(57)【要約】  本発明は、キャリアと半導体チップとを備えるエレクトロニクスデバイスに関する。キャリアは第１の誘電体層と第２の誘電体層とを含む。第１の誘電体層の熱伝導率は第２の誘電体層の熱伝導率を超えている。第２の誘電体層は、第１の誘電体層に配置され、第１の誘電体層を部分的に覆っている。半導体チップは、第１の誘電体層が第２の誘電体層で覆われていない実装領域においてキャリアに配置されている。キャリアは、電気コンタクトのためのはんだ端子を含んでいる。はんだ端子は、第２の誘電体層に配置されている。本発明はさらに、エレクトロニクスデバイスを製造する方法に関する。
2018523918.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア（１０５）と半導体チップ（１４０）とを備え、
前記キャリア（１０５）は第１の誘電体層（１１０）と第２の誘電体層（１２０）とを含み、
前記第１の誘電体層（１１０）の熱伝導率は前記第２の誘電体層（１２０）の熱伝導率を超えており、
前記第２の誘電体層（１２０）は前記第１の誘電体層（１１０）に配置され、前記第１の誘電体層（１１０）を部分的に覆っており、
前記半導体チップ（１４０）は、前記第１の誘電体層（１１０）が前記第２の誘電体層（１２０）で覆われていない実装領域（１０７）において前記キャリア（１０５）に配置されており、
前記キャリア（１０５）は、前記第２の誘電体層（１２０）に配置された電気コンタクトのためのはんだ端子（１２６）を含む、
エレクトロニクスデバイス（１００）。
【請求項２】
前記第２の誘電体層（１２０）は開口（１２１）を有しており、前記開口（１２１）によって前記実装領域（１０７）が設けられている、
請求項１に記載のエレクトロニクスデバイス。
【請求項３】
前記キャリア（１０５）は、前記実装領域（１０７）において前記第１の誘電体層（１１０）に配置された実装パッド（１１６）を含んでおり、前記半導体チップ（１４０）は前記実装パッド（１１６）に配置されている、
請求項１または２のいずれか一項に記載のエレクトロニクスデバイス。
【請求項４】
前記キャリア（１０５）は、前記第１の誘電体層（１１０）が配置された金属基層（１１２）を含む、
請求項１から３のいずれか一項に記載のエレクトロニクスデバイス。
【請求項５】
前記キャリア（１０５）は、前記第２の誘電体層（１２０）に配置されたコンタクト層（１２５）と前記コンタクト層（１２５）を部分的に覆う被覆層（１３０）とを含んでおり、前記はんだ端子（１２６）は、前記被覆層（１３０）で覆われていない前記コンタクト層（１２５）の領域によって設けられている、
請求項１から４のいずれか一項に記載のエレクトロニクスデバイス。
【請求項６】
前記キャリア（１０５）は、前記第２の誘電体層（１２０）に配置された電気コンタクトのための追加のはんだ端子（１２６）を含む、
請求項１から５のいずれか一項に記載のエレクトロニクスデバイス。
【請求項７】
前記半導体チップ（１４０）はオプトエレクトロニクス半導体チップである、
請求項１から６のいずれか一項に記載のエレクトロニクスデバイス。
【請求項８】
前記エレクトロニクスデバイスは、前記実装領域（１０７）において前記キャリア（１０５）に配置された、いくつかの半導体チップ（１４０）を備える、
請求項１から７のいずれか一項に記載のエレクトロニクスデバイス。
【請求項９】
第１の誘電体層（１１０）を設ける工程と、
前記第１の誘電体層（１１０）の熱伝導率が前記第２の誘電体層（１２０）の熱伝導率を超えている、第２の誘電体層（１２０）を設ける工程と、
前記第１の誘電体層（１１０）が前記第２の誘電体層（１２０）で覆われていない実装領域（１０７）を含むキャリア（１０５）が製造されるように、前記第２の誘電体層（１２０）を前記第１の誘電体層（１１０）に配置する工程と、
前記第２の誘電体層（１２０）に配置されるはんだ端子（１２６）を設ける工程と、
前記実装領域（１０７）において前記キャリア（１０５）に半導体チップ（１４０）を配置する工程と、を含む、
請求項１から８のいずれか一項に記載のエレクトロニクスデバイス（１００）を製造する方法。
【請求項１０】
前記キャリア（１０５）の前記実装領域（１０７）をなす開口（１２１）を前記第２の誘電体層（１２０）に形成する工程をさらに含む、
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の誘電体層（１１０）には前記第１の誘電体層（１１０）に配置された金属層（１１４）が設けられ、前記金属層（１１４）は、前記第１の誘電体層（１１０）に配置される実装パッド（１１６）が設けられるように構造化され、前記半導体チップ（１４０）は前記実装パッド（１１６）に配置される、
請求項９または１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の誘電体層（１１０）には、前記第１の誘電体層（１１０）が配置される金属基層（１１２）が設けられる、
請求項９から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の誘電体層（１２０）には、前記第２の誘電体層（１２０）に配置された金属層（１２４）が設けられ、
前記金属層（１２４）は、前記第２の誘電体層（１２０）に配置されるコンタクト層（１２５）が設けられるように構造化され、
前記はんだ端子（１２６）が、被覆層（１３０）で覆われていない前記コンタクト層（１２５）の領域によって設けられるように、前記コンタクト層（１２５）を部分的に覆う前記被覆層（１３０）が形成される、
請求項９から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の誘電体層（１２０）に配置される追加のはんだ端子（１２６）が設けられる、
請求項９から１３のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャリアと半導体チップとを備えるエレクトロニクスデバイスに関する。本発明はさらに、エレクトロニクスデバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロニクスデバイスは、キャリアと、キャリアに配置された１つまたはいくつかの半導体チップを備える、いわゆるチップオンボード（ｃｈｉｐ−ｏｎ−ｂｏａｒｄ，ＣＯＢ）モジュールの形態で実現しうる。このように構成された光放射を生じるオプトエレクトロニクスデバイスは、ＬＥＤ（発光ダイオード）チップのような放射を放出する半導体チップを備えうる。
【０００３】
一般的なＣＯＢデバイスは、電気コンタクトのために、はんだ付けでワイヤが接続されうるはんだパッドを備えている。別の方法としては、機械的なコンタクト構造を有する二次的な筐体の使用がある。しかしながらこの方法はコスト上昇を伴う。
