(57)【要約】リードキャリアの成形化合物の連続シート内の各パッケージサイトは、半導体ダイと、それぞれが成形化合物の連続シートの下側面に露出する上側面および対向する下側面を有する１組の端子構造体と、第１端部、第１端部とは異なる第２端部、上面、対向する下面、幅、上面と下面間の厚さを有する延伸ワイヤ構造体として形成される１組の電流経路再配線構造体とを備える。製造された再配線構造体は、（ａ）所定の端子構造体に電気的に事前結合された事前連結構造体、または（ｂ）各端子構造体から電気的に絶縁された初期連結されていない再配線構造体である。下面の各再配線構造体は、成形化合物の連続シートの上側面に向かって、成形化合物の連続シートの下側面から離れている。【選択図】図４Ｂ
2018518827.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形化合物内にカプセル化され、パッケージ化された半導体ダイを組み立てるためのリードキャリアであり、
上側面および対向する下側面を有する成形化合物の連続シートであり、前記成形化合物の連前記続シートはパッケージサイトのアレイを備え、各パッケージサイトは半導体ダイパッケージに対応しており、各パッケージサイトは、
上側面および対向する下側面を有し、少なくとも１本のワイヤ・ボンド・パッドを上側面に有することを含む前記半導体ダイと、
各端末構造体は焼結材料で形成されており、上側面と、前記成形化合物の前記連続シートの裏面に露出している対向する下側面を有する前記１組の端末構造体と、
前記焼結材料で形成され、第１端部、前記第１端部とは別の第２端部、上側面、対向する下側面および上側面と下側面の間の厚さを有する延伸ワイヤ構造体を備える各再配線構造体である１組の電流経路再配線構造体であり、
その1組の前記再配線構造体内において、任意の製造された再配線構造体は、
（ａ）所定の端末構造体に電気的に事前連結された事前連結再配線構造体または
（ｂ）前記端末構造体から電気的に絶縁された、初期連結されていない再配線構造体
のいずれかである１組の電流経路再配線構造体と、
少なくとも１つの再配線構造体それぞれの下側面と前記成形化合物の前記連続シートの下側面との間のパッケージの低い部分を満たす誘電構造体と、
前記半導体ダイと、前記１組の端末構造体と、前記１組の再配線構造体との間に選択的に電気接続を確立する複数のワイヤボンドと、
前記半導体ダイ、前記１組の端末構造体、前記１組の再配線構造体および前記複数のワイヤボンドをカプセル化する硬化成形化合物であり、
各配線構造体の下側面は成形化合物の前記連続シートから垂直に離れている前記硬化成形化合物とを備えるリードキャリア。
【請求項２】
少なくとも１つの再配線構造体は、延伸ワイヤ構造体の幅よりも大きい幅を有する遠隔端末構造体を一体的に含むことができる請求項１に記載のリードキャリア
【請求項３】
少なくとも１つの再配線構造体は、前記複数の端末構造体を一体的に含むことが可能である請求項２に記載のリードキャリア。    
【請求項４】
各パッケージサイトにおいて、各再配線構造体の上側面は各端末構造体の上面に対して平行であり、各再配線構造体の底側面は前記成形材料の前記連続シートの裏面に露出していないうえに、各端末構造体の裏面はパッケージサイトに対応する前記半導体ダイパッケージの表面実装接合部を画定する請求項１に記載のリードキャリア。
【請求項５】
複数のワイヤボンドは、前記半導体ダイと前記１組の再配線構造体との間に選択的に形成された第１ワイヤボンドと、前記半導体ダイと前記１組の再配線構造体との間に形成された第２ワイヤボンドとを備える請求項１に記載のリードキャリア。    
【請求項６】
１組の再配線構造体は少なくとも前記１つの初期連結されていない再配線構造体を備え、前記複数のワイヤボンドは、前記１組の端末構造体と少なくとも１つの前記初期連結されていない再配線構造体との間に選択的に形成された第３ワイヤボンドを備える請求項５に記載のリードキャリア。
【請求項７】
前記１組の再配線構造体は少なくとも１つの前記事前連結された再配線構造体および少なくとも１つの前記初期連結されていない再配線構造体を備える請求項１に記載のリードキャリア。
【請求項８】
前記誘電構造体は、内部に前記成形化合物で満たされた間隙空間を有する粒状材料を備える請求項１に記載のリードキャリア。    
【請求項９】
前記粒状材料は前記成形化合物が間前記隙空間を占拠する以前に、２５％〜９０％の間隙空間を内部に備える請求項８に記載のリードキャリア。    
【請求項１０】
各パッケージサイトにおいて、前記誘電構造体は垂直に前記パッケージサイトの底から前記各再配線構造体の厚さの留分まで、前記各再配線構造体の上側面の下まで伸長する請求項１に記載のリードキャリア。
【請求項１１】
前記各再配線構造体は、１つ以上の前記端末構造体に沿って、その側に、その間および／またはその周囲に配線される請求項１に記載のリードキャリア。
【請求項１２】
各パッケージサイトは数百もの端末構造体を含むことができ、各パッケージサイトは、前記端末構造体の周辺部分間に配線された複数の再配線構造体を備える請求項１１のリードキャリア
【請求項１３】
剥離して除去可能な、成形化合物の前記連続平面シートの下側面および各端末構造体の下側面を支持する上面を有する仮支持層を備える請求項１に記載のリードキャリア。
【請求項１４】
各端末構造体は周縁部を有し、１組の端末構造体内にある少なくとも１つの端末構造体の前記周縁部は、端末構造体の上部が端末構造体の低い部分から横にはみ出させる張り出し部を含み、張り出し部は、前記硬化成形化合物から垂直下方向にずれるのに耐えるよう、前記硬化成形化合物に連動させる請求項１３に記載のリードキャリア。
【請求項１５】
各パッケージサイトにおいて、各端末構造体が前記仮支持層の上側面に対する粘着度は  硬化成形化合物の前記端末構造体の周縁部の粘着度より低い請求項１４に記載のリードキャリア。
【請求項１６】
各パッケージサイトは、パッケージサイトに対応するパッケージの表面実装接合部を画定する、半導体ダイの裏面がある上側面と、成形化合物の前記連続シートの裏面に露出した裏面とを有するダイ固定構造体を備える請求項１に記載のリードキャリア。
【請求項１７】
上側面および対向する下側面を有する半導体ダイパッケージは、上側面および対向する下側面を有し、少なくとも１本のワイヤ・ボンド・パッドを上側面に有することを含む半導体ダイと、
各端末構造体は焼結材料で形成されており、上側面と、成形化合物の前記連続シートの裏面に露出している対向する下側面を有する１組の端末構造体と、
前記焼結材料で形成され、第１端部、前記第１端部とは別の第２端部、上側面、対向する下側面および前記上側面と前記下側面の間の厚さを有する延伸ワイヤ構造体を備える各再配線構造体である１組の電流経路再配線構造体であり、
その前記１組の再配線構造体内において、任意の製造された再配線構造体は、
（ａ）所定の端末構造体に電気的に事前連結された事前連結再配線構造体または
（ｂ）端末構造体から電気的に絶縁された、初期連結されていない再配線構造体
のいずれかである１組の電流経路再配線構造体と、
少なくとも１つの再配線構造体それぞれの下側面と前記成形化合物の前記連続シートの前記下側面との間のパッケージの低い部分を満たす前記誘電構造体と、
前記半導体ダイと、前記１組の端末構造体と、前記１組の再配線構造体との間に選択的に電気接続を確立する複数のワイヤボンドと、
前記半導体ダイ、前記１組の端末構造体、前記１組の再配線構造体および前記複数のワイヤボンドをカプセル化する硬化成形化合物であり、
各配線構造体の下側面は前記成形化合物の前記連続シートから垂直に離れている前記硬化成形化合物とを
備える半導体ダイパッケージ。
【請求項１８】
前記複数のワイヤボンドは、前記半導体ダイと前記１組の再配線構造体との間に選択的に形成された第１ワイヤボンドと、前記半導体ダイと前記１組の再配線構造体との間に形成された第２ワイヤボンドとを備える請求項１７に記載の半導体ダイパッケージ。
【請求項１９】
１組の再配線構造体は少なくとも１つの前記初期連結されていない再配線構造体を備え、前記複数のワイヤボンドは前記１組の端末構造体と少なくとも１つの前記初期連結されていない再配線構造体との間に形成される第３ワイヤボンドを備える請求項１８の半導体ダイパッケージ。
【請求項２０】
前記１組の再配線構造体は少なくとも１つの前記事前連結された再配線構造体および少なくとも１つの初期連結されていない再配線構造体を備える請求項１７に記載の半導体ダイパッケージ。
【請求項２１】
表面実装接合部を画定する、前記半導体ダイの裏面がある上側面と、前記パッケージの裏面に露出した裏面とを有するダイ固定構造体を備える請求項１７に記載の半導体ダイパッケージ。
【請求項２２】
各端末構造体は周縁部を有し、１組の端末構造体内にある少なくとも１つの前記端末構造体の前記周縁部は、前記端末構造体の上部が前記端末構造体の低い部分から横にはみ出させる張り出し部を含み、前記張り出し部は、前記硬化成形化合物から垂直下方向にずれるのに耐えるよう、前記硬化成形化合物に連動させる請求項１７に記載の半導体ダイパッケージ。
【請求項２３】
前記半導体ダイパッケージはクワッド・フラット・ノー・リード（ＱＦＮ）パッケージである請求項１６の半導体ダイパッケージ。    
【請求項２４】
リードキャリアによってパッケージ化された半導体ダイ製造方法であり、
各パッケージサイトは仮支持層の上の所定の断面領域を備え、ダイ取り付け領域をその中に有し、半導体ダイパッケージが対応するパッケージサイト上に組み立てられた上側面を有する前記仮支持層を提供する工程と、
仮支持層の上側面を通して形成され、第１所定パターンを各パッケージサイトにて画定する開口部を有する第１予備形成層と、前記第１予備形成層上に積層され、形成され、第２所定パターンを各パッケージサイトにて画定する、１組の空洞を含む第２予備形成層とを有する予備形成構造体であり、前記仮支持層の上側面に前記予備形成構造体を提供する工程と、
前記仮支持層の上側面に所定のパターンで焼結材料であるペーストを配置する工程と、
各パッケージサイトはそれぞれ、
第１所定パターンに対応する１組の端末構造体であり、
各端末構造体は、
