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【手続補正書】
【提出日】平成26年2月27日(2014.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置及び制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像形成装置及び制御方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の目的は、電力の消費を抑制すると共に、ノイズ発生を抑制し、データ処理回路を駆動するためのクロック出力を停止し再開させるときに生じるロックアップタイムによる時間的ロスを低減可能に構成した画像形成装置及び制御方法を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、請求項１記載の画像形成装置は、クロック信号に従ってデータ処理を実行するデータ処理回路に対する前記クロック信号の出力を制御し、前記データ処理に従って用紙に画像を形成する画像形成装置であって、前記データ処理用の第１のクロック信号を出力する第１のクロック出力手段と、前記データ処理用の第１のクロック信号よりも周波数の低い第２のクロック信号を出力する第２のクロック出力手段と、前記第１のクロック出力手段から出力されたデータ処理用の第１のクロック信号または前記第２のクロック出力手段から出力された第２のクロック信号を前記データ処理回路へ出力する切替手段と、用紙の先端の検知に従って、前記データ処理用の第１のクロック信号を出力するように前記切替手段を制御し、用紙の後端の検知に従って、前記第２のクロック信号を出力するように前記切替手段を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロック信号に従ってデータ処理を実行するデータ処理回路に対する前記クロック信号の出力を制御し、前記データ処理に従って用紙に画像を形成する画像形成装置であって、
前記データ処理用の第１のクロック信号を出力する第１のクロック出力手段と、
前記データ処理用の第１のクロック信号よりも周波数の低い第２のクロック信号を出力する第２のクロック出力手段と、
前記第１のクロック出力手段から出力されたデータ処理用の第１のクロック信号または前記第２のクロック出力手段から出力された第２のクロック信号を前記データ処理回路へ出力する切替手段と、
用紙の先端の検知に従って、前記データ処理用の第１のクロック信号を出力するように前記切替手段を制御し、用紙の後端の検知に従って、前記第２のクロック信号を出力するように前記切替手段を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
用紙に画像を形成する画像形成手段と、
前記画像形成手段へ用紙を搬入する搬送路上に配置された前記用紙の先端と後端を検出するセンサをさらに備え、
前記制御手段は、前記センサが搬送されている前記用紙の先端を検出したときに出力する紙先端検知信号を受信して画像出力開始信号を出力すると共に、前記センサが前記用紙の後端を検出したときに出力された紙後端検知信号を受信して画像出力終了信号を出力する選択手段と、
前記選択手段から前記画像出力開始信号を受信して、前記データ処理用の第１のクロック信号を出力するように前記切替手段を制御すると共に、前記選択手段から前記画像出力終了信号を受信して、前記第２のクロック信号を出力するように前記切替手段を制御する検知手段とを備えることを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
用紙に画像を形成する画像形成手段と、
前記画像形成手段へ用紙を搬入する搬送路上に配置された前記用紙の先端と後端を検出するセンサをさらに備え、
前記制御手段は、前記センサが搬送されている前記用紙の先端検知時に生成される信号を受信して、前記データ処理用の第１のクロック信号を出力するように前記切替手段を制御すると共に、前記センサが搬送されている前記用紙の後端検知時に生成される信号を受信して、前記第２のクロック信号を出力するように前記切替手段を制御することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記切替手段は、クロック信号をＬＯＷの区間で切替えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記切替手段は、前記第１及び第２のクロック信号の両方を受信し、前記第１及び第２のクロック信号のうちの一つを前記データ処理回路へ出力することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記第１のクロック出力手段は、第３のクロック信号を入力し、前記第３のクロック信号から前記第１のクロック信号を生成し、前記第１のクロック信号を出力し、
前記第２のクロック出力手段は、前記第１のクロック信号を入力し、前記第１のクロック信号から前記第２のクロック信号を生成し、前記第２のクロック信号を出力することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記切替手段は、前記用紙の先端の検知前、前記第２のクロック信号を出力することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
クロック信号に従ってデータ処理を実行するデータ処理回路に対する前記クロック信号の出力を制御する方法であって、
前記データ処理に従って用紙に画像を形成する画像形成ステップと、
用紙の先端を検知する第１の検知ステップと、
前記用紙の先端の検知に従って、前記データ処理用の第１のクロック信号を前記データ処理回路に出力する第１の出力ステップと、
用紙の後端を検知する第２の検知ステップと、
前記用紙の後端の検知に従って、前記第１のクロック信号よりも周波数の低い第２のクロック信号を前記データ処理回路に出力する第２の出力ステップと、を有することを特徴とする制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月9日(2014.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に第１の導電層を有し、
前記第１の導電層上に第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層上に第２の導電層を有し、
前記第２の導電層上に第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層に、前記第２の導電層に達する開口部を有し、
前記第２の絶縁層上及び前記開口部内に第１の半導体層を有し、
前記第２の絶縁層上及び前記第１の半導体層上に第３の導電層を有し、
前記第２の絶縁層上に第４の導電層を有し、
前記第２の絶縁層上、前記第３の導電層上、及び前記第４の導電層上に第２の半導体層を有し、
前記第２の半導体層上に第３の絶縁層を有し、
前記第３の絶縁層上に第５の導電層を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層と重なる領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第１の導電層と電気的に接続されており、
