(57)【要約】本発明は、ヘテロ構造体、特に圧電構造体であって、カバー層、特に圧電材料の層を具備し、上記カバー層の材料が第１の熱膨張係数を有し、支持基板に組み付けられ、上記支持基板が、上記第１の熱膨張係数とは実質的に異なる第２の熱膨張係数を有し、界面のところに、上記カバー層が上記界面から上記カバー層の中まで延伸している少なくとも１つのリセスを備える、ヘテロ構造体及びその製造の方法に関する。【選択図】  図２Ｄ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘテロ構造体（２００、４００、４００’、５００’）、特に圧電構造体であって、カバー層（２２０、４２０、５２０）、特に圧電材料の層を具備し、前記カバー層（２２０、４２０、５２０）が第１の熱膨張係数を有し、支持基板（２１０、４１０、５１０）に組み付けられ、前記支持基板（２１０、４１０、５１０）が前記第１の熱膨張係数とは実質的に異なる第２の熱膨張係数を有し、界面のところに、前記カバー層（２２０、４２０、５２０）が、前記界面から前記カバー層（２２０、４２０、５２０）の中まで延伸している少なくとも１つのリセス（２４０、３４０、４４０、５４０）を備える、ヘテロ構造体（２００、４００、４００’、５００’）。
【請求項２】
前記少なくとも１つのリセス（２４０、３４０、４４０、５４０）が、前記カバー層（２２０、４２０、５２０）全体にわたり延伸しているトレンチを形成している、請求項１に記載のヘテロ構造体（２００、４００、４００’、５００’）。
【請求項３】
前記少なくとも１つのリセス（２４０、３４０、４４０、５４０）により分離されている前記カバー層（２２０、４２０、５２０）の部分が、所定の臨界長さよりも小さい横方向広がりを有し、前記臨界長さよりも上では、予め定められた温度での熱処理に起因して破壊が生じ得る、請求項１又は２に記載のヘテロ構造体（２００、４００、４００’、５００’）。
【請求項４】
前記少なくとも１つのリセス（２４０、３４０、４４０、５４０）が、前記支持基板（２１０、４１０、５１０）との前記界面とは反対側の前記カバー層（２２０、４２０、５２０）の表面まで延伸している、請求項１〜３のいずれか一項に記載のヘテロ構造体（２００、４００、４００’、５００’）。
【請求項５】
前記熱膨張係数のうちの少なくとも一方が強い異方性を示す、請求項１〜４のいずれか一項に記載のヘテロ構造体（２００、４００、４００’、５００’）。
【請求項６】
前記カバー層（２２０、４２０、５２０）の材料が、特にＬＴＯ、ＬＮＯ、ＡｌＮ、ＺｎＯの中から選択される圧電材料である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のヘテロ構造体（２００、４００、４００’、５００’）。
【請求項７】
前記支持基板（２１０、４１０、５１０）の材料が、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＳｉＧｅ、サファイアの群の中から選択される、請求項１〜６のいずれか一項に記載のヘテロ構造体（２００、４００、４００’、５００’）。
【請求項８】
前記支持基板（２１０、４１０、５１０）が、前記界面に隣り合う機能層（２５０）を備えている、請求項１〜７のいずれか一項に記載のヘテロ構造体（２００、４００、４００’、５００’）。
【請求項９】
前記機能層（２５０）が、１ｋＯｈｍ／ｃｍよりも高い、好ましくは５ｋＯｈｍ／ｃｍよりも高い電気抵抗を前記支持基板（２１０、４１０、５１０）に与える、請求項８に記載のヘテロ構造体（２００、４００、４００’、５００’）。
【請求項１０】
前記機能層（２５０）が、１０μｍ未満の、好ましくは１μｍ未満の、又はさらにはより好ましくは１００ｎｍ未満の厚さを有する、請求項８又は９に記載のヘテロ構造体（２００、４００、４００’、５００’）。
【請求項１１】
