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【手続補正書】
【提出日】平成25年12月5日(2013.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体の拍動に関連する拍動信号を検出する拍動検出装置であって、
前記拍動信号、周期性を有する定常ノイズおよび周期性を有さない非定常ノイズの少なくとも一つを含む脈波信号を出力する脈波センサーと、
前記脈波信号に基づいて、所定時間毎に周波数解析処理を実行する周波数解析部と、を含み、
前記周波数解析部は、
前記脈波信号の信号状態を評価する脈波信号評価部と、を有し、
前記脈波信号評価部は、
前記脈波信号の信号状態の評価指標を取得する評価指標取得部と、
前記評価指標を用いて、前記脈波信号の信号状態を評価する信号状態評価部と、を有することを特徴とする拍動検出装置。
【請求項２】
請求項１記載の拍動検出装置であって、
前記信号状態評価部は、前記定常ノイズまたは前記非定常ノイズの有無、前記定常ノイズまたは前記非定常ノイズの大きさの程度、および前記定常ノイズまたは前記非定常ノイズの混入の程度の少なくとも一つに基づいて、前記脈波信号の信号状態を評価することを特徴とする拍動検出装置。
【請求項３】
請求項２記載の拍動検出装置であって、
前記信号状態評価部による評価に基づいて、前記被検体の運動状態を判断する運動状態判断部を有し、
前記信号状態評価部は、前記評価指標と閾値との比較によって、前記脈波信号に含まれる前記非定常ノイズが所定未満である第１状態であるか、前記非定常ノイズが前記第１状態よりも多い第２状態であるか、前記非定常ノイズが前記第２状態よりも多い第３状態であるかを判断し、前記非定常ノイズが前記第１状態のときに第１評価を出力し、前記非定常ノイズが前記第２状態のときに第２評価を出力し、前記非定常ノイズが前記第３状態のときに第３評価を出力し、
前記運動状態判断部は、
前記信号状態評価部による評価が前記第１評価であるとき、前記被検体は、非定常運動要素が無い定常的運動状態、あるいは、非定常運動要素が無い安静状態にあると判断し、
前記信号状態評価部による評価が前記第２評価であるとき、前記被検体は、非定常運動要素が有る定常的運動状態、あるいは、非定常運動要素が有る安静状態にあると判断し、
前記信号状態評価部による評価が前記第３評価であるとき、前記被検体は、非定常的運動状態にある、と判断することを特徴とする拍動検出装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２記載の拍動検出装置であって、
前記脈波信号評価部による評価に基づいて、前記被検体の運動状態を判断する運動状態判断部を有することを特徴とする拍動検出装置。
【請求項５】
請求項４記載の拍動検出装置であって、
前記所定時間毎の、前記被検体の運動状態を記憶する運動状態履歴格納部と、
前記運動状態履歴格納部から読み出される、前記所定時間毎の運動状態の時間的な変化に基づいて、前記被検体の運動状態の安定度を判断する安定度判断部と、
を有することを特徴とする拍動検出装置。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれかに記載の拍動検出装置であって、
前記評価指標取得部は、前記脈波信号の周波数分解によって得られる周波数スペクトルのうちの、最大のスペクトル値を示す第１スペクトルと、前記第１スペクトル以外の、少なくとも１つの第２スペクトルとのスペクトル値の比を算出することを特徴とする拍動検出装置。
【請求項７】
請求項１〜請求項５のいずれかに記載の拍動検出装置であって、
前記評価指標取得部は、前記脈波信号の周波数分解によって得られる周波数スペクトルに基づいて、統計情報を取得することを特徴とする拍動検出装置。
【請求項８】
請求項１記載の拍動検出装置であって、
前記被検体の周期的な体動に伴う体動信号を含む体動センサー信号を出力する体動センサーを有し、
前記信号状態評価部は、
前記評価指標と、前記体動センサー信号の周波数スペクトルと、を用いて、前記脈波信号の信号状態を評価することを特徴とする拍動検出装置。
【請求項９】
請求項８記載の拍動検出装置であって、
前記信号状態評価部による評価に基づいて、被検体の運動状態を判断する運動状態判断部を有し、
前記信号状態評価部は、
前記評価指標と閾値との比較によって前記脈波信号に含まれる前記非定常ノイズが所定未満である第１状態であるか、前記非定常ノイズが前記第１状態よりも多い第２状態であるか、前記非定常ノイズが前記第２状態よりも多い第３状態であるかを判断し、
さらに、前記体動センサー信号の周波数スペクトルの内の、スペクトル値の大きさの順位が所定番目までのスペクトルに、前記体動信号を示す体動呈示スペクトルが存在するか否かを判断し、
前記非定常ノイズが前記第１状態であって、前記体動呈示スペクトルが存在しない状態のときに第１評価を出力し、
前記非定常ノイズが前記第１状態であって、前記体動呈示スペクトルが存在する状態のときに第２評価を出力し、
前記非定常ノイズが前記第２状態であって、前記体動呈示スペクトルが存在しない状態のときに第３評価を出力し、
前記非定常ノイズが前記第２状態であって、前記体動呈示スペクトルが存在する状態のときに第４評価を出力し、
前記非定常ノイズが前記第３状態のときに第５評価を出力し、
前記運動状態判断部は、
前記信号状態評価部による評価が前記第１評価であるとき、前記被検体は、非定常運動要素が無い安静状態にあると判断し、
前記信号状態評価部による評価が前記第２評価であるとき、前記被検体は、非定常運動要素が無い定常的運動状態にあると判断し、
前記信号状態評価部による評価が前記第３評価であるとき、前記被検体は、非定常運動要素が有る安静状態にあると判断し、
前記信号状態評価部による評価が前記第４評価であるとき、前記被検体は、非定常運動要素が有る定常的運動状態にあると判断し、
前記信号状態評価部による評価が前記第５評価であるとき、前記被検体は、非定常的運動状態にあると判断する、ことを特徴とする拍動検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月12日(2014.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
高速凝集沈澱池を立ち上げる際、水槽内において、初期原水と共に無機凝集剤及び凝集助剤を存在させて前記初期原水から初期母フロックを形成し、その後、当該初期母フロックの存在下で原水からフロックを形成する高速凝集沈澱法における初期母フロックの形成方法であって、
