(57)【要約】  本発明は、式（Ｉ）のキラルなホスホルアミドイミデート（ｐｈｏｓｐｈｏｒａｍｉｄｉｍｉｄａｔｅｓ）、それらの塩および金属錯体ならびにその誘導体、ならびにそれらの触媒としての使用に関する。2018534341.tif 000052
2018534341.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）を有するキラルなホスホルアミドイミデートであって、
【化１】
2018534341.tif 000040
ここで、
ＸはＯ、Ｓ、ＳｅまたはＮＲＮを表し、
Ｚ１〜Ｚ４は、互いに独立して、同一でも異なっていてもよく、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＮＲＮを表し、
ｎは０または好ましくは１を表し、
Ｗは水素、ハロゲン、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｕから選択される金属、またはカチオン性有機基、または置換ケイ素−ＳｉＲＩＲＩＩＲＩＩＩから選択され、ここで、式中、ＲＩ、ＲＩＩおよびＲＩＩＩは同一でも異なっていてもよく、それぞれ、水素、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ２０の直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素を表し、任意に１以上の不飽和結合を有していてもよく（ここで包含されるものは、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニルもしくはＣ２〜Ｃ２０アルキニル、Ｃ３〜Ｃ８−ヘテロシクロアルキル、またはＣ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素およびそれのアレーン部が部分的に水素化された形態（アリール、アリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキル、ヘテロアリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキルを包含する）である）、各炭化水素は１つ以上の基で任意に置換されていてもよく、当該基はＣ１〜Ｃ２０の直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素（任意に１以上の不飽和結合を有していてもよく、ここで包含されるものは、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニルもしくはＣ２〜Ｃ２０アルキニル、Ｃ３〜Ｃ８−ヘテロシクロアルキル、またはＣ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素およびそれのアレーン部が部分的に水素化された形態（アリール、アリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキル、ヘテロアリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキルを包含する）である）、またはヘテロ置換基から選択され、Ｗは、好ましくは水素および置換ケイ素−ＳｉＲＩＲＩＩＲＩＩＩから選択され、ここで、ＲＩ、ＲＩＩおよびＲＩＩＩは上記で定義された通りであり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、互いに独立して、同一でも異なっていてもよく、それぞれ脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族炭化水素基であり、各々、任意に、一つかそれ以上のヘテロ置換基、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族炭化水素基でさらに置換されていてもよく、
Ｒ１はＲ２、Ｒ３またはＲ４のいずれかと環系を形成していてもよく、Ｒ２、Ｒ３またはＲ４の他の２つが互いに環系を形成していてもよく；
そして、
ＲＮは電子求引基であり、各Ｎ上で同じかまたは異なり、以下から選択される：
ｉ．−アルキル、−ＣＯ−アルキル、−（ＣＯ）−Ｏ−アルキル、スルフィニルアルキル、スルホニルアルキル、−（Ｐ＝Ｏ）−ジアルキル、ここでアルキルは、Ｃ１〜Ｃ２０直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素であり、アルキル残基上に少なくとも１個のハロゲン、好ましくはＦおよび／またはＣｌの置換基を有しており；
ｉｉ．アリール、−ＣＯ−アリール、−（ＣＯ）−Ｏ−アリール、スルフィニルアリール、スルホニルアリール、−（Ｐ＝Ｏ）−ジアリール、ここでアリールはＣ６〜Ｃ１８芳香族炭化水素であり、アリール残基上に、少なくとも１個のハロゲン、好ましくはＦおよび／またはＣｌの置換基を好ましくは有しており、
ｉｉｉ．ヘテロアリール、−ＣＯ−ヘテロアリール、−（ＣＯ）−Ｏ−ヘテロアリール、スルフィニルヘテロアリール、スルホニルヘテロアリール、−（Ｐ＝Ｏ）−ジ−ヘテロアリールであり、ここでヘテロアリールは、Ｃ２〜Ｃ２０芳香族炭化水素、ヘテロアリール残基上に、少なくとも１個のハロゲン、好ましくはＦおよび／またはＣｌの置換基を好ましくは有しており、
または
ＸがＮＲＮを表す場合、１つのＲＮは２つのＰ＝Ｎ−単位を架橋して以下の式で表される環を形成してよく：
【化２】
2018534341.tif 000041
ここで、ＲＮ１が−（ＳＯ）−、−（ＳＯ２）−または−（ＮＲＮ２）−を表し、ＲＮ２が−アルキル、−ＣＯ−アルキル、−（ＣＯ）−Ｏ−アルキルから選択される電子求引基であり、アルキルは、Ｃ１〜Ｃ２０直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素であり、アルキル残基上に少なくとも１個のハロゲン、好ましくはＦまたはＣｌの置換基を有している、
互変異性型およびイオン型も包含する、キラルなホスホルアミドイミデート。
【請求項２】
式（Ｉ）において、Ｚ１〜Ｚ４が独立してＯ、ＳまたはＮＲＮを表し、好ましくはＯであり、ｎが１であり、Ｘ、Ｒ１〜Ｒ４、ＲＮおよびＷが先に定義されたとおりである、式（ＩＩ）で示される：
【化３】
2018534341.tif 000042
請求項１に記載のキラルなホスホルアミドイミデート。
【請求項３】
【化４】
2018534341.tif 000043
のうちの少なくとも一つの部分が５〜１０員環構造を形成し、それにより、Ｒ１およびＲ２がＺ１およびＺ２とともに環系を形成し、かつ／またはＲ３およびＲ４がＺ３およびＺ４とともに環系を形成し、ここで、Ｒ１〜Ｒ４、Ｚ１〜Ｚ４、ｎ、ＲＮおよびＸは、先に定義した通りである、請求項１または２に記載のキラルなホスホルアミドイミデート。
【請求項４】
式（ＩＩＩａ）によって表される、請求項１〜３のいずれか一つに記載のキラルなホスホルアミドイミデート。
【化５】
2018534341.tif 000044
（式中、Ｒ１〜Ｒ４およびＷは先に定義した通りであり、ＲＮ１は−（ＳＯ）−、−（ＳＯ２）−または−（ＮＲＮ２）−を表し、ＲＮ２は−アルキル、−ＣＯ−アルキル、−（ＣＯ）−Ｏ−アルキルから選択される電子求引基であり、アルキルは、Ｃ１〜Ｃ２０直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素であり、アルキル残基上に少なくとも１個のハロゲン、好ましくはＦまたはＣｌの置換基を有している。）
【請求項５】
式（Ｉ）において、Ｚ１〜Ｚ４がＯを表し、Ｒ１〜Ｒ４、ＸおよびＷは先に定義した通りであり、式（ＩＩＩｂ）で表され：
【化６】
2018534341.tif 000045
ＲＮが請求項１に記載の電子求引性基である、
請求項１〜３のいずれか一つに記載のキラルなホスホルアミドイミデート。
【請求項６】
（Ｒ１、Ｒ２、Ｚ１およびＺ２）並びに（Ｒ３、Ｒ４、Ｚ３およびＺ４）はそれぞれ先に定義した通りであり、それぞれが環構造を形成し、当該環構造は、同一でも異なっていてもよく、架橋された、任意に二量体の、任意に置換された芳香族構造（ビフェニルを包含する）、ＢＩＮＯＬ、ＴＡＤＤＯＬ、ＶＡＰＯＬ、ＳＰＩＮＯＬ、１，１’−ビナフタレン、１，１’−ビアントラセン、１，１−ビフェナントレン、またはそのような芳香環構造のアレーン部が部分的に水素化された形態（８Ｈ−ＢＩＮＯＬを包含する）から誘導され、前記環システムはそれぞれ任意に一つ以上の置換基により置換され、当該置換基は各位置で同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素、ヘテロ置換基、Ｃ１〜Ｃ２０の直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素から選択され、任意に１以上の不飽和結合を有していてもよく（ここで包含されるものは、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニルもしくはＣ２〜Ｃ２０アルキニル、Ｃ３〜Ｃ８−ヘテロシクロアルキル、またはＣ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素およびそれのアレーン部が部分的に水素化された形態（アリール、アリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキル、ヘテロアリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキルを包含する）である）、各炭化水素は１つ以上の基で任意に置換されていてもよく、当該基はＣ１〜Ｃ２０の直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素（任意に１以上の不飽和結合を有していてもよく、ここで包含されるものはＣ１〜Ｃ２０アルキル、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニルもしくはＣ２〜Ｃ２０アルキニル、Ｃ３〜Ｃ８−ヘテロシクロアルキル、またはＣ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素およびそれのアレーン部が部分的に水素化された形態（アリール、アリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキル、ヘテロアリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキルを包含する）である）、またはヘテロ置換基から選択され、
ここで、ｎ、ＲＮ、ＸおよびＷは、先に定義した通りであり、
互変異性型およびイオン型を包含し、
（Ｒ１、Ｒ２、Ｚ１およびＺ２）および（Ｒ３、Ｒ４、Ｚ３およびＺ４）によって形成される環構造は、同一であっても異なっていてもよく、キラルである、
請求項１〜５のいずれか一つに記載のキラルなホスホルアミドイミデート。
【請求項７】
式（Ｉ）の化合物が式（ＩＶ）で示され、
【化７】
2018534341.tif 000046
当該式（ＩＶ）において、置換基Ｒは、各位置において同一でも異なっていてもよく、それぞれ水素、ヘテロ置換基、Ｃ１〜Ｃ２０の直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素から選択され、任意に１以上の不飽和結合を有していてもよく（ここで包含されるものは、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニルもしくはＣ２〜Ｃ２０アルキニル、Ｃ３〜Ｃ８−ヘテロシクロアルキル、またはＣ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素およびそれのアレーン部が部分的に水素化された形態（アリール、アリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキル、ヘテロアリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキルを包含する）である）、各炭化水素は１つ以上の基で任意に置換されていてもよく、当該基はＣ１〜Ｃ２０の直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素（任意に１以上の不飽和結合を有していてもよく、ここで包含されるものはＣ１〜Ｃ２０アルキル、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニルもしくはＣ２〜Ｃ２０アルキニル、Ｃ３〜Ｃ８−ヘテロシクロアルキル、またはＣ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素およびそれのアレーン部が部分的に水素化された形態（アリール、アリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキル、ヘテロアリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキルを包含する）である）、またはヘテロ置換基から選択され、
