(57)【要約】温度緩和のための方法は、コンピューティングデバイス内に配置された温度センサから信号を受け取ることを含む。コンピューティングデバイス内のプロセッサチップは、熱を生み出す。温度センサからの信号は、温度データに変換される。方法は、デバイスの外部表面の温度の推定値を生成するために温度データを処理することをさらに含む。処理することは、温度データにローパスフィルタを適用することと、温度データに振幅減衰を適用することと、温度データに遅延を適用することと、を含む。方法はさらに、デバイスの外部表面の推定された温度に応答して、動作周波数のようなプロセッサチップの動作パラメータを低減させることを含む。
2018533134.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスの温度を緩和するための方法であって、
温度センサから信号を受け取ることと、ここにおいて、前記温度センサが、前記デバイス内で熱を生み出すプロセッサチップを有する前記デバイス内に配置される、
前記信号から温度データを生成することと、
前記デバイスの外部表面の温度を示すデータを生成するために、前記温度データを処理することと、ここにおいて、前記温度データを処理することが、
前記温度データに、ローパスフィルタ、振幅減衰、および遅延を適用すること
を含む、
前記デバイスの前記外部表面の前記温度を示す前記データに応答して、前記プロセッサチップの動作パラメータを低減させることと、
を備える、方法。
【請求項２】
前記温度センサは、前記デバイス内の以下の位置、
前記プロセッサチップ中、
前記プロセッサチップを含むパッケージ中、ここで、前記パッケージは、前記プロセッサチップが取り付けられた誘電体基板を含む、
前記パッケージが配置されたプリント回路基板（ＰＣＢ）上、
のうちの少なくとも１つに配置される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記信号は、前記温度センサに関連する抵抗を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記温度センサは、サーミスタを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記プロセッサチップの前記動作パラメータを低減させることは、
前記デバイスの前記外部表面の前記温度を示す前記データを、しきい値温度と比較すること、前記しきい値温度は、前記デバイスの前記外部表面の最大許容温度を表す、
を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記方法が、前記デバイスの前記プロセッサチップのソフトウェアカーネルによって実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記プロセッサチップの動作パラメータを低減させることは、
前記プロセッサチップの動作周波数を低減させること、
を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記デバイスの前記外部表面の前記温度を示す前記データが減少したと決定することに応答して、前記プロセッサチップの前記動作パラメータを続いて増加させること、
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
デバイスの温度を緩和するためのコンピュータプログラム論理を有形に記録したコンピュータ読み取り可能な媒体を有するコンピュータプログラム製品であって、
温度センサから信号を受け取るためのコードと、ここにおいて、前記温度センサが、前記デバイス内で熱を生み出すプロセッサチップを有する前記デバイス内に配置される、
前記信号から温度データを生成するためのコードと、
前記デバイスの外部表面の温度を示すデータを生成するために、前記温度データに、ローパスフィルタ、振幅減衰、および遅延を適用するためのコードと、
前記デバイスの前記外部表面の前記温度を示す前記データに応答して、前記プロセッサチップの動作パラメータを低減させるためのコードと、
を備える、コンピュータプログラム製品。
【請求項１０】
前記プロセッサチップの前記動作パラメータを低減させるための前記コードは、
前記プロセッサチップの動作周波数を低減させるためのコードを備える、請求項９に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１１】
前記プロセッサチップの前記動作パラメータを低減させるための前記コードは、
前記デバイスの前記外部表面の前記温度を示す前記データを、しきい値温度と比較するためのコード、前記しきい値温度は、前記デバイスの前記外部表面の最大許容温度を表す、
を備える、請求項９に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１２】
前記デバイスの前記外部表面の前記温度を示す前記データが減少したと決定することに応答して、前記プロセッサチップの前記動作パラメータを続いて増加させるためのコード、
をさらに備える、請求項９に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１３】
前記信号は、前記温度センサに関連する抵抗を示す、請求項９に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１４】
温度を緩和するためのシステムであって、
プロセッサと、
前記システムの少なくとも一部をエンクローズするように構成された筐体と、前記プロセッサは、それが前記筐体内にエンクローズされるように前記システム内に配置され、前記プロセッサはさらに、前記筐体と間接的に熱接触をしている、
前記筐体内に配置された温度検知デバイスと、
を備え、
前記温度検知デバイスは前記プロセッサと電気的に通信しており、前記プロセッサは、以下の動作、
前記温度検知デバイスによって経験される温度を示す第１の温度データを生成することと、
第２の温度データを生成することによって、前記筐体の外部表面の温度を推定することと、ここにおいて、第２の温度データを生成することが、前記第１の温度データに伝達関数を適用することを含み、前記伝達関数は、ローパスフィルタ、振幅減衰、および遅延を含む、
前記第２の温度データに応答して、前記プロセッサの動作パラメータを低減させることと、
を実施するように構成される、
システム。
【請求項１５】
前記コンピュータプロセッサは、前記温度検知デバイスから電気的な信号を受け取り、前記電気的な信号から前記第１のデジタル温度データを生成するように構成される、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記温度検知デバイスは、前記システム内の以下の位置、
前記コンピュータプロセッサ中、
前記コンピュータプロセッサを含むパッケージ中、ここで、前記パッケージは、前記コンピュータプロセッサが取り付けられた誘電体基板を含む、
前記パッケージが配置されたプリント回路基板（ＰＣＢ）上、
のうちの少なくとも１つに配置される、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１７】
前記温度検知デバイスは、サーミスタを備える、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１８】
前記動作パラメータは、前記コンピュータプロセッサの動作周波数および前記コンピュータプロセッサの動作電圧のうちの少なくとも１つを備える、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１９】
前記コンピュータプロセッサは、パッケージ内のシステムオンチップ（ＳＯＣ）中にインプリメントされ、前記パッケージは、前記ＳＯＣに機械的に結合された誘電体基板を含み、さらに、前記パッケージは、プリント回路基板に取り付けられ、かつ前記物理筐体内に配置される、請求項１４に記載のシステム。
【請求項２０】
温度を緩和するためのシステムであって、
エンクローズされたコンピューティングデバイスの内部の温度を示す情報を提供するための手段と、
前記エンクローズされたコンピューティングデバイスの内部の前記温度を示す前記情報に、減衰、フィルタ、および遅延を適用することによって、前記コンピューティングデバイスの外部表面の温度を推定し、前記コンピューティングデバイスの前記外部表面の推定された温度に基づいて、制御信号を生み出すための手段と、
前記制御信号に応答して、推定するための前記手段の動作パラメータを低減させるための手段と、
前記コンピューティングデバイスの前記外部表面を含み、かつ推定するための前記手段をエンクローズするように構成される物理筐体と、ここにおいて、推定するための前記手段が、前記物理筐体と間接的に熱接触をしている、
を備える、システム。
【請求項２１】
情報を提供するための前記手段は、前記デバイス内の以下の位置、
推定するための前記手段中、
推定するための前記手段を含むパッケージ中、ここで、前記パッケージは、推定するための前記手段が取り付けられた誘電体基板を含む、
前記パッケージが配置されたプリント回路基板（ＰＣＢ）上、
のうちの少なくとも１つに配置されるサーミスタを備える、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２２】
前記動作パラメータを低減させるための前記手段は、クロックコントローラを備える、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２３】
前記温度を推定するための前記手段は、システムオンチップとしてインプリメントされるコンピュータプロセッサを備える、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２４】
前記システムは、スマートフォンおよびタブレットコンピュータのうちの少なくとも１つを備える、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２５】
前記外部表面は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）表面を備える、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２６】
温度緩和のための方法であって、
エンクローズされたコンピューティングデバイスの内部コンポーネントの温度データを受け取ることと、
前記内部コンポーネントの前記温度データに、減衰、フィルタリング、および遅延を適用することによって、前記コンピューティングデバイスの外部表面の温度を推定することと、
