(57)【要約】光電子デバイスは、（１）基板と、（２）基板の第１の領域を被覆する核形成阻害コーティングと、（３）第１の部分および第２の部分を含む伝導性コーティングとを含む。伝導性コーティングの第１の部分は、基板の第２の領域を被覆し、伝導性コーティングの第２の部分は、核形成阻害コーティングと部分的に重複し、伝導性コーティングの第２の部分は、間隙によって核形成阻害コーティングから離間される。本願はまた、表面上に導電性材料を堆積させるための方法を提供し、この方法は、デバイスの導電性構造を形成するための表面上の導電性材料を選択的堆積し得る。
2018533183.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の第１の領域を被覆する、核形成阻害コーティングと、
第１の部分および第２の部分を含む、伝導性コーティングであって、前記伝導性コーティングの第１の部分は、前記基板の第２の領域を被覆し、前記伝導性コーティングの第２の部分は、前記核形成阻害コーティングと部分的に重複する、伝導性コーティングと、
を備え、前記伝導性コーティングの第２の部分は、間隙によって前記核形成阻害コーティングから離間される、
光電子デバイス。
【請求項２】
前記伝導性コーティングの第２の部分は、前記核形成阻害コーティングの重複部分の上を延在し、前記間隙によって前記核形成阻害コーティングの重複部分から離間される、請求項１に記載の光電子デバイス。
【請求項３】
前記核形成阻害コーティングの別の部分は、前記伝導性コーティングから露出される、請求項２に記載の光電子デバイス。
【請求項４】
前記伝導性コーティングはさらに、前記核形成阻害コーティングと接触する第３の部分を含み、前記伝導性コーティングの第３の部分の厚さは、前記伝導性コーティングの第１の部分の厚さの５％以内である、請求項１に記載の光電子デバイス。
【請求項５】
前記伝導性コーティングの第２の部分は、前記伝導性コーティングの第３の部分の上を延在し、前記伝導性コーティングの第３の部分から離間される、請求項４に記載の光電子デバイス。
【請求項６】
前記伝導性コーティングはさらに、前記伝導性コーティングの第１の部分と前記伝導性コーティングの第２の部分との間に配置される第３の部分を含み、前記伝導性コーティングの第３の部分は、前記核形成阻害コーティングと接触する、請求項１に記載の光電子デバイス。
【請求項７】
前記伝導性コーティングはさらに、前記核形成阻害コーティングと接触する第３の部分を含み、前記伝導性コーティングの第３の部分は、前記核形成阻害コーティングの表面上に断絶したクラスタを含む、請求項１に記載の光電子デバイス。
【請求項８】
前記伝導性コーティングは、マグネシウムを含む、請求項１に記載の光電子デバイス。
【請求項９】
前記核形成阻害コーティングは、０．０２以内の前記伝導性コーティングの材料の初期付着確率を有するものとして特徴付けられる、請求項１に記載の光電子デバイス。
【請求項１０】
前記核形成阻害コーティングは、核部分と、前記核部分に結合された末端部分とをそれぞれ含む、有機分子を含み、前記末端部分は、ビフェニリル部分、フェニル部分、フルオレン部分、またはフェニレン部分を含む、請求項１に記載の光電子デバイス。
【請求項１１】
前記核部分は、複素環部分を含む、請求項１０に記載の光電子デバイス。
【請求項１２】
前記核形成阻害コーティングは、核部分と、前記核部分に結合された複数の末端部分とをそれぞれ含む、有機分子を含み、前記複数の末端部分のうちの第１の末端部分は、ビフェニリル部分、フェニル部分、フルオレン部分、またはフェニレン部分を含み、前記複数の末端部分のうちの各残りの末端部分は、前記第１の末端部分の分子量の２倍以内である分子量を有する、請求項１に記載の光電子デバイス。
【請求項１３】
前記伝導性コーティングの第１の部分と前記基板の第２の領域との間に配置される核形成助長コーティングをさらに備える、請求項１に記載の光電子デバイス。
【請求項１４】
前記核形成助長コーティングは、フラーレンを含む、請求項１３に記載の光電子デバイス。
【請求項１５】
前記基板は、バックプレーンと、前記バックプレーン上に配置されるフロントプレーンとを含む、請求項１に記載の光電子デバイス。
【請求項１６】
前記バックプレーンは、トランジスタを含み、前記フロントプレーンは、前記トランジスタに電気的に接続される電極と、前記電極上に配置される少なくとも１つの有機層とを含む、請求項１５に記載の光電子デバイス。
【請求項１７】
前記電極は、第１の電極であり、前記フロントプレーンはさらに、前記有機層上に配置される第２の電極を含む、請求項１６に記載の光電子デバイス。
【請求項１８】
第１の領域および第２の領域を含む、基板と、
第１の部分および第２の部分を含む、伝導性コーティングであって、前記伝導性コーティングの第１の部分は、前記基板の第２の領域を被覆し、前記伝導性コーティングの第２の部分は、前記基板の第１の領域の一部と重複する、伝導性コーティングと、
を備え、前記伝導性コーティングの第２の部分は、間隙によって前記基板の第１の領域から離間される、
光電子デバイス。
【請求項１９】
前記伝導性コーティングの第２の部分は、前記基板の第１の領域の上を延在し、前記間隙によって前記基板の第１の領域から離間される、請求項１８に記載の光電子デバイス。
【請求項２０】
前記基板の第１の領域の別の部分は、前記伝導性コーティングから露出される、請求項１８に記載の光電子デバイス。
【請求項２１】
前記伝導性コーティングの第１の部分の厚さに対する前記伝導性コーティングの第２の部分の幅の比は、１：１〜１：３の範囲内である、請求項１８に記載の光電子デバイス。
【請求項２２】
前記伝導性コーティングの第１の部分の厚さは、５００ｎｍまたはそれを上回る、請求項１８に記載の光電子デバイス。
【請求項２３】
前記伝導性コーティングは、マグネシウムを含む、請求項１８に記載の光電子デバイス。
【請求項２４】
前記伝導性コーティングの第１の部分と前記基板の第２の領域との間に配置される核形成助長コーティングをさらに備える、請求項１８に記載の光電子デバイス。
【請求項２５】
前記核形成助長コーティングは、フラーレンを含む、請求項２４に記載の光電子デバイス。
【請求項２６】
基板と、
前記基板の第１の領域を被覆する、核形成阻害コーティングと、
側方に隣接する、前記基板の第２の領域を被覆する、伝導性コーティングと、
を備え、前記伝導性コーティングは、導電性材料を含み、前記核形成阻害コーティングは、０．０２以内の前記導電性材料の初期付着確率を有するものとして特徴付けられる、光電子デバイス。
【請求項２７】
