(57)【要約】  化合物、化合物を付着させる方法および化合物のコーティングを備えるデバイスの実施形態は、例えば腐食、水の張力、粉塵および酸化などの危害からデバイスを保護するのに用いられ得る。上記デバイス（１０）は、基板（１１）上に位置するホスホネートコーティング、シランコーティングまたはその両方を含み得る。上記シランコーティングは、下記化学式（１）、下記化学式（２）またはそれらの組み合わせを含み得、上記ホスホネートコーティングは、下記化学式（３）を含み得る。【化１６】2018512604.tif 000018【化１７】2018512604.tif 000019【化１８】2018512604.tif 000020（式中、Ｒ１は、疎水基であり得、Ｒ３およびＲ５は、任意の化学元素または化学基であり得、ｒは、正の整数であり得、ＸおよびＺは各々、上記基板（１１）への結合であり得る。）
2018512604.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．  基板と、
ｂ．  前記基板上に位置するホスホネートコーティングと
を備え、
前記ホスホネートコーティングは、下記化学式
【化１３】
2018512604.tif 000015
（式中、
ｉ．  各Ｒ１は、独立して疎水基であり、
ｉｉ．  Ｚは、前記基板への結合であり、
ｉｉｉ．  各Ｒ５は、ホスホネート反応基、Ｒ１、Ｒ６またはＺであり、
ｉｖ．  前記ホスホネート反応基は、‐Ｃｌ、‐ＯＲ６‐ＯＣＯＲ６または‐ＯＨであり、かつ
ｖ．  各Ｒ６は、独立してアルキル基、アリール基またはそれらの組み合わせである。）
を含む、デバイス。
【請求項２】
前記疎水基は、下記化学式
ＣＦ３（ＣＦ２）ｎ（ＣＨ２）ｍ
（式中、ｎおよびｍは、０≦ｎ≦２０かつ０≦ｍ≦５の範囲内の整数である。）
を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記基板上に位置するシランコーティングをさらに備え、
前記シランコーティングは、下記化学式（１）、下記化学式（２）
【化１４】
2018512604.tif 000016
【化１５】
2018512604.tif 000017
（式中、
ａ．  ｒは、正の整数であり、
ｂ．  Ｘは、前記基板への結合であり、
ｃ．  各Ｒ３は、独立して化学元素または基であり、
ｄ．  各Ｒ３は、シラン反応基、‐Ｈ、Ｒ１、Ｒ６およびＸからなる群から独立して選択され、かつ
ｅ．  各シラン反応基は、‐Ｃｌ、‐ＯＲ６、‐ＯＣＯＲ６、‐Ｎ（Ｒ６）２および‐ＯＨからなる群から独立して選択される。）
またはそれらの組み合わせを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
少なくとも１個のＲ３が‐ＯＣＨ３であり、少なくとも１個のＲ５がＯＣＨ３であり、またはその両方である、請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
ａ．  前記基板は、前記基板の底部から外側に延在する複数の突出部および前記複数の突出部間の複数のギャップを含み、かつ
ｂ．  前記シランコーティングおよび前記ホスホネートコーティングは、共形コーティングである、
請求項３に記載のデバイス。
【請求項６】
ａ．  前記基板は、異なる材料で作られた異なる領域を含み、
ｂ．  前記基板の１つの領域は、ホスホネートコーティングより少なくとも３倍多いシランコーティングを含み、かつ
ｃ．  前記基板の別の領域は、シランコーティングより少なくとも３倍多いホスホネートコーティングを含む、
請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
ａ．  前記基板は、異なる材料で作られた異なる領域を含み、
ｂ．  Ｘは、‐Ｏ‐Ｓｉであり、かつ
ｃ．  Ｚは、‐Ｏ‐Ｍｅｔａｌである（式中、Ｍｅｔａｌは、金属原子である）。
請求項３に記載のデバイス。
【請求項８】
下記化学式
（Ｒ１）ｉＰＯ（Ｒ４）ｊ（Ｒ５）ｋ
（式中、
ａ．  各Ｒ１は、独立して疎水基であり、
ｂ．  ｉは１または２、ｊは１または２、ｋは０または１、かつ、ｉ＋ｊ＋ｋ＝３であり、
ｃ．  Ｒ４は、ホスホネート反応基であり、
ｄ．  各ホスホネート反応基は、‐Ｃｌ、‐ＯＲ６、‐ＯＣＯＲ６および‐ＯＨから独立して選択され、
ｅ．  各Ｒ６は、独立して単独アルキル基、アリール基またはそれらの組み合わせであり、かつ
ｆ．  各Ｒ５（存在する場合）は、独立して任意の化学元素または化学基である。）
を含むホスホネート化合物。
【請求項９】
デバイスに保護化合物を付着させる方法であって、前記デバイスの基板にホスホネート化合物を蒸着により付着させる工程を備え、
前記化合物は、下記化学式
（Ｒ１）ｉＰＯ（Ｒ４）ｊ（Ｒ５）ｋ
（式中、
ａ．  各Ｒ１は、独立して疎水基であり、
ａ．  ｉは１または２、ｊは１または２、ｋは０または１、かつ、ｉ＋ｊ＋ｋ＝３であり、
ｂ．  Ｒ４は、ホスホネート反応基であり、各ホスホネート反応基は、‐Ｃｌ、‐ＯＲ６、‐ＯＣＯＲ６および‐ＯＨから独立して選択され、
ｃ．  各Ｒ６は、独立してアルキル基、アリール基またはそれらの組み合わせであり、
ａ．  各Ｒ５（存在する場合）は、ホスホネート反応基Ｒ１、Ｒ６またはＺであり、かつ
ｂ．  前記ホスホネート反応基は、‐Ｃｌ、‐ＯＲ６、‐ＯＣＯＲ６または‐ＯＨである。）
を含む方法。
【請求項１０】
シラン化合物を前記基板に蒸着により付着させる工程をさらに備え、
前記シラン化合物は、下記化学式
Ｓｉ（Ｒ１）ｄ（Ｒ２）ｅ（Ｒ３）ｇ
（式中、
ａ．  ｄは１、２または３、ｅは１、２または３、ｇは０、１または２、かつ、ｄ＋ｅ＋ｇ＝４であり、
ｂ．  Ｒ２は、シラン反応基であり、
ｃ．  各シラン反応基は、‐Ｃｌ、‐ＯＲ６、‐ＯＣＯＲ６、‐Ｎ（Ｒ６）２および‐ＯＨから独立して選択され、
ｄ．  各Ｒ３（存在する場合）は、シラン反応基、‐Ｈ、Ｒ１、Ｒ６およびＸからなる群から独立して選択され、かつ、
ｅ．  各シラン反応基は、‐Ｃｌ、‐ＯＲ６、‐ＯＣＯＲ６、‐Ｎ（Ｒ６）２および‐ＯＨからなる群から独立して選択される。）
を含む、請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は一般に、疎水性化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
水腐食は、多くの異なる種類のデバイスにとって大きな問題になり得る。（例えばナノメートルサイズの）小型部品を有するデバイスでは、水の張力が小型部品を転倒させ得、したがって、デバイスの機能を損ない、または低下させ得る。粉塵および／または酸化は、いくつかのデバイス（例えば光学部品）の適正な性能に支障をきたし得る。そのような機器に腐食、水の張力、粉塵および酸化からの保護を提供することは有益であろう。