微細砂からなる凝集助剤と、無機凝集剤とを、初期原水に加え、水槽内における微細砂の濃度を１００ｍｇ／Ｌ〜４０００ｍｇ／Ｌとして初期母フロックを形成することを特徴とする初期母フロックの形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、高速凝集沈澱池を立ち上げる際、水槽内において、初期原水と共に無機凝集剤及び凝集助剤を存在させて当該初期原水から初期母フロックを形成し、その後、当該初期母フロックの存在下で原水からフロックを形成する高速凝集沈澱法における初期母フロックの形成方法であって、微細砂からなる凝集助剤と、無機凝集剤とを、初期原水に加え、水槽内における微細砂の濃度を１００ｍｇ／Ｌ〜４０００ｍｇ／Ｌとして初期母フロックを形成することを特徴とする初期母フロックの形成方法を提案するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月20日(2014.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検者の顔を支持する顔支持部材と、
前記顔支持部材に含まれる顎受け部を駆動させる第１の駆動手段と、
被検者の被検眼を測定する測定手段と、
前記測定手段をＸＹＺ方向に駆動させる第２の駆動手段と、
前記顔支持部材と前記測定手段との距離が所定値に達したときに、前記第２の駆動手段における駆動方法を変更する制御を行う制御手段と
を有することを特徴とする検眼装置。
【請求項２】
前記顔支持部材と前記測定手段との距離は、前記顎受け部と前記測定手段との距離であることを特徴とする請求項１に記載の検眼装置。
【請求項３】
前記顔支持部材と前記測定手段との距離は、前記顔支持部材に含まれる額当て部と前記測定手段との距離であることを特徴とする請求項１に記載の検眼装置。
【請求項４】
前記所定値とは、Ｏｚを基準地点からの前記測定手段の凸部被検者側面との距離、Ｃｚを基準地点からの前記顎受け部の検者側面との距離としたとき、Ｃｚ−Ｏｚ≦２５ｍｍを満たす値であることを特徴とする請求項１に記載の検眼装置。
【請求項５】
前記所定値とは、Ｈｚを基準地点からの前記顔支持部材に含まれる額当て部の検者側面との距離、Ｏｚを基準地点からの前記測定手段の凸部被検者側面との距離、ｄを前記測定手段の凸部直径としたとき、Ｈｚ−（Ｏｚ＋ｄ）≦２５ｍｍを満たす値であることを特徴とする請求項１に記載の検眼装置。
【請求項６】
前記所定値とは、Ｏｙを基準地点からの前記測定手段の凸部下面との距離、Ｃｙを基準地点からの前記顎受け部の上面との距離としたとき、Ｏｙ−Ｃｙ＜３５ｍｍを満たす値であることを特徴とする請求項１に記載の検眼装置。
【請求項７】
前記所定値とは、Ｈｙを基準地点からの前記顔支持部材に含まれる額当て部の下面との距離、Ｏｙを基準地点からの前記測定手段の凸部下面との距離、ｄを前記測定手段の凸部直径としたとき、Ｈｙ−（Ｏｙ＋ｄ）＜１５ｍｍを満たす値であることを特徴とする請求項１に記載の検眼装置。
【請求項８】
前記所定値とは、Ｏｘを前記測定手段の凸部Ｘ位置としたとき、Ｏｘ＜１０ｍｍを満たす値であることを特徴とする請求項１に記載の検眼装置。
【請求項９】
前記顔支持部材と前記測定手段との距離が前記所定値に達する前後において、前記制御手段における駆動方法の変更制御に段階を設けることを特徴とする請求項１に記載の検眼装置。
【請求項１０】
前記顔支持部材と前記測定手段との距離が前記所定値に達したときに、表示部へ警告を表示することを特徴とする請求項１に記載の検眼装置。
【請求項１１】
被検者の顔を支持する顔支持部材と、前記顔支持部材に含まれる顎受け部を駆動させる第１の駆動手段と、被検者の被検眼を測定する測定手段と、前記測定手段をＸＹＺ方向に駆動させる第２の駆動手段とを有する検眼装置の制御方法であって、
前記顔支持部材と前記測定手段との距離が所定値に達したときに、前記第２の駆動手段における駆動方法を変更する制御を行うことを特徴とする検眼装置の制御方法。
【請求項１２】
被検者の顔を支持する顔支持部材と、前記顔支持部材に含まれる顎受け部を駆動させる第１の駆動手段と、被検者の被検眼を測定する測定手段と、前記測定手段をＸＹＺ方向に駆動させる第２の駆動手段とを有する検眼装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記顔支持部材と前記測定手段との距離が所定値に達したときに、前記第２の駆動手段における駆動方法を変更する制御をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】検眼装置及びその制御方法、並びに、プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、被検眼を測定する検眼装置及びその制御方法、並びに、当該制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の検眼装置は、被検者の顔を支持する顔支持部材と、前記顔支持部材に含まれる顎受け部を駆動させる第１の駆動手段と、被検者の被検眼を測定する測定手段と、前記測定手段をＸＹＺ方向に駆動させる第２の駆動手段と、前記顔支持部材と前記測定手段との距離が所定値に達したときに、前記第２の駆動手段における駆動方法を変更する制御を行う制御手段とを有する。
また、本発明は、上述した検眼装置による制御方法、及び、当該制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月31日(2014.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
一例として、図９（Ｂ）に、図９（Ａ）に示された判別結果の補正の具体例を示す。図９（Ａ）および図９（Ｂ）を参照して、補正部４０２２は、同一の判別結果である単位期間の連続数が所定数以下であり、かつ、当該判別結果と反対の判別結果である単位期間がこの連続した単位期間の前後に所定数以上連続している場合、その連続した単位期間の判別結果を、反対の判別結果となるように補正する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
仮に、対象とする単位期間の判別結果の連続数のしきい値（第１のしきい値）を２、その前後の単位期間の判別結果の連続数のしきい値（第２のしきい値）を２とすると、単位期間ｔ７については、覚醒状態（Ｗ）と判別された単位期間の連続数１が上記第１のしきい値よりも小さく、かつ、単位期間ｔ７の前後の判別結果の逆の単位期間の連続数３が上記第２のしきい値よりも大きい、という条件を満たしている。従って、補正部４０２２は、単位期間ｔ７の判別結果を、反対の判別結果である睡眠状態（Ｓ）となるように補正する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
同様にして、補正部４０２２は、単位期間ｔ１３の判別結果も、反対の判別結果である覚醒状態（Ｗ）となるように補正する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
図１０は、睡眠のレベルの表示の第１の具体例を示す図である。
図１０を参照して、第１の例として、上記一定期間を表わすセグメントを時間経過に沿って並べ、それぞれのセグメントを当該一定期間の睡眠のレベルに応じた色で表示する例を示している。なお、図１０においては、表示の都合上、睡眠のレベルに応じた表示色がハッチングの違いによって表現されている。これは、後述する第２の表示例でも同様である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
