(57)【要約】  本発明は、少なくとも１つの密封可能とされる円状の開口部（１３）を真空処理受容器（１２）の内側（ｉ）と外側（ｅ）との間に備えている真空処理受容器（１２）であって、真空処理受容器（１２）が、ターンテーブル（１）を収容しており、ターンテーブル（１）が、平面（Ｐ）をターンテーブル（１）のテーブル表面に沿って規定しており、平面（Ｐ）に対して垂直とされる中心軸線（Ｂ）を中心として回転駆動可能とされ、及び、複数の円状の基板サポート（２〜９）を呈している、真空処理受容器（１２）と、ターンテーブル（１）の回転の際に基板サポート（２〜９）それぞれの領域と開口部（１３）それぞれの領域とが完全に位置合わせされ且つ完全に対面するように、位置合わせされている少なくとも１つの開口部（１３）と、少なくとも１つの開口部（１３）に取り付けられているＰＶＤ蒸着源（１４）であって、ＰＶＤ蒸着源（１４）が、少なくとも円状のターゲット材（１５）及び定置式磁石システム（１１）を呈しており、磁石システム（１１）が、平面（Ｐ）に対して平行とされる平面（Ｍ）に配置されており、及び、磁石システム（１１）を貫通して中心に延在している中心軸線（Ｃ）に関して回転対称とされず、平面（Ｍ）に対して垂直とされる、ＰＶＤ蒸着源（１４）と、を備えていることを特徴とする真空処理装置に関する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの密封可能とされる円状の開口部（１３）を真空処理受容器（１２）の内側（ｉ）と外側（ｅ）との間に備えている前記真空処理受容器（１２）であって、前記真空処理受容器（１２）が、ターンテーブル（１）を収容しており、前記ターンテーブル（１）が、
平面（Ｐ）を前記ターンテーブル（１）のテーブル表面に沿って規定しており、
前記平面（Ｐ）に対して垂直とされる中心軸線（Ｂ）を中心として回転駆動可能とされ、及び、
複数の円状の基板サポート（２〜９）を呈している、前記真空処理受容器（１２）と、
前記ターンテーブル（１）の回転の際に前記基板サポート（２〜９）それぞれの領域と前記開口部（１３）の領域とが完全に位置合わせされ且つ完全に対面するように配置されている少なくとも１つの前記開口部（１３）と、
少なくとも１つの前記開口部（１３）に取り付けられているＰＶＤ蒸着源（１４）であって、前記ＰＶＤ蒸着源（１４）が、少なくとも円状のターゲット材（１５）及び固定された磁石システム（１１）を呈しており、前記磁石システム（１１）が、
前記平面（Ｐ）に対して平行とされる平面（Ｍ）に配置されており、且つ、
前記磁石システム（１１）を貫通して中心に延在している中心軸線（Ｃ）に関して回転対称とされず、前記平面（Ｍ）に対して垂直とされる、前記ＰＶＤ蒸着源（１４）と、
を備えていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記磁石システム（１１）によって境界が形成されている領域が、前記ターンテーブル（１）の中心から離隔するように方向づけられている領域（１６）と、前記ターンテーブル（１）の中心に向かって方向づけられている領域（１７）とに、前記中心軸線（Ｃ）と垂直に交差している前記平面（Ｍ）における直線（Ｋ）に沿って分割されており、
前記領域（１６）が、前記領域（１７）より大きいことを特徴とする請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記磁石システム（１１）が、前記平面（Ｍ）において対称軸線（Ａ）に関して対称とされることを特徴とする請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項４】
前記ＰＶＤ蒸着源（１４）の蒸着の均一性を改善するために、スクリーン、シェーパー、及びシェードのいずれも必要とされないことを特徴とする請求項１又は２に記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記対称軸線（Ａ）が、前記ターンテーブル（１）の前記中心軸線（Ｂ）と交差していることを特徴とする請求項３に記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記磁石システム（１１）が、ループ毎に同一の極性を具備する２つの閉ループ状の磁石を備えており、前記磁石同士の間において前記極性が異なり、
一方の磁石が、他方の磁石を囲んでおり、
２つの前記磁石が、前記中心軸線（Ｃ）を囲んでいることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の真空処理装置。
