Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月27日(2014.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動的に広告を提供するための方法であって、
ユーザから特定のコンテンツのアクセス要求情報を受信し、
前記アクセス要求情報の中にコンテンツ仲介者の識別符号が存在するか否かを確認してユーザのアクセス経路を判断し、
前記アクセス経路判断に基づき動的に広告を選択し、
前記選択された広告及び前記特定のコンテンツを含むコンテンツ統合画面を提供すること、を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記アクセス経路を判断することは、前記コンテンツ仲介者の識別符号が存在する場合、確認された前記識別符号が既に保存されたコンテンツ仲介者の値と一致するか否かを判断することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記動的広告を選択することは、ユーザのアクセス経路がコンテンツ仲介者を介した経路である場合、広告を選択する前にコンテンツ仲介者の広告が存在するか否かを判断することをさらに含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記動的広告を選択することにより広告が選択された場合、前記判断されたアクセス経路に応じて指定された広告を提供するためのＵＲＬを生成することをさらに含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記選択された広告の実行収益を計算することをさらに含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記収益を計算することは、前記計算された広告の実行収益に基づいて一定期間ごとに特定のコンテンツ保有者の収益分配の割合を計算することをさらに含み、
前記収益分配の割合の計算は、ＣＯｂは特定コンテンツ保有者、Ｘは広告数、Ｐａｉはｉ番目の広告の実行全体から発生する広告収益、Ｔａｉはｉ番目の広告に発生した広告実行の件数、Ｎａｉは、ＣＯｂに対してｉ番目の広告に対して発生した広告実行件数、ＲＳＲＣＯｂは、ＣＯｂの収益分配の割合とする場合に以下の式を満たすことを特徴とする請求項５に記載の方法。
2012079308.tif 000001
【請求項７】
動的に広告を提供するためのシステムであって、
ユーザから特定コンテンツのアクセス要求情報を受信して、前記アクセス要求情報内にコンテンツ仲介者の識別符号が存在するか否かを確認してユーザのアクセス経路を判断するアクセス経路分析部と、
前記アクセス経路判断に基づき動的に広告を選択し、前記選択された広告及び前記特定コンテンツを含むコンテンツ統合画面を提供する動的広告選択部と、を含むことを特徴とするシステム。
【請求項８】
前記アクセス経路分析部は、前記コンテンツ仲介者の識別符号が存在する場合、確認された前記識別符号が既に保存されたコンテンツ仲介者の値と一致するか否かをさらに判断することを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記動的広告選択部は、動的広告選択の際に、前記判断されたアクセス経路に応じて指定された広告を提供するためのＵＲＬをさらに生成することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記選択された広告の実行収益を計算する広告収益計算部をさらに含むことを特徴とする請求項７から請求項９のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１１】
前記計算された広告の実行収益に基づき、一定期間ごとに特定のコンテンツ保有者の収益分配の割合を計算する広告収益分配部をさらに含み、
前記収益分配の割合の計算は、ＣＯｂは特定のコンテンツ保有者、Ｘは広告数、Ｐａｉはｉ番目の広告の実行全体から発生する広告収益、Ｔａｉはｉ番目の広告に発生した広告実行の件数、ＮａｉはＣＯｂに対してｉ番目の広告に対して発生した広告実行件数、ＲＳＲＣＯｂはＣＯｂの収益分配の割合とする場合に以下の式を満たすことを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
2012079308.tif 000002
【請求項１２】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の方法を行うためのコンピュータプログラムを記録することを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月25日(2014.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のゲート端子がワード線に電気的に接続され、第１のソース端子がビット線に電気的に接続され、第１のドレイン端子がソース線に電気的に接続され、半導体材料を含んだ基板により構成された第１のトランジスタと、第２のゲート端子が酸化物半導体用のワード線に電気的に接続され、第２のソース端子が酸化物半導体用ビット線と電気的に接続され、第２のドレイン端子が前記第１のトランジスタの第１のゲート端子に電気的に接続され、酸化物半導体層を含んで構成された第２のトランジスタと、前記第１のトランジスタの第１のゲート端子と前記ワード線に電気的に接続された容量素子と、を有するメモリセルと、
第３のソース端子と、第３のドレイン端子と、第３のゲート端子と、第４のゲート端子からなるデュアルゲート駆動のトランジスタにより構成され、前記第３のソース端子及び第３のゲート端子が、電源電圧が入力される端子に電気的に接続され、前記第３のドレイン端子が、前記ビット線に電気的に接続される抵抗素子と、
基準電位を出力する基準電位回路と、
前記基準電位回路及び前記ビット線と電気的に接続され、該基準電位回路が出力する基準電位と前記ビット線の電位を比較する電位比較回路と、
前記電位比較回路と電気的に接続され、該電位比較回路の出力電位が電源制御回路部及び状態遷移回路部に与えられる制御回路と、を有し、
前記制御回路において、
前記状態遷移回路部は、前記電源制御回路部の入力部及び前記抵抗素子の第４のゲート端子と電気的に接続されて該第４のゲート端子に電位を与え、