図１２を参照して、表示のための動作が開始されると、ステップＳ１０１でＣＰＵ４１は、メモリ４２の所定記憶領域に記憶されたセンサ信号を読み出し、ステップＳ１０３でセンサ信号の表わす波形を呼吸波形と体動波形とに分離する。たとえばステップＳ１０１で読み出したセンサ信号の示す波形が図７の波形である場合、ステップＳ１０３では、たとえば図８（Ａ）に示された呼吸波形と図８（Ｂ）に示された体動波形とに分離する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月14日(2014.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸が水平に配置され、または回転軸が正面側から背面側に向かって下向きに傾斜して配置された回転ドラムと、
前記回転ドラムを回転自在に内包する水槽と、
前記回転ドラムを回転駆動するモータとを備え、
前記回転ドラムは、内壁面に複数の壁面バッフルを有し、さらに内底面に複数の底面バッフルを有し、
前記壁面バッフルと前記底面バッフルとは、前記回転軸を中心とする円周上で交互に配置され、
前記底面バッフルは、前記回転ドラムの回転軸に向かうほど高く突出したドラム式洗濯機。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月14日(2014.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線撮像装置であって、
Ｘ線源から照射された発散Ｘ線を複数のＸ線ビームに分割するための複数の開口を有し、前記Ｘ線源と被検体との間に配置された分割素子と、
前記被検体を透過した前記複数のＸ線ビームの強度を検出する検出器と、
を備え、
前記Ｘ線源と前記分割素子の距離をＬ１、前記分割素子と前記検出器の距離をＬ２とするとき、Ｌ２／Ｌ１の値が１．０より大きく２．４未満の範囲となるように構成されていることを特徴とするＸ線撮像装置。
【請求項２】
前記Ｘ線源の焦点サイズを８０以上１００μｍ以下とし、
前記画素のサイズを５０以上１５０μｍ以下とし、
前記分割素子の前記開口の幅を２０以上５０μｍ以下とするとき、
前記Ｌ２／Ｌ１の値が１．１より大きく１．５未満の範囲となるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載のＸ線撮像装置。
【請求項３】
前記Ｘ線源と前記分割素子の距離であるＬ１と、前記分割素子と前記検出器の距離であるＬ２が、それぞれ以下に示す範囲を満たすことを特徴とする請求項１乃至２のいずれか１項に記載のＸ線撮像装置。
０．３ｍ≦Ｌ１≦２ｍ、０．３ｍ≦Ｌ２≦４．８ｍ
【請求項４】
前記複数のＸ線ビームのそれぞれの形状は、シート状、ドット状であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＸ線撮像装置。
【請求項５】
前記検出器は複数の画素を有し、
前記Ｘ線ビームは、前記複数の画素のうち、隣接する二つ以上の画素を跨ぐことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＸ線撮像装置。
【請求項６】
Ｘ線源から照射された発散Ｘ線を分割素子により複数のＸ線ビームに分割し、被検体を透過した前記複数のＸ線ビームの強度を、検出器により検出するＸ線撮像方法であって、
前記被検体を前記分割素子と前記検出器との間の前記複数のＸ線ビームの光路上に配置し、
前記Ｘ線源と前記分割素子の距離と、前記分割素子と前記検出器の距離の関係を、前記複数のＸ線ビームが検出器上で重ならない距離の関係とすることを特徴とするＸ線撮像方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月27日(2013.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、撮像装置、撮像方法及びプログラムに関し、詳細には、暗い被写体などの撮影において複数の撮影画像を合成することができる撮像装置、撮像方法及びプログラムに関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、明るさなどの状態が変化する被写体（たとえば、チカチカと瞬く星を含む夜空の星々）の撮影において複数の撮影画像を不都合なく合成して撮影できるようにすることにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る撮像装置は、複数の被写体を連続撮影する撮影手段と、前記連続撮影された複数枚の画像を合成出力する画像合成手段と、前記画像合成手段で画像の合成を行う際に、所定の基準に基づいて各画像内に存在する被写体の各々の合成を行うか否かを判定する判定手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、複数の被写体を連続撮影して得られた複数の撮影画像を合成する場合に、所定の基準に基づいて各画像内に存在する被写体の各々を合成すべきか否かを判定するので、例えば明るさなどの状態が変化する被写体であっても合成を支障なく行うことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の被写体を連続撮影する撮影手段と、
前記連続撮影された複数枚の画像を合成出力する画像合成手段と、
前記画像合成手段で画像の合成を行う際に、所定の基準に基づいて各画像内に存在する被写体の各々の合成を行うか否かを判定する判定手段と
を備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記画像合成手段は、前記判定手段の判定結果に従って前記複数の被写体の各々を選択的に合成することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記複数の被写体の各々の存在位置を示す位置情報を保持する情報保持手段を更に備え、
前記判定手段は、前記情報保持手段に保持されている位置情報を参照して前記複数の被写体の各々の画像内の位置を特定し、この特定された画像内の位置に基づいて各被写体の合成を行うか否かを判定することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記連続撮影時の撮影方向を取得する方向取得手段と、
前記連続撮影時の現在位置を取得する位置取得手段と、
を更に備え、
前記判定手段は、前記方向取得手段によって取得された撮影方向及び前記位置取得手段によって取得された現在位置を手掛かりに前記情報保持手段に保持されている位置情報を参照して前記複数の被写体の各々の画像内の位置を算出し、各画像内に存在する被写体が、前記算出された位置と合致する位置に存在するか否かに応じて合成の可否を判定する第１の判定手段を含むことを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記連続撮影時の撮影画角を取得する画角取得手段を更に備え、
