後に、前記開口内に導体層を形成する第三工程と、前記第三工程後に、前記ドライフィルムレジストを剥離するレジスト剥離工程と、前記レジスト剥離工程後に、前記半導体デバイスウエハの前記表面を下に向けた状態に前記半導体デバイスウエハを保持して、前記半導体デバイスウエハの下方にあるノズルから上方に向けて溶剤を前記半導体デバイスウエハに噴射することによって前記ドライフィルムレジストの残滓を除去するレジスト残滓除去工程と、を備える半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第３の態様によれば、基板上に貼り付けられたドライフィルムレジストを貫通した開口内に導体層をパターニングした後に前記ドライフィルムレジストが剥離された前記基板の前記導体層が形成された面を下に向けて前記基板を保持し、前記基板を回転させる保持装置と、前記保持装置によって保持された前記基板の下方に設けられ、前記基板の中心と外側の間で往復移動し、溶剤を上方に向けて噴射することによって前記ドライフィルムレジストの残滓を除去するノズルと、を備える基板の洗浄装置が提供される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図１０は洗浄装置１００を示す模式図である。洗浄装置１００は、上部に開口を有する円筒形の容体１０１と、容体１０１の上部に設けられ開口を塞ぐドーム型の蓋体１０２とを備える。
容体１０１の底部には、多数の固定ノズル（第二ノズル）１０３が設けられている。多数の固定ノズル１０３は縦横に配置され、固定ノズル１０３から上方に向かって洗浄液が噴射される。固定ノズル１０３から噴射する洗浄液の圧力は比較的低圧に設定する。例えばポンプ設定圧（第二噴射圧）を０．１０６ＭＰａとすることができる。
また、容体１０１の内部には、可動ノズル（第一ノズル）１０４がアーム１０５により水平に回動可能に設けられている。可動ノズル１０４からは上方に向かって洗浄液が噴射される。可動ノズル１０４から噴射する洗浄液の圧力は比較的高圧に設定する。例えばポンプ設定圧（第一噴射圧）を２．７〜１０．６ＭＰａとすることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、容体１０１の内部には、固定ノズル１０３及び可動ノズル１０４の上方に半導体デバイスウェハ１０を回転可能に保持する図示しない保持装置が設けられている。さらに、容体１０１の内側側面には、保持装置により保持される半導体デバイスウェハ１０よりもやや上部に固定ノズル（第二ノズル）１０６が、やや下部に固定ノズル（第二ノズル）１０７が設けられている。固定ノズル１０６、１０７からはほぼ水平方向に洗浄液が噴射される。固定ノズル１０６、１０７から噴射する洗浄液の圧力は比較的低圧に設定する。例えばポンプ設定圧（第二噴射圧）を０．１０６ＭＰａとすることができる。
なお、ウェハ表面に洗浄液が当たる実効圧は、ポンプ設定圧の約１／１０程度である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に貼り付けられたドライフィルムレジストを貫通した開口内に柱状電極を形成した後に、前記基板から前記ドライフィルムレジストを剥離するレジスト剥離工程と、
前記レジスト剥離工程後に、前記基板の前記柱状電極が形成された面を下に向けた状態に前記基板を保持して、前記基板の下方にあるノズルから上方に向けて溶剤を前記基板に噴射することによって前記ドライフィルムレジストの残滓を除去するレジスト残滓除去工程と、
を備える柱状電極の製造方法。
【請求項２】
前記レジスト残滓除去工程において前記基板を回転させる
請求項１に記載の柱状電極の製造方法。
【請求項３】
前記レジスト残滓除去工程において前記ノズルを前記基板の中心と外側との間で往復移動させる
請求項１又は２に記載の柱状電極の製造方法。
【請求項４】
前記レジスト残滓除去工程において、前記基板の下方にある第二ノズルから上方に向けて溶剤を前記ノズルの噴射圧よりも低い噴射圧で前記基板に噴射することによって前記残滓をふやかし、前記ノズルによって噴射された溶剤によって前記残滓を物理的に除去する
請求項１から３の何れか一項に記載の柱状電極の製造方法。
【請求項５】
集積回路が形成された半導体デバイスウェハの表面を覆った絶縁膜上にドライフィルムレジストを貼り付ける第一工程と、
前記第一工程後に、前記ドライフィルムレジストをパターニングすることによって開口が前記ドライフィルムレジストを貫通するように前記開口を前記ドライフィルムレジストに形成する第二工程と、
前記第二工程後に、前記開口内に導体層を形成する第三工程と、
前記第三工程後に、前記ドライフィルムレジストを剥離するレジスト剥離工程と、
前記レジスト剥離工程後に、前記半導体デバイスウエハの前記表面を下に向けた状態に前記半導体デバイスウエハを保持して、前記半導体デバイスウエハの下方にあるノズルから上方に向けて溶剤を前記半導体デバイスウエハに噴射することによって前記ドライフィルムレジストの残滓を除去するレジスト残滓除去工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記レジスト残滓除去工程において前記半導体デバイスウエハを回転させ、前記ノズルを前記半導体デバイスウエハの中心と外側との間で往復移動させる
請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記レジスト残滓除去工程において、前記半導体デバイスウエハの下方にある第二ノズルから上方に向けて溶剤を前記ノズルの噴射圧よりも低い噴射圧で前記半導体デバイスウエハに噴射することによって前記残滓をふやかし、前記ノズルによって噴射された溶剤によって前記残滓を物理的に除去する
請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
基板上に貼り付けられたドライフィルムレジストを貫通した開口内に導体層をパターニングした後に前記ドライフィルムレジストが剥離された前記基板の前記導体層が形成された面を下に向けて前記基板を保持し、前記基板を回転させる保持装置と、
前記保持装置によって保持された前記基板の下方に設けられ、前記基板の中心と外側の間で往復移動し、溶剤を上方に向けて噴射することによって前記ドライフィルムレジストの残滓を除去するノズルと、を備える基板の洗浄装置。
【請求項９】
前記保持装置によって保持された前記基板の下方に設けられ、前記ノズルの噴射圧よりも低い噴射圧で溶剤を上方に向けて噴射することによって前記残滓をふやかす第二ノズルを更に備え、
前記ノズルが溶剤の噴射によって前記残滓を物理的に除去するものである
請求項８に記載の基板の洗浄装置。
【請求項１０】
前記第二ノズルが固定されている
請求項９に記載の基板の洗浄装置。