Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月17日(2014.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲーム用のデータを記録した物品を払い出す払出部と、
前記物品に記録された前記データを読み取る読取部と、
ゲーム用の画像を表示可能な表示部と、
プレイヤの操作を受け付ける操作ユニットが取り付けられる操作盤と、
を備えた物品販売装置において、
前記操作盤の外壁を構成する本体部と、
前記本体部の上面前側において左右に離間して設けられた複数の開口部と、を備え、
前記操作盤は、前記物品を載置する載置面を形成する載置部を備え、
前記操作ユニットは、前記本体部に着脱可能に取り付けられ、前記複数の開口部を塞ぐパネルを含み、
当該パネルには、第１の装飾シート、第１の透明パネルが順次上方に積層され、
前記本体部は、前記載置部の外壁を構成する外壁構成部材を備え、
前記外壁構成部材の奥側には、切り欠き部が形成され、
前記読取部は、当該切り欠き部に臨んで前記載置面に載置された前記物品を読み取るように配設されていることを特徴とする物品販売装置。
【請求項２】
前記複数の開口部を塞ぐパネル、前記第１の装飾シート及び前記第１の透明パネルは、積層体を構成し、
前記積層体は、当該積層体を貫通する複数のネジを、前記本体部上面に設けたネジ穴に螺合することで、前記本体部に着脱可能に取付けられることを特徴とする請求項１に記載の物品販売装置。
【請求項３】
前記操作ユニットは、前記複数の開口部を塞ぐパネルに設けられた操作部材を備え、
前記第１の装飾シート及び前記第１の透明パネルは、その外形が前記複数の開口部を塞ぐパネルと同形であり、かつ、前記操作部材を露出させる開孔部が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の物品販売装置。
【請求項４】
前記載置面は、前記外壁構成部材に着脱可能に装着される第２の透明パネルの上面により形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の物品販売装置。
【請求項５】
前記第２の透明パネルと前記外壁構成部材との間には、前記物品の前記載置面であることを示す表示がなされた第２の装飾シートを挟み込み可能であることを特徴とする請求項４に記載の物品販売装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明によれば、ゲーム用のデータを記録した物品を払い出す払出部と、前記物品に記録された前記データを読み取る読取部と、ゲーム用の画像を表示可能な表示部と、プレイヤの操作を受け付ける操作ユニットが取り付けられる操作盤と、を備えた物品販売装置において、前記操作盤の外壁を構成する本体部と、前記本体部の上面前側において左右に離間して設けられた複数の開口部と、を備え、前記操作盤は、前記物品を載置する載置面を形成する載置部を備え、前記操作ユニットは、前記本体部に着脱可能に取り付けられ、前記複数の開口部を塞ぐパネルを含み、当該パネルには、第１の装飾シート、第１の透明パネルが順次上方に積層され、前記本体部は、前記載置部の外壁を構成する外壁構成部材を備え、前記外壁構成部材の奥側には、切り欠き部が形成され、前記読取部は、当該切り欠き部に臨んで前記載置面に載置された前記物品を読み取るように配設されていることを特徴とする物品販売装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月7日(2014.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体電位信号の測定のための電極システム（１０、５０）であって、
基材（１２、５４）と、
該基材（１２、５４）に電気的に接続されており、複数の伝導性スパイク（２２）を含む微小電極（１４、７０）と、
前記基材（１２、５４）内に一体的に形成されている加速度計（１６、５２）と、
前記基材（１２、５４）に接続し、前記微小電極（１４、７０）からの生体電位と前記加速度計（１６、５２）からの加速度信号を含む結合信号を送る導電リードと、
前記導電リードに電気的に接続されている生体電位増幅器（２１４、２３６）と、
前記導電リードに電気的に接続されている加速度測定回路（２１２、２３４）と
を備えた電極システム（１０、５０）。
【請求項２】
前記導電リードに電気的に接続され、前記生体電位信号の品質を高めるために、前記微小電極（１４、７０）により得られる生体電位信号、及び前記加速度計（１６、５２）により得られる加速度信号を処理する電子回路（１８、６２、２００）をさらに含んでいる請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記電子回路（１８、６２、２００）は、前記加速度信号を用いて前記生体電位信号の運動アーティファクト混入部分を識別する、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記複数の伝導性スパイク（２２）は銀皮膜又は銀／塩化銀皮膜（７２）を含んでいる、請求項１乃至３のいずれかに記載のシステム。
【請求項５】
前記加速度計（１６、５２）は第一の加速度計（１２２）であり、第二の加速度計（１２４）をさらに含んでおり、該第一及び第二の加速度計（１２２、１２４）の両方が前記基材（１２、５４）と機械的に一体化されており、前記第一の加速度計（１２２）及び前記第二の加速度計（１２４）は、前記基材（１２、５４）において、少なくとも二つの直交する方向での加速度を測定するように配向されている、請求項１乃至４のいずれかに記載のシステム。
【請求項６】
前記電極システム（１０、５０）は脳電図（ＥＥＧ）生体電位を測定する、請求項１乃至５のいずれかに記載のシステム。
【請求項７】
前記生体電位増幅器（２１４、２３６）及び前記加速度測定回路（２１２、２３４）は、前記基材（１２、５４）内に一体的に形成されている、請求項１乃至６のいずれかに記載のシステム。
【請求項８】
前記加速度測定回路（２１２、２３４）は、加速度検出前端及び、後端回路とを有している、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記加速度検出前端は、前記基材（１２、５４）内に一体的に形成されており、
