(57)【要約】【構成】製造プロセスにおいて溶射法を使用して薄膜抵抗器を形成する。薄膜抵抗器、および薄膜抵抗器の製造方法では、溶射抵抗性要素を使用する。基体に合金結合層を設層し、この合金結合層に溶射法によって溶射抵抗性層を設層し、溶射抵抗性要素を形成する。合金結合層および溶射抵抗性層の化学的組成は同じである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体および溶射抵抗性要素を有することを特徴とする薄膜抵抗器。
【請求項２】
さらに合金結合層を前記基体に成膜し、前記溶射抵抗性要素をこの合金結合層に溶射した請求項１に記載の薄膜抵抗器。
【請求項３】
前記溶射抵抗性要素が、銅、ニッケル、タンタル、チタンなどの合金である請求項３に記載の薄膜抵抗器。
【請求項４】
前記合金結合層が、銅、ニッケル、タンタル、チタンなどの合金である請求項４に記載の薄膜抵抗器。
【請求項５】
前記溶射抵抗性要素を前記合金結合層に化学的に結合した請求項５に記載の薄膜抵抗器。
【請求項６】
機械的結合、機械的連結、拡散結合、または冶金学的結合を示す溶射材の粒子から前記溶射抵抗性要素を形成した請求項１に記載の薄膜抵抗器。
【請求項７】
抵抗値が１０．０Ω以下である請求項１に記載の薄膜抵抗器。
【請求項８】
抵抗値が１．０Ω以下である請求項１に記載の薄膜抵抗器。
【請求項９】
溶射法を使用して、基体に溶射材を溶射して溶射抵抗性要素を形成することを特徴とする薄膜抵抗器の製造方法。
【請求項１０】
前記基体に前記溶射材を溶射する前に、合金結合層を前記基体に成膜する請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
少なくとも１０μｍ/分の成膜速度で前記溶射材を設層する請求項９に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記溶射抵抗性要素が、少なくとも１．０μｍの厚みを有する請求項９に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記溶射抵抗性要素が、銅、ニッケル、タンタル、チタンなどの合金である請求項９に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記合金結合層が、銅、ニッケル、タンタル、チタンなどの合金である請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記溶射抵抗性要素を前記合金結合層に化学的に結合する請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
少なくとも１０μｍ/分の速度で前記溶射材を溶射する請求項９に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記薄膜抵抗器の抵抗値が１０．０Ω以下である請求項９に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記薄膜抵抗器の抵抗値が１．０Ω以下である請求項９に記載の製造方法。
【請求項１９】
第１表面およびこれに対向する第２表面を有する基体、
前記基体の前記第１表面の少なくとも一部に成膜した合金結合層、
前記合金結合層の少なくとも一部に溶射した溶射抵抗性層、
前記溶射抵抗性層の側部に隣接して設層され、前記合金結合層の一部にそって延設する導体パッド、および
前記第１表面を前記第２表面に接続する電気接続を有することを特徴とする薄膜抵抗器。
【請求項２０】
前記導体パッドが第１導体層および第２導体層を有する請求項１９に記載の薄膜抵抗器。
【請求項２１】
さらに、前記第１導体層の下に接着層を有する請求項２０に記載の薄膜抵抗器。
【請求項２２】
前記電気接続が、前記導体パッドの隣接部分から前記基体の側面に沿って延設し、かつ前記基体の前記第２表面の部分に少なくとも部分的に沿って延設する合金接着層を有する請求項１９に記載の薄膜抵抗器。
【請求項２３】
さらに、前記電気接続が前記接着層に重ねて設層された第３導体層を有する請求項２２に記載の薄膜抵抗器。
【請求項２４】
さらに、前記電気接続が前記第３導体層に重ねて設層された第４導体層を有する請求項２３に記載の薄膜抵抗器。
【請求項２５】
さらに、前記第４導体層に重ねて設層したバリヤ層を有する請求項２４に記載の薄膜抵抗器。
【請求項２６】
さらに、前記バリヤ層に重ねて半田仕上げした請求項２５に記載の薄膜抵抗器。
【請求項２７】
第１表面、側面、およびこの第１表面に対向する第２表面を有する基体を提供する工程、
前記第１表面の少なくとも一部に重ねて合金結合層を成膜する工程、
前記合金結合層の少なくとも一部に重ねて溶射抵抗性層を溶射して、少なくとも１０μｍ/分の速度で溶射層を設層する工程、
前記溶射抵抗性層の側部に隣接して導体パッドを形成する工程、および
前記第１表面と前記第２表面を電気的に接続する工程を有することを特徴とする薄膜抵抗器の形成方法。
【請求項２８】
前記の導体パッドを形成する工程が、
前記溶射抵抗性層の側部に隣接し、前記合金結合層の部分に重ねて接着層を成膜する工程、
前記接着層に重ねて第１導体層を成膜する工程、および
前記第１導体層に重ねて第２導体層をメッキする工程を有する請求項２７に記載の形成方法。
【請求項２９】
さらに、前記溶射抵抗性層の露出部分に重ねてオーバーコート層を設層する工程を有する請求項２７に記載の形成方法。
【請求項３０】
前記のオーバーコート層を設層する工程が、
前記溶射抵抗性層の少なくとも一部に重ねて湿分不活性化層を設層する工程、および
前記湿分不活性化層の少なくとも一部に重ねて機械的保護層を設層する工程を有する請求項２９に記載の形成方法。
【請求項３１】
前記第１表面および前記第２表面を電気的に接続する前記工程が、
前記導体パッドの隣接部分に接着層を設層して、そして、前記基体の第１表面および側面の部分に沿って且つ前記基体の前記第２表面の部分に少なくとも部分的に沿って、前記導体パットに隣接して前記接着層を設層する工程、
前記接着層に重ねて第３導体層を成膜する工程、および
前記第３導体層に重ねて第４導体層をメッキする工程を有する請求項２７に記載の形成方法。
【請求項３２】