前記導電性材料の前記初期付着確率は、０．０１以内である、請求項２６に記載の光電子デバイス。
【請求項２８】
前記核形成阻害コーティングは、多環式芳香族化合物を含む、請求項２６に記載の光電子デバイス。
【請求項２９】
前記核形成阻害コーティングは、核部分と、前記核部分に結合された末端部分とを含む、有機化合物を含み、前記末端部分は、ビフェニリル部分、フェニル部分、フルオレン部分、またはフェニレン部分を含む、請求項２６に記載の光電子デバイス。
【請求項３０】
前記核部分は、複素環部分を含む、請求項２９に記載の光電子デバイス。
【請求項３１】
前記核形成阻害コーティングは、核部分と、前記核部分に結合された複数の末端部分とを含む、有機化合物を含み、前記複数の末端部分のうちの第１の末端部分は、ビフェニリル部分、フェニル部分、フルオレン部分、またはフェニレン部分を含み、前記複数の末端部分のうちの各残りの末端部分は、前記第１の末端部分の分子量の２倍以内である分子量を有する、請求項２６に記載の光電子デバイス。
【請求項３２】
前記伝導性コーティングは、第１の部分と、第２の部分とを含み、前記伝導性コーティングの第１の部分は、前記基板の第２の領域を被覆し、前記伝導性コーティングの第２の部分は、前記核形成阻害コーティングと部分的に重複し、間隙によって前記核形成阻害コーティングから離間される、請求項２６に記載の光電子デバイス。
【請求項３３】
前記導電性材料は、マグネシウムを含む、請求項２６に記載の光電子デバイス。
【請求項３４】
前記光電子デバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスである、請求項１、１８、または２６に記載の光電子デバイス。
【請求項３５】
前記ＯＬＥＤデバイスは、アクティブマトリクスＯＬＥＤデバイス、パッシブマトリクスＯＬＥＤデバイス、またはＯＬＥＤ照明パネルである、請求項３４に記載の光電子デバイス。
【請求項３６】
前記ＯＬＥＤデバイスは、上面発光ＯＬＥＤデバイス、底面発光ＯＬＥＤデバイス、または両面発光ＯＬＥＤデバイスである、請求項３４に記載の光電子デバイス。
【請求項３７】
前記ＯＬＥＤデバイスは、それを通して光を透過させるように構成される光透過性部分を含む、請求項３４に記載の光電子デバイス。
【請求項３８】
前記伝導性コーティングは、前記ＯＬＥＤデバイスの電極である、請求項３４に記載の光電子デバイス。
【請求項３９】
前記伝導性コーティングは、前記ＯＬＥＤデバイスのカソードである、請求項３８に記載の光電子デバイス。
【請求項４０】
前記基板は、アノードと、前記アノードと前記カソードとの間に配置される１つまたはそれを上回る有機層とを含む、請求項３９に記載の光電子デバイス。
【請求項４１】
前記１つまたはそれを上回る有機層は、エレクトロルミネセント層と、正孔注入層、正孔輸送層、正孔遮断層、電子注入層、電子輸送層、および電子遮断層から成る群から選択される、１つまたはそれを上回る層とを含む、請求項４０に記載の光電子デバイス。
【請求項４２】
前記基板はさらに、前記アノードに電気的に接続される薄膜トランジスタを含む、請求項４０に記載の光電子デバイス。
【請求項４３】
前記伝導性コーティングは、前記ＯＬＥＤデバイスの補助電極である、請求項３４に記載の光電子デバイス。
【請求項４４】
前記基板は、アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間に配置される１つまたはそれを上回る有機層とを含み、前記カソードは、前記補助電極に電気的に接続される、請求項４３に記載の光電子デバイス。
【請求項４５】
前記１つまたはそれを上回る有機層は、エレクトロルミネセント層と、正孔注入層、正孔輸送層、正孔遮断層、電子注入層、電子輸送層、および電子遮断層から成る群から選択される、１つまたはそれを上回る層とを含む、請求項４４に記載の光電子デバイス。
【請求項４６】
前記基板はさらに、前記アノードに電気的に接続される薄膜トランジスタを含む、請求項４５に記載の光電子デバイス。
【請求項４７】
前記末端部分は、ビフェニリル部分を含み、前記ビフェニリル部分は、ジュウテロ、フルオロ、アルキル、シクロアルキル、アリールアルキル、シリル、アリール、ヘテロアリール、およびフルオロアルキルから成る群から独立して選択される、１つまたはそれを上回る置換基によって置換される、請求項１０または４９に記載の光電子デバイス。
【請求項４８】
前記末端部分は、フェニル部分を含み、前記フェニル部分は、ジュウテロ、フルオロ、アルキル、シクロアルキル、シリル、およびフルオロアルキルから成る群から独立して選択される、１つまたはそれを上回る置換基によって置換される、請求項１０または２９に記載の光電子デバイス。
【請求項４９】
前記末端部分は、フルオレン部分またはフェニレン部分を含む、請求項１０または２９に記載の光電子デバイス。
【請求項５０】
前記核形成阻害コーティングは、ポリマーを含む、請求項１または２６に記載の光電子デバイス。
【請求項５１】
前記ポリマーは、フルオロポリマー、ポリビニリビフェニル、およびポリビニルカルバゾールから成る群から選択される、請求項５０に記載の光電子デバイス。
【請求項５２】
光電子デバイスの製造方法であって、
（１）基板および前記基板の第１の領域を被覆する核形成阻害コーティングを提供するステップと、
（２）前記基板の第２の領域を被覆する伝導性コーティングを堆積させるステップであって、前記伝導性コーティングは、マグネシウムを含み、前記核形成阻害コーティングは、０．０２以内のマグネシウムの初期付着確率を有するものとして特徴付けられる、ステップと、
を含む、方法。
【請求項５３】
前記伝導性コーティングを堆積させるステップは、前記核形成阻害コーティングの少なくとも一部が前記伝導性コーティングから露出されたままである間に、前記核形成阻害コーティングおよび前記基板の第２の領域の両方を処理し、前記基板の第２の領域上に前記伝導性コーティングを堆積させるステップを含む、請求項５２に記載の製造方法。
【請求項５４】
前記伝導性コーティングを堆積させるステップは、前記核形成阻害コーティングの少なくとも一部が前記伝導性コーティングから露出されたままである間に、前記核形成阻害コーティングおよび前記基板の第２の領域の両方を蒸発したマグネシウムに暴露し、前記基板の第２の領域上に前記伝導性コーティングを堆積させるステップを含む、請求項５２に記載の製造方法。
【請求項５５】
前記伝導性コーティングを堆積させるステップは、開放マスクを使用して、またはマスクを伴わずに行われる、請求項５２に記載の製造方法。
【請求項５６】
前記基板の第２の領域上のマグネシウムの堆積速度は、前記核形成阻害コーティング上のマグネシウムの堆積速度よりも少なくとも８０倍大きい、請求項５２に記載の製造方法。