【０００４】
はんだパッドを有するＣＯＢデバイスに関しても同様に問題は生じうる。というのも、キャリアが、エレクトロニクスデバイスの動作時に生じる熱が効率的に除去されるように設計されうるからである。したがって、このようなキャリアの使用によって、ＣＯＢはんだ付け工程時にも熱の除去が生じるという影響がある。この結果、はんだパッドの領域においてはんだ付けのための適切な温度の設定および維持が難しく、したがってはんだ付け工程および達成可能なはんだ付け品質の制御が困難となる。
【０００５】
このため、はんだ付け工程は通常自動ではなく手動で行われ、技術のあるオペレーターがはんだ付けを行うことが望ましい。しかしながら、はんだ付け品質が低く、はんだ接合の信頼性に関わる問題が生じることもありうる。例えば、はんだ接合が空隙を有する、および／または不安定であることもありうる。
【０００６】
これらの問題を克服するために従来の方法においては、適切なはんだ付け温度が設定および維持されるように、ＣＯＢはんだ付け工程にホットプレートを用いてきた。しかしながらこのような方法は手間がかかる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的の１つは、上記問題を伴わないはんだ付けによってワイヤが接続されうる、改善されたエレクトロニクスデバイスを提供することである。本発明のさらなる目的の１つは、そのようなエレクトロニクスデバイスを製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
これらの目的は独立請求項の特徴によって達成される。さらなる好適な実施形態は従属請求項に開示される。
【０００９】
本発明の一態様によれば、キャリアと半導体チップとを備えるエレクトロニクスデバイスが提供される。キャリアは第１の誘電体層と第２の誘電体層とを含む。第１の誘電体層の熱伝導率は第２の誘電体層の熱伝導率を超えている。第２の誘電体層は第１の誘電体層に配置され、第１の誘電体層を部分的に覆っている。半導体チップは、第１の誘電体層が第２の誘電体層で覆われていない実装領域においてキャリアに配置されている。キャリアは、電気コンタクトのためのはんだ端子を含む。はんだ端子は、第２の誘電体層に配置されている。
【００１０】
エレクトロニクスデバイスは、いわゆるチップオンボード（ＣＯＢ）モジュールでありうる。エレクトロニクスデバイスは、第１および第２の誘電体層を含むキャリアを備えている。２つの誘電体層の熱伝導率は異なる。このような構成によって、エレクトロニクスデバイスの動作時における熱の効果的な除去をもたらし、エレクトロニクスデバイスをコンタクトするために行われるはんだ付け工程を促進および改善することが可能となる。
【００１１】
ここで半導体チップは、より熱伝導率が高い第１の誘電体層が第２の誘電体層で覆われていない実装領域においてキャリアに配置されている。この結果、半導体チップの動作時に生じる熱は第１の誘電体層を介して効率的に半導体チップから奪われうる。
【００１２】
電気コンタクトのためにキャリアは、ワイヤがはんだ付けによって接続されうるはんだ端子を含む。はんだ端子は、熱伝導率がより低い第２の誘電体層に配置されている。このため、はんだ端子の領域において熱の除去が抑制、つまり低減されるので、はんだ端子の領域において適切なはんだ付け温度に確実に設定および維持することが可能となる。この結果、はんだ付け工程が高い工程品質で行われ、信頼性のある安定したはんだ接合が形成されうる。このことによって、生産量およびエレクトロニクスデバイスの動作時における効率が向上しうるという効果がある。高いはんだ付け品質によって、はんだ付け工程を自動に、したがって高い費用効率で行うことがさらに可能となる。また、ホットプレートの使用も回避されうる。
【００１３】
次に、エレクトロニクスデバイスのさらなる可能な実施形態を説明する。
【００１４】
第１の誘電体層の熱伝導率の最小値は１０Ｗ／ｍＫでありうる。第１の誘電体層の熱伝導率は、例えば１０Ｗ／ｍＫから２０Ｗ／ｍＫの範囲でありうる。第２の誘電体層の熱伝導率の最大値は５Ｗ／ｍＫでありうる。第２の誘電体層の熱伝導率は、例えば２Ｗ／ｍＫ未満、または１Ｗ／ｍＫ未満でありうる。このようにエレクトロニクスデバイスは、エレクトロニクスデバイスの動作時における熱の効果的な除去を確実にし、かつ高品質なはんだ付けを可能としうる。
【００１５】
上記数値データとは熱伝導率が異なる誘電体層、つまりそれら誘電体層のための誘電材料を用いることも可能である。例えば第１の誘電体層の熱伝導率は３．０Ｗ／ｍＫでありうる。ここで第２の誘電体層の熱伝導率は、例えば１．３Ｗ／ｍＫでありうる。
【００１６】
２つの誘電体層それぞれは、各誘電材料を含みうる、または各誘電材料からなりうる。例として、樹脂系の複合材料などの複合材料が挙げられる。
【００１７】
エレクトロニクスデバイスのさらなる一実施形態において、第２の誘電体層は開口を有し、開口によって実装領域が設けられている。この実施形態では、開口、したがって実装領域がキャリアの中心に位置するようなエレクトロニクスデバイスの対称的な構成が可能である。
【００１８】
エレクトロニクスデバイスのさらなる一実施形態において、キャリアは実装領域において第１の誘電体層に配置された実装パッドを含んでおり、半導体チップは実装パッドに配置されている。このように半導体チップはキャリアに確実に取り付けられ、半導体チップの動作時に生じる熱は実装パッドを介して半導体チップから第１の誘電体層に効率的に伝導されうる。
【００１９】
キャリアの実装パッドは、銅などの金属を含みうる。実装パッドはさらに金属めっきを含みうる。半導体チップは、接着剤などの接合材料によって実装パッドに取り付けられうる。
【００２０】
エレクトロニクスデバイスのさらなる一実施形態において、キャリアは、第１の誘電体層が配置された金属基層を含む。このように金属基層がヒートシンクとして機能し、エレクトロニクスデバイスの動作時における熱の除去が促進されうる。さらに、金属基層から追加のヒートシンクへの熱伝導が生じて、エレクトロニクスデバイスの動作時における熱の除去がさらに促進されるように、エレクトロニクスデバイス、つまりキャリアの金属基層を追加のヒートシンクに配置することも可能である。金属基層を含むキャリアとしては、いわゆるメタルコアプリント基板（ｍｅｔａｌ  ｃｏｒｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ，  ＭＣＰＣＢ）が挙げられる。金属基層は、例えばアルミニウム層でありうる。
【００２１】
