Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月24日(2014.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定光源から発せられた光を被検眼眼底上で走査させるための光スキャナと、測定光源から発せられた測定光の眼底での反射光と参照光との干渉状態を検出する検出器と、を有し、被検眼眼底の断層像を得るための光コヒーレンストモグラフィーデバイスと、
光コヒーレンストモグラフィーデバイスによって取得された複数の断層像を処理して断層像の解析結果を取得する解析処理手段と、
前記解析処理手段によって取得された解析結果に関する所定の基準の下に前記複数の断層像を並び換え、並び換えられた複数の断層像をモニタ上に並べて表示する表示制御手段と、
を備えることを特徴とする眼底撮影装置。
【請求項２】
請求項１の眼底撮影装置において、
前記解析処理手段は、光コヒーレンストモグラフィーデバイスによって取得された三次元断層像に含まれる各断層像を処理して断層像の解析結果を取得し、
表示制御手段は、前記解析結果に関する所定の基準の下に各断層像を並び換え、並び変えられた各断層像をモニタ上に並べて表示することを特徴とする眼底撮影装置。
【請求項３】
請求項２の眼底撮影装置において、
表示制御手段は、前記三次元断層像に基づいて眼底上の走査位置に関して互いに近接する複数の断層像を抽出し、前記解析結果に関する所定の基準の下に、前記互いに近接する複数の断層像を並び換えて表示することを特徴とする眼底撮影装置。
【請求項４】
測定光源から発せられた光を被検眼眼底上で走査させるための光スキャナと、測定光源から発せられた測定光の眼底での反射光と参照光との干渉状態を検出する検出器と、を有する光コヒーレンストモグラフィーデバイスによって撮影された複数の断層像を得る取得工程と、
該取得工程にて得られた各断層像を処理して断層像の解析結果を取得する解析処理工程と、
前記解析処理工程によって取得された解析結果に関する所定の基準の下に前記複数の断層像を並び換え、並び換えられた複数の断層像をモニタ上に並べて表示する表示制御工程と、
を備えることを特徴とする眼底解析方法。
【請求項５】
請求項４に記載の眼底解析方法をコンピュータで実行する眼底解析プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（１）  測定光源から発せられた光を被検眼眼底上で走査させるための光スキャナと、測定光源から発せられた測定光の眼底での反射光と参照光との干渉状態を検出する検出器と、を有し、被検眼眼底の断層像を得るための光コヒーレンストモグラフィーデバイスと、光コヒーレンストモグラフィーデバイスによって取得された複数の断層像を処理して断層像の解析結果を取得する解析処理手段と、前記解析処理手段によって取得された解析結果に関する所定の基準の下に前記複数の断層像を並び換え、並び換えられた複数の断層像をモニタ上に並べて表示する表示制御手段と、を備えることを特徴とする。
（２）  （１）の眼底撮影装置において、前記解析処理手段は、光コヒーレンストモグラフィーデバイスによって取得された三次元断層像に含まれる各断層像を処理して断層像の解析結果を取得し、表示制御手段は、前記解析結果に関する所定の基準の下に各断層像を並び換え、並び変えられた各断層像をモニタ上に並べて表示することを特徴とする。
（３）  （２）の眼底撮影装置において、
表示制御手段は、前記三次元断層像に基づいて眼底上の走査位置に関して互いに近接する複数の断層像を抽出し、前記解析結果に関する所定の基準の下に、前記互いに近接する複数の断層像を並び換えて表示することを特徴とする。
（４）  測定光源から発せられた光を被検眼眼底上で走査させるための光スキャナと、測定光源から発せられた測定光の眼底での反射光と参照光との干渉状態を検出する検出器と、を有する光コヒーレンストモグラフィーデバイスによって撮影された複数の断層像を得る取得工程と、該取得工程にて得られた各断層像を処理して断層像の解析結果を取得する解析処理工程と、前記解析処理工程によって取得された解析結果に関する所定の基準の下に前記複数の断層像を並び換え、並び換えられた複数の断層像をモニタ上に並べて表示する表示制御工程と、を備えることを特徴とする。
（５）  （４）に記載の眼底解析方法をコンピュータで実行する眼底解析プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月15日(2014.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
そこで、例えば特許文献１には、血管造影剤が投与された被検体に対して、この血管造影剤を発光させるための特定の波長域の励起光と可視光とを所定の時間間隔で交互に照射し、励起光に基づく蛍光画像と可視光に基づく通常画像とを生成し、これらの画像を重畳してリアルタイムに表示することにより、処置具と血管との位置関係を術者に認識させ、血管を傷つける可能性を低減する方法が開示されている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月18日(2014.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも1つの異種タンパク質をコードする第一のポリヌクレオチド、および下記（ａ）〜（ｃ）からなる群より選択される第二のポリヌクレオチドを含む、単離核酸分子：
（ａ）配列番号１に示すポリヌクレオチド配列に少なくとも９５％同一であるポリヌクレオチド配列を含むポリヌクレオチド；
（ｂ）配列番号２に示すアミノ酸配列に少なくとも９５％同一であるアミノ酸配列を含むポリペプチドをコードするポリヌクレオチドであって、シグナル配列を有し、または欠いており、かつミオスタチン、アクチビンＡ、またはＧＤＦ−１１に結合可能である、前記ポリヌクレオチド；ならびに
（ｃ）４２℃で５０％ホルムアミド、６Ｘ塩化ナトリウム／クエン酸ナトリウム（ＳＳＣ）の存在下、および６０℃、０．５Ｘ ＳＳＣ、０．１％ドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）の洗浄条件下で、（ａ）もしくは（ｂ）、または（ａ）もしくは（ｂ）の完全相補体のいずれかにハイブリダイズする、ポリヌクレオチド。
【請求項２】
異種タンパク質がＦｃポリペプチドである、請求項１記載の単離核酸分子。
【請求項３】
Ｆｃポリペプチドがリンカーペプチドによって付着している、請求項２記載の単離核酸分子。
【請求項４】
第一のポリヌクレオチドが、転写または翻訳制御配列に機能可能であるように連結されている、請求項１記載の核酸分子。
【請求項５】
転写または翻訳配列が転写プロモーターまたはエンハンサーを含む、請求項４記載の核酸分子。
【請求項６】
請求項１記載の核酸分子の発現を指示する、単離された組換えベクター。
【請求項７】
配列番号２に示すアミノ酸配列に少なくとも９５％同一であるアミノ酸配列を含むポリペプチドであって、シグナル配列を有し、または欠いており、かつミオスタチン、アクチビンＡ、またはＧＤＦ−１１に結合可能である、前記ポリペプチド。