前記第５の導電層は、前記第２の半導体層と重なる領域を有し、
前記第１の半導体層は、シリコンを有し、
前記第２の半導体層は、インジウムとガリウムと亜鉛と酸素とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に第１の導電層を有し、
前記絶縁表面上に第３の半導体層を有し、
前記第１の導電層上及び前記第３の半導体層上に第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層上に第２の導電層を有し、
前記第１の絶縁層上に第６の導電層を有し、
前記第２の導電層上及び前記第６の導電層上に第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層に、前記第２の導電層に達する開口部を有し、
前記第２の絶縁層上及び前記開口部内に第１の半導体層を有し、
前記第２の絶縁層上及び前記第１の半導体層上に第３の導電層を有し、
前記第２の絶縁層上に第４の導電層を有し、
前記第２の絶縁層上に第７の導電層を有し、
前記第２の絶縁層上に第８の導電層を有し、
前記第２の絶縁層上、前記第３の導電層上、及び前記第４の導電層上に第２の半導体層を有し、
前記第２の半導体層上に第３の絶縁層を有し、
前記第３の絶縁層上に第５の導電層を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層と重なる領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第１の導電層と電気的に接続されており、
前記第５の導電層は、前記第２の半導体層と重なる領域を有し、
前記第６の導電層は、前記第３の半導体層の有するチャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第７の導電層は、前記第３の半導体層の有するソース領域と電気的に接続されており、
前記第８の導電層は、前記第３の半導体層の有するドレイン領域と電気的に接続されており、
前記第１の半導体層は、シリコンを有し、
前記第２の半導体層は、インジウムとガリウムと亜鉛と酸素とを有し、
前記第３の半導体層は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月10日(2014.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
読み出し回路を有し、
前記読み出し回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１のスイッチと、第２のスイッチと、を有し、
前記第１のトランジスタの第１の端子は、前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第２の端子は、前記第１のスイッチを介して前記読み出し回路の出力に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第１の端子は、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第２の端子は、前記第２のスイッチを介して前記読み出し回路の出力に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第１の端子は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第１の端子は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第１の配線は、第１の電位を供給することができる機能を有し、
前記第２の配線は、第２の電位を供給することができる機能を有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
読み出し回路を有し、
前記読み出し回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１のスイッチと、第２のスイッチと、を有し、
前記第１のトランジスタの第１の端子は、前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第２の端子は、前記第１のスイッチを介して前記読み出し回路の出力に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第１の端子は、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第２の端子は、前記第２のスイッチを介して前記読み出し回路の出力に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第１の端子は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第１の端子は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第１の配線は、第１の電位を供給することができる機能を有し、
前記第２の配線は、第２の電位を供給することができる機能を有し、
前記第１のトランジスタのしきい値電圧は、前記第２のトランジスタのしきい値電圧とは異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
読み出し回路を有し、
前記読み出し回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１のスイッチと、第２のスイッチと、を有し、
前記第１のトランジスタの第１の端子は、前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第２の端子は、前記第１のスイッチを介して前記読み出し回路の出力に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第１の端子は、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第２の端子は、前記第２のスイッチを介して前記読み出し回路の出力に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第１の端子は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第１の端子は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第１の配線は、第１の電位を供給することができる機能を有し、
前記第２の配線は、第２の電位を供給することができる機能を有し、
前記第１のスイッチがオンし、前記第１のトランジスタが前記読み出し回路の出力と導通状態になる第１の期間を有し、
前記第２のスイッチがオンし、前記第２のトランジスタが前記読み出し回路の出力と導通状態になる第２の期間を有し、
前記第１の期間は、データの書き込みが正常に行われるか否かを判定する期間であり、
前記第２の期間は、データの読み出しを行う期間であり、
前記第１のトランジスタのしきい値電圧は、前記第２のトランジスタのしきい値電圧より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
メモリセルと、第３のスイッチと、を有し、
