(57)【要約】【課題】遮光層もしくは透明着色層からなるカラーフィルタ層、保護層等に不良があるとして排除されたＣＯＡ（Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ  ｏｎ  Ａｒｒａｙ）、BＯＡ（BM  ｏｎ  Ａｒｒａｙ）基板から、遮光層もしくは透明着色層からなるカラーフィルタ層および保護層を選択的に剥離する方法を提供することを目的とした【解決手段】先ずカラーフィルタ層を炭化する炭化処理を実施し、次いで前記炭化層をレーザ照射により除去することを特徴とする方法であって、前記炭化処理は、赤外線レーザ照射によりなされ、炭化層及び炭化層から上の部分はＹＡＧレーザでアブレーション剥離されることを特徴とするカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリックス状に配置されたＴＦＴ素子が第一の保護層で被覆されているアレイ基板上に、少なくとも遮光層と着色層とからなるカラーフィルタ層を積層した前記アレイ基板から、カラーフィルタ層から上の層だけを選択的に除去する方法であって、先ずカラーフィルタ層を炭化する炭化処理を実施し、次いで前記炭化層をレーザ照射により除去することを特徴とするカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法。
【請求項２】
前記カラーフィルタ層は、その上部に第二の保護層を備えることを特徴とする請求項１に記載のカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法。
【請求項３】
前記カラーフィルタ層は、透明着色層および遮光層からなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法。
【請求項４】
前記炭化処理は、赤外線照射によりなされることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法。
【請求項５】
前記第一と第二の保護層がＳｉＮ（窒化珪素）膜であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法。
【請求項６】
前記レーザ照射は、ＹＡＧレーザによりなされることを特徴とする請求項１に記載のカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法。
【請求項７】
請求項１に記載の少なくとも遮光層と着色層とからなるカラーフィルタ層を積層した基板は、ＣＯＡ（Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ  ｏｎ  Ａｒｒａｙ）基板もしくはＢＯＡ（Ｂｌａｃｋ  Ｍａｔｒｉｘ  ｏｎ  Ａｒｒａｙ）基板であることを特徴とするカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アレイ基板上にカラーフィルタを形成する過程で不良となったカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ部分だけを選択的に除去する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
カラー液晶表示装置は、コンピュータ端末用の表示装置、あるいはテレビ用として急速に普及が進んでいる。このカラー液晶表示装置は、図２に示すようにアレイ基板２と、このアレイ基板２に所定の隙間を保持して対向配置された対向基板１と、これら２つの基板間に狭持された液晶層４と、から構成される液晶表示素子を基幹部材とするもので、通常はアレイ基板２上には薄膜トランジスタ３（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、ＴＦＴと記す。）及び関連する配線類が形成され、対向基板１には、赤色１８Ｒ、緑色１８Ｇ、青色１８Ｂの３色の着色層からなるカラーフィルタ１８が設けられている。
【０００３】
近年、この液晶表示装置には、高コントラスト化、高視野角化、低消費電力等の様々な要求があり改良改善が図られているが、カラーフィルタ側にもそれ相応の貢献が期待されている。その一つとして、通常は対向基板１側に設けられるカラーフィルタ１８及びこれと一体的に機能する遮光層１６を、図３に示すようにアレイ基板２側に形成することが行われている(以下、ＣＯＡ：Ｃｏｌｏｒ  ｆｉｌｔｅｒ  ｏｎ  Ａｒｒａｙ  と記すが、例えば、特許文献１、２を参照)。
【０００４】
