(57)【要約】【課題】横電界方式を用いつつイオン性不純物のトラップ効率を高めた電気光学装置を提供する。【解決手段】本発明の電気光学装置は、電気光学物質層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板と、第１基板と第２基板とを貼り合わせるシール材と、複数の画素が配列された画素領域と、画素領域とシール材との間の外縁領域に形成されたイオントラップ部と、を有する電気光学装置であって、イオントラップ部は、第１基板の電気光学物質層側に形成され、平面視櫛歯状を成し互いの枝電極を噛み合わせるように配置された第１電極と第２電極とを有しており、第１電極及び第２電極の枝電極の延在方向が、当該枝電極の近傍の第１基板の外形辺に対して斜め方向であり、かつ電気光学物質層と第１基板との界面における電気光学物質の配向方向に対して交差する方向であることを特徴とする。【選択図】図３
2013025066.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、複数の画素が配列された画素領域と、前記画素領域と前記シール材との間の外縁領域に形成されたイオントラップ部と、を有する電気光学装置であって、
前記イオントラップ部は、前記第１基板の前記電気光学物質層側に形成され、平面視櫛歯状を成し互いの枝電極を噛み合わせるように配置された第１電極と第２電極とを有しており、
前記第１電極及び前記第２電極の前記枝電極の延在方向が、当該枝電極の近傍の前記第１基板の外形辺に対して斜め方向であり、かつ前記電気光学物質層と前記第１基板との界面における前記電気光学物質の配向方向に対して交差する方向であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記枝電極の延在方向が、前記電気光学物質の配向方向に対して７５°以上１０５°以下の角度で交差する方向である、請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記枝電極の延在方向が、前記電気光学物質の配向方向に対して略直交する方向である、請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記画素領域が平面視略矩形状であり、
概ね前記電気光学物質の配向方向に対向する前記画素領域の２つの角部に位置する前記イオントラップ部において、前記第１電極の枝電極と前記第２電極の枝電極との間隔が、他の部位の前記イオントラップ部における前記間隔よりも狭く形成されている、請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置において、液晶材料や配向膜に光を入射させると、光化学反応によって様々なイオン性不純物が発生し、表示ムラなどの液晶装置の表示品質の低下を引き起こすことが知られている。プロジェクターのライトバルブに用いられる液晶装置においては、入射光の光束密度が直視型液晶装置と比べて非常に高くなるため、液晶や配向膜に高耐光性が要求される。高耐光性を実現するには、光照射の結果として発生し、表示不良等の原因となるイオン性不純物が表示領域に集積するのを抑制する必要がある。
【０００３】
また、液晶装置への液晶注入時に混入したり、液晶層を取り囲むシール材や封止材から溶出したイオン性不純物が、液晶の駆動動作や温度差によって表示領域に拡散し、そこで凝集することにより表示特性の劣化を招くことも知られている。特に、シリコン酸化物等からなる無機配向膜を用いた場合、表示領域の外縁部分において不純物が吸着されやすくなり、不純物の局在化によるシミやムラが発生することがある。
【０００４】
そこで、液晶層中のイオン性不純物をトラップする機構を設けた液晶装置が知られている（特許文献１〜６）。特許文献１〜４に記載の液晶装置は、液晶層を挟持する一対の基板の内面側に一対の電極を形成し、かかる一対の電極の間に発生させた液晶層厚方向の電界（縦電界）によって液晶層中のイオン性不純物をトラップするものである。特許文献５、６に記載の液晶装置は、液晶層を挟持する一対の基板のうちの一方の基板上に一対の電極を並べて形成し、かかる一対の電極間に発生させた基板面方向の電界（横電界）によって、液晶層中のイオン性不純物をトラップするものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−３２３３３６号公報
【特許文献２】特開２０００−２２１５２１号公報
【特許文献３】特開平８−２０１８３０号公報
【特許文献４】特開平１０−１２３５２６号公報
【特許文献５】特開２００８−５８４９７号公報