キャリアのはんだ端子に関しては、以下の実施形態が考えられうる。はんだ端子は層、つまりはんだパッドの形態で構成されうる。はんだ端子は銅などの金属を含みうる。はんだ端子はさらに金属めっきを含みうる。
【００２２】
エレクトロニクスデバイスのさらなる一実施形態において、キャリアは第２の誘電体層に配置されたコンタクト層と、コンタクト層に配置され、コンタクト層を部分的に覆う被覆層とを含む。はんだ端子は、被覆層で覆われていないコンタクト層の領域によって設けられている。被覆層によって、コンタクト層の腐食などの損傷が抑制されうる。被覆層は絶縁材料を含み、キャリアに位置するはんだマスクを構成しうる。コンタクト層は銅などの金属を含みうる。はんだ端子を構成する領域において、コンタクト層はさらに金属めっきを含みうる。
【００２３】
コンタクト層は被覆層で覆われていないさらなる領域を含み、さらなる領域によってコンタクト領域が設けられうる。ボンドワイヤなどの電気接続構造がコンタクト領域および半導体チップに取り付けられうる。このように、半導体チップははんだ端子に電気接続されうる。コンタクト領域を構成する領域において、コンタクト層はさらに金属めっきも含みうる。
【００２４】
エレクトロニクスデバイスの別の実施形態において、キャリアは、第２の誘電体層に配置された電気コンタクトのための追加のはんだ端子を含む。このようにキャリアは、第２の誘電体層に配置され、はんだ付けによってワイヤが接続されるはんだ端子を２つ含みうる。より熱伝導率が低い第２の誘電体層に２つのはんだ端子を配置することによって、はんだ端子の領域において適切なはんだ付け温度の設定および維持が可能となる。
【００２５】
２つのはんだ端子は、エレクトロニクスデバイスの陰極端子および陽極端子を構成し、したがって電気エネルギーをその動作のためにエレクトロニクスデバイスに供給することが可能となる。１つのはんだ端子に関連した上記実施形態は、はんだ端子を２つ備える構成にも対応して適用する。
【００２６】
したがって、２つのはんだ端子はそれぞれはんだパッドの形態で実現されうる。キャリアは第２の誘電体層に配置された２つの別個のコンタクト層を含みうる。キャリアは共通の被覆層、または２つのコンタクト層に割り当てられた２つの別個の被覆層を含み、これら被覆層によって２つのコンタクト層は部分的に覆われうる。２つのはんだ端子は、これら被覆層で覆われていない２つのコンタクト層の領域によって設けられうる。さらに、被覆層で覆われていない２つのコンタクト層のさらなる領域で、コンタクト領域が２つ設けられうる。はんだ端子を構成する領域およびコンタクト領域を構成するさらなる領域において、コンタクト層は金属めっきを含みうる。ボンドワイヤなどの電気接続構造が２つのコンタクト領域および半導体チップに取り付けられうる。このように、半導体チップは２つのコンタクト領域に電気接続されうる。
【００２７】
さらなる一実施形態において、エレクトロニクスデバイスはオプトエレクトロニクスデバイスである。このような実施形態において、半導体チップはオプトエレクトロニクス半導体チップである。
【００２８】
さらにエレクトロニクスデバイスは、光放射を発するオプトエレクトロニクスデバイスでありうる。このために、放射を放出する、つまり発光する半導体チップが適用されうる。ここで半導体チップが配置される上記実装パッドは、効率的な光反射をさらにもたらしうる。放射を放出する半導体チップは、例えばＬＥＤ（発光ダイオード）チップでありうる。このように、エレクトロニクスデバイスはＬＥＤ  ＣＯＢモジュールでありうる。
【００２９】
キャリアに配置される半導体チップは、パッケージ化されていないチップ、つまりベアダイでありうる。半導体チップはさらにボンドワイヤが接続される前面コンタクト部を２つ含みうる。
【００３０】
さらなる一実施形態において、エレクトロニクスデバイスは実装領域においてキャリアに配置された、いくつかの半導体チップを備える。上記実施形態およびその詳細は、このような構成に対応して適用しうる。いくつかの半導体チップは例えば、ＬＥＤチップなどの放射を放出する半導体チップであるオプトエレクトロニクス半導体チップでありうる。キャリアは実装領域において第１の誘電体層に配置された実装パッドを１つ含んでおり、いくつかの半導体チップはその実装パッドに配置されうる。あるいはキャリアは、実装領域において第１の誘電体層に配置された、いくつかの別個の実装パッドを含んでおり、いくつかの実装パッドのそれぞれに半導体チップが１つだけ配置されうる。さらにキャリアは、第２の誘電体層に配置された２つの部分的に被覆されたコンタクト層、したがって２つのはんだ端子と２つのコンタクト領域とを含みうる。半導体チップおよび２つのコンタクト領域に取り付けられたボンドワイヤなどの電気接続構造によって、いくつかの半導体チップは互いに、かつ２つのコンタクト領域と電気接続されうる。
【００３１】
上記構成要素以外に、エレクトロニクスデバイスはさらなる構成要素を含みうる。例えば、キャリアは実装領域を囲むフレーム構造を含み、フレーム構造で囲まれた領域は封入材、つまり埋め込み材料で充填されうる。このように１つまたはいくつかの半導体チップは封入されうる。
【００３２】
埋め込み材料は透明材料でありうる。あるいは埋め込み材料は、透明材料と、半導体チップによって発せられる光放射を少なくとも部分的に変換する、埋め込まれた変換粒子とを含有しうる。半導体チップが、光放射を少なくとも部分的に変換する変換層を含むことも可能である。
【００３３】
本発明のさらなる態様は、エレクトロニクスデバイスを製造する方法に関する。エレクトロニクスデバイスは、それぞれ上記のように、つまり上記実施形態の１つもしくはいくつかにしたがって構成される。製造する方法において、第１の誘電体層および第２の誘電体層が設けられる。第１の誘電体層の熱伝導率は第２の誘電体層の熱伝導率を超えている。キャリアが製造されるように第２の誘電体層は第１の誘電体層に配置され、キャリアは第１の誘電体層が第２の誘電体層で覆われていない実装領域を含む。製造する方法はさらに、第２の誘電体層に配置されるはんだ端子を設ける工程と、実装領域においてキャリアに半導体チップを配置する工程とを含む。
【００３４】
製造する方法において、上記工程は示された順に行われうる。この方法にしたがって製造されるエレクトロニクスデバイスは、動作時に効果的な熱の除去をもたらし、はんだ付けによって確実にコンタクトされうる。ここで半導体チップは、より熱伝導率が高い第１の誘電体層が第２の誘電体層で覆われていない実装領域においてキャリアに配置される。この結果、半導体チップの動作時に生じる熱は第１の誘電体層を介して効率的に半導体チップから奪われうる。はんだ付けによってワイヤが接続されうるはんだ端子は、より熱伝導率が低い第２の誘電体層に配置される。このため、はんだ端子の領域において適切なはんだ付け温度に確実に設定および維持することが可能となる。この結果、はんだ付け工程は高いはんだ付け品質で、したがって自動にかつ高い費用効果で行われうる。
