(57)【要約】      （修正有）【課題】タッチパネル構造の耐スクラッチ性及び耐食性が高くなり、且つ従来のカバーよりも薄くなるために、サファイア基板をカバーとして使用し、タッチパネル構造の製造工程を更に減少させる。【解決手段】タッチパネル構造４０は、2013109766.tif 000018からなる群から一つを選ぶ結晶軸と、単結晶構造である結晶構造と、８０％以上の透過率と、を有するサファイア基板４１と、前記サファイア基板に配置される第一感知層４２１を含む感知モジュール４２と、を備える。【選択図】図４（ａ）
2013109766.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
【数１】
2013109766.tif 000012
からなる群から一つを選ぶ結晶軸と、単結晶構造である結晶構造と、８０％以上の透過率と、を有するサファイア基板と、
前記サファイア基板に直接配置される第一感知層を含む感知モジュールと、を備えることを特徴とするタッチパネル構造。
【請求項２】
前記感知モジュールは、絶縁層及び第二感知層を更に含み、
前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、
前記第二感知層は、前記絶縁層に形成され、
前記第一感知層は、ｘ軸感知回路網を含み、前記第二感知層は、ｙ軸感知回路網を含み、前記ｘ軸感知回路網及び前記ｙ軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、
前記第一感知層及び前記第二感知層は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）の透明導電膜であり、
前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、
前記タッチパネル構造は、前記第二感知層に形成され、前記ｘ軸感知回路網及び前記ｙ軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、
前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能していることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル構造。
【請求項３】
前記感知モジュールは、絶縁層を更に含み、
前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、
前記第一感知層は、ｘ軸感知回路網及びｙ軸感知回路網を含み、前記ｘ軸感知回路網及び前記ｙ軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、
前記第一感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、
前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、
タッチパネル構造は、前記絶縁層に形成され、前記ｘ軸感知回路網と前記ｙ軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、
前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能していることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル構造。
【請求項４】
単結晶構造である結晶構造と、８０％以上の透過率と、を有するサファイア基板と、
前記サファイア基板に直接配置される第一感知層を含む感知モジュールと、を備えることを特徴とするタッチパネル構造。
【請求項５】
前記サファイア基板は、結晶軸を更に含み、
前記結晶軸は、
【数２】
2013109766.tif 000013
からなる群から一つを選び、
前記感知モジュールは、絶縁層及び第二感知層を更に含み、
前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、
前記第二感知層は、前記絶縁層に形成され、
前記第一感知層は、ｘ軸感知回路網を含み、前記第二感知層は、ｙ軸感知回路網を含み、前記ｘ軸感知回路網及び前記ｙ軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、
前記第一感知層及び前記第二感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、
前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、
前記タッチパネル構造は、前記第二感知層に形成され、前記ｘ軸感知回路網と前記ｙ軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、
前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能していることを特徴とする請求項４に記載のタッチパネル構造。
【請求項６】
前記サファイア基板は、結晶軸を更に含み、
前記結晶軸は、
【数３】
2013109766.tif 000014
からなる群から一つを選び、
前記感知モジュールは、絶縁層を更に含み、
前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、
