(57)【要約】  磁気メモリデバイスを試験するための方法および装置が提供される。方法は、磁場増強バッキングプレートが試験装置に取り付けられるときに開始する。磁場増強バッキングプレートは、ウェハ試験プローブステーションのウェハチャックの中に取り付けられてもよい。磁気メモリデバイスが試験装置に取り付けられ、磁場が磁気メモリデバイスに印加される。磁場は、磁気メモリデバイスと同一平面で、または垂直方向に印加されてもよい。磁気メモリデバイスの性能は、デバイスに印加された磁場に基づいて決定されてもよい。装置は、場合によってはウェハチャックの中で、試験装置に嵌合するように適合される磁場増強バッキングプレートを含む。磁場増強バッキングプレートは、低炭素鋼などの、高透磁率の磁性材料で作製され、厚みは試験において使用される磁場に基づく。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリデバイスを試験する方法であって、
試験装置に磁場増強バッキングプレートを取り付けるステップと、
前記試験装置に磁気メモリデバイスを取り付けるステップと、
前記磁気メモリデバイスに磁場を印加するステップと、
前記印加された磁場に基づいて前記磁気メモリデバイスの性能を決定するステップとを備える、方法。
【請求項２】
前記磁気メモリデバイスがウェハ磁気メモリデバイスである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記磁気メモリデバイスに印加される前記磁場が、前記磁気メモリデバイスと同一平面で印加される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記磁気メモリデバイスに印加される前記磁場が、前記磁気メモリデバイスに垂直に印加される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記試験装置がウェハ試験装置である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記磁場増強バッキングプレートが、前記試験装置の中の磁石の極の近くに適用される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
メモリデバイスを試験するための装置であって、
試験装置に適合される磁場増強バッキングプレートと、
ウェハ試験装置とを備える、装置。
【請求項８】
前記磁場増強バッキングプレートが、前記ウェハ試験装置の中のウェハチャックに適合される、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記磁場増強バッキングプレートが、高透磁率の材料から形成される、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記高透磁率の材料が低炭素鋼である、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記低炭素鋼が１００６低炭素鋼である、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記磁場増強バッキングプレートが１ｍｍの厚みである、請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
前記磁場増強バッキングプレートが５ｍｍの厚みである、請求項９に記載の装置。
【請求項１４】
メモリデバイスを試験するための装置であって、
試験装置に磁場増強バッキングプレートを取り付けるための手段と、
前記試験装置に磁気メモリデバイスを取り付けるための手段と、
前記磁気メモリデバイスに磁場を印加するための手段と、
前記印加された磁場に基づいて前記磁気メモリデバイスの性能を決定するための手段とを備える、装置。
【請求項１５】
前記試験装置に磁気メモリデバイスを取り付けるための前記手段が、試験されるべきウェハ磁気メモリを取り付ける、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記メモリデバイスに磁場を印加するための前記手段が、前記磁気メモリデバイスと同一平面で前記磁場を印加する、請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
前記メモリデバイスに磁場を印加するための前記手段が、前記磁気メモリデバイスに垂直に前記磁場を印加する、請求項１４に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、その内容全体が参照により本明細書に組み込まれる、２０１５年８月２６日に米国特許商標庁に出願された、非仮出願第１４／８３６，８６０号の優先権および利益を主張する。
