(57)【要約】  本発明は、チョクラルスキープーラー（３）と、ＳｉＯｘダストフィルターシステム（５）と、及び前記ＳｉＯｘダストフィルターシステム（５）に接続された真空ポンプ（９）とを含んでなるＳｉ単結晶インゴットの生長用のチョクラルスキープーラー装置に係り、前記ＳｉＯｘダストフィルターシステム（５）は、キャニスター（４１）（フィルター交換の間、キャニスター（４１）における圧力を大気圧に増大させることを可能にするキャニスターバルブを含んでなる）に収容された交換可能なフィルター（１７）を保有する第１のＳｉＯｘフィルターユニット（１５）、フィルター交換の間、第１のＳｉＯｘフィルターユニット（１５）を分離するための第１の上流バルブ（１９）及び第１の下流バルブ（２１）を有する少なくとも第１の濾過ブランチ（１３）と、キャニスター（４３）（フィルター交換の間、キャニスター（４３）における圧力を大気圧に増大させることを可能にするキャニスターバルブを含んでなる）に収容された交換可能なフィルター（２７）を保有する第２のＳｉＯｘフィルターユニット（２５）、フィルター交換の間、第２のＳｉＯｘフィルターユニット（２５）を分離するための第２の上流バルブ（２９）及び第２の下流バルブ（３１）を有する少なくとも第２の濾過ブランチ（２３）とを含んでなり、第１の濾過ブランチ（１３）及び第２の濾過ブランチ（２３）は、並列に配置され、及び第１の上流バルブ（１９）及び第２の上流バルブ（２３）の上流の共通の第１接続位置（３３）及び第１の下流バルブ（２１）及び第２の下流バルブ（３１）の下流の共通の第２接続位置（３５）に接続されており、ここで、第１の濾過ブランチ（１３）及び第２の濾過ブランチ（２３）は、前記第１の濾過ブランチ（１３）と第２の濾過ブランチ（２３）との間の圧力平衡のためのニードルバルブ（３９）を有するバイパスブランチ（３７）を介して接続されている。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキープーラー（３）と、ＳｉＯｘダストフィルターシステム（５）と、前記ＳｉＯｘダストフィルターシステム（５）に接続された真空ポンプ（９）とを含んでなるＳｉ単結晶インゴットの生長用のチョクラルスキープーラー装置であって、前記ＳｉＯｘダストフィルターシステム（５）は、
−キャニスター（４１）（フィルター交換の間、キャニスター（４１）における圧力を大気圧に増大させることを可能にするキャニスターバルブを含んでなる）に収容された交換可能なフィルター（１７）を保有する第１のＳｉＯｘフィルターユニット（１５）と、フィルター交換の間、第１のＳｉＯｘフィルターユニット（１５）を分離するための第１の上流バルブ（１９）及び第１の下流バルブ（２１）を有する少なくとも第１の濾過ブランチと、
−キャニスター（４３）（フィルター交換の間、キャニスター（４３）における圧力を大気圧に増大させることを可能にするキャニスターバルブ（４７）を含んでなる）に収容された交換可能なフィルター（２７）を保有する第２のＳｉＯｘフィルターユニット（２５）と、フィルター交換の間、第２のＳｉＯｘフィルターユニット（２５）を分離するための第２の上流バルブ（２９）及び第２の下流バルブ（３１）を有する少なくとも第２の濾過ブランチ（２３）と
を含んでなり、第１の濾過ブランチ（１３）及び第２の濾過ブランチ（２３）は、並列に配置され、及び第１の上流バルブ（１９）及び第２の上流バルブ（２３）の上流の共通の第１接続位置（３３）及び第１の下流バルブ（２１）及び第２の下流バルブ（３１）の下流の共通の第２接続位置（３５）に接続されており、ここで、第１の濾過ブランチ（１３）及び第２の濾過ブランチ（２３）は、前記第１の濾過ブランチ（１３）と第２の濾過ブランチ（２３）との間の圧力平衡のためのニードルバルブ（３９）を有するバイパスブランチ（３７）を介して接続されていることを特徴とするチョクラルスキープーラー装置。
【請求項２】
第１のフィルターユニット（１５）及び第２のフィルターユニット（２５）は、それぞれ、フィルター（１７；２７）として、ＳｉＯｘフィルターカードリッジを含んでなる請求項１に記載のチョクラルスキープーラー装置。
【請求項３】
ニードルバルブ（３９）は、第１の濾過ブランチ（１３）及び第２の濾過ブランチ（２３）の間におけるガス流動を阻止する閉止位置と、第１の濾過ブランチ（１３）及び第２の濾過ブランチ（２３）の間で、ガスが流動することを可能にする少なくとも１つの開放位置との間で制御されるようになっている請求項１又は２に記載のチョクラルスキープーラー装置。