前記コンピューティングデバイスの前記外部表面の前記温度の推定値を、プログラムされたしきい値と比較することと、ここにおいて、前記プログラムされたしきい値が、前記コンピューティングデバイスの前記外部表面の温度制限に対応する、
前記比較することに応答して、前記コンピューティングデバイスのコンピュータプロセッサの動作パラメータを低減させることと、
前記コンピューティングデバイスの前記外部表面の前記温度の前記推定値が減少したと決定することに応答して、前記コンピュータプロセッサの前記動作パラメータを続いて増加させることと、
を備える、方法。
【請求項２７】
前記コンピュータプロセッサの前記動作パラメータを低減させることは、前記コンピュータプロセッサの動作周波数を低減させることを備える、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
内部コンポーネントの温度データを受け取ることは、前記コンピュータプロセッサ中に配置された、前記コンピュータプロセッサを含むパッケージ中に配置された、または前記コンピュータプロセッサを含むプリント回路基板上に配置された、サーミスタから、温度データを受け取ることを備える、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記方法は、前記コンピュータプロセッサのソフトウェアカーネルによって実施される、請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
前記コンピュータプロセッサの動作パラメータを低減させることは、前記コンピュータプロセッサの電圧を低減させることを備える、請求項２６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
[0001]  本出願は、２０１５年９月２１日に出願された米国非仮出願第１４／８６０，２０３号に対する優先順位を主張し、それは、すべての適用可能な目的のために、また全体がまるで以下に完全に記載されているように、参照によって全体がここに組み込まれている。
［技術分野］
[0002]  本出願は、熱の緩和（thermal mitigation）に関し、より具体的には、デバイススキン温度（device skin temperature）を推定することによって、コンピューティングデバイスに熱の緩和を提供することに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0003]  従来のモダンなスマートフォンは、システムオンチップ（ＳＯＣ）を含み得、それはプロセッサおよび他の動作回路を有する。具体的には、スマートフォン中のＳＯＣは、パッケージ内にプロセッサチップを含み得、ここでパッケージは、電話の内部のプリント回路基板（ＰＣＢ）上に取り付けられる。電話は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のようなディスプレイおよび外部筐体を含む。ヒューマンユーザは電話を使用するときに、外部筐体およびディスプレイに物理的に触れる。
【０００３】
[0004]  ＳＯＣが動作するとき、それは熱を生成する。一例では、スマートフォン内のＳＯＣは、８０°Ｃ〜１００°Ｃという温度に達し得る。さらに、従来のスマートフォンは、熱を放散（dissipate）するためのファンを含まない。使用中、ヒューマンユーザがスマートフォン上でビデオを見ているとき等に、ＳＯＣは熱を生成し、その熱は電話の内部の部分を通して電話の外側表面へと拡散（spread）される。
【０００４】
[0005]  電話の外側表面は、時に「スキン」と呼ばれる。外側表面は、物理的に電話の外側にある外部筐体の一部、ならびに、ＬＣＤディスプレイのような、いかなる他の外部に露出した部分も含む。安全性および人間工学の理由により、電話のスキンが約４０°Ｃ〜４５°Ｃより高い温度に達するべきでないことは、一般に受け入れられている。上述したように、ＳＯＣの温度が電話のスキンにおいて直接的に感じられるわけではないのだが、スマートフォン内のＳＯＣは、８０°Ｃ〜１００°Ｃという温度に達し得る。代わりに、電話内の放熱（heat dissipation）は、しばしば、電話のスキン温度がＳＯＣ温度よりも低い温度にあることを意味する。さらに、ＳＯＣ温度に対する変化が比較的素早い可能性がある（例えば、秒単位）のに対して、デバイススキン温度に対する変化は、比較的遅い可能性がある（例えば、数十秒または分単位）。
【０００５】
[0006]  従来のスマートフォンは、ＳＯＣ内の温度センサがしきい値レベルに達するとき、ＳＯＣの動作周波数（frequency of operation）を低減させることによって、スキン温度を制御するためのアルゴリズムを含む。しかしながら、ＳＯＣの温度は、デバイススキン温度に対する良い代理（proxy）とはならない可能性がある。
【発明の概要】
【０００６】
[0007]  様々な実施形態は、コンピューティングデバイス内の温度を測定することと、デバイスの外部表面温度を推定することと、適切な場合には、温度推定値に少なくとも部分的に基づいて、プロセッサのパフォーマンスを低下させることと、によって、温度を緩和するシステムおよび方法を含む。
【０００７】
[0008]  一実施形態では、デバイスの温度を緩和するための方法は、温度センサから信号を受け取ることを含み、ここにおいて、温度センサは、デバイス内で熱を生み出すプロセッサチップを有するデバイス内に配置（disposed）される。方法はまた、信号から温度データを生成することと、デバイスの外部表面の温度を示すデータを生成するために、温度データを処理することと、を含む。温度データを処理することは、デジタル温度データに、ローパスフィルタ、振幅減衰（amplitude attenuation）、および遅延を適用することを含む。方法はまた、外部表面の温度を示すデータに応答して、プロセッサチップの動作パラメータを低減させることを含む。
【０００８】
[0009]  別の実施形態では、デバイスの温度を緩和するためのコンピュータプログラム論理を有形に記録したコンピュータ読み取り可能な媒体を有するコンピュータプログラム製品は、温度センサから信号を受け取るためのコードであって、ここにおいて、温度センサが、デバイス内で熱を生み出すプロセッサチップを有するデバイス内に配置される、受け取るためのコードと、信号から温度データを生成するためのコードと、デバイスの外部表面の温度を示すデータを生成するために、温度データに、ローパスフィルタ、振幅減衰、および遅延を適用するためのコードと、デバイスの外部表面の温度を示すデータに応答して、プロセッサチップの動作パラメータを低減させるためのコードと、を含む。
【０００９】
[0010]  別の実施形態では、温度を緩和するためのシステムは、プロセッサと、システムの少なくとも一部をエンクローズする（enclose）ように構成された筐体と、を含み、プロセッサは、それが筐体内にエンクローズされるようにシステム内に配置され、かつ筐体と間接的に熱接触をしている。システムはまた、筐体内に配置され、かつプロセッサと電気的に通信している温度検知デバイスを含む。プロセッサは、以下の動作を実施するように構成される：温度検知デバイスによって経験される温度を示す第１の温度データを生成することと、第２の温度データを生成することによって、筐体の外部表面の温度を推定することであって、ここにおいて、第２の温度データを生成することが、第１の温度データに伝達関数（transfer function）を適用することを含み、伝達関数が、ローパスフィルタ、振幅減衰、および遅延を含む、推定することと、第２の温度データに応答して、プロセッサの動作パラメータを低減させること。
【００１０】
[0011]  さらに別の実施形態では、温度緩和（temperature mitigation）のための方法は、エンクローズされたコンピューティングデバイスの内部コンポーネントの温度データを受け取ることと、内部コンポーネントの温度データに、減衰、フィルタリング、および遅延を適用することによって、コンピューティングデバイスの外部表面の温度を推定することと、を含む。方法は、コンピューティングデバイスの外部表面の温度の推定値を、プログラムされたしきい値と比較することであって、ここにおいて、プログラムしきい値が、コンピューティングデバイスの外部表面の温度制限に対応する、比較することと、比較することに応答して、コンピューティングデバイスのコンピュータプロセッサの動作パラメータを低減させることと、コンピューティングデバイスの外部表面の温度の推定値が減少したと決定することに応答して、コンピュータプロセッサの動作パラメータを続いて増加させることと、をさらに含む。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】[0012]  図１は、様々な実施形態による方法を実施し得る例示的なコンピューティングデバイスの例示である。
【図２】[0013]  図２は、一実施形態による、図１のコンピューティングデバイス内部の機能ユニットの例示である。
【図３】[0014]  図３は、一実施形態による熱管理回路構成および論理の例示である。
【図４】[0015]  図４は、一実施形態による、例示的な温度曲線の例示である。
【図５】[0016]  図５は、一実施形態に従って適応された、温度センサ読み取りからデバイススキン温度を推定するための例示的な処理論理の例示である。
【図６】[0017]  図６は、一実施形態による、熱の緩和の例示的な方法のフローダイアグラムの例示である。
【詳細な説明】
【００１２】
[0018]  様々な実施形態は、温度センサデータに伝達関数を適用することによって、デバイススキン温度を推定するためのシステムおよび方法を含む。温度センサデータは、チップ上（on-chip）、パッケージ上（on-package）、またはデバイスのプリント回路基板上のいずれかに位置する温度センサからのものであり得る。言い換えれば、温度センサは、デバイススキン温度を直接的には測定しない。実施形態はまた、推定されたデバイススキン温度に基づいて、スキン温度緩和アルゴリズムを適用することを含む。
【００１３】
[0019]  １つの例示的な方法は、例えば、任意の好適なハードウェアまたはソフトウェア処理論理によって実施され得る。例えば、スマートフォンは、システムオンチップ（ＳＯＣ）を含み得、スキン温度緩和処理は、ＳＯＣのソフトウェアカーネル内の機能性によって実施され得る。代替的に、そのような機能性は、ＳＯＣ中のハードウェアに内蔵され得る。いずれにしても、処理の機能性は、ＳＯＣによって実行されるコンピュータ読み取り可能なコードを含み得る。
【００１４】