【０００２】
本開示は全般に、電子デバイスを試験することに関連しており、より具体的には、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）デバイスを試験するための磁場増強バッキングプレートに関連している。
【背景技術】
【０００３】
あらゆるタイプの電子デバイスが、日常生活の重要な一部になっている。ユーザはますます、コミュニケーション、仕事、および娯楽のために、携帯電話、コンピュータ、タブレット、および同様のデバイスに依存するようになっている。電子デバイスの利用が増えその能力が向上するにつれて、それらのデバイスにおいて使用されるメモリは、記憶容量を増やし性能を向上させるために進化してきた。時間とともに、メモリは、最終使用デバイスに搭載されたときに望み通りに動作することを確実にするためにかなりの試験を必要とする、高度に複雑なデバイスへと進化してきた。
【０００４】
大半のデバイスは、大量の命令を記憶し、複数の機能を実行する際に使用される値およびコマンド文字列を保持する、基本的なメモリを含む。複雑な値および命令を記憶することに対するこの増大する需要が、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）の開発につながった。ＭＲＡＭデバイスは、不揮発性、高い速度、および少ない電力消費などを実現するという多くの利点により、多くのデバイスのためのメインメモリまたはキャッシュメモリとして使用されることがある。ＭＲＡＭは、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）の使用を通じて記憶を行う。垂直な磁気トンネル接合が、高性能なスピントランスファートルクＭＲＡＭデバイスにおいて基本的なメモリ素子として使用される。
【０００５】
これらのメモリデバイスを試験することには、いくつかの重大な課題がある。それらの試験の課題の１つは、ＭＲＡＭデバイスが電磁石を用いて試験されなければならないということである。通常、試験は、個々のデバイスが分離されチップがパッケージングされる前に、ウェアの上で行われる。３００ｍｍのプローブステーションが、ウェハを試験するために使用される。３００ｍｍのプローブステーション上では、双極磁石をウェハチャックとともに使用することができず、それは、双極磁石の一方の極のみが使用されることがあり、それにより磁場がかなり小さく、かつ不均一になるからである。統合された磁石を有するカスタムプローブカードも使用されているが、コストが増大し、試験されるデバイスに対するあらゆる変更がプローブカードの再設計を必要とする。
【０００６】
改善されたＭＲＡＭデバイスは、試験のためにより大きな磁場を必要とし、デバイスをスイッチングするために必要とされる磁場は非常に大きい。従来の電磁石は十分ではなく、それは、ＭＲＡＭデバイスの保磁力が磁場を上回るからである。投影場における磁石が、ＭＲＡＭのウェハレベルでの磁気特性決定に対する選択肢の１つである。現代の垂直な磁気トンネル接合デバイスは、保磁力が向上しており、特性決定するには３ｋＯｅを超えるオーダーの大きな磁場を必要とする。従来のメモリ（ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、フラッシュなど）を試験する際に使用される大半の３００ｍｍのプローブステーションは、磁場の能力を有しない。磁石を従来の３００ｍｍのプローブステーションに取り付けることは効果的ではなく、それは、大半の入手可能な磁石は十分に大きな磁場または均一な磁場を作り出せないからである。大きな磁場をもつ入手可能なステーションを使用することも問題を解決しないことがあり、それは、大きな磁場をもつステーションは磁場の均一性が低く、通常はより小さなウェハまたはクーポンウェハしかサポートできず、より大きなウェハおよびロットに対しては試験時間がかかるからである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
同一平面のＭＲＡＭ試験と垂直方向のＭＲＡＭ試験の両方に対して、既存の電磁試験装置を使用した試験を可能にするための、ＭＲＡＭウェハ試験のための磁場増強バッキングプレートが、当技術分野において必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本明細書において説明される実施形態は、メモリデバイスを試験するための方法を提供する。メモリデバイスは、ＭＲＡＭデバイス、または磁気記憶装置を組み込む他のデバイスであってもよい。方法は、磁場増強バッキングプレートが試験装置に取り付けられるときに開始する。磁場増強バッキングプレートは、ウェハ試験プローブステーションのウェハチャックの中に取り付けられてもよい。磁気メモリデバイスが次いで試験装置に取り付けられ、磁場が磁気メモリデバイスに印加される。磁場は、磁気メモリデバイスと同一平面で、または垂直方向に印加されてもよい。磁気メモリデバイスの性能は、デバイスに印加された磁場に基づいて決定されてもよい。
