(57)【要約】  本明細書で説明される実施態様は、間隙充填材料を生成するための方法に関する。間隙充填材料が堆積した後で、間隙充填材料にＣＭＰプロセスが実行される前に、１以上のイオン注入プロセスが、堆積した間隙充填材料を処理するために使用される。１以上のイオン注入プロセスは、第１のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内に第１のイオン種を注入すること、及びその後に第１のイオンエネルギーよりも小さい第２のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内に第２のイオン種を注入することを含む。１以上のイオン注入プロセスは、ＣＭＰディッシングを最小化し、凹部プロファイルを改良する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
間隙充填材料を処理するための方法であって、
第１のイオンエネルギーを使用して前記間隙充填材料内に第１のイオン種を注入すること、
第２のイオンエネルギーを使用して前記間隙充填材料内に第２のイオン種を注入することであって、前記第１のイオンエネルギーが前記第２のイオンエネルギーよりも大きい、注入すること、
前記第２のイオン種に晒された後で前記間隙充填材料をアニーリングすること、及び
前記間隙充填材料に化学機械研磨プロセスを実行することであって、前記間隙充填材料のディッシングが８ｎｍ未満である、実行することを含む、方法。
【請求項２】
前記第１のイオン種が、シリコンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のイオン種が、ヘリウムを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のイオン種と前記第２のイオン種が、同じイオン種を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のイオン種が、第１の深さで前記間隙充填材料内に注入される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のイオン種が、第２の深さで前記間隙充填材料内に注入され、前記第２の深さが前記第１の深さよりも浅い、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
間隙充填材料を処理するための方法であって、
第１のイオンエネルギーを使用して前記間隙充填材料内にヘリウムイオン種を注入すること、
第２のイオンエネルギーを使用して前記間隙充填材料内にシリコンイオン種を注入することであって、前記第１のイオンエネルギーが前記第２のイオンエネルギーよりも大きい、注入すること、
前記シリコンイオン種に晒された後で前記間隙充填材料をアニーリングすること、及び
アニーリングされた前記間隙充填材料に化学機械研磨プロセスを実行することを含む、方法。
【請求項８】
前記間隙充填材料をアニーリングすることが、蒸気アニーリングを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ヘリウムイオン種が、摂氏４５０度よりも高い温度で注入される、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記ヘリウムイオン種の注入が、平方センチメートル当たり１×１０１５から約５×１０１７原子の用量を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記シリコンイオン種の注入が、平方センチメートル当たり１×１０１５から約５×１０１７原子の用量を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
間隙充填材料を生成するための方法であって、
基板上に間隙充填材料を堆積させること、
前記間隙充填材料を処理することであって、
第１のイオンエネルギーを使用して前記間隙充填材料内にヘリウムイオン種を注入することと、
第２のイオンエネルギーを使用して前記間隙充填材料内にシリコンイオン種を注入することであって、前記第１のイオンエネルギーが前記第２のイオンエネルギーよりも大きい、注入することとを含む、処理すること、
前記シリコンイオン種に晒された後で前記間隙充填材料をアニーリングして、アニーリングされた間隙充填材料を生成すること、及び
前記アニーリングされた間隙充填材料に化学機械研磨プロセスを実行することを含む、方法。
【請求項１３】