[0020]  例示的な方法について続けると、処理論理は、温度センサからデータを読み取り、温度読み取りをしきい値温度と比較する。しきい値温度は、ある値に設定され得、その値においては、デバイススキン温度は不快または危険な温度に近づいている可能性があることが予想され、その結果モニタすることを始める。しきい値温度は、デバイスに依存したもの（device-dependent）であり得、実験または知られている設計特性によって決定され得る。温度読み取りがしきい値温度を下回る場合には、システムはさらに温度読み取りをとる（take）ことを続ける。
【００１５】
[0021]  しかしながら、温度読み取りがしきい値温度を上回る場合には、処理はデバイススキン温度を推定する。スキン温度を推定することは、温度読み取りをデジタル化することと、デジタル化された温度読み取りに伝達関数を適用することと、を含み得る。伝達関数は、スキン温度の有益なインジケータを提供すると予想される様々なタイプの信号調整（signal conditioning）を含み得る。
【００１６】
[0022]  １つの例示的な実施形態では、伝達関数は、ローパスフィルタ、振幅減衰、および遅延を含む。スキン温度は、ＳＯＣの近くまたはデバイス内部の温度よりも遅く変化することが予想されるであろうから、ローパスフィルタは、（例えば、秒単位またはそれ未満の範囲の）温度のより高い周波数の変動（higher-frequency variations）を除去する。振幅減衰は、１より小さい倍数で温度の大きさ（the magnitude of the temperature）を乗じ、それにより温度信号の振幅（amplitude）を減少させる。振幅減衰は、デバイスのスキン温度は通常ＳＯＣの近くのデバイス内部の温度よりも低いことが予想されるであろうことを考慮する。伝達関数はまた、遅延コンポーネントを含み得る。遅延は、熱がデバイス内で生み出される時間と熱がスキン温度に影響を与える時間との間の予想される経過時間の要因である（accounts for）。例えば、いくつかのデバイスにおいては、デバイス内部で生み出された熱がスキン温度に影響を与えるのに、１または２分かかり得る。ローパスフィルタ、振幅減衰、および遅延の特性は、デバイスに依存したものであり、デバイス設計から知られる特性および／または実験を通して決定され得る。
【００１７】
[0023]  処理論理は、伝達関数を用いてスキン温度推定値を生み出す。処理論理は、温度推定値を温度しきい値と比較し、それはデバイス緩和に対応するデバイススキン温度しきい値の値（device skin temperature threshold value）である。この温度しきい値は、上述した温度しきい値と同じであり得るか、またはそれとは異なり得、それは温度推定値の計算をトリガする。実施形態の範囲は、いかなる適したしきい値の値も含むが、いくつかの例では、４０°Ｃを上回る温度推定値はデバイス緩和を望ましいものにするであろう。温度推定値がしきい値よりも大きくない場合、温度緩和アルゴリズムは、デバイスの動作パラメータを低減させず、単に別の温度測定値の値（temperature measurement value）を読み取る。
【００１８】
[0024]  しかしながら、温度推定値が温度しきい値よりも大きい場合には、処理は、生成する熱がより少なくなるように、デバイスの動作パラメータを低減させる。一例では、処理論理は、ＳＯＣ中の１つまたは複数のコアの動作周波数（operating frequency）を低減させ、それにより電力消費を低減させる。しかしながら、実施形態の範囲は、コアをアイドル状態にする等の、いかなる適した熱の緩和技法も含み得る。処理は、ＳＯＣが動作するときに動作し続け、図１〜図６の実施形態に関してより完全に説明されるように、継続的に温度を測定し、適した緩和ステップを行う。
【００１９】
[0025]  図１は、様々な実施形態がインプリメントされ得る例示的なコンピューティングデバイス１００を例示する簡略化された図である。図１の例では、コンピューティングデバイス１００は、スマートフォンとして示される。しかしながら、他の実施形態は、タブレットコンピュータ、ラップトップコンピュータ、または他の適したデバイスを含み得るので、実施形態の範囲はスマートフォンに限定されない。実際には、実施形態の範囲は、モバイルであるか否かに関わらず、いかなる特定のコンピューティングデバイスも含む。タブレットコンピュータおよびスマートフォンのようなバッテリ駆動型のデバイスを含む実施形態は、ここに開示された概念から恩恵を受け得る。具体的には、ここに説明される概念は、コンピューティングデバイス１００の外側に放散される熱を低減させ、それによりヒューマンユーザに快適さを提供し、かつバッテリ電力を節約する技法を提供する。
【００２０】
[0026]  図１に示されるように、コンピューティングデバイス１００は、外の表面（outer surface）すなわちスキン１２０を含み、それは、ヒューマンユーザの手または体の他の部分と接触することになることが予想され得る。外側表面１２０は、例えば、金属表面およびプラスチック表面ならびにディスプレイユニット１１０を構成（make up）する表面を含む。一例では、ディスプレイユニット１１０は、容量性液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）タッチスクリーンであり、よってディスプレイユニット１１０の表面はガラスかまたはプラスチックでコーティングされたガラスのいずれかである。外側表面１２０はしたがって、ディスプレイユニット１１０および外部筐体の他の部分のような、様々な外部表面を含む。図１のバンテージポイント（vantage point）には示されていないが、コンピューティングデバイス１００の裏面は、デバイスの外の面の別の部分を、具体的には外部筐体（the exterior housing）の別の部分を含み、それは、ディスプレイユニット１１０の面（plane）に並行な面に配置（arranged in）され得る。
【００２１】
[0027]  図１は、コンピュータプロセッサを示していないが、コンピュータプロセッサがコンピューティングデバイス１００内に含まれることは理解される。一例では、コンピュータプロセッサは、パッケージ内のシステムオンチップ（ＳＯＣ）中にインプリメントされ、パッケージは、プリント回路基板に取り付けられ、かつ物理筐体内に配置される。従来のスマートフォンでは、プロセッサを含むパッケージは、ディスプレイ表面の面および裏側表面の面に並行な面に取り付けられる。パッケージおよびプリント回路基板の例は、図２に関してより詳細に説明される。
【００２２】
[0028]  コンピュータプロセッサが動作するとき、それは熱を生み出し、それはコンピューティングデバイス１００の物理構造を通して放散する。コンピューティングデバイス１００の特定の熱特性に応じて、プロセッサの動作からの熱は、コンピューティングデバイス１００の外側表面１２０上で、不快なまたはほとんど不快と言っていい温度に達し得る。コンピューティングデバイス１００内のコンピュータプロセッサは、１つまたは複数の温度センサにおいて温度読み取りを測定することと、適切な場合、プロセッサの周波数および／または電圧を調整することと、によって、コンピューティングデバイス１００の外側表面１２０上で感じられる熱を制御するための機能性を提供する。熱の緩和のための例示的な方法は、図６に関してより詳細に説明される。
【００２３】
[0029]  図２は、一実施形態による、図１のコンピューティングデバイス１００の内部の機能コンポーネントの例示的な物理レイアウトの構造図である。図２は、例示的なものとして意図されており、それは例示し易くするために、いくつかの特徴を省略する。
【００２４】
[0030]  バッテリ２０５、電力管理集積回路２１０、プリント回路基板２５０、およびＳＯＣ２３０は、それらが外面（exterior surface）１２０によって示されるようなコンピューティングデバイス１００の物理筐体内のエンクローズされるように、コンピューティンデバイス１００内に配置される。さらに、ＳＯＣ２３０は、パッケージ２４０内に含まれる。パッケージ２４０および電力管理集積回路（ＰＭＩＣ）２１０は、プリント回路基板２５０に取り付けられる。いくつかの例では、プリント回路基板２５０は、それがディスプレイ１１０の面およびデバイス１００の裏側表面に並行な面にあるように、コンピューティングデバイス１００内に配置される。
【００２５】
[0031]  バッテリ２０５、ＰＭＩＣ２１０、およびＳＯＣ２３０はまた、それらのアイテムによって生成される熱がデバイス１００の外面１２０に伝導（conducted）されるように、物理筐体と熱接触する。ＳＯＣ２３０によって生成される熱は、パッケージ２４０を通して、かつある程度プリント回路基板２５０も通して、デバイス１００の外面１２０に伝導される。
【００２６】
[0032]  コンピューティングデバイス１００は、バッテリ２０５を含み、それは、現在知られている、または後に開発される、いかなる適したバッテリでもあり得る。例えば、バッテリ２０５は、リチウムイオンバッテリまたは他の電源を含み得る。バッテリ２０５は、バッテリレール２０６に結合され、それはバッテリ２０５からの電力を分配する。バッテリレール２０６は、デバイスディスプレイ１１０に、およびＰＭＩＣ２１０に、結合される。いくつかの実施形態では、バッテリレール２０６からの電力は、ディスプレイ１１０に提供される前に、調節（regulated）またはさもなければ調整（conditioned）され得るが、例示しやすくするために、この例におけるバッテリレール２０６はディスプレイ１１０に直接的に提供される。
【００２７】
[0033]  ＰＭＩＣ２１０は、バッテリレール２０６から電力を受け取り、電圧を調節して、ＳＯＣ２３０によって使用可能な出力電圧を提供する。ＳＯＣ２３０は、４つのコア、２３１〜２３４を有する。コアの例は、セントラルプロセシングユニット（ＣＰＵ）、グラフィックスプロセシングユニット（ＧＰＵ）、モデム等を含む。図２には示されていないが、クロッキング回路が、コア２３１〜２３４の各々に動作周波数を有するクロック信号を提供し、ここで、クロッキング回路は、動作周波数を増加または減少させるように制御され得る。いくつかの例では、熱の緩和は、図６の方法を実施することによりコア２３１〜２３４の動作周波数を低減させることによって、実施され得る。
【００２８】
[0034]  ＰＭＩＣ２１０は、ＳＯＣ２３０に電力を提供し、具体的には、この実施形態では、４つの別々のパワーレール２１１によってコア２３１〜２３４に電力を提供する。実施形態の範囲は、特定の実施形態ではいくつの適した数のコアおよびＰＭＩＣパワーレールも使用され得るので、いかなる特定のＳＯＣアーキテクチャにも限定されない。例えば、他の実施形態は、１６コア、３２コア、または他の数を含み得る。