前記後端回路は、電源を有し、前記加速度検出前端から機械的に分離している、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記加速度検出前端は、前記後端回路と少なくとも１本のリード線で通信し、前記少なくとも１本のリード線が生体電位の測定に使用される、請求項９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月30日(2014.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、キャパシタと、表示素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第３のトランジスタのゲートと接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記キャパシタの一方の電極と接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、信号線と接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、走査線と接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記表示素子の一方の電極と接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記表示素子の他方の電極と接続され、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を含み、
前記第２のトランジスタは、多結晶半導体を含み、
前記第３のトランジスタは、多結晶半導体を含み、
前記第２のトランジスタは、前記第３のトランジスタと同一導電型であり、
前記第１のトランジスタのオフ電流は、前記表示素子のリーク電流の１／１００以下であり、
前記キャパシタの容量は、前記表示素子の容量の１／１０以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、キャパシタと、表示素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第３のトランジスタのゲートと接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記キャパシタの一方の電極と接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、信号線と接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、走査線と接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記表示素子の一方の電極と接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記表示素子の他方の電極と接続され、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を含み、
前記第２のトランジスタは、単結晶半導体を含み、
前記第３のトランジスタは、単結晶半導体を含み、
前記第２のトランジスタは、前記第３のトランジスタと同一導電型であり、
前記第１のトランジスタのオフ電流は、前記表示素子のリーク電流の１／１００以下であり、
前記キャパシタの容量は、前記表示素子の容量の１／１０以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
８５℃における前記第１のトランジスタのオフ電流は、１×１０−２０Ａ以下であることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月14日(2014.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続して複数の記録材が搬送される際に、先行して搬送される記録材の後端と次に後続して搬送される記録材の先端との間隔を検知する第１検知手段と、
前記第１検知手段よりも記録材の搬送方向の下流側に配置され、連続して複数の記録材が搬送される際に、先行して搬送される記録材の後端と次に後続して搬送される記録材の先端との間隔を検知する第２検知手段と、
前記第２検知手段で後続して搬送される記録材の先端を検知した後、後続して搬送される記録材にジャムが発生しているか否かを示す情報を設定する設定手段と、
前記第１検知手段により前記間隔が検知されず、前記第２検知手段により前記間隔が検知された後で前記第２検知手段により後続して搬送される記録材が検知されなくなった際に、前記設定手段によって設定された情報に基づきジャムが発生しているか否かを判別する制御手段と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記第１検知手段により前記間隔が検知されず、前記第２検知手段により前記間隔が検知された後で前記第２検知手段により後続して搬送される記録材が検知されなくなった際に、前記情報が設定されていると前記ジャムが発生していると判断し、前記情報が設定されていないと前記ジャムが発生していないと判断することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記第１検知手段により前記間隔が検知されず、前記第２検知手段により前記間隔が検知された後で前記第２検知手段により後続して搬送される記録材が検知されなくなった際に、前記情報が設定されていると前記ジャムが発生していないと判断し、前記情報が設定されていないと前記ジャムが発生していると判断することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記設定手段は、前記第１検知手段及び前記第２検知手段により所定時間、後続して搬送される記録材が有ると検知されると前記情報の設定を切り換えることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項５】
連続して複数の記録材が搬送される際に、先行して搬送される記録材の後端と次に後続して搬送される記録材の先端との間隔を検知する第１検知手段と、
前記第１検知手段よりも記録材の搬送方向の下流側に配置され、連続して複数の記録材が搬送される際に、先行して搬送される記録材の後端と次に後続して搬送される記録材の先端との間隔を検知する第２検知手段と、
前記第１検知手段又は前記第２検知手段により記録材が検知されている時間を計測する計測手段と、
前記第１検知手段により前記間隔が検知されず、前記第２検知手段により先行して搬送される記録材の後端を検知した際に、先行して搬送される記録材の後端を検知してから後続して搬送される記録材の先端を検知するまでの時間を前記計測手段により計測し、前記計測された時間によってジャムが発生しているか否かを判別する制御手段と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記第２検知手段により先行して搬送される記録材の後端を検知した際に、先行して搬送される記録材の後端を検知してから後続して搬送される記録材の先端を検知するまでの時間が予め設定された閾値を超えるとジャムが発生したと判別する請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項７】
搬送される記録材の種別を検知する記録材種別検知手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記記録材種別検知手段によって検知された記録材の種別に応じて前記閾値を変更することを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記制御手段は、