前記第一感知層は、ｘ軸感知回路網及びｙ軸感知回路網を含み、前記ｘ軸感知回路網及び前記ｙ軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、
前記第一感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、
前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、
タッチパネル構造は、前記絶縁層に形成され、前記ｘ軸感知回路網と前記ｙ軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、
前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能していることを特徴とする請求項４に記載のタッチパネル構造。
【請求項７】
単結晶構造を有するサファイア基板と、
前記サファイア基板に直接配置される第一感知層を含む感知モジュールと、を備えることを特徴とするタッチパネル構造。
【請求項８】
前記サファイア基板は、結晶軸を更に含み、前記結晶軸は、
【数４】
2013109766.tif 000015
からなる群から一つを選び、
前記感知モジュールは、絶縁層及び第二感知層を更に含み、
前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、
前記第二感知層は、前記絶縁層に形成され、
前記第一感知層は、ｘ軸感知回路網を含み、前記第二感知層は、ｙ軸感知回路網を含み、前記ｘ軸感知回路網及び前記ｙ軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、
前記第一感知層及び前記第二感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、
前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、
前記サファイア基板は、８０％以上の透過率を有し、
前記タッチパネル構造は、前記第二感知層に形成され、前記ｘ軸感知回路網と前記ｙ軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、
前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能していることを特徴とする請求項７に記載のタッチパネル構造。
【請求項９】
前記サファイア基板は、結晶軸を更に含み、前記結晶軸は、
【数５】
2013109766.tif 000016
からなる群から一つを選び、
前記感知モジュールは、絶縁層を更に含み、
前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、
前記第一感知層は、ｘ軸感知回路網及びｙ軸感知回路網を含み、前記ｘ軸感知回路網及び前記ｙ軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、
前記第一感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、
前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、
前記サファイア基板は、８０％以上の透過率を有し、
前記タッチパネル構造は、前記絶縁層に形成され、前記ｘ軸感知回路網と前記ｙ軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、
前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能していることを特徴とする請求項７に記載のタッチパネル構造。
【請求項１０】
タッチスクリーンと、
前記タッチスクリーンに直接配置される底層を含む感知モジュールと、を備えることを特徴とするタッチパネル構造。
【請求項１１】
前記タッチスクリーンは、サファイア基板を含み、
前記サファイア基板は、単結晶構造を有し、
前記サファイア基板は、結晶軸を更に含み、前記結晶軸は、
【数６】
2013109766.tif 000017
からなる群から一つを選び、
前記底層は、感知層及び絶縁層を含み、
前記感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、
前記感知層は、ｘ軸感知回路網及びｙ軸感知回路網を含み、前記ｘ軸感知回路網及び前記ｙ軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、
前記感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、
前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、
前記サファイア基板は、８０％以上の透過率を有し、
前記タッチパネル構造は、前記絶縁層に形成され、前記ｘ軸感知回路網と前記ｙ軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、
前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能していることを特徴とする請求項１０に記載のタッチパネル構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[関連出願と優先権主張の相互参照]