【００２９】
[0035]  図２の例示的な実施形態は、３つの温度センサ２４５ａ〜ｃを示す。具体的には、温度センサ２４５ａは、ダイ上に位置し、ＳＯＣ２３０内に物理的に配置される。温度センサ２４５ｂは、それがパッケージ２４０の素材（例えば、誘電体基板層）内に配置されるように、ダイ外であってかつパッケージ内（off-die and in-package）に位置する。温度センサ２４５ｃは、ＳＯＣ２３０およびパッケージ２４０の外側に配置され、およびプリント回路基板２５０上に配置される。
【００３０】
[0036]  様々な実施形態は、温度センサ２４５等の温度センサを、コンピューティングデバイス１００内のいかなる適したポジションにも配置（place）し得る。様々な実施形態において、実用的制約が、温度センサを外側表面１２０上に直接的に配置するための能力を制限し得ることに留意されたい。したがって、図２の実施形態は、１つまたは複数の温度センサ２４５をコンピューティングデバイス１００の筐体内に配置する。温度センサ２４５の各々は、デバイスの外部表面１２０と間接的に熱接触をしており（is in indirect thermal contact with）、デバイスの外部表面１２０とは物理的に分離されている。したがって、温度センサ２４５の各々は、デバイスの外部表面１２０と直接的には物理的接触をしていないが、温度センサ２４５および外部表面１２０の各々は、ＳＯＣ２３０によって生成される熱にさらされている。温度センサ２４５は、エンクローズされたコンピューティングデバイス１００の内部の温度を示す情報を提供する。図２は３つの異なる温度センサを示しているが、様々な実施形態は、より多くのまたはより少ない温度センサを用い得る。
【００３１】
[0037]  ＳＯＣ２３０は、１つまたは複数の温度センサ２４５を使用して温度を測定し、１つまたは複数の温度センサ２４５からの温度測定値に基づいて、ＳＯＣ２３０のパフォーマンスを緩和することによって、デバイスの外側表面を定義された温度帯（a defined temperature band）内に保つための機能性を含む。例示的な方法が図６に示され、例示的なアーキテクチャが図３に示される。
【００３２】
[0038]  図３は、ここに説明された方法を実施する例示的なシステムの例示を提供する。図３のシステムは、温度センサ２４５を含み、それはこの実施形態ではサーミスタとして示される。サーミスタは、温度に従ってそれの抵抗を変化させ、温度と抵抗との関係は通常非線形である。しかしながら、所与のサーミスタは、知られた温度と抵抗との関係（temperature-resistance relationship）を有する。
【００３３】
[0039]  温度センサ２４５は、伝導コンタクト（conductive contacts）３１０の使用を通じて他の回路構成と電気的に通信している。例えば、温度センサ２４５がダイ外であってしかしパッケージ内に位置する例では、伝導コンタクト３１０は、ＳＯＣ２３０とパッケージ２４０の金属層との間の電気的な通信を容易にする伝導ビーズ（conductive beads）を表す。温度センサ２４５がパッケージの外側のプリント回路基板２５０上に位置する別の例では、コンタクト３１０は、パッケージ２４０の金属層とプリント回路基板２５０上の導電トレースとの間の電気的な通信を容易にするはんだボール（solder balls）を表す。温度センサ２４５がＳＯＣ２３０の半導体素材上に形成（built on）される実施形態では、伝導コンタクト３１０は、金属線または他の導電部分の方を好んで省略され得る（may be omitted in favor of metal wires or other conductive portions）。しかしながら、上述した実施形態の各々では、温度センサ２４５は、熱の緩和のための処理論理を提供するオンチップ回路構成と通信している。
【００３４】
[0040]  この例におけるオンチップ回路構成は、ＳＯＣ２３０（図２）内でインプリメントされる回路および論理を含む。オンチップ回路構成は、演算増幅器３３２を含み、それは非反転入力（＋）および反転入力（−）を有する。非反転入力は、温度センサ２４５と通信している。演算増幅器３３２は、負のフィードバックを含み、その結果、出力端子は反転入力に結合される。この配列は、電圧読み取りをならす（smooths out）。非反転入力における電圧は、温度センサ２４５によって経験される温度を示す。故に、演算増幅器３３２の出力端子は、センサ２４５によって経験される温度を示すアナログ信号を提供する。
【００３５】
[0041]  演算増幅器３３２からのアナログ出力信号は、アナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ）３３１によって受け取られ、ＡＤＣ３３１は演算増幅器３３２から受け取られた温度情報を示すデジタル信号を生み出す。ＡＤＣ３３１は、さらなる処理のために、そのデジタル信号を熱管理ユニット３３５に渡す。１つの例における熱管理ユニット３３５は、熱管理サービスをＳＯＣ２３０に提供するためのハードウェア論理を含む。
【００３６】
[0042]  別の実施形態では、熱管理ユニット３３５は、ＳＯＣ２３０のソフトウェアカーネルによって提供される熱管理処理を表す。例えば、ＳＯＣ２３０は、ソフトウェアカーネルを含み得、それはＳＯＣ２３０がパワーアップされクロック信号を受け取っているとき動作する。熱管理ユニット３３５は、その事例では、図６に関して説明される方法を実施するためにカーネル３３０に内蔵されるソフトウェア処理を含み得る。しかしながら、ハードウェアまたはソフトウェアあるいはそれらの組合せのいずれかが、熱管理を提供するために、ここに説明される処理を実施し得る。
【００３７】
[0043]  熱管理ユニット３３５は、ＡＤＣ３３１からデジタル信号を受け取り、デジタル信号は、センサ２４５によって測定された温度を示すデータを含む。熱管理ユニット３３５は、デバイススキン温度が不快または危険な温度に近づいている可能性があることが予想される値に設定された、少なくとも１つのプログラムされた温度しきい値を含む。熱管理ユニット３３５は、ＡＤＣ３３１からデジタル信号を受け取り、そのデジタル信号の温度情報をプログラムされた温度しきい値と比較する。温度が温度しきい値を下回る場合には、熱管理ユニット３３５は、単に周期的にまたは他の適した時に（a periodic basis or at other appropriate times）モニタすること続け得る。
【００３８】
[0044]  一方、デジタル信号の温度情報が温度しきい値よりも高い温度を示す場合には、熱管理ユニット３３５は、デバイスについて推定されるスキン温度を計算することを決定し得る。推定されるスキン温度を計算することは、図４〜図６に関してより詳細に説明される。熱管理ユニット３３５は次いで、ＳＯＣ２３０の動作パラメータを低減させるべきかどうかを決定するために、推定されたスキン温度を、同じ温度しきい値または異なる温度しきい値のいずれかと比較する。具体的には、推定されたスキン温度が温度しきい値を下回る場合には、熱管理ユニット３３５は、緩和アクションは起こさない可能性があり、単に温度しきい値に照らしてデジタル信号をモニタすることに戻り得る。しかしながら、推定されたスキン温度が温度しきい値を上回る場合には、熱管理ユニット３３５は次いで、ＳＯＣ２３０の動作パラメータを低減させることを始め得る。
【００３９】
[0045]  熱管理ユニット３３５は、推定されたスキン温度がしきい値を超えたと決定することに応答して、ＳＯＣ２３０の動作パラメータを低減させ得る。動作パラメータを低減させることの例は、ＳＯＣ２３０の動作周波数および／または電圧を低減させることを含む。図３の例は、処理が、少なくともＳＯＣ２３０の動作周波数を低減させることを含むと仮定する。
【００４０】
[0046]  熱管理ユニット３３５は、クロック制御ユニット３１２にコマンドを送ることによって、コアに提供されるクロック周波数を増加させ得る、またはコアに提供されるクロック周波数を低減させ得る。クロック制御ユニット３１２は、実施形態の範囲はいかなる特定のクロッキングアーキテクチャにも限定されないので、物理的にＳＯＣ２３０の一部であり得るか、またはそれとは分離されている可能性がある。クロック制御ユニット３１２は、例えば、コア２３１〜２３４のうちの１つまたは複数のコアの動作周波数を高める（raise）または低める（lower）ために、周期的なクロック信号を提供する位相同期回路（ＰＬＬ：phase locked loop）または他の適した回路を制御し得る。
【００４１】
[0047]  一例では、熱管理回路３３５が推定されたスキン温度を温度しきい値と比較し、次いで動作周波数を低めることが適切であると決定するとき、熱管理ユニット３３５は、クロック制御ユニット３１２に動作周波数を低減させることを指示する制御信号を、クロック制御ユニット３１２に送る。さらに、熱管理回路３３５は、デジタル信号からの温度データをモニタすることを続け、後続のスキン温度推定値を生成し、それらのスキン温度推定値を同じまたは異なるしきい値のいずれかと比較し得、そしてスキン温度推定値が同じまたは異なるしきい値のいずれかを下回るように下がるとき、熱管理回路３３５は、別の制御信号をクロック制御ユニット３１２に送ることによって、動作周波数を増加させ得る。
【００４２】
[0048]  熱管理ユニット３３５によって使用される温度しきい値（または複数のしきい値）は、所与のデバイスの特定の熱導電特性に依存し得る。さらに、温度測定値からデバイススキン温度を推定するために使用される特定の伝達関数もまた、デバイスの特定の熱導電特性に依存し得る。
【００４３】
[0049]  図１のコンピューティングデバイス１００のような所与のデバイスは、デバイスに特定の熱導電特性を持たせる様々な物理素材から成る。例えば、いくつかのコンピューティングデバイスは、筐体の内部にあって筐体の内部の表面とデバイス内のコンピュータプロセッサとの間に配置（placed）される、特別に設計された熱スプレッダ（heat spreader）を含み得る。正しく機能している熱スプレッダは、ＳＯＣによって生成される熱が筐体の１つのエリアに集中してしまうことを避け得、それによりコンピューティングデバイスの表面周りでのより均一な熱プロファイル（a more uniform heat profile around the surface）を維持する。熱はより広い表面エリアに拡散するので、熱はより効率的に周囲の空気によって除去され得、それにより、熱の緩和が適当とされる状態になる前にＳＯＣによるより多くの熱生成が許容（allowing）される。
