(57)【要約】【課題】組立性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供することである。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、ダイパッドと、前記ダイパッドに接合された半導体チップと、前記半導体チップを封止する封止部と、前記半導体チップの電極と電気的に接続された第１の面と、前記封止部から露出し前記第１の面と平行な第２の面と、前記封止部から露出し前記第１の面と交差する第３の面と、を有するリードと、を備えている。そして、前記リードは、前記第３の面の平面視において、凹部を有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッドと、
前記ダイパッドに接合された半導体チップと、
前記半導体チップを封止する封止部と、
前記半導体チップの電極と電気的に接続された第１の面と、前記封止部から露出し前記第１の面と平行な第２の面と、前記封止部から露出し前記第１の面と交差する第３の面と、を有するリードと、
を備え、
前記リードは、前記第３の面の平面視において、凹部を有する半導体装置。
【請求項２】
前記凹部は、前記第１の面と、前記第２の面と、の間に設けられた請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記凹部の開口幅は、前記リードの厚みよりも小さい請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
ダイパッドと、リードが延在した部分と、を有するリードフレームを形成する工程と、
前記ダイパッドに半導体チップを接合する工程と、
前記半導体チップの電極と、リードとなる部分と、を電気的に接続する工程と、
前記半導体チップを封止する工程と、
前記封止された部分と前記リードが延在した部分とをダイシングラインに沿って切断して、封止部とリードとを形成する工程と、
を備え、
前記リードフレームを形成する工程において、前記リードが延在した部分の前記ダイシングラインを含む領域における前記リードが延在した部分の側面に凹部を形成し、
前記封止部とリードとを形成する工程において、前記半導体チップの電極と電気的に接続する第１の面と、前記封止部から露出する前記第１の面と平行な第２の面と、前記封止部から露出する前記第１の面と交差する第３の面と、を有するリードを形成し、
前記第３の面に、前記凹部を形成する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記リードフレームを形成する工程において、前記凹部を、前記リードが延在した部分の前記第１の面となる面と、前記第２の面となる面と、の間に設ける請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記凹部の開口幅は、前記リードの厚みよりも小さい請求項４または５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
後述する実施形態は、概ね、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の高密度実装を実現することができるパッケージの形態として、ＣＳＰ（Chip Size Package、またはChip Scale Packageとも称される）がある。このＣＳＰの中でもＤＦＮ(Dual Flatpack No-leaded)タイプのパッケージは半導体チップの搭載能力が高いため半導体装置のパッケージとして広く用いられている。  
このＤＦＮタイプのパッケージを用いた半導体装置を製造する場合には、樹脂封止後に樹脂バリを除去し、金型ではなくダイシングブレードを用いたパッケージダイシングを行うことで個々の半導体装置に個片化するようにしている。  
このパッケージダイシングにおいては、金属のリードフレームをダイシングブレードを用いて切断するため、ダイシングブレードの磨耗が激しくなったり、切断速度を速めることができないために切断に要する時間が長くなったりして組立性が低下するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−８６７４９号公報
