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【手続補正書】
【提出日】平成26年8月8日(2014.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有し、かつ内部にｐ型領域を有する半導体基板に、高耐圧ｐチャネル型トランジスタを有する半導体装置であり、
前記高耐圧ｐチャネル型トランジスタは、
前記半導体基板内であって前記ｐ型領域の前記主表面側に配置された第１のｎ型半導体層と、
前記ｐ型領域上であって前記主表面に形成された、ドレイン電極を取り出すための第１のｐ型不純物領域と、
前記ｐ型領域上であって前記主表面に形成された、ソース電極を取り出すための第２のｐ型不純物領域と、
前記第１のｐ型不純物領域の直下に配置され、前記第１のｎ型半導体層と接するように配置された局所ｎ型埋め込み領域とを備える、半導体装置。
【請求項２】
前記半導体基板には高耐圧ｎチャネル型トランジスタをさらに有し、
前記高耐圧ｎチャネル型トランジスタは、前記高耐圧ｐチャネル型トランジスタの前記第１のｎ型半導体層と同一の層としての第２のｎ型半導体層を含んでいる、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記局所ｎ型埋め込み領域は、平面視において前記第１のｐ型不純物領域と重なり同じ平面形状を有している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記高耐圧ｐチャネル型トランジスタは前記半導体基板に複数形成されており、
前記高耐圧ｐチャネル型トランジスタは、前記第２のｐ型不純物領域を取り囲むように前記主表面に形成されたｎ型ウェル領域を含み、
前記局所ｎ型埋め込み領域は、前記主表面に沿う方向に関して前記第１のｐ型不純物領域を介して対向配置されている前記ｎ型ウェル領域同士を接続する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記局所ｎ型埋め込み領域は、前記第１のｎ型半導体層よりも前記主表面側に存在する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記局所ｎ型埋め込み領域は、前記第１のｎ型半導体層の内部に存在する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記局所ｎ型埋め込み領域は、前記第１のｎ型半導体層よりも前記ｐ型領域側に存在する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記局所ｎ型埋め込み領域は、イオン注入法により形成された、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
主表面を有し、かつ内部にｐ型領域を有する半導体基板に、高耐圧ｐチャネル型トランジスタを有する半導体装置の製造方法であり、
前記高耐圧ｐチャネル型トランジスタを形成する工程は、
主表面を有し、かつ内部にｐ型領域を有する半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板内の前記ｐ型領域の前記主表面側に、第１のｎ型半導体層を形成する工程と、
前記ｐ型領域上であって前記主表面に、ドレイン電極を取り出すための第１のｐ型不純物領域を形成する工程と、
前記ｐ型領域上であって前記主表面に、ソース電極を取り出すための第２のｐ型不純物領域を形成する工程と、
前記第１のｐ型不純物領域の直下に、前記第１のｎ型半導体層と接するように局所ｎ型埋め込み領域を形成する工程とを備え、
前記第１のｐ型不純物領域を形成する工程と前記局所ｎ型埋め込み領域を形成する工程とは同一のマスクを用いてなされる、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体基板には、前記高耐圧ｐチャネル型トランジスタの前記第１のｎ型半導体層と同一の層としての第２のｎ型半導体層を含む高耐圧ｎチャネル型トランジスタをさらに有し、
前記高耐圧ｎチャネル型トランジスタの前記第２のｎ型半導体層を形成する工程は前記高耐圧ｐチャネル型トランジスタの前記第１のｎ型半導体層を形成する工程と同時になされる、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記局所ｎ型埋め込み領域はイオン注入法により形成される、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１のｐ型不純物領域はイオン注入法により形成される、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１のｎ型半導体層はイオン注入法により形成される、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月25日(2014.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技を実行可能であり、遊技者にとって有利な特定遊技状態に制御可能な遊技機であって、
遊技者による動作を検出する動作検出手段と、
有効期間内に遊技者による動作が検出されたことに基づいて、前記特定遊技状態に制御されることを示唆する予告演出を実行する予告演出実行手段と、
時間を計時する計時手段と、
前記計時手段が計時した時間が特定の時間となったときに特定演出を実行する特定演出実行手段とを備え、
前記特定演出実行手段は、前記有効期間内において遊技者の動作が検出されてから前記予告演出が開始されるまでの間に前記特定の時間となったときは、前記特定演出の実行を制限する、
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）上記目的を達成するため、本発明に係る遊技機は、
遊技を実行可能であり、遊技者にとって有利な特定遊技状態（例えば、大当り状態など）に制御可能な遊技機（例えば、パチンコ遊技機１など）であって、
遊技者による動作（例えば、プッシュボタン３１Ｂの押下など）を検出する動作検出手段（例えば、プッシュセンサ３５Ｂなど）と、
有効期間内に遊技者による動作が検出されたことに基づいて、前記特定遊技状態に制御されることを示唆する予告演出を実行する予告演出実行手段（例えば、ステップＳ５１５の処理を実行する演出制御基板１２のＣＰＵ１２０など）と、
時間を計時する計時手段（例えば、リアルタイムクロックモジュール１２６など）と、  前記計時手段が計時した時間が特定の時間（例えば、一斉動作情報テーブルに設定した一斉演出開始時刻など）となったときに特定演出（例えば、一斉演出など）を実行する特定演出実行手段（例えば、ステップＳ１３６の処理を実行する演出制御基板１２のＣＰＵ１２０など）とを備え、
前記特定演出実行手段は、前記有効期間内において遊技者の動作が検出されてから前記予告演出が開始されるまでの間に前記特定の時間となったときは、前記特定演出の実行を制限する、
ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月8日(2014.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上述の様な本発明を実施する場合に好ましくは、請求項２に記載した発明の様に、前記各第一の連続面を、複数の傾斜面により構成する。又、これら各傾斜面の、これら各傾斜面を形成したカムの中心軸に直交する方向に存在する仮想平面に対する傾斜角度を、前記各第一の凸面に近い傾斜面程、小さくする。
又、上述の様な本発明を実施する場合に好ましくは、請求項３に記載した発明の様に、前記各第一の連続面を、径方向内側に設けられた内側連続面と、径方向外側に設けられた外側連続面とにより構成する。
このうちの各内側連続面は、前記各第一の凹面の円周方向一端縁と、前記各第一の凸面の円周方向他端縁とを連続させる傾斜面であり、前記ステアリングホイールの位置を調整可能な状態から、この位置を保持できる状態に移行する際、前記第二のカム面と摺接可能である。
又、前記各外側連続面は、前記各第一の凸面寄り部分が、これら各第一の凸面の円周方向他端縁と滑らかに連続しており、前記各内側連続面と円周方向に整合する位置の前記各第一の凹面からの前記第二のカム面側への突出量が、当該位置の、前記各内側連続面のこの第二のカム面側への突出量よりも小さく、前記ステアリングホイールの位置を調整可能な状態から、この位置を保持できる状態に移行する際、前記第二のカム面と摺接しない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
又、請求項３に記載した発明を実施する場合に好ましくは、請求項４に記載した発明の様に、前記各外側連続面の傾斜面が前記各第一の凸面と連続する位置の円周方向に関する位相を、前記各内側連続面がこれら各第一の凸面と連続する位置の円周方向に関する位相と同じか、若しくは円周方向一方にずらせる。
又、上述の様な本発明を実施する場合に好ましくは、請求項５に記載した発明の様に、前記各第一の凸面に、前記第二のカム面の一部と係合する事により、前記駆動カムが、前記被駆動カムに対して、それ以上円周方向一方に回転する事を阻止する為の、回り止め凸部を設ける。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上述の様に構成する本発明のステアリングホイールの位置調節装置の場合、ステアリングホイールを調節後の位置に保持する為の調節レバーの操作に基づいて、第二のカム面の各第二の凸面が、第一のカム面の各第一の凹面と対向した状態（ステアリングホイールの位置を調節可能な状態）から、前記第一のカム面の各第一の連続面に、前記各第二のカム面のこれら各第一の連続面と摺接可能な部分の径方向内端から径方向外端に掛けて徐々に乗り上げる（摺接する）様にして、前記第一のカム面の各第一の凸面と当接した（突き当たった）状態（ステアリングホイールを調節後の位置に保持できる状態）にまで変位する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
又、請求項３に記載した発明によれば、前記操作の中盤から後半に掛けての前記モーメントを小さく抑えて、この操作の全般に亙り前記調節レバーに加える操作トルクを小さくできる。
即ち、前記操作の中盤から後半に掛けて、前記第二のカム面の前記摺接可能な部分は、前記各第一の連続面のうちの各内側連続面のみと摺接した状態でこれら各内側連続面を上る様にして、前記第一のカム面の各第一の凸面と当接した（突き当たった）状態（ステアリングホイールを調節後の位置に保持できる状態）にまで変位する。この為、前記操作の際、前記第二のカム面と、前記第一のカム面とが接触する部分（摩擦部分）を前記各内側連続面のみに限定して、前記モーメントを小さく抑えられる。この結果、前記操作の全般に亙り、前記調節レバーに加える操作トルクを小さくできる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記各第一の連続面が、径方向内側に設けられた内側連続面と、径方向外側に設けられた外側連続面とから成り、
このうちの各内側連続面は、前記各第一の凹面の円周方向一端縁と、前記各第一の凸面の円周方向他端縁とを連続する傾斜面であり、前記ステアリングホイールの位置を調整可能な状態から、この位置を保持できる状態に移行する際、前記第二のカム面と摺接可能であり、
前記各外側連続面は、前記各第一の凸面寄り部分が、これら各第一の凸面の円周方向他端縁と滑らかに連続しており、前記各内側連続面と円周方向に整合する位置の前記各第一の凹面からの前記第二のカム面側への突出量が、当該位置の、前記各内側連続面のこの第二のカム面側への突出量よりも小さく、前記ステアリングホイールの位置を調整可能な状態から、この位置を保持できる状態に移行する際、前記第二のカム面と摺接しない、請求項１〜２のうちの何れか１項に記載したステアリングホイールの位置調節装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記各第一の凸面に、前記第二のカム面の一部と係合する事により、前記駆動カムが、前記被駆動カムに対して、それ以上円周方向一方に回転する事を阻止する為の、回り止め凸部を設けている、請求項１〜４のうちの何れか１項に記載したステアリングホイールの位置調節装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月15日(2014.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
（変形例１）
図４は本発明の一実施形態に係る変形例１の射出成型機ノズルの要部の拡大断面図ある。上記実施の形態では、ノズル本体１９をヘッド１７に複数のボルト１８で直接固定する構成を開示したが、図４に示すように、ノズル本体２９を分割構成としても良い。なお、以下に示す各変形例において、上記実施の形態と同一の構成には同一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図４において、ノズル本体２９は、ヘッド１７の先端に複数のボルト１８により着脱可能に装着された略環状のホルダ２７と、ホルダ２７との協働によってヘッド１７に支持されたノズル２８と、を備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月15日(2014.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々を識別可能な複数種類の識別情報の可変表示を行い表示結果を導出する可変表示手段に前記識別情報の表示結果として予め定められた特定表示結果が導出されたときに、遊技者にとって有利な特定遊技状態に制御する遊技機であって、