【００４４】
[0050]  正しく機能している熱スプレッダを有する例示的なデバイスにおいて、推定されるスキン温度は、ダイ上、パッケージ内、またはプリント回路基板上のいずれかの温度センサ２４５によって測定される温度よりも、低くなるであろうことが予想される。実際には、測定される温度の変動は、それらがデバイスのスキン上で感ぜられる前にかなりならされ（smoothed out）得るおよび遅延され得る。したがって、所与のデバイスに関し、デバイススキン温度を計算するための特定の伝達関数および適したしきい値は、そのような熱スプレッダの存在を考慮するであろう。
【００４５】
[0051]  一方、いくつかのコンピューティングデバイスは、ＳＯＣからの熱がより非均一にＳＯＣから伝導されるような異なるレベルの熱拡散（heat spreading）を有し得る。故に、熱はデバイスのスキンの特定のエリアに集中する。そのようなエリアは、より素早く熱せられることになり得、熱は、熱せられる表面エリアがより少ないので、より非効率的に周囲の空気によって表面から除去され得る。故に、そのようなデバイスのための適したしきい値および特定の伝達関数は、これらの熱特性を考慮に入れるだろう。
【００４６】
[0052]  コンピューティングデバイスの各モデルは、それ自身の熱特性を有する。故に、コンピューティングデバイスの特定のモデル専用に設計された熱アルゴリズムは、コンピューティングデバイスの異なるモデルについてうまく機能しない可能性がある。上の例では、熱管理ユニット３３５は、デジタル信号の温度データをプログラムされたしきい値と比較する。しきい値温度は、デバイススキン温度が不快なまたは危険な温度に近づいている可能性があるか、または、緩和が実施されない限り数秒または数分以内に不快なまたは危険な温度に達することになることが予想される値に、設定され得る。言うまでもなく、デバイススキンに関する不快なレベルは、技術者によって、４０°Ｃ〜４５°Ｃに、または他の適した温度レベルに、定義され得る。さらに、しきい値は、異なるデバイスモデルおよびタイプについては異なったものであり得る。また、推定されるスキン温度を計算するために使用される伝達関数は、異なるデバイスモデルおよびタイプについては異なったものであり得る。上に説明されたように、特定のデバイスの熱導電特性は、デバイスの素材の配列（arrangement）および物理的構成（the physical makeup）に依存する。
【００４７】
[0053]  図４は、一実施形態による、例示的な温度曲線４０１〜４０４の例示である。図５は、一実施形態に従って、所与の曲線４０１を入力として、曲線４０４を出力として生み出すための伝達関数を含む例示的な処理機能性５００の例示である。まとめて、図４および図５は、推定されるデバイススキン温度を計算するために熱管理ユニット３３５によって適用され得る伝達関数の概念を例示する。
【００４８】
[0054]  図４を見ると、曲線４０１は、図２の熱センサ２４５ａ〜ｃのうちの１つによって検知される例示的な温度測定値を例示する。より具体的には、曲線４０１は、熱センサ２４５からの電気的な信号に応答して、図３のＡＤＣ３３１によって生み出されるデジタルデータを例示する。曲線４０１は、多くの変動を含み、極めて素早く上昇する（rises fairly quickly）ことに注目されたい。温度変動の例は、コンピューティングデバイスにおける処理の性質に起因して発生するものを含む。例えば、ユーザがビデオを見るためにビデオを開き、そしてビデオを一時停止または停止するとき、ＳＯＣ２３０は、ビデオが再生されている間はそれの熱出力の量を増加し得、そしてビデオが一時停止または停止されるときにはそれの熱出力の量を減少させ得る。さらに、様々なアプリケーションの開閉（opening and closing）が、温度の上昇（rises）および低下（drops）をもたらし得る。
【００４９】
[0055]  熱センサ２４５が（センサ２４５ａのように）ＳＯＣ２３０上にある事例では、温度変動は極めて素早く、かつ比較的大きな振れ幅（magnitude）であろうことが予想される。熱センサ２４５が（センサ２４５ｂのように）パッケージ内にある事例では、パッケージの物理素材は、いくらかの変動はそのまま残り得るが変動を多少ならすようなローパスフィルタとして機能するであろうことが一般に予想される。これは、温度センサ２４５が（センサ２４５ｃのように）パッケージから分離されておりかつプリント回路基板２５０に取り付けられた事例においてより一層当てはまり、それは熱センサ２４５ｃがプリント回路基板２５０およびパッケージ２４０の物理素材によってＳＯＣ２３０の熱から分離されるであろうからである。
【００５０】
[0056]  図５は、処理機能性５００が、この例では、ＡＤＣ３３１によって提供されるデジタル温度読み取りを含む入力ＴＳＥＮＳを受け取ることを示す。曲線４０１は、ＴＳＥＮＳの例である。曲線４０２は、ローパスフィルタを曲線４０１に適用することの効果（effect）の例示である。具体的には、曲線４０１におけるより高い周波数変動はフィルタ除去され、一方で曲線の一般的な方向（the general direction）は維持される。ローパスフィルタの例は、図５のフィルタ５１０を含む。設計者は、ローパスフィルタ５１０の時定数（time constant）τを、プリント回路基板２５０と、パッケージ２４０と、ＳＯＣ２３０とデバイスの外側表面との間の任意の他の素材と、を構成（make up）する物理素材によって提供される熱ローパスフィルタ効果と同様になるように設定し得る。
【００５１】
[0057]  図５はまた、定数Ｋによって与えられるゲインを有する減衰要素５２０を示し、ここにおいて、Ｋは１より小さい。図４の曲線４０３は、ローパスフィルタが、そして次に減衰要素が、曲線４０１に適用されることからもたらされる、例示的な曲線を例示する。多くの実施形態では、プリント回路基板２５０と、パッケージ２４０と、ＳＯＣ２３０とデバイスの外側表面との間の任意の他の素材と、を構成（make up）する物理素材は、デバイススキンにおいて感じられる熱が、ＳＯＣ２３０、パッケージ２４０、および／またはプリント回路基板２５０において検知されるであろうデバイスより小さくなるように、ＳＯＣ２３０からの熱を減衰させるであろうことが予想される。設計者は、Ｋの値を、プリント回路基板２５０と、パッケージ２４０と、ＳＯＣ２３０とデバイスの外側表面との間の任意の他の素材と、を構成する物理素材の熱減衰特性と同様になるように設定し得る。
【００５２】
[0058]  図５はさらに、遅延素子５３０を示す。物理システムにおいて、ＳＯＣ２３０によって生み出される熱は、通常数秒または数分の範囲の、いくらかの遅延の後に、デバイススキンに達するであろうことが、一般に予想される。この遅延効果が、ローパスフィルタ効果および減衰効果に加わり、および遅延効果はまた、プリント回路基板２５０と、パッケージ２４０と、ＳＯＣ２３０とデバイスの外側表面との間の任意の他の素材と、を構成する物理素材によって引き起こされる。
【００５３】
[0059]  図４の例では、曲線４０４は、ローパスフィルタ、減衰および遅延が適用された後の温度データを例示する。したがって、曲線４０４は図５のＴｐｒｅｄｉｃｔｅｄに対応し、それは図６の方法においてデバイススキン温度の推定値として使用され得る。
【００５４】
[0060]  上述したように、ローパスフィルタ５１０の時定数（τ）、減衰要素５２０のゲイン定数（Ｋ）、および遅延素子５３０の遅延値は、コンピューティングデバイス１００の物理素材の熱導電特性によって定義され得る。具体的には、温度センサ２４５の特定のポジションと、熱拡散デバイスが存在するかしないかと、デバイス１００の他の熱導電特性とが、Ｔｐｒｅｄｉｃｔｅｄを計算するためにＴＳＥＮＳに適用される伝達関数を定義する。
【００５５】
[0061]  いくつかの実施形態では、熱管理ユニット３３５によって使用される（１つまたは複数の）温度しきい値、τ、Ｋ、および遅延値は、デバイスの設計段階の間にシミュレーションによって知られる設計パラメータであり得る。他の実施形態では、（１つまたは複数の）温度しきい値、τ、Ｋ、および遅延値は、デバイスの物理実施形態を用いた実験を通して決定され得る。例えば、コンピュータ支援の設計プログラム（a computer-aided design program）が、デバイスが設計されているときにデバイスの熱導電特性を決定するために設計者によって使用され得る。追加的に、または代替的に、設計者は、（１つまたは複数の）温度しきい値、τ、Ｋ、および遅延値のための適した値を決定するために、制御された環境における様々な温度センサからの読み取りならびにデバイスのスキンの温度読み取りをとり（take）得る。そのような設計および／または検査は、デバイスの製造業者または設計者によって実施され得る。
【００５６】
[0062]  １つの例示的な使用ケースでは、コンピューティングデバイスの設計者または製造業者は、１つまたは複数の温度しきい値、τ、Ｋ、および遅延値を決定する。設計者または製造業者は次いで、熱管理ユニット３３５による使用のためにＳＯＣ２３０のメモリにその情報を保存する。この処理は、完成した製品が、それに内蔵されるロバストな熱の緩和の機能性を含むように、完成したユニットを消費者に届ける前に実施される。追加的に、または代替的に、推定されるスキン温度（Ｔｐｒｅｄｉｃｔｅｄ）を計算するために熱管理ユニット３３５によって適用される伝達関数は、下記と似た形式をとる３次または４次方程式（または他の適した関数）として与えられ得る：Ｔｐｒｅｄｉｃｔｅｄ＝ａ＋ｂｘ＋ｃｘ２＋ｄｘ３、ここでｘは検知された温度に関連する変数であり、係数ａ、ｂ、ｃ、ｄは、１つまたは複数の曲線適合アルゴリズム（curve-fitting algorithms）を使用して決定される。そのような例では、係数ａ、ｂ、ｃ、ｄおよび変数ｘは、（１つまたは複数の）温度しきい値、τ、Ｋ、および遅延値に関して上述したのと同様の方法で、設計段階の間におよび／または実験を通して、決定され得る。
【００５７】
[0063]  熱の緩和を提供する例示的な方法６００のフローダイアグラムが図６に例示される。一例では、方法６００は、図３に関して上述したような熱管理ユニット３３５によって実施される。方法６００は、（１つまたは複数の）温度しきい値、τ、Ｋ、および遅延値が特定のデバイスについて既に知られていると仮定する。追加的に、または代替的に、方法６００は、係数ａ、ｂ、ｃ、ｄおよび変数ｘが特定のデバイスについて知られていると仮定する。さらに、様々な実施形態は、プロセッサ自体が、有形のコンピュータ読み取り可能な媒体（例えば、プロセッサ上のＲＡＭ）からコンピュータ実行可能なコードを読み取り、方法６００のアクションを実施するためにそのコードを実行することを含む。