前記記録材種別検知手段によって搬送される記録材が厚紙又はラフ紙であると検知されると、前記閾値を第１閾値としてジャムを判定し、
前記記録材種別検知手段によって搬送される記録材が薄紙であると検知されると、前記閾値を前記第１閾値よりも短い第２閾値としてジャムを判定し、
前記記録材種別検知手段によって搬送される記録材が厚紙、ラフ紙及び薄紙でないと検知されると、前記閾値を前記第１閾値と前記第２閾値の間の第３閾値としてジャムを判定することを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記第１検知手段と前記第２検知手段との間に設けられ、記録材に形成されたトナー像を記録材に定着させる回転する定着部材をさらに備え、
前記ジャムとは、前記定着部材への巻き付きジャムであることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
連続して複数の記録材が搬送される際に、先行して搬送される記録材の後端と次に後続して搬送される記録材の先端との間隔を検知する第１検知手段と、
前記第１検知手段よりも記録材の搬送方向の下流側に配置され、連続して複数の記録材が搬送される際に、先行して搬送される記録材の後端と次に後続して搬送される記録材の先端との間隔を検知する第２検知手段と、
前記第１検知手段により前記間隔が検知されず、前記第２検知手段により前記間隔が検知された後で前記第２検知手段により後続して搬送される記録材が検知されなくなるまでの期間に基づき、ジャムが発生しているか否かを判別する制御手段と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項１１】
前記第２検知手段は、前記第１検知手段が検知可能な間隔よりも短い間隔を検知可能であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、例えば、画像形成装置として実現できる。画像形成装置は、連続して複数の記録材が搬送される際に、先行して搬送される記録材の後端と次に後続して搬送される記録材の先端との間隔を検知する第１検知手段と、前記第１検知手段よりも記録材の搬送方向の下流側に配置され、連続して複数の記録材が搬送される際に、先行して搬送される記録材の後端と次に後続して搬送される記録材の先端との間隔を検知する第２検知手段と、前記第２検知手段で後続して搬送される記録材の先端を検知した後、後続して搬送される記録材にジャムが発生しているか否かを示す情報を設定する設定手段と、前記第１検知手段により前記間隔が検知されず、前記第２検知手段により前記間隔が検知された後で前記第２検知手段により後続して搬送される記録材が検知されなくなった際に、前記設定手段によって設定された情報に基づきジャムが発生しているか否かを判別する制御手段と、を備えることを特徴とする。また、本画像形成装置は、連続して複数の記録材が搬送される際に、先行して搬送される記録材の後端と次に後続して搬送される記録材の先端との間隔を検知する第１検知手段と、前記第１検知手段よりも記録材の搬送方向の下流側に配置され、連続して複数の記録材が搬送される際に、先行して搬送される記録材の後端と次に後続して搬送される記録材の先端との間隔を検知する第２検知手段と、前記第１検知手段により前記間隔が検知されず、前記第２検知手段により前記間隔が検知された後で前記第２検知手段により後続して搬送される記録材が検知されなくなるまでの期間に基づき、ジャムが発生しているか否かを判別する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月26日(2014.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フューザー部材であって、
基板と、
前記基板に配置されており、１つ以上のフッ素系材料に分散している複数のカーボンナノチューブを含む剥離層とを備え、前記複数のカーボンナノチューブが、この複数のカーボンナノチューブの外側表面に共有結合したヒドロキシフェニルマレイミド基と、前記ヒドロキシフェニルマレイミドに共有結合したフッ素系エラストマーシェル層とを含み、
前記フッ素系エラストマーシェル層の厚みは、１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲である、フューザー部材。
【請求項２】
コア−シェル粒子を製造する方法であって、
カーボンナノチューブおよびヒドロキシフェニルマレイミド（ＨＰＭ）を溶媒中で混合して反応混合物を作成することと；
前記反応混合物を分離して、前記カーボンナノチューブの外側表面にヒドロキシフェニルマレイミドが共有結合したカーボンナノチューブを得ることと；
前記外側表面にヒドロキシフェニルマレイミドが共有結合したカーボンナノチューブと、（１）フッ化ビニリデン、ヘキサフルオロプロピレン、テトラフルオロエチレンのうち２つのコポリマー、（２）フッ化ビニリデン、ヘキサフルオロプロピレンおよびテトラフルオロエチレンのターポリマー、（３）フッ化ビニリデン、ヘキサフルオロプロピレン、テトラフルオロエチレン、キュアサイトモノマーのテトラポリマーといったコポリマーからなる群から選択されるフッ素系エラストマーとを溶媒中で反応させ、フッ素系エラストマーシェル層を有するカーボンナノチューブを得ることと；
前記カーボンナノチューブを集めることとを含み、
前記フッ素系エラストマーシェル層の厚みは、１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲である、方法。
【請求項３】
カーボンナノチューブの外側表面に結合したヒドロキシフェニルマレイミドと、前記ヒドロキシフェニルマレイミドに結合したフッ素系エラストマーシェル層とを含み、
前記フッ素系エラストマーシェル層の厚みは、１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲である、カーボンナノフィブリル。
【請求項４】
基板と、
前記基板に配置されており、１つ以上のフッ素系材料に分散した請求項３に記載のカーボンナノフィブリルを含む剥離層とを備える、フューザー部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】フューザー部材、コア−シェル粒子を製造する方法、およびカーボンナノフィブリル
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月8日(2014.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
多層スタックは、フレーク（薄片）の形状であっても良く、このフレークは０．５と５μｍ間の範囲の平均厚さおよび／または５と５０μｍ間の平均径を有していても良い。このフレークは、塗料および／または紫外保護被膜を提供するために、バインダー（結合剤）と混合されても良い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高屈折率材料Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３・・・Ｈｎの複数の層と低屈折率材料Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３・・・Ｌｍの複数の層を有する多層スタックであって、前記高屈折率材料の複数の層と低屈折率材料の複数の層は、互いの上に交互に積層されている、多層スタックを備え、