ここで、ＲＮ、ＸおよびＷは、先に定義した通りであり、
互変異性型およびイオン型を含む、請求項６に記載のホスホルアミドイミデート。
【請求項８】
（Ｒ１、Ｒ２、Ｚ１およびＺ２）並びに（Ｒ３、Ｒ４、Ｚ３およびＺ４）によって任意に形成される上記環構造の少なくとも一つが、各々、キラルである、請求項１〜７のいずれか一つに記載のキラルなホスホルアミドイミデート。
【請求項９】
（Ｒ１、Ｒ２、Ｚ１およびＺ２）並びに（Ｒ３、Ｒ４、Ｚ３およびＺ４）によって任意に形成される環構造が同一である、請求項１〜８のいずれか一つに記載のキラルなホスホルアミドイミデート。
【請求項１０】
以下の式（ＩＶａ）で表され、
【化８】
2018534341.tif 000047
（ＩＶａ）
置換基Ｒは、各位置において同一であっても異なっていてもよく、請求項７のように定義され、
ＲＮ、ＸおよびＷは、先に定義した意味を有し、
その互変異性型およびイオン型を含む、請求項１に記載のキラルなホスホルアミドイミデート。
【請求項１１】
以下の式（ＩＶｂ）で表され、
【化９】
2018534341.tif 000048
置換基Ｒは、各位置において同一であっても異なっていてもよく、請求項７のように定義され、好ましくは、水素、ハロゲン、任意にアルキル残基上に少なくとも１個のハロゲン、好ましくはＦおよび／またはＣｌの置換基を任意に有するＣ１〜Ｃ２０直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素、または、アルキル残基上に少なくとも１個のハロゲン、好ましくはＦおよび／またはＣｌの置換基を任意に有するＣ１〜Ｃ２０直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素に任意に置換されているＣ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素であり；
ＸはＯ、Ｓ、ＳｅまたはＮＲＮを表し、好ましくはＯまたはＮＲＮを表し、より好ましくはＮＴｆを表し、
Ｗは、先に定義した通りであり、
その互変異性型およびイオン型を含む、請求項１１に記載のキラルなホスホルアミドイミデート。
【請求項１２】
Ｗが水素である、請求項１〜１１のいずれか一つに記載のキラルなホスホルアミドイミデート。
【請求項１３】
以下の反応スキームに示されるように、一般式（Ｖ）の化合物を式（ＶＩ）の化合物と塩基性化合物の存在下、有機溶媒中で反応させ、化合物（ＶＩＩ）の化合物を生成させる工程、さらに、化合物（ＶＩＩ）を二段階酸化により反応させ、化合物（ＶＩＩＩ）を生成させる工程、最後に脱離基Ｌを除去して、一般式（Ｉ）の化合物を生成する工程を含む、一般式（Ｉ）のキラルなホスホルアミドイミデートを製造するための方法であって、
【化１０】
2018534341.tif 000049
前記式（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、（ＶＩＩＩ）および（Ｉ）において：
Ｌ１は陽性 脱離基であり、水素、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｕから選択される金属、またはカチオン性有機基、または置換ケイ素−ＳｉＲＩＲＩＩＲＩＩＩから選択され、ここで、ＲＩ、ＲＩＩおよびＲＩＩＩは同一でも異なっていてもよく、上記の請求項１で定義した通りであり、
Ｌ２は陰性 脱離基であり、ハロゲン、アルコキシ、アリールオキシ、ヘテロアリールオキシ、スルホニルまたはヘテロアリールから選択され、
Ｌ３は、水素、ハロゲン、アルキル、アルコキシ、アリールオキシ、ヘテロアリールオキシ、アリール、ヘテロアリールから選択される脱離基であり、
Ｒ１−４、Ｚ１−４、ＸおよびＷは請求項１で定義した通りである、上記方法。
【請求項１４】
下記反応スキームに示されるように、一般式（ＩＸ）の化合物を式（Ｘ）の化合物と塩基性化合物の存在下、有機溶媒中で反応させて一般式（Ｉ）の化合物を生成する工程を含む、一般式（Ｉ）のキラルなホスホルアミドイミデートを製造するための方法であって、
【化１１】
2018534341.tif 000050
前記式（ＩＸ）、（Ｘ）および（Ｉ）において：
Ｌ１は陽性 脱離基であり、水素、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｕから選択される金属、またはカチオン性有機基、または置換ケイ素−ＳｉＲＩＲＩＩＲＩＩＩから選択され、ここで、ＲＩ、ＲＩＩおよびＲＩＩＩは同一でも異なっていてもよく、上記の請求項１で定義した通りであり、
Ｌ２は陰性 脱離基であり、ハロゲン、アルコキシ、アリールオキシ、ヘテロアリールオキシ、スルホニルまたはヘテロアリールから選択され、
Ｒ１−４、Ｚ１−４、ＸおよびＷは請求項１で定義した通りである、上記方法。
【請求項１５】
下記反応スキームに示されるように、一般式（ＸＩ）の化合物を有機溶媒中で式（ＸＩＩ）の化合物と反応させて式（Ｉ）の化合物を生成させる工程を含む、一般式（Ｉ）のキラルなホスホルアミドイミデートを製造するための方法であって、
【化１２】
2018534341.tif 000051
式（ＸＩ）、（ＸＩＩ）および（Ｉ）において：
Ｌ４はＮ２またはＬ１とＬ２との組み合わせから選択される脱離基を表し、
Ｒ１−４、Ｚ１−４、ＸおよびＷは請求項１で定義した通りである、上記方法。
【請求項１６】
ＲｆＮＨ２およびＰＲＰ５−ｙＣｌｙを、溶媒なしで、塩酸ガスの発生が停止するまで、８０℃〜２００℃の温度範囲まで７６０ｍｂａｒ未満、好ましくは１００〜４００ｍｂａｒの減圧下で１〜２当モル量の過剰化学量論量のＰＲＰ５−ｙＣｌｙ中で反応させ、さらにその後、任意に、前記温度で２４０分までの期間の熟成工程を行い、さらにその後、任意に、得られる生成物の精製工程を行う、Ｐ（ＮＲｆ）ＲＰ３−ｘＣｌＸを製造するための方法であって、
ここで、ｘが１〜３の整数であり、ｙが１〜５の整数であり、Ｒｆが１〜８個の炭素原子を有するポリフルオロまたはパーフルオロ化アルキル基であり、ＲＰが、同一かまたは異なっていてよい炭化水素基であり、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘテロアリールおよびヘテロアリールオキシから選択され、１〜６０個の炭素原子を有し、場合により置換されていてもよい、上記方法。
【請求項１７】
ＲｆがＣＦ３であり、ｘが３であり、ｙが５である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
有機合成におけるキラルなブレンステッド酸触媒としての、請求項１〜１７ のいずれか一つに記載の式（Ｉ）〜（ＩＶ）のいずれかのキラルなホスホルアミドイミデートの使用。
【請求項１９】
相転移触媒におけるキラルな陰イオンとして、または有機塩、金属塩または金属錯体のためのキラルな陰イオンとしての、請求項１〜１８ のいずれか一つに記載の式（Ｉ）〜（ＩＶ）のいずれかのキラルなホスホルアミドイミデートの触媒としての使用。
【請求項２０】
有機合成反応におけるキラルな触媒としての請求項１〜１９ のいずれか一つに記載の式（Ｉ）〜（ＩＶ）のいずれかのキラルなホスホルアミドイミデートの使用であって、
前記合成反応がアルドール反応、ビニローグアルドール反応、ムカイヤマ（Ｍｕｋａｉｙａｍａ）アルドール反応、ビニローグムカイヤマアルドール反応、ムカイヤマ−マイケル（Ｍｉｃｈａｅｌ）反応、マイケル付加、マンニッヒ（Ｍａｎｎｉｃｈ）反応、イミンへのアルデヒドおよびケトンへのＴＭＳＣＮ付加 、エステル化、エーテル化、ピナコール転位、アセタール化、トランスアセタール化、スピロアセタール化および関連反応、環化付加、ヒドロアミノ化、ヒドロアルコキシル化、水和、ハロアルキル化、ハロアミノ化、一般にエン反応およびプリンス反応を含むオレフィン活性化、フリーデル−クラフツ反応、エポキシド開環、リター反応、アルコールの求核置換、不斉開環、不斉還元、移動水素化、アルキン付加、イミン付加、ストレッカー反応、アリル化、プロパルギル化、還元、エポキシ化、オレフィンのメタセシス、異性化、ディールス−アルダー反応、ヘテロ−ディールス−アルダー反応、アミナリゼーション（ａｍｉｎａｌｉｚａｔｉｏｎｓ）、イミニウム触媒およびエナミン触媒作用から選択される前記使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キラルなホスホルアミドイミデート（ｐｈｏｓｐｈｏｒａｍｉｄｉｍｉｄａｔｅｓ）、それらの塩および金属錯体ならびにその誘導体、ならびにそれらの触媒としての使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
多くの化学変換はブレンステッド酸によって触媒される。エナンチオ選択的有機触媒では、この金属不含の可能性があり、キラルなブレンステッド酸の場合にもエナンチオ選択的であり、適用範囲が増加するにつれて触媒は急速に成長する分野である。この有機触媒の分野では、チオ尿素のような水素結合触媒と、ＴＡＤＤＯＬおよびＢＩＮＯＬ誘導体と、ＥＰ１６２３９７１に開示されているようなリン酸ジエステルおよびその誘導体のような強力なブレンステッド酸とが区別される。嵩高い（Ｂｕｌｋｙ）リン酸塩は、不斉触媒として広い使用が見出されている、しかしながら、例えば、ＢＩＮＯＬ上の３，３’−置換基が活性部位から離れて広がる（ｒａｄｉａｔｅ）ので、それらの立体環境をさらに修飾することは困難である。Ｘｕ，Ｆ．ｅｔ  ａｌ．ＳＰＩＮＯＬ−Ｄｅｒｉｖｅｄ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒｉｃ  Ａｃｉｄｓ：Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｉｎ  Ｅｎａｎｔｉｏｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  Ｆｒｉｅｄｅｌ−Ｃｒａｆｔｓ  Ｒｅａｃｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｉｎｄｏｌｅｓ  ｗｉｔｈ  Ｉｍｉｎｅｓ．Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．７５，８６７７−８６８０（２０１０）およびＣｅｏｒｉｃｅ，Ｉ．，Ｍｕｅｌｌｅｒ，Ｓ．＆Ｌｉｓｔ，Ｂ．Ｋｉｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｈｏｍｏａｌｄｏｌｓ  ｖｉａ  Ｃａｔａｌｙｔｉｃ  Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  Ｔｒａｎｓａｃｅｔａｌｉｚａｔｉｏｎ．Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１３２，１７３７０−１７３７３（２０１０）に記載されているように、リン酸のキラル環境を狭める別の骨格を設計するために、多くのグループによって多くの合成への試みがなされている。
【０００３】
キラルなブレンステッド酸触媒およびキラルアニオン指向触媒の分野は、近年広く普及し、重要性を増しているが、多くの変換は依然として理解が困難なものである。特に、立体的に要求の厳しい保護基、大きな芳香族／平面または嵩高い置換基を有さない小さな基体の反応は、依然として極めてまれである。さらに、触媒との水素結合のような空間的に規定された相互作用を欠く基質または中間体を含む反応は非常に限られている。これらの制限の理由の少なくとも一部は、現在の合成ブレンステッド酸触媒およびその影響下にあるアニオンが、より可変性の高いキラル微小環境を提供することができないためである。
【０００４】
従来技術においては、いくつかの反応、特にケトン、アルデヒド、アルケン、イミン、エノールエーテル、エーテル、アルキンおよびアセタールの活性化のために、複数の環状イミドジホスフェートがキラルブレンステッド酸触媒またはキラルルイス酸触媒として考えられてきた。これらはＷＯ２０１３１０４６０４に開示されており、下記基本式を有する：
