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【手続補正書】
【提出日】平成26年9月25日(2014.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部から入射する放射線を検出する放射線検出器と、
前記放射線検出器から入力される検出信号に基づいて、被写体における放射線源の分布を測定する測定処理手段と、
前記被写体を撮像する光学カメラと、
前記測定処理手段によって測定される放射線源の分布と、前記光学カメラから入力される光学画像と、を重ね合わせて合成画像を生成する合成画像生成手段と、
前記放射線検出器及び前記光学カメラを、自動又は手動で回動させることによって、放射線の測定対象となる領域を変更する回動手段と、
前記合成画像生成手段によって生成される複数の前記合成画像を、前記回動手段の回動角度と対応付けて表示装置に表示させる表示制御手段と、を備えること
を特徴とする放射線測定装置。
【請求項２】
放射線を遮蔽するとともに内部に空間を有する遮蔽体と、
放射線を前記遮蔽体の内部の空間に入射させる入射孔と、を備え、
前記放射線検出器は、前記遮蔽体の内部に設置され、前記入射孔を介して入射する放射線を検出すること
を特徴とする請求項１に記載の放射線測定装置。
【請求項３】
前記測定処理手段は、
外部から入射する放射線の量を、空間線量率として算出すること
を特徴する請求項１又は請求項２に記載の放射線測定装置。
【請求項４】
前記測定処理手段は、
入力手段を介した操作によって特定される画面上の領域において、当該領域から入射される放射線の前記空間線量率に対する寄与を算出し、
前記表示制御手段は、
前記測定処理手段によって算出される前記寄与を前記表示装置に表示させること
を特徴とする請求項３に記載の放射線測定装置。
【請求項５】
全地球測位システムによって放射線の測定位置を特定するための信号を受信する受信機と、
前記放射線検出器が向いている方位を検出する方位検出手段と、を備え、
前記測定処理手段は、
前記受信機によって受信される前記信号に基づいて前記放射線検出器の設置位置を特定する位置情報を生成するとともに、前記方位検出手段から入力される方位情報を受け付け、前記位置情報及び前記方位情報を、前記設置位置における空間線量率と対応付けて記憶手段に格納すること
を特徴とする請求項３に記載の放射線測定装置。
【請求項６】
前記回動手段は、前記放射線検出器及び前記光学カメラを左右方向に回動させること
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の放射線測定装置。
【請求項７】
前記回動手段は、予め設定される回動角度を１ステップとして回動され、
前記測定処理手段は、前記回動手段が１ステップ回動する度に放射線源の分布を測定し、
前記光学カメラは、前記回動手段が１ステップ回動する度に被写体を撮像すること
を特徴とする請求項６に記載の放射線測定装置。
【請求項８】
前記放射線検出器は、複数の半導体素子によって放射線を検出する半導体放射線検出器であること
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の放射線測定装置。
【請求項９】
前記測定処理手段は、ピンホール光学系に基づいて放射線の入射方向を求めること
を特徴とする請求項２に記載の放射線測定装置。
【請求項１０】
前記測定処理手段は、外部から入射する放射線のエネルギを算出して、前記放射線源の分布を測定すること
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の放射線測定装置。
【請求項１１】
放射線検出器を用いて、外部から入射する放射線を検出する放射線検出処理と、
前記放射線検出器から入力される検出信号に基づいて、被写体における放射線源の分布を測定する測定処理と、
光学カメラによって前記被写体を撮像する撮像処理と、
前記測定処理によって測定される放射線の分布と、前記撮像処理によって取得される光学画像と、を重ね合わせて合成画像を生成する合成画像生成処理と、
前記放射線検出器及び前記光学カメラを、自動又は手動で回動させることによって、放射線の測定対象となる領域を変更する回動処理と、
前記合成画像生成処理によって生成される複数の前記合成画像を、前記回動処理における回動角度と対応付けて表示装置に表示させる表示制御処理と、を含むこと
を特徴とする放射線測定方法。
【請求項１２】
前記放射線検出器は、放射線を遮蔽する遮蔽体の内部に設置され、
前記放射線検出処理において、入射孔を介して前記遮蔽体の内部に入射する放射線が検出されること
を特徴とする請求項１１に記載の放射線測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記課題を解決するために、本発明は、放射線検出器及び光学カメラを自動又は手動で回動させることによって放射線の測定対象となる領域を変更する回動手段を備え、合成画像生成手段によって生成される複数の合成画像を、前記回動手段の回動角度と対応付けて表示装置に表示させることを特徴とする。
なお、詳細については、発明を実施するための形態において説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月21日(2014.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、
シリコンと酸素を含む絶縁層と、
前記酸化物半導体層と前記絶縁層の間に金属酸化物層と、を有し、
前記金属酸化物層は、前記酸化物半導体層と、前記絶縁層に接し、
前記酸化物半導体層は、酸素と一または複数の金属元素を含み、
前記金属元素は、インジウムを含み、
前記金属酸化物層は、前記酸化物半導体層が含む前記金属元素のうち少なくとも一つを含み、
前記チャネル形成領域は、前記シリコンに接しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
チャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、
シリコンと酸素を含む絶縁層と、
前記酸化物半導体層と前記絶縁層の間に金属酸化物層と、を有し、
前記金属酸化物層は、前記酸化物半導体層と、前記絶縁層に接し、
前記酸化物半導体層は、酸素と複数の金属元素を含み、
前記金属元素は、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含み、
前記金属酸化物層は、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含み、
前記チャネル形成領域は、前記シリコンに接しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
チャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、
シリコンと酸素を含む絶縁層と、
前記酸化物半導体層と前記絶縁層の間に金属酸化物層と、を有し、
前記金属酸化物層は、前記酸化物半導体層と、前記絶縁層に接し、
前記酸化物半導体層は、酸素と一または複数の金属元素を含み、
前記金属元素は、インジウムを含み、
前記金属酸化物層は、前記酸化物半導体層が含む前記金属元素のうち少なくとも一つを含み、
前記金属酸化物層は、前記チャネル形成領域中のインジウムと結合すべき酸素の欠損を低減する機能を有し、
