Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月4日(2014.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板の一面に対して希ガスイオンを照射して前記単結晶半導体基板内に第一の損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板の一面に対してレーザー光を照射して前記第一の損傷領域の一部を溶融し第二の損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板の一面に対して前記第二の損傷領域に水素イオンを照射して前記単結晶半導体基板の一面から一定の深さに脆化領域を形成し、
前記単結晶半導体基板とベース基板とを、重ね合わせた状態で、前記脆化領域を劈開面として、前記単結晶半導体基板を前記脆化領域で分離する熱処理を行い、
前記単結晶半導体基板から単結晶半導体層を前記ベース基板上に形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板の一面に対して希ガスイオンを照射して前記単結晶半導体基板内に第一の損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板の一面に対して第一のレーザー光を照射して前記第一の損傷領域の一部を溶融し第二の損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板の一面に対して前記第二の損傷領域に水素イオンを照射して前記単結晶半導体基板の一面から一定の深さに脆化領域を形成し、
前記単結晶半導体基板の一面に対して第二のレーザー光を照射して前記単結晶半導体基板の一面と前記脆化領域間の領域を溶融し、
前記単結晶半導体基板とベース基板とを、重ね合わせた状態で、前記脆化領域を劈開面として、前記単結晶半導体基板を前記脆化領域で分離する熱処理を行い、
前記単結晶半導体基板から単結晶半導体層を前記ベース基板上に形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記希ガスイオンはヘリウムイオンであることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月17日(2014.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室と、隔壁と、を有し、
前記隔壁は、前記成膜室を囲うように配置され、
前記成膜室と前記隔壁との間に空間を有し、
前記隔壁は、ガス供給手段と、圧力調整手段と、を有し、
前記ガス供給手段は、前記空間にガスを供給することができ、
前記ガスは、水素原子を含む化合物の濃度が１ｐｐｍ以下であり、
前記圧力調整手段は、前記空間内を大気圧以上の圧力とすることができ、
前記成膜室は、ターゲット保持部と、真空排気手段と、を有し、
前記ターゲット保持部は、スパッタリング用金属酸化物ターゲットを固定することができることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
請求項１において、
ロードロック室を有し、
前記ロードロック室は、基板保持部と、真空排気手段と、を有し、
前記基板保持部は、基板を加熱する手段が設けられていることを特徴とする成膜装置。
【請求項３】
第１の成膜室と、第２の成膜室と、隔壁と、ロードロック室と、を有し、
前記隔壁は、前記第１の成膜室を囲うように配置され、
前記第１の成膜室と前記隔壁との間に空間を有し、
前記隔壁は、ガス供給手段と、圧力調整手段と、を有し、
前記ガスは、水素原子を含む化合物の濃度が１ｐｐｍ以下であり、
前記圧力調整手段は、前記空間内を大気圧以上の圧力とすることができ、
前記第１の成膜室又は前記第２の成膜室の一方は、第１のターゲット保持部と、第１の真空排気手段と、を有し、
前記第１のターゲット保持部は、スパッタリング用ターゲットを固定することができ、
前記第１の成膜室又は前記第２の成膜室の他方は、第２のターゲット保持部を有し、
前記第２のターゲット保持部は、スパッタリング用金属酸化物ターゲットを固定することができ、
前記ロードロック室は、基板保持部と、第２の真空排気手段と、を有し、
前記基板保持部は、基板を加熱する手段が設けられ、
前記空間の中に、搬送手段を有し、
前記搬送手段は、前記ロードロック室と第１のゲートバルブを介して連結され、前記第１の成膜室又は前記第２の成膜室のいずれかと第２のゲートバルブを介して連結されていることを特徴とする成膜装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記ガスが、希ガスを含むことを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記隔壁が、可撓性を有する袋体、又はチャンバーであることを特徴とする成膜装置。
【請求項６】
基板をロードロック室に搬入し、
前記ロードロック室を真空排気し、
前記基板に加熱処理を行い、
前記基板を、真空排気された第１の成膜室に搬送し、
前記第１の成膜室内に、高純度のスパッタリング用ガスを導入し、スパッタリング法を用いて、前記基板上にゲート絶縁膜を形成し、
前記第１の成膜室内を真空排気し、
前記基板を、真空排気された第２の成膜室に搬送し、
前記第２の成膜室内に、高純度のスパッタリング用ガスを導入し、スパッタリング法を用いて、前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の成膜室及び前記第２の成膜室は、水素原子を含む化合物の濃度が１ｐｐｍ以下であるガスが導入され、大気圧以上の圧力に保たれた空間内に設けられていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記酸化物半導体膜を形成した後、前記第２の成膜室内を真空排気し、
前記基板を、真空排気された第３の成膜室に搬送し、
前記第３の成膜室内に、高純度のスパッタリング用ガスを導入し、スパッタリング法を用いて、前記酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、
前記第３の成膜室は、前記空間内に設けられていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月27日(2014.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極の上方の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の上方の第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜の上方の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜の上方の、ソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と、前記ドレイン電極と、前記酸化物半導体膜との上方の第２の金属酸化物膜と、
