(57)【要約】  式（Ｉ）：Ｍ（Ｌ１）ｘ（Ｌ２）ｙ（Ｉ）の金属錯体であって、式中、Ｍは第２列または第３列遷移金属であり、Ｌ１は存在するごとに独立して発光配位子であり、Ｌ２は補助配位子であり、ｘは少なくとも１であり、ｙは少なくとも１であり、各Ｌ１は式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）：【化１】2018527300.tif 000060の基であり、式中、Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立してＨまたは置換基であり、ただし少なくとも１つのＬ１のＲ３、Ｒ５およびＲ９の少なくとも１つが式−（Ａｒ）ｐ（式中、Ａｒは存在するごとに、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｐは少なくとも２である）の基である、金属錯体。【選択図】なし
2018527300.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：Ｍ（Ｌ１）ｘ（Ｌ２）ｙ（Ｉ）の金属錯体であって、
式中、
Ｍは第２列または第３列遷移金属であり、
Ｌ１は存在するごとに独立して発光配位子であり、
Ｌ２は補助配位子であり、
ｘは少なくとも１であり、
ｙは少なくとも１であり、
各Ｌ１は式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）：
【化１】
2018527300.tif 000057
の基であり、
式中、Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立してＨまたは置換基であり、ただし少なくとも１つのＬ１のＲ３、Ｒ５およびＲ９の少なくとも１つが式−（Ａｒ）ｐ（式中、Ａｒは存在するごとに、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｐは少なくとも２である）の基である、金属錯体。
【請求項２】
ｘが２である、請求項１に記載の金属錯体。
【請求項３】
式（Ｉ）の前記化合物が、式（Ｉａ）：
【化２】
2018527300.tif 000058
を有する、請求項２に記載の金属錯体。
【請求項４】
各配位子Ｌ１が、式−（Ａｒ）ｐの少なくとも１つの置換基で置換されている、請求項２または３に記載の金属錯体。
【請求項５】
前記２つの配位子Ｌ１が同じである、請求項４に記載の金属錯体。
【請求項６】
少なくとも１つの配位子Ｌ１のＲ３のみが置換基−（Ａｒ）ｐである、請求項１〜５のいずれかに記載の金属錯体。
【請求項７】
ｙが１である、請求項１〜６のいずれかに記載の金属錯体。
【請求項８】
前記または各Ｌ２が、独立して二座配位子である、請求項１〜７のいずれかに記載の金属錯体。
【請求項９】
前記または各Ｌ２が、Ｎ，Ｎ−キレート配位子、Ｎ，Ｏ−−キレート配位子、およびＯ，Ｏ−−キレート配位子からなる群から独立して選択される、請求項８に記載の金属錯体。
【請求項１０】
Ｍがイリジウムである、請求項１〜９のいずれかに記載の金属錯体。
【請求項１１】
各Ａｒが、独立して、炭素原子および窒素原子の非置換もしくは置換フェニルまたは非置換もしくは置換ヘテロアリールである、請求項１〜１０のいずれかに記載の金属錯体。
【請求項１２】
前記または各配位子Ｌ１の唯一の置換基または複数の置換基が、式−（Ａｒ）ｐの置換基である、請求項１〜１１のいずれかに記載の金属錯体。
【請求項１３】
Ａｒが、非置換または１つ以上の置換基で置換されたフェニルである、請求項１〜１２のいずれかに記載の金属錯体。
【請求項１４】
−（Ａｒ）ｐが、式：
【化３】
2018527300.tif 000059
の基であり、
式中、各フェニルは、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換され、Ｒ１２はＨまたは置換基である、請求項１３に記載の金属錯体。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の金属錯体およびホストを含む、組成物。
【請求項１６】
前記ホストがポリマーである、請求項１５に記載の組成物。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載の組成物および少なくとも１つの溶媒を含む、配合物。
【請求項１８】
アノード、カソードおよび請求項１５または１６に記載の組成物を含む前記アノードと前記カソードとの間の発光層を含む、有機発光素子。
【請求項１９】
請求項１７に記載の前記配合物を、前記アノードおよび前記カソードの一方の上に堆積させるステップと、
前記少なくとも１つの溶媒を蒸発させ、前記発光層を形成するステップと、
前記発光層上に前記アノードおよびカソードの他方を形成するステップと、
を含む、請求項１８に記載の素子を形成する方法。
【請求項２０】
式（Ｉ）：Ｍ（Ｌ１）ｘ（Ｌ２）ｙ  （Ｉ）の金属錯体であって、
式中、
Ｍは第２列または第３列遷移金属であり、
Ｌ１は存在するごとに独立して発光配位子であり、
Ｌ２は補助配位子であり、
ｘは少なくとも１であり、
ｙは少なくとも１であり、
少なくとも１つのＬ１は、式−（Ａｒ）ｐ（式中、Ａｒは存在するごとに、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｐは少なくとも２である）の少なくとも１つの基で置換され、
前記金属錯体の遷移双極子モーメントベクトルと少なくとも１つのＬ１−（Ａｒ）ｐ結合の結合ベクトルとの間の角度が１５°未満である、金属錯体。
【請求項２１】
式（Ｉ）：Ｍ（Ｌ１）ｘ（Ｌ２）ｙ（Ｉ）の金属錯体であって、
式中、
Ｍは第２列または第３列遷移金属であり、
Ｌ１は存在するごとに独立して発光配位子であり、
Ｌ２は補助配位子であり、
ｘは少なくとも１であり、
ｙは少なくとも１であり、
少なくとも１つのＬ１は式−（Ａｒ）ｐ（式中、Ａｒは存在するごとに、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｐは少なくとも２である）の少なくとも１つの基で置換され、その結果、前記金属錯体のａ：ｂ比は少なくとも３：１であり、ａは前記錯体の遷移双極子モーメントと平行な方向における前記錯体の大きさであり、ｂは前記錯体の前記遷移双極子モーメントに垂直な任意の方向における前記錯体の大きさである、金属錯体。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
活性有機材料を含む電子素子は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機光応答性素子（特に、有機光起電性素子および有機光センサ）、有機トランジスタならびに記憶配列素子などの素子において使用するために、注目を集めている。活性有機材料を含む素子は、軽量、低消費電力および可撓性などの利点をもたらす。さらに、可溶性有機材料の使用により、素子製造において、例えば、インクジェット印刷またはスピンコーティングなどの溶液処理が可能となる。
【０００２】
ＯＬＥＤは、アノード、カソードおよびアノードとカソードとの間に１つ以上の有機発光層を含む。アノードとカソードとの間には、例えば、電荷輸送層などの非発光層が設けられてよい。
【０００３】
素子の動作時には、アノードから素子に正孔が注入され、カソードから電子が注入される。発光材料の最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）における正孔と最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）における電子とが結合し、そのエネルギーを光として放射する励起子を形成する。
【０００４】
発光材料としては、小分子、ポリマー材料およびデンドリマー材料が挙げられる。蛍光発光ポリマーとしては、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）などのポリ（アリーレンビニレン）およびポリフルオレンなどのポリアリーレンが挙げられる。
【０００５】
発光ドーパント、例えば蛍光性または燐光性ドーパントは、電荷輸送ホスト材料と共に使用されてよい。
【０００６】
ＯＬＥＤ内で生成される光のかなりの部分は、素子内部で反射するか吸収され、素子の外部量子効率を制限することがある。
【０００７】
Ｋｉｍ  ｅｔ  ａｌ，Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２６（２３），３８４４−３８４７，２０１４”Ｈｉｇｈｌｙ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅｓ  ｗｉｔｈ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ  Ｅｍｉｔｔｅｒｓ  Ｈａｖｉｎｇ  Ｈｉｇｈ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｙｉｅｌｄ  ａｎｄ  Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ  Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  Ｄｉｐｏｌｅ  Ｍｏｍｅｎｔｓ”は、水平方向に好ましい双極子配向を有するヘテロレプティックイリジウム錯体を開示している。
【０００８】
米国特許第８８０９８４１号は、発光中心材料の遷移双極子モーメントが基板の上面と平行であり、ホスト材料の遷移双極子モーメントが基板の上面と平行である素子を開示している。
【０００９】
Ｋｏｚｈｅｖｎｉｋｏｖ  ｅｔ  ａｌ，Ｃｈｅｍ．  Ｍａｔｅｒ．，２０１３，２５（１１），ｐｐ２３５２−２３５８は、式： 
【化１】
2018527300.tif 000003
【００１０】
の化合物１および５を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】米国特許第８８０９８４１号
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】Ｋｉｍ  ｅｔ  ａｌ，Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２６（２３），３８４４−３８４７，２０１４“Ｈｉｇｈｌｙ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅｓ  ｗｉｔｈ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ  Ｅｍｉｔｔｅｒｓ  Ｈａｖｉｎｇ  Ｈｉｇｈ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｙｉｅｌｄ  ａｎｄ  Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ  Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  Ｄｉｐｏｌｅ  Ｍｏｍｅｎｔｓ
【非特許文献２】Ｋｏｚｈｅｖｎｉｋｏｖ  ｅｔ  ａｌ，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，２０１３，２５（１１），ｐｐ  ２３５２−２３５８  本発明の目的は、有機発光素子の効率を改善することである。
【発明の概要】
【００１３】
第１の態様では、本発明は、式（Ｉ）：Ｍ（Ｌ１）ｘ（Ｌ２）ｙの金属錯体を提供し、
式中、
Ｍは第２列または第３列遷移金属であり、
Ｌ１は存在するごとに独立して発光配位子であり、
Ｌ２は補助配位子であり、
ｘは少なくとも１であり、
ｙは少なくとも１であり、
各Ｌ１は式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）：
