(57)【要約】ＭＥＭＳスイッチは、基板１０１上に配置された、ＲＦ電極１０２と、プルダウン電極１０４と、アンカー電極１０８とを含む。複数のアイランド２２６がプルダウン電極に設けられ、そこから電気的に絶縁されている。ＲＦ電極の上には、ＭＥＭＳブリッジ２１２，２１４がプルダウン状態でオーミック接触を形成するＲＦコンタクト２０６がある。プルダウン電極１０４は、誘電体層２０２で被覆され、ブリッジとプルダウン電極との間の短絡を回避する。コンタクトストッパ２２４は、アイランド２２６に対応する場所で誘電体層２０２の上に配置され、プルダウン状態においてブリッジと誘電体層との間に生ずるギャップは、誘電体の帯電を低減する。代替の実施形態では、コンタクトストッパは、誘電体層２０２の内部に設けられ、あるいは、アイランド自体の上および誘電体層の下に配置される。スイッチは、広い電圧動作範囲に渡ってＭＥＭＳスイッチの接触抵抗の良好な制御性を提供する。
2018533826.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
そこに配置されたアンカー電極、ＲＦ電極およびプルダウン電極を少なくとも有する基板であって、プルダウン電極は、そこに配置された複数のアイランドを有する、基板と、
基板の上に配置されたスイッチング素子であって、スイッチング素子は、アンカー電極に電気的に接続され、ＲＦ電極から第１距離だけ離れた第１位置および、ＲＦ電極から第２距離だけ離れた第２位置から移動可能であり、第２距離は第１距離より小さい、スイッチング素子と、
プルダウン電極の上に配置された誘電体層と、
アイランドに対応する場所に、誘電体層の上に配置されたコンタクトストッパとを備える、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項２】
アンカー電極の上に配置され、基板の上方に第１高さまで延びるアンカーコンタクトと、
ＲＦ電極の上に配置され、基板の上方に第１高さまで延びるＲＦストッパとをさらに備える請求項１記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３】
コンタクトストッパおよび誘電体層は、基板の上方に第２高さまで集合的に延びており、第２高さは第１高さより小さい請求項２記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項４】
アイランドは、プルダウン電極から電気的に絶縁されている請求項３記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項５】
アンカー電極とプルダウン電極との間で、基板に配置されたプレート着地電極をさらに備える請求項４記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項６】
プレート着地電極の上に配置されたプレート着地コンタクトをさらに備える請求項５記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項７】
プレート着地コンタクトは、基板の上方に第１高さだけ延びている請求項６記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項８】
そこに配置されたアンカー電極、ＲＦ電極およびプルダウン電極を少なくとも有する基板であって、プルダウン電極は、そこに配置された複数のアイランドを有する、基板と、
基板の上に配置されたスイッチング素子であって、スイッチング素子は、アンカー電極に電気的に接続され、ＲＦ電極から第１距離だけ離れた第１位置および、ＲＦ電極から第２距離だけ離れた第２位置から移動可能であり、第２距離は第１距離より小さい、スイッチング素子と、
アイランドの上に配置されたコンタクトストッパと、
基板、コンタクトストッパおよびプルダウン電極の上に配置された誘電体層とを備える、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項９】
アンカー電極の上に配置され、基板の上方に第１高さまで延びるアンカーコンタクトと、
ＲＦ電極の上に配置され、基板の上方に第１高さまで延びるＲＦストッパとをさらに備える請求項８記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１０】
コンタクトストッパおよび誘電体層は、基板の上方に第２高さまで集合的に延びており、第２高さは第１高さより小さい請求項９記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１１】