前記第２の金属酸化物膜の上方の第２の絶縁膜とを有し、
前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記第１の金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を有し、
前記第２の金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極の上方の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の上方の第１の金属酸化物膜と、
前記第１の金属酸化物膜の上方の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜の上方の、ソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と、前記ドレイン電極と、前記酸化物半導体膜との上方の第２の金属酸化物膜と、
前記第２の金属酸化物膜の上方の第２の絶縁膜と、
前記第２の金属酸化物膜の上方の第２のゲート電極とを有し、
前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記第１の金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を有し、
前記第２の金属酸化物膜は、前記酸化物半導体膜の構成元素から選択される一または複数の金属元素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の金属酸化物膜のエネルギーギャップは、前記酸化物半導体膜のエネルギーギャップより大きく、
前記第２の金属酸化物膜のエネルギーギャップは、前記酸化物半導体膜のエネルギーギャップより大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜のエネルギーギャップは、前記第１の金属酸化物膜のエネルギーギャップより大きく、
前記第２の絶縁膜のエネルギーギャップは、前記第２の金属酸化物膜のエネルギーギャップより大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の金属酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギーは、前記酸化物半導体膜の伝導帯の下端のエネルギーより高く、
前記第２の金属酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギーは、前記酸化物半導体膜の伝導帯の下端のエネルギーより高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜の伝導帯の下端のエネルギーは、前記第１の金属酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギーより高く、
前記第２の絶縁膜の伝導帯の下端のエネルギーは、前記第２の金属酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギーより高いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月29日(2014.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極層を有し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を有し、
前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に前記酸化物半導体層の一部と接する絶縁層を有し、
チャネル長が１．５μｍ以上１００μｍ以下の範囲で、且つ測定温度が−２５℃以上１５０℃以下の温度範囲において、チャネル幅が１μｍあたりのオフ電流の値が１×１０−１２Ａ以下であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
請求項１において、
前記オフ電流は、ソースとドレインの間の電圧が１０Ｖで、ソースとゲートの間の電圧が−１０Ｖの時の値であることを特徴とするトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月20日(2014.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＳＯＩ基板の作製方法、および半導体基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板に加速されたイオンを照射して前記第１の基板に脆化領域を形成し、
前記第１の基板または第２の基板の表面に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を介して前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせ、
熱処理により、前記脆化領域において前記第１の基板を分離して、前記第２の基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層と同じ半導体材料を有する第１の半導体と、前記半導体層の表面とが対向するように配置し、
前記第１の半導体と前記半導体層の表面とに、交互に希ガスイオンを照射することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
第１の基板に加速されたイオンを照射して前記第１の基板に脆化領域を形成し、
前記第１の基板または第２の基板の表面に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を介して前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせ、
熱処理により、前記脆化領域において前記第１の基板を分離して、前記第２の基板上に半導体層を形成し、
前記第１の基板と同じ半導体材料を有する第１の半導体と、分離後の第１の基板の表面とが対向するように配置し、
前記第１の半導体と前記第１の基板の表面とに、交互に希ガスイオンを照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月12日(2014.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板の再生方法、再生半導体基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板へのイオンの添加及び熱処理を行った後、前記半導体基板の中央部から半導体層を分離することにより、周縁部に凸部が残存した前記半導体基板に対し、