【請求項８】
ポリペプチドが少なくとも１つの異種ポリペプチドに融合している、請求項７記載のタンパク質。
【請求項９】
異種タンパク質がＦｃポリペプチドである、請求項８記載のタンパク質。
【請求項１０】
Ｆｃポリペプチドが、リンカー配列を介して付着している、請求項９記載のタンパク質。
【請求項１１】
請求項１記載の核酸分子を発現するように操作されている、単離された宿主細胞。
【請求項１２】
宿主細胞が哺乳動物細胞である、請求項１１記載の宿主細胞。
【請求項１３】
請求項７記載のタンパク質を産生するように操作されている、単離された宿主細胞。
【請求項１４】
宿主細胞が哺乳動物細胞である、請求項１３記載の宿主細胞。
【請求項１５】
ポリペプチドの発現を促進する条件下で、請求項１１記載の宿主細胞を培養し、そして該ポリペプチドを産生する工程を含む、ポリペプチドを産生する方法。
【請求項１６】
薬学的に許容されうるキャリアーと混合された、請求項７記載のタンパク質を含む、薬学的組成物。
【請求項１７】
ミオスタチン活性を阻害する必要がある被験体において、ミオスタチン活性を阻害する方法であって、該被験体に、請求項１６記載の組成物の療法的有効量を投与する工程を含む、前記方法。
【請求項１８】
請求項１１記載の宿主細胞、および培地を含む、細胞培養物。
【請求項１９】
請求項１３記載の宿主細胞、および培地を含む、細胞培養物。
【請求項２０】
請求項１５記載の方法により産生された、単離されたポリペプチド。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月31日(2014.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板と、前記金属板の片面又は両面に形成された発泡ゴム層とを有するシーリング材であって、
前記発泡ゴム層の独立気泡率は５０％以上であり、
前記発泡ゴム層の表面のＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に準拠した方法により測定される最大高さＲｚは４０μｍ以下である
ことを特徴とするシーリング材。
【請求項２】
水中に浸漬した後にＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６に準拠したクロスカット法により試験された結果が分類０、分類１又は分類２に該当する
ことを特徴とする請求項１に記載のシーリング材。
【請求項３】
前記発泡ゴム層は、熱分解型発泡剤を含むゴム組成物層の発泡により形成されたものである
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のシーリング材。
【請求項４】
前記発泡ゴム層は、前記金属板の前記片面又は前記両面に形成されたゴム組成物層を架橋温度以上、発泡温度未満の温度で加熱し、その後、前記ゴム組成物層を前記発泡温度以上の温度で加熱することにより形成されたものである
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のシーリング材。
【請求項５】
金属板と、前記金属板の片面又は両面に形成された発泡ゴム層とを有するシーリング材を製造する方法であって、
前記金属板の前記片面又は前記両面に形成されたゴム組成物層を架橋温度以上、発泡温度未満の温度で加熱し、その後、前記ゴム組成物層を前記発泡温度以上の温度で加熱することにより前記発泡ゴム層を形成する工程を含む
ことを特徴とするシーリング材の製造方法。
【請求項６】
前記ゴム組成物層は、熱分解型発泡剤を含む
ことを特徴とする請求項５に記載のシーリング材の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月11日(2014.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来、ボールジョイント継ぎ手部の防塵、防水を目的としてダストカバーが装着されているボールジョイントとしては図５に記載のボールジョイント用ダストカバーが知られている。（特許文献１）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
この種、従来のダストカバー６００は、図５に示す様にボールスタッド１００が傾斜した状態で揺動すると、ダストカバー６００の膜部が伸びる側（図上右側）において、小径開口部１５０を引き伸ばす力が作用する為、小径開口部１５０のリップ部とナックル５００との接触が外れる、いわゆる小径開口部１５０の口開き現象が発生する。
この結果、小径開口部１５０におけるシール性能が低下し、外部から土砂や塵芥がダストカバー６００内に浸入する問題を惹起した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
以下、本発明を実施するための形態について説明する。
図１〜図３に示される様に、本発明に係るボールジョイント用ダストカバーは、ボールスタッド１の一端に形成された球頭部２がソケット３内に保持され、このボールスタッド１の他端の軸４は、ナックル５に締め付け固定され、一端大径開口部８がソケット３の外周面に固定保持され、補強環９が埋設された他端小径開口部７が軸４に保持される構成となっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
ついで、本発明に係るボールジョイント用ダストカバーの他の態様を図４に基づき説明する。
先に説明した実施態様と相違する点は、フランジ部９２の内方端部９２３を、軸４側に突出させる代わりに、筒状部９１の球頭部２側端部を支持する環受ピン用のピン溝６１を設けたことである。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月30日(2014.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉄道車両の車体を支持するための横ばりと、前記横ばりを挟んで車両長手方向の前方及び後方において車幅方向に沿って配置された前後一対の車軸と、前記車軸の車幅方向両側に設けられて、前記車軸を回転自在に支持する軸受と、前記軸受を収容する軸箱とを備えた鉄道車両用台車に適用可能な板バネユニットであって、
前記横ばりの車幅方向両端部を支持した状態で車両長手方向に延びて、その長手方向両端部が前記軸箱に支持され、上下方向となる厚さ方向に弾性変形し、互いにその長手方向及び厚さ方向に直交する幅方向に並んで配置された複数の板バネと、
前記複数の板バネの間に介装され、前記板バネよりも硬度の低い介装材と、を備えている、板バネユニット。
【請求項２】
前記板バネの上面と下面とは、互いに異なる形状であり、
前記複数の板バネは、互いの外形及び寸法が略同一である、請求項１に記載の板バネユニット。
【請求項３】
前記介装材は、シート状であり、その両面が前記複数の板バネの対向する側面により挟まれている、請求項１又は２に記載の板バネユニット。