【請求項７】
前記磁石システム（１１）のループ状の磁石それぞれが、少なくとも４つの区域を備えており、一方の２つの区域が、直線を形成しており、他方の２つの区域が、円弧を形成していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の真空処理装置。
【請求項８】
前記磁石システム（１１）が、前記平面（Ｍ）において対称軸線（Ａ）に関して非対称とされることを特徴とする請求項１，２，４、及び６のうちいずれか一項に記載の真空処理装置。
【請求項９】
前記磁石システム（１１）が、ループ毎に同一の極性を具備する２つの閉ループ状の磁石を備えており、前記磁石同士の間において前記極性が異なり、
一方の磁石が、他方の磁石を囲んでおり、
２つの前記磁石が、外側のループと内側のループとを形成しており、
前記外側のループが、前記中心軸線（Ｃ）を囲んでおり、
前記外側のループと前記内側のループとが、前記平面（Ｍ）において前記対称軸線（Ａ）に関して非対称とされることを特徴とする請求項８に記載の真空処理装置。
【請求項１０】
前記磁石システム（１１）の閉ループ状の磁石それぞれが、少なくとも４つの区域を備えており、
２つの区域が、前記磁石システム（１１）の前記中心軸線（Ｃ）を中心とする円弧を形成しており、
円弧状の区域の第１の組の両端部の間の１つの区域が、直線を備えており、又は直線を形成しており、
円弧状の区域の第２の組の両端部の間の１つの区域は、磁石システム（１１）の中心軸線（Ｃ）に向かって又は前記磁石システム（１１）の中心軸線Ｃを中心として内向きに境界づけられている直線を備えているか、又は前記直線を形成していることを特徴とする請求項８又は９に記載の真空処理装置。
【請求項１１】
一の円弧状の区域が、前記ターンテーブル（１）の中心軸線（Ｂ）に関する前記磁石システム（１１）の最内側の区域を形成しており、
一の円弧状の区域が、前記ターンテーブル（１）の中心軸線（Ｂ）に関する前記磁石システム（１１）の最外側の区域を形成していることを特徴とする請求項１０に記載の真空処理装置。
【請求項１２】
少なくとも１つの円弧状の区域が、前記ターンテーブル（１）の前記中心軸線（Ｂ）と交差している対称軸線（Ａ）に関して対称とされることを特徴とする請求項１１に記載の真空処理装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の真空処理装置において基板を処理するための方法において、
前記真空処理装置の内部に且つ前記基板サポート（２〜９）のうち少なくとも１つの基板サポートの上に少なくとも１つの基板を搭載するステップと、
少なくともスパッタリング蒸着材料を前記ＰＶＤ蒸着源（１４）から前記少なくとも１つの基板に連続的に且つ阻害されることなく移動させつつ、前記ターンテーブル（１）を前記ターンテーブル（１）の前記中心軸線（Ｂ）を中心として回転させるステップと、
を備えていることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大気圧より低い状態下において基板を、特に主にガラス又はプラスチックから成る半導体ウエハーや半導体基板を真空処理するためのシステム又は装置に関する。さらに、本発明は、このような基板を製造するための方法に関する。
【０００２】
本発明におけるプロセスは、基板についての処理ステップ又は一連の処理ステップを意味する。真空処理は、大気圧より低い圧力下において又は真空状態下においてワークピースを表面処理するための真空プロセスを意味する。真空処理は、例えばＰＶＤコーティング、ＣＶＤコーティング、エッチング、焼き鈍し（thermal annealing）等のような、表面に対する任意の化学的又は物理的な作用を含んでいる。
【０００３】
本発明における基板すなわちワークピースは、処理装置で処理すべき要素すなわち部品とされる。基板としては、矩形状、正方形状、又は円状の形状を有している平坦な板状の部品が挙げられるが、これらに限定される訳ではない。好ましい実施例では、本発明は、基本的には、例えば主としてシリコン（ウエハー）、ガラス、又はプラスチックから成る平坦な円状の基板に言及している。
【０００４】
真空処理又は真空処理をするためのシステム又は装置は、大気圧より低い圧力下において処理すべき基板のための少なくとも１つの筐体を備えている。
【０００５】
生成ステーションは、（真空状態におけるロード／アンロード作業又は輸送とは対照的に）処理ステップを実施するための真空処理システムの領域を意味する。