前記電源制御回路部は、前記酸化物半導体用のビット線と電気的に接続され、前記酸化物半導体用のビット線に電位を与えることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月30日(2014.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
第１の容量素子と、
第３のトランジスタと、
第４のトランジスタと、
第２の容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と電気的に接続された、半導体装置の駆動方法であって、
第１の書き込み動作は、
前記第３の配線に、第１の電位を与え、
前記第２の配線に、前記第１のトランジスタ又は前記第３のトランジスタがオンとなる第２の電位を与え、
前記第１の配線に、第３の電位を与え、
前記第２のトランジスタ又は前記第４のトランジスタがオン状態となると、前記第３の配線は、前記第１の電位とは異なる電位となり、
その後、第２の書き込み動作に移ることを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項２】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
第３のトランジスタと、
第４のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第４の配線と電気的に接続された、半導体装置の駆動方法であって、
第１の書き込み動作は、
前記第３の配線に、第１の電位を与え、
前記第２の配線に、前記第１のトランジスタ又は前記第３のトランジスタがオンとなる第２の電位を与え、
前記第１の配線に、第３の電位を与え、
前記第２のトランジスタ又は前記第４のトランジスタがオン状態となると、前記第３の配線は、前記第１の電位とは異なる電位となり、
その後、第２の書き込み動作に移ることを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の配線に与えられる第３の電位は、複数の電位を有し、
前記第１の配線には、前記複数の電位を上昇させながら与えられることを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体層を有し、
前記第３のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体層を有することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月2日(2014.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のブレードを受け入れるように構成されたシャーシと、
電力を前記複数のブレードに供給するように構成された第１のバックプレーンバス・バーを備えるバックプレーンアセンブリと、
第１の電力供給バス・バーを介して電力を供給するように構成された電源と、
前記第１のバックプレーンバス・バーに取り付けられた第１のクランプであって、前記第１のクランプは、工具を使用せずに開位置と閉位置との間で手動で可動であるクランプバーを備え、前記クランプバーが前記閉位置に移動する場合、前記クランプバーは、前記第１の電力供給バス・バーを、前記第１のバックプレーンバス・バーと電気接触させるように構成される、第１のクランプと
を備える、装置。
【請求項２】
前記シャーシおよび前記電源は、前記クランプバーが前記開位置にある場合、前記電源が、工具を使用せずに、前記シャーシから取り除かれ得るように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
力は、前記クランプバーに連結された圧縮性のスピンドルを介して、前記クランプバーから前記第１の電力供給バス・バーへと移動する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記圧縮性のスピンドルはバネ機構を備える、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記圧縮性のスピンドルは、製造における許容誤差に起因する、前記第１の電力供給バス・バーの厚さおよび／または前記第１のバックプレーンバス・バーの厚さのばらつきに左右されずに、少なくとも所定のレベルのクランプ力を提供するように構成される、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記第１のクランプはトグルクランプを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記第１のクランプは、前記トグルクランプを前記第１のバックプレーンバス・バーに取り付けるベース部をさらに備える、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記ベース部は、前記トグルクランプと前記第１のバックプレーンバス・バーとの間に電気的な絶縁を提供するように、少なくとも部分的に非導電である、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
第２のバックプレーンバス・バーに取り付けられた第２のクランプであって、前記第２のクランプは、第２の電力供給バス・バーを、前記第２のバックプレーンバス・バーと電気接触させるように配置される、第２のクランプをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
複数のブレードを受け入れるように構成されたシャーシと、
電力を前記複数のブレードに提供するように構成された複数のバックプレーンバス・バーを備えるバックプレーンアセンブリと、
複数の電力供給バス・バーを介して電力を供給するように構成された電源と、
１つ以上のクランプであって、各々のクランプは、前記複数のバックプレーンバス・バーの各々１つに取り付けられ、各々のクランプは、工具を使用せずに開位置と閉位置との間で手動で可動である各々のクランプバーを備え、前記クランプバーが前記閉位置に移動する場合、各々のクランプバーは、前記複数の電力供給バス・バーの各々の１つを、前記クランプが取り付けられる前記バックプレーンバス・バーと電気接触させる、１つ以上のクランプと
を備える、装置。
【請求項１１】
