【手続補正書】
【提出日】平成26年3月7日(2014.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバ内で少なくとも１種類の反応性ガスと成膜材料とを反応させて被処理基板上に成膜を行う成膜装置であって、
真空チャンバ内で対向する前記被処理基板と前記成膜材料を含むターゲットとの間のスパッタリング空間を囲繞する防着板と、
前記成膜時に前記真空チャンバ内へ少なくとも前記反応性ガスを含むガスを供給するガス供給手段であって、前記防着板に囲繞されている前記スパッタリング空間に前記ガスを導入する第一のガス導入手段と、前記第一のガス導入手段から分岐され、前記真空チャンバの内壁と前記防着板との間のスパッタリング外空間に前記ガスを導入する第二のガス導入手段とを有するガス供給手段と、
前記第一のガス導入手段が前記スパッタリング空間に導入する前記ガスの流量と、前記第二のガス導入手段が前記スパッタリング外空間に導入する前記ガスの流量との流量比を調整するガス流量比制御手段と、
を備える成膜装置。
【請求項２】
前記スパッタリング空間の圧力を示す信号値を検知する圧力検知手段をさらに備える請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記信号値は、前記スパッタリング空間内の圧力値、前記ターゲットに印加される電圧、前記ターゲットに流入する電流、質量分析計の分圧値及びスパッタリング放電の発光強度の少なくとも１つである請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記信号値が所定の基準値と異なる場合に、前記信号値が前記所定の基準値になるように前記ガス流量比制御手段を制御する制御部をさらに備える請求項２に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記ガス流量比制御手段は、前記第一のガス導入手段と前記第二のガス導入手段の少なくとも一方に設けられたバルブを備え、
前記バルブ開度の変更によって、前記流量比を調整可能であることを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記信号値が所定の基準値となるよう前記バルブ開度を調整する制御部と、
前記制御部により調整された前記バルブ開度を定数として格納する記憶部とをさらに備えることを特徴とする請求項５に記載の成膜装置。
【請求項７】
予め定められた流量を少なくとも第一の流量値及び第二の流量値とし、前記第一の流量値及び第二の流量値を用いて調整された前記バルブ開度を、それぞれ第一のバルブ開度及び第二のバルブ開度として前記記憶部に格納し、
さらに、前記第一のバルブ開度及び第二のバルブ開度の平均値を、前記調整されたバルブ開度の定数として前記記憶部に格納することを特徴とする請求項６に記載の成膜装置。
【請求項８】
前記圧力検知手段に接続され、前記信号値を表示する表示部をさらに備える請求項２に記載の成膜装置。
【請求項９】
前記真空チャンバの壁面に形成された排気口をさらに備え、前記スパッタリング空間が、前記第一のガス導入手段及び第二のガス導入手段と、前記真空チャンバ内を排気手段により排気するための前記排気口と、の間に位置することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項１０】
前記真空チャンバの壁面に形成された排気口をさらに備え、前記第一のガス導入手段及び第二のガス導入手段が、前記スパッタリング空間と、前記真空チャンバ内を排気手段により排気するための前記排気口との間に位置することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項１１】
前記第一のガス導入手段及び第二のガス導入手段と独立して前記真空チャンバ内へスパッタ用ガスを導入するための第三のガス導入手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項１２】
前記第一のガス導入手段の吐出口を囲繞する第二の防着板をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項１３】
前記成膜装置が、物理蒸着装置であることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項１４】
前記ガス供給手段は、前記反応性ガスと希ガスとを混合して、又は前記反応性ガス及び前記希ガスのどちらかに切り替えて供給可能であることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項１５】
前記防着板が開口を備え、
前記第一のガス導入手段は、パイプ状であって、前記防着板の前記開口に接続されることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項１６】
前記防着板は、前記成膜装置から取り外し可能であることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項１７】
真空チャンバ内で対向する被処理基板とターゲットとの間のスパッタリング空間を囲繞する防着板と、前記防着板に囲繞されている前記スパッタリング空間にガスを導入する第一のガス導入手段と、前記第一のガス導入手段から分岐され、前記真空チャンバの内壁と前記防着板との間のスパッタリング外空間にガスを導入する第二のガス導入手段とを有するガス供給手段とを備え、少なくとも１種類の反応性ガスと成膜材料とを反応させて被処理基板上に成膜を行う成膜装置のキャリブレーション方法であって、
前記ガス供給手段から前記真空チャンバ内に所定の流量の測定用ガスを供給する第一のステップと、
前記スパッタリング空間の圧力を示す信号値を検知する第二のステップと、
前記信号値が予め決定されているキャリブレーションの基準値になるように、前記第一のガス導入手段により前記スパッタリング空間に導入される前記測定用ガスの流量と、前記第二のガス導入手段により前記スパッタリング外空間に導入される前記測定用ガス流量との流量比を調整する第三のステップと、
を有するキャリブレーション方法。
【請求項１８】
前記第一のステップの前に、前記ガス供給手段から前記真空チャンバ内に所定の流量の測定用ガスを供給する第四のステップと、
前記第四のステップの後であって前記第一のステップの前に、前記スパッタリング空間の圧力を示すキャリブレーション用信号値を検知し、前記キャリブレーション用信号値を前記キャリブレーションの基準値として決定する第五のステップと、
をさらに含む、請求項１７に記載のキャリブレーション方法。
【請求項１９】
前記信号値は、前記スパッタリング空間内の圧力値、前記ターゲットに印加される電圧、前記ターゲットに流入する電流、質量分析計の分圧値及びスパッタリング放電の発光強度の少なくとも１つである請求項１７に記載のキャリブレーション方法。
【請求項２０】
前記第一から第三のステップは、前記ターゲットの交換又は前記防着板の交換の少なくとも１つを含むメンテナンス作業を実施した後に行うことを特徴とする請求項１７に記載のキャリブレーション方法。
【請求項２１】
前記信号値及び前記キャリブレーション用信号値は、前記ターゲットに印加される電圧、前記ターゲットに流入する電流及びスパッタリング放電の発光強度の少なくとも１つであり、
前記ターゲットに印加された電力の積算値である積算電力と、前記スパッタリング空間の圧力を示す信号値との相関が予め取得されており、
前記第一から第三のステップで用いられるターゲットは第一の積算電力を持ち、
前記第四及び第五のステップで用いられるターゲットは第二の積算電力を持ち、
前記キャリブレーションの基準値を、前記相関によって、前記信号値及び前記キャリブレーション用信号値ならびに前記第一及び第二の積算電力から算出することを特徴とする請求項１８に記載のキャリブレーション方法。
【請求項２２】
前記第一から第三のステップは、第一のチャンバで行い、
前記第四及び第五のステップは、前記第一のチャンバと同一の構成からなる別のチャンバである第二のチャンバで行うことを特徴とする請求項１８に記載のキャリブレーション方法。