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【手続補正書】
【提出日】平成25年9月13日(2013.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機溶媒中にカルボン酸系の非ステロイド系抗炎症薬と等モルの有機アミン化合物を溶解し、有機溶媒を留去することにより、常温（２５℃）で液体のブレンステッド型等モル塩を製造する方法であって、
カルボン酸系の非ステロイド系抗炎症薬が、ケトプロフェン、フルルビプロフェン、エトドラクからなる群から選択され、
有機アミン化合物が、リドカイン、トリイソプロパノールアミンからなる群から選択されるものであり、
ブレンステッド型の等モル塩であることが、非ステロイド系抗炎症薬のカルボン酸の赤外吸収スペクトルが消失し、カルボキシイオンの赤外吸収スペクトルを発生することで確認できることを特徴とする、非ステロイド系抗炎症薬と有機アミン化合物との常温（２５℃）で液体のブレンステッド型等モル塩の製造方法。
【請求項２】
有機溶媒が、メタノールまたはクロロホルムであることを特徴とする、請求項１に記載の常温（２５℃）で液体のブレンステッド型等モル塩の製造方法。
【請求項３】
上記有機アミン化合物がリドカインである、請求項１または２に記載の常温（２５℃）で液体のブレンステッド型等モル塩の製造方法。
【請求項４】
以下のカルボン酸系の非ステロイド系抗炎症薬と有機アミン化合物の等モル塩であって、
常温（２５℃）で液体のブレンステッド型等モル塩、
ａ）ケトプロフェンの塩：
リドカイン塩、トリイソプロパノールアミン塩、
ｂ）フルルビプロフェンの塩：
リドカイン塩、トリイソプロパノールアミン塩、
ｃ）エトドラクの塩：
リドカイン塩、トリイソプロパノールアミン塩。
【請求項５】
上記有機アミン化合物がリドカインである、請求項４に記載の常温（２５℃）で液体のブレンステッド型等モル塩。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月6日(2014.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
飲料水を収容する上部タンク（２）と、その上部タンク（２）の下方に位置する温水タンク（３）と、その温水タンク（３）内の飲料水を加熱する加熱装置（２７）と、前記上部タンク（２）と温水タンク（３）を接続するタンク接続路（７）とを有し、
そのタンク接続路（７）に、上部タンク（２）側から温水タンク（３）側への飲料水の流れを許容し、かつ、温水タンク（３）側から上部タンク（２）側への飲料水の流れを規制するチェックバルブ（２０）を設けたウォーターサーバーにおいて、
前記チェックバルブ（２０）が、上下方向に延びる中空筒状のバルブスリーブ（２１）と、そのバルブスリーブ（２１）内に上下に移動可能に設けられた弁体（２２）と、その弁体（２２）の上方に設けられ、上下に貫通する弁孔（２５）が形成されたバルブシート（２３）とを有し、
前記弁体（２２）を飲料水よりも小さい比重をもつように形成し、
前記バルブスリーブ（２１）内に飲料水が無い状態では前記弁体（２２）が自重で下方に移動して前記弁孔（２５）を開き、
前記バルブスリーブ（２１）内が飲料水で満たされた状態では前記弁体（２２）が浮力で上方に移動して前記弁孔（２５）を閉じ、
前記タンク接続路（７）が、前記温水タンク（３）の上面から温水タンク（３）の内側を下方に延びて温水タンク（３）の底面の近傍で開口するタンク内配管（７ａ）を有し、そのタンク内配管（７ａ）の温水タンク（３）の上面近傍にタンク内配管（７ａ）の内外を連通する小穴（３０）を設けた
ことを特徴とするウォーターサーバー。
【請求項２】
前記チェックバルブ（２０）に、前記弁体（２２）が前記弁孔（２５）を閉じた状態でバルブシート（２３）よりも上部タンク（２）側の領域とバルブシート（２３）よりも温水タンク（３）側の領域とを連通する連通路（２６）を設けた請求項１に記載のウォーターサーバー。
【請求項３】
前記弁体（２２）の下方への移動ストロークを規制するリテーナ（２４）を設け、前記弁体（２２）を球形に形成し、その弁体（２２）が前記リテーナ（２４）に接触するときの弁体（２２）の位置から、前記弁体（２２）が前記弁孔（２５）を閉じるときの弁体（２２）の位置までの弁体（２２）の移動量（Ｓ）を、弁体（２２）の直径よりも大きく設定した請求項１または２に記載のウォーターサーバー。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月17日(2014.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料レールと、エンジンブロックと、前記エンジンブロック内に設けられた燃焼室および燃焼室に連通する通路と、を備えた直噴内燃エンジンに用いられる燃料噴射器アセンブリにおいて、
燃料取入口を有する燃料噴射器と、
前記燃料噴射器の一部を収納するように形成された噴射器カップと、
前記燃料噴射器の先端部を前記エンジンブロック通路内に配置し、前記燃料噴射器本体および前記燃料噴射器の先端部とを前記エンジンブロックから離隔して前記燃料噴射器を前記嘖射器カップに固定する噴射器ホルダアセンブリとを有し、
前記噴射器ホルダアセンブリは、前記噴射器カップに装着されるクリップホルダを有し、前記燃料噴射器のエンジンブロックへの動きを規制することを特徴とする燃料噴射器アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月6日(2014.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円環形状をなすハブと、
前記ハブの外周面に沿って放射状に配置される複数のブレードと、
を備え、
回転軸線に沿って前記ブレードの前縁側から流れ込んだ流体が、前記回転軸線に交差する半径方向の外側に向かって前記ブレードの後縁側から排出されるインペラにおいて、
前記ブレードの圧力面は、前記ハブ側から回転方向の前方に対して９０度以下の角度で延出する第１圧力面と、
前記第１圧力面から回転方向の前方に対して９０度より大きい角度で延出する第２圧力面と、
を有し、
前記ブレードの圧力面は、前記第２圧力面から回転方向の前方に対して９０度以下の角度で延出する第３圧力面を有し、内周側が回転方向の前方側に向けて湾曲する湾曲形状をなす一方、外周側が前記第１圧力面と前記第２圧力面と前記第３圧力面を有するＳ字形状をなす、
ことを特徴とするインペラ。
【請求項２】
前記第１圧力面と前記第３圧力面は、前記ハブに対して回転方向の前方へ傾斜していることを特徴とする請求項１に記載のインペラ。
【請求項３】
前記ブレードの圧力面は、少なくとも外周側に前記第２圧力面が設けられることを特徴とする請求項１または２に記載のインペラ。