その理由は、図２の従来構成のままではアレイ基板２とカラーフィルタ基板１との貼り合せ時の位置ずれ対応、アレイ基板２側の配線を隠蔽する必要性、及び視角の問題から遮光層１６を幅広く設定しなければならず、画素の開口率を向上させることができないからである。しかし、カラーフィルタ１８と遮光層１６をアレイ基板２側に形成することができれば、遮光層１６の幅を狭めて形成することが可能となり画素開口率を高めることができる。
【０００５】
図３はカラーフィルタをアレイ基板２側に形成した場合の構造の一例を図示したものである。アレイ基板２上にはゲート電極３１、ゲート絶縁膜３２、半導体層３４、ソース電極３５、ドレイン電極３６等からなる微細なＴＦＴ素子３がパターニング形成され、保護層３３により被覆された構造である。ゲート絶縁膜３２と第一の保護層３３はＳｉＮ、ゲート電極はＭｏＮｂ等、ソース電極とドレイン電極はＭｏＮｂ等、半導体層はＳｉ等、いずれも金属及びその酸化物、窒化物から組成されている。
【０００６】
カラーフィルタ２３をアレイ基板２側に設ける場合には、上記マトリックス状に形成されたＴＦＴ素子３の上に、さらに遮光層２８、カラーフィルタ２３、画素電極２４、配向膜、スペーサ等がフォトリソ技術を用いて形成され、場合によってはカラーフィルタ２３の上に第二の保護層２７が形成される場合もある。
【０００７】
こうした複雑な工程を経て製造される図３のＣＯＡ基板２’には、それぞれの工程で様々な欠陥が発生し、これら欠陥は、目視検査や特別な装置を用いた検査工程で検知される。検査工程で無視できない欠陥があると判断されると不良基板として工程から排除されて廃棄されるか、それまでに形成された金属薄膜、有機薄膜がそれぞれに好適な手段で取り除かれて、最終的には金属原料、有機材料、素ガラスまで還元される。
【０００８】
高価な原材料と多大のエネルギーを投入したＣＯＡ基板２’は再生して再利用するのが望ましい。一例を挙げれば、基板上の有機物類は高温の濃硫酸や水酸化ナトリウム水溶液に浸漬させると効率的に除去できる。金属薄膜については、酸を用いたエッチングにより除去することができる。エッチング液は所定の方法で処理することにより、薄膜を組成していた希少金属であるインジウム、ロジウム、モリブデン、クロム等を高純度金属粉として回収し再使用に供することができる。
【０００９】
化学的な手段以外では、酸化セリウムの微粒子を分散させた研磨液を使って研磨によりガラス基板から剥離することもできる。あるいは、ＹＡＧレーザ等のレーザ光を金属薄膜や有機物に照射するレーザアブレーションや放電加工によって金属や有機物等をガラス基板から剥離回収する方法が開示されている（特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特許２７５８４１０号
【特許文献２】特開２００１−１５４０１３号公報
【特許文献３】特開２０１０−１７２８５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従来のＣＯＡ基板の再生は、薬液や、レーザ処理を使ってガラス基板上の全ての堆積物を、その性質上上層から順次に除去して素ガラス基板まで還元する方法であった。これは、それぞれが独立に製造されたアレイ基板２やカラーフィルタ基板１の再生方法を、ＣＯＡ基板に適用したもので自然と言えば自然、当然な手法である。
【００１２】
また、レーザ処理によりＣＯＡ基板の上層のカラーフィルタ側を除去する方法もあるが、下地であるアレイ（ＴＦＴ）基板の第一の保護層（窒化シリコン膜、以下、ＳｉＮ膜と記す。）と金属配線もレーザによりアブレーションされてしまうためＴＦＴ部分も含めて全体を除去せざるを得なかった。ＣＯＡ基板をアレイ基板としてそのまま使える状態で処理を中断するということは困難であった。
【００１３】
また、不良品としてのＣＯＡ基板には、遮光層及びカラーフィルタ層が形成されたもの以外に、保護層としてＳｉＮ（窒化珪素）膜が成膜されたものもあるが、最表面がＳｉＮ膜などで被覆されていると、通常のカラーフィルタ用の薬液処理システムでは対応できず、ＳｉＮ膜専用の薬液処理装置もしくはドライエッチング装置等特別な装置が必要であった。
【００１４】