前記メモリセルは、前記第３のスイッチを介して前記読み出し回路の出力に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記読み出し回路は、前記メモリセルに書き込まれたデータの読み出しを行う機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第２の電位は、前記第１の電位以下の電位であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の電位および前記第２の電位を、外部から無線で供給することができる機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記読み出し回路の出力に電気的に接続されたインバータまたはセンスアンプを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記第１のトランジスタは、バックゲートを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月11日(2014.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のヘッドおよび第２のヘッドを含む複数のヘッド（１０８）であって、前記第１のヘッドが、光記憶システム（１０、１１０、１３０、１８０）の光媒体（１２）の第１のデータトラック（１８２）内にデータ（１２０）を記録するように構成され、前記第２のヘッドが、前記光媒体の前記第１のデータトラック（１８２）と同じデータ層にある第２のデータトラック（１８２）内にデータ（１２６）を記録するように構成され、前記第１のヘッドおよび前記第２のヘッドが、同時に記録するように構成された、ヘッド（１０８）と、
符号化回路（１１６、１２２）とを備え、前記符号化回路（１１６、１２２）が、
ソースデータ（１１２）を符号化して符号化データを生成し、
前記符号化データを前記第１のヘッドおよび前記第２のヘッドに分配するように構成されており、
前記符号化データの第１の部分（１２０）が前記第１のヘッドに送出され、前記符号化データの第２の部分（１２６）が前記第２のヘッドに送出される、光記憶システム（１０、１１０、１３０、１８０）。
【請求項２】
前記符号化回路（１１６、１２２）が、前記ソースデータ（１１２）のフォワードエラー補正符号化を行うように構成された２つ以上のエンコーダ（１１６、１２２）を備える、請求項１記載のシステム（１０、１１０、１３０、１８０）。
【請求項３】
前記フォワードエラー補正符号化がターボ符号化である、請求項２記載のシステム（１０、１１０、１３０、１８０）。
【請求項４】
前記符号化回路（１１６、１２２）が、前記２つ以上のエンコーダによって挿入されたビットを除去して符号化データ（１２０、１２６）を生成するように構成されたパンクチャラ（１１８、１２４）を備える、請求項２記載のシステム（１０、１１０、１３０、１８０）。
【請求項５】
前記符号化回路（１１６、１２２）が、前記ソースデータ（１１２）を並べ替えるように構成されたインターリーバ（１１４）を備え、前記ソースデータ（１１２）が前記２つ以上のエンコーダ（１１６、１２２）のうちの第１のエンコーダ（１１６）で符号化されて、前記符号化データ（１２０、１２６）のうちの第１の符号化データセグメント（１２０）を生成し、並べ替えられたソースデータ（１１２）が前記２つ以上のエンコーダ（１１６、１２２）のうちの第２のエンコーダ（１２２）で符号化されて、前記符号化データ（１２０、１２６）のうちの第２の符号化データセグメント（１２６）を生成する、請求項２記載のシステム（１０、１１０、１３０、１８０）。
【請求項６】
前記第１の符号化データセグメント（１２０）が前記第１のヘッドに送出され、前記第２の符号化データセグメント（１２６）が前記第２のヘッドに送出される、請求項５記載のシステム（１０、１１０、１３０、１８０）。
【請求項７】
前記第１の符号化データセグメント（１２０）または前記第２の符号化データセグメント（１２６）を前記第１のヘッドに選択的に送出し、前記第１の符号化データセグメント（１２０）または前記第２の符号化データセグメント（１２６）を前記第２のヘッドに選択的に送出するように構成された選択回路（１６２）を備える、請求項５記載のシステム（１０、１１０、１３０、１８０）。
【請求項８】
前記第１のヘッドおよび前記第２のヘッドが、前記光媒体（１２）からデータを同時に受け取るように構成され、前記第１のヘッドが第１の受取りデータ（１３２）を受け取り、前記第２のヘッドが第２の受取りデータ（１４０）を受け取る、請求項１記載のシステム（１０、１１０、１３０、１８０）。
【請求項９】
前記第１の受取りデータ（１３２）および前記第２の受取りデータ（１４０）をほぼ同時に復号化し、かつ前記ソースデータ（１１２）の推定値を含む復号化データ（１３８、１４６）を出力するように構成された復号化回路（１３６、１４４）を備える、請求項８記載のシステム（１０、１１０、１３０、１８０）。
【請求項１０】
前記第１の受取りデータ（１３２）を復号化して第１の推定値（１３８）を生成するように構成された第１のデコーダ（１３６）と、前記第２の受取りデータ（１４０）を復号化して第２の推定値（１４６）を生成するように構成された第２のデコーダ（１４４）とを含む復号化回路（１３６、１４４）を備え、前記第１の推定値（１３８）および前記第２の推定値（１４６）が前記ソースデータ（１１２）の推定値になる、請求項８記載のシステム（１０、１１０、１３０、１８０）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月31日(2014.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
茶抽出物を乾燥することにより得られる茶加工品であって、前記茶加工品中の、Ｂｒｉｘから算出される水可溶性固形分［Ａ］と、水不溶性固形分[Ｂ]の含有比率、[Ａ]／［Ｂ］が０．５〜４０．０であることを特徴とする茶加工品。
【請求項２】
前記水可溶性固形分［Ａ］と前記水不溶性固形分[Ｂ]との比、[Ａ]／［Ｂ］が、１．７〜４０．０の範囲であることを特徴とする請求項１記載の茶加工品。
【請求項３】
前記茶加工品には、グルコースとフルクトースの合計含有量［Ｍ］とスクロースの含有量［Ｄ］の比［Ｍ］／［Ｄ］が０．０５〜０．２０．０の範囲であり、且つスクロースの含有量が３．０wt%〜１５．０wt%の範囲であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の茶加工品。
【請求項４】
前記茶抽出物は、生葉の殺青処理、若しくは萎凋処理後の茶葉の細断物から抽出されることを特徴とする請求項１〜請求項３いずれか１項に記載の茶加工品。
【請求項５】
前記茶抽出物は、スラリー状に形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項４いずれか１項に記載の茶加工品。
【請求項６】
加熱乾燥後の形態が粉末状及び／又は顆粒状であることを特徴とする請求項１〜請求項５いずれか１項に記載の茶加工品。
【請求項７】
茶抽出物を乾燥することによって得られる、茶加工品の製造方法であって、
殺青処理若しくは萎凋処理が施された生葉を、湿潤状態で、細片の大きさが３ｍｍ以下に切断された細片状の茶葉切断物を得る切断工程と、