【請求項４】
前記第２圧力面は、前記ハブから前記ブレードにおける回転軸心方向の長さの１／２以下の位置に設けられることを特徴とする請求項１から３のいずれか一つに記載のインペラ。
【請求項５】
前記第２圧力面は、回転方向の前方側に位置する前記ブレードの先端部の負圧面に対向していることを特徴とする請求項１から４のいずれか一つに記載のインペラ。
【請求項６】
中空形状をなすケーシングと、
円環形状をなすハブの外周面に沿って複数のブレードが放射状に配置されて前記ケーシング内に回転自在に支持されるインペラと、
前記インペラに対して流体が該インペラの前縁側から軸方向に沿って吸入される吸入通路と、
前記インペラで圧送された流体が該インペラの軸方向に交差する半径方向の外側に向かって前記ブレードの後縁側から排出される排出通路と、
を備え、
前記ブレードの圧力面は、前記ハブ側から回転方向の前方に対して９０度以下の角度で延出する第１圧力面と、
前記第１圧力面から回転方向の前方に対して９０度より大きい角度で延出する第２圧力面と、
を有し、
前記ブレードの圧力面は、前記第２圧力面から回転方向の前方に対して９０度以下の角度で延出する第３圧力面を有し、内周側が回転方向の前方側に向けて湾曲する湾曲形状をなす一方、外周側が前記第１圧力面と前記第２圧力面と前記第３圧力面を有するＳ字形状をなす、
ことを特徴とする流体機械。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月8日(2014.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）非晶性熱可塑性樹脂７０〜３５重量％および（Ｂ）断面が下記式による扁平率２．３以上の長円形である強化繊維３０〜６５重量％を含む熱可塑性樹脂組成物からなり、成形品中の強化繊維の重量平均繊維長が１ｍｍ以上である成形品の製造方法において、ロービング状の強化繊維に熱可塑性樹脂を被覆した後、３ｍｍ以上の長さにカットされたペレットを緩圧縮なタイプのスクリューを用いて射出成形する工程を含み、
（Ａ）非晶性熱可塑性樹脂が、少なくとも、０〜５０モル％のパラキシリレンジアミンと、５０〜１００モル％のメタキシリレンジアミンとからなる混合ジアミンと、炭素数６〜１２のα，ω−直鎖脂肪族ジカルボン酸との重縮合反応により得られるポリアミド樹脂を含むことを特徴とする、繊維強化熱可塑性樹脂成形品の製造方法。
扁平率＝強化繊維長径（ａ）／強化繊維短径（ｂ）
【請求項２】
（Ｂ）強化繊維の扁平率が２．３〜５である、請求項１に記載の繊維強化熱可塑性樹脂成形品の製造方法。
【請求項３】
重量平均繊維長が１〜１０ｍｍである、請求項１または２に記載の繊維強化熱可塑性樹脂成形品の製造方法。
【請求項４】
（Ａ）非晶性熱可塑性樹脂の２０重量％以上が、０〜５０モル％のパラキシリレンジアミンと、５０〜１００モル％のメタキシリレンジアミンとからなる混合ジアミンと、炭素数６〜１２のα、ω一直鎖脂肪族ジカルボン酸との重縮合反応により得られるポリアミド樹脂である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の繊維強化熱可塑性樹脂成形品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
実施例１−１および１−２は参考例である。
【表１】
2013199121.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
実施例１−３〜１−５は参考例である。
【表２】
2013199121.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
実施例２−１〜２−５は参考例である。
【表４】
2013199121.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月3日(2013.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
しかしながら、バッテリーは一般的に高価な部品であるので、電源回路のコストダウンの妨げになる。また、バッテリーは定期的に交換が必要な部品でもあるので、メンテナンスの煩雑化の一因にもなる。また、バッテリーが嵩張る場合には装置の小型化の妨げにもなり、更には、バッテリーを組み込むことにより回路全体が複雑化する場合もある。このような種々の理由から、この種のリフティングマグネット用電源回路では、上記のようなバッテリーを省略することが望まれる。しかしその一方で、停電時において積荷の突然の落下を避ける機能は、作業現場の危険防止の観点から欠かすことができない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本実施形態の直流変換部３は、６個のダイオード３１ａ〜３１ｆを含むブリッジ回路によって構成されており、三相全波整流を行う。具体的には、ダイオード３１ａ〜３１ｆのうち、ダイオード３１ａ及び３１ｂが直列に接続され、ダイオード３１ｃ及び３１ｄが直列に接続され、ダイオード３１ｅ及び３１ｆが直列に接続されている。また、ダイオード３１ａ及び３１ｂからなる組と、ダイオード３１ｃ及び３１ｄからなる組と、ダイオード３１ｅ及び３１ｆからなる組とは、互いに並列に接続されている。そして、これらのダイオードの組のカソード側の一端は正側出力端３ａに電気的に接続されており、アノード側の他端は負側出力端３ｂに電気的に接続されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
励磁動作モードからの停電直後においては、第４のスイッチング素子４１ｄの動作信号が停止するが、第４のスイッチング素子４１ｄはラッチ式であるので導通状態を維持する。そうすると、図２に示すように、リフティングマグネット２、第４のスイッチング素子４１ｄ、及び第２の転流用ダイオード４２ｂを環状に繋ぐ閉回路が形成されるので、停電直後においては上記閉回路で電流Ｉ１が還流する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
このような電源回路２０１において、励磁動作モードからの停電直後においては、第１のスイッチング素子４１ａの動作信号が停止するが、第１のスイッチング素子４１ａはラッチ式であるので導通状態を維持する。そうすると、図４に示すように、リフティングマグネット２、第３の転流用ダイオード４２ｃ、抵抗素子４６ｅ、及び第１のスイッチング素子４１ａ、を環状に繋ぐ閉回路が形成されるので、停電直後においては上記閉回路で電流Ｉ２が還流する。従って、電源回路２０１によっても、前述の電源回路１と同様の作用効果が奏される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
