(57)【要約】  耐紫外線光物品は、ガラスまたはガラスセラミック組成物および第１および第２の主表面を有する基板と、約１００ｎｍから約３８０ｎｍの波長において５０％より高い吸収率、および、約１０ｎｍと約１００ｎｍの間の厚さを有する紫外線光吸収素子と、プラズマ強化処理で形成した誘電体スタックとを含む。更に、光吸収素子は、基板と誘電体スタックの間にある。その代わりに、光吸収素子は、第１の主表面の上の誘電体スタック内に配置された１つ以上の耐紫外線光層を含みうる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐紫外線光物品において、
ガラスまたはガラスセラミック、並びに、第１および第２の主表面を含む基板と、
約１００ｎｍから約３８０ｎｍの波長における５０％より高い吸収率、および、約１０ｎｍと約５００ｎｍの間の厚さを有する紫外線光吸収素子と、
前記第１の主表面上に配置した誘電体層と、
を含み、
前記紫外線光吸収素子は、前記基板と前記誘電体層の間にあるものである物品。
【請求項２】
前記誘電体層は、前記第１の主表面の上に、異なる屈折率値を有することを特徴とする第１および第２の誘電体層を含むものである、請求項１に記載の物品。
【請求項３】
前記紫外線光吸収素子は、約４００ｎｍから約７００ｎｍの波長において、５×１０−４以下の消衰係数（ｋ）を有するものである、請求項１または２に記載の物品。
【請求項４】
前記紫外線光吸収素子は、約２００ｎｍより長い波長において、５×１０−４以上の消衰係数（ｋ）を有するものである、請求項１から３のいずれか１項に記載の物品。
【請求項５】
前記紫外線光吸収素子は、ＡｌＳｉＯｘＮｙ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、および、ＺｎＯの少なくとも１つを含むものである、請求項１から４のいずれか１項に記載の物品。
【請求項６】
バーコビッチインデンター硬さ試験によって測定した８ＧＰａ以上の最大硬さを有する、請求項１から５のいずれか１項に記載の物品。
【請求項７】
耐紫外線光物品において、
ガラスまたはガラスセラミック、並びに、第１および第２の主表面を含む基板と、
前記第１の主表面上に配置した誘電体層スタックと、
約１００ｎｍから約３８０ｎｍの波長における５０％より高い吸収率、および、約１０ｎｍと約２００ｎｍの間の厚さを有する少なくとも１つの紫外線光吸収層と、
を含み、
前記少なくとも１つの光吸収層は、前記誘電体層スタック内にあるものである、物品。
【請求項８】
前記誘電体層スタックは、互いに異なる屈折率値を有する第１の誘電体層および第２の誘電体層を含むものである、請求項７に記載の物品。
【請求項９】
前記少なくとも１つ紫外線光吸収層は、１つの紫外線光吸収層である、請求項８に記載の物品。
【請求項１０】
前記誘電体層スタックは、交互に並んだ誘電体層および紫外線光吸収層を含むものである、請求項７または８に記載の物品。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの紫外線光吸収層は、約３８０ｎｍから約７００ｎｍの波長において、５×１０−４以下の消衰係数（ｋ）を有するものである、請求項７から１０のいずれか１項に記載の物品。
【請求項１２】
前記紫外線光吸収層は、約７００ｎｍより長い波長において、５×１０−４以上の消衰係数（ｋ）を有するものである、請求項７から１１のいずれか１項に記載の物品。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの紫外線光吸収層は、ＡｌＳｉＯｘＮｙ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、および、ＺｎＯの少なくとも１つを含むものである、請求項７から１２のいずれか１項に記載の物品。
【請求項１４】
約５０ｎｍ以上のインデンテーション深さに沿ったバーコビッチインデンター硬さ試験によって測定した、８ＧＰａ以上の最大インデンテーション硬さを有する、請求項７から１３のいずれか１項に記載の物品。
【請求項１５】
耐紫外線光物品の製作方法において、
ガラスまたはガラスセラミック、並びに、第１および第２の主表面を含む基板を用意する工程と、
約１００ｎｍから約３８０ｎｍの波長における約５０％以上の吸収率、および、約１０ｎｍと約１０００ｎｍの間の厚さを有する少なくとも１つの紫外線光吸収層を、前記第１の主表面の上に形成する工程と、
プラズマ補助成膜処理で誘電体層を形成する工程と、
を含み、
前記光吸収層は、前記誘電体層を形成する工程による前記基板の前記第１の主表面の破損を防ぐように構成したものである、方法。
【請求項１６】
前面、後面および側面を有する筐体と、
少なくとも部分的には前記筐体の内部に備えられた電気的構成要素と、
前記筐体の前記前面に、または、隣接した表示部と、
請求項１から１４のいずれか１つによる前記物品を含み、前記表示部の上に配置されたカバー基板と、
を含む装置。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
本願は、米国特許法第１１９条の下、２０１５年１０月２２日出願の米国仮特許出願第６２／２４４，８１６号の優先権の利益を主張し、その内容は依拠され、全体として参照により本明細書に組み込まれる
【技術分野】
【０００２】
本開示は、概して、ガラスおよびガラスセラミック物品の紫外線（ＵＶ）光保護に関する。特に、本明細書に記載の様々な実施形態は、ＵＶ関連処理（例えば、プラズマ強化薄膜成膜）に起因する悪影響（例えば、変色）から保護するように構成した構造を有する、ガラスおよびガラスセラミック物品に関する。
【背景技術】
【０００３】
消費者向け製品で使用するガラスおよびガラスセラミック基板は、いくつかの異なる注目すべき固有の特性を有する。ある利用例において、基板の機械的特性が特に重要である。他の利用例では、基板の光学特性の重要性が高い。ほとんどの利用例において、基板は、機械的、光学的、熱的、および、多数の他の望ましい属性を含む適切な特性の組合せを有して、構成されている。
【０００４】
いくつかの表示装置での利用を含む、ある開発計画では、基板の開始点として、ガラスおよびガラスセラミック材料の標準的な組合せを採用しうる。この材料の組合せは、確立した組合せの機械特性を有しうる。したがって、開発作業では、利用が必要と考えられている基板の光学特性を更に高めることに、重点を置きうる。例えば、ある照明下での、これらの基板に関する光損失、光反射性、透過性、および、色知覚性の向上に取り組んでもよい。
【０００５】
成膜または他の方法で基板の上に形成する薄膜は、基板に関する光学特性を変化させ高めるように、最適化して構成することが多い。いくつかの薄膜は、ある材料の単層を用いた、かなり単純なものであるが、いくつかの他の薄膜は、いくつかの材料の数百層を有する、かなり複雑なものでありうる。薄膜の設計および層の数に関わらず、概して、基板特性（例えば、可視光波長での光透過性、色知覚性など）は、薄膜成膜処理中、または、その後で、感知できるほどに変化すべきではないと考えられる。この推論は、設計工程において、特定の利用例の望ましい結果を得るには、基板のパラメータおよび材料のパラメータをよく知る必要があるという理由に基づく。
【０００６】
他の開発計画において、利用例は、ガラスまたはガラスセラミック基板に関する特定の光学特性（例えば、非常に高い光透過性、および、非常に低い変色）を、既知の材料システムおよび処理では現在入手不可能な非常に厚い保護膜（例えば、耐引掻層）と併せて、必要としうる。つまり、二次的な薄膜により、基板の耐久性を大きく高める既知のアプローチは、結果的に、基板のある光学特性の損失というトレードオフにつながることが多い。
【０００７】
概して、あるガラスおよびガラスセラミック基板は、二次的処理に起因する光学特性の変化を経験しうる。例えば、紫外線光補助薄膜成膜処理の形態による二次的処理は、下にあるガラスおよびガラスセラミック基板におけるケイ酸塩結合を切断して他の状態に組み替えうる。これらの結合構造の変化は、ガラスの網目構造および屈折率に影響を与える。更に、これらの結合構造の変化は、ガラス内に、ガラスまたはガラスセラミック基板の光学特性に影響しうる欠陥を、形成しうる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
これらの考察に鑑みて、紫外線光補助薄膜成膜処理を含む二次的処理による破損および特性変化を生じ難い、ガラスおよびガラスセラミック基板を含む物品および部品を有する物品、並びに、それらを利用した設計アプローチが必要である。耐紫外線光物品および部品は、プラズマ強化薄膜成膜などのＵＶ補助二次的処理を採用した応用開発計画において、より効果的に使用しうる。同様に、耐ＵＶ光物品および部品を最適化して、そうでない場合に二次的処理による破損をもっと生じ易い従来の基板では取得できない（例えば、厚い耐引掻層を通して）優れた機械的特性を、取得してもよい。本開示は、そのような技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本明細書において、耐ＵＶ光物品および部品、特に、ＵＶ補助二次的処理技術に起因するＵＶ破損に対して耐性を有する物品および部品を記載する。
【００１０】
本開示の態様によれば、ガラスまたはガラスセラミック組成物、約０．２ｍｍと約１．２ｍｍの間の基板厚さ、および、第１および第２の主表面を有する基板と、約１００ｎｍから約３００ｎｍ（または、約１００ｎｍから約３８０ｎｍ）の波長において５０％より高い吸収率、および、約１０ｎｍと約１００ｎｍの間、（または、約１０ｎｍから約５００ｎｍの）の厚さを有する紫外線光吸収素子と、プラズマ強化処理で形成した誘電体スタックとを含む、耐紫外線光物品を提供する。更に、光吸収素子が、基板と誘電体スタックの間にある。