前記細片状の茶葉切断物から抽出して茶抽出液を得る抽出工程と、
前記茶抽出液から茶葉切断物を除去する茶葉除去工程と
前記茶葉除去工程で生じた残渣を圧搾して圧搾液を得る圧搾工程と、
前記圧搾液を前記茶抽出液に混入する工程と、
得られた前記茶抽出液を加熱体に直接接触させることにより加熱乾燥して茶抽出乾燥物を得る乾燥工程とを有し、
前記乾燥工程において加熱乾燥する前記茶抽出液には、Ｂｒｉｘから算出される水溶性固形分[Ａ]と、水不溶性固形分[Ｂ]の含有比率、［Ａ］／［Ｂ］が０．２５〜２０．０の範囲となるように調整されることを特徴とする茶加工品の製造方法。
【請求項８】
前記加熱乾燥工程における前記加熱体の温度が１００℃から１６０℃の範囲であり、前記加熱体への前記抽出物の乾燥後の接触時間が４から９０秒の範囲に調整されることを特徴とする請求項７に記載の茶加工品の製造方法。
【請求項９】
前記切断工程で、生葉に対して所定量加水する加水工程を含むことを特徴とする請求項７または８に記載の茶加工品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月27日(2014.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
この制御装置５は、上記各駆動部等に電気的に接続されて、以下に述べるワークＷの外周Ｒ面研削方法を自動で実行するように、上記各駆動部を駆動制御する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月7日(2014.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートを挟持して搬送する搬送ローラ対と、
前記搬送ローラ対に挟持されているシートのシート搬送方向と交差する幅方向の移動に追従して、前記搬送ローラ対をホームポジションから移動させ、シートの後端が前記搬送ローラ対のニップ部を通過すると、前記搬送ローラ対を前記ホームポジションへ戻す搬送ローラ対移動機構と、
を有し、
前記搬送ローラ対移動機構は、
装置本体または前記搬送ローラ対の一方と接続されたカムと、
装置本体または前記搬送ローラ対の他方に接続され、前記カムのカム面に接触する接触部材と、
前記カムまたは前記接触部材の一方を他方に対して付勢することで、前記搬送ローラ対を前記ホームポジションに付勢する付勢部材と、を有することを特徴とするシート搬送装置。
【請求項２】
前記カムは、一方に第１のカム面を、他方に第２のカム面を有することを特徴とする請求項１に記載のシート搬送装置。
【請求項３】
前記搬送ローラ対が前記ホームポジションから前記幅方向の一方側に移動すると、前記接触部材は前記第１のカム面に接触し、前記搬送ローラ対が前記ホームポジションから前記幅方向の他方側に移動すると、前記接触部材は前記第２のカム面に接触し、
前記接触部材が前記第１のカム面と接触した状態では、前記搬送ローラ対を前記他方側へ移動させる方向に前記付勢部材からの付勢力が前記搬送ローラ対に対して作用し、前記接触部材が前記第２のカム面と接触した状態では、前記搬送ローラ対を前記一方側へ移動させる方向に前記付勢部材からの付勢力が前記搬送ローラ対に対して作用することを特徴とする請求項２に記載のシート搬送装置。
【請求項４】
前記搬送ローラ対が前記ホームポジションに位置している状態において、前記接触部材は、前記第１のカム面と前記第２のカム面の両方と接触していることを特徴とする請求項２または３に記載のシート搬送装置。
【請求項５】
前記接触部材は、前記カム面と接触して回転する回転体と、前記回転体を保持する保持部材を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項６】
前記搬送ローラ対を前記幅方向に移動可能に支持する移動支持部を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項７】
前記第１のカム面及び前記第２のカム面は、左右対称の形状であることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項８】
前記第１のカム面及び前記第２のカム面は、傾斜した傾斜面又は湾曲した湾曲面であることを特徴とする請求項２乃至７のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項９】
前記カム面は、中央位置から前記幅方向に対称的な形状をしていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項１０】
前記接触部材は、前記カムに対して前記幅方向の両方向に同一の付勢力を付与することで前記搬送ローラ対を前記ホームポジションに付勢することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項１１】
前記搬送ローラ対のシート搬送方向における下流側に設けられ、シートを挟持して搬送する下流ローラ対と、
前記下流ローラ対を前記幅方向に移動させる下流ローラ対移動部を有し、
前記搬送ローラ対移動機構は、前記下流ローラ対移動部により前記下流ローラ対が前記幅方向に移動させられると、前記下流ローラ対に挟持されて幅方向に移動するシートに追従して、シートを挟持している前記搬送ローラ対を前記ホームポジションから移動させることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項１２】
前記搬送ローラ対のシート搬送方向における下流側に設けられ、シートの斜行を補正するために前記搬送ローラ対に搬送されるシートの先端が当接する当接部を有し、
前記搬送ローラ対移動機構は、前記搬送ローラ対により搬送されるシートが前記当接部に当接してシート搬送方向と交差する幅方向に移動する際に、シートに追従して、シートを挟持している前記搬送ローラ対を前記ホームポジションから移動させることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１に記載のシート搬送装置。
【請求項１３】
前記カムは、前記搬送ローラ対に接続され、前記接触部材は、前記装置本体に接続されていることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１に記載のシート搬送装置。
【請求項１４】
シートに画像を形成する画像形成部と、
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のシート搬送装置を有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、シートを挟持して搬送する搬送ローラ対と、前記搬送ローラ対に挟持されているシートのシート搬送方向と交差する幅方向の移動に追従して、前記搬送ローラ対をホームポジションから移動させ、シートの後端が前記搬送ローラ対のニップ部を通過すると、前記搬送ローラ対を前記ホームポジションへ戻す搬送ローラ対移動機構と、を有し、前記搬送ローラ対移動機構は、装置本体または前記搬送ローラ対の一方と接続されたカムと、装置本体または前記搬送ローラ対の他方に接続され、前記カムのカム面に接触する接触部材と、前記カムまたは前記接触部材の一方を他方に対して付勢することで、前記搬送ローラ対を前記ホームポジションに付勢する付勢部材と、を有することを特徴とするシート搬送装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月25日(2014.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