前記チャネル形成領域は、前記シリコンに接しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
チャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、
シリコンと酸素を含む絶縁層と、
前記酸化物半導体層と前記絶縁層の間に金属酸化物層と、を有し、
前記金属酸化物層は、前記酸化物半導体層と、前記絶縁層に接し、
前記酸化物半導体層は、酸素と複数の金属元素を含み、
前記金属元素は、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含み、
前記金属酸化物層は、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含み、
前記金属酸化物層は、前記チャネル形成領域中のインジウムと結合すべき酸素の欠損を低減する機能を有し、
前記チャネル形成領域は、前記シリコンに接しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
チャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、
シリコンと酸素を含む絶縁層と、
前記酸化物半導体層と前記絶縁層の間に金属酸化物層と、を有し、
前記金属酸化物層は、前記酸化物半導体層と、前記絶縁層に接し、
前記酸化物半導体層は、酸素と一または複数の金属元素を含み、
前記金属元素は、インジウムを含み、
前記金属酸化物層は、前記酸化物半導体層が含む前記金属元素のうち少なくとも一つを含み、
前記金属酸化物層は、前記チャネル形成領域中のインジウムと結合すべき酸素の欠損を抑制する機能を有し、
前記チャネル形成領域は、前記シリコンに接しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
チャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、
シリコンと酸素を含む絶縁層と、
前記酸化物半導体層と前記絶縁層の間に金属酸化物層と、を有し、
前記金属酸化物層は、前記酸化物半導体層と、前記絶縁層に接し、
前記酸化物半導体層は、酸素と複数の金属元素を含み、
前記金属元素は、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含み、
前記金属酸化物層は、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含み、
前記金属酸化物層は、前記チャネル形成領域中のインジウムと結合すべき酸素の欠損を抑制する機能を有し、
前記チャネル形成領域は、前記シリコンに接しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の少なくとも一部は、前記酸化物半導体層の化学量論比を満たす酸素より多い酸素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の少なくとも一部は、前記酸化物半導体層に発生しうる酸素欠損を補填してもあまりある過剰の酸素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記金属酸化物層の少なくとも一部は、前記金属酸化物層の化学量論比を満たす酸素より多い酸素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記金属酸化物層の少なくとも一部は、前記酸化物半導体層に発生しうる酸素欠損を補填してもあまりある過剰の酸素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記金属酸化物層は、シリコンを含まないことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月10日(2014.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に、化学量論比の１倍より大きく４倍未満の酸素を含む領域を有するゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極層と重畳する領域に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に熱処理を行って、前記酸化物半導体膜中の水素を低減し、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体膜、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に前記酸化物半導体膜に接して第１の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記ゲート絶縁膜として、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を含む絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記第１の絶縁膜として、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を含む絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記ゲート絶縁膜として、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を含む絶縁膜と、当該絶縁膜の構成元素とは異なる元素を含む膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記第１の絶縁膜として、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を含む絶縁膜と、当該絶縁膜の構成元素とは異なる元素を含む膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記ゲート絶縁膜として、酸化ガリウムを含む絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記第１の絶縁膜として、酸化ガリウムを含む絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記第１の絶縁膜を覆うように、窒素を含有する第２の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月10日(2014.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第１の金属酸化物膜を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記第１の金属酸化物膜を介して、前記ゲート電極層と重畳する領域に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に熱処理を行って、前記酸化物半導体膜中の水素を低減し、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体膜と、前記ソース電極層と前記ドレイン電極層との上方に前記酸化物半導体膜に接する領域を有する第２の金属酸化物膜を形成し、