【００１１】
上記態様のある使用例において、誘電体スタックは、異なる屈折率値を特徴とする第１およびの第２の誘電体層を、第１の主表面および紫外線光吸収素子の上に含む。いくつかのこれら使用例による誘電体スタックは、交互に並んだ第１および第２の誘電体層を含む。各層の厚さに応じて、並んだ数は、１組の層から、数百以上のそのような層でありうる。
【００１２】
本開示の更なる態様によれば、ガラスまたはガラスセラミック組成物、約０．２ｍｍと約１．２ｍｍの間の基板厚さ、および、第１および第２の主表面を有する基板と、第１の主表面の上にプラズマ強化処理で形成した誘電体スタックと、約１００ｎｍから約３００ｎｍ（または、約１００ｎｍから約３８０ｎｍ）の波長において５０％より高い吸収率、および、約１０ｎｍと約１００ｎｍの間（または、約１０ｎｍから約２００ｎｍ）の厚さを有する少なくとも１つ紫外線光吸収層とを含む、耐紫外線光物品を提供する。更に、少なくとも１つの光吸収層は、誘電体スタックの中にある。
【００１３】
本態様のある使用例において、誘電体スタックは、異なる屈折率値を特徴とする交互に並んだ第１および第２の誘電体層を含む。各層の厚さに応じて、並んだ数は、１組の層から、数百以上のそのような層でありうる。更に、誘電体スタックは、１つの紫外線光吸収層または多数の層を含み、各々が、交互に並んだ第１および第２の誘電体層の間に位置しうる。
【００１４】
これらの物品のある使用例において、紫外線光吸収素子または層は、約４００ｎｍから約７００ｎｍ（その範囲の中の１つの波長、または、全波長範囲）の波長において、５×１０−３以下、または、５×１０−４以下の消衰係数（ｋ）を有する。いくつかの実施形態において、紫外線光吸収素子は、約２００から約４００ｎｍ、約２５０から約４００ｎｍ、約３００から約４００ｎｍ、または、約２５０から約４００ｎｍの波長において、５×１０−４以上、５×１０−３以上、５×１０−２以上か、５×１０−１以上の消衰係数（ｋ）を有する。１つ以上の実施形態において、紫外線光吸収素子および層は、ＡｌＳｉＯｘＮｙ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、および、ＺｎＯの少なくとも１つを含みうる。ある態様において、これらの素子および層（または、被膜した物品全体）は、約１００ｎｍから約３８０ｎｍ、約２００ｎｍから約３８０ｎｍ、約２００から約４００ｎｍ、約２５０ｎｍから約３５０ｎｍ、または、約２５０ｎｍから約３００ｎｍの範囲から選択した任意の波長において、５０％より高いか、または、７５％より高い吸収率を有しうる。それと同時に、紫外線光吸収素子または層（または、被膜した物品全体）は、約４００ｎｍから約７００ｎｍの可視範囲の全ての波長について、１０％未満、５％未満、２％未満、または、１％未満の光吸収率を示してもよい。紫外線光吸収層の重要な特徴は、ＵＶ波長範囲において、高い光吸収率を示し、可視波長範囲において、低い吸収率を示すことである。
【００１５】
いくつかの使用例による耐紫外線光素子または層を含む誘電体スタックは、約１０ｎｍと約２０００ｎｍの間の厚さを有して構成しうる。更に、誘電体スタックは、下記のようなバーコビッチインデンター硬さ試験によって測定した８ＧＰａ以上の最大インデンテーション硬さを有して構成しうる。ある場合において、下記のようなバーコビッチインデンター硬さ試験で測定した、紫外線光吸収素子または層の平均インデンテーション硬さは、誘電体スタックの平均インデンテーション硬さの約±２５％以内である。
【００１６】
本開示の更なる態様によれば、耐紫外線光物品の製作方法を提供し、それは、ガラスまたはガラスセラミック組成物、約０．２ｍｍと約１．２ｍｍの間の基板厚さ、および、第１および第２の主表面を有する基板を用意する工程と、約３００ｎｍから約１００ｎｍの波長において約５０％以上の吸収率、および、約１０ｎｍと約１００ｎｍの間の厚さを有する少なくとも１つの紫外線光吸収層を、第１の主表面の上に形成する工程と、誘電体スタックを、プラズマ補助処理で形成する工程とを含む。更に、光吸収層は、誘電体スタック形成工程による基板の第１の主表面の破損を防ぐように、構成される。
【００１７】
その方法のある使用例において、誘電体スタックを形成する工程は、異なる屈折率値を特徴とする交互に並んだ第１および第２の誘電体層を、第１の主表面の上に形成する工程を含む。上記使用例のいくつかにおいて、誘電体スタックの形成工程、および、少なくとも１つの紫外線光吸収層の形成工程は、少なくとも１つの光吸収層が、第１の主表面上の１つの紫外線光吸収層であり、誘電体スタックが、光吸収層の上に形成されるように行いうる。他の上記使用例において、少なくとも１つの光吸収層は、誘電体スタック内に形成された１つの光吸収層である。更に、その方法のいくつかの態様は、誘電体スタックと少なくとも１つの紫外線光吸収層を実質的に同時に形成して、交互に並んだ誘電体層と紫外線光吸収層を形成する工程を有する。
【００１８】
更なる特徴および利点を、以下の詳細な記載に示し、部分的には、当業者には、記載から容易に明らかであるか、または、記載および添付の図面に例を示した様々な態様を実施することで、分かるだろう。ここまでの概略的記載、および、以下の詳細な記載の両方が、様々な態様を例示するものにすぎず、請求した本発明の本質および特徴を理解するための概観または枠組みを提供することを意図すると理解すべきである。
【００１９】
添付の図面は、本発明の原理を更に理解するために含められたものであり、本明細書に組み込まれ、その一部を構成する。図面は、１つ以上の実施形態を示し、記載と共に、本発明の原理および動作を、例を用いて説明する役割を果たす。例えば、上、下、右、左、前、後、頂、および、底など、本明細書で使用する方向を表す用語は、図面を参照するのに使用するだけであり、絶対的向きを意味することを意図しない。
【００２０】
これらの、および、他の態様、利点、および、顕著な特徴は、以下の詳細な記載、添付の図面、および、添付の請求項から明らかになるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】ＵＶ含有および非ＵＶ含有光源に露光したコーニング（登録商標）のＧｏｒｉｌｌａ（登録商標）ガラスコード２３１９サンプルについて、全光透過率と波長との関係を表したプロットである。
【図２Ａ】本開示の態様による、基板と誘電体スタックの間にＵＶ光吸収素子を含む耐ＵＶ光物品を、概略的に示す断面図である。
【図２Ｂ】本開示の態様による、基板の上に交互に並んだ誘電体層の誘電体スタック内にＵＶ光吸収層を含む耐ＵＶ光物品を、概略的に示す断面図である。
【図２Ｃ】本開示の態様による、基板の上に交互に並んだ誘電体層の誘電体スタック内に複数のＵＶ光吸収層を含む耐ＵＶ光物品を、概略的に示す断面図である。
【図３】本開示の態様によるＵＶ光吸収層および素子における使用に適した様々な酸化物材料について、波長の関数としての実際および仮想屈折率値を概略的に示すプロットである。
【図４】本開示の態様によるＵＶ光吸収層および素子における使用に適した様々な酸窒化アルミニウムケイ素材料について、波長の関数としての実際および仮想屈折率値を概略的に示すプロットである。
【図５Ａ】本開示の態様による、基板と誘電体スタックの間にＵＶ光吸収素子を含む耐ＵＶ光物品について、波長の関数としての反射率のプロットである。
【図５Ｂ】本開示の態様による、基板と誘電体スタックの間にＵＶ光吸収素子を含む耐ＵＶ光物品について、波長の関数としての透過率のプロットである。
【図５Ｃ】０°から６０°の入射角の範囲に亘るＤ６５およびＦ２照明光源への露光により測定した、本開示の態様による図５Ａの物品ついての色パラメータのプロットである。
【図５Ｄ】０°から６０°の入射角の範囲に亘るＤ６５およびＦ２照明光源への露光により測定した、本開示の態様による図５Ｂの物品ついての色パラメータのプロットである。
【図６Ａ】本開示の態様による、基板の上の誘電体スタック内にＵＶ光吸収層を含む耐ＵＶ光物品について、波長の関数としての反射率のプロットである。
【図６Ｂ】本開示の態様による、基板の上の誘電体スタック内にＵＶ光吸収層を含む耐ＵＶ光物品について、波長の関数としての透過率のプロットである。
【図６Ｃ】０°から６０°の入射角の範囲に亘るＤ６５およびＦ２照明光源への露光により測定した、本開示の態様による図６Ａの物品ついての色パラメータのプロットである。
【図６Ｄ】０°から６０°の入射角の範囲に亘るＤ６５およびＦ２照明光源への露光により測定した、本開示の態様による図６Ｂの物品ついての色パラメータのプロットである。
【図７】本開示の態様によるＵＶ関連処理および様々な程度の成膜後アニール処理で成膜した５００ｎｍのシリカ薄膜を含むガラス基板ついて、波長の関数としての吸収率のプロットである。
【図８Ａ】本明細書で開示した耐紫外線光物品のいずれかを組み込んだ例示的な電子装置の平面図である。
【図８Ｂ】図８Ａの例示的な電子装置の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
ここで、添付の図面に例を示した本発明の好適な実施形態を、詳細に記載する。全図面を通して、同じ、または類似の部分を参照するには、可能な限り、同じ参照番号を用いる。本明細書において、範囲を、「約」１つの特定のから、および／または、他の「約」特定の値までと表しうる。そのような範囲を表した場合には、他の実施形態では、その１つの特定の値から、および／または、他方の特定の値までを含む。同様に、値を、「約」を前に付けて概数で表した場合には、その特定の値が、他の実施形態を形成すると理解される。更に、各範囲の端点は、他方の端点との関係において、および、他方の端点とは独立にの両方で重要であると理解されるだろう。