【特許文献６】特開２００８−８９９３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１〜４記載の液晶装置では、一対の電極が数μｍもの厚さを有する液晶層を挟んで対向配置されているために電極間に大きな電界を発生させることが難しく、トラップ効率を高めることが難しかった。一方、特許文献５、６記載の液晶装置では、比較的大きな電界を発生させやすいが、櫛歯状の電極の延在方向に沿って等電位面が形成されるため、電極の延在方向に沿って移動するイオン性不純物をトラップしにくいという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、横電界方式を用いつつイオン性不純物のトラップ効率を高めた電気光学装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電気光学装置は、電気光学物質層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、複数の画素が配列された画素領域と、前記画素領域と前記シール材との間の外縁領域に形成されたイオントラップ部と、を有する電気光学装置であって、前記イオントラップ部は、前記第１基板の前記電気光学物質層側に形成され、平面視櫛歯状を成し互いの枝電極を噛み合わせるように配置された第１電極と第２電極とを有しており、前記第１電極及び前記第２電極の前記枝電極の延在方向が、当該枝電極の近傍の前記第１基板の外形辺に対して斜め方向であり、かつ前記電気光学物質層と前記第１基板との界面における前記電気光学物質の配向方向に対して交差する方向であることを特徴とする。
【０００９】
この構成では、櫛歯状の第１電極及び第２電極のそれぞれの枝電極が、第１基板の外形辺に対して斜めに形成されている。これにより、枝電極の延在方向に沿って形成される等電位線の方向と、シール材から溶出しイオントラップ部に向かって移動するイオン性不純物の進行方向とを交差させることができる。その結果、イオントラップ部からイオン性不純物に作用する吸着力の少なくとも一部を、イオン性不純物の進行方向に沿って作用させることができるので、シール材起因のイオン性不純物を効率良くトラップすることができる。
一方、画素領域においては、イオン性不純物は電気光学物質の配向方向に沿って移動しやすい。そこで本構成では、電気光学物質の配向方向に対して枝電極を交差させて配置している。これにより、画素領域からイオントラップ部に向かって移動するイオン性不純物の進行方向に、イオントラップ部の吸着力の少なくとも一部を作用させることができるので、画素領域で発生したイオン性不純物を効率良くトラップすることができる。
このように本構成によれば、イオントラップ部の内周、外周のいずれで発生したイオン性不純物についても効率良くトラップすることができるので、イオン性不純物が画素領域に付着するのを効果的に抑制することができ、シミやムラなどの不具合を生じにくい電気光学装置を提供することができる。
【００１０】
前記枝電極の延在方向が、前記電気光学物質の配向方向に対して７５°以上１０５°以下の角度で交差する方向である構成としてもよい。
この構成によれば、イオントラップ部において、画素領域から外縁領域へ移動したイオン性不純物を効率良くトラップすることができる。
【００１１】
前記枝電極の延在方向が、前記電気光学物質の配向方向に対して略直交する方向である構成としてもよい。
この構成によれば、イオントラップ部において、画素領域から外縁領域へ移動したイオン性不純物を最も効率良くトラップすることができる。
【００１２】
前記画素領域が平面視略矩形状であり、概ね前記電気光学物質の配向方向に対向する前記画素領域の２つの角部に位置する前記イオントラップ部において、前記第１電極の枝電極と前記第２電極の枝電極との間隔が、他の部位の前記イオントラップ部における前記間隔よりも狭く形成されている構成としてもよい。
この構成によれば、画素領域で発生し、電気光学物質の駆動動作に伴って移動するイオン性不純物が堆積しやすい領域において、イオン性不純物に対して大きな吸着力を作用させることができる。これにより、イオン性不純物の堆積によってイオン性不純物の濃度が上昇した場合であっても、濃度差によって画素領域へ拡散するのを抑えることができる。
【００１３】
本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、イオン性不純物に起因するシミやムラなどの不具合を生じにくい、信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】電気光学装置の一実施の形態である液晶装置の平面図。
【図２】図１のＩ−Ｉ線に沿う位置における液晶装置の部分断面図。
【図３】実施形態の液晶装置の作用説明図。
