(57)【要約】  電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントであって、前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントはその表面上に保護ポリマーコーティングを備え、前記ポリマーコーティングは、前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントを、その表面上に保護ポリマーコーティングが形成されるのに十分な時間、１又は２種以上の飽和モノマー化合物を含むプラズマに暴露することにより得ることができ、前記１又は２種以上の飽和モノマー化合物はそれぞれ標準圧力で４５℃未満の融点及び標準圧力で５００℃未満の沸点を有する、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントであって、前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントはその表面上に保護ポリマーコーティングを備え、前記ポリマーコーティングは、前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントを、その表面上に保護ポリマーコーティングが形成されるのに十分な時間、１又は２種以上の飽和モノマー化合物を含むプラズマに暴露することにより得ることができ、前記１又は２種以上の飽和モノマー化合物はそれぞれ標準圧力で４５℃未満の融点及び標準圧力で５００℃未満の沸点を有する、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項２】
各飽和モノマー化合物が、式（Ｉ）：
【化１】
2018527160.tif 000008
（式中、Ｒ１〜Ｒ４の各々は、水素、ハロゲン及び必要に応じて置換されていてもよいＣ１−Ｃ６の環状、分岐鎖又は直鎖アルキル基から独立に選択され、ｎは１〜２４である。）
の化合物である、請求項１に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項３】
前記プラズマがたった１種の飽和モノマー化合物を含む、請求項１又は２に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項４】
前記飽和モノマー化合物が、モノマー化合物及びコモノマー化合物を含み、前記モノマー化合物及びコモノマー化合物が式（Ｉ）に従う異なる化学構造を有する、請求項１又は２に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項５】
ｎが１〜１６である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項６】
ｎが８〜１４である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項７】
前記ハロゲンがフッ素である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項８】
Ｒ１〜Ｒ４の各々が、水素及び必要に応じて置換されていてもよいＣ１−Ｃ６の環状、分岐鎖又は直鎖アルキル基から独立に選択される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項９】
各Ｃ１−Ｃ６アルキル基が、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、tert−ブチル、sec−ブチル、ｎ−ペンチル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル、イソヘキシル及び３−メチルペンチルから独立に選択される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項１０】
Ｒ１及びＲ４が両方ともメチルである、請求項８に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項１１】
Ｒ２及びＲ３がそれぞれ水素及びメチルから独立に選択される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項１２】
各Ｒ２及びＲ３が水素である、請求項１１に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項１３】
Ｒ１及びＲ４が両方ともメチルであり、各Ｒ２及びＲ３が水素であり、ｎが１〜１８である、請求項１２に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項１４】
前記モノマーが、メタン、エタン、プロパン、ｎ−ブタン、iso−ブタン、ｎ−ペンタン、イソペンタン、ネオペンタン、ｎ−ヘキサン、２−メチルペンタン、３−メチルペンタン、２，２−ジメチルブタン、２，３−ジメチルブタン、ｎ−ヘプタン、２−メチルヘキサン、３−メチルヘキサン、２，２−ジメチルペンタン、２，３−ジメチルペンタン、２，４−ジメチルペンタン、３，３−ジメチルペンタン、３−エチルペンタン、２，２，３−トリメチルブタン、ｎ−オクタン、２−メチルヘプタン、３−メチルヘプタン、４−メチルヘプタン、２，２−ジメチルヘキサン、２，３−ジメチルヘキサン、２，４−ジメチルヘキサン、２，５−ジメチルヘキサン、３，３−ジメチルヘキサン、３，４−ジメチルヘキサン、３−エチルヘキサン、２，２，３−トリメチルペンタン、２，２，４−トリメチルペンタン、２，３，３−トリメチルペンタン、２，３，４−トリメチルペンタン、３−エチル−２−メチルペンタン、３−エチル−３−メチルペンタン、２，２，３，３−テトラメチルブタン、ｎ−ノナン及びその異性体、ｎ−デカン及びその異性体、ｎ−ウンデカンその異性体、ｎ−ドデカン及びその異性体、ｎ−トリデカン及びその異性体、ｎ−テトラデカン及びその異性体、ｎ−ペンタデカン及びその異性体、並びにｎ−ヘキサデカン及び異性体から選択される、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項１５】
前記保護ポリマーコーティングが撥液層である、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項１６】
前記保護ポリマーコーティングが、少なくとも９０°の静的水接触角（ＷＣＡ）によって規定される、請求項１５に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項１７】
前記保護ポリマーコーティングが、物質及び／又は電子輸送に対する物理的バリアである、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項１８】
前記保護ポリマーコーティングが、前記デバイス又はそのコンポーネントの表面上のコンフォーマルポリマーコーティングである、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項１９】
前記保護ポリマーコーティングが、前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントの実質的に外面全体にわたってコンフォーマルポリマーコーティングを形成している、請求項１８に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項２０】
前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントがハウジングを備え、前記コーティングが、前記ハウジングの実質的に外面及び／又は内面全体にわたってコンフォーマルなポリマーコーティングを形成している、請求項１８又は１９に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項２１】
前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントがハウジングを備え、前記保護ポリマーコーティングが、前記ハウジング内のコンポーネントの実質的に外面全体にわたってコンフォーマルな物理的バリアを形成している、請求項１８〜２０のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項２２】
前記コーティングが２又は３つ以上の保護ポリマーコーティング層を含む、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項２３】
前記保護ポリマーコーティングが、５０ｎｍ〜１０，０００ｎｍの厚さを有する、請求項１〜２２のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項２４】
前記コーティングが１００ｎｍ〜５０００ｎｍの範囲内の厚さを有する、請求項２３に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項２５】
前記コーティングが２５０ｎｍ〜２０００ｎｍの範囲内の厚さを有する、請求項２４に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項２６】
前記コーティングが電気絶縁性である、請求項１〜２５のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項２７】
前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントが、前記電子もしくは電気デバイス又はコンポーネントに電力が供給されている間に、故障又は腐食なしに、最大で１ｍまでの水中への浸漬に３０分間超耐えることができる、請求項１〜２６のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項２８】
前記コーティングが、水中に浸漬され、少なくとも１６Ｖ／ｍｍの電圧が最低１３分間印加された場合に８メガオーム以上の抵抗を有する、請求項１〜２７のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項２９】