そこで、本発明は、遮光層、カラーフィルタ層、保護層等カラーフィルタ部分に不良が存在するとして排除されたＣＯＡ基板から、遮光層、カラーフィルタ層の有機物層とその保護膜である窒素酸化物層を選択的に剥離し、そのまま再使用できるアレイ基板を得る方法を提供することを目的とした。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を達成するための請求項１に記載の発明は、マトリックス状に配置されたＴＦＴ素子が第一の保護層で被覆されているアレイ基板上に、少なくとも遮光層と着色層とからなるカラーフィルタ層を積層した前記アレイ基板から、カラーフィルタ層から上の層だけを選択的に除去する方法であって、先ずカラーフィルタ層を炭化する炭化処理を実施し、次いで前記炭化層をレーザ照射により除去することを特徴とするカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法としたものである。
【００１６】
請求項２に記載の発明は、前記カラーフィルタ層は、その上部に第二の保護層を備えることを特徴とする請求項１に記載のカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法としたものである。
【００１７】
請求項３に記載の発明は、前記カラーフィルタ層は、透明着色層および遮光層からなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法としたものである。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、前記炭化処理は、赤外線照射によりなされることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法としたものである。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、前記第一と第二の保護層がＳｉＮ（窒化珪素）膜であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法としたものである。
【００２０】
請求項６に記載の発明は、前記レーザ照射は、ＹＡＧレーザによりなされることを特徴とする請求項１に記載のカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法としたものである。
【００２１】
請求項７に記載の発明は、請求項1に記載の少なくとも遮光層と着色層とからなるカラーフィルタ層を積層した基板は、ＣＯＡ（Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ  ｏｎ  Ａｒｒａｙ）基板もしくはＢＯＡ（Ｂｌａｃｋ  Ｍａｔｒｉｘ  ｏｎ  Ａｒｒａｙ）基板であることを特徴とするカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法としたものである。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の第一の特長は、アレイ基板上のＴＦＴ素子とこれを保護していている第一の保護層にダメージを与えるようなエネルギーでレーザ照射を行わないということである。
先ず、第一の保護層の上に形成された有機物であるカラーフィルタ部分だけが、第一の保護層に熱的な外傷ダメージを与えない程度の弱いレーザエネルギーの照射により選択的に炭化処理される。この過程ではカラーフィルタ層の上に第二の保護層があるかどうかに関わらずカラーフィルタ層は炭化される。炭化はされるがこのエネルギーではアブレーションされて基板から剥離されるまでは至らない。
【００２３】
第二の特長は、アレイ基板と第二の保護膜との結節点をなす炭化したカラーフィルタ層に、第一の保護層と第二の保護層に影響を与えない範囲であるが炭化層をアブレーションするには十分なエネルギーを有するレーザ光を照射することにある。これにより脆くなった炭化層だけが選択的にアブレーションされ、土台が吹き飛ぶことで同時に第二の保護層もアブレーションされる。レーザとしては、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザやＹＡＧレーザ使用できるが後者がより好ましい。
【００２４】
したがって、本発明によれば、第二の保護層としてＳｉＮ膜が存在する場合でも、専用薬液やドライエッチ工程を使用することなしに、レーザ照射だけで、再使用可能なアレイ基板を得ることができる。アレイ基板上のＴＦＴを除去し、また再形成するという手間が省けるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】（ａ）〜（ｇ）本発明になるカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層およびその上部にある第二の保護膜を選択的に除去する工程を模式的に説明する工程図である。