未だ開始されていない前記識別情報の可変表示について保留情報として記憶可能な保留記憶手段と、
前記保留記憶手段に記憶されている保留情報の各々に対応した保留特定情報を表示する保留表示手段と、
前記識別情報の可変表示を開始するときに当該識別情報の可変表示の表示結果を前記特定表示結果とするか否かを決定する開始時決定手段と、
前記開始時決定手段の決定結果に基づいて、前記識別情報の可変表示を実行する可変表示実行手段と、
前記特定遊技状態の終了後、複数種類の遊技状態のいずれかに制御する遊技状態制御手段と、
前記保留記憶手段に保留情報が記憶されていることに基づいて、当該保留情報に対応した前記識別情報の可変表示の表示結果が前記特定表示結果となるか否かを前記開始時決定手段による決定前に判定する開始前判定手段と、
演出実行条件が成立した場合、前記開始前判定手段による判定に基づいて、当該判定の対象となった保留情報に対応する前記保留特定情報を通常の表示態様とは異なる態様で表示する予告演出を実行する予告演出実行手段と、を備え、
前記予告演出実行手段は、前記可変表示手段における前記識別情報の可変表示中の特別期間中に前記演出実行条件が成立した場合であって、前記特別期間終了後に前記特定遊技状態に制御される場合に、前記予告演出の実行を制限可能である
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（１）上記目的を達成するため、本発明の遊技機は、
各々を識別可能な複数種類の識別情報の可変表示を行い表示結果を導出する可変表示手段（例えば画像表示装置５など）に前記識別情報の表示結果として予め定められた特定表示結果（例えば大当り組合せとなる確定飾り図柄など）が導出されたときに、遊技者にとって有利な特定遊技状態（例えば大当り遊技状態など）に制御する遊技機（例えばパチンコ遊技機１など）であって、未だ開始されていない前記識別情報の可変表示について保留情報として記憶可能な保留記憶手段（例えば第１、第２特図保留記憶部１５１Ａ、１５１Ｂなど）と、前記保留記憶手段に記憶されている保留情報の各々に対応した保留特定情報を表示する保留表示手段（例えば画像表示装置５における始動入賞記憶表示エリア５Ｈなど）と、前記識別情報の可変表示を開始するときに当該識別情報の可変表示の表示結果を前記特定表示結果とするか否かを決定する開始時決定手段（例えばステップＳ１１０の処理を実行するＣＰＵ１０３など）と、前記開始時決定手段の決定結果に基づいて、前記識別情報の可変表示を実行する可変表示実行手段（例えばステップＳ１１２、Ｓ１１３の処理を実行するＣＰＵ１０３、ステップＳ１７２の処理を実行する演出制御用ＣＰＵ１２０など）と、前記特定遊技状態の終了後、複数種類の遊技状態のいずれかに制御する遊技状態制御手段（例えばステップＳ３２４、Ｓ３２５の処理を実行するＣＰＵ１０３など）と、前記保留記憶手段に保留情報が記憶されていることに基づいて、当該保留情報に対応した前記識別情報の可変表示の表示結果が前記特定表示結果となるか否かを前記開始時決定手段による決定前に判定する開始前判定手段（例えばステップＳ２１２の入賞時乱数値判定処理を実行するＣＰＵ１０３など）と、演出実行条件が成立した場合、前記開始前判定手段による判定に基づいて、当該判定の対象となった保留情報に対応する前記保留特定情報を通常の表示態様とは異なる態様で表示する予告演出を実行する予告演出実行手段（例えばステップＳ１６１、Ｓ５３０の処理を実行する演出制御用ＣＰＵ１２０など）と、を備え、前記予告演出実行手段は、前記可変表示手段における前記識別情報の可変表示中の特別期間中に前記演出実行条件が成立した場合であって、前記特別期間終了後に前記特定遊技状態に制御される場合に、前記予告演出の実行を制限可能である（ステップＳ７１１にてＮｏと判定された場合はステップＳ７１２の処理を実行しない）ことを特徴とする。
このような構成によれば、遊技の興趣が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月17日(2014.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前胴回り域と、後胴回り域と、前記前胴回り域と前記後胴回り域との間に位置する股下域と有し、
一対の脚回り開口部が形成されると共に、
前記股下域を跨ぎ前記前胴回り域及び前記後胴回り域の少なくとも一方に向かって延びる吸収体を備え、
前記前胴回り域から前記後胴回り域に向かう製品長手方向と、前記製品長手方向と直交する製品幅方向とを有する使い捨ておむつであって、
前記前胴回り域及び前記後胴回り域において、前記製品幅方向に沿って延び、前記使い捨ておむつを着用者の身体に保持するように構成されている胴回り保持部と、
前記股下域に形成され、少なくとも前記製品長手方向に伸縮可能なクロッチ伸縮部と、
前記吸収体に形成され、製品幅方向に沿って延びて前記使い捨ておむつの曲げ基点となる第１変曲部と、
前記吸収体に形成され、製品幅方向に沿って延びて前記使い捨ておむつの曲げ基点となるとともに、前記第１変曲部よりも前記後胴回り部寄りに位置する第２変曲部と、を備え、
前記クロッチ伸縮部は、前記使い捨ておむつの前記製品幅方向の中心線を跨いで、少なくとも前記吸収体が配置されている領域と重なるように配置されており、
前記クロッチ伸縮部は、前記胴回り保持部と交差することなく前記胴回り保持部から離れて設けられており、
前記吸収体よりも前記使い捨ておむつの肌当接面側に、液透過性のトップシートが備えられており、
前記トップシートと前記吸収体との間に、前記トップシートよりも嵩高な液透過性のセカンドシートが備えられており、
前記セカンドシートは、前記クロッチ伸縮部が配置されている領域に重なるように配置されており、
前記クロッチ伸縮部の伸縮率は、１．２倍以上、１．８倍以下である、ことを特徴とする使い捨ておむつ。
【請求項２】
前記クロッチ伸縮部の前記製品長手方向における縁部に沿って、前記吸収体を構成する吸収体コアの目付が他の領域よりも低い領域、或いは、前記吸収体コアが存在しない領域が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の使い捨ておむつ。
【請求項３】
前記クロッチ伸縮部は、幅入り率が１０％以下の伸縮性シート部材によって構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の使い捨ておむつ。
【請求項４】
前記セカンドシートは、前記製品長手方向において、前記クロッチ伸縮部の前記製品長手方向の端部を超えて延びるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の使い捨ておむつ。
【請求項５】
前記クロッチ伸縮部は、前記吸収体の非肌当接面側に設けられており、
前記セカンドシートは、架橋セルロース繊維を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の使い捨ておむつ。