【００２３】
以下の詳細な記載において、限定するためではなく、説明するために、具体的な詳細を開示した例示的実施形態を示し、本発明の様々な原理が完全に理解されるようにしている。しかしながら、当業者であれば、本開示の恩恵を得て、本発明を、本明細書で開示した具体的な詳細からは外れた他の実施形態でも実施しうることが、明らかだろう。更に、よく知られた装置、方法、および、材料の記載は、本発明の様々な原理の記載を不明瞭にしないように省略する場合がある。最後に、該当する場合には、同様の参照番号は、同様の要素を指している。
【００２４】
そうでないと明確に記載しない限り、本明細書に示したいずれの方法も、工程を特定の順序で行うことを必要とすると解釈されることを全く意図していない。したがって、方法の請求項が、工程を行う順序を実際に記載していないか、または、請求項または明細書の記載の中で、工程は特定の順序に限定されると具体的に記載していない限りは、いかなる点でも特定の順序が推定されることを全く意図していない。これは、工程の並べ方または動作フローの論理的問題、文法構造または句読点に由来する単純な意味、および、本明細書に記載の実施形態の数またはタイプを含む、表していないことを根拠にした任意の解釈に、適用される。
【００２５】
本明細書で使用するように、原文の英語で単数形を表す不定冠詞および定冠詞は、そうでないと明らかに記載しない限りは、複数のものを含む。したがって、例えば、「構成要素」に言及した場合には、そうでないことが、文脈から明らかでない限りは、そのような構成要素を２つ以上有する態様を含む。
【００２６】
本発明は、基板をＵＶ光に露光する積層、被膜および他の処理工程から、下にあるガラスまたはガラスセラミック基板を保護するように構成された１つ以上の耐ＵＶ光層または素子を有する、様々な耐ＵＶ光物品および部品を、提供する。これらの耐ＵＶ光物品は、例えば、プラズマ強化薄膜成膜など、ＵＶ光源を用いた二次的処理による基板破損および特性変化を起こし難いという利点を有する。耐ＵＶ光物品は、薄膜に関する特性（例えば、耐引掻性）を最適化するように構成した、より積極的な二次的処理を、容易にすることもできる。いくつかの場合において、耐ＵＶ光素子および層自体が、下にあるガラスおよびガラスセラミック基板に、反射防止（ＡＲ）および耐引掻性を与えうる。
【００２７】
図１に示すように、ガラスおよびガラスセラミック基板に対するＵＶ露光の影響は大きいことがありうる。特に、図１は、ＵＶ含有および非ＵＶ含有光源に露光した「コーニング」のＧｏｒｉｌｌａ（登録商標）ガラスコード２３１９基板について、全光透過率（％）と波長（ｎｍ）の関係を表したプロットである。対照データとしての役割を果たす露光していないガラス基板を、「Ｃ１」で示している。「Ａ１」、「Ａ２」、および、「Ａ３」のサンプルは、各々、１５秒間、３０秒間、および、６０秒間、ＵＶ光に露光した基板である。「Ｃ２」および「Ｃ３」のサンプルは、各々、３０秒間、および、６０秒間、非ＵＶ光に露光したものである。図１において、Ｃ１〜Ｃ３のサンプルは、３５０ｎｍと７５０ｎｍの間で、約９０％より高い比較的一定の透過率を示す。一方、Ｃ１〜Ｃ３のサンプルと比べて、Ａ１〜Ａ３のサンプルは、特に３５０ｎｍと４５０ｎｍの間で、透過率の大きな低下を経験している。透過率の低下の度合いは、ＵＶ光の露光時間の増加に伴って、高まる。図１に基づくと、ガラス基板に対するＵＶ光の露光が、結果的に、基板の光透過率の損失につながることが明らかである。
【００２８】
図２Ａ〜２Ｃを参照すると、各々、耐ＵＶ光物品１００ａ、１００ｂ、１００ｃを概略的に示す断面図である。各耐ＵＶ光物品１００ａ〜１００ｃは、１つ以上の耐ＵＶ光層５０を有して構成されている。図２Ａを参照すると、耐ＵＶ光物品１００ａは、主表面１２、１４および厚さ１６を有する基板１０を含む。厚さ５６を有する耐ＵＶ光素子５０が、基板１０の主表面１２の上に配置されている。更に、素子５０は、主表面１２と誘電体スタック７０の間で、主表面１２の上に配置される。いくつかの実施形態において、誘電体スタック７０は、プラズマ強化処理で形成した交互に並んだ第１および第２の誘電体層７２、７４の組を含む。スタック７０は、更に、全厚さ７６を特徴とする。いくつかの実施形態において、誘電体スタック７０は、１つの層を含んでもよい。
【００２９】
図２Ａに示したように、基板１０は、約０．２ｍｍと約１．２ｍｍの間の厚さ１６を有する。いくつかの態様において、厚さ１６は、０．２ｍｍ、０．２５ｍｍ、０．３ｍｍ、０．３５ｍｍ、０．４ｍｍ、０．４５ｍｍ、０．５ｍｍ、０．５５ｍｍ、０．６ｍｍ、０．６５ｍｍ、０．７ｍｍ、０．７５ｍｍ、０．８ｍｍ、０．８５ｍｍ、０．９ｍｍ、０．９５ｍｍ、１．０ｍｍ、１．０５ｍｍ、１．１ｍｍ、１．１５ｍｍ、および、約１．２ｍｍまでである。更に、基板１０は、主に、ガラスおよびガラスセラミックの組成物を有する材料を含む。ある使用例において、基板１０は、可視光領域において実質的に透明である
ガラス組成物を含む基板１０について、選択する材料は、広範囲のケイ酸塩、ホウケイ酸塩、アルミノケイ酸塩、または、アルミノホウケイ酸塩ガラス組成物のいずれかであって、任意で、１つ以上のアルカリ、および／または、アルカリ土類改質剤を含みうる。そのようなガラス組成物の１つは、以下の成分を含み：５８〜７２モルパーセント（モル％）のＳｉＯ２、９〜１７モル％のＡｌ２Ｏ３、２〜１２モル％のＢ２Ｏ３、８〜１６モル％のＮａ２Ｏ、および、０〜４モル％のＫ２Ｏ、
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【００３０】
但し、改質剤は、アルカリ金属酸化物を含む。他のガラス組成物は、以下の成分を含む：６１〜７５モル％のＳｉＯ２、７〜１５モル％のＡｌ２Ｏ３、０〜１２モル％のＢ２Ｏ３、９〜２１モル％のＮａ２Ｏ、０〜４モル％のＫ２Ｏ、０〜７モル％のＭｇＯ、および、０〜３モル％のＣａＯ。更に他の例示的なガラス組成物は、以下の成分を含む：６０〜７０モル％のＳｉＯ２、６〜１４モル％のＡｌ２Ｏ３、０〜１５モル％のＢ２Ｏ３、０〜１５モル％のＬｉ２Ｏ、０〜２０モル％のＮａ２Ｏ、０〜１０モル％のＫ２Ｏ、０〜８モル％のＭｇＯ、０〜１０モル％のＣａＯ、０〜５モル％のＺｒＯ２、０〜１モル％のＳｎＯ２、０〜１モル％のＣｅＯ２、５０百万分率（ｐｐｍ）未満のＡｓ２Ｏ３、および、５０ｐｐｍ未満のＳｂ２Ｏ３を含み、１２モル％≦Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ≦２０モル％、かつ、０モル％≦ＭｇＯ＋ＣａＯ≦１０モル％である。更に他の例示的なガラス組成物は、以下の成分を含む：５５〜７５モル％のＳｉＯ２、８〜１５モル％のＡｌ２Ｏ３、１０〜２０モル％のＢ２Ｏ３、０〜８モル％のＭｇＯ、０〜８モル％のＣａＯ、０〜８モル％のＳｒＯ、および、０〜８モル％のＢａＯ。更に、耐ＵＶ光物品１００ａ、１００ｂ、１００ｃで採用した基板１０のある態様において、基板は、ＳｉＯ２と、Ａｌ２Ｏ３と、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、および、Ｌｉ２Ｏからなる群から選択した少なくとも２つの酸化物とを含むガラス組成物を有してもよい。
【００３１】
同様に、基板１０として採用したガラスセラミックについて、材料は、ガラス質相とセラミック相の両方を有する広範囲の任意の材料から選択しうる。例示的なガラスセラミックは、ガラス相が、ケイ酸塩、ホウケイ酸塩、アルミノケイ酸塩、または、アルミノホウケイ酸塩から形成され、セラミック相が、β−リシア輝石、β−石英、霞石、カルシライト、または、カーネギアイトから形成される材料を含む。
【００３２】
基板１０用に選択した材料に関わらず、基板は、様々な物理的形状を採用しうる。つまり、断面で見た場合、基板１０は、平坦または平面であるか、若しくは、湾曲、および／または、急峻に曲がっていてもよい。同様に、１つの一体となったものであっても、若しくは、多層構造体または積層体であってもよい。
【００３３】
ある状況においては、誘電体スタック７０および耐ＵＶ光層５０を配置する前に、基板１０に任意で追加の光処理を行いうる。そのような処理の例は、物理的または化学的清浄、（例えば、ガラスの場合に、熱的な焼戻し、化学的イオン交換などの処理による）物理的または化学的強化、物理的または化学的エッチング、物理的または化学的研磨、アニール処理、焼結、形成、および／または、その他を含む。そのような処理は、本開示に関する分野の当業者に知られている。
【００３４】