【図２】従来型のアレイ基板とカラーフィルタ基板の構成を模式的に説明する断面視の図。
【図３】ＣＯＡ基板におけるＴＦＴとカラーフィルタ他の積層構造を模式的に説明する断面視の図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明は、アレイ基板を形成する工程、その上部にカラーフィルタ他を形成する工程及びカラーフィルタから上の層を除去する工程とからなるが、ものの製造としては図３下側に示す構造のＣＯＡ基板２’を製造する。図１は、それぞれの層内の構成を省略した工程図であり、この工程図を用いて本発明を説明する（構造の詳細については図３を参照のこと）。
【００２７】
但し、欠陥のあったＣＯＡ基板２’をアレイ基板２として再生させるのが目的であるから、ＣＯＡ基板２’はカラーフィルタ部分以降の工程を最終工程まで進んだものだけでなく、例えば遮光膜形成後欠陥が検知されて工程外へ排除されたＢＯＡ（Ｂｌａｃｋ  Ｍａｔｒｉｘ  ｏｎ  Ａｒｒｅｙ）基板や未完成のＣＯＡ基板も含まれる。
【００２８】
先ず、無アルカリガラス基板１１（ＯＡ−１０：日本電気硝子社製）にスパッタリング法によりＭｏ薄膜を形成した。次いで、ポジ型レジストＮＰＲ−９０００（ナガセケムテックス社製）を塗布し乾燥してから、紫外線露光機にてフォトマスクを介して所定のパターンに露光した。次いで、２．４重量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液にて現像を行った。ウェットエッチングによりＭｏ薄膜をパターニングしてから、ポジ型レジストをアンラストＴＮ−１（三若純薬社製）にて除去するフォトリソグラフィプロセスにより、ゲート線およびゲート電極３１を形成した。
【００２９】
前記基板上に、プラズマＣＶＤ法を用いて窒化珪素（以下、ＳｉＮ）によるゲート絶縁膜３２、半導体層３４を形成した後、フォトリソグラフィプロセスを用いてＴＦＴ層１２を形成した。同様の工程で、Ｔｉ／Ａｌ合金にてデータ線、ソース電極３５およびドレイン電極３６を形成した（図１（ａ））。最後に前記パターンを覆うようにＳｉＮからなる第一の保護層３３を形成しアレイ基板２を得た（図１（ｂ））。
【００３０】
アレイ基板２には金属材料と半導体材料と無機酸化物とが含まれ、有機材料は基本的に含まれていない。特に、上記第一の保護層３３は、ＳｉＮ（窒化珪素）などのナイトライドにより形成されており、共有結合による強固で安定した構造であり、高硬度、耐摩耗性に優れ、高温環境で機械的強度を失わず、高い耐熱性を持つ材料である。
【００３１】
通常の液晶ディスプレイは、このアレイ基板２と別工程で製造されたカラーフィルタ基板を貼り合わせるが、本発明の対象となるのは、アレイ基板２の第一の保護膜３３の上にさらにカラーフィルタを積層したＣＯＡ（Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ  ｏｎ  Ａｒｒａｙ）基板２’である。
【００３２】
以下に、その工程を順に説明する。
【００３３】
＜樹脂溶液（Ａ）の合成＞
反応容器にシクロヘキサノン８００部を入れ、容器に窒素ガスを注入しながら加熱して、下記モノマーおよび熱重合開始剤の混合物を滴下して重合反応を行った。
スチレン                ６０部
メタクリル酸            ６０部
メチルメタクリレート    ６５部
ブチルメタクリレート    ６５部
熱重合開始剤            １０部
連鎖移動剤                ３部
【００３４】
＜遮光性樹脂組成物＞
下記組成の混合物を均一に拡販混合した後、直径１ｍｍのガラスビーズを用いて、サンドミルで５時間分散した後、５μｍのフィルターで濾過して遮光剤の分散体を得た。
赤色顔料：Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｒｅｄ ２５４                          １４部
（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製「イルガーフォーレッド Ｂ-ＣＦ」）
青色顔料：Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ １５                          １４部
（東洋インキ製造（株）製「リオノールブルーＥＳ」）
分散剤（味の素ファインテクノ社製「アジスパーＰＢ８２１」）                ２部