上側面、仮支持層に接着する対向する下側面と、上側面と下側面の間の高さと、第２所定パターンに対応した１組の電流経路再配線構造体を有し、
前記各再配線構造体は、幅、第１端部、別の第２端部、上側面、下側面および上側面と下側面の間の厚さを有する延伸ワイヤ構造体を備え、
前記各配線構造体の下側面は、前記仮支持層の上側面から離れており、
前記１組の配線構造体内にある任意の再配線構造体は、
（ａ）電気的に所定の端末構造体と事前結合された、製造された事前形成再配線構造体または（ｂ）前記各端末構造体および前記仮支持層から電気的に絶縁された、製造された初期連結されていない再配線構造体のうち１つを備える各パッケージサイトにて製造されるペーストを焼結する工程とを
備えるリードキャリアによってパッケージ化された半導体ダイ製造方法。
【請求項２５】
リードキャリアによってパッケージ化された半導体ダイ製造方法は、さらに、
前記仮支持層の上側面と前記各配線構造体の下側面の間に誘電構造体を配置して提供する工程と、
各パッケージサイトにおいて、前記パッケージサイトの各端末構造体が半導体ダイの周縁部になるように、パッケージサイトの中央領域に前記半導体ダイを実装する工程と、
パッケージサイトにおいて、１組の端末パッド内に前記半導体ダイの上側面にある前記１組の入出力端子と前記各端末パッドの上側面の間に複数のワイヤボンドを選択的に形成する工程と、
各パッケージサイトで形成された前記半導体ダイ、前記１組の端末パッド、前記１組の再配線構造体および前記複数のワイヤボンドが前記成形化合物内にカプセル化されるよう、パッケージサイトの全面に前記成形化合物を塗布することで前記成形パッケージサイトの連続シートを形成する工程と、
成形パッケージサイトの前記連続シートから前記仮支持層を剥離する工程と、
各パッケージサイトは、パッケージサイトの１組の端末構造体の下側面が露出しているためパッケージの表面実装接合部が形成される、
上側面と対向する下側面を備え、それぞれが選択された前記半導体ダイ、前記１組の端末構造体、前記１組の再配線構造体および前記複数のワイヤボンドを内包する個別パッケージを形成するために前記成形パッケージサイトの前記連続シート内にある個々のパッケージサイトをそれぞれ分離する工程とを備える
請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記複数のワイヤボンドは、前記半導体ダイと前記１組の再配線構造体との間に選択的に形成された第１ワイヤボンドと、前記半導体ダイと前記１組の再配線構造体との間に形成された第２ワイヤボンドとを備える請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記１組の再配線構造体は少なくとも１つの前記初期連結されていない前記再配線構造体を備え、複数の前記ワイヤボンドはさらに前記１組の端末構造体と少なくとも１つの前記初期連結されていない再配線構造体との間に選択的に形成された第３ワイヤボンドを備える請求項２６の方法。
【請求項２８】
１組の再配線構造体は、少なくとも１つの初期連結されていない再配線構造体を備える請求項２４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の様態は全般的にパッケージサイトにて製造されたパッケージ化された半導体ダイのリードキャリアに関する。より詳細には、本発明の様態はリードキャリアに関し、パッケージサイトは焼結したパッケージ部品を形成し、成形加工後にパッケージサイトから剥離可能な一時支持層、部材、媒体またはキャリアにある表面実装はんだ付けインターフェイスを有するリードキャリアに関する。パッケージサイトは、垂直に分離されているまたは焼結したパッケージ部品の表面実装インターフェイスから離された導電パス再配線構造体を含むことができる。
【背景技術】
【０００２】
今日の半導体の集積度の向上と共に、より小型でより能力の高い、携帯型電子システムに対向する需要により、より多くの入出力端子を有するより小型の半導体パッケージのニーズが高まっている。また同時に、民生用電子システムの全ての部品のコストを低減させるべく、絶え間ない圧力がかかっている。クワッド・フラット・ノー・リード（ＱＦＮ）半導体パッケージファミリーは各種半導体パッケージの中でも最も小型で最もコスト効率の高いものの一つであるが、従来の技術および材料と共に製造される場合には著しい制約がある。例えば、ＱＦＮ技術では、この技術が対応できるＩ／Ｏ端子および電気的性能に限界がある。
【０００３】
ＱＦＮパッケージは、エリア・アレイ・リードフレーム上に従来の方法で組み立てられている。リードフレームは、ワイヤボンドを介してＩ／Ｏ端子の表面またはＱＦＮパッケージ内のパッドが半導体ダイと接続できるように、半導体ダイまたは集積回路をパッケージ内に固定するのを容易にするＱＦＮパッケージの部品を提供する。完成したＱＦＮパッケージでは、これらのＩ／Ｏ端子の裏面ははんだ接合部であり、当業者が理解しやすい方法である従来の表面実装はんだ技術を用いて、パッケージ化された半導体ダイと電気システムボード間の電気的接続を確立するのを容易にする。  
【０００４】
図１は、フォトグラフィでパターン化され、リードフレーム１０全面に分配されたパッケージサイト２０の列を提供するようエッチングされた薄い銅シートで形成された従来のエッチングされたエリア・アレイ・リードフレーム１０を示す。リードフレーム１０は数千ものパッケージサイト２０を内包する。図２は、リードフレームの個別パッケージサイト２０の拡大図である。各パッケージサイト２０は、ダイ取り付けパッドまたはダイ取り付けパドル４０、Ｉ／Ｏ端子の列、ダイパドル４０の周囲に配置されたワイヤ・ボンド・パッド３０を含む。より具体的には、Ｉ／Ｏ端子３０は、ワイヤボンドがＩ／Ｏ端子の上側面とダイパドル４０の上側面に固定された半導体ダイとの間に形成されるようにダイパドル４０の周囲に配置される。Ｉ／Ｏ端子の列とダイパドル４０は金熱超音波ワイヤボンディングと互換性のある表面被膜をされて提供される。Ｉ／Ｏ端子３０の裏側とダイパドル４０は表面実装はんだ技術と互換性のある表面被膜をされて提供される。ダイパドル４０とＩ／Ｏ端子３０は、ダイパドル４０およびＩ／Ｏ端子３０が短絡構造体またはパッケージサイト２０を囲むバー５５と電気的に接続し、その他のリードフレーム１０と物理的または電気的に接続する、１つ以上のタイバー５０によってそれぞれの位置につく。短絡バー５５は、すべてのパッケージサイト２０にあるすべてのＩ／Ｏ端子２０およびダイパドル４０とリードフレーム１０に電気的に接続しているので、それらは完成されたＱＦＮパッケージを形成するために完全に切断されなければならない。
【０００５】
より具体的には、タイバー５０は、各パッケージ化された半導体ダイのダイ取り付けパドル４０とＩ／Ｏ端子３０をリードフレーム１０と他のパッケージ化された半導体ダイから電気的に切断したままにするよう、個別のパッケージ化された半導体ダイをリードフレーム１０からシンギュレーションまたは単離する際に、短絡バー５５から切り離されるように設計されなければならない。一般的には、タイバー５０は、最終工程のＱＦＮパッケージの設置面積のすぐ外に各パッケージサイト２０を囲む短絡バー５５に接続されている。短絡バーは、タイバー５０が最終工程のＱＦＮパッケージの縁部に露出するよう、シンギュレーション工程の際に切り出されている。
【０００６】
パッケージＰ構成要素の全てが金属製の構造体体（例えばタイバー５０）によってリードフレーム１に接続されていなければならないという要件は、如何なる所与のパッケージＰの外形についても実装できるリードの数を大幅に制限する。内部にあり、最も外側の列にあるワイヤ・ボンド・パッド３０であるワイヤ・ボンド・パッド３０は、タイバー５０は  ワイヤ・ボンド・パッド３０の最も外側の列にあるワイヤ・ボンド・パッド３０間に配線されなければならない。これらタイバー５０の最小スケールは、隣接する２つのワイヤ・ボンド・パッド３０間を１本のみ配線できるようになっている。したがって、標準的なＱＦＮリードフレーム１では、２列のパッド４だけを実装することができる。ダイサイズとリード数との間の現在の関係により、標準的なＱＦＮパッケージＰでは、１００端子程度が限度であり、大半のパッケージＰは約６０個以下の端子を有する。この制限により、さもなくばより小さなサイズおよびより低コストのＱＦＮ技術の利益を得るであろうところの多くの種類のダイでは、ＱＦＮパッケージングの使用が不可能となっている。
【０００７】
集積回路チップがリードフレーム１０に実装され、ワイヤボンドによりワイヤ・ボンド・パッド３０に接続された後、リードフレーム１０は、トランスファー成形工程により、エポキシ樹脂組成物で完全にカプセル化される。リードフレーム１０は前から後ろまで大きく開いているため、ワイヤボンディングおよび成形工程の前に高熱テープの層がリードフレーム１０の裏面に塗布されることにより、その上に製造されるリードフレーム１０とＱＦＮパッケージの裏面が画定される。このテープは、逆効果なく、高温のワイヤボンドおよび成形工程に耐えなければならないため、テープは比較的高価である。塗布、テープの除去、接着残滓の除去の工程はリードフレーム１０の製造コストを１個当たり１ドル上げる。
【０００８】
リードフレーム１から個々のＱＦＮパッケージを分離するシンギュレーションの最も典型的な方法は鋸引きである。鋸はエポキシ成形化合物の切断に加えてパッケージＰの外形のすぐ外側で短絡バー５５の全てを除去しなければならないので、この工程は、まるで成形化合物のみが切断されるかのようにかなり余計に時間がかかり、刃の寿命が著しく短縮される。
【０００９】
さらに、短絡バー５５はシンギュレーション工程まで除去されないので、このことは、ダイはシンギュレーション後まで試験することができないことを意味する。数千個のとても小さなＱＦＮパッケージを取り扱い、各々がその試験機に正しい向きに方向付けられて提示されることを確実にすることは、各パッケージが既知の位置に配置されているストリップをまるごと試験できる場合よりもはるかに多くの費用がかかる。
【００１０】