アイランドは、プルダウン電極から電気的に絶縁されている請求項１０記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１２】
アンカー電極とプルダウン電極との間で、基板に配置されたプレート着地電極をさらに備える請求項１１記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１３】
プレート着地電極の上に配置されたプレート着地コンタクトをさらに備える請求項１２記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１４】
プレート着地コンタクトは、基板の上方に第１高さだけ延びている請求項１３記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１５】
そこに配置されたアンカー電極、ＲＦ電極およびプルダウン電極を少なくとも有する基板であって、プルダウン電極は、そこに配置された複数のアイランドを有する、基板と、
基板の上に配置されたスイッチング素子であって、スイッチング素子は、アンカー電極に電気的に接続され、ＲＦ電極から第１距離だけ離れた第１位置および、ＲＦ電極から第２距離だけ離れた第２位置から移動可能であり、第２距離は第１距離より小さい、スイッチング素子と、
プルダウン電極の上に配置された誘電体層と、
アイランドに対応する場所に、誘電体層の内部に配置されたコンタクトストッパとを備える、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項１６】
アンカー電極の上に配置され、基板の上方に第１高さまで延びるアンカーコンタクトと、
ＲＦ電極の上に配置され、基板の上方に第１高さまで延びるＲＦストッパとをさらに備える請求項１５記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１７】
コンタクトストッパおよび誘電体層は、基板の上方に第２高さまで集合的に延びており、第２高さは第１高さより小さい請求項１６記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１８】
アイランドは、プルダウン電極から電気的に絶縁されている請求項１７記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１９】
アンカー電極とプルダウン電極との間で、基板に配置されたプレート着地電極をさらに備える請求項１８記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２０】
プレート着地電極の上に配置されたプレート着地コンタクトをさらに備える請求項１９記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２１】
プレート着地コンタクトは、基板の上方に第１高さだけ延びている請求項２０記載のＭＥＭＳデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、一般に、広い電圧動作範囲に渡ってＭＥＭＳスイッチの接触抵抗の良好な制御可能性を得るための手法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ抵抗スイッチは、電圧を駆動電極に印加することによって移動する可動プレートを含む。いったん電極電圧が特定の電圧（しばしばスナップイン(snap-in)電圧と称される）に到達すると、プレートは、電極に向けて移動する。いったん電圧がリリース電圧に低下すると、プレートは、元の位置に戻る。プレートが駆動電極に近いときのより高い静電気力に起因して、そして、プレートと、プレートがいったん電極に接近して接触する表面との間の吸着(stiction)に起因して、リリース電圧は、典型的にはスナップイン電圧より低い。ＭＥＭＳデバイスのばね定数は、プルイン(pull in: 引き込み)電圧およびプルオフ(pull off: 引き離し)電圧の値を設定する。
【０００３】
プレートが下方に駆動された場合、プレートがオーミック接触を生成するコンタクト電極の上に着地する。良好なオーミック接触抵抗を得ることは、これは、典型的には、プルダウン(pull-down)電極に充分に高い電圧が印加されて、ＭＥＭＳプレートが、コンタクト電極に密着して引き寄せられることを意味する。この電圧は、プレートを、プルダウン電極の上方に位置する誘電体層の上に二次的に着地させることがあり、デバイス動作にとって信頼性の懸念事項である。それは、誘電体層の帯電(charging)および駆動電圧のシフトをもたらすことがある。