前記第２の金属酸化物膜上に、化学量論比の１倍より大きく４倍未満の酸素を含有する第２の絶縁膜を形成した後、熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第１の金属酸化物膜または前記第２の金属酸化物膜として、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を含む膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記第１の絶縁膜として、前記第１の金属酸化物膜の構成元素とは異なる元素を含む膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記第２の絶縁膜として、前記第２の金属酸化物膜の構成元素とは異なる元素を含む膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記第１の金属酸化物膜または前記第２の金属酸化物膜として、酸化ガリウムを含む膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第２の絶縁膜を覆うように、窒素を含有する第３の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月26日(2014.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、前記第１の絶縁膜に酸素原子を供給し、
前記第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに前記ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に熱処理を行い、
前記酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上の前記酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に酸素原子を含む第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、前記第１の絶縁膜に酸素原子を供給し、
前記第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに前記ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に熱処理を行い、
前記酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、前記酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、
前記酸化物半導体膜上に、酸素原子を含む第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上の前記酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に酸素原子を含む第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、前記第１の絶縁膜に酸素原子を供給し、
前記第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに前記ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に熱処理を行い、
前記酸化物半導体膜上に、酸素原子を含む第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、前記第２の絶縁膜に酸素原子を供給し、
前記第２の絶縁膜上の前記酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項４】
化学量論比の１倍より大きく２倍未満の比率の酸素原子が前記酸化物半導体膜に含まれるように、前記酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行う請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項５】
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の少なくとも一方を、前記酸化物半導体膜の成分元素を含む絶縁膜で形成する、請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項６】
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の少なくとも一方を、前記酸化物半導体膜側から、前記酸化物半導体膜の成分元素を含む絶縁膜と、前記酸化物半導体膜の成分元素とは異なる元素を含む絶縁膜と、で形成する請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項７】
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の少なくとも一方を、酸化ガリウムを含む絶縁膜を形成する請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項８】
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の少なくとも一方を、前記酸化物半導体膜側から、酸化ガリウムを含む絶縁膜と、酸化ガリウムとは異なる材料を含む膜と、で形成する請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項９】
前記ゲート電極を覆うように、窒素を含有する絶縁膜を形成する請求項１乃至８のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月10日(2014.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極層と重畳する領域に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に熱処理を行って、前記酸化物半導体膜中の水素を低減し、
前記水素が低減された酸化物半導体膜に、酸素を供給して、化学量論比の１倍より大きく２倍未満の酸素を含む領域を形成し、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体膜と、前記ソース電極層と、前記ドレイン電極層との上方に、前記酸化物半導体膜に接する領域を有する第１の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に、化学量論比の１倍より大きく４倍未満の酸素を含む領域を有するゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極層と重畳する領域に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に熱処理を行って、前記酸化物半導体膜中の水素を低減し、