【請求項４】
共通の第２接続位置（３５）は、最大ポンピング流量を有する真空ポンプ（９）に接続されるようになっており、ニードルバルブ（３９）は、チョクラルスキープーラー（３）での圧力変動を、チョクラルスキー引き上げ法の許される許容限界内に維持しながら、前記開放位置において、前記第１のＳｉＯｘフィルターユニット（１５）及び第２のＳｉＯｘフィルターユニット（２５）の１つにおける減圧のために十分なガス流を通過させるようになっている請求項３に記載のチョクラルスキープーラー装置。
【請求項５】
バイパスブランチ（３７）は、第１のＳｉＯｘフィルターユニット（１５）と、第１の濾過ブランチ（１３）の第１の上流バルブ（１９）との間に位置する第３の接続位置（３８）、及び第２のＳｉＯｘフィルターユニット（２５）と、第２の濾過ブランチ（２３）の第２の上流バルブ（３１）との間に位置する第４の接続位置（４０）に接続されている請求項１〜４のいずれかに記載のチョクラルスキープーラー装置。
【請求項６】
チョクラルスキープーラーからの排出ガス用のＳｉＯｘダストフィルターシステムであって、
−キャニスター（４１）（フィルター交換の間、キャニスター（４１）における圧力を大気圧に増大させることを可能にするキャニスターバルブを含んでなる）に収容された交換可能なフィルター（１７）を保有する第１のＳｉＯｘフィルターユニット（１５）と、フィルター交換の間、第１のＳｉＯｘフィルターユニット（１５）を分離するための第１の上流バルブ（１９）及び第１の下流バルブ（２１）を有する少なくとも第１の濾過ブランチと、
−キャニスター（４３）（フィルター交換の間、キャニスター（４３）における圧力を大気圧に増大させることを可能にするキャニスターバルブ（４７）を含んでなる）に収容された交換可能なフィルター（２７）を保有する第２のＳｉＯｘフィルターユニット（２５）と、フィルター交換の間、第２のＳｉＯｘフィルターユニット（２５）を分離するための第２の上流バルブ（２９）及び第２の下流バルブ（３１）を有する少なくとも第２の濾過ブランチ（２３）と
を含んでなり、第１の濾過ブランチ（１３）及び第２の濾過ブランチ（２３）は、並列に配置され、及び第１の上流バルブ（１９）及び第２の上流バルブ（２３）の上流の共通の第１接続位置（３３）及び第１の下流バルブ（２１）及び第２の下流バルブ（３１）の下流の共通の第２接続位置（３５）に接続されており、ここで、第１の濾過ブランチ（１３）及び第２の濾過ブランチ（２３）は、前記第１の濾過ブランチ（１３）と第２の濾過ブランチ（２３）との間の圧力平衡のためのニードルバルブ（３９）を有するバイパスブランチ（３７）を介して接続されていることを特徴とするＳｉＯｘダストフィルターシステム。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれかに記載のチョクラルスキープーラー装置を作動させる方法であって、下記工程：
−ニードルバルブ（３９）及び濾過ブランチ（１３）の上流バルブ（１９）及び下流バルブ（２１）を閉じて、ＳｉＯｘフィルターユニット（１５）を分離し、その際、他の濾過ブランチ（２３）の上流バルブ（２９）及び下流バルブ（３１）は開放位置にある工程、
−キャニスターバルブ（４５）を開けて、前記ＳｉＯｘフィルターユニット（１５）のキャニスター（４１）を大気圧とする工程、
−キャニスター（４１）を開け、分離されたＳｉＯｘフィルターユニット（１５）のフィルター（１７）を交換する工程、
−前記キャニスターバルブ（４５）及び前記キャニスター（４１）を閉じる工程、
−前記ニードルバルブ（３９）を開けて、両濾過ブランチ（１３、２３）の間の圧力を均衡にする工程、
−前記下流バルブ（２１）を開けて、両濾過ブランチ（１３、２３）の間で等しい圧力を維持する工程、
−前記ニードルバルブ（３９）を閉じる工程
を含んでなるチョクラルスキープーラー装置を作動させる方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳｉＯｘ濾過ユニット及びこのような濾過ユニットを作動させる方法に係る。
【背景技術】
【０００２】