【化２】
2018527300.tif 000004
【００１４】
の基であり、
式中、Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立してＨまたは置換基であり、ただし少なくとも１つのＬ１のＲ３、Ｒ５およびＲ９の少なくとも１つが式−（Ａｒ）ｐ（式中、Ａｒは存在するごとに、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｐは少なくとも２である）の基である。
【００１５】
第２の態様では、本発明は、式（Ｉ）：Ｍ（Ｌ１）ｘ（Ｌ２）ｙの金属錯体を提供し、
式中、
Ｍは第２列または第３列遷移金属であり、
Ｌ１は存在するごとに独立して発光配位子であり、
Ｌ２は補助配位子であり、
ｘは少なくとも１であり、
ｙは少なくとも１であり、
少なくとも１つのＬ１は式−（Ａｒ）ｐ（式中、Ａｒは存在するごとに、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｐは少なくとも２である）の少なくとも１つの基で置換され、
金属錯体の遷移双極子モーメントベクトルと少なくとも１つのＬ１−（Ａｒ）ｐ結合の結合ベクトルとの間の角度が１５°未満である。
【００１６】
第３の態様では、本発明は、式（Ｉ）：Ｍ（Ｌ１）ｘ（Ｌ２）ｙの金属錯体を提供し、
式中、
Ｍは第２列または第３列遷移金属であり、
Ｌ１は存在するごとに独立して発光配位子であり、
Ｌ２は補助配位子であり、
ｘは少なくとも１であり、
ｙは少なくとも１であり、
少なくとも１つのＬ１は式−（Ａｒ）ｐ（式中、Ａｒは存在するごとに、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｐは少なくとも２である）の少なくとも１つの基で置換され、その結果、金属錯体のａ：ｂ比は少なくとも３：１であり、ａは錯体の遷移双極子モーメントと平行な方向における錯体の大きさであり、ｂは錯体の遷移双極子モーメントに垂直な任意の方向における錯体の大きさである。
【００１７】
第４の態様では、本発明は、第１、第２または第３の態様による金属錯体およびホストを含む組成物を提供する。
【００１８】
第５の態様では、本発明は、第４の態様による組成物および少なくとも１つの溶媒を含む配合物を提供する。
【００１９】
第６の態様では、本発明は、アノード、カソードおよび第５の態様による組成物を含むアノードとカソードとの間の発光層を含む有機発光素子を提供する。
【００２０】
第７の態様では、本発明は、第６の態様による素子を形成する方法を提供し、該方法は、第５の態様の配合物をアノードおよびカソードの一方の上に堆積させるステップと、少なくとも１つの溶媒を蒸発させ、発光層を形成するステップと、発光層上にアノードおよびカソードの他方を形成するステップとを含む。
【００２１】
第８の態様において、本発明は、式（ＸＩＩＩａ）または（ＸＩＩＩｂ）：
【化３】
2018527300.tif 000005
【００２２】
の発光繰り返し単位を含む発光ポリマーを提供し、
式中、Ｍは金属、好ましくは遷移金属であり、式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８およびＲ１０は、それぞれ独立してＨまたは置換基であり、Ｌ２は、式（Ｉ）の錯体に関して記載されるように配位子であり、ｎは、１または２である。Ｌ２は、式（ＸＩＩＩａ）または（ＸＩＩＩｂ）の配位子とは異なる。好ましくは、ｎは１である。
【００２３】
好ましくは、Ｍは、式（Ｉ）の錯体に関して記載されるとおりである。イリジウム（ＩＩＩ）が特に好ましい。
【００２４】
好ましくは、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８およびＲ１０は、それぞれ独立して、式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）の配位子に関して記載されるとおりである。
【００２５】
式（ＸＩＩＩａ）または（ＸＩＩＩｂ）の繰り返し単位は、隣接する共繰り返し単位に直接結合されてよく、またはそこから離間されてよく、式（ＸＩＩＩａ−ｍ）および（ＸＩＩＩｂ−ｍ）に関して記載されるように、式（Ａｒ４）ｚの基によって離間されていてもよい。
【００２６】
第９の態様では、本発明は、アノード、カソードおよびアノードとカソードとの間の発光層を含む有機発光素子を提供し、発光層は第８の態様によるポリマーを含む。
【００２７】
第１０の態様では、本発明は、式（ＸＩＩＩａ−ｍ）または（ＸＩＩＩｂ−ｍ）：
【化４】
2018527300.tif 000006
【化５】
2018527300.tif 000007
【００２８】
のモノマーを提供し、
式中、Ｍ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８およびＲ１０、ｎおよびＬ２は、式（ＸＩＩＩａ）および（ＸＩＩＩｂ）の繰り返し単位に関して記載されるとおりであり、ＬＧは脱離基であり、Ａｒ４はアリールまたはヘテロアリール基であり、ｚは０、１、２または３である。
【００２９】
好ましくは、ＬＧは存在するごとに、ハロゲン、ボロン酸およびそのエステル、ならびにスルホン酸およびそのエステル、より好ましくは、臭素、ヨウ素、ボロン酸またはボロン酸エステルから選択される。
【００３０】
Ａｒ４は、好ましくは、非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上のＣ１〜１２アルキル基で置換されていてもよい１，４−連結フェニレンであり、１つ以上の非隣接Ｃ原子は、Ｏ、Ｓ、ＣＯまたはＣＯＯによって置換されていてもよい。ｚは好ましくは０または１である。Ａｒ４の２つ以上の置換基とＡｒ４が連結して、非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上のＣ１〜１２アルキル基で置換されていてもよい縮合芳香族基を形成してよく、１つ以上の非隣接Ｃ原子はＯ、Ｓ、ＣＯまたはＣＯＯによって置換されていてもよい。
【００３１】
第１１の態様では、本発明は、ポリマーを形成する方法を提供し、該方法は、第１０の態様によるモノマーを重合するステップを含む。好ましくは、第１０の態様によるモノマーは、１つ以上のコモノマーと共重合して１つ以上の共繰り返し単位を形成する。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
本発明を、図面を参照してより詳細に説明する。図中、
【図１】本発明の一実施形態によるＯＬＥＤの概略図である。
【図２】本発明の一実施形態による化合物を示す。
【図３】本発明の一実施形態によるさらなる化合物を示す。
【図４】本発明の一実施形態による素子および比較素子の外部量子効率のグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
図１を参照すると、本発明の一実施形態によるＯＬＥＤ１００は、アノード１０１、カソード１０５およびアノードとカソードとの間の発光層１０３を有する。素子は、ガラスまたはプラスチック基板であってよい基板１０７上に支持される。
【００３４】
１つ以上のさらなる層を、アノードとカソードとの間に設けてよい。さらなる層が、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、電子輸送層および電子ブロッキング層の１つ以上から選択されていてもよい。
【００３５】
例示的なＯＬＥＤ層構造としては、以下が挙げられる。
【００３６】
アノード／発光層／カソード
アノード／正孔輸送層／発光層／カソード
アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／カソード
アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／カソード。
【００３７】
好ましくは、アノードと発光層との間に正孔注入層が存在する。
【００３８】
好ましくは、アノードと発光層との間に正孔輸送層が存在する。
【００３９】
好ましくは、正孔注入層および正孔輸送層の両方が存在する。
【００４０】
一実施形態では、実質的にすべての光が発光層１０３から放射される。他の実施形態では、発光層１０３に加え、１つ以上のさらなる層が発光してよい。正孔輸送層および電子輸送層の一方は、発光材料を含んでいてもよく、使用時に発光してもよい。
【００４１】
発光層１０３は、ホスト材料およびヘテロレプティック燐光性金属錯体を含み、金属錯体の配位子の上記または各置換基Ｘは、少なくとも１つの置換基Ｘが金属錯体のＳ１遷移双極子モーメントと整列するように選択される。発光層１０３は、ホスト材料および金属錯体から構成されるか、または１つ以上のさらなる材料を含んでいてもよく、１つ以上のさらなる発光材料を含んでいてもよい。
【００４２】
本明細書で使用する場合「ヘテロレプティック」とは、燐光性金属錯体の配位子が、異なる配位基を有する少なくとも２つの配位子を含むことを意味する。
【００４３】
本明細書で使用する場合「Ｓ１遷移双極子モーメントと整列した」は、少なくとも１つの置換基Ｘが、Ｓ１遷移双極子モーメントベクトルと配位子−Ｘ結合との間の角度が１５°以下であるか、１０°以下であってよく、５°以下であってよく、０であってよいように配位子で置換されることを意味する。
【００４４】
本明細書で使用する場合、「発光配位子」は、例えばＭＬＣＴによって金属錯体の最低一重項励起状態（Ｓ１）に寄与する分子軌道を有する配位子を意味する。
【００４５】
本明細書で使用する場合「補助配位子」は、例えばＭＬＣＴによって金属錯体の最低一重項励起状態（Ｓ１）に寄与しない分子軌道を有する配位子を意味する。
【００４６】
ヘテロレプティック燐光性金属錯体は、限定されないが、赤色、緑色または青色発光材料であってよい。
【００４７】
青色発光材料は、４００〜４９０ｎｍの範囲内にピークを有するフォトルミネッセンススペクトルを有してよい。
【００４８】
緑色発光材料は、４９０ｎｍ超〜最大で５８０ｎｍの範囲内にピークを有するフォトルミネッセンススペクトルを有してよい。
【００４９】
赤色発光材料は、そのフォトルミネッセンススペクトルに５８０ｎｍ超〜最大で６５０ｎｍ、好ましくは６００〜６３０ｎｍのピークを有していてもよい。
【００５０】
発光材料のフォトルミネッセンススペクトルは、ＰＭＭＡ膜の材料５重量％を石英基板上に流し込んで０．３〜０．４の透過率値を達成し、Ｈａｍａｍａｔｓｕ製の装置Ｃ９９２０−０２を使用して窒素環境下で測定することによって測定してよい。
【００５１】
式（Ｉ）の金属錯体は、ＯＬＥＤが使用される場合に一緒になって白色光を生成する、１つ以上のさらなる発光材料を有してもよい。白色発光ＯＬＥＤは、２５００〜９０００Ｋの範囲内の温度で黒体によって放射されるＣＩＥｘ座標と等しいＣＩＥｘ座標、および黒体によって放射される上記光のＣＩＥｙ座標の０．０５または０．０２５以内のＣＩＥｙ座標を有していてもよく、２７００〜６０００Ｋの範囲内の温度で黒体によって放射されるＣＩＥｘ座標と等しいＣＩＥｘ座標を有していてもよい。
【００５２】
さらなる発光材料は、発光層１０３および／または素子の別の層もしくは他の層に提供されてよい。さらなる発光材料は、蛍光性または燐光性であってよい。
【００５３】
本発明者らは、本明細書に記載の燐光性金属錯体を素子の発光材料として使用することによって、高外部量子効率を有するＯＬＥＤが得られることを見出した。いかなる理論にも束縛されるものではないが、Ｓ１遷移双極子モーメントと整列される置換基Ｘを提供することにより、金属錯体のＳ１遷移双極子モーメントが、燐光性金属錯体がその上に堆積させられる表面の平面と整列すると考えられる。好ましくは、発光層は、０．８５未満、好ましくは０．５０または０．４０未満の異方性因子αを有する膜である。