前記凸部表面の絶縁層をエッチングし、
硝酸、フッ酸及び酢酸を含む混合液を用いて、前記半導体基板の前記凸部及び前記中央部であって、前記イオンが添加された領域を選択的にエッチングし、
前記半導体基板にレーザ光を照射することを特徴とする半導体基板の再生方法。
【請求項２】
請求項１において、前記選択的にエッチングした後に、前記半導体基板の表面を研磨することを特徴とする半導体基板の再生方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法を用いて、前記半導体基板から再生半導体基板を作製することを特徴とする再生半導体基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月27日(2013.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2011144591.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
１１    天井点検口
１２    天井壁面（壁面）
１３    外枠
１３Ｆ  前辺部
１４    開閉支持部
１５    蓋板
１６    内枠
１６Ｆ  前辺部
１７    ロック装置
２１    平面板
２２    立面板
２３    コーナ連結板
２４    規制段部
２６    外枠フランジ
３１    平面板
３２    立面板
３３    コーナ連結板
３６    内枠フランジ
４１    支持ブロック
４２    板状軸部
５１    ロック軸
５２    外端軸部
５３    軸本体
５４    ロック爪
５４ａ  下辺係止部
５５    装着用収縮機構
５６    Ｕ字部材
５６ａ  Ｕ字溝
５７    内端軸部
５８    規制鍔部（離脱規制凸部）
５９    位置決め部
６０    Ｕ字部材
６１    軸支持穴
６２    軸保持部
６２ａ  湾曲部
６３    離脱規制穴（離脱規制部）
７１    ロック軸
７２    軸本体
７３    固定筒
７４    軸穴
７５    装着用出縮機構
７６    スライド筒
７７    コイルばね
７８ａ，７８ｂ  ストッパ
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月27日(2013.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
風車タワーのセグメントを輸送する方法であって、輸送中にセグメントの長手方向軸線が水平に位置合わせされており、輸送中に、タワーセグメントの横断面が、タワーセグメントの壁部に作用する力によって変形させられることを特徴とする、風車タワーのセグメントを輸送する方法。
【請求項２】
タワーセグメントの横断面が、高さが減少しかつ幅が増大するように水平方向に長い形状に変形させられる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
タワーセグメントの変形が、セグメントの弾性範囲で生じ、セグメントの変形が可逆性である、請求項２記載の方法。
【請求項４】
作用する力として重力が利用される、請求項３記載の方法。
【請求項５】
変形のための力が、タワーセグメントの壁部に、水平方向又は鉛直方向のうちの少なくとも一方で加えられる、請求項３記載の方法。
【請求項６】
弾性変形のための力が、変化させられる、請求項３又は４記載の方法。
【請求項７】
力が、輸送中、常に加えられている、請求項３又は４記載の方法。
【請求項８】
力が、プレスによって加えられる、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
風車タワーのセグメントを輸送するための装置において、
タワーセグメントが設けられており、セグメントの長手方向軸線が輸送中に水平に位置合わせさせられており、
変形手段が設けられており、該変形手段が、セグメントの輸送中にセグメントの横断面を変形させるためにタワーセグメントの壁部に変形手段によって力が加えられるように構成及び配置されていることを特徴とする、風車タワーのセグメントを輸送するための装置。
【請求項１０】
変形手段が、液圧式プレス、空圧式プレス、又は電気式プレスである、請求項９記載の装置。
【請求項１１】
タワーセグメントの内部からタワー壁部に力が作用するように、プレスがセグメントの内部に配置されている、請求項９又は１０記載の装置。
【請求項１２】
タワーセグメントの外部からタワー壁部に力が作用するように、プレスがセグメントの外部に配置されている、請求項９又は１０記載の装置。
【請求項１３】
プレスが、プレスのセットとして配置されており、
プレスのセットが、セグメントの横断面でみて直径方向で配置されている、請求項９又は１０記載の装置。
【請求項１４】
プレスが、プレスのセットとして配置されており、第１のプレス及び第２のプレスが、セグメントの同じ横断面に、セグメントの中心点に関して角度を成して配置されている、請求項９又は１０記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月27日(2013.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自己分散顔料及びポリウレタン樹脂を含有するインクジェット用インクであって、
前記ポリウレタン樹脂が、ポリイソシアネート、酸基を有さないポリオール、及び酸基を有するジオールのそれぞれに由来するユニットを有し、前記ポリウレタン樹脂が３官能以上のポリアミンにより架橋された架橋構造を有しており、かつ、前記ポリウレタン樹脂の酸価が６０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上１００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることを特徴とするインクジェット用インク。
【請求項２】
前記酸基を有するジオールが、ジメチロールプロピオン酸及びジメチロールブタン酸の少なくともいずれかである請求項１に記載のインクジェット用インク。
【請求項３】
前記３官能以上のポリアミンが、ジエチレントリアミン及びトリエチレンテトラミンの少なくともいずれかである請求項１又は２に記載のインクジェット用インク。
【請求項４】
前記３官能以上のポリアミンの使用量が、ウレタンプレポリマーにおける残存イソシアネート基を基準として、モル換算で４０％以上である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインクジェット用インク。
【請求項５】
前記酸基を有さないポリオールが、ポリエーテルポリオールである請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインクジェット用インク。
【請求項６】
前記ポリエーテルポリオールが、ポリプロピレングリコールである請求項５に記載のインクジェット用インク。