１，２０１…リフティングマグネット用電源回路、２…リフティングマグネット、２ａ…リフティングマグネットの一端、２ｃ…リフティングマグネットの他端、３ａ…正側出力端（高電位側電源）、３ｂ…負側出力端（低電位側電源）、４…Ｈブリッジ回路部、４１ａ…第１のスイッチング素子、４１ｂ…第２のスイッチング素子、４１ｃ…第３のスイッチング素子、４１ｄ…第４のスイッチング素子、４２ｂ…第２の転流用ダイオード（整流素子）、４５ｂ…第２の転流用ダイオードのカソード、４２ｃ…第３の転流用ダイオード（整流素子）、４７ｃ…第３の転流用ダイオードのアノード、４３ａ，４３ｃ…ノード。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月27日(2013.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＳＯＩ基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンド基板に電界で加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化層を形成し、
絶縁層を介して前記ボンド基板とベース基板を貼り合わせ、
前記貼り合わせられたボンド基板の一部の領域を、他の領域よりも１０℃以上３０℃以下の高い温度で加熱することにより、前記脆化層において前記一部の領域から前記他の領域に分離を進行させ、前記ベース基板に半導体層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
ボンド基板に電界で加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化層を形成し、
絶縁層を介して前記ボンド基板とベース基板を貼り合わせ、
前記貼り合わせられたボンド基板全体に、第１の温度で第１の加熱処理を行い、
前記第１の加熱処理後に、前記貼り合わせられたボンド基板の一部の領域を、前記第１の温度より１０℃以上の高い第２の温度によって加熱する第２の加熱処理を行い、前記脆化層において前記一部の領域から他の領域に分離を進行させ、前記ベース基板に半導体層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記一部の領域は前記ボンド基板の端部であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月8日(2014.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワード線と、
ビット線と、
ゲート端子が前記ワード線に電気的に接続され、ソース端子及びドレイン端子の一方が前記ビット線に電気的に接続されたトランジスタ、及び前記トランジスタのソース端子及びドレイン端子の他方に電気的に接続された信号保持部を有する記憶素子と、
一方の端子が前記ワード線に電気的に接続された容量素子と、
前記容量素子の他方の端子の電位を制御するワード線駆動回路と、
前記ビット線の電位を制御するビット線駆動回路と、を有し、
前記トランジスタが酸化物半導体を具備する半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
一方の端子が前記ワード線に電気的に接続され、他方の端子が電源回路に電気的に接続されたスイッチを有する半導体装置。
【請求項３】
ワード線と、
ビット線と、
ゲート端子が前記ワード線に電気的に接続され、ソース端子及びドレイン端子の一方が前記ビット線に電気的に接続された第１のトランジスタ、及び前記第１のトランジスタのソース端子及びドレイン端子の他方に電気的に接続された信号保持部を有する記憶素子と、
一方の端子が前記ワード線を介して前記第１のトランジスタのゲート端子に電気的に接続された容量素子と、
前記容量素子の他方の端子の電位を制御するワード線駆動回路と、
前記ビット線の電位を制御するビット線駆動回路と、
ソース端子及びドレイン端子の一方が前記ワード線に電気的に接続された第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが酸化物半導体を具備する半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
一方の端子が前記第２のトランジスタのゲート端子に電気的に接続され、他方の端子が第１の電源回路に電気的に接続された第１のスイッチと、
一方の端子が前記第２のトランジスタのソース端子及びドレイン端子の他方に電気的に接続され、他方の端子が第２の電源回路に電気的に接続された第２のスイッチと、を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月6日(2014.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インバータ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域を有し、かつ、酸化物半導体からなる半導体層と、
前記半導体層の一方の面に接して設けられた第１乃至第３の電極と、
前記半導体層の他方の面の側に設けられたゲート電極と、を有し、
前記半導体層は、ドーピングされておらず、
前記半導体層は、ドナー又はアクセプタに由来するキャリア濃度が１０１２／ｃｍ３以下であり、
前記ゲート電極は、前記第１の電極と前記第２の電極の間の領域の少なくとも一部と重なり、かつ、前記第２の電極と前記第３の電極の間の領域とは重ならず、
前記ゲート電極に入力信号が入力され、前記第２の電極から出力信号が出力されることを特徴とするインバータ。
【請求項２】
チャネル形成領域を有し、かつ、酸化物半導体からなる半導体層と、
前記半導体層の一方の面に接して設けられた第１乃至第３の電極と、
前記半導体層の前記一方の面の側に設けられたゲート電極と、を有し、
前記半導体層は、ドーピングされておらず、
前記半導体層は、ドナー又はアクセプタに由来するキャリア濃度が１０１２／ｃｍ３以下であり、
前記ゲート電極は、前記第１の電極と前記第２の電極の間の領域の少なくとも一部と重なり、かつ、前記第２の電極と前記第３の電極の間の領域とは重ならず、