支持基板（２１０、４１０、５１０）を用意し、カバー層（２２０、４２０、５２０）、特に圧電材料の層を用意するステップと、前記カバー層（２２０、４２０、５２０）の表面に少なくとも１つのリセス（２４０、３４０、４４０、５４０）を形成するステップ（ＳＡ２、ＳＢ２）と、前記支持基板（２１０、４１０、５１０）と前記少なくとも１つのリセス（２４０、３４０、４４０、５４０）を備えた前記カバー層（２２０、４２０、５２０）の前記表面との間の組み付け界面のところに前記支持基板（２１０、４１０、５１０）と前記カバー層（２２０、４２０、５２０）とを組み付けるステップ（Ｓ４２、Ｓ５２）とを含む、ヘテロ構造体（２００、４００、４００’、５００’）の製造の方法。
【請求項１２】
前記組み付け界面とは反対側の前記カバー層（２２０、４２０、５２０）の前記表面の薄化のステップ（Ｓ４３）をさらに含む、請求項１１に記載のヘテロ構造体（２００、４００、４００’、５００’）の製造の方法。
【請求項１３】
前記薄化ステップ（Ｓ４３）が、組み付けるステップに先立って原子種又はイオン種、特にＨ又はＨｅを注入して（ＳＡ１、ＳＢ１）、前記カバー層（２２０、４２０、５２０）に脆弱ゾーン（５７０）を形成するステップと、組み付けるステップの後で前記脆弱ゾーンのところでの剥離のステップ（Ｓ５３）とを含む、請求項１２に記載のヘテロ構造体（２００、４００、４００’、５００’）の製造の方法。
【請求項１４】
前記薄化ステップ（Ｓ４３）が、グラインディング、ポリッシング、エッチング、又は任意の組み合わせの群の中から選択される技術により実行される、請求項１２に記載のヘテロ構造体（２００、４００、４００’、５００’）の製造の方法。
【請求項１５】
前記薄化ステップ（Ｓ４３）が、前記少なくとも１つのリセス（２４０、３４０、４４０、５４０）を露出させる、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載のヘテロ構造体（２００、４００、４００’、５００’）の製造の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、ヘテロ構造体、特に圧電構造体、及びヘテロ構造体、特に圧電構造体の製造の方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発明の目的は、ヘテロ構造体、特に圧電構造体、及びヘテロ構造体、特に圧電構造体の製造の方法を提案することである。
【０００３】
無線周波数（ＲＦ）表面弾性波（ＳＡＷ）技術は、例えば現在の携帯電話機のデュプレクサのような多数の用途に広く使用されている。標準ＳＡＷ技術のさらなる改善により、ＲＦバルク弾性波（ＢＡＷ）技術と競合できる状態に留まるための温度補償型ＳＡＷデバイスの開発がもたらされた。
【０００４】
温度補償型ＳＡＷは、図１Ａに模式的に示したように、任意選択で接着剤層１３０を間に置いて支持基板１１０に組み付けられた圧電材料の層１２０を備える圧電構造体１００内で得ることができる。温度補償型ＳＡＷデバイスの最近の発展が、Ｈａｓｈｉｍｏｔｏらによる最近の刊行物、「Ｒｅｃｅｎｔ  ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｏｆ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  ＳＡＷ  ｄｅｖｉｃｅｓ（温度補償型ＳＡＷデバイスの最近の発展）」、Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ２０１１、ＩＥＥＥ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ、７９〜８６ページに論評されており、図１Ａの手法をより詳細に図説している。支持基板１１０は、以て圧電構造体１００の硬化機能を有している。
【０００５】