前記判定手段は、前記方向取得手段によって取得された撮影方向、前記位置取得手段によって取得された現在位置及び前記画角取得手段によって取得された撮影画角を手掛かりに前記情報保持手段に保持されている位置情報を参照して前記複数の被写体の各々の画像内の位置を算出し、各画像内に存在する被写体が、前記算出された位置と合致する位置に存在するか否かに応じて合成の可否を判定することを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
画像内に存在する複数の被写体の各々について、各画像間での移動方向および移動量を示す動きベクトルを算出する算出手段と、
複数の被写体の間で一定の相関性のある動きベクトルを特定する特定手段と、
を更に備え、
前記画像合成手段は、前記特定手段により特定された動きベクトルに応じて各画像の位置合わせを行って合成し、
前記判定手段は、前記特定手段により特定された動きベクトルと、個々の被写体の動きベクトルとの差に応じて合成の可否を判定する第２の判定手段を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項７】
前記判定手段は、前記複数の被写体の各々について、前記連続撮影で得られた複数の画像の全てに存在する被写体か一部だけに存在する被写体かに応じて合成の可否を判断する第２の判定手段を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項８】
前記判定手段は、前記複数の被写体の各々について、前記連続撮影で得られた複数の画像の全てに存在する被写体か一部だけに存在する被写体かに応じて合成の可否を判断する第２の判定手段を含み、前記第１の判定手段により合成を行わないと判定された画像内の被写体に対して、更に前記第２の判定手段による判定を行って最終的な合成の可否を判断することを特徴とする請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記複数の被写体は、時系列的に明るさが変化する個別被写体を含み、
前記判定手段は、当該明るさが変化する個別被写体に対応する位置情報が前記情報保持手段に含まれていた場合に、当該明るさが変化する個別被写体を合成すべきものであると判定することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記複数の被写体は夜空の星々であって、前記判定手段は、当該夜空の星々のうち暗い星に対応する位置情報が前記情報保持手段に含まれていた場合に、当該暗い星を合成すべき被写体であると判定することを特徴とする請求項９に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記複数の被写体は、時系列的に明るさが変化する個別被写体を含み、
前記情報保持手段は、当該明るさが変化する個別被写体に対応する位置情報のみを保持することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項１２】
複数の被写体を連続撮影する撮影工程と、
前記連続撮影された複数枚の画像を合成出力する画像合成工程と、
前記画像合成工程で画像の合成を行う際に、所定の基準に基づいて各画像内に存在する被写体の各々の合成を行うか否かを判定する判定工程と
を含むことを特徴とする撮像方法。
【請求項１３】
撮像装置のコンピュータに、
複数の被写体を連続撮影する撮影手段、
前記連続撮影された複数枚の画像を合成出力する画像合成手段、
前記画像合成手段で画像の合成を行う際に、所定の基準に基づいて各画像内に存在する被写体の各々の合成を行うか否かを判定する判定手段
としての機能を与えることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月4日(2014.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が信号源に接続されるキャパシタと、
第一の入力端子に入力される信号と、第二の入力端子に入力される信号の差分を増幅する差動増幅器と、
前記キャパシタの他端を前記第一の入力端子に接続するか否かを切り替えるスイッチと、
前記第一の入力端子と前記第二の入力端子の間に接続された抵抗と、
前記第一の入力端子が前記キャパシタの前記他端に接続されないように前記スイッチが制御された補正期間において、前記差動増幅器の出力信号に基づき前記差動増幅器のオフセット電圧を補正する補正回路とを有することを特徴とする差動増幅装置。
【請求項２】
前記補正回路は、前記補正期間の後、前記第一の入力端子が前記キャパシタの前記他端に接続されるように前記スイッチが制御され、前記キャパシタを介して信号が入力される通常動作期間において、前記オフセット電圧の補正を維持することを特徴とする請求項1に記載された差動増幅装置。
【請求項３】
前記差動増幅器は全差動型増幅器であり、
前記補正回路は、前記全差動型増幅器の第一の出力端子から出力された信号、および、前記全差動型増幅器の第二の出力端子から出力された信号を受け、前記補正期間において、前記第一の出力端子から出力された信号と前記第二の出力端子から出力された信号の差を小さくするように前記補正を行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載された差動増幅装置。
【請求項４】
前記第一の出力端子から出力された信号と前記第二の出力端子から出力された信号はアナログ-ディジタル変換器に供給されることを特徴とする請求項3に記載された差動増幅装置。
【請求項５】
前記第一の出力端子と前記補正回路の間、および、前記第二の出力端子と前記補正回路の間にそれぞれ低域通過フィルタを有することを特徴とする請求項3に記載された差動増幅装置。
【請求項６】
前記低域通過フィルタが出力する信号はアナログ-ディジタル変換器に供給されることを特徴とする請求項5に記載された差動増幅装置。
【請求項７】
前記補正回路は、前記第一の出力端子から出力された信号と前記第二の出力端子から出力された信号を比較するコンパレータ、および、前記コンパレータの出力に基づき、クロックをアップダウンカウントする第一のカウンタを有し、前記第一のカウンタのカウント値に基づき前記補正を行うことを特徴とする請求項3から請求項6の何れか一項に記載された差動増幅装置。
【請求項８】
前記補正回路は、さらに、前記コンパレータの出力をカウントする第二のカウンタ、および、前記第二のカウンタのカウント値が所定値に達すると、前記第一のカウンタに対する前記クロックの供給を停止する手段を有することを特徴とする請求項7に記載された差動増幅装置。
【請求項９】
