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【手続補正書】
【提出日】平成26年8月19日(2014.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
なお、ＳＴＥＰ１５では、演算が容易なため、変数ＶＣＮを加算処理によって求めたが、ＶＣＮ＝ＶＣ＊ｎ＋ＰＭとして乗算を用いて処理しても良い。また、図３のＳＴＥＰ３〜ＳＴＥＰ７では、ガードの施錠状態と開錠状態の２つのモードで、変数Ｍｍａｘの値を切り替えて速度判定処理を行っている。ガード開錠状態では、安全速度の超過を監視するため、安全を確保するために正確に安全速度を検出する必要があり、変数Ｍを大きくした方が、速度検出精度を向上できる。これに対して、ガード施錠状態では、ガードを開錠するための安全速度以下となることを監視し、変数Ｍが大きいと、Ｍサイクル前に大きな速度で可動していた場合、Ｍ−１サイクル以内にいくら安全速度以下になっていたとしても、Ｍサイクル経過しない限り、安全速度以内と判定されない場合が想定される。このため、変数Ｍが大きいと、ガードの開錠が遅くなり、作業性が悪化する問題がある。また、ガードを開錠するための安全速度以下となることを監視する場合は、多少安全速度を超えていたとしても、ガードを開けたときに、瞬時に安全な速度まで、低下できる速度であれば安全を確保できるため、Ｍを小さくしても問題ない。また、ガードを開錠するための安全速度以下となることを監視する場合は、制御速度も安全速度以下となることを監視するため、数値制御装置側が誤動作しない限り、ガード開錠時に可動部が安全速度を超え、非常停止するようなことはない。このため、図３の処理では、ガード開錠時の安全速度超過を監視する場合と、ガード施錠時の安全速度に速度低下したことを監視する場合の２つのモードで、安全速度に速度低下したことを監視するモードのときは、安全速度超過を監視するモードに対して、Ｍの値を小さく設定し、ガードを開けるときの応答性を改善している。これにより、Ｍ＝５００の時は、安全速度に達してから最悪５秒、経過しないとガードが開錠されなかったのに対して、Ｍ＝２０では、安全速度に達してから０．２秒以内にガードを開けることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月31日(2014.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイと、
前記ディスプレイにコンテンツを表示する際の基本表示単位に対して付されるコメントである全体コメント及びディスプレイにコンテンツを表示する際の基本表示単位内の部分に対して付されるコメントである部分コメントと関連付け可能なコンテンツを取得するコンテンツ取得部と、
前記コメントを取得するコメント取得部と、
取得されたコンテンツに、そのコンテンツに関連付けられているコメントを付加して前記ディスプレイに表示のために出力する出力部と、
出力部から出力されディスプレイに表示されるコンテンツに全体コメント又は／及び部分コメントが関連付けられているか判断する判断部と、
判断部での判断結果が全体コメントが関連付けられているとの判断結果である場合には、関連付けられている全体コメントをディスプレイ内で移動表示するよう出力部を制御する全体コメント表示制御部と、
判断部での判断結果が部分コメントが関連付けられているとの判断結果である場合には、関連付けられているコメントをディスプレイ内の所定領域に固定的に表示するように出力部を制御する部分コメント表示制御部と、
を有するコンテンツ視聴装置。
【請求項２】
コメント取得部は、前記移動表示すべき全体コメントであって、コンテンツの基本表示単位内での部分を関連付けた全体コメントを取得することを特徴とする請求項１に記載のコンテンツ視聴装置。
【請求項３】
コンテンツの基本表示単位を拡大又は／及び縮小してディスプレイに表示するよう制御する拡縮表示制御部を有するとともに、
全体コメント表示制御部は、取得した全体コメントに関連付けられたコンテンツの基本表示単位内での部分に基づいて前記拡大又は／及び縮小表示されているコンテンツでの当該全体コメントの移動表示を制御することを特徴とする請求項２に記載のコンテンツ視聴装置。
【請求項４】
全体コメント表示制御部は、表示すべき全体コメントを移動表示する時間、移動速度、コンテンツの基本表示単位内での移動位置、コメントの文字の大きさ、のいずれか一以上を決定することを特徴とする請求項１に記載のコンテンツ視聴装置。
【請求項５】
端末装置のディスプレイにコンテンツを表示する際の基本表示単位に対して付されるコメントである全体コメント及びディスプレイにコンテンツを表示する際の基本表示単位内の部分に対して付されるコメントである部分コメントと関連付け可能なコンテンツに関連付けられた前記コメントを配信するコメント配信サーバ装置であって、
端末装置のディスプレイに表示されるコンテンツに全体コメントが関連付けられている場合にディスプレイ内で移動表示される全体コメントを配信する全体コメント配信部と、
端末装置のディスプレイに表示されるコンテンツに部分コメントが関連付けられている場合にディスプレイ内の所定領域に固定的に表示される部分コメントを配信する部分コメント配信部と、
を有するコメント配信サーバ装置。
【請求項６】
ディスプレイを有するコンテンツ視聴装置の動作方法であって、
前記ディスプレイにコンテンツを表示する際の基本表示単位に対して付されるコメントである全体コメント及びディスプレイにコンテンツを表示する際の基本表示単位内の部分に対して付されるコメントである部分コメントと関連付け可能なコンテンツを取得するコンテンツ取得ステップと、
前記コメントを取得するコメント取得ステップと、
取得されたコンテンツに、そのコンテンツに関連付けられているコメントを付加して前記ディスプレイに表示するための出力制御をする出力制御ステップと、
出力制御ステップにてディスプレイに表示するために出力制御されるコンテンツに全体コメント又は／及び部分コメントが関連付けられているか判断する判断ステップと、
判断ステップでの判断結果が全体コメントが関連付けられているとの判断結果である場合には、関連付けられている全体コメントをディスプレイ内で移動表示する全体コメント表示ステップと、
判断ステップでの判断結果が部分コメントが関連付けられているとの判断結果である場合には、関連付けられているコメントをディスプレイ内の所定領域に固定的に表示する部分コメント表示ステップと、
を計算機に実行させるコンテンツ視聴装置の動作方法。
【請求項７】
ディスプレイを有するコンテンツ視聴装置を制御するプログラムであって、
前記ディスプレイにコンテンツを表示する際の基本表示単位に対して付されるコメントである全体コメント及びディスプレイにコンテンツを表示する際の基本表示単位内の部分に対して付されるコメントである部分コメントと関連付け可能なコンテンツを取得するコンテンツ取得ステップと、
前記コメントを取得するコメント取得ステップと、
取得されたコンテンツに、そのコンテンツに関連付けられているコメントを付加して前記ディスプレイに表示するための出力制御をする出力制御ステップと、
出力制御ステップにてディスプレイに表示するために出力制御されるコンテンツに全体コメント又は／及び部分コメントが関連付けられているか判断する判断ステップと、