前記コーティングは電気絶縁性であり、前記コーティングは十分にコンプライアントであり、前記コーティングを最初に除去する必要なしに電気コネクタを前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントに接合することができ、前記電気コネクタと前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントとの間に電気的接続が作り出されている、請求項１〜２８のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項３０】
前記コーティングが電気絶縁性であり、直径１ｍｍの円形プローブを使用して前記コーティングに１００ｇ未満の力が加えることによって、力が加えられた局所領域において、前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントとの電気的接続を作り出すことが可能である、請求項１〜２９のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項３１】
前記コーティングが電気絶縁性であり、１５０ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さを有し、直径１ｍｍの円形プローブを使用して前記コーティングに６５ｇ未満の力を加えることによって、力が加えられた前記コーティングの局所領域において、前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントとの電気的接続を作り出すことが可能である、請求項１〜３０のいずれか一項に記載の電子デバイスもしくは電気デバイス又はコンポーネント。
【請求項３２】
前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントが少なくとも１つの電気接点を含み、前記少なくとも１つの接点が前記コーティングによって覆われている、請求項１〜３１のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項３３】
前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントが、携帯電話、スマートフォン、ポケットベル、ラジオ、音響及びオーディオシステム、例えばラウドスピーカ、マイクロフォン、リンガー及び／又はブザーなど、補聴器、パーソナルオーディオ機器、例えばパーソナルＣＤ、テープカセット又はＭＰ３プレーヤなど、テレビ、ポータブルＤＶＤプレーヤを含むＤＶＤプレーヤ、ビデオレコーダ、デジタル及び他のセットトップボックス、コンピュータ及び関連コンポーネント、例えばラップトップ、ノートブック、ファブレット、パームトップコンピュータ、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、キーボード、又は器具、ゲームコンソール、データ記憶装置、屋外照明システム、ラジオアンテナ及び他の通信機器並びに印刷回路板から選択される、請求項１〜３２のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント。
【請求項３４】
請求項１〜３３のいずれか一項に記載の電子もしくは電気デバイス又はコンポーネントを処理する方法であって、
前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントを、その表面上に保護ポリマーコーティングが形成されるのに十分な時間、１又は２種以上の飽和モノマー化合物を含むプラズマに暴露することを含み、
前記１又は２種以上の飽和モノマー化合物はそれぞれ標準圧力で４５℃未満の融点及び標準圧力で５００℃未満の沸点を有する、方法。
【請求項３５】
各飽和モノマー化合物が、式（Ｉ）：
【化２】
2018527160.tif 000009
（式中、Ｒ１〜Ｒ４の各々は、水素、ハロゲン及び必要に応じて置換されていてもよいＣ１−Ｃ６の環状、分岐鎖又は直鎖アルキル基から独立に選択され、ｎは１〜２４である。）
の化合物である、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記プラズマがたった１種のモノマー化合物を含む、請求項３４又は３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記プラズマが、モノマー化合物及びコモノマー化合物を含み、前記モノマー化合物及びコモノマー化合物が式（Ｉ）に従う異なる化学構造を有する、請求項３４〜３６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３８】
ｎが１〜１６であり、必要に応じてｎが８〜１４である、請求項３４〜３７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３９】
前記ハロゲンがフッ素である、請求項３４〜３７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４０】
Ｒ１〜Ｒ４の各々が、水素及び必要に応じて置換されていてもよいＣ１−Ｃ６の環状、分岐鎖又は直鎖アルキル基から独立に選択される、請求項３４〜３９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４１】
各Ｃ１−Ｃ６アルキル基が、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、tert−ブチル、sec−ブチル、ｎ−ペンチル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル、イソヘキシル及び３−メチルペンチルから独立に選択される、請求項３４〜４０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４２】
Ｒ１及びＲ４が両方ともメチルである、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
Ｒ２及びＲ３が、それぞれ、水素及びメチルから独立に選択される、請求項３４〜４２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４４】
各Ｒ２及びＲ３が水素である、請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
各モノマーがメタン、エタン、プロパン、ｎ−ブタン、iso−ブタン、ｎ−ペンタン、イソペンタン、ネオペンタン、ｎ−ヘキサン、２−メチルペンタン、３−メチルペンタン、２，２−ジメチルブタン、２，３−ジメチルブタン、ｎ−ヘプタン、２−メチルヘキサン、３−メチルヘキサン、２，２−ジメチルペンタン、２，３−ジメチルペンタン、２，４−ジメチルペンタン、３，３−ジメチルペンタン、３−エチルペンタン、２，２，３−トリメチルブタン、ｎ−オクタン、２−メチルヘプタン、３−メチルヘプタン、４−メチルヘプタン、２，２−ジメチルヘキサン、２，３−ジメチルヘキサン、２，４−ジメチルヘキサン、２，５−ジメチルヘキサン、３，３−ジメチルヘキサン、３，４−ジメチルヘキサン、３−エチルヘキサン、２，２，３−トリメチルペンタン、２，２，４−トリメチルペンタン、２，３，３−トリメチルペンタン、２，３，４−トリメチルペンタン、３−エチル−２−メチルペンタン、３−エチル−３−メチルペンタン、２，２，３，３−テトラメチルブタン、ｎ−ノナン及びその異性体、ｎ−デカン及びその異性体、ｎ−ウンデカンその異性体、ｎ−ドデカン及びその異性体、ｎ−トリデカン及びその異性体、ｎ−テトラデカン及びその異性体、ｎ−ペンタデカン及びその異性体、並びにｎ−ヘキサデカン及び異性体から選択される、請求項３４〜４４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４６】
標準温度及び圧力でのモノマー流量が０．２〜５０sccmである、請求項３４〜４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４７】
電力とモノマー流量の比が５〜７０ワット／sccmである、請求項３４〜４６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４８】
前記コーティングが連続層に構築される、請求項３４〜４７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４９】
前記プラズマが、前記１又は２種以上のモノマー化合物に高周波信号を印加することによって形成され、前記１又は２種以上のモノマー化合物が気体状態にある、請求項３４〜４８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５０】
前記プラズマが、パルス波プラズマ及び／又は連続波プラズマである、請求項３４〜４９のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、保護コーティングに関する。特に、限定するわけではないが、本発明は、その上に保護コーティングが形成された基材、及び基材上に保護コーティングを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子及び電気デバイスは、例えば環境液体（environmental liquids）、特に水などの液体による汚染によって引き起こされる損傷に対して非常に敏感であることはよく知られている。通常の使用中又は偶発的な暴露の結果として液体と接触すると、電子コンポーネント間の短絡や、回路基板、電子チップなどの修復不能な損傷を招きうる。
【０００３】