【００３５】
次に、製造する方法のさらなる可能な実施形態を説明する。ここで、エレクトロニクスデバイスとその多様な実施形態に関連する上記特徴および詳細は、製造する方法にも当てはまることを指摘しておく。
【００３６】
一実施形態において、製造する方法は、第２の誘電体層に開口を形成する工程をさらに含み、開口によってキャリアの実装領域が設けられる。このために、穴あけ、つまり打ち抜き工程が行われうる。開口の形成は、第２の誘電体層を第１の誘電体層に配置する前に行われうる。
【００３７】
製造する方法のさらなる一実施形態において、第１の誘電体層には、第１の誘電体層に配置された金属層が設けられる。金属層は、第１の誘電体層に配置される実装パッドが設けられるように構造化される。さらに、半導体チップは実装領域に配置される。実装パッドによって、半導体チップはキャリアに確実に取り付けられ、半導体チップの動作時に生じる熱は半導体チップから第１の誘電体層に効率的に伝導されうる。
【００３８】
実装パッドを設けるための第１の誘電体層に位置する金属層の構造化は、第２の誘電体層を第１の誘電体層に配置する前に行われうる。ここで、第１の誘電体層への第２の誘電体層の配置は、第２の誘電体層によって実装領域が覆われないように行われうる。上記のように第２の誘電体層に開口を形成する場合には、実装パッドが開口内に位置するように第２の誘電体層が第１の誘電体層に配置されうる。第１の誘電体層に配置された金属層は、例えば銅層でありうる。さらに、例えば第２の誘電体層を第１の誘電体層に配置した後にめっき工程を行うことも可能である。このように、実装パッドにはさらに金属めっきが設けられうる。
【００３９】
製造する方法のさらなる一実施形態において、第１の誘電体層には、第１の誘電体層が配置される金属基層が設けられる。金属基層は製造するエレクトロニクスデバイスのヒートシンクとして機能しうる。さらにエレクトロニクスデバイス、つまりエレクトロニクスデバイスの金属基層をさらなるヒートシンクに配置することも可能である。
【００４０】
製造する方法のさらなる一実施形態において、第２の誘電体層には、第２の誘電体層に配置される金属層が設けられる。金属層は、第２の誘電体層にコンタクト層が設けられるように構造化される。さらに、被覆層で覆われていないコンタクト層の領域によってはんだ端子が設けられるように、コンタクト層を部分的に覆う被覆層が形成される。被覆層によって、例えば腐食などのコンタクト層の損傷が抑制されうる。
【００４１】
上記のように第２の誘電体層に開口を形成する場合、開口は第２の誘電体層に配置される金属層にも形成されうる。
【００４２】
半導体チップは、はんだ端子に好適に電気接続されうる。ここで、被覆層によって覆われず、コンタクト領域を提供しうるさらなる領域をコンタクト層が含むように、被覆層が形成されうる。さらに、コンタクト領域と半導体チップとの間の電気接続部を設置する工程が行われうる。この工程は例えば、ボンドワイヤがコンタクト領域と半導体チップとに載置および取り付けられる、ワイヤボンディング工程を行うことで実現されうる。
【００４３】
コンタクト層を設けるための第２の誘電体層に位置する金属層の構造化は、第２の誘電体層を第１の誘電体層に配置する前に行われうる。被覆層の形成は、第２の誘電体層を第１の誘電体層に配置した後に行われうる。金属層、したがってコンタクト層は、例えば銅層でありうる。第２の誘電体層を第１の誘電体層に配置した後、つまり被覆層を形成した後に行われうる上記めっき工程によって、金属めっきを有するはんだ端子およびコンタクト領域をさらに設けることが可能である。
【００４４】
製造する方法の別の実施形態において、第２の誘電体層に配置された追加のはんだ端子が設けられる。この結果、この方法で製造されるエレクトロニクスデバイスのキャリアは、はんだ付けによってワイヤが接続されうる、第２の誘電体層に配置されたはんだ端子を２つ含みうる。２つのはんだ端子は、エレクトロニクスデバイスの陰極端子および陽極端子を構成しうる。
【００４５】
１つのはんだ端子に関連する上記実施形態は、２つのはんだ端子に対応して適用しうる。したがって、第２の誘電体層には、第２の誘電体層に配置される金属層が設けられ、金属層は第２の誘電体層に配置される２つの別個のコンタクト層が設けられるように構造化されうる。２つのコンタクト層を部分的に覆う共通の被覆層または２つの別個の被覆層を形成することによって、コンタクト層の覆われていないそれぞれの領域によってはんだ端子が２つ設けられうる。さらに、２つのコンタクト層のそれぞれ覆われていない他の領域によって、コンタクト領域が２つ設けられうる。被覆層の形成後に行われうる上記めっき工程によって、はんだ端子とコンタクト領域にさらに金属めっきが設けられうる。さらに、ボンドワイヤなどの電気接続構造が２つのコンタクト領域および半導体チップに取り付けられうる。
【００４６】
さらなる一実施形態において、この製造する方法で製造されるエレクトロニクスデバイスは、例えば光放射を発するオプトエレクトロニクスデバイスなどの、オプトエレクトロニクスデバイスである。ここで、半導体チップは対応してオプトエレクトロニクス半導体チップ、つまりＬＥＤチップなどの放射を放出する半導体チップでありうる。
【００４７】
さらに、いくつかの半導体チップ、例えば放射を放出する半導体チップを、実装領域においてキャリアに配置することが可能である。ここで実装パッドが、上記のように第１の誘電体層に配置された金属層を構造化することによって設けられ、いくつかの半導体チップは実装パッドに配置されうる。また、いくつかの別個の実装パッドが設けられるように、第１の誘電体層に配置される金属層を構造化し、いくつかの実装パッドにいくつかの半導体チップを配置することも可能である。めっき工程を行うことで、実装パッドにはさらに金属めっきが設けられうる。さらに、２つの部分的に覆われたコンタクト層、したがって２つのはんだ端子および２つのコンタクト領域が第２の誘電体層に形成され、上記のように金属めっきが設けられ、ボンドワイヤなどの電気接続構造が２つのコンタクト領域および半導体チップに取り付けられうる。
【００４８】
製造する方法は、さらなる工程を含みうる。例えば、キャリアに実装領域を囲むフレーム構造を形成し、フレーム構造で囲まれた領域を封入材、つまり埋め込み材料で充填することが可能である。このように、１つまたはいくつかの半導体チップが封入されうる。
【００４９】