【０００９】
さらなる実施形態は、メモリデバイスを試験するための装置を提供する。装置は、試験装置に嵌合するように適合された磁場増強バッキングプレートを含む。通常、磁場増強バッキングプレートは、ウェハ試験またはプローブステーションのウェハチャックに嵌合するように適合される。磁場増強バッキングプレートは、低炭素鋼などの、より透磁率の高い磁性材料で作製される。磁場増強バッキングプレートの厚みは、試験されているＭＲＡＭデバイスまたは磁気デバイスおよび完全な試験に必要とされる磁場のレベルに応じて適合されてもよい。
【００１０】
またさらなる実施形態は、メモリデバイスを試験するための装置を提供する。装置は、磁場増強バッキングプレートを試験装置に取り付けるための手段と、磁気メモリデバイスを試験装置に取り付けるための手段と、磁場を磁気メモリデバイスに印加するための手段と、印加された磁場に基づいて磁気メモリデバイスの性能を決定するための手段とを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本開示の実施形態による、電磁石を用いた典型的な３００ｍｍの試験装置を示す図である。
【図２】本開示の実施形態による、ＭＲＡＭデバイスを試験するために使用される電磁石の例示的な磁場の強さの図表である。
【図３】本開示の実施形態による、２極の断片の有限要素モデルの図である。
【図４】本開示の実施形態による、磁場の断面図である。
【図５】本開示の実施形態による、磁場増強バッキングプレートが使用されるときに作り出される磁場を示す図である。
【図６】本開示の実施形態による、磁場増強バッキングプレートが使用されるときに作り出される磁場を、バッキングがない場合と比較して示す図である。
【図７】本開示の実施形態による、磁場増強バッキングプレートが使用されるときの磁場と磁場増強バッキングプレートが使用されないときの磁場との差を、電磁石に加えられる電流の大きさに対して示す図である。
【図８】本開示の実施形態による、磁場増強バッキングプレートを使用してＭＲＡＭデバイスを試験する方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
添付の図面に関して以下に記載する詳細な説明は、本発明の例示的な実施形態の説明として意図されており、本発明が実践され得る唯一の実施形態を表すように意図されてはいない。本説明全体にわたって使用される「例示的」という用語は、「一例、実例、または例示としての役割を果たす」ことを意味し、必ずしも、他の例示的な実施形態よりも好ましいまたは有利であると解釈されるべきではない。発明を実施するための形態は、本発明の例示的な実施形態の完全な理解を与えるための具体的な詳細を含んでいる。本発明の例示的な実施形態は、これらの具体的な詳細なしに実践されることもあることは、当業者には明らかであろう。場合によっては、本明細書において提示される例示的な実施形態の新規性を曖昧にするのを回避するために、周知の構造およびデバイスがブロック図の形で示される。
【００１３】
本出願において使用される場合、「構成要素」、「モジュール」、「システム」などの用語は、ハードウェアであれ、ファームウェアであれ、ハードウェアとソフトウェアの組合せであれ、ソフトウェアであれ、または実行中のソフトウェアであれ、コンピュータに関連するエンティティを指すことが意図されている。たとえば構成要素は、限定はされないが、プロセッサ上で動作するプロセス、集積回路、プロセッサ、オブジェクト、実行可能ファイル、実行のスレッド、プログラムおよび／またはコンピュータであってもよい。例として、コンピューティングデバイス上で動作するアプリケーションおよびコンピューティングデバイスの両方が、構成要素であってもよい。１つまたは複数の構成要素は、プロセスおよび／または実行スレッド内に存在することができ、構成要素は、１つのコンピュータ上で局在していてもよく、かつ／または２つ以上のコンピュータの間で分散していてもよい。さらに、これらの構成要素は、様々なデータ構造を記憶した様々なコンピュータ可読媒体から実行することができる。構成要素は、１つまたは複数のデータパケット（たとえば、ローカルシステム、分散システムの中の別の構成要素と、かつ／またはインターネットなどのネットワークにわたって、信号により他のシステムと対話する１つの構成要素からのデータなど）を有する信号などに従って、ローカルおよび／または遠隔のプロセスにより通信してもよい。
