(57)【要約】  本発明は、有機半導体材料、溶媒、およびかかる組成物の粘度を改変することを可能にする特定的に選択されたポリマー粒子を含む組成物に関する。本出願はさらに、有機電子デバイスの製造におけるかかる組成物の使用に関する。
2018525487.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下のもの
（ｉ）有機半導体材料、
（ｉｉ）溶媒、および
（ｉｉｉ）粒子の形態のポリマー、
を含み、ここで前記粒子が最大で２μｍの直径を有する、組成物。
【請求項２】
粒子が少なくとも１０ｎｍの直径を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項２】
前記溶媒が非水性溶媒である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記ポリマーが架橋を含む、請求項１または請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記ポリマーがポリスチレン、ポリ（アクリル酸）、ポリ（メタクリル酸）、ポリ（メチルメタクリレート）、エポキシ樹脂、ポリエステル、ビニルポリマー、およびこれらの任意のブレンドからなる群から選択される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
前記ポリマーがポリスチレンである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
有機半導体材料および粒子の形態のポリマーを順番に含む層を含み、ここで前記粒子が最大で２μｍの直径を有する、デバイス。
【請求項７】
前記粒子が最大で１．５μｍの直径を有する、請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
前記粒子が少なくとも１０ｎｍの直径を有する、請求項６または請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
デバイスがＯＦＥＴ、ＴＦＴ、ＩＣ、論理回路、キャパシタ、ＲＦＩＤタグ、ＯＬＥＤ、ＯＬＥＴ、ＯＰＥＤ、ＯＰＶ、ＯＰＤ、太陽電池、レーザーダイオード、光伝導体、光検出器、電子写真デバイス、電子写真記録デバイス、有機記憶デバイス、センサーデバイス、電荷注入層、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止フィルム、伝導性基板および伝導性パターンからなる群から選択される、請求項６〜８のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１０】
デバイスが有機光検出器デバイスである、請求項６〜９のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１１】
有機半導体材料を含む層を製造する方法であって、前記方法が、以下のステップ
（ａ）有機半導体材料、溶媒および粒子の形態のポリマーを含む組成物を提供すること、
（ｂ）前記組成物を基板上に堆積させること、ならびに
（ｃ）前記溶媒を本質的に除去すること
を含み、ここで前記粒子が最大で２μｍの直径を有する、
前記方法。
【請求項１２】
ステップ（ｂ）を印刷法により行う、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ステップ（ｂ）をスクリーン印刷、グラビア印刷またはフレキソ印刷により行う、請求項１１または請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
有機半導体材料および溶媒を含む組成物の粘度を適合させるための粒子の形態のポリマーの使用であって、ここで前記粒子が最大で２μｍの直径を有する、前記使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
技術分野  
本出願は、有機半導体材料、溶媒、およびかかる組成物の粘度を改変することを可能にする特定的に選択されたポリマー粒子を含む組成物に関する。本出願はさらに、有機電子デバイスの製造におけるかかる組成物の使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
背景および従来技術の記載
過去数十年にわたり、有機半導体は、学界および産業界において大きな関心を集めている。有機半導体が既に使用されている主な用途の例は、例えばディスプレイおよび照明のための有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、例えばディスプレイのバックプレーンのための有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）、有機光電池（ＯＰＶ）および、例えば光センサのための有機フォトダイオード（ＯＰＤ）である。
【０００３】
有機半導体は、例えば、フレキシブルおよび曲げ可能であることによって、ならびにそれらを洗浄することができるという事実によって特徴付けられ、それによって、半導体デバイス、例えば「インテリジェントテキスタイル」のための新たな適用の分野が開拓される。
無機半導体の堆積が通常真空技術を必要とする一方、有機半導体を、例えばロールツーロール（「Ｒ２Ｒ」）プロセスおよび印刷プロセスを含む比較的単純であり、低コストの堆積およびコーティングプロセスによって適用することができる。
【０００４】
かかる印刷プロセスによって適用するべきインクおよび配合物は、一般に少なくとも５０ｃＰの粘度を必要とする。インク粘度の調整は、それが多くの変数、例えばインク成分の性質、例えば有機半導体化合物の分子量または溶媒の性質、ならびに成分のそれぞれの濃度に依存するという事実によって複雑になる。さらに、有機半導体化合物はしばしば、溶解性に関係なくそれらの電子的特性、例えば電荷担体移動度を最大にするように設計され、したがって可能な溶媒の選択が限定される。
【０００５】
添加剤を使用してインク粘度を増加させることが試みられている。しかしながら、しばしば、固体添加剤の添加によって、かかるインクから堆積した有機半導体層の電気的特性の低下がもたらされた。
したがって、本出願の目的の１つは、有機半導体化合物を含むインクまたは配合物の粘度を、既知の方法の欠点なしに増加させ得る方法を提供することにある。
【０００６】
本出願の目的はまた、かかるインクまたは配合物を提供することにある。
さらに、本出願の目的は、半導体化合物を含むインクまたは配合物を支持体上に堆積させ得る有機電子デバイスを製造する方法を提供することにある。
【発明の概要】
【０００７】
発明の概要
本発明者らは、ここで、驚くべきことに、上記の目的が本出願の組成物によって個々に、またはあらゆる組み合わせにおいて達成され得ることを見出した。
本出願は、したがって、
（ｉ）有機半導体材料、
（ｉｉ）溶媒、および
（ｉｉｉ）粒子の形態のポリマー、
を含み、ここで前記粒子が最大２μｍの直径を有する組成物を提供する。
【０００８】
さらに、本出願は、有機半導体材料を含む層を製造する方法であって、前記方法が、
（ａ）有機半導体材料、溶媒および粒子の形態のポリマーを含む組成物を提供し、
（ｂ）前記組成物を基板上に堆積させ、ならびに
（ｃ）本質的に前記溶媒を除去する
ステップを含み、
ここで前記粒子が最大２μｍの直径を有する、前記方法を提供する。
【０００９】
さらに、本出願は、有機半導体材料および溶媒を含む組成物の粘度を適合させるための粒子の形態のポリマーの使用を提供し、ここで前記粒子は、最大２μｍの直径を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
図面の簡単な説明
【図１】図１は、配合物Ｓ２およびＳ３で製造した例３の有機光検出器デバイスのＩＶ曲線を示す。
【図２】図２は、配合物Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７およびＳ８で製造した例３の有機光検出器デバイスの外部量子効率（ＥＱＥ）を示す。
【図３】図３ａは、デバイスを製造してから０日、１４日および３５日に配合物Ｓ２で製造した例３の有機光検出器デバイスのＩＶ曲線を示す。図３ｂは、デバイスを製造してから０日、１４日および３５日に配合物Ｓ３で製造した例３の有機光検出器デバイスのＩＶ曲線を示す。
【００１１】
発明の詳細な説明
本出願の目的のために、用語「インク」および「配合物」を、有機半導体材料および溶媒を含む組成物を示すために使用する。
本出願の目的のために、用語「有機半導体材料」を、少なくとも１種の有機半導体化合物を含む半導体材料を示すために使用する。したがって、かかる有機半導体材料はまた、１種以上の無機半導体化合物を含んでもよい。
【００１２】
