(57)【要約】  本発明は、第１伝導体線を含むコアの厚さを減らし、カーボンナノチューブを含む第２伝導体層を導入することにより、ケーブルの線径超極細化を達成することができ、線径超極細化による抵抗増加に起因する電流強度低下を防止することができる、超極細ケーブル及びその製造方法に関する。前記超極細ケーブルは、第１伝導体線を含むコアと第２伝導体層との間に高分子層（絶縁層）を導入し、第２伝導体層にカーボンナノチューブを含ませることにより、数μｍ乃至数百μｍの最終線径及びナノレベルのコア直径を有するケーブルを保有しながらも、線径超極細化による抵抗増加に起因する電流強度低下が殆どないため、内視鏡などの医療機器に利用することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの第１伝導体線を含むコアと、
前記コアの外表面を被覆する絶縁層と、
前記絶縁層の外表面を被覆する第２伝導体層とを含み、
前記第２伝導体層は、カーボンナノチューブまたはグラフェンを含むものである、超極細ケーブル。
【請求項２】
前記少なくとも一つの第１伝導体線は、銅、ナトリウム、アルミニウム、マグネシウム、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、マンガン、インジウム、スズ、カドミウム、パラジウム、チタン、金、白金、銀、グラフェン、およびカーボンナノチューブよりなる群から選ばれる少なくとも１つを含むものである、請求項１に記載の超極細ケーブル。
【請求項３】
前記コアの直径が０．０１μｍ〜１０００μｍである、請求項１に記載の超極細ケーブル。
【請求項４】
前記絶縁層は、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ、ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ、ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＮ）、ポリエステル、アクリル、セルロース、フッ化炭素、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジエン、ポリアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ポリアミド、およびポリウレタンよりなる群から選ばれる少なくとも一つの高分子を含むものである、請求項１に記載の超極細ケーブル。
【請求項５】
前記絶縁層は、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）を含むものである、請求項１に記載の超極細ケーブル。
【請求項６】
前記絶縁層の厚さが０．０１ｎｍ〜１００ｎｍである、請求項１に記載の超極細ケーブル。
【請求項７】
前記第２伝導体層は、カーボンナノチューブを含むものである、請求項１に記載の超極細ケーブル。
【請求項８】
前記第２伝導体層の厚さが２ｎｍ〜２０００ｎｍである、請求項１に記載の超極細ケーブル。
【請求項９】
前記第２伝導体層の外表面を被覆するシールド層をさらに含む、請求項１に記載の超極細ケーブル。
【請求項１０】
前記超極細ケーブルの最外郭表面を被覆する保護層（ｊａｃｋｅｔ）をさらに含む、請求項１に記載の超極細ケーブル。
【請求項１１】
少なくとも一つの第１伝導体線を含むコアを高分子含有溶液に通過させ、絶縁層によって被覆されたコアを形成すること、及び
前記絶縁層によって被覆されたコアを第２伝導体含有溶液に通過させ、前記絶縁層の外表面に第２伝導体層を形成することを含み、
前記第２伝導体層はカーボンナノチューブまたはグラフェンを含むものである、超極細ケーブルの製造方法。
【請求項１２】
前記少なくとも一つの第１伝導体線は、銅、ナトリウム、アルミニウム、マグネシウム、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、マンガン、インジウム、スズ、カドミウム、パラジウム、チタン、金、白金、銀、グラフェン、およびカーボンナノチューブよりなる群から選ばれる少なくとも１つを含むものである、請求項１１に記載の超極細ケーブルの製造方法。
【請求項１３】
前記高分子は、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ、ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ、ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＮ）、ポリエステル、アクリル、セルロース、フッ化炭素、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジエン、ポリアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ポリアミド、およびポリウレタンよりなる群から選ばれる少なくとも１つを含むものである、請求項１１に記載の超極細ケーブルの製造方法。
【請求項１４】
前記高分子含有溶液の温度が１５０℃〜４００℃である、請求項１１に記載の超極細ケーブルの製造方法。
【請求項１５】
前記絶縁層によって被覆されたコアを、第２伝導体含有溶液に通過させる前に、１５０℃未満の温度まで冷却させることをさらに含む、請求項１１に記載の超極細ケーブルの製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁層の厚さが０．０１ｎｍ〜１００ｎｍである、請求項１１に記載の超極細ケーブルの製造方法。
【請求項１７】
前記第２伝導体は、カーボンナノチューブを含むものである、請求項１１に記載の超極細ケーブルの製造方法。
【請求項１８】
前記第２伝導体含有溶液の温度が常温〜８０℃である、請求項１１に記載の超極細ケーブルの製造方法。
【請求項１９】
前記第２伝導体含有溶液は、前記第２伝導体の分散量が０．０２ｍｇ／ｍＬ〜０．５ｍｇ／ｍＬのものである、請求項１１に記載の超極細ケーブルの製造方法。
【請求項２０】