パンチシンギュレーションとして知られるリードフレーム１に基づく工程は、ソーシンギュレーションに関連付けられる問題にある程度対処し、ＱＦＮパッケージのリードフレーム内での試験を可能とするが、リードフレーム１の利用率がソーシンギュレートしたリードフレームの場合の５０パーセント未満にまで低下するのでコストが著しく増加する。パンチシンギュレーションはまた、リードフレームの基本設計毎に専用の成形型を必要とする。ソーシンギュレーション用に設計された標準的なリードフレーム１では、同一寸法の全てのリードフレーム１について単一のモールドキャップが使用される。
【００１１】
さらに、ソーシンギュレートしたＱＦＮパッケージおよびパンチシンギュレートしたＱＦＮパッケージの双方において、完成したパッケージ内にはタイバー５０が残され、これらのタイバー５０は除去することのできない容量性寄生素子となると共に誘導性寄生素子となる。これら不必要な金属片は、パッケージ化された半導体ダイの性能に著しく影響し、多くの高性能集積回路ダイへのＱＦＮパッケージの使用を妨げている。
【００１２】
ＱＦＮ型のパッケージについて、エッチングによるリードフレームの制約を排除するいくつかの構想に進展があった。本明細書に先行文献として記載された米国特許第８５２５３０５号明細書にある、仮キャリア上の所定の箇所に配置されたパッケージ部品の列を提供する工程はその一つである。金属ペーストが仮媒体を除去し、金属粉末を焼結して仮キャリア上に高密度にするために焼結温度まで上げる。その焼結により、焼結金属残留物は、パッケージ部品として仮キャリア上に残る。
【００１３】
この工程は、エッチングされたリードフレーム１０のタイバー５０を減らすが、任意のパッケージ部品であっても、それぞれ（ａ）仮キャリアに接したパッケージ部品の表面、すなわちパッケージ部品の裏面または表面実装インターフェイスと、（ｂ）パッケージ部品に対向する面、すなわちパッケージ部品の上側面またはワイヤボンディング面である、各パッケージ部品の表面と本質的に同じ形状のパッケージ部品構造体だけを製造できる。よって、任意のパッケージ部品の上側面にワイヤボンディングすることは、実質的に同じ位置（Ｘ、Ｙ）で実行されなければならず、またパッケージ部品の裏面に表面実装はんだ付けされなければならない。
【００１４】
半導体をパッケージ化する現場において、ワイヤボンドを一般的に対応する表面実装インターフェイスの位置から大幅に分離するか遠方であるの位置（Ｘ、Ｙ）に配置し直すのは望ましい。例えば、より短いワイヤボンド、ワイヤボンド電気的接続をダイが配置される領域の下に位置する表面実装インターフェイス、または１つのパッケージの中で２つの構造体または装置間の導電性パスを選択的に作成する。よって、パッケージ内の特定のパッケージ内の導電性パスがカスタマイズされた位置（Ｘ、Ｙ）に再分配または再配線可能なように、リードフレーム上に製造されたパッケージ内の導電性パス再分配が可能なリードフレーム製造方法を提供することは望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】米国特許第７１８７０７２号明細書
【特許文献２】米国特許第８５２５３０５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
そのような導電性パス再分配性能を提供する方法の１つとしては、前面パターンはリードフレームの厚さの約半分をエッチングされ、ワイヤボンディングおよび成形工程が終了するまでリードフレーム裏面はそのまま残されるという、エッチングされたリードフレームの改変方法である。成形が終了すると、裏面パターンは、ワイヤボンディング工程中に確立された、対応するワイヤボンドにパターン印刷され、リードフレームは、ワイヤ・ボンド・パッドの裏部分およびその周囲のダイパドルにある金属を除いた全ての金属を除去するためにさらにエッチングされる。このダブルエッチング工程は、エッチング工程の解決能力内で自由な設計で第１パターン化レベル金属被覆をさせる再分配性能を提供し、パッケージ内の接続金属構造体に関するすべての問題を減少させる。しかし、ダブルエッチングされたリードフレームのコストは、標準的エッチングされたリードフレームよりかなり高く、エッチング工程およびめっき工程は環境的に望ましくない。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の実施形態におけるリードキャリアは、半導体ダイパッケージ（以下、パッケージと簡略する）が作製され、組み立てられ、製造される複数のパッケージサイト（例えば、マトリックスやアレイ等の所定パターンにされた）に分散された仮支持層、部材、媒体またはキャリアを含む。各パッケージサイトは、少なくとも１つの半導体ダイを配列、配置および／または固定する少なくとも１つのダイ固定構造体、素材またはインターフェイスと、ダイ固定構造体の近傍に並べられた少なくとも１つの端末構造体、素材またはパッドを含む。実施例の詳細次第では、各パッケージサイトは１つ以上の端末構造体を含み、例えば特定の実施形態は、他の実施形態は、ダイ固定構造体に関した数百の端末構造体を含むことができる、１つの端末構造体を含むことができる。各端末構造体は、金、銅または銀を用いる超音波熱圧着および表面実装技術（ＳＭＴ）はんだ付けといった従来の方法で使用する代替する導電性が高い金属を含む。  
【００１８】
各パッケージサイトにおいて、ダイ固定構造体は、端末構造体が関連する同じ材料で形成でき、一般的な形態またはダイ取り付けパッドの形態と類似であり、対応し、または存在する。または、ダイ固定構造体は、ダイ工程構造体を囲む端末構造体に関連する仮支持層上の所定の領域または空間を構成する。ダイ固定構造体は、パッケージ作製、組み立てまたは製造過程で半導体ダイを受理するよう設計されている。
【００１９】
端末構造体およびダイ固定構造体が同じ材料で形成または組成される実施形態では、仮支持層上に所定のパターンで浮遊させるように積層（同時または順番に）され、少なくとも１つの金属粉末および浮遊媒体を含み、それらは次に十分に高温で熱せられて分解し浮遊媒体は分散されて金属粉末を焼結させて、高密度の導電性塊になる。焼結後、関連したダイ固定構造体および端末構造体を形成する焼結金属構造体は、仮支持層上に積層された浮遊により予測可能で類似する形態を有する形状を保持し示す。
【００２０】
仮支持層と焼結金属の接着度は、（ａ）パッケージ組み立て工程の際に、破損を防ぐか、焼結金属が仮支持層から分離すること防ぐために、適切または十分に高い接着度を提供し、さらに（ｂ）すべてのダイ固定構造体および端末構造体が破損することなくエポキシ樹脂組成物に混載されるよう、エポキシ樹脂組成物によってカプセル化されて、パッケージサイトが半導体ダイとワイヤボンドによって組み立てられた後に、仮支持層が剥離される十分に低い接着度を提供するため慎重に管理される。
【００２１】
さらには、本発明における様態において、成形化合物内にカプセル化され、パッケージ化された半導体ダイを組み立てるためのリードキャリアは、上側面および対向する下側面を有する成形化合物の連続シートであり、成形化合物の連続シートはパッケージサイトのアレイを備え、各パッケージサイトは半導体ダイパッケージに対応し、製造された各パッケージサイトは上側面および成形化合物の連続シートの裏面に露出している、対向する処理基部半導体ダイを含む成形化合物の連続シートと、（例えば、半導体ダイがあるＸＹ軸位置の外側にある、パッケージサイトの特定のＸＹ軸の位置に配置された）１組の端末パッドであり、各端末パッドは、成形化合物の連続シートの下側面に露出した、上側面および対向する下側面を有する１組の端末パッドと、半導体パッドの上側面および各端子パッドの上側面上にある１組の入出力接合部間に形成された複数のワイヤボンドと、各パッケージサイトは半導体ダイが固定されるダイ取り付けパッドを除外する、半導体ダイ、１組の端末パッド、複数のワイヤボンドをカプセル化した硬化成形化合物とを備える。
【００２２】
このような選択肢は、パッケージサイトにおいて、１組（つまり１組以上の）電流経路再配線構造体によって提供され、または、それに応じてその場所で製造されたパッケージ内において提供される。１組の電流経路再配線構造体は１種類以上の電流経路再配線構造体を内部に含む。さらに具体的には、実施形態の詳細によっては、そのような再配線構造体は事前連結再配線構造体および／または初期連結されていない再配線構造体を含む。再配線構造体の各種類は、一般的に端末構造体と同じ材料で形成され、１つ以上の端末構造体に沿って、その側に、その間および／またはその周囲に配線される導電性の延伸ワイヤ構造体、素材または部材（例えば、延伸相互接続構造体）を含むか形成する。「事前連結」または「初期連結されていない」指定は、対象の製造された再配線構造体は（ａ）対応する所定の端末構造体に電気的に事前結合または事前接続または、（ｂ）リードキャリア製造工程中に再配線構造体および端末構造体が形成された結果、端末構造体に対して初期電気的浮動または絶縁をそれぞれ示す。  
【００２３】
各事前再配分構造体は、リードキャリア製造工程中に再配線構造体と対応する端末構造体が形成または連結された結果、特定の端末構造体に電気的に事前連結または事前接続されていた第１端部または隣接端部あるいは端部に対応するか有する。事前連結再配線構造体は、第２先端部または事前連結再配線構造体の端部は、選択された、カスタマイズされた、対象とされたパッケージサイトまたはパッケージでありえるか、一般的に再配線構造体が対応する端末構造体から著しく遠く離れた内の目的地または（Ｘ，Ｙ）位置に積層または属するように、対応する端末構造体から離れて延長する。よって、事前連結再配線構造体はそれぞれ第１端部と第２端部間に延長する延長ワイヤ構造体を含むか形成し、第１端部は、事前連結再配線構造体（例えば、製造されたままの端末構造体に物理的に接合する）に対応する所定の端末構造体と電気的に事前連結または事前接続される。第２端部は、当業者が理解できる方法で、特定の入出力接合部または半導体ダイのワイヤ・ボンド・パッドがワイヤボンディングによってに選択的に連結可能である。
【００２４】