【発明の概要】
【０００３】
デバイスを腐食、水の張力、粉塵および酸化から保護することの有益性が認識されてきた。本発明は、化合物、化合物を付着させる方法および化合物のコーティングがなされたデバイスの実施形態に関し、これらのニーズを満たすのに用いられ得る。各実施形態は、これらのニーズの１つ、いくつかまたは全てを満たし得る。 
【０００４】
上記化合物は、（Ｒ１）ｉＰＯ（Ｒ４）ｊ（Ｒ５）ｋを含むホスホネート化合物を有し得る。上記方法は、デバイスの基板にホスホネート化合物、シラン化合物またはその両方を蒸着により付着させる工程を含み得る。上記ホスホネート化合物は（Ｒ１）ｉＰＯ（Ｒ４）ｊ（Ｒ５）ｋを含み得、上記シラン化合物はＳｉ（Ｒ１）ｄ（Ｒ２）ｅ（Ｒ３）ｇを含み得る。
【０００５】
上記デバイスは、基板上に位置するホスホネートコーティング、シランコーティングまたはその両方を備え得る。上記シランコーティングは下記化学式（１）、下記化学式（２）またはそれらの組み合わせを含み得、上記ホスホネートコーティングは下記化学式（３）を含み得る。
【化１】
2018512604.tif 000003
【化２】
2018512604.tif 000004
【化３】
2018512604.tif 000005
【０００６】
上記の化合物、方法およびデバイスについて、以下のとおりである。各Ｒ１は、独立して疎水基であり得る。Ｒ２は、シラン反応基であり得、各シラン反応基は、‐Ｃｌ、‐ＯＲ６、‐ＯＣＯＲ６、‐Ｎ（Ｒ６）２および‐ＯＨから独立して選択され得る。各Ｒ３および各Ｒ５は（存在する場合）、独立して任意の化学元素または化学基であり得る。Ｒ４は、ホスホネート反応基であり得、各ホスホネート反応基は、‐Ｃｌ、‐ＯＲ６、‐ＯＣＯＲ６、および‐ＯＨから独立して選択され得る。各Ｒ６は、独立してアルキル基、アリール基またはそれらの組み合わせであり得る。ｄは１、２または３であり得、ｅは１、２または３であり得、ｇは０、１または２であり得、かつ、ｄ＋ｅ＋ｇ＝４である。ｉは１または２であり得、ｊは１または２であり得、ｋは０または１であり得、かつ、ｉ＋ｊ＋ｋ＝３である。ｒは正の整数であり得る。ＸおよびＺは各々、上記基板への結合であり得る。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】基板１１上に位置する近位コーティング１３ｐ、中位コーティング１３ｍおよび遠位コーティング１３ｄを有するコーティング１３を備える、本発明の一実施形態に係るデバイス１０の側断面概略図である。
【図２】基板１１から外側に延在する複数の突出部１４、突出部１４間のギャップＧおよび共形コーティングであるコーティング１３を含む、本発明の一実施形態に係るデバイス２０の側断面概略図である。
【図３】デバイス２０に類似するが、その両方が共形コーティングである近位コーティング１３ｐおよび遠位コーティング１３ｄを含む２つの層がコーティング１３にある、本発明の一実施形態に係るデバイス３０の側断面概略図である。
【図４】デバイス２０および３０に類似するが、その全てが共形コーティングである近位コーティング１３ｐ、中位コーティング１３ｍおよび遠位コーティング１３ｄを含む３つの層がコーティング１３にある、本発明の一実施形態に係るデバイス４０の側断面概略図である。
【図５】異なる領域１１ｂ、５１および５５に分割された基板１１、１つの領域５１に優先的に取着した１つの化合物を有するコーティング５３ならびに他の領域５５および１１ｂに優先的に取着した異なる化合物を有するコーティング５４を備える、本発明の一実施形態に係るデバイス５０の側断面概略図である。
【図６】基板１１から外側に延在する複数の突出部１４、突出部１４間のギャップＧおよびキャシー―バクスター（Ｃａｓｓｉｅ‐Ｂａｘｔｅｒ）状態において突出部１４の表面上で水６１を保持するよう設計された疎水層を含むコーティング１３を含む、本発明の一実施形態に係るデバイス６０の側断面概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
定義  本明細書において用いられるように、「アルキル」とは、分岐、非分岐または環状の飽和炭化水素基をいう。アルキルは、例えば、メチル、エチル、ｎ‐プロピル、イソプロピル、ｎ‐ブチル、イソブチル、ｔ‐ブチル、オクチルおよびデシル、ならびに例えば、シクロペンチルおよびシクロヘキシルなどのシクロアルキル基を含むが、これらに限定されない。本明細書において用いられるように、「置換アルキル」とは、１または複数の置換基で置換されたアルキルをいう。「ヘテロアルキル」という用語は、少なくとも１つの炭素原子がヘテロ原子に置き換えられたアルキルをいう。そうでないと示されない場合、「アルキル」という用語は、非置換アルキル、置換アルキルおよびヘテロアルキルを含む。例えば、一態様において炭素原子２個以上、別の態様において炭素原子３個以上、別の態様において炭素原子５個以上または別の態様において炭素原子１０個以上など、分子の全原子重量が所望される場合、「アルキル」は、比較的小さくなり得る。本明細書において用いられるように、「アリール」は、（異なる芳香環がメチレン部分またはエチレン部分などの共通の基に結合しているような）直接結合であれ、間接結合であれ、互いに結合した単一の芳香環または複数の芳香環を含有する基をいう。アリール基は、例えば、フェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、ビフェニル、ジフェニルエーテル、ジフェニルアミンおよびベンゾフェノンを含む。「置換アリール」という用語は、１または複数の置換基を含むアリール基をいう。「ヘテロアリール」という用語は、少なくとも１つの炭素原子がヘテロ原子に置き換えられたアリール基をいう。そうでないと示されない場合、「アリール」という用語は、非置換アリール、置換アリールおよびヘテロアリールを含む。本明細書において用いられるように、「基板への結合」および「突出部への結合」という表現または類似の表現（例えば、「Ｚは基板への結合である」）は、化合物と基板／突出部との間の直接結合、または直接結合である中間層への結合もしくは他の層を介した基板／突出部への結合を意味し得る。これらの層は、他のコーティングであり得る。本明細書において用いられるように、「炭素鎖」という用語は、１列に並んだ少なくとも３個の炭素原子（例えば、‐Ｃ‐Ｃ‐Ｃ‐、‐Ｃ＝Ｃ‐Ｃ‐等）を含む互いに結合した炭素原子の鎖を意味する。炭素鎖という用語は、一態様において１列に並んだ少なくとも５個の炭素原子、別の態様において１列に並んだ少なくとも１０個の炭素原子、または別の態様において１列に並んだ少なくとも１５個の炭素原子を含み得る。