前記第２伝導体層の厚さが２ｎｍ〜２００００ｎｍである、請求項１１に記載の超極細ケーブルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超極細ケーブル（ｎａｎｏｃａｂｌｅ）に係り、さらに詳しくは、第１伝導体線を含むコアの厚さを減らし、カーボンナノチューブを含む第２伝導体層を導入することにより、ケーブル線径の超極細化を達成することができ、線径超極細化による抵抗増加に起因する電流強度低下現象を防止することができる、超極細ケーブル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近では、内視鏡などの医療機器またはポータブルマルチメディア機器などの極小型化が進むにつれて、これらを駆動するためのケーブルの線径極細化および性能向上のための研究が盛んに行われている。
【０００３】
例えば、直径１ｍｍ以下の極細同軸ケーブルに関する韓国登録特許第１０−０９１０４３１号には、二つ以上の極細金属線からなる中心導体と、中心導体を包み込む絶縁層と、絶縁層を二つ以上の平角形状の金属線で横巻きして包み込む金属遮蔽層と、金属遮蔽層を包み込むシース層（ｓｈｅａｔｈ）とを含み、金属遮蔽層を構成する金属線を平角成形して金属遮蔽層の厚さを減らすことにより、ケーブルの最終線径（最終線径とは、中心導体、およびこれを包み込む絶縁層などの構成を全て含むケーブルの全体直径を意味する。）を極細化したことが開示されている。
【０００４】
一方、電子機器などの極超小型化に伴い、従来の最終線径が数ｍｍ未満のケーブルよりもさらに細い、数μｍ乃至数百μｍの最終線径及びナノレベルのコア（中心導線）直径を有するケーブルに対する必要性が増加しつつあるが、一般に導線の太さを細くする場合、抵抗が大きくなって電流強度が減少する性能低下の問題点があって、数μｍ乃至数百μｍの太さを有するケーブルを様々な応用分野に適用するには限界がある。韓国登録特許第１０−０９１０４３１号でも、金属遮蔽層の遮蔽特性のみを考慮しているだけで、ケーブルの線径極細化による抵抗増加に起因する電流強度減少を防止するための解決策を提供してはいない。
【０００５】
一方、カーボンナノチューブは、１０乃至１０７Ω／□の非常に広い範囲の伝導性、均一で線形的な伝導度、優れた透明度及び低い反射率を有し、優れた接着力、耐久性、耐摩耗性及び屈曲性を有するなど、物理的・電気的特性に優れて電極材料用透明伝導性膜の形成の際にフィラーなどの形で多く使われているナノ物質であり、特に、上述したように非常に小さな数値の面抵抗（１０Ω／□）から非常に大きな数値の面抵抗（１０７Ω／□）まで広い範囲の伝導性を示すので、用途に応じて面抵抗を調整することができる。このようなカーボンナノチューブは、高分子、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）、エポキシ、ポリカーボネート、ポリエチレングリコール、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコールなどに対して親和力のある性質を持つことができることが、Ｓｅｒｔａｎ  Ｙｅｓｉｌ等による論文（Polymer Engineering & Science, Volume 51, Issue 7, Article first published online: 11 FEB 2011）に開示されている。
【０００６】
しかし、カーボンナノチューブは、上述したような優れた物理的、電気的性質にも拘らず、ケーブルの形状に長さを長くすることが技術的に難しく、工程が複雑であって、従来の同軸ケーブルに使用される伝導体として適用することは難しいという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】韓国登録特許第１０−０９１０４３１号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Polymer Engineering & Science, Volume 51, Issue 7, Article first published online: 11 FEB 2011
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、本発明は、かかる問題点を解決するためになされたもので、その目的は、第１導線である第１伝導体線を含むコアと、第２導線である第２伝導体層との間に高分子層（絶縁層）を導入し、第２伝導体層にカーボンナノチューブを含ませることにより、数μｍ乃至数百μｍの最終線径及びナノレベルのコア直径を有するケーブルの太さを保有しながらも、線径超極細化による抵抗増加に起因する電流強度低下が発生しない、超極細ケーブルを提供することにある。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、コアを高分子及び第２伝導体含有溶液にそれぞれ通過させることにより、高分子層（絶縁層）及び第２伝導体層を形成して生産工程を単純化させ、線径超極細化による抵抗増加に起因する電流強度低下を防止することができる、超極細ケーブルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するために、本発明の一態様は、少なくとも一つの第１伝導体線を含むコアと、前記コアの外表面を被覆する絶縁層と、前記絶縁層の外表面を被覆する第２伝導体層とを含み、前記第２伝導体層はカーボンナノチューブまたはグラフェンを含むものである、超極細ケーブルを提供する。
【００１２】
前記少なくとも一つの第１伝導体線は、銅、ナトリウム、アルミニウム、マグネシウム、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、マンガン、インジウム、スズ、カドミウム、パラジウム、チタン、金、白金、銀、グラフェン、およびカーボンナノチューブよりなる群から選ばれる少なくとも１つを含むものであってもよい。
前記コアの直径が約０．０１μｍ〜約１０００μｍであってもよい。
【００１３】
前記絶縁層は、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ、ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ、ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＮ）、ポリエステル、アクリル、セルロース、フッ化炭素、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジエン、ポリアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ポリアミド、およびポリウレタンよりなる群から選ばれる少なくとも一つの高分子を含むものであってもよい。