各初期連結されていない再配線構造体は、初期連結されていない再配線構造体の先端を画定する第１端部部分または第１端部および第２端部部分または第２端部を有する延伸ワイヤ構造体を含むか形成する。初期連結されていない再配線構造体の第１端部は、パッケージサイト内またはパッケージ内の特定または所定の第１位置（Ｘ、Ｙ）に配置または積層され、初期連結されていない再配線構造体の第２端部は、それぞれパッケージサイトまたはパッケージの全体の規模と比べて第１（Ｘ、Ｙ）位置と異なり、離れている、パッケージサイト内またはパッケージ内の特定または所定の第２位置（Ｘ、Ｙ）に配置または積層される。任意の初期連結されていない再配線構造体は、リードキャリア製造工程の際に、初期連結されていない再配線構造体および端末構造体の形成の結果として、パッケージサイトまたはパッケージに対応する端末構造体に事前連結、事前結合または事前接続されていない。初期連結されていない再配線構造体および端末構造体の形成後、第１端部または第２端部あるいは初期連結されていない再配線構造体の全長の特定の区分等の任意の初期連結されていない再配線構造体の一部は、ワイヤボンディングで、パッケージサイトないまたはパッケージ内に特定の端末構造体と選択的または選択可能に結合できる。初期連結されていない再配線構造体の他の部分は、ワイヤボンディングで、半導体ダイの特定のワイヤ・ボンド・パッドと選択的または選択可能に結合できる。
【００２５】
上述のとおり、パッケージサイトまたはパッケージの任意の端末構造体は、端末構造体の表面実装インタフェースが、パッケージサイトまたはパッケージの裏面または下側面にそれぞれ露出しているか画定する。任意の初期連結されていない再配線構造体は、１つ以上の端末構造体（例えば、複数の実施形態における各端末構造体）に平行か同一平面上にある上側面または上面を含む。例えば、事前連結された再配線構造体は、仮支持層（すなわち、端末構造体の上側面）の表面から最も遠い端末構造体の表面にある、この端末構造体の周辺部に対応する端末構造体に平行であり、接続した上側面を有する。  
【００２６】
任意の事前連結または初期接続されていない再配線構造体は、端末構造体の表面実装インターフェイスの上（直接触れない）または仮支持層の上（直接触れない）所定の高さまたはポイント（例えば、適切な中間点）またはその上に１つ以上の端末構造体（例えば、各端末構造体）の垂直範囲、高さ、深さまたは厚さに沿って平行底側面または平行下面もまた含む。よって、再配線構造体は、端末構造体の厚さより薄い厚さしか有さず、配線構造体の底側面または下面は、表面実装インターフェイスまたは端末構造体（対応すると、パッケージサイトまたはパッケージの裏面）の裏面から垂直に補うか分離する。
【００２７】
本発明の複数の実施形態では、電気的に絶縁支持体または支持材料（例えば、所定の誘電定数または所定の誘電定数挙動中において、１つ以上の電気信号周波数および／または温度範囲を有する電気的に絶縁材料）は任意で、仮支持層の表面に積層されるか分散され、少なくとも仮支持層と配線構造体の底側面間の厚さの一部または全部を埋める。ある特定の実施形態では、電気的絶縁層は再配線構造体の底部と仮支持層の間の空間の厚さより大きい厚さを有するので、電気的絶縁層により混載されて支持される再配線構造体の厚さの一部となる。
【００２８】
一実施形態において、電気的絶縁層は、２５％〜９０％の間隙量を含む粒状構造体または粒状材料を含むか形成する。粒状構造体は粒体の粒度およびモフォロジーに対して、成形工程または成形作業中に形成組成物からの樹脂が粒状構造体に浸透するように選択されるか選ばれるので、電気絶縁層を補強する。
【００２９】
本発明の様態によれば、リードキャリアによってパッケージ化された半導体ダイ製造方法は、各パッケージサイトは仮支持層の上の所定の断面領域を備え、ダイ取り付け領域をその中に有し、半導体ダイパッケージが対応するパッケージサイト上に組み立てられた上側面を有する仮支持層を提供する工程（ａ）と、仮支持層の上側面に所定のパターンで焼結材料であるペーストを配置する工程と、１組の端末パッドは、ペーストの所定パターンに基づいてパッケージサイトのダイ取り付け領域の外側に配置され、各端末パッドは上側面と仮支持層に付着する対向する下側面を有する各パッケージサイトに端末パッドを形成するためにペーストを焼結する工程と、各パッケージサイトにおいて、ダイ取り付け領域の仮支持層の上側面に仮粘着層を配置し、半導体ダイの処理基部と仮支持層の上側面の間に挟み込むように仮支持層上にある半導体ダイの処理基部を配置することでパッケージサイトのダイ取り付け領域に半導体ダイを実装する工程と、パッケージサイトにおいて、１組の端末パッド内に半導体ダイの上側面にある１組の入出力端子と各端末パッドの上側面の間に複数のワイヤボンドを選択的に形成する工程と、各パッケージサイトで形成された半導体ダイ、１組の端末パッド、複数のワイヤボンドが成形化合物内にカプセル化されるよう、パッケージサイトの全面に成形化合物を塗布することで成形パッケージサイトの連続シートを形成する工程と、成形パッケージサイトの連続シートから仮支持層を剥離して、成形パッケージサイトの連続シートの半導体ダイの処理基部から仮粘着層を除去する工程と、選択された１組のパッケージの端末パッド内において選択された半導体ダイの処理基部および各端末パッドの下側面を有する各パッケージサイトは、上側面と対向する下側面を備え、電気的に接続された、それぞれが選択された半導体ダイおよび選択された１組の端末パッドを内包する個別パッケージを形成するために成形パッケージサイトの連続シート内にある個々のパッケージサイトをそれぞれ分離する工程とを備える。  
【００３０】
その方法は、さらに、各パッケージサイトにおいて、固定可能なパッケージサイトの半導体ダイはダイ取り付けパッドを提供する工程を回避することを備える。各パッケージサイトでは、仮粘着層は、パッケージサイトに配置された半導体ダイの処理基部よりも仮支持層の上側面に高い粘着度を有する従来のダイ取り付け接続材料を備えることができるかそのものである。
【００３１】
本発明における様態において、成形化合物内にカプセル化され、パッケージ化された半導体ダイを組み立てるためのリードキャリアは、上側面および対向する下側面を有する成形化合物の連続シートであり、成形化合物の連続シートはパッケージサイトのアレイを備え、各パッケージサイトは半導体ダイパッケージに対応し、製造された各パッケージサイトは上側面および成形化合物の連続シートの裏面に露出している、対向する処理基部半導体ダイを含む成形化合物の連続シートと、（例えば、半導体ダイがあるＸＹ軸位置の外側にある、パッケージサイトの特定のＸＹ軸の位置に配置された）１組の端末パッドであり、各端末パッドは、成形化合物の連続シートの下側面に露出した、上側面および対向する下側面を有する１組の端末パッドと、半導体パッドの上側面および各端子パッドの上側面上にある１組の入出力接合部間に形成された複数のワイヤボンドと、各パッケージサイトは半導体ダイが固定されるダイ取り付けパッドを除外する、半導体ダイ、１組の端末パッド、複数のワイヤボンドをカプセル化した硬化成形化合物とを備える。
【００３２】
各再配線構造体は、１つ以上の端末構造体に沿って、その側に、その間および／またはその周囲に配線される。各パッケージサイトは数百もの端末構造体を含むことができ、各パッケージサイトは、端末構造体の周辺部分間に配線された複数の再配線構造体を含むことができる。少なくとも１つの再配線構造体は、延伸ワイヤ構造体の幅よりも大きい幅を有する遠隔端末構造体を一体的に含むことができ、また複数の端末構造体を一体的に含むことも可能である。
【００３３】
各パッケージサイトにおいて、各再配線構造体の上側面は各端末構造体の上面に対して平行である。各再配線構造体の底側面は成形材料の連続シートの裏面に露出していない。さらに、各端末構造体の裏面は、パッケージサイトに対応する半導体ダイパッケージの表面実装接合部を画定する。    
【００３４】
複数のワイヤボンドは、半導体ダイと１組の再配線構造体との間に選択的に形成される第１ワイヤボンドと、半導体ダイと１組の再配線構造体との間に選択的に形成される第２ワイヤボンドとを含む。１組の再配線構造体は少なくとも１つの初期連結されていない再配線構造体を含み、複数のワイヤボンドは１組の端末構造体と少なくとも１つの初期連結されていない再配線構造体との間に形成される第３ワイヤボンドを含む。１組の再配線構造体は少なくとも１つの事前連結された再配線構造体および少なくとも１つの初期連結されていない再配線構造体を含むことができる。
【００３５】
誘電構造体は、内部に成形化合物で満たされた間隙空間を有する粒状材料を含むか形成される。粒状材料は成形化合物が間隙空間を占拠する以前に、２５％〜９０％の間隙空間を内部に含むことができる。  
【００３６】
各パッケージサイトにおいて、誘電構造体は垂直にパッケージサイトの底から各再配線構造体の厚さの留分まで、各再配線構造体の上側面の下まで伸長する。  
【００３７】
製造中に、リードキャリアは、剥離して除去可能な、成形化合物の連続平面シートの下側面および各端末構造体の下側面を支持する上面を有する仮支持層を含む。各端末構造体は周縁部を有し、１組の端末構造体内にある少なくとも１つの端末構造体の周縁部は、端末構造体の上部が端末構造体の低い部分から横にはみ出させる張り出し部を含み、張り出し部は、硬化成形化合物から垂直下方向にずれるのに耐えるよう、硬化成形化合物に連動させる。各パッケージサイトにおいて、各端末構造体が仮支持層の上側面に対する粘着度は  化成形化合物の端末構造体の周縁部の粘着度より低い。
【００３８】
各パッケージサイトは、パッケージサイトに対応するパッケージの表面実装接合部を画定する、半導体ダイの裏面がある上側面と、成形化合物の連続シートの裏面に露出した裏面とを有するダイ固定構造体を含む。    
【００３９】
本発明の様態において、上側面および対向する下側面を有する半導体ダイパッケージは、上側面および対向する下側面を有し、少なくとも１本のワイヤ・ボンド・パッドを上側面に有することを含む半導体ダイと、各端末構造体は焼結材料で形成されており、上側面と、成形化合物の連続シートの裏面に露出している対向する下側面を有する１組の端末構造体と、焼結材料で形成され、第１端部、第１端部とは別の第２端部、上側面、対向する下側面および上側面と下側面の間の厚さを有する延伸ワイヤ構造体を備える各再配線構造体である１組の電流経路再配線構造体であり、その1組の再配線構造体内において、任意の製造された再配線構造体は、（ａ）所定の端末構造体に電気的に事前連結された事前連結再配線構造体または（ｂ）端末構造体から電気的に絶縁された、初期連結されていない再配線構造体のいずれかである１組の電流経路再配線構造体と、少なくとも１つの再配線構造体それぞれの下側面と成形化合物の連続シートの下側面との間のパッケージの低い部分を満たす誘電構造体と、半導体ダイと、１組の端末構造体と、１組の再配線構造体との間に選択的に電気接続を確立する複数のワイヤボンドと、