さらに、前記第４導体層に重ねてバリヤ層を設層する工程および前記バリヤ層に重ねて半田を設ける工程を有する請求項２８に記載の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は抵抗器の分野、具体的には少なくとも一部に溶射層（ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  ｓｐｒａｙｅｄ  ｌａｙｅｒｓ）を有し、溶射技術を利用して製造する薄膜抵抗器の分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、薄膜抵抗器は非導電性基体に各種合金の抵抗性膜を成膜することによって製造されている。一般に、基体としては酸化アルミニウムや窒化アルミニウムセラミック基体が使用されているが、他の基体材料も使用可能であり、限定を意図するものではないが、例示すると、非導電性の被膜をもつガラス、ダイヤモンド、ルビーや金属基体を挙げることができる。蒸着膜の厚み範囲は、目的のシート抵抗にもよるが、数百Å（Ａｎｇｓｔｒｏｍｓ）〜数千Åである。
【０００３】
抵抗性膜については、プラズマ強化化学的蒸着法（ＰＥＣＶＤ）、化学的蒸着法（ＣＶＤ）や物理的蒸着法（ＰＶＤ）を始めとする各種の方法によって形成できるが、ＰＶＤが薄膜抵抗器の製造の最も代表的な方法である。ＰＶＤ法で膜を蒸着するさいには、一般的に真空環境で行う。ＰＶＤ法の蒸着速度は、抵抗器の製造に使用する一般的な材料では、約０．００５μｍ〜約０．２μｍ／分である。
【０００４】
薄膜抵抗器を設計するさい、抵抗器値については、蒸着膜のシート抵抗（Ω/□（Ｏｈｍｓ／Ｓｑｕａｒｅ：オーム毎スクウェア））と抵抗器の形状によって決まるスクウェアの数とを考慮して決定することができる。例えば、１００Ωの抵抗器の場合、５０Ω/スクウェア膜を用いて２つのスクウェアで一つの抵抗器形状に設計して製造できる。
【０００５】
公称値で１０Ωかそれ以上の精密抵抗器を製造するためにはＰＶＤ薄膜法が効果的であるが、民生用として無理のない時間で必要な膜厚を得るには実質的に限界があるため、約１０Ωかそれ以下又は約１Ωかそれ以下の範囲にあるより低い抵抗値の実現可能性は、低い。従って、公知技術よりも速く、にもかかわらず精密で、効率が高く、またコスト面において有利な抵抗器を製造する方法が求められている。
【０００６】
溶射は、熱を使用して金属やセラミックなどの材料を軟化し、次に軟化材料の粒子をガスなどによって被覆すべき基体に被覆する方法である。運動エネルギーなどの他の形態のエネルギーを使用して、粒子が基体に衝突した時に塑性変形が生じる速度まで粒子を加速することも可能である。粒子は、凝集時に、基体上に密な被膜/被覆層を形成する。溶射すべき材料は、フィードストック（ｆｅｅｄｓｔｏｃｋ：供給材料）と呼ばれることもある。溶射に使用される装置、即ち本発明の薄膜抵抗器を製造するために使用することができる装置の実例は、カリフォルニア州、サンタバーバラのＩｎｏｖａｔｉ社の製品であるＫｉｎｅｔｉｃ  Ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ：Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ  Ｃｏａｔｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ、ＫＭ−ＰＣＳである。
【０００７】
溶射法の場合、一般に薄膜抵抗器を形成するために使用されているＰＶＤ法、ＰＥＣＶＤ法やＣＶＤ法よりも数倍速い速度で金属を成膜できる。例えば、溶射の場合、少なくとも約１０μｍ/分の成膜速度で材料を成膜できる。溶射法の高い成膜速度によって、公知方法よりも競合的なコストで低抵抗値の抵抗器を製造できる。溶射とは対照的に、ＰＶＤ法では実際の時間で必要な膜厚を実現できない。
【０００８】
溶射の場合、一般に周囲条件で実施されているが、所定の範囲の環境または条件下で実施でき、酸化物レベルを制御でき、またある程度までは、溶射材料の構造を制御できる。周囲条件で溶射できる利点は、真空システムや他の環境制御システムの必要なポンプ停止時間がないため、処理時間を短縮できる点である。工業的に利用できる溶射法は、材料の適用方法、例えば使用するエネルギーの種類やフィードストックとして使用する材料の種類によって変わってくる。
【０００９】
本発明は、公知方法を使用する薄膜抵抗器の抵抗性要素の成膜に伴う時間的な制約およびコスト問題に、薄膜抵抗器の製造に溶射法を適用することによって対処する手段を提供するものである。
【発明の概要】
【００１０】
薄膜抵抗器の製造時の処理時間およびコストを最低限に抑えるために、本発明では、一般に機械的な摩耗、耐腐食性、表面の回復、熱バリヤなどを目的として材料の急速成膜（ｒａｐｉｄ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）に各分野で利用されている溶射法および技術を使用して、基体に抵抗性要素を成膜し、また他の材料および層を成膜し、薄膜抵抗器を形成する。
【００１１】
即ち、製造プロセスに溶射法を利用して薄膜抵抗器を提供することが本発明の目的、特徴、あるいは作用効果である。
【００１２】
本発明の一態様の場合、溶射抵抗要素を有する薄膜抵抗器を提供する。抵抗性成分は溶射層として形成することができ、この成分は基体表面の少なくとも一部に、あるいは薄膜抵抗器の所定層に溶射された材料からなる。
【００１３】
本発明のもう一つの態様の場合、基体表面の少なくとも一部に合金結合層を成膜した薄膜抵抗器を提供する。溶射抵抗性層は、合金結合層の少なくとも一部に溶射し、溶射抵抗性要素を形成する。
【００１４】
本発明は、薄膜抵抗器の製造方法を提供するものでもある。一つの実施態様の場合、薄膜抵抗器は溶射法を使用して基体表面か、あるいは薄膜抵抗器の所定層に所定の材料を溶射し、溶射抵抗性要素を形成することによって形成される。
【００１５】
本発明のもう一つの態様では、基体表面の少なくとも一部に合金結合層を設層し、溶射法によってこの合金結合層の少なくとも一部に溶射抵抗性層を設層して、溶射抵抗性要素を形成する薄膜抵抗器の製造方法を提供する。
【００１６】
本発明のもう一つの態様では、第１表面およびこれに対向する第２表面を有する基体、この基体の第１表面の少なくとも一部に成膜した合金結合層、およびこの合金結合層の少なくとも一部に溶射した溶射抵抗性層を有する薄膜抵抗器を提供する。溶射抵抗性層の側部に隣接して導体パッドを設け、合金結合層の一部にそってこれを延設する。導体パッドは、第１導体層および第２導体層を有することができる。第１導体層の下に接着層を設層することができる。抵抗器の第１表面から抵抗器の対向する第２表面へ電気的に接続する。合金接着層は基体側部にそって、かつ基体の第２表面部分にそって導体パッドの隣接部分から延設する。接着層に重ねて第３導体層を設層することができる。さらに、第３導体層に重ねて第４導体層を設層してもよい。この第４導体層に重ねてバリヤ層を設層することができる。バリヤ層に重ねて半田仕上げ層（ｓｏｌｄｅｒ  ｆｉｎｉｓｈ）を配置できる。
