(57)【要約】  ダイボンディング基板であり、基板、及び当該基板上に設置されている導電回路層と、アレイチップと、を含み、導電回路層は、チップボンディングワイヤエリアと、外部接続電極エリアと、を含み、チップボンディングワイヤエリアと、外部接続電極エリアと、は電気的に接続される；チップボンディングワイヤエリアは複数の導電回路からなり、そのうち、チップボンディングワイヤエリアの中心部に位置する中心導電回路は、直線区間である。中心導電回路両側に位置する導電回路の両端は、直線区間であり、中部は外向きのアーク区間となっており、チップボンディングワイヤエリアは、全体的に円形エリアを形成する。アレイチップは、円形エリア内に設置される共に、両側の導電回路と電気的に接続する。チップボンディングワイヤエリアは全体的に方形エリアを形成してもいよい。本発明は、また高密度集積ＣＯＢ白色光源、及びその製造方法に関するものである。本発明は、ダイボンディング基板上のアレイチップの配置の改善、及び導電回路層の配置、区分けの改善することにより、発光・発熱チップの熱流の疎開と、チップの励起する輻射光の均一性を確保し、光源の高密度集積と、ハイパワーの封止を実現した。
2018537850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、及び当該基板上に設置された導電回路層と、アレイチップと、を含むダイボンディング基板であり、
前記導電回路層は、チップボンディングワイヤエリアと、外部接続電極エリアと、を含み、前記チップボンディングワイヤエリアと、外部接続電極エリアと、は電気的に接続され、前記チップボンディングワイヤエリアは、複数の導電回路からなるものであり、
その内、チップボンディングワイヤエリアの中心部に位置する中心導電回路は、直線区間であり、且つ最長の直線区間である；中心導電回路両側の導電回路の両端は、直線区間であり、中部は、外向きにアーク形となる共に、外側にいくほど導電回路の直線区間は短くなり、アーク形は長くなる。よって、チップボンディングワイヤエリアは、全体的に円形エリアを形成し、前記アレイチップは、円形エリア内に設置する共に、両側の導電回路と電気的に接続して、
或いは、そのうち、その導電回路は、互いに並行する直線区間にすることにより、チップボンディングワイヤエリアは、全体的に方形エリアを形成し、前記アレイチップは、方形エリア内に設置する共に、両側の導電回路と電気的に接続することを特徴とするダイボンディング基板。
【請求項２】
当該円形エリアは、扇形エリアに四等分でき、二つの対称するアーク形エリアと、二つの対称する直線エリアと、に区分でき、好ましくは、前記アレイチップの接続原則は、先ず並列接続してから、直列接続して、
更に好ましくは、前記アレイチップと、導電回路と、の具体的な電気的接続方法は、リバースワイヤボンディングと金糸溶接工程により、アレイチップ中のＬＥＤチップと、導電回路層中の相応の導電回路と、を電気的に接続させることを特徴とする請求項１に記載のダイボンディング基板。
【請求項３】
光源は、請求項１−２の何れもの一項に記載のダイボンディング基板、及び固形蛍光体を含み、前記固形蛍光体は、前記ダイボンディング基板の出光方向に位置することを特徴とする高密度集積ＣＯＢ白色光源である。
【請求項４】
光源は、更に高さリミットローケーティング部品を含み、前記高さリミットローケーティング部品は、前記ダイボンディング基板上に設置され、前記固形蛍光体の支えとなり、
好ましくは、前記高さリミットローケーティング部品は、前記ダイボンディング基板より１５０−３５０μｍ高いことを特徴とする請求項３に記載の高密度集積ＣＯＢ白色光源。
【請求項５】
光源は、さらに高反射コロイドからなる光反射ダムを含み、当該光反射ダムは、前記高さリミットローケーティング部品外縁のダイボンディング基板上に設置するが、その高さは、高さリミットローケーティング部品より低くなく、