【０００４】
プロセス変動に起因して、ＭＥＭＳデバイスの駆動電極は、ウエハ間およびロット間で変動することがある。このことは、高い歩留りを得るには、実際の動作電圧がＭＥＭＳ駆動電圧での最大予想変動を超える必要があることを意味する。より低い電圧で駆動するデバイスは、より高い電圧で駆動するデバイスと比べて、より高い電圧のオーバードライブを経験するであろう。これは、ＭＥＭＳデバイスとコンタクト電極との間の接触力での大きい変動を生じさせることがあり、望ましくない接触抵抗の変動を生じさせることがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、大きな動作ウインドウを有するとともに、制御された接触力および対応する接触抵抗を有することができるＭＥＭＳスイッチについて先行技術でのニーズがある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示は、一般に、大きな動作電圧ウインドウで動作可能であり、信頼できる反復可能な接触抵抗を生じさせる、制御されたＭＥＭＳデバイス着地に関する。
【０００７】
一実施形態において、ＭＥＭＳデバイスは、
そこに配置されたアンカー(anchor)電極、ＲＦ電極およびプルダウン電極を少なくとも有する基板であって、プルダウン電極は、そこに配置された複数のアイランド(island)を有する、基板と、
基板の上に配置されたスイッチング素子であって、スイッチング素子は、アンカー電極に電気的に接続され、ＲＦ電極から第１距離だけ離れた第１位置および、ＲＦ電極から第２距離だけ離れた第２位置から移動可能であり、第２距離は第１距離より小さい、スイッチング素子と、
プルダウン電極の上に配置された誘電体層と、
アイランドに対応する場所に、誘電体層の上に配置されたコンタクトストッパとを備える。
【０００８】
他の実施形態において、ＭＥＭＳデバイスは、
そこに配置されたアンカー電極、ＲＦ電極およびプルダウン電極を少なくとも有する基板であって、プルダウン電極は、そこに配置された複数のアイランドを有する、基板と、
基板の上に配置されたスイッチング素子であって、スイッチング素子は、アンカー電極に電気的に接続され、ＲＦ電極から第１距離だけ離れた第１位置および、ＲＦ電極から第２距離だけ離れた第２位置から移動可能であり、第２距離は第１距離より小さい、スイッチング素子と、
アイランドの上に配置されたコンタクトストッパと、
基板、コンタクトストッパおよびプルダウン電極の上に配置された誘電体層とを備える。
【０００９】
他の実施形態において、ＭＥＭＳデバイスは、
そこに配置されたアンカー電極、ＲＦ電極およびプルダウン電極を少なくとも有する基板であって、プルダウン電極は、そこに配置された複数のアイランドを有する、基板と、
基板の上に配置されたスイッチング素子であって、スイッチング素子は、アンカー電極に電気的に接続され、ＲＦ電極から第１距離だけ離れた第１位置および、ＲＦ電極から第２距離だけ離れた第２位置から移動可能であり、第２距離は第１距離より小さい、スイッチング素子と、
プルダウン電極の上に配置された誘電体層と、
アイランドに対応する場所に、誘電体層の内部に配置されたコンタクトストッパとを備える。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本開示の上記特徴が詳細に理解できるような方法で、上記のように短く要約した本発明についてのより詳細な説明が実施形態を参照して行われ、その幾つかを添付図面に図示している。しかしながら、添付図面は、本開示の典型的な実施形態だけを図示しており、よってその範囲の限定と考えるべきでなく、本開示は他の等しく有効な実施形態を認めていることに留意すべきである。
【００１１】
【図１Ａ】オーミックＭＥＭＳスイッチの概略平面図である。
【図１Ｂ】多数の並列動作ＭＥＭＳスイッチを含むオーミックスイッチセルの概略平面図である。
【図１Ｃ】多数の並列動作スイッチセルを含むオーミックスイッチアレイの概略平面図である。
【図２Ａ】一実施形態に係るオーミックＭＥＭＳスイッチの概略断面図である。
【図２Ｂ】下方に駆動された、一実施形態に係るオーミックＭＥＭＳスイッチの概略断面図である。
【図２Ｃ】一実施形態に係るオーミックＭＥＭＳの下部着地表面の概略平面図である。