【０００５】
【化１】
2018534341.tif 000003
ここで、置換基Ｒは各位置で同じであっても異なっていてもよく、それぞれ水素、ヘテロ置換基、Ｃ１〜Ｃ２０の直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素を表し、場合によりさらに置換されていてもよく、Ｗは例示的に水素である。そのようなイミドジホスフェートを使用する特定のプロセスは、ＷＯ２０１３１０４６０５に開示されている。しかしながら、ＷＯ２０１３１０４６０５は、ホスホル（ｐｈｏｓｐｈｏｒ）上に電子求引性の置換基を開示していない。
【０００６】
該環状イミドジホスフェートは多くの反応を触媒することができるが、反応収率が低くほぼゼロである反応が依然として存在する。特に、イミドリン酸塩の反応性は、多くの反応にとって不十分である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】ＥＰ１６２３９７１
【特許文献２】ＷＯ２０１３１０４６０５
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．７５，８６７７−８６８０（２０１０）
【非特許文献２】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１３２，１７３７０−１７３７３（２０１０）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって、有意により高い反応性、容易に調整可能な立体環境、およびそれらの活性部位のまわりの立体的に要求の厳しいキラル微小環境の可能性を示すさらなる合成ブレンステッド酸触媒の合成が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、新規のキラルなホスホルアミドイミデート、キラルなホスホルアミドイミデートを製造するための簡便な方法、および触媒におけるそれらの使用を用いて、このような新規な特に反応性のブレンステッド酸触媒を提供する。前記ホスホルアミドイミデートアニオンは、従来の触媒を用いてこれまで反応できなかった特定の反応相手の反応性に特に高い影響を示している。
【００１１】
したがって、本発明は、一般式（Ｉ）を有するキラルなホスホルアミドイミデートおよびその誘導体を提供し、
【００１２】
【化２】
2018534341.tif 000004
ここで：
ＸはＯ、Ｓ、ＳｅまたはＮＲＮを表し、
Ｚ１〜Ｚ４は、互いに独立して、同一でも異なっていてもよく、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＮＲＮを表し、
ｎは０または好ましくは１を表し、
Ｗは、ホスホルアミドイミデート（ｐｈｏｓｐｈｏｒａｍｉｄｉｍｉｄａｔｅ）部位との結合を形成することができる置換基であり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、互いに独立して、同一でも異なっていてもよく、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族炭化水素基であり、各々、任意に、一つかそれ以上のヘテロ置換基、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族炭化水素基でさらに置換されていてもよく、
Ｒ１はＲ２、Ｒ３またはＲ４のいずれかと環系を形成していてもよく、Ｒ２、Ｒ３またはＲ４の他の２つは互いに環系を形成していてもよい；
そして
ＲＮは電子求引基であり、各Ｎ上で同じかまたは異なり、以下から選択される：
ｉ．−アルキル、−ＣＯ−アルキル、−（ＣＯ）−Ｏ−アルキル、スルフィニルアルキル、スルホニルアルキル、−（Ｐ＝Ｏ）−ジアルキル、ここでアルキルは、Ｃ１〜Ｃ２０直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素でありアルキル残基上に少なくとも１個のハロゲン、好ましくはＦおよび／またはＣｌの置換基を有しており；
ｉｉ．アリール、−ＣＯ−アリール、−（ＣＯ）−Ｏ−アリール、スルフィニルアリール、スルホニルアリール、−（Ｐ＝Ｏ）−ジアリール、ここでアリールはＣ６〜Ｃ１８芳香族炭化水素であり、アリール残基上に、少なくとも１個のハロゲン、好ましくはＦおよび／またはＣｌの置換基を好ましくは有しており、
ｉｉｉ．ヘテロアリール、−ＣＯ−ヘテロアリール、−（ＣＯ）−Ｏ−ヘテロアリール、スルフィニルヘテロアリール、スルホニルヘテロアリール、−（Ｐ＝Ｏ）−ジ−ヘテロアリールであり、ここでヘテロアリールは、Ｃ２〜Ｃ２０芳香族炭化水素、ヘテロアリール残基上に、少なくとも１個のハロゲン、好ましくはＦおよび／またはＣｌの置換基を好ましくは有しており、
ＸがＮＲＮを表す場合、１つのＲＮは２つのＰ＝Ｎ−単位を架橋して以下の式で表される環構造を形成し：
【００１３】
【化３】
2018534341.tif 000005
で表される環構造を形成することができ：
ここで、ＲＮ１が−（ＳＯ）−、−（ＳＯ２）−または−（ＮＲＮ２）−を表し、ＲＮ２が−アルキル、−ＣＯ−アルキル、−（ＣＯ）−Ｏ−アルキルから選択される電子求引基であり、アルキルは、Ｃ１〜Ｃ２０直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素であり、アルキル残基上に少なくとも１個のハロゲン、好ましくはＦまたはＣｌの置換基を有している。
【００１４】
本発明者らは、キラル化合物の少なくとも１つのホスホルアミドイミデート単位の周囲に基を形成することにより、その触媒部位を保護することができ、高度に選択的な触媒反応に完全に適していることを見出した。これらの触媒のために、基ＲＮおよびＲＮ（１，２）が、ハロゲン、特にフッ素、塩素および／または硫黄−酸素基のような電子求引性置換基を有する電子吸引基であることが、本発明の化合物（Ｉ）においては重要である。
【００１５】
以下では、上記の式（Ｉ）ならびに本明細書で使用される任意の他の式は、任意の互変異性体を含むことが理解されるべきである。この点で、互変異性体ならびに分極結合Ｗδ＋−Ｎδ−は前記の定義によって包含されると理解される。
【００１６】
本出願の範囲において、用語「ホスホルアミドイミデート」（ｐｈｏｓｐｈｏｒａｍｉｄｉｍｉｄａｔｅｓ）は、ホスホルアミドイミデート部分の１つ以上の酸素原子が、上記で定義したＳ、Ｓｅ、ＮＲＮによって置換されており、キラルであり、好ましくは鏡像異性体であり、その誘導体も含むと理解されるべきである。
【００１７】
上記の式（Ｉ）および以下に示される式において、本発明のキラルなホスホルアミドイミデートのいずれかの互変異性型および任意のアニオン型を含むそれらの任意の荷電形態は、前記式の表現に含まれると理解されるべきである。ホスホルアミドイミデートは、基Ｒ１〜Ｒ４の全てがアキラル基であっても、固有のキラリティーを有することができることも理解されたい。したがって、Ｐが４つの異なる置換基で置換されている場合、本発明の化合物についてキラリティーが存在してもよい。
【００１８】
上記式（Ｉ）において、Ｒ１〜Ｒ４のいずれかは、Ｃ１〜Ｃ２０の直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素から選択され、任意に１以上の不飽和結合を有していてもよく、例えば、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニル基、またはＣ２〜Ｃ２０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ８−ヘテロシクロアルキル、または、Ｃ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素およびアレーン部が部分的に水素化された形態を有していてもよく、例えば、アリール、アリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキル、ヘテロアリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキルを有していてもよく、
各炭化水素は、１つ以上の基で任意に置換されていてもよく、当該基は、Ｃ１〜Ｃ２０の直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素から選択され、（任意に、一つまたはそれ以上の不飽和結合を有していてもよく、例えば、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニルまたはＣ２〜Ｃ２０−アルキニル、またはＣ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素およびアレーン部が部分的に水素化された形態を有していてもよく、例えば、アリール、アリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキル、ヘテロアリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキルを有していてもよく）またはヘテロ置換基から選択される。各々、Ｒ１およびＲ２はまた、Ｚ１およびＺ２とともに環系を形成してもよく、独立して、Ｒ３およびＲ４は、それぞれＺ３およびＺ４とともに環系を形成してもよい。Ｒ１〜Ｒ４のいずれかは、キラルであってもよく、または少なくとも１つのキラル中心を含んでいてもよい。ｎ＝０の場合、Ｒ１〜Ｒ４のいずれかがＰに直接結合していてもよい。
【００１９】
上記式（Ｉ）において、Ｒ１はまた、Ｒ２、Ｒ３またはＲ４のいずれかと環系を形成していてもよく、Ｒ２、Ｒ３またはＲ４の他の二つが互いに環系を形成していてもよい。したがって、１つの環系は、１つのホスホルイミデート単位上に形成されてもよく、または１つのホスホルイミデート単位を、アミド中心部分の両側の他のホスホリミデート単位に連結してもよい。
【００２０】
上記のように、ＲＮは電子吸引基であり、−アルキル、−ＣＯ−アルキル、−（ＣＯ）−Ｏ−アルキル、スルフィニルアルキル、スルホニルアルキル、−（Ｐ＝Ｏ）−ジアルキルから選択され、ここでアルキルは、Ｃ１〜Ｃ２０直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素でありアルキル残基上に少なくとも１個のハロゲン、好ましくはＦおよび／またはＣｌの置換基を有しており、
アリール、−ＣＯ−アリール、−（ＣＯ）−Ｏ−アリール、スルフィニルアリール、スルホニルアリール、−（Ｐ＝Ｏ）−ジアリールから選択され、ここでアリールはＣ６〜Ｃ１８芳香族炭化水素から選択され、アリール残基上に、少なくとも１個のハロゲン、好ましくはＦおよび／またはＣｌの置換基を好ましくは有しており；
ヘテロアリール、−ＣＯ−ヘテロアリール、−（ＣＯ）−Ｏ−ヘテロアリール、スルフィニルヘテロアリール、スルホニルヘテロアリール、−（Ｐ＝Ｏ）−ジ−ヘテロアリールから選択され、ここでヘテロアリールは、Ｃ２〜Ｃ２０芳香族炭化水素であり、ヘテロアリール残基上に、少なくとも１個のハロゲン、好ましくはＦおよび／またはＣｌの置換基を好ましくは有しており、ＸがＮＲＮを表す場合、１つのＲＮはＲＮ１として２つのＰ＝Ｎ−単位を架橋して以下の式：
【００２１】
【化４】
2018534341.tif 000006
で表される環構造を形成することができ：
ここで、ＲＮ１が−（ＳＯ）−、−（ＳＯ２）−または−（ＮＲＮ２）−を表し、ＲＮ２が−アルキル、−ＣＯ−アルキル、−（ＣＯ）−Ｏ−アルキルから選択される電子求引基であり、アルキルは、Ｃ１〜Ｃ２０直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素であり、アルキル残基上に少なくとも１個のハロゲン、好ましくはＦおよび／またはＣｌの置換基を有している。
【００２２】
ＸがＮＲＮを表す場合に言及したように、１つのＲＮのみが存在してもよく、前記に説明したように、ＲＮ１として２つのＰ＝Ｎ−単位を架橋していてもよい。一般に、ＲＮは、好ましくは、Ｐ原子のいずれかに存在するか、または示されているような２つのＰ＝Ｎ−単位を架橋していてもよい、下記の電子求引性基から選択され、
【００２３】
【化５】
2018534341.tif 000007
ここでＴｆは、好ましいトリフルオロメタンスルホニル基を表し、またはより一般的には、アルキルがＣ１〜Ｃ８脂肪族炭化水素基であり得る、ポリフルオロまたはパーフルオロアルキルスルホニル基を表す。
【００２４】