再び、図２Ａの耐ＵＶ光物品１００ａを参照すると、いくつかの実施形態において、耐ＵＶ光素子５０は、約１００ｎｍから約３００ｎｍ、約１００ｎｍから約３８０ｎｍ、約２００ｎｍから約３８０ｎｍ、約２００から約４００ｎｍ、約２５０ｎｍから約３５０ｎｍ、または、約２５０ｎｍから約３００ｎｍの波長において、５０％より高い吸収率を示すＵＶ光吸収層である。それと同時に、紫外線光吸収素子または層（または、被膜した物品全体）は、約４００ｎｍから約７００ｎｍの可視光範囲の全波長について、１０％未満、５％未満、２％未満、または、１％未満の光吸収率を示してもよい。紫外線光吸収層の重要な特徴は、ＵＶ波長範囲では、高い光吸収率を示し、可視波長範囲では、低い吸収率を示すことである。ある態様において、吸収率は、上記波長範囲において、約７５％より高いことがありうる。好ましくは、吸収率は、上記波長範囲において、約９０％より高い。本明細書で使用するように、吸収率は、材料によって吸収された光エネルギー、つまり、熱転移により失われて、光（つまり、電磁）エネルギーの形で伝達、反射、または、散乱しうる光エネルギーとしては残らない光エネルギーを、パーセントで表したものである。吸収率は、分光偏光解析器を用いて測定しうる。他の態様において、耐ＵＶ光素子５０を、約４００ｎｍから約７００ｎｍ（その範囲の１つの波長、または、全波長範囲）の波長において、５×１０−３以下か、または、５×１０−４以下の消衰係数（ｋ）を有するように構成する。いくつかの実施形態において、紫外線光吸収素子は、約２００から約４００ｎｍ、約２５０から約４００ｎｍ、約３００から約４００ｎｍ、または、約２５０から約４００ｎｍの波長において５×１０−４以上、５×１０−３以上、５×１０−２以上、または、５×１０−１以上の消衰係数（ｋ）を有する。１つ以上の実施形態において、紫外線光吸収素子および層は、ＡｌＳｉＯｘＮｙ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、および、ＺｎＯの少なくとも１つを含みうる。概して、低い消衰係数を有する素子５０は、ＵＶ領域において、より高い吸収率を示しうる。本明細書で使用するように、消衰係数（ｋ）は、屈折率ｋの中で、材料に吸収される光量に直接関係する仮想的要素を表す。ある態様において、これらの素子および層（または、被膜した物品全体）は、範囲内で選択した任意の波長において、５０％より高いか、または、７５％より高い吸収率を有しうる。
【００３５】
他の態様において、ＵＶ光吸収素子５０のＵＶ保護能力は、誘電体スタック７０に関連した処理により、基板１０の色属性が、ほとんど変化しないか、または、全く変化しない点で明らかに示される。換言すれば、ＵＶ光吸収素子５０による保護から見て、耐ＵＶ光物品１００ａは、誘電体スタックの処理による色ずれを、ほとんど生じないか、または、全く生じない。ある使用例において、ＣＩＥ  Ｌ＊ａ＊ｂ＊比色系における、物品１００ａのａ＊およびｂ＊色座標の色ずれは、垂直入射角での可視光への露光で、４以下の大きさを有する。色座標ａ＊およびｂ＊を、Ｄ６５、および／または、Ｆ２照明下で、観察する。
【００３６】
耐ＵＶ光物品１００で採用する耐ＵＶ光素子５０の厚さ５６について、１０ｎｍと約１００ｎｍ、１０ｎｍと約２００ｎｍ、１０ｎｍと約３００ｎｍ、１０ｎｍと約４００ｎｍ、１０ｎｍと約５００ｎｍ、および、それらの間の任意の範囲でありうる。ある使用例において、素子５０の厚さ５６は、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍ、３５ｎｍ、４０ｎｍ、４５ｎｍ、５０ｎｍ、５５ｎｍ、６０ｎｍ、６５ｎｍ、７０ｎｍ、７５ｎｍ、８０ｎｍ、８５ｎｍ、９０ｎｍ、９５ｎｍ、約１００ｎｍ、約１２５ｎｍ、約１５０ｎｍ、約１７５ｎｍ、約２００ｎｍ、約２２５ｎｍ、約２５０ｎｍ、約２７５ｎｍ、約３００ｎｍ、約３２５ｎｍ、約３５０ｎｍ、約３７５ｎｍ、約４００ｎｍ、約４２５ｎｍ、約４５０ｎｍ、約４７５ｎｍ、および、約５００ｎｍまででありうる。
【００３７】
耐ＵＶ光素子５０は、結果的に高いＵＶ光吸収率を生じる様々な組成物、好ましくは、酸化物および窒化物組成物を含みうる。１つの態様において、素子５０は、ＡｌＳｉＯｘＮｙ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、および、ＺｎＯの少なくとも１つを含みうる。好ましくは、素子５０は、ＡｌＳｉＯｘＮｙ材料から製作される。ある使用例において、ＡｌＳｉＯｘＮｙ材料中の窒素、および／または、Ｓｉの量を最大にするが、それは、耐ＵＶ光素子５０内で、これらの元素のパーセントで表した割合が高いほど、機械的特性を含む他の特性を損なうことなく、ＵＶ光吸収率の向上に貢献すると考えられるからである。
【００３８】
耐ＵＶ光物品１００ａから１００ｃのある態様において、誘電体スタック７０は、耐引掻層として機能しうるように、高いインデンテーション硬さレベルを有して構成される。例えば、誘電体スタック７０は、バーコビッチインデンター硬さ試験で測定した８Ｇｐａ以上の最大インデンテーション硬さを有しうる。本明細書で使用するように、「バーコビッチインデンター硬さ試験」は、材料の表面での硬さを、表面をダイヤモンドバーコビッチインデンターで圧入することによって、測定する工程を含む。バーコビッチインデンター硬さ試験は、誘電体スタック７０（または、スタック内の任意の１つ以上の層の表面）を、ダイヤモンドバーコビッチインデンターで圧入して、約５０ｎｍから約１０００ｎｍの範囲（若しくは、反射防止膜または層の全厚さの小さい方）のインデンテーション深さまでの窪みを形成する工程、および、この窪みから、全インデンテーション深さ範囲、または、このインデンテーション深さの一区間（例えば、約１００ｎｍから約６００ｎｍの範囲）に沿って、最大硬さを測定する工程を含み、概して、Ｏｌｉｖｅｒ，Ｗ．Ｃ．；Ｐｈａｒｒ，Ｇ．Ｍ．“Ａｎ  ｉｍｐｒｏｖｅｄ  ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ  ｆｏｒ  ｄｅｔｅｒｍｉｎｉｎｇ  ｈａｒｄｎｅｓｓ  ａｎｄ  ｅｌａｓｔｉｃ  ｍｏｄｕｌｕｓ  ｕｓｉｎｇ  ｌｏａｄ  ａｎｄ  ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  ｓｅｎｓｉｎｇ  ｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎ  ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓ”、Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｓ．Ｖｏｌ．７、Ｎｏ．６、１９９２、１５６４〜１５８３、および、Ｏｌｉｖｅｒ，Ｗ．Ｃ．；Ｐｈａｒｒ，Ｇ．Ｍ．“Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ  ｏｆ  Ｈａｒｄｎｅｓｓ  ａｎｄ  Ｅｌａｓｔｉｃ  Ｍｏｄｕｌｕｓ  ｂｙ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ  Ｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎ：Ａｄｖａｎｃｅｓ  ｉｎ  Ｕｎｄｅｒｓｔａｎｄｉｎｇ  ａｎｄ  Ｒｅｆｉｎｅｍｅｎｔｓ  ｔｏ  Ｍｅｔｈｏｄｏｌｏｇｙ”、Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｓ．Ｖｏｌ．１９、Ｎｏ．１、２００４、３〜２０に示された方法を用いる。本明細書で使用するように、硬さは、平均硬さではなく、最大硬さのことを称する。
【００３９】
いくつかの実施形態において、耐ＵＶ光物品１００ａから１００ｃは、バーコビッチインデンター硬さ試験で測定した８ＧＰａ以上の最大インデンテーション硬さを有する。これらの態様のいくつかにおいて、ＵＶ光吸収素子５０は、誘電体スタック７０、および／または、耐ＵＶ光物品１００ａ〜１００ｃの最大インデンテーション硬さに匹敵する、バーコビッチインデンター硬さ試験で測定した最大インデンテーション硬さを有して、構成される。好ましくは、これらの態様において、素子５０は、誘電体スタック７０、および／または、耐ＵＶ光物品１００ａ〜１００ｃの最大インデンテーション硬さの約±２５％または約±５０％以内の、バーコビッチインデンター硬さ試験で測定した最大インデンテーション硬さを示す。
【００４０】
図２Ａに示した耐ＵＶ光物品１００ａにおいて、交互に並んだ第１および第２の誘電体層７２、７４を、異なる屈折率値を有して構成しうる。したがって、物品１００ａは、多数の第１および第２の誘電体層、または、１組の層７２、７４を含みうる。ある使用例において、全スタック厚さ７６は、層７２、７４の数および各層の厚さに応じて、約１０ｎｍと約２０００ｎｍの間の範囲でありうる。更に、いくつかの実施形態において、誘電体スタック７０の厚さ７６は、１０ｎｍ、５０ｎｍ、７５ｎｍ、１００ｎｍ、２００ｎｍ、３００ｎｍ、４００ｎｍ、５００ｎｍ、６００ｎｍ、７００ｎｍ、８００ｎｍ、９００ｎｍ、１０００ｎｍ、１１００ｎｍ、１２００ｎｍ、１３００ｎｍ、１４００ｎｍ、１５００ｎｍ、１６００ｎｍ、１７００ｎｍ、１８００ｎｍ、１９００ｎｍ、および、２０００ｎｍからの範囲でありうる。
【００４１】
図２Ａに示した耐ＵＶ光物品１００ａは、交互に並んだ第１および第２の誘電体層７２、７４の組を有する誘電体スタック７０を含むものとして示されているが、スタック７０のある使用例は、１つのタイプだけの誘電体層を含みうる。スタック７０の他の使用例は、３つ以上の誘電体層を含む。他の態様は、スタック７０内のいくつかの誘電体層、および、更に、非誘電体層に依存する。更に、スタック７０のある構成は、同じ、または、同様の屈折率を示す誘電体層７２、７４（および、その他）を採用する。概して、スタック７０の様々な構成は、下にある基板１０をＵＶ光に露光する１つ以上の工程を伴い、ＵＶ光吸収素子５０による保護を必要とするものである限りは、耐ＵＶ光物品１００ａに合うものである。
【００４２】
図２Ｂを参照すると、耐ＵＶ光物品１００ｂは、主表面１２、１４および厚さ１６を有する基板１０を含む。厚さ５６を有する耐ＵＶ光素子５０は、基板１０の主表面１２の上に配置されている。更に、素子５０は、誘電体スタック７０内で、誘電体層７２、７４の組の上に配置される。物品１００ｂで採用した誘電体スタック７０は、プラズマ強化処理で形成された交互に並んだ第１および第２の誘電体層７２、７４の組を含む。スタック７０は、更に、全厚さ７６を特徴とする。
【００４３】