【請求項７】
前記インク中の前記ポリウレタン樹脂の含有量（質量％）が、インク全質量を基準として２．０質量％未満であり、かつ、前記ポリウレタン樹脂の含有量（質量％）が前記自己分散顔料のインク全質量を基準とした含有量（質量％）に対して、質量比率で０．１倍以上０．９倍以下である請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインクジェット用インク。
【請求項８】
インクを収容するインク収容部を備えたインクカートリッジであって、前記インク収容部に収容されたインクが、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインクジェット用インクであることを特徴とするインクカートリッジ。
【請求項９】
インクをインクジェット方式で吐出する工程を有するインクジェット記録方法であって、前記インクが、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインクジェット用インクであることを特徴とするインクジェット記録方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的は以下の本発明によって達成される。即ち、本発明にかかるインクジェット用インクは、自己分散顔料及びポリウレタン樹脂を含有するインクジェット用インクであって、前記ポリウレタン樹脂が、ポリイソシアネート、酸基を有さないポリオール、及び酸基を有するジオールのそれぞれに由来するユニットを有し、前記ポリウレタン樹脂が３官能以上のポリアミンにより架橋された架橋構造を有しており、かつ、前記ポリウレタン樹脂の酸価が６０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上１００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
＜インクの調製＞
下記表４〜表６に示した各成分を混合し、充分に撹拌して分散した後、ポアサイズ３．０μｍのミクロフィルター（富士フイルム製）にて加圧ろ過を行い、各インクを調製した。実施例１〜１６、１９及び２０、参考例１７及び１８の各インクの２５℃における粘度は、いずれも６ｃｐｓ以下であった。尚、表中、Ｃａｂ−Ｏ−Ｊｅｔ４００はキャボット製の自己分散顔料（顔料の含有量は１５．０％）である。また、アセチレノールＥ−１００は川研ファインケミカル製の界面活性剤である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
【表５】
2011144354.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
（動的粘弾性）
上記で調製した各インクを、フィルム化したときの膜厚が０．３ｍｍ〜０．５ｍｍになるように剥離紙上に塗布し、６０℃の乾燥機中に１晩放置しフィルムを得た。次に、ダンベル型にフィルムを切断し、以下の条件にて動的粘弾性を測定し、得られた温度−貯蔵弾性率Ｅ’の曲線から屈曲点を求め、そのときの温度をガラス転移温度とした。
・測定装置：ＥＸＳＴＡＲ６０００  ＤＭＳ（エスアイアイ・ナノテクノロジー製）
・圧縮刺激：（荷重制御  静荷重約２００ｍＮ、ひずみ振幅１０．０μｍ、正弦波）
・温度プログラム：２０℃から−１００℃まで５℃／分で降温させ、５分間ホールドする。次に、−１００℃から２００℃まで２℃／分で昇温させる。
・周波数：０．５，１．０，２．０，５．０，１０．０Ｈｚ
その結果、実施例１〜１６、１９及び２０、参考例１７及び１８のインクから作成したフィルムにおいては、５０℃以下の領域及び５０℃以上の領域において各々ガラス転移温度に由来するピークを観測した。一方で、比較例１〜１８のインクから作成したフィルムにおいては、測定温度領域において観測されたガラス転移温度に由来するピークは１つ、又はピークが観測されなかった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
【表８】
2011144354.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月15日(2014.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
合金鋼部品の熱処理システム（１０）であって、
ａ）第一エンクロージャ（１４）と、
ｂ）第一エンクロージャ（１４）に対向しており、第一エンクロージャと共に合金鋼部品の一部分だけの周囲にチャンバ（２２）を画成する第二エンクロージャ（１６）と、
ｃ）チャンバ（２２）内に配置された合金鋼部品の前記部分を加熱する発熱体（４２）と、
ｄ）第一エンクロージャ（１４）及び第二エンクロージャ（１６）の少なくとも一方を貫通する１以上の排出部（３８）と、
ｅ）第一エンクロージャ（１４）及び第二エンクロージャ（１６）の少なくとも一方に連結した真空ポンプ（３４）と
を備える、合金鋼部品の熱処理システム（１０）。
【請求項２】
さらに、第一エンクロージャ（１４）及び第二エンクロージャ（１６）の少なくとも一方に連結した不活性ガスの供給部（２８）を備える、請求項１記載の合金鋼部品の熱処理システム（１０）。
【請求項３】
さらに、第一エンクロージャ（１４）及び第二エンクロージャ（１６）の少なくとも一方を貫通する１以上のポート（２６）を備える、請求項１又は請求項２記載の合金鋼部品の熱処理システム（１０）。
【請求項４】
前記発熱体（４２）が誘導コイルである、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の合金鋼部品の熱処理システム（１０）。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の合金鋼部品の熱処理システム（１０）を用いて合金鋼部品を熱処理する方法であって、
ａ）合金鋼部品の第一側面（５０）に対して前記第一エンクロージャ（１４）を配置する工程と、
ｂ）合金鋼部品の第二側面（５０）に対して前記第二エンクロージャ（１６）を配置する工程と、
ｃ）第一エンクロージャ（１４）と第二エンクロージャ（１６）の間かつ合金鋼部品の一部分だけの周囲に気密チャンバ（２２）を形成する工程と、
ｄ）気密チャンバ（２２）内にある合金鋼部品の前記部分を加熱する工程と、
ｅ）前記排出部（３８）を介して気密チャンバ（２２）から周囲空気又はガスを排出又はパージする工程と、
ｇ）気密チャンバ（２２）内を真空にする工程と
を含む方法。
【請求項６】
さらに、気密チャンバ（２２）内に誘導コイル（４２）を挿入する工程を含む、請求項５記載の合金鋼部品の熱処理方法。
【請求項７】
さらに、気密チャンバ（２２）を５００°Ｆ／ｈ（２８０℃／ｈ）以上の加熱速度で１０００°Ｆ（５４０℃）以上に加熱する工程を含む、請求項５又は請求項６記載の合金鋼部品の熱処理方法。
【請求項８】