【００５４】
好ましくは、式（Ｉ）の錯体は、八面体構造を有する。
【００５５】
式Ａの化合物は、本発明の一実施形態による金属錯体：
【化６】
2018527300.tif 000008
【００５６】
を例示する。
【００５７】
本明細書に記載の量子化学モデリングにより決定されるＳ１遷移双極子モーメントは、式（Ａ）のＩｒ−Ｎ結合と平行に伸びる。式Ａの配位子−Ｘ結合と遷移双極子モーメントは、実質的に平行である。以下に図示する錯体（Ｂ）および（Ｃ）：
【化７】
2018527300.tif 000009
【００５８】
についても同様である。
【００５９】
少なくとも１つの置換基Ｘが、遷移双極子モーメントと整列される。
【００６０】
式（Ｉ）のｘが２である場合、金属−Ｎ結合は好ましくは平行である。式Ａ、ＢおよびＣに関して、ａｃａｃ配位子をさらなるフェニルピリジン配位子で置換することにより、錯体の他のＩｒ−Ｎ結合と平行ではないＩｒ−Ｎ結合を有する錯体が生成される。
【００６１】
式（Ｉ）のＭは、第２列および第３列のｄブロック元素、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金および金から選択されてよい。イリジウムが特に好ましい。
【００６２】
式（Ｉ）の化合物の上記または各Ｌ１は、式（ＩＩａ）または（ＩＩｂ）：
【化８】
2018527300.tif 000010
【００６３】
の配位子から選択されてよく、
式中、Ｒ１〜１０は、Ｈ、置換基ＸまたはＸ以外の置換基からそれぞれ独立して選択され、
（ａ）金属錯体は式ＭＬ１（Ｌ２）２を有し、式中、Ｒ３、Ｒ５およびＲ９の１つ、２つもしくはそれ以上は置換基Ｘであり、または
（ｂ）金属錯体は式Ｍ（Ｌ１）２Ｌ２を有し、式中、１つのＬ１のＲ３、Ｒ５およびＲ９の１つ、２つもしくはそれ以上は置換基Ｘであり、他のＬ１のＲ１〜Ｒ１０の１つ以上は置換基Ｘである。
【００６４】
好ましくは、化合物は、式Ｍ（Ｌ１）２Ｌ２を有し、Ｒ３のみが式Ｘの基である。
【００６５】
１つ超の配位子Ｌ１が存在する場合、基Ｘの置換は、異なる配位子Ｌ１において同一でも異なっていてもよい。
【００６６】
好ましくは、各配位子Ｌ１は、合成の容易さについて同じである。
【００６７】
置換基Ｘではない基Ｒ１〜Ｒ１０は、好ましくはＨ、Ｄ、ＦおよびＣ１〜１０アルキルから選択され、１つ以上の非隣接Ｃ原子がＯ、Ｓ、Ｃ＝ＯまたはＣＯＯによって置換されていてもよく、１つ以上のＨ原子がＦによって置換されていてもよい。アルキルではない２つ以上の隣接基Ｒ１〜Ｒ１０は、連結して、芳香族または非芳香族環（フェニルでもよい）を形成してよく、それは非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上のＣ１〜２０アルキル基で置換されていてもよい。より好ましくは、置換基Ｘではない基Ｒ１〜Ｒ１０はＨである。
【００６８】
好ましくは、式（Ｉ）の錯体は、少なくとも３：１のアスペクト比ａ：ｂを有し、ａは錯体の遷移双極子モーメントと平行な方向における錯体の大きさであり、ｂは錯体の遷移双極子モーメントに垂直な任意の方向における錯体の大きさである。ａ：ｂ比は、少なくとも４：１または少なくとも５：１であってもよい。置換基Ｘは、式−（Ａｒ）ｐを有し、式中、ｐは少なくとも２であり、３であってもよく、各Ａｒは独立して非置換または置換アリールもしくはヘテロアリール基である。大きさは本明細書に記載の分子モデリングによって決定されてよい。
【００６９】
置換基Ｘが発光体コアよりも高いＴ１を有する場合、ｐは１〜１０であり得る。
【００７０】
好ましくは、各ＡｒがＣ６〜２０アリール基（フェニルでもよい）、またはＣ原子およびＮ原子の６員ヘテロアリール（トリアジンでもよい）から独立して選択される。
【００７１】
各Ａｒは、独立して非置換または１つ以上の置換基で置換される。例示的な置換基はＣ１〜２０アルキルであり、１つ以上の非隣接Ｃ原子はＯ、Ｓ、Ｃ＝ＯまたはＣＯＯによって置換されていてもよく、１つ以上のＨ原子はＦで置換されていてもよい。
【００７２】
Ｌ１とＸとの間の結合に隣接したＡｒ基の位置が、このような置換基で置換されていてもよく、Ｌ１とＸとの間にねじれが生じる。
【００７３】
少なくとも１つのＡｒ基はＣ１〜２０アルキル基で置換されていてもよく、本明細書に記載の溶媒に対する式（Ｉ）の化合物の溶解性を高める。
【００７４】
式−（Ａｒ）ｐの基は、直鎖状または分岐鎖状のＡｒ基であってよい。分岐鎖状の−（Ａｒ）ｐ基は、デンドロンを形成してよい。
【００７５】
デンドロンは、置換されていてもよい式（ＩＩＩ）：
【化９】
2018527300.tif 000011
【００７６】
を有していてよく、
式中、ＢＰはコアへ結合するための分岐点を表し、Ｇ１は第１世代の分岐基を表す。
【００７７】
デンドロンは、第１、第２、第３またはより高い世代のデンドロンであってよい。置換されていてもよい式（ＩＩＩａ）：
【化１０】
2018527300.tif 000012
【００７８】
における場合と同様に、Ｇ１は２つ以上の第２世代の分岐基Ｇ２などで置換されていてもよく、
式中、ｕは０または１であり、ｖはｕが０である場合０、またはｕが１である場合０もしくは１であってよく、ＢＰはコアへ結合するための分岐点を表し、Ｇ１、Ｇ２およびＧ３は第１、第２および第３世代のデンドロン分岐基を表す。好ましい一実施形態では、ＢＰおよびＧ１、Ｇ２．．．Ｇｎのそれぞれはフェニルであり、各フェニルＢＰ、Ｇ１、Ｇ２  ．．．Ｇｎ−１は３，５−連結フェニルである。
【００７９】
例示的な基Ｘとしては以下のものが挙げられ、それぞれが非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよい：
【化１１】
2018527300.tif 000013
【００８０】
式中、＊はＬ１への結合点である。
【００８１】
例示的な配位子Ｌ２は、
Ｎ，Ｎ−キレート配位子（ピリジンカルボキサミドでもよい）、ピリジルピラゾレート、ピリジルトリアゾレート、アミデート、
Ｎ，Ｏ−−キレート配位子（ピコリネートもしくはイミノフェノールでもよい）、および
Ｏ，Ｏ−−キレート配位子（ジケトネートでもよい）、または酢酸塩である。
【００８２】
例示的なジケトネートは、式：
【化１２】
2018527300.tif 000014
【００８３】
を有し、
式中、Ｒ２０およびＲ２２はそれぞれ独立して置換基であり、Ｒ２１はＨまたは置換基であり、Ｒ２０およびＲ２１、またはＲ２１およびＲ２２は連結して、環を形成してよい。好ましくは、Ｒ２０、およびＲ２２は、それぞれ独立してＣ１〜１０アルキル基である。好ましくは、Ｒ２１は、ＨまたはＣ１〜１０アルキル基である。Ｒ２０およびＲ２１は、連結して、非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよく、Ｃ１〜２０のヒドロカルビル基から選択されてもよい１つ以上の置換基で置換されていてもよい６〜１０員芳香族または複素環式芳香族環を形成してよい。
【００８４】
例示的なジケトネートはａｃａｃおよび
【化１３】
2018527300.tif 000015
【００８５】
である。Ｎ，Ｏ−キレート配位子としては式（Ｖ）：
【化１４】
2018527300.tif 000016
【００８６】
の配位子が挙げられ、
式中、Ａｒ２は、ヘテロアリール、好ましくは、非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上のＣ１〜１０アルキル基で置換されていてもよいＣ原子およびＮ原子の５〜１０員ヘテロアリール基である。
【００８７】
例示的なＮ，Ｎ−キレート配位子は、式（ＩＶ）：
【化１５】
2018527300.tif 000017
【００８８】
を有し
式中、Ａｒ２０は存在するごとに、独立して５〜１０員ヘテロアリール基であり、Ｎ原子およびＣ原子を含む５員ヘテロアリールでもよく、ピラゾールまたはトリアゾールでもよい。
【００８９】
式（ＩＶ）の配位子は、非置換であってもよく、または１つ以上の置換基で置換されていてもよい。例示的な置換基は、Ｃ６〜１０アリールまたは５〜１０員ヘテロアリール基（非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいフェニルでもよい）、およびＣ１〜１０アルキルであり、１つ以上の非隣接Ｃ原子がＯ、Ｓ、Ｃ＝ＯまたはＣＯＯで置換されていてもよく、Ｈ原子はＦで置換されていてもよい。
【００９０】
式（ＩＶ）の例示的な配位子は
【化１６】
2018527300.tif 000018
【００９１】
である。
【００９２】
式（Ｉ）の化合物のＳ１遷移双極子モーメントベクトルは、以下のステップに従ってＧａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．から入手可能なＧａｕｓｓｉａｎ０９ソフトウェアを使用して量子化学モデリングにより決定されてよい。
【００９３】
（ｉ）Ｂ３ＬＹＰ／６−３１ｇ（ｄ）を使用するＤＦＴ計算を使用して、分子の基底状態の構造を最適化する。
【００９４】
（ｉｉ）この構造を使用し、時間依存密度汎関数理論を使用して分子の励起状態を計算する。Ｓ１遷移双極子モーメントは一重項励起状態のエネルギーと共に計算され、最低三重項励起状態の遷移双極子モーメントが最低一重項励起状態の遷移双極子モーメントと一致させられる。「ｌａｎｌ２ｄｚ」は、燐光性発光繰り返し単位、特にイリジウム発光繰り返し単位に使用される。
【００９５】
結合の長さおよび結合のベクトルは、このモデルから決定されてよい。
【００９６】
ホスト
式（Ｉ）の金属錯体と共に使用されるホストは、小分子、デンドリマーまたはポリマー材料であってよい。好ましくは、ホストはポリマーである。
【００９７】
式（Ｉ）の金属錯体とホストとの組成物の膜の異方性因子αの値は、ホストの構造の影響を受けることがある。
【００９８】
好ましくは、ホスト材料は、本明細書に記載されるように測定したα吸収値が、０．８５、好ましくは０．５０または０．４０未満である。
【００９９】
ポリマーホストは、棒状骨格を有してよい。
【０１００】
ホストポリマーは、アリーレンまたはヘテロアリーレン繰り返し単位を含む共役ポリマーであってもよい。
【０１０１】
ポリマーは、式（ＶＩ）：
【化１７】
2018527300.tif 000019
【０１０２】
の共繰り返し単位を含んでよく、
式中、Ａｒは、アリーレンまたはヘテロアリーレン基、より好ましくは非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいＣ６〜２０アリール基であり、角度θは１４０°〜１８０°である。
【０１０３】
式（ＶＩ）の例示的なアリーレン繰り返し単位としては１，４−連結フェニレン繰り返し単位、２，７−連結フルオレン繰り返し単位、２−８−連結フェナントレン繰り返し単位、２，８−連結ジヒドロフェナントレン繰り返し単位、および２，７−連結トリフェニレン繰り返し単位が挙げられるが、これらに限定されず、それぞれ非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよい。
【０１０４】
角度θは、１６０°〜１８０°であってよく、１７０°〜１８０°でもよい。１〜１００モル％でもよく、１０〜９５モル％または２０〜８０モル％でもよいポリマーの繰り返し単位は、式（ＶＩ）の繰り返し単位であってよい。
【０１０５】
１，４−フェニレン繰り返し単位は、式（ＶＩＩ）：
【化１８】
2018527300.tif 000020
【０１０６】
を有してよく、
式中、ｗは存在するごとに、独立して０、１、２、３または４であり、１または２でもよく、Ｒ７は存在するごとに、独立して置換基である。
【０１０７】
存在する場合、各Ｒ７は、