【請求項４】
前記介装材はゴム製である、請求項１乃至３のいずれかに記載の板バネユニット。
【請求項５】
前記複数の板バネをまとめて保持する保持部材をさらに備え、
前記保持部材によって前記板バネとともに保持された前記介装材は、前記板バネに対して接着されずに当接している、請求項１乃至４のいずれかに記載の板バネユニット。
【請求項６】
前記介装材は、前記複数の板バネのうち前記介装材に隣接する少なくとも一方の板バネに接着されている、請求項１乃至４のいずれかに記載の板バネユニット。
【請求項７】
前記板バネは、少なくとも上層、中間層及び下層を有し、
前記上層及び前記下層は第１のＦＲＰによって形成され、前記中間層は第２のＦＲＰによって形成され、前記第１のＦＲＰは前記第２のＦＲＰよりも前記長手方向の荷重に対する強度が高い、請求項１乃至６のいずれかに記載の板バネユニット。
【請求項８】
鉄道車両の車体を支持するための横ばりと、
前記横ばりを挟んで車両長手方向の前方及び後方において車幅方向に沿って配置された前後一対の車軸と、
前記車軸の車幅方向両側に設けられて、前記車軸を回転自在に支持する軸受と、
前記軸受を収容する軸箱と、
前記横ばりの車幅方向両端部を支持した状態で車両長手方向に延びて、その長手方向両端部が前記軸箱に支持されている板バネユニットと、を備え、
前記板バネユニットは、上下方向となる厚さ方向に弾性変形し、互いにその長手方向及び厚さ方向に直交する幅方向に並んで配置された複数の板バネと、前記複数の板バネの間に介装され、前記板バネよりも硬度の低い介装材とを有している、鉄道車両用台車。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る板バネユニットは、鉄道車両の車体を支持するための横ばりと、前記横ばりを挟んで車両長手方向の前方及び後方において車幅方向に沿って配置された前後一対の車軸と、前記車軸の車幅方向両側に設けられて、前記車軸を回転自在に支持する軸受と、前記軸受を収容する軸箱とを備えた鉄道車両用台車に適用可能な板バネユニットであって、前記横ばりの車幅方向両端部を支持した状態で車両長手方向に延びて、その長手方向両端部が前記軸箱に支持され、上下方向となる厚さ方向に弾性変形し、互いにその長手方向及び厚さ方向に直交する幅方向に並んで配置された複数の板バネと、前記複数の板バネの間に介装され、前記板バネよりも硬度の低い介装材と、を備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の鉄道車両用台車は、鉄道車両の車体を支持するための横ばりと、前記横ばりを挟んで車両長手方向の前方及び後方において車幅方向に沿って配置された前後一対の車軸と、前記車軸の車幅方向両側に設けられて、前記車軸を回転自在に支持する軸受と、前記軸受を収容する軸箱と、前記横ばりの車幅方向両端部を支持した状態で車両長手方向に延びて、その長手方向両端部が前記軸箱に支持されている板バネユニットと、を備え、前記板バネユニットは、上下方向となる厚さ方向に弾性変形し、互いにその長手方向及び厚さ方向に直交する幅方向に並んで配置された複数の板バネと、前記複数の板バネの間に介装され、前記板バネよりも硬度の低い介装材とを有している。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月14日(2014.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．同心成形された開口を有する、概して長方形のライセンスプレートホルダ、
ｂ．前記プレートホルダの第１面に搭載された、組み込み制御回路を備える、運動検知ユニット、
ｃ．前記プレートホルダのまわりの長方形外周に装着された、複数の高輝度ＬＥＤ光源、および
ｄ．前記プレートの第２面において前記運動検知ユニットに接続して、前記検知ユニットおよび前記ＬＥＤ光源に電力を供給する、バッテリ電源
を含む、衝突警告／防止装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月4日(2014.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）％Ｐ＜５４である全多孔率（％Ｐ）と、
（ii）（ａ）ｄ１０≧８μｍ（式中、ｄ１０は、全多孔率の１０％がｄ１０よりも小さい直径をもつ気孔で構成されている孔径である）と、
（ｂ）ｄ９０≦３５μｍ（式中、ｄ９０は、全多孔率の９０％がｄ９０よりも小さい直径をもつ気孔で構成されている孔径である）と、
（ｃ）ｄｆ≦０．５０（式中、ｄｆ＝（ｄ５０−ｄ１０）／ｄ５０である）と
を示す気孔径分布と
を有する多孔質セラミックコージエライト組成物を含み、
前記多孔質セラミックコージエライト組成物が、２５℃〜８００℃の温度範囲にわたり８．０×１０−７／℃以下の熱膨張率係数を示すセラミックハニカム物品であって、
３０μｍより大きな気孔の体積が全気孔体積の１５％未満であり、１０μｍより細かい気孔の体積は全気孔体積の２０％未満であることを特徴とする、セラミックハニカム物品。
【請求項２】
前記気孔径分布が、μｍ単位で表わされるｄ９０≦３．６（ｄ１０）−２．４を満たすことを特徴とする、請求項１に記載のセラミックハニカム物品。
【請求項３】
前記全多孔率が、中央直径ｄ５０を有する気孔からなり、１０μｍ≦ｄ５０≦２２μｍであることを特徴とする、請求項１に記載のセラミックハニカム物品。
【請求項４】
前記気孔径分布がｄｆ≦０．４０を有することを特徴とする、請求項１に記載のセラミックハニカム物品。
【請求項５】
前記多孔質セラミックコージエライト組成物が、ｄｂ≦１．４を有する気孔径分布をさらに含み、ｄｂ＝（ｄ９０−ｄ１０）／ｄ５０であることを特徴とする、請求項１に記載のセラミックハニカム物品。
【請求項６】
セラミックハニカム物品の製造方法において、
・タルク源、アルミナ形成源、カオリン源、およびシリカ形成源から選択される無機バッチ構成要素と、
・任意の気孔形成剤と、
・液体ビヒクルと、
・結合剤と
を含有する可塑化コージエライト前駆体バッチ組成物を提供するステップと、
前記可塑化コージエライト前駆体バッチ組成物からハニカム素地を形成するステップと、
前記ハニカム素地を、多孔質セラミックコージエライト組成物を含み、かつ、３０μｍより大きな気孔の体積が全気孔体積の１５％未満であり、１０μｍより細かい気孔の体積は全気孔体積の２０％未満であるセラミックハニカム物品へと転化する条件の下で、前記ハニカム素地を焼成するステップと
を含む方法であって、
前記多孔質セラミックコージエライト組成物が、（ｉ）％Ｐ＜５４である全多孔率（％Ｐ）と；（ii）（ａ）ｄ１０≧８μｍ(式中、ｄ１０は、全多孔率の１０％がｄ１０よりも小さい直径をもつ気孔で構成されている孔径である）と、（ｂ）ｄ９０≦３５μｍ(式中、ｄ９０は全多孔率の９０％がｄ９０よりも小さい直径をもつ気孔で構成されている孔径である）と、（ｃ）ｄｆ≦０．５０(式中、ｄｆ＝（ｄ５０−ｄ１０）／ｄ５０である）とを示す気孔径分布とを含み、前記多孔質セラミックコージエライト組成物が、２５℃〜８００℃の温度範囲にわたり８．０×１０−７／℃以下の熱膨張率係数を示すことを特徴とする、製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月10日(2014.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐熱金属からなるタービン翼車と、炭素鋼からなるロータ軸とを突き合わせ溶接により接続されてなるタービンロータにおいて、