【００１４】
さらに、本明細書においては、アクセス端末および／またはアクセスポイントに関連して様々な態様が説明される。アクセス端末は、音声および／またはデータ接続性をユーザに提供するデバイスを指すことがある。アクセスワイヤレス端末は、ラップトップコンピュータもしくはデスクトップコンピュータなどのコンピューティングデバイスに接続されてもよく、またはアクセスワイヤレス端末は、携帯電話などの自立型デバイスであってもよい。アクセス端末は、システム、加入者ユニット、加入者局、移動局、モバイル、遠隔局、遠隔端末、ワイヤレスアクセスポイント、ワイヤレス端末、ユーザ端末、ユーザエージェント、ユーザデバイス、またはユーザ機器とも呼ばれることがある。ワイヤレス端末は、加入者局、ワイヤレスデバイス、携帯電話、ＰＣＳ電話、コードレス電話、セッション開始プロトコル（ＳＩＰ）電話、ワイヤレスローカルループ（ＷＬＬ）局、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ワイヤレス接続機能を有するハンドヘルドデバイス、またはワイヤレスモデムに接続された他の処理デバイスであってもよい。別様には基地局または基地局コントローラ（ＢＳＣ）と呼ばれるアクセスポイントは、ワイヤレス端末を用いて、１つまたは複数のセクタを通じて、エアインターフェースを介して通信するアクセスネットワークの中のデバイスを指すことがある。アクセスポイントは、受信されたエアインターフェースフレームをインターネットプロトコル（ＩＰ）パケットに変換することにより、ワイヤレス端末と、ＩＰネットワークを含むことがある残りのアクセスネットワークとの間の、ルータとして活動することがある。アクセスポイントはまた、エアインターフェースのための属性の管理を調整する。
【００１５】
その上、本明細書において説明される様々な態様または特徴は、標準プログラミング技法および／またはエンジニアリング技法を使用した、方法、装置または製造品として実装されてもよい。本明細書において使用されている「製造品」という用語は、任意のコンピュータ可読デバイス、搬送波、または媒体からアクセス可能なコンピュータプログラムを包含することが意図されている。たとえばコンピュータ可読媒体は、限定はされないが、磁気記憶デバイス（たとえばハードディスク、フロッピーディスク、磁気ストライプ…）、光ディスク（たとえばコンパクトディスク（ＣＤ）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）…）、スマートカードおよびフラッシュメモリデバイス（たとえばカード、スティック、キードライブ…）、ならびに、読取り専用メモリ、プログラマブル読取り専用メモリ、および電気的消去可能プログラマブル読取り専用メモリなどの集積回路を含むことができる。
【００１６】
様々な態様は、多数のデバイス、構成要素、モジュールなどを含むことがあるシステムに関して提示される。様々なシステムは、追加のデバイス、構成要素、モジュールなどを含むことがあり、かつ／または、図に関連して論じられるデバイス、構成要素、モジュールなどのすべてを含まなくてもよいことを、理解および認識されたい。これらの手法の組合せも使用されてよい。
【００１７】
裏付ける説明、添付の図面、および添付の特許請求の範囲を考慮することにより、当業者には本発明の様々な態様の他の態様ならびに特徴および利点が明らかになるであろう。
【００１８】
ＭＲＡＭデバイスは、不揮発性ランダムアクセスメモリ技術である。従来のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）チップとは異なり、ＭＲＡＭデバイスにおけるデータは、磁気記憶素子に記憶され、電荷または電流として記憶されない。素子は２つの強磁性層から形成される。各強磁性層は磁化を保持することができ、薄い絶縁層によって分離される。２つの層のうちの１つは、特定の極性に設定された永久磁石である（基準層）。他方の層（自由層）の磁化は、デバイスを通る電流の印加により、または外部の磁場により、基準層に対して相対的に変更されてもよい。この構成は、磁気トンネル接合として知られており、ＭＲＡＭビットの基本的な構造である。メモリデバイスは、そのようなセルのアレイからなる。
【００１９】