判断ステップでの判断結果が全体コメントが関連付けられているとの判断結果である場合には、関連付けられている全体コメントをディスプレイ内で移動表示する全体コメント表示ステップと、
判断ステップでの判断結果が部分コメントが関連付けられているとの判断結果である場合には、関連付けられているコメントをディスプレイ内の所定領域に固定的に表示する部分コメント表示ステップと、
をコンテンツ視聴装置の計算機に実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月26日(2014.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４２】
ステップＳ１０８において、データ要求収集部６１６は、不揮発記憶装置６１１へのデータの読み出し要求の履歴を収集する。具体的には、先読み実行制御部６１５は、データ要求収集部６１６に処理の実行を指示する。データ要求収集部６１６は、プログラム６１４からの要求に従ってデータ入出力部６１２から発行される不揮発記憶装置６１１へのデータの読み出し要求を監視し、データ要求履歴を収集する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2013089067.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2013089067.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月7日(2014.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リン酸マンガンリチウムを含有する二次電池用活物質であって、前記リン酸マンガンリチウムは、一次粒子が棒状の形状からなり、前記一次粒子の短軸方向の長さが４０ｎｍ以下であり、前記一次粒子の短軸方向の長さに対する長軸方向の長さの比を表すアスペクト比（長軸の長さ／短軸の長さ）が３以上５以下であることを特徴とする二次電池用活物質。
【請求項２】
前記一次粒子または前記二次粒子以上の高次粒子の表面にカーボンが備えられていることを特徴とする請求項１に記載の二次電池用活物質。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の二次電池用活物質を含有する二次電池用電極。
【請求項４】
請求項３に記載の電極と、対極と、電解質とを備えた二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月19日(2014.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
以上の充放電試験を繰り返し、評価用リチウムイオン二次電池の２００サイクル後の充放電試験を行った。その結果、初回充電容量１４４０ｍＡｈ／ｇ、初回放電容量１０９０ｍＡｈ／ｇ、初回充放電効率７５．７％、２００サイクル目の放電容量１０７０ｍＡｈ／ｇ、２００サイクル後のサイクル保持率９８％となり、高容量で、かつ初回充放電効率及びサイクル特性に優れたリチウムイオン二次電池であることが確認された。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月20日(2014.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素ユニットを有する固体撮像装置であって、
各画素ユニットは、複数の画素と、前記複数の画素によって共用される電荷電圧変換部とを含み、各画素は、半導体基板に形成された光電変換素子を含み、
前記固体撮像装置は、複数の配線層と、層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の屈折率よりも高い屈折率を有する材料を前記層間絶縁膜における各光電変換素子の上方に埋め込んで構成された光導波路とを含む構造部を前記半導体基板の上に有し、
各画素ユニットの前記複数の画素は、第１画素と第２画素とを含み、
前記第１画素の前記光電変換素子の上方に配置された前記光導波路の周辺の構造と前記第２画素の前記光電変換素子の上方に配置された前記光導波路の周辺の構造との相違による前記第１画素の感度と前記第２画素の感度との差を低減するようにダミーパターンが前記構造部に設けられている、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記ダミーパターンは、互いに隣接する前記光導波路の間に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記ダミーパターンは、固定電位が与えられる、または、フローティング状態にされる、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
複数のカラーのカラーフィルタを更に備え、
前記第１画素および前記第２画素は、同一のカラーのカラーフィルタが割り当てられた画素である、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記光導波路の幅をｄとしたときに、前記ダミーパターンは、幅が（４／３）ｄで前記光導波路と同心の仮想的な柱状形状の中に配置された部分を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記ダミーパターンは、ポリシリコンで構成されたパターンを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
第１画素ユニットおよび第２画素ユニットを含む複数の画素ユニットを有する固体撮像装置であって、
前記第１画素ユニットは、第１画素を含む複数の画素と、前記第１画素および前記第１画素ユニットの他の画素によって共用される第１電荷電圧変換部とを含み、前記第１画素は、半導体基板に形成された第１光電変換素子を含み、前記第２画素ユニットは、第２画素を含む複数の画素と、前記第２画素および前記第２画素ユニットの他の画素によって共用される第２電荷電圧変換部とを含み、前記第２画素は、前記半導体基板に形成された第２光電変換素子を含み、
前記固体撮像装置は、
前記半導体基板の上に配置された複数の配線層と、
前記複数の配線層の間に配置された層間絶縁膜と、
前記第１光電変換素子の上に配置され前記層間絶縁膜の屈折率よりも高い材料で構成された第１光導波路、および、前記第２光電変換素子の上に配置され前記層間絶縁膜の屈折率よりも高い材料で構成された第２光導波路を含む複数の光導波路と、
前記第１画素および前記第２画素に対して同一のカラーのカラーフィルタが割り当てられたカラーフィルタアレイと、を備え、
前記複数の配線層の１つの配線層は、第１パターンおよび第２パターンを含み、前記第１パターンは、ダミーパターンであり、前記第１光導波路と、前記第１光導波路に隣接する光導波路との間に配置され、前記第２パターンは、前記第２光導波路と、前記第２光導波路に隣接する光導波路との間に配置され、
前記第１光導波路および前記第２光導波路の幅をｄとしたときに、前記第１パターンは、幅が（４／３）ｄで前記第１光導波路と同心の第１の仮想的な柱状形状の中に配置された部分を含み、前記第２パターンは、幅が（４／３）ｄで前記第２光導波路と同心の第２の仮想的な柱状形状の中に配置された部分を含む、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項８】