前記補正回路は、前記第一の出力端子から出力された信号と前記第二の出力端子から出力された信号の差分を増幅するオペアンプ、および、前記オペアンプの出力をディジタル信号に変換する手段を有し、前記ディジタル信号に基づき前記補正を行うことを特徴とする請求項3から請求項6の何れか一項に記載された差動増幅装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明にかかる差動増幅装置は、一端が信号源に接続されるキャパシタと、第一の入力端子に入力される信号と、第二の入力端子に入力される信号の差分を増幅する差動増幅器と、前記キャパシタの他端を前記第一の入力端子に接続するか否かを切り替えるスイッチと、前記第一の入力端子と前記第二の入力端子の間に接続された抵抗と、前記第一の入力端子が前記キャパシタの前記他端に接続されないように前記スイッチが制御された補正期間において、前記差動増幅器の出力信号に基づき前記差動増幅器のオフセット電圧を補正する補正回路とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月30日(2014.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
下地基材に堆積される塗料堆積物を前記下地基材から剥離する塗膜の剥離方法であって、
ラジカル共重合性不飽和樹脂と重合性単量体の混合物を主成分とし、硬化物として破断までの引張り伸び率が、１０％以上の樹脂組成物を剥離用皮膜として、前記下地基材上に形成して、前記剥離用皮膜を硬化させ、前記剥離用皮膜上に塗料堆積物が堆積された後に、前記下地基材から前記剥離用皮膜を引き剥がすことを特徴とする塗膜の剥離方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記従来例の問題点を解決するための本発明は、下地基材に堆積される塗料堆積物を下地基材から剥離する塗膜の剥離方法であって、ラジカル共重合性不飽和樹脂と重合性単量体の混合物を主成分とし、硬化物として破断までの引張り伸び率が、１０％以上の樹脂組成物を剥離用皮膜として、下地基材上に形成して、剥離用皮膜を硬化させ、剥離用皮膜上に塗料堆積物が堆積された後に、下地基材から剥離用皮膜を引き剥がすことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月10日(2014.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの異なるスペクトルを生成するよう適合された少なくとも２つのＬＥＤと、
前記少なくとも２つのＬＥＤのうちの少なくとも１つのＬＥＤに供給される電力を制御する少なくとも１つの制御回路と、
前記複数のＬＥＤから放射された光を受け取り、前記複数のＬＥＤの少なくとも２つの異なるスペクトルの組み合わせである色を表示させるように構成される材料と、
を備える照明装置であって、
前記制御回路は、白熱光調光システムをシミュレートするために、当該照明装置への入力電圧に応じて各ＬＥＤを調光制御することにより、前記光の色温度変化と調光との両方を同時に行い、前記光の色温度が、パワーが低減されるにつれて一層暖かくなるように構成される、
照明装置。
【請求項２】
前記制御回路の配置は、前記少なくとも２つのＬＥＤの相対強度を制御するようになされる、請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記照明装置が、
前記制御回路を実質的に包囲する第１のハウジングと、
前記少なくとも２つのＬＥＤを実質的に包囲する第２のハウジングと、を更に備え、
前記材料が、前記第２のハウジングの少なくとも一部分を形成する
請求項１又は２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記材料は、半透過性材料、半透明材料、光拡散材料及び透過性材料のうちの少なくとも１つを備える請求項１から３のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項５】
前記制御回路は、パルス幅変調器、パルス振幅変調器、パルス変位変調器、抵抗ラダー、電流源、電圧源、電圧ラダー、スイッチ、トランジスタ及び電圧制御器のうちの少なくとも１つを含む請求項１から４のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項６】
前記少なくとも２つのＬＥＤに電力を与えるための電力変換器を更に備える請求項１から５のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項７】
前記照明装置が、電力接続部を更に備え、前記電力接続部が、プラグ、２ピンロ金及びねじ込み口金のうちの少なくとも１つを含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月10日(2014.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続的な第１のテーパ角が前縁と後縁とを接続する磁極側壁を有する書込磁極を含む装置であって、前記書込磁極は、第１および第２のシールド側壁がシールド突端にテーパされた状態で構成された側部シールドに近接し、前記シールド突端は前記書込磁極と前記側部シールドとの間において最も近い点である、装置。
【請求項２】
前記シールド突端は、前記前縁と前記後縁との間に位置決めされる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１および第２のシールド側壁は反対の角度で前記シールド突端から延在する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
連続的な第１のテーパ角が前縁と後縁とを接続する磁極側壁を有する書込磁極を含む磁気素子であって、前記書込磁極は、シールド突端にテーパされた第１および第２のシールド側壁とともに各々が構成された第１および第２の側部シールド間において、前記第１および第２の側部シールドから分離して配置され、前記シールド突端は前記書込磁極と前記側部シールドとの間において最も近い点である、磁気素子。
【請求項５】
連続的な第１のテーパ角が前縁と後縁とを接続する磁極側壁を有する書込磁極を含むデータライタであって、前記書込磁極は、第１および第２の側部シールド間において、前記第１および第２の側部シールドから分離して配置され、前記第１および第２の側部シールドは、各々、第１および第２のシールド側壁がシールド突端にテーパされた状態で構成され、前記後縁に近くレターボックスを与え、前記シールド突端は前記書込磁極と前記側部シールドとの間において最も近い点である、データライタ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月2日(2014.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の回路ブロックと、
前記複数の回路ブロックが回路動作を行う際の開始タイミングを制御する制御回路とを備え、