ＭＲＡＭを読み取ることは、セルの電気抵抗を測定することによって行われてもよい。通常、セルを通ってグラウンドに向かう供給線からの電流をスイッチングする、関連するトランジスタに電力供給することによって、特定のセルが選択される。トンネリング磁気抵抗（ＴＭＲ）効果により、セルの電気抵抗は、ＲＬとＦＬとの間の磁化の相対的な向きに応じて変化する。得られる電流を測定することによって、任意の特定のセルの内部の抵抗を決定することができ、これから、自由層の磁化の極性を決定することができる。２つの層が同じ磁化の向きを有する場合には抵抗は小さいが、２つの層が反対の磁化の向きを有する場合には抵抗はより大きい。
【００２０】
データは、様々な方法を使用してセルに書き込まれる。ＳＴＴ−ＭＲＡＭの場合、デバイスを通る電流はスピン極性をもつようになり、自由層の磁化の極性の再配向を引き起こす。この向きは、電流の向きを反転させることによって元に戻されることが可能である。
【００２１】
ＭＲＡＭデバイスは、データを記憶するために磁気トンネル接合に依存する。トンネル磁気抵抗は、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）において生じる磁気抵抗効果である。磁気トンネル接合は、薄い絶縁体によって分離された２つの強磁性体からなる。絶縁層が十分に薄い（数ナノメートルのオーダーである）場合、電子は一方の強磁性体から他方の強磁性体に通り抜けることができる。このトンネリングは、量子力学的な現象である。磁気トンネル接合は、薄膜技術を使用して製造される。
【００２２】
強磁性膜の２つの磁化の方向は、外部の磁場によって、またはデバイスに電流を流すことによって、個別に切り替えられてもよい。磁化が平行な向きである場合、電子は絶縁膜を通り抜ける可能性がより高い。磁化が反対の、または反平行な向きである場合、電子は絶縁膜を通り抜ける可能性がより低い。結果として、そのような接合は、電気抵抗の２つの状態、すなわち抵抗が小さい状態と抵抗が非常に大きい状態との間で、切り替えられてもよい。
【００２３】
磁気トンネル接合は、スピントランスファートルクに依存する。スピントランスファートルクの効果は、２つの強磁性体電極のセットに挟まれるトンネリング障壁があり、その結果、一方の電極には自由に回転可能な磁化があるが、他方の電極（固定された磁化を有する）はスピン偏極子として振る舞うときに、発生する。
【００２４】
図１は、３００ｍｍのプローブステーションを示す。そのようなプローブステーションは、磁場能力を含まない。磁石を取り付けることは十分に大きな磁場を作り出さず、さらに、上述の通り、磁気能力を有するステーションは、生産工程に必要なより大きなウェハを扱うことが可能ではない。ＭＲＡＭデバイスが発展して進化するにつれて、試験に必要な磁場が増大した。現在、ＭＲＡＭデバイスをスイッチングするのに必要な磁場は非常に大きく、３ｋＯｅのオーダーであることがある。従来の電磁石は機能せず、それは作り出される磁場が十分大きくないからである。従来の３００ｍｍのプローブステーションに嵌合する電磁石も図１に示されている。デバイスウェハも電磁石に関連して示されている。
【００２５】
ＭＲＡＭデバイスは、「同一平面」の磁気の向きから、「垂直な」配置へと変化している。これらのＭＲＡＭデバイスでは、磁気の向きはウェハに垂直である。この構成は、改善された磁場耐性、より高い保持力、より小さいスイッチング電力、および改善されたスケーラビリティを生み出す。ＭＲＡＭデバイスが発展し続けるにつれて、より大きな磁場およびより良好な磁場の均一性のもとで試験することが必要になる可能性がある。４００ｍｍサイズのウェハも、デバイスが複雑さを増すにつれて使用される可能性がある。これらの将来のデバイスは、追加の磁場を用いて試験することを必要とする可能性がある。
【００２６】
図２は、既存の電磁石の例示的な図表を与える。電磁石も図２に示される。同一平面の構成および垂直の構成に対する磁場がグラフに示されている。図２はまた、同一平面の寄与が最小となり垂直方向の磁場が最大となる、試験対象デバイス（ＤＵＴ：ｄｅｖｉｃｅ  ｕｎｄｅｒ  ｔｅｓｔ）の相対的な場所を含む。ＭＲＡＭの試験が行われるべきなのは、この点である。より大きな磁石を使用することは、より大きな駆動電流と、そのような大きな駆動電流から発生する熱負荷に耐えるためのかなりの磁石の再設計とを必要とする。
【００２７】
図３は、ＭＲＡＭデバイスを試験する際に使用される電磁石の２極の断片の有限要素モデル化を図示する。磁束を閉じるためのインダクタンスの経路が非効率であることで、磁場の漏れがある。磁束の大半は、試験されているデバイスの周囲の空気に漏れ、結果として無駄になる。
【００２８】
図４は、バッキングプレートがない場合の磁場の断面図を与える。これは磁場の損失を示しており、磁場がＭＲＡＭデバイスの周囲の空気へと放散している。
【００２９】