【請求項６】
前記製品長手方向における前記クロッチ伸縮部の中央位置における前記製品幅方向の自然状態の長さは、前記製品長手方向における前記クロッチ伸縮部の端部における前記製品幅方向の自然状態の長さよりも短くなるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の使い捨ておむつ。
【請求項７】
前記吸収体を構成する吸収体コア中に含まれる繊維の重量比率は、２０％以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の使い捨ておむつ。
【請求項８】
前記クロッチ伸縮部の製品幅方向における長さは、前記クロッチ伸縮部が存在する領域内の前記吸収体を構成する吸収体コアの製品幅方向における長さの１/２以上であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の使い捨ておむつ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月2日(2014.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気機器と共に使用するためのアークトランスファ装置であって、
前記電気機器から電力を受け取るように構成された少なくとも１つの第１の電気コネクタと、
前記アークトランスファ装置の装架位置に基づいて前記少なくとも１つの第１の電気コネクタを前記電気機器に電気的に結合するよう構成された少なくとも１つの第２の電気コネクタを含むラックカセット（４００）と、
を備えるアークトランスファ装置。
【請求項２】
前記アークトランスファ装置が更に少なくとも１つのコネクタ（５０８）を含み、前記ラックカセット（４００）が更に、前記アークトランスファ装置の装架位置に基づいて前記少なくとも１つのコネクタ（５０８）を受けるようなサイズにされたスロット（４３８）を有する少なくとも１つのラック部材（４２８）を含む、請求項１に記載のアークトランスファ装置。
【請求項３】
前記ラックカセット（４００）が更に、クランク機構（４１６）及びシャフト（４１４）を含み、前記シャフト（４１４）が、前記クランク機構（４１６）及び前記少なくとも１つのラック部材（４２８）に結合され、前記アークトランスファ装置が、前記ラックカセット（４００）内の複数の位置で装架されるように構成される、請求項２に記載のアークトランスファ装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つの第１の電気コネクタが、少なくとも１つの第１の１次コネクタ（５１０）及び第１の２次コネクタ（５１２）を含み、前記少なくとも１つの第２の電気コネクタが、少なくとも１つの第２の１次コネクタ及び第２の２次コネクタ（４１２）を含み、
前記アークトランスファ装置が第１の位置に装架されたときに、前記少なくとも１つの第１の１次コネクタ（５１０）が前記少なくとも１つの第２の１次コネクタから切断され、前記第１の２次コネクタ（５１２）が前記少なくとも１つの第２の２次コネクタ（４１２）から切断され、
前記アークトランスファ装置が第２の位置に装架されたときに、前記少なくとも１つの第１の１次コネクタ（５１０）が前記少なくとも１つの第２の１次コネクタから切断され、前記第１の２次コネクタ（５１２）が前記第２の２次コネクタ（４１２）に電気的に結合され、
前記アークトランスファ装置が第３の位置に装架されたときに、前記少なくとも１つの第１の１次コネクタ（５１０）が前記少なくとも１つの第２の１次コネクタに電気的に結合され、前記第１の２次コネクタ（５１２）が前記第２の２次コネクタ（４１２）に電気的に結合される、請求項１乃至３のいずれかに記載のアークトランスファ装置。
【請求項５】
前記ラックカセット（４００）が更に、前記アークトランスファ装置が前記第３の位置に装架されたときに、前記少なくとも１つの第２の１次コネクタを露出させるように構成された少なくとも１つの突出部を含む、請求項４に記載のアークトランスファ装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの突出部（４１０）が、前記アークトランスファ装置が前記第３の位置に装架されていないときには、前記少なくとも１つの第２の１次コネクタをシールドするよう構成される、請求項５に記載のアークトランスファ装置。
【請求項７】
位置表示器（５１４）を更に備え、前記ラックカセット（４００）が更にスイッチ（４４４）を含み、前記位置表示器（５１４）が、前記アークトランスファ装置の装架位置に基づいて前記スイッチ（４４４）と相互作用するよう構成され、前記スイッチ（４４４）が、前記アークトランスファ装置の装架位置の表示を開閉装置スタックに提供するよう構成される、請求項１乃至６のいずれかに記載のアークトランスファ装置。
【請求項８】
前記アークトランスファ装置がアーク閉じ込め装置（２００）を備える、請求項１乃至７のいずれかに記載のアークトランスファ装置。
【請求項９】
回路と共に用いるための回路保護システム（１０６）であって、
前記回路におけるアークフラッシュ事象を検出するよう構成されたコントローラ（５００）と、
前記コントローラ（５００）に動作可能に結合され、前記アークフラッシュ事象の検出時にアークを精製するよう構成されたアーク閉じ込め装置（２００）と、
を備え、
該アーク閉じ込め装置（２００）を複数の位置に装架するのを可能にするラックカセット（４００）を含み、前記複数の位置の各々が、前記アーク閉じ込め装置（２００）の作動ステータスに関連付けられる、回路保護システム（１０６）。
【請求項１０】
前記アーク閉じ込め装置（２００）が更に、少なくとも１つのコネクタ（５０８）を含み、前記ラックカセット（４００）が、前記少なくとも１つのコネクタ（５０８）を受けるようなサイズにされたスロット（４３８）を有する少なくとも１つのラック部材（４２８）を含む、請求項９に記載の回路保護システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月24日(2014.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
基板１２の第１の表面１４にはアンテナアレイ２２が配置されている。アンテナアレイ
２２は複数の共振ライン２４を有しており、そして各共振ライン２４は互いに軸方向に整
列された複数の共振器２６を有している。複数の共振ライン２４のそれぞれは、第２の共振端部２４ｃから離間している第１の共振端部２４ａと、第１の共振端部２４ａと第２の共振端部２４ｃとの間に配置される中央共振部分２４ｂとを有する。複数の共振器２６のそれぞれは共振面２８を有している。共振器２６の共振面２８は、共振ライン２４の第１の共振端部２４ａ及び第２の共振端部２４ｃで、共振ライン２４の中央共振部分２４ｂにおける共振器２６の共振面２８よりも大きくされる。このように、共振器２６は、共振ライン２４の端部から共振ライン２４の中央に向かってテーパ化されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界の均一な分布をもたらすように構成されたアンテナであって、