画素ユニットを含む固体撮像装置であって、
前記画素ユニットは、第１画素および第２画素を含む複数の画素と、前記第１画素および前記第２画素によって共用される電荷電圧変換部とを含み、前記第１画素が、半導体基板に形成された第１光電変換素子を含み、前記第２画素が、前記半導体基板に形成された第２光電変換素子を含み、
前記固体撮像装置は、
前記半導体基板の上に配置された複数の配線層と、
前記複数の配線層の間に配置された層間絶縁膜と、
前記第１光電変換素子の上に配置され前記層間絶縁膜の屈折率よりも高い材料で構成された第１光導波路、および、前記第２光電変換素子の上に配置され前記層間絶縁膜の屈折率よりも高い材料で構成された第２光導波路を含む複数の光導波路と、
前記第１画素および前記第２画素に対して同一のカラーのカラーフィルタが割り当てられたカラーフィルタアレイと、を備え、
前記複数の配線層の１つの配線層は、第１パターンおよび第２パターンを含み、前記第１パターンは、ダミーパターンであり、前記第１光導波路と、前記第１光導波路に隣接する光導波路との間に配置され、前記第２パターンは、前記第２光導波路と、前記第２光導波路に隣接する光導波路との間に配置され、
前記第１光導波路および前記第２光導波路の幅をｄとしたときに、前記第１パターンは、幅が（４／３）ｄで前記第１光導波路と同心の第１の仮想的な柱状形状の中に配置された部分を含み、前記第２パターンは、幅が（４／３）ｄで前記第２光導波路と同心の第２の仮想的な柱状形状の中に配置された部分を含む、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項９】
前記第１パターンは、固定電位が与えられる、または、フローティング状態にされる、
ことを特徴とする請求項７又は８に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第１画素および前記第２画素は、前記第１パターンが存在しない場合よりも、互いに近い形状を有する、
ことを特徴とする請求項７又は８に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記第１パターンおよび前記第２パターンは、ポリシリコンで構成されている、
ことを特徴とする請求項７又は８に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記第１パターンは、トランジスタのゲート電極から離れて配置され、前記第２パターンは、トランジスタのゲート電極である、
ことを特徴とする請求項７又は８に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記第１パターンは、トランジスタのゲート電極から延びている、
ことを特徴とする請求項７又は８に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記第１パターンおよび前記第２パターンは、金属で構成されている、
ことを特徴とする請求項７又は８に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月29日(2014.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、ゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
前記第２の領域は、前記ゲート電極と重なり、
前記第２の領域は、チャネル形成領域として機能し、
前記第１の領域と重なる、第１の層を有し、
前記第２の領域と重なる、第２の層を有し、
前記第１の領域と電気的に接続された、第１の配線を有し、
前記第２の領域と電気的に接続された、第２の配線を有する、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、ゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
前記第２の領域は、前記ゲート電極と重なり、
前記第２の領域は、チャネル形成領域として機能し、
前記第１の領域と重なる、第１の層を有し、
前記第２の領域と重なる、第２の層を有し、
前記第１の層と重なる、第１の絶縁膜を有し、
前記第２の層と重なる、第２の絶縁膜を有し、
前記第１の領域と電気的に接続された、第１の配線を有し、
前記第２の領域と電気的に接続された、第２の配線を有する、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の層と、前記第１の絶縁膜とは、第３の絶縁膜の第１の溝に設けられ、
前記第２の層と、前記第２の絶縁膜とは、前記第３の絶縁膜の第２の溝に設けられ、
前記第１の層の上面は、前記第１の絶縁膜の上面と同じ位置を有し、
前記第２の層の上面は、前記第２の絶縁膜の上面と同じ位置を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化ランタンおよび窒化アルミニウムのいずれか一種以上を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の層及び前記第２の層は、Ｉｎと、Ｚｎと、を有する酸化物膜であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月10日(2014.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチップ領域と、
前記チップ領域を囲んで配置された分割領域と、
前記各チップ領域に設けられた光電変換部と、
前記各チップ領域において前記光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、
前記駆動回路に接続され、前記各チップ領域において前記表面側に引き出されたデバイス用端子と、
前記駆動回路に接続され、前記分割領域において前記受光面側に露出された検査用端子とを備えた
固体撮像素子ウエハ。
【請求項２】
前記受光面側に前記検査用端子を露出させる開口が設けられている
請求項１記載の固体撮像素子ウエハ。
【請求項３】
前記チップ領域において、前記受光面上の全面が絶縁膜により覆われている
請求項１または２記載の固体撮像素子ウエハ。
【請求項４】
前記光電変換部および前記駆動回路を有するセンサ基板と、
前記駆動回路、前記デバイス用端子、および前記検査用端子を有し、前記センサ基板に貼り合わせて設けられた回路基板とを備えた
請求項１〜３の何れかに記載の固体撮像素子ウエハ。
【請求項５】
固体撮像素子ウエハに設けられた複数のチップ領域に光電変換部を形成することと、
前記各チップ領域において前記光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に駆動回路を形成することと、
前記駆動回路に接続され、前記各チップ領域において前記表面側に引き出されたデバイス用端子を形成することと、
前記駆動回路に接続され、前記チップ領域を囲んで配置された分割領域において前記受光面側に露出された検査用端子を形成することと、
前記検査用端子を用いて、前記光電変換部と当該光電変換部に接続された前記駆動回路とを備えた固体撮像素子を検査することとを含む