ある実施形態は、３００ｍｍのウェハチャックに追加される磁場増強バッキングプレートを提供する。この磁場増強バッキングプレートは、プローブステーション上のチャックの表面に追加されてもよい。代替の実施形態では、磁性材料がチャックの表面に追加されてもよい。磁場増強バッキングプレートは、磁極の近くに配置される高透磁率の材料から形成される。この高透磁率の材料は、ＤＵＴの近くに高インダクタンスの磁束閉塞経路をもたらすことによって、磁場の無駄を減らすことがある。
【００３０】
図５は、磁場増強バッキングプレートを使用したＭＲＡＭデバイスの試験を図示する。図５では、ＤＵＴが受ける磁場の改善は、１００６低炭素鋼、１ｍｍの厚みのバッキングプレートが使用されるとき、４５％であると推定される。図５の磁場は、磁石の両方の極が磁場をＤＵＴに向けているので、図３に示されるものよりも改善されている。１００６低炭素鋼が図５に示される磁場を作り出すために使用されるが、本明細書において説明される実施形態はこの材料の選択に限定されない。磁気増強材料は、磁場を増強する広範な材料から選択されてもよく、本明細書において説明される典型的なＭＲＡＭとは異なる特性を有する特定のデバイスを試験するために選択されてもよい。
【００３１】
図６は、磁場増強バッキングプレートが使用されるときに作り出される磁場の断面の改善を示す。
【００３２】
図７は、磁場増強バッキングプレートによる磁場の改善を示す。５ｍｍの厚みで作製されたバッキングプレートが３００ｍｍのプローブステーションに取り付けられた。磁場増強バッキングプレートがウェハチャックの表面に付着された。磁場増強バッキングプレートは、様々なプローブステーションに嵌合するように適合されてもよく、様々なサイズのプローブステーション上で使用されてもよい。本明細書において説明される実施形態は、この適用例において論じられる例示的なサイズおよびプローブステーションに限定されない。図７のグラフが示すように、磁場の測定は、磁場増強バッキングプレートがある場合とない場合で行われた。磁場は、磁場増強バッキングプレートの追加により、同じ磁石駆動電流において２．５倍に増大した。加えて、同一平面の磁場の抑制により、磁場の均一性が向上した。
【００３３】
本明細書において説明される実施形態は、垂直磁気トンネル接合ＭＲＡＭデバイスのウェハレベルの試験に必要とされるより大きな磁場を提供する。磁場増強バッキングプレートは、単に励磁電流を増やすことなくより大きな磁場を達成するための機構を提供する。磁場増強バッキングプレートを使用することは、磁束の無駄を最小限にするために高透磁率の磁性材料の基本的な性質を利用する。これにより、ＤＵＴまでの距離が保たれ、減少させないので、試験がよりモジュール方式で行われることが可能になる。磁場増強バッキングプレートはまた、ＭＲＡＭの最終試験および磁場設定のために使用されてもよく、その場合、磁場増強バッキングプレートは、チップ上のすべての磁気デバイスが適切な向きに並んでいることを確実にするために使用されてもよい。
【００３４】
図８は、ウェハ試験の間に磁場増強バッキングプレートを使用する、ＭＲＡＭなどの磁気デバイスを試験する方法のフローチャートである。方法８００は、ステップ８０２において磁場増強バッキングプレートが試験装置に取り付けられるときに開始する。試験装置は、上で説明された３００ｍｍのプローブステーションなどのプローブ試験装置であってもよい。試験装置は、可変のサイズのウェハを受け入れてもよく、３００ｍｍのプローブステーションに限定されない。ステップ８０４において、試験されるべきデバイス、通常はＭＲＡＭウェハが、磁場増強バッキングプレートとともに取り付けられる。ＭＲＡＭ試験は、ステップ８０６において磁場を使用して行われ、ＭＲＡＭの磁気的および電気的な輸送試験からなってもよい。ＭＲＡＭに印加される磁場は、試験の性質に応じて変わってもよい。
【００３５】
情報および信号は多種多様な技術および技法のいずれかを使用して表されてもよいことを、当業者は理解されよう。たとえば、上記の説明全体にわたって言及されることがあるデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁場もしくは磁性粒子、光場もしくは光学粒子、またはそれらの任意の組合せによって表されてもよい。
【００３６】
本明細書において開示される例示的な実施形態に関して説明される様々な例示的な論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップは、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、または両方の組合せとして実装されてもよいことを、当業者はさらに諒解するであろう。ハードウェアおよびソフトウェアのこの互換性を明確に示すために、様々な例示的な構成要素ブロック、モジュール、回路およびステップは、上では、一般にそれらの機能に関して説明されている。そのような機能がハードウェアとして実装されるかソフトウェアとして実装されるかは、具体的な用途とシステム全体に課される設計制約とに依存する。当業者は、説明されている機能を具体的な用途ごとに様々な方式で実装してもよいが、そのような実装の決定は、本発明の例示的実施形態の範囲から逸脱するものとして解釈されるべきではない。