この問題は、液体のすぐ近くで屋外又は屋内で使用された場合多量の液体にさらされうる、例えば携帯電話、スマートフォン、ポケットベル、ラジオ、補聴器、ラップトップ、ノートブック、タブレットコンピュータ、ファブレット及びパーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）などの小型携帯電子機器に関して特に深刻である。かかる装置は、また、液体に偶然にさらされる傾向があり、例えば、液体中に落とされたり、しぶきで濡れたりする場合がある。
【０００４】
他のタイプの電子又は電気デバイス、例えば屋外照明システム、無線アンテナ及び他の形態の通信機器は、主にそれらの設置位置のために損傷を受けやすいであろう。
【０００５】
当該技術分野では、保護コーティングを電子基板に適用することが特に困難であることが知られている。電子基板は、原則的に、少なくとも１つの露出した電気又は電子接点を含む任意の電子もしくは電気デバイス又はコンポーネントであってもよい。かかる基材は、特に脆弱であり、しばしば複雑な表面、例えば回路基板トポグラフィ上で液体に対する非常に有効なバリア及び忌避性保護を必要とする。
【０００６】
湿式化学技術（例えば、刷毛塗り、噴霧及び浸漬）によって、電子もしくは電気デバイスにコンフォーマルコーティングを適用して水分、塵埃、化学物質及び極端な温度に対して保護することが知られている。コンフォーマルコーティングは、それらが形成される基材の３Ｄ形状をとり、基材の表面全体を覆う。例えば、パリレン（parylene）技術に基づいて電子基板に比較的厚い保護コーティングを適用することが知られている。このように形成されたコンフォーマルコーティングは、典型的には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂又はウレタン樹脂の場合には３０〜１３０μｍの厚さを有し、シリコーン樹脂の場合には５０〜２１０μｍの厚さを有する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
これらのコーティングを形成するための湿式化学技術の使用は、溶媒の必要な使用及びそれに伴う環境への影響という欠点を有する。さらに、湿式化学技術は、デバイス又はコンポーネントの露出した領域のみをコーティングすることができるため、「隠れた」領域、例えばコンポーネントの後ろ側の凹部は保護されないまま残ることがある。かかる携帯電話の隠れた領域の例としては、ＲＦシールドの下の領域、スクリーンＦＯＧ（フレックス・オン・ガラス（flex on glass））コネクタ、ＺＩＦ（ゼロ挿入力）コネクタの内側部分が含まれる。
【０００８】
さらに、かかる基材の電気又は電子接点は、過度に厚い保護層で被覆された場合、電気抵抗の増大のために、それらの機能性を失うことがある。
【０００９】
湿式化学技術によって形成されたコンフォーマルなコーティングは比較的厚いので、接点は、その上にコーティングが堆積するのを防止するために、典型的にはマスクされる。しかし、これは、工業的規模では実際的でない複雑な処理をもたらす。さらに、比較的厚いコーティングは、例えば回転シャフトのような領域で目詰まりを引き起こすおそれがある。電子及び電気デバイスを保護する別の方法は、組み立てられた電子又は電気デバイスの外側と内側の両方に超薄型の忌避性保護コーティングが適用されたＰ２ｉのSplash-proof（登録商標）技術である。これにより、液体の進入を制限するとともに、装置内に浸入した液体が拡がるのを防止する。したがって、接点の機能を妨げないデバイス内のいくつかの追加の保護が存在する一方で、かかった液体の大部分がまず最初にデバイス中に入るのが防止される。しかし、この技術は物理的なバリアというよりもむしろ撥液性のコーティングに向けられているので、一般的に、液体中への装置の浸漬に対してではなく、飛散に対する保護しか提供しない。
【００１０】
国際公開第２００７／０８３１２２号公報は、電気又は電子デバイスの表面上にポリマー層が形成されるのに十分な時間、特定のモノマー化合物を含むパルスプラズマに暴露することによって、その上に形成された撥液性ポリマーコーティングを有する電子及び電気デバイスを開示している。一般的に、処理されるべき物品は、気体状態で堆積される材料とともにプラズマチャンバ内に配置され、グロー放電をチャンバ内に発生させ、パルス状であってもよい適切な電圧が印加される。この特許出願は、物理的なバリアというよりもむしろ忌避コーティングに向けられている。
【００１１】
先行技術の方法によって適用されたコーティングの欠点を伴わずに、非常に有効な保護コーティングが、当該分野において依然として必要とされている。かかるコーティングは、特にエレクトロニクス産業において、基材の液体に対する耐性をさらに高め、及び／又は、保護された基材のより効率的な製造を可能にすることができる。本発明の目的は、この問題及び／又は先行技術に関連する少なくとも１つの他の問題に対する解決策を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様によれば、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントであって、当該電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントはその表面上に保護ポリマーコーティングを備え、当該ポリマーコーティングは、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントを、その表面上に保護ポリマーコーティングが形成されるのに十分な時間、１又は２種以上の飽和モノマー化合物を含むプラズマに暴露することにより得ることができ、前記１又は２種以上の飽和モノマー化合物は各々、標準圧力で４５℃未満の融点及び標準圧力で５００℃未満の沸点を有する、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントが提供される。
【００１３】
好ましくは、各飽和モノマー化合物は、式（Ｉ）：
【化１】
2018527160.tif 000002
【００１４】
（式中、Ｒ１〜Ｒ４の各々は、水素、ハロゲン、及び必要に応じて置換されていてもよいＣ１−Ｃ６の環状、分岐鎖又は直鎖アルキル基から独立に選択され、ｎは１〜２４である。）
の化合物である。
【００１５】
本発明は、飽和モノマー化合物を重合することにより、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントの表面上に保護ポリマーコーティングを提供する。飽和モノマーを保護ポリマーコーティングの出発材料として使用する利点は、飽和モノマーは不飽和モノマーよりも安定である（飽和モノマーは不飽和モノマーのように重合しない）ので、飽和モノマーを容易に貯蔵及び輸送することができるという事実に由来する。同じ理由から、フリーラジカル阻害剤（安定剤）を添加する必要はなく、貯蔵及び重合プロセスに及ぼすそれらの影響を考慮する必要はない。さらに、飽和モノマーは、不飽和モノマーよりも官能化されていないことが多いため、不飽和モノマーよりも安価であり得る。
【００１６】
飽和モノマー、すなわち二重又は三重結合などの重合可能な構造を持たないモノマーを重合するために高エネルギー条件が必要とされる。これは、重合プロセス中に、炭化水素の著しい断片化が起こり、モノマーの架橋をもたらすことを意味する。本明細書に記載の飽和分子を使用したプラズマ重合は、不飽和結合の欠如のために部位特異的ではない。これはより架橋された構造をもたらす。ポリマー中のより高い割合の架橋の存在は、ポリマーコーティングがより高密度であり、物質及び電子輸送に対する物理的バリアを提供する（すなわち、水、酸素及びイオンの拡散を制限する）ことを意味する。
【００１７】
好ましくは、飽和モノマー化合物は、標準圧力で４０℃未満、必要に応じて３５℃未満、最も好ましくは３０℃未満の融点を有する。好ましくは、飽和モノマー化合物は、標準圧力で４５０℃未満、必要に応じて４００℃未満、必要に応じて３５０℃未満、最も好ましくは３００℃未満の沸点を有する。
【００１８】
ｎの値は１〜２２、１〜１８、１〜１６であり、又は、好ましい実施形態において、ｎは８〜１４であり、必要に応じてｎは１２である。
【００１９】
ハロゲンは、塩素又は臭素であることができるが、ＲｏＨＳ規制（有害物質の制限）に適合するには、フッ素が好ましい。モノマーは、ペルフルオロアルカンであることができる。モノマーは１、２、３、４、５又は６個のフルオロ基を含むことができる。
【００２０】
一実施形態において、Ｒ１〜Ｒ４の各々は、水素及び必要に応じて置換されていてもよいＣ１−Ｃ６の分岐鎖又は直鎖アルキル基から独立に選択される。当業者は、Ｃ１−Ｃ６の環状、分岐鎖又は直鎖アルキル基のための可能な置換基を理解するであろう。当業者は、各Ｃ１−Ｃ６の環状、分枝状又は直鎖アルキル基が１又は２つ以上の飽和官能基で置換されていてもよいことを理解するであろう。アルキル基が置換されている場合、好ましい置換基はハロであり、すなわち、Ｒ１〜Ｒ４のいずれかはハロアルキル、好ましくはフルオロアルキルであることができる。アルキル基は、１又は２つ以上のフルオロ基で置換されていてもよい。Ｒ１〜Ｒ４のいずれかが１、２、３、４、５又は６個のフルオロ基で置換されていてもよい。Ｒ１〜Ｒ４のいずれかがペルフルオロアルキル基であってもよい。アルキル基のいずれかが１又は２つ以上のヒドロキシル基で置換されていてもよい。
【００２１】
必要に応じて、各Ｃ１−Ｃ６アルキル基は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、tert−ブチル、sec−ブチル、ｎ−ペンチル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル、イソヘキシル及び３−メチルペンチルから独立に選択することができる。
【００２２】
好ましい一実施形態において、Ｒ１及びＲ４は両方ともメチルである。
好ましい一実施形態において、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ、水素及びメチルから独立に選択される。好ましい一実施形態において、各Ｒ２及びＲ３は水素である。