炭素鎖という用語は、エーテル結合（Ｃ‐Ｏ‐Ｃ部分）も含み得る。炭素鎖という用語は、単一、二重および三重の炭素‐炭素結合を含む。炭素原子は、任意の元素または分子に結合され得る。 本明細書において用いられるように、デバイス上の「共形コーティング」という用語は、デバイスの外形に従った、または合致したコーティングを意味する。本明細書において用いられるように、「ｓｃｃｍ」という単位は、０℃かつ１気圧での毎分の立法センチメートルを意味する。本明細書において用いられるように、「基板」という用語は、デバイスの底部１１ｂおよび突出部１４（存在する場合）を含むが、保護コーティング１３を含まない。  化合物  シラン化合物は化学式Ｓｉ（Ｒ１）ｄ（Ｒ２）ｅ（Ｒ３）ｇを有し得、ホスホネート化合物は化学式（Ｒ１）ｉＰＯ（Ｒ４）ｊ（Ｒ５）ｋを有し得る。１．  ｄは１、２または３であり、ｅは１、２または３であり、ｇは０、１または２であり、かつ、ｄ＋ｅ＋ｇ＝４である。２．  ｉは１または２であり、ｊは１または２であり、ｋは０または１であり、かつ、ｉ＋ｊ＋ｋ＝３である。３．  各Ｒ１は、独立して疎水基であり得、したがって、当該化合物は撥水するのに用いられ得る。４．  Ｒ２は、シラン反応基であり、各シラン反応基は、‐Ｃｌ、‐ＯＲ６、‐ＯＣＯＲ６、−Ｎ（Ｒ６）２および‐ＯＨから独立して選択される。５．  Ｒ４は、ホスホネート反応基であり、各ホスホネート反応基は、‐Ｃｌ、‐ＯＲ６、‐ＯＣＯＲ６および‐ＯＨから独立して選択される。６．  各Ｒ３および各Ｒ５（存在する場合）は、独立して任意の化学元素または化学基である。７．  各Ｒ６は、独立してアルキル基、アリール基またはそれらの組み合わせである。これらの化合物のさらなる詳細は、以下に説明される。
【０００９】
これらの化合物（シランおよびホスホネート）は、腐食、水の張力および粉塵からデバイスを保護するのに用いられ得る。これらの化合物は、金属酸化物を保護するのに特に有用であり得、一般に、例えば酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムおよび酸化ハフニウムなどのほとんどの金属酸化物によく付着し得る。これらの化合物は、表面への水の接触時間を最小化することにより、ジルコニウムおよびハフニウムの腐食耐性を向上させ得る。これらの化合物は、時計、タブレット、携帯電話およびファブレットのサファイアおよび金属面に付着し得る。これらの化合物は、鉄製およびステンレス鋼製のデバイスにも付着し得る。
【００１０】
保護されるデバイスの基板が、これらの化合物が結合しない表面を含む場合、中間層（例えば、以下に説明される二酸化ケイ素共形コーティングの障壁層）が最初に基板１１上に堆積し得、次に、当該化合物が堆積し得る。
【００１１】
デバイス  図１〜６に示されるのは、基板１１上に位置するコーティング１３を各々が備えるデバイス１０、２０、３０、４０、５０および６０である。コーティング１３は、例えば以下に説明される疎水層、障壁層またはその両方などの１つの層または複数の層を含み得る。
【００１２】
コーティング１３は、単一の層（図２）または複数の異なる層（図１、３および４を参照のこと）を含み得る。コーティング１３は、近位コーティング１３ｐ、中位コーティング１３ｍおよび遠位コーティング１３ｄのうち少なくとも１つを含み得る。基板１１に十分な保護を提供すべく、および／またはコーティング１３の上層の基礎を提供すべく、これらの層１３ｐ、１３ｍおよび１３ｄの各々が十分に大きい厚さＴｐ、ＴｍおよびＴｄをそれぞれ有すること、またはコーティング１３の全ての層を合わせて十分に大きい厚さＴを有することが重要であり得る。したがって、近位コーティング１３ｐ、中位コーティング１３ｍおよび遠位コーティング１３ｄのうち１または複数は、厚さＴｐ、ＴｍまたはＴｄを有し得、または全ての層を合わせて、一態様において少なくとも０．１ナノメートル、別の態様において少なくとも０．５ナノメートル、別の態様において少なくとも１ナノメートルの厚さＴを有し得る。
【００１３】
（１）不要な化学関連費用を回避すべく、および／または（２）コーティング１３により引き起こされるデバイス性能の低下（例えば、コーティングが過剰に厚いと、光デバイスにおける光の透過に支障をきたし得る）を回避または最小化すべく、これらの層１３ｐ、１３ｍおよび１３ｄの各々が十分に小さい厚さＴｐ、ＴｍおよびＴｄをそれぞれ有すること、またはコーティング１３の全ての層を合わせて十分に小さな厚さＴを有することが重要であり得る。したがって、近位コーティング１３ｐ、中位コーティング１３ｍおよび遠位コーティング１３ｄのうち１または複数は、厚さＴｐ、ＴｍまたはＴｄを有し得、または全ての層を合わせて、一態様において２ナノメートル未満、別の態様において３ナノメートル未満、別の態様において５ナノメートル未満、別の態様において１０ナノメートル未満、別の態様において１５ナノメートル未満、または別の態様において２０ナノメートル未満の厚さＴを有し得る。
【００１４】
これらの厚さの値は、コーティング１３の任意の場所での最小の厚さもしくは最大の厚さであり得、または単にコーティング１３の特定の場所での厚さであり得る。コーティング１３の各層は、単一の層であり得る。
【００１５】
コーティング１３は、腐食および粉塵からの保護を提供し得、多くの種類の基板１１に対する吸着を最小化し得る。例えば、基板１１は、マイクロエレクトロメカニカル（ＭＥＭＳ）デバイスであり得る。水は、ＭＥＭＳデバイスを腐食させ得、またはコンポーネントを互いにくっつかせ得る。コーティング１３は、ＭＥＭＳデバイスの表面に水が残るのを回避すべく、疎水性であり得る。したがって、コーティング１３は、腐食および対吸着の保護を提供し得る。 
【００１６】
基板１１は、時計、タブレット、ファブレットまたは携帯電話であり得、コーティング１３は、これらのデバイスに腐食保護を提供し得る。基板１１は、例えばレンズ、光センサまたは偏光子などの光デバイス（電磁放射線を生成、操作または測定するデバイス）であり得る。コーティング１３は、疎水性であり得、光デバイスを腐食および粉塵から保護し得、かつ、水がコーティング１３から流れ落ちる時に自動的に取り除かれ得る。
【００１７】
基板１１は真空チャンバであり得、コーティング１３は、疎水性であり得、その壁への水汚染物質の吸着を防止または制限し得る。基板１１は車両またはエンジン部品などの機械デバイスであり得、コーティング１３は腐食保護を提供し得る。
【００１８】
基板１１は、電子部品または電子回路であり得る。コーティング１３は、電子部品または電子回路を腐食から保護し得、（そうでなければ短絡を引き起こし得る）水を電子回路の表面から流れ落ちさせ得る。
【００１９】