固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
前記検査の後、ダイシングを行うことにより、前記検査用端子を含む前記分割領域を除去し、前記固体撮像素子を備えた前記各チップ領域を個片化する
請求項５記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項７】
前記検査用端子を形成する際には、
前記駆動回路に接続された前記検査用端子を前記分割領域に形成した後、
前記検査用端子を前記受光面側に露出させる開口を形成する
請求項５または６記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項８】
前記チップ領域において前記受光面とは逆の表面上に、前記デバイス用端子に接続されたバンプを形成する
請求項５〜７の何れかに記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項９】
光電変換部と、
前記光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、
前記駆動回路に接続され前記表面側に引き出されたデバイス用端子と、
前記受光面上の全面を覆う絶縁膜とを備えた
固体撮像素子。
【請求項１０】
前記受光面および前記表面に対する側面に、前記駆動回路に接続された配線の断面が露出した
請求項９記載の固体撮像素子。
【請求項１１】
前記光電変換部および前記駆動回路を有するセンサ基板と、
前記駆動回路および前記デバイス用端子を有し、前記センサ基板に貼り合わせて設けられた回路基板とを備えた
請求項９または１０記載の固体撮像素子。
【請求項１２】
前記光電変換部を有する画素領域の外側に位置する周辺領域において、前記受光面側から前記センサ基板を貫通し、前記センサ基板の駆動回路または前記回路基板の駆動回路に  接続された複数の貫通ビアと、
前記周辺領域における前記受光面上に設けられ、前記貫通ビア間を接続する配線とを備えた
請求項９〜１１の何れかに記載の固体撮像素子。
【請求項１３】
前記配線は、前記絶縁膜により覆われている
請求項１２記載の固体撮像素子。
【請求項１４】
前記受光面とは逆の表面上に、前記デバイス用端子に接続されたバンプが設けられた
請求項９〜１３の何れかに記載の固体撮像素子。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月25日(2014.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板に、複数の開口部を有する薄膜を形成する工程と、
前記薄膜を用いて、前記シリコン基板の表面に凹凸を形成する工程と、
前記凹凸が形成されたシリコン基板の一方の面に、第１の電極を形成する工程と、
前記シリコン基板の他方の面に、第２の電極を形成する工程と、を有し、
前記薄膜は、シリコンよりも電気陰性度の大きい金属を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項２】
シリコン基板に、複数の開口部を有する薄膜を形成する工程と、
前記薄膜を用いて、前記シリコン基板の表面に凹凸を形成する工程と、
前記凹凸が形成されたシリコン基板の一方の面に、第１の電極を形成する工程と、
前記シリコン基板の他方の面に、第２の電極を形成する工程と、を有し、
前記薄膜は、金、白金、銀、銅、又は鉛を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項３】
シリコン基板に、複数の開口部を有する薄膜を形成する工程と、
前記薄膜を用いて、前記シリコン基板の表面に凹凸を形成する工程と、
前記凹凸が形成されたシリコン基板の一方の面に、第１の領域を形成する工程と、
前記第１の領域と接する、第１の電極を形成する工程と、
前記シリコン基板の他方の面に、第２の領域を形成する工程と、
前記第２の領域と接する、第２の電極を形成する工程と、を有し、
前記薄膜は、シリコンよりも電気陰性度の大きい金属を有し、
前記第１の領域は、前記シリコン基板の導電型とは異なる導電型を有し、
前記第２の領域は、前記シリコン基板の導電型と同じ導電型を有し、
前記第２の領域は、前記シリコン基板のキャリア密度より高いキャリア密度を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項４】
シリコン基板に、複数の開口部を有する薄膜を形成する工程と、
前記薄膜を用いて、前記シリコン基板の表面に凹凸を形成する工程と、
前記凹凸が形成されたシリコン基板の一方の面に、第１の領域を形成する工程と、
前記第１の領域と接する、第１の電極を形成する工程と、
前記シリコン基板の他方の面に、第２の領域を形成する工程と、
前記第２の領域と接する、第２の電極を形成する工程と、を有し、
前記薄膜は、金、白金、銀、銅、又は鉛を有し、
前記第１の領域は、前記シリコン基板の導電型とは異なる導電型を有し、
前記第２の領域は、前記シリコン基板の導電型と同じ導電型を有し、
前記第２の領域は、前記シリコン基板のキャリア密度より高いキャリア密度を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記複数の開口部は、前記薄膜を形成したときに形成されていることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一において、
前記第２の領域は、前記第２の電極を形成した後、加熱処理を行い、前記第２の電極が有する材料を、前記シリコン基板へ拡散させて、形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記薄膜の膜厚は、３０ｎｍ未満であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記薄膜における開口部の割合は、８％以上５０％以下であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月17日(2014.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に非導通の金属膜を形成する金属膜の形成装置と、
前記基板に形成された前記非導通の金属膜上に、金属粒子を含む導電性インクの液滴を吐出して配線膜を形成する配線膜の形成装置と、
を備えることを特徴とする配線基板の製造装置。
【請求項２】
前記金属膜の形成装置は、前記導電性インクに含まれる金属粒子と同じ材料により前記非導通の金属膜を形成することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造装置。
【請求項３】
前記金属膜の形成装置は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｓｎ及びＣｒのいずれかの単体又は合金により前記非導通の金属膜を形成することを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板の製造装置。
【請求項４】
前記金属膜の形成装置によって形成される前記非導通の金属膜は、異なる材料を積層して構成されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一に記載の配線基板の製造装置。