前記水素が低減された酸化物半導体膜に、酸素を供給して、化学量論比の１倍より大きく２倍未満の酸素を含む領域を形成し、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体膜と、前記ソース電極層と、前記ドレイン電極層との上方に、前記酸化物半導体膜に接する領域を有し、かつ化学量論比の１倍より大きく４倍未満の酸素を含む領域を有する第１の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記ゲート絶縁膜として、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を含む絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記第１の絶縁膜として、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を含む絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記ゲート絶縁膜として、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を含む絶縁膜と、当該絶縁膜の構成元素とは異なる元素を含む膜とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第１の絶縁膜として、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を含む絶縁膜と、当該絶縁膜の構成元素とは異なる元素を含む膜とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記ゲート絶縁膜として、酸化ガリウムを含む絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記第１の絶縁膜として、酸化ガリウムを含む絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記第１の絶縁膜を覆うように、窒素を含有する第２の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月26日(2014.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに、前記ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に熱処理を行い、
前記酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、前記第２の絶縁膜中に酸素原子を供給し、
前記第２の絶縁膜上の前記酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸素原子を含む第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに、前記ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜に熱処理を行い、
前記酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、前記酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、
前記酸化物半導体膜上に、酸素原子を含む第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、前記第２の絶縁膜中に酸素原子を供給し、
前記第２の絶縁膜上の前記酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
化学量論比の１倍より大きく２倍未満の比率の酸素原子が前記酸化物半導体膜に含まれるように、前記酸化物半導体膜および前記第２の絶縁膜に酸素ドープ処理を行う請求項２に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項４】
化学量論比の１倍より大きく２倍未満の比率の酸素原子が前記第２の絶縁膜に含まれるように、前記第２の絶縁膜に酸素ドープ処理を行う請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項５】
前記第１の絶縁膜または前記第２の絶縁膜として、前記酸化物半導体膜の構成元素を含む絶縁膜を形成する請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項６】
前記第１の絶縁膜または前記第２の絶縁膜として、前記酸化物半導体膜の構成元素を含み、当該酸化物半導体膜に接して形成された第３の絶縁膜と、当該絶縁膜の構成元素とは異なる元素を含む第４の絶縁膜との積層膜を形成し、
前記第３の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と前記第４の絶縁膜によって挟まれるように設けられる請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項７】
前記第１の絶縁膜または前記第２の絶縁膜として、酸化ガリウムを含む絶縁膜を形成する請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項８】
前記第１の絶縁膜または前記第２の絶縁膜として、酸化ガリウムを含み、当該酸化物半導体膜に接して形成された第３の絶縁膜と、酸化ガリウムとは異なる材料を含む第４の絶縁膜との積層膜を形成し、
前記第３の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と前記第４の絶縁膜によって挟まれるように設けられる請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項９】
前記ゲート電極を覆うように、窒素を含有する絶縁膜を形成する請求項１乃至８のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月14日(2014.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体層を有する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタ上の絶縁膜と、
前記前記絶縁膜上で、第１の酸化物半導体層を有する第２のトランジスタと、
第２の半導体層と、前記第２の半導体層上の第２の酸化物半導体層と、を有するダイオードと、を有し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は、同じ絶縁表面上に設けられており、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層は、同じ酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記前記第２の半導体層と前記第２の酸化物半導体層とは、積層されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記ダイオードは、前記第２の半導体層と前記第２の酸化物半導体層との間に、真性半導体層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１のトランジスタはｐチャネル型のトランジスタであり、
前記第２のトランジスタはｎチャネル型のトランジスタであり、
前記第２の半導体層は、ｐ型の半導体層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２のトランジスタは、ボトムゲート型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は、結晶質半導体又は単結晶半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層は、インジウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
