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【手続補正書】
【提出日】平成26年10月9日(2014.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の底板と、一端が前記第１の底板の端部に接続する第１の側板と、前記第１の側板に対向して設けられる第２の側板と、前記第１の側板の他端と前記第２の側板の一端とを接続する第２の底板と、を有し、前記第１の側板と前記第２の側板と前記第２の底板とが前記第１の底板の両端に対向して設けられる金属構造体と、
前記第２の側板に接して設けられる樹脂外装体と、を備え、
前記第１の底板に、前記第１の底板を切り欠いた部分を折り曲げることよって形成されたリブを有することを特徴とする筐体。
【請求項２】
一端が前記第１の底板の端部に接続する第３の側板と、前記第３の側板に対向して設けられる第４の側板と、前記第３の側板の他端と前記第４の側板の一端とを接続する第３の底板と、を有し、
前記第３の側板の前記一端は前記第１の底板の前記第１の側板が設けられた端部と異なる端部に接続し、前記第３の側板と前記第４の側板と前記第３の底板とが前記第１の底板の両端に対向して設けられることを特徴とする請求項１に記載の筐体。
【請求項３】
前記第１の側板と前記第３の側板とが連続して設けられていることを特徴とする請求項２に記載の筐体。
【請求項４】
前記第２の底板と前記第３の底板とが連続して設けられていることを特徴とする請求項２又は３に記載の筐体。
【請求項５】
前記第２の側板と前記第４の側板とが連続して設けられていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の筐体。
【請求項６】
前記樹脂外装体は、前記第２の側板と前記第４の側板とに連続して設けられていることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の筐体。
【請求項７】
前記樹脂外装体は、前記第４の側板と前記第３の底板とに跨って形成されていることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の筐体。
【請求項８】
前記樹脂外装体は、前記第２の底板又は第３の底板に連続して形成されていることを特徴とする請求項２乃至７のいずれか１項に記載の筐体。
【請求項９】
前記樹脂外装体は、前記第２の底板又は第３の底板が露出する開口を有することを特徴とする請求項８に記載の筐体。
【請求項１０】
前記第２の側板又は第４の側板の少なくとも一部に切欠きを有することを特徴とする請求項２乃至９のいずれか１項に記載の筐体。
【請求項１１】
前記第２の側板又は第４の側板の少なくとも一部に貫通孔を有することを特徴とする請求項２乃至１０のいずれか１項に記載の筐体。
【請求項１２】
前記樹脂外装体は、前記第２の側板と前記第２の底板とに跨って形成されていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の筐体。
【請求項１３】
前記金属構造体の少なくとも一部が前記樹脂外装体から露出していることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の筐体。
【請求項１４】
前記金属構造体の材料は、ステンレス、普通鋼、又はチタンであることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の筐体。
【請求項１５】
前記金属構造体は、薄板の絞り加工又はプレス加工によって成形されていることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の筺体。
【請求項１６】
前記金属構造体は、ダイカスト成形、金属モールド成形、又はメタルインジェクション成形による焼結工法で成形されることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の筐体。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の筐体を有することを特徴とする携帯機器。
【請求項１８】
前記第１の底板に対向して入力部品が設置されてなることを特徴とする請求項１７に記載の携帯機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】筐体、及び携帯機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、筐体、及び携帯機器に関し、特に、小型薄型化と同時に強度を確保することができる筐体構造の改良に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、スイッチ部筺体構造を改良し、薄型化及び小型化に適した構造の筐体を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る筐体は、第１の底板と、一端が前記第１の底板の端部に接続する第１の側板と、前記第１の側板に対向して設けられる第２の側板と、前記第１の側板の他端と前記第２の側板の一端とを接続する第２の底板と、を有し、前記第１の側板と前記第２の側板と前記第２の底板とが前記第１の底板の両端に対向して設けられる金属構造体と、前記第２の側板に接して設けられる樹脂外装体と、を備え、前記第１の底板に、前記第１の底板を切り欠いた部分を折り曲げることよって形成されたリブを有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、キースイッチ面の打鍵荷重を、内蔵部品に伝えることなく、筺体表面から裏面へと効率よく分散させることができる。また、本発明によれば、金属構造体の塑性変形を抑制することができる。更に、本発明においては、金属構造体による薄型化及び高剛性化を得ると共に、外装については樹脂成形とすることで意匠性を確保できる。更にまた、本発明によれば、金属と樹脂を分離し易く、リサイクル性に富む。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
［付記１９］
付記１から１４のいずれか１つに記載の携帯機器の筐体の製造方法であって、