前記ゲート電極に入力信号が入力され、前記第２の電極から出力信号が出力されることを特徴とするインバータ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の電極と前記第２の電極の間における前記半導体層の幅は、前記第２の電極と前記第３の電極の間における前記半導体層の幅よりも広いことを特徴とするインバータ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記ゲート電極は、前記第１の電極と前記第２の電極とは重ならないことを特徴とするインバータ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記半導体層のバンドギャップは２電子ボルト以上４電子ボルト未満であることを特徴とするインバータ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月28日(2014.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、
前記第１の導電層の上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方の第２の導電層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された第３の導電層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された第４の導電層と、
を有し、
前記第１の導電層は、第１の領域を有し、
前記第１の導電層は、第２の領域を有し、
前記第１の導電層は、前記第１の領域と前記第２の領域の間に第３の領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の領域と重なる第４の領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第２の領域と重なる第５の領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第４の領域と前記第５の領域の間に、前記第３の領域と重なる第６の領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第３の領域及び前記第６の領域と重なる第７の領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１の領域と重ならず、
前記酸化物半導体層は、前記第２の領域と重ならず、
前記酸化物半導体層は、前記第４の領域と重ならず、
前記酸化物半導体層は、前記第５の領域と重ならず、
前記酸化物半導体層は、トランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第１の領域、前記第３の領域、及び前記第２の領域、は前記トランジスタのチャネル幅方向に沿って並んでおり、
前記第４の領域、前記第６の領域、及び前記第５の領域、は前記トランジスタのチャネル幅方向に沿って並んでおり、
前記第１の領域における前記トランジスタのチャネル幅方向と交差する方向の幅は、前記第３の領域における前記トランジスタのチャネル幅方向と交差する方向の幅よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の導電層と、
前記第１の導電層の上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上方の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方の第２の導電層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された第３の導電層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された第４の導電層と、
を有し、
前記第１の導電層は、第１の領域を有し、
前記第１の導電層は、第２の領域を有し、
前記第１の導電層は、前記第１の領域と前記第２の領域の間に第３の領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の領域と重なる第４の領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第２の領域と重なる第５の領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第４の領域と前記第５の領域の間に、前記第３の領域と重なる第６の領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第３の領域及び前記第６の領域と重なる第７の領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１の領域と重ならず、
前記酸化物半導体層は、前記第２の領域と重ならず、
前記酸化物半導体層は、前記第４の領域と重ならず、
前記酸化物半導体層は、前記第５の領域と重ならず、
前記酸化物半導体層は、トランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第１の領域、前記第３の領域、及び前記第２の領域、は前記トランジスタのチャネル幅方向に沿って並んでおり、
前記第４の領域、前記第６の領域、及び前記第５の領域、は前記トランジスタのチャネル幅方向に沿って並んでおり、
前記第１の領域における前記トランジスタのチャネル幅方向と交差する方向の幅は、前記第３の領域における前記トランジスタのチャネル幅方向と交差する方向の幅よりも大きく、
前記酸化物半導体層は、ＩｎとＺｎとを含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体層と重なるゲート電極と、
前記酸化物半導体層と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、
前記ソース電極または前記ドレイン電極は、第１の導電層と、前記第１の導電層の端面よりチャネル長方向に伸長した領域を有する第２の導電層と、を含み、
前記第２の導電層の前記伸長した領域の上に、前記伸長した領域のチャネル長方向の長さより小さいチャネル長方向の長さの底面の有するサイドウォール絶縁層を有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電層および前記第２の導電層の断面形状はテーパー形状である半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の導電層は、金属窒化物を含む半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の導電層の膜厚は５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記ソース電極または前記ドレイン電極は、その端面において前記酸化物半導体層と接し、かつ、前記ソース電極または前記ドレイン電極と、前記酸化物半導体層との間に、絶縁層を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体装置を有する電子機器であって、