半導体膜を加工して、第１の半導体層及び第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に第１のゲート絶縁膜を形成し、
前記第１のゲート絶縁膜上に第１のゲート電極を形成して、前記第１の半導体層と、前記第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート電極とを有する第１のトランジスタを形成し、
前記前記第１のトランジスタ及び前記第２の半導体層を覆う領域を有する絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の一部を除去して、前記第２の半導体層上に開口を形成し、
前記前記第２の半導体層上に接する領域を有する、真性半導体層を形成し、
前記絶縁膜上に第２のゲート電極を形成し、
前記第２のゲート電極上に第２のゲート絶縁膜を形成し、
前記第２のゲート絶縁膜上及び前記真性半導体層上に、酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜を加工して、前記第２のゲート絶縁膜上に第１の酸化物半導体層を形成し、前記真性半導体層上に第２の酸化物半導体層を形成して、前記第２のゲート電極と、前記第２のゲート絶縁膜と、前記第１の酸化物半導体層とを有する第２のトランジスタを形成し、前記第２の半導体層と、前記真性半導体層と、第２の酸化物半導体層とを有するダイオードを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第１のトランジスタはｐチャネル型のトランジスタであり、
前記第２のトランジスタはｎチャネル型のトランジスタであり、
前記第２の半導体層は、ｐ型の半導体層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０において、
前記前記第２の半導体層、前記真性半導体層、及び前記第２の酸化物半導体層は、積層されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一において、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は、結晶質半導体又は単結晶半導体を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のいずれか一において、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項９乃至１３のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層は、インジウムを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月11日(2014.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の電極を形成する第１の工程と、
前記第１の電極上に一導電型を有する第１の不純物半導体層を形成する第２の工程と、
前記第１の不純物半導体層上に真性半導体層を形成する第３の工程と、
前記真性半導体層上に前記第１の不純物半導体層とは逆の導電型を有する第２の不純物半導体層を形成する第４の工程と、
構造欠陥を検出する手段を用いて、前記第１の不純物半導体層、前記真性半導体層、又は前記第２の不純物半導体層に存在する構造欠陥の位置を特定する第５の工程と、
位置を特定した前記構造欠陥に液状の絶縁樹脂を充填するとともに、前記構造欠陥を前記液状の絶縁樹脂で覆う第６の工程と、
前記液状の絶縁樹脂を硬化する第７の工程と、
前記第２の不純物半導体層上及び硬化した絶縁樹脂上に第２の電極を形成する第８の工程と、を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第５の工程と、前記第６の工程と、前記第７の工程とは、前記基板上において並行して行われることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記構造欠陥は、ピンホールまたは傷であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記構造欠陥を検出する手段には、画像解析方法、またはレーザ光の反射光を解析する方法を用いることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、硬化した絶縁樹脂の径または短軸径は、１ｍｍ以下であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月14日(2014.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する第１の基板と、
前記第１の基板上の光電変換素子と、
前記光電変換素子上の接着層と、
前記接着層上のコンバータ回路と、
前記コンバータ回路上の透光性を有する第２の基板と、を有し、
前記コンバータ回路は、前記光電変換素子の出力を昇圧又は降圧し、
前記コンバータは、前記第２の基板に接し、
前記光電変換素子と前記コンバータ回路とは、前記接着層を介して重畳し、
前記コンバータ回路は、チャネル形成領域が酸化物半導体であるトランジスタを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
透光性を有する第１の基板と、
前記第１の基板上の光電変換素子と、
前記光電変換素子上の接着層と、
前記接着層上のコンバータ回路と、
前記コンバータ回路上の透光性を有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間において、前記光電変換素子、前記接着層及び前記コンバータ回路の側面を覆う配線と、を有し、
前記コンバータ回路は、前記光電変換素子の出力を昇圧又は降圧し、
前記配線は、前記光電変換素子と前記コンバータ回路とを電気的に接続し、
前記コンバータは、前記第２の基板に接し、
前記光電変換素子と前記コンバータ回路とは、前記接着層を介して重畳し、
前記コンバータ回路は、チャネル形成領域が酸化物半導体であるトランジスタを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記光電変換素子は、前記第１の基板、前記第２の基板、及び前記配線により封入されていることを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月11日(2014.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜電池（１０）の製造方法であって、
前記薄膜電池（１０）の積層体を形成するために、基板（１４）の基板表面に複数の層（１６，１８，２０，３６，３８）を連続的に設け、
設けた前記層のうち少なくとも１つの層（１８，２０，３８）の複数の異なる領域（２４，２６，２８；３０，３２，３４；４２，４４，４６）を横方向に相互に分離する製造方法において、
前記複数の異なる領域をレーザビームによって分離することを特徴とする、製造方法。
【請求項２】
前記複数の層のうち１つの層（２０，３８）はカソード層であり、該複数の層のうち１つの層（３８，２０）はアノード層である、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
・第１の層（１８）を前記基板表面上に設けるか、または、該基板表面上に設けられた絶縁層（１６）上に設け、第２の層（２０）を該第１の層（１８）に設けるステップと、