さらに、いくつかの連結されたエレクトロニクスデバイスの集合体が製造されるように製造する方法を行うことが可能である。後に、集合体は個々のエレクトロニクスデバイスに個片化されうる。ここで、第１および第２の誘電体層、はんだ端子などの層および構造は、製造するいくつかのエレクトロニクスデバイスに適合する寸法および／または数量で設けられ形成されうる。
【００５０】
上記および／または従属請求項に開示された構成および特徴は、明らかな従属例または矛盾する変形例を除いて、個別にまたはいかなる組み合わせによっても実現しうる。
【００５１】
添付の概略的な図面は本発明のさらなる理解のためのものであって、本明細書に取り込まれその一部を構成する。図面は本発明の実施形態を示し、その記述と共に本発明の原理の説明に供する。本発明の他の実施形態、および本発明が意図する効果の多くは、以下の詳細な説明を参照することによって理解が深まり、容易に認識されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】熱伝導率が異なる２つの誘電体層と２つのはんだパッドとを有するキャリアの製造を示す図
【図２】熱伝導率が異なる２つの誘電体層と２つのはんだパッドとを有するキャリアの製造を示す図
【図３】熱伝導率が異なる２つの誘電体層と２つのはんだパッドとを有するキャリアの製造を示す図
【図４】熱伝導率が異なる２つの誘電体層と２つのはんだパッドとを有するキャリアの製造を示す図
【図５】熱伝導率が異なる２つの誘電体層と２つのはんだパッドとを有するキャリアの製造を示す図
【図６】熱伝導率が異なる２つの誘電体層と２つのはんだパッドとを有するキャリアの製造を示す図
【図７】熱伝導率が異なる２つの誘電体層と２つのはんだパッドとを有するキャリアの製造を示す図
【図８】半導体チップがキャリアに配置され、電気配線と封入材とが形成されている、エレクトロニクスデバイスの製造を示す図
【図９】半導体チップがキャリアに配置され、電気配線と封入材とが形成されている、エレクトロニクスデバイスの製造を示す図
【図１０】はんだパッドに接続されたワイヤを含むエレクトロニクスデバイスを示す図
【発明を実施するための形態】
【００５３】
以下の概略的な各図は、エレクトロニクスデバイス１００および対応する製造する方法の説明に供する。エレクトロニクスデバイス１００は、キャリア１０５と、キャリア１０５に配置された半導体チップ１４０とを備える、いわゆるチップオンボード（ＣＯＢ）モジュールの形態で実現される。エレクトロニクスデバイス１００は、光放射を発するオプトエレクトロニクスデバイスでありうる。
【００５４】
各図が縮尺通りでないことがありうることを指摘しておく。ここで、各図に示す構成要素および構造は、よりよい理解をもたらすように拡大または縮小されうる。
【００５５】
図１から９はエレクトロニクスデバイス１００を製造する可能な方法における工程を示す。各図において、この方法は断面図で示されている。さらに、図１から７がエレクトロニクスデバイス１００の対応するキャリア１０５の製造を示し、図８および９がエレクトロニクスデバイス１００を製造するために行われる追加の工程示すことを、指摘しておく。
【００５６】
連結された、いくつかのエレクトロニクスデバイス１００の集合体が製造され、後に別個のエレクトロニクスデバイス１００に個片化されるように、製造する方法が行われうる。ここで、各図は製造するエレクトロニクスデバイス１００の１つだけの領域における状態を示していると見なされうること、および各図とそれに対応する記述とは一緒に製造されるエレクトロニクスデバイス１００の全てに適用しうることを、指摘しておく。
【００５７】
製造する方法において、第１の誘電体層１１０、つまり第１の誘電体層を含む積層体が図１に示すように設けられる。第１の誘電体層１１０以外に、積層体は第１の誘電体層に配置された金属層１１４を含む。なお第１の誘電体層１１０は、金属基層１１２に配置されている。製造するエレクトロニクスデバイス１００において、金属基層１１２はヒートシンクとして機能しうる。
【００５８】
第１の誘電体層１１０は、比較的熱伝導率の高い誘電材料を含みうる。第１の誘電体層のための誘電材料の熱伝導率は、以下により詳細に説明するように、製造する方法でやはり設けられる第２の誘電体層のための誘電材料の熱伝導率よりも高い。第１の誘電体層１１０は例えば、樹脂系複合材料を含みうる。
【００５９】
第１の誘電体層に位置する金属層１１４は、例えば銅層でありうる。金属基層１１２は、例えばアルミニウム層でありうる。図１に示す積層体を設ける工程は、層１１０，１１２、および１１４を積層工程で接合する工程を含みうる。ここで、図１に示す積層体は金属裏打ち部を有する銅張り積層板でありうる。
【００６０】
さらに図２に示すように、第１の誘電体層１１０に配置される別個の実装パッド１１６が設けられるように、金属層１１４はその後構造化される。実装パッド１１６を形成するための金属層１１４の構造化は、適切なエッチングマスクが載置されるエッチング工程で行われうる（図示していない）。
【００６１】
各実装パッド１１６には、製造方法における後の工程で半導体チップ１４０がそれぞれ配置される（図８参照）。このため、形成される実装パッド１１６の数がエレクトロニクスデバイス１１０に設けられる半導体チップ１４０の指定された数に対応するように、実装パッド１１６を形成するための金属層１１４の構造化が行われる。図２の断面図に示す２つの実装パッド１１６以外に、これとは異なる、つまりより多くの実装パッド１１６が形成されうる。実装パッド１１６は、ダイ取り付けパッドとも言及されうる。
【００６２】
連結されたエレクトロニクスデバイス１００の集合体の製造に関して、図１に示す積層体は適切な横寸法で設けられうる。さらに、一緒に製造されるエレクトロニクスデバイス１００のそれぞれに、金属層１１４を構造化することで対応する数の実装パッド１１６が形成されうる。
【００６３】
製造する方法はさらに、第２の誘電体層１２０、つまり図３に示すような第２の誘電体層を含む積層体を設ける工程を含む。第２の誘電体層１２０以外に、積層体は誘電体層１２０に配置された金属層１２４を含む。
【００６４】
第２の誘電体層１２０は、比較的熱伝導率の低い誘電材料を含みうる。以下に言及するように、第２の誘電体層１２０のための誘電材料の熱伝導率は、第１の誘電体層１１０のための誘電材料の熱伝導率よりも低い。第１の誘電体層１１０と同様に、第２の誘電体層１２０も例えば樹脂系複合材料を含みうる。
【００６５】
第２の誘電体層１２０に位置する金属層１２４は、例えば銅層でありうる。図３に示す積層体を設ける工程は、層１２０および１２４を積層工程で接合する工程を含みうる。ここで、図３に示す積層体は銅張り積層板でありうる。
【００６６】