再び、図２Ｂを参照すると、物品１００ｂおよび１００ａの類似した番号の素子は、同じ、または、同様の機能、構造、および、変形例を有する。素子５０を、誘電体スタック７０内の様々な位置に配置しうる。図２Ｂに示したように、素子５０は、１組の誘電体層７２、７４の上に位置する１つの層である。他の使用例において、素子５０は、多数の組の誘電体層７２、７４より上の位置に配置される。素子５０を、スタック７０内に深く（つまり、主表面１２に近く）配置することで、下にある基板１０から遮蔽しうる、スタック７０の一部分、および、それに付随する紫外線光を、最大にする。これに対し、ある応用例は、素子５０を、その光学、および／または、機械的特性に応じて、誘電体スタック７０の外面に、より近く配置することで、利点を有しうる。
【００４４】
図２Ｃについて、耐ＵＶ光物品１００ｃは、主表面１２、１４および厚さ１６を有する基板１０を含む。各々が厚さ５６を有する耐ＵＶ光素子５０の組を、基板１０の主表面１２の上に配置している。更に、素子５０は、誘電体層７４と交互に並んで、誘電体スタック７０内に位置している。つまり、物品１００ｃで採用した誘電体スタック７０は、プラズマ強化処理で形成した交互に並んだ第１および第２の誘電体層７２、７４の組を含む。スタック７０は、更に、全厚さ７６を特徴とする。
【００４５】
再び、図２Ｃを参照すると、物品１００ｃおよび１００ａの類似した番号の素子は、同じ、または、同様の機能、構造、および、変形例を有する。図２Ｃに示したように、素子５０は、そのような素子の組の一部であり、各々、誘電体層７４の上に配置される。他の使用例において、素子５０は、いくつかは誘電体層７４と異なっていてもよい誘電体層の多数の組より上の位置に配置される。素子５０を、交互に並んだ次の誘電体層（例えば、層７４）の下に配置することで、各素子５０は、下にある基板１０を、それより上の誘電体層７４の処理に付随するＵＶ光への露光から、保護しうる。
【００４６】
他の実施形態によれば、工程の組合せを含む耐紫外線光物品（例えば、物品１００ａ〜１００ｃ）の製作方法を提供する。初めに、ガラスまたはガラスセラミック組成物を有する基板（例えば、基板１０）を用意する。基板は、第１および第２の主表面（例えば、主表面１２、１４）と共に、約０．２ｍｍと約１．２ｍｍの間である基板厚さ（例えば、厚さ１６）を、特徴とする。方法の第２の工程は、１つ以上の紫外線光吸収層（例えば、光吸収素子５０）を、第１の主表面の上に形成する工程であり、光吸収層は、約３００ｎｍから約１００ｎｍの波長において、約５０％以上の吸収率、および、約１０ｎｍと約１００ｎｍの間の厚さを有する。方法の第３の工程は、プラズマ補助処理で、誘電体スタック（例えば、スタック７０）を形成する工程である。更に、光吸収層は、誘電体スタック形成処理による、基板の第１の主表面の破損を防ぐように構成される。
【００４７】
方法のある使用例において、誘電体スタック（例えば、スタック７０）を形成する工程は、交互に並んだ第１および第２の誘電体層（例えば、誘電体層７２、７４）を、第１の主表面の上に形成する工程を含み、第１および第２の誘電体層が、異なる屈折率値を有することを特徴とする。いくつかの上記使用例において、誘電体スタックを形成する工程、および、１つ以上の紫外線光吸収層（例えば、ＵＶ光吸収素子５０）を形成する工程は、光吸収層（または、複数の層）が、第１の主表面上の１つのＵＶ光吸収層であり、誘電体スタックが、光吸収層の上に形成されるように、（例えば、図２Ａに示した耐ＵＶ光物品１００ａと一致するように）行いうる。他の上記使用例において、ＵＶ光吸収層は、（例えば、図２Ｂに示した耐ＵＶ光物品１００ｂと一致するように）誘電体スタック内に形成された１つの光吸収層である。更なる態様において、ＵＶ光吸収層が、１つ以上の誘電体層の上または下に交互に形成されて、交互に並んだＵＶ光吸収層および誘電体層を有する（例えば、図２Ｃに示した耐ＵＶ光物品１００ｃと一致する）誘電体スタックを形成する。更に、方法のいくつかの態様は、誘電体スタックおよび少なくとも１つの紫外線光吸収層を実質的に同時に形成して、交互に並んだ誘電体層および紫外線光吸収層を形成する工程を有する。
【００４８】
既に概説したように、本開示による耐ＵＶ光物品、および、その製作方法の態様は、誘電体スタック（例えば、誘電体スタック７０）を含む、基板用の任意の様々な二次的な薄膜の形成に用いられる薄膜成膜処理中に生成されるＵＶ光から、ガラスまたはガラスセラミック基板（例えば、基板１０）を保護するのに、採用しうる。特に、高レベルのＵＶ照射を生成することが知られたプラズマを用いた成膜処理は、下にあるガラスまたはガラスセラミック基板を破損しうる。これらの薄膜成膜処理は、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、反応性および非反応性スパッタリング、ＤＣまたはＲＦスパッタリング、プラズマまたはイオンビーム補助蒸着、並びに、ＵＶ照射を採用した、および／または、ＵＶ光を副生成物として発する関連した方法を含む。
【００４９】
ある使用例において、本開示の耐ＵＶ光物品、および、その製作方法の態様を採用して、プラズマ清浄またはＵＶオゾン清浄処理などの清浄処理中に、ガラスまたはガラスセラミック基板（例えば、基板１０）を、ＵＶ露光から保護しうる。
【００５０】
更に、本開示の薄膜、処理、および、関連した態様を用いて、ガラス基板、ガラス物品、表示装置、若しくは、ガラスまたは薄膜を含む電子装置を、太陽光によるＵＶ露光から保護しうる。このことは、窓、屋外看板、屋外電子表示装置、交通標識、広告板、道路標識、太陽パネルなど、長い期間に亘ってＵＶ露光されうる屋外での利用で、特に重要でありうる。本開示の１つの態様において、１つ以上の耐ＵＶ光層を有する耐ＵＶ光物品は、バーコビッチインデンター硬さ試験で測定した８Ｇｐａより高い最大インデンテーション硬さ、バーコビッチインデンター硬さ試験で測定した、耐ＵＶ光物品の８Ｇｐａ以上の最大インデンテーション硬さ、ａ＊またはｂ＊において、垂直入射または様々な角度において、約４．０未満の色ずれ、および、約３００ｎｍ未満、約２５０ｎｍ未満、または、約２００ｎｍ未満の波長を有するＵＶ光に対して、約５０％より高いか、７５％より高いか、または、９０％より高いＵＶ吸収率を有する。物品の被膜した表面は、任意で、約１０％未満、約５％未満、約４％未満、約３％未満、約２％未満、または、約１％未満の反射率を有してもよい。
【００５１】
図３を参照すると、本開示の態様によるＵＶ光吸収層および素子（例えば、耐ＵＶ光素子５０）での使用に適した様々な酸化物材料について、実際および仮想屈折率値を、波長（ｎｍ）の関数として概略的に示すプロットである。これらの酸化物材料は、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、および、ＺｎＯを含む。図３に示したように、これらの各材料は、ＵＶ範囲の４００ｎｍ未満の波長において、比較的高い実際の屈折率成分（ｎ）および仮想屈折率成分（ｋ）を示す。図３から、本開示による耐ＵＶ光素子用に、ある材料を、ＵＶ光源の予想波長範囲の関数として選択しうることも明らかである。例えば、Ｎｂ２Ｏ５は、２５０ｎｍより短い波長について、特に高い高屈折率成分を示す。一方、ＺｎＯは、２５０ｎｍと４００ｎｍの間の波長について、特に高い高屈折率成分値を示す傾向がある。
【００５２】
図４に示したように、酸窒化アルミニウムケイ素（つまり、ＡｌＳｉＯｘＮｙ）材料も、本開示のいくつかの実施形態による耐ＵＶ光素子として採用するのに適している。図４において、耐ＵＶ光素子としての使用に適した様々な酸窒化アルミニウムケイ素材料について、波長（ｎｍ）の関数としての反射率（％）のプロットを示している。これらの材料の反射率値は、約２００ｎｍと３００ｎｍの間の波長において、約３０％と１０％の間で変化する傾向がある。概して、最も高い反射率値を示す材料は、他の酸窒化アルミニウムケイ素材料と比べて、窒素、および／または、アルミニウムを、パーセントで表したより高い割合で含む。
【００５３】
本開示の好適な態様によれば、耐ＵＶ光物品１００ａと一致する耐ＵＶ光物品は、以下の表１に概略を示したように、基板、１つの耐ＵＶ光素子、および、（例えば、耐引掻膜として機能する）誘電体スタックを、含みうる。より具体的には、表１に概略を示した耐ＵＶ光物品の設計は、誘電体スタックと基板の間に耐ＵＶ光層を含む。更に、本態様において、誘電体スタックおよび耐ＵＶ光物品の全厚さは、約２１７９ｎｍである。
【００５４】
【表１】
2018537381.tif 000004
【００５５】
図５Ａおよび５Ｂを参照すると、表１に概略を示した耐ＵＶ光物品について、波長（ｎｍ）の関数としての反射率（％）および透過率（％）を各々示すプロットは、誘電体スタックの処理に付随するＵＶ照射によるガラス基板の破損を、最小限にするか、または、防ぐのに、Ｎｂ２Ｏ５の耐ＵＶ光層が有効であることを示している。同様に、図５Ｃおよび５Ｄは、表１に概略を示した耐ＵＶ光物品について、０°から６０°の入射角の範囲に亘って、Ｄ６５およびＦ２照明光源への露光により測定した色パラメータのプロットである。図５Ｃのプロットは、入射光源の表１の構造体からの反射率から取得した色ずれ測定値に関する。図５Ｄのプロットは、入射光源から表１の構造体を通る透過率から取得した色ずれ測定値に関する。両方の図面において、「Ｄ６５」および「Ｆ２」サンプルは、各々、０°から６０°の入射角の範囲に亘るＤ６５およびＦ２光源の照明光に対応する。これに対し、「Ｄ６５（０℃）」および「Ｆ２（０℃）」サンプルは、各々、０°の入射角でのＤ６５およびＦ２光源の照明光に対応する。図５Ｃおよび５Ｄに示したプロットに基づくと、色ずれは、ａ＊パラメータについて、約０．２以下の大きさ、ｂ＊パラメータについて、約０．４以下の大きさを有することが明らかである。
