(57)【要約】  受動ディスクリートデバイスは、第１の非対称端子および第２の非対称端子を備えることができる。受動ディスクリートデバイスはさらに、第１の非対称端子の第１の側面および第２の側面に電気的に結合するように延長された第１の内部電極を備えることができる。受動ディスクリートデバイスはまた、第２の非対称端子の第１の側面および第２の側面に電気的に結合するように延長された第２の内部電極を備えることができる。
2018523299.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の非対称端子および第２の非対称端子と、
前記第１の非対称端子の第１の側面および第２の側面に電気的に結合するように延長された複数の第１の内部電極と、
前記第２の非対称端子の第１の側面および第２の側面に電気的に結合するように延長された複数の第２の内部電極と
を備える受動ディスクリートデバイス。
【請求項２】
前記複数の第１の内部電極および前記複数の第２の内部電極が、積層セラミックコンデンサのコンデンサ板を含む、請求項１に記載の受動ディスクリートデバイス。
【請求項３】
前記第１の非対称端子および前記第２の非対称端子が、積層セラミックコンデンサの端子を含む、請求項１に記載の受動ディスクリートデバイス。
【請求項４】
前記複数の第１の内部電極が、前記第１の非対称端子の前記第１の側面に一端で結合され、前記第１の非対称端子の前記第１の側面および前記第２の側面に電気的に結合された延長されたエリアを含む、請求項１に記載の受動ディスクリートデバイス。
【請求項５】
前記複数の第２の内部電極が、前記第２の非対称端子の前記第１の側面に一端で結合され、前記第２の非対称端子の前記第１の側面および前記第２の側面に電気的に結合された延長されたエリアを含む、請求項１に記載の受動ディスクリートデバイス。
【請求項６】
前記第１の非対称端子および前記第２の非対称端子が、前記第２の側面から遠位の第３の側面を有し、前記第３の側面が前記第２の側面よりも短い、請求項１に記載の受動ディスクリートデバイス。
【請求項７】
前記第１の非対称端子の前記第１の側面の長さが、前記第２の非対称端子の前記第１の側面の長さと等しく、前記第１の非対称端子の前記第２の側面の長さが、前記第２の非対称端子の前記第２の側面の長さと等しい、請求項１に記載の受動ディスクリートデバイス。
【請求項８】
前記複数の第１の内部電極および前記複数の第２の内部電極を囲む矩形の積層セラミック体をさらに備え、前記第１の非対称端子の前記第１の側面が、前記矩形の積層セラミック体の長手方向の端部に結合され、前記第２の非対称端子の前記第１の側面が、前記矩形の積層セラミック体の対向する長手方向の端部に結合された、請求項１に記載の受動ディスクリートデバイス。
【請求項９】
音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、固定位置データユニット、およびコンピュータ、のうちの少なくとも１つに組み込まれた、請求項１に記載の受動ディスクリートデバイス。
【請求項１０】
受動ディスクリートデバイスを作製する方法であって、
複数の第１の内部電極および複数の第２の内部電極を積層セラミック体内でめっきするステップと、
前記積層セラミック体を非直交角度で浸漬して、第１の非対称端子および第２の非対称端子を画定するステップと、
前記第１の非対称端子をめっきして、前記複数の第１の内部電極を前記第１の非対称端子の第１の側面および第２の側面において電気的に結合するステップと、
前記第２の非対称端子をめっきして、前記複数の第２の内部電極を前記第２の非対称端子の第１の側面および第２の側面において電気的に結合するステップと
を含む方法。
【請求項１１】
前記複数の第１の内部電極および前記複数の第２の内部電極をめっきする前記ステップが、
前記複数の第１の内部電極のうちの１つを、第１のセラミック層上にプリントし、前記第１のセラミック層の第１の縁部および第２の縁部まで延長するステップと、
前記複数の第２の内部電極のうちの１つを、第２のセラミック層上にプリントし、前記第１のセラミック層の前記第１の縁部および前記第２の縁部から遠位の、前記第２のセラミック層の隣接する縁部まで延長するステップと、
前記第１のセラミック層を前記第２のセラミック層上に積み重ねるステップと
を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記受動ディスクリートデバイスを、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、固定位置データユニット、およびコンピュータ、のうちの少なくとも１つに組み込むステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
第１の非対称端子および第２の非対称端子と、
前記第１の非対称端子の第１の側面および第２の側面に電気的に結合するための第１の手段と、
前記第２の非対称端子の第１の側面および第２の側面に電気的に結合するための第２の手段と
を備える受動ディスクリートデバイス。
【請求項１４】
電気的に結合するための前記第１の手段および前記第２の手段が、積層セラミックコンデンサのコンデンサ板を含む、請求項１３に記載の受動ディスクリートデバイス。
【請求項１５】
前記第１の非対称端子および前記第２の非対称端子が、積層セラミックコンデンサの端子を含む、請求項１３に記載の受動ディスクリートデバイス。
【請求項１６】
前記第１の非対称端子の前記第１の側面および前記第２の側面に電気的に結合された延長されたエリアをさらに備える、請求項１３に記載の受動ディスクリートデバイス。
【請求項１７】
前記第２の非対称端子の前記第１の側面および前記第２の側面に電気的に結合された延長されたエリアをさらに備える、請求項１３に記載の受動ディスクリートデバイス。
【請求項１８】
前記第１の非対称端子および前記第２の非対称端子が、前記第２の側面から遠位の第３の側面を有し、前記第３の側面が前記第２の側面よりも短い、請求項１３に記載の受動ディスクリートデバイス。
【請求項１９】
前記第１の非対称端子の前記第１の側面の長さが、前記第２の非対称端子の前記第１の側面の長さと等しく、前記第１の非対称端子の前記第２の側面の長さが、前記第２の非対称端子の前記第２の側面の長さと等しい、請求項１３に記載の受動ディスクリートデバイス。
【請求項２０】
前記第１の手段および前記第２の手段を囲む矩形の積層セラミック体をさらに備え、前記第１の非対称端子の前記第１の側面が、前記矩形の積層セラミック体の長手方向の端部に結合され、前記第２の非対称端子の前記第１の側面が、前記矩形の積層セラミック体の対向する長手方向の端部に結合された、請求項１３に記載の受動ディスクリートデバイス。
【請求項２１】
音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、固定位置データユニット、およびコンピュータ、のうちの少なくとも１つに組み込まれた、請求項１３に記載の受動ディスクリートデバイス。
【請求項２２】
受動ディスクリートデバイスを作製する方法であって、
複数の第１の内部電極および複数の第２の内部電極を積層セラミック体内でめっきするためのステップと、
前記積層セラミック体を非直交角度で浸漬して、第１の非対称端子および第２の非対称端子を画定するためのステップと、