上記式（Ｉ）において、Ｗはホスホルアミドイミデート部分との結合を形成することができる置換基であり、これはまた、分極されていてもよいイオン結合または共有結合であってもよく、したがってＷは水素、ハロゲン、金属、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｕ、下記スキーム２で例示されるカチオン性有機基、または例えばＳｉＲＩＲＩＩＲＩＩＩである置換ケイ素であり、
式中、ＲＩ、ＲＩＩおよびＲＩＩＩは同一でも異なっていてもよく、水素、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ２０の直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素であることができ、任意に１以上の不飽和結合を有していてもよく、例えば、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニル基、Ｃ２〜Ｃ２０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ８−ヘテロシクロアルキル、または、Ｃ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素およびアレーン部が部分的に水素化された形態、例えば、アリール、アリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキル、ヘテロアリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキルを有していてもよく、
各炭化水素は１つ以上の基で任意に置換されていてもよく、当該基はＣ１〜Ｃ２０の直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素（任意に１以上の不飽和結合を有していてもよく、例えば、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニルもしくはＣ２〜Ｃ２０アルキニル、Ｃ３〜Ｃ８−ヘテロシクロアルキル、またはＣ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素およびそれのアレーン部が部分的に水素化された形態（例えば、アリール、アリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキル、ヘテロアリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキルをである）、またはヘテロ置換基から選択され、
Ｗは、水素または上記で示された置換ケイ素基が有利に使用される。
【００２５】
「それのアレーン部が部分的に水素化された形態」という表現は、芳香族構造がナフタレンのような複数の芳香族環を含む場合、少なくとも１つの芳香族環、残りの芳香族環が部分的にまたは完全に水素化され得ることであると理解されるべきである。
【００２６】
アニオン型は、イオン対を形成するための任意のカチオンによって補完され得る。
【００２７】
上記の式（Ｉ）の実施形態において、Ｚ１〜Ｚ４は、独立してＯ、ＳまたはＮＲＮを表し、好ましくはＯであり、ｎは１であり、Ｘ、Ｒ１〜Ｒ４、ＲＮおよびＷは上記で定義された通りであり、式（ＩＩ）で表される：
【００２８】
【化６】
2018534341.tif 000008
このような式（Ｉ）および（ＩＩ）において、部分
【００２９】
【化７】
2018534341.tif 000009
は、（Ｒ１、Ｒ２、Ｚ１、Ｚ２および−ＰＸ−）または（Ｒ３、Ｒ４、Ｚ３、Ｚ４および−ＰＮＲＮ−）の５〜１０員環構造を形成してもよく、ここで、Ｒ１〜Ｒ４、Ｚ１〜Ｚ４、ｎ、ＲＮおよびＸは、先に定義した通りである。
【００３０】
式（ＩＩ）の化合物のいくつかの実施形態では、２つのＮＲＮは、式（ＩＩＩａ）によって表されるように、２つのＰ原子を架橋する１つのＮＲｎ単位で置き換えられてもよい。
【００３１】
【化８】
2018534341.tif 000010
ここで、式中、Ｒ１〜Ｒ４およびＷは前に定義した通りであり、ＲＮ１は−（ＳＯ）−、−（ＳＯ２）−または−（ＮＲＮ２）−を表し、ＲＮ２は−アルキル、−ＣＯ−アルキル、−（ＣＯ）−Ｏ−アルキルを示し、アルキルは、Ｃ１〜Ｃ２０直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素であり、アルキル残基上に少なくとも１個のハロゲン、好ましくはＦまたはＣｌの置換基を有している。
【００３２】
式（ＩＩ）の化合物のさらなる実施形態において、本発明によるキラルなホスホルアミドイミデートは、以下の式（ＩＩＩｂ）で表され、Ｚ１〜Ｚ４がＯを表し、Ｒ１〜Ｒ４、Ｘ、ＲＮおよびＷが先に定義した通りであり、
【００３３】
【化９】
2018534341.tif 000011
ここで、
ＲＮが請求項１に記載の電子求引性基であり、各Ｎ上で同一であっても異なっていてもよく、−アルキル、−ＣＯ−アルキル、−（ＣＯ）−Ｏ−アルキル、スルフィニルアルキル、スルホニルアルキル、−（Ｐ＝Ｏ）−ジアルキルから選択され、ここでアルキルは、Ｃ１〜Ｃ２０直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素であり、アルキル残基上に少なくとも１個のハロゲン、好ましくはＦおよび／またはＣｌの置換基を有しており；
アリール、−ＣＯ−アリール、−（ＣＯ）−Ｏ−アリール、スルフィニルアリール、スルホニルアリール、−（Ｐ＝Ｏ）−ジアリールから選択され、ここでアリールはＣ６〜Ｃ１８芳香族炭化水素であり、アリール残基上に、少なくとも１個のハロゲン、好ましくはＦおよび／またはＣｌの置換基を好ましくは有しており；
ヘテロアリール、−ＣＯ−ヘテロアリール、−（ＣＯ）−Ｏ−ヘテロアリール、スルフィニルヘテロアリール、スルホニルヘテロアリール、−（Ｐ＝Ｏ）−ジ−ヘテロアリールから選択され、ここでヘテロアリールは、Ｃ２〜Ｃ２０芳香族炭化水素、ヘテロアリール残基上に、少なくとも１個のハロゲン、好ましくはＦおよび／またはＣｌの置換基を好ましくは有している。
【００３４】
このような式（Ｉ）、（ＩＩ）又は（ＩＩＩａ／ｂ）において、（Ｒ１、Ｒ２、Ｚ１およびＺ２）並びに（Ｒ３、Ｒ４、Ｚ３およびＺ４）はそれぞれが環構造を形成し、架橋された、任意に置換された芳香族構造（ビフェニルを包含する）、例えば、ＢＩＮＯＬ、ＴＡＤＤＯＬ、ＶＡＰＯＬ、ＳＰＩＮＯＬ、１，１’−ビナフタレン、１，１’−ビアントラセン、１，１−ビフェナントレン、またはそのような芳香環構造のアレーン部が部分的に水素化された形態（８Ｈ−ＢＩＮＯＬを包含する）から誘導され、
前記環システムはそれぞれ任意に一つ以上の置換基により置換され、当該置換基は各位置で同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素、ヘテロ置換基、Ｃ１〜Ｃ２０の直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素から選択され、任意に１以上の不飽和結合を有していてもよく、例えば、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニルもしくはＣ２〜Ｃ２０アルキニル、Ｃ３〜Ｃ８−ヘテロシクロアルキル、またはＣ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素およびそれのアレーン部が部分的に水素化された形態、例えば、アリール、アリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキル、ヘテロアリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキルを有していてもよく、各炭化水素は１つ以上の基で任意に置換されていてもよく、当該基はＣ１〜Ｃ２０の直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素（任意に１以上の不飽和結合を有していてもよく、例えば、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニルもしくはＣ２〜Ｃ２０アルキニル、Ｃ３〜Ｃ８−ヘテロシクロアルキル、またはＣ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素およびそれのアレーン部が部分的に水素化された形態（アリール、アリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキル、ヘテロアリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキルを包含する）である）、またはヘテロ置換基であり、
ここで、ｎ、ＲＮ、ＸおよびＷは、先に定義した通りであり、互変異性型およびイオン型、およびその誘導体が包含される。このような（ＩＩＩａ／ｂ）において、（Ｒ１、Ｒ２、Ｚ１およびＺ２）並びに（Ｒ３、Ｒ４、Ｚ３およびＺ４）は、同一であっても異なっていてもよく、キラルであることができ、ｎ、ＲＮ、ＸおよびＷは、先に定義した通りである。
【００３５】
別の実施形態において、式（Ｉ）の化合物は、式（ＩＶ）によって表され得る：
【００３６】
【化１０】
2018534341.tif 000012
ここで前記式（ＩＶ）においては、置換基Ｒは、各位置で同一でも異なっていてもよく、
それぞれ水素、ヘテロ置換基、Ｃ１〜Ｃ２０の直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素から選択され、任意に１以上の不飽和結合を有していてもよく、例えば、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニルもしくはＣ２〜Ｃ２０アルキニル、Ｃ３〜Ｃ８−ヘテロシクロアルキル、またはＣ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素およびそれのアレーン部が部分的に水素化された形態、例えば、アリール、アリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキル、ヘテロアリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキルを有していてもよく、
各炭化水素は１つ以上の基で任意に置換されていてもよく、当該基はＣ１〜Ｃ２０の直鎖、分枝鎖または環状脂肪族炭化水素であり、任意に１以上の不飽和結合を有していてもよく、例えば、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニルもしくはＣ２〜Ｃ２０アルキニル、Ｃ３〜Ｃ８−ヘテロシクロアルキル、またはＣ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素およびそれのアレーン部が部分的に水素化された形態（アリール、アリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキル、ヘテロアリール−（Ｃ１〜Ｃ６）−アルキルを有していてもよく、またはヘテロ置換基であり
ここで、ＲＮ、ＸおよびＷは、先に定義した通りであり、
互変異性型およびイオン型、およびその誘導体が含まれていてよい。
【００３７】
構造における、好ましくは−Ｚ−Ｐ−結合に近接した−Ｏ−Ｐ−結合のような環構造における置換基Ｒは、好ましくは嵩高い基であり、ＲＮの定義またはヘテロ置換基から選択することもできる。
【００３８】
基本的に、あらゆるキラル基は、本発明の化合物のキラル基として可能である。各場合における他の基がキラルでない場合、基Ｒ１〜Ｒ４は、飽和または不飽和、線状、環式またはヘテロ環式、芳香族および／または複素環式であり得る有機基である。
【００３９】
ＸがＯまたはＮＴｆであり得る式（ＩＶ）を有する前記化合物の３つの例を以下に示す：
【００４０】
【化１１】
2018534341.tif 000013
有機合成において、特に医薬活性化合物の合成において、キラル化合物は、高エナンチオマー純度またはジアステレオマー純度で所望の生成物を得るために触媒としてしばしば使用される。
【００４１】
本発明による化合物は、エナンチオ選択的合成のための触媒として十分に適していることが見出された。ここで、それらは、対イオンによって指向されるエナンチオ選択的触媒において、キラルブレンステッド酸またはキラルアニオンとしてそれらの共役塩基として機能する。
【００４２】