前記絶縁層は、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）を含むものであってもよい。
前記絶縁層の厚さは約０．０１ｎｍ〜約１００ｎｍであってもよい。
前記第２伝導体層は、カーボンナノチューブを含むものであってもよい。
前記第２伝導体層の厚さは約２ｎｍ〜約２０００ｎｍであってもよい。
前記超極細ケーブルは、前記第２伝導体層の外表面を被覆するシールド層をさらに含んでもよい。
前記超極細ケーブルは、前記超極細ケーブルの最外郭表面を被覆する保護層（ｊａｃｋｅｔ）をさらに含んでもよい。
【００１４】
上記の他の目的を達成するために、本発明の他の態様は、少なくとも一つの第１伝導体線を含むコアを高分子含有溶液に通過させ、絶縁層によって被覆されたコアを形成すること、及び前記絶縁層によって被覆されたコアを第２伝導体含有溶液に通過させ、前記絶縁層の外表面に第２伝導体層を形成することを含み、前記第２伝導体層はカーボンナノチューブまたはグラフェンを含むものである、超極細ケーブルの製造方法を提供する。
【００１５】
前記少なくとも一つの第１伝導体線は、銅、ナトリウム、アルミニウム、マグネシウム、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、マンガン、インジウム、スズ、カドミウム、パラジウム、チタン、金、白金、銀、グラフェン、およびカーボンナノチューブよりなる群から選ばれる少なくとも１つを含むものであってもよい。
【００１６】
前記高分子は、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ、ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ、ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＮ）、ポリエステル、アクリル、セルロース、フッ化炭素、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジエン、ポリアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ポリアミド、およびポリウレタンよりなる群から選ばれる少なくとも１つを含むものであってもよい。
前記高分子含有溶液の温度が約１５０℃〜約４００℃であってもよい。
【００１７】
前記超極細ケーブルの製造方法は、前記絶縁層によって被覆されたコアを、第２伝導体含有溶液に通過させる前に、約１５０℃未満の温度まで冷却させることをさらに含んでもよい。
前記絶縁層の厚さは約０．０１ｎｍ〜約１００ｎｍであってもよい。
前記第２伝導体は、カーボンナノチューブを含むものであってもよい。
前記第２伝導体含有溶液の温度は常温〜約８０℃であってもよい。
前記第２伝導体含有溶液は、前記第２伝導体の分散量が約０．０２ｍｇ／ｍＬ〜約０．５ｍｇ／ｍＬのものであってもよい。
前記第２伝導体層の厚さは約２ｎｍ〜約２００００ｎｍであってもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の一態様による超極細ケーブルは、第１伝導体線を含むコアと第２導線である第２伝導体層との間に高分子層（絶縁層）を導入し、第２伝導体層にカーボンナノチューブを含ませることにより、数μｍ乃至数百μｍの最終線径及びナノレベルのコア直径を有するケーブルの太さを保有しながらも、線径超極細化による抵抗増加に起因する電流強度低下が発生しないため、内視鏡などの医療機器に使用することができる。
【００１９】
また、本発明の他の態様による超極細ケーブルの製造方法によって、コアを、高分子及び第２伝導体をそれぞれ含有する溶液に順次通過させることにより、絶縁層及び第２伝導体層を形成して生産工程を単純化させることができ、線径超極細化による抵抗増加に起因する電流強度低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る超極細ケーブルを概略的に示す図である。
【図２】本発明の一実施形態において、絶縁層に使用できるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の構造を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る超極細ケーブルの斜視図である。
【図４】本発明の一実施形態において、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の概略図及び走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）イメージである。
【図５】本発明の一実施形態において、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の透過度を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付図面を参照して、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施し得るように、本発明の実施形態を詳細に説明する。しかし、本発明は、様々な異なる形態で実現でき、ここで説明する実施形態に限定されない。そして、図面で本発明を明確に説明するために、説明と関係ない部分は省略し、明細書全体にわたって同様の部分については同様の符号を付した。
【００２２】
本発明の明細書及び請求の範囲で使用された用語または単語は通常的かつ辞典的な意味に限定解釈されず、発明者は自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に立脚して、本発明の技術的思想に符合する意味と概念で解釈されるべきである。
【００２３】
本発明の明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」とするとき、これは特に反対される記載がない限り、別の構成要素を除外するのではなく、別の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
本発明の明細書全体において、「Ａおよび／またはＢ」は、ＡまたはＢ、またはＡおよびＢを意味する。
以下、添付図面を参照して本発明を具体的に説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
図１は本発明の一実施形態に係る超極細ケーブルを概略的に示す図である。