【特許文献２】特開平８−３７２７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、組立性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置は、ダイパッドと、前記ダイパッドに接合された半導体チップと、前記半導体チップを封止する封止部と、前記半導体チップの電極と電気的に接続された第１の面と、前記封止部から露出し前記第１の面と平行な第２の面と、前記封止部から露出し前記第１の面と交差する第３の面と、を有するリードと、を備えている。そして、前記リードは、前記第３の面の平面視において、凹部を有している。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置を例示するための模式斜視図である。（ａ）は実装面とは反対側から見た場合の模式斜視図、（ｂ）は実装面の側から見た場合の模式斜視図である。
【図２】半導体装置を例示するための模式側面図である。
【図３】半導体装置を例示するための模式断面図である。
【図４】比較例に係る半導体装置を例示するための模式側面図である。
【図５】他の実施形態に係る凹部を有する半導体装置を例示するための模式側面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、リードフレームの形成を例示するための模式工程断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、凹部の形成を例示するための模式工程断面図である。
【図８】リードフレームの要部の模式平面図である。（ａ）は吊りピンがない場合、（ｂ）は吊りピンがある場合である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。  
[第１の実施形態]  
図１は、第１の実施形態に係る半導体装置を例示するための模式斜視図である。図１（ａ）は実装面とは反対側から見た場合の模式斜視図、図１（ｂ）は実装面の側から見た場合の模式斜視図である。  
図２は、半導体装置を例示するための模式側面図である。  
図３は、半導体装置を例示するための模式断面図である。  
図４は、比較例に係る半導体装置を例示するための模式側面図である。  
なお、図１〜図４は、一例として、ＤＦＮタイプのパッケージを用いた半導体装置を例示するものである。
【０００８】
図３に示すように半導体装置１には、ダイパッド３、リード４、半導体チップ５、封止部６が設けられている。  
ダイパッド３、リード４は、後述するリードフレーム２に形成されていたものであり、半導体装置１が個片化された際にリードフレーム２から分離されたものである。なお、リードフレーム２に関する詳細は後述する。
【０００９】
ダイパッド３の一方の面には、半導体チップ５が接合されている。半導体チップ５の接合は、半導体チップ５の接合側の面に形成された図示しない接合層を介して行うことができる。なお、図示しない接合層は、例えば、半導体チップ５を接合する接着剤を硬化させることで形成することもできるし、半導体チップ５を接合するダイアタッチメントフィルムにより形成することもできる。  
ダイパッド３の半導体チップ５が接合される面とは反対側の面は、封止部６から露出している。この場合、例えば、封止部６から露出する面を放熱面（放熱パッド）とすることができる。
【００１０】
リード４は、半導体チップ５の図示しない電極と配線部７を介して電気的に接続するボンディング面４ａ（第１の面の一例に相当する）と、封止部６から露出するボンディング面４ａと平行な実装面４ｂ（第２の面の一例に相当する）と、封止部６から露出するボンディング面４ａと交差する面４ｃ（第３の面の一例に相当する）とを有する。  
そのため、封止部６から露出しているリード４の実装面４ｂを介して、半導体チップ５と図示しない外部回路とを電気的に接続することができるようになっている。
【００１１】
半導体チップ５としては特に限定されることがなく、例えば、ＭＯＳ−ＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、半導体記憶素子などの各種の半導体チップとすることができる。  
なお、半導体チップ５の数や積層態様などは適宜変更することができる。例えば、図３に例示をしたものは半導体チップ５が平面的に配置された場合であるが、平面的に配置された半導体チップ５の数を適宜変更したり、いわゆるスタック型マルチチップ構造としたりすることができる。
【００１２】
封止部６は、半導体チップ５、配線部７を封止する。封止部６は、例えば、エポキシ樹脂などの樹脂を用い、樹脂封止により形成されたものとすることができる。  
配線部７は、例えば、金線や銅線などを用い、ワイヤーボンディング法により形成されたものとすることができる。
【００１３】