Ｃ１〜２０アルキルでもよいアルキル（１つ以上の非隣接Ｃ原子が置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール、Ｏ、Ｓ、置換Ｎ、Ｃ＝ＯまたはＣＯＯで置換されていてもよく、１つ以上のＨ原子がＦで置換されていてもよい）；
非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールおよびヘテロアリール基、好ましくは１つ以上のＣ１〜２０アルキル基で置換されたフェニル；ならびに
各Ａｒ１が独立して非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、ｃは少なくとも１であり、１  ２または３であってもよい−（Ａｒ１）ｃ
からなる群から独立して選択されてよい。
【０１０８】
Ａｒ１は存在するごとに、好ましくはＣ６〜２０アリール基、より好ましくはフェニルである。  基−（Ａｒ１）ｃは、ｃが少なくとも２である場合に、直鎖状または分岐鎖状のアリールまたはヘテロアリール基を形成してよい。  好ましいＡｒ１の置換基は、Ｃ１〜２０アルキル基である。
【０１０９】
存在する場合、置換されたＮは−ＮＲ２−であってよく、式中、Ｒ２は、Ｃ１〜２０アルキル、非置換フェニル、または１つ以上のＣ１〜２０アルキル基で置換されたフェニルである。
【０１１０】
好ましくは、各Ｒ７は、Ｃ１〜４０ヒドロカルビルから独立して選択され、より好ましくはＣ１〜２０アルキル、非置換フェニル、１つ以上のＣ１〜２０アルキル基で置換されたフェニル、直鎖状または分岐鎖状のフェニル基（各フェニルは非置換または１つ以上の置換基で置換されていてよい）から選択される。
【０１１１】
存在する場合、式（ＶＩＩ）の置換基Ｒ７は、繰り返し単位の連結位置に隣接し、式（ＶＩＩ）の繰り返し単位と隣接した繰り返し単位との間で立体障害を引き起こし、隣接する繰り返し単位の一方または両方に対して式（ＶＩＩ）の繰り返し単位が面外にねじれることがある。
【０１１２】
特に好ましい式（ＶＩＩ）の繰り返し単位は、式（ＶＩＩａ）：
【化１９】
2018527300.tif 000021
【０１１３】
を有する。２，７−連結フルオレン繰り返し単位は、式（ＩＸ）：
【化２０】
2018527300.tif 000022
【０１１４】
を有してよく、
式中、Ｒ８は存在するごとに、同一または異なり、置換基であり、２つの基Ｒ８が連結して環を形成してよく、上記のとおりＲ７は置換基であり、ｄは０、１、２または３である。
【０１１５】
各Ｒ８は、
Ｃ１〜２０アルキルでもよいアルキル（１つ以上の非隣接Ｃ原子が置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール、Ｏ、Ｓ、置換Ｎ、Ｃ＝ＯまたはＣＯＯで置換されていてもよく、１つ以上のＨ原子がＦによって置換されていてもよい）；
非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールおよびヘテロアリール基、好ましくは１つ以上のＣ１〜２０アルキル基で置換されたフェニル；
直鎖状または分岐鎖状のアリールまたはヘテロアリール基であって、それらの各基は、例えば式−（Ａｒ７）ｄの基（式中、各Ａｒ７は独立してアリールまたはヘテロアリール基であり、ｄは少なくとも２であり、２または３でもよい）で独立して置換されていてもよく、好ましくは分岐鎖状または直鎖状のフェニル基であり、それらのそれぞれが非置換または１つ以上のＣ１〜２０アルキル基で置換されていてもよい、直鎖状または分岐鎖状のアリールおよびヘテロアリール基
からなる群から独立して選択されてよい。
【０１１６】
好ましくは、各Ｒ８は、独立してＣ１〜４０ヒドロカルビル基である。
【０１１７】
様々な基Ｒ８は、国際公開第２０１２／１０４５７９号に開示されており、その内容は参照により全体が組み込まれる。
【０１１８】
存在する場合、置換されたＮは−ＮＲ２−であってよく、Ｒ２は上記のとおりである。
【０１１９】
例示的な置換基Ｒ７は、アルキル、例えばＣ１〜２０アルキルであり、１つ以上の非隣接Ｃ原子がＯ、Ｓ、Ｃ＝ＯまたはＣＯＯで置換されていてもよく、置換アリールによって置換されていてもよく、置換ヘテロアリール、フッ素、シアノおよびアリールアルキルで置換されていてもよい。特に好ましい置換基としては、Ｃ１〜２０アルキルおよび置換または非置換アリール、例えばフェニルが挙げられる。置換されていてもよいアリールの置換基としては、１つ以上のＣ１〜２０アルキル基が挙げられる。
【０１２０】
ポリマー骨格における隣接した繰り返し単位のアリールまたはヘテロアリール基に対する式（ＩＸ）の繰り返し単位の共役の程度は、隣接した１または複数の繰り返し単位（例えば、３位および６位の一方または両方においてＣ１〜２０アルキル置換基を担持する２，７−連結フルオレン）でねじれを生成するために、連結位置に隣接する１つ以上の位置における１つ以上の置換基Ｒ８で繰り返し単位を置換することによって制御されてよい。
【０１２１】
式（ＶＩ）の繰り返し単位は、式（Ｘ）または（ＸＩ）：
【化２１】
2018527300.tif 000023
【０１２２】
を有してよく、式中、Ｒ７、Ｒ８およびｄは、上記の式（ＶＩＩ）および（ＩＸ）に関して記載されるとおりである。
【０１２３】
式（Ｘ）および（ＸＩ）のＲ７基のいずれかが、他のいずれかのＲ７基に連結して、環を形成してよい。そのように形成された環は、非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上のＣ１〜２０アルキル基で置換されていてもよい。
【０１２４】
式（ＸＩ）のＲ８基のいずれかが、他のいずれかのＲ８基に連結して、環を形成してよい。そのように形成された環は、非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよく、１つ以上のＣ１〜２０アルキル基で置換されていてもよい。
【０１２５】
ホストポリマーは、式（Ｘ）：
【化２２】
2018527300.tif 000024
【０１２６】
の繰り返し単位を含んでよく、
式中、Ａｒ８、Ａｒ９およびＡｒ１０は、それぞれ独立して非置換または１つ以上の置換基、１、２、３または４つでもよい置換基で置換され、ｚは存在するごとに独立して少なくとも１であり、１、２または３でもよく、好ましくは１であり、ＹはＮまたはＣＲ１４であり、Ｒ１４はＨまたは置換基、好ましくはＨまたはＣ１〜１０アルキルであり、ただし少なくとも１つのＹはＮである。好ましくは、式（Ｘ）のＡｒ８、Ａｒ９およびＡｒ１０はそれぞれフェニルであり、各フェニルは独立して１つ以上のＣ１〜２０アルキル基で置換されていてもよい。
【０１２７】
Ａｒ８、Ａｒ９およびＡｒ１０の置換基は、Ｃ１〜２０アルキルでもよい置換または非置換アルキルから選択されてもよく、１つ以上の非隣接Ｃ原子が置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール（好ましくはフェニル）、Ｏ、Ｓ、Ｃ＝Ｏまたは−ＣＯＯ−で置換されていてもよく、１つ以上のＨ原子がＦで置換されていてもよい。
【０１２８】
存在する場合、Ａｒ８、Ａｒ９およびＡｒ１０の好ましい置換基は、Ｃ１〜４０ヒドロカルビル、好ましくはＣ１〜２０アルキルまたはヒドロカルビル架橋基である。
【０１２９】
好ましい一実施形態では、基Ｙの３つすべてがＮである。
【０１３０】
式（Ｘ）のＡｒ１０は、好ましくはフェニルであり、１つ以上のＣ１〜２０アルキル基または架橋性単位で置換されていてもよい。架橋性単位は、Ａｒ１０に直接結合されるか、またはスペーサー基によってＡｒ１０から離間されてよい。
【０１３１】
好ましくは、ｚは１であり、Ａｒ８、Ａｒ９およびＡｒ１０のそれぞれは、非置換フェニルまたは１つ以上のＣ１〜２０アルキル基で置換されたフェニルである。
【０１３２】
式（Ｘ）の特に好ましい繰り返し単位は、非置換または１つ以上の置換基Ｒ５、好ましくは１つ以上のＣ１〜２０アルキル基で置換されていてもよい式（Ｘａ）を有する。
【化２３】
2018527300.tif 000025
【０１３３】
式（Ｉ）の金属錯体は、ホストおよび式（Ｉ）の金属錯体を含む組成物の０．１〜４０重量％の範囲内の量で提供されてよい。
【０１３４】
ホスト材料の最低三重項励起状態のエネルギー準位は、金属錯体の最低三重項励起状態のエネルギー準位と少なくとも同じまたはより高い。三重項エネルギー準位は、低温燐光分光法（Ｙ．Ｖ．Ｒｏｍａｏｖｓｋｉｉ  ｅｔ  ａｌ，Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｒｅｖｉｅｗ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，２０００，８５（５），ｐ１０２７，Ａ．ｖａｎ  Ｄｉｊｋｅｎ  ｅｔ  ａｌ，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，２００４，１２６，ｐ７７１８）によって測定される燐光スペクトルのエネルギー開始から測定されてよい。
【０１３５】
金属錯体は、ホストと混合されてよく、またはホストに共有結合されてよい。ホストポリマーの場合には、金属錯体は、ポリマー骨格の側基あるいは末端基として、またはポリマーの骨格における繰り返し単位として提供されてよい。
【０１３６】
発光ポリマー
式（ＸＩＩＩａ）または（ＸＩＩＩｂ）の発光繰り返し単位を含む発光ポリマーは、０．８以下、好ましくは０．７以下、より好ましくは０．５以下の異方性因子αを有することが好ましい。異方性因子αの値は、発光繰り返し単位および／または共繰り返し単位の構造および／またはモル百分率によって影響を受けてよい。共繰り返し単位は、整列した発光繰り返し単位と組み合わさって、ポリマーの必要な異方性因子αを与えるように選択されてよい。
【０１３７】
適切な共繰り返し単位としては、電子輸送共繰り返し単位、正孔輸送共繰り返し単位、および発光共繰り返し単位が挙げられ、発光共繰り返し単位の遷移双極子モーメントは、ポリマー骨格とは整列されない。
【０１３８】
共繰り返し単位は、棒状骨格を形成してよい。
【０１３９】
好ましくは、発光ポリマーは、式（ＶＩ）の共繰り返し単位を含んでよい。式（ＶＩ）の共繰り返し単位は、ホストに関して上記したとおりである。
【０１４０】
式（ＸＩＩＩａ）または（ＸＩＩＩｂ）の発光繰り返し単位を含む発光ポリマーは、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定した、約１ｘ１０３〜１ｘ１０８、好ましくは１ｘ１０３〜５ｘ１０６の範囲のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）を有していてもよい。本明細書に記載されるポリマーのポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１ｘ１０３〜１ｘ１０８、好ましくは１ｘ１０４〜１ｘ１０７であってよい。
【０１４１】
重合法
本明細書に記載の共役ポリマーは、その内容が参考により本明細書に組み込まれる、国際公開第００／５３６５６号、国際公開第０３／０９１３５５号および欧州特許第１２４５６５９号に開示されるように、ヤマモト重合およびスズキ重合などの金属触媒重合によって形成されてよい。
【０１４２】
好ましくは、ポリマーは、モノマーの重合時に脱離する脱離基を含むモノマーを重合することによって形成される。好ましくは、ポリマーは、モノマーの芳香族炭素原子に結合するボロン酸およびエステル基を含むモノマーと、ハロゲン、スルホン酸またはスルホン酸エステル、好ましくは臭素またはヨウ素から選択され、パラジウム（０）またはパラジウム（ＩＩ）触媒および塩基の存在下でモノマーの芳香族炭素原子に結合する脱離基を含むモノマーとを重合することによって形成される。
【０１４３】
例示的なボロン酸エステルは、式（ＸＩＩ）：
【化２４】
2018527300.tif 000026
【０１４４】
を有し、