前記制御回路は、前記複数の回路ブロックが電源電流を多く消費する回路動作を一定期間内に並列に行う際に、前記開始タイミングを前記複数の回路ブロック毎に調整することで電源電流波形が所定の波形形状を有するように制御することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記所定の波形形状は、正弦半波波形であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記複数の回路ブロックによって並列に行われる回路動作の個数をＮとし、Ｉ番目とＩ＋１番目に行われる回路動作の時間間隔をＴ（Ｉ）とすると、
前記時間間隔Ｔ（Ｉ）は、
Ｔ（Ｉ）＝Ｔ（Ｎ−Ｉ）  かつ  Ｉ＝Ｎ／２以下で、Ｔ（Ｉ）＜Ｔ（Ｉ−１）
を満たすことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、
前記複数の回路ブロックによって並列に行われる回路動作は、それぞれ同一種類の動作であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、
前記複数の回路ブロックのそれぞれは、同一の半導体チップ上に形成されたＤＲＡＭメモリバンクであり、
前記複数のＤＲＡＭメモリバンクによって並列に行われる回路動作は、リフレッシュ動作であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置において、
前記複数の回路ブロックのそれぞれは、同一のモジュール配線基板上に搭載されたＤＲＡＭチップであり、
前記複数のＤＲＡＭチップによって並列に行われる回路動作は、リフレッシュ動作であり、
前記制御回路は、前記モジュール配線基板上に搭載されたバッファＩＣによって実現されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
複数の回路ブロックを有する半導体装置の動作方法であって、
前記複数の回路ブロックが回路動作を行う際の開始タイミングを制御し、
前記制御は、
前記複数の回路ブロックが電源電流を多く消費する回路動作を一定期間内に並列に行う際に、前記開始タイミングを前記複数の回路ブロック毎に調整することで電源電流波形が所定の波形形状を有するように制御することを特徴とする半導体装置の動作方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の動作方法において、
前記所定の波形形状は、正弦半波波形であることを特徴とする半導体装置の動作方法。
【請求項９】
複数の半導体装置と、
前記複数の半導体装置が装置動作を行う際の開始タイミングを制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、前記複数の半導体装置が電源電流を多く消費する装置動作を一定期間内に並列に行う際に、前記開始タイミングを前記複数の半導体装置毎に調整することで電源電流波形が所定の波形形状を有するように制御することを特徴とする情報処理システム。
【請求項１０】
請求項９記載の情報処理システムにおいて、
前記所定の波形形状は、正弦半波波形であることを特徴とする情報処理システム。
【請求項１１】
請求項９記載の情報処理システムにおいて、
前記複数の半導体装置によって並列に行われる装置動作の個数をＮとし、Ｉ番目とＩ＋１番目に行われる装置動作の時間間隔をＴ（Ｉ）とすると、
前記時間間隔Ｔ（Ｉ）は、
Ｔ（Ｉ）＝Ｔ（Ｎ−Ｉ）  かつ  Ｉ＝Ｎ／２以下で、Ｔ（Ｉ）＜Ｔ（Ｉ−１）
を満たすことを特徴とする情報処理システム。
【請求項１２】
請求項９記載の情報処理システムにおいて、
前記複数の半導体装置および前記制御装置は、配線基板上に実装されていることを特徴とする情報処理システム。
【請求項１３】
請求項９記載の情報処理システムにおいて、
前記複数の半導体装置のそれぞれは、同一の配線基板上に実装されたＤＲＡＭチップであり、
前記複数のＤＲＡＭチップによって並列に行われる装置動作は、リフレッシュ動作であることを特徴とする情報処理システム。
【請求項１４】
請求項９記載の情報処理システムにおいて、
前記複数の半導体装置のそれぞれは、同一の配線基板上に実装されたＤＲＡＭモジュールであり、
前記複数のＤＲＡＭモジュールによって並列に行われる装置動作は、リフレッシュ動作であることを特徴とする情報処理システム。
【請求項１５】
それぞれが複数のワード線、複数のビット線、および前記複数のワード線と前記複数のビット線の交点に配置される複数のＤＲＡＭメモリセルを含んだ複数のメモリバンクと、
前記複数のメモリバンクのリフレッシュ動作を制御するリフレッシュ制御回路とを備え、
前記複数のメモリバンクのそれぞれは、自身に対応するリフレッシュ信号をトリガとして自身のメモリバンク内の所定のワード線の活性化および／または非活性化を行い、
前記リフレッシュ制御回路は、外部からのコマンド入力または内部でのコマンド生成に応じて生成された共通リフレッシュ信号を受け、前記共通リフレッシュ信号を前記複数のメモリバンク毎に異なるタイミングでずらすことで前記複数のメモリバンク毎にタイミングが異なる前記リフレッシュ信号を生成し、この際に、前記リフレッシュ信号のタイミングを、前記リフレッシュ動作に伴う電源電流波形が所定の波形形状を有するように調整することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体装置において、
前記所定の波形形状は、正弦半波波形であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１５記載の半導体装置において、
前記複数のメモリバンクの個数をＮとし、Ｉ番目とＩ＋１番目にそれぞれ異なるメモリバンクに向けて生成される前記リフレッシュ信号のタイミング間隔をＴ（Ｉ）とすると、
前記タイミング間隔Ｔ（Ｉ）は、
Ｔ（Ｉ）＝Ｔ（Ｎ−Ｉ）  かつ  Ｉ＝Ｎ／２以下で、Ｔ（Ｉ）＜Ｔ（Ｉ−１）
を満たすことを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１５記載の半導体装置において、
前記リフレッシュ制御回路は、前記共通リフレッシュ信号を、シリアル接続によって順次遅延させる複数の遅延回路を含み、
前記リフレッシュ信号のタイミングは、前記複数の遅延回路の遅延時間を用いて生成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１８記載の半導体装置において、
前記複数の遅延回路は、クロック信号に応じてシフト動作を行うフリップフロップ回路を含み、
前記リフレッシュ信号のタイミングは、前記フリップフロップ回路の段数および／または伝播遅延時間を用いて生成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１５記載の半導体装置において、
前記リフレッシュ制御回路は、前記共通リフレッシュ信号をシリアル接続によって順次遅延させると共に、設定によってそれぞれの遅延時間を変更可能な複数の可変遅延回路を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月20日(2014.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のワード線と、前記複数のワード線と交差する複数のビット線と、複数の相変化記憶素子を含む複数のメモリセルと、を含むメモリセルアレイと、