前記電子機器は、テレビジョン装置、携帯電話機、携帯情報端末、デジタルカメラ、コンピュータ、及び電子書籍のグループから選ばれることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続されており、
前記第１のトランジスタは、シリコンを有し、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２のトランジスタのオフ電流は、前記第１のトランジスタのオフ電流よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタのスイッチング速度は、前記第２のトランジスタのスイッチング速度よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１の配線と第２の配線との間に電気的に接続された第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタのゲートと前記第２の配線との間に電気的に接続された第２のトランジスタと、を有し、
前記第２のトランジスタをオン状態にして、前記第２の配線に供給されたハイレベル電位またはローレベル電位を、前記第１のトランジスタのゲートに印加する第１の動作と、
前記第２のトランジスタをオフ状態にし、前記第１のトランジスタのゲートの電位を保持させる第２の動作と、を有し、
前記第１の動作及び前記第２の動作を行う際には、前記第１のトランジスタはオフ状態であることを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記ハイレベル電位と前記ローレベル電位との電位差は、前記第１のトランジスタのしきい値電圧よりも小さいことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項７】
第１の配線と第２の配線との間に電気的に接続された第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタのゲートと前記第２の配線との間に電気的に接続された第２のトランジスタと、を有し、
前記第２のトランジスタをオフ状態にする第１の動作と、
前記第２の配線を第１の電位にする第２の動作と、
前記第１の配線を第２の電位にし、前記第１のトランジスタの導通の有無に応じて前記第２の配線の電位を検出することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１の電位は、前記第２の電位とは異なる電位であることを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は、前記第４の配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は、前記第４の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、シリコンを有し、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記容量素子は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２のトランジスタのオフ電流は、前記第１のトランジスタのオフ電流よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３において、
前記第１のトランジスタのスイッチング速度は、前記第２のトランジスタのスイッチング速度よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１のトランジスタ乃至第４のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、第１の配線乃至第６の配線と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の他方の電極は、前記第４の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２の容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第５の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第６の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の容量素子の他方の電極は、前記第１の配線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月18日(2014.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の照射によってテラヘルツ波を発生または検出する光素子であって、
前記光のフォトンエネルギーよりも大きいエネルギーバンドギャップを持つ半導体層と、前記半導体層と電気的に接触して形成された複数の電極と、を備え、
前記電極のうち少なくとも１つは、前記半導体層との間に前記光のフォトンエネルギー以下の障壁高さを持つショットキー接合を形成し、
前記ショットキー接合を形成する電極と前記半導体層との接合面の少なくとも一部は、前記電極の形成されていない半導体層の面側から前記光が照射される光照射面を含むことを特徴とする光素子。
【請求項２】
前記ショットキー接合を形成する電極と前記半導体層との接合面の少なくとも一部は、前記光の照射により発生または検出するテラヘルツ波と結合する結合構造体の構成部分となっていることを特徴とする請求項１に記載の光素子。
【請求項３】
前記光照射面に達するまでの前記光の透過領域は、前記半導体層の領域及び前記光の波長帯域において前記半導体層よりも波長分散の小さい領域のみを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の光素子。
【請求項４】
前記光照射面に達するまでの前記光の透過領域は、前記半導体層の領域のみ、または前記光の波長帯域において前記半導体層よりも波長分散が小さい領域のみを含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光素子。
【請求項５】
前記光照射面は、前記半導体層の端部にあり、前記接合面に沿って伸びる前記光の導波路の一部を成していることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光素子。
【請求項６】
前記結合構造体は前記電極により構成したアンテナであることを特徴とする請求項２に記載の光素子。
【請求項７】