【００３７】
本明細書において開示される例示的な実施形態に関して説明される様々な例示的な論理ブロック、モジュール、および回路は、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）もしくは他のプログラマブル論理デバイス、個別ゲートもしくはトランジスタ論理、個別ハードウェア構成要素、または本明細書において説明される機能を実行するように設計されたそれらの任意の組合せによって、実装または実行されてもよい。汎用プロセッサはマイクロプロセッサであってもよいが、代替として、プロセッサは、任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、またはステートマシンであってもよい。プロセッサはまた、コンピューティングデバイスの組合せ、たとえば、ＤＳＰおよびマイクロプロセッサの組合せ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連携した１つもしくは複数のマイクロプロセッサ、または任意の他のそのような構成として実装されてもよい。
【００３８】
１つまたは複数の例示的な実施形態では、説明された機能は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、またはこれらの任意の組合せにおいて実装されてもよい。ソフトウェアにおいて実装される場合、機能は、コンピュータ可読媒体上の１つまたは複数の命令もしくはコードとして記憶され、または送信されてもよい。コンピュータ可読媒体は、コンピュータ記憶媒体と、ある場所から別の場所へのコンピュータプログラムの転送を容易にする任意の媒体を含む通信媒体の両方を含む。記憶媒体は、コンピュータによってアクセスされることが可能である任意の利用可能な媒体であってもよい。限定はされないが、例として、そのようなコンピュータ可読媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭもしくは他の光ディスク記憶装置、または他の磁気記憶デバイス、あるいは、命令もしくはデータ構造の形態で所望のプログラムコードを搬送または記憶するために使用され、コンピュータによってアクセスされることが可能である、任意の他の媒体を備えることが可能である。また、あらゆる接続が、コンピュータ可読媒体と適切に呼ばれる。たとえば、ソフトウェアが、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、デジタル加入者線（ＤＳＬ）、または、赤外線、無線、およびマイクロ波などのワイヤレス技術を使用してウェブサイト、サーバ、または他の遠隔ソースから送信される場合、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、ＤＳＬ、または、赤外線、無線、およびマイクロ波などのワイヤレス技術は、媒体の定義に含まれる。ディスク（ｄｉｓｋ）およびディスク（ｄｉｓｃ）は、本明細書で使用されるとき、コンパクトディスク（ｄｉｓｃ）（ＣＤ）、レーザーディスク（登録商標）（ｄｉｓｃ）、光ディスク（ｄｉｓｃ）、デジタル多用途ディスク（ｄｉｓｃ）（ＤＶＤ）、フロッピーディスク（ｄｉｓｋ）、およびブルーレイディスク（ｄｉｓｃ）を含み、ディスク（ｄｉｓｋ）は、通常、データを磁気的に再生し、ディスク（ｄｉｓｃ）は、レーザーを用いてデータを光学的に再生する。上記の組合せもコンピュータ可読媒体の範囲に含まれるべきである。
【００３９】
開示された例示的な実施形態の上記の説明は、あらゆる当業者が本発明を作成または使用できるようにするために提供される。これらの例示的な実施形態に対する様々な修正が当業者には容易に明らかになり、本明細書において定義される一般原理は、本発明の趣旨または範囲を逸脱することなく他の実施形態に適用されてもよい。したがって、本発明は、本明細書において示される例示的な実施形態に限定されることは意図されておらず、本明細書において開示される原理および新規な特徴と矛盾しない最も広い範囲が与えられるべきである。
【図１】
2018534757.tif 000003
【図２】
2018534757.tif 000004
【図３】
2018534757.tif 000005
【図４】