前記第１の非対称端子をめっきして、前記複数の第１の内部電極を前記第１の非対称端子の第１の側面および第２の側面において電気的に結合するためのステップと、
前記第２の非対称端子をめっきして、前記複数の第２の内部電極を前記第２の非対称端子の第１の側面および第２の側面において電気的に結合するためのステップと
を含む方法。
【請求項２３】
前記複数の第１の内部電極および前記複数の第２の内部電極をめっきするための前記ステップが、
前記複数の第１の内部電極のうちの１つを、第１のセラミック層上にプリントし、前記第１のセラミック層の第１の縁部および第２の縁部まで延長するためのステップと、
前記複数の第２の内部電極のうちの１つを、第２のセラミック層上にプリントし、前記第１のセラミック層の前記第１の縁部および前記第２の縁部から遠位の、前記第２のセラミック層の隣接する縁部まで延長するためのステップと、
前記第１のセラミック層を前記第２のセラミック層上に積み重ねるためのステップと
を含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記受動ディスクリートデバイスを、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、固定位置データユニット、およびコンピュータ、のうちの少なくとも１つに組み込むためのステップをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の態様は、半導体デバイスに関し、より詳細には、電力送達用途のためのコンデンサ構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路（ＩＣ）の半導体作製のためのプロセスフローは、フロントエンドオブライン（ＦＥＯＬ）、ミドルオブライン（ＭＯＬ）、およびバックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）プロセスを含む場合がある。フロントエンドオブラインプロセスは、ウエハ準備、絶縁、ウェル形成、ゲートパターニング、スペーサ、エクステンションおよびソース／ドレイン注入、シリサイド形成、ならびにデュアルストレスライナ形成を含むことができる。ミドルオブラインプロセスは、ゲートコンタクト形成を含むことができる。ミドルオブライン層は、次のものに限定されないが、半導体デバイストランジスタまたは他の類似の能動デバイスに近接する、ミドルオブラインコンタクト、ビア、または他の層を含むことができる。バックエンドオブラインプロセスは、フロントエンドオブラインプロセスおよびミドルオブラインプロセスの間に作成された半導体デバイスを相互接続するための、一連のウエハ処理ステップを含むことができる。現代の半導体チップ製品の首尾よい作製は、材料と採用されるプロセスとの間の相互作用を必要とする。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ワイヤレス通信デバイス中または他の高速デジタル電子機器中の集積回路では、電力送達網が、システム全体の様々な構成要素に電力を供給する。電力送達網は、構成要素のための電圧を調整する電圧調整器モジュールを含む場合がある。電力送達網における共振は、望ましくない。コンデンサを使用して、電力送達網における共振の抑制を実施することができる。表面実装技術（ＳＭＴ）コンデンサが、アプリケーションプロセッサやグラフィックスプロセッサなどの高出力システムオンチップデバイスにおける電力送達網共振／雑音を低減することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
受動ディスクリートデバイスは、第１の非対称端子および第２の非対称端子を備えることができる。受動ディスクリートデバイスはさらに、第１の非対称端子の第１の側面および第２の側面に電気的に結合するように延長された第１の内部電極を備えることができる。受動ディスクリートデバイスはまた、第２の非対称端子の第１の側面および第２の側面に電気的に結合するように延長された第２の内部電極を備えることができる。
【０００５】
受動ディスクリートデバイスを作製する方法は、第１の内部電極および第２の内部電極を積層セラミック体内でめっきするステップを含むことができる。方法はまた、積層セラミック体を非直交角度で浸漬して、第１の非対称端子および第２の非対称端子を画定するステップを含むことができる。方法はさらに、第１の非対称端子をめっきして、第１の内部電極を第１の非対称端子の第１の側面および第２の側面において電気的に結合するステップを含むことができる。方法はさらに、第２の非対称端子をめっきして、第２の内部電極を第２の非対称端子の第１の側面および第２の側面において電気的に結合するステップを含むことができる。
【０００６】
受動ディスクリートデバイスは、第１の非対称端子および第２の非対称端子を備えることができる。受動ディスクリートデバイスはさらに、第１の非対称端子の第１の側面および第２の側面に電気的に結合するための第１の手段を備えることができる。受動ディスクリートデバイスはまた、第２の非対称端子の第１の側面および第２の側面に電気的に結合するための第２の手段を備えることができる。
【０００７】
上記では、後続の詳細な説明をより深く理解することができるように、本開示の特徴および技術的利点について、かなり大まかに概説してきた。本開示の追加の特徴および利点について以下において説明する。本開示が、本開示と同じ目的を果たすための他の構造を変更または設計するための基礎として容易に利用できることを、当業者は理解されたい。そのような同等な構成が、添付の特許請求の範囲に記載されるような本開示の教示から逸脱しないことも、当業者には理解されたい。本開示の構成と動作方法の両方に関して本開示の特徴になると考えられる新規の特徴が、さらなる目的および利点とともに、以下の説明を添付の図と併せて検討することからより十分に理解されるであろう。しかしながら、図の各々が、例示および説明のために提供されるにすぎず、本開示の範囲を定めるものではないことは明確に理解されたい。
【０００８】
本開示についてより完全に理解できるように、次に、添付の図面とともに以下の説明を参照する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本開示の一態様における半導体ウエハの斜視図である。
【図２】本開示の一態様によるダイの断面図である。
【図３Ａ】積層セラミック受動ディスクリートデバイスの図である。
【図３Ｂ】積層セラミック受動ディスクリートデバイスの様々な図である。
【図４Ａ】本開示の態様による修正された内部／外部電極構造を有する受動ディスクリートデバイスの図である。
【図４Ｂ】本開示の態様による修正された内部／外部電極構造を有する受動ディスクリートデバイスの図である。
【図４Ｃ】本開示の態様による修正された内部／外部電極構造を有する受動ディスクリートデバイスの図である。
【図４Ｄ】本開示の態様による修正された内部／外部電極構造を有する受動ディスクリートデバイスの図である。
【図４Ｅ】本開示の態様による修正された内部／外部電極構造を有する受動ディスクリートデバイスの図である。
【図５】本開示の態様による、様々な作製段階における図４Ａ〜図４Ｅの受動ディスクリートデバイスをさらに示す図である。
【図６】本開示の一態様による受動ディスクリートデバイスを作製するための方法を示すプロセス流れ図である。