本出願は、台湾知的財産局での２０１１年１１月１７日に出願された特許出願第１００１４２１１０号（２０１２年５月９日に変更された実用新案登録出願第１０１２０８７６６号）に基づく利益を主張し、当該特許出願の開示は、参照によって本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本発明は、タッチパネル構造に関し、特に、サファイア基板を用いてタッチパネルの材料として機能するタッチパネル構造に関する。
【背景技術】
【０００３】
現在、タッチ制御技術は、抵抗膜方式、静電容量方式、表面弾性波方式、光学（赤外線）方式及び電磁誘導方式等、主に五つのタイプに分かれている。タッチ制御技術は、１９７４年に発明されて以来、主に、ＡＴＭ、チケット販売、教育システム、金銭出納器などの分野に適用される。抵抗膜方式は、タッチ制御技術の主流となっている。アップル（Ａｐｐｌｅ Ｉｎｃ.）が２００８年にｉＰｈｏｎｅをリリースしてから、タッチ制御技術は、個人のモバイルデバイスに適用されることになった。これにより、タッチ制御技術を静電容量方式に昇格させる。抵抗膜方式のタッチ制御技術は、コストが低いが、低耐摩耗性、遅い応答速度及び低透過率を有するため、未だに不評である。表面弾性波方式と光学（赤外線）方式のタッチ制御技術は、良い精度及び耐久性を有しているものの、コストが高すぎるので、主流技術になることはできない。電磁誘導方式のタッチ制御技術は、良好な感度及び耐久性を有しているが、大きな体積を占め、組み立てにくく、専用の電磁ペンを必要とする等の欠点がある。したがって、静電容量方式のタッチ制御技術は、今後数年での主流で有り続けるだろう。
【０００４】
静電容量方式は、表面型（ｓｕｒｆａｃｅ ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｔｙｐｅ）と投影型（ｐｒｏｊｅｃｔｅｄ ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｔｙｐｅ）の二種類がある。表面型静電容量方式は、大面積、低コスト、低エネルギー消費の利点を有しており、欠点は、タッチパネルの角と縁において精度が低くなり、電磁誘導に対してより敏感である。投影型静電容量方式は、ｘ軸とｙ軸のセンサーを通して精度を向上させるが、欠点は、ｘ軸とｙ軸のセンサーの製造プロセスがより複雑になる。たとえそうであっても、多くの工場主は、ｘ軸とｙ軸のセンサーの開発に時間と金を投資するので、製造コストを大幅に削減させた。たとえば、ｉ-ＰＡＤ２の価格は、ｉ-ＰＡＤ１よりも遥かに安い。そのため、近年では、投影型静電容量方式のタッチ技術の応用は続いて増加する。現在の静電容量方式のタッチ技術では、タッチパネル用のカバーは、通常、ガラスで作られ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）も使用されているが、耐久性を考慮するため、ガラスは今でも市場の主流である。しかし、ガラスの強度が劣っているため、強化ガラスは、静電容量方式のタッチ技術の応用に導入されることになる。ガラスを強化するため、強化ガラスは、ガラスを化学薬液に浸漬することによって製造される。その後、タッチパネル用のカバーとして機能するように、強化ガラスは、顧客から要求されたサイズに合わせてカットされる。最後に、強化ガラスは、センサーに貼合される。しかし、強化ガラスを切断した後、小さな穴がその端部に生成され、後の貼合工程において破損を引き起こす。ガラスを切断してから化学薬液に浸漬する提案があるが、コストが大幅に増加するため、好ましくない。
【０００５】
図１は、従来の投影型静電容量方式のタッチパネル１０構造を示す図である。図１に示すように、タッチパネル１０は、カバー１００、光学接着剤１０１、１０２、感知モジュール１０６及び表示パネル１０８を含む。感知モジュール１０６は、感知層１０３、１０５及び感知基板１０４を含む。感知モジュール１０６は、光学接着剤１０１を介してカバー１００に接合されている。感知層１０３は、光学接着剤１０１を介してカバー１００に接合されている。感知モジュール１０６は、光学接着剤１０２を介して表示パネル１０８に接合されている。感知層１０５は、光学接着剤１０２を介して表示パネル１０８に接合されている。
【０００６】
図１におけるカバー１００はガラスで作られている。感知層１０３、１０５は、従来の半導体製造プロセスによって感知基板１０４に形成し、感知モジュール１０６の製造を完了する。感知モジュール１０６が製造された後、光学接着剤１０１を介してカバー１００に接合される必要がある。このように、プロセスはもう一つのステップが必要である。又、カバー１００はガラスで作られた時、硬度と機械的強度の問題が存在する。
【０００７】
図２は、従来の投影型静電容量方式のタッチセンサー２０構造を示す図である。図２に示すように、タッチセンサー２０は、カバー２００、特定パターン２０２、光学接着剤２０３、２０４、ガラスタッチセンサー２０７及び表示パネル２１０を含む。ガラスタッチセンサー２０７は、感知制御チップ２０６とガラス基板２０８を含む。
【０００８】
感知制御チップ２０６は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）で作られている。感知制御チップ２０６は、従来の半導体製造プロセスによってガラス基板２０８に構成し、ガラスタッチセンサー２０７を形成する。ガラス基板２０８は、ガラスタッチセンサー２０７と表示パネル２１０に接合されるように、光学接着剤２０４を介して表示パネル２１０に接合される。カバー２００は、通常、ガラスやＰＥＴフィルムで作られている。特定パターン２０２は、カバー２００の下部に形成することができる。感知制御チップ２０６は、ガラスタッチセンサー２０７がカバー２００と接合されるように、光学接着剤２０３を介して特定パターン２０２に接合される。