前記内装金属構造体は、ダイカスト成形、金属モールド成形、又はメタルインジェクション成形による焼結工法で成形する
ことを特徴とする携帯機器の筐体の製造方法。
［付記の効果］
本付記によれば、キースイッチ面の打鍵荷重を、内蔵部品に伝えることなく、筺体表面から裏面へと効率よく分散させることができる。また、本付記によれば、金属構造体に樹脂を一体成形しているので、金属の塑性変形を抑制することができる。更に、本付記においては、金属構造体による薄型化及び高剛性化を得ると共に、外装については樹脂成形とすることで意匠性を確保できる。更にまた、本付記によれば、金属筺体と樹脂筺体を射出成形等により一体成形しているので、接着工法ではないために、金属と樹脂を分離し易く、リサイクル性に富む。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月25日(2014.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トナーを収容する現像容器と、該現像容器の開口部から外周面の一部が露出することで像担持体に対向配置され、前記像担持体にトナーを供給する現像ローラーと、を有する現像装置と、
前記現像容器の開口部の近傍に設けられる吸引口に連通するダクトと、
該ダクト内に空気流を発生させて前記吸引口及び前記ダクトを通過した空気を装置本体の外部に排出する第１ファンと、
該第１ファンによって発生した空気流とともに前記ダクト内を通過したトナーを捕集する集塵部と、
前記ダクトの途中に設けられ、空気流とともに通過するトナーの一部を貯留可能な連結部と、を備え、
前記連結部は、前記連結部の本体に対して開閉可能な蓋部を有し、
前記蓋部には、前記連結部内の空気を前記蓋部側に吸引して前記連結部の外部に向かう空気流を発生させる第２ファンと、該第２ファンによって発生した空気流とともに前記連結部内を通過するトナーを捕集するフィルターとが設けられることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記ダクトは、前記吸引口に連通し前記現像容器の長手方向に沿って設けられる第１ダクトと、該第１ダクトに対して屈曲して延び前記集塵部に連通する第２ダクトと、を有し、
前記連結部は、前記第１ダクトと前記第２ダクトとの屈曲部の近傍に配置されることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記連結部は、前記ダクト内の断面積が他の部分に比べて小さい部分の近傍に配置されることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月22日(2014.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む酸化物半導体膜であって、
非晶質酸化物半導体を主たる構成とする非晶質領域と、
前記非晶質領域の表面近傍に、結晶粒を含む結晶領域と、を有し、
前記結晶粒は、そのｃ軸が、前記表面に対して略垂直な方向となるように配向し、
前記結晶領域には、Ｉｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７の結晶粒とＩｎＧａＺｎＯ４の結晶粒を含むことを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項２】
Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む酸化物半導体膜であって、
非晶質酸化物半導体を体積比で５０％以上含む非晶質領域と、
前記非晶質領域の表面近傍に、結晶粒を含む結晶領域と、を有し、
前記結晶粒は、そのｃ軸が、前記表面に対して略垂直な方向となるように配向し、
前記結晶領域には、Ｉｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７の結晶粒とＩｎＧａＺｎＯ４の結晶粒を含むことを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記非晶質領域は、酸化物半導体の結晶を含むことを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記結晶粒は、Ｉｎを含有する第１のレイヤーと、Ｉｎを含有しない第２のレイヤーと、が前記ｃ軸方向に積層する構造を有し、
前記結晶粒の最表面のレイヤーは、前記第２のレイヤーであることを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記非晶質領域において、Ｚｎの含有量は、ＩｎまたはＧａの含有量未満であることを特徴とする酸化物半導体膜。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記結晶粒は、ｃ軸方向の長さが、ａ軸方向またはｂ軸方向の長さの５倍未満であることを特徴とする酸化物半導体膜。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月16日(2014.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器であって、
前記電子機器の前面に設けられ、情報が表示される表示部分を有するカバーパネルと、
前記カバーパネルの内側主面上に設けられ、前記カバーパネルに接した使用者の耳を介して使用者に音を伝えるために前記カバーパネルを振動させる圧電振動素子と、
音信号に基づいて前記圧電振動素子を振動させる駆動部と、
操作ボタンと
を備え、
前記カバーパネルの前記内側主面の上側端部上には、前記圧電振動素子が設けられ、
前記カバーパネルの前記内側主面の下側端部には、前記操作ボタンを露出させる露出用穴が設けられている、電子機器。
【請求項２】
請求項１に記載の電子機器であって、
複数の操作ボタンを備え、
前記カバーパネルの前記内側主面の下側端部には、前記複数の操作ボタンをそれぞれ露出させる複数の露出用穴が、当該内側主面の左右方向に沿って設けられている、電子機器。
【請求項３】
請求項１及び請求項２のいずれか一つに記載の電子機器であって、
前記露出用穴は、前記カバーパネルの前記内側主面の左右方向に沿って延びる長穴である、電子機器。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一つに記載の電子機器であって、