【図４】電子機器の一実施の形態であるプロジェクターを示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。
【００１６】
図１は、電気光学装置の一実施の形態である液晶装置の平面図である。図２は、図１に示すＩ−Ｉ線に沿う位置における液晶装置の部分断面図である。
液晶装置（電気光学装置）１００は、ＴＦＴアレイ基板（第１基板）１０と、ＴＦＴアレイ基板１０と対向配置された対向基板（第２基板）２０と、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に挟持された液晶層（電気光学物質層）５０と、液晶層５０の周囲を囲んで形成されるとともに一部に液晶注入口５１ａを有する矩形枠状のシール材５１と、シール材５１の液晶注入口５１ａを封止する封止剤５２と、を備えている。
【００１７】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、シール材５１とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が対向配置されており、シール材５１によりＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが貼り合わされている。ＴＦＴアレイ基板１０は、対向基板２０よりも大きく、対向基板２０の一端部よりも外側に張り出した張出部１０ａを備えている。張出部１０ａには、駆動ＩＣチップ１０１が実装されており、また複数の外部回路接続端子１０２が形成された端子部が設けられている。
【００１８】
シール材５１は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との対向領域の周縁部に沿って設けられている。液晶注入口５１ａは、シール材５１の４つの辺のうち張出部１０ａに面する辺に設けられている。封止剤５２は、対向基板２０の端面に沿って、張出部１０ａの液晶注入口５１ａ近傍の位置に塗布されている。シール材５１と封止剤５２とが液晶層５０の周囲を囲み、液晶層５０をＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に封止している。
【００１９】
シール材５１に囲まれた領域の中央部には、複数の画素ＰＸがマトリクス状に配置されてなる矩形の画素領域１Ａが設けられている。画素領域１Ａとシール材５１との間の矩形枠状の領域は、画素が形成されていない周辺領域（外縁領域）１Ｂである。シール材５１の外側における対向基板２０の角部には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための銀点などを有する基板間導通部１０６が設けられている。
【００２０】
画素領域１Ａとシール材５１との間に、液晶層５０の内部に電界を発生させて液晶層５０中のイオン性不純物をトラップするイオントラップ部６０が設けられている。イオントラップ部６０は、図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａ上に形成された第１電極６１と第２電極６２とを備えている。イオントラップ部６０では、第１電極６１と第２電極６２との間に発生する液晶層厚方向と概ね直交する方向の電界によって液晶層５０中のイオン性不純物をトラップする。
【００２１】
イオントラップ部６０は、画素領域１Ａを取り囲んで配置されている。図１では、画素領域１Ａから周辺領域１Ｂに向かって拡散するイオン性不純物と、シール材５１から溶出し、画素領域１Ａに向けて侵入するイオン性不純物を漏れなくトラップするために、イオントラップ部６０は、全体として、画素領域１Ａの外周に沿って閉じた枠状に形成されている。
【００２２】
第１電極６１は、櫛歯状の電極であり、画素領域１Ａの外周に沿って矩形枠状に形成された幹電極６１ｂと、幹電極６１ｂから分岐され所定方向に延在する枝電極６１ａとを有する。幹電極６１ｂの一部は引き出し線６３としてシール材５１の外側まで延びており、駆動ＩＣチップ１０１に接続されている。
第２電極６２も櫛歯状の電極であり、画素領域１Ａの外周に沿って矩形枠状に形成された幹電極６２ｂと、幹電極６２ｂから分岐され所定方向に延在する枝電極６２ａとを有する。幹電極６２ｂの一部は引き出し線６４としてシール材５１の外側まで延びており、駆動ＩＣチップ１０１に接続されている。
【００２３】
第１電極６１と第２電極６２は、互いの枝電極６１ａ、６２ａ同士を噛み合わせるようにして配置されている。本実施形態の場合、第１電極６１の枝電極６１ａと、第２電極６２の枝電極６２ａは、互いに平行に形成されるとともに、イオントラップ部６０の延在方向（周辺領域１Ｂの延在方向）において交互に配置されている。枝電極６１ａ、６２ａは、図１において左上４５°方向に延びている。