ここで、ＤＦＮタイプのような表面実装型パッケージを用いた半導体装置においては、生産効率の向上や低コスト化などを図るために、一括モールド法（ＭＡＰ：Mold Array Package）を用いて、複数の半導体装置が含まれる領域を一括して樹脂封止するようにしている。そして、この様な一括モールド法により一括して樹脂封止された複数の半導体装置をダイシングブレードを用いて個々の半導体装置に個片化（分割）するパッケージダイシングが行われている。  
この様なパッケージダイシングを行う場合、切断用のダイシングブレードにより封止部とともに金属を用いたリードフレームを一緒に切断することになるためダイシングブレードの磨耗が激しくなったり、切断速度を速めることができないために切断に要する時間が長くなったりして組立性が低下するおそれがある。
【００１４】
この場合、図４に示す比較例に係る半導体装置５１のようにリード５４の厚みＴを薄くすれば切断面積を小さくすることができる。そのため、ダイシングブレードの磨耗が抑制されたり、切断に要する時間が短縮されたりするので組立性を向上させることができる。しかしながら、リード５４の厚みＴを薄くすることで切断面積が小さくなるようにすれば、リードフレームにおける当該部分（厚みＴを薄くした部分）の強度が著しく低下することになる。そのため、ワイヤーボンディング工程やモールド工程などにおいてリードフレームの変形が生じやすくなるなどの新たな問題が生じるおそれがある。
【００１５】
これに対して本実施の形態に係る半導体装置１においては、図１、図２に例示をしたように、後述するパッケージダイシングを行った後にリード４に残る凹部８を設けるようにしている。すなわち、リード４は、面４ｃの平面視において、凹部８を有する。  
ここで、凹部８はボンディング面４ａと実装面４ｂとの間に設けられ、かつ、凹部８の開口幅Ｔ２は、リード４の厚みＴ１よりも小さい。つまり、凹部８の開口は、ボンディング面４ａおよび実装面４ｂに至らないようになっている。そのため、凹部８を設けてもボンディング面４ａの面積や実装面４ｂの面積が減じられることがないので、ボンディング性や実装性が低下することを抑制することができる。  
また、凹部８を設けることでリードフレームの切断面積を小さくすることができるので、リードフレームを切断することによるダイシングブレードの磨耗を抑制したり、切断に要する時間を短縮したりして組立性を向上させることができる。また、ダイシングブレードを用いて切断を行った際にリードバリが発生することを抑制することもできる。この場合、厚みを単に薄くしたリード５４の場合と比べて、リードフレームにおける凹部８が設けられた部分の強度の低下を抑制することができる。そのため、ワイヤーボンディング工程やモールド工程などにおいてリードフレームが変形することを抑制することができる。
【００１６】
また、ＤＦＮタイプのパッケージなどのようなＣＳＰの場合には、ボンディング面４ａ、実装面４ｂからダイシングラインの位置までの寸法が短くなるため、強度低下の影響がさらに大きくなるおそれがある。しかしながら、凹部８を設けるようにすれば、ＤＦＮタイプのパッケージなどのようなＣＳＰの場合であっても、組立性の向上を図るとともに強度低下の影響を大幅に軽減することができる。
【００１７】
凹部８の開口幅Ｔ２はリード４の厚みＴ１の半分程度とすることができる。なお、凹部８の開口幅Ｔ２は例示をしたものに限定されるわけではなく、例えば、ダイシングブレードの寿命、切断に要する時間、ワイヤーボンディング工程やモールド工程などにおけるリードフレームの変形量などを考慮して適宜変更することができる。
【００１８】
また、凹部８がリード４の厚み方向の中央に対峙して設けられる場合を例示したが、これに限定されるわけではない。凹部８の配設位置、数、形状などは適宜変更することができる。  
また、図３に例示をしたものは、凹部８が面４ｃとこれと反対側の面（ダイパッド３側の面）との間を貫通するように設けられているが、これに限定されるわけではない。凹部８は、少なくとも面４ｃに開口するように設けられていればよい。
【００１９】
図５は、他の実施形態に係る凹部を有する半導体装置を例示するための模式側面図である。  
図５に示すように、半導体装置１１にはリード１４が設けられている。そして、リード１４は、ボンディング面１４ａと実装面４ｂとを有し、ボンディング面１４ａと実装面１４ｂとの間に凹部８が設けられている。リード１４の場合も、凹部８の開口幅がリード１４の厚みよりも小さい。つまり、凹部８の開口は、ボンディング面１４ａおよび実装面１４ｂに至らないようになっている。ただし、リード１４の場合には、リード１４の幅方向の一方の側面に開口する凹部８が１つ設けられている。