さらなる工程において、開口１２１が第２の誘電体層１２０、つまり図４に示すような第２の誘電体層と金属層１２４とを含む積層体に形成される。開口１２１は、例えば上から見たときに円形の外形を有しうる（図示していない）。製造するキャリア１０５では、開口１２１によって半導体チップを受け取り実装する各実装領域１０７が設けられる（図７および８参照）。開口１２１の形成は、例えば穴あけ工程で行われうる。
【００６７】
さらに図５に示すように、第２の誘電体層１２０に配置された２つの別個のコンタクト層１２５が設けられるように、金属層１２４はその後構造化される。製造する方法における後の段階で、コンタクト層１２５によってはんだパッド１２６およびコンタクト領域１２７が設けられる（図７参照）。コンタクト層１２５は、場合によっては上から見たときに部分的に開口１２１を囲みうる（図示していない）。別個のコンタクト層１２５を形成するための金属層１２４の構造化は、適切なエッチングマスクが載置されるエッチング工程で行われうる（図示していない）。
【００６８】
連結されたエレクトロニクスデバイス１００の集合体の製造に関して、図３に示す積層体は適切な横寸法で設けられうる。さらに、開口１２１および２つの別個のコンタクト層１２５が、一緒に製造されるエレクトロニクスデバイス１００のそれぞれに形成されるように、金属層１２４の穴あけおよび構造化が行われうる。
【００６９】
第２の誘電体層１２０に関して行われる上記工程は逆の順でも行われうることを指摘しておく。つまり、金属層１２４を構造化することでまずコンタクト層１２５を形成し、続いて開口１２１を形成することも可能である。
【００７０】
エレクトロニクスデバイス１１０のキャリア１０５の製造工程はさらに、前もって形成した積層体、つまり図２の１１０，１１２，および１１６の積層体、ならびに図５の１２０および１２５の積層体を、図６に示すように接合する工程を含む。この方法では、第２の誘電体層１２０に位置するコンタクト層１２５を含む第２の誘電体層１２０が第１の誘電体層１１０に配置され、２つの誘電体層１１０および１２０が互いに接合される。このように、第１の誘電体層１１０を部分的に覆う第２の誘電体層１２０がキャリア１０５の上側誘電体層を、第１の誘電体層１１０がキャリア１０５の下側誘電体層を構成する。さらに、開口１２１によって上記実装領域１０７が設けられる。実装領域１０７において、第１の誘電体層１１０は第２の誘電体層１２０で覆われていない。
【００７１】
さらに図６に示すように、実装パッド１１６が開口１２１内、したがって開口１２１によって形成される実装領域１０７内に位置するように、第２の誘電体層１２０は第１の誘電体層１１０に配置される。なお第２の誘電体層１２０は、コンタクト層１２５が位置する側とは反対側で第１の誘電体層１１０に配置される。
【００７２】
誘電体層１１０および１２０を接合するために、積層工程が行われうる。積層工程は、圧力および熱を加えることで行われうる。誘電体層１１０および１２０が上記のように樹脂系誘電材料を含む場合、そのような材料は層１１０および１２０の界面で融解しうる。層１１０および１２０の接合は続く硬化時に生じうる。層１１０および１２０の間に追加の接着剤を塗布することも可能である（図示していない）。
【００７３】
連結されたエレクトロニクスデバイス１００の集合体の製造に関して、連結されたキャリア１０５のキャリア集合体のそれぞれは、対応する積層体、つまり１１０，１１２、および１１６の積層体、ならびに１２０および１２５の積層体を積層することで形成されうる。ここで積層体は、一緒に製造されるエレクトロニクスデバイス１００に対して、適切な横寸法、ならびに実装パッド１１６、開口１２１、およびコンタクト層１２５の適切な数量で製造される。積層体の配置および積層は、実装パッド１１６がそれぞれ開口１２１内、したがって開口１２１によって設けられる実装領域１０７内に位置するように行われる。
【００７４】
エレクトロニクスデバイス１００のキャリア１０５を製造する工程は、図７に示すような２つのコンタクト層１２５を部分的に覆う工程をさらに含む。この工程は、共通の被覆層１３０、またはコンタクト層１２５に割り当てられた２つの別個の被覆層１３０を形成することで行われうる。構成によっては、被覆層１３０は、図７の断面図に示すようにコンタクト層１２５のみでなく、誘電体層１２０にも配置されうる（図示していない）。さらに、被覆層１３０は場合によっては、上から見たときに開口１２１、したがって実装領域１０７を囲みうる、または部分的に囲みうる（図示していない）。被覆層１３０は、絶縁材料を含有し、キャリア１０５のはんだマスク構造を構成しうる。被覆層１３０によって、２つのコンタクト層１２５の損傷が抑制されるように、コンタクト層１２５が部分的に保護されうる。
【００７５】
図７に示すように、部分的に覆われたコンタクト層１２５は、被覆層１３０で覆われていない領域１２６および１２７を含む。各コンタクト層１２５は、はんだ端子、つまりはんだパッド１２６として供する、覆われていない領域１２６と、コンタクト領域１２７として供する別の領域１２７とを含む。ワイヤ１６０がはんだ付けによって接続されうるはんだパッド１２６は（図１０参照）、製造するエレクトロニクスデバイス１００の電気コンタクトに用いられる。ボンドワイヤ１４２が接続されうるコンタクト領域１２７は（図８参照）、エレクトロニクスデバイス１００の半導体チップ１４０との電気接続部を設けるために用いられる。このことはさらに先の以下により詳細に記述する。
【００７６】
連結されたエレクトロニクスデバイス１００の集合体の製造に関して、各コンタクト層１２５がはんだパッド１２６およびコンタクト領域１２７を構成する、覆われていない領域１２６および１２７を含むように、それぞれの数の被覆層１３０が、一緒に製造されるエレクトロニクスデバイス１００のためのキャリア集合体に形成されうる。
【００７７】
被覆層１３０を形成した後、したがってはんだパッド１２６およびコンタクト領域１２７を設けた後に例えば、はんだ端子１２６、コンタクト領域１２７、および実装パッド１１６に追加の金属めっきが設けられるように、めっき工程を行うことが可能である（図示していない）。金属めっきは、例えば異なる金属材料、つまりＮｉＰｄＡｕなどの金属積層体を含みうる。金属めっきによって、はんだ付け性の向上、ボンドワイヤ１４２の接合性の向上、および反射率の向上などの効果がもたらされうる。
【００７８】
キャリア１０５、つまり図６および７に示すキャリア集合体の製造に関連して説明した工程は、異なる順でも行われうることを指摘しておく。ここで、まずコンタクト層１２５を被覆層１３０で覆い、続いて第２の誘電体層１２０を第１の誘電体層１１０に配置することが可能である。その後、めっき工程が行われうる。図７に示す金属基層１１２を含むキャリア１０５が、メタルコアプリント基板（ＭＣＰＣＢ）とも言及されうることをさらに指摘しておく。