好ましくは、当該高反射コロイドの２００−１０００ナノメートル波長の輻射光に対する反射率は、７０％より低くないことを特徴とする請求項４に記載の高密度集積ＣＯＢ白色光源。
【請求項６】
前記固形蛍光体の外径は、光反射ダムの内径より大きくなく、
好ましくは、前記固形蛍光体のマトリックス材料は、ガラス、セラミック、ガラスセラミック、又は硬質耐熱有機体であり、且つ前記固形蛍光体は、波長変換機能を有し、２００−６００ナノメートル波長の励起光を吸収し、４００−８００ナノメートル波長の輻射光を発射することを特徴とする請求項５に記載の高密度集積ＣＯＢ白色光源。
【請求項７】
ダイボンディング基板の製造、高さリミットローケーティング部品の製造、ボンディングワイヤの電気的接続、光反射ダムの製造、アンダーフィル、固形蛍光体の封止を含むことを特徴とする高密度集積ＣＯＢ白色光源の製造方法である。
前記ダイボンディング基板の製造は以下のことを含む。
１１）導電回路層と、アレイチップと、の配置を設計する；前記導電回路層は、前記チップボンディングワイヤエリアと、外部接続電極エリアと、を含み、前記チップボンディングワイヤエリアと、外部接続電極区と、は電気的に接続する；前記チップボンディングワイヤエリアは、複数の導電回路からなる。
そのうち、チップボンディングワイヤエリア中心部に位置する中心導電回路は、直線区間であり、且つ最長の直線区間である；中心導電回路両側に位置する導電回路の両端は、直線区間であり、中部は、外向きのアーク形区間となる共に、外側にいくほど、導電回路の直線区間は短くなり、アーク形区間は長くなる。よって、チップボンディングワイヤエリアは、全体的に円形エリアを形成し、当該円形エリアは、扇形に四等分でき、二つの対称するアーク形区間と、二つの対称する直線区間と、を形成する。
或いは、そのうち、その導電回路は、互いに並行する直線区間にすることによって、チップボンディングワイヤエリアは、全体的に方形エリアを形成する。
１２）基板プリント工程により、ヒートシンク基板上に前記導電回路層をプリントする共に、導電回路層以外のエリアに電気絶縁層を覆う。
１３）ダイボンディング工程により、アレイチップを円形、または方形エリア内に固定し、ダイボンディング基板を形成する。
前記高さリミットローケーティング部品の製造は、ダイボンディングエリアの外郭で高さリミットローケーティング部品を造る。
前記ワイヤボンディングは、リバースワイヤボンディングと、金糸溶接と、の工程により、アレイチップ中のＬＥＤチップと、導電回路層中の相応の導電回路と、を電気的に接続する。
前記光反射ダムの製造は、高さリミットローケーティング部品の外郭で光反射ダムを造る。
前記アンダーフィルは、光反射ダムに囲まれた空間内に透明なコロイドを充填して、前記高さリミットローケーティング部品まで水浸しになり、コロイドがレベリングされた後に、排気・予備硬化を行う。
固形蛍光体の封止は、固形蛍光体を前記光反射ダム内の高さリミットローケーティング部品上に置き、微圧状態を維持しながらディープ加熱硬化を行う。
【請求項８】
前記リバースワイヤボンディングと、金糸溶接との際、第１溶接点は導電回路であり、第２溶接点はＬＥＤチップの電極であり、且つ、第２溶接点は、ＢＧＡ溶接であり、前記ワイヤボンディングのアークの最高点は、ＬＥＤチップより２０−８０マイクロメートル高いが、高さリミットローケーティング部品より高くなく、前記第１溶接点のリードと、水平方向との角度は１５−８０°であり、第２溶接点のリードと、水平方向との角度は３０−８０°であることを特徴とする請求項７に記載の高密度集積ＣＯＢ白色光源の製造方法。
【請求項９】
前記予備硬化は、温度は、６０℃で、０．５時間行い；