【００２４】
ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラスや石英などの透明基板あるいはシリコンなどの不透明基板からなる基板本体１０Ａ上に、画素電極１３を駆動する図示略の駆動素子や電極を形成した素子基板である。図２に示すように、基板本体１０Ａ上には、上記の駆動素子と接続された配線１１等が形成されており、駆動素子や配線１１等を覆う絶縁膜１２が形成されている。絶縁膜１２上には、第１電極６１と、第２電極６２と、複数の画素電極１３とが形成されている。第１電極６１、第２電極６２、及び画素電極１３を覆って配向膜１４が形成されている。画素電極１３は、液晶装置１００を透過型の液晶装置として構成する場合には、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料を用いて形成され、反射型液晶装置として構成する場合には、例えばアルミニウム等の光反射性の金属を用いて形成される。配向膜１４は、ポリイミド等の有機配向膜、あるいはシリコン酸化膜等の無機配向膜からなる。
【００２５】
対向基板２０は、ガラスや石英などの透明基材上にブラックマトリクス（画素ＰＸを平面的に区画する遮光膜）や周辺見切り（画素領域１Ａの周囲を縁取る遮光膜）を形成してなる基板本体２０Ａを備えている。基板本体２０Ａ上には、少なくとも画素領域１Ａに対応する平面領域を有する共通電極２１と、共通電極２１を覆う配向膜２２とが形成されている。共通電極２１は、例えばＩＴＯ等の透明導電膜からなる。本実施形態の場合、イオントラップ部６０と対向する対向基板２０上の領域には共通電極２１は形成されていない。配向膜２２は、ポリイミド等の有機配向膜、あるいはシリコン酸化膜等の無機配向膜からなる。
【００２６】
液晶層５０は、画素電極１３と共通電極２１との間に発生する液晶層厚方向の電界（縦電界）によって駆動される縦電界方式の液晶層である。縦電界方式としては、ＶＡ（Vertical Alignment）方式が代表的であるが、ＯＣＢ（Optically Compensated Birefringence）方式やＴＮ（Twisted Nematic）方式などの他の方式でもよい。
【００２７】
なお、本実施形態では、共通電極２１が対向基板２０側に設けられた縦電界方式で液晶層５０を駆動しているが、共通電極２１として機能する電極をＴＦＴアレイ基板１０側に設け、この電極と画素電極１３との間に発生する基板面方向の電界（横電界；液晶層の厚さ方向と概ね直交する方向の電界）によって液晶層５０を駆動してもよい。このような駆動方式は、横電界方式と呼ばれる。横電界方式としては、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式やＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式が代表的であるが、ＦＦＳ方式は焼きつきが発生し易いため、ＩＰＳ方式などのＦＦＳ方式以外の駆動方式が好ましい。
【００２８】
液晶装置１００では、画像表示前、画像表示中、または画像表示後に、第１電極６１と第２電極６２との間に電圧を印加し、第１電極６１と第２電極６２との間に発生した電界を液晶層５０に作用させて液晶層５０中のイオン性不純物をトラップする。これにより、画素領域１Ａで発生したイオン性不純物やシール材５１や封止剤５２から溶出したイオン性不純物を周辺領域１Ｂに固定することができる。その結果、イオン性不純物が画素領域１Ａ内の配向膜１４等に吸着することによって生じる焼きつきなどの表示不良が少ない液晶装置とすることができる。
【００２９】
第１電極６１及び第２電極６２に印加する電圧は、トラップするイオン性不純物の極性に応じて設定すればよい。例えば、第１電極６１に−５Ｖ、第２電極６２に０Ｖを印加した場合、イオントラップ部６０には全体として負の直流電圧が印加されるため、液晶層５０中の正電荷を有するイオン性不純物を効果的にトラップすることができる。一方、第１電極６１に＋５Ｖ、第２電極６２に０Ｖを印加すれば、イオントラップ部６０に正の直流電圧が印加されるため、負電荷を有するイオン性不純物を効果的にトラップすることができる。
【００３０】
ここで、図３は、本実施形態の液晶装置の作用説明図である。図３には、図１に示す部位Ａを拡大した平面図が示されている。
本実施形態の場合、第１電極６１の枝電極６１ａ及び第２電極６２の枝電極６２ａは、いずれもＴＦＴアレイ基板１０の外形辺に対して斜め方向に延在している。より詳しくは、枝電極６１ａ、６２ａは、図３のＸ軸方向（ＴＦＴアレイ基板１０の長辺延在方向）に対して、Ｘ軸から反時計回りに１３５°の角度を成す方向に延びている。
【００３１】