2018534757.tif 000006
【図５】
2018534757.tif 000007
【図６】
2018534757.tif 000008
【図７】
2018534757.tif 000009
【図８】
2018534757.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月27日(2018.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリデバイスを試験する方法であって、
試験装置に磁場増強バッキングプレートを取り付けるステップであって、前記磁場増強バッキングプレートが高透磁率の材料から形成される、ステップと、
前記試験装置に磁気メモリデバイスを取り付けるステップであって、前記磁気メモリデバイスが磁気メモリデバイスを備えるウェハである、ステップと、
電磁石を使用することによって前記磁気メモリデバイスに磁場を印加するステップであって、前記磁場は、前記磁気メモリデバイスの磁気記憶素子の強磁性層の磁化を変更するように印加される、ステップと、
前記印加された磁場に基づいて前記磁気メモリデバイスの性能を決定するステップとを備える、方法。
【請求項２】
前記磁気メモリデバイスに印加される前記磁場が、前記磁気メモリデバイスと同一平面で印加される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記磁気メモリデバイスに印加される前記磁場が、前記磁気メモリデバイスに垂直に印加される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記試験装置がウェハ試験装置である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記磁場増強バッキングプレートが、前記試験装置の中の磁石の極の近くに適用される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
メモリデバイスを試験するための装置であって、
試験装置に適合される磁場増強バッキングプレートであって、前記磁場増強バッキングプレートが高透磁率の材料から形成される、磁場増強バッキングプレートと、
磁気メモリデバイスを取り付けるように構成されるウェハ試験装置であって、前記磁気メモリデバイスが磁気メモリデバイスを備えるウェハである、ウェハ試験装置と、
前記磁気メモリデバイスに磁場を印加するように構成される電磁石であって、前記磁場は前記磁気メモリデバイスの磁気記憶素子の強磁性層の磁化を変更するように印加され、前記磁気メモリデバイスの性能が前記印加された磁場に基づいて決定されてもよい、電磁石とを備える、装置。
【請求項７】
前記磁場増強バッキングプレートが、前記ウェハ試験装置の中のウェハチャックに適合される、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記高透磁率の材料が低炭素鋼である、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記低炭素鋼が１００６低炭素鋼である、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記磁場増強バッキングプレートが１ｍｍの厚みである、請求項６に記載の装置。
【請求項１１】
前記磁場増強バッキングプレートが５ｍｍの厚みである、請求項６に記載の装置。
【請求項１２】
メモリデバイスを試験するための装置であって、
試験装置に磁場増強バッキングプレートを取り付けるための手段であって、前記磁場増強バッキングプレートが高透磁率の材料から形成される、手段と、
前記試験装置に磁気メモリデバイスを取り付けるための手段であって、試験されるべき磁気メモリを備えるウェハを取り付ける、手段と、
電磁石を使用することによって前記磁気メモリデバイスに磁場を印加するための手段であって、前記磁場は、前記磁気メモリデバイスの磁気記憶素子の強磁性層の磁化を変更するように印加される、手段と、
前記印加された磁場に基づいて前記磁気メモリデバイスの性能を決定するための手段とを備える、装置。
【請求項１３】
前記メモリデバイスに磁場を印加するための前記手段が、前記磁気メモリデバイスと同一平面で前記磁場を印加する、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記メモリデバイスに磁場を印加するための前記手段が、前記磁気メモリデバイスに垂直に前記磁場を印加する、請求項１２に記載の装置。
【国際調査報告】
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