【００２３】
好ましい一実施形態において、Ｒ１及びＲ４は両方ともメチルであり、各Ｒ２及びＲ３は水素であり、すなわちモノマーは直鎖アルカンである。特に好ましい一実施形態において、Ｒ１及びＲ４は両方ともメチルであり、各Ｒ２及びＲ３は水素であり、ｎは８〜１４であり、最も好ましくは１２である。
【００２４】
モノマーは、Ｃ１−Ｃ２１直鎖アルカン、Ｃ１−Ｃ８直鎖アルカン、Ｃ９−Ｃ１８直鎖アルカン、又はＣ１３−Ｃ１６直鎖アルカンであることができる。モノマーは、Ｃ４−Ｃ２４分岐鎖アルカン、Ｃ４−Ｃ８分岐鎖アルカン、Ｃ９−Ｃ２２分岐鎖アルカン、又はＣ１３−Ｃ１６分岐鎖アルカンであることができる。分岐鎖アルカンモノマーの最大炭素原子数は、直鎖モノマーが標準圧力でのモノマーの融点が４５℃未満であり、標準圧力での沸点が５００℃未満であるという要件を満たすための最大炭素原子数よりも多いことが理解されるであろう。
【００２５】
好ましくは、モノマーは、メタン、エタン、プロパン、ｎ−ブタン、iso−ブタン、ｎ−ペンタン、イソペンタン、ネオペンタン、ｎ−ヘキサン、２−メチルペンタン、３−メチルペンタン、２，２−ジメチルブタン、２，３−ジメチルブタン、ｎ−ヘプタン、２−メチルヘキサン、３−メチルヘキサン、２，２−ジメチルペンタン、２，３−ジメチルペンタン、２，４−ジメチルペンタン、３，３−ジメチルペンタン、３−エチルペンタン、２，２，３−トリメチルブタン、ｎ−オクタン、２−メチルヘプタン、３−メチルヘプタン、４−メチルヘプタン、２，２−ジメチルヘキサン、２，３−ジメチルヘキサン、２，４−ジメチルヘキサン、２，５−ジメチルヘキサン、３，３−ジメチルヘキサン、３，４−ジメチルヘキサン、３−エチルヘキサン、２，２，３−トリメチルペンタン、２，２，４−トリメチルペンタン、２，３，３−トリメチルペンタン、２，３，４−トリメチルペンタン、３−エチル−２−メチルペンタン、３−エチル−３−メチルペンタン、２，２，３，３−テトラメチルブタン、ｎ−ノナン及びその異性体、ｎ−デカン及びその異性体、ｎ−ウンデカンその異性体、ｎ−ドデカン及びその異性体、ｎ−トリデカン及びその異性体、ｎ−テトラデカン及びその異性体、ｎ−ペンタデカン及びその異性体、並びにｎ−ヘキサデカン及び異性体から選択される。特に好ましいモノマー化合物はｎ−テトラデカンである。２，２，４，４，６，８，８−ヘプタメチルノナンも適している。
【表１】
2018527160.tif 000003
【００２６】
いくつかの好ましい分岐鎖アルカンモノマーの化学構造を以下に示す：
【化２】
2018527160.tif 000004
【００２７】
プラズマはたった１種のモノマー化合物を含むことができる。この場合、コーティングはたった１種のモノマー化合物の重合によって形成される。
【００２８】
代わりに、プラズマは、２種の異なるモノマー化合物を含むことができる。この場合、コーティングは、コポリマーを形成する２種の異なるモノマー化合物の重合によって形成される。例えば、プラズマはモノマー化合物及びコモノマー化合物を含むことができ、モノマー及びコモノマー化合物は式（Ｉ）に従う異なる化学構造を有する。２種より多くの異なるモノマー化合物も企図される。
【００２９】
２又は３種以上の異なるモノマー化合物の使用は、コーティング特性（例えば、硬度、表面仕上げ及びエッチング及び基材／コーティング界面でのポリマー成長）を調整することを可能にする。例えば、摩耗しやすい領域のコーティングの場合、コモノマーは、コーティングを保護するために基材表面及び／又は上部キャップ層とのより強い界面を生成するように選択することができる。
【００３０】
好ましい実施形態において、保護ポリマーコーティングは物理的バリアである。物理的バリアという用語は、物質及び電子輸送に対する物理的バリアを提供し、時間／電圧による水、酸素及びイオンの拡散を制限することによって、コーティングが電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントを保護することを意味するために使用される。
【００３１】
コーティングは、少なくとも７０°の静的水接触角（ＷＣＡ）によって規定される表面を形成することができる。少なくとも９０°のＷＣＡを有するコーティングは、撥液性（典型的には撥水性）として記載することができる。この場合、コーティングは物理的バリアを提供することに加えて撥液性を達成する。フッ素化ポリマーの場合、コーティングは少なくとも１００°の静的水接触角を有することができる。固体基材上の液体の接触角は、表面エネルギーの指標を与え、これは、基材の撥液性を示す。接触角は、室温で脱イオン水の３μｌの滴を使用して、VCA Optima接触角分析器で測定することができる。
【００３２】
特に好ましい実施形態において、保護ポリマーコーティングは、デバイス又はそのコンポーネントの表面上のコンフォーマルポリマーコーティングである。
【００３３】
コーティングがコンフォーマルである場合、これは、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントの３Ｄ形状をとり、デバイスの実質的に表面全体を覆うことを意味する。これは、コーティングがデバイス又はコンポーネントの表面全体にわたって最適な機能を与えるのに十分な厚さを有することを確実にするという利点を有する。用語「実質的に表面全体を覆う」の意味は、被覆されるべき表面の種類にある程度依存する。例えば、いくつかのコンポーネントについては、水中に浸漬した後にコンポーネントが機能するためには、表面の完全な被覆が存在することが必要な場合がある。しかし、他のコンポーネント又はハウジングについては、被覆に小さなギャップが許容される場合がある。
出願人は、物理的バリアを形成するコンフォーマルコーティングを、従来技術で達成されたよりもはるかに薄い厚さで形成できることを見出した。この新しいより薄いコーティングは、物理的バリアの保護を提供する上に、より少ないモノマーを使用し、より短い処理時間が短く、従って、環境的及び経済的利点の両方を有する。
【００３４】
本発明のコーティングは、例えば回転シャフトのような重要な領域における目詰まりを回避するのに十分に薄い。
【００３５】
本発明のコーティングは、コーティングを事前に除去することなく電気接点に電気的に接続することができるのに十分な薄さであり、したがって、コーティングプロセス中に電気接点をマスクする必要がない。これは、ＺＩＦ（Zero Insertion Force）コネクタ、ヘッドフォンジャック、ＳＩＭカードスロットなどのコンポーネントに特に有利である。
【００３６】
コネクタが異なると、接点（したがって、コーティング）に加わる力は異なるため、コネクタは、接点（例えば、平坦、丸い又は尖った）と接触する表面プロファイルが異なることがある。適切なコネクタの例としては、ＺＩＦコネクタ、ＲＦコネクタ、ワイピング接点、高い残留接触力（挿入後の平衡力）を有する接点、ばねコネクタ、ヘッドホンコネクタ及びＳＩＭカードスロットが挙げられる。本発明の目的のために、電気的接続がコーティングを介して生じ得るかどうかは、ＺＩＦ又はＲＦコネクタを使用して決定される。
【００３７】
保護ポリマーコーティングは、５０〜１０，０００ｎｍ、必要に応じて５０〜８０００ｎｍ、１００〜５０００ｎｍ、好ましくは２５０ｎｍ〜５０００ｎｍ、最も好ましくは２５０ｎｍ〜２０００ｎｍの厚さを有することができる。２，０００ｎｍ未満のコーティングは、コーティングを通してヘッドフォンに接続すると良好な結果を示す。１，０００ｎｍ未満のコーティングは、当該コーティングを介したバネコネクタ及びＳＩＭカードスロットへの接続に関して特に良好な結果を示す。
【００３８】
保護ポリマーコーティングは、デバイスの実質的に外面及び／又は内面全体にわたってコンフォーマルな物理的バリアを形成することができる。例えば、保護ポリマーコーティングは、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントの実質的に外面全体にわたってコンフォーマルな物理的バリアを形成することができる。
【００３９】
一実施形態において、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントはハウジングを備え、保護ポリマーコーティングは、ハウジングの実質的に内面及び／又は外面全体にわたって、及び／又はハウジング内のコンポーネントの表面上にコンフォーマルな物理的バリアを形成する。
【００４０】
一実施形態において、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントはハウジングを備え、保護ポリマーコーティングは、ハウジングの実質的に内面全体及び／又はハウジング内のコンポーネントの表面にわたってコンフォーマルな物理的バリアを形成する。この実施形態において、内面上のコーティングによって適切な保護が提供され、ハウジングの外面にはコーティングが施されていなくてもよく、これは化粧領域の場合や処理工程を減らす場合い有利であることができる。
【００４１】
プラズマ重合の使用は、良好な厚さ及び品質上の均一性を有するコーティングを提供し、例えば、湿式化学技術を使用した場合にアクセスできないであろうコンポーネントの後ろ側の凹部などの、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントの非露出領域をコーティングすることを可能にする。さらに、プラズマ重合の使用は、溶媒の使用を必要としないクリーンな技術であるという利点がある。
コーティングは、１又は２つ以上の保護ポリマーコーティング層を含むことができる。
好ましくは、保護ポリマーコーティングは電気絶縁性である。
【００４２】
一実施形態において、電子もしくは電気デバイス又はコンポーネントは、電力が電子もしくは電気デバイス又はコンポーネントに加えられている間に、故障又は腐食なしに、最大で１ｍまでの水中への浸漬に３０分間超耐えることができる。