コーティング１３は、金属面を水に対して絶縁することにより、ガルバニック／ボルタ腐食に対して保護し得る。コーティングは、熱交換器、特に少なくとも１つの側に水を含む熱交換器を保護するのに用いられ得る。
【００２０】
図２〜６に示されるように、基板１１は、基板１１の底部１１ｂから外側に延在する複数の突出部１４を含み得る。突出部１４は、例えばリブまたは柱などの様々な形を有し得る。突出部１４間にはギャップＧが存在し得る。ギャップＧは、空気、真空またはいくつかの他の材料で充填され得る。コーティング１３は、共形コーティングであり得、したがって、突出部１４の表面および基板１１の全ての露出面（「露出面」は、基板１１の表面であって、突出部１４で覆われていないものを意味する）に合致し得、かつ、突出部１４の表面および基板１１の全ての露出面を覆いまたは実質的に被覆し得る。
【００２１】
突出部１４は、例えば、一態様において２００ナノメートル未満、または別の態様において１５０ナノメートル未満などの小さいピッチＰ（図２を参照のこと）を有し得る。突出部１４は、例えば、一態様において１５０ナノメートル未満、または別の態様において１００ナノメートル未満などの小さい幅Ｗ１４を有し得る。突出部１４は、例えば一態様において１０００ナノメートル未満、別の態様において５００ナノメートル未満、または別の態様において１００ナノメートル未満などの小さい厚さＴ１２を有し得る。
【００２２】
例えば、ワイヤグリッド偏光子は、リブ形状の突出部１４またはワイヤを有し得る。別の例として、光センサは、柱形状の突出部１４を有し得、または突出部１４の交差グリッドにより隔てられた穴のアレイを有し得る。そのような光センサの一使用例が、化合物の解析である。サンプル中で非常に低い濃度を有し得る化合物は、そのような穴の中でプラズモニック共振により検出され得る。そのような機器の適正な性能のために、突出部１４が小さい（例えば、ナノメートルサイズまたはマイクロメートルサイズで、したがって壊れやすい）ことが重要であり得る。また、これらの突出部１４に最適な材料は、腐食し易い材料（例えばアルミニウム）であり得る。コーティング１３は、突出部１４上の水の張力を低減することにより、および水の接触を最小化することにより、したがって腐食を最小化することにより、そのような機器に保護を提供し得る。
【００２３】
疎水層の説明  コーティング１３は、疎水層を含み得る。疎水層は、下記化学式を含み得るホスホネートコーティングを含み得る。
【化４】
2018512604.tif 000006
（式中、各Ｒ１は、独立して疎水基であり得、Ｚは、基板１１への結合であり得、かつ、Ｒ５は、任意の化学元素または化学基であり得る。）Ｒ５は、ホスホネート反応基、Ｒ１またはＲ６であり得る。ホスホネート反応基は、例えば‐Ｃｌ、‐ＯＲ６、‐ＯＣＯＲ６または‐ＯＨなど、リブ１２への追加の結合Ｚを形成するよう反応する可能性がある化学元素または化学基であり得る。各Ｒ６は、独立してアルキル基、アリール基またはそれらの組み合わせであり得る。
【００２４】
疎水層は、代替的にまたはさらに、下記化学式（１）、下記化学式（２）またはそれらの組み合わせを含み得るシランコーティングを含み得る。
【化５】
2018512604.tif 000007
【化６】
2018512604.tif 000008
（式中、ｒは、正の整数であり得、Ｘは、基板１１への結合でなり得、かつ、各Ｒ３は、独立して化学元素または基であり得る。）上述のように、各Ｒ１は、独立して疎水基であり得る。
【００２５】
各Ｒ３は、シラン反応基‐Ｈ、Ｒ１およびＲ６からなる群から独立して選択され得る。Ｒ６は上記で定義された。各シラン反応基は、‐Ｃｌ、‐ＯＲ６、‐ＯＣＯＲ６、‐Ｎ（Ｒ６）２および‐ＯＨからなる群から独立して選択され得る。
【００２６】
Ｒ３および／またはＲ５は、より容易な蒸着を可能にすべく、例えば‐ＯＣＨ３などの小さい基であり得る。蒸着の利点は、以下に説明される。
【００２７】
疎水層は、代替的にまたはさらに、下記化学式を含み得る硫酸コーティングを含み得る。
【化７】
2018512604.tif 000009
（式中、Ｔは、基板への結合であり得、かつ、上述のように各Ｒ１は、独立して疎水基であり得る。）
【００２８】
図５においてデバイス５０上に示されるように、基板は、異なる領域５１、５５および１１を含み得る。各突出部１４は、複数の領域５１および５５を含み得る。各領域５１、５５および１１は、異なる材料で作られ得る。異なる材料で作られたこれらの異なる領域５１、５５および１１を保護するのは困難であり得る。なぜなら、１つの材料によく付着する保護化合物は、別の材料にはよく付着しない可能性があるからである。シランコーティング、ホスホネートコーティングおよび硫酸コーティングの少なくとも２つは、デバイス５０に付着させられ得る。これらのコーティングの１つは１つの領域に優先的に付着し得、別のコーティングは別の領域に優先的に付着し得、したがって、両方に効果的な保護を提供する。
【００２９】
例えば、選択性吸収ワイヤグリッド偏光子において、突出部１４は、上部領域５１および下部領域５５を有するリブであり得る。下部領域５５は反射性であり得（例えば可視光用アルミニウム）、上部領域５１は吸収性であり得（例えば可視光用ケイ素）、基板１１の底部１１ｂは透過性であり得る（例えばガラス）。シランコーティングは、コーティング５３であり得、ケイ素製の上部領域５１に優先的に付着する。ホスホネートコーティングは、コーティング５４であり得、アルミニウム製の下部領域５５に優先的に付着する。
【００３０】
シラン化合物単体の代わりにホスホネート化合物およびシラン化合物を用いることにより、金銭を節約し得る。なぜなら、ホスホネート化合物は現在、シラン化合物より廉価だからである。したがって、シランをホスホネートと結合させることにより、高価であるシラン化合物の必要量が少なくなる。
【００３１】
例えば、基板１１の少なくとも１つの領域（例えば、領域５５および１１ｂ上のコーティング５４と比較したときの領域５１上のコーティング５３）は、一態様において少なくとも２倍多い、別の態様において少なくとも３倍多い、別の態様において少なくとも５倍多い、または別の態様において少なくとも１０倍多いなど、ホスホネートコーティングよりもはるかに多いシランコーティングを含み得る。基板１１の別の領域（例えば、領域５１上のコーティング５３と比較したときの領域５５および１１ｂ上のコーティング５４）は、一態様において少なくとも２倍多い、別の態様において少なくとも３倍多い、別の態様において少なくとも５倍多い、または別の態様において少なくとも１０倍多いなど、シランコーティングよりもはるかに多いホスホネートコーティングを含み得る。
【００３２】