以下の定義は、個々の基Ｒ、ＲＮ、ＲＮ１、ＲＮ２およびＲ１〜Ｒ４に、以下のように等しく適用される。
【００４３】
本発明におけるヘテロ置換基は、ＯＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＮＯ２、ＳＯ３Ｈ、モノハロゲノメチル基、ジハロゲノメチル基、トリハロゲノメチル基、ＣＦ（ＣＦ３）２、ＳＦ５、Ｎ原子のアミン結合、Ｏ−アルキル（アルコキシ）、−Ｏ−アリール、Ｏ−ＳｉＲＳ３、Ｓ−ＲＳ、Ｓ（Ｏ）−ＲＳ、Ｓ（Ｏ）２−ＲＳ、ＣＯＯＨ、ＣＯ２−ＲＳ、−ＢＲＳ２、−ＰＲＳ２、−ＯＰＲＳ２、ＣまたはＮ原子のアミド結合、ホルミル基、Ｃ（Ｏ）−ＲＳ、ＣＯＯＭから選択され、式中、Ｍは、ＮａまたはＫのような金属である。ＲＳは互いに独立して、同一でも異なっていてもよく、それぞれ、脂肪族、ヘテロ脂肪族、芳香族またはヘテロ芳香族基であり、それぞれは場合により１個以上のヘテロ置換基、脂肪族基、ヘテロ脂肪族基、芳香族基またはヘテロ芳香族基でさらに置換されている。
【００４４】
アルキル、アルケニルおよびアルキニルを含む脂肪族炭化水素は、直鎖状、分枝状および環状炭化水素を含むことができる。
【００４５】
ヘテロ脂肪族は、ヘテロ原子で置換された１個以上の炭素原子を有する直鎖状、分岐状および環状炭化水素を含み得るアルキル、アルケニルおよびアルキニルを含む炭化水素である。
【００４６】
より詳細には、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキルは、直鎖であっても分枝鎖であってもよく、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９または２０の炭素原子を含む。アルキルはＣ１−Ｃ６−アルキル、特にメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチルまたはｔｅｒｔ−ブチル、同様にペンチル、１−、２−または３−メチルプロピル、１，１−、１、２−または２，２−ジメチルプロピル、１−エチルプロピル、ヘキシル、１−、２−、３−または４−メチルペンチル、１，１−、１，２−、１，３−、２，２−、２，３−または３，３−エチルブチル、１−または２−エチルブチル、１−エチル−１−メチルプロピル、１−エチル−２−メチルプロピル、１，１，２−または１，２，２−トリメチルプロピルであることができる。置換アルキル基は、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチルおよび１，１，１−トリフルオロエチルである。
【００４７】
シクロアルキルは、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはシクロヘプチルであり得る。
【００４８】
アルケニルは、Ｃ２−Ｃ２０アルケニルであってもよい。アルキニルは、Ｃ２−Ｃ２０アルキニルであり得る。
【００４９】
前記不飽和アルケニル基またはアルキニル基は、本発明の化合物を固定化触媒として提供されるポリマーなどの担体に連結するために使用することができる。
【００５０】
ハロゲンは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである。
【００５１】
アルコキシは、好ましくは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシなどのＣ２−Ｃ１０アルコキシである。
【００５２】
Ｎ、ＯおよびＳから選択される１つ以上のヘテロ原子を有するＣ３〜Ｃ８−ヘテロシクロアルキルは、好ましくは、２，３−ジヒドロ−２−、３−、４−または５−フリル、２，５−ジヒドロ−２−、３−、４−または５−フリル、テトラヒドロ−２−もしくは−３−フリル、１，３−ジオキソラン−４−イル、テトラヒドロ−２−もしくは３−チエニル、２，３−ジヒドロ−１−、２−、３−、４−または５−ピロリル、２，５−ジヒドロ−１−、２−、３−、４−または５−ピロリル、１−、２−、または３−ピロリジニル、テトラヒドロ−１−、−２−または−４−イミダゾリル、２，３−ジヒドロ−１−、−２−、−３−、−４−または５−ピラゾリル、テトラヒドロ−１−、−３−または４−ピラゾリル、１，４−ジヒドロ−１−、−２−、３−または−４−ピリジル、１，２，３，４−テトラヒドロ−１−、−２−、−３−、４−、５−または−６−ピリジル、１−、２−、３−または４−ピペリジニル、２−、３−または４−モルホリニル、テトラヒドロ−２−、−３−または−４−ピラニル、１，４−ジオキサニル、１，３−ジオキサン−２−、４−または５−イル、ヘキサヒドロ−１−、−３−または−４−ピリダジニル、ヘキサヒドロ−１−、−２−、−４−または５−ピリミジニル、１−、−２−または３−ピペラジニル、１，２，３，４−テトラヒドロ−１−、−２−、−３−、−４−、−５−、−６−、−７−または−８−キノリル、１，２，３，４−テトラヒドロ−１−、−２−、３−、４−、５−、−６−、−７−または−８−イソキノリル、２−、３−、５−、６−、７−または８−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ベンゾ−１，４−オキサジニルである。
【００５３】
任意に置換されたの意味するところは、炭化水素上の各水素が、非置換または一置換、二置換、三置換、四置換、五置換、またはさらに置換されていてもよいということである。
【００５４】
アリールは、フェニル、ナフチル、アントラセニル、フェナントリルまたはビフェニルであり得る。
【００５５】
アリールアルキルは、ベンジニルであり得る。
【００５６】
Ｎ、ＯおよびＳから選択される１個以上のヘテロ原子を有するヘテロアリールは、好ましくは、２−または３−フリル、２−または３−チエニル、１−、２−または３−ピロリル、１−、２−、４−または５−イミダゾリル、１−、３−、４−または５−ピラゾリル、２−、４−または５−オキサゾリル、３−、４−または５−イソオキサゾリル、２−、４−または５−チアゾリル、３−、４−または５−イソチアゾリル、２−、３−または４−ピリジル、２−、４−、５−または６−ピリミジニル、また好ましくは１，２，３−トリアゾール−１−、−４−または−５−イル、１，２，４−トリアゾール−１−、−３−または−５−イル、１−または５−テトラゾリル、１，２，３−オキサジアゾール−４−または−５−イル、１，２，４−オキサジアゾール−３−もしくは５−イル、１，３，４−チアジアゾール−２−もしくは−５−イル、１，２，４−チアジアゾール−３−もしくは−５−イル、１，２，３−チアジアゾール−４−または５−イル、３−または４−ピリダジニル、ピラジニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−または７−インドリル、４−または５−イソインドリル、１−、２−、４−、または５−ベンゾイミダゾリル、１−、３−、４−、５−、６−または７−ベンゾピラゾリル、２−、４−、５−、６−または７−ベンゾオキサゾリル、３−、４−、５−、６−または７−ベンゾイソオキサゾイル、２−、４−、５−、６−または７−ベンゾチアゾリル、２−、４−、５−、６−または７−ベンゾイソチアゾリル、４−、５−、６−または７−ベンズ−２，１，３−オキサジアゾリル、２−、３−、４−、５−、６−、７−または８−キノリル、１−、３−、４−、５−、６−、７−または８−イソキノリル、３−、４−、５−、６−、７−または８−シノニル、２−、４−、５−、６−、７−または８−キナゾリニル、５−または６−キノキサリニル、２−、３−、５−、６−、７−または８−２Ｈ−ベンゾ−１，４−オキサジニル、また好ましくは１，３−ベンゾジオキソール−５−イル、１，４−ベンゾジオキサン−６−イル、２，１，３−ベンゾチアジアゾール−４−または５−イルまたは２，１，３−ベンゾオキサジアゾール−５−イルである。
【００５７】
例えば式（ＩＶ）に示されるような本発明の好ましい実施形態では、−ＯＰ−結合に近接するＲの少なくとも１つは水素ではなく、メチル、エチル、イソプロピル、シクロヘキシル、シクロペンチル、フェニル、２，４，６−トリイソプロピルフェニル、２，４，６−トリエチルフェニル、２，６−ジエチルフェニル、２，６−ジエチルフェニル、２−イソプロピルフェニル、５−メチル−２−イソプロピルフェニル、メシチル、９−フェナントリル、９−アントラセニル、フェロセニル、Ｎ−（ペルフルオロフェニル）アセトアミド、Ｎ−（４−クロロフェニル）アセトアミド、Ｎ−（ナフタレン−１−イル）アセトアミド、Ｎ−ベンズヒドリルアセトアミド、Ｎ−（２，６−ジイソプロピルフェニル）アセトアミド、６，８−ジメチルピレン−２−イル、２−ピレニル、１−アントラセニル、コナンレン、ポルフィリン、１−ナフチル、２−ナフチル、４−ビフェニル、３，５−（トリフルオロメチル）フェニル、２，６−ジメチルフェニル、ｔｅｒｔ−ブチル、トリス−メチルシリル、ｔｅｒｔ−ブチジメチルシリル、フェニルメチルシリル、メチルジフェニルシリル、トリス−メシチルシリル、トリス−フェニルシリル、４−ニトロフェニル、および２，６−メチル−４−ブチルフェニル、トリフルオロメチル、未分岐（直鎖状）および分枝鎖状（Ｃ１−Ｃ１２）−パーフルオロアルキル、３，４，５−トリフルオロフェニル、１，３−ビス（パーフルオロプロパン−２−イル）フェニル、１，３−ビス（パーフルオロブチル）フェニル、および／またはペンタフルオロフェニルならびにフッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、ＣＯＯＨ、Ｂ（ＯＨ）２、Ｂ（アルキル）２、Ｂ（Ｏ−アルキル）２、Ｂ（ピナコール）、ＢＦ３Ｘ（式中、Ｘ＝ＮａまたはＫ、ＯＴｆ）から選択される。他の基は、好ましくは水素である。
【００５８】
本発明による化合物は、当業者にそれ自体は周知の工程段階で、有機塩、金属塩または金属錯体に変換することができる。１つの可能な実施形態では、ホスホルアミドイミデートを適切な金属塩、例えば適切な金属の炭酸塩または酢酸塩と反応させる。有機塩、金属塩および金属錯体の例は、式（Ｖ）についての以下のスキーム１に示されている。
【００５９】
スキーム１：ホスホルアミドイミデート（Ｖ）の金属塩および金属錯体の一般例。
【００６０】
【化１２】
2018534341.tif 000014
スキーム１において、任意の金属または有機カチオン、例えば、第三級アンモニウムイオンは、Ｍで表すことができる。化合物がスキーム１において塩として示されているが、金属による正確な構造は知られていない。それらは金属錯体の構造を有することもできる。したがって、本発明の目的のために、当該式の金属塩または金属錯体が使用される。金属化合物は、特定の金属化合物または錯体に限定されない。適切な金属化合物は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｕ由来である。
【００６１】
スキーム２：可能なカチオンＭ＋ＸＡ−の例
【００６２】
【化１３】
2018534341.tif 000015
イミド−ジ−（ＢＩＮＯＬ−ホスフェート）について示されている例示的な反応経路に従って、本発明のホスホルアミドイミデート（それらのイオン形態がＸＡ−として示されている）およびその有機塩、金属塩および金属錯体を製造することができる：
【００６３】
本発明はまた、本発明のホスホルアミドイミデートを製造する方法に関する。一般式（Ｉ）の前記キラルなホスホルアミドイミデートを製造する方法は、塩基性化合物の存在下で等価の化学量論量で一般式（Ｖ）の化合物を式（ＶＩ）の化合物と反応させ工程（ＶＩＩ）の化合物を生成する工程、化合物（ＶＩＩ）を二段階酸化、例えばトリフリックアジドと反応させて化合物（ＶＩＩＩ）を生成する工程、最後に脱離基Ｌを除去し、一般式（Ｉ）の化合物を生成する工程を含み、下記反応スキームに示される：
【００６４】
【化１４】
2018534341.tif 000016
ここで、前記式（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、（ＶＩＩＩ）および（Ｉ）において：
Ｌ１は正電荷の脱離基であり、水素、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｕから選択される金属、またはカチオン性有機基、または置換ケイ素−ＳｉＲＩＲＩＩＲＩＩＩから選択され、ここで、ＲＩ、ＲＩＩおよびＲＩＩＩは同一でも異なっていてもよく、上記の請求項１で定義した通りであり、
Ｌ２は負電荷の脱離基であり、ハロゲン、アルコキシ、アリールオキシ、ヘテロアリールオキシ、スルホニルまたはヘテロアリールから選択され、