【請求項５７】
マグネシウムの前記初期付着確率は、０．０１以内である、請求項５２に記載の製造方法。
【請求項５８】
前記核形成阻害コーティングは、多環式芳香族化合物を含む、請求項５２に記載の製造方法。
【請求項５９】
前記核形成阻害コーティングは、核部分と、前記核部分に結合された複数の末端部分とをそれぞれ含む、有機分子を含み、前記複数の末端部分の第１の末端部分は、ビフェニリル部分、フェニル部分、フルオレン部分、またはフェニレン部分を含み、前記複数の末端部分のうちの各残りの末端部分は、前記第１の末端部分の分子量の２倍以内である分子量を有する、請求項５２に記載の製造方法。
【請求項６０】
前記基板を提供するステップは、前記伝導性コーティングを堆積させるステップに先立って、前記基板の第２の領域を被覆する核形成助長コーティングを堆積させるステップを含む、請求項５２に記載の製造方法。
【請求項６１】
前記核形成助長コーティングは、フラーレンを含む、請求項６０に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
本出願は、２０１５年１０月２６日に出願された米国仮出願番号第６２／２４６，５９７号、２０１６年１月１３日に出願された米国仮出願番号第６２／２７７，９８９号、２０１６年８月１１日に出願された米国仮出願番号第６２／３７３，９２７号、および２０１６年８月１９日に出願された米国仮出願番号第６２／３７７，４２９号に基づく優先権の利益を主張しており、それらの内容は、それら全体が本明細書中に参考として援用される。
【０００２】
技術分野
以下は、概して、表面上に導電性材料を堆積させるための方法に関する。具体的には、本方法は、デバイスの導電性構造を形成するための表面上の導電性材料の選択的堆積に関する。
【背景技術】
【０００３】
背景
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、典型的には、有機層のうちの少なくとも１つがエレクトロルミネセント層である、伝導性薄膜電極の間に間置される有機材料のうちのいくつかの層を含む。電圧が電極に印加されるとき、正孔および電子が、それぞれ、アノードならびにカソードから注入される。電極によって注入される正孔および電子は、エレクトロルミネセント層に到達するように有機層を通って移動する。正孔および電子が近接近しているとき、それらは、クーロン力に起因して相互に引き付けられる。正孔および電子は、次いで、励起子と称される束縛状態を形成するように合体してもよい。励起子は、光子が放出される、放射再結合プロセスを通して減衰してもよい。代替として、励起子は、光子が放出されない、非放射再結合プロセスを通して減衰してもよい。本明細書で使用されるように、内部量子効率（ＩＱＥ）は、放射再結合プロセスを通して減衰する、デバイスの中で生成される全ての電子・正孔対の割合であると理解されるであろうことに留意されたい。
【０００４】
放射再結合プロセスは、電子・正孔対（すなわち、励起子）のスピン状態に応じて、蛍光または燐光プロセスとして起こり得る。具体的には、電子・正孔対によって形成される励起子は、一重項または三重項スピン状態を有するものとして特徴付けられてもよい。概して、一重項励起子の放射減衰が、蛍光をもたらす一方で、三重項励起子の放射減衰は、燐光をもたらす。
【０００５】
ごく最近では、熱的活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を含む、ＯＬＥＤ用の他の発光機構が提案および調査されている。簡潔には、ＴＡＤＦ発光は、熱エネルギーを用いた逆システム間交差プロセスを介した、一重項励起子への三重項励起子の変換を通して起こり、その後に、一重項励起子の放射減衰が続く。
【０００６】
ＯＬＥＤデバイスの外部量子効率（ＥＱＥ）は、デバイスによって放射されるいくつかの光子に対する、ＯＬＥＤデバイスに提供される電荷担体の比を指し得る。例えば、１００％のＥＱＥは、１つの光子がデバイスに注入される電子毎に放射されることを示す。理解され得るように、デバイスのＥＱＥは、概して、デバイスのＩＱＥよりも実質的に低い。ＥＱＥとＩＱＥとの間の差は、概して、デバイスの種々の構成要素によって引き起こされる光の吸収および反射等のいくつかの要因に起因し得る。
【０００７】
ＯＬＥＤデバイスは、典型的には、光がデバイスから放射される相対方向に応じて、「底面発光」または「上面発光」デバイスのいずれかであるものとして分類されることができる。底面発光デバイスでは、放射再結合プロセスの結果として生成される光が、デバイスのベース基板に向かった方向に放射される一方で、上面発光デバイスでは、光は、ベース基板から離れた方向に放射される。故に、ベース基板の近位にある電極が、概して、底面発光デバイスでは光透過性（例えば、実質的に透明または半透明）であるように作製される一方で、上面発光デバイスでは、ベース基板の遠位にある電極は、概して、光の減衰を低減させるために光透過性であるように作製される。具体的デバイス構造に応じて、アノードまたはカソードのいずれかは、上面発光および底面発光デバイスの中で透過型電極として作用してもよい。
【０００８】
ＯＬＥＤデバイスはまた、ベース基板に対して両方向に光を放射するように構成される、両面発光デバイスであってもよい。例えば、両面発光デバイスは、各ピクセルからの光が両方向に放射されるように、透過型アノードと、透過型カソードとを含んでもよい。別の実施例では、両面発光ディスプレイデバイスは、各ピクセルからの単一の電極が透過型であるように、一方の方向に光を放射するように構成されるピクセルの第１のセットと、他方の方向に光を放射するように構成されるピクセルの第２のセットとを含んでもよい。
【０００９】
上記のデバイス構成に加えて、デバイスが、外部光がデバイスを通して透過されることを可能にする透明部分を含む、透明または半透明ＯＬＥＤデバイスもまた、実装されることができる。例えば、透明ＯＬＥＤディスプレイデバイスでは、透明部分が、各隣接ピクセルの間の非放射領域中に提供されてもよい。別の実施例では、透明ＯＬＥＤ照明パネルが、パネルの放射領域の間に複数の透明領域を提供することによって形成されてもよい。透明または半透明ＯＬＥＤデバイスは、底面発光、上面発光、または両面発光デバイスであってもよい。
【００１０】