【００７９】
その後、エレクトロニクスデバイス１００を製造するためにさらなる工程が行われる。これには、ベアダイとも言及される、パッケージ化されていない半導体チップ１４０を、図８に示すように実装領域においてキャリア１０５に配置する工程が含まれる。半導体チップ１４０は実装パッド１１６に配置される。各実装パッド１１６には、半導体チップ１４０がそれぞれ実装される。半導体チップ１４０を実装パッド１１６に固定するために、接着剤などの接合材料が塗布されうる（図示していない）。
【００８０】
前述のように、キャリア１０５は、図８の断面図に示す２つの実装領域１１６とは異なる、つまりこれよりも多い実装パッド１１６を含んで製造されうる。このことは、実装領域１０７においてキャリア１０５に実装される半導体チップ１４０の数にも当てはまり、その数は図示する２つの半導体チップ１４０とは異なる、つまりそれを超えうる。
【００８１】
図８に示す半導体チップ１４０は、ＬＥＤ（発光ダイオード）チップのような放射を放出する半導体チップである、オプトエレクトロニクス半導体チップ１４０でありうる。このような半導体チップ１４０はサファイアチップとして構成されうる。ここで、上記方法で製造されるエレクトロニクスデバイス１００は、光放射を発するオプトエレクトロニクスデバイスでありうる。
【００８２】
各半導体チップ１４０は、図８に示すようにボンドワイヤ１４２が取り付けられうる前面コンタクト部を２つ含む。半導体チップ１４０の動作時に生じる光放射が実質的に放出されるのは前面においてである。半導体チップ１４０は公知の方法で製造され、場合によっては前面コンタクト部に加えて、光放射を生じる活性領域を含む半導体積層体、および生じる光放射を少なくとも部分的に変換する、半導体積層体に続いて形成または実装される変換層等の構成要素を含みうる（図示していない）。
【００８３】
図８に示すボンドワイヤ１４２は、半導体チップ１４０をキャリア１０５に配置した後に行われるワイヤボンディング工程で、半導体チップ１４０の前面コンタクト部およびキャリア１０５のコンタクト領域１２７に載置され、取り付けられる。この工程で、半導体チップ１４０とコンタクト領域１２７との間、および半導体チップ１４０同士の間でボンドワイヤ１４２によって電気接続部が設置される。このように半導体チップ１４０は、はんだパッド１２６とも電気接続される。
【００８４】
図８は、直列接続の形態である半導体チップ１４０の可能な電気配線を示している。上記のように、エレクトロニクスデバイス１００は、より多くの実装パッド１１６、したがってより多くの半導体チップ１４０でも形成されうる。ここで、ボンドワイヤ１４２を設けることで図示しない様々な電気配線が実現されうる。
【００８５】
例えば、複数の（つまり２つより多い）半導体チップ１４０を含む直列接続を１つ設け、直列接続の端に位置する２つの半導体チップ１４０だけがコンタクト領域１２７に接続されることが可能である。他の例には、半導体チップ１４０のいくつかの直列接続が挙げられ、直列接続の端に配置される半導体チップ１４０がそれぞれコンタクト領域１２７に接続される。これ以外にも、実装領域１０７に配置された半導体チップ１４０の並列接続、または並列および直列の混合接続も考えうる。
【００８６】
連結されたエレクトロニクスデバイス１００の集合体の製造に関して、半導体チップ１４０は、全ての実装領域１０７においてキャリア集合体に配置され、それぞれの電気接続部はワイヤボンディング工程を行うことで設置される。
【００８７】
その後、図９に示すように、さらなる構造がキャリア１０５に形成されたエレクトロニクスデバイス１００を製造するために、追加の工程が行われる。この工程には、実装領域１０７、したがってこの領域１０７に配置された半導体チップ１４０を囲むフレーム構造１５０をキャリア１０５に形成する工程が含まれる。フレーム構造１５０は、開口１２１、したがって実装領域１０７と同様に、上から見たときに円形の外形を有しうる（図示していない）。
【００８８】
フレーム構造１５０は、例えばシリコーン材料から形成されうる。図９の断面図に示すように、フレーム構造１５０は被覆層１３０だけでなく、場合によっては誘電体層１２０および／またはコンタクト層１２５にも配置されうる。
【００８９】
さらに図９に示すように、フレーム構造１５０で囲まれる領域は、後に埋め込み材料１５１で充填される。このように、半導体チップ１４０およびボンドワイヤ１４２は、封入され、したがって外部影響から保護されうる。埋め込み材料１５１は、例えばシリコーン材料のような透明材料でありうる。別の構造では、埋め込み材料１５１はシリコーン材料のような透明マトリックス材料と、半導体チップ１４０によって発せられる光放射を少なくとも部分的に変換する、透明マトリックス材料に埋め込まれた蛍光体粒子とを含有しうる（図示していない）。
【００９０】
連結されたエレクトロニクスデバイス１００の集合体の製造に関して、フレーム構造１５０はキャリア集合体に形成され、フレーム構造１５０はそれぞれ実装領域１０７を囲み、フレーム構造１５０で囲まれた領域は埋め込み材料１５１で充填される。
【００９１】
その後、集合体は図９に示す構成を有する個々、別個のエレクトロニクスデバイス１００に個片化されうる。この工程では、集合体は例えばのこ挽きによって分割されうる（図示していない）。
【００９２】
図９に示し上記方法で製造されるエレクトロニクスデバイス１００は、２つの誘電体層１１０および１２０を備え、第２の誘電体層１２０は第１の誘電体層１１０を部分的に覆い、第１の誘電体層１１０の熱伝導率は第２の誘電体層１２０の熱伝導率を超えている。このような構成によって、エレクトロニクスデバイス１００の動作時における熱の効率的な除去をもたらし、エレクトロニクスデバイス１００をコンタクトするために行われるはんだ付け工程を促進することが可能となる。
【００９３】
エレクトロニクスデバイス１００の半導体チップ１４０は、実装領域１０７においてキャリア１０５に配置されている。この領域１０７において、より熱伝導率の高い第１の誘電体層１１０は第２の誘電体層１２０で覆われておらず、半導体チップ１４０は、第１の誘電体層１１０に位置する実装パッド１１６に配置されている。この結果、半導体チップ１４０の動作時に生じる熱は、半導体チップ１４０から効率的に奪われうる。熱は実装パッド１１６を介して第１の誘電体層１１０に、かつ第１の誘電体層１１０を介して金属基層１１２に効率的に伝導されうる。金属基層１１２はヒートシンクとして機能しうる。さらに、エレクトロニクスデバイス１００、つまりキャリア１０５の金属基層１１２をさらなるヒートシンクに配置することも可能である（図示していない）。このように、金属基層１１２から追加のヒートシンクへの熱伝導が生じ、したがってエレクトロニクスデバイス１００の動作時における効率的な熱の除去がさらに促進されうる。