前記ヘリウムイオン種が、第１の深さで前記間隙充填材料内に注入される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記シリコンイオン種が、第２の深さで前記間隙充填材料内に注入され、前記第２の深さが前記第１の深さよりも浅い、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ヘリウムイオン種が、摂氏４５０度よりも高い温度で注入される、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施態様は、広くは、基板上で間隙充填材料を生成するための方法に関する。特に、本明細書で提供される実施態様は、間隙充填材料を生成するためのプロセスフローに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体処理では、デバイスが、連続的に減少する特徴寸法によって製造されている。しばしば、これらの先進技術ノードでデバイスを製造するために利用される特徴は、高アスペクト比の構造物を含み、絶縁材料などの間隙充填材料を用いて、高アスペクト比の構造物の間の間隙を充填することが、しばしば、必要である。絶縁材料が間隙充填の用途に使用される実施例は、浅溝分離（ＳＴＩ）、金属間誘電体層（ＩＬＤ）、プリメタル誘電体（ＰＭＤ）、パッシベーション層、パターニングの用途などを含む。デバイスの形状寸法が縮小し、サーマルバジェットが低減されるので、高アスペクト比の空間のボイドがない充填は、既存の堆積プロセスの制限により次第に困難になる。
【０００３】
間隙充填材料は、流動可能化学気相堆積（ＦＣＶＤ）、スピンオン、原子層堆積（ＡＬＤ）、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）、又は低圧化学気相堆積（ＬＰＣＶＤ）などの、様々な堆積プロセスによって堆積され得る。堆積したままの間隙充填材料は、通常、品質が悪く、高い湿潤エッチング速度比（ＷＥＲＲ）及び高い応力によって特徴付けられる。間隙充填材料の品質を改善するために、硬化及び／又はアニーリングなどの後続プロセスが実行される。それでもなお、間隙充填材料は、未だ、化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスによってもたらされるディッシンング、及び平坦でない凹部プロファイルなどの、幾つかの重要な課題に直面する。
【０００４】
したがって、間隙充填材料を生成するための改良されたプロセスが必要である。
【発明の概要】
【０００５】
本開示の実施態様は、広くは、基板上で間隙充填材料を生成するための方法に関する。一実施態様では、間隙充填材料を処理するための方法が、第１のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内に第１のイオン種を注入すること、第２のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内に第２のイオン種を注入することであって、第１のイオンエネルギーが第２のイオンエネルギーよりも大きい、注入すること、第２のイオン種に晒された後で間隙充填材料をアニーリングすること、及び、間隙充填材料に化学機械研磨プロセスを実行することであって、前記間隙充填材料のディッシングが８ｎｍ未満である、実行することを含む。
【０００６】
別の一実施態様では、間隙充填材料を処理するための方法が、第１のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内にヘリウムイオン種を注入すること、第２のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内にシリコンイオン種を注入することであって、第１のイオンエネルギーが第２のイオンエネルギーよりも大きい、注入すること、シリコンイオン種に晒された後で間隙充填材料をアニーリングすること、及び、アニーリングされた間隙充填材料に化学機械研磨プロセスを実行することを含む。
【０００７】
別の一実施態様では、間隙充填材料を生成するための方法が、基板上に間隙充填材料を堆積させること、及び間隙充填材料を処理することを含む。処理することは、第１のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内にヘリウムイオン種を注入すること、及び第２のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内にシリコンイオン種を注入することを含み、第１のイオンエネルギーは、第２のイオンエネルギーよりも大きい。該方法は、シリコンイオン種に晒した後で間隙充填材料をアニーリングして、アニーリングされた間隙充填材料を生成すること、及びアニーリングされた間隙充填材料に化学機械研磨プロセスを実行することを更に含む。
【０００８】
