(57)【要約】本明細書は、少なくとも１つの量子ドット、又は少なくとも１つのレーザーダイオードを包含する、少なくとも１つのキャビティを有する密封型装置を開示している。密封型装置は、必要に応じ封止層を介し、無機基体に封止されたガラス基体を備えることができ、封止体が少なくとも１つのキャビティの周囲に延びている。本明細書は、かかる密封型装置を備えた表示装置及び光学装置、並びにかかる密封型装置を構成するための方法も開示している。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
密封型装置であって、
第１の表面を有するガラス基体と、
第２の表面を有する無機基体と、
前記第１の表面の少なくとも一部、及び前記第２の表面の少なくとも一部に接触する封止層と、
前記封止層を介し、前記ガラス基体を前記無機基体に結合する少なくとも１つの封止体と、
を備え、
前記無機基体が、約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有し、
前記第１又は第２の表面の少なくとも一方が、少なくとも１つの量子ドット及び少なくとも１つのＬＥＤ素子を包含する、少なくとも１つのキャビティを有するか、又は前記第１又は第２の表面の少なくとも一方が、少なくとも１つのレーザーダイオードを包含する、少なくとも１つのキャビティを有し、
前記少なくとも１つの封止体が、前記少なくとも１つのキャビティの周囲に延びる、
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記ガラス基体が、アルミノシリケート、アルカリアルミノシリケート、ホウケイ酸、アルカリホウケイ酸、アルミノホウケイ酸、及びアルカリアルミノホウケイ酸ガラスから選択されるガラスを含むことを特徴とする、請求項１記載の密封型装置。
【請求項３】
前記無機基体が、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、又は炭化ケイ素を含むことを特徴とする、請求項１又は２記載の密封型装置。
【請求項４】
前記封止層が、フルオロリン酸スズガラス、タングステンドープフルオロリン酸スズガラス、カルコゲナイドガラス、テルライトガラス、ホウ酸塩ガラス、及びリン酸塩ガラスから選択されるガラスを含むことを特徴とする、請求項１〜３いずれか１項記載の密封型装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つの封止体が、レーザー溶接封止体であることを特徴とする、請求項１〜４いずれか１項記載の密封型装置。
【請求項６】
前記封止層が、前記少なくとも１つのキャビティ上に配置され、前記封止層が、所定のレーザー波長において約１０％を超える吸収を有し、可視波長において実質的に透明であることを特徴とする、請求項１〜５いずれか１項記載の密封型装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つの量子ドットと前記少なくとも１つのＬＥＤ素子とが、前記少なくとも１つのキャビティ内において、直接接触していることを特徴とする、請求項１〜６いずれか１項記載の密封型装置。
【請求項８】
前記少なくとも１つの量子ドットと前記少なくとも１つのＬＥＤ素子とが、前記少なくとも１つのキャビティ内において、分離障壁によって分離されていることを特徴とする、請求項１〜６いずれか１項記載の密封型装置。
【請求項９】
請求項１〜８いずれか１項記載の密封型装置を備えたことを特徴とする、表示装置又は光学装置。
【請求項１０】
密封型装置であって、
第１の表面を有するガラス基体と、
第２の表面を有するドープ無機基体と、
前記ガラス基体を前記ドープ無機基体に結合する少なくとも１つの封止体と、
を備え
前記ドープ無機基体が、約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有し、ＺｎＯ、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、又はＴｉＯ２から選択される少なくとも１つのドーパントを、少なくとも約０．０５質量％含む、
ことを特徴とする装置。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの封止体が、ガラスをドープした無機レーザー溶接封止体を含むことを特徴とする、請求項１０記載の密封型装置。
【請求項１２】
前記ガラス基体と前記ドープ無機基体との間に配置された、少なくとも１つの封止層を更に備え、前記少なくとも１つの封止体が、ガラス封止層がドープされた、無機レーザー溶接封止体を含むことを特徴とする、請求項１０又は１１記載の密封型装置。
【請求項１３】
前記第１又は第２の表面の少なくとも一方が、少なくとも１つのキャビティを有し、該少なくとも１つのキャビティが、少なくとも１つの量子ドット及び少なくとも１つのＬＥＤ素子、又は少なくとも１つのレーザーダイオードを包含することを特徴とする、請求項１０〜１２いずれか１項記載の密封型装置。
【発明の詳細な説明】
【関連技術の相互参照】
【０００１】
本出願は、２０１５年１１月２日出願の米国仮特許出願第６２／２４９６９１号、２０１５年９月４日出願の米国仮特許出願第６２／２１２５４８号、及び２０１５年８月１２日出願の米国仮特許出願第６２／２０４１２２号の米国特許法第１１９条に基づく優先権を主張するものであって、各々の内容に依拠し、参照によりこれ等の全内容が本明細書に援用されるものである。
【技術分野】
【０００２】
本開示は、概して密封型装置に関し、より具体的には、量子ドット、レーザーダイオード、発光第オート、又は他の発光構造体を備えた密封型装置、並びにかかる密封型装置を構成要素として含むディスプレイ及び光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
密封ガラスパッケージ及びケーシングは、動作寿命を延ばすために気密環境が有益である電子機器及び他の装置に益々普及している。気密パッケージの恩恵を受けることができる例示的な装置には、テレビ、センサー、光学装置、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ、３Ｄインクジェットプリンター、レーザープリンター、固体照明源、及び光起電力構造体等が含まれる。例えば、ＯＬＥＤ又は量子ドット（ＱＤ）を備えたディスプレイは、大気条件下におけるこれらの材料の分解の可能性を防止するために、密封された気密パーケージを必要と得る。
【０００４】
エポキシー又は他の封止材の有無に関わらず、ガラス、セラミック、及び／又はガラスセラミック基体を炉内に配置することによって、密封することができる。しかし、炉は、一般に、ＯＬＥＤ、ＱＤ等の多くの装置には適さない高温処理温度で動作する。ガラスフリットを用いて、例えば、基体間にガラスフリットを配置し、フリットをレーザー又は他の熱源で加熱してパッケージを密封することによって、ガラス基体を封止することもできる。フリットベースの封止材は、例えば、一般に約２〜１５０マイクロメートルの範囲の粒径に磨り潰されたガラス材料を含むことができる。同様の粒径を有する負のＣＴＥ材料をガラスフリット材料に混合して、基体とガラスフリットとの間の熱膨張率の不一致を低減することができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ガラスフリット材料は、一般に、４５０℃より高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有しているため、高い温度で処理を施して気密封止体を形成する必要があり得る。かかる高温封止処理は、温度に敏感なワークピースにとって有害であり得る。更に、フリットペースト中の負のＣＴＥ無機充填剤は、フリットの透明性に悪影響を及ぼし、不透明な封止体をもたらす可能性がある。従って、透明かつ気密化された装置、及び熱に敏感なワークピースの封入に適した低温度で、かかる装置を形成するための方法を提供することが有益である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示は、様々な実施の形態において、密封型装置に関連している。本装置は第１の表面を有するガラス基体と、第２の表面を有する無機基体と、第１の表面の少なくとも一部、及び第２の表面の少なくとも一部に接触する封止層と、封止層を介し、ガラス基体を無機基体に結合する少なくとも１つの封止体とを備え、無機基体が、約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有し、第１又は第２の表面の少なくとも一方が、少なくとも１つの量子ドット及び少なくとも１つのＬＥＤ素子を包含する、少なくとも１つのキャビティを有し、少なくとも１つの封止体が、少なくとも１つのキャビティの周囲に延びる、密封型装置である。
【０００７】
レーザーダイオードを備えた密封型装置も本明細書に開示されている。本装置は、第１の表面を有するガラス基体と、第２の表面を有する無機基体と、第１の表面の少なくとも一部、及び第２の表面の少なくとも一部に接触する封止層と、封止層を介し、ガラス基体を無機基体に結合する少なくとも１つの封止体とを備え、無機基体が、約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有し、第１又は第２の表面の少なくとも一方が、少なくとも１つのレーザーダイオードを包含する、少なくとも１つのキャビティを有し、少なくとも１つの封止体が、少なくとも１つのキャビティの周囲に延びる、密封型装置である。
【０００８】
本明細書に更に開示されているのは、第１の表面を有するガラス基体と、第２の表面を有するドープ無機基体と、ガラス基体をドープ無機基体に結合する少なくとも１つの封止体とを備え、ドープ無機基体が、約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有し、ＺｎＯ、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、又はＴｉＯ２から選択される少なくとも１つのドーパントを、少なくとも約０．０５質量％含む、密封型装置である。
【０００９】
かかる密封型装置を構成するための方法も開示されている。本方法は、ガラス基体の第１の表面又は無機基体の第２の表面の少なくとも１つのキャビティ内に、少なくとも１つの量子ドット及び少なくとも１つのＬＥＤ素子を配置するステップと、第１の表面の少なくとも一部、又は第２の表面の少なくとも一部にわたり、封止層を配置するステップと、封止層を間に配置したまま、第１の表面を第２の表面に接触させて、封止界面を形成するステップと、所定の波長で動作するレーザービームを封止界面に誘導して、ガラス基体と無機基体との間に封止体を形成するステップであって、封止体が、少なくとも１つのレーザーダイオードを包含する、少なくとも１つのキャビティの周囲に延びる、ステップとを備え、無機基体が約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有する、方法である。  
【００１０】
本明細書に更に開示されているのは、レーザーダイオードを備えた密封型装置を構成する方法であって、ガラス基体の第１の表面又は無機基体の第２の表面の少なくとも１つのキャビティ内に、少なくとも１つのレーザーダイオードを配置するステップと、第１の表面の少なくとも一部、又は第２の表面の少なくとも一部にわたり、封止層を配置するステップと、封止層を間に配置したまま、第１の表面を第２の表面に接触させて、封止界面を形成するステップと、所定の波長で動作するレーザービームを封止界面に誘導して、ガラス基体と無機基体との間に封止体を形成するステップであって、封止体が、少なくとも１つのレーザーダイオードを包含する、少なくとも１つのキャビティの周囲に延びる、ステップとを備え、無機基体が約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有する、方法である。
【００１１】
本明細書に開示の更なる方法は、密封型装置を構成するための方法を含んでいる。本方法は、所定の波長を吸収する少なくとも１つのドーパントで、無機基体をドープするステップと、ガラス基体の第１の表面をドープ無機基体の第２の表面に接触させて、封止界面を形成するステップと、所定の波長で動作するレーザービームを封止界面に誘導して、ガラス基体と無機基体との間に封止体を形成するステップとを備え、無機基体が約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有する、方法である。