Ｌ３は、水素、ハロゲン、アルキル、アルコキシ、アリールオキシ、ヘテロアリールオキシ、アリール、ヘテロアリールから選択される脱離基であり、
Ｒ１−４、Ｚ１−４、ＸおよびＷは上記で定義した通りである、上記方法。
【００６５】
該方法において、塩基性化合物は、トルエンのような有機溶媒に可溶なトリメチルアミンのような有機アミンであってもよい。
【００６６】
一般式（Ｉ）のホスホルアミドイミデートを製造するためのさらなる方法は、有機溶媒中、塩基性化合物の存在下で、一般式（ＩＸ）の化合物を式（Ｘ）の化合物と反応させる工程を含み、下記反応式に示すように、式（Ｉ）の化合物を生成する：
【００６７】
【化１５】
2018534341.tif 000017
前記式（ＩＸ）、（Ｘ）および（Ｉ）において：
Ｌ１は正電荷の脱離離脱基であり、水素、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｕから選択される金属、またはカチオン性有機基、または置換ケイ素−ＳｉＲＩＲＩＩＲＩＩＩから選択され、ここで、ＲＩ、ＲＩＩおよびＲＩＩＩは同一でも異なっていてもよく、上記の請求項１で定義した通りであり、
Ｌ２は負電荷の脱離基であり、ハロゲン、アルコキシ、アリールオキシ、ヘテロアリールオキシ、スルホニルまたはヘテロアリールから選択され、
Ｒ１−４、Ｚ１−４、ＸおよびＷは請求項１で定義した通りである
【００６８】
塩基性化合物は、トルエンなどの有機溶媒に可溶なトリメチルアミンのような有機アミンであってもよい。
【００６９】
一般式（Ｉ）のキラルなホスホルアミドイミデートを製造するためのさらなる方法は、下記反応スキームに示されるように、一般式（Ｖ）の化合物を有機溶媒中で式（ＶＩ）の化合物と反応させて式（Ｉ）の化合物を生成させる工程を含む：
【００７０】
【化１６】
2018534341.tif 000018
式（ＸＩ）、（ＸＩＩ）および（Ｉ）において：
Ｌ４はＮ２またはＬ１とＬ２との組み合わせから選択される脱離基を表し、
Ｒ１−４、Ｚ１−４、ＸおよびＷは請求項１で定義した通りである。
【００７１】
有機溶媒は、ここでは、トルエンまたはＴＨＦの溶媒または溶媒混合物であってもよい。
【００７２】
より詳細には、イミド−ジ−（ＢＩＮＯＬ−ホスフェート）について示されている例示的な反応経路に従って、本発明のホスホルアミドイミデート（それらのイオン形態がＸＡ−として示されている）およびその有機塩、金属塩および金属錯体を製造することができる。
【００７３】
【化１７】
2018534341.tif 000019
ジオール（６）からのＢＩＮＯＬの転化は、商業的に利用可能な（ＰＣｌ２）２ＮＭｅでの二量化、その後、ＣＦ３ＳＯ２Ｎ３（シュタウディンガー反応、Ｓｔａｕｄｉｎｇｅｒ  ｒｅａｃｔｉｏｎ）による酸化によって化合物７を生成し、これを脱メチル化して触媒前駆体５を得ることにより行われる（第１経路、スキーム２．１）。本発明者らは、Ｈｏｓｏｍｉ−Ｓａｋｕｒａｉ反応において良好なエナンチオ選択性を有する未知の反応性を達成する新しい触媒モチーフを最初に適用し、第２経路ワンポット触媒合成（第２経路、スキーム２．１）を開発した。
【００７４】
重要な要素は、分析的に純粋な形態のＰ（ＮＴｆ）Ｃｌ３へのアクセスであった。Ｐ（ＮＴｆ）Ｃｌ３を生成するための記載されたあらゆる方法は、不純な物質を与える爆発性および／または毒性化学物質を必要とした。本発明者らは、ＴｆＮＨ２およびＰＣｌ５を減圧下で加熱して、単回分蒸留で分析的に純粋なＰ（ＮＴｆ）Ｃｌ３を与える固相反応を開発した。この試薬を手にして、本発明者らは、市販の３，３’−置換ＢＩＮＯＬ誘導ジオールからアクセス可能な新しい触媒５ダイマーを製造した。
【００７５】
従って、本発明はまた、ＴｆＮＨ２を過化学量論的量のＰＣｌ５（１〜２当モル量）と７６０ｍｂａｒ未満、好ましくは１００〜４００ｍｂａｒの減圧下で、塩酸ガスの発生が止まるまで、８０℃〜２００℃の温度範囲にまで、反応させることによる重要な化合物Ｐ（ＮＴｆ）Ｃｌ３の製造方法も含む。
【００７６】
【化１８】
2018534341.tif 000020
より一般的には、ＲｆＮＨ２およびＰＲＰ５−ｙＣｌｙを、溶媒なしで、塩酸ガスの発生が停止するまで、８０℃〜２００℃の温度範囲まで７６０ｍｂａｒ未満、好ましくは１００〜４００ｍｂａｒの減圧下で１〜２当モル量の過剰化学量論量のＰＲＰ５−ｙＣｌｙ中で反応させ、さらにその後、任意に、前記温度で２４０分までの期間の熟成工程を行い、さらにその後、任意に、得られる生成物の精製工程を行う、Ｐ（ＮＲｆ）ＲＰ３−ｘＣｌＸを製造することができ、
ここで、ｘが１〜３の整数であり、ｙが１〜５の整数であり、ＲＰが、同一かまたは異なっていてよい炭化水素基であり、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘテロアリールおよびヘテロアリールオキシから選択され、１〜６０個の炭素原子を有し、場合により置換されていてもよい。得られたＰ（ＮＲｆ）ＲＰ３−ｘＣｌＸは、その後、本発明のキラルなホスホルアミドイミデートおよびその誘導体を製造するために使用されることができる。
【００７７】
本発明者らは、Ｎ−トリフリルホスホルアミドイミデート５ａの結晶構造およびＮ−トリフリルホスホルアミドイミデート中心ユニットを有するさらなる本発明の化合物の結晶構造が、立体的に要求の厳しいキラル環境内に閉じ込められた活性部位を示すことを見出した（図２．２）。Ｐ−Ｎ−Ｐ結合角度は、１４０°〜１６０°の間で変化するが、これはキラル微小環境に深く埋め込まれた酸性プロトンを安定化させる分子内水素結合（ＴｆＮＨ−Ｏ２ＳＣＦ３）を示唆する立体配座を可能にする。これは、３，３’−置換基が導入されているために基板に接近しにくい、底部の架橋Ｎ原子ではなくＮＴｆ原子上のプロトン位置を支持する。
【００７８】
本発明の触媒設計を使用することにより、最初の高度にエナンチオ選択的な触媒的ホソミ−サクライ反応が可能になった（スキーム３）。Ｎ−トリフリルホスホルアミドイミデート酸触媒５は非常に一般的であり、高いエナンチオ選択性を有する種々のホモアリルアルコール８が得られた（スキーム３）。芳香族アルデヒド９を、２つのＢＩＮＯＬ主鎖の３，３’−位に２−ナフチル置換基を有するＮ−トリフルオルホスホルアミジイデート５ｂ、１モル％とともに−７８℃で変換したより塩基性の脂肪族アルデヒド９は、より高い温度および触媒添加量（５モル％）を必要とした。芳香族アルデヒドとは対照的に、より低温（〜９０℃）においておよび触媒添加（０．０５ｍｏｌ％）さえも脂肪族アルデヒドと併用することができた。３，３’−位に３，５−Ｍｅ２Ｃ６Ｈ３置換基を有するＮ−トリフルオルホスホルアミドイミデート５ｃは優れたエナンチオ選択性を与えた。活性触媒中心の電子特性は、設置された置換基の誘導効果に十分依存した。ホソミ−サクライ反応では、電子欠乏Ｎ−トリフリルホスホルアミドイミデート５ａはほとんど活性ではなく、代わりに、脂肪族アルデヒド９ｅが三量化された。触媒二量体５ｃは、アルケン８から脂肪族アルデヒド９へのシリル基の移動を有意に優先させた。単純なフェニル置換を有する比較的電子的に中性のホスホルアミドイミデート５ｄは、より低いエナンチオ選択性を有する脂肪族アルコール８のみを形成した。シラリル転移のための触媒二量体５ｃの選択は、塩素化溶媒の使用に際して回避された。増加した触媒添加量（１モル％）は、７８℃、２時間未満でトリメチルシリル保護アルコールをもたらした（収率８９％）。線状、β−およびγ−分岐アルデヒドもまた適切な基質であった。分取スケールで、１．４ｇのアルデヒドを６、８−ジメチルピレン−２−イル触媒（１０ｍｇ、０．０５ｍｏｌ％）により−７８℃で５日以内に転化させた。ブレンステッドおよびルイス酸触媒の最近の開発は、ホソミ−サクライ反応における芳香族または第四級アルデヒドに限られていた。本発明者らは、極端な立体的要求を有する閉じ込められたブレンステッド酸および酵素に見られるキラルポケットがこの限界を克服し、有機合成における重要な問題を解決できることをここに示した。ポケットのような完全に人工的な酵素を生成する現在のボトムアップ触媒設計は、エナンチオ選択的ブレンステッド酸触媒によるアリルトリメチルシランのアルデヒドへの付加を初めて可能にする。本発明者らは、穏やかな反応条件は、多様な天然産物および生物学的に活性な分子の合成における用途を見出すことであると考えている。ブレンステッドとルイス酸触媒のこのクロスオーバーは、遷移金属触媒の領域に入る小さな脂肪族および／または緩く結合した分子の取り扱いを可能にする。
【００７９】
触媒としての使用
本発明者らは、ジスルホンイミドによって触媒される不斉ムカイヤマアルドール反応およびホソミ−サクライ反応について種々の研究を行い、アリルトリメチルシランの非対称ブレンステッド酸触媒によるアルデヒドへの付加に焦点を当てた。高い選択性を有するカルボニルへのアリルトリメチルシランの予測される非対称付加は、キラルブレンステッド酸触媒では未知であり、本発明者らは、比較的小さいＯ−シリル化オキソニウムカチオンのコンパクトなキラル環境が存在せず、そのキラルアニオンにより制限される特異的立体的な相互作用が欠如し、エナンチオ面選択性が貧弱であると思料した。大きな活性部位は様々な異性体をもたらす種々の遷移状態の幾何学的形状に適応できるが、閉じ込められた空間はこの自由度を制限し、それによって選択性を増加させる可能性がある。
【００８０】
本発明者らは、ホソミ−サクライ（Ｈｏｓｏｍｉ−Ｓａｋｕｒａｉ）反応の解決策が、現行のブレンステッド酸触媒において広義の２つの独立した研究領域のクロスオーバー（組合せ）であることを認識した。閉じ込められたブレンステッド酸とシリルカチオンの非対称カウンターアニオン指向（ＡＣＤＣ）触媒の組み合わせは、酵素および非常に活性な遷移金属触媒に匹敵する速度および触媒添加量で小さな脂肪族基質との反応を可能にする。
【００８１】
従って、本発明の特定のホスホルアミドイミデートおよびそれらの有機塩、金属塩および金属錯体は、ケトン、アルデヒド、アルケン、イミン、エノールエーテル、エーテル、アルキンおよびアセタールなどの多くの反応のための強キラルブレンステッド酸触媒またはキラルルイス酸触媒として特に適している。
【００８２】
本発明の化合物が触媒として使用できる反応は、アルドール反応、ビニローグアルドール反応、ムカイヤマ（Ｍｕｋａｉｙａｍａ）アルドール反応、ビニローグムカイヤマアルドール反応、ムカイヤマ−マイケル（Ｍｉｃｈａｅｌ）反応、マイケル付加、マンニッヒ（Ｍａｎｎｉｃｈ）反応、イミンへのアルデヒドおよびケトンへのＴＭＳＣＮ付加、エステル化、エーテル化、ピナコール転位、アセタール化、トランスアセタール化、スピロアセタール化および関連反応、環化付加、ヒドロアミノ化、ヒドロアルコキシル化、水和、ハロアルキル化、ハロアミノ化、オレフィン活性化、フリーデル−クラフツ反応、エポキシド開環、リター反応、アルコールの求核置換、不斉開環、不斉還元、移動水素化、アルキン付加、イミン付加、ストレッカー反応、アリル化、プロパルギル化、還元、エポキシ化、オレフィンのメタセシス、異性化、ディールス−アルダー反応、ヘテロ−ディールス−アルダー反応、アミナリゼーション（ａｍｉｎａｌｉｚａｔｉｏｎｓ）、イミニウム触媒およびエナミン触媒作用を含み、以下の反応スキームに例示される。
【００８３】
特に、これらは、上記一般式の触媒によって触媒される下記スキーム３および４に示すような反応に有用であり、式中、Ｒは上記の構造を有する。
【００８４】
【化１９】
2018534341.tif 000021
2018534341.tif 000022
2018534341.tif 000023
2018534341.tif 000024
上記のように、本発明者らは、新規なクラスのブレンステッド酸、特にＣ２対称ホスホルアミドイミデートアニオンを使用することを設計した。対応する酸は、遊離Ｐ−Ｎ回転に起因する酸性／塩基性対の柔軟な相対的位置付けを有する必要がある。しかし、本発明者の触媒設計は、好ましくは、嵩高い３，３’−置換基を有する２つの同一のＢＩＮＯＬサブユニット間の単一のＮ、Ｎ−ｓｙｎ立体配座にホスホルアミドイミデート残基を制限することを目的とした。本発明者らは、２つのＢＩＮＯＬサブユニットを含むことにより、立体的に制限される３，３’−置換基のためにそれらのインターロックが生じることを見出した。
【００８５】
直接的な結果として、ＢＩＮＯＬサブユニットは自由に回転することができず、得られる分子構造は非常に高い剛性を有する。重要なことに、このような配置はまた、望ましくない代替のブレンステッド塩基性Ｎ部位の立体的なブロッキングももたらした。２つのＢＩＮＯＬサブユニットは同一であるため、アニオンはＣ２−対称性であり、従って、触媒的に関連するブレンステッド塩基サイトの単一のタイプのみを有する。その結果、対応するブレンステッド酸は、固定された幾何形状を有する単一の触媒的に活性な二官能性酸／塩基対を有する。