単結晶インゴットの成長に使用されるチョクラルスキープーラーからの排出ガスは、シリコン融液の凝固によって形成される、特に、Ｓｉのダスト粒子を含有している。
【０００３】
このような微細なケイ素ダストは、非常に反応性であり、極めて迅速に酸化してＳｉＯ及びＳｉＯ２となり、これらは、チョクラルスキープーラーを操作する者にとってだけでなく、真空ポンプのような、下流に接続された装置にとっても、非常に有害かつ危険である。
【０００４】
このように、かかるダストは濾去されなければならない。
【０００５】
従来、これは、使い捨てのフィルターを使用することによって行われているが、このようなフィルターは、ＳｉＯｘダストを効果的に除去するために定期的に交換される必要がある。しかし、一旦、フィルターが目詰まりすると、以前の圧力が上昇し始め、単結晶インゴットの成長のための所定の制御条件を越えることがある。その結果、結晶の成長が標準的制限外で生ずる場合には、インゴットは、不具合製品として処理されなければならない。
【０００６】
ＤＥ１９５１６９２５号（特許文献１）には、特に、キャリヤーガスストリームからＳｉＯ２ダストを連続分離するための工業的ダスト分離法が開示されている。このダスト分離法は、ダストを含むガスストリームを、ダスト除去用の乾式濾過システムのフィルター媒体を通過させることを含む。
【０００７】
乾式濾過システムは、独立し、並列かつ冗長に配置された２つのガスパイプラインを含んでなり、各ガスパイプラインは、カートリッジフィルター、続くサスペンジョンフィルターを有しており、２つのパイプラインは、サスペンジョンフィルターの下流で、ガススクラバーを経由して吸引ファンに通じる共通の排ガスラインとして結合されている。
【０００８】
フィルターが目詰まりすると、ガスストリームは、他のフィルターを通って案内され、目詰まりしたフィルターは、窒素のような中性の浄化ガスの注入を介して、浄化、再生される。
【０００９】
しかし、フィルターを分離し、回路に再挿入する間に、圧力の変動が生ずる。ＤＥ１９５１６９２５号には、圧力変動を防止するために、圧力センサー、ファン制御回路及びシステムプロセッサーを含む複雑かつ高価な調整システムが開示されている。
【００１０】
文書ＤＥ１０２０１００２５１５３号（特許文献２）には、第１及び第２の処理装置の間に、第１の流体搬送接続及び第２の流体搬送接続を有し、第１及び第２の流体搬送接続が、ニードルバルブによって接続されている流体流動用の切替え装置が開示されている。
【００１１】
しかし、文書ＤＥ１０２０１００２５１５３号は、高圧ガスに係り、チョクラルスキープーラーの排出ガスに適するものではない。
【００１２】
文書ＵＳ２０１４／０３３８２９３号（特許文献３）には、バイパスブランチ及び複雑に制御されるソレノイドバルブを有する二重の流体フィルターアセンブリーが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】ＤＥ１９５１６９２５号
【特許文献２】ＤＥ１０２０１００２５１５３号
【特許文献３】ＵＳ２０１４／０３３８２９３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、特に、取り扱いが容易であり、あまり高価ではなく、より強固であるＳｉＯｘダストフィルターユニットを含んでなるチョクラルスキープーラー装置を提示するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
このように、本発明は、チョクラルスキープーラーと、ＳｉＯｘダストフィルターシステムと、及びその下流で、前記ＳｉＯｘダストフィルターシステムに接続された真空ポンプとを含んでなるＳｉ単結晶インゴットの生長用のチョクラルスキープーラー装置を提起するものであり、前記ＳｉＯｘダストフィルターシステムは、
−キャニスター（フィルター交換の間、キャニスターにおける圧力を大気圧に増大させることを可能にするキャニスターバルブを含んでなる）に収容された交換可能なフィルターを保有する第１のＳｉＯｘフィルターユニット、フィルター交換の間、第１のＳｉＯｘフィルターユニットを分離するための第１の上流バルブ及び第１の下流バルブを有する少なくとも１つの第１の濾過ブランチと、