前記タービン翼車とロータ軸とはその接合部に熱発生ビーム発生装置より熱発生ビームを照射して溶接してなる構造であって、
前記接合部の突き合わせ溶接位置を含むロータ軸側を、溶接の終了側角度領域を除く角度領域で、所定の幅走査しながら前記エネルギー発生装置から一定量に調整された電磁エネルギー若しくは熱エネルギーからなるエネルギービームを照射して、溶接時に発生したロータ軸の局所角度分布の残留応力を全周に亘って発生するように焼戻しを行い、タービンロータの運転時に、前記タービン翼車外周で発生する軸心倒れを０．２ｍｍ以下に抑制させてなることを特徴とするタービンロータ。
【請求項２】
焼戻しに使用される前記エネルギー発生装置が高周波誘導加熱装置若しくはレーザビーム発生装置であることを特徴とする請求項１に記載のタービンロータ。
【請求項３】
焼戻しに使用される前記エネルギー発生装置が高周波誘導加熱装置若しくはレーザビーム発生装置であり、溶接に使用する熱発生ビーム発生装置がレーザビーム若しくは電子ビーム発生装置である請求項１に記載のタービンロータ。
【請求項４】
ビーム発生装置から接合面にエネルギービームＬを照射し、融点以上に昇温する溶接工程を、全周に亘って１周回（３６０°）実施し、その後、約半周（１８０°）回転させる間に徐々に出力を減少させて溶接を完了させて形成した請求項１に記載のタービンロータ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月24日(2014.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン融液を凝固させるシリコン鋳造用鋳型であり、前記シリコン鋳造用鋳型の内壁の少なくとも底板部上面に、平均粒径０．１〜３．０ｍｍの添加物を含む離型材層が設けられていることを特徴とするシリコン鋳造用鋳型。
【請求項２】
前記離型材層が、前記底板部上面のみに設けられている請求項１記載のシリコン鋳造用鋳型。
【請求項３】
前記シリコン鋳造用鋳型が、黒鉛または石英（シリカ）を主成分とする材質で構成されている請求項１または２に記載のシリコン鋳造用鋳型。
【請求項４】
前記添加物が、窒化珪素、炭化珪素、酸化珪素および黒鉛から選択される少なくとも１つを主成分とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のシリコン鋳造用鋳型。
【請求項５】
前記離型材層が、その表面に面密度０．２〜８．５個／ｃｍ2で前記添加物を含む請求項１〜４のいずれか１つに記載のシリコン鋳造用鋳型。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載のシリコン鋳造用鋳型内でシリコン融液を凝固させることを特徴とするシリコン鋳造方法。
【請求項７】
内壁に離型材層が設けられたシリコン鋳造用鋳型を用いて、シリコン鋳造用鋳型の底板部上面に平均粒径０．１〜３．０ｍｍの粒が存在する状態で、シリコン鋳造用鋳型内のシリコン融液を凝固させることを特徴とするシリコン鋳造方法。
【請求項８】
請求項６または７記載のシリコン鋳造方法により鋳造されたシリコンを用いてシリコン材料を得るシリコン材料の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の製造方法により製造されたシリコン材料を基板として用いて太陽電池を得る太陽電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シリコン鋳造用鋳型、シリコン鋳造方法、シリコン材料の製造方法および太陽電池の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月28日(2014.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
金、銀、銅、パラジウム、ロジウム、白金、イリジウム、ルテニウム、及びオスミウムの群から選択される少なくとも１種の元素を含む金属廃棄物を混合したフッ化物イオンを含む溶液を導入し、シリコンを収容したシリコン収容部に前記溶液を流通させる流通工程と、
前記シリコン収容部内において、前記シリコン上に、前記元素からなる金属を析出させる析出工程と、
前記元素からなる金属を回収する回収工程を含む、
金属の回収方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記析出工程において、前記シリコン含有混合溶液を撹拌することにより、前記シリコン上に前記元素からなる金属を析出させ、かつ
前記回収工程において、前記シリコン含有混合溶液から前記元素からなる金属を固体粉末として回収する、
請求項１に記載の金属の回収方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記析出工程が、室温、常圧で行われる、
請求項１に記載の金属の回収方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
金、銀、銅、パラジウム、ロジウム、白金、イリジウム、ルテニウム、及びオスミウムの群から選択される少なくとも１種の元素を含む金属廃棄物を混合したフッ化物イオンを含む溶液を導入し、シリコンを収容したシリコン収容部に前記溶液を流通させる流通手段と、
前記シリコン収容部内において前記シリコン上に析出させた前記元素からなる金属を、回収する回収部とを備える、
金属の回収装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明のもう１つの金属の回収装置は、金、銀、銅、パラジウム、ロジウム、白金、イリジウム、ルテニウム、及びオスミウムの群から選択される少なくとも１種の元素を含む金属廃棄物を混合したフッ化物イオンを含む溶液を導入し、シリコンを収容したシリコン収容部に流通させる流通手段を備える。さらに、前述のシリコン収容部内において前述のシリコン上に析出させた前述の元素からなる金属を、回収する回収部とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月3日(2014.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）の蒸着のための前駆体組成物であって、
鉛、ジルコニウム及びチタンの前駆体溶液を含み、
前記溶液の少なくとも１つは、オクタン、デカン、及びポリアミンを含む溶媒媒体における前駆体を含む、
組成物。
【請求項２】
オクタン、デカン及びポリアミンを含む前記溶媒媒体に鉛前駆体を含む、