しかしながら、図１Ａに模式的に示したようなこのような圧電構造体１００は、圧電材料の層１２０及び支持基板１１０それぞれの熱膨張係数（ＣＴＥ）の実質的な違いのために、熱処理に耐えることに適していないことがある。このようなＣＴＥの不一致は、最悪のケースでは、所定のしきい値よりも高い温度に対するこのような構造の破壊の原因になることもある。例えば圧電材料の層１２０の座屈のような他の現象が起きることもある。さらに、圧電構造体１００の湾曲が、熱処理での臨界値を超えることがあり、例えば臨界値よりも大きい値では、静電チャックが構造に接触しなくなることがある。加えて、大部分の圧電材料に関するＣＴＥの強い異方性が、異方性歪の蓄積のために熱処理を困難にする。
【０００６】
図１Ｂは、米国特許第８６６４７４７号に開示された手法を模式的に示しており、リセス１４０が、基板１１０’に組み付けられた層１２０’の面とは反対側の構造１００’の面に形成されている。層１２０’とは実質的に異なるＣＴＥを有する基板１１０’に形成された層１２０’にこのようにリセスを形成することは、このような構造１００’に蓄積される応力を調節することに役立つことがある。
【０００７】
しかしながら、このような手法を使用するといくつかの問題に直面する。特に、１〜１０μｍの範囲の比較的小さい厚さを有する層１２０’に関して、基板１１０’に対して下にある界面に損傷を与えないために、注意を払わなければならない。例えばソーイングのような正確ではない方法は、破断のための核形成サイトを後に残す表面領域の基板１１０’又は接着剤層（図１Ｂには図示せず）のいずれかに損傷をもたらすことがある。層１２０’の実質的なアンダーエッチングを引き起こすことがあるリソグラフィ及びエッチングステップがその後に含まれる場合には、これは構造１１０’に対して特に有害である。さらに、基板１１０’は、その表面に機能層が組み付けられなければならず、機能層はその特定の特性を失わないために変えられるべきではない。
【０００８】
本発明は、上に述べた問題を解消している。
【発明の概要】
【０００９】
特に、本発明は、ヘテロ構造体、特に圧電構造体であって、カバー層、特に圧電材料の層を具備し、上記カバー層が第１の熱膨張係数を有し、支持基板に組み付けられ、上記支持基板が、上記第１の熱膨張係数とは実質的に異なる第２の熱膨張係数を有し、界面のところに、上記カバー層が上記界面から上記カバー層の中まで延伸している少なくとも１つのリセスを備える、ヘテロ構造体に関する。
【００１０】
さらに有利な実施形態は、上記少なくとも１つのリセスが、上記カバー層全体にわたり延伸しているトレンチを形成している、ヘテロ構造体に関する。
【００１１】
さらに有利な実施形態は、上記少なくとも１つのリセスにより分離されている上記カバー層の部分が、所定の臨界長さよりも小さい横方向広がりを有し、上記臨界長さよりも上では、予め定められた温度での熱処理に起因して破壊が生じ得る、ヘテロ構造体に関する。
【００１２】
さらに有利な実施形態は、上記少なくとも１つのリセスが、上記支持基板との上記界面とは反対側の上記カバー層の表面まで延伸している、ヘテロ構造体に関する。
【００１３】
さらに有利な実施形態は、上記熱膨張係数のうちの少なくとも一方が強い異方性を示す、ヘテロ構造体に関する。
【００１４】
さらに有利な実施形態は、上記カバー層の材料が、特にＬＴＯ、ＬＮＯ、ＡｌＮ、ＺｎＯの中から選択される圧電材料である、ヘテロ構造体に関する。
【００１５】
さらに有利な実施形態は、上記支持基板の材料が、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＳｉＧｅ、サファイアの群の中から選択される、ヘテロ構造体に関する。
【００１６】
さらに有利な実施形態は、上記支持基板が、上記界面に隣り合う機能層を備える、ヘテロ構造体に関する。
【００１７】
さらに有利な実施形態は、上記機能層が、１ｋＯｈｍ／ｃｍよりも高い、好ましくは５ｋＯｈｍ／ｃｍよりも高い電気抵抗を上記支持基板に与える、ヘテロ構造体に関する。
【００１８】
さらに有利な実施形態は、上記機能層が、１０μｍ未満の、好ましくは１μｍ未満の、又はさらにはより好ましくは１００ｎｍ未満の厚さを有する、ヘテロ構造体に関する。