前記カバーパネルの前記内側主面上に設けられたタッチパネルをさらに備え、
前記タッチパネルは、前記カバーパネルの前記内側主面の上下方向において、前記圧電振動素子と前記露出用穴との間に位置する、電子機器。
【請求項５】
請求項４に記載の電子機器であって、
前記カバーパネルの前記内側主面側において、前記タッチパネルと対向するように設けられた表示パネルをさらに備え、
前記タッチパネルと前記表示パネルとの間には隙間が存在する、電子機器。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一つに記載の電子機器であって、
内部に設けられたマイクに外部の音を入力するための送話口の穴をさらに備え、
前記送話口の穴は、前記電子機器の裏面の中心部に設けられる、電子機器。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一つに記載の電子機器であって、
使用者の耳に取り付けられたヘッドホンに当てられた前記カバーパネルが前記圧電振動素子によって振動させられることにより、当該使用者は、当該カバーパネルからの音を認識可能である、電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、電子機器において使用者に音を伝えやすくすることが可能な技術を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明に係る電子機器は、前記電子機器の前面に設けられ、情報が表示される表示部分を有するカバーパネルと、前記カバーパネルの内側主面上に設けられ、前記カバーパネルに接した使用者の耳を介して使用者に音を伝えるために前記カバーパネルを振動させる圧電振動素子と、音信号に基づいて前記圧電振動素子を振動させる駆動部と、操作ボタンとを備え、前記カバーパネルの前記内側主面の上側端部上には、前記圧電振動素子が設けられ、前記カバーパネルの前記内側主面の下側端部には、前記操作ボタンを露出させる露出用穴が設けられている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、使用者に音を伝えやすくすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月27日(2014.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複数のエネルギー消費機器が備えられた建物内でのエネルギー消費量を管理するための管理装置と、前記建物内でのエネルギー消費量に対する削減要求を前記管理装置に向けて送信するエネルギー消費量削減要求装置と、を有するエネルギー管理システムであって、
前記管理装置は、
前記削減要求を受信する受信部と、
前記建物内でのエネルギー消費量を削減するために、前記複数のエネルギー消費機器のうち、制御対象機器の運転状態を制御する運転状態制御部と、
前記複数のエネルギー消費機器の中からユーザが前記制御対象機器として指定した指定機器を示す情報を取得する情報取得部と、
該情報取得部が取得した前記情報を記憶しておく記憶部と、を備え、
前記受信部が前記削減要求を受信すると、前記情報取得部は、新たに前記情報を取得し、前記記憶部は、前記情報取得部が新たに取得した前記情報を記憶し、前記運転状態制御部は、前記記憶部に記憶された前記情報を読み取って前記指定機器を特定し、特定した前記指定機器の運転状態を制御することを特徴とするエネルギー管理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記受信部が前記削減要求を受信すると、前記情報取得部は、前記複数のエネルギー消費機器の中からユーザが前記制御対象機器として指定した前記指定機器と、前記指定機器の運転状態に関してユーザが設定した制御条件と、を示す前記情報を新たに取得し、前記記憶部は、前記情報取得部が新たに取得した、前記指定機器及び前記制御条件を示す前記情報を記憶し、前記運転状態制御部は、前記記憶部に記憶された前記情報を読み取って前記指定機器及び前記制御条件を特定し、特定した前記指定機器の運転状態を、特定した前記制御条件に従って制御することを特徴とする請求項１に記載のエネルギー管理システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
複数のエネルギー消費機器が備えられた建物内でのエネルギー消費量を管理するための管理装置であって、
前記建物内でのエネルギー消費量に対する削減要求を前記管理装置に向けて送信するエネルギー消費量削減要求装置から、前記削減要求を受信する受信部と、
前記建物内でのエネルギー消費量を削減するために、前記複数のエネルギー消費機器のうち、制御対象機器の運転状態を制御する運転状態制御部と、
前記複数のエネルギー消費機器の中からユーザが前記制御対象機器として指定した指定機器を示す情報を取得する情報取得部と、
該情報取得部が取得した前記情報を記憶しておく記憶部と、を備え、
前記受信部が前記削減要求を受信すると、前記情報取得部は、新たに前記情報を取得し、前記記憶部は、前記情報取得部が新たに取得した前記情報を記憶し、前記運転状態制御部は、前記記憶部に記憶された前記情報を読み取って前記指定機器を特定し、特定した前記指定機器の運転状態を制御することを特徴とする管理装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記課題は、本発明のエネルギー管理システムによれば、複数のエネルギー消費機器が備えられた建物内でのエネルギー消費量を管理するための管理装置と、前記建物内でのエネルギー消費量に対する削減要求を前記管理装置に向けて送信するエネルギー消費量削減要求装置と、を有するエネルギー管理システムであって、前記管理装置は、前記削減要求を受信する受信部と、前記建物内でのエネルギー消費量を削減するために、前記複数のエネルギー消費機器のうち、制御対象機器の運転状態を制御する運転状態制御部と、前記複数のエネルギー消費機器の中からユーザが前記制御対象機器として指定した指定機器を示す情報を取得する情報取得部と、該情報取得部が取得した前記情報を記憶しておく記憶部と、を備え、前記受信部が前記削減要求を受信すると、前記情報取得部は、新たに前記情報を