前記ディープ加熱硬化は、まずは、８０℃で、０．５時間硬化し、更に１５０℃で、１時間硬化し、最後に６０℃で、０．５時間硬化することを特徴とする請求項７に記載の高密度集積ＣＯＢ白色光源の製造方法。
【請求項１０】
前記固形蛍光体の外径は、光反射ダムの内径より大きくなく、
好ましくは、前記固形蛍光体のマトリックス材料は、ガラス、セラミック、ガラスセラミック、または硬質耐熱有機体であり、かつ、前記固形蛍光体は、波長変換機能を有し、２００−６００ナノメートル波長の励起光を吸収して、且つ４００−８００ナノメートル波長の輻射光を発射することができることを特徴とする請求項７に記載の高密度集積ＣＯＢ白色光源の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
[技術分野]
本発明は、白色光源に関するものであり、具体的にはダイボンディング基板、高密度集積ＣＯＢ白色光源、及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
[背景技術]
ＬＥＤ照明のハイ効率・節電効果は、著しい排出削減・省エネなどの経済的効果がに繋がるため、近年来、様々な照明分野と業種で大々的に普及・応用されてきた。現在の産業技術力では、単色ＬＥＤチップに蛍光体を加えることは、依然として白色光ＬＥＤを実現する主流方式である。このなかでも、最もよく使われる方法は、チップに蛍光粉末ゲルを塗布したパッケージを励起する形式であるが、蛍光ゲルがよくない伝熱性を有して、また発光・発熱の励起チップとは直接接触するため、塗布された蛍光粉末ゲルが老化されやすく、更に白色光光源の光品質と、その使用上の安定性と、に影響を与える。
【０００３】
もう一方、白色光ＬＥＤは、照明普及と応用との面で、依然とも光フラックスの低い大事な課題を抱えている。即ち、照明光源としては、必ず可能な限り発光量を増やし、より高いエネルギー利用率が求められる。たが、シングルチップ出力は、照明分野で求められる高輝度、ハイパワーの需要を明らかに満足できない。大パワーＬＥＤモジュールが高集積化、小型化方向に発展するにつれ、一般照明が求める光フラックスを実現するために、大パワー、高集積化の白色光ＬＥＤ技術への求めは、必然である。
【０００４】
[発明内容]
上記の技術課題を解決するため、本発明では、ダイボンディング基板、高密度集積ＣＯＢ白色光源、及びその製造方法を提出し、ダイボンディング基板上のアレイチップの配置の改善と、その導電回路層の配置、区分けの改善により、発光・発熱チップの熱流疎開と、チップの励起する輻射光の均一性と、を確保し、光源の高密度集積化と、ハイパワーのパッケージングを実現した。
【０００５】
本発明の提出する技術方案は、以下の通り。
【０００６】
（１）ダイボンディング基板であり、前記ダイディング基板は、基板、及び当該基板上に設置されている導電回路層と、アレイチップと、を含み、前記導電回路層は、チップボンディングワイヤエリアと、外部接続電極エリアと、を含み、前記チップボンディングワイヤエリアと、外部接続電極エリアと、は電気的に接続される；前記チップボンディングワイヤエリアは複数の導電回路からなる。
【０００７】
そのうち、チップボンディングワイヤエリア中心部の中心導電回路は、直線区間であり、且つ最長の直線区間である；中心導電回路両側に位置する導電回路の両端は、直線区間であり、中部は外向きのアーク区間となっており、外側になるほど、導電回路の直線区間は短くなり、アーク区間は長くなる。よって、チップボンディングワイヤエリアは、全体的に円形区域が形成され、前記アレイチップは、円形区域内に設置される共に、両側の導電回路と電気的に接続する。
【０００８】
或いは、そのうち、導電回路は、互いに並行する直線区間である。よって、チップボンディングワイヤエリアは、全体的に方形エリアを形成し、前記アレイチップは方形エリア内に設置される共に、両側の導電回路と電気的に接続する。