誘電材料から形成され、第２の表面と反対側の第１の表面を有する基板と、
複数の給電ラインであって、該複数の給電ラインのそれぞれが、前記基板の第１端部から前記基板の第２端部へと向かう軸に沿って延在するという複数の給電ラインと、
前記基板の第１の表面上に配置されたアンテナアレイとを含み、
前記アンテナアレイは前記給電ラインに近接結合されており、前記アンテナアレイは複数の共振ラインを有しており、
前記複数の共振ラインのそれぞれは、第２の共振端部から離間している第１の共振端部と、前記第１の共振端部と前記第２の共振端部との間に配置される中央共振部分とを有し、
前記複数の共振ラインのそれぞれは、軸方向に整列された複数の共振器を有し、
前記複数の共振ラインのそれぞれは、前記複数の給電ラインのうちの対応する給電ラインの軸方向に沿って整列され、
前記複数の共振器のそれぞれは共振面を有し、
前記給電ラインのそれぞれに沿った前記基板にわたる略均一な電界をもたらすように前記基板の中央における電界を小さくすべく、前記共振面は、前記共振ラインの前記第１の共振端部及び前記第２の共振端部で、前記共振ラインの中央共振部分における共振面よりも大きくされる、アンテナ。
【請求項２】
前記基板は第１層と第２層とを含んでおり、前記給電ラインは前記基板の前記第１層と前記第２層との間に配置されている、請求項１に記載のアンテナ。
【請求項３】
前記複数の共振器が互いに等しい間隔を置いて設けられている、請求項１に記載のアンテナ。
【請求項４】
前記共振器の共振面の面積は、前記共振器が前記共振ラインのそれぞれの端部から離れて配置されるのにつれて小さくなる、請求項１に記載のアンテナ。
【請求項５】
前記複数の共振ラインのそれぞれの各共振器は、隣接する共振ラインの隣接する共振器と共通の軸に沿って配置される、請求項１に記載のアンテナ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2012065323.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月4日(2014.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を連続的に撮像して画像を出力する撮像部と、
前記撮像部に取り付けられ、該撮像部への入射光から赤外線を除去する赤外カットフィルタの着脱を制御可能なフィルタ部と、
中心波長が８５０ｎｍ以上の半導体発光体を複数有し、前記被写体を照らすために中心波長が略８７５ｎｍの近赤外線光を照射する照明部と、
前記撮像部、前記フィルタ部及び前記照明部を制御する制御部と、
前記画像を暗号化する暗号化部と、
前記暗号化部で暗号化された画像を記録装置へ出力するネットワークインタフェースと、を備え、
前記制御部は、明るい時には、前記赤外線カットフィルタを抜去して画像を取得する様に制御し、暗い時には、赤外線カットフィルタを挿入し、前記撮像部のシャッタータイミングに合わせて前記照明部を発光させる様に制御することを特徴とするカメラ。
【請求項２】
前記制御部は、前記カメラと前記被写体との距離に応じて、前記照明部の前記複数の発光体の発光量または指向性を制御することを特徴とする請求項１に記載のカメラ。
【請求項３】
前記複数の半導体発光体が発光する光の中心波長は約８７５ｎｍことを特徴とする請求項１又は２に記載のカメラ。
【請求項４】
前記照明部には８３０ｎｍ以下の波長の光を除去する可視光カットフィルタが装着されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のカメラ。
【請求項５】
請求項１に記載のカメラを備えた画像監視システムであって、
前記カメラで取得した画像を記録する着脱可能な記録媒体と、前記記録媒体を制御する制御部と、を有する前記記録装置を更に備え、
前記カメラと前記記録装置とはケーブルで接続され、前記カメラは前記記録装置から電源供給されることを特徴とする画像監視システム。
【請求項６】
請求項６に記載の画像監視システムにおいて、
前記カメラでは、取得した画像は前記暗号化部において秘密鍵を用いて暗号化され、
前記記録装置では、前記暗号化された画像を複数纏めて１のファイルとして前記記録媒体として記録することを特徴とする画像監視システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月4日(2014.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極電極および負極電極をセパレータを介在させて捲回した捲回電極群と、
前記捲回電極群を収容する電池缶と、
前記電池缶を封止する電池蓋と、
前記電池蓋に設けられた一対の貫通孔のそれぞれに取り付けられた正極端子および負極端子と、
前記正極端子および前記負極端子のそれぞれと前記貫通孔との間に介在されて、前記正極端子および前記負極端子のそれぞれと前記電池蓋とを絶縁する絶縁シール部材と、
前記正極電極に接続される電極接続部と、前記正極端子に固着される端子接続部とを有する正極集電体と、
前記負極電極に接続される電極接続部と、前記負極端子に固着される端子接続部とを有する負極集電体と、
前記正負極集電体の端子接続部のそれぞれと前記電池蓋との間に介在されて、前記正負極集電体のそれぞれと前記電池蓋とを絶縁する絶縁部材とを備え、
前記電池蓋は、前記電池缶の内側に向かって突出する凸部を有し、
前記絶縁部材は、前記正負極集電体の端子接続部が嵌合される第１凹部と、前記電池蓋の凸部が嵌合される第２凹部とを有し、
前記正負極端子を中心とした回転力が前記正負極端子に作用すると、前記絶縁部材の第１凹部の側面が前記正負極端子に固着された端子接続部の側面を介して前記正負極端子からの回転力を受け、前記電池蓋の凸部の側面が前記絶縁部材の第２凹部の側面を介して前記絶縁部材からの回転力を受けることで、前記正負極端子の前記電池蓋に対する回転が防止されることを特徴とする二次電池。
【請求項２】
請求項１に記載の二次電池において、
前記電池缶と前記電池蓋とから構成される電池容器は、一対の幅広面と一対の幅狭面とを有する角形形状とされ、
前記端子接続部は、矩形平板状であって、前記電池缶の幅狭面に平行に配置される内側側面と外側側面とを有し、前記電池蓋の内面に沿って配置され、
前記絶縁部材の第１凹部は、前記端子接続部の内側側面に係合する内側係合面および前記端子接続部の外側側面に係合する外側係合面を有していることを特徴とする二次電池。
【請求項３】
請求項２に記載の二次電池において、
前記端子接続部には、前記内側側面から前記電池缶の中心側に向かって突出する補助係合部がさらに設けられ、