【００１９】
本発明は、支持基板を用意し、カバー層、特に圧電材料の層を用意するステップと、上記カバー層の表面に少なくとも１つのリセスを形成するステップと、上記支持基板と上記少なくとも１つのリセスを備えた上記カバー層の上記表面との間の組み付け界面のところに上記支持基板と上記カバー層とを組み付けるステップとを含む、ヘテロ構造体の製造の方法にもやはり関する。
【００２０】
さらに有利な実施形態は、上記組み付け界面とは反対側の上記カバー層の上記表面の薄化ステップをさらに含む、ヘテロ構造体の製造の方法に関する。
【００２１】
さらに有利な実施形態は、上記薄化ステップが、組み付けるステップに先立って原子種又はイオン種、特にＨ又はＨｅを注入して、上記カバー層に脆弱ゾーンを形成するステップと、組み付けるステップの後で上記脆弱ゾーンのところでの剥離のステップとを含む、ヘテロ構造体の製造の方法に関する。
【００２２】
さらに有利な実施形態は、上記薄化するステップが、グラインディング、ポリッシング、エッチング、又は任意の組み合わせの群の中から選択される技術により実行される、ヘテロ構造体の製造の方法に関する。
【００２３】
さらに有利な実施形態は、上記薄化ステップが、上記少なくとも１つのリセスを露出させる、ヘテロ構造体の製造の方法に関する。
【００２４】
発明は、例として以降に有利な実施形態を使用し、図面を参照してより詳細に説明されるであろう。しかしながら、説明される実施形態は、個々の特徴が互いに別個に実装されてもよいか又は省略されてもよい可能性のある構成に過ぎない。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１Ａ】先行技術から知られるような温度補償型ＳＡＷデバイス用の圧電構造体を模式的に図示している図である。
【図１Ｂ】先行技術から知られるようなＣＴＥの不一致を調節するためのヘテロ構造体を模式的に図示している図である。
【図２Ａ】本発明の実施形態による、ヘテロ構造体を模式的に図示している図である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態による、ヘテロ構造体を模式的に図示している図である。
【図２Ｃ】本発明の実施形態による、ヘテロ構造体を模式的に図示している図である。
【図２Ｄ】本発明の実施形態による、ヘテロ構造体を模式的に図示している図である。
【図３Ａ】本発明の実施形態による、ヘテロ構造体の上面図を模式的に図示している図である。
【図３Ｂ】本発明の実施形態による、ヘテロ構造体の上面図を模式的に図示している図である。
【図３Ｃ】本発明の実施形態による、ヘテロ構造体の上面図を模式的に図示している図である。
【図４】本発明の実施形態による、ヘテロ構造体の製造方法を模式的に図示している図である。
【図５】本発明の実施形態による、ヘテロ構造体の製造方法を模式的に図示している図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明について、次いで特定の実施形態を参照して説明する。実施形態のうちのいずれかにある特徴及び代替形態が、互いに無関係に、特許請求の範囲の範囲に従った任意の他の実施形態の特徴及び代替形態と組み合わせられてもよいことが、当業者には明白であろう。
【００２７】
本発明の下記の説明では、圧電構造体及び圧電材料の層を例示的に参照している。しかしながら、上に既に指摘したように、本発明は、この特定の実施形態に限定されず、カバー層（２２０、３２０、４２０、５２０）及び支持基板（２１０、４１０、５１０）を備えている任意のヘテロ構造体（２００、４００、４００’、５００’）に関係し、カバー層の熱膨張係数が支持基板のうちの１つとは実質的に異なることをともなう。このようなヘテロ構造体は、上に記述したカバー層として識別可能な圧電材料の層を有するヘテロ構造体として識別可能な圧電構造体の特定の実施形態を包含する。本発明はまた、このようなヘテロ構造体（２００、４００、４００’、５００’）の製造の方法にも関係する。