前記高屈折率材料の複数の層と前記低屈折率材料の複数の層はそれぞれ、予め定義された厚さｄH1、ｄH2、ｄH3・・・ｄHnとｄL1、ｄL2、ｄL3・・・ｄLmを有し、前記多層スタックが非周期的層構造を有するように、前記厚さｄH1は通常、前記ｄH2、ｄH3・・・又はｄHnとは等しくなく、かつ前記厚さｄL1は通常、前記ｄL2、ｄL3・・・又はｄLmとは等しくなく、さらに、
前記多層スタックは、中心波長が可視スペクトルにある単一の反射バンドを有する反射器を定義し、前記単一の反射バンドは前記中心波長において６０％よりも大きい反射率を有し、前記単一の反射バンドは更に、２００ｎｍより小さい半値全幅と、前記反射器を０度と４５度間の角度から見た場合に７５ｎｍよりも小さい前記中心波長のシフトを有する、全方向反射器。
【請求項２】
請求項１に記載の全方向反射器において、前記高屈折率材料は１．５と２．５を含むその間の屈折率を有し、前記低屈折率材料は０．７５と１．７５を含むその間の屈折率を有する、全方向反射器。
【請求項３】
請求項２に記載の全方向反射器において、前記多層スタックは少なくとも全体で３層を有する、全方向反射器。
【請求項４】
請求項３に記載の全方向反射器において、前記多層スタックは少なくとも全体で７層を有する、全方向反射器。
【請求項５】
請求項４に記載の全方向反射器において、前記多層スタックは少なくとも全体で１３層を有する、全方向反射器。
【請求項６】
請求項５に記載の全方向反射器において、前記厚さｄH1は通常、前記厚さｄH2、ｄH3・・・及び厚さｄHnと等しくない、全方向反射器。
【請求項７】
請求項６に記載の全方向反射器において、前記厚さｄL1は通常、前記厚さｄL2、ｄL3・・・及びｄLmとは等しくない、全方向反射器。
【請求項８】
請求項７に記載の全方向反射器において、前記多層スタックはフレークの形状である、全方向反射器。
【請求項９】
請求項８に記載の全方向反射器において、前記フレークは０．５から５μｍ間の範囲の平均厚さを有している、全方向反射器。
【請求項１０】
請求項９に記載の全方向反射器において、前記フレークは５から５０μｍの範囲の平均径を有している、全方向反射器。
【請求項１１】
請求項１０に記載の全方向反射器において、前記フレークは、塗料を作るために、バインダーと混合されている、全方向反射器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月2日(2014.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
当該構造（４６）を通る電気信号の伝達に影響を与える様々な導電率又は誘電率を有する多数の領域を含む構造（４６）の内部の画像を形成する方法であって、
前記構造（４６）を通る平面に沿って、前記構造（４６）の外部表面に沿って配置される一連の電極（４４）を設けるステップと、
前記電極（４４）への入力のための一連の電気信号集合であって、各々が前記電極（４４）の各々への入力のための電気信号パターンを含むような一連の電気信号集合を与えるステップと、
前記電極（４４）に前記電気信号集合（Ｖi）の各々を相次いで印加するステップであって、各々の信号集合の印加が前記構造（４６）の内部に回転電場を発生する、印加するステップと、
各々の信号集合の印加に応答して、前記電極（４４）から測定電気信号集合を得るステップと、
前記測定電気信号集合により、前記電極（４４）が周囲に配置されている前記構造（４６）の領域での前記構造４６の内部を表わす導電率分布又は誘電率分布を算出するステップと、
様々な導電率又は誘電率を有する２以上の領域を含む前記構造（４６）の前記内部を表わす画像データを決定するステップと
を備えており、
前記導電率分布又は誘電率分布を算出する前記工程は、前記導電率分布に基づくエネルギ関数、及び前記測定電気信号集合を導電率に関する電圧値の変化の関数として表現する順モデルを定義することと、前記エネルギ関数と前記順モデルに基づく関数との間の差の偏導関数がゼロに等しくなることを要求することとを含んでいる、方法。
【請求項２】
前記一連の印加電気信号集合（Ｖi）は各々電圧入力パターンを含み、前記測定電気信号集合は各々測定される電流レベルを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記一連の印加電気信号集合（Ｖi）は電圧入力パターンを含み、前記測定電気信号集合は測定電流レベルを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記構造（４６）は、様々な導電率を有する物質が流れるコンジットである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記物質は、石油（８６）及び炭化水素ガス（８８）を含んでいる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記コンジット（４６）を流れる液体物質及び気体物質の相対比を決定するために画像情報が用いられる、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記構造（４６）は、様々な相を有する物質が流れるコンジットである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記印加電気信号集合は、λ個の電圧励起パターン集合を含んでおり、各々のパターンがＬ（Ｌ＝１〜ｋ）個の電極（４４）の一つに印加され、前記電圧パターンは、
【数１】
2011257396.tif 000001
請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記測定電気信号集合は、前記導電率分布を決定するのに用いられる少なくともλＬ個の測定データ要素を含んでいる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記導電率分布又は誘電率分布を算出する前記工程は、Ｎが前記導電率分布又は誘電率分布を定義するのに用いられる値σjの総数に等しい場合にｊ＝１〜Ｎについての導電率値又は誘電率値σjの集合について前記エネルギ関数を
【数２】
2011257396.tif 000002
として定義するステップであって、
前記測定電気信号集合を導電率又は誘電率に関する電圧値の変化の関数として表現する前記順モデルは、
【数３】
2011257396.tif 000003
として表現され、式中、Uiは、ｉ＝１，２，３，…，Ｍである場合に前記電極（４４）において測定される前記電気信号集合において総数Ｍのデータ要素を含むベクトルである、定義するステップと、
【数４】
2011257396.tif 000004
