(57)【要約】堆積装置は、フレームと、中心軸に沿って延在する円筒面を有する円筒ドラムとを備える。このドラムは、中心軸に垂直に延在する第１および第２の端面を有する。このドラムはフレームに回転可能に取り付けられ、円筒面上に配置された複数のガスゾーンを備える。設けられているガス経路はドラム内に延在する。複数のガスゾーンのうちの少なくとも幾つかのガスゾーンが少なくとも２つの経路とガス接続されている。この堆積装置は、閉鎖要素を備え、上記ガスゾーンがガス接続されている少なくとも２つ経路のうちの１つの経路を除く全ての経路を閉鎖する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
堆積装置（１０）であって、
−フレーム（１２）と、
−中心軸（Ａ）の周りに延在する円筒面（１４ａ）と、前記中心軸（Ａ）に垂直に延在する第１の端面（１４ａ）および第２の端面（１４ｂ）とを有し、前記フレーム（１２）内に回転可能に取り付けられた円筒ドラム（１４）とを備え、
前記円筒ドラム（１４）は、
−前記円筒ドラム（１４）内に延在し、入口がガス源または排出口に接続可能な経路（１８および任意選択的に３２）と、
−前記円筒面（１４ａ）上に配置された複数のガスゾーン（１６）であって、前記複数のガスゾーン（１６）のうちの少なくとも幾つかのガスゾーンが少なくとも２つの経路（１８）とガス接続されている、複数のガスゾーン（１６）と、
−前記複数のガスゾーン（１６）のうちの前記幾つかの前記ガスゾーン（１６）とガス接続されている前記少なくとも２つの経路（１８）のうちの１つの経路を除く全ての経路を閉鎖するための閉鎖要素（３０）とを備える堆積装置。
【請求項２】
請求項１に記載の堆積装置（１０）において、
前記経路（１８）は、前記ドラム（１４）内に前記第１の端面（１４ｂ）から前記複数のガスゾーン（１６）の関連する端面まで延在し、各経路（１８）が前記第１の端面（１４ｂ）において開口部（２０）を形成している、少なくとも第１の複数個の経路（１８）を備え、
前記堆積装置（１０）は、さらに、
−遮蔽側（２２ａ）と、前記遮蔽側（２２ａ）に対向する接続側（２２ｂ）とを有する第１の遮蔽プレート（２２）を備え、前記第１の遮蔽プレート（２２）は、
−前記接続側（２２ｂ）に設けられ、ガス供給ラインおよび／またはガス排出ラインが接続可能であるガス接続用開口部（２４）と、
−前記遮蔽側（２２ａ）において前記ドラム（１４）の中心軸（Ａ）と一致する中心点を有する円弧に沿って延在し、それぞれが、関連するガス接続開口部（２４）と流体接続され、かつ、それぞれが、前記第１の端面（１４ｂ）における少なくとも１つの開口部（２０）とガス接続されている、少なくとも幾つかのリング状経路（２６）と、を備え、
前記複数のガスゾーン（１６）のうちの少なくとも幾つかのガスゾーン（１６）は、前記第１の複数個の経路（１８）のうちの少なくとも２つの経路とガス接続しており、前記堆積装置（１０）は、前記複数のガスゾーン（１６）のうちの前記幾つかのガスゾーン（１６）とガス接続されている前記少なくとも２つの経路（２８）のうちの１つの経路を除く全ての経路を閉鎖するための閉鎖要素（３０）を備える堆積装置。
【請求項３】
請求項２に記載の堆積装置において、
前記遮蔽プレート（２２）は、前記遮蔽側（２２ａ）が前記第１の端面（１４ｂ）に対向して配置されている遮蔽位置と前記遮蔽プレート（２２）が前記第１の端面（１４ｂ）から遠離っている遠隔位置との間を移動可能である堆積装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の堆積装置において、
経路（１８、３２）は、前記ドラム内に前記第２の端面（１４ｃ）から前記複数のガスゾーン（１６）の関連する端面まで延在する第２の複数個の経路（３２）を備え、各経路（３２）は前記第２の端面（１４ｃ）において開口部（３３）を形成しており、前記堆積装置（１０）は、
−遮蔽側（３４ａ）と、前記遮蔽側（３４ａ）に対向する接続側（３４ｂ）とを有する第２の遮蔽プレート（３４）を備え、前記第２の遮蔽プレート（３４）は、
−前記接続側（３４ｂ）に設けられ、ガス供給ラインおよび／またはガス排出ラインが接続可能であるガス接続用開口部（３６）と、
−前記遮蔽側（３４ａ）において、中心点が前記ドラム（１４）の前記中心軸（Ａ）と一致する円弧に沿って延在し、それぞれが、関連するガス接続用開口部（３６）と流体接続し、かつ、それぞれが、前記第２の端面（１４ｃ）における少なくとも１つの開口部（３３）とガス接続されている、少なくとも幾つかのリング状経路（３８）とを備え、
前記複数のガスゾーン（１６）のうちの少なくとも幾つかのガスゾーン（１６）は、前記第１の複数個および／または前記第２の複数個の経路（１８、３２）のうちの少なくとも２つの経路とガス接続しており、前記堆積装置（１０）は、前記複数のガスゾーン（１６）のうちの前記１つのガスゾーン（１６）とガス接続されている、前記少なくとも２つの経路のうちの１つの経路を除く全ての経路を閉鎖するための閉鎖要素（３０）を備える堆積装置。
【請求項５】
請求項４に記載の堆積装置において、
前記第２の遮蔽プレート（３４）は、前記遮蔽側（３４ａ）が前記第２の端面（１４ｃ）に対向して配置されている遮蔽位置と、前記第２の遮蔽プレート（３４）が前記第２の端面（１４ｃ）から遠離っている遠隔位置との間を移動可能である堆積装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の堆積装置において、
−前記複数のガスゾーンのうちの第１のサブセットは、第１のプリカーサーガス源に接続されて第１のプリカーサーガスゾーンを形成し、
−前記複数のガスゾーンのうちの第２のサブセットは、第２のプリカーサーガス源に接続されて第２のプリカーサーガスゾーンを形成し、
−前記複数のガスゾーンのうちの第３のサブセットは、パージガス源に接続されてパージガスゾーンを形成し、
−前記複数のガスゾーンのうちの第４のサブセットは、排出口に接続されてガス排出ゾーンを形成し、
−前記複数のガスゾーンのうちの第５のサブセットは、第３のプリカーサーガス源に接続されて第３のプリカーサーガスゾーンを形成し、
前記第１および第２のプリカーサーガスは原子層堆積に関連し、前記第１および第３のプリカーサーガスは分子層堆積に関連している堆積装置。
【請求項７】
請求項６に記載の堆積装置において、
前記幾つかのガスゾーン（１６）のうちの１つのガスゾーン（１６）の前記少なくとも２つの経路は、それぞれ、前記第１のプリカーサーガス源、前記第２のプリカーサーガス源、前記第３のプリカーサーガス源、前記パージガス源または前記排出口のうちの異なる１つにガス接続されている堆積装置。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の堆積装置において、
−前記複数のガスゾーンのうちの第１のサブセットは第１のプリカーサーガス源に接続されて第１のプリカーサーガスゾーンを形成し、