ここで、シール材５１から液晶層５０に溶出するイオン性不純物ｐ１は、その濃度差によってシール材５１の近傍から画素領域１Ａ側へ拡散する。矩形状のＴＦＴアレイ基板１０では、シール材５１は外形辺に沿ってほぼ矩形枠状に形成されるのが一般的であるため、シール材５１から溶出したイオン性不純物ｐ１は、図３に示すように、溶出位置から画素領域１Ａに向かって、溶出位置近傍の外形辺に対して直交する方向に移動する。
【００３２】
一方、本実施形態のような横電界方式のイオントラップ部６０では、枝電極６１ａ、６２ａ間の電位差によって形成される電界Ｅによりイオン性不純物ｐ１を枝電極６１ａ、６２ａに吸着させる。このとき、枝電極６１ａ、６２ａ間の等電位線ｅｑは、図３に示すように、枝電極６１ａ、６２ａと平行に形成される。ここで、イオン性不純物ｐ１が等電位線ｅｑに沿って移動している場合、等電位線ｅｑに沿った方向では電位差が生じないため、イオン性不純物ｐ１を枝電極６１ａ、６２ａに対して引き寄せにくく、イオントラップ部６０を通過してしまいやすい。
【００３３】
つまり、枝電極６１ａ、６２ａの延在方向がＴＦＴアレイ基板１０の外形辺と平行である場合（Ｘ軸方向又はＹ軸方向に平行である場合）には、シール材５１から溶出したイオン性不純物ｐ１がイオントラップ部６０を通過して画素領域１Ａにまで拡散しやすくなる。その結果、配向膜１４、２２等にイオン性不純物ｐ１が付着することによる不具合が発生しやすくなる。
【００３４】
これに対して、本実施形態のように枝電極６１ａ、６２ａが外形辺に対して斜め方向に延びるように形成されている場合には、ＴＦＴアレイ基板１０の長辺近傍のシール材５１から溶出して短辺に沿った方向（Ｙ軸方向）に移動するイオン性不純物ｐ１に対しても、ＴＦＴアレイ基板１０の短辺近傍のシール材５１から溶出して長辺に沿った方向に移動するイオン性不純物ｐ１に対しても、それらの進行方向に対して枝電極６１ａ、６２ａが斜めに配置される。そうすると、枝電極６１ａ、６２ａ間の電界Ｅが、イオン性不純物ｐ１の進行方向と一致する方向の成分を有することになるため、イオン性不純物ｐ１の軌道を曲げるために用いる力は少なく、枝電極６１ａ、６２ａに引き寄せる力は大きく作用する。その結果、イオン性不純物ｐ１を効率良く枝電極６１ａ、６２ａに吸着させることができる。
【００３５】
なお、本実施形態では、枝電極６１ａ、６２ａの延在方向と、ＴＦＴアレイ基板１０の外形辺に対して１３５°としたが、枝電極６１ａ、６２ａの延在方向はこれに限定されない。具体的に、枝電極６１ａ、６２ａは、それらの形成位置近傍のＴＦＴアレイ基板１０の外形辺に対して直交する方向に延在していなければ、任意の角度で形成することができる。例えば、ＴＦＴアレイ基板１０の長辺（Ｘ軸方向に平行な辺）に沿って延びるイオントラップ部６０においては、枝電極６１ａ、６２ａの角度がＸ軸から反時計回りに９０°とならなければ、任意の角度としてよい。
【００３６】
枝電極６１ａ、６２ａは、上記の条件を満たすように、部位により延在方向を異ならせて形成してもよい。例えば、ＴＦＴアレイ基板１０の長辺に沿った部位においてＸ軸から反時計回りに１２０°となるように形成し、短辺に沿った部位においてＸ軸から反時計回りに３０°となるように形成してもよい。
一方、液晶装置１００全体で枝電極６１ａ、６２ａを一方向に形成する場合には、ＴＦＴアレイ基板１０の長辺及び短辺の両方に対して比較的大きな角度を成すように形成することが好ましい。したがって、本実施形態のようにＸ軸から反時計回りに１３５°とすることが最も望ましく、少なくとも１３５°±１５°程度の範囲とすることが好ましい。
【００３７】
また本実施形態の液晶装置１００では、イオントラップ部６０は、画素領域１Ａで発生するイオン性不純物ｐ２についても効率良くトラップすることができる。
具体的に、液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０の配向膜１４表面における液晶分子の配向方向Ｄが、図３に示すように、Ｘ軸に対して４５°の角度を成す方向に設定されている。画素領域１Ａで発生するイオン性不純物ｐ２は、配向方向Ｄに沿って移動しやすく、概ね配向方向Ｄに沿った方向に位置する画素領域１Ａの角部に堆積しやすい（例えば特開平４−８６８１２号公報参照）。よって、本実施形態の液晶装置１００においても、画素領域１Ａで発生するイオン性不純物ｐ２は、配向方向Ｄに沿って画素領域１Ａ内を移動し、周辺領域１Ｂへ拡散する。
【００３８】
これに対して、枝電極６１ａ、６２ａの延在方向は、図３に示すように、イオン性不純物ｐ２の進行方向（４５°方向）に対して直交する方向（１３５°方向）である。したがって本実施形態では、枝電極６１ａ、６２ａ間に形成される電界Ｅの方向と、イオン性不純物ｐ２の進行方向とが一致する。これにより、イオン性不純物ｐ２を枝電極６１ａ、６２ａに引き寄せる力が作用する方向と、イオン性不純物ｐ２の進行方向とが一致するため、イオントラップ部６０上に達したイオン性不純物ｐ２は進行方向を変化させることなく円滑に枝電極６１ａ、６２ａに吸着される。