となるような関数F(σj)を、前記エネルギ関数と前記順モデルに基づく関数との間の差の偏導関数がゼロに等しくなるように評価し、これにより前記構造の前記内部の部分を表わす導電率分布又は誘電率分布を決定するステップと
を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月10日(2014.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
従って、本発明による分散体を用いて製造された表面被覆物は、より短い乾燥および焼結時間後でさえ、著しくより高い導電性をより低い乾燥および焼結温度で有する。立体的に安定化された銀ナノ粒子を含有する分散体を用いて製造された表面被覆物は、同等の比導電率を得るのに著しくより長い乾燥および焼結時間を必要とした。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
［１］表面を有する基材を供給する工程、
分散体を該表面に適用する工程であって、該分散体は、
ｃ）少なくとも１つの液体分散剤、および
ｄ）−２０〜−５５ｍＶのゼータ電位を分散剤中に２〜１０のｐＨ値で有する静電的に安定化された銀ナノ粒子
を含み、および
該表面およびそこに適用された該分散体の一方または両方を、分散剤の沸点未満の５０℃〜分散剤の沸点を超える１５０℃の温度に加熱して、導電性被覆物を該表面上に形成する工程
を含む方法。
［２］表面および／またはそこに配置された分散体を、少なくとも分散剤の沸点未満の２０℃〜分散剤の沸点を超える１００℃の範囲の温度に一般的な圧力で加熱する、［１］に記載の方法。
［３］表面および／またはそこに配置された分散体を、１０秒〜２時間の間、特定の温度に加熱する、［１］に記載の方法。
［４］表面および／またはそこに配置された分散体を、３０秒〜６０分の間、特定の温度に加熱する、［１］に記載の方法。
［５］分散体の銀ナノ粒子は、−２５〜−５０ｍＶのゼータ電位を、静電気的分散体安定剤を有する上記分散剤中に４〜１０の範囲のｐＨ値で有する、［１］に記載の方法。
［６］分散剤は、水、または水と４個までの炭素原子を有するアルコール、４個までの炭素原子を有するアルデヒド、４個までの炭素原子を有するケトンおよびこれらの混合物からなる群から選択される化合物との混合物である、［１］に記載の方法。
［７］銀ナノ粒子は、５個までの炭素原子を有するカルボン酸、該カルボン酸の塩、該カルボン酸の硫酸塩、該カルボン酸のリン酸塩およびこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つの静電気的分散体安定剤により静電的に安定化されている、［１］に記載の方法。
［８］静電気的分散体安定剤は、少なくとも１つの５個までの炭素原子を有するジ−またはトリ−カルボン酸またはその塩である、［７］に記載の方法。
［９］静電気的分散体安定剤は、クエン酸またはクエン酸塩である、［７］に記載の方法。
［１０］分散体はインクである、［１］に記載の方法。
［１１］導電性表面被覆物は、１０２〜３・１０７Ｓ／ｍの比導電率を有する、［１］に記載の方法。
［１２］導電性表面被覆物は、５０ｎｍ〜５μｍの乾燥皮膜厚みを有する、［１］に記載の方法。
［１３］表面は、プラスチック基材の表面である、［１］に記載の方法。
［１４］プラスチック基材は、プラスチック皮膜または多層複合材料である、［１３］に記載の方法。
［１５］分散体は、分散体の全重量を基準として２重量％未満の立体分散体安定剤を含む、［１］に記載の方法。
［１６］分散体は、分散体の全重量を基準として１重量％未満の立体分散体安定剤を含む、［１５］に記載の方法。
［１７］立体分散体安定剤は、ポリマー立体分散体安定剤である、［１５］に記載の方法。
［１８］ａ）少なくとも１つの液体分散体、
ｂ）−２０〜−５５ｍＶの範囲のゼータ電位を上記の分散剤中に２〜１０の範囲のｐＨ値で有する静電的に安定化された銀ナノ粒子、および
ｃ）必要に応じて、さらなる添加剤
を含む、分散体。
［１９］銀塩を、少なくとも１つの分散剤中において、少なくとも１つの静電気的分散安定剤の存在下で、還元剤により銀に還元する工程を含む、［１８］に記載の分散体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有する基材を供給する工程、
分散体を該表面に適用する工程であって、該分散体は、
ｃ）少なくとも１つの液体分散剤、および
ｄ）−２０〜−５５ｍＶのゼータ電位を分散剤中に２〜１０のｐＨ値で有する静電的に安定化された銀ナノ粒子
を含み、および
該表面およびそこに適用された該分散体の一方または両方を、分散剤の沸点未満の５０℃〜分散剤の沸点を超える１５０℃の温度に加熱して、導電性被覆物を該表面上に形成する工程
を含む方法。
【請求項２】
表面は、プラスチック基材の表面である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
プラスチック基材は、プラスチック皮膜または多層複合材料である、請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月23日(2014.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された少なくとも一対のヨークレッグを有するスリップフォームヨークを有する、成形されたコンクリート構造物のスリップフォーム成形のための装置において、前記ヨークレッグに結合された少なくとも一対の半型が設けられており、これらの半型の間にコンクリートが注入されるようになっており、ヨークと協働する少なくとも１つのジャッキパイプが設けられており、該ジャッキパイプが中空であることを特徴とする、特に成形されたコンクリート構造物のスリップフォーム成形のための装置。
【請求項２】
前記ジャッキパイプが、該ジャッキパイプを別のジャッキパイプに結合するための少なくとも１つの結合部材を有している、請求項１記載の装置。
【請求項３】
第１のジャッキパイプの結合部材が、別のジャッキパイプの結合部材とのスナップ嵌合式結合を提供する、請求項１又は２記載の装置。
【請求項４】
前記結合部材が、スナップ嵌合部又はスナップ嵌合部を受容するように適応された凹所である、請求項３記載の装置。
【請求項５】
第１のジャッキパイプの結合部材が、別のジャッキパイプの結合部材との差込結合を提供する、請求項１から４までのいずれか１項記載の装置。
【請求項６】
前記結合部材が、溝状の凹所又は舌片状の突出部である、請求項５記載の装置。
【請求項７】
ジャッキパイプの一方の端部が、増大した直径を有している、請求項１から６までのいずれか１項記載の装置。
【請求項８】
ジャッキパイプが、該ジャッキパイプを別のジャッキパイプに結合するための少なくとも１つの結合部を有する別個の結合スリーブによって別のジャッキパイプに結合可能である、請求項１から７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項９】
前記結合部が、スナップ嵌合式結合及び差込結合のうちの少なくとも一方を提供する、請求項８記載の装置。