【図３Ａ】一実施形態に係る、種々の製造段階でのＭＥＭＳオーミックスイッチの概略図である。
【図３Ｂ】一実施形態に係る、種々の製造段階でのＭＥＭＳオーミックスイッチの概略図である。
【図３Ｃ】一実施形態に係る、種々の製造段階でのＭＥＭＳオーミックスイッチの概略図である。
【図３Ｄ】一実施形態に係る、種々の製造段階でのＭＥＭＳオーミックスイッチの概略図である。
【図３Ｅ】一実施形態に係る、種々の製造段階でのＭＥＭＳオーミックスイッチの概略図である。
【図３Ｆ】一実施形態に係る、種々の製造段階でのＭＥＭＳオーミックスイッチの概略図である。
【図３Ｇ】一実施形態に係る、種々の製造段階でのＭＥＭＳオーミックスイッチの概略図である。
【００１２】
理解を促進するために、図面に共通した同一の要素を指定するために、可能であれば、同一の参照符号を使用している。一実施形態に開示された要素が、特別の記載なしで他の実施形態に有益に利用できることが想定される。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本開示は、一般に、大きな動作電圧ウインドウで動作可能であり、信頼できる反復可能な接触抵抗を生じさせる、制御されたＭＥＭＳデバイス着地に関する。
【００１４】
図１Ａは、オーミックＭＥＭＳスイッチ１００の概略平面図である。それは、ＲＦ電極１０２、プルダウン電極１０４、およびアンカー電極１０８を含む。充分に高い電圧がプルダウン電極１０４に印加された場合、ＭＥＭＳスイッチは、下方に駆動され、ＲＦ電極１０２とアンカー電極１０８との間にオーミック接続を形成する。
【００１５】
図１Ｂは、多数のＭＥＭＳスイッチ１００を含むオーミックスイッチセル２００の概略平面図である。セル内の全てのＭＥＭＳスイッチは、充分に高い電圧をプルダウン電極１０４に印加することによって同時にターンオンになる。多くのスイッチが並列で動作するため、ＲＦ電極１０２とアンカー電極１０８との間の抵抗は減少する。
【００１６】
図１Ｃは、オーミックスイッチアレイの概略平面図を示す。それは、多数の並列動作スイッチセル２００を含む。各セルのＲＦ電極１０２は、各スイッチセル２００の一端において共に接続され、一方、アンカー電極１０８は、各スイッチセル２００の他端において共に接続される。全てのセルがターンオンした場合、これはＲＦ電極１０２とアンカー電極１０８との間の抵抗の更なる減少をもたらす。同時に、多くのスイッチが並列に動作するため、スイッチアレイ全体はより多くの電流を扱うことができる。
【００１７】
図２Ａは、実施形態に係るオーミックＭＥＭＳスイッチの概略断面図である。本開示は、コンタクトにおいて制御された着地力を発生するとともに、大きな動作電圧ウインドウを許容する方法を記載する。
【００１８】
ＭＥＭＳスイッチは、基板１０１の上に設置されたＲＦ電極１０２、プルダウン電極１０４およびアンカー電極１０８を含む。プルダウン電極１０４は、誘電体層２０２で被覆され、プルダウン状態でＭＥＭＳスイッチとプルダウン電極との間の短絡を回避している。電気絶縁層２０２のための適切な材料は、酸化シリコン、二酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンを含むシリコン系材料を含む。この層２０２の厚さは、典型的には５０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲であり、誘電体層内の電界を制限している。さらに、デバイスは、アンカー電極１０８と未接続（図示のように）または接続にできる追加のプレート着地電極２０４を含む。ＲＦ電極１０２の上部には、ＲＦコンタクト２０６があり、これに対してスイッチ本体がプルダウン状態でオーミック接触を形成する。アンカー電極１０８の上にはコンタクト２０８があり、これに対してＭＥＭＳデバイスが固定される。プレート着地電極１０６の上部には、プレート着地コンタクト２１０がある。コンタクト２０６，２０８，２１０のために使用される典型的な材料は、Ｔｉ，ＴｉＮ，ＴｉＡｌ，ＴｉＡｌＮ，ＡｌＮ，Ａｌ，Ｗ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，ＲｕＯ２，ＩＴＯおよびＭｏ、ならびにこれらの組合せを含む。
【００１９】