【００５８】
[0064]  デバイスが通常の使用の間に動作するとき、熱管理ユニット３３５は、方法６００のアクションを実施する。故に、ヒューマンユーザがデバイスをアイドルのままにする、電話をかける、テキストメッセージを送る、ビデオを見る等をするとき、熱管理ユニット３３５は、デバイススキン温度が事前に定義された不快なレベルに達しないことを確実にするために、継続的にアクション６００を実施する。この例では、温度の読み取りが、１つまたは複数の温度センサ（図２に示されるような）においてとられ（taken）、熱の緩和処理（例えば、アクション６０２〜６０７）は、ＳＯＣ自体における論理によって実施されることに留意されたい。
【００５９】
[0065]  アクション６０２において、システムは、温度データ（図５におけるＴＳＥＮＳ）を読み取る。例えば、図３の実施形態において、オンチップ回路構成は、温度センサ２４５として示されるサーミスタから電気的な信号を受け取る。サーミスタにおける電圧または電流は、サーミスタの抵抗、よってサーミスタの温度、を示す。図３の実施形態では、サーミスタからの電気的な信号は、演算増幅器に、次いでＡＤＣに、与えられ、ここでＡＤＣの出力は、温度センサにおける温度を示すデジタル信号である。実施形態の範囲は、いかなる特定の温度センサにも限定されない。例えば、他の実施形態は、温度ダイオード、デジタル体温計、サーモカップル、または他の適した温度センサを用い得る。さらに、温度センサは、デバイスの筐体内の任意の適したポジションに配置され得る。
【００６０】
[0066]  アクション６０３において、システムは、温度データをプログラムされた温度しきい値（Ｔｓｐ）と比較する。例えば、図３の例では、熱管理ユニット３３５は、温度情報をプログラムされた温度しきい値と比較する。温度しきい値の値は、いかなる適した値でもあり得、それはデバイススキン温度が不快なまたは危険な温度に近づいている可能性があることが予想される値のようなデバイススキンの温度制限に関連する温度センサの温度を表す。温度しきい値の値は、特定のデバイスの熱伝導特性に依存することになる。例えば、内蔵される熱拡散レイヤを有するデバイスは、ＳＯＣからスキンへのより急速な熱伝達を許す（allows）デバイスよりも高い温度しきい値を割り当てられ得る。いくつかのシナリオでは、温度しきい値は、設計の知られた熱伝達特性および／または実験に基づいてデバイスに割り当てられ得る。上述したように、温度しきい値は、デバイスのプロセッサにおけるメモリに記憶され、および熱管理ユニット３３５によって、それが方法７００を実施するときにアクセスされ得る。
【００６１】
[0067]  温度データの値がしきい値を超えない場合、次いで方法６００はアクション６０２に戻り、ここにおいて、システムはＴＳＥＮＳを読み取り続ける。しかしながら、温度データの値がしきい値を超える場合、次いでシステムは推定されるスキン温度（Ｔｐｒｅｄｉｃｔｅｄ）を計算する。システムは、図４および図５に関して上述した技法に従って、推定されるスキン温度を計算し得る。さらに、推定されるスキン温度を計算するために使用される特定の技法は、デバイスに依存したものであり得る。
【００６２】
[0068]  さらに、この実施形態では、温度データ（ＴＳＥＮＳ）は、時間にわたって変化し、故に、アクション６０３における比較、およびアクション６０５における計算は、温度データとともに時間にわたって変化し得ることに留意されたい。
【００６３】
[0069]  アクション６０６において、システムは、推定されたスキン温度（Ｔｐｒｅｄｉｃｔｅｄ）をしきい値（Ｔｓｐ）と比較する。図６の例では、温度しきい値Ｔｓｐは、アクション６０３および６０６において同じしきい値であると示される。しかしながら、実施形態の範囲は、アクション６０３および６０６において、温度しきい値について異なる値を使用することを含む。さらに、この例では、アクション６０６で使用されるしきい値Ｔｓｐは、最大許容温度またはデバイスの外部表面の他の温度制限（例えば、４０°Ｃ）を表す。最大許容温度は、ユーザの快適さおよび安全性のような、様々な要因の観点から、設計者または技術者によって設定され得る。
【００６４】
[0070]  推定されたスキン温度が温度しきい値を超えない場合、方法６００はアクション６０２に戻り、ここでシステムは、ＴＳＥＮＳを読み取る。一方、推定されたスキン温度がしきい値を超える場合、方法６００は、しきい値および推定されたスキン温度に応答してプロセッサチップのパフォーマンスを緩和することを含む。
【００６５】
[0071]  例えば、図３の例において、熱管理ユニット３３５は、推定されたスキン温度をプログラムされたしきい値と比較する。温度センサの温度がしきい値よりも大きいことを温度情報が示す場合、次いで熱管理ユニット３３５は、プロセッサチップの動作パラメータを低減させ得る。ここに説明される原理はいかなる適したコンピュータプロセッサにも適用され得るのだが、プロセッサチップの例は図２のＳＯＣ２３０である。
【００６６】
[0072]  アクション６０７は、プロセッサチップの動作パラメータを低減させることを含む。一例では、熱管理ユニット３３５は、ＳＯＣにおける１つまたは複数のコアの動作周波数を低減させ、それにより電力消費を低減させる。しかしながら、アクション６０７は、コアをアイドル状態にすること（putting cores in an idle state）のような、いかなる適した熱の緩和技法も含み得る。例えば、図３の例では、熱管理ユニット３３５は、完全に（altogether）クロック周波数をゲーティング（gate）するまたはクロック周波数を低減させるためにクロック制御ユニット３１２にコマンドを送り得る。実際には、周波数または電圧のようないかなる動作パラメータの低減も実施形態の範囲内にある。処理は、ＳＯＣが動作するときに動作し続け、継続的に電力消費を測定し、アルゴリズムに従って適した緩和ステップをとる。
【００６７】
[0073]  実施形態の範囲は、図６に示される特定の方法に限定されない。他の実施形態は、１つまたは複数のアクションを追加、省略、再配置、または修正し得る。例えば、方法６００はまた、推定されたスキン温度が同じまたは異なるしきい値を超えて減少したと決定した後等、熱の緩和がもはや望まれないときに、クロック周波数を前のレベルに戻すまたはさもなければクロック周波数を増加させるための機能性を含み得る。また、様々な実施形態は、図２におけるセンサ２４５ａ〜ｃによって例示されるように、パッケージおよび場合によってはＳＯＣ自体を通して拡散された様々な温度センサからの複数の温度読み取りをとる（taking）ことを含み得る。
【００６８】
[0074]  様々な実施形態は、従来の解決策に対して１つまたは複数の利点を提供し得る。例えば、殊に電話およびタブレット等のよりコンパクトおよびモバイルなコンピューティングデバイスに関しては、コンピューティングデバイスのスキンから直接的に温度読み取りをキャプチャすることは難しい可能性がある。それにも関わらず、スキン温度は、ユーザの快適さの知覚に非常に関連がある可能性がある。いくつかの従来の解決策は、プロセッサチップ上のセンサから集められた温度読み取りを使用し、熱の緩和の決定をさらなる処理なしでその温度読み取りに基づかせる。しかしプロセッサ上の熱センサから集められる温度読み取りはスキン温度の正確なインジケーションを提供しない可能性があり、それにより熱の緩和処理の介入を過度に早くするまたは過度に頻繁にし、システムのパフォーマンスを犠牲にする。
【００６９】
[0075]  一方で、ここに説明されるシステムは、推定されるデバイススキン温度を使用して熱の緩和を提供する。デバイススキン温度の推定値は、（１つまたは複数の）しきい値および伝達関数のパラメータが設計および／または検査の間に適切に計算される場合、非常に正確であり、かつ真のデバイススキン温度を表し得る。ここに説明されるいくつかの実施形態は、より正確な熱管理を可能にすることによってプロセッサチップの動作を改善し得、それによりヒューマンユーザに快適さと安全性を提供する。
【００７０】
[0076]  これより当業者が認識することになるように、そして間近の特定の用途に応じて、多くの修正、置換え、およびバリエーションが、本開示のデバイスの素材、装置、構成、および使用方法において、およびそれらに対して、その精神および範囲から逸脱することなく、成されることができる。この点から、ここに例示および説明された特定の実施形態は本開示の単なるいくつかの例であるので、本開示の範囲はそれらの範囲に限定されるべきではなく、むしろ、以下に添付される特許請求の範囲およびそれらの機能的な同等物の適用範囲（the scope）全体に相応するべきである。
【図１】
2018533134.tif 000003
【図２】
2018533134.tif 000004
【図３】
2018533134.tif 000005
【図４】
2018533134.tif 000006
【図５】
2018533134.tif 000007
【図６】
2018533134.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月6日(2018.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスの温度を緩和するための方法であって、
温度センサから信号を受け取ることと、ここにおいて、前記温度センサが、前記デバイス内で熱を生み出すプロセッサチップを有する前記デバイス内に配置される、
前記信号から温度データを生成することと、
前記デバイスの外部表面の温度を示すデータを生成するために、前記温度データを処理することと、ここにおいて、前記温度データを処理することが、前記温度データに、ローパスフィルタ、振幅減衰、および遅延を適用することを含む、
前記デバイスの前記外部表面の前記温度を示す前記データがしきい値温度よりも大きいと決定することに応答して、前記プロセッサチップの動作パラメータを低減させることと、
を備える、方法。
【請求項２】
前記温度センサは、前記デバイス内の以下の位置、
前記プロセッサチップ中、
前記プロセッサチップを含むパッケージ中、ここで、前記パッケージは、前記プロセッサチップが取り付けられた誘電体基板を含む、
前記パッケージが配置されたプリント回路基板上、