【図７】本開示の構成が有利に使用される場合がある例示的なワイヤレス通信システムを示すブロック図である。
【図８】一構成による半導体構成要素の回路、レイアウト、および論理設計に使用される設計用ワークステーションを示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
添付の図面に関して以下に記載される詳細な説明は、種々の構成について説明することを意図しており、本明細書において説明する概念が実践される場合がある唯一の構成を表すことは意図しない。詳細な説明は、様々な概念を十分に理解できるようにするための具体的な詳細を含む。しかしながら、これらの概念がこれらの具体的な詳細なしに実施できることは当業者には明らかであろう。場合によっては、そのような概念を曖昧にするのを避けるために、よく知られている構造および構成要素がブロック図の形で示される。本明細書において説明されるときに、「および／または」という用語の使用は、「包含的論理和」を表すことが意図されており、「または」という用語の使用は、「排他的論理和」を表すことが意図されている。
【００１１】
ワイヤレス通信デバイス中または他の高速デジタル電子機器中の集積回路では、電力送達網が、システム全体の様々な構成要素に電力を供給する。電力送達網は、構成要素のための電圧を調整する電圧調整器モジュールを含む場合がある。コンデンサを使用して、電力送達網における共振の抑制を実施することができる。たとえば、表面実装技術（ＳＭＴ）コンデンサが、アプリケーションプロセッサやグラフィックスプロセッサなどの高出力システムオンチップデバイスにおける電力送達網共振／雑音を低減することができる。
【００１２】
コンデンサは、間隔の狭いコンデンサ板間の電界にエネルギー（たとえば電荷）を静電容量値に従って蓄積するのに使用される電気デバイスの例である。この静電容量値は、ある電圧でコンデンサによって蓄積される電荷の量の尺度を提供する。また、コンデンサは高周波信号と低周波信号との間の区別を可能にするので、コンデンサは、その電荷蓄積能力に加えて、電子フィルタとしても有用である。
【００１３】
電力送達網における共振を抑制するための例示的なコンデンサは、積層セラミックチップコンデンサ（ＭＬＣＣ）である。このタイプのコンデンサは、積層チップを形成するように積み重ねられた交互のセラミック層と導電材料（たとえば金属）層とを備える。ＭＬＣＣは、自己共振周波数よりも上で動作するとき、増加したインダクタンスを呈することがある。しかし、この増加したインダクタンスは、電力送達網においては望ましくない。特に、電力送達網におけるデカップリング効果を改善するために、より低誘導性（たとえば、より低い等価直列インダクタンス（ＥＳＬ））およびより高容量性（より高い静電容量）の特性を有するＭＬＣＣが、望ましい。
【００１４】
本開示の一態様は、等価直列インダクタンスを減少させ静電容量を増加させる修正された内部／外部電極構造を有する受動ディスクリートデバイスに関する。一構成では、減少した等価直列インダクタンスおよび増加した静電容量は、電極間の電界をよりよく閉じ込めることができる延長された内部電極によって提供される。この構成では、積層セラミックコンデンサデバイスの端子が、延長された内部電極を保持するように修正される。すなわち、デバイスの端子はそれぞれ、全体的な電気的接触を増大させるために１つの側面において延長される。増大した接触は、内部電極の延長されたエリアとの接触である。
【００１５】
本開示の様々な態様は、修正された内部／外部電極構造を有する受動ディスクリートデバイスの作製のための技法を提供する。受動ディスクリートデバイスの半導体作製のためのプロセスフローは、フロントエンドオブライン（ＦＥＯＬ）プロセス、ミドルオブライン（ＭＯＬ）プロセス、およびバックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）プロセスを含む場合がある。「層」という用語は、膜を含み、別段述べられていない限り、垂直厚または水平厚を示すものと解釈されるべきではないことは理解されよう。本明細書において説明されるように、「基板」という用語は、ダイシングされたウエハの基板を指す場合もあり、あるいはダイシングされていないウエハの基板を指す場合もある。同様に、チップおよびダイという用語は、入れ換えることによって信頼性が失われない限り、互換的に使用することができる。
【００１６】
受動ディスクリートデバイスは、本開示の一態様によれば、第１の非対称端子および第２の非対称端子を備える。この構成では、受動ディスクリートデバイスはまた、第１の非対称端子の第１の側面および第２の側面に電気的に結合するように延長された第１の内部電極を備える。受動ディスクリートデバイスはさらに、第２の非対称端子の第１の側面および第２の側面に電気的に結合するように延長された第２の内部電極を備える。従来の端子とは対照的に、第１および第２の端子は、延長された第１および第２の内部電極を保持するように修正されるので、非対称の形状を呈する。その結果、第１の非対称端子および第２の非対称端子は、１つの側面において延長されて、第１および第２の内部電極の延長されたエリアへの電気的結合を可能にすることができる。
【００１７】
図１は、本開示の一態様における半導体ウエハの斜視図である。ウエハ１００は、半導体ウエハであってよく、あるいはウエハ１００の表面上に半導体材料の１つまたは複数の層を有する基板材料であってもよい。ウエハ１００は、半導体材料であるとき、チョクラルスキー法を使用してシード結晶から成長させてもよく、その場合、シード結晶を半導体材料の溶融槽に浸漬させ、低速で回転させ、槽から取り出す。すると、この溶融材料は、シード結晶上に結晶の向きに結晶化する。
【００１８】
ウエハ１００は、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）または窒化ガリウム（ＧａＮ）などの複合材料、インジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓ）などの３元材料、４元材料、あるいは他の半導体材料用の基板材料とすることができる任意の材料であってもよい。多くの材料は本質的に結晶性を有する場合があるが、多結晶材料またはアモルファス材料がウエハ１００に使用されてもよい。
【００１９】
ウエハ１００またはウエハ１００に結合された層は、ウエハ１００の導電性を向上させる材料を備えてもよい。たとえば、限定としてではなく、シリコンウエハは、電荷がウエハ１００内を流れるのを可能にするようにウエハ１００に添加されたリンまたはホウ素を有してもよい。これらの添加剤は、ドーパントと呼ばれ、ウエハ１００またはウエハ１００の一部内に余分な電荷担体（電子またはホールのいずれか）を生成する。余分な電荷担体が生成される領域、どの種類の電荷担体が生成されるか、およびウエハ１００における追加の電荷担体の量（密度）を選択することによって、ウエハ１００内またはウエハ１００上に様々に異なる種類の電子デバイスが形成されてもよい。
【００２０】
ウエハ１００は、ウエハ１００の結晶配向を示す配向１０２を有する。配向１０２は、図１に示すようにウエハ１００の平坦な縁部であっても、あるいはウエハ１００の結晶配向を示すための切欠きまたは他の表示であってもよい。配向１０２は、ウエハ１００内の結晶格子の平面に関するミラー指数を示す場合がある。