本開示の上述の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明は、実施態様を参照することによって得ることができる。そのうちの幾つかの実施態様は添付の図面で例示されている。しかし、添付図面は例示的な実施態様のみを示すものであり、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではなく、その他の等しく有効な実施態様も許容され得ることに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本明細書で説明される一実施態様による、基板上で間隙充填材料を生成するための方法を示す。
【図２Ａ】本明細書で説明される一実施態様による、湿潤エッチング速度比へのイオン注入の影響を示すチャートである。
【図２Ｂ】本明細書で説明される一実施態様による、湿潤エッチング速度比へのイオン注入の影響を示すチャートである。
【図３Ａ】本明細書で説明される一実施態様による、膜応力へのイオン注入の影響を示すチャートである。
【図３Ｂ】本明細書で説明される一実施態様による、膜応力へのイオン注入の影響を示すチャートである。
【図４Ａ】本明細書で説明される一実施態様による、ディッシングへのイオン注入の影響を示すチャートである。
【図４Ｂ】本明細書で説明される一実施態様による、ディッシングへのイオン注入の影響を示すチャートである。
【図４Ｃ】本明細書で説明される一実施態様による、ディッシングへのイオン注入の影響を示すチャートである。
【図５】本明細書で説明される一実施態様による、異なる温度におけるイオン濃度へのイオン注入の影響を示すチャートである。
【図６】本明細書で説明される一実施態様による、基板上で間隙充填材料を処理するための方法を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を指し示すために同一の参照番号を使用した。１つの実施態様の要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、他の実施態様に有益に組み込まれることがあると想定されている。
【００１１】
本明細書で説明される実施態様は、間隙充填材料を生成するための方法に関する。間隙充填材料が堆積した後で、間隙充填材料にＣＭＰプロセスが実行される前に、１以上のイオン注入プロセスが、堆積した間隙充填材料を処理するために使用される。１以上のイオン注入プロセスは、第１のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内に第１のイオン種を注入すること、及びその後に第１のイオンエネルギーよりも小さい第２のイオンエネルギーを使用して間隙充填材料内に第２のイオン種を注入することを含む。１以上のイオン注入プロセスは、ＣＭＰディッシングを最小化し、凹部プロファイルを改良する。
【００１２】
図１は、本明細書で説明される一実施態様による、基板上で間隙充填材料を生成するための方法１００を示している。ブロック１１０では、間隙充填材料が、基板上に堆積する。基板は、一般的に、その上に形成された特徴を有し、１以上の処理チャンバが、基板上の特徴の間に間隙充填材料を堆積させるために使用され得る。間隙充填材料は、ＦＶＣＤ、スピンオン、ＡＬＤ、ＰＥＣＶＤ、又はＬＰＣＶＤなどの、任意の適切なプロセスによって堆積され得る。間隙充填材料は、誘電体材料などの任意の適切な材料であり得る。一実施態様では、複数のフィンが、基板上で間隔を空けて形成され、間隙充填材料、又は浅溝分離（ＳＴＩ）構造物が、基板上のフィンの間に堆積する。ＳＴＩ構造物は、二酸化ケイ素などの絶縁材料によって形成され得る。別の一実施態様では、間隙充填材料が、複数の多結晶シリコンゲートの間に堆積したレベル間誘電体（ＩＬＤ）層であり、ＩＬＤ層が、二酸化ケイ素によって形成され得る。
【００１３】
ＳＴＩ構造物又はＩＬＤ層などの間隙充填材料は、堆積プロセスに続いて硬化されて、湿気と残留有機物を除去し、材料を硬くして材料の密度を高める。硬化は、通常、摂氏約１００度以下の温度の低温プロセスを使用して実行される。そのようなプロセスには、誘導結合プラズマ、紫外線、オゾン、電子ビーム、酸性若しくは塩基性の蒸気、加熱された脱イオン水のような水性環境、及びそのような処理の組み合わせ若しくは一連のものへの曝露が含まれる。
【００１４】
次に、ブロック１２０では、１以上のイオン注入プロセスが、間隙充填材料に実行され得る。堆積し硬化されたままの間隙充填材料は、後続のＣＭＰプロセス及び非平坦な凹部プロファイルによって生じるディッシング問題と共に、高いＷＥＲＲ及び高い応力を有することがある。ディッシングとは、ＣＭＰプロセスの終了時点での間隙充填材料の最も低いポイントと間隙充填材料の最も高いポイントとの間の高さにおける差異として定義される。ディッシング問題によってもたらされた平坦ではない表面は、後続の凹部プロセス又は湿式／乾式洗浄プロセスによって悪化され得る。凹部プロセスは、間隙充填材料上で実行されるエッチングプロセスなどの除去プロセスである。ＷＥＲＲ、応力、及びディッシングを低減させるために、間隙充填材料は、１以上のイオン注入プロセスによって処理され得る。