【００２４】
図１を参照すると、本発明の一実施形態に係る超極細ケーブル１００は、少なくとも一つの第１伝導体線を含むコア１１０と、前記コアの外表面を被覆する絶縁層１２０と、前記絶縁層の外表面を被覆する第２伝導体層１３０とを含む。
【００２５】
本発明の一実施形態において、前記少なくとも一つの第１伝導体線は、内部導線であって、銅、ナトリウム、アルミニウム、マグネシウム、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、マンガン、インジウム、スズ、カドミウム、パラジウム、チタン、金、白金、銀、グラフェン、およびカーボンナノチューブよりなる群から選ばれる少なくとも１つを含むものであり得る。通常、少なくとも一つの第１伝導体線としては、銅または銅合金が使用できるが、これに限定されるものではない。
【００２６】
前記コア１１０は、一つの第１伝導体線であってもよく、複数の第１伝導体線であってもよく、少なくとも一つの第１伝導体線が撚れて形成されたものであってもよいが、これらに限定されない。例えば、前記コアは、複数の第１伝導体線が撚り合わせられて形成されたものであってもよい。
【００２７】
本発明の一実施形態において、前記コアの直径が約０．０１μｍ〜約１０００μｍであり得る。例えば、前記コアの直径は、約０．０１μｍ〜約１０００μｍ、約０．０１μｍ〜約８００μｍ、約０．０１μｍ〜約６００μｍ、約０．０１μｍ〜約４００μｍ、約０．０１μｍ〜約３００μｍ、約０．０１μｍ〜約２００μｍ、約０．０１μｍ〜約１００μｍ、約０．０１μｍ〜約８０μｍ、約０．０１μｍ〜約６０μｍ、約０．０１μｍ〜約４０μｍ、約０．０１μｍ〜約２０μｍ、約０．０１μｍ〜約１０μｍ、約０．０１μｍ〜約１μｍ、約０．０１μｍ〜約０．５μｍ、約０．５μｍ〜約１０００μｍ、約１μｍ〜約１０００μｍ、約１０μｍ〜約１０００μｍ、約２０μｍ〜約１０００μｍ、約４０μｍ〜約１０００μｍ、約６０μｍ〜約１０００μｍ、約８０μｍ〜約１０００μｍ、約１００μｍ〜約１０００μｍ、約２００μｍ〜約１０００μｍ、約４００μｍ〜約１０００μｍ、約６００μｍ〜約１０００μｍ、約８００μｍ〜約１０００μｍ、約０．０１ｎｍ〜約１００ｎｍ、または約５０ｎｍ〜約１００ｎｍであることができ、約１０００μｍを超える場合、超極細ケーブルの形成の妨げになるおそれがある。
【００２８】
本発明において、第１導線である第１伝導体線を含むコアと、第２導線である第２伝導体層との結合力を高めるために、カーボンナノチューブまたはグラフェンなどの炭素ナノ素材との親和力がある高分子を用いることができる。これに関連し、Ｓｅｒｔａｎ  Ｙｅｓｉｌ等による論文には、カーボンナノチューブがポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）、エポキシ、ポリカーボネート、ポリエチレングリコール、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコールなどの高分子との親和力がある性質を持つことができることが開示されている（Polymer Engineering & Science, Volume 51, Issue 7, Article first published online: 11 FEB 2011）。前記高分子は絶縁層としての役目をする。
【００２９】
前記絶縁層１２０は、前記コア１１０の外表面を被覆している層であって、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ、ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ、ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＮ）、ポリエステル、アクリル、セルロース、フッ化炭素、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジエン、ポリアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ポリアミド、およびポリウレタンよりなる群から選ばれる少なくとも一つの高分子を含むことができる。前記絶縁層は、上述した高分子のうちのいずれか一つを含むことができ、または、上述した高分子のうちの少なくとも２つの組み合わせを含むことができる。例えば、前記絶縁層は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を含むものであり得るが、これらに限定されるものではない。図２は本発明の一実施形態において、前記絶縁層に使用できるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の構造を示す図である。図２を参照すると、ポリエチレンテレフタレートは、負電荷を持つことが可能な酸素を多く含有している。このような酸素は、カーボンナノチューブまたはグラフェンとの結合を許容することができる結合サイトとしての役目をする。ポリエチレンテレフタレートは、半結晶熱可塑性高分子（ｓｅｍｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｔｈｅｒｍｏｐｌａｓｔｉｃ  ｐｏｌｙｍｅｒ）として優れた化学的抵抗性、熱安定性、溶融移動性（ｍｅｌｔ  ｍｏｂｉｌｉｔｙ）及び可紡性（ｓｐｉｎｎａｂｉｌｉｔｙ）を有するため、複合材料、包装材、電気、繊維、自動車及び建設産業などの様々な分野で使用される物質である。
【００３０】
本発明の一実施形態において、前記絶縁層の厚さが約０．０１ｎｍ〜約１００ｎｍであり得る。例えば、前記絶縁層の厚さは、約０．０１ｎｍ〜約１００ｎｍ、約０．０１ｎｍ〜約８０ｎｍ、約０．０１ｎｍ〜約５０ｎｍ、約０．０１ｎｍ〜約３０ｎｍ、約０．０１ｎｍ〜約１０ｎｍ、約０．０１ｎｍ〜約５ｎｍ、約０．０１ｎｍ〜約１ｎｍ、約０．０１ｎｍ〜約０．５ｎｍ、約０．０１ｎｍ〜約０．１ｎｍ、約０．１ｎｍ〜約１００ｎｍ、約０．５ｎｍ〜約１００ｎｍ、約１ｎｍ〜約１００ｎｍ、約５ｎｍ〜約１００ｎｍ、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍ、約３０ｎｍ〜約１００ｎｍ、約５０ｎｍ〜約１００ｎｍまたは約８０ｎｍ〜約１００ｎｍであることができ、約１００ｎｍを超える場合、超極細ケーブルの形成の妨げになるおそれがある。ケーブルの極小型化は、前記絶縁層の厚さの減少が伴わなければならない。しかし、前記絶縁層の厚さが約０．０１ｎｍ未満である場合、ケーブルに流れる許容電流が減少したり絶縁破壊強度が低くなったりするように、電気的信頼性が低下するという問題点が発生するおそれがある。
