【手続補正書】
【提出日】平成26年3月3日(2014.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサー基板と、
前記センサー基板上に二次元配置される複数の超音波トランスデューサーを有し、
前記センサー基板は、当該センサー基板を厚み方向に沿って見た平面視において、互いに交差する少なくとも２つの分割仮想線により分割される複数の領域を備え、
前記複数の超音波トランスデューサーの各々は、第１電極を備え、
前記複数の領域の各領域内において、前記複数の超音波トランスデューサーの各第１電極を始点とする各第１電極線が、前記分割仮想線の交点から離れる方向に延びている直線部分を有する
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項２】
請求項１に記載の超音波センサーにおいて、
前記各第１電極線の直線部分は、前記複数の領域の領域毎に、所定の方向に沿って延びている
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の超音波センサーにおいて、
前記第１電極線は、
前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される直線状の引出部と、
前記引出部と交差する直線に沿って前記引出部から延びる配線部と、を備え、
前記直線部分は前記配線部である
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の超音波センサーにおいて、
前記少なくとも２つの分割仮想線は、第１分割仮想線と第２分割仮想線とを含み、
前記複数の超音波トランスデューサーは、前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線に沿って二次元配置され、
前記センサー基板は、当該センサー基板を厚み方向に沿って見た平面視において、互いに交差する前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線により分割される４つの領域を備え、
前記各領域内において、前記各第１電極線の前記直線部分は、前記第１分割仮想線に沿う方向に延びている
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項５】
請求項４に記載の超音波センサーにおいて、
前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線は、互いに直交している
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載の超音波センサーにおいて、
前記複数の超音波トランスデューサーの各々は、さらに第２電極を備え、
前記各領域内において、前記各第２電極のうちの少なくとも２つの第２電極の間を接続する第２電極線は、前記第１分割仮想線に沿う方向に延在し、かつ前記第２分割仮想線に沿って配置される共通電極線に接続されている
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項７】
請求項６に記載の超音波センサーにおいて、
前記第２電極線は、前記各超音波トランスデューサーから前記第１分割仮想線に沿う方向に直線状に延び、前記第１分割仮想線に沿う方向に沿って配設される前記各超音波トラ
ンスデューサーの各第２電極を互いに接続し、
前記第１電極線は、
前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーの各第１電極から前記第２分割仮想線に沿う方向に引き出される引出部と、
前記引出部から前記第１分割仮想線に沿う方向に延びる配線部と、を備える
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項８】
請求項７に記載の超音波センサーにおいて、
前記第１電極線の前記引出部は、前記各超音波トランスデューサーの各第１電極を始点として前記第１分割仮想線から離間する方向に延びている
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項９】
請求項１に記載の超音波センサーにおいて、
前記センサー基板は、当該センサー基板を厚み方向に沿って見た平面視において、互いに交差する第１分割仮想線および第２分割仮想線により分割される４つの領域を備え、
前記複数の超音波トランスデューサーは、さらに第２電極を備え、かつ前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線の交点を中心する複数の同心円上の位置に配置され、
前記第１分割仮想線に沿って前記センサー基板の外周部から前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線の交点まで延びる共通電極線が配置され、
前記各領域内において、前記各超音波トランスデューサーの第１電極から引き出される各第１電極線は、前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線の交点から離れる方向に前記センサー基板の外周部まで延在し、
前記第２電極から引き出される各第２電極線は、前記複数の同心円のうちの最も外側の円より内側の領域に延在し、かつ前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線の交点に近づく方向に伸びている直線部分を有する
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の超音波センサーにおいて、
前記２つの分割仮想線の交点は、当該センサー基板を厚み方向に沿って見た平面視において、前記センサー基板の略中心点である
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項１１】
センサー基板と、
前記センサー基板上に、第１方向と該第１方向に交差する第２方向とに沿って二次元配置され、各々が第１電極と第２電極を備える複数の超音波トランスデューサーと、
前記第１方向に沿って、かつ前記複数の超音波トランスデューサーの列の間に配置される共通電極線と、
前記複数の超音波トランスデューサーの各第１電極を始点とする複数の第１電極線と、
前記複数の超音波トランスデューサーのうち前記第２方向に沿って並ぶ少なくとも２つの超音波トランスデューサーの第２電極間を接続する複数の第２電極線と、を有し、
前記第１電極線は、前記第２方向に沿い、かつ前記共通電極線から離れる方向に延びている直線部分を有し、
前記第２電極線は、前記第２方向に沿って延在し、かつ前記共通電極線に接続する
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項１２】
請求項１１に記載の超音波センサーにおいて、
前記第１電極線は、
前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーの各第１電極から前記第１方向に沿って引き出される引出部と、
前記引出部と交差する直線に沿って前記引出部から延びる配線部と、を備え、
前記直線部分は前記配線部である
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項１３】
請求項１２に記載の超音波センサーにおいて、
前記共通電極線に接続される共通電極端子を備え、