−キャニスター（フィルター交換の間、キャニスターにおける圧力を大気圧に増大させることを可能にするキャニスターバルブを含んでなる）に収容された交換可能なフィルターを保有する第２のＳｉＯｘフィルターユニット、フィルター交換の間、第２のＳｉＯｘフィルターユニットを分離するための第２の上流バルブ及び第２の下流バルブを有する少なくとも１つの第２の濾過ブランチと
を含んでなり、第１の濾過ブランチ及び第２の濾過ブランチは、並列に配置され、及び第１及び第２の上流バルブの上流の共通の第１接続位置及び第１及び第２の下流バルブの下流の共通の第２接続位置に接続されており、ここで、第１及び第２の濾過ブランチは、前記第１と第２の濾過ブランチとの間の圧力平衡のためのニードルバルブを有するバイパスブランチを介して接続されている。
【００１６】
本発明によるチョクラルスキープーラー装置は、単独で又は組み合わされる下記の特徴の１つ又はいくつかを含むことができる：
【００１７】
１態様によれば、第１のフィルターユニット及び第２のフィルターユニットは、それぞれ、フィルターとして、ＳｉＯｘフィルターカードリッジを含んでなる。
【００１８】
他の態様によれば、ニードルバルブは、第１及び第２の濾過ブランチの間におけるガス流動を阻止する閉鎖位置と、前記第１及び第２の濾過ブランチの間で、ガスが流動することを可能にする少なくとも１つの開放位置との間で制御されるようになっている。
【００１９】
更なる態様によれば、共通の第２接続位置は、真空ポンプ（該ポンプは最大ポンピング流量を有する）に接続されるようになっており、ニードルバルブは、チョクラルスキープーラーでの圧力変動を、チョクラルスキー引き上げ法の許される許容限界内に維持しながら、前記開放位置において、前記第１及び第２のＳｉＯｘフィルターユニットの１つにおける減圧のために十分なガス流を通過させるようになっている。
【００２０】
さらに他の態様によれば、バイパスブランチは、第１のＳｉＯｘフィルターユニットと第１の濾過ブランチの第１の上流バルブとの間に位置する第３の接続位置、及び第２のＳｉＯｘフィルターユニットと第２の濾過ブランチの第２の上流バルブとの間に位置する第４の接続位置に接続されている。
【００２１】
本発明は、チョクラルスキープーラーからの排出ガス用の関連するＳｉＯｘダストフィルターシステムも目的としており、該システムは、
−キャニスター（フィルター交換の間、キャニスターにおける圧力を大気圧に増大させることを可能にするキャニスターバルブを含んでなる）に収容された交換可能なフィルターを保有する第１のＳｉＯｘフィルターユニット、フィルター交換の間、第１のＳｉＯｘフィルターユニットを分離するための第１の上流バルブ及び第１の下流バルブを有する少なくとも１つの第１の濾過ブランチと、
−キャニスター（フィルター交換の間、キャニスターにおける圧力を大気圧に増大させることを可能にするキャニスターバルブを含んでなる）に収容された交換可能なフィルターを保有する第２のＳｉＯｘフィルターユニット、フィルター交換の間、第２のＳｉＯｘフィルターユニットを分離するための第２の上流バルブ及び第２の下流バルブを有する少なくとも１つの第２の濾過ブランチと
を含んでなり、第１の濾過ブランチ及び第２の濾過ブランチは、並列に配置され、及び第１及び第２の上流バルブの上流の共通の第１接続位置及び第１及び第２の下流バルブの下流の共通の第２接続位置に接続されており、ここで、第１及び第２の濾過ブランチは、前記第１と第２の濾過ブランチとの間の圧力平衡のためのニードルバルブを有するバイパスブランチを介して接続されている。
【００２２】
最後に、本発明は、上述のチョクラルスキープーラー装置を作動させる関連する方法にも係り、該方法は、下記の工程：
−ニードルバルブ及び１つの濾過ブランチの上流バルブ及び下流バルブを閉じて、ＳｉＯｘフィルターユニットを分離し、その際、他の濾過ブランチの上流バルブ及び下流バルブは開放位置にある工程、
−キャニスターバルブを開けて、前記ＳｉＯｘフィルターユニットのキャニスターを大気圧とする工程、
−キャニスターを開け、分離されたＳｉＯｘフィルターユニットのフィルターを交換する工程、
−前記キャニスターバルブ及び前記キャニスターを閉じる工程、
−前記ニードルバルブを開けて、両濾過ブランチの間の圧力を均衡にする工程、
−前記下流バルブを開けて、両濾過ブランチの間で等しい圧力を維持する工程、
−前記ニードルバルブを閉じる工程
を含んでなる。
他の利点及び特徴は、下記の図面の記載を読むことによって明らかになるであろう