半導体ダイ、１組の端末構造体、１組の再配線構造体および複数のワイヤボンドをカプセル化する硬化成形化合物であり、各配線構造体の下側面は成形化合物の連続シートから垂直に離れている硬化成形化合物とを備える半導体ダイパッケージである。半導体ダイパッケージは上記のとおり、ダイ固定構造体も備える。さらに、１組の端末パッド、１組の再配線構造体、誘電構造体、複数のワイヤボンドおよび成形化合物は上記に類似しているか同一である。半導体ダイパッケージはクワッド・フラット・ノー・リード（ＱＦＮ）パッケージでありえる。
【００４０】
本発明の様態によれば、リードキャリアによってパッケージ化された半導体ダイ製造方法は、各パッケージサイトは仮支持層の上の所定の断面領域を備え、ダイ取り付け領域をその中に有し、半導体ダイパッケージが対応するパッケージサイト上に組み立てられた上側面を有する仮支持層を提供する工程と、仮支持層の上側面を通して形成され、第１所定パターンを各パッケージサイトにて画定する開口部を有する第１予備形成層と、上記の第１予備形成層上に積層され、形成され、第２所定パターンを各パッケージサイトにて画定する、１組の空洞を含む第２予備形成層とを有する予備形成構造体であり、仮支持層の上側面に予備形成構造体を提供する工程と、仮支持層の上側面に所定のパターンで焼結材料であるペーストを配置する工程と、各パッケージサイトはそれぞれ、
第１所定パターンに対応する１組の端末構造体であり、各端末構造体は、上側面、仮支持層に接着する対向する下側面と、上側面と下側面の間の高さと、第２所定パターンに対応した１組の電流経路再配線構造体を有し、各再配線構造体は、幅、第１端部、別の第２端部、上側面、下側面および上側面と下側面の間の厚さを有する延伸ワイヤ構造体を備え、各配線構造体の下側面は、仮支持層の上側面から離れており、１組の配線構造体内にある任意の再配線構造体は、（ａ）電気的に所定の端末構造体と事前結合された、製造された事前形成再配線構造体または（ｂ）各端末構造体および仮支持層から電気的に絶縁された、製造された初期連結されていない再配線構造体のうち１つを備える各パッケージサイトにて製造されるペーストを焼結する工程とを備えるリードキャリアによってパッケージ化された半導体ダイ製造方法である。
【００４１】
リードキャリアによってパッケージ化された半導体ダイ製造方法は、さらに、仮支持層の上側面と各配線構造体の下側面の間に誘電構造体を配置して提供する工程と、各パッケージサイトにおいて、パッケージサイトの各端末構造体が半導体ダイの周縁部になるように、パッケージサイトの中央領域に半導体ダイを実装する工程と、パッケージサイトにおいて、１組の端末パッド内に半導体ダイの上側面にある１組の入出力端子と各端末パッドの上側面の間に複数のワイヤボンドを選択的に形成する工程と、各パッケージサイトで形成された半導体ダイ、１組の端末パッド、１組の再配線構造体および複数のワイヤボンドが成形化合物内にカプセル化されるよう、パッケージサイトの全面に成形化合物を塗布することで成形パッケージサイトの連続シートを形成する工程と、成形パッケージサイトの連続シートから仮支持層を剥離する工程と、各パッケージサイトは、パッケージサイトの１組の端末構造体の下側面が露出しているためパッケージの表面実装接合部が形成される、上側面と対向する下側面を備え、それぞれが選択された半導体ダイ、１組の端末構造体、１組の再配線構造体および複数のワイヤボンドを内包する個別パッケージを形成するために成形パッケージサイトの連続シート内にある個々のパッケージサイトをそれぞれ分離する工程とを備える。  
【００４２】
複数のワイヤボンドは、半導体ダイと１組の再配線構造体との間に選択的に形成された第１ワイヤボンドと、半導体ダイと１組の再配線構造体との間に形成された第２ワイヤボンドとを備える。複数のワイヤボンドは、さらに１組の端末構造体と少なくとも１つの初期連結されていない再配線構造体との間に選択的に形成された第３ワイヤボンドを備え、１組の再配線構造体は、少なくとも１つの初期連結されていない再配線構造体を備える。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】図１は、ＱＦＮ半導体パッケージの製造で用いられる従来のエッチングされたリードフレームの図である。
【図２】図２は、リードフレームの一つのパッケージサイトまたはパッケージアッセンブリサイトを示す図１のリードフレームの一部の拡大図である。
【図３】図３は、本発明の実施形態における、複数のＱＦＮ型半導体パッケージの生産、組み立てまたは製造に係る本発明の実施形態におけるリードキャリアの図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明の一実施形態におけるリードキャリアに対応する個別のパッケージアッセンブリサイトの拡大図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは本発明の別実施形態におけるリードキャリアに対応する個別のパッケージアッセンブリサイトの拡大図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｈ）は、本発明の実施形態におけるリードキャリアの代表的な製造工程を示す断面図である。
【図６】図６は本発明の実施形態における代表的な事前連結再配線構造体の詳細を示す。
【図７】図７は、パッケージサイトまたはそれにより形成されたパッケージの再配線構造体の下部または場合によっては周囲に垂直に突き出した部分に配置された誘電構造体を備える本発明のリードキャリアの実施形態を示す。
【図８】図８は焼結後および誘電構造体をリードキャリアに塗布した後、ならびにリードキャリアにワイヤボンドを形成する前の、本発明のリードキャリアの代表的実施例を示す断面図である。
【図９】図９は、リードキャリア上に再配線構造体を形成するために二重事前形成構造体が提供される、本発明の実施形態におけるリードキャリアの製造工程のさらなる様態を示す断面概略図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施例におけるダイ固定構造体と端末構造体の例示的な断面形状または端部の概要である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
本発明の様態は、本発明に基づいた特定の例示的な実施形態を示す以下の図面を参照して詳細に記載される。      
【００４５】
図３は、複数の半導体パッケージサイト７０に並べられた、上面または上側面１０１を有する仮支持層、部材、媒体またはキャリア１００を備える本発明の実施形態におけるリードキャリア１０００を示す。図４Ａは、本発明の実施形態における例示的な個別パッケージサイト７０を示す拡大図であり、例示的な個別パッケージサイト７０は、半導体ダイ、集積回路チップまたは他の半導体装置またはマイクロエレクトロニクス装置１１０（例えば、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置）を受け取る構造体であるダイ固定構造体８０に関連した１組の導電性端末構造体９０と、少なくとも１つの導電性第１または事前連結再配線構造体９５とを備える。その再配線構造体９５は、対応する端部構造体９０に電気的に事前結合または事前接続され、端末構造体９０から突き出るか延出した第１端部または先端部と、製造されたときに半導体ダイの上側面に配置された特定のワイヤ・ボンド・パッド１３０に初期は連結または接続されていない、端末構造体９０から離れて配置された第２端部または先端部と、その隣接する端部と先端部との間に延伸する延伸ワイヤ部分とを備える。よって、図４Ａに示すような実施形では、少なくとも１つの事前連結再配線構造体９５は特定の端末構造体９０に対応し、電気的に事前連結し、事前結合し、事前接続されて、突き出るか延出しており、例えば、所定の端末構造体９０は、リードキャリア製造工程中に、この再配線構造体９５とそれに対応する端末構造体９０とは形成されるか統合されて接合される方法により、事前連結再配線構造体９５の隣接する端部は電気的に結合または接続される。パッケージサイト７０の全体的な大きさに対して事前連結再配線構造体に対応できる、事前連結再配線構造体９５の遠心端は端末構造体９０から離れて配置できる。いくつかの実施形態では、１つ以上の事前連結再配線構造体９５は、例えば事前連結再配線構造体９５の遠心端に対応する遠隔端末構造体９６を含む。
【００４６】
上記に加え、事前連結再配線構造体９５は、その全長に沿って延長する上側面および下側面を備える。事前連結再配線構造体９５の上側面は対応する端末構造体９０の上側面と並行または同一平面上にあり、事前連結再配線構造体９５の下側面は仮支持層の上側面１０１上に配置されるので、対応する端末構造体９０の下側面より上になる。（例えば、パッケージサイト７０における各端末構造体９０の下側面より上になる）事前連結再配線構造体９５はしたがって、対応する端末構造体９０と比べて高いか部分的に厚みのある導電性構造体または素材として画定され、それに対応する端末構造体９０と異なり、それは仮支持層１００の上側面１０１と直接接しない。
【００４７】
ワイヤボンドは、当業者がすぐに理解できる方法で、半導体ダイ１１０の上側面に配置された入出力接合部またはワイヤ・ボンド・パッド１３０と、（ａ）端末構造体９０と（ｂ）パッケージサイト７０の遠隔端末構造体９６との間に規則的かつ選択的に形成される。
【００４８】
簡潔にかつ分かりやすく説明すると、図４Ａが示す例示的な実施形態は典型的な実施形態と比べて非常に簡略化されており、パッケージサイト７０は、各ダイ取り付け領域８０を取り囲む４つの端末パッド９０のみを備えて示され、集積回路チップ１１０の上側面は、４つのワイヤ・ボンド・パッド１３０のみを備え、そのうちの３つはパッケージサイト７０の端末構造体９０に直接ワイヤボンドで接続され、そのうちの１つは事前連結再配線構造体９５の遠隔端末構造体９６に直接ワイヤボンドで接続される。