樹脂溶液（Ａ）                                                        １２０部
【００３５】
その後、下記組成の混合物を均一になるように攪拌混合した後、５μｍのフィルターで濾過して遮光性樹脂組成物を得た。
上記分散体                                                            １５０部
樹脂溶液（Ａ）                                                        １００部
カーボンブラック分散剤（御国色素社製  ＴＰＢＫ−２３４Ｃ）              ３７部
多官能重合性モノマー（東亜合成製「アロニックス  Ｍ-４００」）           ３０部
光開始剤（チバガイギー社製「イルガキュアー３６９」）                    １４部
増感剤（保土ヶ谷化学工業（株）製「ＥＡＢ-Ｆ」）                           ３部
シクロヘキサノン                                                      １００部
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート                      ２００部
このようにして黒色の樹脂組成物を得た。
【００３６】
次に、アレイ基板２の第一の保護膜３３上に遮光パターンを形成する。上記黒色樹脂組成物をスリットコートにて仕上り膜厚が３．０μｍとなるように塗布を行った。ホットプレートにて９０℃  ６０秒間乾燥後、紫外線露光機にて所定のフォトマスクを介してパターン露光を行った。次いで、アルカリ現像液で未露光部分の除去した後、オーブンにて２３０℃で４０分熱硬化を行った。このパタニングにより、ＴＦＴ層３とデータ配線３７を覆うように遮光パターン２８が形成された（図１（ｃ））。遮光パターンのＯＤ値は４．５であった。遮光パターン２８の検査により欠陥が検出された未完のＣＯＡ基板２’は、欠陥修復工程に回されるか、修復不可能であれば後述するアレイ基板再生（剥離）工程に回される。
【００３７】
＜赤色着色樹脂組成物＞
下記組成の混合物を均一に攪拌混合した後、直径１ｍｍのガラスビースを用いて、サンドミルで５時間分散した後、５μｍのフィルターで濾過して赤色顔料の分散体を作製した。赤色顔料：Ｃ．Ｉ．ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ ２５４                         １８部
（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製「イルガーフォーレッド Ｂ-ＣＦ」）
赤色顔料：Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｒｅｄ １７７                          ２部
（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製「クロモフタールレッド Ａ２Ｂ」）
分散剤（味の素ファインテクノ社製「アジスパーＰＢ８２１」）              ２部
樹脂溶液（Ａ）                                                      １０８部
【００３８】
その後、下記組成の混合物を均一になるように攪拌混合した後、５μｍのフィルターで濾過して赤色着色組成物を得た。
【００３９】
次に、赤色の感光性樹脂組成物をスリットコートにて仕上り膜厚が３．０μｍとなるよ
うに塗布を行った。ホットプレートにて９０℃  ６０秒間乾燥後、紫外線露光機にてフォトマスクを介してパターン露光を行い、アルカリ現像液で未露光部分の除去後、オーブンにて２３０℃で２０分熱硬化を行い、ゲート線とデータ配線とで囲まれる画素上にストライプ状の着色層である赤色画素２３Rを、遮光パターン２８の開口部に形成した。同時に電気接続用のコンタクトホール２９となる２５μｍ径のスルーホールをドレイン電極３６上に形成した。
【００４０】
尚、アルカリ現像液は以下の組成の水溶液を使用した。
炭酸ナトリウム                                                  １．５重量％
炭酸水素ナトリウム                                              ０．５重量％