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】Ｓｉ単結晶インゴット用にチョクラルスキープーラー装置の概略図である。
【図２】本発明によるダストフィルターユニットの作動方法を説明するフローチャートの１例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図について、同一の符号は、同一の部材を示す。
【００２５】
下記の記載における具体例は、例として考慮されるべきものである。記載は１つ又はいくつかの具体例を参照するが、これは、すべての参照が同一の具体例に関わるものであること、又は特徴がただ１つの具体例にのみ適用されることを必ずしも意味しない。各種の具体例の特徴は、必ずしも明白には記載されていない新しい具体例にも結合される
【００２６】
本明細書において、用語「下流」及び「上流」は、パイプにおける正常なガス流について使用している。
【００２７】
図１は、Ｓｉ単結晶インゴット生長用のチョクラルスキープーラー装置の概略図である。
【００２８】
チョクラルスキープーラー装置１は、少なくとも１つのチョクラルスキープーラー３及び出口パイプ７を介してチョクラルスキープーラー３に接続されたＳｉＯｘダストフィルターシステム５を含んでなる。
【００２９】
チョクラルスキープーラー装置１は、さらに、出力接続パイプ１１を介して前記ＳｉＯｘダストフィルターシステム５に接続された真空ポンプ９を含んでなる。
【００３０】
典型的な単結晶ケイ素チョクラルスキー法では、数日間続く引き上げプロセスの間、圧力を、アルゴン流によって、約１０〜４０ミリバールに調整する。
【００３１】
本発明によるＳｉＯｘダストフィルターシステム５は、一方では、交換可能なフィルター１７を保有する第１のＳｉＯｘフィルターユニット１５、フィルター交換の間、第１のＳｉＯｘフィルターユニット１５を分離するための第１の上流バルブ１９及び第１の下流バルブ２１を有する第１の濾過ブランチ、及び、他方では、交換可能なフィルター２７を保有する第２のＳｉＯｘフィルターユニット２５、フィルター交換の間、第２のＳｉＯｘフィルターユニット２５を分離するための第２の上流バルブ２９及び第２の下流バルブ３１を有する第２の濾過ブランチ２３を含んでなる。
【００３２】
第１の濾過ブランチ１３及び第２の濾過ブランチ２３は、並列に配置され、第１の上流バルブ１９及び第２の上流バルブ２３の上流の共通の第１接続位置３３及び第１の下流バルブ２１及び第２の下流バルブ３１の下流の共通の第２接続位置３５に接続されている。
【００３３】
さらに、第１の濾過ブランチ１３及び第２の濾過ブランチ２３は、圧力平衡のためのニードルバルブ３９を有するバイパスブランチ３７を介して接続されている。このような圧力平衡は、特に、フィルターの交換後、関連するフィルターユニット１５又は２５が大気圧であり、一方、他のフィルターユニット２５又は１５が単結晶ケイ素チョクラルスキー法の圧力下にあり、交換されたフィルターを濾過操作に供する際に、第１の濾過ブランチ１３と第２の濾過ブランチ２３との間の障害を除去する。
【００３４】
さらに詳しくは、バイパスブランチ３７は、第１のＳｉＯｘフィルターユニット１５と、第１の濾過ブランチ１３の第１の上流バルブ１７との間に位置する第３の接続位置３８、及び第２のＳｉＯｘフィルターユニット２５と、第２の濾過ブランチ２３の第２の上流バルブ２７との間に位置する第４の接続位置４０に接続されている。
【００３５】
非限定的な具体例によれば、並列に配置された２以上の濾過ブランチを設置することも考えられる。
【００３６】
また、ＳｉＯｘダストフィルターシステムを、１つのチョクラルスキープーラーだけでなく、並列にＳｉＯｘダストフィルターシステムに接続された複数個のプーラーに接続することも可能である。
【００３７】
さらに、真空ポンプ９は、１つ又は並列及び／又は直列に接続された複数個の真空ポンプとして実現され得る。
【００３８】
第１のフィルターユニット１３及び第２のフィルターユニット２３は、それぞれ、フィルター１７、２７として、ＳｉＯｘフィルターカードリッジを収容するキャニスター４１及び４３を含んでなる。各キャラクター４１及び４３は、フィルター交換を可能にするために、キャニスター４１又は４３における圧力を大気圧に増大することを可能にする各加圧バルブ４５及び４７に接続されている。