−前記複数のガスゾーンのうちの第２のサブセットは第２のプリカーサーガス源に接続されて第２のプリカーサーガスゾーンを形成し、
−前記複数のガスゾーンのうちの第３のサブセットは、パージガス源に接続されてパージガスゾーンを形成し、
−前記複数のガスゾーンのうちの第４のサブセットは、排出口に接続されてガス排出ゾーンを形成し、
−前記複数のガスゾーンのうちの第５のサブセットは、第３のプリカーサーガス源に接続されて第３のプリカーサーガスゾーンを形成し、
−前記複数のガスゾーンのうちの第６のサブセットは、第４のプリカーサーガス源に接続されて第４のプリカーサーガスゾーンを形成し、
前記第１および第２のプリカーサーガスは、第１の原子層を堆積するための原子層堆積に関連し、前記第３および第４のプリカーサーガスは第２の原子層を堆積するための原子層堆積に関連するか、または分子層を堆積するための分子層堆積に関連する堆積装置。
【請求項９】
請求項８に記載の堆積装置において、
前記幾つかのガスゾーン（１６）のうちの１つのガスゾーン（１６）の前記少なくとも２つの経路は、それぞれ、前記第１のプリカーサーガス源、前記第２のプリカーサーガス源、前記第３のプリカーサーガス源、前記パージガス源または前記第４のプリカーサーガス源のうちの異なる１つにガス接続されている堆積装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の堆積装置において、
前記堆積装置は、前記ドラム（１４）の実質的な円周部分の周りに基板搬送速度（Ｔ）でフレキシブル基板（ＦＳ）を案内するための基板案内アセンブリ（４０）を備え、前記装置の使用時、前記ドラム（１４）の回転速度により、前記ドラム（１４）の前記円筒面（１４ａ）は基板搬送速度（Ｔ）とは異なる周速度（Ｓ）となる堆積装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の堆積装置において、
前記円筒面（１４ａ）の周速度（Ｓ）は、前記基板（ＦＳ）の搬送速度（Ｔ）の少なくとも５倍、好ましくは少なくとも１００倍速い堆積装置。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の堆積装置において、
前記装置の使用中、前記基板（ＦＳ）の移動方向は、前記円筒ドラム面（１４ａ）の移動方向と逆である堆積装置。
【請求項１３】
請求項６〜９のいずれか一項に記載の堆積装置において、
前記装置の使用中、円筒ドラム面（１４ａ）におけるガスゾーン（１６）の配置は、回転方向に関して、少なくともＡＬＤ用プロセスセクションと、ＭＬＤ用プロセスセクションとからなり、各プロセスセクションは、一連の、パージガスゾーン、ガス排出ゾーン、プリカーサーゾーンおよびガス排出ゾーンを備える堆積装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の堆積装置において、
前記装置の使用中、前記パージガスの供給は、前記パージガスゾーンがガスベアリングを形成して前記基板（ＦＳ）を浮上支持するようになされる堆積装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の堆積装置において、
前記閉鎖要素（３０）の少なくとも１つは、取り外し可能なプラグであり、該プラグは、経路（１８、３２）において前記経路（１８、３２）を閉鎖するために挿入可能である堆積装置。
【請求項１６】
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の堆積装置において、
前記閉鎖要素（３０）の少なくとも１つは、弁である堆積装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の堆積装置において、
前記弁は、電磁弁である堆積装置。
【請求項１８】
請求項１６または１７に記載の堆積装置において、
前記装置の使用中、前記弁は切り替え可能であり、それぞれのガスゾーン（１６）がガス接続されている前記少なくとも２つの経路のうちの閉鎖経路および開放経路の構成が、前記ガスゾーン（１６）の機能を変更するために、使用中に変更可能である堆積装置。
【請求項１９】
請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の堆積装置において、
前記堆積装置は、動作中に前記弁を制御するためのコントローラを備える堆積装置。
【請求項２０】
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の堆積装置において、
前記閉鎖要素（３０）は交換可能なマニホールドインサートである堆積装置。
【請求項２１】
請求項２０に記載の堆積装置において、前記ドラム（１４）は、
前記円筒ドラム面（１４ａ）の輪郭を規定するドラム部分（１４ｄ）であって、前記経路（１８，３２）のそれぞれが第１の部分がその内部に延在するドラム部分（１４ｄ）と、
前記第１および第２の端面（１４ｂ、１４ｃ）の輪郭をそれぞれ規定する第１および第２の端面プレート（１４ｅ、１４ｆ）であって、前記経路（１８、３２）はそれぞれ第２の部分を備え、該第２の部分は、関連する端面プレート（１４ｅ、１４ｆ）内において、実質的な半径方向に、前記関連する端面（１４ｂ、１４ｃ）におけるガス用開口部（２０、３３）から前記端面プレート（１４ｅ、１４ｆ）の外周縁まで延在する第１及び第２の端面プレート（１４ｅ、１４ｆ）と、を備え、
前記マニホールドインサート（３０）は、前記端面プレート（１４ｅ、１４ｆ）の前記外周縁および／または前記ドラム部分（１４ｄ）に接続可能であり、前記マニホールドインサート（３０）には少なくとも１つの通路が設けられ、前記少なくとも１つの通路は、経路（１８、３２）の前記第１の部分に流体接続可能である端部と、経路（１８、３２）の前記第２の部分に流体接続可能である対向端部とを備える堆積装置。
【請求項２２】
請求項３または５に記載の堆積装置において、
前記堆積装置は、前記遮蔽プレート（２２、３４）の軸方向の移動を実行する作動装置を備える堆積装置。
【請求項２３】
請求項２２に記載の堆積装置において、
前記作動装置は、空気圧式作動装置または電磁式作動装置である堆積装置。
【請求項２４】
請求項６〜９のいずれか一項に記載の堆積装置において、
−前記第１のプリカーサーガスは、前記第１の遮蔽プレート（２２）に接続されているプリカーサーガス供給ラインを通って供給される第１のＡＬＤ用プリカーサーガスであり、
−前記第２のプリカーサーガスは、前記第２の遮蔽プレート（３４）に接続されているプリカーサーガス供給ラインを通って供給される第２のＡＬＤ用プリカーサーガスである堆積装置。
【請求項２５】
請求項６に従属する請求項２４に記載の堆積装置において、