遊技者による開始操作が行われることに基づいて複数列の図柄を変動させて行う１回の遊技が図柄表示手段で開始され、１回の遊技の開始に基づき各列の図柄の変動が開始された後、遊技者による停止操作に基づいて対応する列の図柄が停止される遊技機において、
実行された遊技の回数を示す遊技回数が規定回数に達した場合、遊技者にとって有利な有利遊技状態が付与されることを許容する条件判定手段と、
有利遊技状態が付与される可能性を示唆すると共に、期間の経過を条件として有利遊技状態が付与されることを許容する第１の特別期間と、有利遊技状態が付与される可能性を示唆すると共に、期間の経過を条件として有利遊技状態が付与されることを許容しない第２の特別期間を設定する制御を行う特別期間制御手段と、を備え、
前記特別期間制御手段は、遊技回数が規定回数に達するまでに予め決められた回数となっていない場合、第２の特別期間を設定可能に構成されており、
前記第２の特別期間の設定されやすさは、遊技回数に応じて少なくとも一部が異なるように設定されている遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記特別期間制御手段は、前記第２の特別期間の設定が可能であるとき、第２の特別期間を設定するか否かを抽選し、抽選に当選した場合には第２の特別期間を設定する一方、抽選にはずれた場合には、予め決められた範囲の回数の中から回数を決定し、決定した回数の遊技が実行されたときに、再び第２の特別期間を設定するか否かを抽選する請求項１に記載の遊技機。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、遊技者による開始操作が行われることに基づいて複数列の図柄を変動させて行う１回の遊技が図柄表示手段で開始され、１回の遊技の開始に基づき各列の図柄の変動が開始された後、遊技者による停止操作に基づいて対応する列の図柄が停止される遊技機において、実行された遊技の回数を示す遊技回数が規定回数に達した場合、遊技者にとって有利な有利遊技状態が付与されることを許容する条件判定手段と、有利遊技状態が付与される可能性を示唆すると共に、期間の経過を条件として有利遊技状態が付与されることを許容する第１の特別期間と、有利遊技状態が付与される可能性を示唆すると共に、期間の経過を条件として有利遊技状態が付与されることを許容しない第２の特別期間を設定する制御を行う特別期間制御手段と、を備え、前記特別期間制御手段は、遊技回数が規定回数に達するまでに予め決められた回数となっていない場合、第２の特別期間を設定可能に構成されており、前記第２の特別期間の設定されやすさは、遊技回数に応じて少なくとも一部が異なるように設定されていることを要旨とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の遊技機において、前記特別期間制御手段は、前記第２の特別期間の設定が可能であるとき、第２の特別期間を設定するか否かを抽選し、抽選に当選した場合には第２の特別期間を設定する一方、抽選にはずれた場合には、予め決められた範囲の回数の中から回数を決定し、決定した回数の遊技が実行されたときに、再び第２の特別期間を設定するか否かを抽選することを要旨とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月3日(2014.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原水中に溶解している有機物を除去する生物膜ろ過槽（１）と、当該生物膜ろ過槽（１）で処理された生物膜ろ過処理水から塩類を除去する脱塩槽と、を具備する淡水化装置であって、
当該生物膜ろ過槽（１）内には、垂直仕切壁（２）により排水室（３）とろ過室（５）とが区画されており、
当該ろ過室（５）は、ろ材を充填してなるろ材層（４）と、当該ろ材層（４）の上方に流体連通状態に設けられている逆洗排水樋（６）と、を含み、
当該生物膜ろ過槽（１）の外側に、排水サイフォン（９）を介して当該排水室（３）と流体連通状態に設けられている排水流出渠（８）と、当該生物膜ろ過槽（１）からの生物膜ろ過処理水を流出させ、当該脱塩槽に導入するように構成されているろ過水流出渠（１６）と、を有し、
当該排水サイフォン（９）を介して当該排水室（３）内の水を当該排水流出渠（８）へ移送し、当該排水室（３）の水位を降下させ、当該ろ過室（５）内の水を捨てた後、逆洗用空気及び逆洗用水を導入して、当該ろ材の逆洗を行う淡水化装置。
【請求項２】
前記生物膜ろ過槽（１）に酸化還元電位計或いは残留塩素計を設け、
前記酸化還元電位計或いは残留塩素計の値に応じて還元剤の注入量を制御可能な還元剤注入管を前記生物膜ろ過槽の前段に設けたことを特徴とする請求項１記載の淡水化装置。
【請求項３】
前記生物膜ろ過槽（１）或いはその前段に濁度計を設け、
前記濁度計の値に応じて微細気泡の注入量を制御可能な微細気泡導入機構を前記排水渠（３）に設け、
前記生物膜ろ過槽（１）にフロスの排出口を設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の淡水化装置。
【請求項４】
前記ろ材層（４）には、球状に加工された造粒活性炭又は繊維からなるろ材が充填されている、請求項１〜３のいずれかに記載の淡水化装置。
【請求項５】
前記垂直仕切壁（２）の上方に、ろ材流出防止用多孔部材を設けたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の淡水化装置。
【請求項６】
前記生物膜ろ過槽と前記脱塩槽との間に、ろ過槽をさらに設けたことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の淡水化装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の淡水化装置を用い、生物膜ろ過槽に原水中に溶解している有機物を生物膜ろ過により除去した後、脱塩処理する淡水化方法。
【請求項８】
前記生物膜ろ過槽に導入する前に、原水に酸化剤を添加する、請求項７に記載の淡水化方法。
【請求項９】
前記生物膜ろ過槽に導入する前に、原水に酸化剤及び還元剤を添加する、請求項７に記載の淡水化方法。
【請求項１０】
さらに、前記生物膜ろ過槽からの生物膜ろ過処理水に酸化剤を添加する、請求項８に記載の淡水化方法。
【請求項１１】
前記生物膜ろ過槽からの生物膜ろ過処理水を脱塩槽に導入する前に、さらに濁質分をろ過する、請求項７〜１０のいずれかに記載の淡水化方法。
【請求項１２】
請求項２に記載の淡水化装置を用い、原水又は生物膜ろ過処理水の酸化還元電位又は残留塩素濃度を測定して、当該酸化還元電位の値又は残留塩素濃度の値に応じて前記還元剤の注入量を調節する、請求項９に記載の淡水化方法。
【請求項１３】
請求項３に記載の淡水化装置を用い、前記原水に微細気泡を導入し、濁質分を浮上させ、浮上した濁質分を前記フロスの排出口より排出する、請求項７〜１２のいずれかに記載の淡水化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月29日(2014.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体板を有するプラズマ室と、導波路と、水素供給部と、電界形成部と、を有し、