陰イオン系界面活性剤（花王（株）製「ペリレックスＮＢＬ」）      ８．０重量％
水                                                                ９０重量％
【００４１】
同様の手順で青２３Ｂ，緑２３Ｇの着色画素を形成し所望のカラーフィルタ５を得た（図１（ｄ））。
【００４２】
次に、着色画素２３上に液晶駆動用のＩＴＯからなる画素電極２４を形成した。
カラーフィルタ５上にスパッタリング法によりＩＴＯをターゲットとして５０nm(５００Å)の膜厚でＩＴＯ層を形成した。ＩＴＯ上にポジ型レジストＬＣ−１００（ローム・アンド・ハース社製）を塗布した。紫外線露光機にてフォトマスクを介して露光・現像後、ＩＴＯ−ＣＦ６０（三菱ガス化学社製）を用いてデータ線およびゲート線上のＩＴＯのエッチングを行った。ポジ型レジストをアンラストＴＮ−１にて除去後、オーブンにて２３０℃で４０分熱硬化を行うことによって着色画素上にコンタクトホール２９を通じてドレイン電極３６と接続する画素電極２４を形成した。図１ではＩＴＯは省略してある。
【００４３】
最後に、前記基板上にプラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮからなる第二の保護膜２７を形成した（図１（ｅ））。このＣＯＡ基板２’には、さらに配向膜やスペーサが形成される場合があるが、いずれも有機物である。
【００４４】
上記の工程で得られたＣＯＡ基板２’は検査工程に付され修復不可能な欠陥を有するものは下記に記載の工程に回される。以下、ＣＯＡ基板２’からカラーフィルタ層以上の層を除去してアレイ基板２として再生する方法を実施例として説明する。
【実施例】
【００４５】
ＣＯＡ基板２’上に形成された遮光パターン２８と着色層２３とからなるカラーフィルタ５に赤外光７を集光させ、カラーフィルタ５部分を炭化させた(図１（ｆ））。着色層および遮光層はアクリル樹脂を骨格とした材料系であるため、３５０〜７００℃付近の熱エネルギーをかけることで、炭化されて着色（茶褐色〜黒色）した炭化層８に変質した。変色し始めると余計に赤外光の吸収率が上がり、黒色化が促進された。
【００４６】
この過程では、下地にあたるアレイ基板２’側の第一の保護層３３とカラーフィルタ２８上の第二の保護層２７は窒化珪素Ｓｉ３Ｎ４などのナイトライドにより形成されており、共有結合による強固で安定した構造であり、高硬度、耐摩耗性に優れ、高温環境で機械的強度を失わず、高い耐熱性を持つため赤外光７によっては物理的・熱的ダメージを受けない。Ｓｉ３Ｎ４は、１４００℃まで安定しているが、約１４００℃〜１５００℃においてα型と呼ばれる低温安定相からβ型と呼ばれる高温安定相へと相転移が起こる。
【００４７】
次に、炭化させた部分８にＹＡＧレーザ９(波長３５５ｎｍ）を、エネルギー強度；６０〜７０×１０−２ｍＪ／ｓｈｏｔ、繰り返し周波数２０Ｈｚで２０ｓｈｏｔの条件で照射してレーザアブレーションを行った。これにより炭化部分より上層部分が選択的にアブレーション除去された。これにより、ＴＦＴ上にＳｉＮ保護層を有するアレイ基板２が、物理的・熱的に何のダメージも受けずに残った(図１（ｇ））。所定の洗浄処理を行うことでアレイ基板を得ることが出来た。
【００４８】
ＹＡＧレーザの波長としては、２６６ｎｍの他、５３２ｎｍ等を用いても良い。
炭化処理を施すことによりカラーフィルタのアブレーションに必要なレーザエネルギー強度が十分に低くなるため、アレイ基板側の保護層以下の層を損傷させずにカラーフィルタおよびその上の透明導電膜と保護層を選択的に除去することができた。
また、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザーでもアブレーション除去が可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１、対向基板
２、アレイ基板
２’、ＣＯＡ基板
３、１２、ＴＦＴ
４、液晶層
５、カラーフィルタ
７、赤外光
８、炭化層
９、ＹＡＧレーザ
１１、基板
１８、２３、カラーフィルタ（着色層：Ｒ、Ｇ、Ｂ）
２１、ガラス基板
２２、偏光板
２４、画素電極
２７、第二の保護膜
２８、遮光層（ブラックマトリックス）
２９、コンタクトホール
３１、ゲート電極
３２、ゲート絶縁膜
３３、第一の保護層
３４、半導体層
３５、ソース電極
３６、ドレイン電極
【図１】
2013025148.tif 000003
【図２】
2013025148.tif 000004
【図３】
2013025148.tif 000005