【００２０】
凹部８の配設位置、数をこのようにしても、切断面積を小さくすることができるので前述した場合と同様に、ダイシングブレードの磨耗を抑制したり、切断に要する時間を短縮したりして組立性を向上させることができる。また、ワイヤーボンディング工程やモールド工程などにおいてリードフレームが変形することを抑制することができる。また、ボンディング面１４ａの面積や実装面１４ｂの面積が減じられることがないので、ボンディング性や実装性が低下することを抑制することができる。
【００２１】
[第２の実施形態]  
次に、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法について例示をする。  
なお、ここでは一例として、ＤＦＮタイプのパッケージを用いた半導体装置を製造する場合について例示をする。  
第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、まず、半導体チップ５を形成する。  
半導体チップ５は、いわゆる前工程における成膜・レジスト塗布・露光・現像・エッチング・レジスト除去などによりウェーハの表面に回路パターンを形成する工程、検査工程、洗浄工程、熱処理工程、不純物導入工程、拡散工程、平坦化工程などや、いわゆる後工程におけるダイシング工程などを実行することにより形成することができる。半導体チップ５の種類としては特に限定されるわけではなく、例えば、ＭＯＳ−ＦＥＴ、半導体記憶素子など各種の半導体チップとすることができる。なお、半導体チップ５の形成に関する各工程は、既知の技術を適用することができるのでこれらの説明は省略する。
【００２２】
また、ダイパッド３とリード４が延在した部分とを有するリードフレーム２を形成する。図６は、リードフレームの形成を例示するための模式工程断面図である。  
リードフレーム２は、フォトリソグラフィ法、ウェットエッチング法を用いて形成するようにすることができる。  
図６（ａ）に示すように、リードフレーム２を形成する際に用いられるリードフレーム材２０としては、所定の外形寸法を有し、例えば、鉄系金属層２０ａと、銅系金属層２０ｂと、鉄系金属層２０ｃとが積層された三層構造を有したものとすることができる。鉄系金属層２０ａ、２０ｃとしては、例えば、ニッケル−鉄合金（例えば、４２％ニッケル−鉄合金である４２アロイなど）を用いて形成されたものとすることができる。銅系金属層２０ｂとしては、例えば、機械的強度を向上させるために各種金属元素を添加した銅系合金を用いて形成されたものとすることができる。ただし、リードフレーム材２０の材質や層数などは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００２３】
次に、図６（ｂ）に示すように、ダイパッド３、リード４を形成するために所望の形状を有するマスク２１ａ、２１ｂをリードフレーム材２０の表面および裏面に形成する。  
マスク２１ａ、２１ｂは、フォトリソグラフィ法を用いて形成するようにすることができる。例えば、リードフレーム材２０の表面および裏面にフォトレジストを塗布し、露光、現像を行うことでマスク２１ａ、２１ｂを形成するようにすることができる。
【００２４】
次に、図６（ｃ）に示すように、ウェットエッチング法を用いてマスク２１ａ、２１ｂにより保護されていない部分を除去する。ウェットエッチング法に用いるエッチング液としては、例えば、塩化第二鉄溶液などを例示することができる。  
この際、図６（ｃ）に示すように、ハーフエッチングを行うことでダイパッド３の半導体チップ５が接合される側とその反対側とで形状を変えたり、リード４のボンディング面４ａ側と実装面４ｂ側とで形状を変えたりするようにすることができる。
【００２５】
次に、リード４が延在した部分のダイシングラインＤｘを含む領域におけるリード４が延在した部分の側面４ｄに凹部８を形成する。  
図７は、凹部の形成を例示するための模式工程断面図である。  
なお、図７においては、煩雑となることを避けるために凹部８が形成される部分の近傍のみを表すことにする。  
また、図８は、リードフレーム２の要部の模式平面図である。なお、図８（ａ）は吊りピンがない場合、図８（ｂ）は吊りピンがある場合である。
【００２６】
まず、図７（ａ）に示すように凹部８を形成する部分以外にフォトリソグラフィ法を用いてマスク２２ａ、２２ｂを形成する。この際、前述したマスク２１ａ、２１ｂを除去した後にマスク２２ａ、２２ｂを形成するようにしてもよいし、マスク２１ａ、２１ｂに追加することでマスク２２ａ、２２ｂを形成するようにしてもよい。  