【０００９】
図３（ａ）は、従来の投影型静電容量方式のタッチセンサーの制御チップ３０構造を示す図である。図３（ａ）に示すように、制御チップ３０は、ガラス基板３００、ＩＴＯ透明導電膜３２０、３６０および絶縁層３４０を含む。まず、ＩＴＯ透明導電膜３２０は、薄膜製造プロセスによってガラス基板３００上に製造される。次に、ｘ軸透明導導電網３１０は、ＩＴＯ透明導電膜３２０で製造される。次に、絶縁層３４０は、ＩＴＯ透明導電膜３２０上に製造され、その後、ＩＴＯ透明導電膜３６０は、薄膜製造プロセスによって、絶縁層３４０上に製造される。最後に、ｙ軸透明導電網３３０は、ＩＴＯ透明導電膜３６０で製造される。絶縁層３４０は、ｘ軸透明導電網３１０をｙ軸透明導電性網３３０から分離するためのものである。
【００１０】
図３（ｂ）は、図３（ａ）の上面図である。図３（ｂ）に示すように、制御チップ３０は、ユーザの指で触れると、タッチ領域３８０の容量値が変化する。したがって、ｘ軸信号のスキャン及びｙ軸信号のスキャンにより、スキャンして得たｘ軸信号３２及びｙ軸信号３４のノイズを抑制し、タッチ領域３８０の座標を求めることができる。
【００１１】
上記の従来のカバー１００、２００は、ガラスで作られる。又、感知モジュール１０６は、光学接着剤１０１を介して、カバー１００に結合される必要があり、ガラスタッチセンサー２０７も光学接着剤２０３を介して、カバー２００に接合される必要がある。尚、ガラスの硬度と機械的強度には、克服すべき問題がある。ユーザの携帯電話の表面は、通常、スクレープを防ぐために、ペースターによって貼り付けられ、脂っこさを防ぐために、フッ化物によってめっきされる。ガラスタッチセンサー２０７の基板としてガラス基板２０８を使用すると、体積が減少することができないという問題が起きる。従来の投影型静電容量方式のタッチパネル１０は、その強度を確保するために、カバー１００の厚みが薄すぎることはできない。したがって、従来の投影型静電容量方式のタッチパネル１０の厚さは相対的に厚い。ガラス製のカバー１００、２００を改善する必要がある。
【００１２】
したがって、本発明はこのような従来の課題を解決するため、実験と研究を重ねた結果を通じて、得られたものである。
【発明の概要】
【００１３】
本発明は、タッチパネル構造の耐スクラッチ性及び耐食性が高くなり、且つ従来のカバーよりも薄くなるために、サファイア基板をカバーとして使用し、タッチパネル構造の製造工程を更に減少させることができる。
【００１４】
従来技術に鑑み、本発明は、タッチパネル構造を提出する。前記タッチパネル構造は、
【数１】
2013109766.tif 000003
【００１５】
からなる群から一つを選ぶ結晶軸と、単結晶構造である結晶構造と、８０％以上の透過率と、を有するサファイア基板と、  前記サファイア基板に配置される第一感知層を含む感知モジュールと、を備える。
【００１６】
上述の目的を達成するために、他のタッチパネル構造を提供する。前記タッチパネル構造は、単結晶構造である結晶構造と、８０％以上の透過率と、を有するサファイア基板と、前記サファイア基板に直接配置される第一感知層を含む感知モジュールと、を備える。
【００１７】
上述の目的を達成するために、もう一つのタッチパネル構造を提供する。前記タッチパネル構造は、単結晶構造を有するサファイア基板と、前記サファイア基板に直接配置される第一感知層を含む感知モジュールと、を備える。
【００１８】
上述の目的を達成するために、さらにもう１つのタッチパネル構造を提供する。前記タッチパネル構造は、タッチスクリーンと、前記タッチスクリーンに直接配置される底層を含む感知モジュールと、を備える。
【００１９】
本発明のタッチパネル構造によれば、感知モジュールは、半導体製造プロセスによりサファイア基板に直接配置されており、サファイア基板は、タッチパネル構造のカバーとして機能する。サファイア基板の硬度は、ダイヤモンドよりも小さいだけであるが、強化ガラスよりもはるかに大きい。サファイア基板は、耐スクラッチ性及び耐食性が高くなり、且つ従来のカバーよりも薄くなる。
【００２０】
以下のように、本発明を実施例に基づいて詳述するが、あくまでも例示であって、本発明の範囲はこれらの実施形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲に記載されており、さらに特許請求の範囲の記載と均等な意味及び範囲内での全ての変更を含んでいる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】従来の投影型静電容量方式のタッチパネル構造を示す図である。
【図２】従来の投影型静電容量方式のタッチセンサー構造を示す図である。
【図３（ａ）】従来の投影型静電容量方式のタッチセンサーの制御チップ構造を示す図である。
【図３（ｂ）】図３（ａ）の上面図である。
【図４（ａ）】本発明の第一実施形態に係るタッチパネル構造を示す図である。
【図４（ｂ）】図４（ａ）の上面図である。
【図５】本発明の第一実施形態に係るタッチパネル構造を製造するためのフローチャートである。
【図６（ａ）】本発明の第二実施形態に係るタッチパネル構造を示す図である。