【００２１】
ウエハ１００は、必要に応じて加工された後、ダイシングライン１０４に沿って分割される。ダイシングライン１０４は、ウエハ１００をどこで分割または分離すべきであるかを示す。ダイシングライン１０４は、ウエハ１００上に作製された様々な集積回路の輪郭を画定してもよい。
【００２２】
ダイシングライン１０４が画定された後、ウエハ１００は、いくつかの部片として切断されるかまたはその他の方法によって分離されダイ１０６が形成される。各ダイ１０６は、多数のデバイスを有する集積回路であってもよく、あるいは単一の電子デバイスであってもよい。ダイ１０６の物理的サイズは、チップまたは半導体チップと呼ばれる場合もあり、ウエハ１００を特定のサイズに分離する能力ならびにダイ１０６が含むように設計される個々のデバイスの数に少なくとも部分的に依存する。
【００２３】
ウエハ１００が１つまたは複数のダイ１０６に分離された後、ダイ１０６はパッケージ内に実装され、ダイ１０６上に作製されたデバイスおよび／または集積回路の取り扱いを可能にしてもよい。パッケージには、シングルインラインパッケージ、デュアルインラインパッケージ、マザーボードパッケージ、フリップチップパッケージ、インジウムドット／バンプパッケージ、またはダイ１０６の取り扱いを可能にする他の種類のデバイスを含めてもよい。ダイ１０６は、ダイ１０６を別個のパッケージに実装されることなくワイヤボンディング、プローブ、または他の接続部を通して直接取り扱われてもよい。
【００２４】
図２は、本開示の一態様によるダイ１０６の断面図を示す。ダイ１０６には、基板２００が存在してもよく、基板２００は、半導体材料であり、ならびに／あるいは電子デバイス用の機械的支持体として働いてもよい。基板２００は、基板２００全体にわたって存在する（Ｎ−チャネルと呼ばれる）電子電荷担体または（Ｐ−チャネルと呼ばれる）ホール電荷担体のいずれかを有するドープされた半導体基板であってもよい。その後基板２００に電荷担体イオン／原子をドープして基板２００の電荷担持機能を変更してもよい。
【００２５】
基板２００（たとえば、半導体基板）内に、ウェル２０２および２０４が存在してもよく、ウェル２０２および２０４は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のソースおよび／またはドレインであってもよく、あるいはフィン構造ＦＥＴ（ＦｉｎＦＥＴ）のフィン構造であってもよい。ウェル２０２および／または２０４は、ウェル２０２および／または２０４の構造およびその他の特性ならびに基板２００の周囲構造に応じて他のデバイス（たとえば、レジスタ、キャパシタ、ダイオード、または他の電子デバイス）であってもよい。
【００２６】
半導体基板は、ウェル２０６とウェル２０８とを有してもよい。ウェル２０８は、完全にウェル２０６内に位置してもよく、場合によっては、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を形成してもよい。ウェル２０６は、ダイ１０６内の電界および／または磁界からウェル２０８を分離するための分離ウェルとして使用されてもよい。
【００２７】
ダイ１０６に各層（たとえば、２１０〜２１４）が追加されてもよい。層２１０はたとえば、ウェル（たとえば、２０２〜２０８）を互いに分離するかまたはダイ１０６上の他のデバイスから分離する場合がある酸化物層または絶縁層であってもよい。そのような場合、層２１０は、二酸化ケイ素、ポリマー、誘電体、または別の絶縁層であってもよい。層２１０は、配線層であってもよく、その場合、層２１０は、銅、タングステン、アルミニウム、合金、またはその他の導電材料もしくは金属材料などの導電材料を含んでもよい。
【００２８】
層２１２は、層（たとえば、２１０および２１４）の所望のデバイス特性および／または材料に応じて誘電体層であってもあるいは導電層であってもよい。層２１４はカプセル化層であってもよく、カプセル化層は、外部の力から各層（たとえば、２１０および２１２）ならびにウェル２０２〜２０８および基板２００を保護する場合がある。たとえば、限定としてではなく、層２１４はダイ１０６を機械的損傷から保護する層であってもよく、あるいは層２１４は、電磁損傷または放射損傷からダイ１０６を保護する材料の層であってもよい。
【００２９】
ダイ１０６上に構成された電子デバイスは、多数のフィーチャまたは構造構成要素を備えてもよい。たとえば、ダイ１０６には、基板２００、ウェル２０２〜２０８、および必要に応じて各層（たとえば、２１０〜２１４）にドーパントを加えるために任意の数の方法が実施されてもよい。たとえば、限定としてではなく、ダイ１０６には、イオン注入、拡散プロセスを通じて結晶格子に打ち込まれるドーパント原子の堆積、化学気相堆積、エピタキシャル成長、またはその他の方法が実施されてもよい。各層（たとえば、２１０〜２１４）の選択的成長、材料選択、および一部の除去、ならびに基板２００およびウェル２０２〜２０８の選択的な除去、材料選択、およびドーパント濃度によって、本開示の範囲内において多数の異なる構造および電子デバイスが形成されてもよい。
【００３０】
さらに、基板２００、ウェル２０２〜２０８、および各層（たとえば、２１０〜２１４）は、様々なプロセスによって選択的に除去または追加されてもよい。化学ウェットエッチング、化学機械平坦化（ＣＭＰ）、プラズマエッチング、フォトレジストマスキング、ダマシンプロセス、およびその他の方法によって本開示の構造およびデバイスを作製してもよい。
【００３１】
図３Ａおよび図３Ｂは、受動ディスクリートデバイス３００の様々な図を示す。図３Ａは、外部端子（たとえば３１０）に交互に結合されたコンデンサ板（たとえば３２０）の層を備える受動ディスクリートデバイス３００の斜視図を示す。コンデンサ板（たとえば３２０）は、誘電体材料（たとえば積層セラミック体３０２）によって囲まれているものとすることができる。受動ディスクリートデバイス３００は、静電容量値に従ってエネルギー（たとえば電荷）をコンデンサ板（たとえば３２０）間の電界に蓄積することができる。電荷蓄積能力に加えて、受動ディスクリートデバイス３００はまた、高周波信号と低周波信号との間の区別を可能にすることによって、電子フィルタとしても有用である。
【００３２】
図３Ｂは、受動ディスクリートデバイス３００の様々な図を示す。受動ディスクリートデバイス３００は、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）デバイスとして配置構成されたとき、電力送達網における共振を抑制するのに使用することができる。斜視図では、受動ディスクリートデバイス３００は、第１の対称端子３１０Ａ、第２の対称端子３１０Ｂ、および積層セラミック体３０２を備える。破断図に示されるように、受動ディスクリートデバイス３００は、積層チップを形成するように積み重ねられた、交互のセラミック層と導電材料（たとえば金属）層とを備える。代表的に、第１の内部電極３２０Ａは、一端で第１の対称端子３１０Ａに電気的に結合される（たとえば短絡される）。同様に、第２の内部電極３２０Ｂは、一端で第２の対称端子３１０Ｂに電気的に結合される（たとえば短絡される）。
【００３３】