カソードまたはアノードのいずれかは、透過型電極として選択されることができるが、典型的上面発光デバイスは、光透過性カソードを含む。典型的には透過型カソードを形成するために使用される材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）、ならびに銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、または体積比１：９〜約９：１に及ぶ組成物を伴うマグネシウム銀（Ｍｇ：Ａｇ）合金およびイッテルビウム銀（Ｙｂ：Ａｇ）合金等の種々の金属合金の薄い層を堆積させることによって形成されるもの等の薄膜を含む。ＴＣＯおよび／または薄い金属膜の２つもしくはそれを上回る層を含む、多層カソードもまた、使用されることができる。
【００１１】
特に、薄膜の場合、最大約数十ナノメートルの比較的薄い層の厚さは、ＯＬＥＤで使用するための増進した透明度および有利な光学的性質（例えば、低減した微小共振器効果）に寄与する。しかしながら、透過型電極の厚さの低減は、そのシート抵抗の増加を伴う。高いシート抵抗を伴う電極は、ＯＬＥＤの性能および効率にとって有害である、デバイスが使用中であるときの大電流抵抗（ＩＲ）降下を生成するため、概して、ＯＬＥＤで使用するためには望ましくない。ＩＲ降下は、電力供給レベルを増加させることによって、ある程度補償されることができるが、しかしながら、電力供給レベルが１つのピクセルのために増加させられるとき、他の構成要素に供給される電圧もまた、デバイスの適切な動作を維持するように増加させられ、したがって、不利である。
【００１２】
上面発光ＯＬＥＤデバイスのための電力供給仕様を低減させるために、解決策が、デバイス上に母線構造または補助電極を形成するために提案されている。例えば、そのような補助電極は、ＯＬＥＤデバイスの透過型電極と電気通信する伝導性コーティングを堆積させることによって形成されてもよい。そのような補助電極は、透過型電極のシート抵抗および関連付けられるＩＲ降下を低下させることによって、電流がデバイスの種々の領域により効果的に運搬されることを可能にし得る。
【００１３】
補助電極が、典型的には、アノードと、１つまたはそれを上回る有機層と、カソードとを含む、ＯＬＥＤスタックの上に提供されるため、補助電極のパターン化は、伝統的に、例えば、物理蒸着（ＰＶＤ）プロセスによって、それを通して伝導性コーティングが選択的に堆積させられる、マスク開口を伴うシャドウマスクを使用して達成される。しかしながら、マスクが、典型的には、金属マスクであるため、それらは、高温堆積プロセス中に撓み、それによって、マスク開口および結果として生じる堆積パターンを歪ませる傾向を有する。さらに、マスクは、典型的には、伝導性コーティングがマスクに付着し、マスクの特徴を曖昧にするにつれて、連続的堆積を通して劣化させられる。その結果として、そのようなマスクは、時間のかかる高価なプロセスを使用して清掃されるべきであるか、またはいったんマスクが所望のパターンを生成することに無効であると見なされると処分されるべきであり、それによって、そのようなプロセスを高度に費用がかかり、複雑なものにする。故に、シャドウマスクプロセスは、ＯＬＥＤデバイスの大量生産のためには商業的に実行可能ではない場合がある。また、大型金属マスクが、典型的には、シャドウマスク堆積プロセス中に伸張されるため、シャドウマスクプロセスを使用して生成されることができる特徴のアスペクト比は、典型的には、陰影効果および金属マスクの機械的（例えば、引張）強度に起因して制約される。
【００１４】
シャドウマスクを通して表面上に伝導性コーティングをパターン化することの別の課題は、全てではないが、あるパターンが、単一のマスクを使用して達成され得ることである。マスクの各部分が物理的に支持されると、全てのパターンが単一の処理段階で可能であるわけではない。例えば、パターンが単離された特徴を規定する場合、単一のマスク処理段階は、典型的には、所望のパターンを達成するために使用されることができない。加えて、デバイス表面全体を横断して拡散される反復構造（例えば、母線構造または補助電極）を生産するために使用されるマスクは、マスク上に形成される多数の穿孔または開口を含む。しかしながら、マスク上に多数の開口を形成することは、マスクの構造完全性を損ない、したがって、堆積させられた構造のパターンを歪ませ得る、処理中のマスクの有意な撓みまたは変形につながり得る。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１５】
要旨
いくつかの実施形態によると、デバイス（例えば、光電子デバイス）は、（１）基板と、（２）基板の第１の領域を被覆する核形成阻害コーティングと、（３）第１の部分および第２の部分を含む、伝導性コーティングとを含む。伝導性コーティングの第１の部分は、基板の第２の領域を被覆し、伝導性コーティングの第２の部分は、核形成阻害コーティングと部分的に重複し、伝導性コーティングの第２の部分は、間隙によって核形成阻害コーティングから離間される。
【００１６】
いくつかの実施形態によると、デバイス（例えば、光電子デバイス）は、（１）第１の領域および第２の領域を含む、基板と、（２）第１の部分および第２の部分を含む、伝導性コーティングとを含む。伝導性コーティングの第１の部分は、基板の第２の領域を被覆し、伝導性コーティングの第２の部分は、基板の第１の領域の一部と重複し、伝導性コーティングの第２の部分は、間隙によって基板の第１の領域から離間される。
【００１７】
いくつかの実施形態によると、デバイス（例えば、光電子デバイス）は、（１）基板と、（２）基板の第１の領域を被覆する、核形成阻害コーティングと、（３）側方に隣接する、基板の第２の領域を被覆する、伝導性コーティングとを含む。伝導性コーティングは、マグネシウムを含み、核形成阻害コーティングは、約０．０２以内のマグネシウムの初期付着確率を有するものとして特徴付けられる。
【００１８】
いくつかの実施形態によると、デバイス（例えば、光電子デバイス）の製造方法は、（１）基板および基板の第１の領域を被覆する核形成阻害コーティングを提供するステップと、（２）基板の第２の領域を被覆する伝導性コーティングを堆積させるステップとを含む。伝導性コーティングは、マグネシウムを含み、核形成阻害コーティングは、０．０２以内のマグネシウムの初期付着確率を有するものとして特徴付けられる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
ここで、添付図面を参照して、いくつかの実施形態が一例として説明される。
【００２０】
【図１】図１は、一実施形態による、核形成阻害コーティングのシャドウマスク堆積を図示する概略図である。
【００２１】
【図２Ａ】図２Ａ、図２Ｂ、および図２Ｃは、一実施形態による、核形成阻害コーティングのミクロ接触転写印刷プロセスを図示する概略図である。