【請求項１０】
前記結合スリーブが、増大した直径を備える少なくとも１つの端部を有する、請求項８又は９記載の装置。
【請求項１１】
一方の半型を、該半型の表面に対して垂直の方向に移動させるための少なくとも１つの手段が設けられている、請求項１から１０までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１２】
前記手段が、ヨークレッグに設けられている、請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
請求項１から１２までのいずれか１項記載のスリップフォーム成形のための装置を用いて成形されるコンクリート構造物。
【請求項１４】
コンクリート構造物としての風車タワーを成形するための、請求項１から１２までのいずれか１項記載のスリップフォーム成形のための装置の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月10日(2014.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｇ１）で表される有機金属錯体。
【化０１】
2011190242.tif 000001
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１４のうち少なくとも１つの置換基は、ハロゲン基、炭素数１〜４のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。Ｒ１５〜Ｒ１９のうち少なくとも１つの置換基は、ハロゲン基、炭素数１〜４のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。そのほかの置換基は、それぞれ、水素、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜８のシクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、炭素数６〜１２のアリールチオ基、炭素数２〜８のアルキルアミノ基、炭素数６〜１２のアリールアミノ基、ハロゲン基、炭素数１〜４のハロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、シアノ基、のいずれかを表す。また、Ｒ２０は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜８のシクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数４〜１０のヘテロアリール基、のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素又は第１０族元素を表す。Ｍが第９族元素のときはｎ＝３であり、Ｍが第１０族元素のときはｎ＝２である。）
【請求項２】
一般式（Ｇ３）で表される有機金属錯体。
【化０２】
2011190242.tif 000002
（式中、Ｒ３１、Ｒ３２は、それぞれハロゲン基、炭素数１〜４のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。また、Ｒ３３〜Ｒ３７は、それぞれ、水素、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜８のシクロアルキル基、フェニル基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。Ｍが第９族元素のときはｎ＝３であり、Ｍが第１０族元素のときはｎ＝２である。）
【請求項３】
一般式（Ｇ５）で表される有機金属錯体。
【化０３】
2011190242.tif 000003
（式中、Ｒ４１、Ｒ４２は、それぞれハロゲン基、炭素数１〜４のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。また、Ｒ４３〜Ｒ４７は、それぞれ、水素、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜８のシクロアルキル基、フェニル基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。Ｍが第９族元素のときはｎ＝３であり、Ｍが第１０族元素のときはｎ＝２である。）
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記Ｍはイリジウムであることを特徴とする有機金属錯体。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の有機金属錯体を含む層を電極間に有することを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項５に記載の発光素子を画素または光源として用いることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の発光装置を表示部に含むことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月14日(2014.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
丸型のハブ（２）と、中央に吸気口（４）を有する丸型のシュラウド（３）と、前記ハブ（２）と前記シュラウド（３）との間を延びる羽根（６）とを含んでおり、前記シュラウド（３）及び前記ハブ（２）の少なくとも一方の円板状部の外周端縁領域に少なくとも１個の釣合い錘（１３）が固定され、前記羽根（６）間の中間スペースにおける前記シュラウド（３）または前記ハブ（２）あるいはそれら両方の外周端縁領域には、それぞれの少なくとも片面に、窪み（９）が形成され、前記窪み（９）はそれぞれの板状外周端縁（１４、１５）からそれぞれの軸中心方向に向かって延び、かつ、少なくとも１個の前記窪み（９）の領域に少なくとも１個の釣合い錘（１３）が固定されている遠心送風機用インペラであって、
前記窪み（９）は、部分的に、板状表面に凹状形状が形成され、凹状窪み（９）はそれぞれの板状肉厚部の薄肉化によって形成されていることを特徴とする遠心送風機用インペラ。
【請求項２】
前記釣合い錘（１３）はＵ字形に曲げられたばね弾性材料製のクランプからなり、弧状区間（１８）を介して一端が結合された互いに対向する２本のクランプアーム（１６、１７）を有し、前記クランプアーム（１６、１７）の自由端の端部領域における開き間隔は前記凹状窪み（９）の領域におけるそれぞれの板状肉厚部（ｄ）よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の遠心送風機用インペラ。
【請求項３】
一方のクランプアーム（１６、１７）の一端は、当該アーム先端に向かって他方のアーム（１６、１７）との間の離間間隔が漸増してゆくようにして突き出したクランプ舌片（１９）を有することを特徴とする請求項２に記載の遠心送風機用インペラ。
【請求項４】