【００１２】
本明細書に更に開示されているのは、密封型装置を構成するための方法である。本方法は、ガラス基体の第１の表面及び無機基体の第２の表面を封止層に接触させて、封止界面を形成するステップと、所定の波長で動作するレーザービームを封止界面に誘導して、ガラス基体と無機基体との間に封止体を形成するステップとを備え、ガラス基体のＣＴＥと無機基体のＣＴＥとの差が約２０×１０−７／℃未満であり、無機基体が約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有する、方法である。
【００１３】
更なる特徴及び効果は、これに続く詳細な説明に述べてあり、当業者はその記述から、一部は容易に明らかであり、これに続く詳細な説明、特許請求の範囲、及び添付図面を含め、本明細書に記載の方法を実施することによって認識できるであろう。
【００１４】
前述の概要説明及び以下の詳細な説明は、いずれも本開示の様々な実施の形態を示すものであって、特許請求の範囲の性質及び特徴を理解するための概要、及び枠組みの提供を意図したものであることを理解されたい。添付図面は、本開示について更なる理解が得られることを意図して添付したもので、本明細書に組み込まれ、その一部を構成するものである。図面は本開示の様々な実施の形態を示すもので、その説明と併せ、本開示の原理及び作用の説明に役立つものである。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
以下の詳細な説明は、可能な限り、同様の要素には同様の参照番号を付した以下の図面と併せて読むことによって、より良く理解することができる。
【図１】発光ダイオード（ＬＥＤ）を備えたキャビティに近接配置された、量子ドットフィルムの断面図。
【図２Ａ】本開示の特定の実施の形態による、密封型装置の断面図。
【図２Ｂ】本開示の特定の実施の形態による、密封型装置の断面図。
【図２Ｃ】本開示の特定の実施の形態による、密封型装置の断面図。
【図３】本開示の実施の形態による、２つの基体間に配置された封止層の断面図。
【図４Ａ】本開示の別の実施の形態による、２つの基体間に配置された封止層枠の断面図。
【図４Ｂ】本開示の様々な実施の形態による、基体及び封止層枠の上面図。
【図５】本開示の別の実施の形態による、密封型装置の断面図。
【図６】本開示の更に別の実施の形態による、密封型装置の断面図。
【図７】本開示の一部の実施形態の光学性能を示すグラフ。
【図８】本開示の一部の実施形態の光学性能を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本明細書は、ガラス、ガラスセラミック、及び/又はセラミック基体から選択される、少なくとも２つの基体を備えた密封型装置の開示である。例示的な密封型装置は、例えば、量子ドット、ＬＥＤ、レーザーダイオード（ＬＤ）、及び他の発光構造体等を封入した密封型装置を有することができる。かかる密封型装置を構成要素として含むディスプレイ及び光学装置も開示されている。テレビ、コンピュータ、携帯端末、時計等のディスプレイは、カラーコンバーターとして、量子ドット（ＱＤ）を有するバックライトを備えることができる。例示的な光学装置は、センサー、時計、バイオセンサー、及び本明細書に記載の実施形態を包含するように構成された他の装置を含むが、これに限定されるものではない。一部の実施の形態において、ＱＤは、ガラス管、毛細管、又はシート、例えば、量子ドットエンハンスメントフィルム（ＱＤＥＦ）又はチップレット等のカプセル化された装置にパッケージすることができる。かかるフィルム又は装置は、緑色及び赤色発光量子ドット等の量子ドットで充填することができ、両端及び／又は外縁の周囲を密封することができる。ＱＤが温度に敏感であるため、量子ドット材料を用いるバックライトは、量子ドット材料と、例えば、ＬＥＤ等の光源とが、直接接触しないようにされる。従って、図１に示すように、複数のＱＤ又はＱＤ含有材料１０５を備えた密封型装置１０１は、例えば、ＬＥＤ１０３に近接配置される、別個の構成要素としてバックライト積層体に組み込まれることが多いが、ＱＤ又はＱＤ含有材料１０５に損傷を与える厳しい条件を防止するのに十分な距離（例えば、約１４０℃以下の温度及び約１００Ｗ／ｃｍ２以下の光束）に保持されて、ＱＤ又はＱＤ含有材料１０５の損傷が防止される。例えば、密封型装置１０１は、ＬＥＤを備えた１つ以上のキャビティ１０９を有する第１の基体１０７に近接配置することができる。しかし、一部の例において、これ等の密封型装置は、材料が大幅に浪費される可能性があり、及び／又は、例えば、ＱＤＥＦの製造が複雑になる可能性がある。更に、ＱＤＥＦの場合、これ等のフィルムは、色変換によって生成される熱を消散させる良好な経路も有していない。一部の実施の形態において、密封型装置１０１は、下部基体に気密封止された上部基体を含み、両者によってＱＤ又はＱＤ含有材料１０５を包含する、エンクロージャーを形成することができる。次に、パッケージ又はチップレットを下部の第１の基体１０７に封止することができる。図示省略してあるが、かかる実施の形態は、ＬＥＤ１０３を包含する第１の基体１０７に形成されたウェル壁に配置することもできる。別の実施の形態において、チップレット又は密封型装置１０１のＬＥＤ１０３の反対側に、１つ以上のレンズ（図示せず）を備えることができる。
【００１７】
例示的な密封型装置を示す図２〜５を参照して、本開示の様々な実施の形態について説明する。以下の概要は、特許請求した装置の概要を示すことを意図するものであり、非限定的な実施の形態を参照し、本開示を通して様々な態様をより具体的に説明するが、これ等の実施の形態は、本開示の文脈内において相互に交換可能である。本明細書を通して、「第１の」基体、「ガラス」基体、又は「第１のガラス」基体との記述があるが、これ等の名称は交換可能に使用され同じ基体を意味する。同様に、本明細書を通して、「第２の」基体、「無機」基体、「ドープ無機」基体、又は「第２の無機」基体との記述があるが、これ等の名称は交換可能に使用され同じ基体を意味する。
【００１８】
装置
本明細書に開示されているのは、第１の表面を有するガラス基体と、第２の表面を有する無機基体と、第１の表面の少なくとも一部、及び第２の表面の少なくとも一部に接触する封止層と、封止層を介して、ガラス基体を無機基体に結合する少なくとも１つの封止体とを備えた密封型装置であって、無機基体が、約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有し、第１又は第２の表面の少なくとも一方が、少なくとも１つの量子ドット及び少なくとも１つのＬＥＤ素子を包含する、少なくとも１つのキャビティを有し、封止体が少なくとも１つのキャビティの周囲延びる密封型装置である。かかる密封型装置を含む、バックライト及び表示装置も本明細書に開示されている。
【００１９】
密封型装置２００の２つの非限定的な実施の形態の断面図を図２Ａ、２Ｂに示す。密封型装置２００は、第１のガラス基体２０１と、少なくとも１つのキャビティ２０９を有する第２の無機基体２０７とを備えている。少なくとも１つのキャビティ２０９は、少なくとも１つの量子ドット２０５を包含することができる。少なくとも１つのキャビティ２０９は、少なくとも１つのＬＥＤ素子２０３も包含することができる。第１の基体２０１及び第２の基体２０７は、少なくとも１つのキャビティ２０９の周囲に延びることができる、少なくとも１つの封止体２１１によって、互いに接合することができる。別法として、封止材は、１つを超えるキャビティ、例えば、２つ以上のキャビティ（図示せず）のグループに延びることができる。別の実施の形態において、第１のガラス基体２０１のＬＥＤ２０３の反対側に１つ以上のレンズ（図示せず）を備えることができる。ＬＥＤ２０３の直径又は長さは、例えば、約１００μｍ〜約１ｍｍ、約２００μｍ〜約９００μｍ、約３００μｍ〜約８００μｍ、約４００μｍ〜約７００μｍ、約３５０μｍ〜約４００μｍ、及びその間の部分範囲を含む任意の大きさであってよい。また、ＬＥＤ２０３は、高流束又は低流束を提供することができ、例えば、高流束目的として、２０Ｗ／ｃｍ２以上を発することができる。高流束目的として、ＬＥＤ２０３は、２０Ｗ／ｃｍ２未満を発することができる。
【００２０】
図２Ａに示す非限定的な実施の形態において、少なくとも１つのＬＥＤ素子２０３は、少なくとも１つの量子ドット２０５に直接接触することができる。本明細書において、「接触する」という用語は、２つの列挙された要素間の物理的な直接接触又は相互作用、例えば、量子ドットとＬＥＤ素子とが、キャビティ内において、互いに物理的に相互作用できることを意味することを意図するものである。図２Ｂに示す非限定的な実施の形態において、少なくとも１つのＬＥＤ素子２０３、及び少なくとも１つの量子ドット２０５が同じキャビティ内に存在することができるが、例えば、分離障壁又はフィルム２１３によって分離されている。比較として、別に密封された毛細管又はシート中の量子ドット、例えば、図１に示すＱＤＥＦは、ＬＥＤと直接相互作用することはできず、ＬＥＤと一緒にキャビティ内に位置することはできない。
【００２１】
図２Ｃに示す非限定的な実施の形態において、密封型装置２００は、少なくとも１つのＬＥＤ素子２０３と、第１の基体２０１と、第２の基体２０７と、第３の基体２１５とを備えることができる。第１の基体２０１と第３の基体２１５とによって、少なくとも１つの量子ドット２０５を包含する包囲封入領域を形成する、気密封止されたパッケージ又は装置２１６を形成することができる。一部の実施の形態において、気密封止されたパッケージ又は装置２１６は、１つ以上のフィルム２１７ａ、ｂ、例えば、ハイパスフルターとして機能するフィルム、及びローパスフィルターとして機能するフィルム、又は所定の波長の光をフィルタリングするために備えられたフィルムも含むが、これに限定されるものではない。一部の実施の形態において、少なくとも１つのＬＥＤ素子２０３は、少なくとも１つの量子ドット２０５から、所定の距離「ｄ」だけ離間させることができる。一部の実施の形態において、所定の距離は、約１００μｍ以下である。別の実施の形態において、所定の距離は、約５０μｍ〜約２ｍｍ、約７５μｍ〜約５００μｍ、約９０μｍ〜約３００μｍ、及びその間のすべての部分範囲の距離である。一部の実施の形態において、所定の距離は、ＬＥＤ素子２０３の上面から、少なくとも１つの量子ドット２０５を包含する包囲封入領域の中線までの距離である。勿論、所定の距離は、第３の基体２１５の少なくとも１つの量子ドット２０５に対向する上面、第１の基体２０１の少なくとも１つの量子ドット２０５に対向する下面、又は気密封止パッケージ又は装置２１６内に存在することができる、フィルム又はフィルター２１７ａ、ｂのいずれかによって形成される表面までを含み、これに限定されない、少なくとも１つの量子ドット２０５を包含する包囲封入領域の任意の部分まで測定することもできる。一部の実施の形態において、例示的なフィルムは、例示的なＬＥＤ素子２０３からの青色光が、装置２１６から１つの方向に漏れるのを防止するフィルター２１７ａ、及び／又は赤色光（又は励起された量子ドット材料によって発せられる別の光）が、装置２１６から第２の方向に漏れるのを防止する別のフィルター２１７ｂを含んでいる。例えば、一部の実施の形態において、装置２００は、第２の基体２０７及び／又は他の基体によって形成されたウェル又はエンクロージャーに包含された、１つ以上のＬＥＤ素子２０３を備えることができる。１つ以上のＬＥＤ素子に近接した（例えば、前述の所定の距離離れた）気密封止されたパッケージ又は装置２１６は、第２の基体２０７に固定又は封止することができ、１つ以上のＬＥＤ素子から発せられた光によって励起されると、赤外波長、近赤外波長、又は所定のスペクトル（赤色）で発光するように構成された、単波長量子ドット材料２０５を包含する封入領域を形成する第３の基体２１５に気密封止された第１の基体２０１を含むことができる。量子ドット材料２０５は、ＬＥＤ素子２０３から所定の距離だけ離間させることができる。かかる例示的な実施の形態において、第１のフィルター２１７ａを第１の基体２０１の底（又は上）面に設け、青色光をフィルタリングして、装置２００の上面を通して発せられないようにすることができ、第２のフィルター２１７ｂを第３の基体２１５の上（又は底）面に設け、量子ドット材料からの励起光が第３の基体２１５の底面から出射しないようにすることができる。別の実施の形態において、第３の基体２１５の底面にフィルター２１７ｃを設け、青色光をフィルタリングすることができる。一部の実施の形態において、これ等のフルター２１７ａ、２１７ｂ、２１７ｃは、単独又は組み合わせて、その光学特性に関して選択された複数の薄膜層を含むことができる。特に、例示的なフィルター２１７ａ、２１７ｂ、２１７ｃは、青色波長に対し高い透過率を有するように設計して、青色ＬＥＤ光が、装置２００近接する導光板から出射できるようにすることができる。かかるフィルターは、赤色及び緑色波長に対し高い反射率も有し、量子ドット材料２０５からの光の導光板への後方反射を低減することができる。