Ｘ（シランコーティング内の基板１１への結合）は、‐Ｏ‐Ｓｉであり得る。例えば、シランコーティングが優先的に結合する基板１１の当該領域の材料は、ケイ素または二酸化ケイ素であり得る。Ｚ（ホスホネートコーティング内の基板１１への結合）は、‐Ｏ‐Ｍｅｔａｌであり得る。Ｍｅｔａｌは、金属原子である。例えば、Ｍｅｔａｌは、アルミニウムであり得る。
【００３３】
各々がリブ１２への複数の結合Ｔ、Ｚおよび／またはＸを有する分子を疎水層内の化合物が含む場合は、有益であり得る。各分子が複数の結合Ｘを形成することにより、下に存在する表面（例えば、リブ１２、近位コーティング１３ｐまたは中位コーティング１３ｍ）のより多くが、結合され得、したがって、例えば水などの望ましくない化合物との結合または相互作用が不可能になり得る。また、表面への複数の結合は、疎水層の弾力性を向上させ得る。なぜなら、複数の結合Ｚ／Ｘ／Ｔは、単一の結合Ｚ／Ｘ／Ｔが機能しなくなるよりも機能しなくなる可能性が低くなり得るからである。
【００３４】
したがって、Ｒ１は、下記化学式
【化８】
2018512604.tif 000010
（式中、Ａは、中心原子であり、Ｒ７は、上述の疎水基であり得、ｇは、１から３の整数であり得、かつ、Ｒ８は、部分（１）（下記化学式（１））、部分（２）（下記化学式（２））、部分（３）（下記化学式（３））またはそれらの組み合わせであり得る。）であり得る。
【化９】
2018512604.tif 000011
【化１０】
2018512604.tif 000012
【化１１】
2018512604.tif 000013
【００３５】
Ｒ３およびＲ５は上述された。中心原子Ａは、一態様において、周期表中の基ＩＩＩ族、ＩＶ族もしくはＶ族から選択され得、または別の態様において、炭素、窒素、リンおよびケイ素からなる群から選択され得る。
【００３６】
例えば、ｇ＝２、ホスホネートコーティングおよび部分（３）について、得られる化学式は、下記化学式であり得る。
【化１２】
2018512604.tif 000014
【００３７】
疎水層内の分子がリブ１２への複数の結合Ｚおよび／またはＸを形成する別の方法は、Ｒ５をＺに、および／またはＲ３をＸにすることである。これは、付着させられたホスホネート化合物内でＲ５がホスホネート反応基である場合、および／または付着させられたシラン化合物内でＲ３がシラン反応基である場合、実現され得る。
【００３８】
疎水基は、一態様において、炭素鎖であり得、もしくは炭素鎖を含み得、または別の態様において、炭素へ結合した少なくとも１個のハロゲンであり得、もしくは炭素に結合した少なくとも１個のハロゲンを含み得る。炭素鎖は、一態様において少なくとも１個の炭素原子または別の態様において少なくとも３個の炭素原子を含むパーフルオロ基を含み得る。パーフルオロ基は、別の態様において２０個未満の炭素原子、別の態様において３０個未満の炭素原子、または別の態様において４０個未満の炭素原子を含み得る。パーフルオロ基が少なくとも４個の炭素原子を有して疎水鎖を提供することは有益であり得る。十分に高い蒸気圧を維持して蒸着を可能にするべく、パーフルオロ基が過度に長くないことまたは過度に多くの炭素原子を有さないことは有益であり得る。
【００３９】
例えば、Ｒ１の炭素鎖は、ＣＦ３（ＣＦ２）ｎを含み得る。フッ素の電気陰性度が高いので、炭化水素鎖を有して、パーフルオロ基をリン、硫黄またはケイ素から隔てることは有益であり得る。したがって、Ｒ１の炭素鎖は、ＣＦ３（ＣＦ２）ｎ（ＣＨ２）ｍ（式中、ｎは、一態様において０≦ｎ≦２０または別の態様において４≦ｎ≦１０の範囲内の整数であり得、かつ、ｍは、一態様において０≦ｎ≦５または別の態様において２≦ｎ≦５の範囲内の整数であり得る。）を含み得る。
【００４０】
蒸着を可能にすべく、共形コーティング化合物のいくつかまたは全てが比較的少ない分子量を有することは重要であり得るが、炭素鎖が十分に長く、十分な疎水性を提供することも重要であり得る。したがって、ホスホネートコーティング（基板Ｚへの結合を除く）内の各分子、シランコーティング（基板Ｘへの結合を除く）内の各分子および／または硫酸コーティング（基板Ｔへの結合を除く）内の各分子は、一態様において１モル当たり少なくとも１００グラム、別の態様において１モル当たり少なくとも１５０グラム、別の態様において１モル当たり少なくとも４００グラム、かつ、一態様において１モル当たり６００グラム未満、別の態様において１モル当たり１０００グラム未満、または別の態様において１モル当たり１５００グラム未満の分子量を有し得る。
【００４１】
疎水層において、ケイ素（Ｓｉ）とＲ１との間、リン（Ｐ）とＲ１との間、および／または硫黄（Ｓ）とＲ１との間に強固な結合を有することは、Ｒ１基がＳｉ、ＰまたはＳから剥離するのを回避するために重要であり得る。したがって、ケイ素（Ｓｉ）とＲ１との間の結合はケイ素―炭素結合（Ｓｉ‐Ｃ））であり得、リン（Ｐ）Ｒ１との間の結合はリン―炭素結合（Ｐ‐Ｃ）であり得、および／または硫黄（Ｓ）とＲ１との間の結合は硫黄―炭素結合であり得る。
【００４２】
突出部１４上に位置する疎水層は、化合物、ならびにピッチＰおよび突出幅Ｗ１４などの突出部１４の構造に応じて、超疎水表面であり得る疎水表面を提供し得る（図２参照のこと）。図６に示されるように、デバイス６０および疎水層１３は、キャシー―バクスター状態において、突出部１４の表面上で水６１の維持が可能であり得る。キャシー―バクスター状態においてデバイス６０上に水を有することは有益であり得る。なぜなら、水６１は、実質的にギャップＧに入ったりギャップＧに残ったりせず、したがって、突出部１４の側面での腐食を回避または低減し、かつ、水の張力に起因する突出部１４の転倒を回避または低減するからである。また、水６１がキャシー―バクスター状態にある場合、水６１は、デバイス６０の表面からより容易に流れ落ち得、塵埃粒子を運んでいくことが多々ある。水の接触角Ａは、一態様において１１０°超、別の態様において１２０°超、別の態様において１３０°超、または１４０°超であり得る。
【００４３】
可溶性のデバイス材料  比較的高い水可溶性を有する材料をデバイス１０、２０、３０、４０、５０および６０に用いることは有益であり得る。例えば、ゲルマニウムはワイヤグリッド偏光子において有用な材料であるが、ゲルマニウムは可溶酸化物を有する（２５℃で約４．５ｇ／Ｌ）。この可溶性は、デバイス１０、２０、３０、４０、５０または６０の使用の間のみならず、製造の間も問題になり得る。例えば、アミノホスホネートなどの保護コーティングは、アミノホスホネートを水溶液に浸漬することにより、ワイヤグリッド偏光子に付着させられる（米国特許第６，７８５，０５０号明細書を参照のこと）。酸化ゲルマニウムは、アミノホスホネートの付着の間に溶解され得る。