本明細書中で使用するように、他に述べない限り、分子量を、数平均分子量Ｍｎまたは重量平均分子量Ｍｗとして示し、それを、溶離溶媒、例えばテトラヒドロフラン、トリクロロメタン（ＴＣＭ、クロロホルム）、クロロベンゼンまたは１，２，４−トリクロロベンゼン中のポリスチレン標準に対するゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって決定する。他に述べない限り、クロロベンゼンを、溶媒として使用する。またポリマーの多分散指数（「ＰＤＩ」）と称され得る分子量分布（「ＭＷＤ」）を、比Ｍｗ／Ｍｎとして定義する。また繰り返し単位の総数ｍと称される重合度は、ｍ＝Ｍｎ／ＭＵとして示される数平均重合度を意味するものと理解され、ここでＭｎは、ポリマーの数平均分子量であり、ＭＵは、単一の繰り返し単位の分子量である；J.M.G. Cowie, Polymers: Chemistry & Physics of Modern Materials, Blackie, Glasgow, 1991を参照。
【００１３】
一般的用語において、本出願の組成物は、
（ｉ）有機半導体材料、
（ｉｉ）溶媒、および
（ｉｉｉ）ポリマー粒子
を含む。
【００１４】
有機半導体材料
本組成物中に含まれる有機半導体材料は、それが少なくとも１種の有機半導体化合物を含む限り特に限定されない。本有機半導体材料は、例えば、１種以上の有機半導体化合物を、有機半導体材料の全重量に相対して少なくとも５０重量％または６０重量％または７０重量％または８０重量％または９０重量％または９５重量％または９７重量％または９９重量％または９９．５重量％含んでもよく、好ましくは１種以上の有機半導体化合物からなってもよい。本有機半導体材料は、例えば、１種以上の有機ｐ型半導体化合物または１種以上のｎ型半導体化合物または両方、１種以上の有機ｐ型半導体化合物および１種以上のｎ型半導体化合物を含んでもよい。１種以上の半導体化合物、好ましくは１種以上の有機ｐ型半導体化合物は、例えばまた１種以上の光活性化合物であってもよい。用語「光活性化合物」を、入射光を電気エネルギーに変換するのを補助する化合物を示すために使用する。
【００１５】
１種以上の有機ｐ型半導体化合物は、例えばポリマー、オリゴマーまたは小分子であってもよく、例えば以下の式（Ｉ）
−［Ｍ−］ｍ−      （Ｉ）
によって表され得、式中Ｍは、以下において定義する通りであり、本出願の目的のために、ｍは、小分子について１、オリゴマーについて２〜１０およびポリマーについて少なくとも１１である。
【００１６】
本出願における使用に適した１種以上の有機ｐ型半導体化合物は、特に限定されない。かかる有機ｐ型半導体化合物は、当業者に一般に周知である。
好適な有機ｐ型半導体化合物の例は、任意にさらに１種以上のエテン−２，１−ジイル（*−（Ｒ１）Ｃ＝Ｃ（Ｒ２）−*）およびエチンジイル（*−Ｃ≡Ｃ−*）を含むあらゆる共役アリールおよびヘテロアリール化合物を含み、Ｒ１およびＲ２は、本明細書中で定義した通りである。
【００１７】
Ｒ１およびＲ２は、好ましくは１〜２０個の炭素を有するアルキル、１〜２０個の炭素原子を有する部分的にもしくは完全にフッ素化されたアルキル、フェニルおよび１〜２０個の炭素原子を有するアルキルで置換されたフェニルまたは１〜２０個の炭素原子を有する部分的にもしくは完全にフッ素化されたアルキルからなる群から選択されたカルビル基である。
【００１８】
例示的な有機ｐ型半導体化合物は、好ましくは２つ以上、極めて好ましくは少なくとも３つの芳香環を含むアリールおよびヘテロアリール化合物、例えば芳香族化合物と共役していてもよい。有機ｐ型半導体化合物の好ましい例は、５、６または７員環芳香環から選択された、より好ましくは５または６員環芳香環から選択された芳香環を含む。
【００１９】
有機ｐ型半導体化合物の芳香環の各々は、任意にＳｅ、Ｔｅ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂ、Ａｓ、Ｎ、ＯまたはＳから、一般にＮ、ＯまたはＳから選択された１種以上のヘテロ原子を含んでもよい。
【００２０】
さらに、芳香環は、任意に、アルキル、アルコキシ、ポリアルコキシ、チオアルキル、アシル、アリールまたは置換アリール基、ハロゲンで置換されていてもよく、ここでフッ素、シアノ、ニトロまたは任意に置換されている第二または第三アルキルアミンまたはアリールアミン、−Ｎ（Ｒ３）（Ｒ４）によって表され、式中Ｒ３およびＲ４は、各々独立してＨ、任意に置換されているアルキルまたは任意に置換されているアリール、アルコキシまたはポリアルコキシ基を、典型的に用いる。さらに、Ｒ３およびＲ４がアルキルまたはアリールである場合、これらは任意にフッ素化されていてもよい。
【００２１】
前述の芳香環は、融合環(fused rings)であり得るか、または共役結合基、例えば−Ｃ（Ｔ１）＝Ｃ（Ｔ２）−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ’’’）−、−Ｎ＝Ｎ−、（Ｒ’’’）＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ’’’）−と結合することができ、式中Ｔ１およびＴ２は、各々独立してＨ、Ｃｌ、Ｆ、−Ｃ≡Ｎまたは低級アルキル基、例えば１〜４個の炭素原子を有するアルキル基を表し；Ｒ’’’は、Ｈ、任意に置換されているアルキルまたは任意に置換されているアリールを表す。さらに、Ｒ’’’がアルキルまたはアリールである場合、それはフッ素化され得る。
【００２２】
本出願の目的に適した有機ｐ型半導体化合物の好ましい例は、ポリアセン、ポリフェニレン、ポリ（フェニレンビニレン）、これらの共役炭化水素ポリマーのオリゴマーを含むポリフルオレンなどの共役炭化水素ポリマーからなる群から選択された化合物の化合物、オリゴマーおよび誘導体；テトラセン、クリセン、ペンタセン、ピレン、ペリレン、コロネン、またはこれらの可溶性の置換誘導体などの縮合芳香族炭化水素；ｐ−クオーターフェニル（ｐ−４Ｐ）、ｐ−キヌキセニル（ｐ−５Ｐ）、ｐ−セクシフェニル（ｐ−６Ｐ）、またはこれらの可溶性置換誘導体などのオリゴマーパラ置換フェニレン；共役複素環ポリマー、例えばポリ（３−置換チオフェン）、ポリ（３，４−ビ置換チオフェン）、任意に置換されたポリチエノ［２，３−ｂ］チオフェン、任意に置換されたポリチエノ［３，２−ｂ］チオフェン、ポリ（３−置換セレノフェン）、ポリベンゾチオフェン、ポリイソチアナフテン、ポリ（Ｎ−置換ピロール）、ポリ（３−置換ピロール）、ポリ（３，４−ビ置換ピロール）、ポリフラン、ポリピリジン、ポリ−１，３，４−オキサジアゾール、ポリイソチアナフテン、ポリ（Ｎ−置換アニリン）、ポリ（２−置換アニリン）、ポリ（３−置換アニリン）、ポリ（２，３−ビ置換アニリン）、ポリアズレン、ポリピレン；ピラゾリン化合物；ポリセレノフェン；ポリベンゾフラン；ポリインドール；ポリピリダジン；ベンジジン化合物；スチルベン化合物；トリアジン；置換金属または金属非含有ポルフィン、フタロシアニン、フルオロフタロシアニン、ナフタロシアニンまたはフルオロナフタロシアニン；Ｎ，Ｎ’−ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールまたは置換ジアリール−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドおよびフルオロ誘導体；Ｎ，Ｎ’−ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールまたは置換ジアリール３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド；バソフェナントロリン；ジフェノキノン；１，３，４−オキサジアゾール；１１，１１，１２，１２−テトラシアノノプトフト−２，６−キノジメタン；α，α’−ビス（ジ−チエノ［３，２−ｂ−２’，３’−ｄ］チオフェン）；２，８−ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールまたは置換ジアリールアントラジチオフェン；２，２’−ビスベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェンを含む。
【００２３】
さらに、本発明のいくつかの好ましい態様において、有機ｐ型半導体化合物は、チオフェン−２，５−ジイル、３置換チオフェン−２，５−ジイル、任意に置換されているチエノ［２，３−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、任意に置換されているチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、セレノフェン−２，５−ジイルまたは３−置換セレノフェン−２，５−ジイルから選択された１つ以上の繰り返し単位を含むポリマーまたはコポリマーである。
【００２４】
有機ｐ型半導体化合物のさらに好ましい例は、１以上の電子受容体単位および１以上の電子供与体単位を含むコポリマーである。この好ましい態様の好ましいコポリマーは、例えば、好ましくは４，８−二置換された１つ以上のベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン−２，５−ジイル単位を含むコポリマーであり、さらに群Ａおよび群Ｂから選択された１つ以上のアリールまたはヘテロアリール単位を含み、好ましくは群Ａの少なくとも１つの単位および群Ｂの少なくとも１つの単位を含み、ここで群Ａは電子供与体特性を有するアリールまたはヘテロアリール基からなり、群Ｂは電子受容体特性を有するアリールまたはヘテロアリール基からなる。
【００２５】