取得し、前記記憶部は、前記情報取得部が新たに取得した前記情報を記憶し、前記運転状態制御部は、前記記憶部に記憶された前記情報を読み取って前記指定機器を特定し、特定した前記指定機器の運転状態を制御することにより解決される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、前記課題は、本発明の管理装置によれば、複数のエネルギー消費機器が備えられた建物内でのエネルギー消費量を管理するための管理装置であって、前記建物内でのエネルギー消費量に対する削減要求を前記管理装置に向けて送信するエネルギー消費量削減要求装置から、前記削減要求を受信する受信部と、前記建物内でのエネルギー消費量を削減するために、前記複数のエネルギー消費機器のうち、制御対象機器の運転状態を制御する運転状態制御部と、前記複数のエネルギー消費機器の中からユーザが前記制御対象機器として指定した指定機器を示す情報を取得する情報取得部と、該情報取得部が取得した前記情報を記憶しておく記憶部と、を備え、前記受信部が前記削減要求を受信すると、前記情報取得部は、新たに前記情報を取得し、前記記憶部は、前記情報取得部が新たに取得した前記情報を記憶し、前記運転状態制御部は、前記記憶部に記憶された前記情報を読み取って前記指定機器を特定し、特定した前記指定機器の運転状態を制御することにより解決される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、上記のエネルギー管理システムにおいて、前記受信部が前記削減要求を受信すると、前記情報取得部は、前記複数のエネルギー消費機器の中からユーザが前記制御対象機器として指定した前記指定機器と、前記指定機器の運転状態に関してユーザが設定した制御条件と、を示す前記情報を新たに取得し、前記記憶部は、前記情報取得部が新たに取得した、前記指定機器及び前記制御条件を示す前記情報を記憶し、前記運転状態制御部は、前記記憶部に記憶された前記情報を読み取って前記指定機器及び前記制御条件を特定し、特定した前記指定機器の運転状態を、特定した前記制御条件に従って制御することとしてもよい。かかる構成であれば、制御対象機器のみならず、制御対象機器の運転状態を制御する際の制御条件についてもユーザの意思を反映して決定することになるので、よりユーザフレンドリーなエネルギー管理が実現されることとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月29日(2014.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレンチパターンの最小の開口幅が２０ｎｍ以下であるマスクによりシリコン基板をプラズマエッチングすることによってトレンチを形成するプラズマ処理方法において、
プラズマエッチングにより窒化膜を形成する窒化膜形成ステップと、
前記窒化膜形成ステップ後、前記マスクを用いて前記シリコン基板をプラズマエッチングする第一のシリコンエッチングステップと、
前記窒化膜形成ステップと前記第一のシリコンエッチングステップを繰り返すことにより所定の深さまで前記シリコン基板をプラズマエッチングした後、前記所定の深さまでプラズマエッチングされたシリコン基板の底面にプラズマエッチングにより酸化膜を形成する酸化膜形成ステップと、
前記酸化膜形成ステップ後のシリコン基板をプラズマエッチングする第二のシリコンエッチングステップとを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
トレンチパターンの最小の開口幅が２０ｎｍ以下であるマスクによりシリコン基板をプラズマエッチングすることによってトレンチを形成するプラズマ処理方法において、
プラズマエッチングにより窒化膜を形成する窒化膜形成ステップと、
前記マスクを用いて前記シリコン基板をプラズマエッチングする第一のシリコンエッチングステップと、
前記窒化膜形成ステップと前記第一のシリコンエッチングステップを繰り返すことにより所定の深さまで前記シリコン基板をプラズマエッチングした後、前記所定の深さまでプラズマエッチングされたシリコン基板の底面にプラズマエッチングにより酸化膜を形成する酸化膜形成ステップと、
前記酸化膜形成ステップ後のシリコン基板をプラズマエッチングする第二のシリコンエッチングステップとを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記所定の深さは、アスペクト比が１０以上の深さであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ処理方法において、
前記窒化膜形成ステップのプラズマは、Ｎ2ガスを用いたプラズマであり、
前記酸化膜形成ステップのプラズマは、Ｏ2ガスを用いたプラズマであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
請求項３に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一のシリコンエッチングステップのプラズマおよび前記第二のシリコンエッチングステップのプラズマは、Ｃｌ2ガスとＯ2ガスとの混合ガスを用いたプラズマであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】
請求項２に記載のプラズマ処理方法において、
前記所定の深さは、アスペクト比が１０以上の深さであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】
請求項６に記載のプラズマ処理方法において、
前記窒化膜形成ステップのプラズマは、Ｎ2ガスを用いたプラズマであり、
前記酸化膜形成ステップのプラズマは、Ｏ2ガスを用いたプラズマであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項８】