【００１７】
本発明のさらに別な態様は、薄膜抵抗器の形成方法である。この形成方法は第１表面、側面および第１表面に対向する第２表面を有する基体を用意する工程；第１表面の少なくとも一部に重ねて合金結合層を成膜する工程；合金結合層の少なくとも一部に重ねて溶射抵抗性層を溶射する工程；溶射抵抗性層の側部に隣接して導体パットを形成する工程；溶射抵抗性層の露出部分に重ねてオーバーコート層を設層する工程；および抵抗器の第１表面および第２表面を電気的に接続する工程で構成することができる。
【００１８】
導体パッドを形成する工程の場合：溶射抵抗性層の側面に隣接し、かつ合金結合層の部分に重ねて接着層を成膜する工程；接着層に重ねて第１導体層を成膜する工程；および第１導体層に重ねて第２導体層をメッキする工程で構成することができる。
【００１９】
オーバーコート層の設層工程の場合：溶射抵抗性層の少なくとも一部に重ねて湿分不活性化層を設層する工程；および湿分不活性化層の少なくとも一部に重ねて機械的保護層を設層する工程で構成することができる。
【００２０】
第１表面と第２表面とを電気的に接続する工程の場合：基体の第１表面および側面の部分にそって、かつ基体の第２表面の部分に少なくとも部分的にそって導体パッドに隣接して接着層を成膜する工程；接着層に重ねて第３導体層を成膜する工程；および第３導体層に重ねて第４導体層をメッキする工程で構成することができる。第４導体層に重ねてバリヤ層を設層してもよく、またバリヤ層に重ねて半田を設層してもよい。
【００２１】
合金結合層および溶射抵抗性層については、同様な化学的組成を有していればよい。溶射抵抗性層については、化学的組成が同じようになるように選択した合金結合層に化学的に結合すればよい。本発明の別な実施態様では、合金結合層と溶射抵抗性層の化学的組成は異なっていてもよい。
【００２２】
本発明の別な態様では、約１０〜６０μｍ/分の速度で溶射法によって溶射抵抗性層を成膜する。本発明のさらに別な態様では、少なくとも約１０μｍ/分の速度で溶射法によって溶射抵抗性層を成膜する。
【００２３】
本発明のもう一つの態様では、溶射抵抗性成分は、銅、ニッケル、タンタル、チタンなどの合金である。
【００２４】
本発明のさらに別な態様では、合金結合層は、銅、ニッケル、タンタル、チタンなどの合金である。
【００２５】
例示としての添付図面を参照し、以下に本発明をより詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施態様による薄膜抵抗器の横断面図である。
【図２】図１に示した本発明の一実施態様における薄膜抵抗器の一部を示す拡大横断面図である。
【図３】図２に“図３”として示す本発明の一実施態様における抵抗器の一部を示す拡大横断面図である。
【図４】図２に“図４”として示す領域を示す本発明の一実施態様における抵抗器の一部を示す拡大横断面図である。
【図５】図２に“図５”として示す領域を示す本発明の一実施態様における抵抗器の一部を示す拡大横断面図である。
【図６】図２に“図６”として示す領域を示す本発明の一実施態様における抵抗器の一部を示す拡大横断面図である。
【図７】本発明の抵抗器に合金結合層および溶射層を設層するさいに使用する例示的な機械的マスクを示す上面平面図である。
【図７Ａ】図７のＡ−Ａ線にそって見た、図７の機械的マスクの開口の幅を示す横断面図である。
【図７Ｂ】図７のＢ−Ｂ線にそって見た、図７の機械的マスクの開口の長さを示す横断面図である。
【図８Ａ】本発明に従って製造した抵抗器の上面を示す図である。
【図８Ｂ】本発明に従って製造した抵抗器の底面を示す図である
【図９】本発明の薄膜抵抗器の一実施態様の製造方法の一部を示す流れ図である。
【図１０】本発明の薄膜抵抗器の一実施態様の製造方法の一部を示す流れ図である。
【図１１】本発明の薄膜抵抗器の一実施態様の製造方法の一部を示す流れ図である。
【図１２】本発明の薄膜抵抗器の一実施態様の製造方法の一部を示す流れ図である。
【図１３】本発明の抵抗器の一実施態様の一部を示す横断面図であり、基体に直接溶射した溶射抵抗性層の一部を示す図である。
【図１４】本発明の抵抗器の一実施態様の一部を示す横断面図であり、基体の上面の一部にそって延設した合金結合層を示す図である。
【図１５】本発明の抵抗器の一実施態様の一部を示す横断面図であり、厚膜導体を示す図である。
【図１６】倍率が５の明視野照明を使用し、本発明に従って製造した例示的な抵抗器の一部の横断面を示す画像である。
【図１７】倍率が１０の明視野照明を使用し、図１６の例示的な抵抗器の一部の横断面を示す画像である。
【図１８】倍率が２５の明視野照明を使用し、図１６の例示的な抵抗器の一部の横断面を示す画像である。
【図１９】倍率が２５の明視野照明を使用し、図１６の例示的な抵抗器の一部の横断面を示す画像である。
【図２０】本発明の抵抗器の一実施態様の一部を示す横断面図であり、溶射導体層を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明は溶射法を使用してその適用を図った薄膜抵抗器の製造技術に関する。表１に、代表的な溶射法、エネルギー源、環境条件および使用可能なフィードストックのタイプをまとめて示す。これら方法のうちの任意の方法を使用して、低抵抗値薄膜抵抗器の製造に必要な高速な材料成膜速度を実現でき、また溶射の範囲に包含される技術も使用可能である。
表１
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【００２８】
本発明の一実施態様の薄膜抵抗器を図１〜図６に示す。図１〜図６の向きにおいて示すように、薄膜抵抗器は上面即ち上側面２０２（第１側面）、これに対向する側端部２０４（左側）、２０６（右側）（側面とも呼ぶ）、および底面即ち底側面２０８（即ち第２側面）を有する。図示のように、中心線２１４の右側に示す抵抗器１０の右側部分２１０は、本質的に中心線２１４の左側に示す抵抗器の左側部分２１２の鏡像である。このように、特に断らない限り、右側部分２１０の記述はそのまま左側部分２１２に当てはまるものである。
【００２９】