式中、Ｒ６は存在するごとに、独立してＣ１〜２０アルキル基であり、＊はボロン酸エステルがモノマーの芳香環に結合する点を表し、２つの基Ｒ６は連結して環を形成してよい。
【０１４５】
溶液処理
本明細書に記載の発光層は、式（Ｉ）の化合物の溶液、ホストおよび、存在する場合は、溶媒または溶媒混合物中に溶解させた発光層のその他の成分を堆積させることによって形成されてよい。
【０１４６】
例示的な溶媒は、Ｃ１〜１０アルキル、Ｃ１〜１０アルコキシおよび塩素、例えばトルエン、キシレンおよびメチルアニソールから選択される１つ以上の置換基で置換されたベンゼンである。
【０１４７】
例示的な溶液堆積技法としては、スピンコーティング、ディップコーティング、フレキソ印刷、インクジェット印刷、スロットダイコーティングおよびスクリーン印刷などの印刷技法およびコーティング技法が挙げられる。スピンコーティングおよびインクジェット印刷が、特に好ましい。
【０１４８】
スピンコーティングは、発光層のパターニングが不必要な素子、例えば照明用途または単純なモノクロセグメントディスプレイなどの素子に特に適している。
【０１４９】
発光層は、堆積後アニールされてよい。好ましくは、アニーリングは、ポリマーのガラス転移温度未満である。
【０１５０】
インクジェット印刷は、情報量の多いディスプレイ、特にフルカラーディスプレイに特に適している。素子は、パターン化層を第１電極上に提供すること、および１色（モノクロ素子の場合）または多色（多色の場合、特にフルカラー素子の場合）の印刷用ウェルを画定することによってインクジェット印刷されてよい。パターン化層は、典型的には、例えば欧州特許第０８８０３０３号に記載されるように、ウェルを画定するためにパターニングされるフォトレジストの層である。
【０１５１】
ウェルの代替として、インクは、パターン化層内で画定されたチャネルに印刷されてよい。特に、ウェルとは異なり、複数の画素にわたって広がり、チャネル端で閉鎖または開放されてよいチャネルを形成するために、フォトレジストをパターニングしてもよい。
【０１５２】
存在する場合、ＯＬＥＤのアノードとカソードとの間のさらなる層は、本明細書に記載の溶液堆積法によって形成されてよい。
【０１５３】
正孔注入層
導電性有機材料または無機材料から形成されてよい導電性正孔注入層は、アノードから半導体ポリマーの１または複数の層への正孔注入を改善するために、アノードと発光層との間またはＯＬＥＤの層間に設けられてよい。ドープされる有機正孔注入材料の例としては、置換されていてもよいドープされたポリ（エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＴ）、特に、欧州特許第０９０１１７６号および欧州特許第０９４７１２３号に開示されるようなポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）などの電荷平衡ポリ酸でドープされたＰＥＤＴ、ポリアクリル酸またはフッ素化スルホン酸（例えばＮａｆｉｏｎ（登録商標））、米国特許第５７２３８７３号および米国特許第５７９８１７０号に開示されるようなポリアニリン、および置換されていてもよいポリチオフェンまたはポリ（チエノチオフェン）が挙げられる。  導電性無機材料の例としては、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｄ：Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  （１９９６），２９（１１），２７５０−２７５３に開示されるようなＶＯｘ  ＭｏＯｘおよびＲｕＯｘなどの遷移金属酸化物が挙げられる。
【０１５４】
正孔輸送層が存在する場合、正孔注入層は、アノードと正孔輸送層との間に設けられてよい。
【０１５５】
電荷輸送層および電荷ブロッキング層
正孔輸送層は、アノードと１または複数の発光層との間に設けられてよい。  電子輸送層は、カソードと１または複数の発光層との間に設けられてよい。
【０１５６】
電子ブロッキング層は、アノードと発光層との間に設けられてよく、正孔ブロッキング層は、カソードと発光層との間に設けられてよい。輸送層とブロッキング層は、組み合わせて使用されてよい。単層のＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位に応じて、単層は、正孔および電子の一方の輸送と、正孔および電子のもう一方のブロックとの両方を行ってよい。
【０１５７】
正孔輸送層は、サイクリックボルタンメトリーによる測定で、好ましくは５．５ｅＶ以下、より好ましくは約４．８〜５．５ｅＶのＨＯＭＯ準位を有する。  正孔輸送層のＨＯＭＯ準位は、（発光層などの）隣接層の０．２ｅＶ以内（０．１ｅＶ以内でもよい）となるように選択されてもよく、これは、これらの層間の正孔輸送に対して小さいバリアを設けることが目的である。上記のとおり、正孔輸送層は、式（Ｉ）の繰り返し単位を含むポリマーであってよい。
【０１５８】
発光層とカソードとの間に位置する電子輸送層は、サイクリックボルタンメトリーによる測定で、約２．５〜３．５ｅＶのＬＵＭＯ準位を有することが好ましい。例えば、０．２〜２ｎｍの範囲内の厚さを有する一酸化ケイ素もしくは二酸化ケイ素の層、または他の薄誘電体層が、カソードに最も近い発光層とカソードとの間に設けられてよい。ＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位を、サイクリックボルタンメトリーを使用して測定してよい。
【０１５９】
正孔輸送ポリマーは、式（ＶＩＩＩ）：
【化２５】
2018527300.tif 000027
【０１６０】
の繰り返し単位を含むホモポリマーまたはコポリマーであってよく、
式中、Ａｒ８、Ａｒ９およびＡｒ１０は存在するごとに置換または非置換アリールまたはヘテロアリールから独立して選択され、ｇは０、１または２、好ましくは０または１であり、Ｒ１３は存在するごとに独立してＨまたは置換基、好ましくは置換基であり、ｃ、ｄおよびｅはそれぞれ独立して１、２または３である。
【０１６１】
ｇが１または２である場合、同一でも異なっていてもよいＲ１３は存在するごとに、好ましくは、アルキル、例えばＣ１〜２０アルキル、Ａｒ１１、分岐鎖状もしくは直鎖状のＡｒ１１基、または式（ＶＩＩＩ）のＮ原子に直接結合される、もしくはスペーサー基によってそこから離間される架橋性単位からなる群から選択され、Ａｒ１１は存在するごとに、独立して置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリールである。例示的なスペーサー基は、Ｃ１〜２０アルキル、フェニルおよびフェニル−Ｃ１〜２０アルキルである。
【０１６２】
同一のＮ原子に直接結合するＡｒ８、Ａｒ９、存在する場合はＡｒ１０およびＡｒ１１から選択される任意の２つの芳香族または複素環式芳香族基は、別のＡｒ８、Ａｒ９、Ａｒ１０およびＡｒ１１に直接結合または二価連結原子もしくは基によって連結されてよい。好ましい二価連結原子および基としては、Ｏ、Ｓ、置換Ｎ、および置換Ｃが挙げられる。
【０１６３】
Ａｒ８およびＡｒ１０は、好ましくはＣ６〜２０アリール、より好ましくはフェニルであり、これは非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよい。
【０１６４】
ｇ＝０である場合、Ａｒ９は好ましくはＣ６〜２０アリール、より好ましくはフェニルであり、これは非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよい。
【０１６５】
ｇ＝１である場合、Ａｒ９は好ましくはＣ６〜２０アリール、より好ましくはフェニルまたは多環式芳香族基、例えば、ナフタレン、ペリレン、アントラセンまたはフルオレンであり、これは非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよい。
【０１６６】
Ｒ１３は、好ましくはＡｒ１１または分岐鎖状もしくは直鎖状のＡｒ１１基である。Ａｒ１１は存在するごとに、好ましくは、非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよいフェニルである。
【０１６７】
例示的な基Ｒ１３としては、以下が挙げられ、それぞれが非置換または１つ以上の置換基で置換されていてもよく、＊はＮに結合する点を表す。
【化２６】
2018527300.tif 000028
【０１６８】
ｃ、ｄおよびｅは、好ましくはそれぞれ１である。
【０１６９】
Ａｒ８、Ａｒ９および存在する場合Ａｒ１０およびＡｒ１１は、それぞれ独立して非置換または１つ以上の置換基、１、２、３または４つの置換基で置換されていてもよい。例示的な置換基は、
Ｃ１〜２０アルキルでもよい置換または非置換アルキル（１つ以上の非隣接Ｃ原子は、アリールまたはヘテロアリール（好ましくはフェニル）で置換されていてもよく、Ｏ、Ｓ、Ｃ＝ＯまたはＣＯＯおよび１つ以上のＨ原子はＦで置換されていてもよい）、ならびに
Ａｒ８、Ａｒ９、Ａｒ１０もしくはＡｒ１１に直接結合する、またはその一部を形成する、またはスペーサー基によってそこから離間される架橋性基、例えばそうした二重結合およびビニルもしくはアクリレート基、またはベンゾジクロロブタン基を含む基から選択されてよい。
【０１７０】
Ａｒ８、Ａｒ９および存在する場合、Ａｒ１０およびＡｒ１１の好ましい置換基は、Ｃ１〜４０ヒドロカルビル、好ましくはＣ１〜２０アルキルまたはヒドロカルビル架橋基である。
【０１７１】
式（ＶＩＩＩ）の好ましい繰り返し単位としては、式１〜３：
【化２７】
2018527300.tif 000029
【０１７２】
の単位が挙げられる。
【０１７３】
好ましくは、式１の繰り返し単位のＡｒ８、Ａｒ１０およびＡｒ１１はフェニルであり、Ａｒ９はフェニルまたは多環式芳香族基である。
【０１７４】
好ましくは、式２および式３の繰り返し単位のＡｒ８、Ａｒ９およびＡｒ１１はフェニルである。
【０１７５】
好ましくは、式３の繰り返し単位のＡｒ８およびＡｒ９はフェニルであり、Ｒ１１はフェニルまたは分岐鎖状または直鎖状のフェニル基である。
【０１７６】
式（ＶＩＩＩ）の繰り返し単位を含むポリマーは、式（ＶＩＩＩ）の繰り返し単位および１つ以上の共繰り返し単位を含むホモポリマーまたはコポリマーであってよい。
【０１７７】
コポリマーの場合、式（ＶＩＩＩ）の繰り返し単位は、約１〜９９モル％の範囲内、約１〜５０モル％であってもよいモル量で提供されてよい。
【０１７８】
上記のとおり、例示的な共繰り返し単位としては、アリーレン単位でもよいアリーレン繰り返し単位が挙げられる。
【０１７９】
電子輸送層は、フルオレン繰り返し単位鎖などの置換されていてもよいアリーレン繰り返し単位鎖を含むポリマーを含んでよい。
【０１８０】
カソード
カソードは、発光層への電子の注入を可能にする仕事関数を有する材料から選択される。カソードと発光材料との間の有害な相互作用の可能性などの他の要素が、カソードの選択に影響を与える。カソードは、アルミニウムの層などの単一の材料から構成されていてよい。あるいは、複数の導電性材料、例えば国際公開第９８／１０６２１号に開示されるように、低仕事関数材料とカルシウムおよびアルミニウムなどの高仕事関数材料との２層といった複数の導電性金属を含んでよい。カソードは、例えば、国際公開第９８／５７３８１号、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００２，８１（４），６３４、および国際公開第０２／８４７５９号に開示されるような元素状バリウムの層を含んでよい。カソードは、電子注入を助けるために、有機半導体層と１つ以上の導電性カソード層との間の金属化合物の薄層（例、１〜５ｎｍ）、特にアルカリまたはアルカリ土類金属の酸化物またはフッ化物を含んでよく、例えば、国際公開第００／４８２５８号に開示されるようにフッ化リチウム、例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００１，７９（５），２００１に開示されるようにフッ化バリウム、および酸化バリウムを含んでよい。素子への効率的な電子注入を提供するために、カソードは、好ましくは３．５ｅＶ未満、より好ましくは３．２ｅＶ未満、最も好ましくは３ｅＶ未満の仕事関数を有する。金属の仕事関数は、例えば、Ｍｉｃｈａｅｌｓｏｎ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４８（１１），４７２９，１９７７に見出すことができる。