請求項６に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一のシリコンエッチングステップのプラズマおよび前記第二のシリコンエッチングステップのプラズマは、Ｃｌ2ガスとＯ2ガスとの混合ガスを用いたプラズマであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、トレンチパターンの最小の開口幅が２０ｎｍ以下であるマスクによりシリコン基板をプラズマエッチングすることによってトレンチを形成するプラズマ処理方法において、プラズマエッチングにより窒化膜を形成する窒化膜形成ステップと、前記窒化膜形成ステップ後、前記マスクを用いて前記シリコン基板をプラズマエッチングする第一のシリコンエッチングステップと、前記窒化膜形成ステップと前記第一のシリコンエッチングステップを繰り返すことにより所定の深さまで前記シリコン基板をプラズマエッチングした後、前記所定の深さまでプラズマエッチングされたシリコン基板の底面にプラズマエッチングにより酸化膜を形成する酸化膜形成ステップと、前記酸化膜形成ステップ後のシリコン基板をプラズマエッチングする第二のシリコンエッチングステップとを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月23日(2014.9.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上方に、ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上方に、前記ゲート電極層と重なる領域を有するように、非単結晶であって、且つ、被形成面に対して８５°以上９５°以下の範囲でｃ軸が配向した領域を有する酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層上方及び前記ドレイン電極層上方に、前記酸化物半導体層と重なる領域を有する絶縁層を形成し、
前記絶縁層に、窒素を添加した後、酸素を添加し、
熱を加え、前記絶縁層中の酸素を前記酸化物半導体層に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上方に、ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上方に、前記ゲート電極層と重なる領域を有するように、非単結晶であって、且つ、被形成面に対して８５°以上９５°以下の範囲でｃ軸が配向した領域を有する酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層上方及び前記ドレイン電極層上方に、前記酸化物半導体層と重なる領域を有する、窒素を含む絶縁層を形成し、
前記絶縁層に、酸素を添加し、
熱を加え、前記絶縁層中の酸素を前記酸化物半導体層に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月9日(2014.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
対象物を洗浄する洗浄装置で使う洗浄液を管理する液体管理システムであって、
アルコールと純水とを混合して洗浄液を作る混合手段と、
前記混合手段で前記洗浄液中のアルコール濃度を所定の濃度範囲内に調整する濃度調整手段と、
その濃度調整された洗浄液を前記洗浄装置へ供給するラインと、
前記洗浄装置から排出された洗浄液を回収して前記混合手段へ戻すラインと、
前記混合手段における洗浄液、前記洗浄装置へ供給するラインを通る洗浄液、および前記混合手段へ戻すラインを通る洗浄液のいずれかを精製する精製装置と、
を備えたことを特徴とする液体管理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記濃度調整手段は、
前記混合手段にアルコールを供給するアルコール供給手段と、
前記混合手段に純水を供給する純水供給手段と、
前記混合手段によりアルコールと純水を混合した洗浄液のアルコール濃度を測定する濃度測定手段と、
前記濃度測定手段の測定結果に基づいて前記アルコール供給手段と前記純水供給手段の双方または一方を制御することにより、前記混合手段によりアルコールと純水を混合した洗浄液のアルコール濃度を所定の濃度範囲内に維持する濃度調整処理を実行する第一の制御手段と、
を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の液体管理システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この液体管理システムは、対象物を洗浄する洗浄装置で使う洗浄液を管理する液体管理システムであって、
アルコールと純水とを混合して洗浄液を作る混合手段と、
混合手段で洗浄液中のアルコール濃度を所定の濃度範囲内に調整する濃度調整手段と、
その濃度調整された洗浄液を洗浄装置へ供給するラインと、
洗浄装置から排出された洗浄液を回収して混合手段へ戻すラインと、
混合手段における洗浄液、洗浄装置へ供給するラインを通る洗浄液、および混合手段へ戻すラインを通る洗浄液のいずれかを精製する精製装置と、
を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月26日(2014.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のベース部と、
前記第１のベース部に対して移動する第２のベース部と、
基板を保持する第１の保持部を備え、前記第２のベース部に対して移動する移動部と、
基板を保持する第２の保持部を備え、前記移動部に連結可能であって、前記移動部に連結された状態で前記移動部と一体として前記第２のベース部に対して移動する連結部と、
前記第２の保持部の移動の軌跡が他の部材と干渉しない位置まで前記第２のベース部を移動させるとともに、前記連結部との連結が解除された状態で、前記移動部に前記第２のベース部が前記第１のベース部に対して移動した距離よりも長い距離を移動させるように制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記基板処理装置は、さらに、前記制御部からの制御によって前記移動部だけに連結するか、前記移動部および連結部の双方に連結するかを切り替える移送枚数切替機構を有する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記移送枚数切替機構は、前記移動部または前記連結部のどちらか一方、または両方と、前記第２のベース部に対して一体として移動可能に構成される請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