全体として、本発明の一実施態様の薄膜抵抗器は、セラミック製あるいは非金属製の基体１２、基体１２に成膜した合金結合層１４、および合金結合層１４に溶射した溶射抵抗性層１８を有する。本明細書では、溶射抵抗性層１８を形成するさいに使用する材料については、“溶射材１６”と呼ぶ。製品化する抵抗器での溶射抵抗性要素２０を溶射によって設層するために、溶射材１６が溶射プロセスのフィードストックとして使用される。
【００３０】
溶射材をセラミック製あるいは非金属製の基体に設層するさいの潜在的な問題点は、溶射材と下の基体即ち基体面との間の実質的な結合強度、例えば容易には分離しない結合強度を実現するさいに発生する。例えば、セラミック製あるいは非金属製の材料を使用して溶射法の実施時に得られる結合は、主に機械的結合である。代表的な溶射用途では、基体の表面をグリットブラスチング（ｇｒｉｔ  ｂｌａｓｔｉｎｇ）して、酸化物を除去し、粗面化し、これによってフィードストックと基体との間の機械的接着強度を強化する。
【００３１】
ところが、薄膜抵抗器を製造する場合、セラミック製基体の厚みは一般に約０．０１０インチ〜０．０２５インチである。このような厚みのセラミック製基体や非金属製基体をグリットブラスチングすると、十分な表面粗さが得られるかなり前に基体に歪みが発生する。このように、公知のグリットブラスチング技術は、薄膜抵抗器の製造プロセスに対して不適切であり、一般に適用不可である。
【００３２】
基体１２のセラミック製表面や非金属製表面と、本発明の抵抗器の溶射抵抗性要素２０を形成する溶射材１６との間に強力な結合を作るために、基体１２に合金結合層１４を成膜する。合金結合層１４は、例えば、ニッケル/クロム合金であればよい。設層される溶射材に使用する合金に応じて他の合金も使用することができる。合金結合層１４については、例えば、限定する意図はないが、ニッケル、タンタル、チタン、銅あるいはアルミ等を含む合金を使用することができる。また、合金結合層としては、他の公知合金やこれらを併用した合金を使用することができる。合金結合層１４はＰＶＤ法によって設層するのが好ましいが、他の薄膜生成技術やプロセスを使用するものでもよい。この合金結合層１４を使用することによって、基体のグリットブラスチングが必要なくなる。
【００３３】
図１〜図３は、本発明の一実施態様に従って製造した例示抵抗器１０の横断面図である。図２および図３に示すように、酸化アルミまたは窒化アルミのセラミック基体１２を用意する。なお、基体１２としては、薄膜抵抗器に使用できるものならば任意の許容可能なセラミック材料や他の非導電性の材料も使用可能である。また、非導電性の表面処理を行った金属基体も使用可能である。
【００３４】
例えば図２および図３に示すように、基体１２にＰＶＤ法などによって、合金結合層１４を成膜する。合金結合層１４については、設層すべき溶射抵抗性層１８と同様な、あるいは相補的な化学的組成をもつものが好ましい。例えば、銅合金、ニッケル合金、チタン合金やタンタル合金を使用して、溶射抵抗性層１８を形成する場合には、対応する銅合金、ニッケル合金、チタン合金やタンタル合金を合金結合層１４に使用することができる。即ち、本発明の好適な実施態様では、合金結合層１４と溶射材とは実質的に同等であり、同じ化学的組成が類似のものである。従って、ニッケルクロム合金を使用して、合金結合層１４を形成する場合には、好ましい溶射材１６は化学的組成が同じか、あるいは同様なニッケルクロム合金である。このようにして、溶射材１６と合金結合層１４の材料とを化学的に結合することができる。
【００３５】
合金結合層１４については、ＰＶＤ法を使用して形成するのが好ましいが、他の蒸着法も利用可能であり、限定を意図するものではないが、例示すると、ＰＥＣＶＤやＣＶＤを挙げることができる。この合金結合層１４は、基体１２のセラミック表面または非金属表面と強力な機械的結合を形成する。
【００３６】
図２および図３に示すように、溶射材１６を合金結合層１４に溶射して、溶射抵抗性層１８を形成する。この溶射抵抗性層１８が溶射抵抗性要素２０を形成し、この要素の大きさおよび形状は製造プロセス時に調節できる。上記の溶射法やその他の公知方法による溶射抵抗性層１８の設層時、溶射材１６と合金結合層１４との間に化学的組成が類似しているため、化学的結合を形成する。溶射抵抗性要素については、例えば、少なくとも３．９４ミル（１００μｍ）の厚みに溶射できる。合金結合層１４を使用するのが好ましいが、別な実施態様として、溶射法を単独使用して、本発明の原理に従って、合金結合層を使用することなく、基体１２に抵抗器を形成することも可能である。例えば、図１３に示すように、抵抗器の別な実施態様では、合金結合層１４を使用することなく、抵抗器の基体１２に直接溶射材１６を溶射した状態で、抵抗器を本発明に従って形成することができる。
【００３７】
合金結合層１４および/または溶射材１６を設層すべき領域を規定するために、機械的マスキングを使用することができる。図７Ａおよび図７Ｂに示すこの機械的マスキングが、有効な抵抗器領域Ａになり、この領域Ａが順番に目的の抵抗器の抵抗値を規定する。基体上に機械的にマスク２２を設ける。機械的マスクの開口２４の大きさを調節すると、抵抗器領域Ａおよび最終的な抵抗値を規定できる。機械的マスクの開口２４の大きさについては、特定の抵抗値をもつ抵抗器領域Ａを達成できるように選択できる。従って、特定の抵抗値の選択方法が、本発明の溶射法の要部を構成する。図１２にこの方法の概略を示す。なお、図示の工程は、溶射工程の前の工程である。次に、以下詳しく説明するように、図９〜図１１に示す工程に進む。本発明の薄膜抵抗器は、抵抗値が低く、例えば約１０Ω以下の抵抗値か、あるいは約１．０Ω以下の低い抵抗値である。
【００３８】
化学的エッチング、レーザー機械加工および/または研磨加工または砥粒機械加工を使用して成膜を行い、成膜時に、異なるハードマスク形状を使用して溶射抵抗性要素２０の形状を変更できる。形状の変更は抵抗器領域Ａに影響するので、完成した製品の電気特性に影響する。ある特定の電気特性をもつある特定の形状を実現できるように、溶射抵抗性要素２０の形状を選択できる。溶射要素２０に使用可能な形状例には、ブロックパターン（ｂｌｏｃｋ  ｐａｔｔｅｒｎ）、蛇行パターン、トップハットパターン（ｔｏｐ  ｈａｔ  ｐａｔｔｅｒｎ）、梯形パターン（ｌａｄｄｅｒ  ｐａｔｔｅｒｎ）などがある。従って、特定の電気特性を実現できるように抵抗性材料の形状を選択する方法が、本発明の実施態様の薄膜抵抗器を形成する溶射方法の要部になる。
【００３９】