さらに、気密チャンバ（２２）内に不活性ガス（２８）を流す工程を含む、請求項５乃至請求項７のいずれか１項記載の合金鋼部品の熱処理方法。
。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月26日(2013.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視で、励振電極、前記励振電極から延出されている引き出し電極、前記引き出し電極と接続されている接続電極、及び前記励振電極と前記接続電極との間に配置されているマーカー電極を含み、少なくとも前記接続電極と前記マーカー電極との間に光透過性を有する領域を含む振動片と、
前記接続電極と導通されている電極パッドを含む基板と、
を含み、
平面視で、前記接続電極は前記電極パッドと重なっており、
平面視で、前記電極パッドの前記励振電極側の外縁が、前記接続電極と前記マーカー電極との間に配置されていることを特徴とする振動デバイス。
【請求項２】
請求項１において、
前記マーカー電極は、前記引き出し電極から離間して配置されていることを特徴とする振動デバイス。
【請求項３】
請求項２において、
前記マーカー電極は、複数の個別電極からなることを特徴とする振動デバイス。
【請求項４】
振動片に、励振電極、接続電極、及び平面視で前記励振電極と前記接続電極との間に配置されるマーカー電極を形成する工程と、
平面視で前記接続電極と前記電極パッドとを重ね、且つ、平面視で前記接続電極と前記マーカー電極との間にパッケージに配置されている電極パッドの前記励振電極側の外縁を配置する工程と、
前記接続電極を前記電極パッドに接続部材を用いて取り付ける工程と、
を含むことを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記振動片は、少なくとも前記接続電極と前記マーカー電極との間に光透過性を有する領域があり、
前記外縁を配置する工程は、
前記振動片を透かして前記外縁を認識することを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】振動デバイス及び振動デバイスの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、パッケージ内に振動片が収納された振動デバイス、および振動デバイスの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一つを解決するように、以下の適用例または形態として実現され得る。
本発明のある実施形態に係る振動デバイスは、平面視で、励振電極、前記励振電極から延出されている引き出し電極、前記引き出し電極と接続されている接続電極、及び前記励振電極と前記接続電極との間に配置されているマーカー電極を含み、少なくとも前記接続電極と前記マーカー電極との間に光透過性を有する領域を含む振動片と、前記接続電極と導通されている電極パッドを含む基板と、を含み、平面視で、前記接続電極は前記電極パッドと重なっており、平面視で、前記電極パッドの前記励振電極側の外縁が、前記接続電極と前記マーカー電極との間に配置されていることを特徴とする。
本発明のある別の実施形態に係る振動デバイスは、前記マーカー電極は、前記引き出し電極から離間して配置されていることを特徴とする。
本発明のある別の実施形態に係る振動デバイスは、前記マーカー電極は、複数の個別電極からなることを特徴とする。
本発明のある別の実施形態に係る振動デバイスの製造方法は、振動片に、励振電極、接続電極、及び平面視で前記励振電極と前記接続電極との間に配置されるマーカー電極を形成する工程と、平面視で前記接続電極と前記電極パッドとを重ね、且つ、平面視で前記接続電極と前記マーカー電極との間にパッケージに配置されている電極パッドの前記励振電極側の外縁を配置する工程と、前記接続電極を前記電極パッドに接続部材を用いて取り付ける工程と、を含むことを特徴とする。
本発明のある別の実施形態に係る振動デバイスの製造方法は、前記振動片は、少なくとも前記接続電極と前記マーカー電極との間に光透過性を有する領域があり、前記外縁を配置する工程は、前記振動片を透かして前記外縁を認識することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月29日(2014.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オーディオ信号を音として出力するスピーカドライバを内蔵したハウジングの聴取者の耳に当たる面にイヤーパッドが取り付けられたヘッドホンにおいて、
前記イヤーパッドは、多角形形状であって聴取者の耳に当たる装着面の前記多角形の複数の辺が傾斜すると共に前記多角形の角に該当する部分が前記角を形成する２辺の傾斜の頂点となることを特徴とするヘッドホン。
【請求項２】
オーディオ信号を音として出力するスピーカドライバを内蔵したハウジングの聴取者の耳に当たる面にイヤーパッドが取り付けられたヘッドホンにおいて、
前記イヤーパッドは、多角形形状であって聴取者の耳に当たる装着面の前記多角形の複数の辺が傾斜すると共に前記多角形の角に該当する部分が前記角を形成する２辺の傾斜の変化点となることを特徴とするヘッドホン。
【請求項３】
オーディオ信号を音として出力するスピーカドライバを内蔵したハウジングの聴取者の耳に当たる面に取り付けられたヘッドホンのイヤーパッドにおいて、
前記イヤーパッドは、多角形形状であって聴取者の耳に当たる装着面の前記多角形の複数の辺が傾斜すると共に前記多角形の角に該当する部分が前記角を形成する２辺の傾斜の頂点となることを特徴とするイヤーパッド。
【請求項４】
オーディオ信号を音として出力するスピーカドライバを内蔵したハウジングの聴取者の耳に当たる面に取り付けられたヘッドホンのイヤーパッドにおいて、
前記イヤーパッドは、多角形形状であって聴取者の耳に当たる装着面の前記多角形の複数の辺が傾斜すると共に前記多角形の角に該当する部分が前記角を形成する２辺の傾斜の変化点となることを特徴とするイヤーパッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本願発明に係るヘッドホンは、オーディオ信号を音として出力するスピーカドライバを内蔵したハウジングの聴取者の耳に当たる面にイヤーパッドが取り付けられたヘッドホンにおいて、前記イヤーパッドは、多角形形状であって聴取者の耳に当たる装着面の前記多角形の複数の辺が傾斜すると共に前記多角形の角に該当する部分が前記角を形成する２辺の傾斜の頂点となることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本願発明に係るヘッドホンは、オーディオ信号を音として出力するスピーカドライバを内蔵したハウジングの聴取者の耳に当たる面にイヤーパッドが取り付けられたヘッドホンにおいて、前記イヤーパッドは、多角形形状であって聴取者の耳に当たる装着面の前記多角形の複数の辺が傾斜すると共に前記多角形の角に該当する部分が前記角を形成する２