【００５６】
本開示の更なる好適な態様によれば、耐ＵＶ光物品１００ｃと一致する耐ＵＶ光物品は、以下の表２に概略を示したように、基板、３つの耐ＵＶ光素子、および、（例えば、耐引掻膜として機能する）誘電体スタックを、含みうる。より具体的には、表２に概略を示した耐ＵＶ光物品の設計は、基板の上に配置した誘電体スタックを含む。誘電体スタックは、交互に並んだＮｂ２Ｏ５の耐ＵＶ光層と、シリカまたは酸窒化ケイ素アルミニウム層とを含む。更に、本態様において、誘電体スタックおよび耐ＵＶ光物品の全厚さは、約２１６０ｎｍである。
【００５７】
【表２】
2018537381.tif 000005
【００５８】
図６Ａおよび６Ｂを参照すると、表２に概略を示した耐ＵＶ光物品について、波長（ｎｍ）の関数としての反射率（％）および透過率（％）を各々示すプロットは、誘電体スタックの処理に付随するＵＶ照射によるガラス基板の破損を、最小限にするか、または、防ぐのに、Ｎｂ２Ｏ５の耐ＵＶ光層が有効であることを示している。同様に、図６Ｃおよび６Ｄは、表２に概略を示した耐ＵＶ光物品について、０°から６０°の入射角の範囲に亘って、Ｄ６５およびＦ２照明光源への露光により測定した色パラメータのプロットである。図６Ｃのプロットは、入射光源の表２の構造体からの反射率から取得した色ずれ測定値に関する。図６Ｄのプロットは、入射光源から表２の構造体を通る透過率から取得した色ずれ測定値に関する。両方の図面において、「Ｄ６５」および「Ｆ２」サンプルは、各々、０°から６０°の入射角の範囲に亘るＤ６５およびＦ２光源の照明光に対応する。これに対し、「Ｄ６５（０℃）」および「Ｆ２（０℃）」サンプルは、各々、０°の入射角でのＤ６５およびＦ２光源の照明光に対応する。図６Ｃおよび６Ｄに示したプロットに基づくと、色ずれは、ａ＊パラメータについて、約０．３以下の大きさ、ｂ＊パラメータについて、約０．６以下の大きさを有することが明らかである。
【００５９】
本開示の更なる好適な態様によれば、耐ＵＶ光物品１００ｃと一致する耐ＵＶ光物品は、以下の表３に概略を示したように、基板、３つの耐ＵＶ光素子、および、（例えば、耐引掻膜として機能する）誘電体スタックを、含みうる。より具体的には、表３に概略を示した耐ＵＶ光物品の設計は、基板の上に配置した誘電体スタックを含む。誘電体スタックは、交互に並んだＮｂ２Ｏ５の耐ＵＶ光層と、シリカまたは酸窒化アルミニウム層とを含む。更に、本態様において、誘電体スタックおよび耐ＵＶ光物品の全厚さは、約２１７１ｎｍである。本実施形態において、誘電体スタックの最後の層である酸窒化アルミニウムは、特に高い硬さと高屈折率を示す。
【００６０】
【表３】
2018537381.tif 000006
【００６１】
本開示の更なる態様において、耐ＵＶ光物品（例えば、耐ＵＶ光物品１００ａ、１００ｂ、１００ｃ）の製作方法は、基板をアニール処理して、ＵＶ照射に関連した誘電体スタックの処理に起因する任意の欠陥を除去または軽減する工程を含みうる。いくつかの態様において、アニール処理工程は、他の実施形態で採用した耐ＵＶ光素子と同じ機能を果たしうるので、ある耐ＵＶ光物品において、それを不要にしうる。より好適な他の態様において、アニール処理工程は、耐ＵＶ光素子または層によって与えられるＵＶ光保護を補強する役割を果たしうる。基板のガラスまたはガラスセラミック組成物、および、誘電体スタックに採用した層の熱感度によっては、アニール処理工程は、誘電体スタック形成工程完了後に、約２００℃と約３００℃の間のアニール処理温度で、約１から約２４時間、物品をアニール処理する工程を含みうる。
【００６２】
例えば、図７は、ＵＶ関連処理および様々な程度の成膜後アニール処理で成膜された５００ｎｍのシリカ薄膜を含むガラス基板について、波長（ｎｍ）の関数としての吸収率（％）のプロットである。図７において、「Ｃ１」で示した対照サンプルは、ＵＶ補助成膜処理による厚さが５００ｎｍのシリカ薄膜を有する石英基板である。データが明示するように、Ｃ１サンプルの吸収率は、０．５％以下であり、シリカ成膜処理により結晶性基板が全く破損しないことを示している。これに対し、「Ｃ２」および「Ｃ３」で示したサンプルは、「コーニング」のＧｏｒｉｌｌａ  Ｇｌａｓｓ（登録商標）ガラスコード２３２０で作られて、厚さが５００ｎｍのシリカ薄膜を有する基板である。ここで、シリカ成膜処理に起因する破損が比較的大きく、吸収率レベルが、４００ｎｍ未満の波長において、３％に近付くか、または、超えている。アニール処理の有益な効果を立証するために、サンプル「Ａ１」から「Ａ５」は、「コーニング」のＧｏｒｉｌｌａ  Ｇｌａｓｓ（登録商標）ガラスコード２３２０で作られて、厚さが５００ｎｍのシリカ薄膜を有し、以下のパラメータでアニール処理を行ったものである：２００℃で１２時間（Ａ１）、２５０℃で１２時間（Ａ２）、２７５℃で１２時間（Ａ３）、３００℃で１２時間（Ａ４）、および、３００℃で２４時間（Ａ５）。図７のデータに基づくと、これらのサンプルにおいて、アニール処理時間の増加、および、温度上昇の両方が、組替え、および、ＵＶ照射を伴うシリカ成膜処理により生じた欠陥の除去により、測定された吸収率レベルを低下させることが明らかである。例えば、Ａ５サンプルは、測定した波長範囲に亘って、約０．５％以下の吸収率レベルを示し、石英基板を用いた対照サンプルＣ１と非常に類似した結果である。
【００６３】
本明細書で開示した物品１００ａ〜１００ｃは、表示装置を有する物品（または、表示物品）（例えば、携帯電話、タブレット、コンピュータ、ナビゲーションシステムなどを含む消費者向け電子装置）、建築用物品、交通関連物品（例えば、自動車、電車、航空機、船舶など）、家庭用物品、若しくは、透明性、耐引掻性、耐摩耗性、または、それらの組合せを必要とする任意の物品を含みうる。物品１００ａ〜１００ｃを製品に組み込んだ具体的な例を、図８に示す。具体的には、図８は、前面８０４、後面８０６、および、側面８０８を有する筐体８０２と、少なくとも部分的に筐体の内部にあるか、または、全体が筐体の中にあり、少なくとも制御部、メモリ、および、筐体の前面に、または、それに隣接して表示装置８１０を有する電気的構成要素（不図示）と、筐体の前面に、または、その上に、表示装置の上になるように配置されたカバー基板８１２とを含む消費者向け電子装置８００を示している。いくつかの実施形態において、カバー基板８１２は、物品１００ａ〜１００ｃを含んでもよい。いくつかの実施形態において、筐体８０２は、物品１００ａ〜１００ｃを含んでもよい。
【００６４】
本発明の上記実施形態、特に、いずれの「好ましい」実施形態も、可能性のある使用例の単なる例に過ぎず、単に、本発明の様々な原理を確実に理解するために示したものである点を強調すべきである。本発明の精神および様々な原理を実質的に逸脱することなく、本発明の上記実施形態に多数の変形および変更を行ってもよい。本明細書において、全てのそのような変更および変形を、本開示および本発明の範囲に含み、以下の請求項によって保護されることを意図している。
【００６５】
第１の態様において、耐紫外線光物品を提供する。物品は、ガラスまたはガラスセラミック、並びに、第１および第２の主表面を含む基板と、約１００ｎｍから約３８０ｎｍの波長における５０％より高い吸収率、および、約１０ｎｍと約５００ｎｍの間の厚さを有する紫外線光吸収素子と、第１の主表面上に配置した誘電体層とを含む。紫外線光吸収素子は、基板と誘電体層の間にある。
【００６６】
第１の態様による第２の態様において、誘電体層は、第１の主表面の上に、異なる屈折率値を有することを特徴とする第１および第２の誘電体層を更に含む。
【００６７】
第１または第２の態様による第３の態様において、基板は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、並びに、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、および、Ｌｉ２Ｏからなる群から選択した少なくとも２つの酸化物を含むガラス組成物を有する。
【００６８】
第１から第３の態様のいずれか１つによる第４の態様において、紫外線光吸収素子は、約４００ｎｍから約７００ｎｍの波長において、５×１０−４以下の消衰係数（ｋ）を有する。
【００６９】
第１から第４の態様のいずれか１つによる第５の態様において、紫外線光吸収素子は、約２００ｎｍより長い波長において、５×１０−４以上の消衰係数（ｋ）を有する。
【００７０】
第１から第５の態様のいずれか１つによる第６の態様において、誘電体層は、高屈折率と、紫外線光吸収素子の吸収率より低い吸収率とを有する１つ以上の材料を含む。
【００７１】
第１から第６の態様のいずれか１つによる第７の態様において、紫外線光吸収素子は、ＡｌＳｉＯｘＮｙ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、および、ＺｎＯの少なくとも１つを含む。
【００７２】
第１から第７の態様のいずれか１つによる第８の態様において、誘電体層および光吸収素子の全厚さが約１０ｎｍと約２０００ｎｍの間である。
【００７３】
第１から第８の態様のいずれか１つによる第９の態様において、物品は、バーコビッチインデンター硬さ試験によって測定した８ＧＰａ以上の最大硬さを有する。
【００７４】
第１から第９の態様のいずれか１つによる第１０の態様において、紫外線光吸収素子は、物品の最大インデンテーション硬さの約±５０％以内の、バーコビッチインデンター硬さ試験によって測定した最大インデンテーション硬さを有する。
【００７５】
第１から第１０の態様のいずれか１つによる第１１の態様において、物品は、垂直入射角での可視光への露光により、約４未満のａ＊パラメータの色ずれ、および、ｂ＊パラメータの色ずれを示す。