【０００６】
ＣＶＤすなわち化学蒸着は、加熱された基板の上に層を蒸着するための化学的プロセスである。１つ以上の揮発性前駆体材料が、所望の蒸着を生み出すために当該揮発性前駆体材料を反応及び／又は分解するための生成ステーションに給送される。
【０００７】
物理蒸着（ＰＶＤ）は、蒸発した材料を基板の表面に凝集することによって薄膜を蒸着させるための様々な方法のうち任意の方法を説明するために利用される一般的な用語である。コーティング方法は、ＣＶＤとは対照的に、例えば高温真空蒸着やプラズマスパッタ衝撃のような純粋な物理的プロセスを含んでいる。ＰＶＤの変化例としては、陰極アーク蒸着、電子ビーム物理蒸着、蒸着、スパッタ蒸着（すなわち、ターゲット材の表面に配置されている磁気トンネルに通常制限されているグロープラズマ放電）が挙げられる。
【０００８】
スパッタリングＮＯＰＶＤプロセスは、陰極スパッタリングとも呼称されるが、高エネルギイオンとの衝突によっていわゆるターゲットの表面から原子が除去され、気相に遷移し、最終的には基板の表面に蒸着されることを意味する。ターゲットと相手側の電極との間に発生された電場は、当該領域において供給された作動ガスのイオン化プロセスを維持する。ガスから放射されたイオンがターゲットに向かって加速されるので、中実体の表面の原子化が発生する。スパッタリングプロセスの特徴は、（基板から離隔するように）ターゲットの後方に位置決めされている磁気手段によって影響を受けると共に増大される。このような磁石システムは、閉ループ状の磁気トンネルをターゲットの表面に亘って跨設されるように配置されていることが、本発明の技術分野において知られている。当該磁気トンネルは、主に作動ガスによって衝突イオン化プロセスを強化する電子を閉じ込めている。この配置は、マグネトロンスパッタリング装置又はマグネトロンとして知られている。時間経過によるターゲットの浸食及び蒸着の不均一性を改善するために、磁石システムは、ターゲットの表面に対して垂直とされる軸線を中心として回転される場合がある。
【０００９】
スパッタリング装置で利用される作動ガスは、例えばアルゴンのような、水素、窒素、酸素等（又はこれらの混合体）のような反応性ガスによって保管されている希ガスとされる。ターゲットからのスパッタ粒子はガスと共に反応するので、蒸着層は、ターゲット材料の酸化物、窒化物、オキシ窒化物等を備えている。
【００１０】
本明細書では、層、コーティング、蒸着、及びフィルムとの用語は、ＬＰＣＦＤ、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、ＰＶＤ（物理的気相成長法）であれば、真空処理装置で蒸着されたフィルムについて相互交換可能に利用されている。ＣＶＤ、
【００１１】
真空スパッタリング装置は、本発明の技術分野において周知であって、例えばバッチ式生成システムや単一基板処理システムのような変形例を含んでいる。真空処理システムは、多くの異なる生成ステーションを備えているので、処理ステップ間において真空が破壊されることなく基板を処理することができる。このような制御された真空環境に基板を導入又は当該真空環境から基板を除去するためには、本発明の技術分野において周知であるロード／アンロードロックが利用される。
【背景技術】
【００１２】
本発明は、回転可能なターンテーブルを真空環境内に含んでいる真空処理システムのうち一のタイプに関する。当該ターンテーブルは、配置すべき基板についての位置の数字を呈している。利用可能な基板の数量は、ターンテーブルの大きさと基板の大きさ（半径）及び形状との関係によって決定される。生成ステーションは、筐体の密封可能な開口部に共通して取り付けられており、基板についての予定した処理は、当該開口部を通じて実施される。処理の際に、ターンテーブルは連続的に又は非連続的に回転する。動作モードは、両方とも自身の仕様を有している。非連続的な回転では、基板は、処理ステーションの前方に移動され、ターンテーブルが不動の状態で処理される。処理源は、基板が正確に配置された直後に動作する。これにより、一様な処理が簡便に実現される。しかしながら、処理源を間欠的に回転させることと、基板を処理源同士の間に移動させることとは、基本的に非生産時間である。連続的な作業では、基板は、処理ステーションに沿って通過しつつ処理される。このような手法は、本発明の技術分野において、いわゆる例えば建築用塗料についてのインラインコーティングシステムとして公知とされる。例えばスパッタリング源のような処理ステーションは、基板が通過する際に動作状態を維持している。
【００１３】