請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記鉛前駆体は、Ｐｂ（ｔｈｄ）２ｐｍｄｅｔａを含む、
請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記溶媒媒体は５：４：１の割合でオクタン、デカン及びポリアミンを含む、
請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
オクタン、デカン及びポリアミンを含む前記溶媒媒体にジルコニウム前駆体を含む、
請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記ジルコニウム前駆体は、Ｚｒ（ｉＯＰｒ）２（ｔｈｄ）２を含む、
請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記溶媒媒体は５：４：１の割合でオクタン、デカン及びポリアミンを含む、
請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
オクタン、デカン及びポリアミンを含む前記溶媒媒体にチタン前駆体を含む、
請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記チタン前駆体は、Ｔｉ（ｉＯＰｒ）２（ｔｈｄ）２を含む、
請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
前記溶媒媒体は５：４：１の割合でオクタン、デカン及びポリアミンを含む、
請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
前記溶液は、
（ｉ）オクタン、デカン、及びポリアミンを含む溶媒媒体における鉛前駆体と、
（ｉｉ）オクタン、デカン、及びポリアミンを含む溶媒媒体におけるジルコニウム前駆体と、
（ｉｉｉ）オクタン、デカン、及びポリアミンを含む溶媒媒体におけるチタン前駆体と、
を含む請求項１に記載の組成物。
【請求項１２】
前記前駆体がＰｂ（ｔｈｄ）２ｐｍｄｅｔａ、Ｚｒ（ｉＯＰｒ）２（ｔｈｄ）２、及びＴｉ（ｉＯＰｒ）２（ｔｈｄ）２を含む、
請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
前記溶媒媒体は５：４：１の割合でオクタン、デカン及びポリアミンを含む、
請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
基板上にチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）材料を堆積させるために、請求項１に記載の前駆体組成物を使用のために供給することを含む、方法。
【請求項１５】
前記組成物における溶液は、
（ｉ）オクタン、デカン、及びポリアミンを含む溶媒媒体における鉛前駆体Ｐｂ（ｔｈｄ）２ｐｍｄｅｔａと、
（ｉｉ）オクタン、デカン、及びポリアミンを含む溶媒媒体におけるジルコニウム前駆体Ｚｒ（ｉＯＰｒ）２（ｔｈｄ）２と、
（ｉｉｉ）オクタン、デカン、及びポリアミンを含む溶媒媒体におけるチタン前駆体Ｔｉ（ｉＯＰｒ）２（ｔｈｄ）２と、
を含み、
前記溶液は、５：４：１の割合でオクタン、デカン及びポリアミンを含む、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
基板上にチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）膜を形成する方法であって、
請求項１に係る前駆体組成物の溶液を蒸発させて、前記溶液から前駆体蒸気を形成すること、
前記溶液からの前記前駆体蒸気を前記基板に接触させて、前記基板上にＰＺＴ膜を形成すること
を含む方法。
【請求項１７】
前記組成物における前記溶液は、
（ｉ）オクタン、デカン、及びポリアミンを含む溶媒媒体における鉛前駆体Ｐｂ（ｔｈｄ）２ｐｍｄｅｔａと、
（ｉｉ）オクタン、デカン、及びポリアミンを含む溶媒媒体におけるジルコニウム前駆体Ｚｒ（ｉＯＰｒ）２（ｔｈｄ）２と、
（ｉｉｉ）オクタン、デカン、及びポリアミンを含む溶媒媒体におけるチタン前駆体Ｔｉ（ｉＯＰｒ）２（ｔｈｄ）２と、
を含み、
前記溶液は、５：４：１の割合でオクタン、デカン及びポリアミンを含む、
請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
１００℃から３００℃の範囲の温度で前記接触が行われる、
請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
（ｉ）オクタン、デカン、及びポリアミンを５：４：１の割合で含む溶媒媒体におけるＰｂ（ｔｈｄ）２ｐｍｄｅｔａと、
（ｉｉ）オクタン、デカン、及びポリアミンを５：４：１の割合で含む溶媒媒体におけるＺｒ（ｉＯＰｒ）２（ｔｈｄ）２と、
（ｉｉｉ）オクタン、デカン、及びポリアミンを５：４：１の割合で含む溶媒媒体におけるＴｉ（ｉＯＰｒ）２（ｔｈｄ）２と、
からなる群から選択される、
前駆体組成物。
【請求項２０】
オクタン、デカン、及びポリアミンを５：４：１の割合で含む溶媒媒体にＰｂ（ｔｈｄ）２ｐｍｄｅｔａを含む前駆体組成物。
【請求項２１】
オクタン、デカン、及びポリアミンを５：４：１の割合で含む溶媒媒体にＺｒ（ｉＯＰｒ）２（ｔｈｄ）２を含む前駆体組成物。
【請求項２２】
オクタン、デカン、及びポリアミンを５：４：１の割合で含む溶媒媒体にＴｉ（ｉＯＰｒ）２（ｔｈｄ）２を含む前駆体組成物。
【請求項２３】
溶媒媒体に溶解若しくは懸濁させた鉛、ジルコニウム及びチタンの前駆体を含む液体前駆体溶液の混合液であって、
（ｉ）鉛前駆体が、鉛ビス（２,２,６,６−テトラメチル−３,５−ヘプタンジオネート）及び鉛ビス（２,２,６,６−テトラメチル−３,５−ヘプタンジオネート）Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリアミンからなる群から選択され、（ｉｉ）ジルコニウム前駆体が、ジルコニウムテトラキス（２,２,６,６−テトラメチル−３,５−ヘプタンジオネート）、ジルコニウムビス（イソプロポキシド）ビス（２,２,６,６−テトラメチル−３,５−ヘプタンジオネート）及びＺｒ２（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）６（ｔｈｄ）２からなる群から選択され、（ｉｉｉ）チタン前駆体が、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）２（ｔｈｄ）２であり、
前記溶媒媒体が、オクタン、デカン及びポリアミンを含み、
前記鉛、ジルコニウム及びチタンの前駆体が、リガンド交換を受けていない、
混合液。
【請求項２４】
Ａ／Ｂ比がＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）であり、Ａ／Ｂ比として０．６１２〜１．５３を有する、
請求項２３に記載の液体前駆体溶液の混合液。
【請求項２５】