合金結合層１４および溶射抵抗性層１８を基体１２に設層した後に、図１〜図２および図４に示すように、単層でもよく、あるいは多層でもよい導体パッド３８を形成して、溶射抵抗性要素２０に接続すればよく、これによって溶射抵抗性要素２０の特性を試験できることになる。即ち、図２および図４により詳しく図示するように、チタン合金の接着層２８などの合金の蒸着接着層２８を例えばＰＶＤ法などによって、既に設層した溶射抵抗性層１８に設層する。例えば金からなる第１導体層３２などの第１導体層３２をＰＶＤ法などによって既に設層してある接着層２８に蒸着するのが好ましい。次に、既に設層してある接着層にフォトレジストを設層し、パターン化し、導体パッド３８の付加的な層を目的に応じて更に規定することができる。導体パッド３８の適宜付加する層が形成されることになる領域を規定した後は、メッキ（ｐｌａｔｉｎｇ）を使用して、例えば金からなる第２導体層３６を形成すればよく、フォトレジストを除去する。あるいは、第２導体層３６は、溶射によって形成できる。このフォトレジストを除去した状態で、単層でもよく、あるいは多層でもよい導体パッド３８および接着層２８をエッチングし、例えばニッケルクロム合金などからなる前記溶射抵抗層１８を有するブロック毎の抵抗器を個別に形成すればよく、この場合、金を有する導体パッド３８を各ブロックの端部に形成する。
【００４０】
図１〜図６に、薄膜抵抗器１０の横断面の一部を示す。図示のように、例えば銅、ニッケル、チタン、タンタルおよび、それらをそれぞれの合金である溶射材１６によって溶射抵抗性層１８を形成する。この溶射抵抗性層１８が、製品抵抗器の溶射抵抗性要素２０になる。そこで、溶射抵抗性要素２０は、フィードストック粒子、即ち選択した溶射材１６の溶けたつぶ（液滴）または塑性変形した粒子で形成する、溶射材１６の“ドロップレット（ｄｒｏｐｓ：液滴）”、“スプラット（ｓｐｌａｔｓ：扁平粒子）”、“ラメラ（ｌａｍｅｌｌａｅ：薄膜層）”からなる。この溶射抵抗性要素２０は、本明細書に記載する熱溶射法や関連する溶射法の使用により溶射被膜の特性が現われることになるだろう。換言すると、溶射抵抗性要素２０の場合、粒子からなり、これら粒子が、溶射材１６の粒子の性質および組成に応じて、機械的な連結または結合、拡散結合、冶金学的結合、これら以外の接着性のある化学的または物理的な結合特性、またはこれらの組み合わせが現われる。薄膜抵抗器の抵抗性要素を成膜する公知方法では、溶射法を使用して、薄膜抵抗器の製造に使用されている一般的な材料の約０．００５〜０．２μｍ/分の成膜速度で変更するＰＶＤ法で成膜できるが、溶射抵抗性要素の場合には、約１０〜６０μｍ/分の成膜速度で成膜し、本発明の薄膜抵抗器を形成できる。
【００４１】
導体パッド３８については、蒸着接着層および種層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒｓ）（例えば電解メッキ法を開始するために使用するＰＶＤ蒸着層であって、電解金メッキ法を開始できる十分な厚みをもつＰＶＤ蒸着金層）を使用して形成し、次に例えばメッキ法などを行うが、他の方法および材料も導体パッド３８を形成するために使用可能である。例えば、付加的な機械的マスクおよび付加的な溶射法を使用して、導体パッド３８を形成することも可能である。
【００４２】
あるいは、図１５に示すように、公知な一般的な厚膜法を使用して、基体１２の表面に厚膜導体パッド３４を設層してから、抵抗性材料を成膜することも可能である。厚膜材料および厚膜法を使用して、厚膜チップ抵抗器、抵抗器網、ハイブリッド基体やその他の電子部品あるいは電子回路を製造する。溶射抵抗器の場合、厚膜導体層３４として裸のセラミック基体に厚膜導体材料をスクリーン印刷し、焼成して、厚膜ペースト中の無機結合剤を融解し、これによって厚膜導体層３４を基体１２に結合する。厚膜導体は、導電相として銀、銀合金、銅や金を含有することができ、ガラスなどの無機結合剤を含有し、導電相を基体に結合する。単層または多層からなる厚膜導体パッド３４を設層した状態で、公知方法のいずれかを使用して、合金結合層１４を設層し、厚膜導体パッド３４に重ねる。合金結合層１４を設層した状態で、上述したような機械的マスクを使用して、溶射抵抗性層１８を設層する。
【００４３】
終端パターンまたは設計を変更して、抵抗器形状を変更すると、抵抗器のスクウェアの数を増減でき、かつ製品抵抗器の電気特性を制御できる。溶射抵抗性要素２０の形状は、レーザートリミングおよび/または機械加工によって一部変更して、目的の抵抗値を実現することができる。レーザートリミングの代わりに、他の方法、例えば、限定する意図はないが、化学的エッチング、砥粒加工や研磨機械加工などを使用しても、最終抵抗値を得ることができる。最終抵抗値にした後、湿分不活性化層４０および機械的保護層４２を有するオーバーコート層５０を溶射抵抗性層１８に設層することができる。湿分不活性化層４０は例えばポリマー層であればよく、一方機械的保護層４２は例えばエポキシ層であればよい。当業者ならば、各種のポリマーや同様な組成物をオーバーコート層の形成に使用できることを知悉しているはずである。
【００４４】
図１、図２、図５および図６に例示するように、オーバーコート層５０を設層した状態で、一つかそれ以上の付加的な層によって素子の上面側２０２を素子の下面側２０８に電気的に接続する。図２、図５および図６に例示するように、この接続については、ＰＶＤ法を使用してニッケル合金接着層５４を設層し、次に（本発明における第３導体層である）ニッケル合金導体層５６を導体パッド３８に重ね、素子の端部周囲から基体１２の底部まで延設して行う。ＰＶＤ接着層５４および第３導体層５６の成膜後は、例えば銅などの第４導体層５２を目的の厚みにメッキし、ニッケルバリヤ層４８を設層すればよい。最後のメッキ工程は、スズ鉛半田または鉛を含有しない半田４６で仕上げを行う。接着層５４にＰＶＤ成膜ニッケル合金を使用し、銅導体層５２をメッキしたが、他の方法および材料を使用して、素子の上面側２０２から下面側２０８を接続してもよい。
【００４５】