【請求項５】
前記基板にその基板からの放出ガスの発生を抑止する抑止膜を形成する抑止膜の形成装置を有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一記載の配線基板の製造装置。
【請求項６】
基板に非導通の金属膜を形成する工程と、
前記基板に形成された前記非導通の金属膜上に、金属粒子を含む導電性インクの液滴を吐出して配線膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記非導通の金属膜を形成する工程では、前記導電性インクに含まれる金属粒子と同じ材料により前記非導通の金属膜を形成することを特徴とする請求項６記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記非導通の金属膜を形成する工程では、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｓｎ及びＣｒのいずれかの単体又は合金により前記非導通の金属膜を形成することを特徴とする請求項６又は７記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記非導通の金属膜を形成する工程で形成される前記非導通の金属膜は、異なる材料を積層して構成されることを特徴とする請求項６ないし８のいずれか一に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記基板にその基板からの放出ガスの発生を抑止する抑止膜を形成し、前記非導通の金属膜を形成する工程では、その抑止膜上に前記非導通の金属膜を形成することを特徴とする請求項６ないし９のいずれか一に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
基板が載置されるステージと、
金属粒子を含む導電性インクの液滴を吐出する塗布ヘッドと、を有し、
前記ステージに載置された非導通の金属膜が形成された基板における前記非導通の金属膜上に、前記導電性インクの液滴を吐出して配線膜を形成する配線膜の形成装置
を備えることを特徴とする配線基板の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の実施形態に係る配線基板の製造装置は、基板に非導通の金属膜を形成する金属膜の形成装置と、基板に形成された非導通の金属膜上に、金属粒子を含む導電性インクの液滴を吐出して配線膜を形成する配線膜の形成装置とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の実施形態に係る配線基板の製造方法は、基板に非導通の金属膜を形成する工程と、基板に形成された非導通の金属膜上に、金属粒子を含む導電性インクの液滴を吐出して配線膜を形成する工程とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月29日(2014.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の絶縁層上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、ゲート電極と、
前記ゲート電極の側面の、第２の絶縁層と、を有し、
前記第１の絶縁層の上面は、前記第１の導電層の上面の位置と同じ位置を有し、
前記第１の絶縁層の上面は、前記第２の導電層の上面の位置と同じ位置を有し、
前記第１の絶縁層は、第１の溝と、前記第１の溝と連続した第２の溝とを有し、
前記第１の絶縁層は、第３の溝と、前記第３の溝と連続した第４の溝とを有し、
前記第１の溝は、第１の深さを有し、
前記第２の溝は、第２の深さを有し、
前記第３の溝は、第３の深さを有し、
前記第４の溝は、第４の深さを有し、
前記第２の深さは、前記第１の深さより深く、
前記第４の深さは、前記第３の深さより深く、
前記第１の導電層は、前記第１の溝と、前記第２の溝とに設けられ、
前記第２の導電層は、前記第３の溝と、前記第４の溝とに設けられ、
前記第２の絶縁層は、前記第１の溝の前記第１の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第３の溝の前記第２の導電層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の絶縁層と、
第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の絶縁層上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、ゲート電極と、
前記ゲート電極の側面の、第２の絶縁層と、を有し、
前記第１の絶縁層の上面は、前記第１の導電層の上面の位置と同じ位置を有し、
前記第１の絶縁層の上面は、前記第２の導電層の上面の位置と同じ位置を有し、
前記第１の導電層は、第１の厚さと、第２の厚さとを有し、
前記第２の導電層は、第３の厚さと、第４の厚さとを有し、
前記第２の厚さは、前記第１の厚さより大きく、
前記第４の厚さは、前記第３の厚さより大きく、
前記第２の絶縁層は、前記第１の厚さの前記第１の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第３の厚さの前記第２の導電層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の絶縁層と、
第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の絶縁層上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、ゲート電極と、
前記ゲート電極の側面の、第２の絶縁層と、
前記第１の導電層と電気的に接続された、第３の導電層と、
前記第２の導電層と電気的に接続された、第４の導電層と、を有し、
前記第１の絶縁層の上面は、前記第１の導電層の上面の位置と同じ位置を有し、
前記第１の絶縁層の上面は、前記第２の導電層の上面の位置と同じ位置を有し、
前記第１の絶縁層は、第１の溝と、前記第１の溝と連続した第２の溝とを有し、
前記第１の絶縁層は、第３の溝と、前記第３の溝と連続した第４の溝とを有し、
前記第１の溝は、第１の深さを有し、
前記第２の溝は、第２の深さを有し、
前記第３の溝は、第３の深さを有し、
前記第４の溝は、第４の深さを有し、
前記第２の深さは、前記第１の深さより深く、
前記第４の深さは、前記第３の深さより深く、
前記第１の導電層は、前記第１の溝と、前記第２の溝とに設けられ、
前記第２の導電層は、前記第３の溝と、前記第４の溝とに設けられ、
前記第２の絶縁層は、前記第１の溝の前記第１の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第３の溝の前記第２の導電層と重なる領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第２の溝の前記第１の導電層と重なる領域を有し、
前記第４の導電層は、前記第４の溝の前記第２の導電層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の絶縁層と、