前記第１のプリカーサーガスは、第１のＭＬＤ用プリカーサーガスとしての機能をも有し、前記第３のプリカーサーガスは、前記第２の遮蔽プレート（３４）に接続されているプリカーサーガス供給ラインを通って供給される第２のＭＬＤ用プリカーサーガスである堆積装置。
【請求項２６】
請求項２４または２５に記載の堆積装置において、
前記第１のＡＬＤ用プリカーサーガスはＴＭＡであり、前記第２のＡＬＤ用プリカーサーガスはＨ２Ｏである堆積装置。
【請求項２７】
請求項１〜２６のいずれか一項に記載の堆積装置において、
前記円形リング状経路（２６、３８）が当該円弧に沿って延在する円弧の角度は、２００°〜３５０°の範囲内であり、前記ドラム（１４）の前記円筒ドラム面（１４ａ）の１０°〜１６０°に相当する部分（１４ｄ）において、前記複数のガスゾーン（１６）に対するガスの供給が遮断される堆積装置。
【請求項２８】
基板上に層を付ける方法であって、
−請求項１〜２７のいずれか一項に記載の装置を用意し、
−各ガスゾーン用の前記経路のうちの１つの経路を除く全ての経路を選択的に閉鎖して、各ガスゾーンに単一の選択されたガスを供給し、あるいは各ガスゾーンを排気し、
−前記円筒ドラムの外周の一部分の周りに基板を案内し、前記基板と前記ドラムとの間に相対運動を引き起こし、
−前記それぞれのガスを前記関連した選択されたガスゾーンに供給し、かつ
−前記複数のガスゾーンの前記関連した選択されたガスゾーンからガスを排出することを含む基板上に層を付ける方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は堆積装置に関し、特にプログラマブル堆積装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
原子層堆積は当技術において公知であり、例えばフレキシブル基板上に原子層を堆積するための原子層堆積が知られている。例えば国際出願公開第ＷＯ２０１３／０２２３３９号パンフレットに開示されている原子層堆積装置は、原子の積層をフレキシブル基板の表面上に堆積するように構成されている。
【０００３】
この公知の装置は、フレームを備え、該フレームは円筒面と２つの端面を有する円筒ドラムを回転可能に支持する。このドラムの円筒面には開口部が設けられ、これらの開口部はガスゾーンを形成している。各ガスゾーンはガス経路に接続されており、このガス経路はドラム内に延在して、一方の端面の開口部に達している。この装置は、さらに、２つの遮蔽プレートを備え、各端面に１つの遮蔽プレートが設けられている。各遮蔽プレートの接続側にはガス供給源を遮蔽プレートに接続するガス用開口部が設けられている。動作中、特定のガス源と各ガスゾーンとの間にガス流路が存在する。フレキシブル基板は、回転する堆積ヘッドの周りに曲げられ、基板面が上記ガスゾーンに面している。動作中、基板は回転ドラム面に沿って案内され、原子層がこの基板上に堆積される。
【０００４】
この公知の装置の欠点は、基板面上に堆積される層の構成を変更することができないことである。その結果、プロセス毎にその特定のプロセス用に構成された装置が必要となる。これはコストがかかり、かつ非効率的である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、従来技術の装置の欠点を軽減した堆積装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そのために、本発明が提供する堆積装置は、
−フレームと、
−中心軸の周りに延在する円筒面と前記中心軸に垂直に延在する第１および第２の端面とを有し、前記フレーム内に回転可能に取り付けられた円筒ドラムとを備え、前記円筒ドラムは、
−前記円筒ドラム内に延在し、入口がガス源または排出口に接続可能な経路と、
−前記円筒面上に配置された複数のガスゾーンであって、前記複数のガスゾーンのうちの少なくとも幾つかのガスゾーンは少なくとも２つの経路とガス接続されている、複数のガスゾーンと、
−前記複数のガスゾーンのうちの前記幾つかのガスゾーンとガス接続されている前記少なくとも２つの経路のうちの１つの経路を除く全ての経路を閉鎖するための閉鎖要素とを備える。
【０００７】
本発明の堆積装置の利点は、基板上に堆積される層の順序と得られる積層の組成とに関する特定の構成が得られるように装置をプログラムすることが可能である点である。これは、異なるガスを選択的に供給するように、または前記ゾーンからガスを排出するように構成された幾つかのガスゾーンにより達成される。前記幾つかのガスゾーンは、多数の経路に接続され、それらのそれぞれが異なるガス源にまたは排出口に接続されていてもよい。閉鎖要素を用いるのは、各ガスゾーン用の経路のうちの１つの経路を除く全ての経路を選択的に閉鎖し、単一のガスが各ガスゾーンを介して基板に供給するため、または選択されたガスゾーンからガスが排出されるようにするためである。閉鎖された経路の構成を変えることにより、ガスゾーンにより供給されるガスの種類を変えることができるか、またはガスゾーンが排出ゾーンの機能を獲得するようにすることができる。幾つかのガスゾーンの各ガスゾーンをプログラミングすることにより、堆積の順序と、それを用いて堆積された積層の構成とをプログラムすることができる。この装置は、例えば、分子層プリカーサーガス源と原子層プリカーサーガス源とに接続され分子層と原子層との両方を基板に設けるようにしてもよい。しかしながら、この構成を選択して、相互に隣接する複数のガス排出ゾーンを設けて、ガスゾーンに供給されるガス同士の分離が改善されるようにしてもよい。一実施例において、ガスゾーンを選択的にプログラミングすると、無機材料の原子層に有機材料の分子層が介在して堆積された構成を得ることができるが、異なる組成の原子層のスタックからなる構成としてもよい。
【０００８】
この装置のもう一つの利点は、堆積の順序をプログラミングすることに加えて、異なる層の比率、例えばＡＬＤ層とＭＬＤ層の比率も同様にプログラム可能であることである。
【０００９】
本発明の装置のさらに別の利点は、層の順序と組成を工程中に変更できることである。この装置は、例えば、検査部を備え、堆積完了直後の基板を検査するようにしてもよい。基板の品質を改善するのに必要な修正は、幾つかのガスゾーンのうちの少なくとも一部分へのガス供給の構成を変更することにより直接に行うことができる。
【００１０】
本発明は、また、基板上に層を付ける方法を提供する。この方法は、
−本発明または本発明の一実施の形態の装置を用意し、
−各ガスゾーン用の経路のうちの１つの経路を除く全ての経路を選択的に閉鎖し、各ゾーンに単一の選択されたガスが供給され、あるいは排出されるようにし、
−円筒ドラムの外周の一部分の周りに基板を案内し、基板とドラムの間の相対運動をさせ、
−それぞれのガスを関連する選択されたガスゾーンに供給し、かつ
−複数のガスゾーンのうちの関連する選択されたガスゾーンからガスを排出することを含む。
【００１１】
この方法を用いると、基板上の堆積された層の順序と、得られる積層の構成とを変更することができる。