【００２８】
図２Ａは、圧電材料の層２２０と、支持基板２１０と、圧電材料の層２２０及び支持基板２１０が組み付けられている界面から圧電材料の層２２０の中まで延伸する少なくとも１つのリセス２４０とを備えている圧電構造体２００を模式的に示している。圧電材料の層２２０は、第１の熱膨張係数ＣＴＥ１を有し、支持基板２１０は、第１の熱膨張係数ＣＴＥ１とは実質的に異なる第２の熱膨張係数ＣＴＥ２を有する、すなわち、関係Ｍａｘ（ＣＴＥ１；ＣＴＥ２）＞Ｍｉｎ（ＣＴＥ１；ＣＴＥ２）が成り立ち、特にＭａｘ（ＣＴＥ１；ＣＴＥ２）／Ｍｉｎ（ＣＴＥ１；ＣＴＥ２）＞２、好ましくは＞４又は＞６が成り立ち、したがって、Ｍａｘ（ＣＴＥ１；ＣＴＥ２）及びＭｉｎ（ＣＴＥ１；ＣＴＥ２）がそれぞれＣＴＥ１及びＣＴＥ２の両者の最大値及び最小値である。これは、ＣＴＥの最大の不一致を計算するために異方性ＣＴＥ値のケースにも当てはまる。
【００２９】
少なくとも１つのリセス２４０は、リセスを画定するために必要な精度に応じて、例えばマスキング及びエッチング（リソグラフィを含む）、又はさらにはソーイングのようなよく知られている技術により形成されてもよい。１００μｍから５ｍｍに至るまでの範囲に含まれる少なくとも１つのリセス２４０の横方向寸法は、容易に画定することができ、深さプロファイルが、例えば、化学薬品、エッチング速度、及びエッチング期間に依存して、０．５μｍから５０μｍに至るまでの範囲に制御されることがある。低コストの代替技術としてのソーイングは、数μｍの不確定度で制御される深さプロファイルを有する１から２ｍｍ幅のトレンチを容易に実現する。さらに下記に詳細に記されるような層移転（例えばスマートカー（ＳｍａｒｔＣｕｒ）（商標））のケースでは、少なくとも１つのリセスを露出させることが、移転させようとする層の厚さを少なくとも１つのリセスの深さプロファイルよりも小さい範囲内に調節することにより実現されることがある。
【００３０】
圧電材料から作られたカバー層のケースでは、圧電材料は、タンタル酸リチウム（ＬＴＯ）、ニオブ酸リチウム（ＬＮＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、等であってもよい。
【００３１】
支持基板２００の材料は、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、サファイア、又は半導体産業において広く知られ使用されている任意の他の基板の群の中から選択されてもよい。
【００３２】
図２Ｂに模式的に開示した実施形態は、接着剤層２３０が圧電材料の層２２０と支持基板２１０との間の界面に存在する点で、図２Ａに示したものとは異なっている。下記に詳細に論じるように、圧電材料の層２２０と支持基板２１０との組み付けは、ボンディング技術、特に分子ボンディングを含むことがあり、接着剤層２３０は、ボンディングに先立って圧電材料の層２２０及び支持基板２１０にそれぞれ形成されている２つの酸化物層のボンディング界面であってもよい。他の組み付け技術は、例えばボンディング樹脂又はのりのような他のタイプの接着剤層２３０を含むことがある。
【００３３】
図２Ｃに模式的に描いた実施形態は、支持基板２１０が圧電材料の層２２０との界面の近くに機能層２５０を含む点で、図２Ａ及び図２Ｂのうちの一方とは異なっている。例えば、シリコン、特に１ｋＯｈｍ／ｃｍ又はさらには５ｋＯｈｍ／ｃｍよりも高い電気抵抗を有する高抵抗シリコン基板から作られている支持基板２１０のケースでは、機能層２５０は、酸化物ボンディング層の近くの界面導電性構成物を削除するために、いわゆるトラップリッチ層であってもよい。上記トラップリッチ層は、多結晶シリコン層として形成されるか、又は上記機能層に所定の気孔レベルを導入することによるかのいずれであってもよい。界面にあるこのような高抵抗機能層２５０は、信号の何らかの電気的損失がデバイス性能に対して有害であるＳＡＷデバイスに使用される圧電構造体２００にとって、特に関心が持たれる。さらに、このような機能層２５０は、圧電材料の層２２０を支持基板２１０から接続を切るために又は電気的に分離するために使用されることがある。このような機能層２５０は、１０μｍよりも薄い、又はさらには１μｍよりも薄い、又はさらには１００ｎｍよりも薄い厚さを有することがある。