前記半導体層は、エピタキシャル層の成長基板を除去して別の基板に転写された当該エピタキシャル層であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の光素子。
【請求項８】
テラヘルツ波を発生または検出する光装置であって、
請求項１から７のいずれか１項に記載の光素子と、前記光素子を励起するための光を出力する光源と、前記光素子の前記電極の形成されていない半導体層の面側から前記光照射面に前記光源の光を照射するための光学手段と、を有することを特徴とする光装置。
【請求項９】
テラヘルツ波を発生または検出する光装置であって、
レーザー光を発生するためのレーザー光源と、
前記レーザー光が照射されたときに前記テラヘルツ波を発生または検出する光素子と、
前記レーザー光源から前記光素子へ前記レーザー光を導く光学手段と、
を有し、
前記光素子は、半導体層と、前記半導体層と電気的に接触して形成されている複数の電極と、を有し、
前記複数の電極のうちの少なくとも１つは、該１つの電極と前記半導体層との間にショットキー接合を形成し、
前記レーザー光源は、前記ショットキー接合の障壁高さより大きく前記半導体層のエネルギーバンドギャップより小さいフォトンエネルギーを持つレーザー光を発生し、
前記光学手段は、前記複数の電極の形成されていない前記半導体層の面を透過する前記レーザー光で前記ショットキー接合の部分を照射する様に配置されていることを特徴とする光装置。
【請求項１０】
前記複数の電極は、前記テラヘルツ波と空間とを結合する様に形成されたアンテナを含むことを特徴とする請求項９に記載の光装置。
【請求項１１】
テラヘルツ波を発生するための発生手段と、
前記発生手段から放射され検体を経て来たテラヘルツ波を検出するための検出手段と、
前記発生手段におけるテラヘルツ波発生時と前記検出手段におけるテラヘルツ波検出時との間の遅延時間を調整するための遅延部と、
を備えたテラヘルツ時間領域分光装置であって、
前記発生手段と前記検出手段の少なくとも一方が、請求項８から１０のいずれか１項に記載の光装置であることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月27日(2014.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３５】
なお、以下の化合物例において、Ｍｅ：メチル基、Ｅｔ：エチル基、ｉ−Ｐｒ：イソプロピル基、ｎ−Ｂｕ：ｎ−ブチル基、ｔ−Ｂｕ：ｔｅｒｔ−ブチル基、Ｐｈ：フェニル基、２−ｔｏｌ：２−トルイル基、３−ｔｏｌ：３−トルイル基、４−ｔｏｌ：４−トルイル基、１−Ｎｐ：１−ナフチル基、２−Ｎｐ：２−ナフチル基、２−Ａｎ：２−アンスリル基、２−Ｆｎ：２−フルオレニル基である。
【化５０】
2014027041.tif 000001
【化５１】
2014027041.tif 000002
【化５２】
2014027041.tif 000003
【化５３】
2014027041.tif 000004
【化５４】
2014027041.tif 000005
【化５５】
2014027041.tif 000006
【化５６】
2014027041.tif 000007
【化５７】
2014027041.tif 000008
【化５８】
2014027041.tif 000009
【化５９】
2014027041.tif 000010
【化６０】
2014027041.tif 000011
【化６１】
2014027041.tif 000012
【化６２】
2014027041.tif 000013
【化６３】
2014027041.tif 000014
【化６４】
2014027041.tif 000015
【化６５】
2014027041.tif 000016
【化６６】
2014027041.tif 000017
【化６７】
2014027041.tif 000018
【化６８】
2014027041.tif 000019
【化６９】
2014027041.tif 000020
【化７０】
2014027041.tif 000021
【化７１】
2014027041.tif 000022
【化７２】
2014027041.tif 000023
【化７３】
2014027041.tif 000024
【化７４】
2014027041.tif 000025
【化７５】
2014027041.tif 000026
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｌｏｗ−ｋ誘電体材料を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物であって、
（ａ）微粒子の砥材；
（ｂ）親水性部分及び親油性部分を含む少なくとも１種のシリコーンフリー非イオン性界面活性剤；
（ｃ）親水性部分及び親油性部分を含む少なくとも１種のシリコーン含有非イオン性界面活性剤であって、該親水性部分がポリオールを含む、界面活性剤；及び
（ｄ）それらのための水性キャリア、
を含む化学機械研磨組成物。
【請求項２】
該微粒子の砥材が、該組成物中に０．５〜２０質量パーセントの範囲の量で存在する、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項３】
該微粒子の砥材がシリカを含む、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項４】
該少なくとも１種のシリコーンフリー非イオン性界面活性剤と該少なくとも１種のシリコーン含有非イオン性界面活性剤とが両方とも、２５〜１０，０００ｐｐｍの範囲の濃度で該組成物中に存在する、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項５】
該少なくとも１種のシリコーンフリー非イオン性界面活性剤と該少なくとも１種のシリコーン含有非イオン性界面活性剤とが、シリコーン含有界面活性剤に対するシリコーンフリー界面活性剤の濃度比が１以上でそれぞれ該組成物中に存在する、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項６】
該少なくとも１種のシリコーンフリー非イオン性界面活性剤の該親水性部分がポリオールを含む、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項７】
該ポリオールが、ポリグリセリン、炭水化物、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項６に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項８】
該少なくとも１種のシリコーンフリー非イオン性界面活性剤の該親水性部分がＣ2〜Ｃ3のポリオキシアルキレン基を含む、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項９】