前記シャーシおよび前記電源は、前記１つ以上のクランプの前記各々のクランプバーが前記開位置へと全て移動した場合、前記電源が工具を使用せずに前記シャーシから取り除かれ得るように、構成される、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記複数のバックプレーンバス・バーは、第１のバックプレーンバス・バーおよび第２のバックプレーンバス・バーを備え、
前記複数の電力供給バス・バーは、第１の電力供給バス・バーおよび第２の電力供給バス・バーを備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記１つ以上のクランプは、
前記第１の電力供給バス・バーを、前記第１のバックプレーンバス・バーと電気接触させるように構成される第１のクランプと、
前記第２の電力供給バス・バーを、前記第２のバックプレーンバス・バーと電気接触させるように構成される第２のクランプとを備える、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
シャーシ内でバックプレーンアセンブリに連結される複数のブレードに電源から電力を供給する方法であって、
前記電源の電力供給バス・バーを、バックプレーンバス・バーに取り付けられたクランプを用いて、バックプレーンバス・バーと電気接触させる工程であって、前記クランプは、工具を使用せずに開位置と閉位置との間で手動で可動であるクランプバーを備え、前記クランプバーが前記閉位置に移動する場合、前記クランプバーは、前記電力供給バス・バーを、前記バックプレーンバス・バーと電気接触させるように構成される、工程と、
前記電力供給バス・バーを介して電力を前記バックプレーンバス・バーに供給する工程と、
前記バックプレーンバス・バーを介して前記ブレードに電力を配電する工程とを含む、方法。
【請求項１５】
前記電力供給バス・バーを、前記バックプレーンバス・バーと電気接触させるように、前記閉位置へと前記クランプを手動で移動させる工程をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記電源が前記シャーシから取り除かれる必要がある場合に、前記クランプを前記開位置に手動で移動させる工程と、
前記電力供給バス・バーを備える前記電源を、工具を使用せずに、前記シャーシから取り除く工程とをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成26年6月9日(2014.6.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ディスプレイタッチスクリーンにおける表示を制御する方法であって、
前記電子ディスプレイタッチスクリーンに少なくとも１つの項目又はアイコンを含むスクロール可能な画像を表示するステップ、
前記電子ディスプレイタッチスクリーンとの接触を検出するステップ、
前記電子ディスプレイタッチスクリーンとの静止した接触の継続時間が予め設定された時間を超えるかを決定するステップ、
を有し、
前記継続時間が前記予め設定された時間を超えた場合、前記接触の動きが検出されると、接触で選択された項目又はアイコンを接触の前記動きに従ってドラッグし、
前記継続時間が前記予め設定された時間を超えない場合、前記接触が途切れるまで、当該接触の動きの検出された方向及びスピードに基づいて、前記スクロール可能な画像をスクロールさせ、前記接触が途切れた後、前記スクロール可能な画像のスクロールを、徐々に減少するスピードで継続する、方法。
【請求項２】
前記接触が途切れた後に前記スクロール可能な画像のスクロールが継続されている間、
（ａ）静止した接触が検知されたこと、
（ｂ）前記スクロール可能な画像のスクロールの終端に達したこと、
（ｃ）スクロールのスピードがゼロ又は予め設定された値まで減少したこと、
のいずれかの場合に、前記スクロールを終了させる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記接触が途切れた後に継続される前記スクロール可能な画像のスクロールのスピードの減少が、前記接触が途切れた直後に始まる、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記接触が途切れた後に継続される前記スクロール可能な画像のスクロールのスピードの減少が、前記接触が途切れた後の所定の遅延の後に始まる、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの項目又はアイコンを含むスクロール可能な画像を表示する電子ディスプレイタッチスクリーンであって、当該電子ディスプレイタッチスクリーンとの接触が検出される電子ディスプレイタッチスクリーン、及び
マイクロプロセッサであって、
前記電子ディスプレイタッチスクリーンとの接触を検出し、
前記電子ディスプレイタッチスクリーンとの静止した接触の継続時間が予め設定された時間を超えるかを決定し、
前記継続時間が前記予め設定された時間を超えた場合、前記接触の動きが検出されると、接触で選択された項目又はアイコンを接触の前記動きに従ってドラッグし、
前記継続時間が前記予め設定された時間を超えない場合、前記接触が途切れるまで、当該接触の動きの検出された方向及びスピードに基づいて、前記スクロール可能な画像をスクロールさせ、前記接触が途切れた後、前記スクロール可能な画像のスクロールを、徐々に減少するスピードで継続するマイクロプロセッサ、
を有する装置。
【請求項６】
前記マイクロプロセッサがさらに、前記接触が途切れた後に前記スクロール可能な画像のスクロールが継続されている間、
（ａ）静止した接触が検知されたこと、
（ｂ）前記スクロール可能な画像のスクロールの終端に達したこと、
（ｃ）スクロールのスピードがゼロ又は予め設定された値まで減少したこと、
のいずれかの場合に、前記スクロールを終了させる、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記接触が途切れた後に継続される前記スクロール可能な画像のスクロールのスピードの減少が、前記接触が途切れた直後に始まる、請求項５又は請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記接触が途切れた後に継続される前記スクロール可能な画像のスクロールのスピードの減少が、前記接触が途切れた後の所定の遅延の後に始まる、請求項５又は請求項６に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