【００１２】
国際公開第ＷＯ２０１３／０２２３３９号パンフレットは、各ガスゾーンガス用の経路のうちの一つの経路を除く全ての経路を選択的に閉鎖して付ける層の順序を変更できることを教示していない。事実、国際公開第ＷＯ２０１３／０２２３３９号パンフレットは、ドラムの上方に基板が案内されないドラムのセクションにおいて、ガスゾーンに接続されている全てのガス経路を閉鎖することを開示しているに過ぎない。このようにするのは、ガスが制御されない状態で環境に流入することを防止し、ガスの使用量を低減するためである。もちろん、下記の詳細な説明において説明される方法と装置においても、ガスゾーンには、好ましくは、ドラムが基板で被覆されていないセクションにおいてはガスが供給されないが、このことは、ドラムの種々のガスゾーンを介するガス供給およびガス排出の順序をプログラム可能にすることとは無関係である。
【００１３】
種々の実施の形態が従属請求項に記載されており、これらは図示されているいくつかの実施例に関連してさらに詳しく説明される。これらの実施の形態は相互に組み合わされてもよく、あるいは別々に適用されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、堆積装置の一例の概略側面図である。
【図２】図２は、堆積装置の一例の概略正面図である。
【図３】図３は、本発明のドラムの一例の斜視図である。
【図３Ａ】図３Ａは、図３の例の第１の遮蔽プレートの遮蔽側の斜視図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図３の例の第２の遮蔽プレートの遮蔽側の斜視図である。
【図４】図４は、垂直面に沿う図３Ａのドラムの概略断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、図４のＩＶＡ−ＩＶＡ線に沿う断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図４のＩＶＢ−ＩＶＢ線に沿う断面図である。
【図５】図５は、図３のドラムの概略側面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、図５のＶＡ−ＶＡ線に沿う断面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５のＶＢ−ＶＢ線に沿う断面図である。
【図６】図６は、図５ＡのＶＩ−ＶＩ線に沿う概略断面図である。
【図７】図７は、閉鎖要素が取り付けられていないときの本発明のドラムの第２の例の斜視図である。
【図８】図８は、閉鎖要素がドラムに取り付けられた状態の図７のドラムを示す図である。
【図８Ａ】図８ａは、図８の概略詳細図であり、ドラムの端面プレートにおける経路、ドラム部分中および閉鎖要素中に延在する経路が記載されている。
【図８Ｂ】図８ｂは、図８の別の概略詳細部を示す別の図であり、ドラムの端面プレートにおける経路、ドラム部分中および閉鎖要素中に延在する経路が記載されている。
【図９】図９は、ドラムに遮蔽プレートが取り付けられている状態の図８のドラムを示す図である。
【図９Ａ】図９Ａは、垂直面に沿う図９のドラムの断面上面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、図９ＡのＩＸＢ−ＩＸＢ領域の拡大図である。
【図１０】図１０は、ＡＬＤ用プロセスセクションの一例の概略ガス供給構成図である。
【図１１】図１１は、ＭＬＤ用プロセスセクションの一例の概略ガス供給構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本願において、類似または相当する特徴は類似のまたは相当する符号により示される。種々の実施の形態の説明は、図示の実施例に限定されず、詳細な説明中の符号および請求項もこれら実施の形態の説明に限定されるものではない。参照符号は、図示された実施例を参照することにより実施の形態を説明するために記載されている。
【００１６】
図１〜１１は堆積装置１０の種々の例を示し、これらの例には本発明の主要な態様が含まれている種々の実施の形態が存在する。一般に、堆積装置１０は、フレーム１２と円筒ドラム１４とを備える。円筒ドラム１４は、中心軸Ａの周りに延在する円筒面１４ａを有する。円筒ドラム１４は、また、第１の端面１４ｂと第２の端面１４ｃとを有し、これらの端面は中心軸Ａに垂直に延在する。ドラム１４は、フレーム１２内に回転可能に取り付けられている。円筒ドラム１４は、さらに、経路１８と任意選択的に経路３２とを備え、これらの経路は円筒ドラム１４内に延在する。経路１８、３２の入口は、ガス源または排出口に接続可能である。円筒ドラム１４は円筒面１４ａ上に配置された複数のガスゾーン１６を備える。複数のガスゾーン１６のうちの少なくとも幾つかのガスゾーン１６は、少なくとも２つの経路１８とガス接続されている。円筒ドラム１４は、さらに、閉鎖要素３０を備える。これらの閉鎖要素３０は、少なくとも２つの経路１８のうちの１つの経路であって、複数のガスゾーン１６のうちの幾つかのガスゾーン１６のうちの１つのガスゾーン１６とガス接続されているものを除く全ての経路１８を閉鎖するためのものである。
【００１７】
本発明の装置の利点は、参照する発明の概要に記載されている。
【００１８】
ガスゾーン１６は、ドラム１４の円筒面１４ａにおける複数の小開口部として形成されていてもよい。あるいはまた、ガスゾーン１６は、ドラム１４の円筒面１４ａにおける単一の線状チャンバとしてまたは複数の平行な線状チャンバとして形成されていてもよい。ガスゾーン１６を用いてドラム１４の円筒面１４ａにガスを供給し、または該円筒面１４ａからガスを排出してもよい。閉鎖要素３０の位置に応じて、ガスゾーン１６の機能が、ガス供給ゾーンからガス排出ゾーンに切り替わるようにしてもよい。
【００１９】
本発明の堆積装置１０は、種々のプリカーサーガス源および／またはパージガス源を備えていてもよい。どのような特定のガス源が選択されるかに応じて、堆積装置１０が原子層、分子層またはそれらの組合せを形成するように構成してもよい。加えて、複数の経路のうちの少なくとも２つの経路に接続されている幾つかのガスゾーン１６は、ドラム１４において設けられている全てのガスゾーン１６であってもよい。このようにすると、適応性は最大となるが、より高度のプログラミング努力も必要とされる。したがって、少なくとも２つのガス経路に接続されている特定の数のガスゾーン１６は、堆積装置１０の用途が異なると、異なる数となり得る。これらガスゾーン１６のうちの少なくとも一部分は排出口のみに接続され、これらガスゾーン１６のうちの少なくとも一部分はパージガス源のみに接続されていることが好ましい。このようにすると、堆積プロセスにおいて用いられるプリカーサーガスの分離と除去が十分に行われるため、プリカーサーガスが混合し、その結果基板ＦＳ上と堆積装置１０の円筒ドラム面１４ａ上とに不所望の堆積が行われてしまうことが実質的に防止される。