［従来技術の欠点］
回転式基板テーブルの利点（小型であること）とインラインシステムの通過手法（passing-by approach）の利点（容易な動作）とを組み合わせることは容易であるように見えるが、そのような組み合わせは、一の不可避なシステム上の問題を有している。図１は、筐体３５の内部における円状のターンテーブル３１の上面図である。３つの基板位置３２，３３，３４のみが示されている。動作時にターンテーブルが回転している際に、基板が例えばコーティング源３６によって処理される。当業者であれば容易に理解可能なように、基板は、基板の上で回転軸線に対する基板の位置に依存するが、単位面積当たりで一様にコーティングされない。基板源３６は、円状に表わされているが、基本的な効果は、一層延在している形態、すなわちラジアル方向に延在している線源を有している源にも適用される。
【００１４】
特許文献１は、ａ．ｍ．問題を処置する装置及び応答を開示している。長時間に亘ってターンテーブル及び基板を回転させることによって、蒸着の一様性が均一化される。しかしながら、ターンテーブルは、基板それぞれを回転させるための手段を有している必要がある。このような必要性は、機械的に（例えば歯車によって）又は電気駆動によって解決可能であるが、ターンテーブルに電力線を接続することが必要となる。再び基板を回転させることによって、固有の問題が発生する。基板をターンテーブルに固定し冷却することが必要となるために、構成上の工夫や点検時の労力が求められるからである。
【００１５】
従って、本発明の目的は、基板の回転を不要とすると共にマグネトロンに回転式磁石システムを必要とせず、固定式磁石システムを必要とする、真空処理装置と基板を真空処理するための方法とを提供することである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】欧州特許公開第０４４３４４２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
図３は、本発明における真空処理装置を表わす。当該真空処理装置は、真空処理受容器１２を備えており、真空処理受容器１２は、真空処理受容器１２の内側（ｉ）と外側（ｅ）との間に少なくとも１つの密封可能な円状の開口部１３を備えている。真空処理受容器１２は、ターンテーブル１を収容しており、ターンテーブル１は、（ａ）ターンテーブル１のテーブル面に沿って平面Ｐを規定しており、（ｂ）平面Ｐに対して垂直とされる中心軸線Ｂを中心として回転するように駆動可能とされ、（ｃ）複数の円状の基板サポートすなわち基板位置２〜９を提示している。開口部１３は、ターンテーブル１の回転の際に基板サポート２〜９それぞれの領域と開口部１３の領域とが完全に位置合わせされるように、且つ、完全に対面するように配置されている。ＰＶＤ蒸着源１４は、少なくとも1つの開口部１３に取り付けられており、ＰＶＤ蒸着源１４は、円状のターゲット材１５及び固定式磁石装置１１を少なくとも露呈させ、磁石装置１１は、平面Ｐに対して平行とされる平面Ｍに配置されているが、磁石装置１１の中心を貫通して且つ平面Ｍに対して垂直に延在している中心軸線Ｃに関して回転対称にはなっていない。好ましい実施例では、磁石システム１１は、平面Ｍにおいて、対称軸線Ａに関して対称とされる。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
さらなる好ましい実施例では、磁石装置１１は、平面Ｍにおいて、対称軸線Ａに関して非対称とされる。
【００１９】
さらなる実施例では、磁石システム１１が、ループ毎に同一の極性を具備する２つの閉ループ状の磁石を備えているが、磁石同士の間において極性が異なり、一方のループが他方のループを囲んでいるので、これにより、外側の閉ループと内側の閉ループとが形成されている。少なくとも外側の閉ループは、中心軸線Ｃを囲んでおり、両方のループ状の磁石が、平面Ｍにおいて、対称軸線Ａに関して非対称とされる。
【００２０】
さらなる実施例では、磁石システム１１のループそれぞれが、少なくとも４つの区域を備えている。２つの区域は、磁石装置１１の中心軸線Ｃを中心とする円弧を形成している。第１の組の円弧状の区域それぞれの端部の間の１つの区域は、直線を備えており、又は直線を形成している。第２の組の円弧状の区域それぞれの端部の間の１つの区域は、磁石装置１１の中心軸線Ｃに向かって又は磁石装置１１の中心軸線Ｃを中心として内向きに境界づけられている。１つ以上の直線と１つ以上の巻き付け線とは互いに交差していない。円弧状の区域は、中心軸線（Ｃ）の周りに内向きに非常に巻き付けられている場合がある。