【００４９】
典型的な実施形態では、集積回路チップ１１０は、潜在的には数百個のワイヤ・ボンド・パッド１３０を備えることができると当業者は理解する。関連して、少なくとも１個、潜在的には数百個の端末構造体９０がダイ固定構造体８０の周囲に存在し、実施形態や状況の詳細によっては、１つ以上の事前連結再配線構造体９５が存在する。端子構造体９０は、一般的に複数の列（２列以上）で存在し、ダイ固定構造体８０に最も近い最も内側の列と、ダイ固定構造体８０から最も遠い外側の列と、潜在的に１つまたは複数の、端末構造体９０の最も内側の列と最も外側の列との間の中間列とを備える。事前連結再配線構造体９５および対応する遠隔端末構造体９６は、特定の端末構造体９０の内部、間および／または周りに配線されるか配置される。さらに、いくつかまたは全ての端末構造体９０、事前連結再配線構造体９５および／または遠隔端末構造体９６は、相互および／または図４Ａに示す簡略化された例示的な実施例で示されるダイ固定構造体９０と比べて小さいか大きい。
【００５０】
図４Ｂは本発明の別実施形態におけるリードキャリアに対応する個別のパッケージサイト７０の拡大図である。図４Ｂに示す実施形態では、パッケージサイト７０は半導体ダイ１１０を受け取る構成である１つ以上のダイ固定構造体８０と、ダイ固定構造体８０に関連する導電性端末構造体９０の列と、１組のダイ固定構造体８０に関連する、少なくとも１つの導電性第２配線構造体または初期連結されていない配線構造体９７とを備える。簡潔にかつ分かりやすくするため、図４Ｂは、図４Ａと似た方法で、一般的な実施形態と比べて大幅に簡略化されている。
【００５１】
初期連結されていない再配線構造体９７は、パッケージサイト７０の第１（Ｘ、Ｙ）位置に配置された第１端部と、パッケージサイトの大きさと比べて、第１（Ｘ、Ｙ）位置から離れたパッケージサイト７０の第２（Ｘ、Ｙ）位置に配置された異なる第２端部と初期連結されていない再配線構造体９７の第１端部と第２端部の間に延長した延伸ワイヤ構造体とを備える。初期連結されていない再配線構造体９７はさらに、端末構造体９０の上側面と並行または同一平面上にある上側面と、仮支持層１００の上側面１０１より上に配置され、よって端末構造体９０の下面より上である下側面とを備える。
【００５２】
初期連結されていない再配線構造体物９７の第１端部、初期連結されていない再配線構造体９７の第２端部、それらの間にある延伸ワイヤ構造体のいずれも、選択的または選択可能に初期連結されていない再配線構造体９７と選択されたまたは選択可能な端末構造体９０との間に電気的結合または接続を確立するために、初期連結されていない再配線構造体９７および端末構造体９０の製造後に実行されるワイヤボンディング工程の前は、端末構造体９０には結合または接続されていない。よって、初期連結されていない再配線構造体９７は、パッケージサイトの端末構造体９０または仮支持層１００に電気的に結合または接続されたものではない、製造された高いか一部の厚みのある導電性構造体または素材ではないと画定される。（例えば、製造時に初期連結されていない再配線構造体９７は電気的に浮動構造体または素材として画定される）
【００５３】
ワイヤボンド１２０は、当業者がすぐに理解できる方法で、半導体ダイ１１０の上側面に配置された、選択されたワイヤ・ボンド・パッド１３０と、初期連結されていない再配線構造体９７の一部分との間で形成されるため、この再配線構造体９７は半導体ダイ１１０と電気的に結合、連係、接続される。同様に、ワイヤボンド１２０は、選択された端末構造体９０と、他の初期連結されていない再配線構造体９７の一部分との間で形成されるため、この再配線構造体９７は端末構造体９０と電気的に結合、連係、接続される。
【００５４】
図４Ｂに示すとおり、上述した事前連結再配線構造体９５と同様に、任意の初期連結されていない再配線構造体９７は１つ以上の遠隔端末構造体９６をその上またはそれに沿って含むことができる。例えば、初期連結されていない再配線構造体９７は遠隔端末構造体９６をその第１端部、第２端部および／または第１端部と第２端部間に伸長する延伸ワイヤ構造体の全長に沿った１つ以上の位置を含むことができる。第１ワイヤボンド１２０は、半導体ダイの特定のワイヤ・ボンド・パッド１３０と、任意の初期連結されていない再配線構造体９７の選択された（例えば第１）遠隔端末構造体９６との間で形成されるため、この再配線構造体９７は半導体ダイ１１０と電気的に結合、連係、接続される。第２ワイヤボンド１２０は、選択された端末構造体９０と、任意の初期連結されていない再配線構造体９７の選択された（例えば第２）遠隔端末構造体９６との間で形成されるため、この再配線構造体９７は選択された端末構造体９０と電気的に結合、連係、接続される。    
【００５５】
下記に記載のとおり、ダイ固定構造体８０、端末構造体９０、事前連結再配線構造体９５および／または初期連結されていない再配線構造体９７およびそれに対応する遠隔端末構造体９６はまとめて相互接続構造体とする。様々な実施形態において、相互接続構造体は、超音波熱圧着や表面実装技術（ＳＭＴ）はんだ付け方法に適合する銀等の金属または金属合金（例えば、金属単体、金属合金）を含むことができる。  
【００５６】
相互接続構造体は、第１管理または正確に管理された空間構造体内において、仮支持層１００に懸濁成分を混合、分配または分散させた金属粉末の塗布または配置に関連して形成されて、次に、懸濁成分に金属粉末を保持する仮支持層１００は、（ａ）懸濁成分が分解して分散する、および（ｂ）金属粉末が第２管理または非常に管理された構造体内において高密度塊を有する仮支持層１００に配置されたときに懸濁成分内の金属粉末が示されるか満たされ構成または特徴に関連するか対応する構造体体になるまで焼結するよう十分に加熱される。
【００５７】
焼結後、各パッケージサイト７０において、半導体ダイ１１０、ダイ固定構造体８０、端末構造体９０、再配線構造体９５と９７、遠隔端末構造体９６、ワイヤボンド１２０は、エポキシ樹脂組成物によって格納、カプセル化または埋め込まれるよう、エポキシ樹脂組成物はリードキャリア１０００の全面に塗布または散布される間に成形工程が実行される。成形工程により、成形パッケージサイト７０の連続シート、ストリップまたはアレイは仮支持層１００の上に存在し、仮支持層１００によって支持される。各成形パッケージサイト７０は、少なくとも１つの半導体ダイ１１０に加えて、関連した内部接続構造体および成形化合物に埋め込まれたワイヤボンド１１０を含む。成形パッケージサイト７０のシート、ストリップまたはアレイでは、各パッケージサイト７０は、硬化成形化合物によって隣接するパッケージサイト７０に構造体的に接続されている。よって、少なくとも３つの成形パッケージサイト７０を含む成形シートでは、各成形パッケージサイト７０は、硬化成形化合物７０によって、複数の最も近接した近傍の成形パッケージサイト７０に構造体的に接続されている。
【００５８】
成形化合物が硬化後、仮支持層１００は、成形パッケージサイト７０のシートから剥離され、成形パッケージサイト７０の連続した、独立または不支持シート、ストリップまたはアレイを得る。上記の焼結工程により、ダイ固定構造体８０および端末構造体９０は仮支持層１００がパッケージ製造または組み立て中にはずれたり破損しないよう防ぐために十分に接着するが、成形パッケージサイト７０内にある不支持ストリップにおいて所定の位置にありながら、それらがきれいに仮支持層１００から剥離できるように、仮支持層１００には十分に低い粘着度を有するようにする。
【００５９】
仮支持層１００が剥離された後、ダイ固定構造体８０および端末構造体９０の表面は、半導体ダイ１１０の上側面と端末構造体９０の上側面に対向し、ワイヤボンド１２０は不支持成形パッケージサイト７０のシートまたはストリップの１つの表面上に露出したままで固定され、この不支持成形シートまたはストリップの下側面または裏面として画定される。さらには、成形パッケージサイト７０の支持シートまたはストリップならびに不支持シートまたはストリップにおいて、相互接続構造体（つまり、任意のパッケージサイト７０のダイ固定構造体８０、端末構造体９０、再配線構造体９５と９７および遠隔端末構造体９６）は他のパッケージサイト７０の部品から完全に電気的に絶縁される。  
【００６０】
成形パッケージサイト７０の不支持ストリップは、本明細書を参照すれば当業者がすぐに理解できる方法で、切り離されて（例えば、切断または鋸引き工程により）、各パッケージサイト７０に対応する個別パッケージを得る。
【００６１】
各パッケージサイトにおいて、ダイ固定構造体８０を固定、実装および貼付した半導体ダイ１１０の追加ならびに半導体ダイ１００のワイヤ・ボンド・パッド１３０、端末構造体９０およびダイ固定構造体８０の周囲に並べられた遠隔端末構造体９６の間にワイヤボンド１２０を選択的な確立により、半導体ダイ１１０と相互構造体の電気的結合または接続の形成を完了させる。本発明における従来のリードフレーム１０上に製造されたパッケージとリードキャリア１０００上に製造されたパッケージとの重要な差異は、遠隔端末構造体９６は、再配線構造体９５と９７によって電気的に連結または接合されているので、ワイヤボンド１２０の最適な長さおよび位置合わせを可能にする、端末構造体９０から離れている受信遠隔端末構造体９６においてワイヤボンド１２０を配置できる性能である。
【００６２】
図５（ａ）〜図５（ｈ）は、本発明の実施形態におけるリードキャリア１０００の代表的な製造工程１１００の一部を示す。図５（ａ）〜図５（ｈ）は再配線構造体９５と９７または対応する遠隔端末構造体９６の開発または製造を示さないが、そのような構造体９５、構造体９６、構造体９７は図６〜図９にて詳細に説明されることに留意されたい。
【００６３】
本発明の実施形態に基づくリードフレーム製造工程は、以下の工程またはサブプロセスを含める。
図５（ａ）：仮支持層１００を提供する。
図５（ｂ）：次の構造体、素材または層と仮支持層１００との粘着度を制御するために、インタフェース層またはインターフェイス１５０を形成して仮支持層１００の表面を可能性であれば、または一般的に修正する。