【００２０】
一実施の形態において、経路１８は、少なくとも第１の複数個の経路１８を含んでいてもよい。これら第１の複数個の経路１８は、ドラム１４内を、第１の端面１４ｂから複数のガスゾーン１６の関連する端面まで延在する。各経路１８は、第１の端面１４ｂにおいて開口部２０が形成されていてもよい。この堆積装置は、さらに、第１の遮蔽プレート２２を備えていてもよい。この第１の遮蔽プレート２２は第１の遮蔽側２２ａと、該遮蔽側２２ａに対向する接続側２２ｂとを有する。この第１の遮蔽プレート２２は、接続側２２ｂにおいてガス接続用開口部２４を備え、該開口部にはガス供給ラインおよび／またはガス排出ラインが接続可能である。さらに、この第１の遮蔽プレート２２は、遮蔽側２２ａにおいて円弧に沿って延在する、少なくとも幾つかのリング状経路２６備えていてもよい。この円弧の中心点はドラム１４の中心軸Ａと一致する。各リング状経路２６は、関連するガス接続用開口部２４に流体接続されていてもよく、また各リング状経路２６は第１の端面１４ｂにおける少なくとも１つの開口部２０とガス接続していてもよい。複数のガスゾーン１６のうちの少なくとも幾つかのガスゾーンは、第１の複数個の経路１８のうちの少なくとも２つの経路とガス接続されている。堆積装置１０は、閉鎖要素３０を備え、これら閉鎖要素３０は、少なくとも２つの経路のうちの１つの経路であって複数のガスゾーン１６のうちの上記幾つかのガスゾーンのうちの上記１つのガスゾーン１６とガス接続されているものを除く全ての経路を閉鎖するためのものである。
【００２１】
図１に一例が示されている一実施の形態において、遮蔽プレート２２は、遮蔽側２２ａが第１の端面１４ｂに対向（あるいは当接）して配置されている遮蔽位置と遮蔽プレート２２が第１の端面１４ｂから遠離っている遠隔位置との間を移動可能であってもよい。
【００２２】
移動可能な遮蔽プレート２２を利用すると、第１の端面１４ｂにおけるガス経路２０の開口部に対するアクセスが容易になるとともに、第１の遮蔽プレート２２におけるリング状経路２６に対するアクセスが容易になる。（手動挿入可能な）プラグを用いてガスゾーン１６に接続された経路を閉鎖する場合、第１の端面１４ｂにおけるガス用開口部２０へアクセスするように堆積装置１０をプログラムする必要がある。また、移動可能な遮蔽プレート２２を利用すると、装置１０のメンテナンスの際に有利である。その理由は、ドラム１４における経路開口部２０およびガス経路１８と、第１の遮蔽プレート２２におけるリング状経路２６とが容易にアクセスできるからである。
【００２３】
図４、９ａ、１０および１１に一例が示されている一実施の形態において、経路１８、３２は、第２の複数個の経路３２を含んでいてもよい。これら第２の複数個の経路３２は、ドラム１４内において第２の端面１４ｃから複数のガスゾーン１６のうちの関連する経路まで延在し、各経路３２は第２の端面１４ｃにおいて開口部３３を形成している。装置１０は、第２の遮蔽プレート３４を備えていてもよい。この第２の遮蔽プレート３４は遮蔽側３４ａと、該遮蔽側３４ａに対向する接続側３４ｂとを有する。この第２の遮蔽プレート３４は、接続側３４ｂにおいてガス接続用開口部３６を備えていてもよい。これらガス接続用開口部３６にはガス供給ラインおよび／またはガス排出ラインが接続可能である。第２の遮蔽プレート３４は、また、少なくとも幾つかのリング状経路３８を備えていてもよい。これらのリング状経路３８は、遮蔽側３４ａにおいて円弧に沿って延在し、この円弧の中心点はドラム１４の中心軸Ａと一致している。各リング状経路３８は、関連するガス接続用開口部３６に流体接続され、各リング状経路３８は、第２の端面１４ｃにおける少なくとも１つの開口部３３とガス接続されている。複数のガスゾーン１６のうちの少なくとも幾つかのガスゾーン１６は、第１および／または第２の複数個の経路１８、３２のうちの少なくとも２つの経路とガス接続していてもよい。堆積装置１０は、閉鎖要素３０を備え、これら閉鎖装置３０は、複数のガスゾーン１６のうちの上記幾つかのガスゾーン１６のうちの上記１つのガスゾーン１６がガス接続されている少なくとも２つの経路のうちの１つの経路を除く全ての経路を閉鎖するためのものである。
【００２４】
この実施の形態において、相互に反応するガス、例えば原子層堆積において用いられる、異なる（反応性の）プリカーサーガスが、対向する遮蔽プレート２２、３４に接続されてもよい。リング状経路２６、３８の間における漏れが、遮蔽プレート２２、３４のそれぞれにおいて生じた場合、プリカーサーガスを混合することが不可能となり、その結果、不所望の堆積が行われてしまう。また、第２の遮蔽プレート３４を備えることで、ドラム１４にガス源を接続するための追加のスペースが得られる。そこで、ドラム１４に接続されたガス源の数を増加してもよい。ただし、この場合は、ドラムうちの経路の数も増加する。あるいはまた、１つのガス経路を遮蔽プレート２２、３４の両方に接続して、このガス経路に例えばパージガスのような単一の組成ガスを２つのガス源から供給されるようにしてもよい。これは、例えば図１０と１１に示されている。図中、単一経路（Ｎ２（ベアリング））が遮蔽プレート２２、３４の両方の上のパージガス源に接続されている。あるいはまた、遮蔽プレート２２、３４の両方に接続されているガス経路は、各端部において異なるガス源に接続可能であってもよい。動作中、そのような経路の両端の少なくとも一方が閉鎖要素３０によって閉鎖される。
【００２５】
図１に一例が示されている一実施の形態において、第２の遮蔽プレート３４も、遮蔽側３４ａが第２の端面１４ｃに対向（あるいは当接）して配置されている遮蔽位置と第２の遮蔽プレート３４が第２の端面１４ｃから遠離っている遠隔位置の間を移動可能であってもよい。
【００２６】
移動可能な第１の遮蔽プレート２２を用いた場合と同様に、移動可能な第２の遮蔽プレート３４を利用すると、端面１４ｃにおけるガス経路３３の開口部に対するアクセスと第２の遮蔽プレート３４におけるリング状経路３８とに対するアクセスとが容易になる。（手動挿入可能な）プラグを用いてガスゾーン１６に接続された経路を閉鎖する場合、第２の端面１４ｃにおけるガス用開口部３３へアクセスするように堆積装置１０をプログラムする必要がある。また、移動可能な遮蔽プレート２２、３４を利用すると装置１０のメンテナンスの際に有利である。その理由は、ドラム１４における経路開口部２０、３３およびガス経路１８、３２と、遮蔽プレート２２、３４におけるリング状経路２６、３８とが容易にアクセスできるからである。
【００２７】