群Ａは、セレノフェン−２，５−ジイル、チオフェン−２，５−ジイル、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、チエノ［２，３−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［３，２−ｂ］セレノフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［２，３−ｂ］セレノフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、セレノフェノ［２，３−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン−２，６−ジイル、２，２−ジチオフェン、２，２−ジセレノフェン、ジチエノ［３，２−ｂ：２’，３’−ｄ］シロール−５，５−ジイル、４Ｈ−シクロペンタ［２，１−ｂ：３，４−ｂ’］ジチオフェン−２，６−ジイル、２，７−ジ−チエン−２−イル−カルバゾール、２，７−ジ−チエン−２−イル−フルオレン、インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン−２，７−ジイル、ベンゾ［１’’，２’’：４，５；４’’，５’’：４’，５’］ビス（シロロ［３，２−ｂ：３’，２’−ｂ’］チオフェン）−２，７−ジイル、２，７−ジチエン−２−イル−インダセノ［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ジチオフェン、２，７−ジ−チエン−２−イル−ベンゾ［１’’，２’’：４，５；４’’、５’’：４’，５’］ビス（シロロ［３，２−ｂ：３’，２’−ｂ’］チオフェン）−２，７−ジイル、および２，７−ジ−チエン−２−イル−フェナントロ［１，１０，９，８−ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇ］カルバゾールからなり、そのすべては、任意に上記に定義した１つ以上の、好ましくは１つまたは２つの基Ｒ１によって置換されており、ならびに
【００２６】
群Ｂは、ベンゾ［２，１，３］チアジアゾール−４，７−ジイル、５，６−ジアルキル−ベンゾ［２，１，３］チアジアゾール−４，７−ジイル、５，６−ジアルコキシベンゾ［２，１，３］チアジアゾール−４，７−ジイル、ベンゾ［２，１，３］セレナジアゾール−４，７−ジイル、５，６−ジアルコキシ−ベンゾ［２，１，３］セレナジアゾール−４，７−ジイル、ベンゾ［１，２，５］チアジアゾール−４，７、ジイル、ベンゾ〔１，２，５〕セレナジアゾール−４，７、ジイル、ベンゾ〔２，１，３〕オキサジアゾール−４，７−ジイル、５，６−ジアルコキシベンゾ〔２，１，３〕オキサジアゾール−４，７−ジイル、２Ｈ−ベンゾトリアゾール−４，７−ジイル、２，３−ジシアノ−１，４−フェニレン、２，５−ジシアノ、１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，３，５，６−テトラフルオロ−１，４−フェニレン、３，４−ジフルオロチオフェン−２，５−ジイル、チエノ［３，４−ｂ］ピラジン−２，５−ジイル、キノキサリン−５，８−ジイル、チエノ［３，４−ｂ］チオフェン−４，６−ジイル、チエノ［３，４−ｂ］チオフェン−６，４−ジイル、および３，６−ピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオンからなり、そのすべては、任意に上記に定義した１つ以上の、好ましくは１つまたは２つの基Ｒ１によって置換されている。
【００２７】
本発明の他の好ましい態様において、有機ｐ型半導体化合物は、置換オリゴアセンである。かかるオリゴアセンの例は、例えばペンタセン、テトラセンまたはアントラセン、およびそれらの複素環式誘導体からなる群から選択され得る。例えばUS 6,690,029またはWO 2005/055248 A1またはUS 7,385,221に開示されているビス（トリアルキルシリルエチニル）オリゴアセンまたはビス（トリアルキルシリルエチニル）ヘテロアセンもまた、有用である。
【００２８】
１種以上のｎ型半導体化合物は、特に限定されない。好適なｎ型半導体化合物の例は、当業者に周知であり、無機化合物および有機化合物を含む。
ｎ型半導体化合物は、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯｘ）、酸化亜鉛スズ（ＺＴＯ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）、酸化ニッケル（ＮｉＯｘ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）およびこれらのあらゆるブレンドからなる群から選択された無機半導体化合物であり得る。
ｎ型半導体化合物は、例えば、グラフェン、フラーレン、置換フラーレンおよびこれらのあらゆるブレンドからなる群から選択された有機化合物であってもよい。
【００２９】
好適なフラーレンおよび置換フラーレンの例は、例えば、インデン−Ｃ６０−フラーレンビス−付加物、例えばＩＣＢＡ、または（６，６）−フェニル−酪酸メチルエステル誘導体化メタノＣ６０フラーレン、また「ＰＣＢＭ−Ｃ６０」または「Ｃ６０ＰＣＢＭ」としても知られている、例えばG. Yu, J. Gao, J.C. Hummelen, F. Wudl, A.J. Heeger, Science 1995, Vol. 270, p. 1789 ffに開示されており、以下に示す構造を有するもの、または例えばＣ６１フラーレン基を有する構造的に類似する化合物、Ｃ７０フラーレン基、またはＣ７１フラーレン基、または有機ポリマーからなる群から選択され得る（例えばCoakley, K. M.およびMcGehee, M. D. Chem. Mater. 2004, 16, 4533を参照）。
【化１】
2018525487.tif 000003
【００３０】
好ましくは、有機ｐ型半導体化合物を、例えば、ＰＣＢＭ−Ｃ６０、ＰＣＢＭ−Ｃ７０、ＰＣＢＭ−Ｃ６１、ＰＣＢＭ−Ｃ７１、ビス−ＰＣＢＭ−Ｃ６１、ビス−ＰＣＢＭ−Ｃ７１のようなフラーレンまたは置換フラーレンのようなｎ型半導体、ＩＣＭＡ−ｃ６０（１  ，４  −ジヒドロ−ナフト［２  ，３  ：１，２］［５，６］フラーレン−Ｃ６０）、ＩＣＢＡ−Ｃ６０、ｏＱＤＭ−Ｃ６０（１’，４’−ジヒドロ−ナフト［２’，３’：１，９］［５，６］フラーレン−Ｃ６０−Ｉｈ）、ビス−ｏＱＤＭ−Ｃ６０、グラフェン、または例えばＺｎＯｘ、ＴｉＯｘ、ＺＴＯ、ＭｏＯｘ、ＮｉＯｘのような金属酸化物、または例えばＣｄＳｅまたはＣｄＳのような量子ドットとブレンドして、ＯＰＶまたはＯＰＤデバイスにおける活性層を形成する。
【００３１】
溶媒
本出願の組成物に含まれる溶媒は、特に限定されない。それは、例えば水または１種以上の非水性溶媒、または水および１種以上の非水性溶媒との混合物であってもよい。好ましくは、溶媒は、有機溶媒または２種以上の有機溶媒の混合物である。
【００３２】
本出願の目的に適した有機溶媒の好ましい例を、脂肪族炭化水素、塩素化炭化水素、芳香族炭化水素、ケトン、エーテルおよびそれらの混合物を含むリストから選択してもよい。使用することができる追加的な溶媒は、１，２，４−トリメチルベンゼン、１，２，３，４−テトラ−メチルベンゼン、ペンチルベンゼン、メシチレン、クメン、シメン、シクロヘキシルベンゼン、ジエチルベンゼン、テトラリン、デカリン、２，６−ルチジン、２−フルオロ−ｍ−キシレン、３−フルオロ−ｏ−キシレン、２−クロロベンゾトリフルオリド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、２−クロロ−６−フルオロトルエン、２−フルオロアニソール、アニソール、２，３−ジメチルピラジン、４−フルオロアニソール、３−フルオロアニソール、３−トリフルオロ−メチルアニソール、２−メチルアニソール、フェネトール、４−メチルアニソール、３−メチルアニソール、４−フルオロ−３−メチルアニソール、２−フルオロベンゾニトリル、４−フルオロベラトロール、２，６−ジメチルアニソール、３−フルオロベンゾ−ニトリル、２，５−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ベンゾニトリル、３，５−ジメチル−アニソール、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、安息香酸エチル、１−フルオロ−３，５−ジメトキシ−ベンゼン、１−メチルナフタレン、Ｎ−メチルピロリジノン、３−フルオロベンゾ−トリフルオリド、ベンゾトリフルオリド、ジオキサン、トリフルオロメトキシ−ベンゼン、４−フルオロベンゾトリフルオリド、３−フルオロピリジン、トルエン、２−フルオロ−トルエン、２−フルオロベンゾトリフルオリド、３−フルオロトルエン、４−イソプロピルビフェニル、フェニルエーテル、ピリジン、４−フルオロトルエン、２，５−ジフルオロトルエン、１−クロロ−２，４−ジフルオロベンゼン、２−フルオロピリジン、３−クロロフルオロベンゼン、１−クロロ−２，５−ジフルオロベンゼン、４−クロロフルオロベンゼン、クロロ−ベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、２−クロロフルオロベンゼン、ｐ−キシレン、ｍ−キシレン、ｏ−キシレンまたはｏ−、ｍ−およびｐ−異性体の混合物を含む。比較的低い極性を有する溶媒が、一般に好ましい。インクジェット印刷のために、高い沸点を有する溶媒および溶媒混合物が、好ましい。スピンコーティングのために、キシレンおよびトルエンのようなアルキル化ベンゼンが、好ましい。