【図６（ｂ）】図６（ａ）の上面図である。
【図６（ｃ）】図６（ｂ）のＡ−Ａラインに沿って示す断面図である。
【図７】本発明の第二実施形態に係るタッチパネル構造を製造するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図４（ａ）は、本発明の第一実施形態に係るタッチパネル構造４０を示す図である。図４（ａ）に示すように、タッチパネル構造４０は、二層のＩＴＯ構造であり、サファイア基板４１及び感知モジュール４２を含む。感知モジュール４２は、サファイア基板４１に直接配置される第一感知層４２１を含む。感知モジュール４２は、絶縁層４２２及び第二感知層４２３をさらに含む。第一感知層４２１は、第一表面４２１１及び第二表面４２１２を有している。第一表面４２１１は、サファイア基板４１に直接接触され、絶縁層４２２は、第二表面４２１２に形成される。第二感知層４２３は、絶縁層４２２に形成される。サファイア基板４１は、前表面（図示せず）と裏表面（図示せず）を更に含む。感知モジュール４２は、裏表面に直接配置されており、前表面は、触れるための表面として機能する。
【００２３】
第一感知層４２１は、ｘ軸感知回路網４２１３を含み、第二感知層４２３は、ｙ軸感知回路網４２３１を含む。ｘ軸感知回路網４２１３及びｙ軸感知回路網４２３１は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていない。第一感知層４２１及び第二感知層４２３は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜である。タッチパネル構造４０は、導線回路層４９を更に含む。導線回路層４９は、第二感知層４２３に形成され、ｘ軸感知回路網４２１３及びｙ軸感知回路網４２３１に電気的に接続される。ｘ軸感知回路網４２１３は、絶縁層４２２によって被覆されていない導線（図示せず）を介して導線回路層４９に接続されている。
【００２４】
サファイア基板４１は、結晶軸、結晶構造及び透過率を有する。前記結晶軸は、
【数２】
2013109766.tif 000004
【００２５】
からなる群から一つを選ぶものである。前記結晶構造は単結晶構造であり、前記透過率は、８０％以上である。サファイア基板４１は、硬質材料及び高い機械的強度を有し、且つ耐スクラッチ性及び耐食性が高いので、タッチパネル構造４０のカバーとして適している。しかし、すべての種類のサファイアは、カバーとして適していない。単結晶構造を有するサファイアだけは、透過率が８０％以上であるので、カバーとして機能するものに適している。多結晶構造を有するサファイアは、透過率が６０％よりも小さいため、カバーとして適していなく、必要条件を満たしていない。
【００２６】
また、サファイア基板４１の物理的や光学的特性は、結晶軸によって異なる。例えば、サファイア基板４１の物理的特性は、硬度、ヤング率、圧縮強度と熱伝導率の少なくとも一つを含む。例えば、サファイア基板４１の光学的特性は、透過率を含む。表１は、物理的及び光学的特性において、強化ガラスとサファイア基板４１の各結晶軸との比較を示す。
【表１】
2013109766.tif 000005
【００２７】
サファイア基板４１の結晶軸は、ｃ−軸、ａ−軸、ｍ−軸及びｒ―軸のいずれかである時、サファイア基板４１の硬度、ヤング率、圧縮強度及び熱伝導率は、強化ガラスの方よりもはるかに高い。サファイア基板４１の透過率は、強化ガラスの方よりも少し低いが、悪くないものである。
【００２８】
図４（ｂ）は、図４（ａ）の上面図である。図４（ｂ）に示すように、サファイア基板４１は、ユーザの指でタッチすると、感知モジュール４２が指タッチポイント４７と指タッチポイント４８のｘ軸座標とｙ軸座標を測定するように、指のタッチに反応し、ｘ軸信号４４とｙ軸信号４６を送信する。例えば、指タッチポイント４７のｘ軸座標は１４.５であり、そのｙ軸座標は、６.５であり、指タッチポイント４８のｘ軸座標は９.５であり、ｙ軸座標は、１.５である。
【００２９】
図５は本発明の第一実施形態に係るタッチパネル構造４０を製造するためのフローチャートである。図５に示すように、感知モジュール４２は、フォトリソグラフィー工程により、サファイア基板４１に形成されている。そのフローチャートは、以下のステップを含む。ステップＳ１０は、酸性溶液によってサファイア基板４１を清潔にする（サファイア基板４１は防食性を有するため、好ましくは、酸性溶液は王水である）。
【００３０】
ステップＳ１１は、清潔にした後、サファイア基板４１の表面に第一感知層４２１をスパッタする（好ましくは、第一感知層４２１は、ＩＴＯ透明導電層である）。ステップＳ１２は、ｘ軸感知回路網４２１３を製造するように、第一感知層４２１に対し、第一フォトリソグラフィー工程を行う。
【００３１】
第一フォトリソグラフィー工程は、次のステップを更に含む。ステップＳ１２１は、第二表面４２１２にフォトレジスト（ＰＲ）をコーティングする。ステップＳ１２２は、フォトレジストを露光する。ステップＳ１２３は、現像を行う。ステップＳ１２４は、ｘ軸感知回路網４２１３を形成ようにエッチングを行う。ステップＳ１２５は、ｘ軸感知回路網４２１３を洗う。
【００３２】
ｘ軸感知回路網４２１３を製造した後、ステップＳ１３を行う。ステップＳ１３は、ｘ軸感知回路網４２１３に絶縁層４２２をコーティングする。ステップＳ１３は、ステップＳ１３１を更に含む。ステップＳ１３１は、ＩＴＯ接点を露出するように、絶縁層４２２に対して第二フォトリソグラフィー工程を行う。ステップＳ１４は、第二感知層４２３をスパッタする（好ましくは、第二感知層４２３は、ＩＴＯ透明導電層である）。ステップＳ１５は、ｙ軸感知回路網４２３１を製造するように、第二感知層４２３に対し、第三フォトリソグラフィー工程を行う。