【００７６】
第１から第１１の態様のいずれか１つによる第１２の態様において、紫外線光吸収素子は、約１００ｎｍから約３８０ｎｍの波長において、７５％より高い吸収率を有する。
【００７７】
第１から第１２の態様のいずれか１つによる第１３の態様において、紫外線光吸収素子は、約１００ｎｍから約３８０ｎｍの波長において、９０％より高い吸収率を有する。
【００７８】
第１４の態様において、ガラスまたはガラスセラミック、並びに、第１および第２の主表面を含む基板と、第１の主表面上に配置した誘電体層スタックと、約１００ｎｍから約３８０ｎｍの波長における５０％より高い吸収率、および、約１０ｎｍと約２００ｎｍの間の厚さを有する少なくとも１つの紫外線光吸収層とを含む耐紫外線光物品を、提供する。少なくとも１つの光吸収層は、誘電体層スタック内にある。
【００７９】
第１４の態様による第１５の態様において、誘電体層スタックは、互いに異なる屈折率値を有する第１の誘電体層および第２の誘電体層を含む。
【００８０】
第１４または第１５の態様による第１６の態様において、少なくとも１つ紫外線光吸収層は、１つの紫外線光吸収層である。
【００８１】
第１４から第１６の態様のいずれか１つによる第１７の態様において、誘電体層スタックは、交互に並んだ誘電体層および紫外線光吸収層を含む。
【００８２】
第１４から第１７の態様のいずれか１つによる第１８の態様において、少なくとも１つの紫外線光吸収層は、約３８０ｎｍから約７００ｎｍの波長において、５×１０−４以下の消衰係数（ｋ）を有する。
【００８３】
第１４から第１８の態様のいずれか１つによる第１９の態様において、紫外線光吸収層は、約７００ｎｍより長い波長において、５×１０−４以上の消衰係数（ｋ）を有する。
【００８４】
第１４から第１９の態様のいずれか１つによる第２０の態様において、基板は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、並びに、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、および、Ｌｉ２Ｏからなる群から選択した少なくとも２つの酸化物を含むガラス組成物を有する。
【００８５】
第１４から第２０の態様のいずれか１つによる第２１の態様において、少なくとも１つの紫外線光吸収層は、ＡｌＳｉＯｘＮｙ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、および、ＺｎＯの少なくとも１つを含む。
【００８６】
第１４から第２１の態様のいずれか１つによる第２２の態様において、誘電体層スタックの全厚さが、約１０ｎｍと約５０００ｎｍの間である。
【００８７】
第１４から第２２の態様のいずれか１つによる第２３の態様において、物品は、約５０ｎｍ以上のインデンテーション深さに沿ったバーコビッチインデンター硬さ試験によって測定した、８ＧＰａ以上の最大インデンテーション硬さを有する。
【００８８】
第１４から第２３の態様のいずれか１つによる第２４の態様において、少なくとも１つの紫外線光吸収層は、約５０ｎｍ以上のインデンテーション深さに沿ったバーコビッチインデンター硬さ試験によって測定した、物品の最大インデンテーション硬さの約±５０％以内の最大インデンテーション硬さを有する。
【００８９】
第１４から第２４の態様のいずれか１つによる第２５の態様において、物品は、垂直入射角での可視光への露光後に、約４未満のａ＊パラメータの色ずれ、および、ｂ＊パラメータの色ずれを示す。
【００９０】
第１４から第２５の態様のいずれか１つによる第２６の態様において、少なくとも１つの紫外線光吸収層は、約１００ｎｍから約３８０ｎｍの波長において、７５％より高い吸収率を有する。
【００９１】
第１４から第２６の態様のいずれか１つによる第２７の態様において、少なくとも１つの紫外線光吸収層は、約１００ｎｍから約３８０ｎｍの波長において、９０％より高い吸収率を有する。
【００９２】
第２８の態様において、耐紫外線光物品の製作方法を提供する。方法は、ガラスまたはガラスセラミック、並びに、第１および第２の主表面を含む基板を用意する工程と、約１００ｎｍから約３８０ｎｍの波長における約５０％以上の吸収率、および、約１０ｎｍと約５００ｎｍの間の厚さを有する少なくとも１つの紫外線光吸収層を、第１の主表面の上に形成する工程と、プラズマ補助成膜処理で誘電体層を形成する工程とを含む。光吸収層は、誘電体層を形成する工程による基板の第１の主表面の破損を防ぐように構成したものである。
【００９３】
第２８の態様による第２９の態様において、誘電体層を形成する工程は、互いに異なる屈折率値を有することを特徴とし、交互に並んだ第１および第２の誘電体層を、第１の主表面の上に形成する工程を含む。
【００９４】
第２８または第２９の態様による第３０の態様において、少なくとも１つの紫外線光吸収層および誘電体層を形成する工程は、少なくとも１つの光吸収層は、第１の主表面の上に形成した１つの紫外線光吸収層であり、誘電体層を光吸収層の上に形成するように、行われる。
【００９５】
第２８から第３０の態様のいずれか１つによる第３１の態様において、少なくとも１つの紫外線光吸収層および誘電体層を形成する工程は、少なくとも１つの光吸収層が、誘電体層内に形成した１つの紫外線光吸収層であるように、行われるものである。
【００９６】
第２８から第３１の態様のいずれか１つによる第３２の態様において、誘電体層および少なくとも１つの紫外線光吸収層を形成する工程は、実質的に同時に行われて、交互に並んだ誘電体層および紫外線光吸収層を形成する。
【００９７】
第２８から第３２の態様のいずれか１つによるに第３３の態様において、紫外線光吸収層および誘電体層を形成する工程は、両方共、１つの成膜室で行われる。
【００９８】
第２８から第３３の態様のいずれか１つにより第３４の態様において、基板は、ＳｉＯ２と、Ａｌ２Ｏ３と、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、および、Ｌｉ２Ｏからなる群から選択した少なくとも２つの酸化物とを含む組成物を有するガラスを含む。
【００９９】
第２８から第３４の態様のいずれか１つによる第３５の態様において、紫外線光吸収層は、ＡｌＳｉＯｘＮｙ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２およびＺｎＯの少なくとも１つを含む。
【０１００】
第２８から第３５の態様のいずれか１つによる第３６の態様において、基板は、紫外線光吸収層を形成する工程後の垂直入射角での可視光への露光により、約４未満のａ＊パラメータの色ずれ、および、ｂ＊パラメータの色ずれを示す。
【０１０１】
第２８から第３６の態様のいずれか１つによる第３７の態様において、紫外線光吸収層および誘電体層を形成する工程は、光吸収層を誘電体層内に形成するように行われる。
【０１０２】
第２８から第３７の態様のいずれか１つによる第３８の態様において、方法は、誘電体層を形成する工程の後に、基板に、約２００℃と約３００℃の間の温度で、約１から約２４時間、アニール処理を行う工程を更に含む。
【０１０３】
第３９の態様において、装置を提供する。装置は、前面、後面および側面を有する筐体と、少なくとも部分的には筐体の内部に備えられた電気的構成要素と、筐体の前面に、または、隣接した表示部と、第１から第２７の態様のいずれか１つによる物品を含み、表示部の上に配置されたカバー基板とを含む。
【０１０４】
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
【０１０５】
実施形態１  
耐紫外線光物品において、
ガラスまたはガラスセラミック、並びに、第１および第２の主表面を含む基板と、
約１００ｎｍから約３８０ｎｍの波長における５０％より高い吸収率、および、約１０ｎｍと約５００ｎｍの間の厚さを有する紫外線光吸収素子と、
前記第１の主表面上に配置した誘電体層と、
を含み、
前記紫外線光吸収素子は、前記基板と前記誘電体層の間にあるものである物品。
【０１０６】
実施形態２  
前記誘電体層は、前記第１の主表面の上に、異なる屈折率値を有することを特徴とする第１および第２の誘電体層を含むものである、実施形態１に記載の物品。
【０１０７】
実施形態３  
前記基板は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、並びに、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、および、Ｌｉ２Ｏからなる群から選択した少なくとも２つの酸化物を含むガラス組成物を有するものである、実施形態１または２に記載の物品。
【０１０８】
実施形態４  
前記紫外線光吸収素子は、約４００ｎｍから約７００ｎｍの波長において、５×１０−４以下の消衰係数（ｋ）を有するものである、実施形態１から３のいずれか１つに記載の物品。
【０１０９】
実施形態５  
前記紫外線光吸収素子は、約２００ｎｍより長い波長において、５×１０−４以上の消衰係数（ｋ）を有するものである、実施形態１から４のいずれか１つに記載の物品。
【０１１０】
実施形態６  
前記誘電体層は、高屈折率と、前記紫外線光吸収素子の吸収率より低い吸収率とを有する１つ以上の材料を含むものである、実施形態１から５のいずれか１つに記載の物品。
【０１１１】
実施形態７  
前記紫外線光吸収素子は、ＡｌＳｉＯｘＮｙ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、および、ＺｎＯの少なくとも１つを含むものである、実施形態１から６のいずれか１つに記載の物品。