図１０および１１に一例が示されている一実施の形態において、装置１０は、複数のガスゾーンのうちの第１のサブセットを備えていてもよい。この第１のサブセットは、第１のプリカーサーガス源に接続されて第１のプリカーサーガスゾーンを形成する。加えて、複数のガスゾーンのうちの第２のサブセットが第２のプリカーサーガス源に接続されて第２のプリカーサーガスゾーンを形成するようにしてもよい。装置１０は、また、複数のガスゾーンのうちの第３のサブセットを備えていてもよい。この第３のサブセットは、パージガス源に接続されてパージガスゾーンを形成する。複数のガスゾーンのうちの第４のサブセットを排出口に接続してガス排出ゾーンを形成するようにしてもよい。さらに、装置１０は、複数のガスゾーンのうちの第５のサブセットを備えていてもよい。この第５のサブセットは、第３のプリカーサーガス源に接続されて第３のプリカーサーガスゾーンを形成する。第１および第２のプリカーサーガスは原子層堆積（ＡＬＤ）に関連していてもよく、第１および第３のプリカーサーガスは分子層堆積（ＭＬＤ）に関連していてもよい。
【００２８】
ドラム１４におけるガス経路１８、３２は、ガスゾーンのサブセットが形成されるように配置される。各サブセットに関連する経路１８，３２の開口部２０、３３は、第１および／または第２の遮蔽プレート２２、３８のリング状経路２６、３８内にそれぞれ終端している。このように、それぞれのゾーンサブセットは特定のガス源または排出口と関連づけられている。この実施の形態において、ガス源の選択は、装置１０が基板に原子層と分子層の両方を形成する構成となるようになされる。そのような構成は、例えば、ＯＬＥＤ、光発電素子、フレキシブル電子素子および／または太陽電池のパッシべーション層に用いる（フレキシブル）基板の製造に用いられる。原子層および分子層を形成するのに用いられる特定のガス源は、原子層堆積および／または分子層堆積に適した任意のガス源、例えばＴＭＡ、Ｈ２Ｏ、エタノール等である。
【００２９】
この実施の形態の利点は、既知の装置に関連したさらなる課題が解決されることである。既知の装置では、基板面上に原子層を積層する場合、積層に亀裂を生じることなく積層できる層の数は限定されている。これは、原子層は、例えば、Ａｌ２Ｏ３  のような無機材料から成ることが多く、比較的に剛性が高いためである。積層においては、個々の層の剛性が加算される。その結果、積層の剛性は、層が追加される毎に高くなり、曲げと伸びに対する柔軟性が低下する。しかしながら、連続して加工を行うために、基板はドラムの表面の周りに曲げられる。基板の曲げに積層の剛性の増加が組み合わさると、原子層の数が然るべき数になると積層体に亀裂が生じる。このため、基板面に形成できる層の数は限定される。この実施の形態においては、原子層と分子層が交互に配置されており、分子層が個々のＡＬＤ堆積層の間の応力を除去することで積層の柔軟性が高くなり、その結果、積層に亀裂が生じる可能性が低減する。本発明の装置を用いて層の特定の交互順序をプログラミングして最も効率的な積層を得ることができる。
【００３０】
図１０および１１にそれぞれ例示されている一実施の形態において、上記の幾つかのガスゾーン１６のうちの１つのガスゾーンの上記少なくとも２つの経路のそれぞれは、第１のプリカーサーガス源、第２のプリカーサーガス源、第３のプリカーサーガス源、パージガス源、または排出口のうちの異なる１つとガス接続されている。
【００３１】
上記幾つかのガスゾーン１６のうちの１つのガスゾーン１６をプログラム可能にするために、各ガスゾーン１６は、少なくとも２つの異なるガス源に接続されているか、または１つのガス源と排出口とに接続されている。各ガスゾーン１６をプログラミングすることにより、堆積装置１０を堆積層の種類、比率および順序に関してプログラムすることが可能になる。図１０および１１は、複数のガス源に接続されているガスゾーン１６のそれぞれの例を示す。図１０は、例えば、第１のガスゾーン１６（最も左に描かれているガスゾーン）が第１のプリカーサーガス源、第２のプリカーサーガス源、およびパージガス源に接続されている例を示す。パージガス源がガスゾーン１６に接続されているので、ガスゾーン１６から残存するプリカーサーガスがパージされてから、異なる（反応性の）プリカーサーガスをガスゾーン１６を通して供給することが可能となる。これにより、反応性プリカーサーガスの残留物同士の間で反応が起きることによるガスゾーン１６の目詰まりが実質的に防止される。図１０および１１の両方において、ガス経路１８、３２には閉鎖要素が設けられており、これらの閉鎖要素はガスゾーン１６の近傍とドラム１４の端面１４ｂ、１４ｃのガス用開口部の近傍とに配置されている。これにより、複数のガス源が単一の経路１８、３２に接続可能となる。この構成は、例えば、プリカーサーガス源とパージガス源とを備え、ガス経路１６はプリカーサーガスまたはパージガスのいずれか一方を供給することが可能である。
【００３２】
一実施の形態において、この装置は、複数のガスゾーンのうちの第１のサブセットであって第１のプリカーサーガス源に接続されているものを備え、第１のプリカーサーガスゾーンを形成するようにしてもよい。加えて、複数のガスゾーンのうちの第２のサブセットが第２のプリカーサーガス源に接続されて第２のプリカーサーガスゾーンを形成するようにしてもよい。装置１０は、さらに、複数のガスゾーンのうちのパージガス源に接続されている第３のサブセットを備え、パージガスゾーンを形成するようにしてもよい。複数のガスゾーンのうちの第４のサブセットを排出口に接続してガス排出ゾーンを形成するようにしてもよい。さらに、装置１０は、複数のガスゾーンのうちの第３のプリカーサーガス源に接続されている第５のサブセットを備え、第３のプリカーサーガスゾーンを形成するようにしていてもよい。複数のガスゾーンのうちの第６のサブセットが第４のプリカーサーガス源に接続されて第４のプリカーサーガスゾーンを形成するようにしてもよい。第１および第２のプリカーサーガス源を原子層堆積に関連して用いて第１の原子層を堆積し、第３および第４のプリカーサーガス源を原子層堆積に関連して用いて第２の原子層を堆積し、または分子層堆積に関連して用いて分子層を堆積するようにしてもよい。
【００３３】
この実施の形態は、堆積装置１０の別の構成を提供する。異なるＡＬＤプリカーサーガス源を遮蔽プレート２２、３４のガス接続用開口部２４、３６に接続することにより、異なる組成の原子層を基板ＦＳ上に堆積することができる。堆積装置１０は、上述の両実施の形態の組合せを備えていてもよい。このような組合せにより、基板ＦＳに、分子層と同様に異なる組成の原子層を設けるように構成された堆積装置１０が得られる。当業者が認識しているように、多層の分子層を含む別の選択肢を採用することも可能である。
【００３４】
さらに、装置１０が４つのプリカーサーガス源に接続されているこの実施の形態のさらなる態様では、上述の幾つかのガスゾーン１６のうちの１つのガスゾーン１６の少なくとも２つの経路のそれぞれが第１のプリカーサーガス源、第２のプリカーサーガス源、第３のプリカーサーガス源、パージガス源、または第４のプリカーサーガス源のうちの異なる１つのガス源にガス接続されている。
【００３５】