しかしながら、ステップ１００が、第１の所定時間と第２の所定時間との間の有限時間の間に、スクリーン上の指のタッチに関連する運動を検出したなら、本発明の方法はステップ１０４へと進み、前記タッチの運動のスピード及び方向を対応する表示されたデータの初期スクロール運動に変換する。更にステップ１０４は、直接的にステップ１０６に進む。ステップ１０４は、前記指がスクリーンとの接触から取り除かれるか、又はスクリーンとの接触を継続するかに依存して、ステップ１０６に進むか、又はステップ１０５に分岐するかのどちらかとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月9日(2014.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子線をそれぞれ偏向するための複数の電極対を含む電極対アレイ板の製造方法であって、
複数の配線層をそれぞれ含む複数の積層体を貼り合わせて、貼り合わせ積層体を形成する工程と、
前記貼り合わせ積層体に、前記複数の荷電粒子線がそれぞれ通過する複数の貫通孔を形成する工程と、を有し、
前記複数の電極対は、前記複数の貫通孔のそれぞれに対して形成され、かつ、前記複数の配線層のそれぞれに接続されることを特徴とする電極対アレイ板の製造方法。
【請求項２】
前記複数の電極対は、前記貼り合わせ積層体に前記複数の貫通孔を形成する工程の後に形成されることを特徴とする請求項１に記載の電極対アレイ板の製造方法。
【請求項３】
前記複数の電極対は、前記貼り合わせ積層体を形成する工程の前に形成されることを特徴とする請求項１に記載の電極対アレイ板の製造方法。
【請求項４】
電極対アレイ板であって、
第１配線層、第１貫通孔、および、前記第１配線層に接続され前記第１貫通孔に対して形成された第１電極対を含む第１積層体と、
第２配線層、第２貫通孔、および、前記第２配線層に接続され前記第２貫通孔に対して形成された第２電極対を含む第２積層体と、を有し、
前記第１積層体と前記第２積層体は接合されていることを特徴とする電極対アレイ板。
【請求項５】
前記第２電極対は、前記第１電極対が機能しない場合に使用される予備電極対であることを特徴とする請求項４に記載の電極対アレイ板。
【請求項６】
前記第１積層体は第１シリコン層を含み、前記第２積層体は第２シリコン層を含み、
前記第１シリコン層と前記第２シリコン層が接合され、
前記第１配線層と前記第２配線層は電気的に分離されていることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の電極対アレイ板。
【請求項７】
厚みが１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項４ないし請求項６のいずれか１項に記載の電極対アレイ板。
【請求項８】
基板に描画を行う描画装置であって、
請求項４ないし請求項７のいずれか１項に記載の電極対アレイ板と、
前記第１電極対と前記第２電極対のそれぞれに印加する電圧を制御する制御部と、を有することを特徴とする描画装置。
【請求項９】
前記第１電極対により偏向された荷電粒子線を遮断し偏向されなかった荷電粒子線を通過させる第１開口、および、前記第２電極対により偏向された荷電粒子線を遮断し偏向されなかった荷電粒子線を通過させる第２開口を含む開口アレイ板と、をさらに有することを特徴とする請求項８に記載の描画装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
描画が行われた前記基板を現像する工程と、を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一側面としての電極対アレイ板の製造方法は、複数の荷電粒子線をそれぞれ偏向するための複数の電極対を含む電極対アレイ板の製造方法であって、複数の配線層をそれぞれ含む複数の積層体を貼り合わせて、貼り合わせ積層体を形成する工程と、前記貼り合わせ積層体に、前記複数の荷電粒子線がそれぞれ通過する複数の貫通孔を形成する工程と、を有し、前記複数の電極対は、前記複数の貫通孔のそれぞれに対して形成され、かつ、前記複数の配線層のそれぞれに接続されることを特徴とする電極対アレイ板の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月30日(2014.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リード電圧を用いてメモリセルアレイに保存された第１データを読み出す段階と、
前記第１データに含まれた“１”と“０”とのうちの何れか一つの個数をカウントしたカウント値と基準カウント値とを比較し、該比較結果に従って、前記メモリセルアレイの第１領域に保存された第２データを読み出すために、前記リード電圧を変更する段階と、を有することを特徴とする不揮発性メモリ装置の読み出し方法。
【請求項２】
前記変更されたリード電圧についての情報を前記メモリセルアレイの第２領域に保存する段階と、
前記第２領域に保存された前記情報に対応する前記変更されたリード電圧を用いて、前記第２データを読み出す段階と、をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ装置の読み出し方法。
【請求項３】
前記メモリセルアレイが、前記第１データを保存するための複数のマルチレベルセルを含む場合、
前記複数のマルチレベルセルのそれぞれは、複数の状態のうちの何れか一つの状態を有するようにプログラムされることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ装置の読み出し方法。
【請求項４】
第１リード動作間に第１リード電圧によって不揮発性メモリ装置のメモリセルアレイから最初に出力された第１データを受信する段階と、
前記第１データに対する読み出し動作が成功したか否かを判断する段階と、
前記読み出し動作が成功した後、第２リード動作間に前記メモリセルアレイに保存された第２データを読み出すために必要なリード電圧を、前記第１リード電圧から第２リード電圧に変更するための情報を保存する段階と、を有することを特徴とするメモリコントローラの動作方法。
【請求項５】
前記第１データに含まれた“１”と“０”とのうちの何れか一つの個数をカウントしてカウント値を出力する段階と、