前記共通電極線の共通電極端子に接続される基端部と、この基端部の反対側である先端部との間に前記第２電極線が接続され、
前記共通電極線の途中から前記先端部の間に接続された第２電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される引出部と、
前記共通電極線の途中から前記基端部の間に接続された第２電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される引出部とは、互いに離れる方向に引き出されている
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項１４】
センサー基板と、
前記センサー基板上に、第１方向と該第１方向に交差する第２方向とに沿って二次元配置され、各々が第１電極と第２電極を備える複数の超音波トランスデューサーと、
前記第１方向に沿って延在し、かつ前記複数の超音波トランスデューサーの列の間に配置される第１共通電極線と、
前記第２方向に沿って延在し、かつ前記複数の超音波トランスデューサーの列の間に配置されて前記第１共通電極線に接続する第２共通電極線と、を有し、
平面視で、前記第１共通電極線と前記第２共通電極線とによって区分される複数の領域のうちの少なくとも１つの領域は第１配線パターン領域とされ、残りの領域は第２配線パターン領域とされ、
前記第１配線パターン領域においては、
前記複数の超音波トランスデューサーの各第１電極を始点とする各第１電極線が、前記第２方向に沿い、かつ前記第１共通電極線から離れる方向に延びている直線部分を有し、
前記複数の超音波トランスデューサーのうち前記第２方向に沿って並ぶ少なくとも２つの超音波トランスデューサーの第２電極間を接続する第２電極線が、前記第２方向に沿って延在し、かつ前記第１共通電極線に接続し、
前記第２配線パターン領域においては、
前記複数の超音波トランスデューサーの各第１電極を始点とする各第１電極線が、前記第１方向に沿い、かつ前記第２共通電極線から離れる方向に延びている直線部分を有し、
前記複数の超音波トランスデューサーのうちの前記第１方向に沿って並ぶ少なくとも２つの超音波トランスデューサーの第２電極間を接続する第２電極線が、前記第１方向に沿って延在し、かつ前記第２共通電極線に接続する、
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項１５】
請求項１４に記載の超音波センサーにおいて、
前記第１配線パターン領域においては、
前記第１電極線は、
前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーの各第１電極から前記第１方向に沿って引き出される引出部と、
前記引出部と交差する直線に沿って前記引出部から延びる配線部と、を備え、
前記直線部分は前記配線部であり、
前記第２配線パターン領域においては、
前記第１電極線は、
前記各超音波トランスデューサー間において、前記各超音波トランスデューサーの各第１電極から前記第２方向に沿って引き出される引出部と、
前記引出部と交差する直線に沿って前記引出部から延びる配線部と、を備え、
前記直線部分は前記配線部である
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項１６】
請求項１５に記載の超音波センサーにおいて、
前記第１共通電極線に接続される共通電極端子を備え、
前記第１共通電極線の共通電極端子に接続される基端部と、この基端部の反対側である先端部との間に前記第２共通電極線が接続され、
前記第１共通電極線における第２共通電極線との接続点から前記先端部の間に接続された第２電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される引出部と、
前記第１共通電極線における第２共通電極線との接続点から前記基端部の間に接続された第２電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される引出部とは、互いに離れる方向に引き出されている
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項１７】
請求項１６に記載の超音波センサーにおいて、
前記第２共通電極線における第１共通電極線との接続点から第２共通電極線の一方の端部間に接続された第２電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される引出部と、
前記第２共通電極線における第１共通電極線との接続点から第２共通電極線の他方の端部間に接続された第２電極線に接続する超音波トランスデューサーの各第１電極から引き出される引出部とは、互いに離れる方向に引き出されている
ことを特徴とする超音波センサー。
【請求項１８】
請求項１から請求項１７のいずれかに記載の超音波センサーを備える
ことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明では、前記各第１電極線の直線部分は、前記複数の領域の領域毎に、所定の方向に沿って延びていることが好ましい。
本発明によれば、各領域内に配置された第１電極線の直線部分は、所定の方向に沿って延びているので、互いにほぼ平行に配置することができる。このため、たとえば、複数の超音波トランスデューサーがマトリクス状に二次元配置されている場合に、超音波トランスデューサーの配列方向に沿って、各第１電極線の直線部分を配置することで、各超音波トランスデューサーの間に配置される配線数も均等にできる。このため、配線レイアウトの設計も容易に行え、超音波トランスデューサーや第１電極線の製造も容易に行うことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明では、前記複数の超音波トランスデューサーの各々は、さらに第２電極を備え、前記各領域内において、前記各第２電極のうちの少なくとも２つの第２電極の間を接続する第２電極線は、前記第１分割仮想線に沿う方向に延在し、かつ前記第２分割仮想線に沿って配置される共通電極線に接続されていることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明では、前記センサー基板は、当該センサー基板を厚み方向に沿って見た平面視において、互いに交差する第１分割仮想線および第２分割仮想線により分割される４つの領域を備え、前記複数の超音波トランスデューサーは、さらに第２電極を備え、かつ前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線の交点を中心する複数の同心円上の位置に配置され、前記第１分割仮想線に沿って前記センサー基板の外周部から前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線の交点まで延びる共通電極線が配置され、前記各領域内において、前記各超音波トランスデューサーの第１電極から引き出される各第１電極線は、前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線の交点から離れる方向に前記センサー基板の外周部まで延在し、前記第２電極から引き出される各第２電極線は、前記複数の同心円のうちの最も外側の円より内側の領域に延在し、かつ前記第１分割仮想線および前記第２分割仮想線の交点に近づく方向に伸びている直線部分を有することが好ましい。