【００８６】
したがって、本発明者らは、厳しい立体的要求を有する新しいブレンステッド酸および酵素に見出され想定されるキラルポケットが、制限を克服し、有機合成における重要な問題を解決できることをここに示した。本発明によれば、記載された概念は、小さい分子および／またはゆるく結合した分子を含む不斉反応の開発のための扉を開き、広く適用可能である。
【００８７】
本発明を以下の実施例によりさらに説明する。
【実施例】
【００８８】
例
例１−（Ｓ）−３，３’−ビス（２，４，６−トリイソプロピルフェニル）−［１，１’−ビナフタレン］−２，２’−ジナフチル−Ｎ、Ｎ’−ビス（（トリフルオロメチル）スルホニル）ホスホルアミドイミデート（（＋）−４）
【００８９】
【化２０】
2018534341.tif 000025
Ａｒ雰囲気において炎熱乾燥フラスコ中に、（Ｓ）−３，３’−ビス（２，４，６−トリイソプロピルフェニル）−［１，１’−ビナフタレン］−２，２’−ジオール（０．１０ｇ、０．１５ｍｍｏｌ、１．０当量）を蒸留されたフレッシュピリジン（１．５ｍＬ、０．１０Ｍ）に溶解し、ＰＣｌ５（６３ｍｇ、０．３０ｍｍｏｌ、２．０当量）を加え、８５℃で５時間加熱した。当該反応混合物を室温に冷却し、ＣＦ３ＳＯ２ＮＨ２（０．２７ｇ、１．８ｍｍｏｌ、１２当量）およびＮ、Ｎ−ジメチルピリジン−４−アミン（ＤＭＡＰ、１０ｍｇ、０．０８ｍｍｏｌ、０．５当量）を加え、８５℃で５日間加熱し、室温に冷却し、減圧下で濃縮した。ＨＣｌ（１０ｍＬ、１．０Ｍ）を添加し、ＣＨ２Ｃｌ２（１ｘ１０ｍＬ、２ｘ５ｍＬ）で抽出し、ブライン（塩水）（１０ｍＬ）で洗浄し、乾燥させ（Ｎａ２ＳＯ４）、濾過し、減圧下で濃縮した。ＣＣ（シリカゲル、ＭｅＯＨ／ＣＨ２Ｃｌ２０：１〜１：４９）で精製し、ＨＣｌ（２×１０ｍＬ、６．０Ｍ）でＣＨ２Ｃｌ２（１０ｍＬ）中で酸性化し、続いてＭｅＰｈ（３×３ｍＬ）により減圧下で乾燥させ、化合物（＋）−４（０．１０ｇ、６６％）を褐色固体として得た。
【００９０】
例２−（（トリフルオロメチル）スルホニル）ホスホリルイミドイルトリクロライド（Ｐ（ＮＴｆ）Ｃｌ３）
【００９１】
【化２１】
2018534341.tif 000026
１０質量％ＮａＯＨ（ａｑ）溶液および真空ポンプを含む冷却トラップに接続した磁気攪拌棒を備えたＡｒ下の火炎乾燥フラスコ中で、ＴｆＮＨ２（３．０ｇ、２０ｍｍｏｌ、１．０当量）およびＰＣｌ５（５．５ｇ、２６ｍｍｏｌ、１．３当量）の混合物を、ＨＣｌの発生が止むまでＡｒ下で１１０℃に加熱した。液体混合物を３００ｍｂａｒで２時間１１０℃に加熱した。ＴｆＮＨ２の完全な消費を確実にするために、反応を１Ｈ、１９Ｆおよび３１ＰＮＭＲによってモニターした。分取蒸留（０．０７ミリバール、沸点＝６０℃、油浴＝９０℃）により得られたわずかに黄色透明な液体を精製してＰ（ＮＴｆ）Ｃｌ３（３．５ｇ、６１％）を無色透明油状物として得た。
【００９２】
例３−（Ｓ、Ｓ）−Ｎ−（２，６−ジフェニルジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］ジオキサホスファ−ピン−４−イル）−Ｎ−メチル−２，６−ジ−フェニルジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］ジオキサ−ホスファピン−４−アミン（７ｄｄ）
【００９３】
【化２２】
2018534341.tif 000027
Ａｒ雰囲気において炎熱乾燥フラスコ中に、（Ｓ）−３，３’−ジフェニル−［１，１’−ビナフタレン］−２，２’−ジオール（０．３２ｇ、０．７２ｍｍｏｌ、２．０当量）をＭｅＰｈ（２．４ｍＬ、０．３０Ｍ）、（ＰＣｌ２）２ＮＭｅ（８４ｍｇ、０．３６ｍｍｏｌ、１．０当量）、Ｅｔ３Ｎ（０．４４ｇ、４．３ｍｍｏｌ、１２．０当量）中に溶解し、その後、ＭｅＣＮ（０．３２ｍＬ、０．５０Ｍ）中のテトラゾール（１０ｍｇ、０．１４ｍｍｏｌ、０．４当量）を添加し、室温で２４時間撹拌した。反応混合物をＭｅＰｈ（２．４ｍＬ）で希釈し、濾過し、減圧下で濃縮して、粗化合物７ｄｄを無色固体として得た。
【００９４】
例４−（Ｓ、Ｓ）−４，４’−（メチルアザンジイル）ビス（２，６−ジフェニルジナフト［２，１−ｄ：１’、２’Ｆ］［１，３，２］（（トリフルオロメチル）スルホニル）ホスホルアミドイミデート（（＋）−７ｄ）
【００９５】
【化２３】
2018534341.tif 000028
Ｈ２Ｏ（３．０ｍＬ、６．０Ｍ）中のＮａＮ３（１．２ｇ、１８ｍｍｏｌ、５０当量）の氷冷溶液に、ＣＨ２Ｃｌ２（３．０ｍＬ、１．２Ｍ）中のＴｆ２Ｏ（１．０ｇ、３．６ｍｍｏｌ、１０当量））を添加し、０℃で２時間撹拌した。Ｈ２Ｏ（０．５ｍＬ）を加え、層を分離し、水層をＣＨ２Ｃｌ２（２×１ｍＬ）で抽出した。合わせた有機層を乾燥させ（Ｎａ２ＳＯ４）、濾過し、（Ｓ、Ｓ）−Ｎ−（２，６−ジフェニルジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−４−イル）−Ｎ−メチル−２，６−ジフェニルジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−４−アミン（７ｄｄ）（０．３５ｇ、０．３６ｍｍｏｌ、１．０当量）に、０℃でＡｒ下で加えた。反応混合物を０℃で２時間撹拌し、室温に加温し（冷却浴を取り除く）、室温で２８時間撹拌し、減圧下で濃縮した。ＣＣ（シリカゲル、ＭＴＢＥ／ヘキサン１：９〜１：４）による精製により、化合物（＋）−７ｄ（０．３１ｇ、６８％）を無色の固体として得た。
【００９６】
例５−（Ｓ、Ｓ）−３，３’−ジフェニル−［１，１’−ビナフタレン］−２，２’−ジナフチル−Ｎ’−Ｐ、Ｐ−ジナフトキシ−Ｎ−（（トリフルオロメチル）スルホニル）ホスホイミドイル−Ｎ−（（トリフルオロメチル）スルホニル）ホスホルアミドイミデート（（＋）−５ｄ）
【００９７】
【化２４】
2018534341.tif 000029
（Ｓ、Ｓ）−４，４’−（メチルアザンジイル）ビス（２，６−ジフェニルジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］（（トリフルオロ−メチル）−スルホニル）−ホスホルアミドイミデート（７ｄ）（０．１３ｇ、０．１０ｍｍｏｌ、１．０当量）およびｎ−Ｂｕ４ＮＩ（ＴＢＡＩ、０．５６ｇ、１．５ｍｍｏｌ、１５当量）のＴＨＦ（２．０ｍＬ、０．０５Ｍ）中の混合物を４５℃で５時間加熱した。前記反応混合物を室温に冷却し、ＭＴＢＥ（１５ｍＬ）で希釈し、ブライン（ｂｒｉｎｅ、塩水）、ＮａＨＳＯ３、ＨＣｌ（６．０Ｍ）、ＮａＨＣＯ３（各１０ｍＬ）で洗浄し、乾燥させ（Ｎａ２ＳＯ４）、濾過し、ＨＣｌ（２ｍＬ、６．０Ｍ）でＣＨ２Ｃｌ２（２ｍＬ）中で酸性化し、室温で０．５時間撹拌し、ＣＨ２Ｃｌ２（８ｍＬ）で希釈して、続いて、ＭｅＰｈ（３×３ｍＬ）で減圧乾燥して化合物（＋）−５ｄ（０．１０ｇ、８２％）を無色固体として得た。
【００９８】
例６−（Ｓ、Ｓ）−３，３’−ジフェニル−［１，１’−ビナフタレン］−２，２’−ジナフチル−Ｎ’−Ｐ、Ｐ−ジナフトキシ−Ｎ−（（トリフルオロメチル）スルホニル）ホスホルイミドイル−Ｎ−トリフルオロメチル）スルホニル）−ホスホルアミドイミデート（（＋）−５ｄ）
【００９９】
【化２５】
2018534341.tif 000030
Ａｒ雰囲気の炎熱乾燥フラスコにおいて、（Ｓ）−３，３’−ジフェニル−［１，１’−ビナフタレン］−２，２’−ジオール（２．０２ｇ、４．６ｍｍｏｌ、２．０当量）をＭｅＰｈ（１５ｍＬ、０．３０Ｍ）に溶解させ、その後、Ｐ（ＮＴｆ）Ｃｌ３（１．３７ｇ、４．８ｍｍｏｌ、２．１当量）を加え、次いでＥｔ３Ｎ（２．８ｇ、２７．６ｍｍｏｌ、１２．０当量）を加え、室温で１５分間撹拌した。ジオキサン（６．６ｍＬ、０．３５Ｍ、滴定）中のＮＨ３（３９ｍｇ、２．３ｍｍｏｌ、１．０当量）を添加し、室温で１０分間撹拌し、次いで３日間１００℃に加熱した。当該反応混合物を室温に冷却し、ＥｔＯＡｃ（２０ｍＬ）で希釈し、ＨＣｌ（１．０Ｍ）およびブライン（各２０ｍＬ）で洗浄し、乾燥し（Ｎａ２ＳＯ４）、濾過し、減圧下で濃縮した。ＣＣによる精製（シリカゲル、ＥｔＯＡｃ／ＭｅＰｈ３：１７）、ＨＣｌ（２ｍＬ、６．０Ｍ）によるＣＨ２Ｃｌ２（２ｍＬ）中での酸性化を行い、室温で０．５時間撹拌し、ＣＨ２Ｃｌ２（８ｍＬ）で希釈し、ＨＣｌで洗浄し、その後、ＭｅＰｈ（３×３ｍＬ）で減圧乾燥して化合物（＋）−５ｄ（２．２４ｇ、７８％）を無色固体として得た。
【０１００】
例７−（Ｒ、Ｒ）−Ｎ−（２，６−ジ（ナフタレン−２−イル）ジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−４−イル）−Ｎ−メチル−２，６−ジ（ナフタレン−２−イル）ジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−４−アミン（７ｂｂ）
【０１０１】
【化２６】
2018534341.tif 000031
Ａｒ雰囲気の炎熱乾燥フラスコにおいて、（Ｒ）−［２，２’：４’、１’’：３’’、２’’’−クオーターナフタレン］−２’’、３’−ジオール（０．１０ｇ、０．１８ｍｍｏｌ、２．０当量）をＭｅＰｈ（０．４５ｍＬ、０．４０Ｍ）、（ＰＣｌ２）２ＮＭｅ（２１ｍｇ、０．０９ｍｍｏｌ、１．０当量）に溶解し、その後、Ｅｔ３Ｎ（４５ｍｇ、０．４５ｍｍｏｌ、５．０当量）を加え、室温で３日間撹拌した。反応混合物をＭｅＰｈ（０．４５ｍＬ）で希釈し、濾過し、減圧下で濃縮し、粗化合物７ｂｂを無色固体として得た。
【０１０２】
例８−（Ｒ、Ｒ）−４，４’−（メチルアザンジイル）ビス（２，６−ジ（ナフタレン−２−イル）ジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］（（トリフルオロメチル）スルホニル）ホスホルアミドイミデート（（−）−７ｂ）
【０１０３】
【化２７】
2018534341.tif 000032
Ｈ２Ｏ（０．７５ｍＬ、６．０Ｍ）中のＮａＮ３（０．２９ｇ、４．５ｍｍｏｌ、５０当量）の氷冷溶液に、ＣＨ２Ｃｌ２（０．７５ｍＬ、１．２Ｍ）中のＴｆ２Ｏ（０．２５ｇ、０．９０ｍｍｏｌ、１０当量）を添加し、０℃で２時間撹拌した。層を分離し、水層をＣＨ２Ｃｌ２（２×０．３ｍＬ）で抽出した。合わせた有機層を乾燥し（Ｎａ２ＳＯ４）、濾過し、（Ｒ、Ｒ）−Ｎ−（２，６−ジ（ナフタレン−２−イル）ジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−４−イル）−Ｎ−メチル−２，６−ジ（ナフタレン−２−イル）ジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−４−アミン（７ｂｂ）（０．１０ｇ、０．０９ｍｍｏｌ、１．０当量）に、０℃、Ａｒ下で加えた。反応混合物を０℃で３時間撹拌し、室温に加温し（冷却浴を取り除く）、室温で５日間撹拌し、減圧下で濃縮した。ＣＣ（シリカゲル、ＭＴＢＥ／ヘキサン３：７、次いでシリカゲル、ＭｅＰｈ）による精製により、化合物（−）−７ｂ（０．６１ｇ、４６％）を無色の固体として得た。
【０１０４】
例９−（Ｒ、Ｒ）−［２，２’：４’、１’’：３’’、２’’−クオーターナフタレン］−２’’、３’−ジナフトキシ−Ｎ−（（トリフルオロメチル）スルホニル）−ホスホルイミドイル−Ｎ−（（トリフルオロメチル）スルホニル）−ホスホルアミドイミデート（（−）−５ｂ）
【０１０５】
【化２８】
2018534341.tif 000033
ＴＨＦ（４．２ｍＬ、０．０５Ｍ）中の（Ｒ、Ｒ）−４，４’−（メチル−アザンジイル）ビス（２，６−ジ（ナフタレン−２−イル）ジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］（（トリフルオロメチル）スルホニル）ホスホルアミドイミデート（（−）−７ｂ）（０．３０ｇ、０．２１ｍｍｏｌ、１．０当量）およびｎ−Ｂｕ４ＮＩ（ＴＢＡＩ、１．２ｇ、３．２ｍｍｏｌ、１５当量）の混合物を６０℃で５．５時間加熱した。反応混合物を室温に冷却し、ＭＴＢＥ（１５ｍＬ）で希釈し、濾過し、ブライン、Ｎａ２ＳＯ３、ＨＣｌ（１．０Ｍ、各１０ｍＬ）で洗浄し、乾燥し（Ｎａ２ＳＯ４）、濾過し、減圧下で濃縮した。ＣＣ（シリカゲル、ＥｔＯＡｃ／ヘキサン１：３〜３：７）で精製し、ＣＨ２Ｃｌ２（２ｍＬ）中のＨＣｌ（２ｍＬ、６．０Ｍ）で酸性化し、室温で０．５時間攪拌し、ＣＨ２Ｃｌ２（８ｍＬ）で希釈し、ＨＣｌ（２×１０ｍＬ、６．０Ｍ）で洗浄し、続いてＭｅＰｈ（３×３ｍＬ）で減圧乾燥して化合物（−）−５ｂ（０．１８ｇ、５９％）を無色固体として得た。