【００３１】
本発明の一実施形態において、前記第２伝導体層１３０は、前記絶縁層１２０の外表面を被覆するものであって、カーボンナノチューブまたはグラフェンを含むものであり得るが、これらに限定されるものではない。グラフェンは、６員環の炭素が繰り返されて蜂の巣状に配列されている、薄い膜状のナノ物質であって、単層グラフェンまたは約５０層以下のグラフェンシートが積層されたものであり、グラフェンシートの層数を調節して第２伝導体層の厚さを調節することができる。また、グラフェンの場合、層数に応じて透明度、伝導度、酸素遮蔽効果などに影響を及ぼす可能性があるので、グラフェンの層数を調節して所望の厚さに形成することができる。カーボンナノチューブは、グラフェンの炭素同素体であって、グラフェンが円筒状に巻かれている形態であると見られるが、実際にはらせん状にねじれた構造を持っており、グラフェンとは全く異なるナノ物質である（図４参照）。本発明において、カーボンナノチューブは、前記絶縁層１２０の外表面に自己組織化（ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｙ）されたカーボンナノチューブネットワークを含むことができるが、これらに限定されるものではない。
【００３２】
図５は本発明の一実施形態において、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の透過度を示す図である。図５を参照すると、カーボンナノチューブと電気的／物理的特性が似ていることが知られている伝導体であるインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）およびＰＥＤＯＴ（Ｐｏｌｙ（３，４−Ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ、非金属系伝導性高分子）は、一部の波長に局限して９０％以上の透過度を示したが、これに対し、カーボンナノチューブは、可視光線全波長帯（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）にわたって９０％以上の優れた透過度が維持されており、むしろ波長増加とともに透過度がやや増加していることを確認することができる（９０％以上：２３０Ω／□、９５％以上：４５０Ω／□）。このような点に基づいて、本発明において、第２伝導体層はカーボンナノチューブを含むことが好ましい。
【００３３】
例えば、前記カーボンナノチューブまたはグラフェンは、その表面が化学的に処理されたものであってもよい。「化学的に処理された」という用語は、その表面が様々な化学種によって官能基化されたことを意味し、カーボンナノチューブまたはグラフェンの表面改質を意味する。前記表面改質は、共有結合的表面改質及び非共有結合的表面改質を含むことができ、前記表面改質を介してカーボンナノチューブまたはグラフェンの表面に様々な官能基を導入することができる。共有結合的表面改質は、酸化反応、付加反応、フッ素化反応などの化学反応を介してカーボンナノチューブまたはグラフェンの表面のｓｐ２混成化を崩壊させる方法であり、非共有結合的表面改質は、カーボンナノチューブまたはグラフェンの表面の電子構造を破壊することなく、疎水性の表面に両親媒性分子または高分子を導入する方法である。例えば、前記カーボンナノチューブまたはグラフェンは、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン基、アミノ基、アミン基、アミド基、チオール基、ニトロ基、ケトン基、スルホン酸基またはリン酸基などの官能基によって表面改質されたものであり、または硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、ドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル（ＤＧＥＢＡ）、ポリビニルピロリドン、ポリアニリン、ポリアクリル酸、ポリ（４−スチレンスルホネート）などにより表面改質されたものであり得る。上述したように、表面改質されたカーボンナノチューブまたはグラフェンと、ＰＥＴのように酸素を含有する高分子とは強い結合力をもって互いに化学的に結合することができる。
【００３４】
例えば、官能基化または表面改質されたカーボンナノチューブまたはグラフェンを第２伝導体層に導入すると、絶縁層１２０及び第２伝導体層１３０は強い結合を形成することになり、ハーネス工程中に発生しうる第２伝導体層の脱皮を防止することができる。前記カーボンナノチューブまたはグラフェンは、ボールミル粉砕を経たものであり得るが、これらに限定されるものではない。
【００３５】
本発明の一実施形態において、前記第２伝導体層１３０の厚さが約２ｎｍ〜約２００００ｎｍであり得るが、これらに限定されるものではない。例えば、前記第２伝導体層１３０の厚さは、約２ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約２ｎｍ〜約１００００ｎｍ、約２ｎｍ〜約２０００ｎｍ、約２ｎｍ〜約１０００ｎｍ、約２ｎｍ〜約８００ｎｍ、約２ｎｍ〜約６００ｎｍ、約２ｎｍ〜約４００ｎｍ、約２ｎｍ〜約２００ｎｍ、約２ｎｍ〜約１００ｎｍ、約２ｎｍ〜約８０ｎｍ、約２ｎｍ〜約６０ｎｍ、約２ｎｍ〜約４０ｎｍ、約２ｎｍ〜約２０ｎｍ、約２ｎｍ〜約１０ｎｍ、約２ｎｍ〜約５ｎｍ、約５ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約１０ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約２０ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約４０ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約６０ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約８０ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約１００ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約２００ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約４００ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約６００ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約８００ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約１μｍ〜約２００００ｎｍ、約２ｎｍ〜約５０ｎｍ、約１０ｎｍ〜約５０ｎｍまたは約３０ｎｍ〜約５０ｎｍであり得る。前記第２伝導体層の厚さが約２０μｍ（２００００ｎｍ）を超える場合、透明度、伝導度、酸素遮蔽効果などが低下するおそれがある。