上面図に示されるように、第１の内部電極３２０Ａは、第１の対称端子３１０Ａの第１の側面３１２Ａのみに電気的に結合される。同様に、第２の内部電極３２０Ｂは、第２の対称端子３１０Ｂの第１の側面３１２Ｂのみに電気的に結合される。側面図に示されるように、第１の対称端子３１０Ａと第２の対称端子３１０Ｂとは、長さが等しい。受動ディスクリートデバイス３００のこの配置構成は、自己共振周波数よりも上で動作するとき、増加したインダクタンスを呈することがある。しかし、この増加したインダクタンスは、電力送達網においては望ましくない。特に、電力送達網におけるデカップリング効果を改善するために、より低誘導性（たとえば、より低い等価直列インダクタンス（ＥＳＬ））およびより高容量性（より高い静電容量）の特性を有する受動ディスクリートデバイスが、望ましい。
【００３４】
図４Ａ〜図４Ｅは、本開示の態様による修正された内部／外部電極構造を有する受動ディスクリートデバイスの様々な図を示す。図４Ａに示されるように、受動ディスクリートデバイス４００は、図４Ｂ〜図４Ｅにたとえば示される修正された内部／外部電極構造と合致するように、第１の非対称端子４１０Ａ、第２の非対称端子４１０Ｂ、および積層セラミック体４０２を備える。本開示の態様では、修正された内部／外部電極構造は、減少した等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）および増加した静電容量を提供することができる。一構成では、減少した等価直列インダクタンスおよび増加した静電容量は、内部電極間の電界の閉じ込めを改善する延長されたエリアを提供するように内部電極を延長することによって、提供される。
【００３５】
図４Ｂの破断図に示される構成では、第１の非対称端子４１０Ａは、第２の非対称端子４１０Ｂの対応する側面４１６Ｂよりも長い第２の側面４１４Ａを備える。第１の非対称端子４１０Ａの第２の側面４１４Ａは、第１の内部電極４２０Ａの延長されたエリアを保持するように、長くされる。すなわち、たとえば図４Ｄの側面図に示されるように、受動ディスクリートデバイス４００の第１の非対称端子４１０Ａは、第１の内部電極４２０Ａの延長されたエリアへの電気的結合を可能にするように、１つの側面において延長される。
【００３６】
図４Ｃは、本開示の態様による修正された内部／外部電極構造を有する受動ディスクリートデバイス４００をさらに示す上面図である。図４Ｃに示されるように、受動ディスクリートデバイス４００は、第１の非対称端子４１０Ａの第１の側面４１２Ａの一部４１８Ａと第２の側面４１４Ａとに電気的に結合するように延長された、第１の内部電極４２０Ａを備える。受動ディスクリートデバイス４００はまた、第２の非対称端子４１０Ｂの第１の側面４１２Ｂの一部４１８Ｂと第２の側面４１４Ｂとに電気的に結合するようにやはり延長された、第２の内部電極４２０Ｂを備える。
【００３７】
図４Ｃにさらに示されるように、第１の内部電極４２０Ａおよび第２の内部電極４２０Ｂの延長は、第１の延長されたエリア４３０Ａおよび第２の延長されたエリア４３０Ｂを提供する。この構成では、第１の非対称端子４１０Ａの第２の側面４１４Ａは、第１の内部電極４２０Ａの第１の延長されたエリア４３０Ａに電気的に結合するように延長される。同様に、第２の非対称端子４１０Ｂの第２の側面４１４Ｂは、第２の内部電極４２０Ｂの第２の延長されたエリア４３０Ｂに電気的に結合するように延長される。
【００３８】
図４Ｅは、本開示の態様による修正された内部／外部電極構造の延長されたエリアを備える受動ディスクリートデバイス４００の斜視図を示す。この構成では、第１の延長されたエリア４３０Ａおよび第２の延長されたエリア４３０Ｂは、第１の内部電極４２０Ａと第２の内部電極４２０Ｂとの間に形成される電界を向上させることができる。対照的に、図３Ｂに示されるように、第１の内部電極３２０Ａは、第１の対称端子３１０Ａの第１の側面３１２Ａのみに接触し、第２の内部電極３２０Ｂは、第２の対称端子３１０Ｂの第１の側面３１２Ｂのみに接触する。したがって、図３Ｂの受動ディスクリートデバイス３００は、自己共振周波数よりも上で動作するとき、増加したインダクタンス（たとえば、増加した等価直列インダクタンス（ＥＳＬ））を呈することがあり、これは電力送達網においては望ましくない。しかし、このＥＳＬは、図４Ｅに示される受動ディスクリートデバイス４００の第１の延長されたエリア４３０Ａおよび第２の延長されたエリア４３０Ｂによって、かなり減少させることができる（たとえば３０％）。
【００３９】
図５は、本開示の態様による、受動ディスクリートデバイスを作製するためのプロセス５００を示す図である。ステップ５１０で、第１の内部電極４２０Ａおよび第２の内部電極４２０Ｂが、セラミック層４０４内でめっきされる。たとえば、第１の内部電極４２０Ａおよび第２の内部電極４２０Ｂは、導電材料（たとえばニッケル（Ｎｉ）合金）を使用してセラミック層４０４のうちの１つ（たとえば、第１のセラミック層または第２のセラミック層）の上にプリントされる。この配置構成では、修正されたステンシルが、内部電極の第１の延長されたエリア４３０Ａおよび第２の延長されたエリア４３０Ｂのプリンティングを可能にするように拡張される。ステップ５２０で、セラミック層は、セラミック層４０４のうちの他の層と積み重ねられ、次いで積層され切断されて、複数の積層セラミック体を形成することができる。
【００４０】
ステップ５３０で、焼結プロセスが、積層セラミック体４０２を形成する。本開示の一態様では、端子形成プロセスは、端子に関する非対称構造を使用して、延長されたエリア（たとえば、第１の延長されたエリア４３０Ａおよび第２の延長されたエリア４３０Ｂ）への電気的結合を提供するように、修正される。ステップ５４０で、終端浸漬プロセスが非直交角度（たとえば４５°）で実施されて、第１の非対称端子４１０Ａおよび第２の非対称端子４１０Ｂが画定される。積層セラミック体４０２は、延長された内部電極の延長されたエリアと合致するように、非直交角度で導電性溶液（たとえば、Ｎｉ、スズ）に浸漬される。ステップ５５０で、終端めっきプロセスが実施されて第１の非対称端子４１０Ａが完成され、第１の非対称端子４１０Ａは、第１の非対称端子４１０Ａの第１の側面および第２の側面において第１の内部電極４２０Ａに電気的に結合するようにめっきされる。加えて、第２の非対称端子４１０Ｂは、第２の非対称端子４１０Ｂの第１の側面および第２の側面において第２の内部電極４２０Ｂに電気的に結合するようにめっきされる。第１の非対称端子４１０Ａおよび第２の非対称端子４１０Ｂは、銅（Ｃｕ）合金でめっきされてよい。ステップ５６０で、受動ディスクリートデバイスのテストが実施される。
【００４１】
本開示のこの態様では、受動ディスクリートデバイス４００には、等価直列インダクタンスを減少させ静電容量を増加させる修正された内部／外部電極構造が提供される。一構成では、減少した等価直列インダクタンスおよび増加した静電容量は、内部電極（たとえば、４２０Ａと４２０Ｂ）間の電界の閉じ込めを改善する延長された内部電極（たとえば、第１の延長されたエリア４３０Ａおよび第２の延長されたエリア４３０Ｂ）によって、提供される。この構成では、受動ディスクリートデバイス４００の端子（たとえば、４１０Ａおよび４１０Ｂ）は、延長された内部電極（たとえば、４２０Ａおよび４２０Ｂ）を保持するように修正される。すなわち、端子（たとえば、４１０Ａおよび４１０Ｂ）は、内部電極（たとえば、４２０Ａおよび４２０Ｂ）の延長されたエリア（たとえば、４３０Ａおよび４３０Ｂ）への電気的結合を可能にするように、１つの側面において延長される。