【００３３】
特に好ましい溶媒の例は、限定されずにジクロロメタン、トリクロロメタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン、アニソール、モルホリン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、１，４−ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、３，５−ジメチルアニソール、酢酸エチル、Ｎ−ブチルアセテート、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、テトラリン、デカリン、インダン、安息香酸メチル、安息香酸エチル、メシチレンおよび／またはそれらの混合物を含む。
【００３４】
ポリマー粒子
本組成物は、ポリマー粒子を含み、ここで前記ポリマー粒子は、最大２μｍの直径を有する。好ましくは、前記ポリマー粒子は、最大１．５μｍ、より好ましくは最大１．０μｍまたは０．９μｍまたは０．８μｍまたは０．７μｍまたは０．６μｍ、最も好ましくは最大０．５μｍの直径を有する。好ましくは、前記ポリマー粒子は、少なくとも１０ｎｍ、より好ましくは少なくとも１５ｎｍおよび最も好ましくは少なくとも２０ｎｍの直径を有する。
好ましくは、前記ポリマー粒子は、架橋を含むポリマー、すなわちある程度の架橋を有するポリマーを含む。
【００３５】
ポリマー粒子中に含まれるポリマーのタイプは、それが安定な分散体を形成する限りは特に限定されない。本出願の目的のために、用語「ポリマー粒子の安定な分散体」は、上記で定義した１種以上の溶媒中のポリマー粒子の分散体を示すべきであり、ここで前記ポリマー粒子は、１種以上の溶媒中に分散させた後、少なくとも２４時間、好ましくは少なくとも４８時間分散したままである。
【００３６】
本ポリマー粒子は、好ましくは、架橋性ポリマーを、前記ポリマー粒子の総重量に相対して少なくとも５０重量％もしくは６０重量％もしくは７０重量％もしくは８０重量％もしくは９０重量％もしくは９５重量％もしくは９７重量％もしくは９９重量％において含み、または最も好ましくはかかる架橋性ポリマーからなる。
【００３７】
本出願における使用に適した架橋性ポリマーの例は、例えば、ポリスチレン、ポリ（アクリル酸）、ポリ（メタクリル酸）、ポリ（メチルメタクリレート）、エポキシ樹脂、ポリエステル、ビニルポリマー、またはこれらの任意のブレンドからなる群から選択され得、ポリスチレンおよびポリ（アクリル酸）が好ましく、ポリスチレンが最も好ましい。
【００３８】
架橋性または既に架橋したポリマーは、当業者に一般に知られており、商業的供給源から、例えばSpherotech Inc., Lake Forest, Illinois, USAから、またはSigma-Aldrichから得られ得る。
【００３９】
好ましくは、前記ポリマー粒子に含まれるポリマーは、少なくとも５０，０００ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは少なくとも１００，０００ｇ／ｍｏｌ、尚より好ましくは少なくとも１５０，０００ｇ／ｍｏｌおよび最も好ましくは少なくとも２００，０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量Ｍｎ（例えばＧＰＣによって測定して）を有する。好ましくは、前記ポリマー粒子中に含まれるポリマーは、最大２，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは最大１，５００，０００ｇ／ｍｏｌおよび最も好ましくは最大１，０００，０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量Ｍｎ（例えばＧＰＣによって測定して）を有する。
【００４０】
架橋のために、ポリマーを、電子線または電磁放射（化学）線、例えばＸ線、ＵＶもしくは可視光線に曝露するか、またはそれが熱架橋性基を含む場合には加熱する。例えば、化学線を、１１ｎｍ〜７００ｎｍ、例えば２００〜７００ｎｍの波長で使用することができる。露光のための化学放射線の線量は、一般に２５〜１５０００ｍＪ／ｃｍ２である。好適な放射線源には、水銀、水銀／キセノン、水銀／ハロゲンおよびキセノンランプ、アルゴンまたはキセノンレーザー源、Ｘ線が含まれる。化学線へのかかる曝露は、曝露した領域において架橋を引き起こすことである。架橋性基の例は、マレイミドペンダント基である。マレイミド基の光吸収バンドの外側の波長を有する光源を使用することが所望される場合には、放射線感受性光増感剤を、加えることができる。ポリマーが熱架橋性基を含有する場合、例えば架橋反応が熱的に開始しない場合において、任意に開始剤を加えて、架橋反応を開始してもよい。架橋のための例示的な条件は、３６５ｎｍの波長を８８ｍＪの線量で有するＵＶ照射である。
【００４１】
別の好ましい態様において、架橋性ポリマー組成物は、安定剤材料または自発的な架橋を防止し、ポリマー組成物の保存寿命を改善するための部分を含む。好適な安定剤は、酸化防止剤、例えば、フェノール性ＯＨ基に対してオルト位において１個以上の嵩の大きいアルキル基、例えばｔ−ブチル基を任意に含むカテコールまたはフェノール誘導体である。
ＵＶ放射線に対する曝露による架橋が、好ましい。
【００４２】
架橋剤の架橋性基は、好ましくは、マレイミド、３−モノアルキル−マレイミド、３，４−ジアルキルマレイミド、エポキシ、ビニル、アセチレン、インデニル、シンナメートもしくはクマリン基、または置換もしくは非置換マレイミド部分、エポキシド部分、ビニル部分、アセチレン部分、インデニル部分、シンナメート部分もしくはクマリン部分を含む基から選択される。
【００４３】
極めて好ましくは、架橋剤は、式（ＩＩ−１）または（ＩＩ−２）から選択される。
【化２】
2018525487.tif 000004
式中、Ｘ’は、Ｏ、Ｓ、ＮＨまたは単結合であり、Ａ’’は、単結合または（ＣＺ２）ｎ、（ＣＨ２）ｎ−（ＣＨ＝ＣＨ）ｐ−（ＣＨ２）ｎ、（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−（ＣＨ２）ｎ、（ＣＨ２）ｎ−Ｃ６Ｑ１０−（ＣＨ２）ｎ、およびＣ（Ｏ）から選択された連結、スペーサーもしくは架橋基であり、ここで各々のｎは、独立して０〜１２の整数であり、ｐは、１〜６の整数（例えば１、２、３、４、５または６）であり、Ｚは、独立してＨまたはＦであり、Ｃ６Ｑ１０は、Ｑで置換されたシクロヘキシルであり、Ｑは、独立してＨ、Ｆ、ＣＨ３、ＣＦ３またはＯＣＨ３であり、Ｐは、架橋性基であり、ｃは、２，３または４であり、かつここで、式（ＩＩ−１）において、Ｘ’の少なくとも１つおよび２つの基Ａ’’は、単結合ではない。
【００４４】
Ｐは、好ましくは、マレイミド、３−モノアルキル−マレイミド、３，４−ジアルキルマレイミド、エポキシ、ビニル、アセチレン、インデニル、シンナメートもしくはクマリン基から選択されるか、または置換もしくは非置換マレイミド部分、エポキシド部分、ビニル部分、アセチレン部分、インデニル部分、シンナメート部分もしくはクマリン部分を含む。
好ましくは、本ポリマー粒子は、本組成物中に含まれる溶媒に可溶ではない。
【００４５】
デバイスおよびデバイス製造
一般的用語において、本出願はまた、次に有機半導体材料および上で定義したポリマー粒子を含む層を含むデバイスに関する。
【００４６】
本出願はさらに、有機半導体材料および上記で定義したポリマー粒子を含む層を製造する方法であって、前記方法が、
（ａ）有機半導体材料、溶媒およびポリマー粒子を含む組成物を提供し、
（ｂ）前記組成物を基板上に堆積させ、ならびに
（ｃ）本質的に前記溶媒を除去する
ステップを含む、前記方法に関する。
【００４７】
好ましくは、本方法のステップ（ｂ）を、スクリーン印刷、グラビア印刷またはフレキソ印刷によって行う。
本出願の目的のために、用語「本質的に前記溶媒を除去する」を使用して、少なくとも５０重量％、好ましくは少なくとも６０重量％または７０重量％、より好ましくは少なくとも８０重量％または９０重量％、さらにより好ましくは少なくとも９２重量％または９４重量％または９６重量％または９８重量％、尚さらにより好ましくは少なくとも９９重量％および最も好ましくは少なくとも９９．５重量％の溶媒を除去することを示し、重量％は、ステップ（ａ）において提供する組成物中の溶媒の重量に相対する。
【００４８】
本発明による化合物およびポリマーをまた、本明細書中に記載したデバイス中のパターン化ＯＳＣ層において使用することができる。現代のマイクロエレクトロニクスの用途のために、小さな構造またはパターンを生成して、コスト（より多くのデバイス／単位面積）および電力消費を低減することが、一般に望ましい。本発明によるポリマーを含む薄層のパターニングを、例えばフォトリソグラフィー、電子ビームリソグラフィーまたはレーザーパターニングによって行うことができる。