前記凹状窪み（９）の高さ（ｈ）が前記クランプアーム（１６、１７）の厚さ（Ｄ）より大きいか同じであることを特徴とする請求項２または３に記載の遠心送風機用インペラ。
【請求項５】
前記凹状窪み（９）の径方向奥行き（ｔ）が前記クランプアーム（１６、１７）の長さ（ｌ）より大きいか同じであることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の遠心送風機用インペラ。
【請求項６】
前記クランプアーム（１６、１７）の長さ（ｌ）が前記クランプアーム（１６、１７）の幅よりも大きいことを特徴とする請求項２〜５のいずれか一項に記載の遠心送風機用インペラ。
【請求項７】
前記クランプ舌片（１９）に対向する前記クランプアーム（１７）が、該アームの両側の長手方向端縁に、互いに対向して配置された、前記他方のクランプアーム（１６）と前記釣合い錘（１３）の前記弧状区間（１８）との方向に向かって突き出した係止爪（２１）を有することを特徴とする請求項３に記載の遠心送風機用インペラ。
【請求項８】
前記シュラウド（３）または前記ハブ（２）あるいはそれら両方は、両者の間に形成された流路に向いたそれぞれの内側面における前記凹状窪み（９）の領域に、円弧状に延びる保持溝（２２）を有し、前記クランプ式釣合い錘（１３）は前記係止爪（２１）によって前記保持溝に係合し、これによって、前記釣合い錘（１３）は径方向に固定されることを特徴とする請求項７に記載の遠心送風機用インペラ。
【請求項９】
前記釣合い錘（１３）がプレス曲げ成形品であり、前記係止爪（２１）の前方領域にくびれ（２５）が形成されていることを特徴とする請求項７または８に記載の遠心送風機用インペラ。
【請求項１０】
前記シュラウド（３）には、前記凹状窪み（９）の前方領域のシュラウド外側壁面に隆起部（２３）が形成されることにより、シュラウド外側壁面に沿った流れは挟着取付けされた前記釣合い錘（１３）の１つ以上の、前記釣合い錘（１３）のクランプアーム（１６、１７）のクランプ舌片（１９）の上方を案内されることを特徴とする請求項３〜９のいずれか一項に記載の遠心送風機用インペラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題を解決するため本発明による遠心送風機用インペラは、丸型のハブと、中央に吸気口を有する丸型のシュラウドと、前記ハブと前記シュラウドとの間を延びる羽根とを含んでおり、前記シュラウド及び前記ハブの少なくとも一方の円板状部の外周端縁領域に少なくとも１個の釣合い錘が固定されており、前記羽根間の中間スペースにおける前記シュラウドまたは前記ハブあるいはそれら両方の外周端縁領域には、それぞれの少なくとも片面に、窪みが形成され、前記窪みはそれぞれの板状外周端縁からそれぞれの軸中心方向に向かって延び、かつ、少なくとも１個の前記窪みの領域に少なくとも１個の釣合い錘が固定され、前記窪みは、部分的に、板状表面に凹状形状が形成され、凹状窪みはそれぞれの板状肉厚部の薄肉化によって形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のその他の好適な実施態様は、請求項２から請求項１０に記載した通りである。本発明による実施態様により、シュラウドまたはハブあるいはそれら両方の凹状窪みの領域ないし板状の外周端縁領域における、等厚を有する材料による釣合い錘の確実な固定保持が可能になる。さらに、既存の釣合い錘の使用が可能である。クランプ式釣合い錘の落とし込みないし遮蔽配置ならびに特にシュラウド外側壁面の特別な隆起部形成によって、シュラウド外側壁面に沿った空気流れが実質的に、挟着取付けされた釣合い錘の上方を通過するようになる気流ガイドが作り出される。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月16日(2014.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータシステムにおいて、
ｆｔｒａｃｅが装備されているＬｉｎｕｘ（登録商標）カーネルを有し、
アプリケーションの共有ライブラリを有するトレースライブラリ部と、
上記トレースライブラリ部の関数に対して上記ｆｔｒａｃｅを用いて上記関数の引数および戻り値を含めたｆｔｒａｃｅ出力トレースログの出力を行うトレースコマンド機能部、および、上記ｆｔｒａｃｅ出力トレースログおよび上記アプリケーションの関数情報を結合して上記関数の入り口および出口を含めたアプリケーショントレースログを作成するトレース解析機能部を有するトレースプログラム部とを備えるコンピュータシステム。
【請求項２】
上記トレースコマンド機能部は、複数のプロセスを対象に上記アプリケーショントレースログを出力する請求項１記載のコンピュータシステム。
【請求項３】
上記トレースコマンド機能部は、上記アプリケーショントレースログの出力を自動開始するためのトレース条件を上記トレースライブラリ部に設定する請求項１または請求項２記載のコンピュータシステム。
【請求項４】
上記トレース解析機能部は、上記ｆｔｒａｃｅ出力トレースログのフィルタリングを行う請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のコンピュータシステム。
【請求項５】
上記トレースプログラム部は、上記アプリケーショントレースログをグラフ化形状に変更する可視化機能部を備える請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のコンピュータシステム。
【請求項６】
ネットワークに接続された複数の端末を有し、上記一の端末には請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のコンピュータシステムを有し、
上記他の端末は、当該他の端末のアプリケーショントレースログの記録の開始および終了を指示するトレースクライアント機能部を有し、
上記一の端末の上記トレースプログラム部は、トレースサーバ機能部を有し、
上記トレースサーバ機能部は、上記トレースクライアント機能部からの指示により、上記ネットワークおよび上記トレースクライアント機能部を介して、上記他の端末の上記アプリケーショントレースログを作成するコンピュータシステムを用いたネットワークシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月17日(2014.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と、
前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、及び前記ゲート電極層上の絶縁層と、
前記絶縁層上のソース電極層と、
前記絶縁層上のドレイン電極層と、
を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域、第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、前記ソース電極層と電気的に接続され、
前記第２の領域は、前記ドレイン電極層と電気的に接続され、