【００２１】
さらなる実施例では、一の円弧状の区域が、ターンテーブル１の中心軸線Ｂに関する磁石システム１１の最内側の区域を形成しており、一の円弧状の区域が、ターンテーブル１の中心軸線Ｂに関する磁石システム１１の最外側の区域を形成している。
【００２２】
少なくとも１つの円弧状の区域は、ターンテーブル１の中心軸線Ｂと交差している対称軸線Ａに関して対称とされる。
【００２３】
これにより、本発明が様々な実施例に基づいて図解されているにも関わらず、実施例若しくは一の実施例の特定の特徴と他の実施例若しくは他の実施例の部分との任意の組み合わせは、そのような組み合わせが当業者によって非論理的な手段であると明確に認識されない限り、実際の発明の一部分として開示されているとみなすことができることに留意すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】“ターンテーブル方式”の真空処理システムのシステム上の問題を表わす。
【図２】本発明で利用される磁石システムの基本構造を表わす。
【図３】ターンテーブルを具備する真空メッキシステムの上面図及び断面図である。
【図４】本発明で利用される磁石システムの詳細を表わす。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
真空処理システムについて、図３を参照しつつ説明する。図３は、本発明における真空処理システムを単純化した上面図及び断面図である。筐体すなわち真空処理受容器１２は、少なくとも１つの、好ましくは複数の密封可能な開口部１３，２３を有している。開口部１３，２３は、必要とされる処理に従って、例えばＰＶＤ蒸着源１４、ロードロック、加熱ステーション、又は脱ガス装置のような処理ステーションを受け入れるために設けられている。真空処理受容器１２の内側には、基板又は基板サポート２〜９のための位置を露呈している略円状のターンテーブル１が配設されている。また、ターンテーブル１の一般表面は、平面Ｐを規定している。基板サポート２〜９は、例えば単純な周縁部、ピン、チャック、ホルダ、クランプ、又はマウントのような、処理すべき基板の外形に適合する凹所とされる。基盤がキャリアに保持されている場合には、マウントは、このようなキャリアのためのサポートとされる。
【００２６】
基板サポート２〜９は、円状の形状として図示されているが、基板の形状についての限定要素とされる訳ではない。
【００２７】
ターンテーブル１は、回転軸線Ｂを有している。ターンテーブル１を回転させるための駆動装置は、図３では省略されている。当業者であれば、適切な解決手段を選択することができるだろう。
【００２８】
基板サポート２〜９の数量及び形状は、真空処理システムの幾何学的制約及び仕様によって規定されるだろう。
【００２９】
例示的には、図示の一のＰＶＤ蒸着源１４は、開口部１３に配置されている。ＰＶＤ蒸着源１４は、基本的に、円状のターゲット材１５と定置式磁石装置１１とを備えている。磁石装置１１は、平面Ｐに対して平行とされ且つ中心軸線Ｂに対して垂直とされる平面Ｍを規定している。さらなる軸線Ｃは、円状のターゲット材１５を貫通し、平面Ｍに対して垂直とされ、且つ、中心軸線Ｂに対して平行とされる中心軸線とされる。また、中心軸線Ｃは、開口部１３，２３それぞれの中心を示している。中心軸線Ｂと中心軸線Ｃとのラジアル方向における距離は、中心軸線Ｂと基板サポート２〜９それぞれの中心との距離と同一とされる。言い換えれば、ターンテーブル1の回転それぞれの際に、基板サポート２〜９それぞれの領域と開口部１３，２３それぞれの領域とが、条件を満足した場合に、少なくとも一瞬の間、完全に位置合わせされ、且つ、完全に対面している。開口部１３，２３の数量は、基板位置の数量に一致しているが、必ずしも一致していなくても良い。
【００３０】
ＰＶＤ蒸着源１４は、下方を通過する基板の回転運動によって発生する蒸着の不均一性を補償するように構成されている定置式磁石システムを呈している。さらに、ＰＶＤ蒸着源１４は、スクリーン、シェーパー、及びシェードを具備せずに当該不均一性を補償するように構成されている。このような構成要素は、ターゲットと基板との間の経路の特定部分を遮断するために利用される場合がある。これに関連して、本発明におけるＰＶＤ蒸着源１４は、意図的にターゲット材１５が基板に衝突する前にターゲット材１５を受け入れるために、物理的な遮断要素がターゲットと基板との空間に導入されるように構成されている。当該空間は、相互に位置合わせされた際におけるターゲット材１５の縁部と基板の縁部とを結ぶ接続線によって規定及び限定されている。言い換えれば、ターゲット材１５の任意の地点と基板の任意の地点との間には、（相互に位置合わせされた際に）遮られていない見通し線が存在する。シェーパーやシェードを装備しないことによって、剥離の重大な根源が排除され、さらには、ターゲット材１５の利用が改善される。