【００４９】
電子デバイスまたは電気光学的デバイス中の薄層としての使用のために、本発明の化合物、ポリマー、ポリマーブレンドまたは配合物を、任意の好適な方法によって堆積させてもよい。デバイスの液体コーティングが、真空蒸着手法よりも望ましい。溶液堆積法が、特に好ましい。本発明の配合物によって、多数の液体コーティング手法の使用が可能になる。好ましい堆積手法は、限定されずにディップコーティング、スピンコーティング、インクジェット印刷、ノズル印刷、レタープレス印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、ドクターブレードコーティング、ローラー印刷、逆ローラー印刷、オフセットリソグラフィー印刷、乾式オフセットリソグラフィー印刷、フレキソ印刷、ウェブ印刷、スプレーコーティング、カーテンコーティング、ブラシコーティング、スロットダイコーティングまたはパッド印刷を含む。
【００５０】
インクジェット印刷は、高解像度層およびデバイスを製造する必要がある場合に特に好ましい。本発明の選択された配合物を、作成済みのデバイス基板に、インクジェット印刷またはマイクロディスペンシングによって適用してもよい。好ましい工業的圧電印刷ヘッド、例えば限定されずにAprion、Hitachi-Koki、InkJet Technology、On Target Technology、Picojet、Spectra、Trident、Xaarによって供給されるものを使用して、有機半導体層を基板に適用してもよい。さらに、半工業用ヘッド、例えばＢｒｏｔｈｅｒ、Ｅｐｓｏｎ、Ｋｏｎｉｃａ、Ｓｅｉｋｏ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ、Ｔｏｓｈｉｂａ ＴＥＣによって製造されたものまたは単一ノズルマイクロディスペンサー、例えばＭｉｃｒｏｄｒｏｐおよびＭｉｃｒｏｆａｂによって製造されたものを、使用してもよい。
【００５１】
インクジェット印刷またはマイクロディスペンシングによって適用するために、化合物またはポリマーを、先ず好適な溶媒に溶解しなければならない。溶媒は、上に述べた要件を満たさなければならず、選択したプリントヘッドに対していかなる悪影響をも有してはならない。さらに、溶媒は、印刷ヘッドの内側での溶液乾燥によって生じる操作上の問題を防止するために、＞１００℃、好ましくは＞１４０℃およびより好ましくは＞１５０℃の沸点を有するべきである。上に述べた溶媒以外には、好適な溶媒は、置換および非置換キシレン誘導体、ジ−Ｃ１〜２アルキルホルムアミド、置換および非置換アニソールおよび他のフェノール−エーテル誘導体、置換複素環、例えば置換ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピロリジノン、置換および非置換Ｎ，Ｎ−ジ−Ｃ１〜２アルキルアニリンおよび他のフッ素化または塩素化芳香族化合物を含む。
【００５２】
本発明による化合物またはポリマーをインクジェット印刷によって堆積させるための好ましい溶媒は、１つ以上の置換基によって置換されたベンゼン環を有するベンゼン誘導体を含み、ここで１つ以上の置換基の中の炭素原子の総数は、少なくとも３である。例えば、ベンゼン誘導体は、プロピル基または３個のメチル基で置換されていてもよく、いずれの場合においても、合計で少なくとも３個の炭素原子がある。かかる溶媒によって、化合物またはポリマーを有する溶媒を含むインクジェット流体が生成することが可能になり、それによって、噴霧中のジェットの目詰まりおよび成分の分離が低減または防止される。溶媒（単数または複数）は、例の以下のリストから選択されるものを含んでもよい：ドデシルベンゼン、１−メチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、テルピネオール、リモネン、イソヅレン、テルピノレン、シメン、ジエチルベンゼン。溶媒は、溶媒混合物であってもよく、それは、２種以上の溶媒の組み合わせであり、各溶媒は、好ましくは、＞１００℃、より好ましくは＞１４０℃の沸点を有する。かかる溶媒（単数または複数）によってまた、堆積した層中での膜形成が増強され、層中の欠陥が低減される。
【００５３】
インクジェット液体（即ち溶媒、結合剤および半導体化合物の混合物）は、好ましくは、２０℃で少なくとも１ｍＰａ・ｓの粘度を有する。好ましくは、インクジェット流体は、２０℃で最大１００ｍＰａ・ｓ、より好ましくは最大５０ｍＰａ・ｓおよび最も好ましくは最大３０ｍＰａ・ｓの粘度を有する。
【００５４】
本発明によるポリマーブレンドおよび配合物は、さらに、例えば、表面活性化合物、潤滑剤、湿潤剤、分散剤、疎水剤、接着剤、流動性向上剤、消泡剤、脱気剤、反応性または非反応性であり得る希釈剤、補助剤、着色剤、染料または顔料、増感剤、安定剤、ナノ粒子または阻害剤から選択された１種以上のさらなる成分または添加剤を含むことができる。
【００５５】
本発明はさらに、本発明による化合物、ポリマー、ポリマーブレンド、配合物または有機半導体層を含む電子デバイスを提供する。好ましいデバイスは、ＯＦＥＴ（有機電界効果トランジスタ）、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、ＩＣ（集積回路）、論理回路、キャパシタ、ＲＦＩＤ（無線周波数識別）タグ、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）、ＯＬＥＴ（有機発光トランジスタ）、ＯＰＥＤ（有機蛍光体発光ダイオード）、ＯＰＶ（有機光電池）、ＯＰＤ（有機フォトダイオード）、太陽電池、レーザーダイオード、光伝導体、光検出器、電子写真デバイス、電子写真記録デバイス、有機記憶デバイス、センサーデバイス、電荷注入層、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止フィルム、伝導性基板および伝導性パターンである。特に好ましいデバイスは、ＯＰＤである。
【００５６】
特に好ましい電子デバイスは、ＯＦＥＴ、ＯＬＥＤ、ＯＰＶおよびＯＰＤデバイス、特にバルクヘテロ接合（ＢＨＪ）ＯＰＶデバイスおよびＯＰＤデバイス、最も特にＯＰＤデバイスである。ＯＦＥＴにおいて、例えば、ドレインとソースとの間の活性半導体チャネルは、本発明の層を含んでもよい。別の例として、ＯＬＥＤデバイスにおいて、電荷（正孔または電子）注入または輸送層は、本発明の層を含んでもよい。
【００５７】
ＯＰＶまたはＯＰＤデバイスにおける使用のために、本発明によるポリマーを、好ましくは、ｐ型（電子供与体）半導体およびｎ型（電子受容体）半導体を含む(comprise)かまたは含み(contain)、より好ましくは本質的にそれからなり、極めて好ましくは専らそれからなる配合物において使用する。ｐ型半導体を、本発明によるポリマーによって構成する。
【００５８】
本ＯＰＶまたはＯＰＤデバイスは、好ましくは、活性層と第１の、または第２の電極との間に、正孔輸送層および／または電子遮断層として作用する１つ以上の追加的な緩衝層を含んでもよく、それは、材料、例えば金属酸化物、例えばＺＴＯ、ＭｏＯＸ、ＮｉＯＸ、共役高分子電解質、例えばＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、共役ポリマー、例えばポリトリアリールアミン（ＰＴＡＡ）、有機化合物、例えばＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）（１，１  −ビフェニル）−４，４  ジアミン（ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を含み、またはあるいはまた、正孔遮断層および／または電子輸送層として、それは、金属、例えば金属酸化物、例えばＺｎＯｘ、ＴｉＯｘ、塩、例えばＬｉＦ、ＮａＦ、ＣｓＦ、共役高分子電解質、例えばポリ［３−（６−トリメチルアンモニウムヘキシル）チオフェン］、ポリ（９，９−ビス（２−エチルヘキシル）−フルオレン］−ｂ−ポリ［３−（６−トリメチルアンモニウムヘキシル）チオフェン］、またはポリ［（９，９−ビス（３’−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピル）−２，７−フルオレン）−ａｌｔ−２，７−（９，９−ジオクチルフルオレン）］または有機化合物、例えばトリス（８−キノリノラト）−アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ３）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンを含む。
【００５９】
本発明のポリマーのフラーレンまたは修飾フラーレンとのブレンドまたは混合物中で、比率ポリマー：フラーレンは、好ましくは、重量によって５：１〜１：５、より好ましくは重量によって１：１〜１：３、最も好ましくは重量によって１：１〜１：２である。ポリマーバインダーはまた、重量によって５〜９５％含まれてもよい。バインダーの例は、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）およびポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）を含む。