【００３９】
ニードルバルブ３９は、第１の濾過ブランチ１３及び第２の濾過ブランチ２３の間におけるガス流動を阻止する閉鎖位置と、第１の濾過ブランチ１３及び第２の濾過ブランチ２３の間で、ガスが流動することを可能にする少なくとも１つの開放位置との間で制御されるようになっている。
【００４０】
フィルター１７又は２７の交換後、キャニスター１３又は２３が依然として大気圧下にある際、キャニスター１３又は２３を、結晶の成長を妨げることなくチョクラルスキー法のプロセス圧力に低下させることが重要である。
【００４１】
このように、プロセス圧力条件下にある際、真空ポンプ９は最大のポンピング流量を発揮し、ニードルバルブは、チョクラルスキープーラー３での圧力変動を、チョクラルスキー引き上げ法の許される許容限界内に維持するように、開放位置において、第１のＳｉＯｘフィルターユニット１５及び第２のＳｉＯｘフィルターユニット２５の１つにおける減圧のために十分なガス流を通過させるようになっている。ニードルバルブの大きさは、真空ポンプ９のポンピング能力に適合するものである。
【００４２】
以下に、ＳｉＯｘダストフィルターシステム３の作動方法の例を記載する。
【００４３】
この例では、フィルター１７が目詰まりし、交換が必要であると仮定する。
【００４４】
このケースにおいて、第１工程１００では、チョクラルスキー法における結晶成長の間ＳｉＯｘダストの濾過を行うため、第２の濾過ブランチ２３の上流バルブ２９及び下流バルブ３１は開放位置にある。ＳｉＯｘフィルターユニット１５を分離するため、ニードルバルブ３９及び第１の濾過ブランチ１３の上流バルブ１９及び下流バルブ２１を閉じる。
【００４５】
ついで、工程１０２では、キャニスター４１を大気圧とするため、キャニスターバルブ４５を開ける。
【００４６】
キャニスター４１が大気圧となったため、工程１０４において、キャニスター４１を開け、分離されたＳｉＯｘフィルターユニット１３のフィルター１７を交換できる。
【００４７】
フィルター１７を交換した後、工程１０６において、前記キャニスターバルブ４５及びキャニスター４１を閉じる。
【００４８】
ついで、工程１０８では、両濾過ブランチ１３及び２３の間の圧力平衡のためのニードルバルブ３９を開ける。ニードルバルブを通る流量が、真空ポンプ９の最大ポンピング流量に対して完全に小さいため、特に、プーラー３における全体圧力は、極わずかに影響されるのみであり、圧力は、結晶の成長のための許された圧力制御制限の限度内にとどまる。
【００４９】
両濾過ブランチ１３及び２３の間で、圧力平衡が達成された後、工程１１０において、ニードルバルブ３９を閉じ、下流バルブ２１を開いて、両キャニスターを等しい圧力とする。
【００５０】
これにより、濾過ユニット１５は、濾過操作に供される状態となる。濾過ユニット１５を濾過回路に置く前に、次はフィルター２７が目詰まりするであろうと予測できる。
【００５１】
上流バルブ１９を開けると、第１の濾過ブランチ１３によって十分な濾過能力が提供されるであろう。
【００５２】
このように、本発明によるＳｉＯｘダストフィルターシステムは、チョクラルスキープーラー装置の連続操作を可能にするが、既存の装置の変更のための高価な資本投資を必要としないことが理解されるである。
【符号の説明】
【００５３】
（１）  チョクラルスキープーラー装置
（３）  チョクラルスキープーラー
（５）  ＳｉＯｘダストフィルターシステム
（７）  出口パイプ
（９）  圧力ポンプ
（１１）出力接続パイプ
（１３）第１の濾過ブランチ
（１５）第１のＳｉＯｘフィルターユニット
（１７）フィルター
（１９）第１の上流バルブ
（２１）第１の下流バルブ
（２３）第２のＳｉＯｘフィルターユニット
（２７）フィルター
（２９）第１の上流バルブ
（３１）第１の下流バルブ
（３３）第１の接続位置
（３５）第２の接続位置
（３７）バイパスブランチ
（３８）第３の接続位置
（３９）ニードルバルブ
（４０）第４の接続位置
（４１，４３）キャニスター
（４５，４７）キャニスターバルブ
【図１】
2018531868.tif 000003
【図２】
2018531868.tif 000004
【国際調査報告】
2018531868.tif 000005
2018531868.tif 000006
2018531868.tif 000007