【００３６】
例えば、単一壁カーボンナノチューブで前記第２伝導体層が形成される場合、前記第２伝導体層の厚さは約１０ｎｍ以下、好ましくは約２ｎｍであることができ、多重壁カーボンナノチューブで前記第２伝導体層が形成される場合、前記第２伝導体層の厚さは約１０μｍ（１００００ｎｍ）以下であり得る。
図３は本発明の一実施形態に係る超極細ケーブルの斜視図である。
【００３７】
図３を参照すると、本発明の一実施形態に係る超極細ケーブルは、前記第２伝導体層の外表面を被覆するシールド層をさらに含むことができる。シールド層は、カーボンナノチューブ、グラフェン、銅合金、または柔軟性を増加させることが可能な伝導性高分子を含むことができるが、これらに限定されるものではない。
【００３８】
本発明の一実施形態に係る超極細ケーブルは、前記超極細ケーブルの最外郭表面を被覆する保護層（ｊａｃｋｅｔ）をさらに含むことができる。前記保護層は、外部からの衝撃を防止する役目をするものであって、当業界で通常使用される、高分子、高分子複合材料、炭素ナノ素材、シリコンなどを含むことができる。
【００３９】
本発明の他の態様は、少なくとも一つの第１伝導体線を含むコアを高分子含有溶液に通過させ、絶縁層によって被覆されたコアを形成すること、および前記絶縁層によって被覆されたコアを第２伝導体含有溶液に通過させ、前記絶縁層の外表面に第２伝導体層を形成することを含み、前記第２伝導体層はカーボンナノチューブまたはグラフェンを含むものである、超極細ケーブルの製造方法を提供する。
【００４０】
本発明の一実施形態において、前記少なくとも一つの第１伝導体線は、銅、ナトリウム、アルミニウム、マグネシウム、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、マンガン、インジウム、スズ、カドミウム、パラジウム、チタン、金、白金、銀、グラフェン、およびカーボンナノチューブよりなる群から選ばれる少なくとも１つを含むものであり得る。通常、少なくとも一つの第１伝導体線としては、銅または銅合金が使用できるが、これらに限定されるものではない。
前記コアは、一つの第１伝導体線であってもよく、或いは複数の第１伝導体線であってもよい。
【００４１】
本発明の一実施形態において、前記コアは、少なくとも一つの第１伝導体線を撚って形成できるが、これらに限定されるものではない。例えば、前記コアは、複数の第１伝導体線が撚り合わせられて形成されたものであり得る。
【００４２】
本発明の一実施形態において、前記コアの直径は約０．０１μｍ〜約１０００μｍであり得る。例えば、前記コアの直径は、約０．０１μｍ〜約１０００μｍ、約０．０１μｍ〜約８００μｍ、約０．０１μｍ〜約６００μｍ、約０．０１μｍ〜約４００μｍ、約０．０１μｍ〜約３００μｍ、約０．０１μｍ〜約２００μｍ、約０．０１μｍ〜約１００μｍ、約０．０１μｍ〜約８０μｍ、約０．０１μｍ〜約６０μｍ、約０．０１μｍ〜約４０μｍ、約０．０１μｍ〜約２０μｍ、約０．０１μｍ〜約１０μｍ、約０．０１μｍ〜約１μｍ、約０．０１μｍ〜約０．５μｍ、約０．５μｍ〜約１０００μｍ、約１μｍ〜約１０００μｍ、約１０μｍ〜約１０００μｍ、約２０μｍ〜約１０００μｍ、約４０μｍ〜約１０００μｍ、約６０μｍ〜約１０００μｍ、約８０μｍ〜約１０００μｍ、約１００μｍ〜約１０００μｍ、約２００μｍ〜約１０００μｍ、約４００μｍ〜約１０００μｍ、約６００μｍ〜約１０００μｍ、約８００μｍ〜約１０００μｍ、約０．０１ｎｍ〜約１００ｎｍ、または約５０ｎｍ〜約１００ｎｍであることができ、約１０００μｍを超える場合、超極細ケーブルの形成の妨げになるおそれがある。
【００４３】
本発明において、絶縁層によって被覆されたコアを形成することは、第１伝導体線を含むコアを高分子含有溶液に通過させることを含む。第１伝導体線を含むコアを高分子含有溶液に通過させることは、高分子含有溶液入りの反応槽に前記コアを貫通させて移動させながら前記高分子含有溶液内に浸漬されるようにすることを含むことができるが、これらに限定されるものではない。
このような過程は、要求される絶縁層の厚さを達成するために、１回または数回繰返し行うことができる。
【００４４】
前記高分子含有溶液は、高分子溶融液、または、高分子と溶媒との混合液を含むことができる。前記溶媒は、高分子を溶解または分散させるために、当業界で通常使われているものを特に制限なく使用することができる。
【００４５】
本発明の一実施形態において、前記高分子としては、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ、ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ、ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＮ）、ポリエステル、アクリル、セルロース、フッ化炭素、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジエン、ポリアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ポリアミド、およびポリウレタンよるなる群から選ばれる少なくとも１つを使用することができる。前記高分子は、上述した高分子のうちのいずれか一つを含むことができ、または、上述した高分子のうちの少なくとも２つの組み合わせを使用することができる。例えば、前記絶縁層は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を含むものであり得るが、これらに限定されるものではない。
【００４６】