【００９４】
電気エネルギーがその動作のためにエレクトロニクスデバイス１００に供給されうるようエレクトロニクスデバイス１００をコンタクトするために、はんだ付け工程を行うことで、図１０に示すようにそれぞれのワイヤ１６０がはんだパッド１２６に接続されうる。上記のように、はんだパッド１２６は、エレクトロニクスデバイス１００の陰極端子および陽極端子を構成する。はんだ付け工程において、ワイヤ１６０とはんだパッド１２６との間に電気的および機械的な接続部が設置されるようにはんだ１６１が用いられる。このように、ワイヤ１６０はコンタクト層１２５を介してコンタクト領域１２７に、したがってボンドワイヤ１４２を介して半導体チップ１４０にも電気接続される。
【００９５】
はんだ付け工程は、熱を加えることではんだパッド１２６の領域に載置されたはんだ１６１を融解する工程を含む。このために、はんだ付け装置、つまり半田ごてが用いられうる（図示していない）。その後、はんだ接合がそれぞれ形成されるように冷却工程によってはんだ１６１を硬化する。
【００９６】
はんだパッド１２６は、より熱伝導率が低い第２の誘電体層に位置している。このため、熱の除去および金属基層１１２、および場合によっては追加のヒートシンクへの熱の伝導が抑制され、つまりはんだパッド１２６の領域で低減され、はんだパッド１２６において適切なはんだ付け温度を確実に設定および維持することが可能となる。この結果、はんだ付け工程は高い工程品質で行われ、信頼性の高い、安定したはんだ接合が形成されうる。はんだ付け工程はさらに自動にかつ高い費用効果で行われうる。さらに、安定したはんだ接合が存在することで、エレクトロニクスデバイス１００の動作時において高い効率が可能となる。
【００９７】
誘電体層１１０および１２０に関して、エレクトロニクスデバイス１００の動作時における効果的な熱の除去および高品質なはんだ付けが高い信頼性で可能となるように、熱伝導率の以下の数値データが適用されうる。第１の誘電体層１１０の熱伝導率の最小値は、例えば１０Ｗ／ｍＫ、つまり熱伝導率の範囲は例えば１０Ｗ／ｍＫから２０Ｗ／ｍＫでありうる。第２の誘電体層１２０の熱伝導率の最大値は５Ｗ／ｍＫでありうる。第２の誘電体層の熱伝導率は、例えば２Ｗ／ｍＫ未満、または１Ｗ／ｍＫ未満でありうる。
【００９８】
各図を参照しながら説明した上記エレクトロニクスデバイスおよびその製造方法は、可能な実施形態、つまり本発明の例としての実施形態である。上記説明および図示した実施形態に加えて、上記特徴の変形および／または組み合わせを含むさらなる実施形態も考えうる。
【００９９】
ここで、上記材料および数値データは、他の材料および仕様で置き換えうる例であることを指摘しておく。例えば、１．３Ｗ／ｍＫ，２．０Ｗ／ｍＫ，２．２Ｗ／ｍＫ，２．７Ｗ／ｍＫ，および３．０Ｗ／ｍＫからなる群の熱伝導率である、第１および第２の誘電体層１１０および１２０のための誘電材料が適用されうる。ここで、例えば第１の誘電体層１１０の熱伝導率が３．０Ｗ／ｍＫで、第２の誘電体層１２０の熱伝導率が１．３Ｗ／ｍＫであることが考えうる。
【０１００】
各半導体チップ１４０に実装パッド１１６をそれぞれ設ける代わりに、いくつかの半導体チップ１４０が配置されうる実装パッド１１６を１つ（製造するエレクトロニクスデバイス１００毎に）設けることも可能である。
【０１０１】
前面コンタクト部を２つ含む半導体チップ１４０の代わりに、例えば１つの前面コンタクト部と１つの後面コンタクト部とを含む、または後面コンタクト部を２つ含む他の半導体チップも適用されうることをさらに指摘しておく。このような半導体チップは、キャリア１０５の実装領域１０７に位置する実装パッド１１６に配置され、導電接着剤などの導電接合材料で実装パッド１１６に機械的に接合および電気的に接続されうる。このような構成において、実装パッド１１６は半導体チップとコンタクト領域との間、および／または半導体チップ同士の間の電気接続部を設けるためにも用いられうる。ここで、ボンドワイヤ１４２は、例えば実装パッド１１６と半導体チップ、および／または実装パッド１１６とコンタクト領域１２７とが電気接続されうるように、実装パッド１１６に接合されうる。
【０１０２】
さらに、エレクトロニクスデバイスは放射を放出する半導体チップ１４０によってのみ実現されうるわけではない。放射を放出する半導体チップ１４０の代わりに、他の種類の半導体チップも用いられうる。その例として、放射を受け取る半導体チップが挙げられる。さらに、オプトエレクトロニクス半導体チップ以外に、他の種類の半導体チップも考えうる。
【０１０３】
別の可能な構成としては、キャリア、つまりキャリアの実装パッド１１６に配置された半導体チップを１つだけ備えるエレクトロニクスデバイスが挙げられる。
【０１０４】
本発明を具体的な実施形態を参照しながら詳細に説明したが、本発明の要旨および範囲から逸脱することなく様々な変更および変形を行いうることは当業者にとって明らかである。したがって、本発明が、添付の特許請求の範囲およびその等価物の範囲を逸脱しない限り、本発明の変形形態および変更形態を包含することを意図する。
【符号の説明】
【０１０５】
１００  デバイス
１０５  キャリア
１０７  実装領域
１１０  第１の誘電体層
１１２  金属基層
１１４  金属層
１１６  実装パッド
１２０  第２の誘電体層
１２１  開口
１２４  金属層
１２５  コンタクト層
１２６  はんだパッド
１２７  コンタクト領域
１３０  被覆層
１４０  半導体チップ
１４２  ボンドワイヤ
１５０  フレーム構造
１５１  埋め込み材料
１６０  ワイヤ
１６１  はんだ
【図１】
2018523918.tif 000003
【図２】
2018523918.tif 000004
【図３】
2018523918.tif 000005
【図４】
2018523918.tif 000006
【図５】
2018523918.tif 000007
【図６】
2018523918.tif 000008
【図７】
2018523918.tif 000009
【図８】
2018523918.tif 000010
【図９】
2018523918.tif 000011
【図１０】
2018523918.tif 000012
【国際調査報告】
2018523918.tif 000013
2018523918.tif 000014
2018523918.tif 000015