【００４２】
図６は、本開示の態様による、受動ディスクリートデバイスを作製する方法６００を示す流れ図である。ブロック６０２で、第１の内部電極および第２の内部電極が、積層セラミック体内でめっきされる。たとえば、図５に示されるように、第１の内部電極４２０Ａおよび第２の内部電極４２０Ｂが、セラミック層４０４のうちの１つの上でめっきされる。この配置構成では、プリンティングステンシルが、内部電極の延長されたエリア（たとえば、４３０Ａおよび４３０Ｂ）のプリンティングを可能にするように修正される。このセラミック層は、セラミック層４０４のうちの他の層と積み重ねられ、次いで積層され切断されて、複数の積層セラミック体を形成することができる。
【００４３】
再び図６を参照すると、ブロック６０４で、積層セラミック体は、非直交角度で浸漬されて、第１の非対称端子および第２の非対称端子が画定される。図５に示されるように、積層セラミック体４０２が、非直交角度（たとえば４５°）で溶液に浸漬されて、第１の非対称端子４１０Ａおよび第２の非対称端子４１０Ｂが画定される。ブロック６０６で、第１の非対称端子は、第１の内部電極を第１の非対称端子の第１の側面および第２の側面において電気的に結合するようにめっきされる。ブロック６０８で、第２の非対称端子は、第２の内部電極を第２の非対称端子の第１の側面および第２の側面において電気的に結合するようにめっきされる。
【００４４】
たとえば、図４Ｃに示されるように、第１の内部電極４２０Ａは、第１の非対称端子４１０Ａの第１の側面４１２Ａおよび第２の側面４１４Ａに電気的に結合される（たとえば短絡される）。同様に、第２の内部電極４２０Ｂは、第２の非対称端子４１０Ｂの第１の側面４１２Ｂおよび第２の側面４１４Ｂに電気的に結合される（たとえば短絡される）。この配置構成では、第１の内部電極４２０Ａの第１の延長されたエリア４３０Ａ、および第２の内部電極４２０Ｂの第２の延長されたエリア４３０Ｂは、たとえば第１の内部電極４２０Ａと第２の内部電極４２０Ｂとの間の電界の、改善された閉じ込めを可能にする。
【００４５】
一構成では、受動ディスクリートデバイスは、第１の非対称端子および第２の非対称端子を備える。受動ディスクリートデバイスはさらに、第１の非対称端子の第１の側面および第２の側面に電気的に結合するための第１の手段を備える。受動ディスクリートデバイスはまた、第２の非対称端子の第１の側面および第２の側面に電気的に結合するための第２の手段を備える。本開示の一態様では、第１の手段は、第１の手段によって具陳される機能を実施するように構成された、図４Ｂ〜図４Ｅの第１の内部電極である。本開示のこの態様では、第２の手段は、第２の手段によって具陳される機能を実施するように構成された、図４Ｂ〜図４Ｅの第２の内部電極である。別の態様では、前述の手段は、前述の手段によって具陳される機能を実施するように構成された、デバイスまたは任意の層とすることができる。
【００４６】
電力送達網における共振を抑制するための例示的なコンデンサは、積層セラミックチップコンデンサ（ＭＬＣＣ）である。このタイプのコンデンサは、積層チップを形成するように積み重ねられた交互のセラミック層と導電材料（たとえば金属）層とを備える。ＭＬＣＣは、自己共振よりも上で動作するとき、増加したインダクタンスを呈することがある。しかし、この増加したインダクタンスは、電力送達網においては望ましくない。特に、電力送達網における改善されたデカップリング効果のために、より低誘導性（たとえば、より低い等価直列インダクタンス（ＥＳＬ））およびより高容量性（より高い静電容量）の特性を有するＭＬＣＣが、望ましい。
【００４７】
本開示の一態様は、等価直列インダクタンスを減少させ静電容量を増加させる修正された内部／外部電極構造を有する受動ディスクリートデバイスに関する。一構成では、減少した等価直列インダクタンスおよび増加した静電容量は、延長された内部電極によって提供される。これらの内部電極はそれぞれ、内部電極間の電界をさらに閉じ込めるために、延長されたエリアを提供する。この構成では、積層セラミックコンデンサデバイスの端子が、延長された内部電極を保持するように修正される。すなわち、デバイスの端子は、内部電極の延長されたエリアへの電気的結合を可能にするように、１つの側面において延長される。
【００４８】
図７は、本開示の一態様が有利に利用される場合がある例示的なワイヤレス通信システム７００を示すブロック図である。例示として、図７は、３つの遠隔ユニット７２０、７３０および７５０と、２つの基地局７４０とを示している。ワイヤレス通信システムがより多くの遠隔ユニットおよび基地局を有してよいことが認識されよう。遠隔ユニット７２０、７３０、および７５０は、ＩＣデバイス７２５Ａ、７２５Ｃ、および７２５Ｂを備え、これらのＩＣデバイスは、開示された受動ディスクリートデバイスを含む。基地局、スイッチングデバイス、およびネットワーク機器など、他のデバイスもまた開示された受動ディスクリートデバイスを含んでよいことが認識されよう。図７は、基地局７４０から遠隔ユニット７２０、７３０、および７５０への順方向リンク信号７８０、ならびに、遠隔ユニット７２０、７３０、および７５０から基地局７４０への逆方向リンク信号７９０を示す。
【００４９】
図７では、遠隔ユニット７２０は携帯電話として示され、遠隔ユニット７３０はポータブルコンピュータとして示され、かつ遠隔ユニット７５０は、ワイヤレスローカルループシステムにおける固定位置遠隔ユニットとして示されている。たとえば、遠隔ユニット７２０、７３０、および７５０は、携帯電話、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）などのポータブルデータユニット、ＧＰＳ対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、メーター読取り機器などの固定位置データユニット、またはデータもしくはコンピュータ命令を記憶する、もしくは取り出す通信デバイス、またはそれらの組合せであってよい。図７は本開示の態様による遠隔ユニットを示すが、本開示は、これらの示された例示的なユニットには限定されない。本開示の態様は、開示されたデバイスを含む多くのデバイスにおいて適切に採用される場合がある。
【００５０】
図８は、先に開示されたデバイスなどの半導体構成要素の回路設計、レイアウト設計、および論理設計のために使用される、設計用ワークステーションを示すブロック図である。設計用ワークステーション８００は、オペレーティングシステムソフトウェア、サポートファイル、およびＣａｄｅｎｃｅやＯｒＣＡＤなどの設計ソフトウェアを含むハードディスク８０２を含む。設計用ワークステーション８００はまた、回路８０６または受動ディスクリートデバイスなどの半導体構成要素８０８の設計を容易にするために、ディスプレイ８０４も含む。記憶媒体８１０が、回路８０６または半導体構成要素８０８の設計を有形に記憶するために設けられる。回路８０６または半導体構成要素８０８の設計は、ＧＤＳＩＩまたはＧＥＲＢＥＲなどのファイルフォーマットで記憶媒体８１０に記憶することができる。記憶媒体８１０は、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、ハードディスク、フラッシュメモリ、または他の適切なデバイスとすることができる。さらに、設計用ワークステーション８００は、記憶媒体８１０から入力を受け取る、または記憶媒体８１０に出力を書き込むための、ドライブ装置８１２を含む。