スイッチ素子は、ビア２１６のアレイを用いて共に接合された導電層２１２，２１４からなる堅いブリッジを含む。このことは、堅いプレートセクションおよび柔軟なレグが、高い接触力を提供するとともに、動作電圧を許容レベルに維持することを可能にする。ＭＥＭＳブリッジは、ＭＥＭＳブリッジの下側層２１２に形成されたレグ２１６および上側層２１４に形成されたレグ２１８によって懸架される。ＭＥＭＳブリッジの上側層２１４は、ビア２２０を用いてアンカーでのＭＥＭＳの下側層２１２に固定される。ＭＥＭＳブリッジの下側層は、ビア２２２を用いてアンカーコンタクト２０８に固定される。ＭＥＭＳスイッチが下方に駆動されたときに、ＲＦコンタクト２０６からＭＥＭＳブリッジへ注入される電流は、ＭＥＭＳブリッジおよびおよびレグ２１６，２１８を通って、スイッチ本体の両側に設置されたアンカー電極１０８に両方向に流れ出る。これらのレグは、ＭＥＭＳブリッジのようなビア２１６を用いて共に接合されていないため、これらのレグのコンプライアンスは充分に低く、適度な動作電圧がＭＥＭＳブリッジ２１２，２１４を引いて、ＲＦコンタクト２０６およびプレート着地コンタクト２１０に接触させるのを可能にする。
【００２０】
追加のコンタクトストッパ２２４が、プルダウン電極１０４によって包囲された小さなアイランド２２６の上方に設置される。充分に高い電圧がプルダウン電極に印加された場合、ＭＥＭＳブリッジは、これらのコンタクトストッパ２２４で停止するまで偏向する。コンタクトストッパ２２４は、充分に接近して離隔しているため、ＭＥＭＳプレート変位の実質的な増加を生じさせることなく、プルダウン電極での電圧を大量に増加できる。小さなアイランド２２６は、プルダウン電極１０４から電気的に絶縁されており、これらがＭＥＭＳブリッジに接触するコンタクトエリア２２４での電界を低減する。
【００２１】
図２Ｂは、下方に駆動された状態のオーミックＭＥＭＳデバイスを示す。ＭＥＭＳブリッジは、ＲＦコンタクト２０６、プレートストッパコンタクト２１０および追加のコンタクトストッパ２２４の上に載る。コンタクト２０６，２１０の高さは、追加のコンタクトストッパ２２４の高さより大きい。これは、ＭＥＭＳブリッジをＲＦコンタクト２０６の周りで屈曲させて、大きな接触力を生成する。これは、良好なオーミック接触のために必要になる。
【００２２】
コンタクト２０６，２１０と追加のコンタクトストッパ２２４との間の高さの差を制御することによって、接触力（および接触抵抗も）は制御できる。印加電圧の更なる増加は、ＲＦコンタクト２０６での接触力を実質的に増加させることはなく、広い動作電圧範囲について安定した接触抵抗が得られる。さらに、追加のコンタクトストッパ２２４の高さを制御することによって、ＭＥＭＳブリッジとプルダウン電極１０４の上方にある誘電体との間の残り隙間が制御でき、誘電体帯電の機会を低減できる。
【００２３】
全ての必要な高さが同じ基準面（１０２，２２６，２０４の上部）を参照しているため、安定した処理ウインドウが得られる。接触力は、コンタクト２０６，２１０の厚さによって、ならびに追加のストッパ２２４および誘電体２０２の厚さによって設定される。全てのこれらの厚さが堆積によって制御されるため、接触力の良好な制御が得られる。
【００２４】
図２Ｃは、ＭＥＭＳスイッチの制御された下部着地表面の概略平面図である。それは、プルダウン電極１０４によって包囲された絶縁アイランド２２６の上方にある追加のコンタクトストッパ２２４を示す。これらの追加のストッパ２２４の間の接近した間隔のため、ＭＥＭＳプレートは、いったんこれらのストッパの上に着地すると、さらに引き下げられない。このことは、プルダウン電極の上方にある誘電体表面が極めて高い電界を経験せず、駆動電圧のシフトを生じさせる誘電体帯電を防止することを確保している。
【００２５】
図３Ａ〜図３Ｆは、一実施形態に係る、種々の製造段階でのＭＥＭＳオーミックスイッチの制御された下部着地表面の概略図である。図３Ａは、ＭＥＭＳスイッチのバックプレーン出発材料を示し、ＲＦ電極１０２、プルダウン電極１０４、絶縁アイランド２２６、プレート着地電極２０４およびアンカー電極１０８を含む複数の電極を備えた基板１０１を含む。基板１０１は、単層基板または多層基板、例えば、１つ以上の相互接続層を有するＣＭＯＳ基板を備えてもよいことを理解すべきである。さらに、これらの電極１０２，１０４，２２６，２０４，１０８のために使用できる適切な材料は、窒化チタン、アルミニウム、タングステン、銅、チタンおよび、異なる材料の多層スタックを含むこれらの組合せを含む。
【００２６】
図３Ｂは、追加の誘電体材料を用いた（例えば、二酸化シリコンを用いた）ギャップ充填および誘電体材料のＣＭＰ（化学機械研磨）の後の結果を示す。典型的には、誘電体の表面は、金属電極１０２，１０４，２２６，２０４，１０８の表面より下方に位置する。これらの金属電極の上面は、全て同じ高さにある。