・前記第２の層（２０）の複数の領域（２４，２６，２８）を横方向に相互に分離するか、または、前記第１の層（１８）の複数の領域（３０，３２，３４）を横方向に相互に分離しかつ該第２の層（２０）の複数の領域（２４，２６，２８）を横方向に相互に分離するステップと、
・前記第２の層（２０）に第３の層（３６）を設け、該第３の層（３６）に第４の層（３８）を設けるステップと、
・前記第４の層（３８）の複数の領域（４２，４４，４６）を横方向に相互に分離するか、または、前記第３の層（３６）の複数の領域を横方向に分離しかつ該第４の層（３８）の複数の領域を横方向に相互に分離するステップ
とを有する、請求項１または２記載の製造方法。
【請求項４】
前記カソード層および／または前記アノード層は、前記積層体の埋め込み層（１８，２０，３６）として設け、該カソード層および／または該アノード層と外部とのコンタクトのためにスルーコンタクト（４８）を作製する、請求項２または３記載の製造方法。
【請求項５】
さらに、前記複数の層（１６，１８，２０，３６，３８）を完全または部分的にカバーするカバー層を設ける、請求項１から４までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項６】
前記複数の層のうち少なくとも１つの層の複数の領域（２４，２６，２８；３０，３２，３４；４２，４４，４６）の分離は、該少なくとも１つの層（１８，２０，３８）の分離すべき領域（２４，２４，２８；３０，３２，３４；４２，４４，４６）を相互に電気的に分離する絶縁分離である、請求項１から５までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項７】
前記複数の層（１６，１８，２０，３６，３８）のうち少なくとも１つの層を気相成膜設備で設け、前記複数の層のうち少なくとも１つの層（１８，２０，３８）の複数の領域（１８，２０，３８）の分離も該気相成膜設備で行う、請求項１から６までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項８】
３次元パターニングされた基板表面を設け、該基板表面に前記複数の層（１６，１８，２０，３６，３８）を設ける、請求項１から７までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項９】
設けられた層（１６，１８，２０，３６，３８）のうち少なくとも１つの層をレーザビームによって、少なくとも局所的に除去する、請求項１から８までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項記載の製造方法により製造された薄膜電池（１０）。
【請求項１１】
基板（１２）と、前記基板（１２）の基板表面（１４）上に連続的に設けられた複数の層（１６，１８，２０，３６，３８）を有する薄膜電池（１０）の積層体とを有する薄膜電池（１０）において、
設けられた層（１８，２０，３８）のうち少なくとも１つの層の複数の異なる領域（２４，２４，２８；３０，３２，３４；４２，４４，４６）は、レーザビームによって該少なくとも１つの層（１８，２０，３８）に切り込み（２２，４０）を入れることによって形成された少なくとも１つの分離パターン部（２２，４０）によって相互に横方向に分離されている
ことを特徴とする、薄膜電池（１０）。
【請求項１２】
前記複数の層のうち１つの層（２０，３８）はカソード層であり、該複数の層のうち１つの層（３８，２０）はアノード層である、請求項１１記載の薄膜電池。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月28日(2013.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１入力画像に含まれる対象領域内の画像を補正する補正部を備えた画像処理装置において、
前記補正部は、
前記対象領域内の画像を、前記第１入力画像と同じ又は相違する第２入力画像に含まれる補正用領域内の画像を用いて補正する補正処理部と、
前記対象領域の画像データに基づいて前記第２入力画像から前記補正用領域を抽出する補正用領域抽出部と、を備えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記補正部は、前記第１入力画像に含まれる不要領域を指定し、該不要領域を内包する画像領域を前記対象領域として設定する対象領域設定部を更に備え、
前記補正用領域抽出部は、前記対象領域内の、前記不要領域以外の画像領域である残部領域の画像データを、前記第２入力画像の画像データと対比することにより、前記第２入力画像から前記補正用領域を検出して抽出することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記補正用領域抽出部は、前記残部領域の画像特徴に類似する画像特徴を有する画像領域を前記第２入力画像内から探索し、探索された画像領域を内包する画像領域を前記補正用領域として前記第２入力画像から抽出することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記補正処理部による補正の実行中又は実行後において、前記補正のやり直しが指示された場合、
前記補正用領域抽出部は、既に抽出した補正用領域とは異なる画像領域を新たな補正用領域として前記第２入力画像から抽出し、
前記補正処理部は、新たに抽出された補正用領域内の画像を用いて、前記対象領域内の画像を補正することを特徴とする請求項１〜請求項３の何れかに記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記補正部は、第１補正処理部としての前記補正処理部に加えて、
前記不要領域を縮小するための膨張処理を用いて前記対象領域内の画像を補正する第２補正処理部を、更に備え、
前記不要領域の形状に応じて前記第１及び第２補正処理部を選択的に用いて、前記対象領域内の画像を補正することを特徴とする請求項２〜請求項４の何れかに記載の画像処理装置。
【請求項６】
指定位置の入力を受け、前記指定位置が前記不要領域に内包されるように前記指定位置と前記第１入力画像の画像データに基づき前記不要領域を設定する不要領域設定部を、前記補正部は更に備えることを特徴とする請求項２〜請求項５の何れかに記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記補正処理部は、前記対象領域内の画像に対する補正を複数回に分けて段階的に実行し、段階的な補正の実行によって得られる複数の補正結果画像を、順次又は同時に表示部に出力することを特徴とする請求項１〜請求項６の何れかに記載の画像処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月16日(2014.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自己書換ソフトウェアコードのインテグリティをその実行中に確かめる方法であって、
前記ソフトウェアコードは複数のモジュールを有し、各モジュールは、前記ソフトウェアコードの実行中に少なくとも２つのとり得る状態にあることが可能であり、該とり得る状態は暗号化された状態及び暗号化されていない状態であり、
当該方法は、前記ソフトウェアコードを実行するプロセッサによって実行され、前記プロセッサに、
前記ソフトウェアコードに係るチェックサムと前記ソフトウェアコードとを比較することによって前記ソフトウェアコードのインテグリティを確かめるステップと、