【００４４】
ゲルマニウムまたは他の水溶性材料の部分的な溶解は、無水浸漬により、および／または蒸着によりコーティング１３を付着させることにより、回避され得る。例えば、リブ１２の外側の材料が、一態様において２５℃で１リットル当たり少なくとも０．０１５グラム、別の態様において２５℃で１リットル当たり少なくとも０．０２グラム、別の態様において２５℃で１リットル当たり少なくとも０．０５グラム、別の態様において２５℃で１リットル当たり少なくとも０．５グラム、別の態様におおいて２５℃で１リットル当たり少なくとも１グラム、別の態様において２５℃で１リットル当たり少なくとも２グラム、または別の態様において２５℃で１リットル当たり少なくとも４グラムの水溶性を有する場合、無水での方法は役立ち得る。
【００４５】
蒸着方法の非限定的な例は、化学的蒸着（ＣＶＤ）、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）、プラズマＣＶＤ、物理的蒸着（ＰＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、熱反応拡散、電子ビーム堆積、スパッタリングおよび加熱蒸着を含む。無水浸漬は、無水の溶液槽へのデバイスの浸水を含み得る。基板１１の材料を溶解させない溶剤が選択され得る。蒸着は、処理廃棄物処分問題がより少ないこと、健康上の危険がより少ないこと、すすぎでの望ましくない残留物がより少ない、または発生しないことが理由で、浸漬よりも好まれ得る。蒸着は、標準的な半導体処理機器で実行され得る。
【００４６】
以下で説明される酸化防止材および吸湿防止材は、ＡＬＤにより付着させられ得る。疎水層のいくつかの実施形態は、十分に高い蒸気圧を有し、蒸着により付着させられ得る。
【００４７】
酸化防止材および吸湿防止材  コーティング１３は、障壁層を含み得る。障壁層は、酸化防止材、吸湿防止材またはその両方を含み得る。障壁層は、金属酸化物、または異なる金属酸化物の層を含み得る。
【００４８】
例えばワイヤグリッド偏光子のアルミニウムの酸化など、酸化は、いくつかのデバイスにとって有害であり得る。酸化防止材は、デバイスの酸化を低減し得る。「酸化防止材」という用語は、第２の材料を酸化させ得る第２の材料への酸素の侵入を低減することが可能な第１の材料を意味する。酸化防止材として用いられ得る化合物の例は、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、炭化ケイ素またはそれらの組み合わせを含むが、これらに限定されない。
【００４９】
腐食は、デバイス性能を低下させ得る。例えば、ワイヤグリッド偏光子において、水は、当該偏光子に凝結し得、毛管作用に起因してリブ間の狭い溝に逃れる。水は次に、リブを腐食し得る。腐食された領域は、性能が低減している可能性があり、または完全に偏光しなくなり得る。吸湿防止材は、腐食に耐え得る。吸湿防止材は、デバイス１０、２０、３０、４０、５０または６０、特に、デバイス２０、３０、４０、５０または６０の突出部１４を水または他のものによる腐食から保護し得る。吸湿防止材として用いられ得る化合物の例は、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウムまたはそれらの組み合わせを含む。
【００５０】
障壁層は、レアアース酸化物、例えば、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジウム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウムおよびルテチウムの酸化物を含み得る。これらのレアアース酸化物は、酸化防止材、吸湿防止材またはその両方の少なくとも一部であり得る。
【００５１】
障壁層は、基板１１とは別個であり得る。これは、（１）基板１１と障壁層との間に境界線もしくは境界層が存在し得ること、または（２）基板１１の材料に対して障壁層の材料にいくつかの差異が存在し得ることを意味する。例えば、自然酸化アルミニウムは、アルミニウムの表面で形成され得る。酸化アルミニウム（酸化防止材）の層は次に、アルミニウムに（例えばＡＬＤにより）付着させられ得る。酸化アルミニウムのこの追加された層は、重要であり得る。なぜなら、自然酸化アルミニウムの厚さおよび／または密度は、アルミニウム（例えば、実質的に純粋なアルミニウム）の核を酸化から保護するには不十分であり得るからである。この例において、酸化防止材（Ａ２Ｏ３）は、デバイスの表面（Ａ２Ｏ３）と同じ材料組成を有するが、酸化防止材は、（１）酸化防止材とデバイスとの間の境界層、および／または（２）酸化防止材の密度が自然酸化アルミニウムに対してより高いことなど、材料特性の差異に起因して、依然として別個であり得る。
【００５２】
二酸化ケイ素共形コーティング  二酸化ケイ素共形コーティングは、シランコーティングと基板１１との間に位置し得る。二酸化ケイ素共形コーティングは、シランコーティングが基板１１へ結合するのを促進し得る。二酸化ケイ素共形コーティングは、近位コーティング１３ｐ、中位コーティング１３ｍ、または中位コーティング１３ｍと遠位コーティング１３ｄとの間に位置するコーティング１３の追加の層であり得る。
【００５３】
複数の共形コーティング  酸化防止材は、腐食に耐える効果がより低い可能性がある。吸湿防止材および／または疎水層は、酸化に耐える効果がより低い可能性がある。したがって、酸化防止材を吸湿防止材および／または疎水層の両方と結合させることは有益であり得る。
【００５４】
吸湿防止材は、腐食に耐え得るが、結果的に分解し得る。したがって、吸湿防止材の浸水を最小化することは有益であり得る。疎水層は、デバイス上で凝結した水による吸湿防止材の腐食を最小化または防止し得、したがって、吸湿防止材およびデバイスの寿命を延ばし得る。疎水層が基板１１を完全に覆っており、決して分解されない場合には、吸湿防止材は、必要でない可能性がある。しかしながら、製造の欠陥に起因して、疎水層により覆われていない、またはより低い密閉性で覆われている場所が基板１１上に存在し得る。吸湿防止材は、これらの場所の保護を提供し得る。また、疎水層は、時が経つにつれて分解され得る。吸湿防止材は、そのような分解の後に保護を提供し得る。したがって、吸湿防止材および疎水層の両方を結合することは有益であり得る。
【００５５】
疎水層がキャシー―バクスター状態において突出部１４上に水を保持している場合には（図６を参照のこと）、そうしないとギャップＧ内の水の張力により引き起こされ得る突出部１４の損傷は、回避され得る。また、水は、デバイス６０の表面から流れ落ち得、自己洗浄方式で塵埃粒子を運んでいくことが多々ある。これらは、酸化防止材または吸湿防止材によっては提供されない可能性がある、疎水層のさらなる利点である。