前記読み出し動作が成功した後、前記カウント値と基準カウント値とを比較し、該比較結果に従って、前記第１リード電圧を前記第２リード電圧に変更するための前記情報を生成する段階と、をさらに有することを特徴とする請求項４に記載のメモリコントローラの動作方法。
【請求項６】
前記読み出し動作が成功したか否かを判断する段階は、前記第１データに対するエラー訂正デコーディング結果によって判断されることを特徴とする請求項４に記載のメモリコントローラの動作方法。
【請求項７】
前記読み出し動作が成功したか否かを判断する段階は、前記第１データに対するエラー訂正デコーディング結果によってエラー訂正された第１データが、ホストに伝送されたか否かによって判断されることを特徴とする請求項４に記載のメモリコントローラの動作方法。
【請求項８】
第１リード動作間に第１リード電圧によって不揮発性メモリ装置のメモリセルアレイから最初に出力された第１データを受信する段階と、
前記第１データに対する読み出し動作が成功したか否かを判断する段階と、
前記読み出し動作が成功した後、前記第１データに含まれるエラービット数と基準値とを比較し、該比較結果に従って、第２リード動作間に前記メモリセルアレイに保存された第２データを読み出すために必要なリード電圧を、前記第１リード電圧から第２リード電圧に変更するための情報を保存する段階と、を有することを特徴とするメモリコントローラの動作方法。
【請求項９】
前記情報を保存する段階は、前記エラービット数が、前記基準値より大きい時、前記第１リード電圧を前記第１リード電圧より低い前記第２リード電圧に変更する内容の前記情報を生成することを特徴とする請求項８に記載のメモリコントローラの動作方法。
【請求項１０】
第１リード動作間に不揮発性メモリ装置が、第１リード電圧によって、前記不揮発性メモリ装置のメモリセルアレイから最初に出力された第１データをメモリコントローラに伝送する段階と、
前記メモリコントローラは、前記第１データに対する読み出し動作が成功したか否かを判断し、前記読み出し動作が成功した後、前記メモリコントローラは、前記第１リード電圧を第２リード電圧に変更する内容の情報を生成してメモリに保存する段階と、を有することを特徴とするメモリシステムの動作方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記第１データに含まれた“１”と“０”とのうちの何れか一つの個数をカウントしてカウント値を出力する段階と、前記読み出し動作が成功した後、前記カウント値と基準カウント値とを比較し、該比較結果に従って、前記第１リード電圧を前記第２リード電圧に変更するための前記情報を生成する段階と、をさらに有することが好ましい。
前記読み出し動作が成功したか否かを判断する段階は、前記第１データに対するエラー訂正デコーディング結果によって判断されることが好ましい。
前記読み出し動作が成功したか否かを判断する段階は、前記第１データに対するエラー訂正デコーディング結果によってエラー訂正された第１データが、ホストに伝送されたか否かによって判断されることが好ましい。  
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月25日(2014.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその検査方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量素子と、
トランジスタと、を有し、
前記トランジスタのソースまたはドレインの一方が前記容量素子と電気的に接続されたメモリセルを複数有する半導体装置において、
前記容量素子に電荷を蓄積する第１過程と、
前記トランジスタのゲートの電位を保持電位と前記トランジスタのしきい値との間にある所定の電位に保った状態で所定の時間、保持する第２過程と、
前記容量素子に蓄積された電荷量を測定する第３過程と、を有することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３過程により、前記電荷量が基準に満たない場合に不適合とすることを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項３】
容量素子と、
トランジスタと、を有し、
前記トランジスタのソースまたはドレインの一方が前記容量素子と電気的に接続されたメモリセルを複数有する半導体装置であって、
前記トランジスタのゲートの電位を保持電位と前記トランジスタのしきい値の間にある電位にするために、外部より前記電位を供給するためのパッドを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記メモリセルは、第２トランジスタを有し、
前記トランジスタのソースもしくはドレインの一方が前記第２トランジスタのゲートと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月19日(2014.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトダイオードと、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第５の配線と、第６の配線と、を有し、
前記フォトダイオードの電極の一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記フォトダイオードの電極の他方は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と電気的に接続され、
前記第４の配線は、前記第１のトランジスタのオン又はオフを選択する信号を伝達する機能を有し、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第５の配線と電気的に接続され、
前記第５の配線は、前記第３のトランジスタのオン又はオフを選択する信号を伝達する機能を有し、
前記第１の配線と、前記第６の配線とは、交差し、
前記第１の配線は、前記第６の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と、前記第１の配線、又は、前記第４の配線、又は、前記第５の配線、又は、前記第６の配線との間には、一定の電位が供給される配線が設けられていることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