第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の絶縁層上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、ゲート電極と、
前記ゲート電極の側面の、第２の絶縁層と、
前記第１の導電層と電気的に接続された、第３の導電層と、
前記第２の導電層と電気的に接続された、第４の導電層と、を有し、
前記第１の絶縁層の上面は、前記第１の導電層の上面の位置と同じ位置を有し、
前記第１の絶縁層の上面は、前記第２の導電層の上面の位置と同じ位置を有し、
前記第１の導電層は、第１の厚さと、第２の厚さとを有し、
前記第２の導電層は、第３の厚さと、第４の厚さとを有し、
前記第２の厚さは、前記第１の厚さより大きく、
前記第４の厚さは、前記第３の厚さより大きく、
前記第２の絶縁層は、前記第１の厚さの前記第１の導電層と重なる領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第３の厚さの前記第２の導電層と重なる領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第２の厚さの前記第１の導電層と重なる領域を有し、
前記第４の導電層は、前記第４の厚さの前記第２の導電層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、ｃ軸配向した結晶を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月17日(2014.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極層と第２の電極層とを間隔をあけて形成し、
前記第１の電極層と重なる第１の領域と、前記第２の電極層と重なる第２の領域と、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間の領域と重なる第３の領域と、を有するように、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に、ゲート絶縁層を形成し、
前記第３の領域と重なる領域を有するように、前記ゲート絶縁層上に、ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に、絶縁層を形成し、
第１のマスクを用いて、前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層をエッチングして、前記第１の領域に達する第１の開口を形成し、
第２のマスクを用いて、前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層をエッチングして、前記第２の領域に達する第２の開口を形成し、
前記第１の開口及び前記第２の開口を埋め込むように、前記絶縁層上に、導電膜を形成し、
前記導電膜に研磨処理を行うことにより、前記絶縁層上に設けられた前記導電膜を除去して、前記第１の開口に第３の電極層を形成し、前記第２の開口に第４の電極層を形成し、
前記第３の電極層上にソース配線層を形成し、前記第４の電極層上にドレイン配線層を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の電極層と、
第２の電極層と、
第３の電極層と、
第４の電極層と、
酸化物半導体層と、
ゲート絶縁層と、
絶縁層と、
ソース配線層と、
ドレイン配線層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１の電極層及び前記第２の電極層上に設けられ、前記第１の電極層と重なる第１の領域と、前記第２の電極層と重なる第２の領域と、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間の領域と重なる第３の領域と、を有し、
前記ゲート絶縁層は、前記酸化物半導体層上に設けられ、前記第１の領域と重なる第１の開口と、前記第２の領域と重なる第２の開口と、を有し、
前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層上に設けられ、前記第３の領域と重なる領域を有し、
前記絶縁層は、前記ゲート電極層上に設けられ、前記第１の開口と重なる第３の開口と、前記第２の開口と重なる第４の開口と、を有し、
前記第３の電極層は、前記第１の開口と前記第３の開口とに埋め込まれるように設けられ、
前記第４の電極層は、前記第２の開口と前記第４の開口とに埋め込まれるように設けられ、
前記ソース配線層は、前記絶縁層上に設けられ、前記第３の電極層の上面と接する領域を有し、
前記ドレイン配線層は、前記絶縁層上に設けられ、前記第４の電極層の上面と接する領域を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月28日(2014.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、ボンドウェーハに酸化膜を形成せずに貼り合わせウェーハを製造した場合や、剥離後に、通常行われるバッチ式ＨＦ槽浸漬方式の洗浄を施すことによって、裏面の酸化膜を含め全面の酸化膜が除去されてしまう場合には、本発明では熱酸化やＣＶＤ等により剥離ウェーハの裏面に酸化膜を形成する必要がある。この場合にも、上記の酸化膜除去工程を行うことが好ましい。
通常のバッチ式酸化膜形成では表裏全面に酸化膜が形成されてしまい、また、ＣＶＤでも面取り部及び表面の外周付近には周りこみによる酸化膜成長が発生するため、上記裏面以外の酸化膜の除去工程を行うことが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
この酸化膜除去方法としては、例えば、ＨＦ水溶液による洗浄（ＨＦ洗浄）を行うことによって、表面側（剥離面＋段差部）や面取り部の酸化膜のみを除去することが好ましい。
この際、通常のバッチ式のＨＦ水溶液槽にウェーハを単に浸漬させる方式でＨＦ洗浄を実施した場合には、裏面も含めた酸化膜が除去されてしまう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
そして図１（ｈ）に示すように、最後に、もしくは、両面研磨を施した直後に、通常のバッチ式ＨＦ液槽浸漬方式のようなＨＦ洗浄を行うことで、裏面の酸化膜１２を除去することができ、初期のウェーハと同等の表面及び裏面品質を持つ再生ウェーハを作製することが可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
得られた再生ウェーハに対し、バッチ式ＨＦ薬液槽浸漬方式のＨＦ洗浄を施して裏面の酸化膜を除去した後、再度ボンドウェーハとして、上記と同一条件で、酸化、イオン注入、貼り合せ、剥離のＳＯＩウェーハ製造工程を施し、その後、上記と同一条件で再生加工を行った。これを、合計５回繰り返したところ、得られた再生ウェーハでは、パーティクル、エッジロールオフ量は、再生加工１回目と同様の値が得られ、ウェーハ厚さは７６０μｍであった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