【００６０】
薄層をＢＨＪ  ＯＰＶデバイス中に生成するために、本発明の化合物、ポリマー、ポリマーブレンドまたは配合物を、任意の好適な方法によって堆積させてもよい。デバイスの液体コーティングは、真空蒸着手法よりも望ましい。溶液堆積法が、特に好ましい。本発明の配合物によって、多数の液体コーティング手法の使用が可能になる。好ましい堆積手法は、限定されずに、ディップコーティング、スピンコーティング、インクジェット印刷、ノズル印刷、レタープレス印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、ドクターブレードコーティング、ローラー印刷、逆ローラー印刷、オフセットリソグラフィー印刷、乾式オフセットリソグラフィー印刷、フレキソ印刷、ウェブ印刷、スプレーコーティング、カーテンコーティング、ブラシコーティング、スロットダイコーティングまたはパッド印刷を含む。ＯＰＶデバイスおよびモジュールの製作のために、フレキシブル基板と適合性の領域印刷方法が好ましく、例えばスロットダイコーティング、スプレーコーティングなどである。
【００６１】
本発明によるポリマーのＣ６０もしくはＣ７０フラーレンまたは修飾フラーレン、例えばＰＣＢＭとのブレンドまたは混合物を含有する好適な溶液または配合物を、製造しなければならない。配合物の調製において、好適な溶媒を、両方の構成成分、ｐ型およびｎ型の完全な溶解を確実にし、選択した印刷法により導入された境界条件（例えばレオロジー特性）を考慮するように選択しなければならない。
【００６２】
有機溶媒を、一般的に、この目的のために使用する。典型的な溶媒は、芳香族溶媒、ハロゲン化溶媒または塩素化溶媒であり得、塩素化芳香族溶媒を含む。例は、クロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、ジクロロメタン、四塩化炭素、トルエン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、アニソール、モルホリン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、１，４−ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、テトラリン、デカリン、インダン、安息香酸メチル、安息香酸エチル、メシチレンおよびそれらの組み合わせを含むが、それらに限定されない。
【００６３】
ＯＰＶデバイスは、例えば、文献から知られている任意のタイプであり得る（例えばWaldauf et al., Appl. Phys. Lett., 2006, 89, 233517を参照）。
【００６４】
本発明の第１の好ましいＯＰＶデバイスは、以下の層を含む（下から上へ順に）。
−任意に基板
−好ましくは、アノードとして作用する、例えばＩＴＯのような金属酸化物を含む、高仕事関数電極、
−好ましくは、例えばＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレンスルホネート）、またはＴＢＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’ビフェニル−４，４’−ジアミン）またはＮＢＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−Ｎ’−ビス  （１−ナフチルフェニル）−１，１’ビフェニル−４，４’−ジアミン）の有機ポリマーまたはポリマーブレンドを含む、任意の伝導性ポリマー層または正孔輸送層、
【００６５】
−また「活性層」と称され、ｐ型およびｎ型の有機半導体を含み、例えばｐ型／ｎ型二層または別個のｐ型およびｎ型層として存在し得、またはＢＨＪを形成するブレンドまたはｐ型およびｎ型半導体としての層、
−任意に、例えばＬｉＦを含む電子輸送特性を有する層、
−好ましくは、カソードとして作用する、例えばアルミニウムのような金属を含む、低仕事関数電極、
【００６６】
ここで、電極の少なくとも一方、好ましくはアノードは、可視光に対して透明であり、および
ここで、ｐ型半導体は、本発明による重合体である。
【００６７】
本発明の第２の好ましいＯＰＶデバイスは、逆転ＯＰＶデバイスであり、以下の層を含む（下から上へ順に）。
−任意に基板、
−カソードとして作用する、例えばＩＴＯを含む、高い仕事関数の金属または金属酸化物電極、
−好ましくは金属酸化物、例えばＴｉＯＸまたはＺｎＸを含む、正孔遮断特性を有する層、
【００６８】
−電極間に位置するｐ型およびｎ型の有機半導体を含み、例えばｐ型／ｎ型二層として、または別個のｐ型およびｎ型層として存在し得、またはＢＨＪを形成するブレンドまたはｐ型およびｎ型半導体としての活性層、
−好ましくは、例えばＰＥＤＯＴ：ＰＳＳまたはＴＢＤまたはＮＢＤの有機ポリマーまたはポリマーブレンドを含む、任意の伝導性ポリマー層または正孔輸送層、
−アノードとして作用する、例えば銀のような高仕事関数金属を含む電極、
【００６９】
ここで、電極の少なくとも一方、好ましくはカソードは、可視光に対して透明であり、および
ここで、ｐ型半導体は、本発明による重合体である。
【００７０】
本発明のＯＰＶデバイスにおいて、ｐ型およびｎ型半導体材料を、好ましくは、上に記載したように、ポリマー／フラーレン系のような材料から選択する。
活性層を基板上に堆積させたとき、それは、ナノスケールレベルで相分離するＢＨＪを形成する。ナノスケール相分離に関する議論について、Dennler et al, Proceedings of the IEEE, 2005, 93 (8), 1429またはHoppe et al, Adv. Func. Mater, 2004, 14(10), 1005を参照。任意のアニーリングステップは、次にブレンド形態およびしたがってＯＰＶデバイス性能を最適化するために必要であり得る。
【００７１】
デバイス性能を最適化するための別の方法は、正しい方法で相分離を促進するために、高沸点添加剤を含んでもよい、ＯＰＶ（ＢＨＪ）デバイスの製作のための配合物を調製することである。１，８−オクタンジチオール、１，８−ジヨードオクタン、ニトロベンゼン、クロロナフタレン、および他の添加剤は、高効率太陽電池を得るために使用されている。例は、J. Peet, et al, Nat. Mater., 2007, 6, 497またはFrechet et al. J. Am. Chem. Soc., 2010, 132, 7595-7597に開示されている。
【００７２】
本発明の化合物、ポリマー、配合物および層はまた、半導体チャネルとしてのＯＦＥＴにおける使用に適している。したがって、本発明はまた、ゲート電極、絶縁（またはゲート絶縁体）層、ソース電極、ドレイン電極ならびにソース電極およびドレイン電極を接続する有機半導体チャネルを含むＯＦＥＴを提供し、ここで有機半導体チャネルは、化合物、ポリマー、ポリマーブレンド、配合物または本発明による有機半導体層を含む。ＯＦＥＴの他の特徴は、当業者に周知である。
【００７３】
ＯＳＣ材料が薄膜としてゲート誘電体とドレインとソース電極との間に配置されるＯＦＥＴは、一般的に知られており、例えばUS 5,892,244、US 5,998,804、US 6,723,394および背景技術の項において引用した参考文献に記載されている。本発明による化合物の溶解度特性を使用する低コスト生産のような利点およびしたがって大きな表面の加工可能性のために、これらのＦＥＴの好ましい用途は、例えば集積回路、ＴＦＴディスプレイおよびセキュリティー用途である。
【００７４】
ＯＦＥＴデバイスにおけるゲート、ソースおよびドレイン電極と絶縁および半導体層を、ソースおよびドレイン電極をゲート電極から絶縁層によって分離し、ゲート電極および半導体層が共に絶縁層に接触し、ソース電極およびドレイン電極が共に半導体層に接触する限りは、任意の順序において配置してもよい。
【００７５】
本発明によるＯＦＥＴデバイスは、好ましくは：
−ソース電極、
−ドレイン電極、
−ゲート電極、
−半導体層、
−１以上のゲート絶縁体層、および
−任意に基板
を含み、ここで半導体層は、好ましくは、本明細書中に記載するように化合物、ポリマー、ポリマーブレンドまたは配合物を含む。
【００７６】
ＯＦＥＴデバイスは、トップゲートデバイスまたはボトムゲートデバイスであり得る。ＯＦＥＴデバイスの好適な構造および製造方法は、当業者に知られており、文献、例えばUS 2007/0102696 A1に記載されている。
【００７７】