辺の傾斜の変化点となることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本願発明に係るイヤーパッドは、オーディオ信号を音として出力するスピーカドライバを内蔵したハウジングの聴取者の耳に当たる面に取り付けられたヘッドホンのイヤーパッドにおいて、前記イヤーパッドは、多角形形状であって聴取者の耳に当たる装着面の前記多角形の複数の辺が傾斜すると共に前記多角形の角に該当する部分が前記角を形成する２辺の傾斜の頂点となることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本願発明に係るイヤーパッドは、オーディオ信号を音として出力するスピーカドライバを内蔵したハウジングの聴取者の耳に当たる面に取り付けられたヘッドホンのイヤーパッドにおいて、前記イヤーパッドは、多角形形状であって聴取者の耳に当たる装着面の前記多角形の複数の辺が傾斜すると共に前記多角形の角に該当する部分が前記角を形成する２辺の傾斜の変化点となることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
以上のように、イヤーパッドの使用者の頭部に接触する面において、イヤーパッドの辺ごとの傾斜を上り又は下りの単調な斜面とし、上りから下りへの変化点、下りから上りへの変化点、又は傾斜角の変化点をイヤーパッドの角部に合わせることにより、イヤーパッドを形成する構成部品を分割して単純な形で製造し、組み合わせて形成可能とすることにより、使用者の耳の周囲にフィットしやすい複雑な凹凸を有する装着面を備えるイヤーパッドの生産・組み立てを容易に低コストで行うことが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月18日(2013.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図５−７は、上述の場合において、第２の誘電体膜１０５を、電極指１１２の上方に被覆せず、電極指１１２間の上方にのみ被覆する点のみ条件を変えて、その膜厚を変化させた場合の弾性波素子１００のアドミタンス特性を示す図である。図５−７に示すように、第２の誘電体膜１０５を被覆しない場合（０λ）から、膜厚を厚くしていくにつれて、レイリー波の共振周波数、反共振周波数が低くなるのに対し、ＳＨ波のピークの周波数が高くなり、膜厚が０．０１λ以上であれば、ＳＨ波のピークの周波数が、レイリー波の反共振周波数より高くなる。これは、レイリー波に対しては、第２の誘電体膜１０５を被覆することによる質量付加の効果が作用して、レイリー波の伝搬速度が低下するのに対し、レイリー波より伝送路の表面側にエネルギーが集中するＳＨ波に対しては、第２の誘電体膜１０５の横波の伝搬速度が第１の誘電体膜１０４より速いことが作用し、ＳＨ波の伝搬速度が増加するためと考えられる。このように、第２の誘電体膜１０５の厚さを、電極指１１２の上方の部分より、電極指１１２間の上方の部分のほうを厚くすることで、レイリー波の共振周波数と反共振周波数との間から帯域内リプルとなるＳＨ波のピークを高周波数側に外すことができ、フィルタの通過特性を改善できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
第２の誘電体膜１０５の、電極指１１２の上方の部分の厚さと電極指１１２間の上方の部分の厚さとの差は、０．１λを超えると、レイリー波のＫ２値が小さくなる。そのため、厚さの差は、０．１λ以下とすることが望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
第２の誘電体膜１０５の、電極指１１２の上方の部分の厚さと電極指１１２間の上方の部分の厚さとの差は、０．１λを超えると、レイリー波のＫ２値が小さくなる。そのため、厚さの差は、０．１λ以下とすることが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月27日(2014.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転シャフトに固設され、前記回転シャフトの周縁部に沿って配置されている複数の穴部が設けられている、ローターコアと、
前記穴部に挿入された磁石と、
前記穴部と前記磁石との離間部であって、前記磁石の側壁のうちの少なくとも前記ローターコアの内周縁側に位置する側壁上に設けられて前記磁石を固定する固定部材と、を備えるロータのうち前記固定部材の形成に用いる固定用樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂（Ａ）と、
硬化剤（Ｂ）と、
無機充填剤（Ｃ）と、を含み、
前記無機充填剤（Ｃ）の含有量が、前記固定用樹脂組成物の合計値１００質量％に対して、５０質量％以上であり、
スパイラルフローが５０ｃｍ以上である、固形の固定用樹脂組成物。
【請求項２】
前記無機充填剤（Ｃ）がシリカを含む、請求項１に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項３】
前記シリカの含有量が、前記固定用樹脂組成物の合計値１００質量％に対して、４０質量％以上である、請求項２に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項４】
アルミナの含有量が、前記固定用樹脂組成物の合計値１００質量％に対して、１０質量％以下である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項５】
前記無機充填剤（Ｃ）は、平均粒径Ｄ５０が異なる２以上の球状シリカを含む、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項６】
前記平均粒径Ｄ５０が、７５μｍ以下である、請求項５に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項７】
前記硬化剤（Ｂ）が、フェノール樹脂を含む、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項８】
硬化促進剤（Ｄ）をさらに含む、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項９】
前記硬化促進剤（Ｄ）が、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項８に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項１０】
無機難燃剤（Ｇ）をさらに含む、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項１１】
前記無機難燃剤（Ｇ）が、金属水酸化物、または複合金属水酸化物を含む、請求項１０に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項１２】