【０００９】
（２）技術方案（１）を基礎に、当該円形区域を扇形区域に四等分し、二つの対称するアーク区域と、二つの対称する直線区域と、が形成される。
【００１０】
（３）技術方案（１）を基礎に、前記アレイチップの直列・並列接続論理は、まず並列接続してから、直列接続する。
【００１１】
（４）技術方案（１）を基礎に、前記アレイチップと導電回路との具体的な接続方法は、リバースワイヤボンディングと金糸溶接手法により、アレイチップ中のＬＥＤチップと、導電回路層中の相応の導電回路と、を電気的に接続させる。
【００１２】
（５）高密度集積ＣＯＢ白色光源であり、当該光源は、技術方案（１）−（４）中の何れの一項に記載のダイボンディング基板、及び固形蛍光体を含み、前記固形蛍光体は、前記ダイボンディング基板の出光方向上に位置する。
【００１３】
（６）技術方案（５）を基礎に、当該光源は、更に高さリミットローケーティング部品を含み、前記高さリミッは、前記ダイボンディング基板上に設置し、前記固形蛍光体の支えとなる。
【００１４】
（７）技術方案（６）を基礎に、前記高さリミットローケーティング部品は、前記ダイボンディング基板より１５０−３５０μｍ高い。
【００１５】
（８）技術方案（６）を基礎に、当該光源は、さらに高反射コロイドで造られた光反射ダムを含み、当該光反射ダムは、前記高さリミットローケーティング部品外縁部のダイボンディング基板上に設置し、且つその高さは高さリミットローケーティング部品より低くない。
【００１６】
（９）技術方案（８）を基礎に、当該高反射コロイドの２００−１０００ナノメートル以内の輻射光に対する反射率は、７０％より低くない。
【００１７】
（１０）技術方案（８）を基礎に、前記固形蛍光体の外径は、光反射ダムの内径より大きくない。
【００１８】
（１１）技術方案（５）を基礎に、前記固形蛍光体のマトリックス材料は、ガラス、セラミック、ガラスセラミック、または硬質耐熱有機体である。且つ、前記固形蛍光体は、波長変換機能を有し、波長２００−６００ナノメートルの励起光を吸収して、且つ波長４００−８００ナノメートルの輻射光を発射する。
【００１９】
（１２）高密度集積ＣＯＢ白色光源の製造方法であり、当該製造方法は、ダイボンディング基板の製造と、高さリミットローケーティング部品の製造と、ワイヤ・ボンディングの電気的接続と、光反射ダムの製造と、アンダーフィル予備硬化と、固形蛍光体の封止と、を含む。
【００２０】
前記ダイボンディング基板製造は、以下のことを含む。
【００２１】
１１）導電回路層と、アレイチップと、の配置設計；前記導電回路層は、前記チップボンディングワイヤエリアと、外部接続電極エリアと、を含み、前記チップボンディングワイヤエリアと、外部接続電極区と、は電気的に接続する；前記チップボンディングワイヤエリアは、複数の導電回路からなる。
【００２２】
そのうち、チップボンディングワイヤ中心部に位置する中心導電回路は、直線区間であり、なお、最長の直線区間である；中心導電回路両側に位置する導電回路の両端は、直線区間であり、中部は、外向きのアーク形区間となり、なお、外側になるほど、導電回路の直線区間は短くなり、アーク形区間は長くなる。よって、チップボンディングワイヤエリアは、全体的に円形エリアを形成し、当円形エリアは、扇形に四等分でき、二つの対称するアーク形区間と、二つの対称する直線区間と、を形成する。
【００２３】
または、そのうちの導電回路を、相互並行する直線区間とする。よって、チップボンディングワイヤエリアは、方形エリアを形成する。
【００２４】
１２）基板プリント工程にで、ヒートシンク基板上に前記導電回路層をプリントする共に、導電回路層以外のエリアに電気絶縁層を覆う。
【００２５】
１３）ダイボンディング工程により、アレイチップを円形、または方形エリア内に固定し、ダイボンディング基板を形成する。