ゲート絶縁体層は、好ましくは、フルオロポリマー、例えば商業的に入手できるCytop 809M（登録商標）またはCytop 107M（登録商標）（旭硝子から）を含む。好ましくは、ゲート絶縁体層を、例えばスピンコーティング、ドクターブレーディング、ワイヤーバーコーティング、スプレーもしくはディップコーティングまたは他の既知の方法により、絶縁体材料および１個以上のフッ素原子を有する１種以上の溶媒（フルオロ溶媒(fluorosolvent)）、好ましくはパーフルオロ溶媒を含む配合物から堆積させる。好適なパーフルオロ溶媒は、例えばＦＣ７５（登録商標）（Acrosから入手できる、カタログ番号１２３８０）である。他の好適なフルオロポリマーおよびフルオロ溶媒は、従来技術において知られており、例えばパーフルオロポリマーTeflon AF（登録商標）１６００もしくは２４００（DuPontから）またはFluoropel（登録商標）（Cytonixから）またはパーフルオロ溶媒FC 43（登録商標）（Acros、番号１２３７７）である。特に好ましいのは、例えばUS 2007/0102696 A1またはUS 7,095,044に開示されているように、１．０〜５．０、極めて好ましくは１．８〜４．０の低い誘電率（または誘電定数）を有する有機誘電体材料（「低ｋ材料」）である。
【００７８】
セキュリティ用途において、ＯＦＥＴおよび本発明による半導体材料を有する他のデバイス、例えばトランジスタまたはダイオードを、有価証券、例えば紙幣、クレジットカードまたはＩＤカード、国家ＩＤドキュメント、ライセンスまたは金銭価値を有するあらゆる製品、例えば切手、チケット、株式、小切手などを認証し、偽造を防止するためのＲＦＩＤタグまたはセキュリティーマーキングのために使用することができる。
【００７９】
あるいはまた、本発明による材料を、ＯＬＥＤにおいて、例えばフラットパネルディスプレイ用途におけるアクティブディスプレイ材料として、またはフラットパネルディスプレイ、例えば液晶ディスプレイのバックライトとして使用することができる。一般的なＯＬＥＤを、多層構造を用いて実現する。発光層は、一般に、１つ以上の電子輸送および／または正孔輸送層の間に挟まれる。電圧を印加することにより、電荷担体としての電子および正孔は、発光層の方向に移動し、ここでそれらの再結合によって、励起、およびひいては発光層中に含まれるルモフォア単位のルミネセンスがもたらされる。
【００８０】
本発明の化合物、材料およびフィルムを、それらの電気的および／または光学的特性に対応して、１つ以上の電荷輸送層において、および／または発光層において用いてもよい。さらに、発光層内でのそれらの使用は、本発明の化合物、材料およびフィルムがそれら自体エレクトロルミネセント特性を示すかまたはエレクトロルミネセント基もしくは化合物を含む場合に特に有利である。ＯＬＥＤにおける使用のための好適なモノマー、オリゴマーおよびポリマー化合物または材料の選択、特徴づけならびに加工は、一般的に当業者によって知られている。例えばMueller et al, Synth. Metals, 2000, 111-112, 31-34, Alcala, J. Appl. Phys., 2000, 88, 7124-7128およびその中に引用されている文献を参照。
【００８１】
他の使用によれば、本発明による材料、特にフォトルミネセント特性を示すものを、光源の材料として、例えば、EP 0 889 350 A1に、またはC. Weder et al., Science, 1998, 279, 835-837によって記載されているように、ディスプレイデバイスにおいて用いてもよい。
【００８２】
本発明のさらなる観点は、本発明による化合物の酸化形態および還元形態の両方に関する。電子の損失または獲得のいずれかの結果、高度に非局在化したイオン形態の形成がもたらされ、それは、高い伝導性である。これは、一般的なドーパントへの曝露の際に発生し得る。好適なドーパントおよびドーピングの方法は、例えばEP 0 528 662, US 5,198,153またはWO 96/21659から当業者に知られている。
【００８３】
ドーピングプロセスは、典型的には、材料における非局在化イオン中心を形成するための酸化還元反応における酸化または還元剤での半導体材料の処理を意味し、対応する対イオンは、適用するドーパントから誘導される。好適なドーピング方法は、例えば、大気圧における、または減圧下でのドーピング蒸気への曝露、ドーパントを含む溶液中での電気化学的ドーピング、ドーパントを熱的に拡散させるべき半導体材料と接触させること、およびドーパントの半導体材料中へのイオン注入を含む。
【００８４】
電子を担体として用いる場合、好適なドーパントは、例えば、ハロゲン（例えばＩ２、Ｃｌ２、Ｂｒ２、ＩＣｌ、ＩＣｌ３、ＩＢｒおよびＩＦ）、ルイス酸（例えばＰＦ５、ＡＳＦ５、ＳｂＦ５、ＢＦ３、ＢＣｌ３、ＳｂＣｌ５、ＢＢｒ３およびＳＯ３）、プロトン酸、有機酸、またはアミノ酸（例えばＨＦ、ＨＣｌ、ＨＮＯ３、Ｈ２ＳＯ４、ＨＣｌＯ４、ＦＳＯ３ＨおよびＣｌＳＯ３Ｈ）、遷移金属化合物（例えばＦｅＣｌ３、ＦｅＯＣｌ、Ｆｅ（ＣｌＯ４）３、Ｆｅ（４−ＣＨ３Ｃ６Ｈ４ＳＯ３）３、ＴｉＣｌ４、ＺｒＣｌ４、ＨｆＣｌ４、ＮｂＦ５、ＮｂＣｌ５、ＴａＣｌ５、ＭｏＦ５、ＭｏＣｌ５、ＷＦ５、ＷＣｌ６、ＵＦ６およびＬｎＣｌ３（式中Ｌｎはランタノイドである）、アニオン（例えばＣｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、Ｉ３−、ＨＳＯ４−、ＳＯ４２−、ＮＯ３−、ＣｌＯ４−、ＢＦ４−、ＰＦ６−、ＡｓＦ６−、ＳｂＦ６−、ＦｅＣｌ４−、Ｆｅ（ＣＮ）６３−、および種々のスルホン酸のアニオン、例えばアリール−ＳＯ３−）である。
【００８５】
正孔を担体として用いる場合、ドーパントの例は、カチオン（例えばＨ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｒｂ＋およびＣｓ＋）、アルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓ）、アルカリ土類金属（例えばＣａ、ＳｒおよびＢａ）、Ｏ２、ＸｅＯＦ４、（ＮＯ２＋）（ＳｂＦ６−）、（ＮＯ２＋）（ＳｂＣｌ６−）、（ＮＯ２＋）（ＢＦ４−）、ＡｇＣｌＯ４、Ｈ２ＩｒＣｌ６、Ｌａ（ＮＯ３）３・６Ｈ２Ｏ、ＦＳＯ２ＯＯＳＯ２Ｆ、Ｅｕ、アセチルコリン、Ｒ４Ｎ＋、（Ｒはアルキル基である）、Ｒ４Ｐ＋（Ｒはアルキル基である）、Ｒ６Ａｓ＋（Ｒはアルキル基である）、およびＲ３Ｓ＋（Ｒはアルキル基である）である。
【００８６】
本発明の化合物の伝導性形態を、ＯＬＥＤ適用における荷電注入層およびＩＴＯ平坦化層、フラットパネルディスプレイおよびタッチスクリーンのためのフィルム、帯電防止フィルム、印刷された伝導性基板、電子的適用におけるパターンまたはトラクト、例えば印刷回路板およびコンデンサを含むがそれらには限定されない用途において有機「金属」として使用する。
【００８７】
本発明による化合物および配合物はまた、有機プラズモン発光ダイオード（ＯＰＥＤ）における使用に好適であり得、例えばKoller et al., Nat. Photonics, 2008, 2, 684に記載されている通りである。
【００８８】
他の使用によると、本発明による材料を、単独で、またはＬＣＤもしくはＯＬＥＤデバイスにおける配向層において、もしくはそれとして他の材料と一緒に使用することができ、それは、例えばUS 2003/0021913に記載されている通りである。本発明による電荷輸送化合物の使用によって、配向層の電気伝導度が増大し得る。ＬＣＤにおいて使用する場合、この増加した電気伝導度によって、切換可能なＬＣＤセルにおける不利な残留ｄｃ効果が低減され、画像焼き付きが抑制され、または、例えば強誘電性ＬＣＤにおいて、強誘電性ＬＣの自発的な分極電荷の切換によって生じる残留電荷が低減され得る。
【００８９】
配向層上に設けられた発光材料を含むＯＬＥＤデバイスにおいて使用する場合、この増大した電気伝導度によって、発光材料のエレクトロルミネセンスが増強され得る。メソゲンまたは液晶特性を有する本発明による化合物または材料は、上記のように配向した異方性フィルムを形成することができ、それは、特に、前記異方性フィルム上に設けられた液晶媒体中で配向を誘発または増強するための配向層として有用である。本発明による材料はまた、光配向層における、またはそれとしての使用のための光異性化化合物および／または発色団と組み合わせてもよく、それは、US 2003/0021913 A1に記載されている通りである。
【００９０】
本出願はまた、有機半導体材料および溶媒を含む組成物の粘度を、前記ポリマー粒子、有機半導体材料および上記で定義した溶媒と適合、好ましくは増加させるための重合体粒子の使用に関する。
【００９１】
以下の例における表２の粘度データは、ポリマーナノ粒子の配合物への添加の効果を明らかに例示する。驚くべきことに、得られた配合物の粘度は、好ましくはより高い分子量の半導体材料との組み合わせにおいて、ポリマーナノ粒子の添加によって劇的に増大し得ることが、見出された。本出願は、したがって、一般に可能として粘度のはるかにより広い範囲にわたって配合物の粘度に影響する方法を提供する。これによって、順番に、配合物が、それらを種々のプロセスのより広い範囲において使用することができるという点でより汎用性が高くなる。本出願の組成物は、有機電子デバイス、例えば有機光電池、有機フォトダイオードセンサーまたは有機トランジスタにおける活性層を被覆するために特に良好に適合する。
【００９２】
例
以下の例は、本発明の利点を非限定的方法において例示することを意図する。
本出願の目的のために、ＤＭＡを、３，５−ジメチルアニソールを示すために使用する。
【００９３】
例１−ポリマーナノ粒子分散体の製造