【０１８１】
カソードは、不透明または透明であってよい。アクティブマトリクス素子には透明なカソードが特に有利である。なぜならこのような素子において、透明なアノードを通した発光は、発光画素の下に位置する駆動回路によって少なくとも部分的にブロックされるためである。透明なカソードは、透明になるように十分薄い電子注入材料の層を含む。典型的には、この層の横方向の導電率は、その薄さにより低い。この場合、電子注入材料の層は、酸化インジウムスズなどの透明な導電性材料のより厚い層と組み合わせて使用される。
【０１８２】
透明なアノードを有する必要がない透明なカソード素子（もちろん、十分に透明な素子が望まれない限り）、そして下部発光型素子に使用する透明なアノードは、アルミニウム層などの反射性材料の層で置換または補足されてよいことが理解されるであろう。透明なカソード素子の例は、例えば、英国特許第２３４８３１６号に開示されている。
【０１８３】
カプセル化
有機光電子素子は、水分および酸素に敏感な傾向がある。したがって、基板は、素子への水分および酸素の進入を防止するために、良好なバリア特性を有することが好ましい。基板は一般にガラスであるが、特に素子の可撓性が望まれる場合、代替基板が使用されてよい。例えば、基板は、１つ以上のプラスチック層、例えばプラスチック層と誘電体バリア層との交互の基板、または薄ガラスとプラスチックとの積層体を含んでよい。
【０１８４】
素子は、水分および酸素の進入を防止するために、カプセル化材料（図示せず）でカプセル化されてよい。適切なカプセル化材料としては、ガラスシート、二酸化ケイ素、一酸化ケイ素、窒化ケイ素またはポリマーの交互積層体などの適切なバリア特性を有する膜、および誘電体または気密容器が挙げられる。透明なカソード素子の場合、一酸化ケイ素または二酸化ケイ素などの透明なカプセル化層は、ミクロンレベルの厚さに堆積させてよいが、好ましい一実施形態では、そのような層の厚さは２０〜３００ｎｍの範囲内である。基板またはカプセル化材料に浸透してよいいかなる大気中の水分および／または酸素も吸収するためのゲッタ材料は、基板とカプセル化材料との間に配置されてよい。
【０１８５】
測定
異方性因子αは、Ｍ  Ｆｌａｍｍｉｃｈ  ｅｔ  ａｌ，Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  １２，２０１１，ｐ．１６６３−１６６８に記載されるように、発光分光法を使用して測定され、その内容は参照により本明細書に組み込まれる。平均双極子配向は、ｚ方向が薄膜の平面に対して垂直であるベクトル（ｘ、ｙ、ｚ）によって表すことが可能である。本明細書の全体で使用されるように、これはさらにＦｌａｍｍｉｃｈらにおいて使用される垂直成分ｐ｜｜：ｐ⊥＝（ｘ＋ｙ）：ｚに平行な比率として、またはあるいは異方性因子α＝ｚ／ｘ＝ｚ／ｙとしてパラメータ化され得る。この方法で、等方配向は（１、１、１）によって表すことが可能であり、ｐ｜｜：ｐ⊥＝２：１であり、α＝１である。加えて、異方配向の一例は、（０．３５７１、０．３５７１、０．２８５８）として表すことができ、ｐ｜｜：ｐ⊥＝２．５：１およびα＝０．８である。
【０１８６】
吸収異方性は、Ｒａｍｓｄａｌｅ  ｅｔ  ａｌ．，Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ｖｏｌ．１４（３），ｐ２１２（２００２）に記載されている分光偏光解析法を使用して最低エネルギー吸収のピークを分析することによって測定される。
【０１８７】
特に指定しない限り、本明細書で提供されるα値は、上記のとおり、発光分光法によって測定される。
【０１８８】
本明細書のあらゆる箇所に記載される矩形波サイクリックボルタンメトリーは、作用電極の電位を、時間に対して線形に勾配をなすことによって実施されてよい。矩形波ボルタンメトリーが設定電位に達すると、作用電極の電位勾配が反転する。この反転は、１回の実験中に複数回起こり得る。作用電極で電流は、印加電圧に対してプロットされ、サイクリックボルタモグラムトレースが得られる。
【０１８９】
ＣＶによってＨＯＭＯまたはＬＵＭＯのエネルギー準位を測定する装置は、ｔｅｒｔ−ブチル過塩素酸アンモニウム／またはｔｅｒｔブチル六フッ化リン酸アンモニウムのアセトニトリル溶液を含むセル、試料が膜としてコーティングされるガラス状炭素作用電極、白金対極（電子の供与体または受容体）および参照ガラス電極Ａｇ／ＡｇＣｌリークなしを含んでもよい。計算目的で、実験の最後にフェロセンをセルに添加する。
【０１９０】
Ａｇ／ＡｇＣｌ／フェロセンと試料／フェロセンとの間の電位差の測定。
【０１９１】
方法および設定：
直径３ｍｍのガラス状炭素作用電極
Ａｇ／ＡｇＣｌ／リークなしの参照電極
Ｐｔワイヤ補助電極
０．１Ｍテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート  アセトニトリル溶液
ＬＵＭＯ＝４．８−フェロセン（ピークからピークまでの最大平均）＋開始
試料：３０００ｒｐｍで回転させたトルエン溶液１滴５ｍｇ／ｍＬのＬＵＭＯ（還元）測定
２００ｍＶ／ｓおよび−２．５Ｖのスイッチング電位で測定した厚膜に、良好な可逆性還元事象が典型的に観察される。還元事象は、１０サイクルにわたって測定および比較されるべきであり、通常第３サイクルで測定値が取られる。開始は、還元事象の最勾配部分の最適ラインとベースラインとの交差で取られる。  ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯ値は、周囲温度で測定されてよい。
【０１９２】
［実施例］
［化合物の実施例１］
以下の反応スキームに従ってステップ１〜４を実施した。
【化２８】
2018527300.tif 000030
【０１９３】
ステップ１：中間体２の合成
【表１】
2018527300.tif 000031
装置の設定：
機械的オーバーヘッド撹拌器、熱ソケット、窒素導入口および出口を備えた５Ｌの３口丸底フラスコ。
【０１９４】
実験手順：
１）  ４−ブロモピリジン塩酸塩（８０ｇ、０．４１１３モル）のＴＨＦ懸濁液（２０００ｍＬ）をフラスコに入れた。
【０１９５】
２）  反応混合物を−７８℃まで冷却し、１Ｍの臭化フェニルマグネシウム（９１７ｍＬ、０．９１７２モル）を追加の漏斗から添加し、１時間、内部温度を７５℃〜−７０℃に維持した。
【０１９６】
３）  反応混合物を−７８℃で３０分間維持した。
【０１９７】
４）  クロロギ酸フェニル（５４．２ｍＬ、０．４３１９モル）を−７８℃で反応混合物に滴下した。
【０１９８】
５）  反応混合物をゆっくりと室温まで温め、室温で１６時間維持した。
【０１９９】
６）  ２０％塩化アンモニウム溶液（１０００ｍＬ）を反応混合物に添加した。
【０２００】
７）  反応混合物を、酢酸エチル（２×１０００ｍＬ）で抽出した。
【０２０１】
８）  合わせた有機層をＮａ２ＳＯ４上で乾燥させ濃縮し、薄茶色の粘性油として１８０ｇの粗中間体２を得た。
【０２０２】
９）  粗製物を、溶離液として２％の酢酸エチルのヘキサン溶液を使用するシリカゲル（２３０〜４００メッシュ）を通してフラッシュカラムクロマトグラフィーにより精製し、淡黄色の粘性油として７８．１％のＨＰＬＣ純度を有する１１２ｇの中間体２を得た（収率＝７６．５％）。
【０２０３】
ステップ２：
【表２】
2018527300.tif 000032
装置の設定：
機械的オーバーヘッド撹拌器、窒素導入口および出口を備えた５Ｌの３口丸底フラスコ。
【０２０４】
実験手順：
１．  中間体２（１１２ｇ、０．３１４４モル）を、トルエン（２０００ｍＬ）の入った５Ｌの反応フラスコに入れた。
【０２０５】
２．  ｏ−クロラニル（８５ｇ、０．３４５８モル）の酢酸溶液（１５００ｍＬ）を、室温で３０分間にわたり、反応混合物に添加した。
【０２０６】
３．  反応混合物を、室温で１６時間撹拌した。
【０２０７】
４．  次いで、混合物を氷浴中で０℃まで冷却した。
【０２０８】
５．  ２０％ＮａＯＨ水溶液（５Ｌ）を反応混合物にゆっくり添加し、ｐＨを１０〜１１の範囲に調整した。
【０２０９】
６．  溶液を、メチルｔ−ブチルエーテル（２０００ｍＬ×３）で抽出した。
【０２１０】
７．  合わせた有機層を、水（２０００ｍＬ）、ブライン溶液（１５００ｍＬ）で洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４上で乾燥させ濃縮し、薄茶色の粘性油として１０８ｇの粗生成物を得た。
【０２１１】
８．  粗生成物を、溶離液として２％のＥｔＯＡｃのヘキサン溶液を使用するＧｒａｃｅカラムクロマトグラフィーにより３バッチ（各３６ｇ）で精製し、淡黄色の粘性油として９７．８％のＨＰＬＣ純度を有する５８．８ｇの生成物を得た。それは、不純物として生成物のクロロ誘導体１．８８％を含有していた（収率＝８０％）。
【０２１２】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ［ｐｐｍ］７．４３（ｄｄ，Ｊ＝１．７６，５．２８Ｈｚ，１Ｈ），７．４７−７．５３（ｍ，３Ｈ），７．９３  （ｄ，Ｊ＝１．７２Ｈｚ，１Ｈ），７．９８−８．００（ｍ，２Ｈ），８．５３（ｄ，Ｊ＝５．２８Ｈｚ，１Ｈ）．
ステップ３：中間体３の合成
【化２９】
2018527300.tif 000033
【表３】
2018527300.tif 000034
装置の設定：
機械的オーバーヘッド撹拌器、凝縮器、窒素導入口および出口を備えた３Ｌの４口丸底フラスコ。
【０２１３】
実験手順：
１．  ジオキサン（１０９０ｍＬ）中のステップ２の生成物（５８．８ｇ、０．２５１１モル）を、Ｒ．Ｂ．フラスコに入れた。
【０２１４】
２．  ビス（ピナコラト）ジボロン（９５．６７ｇ、０．３７６８モル）および酢酸カリウム（７４ｇ、０．７５３３モル）を、混合物に添加した。
【０２１５】
３．  混合物を、Ｎ２ガスで１時間脱気した。
【０２１６】
４．  ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）（４．１ｇ、０．００５モル）を、混合物に添加した。
【０２１７】
５．  反応混合物を９０℃まで加熱し、３時間維持した。
【０２１８】
６．  反応混合物を室温まで冷却し、ｎ−ヘキサン（２Ｌ）で希釈し、４０分間撹拌し、セライト床を通して濾過した。
【０２１９】
７．  濾液を濃縮して、粗生成物として１０８ｇの中間体３を得た。
【０２２０】
８．  粗製物を、溶離液として中性Ａｌ２Ｏ３および５％の酢酸エチルのヘキサン溶液を使用するカラムクロマトグラフィーにより精製し、９５．９３％のＨＰＬＣ純度を有する６８ｇの中間体３を得た（収率＝９６．３％）。
【０２２１】
ステップ４
【化３０】
2018527300.tif 000035
【表４】
2018527300.tif 000036
装置の設定：
機械的オーバーヘッド撹拌器、凝縮器、窒素導入口および出口を備えた５Ｌの４口丸底フラスコ。
【０２２２】
実験手順：
１．  中間体３（６５ｇ、０．２３１３モル）および５−ブロモ−２−ヨードトルエン（４）（６８．６７ｇ、０．２３１３モル）を、トルエン／エタノール（３：１）混合物（１３６０ｍＬ）に入れた。
【０２２３】
２．  混合物を、Ｎ２ガスで４０分間脱気した。
【０２２４】