前記絶縁部材の第１凹部には、前記補助係合部の側面に係合する補助係合面がさらに設けられていることを特徴とする二次電池。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の二次電池において、
前記絶縁部材には、前記捲回電極群に当接される面を有する位置規制部が設けられ、
前記絶縁部材の第２凹部は、前記位置規制部に対応して設けられていることを特徴とする二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１に係る発明は、正極電極および負極電極をセパレータを介在させて捲回した捲回電極群と、捲回電極群を収容する電池缶と、電池缶を封止する電池蓋と、電池蓋に設けられた一対の貫通孔のそれぞれに取り付けられた正極端子および負極端子と、正極端子および負極端子のそれぞれと貫通孔との間に介在されて、正極端子および負極端子のそれぞれと電池蓋とを絶縁する絶縁シール部材と、正極電極に接続される電極接続部と、正極端子に固着される端子接続部とを有する正極集電体と、負極電極に接続される電極接続部と、負極端子に固着される端子接続部とを有する負極集電体と、正負極集電体の端子接続部のそれぞれと電池蓋との間に介在されて、正負極集電体のそれぞれと電池蓋とを絶縁する絶縁部材とを備え、電池蓋は、電池缶の内側に向かって突出する凸部を有し、絶縁部材は、正負極集電体の端子接続部が嵌合される第１凹部と、電池蓋の凸部が嵌合される第２凹部とを有し、正負極端子を中心とした回転力が正負極端子に作用すると、絶縁部材の第１凹部の側面が正負極端子に固着された端子接続部の側面を介して正負極端子からの回転力を受け、電池蓋の凸部の側面が絶縁部材の第２凹部の側面を介して絶縁部材からの回転力を受けることで、正負極端子の電池蓋に対する回転が防止されることを特徴とする二次電池である。
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の二次電池において、電池缶と電池蓋とから構成される電池容器は、一対の幅広面と一対の幅狭面とを有する角形形状とされ、端子接続部は、矩形平板状であって、電池缶の幅狭面に平行に配置される内側側面と外側側面とを有し、電池蓋の内面に沿って配置され、絶縁部材の第１凹部は、端子接続部の内側側面に係合する内側係合面および端子接続部の外側側面に係合する外側係合面を有していることを特徴とする。
請求項３に係る発明は、請求項２に記載の二次電池において、端子接続部には、内側側面から電池缶の中心側に向かって突出する補助係合部がさらに設けられ、絶縁部材の第１凹部には、補助係合部の側面に係合する補助係合面がさらに設けられていることを特徴とする。
請求項４に係る発明は、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の二次電池において、絶縁部材には、捲回電極群に当接される面を有する位置規制部が設けられ、絶縁部材の第２凹部は、位置規制部に対応して設けられていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、二次電池に作用する振動や衝撃に起因して正負極端子が回転することを防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月6日(2013.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
電力素子１には、ｐ型の半導体層１ｆと、ｐ型の半導体層１ｆ内に形成したｎ型の半導体層１ｅとが形成してある。そのため、電力素子１には、ｎ型の半導体層１ｅと、ｐ型の半導体層１ｆと、ｎ型の半導体基板３とで構成されるＮＰＮトランジスタ４１が形成される。さらに、ｐ型の半導体層１ｆと、ｎ型の半導体基板３と、ｐ型の半導体層５とで構成するＰＮＰトランジスタ４２が半導体基板３に形成される。同様に、電力素子１には、ｐ型の半導体層１ｇ内に、ｎ型の半導体層１ｈを形成してある。そのため、電力素子１には、ｎ型の半導体層１ｈと、ｐ型の半導体層１ｇと、ｎ型の半導体基板３とで構成されるＮＰＮトランジスタ４３が形成される。さらに、ｐ型の半導体層１ｇと、ｎ型の半導体基板３と、ｐ型の半導体層５とで構成するＰＮＰトランジスタ４４が半導体基板３に形成される。なお、ＮＰＮトランジスタ４１のコレクタ電極と、ＮＰＮトランジスタ４３のコレクタ電極とは、ｐ型の半導体層５を介して電気的に接続している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
図６には図示していないが、半導体装置４０には、半導体基板３および半導体層１ｆと接続する外部回路を備えている。外部回路を含めた半導体装置４０の等価回路を説明する。図７は、本発明の実施の形態４に係る半導体装置４０の回路構成を示す回路図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図７に示す外部回路９は、電源９ａと、電源９ａに一端を接続する抵抗素子９ｂと、抵抗素子９ｂの他端にアノード電極を接続するダイオード９ｃと、ダイオード９ｃのカソード電極にアノード電極を接続し、カソード電極をＧＮＤ接地するダイオード９ｄとを有している。また、抵抗素子９ｂの他端は、ＮＰＮトランジスタ４１のベース電極（半導体層１ｆ）と電気的に接続してある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
半導体装置４０は、半導体装置４０に負電流が流れた場合、ＮＰＮトランジスタ４１のベース電極（ｐ型の半導体層１ｆ）とｎ型の半導体基板３とで構成されるｐｎ結合によって、半導体基板３の電位がＮＰＮトランジスタ４１のベース電極の電位（１．４Ｖ程度（常温））から０．７Ｖ程度（常温）に低下した電位を維持しようとする。そのため、半導体装置４０は、ｐ型の半導体層２ａとｎ型の半導体基板３とが逆バイアス状態となり、半導体層２ａから半導体基板３へ寄生電流が流れないため、寄生ＮＰＮトランジスタ７が作動しない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
図８には図示していないが、半導体装置５０には、半導体基板３および半導体層１ｆ，４と接続する外部回路を備えている。外部回路を含めた半導体装置５０の等価回路を説明する。図９は、本発明の実施の形態５に係る半導体装置５０の回路構成を示す回路図である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
図９に示す外部回路９は、電源９ａと、電源９ａに一端を接続する抵抗素子９ｂと、抵抗素子９ｂの他端にアノード電極を接続するダイオード９ｃと、ダイオード９ｃのカソード電極にアノード電極を接続し、カソード電極をＧＮＤ接地するダイオード９ｄとを有している。また、抵抗素子９ｂの他端は、ＮＰＮトランジスタ４１のベース電極（半導体層１ｆ）と電気的に接続してある。さらに、抵抗素子９ｂの一端は、ＮＰＮトランジスタ２２のコレクタ電極（半導体層２１）と電気的に接続し、抵抗素子９ｂの他端は、ＮＰＮトランジスタ２２のベース電極（半導体層４）と電気的に接続してある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