請求項２３に記載の混合液の前駆体蒸気。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】前駆体組成物、前駆体溶液の混合液、前駆体蒸気、前駆体組成物を供給する方法、及びチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）膜を形成する方法
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月9日(2014.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
がん治療を必要とする対象におけるがんを治療するための、単離され、活性化された樹状細胞を含む組成物を作製する方法であって、
前記対象から単球を単離するステップ、
前記単離した単球をＧＭ−ＣＳＦ及びインターフェロンαとともにインキュベートして単離された樹状細胞を形成するステップ、及び
前記単離された樹状細胞を、熱ショックを与え死滅させたがん細胞を含む組成物とともにインキュベートして、単離され、活性化された樹状細胞を形成するステップ
を含む方法。
【請求項２】
単離され、活性化された樹状細胞を低温保存するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
単離され、活性化された樹状細胞をインビトロ又はインサイチューでＣＤ８＋Ｔ細胞と接触させて前記ＣＤ８＋Ｔ細胞を活性化させる方法であって、前記ＣＤ８＋Ｔ細胞が対象におけるがんに対して細胞傷害性である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
熱ショックを与え死滅させたがん細胞が、患者から得た熱不活性化された黒色腫細胞である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
熱ショックを与え死滅させたがん細胞が、患者と同一のがん細胞型である熱不活性化された黒色腫細胞である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
熱ショックを与え死滅させたがん細胞が、１又は２以上のＣｏｌｏ８２９黒色腫細胞を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
熱ショックを与え死滅させたがん細胞が、樹立がん細胞系を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
熱ショックを与え死滅させたがん細胞が、黒色腫細胞である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
熱ショックを与え死滅させたがん細胞が、１又は２以上の熱ショックを与え死滅させたＭｅｌ−２細胞、１又は２以上の熱ショックを与え死滅させたＭｅｌ−３細胞、１又は２以上の熱ショックを与え死滅させたＭｅｌ−４細胞、１又は２以上の熱ショックを与え死滅させたＭｅｌ−６細胞、１又は２以上の熱ショックを与え死滅させたＭｅｌ−９細胞、又はそれらの組合せを含む黒色腫細胞である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
熱ショックを与え死滅させたがん細胞が、３８℃〜４６℃で４時間インキュベートされたがん細胞である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
がん細胞を約３８℃〜約４６℃で４時間インキュベートし、熱ショックを与えたがん細胞を作製するステップ、及び
前記熱ショックを与えたがん細胞を、１６０Ｇｙで０．５時間γ線照射することにより死滅させて、熱ショックを与え死滅させたがん細胞を作製するステップ
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
がん細胞を加熱して、熱ショックを与え死滅させたがん細胞を作製するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
がん抗原提示樹状細胞を作製する方法であって、
ＧＭ−ＣＳＦ及びインターフェロンαの存在下において、単離された単球を樹状細胞に分化させるステップ、及び
１又は２以上のがん抗原を含むがん細胞を、前記樹状細胞が前記１又は２以上のがん抗原の提示を生じさせる条件下において、前記樹状細胞に取り込ませ、がん抗原提示樹状細胞を形成するステップであって、取り込ませる前に前記がん細胞に熱ショックを与えその後死滅させたステップ
を含む、方法。
【請求項１４】
黒色腫抗原を提示する１又は２以上の成熟抗原提示樹状細胞を作製する方法であって、
１又は２以上の単球を単離するステップ、
細胞培養において前記１又は２以上の単離された単球をＧＭ−ＣＳＦ及びインターフェロンαに曝露することによって、前記１又は２以上の単離された単球を分化させ、樹状細胞を形成するステップ、及び
１又は２以上の黒色腫抗原を含む、熱ショックを与え死滅させた黒色腫がん細胞を、前記樹状細胞が前記１又は２以上の黒色腫抗原を提示して成熟抗原提示樹状細胞となることを可能にする条件下において、前記樹状細胞に取り込ませるステップ
を含む、方法。
【請求項１５】
黒色腫抗原を提示する抗原提示樹状細胞を作製する方法であって、
がんを有していると疑われる患者から単球を単離するステップ、
前記単球を、ＧＭ−ＣＳＦ及びインターフェロンαとともにインキュベートすることにより、樹状細胞に分化させるステップ、及び
熱ショックを与えその後死滅させた１又は２以上のがん細胞を含む組成物を、前記樹状細胞が前記組成物から１又は２以上の抗原を提示することを可能にする条件下において、前記樹状細胞に取り込ませるステップ
を含む、方法。
【請求項１６】
対象にＴ細胞の活性化を誘発し得る抗がんワクチンであって、有効量の
（ｉ）単球をＧＭ−ＣＳＦ及びインターフェロンαとともにインキュベートすることにより、単球から分化させた樹状細胞、及び
（ii）熱ショックを与えその後死滅させたがん細胞からの抗原を提示する樹状細胞
を含む、抗がんワクチン。
【請求項１７】
がん細胞が、死滅の際にアポトーシス性ではない、請求項１６に記載のワクチン。
【請求項１８】
がん細胞が黒色腫細胞である、請求項１６に記載のワクチン。
【請求項１９】
黒色腫細胞が対象に由来する、請求項１８に記載のワクチン。
【請求項２０】
がん細胞が、３８℃〜４６℃で４時間加熱することにより処理されたがん細胞である、請求項１６に記載のワクチン。
【請求項２１】
がん細胞が、１６０Ｇｙで０．５時間γ線照射することにより死滅させたがん細胞である、請求項１６に記載のワクチン。
【請求項２２】
がんを有していると疑われる患者を治療するための薬剤の製造における、１又は２以上のがん抗原を提示し、Ｔ細胞を活性化する樹状細胞の使用であって、
前記樹状細胞が、
（ｉ）単球を、ＧＭ−ＣＳＦ及びインターフェロンαとともにインキュベートすることにより、単球から分化させた、及び
（ii）熱ショックを与えその後死滅させたがん細胞を取り込ませた
樹状細胞である、使用。
【請求項２３】