本発明の一実施形態において、前記高分子含有溶液は、約１５０℃〜約４００℃の温度を持つものであり得るが、これらに限定されるものではない。例えば、前記高分子含有溶液の温度は約１５０℃〜約４００℃、約１５０℃〜約３５０℃、約１５０℃〜約３００℃、約１５０℃〜約２５０℃、約１５０℃〜約２００℃、約２００℃〜約４００℃、約２５０℃〜約４００℃、約３００℃〜約４００℃、または約３５０℃〜約４００℃であり得る。
【００４７】
前記高分子含有溶液の温度は約１５０℃以上で選ばれるが、高分子の溶融点を考慮して選択できる。例えば、ＰＥＴは約２５０℃で溶融されるので、この場合は２５０℃以上が好ましい。
【００４８】
本発明の一実施形態において、前記超極細ケーブルの製造方法は、前記絶縁層によって被覆されたコアを、第２伝導体含有溶液に通過させる前に、約１５０℃未満の温度まで冷却させることをさらに含むことができる。前記絶縁層によって被覆されたコアを、約１５０℃未満となるように冷却させると、被覆された高分子が固まってその表面に次の過程（第２伝導体層の被覆過程）を行い易くなる。このとき、冷却温度は常温〜約１５０℃、常温〜約１００℃、常温〜約５０℃、約５０℃〜約１５０℃未満、または約１００℃〜約１５０℃未満であり得る。
【００４９】
本発明の一実施形態において、形成された絶縁層の厚さは約０．０１ｎｍ〜約１００ｎｍであり得る。例えば、前記絶縁層の厚さは、約０．０１ｎｍ〜約１００ｎｍ、約０．０１ｎｍ〜約８０ｎｍ、約０．０１ｎｍ〜約５０ｎｍ、約０．０１ｎｍ〜約３０ｎｍ、約０．０１ｎｍ〜約１０ｎｍ、約０．０１ｎｍ〜約５ｎｍ、約０．０１ｎｍ〜約１ｎｍ、約０．０１ｎｍ〜約０．５ｎｍ、約０．０１ｎｍ〜約０．１ｎｍ、約０．１ｎｍ〜約１００ｎｍ、約０．５ｎｍ〜約１００ｎｍ、約１ｎｍ〜約１００ｎｍ、約５ｎｍ〜約１００ｎｍ、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍ、約３０ｎｍ〜約１００ｎｍ、約５０ｎｍ〜約１００ｎｍ、または約８０ｎｍ〜約１００ｎｍであることができ、約１００ｎｍを超える場合、超極細ケーブルの形成の妨げになることができる。ケーブルの極小型化は、前記絶縁層の厚さの減少が伴わなければならない。しかし、前記絶縁層の厚さが約０．０１ｎｍ未満である場合、ケーブルに流れる許容電流が減少したり絶縁破壊強度が低くなったりするなど、電気的信頼性が低下するという問題点が発生するおそれがある。
【００５０】
本発明において、絶縁層の外表面に第２伝導体層を形成することは、前記絶縁層によって被覆されたコアを第２伝導体含有溶液に通過させることを含む。絶縁層によって被覆されたコアを第２伝導体含有溶液に通過させることは、前記絶縁層によって被覆されたコアを第２伝導体含有溶液入りの反応槽に貫通させて移動させながら、前記第２伝導体含有溶液内に浸漬されるようにすることを含むことができるが、これらに限定されるものではない。このような過程は、要求される第２伝導体層の厚さを達成するために、１回または数回繰返し行うことができる。前記第２伝導体含有溶液は、溶媒中に第２伝導体を分散させたものであり得る。前記溶媒としては、水、ブチルアミン、ヘキシルアミン、トリエチルアミン、ピリジン、ピラジン、ピロール、メチルピリジン、メタノール、エタノール、トリフルオロエタノール、プロパノール、イソプロパノール、テルピネオール、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、１，２−ジクロロベンゼン、クロロホルム、シクロヘキサノン、トルエン、１，４−ジオキサン、アセトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルメタアクリレート、エチレングリコール、ヘキサン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ブチルセルソルブ、ブチルセルソルブアセテート、およびＮ−メチル−ピロリドンよりなる群から選ばれた少なくとも一つが使用できる。
【００５１】
本発明の一実施形態において、前記第２伝導体は、カーボンナノチューブまたはグラフェンを含むものであり得るが、これらに限定されるものではない。グラフェンは、６員環の炭素が繰り返されて蜂の巣状に配列されている、薄い膜状のナノ物質であって、単層グラフェンまたは約５０層以下のグラフェンシートが積層されたものであり得る。絶縁層によって被覆されたコアを第２伝導体含有溶液に通過させる過程を少なくとも１回行い、被覆されたグラフェンシートの層数を調節し、第２伝導体層の所要の厚さを達成することができる。カーボンナノチューブは、グラフェンの炭素同素体であって、グラフェンが円筒状に巻かれている形態であると見られるが、らせん状にねじれた構造を持っており、グラフェンとは異なるナノ物質である。本発明において、絶縁層によって被覆されたコアを第２伝導体含有溶液に通過させる過程を少なくとも１回行い、前記絶縁層の外表面にカーボンナノチューブを自己組織化（ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｙ）させることができ、第２伝導体層の所要の厚さを達成することができる。前記第２伝導体層はカーボンナノチューブを含むことが好ましい。
【００５２】
例えば、前記カーボンナノチューブまたはグラフェンは、その表面が化学的に処理されたものであってもよい。「化学的に処理された」という用語は、その表面が様々な化学種によって官能基化されたことを意味し、カーボンナノチューブまたはグラフェンの表面改質を意味する。前記表面改質は、共有結合的表面改質及び非共有結合的表面改質を含むことができ、前記表面改質を介してカーボンナノチューブまたはグラフェンの表面に様々な官能基を導入することができる。共有結合的表面改質は、酸化反応、付加反応、フッ素化反応などの化学反応を介してカーボンナノチューブまたはグラフェンの表面のｓｐ２混成化を崩壊させる方法であり、非共有結合的表面改質は、カーボンナノチューブまたはグラフェンの表面の電子構造を破壊することなく、疎水性の表面に両親媒性分子または高分子を導入する方法である。例えば、前記カーボンナノチューブまたはグラフェンは、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン基、アミノ基、アミン基、チオール基、ニトロ基、ケトン基、スルホン酸基またはリン酸基などの官能基によって表面改質されたものであることができ、または硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、ドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル（ＤＧＥＢＡ）、ポリビニルピロリドン、ポリアニリン、ポリアクリル酸、ポリ（４−スチレンスルホネート）などによって表面改質されたものであり得る。上述したような官能基化または表面改質によれば、カーボンナノチューブまたはグラフェンは、ＰＥＴのように酸素を含有する高分子は強い結合力をもって化学的に結合することができ、溶媒中でより均一に分散することができる。