第１の端子と、各々が前記複数のビット線のうちの関連する一つに接続された複数の第２の端子とを含み、前記第１の端子と前記複数の第２の端子のうちの選択された一つとの間の電気経路を形成するスイッチ回路と、
リセットデータを書き込むための電流を前記複数の相変化記憶素子に流す第１のトランジスタと、
セットデータを書き込むための電流を前記複数の相変化記憶素子に流す第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのオン信号を伝達する第１のトランスファーゲートと、
前記第２のトランジスタのオン信号を伝達する第２のトランスファーゲートと、
前記第１のトランスファーゲートまたは前記第２のトランスファーゲートのいずれかをオンにする選択信号を保持する第１のラッチ回路と、
前記第１のトランスファーゲートまたは前記第２のトランスファーゲートのいずれかを介して、前記第１のトランジスタまたは前記第２のトランジスタのいずれかのオン信号を保持する第２のラッチ回路と、
を備え、
前記第１のラッチ回路および前記第２のラッチ回路におけるデータ保持状態を外部からの入力信号により制御することにより、前記第１のトランジスタまたは前記第２のトランジスタを選択して、前記相変化記憶素子にデータ書き込み電流を流す、
相変化メモリ装置。
【請求項２】
リセットデータの書き込みの指示に応じて、
前記第１のラッチ回路は前記第１のトランスファーゲートをオンにすると共に、前記第２のトランスファーゲートをオフにする信号を保持するように制御され、且つ
前記第２のラッチ回路は前記第１のトランスファーゲートを介して前記第１のトランジスタをオンにする信号を保持するように制御され、
リセットデータの書き込みの終了を指示するリセット書き込み終了信号に応じて、
前記第２のラッチ回路は、前記第１のトランスファーゲートを介して、前記第１のトランジスタをオフにする信号を保持するように制御される、
請求項１に記載の相変化メモリ装置。
【請求項３】
複数のワード線と、前記複数のワード線と交差する複数のビット線と、複数の相変化記憶素子を含む複数のメモリセルと、を含むメモリセルアレイと、
第１の端子と、各々が前記複数のビット線のうちの関連する一つに接続された複数の第２の端子とを含み、前記第１の端子と前記複数の第２の端子のうちの選択された一つとの間の電気経路を形成するスイッチ回路と、
リセットデータを書き込むための電流を前記複数の相変化記憶素子に流す第１のトランジスタと、
セットデータを書き込むための電流を前記複数の相変化記憶素子に流す第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタにオン信号を伝達する第１のクロックドインバータと、
前記第２のトランジスタにオン信号を伝達する第２のクロックドインバータと、
前記第１のクロックドインバータまたは前記第２のクロックドインバータのいずれかをインバータとして機能させるための選択信号を保持する第１のラッチ回路と、
前記第１のクロックドインバータまたは前記第２のクロックドインバータを介して、前記第１のトランジスタまたは前記第２のトランジスタをオンにする信号を保持する第２のラッチ回路と、
を備え、
前記第１のラッチ回路および前記第２のラッチ回路におけるデータ保持状態を外部からの入力信号により制御することにより、前記第１のトランジスタまたは前記第２のトランジスタを選択して、前記相変化記憶素子にデータ書き込み電流を流す、
相変化メモリ装置。
【請求項４】
リセットデータの書き込みの指示に応じて、
前記第１のラッチ回路は、前記第１のクロックドインバータをインバータとして機能させると共に、前記第２のクロックドインバータのインバータ機能を停止させる信号を保持するように制御され、且つ
前記第２のラッチ回路は、前記第１のクロックドインバータを介して、前記第１のトランジスタをオンにする信号を保持するように制御され、
リセットデータの書き込みの終了を指示するリセット書き込み終了信号に応じて、
前記第２のラッチ回路は、前記第１のクロックドインバータを介して、前記第１のトランジスタをオフにする信号を保持するように制御される、
請求項３に記載の相変化メモリ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月16日(2014.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１波長帯の光と異なる第２波長帯の光が照射されたときに、明色の反射特性を示す明色モジュールと暗色の反射特性を示す暗色モジュールとがコード領域内に複数配列され、前記コード領域の所定の位置に、規定された形状をなす特徴パターン領域が配置された情報コードであって、
前記コード領域のうち遮光されることで当該情報コードが解読不能となる所定領域上には、前記第２波長帯の光が照射されたときに当該コード領域を構成する前記各モジュールからの反射光を透過させ、前記第１波長帯の光の透過を妨げる被覆部が設けられ、
前記被覆部は、情報が含まれるデータ領域と前記特徴パターン領域とを被覆する構成で配置されていることを特徴とする情報コード。
【請求項２】
前記コード領域には、前記特徴パターン領域を構成するパターンとして、アライメントパターンが配置され、
前記被覆部は、前記データ領域と前記アライメントパターンとを被覆する構成で配置されていることを特徴とする請求項１に記載の情報コード。
【請求項３】
前記コード領域には、前記特徴パターン領域を構成するパターンとして、位置を特定するための位置検出パターンが配置され、
前記被覆部は、前記データ領域と前記位置検出パターンとを被覆する構成で配置されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の情報コード。
【請求項４】
前記被覆部は、前記コード領域の一部のみを被覆する構成で配置されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の情報コード。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月1日(2014.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップであって、１またはそれ以上の電子デバイスを規定する基板と、前記チップのエリア内に位置づけられ、前記１つまたはそれ以上の電子デバイスに電気的に接続された１つまたはそれ以上のソルダ要素とを含み、前記基板と前記ソルダ要素との間に２つの耐衝撃バッファ層と、前記１またはそれ以上のソルダ要素を前記１またはそれ以上の電子デバイスに電気的に接続するために、前記バッファ層間に挟まれたパターニングされた導電層とを備え、前記バッファ層の各々は１．６Ｇｐａから２．４Ｇｐａの範囲のヤング率を有し、前記２つのバッファ層の各々は、約６．５μｍ〜約１０μｍの範囲の厚みを有する、チップ。