該Ｃ2〜Ｃ3のポリオキシアルキレン基がポリオキシエチレン基である、請求項８に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１０】
該少なくとも１種のシリコーンフリー非イオン性界面活性剤の該親油性部分がＣ6〜Ｃ30の炭化水素部分を含む、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１１】
該Ｃ6〜Ｃ30の炭化水素部分が、アルキル基、アルキル置換アリール基、アリール置換アルキル基、及びアリール基からなる群から選択される少なくとも１種の炭化水素部分を含む、請求項１０に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１２】
該ポリオールが、ポリグリセリン、炭水化物、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１３】
該少なくとも１種のシリコーン含有非イオン性界面活性剤の該親水性部分がＣ2〜Ｃ3のポリオキシアルキレン基を含む、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１４】
該Ｃ2〜Ｃ3のポリオキシアルキレン基がポリオキシエチレン基である、請求項１３に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１５】
該少なくとも１種のシリコーン含有非イオン性界面活性剤の該親油性部分がシリコーン基を含む、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１６】
シリコーン基がポリジメチルシロキサン基を含む、請求項１５に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１７】
少なくとも１種の酸化剤をさらに含む、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１８】
該少なくとも１種のシリコーンフリー非イオン性界面活性剤がノニルフェノールエトキシレートを含む、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１９】
該少なくとも１種のシリコーン含有非イオン性界面活性剤がジメチコーンコポリオールを含む、請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項２０】
ｌｏｗ−ｋ誘電体基板を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）方法であって、
（ａ）ｌｏｗ−ｋ誘電体材料を含む基板の表面を、研磨パッド及び水性ＣＭＰ組成物に接触させること、
その際、該ＣＭＰ組成物は、微粒子の砥材、親水性部分及び親油性部分を含む少なくとも１種のシリコーンフリー非イオン性界面活性剤、親水性部分及び親油性部分を含む少なくとも１種のシリコーン含有非イオン性界面活性剤であって、該親水性部分がポリオールを含む、界面活性剤、及びそれらのための水性キャリアを含む；及び
（ｂ）該基板の該表面の少なくとも一部を磨り減らすために十分な時間、該パッドと該基板との間の該表面に該ＣＭＰ組成物の一部を接触させて保持しながら、該研磨パッド及び該基板の間に相対的な動作を起こすこと、
のステップを含む化学機械研磨方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月4日(2014.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の側方に設けられて、前記車両の後側方を撮影するカメラ（１１０）と、
前記カメラ（１１０）によって撮影されるカメラ画像の中で、乗員が見たいと希望する希望範囲を変更するための入力操作が、前記乗員によって行われる入力部（１２０）と、
前記入力部（１２０）への入力操作によって生成される入力信号に基づいて、前記カメラ画像に対する前記希望範囲を切出して切出し画像とする制御部（１３０）と、
前記制御部（１３０）によって切出された前記切出し画像を表示する表示部（１４０）とを備え、
前記制御部（１３０）は、
前記入力部（１２０）への入力操作前の前記切出し画像中の前記車両の一部を含む縦方向基準線（Ｖ）、および前記縦方向基準線（Ｖ）に直交する横方向基準線（Ｈ１〜Ｈ３）と、
前記入力部（１２０）に入力された前記希望範囲に変更するための移動方向と、に基づいて前記カメラ画像に対する切出しを行うことを特徴とする車両用視界支援装置。
【請求項２】
前記横方向基準線（Ｈ１〜Ｈ３）は、
前記切出し画像の上端に位置する第１横方向基準線（Ｈ１）、前記切出し画像の中心に位置する第２横方向基準線（Ｈ２）、および前記切出し画像の下端に位置する第３横方向基準線（Ｈ３）のいずれかであり、
前記制御部（１３０）は、
前記移動方向が上、下、右、左のいずれかの場合に、前記横方向基準線（Ｈ１〜Ｈ３）として、前記第２横方向基準線（Ｈ２）を使用し、
前記移動方向が右上、左下のいずれかの場合に、前記横方向基準線（Ｈ１〜Ｈ３）として、前記第３横方向基準線（Ｈ３）を使用し、
前記移動方向が右下、左上のいずれかの場合に、前記横方向基準線（Ｈ１〜Ｈ３）として、前記第１横方向基準線（Ｈ１）を使用することを特徴とする請求項１に記載の車両用視界支援装置。
【請求項３】
前記車両の速度信号を生成する速度センサ（１５２）を備え、前記速度信号が前記制御部（１３０）に入力されるようになっており、
前記制御部（１３０）は、前記速度信号が大きくなるほど、新たに切出した切出し画像への切替え速度を大きくすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の車両用視界支援装置。
【請求項４】
右左折時用のウインカー（１５３）の作動信号が、前記制御部（１３０）に入力されるようになっており、
前記制御部（１３０）は、走行時において、前記ウインカー（１５３）の作動信号に応じて、前記切出し画像を、前記カメラ画像中の予め定められた範囲の切出し画像に切替えることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１つに記載の車両用視界支援装置。
【請求項５】
前記制御部（１３０）は、走行前段階において、前記ウインカー（１５３）の作動信号が入力されると共に、前記入力部（１２０）からの前記入力信号が入力されると、前記ウインカー（１５３）の作動信号に連動する前記カメラ画像に対する前記希望範囲を記憶するようにしており、
前記予め定められた範囲の切出し画像として、記憶した前記希望範囲の切出し画像を用いることを特徴とする請求項４に記載の車両用視界支援装置。