抵抗素子９ｂの他端は、ＮＰＮトランジスタ４１のベース電極（半導体層１ｆ）と電気的に接続してある。さらに、抵抗素子９ｂの一端は、ＮＰＮトランジスタ２２のコレクタ電極（半導体層２１）と電気的に接続し、抵抗素子９ｂの他端は、ＮＰＮトランジスタ２２のベース電極（半導体層４）と電気的に接続してある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2013093448.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2013093448.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月6日(2014.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に形成された第１導電型のベースと、
前記ベースの表面に形成された第２導電型のエミッタと、
前記ベースの表面において前記エミッタと離間して配置され、前記エミッタから第１の種類のキャリアを受け取るとともに、その第１の種類のキャリアを前記ベースへ注入する、第２導電型のドープ領域と、
前記ベースを挟んで、前記エミッタおよび前記ドープ領域の反対側に形成された、第２導電型のコレクタと
を備えた半導体デバイス。
【請求項２】
前記エミッタと前記ドープ領域の間のベースの表面上に、絶縁膜を介して形成されたゲート電極を備えた
請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記エミッタと前記ドープ領域の間のベースの表面には、動作時において、前記第１の種類のキャリアを伝えるチャネルが形成される
請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記エミッタと前記ドープ領域との間隔は、前記ベースにおける前記第１の種類のキャリアの拡散長よりも短い
請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記エミッタと前記ドープ領域とは、深さ方向に同じ不純物プロファイルを有する
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記ドープ領域は、前記ベースの表面において、前記エミッタを取り囲むように形成されている
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記ドープ領域は、一方向に延伸するように形成されるとともに、前記エミッタを挟んで２列に配置された
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記ドープ領域の長辺は、前記エミッタの長辺よりも長い
請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記ベースの表面において、前記ドープ領域を挟んで前記エミッタの反対側に、前記ドープ領域と離間して配置され、前記ドープ領域から前記第１の種類のキャリアを受け取るとともに、その第１の種類のキャリアを前記ベースへ注入する、第２導電型の他のドープ領域をさらに備えた
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記ドープ領域と前記他のドープ領域との間隔は、前記ベースにおける前記第１の種類のキャリアの拡散長よりも短い
請求項９に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記コレクタは、基板の内部における前記ベースの下に形成された
請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
前記ドープ領域の表面は、絶縁膜により覆われている
請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
前記第１の種類のキャリアは、前記エミッタおよび前記ドープ領域における多数キャリアである
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ＮウェルＮ１２は、Ｎ型拡散層であり、図１，２に示すように、Ｐ型基板Ｐ１１の上に形成される。このＮウェルＮ１２は、バイポーラトランジスタ１のコレクタに対応するものである。このＮウェルＮ１２の上には、ＰウェルＰ１４およびＮウェルＮ１５が、それぞれ異なる領域に形成されている。ＮウェルＮ１５は、図２に示したように、ＰウェルＰ１４を囲むように形成されている。このＮウェルＮ１５は、Ｎ型拡散層であり、ＮウェルＮ１２と電気的に接続されている。ＮウェルＮ１５の表面には、Ｎ＋ソースＮ２１が形成されている。このＮウェルＮ１５およびＮ＋ソースＮ２１は、後述するコレクタ電極ＭＣとＮウェルＮ１２との間で電位などを伝えるためのコレクタ取出領域として機能するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
［変形例１−３］
上記実施の形態では、バイポーラトランジスタ１を、通常のＣＭＯＳ製造工程を用い、専用の工程の追加を行うことなく形成したが、これに限定されるものではない。例えば、通常のＣＭＯＳ製造工程に専用工程を追加し、例えば、Ｎ＋ソースＮ２３とＮ＋ソースＮ２４とを、異なる不純物プロファイルにより別々の工程により形成してもよいし、例えばベースやコレクタにおける不純物プロファイルをより最適なものに変更してもよい。また、ＭＯＳトランジスタとともに形成することに限定されるものではなく、例えば、バイポーラトランジスタの製造用に最適化されたバイポーラ製造工程を用いて形成するバイポーラトランジスタにも適用することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2013093457.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月27日(2014.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＦＥＴそれぞれのゲートフィンガーを共通に接続するゲートバスラインの形成において、
金属層を形成する工程と、
電解めっき法により、前記ゲートバスラインの一部を除く領域上に、めっき層を形成する工程と、
前記ゲートバスラインの一部に対応する領域を覆うマスク層を形成する工程と、
前記マスク層を用いたエッチングにより、前記ゲートバスラインの領域以外の前記金属層を除去する工程と、を含み、