前記誘電体板は、前記導波路と前記プラズマ室の間を仕切る機能と、前記導波路から伝播されたマイクロ波を表面波に変換する機能と、を有し、
前記プラズマ室は、前記水素供給部から供給され前記表面波に接する水素を、プラズマ化する機能を有し、
前記電界形成部は、前記プラズマ化した水素の負イオンを、電界により加速させる機能を有することを特徴とするイオンドーピング装置。
【請求項２】
誘電体板を有するプラズマ室と、導波路と、水素供給部と、引き出し電極を有する電界形成部と、を有し、
前記誘電体板は、前記導波路と前記プラズマ室の間を仕切る機能と、前記導波路から伝播されたマイクロ波を表面波に変換する機能と、を有し、
前記プラズマ室は、前記水素供給部から供給され前記表面波に接する水素を、プラズマ化する機能を有し、
前記電界形成部は、前記プラズマ化した水素の負イオンを、電界により加速させる機能を有し、
前記誘電体板と前記引き出し電極との距離は、２０ｍｍ以上２００ｍｍ以下であることを特徴とするイオンドーピング装置。
【請求項３】
誘電体板においてマイクロ波を表面波に変換し、
水素を前記表面波によりプラズマ化し、
前記プラズマ化した水素の負イオンを、電界により加速させ、ドーピングされる対象物に添加することを特徴とするイオンドーピング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月26日(2014.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
側面で区切られたエンクロージャを形成する中空フレームと、
前記フレームに取り付けられることを意図し、対応するプラグを受けることを意図したベースを有する少なくとも第１のコネクタであって、前記第１のコネクタのベースは前記フレームの面の領域に作られた開口に配置され、前記領域は、前記開口と平行な方向に並べて配置された第２のコネクタをホストするには制限が多すぎる、第１のコネクタとを有し、
前記装置は、前記フレームに取り付けられることを意図し、対応するプラグを受けることを意図したベースを有する少なくとも第２のコネクタを有し、
前記第２のコネクタは、プラグの挿入方向に沿って前記第１のコネクタのベースの後の前記エンクロージャ内に配置される、
装置。
【請求項２】
前記第１と第２のコネクタのベースは、前記ボックスのハウジングの前記開口を通して、前記第１と第２のコネクタのベースが前記ハウジング内にある引き込み位置と、前記第１のコネクタのベースと、それに対応するプラグと、前記第２のコネクタに関連する少なくともプラグとが前記ハウジングの外側にある展開位置との間を並進運動できるサポート上に取り付けられている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記サポートは、前記ハウジングの別のブロッキング手段と協働し得るブロッキング手段を設けられ、前記引き込み位置において前記ハウジング中で前記サポートをブロックする、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記サポートには、前記第１のコネクタのベースに対して外部に突きだした突起が設けられ、前記ハウジング中で前記サポートを並進運動させる、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記サポートに取り付けられ、前記第１と第２のコネクタのベースに接続されたプラグと、前記ハウジングに取り付けられた別のプラグとを有する第３のコネクタをさらに有し、前記サポートが前記引き込み位置にあるとき、前記プラグが前記別のプラグに挿入される、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記第１と第２のコネクタのベースは垂直にオフセットされている、請求項1に記載の装置。
【請求項７】
装置におけるプラグの挿入方法であって、前記装置は、
側面で区切られたエンクロージャを形成する中空フレームと、
前記フレームに取り付けられ、対応するプラグを受けるベースを有する少なくとも第１のコネクタであって、前記第１のコネクタのベースは前記フレームの面のエリアに作られた開口に配置され、前記領域は、前記開口と平行な方向に並べて配置された第２のコネクタをホストするには制限が多すぎる、第１のコネクタと、
前記フレームに取り付けられ、対応するプラグを受けるベースを有する少なくとも第２のコネクタであって、前記第２のコネクタは、プラグの挿入方向に沿って前記第１のコネクタのベースの後の前記エンクロージャ内に配置された、第２のコネクタとを有し、
前記第２のコネクタのベースに挿入された前記プラグに接続されたケーブルは、前記フレームの面の領域に作られた開口を通って前記エンクロージャ内に入る、
方法。
【請求項８】
前記第１と第２のコネクタのベースは、前記ボックスのハウジングの前記開口を通して、前記第１と第２のコネクタのベースが前記ハウジング内にある引き込み位置と、前記第１のコネクタのベースと、それに対応するプラグと、前記第２のコネクタのベースに挿入された少なくともプラグとが前記ハウジングの外側にある展開位置との間を並進運動できるサポート上に取り付けられている、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記サポートは、前記ハウジングの別のブロッキング手段と協働し得るブロッキング手段を設けられ、前記引き込み位置において前記ハウジング中で前記サポートをブロックする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記サポートには、前記第１のコネクタのベースに対して外部に突きだした突起が設けられ、前記ハウジング中で前記サポートを並進運動させる、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月11日(2014.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセス制御デバイスに関連付けられた危険なプロセス制御タイプを識別するための方法であって、
プロセス制御デバイスがコントローラ上のポートに結合されていることを自動的に検出することと、
前記ポートを介して、前記プロセス制御デバイスに関連付けられた情報を検出することと、
前記検出された情報に基づいて、前記プロセス制御デバイスの危険なプロセス状態タイプを識別することと、
ディスプレイに、前記プロセス制御デバイスに関連する前記識別された危険なプロセス状態タイプの視覚的な指示を含むようにさせるために、コンピューティングデバイスへ情報を送信することと、を含む、方法。
【請求項２】
前記危険なプロセス状態タイプは、潜在的に爆発しやすい状態、放射能の状態、バイオハザードの状態、または化学ハザードの状態のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プロセス制御デバイスは、本質的に安全なバリア回路を介して前記ポートに結合される、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記プロセス制御デバイスに関連付けられた前記情報は、本質的に安全なバリア回路に基づく、請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記コンピューティングデバイスに送信される前記情報は、危険なプロセス状態のプロパティを含む、請求項１〜請求項４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