【図２Ｂ】図２Ａ、図２Ｂ、および図２Ｃは、一実施形態による、核形成阻害コーティングのミクロ接触転写印刷プロセスを図示する概略図である。
【図２Ｃ】図２Ａ、図２Ｂ、および図２Ｃは、一実施形態による、核形成阻害コーティングのミクロ接触転写印刷プロセスを図示する概略図である。
【００２２】
【図３】図３は、一実施形態による、パターン化された表面上の伝導性コーティングの堆積を図示する概略図である。
【００２３】
【図４】図４は、プロセスの一実施形態に従って生産されたデバイスを図示する略図である。
【００２４】
【図５Ａ】図５Ａ−５Ｃは、一実施形態による、伝導性コーティングを選択的に堆積させるためのプロセスを図示する概略図である。
【図５Ｂ】図５Ａ−５Ｃは、一実施形態による、伝導性コーティングを選択的に堆積させるためのプロセスを図示する概略図である。
【図５Ｃ】図５Ａ−５Ｃは、一実施形態による、伝導性コーティングを選択的に堆積させるためのプロセスを図示する概略図である。
【００２５】
【図５Ｄ】図５Ｄ−５Ｆは、別の実施形態による、伝導性コーティングを選択的に堆積させるためのプロセスを図示する概略図である。
【図５Ｅ】図５Ｄ−５Ｆは、別の実施形態による、伝導性コーティングを選択的に堆積させるためのプロセスを図示する概略図である。
【図５Ｆ】図５Ｄ−５Ｆは、別の実施形態による、伝導性コーティングを選択的に堆積させるためのプロセスを図示する概略図である。
【００２６】
【図６】図６は、一実施形態による、エレクトロルミネセントデバイスを図示する略図である。
【００２７】
【図７】図７は、一実施形態による、プロセス段階を示すフロー図である。
【００２８】
【図８】図８は、別の実施形態による、プロセス段階を示すフロー図である。
【００２９】
【図９Ａ】図９Ａ−９Ｄは、図８の実施形態における段階を図示する概略図である。
【図９Ｂ】図９Ａ−９Ｄは、図８の実施形態における段階を図示する概略図である。
【図９Ｃ】図９Ａ−９Ｄは、図８の実施形態における段階を図示する概略図である。
【図９Ｄ】図９Ａ−９Ｄは、図８の実施形態における段階を図示する概略図である。
【００３０】
【図１０】図１０は、さらに別の実施形態による、プロセス段階を示すフロー図である。
【００３１】
【図１１Ａ】図１１Ａ−１１Ｄは、図１０の実施形態における段階を図示する概略図である。
【図１１Ｂ】図１１Ａ−１１Ｄは、図１０の実施形態における段階を図示する概略図である。
【図１１Ｃ】図１１Ａ−１１Ｄは、図１０の実施形態における段階を図示する概略図である。
【図１１Ｄ】図１１Ａ−１１Ｄは、図１０の実施形態における段階を図示する概略図である。
【００３２】
【図１２】図１２は、さらに別の実施形態による、プロセス段階を示すフロー図である。
【００３３】
【図１３Ａ】図１３Ａ−１３Ｄは、図１２の実施形態における段階を図示する概略図である。
【図１３Ｂ】図１３Ａ−１３Ｄは、図１２の実施形態における段階を図示する概略図である。
【図１３Ｃ】図１３Ａ−１３Ｄは、図１２の実施形態における段階を図示する概略図である。
【図１３Ｄ】図１３Ａ−１３Ｄは、図１２の実施形態における段階を図示する概略図である。
【００３４】
【図１４】図１４は、一実施形態による、ＯＬＥＤデバイスの上面図である。
【００３５】
【図１５】図１５は、図１４のＯＬＥＤデバイスの断面図である。
【００３６】
【図１６】図１６は、別の実施形態による、ＯＬＥＤデバイスの断面図である。
【００３７】
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、一実施例による、開放マスクを図示する上面図である。
【００３８】
【図１６Ｃ】図１６Ｃは、別の実施例による、開放マスクを図示する上面図である。
【００３９】
【図１６Ｄ】図１６Ｄは、さらに別の実施例による、開放マスクを図示する上面図である。
【００４０】
【図１６Ｅ】図１６Ｅは、さらに別の実施例による、開放マスクを図示する上面図である。
【００４１】
【図１７】図１７は、一実施形態による、パターン化された電極を図示する上面図である。
【００４２】
【図１７Ｂ】図１７Ｂは、一実施形態による、パッシブマトリクスＯＬＥＤデバイスの上面図を図示する概略図である。
【００４３】
【図１７Ｃ】図１７Ｃは、図１７ＢのパッシブマトリクスＯＬＥＤデバイスの概略断面図である。
【００４４】
【図１７Ｄ】図１７Ｄは、カプセル化後の図１７ＢのパッシブマトリクスＯＬＥＤデバイスの概略断面図である。
【００４５】
【図１７Ｅ】図１７Ｅは、比較パッシブマトリクスＯＬＥＤデバイスの概略断面図である。
【００４６】
【図１８】図１８Ａ−１８Ｄは、種々の実施形態による、補助電極の部分を図示する。
【００４７】
【図１９】図１９は、一実施形態による、ＯＬＥＤデバイスの電極に接続されたリード線の上面図を図示する。
【００４８】
【図２０】図２０は、一実施形態による、パターン化された電極の上面図を図示する。
【００４９】
【図２１Ａ】図２１Ａ−２１Ｄは、種々の実施形態による、パターン化された電極を図示する。
【図２１Ｂ】図２１Ａ−２１Ｄは、種々の実施形態による、パターン化された電極を図示する。
【図２１Ｃ】図２１Ａ−２１Ｄは、種々の実施形態による、パターン化された電極を図示する。
【図２１Ｄ】図２１Ａ−２１Ｄは、種々の実施形態による、パターン化された電極を図示する。
【００５０】
【図２２】図２２は、一実施形態による、ＯＬＥＤデバイス上に形成された反復電極ユニットを図示する。
【００５１】
【図２３】図２３は、別の実施形態による、ＯＬＥＤデバイス上に形成された反復電極ユニットを図示する。
【００５２】
【図２４】図２４は、さらに別の実施形態による、ＯＬＥＤデバイス上に形成された反復電極ユニットを図示する。
【００５３】
【図２５】図２５−２８Ｊは、種々の実施形態による、ＯＬＥＤデバイス上に形成された補助電極パターンを図示する。
【図２６】図２５−２８Ｊは、種々の実施形態による、ＯＬＥＤデバイス上に形成された補助電極パターンを図示する。
【図２７】図２５−２８Ｊは、種々の実施形態による、ＯＬＥＤデバイス上に形成された補助電極パターンを図示する。
【図２８−１】図２５−２８Ｊは、種々の実施形態による、ＯＬＥＤデバイス上に形成された補助電極パターンを図示する。
【図２８−２】図２５−２８Ｊは、種々の実施形態による、ＯＬＥＤデバイス上に形成された補助電極パターンを図示する。
【図２８−３】図２５−２８Ｊは、種々の実施形態による、ＯＬＥＤデバイス上に形成された補助電極パターンを図示する。
【００５４】
【図２９】図２９は、一実施形態による、ピクセル配列を伴うデバイスの一部を図示する。
【００５５】