図１〜図６に示すように、本発明の抵抗器の一実施態様では、合金結合層１４は基体１２の上面の大部分にそって延設し、また溶射抵抗性要素２０は合金結合層１４の大部分にそって延設する。接着層２８および導体パット３８は、溶射抵抗性要素２０の対向側端部に位置し、溶射抵抗性要素２０の上面に両側端部において少なくとも部分的に重なる。接着層２８および導体パッド３８は、抵抗器１０の側端部２０４、２０６に向かって、合金結合層１４の端部に隣接するまで延設する。接着層２８および導体パッド３８の設層後、露出したままになっている溶射抵抗性要素２０の部分には、湿分不活性化層４０を被覆することができ、この不活性化層は、溶射抵抗性要素２０の上面の長さにそって接着層２８および導体パット３８に隣接するまで延設し、導体パッド３８の上面を少なくとも部分的に被覆することができる。機械的保護層４２が湿分不活性化層４０の上面を被覆し、湿分不活性化層４０を完全に被覆することができる。機械的保護層４２も、導体パッド３８の上面端部を被覆するよう延設することができる。図１および図２に例示するように、接着層５４、第３導体層５６、第４導体層５２、バリヤ層４８および半田層４６は第１端部が湿分不活性化層４０および機械的保護層４２に隣接かつ当接し、側端２０４、２０６の周囲に延設し、かつ抵抗器の底部２０８の少なくとも一部にそって延設する。
【００４６】
別な実施態様では、図１４に示すように、導体パッド３８の下に延設するのではなく、合金結合層１４は、基体の上面に沿って短い距離交互に（図１４の線Ｄ１まで）延設し、かつ溶射抵抗性層１８の直下まで延設するが、接着層２８の下には延設しない。図１４の実施態様では、合金結合層１４および溶射抵抗性層１８の両側において接着層２８は基体１２に直接設層し、図１〜図６および図１４に示すように、付加的な層を設層する。
【００４７】
図９〜図１１に本発明の薄膜抵抗器の製造方法の一例の概略を示す。図９に示すように、工程１００で、基体１２を選択する。基体１２としては、例えば、酸化アルミ基体や窒化アルミ基体であればよい。工程１０３において、抵抗器領域Ａ、従って抵抗器の抵抗値Ｖを規定するように機械的マスクを位置決めする。図１２に示す工程１０１〜１０３に従って、具体的な抵抗器値Ｖを与えるように抵抗器領域Ａの大きさを決定し、機械的マスクの開口２４の大きさを選択する。機械的マスク法を使用して、工程１０４において、合金結合層１４を成膜する。合金結合層１４としては、薄膜ニッケル合金であればよく、ＰＶＤ法によって設層すればよい。工程１０５において、溶射法を使用して、溶射材１６を合金結合層１４に溶射し、溶射抵抗性層１８を形成する。溶射材１６としては、銅合金、ニッケル合金、チタン合金やタンタル合金であればよい。本発明の薄膜抵抗器の例示的な製造方法では、ニッケル合金接着層２８を使用し、次にニッケル合金溶射材１６を溶射する。
【００４８】
工程１０６に示すように、導体パッド３８を形成するため、溶射抵抗性層１８の両側に隣接する溶射抵抗性層１８の上面、即ち第１表面に合金接着層２８を成膜する。合金接着層２８については、図１および図２に示すように、溶射抵抗性層１８の両側において合金結合層１４の上面、即ち第１表面の少なくとも一部にも設層する。合金接着層２８としては、ＰＶＤ法薄膜チタン合金であればよい。
【００４９】
図９に、導体パッド３８の形成工程の概略を示す。工程１０７において、合金接着層２８に第１導体層３２を被覆して設層する。第１導体層３２としては、ＰＶＤ法薄膜金や銅導体層であればよい。工程１０８において、第１導体層３２に第２導体層３６を被覆して設層する。第２導体層３６としては、金や銅であればよく、溶射法やメッキ法によって設層すればよい。
【００５０】
図１０について説明すると、溶射抵抗性層１８の上面の長さにそってオーバーコート層５０を設層し、図１および図４に示すように、溶射抵抗性層１８の大部分および導体パッド３８の部分を被覆する。工程１０９において、湿分不活性化層４０を設層する。湿分不活性化層４０は、スクリーン印刷によって設層することができる。湿分不活性化層４０は、溶射抵抗性層１８の上面の長さの大部分を占める長さを被覆し、図４に示すように、導体パッド３８の縁部に隣接し、これに重なるように延設することができる。工程１１０において、スクリーン印刷などによって機械的保護層４２を設層する。機械的保護層４２は、湿分不活性化層４０の中心部分を被覆し、図１、図２および図４に示すように、湿分不活性化層４０に隣接する導体パッド３８の上面の部分を被覆することもできる。オーバーコート層５０は、抵抗器の上面の部分を封止かつ保護するさいに役立つものである。
【００５１】
図１１について説明すると、抵抗器の（図面に示す向きにおいて）上面側２０２から抵抗器の下面側２０８まで電気的に接続する。工程１１１において、基体にニッケル合金接着層５４を設層し、図１、図２、図５および図６に示すように、これを合金結合層１４の側端部に隣接する基体１２の上面にそって延設し、基体の対向する側面にそって延設するとともに、基体１２の底面の部分にそって延設する。合金接着層５４としては、ニッケル合金であればよく、ＰＶＤ法によって設層することができる。工程１１２において、合金接着層５４に第３導体層５６を被覆して設層し、図１、図２、図５および図６に示すように、これを機械的保護層の両端部に隣接する部分から延設し、導体パッド３８の対向上面に重ね被覆し、基体の両側面に沿って延設し、基体１２の底面の部分にそって延設する。第３導体層５６としては、ＰＶＤ法薄膜ニッケル合金導体層であればよい。工程１１３において、図１、図２、図５および図６に示すように、第４導体層５２を設層し、第３導体層５６に重ね被覆する。第４導体層５２としては、ニッケルまたは銅のメッキであればよい。工程１１４において、メッキなどによってニッケルバリヤ層を設層する。工程１１５において、仕上げ用半田層４６を設層するが、この層としては、“溶融メッキ（ｈｏｔ  ｄｉｐｐｅｄ）”あるいはスズまたはスズ鉛合金のメッキであればよい。
【００５２】
なお、図９〜図１２に示す工程の実施順については、薄膜抵抗器の製造側の製造需要および製造装置に対応するものであればよい。図９〜図１２に、本発明の薄膜抵抗器の製造順を示すが、この製造順は変更可能である。さらに、薄膜抵抗器の分野における当業者ならば、幾つかの製造上の不確定要素（使用する装置の型式、圧力、温度、環境）などについて、製造時の各種工程中に適用、あるいは調節できるはずである。
【００５３】
また、各種の接着層、結合層および導体層について説明してきたが、本発明の抵抗器を製造するためには必ずしもすべてが必要ではない。制限する意図はないが、これらを例示すると、以下の各層がある。
【００５４】
図１３に示すように、溶射抵抗性層１８を基体１２の表面に直接設層すると、溶射抵抗性要素を形成することができ、合金結合層１４を使用しなくてもよい。本明細書で説明するように、抵抗器は付加的な層および製造方法を使用して製造することができる。
【００５５】
導体パッド３８については、溶射合金を溶射抵抗性層１８に直接形成することができ、接着層２８を設層することはない。
【００５６】