【００３１】
好ましい実施例では、当該目的を達成することができる磁石システムは、上面図である図２に表わす基本形態を有している。基本的に、磁石システムは、２つの環状の磁石を含んでおり、一方の磁石が、他方の磁石を囲んでいると共に、他方の磁石とは異なる極性を有している。２つの環状の磁石を図２に破線で表わすが、動作の際に、プラズマトンネルが、２つの環状の磁石によって発生される磁気アーチ（magnetic arches）の間に捕捉される。驚くべきことに、発明者は、好ましい実施例において、２つのループ状の磁石が基本的にトラピーズ（trapeze）の形状を呈していることを発見した。単純化された形態では、環状の磁石は少なくとも４つの区域を備えており、２つの区域は直線状に形成されており、２つの区域は円弧状に形成されている。図２において、これら区域には、ローマ数字Ｉ〜ＩＶが付されている。添え字ｏは、“外側の”環状の磁石を示しており、“外側の”環状の磁石は、濃色の破線で示されている。内側の環状の磁石では、区域が角度分布されているが、区域の構成は、基本的に上述の通りである。２つの区域の間の移行領域は、動作の際におけるプラズマループの屈曲を滑らかにするために、湾曲した区域を呈している。変形例では、当該磁石システムの配置は、平面Ｍ内の対称軸線Ａに関して対称とされる。当該変形例のさらなる好ましい実施例では、対称軸線Ａが中心軸線Ｂと交差しており、真空処理システム又はターンテーブルの中心軸線Ｂから径方向に延在している。
【００３２】
図３の一部分を表わす図４を参照して、本発明のさらなる特徴について説明する。参照符号が同一であれば、同一の技術的要素を示していることに留意すべきである。図４は、磁石システム１１の上面図であって、対称軸線Ａと直線Ｋとを表わす。直線Ｋ歯、中心軸線Ｃと交差しており、平面Ｍ内に位置しているので、基本的に領域１０を半分に分割している。結論として、磁石システム１１によって境界が形成されている領域１０は、（対称軸線Ａの矢印によって示されている）中心から離隔するように延在している領域１６より径方向において近在する領域１７に分離されている。本発明では、基板を均一にコーティングするために、且つ、コーティング源１４の下方において湾曲した弓状の経路を通過する場合に基板によって誘発されるシステム上の不均一性を補償するために、領域１６は領域１７より大きく選定される必要がある。本発明の目的を達成するために、領域１６，１７の境界は、外側の又は内側のループ状の磁石によって規定される線によって選定される。
【００３３】
１％より低いコーティングの均一性が、定置式磁石システムを含んでいる上述の真空処理システムであって、基板が連続的に回転するターンテーブルに固定されている、上述の真空処理システムによって、ＳｉＯ２ターゲットを用いて６インチウエハーの同等の基板領域に実現可能とされる。同等の条件下において、Ｎｂ２Ｏ５ターゲットを用いて１．３％の均一性が実現され、ＳｉＮターゲットを用いて２．３％の均一性が実現される。
【００３４】
基板が基板回転機構と共に回転している場合であっても、良好な性能を発揮することができる。６インチより大きい領域についても、１％より低い性能を発揮させることができる。
【符号の説明】
【００３５】
１  ターンテーブル
２  基板サポート（基板位置）
３  基板サポート（基板位置）
４  基板サポート（基板位置）
５  基板サポート（基板位置）
６  基板サポート（基板位置）
７  基板サポート（基板位置）
８  基板サポート（基板位置）
９  基板サポート（基板位置）
１０  領域
１１  磁石システム（磁石装置）
１２  真空処理受容器
１３  開口部
１４  ＰＶＤ蒸発源
１５  ターゲット材
２３  開口部
Ａ  対称軸線
Ｂ  中心軸線（回転軸線）
Ｃ  中心軸線
Ｍ  平面
Ｐ  平面
【図１】
2018527472.tif 000003
【図２】
2018527472.tif 000004
【図３】
2018527472.tif 000005
【図４】
2018527472.tif 000006
【国際調査報告】
2018527472.tif 000007
2018527472.tif 000008