【００３４】
最も顕著な材料は、シリコンが半導体産業で最も一般的に使用されている材料であるため、支持基板２１０として重要なものはシリコンである。既存の製造ラインでの取り扱い及び集積化は、したがってこのようなシリコン支持基板２１０を使用することにより容易になる。加えて、例えばＣＭＯＳのような機能マイクロエレクトロニックデバイスが、支持基板２１０に集積され、上記の高抵抗機能層２５０を横切ることにより圧電デバイスと必要な場合には電気的に接続されることがあり（電気ビアは図２Ｄには示されていない）、クロストークが最小化された極めて小型のデバイス構造をもたらす。
【００３５】
図２Ｄに模式的に開示した実施形態は、少なくとも１つのリセスが界面から支持基板２１０との界面とは反対側の圧電材料の層２２０の表面まで延伸する点で、図２Ａから図２Ｃに描いたものとは異なる。このような構成は、熱処理中の応力蓄積の調節をさらに改善する。しかしながら、圧電材料の能動表面は、少なくとも１つのリセスを露出させることのために縮小される。
【００３６】
少なくとも１つのリセス２４０の横方向寸法は、圧電材料の能動表面を増加させつつ、圧電構造体２００の十分な機械的安定性を持たせるように選択されなければならない。
【００３７】
図３Ａ、図３Ｂ、及び図３Ｃは、ウェハレベルでの平面図を模式的に示しており、少なくとも１つのリセス３４０の様々な実現のモードが表現されている。ＣＴＥの異方性が存在しないケースでは、図３Ａに示したような構成は、ＣＴＥの不一致に起因する熱処理の有害な効果を抑制するためには十分である可能性がある。最も近い及び／又は２番目に近いリセスまで距離ｄｌを有する圧電材料の層３２０での点状のリセス３４０が、支持基板との界面に形成され、したがって、距離ｄｌ（図３Ａでは、最も近い距離に対してｄｌ１そして２番目に近い距離に対してｄｌ２）が、所定の臨界長さｃｌよりも小さくなるように選択される。このような臨界長さｃｌは、臨界長さよりも大きいと、所定の温度における熱処理が有害な効果を引き起こし得る値になるように規定される。このような有害な効果は、例えば、圧電材料の層の座屈を含め湾曲に関する臨界値を超えるか、又は圧電構造体の破壊を引き起こし得る。ところが、取り扱い及び湾曲の問題は、制御される場合があり、特に破壊及び座屈は、例えばパッケージング及びデバイスのフロントエンド処理中に使用される熱処理に対応する２５０℃に至るまで、又はさらには５００℃に至るまでの温度に対して回避されるべきである。
【００３８】
図３Ｂ及び図３Ｃは、ＣＴＥの強い異方性が存在するケースを模式的に示している。少なくとも１つのリセスは、圧電材料の全体の層３２０にわたり延伸しているトレンチを形成している。主軸ｘ及びｙについてそれぞれの距離ｄｌｘ及びｄｌｙは、したがってこれらの主軸ｘ及びｙに由来する臨界長さよりも小さく、図３Ａに関連して上に開示した同じ基準に従う。
【００３９】
図４は、圧電構造体４００の製造の方法を模式的に示している。少なくとも１つのリセス４４０が、例えばリソグラフィ／マスキング及びエッチング技術により、圧電材料の層４２０に形成される。少なくとも１つのリセス４４０の深さは、その後の熱処理中に圧電構造体４００内で調節することを望む応力に依存することがあり、１００ｎｍから２０又はさらには５０μｍに至るまでの範囲であってもよい。任意選択で、少なくとも１つのリセス４４０は、材料、例えばリセスに堆積した（すなわち、ＰＶＤ又はＣＶＤ）酸化シリコンで埋められる。これは、このような構造に適用されるその後のボンディング又はエッチングにとって有利である可能性がある。