フォトダイオードと、表示素子と、容量と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第５の配線と、第６の配線と、第７の配線と、第８の配線と、第９の配線と、を有し、
前記フォトダイオードの電極の一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記フォトダイオードの電極の他方は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第４の配線と電気的に接続され、
前記第４の配線は、前記第１のトランジスタのオン又はオフを選択する信号を伝達する機能を有し、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第５の配線と電気的に接続され、
前記第５の配線は、前記第３のトランジスタのオン又はオフを選択する信号を伝達する機能を有し、
前記第１の配線と、前記第６の配線とは、交差し、
前記第１の配線は、前記第６の配線と電気的に接続され、
前記表示素子は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記容量の一方の電極は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記容量の他方の電極は、前記第９の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第７の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第８の配線と電気的に接続され、
前記第７の配線は、ビデオデータを伝達する機能を有し、
前記第８の配線と、前記第４のトランジスタのオン又はオフを選択する信号を伝達する機能を有し、
前記第９の配線は、一定の電位を供給する機能を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方と、前記第７の配線との間には、前記第９の配線が設けられていることを特徴とする電子機器。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタであり、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタであり、
前記第３のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタであることを特徴とする電子機器。
【請求項４】
請求項２において、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタであり、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタであり、
前記第３のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタであり、
前記第４のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタであることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月5日(2014.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種類の符号が二次元に並ぶ投影符号列の各符号に、符号の種類ごとに異なるシンボルを割り当てて得られた投影パターンを被写体に投影して得られた撮像画像を用いて前記被写体の三次元計測を行う画像情報処理装置であって、
前記撮像画像からシンボルを抽出して撮像パターンを取得する取得手段と、
前記取得手段で取得された前記撮像パターンの各シンボルを、対応する符号に変換して撮像符号列を取得する変換手段と、
所定数の符号の取得位置とそれらの順序が規定されたサンプリングパターンにしたがって、前記撮像符号列から前記所定数の符号を取得し、並べて情報符号列を生成する生成手段と、
前記情報符号列と前記サンプリングパターンとに基づいて前記情報符号列と前記投影符号列を対応付けることで前記被写体の三次元計測を行う計測手段とを有することを特徴とする画像情報処理装置。
【請求項２】
前記生成手段は、前記サンプリングパターンを用いて前記撮像符号列から前記所定数の符号を取得できなかった場合には、別のサンプリングパターンを選択して前記情報符号列を生成することを特徴とする請求項１に記載の画像情報処理装置。
【請求項３】
一つのサンプリングパターンから得られる全ての情報符号列が前記投影パターンにおいて唯一つしか存在しないように前記サンプリングパターンと前記投影符号列が構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の画像情報処理装置。
【請求項４】
前記サンプリングパターンは、所定サイズの部分符号列から情報符号列を生成するためのものであり、
前記部分符号列における、前記情報符号列以外の冗長符号を用いて、前記情報符号列の誤りを検出する検出手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像情報処理装置。
【請求項５】
前記サンプリングパターンは、横方向にｍ個、縦方向にｎ＋１個の点を有する部分符号列からｍ＋ｎ個の符号を抽出するための縦方向と横方向の各列の位置と、抽出された符号の順序を規定していることを特徴とする請求項３または４に記載の画像情報処理装置。
【請求項６】
前記部分符号列における、前記情報符号列の生成に用いられる前記ｍ＋ｎ個の符号以外の符号を冗長符号として用いて、前記情報符号列の誤りを検出、訂正する検出手段を更に備えることを特徴とする請求項５に記載の画像情報処理装置。
【請求項７】
前記投影符号列は、縦横の２つの方向に対して１つずつの、３値以上の符号で構成されたde Bruijn系列に基づいて生成されていることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の画像情報処理装置。
【請求項８】
前記部分符号列の縦横の大きさが、前記投影符号列に用いられた縦横のde Bruijn系列における部分系列長と等しいことを特徴とする請求項７に記載の画像情報処理装置。
【請求項９】
前記投影符号列は、縦横の２つの方向に対して１つずつの、２値符号によるM系列に基づいて生成されていることを特徴とする請求項５または６に記載の画像情報処理装置。