【００１５】
１以上のイオン注入プロセスは、概して、イオン種を間隙充填材料の中へ組み込み、間隙充填材料内の結合を破壊する。結果として、後続のアニーリングプロセス中に、間隙充填材料の反応性及び転化率が増加する。１以上のイオン注入プロセスは、間隙充填材料のＷＥＲＲも改良する。図２Ａ及び図２Ｂは、本明細書で説明される実施態様による、ＷＥＲＲへのイオン注入の影響を示すチャートである。一実施態様では、シリコンイオン種が、間隙充填材料の中へ注入される。図２Ａは、ＷＥＲＲへのイオンエネルギーの影響を示すチャートを示している。図２Ａで示されているように、２などの低いＷＥＲＲが、両方のイオンエネルギーレベルに対して、１００ｎｍ以下の浅い注入深さで達成されている。しかし、間隙充填材料の中へより深く（例えば、１００ｎｍより深く）低いＷＥＲＲを達成するために、３０ｋｅＶなどのより低いイオンエネルギーと比較して、６０ｋｅＶなどのより高いイオンエネルギーが使用され得る。
【００１６】
別の一実施態様では、ヘリウムイオン種が、間隙充填材料の中へ注入される。図２Ｂは、ＷＥＲＲへのイオンエネルギーの影響を示すチャートを示している。図２Ｂで示されているように、ＷＥＲＲは、隙間がないエリアとオープンエリアの両方において、ヘリウムイオン種が注入された間隙充填材料に対して、低いままである。隙間がないエリアは、特定のエリア内に相対的により多くの特徴が配置されていることを指し、オープンエリアは、特定のエリア内に相対的により少ない特徴が配置されていることを指す。
【００１７】
図３Ａ及び図３Ｂは、本明細書で説明される実施態様による、膜応力へのイオン注入の影響を示すチャートである。図３Ａ及び図３Ｂで示されているように、Ｓｉイオン種とＨｅイオン種の両方に対して、膜応力、又は間隙充填材料の応力は、注入量が増加するに従って、より圧縮性になる。注入量は、平方センチメートル当たり約１×１０１５から約５×１０１７原子の範囲内にあり得る。
【００１８】
図４Ａから図４Ｃは、本明細書で説明される実施態様による、ディッシングへのイオン注入の影響を示すチャートである。上述されたように、ディッシングは、後続のＣＭＰプロセスの後で生じ、ＣＭＰプロセスの終了時点での間隙充填材料の最も低いポイントと間隙充填材料の最も高いポイントとの間の高さにおける差異（ｎｍ）として定義される。図４Ａは、シリコンイオン種の注入がない場合と比較して、間隙充填材料内にシリコンイオン種が注入された場合の低減されたディッシングを示している。図４Ａで示されているように、隙間がないエリアでは、ＣＭＰプロセス中に１５％又は３５％だけオーバーポリッシュされた間隙充填材料が、ＣＭＰプロセスに先立って間隙充填材料内にシリコンイオン種が注入されたときに、０ｎｍのディッシングを有する。同様に、オープンエリアでは、ＣＭＰプロセス中に１５％又は３５％だけオーバーポリッシュされた間隙充填材料が、ＣＭＰプロセスに先立って間隙充填材料内にシリコンイオン種が注入されたときに、５ｎｍ未満のディッシングを有する。
【００１９】
図４Ｂも、ヘリウムイオン種の注入がない場合と比較して、間隙充填材料内にヘリウムイオン種が注入された場合の低減されたディッシングを示している。図４Ｂで示されているように、ピッチ比Ａを有する特徴とピッチ比Ｂを有する特徴内の間隙充填材料に対して、隙間がないエリアとオープンエリアの両方において、ヘリウムイオン種が注入されていない場合と比較して、ヘリウムイオン種が注入された場合の間隙充填材料は、ディッシングがかなり低い。図４Ｃは、ＣＭＰプロセスの後の凹部プロセスの終了時点におけるディッシングを示しているチャートである。図４Ｃで示されているように、ディッシングは、ヘリウムイオン種が、隙間がないエリアとオープンエリアの両方の中の間隙充填材料内に注入された場合に低減されている。図４Ａから図４Ｃで示されているように、ＣＭＰプロセス又は凹部プロセスの後で、間隙充填材料のディッシングは、１以上のイオン注入プロセスが、ＣＭＰプロセス及び凹部プロセスに先立って間隙充填材料に実行されたときに、約８ｎｍ未満である。
【００２０】
１以上のイオン注入プロセスは、摂氏０度未満から摂氏約５００度までの範囲内の任意の適切な温度で実行され得る。ある実施態様では、間隙充填材料への損傷を最小化するために、イオン種は、摂氏約５００度などの摂氏４５０度より高い温度で注入される。注入温度が、摂氏４５０度よりも高いときに、間隙充填材料内のイオン種の蓄積は低減され、間隙充填材料に対してより低い損傷をもたらすことが、分かってきた。図５は、本明細書で説明される実施態様による、異なる温度におけるイオン濃度へのイオン注入の影響を示すチャートである。図５で示されているように、間隙充填材料内のヘリウムイオン種の濃度は、摂氏３００度で実行されたイオン注入プロセスと比較して、イオン注入プロセスが摂氏５００度で実行されたときに、より低い。再び、注入されたイオン種のより低い濃度が、間隙充填材料に対する損傷を最小化する。したがって、ある実施態様では、１以上のイオン注入プロセスが、摂氏５００度などの、摂氏４５０度よりも高い温度で実行される。