【００２２】
１つの例示的なローパスフィルター２１７ａ、２１７ｂ、２１７ｃは、高屈折率材料及び低屈折率材料の複数の層から構成される薄膜積層体を含んでいる。一部の実施の形態において、積層体は奇数の層を含み、別の実施の形態において、積層体は偶数の層を含んでいる。一部の実施の形態において、複数の層は、２つ以上の層、３つ以上の層、４つ以上の層、５つ以上の層、６つ以上の層、７つ以上の層、８以上の層、９つ以上の層、１０以上の層、１１以上の層、１２以上の層、１３以上の層、１４以上の層、１５以上の層、１６以上の層、１７以上の層、１８以上の層、１９以上の層、２０以上の層、２１以上の層、２２以上の層、２３以上の層、２４以上の層、２５以上の層、２６以上の層、２７以上の層、２８以上の層、２９以上の層、等々の層を含んでいる。１つの実施の形態において、例示的なフィルターは、複数の適切な高屈折率材料及び適切な低屈折率材料の交互層を含んでいる。例示的な高屈折率材料には、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、及びこれ等の複合酸化物が含まれるが、これに限定されるものではない。例示的な低屈折率材料には、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、及びこれ等の複合酸化物が含まれるが、これに限定されるものではない。１つの実施の形態において、例示的なフィルターは、４５０ｎｍの光を透過する一方、５５０ｎｍ及び６３２ｎｍの光を反射するように設計することができる、以下の表１に示す、全厚さが約１．８μｍのＮｂ２Ｏ５とＳｉＯ２との交互層を含んでいる。
【００２３】
【表１】
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【００２４】
図７及び８は、本開示の一部の実施の形態の光学性能を示すグラフである。図７は表１のフィルターの垂直入射における光学性能を示している。図示の実施の形態は４５０ｎｍにおいて高透過率（実線）を示し、５５０ｎｍ〜６４０ｎｍにわたり約１００％の反射率（破線）を示すことに留意されたい。図８は表１のフィルターの５０°入射における光学性能を示している。図示の実施の形態は、高角度であっても、青色光を透過し、赤色及び緑色光を反射することに留意されたい。
【００２５】
例示的なフィルターの実施の形態は、側面照明型又は直接照明型導光板と近接するＱＤ材料との間、即ち、ＱＤ材料と導光板の中間、又は図２Ｂ及び２Ｃを参照して前述したように用いることができる。例えば、引き続き図２Ｃを参照すると、例示的なフィルター２１７ｃは、パッケージからの光を誘導する効率を向上させることができる。別の実施の形態において、ローパスフィルターの別の配置場所は、ＵＶ吸収材料が干渉フィルターにもなるように、カバーガラス（例えば、第２の基体２１５）上であってもよい。具体的には、高屈折率材料として使用される材料が、ＵＶを十分に吸収して、本明細書に記載のレーザー溶接処理を可能にする。これ等の例示的な材料層は、スパッタリング、プラズマ強化化学気相成長法等、当技術分野で周知の任意の数の薄膜方法によって堆積させることができる。フィルム又は層は、導光板又は基体に直接堆積させることも、別の層として堆積させた後、光学的に透明な接着剤で固定することもできる。かかるフィルターを有する本明細書に記載の実施の形態は（１）順方向の光出力を高くし、装置２００又は導光板の全体的な明るさを増し、（２）量子ドット変換効率を向上させ、より少ない量子ドット材料の使用を可能にし、（３）製造を容易にするために従来の薄膜処理技術を利用することができることが見出された。
【００２６】
一部の実施形態において、第１の基体２０１、第２の基体２０７、及び／又は第３の基体２１５は、ガラス基体から選択することができ、ディスプレイ及び他の電子装置に使用される当技術分野で周知の任意のガラスを含むことができる。適切なガラスには、アルミノシリケート、アルカリアルミノシリケート、ホウケイ酸、アルカリホウケイ酸、アルミノホウケイ酸、アルカリアルミノホウケイ酸、及び他の適切なガラスを含むが、これに限定されるものではない。様々な実施の形態において、これ等の基体は、化学強化及び／又は熱強化することができる。市販の適切な基体の非限定的な例を幾つか挙げれば、コーニング社のＥＡＧＬＥ ＸＧ（登録商標）、Ｌｏｔｕｓ（商標）、Ｉｒｉｓ（商標）、Ｗｉｌｌｏｗ（登録商標）、及びＧｏｒｉｌｌａ（登録商標）ガラスがある。一部の非限定的な実施の形態によれば、イオン交換によって化学強化されたガラスが、基体として適切であり得る。
【００２７】
様々な実施の形態によれば、第１、第２、及び／又は第３のガラス基体２０１、２０７、２１５は、約１００ＭＰａを超える圧縮応力、及び約１０マイクロメートルを超える圧縮応力の層深さ（ＤＯＬ）を有することができる。別の実施の形態において、第１、第２、及び／又は第３のガラス基体は、約５００ＭＰａを超える圧縮応力及び約２０マイクロメートルを超えるＤＯＬ、又は約７００ＭＰａを超える圧縮応力及び約４０マイクロメートルを超えるＤＯＬを有することができる。非限定的な実施の形態において、第１、第２、及び／又は第３のガラス基体は、約３ｍｍ以下、例えば、約０．１ｍｍ〜約２．５ｍｍ、約０．３ｍｍ〜約２ｍｍ、約０．５ｍｍ〜約１．５ｍｍ、又は約０．７ｍｍ〜約１ｍｍ、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲を含む厚さを有することができる。
【００２８】
様々な実施の形態において、第１、第２、及び／又は第３のガラス基体は、透明又は実質的に透明とすることができる。本明細書において、「透明」という用語は、約１ｍｍの厚さにおいて、基体が、スペクトルの可視領域（４００〜７００ｎｍ）において、約８０％を超える透過率を有することを意味する。例えば、例示的な透明基体は、可視光領域において、約８５％超、例えば、約９０％超、又は約９５％超、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲の透過率を有することができる。特定の実施の形態において、例示的なガラス基体は、紫外（ＵＶ）領域（２００〜４００ｎｍ）において、約５０％超、例えば、約５５％超、約６０％超、約６５％超、約７０％超、約７５％超、約８０％超、約８５％超、約９０％超、約９５％超、又は約９９％超、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲を含む透過率を有することができる。
【００２９】
様々な実施の形態によれば、第２の基体２０７は、ガラスの熱伝導率より大きい熱伝導率を有する無機基体等の無機基体から選択することができる。例えば、適切な無機基体には、約２．５Ｗ／ｍ−Ｋ超（例えば、約２．６、３、５、７．５、１０、１５、２０、２５、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、又は１００Ｗ／ｍ−Ｋ超）等、比較的高い熱伝導率、例えば、約２．５Ｗ／ｍ−Ｋ〜約１００Ｗ／ｍ−Ｋ、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲を含む熱伝導率を有する無機基体が含まれる。一部の実施の形態において、無機基体の熱伝導率は、１００Ｗ／ｍ−Ｋ超え、例えば、約１００Ｗ／ｍ−Ｋ〜約３００Ｗ／ｍ−Ｋ（例えば、約１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０、１９０、２００、２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２６０、２７０、２８０、２９０、又は３００Ｗ／ｍ−Ｋ超）、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲を含むことができる。
【００３０】
様々な実施の形態によれば、無機基体はセラミック基体を含むことができ、これはセラミック基体又はガラスセラミック基体を含むことができる。非限定的な実施の形態において、第２の基体２０７は、幾つか例を挙げると、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、又は炭化ケイ素を含むことができる。特定の実施の形態において、無機基体は、約０．１ｍｍ〜約３ｍｍ、例えば、約０．２ｍｍ〜約２．５ｍｍ、約０．３ｍｍ〜約２ｍｍ、約０．４ｍｍ〜約１．５ｍｍ、約０．５ｍｍ〜約１ｍｍ、約０．６ｍｍ〜約０．９ｍｍ、又は約０．７ｍｍ〜約０．８ｍｍ、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲の厚さであってよい。別の実施の形態において、無機基体は、所与のレーザー動作波長、例えば、ＵＶ波長（２００〜４００ｎｍ）又は可視波長（４００〜７００ｎｍ）において、殆んど又は全く吸収を有さないようにすることができる。例えば、第２の無機基体は、レーザーの動作波長において、１０％未満、例えば、約５％未満、約３％未満、約２％未満、又は約１％未満の吸収、例えば、約１％〜約１０％の吸収を有している。一部の実施の形態において、可視波長において、無機基体は透明又は散乱性とすることができる。
【００３１】
更に別の実施の形態において、第２の無機基体は、所定の波長、例えば、レーザーの所定の動作波長を吸収することができる、少なくとも１つのドーパントでドープすることができる。ドーパントは、例えば、ＺｎＯ、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２等を含むことができる。一部の実施の形態において、ドーパントは、ＵＶ波長（２００〜４００ｎｍ）を吸収する化合物から選択することができる。所定の波長において、無機基体の吸収を誘導するのに十分な量のドーパントを無機基体に含めることができる。例えば、ドーパントは、約０．０５質量％（約５００ｐｐｍ）より高い濃度、例えば、５００ｐｐｍ〜約１０６ｐｐｍの範囲で無機基体に含めることができる。一部の実施の形態において、ドーパントは、０．５質量％超、約１質量％超、約２質量％超、約３質量％超、約４質量％超、約５質量％超、約６質量％超、約７質量％超、約８質量％超、約９質量％超、又は約１０質量％超、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲の濃度とすることができる。別の実施の形態によれば、ドーパントは、約１０質量％超、例えば、約２０質量％、約３０質量％、約４０質量％、約５０質量％、約６０質量％、約７０質量％、約８０質量％、又は約９０質量％、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲の濃度を有することができる。更に別の実施の形態において、ドープされた無機基体は、例えば、ＺｎＯセラミック基体の場合には、約１００％のドーパントを含むことができる。
【００３２】