【請求項１０】
前記部分符号列の縦横の大きさが、前記投影符号列に用いられた縦横のM系列における部分系列長と等しいことを特徴とする請求項９に記載の画像情報処理装置。
【請求項１１】
複数種類の符号が二次元に並ぶ投影符号列の各符号に、符号の種類ごとに異なる所定のシンボルを割り当てて得られた投影パターンを被写体に投影して得られた撮像画像を用いて前記被写体の三次元計測を行う画像情報処理装置の制御方法であって、
前記撮像画像からシンボルを抽出して撮像パターンを取得する取得工程と、
前記取得工程で取得された前記撮像パターンの各シンボルを、対応する符号に変換して撮像符号列を取得する変換工程と、
所定数の符号の取得位置とそれらの順序が規定されたサンプリングパターンにしたがって、前記撮像符号列から前記所定数の符号を取得し、並べて情報符号列を生成する生成工程と、
前記情報符号列と前記サンプリングパターンとに基づいて前記情報符号列と前記投影符号列を対応付けることで前記被写体の三次元計測を行う計測工程と、を有することを特徴とする画像情報処理装置の制御方法。
【請求項１２】
前記生成工程では、前記サンプリングパターンを用いて前記撮像符号列から前記所定数の符号を取得できなかった場合には、別のサンプリングパターンを選択して前記情報符号列を生成することを特徴とする請求項１１に記載の画像情報処理装置の制御方法。
【請求項１３】
コンピュータに、請求項１１または１２に記載の画像情報処理装置の制御方法の各工程を実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の目的を達成するための本発明の一態様による画像情報処理装置は以下の構成を備える。すなわち、
複数種類の符号が二次元に並ぶ投影符号列の各符号に、符号の種類ごとに異なるシンボルを割り当てて得られた投影パターンを被写体に投影して得られた撮像画像を用いて前記被写体の三次元計測を行う画像情報処理装置であって、
前記撮像画像からシンボルを抽出して撮像パターンを取得する取得手段と、
前記取得手段で取得された前記撮像パターンの各シンボルを、対応する符号に変換して撮像符号列を取得する変換手段と、
所定数の符号の取得位置とそれらの順序が規定されたサンプリングパターンにしたがって、前記撮像符号列から前記所定数の符号を取得し、並べて情報符号列を生成する生成手段と、
前記情報符号列と前記サンプリングパターンとに基づいて前記情報符号列と前記投影符号列を対応付けることで前記被写体の三次元計測を行う計測手段とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月5日(2014.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域に酸化物半導体を含むエンハンスメント型のトランジスタと、発光素子と、が設けられた第１の基板と、
前記トランジスタ及び前記発光素子を囲むように設けられたシール材により、前記第１の基板に固定された第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられた、水素イオン及び／または水素分子を吸着する機能を有する層と、を有し、
前記発光素子は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続された第１の電極、前記第１の電極と重なる領域を有する第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間に挟持された発光物質を含む有機層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
チャネル形成領域に酸化物半導体を含むエンハンスメント型のトランジスタと、発光素子と、が設けられた第１の基板と、
前記トランジスタ及び前記発光素子を囲むように設けられたシール材により、前記第１の基板に固定された第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられた、ゼオライト及び／またはパラジウムを含む層と、を有し、
前記発光素子は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続された第１の電極、前記第１の電極と重なる領域を有する第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間に挟持された発光物質を含む有機層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の電極は、開口部を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月16日(2014.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージング・システムのＸ線管において電子ビームを発生するステップと、
前記イメージング・システムの特定のビューに対応する電流構成を識別するステップと、
該識別された電流構成が所定の範囲内にあるときには、パルス幅変調を用いて前記イメージング・システムの前記特定のビューについて前記電子ビームの負荷サイクルを変調するステップと、
前記変調された電子ビームをターゲットへ向けて集束させるステップと
を備えた方法。
【請求項２】
前記イメージング・システムの前記特定のビューについて前記電子ビームの前記負荷サイクルを変調するステップは、少なくとも所定のＸ線束を発生するように前記負荷サイクルを適応調整することを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記所定のＸ線束、所定の焦点スポット寸法、所定の焦点スポット位置、又はこれらの組み合わせを生成するための前記Ｘ線管に対応する動作設定を決定するステップをさらに含んでおり、該動作設定は、パルス幅、負荷サイクル、周波数、磁石電流、バイアス電圧、抽出電圧、又はこれらの組み合わせを含んでいる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
Ｘ線管（３００）用の電子ビーム・システムであって、
電子ビームを発生する放出器（３１２）と、
該放出器（３１２）に関して正のバイアス電圧又は負のバイアス電圧に保たれる少なくとも一つの電極（３２６）であって、前記電子ビームの強度を制御する少なくとも一つの電極（３２６）と、