図５（ｃ）：仮予備形成１６０は所定のパターンを有し、各パッケージサイト７０の仮支持層１００上にある端末構造体９０の所望または任意パターンのマイナス面である仮支持層１００上に仮予備形成構造体１６０を提供または塗布する。そのようなパターンは、ダイ固定構造体８０および端末構造体９０が形成される、インターフェイス１５０を露出する開放領域または開口部を含む。
図５（ｄ）：ダイ固定構造体８０と端末構造体９０が形成される仮予備形成構造体の開放領域を流動性材料にある金属粉末（例えば、銀粉末）を含む焼結構造前駆体１８５で充填する。
図５（ｅ）：十分に高温でこれまでに形成された構造体の全体を仮予備形成構造体１６０が除去されるか分解されるように、また、焼結構造前駆体が焼結されて、仮予備形成構造体１６０の開口部の形状を正確に再生産または適合し、各パッケージサイト７０のダイ固定構造体８０および端末構造体９０を形成する輪郭、境界線または縁部を有する高密度塊になるように加熱または加熱処理する。
図５（ｆ）：各パッケージサイト７０において、半導体ダイ１１０をダイ固定構造体８０に固定し、ボンドワイヤ１２０を半導体ダイ１１０上のボンドパッド１３０とダイ固定構造体８０の周囲に配列した特定の端末構造体９０との間に取り付ける。
図５（ｇ）：内蔵された、半導体ダイ１１０、端末構造体９０およびワイヤボンド１２０を有する成形パッケージサイト７０の連続支持シートを形成するために、仮支持層１００上に配列されているすべての部品を成形化合物または樹脂１９０でカプセル化する。
図５（ｈ）：内蔵された、半導体ダイ１１０、端末構造体９０およびワイヤボンド１２０を有する成形パッケージサイト７０の連続した不支持または独立型シートを得て、このシートから仮支持層１００を剥離することによって、成形パッケージサイト７０から仮支持層１００を除去する。
【００６４】
図５（ｈ）での剥離工程の後、成形パッケージサイト７０の連続不支持シートのパッケージサイト７０に対応する半導体ダイ１１０は、各パッケージサイト７０間の所定の境界線に沿って鋸引きで個別化される前に成形パッケージサイト７０の独立型シート内にある間に高速度で試験される。
【００６５】
上記のように、本発明の実施形態に基づくリードフレーム製造方法１１００は、１種類以上の再配線構造体９５と９７および対応する遠隔端末構造体９６を、１つ以上のパッケージサイト７０（例えば、各パッケージサイト７０）内の特定の、選択されたまたはカスタマイズされた位置に形成できる追加工程部分を含む。  
【００６６】
図６は、本発明の実施形態に基づいて、電気的に接続する、対応する再配線構造体９５を有し、そこから離れて伸長する例示的な事前連結端末構造体９０の詳細を示す。各パッケージサイト７０またはパッケージ内において、当業者がすぐに理解できる方法で、端末構造体９０と、パッケージサイト７０パッケージの表面実装インターフェイスを組み込むか形成する下側面または裏面は、プリント回路基板上のはんだ付けパッドと整合するために所定のパターンに配置される。ある端末構造体９０が設ける、従来ではそれらに対応する表面実装インターフェイスであるものから特定のワイヤボンド１２０を移動させることは場合によっては望ましいので、本発明のいくつかの実施例は、特定のターゲットパッケージサイト（ｘ、ｙ）位置に端末構造体９０に関連して配置され、例えば特定の端末構造体９０の隣接、間および／または周囲に配線され（例えば、直線または曲線線分を含む、所定の、選択されたまたはカスタマイズされた配線パターン）、望ましくは、図６に示す方法で１つ以上の方向に配線される、延伸ワイヤ構造体を含みまた形成する再配線構造体９５と９７を提供する。
【００６７】
いくつかの実施形態において、例えば図６が示す方法のように、再配線構造体９５の幅と比較して拡大されたワイヤボンディング領域を提供する再配線構造体９５と９７に対応する遠隔端末構造体９６を形成するように端部分またはその端部等のような再配線構造体９５と９７を拡大するのは望ましい。遠隔端末構造体９６を含めることは、ワイヤボンディングをするときの再配線構造体９５と９７の端部分または端部（例えば、事前連結再配線構造体９５の場合は先端部）を安定させる等の特定の目的のために再配線構造体９５と９７を最適化させることができる。再配線構造体９５と９７は実質的に端末構造体９０より狭い（例えば、実施形態の詳細によっては２５％〜７５％狭い）ので、それが伸長するところから電気的に連結または接続されているので、再配線構造体９５と９７は、他の端末構造体９０および／または再配線構造体９５と９７等の他の導電性構造体間に配線されるようになっている。
【００６８】
再配線構造体物９５と９７は、全体的な垂直範囲、深さまたは厚さという点では同じく端末構造体９０（例えば、電気的に連結または接続された端末構造体９０）より小さいか短いが、仮支持層１００から最も遠い位置にある端末構造体９０の表面から下方向に伸長する、例えば端末構造体９０の上側面から仮支持層１００に向かうが接触はしない。よって、再配線構造体９５と９７の下側面は垂直に仮支持層１００の上側面から離れているので、端末構造体９０の表面実装インターフェイスは再配線構造体９５と９７に電気的に接合または接続されている。したがって、成形工程の際に、成形化合物は剥離によって成形パッケージサイト７０の連続シートと仮支持層１００が相互に離れた後に、再配線構造体９５と９７の下側面と仮支持層１００の上側面との間の空間を埋め、端末構造体９０の表面実装インターフェイスはパッケージサイト７０の不支持連続シートの下側面から見ることができるが、再配線構造体９５と９７は見ることができない。
【００６９】
図７は、端末構造体９０が、仮支持層１００に取り付けされた箇所を除く、図３のパッケージサイト７０の表面の全面を覆うように、仮支持層１００の表面上に散布および分散された誘電構造体９９を含む本発明の実施形態を示し、誘電材料または誘電構造体９９は、（ａ）再配線構造体９５の下側面および仮支持層１００の上面と、（ｂ）端末構造体９０の表面実装インターフェイスとの垂直な溝を埋めて、再配線構造体９５に支持と安定を提供する。図７が事前連結再配線構造体９５を示しているが、当業者は、図７に示された概念は初期連結されていない構造体９５に等しいと理解できる。
【００７０】
誘電構造体９９は概して、粉状材料の個別の粉が隣接粒子と全体の表面領域の小さな割合上で接するようにすることで、誘電構造体９９が例えば２５％〜９０％の開放空間量である、焼結構造前駆体の焼結温度と似た温度で、隣接粒子と焼結接合して組成物を形成する処方された配合物を保持する、Ｓｉ０２またはＡｌ２Ｏ３等の粉状材料を含むかそれに形成される。成形工程中、成形化合物からの樹脂は誘電構造体９９の開放空間量の一部へ流入し、成形化合物と誘電構造体９９との間に強固な結合を生成し、成形化合物に似た性質を有する、さらに全般的に強固な誘電層または誘電材料を生成する。
【００７１】
図８は、焼結後およびリードキャリア１０００に誘電構造体９９を塗布した後、ならびにリードキャリア１０００上にワイヤボンド１２０を形成する前の本発明のリードキャリア１０００の代表的な実施例を示す断面図を示す。本実施形態において、誘電構造体９９は、再配線構造体９５と９７の下側面と仮支持層１００の上側面との間の垂直溝、空間または深さより厚いか深く、それにより、誘電構造体９９の一部は少なくとも  再配線構造体９５と９７の全体的な高さ、深さまたは厚さを囲む。図８は再配線構造体９５と９７の部分的に垂直上方、高さ、深さまたは厚さが伸長する誘電構造体９９を示すが、実施形態の詳細によっては、誘電構造体９９は、再配線構造体９５と９７の下側面と、それに対応した再配線構造体９５と９７の上側面である端末構造体９０の上側面との間の所望、意図、または選択した厚さを有する。
【００７２】
図９は、本発明の実施形態におけるリードキャリアの製造工程１１００のさらなる様態を示す断面概略図であり、リードキャリア１０００は再配線構造体９５と９７を保持または含むために製造される。この実施形態では、複数事前形成構造体または二重事前形成構造体１６２は、２つの異なる予備形成部品から製造され、それらは、１つ目の完全に犠牲的な上位の予備形成構造体１６０と、２つ目の下位予備形成構造体１６５である。下位予備形成構造体１６５は、リードキャリアの端末構造体９０の最終形態（例えば端末構造体成形または製造パターンに基づいた）と端末構造体９０の周縁部または端部の形状（以下に詳細が記載されるが、概して張り出し部またははみだし部を有する）を決定する内部に形成された開口部を含む。端末構造体９０と同じ材料で形成されたダイ固定構造体８０を含む実施形態では、下位予備形成構造体１６５は、リードキャリアのダイ固定構造体８０（以下に詳細が記載されるが、概して張り出し部またははみだし部を有する）の最終構成を決定するか管理する内部に開口部も含む。下位予備形成構造体１６０は、リードキャリアの端末構造体９０の最終形態（例えば端末構造体成形または製造パターンに基づいた）と端末構造体９０の周縁部または端部の形状（以下に詳細が記載されるが、概して張り出し部またははみだし部を有する）と端末構造体９０の周縁部または端部の形状（以下に詳細が記載されるが、概して張り出し部またははみだし部を有する）を再配線構造体９５と９７の最終構成（概して、断面は長方形だが、台形または他種類の断面を有する）を決定するか管理する内部に形成されたくぼみまたはへこみを含む。
【００７３】
多層予備形成構造体１６２が仮支持層１００上に提供された後、複合下位予備形成構造体１６５の開口部と犠牲上位予備形成構造体１６０のくぼみとの間を焼結材料前駆体で埋める。複合下位予備形成構造体１６５は、焼結材料前駆体１８５と同じ温度で焼結する性能で選択された無機材料の粒状物、ならびに、さらに３００℃〜６００℃の温度範囲で揮発してきれいに焼き尽くすので選択された有機マトリックスで形成されるか構成されている。犠牲上位予備形成構造体１６０は、３００℃〜６００℃の温度範囲で揮発してきれいに焼き尽くすので選択された有機材料で形成されるか構成されている。犠牲上位予備形成構造体１６０と下位予備形成構造体１６７の有機マトリックスは、エポキシ材料またはアクリル材料を含むかそれによって形成されている。焼結温度までの工程では、犠牲上位予備形成手段１６０の有機化合物と複合下位予備形成手段１６５は、焼結温度より低い温度で揮発して除去され、複合下位予備形成手段１６５が焼結および濃縮されてリードキャリアの誘電構造体９９を形成する間、焼結温度では焼結材料前駆体は順次焼結および濃縮されて、リードキャリア１０００のダイ固定構造体８０、端末構造体９０、再配線構造体９５と９７を形成する。