プロセス制御装置であって、
入力／出力（Ｉ／Ｏ）ポートと、
プロセス制御デバイスが前記Ｉ／Ｏポートに結合されていることを検出するために、前記Ｉ／Ｏポートに結合される、プロセス制御デバイス検出器と、
前記プロセス制御デバイスから受信した情報に基づいてプロセス制御システムと通信するためのＩ／Ｏプロセッサと、
前記プロセス制御デバイスが危険なプロセス状態に関連付けられているという指示を含むように、前記Ｉ／Ｏプロセッサと前記プロセス制御システムとの間の通信を修正するための危険なプロセス状態信号修正子と、を備える、プロセス制御装置。
【請求項７】
前記危険なプロセス状態タイプは、潜在的に爆発しやすい状態、放射能の状態、バイオハザードの状態、または化学ハザードの状態のうちの少なくとも１つを含む、請求項６に記載のプロセス制御装置。
【請求項８】
前記Ｉ／Ｏポートに結合された本質的安全性バリアをさらに備える、請求項６又は請求項７に記載のプロセス制御装置。
【請求項９】
前記プロセス制御デバイス検出器は、前記プロセス制御デバイスが本質的安全性バリアに結合されていることを検出することに応答して、本質的に安全なプロセス制御デバイスが前記Ｉ／Ｏポートに結合されていることを検出するためのものである、請求項６〜請求項８の何れか１項に記載のプロセス制御装置。
【請求項１０】
前記危険なプロセス状態信号修正子は、前記通信へ危険なプロセス状態プロパティを追加するためのものである、請求項６〜請求項９の何れか１項に記載のプロセス制御装置。
【請求項１１】
前記Ｉ／Ｏプロセッサは、前記プロセス制御デバイスが本質的に安全であることをユーザに通知するために、オペレータ制御システムに前記通信を転送する、請求項６〜請求項１０の何れか１項に記載のプロセス制御装置。
【請求項１２】
実行されると、機械に、
プロセス制御デバイスがコントローラ上のポートに結合されていることを検出することと、
前記ポートを介して、前記プロセス制御デバイスに関連付けられた情報を検出することと、
前記検出された情報に基づいて、前記プロセス制御デバイスの危険なプロセス状態タイプを識別することと、
ディスプレイに、前記プロセス制御デバイスに関連する前記識別された危険なプロセス状態タイプの視覚的な指示を含むようにさせるために、コンピューティングデバイスに情報を送信することと、を行わせる、機械可読命令を含む、製品。
【請求項１３】
前記危険なプロセス状態タイプは、潜在的に爆発しやすい状態、放射能の状態、バイオハザードの状態、または化学ハザードの状態のうちの少なくとも１つを含む、請求項１２に記載の製品。
【請求項１４】
前記プロセス制御デバイスは、本質的に安全なバリア回路を介して、前記ポートに結合される、請求項１２又は請求項１３に記載の製品。
【請求項１５】
前記プロセス制御デバイスに関連付けられた前記情報は、本質的に安全なバリア回路に基づく、請求項１２〜請求項１４の何れか１項に記載の製品。
【請求項１６】
前記コンピューティングデバイスに送信される前記情報は、本質的に安全なデバイスプロパティを含む、請求項１２〜請求項１５の何れか１項に記載の製品。
【請求項１７】
プロセス制御デバイスを本質的に安全であるとして識別するための方法であって、
プロセス制御デバイスがプロセス制御システムに結合されているという通知を受信することと、
前記プロセス制御デバイスが危険なプロセス状態に関連付けられているという通知を含む信号を受信することと、
前記プロセス制御デバイスを含む、前記プロセス制御システムの少なくとも一部の表示をユーザに表示することと、
前記プロセス制御デバイスが前記危険なプロセス状態に関連付けられているという指示を前記ユーザに表示することと、を含む、方法。
【請求項１８】
プロセス制御デバイスを本質的に安全であるとして識別するためのシステムであって、
プロセス制御デバイスがプロセス制御システムに結合されるという通知を含む信号を受信するためのプロセスコントローラと、
前記信号の危険なプロセス状態プロパティを識別するための危険なプロセス状態識別子と、
前記プロセス制御デバイスを含む前記プロセス制御システムの少なくとも一部の表示と、前記プロセス制御デバイスが危険なプロセス状態に関連付けられているという指示とをユーザに表示するための、ユーザディスプレイと、を備える、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月3日(2014.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に層のスタックを製造するための方法であって、
基板を準備するステップと、              
前記基板上に第１導電性層を設けるステップと、
原子層堆積法によって、前記導電性層上に層のサブスタックを設けるステップであって、前記サブスタックの少なくとも１層はＴｉＯ２層であり、サブスタックの残りの層は、前記層のサブスタックの結晶化の際に、３次元ペロブスカイト相を形成するのに好適な組成を有する誘電体材料層であるステップとを含み、さらに、
前記層のサブスタックを含む基板に熱処理を施し、前記第１導電性層上で、結晶化した誘電体層を得るステップ、および、前記結晶化した誘電体層上に第２導電性層を設けるステップ、
または、
前記層のサブスタック上に第２導電性層を設けるステップ、および、前記層のサブスタックと前記第２導電性層とを含む基板に熱処理を施し、前記第１導電性層上で、結晶化した誘電体層を得るステップを含む方法。
【請求項２】
原子層堆積法によって、前記第１導電性層上にＴｉＯ２から成る中間層を堆積するステップと、
原子層堆積法によって、前記ＴｉＯ２の中間層上に、結晶化の際に３次元ペロブスカイト相を形成するのに好適な組成を有する誘電体材料層を堆積するステップとによって、前記層のサブスタックを設けるようにした請求項１記載の方法。
【請求項３】
原子層堆積法によって、前記第１導電性層上に、結晶化の際に３次元ペロブスカイト相を形成するのに好適な組成を有する誘電体材料層を堆積するステップと、
原子層堆積法によって、前記誘電体材料層上に前記ＴｉＯ２から成る層を堆積するステップとによって、前記層のサブスタックを設けるようにした請求項１記載の方法。
【請求項４】
交互に重なるＴｉＯ２層と誘電体材料層を、原子層堆積法によって前記第１導電性層上に堆積する請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記誘電体材料は、準安定相のＳＴＯであり、前記準安定ＳＴＯ層の組成において、結晶化した誘電体層が、５０％より大きく、６５％より小さいＳｒ／（Ｓｒ＋Ｔｉ）比率を有する請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記準安定ＳＴＯ層のＳｒ／（Ｓｒ＋Ｔｉ）比率は、５１％〜６５％である請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記サブスタックは、ストロンチウム酸化物から成る少なくとも一層を備える請求項５または６記載の方法。