【００３９】
なお、上記のイオン性不純物ｐ２の吸着を円滑にする作用は、配向方向Ｄと枝電極６１ａ、６２ａの延在方向が直交しているときに最も大きくなり、配向方向Ｄと枝電極６１ａ、６２ａとが平行に近くなるほど、上記した作用が得られにくくなる。したがって、配向方向Ｄと枝電極６１ａ、６２ａ延在方向との角度は、少なくとも両者が交差していれば９０°からずれていてもよいが、少なくとも９０°±４５°の範囲とすることが好ましく、９０°±１５°の範囲とすることがより好ましい。
【００４０】
また、上述したように、画素領域１Ａで発生するイオン性不純物ｐ２は、一定の領域に堆積しやすい。そこで、イオン性不純物ｐ２が堆積しやすい画素領域１Ａの角部（例えば図３に示した角部）において、イオントラップ部６０の枝電極６１ａ、６２ａの間隔Ｗを、他の部位における間隔Ｗよりも狭くしてもよい。枝電極６１ａ、６２ａの間隔Ｗを狭くすることで電界Ｅの強度を高めることができ、より確実にイオン性不純物ｐ２をトラップ状態で保持することができる。これにより、イオントラップ部６０においてイオン性不純物ｐ２の濃度が高まった場合にも、画素領域１Ａに拡散しにくくすることができ、画素領域１Ａにシミやムラなどの不具合が生じるのを抑制することができる。
【００４１】
（電子機器）
次に、上記実施形態の液晶装置を適用した電子機器について説明する。
図４は、電子機器の一実施の形態であるプロジェクターを示す図である。
【００４２】
図４（ａ）は、透過型ライトバルブを用いたプロジェクターを示す図である。
プロジェクター１１０は、観察者の前方に配置されたスクリーン１１１に光を照射し、スクリーン１１１に映像を投影する投射型表示装置である。
プロジェクター１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（液晶装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー光学系１２０とを備えている。
【００４３】
光源１１２は、赤色光、緑色光、及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させる一方、緑色光及び青色光を反射する。ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち、青色光のみを透過させ、緑色光は反射する。すなわち、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から射出された光を赤色光、緑色光、青色光に分離する色分離光学系を構成している。
【００４４】
ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、光源から射出された光を均一化するインテグレーターレンズ１２１と、光源からの光を特定の直線偏光（例えばｓ偏光）に変換する偏光変換素子１２２と、が光源１１２側から順に配置されている。
【００４５】
液晶ライトバルブ１１５〜１１７には、透過型の液晶装置として構成した先の実施形態の液晶装置１００が用いられている。液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調し、クロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ、及び第２偏光板１１５ｄを備えている。λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、透過光への位相差をほとんど付与しない透明なガラス板１１５ｅに接着されている。これにより、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂの発熱による歪みを抑制することができる。
【００４６】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１４で反射された緑色光を変調し、クロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する。液晶ライトバルブ１１６は、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１４を透過した後、リレー光学系１２０を経由して入射する青色光を変調し、クロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する。液晶ライトバルブ１１７は、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ、及び第２偏光板１１７ｄを備えている。リレー光学系１２０は、ダイクロイックミラー１１４側（光入射側）から順に配列された、リレーレンズ１２４ａ、反射ミラー１２５ａ、リレーレンズ１２４ｂ、及び反射ミラー１２５ｂを備えている。反射ミラー１２５ｂで反射された青色光が液晶ライトバルブ１１７に向けて射出される。