必要に応じて、保護ポリマーコーティングが試験印刷回路板（ＰＣＢ）上に適用された場合、保護ポリマーコーティングは、水中に浸漬され、少なくとも１６Ｖ／ｍｍの電圧（例えば、電極間の０．５ｍｍのギャップ間に８Ｖ）が最低１３分間印加された場合に、８メガオーム（ＭＯｈｍｓ）以上の抵抗を有する。
【００４３】
一実施形態において、コーティングは電気絶縁性であり、コーティングは十分にコンプライアントであり、コーティングを最初に除去する必要なしに電気コネクタを電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントに接合することができ、電気コネクタと前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントとの間に電気的接続が作り出される。
必要に応じて、コーティングは電気絶縁性であり、直径１ｍｍの円形プローブを使用してコーティングに１００ｇ未満の力を加えることによって、力が加えられた局所領域において電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントとの電気的接続を作り出すことが可能である。
【００４４】
必要に応じて、コーティングは電気絶縁性であり、１５０ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さを有し、直径１ｍｍの円形プローブを使用してコーティングに６５ｇ未満の力を加えることによって、力が加えられたコーティングの局所領域において電気的接続を作り出すことが可能である。
必要に応じて、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントは、少なくとも１つの電気接点を含み、当該少なくとも１つの接点は、コーティングによって覆われる。
【００４５】
電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントは、好ましくは、携帯電話、スマートフォン、ポケットベル、ラジオ、音響及びオーディオシステム、例えばラウドスピーカ、マイクロフォン、リンガー及び／又はブザーなど、補聴器、パーソナルオーディオ機器、例えばパーソナルＣＤ、テープカセット又はＭＰ３プレーヤなど、テレビ、ポータブルＤＶＤプレーヤを含むＤＶＤプレーヤ、ビデオレコーダ、デジタル及び他のセットトップボックス、コンピュータ及び関連コンポーネント、例えばラップトップ、ノートブック、ファブレット、パームトップコンピュータ、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、キーボード、又は器具、ゲームコンソール、データ記憶装置、屋外照明システム、ラジオアンテナ及び他の通信機器並びに印刷回路板から選択される。
【００４６】
本発明の好ましい一実施形態において、基材は、電子コンポーネント、例えば印刷回路板（ＰＣＢ）、印刷回路板アレイ（ＰＣＢＡ）、トランジスタ、抵抗器又は半導体チップを含むか又はからなることができる。したがって、電子コンポーネントは、電子装置、例えば携帯電話の内部コンポーネントであってもよい。本発明のコーティングは、かかるコンポーネントにおける電気化学的移行（electrochemical migration）を防止するのに特に有益である。
【００４７】
さらなる態様において、本発明は、電子もしくは電気デバイス又はコンポーネントを処理する方法であって、
前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントを、その表面上に保護ポリマーコーティングが形成されるのに十分な時間、１又は２種以上の飽和モノマー化合物を含むプラズマに暴露することを含み、
１又は２種以上の飽和モノマー化合物はそれぞれ標準圧力で４５℃未満の融点及び標準圧力で５００℃未満の沸点を有する、電子もしくは電気デバイス又はコンポーネントを処理する方法を提供する。
【００４８】
好ましくは、各モノマーは、式（Ｉ）：
【化３】
2018527160.tif 000005
【００４９】
（式中、Ｒ１〜Ｒ４の各々は、水素、ハロゲン、及び必要に応じて置換されていてもよいＣ１−Ｃ６の分岐鎖又は直鎖アルキル基から独立に選択され、ｎは１〜２４である。）
の化合物である。
モノマー化合物は、上で詳細に定義した通りである。
必要に応じて、コーティングは連続した層で構築される。
【００５０】
プラズマは、１種のモノマー化合物を含むことができる。この場合、コーティングはたった１種のモノマー化合物の重合によって形成される。
【００５１】
代わりに、プラズマは、２種の異なるモノマー化合物を含むことができる。この場合、コーティングは、コポリマーを形成する２種の異なるモノマー化合物の重合によって形成される。例えば、プラズマはモノマー化合物及びコモノマー化合物を含むことができ、モノマー及びコモノマー化合物は式（Ｉ）に従う異なる化学構造を有する。２種より多くの異なるモノマー化合物も企図される。
【００５２】
コーティングは、１又は２つ以上のコーティング層を含むことができ、１又は２つ以上のコーティング層の総厚さは、第１の態様に従う範囲内である。代わりに、コーティングは、１又は２つ以上のコーティング層を含むことができ、各コーティング層の厚さは、第１の態様に従う範囲内である。
【００５３】
理想的には、モノマーをプラズマチャンバに供給することができるように、モノマーは室温で気体又は液体である。
【００５４】
プラズマは、典型的には、１又は２種以上のモノマー化合物に高周波信号を印加することによって形成される。本発明の方法における使用に適したプラズマとしては、例えば高周波（Ｒｆ）、マイクロ波又は直流（ＤＣ）によって生成されるプラズマなどの非平衡プラズマが挙げられる。それらは、当該技術分野で知られているように、大気圧又は亜大気圧で運転することができる。しかし、特に、これらは、高周波（Ｒｆ）によって生成させることができる。
プラズマは、パルス波（ＰＷ）プラズマ及び／又は連続波（ＣＷ）プラズマであることができる。
【００５５】
コーティングは、物理的バリアを提供することを可能にするために、好ましくは実質的にピンホールフリーである。好ましくは、ΔＺ／ｄ＜０．１５であり、ここで、ΔＺは平均高さ変動、すなわちＡＦＭライン走査で測定された表面プロファイルであり、ｄはコーティング厚さである。ΔＺ／ｄの値は、コーティングの表面上の欠陥がコーティング内にどの程度まで広がっているか、すなわち、総コーティング厚さに対する欠陥の深さの百分率値を示す。例えば、ΔＺ／ｄ＝０．１５は、表面上のボイドがコーティング厚さの１５％までしか広がっていないことを意味する。ΔＺ／ｄ＜０．１５のコーティングは、実質的にピンホールフリーであるものとして本明細書において定義される。
【００５６】
コーティングは、それが形成される対応するモノマーのものよりも高い密度を有することができる。例えば、密度の増加は、約０．１ｇ／ｃｍ３であることができる。密度の増加は、高度に架橋されたコーティングによって説明される。高密度のコーティングは、コーティングのバリア特性を改善する。
プロセスパラメータは、例えば、電力、モノマーの流量及びモノマー流量／電力比を含むことができる。
好ましくは、標準温度及び圧力でのモノマー流量は、０．２〜５０、好ましくは０．２〜１０sccm、最も好ましくは０．２５〜１．０sccmである。
特に好ましい実施形態において、電力とモノマー流量の比は、５〜７０ワット／sccm、必要に応じて４０〜７０ワット／sccm、必要に応じて３０〜５０ワット／sccmである。
【００５７】
前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントをプラズマに暴露する工程は、反応チャンバ内で行うことができる。
前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントをプラズマに暴露する工程は、第１の工程と第２の工程が異なるプラズマ条件を含む、例えば第１の連続波（ＣＷ）工程及び第２のパルス（ＰＷ）工程を含む、２工程プロセスを含むことができる。
【００５８】
連続波（ＣＷ）堆積工程は、コーティングの性能を最適化する基材プライミング工程としての役割を果たすことが見出された。本出願人は、ＣＷ工程を含めると、基材表面と成長するコーティングとの間の界面が最適化され、両方とも基材表面のある程度のエッチング及びポリマーコーティングの成長をもたらすことを見出した。ＣＷ堆積工程を含めることによって、コーティングの均一な成長がもたらされ、コーティング中の欠陥の形成の可能性が最低限に抑えられる。
【００５９】
パルス（ＰＷ）堆積工程は、アクセスが困難な領域へのコーティングの良好な進入を達成するのに重要であることが見出された。本出願人は、驚くべきことに、流れ及び電力パラメータを調節することによって、内面のコーティングの品質及び厚さを最適化できることを発見した。電力の増加は、内面に所望の機能性を有する良好な品質のコーティングをもたらした。流量の増加は、外面に所望の機能性を有する良好な品質のコーティングをもたらした。
【００６０】
チャンバ中へのモノマー化合物の流量は、不飽和モノマーの場合よりも少なくてもよい（チャンバの容積基準で）。驚くべきことに、高い電力／モノマー流量比は、低い電気抵抗を提供する厚さであっても、所望のバリア特性を有するポリマーコーティングの形成を促進することが見出された。
【００６１】
チャンバ中へのモノマー化合物の正確な流量は、使用される特定のモノマー化合物の性質、基材の性質及び所望の保護コーティング特性にある程度依存し得る。本発明のいくつかの実施形態において、チャンバ容積に依存するが、モノマー化合物は、０．２〜５０sccmの範囲内、好ましくは０．２〜１０sccm、最も好ましくは０．２５〜０．５sccmの範囲内のガス流量でチャンバ中に導入される。２．５リットルのチャンバの場合、ガス流量は０．３〜０．５sccmの範囲内であることができる。モノマーガス流は、チャンバ内のモノマーが理想気体のように作用すると考えて、液体モノマー流から計算される。
【００６２】
パルスプラズマの場合、より高いピーク電力を使用し、パルス生成方式（すなわち、オン／オフ（on/off）時間）を変えることにより、より高い平均電力を達成することができる。