【００５６】
したがって、デバイス保護および／またはコーティング１３の上層の接着性を向上させるためには、コーティング１３が酸化防止材、吸湿防止材、二酸化ケイ素共形コーティングおよび疎水層の少なくとも２つを含み得る複数の層を有することが有益であり得る。しかしながら、このさらなる保護は、無償ではない。コーティング１３における各々の追加の層は、特にコーティング１３の複数の層に付着させるのに複数の器具が必要な場合、デバイスのコストを増加させ得る。したがって、共形コーティング１３における層の数の決定は、必要な保護に対するコストを評価することにより実行され得る。
【００５７】
図２におけるデバイス２０は、１つの層（遠位コーティング１３ｄ）を有するコーティング１３を含む。遠位コーティング１３ｄは、酸化防止材、吸湿防止材または疎水層であり得る。
【００５８】
図３におけるデバイス３０は、２つの層（突出部１４および基板１１により近く位置する近位コーティング１３ｐならびに近位コーティング１３ｐの上に位置する遠位コーティング１３ｄ）を有するコーティング１３を含む。近位コーティング１３ｐおよび遠位コーティング１３ｄは、酸化防止材、吸湿防止材および／または疎水層を備え得る。
【００５９】
図１および４におけるデバイス１０および４０はそれぞれ、３つの層（近位コーティング１３ｐ、遠位コーティング１３ｄ、および近位コーティング１３ｐと遠位コーティング１３ｄとの間に位置する中位コーティング１３ｍ）を有するコーティング１３を含む。近位コーティング１３ｐ、中位コーティング１３ｍおよび遠位コーティング１３ｄは、酸化防止材、吸湿防止材および／または疎水層を備え得る。各図には示されないが、コーティング１３には、３より多い数の層が存在し得る。
【００６０】
共形コーティングの層の順序  酸化防止材の上に吸湿防止材を用いることは有益であり得る（すなわち、酸化防止材が近接、吸湿防止材が遠位または中位）。したがって、吸湿防止材は、酸化防止材に腐食保護を提供し得る。酸化防止材は、吸湿防止材の堆積のための良好な基板を提供し得る。これにより、吸湿防止材の浸透性が低下する。したがって、同じ対水分保護が、比較的より細い吸湿防止材により実現され得る。吸湿防止材はデバイス性能を低下させ得るので、これは重要であり得る。しかしながら、そのような低下は、吸湿防止材の厚さが低減することにより最小化され得る。さらに、吸湿防止材は、疎水層の取り付けのための改良された表面（用いられる場合）を提供し得る。
【００６１】
水分がギャップＧに最も入らないようにすべく、かつ、コーティング１３（例えば、遠位コーティング１３ｐ、また場合によっては中位コーティング１３ｍ）内の下にある層の浸水を最小化または排除すべく、疎水層が障壁層の上に位置することは有益であり得る（すなわち、疎水層は、近位コーティング１３ｄであり得る）。
【００６２】
方法  保護化合物をデバイスに付着させる方法は、以下のステップのいくつかまたは全てを含み得る。ステップは、示される順序または代わりの順序で実行され得る。１．  上述のように、基板１１を含み得るデバイス１０、２０、３０、４０、５０または６０を実現する。２．  デバイスを紫外光および／またはオゾンにさらす。ａ．  このステップは、以下のもの、つまり、近接共形コーティング１３ｐ、中位共形コーティング１３ｍおよび遠位共形コーティング１３ｄの１または複数を付着させる前に実行され得る。ｂ．  デバイスを紫外光およびオゾンにさらすことは、連続して、または同時に実行され得る。ｃ．  このステップの持続時間は、一態様において２分未満、または別の態様において２０分未満であり得る。３．  近位コーティング１３ｐを付着させる。図１〜４を参照のこと。４．  中位コーティング１３ｍを付着させる。図１および４を参照のこと。５．  デバイスをプラズマ洗浄する。ａ．  プラズマ洗浄は、表面（すなわち、基板１１、近位コーティング１３ｐまたは中位コーティング１３ｍ）上により多くの反応基を発生させ得、したがって、遠位コーティング１３ｄの結合を向上させ得る。ｂ．  プラズマの例は、Ｏ２、Ｈ２、ＡｒおよびＮ２を含む。ｃ．  プラズマ洗浄は、例えば１４０℃から２００℃などの様々な温度で実行され得る。ｄ．  デバイスの洗浄に用いられるプラズマ１個は、温度１６０℃、電力４００Ｗ、５分間でＯ２（流量１５ｓｃｃｍ）およびＨ２（流量１０ｓｃｃｍ）を含んでいた。６．  デバイス１０、２０、３０、４０、５０または６０を気体にさらす。ａ．  気体は、水蒸気を含み得る。水蒸気は、１００トール（Ｔｏｒｒ）未満の圧力を有し得る。ｂ．  このステップにより、下に存在する表面（例えば、基板１１、近位コーティング１３ｐまたは中位コーティング１３ｍ）上の水酸基の数が増加し得る。これにより、疎水層のホスホネートおよび／またはシランの結合が向上し得る。ｃ．  腐食を回避すべく、このステップの持続時間、圧力および温度は、リブの構造および下に存在する表面の性質に応じて慎重に限定される必要があり得る。７．  遠位コーティング１３ｄを付着させる。８．  デバイスを焼成する。焼成は、疎水層の結合を向上させ得る。ａ．  焼成温度の例  デバイスは、一態様において１００℃超、別の態様において１３０℃超、または別の態様において１５０℃超、かつ、一態様において３００℃未満、別の態様において３２０℃未満または別の態様において４００℃未満で焼成され得る。ｂ．  焼成時間の例  デバイスは、少なくとも５分、別の態様において少なくとも１０分、かつ、一態様において６０分未満または別の態様において９０分未満焼成され得る。ｃ．  １５０℃で１５分間の焼成が成功した。
【００６３】
共形コーティングの１つ、２つまたは全ての層（近位コーティング１３ｐ、中位コーティング１３ｍおよび／または遠位コーティング１３ｄ）は、以下の特性の１または複数を有し得る。１．  下にある層（例えば、リブ１２の露出面、近位コーティング１３ｐまたは中位コーティング１３ｐ）を覆い得る。２．  原子層堆積、蒸着または他の無水堆積方法により付着させられ得る。３．  例えば、一態様において最低でも３００℃、別の態様において最低でも３５０℃、別の態様において最低でも４００℃、かつ、一態様において５００℃未満または別の態様において６００℃未満などの高温で付着させられ得る。４．  金属酸化物を含み得る。５．  酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、レアアース酸化物またはそれらの組み合わせを含み得る。６．  デバイスをシラン化合物Ｓｉ（Ｒ１）ｄ（Ｒ２）ｅ（Ｒ３）ｇ、ホスホネート化合物（Ｒ１）ｉＰＯ（Ｒ４）ｊ（Ｒ５）ｋまたはその両方さらすことにより付着させられ得る。ａ．  ｄが１、２または３、ｅが１、２または３、ｇが０、１または２、かつ、ｄ＋ｅ＋ｇ＝４である。ｂ．  ｉが１または２、ｊが１または２、ｋが０または１、かつ、ｉ＋ｊ＋ｋ＝３である。ｃ．  各Ｒ１が独立して疎水基である。ｄ．  Ｒ２がシラン反応基であり、各シラン反応基が‐Ｃｌ、‐ＯＲ６、‐ＯＣＯＲ６、‐Ｎ（Ｒ６）２および‐ＯＨから独立して選択され得る。ｅ．  Ｒ４がホスホネート反応基であり、各ホスホネート反応基が‐Ｃｌ、‐ＯＲ６、‐ＯＣＯＲ６および‐ＯＨから独立して選択され得る。ｆ．  各Ｒ３および各Ｒ５（存在する場合）が独立して任意の好適な化学元素または化学基である。ｇ．  各Ｒ６が独立して任意のアルキル基、アリール基またはそれらの組み合わせである。