前記固定用樹脂組成物に対して、イオン性不純物の濃度が５００ｐｐｍ以下であり、
前記イオン性不純物は、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン及びハロゲンイオンより選ばれる少なくとも１種以上である、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項１３】
前記固定用樹脂組成物に対して、ナトリウムイオンの濃度が１００ｐｐｍ以下である、請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項１４】
前記固定用樹脂組成物に対して、塩素イオンの濃度が１００ｐｐｍ以下である、請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項１５】
イオン捕捉剤をさらに含み、
前記イオン捕捉剤が、ハイドロタルサイト類またはマグネシウム、アルミニウム、ビスマス、チタン、ジルコニウムから選ばれる元素の含水酸化物を含む、請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項１６】
低応力剤をさらに含み、
前記低応力剤が、ポリブタジエン化合物、アクリロニトリルブタジエン共重合化合物またはシリコーン化合物を含む、請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項１７】
前記磁石が、ネオジム磁石で構成される、請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項１８】
前記固定部材は、タブレット状の前記固定用樹脂組成物を用い、インサート成形で形成される、請求項１から請求項１７のいずれか１項に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項１９】
金型温度１７５℃、成形圧力６．９ＭＰａの条件で、幅３ｍｍ、厚さ８０μｍの断面形状を有する流路に前記固定用樹脂組成物を注入した際のスリット流動長が３０ｍｍ以上である、請求項１から請求項１８のいずれか１項に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項２０】
前記固定部材のガラス転移温度（Ｔｇ）が、１５０℃以上である、請求項１から請求項１９のいずれか１項に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項２１】
１５０℃における、前記固定部材の曲げ強度が、７０ＭＰａ以上である、請求項１から請求項２０のいずれか１項に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項２２】
１５０℃における、前記固定部材の曲げ弾性率が、１．６×１０４ＭＰａ以下である、請求項１から請求項２１のいずれか１項に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項２３】
２５℃以上、ガラス転移温度（Ｔｇ）以下の領域における、前記固定部材の線膨張係数（α１）が、１０ｐｐｍ／℃以上、２５ｐｐｍ／℃以下である、請求項１から請求項２２のいずれか１項に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項２４】
高化式粘度測定装置を用いて、測定温度１７５℃、荷重１０ｋｇで測定した際の、前記固定用樹脂組成物の高化式粘度が、６Ｐａ・ｓ以上５０Ｐａ・ｓ以下である、請求項１から請求項２３のいずれか１項に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項２５】
１７５℃におけるゲルタイムが、１０秒以上、４０秒以下である、請求項１から請求項２４のいずれか１項に記載の固定用樹脂組成物。
【請求項２６】
キュラストメーターを用いて、測定温度１７５℃で前記固定用樹脂組成物の硬化トルクを経時的に測定した際の、測定開始６０秒後の硬化トルク値をＴ６０、測定開始３００秒後までの最大硬化トルク値をＴｍａｘとしたとき、測定開始３００秒後までの最大硬化トルク値に対する測定開始６０秒後の硬化トルク値の比Ｔ６０／Ｔｍａｘ（％）が、４０％以上である、請求項１から請求項２５のいずれか１項に記載の固定用樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月6日(2014.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次巻線と２次巻線と３次巻線とを有するトランスと、
交流電力を直流電力に変換する１次側整流回路と、
前記１次側整流回路の直流電力を平滑化する１次側電解コンデンサと、
前記トランスの２次巻線が出力する交流電力を直流電力に変換する２次側整流回路と、
前記２次側整流回路が出力する直流電力を平滑化する２次側電解コンデンサと、
前記１次側電解コンデンサの電圧を入力する前記トランスの１次巻線の開閉を繰り返すスイッチング回路と、
前記スイッチング回路の開閉を制御する駆動信号のパルス幅を制御するパルス幅制御回路と、
コンデンサと抵抗を具備し、前記コンデンサによって直流分が除去された電圧を前記抵抗によって所定の値に分圧した電圧によって前記１次側電解コンデンサの劣化を検知する１次側電解コンデンサ劣化検知回路と、
前記１次側電解コンデンサ劣化検知回路の劣化検出信号を入力する停止信号発生回路と、
を備え、
前記１次側電解コンデンサ劣化検知回路は前記１次側電解コンデンサの電圧を入力し、
前記１次側電解コンデンサ劣化検知回路の劣化検出信号で前記停止信号発生回路が停止信号を発生することによって、前記パルス幅制御回路から前記スイッチング回路への駆動信号の供給が停止されることによりスイッチング電源回路の動作を止めることを特徴とする保護機能付きスイッチング電源回路。
【請求項２】
１次巻線と２次巻線と３次巻線とを有するトランスと、
交流電力を直流電力に変換する１次側整流回路と、
前記１次側整流回路の直流電力を平滑化する１次側電解コンデンサと、
前記トランスの２次巻線が出力する交流電力を直流電力に変換する２次側整流回路と、
前記２次側整流回路が出力する直流電力を平滑化する２次側電解コンデンサと、
前記１次側電解コンデンサの電圧を入力する前記トランスの１次巻線の開閉を繰り返すスイッチング回路と、
前記スイッチング回路の開閉を制御する駆動信号のパルス幅を制御するパルス幅制御回路と、
絶縁トランスを有せず前記１次側電解コンデンサの劣化を検知する１次側電解コンデンサ劣化検知回路と、
前記１次側電解コンデンサ劣化検知回路の劣化検出信号を入力する停止信号発生回路と、
を備え、
前記１次側電解コンデンサ劣化検知回路は前記１次側電解コンデンサの電圧を入力し、
前記１次側電解コンデンサ劣化検知回路の劣化検出信号で前記停止信号発生回路が停止信号を発生することによって、前記パルス幅制御回路から前記スイッチング回路への駆動信号の供給が停止されることによりスイッチング電源回路の動作を止めることを特徴とする保護機能付きスイッチング電源回路。