【００２６】
前記高さリミットローケーティング部品の制作は、ダイボンディングエリアの外郭で高さリミットローケーティング部品を造る。
【００２７】
前記のボンディングワイヤの電気的接続は、リバースワイヤボンディングと、金糸溶接工程により、アレイチップ中のＬＥＤチップと、導電回路層中の相応の導電回路と、を電気的に接続する。
【００２８】
前記光反射ダムの制作は、高さリミットローケーティング部品の外郭で光反射ダムを造る。
【００２９】
前記アンダーフィル予備硬化は、光反射ダムにより囲まれた空間内に透明なコロイドを充填して、高さリミットローケーティング部品まで水浸しになり、コロイドがレベリングされてから、排気、及び予備硬化を行う。
【００３０】
固形蛍光体の封止は、固形蛍光体を前記光反射ダム内の高さリミットローケーティング部品上に置き、微圧状態を維持しながらディープ熱硬化作業を行う。
【００３１】
（１３）技術方案（１２）を基礎に、前記リバースワイヤボンディングと、金糸溶接との際、第1溶接点は導電回路であり、第２溶接点はＬＥＤチップの電極であり、且つ、第２溶接点は、ＢＧＡ溶接であり、前記ワイヤボンディングのアークの最高点は、ＬＥＤチップより２０−８０マイクロメートル高いが、高さリミットローケーティング部品より高くなく、前記第１溶接点のリードと、水平方向との角度は１５−８０°であり、第２溶接点のリードと、水平方向との角度は３０−８０°である。
【００３２】
（１４）技術方案(１２)を基礎に、前記予備硬化の温度は６０℃で、時間は、０．５時間である。
【００３３】
前記ディープ熱硬化は、先ず８０℃で０．５時間硬化させたあと、更に、１５０℃で１時間硬化させ、最後に、６０℃で、０．５時間硬化させる。
【００３４】
（１５）技術方案（１２）を基礎に、前記固形蛍光体の外径は、光反射ダムの内径より大きくない。
【００３５】
（１６）技術方案（１２）を基礎に、前記固形蛍光体のマトリックス材料は、ガラス、セラミック、ガラスセラミック、または硬質耐熱有機体であり、且つ前記固形蛍光体は、波長変換機能を有し、波長２００−６００ナノメートルの励起光を吸収して、且つ波長４００−８００ナノメートルの輻射光を発射することができる。
【００３６】
[発明効果]
１．ダイボンディング基板上のアレイチップの配置の改善、及びその導電回路層の配置・区分けの改善により、発光発熱チップの熱流疎開と、チップ励起の輻射光の均一性と、を確保し、光源の高密度集積化と、ハイパワーの封止と、を実現した。
【００３７】
２．光反射ダムを設けることと、ワイヤボンディングプロセスの改善により、光の有効送出を増やし、封止された光源は、高い光フラックス、高性能、及び低コストの特徴を有する。
【００３８】
３．本発明は、溶接方法の改善により、蛍光セラミックシートから散熱システムまでの伝熱距離を短縮する。よって、蛍光セラミックの温度は下がり、信頼性と、光の性能と、を向上される。
【００３９】
[添付図の簡単説明]
以下、添付図と、実施例により本発明を詳しく説明する。
【００４０】
図１ａは、本発明高密度集積ＣＯＢ白色光源中の一形状のダイボンディング基板の正面構造略図である。
【００４１】
図１ｂは、本発明高密度集積ＣＯＢ白色光源中のもう一形状のダイボンディング基板の正面構造略図である。
【００４２】
図２は、本発明高密度集積ＣＯＢ白色光源中のアレイチップの分布構造略図である。
【００４３】
図３は、本発明高密度集積ＣＯＢ白色光源中の側面構造略図である。
【００４４】
図４は、図３の局部拡大図であり、主にチップのボンディングワイヤ構造を表示する。
【００４５】
図５は、本発明の温度変化グラフである。
【００４６】
[実施方法]
本発明の目的、技術方案、強みをよりよく説明するため、以下、実施例を通し、添付図を参考に、本発明に対して更に詳しく説明する。たが、当業者が分かるように、本発明は添付図と、以下の実施例と、に限らない。