【００４７】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ形に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射する一方、緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射する一方、緑色光を透過する膜である。クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する赤色光、緑色光、青色光を合成し、投射光学系１１８へ向けて射出する。投射光学系１１８は、入射した光をスクリーン１１１に投射する。
【００４８】
次に、図４（ｂ）は、反射型ライトバルブを用いたプロジェクターを示す図である。
プロジェクター１０００は、光源部８９０と、３つの反射型の液晶ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ（液晶装置１００）とを備えている。
【００４９】
光源部８９０は、偏光照明装置８００と、偏光ビームスプリッター８４０と、ダイクロイックミラー８４２、８４３と、を備えている。偏光照明装置８００は、システム光軸Ｌに沿って配置された光源８１０と、光源から射出された光を均一化するインテグレーターレンズ８２０と、光源からの光を特定の直線偏光（例えばｓ偏光）に変換する偏光変換素子８３０と、を有する。
【００５０】
偏光ビームスプリッター８４０は、偏光照明装置８００から射出されたｓ偏光をｓ偏光反射面８４１で反射させ、ダイクロイックミラー８４２に向けて射出する。ダイクロイックミラー８４２は、入射する光に含まれる青色光成分を選択的に反射させ、液晶ライトバルブ１００Ｂへ向けて射出する。ダイクロイックミラー８４２を透過した光（赤色光、緑色光）は、ダイクロイックミラー８４３へ向けて射出される。ダイクロイックミラー８４３は、入射する光に含まれる赤色光成分を選択的に反射させ、液晶ライトバルブ１００Ｒへ向けて射出する。ダイクロイックミラー８４３を透過した光（緑色光成分）は液晶ライトバルブ１００Ｇに向けて射出される。このように、光源部８９０は、３つの液晶ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対して、所定の色光を供給する。
【００５１】
液晶ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、入射した光を画像信号に基づいて変調するとともに反射させ、光源部８９０に向けて射出する。光源部８９０は、液晶ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂから入射する変調された赤色光、緑色光、青色光を合成し、投射光学系８５０に向けて射出する。投射光学系８５０は、入射した光をスクリーン８６０に投射する。
【００５２】
なお、図４に示したプロジェクター１１０、１０００において、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）光源を用いた光源部を備えた構成としてもよい。ＬＥＤ光源は、白色光を射出するものでも、赤、緑、青の各色の光を射出するものでもよい。
また、先の実施形態の液晶装置１００は、上記したプロジェクターに限られず、種々の電子機器に用いることができる。例えば、携帯電話、情報端末、デジタルカメラ、液晶テレビ、ナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末等に用いることができる。またこれらの電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１Ａ…画素領域、１Ｂ…周辺領域（外縁領域）、Ｄ…配向方向、Ｗ…間隔、１０…ＴＦＴアレイ基板（第１基板）、２０…対向基板（第２基板）、５０…液晶層（電気光学物質層）、６０…イオントラップ部、６１…第１電極、６１ａ，６２ａ…枝電極、６２…第２電極、ＰＸ…画素、１００…液晶装置（電気光学装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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