【０１１２】
実施形態８  
前記誘電体層および前記光吸収素子の全厚さが約１０ｎｍと約２０００ｎｍの間である、実施形態１から７のいずれか１つに記載の物品。
【０１１３】
実施形態９  
バーコビッチインデンター硬さ試験によって測定した８ＧＰａ以上の最大硬さを有する、実施形態１から８のいずれか１つに記載の物品。
【０１１４】
実施形態１０  
前記紫外線光吸収素子は、前記物品の前記最大インデンテーション硬さの約±５０％以内の、前記バーコビッチインデンター硬さ試験によって測定した最大インデンテーション硬さを有するものである、実施形態９に記載の物品。
【０１１５】
実施形態１１  
垂直入射角での可視光への露光により、約４未満のａ＊パラメータの色ずれ、および、ｂ＊パラメータの色ずれを示す、実施形態１から１０のいずれか１つに記載の物品。
【０１１６】
実施形態１２  
前記紫外線光吸収素子は、約１００ｎｍから約３８０ｎｍの波長において、７５％より高い吸収率を有するものである、実施形態１から１１のいずれか１つに記載の物品。
【０１１７】
実施形態１３  
前記紫外線光吸収素子は、約１００ｎｍから約３８０ｎｍの波長において、９０％より高い吸収率を有するものである、実施形態１から１２のいずれか１つに記載の物品。
【０１１８】
実施形態１４  
耐紫外線光物品において、
ガラスまたはガラスセラミック、並びに、第１および第２の主表面を含む基板と、
前記第１の主表面上に配置した誘電体層スタックと、
約１００ｎｍから約３８０ｎｍの波長における５０％より高い吸収率、および、約１０ｎｍと約２００ｎｍの間の厚さを有する少なくとも１つの紫外線光吸収層と、
を含み、
前記少なくとも１つの光吸収層は、前記誘電体層スタック内にあるものである、物品。
【０１１９】
実施形態１５  
前記誘電体層スタックは、互いに異なる屈折率値を有する第１の誘電体層および第２の誘電体層を含むものである、実施形態１４に記載の物品。
【０１２０】
実施形態１６  
前記少なくとも１つ紫外線光吸収層は、１つの紫外線光吸収層である、実施形態１５に記載の物品。
【０１２１】
実施形態１７  
前記誘電体層スタックは、交互に並んだ誘電体層および紫外線光吸収層を含むものである、実施形態１４または１５に記載の物品。
【０１２２】
実施形態１８  
前記少なくとも１つの紫外線光吸収層は、約３８０ｎｍから約７００ｎｍの波長において、５×１０−４以下の消衰係数（ｋ）を有するものである、実施形態１４から１７のいずれか１つに記載の物品。
【０１２３】
実施形態１９  
前記紫外線光吸収層は、約７００ｎｍより長い波長において、５×１０−４以上の消衰係数（ｋ）を有するものである、実施形態１４から１８のいずれか１つに記載の物品。
【０１２４】
実施形態２０  
前記基板は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、並びに、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、および、Ｌｉ２Ｏからなる群から選択した少なくとも２つの酸化物を含むガラス組成物を有するものである、実施形態１４から１９のいずれか１つに記載の物品。
【０１２５】
実施形態２１  
前記少なくとも１つの紫外線光吸収層は、ＡｌＳｉＯｘＮｙ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、および、ＺｎＯの少なくとも１つを含むものである、実施形態１４から２０のいずれか１つに記載の物品。
【０１２６】
実施形態２２  
前記誘電体層スタックの全厚さが、約１０ｎｍと約５０００ｎｍの間である、実施形態１４から２１のいずれか１つに記載の物品。
【０１２７】
実施形態２３  
約５０ｎｍ以上のインデンテーション深さに沿ったバーコビッチインデンター硬さ試験によって測定した、８ＧＰａ以上の最大インデンテーション硬さを有する、実施形態１４から２２のいずれか１つに記載の物品。
【０１２８】
実施形態２４  
前記少なくとも１つの紫外線光吸収層は、約５０ｎｍ以上のインデンテーション深さに沿ったバーコビッチインデンター硬さ試験によって測定した、前記物品の最大インデンテーション硬さの約±５０％以内の最大インデンテーション硬さを有するものである、実施形態１４から２３のいずれか１つに記載の物品。
【０１２９】
実施形態２５  
垂直入射角での可視光への露光後に、約４未満のａ＊パラメータの色ずれ、および、ｂ＊パラメータの色ずれを示す、実施形態１４から２４のいずれか１つに記載の物品。
【０１３０】
実施形態２６  
前記少なくとも１つの紫外線光吸収層は、約１００ｎｍから約３８０ｎｍの波長において、７５％より高い吸収率を有するものである、実施形態１４から２５のいずれか１つに記載の物品。
【０１３１】
実施形態２７  
前記少なくとも１つの紫外線光吸収層は、約１００ｎｍから約３８０ｎｍの波長において、９０％より高い吸収率を有するものである、実施形態１４から２６のいずれか１つに記載の物品。
【０１３２】
実施形態２８  
耐紫外線光物品の製作方法において、
ガラスまたはガラスセラミック、並びに、第１および第２の主表面を含む基板を用意する工程と、
約１００ｎｍから約３８０ｎｍの波長における約５０％以上の吸収率、および、約１０ｎｍと約１０００ｎｍの間の厚さを有する少なくとも１つの紫外線光吸収層を、前記第１の主表面の上に形成する工程と、
プラズマ補助成膜処理で誘電体層を形成する工程と、
を含み、
前記光吸収層は、前記誘電体層を形成する工程による前記基板の前記第１の主表面の破損を防ぐように構成したものである、方法。
【０１３３】
実施形態２９  
前記誘電体層を形成する工程は、互いに異なる屈折率値を有することを特徴とし、交互に並んだ第１および第２の誘電体層を、前記第１の主表面の上に形成する工程を含むものである、実施形態２８に記載の方法。
【０１３４】
実施形態３０  
前記少なくとも１つの紫外線光吸収層および前記誘電体層を形成する工程は、該少なくとも１つの光吸収層は、前記第１の主表面の上に形成した１つの紫外線光吸収層であり、該誘電体層を該光吸収層の上に形成するように、行われるものである、実施形態２８または２９に記載の方法。
【０１３５】
実施形態３１  
前記少なくとも１つの紫外線光吸収層および前記誘電体層を形成する工程は、該少なくとも１つの光吸収層が、前記誘電体層内に形成した１つの紫外線光吸収層であるように、行われるものである、実施形態２８または２９に記載の方法。
【０１３６】
実施形態３２  
前記誘電体層および前記少なくとも１つの紫外線光吸収層を形成する工程は、実質的に同時に行われて、交互に並んだ誘電体層および紫外線光吸収層を形成するものである、実施形態２８から３１のいずれか１つに記載の方法。
【０１３７】
実施形態３３  
前記紫外線光吸収層および前記誘電体層を形成する工程は、両方共、１つの成膜室で行われるものである、実施形態２８から３２のいずれか１つに記載の方法。
【０１３８】
実施形態３４  
前記基板は、ＳｉＯ２と、Ａｌ２Ｏ３と、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、および、Ｌｉ２Ｏからなる群から選択した少なくとも２つの酸化物とを含む組成物を有するガラスを含むものである、実施形態２８から３３のいずれか１つに記載の方法。
【０１３９】
実施形態３５  
前記紫外線光吸収層は、ＡｌＳｉＯｘＮｙ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２およびＺｎＯの少なくとも１つを含むものである、実施形態２８から３４のいずれか１つに記載の方法。
【０１４０】
実施形態３６  
前記基板は、前記紫外線光吸収層を形成する工程後の垂直入射角での可視光への露光により、約４未満のａ＊パラメータの色ずれ、および、ｂ＊パラメータの色ずれを示すものである、実施形態２８から３５のいずれか１つに記載の方法。
【０１４１】
実施形態３７  
前記紫外線光吸収層および前記誘電体層を形成する工程は、該光吸収層を該誘電体層内に形成するように行われるものである、実施形態２８から３６のいずれか１つに記載の方法。
【０１４２】
実施形態３８  
前記誘電体層を形成する工程の後に、前記基板に、約２００℃と約３００℃の間の温度で、約１から約２４時間、アニール処理を行う工程を更に含む、実施形態２８から３７のいずれか１つに記載の方法。
【０１４３】
実施形態３９  
前面、後面および側面を有する筐体と、
少なくとも部分的には前記筐体の内部に備えられた電気的構成要素と、
前記筐体の前記前面に、または、隣接した表示部と、
実施形態１から２７のいずれか１つによる前記物品を含み、前記表示部の上に配置されたカバー基板と、
を含む装置。
【符号の説明】
【０１４４】
１０  基板
１２、１４  主表面
５０  ＵＶ光吸収要素
７０  誘電体スタック
７２  第１の誘電体層
７４  第２の誘電体層
１００ａ、１００ｂ、１００ｃ  耐ＵＶ光物品
８００  電子装置
８０２  筐体
８１０  表示部
８１２  カバー基板
【図１】
2018537381.tif 000007
【図２Ａ】
2018537381.tif 000008
【図２Ｂ】
2018537381.tif 000009
【図２Ｃ】
2018537381.tif 000010
【図３】
2018537381.tif 000011
【図４】
2018537381.tif 000012
【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【国際調査報告】
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