【手続補正書】
【提出日】平成26年7月31日(2014.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の材料種で構成される試料の表面を一次電子ビームで照射するステップと、
それぞれの検出器出力を生成するように前記試料に対してそれぞれ異なる位置に配置された複数の検出器を用いて、前記照射された試料から放出される放出電子を検出するステップと、
各々の材料種に対して、前記材料種で構成された前記表面上の１つ又はそれ以上の水平領域を識別し、前記識別された水平領域における少なくとも１つの前記検出器出力に基づいて該材料種に対する較正係数を計算することによって、前記材料種間の放出電子収率の変動を補償するための較正係数を計算するステップと、
前記較正係数を前記検出器出力に適用するステップと、
前記較正係数が適用された前記検出器出力に基づいて、前記表面の３次元トポグラフィカルモデルを計算するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記検出器は、前記試料の平面の垂直上方に配置された上部検出器と、前記試料の前記平面に対して斜角に配置された２つ又はそれ以上の側部検出器とを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記水平領域を識別するステップ、前記表面を、前記材料種のそれぞれで構成される複数のセグメントにセグメント化するステップと、前記セグメントの各々の内の１つ又はそれ以上の水平領域を識別するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記３次元トポグラフィカルモデルを計算するステップは、前記表面上の複数の点における高さ勾配を推定するステップと、前記高さ勾配を積分して前記３次元トポグラフィカルモデルを生成するステップとを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記高さ勾配を推定するステップは、前記表面上の所与の点に対して、前記検出器出力をそれぞれの反射率関数の関数として表す一組の式を定義するステップと、前記一組の式を解いて前記所与の点における高さ勾配を導出するステップとを含むことを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
所与の検出器の反射率関数を、前記所与の検出器によって捕捉される角度範囲にわたって前記放出電子収率の角度分布を積分することによって評価するステップを含むことを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記高さ勾配を推定するステップは、前記高さ勾配の成分の曖昧さを、前記表面上の閉ループ経路にわたる該高さ勾配の積分がゼロであることを要求する基準を適用することによって解決するステップを含むことを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記較正係数を適用するステップは、ある材料種で構成される前記表面上の点において推定される所与の検出器の反射率関数を、前記材料種に対して計算された較正係数を用いて規格化するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記検出器は、前記試料の平面の垂直上方に配置された上部検出器と、前記試料の前記平面に対して斜角に配置された４つの側部検出器とを含み、
前記放出電子を検出するステップは、前記側部検出器の選択された対の前記検出器出力を組み合せるステップを含み、
前記３次元トポグラフィカルモデルを計算するステップは、前記組み合わされた検出器出力に基づいて前記モデルを計算するステップを含む、
ことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
複数の材料種で構成される試料の表面を一次電子ビームで照射するように構成された電子源と、
前記試料に対してそれぞれ異なる位置に配置され、前記照射された試料から放出される放出電子を検出し、それぞれの検出器出力を生成するように構成された複数の検出器と、
各々の材料種に対して、前記材料種で構成された前記表面上の１つ又はそれ以上の水平領域を識別すること、及び、前記識別された水平領域における少なくとも１つの前記検出器出力に基づいて該材料種の較正係数を計算することによって前記材料種間の放出電子収率の変動を補償するための較正係数を計算し、前記較正係数を前記検出器出力に適用し、前記較正係数が適用された前記検出器出力に基づいて前記表面の３次元トポグラフィカルモデルを計算するように構成されたプロセッサと、
を備えることを特徴とする装置。
【請求項１１】
前記検出器は、前記試料の平面の垂直上方に配置された上部検出器と、前記試料の前記平面に対して斜角に配置された２つ又はそれ以上の側部検出器とを含むことを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記プロセッサは、前記表面を、前記それぞれの材料種で構成される複数のセグメントにセグメント化し、各々の前記セグメント内の１つ又はそれ以上の水平領域を識別するように構成されることを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記プロセッサは、前記３次元トポグラフィカルモデルを、前記表面上の複数の点における高さ勾配を推定し、前記高さ勾配を積分して該３次元トポグラフィカルモデルを生成することにより計算するように構成されることを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
前記プロセッサは、前記表面上の所与の点に対して、前記検出器出力をそれぞれの反射率関数の関数として表す一組の式を定義し、前記一組の式を解くことによって前記所与の点における高さ勾配を導出するように構成されることを特徴とする、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記プロセッサは、所与の検出器の反射率関数を、前記所与の検出器によって捕捉される角度範囲にわたり前記放出電子収率の角度分布を積分することによって評価するように構成されることを特徴とする、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記プロセッサは、前記高さ勾配の成分の曖昧さを、前記表面上の閉ループ経路にわたる該高さ勾配の積分がゼロであることを要求する基準を適用することによって解決するように構成されることを特徴とする、請求項１３に記載の装置。
【請求項１７】
前記プロセッサは、ある材料種で構成される表面上の点において推定される所与の検出器の反射率関数を、前記材料種に対して計算された較正係数を用いて規格化することによって適用するように構成される、請求項１０に記載の装置。
【請求項１８】
前記検出器は、前記試料の平面の垂直上方に配置された上部検出器と、前記試料の前記平面に対して斜角に配置された４つの側部検出器とを含み、
前記プロセッサは、前記側部検出器の選択された対の前記検出器出力を組み合わせ、前記組み合わされた検出器出力に基づいて前記３次元トポグラフィカルモデルを計算するように構成される、
ことを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１９】
複数の材料種で構成される試料に対してそれぞれ異なる位置に配置されたそれぞれの検出器から、一次電子ビームによる前記試料の照射に応じて該試料から放出される放出電子を表す複数の検出器出力を受け取るように構成されるインタフェースと、
各々の材料種に対して、前記材料種で構成された前記表面上の１つ又はそれ以上の水平領域を識別すること、及び、前記識別された水平領域における少なくとも１つの前記検出器出力に基づいて該材料種に対する較正係数を計算することによって前記材料種間の放出電子収率の変動を補償するための較正係数を計算し、前記較正係数を前記検出器出力に適用し、前記較正係数が適用された前記検出器出力に基づいて前記表面の３次元トポグラフィカルモデルを計算するように構成されたプロセッサと、
を備えることを特徴とする装置。
【請求項２０】
プログラム命令が内部にストアされた有形の非一時的なコンピュータ可読媒体を備えたコンピュータソフトウェア製品であって、前記命令は、コンピュータによって読み出されたとき、複数の材料種で構成される試料に対してそれぞれ異なる位置に配置されたそれぞれの検出器から、一次電子ビームによる前記試料の照射に応じて該試料から放出される放出電子を表す複数の検出器出力を受け取ることと、各々の材料種に対して、前記材料種で構成された表面上の１つ又はそれ以上の水平領域を識別し、前記識別された水平領域における少なくとも１つの前記検出器出力に基づいて該材料種に対する較正係数を計算することによって前記材料種間の放出電子収率の変動を補償するための較正係数を計算することと、前記較正係数を前記検出器出力に適用することと、前記較正係数が適用された前記検出器出力に基づいて前記表面の３次元トポグラフィカルモデルを計算することと、を前記コンピュータに実行させることを特徴とする製品。