【請求項６】
前記カメラ（１１０）は、前記車両の左右側方に設けられており、
前記入力部（１２０）への入力操作が、左右の両カメラ（１１０）によるカメラ画像を対象とする場合であると、
前記制御部（１３０）は、運転席側のカメラ（１１０）によるカメラ画像の切出しを行うと共に、助手席側のカメラ（１１０）によるカメラ画像については、前記運転席側のカメラ（１１０）によるカメラ画像の切出しとは左右対称となるような切出しを行うことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１つに記載の車両用視界支援装置。
【請求項７】
前記カメラ（１１０）は、助手席側に設けられたことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１つに記載の車両用視界支援装置。
【請求項８】
車両の側方に設けられて、前記車両の後側方を撮影するカメラ（１１０）からカメラ画像を取得し、前記車両の乗員によって行われる入力操作に基づいて前記カメラ画像に対する希望範囲を切出して切出し画像とし、前記切出し画像を表示部（１４０）に表示させる制御部（１３０）を備える車両用視界支援装置であって、
前記制御部（１３０）は、
前記入力操作の前の前記切出し画像中の前記車両の一部を含む縦方向基準線（Ｖ）、および前記縦方向基準線（Ｖ）に直交する横方向基準線（Ｈ１〜Ｈ３）と、
前記入力操作の方向と、に基づいて前記カメラ画像に対する切出しを行うことを特徴とする車両用視界支援装置。
【請求項９】
車両の側方に設けられて、前記車両の後側方を撮影するカメラ（１１０）からカメラ画像を取得し、前記車両の乗員によって行われる入力操作に基づいて前記カメラ画像から切出し画像を切出し、前記切出し画像を表示部（１４０）に表示させる制御部（１３０）を備える車両用視界支援装置であって、
前記制御部（１３０）は、
前記切出し画像が、前記入力操作の前の前記切出し画像中の前記車両の一部を含む縦方向基準線（Ｖ）を含むように、前記縦方向基準線（Ｖ）に直交する横方向基準線（Ｈ１〜Ｈ３）の方向に前記入力操作に基づいて前記カメラ画像から切出す画像の大きさを変更することを特徴とする車両用視界支援装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月20日(2013.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】オブジェクト検索装置、方法、およびプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
しかしながら、大きさが識別ポイントになっている複数の花などの主要オブジェクトを特定する場合、画像の特徴だけで検索を行った場合には、特徴データが同じになることがあり、違いを自動で識別し特定することができない場合があるという問題点を有していた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記課題を解決するため、本発明のオブジェクト検索装置は、画像データを取得する撮像手段と、前記画像データに存在する被写体中の主要オブジェクトの実サイズを算出する実サイズ算出手段と、前記画像データに、前記実サイズの情報を付加して主要オブジェクトのデータベースにアクセスすることにより前記主要オブジェクトの種類を検索する検索手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、主要オブジェクトの検索精度を向上させることが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを取得する撮像手段と、
前記画像データに存在する被写体中の主要オブジェクトの実サイズを算出する実サイズ算出手段と、
前記画像データに、前記実サイズの情報を付加して主要オブジェクトのデータベースにアクセスすることにより前記主要オブジェクトの種類を検索する検索手段と、
を備えることを特徴とするオブジェクト検索装置。
【請求項２】
前記画像データに存在する被写体中の主要オブジェクトの領域を切り抜く切抜き手段を更に備え、
前記検索手段は、前記切抜き手段により切り抜かれた前記主要オブジェクトの領域に対応する画像データに、前記実サイズの情報を付加して主要オブジェクトのデータベースにアクセスすることを特徴とする請求項１に記載のオブジェクト検索装置。
【請求項３】
前記撮像手段は、被写体に対して光軸が移動した複数枚の画像データを取得し、
前記複数枚の画像データに基づいて、前記撮像手段から前記被写体までの距離を算出する距離算出手段を更に備え、
前記実サイズ算出手段は、前記複数枚の画像データの何れか一つの画像データに存在する被写体中の主要オブジェクトの前記画像データ上での大きさと前記撮像手段から被写体までの距離と前記撮像手段の焦点距離とから前記主要オブジェクトの実サイズを算出することを特徴とする請求項１又は２に記載のオブジェクト検索装置。
【請求項４】
前記撮像手段は、光軸を移動させることにより手ぶれを補正する補正レンズを備え、該補正レンズの光軸を移動させながら前記複数枚の画像データを取得する、
ことを特徴とする請求項３に記載のオブジェクト検索装置。
【請求項５】
前記切抜き手段は、前記画像データの各画素に付与する前記主要オブジェクトまたは前記背景を示す領域ラベル値を更新しながら、該領域ラベル値と前記各画素の画素値とに基づいて、前記主要オブジェクトらしさまたは前記背景らしさと隣接画素間の前記画素値の変化を評価するエネルギー関数の最小化処理により、前記画像データ内で前記主要オブジェクトと前記背景を領域分割して前記主要オブジェクトを切り抜く、
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載のオブジェクト検索装置。
【請求項６】
前記切抜き手段は、Ｇｒａｐｈ  Ｃｕｔｓ法により前記エネルギー関数の最小化処理を実行する、
ことを特徴とする請求項５に記載のオブジェクト検索装置。
【請求項７】
画像データを取得する撮像ステップと、
前記画像データに存在する被写体中の主要オブジェクトの実サイズを算出する実サイズ算出ステップと、
前記画像データに、前記実サイズの情報を付加して主要オブジェクトのデータベースにアクセスすることにより前記主要オブジェクトの種類を検索する検索ステップと、
を備えることを特徴とするオブジェクト検索方法。
【請求項８】
オブジェクト検索を実行するコンピュータに、
画像データを取得する撮像手段、
前記画像データに存在する被写体中の主要オブジェクトの実サイズを算出する実サイズ算出手段、
前記画像データに、前記実サイズの情報を付加して主要オブジェクトのデータベースにアクセスすることにより前記主要オブジェクトの種類を検索する検索手段、
と、して実行させるためのプログラム。