図２０に示すように、基体１２の表面に直接溶射合金を設層すると、溶射導体層５８を形成でき、この後に合金結合層１４を設層することができ、溶射導体層５８が導体パッドとして作用する。次に基体１２の表面に直接合金結合層１４を設層し、溶射導体層５８に重ねることができる。次に、溶射導体層５８に重なる領域を含む合金結合層１４の表面に溶射合金を設層する。本明細書に記載する各種の付加的な層を設層することも可能である。
【００５７】
ＰＶＤ法で設層した銅合金導体層は、導体パッド３８の表面に直接設層することができ、基体１２の表面まで延設し、抵抗器の側端部２０４、２０６の周囲に延設するとともに、基体１２の底面に延設し、これによってニッケル合金接着層２８およびニッケル合金導体層３２を置換することができる。
【００５８】
ＰＶＤ法銅合金をニッケル合金などの合金接着層と併用し、導体パッド３８の表面に直接設層し、基体１２の表面まで延設し、抵抗器の側端部２０４、２０６の周囲に延設するとともに、基体１２の底面まで延設し、これによって図５に示すニッケル合金接着層５４およびニッケル合金導体層５６を置換するか、これらの代替層とすることができる。
【００５９】
図８Ａは、溶射法を使用する本発明の一実施態様に従って製造した抵抗器１０の上面図であり、そして図８Ｂは抵抗器１０の底面図である。本発明の製品薄膜抵抗器は、本明細書記載の溶射法を使用しないで製造した一般的な薄膜チップ抵抗器と同様な外観を示すが、製造コストはきわめて低く、抵抗値も一般的な薄膜製品のそれをかなり下回る。
【００６０】
図１６〜図１９に示す本発明の溶射法を使用して薄膜抵抗器サンプルを作成した。図１６〜図１９に、本発明の例示的な薄膜抵抗器の横断面を各倍率で示す拡大画像を示す。図１６〜図１９に示すように、酸化アルミ基体１２を使用して薄膜抵抗器１０を形成した。ＰＶＤ法薄膜ニッケル合金結合層１４を基体１２の上面の一部に設層した。合金結合層１４の部分に被せてニッケルクロム合金を溶射し、熱溶射抵抗性要素２０を形成した。溶射抵抗性層１８の上面部に載せて湿分不活性化層４０をスクリーン印刷し、湿分不活性化層４０の部分に被せて機械的保護層４２をスクリーン印刷し、オーバーコート層５０を形成した。
【００６１】
導体パッド３８を形成するため、溶射抵抗性層１８の上面の側部にＰＶＤ法で設層した薄膜チタン合金接着層２８を設層した。この合金接着層２８にＰＶＤ法で被せて薄膜金の第１導体層３２を設層した。この第１導体層３２に金の第２導体層３６を被せてメッキした。
【００６２】
抵抗器の上側部と下側部とを電気的に接続するために、導体パッド３８から基体１２の側部にそって、かつ基体の底部の一部にそってメッキすることによってニッケルバリヤ層４８を設層した。ＰＶＤ法によって接着層に被せて薄膜ニッケル合金導体層５６を設層した。メッキによってニッケル合金導体層５６に被せて銅導体層５２を設層した。メッキによって銅導体層５２に被せてニッケルバリヤ層４８を設層した。ニッケルバリヤ層４８に被せて溶融メッキした鉛を含有しない半田層４６を設層した。
【００６３】
図１６〜図１９に示した実施例では、溶射材１６としてニッケルクロム合金を使用した。さらに、ＭＡＮＧＡＮＩＮ（登録商標）やＥＶＡＮＯＨＭ（登録商標）などの他の金属合金、あるいは限定する意図はないが、銅、タンタルおよびチタンを含有する金属合金を使用して、本発明の低抵抗値薄膜抵抗器を製造することも可能である。溶射材１６としては、複数の合金を併用して、特定の抵抗温度係数（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｒ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）（ＴＣＲ）特性（例えば純粋にフラットなＴＣＲ特性）即ち抵抗率などの特定の電気特性を実現することができる。
【００６４】
なお、以上の説明は例示のみを目的とし、限定を意図するものではない。以上の実施態様については、本発明の精神および範囲から逸脱せずに各種の変更、修正などが実施可能である。本発明を詳細に説明してきたが、当業者にとっては、本発明の技術思想および本発明の実施態様に記載した原理を改変することなく、多数の物理的変更（本明細書にはそのうちの数例を示す）を施すことができることは自明なはずである。また、本発明の技術思想および実施態様に記載した原理を改変することなく、好適な実施態様を始めとする多数の実施態様が可能である。従って、本発明の実施態様および適宜加える構成は、あらゆる点で例示を目的とするもので、限定を意図するものではなく、本発明の範囲は以上の説明ではなく、特許請求の範囲の記載によって規定されるものである。従って、この実施態様には多くの改変を加えることができ、いずれも特許請求の範囲に包含されるものである。
【符号の説明】
【００６５】
１０：抵抗器
１２：基体
１４：合金結合層
１８：溶射抵抗性層
１６：溶射材
２０：溶射抵抗性要素
２２：マスク
２４：機械的マスクの開口
２８：蒸着接着層、合金接着層
３２：第１導体層
３４：厚膜導体パッド、厚膜導体層
３６：第２導体層
３８：導体パッド
４０：湿分不活性化層
４２：機械的保護層
４６：半田、半田層
４８：ニッケルバリヤ層
５０：オーバーコート層
５２：第４導体層、銅導体層
５４：ＰＶＤ接着層
５６：ニッケル合金導体層、第３導体層
１０１〜１１５：工程
２０２：上側面（第１側面）
２０４：側端部（左側）
２０６：右側（側面）
２０８：底面（底側面、第２側面）、下面側
２１０：右側部分
２１２：抵抗器の左側部分
２１４：中心線
【図１】
2018502988.tif 000004
【図２】
2018502988.tif 000005
【図３】
2018502988.tif 000006
【図４】
2018502988.tif 000007
【図５】
2018502988.tif 000008
【図６】
2018502988.tif 000009
【図７】
2018502988.tif 000010
【図７Ａ】
2018502988.tif 000011
【図７Ｂ】
2018502988.tif 000012
【図８Ａ】
2018502988.tif 000013
【図８Ｂ】
2018502988.tif 000014
【図９】
2018502988.tif 000015
【図１０】
2018502988.tif 000016
【図１１】
2018502988.tif 000017
【図１２】
2018502988.tif 000018
【図１３】
2018502988.tif 000019
【図１４】