得られた再生ウェーハに対し、バッチ式ＨＦ薬液槽浸漬方式のＨＦ洗浄を施して裏面の酸化膜を除去した後、再度ボンドウェーハとして、上記と同一条件で、酸化、イオン注入、貼り合せ、剥離のＳＯＩウェーハ製造工程を施し、その後、上記と同一条件で再生を行った。これを、合計５回繰り返したところ、得られた再生ウェーハでは、パーティクル、エッジロールオフ量は、再生加工１回目と同様の値が得られ、ウェーハ厚さは７６０μｍであった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
剥離されたボンドウェーハについて、バッチ式ＨＦ薬液槽浸漬方式のＨＦ洗浄を施し、表面、面取り部、及び裏面の酸化膜を除去した。このウェーハを、両面研磨機に投入して研磨を行った。研磨による表面側の取代は３．０μｍとし、この時のウェーハ厚さの変化量は６．０μｍとなった。両面研磨後には、実施例１，２と同一条件にて、面取り部研磨、仕上げ研磨を施した。研磨後のウェーハ表面パーティクルをレーザー散乱型パーティクル測定機で測定すると、０．１２μｍｕｐの粒径でのカウントは１個／枚となった。表面レーザー反射型フラットネス測定機にて、このウェーハのエッジロールオフ量を測定したところ、１００ｎｍという数字が得られた。静電容量型ウェーハ形状測定機にて、ウェーハ厚さを測定すると、７６９μｍであった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
剥離されたボンドウェーハについて、バッチ式ＨＦ薬液槽浸漬方式のＨＦ洗浄を施し、表面、面取り部、及び裏面の酸化膜を除去した。このウェーハを、片面研磨機に投入して表面側のみの研磨を行った。研磨による表面側の取代は３．０μｍとし、この時のウェーハ厚さの変化量は３．０μｍとなった。片面研磨後には、実施例１、２と同一条件にて、面取り部研磨、仕上げ研磨を施した。研磨後のウェーハ表面パーティクルをレーザー散乱型パーティクル測定機で測定すると、０．１２μｍｕｐの粒径でのカウントは１個／枚となった。表面レーザー反射型フラットネス測定機にて、このウェーハのエッジロールオフ量を測定したところ、４２０ｎｍという大きな値となった。静電容量型ウェーハ形状測定機にてウェーハ厚さを測定すると、７７２μｍであった。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月16日(2014.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線基板の一方の側に第１の半導体チップが実装され、前記一方の側に前記第１の半導体チップと電気的に接続された第１の電極パッドが形成された第１の半導体パッケージと、
第２の配線基板の他方の側に第２の電極パッドが形成された第２の半導体パッケージと、
接続用部材と、を有し、
前記接続用部材は、
絶縁性基材を厚さ方向に貫通する半導体チップ収容孔と、
前記絶縁性基材を厚さ方向に貫通する複数の線状導体と、
前記絶縁性基材の一方の面に設けられた、第１の開口部を有する第１のベタ配線と、
前記絶縁性基材の一方の面の前記第１の開口部内に、前記第１のベタ配線と接触しない状態で配置され、複数の前記線状導体の一端と接合された第３の電極パッドと、
前記絶縁性基材の他方の面に設けられた、第２の開口部を有する第２のベタ配線と、
前記絶縁性基材の他方の面の前記第２の開口部内に、前記第２のベタ配線と接触しない状態で配置され、複数の前記線状導体の他端と接合された第４の電極パッドと、を備え、
前記接続用部材は、前記第１の半導体チップを前記半導体チップ収容孔に収容し、前記第１の電極パッドと前記第４の電極パッドとが接合された状態で、前記第１の半導体パッケージ上に搭載され、
前記第２の半導体パッケージは、前記第２の電極パッドと前記第３の電極パッドとが接合された状態で、前記接続用部材上に搭載され、
前記第１のベタ配線と前記第２のベタ配線とは、複数の前記線状導体を介して、電気的に接続されており、
前記第１のベタ配線及び前記第２のベタ配線は、前記第１の半導体パッケージの接地配線若しくは電源配線、又は、前記第２の半導体パッケージの接地配線若しくは電源配線と電気的に接続されており、
前記第１のベタ配線及び前記第２のベタ配線は、前記半導体チップ収容孔を囲うように額縁状に形成されている積層型半導体パッケージ。
【請求項２】
前記第１のベタ配線は、互いに電気的に独立した複数のベタ配線を含み、
前記第２のベタ配線は、互いに電気的に独立した複数のベタ配線を含み、
前記第１のベタ配線に含まれる複数のベタ配線と、前記第２のベタ配線に含まれる複数のベタ配線とは、複数の前記線状導体を介して、互いに電気的に接続されている請求項１記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項３】
前記第１のベタ配線に含まれる複数のベタ配線の一部及び前記第２のベタ配線に含まれる複数のベタ配線の一部は、前記第１の半導体パッケージの接地配線、又は、前記第２の半導体パッケージの接地配線と電気的に接続されており、
前記第１のベタ配線に含まれる複数のベタ配線の残部及び前記第２のベタ配線に含まれる複数のベタ配線の残部は、前記第１の半導体パッケージの電源配線、又は、前記第２の半導体パッケージの電源配線と電気的に接続されている請求項２記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項４】
前記第１のベタ配線は、前記絶縁性基材の一方の面の外縁部に形成され、前記第２のベタ配線は、前記絶縁性基材の他方の面の外縁部に形成されている請求項１乃至３の何れか一項記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項５】
前記第３の電極パッド上及び前記第４の電極パッド上には、それぞれ突起電極が形成されている請求項１乃至４の何れか一項記載の積層型半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本積層型半導体パッケージは、第１の配線基板の一方の側に第１の半導体チップが実装され、前記一方の側に前記第１の半導体チップと電気的に接続された第１の電極パッドが形成された第１の半導体パッケージと、第２の配線基板の他方の側に第２の電極パッドが形成された第２の半導体パッケージと、接続用部材と、を有し、前記接続用部材は、絶縁性基材を厚さ方向に貫通する半導体チップ収容孔と、前記絶縁性基材を厚さ方向に貫通する複数の線状導体と、前記絶縁性基材の一方の面に設けられた、第１の開口部を有する第１のベタ配線と、前記絶縁性基材の一方の面の前記第１の開口部内に、前記第１のベタ配線と接触しない状態で配置され、複数の前記線状導体の一端と接合された第３の電極パッドと、前記絶縁性基材の他方の面に設けられた、第２の開口部を有する第２のベタ配線と、前記絶縁性基材の他方の面の前記第２の開口部内に、前記第２のベタ配線と接触しない状態で配置され、複数の前記線状導体の他端と接合された第４の電極パッドと、を備え、前記接続用部材は、前記第１の半導体チップを前記半導体チップ収容孔に収容し、前記第１の電極パッドと前記第４の電極パッドとが接合された状態で、前記第１の半導体パッケージ上に搭載され、前記第２の半導体パッケージは、前記第２の電極パッドと前記第３の電極パッドとが接合された状態で、前記接続用部材上に搭載され、前記第１のベタ配線と前記第２のベタ配線とは、複数の前記線状導体を介して、電気的に接続されており、前記第１のベタ配線及び前記第２のベタ配線は、前記第１の半導体パッケージの接地配線若しくは電源配線、又は、前記第２の半導体パッケージの接地配線若しくは電源配線と電気的に接続されており、前記第１のベタ配線及び前記第２のベタ配線は、前記半導体チップ収容孔を囲うように額縁状に形成されていることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月18日(2014.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内孔を有する円板状のメディアを積層して収容する収容部と、