図２に例示されている一実施の形態において、この装置は、フレキシブル基板ＦＳをドラム１４の実質的な円周部分の周りに基板輸送速度Ｔで案内するための基板案内アセンブリ４０を備えてもよい。使用時、ドラム１４の回転速度により、ドラム１４の円筒面１４ａは基板搬送速度Ｔとは異なる周速度Ｓとなる。図２から明らかなように、ドラム１４の円筒面１４ａの部分１４ｄはフレキシブル基板ＦＳにより覆われていない。後に開示されるように、一実施の形態において、この部分１４ｄへのガスの供給が遮断されてもよい。
【００３６】
堆積装置の効率を高めるために、フレキシブル基板ＦＳは円筒ドラム面１４ａの本体部分の周りを案内され、それにより堆積面積が増加し、（半）連続的堆積プロセスが可能になる。基板ＦＳ上に複数の層を設けるには、円筒ドラム面１４ａの周速度Ｓは、基板ＦＳの搬送速度Ｔとは異なるように選択される。具体的には、基板ＦＳ上に堆積される層の量は、ドラムの回転頻度、円筒ドラム面１４ａに存在するガスゾーン１６の個数および基板の搬送速度Ｔによって決まる。円筒ドラム面１４ａの周速度および／または基板の搬送速度を増加または減少することにより、堆積された層の数（したがって積層の厚さ）をプログラミングすることが可能である。
【００３７】
図２に一例が示されている一実施の形態において、円筒面１４ａの周速度Ｓは、基板ＦＳの搬送速度Ｔの少なくとも５倍速くしてもよい。円筒面１４ａの周速度Ｓは基板ＦＳの搬送速度Ｔの少なくとも１００倍速いことが好ましい。
【００３８】
一実施の形態において、基板ＦＳの移動方向は、使用時は、円筒面１４ａの移動方向と逆であってもよい。
【００３９】
図１０および１１にそれぞれ例を示す一実施の形態において、複数のガスゾーンのうちのサブセットの少なくとも一部分は、使用中は、原子層堆積用ガス源または分子層堆積用ガス源に接続されているが、円筒面１４ａ上のガスゾーン１６の配置が、回転方向に関して、ＡＬＤ用のプロセスセクションとＭＬＤ用のプロセスセクションとを備えるように構成されていてもよい。各プロセスセクションは、一連の、パージガスゾーン、ガス排出ゾーン、プリカーサーガスゾーンおよびガス排出ゾーンを備える。
【００４０】
この実施の形態のＡＬＤ用プロセスセクションの一例が図１０に示されている。このプロセスセクションは、一連の、第１のプリカーサーガスゾーンと、ガス排出ゾーンと、パージガスゾーンと、ガス排出ゾーンと、第２のプリカーサーガスゾーンと、ガス排出ゾーンとを備える。
【００４１】
この実施の形態のＭＬＤ用プロセスセクションの一例が図１１に示されている。ＭＬＤ用プロセスセクションは、一連の、第１のプリカーサーガスゾーンと、ガス排出ゾーンと、パージガスゾーンと、ガス排出ゾーンと、第２のプリカーサーガスゾーンと、ガス排出ゾーンと、パージガスゾーンと、ガス排出ゾーンと、第２のプリカーサーガスゾーンと、ガス排出ゾーンと、パージガスゾーンと、ガス排出ゾーンとを備える。
【００４２】
一実施の形態において、パージガスの供給は、装置１０の使用中にパージガスゾーンがガスベアリングを形成して基板ＦＳを浮遊支持するようになされる。
【００４３】
ガスベアリングを形成して基板を浮遊支持すると、円筒ドラム面１４ａに沿って基板が効率的に搬送され、基板ＦＳの破損のリスクが低減される。パージガスによりガスベアリングを形成することに加えて、プリカーサーガスゾーンを用いて基板に対するガスベアリングを形成してもよい。これは、例えば、プリカーサーガス補給に窒素（Ｎ２）を添加してガスベアリングを形成することにより実現することができる。
【００４４】
図６に一例が示されている一実施の形態において、閉鎖要素３０の少なくとも１つを、経路１８，３２内に挿入できるように取り外し可能なプラグにして、経路１８，３２を閉鎖できるようにしてもよい。
【００４５】
少なくとも２つの経路のうちの１つを除く全ての経路の閉鎖は、ドラム１４の端面１４ｂ、１４ｃにおけるガス用開口部２０、３３内に挿入されるプラグ３０を用いて実現してもよい。堆積装置１０の特定のプログラミングを選択した後に、プラグをガス用開口部２０、３３内に挿入し、遮断プレート２２，３４を閉鎖する。図６に示すように、プラグ３０は、プリカーサー用経路と、パージガス用経路（Ｎ２）との間を移動可能であってもよい。
【００４６】
一実施の形態において、閉鎖要素３０の少なくとも１つは弁であってもよい。閉鎖要素３０は、また、ドラム１４の端面１４ｂ、１４ｃのガス用開口部２０、３３の近傍に配置することができる弁として設けてもよい。
【００４７】
遠隔操作可能な弁の場合は、ガスゾーン１６近傍に設けて１つのガス用経路１８、３２を選択的に閉鎖するようにしてもよい。また、閉鎖要素３０の構成は、少なくとも２つのガス経路の各ガス経路１８、３２が２つの閉鎖要素３０を備え、そのうちの一方の閉鎖要素３０はガスゾーン１６近傍に配置され、別の一方の閉鎖要素３０はドラム１４の端面１４ｂ、１４ｃのガス用開口部２０、３３近傍に配置されるように配置されていてもよい。この場合、１つのガス経路１８、３２が異なるガス源に接続できるので、適応性を高めることができる。
【００４８】
一実施の形態において、閉鎖要素３０を交換可能なマニホールドインサートとしてもよい。
【００４９】
図７〜９に一例を示す一実施の形態において、ドラム１４は、円筒ドラム面１４ａの輪郭を規定するドラム部分１４ｄを含んでいてもよい。各経路１８、３２はドラム部分１４ｄ内に延在する第１の部分を備えていてもよい。ドラム１４は、さらに、第１および第２の端面１４ｂ、１４ｃの輪郭をそれぞれ規定する第１および第２の端面プレート１４ｅ、１４ｆを備えていてもよい。各経路１８、３２は、第２の部分を備えていてもよい。この第２の部分は、関連する端面プレート１４ｅ、１４ｆ内に実質的に半径方向に、関連する端面１４ｂ、１４ｃにおけるガス用開口部２０、３３から端面プレート１４ｅ、１４ｆの外周縁まで延在している。マニホールドインサート３０は、端面プレート１４ｅ、１４ｆの外周縁におよび／またはドラム部分１４ｄに接続可能である。マニホールドインサート３０には少なくとも１つの通路が設けられている。各通路は、経路１８、３２の第１の部分に流体接続可能な端部と、経路１８、３２の第２の部分に流体接続可能な対向端部とを備えていてもよい。例外的に、マニホールドインサート３０が通路を含まないようにすることもできる。
【００５０】
マニホールドインサート３０の利点は、短時間で取り付けおよび取り外しが可能であり、それによりドラム１４の構成を変更する速度を増加することができることである。その結果、構成の変更を実行するのに必要な装置の休止時間が短縮される。さらに、マニホールドインサートは、その外側に、オペレーターが装置の特定のプログラミングまたは構成を所与の時間内に識別することができる標識を備えていてもよい。
【００５１】
一実施の形態において、弁は、電磁弁であってもよい。
【００５２】