【００６３】
さらなる態様から、本発明は、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント上にコーティングを形成する方法であって、前記基材を、チャンバ内で、保護ポリマーコーティングが基材上に形成されるのに十分な時間、モノマー化合物を含むプラズマ、好ましくはパルスプラズマに暴露することを含み、基材の暴露中にパルスプラズマが少なくとも８Ｗ／リットルのピーク電力（例えばオンフェーズ（on-phase））を有する、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント上にコーティングを形成する方法にある。
【００６４】
かかる方法において、プラズマのピーク電力密度は、国際公開第２００７／０８３１２２号公報に記載されているものを大きく超える。プラズマのこの高電力密度は、驚くべきことに、低い電気抵抗を提供する厚さでさえ、望ましい撥液性及び／又はバリア特性を有するポリマーコーティングの形成を促進することが見出された。これは、高い電力で起こる架橋及び／又は断片化の増加による。
【００６５】
プラズマの正確なピーク電力密度は、使用される特定のモノマー化合物の性質、基材の性質、及び所望の保護コーティング特性にある程度依存する。本発明のいくつかの実施形態において、プラズマは、３〜３０Ｗ／リットルの範囲内、例えば８〜２２Ｗ／リットルの範囲内のピークオンフェーズ電力密度を有することができる。
【００６６】
一実施形態において、プラズマはパルスプラズマであり、このプラズマでは、０．５〜０．００１の範囲内のｏｎ時間：ｏｆｆ時間の比をもたらすシーケンスでパルスが印加される。例えば、ｏｎ時間＝３５〜４５μｓ、ｏｆｆ時間＝０．１ｍｓ〜１０ｍｓ、例えば０．５ｍｓである。このパルス生成方式は、例えば、国際公開第２００７／０８３１２２号公報に開示されている先行技術よりもはるかに高い平均電力を与え、得られるポリマーコーティングの架橋及び／又は断片化の増加に寄与する。
【００６７】
さらなる態様から、本発明は、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント上にコーティングを形成する方法であって、前記基材を、チャンバ内で、保護ポリマーコーティングが基材上に形成されるのに十分な時間、モノマー化合物を含むプラズマ、好ましくは連続プラズマに暴露することを含み、基材の暴露中に連続プラズマが少なくとも８Ｗ／リットルの電力密度を有する、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント上にコーティングを形成する方法にある。
【００６８】
さらなる態様から、本発明は、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント上にコーティングを形成する方法であって、前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントを、チャンバ内で、基材上に保護ポリマーコーティングを形成するのに十分な時間、モノマー化合物を含むプラズマ、好ましくはパルスプラズマに暴露することを含み、基材の暴露中、パルスプラズマは、５〜２００Ｗ／sccm、より好ましくは４０〜７０Ｗ／sccm、最も好ましくは６０Ｗ／sccmのピーク電力と流量の比を有する。
【００６９】
この範囲の電力と流量の比は、驚くべきことに、非常に薄い厚さでも望ましい撥液性及び／又はバリア特性を有するポリマーコーティングの形成を促進することが見出された。
【００７０】
さらなる態様から、本発明は、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント上にコーティングを形成する方法であって、前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントを、チャンバ内で、基材上に保護ポリマーコーティングを形成するのに十分な時間、モノマー化合物を含むプラズマ、好ましくは連続プラズマに暴露することを含み、基材の暴露中に、連続プラズマは５〜２００Ｗ／sccm、より好ましくは４０〜７０Ｗ／sccm、最も好ましくは６０Ｗ／sccmの電力と流量の比を有する。
【００７１】
前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントをプラズマに暴露する工程は、パルス（ＰＷ）堆積工程を含むことができる。代わりに、又はそれに加えて、前記電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントをプラズマに暴露する工程は、連続波（ＣＷ）堆積工程を含むことができる。
【００７２】
本発明の態様は、それぞれ、接点に悪影響を及ぼすことなく電子基板に適用することができる非常に有効な保護コーティングの形成を容易にする方法を提供する。１つの利点は、得られたコーティングが十分にコンプライアントであり、製造及び組み立ての間又は後にデバイスをコーティングした後に電気コネクタを接合できることである。一実施形態において、この方法は、コーティングが適用された後に電気コネクタを電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントに接合する工程を含む。これは、製造又は組み立て中にデバイス又はコンポーネントをコーティングした後に、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントに電気コネクタを容易に接合できるという利点を有する。別の実施形態において、コーティングが適用される前に、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントに電気コネクタを接合することができる。
【００７３】
特に、本発明の態様の特徴は、相乗的に作用し、組み合わされたときに本発明の好ましい実施形態を生じる。本明細書に列挙された好ましい及び任意の特徴のいずれかを有する又は有しないすべてのかかる組合せは、本発明に従って明示的に企図される。
【００７４】
本発明の全ての態様において、保護ポリマーコーティングが有効な様式で形成される正確な条件は、限定するわけではないが、例えば、モノマー化合物の性質、基材、及びコーティングの所望の特性などの因子に依存して変わる。これらの条件は、通常の方法を使用して、又は、好ましくは、本発明と特に相乗作用する、本明細書に記載の本発明の技術及び好ましい特徴を使用して決定することができる。
【００７５】
本発明の方法における使用に適したプラズマとしては、非平衡プラズマ、例えば高周波（Ｒｆ）、マイクロ波又は直流（ＤＣ）により生成されるものなどが挙げられる。それらは、当該技術分野で知られているように、大気圧又は亜大気圧で運転することができる。しかし、特に、これらは高周波（Ｒｆ）により生成することができる。
【００７６】
ガス状プラズマを生成させるために様々な形態の装置を使用することができる。一般的に、これらの装置は、プラズマを生成させることができる容器又はプラズマチャンバを備える。かかる装置の特定の例は、例えば国際公開第２００５／０８９９６１号公報及び国際公開第０２／２８５４８号公報に記載されており、それらの内容は参照により本明細書に援用するが、多くの他の従来のプラズマ発生装置が利用可能である。
【００７７】
一般的に、処理される基材は、モノマー化合物とともにプラズマチャンバ内に入れられ、チャンバ内でグロー放電を発生させ、適切な電圧が印加される。電圧は、連続波であってもよいし、パルス状であってもよい。モノマーは、最初から、又は予備的な連続電力プラズマの期間後に導入することができる。
【００７８】
モノマー化合物は、プラズマ中で気体状態にあることが適切である。プラズマは、モノマー化合物がもし存在するならば、単に、モノマー化合物の蒸気を含んでいてもよい。かかる蒸気は、化合物を液体の形態でチャンバ内に導入してその場で形成することができる。モノマーは、キャリアガス、特に、例えばヘリウム又はアルゴンなどの不活性ガスと組み合わされてもよい。
【００７９】
好ましい実施形態において、モノマーは、例えば国際公開第２００３／０９７２４５号公報及び国際公開第０３／１０１６２１号公報に記載されているように、例えば噴霧器などのエアロゾル装置によってチャンバ内に送達されてもよい。国際公開第２００３／０９７２４５号公報及び国際公開第０３／１０１６２１号公報の内容は、参照により本明細書に援用する。かかる構成では、キャリアガスを必要としないことがあり、これは有利には高い流量を達成するのを助ける。
【００８０】
場合によっては、予備的な連続電力プラズマを、チャンバ内で、例えば１０秒間〜１０分間、例えば約１０〜６０秒間照射することができる。これは表面前処理工程として作用し、モノマー化合物が表面に容易に付着することを確保し、その結果、重合が起こると、コーティングが表面上に「成長」する。前処理工程は、例えば、不活性ガスの存在下で、又は単に残留雰囲気中で、モノマーがチャンバに導入される前に行うことができる。次に、プラズマをパルスプラズマに切り替えて、連続プラズマを続けて、又は連続プラズマとパルスプラズマの両方のシーケンスを使用して、重合を進行させるためにモノマーをチャンバに導入することができる。
【００８１】
全ての場合において、グロー放電は、高周波電圧を、例えば１３．５６ＭＨｚで、印加することによって適切に発生される。これは、チャンバの内部又は外部に存在することができる電極を使用して適切に適用される。
【００８２】
ガス、蒸気又はエアロゾルを、プラズマチャンバ又は領域内に引き込まれるか又はポンプ輸送することができる。特に、プラズマチャンバが使用される場合、排気ポンプの使用によって引き起こされるチャンバ内の圧力の減少の結果として、ガス又は蒸気がチャンバ内に引き込まれてもよく、あるいは、ガス又は蒸気は、液体の取り扱いにおいて一般的であるように、チャンバ内にポンプ輸送又は注入されてもよい。
【００８３】