前記複数のモジュールのうちの１つを第１の状態から第２の状態に変えることによって前記ソフトウェアコードを変更するステップと、
前記変更されたソフトウェアコードに係るチェックサムと前記変更されたソフトウェアコードとを比較することによって前記変更されたソフトウェアコードのインテグリティを確かめるステップと
を実行させる方法。
【請求項２】
前記チェックサムはハッシュ値である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記チェックサムは、前記モジュールのインテグリティを確かめる関数に埋め込まれている、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記チェックサムは、ルックアップテーブルに含まれる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記変更されたソフトウェアコードのインテグリティを確かめる関数は、前記ルックアップテーブルに含まれる前記チェックサムにアクセスするために、前記複数のモジュールの夫々の状態を示す状態変数を用いる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
自己書換ソフトウェアコードのインテグリティをその実行中に確かめる装置であって、
前記ソフトウェアコードは複数のモジュールを有し、各モジュールは、前記ソフトウェアコードの実行中に少なくとも２つのとり得る状態にあることが可能であり、該とり得る状態は暗号化された状態及び暗号化されていない状態であり、
前記ソフトウェアコードを実行し、それによって、
前記ソフトウェアコードに係るチェックサムと前記ソフトウェアコードとを比較することによって前記ソフトウェアコードのインテグリティを確かめ、
前記複数のモジュールのうちの１つを第１の状態から第２の状態に変えることによって前記ソフトウェアコードを変更し、
前記変更されたソフトウェアコードに係るチェックサムと前記変更されたソフトウェアコードとを比較することによって前記変更されたソフトウェアコードのインテグリティを確かめる
よう構成されるプロセッサを有する、装置。
【請求項７】
前記チェックサムはハッシュ値である、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記チェックサムは、前記モジュールのインテグリティを確かめる関数に埋め込まれている、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記チェックサムは、ルックアップテーブルに含まれる、請求項６に記載の装置
【請求項１０】
前記変更されたソフトウェアコードのインテグリティを確かめる関数は、前記ルックアップテーブルに含まれる前記チェックサムにアクセスするために、前記複数のモジュールの夫々の状態を示す状態変数を用いる、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
インテグリティが保護された自己書換バイナリを生成する装置であって、
前記バイナリは複数のモジュールを有し、各モジュールは、前記バイナリの実行中に少なくとも２つのとり得る状態にあることができ、該とり得る状態は暗号化された状態及び暗号化されていない状態であり、
プロセッサを有し、該プロセッサは、
バイナリを受け取り、
前記バイナリのとり得る状態を計算し、該バイナリの夫々の状態は前記複数のモジュールの状態の異なる組み合わせに対応し、
前記バイナリのチェックサムを、そのとり得る状態の夫々において生成し、
少なくとも１つのチェックサム照合関数及び前記生成されたチェックサムを前記バイナリに挿入することによって、前記インテグリティが保護されたバイナリを生成する
よう構成され、
各チェックサム関数は、前記バイナリの状態を該バイナリの状態についてのチェックサムと比較することによって、前記インテグリティが保護されたバイナリの各状態のインテグリティを確かめるよう構成される、装置。
【請求項１２】
前記プロセッサは、更に、入れ子式に複数のチェックサム照合関数を挿入し、それにより、実行中に、各チェックサム照合関数のインテグリティが少なくとも１つの他のチェックサム照合関数によって確かめられるようにする、よう構成される、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
自己書換型のインテグリティが保護されたバイナリを記憶しており、プロセッサによって実行される場合に、請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載の方法のステップを実行するコンピュータプログラム。
【請求項１４】
プロセッサによって実行される場合に、
複数のモジュールを有するバイナリのとり得る状態を計算し、各モジュールは前記バイナリの実行中に少なくとも２つのとり得る状態にあることができ、該とり得る状態は暗号化された状態及び暗号化されていない状態であり、前記バイナリの夫々の状態は前記複数のモジュールの状態の異なる組み合わせに対応し、
前記バイナリのチェックサムを、そのとり得る状態の夫々において生成し、
少なくとも１つのチェックサム照合関数及び前記生成されたチェックサムを前記バイナリに挿入することによって、インテグリティが保護されたバイナリを生成し、各チェックサム関数は、前記バイナリの状態を該バイナリの状態についてのチェックサムと比較することによって、前記インテグリティが保護されたバイナリの各状態のインテグリティを確かめるよう構成される
命令を記憶しているコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月14日(2014.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、容量素子と、表示素子と、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、を有し、
前記容量素子の一方の端子は前記第１の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の他方の端子は前記トランジスタのゲートと電気的に接続され、
第１の期間において、
前記トランジスタの第１の端子は前記トランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは前記第２の配線と電気的に接続され、
第２の期間において、
前記トランジスタの第１の端子は前記トランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記トランジスタの第２の端子は前記第３の配線と電気的に接続され、
第３の期間において、
前記トランジスタの第１の端子は前記第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタの第２の端子は前記表示素子と電気的に接続され、
前記第１乃至前記第３の期間において、
前記第１の配線には固定の電位が与えられることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
トランジスタと、容量素子と、表示素子と、第１乃至第５のスイッチと、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、を有し、