がんを有していると疑われる患者を治療するための薬剤の製造における、１又は２以上の抗原提示樹状細胞の使用であって、
単球を単離するステップ、
前記単球を、ＧＭ−ＣＳＦ及びインターフェロンαとともにインキュベートすることにより、樹状細胞に分化させるステップ、及び
熱ショックを与えその後死滅させたがん細胞を含む組成物を前記樹状細胞に取り込ませ、抗原提示樹状細胞を形成するステップ
を含む、使用。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月4日(2014.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素数１０〜１６の直鎖アルキル基を有するアルコールから選ばれるアルコールを、エチレンオキサイドと反応させてアルキルエトキシレートを得、得られたアルキルエトキシレートを、更に反応させてアルキルエーテルカルボン酸を製造する方法を除く方法により得られ、次の一般式（１）
【化１】
2013177401.tif 000001
（式中、Ｒ１は炭素数１０〜１６の直鎖アルキル基を示し、ｎは０〜２０の数を示し、Ｍは水素原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム又は有機アンモニウムを示す）
で表されるアルキルエーテルカルボン酸又はその塩であって、Ｒ１は２種以上の直鎖アルキル基を含み、Ｒ１の平均炭素数が１０．８〜１２．５であり、ｎ＝０の成分を８〜１７質量％、ｎ＝１の成分とｎ＝２の成分を合計で３１〜３８質量％、ｎ≧６の成分を合計で１０〜２５質量％含むアルキルエーテルカルボン酸又はその塩を含有する皮膚又は毛髪洗浄剤組成物。
【請求項２】
一般式（１）中、（ｎ＝０成分の質量）：（ｎ＝１成分の質量）：（ｎ＝２成分の質量）：（ｎ＝３成分の質量）：（ｎ＝４成分の質量）＝１：０．９９〜３．５０：０．８９〜３．００：０．７６〜３．００：０．６３〜１．５２となる請求項１記載の洗浄剤組成物。
【請求項３】
一般式（１）中、ｎ＝０の成分を８質量％以上１２質量％未満含み、（ｎ＝０成分の質量）：（ｎ＝１成分の質量）：（ｎ＝２成分の質量）：（ｎ＝３成分の質量）：（ｎ＝４成分の質量）＝１：１．５３〜１．８７：１．５９〜２．２５：１．３３〜２．１６：１．００〜１．５２となるか、又は、ｎ＝０の成分を１２質量％以上１７質量％以下含み、（ｎ＝０成分の質量）：（ｎ＝１成分の質量）：（ｎ＝２成分の質量）：（ｎ＝３成分の質量）：（ｎ＝４成分の質量）＝１：０．９９〜１．３４：０．８９〜１．４０：０．７６〜１．２３：０．６３〜０．９９となる請求項１又は２記載の洗浄剤組成物。
【請求項４】
一般式（１）中、ｎ＝０の成分を８〜１１．８質量％含み、（ｎ＝０成分の質量）：（ｎ＝１成分の質量）：（ｎ＝２成分の質量）：（ｎ＝３成分の質量）：（ｎ＝４成分の質量）＝１：１．５８〜１．８４：１．７２〜２．１７：１．４９〜２．００：１．００〜１．５２となる請求項１〜３のいずれか１項記載の洗浄剤組成物。
【請求項５】
一般式（１）中、ｎ＝０の成分を１３〜１７質量％含み、（ｎ＝０成分の質量）：（ｎ＝１成分の質量）：（ｎ＝２成分の質量）：（ｎ＝３成分の質量）：（ｎ＝４成分の質量）＝１：１．００〜１．３１：０．９３〜１．３４：０．７９〜１．１８：０．６３〜０．９９となる請求項１〜３のいずれか１項記載の洗浄剤組成物。
【請求項６】
一般式（１）中、ｎ＝０の成分を１３〜１６質量％含み、（ｎ＝０成分の質量）：（ｎ＝１成分の質量）：（ｎ＝２成分の質量）：（ｎ＝３成分の質量）：（ｎ＝４成分の質量）＝１：１．００〜１．２５：１．１０〜１．３０：０．８５〜１．１０：０．６５〜０．９０となる請求項１、２、３又は５記載の洗浄剤組成物。
【請求項７】
一般式（１）中、Ｒ１は２種以上の直鎖アルキル基を含み、一番含有量の多いアルキル鎖長を有する成分が５５質量％以上９７質量％未満である請求項１〜６のいずれか１項記載の洗浄剤組成物。
【請求項８】
一般式（１）中、ｎの平均値が１．５〜３．５である請求項１〜７のいずれか１項記載の洗浄剤組成物。
【請求項９】
皮膚洗浄剤組成物である請求項１〜８のいずれか１項の洗浄剤組成物。
【請求項１０】
炭素数１０〜１６の直鎖アルキル基を有するアルコールから選ばれるアルコールを、エチレンオキサイドと反応させてアルキルエトキシレートを得、得られたアルキルエトキシレートを、更に反応させてアルキルエーテルカルボン酸を製造する方法を除く方法により得られ、次の一般式（１）
【化２】
2013177401.tif 000002
（式中、Ｒ１は炭素数１０〜１６の直鎖アルキル基を示し、ｎは０〜２０の数を示し、Ｍは水素原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム又は有機アンモニウムを示す）
で表されるアルキルエーテルカルボン酸又はその塩であって、Ｒ１は２種以上の直鎖アルキル基を含み、Ｒ１の平均炭素数が１０．８〜１２．５であり、ｎの平均値が１．５〜３．５であり、ｎ＝０の成分を８〜１７質量％、ｎ≧６の成分を合計で１０〜２５質量％含むアルキルエーテルカルボン酸又はその塩を含有する皮膚又は毛髪洗浄剤組成物。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項の洗浄剤組成物を身体皮膚部に適用して洗浄した後、すすぐ皮膚洗浄方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月20日(2014.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置、レンズユニットおよび撮像システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は絞りを有する撮影レンズを装着可能なカメラであって、デフォーカス量を検出するための電荷蓄積を行う検出手段と、測光結果に基づく絞り値に対応する情報を装着された撮影レンズへ通信するとともに、当該通信に対応して、絞りが動作を開始してから被写体光束を遮光しなくなると予測される予測時間に対応する情報を当該装着された撮影レンズから取得する制御手段であって、当該取得した予測時間に対応する情報に基づいて、前記絞りの第１の絞り値から第２の絞り値への開放動作の際に、前記第２の絞り値の到達を待たずに前記検出ユニットでのデフォーカス量の検出のための電荷蓄積を開始するよう制御する制御手段とを有することを特徴とする撮像装置とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絞りを有する撮影レンズを装着可能なカメラであって、
デフォーカス量を検出するための電荷蓄積を行う検出手段と、