【００５１】
記憶媒体８１０上に記録されたデータは、論理回路構成、フォトリソグラフィマスクのためのパターンデータ、または電子ビームリソグラフィなどのシリアル書込みツールのためのマスクパターンデータを指定してもよい。データはさらに、論理シミュレーションに関連したタイミング図やネット回路などの論理検証データを含んでもよい。記憶媒体８１０上にデータを確保すると、半導体ウエハを設計するためのプロセス数が減ることによって、回路８０６または半導体構成要素８０８の設計が容易になる。
【００５２】
ファームウェアおよび／またはソフトウェアの実装形態の場合、方法は、本明細書で説明する機能を実行するモジュール（たとえば、手順、機能など）を用いて実施されてもよい。本明細書で説明する方法を実施する際に、命令を有形に具現する機械可読媒体が使用されてもよい。たとえば、ソフトウェアコードは、メモリに記憶され、プロセッサユニットによって実行されてもよい。メモリは、プロセッサユニット内またはプロセッサユニットの外部に実装されてもよい。本明細書において使用される「メモリ」という用語は、長期メモリ、短期メモリ、揮発性メモリ、不揮発性メモリ、または他のメモリのタイプを指し、特定のタイプのメモリもしくは特定の数のメモリ、またはメモリが格納される媒体のタイプに限定すべきではない。
【００５３】
ファームウェアおよび／またはソフトウェアで実装される場合、機能は、コンピュータ可読媒体上に１つまたは複数の命令またはコードとして記憶されてもよい。例として、データ構造体で符号化されたコンピュータ可読媒体、およびコンピュータプログラムで符号化されたコンピュータ可読媒体がある。コンピュータ可読媒体は、物理的なコンピュータ記憶媒体を含む。記憶媒体は、コンピュータによってアクセスできる入手可能な媒体であってもよい。限定ではなく例として、そのようなコンピュータ可読媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭもしくは他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージもしくは他の磁気記憶デバイス、または、所望のプログラムコードを命令もしくはデータ構造の形で記憶するために使用することができるとともに、コンピュータによってアクセスすることができる他の媒体を含むことができ、本明細書において使用されるディスク（ｄｉｓｋ）およびディスク（ｄｉｓｃ）は、コンパクトディスク（ｄｉｓｃ）（ＣＤ）、レーザーディスク（登録商標）（ｄｉｓｃ）、光ディスク（ｄｉｓｃ）、デジタル多用途ディスク（ｄｉｓｃ）（ＤＶＤ）およびブルーレイディスク（ｄｉｓｃ）を含み、ディスク（ｄｉｓｋ）は通常、データを磁気的に再生し、ディスク（ｄｉｓｃ）はデータをレーザーを用いて光学的に再生する。上記の組合せも、コンピュータ可読媒体の範囲に含まれるべきである。
【００５４】
コンピュータ可読媒体に記憶することに加えて、命令および／またはデータは、通信装置に含まれる伝送媒体上の信号として提供されてもよい。たとえば、通信装置は、命令およびデータを表す信号を有するトランシーバを含んでもよい。命令およびデータは、１つまたは複数のプロセッサに、請求項に概説される機能を実施させるように構成される。
【００５５】
本開示およびその利点について詳細に説明したが、添付の特許請求の範囲によって定義される本開示の技術から逸脱することなく、明細書において様々な変更、置換、および改変が行われてもよいことを理解されたい。たとえば、「上」や「下」などの関係性の用語が、基板または電子デバイスに関して使用される。もちろん、基板または電子デバイスが上下逆さにされた場合、上は下になり、逆も同様である。加えて、横向きにされた場合、上および下は、基板または電子デバイスの両側のことを指すことがある。その上、本出願の範囲は、本明細書において説明したプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法およびステップの特定の構成に限定されることを意図していない。本開示から当業者が容易に諒解するように、本明細書で説明される対応する構成と実質的に同じ機能を実行するかまたは実質的にそれと同じ結果を達成する、現存するかまたは今後開発されるプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法、またはステップが、本開示に従って利用されてもよい。したがって、添付の特許請求の範囲は、そのようなプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法、またはステップをそれらの範囲内に含むことを意図する。
【００５６】
本明細書の開示に関連して説明した様々な例示的な論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップが、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、または両方の組合せとして実装される場合があることは、当業者であればさらに諒解されよう。ハードウェアとソフトウェアのこの互換性を明確に説明するために、様々な例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路、およびステップについて、上記では概してそれらの機能に関して説明した。そのような機能性がハードウェアとして実装されるか、ソフトウェアとして実装されるかは、特定の用途およびシステム全体に課せられる設計制約によって決まる。当業者は、前述の機能を具体的な適用例ごとに様々な方法で実装してもよいが、そのような実装形態の決定は、本開示の範囲からの逸脱を引き起こすものと解釈されるべきではない。
【００５７】
本明細書の開示に関連して説明した様々な例示的な論理ブロック、モジュール、および回路は、本明細書において説明された機能を実行するように設計された汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）もしくは他のプログラマブル論理デバイス、個別のゲートもしくはトランジスタロジック、個別のハードウェア構成要素、またはそれらの任意の組合せを用いて、実装または実行されてもよい。汎用プロセッサは、マイクロプロセッサであってもよいが、代替として、プロセッサは、任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、またはステートマシンであってもよい。プロセッサはまた、コンピューティングデバイスの組合せ、たとえば、ＤＳＰおよびマイクロプロセッサの組合せ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連携する１つまたは複数のマイクロプロセッサ、または任意の他のそのような構成として実装されてもよい。
【００５８】