【図３０】図３０は、図２９による、デバイスの線Ａ−Ａに沿って得られた断面図である。
【００５６】
【図３１】図３１は、図２９による、デバイスの線Ｂ−Ｂに沿って得られた断面図である。
【００５７】
【図３２】図３２は、別の実施形態による、ピクセル配列を伴うデバイスの一部を図示する略図である。
【００５８】
【図３３】図３３は、図３２に図示されるピクセル配列を有する、デバイスの顕微鏡写真である。
【００５９】
【図３４】図３４は、一実施形態による、伝導性コーティングおよび核形成阻害コーティングの界面の周囲の断面外形を図示する略図である。
【００６０】
【図３５】図３５は、別の実施形態による、伝導性コーティングおよび核形成阻害コーティングの界面の周囲の断面外形を図示する略図である。
【００６１】
【図３６】図３６は、一実施形態による、伝導性コーティング、核形成阻害コーティング、および核形成助長コーティングの界面の周囲の断面外形を図示する略図である。
【００６２】
【図３７】図３７は、別の実施形態による、伝導性コーティング、核形成阻害コーティング、および核形成助長コーティングの界面の周囲の断面外形を図示する略図である。
【００６３】
【図３８】図３８は、さらに別の実施形態による、伝導性コーティングおよび核形成阻害コーティングの界面の周囲の断面外形を図示する略図である。
【００６４】
【図３９】図３９は、一実施形態による、アクティブマトリクスＯＬＥＤデバイスの断面外形を図示する略図である。
【００６５】
【図４０】図４０は、別の実施形態による、アクティブマトリクスＯＬＥＤデバイスの断面外形を図示する略図である。
【００６６】
【図４１】図４１は、さらに別の実施形態による、アクティブマトリクスＯＬＥＤデバイスの断面外形を図示する略図である。
【００６７】
【図４２】図４２は、さらに別の実施形態による、アクティブマトリクスＯＬＥＤデバイスの断面外形を図示する略図である。
【００６８】
【図４３】図４３は、一実施形態による、透明アクティブマトリクスＯＬＥＤデバイスを図示する略図である。
【００６９】
【図４４】図４４は、図４３による、デバイスの断面外形を図示する略図である。
【００７０】
【図４５Ａ】図４５Ａは、サンプル１の上面図のＳＥＭ画像である。
【００７１】
【図４５Ｂ】図４５Ｂおよび４５Ｃは、図４５Ａのサンプルの一部の拡大図を示すＳＥＭ画像である。
【図４５Ｃ】図４５Ｂおよび４５Ｃは、図４５Ａのサンプルの一部の拡大図を示すＳＥＭ画像である。
【００７２】
【図４５Ｄ】図４５Ｄは、図４５Ａのサンプルの断面図を示すＳＥＭ画像である。
【００７３】
【図４５Ｅ】図４５Ｅは、図４５Ａのサンプルの断面図を示すＳＥＭ画像である。
【００７４】
【図４５Ｆ】図４５Ｆは、図４５Ａのサンプルの別の部分の断面図を示すＳＥＭ画像である。
【００７５】
【図４５Ｇ】図４５Ｇは、図４５Ｆのサンプル部分を示す傾転ＳＥＭ画像である。
【００７６】
【図４５Ｈ】図４５Ｈは、図４５Ａのサンプルから得られたＥＤＸスペクトルを示すプロットである。
【００７７】
【図４６Ａ】図４６Ａは、サンプル２の上面図のＳＥＭ画像である。
【００７８】
【図４６Ｂ】図４６Ｂは、図４６Ａのサンプルの一部の拡大図を示すＳＥＭ画像である。
【００７９】
【図４６Ｃ】図４６Ｃは、図４６Ｂのサンプル部分のさらなる拡大図を示すＳＥＭ画像である。
【００８０】
【図４６Ｄ】図４６Ｄは、図４６Ａのサンプルの断面図を示すＳＥＭ画像である。
【００８１】
【図４６Ｅ】図４６Ｅおよび４６Ｆは、図４６Ａのサンプルの表面を示す傾転ＳＥＭ画像である。
【図４６Ｆ】図４６Ｅおよび４６Ｆは、図４６Ａのサンプルの表面を示す傾転ＳＥＭ画像である。
【００８２】
【図４６Ｇ】図４６Ｇは、図４６Ａのサンプルから得られたＥＤＸスペクトルを示すプロットである。
【００８３】
【図４６Ｈ】図４６Ｈは、スペクトルが取得されたサンプルの対応する部分を示す、ＳＥＭ画像の上に重ね合わせられたマグネシウムＥＤＸスペクトルを示す。
【００８４】
【図４７】図４７は、水晶振動子マイクロバランス（ＱＣＭ）を使用して堆積実験を行うためのチャンバ設定を図示する概略図である。
【００８５】
【図４８】図４８は、アクティブマトリクスＯＬＥＤディスプレイデバイス用の例示的駆動回路を示す回路図である。
【００８６】
【図４９】図４９は、核形成阻害コーティングの部分の間に堆積させられたマグネシウムコーティングの概略図である。
【００８７】
【図５０Ａ】図５０Ａは、ＢＡｌｑ核形成阻害コーティングを使用して製作されたサンプルの上面図を示すＳＥＭ画像である。
【００８８】
【図５０Ｂ】図５０Ｂは、図５０Ａのサンプルの拡大部分を示すＳＥＭ画像である。
【００８９】
【図５０Ｃ】図５０Ｃおよび５０Ｄは、図５０Ａのサンプルの拡大部分を示すＳＥＭ画像である。
【図５０Ｄ】図５０Ｃおよび５０Ｄは、図５０Ａのサンプルの拡大部分を示すＳＥＭ画像である。
【００９０】
【図５０Ｅ】図５０Ｅは、図５０Ａのサンプルの表面を示す傾転ＳＥＭ画像である。
【００９１】
【図５１Ａ】図５１Ａは、ＨＴ２１１核形成阻害コーティングを使用して製作された比較サンプルの上面図を示すＳＥＭ画像である。
【００９２】
【図５１Ｂ】図５１Ｂは、図５１Ａの比較サンプルの断面ＳＥＭ画像である。
【００９３】
【図５２Ａ】図５２Ａは、シャドウマスク堆積を使用して製作された比較サンプルの上面図を示すＳＥＭ画像である。
【００９４】
【図５２Ｂ】図５２Ｂは、図５２Ａの比較サンプルの断面ＳＥＭ画像である。
【００９５】
【図５３】図５３は、種々の堆積速度で堆積させられたＨＴ２１１核形成阻害コーティングを伴って製作された比較サンプルの透過率対波長のプロットである。
【００９６】
【図５４】図５４は、種々の核形成阻害コーティングを伴って製作されたサンプルの透過率対波長のプロットである。
【００９７】
【図５５】図５５は、一例示的実施形態による、補助電極のパターンを示す上面図である。
【００９８】
【図５６】図５６は、種々のディスプレイパネルサイズのためのシート抵抗仕様および関連付けられる補助電極厚さを示すプロットである。
【００９９】
【図５７】図５７は、種々の核形成改質コーティングで被覆されたサンプルＱＣＭ表面上に堆積させられたマグネシウムの層厚さと対比した、参照ＱＣＭ表面上に堆積させられたマグネシウムの層厚さを示すプロットである。
【０１００】
【図５８】図５８は、種々の核形成改質コーティングで被覆されたサンプルＱＣＭ表面上に堆積させられたマグネシウムの層厚さと対比した、サンプルＱＣＭ表面上のマグネシウム蒸気の付着確率を示すプロットである。
【０１０１】