様々な実施の形態によれば、基体の熱膨張率（ＣＴＥ）が実質的に同様になるように、第１、第２、及び／又は第３の基体を選択することができる。例えば、第３又は第２の基体のＣＴＥは、第１の基体のＣＴＥの約５０％以内、例えば、第１の基体のＣＴＥの約４０％以内、約３０％以内、約２０％以内、約１５％以内、約１０％以内、又は約５％以内とすることができる。非限定的な例として、（約２５〜４００℃の温度範囲において）第１の基体のＣＴＥは、約３０×１０−７／℃〜約９０×１０−７／℃、例えば、約４０×１０−７／℃〜約８０×１０−７／℃、又は約５０×１０−７／℃〜約６０×１０−７／℃（例えば、約３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、又は９０×１０−７／℃）、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲を含むことができる。非限定的な実施の形態によれば、ガラス基体は、約７５〜約８５×１０−７／℃の範囲のＣＴＥを有するコーニング（登録商標）Ｇｏｒｉｌｌａ（登録商標）ガラス、又は約３０〜約５０×１０−７／℃の範囲のＣＴＥを有するコーニング（登録商標）ＥＡＧＬＥ ＸＧ（登録商標）、Ｌｏｔｕｓ（商標）、若しくはＷｉｌｌｏｗ（登録商標）ガラスであってよい。第２の基体は、（約２５〜４００℃の温度範囲において）約２０×１０−７／℃〜約１００×１０−７／℃、例えば、約３０×１０−７／℃〜約８０×１０−７／℃、約４０×１０−７／℃〜約７０×１０−７／℃、又は約５０×１０−７／℃〜約６０×１０−７／℃（例えば、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５、又は１００×１０−７／℃）、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲のＣＴＥを有する無機、例えば、セラミック又はガラス−セラミック基体を含むことができる。
【００３３】
図２Ａ〜Ｃは、少なくとも１つのキャビティ２０９が、台形の断面を有するものとして示しているが、キャビティは所与の用途に望ましいように任意の所与の形状又はサイズを有することができることを理解されたい。例えば、キャビティは、数例を挙げれば、正方形、円筒形、矩形、半円形、若しくは半楕円形断面、又は不規則な断面を有することができる。また、第１の基体２０１又は第３の基体２１５は、少なくとも１つのキャビティ２０９（図５及び２Ｃ参照）を有することができ、あるいは第１又は第３及び第２の基体の両方が、キャビティを有することもできる。これに代えて又は加えて、可視波長又はＬＥＤの動作波長の一方又は両方において透明な材料を、第１又は第２のキャビティに充填することができる。
【００３４】
更に、図２Ａ、２Ｂは単一のキャビティ２０９を有する密封型装置を示しているが、複数のキャビティ又はキャビティのアレイを有する密封型装置も本開示の範囲に入るものと考える。例えば、密封型装置は、規則的又は不規則なパターンを含む、任意の所望の方法で配置及び／又は離間させることができる、任意の数のキャビティ２０９を有することができる。更に、図２Ａ、２Ｂの単一のキャビティ２０９は、量子ドット及びＬＥＤ素子の両方を含んでいるが、これに限定されるものではないことを理解されたい。１つ以上のキャビティが、量子ドット及び／又はＬＥＤ素子を含んでいない、実施の形態も想定されている（例えば、図２Ｃを参照）。１つ以上のキャビティが、複数のＬＥＤ素子及び／又は量子ドットを備えた実施の形態も想定されている。更に、各々のキャビティが、同数又は同量の量子ドット及び／又はＬＥＤ素子を備える必要はなく、この量はキャビティによって変化することができ、一部のキャビティは量子ドット及び／又はＬＥＤ素子を全く備えていなくてもよい。
【００３５】
少なくとも１つのキャビティ２０９は、例えば、キャビティに封入される物品（例えば、ＱＤ、ＬＥＤ及び／又はＬＤ）の種類、及び／又は形状、及び／又は量に応じて適宜選択される、任意の所定の深さを有することができる。非限定的な実施の形態として、少なくとも１つのキャビティ２０９は、約１ｍｍ未満、例えば、約０．５ｍｍ未満、約０．４ｍｍ未満、約０．３ｍｍ未満、約０．２ｍｍ未満、約０．１ｍｍ未満、約０．０５ｍｍ未満、約０．０２ｍｍ未満、又は約０．０１ｍｍ未満、並びに約０．０１ｍｍ〜約１ｍｍ等、これ等の間のすべての範囲及び部分範囲まで、第１及び／又は第２の基体に延びることができる。各々がアレイ内の他のキャビティと比較して、同じ又は異なる深さ、同じ又は異なる形状、及び／又は同じ又は異なるサイズを有する、キャビティのアレイが使用可能であることも想定されている。
【００３６】
一部の実施の形態において、少なくとも１つのキャビティ２０９は、少なくとも１つの量子ドット２０５を備えることができる。量子ドットは、放射光の波長に応じて、異なる形状及び／又はサイズを有することができる。例えば、放射光の周波数は、量子ドットのサイズが小さくなるにつれて増加し、例えば、量子ドットのサイズが小さくなるにつれ、放射光の色が赤色から青色にシフトすることができる。青色、ＵＶ、又は近ＵＶ光が照射されると、量子ドットは、その光をより長い赤色、黄色、緑色、又は青色の波長に変換することができる。様々な実施の形態によれば、量子ドットは、青色、ＵＶ、又は近ＵＶ光が照射されると、赤色及び緑色の波長を発する赤色及び緑色の量子ドットから選択することができる。例えば、ＬＥＤ素子は、青色光（約４５０〜４９０ｎｍ）、ＵＶ光（約２００〜４００ｎｍ）、又は近ＵＶ光（約３００〜４５０ｎｍ）を発することができる。
【００３７】
加えて、少なくとも１つのキャビティは、同種又は異種の量子ドット、例えば、異なる波長を発する量子ドットを備えることができる。例えば、一部の実施の形態において、キャビティが、緑色及び赤色の両方の波長を発する量子ドットを備え、キャビティ内に赤−緑−青（ＲＧＢ）スペクトルを生成することができる。しかし、別の実施の形態によれば、個々のキャビティが、例えば、緑色の量子ドットのみを備えたキャビティ、又は赤色の量子ドットのみを備えたキャビティ等、同じ波長を発光する量子ドットのみを備えることができる。例えば、密封型装置は、キャビティの約１／３が緑色の量子ドットで充填され、キャビティの約１／３が赤色の量子ドットで充填される一方、キャビティの約１／３が（青色光を発光するように）空のままとすることができる、キャビティのアレイを含むことができる。かかる構成を用いて、アレイ全体によってＲＧＢスペクトルを生成することができる一方、個々の色毎にダイナミックな調光も提供される。
【００３８】
勿論、任意の種類、色、又は量の量子ドットを任意の比率で包含するキャビティが可能であることが考えられ、本開示の範囲に入ると想定されるものである。キャビティ又は複数のキャビティの構成、並びに量子ドットの種類及び量を選択して、所望の効果を達成することは、当業者の能力の範疇である。更に、本明細書の装置は、表示装置用の赤色及び緑色の量子ドットに関して説明しているが、赤色、オレンジ色、黄色、緑色、青色、又は可視スペクトル（例えば、４００〜７００ｎｍ）の任意の他の色を含み、これに限定されない、任意の波長の光を発することができる任意の種類の量子ドットを使用することができることを理解されたい。
【００３９】
例示的な量子ドットは様々な形状を有することができる。量子ドットの例示的な形状は、球、ロッド、ディスク、テトラポッド、他の形状、及び／又はこれ等の混合形状を含み、これに限定されるものではない。例示的な量子ドットは、アクリレート又は他の適切なポリマー若しくはモノマー等を含み、これに限定されない、ポリマー樹脂に含めることができる。かかる例示的な樹脂は、ＴｉＯ２等を含み、これに限定されない、適切な散乱粒子も含むことができる。
【００４０】
特定の実施の形態において、量子ドットは、ポリマーの可溶性及び加工性と、無機半導体の高い効率及び安定性との組み合わせを可能にする、無機半導体材料を含んでいる。無機半導体量子ドットは、一般に、水蒸気及び酸素の存在下において、有機半導体の対応物よりも安定している。前述のように、量子閉じ込め発光特性のために、発光は非常に狭帯域であり、単一のガウススペクトルによって特徴付けられる、高飽和色発光をもたらすことができる。ナノ結晶径によって、量子ドットの光学的バンドギャップが制御されるため、合成及び構造変更によって、吸収及び発光波長を微調整することができる。
【００４１】
特定の実施の形態において、無機半導体ナノ結晶量子ドットは、ＩＶ族元素、ＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＶ−ＶＩ族化合物、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩ−ＩＶ−ＶＩ族化合物、ＩＩ−ＩＶ−Ｖ化合物、又は三元及び四元合金及び／又は混合物を含む、これ等の合金及び／又は混合物を含んでいる。例には、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＳｅ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＴｌＮ、ＴｌＰ、ＴｌＡｓ、ＴｌＳｂ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、三元及び四元合金及び／又は混合物を含む、これ等の合金及び／又は混合物が含まれるが、これに限定されるものではない。
【００４２】
特定の実施の形態において、量子ドットは、量子ドットの表面の少なくとも一部を覆うシェルを含むことができる。この構造はコア−シェル構造と呼ばれている。シェルは無機材料、より好ましくは無機半導体材料を含むことができる。無機シェルは、表面の電子状態を有機キャッピング基よりもはるかに広い範囲を不動態化することができる。シェルに用いられる無機半導体材料の例には、ＩＶ族元素、ＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＶ−ＶＩ族化合物、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩ−ＩＶ−ＶＩ族化合物、ＩＩ−ＩＶ−Ｖ族化合物、又は 三元及び四元合金及び／又は混合物を含む、これ等の合金及び／又は混合物が含まれるが、これに限定されるものではない。例には、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＳｅ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＴｌＮ、ＴｌＰ、ＴｌＡｓ、ＴｌＳｂ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、三元及び四元合金及び／又は混合物を含む、これ等の合金及び／又は混合物が含まれるが、これに限定されるものではない。
【００４３】
一部の実施の形態において、量子ドット材料は、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、及びＣｄＴｅを含むＩＩ−ＶＩ族半導体を含むことができ、狭域分布及び高発光量子効率で、可視スペクトル全体にわたって発光するように構成することができる。例えば、略２ｎｍ径のＣｄＳｅ量子ドットは青色を発する一方、８ｎｍ径の粒子は赤色を発する。異なるバンドギャップを有する別の半導体材料で、合成化合物を置換することによって、量子ドットの組成を変更すると、量子ドットの発光の調整が可能な電磁スペクトルの領域が変更される。別の実施の形態において、量子ドット材料はカドミウムを含んでいない。カドミウムを含まない量子ドット材料の例には、ＩｎＰ及びＩｎｘＧａｘ−１Ｐが含まれる。ＩｎｘＧａｘ−１Ｐを調製するための１つの方法の例において、黄色／緑色よりわずかに青色の波長に接近させるために、ＩｎＰに少量のＧａをドープして、バンドギャップをより高いエネルギーにシフトする。この三元材料を調製する別の方法の例において、ＧａＰにＩｎをドープして、濃い青色からより赤い波長に接近させる。ＩｎＰは１．２７ｅＶの直接バルクバンドギャップを有し、Ｇａのドープで２ｅＶを超えて調整することができる。ＩｎＰのみを含む量子ドット材料によって、黄色／緑色から深紅色に調整可能な発光を得ることができ、少量のＧａをＩｎＰに添加することによって、発光を容易に深緑色／緑色に調整することができる。ＩｎｘＧａｘ−１Ｐ（０＜ｘ＜１）を含む量子ドット材料によって、可視スペクトル全体ではないにしても、少なくとも大部分にわたって、調整可能な発光を得ることができる。ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳコア−シェル量子ドットは、７０％もの高い効率で、深紅色から黄色に調整することができる。高ＣＲＩ白色ＱＤ−ＬＥＤ発光体を構成するために、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳを利用して、可視スペクトルの赤色から黄色／緑色部分に対応させることができ、ＩｎｘＧａｘ−１Ｐによって深緑色／緑色が得られる。
【００４４】