【００２７】
図３Ｃに示すように、続いて基板は、プルダウン電極１０４を保護することになる追加の誘電体層２０２で被覆される。誘電体層２０２の典型的な層厚は、この誘電体層内の電界を制限するために５０〜１５０ｎｍである。
【００２８】
図３Ｄにおいて、追加の層が堆積されパターン化され、追加の機械的ストッパ２２４を提供する。これらのストッパ２２４は、絶縁アイランド２２６に対してサイズが大きい。金属表面が誘電体表面より高いため、着地したＭＥＭＳブリッジと接触することになる最終エリアは、絶縁アイランドのサイズによって決定される。ストッパ２２４のための材料の選択は、下地の誘電体層２０２に対して良好な選択性でエッチングできるようにする。例えば、それは、チタン、窒化チタンなどの金属、または、窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの誘電体からなってもよい。ストッパ２２４の典型的な厚さは、２０〜５０ｎｍである。
【００２９】
図３Ｅにおいて、ＲＦコンタクト２０６、プレートコンタクト２１０およびアンカーコンタクト２０８が、誘電体層２０２にビアを開けて、コンタクト材料を堆積し、続いてパターン化されてコンタクト２０６，２０８，２１０を形成するすることによって生成される。コンタクト層２１０，２０６，２０８のために使用される典型的な材料は、Ｔｉ，ＴｉＮ，ＴｉＡｌ，ＴｉＡｌＮ，ＡｌＮ，Ａｌ，Ｗ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，ＲｕＯ２，ＩＴＯおよびＭｏならびにその組合せを含む。この層の厚さは、典型的には、発生させる必要がある接触力に依存して、ストッパ２２４の上方に２０〜８０ｎｍだけ突出するようにしている。
【００３０】
図３Ｆは、ストッパ２２４が誘電体層２０２の内部に埋め込まれた代替の実施形態を示す。この代替の実施形態では、ＭＥＭＳブリッジは、ストッパ２２４自体に接触する代わりに、これらのストッパ２２４の上方にある誘電体層２０２に接触する。この埋め込みコンタクト層は、図３Ｄにおいてコンタクトストッパ２２４をパターン化した後、表面の上に誘電体層２０２の追加の堆積によって生成される。プルダウン電極１０４の上で同じ合計誘電体層２０２厚さで終えるために、ストッパ２２４のパターニングの前後での誘電体堆積の第１部分および第２部分の厚さは減少できる。
【００３１】
図３Ｇは、さらに他の代替の実施形態を示しており、コンタクト層はパターン化され、ストッパ２２４を金属アイランド２２６の上に直接に形成し、続いて誘電体層２０２で被覆される。
【００３２】
図３Ｅ、図３Ｆおよび図３Ｇの全部で３つの実施形態は、全てが同じ高さにある金属電極１０２，１０４，１０６の上面に対して相対的であるため、コンタクト高さの良好な制御を与える。コンタクト高さは、誘電体層２０２、ストッパ２２４および電極２０６，２０８，２１０を形成するために使用される層の堆積厚さによって設定され、これらはプロセスにおいて厳密に制御できる。
【００３３】
プルダウン電極内のアイランドおよび二次的着地場所のための異なる高さを利用することによって、ＭＥＭＳスイッチの接触抵抗は、広い電圧動作範囲に渡って制御できる。
【００３４】
上記記載は、本開示の実施形態に関するものであるが、本開示の他のおよび追加の実施形態が、その基本的範囲から逸脱することなく考案でき、その範囲は後記の請求項によって決定される。
【図１Ａ】
2018533826.tif 000003
【図１Ｂ】
2018533826.tif 000004
【図１Ｃ】
2018533826.tif 000005
【図２Ａ】
2018533826.tif 000006
【図２Ｂ】
2018533826.tif 000007
【図２Ｃ】
2018533826.tif 000008
【図３Ａ】
2018533826.tif 000009
【図３Ｂ】
2018533826.tif 000010
【図３Ｃ】
2018533826.tif 000011
【図３Ｄ】
2018533826.tif 000012
【図３Ｅ】
2018533826.tif 000013
【図３Ｆ】
2018533826.tif 000014
【図３Ｇ】
2018533826.tif 000015
【国際調査報告】
2018533826.tif 000016
2018533826.tif 000017
2018533826.tif 000018