前記収容部に収容された前記メディアを把持する把持部材、及び前記メディアの内孔から前記メディアの径方向に移動する分離部材を有し、鉛直方向に移動する搬送アームと、
前記把持部材で前記メディアを把持して前記搬送アームを鉛直方向の上方へ移動させるときの前記搬送アームの上昇速度を第１の速度、もしくは第１の速度よりも遅い第２の速度で移動させる搬送アーム駆動部材と、
を備えることを特徴とするメディア搬送機構。
【請求項２】
前記分離部材を前記メディアの径方向に移動させるときの移動速度を第３の速度、もしくは前記第３の速度よりも遅い第４の速度で移動させる分離部材駆動部材を有する請求項１に記載のメディア搬送機構。
【請求項３】
前記搬送アーム駆動部材と前記分離部材駆動部材は連動し、
前記搬送アーム駆動部材が前記搬送アームを前記第１の速度で移動させるとき、前記分離部材駆動部材は、前記分離部材を前記第３の速度で移動させる請求項２に記載のメディア搬送機構。
【請求項４】
前記搬送アーム駆動部材で前記搬送アームを移動させるときの上昇速度を切り替える制御部を有する請求項１に記載のメディア搬送機構。
【請求項５】
前記収容部に収容される前記メディアの枚数を検知するメディア検出部を有し、
前記制御部は、前記メディア検知部で検知された前記メディアの枚数が２枚のとき、前記搬送アームの上昇速度を前記第１の速度から前記第２の速度に切り替える請求項４に記載のメディア搬送機構。
【請求項６】
把持部材を有する搬送アームを、内孔を有する円板状のメディアが積層されて収容された収容部へ下降させ、
前記収容部に収容された前記メディアの枚数を検出し、
検出された前記収容部に収容された前記メディアの枚数が３枚以上のときには前記搬送アームの前記把持部材で前記メディアを把持した後、第１の速度で前記搬送アームを鉛直方向の上方に移動させ、
検出された前記収容部に収容された前記メディアの枚数が２枚のときには前記搬送アームの前記把持部材で把持した後、前記第１の速度よりも遅い第２の速度で前記搬送アームを鉛直方向の上方に移動させることを特徴とするメディア搬送機構の制御方法。
【請求項７】
検出された前記収容部に収容された前記メディアの枚数が３枚以上のときには、前記搬送アームを前記第１の速度で移動させた後、前記搬送アームに配設された分離部材を第３の速度で前記メディアの径方向に移動させ、
検出された前記収容部に収容された前記メディアの枚数が２枚のときには前記搬送アームを前記第２の速度で移動させた後、前記分離部材を前記第３の速度よりも遅い第４の速度で移動させる請求項６に記載のメディア搬送機構の制御方法。
【請求項８】
内孔を有する円板状のメディアを積層して収容する収容部と、
前記収容部に収容された前記メディアを把持する把持部材、及び前記メディアの内孔から前記メディアの径方向に移動する分離部材を有して鉛直方向に移動するとともに軸を中心に回転する搬送アームと、
前記把持部材で前記メディアを把持して前記搬送アームを鉛直方向の上方へ移動させるときの前記搬送アームの上昇速度を第１の速度、もしくは第１の速度よりも遅い第２の速度で移動させる搬送アーム駆動部材と、
前記搬送アームで搬送された前記メディアにデータを記録する記録部と、
を備えることを特徴とするメディア処理装置。
【請求項９】
前記分離部材を前記メディアの径方向に移動させるときの移動速度を第３の速度、もしくは前記第３の速度よりも遅い第４の速度で移動させる分離部材駆動部材を有する請求項８に記載のメディア処理装置。
【請求項１０】
前記搬送アーム駆動部材で前記搬送アームを移動させるときの上昇速度を切り替える制御部を有する請求項８に記載のメディア処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月4日(2014.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
劣化することなく、かつ層状磁気構造の化学エッチングに屈することなく、層状磁気構造の機械研磨に耐える１つ以上の停止層を含む、層状磁気構造。
【請求項２】
１つ以上の停止層のうちの１つはリーダシールドを、隣接するアルミナインサートの機械研磨中、後退から保護する、請求項１に記載の層状磁気構造。
【請求項３】
１つ以上の停止層のうちの１つは層状磁気構造の層を、隣接する層の機械研磨中、後退から保護する、請求項１に記載の層状磁気構造。
【請求項４】
１つ以上の停止層のうちの１つはアルミナインサートを、隣接する再堆積物の突起の機械研磨中、後退から保護する、請求項１に記載の層状磁気構造。
【請求項５】
層状磁気構造はリーダスタックを含み、１つ以上の停止層のうちの１つはリーダスタックを、隣接する再堆積物の突起の機械研磨中、後退から保護する、請求項１に記載の層状磁気構造。
【請求項６】
１つ以上の停止層はルテニウムを含む、請求項１に記載の層状磁気構造。
【請求項７】
１つ以上の停止層はさらに、化学機械研磨プロセスに耐える、請求項１に記載の層状磁気構造。
【請求項８】
層状磁気構造の保護された構成要素の上に停止層を堆積させるステップと、
停止層の著しい後退をもたらすことなく、保護された構成要素に隣接する材料を機械的に研磨するステップとを含む、層状磁気構造を製造する方法。
【請求項９】
保護された構成要素は、リーダシールド、アルミナインサート、およびリーダスタックのうちの１つ以上である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
保護された構成要素に隣接する材料は、アルミナインサートである、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
保護された構成要素に隣接する材料は、層状磁気構造の層が除去される際に形成される再堆積物の突起である、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
停止層はルテニウムを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
機械研磨する動作は、保護された構成要素の後退をもたらすことなく達成される、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
停止層の少なくとも一部を化学エッチングで除去するステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
劣化することなく、かつ読出素子の化学エッチングに屈することなく、読出素子の機械研磨に耐える１つ以上の停止層を含み、１つ以上の停止層のうちの少なくとも１つは真空内で読出素子の１つ以上の自由層およびスペーサ層の上に堆積される、読出素子。