一部の実施の形態において、例えば、図２Ａ、２Ｂ、及び／又は２Ｃを参照すると、量子ドット材料によって、所定のスペクトルにおいて調整可能な発光を得ることができる。例えば、例示的な量子ドット材料は、その発光が、例えば、約６２０ｎｍ〜約７５０ｎｍの赤色スペクトルを含みこれに限定されない、単一スペクトルのみであるように、即ち単波長量子ドット材料となるように選択することができる。勿論、例示的な単波長量子ドット材料は、少なくとも１つのＬＥＤ素子２０３等の近くの光源によって励起されると、別のスペクトル（例えば、紫色の３０８〜４５０ｎｍ、青色の４５０〜４９５ｎｍ、緑色の４９５〜５７０ｎｍ、黄色の５７０〜５９０ｎｍ、及びオレンジ色の５９０〜６２０ｎｍ）を発光するように選択することができる。別の実施の形態において、量子ドット材料によって、赤外スペクトル、例えば、７００ｎｍ〜１ｍｍ、又は紫外スペクトル、例えば、１０ｎｍ〜３８０ｎｍを含み、これに限定されない、別のスペクトルにおいて調整可能な発光を得ることができる。
【００４５】
第１の基体２０１の第１の表面と第２の基体２０７の第２の表面とを封止体又は溶接部２１１によって接合することができる。封止体２１１は少なくとも１つのキャビティ２０９の周囲に延びることができ、これによってキャビティ内のワークピースが密封される。例えば、図２Ａ、２Ｂに示すように、封止体によって、少なくとも１つの量子ドット及び少なくとも１つのＬＥＤ素子２０３が同じキャビティ内に封入される。複数キャビティの場合には、封止体は、例えば、アレイの他のキャビティから各キャビティを分離するように、１つキャビティの周囲に延びて、１つ以上の別々の封止領域又はポケットを形成するか、又は３つ、４つ、５つ、１０、またはそれ以上のキャビティ等、２つ以上のキャビティのグループの周囲に延びることができる。密封型装置は、ＬＥＤ及び／又は量子ドットがないキャビティの場合等、必要に応じ、１つ以上の封止されないキャビティを含むこともできる。従って、様々なキャビティは、空であっても量子ドット及び／又はＬＥＤを含んでいなくてもよく、これ等の空のキャビティは、適宜又は所望に応じ、封止されたりされなかったりする。一部の実施の形態において、封止体２１１は、参照により全内容が本明細書に援用される、同時係属中の米国特許出願第１３／７７７，５８４号明細書、１３／８９１，２９１号明細書、１４／２７０，８２８号明細書、及び１４／２７１，７９７号明細書に記載のガラス対ガラス封止体、ガラス対ガラス対セラミック封止体、又はガラス対セラミック封止体を含んでいる。
【００４６】
別の非限定的な実施の形態において、装置は、第１の基体と第２の基体との間に配置され、これ等を接続する封止層を含んでいる。例えば、図３に示すように、封止材又は層３１５は、第１の基体３０１の第１の表面の少なくとも一部、及び第２の基体３０７の第２の表面３１９の少なくとも一部に接触することができる。封止層３１５は、所定のレーザー動作波長において約１０％を超える吸収、及び／又は比較的低いガラス転移温度（Ｔｇ）を有する組成から選択することができる。様々な実施の形態によれば、封止層は、ホウ酸塩ガラス、リン酸塩ガラス、テルライトガラス、及びカルコゲナイドガラス、例えばリン酸スズ、フルオロリン酸スズ、フルオロホウ酸スズから選択することができる。
【００４７】
一般に、適切な封止層材料には、低Ｔｇガラス及び適切な反応性を有する銅又はスズの酸化物が含まれる。非限定的な例として、封止層は、約４００℃以下、例えば、約３５０℃、約３００℃、約２５０、又は約２００℃以下、並びに、例えば、約２００℃〜約４００℃等、これ等の間のすべての範囲及び部分範囲のＴｇを有するガラスを含むことができる。適切な封止層及び方法は、例えば、参照により全内容が本明細書に援用される、米国特許出願第１３／７７７，５８４号明細書、１３／８９１，２９１号明細書、１４／２７０，８２８号明細書、及び１４／２７１，７９７号明細書に記載されている。
【００４８】
封止層３１５の厚さは、用途に応じて異なることができ、特定の実施の形態において、約０．１マイクロメートル〜約１０マイクロメートル、例えば、約５マイクロメートル未満、約３マイクロメートル未満、約２マイクロメートル未満、約１マイクロメートル未満、約０．５マイクロメートル未満、又は約０．２マイクロメートル未満、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲に及ぶことができる。様々な実施の形態において、封止層３１５は、レーザーの動作波長（室温）において、約１０％超、約１５％超、約２０％超、約２５％超約３０％超、約３５％超、約４０％超、約４５％超、又は約５０％超、並びに、例えば、約１０％〜約５０％等、これ等の間のすべての範囲及び部分範囲の吸収を有することができる。例えば、封止層はＵＶ波長（２００〜４００ｎｍ）を吸収することができ、例えば、約１０％を超える吸収を有している。一部の実施の形態において、封止層は可視光に対し透明又は実質的に透明であり、スペクトルの可視領域（４００〜７００ｎｍ）において、約８０％を超える透過率を有している。
【００４９】
図３に示すように、封止層３１５は、第１の基体３０１と第２の基体３０７との間に連続するシート又は層を含むことができる。例えば、封止層３１５によって、第１の表面３１７又は第２の表面３１９を覆い、少なくとも１つのキャビティ（図示せず）が封止層によって覆われるようにすることができる。かかる実施の形態において、封止層３１５は、可視波長において実質的に透明であり、ＵＶ波長（又は別の所定のレーザー動作波長）を吸収するものであってよい。別法として、図４Ａ、４Ｂに示すように、キャビティ（図示せず）の周囲に枠を形成するように、封止層４１５を設けることができる。封止層は、第の基体４０１（図４Ｂに示す）、又は第２の基体４０７（図４Ｂには図示されていない）に、任意の所望の形状又はパターンで適用することができる。かかる実施の形態において、封止層４１５は、可視波長において実質的に透明又は吸収を示し、及び／又はＵＶ波長（又は別の所定のレーザー動作波長）において実質的透明又は吸収を示すことができる。例えば、封止層によって吸収され、第１のガラス基体によって吸収されない、任意の波長で動作するように、レーザーを選択することができる。勿論、封止層３１５、４１５は、例えば基体及び／又はキャビティの形状に応じ、特定の用途に望ましい所望の任意の形状を有することができる。
【００５０】
図２Ａ、２Ｂに示す、第１の基体と第２の基体との間の封止体２１１は、図３、４に示す封止層を介して形成することができる。例えば、所与の波長で動作するレーザービームを封止層（又は封止界面）に誘導して、２つの基体間に封止体又は溶接部を形成することができる。理論に束縛されることを望むものではないが、封止層によるレーザービームからの光の吸収、及び第１及び／又は第２の基体の一時的に誘発された吸収によって、局所的な加熱（例えば、第１の基体のＴｇに近い温度）が生じ、封止層及び／又はガラス基体が溶融して２つの基体間に結合が形成されると考えられている。様々な実施の形態によれば、封止体又は溶接部２１１は、約１０マイクロメートル〜約３００マイクロメートル、例えば、約２５マイクロメートル〜約２５０マイクロメートル、約５０マイクロメートル〜約２００マイクロメートル、又は約１００マイクロメートル〜約１５０マイクロメートル、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲の幅を有することができる。
【００５１】
様々な実施の形態において、本明細書に開示のように、第１及び第２の基体を互いに封止して、少なくとも１つのキャビティの周囲に、封止体又は溶接部を形成ことができる。特定の実施の形態において、封止体又は溶接部は気密封止体であり、例えば、装置内部に１つ以上の気密性及び／又は防水性のポケットが形成される。例えば、少なくとも１つのキャビティを気密封止して、キャビティに、水、湿気、空気、及び／又は他の汚染物質を通さないか、又は実質的に通さないようにすることができる。非限定的な例として、気密封止体は、酸素の蒸発（発散）が約１０−２ｃｍ３／ｍ２／日未満（例えば、１０−３ｃｍ３／ｍ２／日未満）に制限され、水の蒸発が約１０−２ｇ／ｍ２／日未満（例えば、約１０−３、約１０−４、約１０−５、又は約１０−６ｇ／ｍ２／日未満）に制限されるように構成することができる。様々な実施の形態において、気密封止体は、水、湿気、及び／又は空気が、気密封止によって保護された構成要素と接触することを実質的に防止することができる。
【００５２】
特定の態様によれば、密封型装置の全厚さは、約６ｍｍ未満、例えば、約５ｍｍ未満、約４ｍｍ未満、約３ｍｍ未満、約２ｍｍ未満、約１．５ｍｍ未満、約１ｍｍ未満、又は約０．５ｍｍ未満、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲であってよい。例えば、密封型装置の厚さは、約０．３ｍｍ〜約３ｍｍ、例えば、約０．５ｍｍ〜約２．５ｍｍ、又は約１ｍｍ〜約２ｍｍの範囲、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲に及ぶことができる。
【００５３】
本明細書に開示の密封型装置は、バックライト、又は様々な他の構成要素を含むことができる、テレビ、コンピュータモニタ、バックライト付きディスプレイ、携帯端末等のバックライト付きディスプレイを含み、これに限定されない、様々な表示装置又は表示部品に利用することができる。本明細書に開示の密封型装置は、照明器具、固体照明用途等、照明装置として利用することもできる。例えば、少なくとも１つのＬＥＤダイと接触する量子ドットを備えた密封型装置は、一般照明、例えば、太陽の広帯域出力を模倣した照明に利用することができる。かかる照明装置は、例えば、４００〜７００ｎｍ等、様々な波長を発する様々な大きさの量子ドットを備えることができる。
【００５４】
本明細書に更に開示されているのは、レーザーダイオードを備えた密封型装置である。本装置は第１の表面を有するガラス基体と、第２の表面を有する無機基体と、第１の表面の少なくとも一部及び第２の表面の少なくとも一部に接触する封止層と、封止層を介して、ガラス基体を無機基体に接合する少なくとも１つの封止体とを備え、無機基体が少なくとも２．５Ｗ／ｍ−Ｋの熱伝導率を有し、第１及び第２の表面の少なくとも一方が、少なくとも１つのレーザーダイオードを包含する少なくとも１つのキャビティを有している。気密パッケージされたレーザーダイオードは、光学装置、プリンター等に有用であり得る。
【００５５】
図５において、例示的な密封型装置５００は、封止体５１１によって互いに封止され、少なくとも１つのキャビティ５０９を形成する、第１の基体５０１及び第２の基体５０７を備えることができる。必要に応じ、キャビティ内の支持体５２３にレーザーダイオード又は別の発光構造体を封入することができる。一部の実施の形態において、支持体５２３は、第１のガラス基板５０１の所定の領域、又は窓５２５を通して発光させるために、封入パッケージ内のレーザーダイオード５２１の高さを所望に調整するのに用いることができる。例示的なレーザーダイオードは、数例を挙げれば、窒化ガリウム、ガリウムヒ素、アルミニウムガリウムヒ素、ガリウムアンチモン、インジウムリン等の半導体材料を含むことができる。レーザーダイオードは、可視波長（約４００〜７００ｎｍ）及び赤外波長（約７００〜１４００ｎｍ）等、任意の波長を有する光を発することができる。一部の実施の形態において、レーザーダイオードは、約４００ｎｍ〜約６７０ｎｍの波長の青色又は緑色の光を発することができる。
【００５６】
（ＱＤ／ＬＥＤを備えた）密封型装置２００に関連して開示した実施の形態は、制約なしに（ＬＤを備えた）密封型装置５００に組み込むことができることを理解されたい。例えば、第１のガラス基体５０１及び第２の無機基体５０７は、それぞれ、先に開示した、図２Ａ、２Ｂの基体２０１及び２０７と同様の材料から選択することができ、同様の特性を有することができる。同様に、封止体５１１は、前述の図３、４に関連して説明したのと同様の封止層３１５、４１５及びパターンを用いて、前述の封止体２１１に関して説明したのと同様の方法で形成することができる。更に、キャビティ５０９は、図２Ａ、２Ｂに図示説明した、キャビティ２０９と同様の形状及び特性を有することができる。
【００５７】