【００７４】
ダイ固定構造体８０、端末構造体９０および再配線構造体９５と９７の形成後、当業者には理解できる方法で、焼結工程によって半導体ダイ１１０はダイ固定構造体８０に固定され、ワイヤボンド１２０は、各半導体ダイ１１０、特定の端末構造体９０および再配線構造体９５（例えば、再配線構造体９５と９７の遠隔端末構造体９６）に電気的に接続されて選択的に形成される。
【００７５】
図１０は、本発明の実施例におけるダイ固定構造体８０と端末構造体９０の例示的な断面形状または端部の概要であり、その形状または端部の概要はそのパッケージ部品を成形化合物または樹脂カプセル材料に機械的に合わせる。さらに具体的には、その形状または端部の概要は、そのパッケージ部品が垂直にそれが存在するパッケージから分離することに抵抗して防止するために硬化成形化合物と構造体的に係合して、張り出し部またははみだし部を含むか確立する。実施形態の詳細によっては、パッケージ部品２００はＴ構造体またはマッシュルーム構造体に対応する断面形状または端部の概要を有し、かつ／またはパッケージ部品２１０は、逆錐台断面形状を有する。どちらにせよ、パッケージ部品２００と２１０の最大表面は、対向して仮支持層１００に接触しない表面上である。
【００７６】
本発明の特定の様態は、パッケージ部品は犠牲キャリア上に配列されているという点で米国特許第７１８７０７２号明細書（Ｆｕｋｕｔｏｍｉら）に記載の電気めっきリードキャリアと多少類似している。しかし、Ｆｕｋｕｔｏｍｉらと比較して、パッケージ部品を電気めっきして形成する代わりに、パッケージ部品は、焼結可能なペーストを仮支持層１００上に積層することによって製造され、そのペーストは金属粉末および揮発性または可燃性の流体物を含む。仮支持層１００と精密に積層されたペーストは、ペースト内で高密度に粉末金属を十分に焼結させられる温度で加熱されることで、対応する所定パターンに基づいた特定のタイプのパッケージ部品を形成する。この熱処理中に焼結金属成分は、パッケージ組み立て工程中に次工程でずれや損害を防ぐために十分な粘着力で仮支持層１００に付着するが、十分に弱いボンディングは仮支持層１００を成形パッケージサイト７０の連続シートからきれいに剥離することができ、すべての部品が成形パッケージ７０の連続シートの成形化合物内に確実に混載する
【００７７】
仮支持層１００は、パッケージ部品を形成するのに用いる金属粉末の焼結に必要な温度または温度範囲で安定する材料を含むかそれで形成されている。一実施形態おいて、仮支持層１００は、クロムを１５％〜２５％、ニッケルを０％〜２５％を含む鉄合金かそれで形成されている。この鉄合金は銀または銀合金を含むかそれで形成されたパッケージ部品に非常に適している。金合金は、鉄合金と同じく仮支持層１００に非常に適しているが、いくつか望ましくない性質を有する金／鉄合金の形成には特別な配慮が必要であるが、パッケージ部品として他の正式な材料と組み合わせたときには、他の金属または金属合金、セラミック、あるいは複合材料は仮支持層１００を形成するときに含めるのは実用的である。  
【００７８】
一実施形態おいて、パッケージ部品は、パラジウムを２％〜２５％、金、他のプラチナ族金属を含む銀または銀合金かそれで形成されている。銀または銀合金は、平均粒径が１ミクロン〜２５ミクロンの粉として提供され、液体と混合してペーストに合成されます。それにより歯磨き粉やピーナッツバターに似た粘稠度の懸濁となる。その液体は水または炭化水素を基礎にしており、また、積層工程を最適化するために懸濁の流動学を改変し、焼結工程前に、処理の頑強さを提供するため一時的な硬化を容易にする添加物を内包する。
【００７９】
すべてのパッケージ部品をカプセル化するのに用いる成形化合物は、基礎となる仮支持層１００（例えば一般的には金属から形成される）からきれいに解放するよう作られるので、それと金属パッケージ部品との粘着度も同じく低くなる。金属パッケージ部品と成形化合物との間の限られた粘着度は、仮支持層１００から成形化合物のストリップを剥離する工程中に、パッケージ部品を硬化成形化合物から取り出されるのに抵抗する成形化合物に機械的に合わせることを要求する。
【００８０】
一実施形態において、パッケージ部品を形成するために金属が充填されたペーストを積層する工程は、シルクスクリーンやステンシル印刷等の印刷工程によってなされる。
構造体に直接印刷する問題点は、部品の最終形態は、仮支持層１００に付着したより大きい領域またはより大きい直径基礎（つまり、対向するより小さい上位基礎は仮支持層１００から離れて配置される）と、それに対抗する、成形化合物に機械的に合わせることができる構造体の反対である、仮支持層１００から最も遠い位置に配置される、より小さい領域またはより小さい直径基礎）を有する柱筒になる傾向があることである。
【００８１】
よって、本発明の多様な実施形態は、所望のパッケージ部品のパターンに否定的なパターンで仮支持層１００上に積層された犠牲材料の層を用いている。犠牲層は基本的には、パッケージ部品を形成する、金属ペーストで埋められる開口部、開口または孔の列である。仮支持層１００に接触しているより小さい領域またはより小さい直径基礎を有する要求された柱筒は、パッケージ部品のネガ型形状を犠牲層に印刷して、ネガ型形状を金属ペーストで充填させることで容易に作成できる。または、犠牲層はマッシュルームまたは類似物に似た形状の断面を有するパッケージ部品を作成させることで、形成することができる。
【００８２】
他の実施形態では、成形化合物をパッケージ部品に機械的に動かないよう留める必要な形状を有する犠牲増を作成するのは、ＳＵ８フォトレジスト等の液体フォトレジストの使用を要する。そのフォトレジストは、スピンコートやカーテン塗布等の従来の技術にて仮支持層１００上に積層された後、電子機器業界では一般的な方法を用いて転写して現像される。フォトレジストにマッシュルームまたは類似の形状がマッシュルーム形状の茎に対応する所望の大きさを有する孔のあるフォトレジストの第１層を転写して現像することにより作成され、次にフォトレジストの第１層をフォトレジストの第２層でコーティングし、マッシュルームの傘に対応する所望の大きさを有する孔のある第２層を転写して現像する。傘の第２層パターンは位置調整されているので、すべての傘はそれぞれの茎に対して同軸である。
【００８３】
液体フォトレジストは、拡散光源でフォトレジストを転写することで所望の柱筒形状を形成することもできる。そのような露光は、現像されたフォトレジストがフォトレジストに接しているフォトマスクの不透明部分の端部からフォトレジストが仮支持層１００に接している箇所まで、仮支持層１００上のフォトマスクの突き出た部分の内部までフォトレジストの表面に垂直な光線と比較して入射光の最大角度に決定された量によって傾斜するように、フォトマスクの不透明な部分の下にあるフォトレジストを露光する。デュポン社およびローム・アンド・ハース社から提供されるようなネガ型ドライフィルムフォトレジストは、上記の方法のいずれでもフォトレジストを基礎にした柱筒形状の製造に用いることができる。
【００８４】
金属パッケージ部品と仮支持層１００の粘着度の管理は重要である。一実施形態においては、仮支持層１００は、一般的にステンレス鋼と呼ばれる鉄とクロムの合金および銀ペーストにより提供された焼結銀を含むかそれにより形成されたパッケージ部品を含むかそれで形成される。その構造体が銀を高密度に焼結する空気内で加熱された場合、銀ペーストは仮支持層１００に直接接触するので、鉄合金と冶金結合を形成して、所望するよりもさらに強く仮支持層１００に接着するその銀を形成する。銀が仮支持層１００に溶接するのを防止するため、と仮支持層１００と銀の間にインターフェイス層を形成することが必要である。銀は適当な密度に焼結するには約８５０℃以上になればよいので、インターフェイス層は有機材料にはできない。
【００８５】
仮支持層１００内またはそのものとして鉄／クロム合金を用いる利点の１つは、酸素にさらされるとすぐにクロムが酸化物層を形成する点である。この酸化物層は、銀を焼結するのに十分な温度で銀をステンレス鋼に溶接するのを防ぐのに十分ではないが、この酸化物層は、８５０℃〜９００℃の温度を有する酸化空気中での熱処理によって強化される。
【００８６】
本発明は、本発明の好適な実施形態および本発明を実践する最良の態様を明らかにするために提供されている。本発明をこのように説明したものの、本発明の開示の範囲および趣旨から逸脱することなく、好適な実施形態に様々な異なる修正を施すことができることは明白な筈である。
【図１】
2018518827.tif 000003
【図２】
2018518827.tif 000004
【図３】
2018518827.tif 000005
【図４Ａ】
2018518827.tif 000006
【図４Ｂ】
2018518827.tif 000007
【図５（ａ）】
2018518827.tif 000008
【図５（ｂ）】
2018518827.tif 000009
【図５（ｃ）】
2018518827.tif 000010
【図５（ｄ）】
2018518827.tif 000011
【図５（ｅ）】
2018518827.tif 000012
【図５（ｆ）】
2018518827.tif 000013
【図５（ｇ）】
2018518827.tif 000014
【図５（ｈ）】
2018518827.tif 000015
【図６】
2018518827.tif 000016
【図７】
2018518827.tif 000017
【図８】
2018518827.tif 000018
【図９】
2018518827.tif 000019
【図１０】
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【国際調査報告】
2018518827.tif 000021
2018518827.tif 000022