また、リード４が延在した部分のボンディング面４ａとなる面と、実装面４ｂとなる面との間に凹部８が設けられ、凹部８の開口幅がリード４の厚みよりも小さくなるようにマスク２２ａ、２２ｂの形状、位置などが適宜設定される。
【００２７】
次に、図７（ｂ）に示すようにウェットエッチング法を用いてマスク２２ａ、２２ｂにより保護されていない部分を除去することでリード４が延在した部分の側面４ｄに凹部８を形成する。  
この際、銅系金属層２０ｂのエッチングレートが鉄系金属層２０ａ、２０ｃのエッチングレートよりも高いため、鉄系金属層２０ａ、２０ｃの端部よりも銅系金属層２０ｂの端部が後退した位置となり図２に例示をしたような位置に２つの凹部８が形成されることになる。
【００２８】
なお、図５に例示をしたような位置に凹部８を１つ形成する場合には、例えば、鉄系金属層２０ａ、銅系金属層２０ｂ、鉄系金属層２０ｃを貫通するように除去した後に一方の端部側にマスクを形成し、さらに他方の端部側の除去を続行するようにすればよい。  
凹部８を形成するためのウェットエッチング法に用いるエッチング液としては、例えば、塩化第二鉄溶液などを例示することができる。
【００２９】
そして、図７（ｃ）に示すようにマスク２２ａ、２２ｂを除去することで、図８（ａ）、（ｂ）に示すようなダイシングラインＤｘ、Ｄｙ２を含む領域に凹部８を有するリードフレーム２が形成されることになる。なお、図８（ａ）に示すＤｙ１は、ダイシングラインＤｘと直交する方向においてレーザカット法による切断を行うためのラインである。  
また、図８（ｂ）に示すＤｙ２は、ダイシングラインＤｘと直交する方向におけるダイシングラインである。ここで、図８（ｂ）に示すようにダイパッド３の補強のために吊りピン３ａが設けられる場合があるが、その様な場合には、ダイシングラインＤｙ２を含む領域にも凹部８を設けるようにすることができる。  
この様な部分にも凹部８を設ける様にすれば、吊りピン３ａを切断する際の切断面積を小さくすることができるので、ダイシングブレードの磨耗を抑制したり、切断に要する時間を短縮したりして組立性を向上させることができる。また、ダイシングブレードを用いて切断を行った際にリードバリが発生することを抑制することもできる。
【００３０】
図６に例示をした場合はフォトリソグラフィ法、ウェットエッチング法を用いてダイパッド３、リード４、凹部８などを有するリードフレーム２を形成したがこれに限定されるわけではない。例えば、金型を用いてダイパッド３、リード４などを形成し、その後、図７に例示をした場合と同様にしてフォトリソグラフィ法、ウェットエッチング法を用いて凹部８を形成するようにしてもよい。
【００３１】
また、ウェットエッチング法により鉄系金属層２０ａ、銅系金属層２０ｂ、鉄系金属層２０ｃを除去した際にバリが発生する場合がある。そのため、バリを除去する工程を設けるようにすることもできる。バリを除去する工程においては、例えば、超音波を付与した洗浄液を用いてバリを除去したり、ウォータージェット法を用いてバリを除去したりするようにすることができる。
【００３２】
次に、リードフレーム２に設けられているダイパッド３の一方の面に半導体チップ５を接合する（ダイマウント工程）。この場合、ダイパッド３の一方の面に接着剤などを塗布し半導体チップ５を載置した後に接着剤などを硬化させることで半導体チップ５の接合を行うようにすることができる。また、半導体チップ５の接合側の面に設けられた接合層（例えば、接着剤をＢステージ化したもの）やダイアタッチメントフィルムを介して半導体チップ５をダイパッド３の一方の面に接合するようにすることもできる。
【００３３】
次に、半導体チップ５の電極とリード４のボンディング面４ａとなる部分とを電気的に接続する。  
例えば、ワイヤボンディング法を用いて、半導体チップ５の電極とリード４のボンディング面４ａとなる部分とを配線部７を介して電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）。
【００３４】
次に、半導体チップ５を封止する（モールド工程）。  
例えば、ダイパッド３となる部分の半導体チップ５が接合された側、ボンディング面４ａとなる部分の配線部７が接続された側を樹脂で覆うようにする。  
すなわち、複数の半導体装置１が含まれる領域を一括して樹脂封止する（一括モールド法）。
【００３５】
この場合、例えば、トランスファモールド法、ポッティング法などを用いて、エポキシ樹脂などの樹脂により当該部分が封止されるようにすることができる。  
また、封止が行われる際に、ダイパッド３の半導体チップ５が接合される面とは反対側の面と、リード４の実装面４ｂとが樹脂から露出するようにすることができる。