適切には、ガス、蒸気又はガス混合物は、少なくとも０．０４sccm、好ましくは０．２〜５０sccm、好ましくは０．２〜１０sccm、最も好ましくは０．２５〜０．５sccmの範囲内の速度で供給することができるが、これはチャンバ容積に依存する。これらの量は、本明細書の教示に従ってチャンバ容積基準でより大きなシステムにスケールアップすることができる。
【００８４】
重合は、０．１〜２００mtorr、好適には約１５〜１５０mtorr、好ましくは３０〜６０mtorr、最も好ましくは約４０mtorrの圧力に維持されるモノマー化合物の蒸気を使用して適切に実施される。
【００８５】
印加電界は、好ましくは、本発明の方法について上で定義したとおりの、比較的高いピーク電力密度を提供することができる。パルスは、あるいは、より低い平均電力を生じるシーケンスで、例えばｏｎ時間：ｏｆｆ時間の比が２０：１００〜２０：２００００の範囲内にあるシーケンスで、適用することもできる。より短い電力オフ時間を有するシーケンスは、良好な電力密度を維持するために好ましいことがある。シーケンスの１つの例は、電力が、２０〜５０マイクロ秒間、例えば３０〜４０マイクロ秒間、例えば約３６マイクロ秒間オンであり、５〜３０ミリ秒間、例えば５〜１５ミリ秒間、例えば６ミリ秒間オフであるシーケンスである。これは、モノマーが式（Ｉ）の化合物である場合に特に有益であることが見出された。
【００８６】
３リットルのチャンバにおいてこのようにして得られた好ましい平均電力は、０．０５〜２５Ｗの範囲であった。いくつかの実施形態において、比較的低い平均電力が好ましい。３リットルのチャンバ内で０．１Ｗ〜５Ｗの範囲、例えば０．１５Ｗ〜０．５Ｗである。例えば５Ｗを超えるより高い平均電力は、モノマーの断片化を助けるという利点を有することが見出された。これらの範囲は、より大きい又はより小さいチャンバの場合に容積基準でスケールアップ又はダウンすることができ、選択されたピーク電力及びパルスシーケンスに依存する。
【００８７】
プロセス温度、例えば、チャンバ内で測定される温度は、周囲温度、又は、好ましくは例えば２５〜６０℃の範囲内といった周囲温度よりわずかに高い温度、例えば３５〜５５℃であることができる。いくつかの実施形態において、プロセス温度は４０℃未満に保たれる。コーティング堆積プロセスにおける温度を、電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネントを損傷しない範囲内に保つことが好ましい。たとえば、携帯電話の場合には、温度は５０℃以下に保たれる。
【００８８】
好適には、使用されるプラズマチャンバは、複数の基材を収容するのに十分な容積を有するものであることができ、特に複数の基材のサイズが小さい場合、例えば、最大で２０，０００個までのＰＣＢを正確なサイズの装置により同時に容易に処理することができる。本発明にしたがって被覆された基材を製造するのに特に適した装置及び方法は、国際公開第２００５／０８９９６１号公報に記載されており、その内容は参照により本明細書に援用する。
【００８９】
チャンバの寸法は、処理される特定の基材の全体を収容するように選択される。例えば、ほぼ直方体のチャンバは、広範囲の用途に適しているが、もし必要であれば、細長いチャンバ又は矩形のチャンバを構成してもよいし、実際には円筒状であってもよく、又は他の適切な形状を有するものであってもよい。チャンバの容積は、例えば少なくとも１リットル、好ましくは少なくとも８リットルであることができる。いくつかの用途では、１３リットル以下、又は２５リットル以下の容積を有する比較的小さなチャンバが好ましい。大規模生産の場合、チャンバの容積は、適切には、最大で４００リットル又はそれ以上であることができる。チャンバは、バッチプロセスを可能にするために密閉可能な容器であってもよく、又は連続プロセスでの利用が可能であるように基材用の入口及び出口を備えていてもよい。特に、後者の場合、チャンバ内でプラズマ放電を生成させるために必要な圧力条件は、例えば「ホイッスル漏れ」のある装置では慣用的であるように、高容量ポンプを使用して維持される。しかし、大気圧又はそれに近い圧力で、特定の基材を処理して、「ホイッスル漏れ」の必要をなくすことも可能である。
【００９０】
有利には、基材の電子又は電気接点は、特に５μｍ未満、より好ましくは２μｍ未満の厚さのコーティングの場合には、暴露中に、マスクされる必要はない。実際、本発明の一実施形態において、かかる接点は、本明細書に記載された方法のいずれかによるコーティングの形成中にマスクされず、有利なことに単純化されたプロセスがもたらされる。
【００９１】
より一般的には、さらなる態様から、本発明は、本明細書に記載の方法のいずれかにより形成されたポリマーコーティングを有する基材にある。本発明は、また、本明細書に記載の方法のいずれかにより得ることができる被覆された基材を包含する。
【００９２】
本発明の１つの特定の利点は、完全な浸漬の間でさえも、外部コーティングをもはや必要とせずに、例えばＰＣＢなどの内部コンポーネントのみをコーティングすることにより、電子又は電気デバイスを全体として液体に対して耐性にすることができることである。したがって、さらなる態様から、本発明は、ハウジングと、本明細書に記載の方法のいずれかによってその上に形成されたコーティングを有する１又は２つ以上の内部電子又は電気コンポーネントとを含む電子又は電気デバイス、例えば携帯電話にある。有利なことに、ハウジングはコーティングを備える必要はない。デバイスは、有利には、標準IEC 60529 14.2.7(IPX7)に合格することができる。
【００９３】
より一般的には、本明細書に記載のコーティングされた電子基板のいずれも、好ましくは、少なくとも２分間、好ましくは少なくとも５分間の、水中への完全な浸漬の後であっても、機能し続けることができる。電子基板は、好ましくは少なくとも３０分間、より好ましくは少なくとも２日間機能し続ける。
【００９４】
電子もしくは電気デバイス又はそのコンポーネント上にコーティングを形成する方法に関する本発明の態様は、本発明の第１の態様について列挙したモノマーを使用して行うことができる。
【００９５】
本明細書で使用される場合、「期待状態」という表現は、単独又は混合物のいずれかのガス又は蒸気を指し、場合によってはエアロゾルも指す。
本明細書で使用される表現「保護ポリマーコーティング」は、例えばバリアを形成し、撥液（油及び／又は水）剤であることにより、液体の損傷に対してある程度の保護を提供するポリマー層を指す。基材が保護される液体の供給源としては、環境液体、例えば水など、特に雨、ならびに偶発的にこぼれる可能性のある液体が挙げられる。
【００９６】
本明細書で使用される場合、「基材の暴露中」という表現は、基材がプラズマとともにチャンバ内にある期間を指す。本発明のいくつかの実施形態において、この表現は、基材がプラズマとともにチャンバ内にある全期間を指すことがある。
本明細書の説明及び特許請求の範囲を通して、「含む（comprise）」及び「含む（contain）」という用語及びこれらの単語の変形、例えば「含む（comprising）」及び「含む（comprises）」は、「含むがこれに限定されない（including but not limited）」を意味し、添加物、成分、整数又は工程を含む。さらに、単数形は、特に断らない限り、複数形を包含し、特に不定冠詞が使用される場合、文脈上別段の要求がない限り、明細書は複数形及び特異性を考慮すると理解されるべきである。
【００９７】
本発明の各態様の好ましい特徴は、他の態様のいずれかと関連して記載されたものであり得る。本発明の他の特徴は、以下の実施例から明らかになるであろう。一般的に、本発明は、本明細書（添付の特許請求の範囲及び図面を含む）に開示された特徴の新規なもの、又は任意の新規な組合せに及ぶ。したがって、本発明の特定の態様、実施形態又は例に関連して説明された特徴、整数、特性、化合物、化学的部分又は基は、それと両立できない限り、本明細書に記載の他の態様、実施形態又は実施例に適用できると理解されるべきである。さらに、特に断らない限り、本明細書に開示される任意の特徴は、同じ又は類似の目的を果たす代わりの特徴に置き換えることができる。
【００９８】
特性の上限及び下限が引用されている場合、例えばモノマーの濃度の場合、上限のいずれかと下限のいずれかとの組み合わせにより定義される値の範囲も含意することがある。  本発明を、以下の非限定的な実施例及び添付の図面を参照してさらに説明する。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】図１は、コーティングの抵抗を決定するための電気試験装置を示す。
【図２】図２は、視野１×１μｍ２（左上）、視野５×５μｍ２（右上）での、実施例１に記載したように作製された厚さ１７００ｎｍのコーティングのタッピングモード画像、コーティングの高さ変動（ｚ軸）を示す代表的な等高線（左下）、及びフル基材カバレッジを示している位相画像（右下）を示しており、コーティングのＲＭＳ粗さは０．４ｎｍであり、Δｚ／ｄ＝０．０００６である。
【実施例】
【０１００】
実施例１
プロセスのセットアップとパラメータ
２．５リットルの容積を有する円筒形ガラス製反応容器中でプラズマ重合実験を行った。この容器は２つの部分に分かれており、２つの部分を封止するために真空下でＶｉｔｏｎ  Ｏ−リングによりこれら２つの部分を結合した。反応器の一端を７０℃に加熱された液体流コントローラに接続し、制御された流量でモノマーを供給するためにこれを使用した。
反応器の他端は、圧力計、圧力制御弁、液体窒素トラップ及び真空ポンプを備えた金属ポンプラインに接続した。反応器の外側に銅コイル電極を巻き付け（１１巻きの直径５ｍｍの管）、これをＬ−Ｃマッチングネットワークを介してＲＦ電源装置に接続した。パルスプラズマ堆積の場合、ＲＦ電源装置をパルス発生器によって制御した。
使用したモノマーは、本発明に従う飽和モノマーであるｎ−テトラデカン（ＣＡＳ番号16646-44-9）であった。