本開示に関連して説明した方法またはアルゴリズムのステップは、ハードウェアにおいて直接、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールで、またはその２つの組合せにおいて実施されてもよい。ソフトウェアモジュールは、ＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、または当技術分野で知られている任意の他の形態の記憶媒体に存在してもよい。プロセッサが記憶媒体から情報を読み取ること、および記憶媒体に情報を書き込むことができるように、例示的な記憶媒体がプロセッサに結合される。代替として、記憶媒体は、プロセッサに一体化されてもよい。プロセッサおよび記憶媒体は、ＡＳＩＣに存在する場合がある。ＡＳＩＣは、ユーザ端末に存在してもよい。代替形態では、プロセッサおよび記憶媒体は、個別構成要素としてユーザ端末内に存在してもよい。
【００５９】
１つまたは複数の例示的な設計では、前述の機能は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、またはそれらの任意の組合せにおいて実装される場合がある。ソフトウェアにおいて実装される場合、機能は、１つもしくは複数の命令またはコードとして、コンピュータ可読媒体上に記憶されるか、またはコンピュータ可読媒体を介して送信されてもよい。コンピュータ可読媒体は、コンピュータ記憶媒体と、コンピュータプログラムのある場所から別の場所への転送を容易にする任意の媒体を含む通信媒体との両方を含む。記憶媒体は、汎用コンピュータまたは専用コンピュータによってアクセスできる任意の入手可能な媒体であってもよい。限定ではなく例として、そのようなコンピュータ可読媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭもしくは他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージもしくは他の磁気記憶デバイス、または命令もしくはデータ構造の形態で規定されたプログラムコード手段を搬送または格納するために使用することができ、汎用もしくは専用コンピュータ、または汎用もしくは専用プロセッサによってアクセスできる任意の他の媒体を含むことができる。また、任意の接続も厳密にはコンピュータ可読媒体と呼ばれる。たとえば、ソフトウェアが、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、デジタル加入者回線（ＤＳＬ）、または赤外線、無線、およびマイクロ波などのワイヤレス技術を使用してウェブサイト、サーバ、または他のリモートソースから送信される場合、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、ＤＳＬ、または赤外線、無線、およびマイクロ波などのワイヤレス技術は、媒体の定義に含まれる。ディスク（ｄｉｓｋ）およびディスク（ｄｉｓｃ）は、本明細書で使用するとき、コンパクトディスク（ｄｉｓｃ）（ＣＤ）、レーザーディスク（登録商標）（ｄｉｓｃ）、光ディスク（ｄｉｓｃ）、デジタル多用途ディスク（ｄｉｓｃ）（ＤＶＤ）およびブルーレイディスク（ｄｉｓｃ）を含み、ディスク（ｄｉｓｋ）は、通常、データを磁気的に再生し、一方、ディスク（ｄｉｓｃ）は、データをレーザーで光学的に再生する。上記の組合せも、コンピュータ可読媒体の範囲に含まれるべきである。
【００６０】
上記の説明は、本明細書において説明する種々の態様を、いかなる当業者も実践できるようにするために提供される。これらの態様に対する種々の修正が当業者に容易に明らかになり、本明細書において規定される一般原理は他の態様に適用される場合がある。したがって、特許請求の範囲は、本明細書に示された態様に限定されるように意図されているのではなく、特許請求の範囲の文言と整合する全範囲を許容するように意図されており、ここにおいて、単数形の要素への言及は、そのように明記されていない限り、「唯一無二の」ではなく、むしろ「１つまたは複数」を意味するように意図されている。別段に明記されていない限り、「いくつかの」という用語は１つまたは複数を指している。項目のリスト「のうちの少なくとも１つ」に言及する句は、単一のメンバーを含むそれらの項目の任意の組合せを指す。一例として、「ａ、ｂ、またはｃのうちの少なくとも１つ」は、ａ；ｂ；ｃ；ａおよびｂ；ａおよびｃ；ｂおよびｃ；ならびにａ、ｂ、およびｃを包含するものとする。当業者に周知であり、または後に当業者に知られることになる、本開示全体にわたって説明された様々な態様の要素に対するすべての構造的および機能的均等物が、参照によって本明細書に明白に組み込まれ、特許請求の範囲によって包含されるものとする。さらに、本明細書に開示されるものは、そのような開示が特許請求の範囲において明示的に記載されているか否かにかかわらず、公に供されることは意図していない。いかなるクレーム要素も、要素が「のための手段」という句を使用して明確に記載されていない限り、または、方法クレームの場合、要素が「のためのステップ」という句を使用して記載されていない限り、米国特許法第１１２条第６項の規定に基づいて解釈されるべきではない。
【符号の説明】
【００６１】
１００  ウエハ
１０２  配向
１０４  ダイシングライン
１０６  ダイ
２００  基板
２０２  ウェル
２０４  ウェル
２０６  ウェル
２０８  ウェル
２１０  層
２１２  層
２１４  層
３００  受動ディスクリートデバイス
３０２  誘電体材料、積層セラミック体
３１０  外部端子
３１０Ａ  第１の対称端子
３１０Ｂ  第２の対称端子
３１２Ａ  第１の対称端子の第１の側面
３１２Ｂ  第２の対称端子の第１の側面
３２０  コンデンサ板
３２０Ａ  第１の内部電極
３２０Ｂ  第２の内部電極
４００  受動ディスクリートデバイス
４０２  積層セラミック体
４１０Ａ  第１の非対称端子
４１０Ｂ  第２の非対称端子
４１２Ａ  第１の非対称端子の第１の側面
４１２Ｂ  第２の非対称端子の第１の側面
４１４Ａ  第１の非対称端子の第２の側面
４１４Ｂ  第２の非対称端子の第２の側面
４１６Ｂ  第２の非対称端子の側面
４１８Ａ  第１の非対称端子の第１の側面の一部
４１８Ｂ  第２の非対称端子の第１の側面の一部
４２０Ａ  第１の内部電極
４２０Ｂ  第２の内部電極
４３０Ａ  第１の内部電極の第１の延長されたエリア
４３０Ｂ  第２の内部電極の第２の延長されたエリア
７００  ワイヤレス通信システム
７２０、７３０、７５０  遠隔ユニット
７２５Ａ、７２５Ｂ、７２５Ｃ  ＩＣデバイス
７４０  基地局
７８０  順方向リンク信号
７９０  逆方向リンク信号
８００  設計用ワークステーション
８０２  ハードディスク
８０４  ディスプレイ
８０６  回路
８０８  半導体構成要素
８１０  記憶媒体
８１２  ドライブ装置
【図１】
2018523299.tif 000003
【図２】
2018523299.tif 000004
【図３Ａ】
2018523299.tif 000005
【図３Ｂ】
2018523299.tif 000006
【図４Ａ】
2018523299.tif 000007
【図４Ｂ】
2018523299.tif 000008
【図４Ｃ】
2018523299.tif 000009
【図４Ｄ】
2018523299.tif 000010
【図４Ｅ】
2018523299.tif 000011
【図５】
2018523299.tif 000012
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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