【請求項３】
前記停止信号発生回路の出力端子が前記スイッチング回路の制御入力端子に接続され、前記停止信号発生回路から停止信号が出力されることによって、前記パルス幅制御回路から前記スイッチング回路へ出力される駆動信号が禁止されてスイッチング電源回路の動作を停止することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の保護機能付きスイッチング電源回路。
【請求項４】
前記停止信号発生回路の出力端子が前記パルス幅制御回路の電源端子に接続され、前記停止信号発生回路から停止信号が出力されることによって、前記パルス幅制御回路への電源供給が停止されてスイッチング電源回路の動作を停止することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の保護機能付きスイッチング電源回路。
【請求項５】
前記停止信号発生回路の出力端子が前記パルス幅制御回路の発振停止端子に接続され、前記停止信号発生回路の出力信号が概ね１次側アースと同電位になることによって、前記パルス幅制御回路の発振が停止し、前記スイッチング回路への駆動信号の供給が停止され、スイッチング電源回路の動作を停止することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の保護機能付きスイッチング電源回路。
【請求項６】
さらに、
前記１次側整流回路と前記１次側電解コンデンサとの間に、電源投入時の前記１次側電解コンデンサ劣化検知回路による前記１次側電解コンデンサの劣化の誤検出を防止する誤検知防止回路
を備えたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の保護機能付きスイッチング電源回路。
【請求項７】
前記誤検知防止回路は、
前記１次側整流回路の第１直流出力端子と前記１次側電解コンデンサの１次側直流端子との間に接続された第１抵抗と、
前記第１直流出力端子に一端を接続された第２抵抗と、
当該第２抵抗の他端と、前記１次側電解コンデンサの１次側アースとの間に接続された第３抵抗と、
前記第２抵抗の他端と、前記１次側電解コンデンサの１次側アースとの間に接続されたコンデンサと、
アノードが前記第１直流出力端子に接続され、カソードが前記１次側直流端子に接続され、ゲートが前記第２抵抗と前記コンデンサの接続点に接続されたサイリスタと、
を備えて構成されることを特徴とする請求項６に記載の保護機能付きスイッチング電源回路。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の保護機能付きスイッチング電源回路を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記の課題を解決して、本発明の目的を達成するために、各発明を以下のような構成とした。
すなわち、本発明の保護機能付きスイッチング電源回路は、１次巻線と２次巻線と３次巻線とを有するトランスと、交流電力を直流電力に変換する１次側整流回路と、前記１次側整流回路の直流電力を平滑化する１次側電解コンデンサと、前記トランスの２次巻線が出力する交流電力を直流電力に変換する２次側整流回路と、前記２次側整流回路が出力する直流電力を平滑化する２次側電解コンデンサと、前記１次側電解コンデンサの電圧を入力する前記トランスの１次巻線の開閉を繰り返すスイッチング回路と、前記スイッチング回路の開閉を制御する駆動信号のパルス幅を制御するパルス幅制御回路と、コンデンサと抵抗を具備し、前記コンデンサによって直流分が除去された電圧を前記抵抗によって所定の値に分圧した電圧によって前記１次側電解コンデンサの劣化を検知する１次側電解コンデンサ劣化検知回路と、前記１次側電解コンデンサ劣化検知回路の劣化検出信号を入力する停止信号発生回路と、を備え、前記１次側電解コンデンサ劣化検知回路は前記１次側電解コンデンサの電圧を入力し、前記１次側電解コンデンサ劣化検知回路の劣化検出信号で前記停止信号発生回路が停止信号を発生することによって、前記パルス幅制御回路から前記スイッチング回路への駆動信号の供給が停止されることによりスイッチング電源回路の動作を止めることを特徴とする。
また、その他の手段は、発明を実施するための形態のなかで説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月28日(2014.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
図１１は、第２実施形態に係るＸ線照射処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムは制御装置３に備えられた記録媒体であるＲＯＭの所定領域に予め記憶されている。また、図１２は、第２実施形態に係るＸ線照射処理の説明に供する概略上面図である。なお、図１２において、第２領域の位置の移動をわかりやすくするため、患者Ｋ及び腫瘍Ｃの描画を省略している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
制御装置３のＣＰＵは、予め定められたタイミング（本実施形態では、実行する旨の指示入力が行なわれたタイミング）で、当該Ｘ線照射処理プログラムを実行する。なお、第１実施形態と同様に、患者Ｋを寝台７の上部に横たわらせた状態で治療を行う場合について説明する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
ステップＳ２１３において照射が終了していないと判定された場合、ステップＳ２１５において、ＣＰＵは、遮蔽体６をＸ線ビームＸの出射方向における中心線を回転軸として回転させるように回転駆動装置６ｂを制御する。この際、ＣＰＵは、前回の第２領域における面状のＸ線ビームＸと今回の第２領域における面状のＸ線ビームＸとの角度とが略９０°になるように遮蔽体６を回転させるように回転駆動装置６ｂを制御する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
ステップＳ２１７において、ＣＰＵは、寝台７の位置が移動するように移動駆動装置７ａを制御した上で、ステップＳ１０７に移行する。この際、ＣＰＵは、第２領域の位置を、第１領域を複数の領域に分割した各分割領域に対して連続的になるように移動させる。すなわち、前回のステップＳ２０７における第２領域と今回の第２領域とにおいて端部の一部分が重なり、かつ腫瘍Ｃの一部が今回の第２領域に含まれるように、寝台７の位置を移動させる。ステップＳ２０７において、ＣＰＵは、再びＸ線ビームＸの照射を行うことで、図１２（Ｂ）に示すように、今回の第２領域Ｒ２が前回の第２領域Ｒ１と一部重なり、かつ第２領域Ｒ１における面状のＸ線ビームＸと第２領域Ｒ２における面状のＸ線ビームＸとが相互に９０°の角度をなすようにＸ線ビームＸが照射される。