測光結果に基づく絞り値に対応する情報を装着された撮影レンズへ通信するとともに、当該通信に対応して、絞りが動作を開始してから被写体光束を遮光しなくなると予測される予測時間に対応する情報を当該装着された撮影レンズから取得する制御手段であって、当該取得した予測時間に対応する情報に基づいて、前記絞りの第１の絞り値から第２の絞り値への開放動作の際に、前記第２の絞り値の到達を待たずに前記検出ユニットでのデフォーカス量の検出のための電荷蓄積を開始するよう制御する制御手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記絞りの第１の絞り値から第２の絞り値への絞り込み動作の際に、絞りが被写体光束を遮光しない領域があることを利用して、開放動作の終了を待たずにデフォーカス量の検出のための電荷蓄積を開始することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、レリーズボタンの操作後に、絞りが動作を開始してから被写体光束を遮光しないと予測される時間情報を前記撮影レンズから取得することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記取得した予測時間に対応する情報と電荷蓄積時間とから、前記絞りの第１の絞り値から第２の絞り値への開放動作の際に、前記第２の絞り値の到達を待たずに前記検出ユニットでのデフォーカス量の検出のための電荷蓄積を開始するよう制御する場合と、前記第２の絞り値の到達を待って前記検出ユニットでのデフォーカス量の検出のための電荷蓄積を開始するよう制御する場合とがあることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記絞りの第１の絞り値から第２の絞り値への開放動作の開始後、取得した予測時間が経過したときは前記第２の絞り値の到達を待たずに前記検出ユニットでのデフォーカス量の検出のための電荷蓄積を開始するよう制御することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
装着されたカメラの撮像手段への被写体光束の光量を調節する絞り手段と、
測光結果に基づく絞り値に対応する情報を装着されたカメラから通信されるとともに、絞りの第１の絞り値から第２の絞り値への開放動作の際に、絞りが動作を開始してから被写体光束を遮光しなくなると予測される予測時間の情報であって前記通信された情報に対応予測時間の情報を前記カメラに対して出力する絞り駆動時間予測手段とを有することを特徴とするレンズユニット。
【請求項７】
前記予測時間を記憶する記憶手段を有することを特徴とする請求項６に記載のレンズユニット。
【請求項８】
請求項１ないし５のいずれかに記載の撮像装置と、請求項６または７に記載のレンズユニットとから成ることを特徴とする撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月22日(2014.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
次に、写真製版処理を施すことにより、圧力センサ領域１６に、固定電極を形成するためのレジストマスク９１が形成される。そして、レジストマスク９１を注入マスクとして、ｎ型の不純物（たとえばリン）を注入することによって、圧力センサ領域１６に固定電極１８ａが形成される。なお、図２は、このときの工程に対応するものである。その後、レジストマスク９１と下敷酸化膜２１が除去される。ただし、圧力センサの形成専用工程となる固定電極１８ａの形成は実施せず、第１ウェル領域１２を固定電極としてもよい。これにより、製造工程の追加を防止することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
次に、図３に示されている、圧力センサ領域１６における犠牲膜２３ｂと、ＣＭＯＳ領域１７におけるＥＰＲＯＭ（Erasable Programmable Read Only Memory）のフローティングゲート電極となるポリシリコン膜２３とが、同じ材料によって形成される工程へと進む。まず、下敷酸化膜が除去されたシリコン基板に、熱酸化処理を施すことにより、ＣＭＯＳ領域１７では、露出したシリコン基板１１の表面に第１ゲート酸化膜２２ａ（膜厚５〜３０ｎｍ程度）が形成されると同時に、圧力センサ領域１６では、露出したシリコン基板１１の表面に、第１ゲート酸化膜となる膜と同じ膜からなる固定電極保護膜２２ｂが形成される。要するに、固定電極保護膜２２ｂは、後述する犠牲膜をエッチングによって除去する際の固定電極１８ａの保護膜として機能するものとなり、第１ゲート酸化膜２２ａは、ＣＭＯＳ領域１７に形成されるＥＰＲＯＭのゲート酸化膜として機能するものとなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
次に、第１ゲート酸化膜２２ａおよび固定電極保護膜２２ｂを覆うように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、ポリシリコン膜（図示せず）が形成される。この際に、そのポリシリコン膜の形成中、または、ポリシリコン膜の形成直後に、周知の方法によってリンを導入することにより、ｎ型のポリシリコン膜として導電性が得られるようにする。次に、写真製版処理を施すことにより、犠牲膜とフローティングゲートとをパターニングするためのレジストマスクが形成される。そして、そのレジストマスクをエッチングマスクとして、所定のエッチング処理を施すことにより、圧力センサ領域１６では、パターニングされたポリシリコン膜からなる犠牲膜２３ｂが形成される。後述するように、この犠牲膜２３ｂを除去することによって、真空室が形成されることになる。また、一方のＣＭＯＳ領域１７では、ＥＰＲＯＭのフローティングゲート電極となるポリシリコン膜２３のパターン（膜厚５０〜３００ｎｍ程度）が形成される。その後、レジストマスクは除去される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
上述した半導体圧力センサの製造方法では、固定電極１８ａを保護する固定電極保護膜２２ｂが、第１ゲート酸化膜２２ａを形成する工程において同時に形成される。除去されることで真空室５１となる犠牲膜２３ｂが、ＥＰＲＯＭのフローティングゲート電極となるポリシリコン膜を形成する工程において同時に形成される。可動電極を保護する第１可動電極保護膜２５ｂが、第２ゲート酸化膜２５ａを形成する工程において同時に形成される。可動電極をさらに保護する第２可動電極保護膜２７ｂが、第１シリコン窒化膜２７ａを形成する工程において同時に形成される。可動電極３０ｄが、ゲート電極３０ａ、３０ｂ、３０ｃを形成する工程において同時に形成される。第１封止膜４８ｂが、第２配線４８ａを形成する工程において同時に形成される。第２封止膜５２ｂが、パッシベーション膜５２ａを形成する工程において同時に形成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
次に、コンタクトホール４６ａを形成するためのレジストマスク（図示せず）が形成される。そして、そのレジストマスクをエッチングマスクとして、ドライエッチング処理またはドライエッチングとウェットエッチングとを組み合わせたエッチング処理を第２層間絶縁膜２５に施すことにより、図２０に示すように、ＣＭＯＳ領域１７では、コンタクトホール４６ａが形成される。その後、レジストマスクが除去される。