【００３６】
そして、樹脂を硬化させることで封止部６を形成する（キュア工程）。  
この場合、樹脂の線膨張係数と配線部７の線膨張係数とが異なるため配線部７が断線するおそれがある。そのため、樹脂のガラス転移温度を僅かに下回る温度において予備硬化を行い（プリキュア工程）、その後、所望の強度を有するように硬化させる（ポストキュア工程）ようにすることができる。  
また、封止部６の形成後に樹脂バリを除去する工程を設けるようにすることができる。
【００３７】
次に、ダイシングラインＤｘに沿って封止された部分とリード４が延在した部分とを切断して、封止部６とリード４とを形成する。  
この際、半導体チップ５の電極と電気的に接続するボンディング面４ａと、封止部６から露出するボンディング面４ａと平行な実装面４ｂと、封止部６から露出するボンディング面４ａと交差する面４ｃとを有したリード４が形成される。そして、面４ｃには凹部８が形成されていることになる。
【００３８】
すなわち、一括して樹脂封止された複数の半導体装置１を個々の半導体装置１に個片化する。  
この場合、ダイシングブレードを用いたパッケージダイシングを行うことで個々の半導体装置１に個片化するようにすることができる。  
例えば、図８（ａ）に示すラインＤｙ１に沿って樹脂封止された部分をレーザカット法により切断し、その後、ダイシングブレードを用いて、図８（ａ）、（ｂ）に示すダイシングラインＤｘに沿って樹脂封止された部分とリードフレーム２とを一緒に切断するようにすることができる。
なお、ダイシングブレードを用いて、図８（ａ）、（ｂ）に示すダイシングラインＤｘに沿って樹脂封止された部分とリードフレーム２とを一緒に切断し、その後、図８（ａ）に示すラインＤｙ１に沿って樹脂封止された部分をレーザカット法により切断するようにすることもできる。また、図８（ｂ）に示すように吊りピン３ａが設けられている場合には、ダイシングブレードを用いて、ダイシングラインＤｙ２に沿って樹脂封止された部分と吊りピン３ａとを一緒に切断するようにすることができる。
【００３９】
この際、ダイシングラインＤｘ、Ｄｙ２を含む領域には凹部８が形成されているため、切断面積を小さくすることができる。そのため、ダイシングブレードの磨耗を抑制したり、切断に要する時間を短縮したりして組立性を向上させることができる。また、ダイシングブレードを用いて切断を行った際にリードバリが発生することを抑制することもできる。  また、図４に例示をした厚みを単に薄くしたリード５４の場合と比べて、リードフレーム２における凹部８が設けられた部分の強度の低下を抑制することができる。そのため、ワイヤーボンディング工程やモールド工程などにおいてリードフレームが変形することを抑制することができる。  
以上のようにして、前述した半導体装置１を製造することができる。
【００４０】
なお、ＤＦＮタイプのパッケージを用いた半導体装置１の場合を例示したがこれに限定されるわけではない。パッケージダイシングにより個々の半導体装置に個片化する際に、リードフレームを切断するタイプのパッケージを用いた各種の半導体装置に適用させることができる。
【００４１】
以上に例示をした実施形態によれば、組立性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を実現することができる。  
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。  
例えば、半導体装置１、リードフレーム２、半導体装置１１などが備える各要素の形状、寸法、材質、配置、数などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【符号の説明】
【００４２】
１  半導体装置、２  リードフレーム、３  ダイパッド、４  リード、４ａ  ボンディング面、４ｂ  実装面、５  半導体チップ、６  封止部、７  配線部、８  凹部、１１  半導体装置、１４  リード、１４ａ  ボンディング面、１４ｂ  実装面、２０  リードフレーム材、２０ａ  鉄系金属層、２０ｂ  銅系金属層、２０ｃ  鉄系金属層、２１ａ  マスク、２１ｂ  マスク、２２ａ  マスク、２２ｂ  マスク、Ｄｘ  ダイシングライン、Ｄｙ  ダイシングライン
【図１】
2013069720.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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