一実施の形態において、弁は、装置の使用中に切り替え可能である。少なくとも２つの経路のうちの閉鎖経路および開放経路はそれぞれのガスゾーン１６とガス接続されているが、使用中にガスゾーン１６の機能を変更できるような構成と変更可能にしてもよい。
【００５３】
動作中に弁を切り替えて、堆積装置１０の使用中に、構成を変更できるようにしてもよい。これにより、基板ＦＳ上に堆積される層の組成と順序の制御性はさらに向上し、構成上のいかなる欠点も迅速にプロセス中に取り除くことが可能になる。さらに、一枚の基板ＦＳにおいて、搬送方向から見た基板の長さ方向に異なる組成の積層を形成するようにすることが可能になる。
【００５４】
一実施の形態において、堆積装置１０は、動作中に弁を制御するためのコントローラを備えていてもよい。
【００５５】
一実施の形態において、堆積装置１０は、遮蔽プレート２２、３４の軸方向の移動を作動するための作動装置を備えていてもよい。
【００５６】
遮蔽プレート２２、３４のそれぞれまたは両方は、作動装置を用いて移動するようにしてもよい。作動装置は、例えばフレーム１２に接続されていてもよい。
【００５７】
遮蔽プレート２２、３４を取り付け、移動するために多くの選択肢が採用可能である。
【００５８】
一態様において、作動装置は空気圧式作動装置または電磁式作動装置である。
【００５９】
遮蔽プレート２２，３４は、例えば、フレーム１２にスライド可能に接続され、ドラム１４に対するスライド移動の前進後退は、圧縮空気を用いるエアシリンダーにより実行することができる。このスライド移動は、また、リニア電磁アクチュエータにより行ってもよく、または従来の機械的手段、例えば電気モーターと、ボールねじ用軸、チェーン、ギア等を含む機械式伝達装置とを用いることにより行ってもよい。
【００６０】
一実施の形態において、第１のプリカーサーガスは、第１の遮蔽プレート２２に接続されているプリカーサーガス供給ラインを通って供給される第１のＡＬＤ用プリカーサーガスであってもよく、第２のプリカーサーガスは、第２の遮蔽プレート３４に接続されているプリカーサーガス供給ラインを通って供給される第２のＡＬＤ用プリカーサーガスであってもよい。
【００６１】
互いに反応する第１および第２のプリカーサーガスを、対向する遮蔽プレート２２，３４に接続することにより、遮蔽プレート２２、３４を開放する際または遮蔽プレート２２、３４に漏れが生じた際にプリカーサーガスが混合してしまうリスクが低減される。これにより、堆積装置１０の操作の信頼性と安全性が向上する。そのような構成の一例が図１０に示されている。
【００６２】
一実施の形態において、第１のＡＬＤ用プリカーサーガスはＴＭＡであってもよく、第２のＡＬＤ用プリカーサーガスはＨ２Ｏであってもよい。第３のプリカーサーガスはＭＬＤ用プリカーサーガスであってもよく、このＭＬＤ用プリカーサーガスは、第２の遮蔽プレート３４に接続されているプリカーサーガス供給ラインを通って供給されてもよい。
【００６３】
この実施の形態により、堆積装置１０の安全性と信頼性が向上する。ＴＭＡおよびＭＬＤ用プリカーサーガスは互いに反応するものであってもよい。遮蔽プレート２２、２４が開放されるときに残留ガスが混合するリスクは、これらを対向する遮蔽プレート２２、３４に接続することにより実質的に防止される。そのような構成の一例が図１１に示されている。
【００６４】
図に一例が示されている一実施の形態において、円形リング状経路２６、３８に沿って延在する円形部分の角度は２００°〜３５０°の範囲内である（図４Ａおよび４Ｂ参照）。この構成は、ドラム１４の円筒面１４ａの対応する１０°〜１６０°の部分において、複数のガスゾーン１６のガスの供給が遮断されるように実現される。この遮断は、基板の曲面部により覆われていないドラムの部分１４ｄに関連している（図２参照）。従って、ガスの損失が実質的に防止される。
【００６５】
一実施の形態において、ＡＬＤ用プロセスセクションとＭＬＤ用プロセスセクションの比率は自由に選択することができる。
【００６６】
この比率は、プロセスの仕様に応じて、任意の比率を選択することができる。堆積装置１０は、例えば清掃プログラムを備えてもよい。メンテナンスや新しいプロセス構成とする前に、この清掃プログラムにおいて、上記幾つかのガスゾーン１６の全てのガスゾーン１６がパージガス源に接続されて、プリカーサーガスからの経路をパージする。
【００６７】
以上、特定の実施の形態を説明したが、本発明は上述した態様以外の態様で実行してもよい。上記は説明を意図したものであり、本発明を限定するものではない。当業者には明らかなように、上述の本発明に種々の変形を施すことが可能であり、それらは添付の特許請求の範囲の範囲を逸脱するものではない。種々の実施の形態を組み合わせて適用してもよく、あるいは相互に独立に適用してもよい。上記の詳細な説明中に用いた参照符号は実施の形態の説明を図示の例に限定することを意図したものではない。添付図面は単に例を挙げるものであり、実施の形態は図示の例示されている特定の態様以外の態様で具現化されてもよい。
【符号の説明】
【００６８】
１２  フレーム
１４  円筒ドラム
１４ａ  円筒ドラム面
１４ｂ  第１の端面
１４ｃ  第２の端面
１４ｄ  円筒ドラム面の部分
１４ｅ  第１の端面プレート
１４ｆ  第２の端面プレート
１６  ガスゾーン
１８  第１の複数個の経路のうちの経路
２０  第１の端面における開口部
２２  第１の遮蔽プレート
２２ａ  遮蔽側
２２ｂ  接続側
２４  ガス接続用開口部
２６  リング状経路
３０  閉鎖要素
３２  第２の複数個の経路のうちの経路
３３  第２の端面における開口部
３４  第２の遮蔽プレート
３４ａ  遮蔽側
３４ｂ  接続側
３６  ガス接続用開口部
３８  第２の遮蔽プレートにおけるリング状経路
４０  基板案内アセンブリ
Ａ  中心軸
ＦＳ  基板
Ｓ  周速度
Ｔ  搬送速度
【図１】
2018523757.tif 000003
【図２】
2018523757.tif 000004
【図３】
2018523757.tif 000005
【図３Ａ】
2018523757.tif 000006
【図３Ｂ】
2018523757.tif 000007
【図４】
2018523757.tif 000008
【図４Ａ】
2018523757.tif 000009
【図４Ｂ】
2018523757.tif 000010
【図５】
2018523757.tif 000011
【図５Ａ】
2018523757.tif 000012
【図５Ｂ】
2018523757.tif 000013
【図６】
2018523757.tif 000014
【図７】
2018523757.tif 000015
【図８】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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