【００３３】
第三フォトリソグラフィー工程では、ステップＳ１５１〜Ｓ１５５を更に含む。ステップＳ１５１は、第二感知層４２３にフォトレジストをコーティングする。ステップＳ１５２は、フォトレジストを露光する。ステップＳ１５３は、現像を行う。ステップＳ１５４は、ｙ軸感知回路網４２３１を形成ようにエッチングを行う。ステップＳ１５５は、ｙ軸感知回路網４２３１を洗う。
【００３４】
ｘ軸感知回路網４２１３及びｙ軸感知回路網４２３１を製造した後、ステップＳ１６を行う。ステップＳ１６は、金属層を堆積させる。ステップＳ１７は、第四フォトリソグラフィー工程によって導線回路層４９を製造する。
【００３５】
第四フォトリソグラフィー工程では、ステップＳ１７１〜Ｓ１７５を更に含む。ステップＳ１７１は、金属層にフォトレジストをコーティングする。ステップＳ１７２は、フォトレジストを露光する。ステップＳ１７３は、現像を行う。ステップＳ１７４は、導線回路層４９を形成ようにエッチングを行う。ステップＳ１７５は、導線回路層４９を洗う。
【００３６】
最後に、ステップＳ１８は、導線回路層４９に別の絶縁層をコーティングする。ステップＳ１９は、製造を完了する。
【００３７】
図６（ａ）は、本発明の第二実施形態に係るタッチパネル構造６０を示す図である。図６（ａ）に示すように、タッチパネル構造６０は、サファイア基板６００と感知モジュール６２を含む。感知モジュール６２は、サファイア基板６００に直接配置される感知層６３０を含む。感知モジュール６２は、絶縁層６６０を更に含む。感知層６３０は、第一表面６３０１及び第二表面６３０２を有し、第一表面６３０１は、サファイア基板６００に直接接触される。絶縁層６６０は、第二表面６３０２に形成される。
【００３８】
感知層６３０は、ｘ軸感知回路網６２０及びｙ軸感知回路網６４０を含み、ｘ軸感知回路網６２０及びｙ軸感知回路網６４０は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていない。感知層６３０は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜である。感知モジュール６２は、フォトリソグラフィー法によりサファイア基板６００に形成される。タッチパネル構造６０は、導線回路層６８０を更に含む。導線回路層６８０は、絶縁層６６０に形成され、第一表面６３０１及び第二表面６３０２に電気的に接続される。第一表面６３０１は、絶縁層６６０によって被覆されていない導線（図示せず）を介して導線回路層６８０に接続されている。
【００３９】
サファイア基板６００は、結晶軸、結晶構造及び透過率を有する。前記結晶軸は、ｃ−軸、ａ−軸、ｍ−軸、及びｒ―軸からなる群から一つを含む。前記結晶構造は、単結晶構造であり、前記透過率は、８０％以上である。サファイア基板６００は、タッチパネル構造体６０のカバーとして機能している。
【００４０】
図６（ｂ）は、図６（ａ）の上面図である。図６（ｂ）に示すように、本発明の第二実施形態において、ｘ軸感知回路網６２０及びｙ軸感知回路網６４０が同じ層で製造されている点で、本発明の第一実施形態とは異なる。導線回路層６８０においては、ｘ軸感知回路網６２０が電気的にｘ軸導線６８０１に接続されており、ｙ軸感知回路網６４０は、電気的にｙ軸導線６８０２に接続されている。図６（ｃ）は、図６（ｂ）のＡ−Ａラインに沿って示す断面図である。図６（ｃ）に示すように、絶縁層６６０が形成された後、ｙ軸導線６８０２は、電気的にｙ軸感知回路網６４０にに接続されている。
【００４１】
図７は、本発明の第二実施形態に係るタッチパネル構造を製造するためのフローチャートである。図７に示すように、そのフローチャートは、以下のステップを含む。ステップＳ２０は、王水によってサファイア基板６００を清潔にする。ステップＳ２１は、清潔にした後、サファイア基板６００の表面に感知層６３０をスパッタする（好ましくは、感知層６３０は、ＩＴＯ透明導電層である）。ステップＳ２２は、ｘ軸感知回路網６２０及びｙ軸感知回路網６４０を製造するように、感知層６３０に対し、第一フォトリソグラフィー工程を行う。
【００４２】
第一フォトリソグラフィー工程は、次のステップを更に含む。ステップＳ２２１は、第二表面６３０２にフォトレジストをコーティングする。ステップＳ２２２は、フォトレジストを露光する。ステップＳ２２３は、現像を行う。ステップＳ２２４は、ｘ軸感知回路網６２０及びｙ軸感知回路網６４０を形成するようにエッチングを行う。ステップＳ２２５は、ｘ軸感知回路網６２０及びｙ軸感知回路網６４０を洗う。
【００４３】
ｘ軸感知回路網６２０及びｙ軸感知回路網６４０を製造した後、ステップＳ２３を行う。ステップＳ２３は、ｘ軸感知回路網６２０及びｙ軸感知回路網６４０に絶縁層６６０をコーティングする。ステップＳ２３は、ステップＳ２３１を更に含む。ステップＳ２３１は、ＩＴＯ接点を露出するように、絶縁層６６０に対して第二フォトリソグラフィー工程を行う。ステップＳ２４は、絶縁層６６０に金属層を堆積させる。ステップＳ２５は、第三フォトリソグラフィー工程によって導線回路層６８０を製造する。
【００４４】