のうちの少なくとも１つに配置される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記信号は、前記温度センサに関連する抵抗を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記温度センサは、サーミスタを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記プロセッサチップの前記動作パラメータを低減させることは、
前記デバイスの前記外部表面の前記温度を示す前記データを、前記しきい値温度と比較すること、前記しきい値温度は、前記デバイスの前記外部表面の最大許容温度を表す、
を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記方法が、前記デバイスの前記プロセッサチップのソフトウェアカーネルによって実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記プロセッサチップの動作パラメータを低減させることは、
前記プロセッサチップの動作周波数を低減させること、
を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記デバイスの前記外部表面の前記温度を示す前記データが前記しきい値温度を下回るように減少したと決定することに応答して、前記プロセッサチップの前記動作パラメータを続いて増加させること、
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
デバイスの温度を緩和するためのコンピュータプログラム論理を有形に記録したコンピュータ読み取り可能な媒体を有するコンピュータプログラム製品であって、
温度センサから信号を受け取るためのコードと、ここにおいて、前記温度センサが、前記デバイス内で熱を生み出すプロセッサチップを有する前記デバイス内に配置される、
前記信号から温度データを生成するためのコードと、
前記デバイスの外部表面の温度を示すデータを生成するために、前記温度データに、ローパスフィルタ、振幅減衰、および遅延を適用するためのコードと、
前記デバイスの前記外部表面の前記温度を示す前記データがしきい値温度よりも大きいと決定することに応答して、前記プロセッサチップの動作パラメータを低減させるためのコードと、
を備える、コンピュータプログラム製品。
【請求項１０】
前記プロセッサチップの前記動作パラメータを低減させるための前記コードは、
前記プロセッサチップの動作周波数を低減させるためのコードを備える、請求項９に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１１】
前記プロセッサチップの前記動作パラメータを低減させるための前記コードは、
前記デバイスの前記外部表面の前記温度を示す前記データを、前記しきい値温度と比較するためのコード、前記しきい値温度は、前記デバイスの前記外部表面の最大許容温度を表す、
を備える、請求項９に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１２】
前記デバイスの前記外部表面の前記温度を示す前記データが前記しきい値温度を下回るように減少したと決定することに応答して、前記プロセッサチップの前記動作パラメータを続いて増加させるためのコード、
をさらに備える、請求項９に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１３】
前記信号は、前記温度センサに関連する抵抗を示す、請求項９に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１４】
温度を緩和するためのシステムであって、
コンピュータプロセッサと、
前記システムの少なくとも一部をエンクローズするように構成された筐体と、前記コンピュータプロセッサは、それが前記筐体内にエンクローズされるように前記システム内に配置され、前記コンピュータプロセッサはさらに、前記筐体と間接的に熱接触をしている、
前記筐体内に配置された温度検知デバイスと、
を備え、
前記温度検知デバイスは前記コンピュータプロセッサと電気的に通信しており、前記コンピュータプロセッサは、以下の動作、
前記温度検知デバイスによって経験される温度を示す第１の温度データを生成することと、
第２の温度データを生成することによって、前記筐体の外部表面の温度を推定することと、ここにおいて、第２の温度データを生成することが、前記第１の温度データに伝達関数を適用することを含み、前記伝達関数は、ローパスフィルタ、振幅減衰、および遅延を含む、
前記第２の温度データがしきい値温度よりも大きいと決定することに応答して、前記コンピュータプロセッサの動作パラメータを低減させることと、
を実施するように構成される、
システム。
【請求項１５】
前記コンピュータプロセッサは、温度検知デバイスから電気的な信号を受け取り、前記電気的な信号から前記第１のデジタル温度データを生成するように構成される、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記温度検知デバイスは、前記システム内の以下の位置、
前記コンピュータプロセッサ中、
前記コンピュータプロセッサを含むパッケージ中、ここで、前記パッケージは、前記コンピュータプロセッサが取り付けられた誘電体基板を含む、
前記パッケージが配置されたプリント回路基板上、
のうちの少なくとも１つに配置される、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１７】
前記温度検知デバイスは、サーミスタを備える、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１８】
前記動作パラメータは、前記コンピュータプロセッサの動作周波数および前記コンピュータプロセッサの動作電圧のうちの少なくとも１つを備える、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１９】
前記コンピュータプロセッサは、パッケージ内のシステムオンチップ中にインプリメントされ、前記パッケージは、前記システムオンチップに機械的に結合された誘電体基板を含み、さらに、前記パッケージは、プリント回路基板に取り付けられ、かつ物理筐体内に配置される、請求項１４に記載のシステム。
【請求項２０】
温度を緩和するためのシステムであって、
エンクローズされたコンピューティングデバイスの内部の温度を示す情報を提供するための手段と、
前記エンクローズされたコンピューティングデバイスの内部の前記温度を示す前記情報に、減衰、フィルタ、および遅延を適用することによって、前記コンピューティングデバイスの外部表面の温度を推定し、前記コンピューティングデバイスの前記外部表面の推定された温度に基づいて、制御信号を生み出すための手段と、
前記外部表面の前記温度がしきい値温度よりも大きいことを前記制御信号が示すと決定することに応答して、推定するための前記手段の動作パラメータを低減させるための手段と、
前記コンピューティングデバイスの前記外部表面を含み、かつ推定するための前記手段をエンクローズするように構成される物理筐体と、ここにおいて、推定するための前記手段が、前記物理筐体と間接的に熱接触をしている、
を備える、システム。
【請求項２１】
情報を提供するための前記手段は、デバイス内の以下の位置、
推定するための前記手段中、
推定するための前記手段を含むパッケージ中、ここで、前記パッケージは、推定するための前記手段が取り付けられた誘電体基板を含む、
前記パッケージが配置されたプリント回路基板上、
のうちの少なくとも１つに配置されるサーミスタを備える、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２２】
前記動作パラメータを低減させるための前記手段は、クロックコントローラを備える、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２３】
前記温度を推定するための前記手段は、システムオンチップとしてインプリメントされるコンピュータプロセッサを備える、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２４】
前記システムは、スマートフォンおよびタブレットコンピュータのうちの少なくとも１つを備える、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２５】
前記外部表面は、液晶ディスプレイ表面を備える、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２６】
温度緩和のための方法であって、
エンクローズされたコンピューティングデバイスの内部コンポーネントの温度データを受け取ることと、
前記内部コンポーネントの前記温度データに、減衰、フィルタリング、および遅延を適用することによって、前記コンピューティングデバイスの外部表面の温度を推定することと、
前記コンピューティングデバイスの前記外部表面の前記温度の推定値を、プログラムされたしきい値と比較することと、ここにおいて、前記プログラムされたしきい値が、前記コンピューティングデバイスの前記外部表面の温度制限に対応する、
前記外部表面の前記温度の前記推定値が前記プログラムされたしきい値よりも大きいことを前記比較することが示すことに応答して、前記コンピューティングデバイスのコンピュータプロセッサの動作パラメータを低減させることと、
前記コンピューティングデバイスの前記外部表面の前記温度の前記推定値が前記プログラムされたしきい値を下回るように減少したと決定することに応答して、前記コンピュータプロセッサの前記動作パラメータを続いて増加させることと、
を備える、方法。
【請求項２７】
前記コンピュータプロセッサの前記動作パラメータを低減させることは、前記コンピュータプロセッサの動作周波数を低減させることを備える、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
内部コンポーネントの温度データを受け取ることは、前記コンピュータプロセッサ中に配置された、前記コンピュータプロセッサを含むパッケージ中に配置された、または前記コンピュータプロセッサを含むプリント回路基板上に配置された、サーミスタから、温度データを受け取ることを備える、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記方法は、前記コンピュータプロセッサのソフトウェアカーネルによって実施される、請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
前記コンピュータプロセッサの動作パラメータを低減させることは、前記コンピュータプロセッサの電圧を低減させることを備える、請求項２６に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