本明細書に更に開示されているのは、第１の表面を有するガラス基体と、第２の表面を有するドープ無機基体と、ガラス基体をドープ無機基体に結合する少なくとも１つの封止体とを備え、ドープ無機基体が、約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有し、ＺｎＯ、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、又はＴｉＯ２から選択される、少なくとも１つのドーパントを少なくとも約０．０５質量％含んでいる密閉型装置である。一部の実施の形態において、ガラス基体を直接又は封止層を介して無機基体に結合することができる。
【００５８】
図６において、例示的な密封型装置６００は、封止体６１１を介して互いに封止された、ガラス基体６０１及びドープ無機基体６０７を備えることができる。図示省略してあるが、第１及び第２の基体のいずれか一方又は両方が、少なくとも１つのキャビティを有することができる。少なくとも１つのキャビティは、量子ドット、ＬＥＤ、レーザーダイオード、又は他の任意の発光素子を含む、任意の適切なワークピースを備えることができる。例えば、密封型装置６００は、図２Ａ、２Ｂに示すように、少なくとも１つの量子ドット及び少なくとも１つのＬＥＤ、又は図５に示すレーザーダイオード、等々を含むキャビティを有することができる。
【００５９】
（ＱＤ／ＬＥＤを備えた）密封型装置２００及び５００に関連して開示した実施の形態は、制約なしに、密封型装置６００に組み込むことができることを理解されたい。例えば、第１のガラス基体６０１及び第２の無機基体６０７は、それぞれ、先に開示した、図２Ａ、２Ｂの基体２０１及び２０７と同様の材料から選択することができ、同様の特性を有することができる。例えば、ドープ無機基体６０７は、少なくとも約２．５Ｗ／ｍ−Ｋの熱伝導率を有し、レーザーの所定の動作波長等、所定の波長を吸収することができる少なくとも１つのドーパントでドープされた（例えば、少なくとも約０．０５質量％）無機基体を含むことができる。適切なドーパントは、例えば、ＺｎＯ、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２等を含むことができる。一部の実施の形態において、ドーパントはＵＶ波長（２００〜４００ｎｍ）を吸収する化合物から選択することができる。
【００６０】
同様に、封止体６１１は、前述の図３、４に関連して説明したのと同様の封止層３１５、４１５及びパターンを用いて、前述の封止体２１１に関して説明したのと同様の方法で形成することができる。別の実施の形態において、以下の方法に関連してより詳細に説明するように、例えば、レーザーの動作波長における、少なくとも１つのドーパントの吸収によって、ガラス基板とドープ無機基板との間に封止体６１１を直接形成することができる。更に、基体６０１、６０７は、図２Ａ、２Ｂに図示説明したキャビティ２０９と同様の形状及び特性を有し、例えば、図２Ａ、２Ｂ、又は図５に示すワークピースを包含する１つ以上のキャビティを有することができる。
【００６１】
方法
本明細書は、密封型装置を構成するための方法を開示している。本方法は、ガラス基体の第１の表面又は無機基体の第２の表面の少なくとも１つのキャビティ内に、少なくとも１つの量子ドット及び少なくとも１つのＬＥＤ素子を配置するステップと、第１の表面の少なくとも一部、又は第２の表面の少なくとも一部にわたり、封止層を配置するステップと、封止層を間に配置したまま、第１の表面を第２の表面に接触させて、封止界面を形成するステップと、所定の波長で動作するレーザービームを封止界面に誘導して、ガラス基体と無機基体との間に封止体を形成するステップであって、封止体が、少なくとも１つの量子ドット及び少なくとも１つのＬＥＤ素子を包含する、少なくとも１つのキャビティの周囲に延びる、ステップとを備え、無機基体が約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有する、方法である。
【００６２】
また、本明細書は、レーザーダイオードを備えた密封型装置を構成する方法も開示している。本方法は、ガラス基体の第１の表面又は無機基体の第２の表面の少なくとも１つのキャビティ内に、少なくとも１つのレーザーダイオードを配置するステップと、第１の表面の少なくとも一部、又は第２の表面の少なくとも一部にわたり、封止層を配置するステップと、封止層を間に配置したまま、第１の表面を第２の表面に接触させて、封止界面を形成するステップと、所定の波長で動作するレーザービームを封止界面に誘導して、ガラス基体と無機基体との間に封止体を形成するステップであって、封止体が、少なくとも１つのレーザーダイオードを包含する、少なくとも１つのキャビティの周囲に延びる、ステップとを備え、無機基体が約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有する、方法である。
【００６３】
本明細書は、密封型装置を構成する方法を更に開示している。  本方法は、所定の波長を吸収する少なくとも１つのドーパントで、無機基体をドープするステップと、ガラス基体の第１の表面を無機基体の第２の表面に接触させて、封止界面を形成するステップと、所定の波長で動作するレーザービームを封止界面に誘導して、ガラス基体と無機基体との間に封止体を形成するステップとを備え、無機基体が約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有する、方法である。
【００６４】
本明細書は、密封型装置を構成する方法を更に開示している。本方法は、ガラス基体の第１の表面及び無機基体の第２の表面を封止層に接触させて、封止界面を形成するステップと、所定の波長で動作するレーザービームを封止界面に誘導して、ガラス基体と無機基体との間に封止体を形成するステップとを備え、ガラス基体のＣＴＥと無機基体のＣＴＥとの差が約２０×１０−７／℃未満であり、無機基体が約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有する、方法である。
【００６５】
様々な実施の形態によれば、封止する前に、ガラス基体の少なくとも一部又は無機基体の少なくとも一部に、必要に応じ、封止層を適用することができる。前述のように、第１（ガラス）又は第２（無機）の基体は、少なくともの１つのキャビティを有することができる。キャビティは、例えば、プレス、成形、切断、又は他の任意の適切な方法によって、第１又は第２の基体に設けることができる。封止層は、存在する場合には、かかるキャビティの上に適用することも、キャビティの周囲を囲むこともできる。一部の実施の形態において、少なくとも１つの量子ドット及び少なくとも１つのＬＥＤ素子をキャビティ内に配置することができる。別の実施の形態において、少なくとも１つのレーザーダイオードをキャビティ内に配置することができる。更に別の実施の形態において、ワークピースをキャビティ内に配置することができる。
【００６６】
様々な実施の形態によれば、無機基体はドープ無機基体であってよい。ドープは、例えば、無機基体の形成中、例えば、無機基体の形成に用いられるバッチ材料に、少なくとも１つのドーパント又はその前駆体を添加することによって、実施することができる。適切なドーパントは、例えば、ＺｎＯ、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２等を含むことができる。例示的なドーパントの濃度は、例えば、約０．０５質量％を超える（例えば、１、２、３、４、５、６、７、８、９、又は１０質量％、等々を超える）濃度であってよい。
【００６７】
次いで、必要に応じ、封止層を間に配置して、第１の表面及び第２の表面を接触させて、封止界面を形成することができる。このように接触させた基体は、例えば、少なくとも１つのキャビティの周囲を封止することができる。様々な非限定的な実施の形態によれば、レーザー溶接によって封止を実施することができる。例えば、封止界面がレーザーエネルギーを吸収して、ガラス基体のＴｇに近い温度に加熱されるように、レーザーを封止界面に又は封止界面上に誘導することができる。その結果、封止層及び／又はガラス基体が溶融することにより、第１の基体と第２基体との間に結合を形成することができる。別法として、封止層が存在しなくてもよく、第２の無機基体がレーザーエネルギーを吸収し、界面がガラス基体のＴｇに近い温度に加熱されるように、第２の無機基体をドープすることができる。様々な実施の形態において、レーザー封止は、約２５℃〜約５０℃、又は約３０℃〜約４０℃、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲を含む、室温又は室温に近い温度で実施することができる。封止界面を加熱すると、温度上昇がこれ等の温度を超える可能性があるが、かかる加熱は封止領域に限定されるため、装置に封入される熱に敏感なワークピースが損傷するリスクが低減される。
【００６８】
レーザーは、ガラス基体溶接のための、当技術分野で周知の任意の適切なレーザーから選択することができる。例えば、レーザーは、ＵＶ（約２００〜４００ｎｍ）、可視（約４００〜７００ｎｍ）、又は赤外（約７００〜１６００ｎｍ）波長において、発光することができる。様々な実施の形態によれば、レーザーは、約３００ｎｍ〜約１６００ｎｍ、例えば、約３５０ｎｍ〜約１４００ｎｍ、約４００ｎｍ〜約１０００ｎｍ、約４５０ｎｍ〜約７５０ｎｍ、約５００ｎｍ〜約７００ｎｍ、又は約６００ｎｍ〜約６５０ｎｍ、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲の所定の波長で動作することができる。特定の実施の形態において、レーザーは、約３５５ｎｍで動作するＵＶレーザー、約５３２ｎｍで動作する可視光レーザー、又は約８１０ｎｍ若しくは他の任意の適切なＮＩＲ波長で動作する近赤外レーザーであってよい。別の実施形態によれば、レーザー動作波長は、第１のガラス基板が実質的に透明であり、封止層及び／又は無機基体が吸収する任意の波長として選択することができる。例示的なレーザーには、数例を挙げれば、ＩＲレーザー、アルゴンイオンビームレーザー、ヘリウムカドミウムレーザー、第三高調波発生レーザーが含まれる。
【００６９】
特定の実施の形態において、レーザービームは、約０．２Ｗ〜約５０Ｗ、例えば、約０．５Ｗ〜約４０Ｗ、約１Ｗ〜約３０Ｗ、約２Ｗ〜約２５Ｗ、約３Ｗ〜約２０Ｗ、約４Ｗ〜約１５Ｗ、約５Ｗ〜約１２Ｗ、約６Ｗ〜約１０Ｗ、又は約７Ｗ〜約８Ｗ、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲の平均パワーを有することができる。レーザーは、任意の周波数で動作することができ、特定の実施の形態において、パルス、変調（準連続）、又は連続動作することができる。一部の実施の形態において、レーザーは、各々のバーストが複数の個別のパルスを有する、バーストモードで動作することができる。一部の非限定的な実施の形態において、レーザーは、約１ｋＨｚ〜約１ＭＨｚ、例えば、約５ｋＨｚ〜約９００ｋＨｚ、約１０ｋＨｚ〜約８００ｋＨｚ、約２０ｋＨｚ〜約７００ｋＨｚ、約３０ｋＨｚ〜約６００ｋＨｚ、約４０ｋＨｚ〜約５００ｋＨｚ、約５０ｋＨｚ〜約４００ｋＨｚ、約６０ｋＨｚ〜約３００ｋＨｚ、約７０ｋＨｚ〜約２００ｋＨｚ、又は約８０ｋＨｚ〜約１００ｋＨｚ、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲の繰り返し率を有することができる。
【００７０】
様々な実施の形態によれば、ビームを封止界面に誘導して、封止界面の表面、封止界面の下方、又は封止界面の上方に集束させることができる。一部の非限定的な実施の形態において、界面上のビームスポット径は１ｍｍ未満である。例えば、ビームスポット径は、約５００マイクロメートル未満、例えば、約４００マイクロメートル未満、約３００マイクロメートル未満、約２００マイクロメートル未満、約１００マイクロメートル未満、５０マイクロメートル未満、又は２０マイクロメートル未満、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲であってよい。一部の実施の形態において、ビームスポット径は、約１０マイクロメートル〜約５００マイクロメートル、例えば、約５０マイクロメートル〜約２５０マイクロメートル、約７５マイクロメートル〜約２００マイクロメートル、又は約１００マイクロメートル〜約１５０マイクロメートル、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲であってよい。
【００７１】
様々な実施の形態によれば、基体の封止は、矩形、円形、楕円形、又は任意の他の適切なパターン又は形状等、任意のパターンを形成する任意の所定の経路を使用して、基体に沿ってレーザービームを走査又は平行移動（あるいは、レーザーに対して基体を平行移動）させ、例えば、装置内の少なくとも１つのキャビティを気密封止することを含んでいる。界面に沿って、レーザービーム（又は基体）が移動する平行移動速度は、用途によって異なることができ、例えば、第１及び第２の基体の組成、及び／又は焦点設定、及び／又はレーザーのパワー、周波数、及び／又は波長に依存し得る。特定の実施の形態において、レーザーは、約１ｍｍ／ｓ〜約１０００ｍｍ／ｓ、例えば、約５ｍｍ／ｓ〜約７５０ｍｍ／ｓ、約１０ｍｍ／ｓ〜約５００ｍｍ／ｓ、又は約５０ｍｍ／ｓ〜約２５０ｍｍ／ｓ、例えば、約１００ｍｍ／ｓ超、約２００ｍｍ／ｓ超、約３００ｍｍ／ｓ超、約４００ｍｍ／ｓ超、約５００ｍｍ／ｓ超、又は約６００ｍｍ／ｓ超、並びにこれ等の間のすべての範囲及び部分範囲を含む平行移動速度を有することができる。
【００７２】
本明細書に開示の様々な実施の形態によれば、レーザー波長、パルス持続時間、繰り返し率、平均パワー、集束条件、及び他の関連パラメータを変更することによって、封止層を介し、第１及び第２の基体を互いに溶接するのに十分なエネルギーを生成することができる。所望の用途に対し、必要に応じ、パラメータを変更することは、当業者の能力の範疇である。様々な実施形態において、レーザーフルエンス（又は強度）は、第１及び／又は第２の基板の損傷閾値未満であり、例えば、レーザーは基体を互いに溶接するのに十分な強度の条件下で動作するが、基体を損傷するほど強くはない。特定の実施の形態において、レーザービームは、封止界面におけるレーザービーム径とレーザービームの繰り返し率との積以下の平行移動速度で動作することができる。
【００７３】
開示した様々な実施の形態は、その特定の実施の形態に関連して説明した特定の特徴、要素、又はステップを含んでいることが理解されるであろう。特定の特徴、要素、又はステップは、１つの特定の実施の形態に関連して説明されているが、図示されていない様々な組み合わせ又は変形態様に他の実施の形態と置換又は組み合わせることができることも理解されるであろう。
【００７４】
本明細書において、名詞は「少なくとも１つ」の対象を指し、別の明示がない限り、「１つのみ」の対象に限定されるものではない。従って、例えば、「キャビティ」と言った場合、文脈上明らかに別の意味に解釈されない限り、かかる「キャビティ」を１つ有する例又はかかる「キャビティ」を２つ以上有する例を含む。同様に、「複数」又は「アレイ」は２つ以上を示すことを意図し、「キャビティのアレイ」又は「複数のキャビティ」は、２つ以上のかかるキャビティを示す。
【００７５】
本明細書において、範囲は「約」１つの特定の値から、及び／又は「約」別の特定の値までと表現することができる。かかる範囲が示された場合、これ等の例は、１つの特定の値から、及び／又は別の特定の値まで含んでいる。同様に、先行する「約」を使用することによって、値が近似値として表現されている場合、特定の値が別の態様を形成することが理解されるであろう。更に、範囲の各々の終点は、他方の終点に関連して、及び他方の終点とは無関係に、有意であることが理解されるであろう。
【００７６】
本明細書において、すべての数値は、別の明示がない限り、記述されているか否かに関わらず「約」を含んでいると解釈されるべきものである。しかし、列挙された各々の数値は、「約」を含む値として記述されているか否かに関わらす、正確な値にも考慮されるべきものである。従って、「１０ｍｍ未満の寸法」及び「約１０ｍｍ未満の寸法」は、いずれも「約１０ｍｍ未満の寸法」及び「１０ｍｍ未満の寸法」の実施の形態を含んでいる。      
【００７７】
特に明記しない限り、本明細書に記載の方法は、そのステップを特定の順序で実行する必要があると解釈されることを意図するものでは全くない。従って、方法クレームが、そのステップが従うべき順序を記述していない場合、又はステップが特定の順序に限定されると、クレーム若しくは明細書に具体的に記述されていない場合、如何なる点においても、順序が推測されることを意図するものでは全くない。
【００７８】
移行句「ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ（含む、備える）」を用いて特定の実施形態の様々な特徴、要素、又はステップを開示することができるが、移行句「ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ（から成る」又は「ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ ｅｓｓｅｎｔｉａｌｌｙ ｏｆ（から本質的に成る」を用いて記述できるものを含む、別の実施の形態が暗示されているものと理解されたい。従って、例えば、Ａ＋Ｂ＋Ｃを備えた装置に対する暗示された別の実施の形態は、Ａ＋Ｂ＋Ｃから成る装置の実施の形態、及びＡ＋Ｂ＋Ｃから本質的に成る装置の実施の形態を含んでいる。
【００７９】
本開示の精神及び範囲を逸脱せずに、本開示の実施の形態に様々な改良及び変形が可能であることは、当業者には明らかであろう。本発明の精神及び本質を組み込んだ、本開示の実施の形態の改良、組み合わせ、部分組み合わせ、及び変形が、当業者に想到され得るため、本発明は添付の特許請求の範囲に属するすべてのもの及びその均等物を含むと解釈されるべきである。
【００８０】
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
【００８１】
実施形態１
密封型装置であって、
第１の表面を有するガラス基体と、
第２の表面を有する無機基体と、
前記第１の表面の少なくとも一部、及び前記第２の表面の少なくとも一部に接触する封止層と、
前記封止層を介し、前記ガラス基体を前記無機基体に結合する少なくとも１つの封止体と、
を備え、
前記無機基体が、約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有し、
前記第１又は第２の表面の少なくとも一方が、少なくとも１つの量子ドット及び少なくとも１つのＬＥＤ素子を包含する、少なくとも１つのキャビティを有し、
前記少なくとも１つの封止体が、前記少なくとも１つのキャビティの周囲に延びる、装置。
【００８２】
実施形態２
密封型装置であって、
第１の表面を有するガラス基体と、
第２の表面を有する無機基体と、
前記第１の表面の少なくとも一部、及び前記第２の表面の少なくとも一部に接触する封止層と、
前記封止層を介して、前記ガラス基体を前記無機基体に結合する少なくとも１つの封止体と、
を備え、
前記無機基体が、約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有し、
前記第１又は第２の表面の少なくとも一方が、少なくとも１つのレーザーダイオードを包含する、少なくとも１つのキャビティを有し、
前記少なくとも１つの封止体が、前記少なくとも１つのキャビティの周囲に延びる、装置。
【００８３】
実施形態３
前記ガラス基体が、アルミノシリケート、アルカリアルミノシリケート、ホウケイ酸、アルカリホウケイ酸、アルミノホウケイ酸、及びアルカリアルミノホウケイ酸ガラスから選択されるガラスを含む、実施形態１又は２記載の密封型装置。
【００８４】
実施形態４
前記ガラス基体が実質的に透明である、実施形態１又は２記載の密封型装置。
【００８５】
実施形態５
前記無機基体が、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、又は炭化ケイ素を含む、実施形態１又は２記載の密封型装置。
【００８６】
実施形態６
前記封止層が、フルオロリン酸スズガラス、タングステンドープフルオロリン酸スズガラス、カルコゲナイドガラス、テルライトガラス、ホウ酸塩ガラス、及びリン酸塩ガラスから選択されるガラスを含む、実施形態１又は２記載の密封型装置。
【００８７】
実施形態７
前記封止層が、約４００℃未満のガラス転移温度を有するガラスを含む、実施形態１又は２記載の密封型装置。
【００８８】
実施形態８
前記少なくとも１つの封止体が、レーザー溶接封止体である、実施形態１又は２記載の密封型装置。
【００８９】
実施形態９
前記封止層が、前記少なくとも１つのキャビティ上に配置され、前記封止層が、所定のレーザー波長において約１０％を超える吸収を有し、可視波長において実質的に透明である、実施形態１又は２記載の密封型装置。
【００９０】
実施形態１０
前記封止層が、前記少なくとも１つのキャビティ上に配置されておらず、前記封止層が、可視光において、約１０％を超える吸収を有する、実施形態１又は２記載の密封型装置。
【００９１】
実施形態１１
前記少なくとも１つの量子ドットと前記少なくとも１つのＬＥＤ素子とが、前記少なくとも１つのキャビティ内において直接接触している、実施形態１記載の密封型装置。
【００９２】
実施形態１２
前記少なくとも１つの量子ドットと前記少なくとも１つのＬＥＤ素子とが、前記少なくとも１つのキャビティ内において、分離障壁によって分離されている、実施形態１記載の密封型装置。
【００９３】
実施形態１３
実施形態１の密封型装置を備えた表示装置。
【００９４】
実施形態１４
実施形態２の密封型装置を備えた光学装置。
【００９５】
実施形態１５
密封型装置であって、
第１の表面を有するガラス基体と、
第２の表面を有するドープ無機基体と、
前記ガラス基体を前記ドープ無機基体に結合する少なくとも１つの封止体と、
を備え
前記ドープ無機基体が、約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有し、ＺｎＯ、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、又はＴｉＯ２から選択される少なくとも１つのドーパントを、少なくとも約０．０５質量％含む、装置。
【００９６】
実施形態１６
前記少なくとも１つの封止体が、ガラスをドープした無機レーザー溶接封止体を含む、実施形態１５記載の密封型装置。
【００９７】
実施形態１7
前記ガラス基体と前記ドープ無機基体との間に配置された、少なくとも１つの封止層を更に備え、前記少なくとも１つの封止体が、ガラス封止層がドープされた無機レーザー溶接封止体を含む、実施形態１５記載の密封型装置。
【００９８】
実施形態１８
前記第１又は第２の表面の少なくとも一方が、少なくとも１つのキャビティを有する、実施形態１５記載の密封型装置。
【００９９】
実施形態１９
前記少なくとも１つのキャビティが、少なくとも１つの量子ドット及び少なくとも１つのＬＥＤ素子を包含する、実施形態１８記載の密封型装置。
【０１００】
実施形態２０
前記少なくとも１つのキャビティが、少なくとも１つのレーザーダイオードを包含する、実施形態１８記載の密封型装置。
【０１０１】
実施形態２１
密封型装置を構成する方法であって、
ガラス基体の第１の表面、又は無機基体の第２の表面の少なくとも１つのキャビティ内に、少なくとも１つの量子ドット、及び少なくとも１つのＬＥＤ素子を配置するステップと、
前記第１の表面の少なくとも一部、又は前記第２の表面の少なくとも一部にわたり、封止層を配置するステップと、
前記封止層を間に配置したまま、前記第１の表面を前記第２の表面に接触させて、封止界面を形成するステップと、
所定の波長で動作するレーザービームを前記封止界面に誘導して、前記ガラス基体と前記無機基体との間に封止体を形成するステップと、
を備え
前記無機基体が約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有し、
前記封止体が、前記少なくとも１つの量子ドット、及び前記少なくとも１つのＬＥＤ素子を包含する、前記少なくとも１つのキャビティの周囲に延びる、方法。
【０１０２】
実施形態２２
密封型装置を構成する方法であって、
ガラス基体の第１の表面、又は無機基体の第２の表面の少なくとも１つのキャビティ内に、少なくとも１つのレーザーダイオードを配置するステップと、
前記第１の表面の少なくとも一部、又は前記第２の表面の少なくとも一部にわたり、封止層を配置するステップと、
前記封止層を間に配置したまま、前記第１の表面を前記第２の表面に接触させて、封止界面を形成するステップと、