第１のベース部と、
前記第１のベース部に対して移動する第２のベース部と、
基板を保持する第１の保持部を備え、前記第２のベース部に対して移動する移動部と、
基板を保持する第２の保持部を備え、前記移動部に連結可能であって、前記移動部に連結された状態で前記移動部と一体として前記第２のベース部に対して移動する連結部と、
を有し、
前記第２の保持部の移動の軌跡が他の部材と干渉しない位置まで前記第２のベース部を移動させるとともに、前記連結部との連結が解除された状態で、前記移動部に前記第２のベース部が前記第１のベース部に対して移動した距離よりも長い距離を移動する基板移載装置。
【請求項５】
前記基板移載装置は、さらに、前記移動部に連結するか、前記移動部および連結部の双方に連結するかを切り替える移送枚数切替機構を有する請求項４に記載の基板移載装置。
【請求項６】
第１のベース部と、前記第１のベース部に対して移動する第２のベース部と、基板を保持する第１の保持部を備え、前記第２のベース部に対して移動する移動部と、基板を保持する第２の保持部を備え、前記移動部に連結可能であって、前記移動部に連結された状態で前記移動部と一体として前記第２のベース部に対して移動する連結部と、を有する基板処理装置の半導体装置の製造方法であって、
前記第１の保持部に基板を保持させる工程と、
前記第２のベースを、前記第２の保持部の移動の軌跡が他の部材と干渉しない位置まで移動させる工程と、
前記連結部との連結が解除された状態で前記移動部を移動させる工程と、
を有し、
前記移動部が前記第２のベース部に対して移動する距離が、前記第２のベース部が前記第１のベース部に対して移動する距離よりも長い半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月29日(2014.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子銃陰極を加熱することによって電子を放出させる電子銃において、
光を一端部から入射し、一方向に伝播する、高融点の光導波路と、
前記光導波路で他端部に結合され、前記光で加熱される保持具と、
前記保持具によって保持され、前記保持具を介して、加熱される電子銃陰極と、
を備え、
前記光導波路、前記保持具および前記電子銃陰極の順序で配置したことを特徴とする電子銃。
【請求項２】
請求項１に記載する電子銃において、
前記光導波路に、電気伝導性を付加したことを特徴とする電子銃。
【請求項３】
請求項１に記載する電子銃において、
前記電子銃陰極に電子供給端子を設けたことを特徴とする電子銃。
【請求項４】
請求項２に記載する電子銃において、
前記光導波路は、円柱形状の光媒体の表面に金属薄膜を付着せしめたものであることを特徴とする電子銃。
【請求項５】
請求項１に記載する電子銃において、
前記光導波路は高い融点を持つ、サファイヤ、ルビー、ダイヤモンド、石英ガラスの中から選択された１種類の材料で前記光導波路を成し、当該導波路の表面に金属薄膜を付着せしめたものであることを特徴とする電子銃。
【請求項６】
請求項２に記載する電子銃において、
前記光導波路は、臭素、窒素、酸素、弗素、アルミニウム、燐、硫黄、塩素、ガリウム、砒素の中から選択された、電気伝導性を付加するイオンを表面層に照射せしめたものであることを特徴とする電子銃。
【請求項７】
請求項１に記載する電子銃において、
前記電子銃陰極は、ＬａＢ６またはＣｅＢ６を含む６硼素化ランタノイド化合物の中から１種類を選択した材料からなることを特徴とする電子銃。
【請求項８】
請求項７に記載する電子銃において、
前記電子銃陰極は、６硼素化ランタノイド化合物の単結晶からなることを特徴とする電子銃。
【請求項９】
請求項１に記載する電子銃において、
光で加熱される前記保持具が、ＬａＢ６またはＣｅＢ６を含む６硼素化ランタノイド化合物と、電子銃陰極としての動作温度である高温にて化学反応をしない物質であるレニウム、タンタル、炭素の中から、１種類を選択した材料からなることを特徴とする電子銃。
【請求項１０】
請求項１に記載する電子銃において、
前記光導波路の一端部より照射される前記光は、半導体レーザーから射出される光であって、光ファイバーを用いて、前記光導波路に入射することを特徴とする電子銃。
【請求項１１】
請求項１から１０の何れか一項に記載する電子銃を複数搭載した、電子ビームを用いた半導体の回路パターンの露光または検査を行うマルチコラム電子ビーム装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月14日(2013.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面に複数の半導体素子が配置された半導体装置に用いられ、前記複数の半導体素子のそれぞれの表側の電極と外部回路とを電気接続するためのリード端子であって、
平坦状の主導電部と、
前記主導電部に対して面の垂直方向に所定の間隔をあけるとともに、面の延在方向の所定位置にそれぞれ形成され、前記複数の半導体素子のそれぞれの表側の電極に対向するように配置される接合面を有する接合面部と、
前記主導電部とそれぞれの接合面間に加えた圧力に応じて、当該接合面と前記主導電部との平行を維持しながら、当該接合面と前記主導電部間の間隔が変化するように前記接合面部のそれぞれと前記主導電部とを連結する連結部と、
を備えたことを特徴とするリード端子。
【請求項２】
前記連結部のそれぞれには、当該連結部が連結する接合面部の接合面の中心を通り、当該接合面に垂直な軸を挟むように、前記圧力に応じて変形する変形部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のリード端子。
【請求項３】
前記連結部および前記接合面部は、それぞれ前記主導電部から延在する板材を折り曲げて形成したものであることを特徴とする請求項１または２に記載のリード端子。
【請求項４】
前記連結部および前記接合面部は、それぞれ前記主導電部の面内の所定位置に可撓性部材を介して板材を接合して形成したものであることを特徴とする請求項１または２に記載のリード端子。
【請求項５】
前記可撓性部材は、前記接合面部の接合面の中心を通り、当該接合面に垂直な軸を囲むように旋回するコイル材であることを特徴とする請求項４に記載のリード端子。