【図５９】図５９Ａおよび５９Ｂは、一実施形態による、伝導性コーティングの堆積に続いて核形成阻害コーティングを除去するためのプロセスを図示する。
【発明を実施するための形態】
【０１０２】
詳細な説明
適切と見なされる場合、例証を簡単かつ明確にするために、参照番号が、対応または類似する構成要素を示すように図の間で繰り返され得ることが理解され得る。加えて、多数の具体的詳細が、本明細書に説明される例示的実施形態の徹底的な理解を提供するために記載される。しかしながら、本明細書に説明される例示的実施形態は、これらの具体的詳細のうちのいくつかを伴わずに実践され得ることが、当業者によって理解され得る。他の事例では、ある方法、手順、および構成要素は、本明細書に説明される例示的実施形態を曖昧にしないよう、詳細に説明されていない。
【０１０３】
いくつかの実施形態による一側面では、表面上に導電性コーティングを堆積させるための方法が提供される。いくつかの実施形態では、本方法は、光電子デバイスの製造方法との関連で行われる。いくつかの実施形態では、本方法は、別のデバイスの製造方法との関連で行われる。いくつかの実施形態では、本方法は、基板の第１の領域上に核形成阻害コーティングを堆積させ、パターン化された基板を生産するステップを含む。パターン化された基板は、核形成阻害コーティングによって被覆される第１の領域と、核形成阻害コーティングから露出される、または核形成阻害コーティングを実質的に含まない、もしくは実質的に核形成阻害コーティングによって被覆されていない、基板の第２の領域とを含む。本方法はまた、パターン化された基板を処理し、基板の第２の領域上に伝導性コーティングを堆積させるステップも含む。いくつかの実施形態では、伝導性コーティングの材料は、マグネシウムを含む。いくつかの実施形態では、パターン化された基板を処理するステップは、核形成阻害コーティングが伝導性コーティングから露出されたままである、または伝導性コーティングを実質的に含まない、もしくは実質的に伝導性コーティングによって被覆されていない間に、核形成阻害コーティングおよび基板の第２の領域の両方を処理し、基板の第２の領域上に伝導性コーティングを堆積させるステップを含む。いくつかの実施形態では、パターン化された基板を処理するステップは、伝導性コーティングを形成するために使用されるソース材料の蒸発または昇華を行うステップと、核形成阻害コーティングおよび基板の第２の領域の両方を蒸発したソース材料に暴露するステップとを含む。
【０１０４】
本明細書で使用されるように、「核形成阻害」という用語は、表面上の伝導性材料の堆積が阻害されるように、導電性材料の堆積に向けて比較的低い親和性を呈する表面を有する、材料のコーティングまたは層を指すために使用される一方で、「核形成助長」という用語は、表面上の伝導性材料の堆積が促進されるように、導電性材料の堆積に向けて比較的高い親和性を呈する表面を有する、材料のコーティングまたは層を指すために使用される。表面の核形成阻害または核形成助長性質の１つの尺度は、マグネシウム等の導電性材料の表面の初期付着確率である。例えば、マグネシウムに対する核形成阻害コーティングは、表面上のマグネシウムの堆積が阻害されるように、マグネシウム蒸気の比較的低い初期付着確率を呈する表面を有する、コーティングを指すことができる一方で、マグネシウムに対する核形成助長コーティングは、表面上のマグネシウムの堆積が促進されるように、マグネシウム蒸気の比較的高い初期付着確率を呈する表面を有する、コーティングを指すことができる。本明細書で使用されるように、「付着確率」および「付着係数」という用語は、同義的に使用されてもよい。表面の核形成阻害または核形成助長性質の別の尺度は、別の（参照）表面上の伝導性材料の初期堆積速度に対する、表面上のマグネシウム等の導電性材料の初期堆積速度であり、両方の表面は、伝導性材料の蒸発流束を受ける、またはそれに暴露される。
【０１０５】
本明細書で使用されるように、「蒸発」および「昇華」という用語は、概して、ソース材料が、例えば、固体状態で標的表面上に堆積させられる蒸気に（例えば、加熱によって）変換される、堆積プロセスを指すために同義的に使用される。
【０１０６】
本明細書で使用されるように、材料「を実質的に含まない」または材料「によって実質的に被覆されていない」表面（もしくは表面のある面積）は、表面（もしくは表面のある面積）上の材料の実質的欠如を指す。具体的に導電性コーティングに関して、マグネシウムを含む金属等の導電性材料が光を減衰させる、および／または吸収するため、表面上の導電性材料の量の１つの尺度は、光透過率である。故に、表面は、光透過率が電磁スペクトルの可視部分の中で９０％を上回る、９２％を上回る、９５％を上回る、または９８％を上回る場合に、導電性材料を実質的に含まないと見なされることができる。表面上の材料の量の別の尺度は、材料による被覆率が１０％以内、８％以内、５％以内、３％以内、または１％以内である場合に、表面が材料を実質的に含まないと見なされることができる場合等の材料による表面の被覆率である。表面被覆は、透過電子顕微鏡法、原子間力顕微鏡法、または走査電子顕微鏡法を使用する等の撮像技法を使用して、査定されることができる。
【０１０７】
図１は、一実施形態による、基板１００の表面１０２上に核形成阻害コーティング１４０を堆積させるプロセスを図示する概略図である。図１の実施形態では、ソース材料を含むソース１２０は、ソース材料を蒸発または昇華させるように減圧下で加熱される。ソース材料は、核形成阻害コーティング１４０を形成するために使用される材料を含む、または実質的にそれから成る。蒸発したソース材料は、次いで、基板１００に向かって矢印１２２によって示される方向に進行する。開口またはスリット１１２を有するシャドウマスク１１０は、開口１１２を通って進行する流束の一部が、基板１００の表面１０２の領域に選択的に入射し、それによって、その上に核形成阻害コーティング１４０を形成するように、蒸発したソース材料の経路の中に配置される。
【０１０８】
図２Ａ−２Ｃは、一実施形態で基板の表面上に核形成阻害コーティングを堆積させるためのミクロ接触転写印刷プロセスを図示する。シャドウマスクプロセスと同様に、ミクロ接触印刷プロセスは、基板表面の領域上に核形成阻害コーティングを選択的に堆積させるために使用されてもよい。
【０１０９】
図２Ａは、突出２１２を含むスタンプ２１０が、突出２１２の表面上に核形成阻害コーティング２４０を提供される、ミクロ接触転写印刷プロセスの第１の段階を図示する。当業者によって理解されるであろうように、核形成阻害コーティング２４０は、種々の好適なプロセスを使用して、突出２１２の表面上に堆積させられてもよい。
【０１１０】