前記容量素子の一方の端子は前記第１の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の他方の端子は前記トランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記トランジスタの第１の端子は、前記第１のスイッチを介して前記トランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記トランジスタの第１の端子は、前記第２のスイッチを介して前記第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは、前記第３のスイッチを介して前記第２の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタの第２の端子は、前記第４のスイッチを介して前記第３の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタの第２の端子は、前記第５のスイッチを介して前記表示素子と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第３の配線はビデオ信号が入力される配線であることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２の配線には固定の電位が与えられることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月20日(2013.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と対向電極とを有する画素部を有し、
動画を表示する動画表示モードと、静止画を表示する静止画表示モードとを有し、
前記動画表示モードでは、各フレーム期間において前記画素電極に画像信号が供給され、前記共通電極へ共通電位が供給され、
前記静止画表示モードでは、最初のフレーム期間では前記画素電極に画像信号が供給され、前記共通電極へ共通電位が供給され、残りのフレーム期間では前記画素電極及び前記共通電極は浮遊状態となることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記画素部を駆動する駆動回路を有し、
前記動画表示モードでは、前記駆動回路に画像信号及び制御信号が供給され、
前記静止画表示モードにおいて、前記画素電極及び前記共通電極が浮遊状態となっている場合は、前記駆動回路に画像信号及び制御信号が供給されないことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記静止画表示モードでの書き込み回数は、前記動画表示モードでの書き込み回数よりも少ないことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において
前記画素部は、前記画素電極と電気的に接続されたトランジスタを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体をチャネルとして有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月23日(2013.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半透過型の液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一画素に透過画素部と反射画素部とを有し、
前記透過画素部は、
第１端子が第１の配線に電気的に接続され、ゲートが第２の配線に電気的に接続された第１の画素トランジスタと、
前記第１の画素トランジスタの第２端子に電気的に接続された第１の液晶素子と、を有し、
前記反射画素部は、
第１端子が前記第１の画素トランジスタの第２端子に電気的に接続され、ゲートが第３の配線に電気的に接続された第２の画素トランジスタと、
前記第２の画素トランジスタの第２端子に電気的に接続された第２の液晶素子と、を有し、
前記第１の液晶素子でカラー表示を行っている間は、前記第２の液晶素子では黒表示を行い、
前記第１の画素トランジスタを介して前記第１の配線から前記第１の液晶素子に画像信号が供給される第１の期間と、前記第１の画素トランジスタ及び第２の画素トランジスタを介して、前記第１の配線から前記第２の液晶素子に黒の画像信号が供給される第２の期間とを有することを特徴とする半透過型の液晶表示装置。
【請求項２】
一画素に透過画素部と反射画素部とを有する半透過型の液晶表示装置であって、
前記透過画素部は、
第１端子が第１の配線に電気的に接続され、ゲートが第２の配線に電気的に接続された第１の画素トランジスタと、
前記第１の画素トランジスタの第２端子に電気的に接続された第１の液晶素子と、を有し、
前記反射画素部は、
第１端子が前記第１の画素トランジスタの第２端子に電気的に接続され、ゲートが第３の配線に電気的に接続された第２の画素トランジスタと、
前記第２の画素トランジスタの第２端子に電気的に接続された第２の液晶素子と、を有し、
カラー表示を行う際は、前記第１の液晶素子でカラー表示を行っている間は、前記第２の液晶素子では黒表示を行い、
カラー表示を行うために、前記第１の画素トランジスタを介して前記第１の配線から前記第１の液晶素子に画像信号が供給される第１の期間と、前記第１の画素トランジスタ及び第２の画素トランジスタを介して、前記第１の配線から前記第２の液晶素子に黒の画像信号が供給される第２の期間とを有し、
白黒表示を行う際は、前記第２の液晶素子で白黒表示を行い、
白黒表示を行うために、前記第１の画素トランジスタ及び第２の画素トランジスタを介して、前記第１の配線から前記第２の液晶素子に画像信号が供給される第３の期間を有することを特徴とする半透過型の液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の画素トランジスタは、チャネルとして酸化物半導体を有することを特徴とする半透過型の液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の画素トランジスタは、チャネルとして酸化物半導体を有することを特徴とする半透過型の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月19日(2013.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチ入力機能を有する表示部を備えた電子機器であって、
前記表示部は、第１画面領域と、第２画面領域とを有し、
前記第１画面領域にボタンを表示し、前記ボタンへの入力結果に対応するデータに基づいて前記第２画面領域に画像を表示する機能を有し、
所定の期間、前記第１画面領域に表示された前記ボタンへのタッチ入力が行われない時間が経過すると、前記データに基づいて前記第１画面領域及び前記第２画面領域にわたって画像を表示する機能を有することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
請求項１において、
前記ボタンが前記第１画面領域に表示されている期間において、前記ボタンが前記第１画面領域に静止画として表示された後、前記第１画面領域に設けられた表示素子への電力供給が停止された期間を有することを特徴とする電子機器。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２画面領域の表示画像の更新が行われない期間において、前記第２画面領域に設けられた表示素子を制御する機能を有する回路の動作が停止された期間を有することを特徴とする電子機器。