３．  炭酸ナトリウム（７３．５５ｇ、０．６９３９モル）を添加し、続いて水（３４０ｍＬ）を添加し、Ｎ２ガスで３０分間パージした。
【０２２５】
４．  Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（５．３４ｇ、０．００４６モル）を添加し、Ｎ２ガスでさらに３０分間パージした。
【０２２６】
５．  反応混合物を８０℃まで加熱し、２０時間維持した。
【０２２７】
６．  反応混合物を室温まで冷却し、水（１．５Ｌ）を添加した。
【０２２８】
７．  有機層を分離し、水層をＥｔＯＡｃ（１０００ｍＬ×３）で抽出した。
【０２２９】
８．  合わせた有機層を、水（１．５Ｌ）、ブライン（１．５Ｌ）で洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４上で乾燥させ濃縮し、薄茶色の粘性油として８０ｇの粗生成物を得た。
【０２３０】
９．  粗製物を、２３０〜４００シリカゲルおよび溶離液として６％のジエチルエーテルのヘキサン溶液を使用する反復カラムクロマトグラフィーにより精製し、９９．７８％のＨＰＬＣ純度を有する薄オレンジ色の固体として３０ｇの生成物を得た（収率＝４０％）。
【０２３１】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ［ｐｐｍ］２．３１（ｓ，３Ｈ），７．１４−７．１９（ｍ，２Ｈ），７．４３−７．５２（ｍ，５Ｈ），７．６７  （ｓ，１Ｈ），８．０３（ｄ，Ｊ＝７．６０Ｈｚ，２Ｈ），８．７５（ｄ，Ｊ＝５．２０Ｈｚ，１Ｈ）．
ステップ５
【化３１】
2018527300.tif 000037
【０２３２】
５ｇ（１５．４ミリモル）の２−フェニル−４−（２−メチル−４−ブロモフェニル）ピリジンおよび４’−ｎ−オクチルビフェニル−４−ボロン酸ピナコールエステル（１．２当量）を、トルエン（５０ｍＬ）に溶解し、窒素で１時間バブリングした。Ｐｄ２（ｄｂａ）３（０．０１当量）およびＳＰｈｏｓ（０．０２当量）をを添加し、混合物を窒素でさらに１０分間バブリングした。窒素でバブリングすることによりＥｔ４ＮＯＨ（２０％水溶液、４当量）を脱気し、反応物に添加し、混合物を撹拌し、１１５℃で２０時間加熱した。
【０２３３】
室温まで冷却した後、有機部分を分離し、水で洗浄し、次いで溶媒を除去して灰色固体を得た。これをジクロロメタン溶液からアセトニトリルに沈殿させ、続いてメタノールによる粉砕によって精製した。最後に、この材料を酢酸エチルに溶解し、残った未溶解材料を濾過により除去した。濾液からの溶媒除去により、５．７ｇの白色固体を得た（収率７３％）。
【０２３４】
ステップ６
【化３２】
2018527300.tif 000038
【０２３５】
５．７ｇの出発材料（１１．１８ミリモル）および塩化イリジウム（ＩＩＩ）（０．４当量）を、フラスコに入れ、２−エトキシエタノールと水との混合物（７６ｍＬ、３：１混合物）に懸濁した。混合物を撹拌しながら窒素で１時間バブリングし、次いで１２０℃まで１７時間加熱した。室温まで冷却した後、２００ｍＬの水を添加し、混合物を３０分間撹拌した。黄色沈殿物を濾過により回収した。生成物をジクロロメタンからヘプタンに沈殿させ、続いてトルエンからメタノールに沈殿させることによって精製した。これにより３．２７ｇの黄色固体を得た（収率８５％）。
【０２３６】
ステップ７
【化３３】
2018527300.tif 000039
【０２３７】
３．２７ｇ（１．３１ミリモル）の出発材料、炭酸ナトリウム（５当量）、２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオン（５当量）および２−エトキシエタノール（６５ｍＬ）をフラスコに入れ、窒素で１時間バブリングした。次いで反応物を撹拌し、１２０℃で２０時間加熱した。室温まで冷却した後、２００ｍＬの水をフラスコに添加し、次いで混合物を４００ｍＬの水が入ったビーカーに注いだ。得られた沈殿物をブフナー漏斗に回収し、メタノールで洗浄した。得られた黄色固体を、ジクロロメタンとヘプタンとの混合物中での再結晶によって精製し、１．８５ｇの生成物を得た（収率５１％）。
【０２３８】
生成物を図２に図示した。
【０２３９】
１Ｈ  ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＨＬＯＲＯＦＯＲＭ−ｄ）δ＝８．４６（２Ｈ，ｄ，Ｊ２，２’，３，３’＝５．８Ｈｚ，Ｈ−２，２’），７．８４（２Ｈ，ｓ，Ｈ−５，５’），７．７４−７．７７（４Ｈ，ｍ，Ｈ−２１”‘，２１’，２１，２１”），７．７０−７．７３（４Ｈ，ｍ，Ｈ−２２”‘，２２’，２２，２２”），７．６５（２Ｈ，ｓ，Ｈ−１７，１７’），７．６３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，Ｈ−１５，１５’），７．６１（１Ｈ，ｓ，Ｈ−９’，９），７．６０（５Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，Ｈ−２５”‘，２５’，２５，２５”），７．４８（２Ｈ，ｄ，Ｊ１４，１４’，１２，１２’＝７．７Ｈｚ，Ｈ−１４，１４’），７．２６−７．３２（４Ｈ，ｍ，Ｈ−２６”‘，２６’，２６，２６”），７．１１（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ３，３’，２，２’＝５．８Ｈｚ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，Ｈ−３，３’），６．８５（２Ｈ，ｔ，Ｊ１０，１０’，１１，１１’＝７．３Ｈｚ，Ｈ−１０，１０’），６．７６（２Ｈ，ｔ，Ｊ１１，１１’，１０，１０’＝７．４Ｈｚ，Ｈ−１１，１１’），６．５７（２Ｈ，ｄ，Ｊ１２，１２’，１４，１４’＝８．１Ｈｚ，Ｈ−１２，１２’），５．５５（１Ｈ，ｓ，Ｈ−３８），２．６８（４Ｈ，ｔ，Ｊ２８’，２８，２９’，２９＝７．８Ｈｚ，Ｈ−２８’，２８），２．４９（６Ｈ，ｓ，Ｈ−１９’，１９），１．６８（４Ｈ，ｑｕｉｎ，Ｊ２９’，２９，２８’，２８＝７．６Ｈｚ，Ｈ−２９’，２９），１．３０−１．４１（１２Ｈ，ｍ，Ｈ−３２’，３２，３１’，３１，３０’，３０），１．２６−１．３１（５Ｈ，ｍ，Ｈ−３３’，３３），１．２５−１．４２（４Ｈ，ｍ，Ｈ−３４’，３４），０．９５（１８Ｈ，ｓ，Ｈ−４３’，４３，４３”‘，４１’，４１，４１”），０．８７−０．９３（６Ｈ，ｍ，Ｈ−３５’，３５）
［化合物の実施例２］
【化３４】
2018527300.tif 000040
【０２４０】
ステップ１：中間体３の合成
【化３５】
2018527300.tif 000041
【表５】
2018527300.tif 000042
装置の設定：
機械的オーバーヘッド撹拌器、凝縮器、窒素導入口および出口を備えた２Ｌの３口丸底フラスコ。
【０２４１】
実験手順：
１）  ４−ｔｅｒｔ−ブチル−ベンゾニトリル（１）（１００ｇ、０．６２８９モル）、尿素（９．４５ｇ、０．１５７２モル）のＤＭＳＯ溶液（８００ｍＬ）に、水素化ナトリウム（１３ｇ、０．３１４５モル）を、室温で少しずつゆっくりと添加し、１６時間撹拌した。
【０２４２】
２）  反応混合物の完了後、５％酢酸水溶液（２Ｌ）を添加し、１時間撹拌した。
【０２４３】
３）  生成した白色固体を濾過し、水（１０００ｍＬ）、石油エーテル（２００ｍＬ）で洗浄し、真空下で乾燥させ、７３ｇの４，６−ビス−（４−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル）−［１，３，５］トリアジン−２−オール（３）を白色固体として得た。
【０２４４】
４）  それをそのまま次のステップに使用した。
【０２４５】
ステップ２：中間体４の合成
【表６】
2018527300.tif 000043
装置の設定：
機械的オーバーヘッド撹拌器および凝縮器を備えた２Ｌの３口丸底フラスコ。
【０２４６】
実験手順：
１）  中間体（３）（７３ｇ、０．２０１９モル）とＰＯＣｌ３（７３０ｍＬ）との混合物を９０℃で３時間加熱した。
【０２４７】
２）  反応終了後、高真空下でＰＯＣｌ３を留去した。
【０２４８】
３）  得られた残渣を、氷水（１０００ｍＬ）に注意深く添加し、３０分間撹拌した。
【０２４９】
４）  形成された固体を濾過し、水で洗浄し、真空下で乾燥させ、中間体（４）を白色固体として得た（３３ｇ、２ステップで１３．８％）。
【０２５０】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ６）：δ［ｐｐｍ］８．４７（ｄ，Ｊ＝７．８８Ｈｚ，４Ｈ），７．６８（ｄ，Ｊ＝７．９２Ｈｚ，４Ｈ），１．３６（ｓ，１８Ｈ）．
ステップ３：中間体６の合成
【表７】
2018527300.tif 000044
装置の設定：
機械的オーバーヘッド撹拌器、凝縮器、窒素導入口および出口を備えた２Ｌの３口丸底フラスコ。
【０２５１】
実験手順：
１）  ４−ブロモ−２−ピリジン塩酸塩（４５ｇ、０．２３１４モル）のＴＨＦ溶液（７００ｍＬ）を、フラスコに入れた。
【０２５２】
２）  反応混合物を−７８℃まで冷却し、２Ｍの臭化フェニルマグネシウム（２８１ｍＬ、０．５６２２モル）を追加の漏斗から１時間にわたり−７５℃〜−７０℃を維持しながら加えた。
【０２５３】
３）  反応マスを−７８℃で１時間維持した。
【０２５４】
４）  クロロギ酸フェニル（４２．０２ｇ、０．２６８４モル）のＴＨＦ溶液（２００ｍＬ）を、反応マスに−７８℃で添加した。
【０２５５】
５）  反応マスをゆっくりと室温まで温め、室温で１６時間維持した。
【０２５６】
６）  ２０％塩化アンモニウム溶液（４００ｍＬ）を、反応マスに添加した。
【０２５７】
７）  反応マスを酢酸エチル（２×５００ｍＬ）で抽出した。
【０２５８】
８）  合わせた有機層をＮａ２ＳＯ４上で乾燥させ留去し、７２ｇの粗製物を得た。
【０２５９】
９）  粗製物を、精製することなくそのまま次のステップに用いた。
【０２６０】
ステップ４：中間体７の合成
【化３６】
2018527300.tif 000045
【表８】
2018527300.tif 000046
装置の設定：
機械的オーバーヘッド撹拌器、凝縮器、窒素導入口および出口を備えた２Ｌの３口丸底フラスコ。
【０２６１】
実験手順：
１．  粗製物（４５ｇ）を、トルエン（９００ｍＬ）の入った２Ｌの反応フラスコに入れた。
【０２６２】
２．  ｏ−クロラニル（６９．９７ｇ、０．２８４６モル）の酢酸溶液（５２０ｍＬ）を、室温で３０分間にわたり反応マスに添加した。
【０２６３】
３．  反応マスを室温で１６時間撹拌した。
【０２６４】
４．  １０％ＮａＯＨ水溶液を、反応マスにゆっくりと添加し、ｐＨを１０〜１１の範囲に調整した。
【０２６５】
５．  反応マスをセライト床を通して濾過した。
【０２６６】
６．  トルエン層に濃塩酸（１００ｍＬ）を添加し、１０分間撹拌した。
【０２６７】
７．  有機層を分離し、ｐＨを１０〜１１の範囲に調整することによって１０％ＮａＯＨ溶液で２回洗浄した。
【０２６８】
８．  有機層をメチルｔ−ブチルエーテル（２００ｍＬ×３）で抽出した。
【０２６９】
９．  合わせた有機層をＮａ２ＳＯ４上で乾燥させ、留去し、ＨＰＬＣにより純度９０．７％を有する中間体（７）４０ｇを得た。
【０２７０】
１０．  粗製物を、溶離液として中性Ａｌ２Ｏ３および２％の酢酸エチルのヘキサン溶液を使用するカラムクロマトグラフィーにより精製し、９７．２％のＨＰＬＣ純度を有する３４ｇの（７）を得た。
【０２７１】
ステップ５：中間体８の合成
【表９】
2018527300.tif 000047
装置の設定：
機械的オーバーヘッド撹拌器、凝縮器、窒素導入口および出口を備えた２Ｌの４口丸底フラスコ。
【０２７２】
実験手順：
１．  中間体（７）（３４ｇ、０．１４５２モル）、ビス（ピナコラト）ジボロン（５５．３２ｇ、０．２１７９モル）および酢酸カリウム（４２．７７ｇ、０．４３５７モル）を、ジオキサン（５５０ｍＬ）に入れた。