０．４５μｍの平均サイズを有するSPHEROTM架橋ポリスチレンナノ粒子を、Spherotech Inc., Lake Forest, Illinois, USAから、０．０２％アジ化ナトリウムを加えた脱イオン水中の５％分散体の形態において得た。
【００９４】
１０ｍｌの上記SPHEROTMのポリマーナノ粒子分散体を、１０，０００ｒｐｍの速度で１時間遠心分離した。上清水を除去し、５０ｍｌのエタノールを加えた。得られた混合物を、３０分の超音波処理およびその後の遠心分離の３回の連続サイクルに供した。沈殿物を真空下で乾燥し、１０ｍｌの３，５−ジメチルアニソールを加え、得られた混合物を３０分間超音波処理し、３，５−ジメチルアニソール中のSPHEROTMポリマーナノ粒子の分散体を得た。
【００９５】
例２−光活性配合物の製造
光活性配合物を、例１の分散体、ｎ型半導体材料、ｐ型半導体材料および追加的な３，５−ジメチルアニソールから、それぞれの予め決められた量をバイアルに加え、７０℃で一晩攪拌することにより製造した。
【００９６】
ｎ型半導体材料として、フェニル−Ｃ６１−酪酸（ＰＣＢＭ）メチルエステルを、使用した。ｐ型半導体材料として、ベンゾジチオフェン単位およびベンゾチアジアゾール単位を含むコポリマーを、使用した。配合物Ｓ２およびＳ３のｐ型半導体材料は、５７ｋｇ／ｍｏｌの分子量を有し（表１において「Ｌ−ＭＷ」と示す）、配合物Ｓ４〜Ｓ８の１つ、１２８ｋｇ／ｍｏｌの分子量（表１において「Ｈ−ＭＷ」と示す）。
【００９７】
配合物の構成成分のそれぞれの濃度を、表１に示す。TA Instruments AR-G2レオメーターを用いて２５℃で決定したそれぞれの粘度を、表２に列挙し、ここでＤＭＡの体積は、それぞれの配合物中のＤＭＡの総体積である。
【００９８】
【表１】
2018525487.tif 000005
【００９９】
【表２】
2018525487.tif 000006
【０１００】
ポリマーの分子量の影響は、配合物Ｓ２およびＳ５ならびにＳ３およびＳ４の粘度を比較することによって明らかである。配合物の粘度は、一般的に、ポリマーの、ここで例えばｐ型半導体材料の分子量に、０．５〜０．７乗に比例することが見出される。しかし、合成的観点から、かかるポリマーの最大分子量は限定され、またポリマーの配合物への溶解性の理由のために無限に増加させることはできない。分子量におけるこの制限によって、多数の特定の堆積方法、例えばスクリーン印刷におけるかかるポリマーの潜在的な使用に対して厳しい制限が課される。
【０１０１】
ここで、本ポリマーナノ粒子の添加は、配合物の粘度に対して驚異的に強い影響を有することが、見出された。配合物Ｓ２およびＳ３についての、ならびにＳ５およびＳ６についての表２の粘度データの比較は、それぞれ、明確にこの効果を証拠中に置く。また、効果は、ポリマーの分子量が増加した際に尚より顕著であることが、明らかである。
【０１０２】
例３−デバイス製作
例２の配合物を使用して、逆転構造：ＩＴＯ／ＥＴＬ／活性層／ＨＴＬ／Ａｇを有する有機光検出器デバイスを製造し、ＥＴＬは電子輸送層を示し、ＨＴＬは電子輸送層を示し、ＩＴＯは酸化インジウムスズを示す。
【０１０３】
基板として、予めパターン化したＩＴＯ基板（５ｍｍの直径を有する６ラウンドＩＴＯドット、各ドットを、ダイオード接続のために基板のエッジ上のパッドにＩＴＯの狭いストリップによって接続する）を、使用した。これらの基板を、それらをビーカー中でTeflonホルダーの内側に配置し、次に７０℃で１０分間、各々連続的にアセトン、イソプロパノールおよび脱イオン水中で超音波処理することによって洗浄した。それらを、次にスピンリンスドライヤーですすぎ、最終的にＵＶ光およびオゾンに１０分間曝露した。
【０１０４】
ＥＴＬを、
（Ｉ）ＰＶＰおよび１重量％のＣｓ２ＣＯ３のメタノール中のブレンド、または
（ｉｉ）アルコール溶媒中に分散させたＺｎＯナノ粒子
を２０００ｒｐｍで１分間スピンコートし、続いて１００℃〜１４０℃の温度で１０分間ホットプレート上で乾燥することにより作製した。
【０１０５】
活性層について、例２の配合物を、以前に形成したＥＴＬ上に、RKからのK101 Control Coater Systemを使用することにより堆積させた。ステージ温度を７０℃に、ブレードと基板との間のギャップを２〜１５μｍに、速度を２〜８ｍ  ｍｉｎ−１に設定した。活性層を、次に１００℃で１０分間アニーリングした。
【０１０６】
ＨＴＬを、ＭｏＯ３を以前に形成した活性層上に、電子ビーム蒸発法を用いてLesker蒸発器を１０−７Ｔｏｒｒの圧力で、および０．１Å秒−１の蒸発速度で用いて、５〜３０ナノメートルの厚さに堆積させることにより形成した。
最後に、上部電極として、Ａｇを、シャドウマスクによる熱蒸発法を用いることにより４０〜８０ナノメートルの厚さに堆積させた。
【０１０７】
製作方法のために、フィルム厚さは、配合物の粘度に依存して大幅に変化し得ることを、注記する。例えば、配合物Ｓ３についての総フィルム厚さは約６００ｎｍであり、一方配合物Ｓ４についての厚さは約１５００ｎｍであった。
【０１０８】
ＩＶ曲線および外部量子効率（ＥＱＥ）
そのように製造したデバイスのＩＶ曲線を、Keithley 4200システムを用いて、明および暗条件下で測定した。光源は５８０ｎｍで発光するＬＥＤであり、出力は約０．５ｍＷ  ｃｍ−２であった。
それぞれの活性層についての配合物Ｓ２およびＳ３を用いて製造したデバイスのＩＶ曲線および外部量子効率（ＥＱＥ）を、図１に示す。
【０１０９】
暗条件下で、配合物Ｓ２を用いて製造した基準デバイスおよび配合物Ｓ３を用いて製造したデバイスの電流強度は、非常に類似する。これは、ナノ粒子が、例えばピンホールまたは漏出現象を導入することにより負の影響を有しないことを示唆する。しかし、配合物Ｓ３を用いて製造したデバイスの光電流は、配合物Ｓ２を用いて製造した基準デバイスと比較して著しく低下した。理論によって束縛されることを望まないが、この低下は、潜在的に絶縁体または電荷転送障壁として作用し、かつ／または活性層におけるＰＣＢＭ対ｐ型ポリマーの低下した比率をもたらすＰＣＢＭを引き付ける親水性粒子表面によって引き起こされ得ると、考えられる。
【０１１０】
この仮説を試験するために、ＰＣＢＭの比率を高めたデバイスを作製した。図２は、配合物Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７およびＳ８を用いて製造したデバイスの外部量子効率を示す。データは、配合物Ｓ３を用いて製造したデバイスについて見出されたＥＱＥの低下をＰＣＢＭを配合物に加えることによって補償することができることを示す。配合物Ｓ５を用いて製造した基準デバイスは、６５０ｎｍで約５８％のＥＱＥを有する。SPHEROTMナノ粒子（配合物Ｓ６）を加えて、この値は、約３０％に低下する。さらなるＰＣＢＭを配合物に加えることにより、ＥＱＥは再び増加し得、ＰＣＢＭ（配合物Ｓ８）の濃度の２倍で例えば４５％に達する。
【０１１１】
安定性
本発明に従って製造したデバイスの安定性を試験するために、配合物Ｓ３を用いて製造したデバイスおよび配合物Ｓ２を用いて製造した基準デバイスを、空気中で密封していないプラスチック箱中に１か月より長く保存した。ＩＶ曲線を、デバイスの製造から０日、１４日および３５日目に採取した。
図３ａから明らかなように、配合物Ｓ２を用いて製造した基準デバイスの暗電流は、４桁増加し、一方ゼロバイアスでの光電流は、元の値の約３０〜５０％に大幅に減少した。
【０１１２】
極めて驚くべきことに、図３ｂに示すように、配合物Ｓ３を用いて、すなわち本発明に従って製造したデバイスは、試験期間中に有意に変化せず、基本的に試験期間を通じて同一の性能を維持した。
本例は、本発明の利点を明らかに示す。一般的に述べて、本出願に従って製造したデバイスは、向上した安定性によって特徴づけられ、すなわちそれらは、従来のデバイスよりも長い期間にわたって性能を維持する。
【０１１３】
表２の粘度データは、ポリマーナノ粒子の配合物への添加の効果を明らかに例示する。驚くべきことに、得られた配合物の粘度を、好ましくはより高い分子量の半導体材料との組み合わせにおいて、ポリマーナノ粒子の添加によって劇的に増大させることができることが、見出された。本出願は、したがって、一般に可能なものとして、粘度のはるかにより広い範囲にわたって配合物の粘度に影響する方法を提供する。これによって、順番に、配合物が、それらを種々のプロセスのより広い範囲において使用することができるという点でより汎用性が高くなる。
【０１１４】
さらに、本出願の配合物によって、有機電子デバイスの製造において有用である配合物の粘度を拡張することが可能になる。これによって、実際に、また、かかる電子デバイスを製造する現在まで容易に使用可能でなかった方法、例えばスクリーン印刷の使用が可能になる。
その結果、本発明は、高スループット製造方法の進行において特に有用であることが証明され、最終的には生産プロセスにおけるコスト削減が可能になる。
【図１】
2018525487.tif 000007
【図２】
2018525487.tif 000008
【図３Ａ】
2018525487.tif 000009
【図３Ｂ】
2018525487.tif 000010
【国際調査報告】
2018525487.tif 000011
2018525487.tif 000012
2018525487.tif 000013