所定の波長で動作するレーザービームを前記封止界面に誘導して、前記ガラス基体と前記無機基体との間に封止体を形成するステップと、
を備え、
前記無機基体が約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有し、
前記封止体が、前記少なくとも１つのレーザーダイオードを包含する、前記少なくとも１つのキャビティの周囲に延びる、方法。
【０１０３】
実施形態２３
前記所定の波長が、３００ｎｍ〜約１６００ｎｍに及ぶ、ＵＶ、可視、及び赤外波長から選択される、実施形態２１又は２２記載の方法。
【０１０４】
実施形態２４
前記レーザービームが、約５ｍｍ／ｓ〜約１０００ｍｍ／ｓの平行移動速度で動作する、実施形態２１又は２２記載の方法。
【０１０５】
実施形態２５
前記レーザービームが、約０．２Ｗ〜約５０Ｗの平均パワーを有する、実施形態２１又は２２記載の方法。
【０１０６】
実施形態２６
前記レーザービームが、約１０マイクロメートル〜約５００マイクロメートルのスポット径を有する、実施形態２１又は２２記載の方法。
【０１０７】
実施形態２７
前記レーザービームが、約２０ｋＨｚ〜約１ＭＨｚの繰り返し率を有する、実施形態２１又は２２記載の方法。
【０１０８】
実施形態２８
密封型装置を構成する方法であって、
所定の波長を吸収する少なくとも１つのドーパントで、無機基体をドープするステップと、
ガラス基体の第１の表面を、ドープされた無機基体の第２の表面に接触させて、封止界面を形成するステップと、
前記所定の波長で動作するレーザービームを封止界面に誘導して、ガラス基体と無機基体との間に封止体を形成するステップと、
を備え、
前記無機基体が、約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有する、方法。
【０１０９】
実施形態２９
密封型装置を構成する方法であって、
ガラス基体の第１の表面及び無機基体の第２の表面を封止層に接触させて、封止界面を形成するステップと、
所定の波長で動作するレーザービームを前記封止界面に誘導して、前記ガラス基体と前記無機基体との間に封止体を形成するステップと、
を備え、
前記無機基体が約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有し、
前記ガラス基体のＣＴＥと前記無機基体のＣＴＥとの差が、約２０×１０−７／℃未満である、方法。
【０１１０】
実施形態３０
前記ガラス基体が、アルミノシリケート、アルカリアルミノシリケート、ホウケイ酸、アルカリホウケイ酸、アルミノホウケイ酸、及びアルカリアルミノホウケイ酸ガラスから選択されるガラスを含む、実施形態２８又は２９記載の方法。
【０１１１】
実施形態３１
前記無機基体が、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、又は炭化ケイ素から選択される、実施形態２８又は２９記載の方法。
【０１１２】
実施形態３２
前記ガラス基体と前記無機基体との間に前記封止体を形成する前に、前記第１の表面又は前記第２の表面の少なくとも１つのキャビティ内に、少なくとも１つの量子ドット、及び少なくとも１つのＬＥＤ素子を配置するステップを更に備えた、実施形態２８又は２９記載の方法。
【０１１３】
実施形態３３
前記ガラス基体と前記無機基体との間に前記封止体を形成する前に、前記第１の表面又は前記第２の表面の少なくとも１つのキャビティ内に、少なくとも１つのレーザーダイオードを配置するステップを更に備えた、実施形態２８又は２９記載の方法。
【０１１４】
実施形態３４
密封型装置であって、
第１の表面を有する第１のガラス基体と、
第２の表面を有する第２のガラス基体と、
第３の表面を有する無機基体と、
前記第２の表面の少なくとも一部、及び前記第３の表面の少なくとも一部に接触する封止層と、
前記封止層を介して、前記第２のガラス基体を前記無機基体に結合する少なくとも１つの封止体と、
を備え、
前記無機基体が、約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有し、
前記第２又は前記第３の表面の少なくとも一方が、少なくとも１つの量子ドット及び少なくとも１つのＬＥＤ素子を包含する、少なくとも１つのキャビティを有し、
前記少なくとも１つの封止体が、前記少なくとも１つのキャビティの周囲に延びる、装置。
【０１１５】
実施形態３５
前記少なくとも１つのＬＥＤ素子が第１のキャビティに含まれ、前記少なくとも１つの量子ドットが、前記第１のキャビティと独立した、第２のキャビティに含まれている、実施形態３４記載の密封型装置。
【０１１６】
実施形態３６
前記少なくとも１つの量子ドットが、樹脂に包含された複数の量子ドットを更に含む、実施形態３４記載の密封型装置。
【０１１７】
実施形態３７
前記少なくとも１つの量子ドットが、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＳｅ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＴｌＮ、ＴｌＰ、ＴｌＡｓ、ＴｌＳｂ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、及びこれ等の組み合わせから成る群より選択される、実施形態３４記載の密封型装置。
【０１１８】
実施形態３８
密封型装置であって、
第１の表面を有する第１のガラス基体と、
第２の表面を有する第２のガラス基体と、
第３の表面を有する第３の基体と、
前記第１のガラス基体を前記第２のガラス基体に結合する第１の封止体と、
を備え、
前記第２又は前記第３の表面の少なくとも一方が、少なくとも１つの量子ドット及び少なくとも１つのＬＥＤ素子を包含する、少なくとも１つのキャビティを有し、
前記少なくとも１つの封止体が、前記少なくとも１つのキャビティの周囲に延びる、装置。
【０１１９】
実施形態３９
前記少なくとも１つのＬＥＤ素子が第１のキャビティに含まれ、前記少なくとも１つの量子ドットが、前記第１のキャビティと独立した、第２のキャビティに含まれている、実施形態３８記載の密封型装置。
【０１２０】
実施形態４０
前記少なくとも１つの量子ドットが、樹脂に包含された複数の量子ドットを更に含む、実施形態３８記載の密封型装置。
【０１２１】
実施形態４１
前記少なくとも１つの量子ドットが、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＳｅ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＴｌＮ、ＴｌＰ、ＴｌＡｓ、ＴｌＳｂ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、及びこれ等の組み合わせから成る群より選択される、実施形態３８記載の密封型装置。
【０１２２】
実施形態４２
前記第３の基体が、約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有する無機基体である、実施形態３８記載の密封型装置。
【０１２３】
実施形態４３
前記第２の基体を前記第３の基体に結合する第２の封止体を更に備えた、実施形態３８記載の密封型装置。
【０１２４】
実施形態４４
密封型装置であって、
第１の表面を有する第１のガラス基体と、
第２の表面を有する第２のガラス基体と、
第３の表面を有する第３の基体と、
前記第１のガラス基体を前記第２のガラス基体に結合する第１の封止体と、
を備え、
前記第１の表面又は前記第２の表面の少なくとも一方が、少なくとも１つの量子ドットを包含する、少なくとも１つのキャビティを有し、前記第３の表面が、少なくとも１つのＬＥＤ素子に近接し、
前記少なくとも１つの封止体が、前記少なくとも１つのキャビティの周囲に延びる、装置。
【０１２５】
実施形態４５
前記少なくとも１つのＬＥＤ素子が第１のキャビティに含まれ、前記少なくとも１つの量子ドットが、前記第１のキャビティと独立した、第２のキャビティに含まれている、実施形態４４記載の密封型装置。
【０１２６】
実施形態４６
前記少なくとも１つの量子ドットが、樹脂に包含された複数の量子ドットを更に含む、実施形態４４記載の密封型装置。
【０１２７】
実施形態４７
前記少なくとも１つの量子ドットが、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＳｅ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＴｌＮ、ＴｌＰ、ＴｌＡｓ、ＴｌＳｂ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、及びこれ等の組み合わせから成る群より選択される、実施形態４４記載の密封型装置。
【０１２８】
実施形態４８
前記第３の基体が、約２．５Ｗ／ｍ−Ｋを超える熱伝導率を有する無機基体である、実施形態４４記載の密封型装置。
【０１２９】
実施形態４９
前記第２の基体を前記第３の基体に結合する第２の封止体を更に備えた、実施形態４４記載の密封型装置。
【０１３０】
実施形態５０
赤外スペクトル、近赤外スペクトル、又は約６２０ｎｍ〜約７５０ｎｍの光を発する、実施形態４４記載の密封型装置。
【０１３１】
実施形態５１
前記少なくとも１つのＬＥＤ素子が、２０Ｗ／ｃｍ２以上の流束を発する、実施形態４４記載の密封型装置。
【０１３２】
実施形態５２
前記少なくとも１つの量子ドットが、前記少なくとも１つのＬＥＤ素子から、約５０μｍ〜約２ｍｍ離間している、実施形態４４記載の密封型装置。
【０１３３】
実施形態５３
所定の波長の光をフィルタリングする１つ以上のフィルムを更に備えた、実施形態４４記載の密封型装置。
【０１３４】
実施形態５４
前記１つ以上のフィルムが、高屈折率材料と低屈折率材料との交互フィルムである、実施形態５３記載の密封型装置。
【０１３５】
実施形態５５
前記高屈折率材料が、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、及びこれ等の複合酸化物から成る群より選択され、前記低屈折率材料が、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、及びこれ等の複合酸化物から成る群より選択される、実施形態５４記載の密封型装置。
【符号の説明】
【０１３６】
１０１、２００、５００、６００                  密封型装置
１０７、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１  第１の基体
１０３、２０３                                  ＬＥＤ素子
１０５、２０５                                  量子ドット
２０７、３０７、４０７、５０７、６０７          第２の基体
２０９、５０９                                  キャビティ
２１１、５１１、６１１                          封止体
２１３                                          分離障壁（フィルム）
３１５、４１５                                  封止層
５２１                                          レーザーダイオード
【図１】
2018532256.tif 000004
【図２Ａ】
2018532256.tif 000005
【図２Ｂ】
2018532256.tif 000006
【図２Ｃ】
2018532256.tif 000007
【図３】
2018532256.tif 000008
【図４Ａ】
2018532256.tif 000009
【図４Ｂ】
2018532256.tif 000010
【図５】
2018532256.tif 000011
【図６】
2018532256.tif 000012
【図７】
2018532256.tif 000013
【図８】
2018532256.tif 000014
【国際調査報告】
2018532256.tif 000015
2018532256.tif 000016
2018532256.tif 000017
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