2018502988.tif 000020
【図１５】
2018502988.tif 000021
【図１６】
2018502988.tif 000022
【図１７】
2018502988.tif 000023
【図１８】
2018502988.tif 000024
【図１９】
2018502988.tif 000025
【図２０】
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【手続補正書】
【提出日】平成29年8月7日(2017.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体、
この基体に成膜した合金結合層、および
前記合金結合層の少なくとも一部に直接溶射した溶射抵抗性要素を有することを特徴とする薄膜抵抗器。
【請求項２】
前記溶射抵抗性要素が、銅、ニッケル、タンタル、チタンなどの合金である請求項１に記載の薄膜抵抗器。
【請求項３】
前記合金結合層が、銅、ニッケル、タンタル、チタンなどの合金である請求項１に記載の薄膜抵抗器。
【請求項４】
前記溶射抵抗性要素を前記合金結合層に化学的に結合した請求項３に記載の薄膜抵抗器。
【請求項５】
機械的結合、機械的連結、拡散結合、または冶金学的結合を示す溶射材の粒子から前記溶射抵抗性要素を形成した請求項１に記載の薄膜抵抗器。
【請求項６】
抵抗値が１０．０Ω以下である請求項１に記載の薄膜抵抗器。
【請求項７】
抵抗値が１．０Ω以下である請求項１に記載の薄膜抵抗器。
【請求項８】
基体に合金結合層を成膜し、そして、
溶射法を使用して、この合金結合層の少なくとも一部に直接溶射材を溶射して溶射抵抗性要素を形成することを特徴とする薄膜抵抗器の製造方法。
【請求項９】
少なくとも１０μｍ/分の成膜速度で前記溶射材を設層する請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記溶射抵抗性要素が少なくとも１．０μｍの厚みを有する請求項８に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記溶射抵抗性要素が、銅、ニッケル、タンタル、チタンなどの合金である請求項８に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記合金結合層が、銅、ニッケル、タンタル、チタンなどの合金である請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記溶射抵抗性要素を前記合金結合層に化学的に結合する請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
少なくとも１０μｍ/分の速度で前記溶射材を溶射する請求項８に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記薄膜抵抗器の抵抗値が１０．０Ω以下である請求項８に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記薄膜抵抗器の抵抗値が１．０Ω以下である請求項８に記載の製造方法。
【請求項１７】
第１表面およびこれに対向する第２表面を有する基体、
前記基体の前記第１表面の少なくとも一部に成膜した合金結合層、
前記合金結合層の少なくとも一部に直接溶射した溶射抵抗性層、
前記溶射抵抗性層の側部に隣接して設層され、前記合金結合層の少なくとも一部に接触する導体パッド、および
前記第１表面を前記第２表面に接続する電気接続を有することを特徴とする薄膜抵抗器。
【請求項１８】
前記導体パッドが第１導体層および第２導体層を有する請求項１７に記載の薄膜抵抗器。
【請求項１９】
さらに、前記第１導体層の下に接着層を有する請求項１８に記載の薄膜抵抗器。
【請求項２０】
前記電気接続が、前記導体パッドの隣接部分から前記基体の側面に沿って延設し、かつ前記基体の前記第２表面の部分に少なくとも部分的に沿って延設する合金接着層を有する請求項１７に記載の薄膜抵抗器。
【請求項２１】
さらに、前記電気接続が前記接着層に重ねて設層された第３導体層を有する請求項１８に記載の薄膜抵抗器。
【請求項２２】
さらに、前記電気接続が前記第３導体層に重ねて設層された第４導体層を有する請求項２１に記載の薄膜抵抗器。
【請求項２３】
さらに、前記第４導体層に重ねて設層したバリヤ層を有する請求項２２に記載の薄膜抵抗器。
【請求項２４】
さらに、前記バリヤ層に重ねて半田仕上げした請求項２３に記載の薄膜抵抗器。
【請求項２５】
第１表面、側面、およびこの第１表面に対向する第２表面を有する基体を提供する工程、
前記第１表面の少なくとも一部に直接重ねて合金結合層を成膜する工程、
前記合金結合層の少なくとも一部に直接重ねて溶射抵抗性層を溶射して、少なくとも１０μｍ/分の速度で溶射層を設層する工程、
前記溶射抵抗性層の側部に隣接して設層され、前記合金結合層の少なくとも一部に接触した導体パッドを形成する工程、および
前記第１表面と前記第２表面を電気的に接続する工程を有することを特徴とする薄膜抵抗器の形成方法。
【請求項２６】
前記導体パッドを形成する工程が、
前記溶射抵抗性層の側部に隣接して前記合金結合層の部分に重ねて接着層を成膜する工程、
前記接着層に重ねて第１導体層を成膜する工程、および
前記第１導体層に重ねて第２導体層をメッキする工程を有する請求項２５に記載の形成方法。
【請求項２７】
さらに、前記溶射抵抗性層の露出部分に重ねてオーバーコート層を設層する工程を有する請求項２５に記載の形成方法。
【請求項２８】
前記のオーバーコート層を設層する工程が、
前記溶射抵抗性層の少なくとも一部に重ねて湿分不活性化層を設層する工程、および
前記湿分不活性化層の少なくとも一部に重ねて機械的保護層を設層する工程を有する請求項２７に記載の形成方法。
【請求項２９】
前記第１表面および前記第２表面を電気的に接続する前記工程が、
前記導体パッドの隣接部分に接着層を設層して、そして前記基体の第１表面および側面の部分に沿って且つ前記基体の前記第２表面の部分に少なくとも部分的に沿って、前記導体パッドに隣接して前記接着層を設層する工程、
前記接着層に重ねて第３導体層を設層する工程、および
前記第３導体層に重ねて第４導体層をメッキする工程を有する請求項２６に記載の形成方法。
【請求項３０】
さらに、前記第４導体層に重ねてバリヤ層を設層する工程および前記バリヤ層に重ねて半田を設ける工程を有する請求項２９に記載の形成方法。
【国際調査報告】
2018502988.tif 000027