【００４７】
図１〜図４が示すように、本発明の高密度集積ＣＯＢ白色光源は、ダイボンディング基板１と、固形蛍光体２と、を含み、更に、高さリミットローケーティング部品３と、光反射ダム４と、を含む。前記固形蛍光体２は、前記ダイボンディング基板１の真正面に位置し、前記高さリミットローケーティング部品３は、前記ダイボンディング基板１上に設置され、前記固形蛍光体２の支えとなり、前記高さリミットローケーティング部品３は、前記ダイボンディング基板１より１５０−３５０マイクロメートル高い。前記光反射ダム４は、高反射コロイドから製造して、また前記高さリミットローケーティング部品３の外縁部のダイボンディング基板１上に設置されて、且つ高さリミットローケーティング部品３より低くなく、前記高反射コロイドの２００−１０００ナノメートル輻射光に対する反射率は、７０％より低くない。
【００４８】
前記ダイボンディング基板１は、ヒートシンク基板１１、及び当該ヒートシンク基板１１に設置されている導電回路層１２と、絶縁層１３と、アレイチップ１４と、を含む。
【００４９】
前記導電回路層１２は、チップボンディングワイヤエリアと、外部接続電極エリアと、を含み、前記チップボンディングワイヤエリアと、外部接続電極と、は電気的に接続される；前記チップボンディングワイヤエリアは、複数の導電回路１２１からなる；前記外部接続電極エリアは、正極エリア１２２と、負極エリア１２３と、に区分され、当該正極エリア１２２と、負極エリア１２３と、はチップボンディングワイヤエリアの両端に設置され、そのうち、チップボンディングワイヤエリア中心部に位置する中心導電回路は、最長、かつ直線である；中心導電回路両側に位置する導電回路の両端は直線区間であり、中部は外向きのアーク形状となっており、外側になるほど導電回路の直線区間は、短くなり、アーク区間は長くなる；よって、チップボンディングワイヤエリアは、全体的に円形エリアと形成し、図１ａの示すように、当円形エリアは、扇形に四等分でき、二つの対称するアークエリアと、二つの対称する直線エリアとなる。
【００５０】
チップボンディングワイヤエリアは、全体的な形状として円形に限らず、他の多様な形状にもできる。例えば、方形、菱形などがある。チップボンディングワイヤエリアの形状が方形であり、例え四辺形の場合は、図１ｂの示す通り；そのうち、導電回路が、相互平行する直線であるので、チップのワイヤボンディングエリアは全体的な形状として方形エリアになる；前記アレイチップは、方形エリア内に設置して、且つ両側の導電回路と電気的に接続する。
【００５１】
円形配置は、更に以下の得点がある：発光面が円形であることは、対称光学システムの光源に対する要求を満足し、二次光学システムの設計にもより便利である。四辺形配置は、さらに以下の得点がある：チップは、四辺形であるため、四辺形または他の方形配置は限られた面積内で、より多くのチップを配置することができるので、光源の光度（光フラックス/面積）も更に強まる。
【００５２】
前記アレイチップ１４は、円形エリア内に設置して、且つ両側の導電回路１２１と電気的に接続する。
【００５３】
図１〜図４の示すように、本発明の高密度集積ＣＯＢ白色光源の製造方法は、ダイボンディング基板の製造、高さリミットローケーティング部品の製造、ビンディングワイヤの電気的接続、光反射ダムの製造、アンダーフィル予備硬化、及び固形蛍光体の封止を含む。
【００５４】
図１ａ、１ｂの示すように、前記ダイボンディング基板１の製造は、以下の内容を含む。
【００５５】
１１）導電回路層１２と、アレイチップ１４と、の配置を設計する；前記導電回路層１２は、チップボンディングワイヤエリアと、外部接続電極エリアと、を含み、前記チップボンディングワイヤエリアと、外部接続電極と、は電気的に接続する；前記チップボンディングワイヤエリアは、複数の導電回路１２１からなる；前記外部接続電極エリアは、正極エリア１２２と、負極エリア１２３と、に別れ、当該正極エリア１２２と、負極エリア１２３と、はチップボンディングワイヤエリアの両端に設置される。