第三フォトリソグラフィー工程では、ステップＳ２５１〜Ｓ２５５を更に含む。ステップＳ２５１は、金属層にフォトレジストをコーティングする。ステップＳ２５２は、フォトレジストを露光する。ステップＳ２５３は、現像を行う。ステップＳ２５４は、導線回路層６８０を形成ようにエッチングを行う。ステップＳ２５５は、導線回路層６８０を洗う。
【００４５】
最後に、ステップＳ２６は、導線回路層６８０に別の絶縁層をコーティングする。ステップＳ２７は、製造を完了する。
【００４６】
他の実施形態は、次のように記載されている。
【００４７】
１、タッチパネル構造は、
【数３】
2013109766.tif 000006
【００４８】
からなる群から一つを選ぶ結晶軸と、単結晶構造である結晶構造と、８０％以上の透過率と、を有するサファイア基板と、  前記サファイア基板に配置される第一感知層を含む感知モジュールと、を備える。
【００４９】
２、実施形態１に説明したように、前記タッチパネル構造において、前記感知モジュールは、絶縁層及び第二感知層を更に含み、前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、前記第二感知層は、前記絶縁層に形成され、前記第一感知層は、ｘ軸感知回路網を含み、前記第二感知層は、ｙ軸感知回路網を含み、前記ｘ軸感知回路網及び前記ｙ軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、前記第一感知層及び前記第二感知層は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）の透明導電膜であり、前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、前記タッチパネル構造は、前記第二感知層に形成され、前記ｘ軸感知回路網及び前記ｙ軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能している。
【００５０】
３、実施形態１に説明したように、前記タッチパネル構造において、前記感知モジュールは、絶縁層を更に含み、前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、前記第一感知層は、ｘ軸感知回路網及びｙ軸感知回路網を含み、前記ｘ軸感知回路網及び前記ｙ軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、前記第一感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、タッチパネル構造は、前記絶縁層に形成され、前記ｘ軸感知回路網と前記ｙ軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能している。
【００５１】
４、タッチパネル構造は、単結晶構造である結晶構造と、８０％以上の透過率と、を有するサファイア基板と、前記サファイア基板に直接配置される第一感知層を含む感知モジュールと、を備える。
【００５２】
５、実施形態４に説明したように、前記タッチパネル構造において、前記サファイア基板は、結晶軸を更に含み、前記結晶軸は、
【数４】
2013109766.tif 000007
【００５３】
からなる群から一つを選び、前記感知モジュールは、絶縁層及び第二感知層を更に含み、前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、前記第二感知層は、前記絶縁層に形成され、前記第一感知層は、ｘ軸感知回路網を含み、前記第二感知層は、ｙ軸感知回路網を含み、前記ｘ軸感知回路網及び前記ｙ軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、前記第一感知層及び前記第二感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、前記タッチパネル構造は、前記第二感知層に形成され、前記ｘ軸感知回路網と前記ｙ軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能している。
【００５４】
６、実施形態４に説明したように、前記タッチパネル構造において、前記サファイア基板は、結晶軸を更に含み、前記結晶軸は、
【数５】
2013109766.tif 000008
【００５５】
からなる群から一つを選び、前記感知モジュールは、絶縁層を更に含み、前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、前記第一感知層は、ｘ軸感知回路網及びｙ軸感知回路網を含み、前記ｘ軸感知回路網及び前記ｙ軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、前記第一感知層は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜であり、前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、タッチパネル構造は、前記絶縁層に形成され、前記ｘ軸感知回路網と前記ｙ軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能している。
【００５６】
７、タッチパネル構造は、単結晶構造を有するサファイア基板と、前記サファイア基板に直接配置される第一感知層を含む感知モジュールと、を備える。
【００５７】
８、実施形態７に説明したように、前記タッチパネル構造において、前記サファイア基板は、結晶軸を更に含み、前記結晶軸は、