【００５３】
例えば、官能基化または表面改質されたカーボンナノチューブまたはグラフェンを第２伝導体層に導入すれば、絶縁層及び第２伝導体層は強い結合を形成することにより、ハーネス工程中に発生しうる第２伝導体層の脱皮を防止することができる。
前記カーボンナノチューブまたはグラフェンは、溶媒と混合する前に、ボールミル粉砕を経たものであり得るが、これらに限定されるものではない。
【００５４】
本発明の一実施形態において、前記第２伝導体含有溶液は、超音波または磁力（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｏｒｃｅ）を利用して、第２伝導体を溶媒中に均一に分散させたものであり得るが、これらに限定されるものではない。
【００５５】
前記第２伝導体含有溶液は、前記第２伝導体の分散量が約０．０２ｍｇ／ｍＬ乃至約０．５ｍｇ／ｍＬのものであり得る。前記第２伝導体含有溶液における第２伝導体の分散量が約０．５ｍｇ／ｍＬを超える場合、分散性が低下して形成された第２伝導体層の厚さが一定ではなく、突起が形成されるという問題点が発生するおそれがある。
【００５６】
前記第２伝導体含有溶液は、常温〜約８０℃の温度を有するものであり得る。前記第２伝導体含有溶液の好ましい温度は、前記高分子の融点未満であり、例えば、常温〜約８０℃、常温〜約７０℃、常温〜約６０℃、常温〜約５０℃、約５０℃〜約８０℃、約６０℃〜約８０℃、または約７０℃〜約８０℃であり得る。第２伝導体層の形成の際に、常温未満の温度では、過剰な冷却により、費用増大の問題点が発生するおそれがあり、約１５０℃を超える温度では、前記絶縁層を形成している高分子が溶融され、その表面に第２伝導体層を形成することが難しいおそれがある。
【００５７】
本発明の一実施形態において、形成された第２伝導体層は、厚さが約２ｎｍ〜約２００００ｎｍであり得るが、これらに限定されるものではない。例えば、前記第２伝導体層の厚さは、約２ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約２ｎｍ〜約１００００ｎｍ、約２ｎｍ〜約２０００ｎｍ、約２ｎｍ〜約１０００ｎｍ、約２ｎｍ〜約８００ｎｍ、約２ｎｍ〜約６００ｎｍ、約２ｎｍ〜約４００ｎｍ、約２ｎｍ〜約２００ｎｍ、約２ｎｍ〜約１００ｎｍ、約２ｎｍ〜約８０ｎｍ、約２ｎｍ〜約６０ｎｍ、約２ｎｍ〜約４０ｎｍ、約２ｎｍ〜約２０ｎｍ、約２ｎｍ〜約１０ｎｍ、約２ｎｍ〜約５ｎｍ、約５ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約１０ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約２０ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約４０ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約６０ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約８０ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約１００ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約２００ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約４００ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約６００ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約８００ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約１０００ｎｍ〜約２００００ｎｍ、約２ｎｍ〜約５０ｎｍ、約１０ｎｍ〜約５０ｎｍまたは約３０ｎｍ〜約５０ｎｍであり得る。前記第２伝導体層の厚さが約２０μｍを超える場合、透明度、伝導度、酸素遮蔽効果などが低下するおそれがある。
【００５８】
本発明の一実施形態に係る超極細ケーブルの製造方法は、前記第２伝導体層の外表面にシールド層を形成することをさらに含むことができ、前記シールド層が形成された後に、前記シールド層の外表面に保護層を形成することをさらに含むことができる。
シールド層を形成すること、または保護層を形成することを、当業界で通常行われる被覆方法によって行うことができる。
【００５９】
前記シールド層は、カーボンナノチューブ、グラフェン、銅合金、または柔軟性を増加させることが可能な伝導性高分子を含むことができ、前記保護層は、当業界で通常使用される、高分子、高分子複合材料、炭素ナノ素材、シリコンなどを含むことができるが、これらに限定されるものではない。
【００６０】
前述したように、本発明の説明は、例示のためのものであり、本発明の属する技術分野における通常の技術を有する者は、本発明の技術的思想や必須の特徴を変更することなく、他の具体的な形態で容易に変形実施し得ることを理解することができるだろう。よって、上述した実施形態は、あらゆる面で例示的なもので、限定的なものではないと理解すべきである。例えば、単一型と説明されている各構成要素は分散して実施されることもでき、同様に、分散したものと説明されている構成要素も結合して実施されることもできる。
【００６１】
本発明の範囲は、前記詳細な説明ではなく、後述する特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味及び範囲、そしてその均等概念から導き出されるすべての変更または変形形態が本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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