【００５６】
そのうち、チップボンディングワイヤエリア中心部に位置する中心導電回路は、最長、かつ直線である。中心導電回路両側の導電回路の両端は、直線区間であり、中部は外向きのアーク形状となっており、且つ、外側にいくほど導電回路の直線区間は短くなり、アーク形は長くなる。よって、チップボンディングワイヤエリアは、全体的に円形エリアを形成し、当該円形エリアは、扇形に四等分でき、二つの対称するアークエリアと、二つの対称する直線エリアと、を形成する。
【００５７】
または、そのうちの導電回路が、相互並行する直線になることにより、チップボンディングワイヤエリアは全体的に方形エリアを形成する；前記アレイチップは、方形エリア内に設置して、且つ両側の導電回路と電気的に接続する。
【００５８】
１２）ヒートシンク基板１１上で、プリント工程による前記導電回路層１２を製造し、同時に、導電回路層１２以外のエリアを電気絶縁層１３で覆う；具体的な実施例の中で、ヒートシンク基板１１は、９９％の酸化アルミニウムセラミック基板を使用し、酸化アルミニウムセラミック基板上でプリント工程により約１５ｕｍ厚みの銀メッキ回路をプリントし、前記導電回路層１２を製造し得る同時に、溶接機能のない回路上に絶縁ガラスをプリントし保護し、電気絶縁層１３を形成する。
【００５９】
１３）図２の示すように、ダイボンディング工程によりアレイチップ１４を円形、または方形エリア内に固定する。例えば、各ＬＥＤチップ１４２を二つの隣接する導電回路１２１間の絶縁層１３に固定し、ダイボンディング基板１を形成する；具体的な実施例では、ＬＥＤチップ１４２は、ミドルパワーのブルーレイチップを使用し、絶縁高伝熱ダイボンドによりＬＥＤチップ１４２を、チップ配置設計に基づき、基板上に固定する。ダイボンドは、好ましくは、絶縁高伝熱高反射率のボンドを使い、ダイボンディング基板１上の導電回路層１２の分布は、ＬＥＤチップ１４２の均一な分布を確保するべきであり、蛍光セラミックシートに照らされる光の均一化を実現する。同時に、具体的な実施例中で、ＬＥＤチップ１４２の並列・直列接続理論は、先ず並列接続してから直列接続する。よって、ＣＯＢ光源全体の信頼性を向上し、ＣＯＢ光源の耐衝撃性を向上した。
【００６０】
図３が示すように、前記高さリミットローケーティング部品３の製造は：ダイボンディングエリア、即ち、円形または方形エリアの外郭に高さリミットローケーティング部品３を造る；具体的な実施は、複数のサファイアクリスタルを高さリミットローケーティング部品装置として固定することができる。
【００６１】
図４の示すように、前記ボンディングワイヤの電気的接続は、リバースワイヤボンディングと、金糸溶接工程と、を利用して、アレイチップ１４中のＬＥＤチップ１４２と、導電回路層１２中の相応の導電回路１２１と、を電気的に接続させる；そのうち、前記リバースワイヤボンディングと、金糸と、の溶接の際、第１溶接点は導電回路１２１であり、第２溶接点はＬＥＤチップ１４２の電極であり、なお、第２溶接点は、ＢGＡ溶接とするが、漏電防止のため、チップより少なくとも金ボールの高さ分高くする。金ボールの高さは約１ｍｉｌであり、前記ワイヤボンディングのアーク形の最高点はＬＥＤチップ１４２の高さＨ＝２０〜８０μｍより高くするが、高さリミットローケーティング部品３よりは高くない。前記第１溶接点のリードと、水平方向と、の角度Ａは１５〜８０°であり、第２溶接点のリードと、水平方向と、の角度Ｂは３０〜８０°である。伝統的な１２０〜２５０ｕｍ回路高さのボンディングワイヤに対して、本発明のワイヤボンディングプロセスを採用することにより、アレイチップの熱状態を大幅に改善した。