【０１０６】
例１０−（Ｓ、Ｓ）−Ｎ−（２，６−ビス（３，５−ジメチルフェニル）ジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−４−イル）−２，６−ビス（３，５−ジメチルフェニル）−Ｎ−メチルジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−４−アミン（７ｃｃ）
【０１０７】
【化２９】
2018534341.tif 000034
Ａｒ雰囲気の炎熱乾燥フラスコにおいて、（Ｓ）−３，３’−ビス（３，５−ジメチルフェニル）−［１，１’−ビナフタレン］−２，２’−ジオール（０．２９ｇ、０．６０ｍｍｏｌ、２．０当量）を、ＭｅＰｈ（１．５ｍＬ、０．４０Ｍ）、（ＰＣｌ２）２ＮＭｅ（７０ｍｇ、０．３０ｍｍｏｌ、１．０当量）に溶解し、Ｅｔ３Ｎ（０．１５ｇ、１．５ｍｍｏｌ、５．０当量）を加え、室温で２５時間撹拌した。反応混合物をＭｅＰｈ（１．５ｍＬ）で希釈し、濾過し、減圧下で濃縮して、粗化合物７ｃｃを無色固体として得た。
【０１０８】
例１１−（Ｓ、Ｓ）−４，４’−（メチルアザンジイル）ビス（２，６−３，５−ジメチルフェニル）ジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］（（トリフルオロメチル）スルホニル）ホスホルアミドイミデート（（＋）−７ｃ）
【０１０９】
【化３０】
2018534341.tif 000035
Ｈ２Ｏ（２．５ｍＬ、６．０Ｍ）中のＮａＮ３（０．９８ｇ、１５ｍｍｏｌ、５０当量）の氷冷溶液に、ＣＨ２Ｃｌ２（２．５ｍＬ、１．２Ｍ）中のＴｆ２Ｏ（０．８５ｇ、３．０ｍｍｏｌ、１０当量））を添加し、０℃で２時間撹拌した。層を分離し、水層をＣＨ２Ｃｌ２（２×０．６ｍＬ）で抽出した。合わせた有機層を乾燥し（Ｎａ２ＳＯ４）、濾過し、（Ｓ、Ｓ）−Ｎ−（２，６−ビス（３，５−ジメチルフェニル）ジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−４−イル）−２，６−ビス（３，５−ジメチルフェニル）−Ｎ−メチルジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−４−アミン（７ｃｃ）（０．３２ｇ、０．３０ｍｍｏｌ、１．０当量）に０℃においてＡｒ下で加えた。反応混合物を０℃で２時間撹拌し、室温に加温し（冷却浴を取り除く）、室温で１３時間撹拌し、減圧下で濃縮した。ＣＣ（シリカゲル、ＭｅＰｈ／ヘキサン７：３）による精製および再結晶化（ＣＨ２Ｃｌ２／ペンタン）による精製により、化合物（＋）−７ｃ（０．１９ｇ、４５％）を無色の固体として得た。
【０１１０】
例１２−（Ｓ、Ｓ）−３，３’−（２，６−ビス（３，５−ジメチルフェニル）−［１，１’−ビナフタレン］−２，２’−ジナフチル−Ｎ’−Ｐ、Ｐ−ジナフトキシ−Ｎ（（トリフルオロメチル）スルホニル）ホスホイミドイル−Ｎ−（（トリフルオロメチル）スルホニル）ホスホルム−アミドイミデート（（＋）−５ｃ）
【０１１１】
【化３１】
2018534341.tif 000036
ＴＨＦ（１．４ｍＬ、０．０５Ｍ）中の（Ｓ、Ｓ）−４，４’−（メチルアザンジイル）ビス（２，６−３，５−ジメチルフェニル）ジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］（（トリフルオロメチル）スルホニル）ホスホルアミドイミデート（（＋）−７ｃ）（０．１０ｇ、０．０７ｍｍｏｌ、１．０当量）およびｎ−Ｂｕ４ＮＩ（ＴＢＡＩ、０．３９ｇ、１．１ｍｍｏｌ、１５当量））を４５℃で２．５時間加熱した。反応混合物を室温に冷却し、ＭＴＢＥ（１０ｍＬ）で希釈し、濾過し、ブライン、Ｎａ２ＳＯ３、ＨＣｌ（１．０Ｍ、各１０ｍＬ）で洗浄し、乾燥し（Ｎａ２ＳＯ４）、濾過し、減圧下で濃縮した。ＣＣ（シリカゲル、ＥｔＯＡｃ／ヘキサン１：４）により精製し、ＨＣｌ（２ｍＬ、６．０Ｍ）でのＣＨ２Ｃｌ２（２ｍＬ）中での酸性化を行い、室温で０．５時間撹拌し、ＣＨ２Ｃｌ２（８ｍＬ）で希釈し、ＨＣｌで洗浄し、その後ＭｅＰｈ（３×３ｍＬ）で減圧乾燥して化合物（＋）−５ｃ（５４ｍｇ、５７％）を無色固体として得た。
【０１１２】
例１３−（Ｓ）−４−アジド−２，６−ビス（２，４，６−トリエチルフェニル）ジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン４−酸化物
【０１１３】
【化３２】
2018534341.tif 000037
Ａｒ雰囲気の炎熱乾燥フラスコにおいて、（Ｓ）−３，３’−ビス（２，４，６−トリエチルフェニル）−［１，１’−ビナフタレン］−２，２’−ジオール（０．６１ｇ、１．０ｍｍｏｌ、１．０当量）をフレッシュ蒸留ピリジン（２．０ｍＬ、０．５Ｍ）に溶解し、ＰＯＣｌ３（０．３８ｇ、２．５ｍｍｏｌ、２．５当量）を添加し、８５℃で１４時間加熱した。当該反応混合物を室温に冷却し、減圧下で濃縮した。残渣をＣＨ２Ｃｌ２（１０ｍＬ）に懸濁し、濾過し（シリカゲル）、ＨＣｌ（１０ｍＬ、１．０Ｍ）で洗浄し、乾燥し（ＭｇＳＯ４）、濾過し、減圧下で濃縮した。粗混合物をＣＨ２Ｃｌ２（３ｍＬ）に溶解し、濾過し（シリカゲル）、減圧下で濃縮した。Ａｒ、ＮａＮ３（２２ｍｇ、０．３４ｍｍｏｌ、２．０当量）下で無色固体を乾燥アセトンおよびＴＨＦ（各０．７ｍＬ、０．７０Ｍ）に溶解し、次いでＴＢＡＦ（１３ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ、０．０５当量）加え、室温で２日間攪拌した。当該反応混合物をＣＨ２Ｃｌ２（５ｍＬ）で希釈し、濾過し（シリカゲル）、減圧下で濃縮した。ＣＣ（シリカゲル、ＥｔＯＡｃ／ヘキサン１：１９）による精製により、化合物（０．５５ｇ、８０％）を無色の固体として得た。
【０１１４】
例１４（Ｓ）−Ｎ−２，６−ビス（２，４，６−トリエチルフェニル）ジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−４−イル）−１，１，１−トリフルオロメタンスルホンアミド
【０１１５】
【化３３】
2018534341.tif 000038
Ａｒ下の火炎乾燥フラスコ内で、ＴＨＦ（０．１５ｍＬ、０．４０Ｍ）中のＣＦ３ＳＯ２ＮＨ２（９ｍｇ、０．０６ｍｍｏｌ、１．２当量）の混合物を０℃に冷却し、ｎ−ＢｕＬｉ（４ｍｇ、０．０６ｍｍｏｌ、１．２当量）のヘキサン溶液（２４μＬ、２．５Ｍ）を加え、０℃で３時間撹拌した。Ａｒ下の第２の火炎乾燥フラスコ内で、ＭｅＰｈ中（０．２５ｍＬ、０．２０Ｍ）の（Ｓ）−３，３’−ビス（２，４，６−トリエチルフェニル）−［１，１’−ビナフタレン］−２，２’−ジオール（３０ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ、１．０当量）にＰＣｌ３（７ｍｇ、０．０６ｍｍｏｌ、１．１当量）、次いでＥｔ３Ｎ（１７ｍｇ、０．１７ｍｍｏｌ、３．４当量）を加え、室温で３時間撹拌した。ＭｅＰｈ混合物を濾過し、次いで氷冷ＴＨＦ混合物に加え、室温に温め（冷却浴を取り除く）、室温で４時間撹拌した。反応混合物を濾過し、減圧下で濃縮して、粗化合物（１４ｍｇ、３６％）を無色の固体として得た。
【０１１６】
実施例１５（Ｓ、Ｓ）−３，３’−ビス（２，４，６−トリエチルフェニル）−［１，１’−ビナフタレン］−２，２’−ジナフチル−１，１，１−トリフルオロ−メタンスルホンアミド−アミド−ホスホラアニリデン−ホスホアミデート
【０１１７】
【化３４】
2018534341.tif 000039
Ａｒ下の火炎乾燥フラスコ中で、ＭｅＰｈ／ＴＨＦ（１３ｍＬ、０．０５Ｍ）中の（Ｓ）−Ｎ−２，６−ビス（２，４，６−トリエチルフェニル）−ジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−４−イル−１，１，１−トリフルオロメタンスルホンアミド（０．７１ｇ、０．９０ｍｍｏｌ、１．４当量、分析データについて記載したように単離されていない）に、（Ｓ）−４−アジド−２，６−ビス（２，４，６−トリエチルフェニル）−ジナフト［２，１−ｄ：１’、２’−ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン４−酸化物（０．４５ｇ、０．６４ｍｍｏｌ、１．０当量）を加えた。反応混合物を５０℃で３日間撹拌し、次いで、１００℃で２３時間加熱し、室温に冷却し、ＭＴＢＥ（１０ｍＬ）で希釈し、濾過し、ＨＣｌ（１．０Ｍ）、ブライン（各１０ｍＬ）で洗浄し、乾燥させ（Ｎａ２ＳＯ４）、濾過し、減圧下で濃縮した。ＣＣ（シリカゲル、ＥｔＯＡｃ／ヘキサン１：９〜３：１７）による精製の後、ＨＣｌ（２ｍＬ、６．０Ｍ）でのＣＨ２Ｃｌ２（２ｍＬ）中の酸性化を行い、室温で０．５時間撹拌し、ＣＨ２Ｃｌ２（８ｍＬ）で希釈し、ＨＣｌ（２×１０ｍＬ、６．０Ｍ）で洗浄し、続いてＭｅＰｈ（３×３ｍＬ）で減圧乾燥して化合物（０．７１ｇ、７６％）を無色固体として得た。
【０１１８】
触媒試験
スキーム３で言及されるように、いくつかの触媒反応は一般的に以下のように説明される。
【０１１９】
アルデヒドおよびアセタールのアリルトリメチルシランによる一般的な触媒非対称アリル化：
Ａｒ雰囲気下のシュレンク管中で、それぞれの溶媒（それぞれの体積）中の触媒（１〜５モル％）およびアルデヒド（０．０３ミリモル、１．０当量）を各々の温度に冷却する。２０分後、密閉シュレンク管を予め冷却したクライオスタット（−５７℃）中またはドライアイスおよびいくつかのアセトン（−７８℃）で満たしたＤｅｗａｒ中に、溶液にアリルトリメチルシラン（１８ｍｇ、０．１６ｍｍｏｌ、５．２当量）を滴下する。ＴＬＣまたはＧＣ分析によってモニタリングされたすべてのアルデヒド／アセタールを消費されると、攪拌した反応混合物にＨＣｌ水溶液（０．２ｍＬ、１．０Ｍ）を添加し、次いで室温に温め、２時間激しく撹拌した（アルデヒドのみ）。混合物をＥｔ２Ｏ（０．２ｍＬ）で希釈し、飽和ＮａＨＣＯ３水溶液（０．５ｍＬ）で塩基性化した。層を分離し、水層をＥｔ２Ｏ（３×０．５ｍＬ）で抽出した。合わせた有機層を乾燥させ（Ｎａ２ＳＯ４）、濾過し、減圧下（＞１００ｍｂａｒ）で濃縮した。ＣＣ（シリカゲル）による精製により、対応するホモアリルアルコールまたはエーテルが得られた。
【０１２０】
一般的な触媒非対称のディールス−アルダー反応とムカイヤマ付加：
Ａｒ雰囲気下のシュレンク管中で、それぞれの溶媒（それぞれの体積）中の触媒（１モル％）およびエステル（０．０２ミリモル、１．０当量）をそれぞれの温度に冷却した。ＳＫＡ（０．０２ミリモル、０．０５当量または１．０当量）を添加し（次いで対応するジエン（０．２ミリモル、１０．０当量））、撹拌した溶液に加えた。ＴＬＣまたはＧＣ分析によってモニタリングされた全てのエステルが消費されると、攪拌した反応混合物にＨＣｌ水溶液（０．１ｍＬ、１．０Ｍ）を添加し、次いでこれを室温に温め、２時間激しく撹拌した。混合物をＥｔ２Ｏ（０．２ｍＬ）で希釈し、層を分離した。水層をＥｔ２Ｏ（３×０．５ｍＬ）で抽出した。合わせた有機層を乾燥させ（Ｎａ２ＳＯ４）、濾過し、減圧下で濃縮した。ＣＣ（シリカゲル）による精製により、対応する二環式エステルまたはジエステルが得られた。
【０１２１】
Ｏｘａ−Ｐｉｃｔｅｔ−Ｓｐｅｎｇｌｅｒ反応のための一般的な触媒非対称手順：
フラスコ（２ｍＬ、撹拌棒）に、対応する芳香族アルコール（０．０２ｍｍｏｌ）、触媒（５ｍｏｌ％）、および活性化モレキュラーシーブ（５Å、１０ｍｇ）を入れた。バイアルをアルゴンでフラッシュし、密封した。乾燥溶媒（０．１ｍＬ）を添加し、それぞれの温度に調整し、次いでアルデヒド（０．０５ｍｍｏｌ）を添加した。ＴＬＣまたはＧＣ分析によって全てのアルデヒド／アセタールを消費したら、反応混合物をＥｔ３Ｎで塩基性化し、濾過し、減圧下で濃縮した。ＣＣ（シリカゲル）による精製により、対応するエーテルを得た。
【０１２２】
プリン環化反応のための一般的な触媒非対称手順：
特記しない限り、触媒（０．００５ｍｍｏｌ、５ｍｏｌ％）と５０ｍｇの５Åモレキュラーシーブの混合物にアルデヒド（０．１２ｍｍｏｌ）と３−メチル−３−ブテン−１−オール（０．１０ｍｍｏｌ）を無水溶媒（０．１Ｍ）中で加えた。バイアルをアルゴンでフラッシュし、密封した。全てのアルデヒド／アセタールが消費されたら、反応混合物をＥｔ３Ｎで塩基性化し、濾過し、減圧下で濃縮した。ＣＣ（シリカゲル）による精製により、対応するエーテルを得た。
【国際調査報告】
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