前記第１の領域は、前記チャネル形成領域よりもチタン、タングステン、モリブデン、アルミニウム、コバルト、亜鉛、インジウム、シリコン、ボロン、水素、窒素のいずれか一または複数から選択された元素を多く含み、
前記第２の領域は、前記チャネル形成領域よりもチタン、タングステン、モリブデン、アルミニウム、コバルト、亜鉛、インジウム、シリコン、ボロン、水素、窒素のいずれか一または複数から選択された元素を多く含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と、
前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、及び前記ゲート電極層上の絶縁層と、
前記絶縁層上のソース電極層と、
前記絶縁層上のドレイン電極層と、
を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域、第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、前記ソース電極層と電気的に接続され、
前記第２の領域は、前記ドレイン電極層と電気的に接続され、
前記第１の領域は、前記チャネル形成領域よりもチタン、タングステン、モリブデン、アルミニウム、コバルト、亜鉛、インジウム、シリコン、ボロン、水素、窒素のいずれか一または複数から選択された元素を多く含み、
前記第２の領域は、前記チャネル形成領域よりもチタン、タングステン、モリブデン、アルミニウム、コバルト、亜鉛、インジウム、シリコン、ボロン、水素、窒素のいずれか一または複数から選択された元素を多く含み、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物半導体層の表面に対して略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶を有する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と、
前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、及び前記ゲート電極層上の絶縁層と、
前記絶縁層上のソース電極層と、
前記絶縁層上のドレイン電極層と、
を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域、第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は、前記ソース電極層と電気的に接続され、
前記第２の領域は、前記ドレイン電極層と電気的に接続され、
前記第１の領域は、前記チャネル形成領域よりもチタン、タングステン、モリブデン、アルミニウム、コバルト、亜鉛、インジウム、シリコン、ボロン、水素、窒素のいずれか一または複数から選択された元素を多く含み、
前記第２の領域は、前記チャネル形成領域よりもチタン、タングステン、モリブデン、アルミニウム、コバルト、亜鉛、インジウム、シリコン、ボロン、水素、窒素のいずれか一または複数から選択された元素を多く含み、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物半導体層の表面に対して垂直な方向から−１０°以内または＋１０°以内の方向にｃ軸が配向する結晶を有する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記チャネル形成領域は、電気的に真性であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記チャネル形成領域のキャリア濃度は、１×１０１４／ｃｍ３未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
絶縁表面上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして、前記酸化物半導体層にチタン、タングステン、モリブデン、アルミニウム、コバルト、亜鉛、インジウム、シリコン、ボロン、水素、窒素のいずれか一または複数から選択された元素を添加し、
前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、及び前記ゲート電極層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面上に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に４００℃以上７５０℃以下の熱処理を行い、
前記熱処理後、前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして、前記酸化物半導体層にチタン、タングステン、モリブデン、アルミニウム、コバルト、亜鉛、インジウム、シリコン、ボロン、水素、窒素のいずれか一または複数から選択された元素を添加し、
前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、及び前記ゲート電極層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面上に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして、前記酸化物半導体層にチタン、タングステン、モリブデン、アルミニウム、コバルト、亜鉛、インジウム、シリコン、ボロン、水素、窒素のいずれか一または複数から選択された元素を添加し、
前記元素が添加された酸化物半導体層に２００℃以上６００℃以下の加熱処理を行い、
し、
前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、及びゲート電極層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面上に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に４００℃以上７５０℃以下の熱処理を行い、
前記熱処理後、前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして、前記酸化物半導体層にチタン、タングステン、モリブデン、アルミニウム、コバルト、亜鉛、インジウム、シリコン、ボロン、水素、窒素のいずれか一または複数から選択された元素を添加し、
前記元素が添加された酸化物半導体層に２００℃以上６００℃以下の加熱処理を行い、
し、
前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、及びゲート電極層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一において、
前記元素は、イオン注入法またはドーピング法を用いて添加されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項７乃至請求項１１のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。