【００６２】
前記光反射ダム４の製造は、高さリミットローケーティング部品３の外郭に光反射ダム４を造り、且つ高さは、高さリミットローケーティング部品３より低くない；実施の際は、ダム用ボンドにより、ダイボンディングエリアの中心点を円心に円形ダムを造り、乾燥、成形させることで光反射ダム４を製造し得る。方形エリアも同じ手順で実現する。ダム用のボンドは、高反射コロイドであり、なお、当高反射コロイドの２００〜１０００ナノメートル波長の輻射光に対する反射率は７０％より低くない。
【００６３】
前記アンダーフィル予備硬化は、光反射ダム４に囲まれた空間内に、透明なコロイドを注ぎ込み、前記高さリミットローケーティング部品３まで水浸しになり、コロイドがレベリングされた後、排気、及び予備硬化を行う；前記の予備硬化の温度は、６０℃で、０．５時間行う；その内、透明なコロイドは、有機シリカゲルでよいし、有機シリカゲルの量は、レベリング後にリミットチップより約２０μｍ高くし、６０℃環境で０．５時間加熱し、ゲル面を水平にさせ、なるべく全部の気泡を排出させる。
【００６４】
固形蛍光体２の封止は、固形蛍光体２を前記光反射ダム４内の高さリミットローケーティング部品３上に置き、微圧状態を維持しながらディープ熱硬化を行う。前記のディープ熱硬化は、先ず８０℃で、０．５時間硬化し、更に１５０℃で、１時間硬化させたあと、最後に６０℃で、０．５時間硬化させる。
【００６５】
上記実施例により造られた光源は、その光フラックスが１５０００ｌｍより低くない場合、光源の光効率は、いずれも１４０ｌｍ／Ｗより低くないし、光源モジュール溶接点の温度は、４０℃近く下がり、なお、チップの励起面積は最大、ダイボンディングエリア面積の７５％を占める。同等集積密度のフリップチップパッケージより、光効率は１５％向上され、光源の製造コストは約４０％低減される。
【００６６】
本発明は、主にボンディングワイヤー方式の改善により、蛍光セラミックシートから散熱系までの伝熱距離を短縮することで、蛍光セラミックの温度を下げ、その信頼性と、光効率と、を向上させる。
【００６７】
表面温度の測定実験：コロイドの長さを３００ｕｍから３０ｕｍまで短縮した場合、蛍光体表面の平均温度の変化は、以下の表の示す通り、変化グラフは、図５の示す通り。
【００６８】
【表１】
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【００６９】
上記より本発明の具体的な実施方法を説明したが、当業者が分かるように、上記の実施例は、説明の便利のためであり、本発明に対する限定ではない。当業者が本発明の主旨に基づき、同等効果の修正、または変化をした場合も、本発明の特許請求の範囲内とされる。
【００７０】
以上、本発明の実施方法に対して説明した。但し、本発明は、上記実施方法に限らず、全ての本発明の精神・原則内で行われた何れの修正、及び同等な入れ替えと、改善と、も本発明の保護範囲内とされる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１ａ】本発明高密度集積ＣＯＢ白色光源中の一形状のダイボンディング基板の正面構造略図である。
【図１ｂ】本発明高密度集積ＣＯＢ白色光源中のもう一形状のダイボンディング基板の正面構造略図である。
【図２】本発明高密度集積ＣＯＢ白色光源中のアレイチップの分布構造略図である。
【図３】本発明高密度集積ＣＯＢ白色光源中の側面構造略図である。
【図４】図３の局部拡大図であり、主にチップのボンディングワイヤ構造を表示する。
【図５】本発明の温度変化グラフである。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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