【００２１】
間隙充填材料内に注入されるイオン種は、シリコンイオン種、ヘリウムイオン種、水素イオン種、窒素イオン種、又はアルゴンイオン種などの他の不活性イオン種などの、任意の適切なイオン種であり得る。ある実施態様では、ヘリウムイオン種などの小さいサイズのイオン種が、間隙充填材料に対する損傷を最小化するために、間隙充填材料内に注入される。しかし、図４Ａから図４Ｃで示されているように、シリコンイオン種が注入された間隙充填材料は、ヘリウムイオン種が注入された間隙充填材料よりも改良されたディッシングを示す。したがって、ある実施態様では、２以上のイオン注入プロセスが、間隙充填材料を処理するために実行される。
【００２２】
図６は、本明細書で説明される一実施態様による、基板上で間隙充填材料を処理するための方法６００を示す。ブロック６０２では、第１のイオン種が、第１のイオンエネルギーで間隙充填材料内に注入される。一実施態様では、第１のイオン種が、ヘリウムイオン種である。第１のイオンエネルギーで、第１のイオン種が、第１の深さで間隙充填材料内に注入される。ブロック６０４では、第２のイオン種が、第２のイオンエネルギーで間隙充填材料内に注入される。一実施態様では、第２のイオン種が、シリコンイオン種であり、第２のイオンエネルギーが、第１のイオンエネルギー未満である。より低いイオンエネルギーで、シリコンイオン種は、第１の深さよりも浅い第２の深さで間隙充填材料内に注入される。結果として、後続のＣＭＰプロセスの後で、ディッシングが改良される。何故ならば、シリコンイオン種が注入された間隙充填材料は、ヘリウムイオン種が注入された間隙充填材料と比較して、ディッシングにおけるより優れた結果を示すからである。第１及び第２のイオン種の深さは、ＣＭＰプロセスによって除去されるべき間隙充填材料の量によって決定され得る。第１及び第２のイオン種は、シリコンイオン種、ヘリウムイオン種、水素イオン種、窒素イオン種、又はアルゴンイオン種などの他の不活性イオン種などの、任意の適切なイオン種であり得る。ある実施態様では、第１のイオン種が、第２のイオン種と同じである。同じイオン種の２つの注入プロセスは、注入されたイオン種の均一性を改良する助けとなる。
【００２３】
図１に戻って参照すると、ブロック１３０では、１以上のイオン注入プロセスの後で、間隙充填材料がアニーリングされ得る。間隙充填材料のアニーリングは、堆積チャンバ、イオン注入チャンバ、又は急速熱処理チャンバなどの異なるアニーリング装置の何れかの中で実行され得る。アニーリングプロセスは、摂氏約５００度の温度で実行され得る。水蒸気が、アニーリングプロセス中に供給されて、間隙充填材料を蒸気アニーリングし得る。一実施態様では、間隙充填材料が、二酸化ケイ素である。蒸気中の酸素原子は、Ｓｉダングリングボンドに結合されることによって、二酸化ケイ素の間隙充填材料の中へ有利に組み込まれ、二酸化ケイ素材料の酸素含有量を増加させ得ると、信じられている。蒸気アニーリングプロセスは、増加したＳｉ‐Ｏ結合に対する酸素原子の利用可能性による二酸化ケイ素材料の収縮を妨げもし得ることが、考えられている。
【００２４】
ブロック１４０で示されているように、アニーリングプロセスの後で、ＣＭＰプロセスが、間隙充填材料に実行される。前述したように、ＣＭＰプロセスによってもたらされたディッシングは、プロセスフローにおける１以上のイオン注入プロセスの追加によって最小化される。
【００２５】
以上の記述は本開示の実施態様を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施態様及び更なる実施態様を考案してもよく、本開示の範囲は、下記の特許請求の範囲によって決定される。
【図１】
2018531518.tif 000003
【図２Ａ】
2018531518.tif 000004
【図２Ｂ】
2018531518.tif 000005
【図３Ａ】
2018531518.tif 000006
【図３Ｂ】
2018531518.tif 000007
【図４Ａ】
2018531518.tif 000008
【図４Ｂ】
2018531518.tif 000009
【図４Ｃ】
2018531518.tif 000010
【図５】
2018531518.tif 000011
【図６】
2018531518.tif 000012
【国際調査報告】
2018531518.tif 000013
2018531518.tif 000014