【請求項６】
前記可撓性部材は、多孔金属からなる柱状材であることを特徴とする請求項４に記載のリード端子。
【請求項７】
基板と、
前記基板の主面に裏側の電極が接合された複数の半導体素子と、
前記複数の半導体素子のそれぞれの表側の電極に前記接合面が接合された請求項１ないし６のいずれか１項に記載のリード端子と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記表側の電極と前記接合面との接合が焼結接合技術により行われたことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記表側の電極と前記接合面との接合が金属間化合物接合技術により行われたことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体素子がワイドバンドギャップ半導体材料により形成されていることを特徴とする請求項７ないし９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記ワイドバンドギャップ半導体材料は、炭化ケイ素、窒化ガリウム系材料、およびダイヤモンド、のうちのいずれかであることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月17日(2014.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の情報処理装置は、端末装置からウェブサーバに対して送信されるデータ取得要求を取得する取得手段と、前記取得手段により取得されたデータ取得要求の中継を許可するか否かを判断する中継制御手段と、前記取得手段により取得されたデータ取得要求に、当該データ取得要求の参照元を示す情報が含まれるか否かを判断する参照元判断手段と、前記中継制御手段により中継を許可しないと判断されたデータ取得要求について、前記参照元判断手段による判断結果に応じて、監査者に通知するか否かを決定する決定手段と、前記決定手段により通知すると決定されたデータ取得要求にかかる情報を監査者に通知する通知手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明は、情報処理装置における情報処理方法であって、前記情報処理装置の取得手段が、端末装置からウェブサーバに対して送信されるデータ取得要求を取得する取得工程と、前記情報処理装置の中継制御手段が、前記取得工程により取得されたデータ取得要求の中継を許可するか否かを判断する中継制御工程と、前記情報処理装置の参照元判断手段が、前記データ取得要求に、当該データ取得要求の参照元を示す情報が含まれるか否かを判断する参照元判断工程と、前記情報処理装置の決定手段が、前記中継制御工程により中継を許可しないと判断されたデータ取得要求について、前記参照元判断工程による判断結果に応じて、監査者に通知するか否かを決定する決定工程と、前記情報処理装置の通知手段が、前記決定工程により通知すると決定されたデータ取得要求にかかる情報を監査者に通知する通知工程と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明は、情報処理装置において実行可能なプログラムであって、前記情報処理装置を、端末装置からウェブサーバに対して送信されるデータ取得要求を取得する取得手段と、前記取得手段により取得されたデータ取得要求の中継を許可するか否かを判断する中継制御手段と、前記取得手段により取得されたデータ取得要求に、当該データ取得要求の参照元を示す情報が含まれるか否かを判断する参照元判断手段と、前記中継制御手段により中継を許可しないと判断されたデータ取得要求について、前記参照元判断手段による判断結果に応じて、監査者に通知するか否かを決定する決定手段と、前記決定手段により通知すると決定されたデータ取得要求にかかる情報を監査者に通知する通知手段として機能させることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端末装置からウェブサーバに対して送信されるデータ取得要求を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得されたデータ取得要求の中継を許可するか否かを判断する中継制御手段と、
前記取得手段により取得されたデータ取得要求に、当該データ取得要求の参照元を示す情報が含まれるか否かを判断する参照元判断手段と、
前記中継制御手段により中継を許可しないと判断されたデータ取得要求について、前記参照元判断手段による判断結果に応じて、監査者に通知するか否かを決定する決定手段と、
前記決定手段により通知すると決定されたデータ取得要求にかかる情報を監査者に通知する通知手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置
【請求項２】
前記決定手段は、さらに、
前記中継制御手段により中継を許可しないと判断され、かつ前記参照元判断手段により参照元を示す情報が含まれないと判断されたデータ取得要求については、前記通知手段による通知をすると決定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記決定手段は、さらに、
前記中継制御手段により中継を許可しないと判断されたデータ取得要求のうち、前記参照元判断手段によりデータ取得要求に参照元を示す情報が含まれていると判断されるデータ取得要求については、当該データ取得要求にかかる情報を前記監査者に通知しないと決定することを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記データ取得要求が送信された時刻と、当該データ取得要求の参照元に対してデータ取得要求が送信された時刻との時間差を算出する時間差算出手段をさらに備え、
前記決定手段は、さらに、
前記中継制御手段により中継を許可しないと判断されたデータ取得要求であって前記参照元判断手段により参照元を示す情報が含まれていると判断されるデータ取得要求のうち、前記時間差算出手段により算出された時間差が所定の時間差を超えるデータ取得要求については、前記通知手段による通知をすると決定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記所定の時間差の設定を受け付ける時間差設定受付手段をさらに備え、