[0076]  これより当業者が認識することになるように、そして間近の特定の用途に応じて、多くの修正、置換え、およびバリエーションが、本開示のデバイスの素材、装置、構成、および使用方法において、およびそれらに対して、その精神および範囲から逸脱することなく、成されることができる。この点から、ここに例示および説明された特定の実施形態は本開示の単なるいくつかの例であるので、本開示の範囲はそれらの範囲に限定されるべきではなく、むしろ、以下に添付される特許請求の範囲およびそれらの機能的な同等物の適用範囲（the scope）全体に相応するべきである。
以下に本願発明の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］
デバイスの温度を緩和するための方法であって、
温度センサから信号を受け取ることと、ここにおいて、前記温度センサが、前記デバイス内で熱を生み出すプロセッサチップを有する前記デバイス内に配置される、
前記信号から温度データを生成することと、
前記デバイスの外部表面の温度を示すデータを生成するために、前記温度データを処理することと、ここにおいて、前記温度データを処理することが、
前記温度データに、ローパスフィルタ、振幅減衰、および遅延を適用すること
を含む、
前記デバイスの前記外部表面の前記温度を示す前記データに応答して、前記プロセッサチップの動作パラメータを低減させることと、
を備える、方法。
［Ｃ２］
前記温度センサは、前記デバイス内の以下の位置、
前記プロセッサチップ中、
前記プロセッサチップを含むパッケージ中、ここで、前記パッケージは、前記プロセッサチップが取り付けられた誘電体基板を含む、
前記パッケージが配置されたプリント回路基板（ＰＣＢ）上、
のうちの少なくとも１つに配置される、Ｃ１に記載の方法。
［Ｃ３］
前記信号は、前記温度センサに関連する抵抗を示す、Ｃ１に記載の方法。
［Ｃ４］
前記温度センサは、サーミスタを備える、Ｃ１に記載の方法。
［Ｃ５］
前記プロセッサチップの前記動作パラメータを低減させることは、
前記デバイスの前記外部表面の前記温度を示す前記データを、しきい値温度と比較すること、前記しきい値温度は、前記デバイスの前記外部表面の最大許容温度を表す、
を備える、Ｃ１に記載の方法。
［Ｃ６］
前記方法が、前記デバイスの前記プロセッサチップのソフトウェアカーネルによって実施される、Ｃ１に記載の方法。
［Ｃ７］
前記プロセッサチップの動作パラメータを低減させることは、
前記プロセッサチップの動作周波数を低減させること、
を備える、Ｃ１に記載の方法。
［Ｃ８］
前記デバイスの前記外部表面の前記温度を示す前記データが減少したと決定することに応答して、前記プロセッサチップの前記動作パラメータを続いて増加させること、
をさらに備える、Ｃ１に記載の方法。
［Ｃ９］
デバイスの温度を緩和するためのコンピュータプログラム論理を有形に記録したコンピュータ読み取り可能な媒体を有するコンピュータプログラム製品であって、
温度センサから信号を受け取るためのコードと、ここにおいて、前記温度センサが、前記デバイス内で熱を生み出すプロセッサチップを有する前記デバイス内に配置される、
前記信号から温度データを生成するためのコードと、
前記デバイスの外部表面の温度を示すデータを生成するために、前記温度データに、ローパスフィルタ、振幅減衰、および遅延を適用するためのコードと、
前記デバイスの前記外部表面の前記温度を示す前記データに応答して、前記プロセッサチップの動作パラメータを低減させるためのコードと、
を備える、コンピュータプログラム製品。
［Ｃ１０］
前記プロセッサチップの前記動作パラメータを低減させるための前記コードは、
前記プロセッサチップの動作周波数を低減させるためのコードを備える、Ｃ９に記載のコンピュータプログラム製品。
［Ｃ１１］
前記プロセッサチップの前記動作パラメータを低減させるための前記コードは、
前記デバイスの前記外部表面の前記温度を示す前記データを、しきい値温度と比較するためのコード、前記しきい値温度は、前記デバイスの前記外部表面の最大許容温度を表す、
を備える、Ｃ９に記載のコンピュータプログラム製品。
［Ｃ１２］
前記デバイスの前記外部表面の前記温度を示す前記データが減少したと決定することに応答して、前記プロセッサチップの前記動作パラメータを続いて増加させるためのコード、
をさらに備える、Ｃ９に記載のコンピュータプログラム製品。
［Ｃ１３］
前記信号は、前記温度センサに関連する抵抗を示す、Ｃ９に記載のコンピュータプログラム製品。
［Ｃ１４］
温度を緩和するためのシステムであって、
プロセッサと、
前記システムの少なくとも一部をエンクローズするように構成された筐体と、前記プロセッサは、それが前記筐体内にエンクローズされるように前記システム内に配置され、前記プロセッサはさらに、前記筐体と間接的に熱接触をしている、
前記筐体内に配置された温度検知デバイスと、
を備え、
前記温度検知デバイスは前記プロセッサと電気的に通信しており、前記プロセッサは、以下の動作、
前記温度検知デバイスによって経験される温度を示す第１の温度データを生成することと、
第２の温度データを生成することによって、前記筐体の外部表面の温度を推定することと、ここにおいて、第２の温度データを生成することが、前記第１の温度データに伝達関数を適用することを含み、前記伝達関数は、ローパスフィルタ、振幅減衰、および遅延を含む、
前記第２の温度データに応答して、前記プロセッサの動作パラメータを低減させることと、
を実施するように構成される、
システム。
［Ｃ１５］
前記コンピュータプロセッサは、前記温度検知デバイスから電気的な信号を受け取り、前記電気的な信号から前記第１のデジタル温度データを生成するように構成される、Ｃ１４に記載のシステム。
［Ｃ１６］
前記温度検知デバイスは、前記システム内の以下の位置、
前記コンピュータプロセッサ中、
前記コンピュータプロセッサを含むパッケージ中、ここで、前記パッケージは、前記コンピュータプロセッサが取り付けられた誘電体基板を含む、
前記パッケージが配置されたプリント回路基板（ＰＣＢ）上、
のうちの少なくとも１つに配置される、Ｃ１４に記載のシステム。
［Ｃ１７］
前記温度検知デバイスは、サーミスタを備える、Ｃ１４に記載のシステム。
［Ｃ１８］
前記動作パラメータは、前記コンピュータプロセッサの動作周波数および前記コンピュータプロセッサの動作電圧のうちの少なくとも１つを備える、Ｃ１４に記載のシステム。
［Ｃ１９］
前記コンピュータプロセッサは、パッケージ内のシステムオンチップ（ＳＯＣ）中にインプリメントされ、前記パッケージは、前記ＳＯＣに機械的に結合された誘電体基板を含み、さらに、前記パッケージは、プリント回路基板に取り付けられ、かつ前記物理筐体内に配置される、Ｃ１４に記載のシステム。
［Ｃ２０］
温度を緩和するためのシステムであって、
エンクローズされたコンピューティングデバイスの内部の温度を示す情報を提供するための手段と、
前記エンクローズされたコンピューティングデバイスの内部の前記温度を示す前記情報に、減衰、フィルタ、および遅延を適用することによって、前記コンピューティングデバイスの外部表面の温度を推定し、前記コンピューティングデバイスの前記外部表面の推定された温度に基づいて、制御信号を生み出すための手段と、
前記制御信号に応答して、推定するための前記手段の動作パラメータを低減させるための手段と、
前記コンピューティングデバイスの前記外部表面を含み、かつ推定するための前記手段をエンクローズするように構成される物理筐体と、ここにおいて、推定するための前記手段が、前記物理筐体と間接的に熱接触をしている、
を備える、システム。
［Ｃ２１］
情報を提供するための前記手段は、前記デバイス内の以下の位置、
推定するための前記手段中、
推定するための前記手段を含むパッケージ中、ここで、前記パッケージは、推定するための前記手段が取り付けられた誘電体基板を含む、
前記パッケージが配置されたプリント回路基板（ＰＣＢ）上、
のうちの少なくとも１つに配置されるサーミスタを備える、Ｃ２０に記載のシステム。
［Ｃ２２］
前記動作パラメータを低減させるための前記手段は、クロックコントローラを備える、Ｃ２０に記載のシステム。
［Ｃ２３］
前記温度を推定するための前記手段は、システムオンチップとしてインプリメントされるコンピュータプロセッサを備える、Ｃ２０に記載のシステム。
［Ｃ２４］
前記システムは、スマートフォンおよびタブレットコンピュータのうちの少なくとも１つを備える、Ｃ１９に記載のシステム。
［Ｃ２５］
前記外部表面は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）表面を備える、Ｃ１９に記載のシステム。
［Ｃ２６］
温度緩和のための方法であって、
エンクローズされたコンピューティングデバイスの内部コンポーネントの温度データを受け取ることと、
前記内部コンポーネントの前記温度データに、減衰、フィルタリング、および遅延を適用することによって、前記コンピューティングデバイスの外部表面の温度を推定することと、
前記コンピューティングデバイスの前記外部表面の前記温度の推定値を、プログラムされたしきい値と比較することと、ここにおいて、前記プログラムされたしきい値が、前記コンピューティングデバイスの前記外部表面の温度制限に対応する、
前記比較することに応答して、前記コンピューティングデバイスのコンピュータプロセッサの動作パラメータを低減させることと、
前記コンピューティングデバイスの前記外部表面の前記温度の前記推定値が減少したと決定することに応答して、前記コンピュータプロセッサの前記動作パラメータを続いて増加させることと、
を備える、方法。
［Ｃ２７］
前記コンピュータプロセッサの前記動作パラメータを低減させることは、前記コンピュータプロセッサの動作周波数を低減させることを備える、Ｃ２６に記載の方法。
［Ｃ２８］
内部コンポーネントの温度データを受け取ることは、前記コンピュータプロセッサ中に配置された、前記コンピュータプロセッサを含むパッケージ中に配置された、または前記コンピュータプロセッサを含むプリント回路基板上に配置された、サーミスタから、温度データを受け取ることを備える、Ｃ２６に記載の方法。
［Ｃ２９］
前記方法は、前記コンピュータプロセッサのソフトウェアカーネルによって実施される、Ｃ２６に記載の方法。
［Ｃ３０］
前記コンピュータプロセッサの動作パラメータを低減させることは、前記コンピュータプロセッサの電圧を低減させることを備える、Ｃ２６に記載の方法。
【国際調査報告】
2018533134.tif 000009
2018533134.tif 000010
2018533134.tif 000011