【請求項８】
前記熱処理は、不活性雰囲気における６００℃以下の温度での熱アニールである請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記第１導電性層は、少なくとも上面に、過剰酸素を蓄積する材料を含み、酸素の貯留層を作成して、前記熱処理中に、第１導電性層から誘電体に向けて酸素を放出する請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記第２導電性層は、少なくとも下面に、過剰酸素を蓄積する材料を含み、酸素の貯留層を作成して、続いての熱処理中に、第２導電性層から誘電体に向けて酸素を放出する請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記過剰酸素を蓄積する材料は、ルテニウム酸化物である請求項９または１０記載の方法。
【請求項１２】
金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタであって、
下部電極と、
前記下部電極上に設けられた、３次元ペロブスカイト構造を有する誘電体材料を含む誘電体層と、
前記誘電体層上に設けられた上部電極とを備え、
前記誘電体層のｋ値が５０〜１００であり、
ＭＩＭキャパシタのＥＯＴが０．３５ｎｍ〜０．５５ｎｍである金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタ。
【請求項１３】
前記誘電体層は、５０％より大きく、６５％より小さいＳｒ／Ｓｒ＋Ｔｉを有するＳＴＯである請求項１２記載の金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタ。
【請求項１４】
前記下部電極は、少なくとも上面に、過剰酸素を蓄積する材料から成る層を備え、酸素の貯留層を作成して、続いての熱処理中に、第１層から誘電体に向けて酸素を放出し、および／または、前記上部電極は、少なくとも下面に、過剰酸素を蓄積する材料から成る層を備え、酸素の貯留層を作成して、続いての熱処理中に、第１層から誘電体に向けて酸素を放出する請求項１２または１３記載の金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタ。
【請求項１５】
前記過剰酸素を蓄積する材料は、ルテニウム酸化物である請求項１４記載の金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月18日(2014.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板上に非晶質半導体層を形成する工程と、
前記単結晶半導体基板に、イオンを照射して損傷領域を形成する工程と、
前記単結晶半導体基板を、前記非晶質半導体層及び絶縁層を介して支持基板と貼り合わせる工程と、
第１の加熱処理を行い、前記損傷領域において前記単結晶半導体基板を分断する工程と、
第２の加熱処理を行い、前記非晶質半導体層を固相成長させる工程とを有し、
前記非晶質半導体層は、希釈しないシラン系ガスを原料として用い、プラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板にイオンを照射して損傷領域を形成する工程と、
前記単結晶半導体基板上に、非晶質半導体層を形成する工程と、
前記単結晶半導体基板を、前記非晶質半導体層及び絶縁層を介して支持基板と貼り合わせる工程と、
第１の加熱処理を行い、前記損傷領域において前記単結晶半導体基板を分断する工程と、
第２の加熱処理を行い、前記非晶質半導体層を固相成長させる工程とを有し、
前記非晶質半導体層は、希釈しないシラン系ガスを原料として用い、プラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月23日(2014.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成された回路ブロックと、
前記回路ブロックのうち保護対象の部分の上層に配置され、前記半導体基板の表面に対する平面視において当該部分に重なる導電パターンと、
前記導電パターンに接続され、前記導電パターンの回路定数により決定される発振周波数で発振する発振回路と、
前記発振回路の発振周波数が事前に設定された範囲に含まれるか否かを判定し、前記発振周波数が前記事前に設定された範囲に含まれない場合に、前記導電パターンに改変が加えられたことを検出する検出回路と
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
前記回路ブロックは、
データを保持するためのメモリ回路と、
前記メモリ回路に保持されるデータへのアクセスを制御する制御回路と、
を有し、
前記制御回路は、前記導電パターンに改変が加えられたことが検出された場合に、前記メモリ回路に保持されているデータをリセットするか、前記メモリ回路に保持されているデータへのアクセスを禁止するかの何れかを行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
前記検出回路は、前記発振回路の発振周波数を計数するためのカウンタ回路を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
前記発振回路は、複数かつ奇数のインバータ回路が環状に接続されたリングオシレータ回路を有し、
前記導電パターンの第１部分が前記リングオシレータ回路に接続され、前記導電パターンの第２部分が基準電位ラインに接続される
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】
前記発振回路は、前記導電パターンを介して複数かつ奇数のインバータ回路が環状に接続されたリングオシレータ回路を有することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項６】
前記回路定数は、前記導電パターンの寄生抵抗と寄生容量とを含むことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項７】
前記導電パターンと前記発振回路との組を複数備え、
前記複数の導電パターンのそれぞれが前記回路ブロックの上に配置されることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項８】
前記検出回路は複数の回路に分割され、前記回路ブロックに分散して配置されることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の半導体集積回路装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題に鑑みて、本発明の一側面に係る半導体集積回路装置は、半導体基板に形成された回路ブロックと、前記回路ブロックのうち保護対象の部分の上層に配置され、前記半導体基板の表面に対する平面視において当該部分に重なる導電パターンと、前記導電パターンに接続され、前記導電パターンの回路定数により決定される発振周波数で発振する発振回路と、前記発振回路の発振周波数が事前に設定された範囲に含まれるか否かを判定し、前記発振周波数が前記事前に設定された範囲に含まれない場合に、前記導電パターンに改変が加えられたことを検出する検出回路とを有することを特徴とする。