【請求項２】
前記２つのバッファ層の各々は、約７．５μｍの厚みを有する、請求項１に記載のチップ。
【請求項３】
前記２つのバッファ層は、同一組成を有していている、請求項１または請求項２に記載のチップ。
【請求項４】
前記２つのバッファ層の各々は、約２ＧＰａのヤング率を有する、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のチップ。
【請求項５】
０．５ｍｍ以下のピッチ間隔で離間する前記ソルダ要素のアレイを備えた、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のチップ。
【請求項６】
０．４ｍｍ以下のピッチ間隔で離間する前記ソルダ要素のアレイを備えた、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のチップ。
【請求項７】
前記１またはそれ以上のソルダ要素は、約４％ｗｔ．の銀および約０．５％ｗｔ．の銅を含む組成を有するスズをベースとしたソルダ要素である、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のチップ。
【請求項８】
前記ソルダ要素はソルダボールである、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のチップ。
【請求項９】
前記ソルダ要素はソルダバンプである、請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のチップ。
【請求項１０】
前記基板は、半導体ウェハである、請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のチップ。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載のチップと、前記１つまたはそれ以上のソルダ要素を介して前記チップに電気的に接続されたプリント回路基板とを備え、前記１つまたはそれ以上のソルダ要素は、前記チップと前記プリント回路基板との間に挟まれている、装置。
【請求項１２】
請求項１から１０のいずれか一項に記載のチップ、あるいは、請求項１１に記載の装置を含む無線通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月3日(2014.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極と、陽極と、前記陰極と前記陽極との間に配置された光電変換層と、前記光電変換層と前記陽極との間に配置された正孔輸送層と、を少なくとも有し、
前記正孔輸送層は、カルボキシル基を有し、かつ、共役構造を有する有機半導体を含有し、
前記光電変換層は、周期表１５族元素の硫化物を含有する層と、有機半導体を含有する層と、を含む
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
カルボキシル基を有し、かつ、共役構造を有する有機半導体は、共役ポリマーであり、重量平均分子量が１万〜１００万であることを特徴とする請求項１記載の太陽電池。
【請求項３】
カルボキシル基を有し、かつ、共役構造を有する有機半導体は、チオフェン骨格、パラフェニレンビニレン骨格、ビニルカルバゾール骨格、アニリン骨格、アセチレン骨格、ピロール骨格、ペリレン骨格、フルオレン骨格、インドリン骨格、スピロビフルオレン骨格、フタロシアニン骨格及びポルフェリン骨格からなる群から選択される一種以上の骨格を有することを特徴とする請求項１又は２記載の太陽電池。
【請求項４】
更に、陰極と光電変換層との間に、電子輸送層を有することを特徴とする請求項１、２又は３記載の太陽電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
（実施例２〜７、比較例１〜１３）
正孔輸送層の材料、光電変換層の材料として表１、２に示したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、太陽電池を得た。なお、実施例及び比較例で使用した材料を以下に示した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
【表１】
2014112663.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月5日(2014.5.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のプラスチック基板と、
前記第１のプラスチック基板上の、酸化物と、
前記第１のプラスチック基板上の、材料層と、
前記材料層上の、トランジスタと、
前記トランジスタ上の、第２のプラスチック基板とを有し、
前記酸化物は、部分的に複数配置され、
前記酸化物は、前記材料層で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のプラスチック基板と、
前記第１のプラスチック基板上の、ＩＴＯと、
前記第１のプラスチック基板上の、材料層と、
前記材料層上の、トランジスタと、
前記トランジスタ上の、第２のプラスチック基板とを有し、
前記ＩＴＯは、部分的に複数配置され、
前記ＩＴＯは、前記材料層で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のプラスチック基板と、
前記第１のプラスチック基板上の、ＺｎＯと、
前記第１のプラスチック基板上の、材料層と、
前記材料層上の、トランジスタと、
前記トランジスタ上の、第２のプラスチック基板とを有し、
前記ＺｎＯは、部分的に複数配置され、
前記ＺｎＯは、前記材料層で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記材料層は、酸化シリコン、又は酸化窒化シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月1日(2014.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の異方性および磁気モーメントに調整され、極低温基板上に形成された磁気層を備える薄膜。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に形成された磁気層を所定の異方性および磁気モーメントに調整するための手段とを備える、装置。
【請求項３】
基板上に磁気層を堆積することと、
前記基板を所定の極低温に冷却することによって、前記磁気層を所定の異方性および磁気モーメントに調整することとを含む、方法。
【請求項４】
所定の異方性および磁気モーメントは、冷却された基板上への斜めの入射角堆積によって調整される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
所定量の時間、前記磁気層を熱で処理することをさらに含む、請求項３または４に記載の方法。