反応器をベース圧力（典型的には１０mTorr未満）まで排気した。０．４sccmのモノマーガス流でフローコントローラを使用してチャンバ内にモノマーを供給した。チャンバを４５℃に加熱した。反応器内の圧力を３０mTorrに維持した。１３．５６ＭＨｚのＲＦを使用してプラズマを生成させた。このプロセスは、典型的には、連続波（ＣＷ）プラズマ及びパルス波（ＰＷ）の２つの主な工程から成っていた。ＣＷプラズマは２分間であり、ＰＷプラズマの持続時間は異なる実験で変化させた。ピーク電力設定は３０Ｗであり、パルス条件はオン時間（Ｔｏｎ）＝３７μｓ及びオフ時間（Ｔｏｆｆ）＝０．５ｍｓであった。堆積の終了時に、ＲＦ電力をオフにし、フローコントローラを停止し、チャンバをベース圧までポンプダウンした。次いで、チャンバを大気圧まで排気し、コーティングされたサンプルを取り出した。
各実験では、２つのテストＰＣＢと２つのＳｉウェハを使用した。Ｓｉウェハは、形成されたコーティングの物理的特性を測定すること、例えば表面モルフォロジについてのＡＦＭを可能にする。試験ＰＣＢの金属トラックは金被覆銅であった。Ｓｉウェハは、ＰＣＢのトップフロント側に配置した。
上記実験についてのプロセスパラメータを表２に示す。
【０１０１】
実施例２
一定電圧での経時的な抵抗
この試験方法は、様々なコーティングの印刷回路板上に電気的バリアを提供する能力を評価し、スマートフォンがIEC 60529 14.2.7(IPX7)試験に合格する能力を予測するために考案された。この方法は水道水を使用するように設計されている。この試験は、規格化された印刷回路板（ＰＣＢ）の電流電圧（ＩＶ）特性を水中で測定することを含む。ＰＣＢは、電極間に０．５ｍｍの間隔があるように設計されており、いつ電気化学的移行が水中のトラックを横切って発生するかを評価することができる。電気化学的活性の程度は、電流を測定することによって定量化され、低電流は良好な品質のコーティングであることを示す。この方法は、異なるコーティングを区別することにおいて極めて有効であることが判明した。例えば４Ｖ、８Ｖ及び２１Ｖでの抵抗として、コーティングの性能を定量化することができる。未処理の試験デバイスの測定抵抗は、８Ｖの電圧を印加した場合、約１００オームである。
【０１０２】
図１に示すように、試験されるべきコーティングされたＰＣＢを水のビーカー中に入れ、電気試験装置に接続した。基板１０は、局所イオン濃度の影響を最小限に抑えるために、水１４のビーカー１２内で水平方向及び垂直方向の中心に位置した（基材の垂直位置は非常に重要であり、水のレベルは青色線にあるべきである）。ＰＣＢを接続したら、電源を所望の電圧に設定し、電流を直ちに監視した。印加電圧は８Ｖであり、ＰＣＢを設定電圧で１３分間保持し、この期間中に電流を連続的に監視した。
表２に示すプロセスパラメータによって形成されたコーティングを試験し、その結果を表３に示す。コーティングが８メガオームよりも高い抵抗値を有する場合、コーティングされたデバイスはＩＰＸ７試験に合格することが分かった。コーティングされるデバイスの性質（例えば、スマートフォンのタイプ）は、材料、進入点（ingress points）、電力消費などの変化のために、試験に影響を与える。
【０１０３】
臨界力（Ｆｃ）
コーティングに圧縮応力が加えられた場合、コーティングの導電率が大きく変化することがある。導電率の変化は、コーティングが受ける歪の大きさ、欠陥の量、及びコーティングのポリマーマトリックスのタイプに依存する。この挙動は、導電ネットワークの形成又は破壊に基づいて説明され、導電ネットワークの形成又は破壊はさらにポリマーマトリックスの粘度（剛性）に依存する。比較的小さい力で電気的接触を提供するコーティングの能力を評価するために、接触力試験を行った。
この接触力試験は、コーティングを介して電気的破壊が起こった場合の、フラットプローブを介して絶縁コーティングに加える必要のあった臨界力（Ｆｃ）又は圧力（Ｐｃ）を測定することを含む電気的試験法である。この試験は、スマートフォンのＰＣＢ又はプロセス中に参考サンプルとして配置されたストリップボード（テストＰＣＢ）に対して使用できる。
【０１０４】
この試験は、平らなフィルムの表面に接触する直径１ｍｍの平らなプローブ（又は直径２ｍｍの球形プローブ）を使用する。プローブは支持スタンド上に取り付けられており、その配置は、プローブが試料の表面に印加される力の変動を、試料が載せられた重量秤（又はロードセル）により直ちに記録するようなものである。この配置では、印加圧力の分解能は約１５キロパスカル（５ｇ重）である。
通常の手順は、プローブと導電性基材との間の抵抗を観察しながら、プローブによりサンプルの表面に印加される力を手動で傾斜させることである。この力は、フィルムを介して電流絶縁破壊が発生する点（Ｆｃ）まで、手動又は自動的に増加させる。
この試験により、試料の電気絶縁特性を表面全体にわたる多数の異なる点で分析することができ、表面層の均一性についての知見を提供する。
実施例１で形成された被覆ＰＣＢコーティングのＦｃ値を表３に示す。
【０１０５】
コーティング厚さ
実施例１で形成されたコーティングの厚さを、分光エリプソメトリによって確認された光学定数を使用して、分光反射率測定装置（Filmetrics F20-UV）を使用して測定した。
【０１０６】
分光反射率測定
コーティングの厚さを、Filmetrics F20-UV分光反射率測定装置を使用して測定した。この装置（F20-UV）は、光をコーティングから反射させ、得られた反射スペクトルをある範囲の波長にわたって分析することによって、コーティングの特性を測定する。コーティングの異なる界面から反射された光は、同位相であったり、位相がずれているもこともあるので、入射光の波長とコーティングの厚さ及び屈折率に応じて、これらの反射が加減される。その結果は、コーティングの特徴である反射スペクトルにおける強度振動である。
コーティングの厚さを決定するために、Filmetricsソフトウェアは、測定されたスペクトルに可能な限り近い理論的な反射スペクトルを計算する。この計算は、名目上のコーティングスタック（層状構造）に基づいて反射スペクトルがどのように見えるかについての初期推測から始まる。これは、サンプルを構成する異なる層及び基材の厚さ（精度０．２ｎｍ）及び屈折率（屈折率値は分光エリプソメトリから導き出すことができる）に関する情報を含む。測定されたスペクトルに最良にフィットするまでコーティングの特性を調整することによって、理論反射スペクトルが調整される。測定されたコーティングは、光学的に平滑であり、１ｎｍ〜４０μｍの厚さ範囲内でなければならない。
【０１０７】
表面モルフォロジ
コーティングの表面モルフォロジは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を使用して測定した。分析は、Ultrasharp NSC12、スプリング定数が４〜１４Ｎ／ｍの範囲内であり、共振周波数が１５０〜３１０ｋＨｚの範囲内であるダイビングボードレバーを使用して、タッピングイメージングモードで操作されるVeeco Park Autoprobe AFM装置により行った。先端の頂点における曲率半径が＜１０ｎｍで開き角が＜２０°である高アスペクト比のプローブを使用した。５×５及び１×１μｍ２の視野をイメージ化した。視野がより大きいほど、より情報量が多い。表面粗さＲＭＳ（二乗平均平方根）は、各視野について、標準ソフトウェアにより計算した。得られた画像はすべての場合において２５６×２５６画素であった。
コーティングのＡＦＭモルフォロジ分析から、２つのパラメータ：（ａ）コーティングのＲＭＳ粗さ（ｒ）、及び、ｂ）比ΔＺ／ｄを抽出することができる。ここで、ｄはコーティングの厚さであり、ΔＺは以下で説明する。
【０１０８】
図２は、実施例１に従って調製した試料例（厚さｄ＝１７００ｎｍ）の１×１μｍ２の視野にわたるタッピングモード画像（左側）と、ＲＭＳ粗さの計算に使用したデータを示す等高線プロット（右側）を示す。プロット上に示されたΔＺ値は、コーティングの大部分を表すグラフの領域にわたって取った。ΔＺの範囲を超えるピークは大きな粒子を示し、ΔＺの範囲を下回るトラフはコーティング中のボイド又はピンホールを示す。ピークの幅も粒径の指標を与える。
表３の試料について、ＲＭＳ粗さ（ｒ）は０．４ｎｍであり、ΔＺ＝１±０．２ｎｍであり、ΔＺ／ｄ＝０．０００６であった。
ΔＺ／ｄ＜０．１５は、ピンホールフリーのコーティングを示すことが判った。モルフォロジパラメータは、ピンホールフリーのコーティングについての良好な指標である。しかし、この特性だけでは、コーティングの高い性能を説明できない。
【０１０９】
試験によって、コーティングがコンフォーマルであることが判明し、全てのコーティングがＩＰＸ７試験を合格するか、又はそれに近いという事実は、それらが物理的バリアを形成することを示している。コーティングを堆積させるためのプラズマ重合の使用は、従来技術のコンフォーマルコーティングよりも著しく薄いけれども、物理的バリアを提供するのに十分に厚く作ることができるという利点を有する。この厚さの範囲は、物理的バリアを形成するのに十分な厚さであるが、電気的な接続を最初に除去することなく電気的接続を作り出すことができるほど十分に薄いという利点を有する。
プラズマ重合の使用はまた、プラズマ重合技術中のモノマーの良好な進入が、所望の領域の全て、例えば外面全体を被覆することを確実にするという利点を有する。電子もしくは電気デバイスがハウジングを備える場合、デバイスが組み立てられたときにハウジング内の電子コンポーネントを保護するために、ハウジングの内面全体を（プラズマに開放されたオープンハウジングをプラズマに暴露することによって）被覆することができる。
【表２】
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【表３】
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【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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