【数６】
2013109766.tif 000009
【００５８】
からなる群から一つを選び、前記感知モジュールは、絶縁層及び第二感知層を更に含み、前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、前記第二感知層は、前記絶縁層に形成され、前記第一感知層は、ｘ軸感知回路網を含み、前記第二感知層は、ｙ軸感知回路網を含み、前記ｘ軸感知回路網及び前記ｙ軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、前記第一感知層及び前記第二感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、前記サファイア基板は、８０％以上の透過率を有し、前記タッチパネル構造は、前記第二感知層に形成され、前記ｘ軸感知回路網と前記ｙ軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能している。
【００５９】
９、実施形態７に説明したように、前記タッチパネル構造において、前記サファイア基板は、結晶軸を更に含み、前記結晶軸は、
【数７】
2013109766.tif 000010
【００６０】
からなる群から一つを選び、前記感知モジュールは、絶縁層を更に含み、
前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、前記第一感知層は、ｘ軸感知回路網及びｙ軸感知回路網を含み、前記ｘ軸感知回路網及び前記ｙ軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、前記第一感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、前記サファイア基板は、８０％以上の透過率を有し、前記タッチパネル構造は、前記絶縁層に形成され、前記ｘ軸感知回路網と前記ｙ軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能している。
【００６１】
１０、タッチパネル構造は、タッチスクリーンと、前記タッチスクリーンに直接配置される底層を含む感知モジュールと、を備える。
【００６２】
１１、実施形態１０に説明したように、前記タッチパネル構造において、前記タッチスクリーンは、サファイア基板を含み、前記サファイア基板は、単結晶構造を有し、前記サファイア基板は、結晶軸を更に含み、前記結晶軸は、
【数８】
2013109766.tif 000011
【００６３】
からなる群から一つを選び、前記底層は、感知層及び絶縁層を含み、前記感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、前記感知層は、ｘ軸感知回路網及びｙ軸感知回路網を含み、前記ｘ軸感知回路網及び前記ｙ軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、前記感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、前記サファイア基板は、８０％以上の透過率を有し、前記タッチパネル構造は、前記絶縁層に形成され、前記ｘ軸感知回路網と前記ｙ軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能している。
【００６４】
以上の説明によると、当業者であれば本発明の技術思想を逸脱しない範囲で、多様な変更及び修正が可能であることが分かる。従って、本発明の技術的な範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限らず、特許請求の範囲によって定めなければならない。
【符号の説明】
【００６５】
１０タッチパネル
２０タッチセンサー
３０制御チップ
４０、６０タッチパネル構造
４１、６００サファイア基板
４２、６２感知モジュール
４４ｘ軸信号
４６ｙ軸信号
４７、４８指タッチポイント
４９、６８０導線回路層
６０タッチパネル構造
１００、２００カバー
１０１、１０２光学接着剤
１０３、１０５、６３０感知層
１０４感知基板
１０６感知モジュール
１０８表示パネル
２０２特定パターン
２０３、２０４光学接着剤
２０６感知制御チップ
２０７ガラスタッチセンサー
２０８ガラス基板
２１０表示パネル
３００ガラス基板
３１０ｘ軸透明導電網
３２０、３６０ＩＴＯ透明導電膜
３３０ｙ軸透明導電網
３４０、６６０絶縁層
４２１第一感知層
４２２絶縁層
４２３第二感知層
４２１１、６３０１第一表面
４２１２、６３０２第二表面
４２１３、６２０ｘ軸感知回路網
４２３１、６４０ｙ軸感知回路網
６８０１ｘ軸導線
６８０２ｙ軸導線
【図１】
2013109766.tif 000019
【図２】
2013109766.tif 000020
【図３（ａ）】
2013109766.tif 000021
【図３（ｂ）】
2013109766.tif 000022
【図４（ａ）】
2013109766.tif 000023
【図４（ｂ）】
2013109766.tif 000024
【図５】
2013109766.tif 000025
【図６（ａ）】
2013109766.tif 000026
【図６（ｂ）】
2013109766.tif 000027
【図６（ｃ）】
2013109766.tif 000028
【図７】
2013109766.tif 000029