【０２７３】
２．  上記混合物をＮ２ガスで３０分間脱気した。
【０２７４】
３．  ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）（５．９３ｇ、０．００７３モル）を添加した。
【０２７５】
４．  反応混合物を１００℃まで加熱し、２時間維持した。
【０２７６】
５．  反応混合物を室温まで冷却し、セライト床を通して濾過した。
【０２７７】
６．  濾液を濃縮し、粗生成物として８を５８ｇ得た。
【０２７８】
７．  粗製物を、溶離液として中性Ａｌ２Ｏ３および２％の酢酸エチルのヘキサン溶液を使用するカラムクロマトグラフィーにより精製し、９６．４％のＨＰＬＣ純度を有する４５ｇの（８）を得た。
【０２７９】
ステップ６
【表１０】
2018527300.tif 000048
装置の設定：
機械的撹拌器、窒素導入口および出口を備えた２Ｌの３口丸底フラスコ。
【０２８０】
実験手順：
１）  窒素雰囲気下での、中間体４（４９ｇ、０．１２９０モル）、中間体８（３９．８８ｇ、０．１４１９モル）および炭酸ナトリウム（３４．１８ｇ、０．３２２５モル）、トルエン（８００ｍＬ）および蒸留水（２００ｍＬ）。
【０２８１】
２）  上記反応混合物を脱気し、アルゴンで３０分間パージした。
【０２８２】
３）  Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（７．４５ｇ、０．００６４モル）を添加し、反応マスを１００℃で１６時間加熱した。
【０２８３】
４）  暗褐色粗製物マスを室温まで冷却し、セライト床を通して濾過し、酢酸エチル（５００ｍＬ）で洗浄した。
【０２８４】
５）  濾液に水（５００ｍＬ）を添加した。
【０２８５】
６）  有機相を分離し、ブライン（５００ｍＬ）で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過し、濃縮して、粗生成物として約６１ｇの暗褐色油を得た。
【０２８６】
７）  アセトニトリル（４００ｍＬ）を粗製物に添加し、室温で２時間撹拌した。
【０２８７】
８）  固体を濾別し、アセトニトリル（２×１００ｍＬ）で洗浄した。
【０２８８】
９）  粗製物を、シリカゲル（２３０〜４００メッシュ）および溶離液として５％の酢酸エチルのヘキサン溶液を使用するカラムクロマトグラフィーにより精製し、９８．９％のＨＰＬＣ純度を有する３８ｇの生成物を得た。
【０２８９】
１０）  化合物（３８ｇ）を、アセトニトリル（５６０ｍＬ）と酢酸エチル（２４０ｍＬ）との混合物に溶解し、室温まで冷却した。
【０２９０】
１１）  固体を濾別し、真空下で乾燥させ、９９．６７％のＨＰＬＣ純度を有する３１ｇを得た（収率：４８．２％）。
【０２９１】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ［ｐｐｍ］９．０３（ｓ，１Ｈ），８．９７（ｄ，Ｊ＝５．０４Ｈｚ，１Ｈ），８．７２（ｄ，Ｊ＝８．３６Ｈｚ，４Ｈ），８．５３（ｄ，Ｊ＝５．０４Ｈｚ，１Ｈ），８．２０（ｄ，Ｊ＝７．１６  Ｈｚ，２Ｈ），７．６５（ｄ，Ｊ＝８．３６Ｈｚ，４Ｈ），７．５７−７．６１  （ｍ，２Ｈ），７．５２−７．５３（ｍ，１Ｈ），１．４４（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ［ｐｐｍ］１７２．００，１７０．０６，１５８．３９，１５６．５６，１５０．４２，１４４．８７，１３９．２０，１３３．１１，１２９．２６，１２８．９３，２８．８６，１２７．１６，１２５．７６，１２０．８０，１１９．２３，３５．１６，３１．２２
ステップ７
【化３７】
2018527300.tif 000049
【０２９２】
６．４５ｇの塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物（１８．２ミリモル）および出発材料（２．２当量）をフラスコに入れ、２−エトキシエタノール／水（３６０ｍＬ）の３：１の混合物に懸濁した。混合物を、１２５℃で１４時間撹拌する前に１時間脱気した。反応の間、容器を光から保護した。室温まで冷却した後、水２００ｍＬを添加し、混合物を１５分間撹拌した。沈殿固体を濾過により回収し、水２００ｍＬ、続いてエタノール３００ｍＬおよびメタノール５００ｍＬで洗浄した。さらに精製することなく使用した生成物−１８．９８ｇ（収率８５％）。
【０２９３】
ステップ８
【化３８】
2018527300.tif 000050
【０２９４】
３ｇ（１．２３ミリモル）の出発材料および炭酸ナトリウム（１０．０当量）を、フラスコに入れ、８０ｍＬの２−エトキシエタノールに懸濁した。滴下漏斗中で、２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオン（４．０当量）を、２０ｍＬの２−エトキシエタノールに溶解した。両溶液を窒素で４０分間バブリングした。反応フラスコを撹拌し、６０℃まで加熱し、次いで滴下漏斗からの溶液を添加した。温度を１３０℃まで上げ、反応物を１８時間撹拌した。室温まで冷却した後、水１００ｍＬをフラスコに添加し、２０分間撹拌した。沈殿生成物を濾過によって回収し、水で洗浄した。得られた濃赤色固体を、カラムクロマトグラフィー、続いてトルエン／アセトニトリルからの再結晶によって精製した。
【０２９５】
生成物を図３に図示した。
【０２９６】
１Ｈ  ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＣＨＬＯＲＯＦＯＲＭ−ｄ）δ＝９．１７（２Ｈ，ｓ，Ｈ−５，５’），８．７５（８Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，Ｈ−１８”，１８””‘，１８”””‘，１８’，１８，１８””，１８”‘，１８”””），８．７１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．９Ｈｚ，Ｈ−２，２’），８．３７（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．９Ｈｚ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，Ｈ−３，３’），７．８５−７．９０（２Ｈ，ｍ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，Ｈ−１２，１２’），７．６６（８Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，Ｈ−１９”，１９””‘，１９”””‘，１９’，１９，１９””，１９”‘，１９””），６．９２−６．９７（１Ｈ，ｍ，Ｍ０２），６．９４（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，Ｈ−１１，１１’），６．７６（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，Ｈ−１０，１０’），６．４６−６．５０（２Ｈ，ｍ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，Ｈ−９，９’），５．５８（１Ｈ，ｓ，Ｈ−２５），１．４４（３７Ｈ，ｓ，Ｈ−２２”，２２””‘，２２＊，２２’，２２”””‘，２２”””，２２＊’，２２，２２””，２２”‘，２２”””，２２””””‘），０．９８（１５Ｈ，ｓ，Ｈ−２８”，２８，２８’，３０，３０”，３０’）
［組成物の実施例１］
化合物の実施例２の組成物（５重量％）およびホストポリマー１（９５重量％）の膜を、スピンコーティングによって形成し、異方性因子αを、本明細書に記載されるように、発光分光法によって測定した。
【０２９７】
ホストポリマー１は、国際公開第００／５３６５６号に記載されるように、スズキ重合によって形成されたポリマーであり、上記のとおり式ＶＩＩａ（５０モル％）、ＸＩ（４０モル％）およびＸ（１０モル％）の繰り返し単位を含む。
【０２９８】
α値は０．７９であった。
【０２９９】
比較組成物１
下記の比較化合物１を化合物の実施例２の代わりに使用した以外は、組成物の実施例１について記載されるように、膜を調製した。
【０３００】
α値は１．０９であった。
【化３９】
2018527300.tif 000051
【０３０１】
比較化合物１
［組成物の実施例２］
化合物の実施例１の組成物（５重量％）およびホストポリマー２（９５重量％）の膜を、スピンコーティングすることによって形成し、異方性因子αを、本明細書に記載されるように、発光分光法によって測定した。
【０３０２】
ホストポリマー２は、国際公開第００／５３６５６号に記載されるように、スズキ重合によって形成されたポリマーであり、上記のとおり式ＶＩＩａ（５０モル％）およびＸＩ（５０モル％）の繰り返し単位を含む。
【０３０３】
α値は０．３３であった。
【０３０４】
比較素子１
以下の構造を有する有機発光素子を調製した。ＩＴＯ／ＨＩＬ／ＨＴＬ／ＬＥＬ／カソード
であって、ＩＴＯがインジウム−スズ酸化物アノードであり、ＨＩＬが正孔注入材料を含む正孔注入層であり、ＨＴＬが正孔輸送層であり、ＬＥＬが発光層である。
【０３０５】
ＵＶ／オゾンを使用してＩＴＯを担持する基板（４５ｎｍ）を洗浄した。正孔注入材料の配合物をスピンコーティングすることによって、正孔注入層を約６５ｎｍの厚さに形成した。式（ＶＩＩ）のフェニレン繰り返し単位、式（ＶＩＩＩ−１）のアミン繰り返し単位および式（ＩＸａ）の架橋性繰り返し単位を含む正孔輸送ポリマーをスピンコーティングし、加熱することによってポリマーを架橋することによって正孔輸送層を約２２ｎｍの厚さに形成した。ホストポリマー３：比較化合物２（７０重量％：３０重量％）の混合物をスピンコーティングすることによって、発光層を約８３ｎｍの厚さに形成した。約２ｎｍの厚さのフッ化ナトリウムの第１の層、約１００ｎｍの厚さのアルミニウムの層および約１００ｎｍの厚さの銀の層の発光層上に、カソードを形成した。
【０３０６】
ホストポリマー３は、セット１のモノマーの重合によって形成された第１のブロック、およびセット２のモノマーの重合によって形成された第２のブロックについて国際公開第００／５３６５６号に記載されるように、スズキ重合によって形成されたブロックポリマーである。
【０３０７】
セット１：
【化４０】
2018527300.tif 000052
【化４１】
2018527300.tif 000053
【０３０８】
セット２：
【化４２】
2018527300.tif 000054
【化４３】
2018527300.tif 000055
【０３０９】
比較化合物２は、以下の構造を有する。
【化４４】
2018527300.tif 000056
【０３１０】
［素子の実施例１］
５重量％の比較化合物１を５重量％の化合物の実施例１で置き換えた以外は、比較素子１について記載されるように、素子を調製した。
【０３１１】
素子の実施例１の効率は約９７ｃｄ／Ａであったのに対し、比較素子１の効率は約７６ｃｄ／Ａであった。
【０３１２】
図４を参照すると、素子の実施例１（実線）の外部量子効率は、比較素子１（点線）の外部量子効率よりもかなり高い。
【０３１３】
本発明を特定の例示的な実施形態に関して説明してきたが、本明細書に開示された特徴の様々な変更、改変および／または組み合わせが、以下の特許請求の範囲に記載される本発明の範囲から逸脱することなく当業者には明らかであることが理解されよう。
【図１】
2018527300.tif 000061
【図２】
2018527300.tif 000062
【図３】
2018527300.tif 000063
【図４】
2018527300.tif 000064
【国際調査報告】
2018527300.tif 000065
2018527300.tif 000066