該少なくとも一つの電極（３２６）に結合されている制御ユニット（３３４）であって、
前記Ｘ線管（３００）の特定のビューに対応する電流構成を識別して、
該識別された電流構成が所定の範囲内にあるときには、パルス幅変調を用いて前記Ｘ線管（３００）の前記特定のビューについて前記電子ビームの負荷サイクルを変調する制御ユニット（３３４）と
を備えた電子ビーム・システム。
【請求項５】
前記制御ユニット（３３４）は、少なくとも所定のＸ線束を発生するように前記Ｘ線管（３００）の前記特定のビューについて前記電子ビームの前記負荷サイクルを変化させる、請求項４に記載の電子ビーム・システム。
【請求項６】
前記放出器（３１２）は、所定の電流値を有する電子ビームを発生するように構成されている、請求項４または５に記載の電子ビーム・システム。
【請求項７】
前記制御ユニット（３３４）は、前記識別された電流構成が前記所定の範囲の外にあるときには前記Ｘ線管（３００）の前記特定のビューに対応する電子ビーム電流を変調するために連続式集束変調を選択する、請求項４乃至６のいずれかに記載の電子ビーム・システム。
【請求項８】
前記放出器（３１２）の近傍に配設された少なくとも一つの集束電極（３２４）をさらに含んでおり、該少なくとも一つの集束電極（３２４）は前記電子ビームを集束させ、前記少なくとも一つの電極（３２６）は抽出電極である、請求項４乃至７のいずれかに記載の電子ビーム・システム。
【請求項９】
電子ビーム・システムと、
制御ユニット（３３４）と、
電子ビームにより衝突されるとＸ線を発生するターゲットと
を備えたＸ線管（３００）であって、前記電子ビーム・システムは、
電子ビームを発生する放出器（３１２）と、
前記電子ビームの強度を制御する少なくとも一つの電極（３２６）であって、前記放出器（３１２）に関して正のバイアス電圧又は負のバイアス電圧に保たれる少なくとも一つの電極（３２６）と
を含んでおり、前記制御ユニット（３３４）は、前記少なくとも一つの電極（３２６）に結合されており、
当該Ｘ線管（３００）の特定のビューに対応する電流構成を識別して、
該識別された電流構成が所定の範囲内にあるときには、パルス幅変調を用いて当該Ｘ線管（３００）の前記特定のビューについて前記電子ビームの負荷サイクルを変調する、
Ｘ線管（３００）。
【請求項１０】
ガントリ（１０２）と、
Ｘ線管（３００）と、
対象からの減弱後の電子ビームを検出する１又は複数の検出器素子（２０２）と
を備えた計算機式断層写真法システム（１００）であって、前記Ｘ線管（３００）は、
電子ビーム・システムと、
制御ユニット（３３４）と、
電子ビームにより衝突されるとＸ線を発生するターゲット（３０６）と
を含んでおり、前記電子ビーム・システムは、
電子ビームを発生する放出器（３１２）と、
前記電子ビームの強度を制御する少なくとも一つの電極（３２６）であって、前記放出器（３１２）に関して正のバイアス電圧又は負のバイアス電圧に保たれる少なくとも一つの電極（３２６）と
を含んでおり、前記制御ユニット（３３４）は、前記少なくとも一つの電極（３２６）に結合されており、
当該計算機式断層写真法システムの特定のビューに対応する電流構成を識別して、
該識別された電流構成が所定の範囲内にあるときには、パルス幅変調を用いて当該計算機式断層写真法システムの前記特定のビューについて前記電子ビームの負荷サイクルを変調する、
計算機式断層写真法システム（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月5日(2014.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域に酸化物半導体を含むエンハンスメント型のトランジスタと、
第１の電極と第２の電極との間に、発光物質を含む有機層が挟持された発光素子と、を有し、
前記第１の電極は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続され、
前記第２の電極は、酸化還元電位が標準水素電極に比べて大きい金属を９９ａｔ％以上１００ａｔ％未満含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
チャネル形成領域に酸化物半導体を含むエンハンスメント型のトランジスタと、
第１の電極と第２の電極との間に、発光物質を含む有機層が挟持された発光素子と、を有し、
前記第１の電極は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続され、
前記第２の電極は、導電性の金属酸化物を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
チャネル形成領域に酸化物半導体を含むエンハンスメント型のトランジスタと、
第１の電極と第２の電極との間に、発光物質を含む有機層が挟持された発光素子と、を有し、
前記第１の電極は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続され、
前記第２の電極は、酸化還元電位が標準水素電極に比べて大きい金属を９９ａｔ％以上１００ａｔ％未満含む第１の層と、導電性の金属酸化物を含む第２の層とを有し、
前記第２の層は、前記第１の層と前記発光物質を含む有機層との間に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
チャネル形成領域に酸化物半導体を含むエンハンスメント型のトランジスタと、
第１の電極と第２の電極との間に、発光物質を含む有機層が挟持された発光素子と、を有し、
前記第１の電極は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続され、
前記第２の電極は、酸化還元電位が標準水素電極に比べて大きい金属を９９ａｔ％以上１００ａｔ％未満含む第１の層と、導電性の金属酸化物を含む第２の層とを有し、
前記第１の層は、前記第２の層と前記発光物質を含む有機層との間に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記発光素子の単位発光面積あたり、アルカリ金属および／またはアルカリ土類金属を４．１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以上４．５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下含むことを特徴とする半導体装置。