前記決定手段は、
前記中継制御手段により中継を許可しないと判断されたデータ取得要求であって前記参照元判断手段により参照元を示す情報が含まれていると判断されるデータ取得要求のうち、前記時間差算出手段により算出された時間差が、前記時間差設定受付手段により設定を受け付けた時間差を超えるデータ取得要求については、前記通知手段による通知をすると決定することを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
情報処理装置における情報処理方法であって、
前記情報処理装置の取得手段が、端末装置からウェブサーバに対して送信されるデータ取得要求を取得する取得工程と、
前記情報処理装置の中継制御手段が、前記取得工程により取得されたデータ取得要求の中継を許可するか否かを判断する中継制御工程と、
前記情報処理装置の参照元判断手段が、前記データ取得要求に、当該データ取得要求の参照元を示す情報が含まれるか否かを判断する参照元判断工程と、
前記情報処理装置の決定手段が、前記中継制御工程により中継を許可しないと判断されたデータ取得要求について、前記参照元判断工程による判断結果に応じて、監査者に通知するか否かを決定する決定工程と、
前記情報処理装置の通知手段が、前記決定工程により通知すると決定されたデータ取得要求にかかる情報を監査者に通知する通知工程と、
を備えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項７】
情報処理装置において実行可能なプログラムであって、
前記情報処理装置を、
端末装置からウェブサーバに対して送信されるデータ取得要求を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得されたデータ取得要求の中継を許可するか否かを判断する中継制御手段と、
前記取得手段により取得されたデータ取得要求に、当該データ取得要求の参照元を示す情報が含まれるか否かを判断する参照元判断手段と、
前記中継制御手段により中継を許可しないと判断されたデータ取得要求について、前記参照元判断手段による判断結果に応じて、監査者に通知するか否かを決定する決定手段と、
前記決定手段により通知すると決定されたデータ取得要求にかかる情報を監査者に通知する通知手段として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月3日(2014.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
地図を構成する各オブジェクトの描画データを記憶しているデータ記憶手段と、
前記データ記憶手段から、地図を構成する各オブジェクトの描画データを取得して地図画像を生成し出力する画像出力手段と、
前記画像出力手段により出力された地図画像に含まれる任意のオブジェクトをユーザ操作に応じて指定するオブジェクト指定手段と、
このオブジェクト指定手段により指定されたオブジェクトの表現形態を、ユーザ操作に応じて異なる表現形態に変更する表現形態変更手段と、
を備えたことを特徴とする画像出力装置。
【請求項２】
前記データ記憶手段により記憶されるオブジェクト毎に該当するオブジェクトの表現形態の異なる複数種類のイメージデータを記憶する変更データ記憶手段を有し、
前記表現形態変更手段は、前記オブジェクト指定手段により指定されたオブジェクトを、前記変更データ記憶手段により記憶されたイメージデータの中からユーザ操作に応じて選択されたイメージデータに置き換えて異なる表現形態に変更する、
ことを特徴とする請求項１に記載の画像出力装置。
【請求項３】
前記データ記憶手段により記憶されるオブジェクト毎に該当するオブジェクトの描画データを変形するための複数種類の変更データを記憶する変更データ記憶手段を有し、
前記表現形態変更手段は、前記オブジェクト指定手段により指定されたオブジェクトの描画データを、前記変更データ記憶手段により記憶された変更データの中からユーザ操作に応じて選択された変更データに従い変形して異なる表現形態に変更する、
ことを特徴とする請求項１に記載の画像出力装置。
【請求項４】
コンピュータを、
地図を構成する各オブジェクトの描画データを記憶するデータ記憶手段と、
前記データ記憶手段から、地図を構成する各オブジェクトの描画データを取得して地図画像を生成し出力する画像出力手段と、
前記画像出力手段により出力された地図画像に含まれる任意のオブジェクトをユーザ操作に応じて指定するオブジェクト指定手段と、
このオブジェクト指定手段により指定されたオブジェクトの表現形態を、ユーザ操作に応じて異なる表現形態に変更する表現形態変更手段、
として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る画像出力装置は、地図を構成する各オブジェクトの描画データを記憶しているデータ記憶手段と、前記データ記憶手段から、地図を構成する各オブジェクトの描画データを取得して地図画像を生成し出力するする画像出力手段と、前記画像出力手段により出力された地図画像に含まれる任意のオブジェクトをユーザ操作に応じて指定するオブジェクト指定手段と、このオブジェクト指定手段により指定されたオブジェクトの表現形態を、ユーザ操作に応じて異なる表現形態に変更する表現形態変更手段と、を備えたことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係るプログラムは、コンピュータを、地図を構成する各オブジェクトの描画データを記憶するデータ記憶手段と、前記データ記憶手段から、地図を構成する各オブジェクトの描画データを取得して地図画像を生成し出力するする画像出力手段と、前記画像出力手段により出力された地図画像に含まれる任意のオブジェクトをユーザ操作に応じて指定するオブジェクト指定手段と、このオブジェクト指定手段により指定されたオブジェクトの表現形態を、ユーザ操作に応じて異なる表現形態に変更する表現形態変更手段、として機能させることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、出力される地図画像を構成するオブジェクトを異なる表示形態に変更することが可能になる画像出力装置及びその制御プログラムを提供できる。