任意選択的なステップＳ４１ａ及びＳ４１ｂは、圧電材料の層４２０及び支持基板４１０の各々にボンディング層４６０、例えば、それぞれの表面に堆積した酸化シリコンを設けることを模式的に示している（しかしながら、本発明はこのような手法に限定されず、代わりに１つのボンディング層４６０の使用、又はさらには何も使用しないことも想像することができる）。このようなボンディング層４６０は、例えばボンディング界面における粗さを最小にするための平坦化を含むその後の組み付けステップＳ４２を考慮して、さらに処理されることがある。組み付けステップＳ４２は、任意の種類のボンディング技術、特に分子ボンディングにより行われ得る。任意選択のボンディング層４６０は、したがって接着剤層４３０を形成する。類似の構成が、のり又は例えばボンディング樹脂としての他の接着剤の使用により得られることがある。圧電材料の層４２０との界面におけるボンディング層４６０の使用は、ボンディング界面における大きなボンディングエネルギーを維持しながらボンディング層４６０に対する上記界面を粗くすることを望むケースでは特に関心が持たれる。圧電材料の層４２０に対して粗くした界面が、最終ＳＡＷデバイスのいわゆるリップル効果を回避するために使用されることがある。
【００４０】
圧電材料の層４２０と支持基板４１０との組み付けの後で、Ｓ４３は、組み付け界面とは反対側の圧電材料の層４２０の表面の薄化ステップを模式的に示している。このような薄化ステップＳ４３は、限定しないが、グラインディング、ポリッシング、エッチング、又はこれらの技術の任意の組み合わせの群の中から選択される技術により行われてもよい。したがって、少なくとも１つのリセスを露出させること及びステップＳ４３の後の図４に示したような圧電構造体４００’を得ることが可能である。
【００４１】
図５は、圧電構造体５００’の製造の方法を模式的に示しており、ここではそれぞれの薄化ステップＳ５３が圧電構造体５００’を組み付けた後で脆弱ゾーン５６０のところでの剥離のステップを含む。脆弱ゾーン５７０は、イオン種及び／又は原子種、例えばＨ又はＨｅの注入により作られることがある。このような手法は、スマートカット（ＳｍａｒｔＣｕｔ）（商標）という用語の下で一般によく知られている。図５は、注入ステップが圧電材料の層５２０に少なくとも１つのリセス５４０の形成（ステップＳＡ２及びＳＢ２）の前（ステップＳＡ１）又は後（ステップＳＢ１）のいずれで実行されてもよいことを模式的に示している。さらに、図５は、図４のプロセスフローに開示したように、Ｓ５１での任意選択的な接着剤層５３０を設けるステップ、及び組み付けるステップＳ５２を模式的に示している。図５はそのときには、少なくとも１つのリセス５４０の深さが脆弱ゾーン５７０の深さを超えるシナリオを示しているに過ぎず、薄化ステップＳ５３により露出した少なくとも１つのリセス５４０を有する圧電構造体５００’をこのようにもたらしている。本発明は、このような実施形態に限定されず、例えば図２Ａから図２Ｃに示した実施形態に従った最終的な圧電構造体を得るために深さを容易に適応させることができる。露出していても又は露出していなくても、リセス５４０を有する圧電材料の層５２０の厚さは、１００ｎｍから１μｍに至るまで、又はさらには１０μｍに至るまで、又はさらには２０μｍに至るまでの範囲であるように選択されてもよい。
【図１Ａ】
2018518840.tif 000003
【図１Ｂ】
2018518840.tif 000004
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３Ａ】
2018518840.tif 000009
【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
2018518840.tif 000011
【図４】
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【図５】
2018518840.tif 000013
【国際調査報告】
2018518840.tif 000014
2018518840.tif 000015