【００６４】
シラン化合物およびホスホネート化合物の、特に疎水基、ホスホネート反応基、シラン反応基、Ｒ６、Ｒ３、Ｒ５および分子量に関するさらなる詳細は、上述されている。シラン化合物およびホスホネート化合物は、連続して、または同時に付着させられ得る。
【図１】
2018512604.tif 000021
【図２】
2018512604.tif 000022
【図３】
2018512604.tif 000023
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【手続補正書】
【提出日】平成29年10月6日(2017.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスに保護化合物を付着させる方法であって、前記デバイスにホスホネート化合物を蒸着により付着させる工程を備え、
前記ホスホネート化合物は、下記化学式
（Ｒ１）ｉＰＯ（Ｒ４）ｊ（Ｒ５）ｋ
（式中、
各Ｒ１は、独立して疎水基であり、
ｉは１または２であり、ｊは１または２であり、ｋは０または１であり、かつ、ｉ＋ｊ＋ｋ＝３であり、
Ｒ４は、‐ＯＲ６であり、
Ｒ６は、アルキル基、アリール基またはそれらの組み合わせであり、かつ
各Ｒ５（存在する場合）は、独立して任意の化学元素または化学基である。）
を含む、方法。
【請求項２】
前記ホスホネート化合物を付着させる前に、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化ハフニウムおよび酸化ジルコニウムのうち少なくとも１つを含む障壁層を前記デバイスに蒸着により付着させる工程をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ホスホネート化合物は、１モル当たり４００グラムから６００グラムの分子量を有する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記疎水基は、下記化学式
ＣＦ３（ＣＦ２）ｎ（ＣＨ２）ｍ
（式中、ｎおよびｍは、４≦ｎ≦１０かつ２≦ｍ≦５の範囲内の整数である。）
を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
ｋは０である、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
デバイスに保護化合物を付着させる方法であって、１モル当たり４００グラムから６００グラムの分子量を有するホスホネート化合物を前記デバイスに蒸着により付着させる工程を備え、
前記ホスホネート化合物は、下記化学式
（Ｒ１）ｉＰＯ（Ｒ４）ｊ（Ｒ５）ｋ
（式中、
各Ｒ１は、独立して疎水基であり、
ｉは１または２、ｊは１または２、ｋは０または１、かつ、ｉ＋ｊ＋ｋ＝３であり、
Ｒ４は、ホスホネート反応基であり、
各ホスホネート反応基は、独立して‐Ｃｌ、‐ＯＲ６、‐ＯＣＯＲ６または‐ＯＨであり、
各Ｒ６は、独立してアルキル基、アリール基またはそれらの組み合わせであり、かつ
各Ｒ５（存在する場合）は、独立して任意の化学元素または化学基である。）
を含む、方法。
【請求項７】
前記デバイスにシラン化合物を蒸着により付着させる工程をさらに備え、
前記シラン化合物は、下記化学式
Ｓｉ（Ｒ１）ｄ（Ｒ２）ｅ（Ｒ３）ｇ
（式中、
ｄは１、２または３であり、ｅは１、２または３であり、ｇは０、１または２であり、かつ、ｄ＋ｅ＋ｇ＝４であり、
Ｒ２は、シラン反応基であり、
各シラン反応基は、独立して‐Ｃｌ、‐ＯＲ６、‐ＯＣＯＲ６、‐Ｎ（Ｒ６）２または‐ＯＨであり、かつ
各Ｒ３（存在する場合）は、独立してシラン反応基‐Ｈ、Ｒ１、Ｒ６である。）
を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記デバイスは、基板から外側に延在する複数の突出部および前記複数の突出部間の複数のギャップを含み、
前記シラン化合物および前記ホスホネート化合物は、前記デバイス上に共形コーティングを形成し、
前記基板は、異なる材料で作られた異なる領域を含み、
前記基板の１つの領域は、ホスホネート化合物より少なくとも３倍のシラン化合物を含み、前記基板の別の領域は、シラン化合物より少なくとも３倍のホスホネート化合物を含む、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
デバイスに保護化合物を付着させる方法であって、前記デバイスにホスホネート化合物を蒸着により付着させる工程を備え、
前記ホスホネート化合物は、下記化学式
（Ｒ１）ｉＰＯ（Ｒ４）ｊ（Ｒ５）ｋ
［式中、
各Ｒ１は独立して、下記化学式
ＣＦ３（ＣＦ２）ｎ（ＣＨ２）ｍ
（式中、ｎおよびｍは、４≦ｎ≦１０かつ２≦ｍ≦５の範囲内の整数である。）を含む疎水基であり、
ｉは１または２、ｊは１または２、ｋは０または１、かつ、ｉ＋ｊ＋ｋ＝３であり、
Ｒ４は、ホスホネート反応基であり、
各ホスホネート反応基は、独立して‐Ｃｌ、‐ＯＲ６、‐ＯＣＯＲ６または‐ＯＨであり、
各Ｒ６は、独立してアルキル基、アリール基またはそれらの組み合わせであり、かつ
各Ｒ５（存在する場合）は、独立して任意の化学元素または化学基である。］
を含む、方法。
【請求項１０】
前記ホスホネート化合物を付着させる前に、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、炭化ケイ素またはそれらの組み合わせを含む酸化防止材を前記デバイスに蒸着により付着させる工程と、
前記ホスホネート化合物を付着させる前に、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウムまたはそれらの組み合わせを含む吸湿防止材を前記酸化防止材上に蒸着により付着させる工程と
をさらに備える、請求項９に記載の方法。
【国際調査報告】
2018512604.tif 000027
2018512604.tif 000028
2018512604.tif 000029