前記ゲートバスラインを、前記ゲートバスラインの一部に対応する領域において、前記金属層上に前記めっき層が配置されない構成とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ゲートバスラインの一部に対応する領域を覆うマスク層は、前記ゲートバスラインの幅よりも狭い請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ゲートバスラインには複数のゲートパッドが接続されてなり、前記ゲートバスラインの一部に対応する領域は、前記複数のゲートパッドの間に位置してなる請求項１または２のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ゲートバスラインの前記ゲートバスラインの一部に対応する領域は、前記複数のゲートパッドまでの電気長が実質的に等しい位置に設けられてなる請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記金属層の最上層はＡｕ層である請求項１から４のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、複数のＦＥＴそれぞれのゲートフィンガーを共通に接続するゲートバスラインの形成において、金属層を形成する工程と、電解めっき法により、前記ゲートバスラインの一部を除く領域上に、めっき層を形成する工程と、前記ゲートバスラインの一部に対応する領域を覆うマスク層を形成する工程と、前記マスク層を用いたエッチングにより、前記ゲートバスラインの領域以外の前記金属層を除去する工程と、を含み、前記ゲートバスラインを、前記ゲートバスラインの一部に対応する領域において、前記金属層上に前記めっき層が配置されない構成とする半導体装置の製造方法である。本発明によれば、エピ抵抗やチップ抵抗を用いることなく、奇モードのループ発振を抑えることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記構成において、前記ゲートバスラインの一部に対応する領域を覆うマスク層は、前記ゲートバスラインの幅よりも狭い構成とすることができる。この構成によれば、奇モードのループ発振をより確実に抑えることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記構成において、前記ゲートバスラインには複数のゲートパッドが接続されてなり、前記ゲートバスラインの一部に対応する領域は、前記複数のゲートパッドの間に位置してなる構成とすることができる。この構成によれば、特性への影響を抑えつつ、奇モードのループ発振を抑えることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記構成において、前記ゲートバスラインの前記ゲートバスラインの一部に対応する領域は、前記複数のゲートパッドまでの電気長が実質的に等しい位置に設けられてなる構成とすることができる。この構成によれば、特性への影響をより抑えつつ、奇モードのループ発振を抑えることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記構成において、前記金属層の最上層はＡｕ層である構成とすることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月21日(2014.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
間隔をおいて配置された複数の梁を含む支持構造に少なくとも３台の加工機を配置する方法であって、
前記少なくとも３台の加工機は、第１の加工機と、該第１の加工機を支持する梁の少なくとも１つによって支持されている第２の加工機と、前記第１の加工機を支持する梁のいずれによっても支持されず他の梁によって支持されている第３の加工機とを含み、
前記第１の加工機から前記第２の加工機に伝達される振動量が所定量より低くなるように前記第１の加工機と前記第２の加工機との間隔を決定し、前記第１の加工機と前記第２の加工機とを前記間隔よりも隔てて配置する、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
間隔をおいて配置された複数の梁を含む支持構造に少なくとも３台の加工機を配置する方法であって、
前記少なくとも３台の加工機は、第１の加工機と、該第１の加工機を支持する梁の少なくとも１つによって支持されている第２の加工機と、前記第１の加工機を支持する梁のいずれによっても支持されず他の梁によって支持されている第３の加工機とを含み、
前記第３の加工機と前記第１の加工機との間隔を、前記第２の加工機と前記第１の加工機との間隔よりも小さくすることを特徴とする方法。
【請求項３】
前記第３の加工機と前記第２の加工機との間隔を、前記第２の加工機と前記第１の加工機との間隔よりも小さくすることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記複数の梁は、前記支持構造の表面に平行でかつ互いに直交する第１方向と第２方向とに沿ってそれぞれ延びる複数の第１梁と複数の第２梁とを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも３台の加工機のそれぞれは、基板に塗布された樹脂と型とを接触させて該樹脂を硬化させることにより前記樹脂にパターンを形成するインプリント装置、基板を露光する露光装置又は荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
間隔をおいて配置された複数の梁を含む支持構造に少なくとも３台の加工機が配置された加工機システムであって、
前記少なくとも３台の加工機は、第１の加工機と、該第１の加工機を支持する梁の少なくとも１つによって支持される第２の加工機と、前記第１の加工機を支持する梁のいずれによっても支持されず他の梁によって支持されている第３の加工機とを含む、ことを特徴とする加工機システム。
【請求項７】
前記第３の加工機と前記第１の加工機との間隔は、前記第２の加工機と前記第１の加工機との間隔よりも小さいことを特徴とする請求項６に記載の加工機システム。
【請求項８】
前記複数の梁は、前記支持構造の表面に平行でかつ互いに直交する第１方向と第２方向とに沿ってそれぞれ延びる複数の第１梁と複数の第２梁とを含むことを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の加工機システム。
【請求項９】
前記少なくとも３台の加工機のそれぞれは、基板に塗布された樹脂と型とを接触させて該樹脂を硬化させることにより前記樹脂にパターンを形成するインプリント装置、基板を露光する露光装置又は荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であることを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれか１項に記載の加工機システム。