図２Ｂに図示されるように、スタンプ２１０は、次いで、突出２１２の表面上に堆積させられた核形成阻害コーティング２４０が、基板１００の表面１０２に接触するように、基板１００と近接させられる。核形成阻害コーティング２４０が表面１０２に接触することに応じて、核形成阻害コーティング２４０は、基板１００の表面１０２に付着する。
【０１１１】
したがって、スタンプ２１０が図２Ｃに図示されるように基板１００から離されるとき、核形成阻害コーティング２４０は、基板１００の表面１０２上に効果的に転写される。
【０１１２】
いったん核形成阻害コーティングが、基板の表面の領域上に堆積させられると、伝導性コーティングが、核形成阻害コーティングが存在しない表面の残りの被覆されていない領域上に堆積させられてもよい。図３を参照すると、伝導性コーティングソース４１０が、基板１００の表面１０２に向かって蒸発した伝導性材料を指向するものとして図示されている。図３に図示されるように、伝導性コーティングソース４１０は、表面１０２の被覆または処理された面積（すなわち、その上に堆積させられた核形成阻害コーティング１４０を伴う表面１０２の領域）および被覆または処理されていない面積の両方に入射するように、蒸発した伝導性材料を指向してもよい。しかしながら、核形成阻害コーティング１４０の表面が、基板１００の被覆されていない表面１０２のものと比較して、比較的低い初期付着係数を呈するため、伝導性コーティング４４０は、核形成阻害コーティング１４０が存在しない表面１０２の面積の上に選択的に堆積する。例えば、表面１０２の被覆されていない面積上の蒸発した伝導性材料の初期堆積速度は、核形成阻害コーティング１４０の表面上の蒸発した伝導性材料の初期堆積速度の少なくとも約８０倍またはそれを上回り、少なくとも約１００倍またはそれを上回り、少なくとも約２００倍またはそれを上回り、少なくとも約５００倍またはそれを上回り、少なくとも約７００倍またはそれを上回り、少なくとも約１，０００倍またはそれを上回り、少なくとも約１，５００倍またはそれを上回り、少なくとも約１，７００倍またはそれを上回り、もしくは少なくとも約２，０００倍またはそれを上回り得る。伝導性コーティング４４０は、例えば、純粋または実質的に純粋なマグネシウムを含んでもよい。
【０１１３】
シャドウマスクパターン化およびミクロ接触転写印刷プロセスが、上記で図示されて説明されているが、他のプロセスが、核形成阻害材料を堆積させることによって基板を選択的にパターン化するために使用され得ることが理解されるであろう。表面をパターン化する種々の加法および減法プロセスが、核形成阻害コーティングを選択的に堆積させるために使用されてもよい。そのようなプロセスの実施例は、フォトリソグラフィ、印刷（インクまたは蒸気ジェット印刷およびリールツーリール印刷を含む）、有機気相堆積（ＯＶＰＤ）、およびレーザ誘発熱的撮像（ＬＩＴＩ）パターン化、ならびにそれらの組み合わせを含むが、それらに限定されない。
【０１１４】
いくつかの用途では、伝導性コーティングが容易に堆積させられることができない基板表面上に、具体的材料性質を有する伝導性コーティングを堆積させることが望ましくあり得る。例えば、純粋または実質的に純粋なマグネシウムは、典型的には、種々の有機表面上のマグネシウムの低い付着係数に起因して、有機表面上に容易に堆積させられることができない。故に、いくつかの実施形態では、基板表面はさらに、マグネシウムを含むもの等の伝導性コーティングを堆積させることに先立って、その上に核形成助長コーティングを堆積させることによって処理される。
【０１１５】
所見および実験観察に基づいて、フラーレンならびに他の核形成助長材料は、本明細書でさらに解説されるであろうように、マグネシウムを含む伝導性コーティングの堆積のための核形成部位として作用することが仮定される。例えば、マグネシウムが、フラーレン処理表面上に蒸発プロセスを使用して堆積させられる場合において、フラーレン分子は、マグネシウム堆積のための安定した核の形成を助長する核形成部位として作用する。フラーレンまたは他の核形成助長材料の単分子未満の層が、ある場合には、マグネシウムの堆積のための核形成部位として作用するように、処理された表面上に提供されてもよい。理解されるであろうように、核形成助長材料のいくつかの単分子層を堆積させることによって表面を処理することは、より多数の核形成部位、したがって、より高い初期付着確率をもたらし得る。
【０１１６】
また、表面上に堆積させられるフラーレンまたは他の材料の量は、１つを上回る、または１つ未満の単分子層であり得ることも理解されるであろう。例えば、表面は、核形成助長材料または核形成阻害材料の０．１の単分子層、１つの単分子層、もしくは１０の単分子層を堆積させることによって処理されてもよい。本明細書で使用されるように、材料の１つの単分子層を堆積させることは、材料の構成分子または原子の単一の層で表面の所望の面積を被覆する材料の量を指す。同様に、本明細書で使用されるように、材料の０．１の単分子層を堆積させることは、材料の構成分子または原子の単一の層で表面の所望の面積の１０％を被覆する材料の量を指す。例えば、分子または原子の可能性として考えられる積層もしくはクラスタ化に起因して、堆積した材料の実際の厚さは、非一様であり得る。例えば、材料の１つの単分子層を堆積させることが、材料によって被覆されていない表面のいくつかの領域をもたらし得る一方で、表面の他の領域は、その上に堆積させられた複数の原子または分子層を有してもよい。
【０１１７】
本明細書で使用されるように、「フラーレン」という用語は、炭素分子を含む材料を指す。フラーレン分子の実施例は、閉鎖シェルを形成し、形状が球形または半球形であり得る、複数の炭素原子を含む、３次元骨格を含む、炭素ケージ分子を含む。フラーレン分子は、ｎが、フラーレン分子の炭素骨格に含まれる炭素原子の数に対応する整数である、Ｃｎとして指定されることができる。フラーレン分子の実施例は、ｎが、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７２、Ｃ７４、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８０、Ｃ８２、およびＣ８４等の５０〜２５０の範囲内である、Ｃｎを含む。フラーレン分子の付加的実施例は、単一壁炭素ナノチューブおよび多重壁炭素ナノチューブ等の管または円筒形の炭素分子を含む。
【０１１８】
図４は、核形成助長コーティング１６０が伝導性コーティング４４０の堆積に先立って堆積させられる、デバイスの実施形態を図示する。図４に図示されるように、核形成助長コーティング１６０は、核形成阻害コーティング１４０によって被覆されていない基板１００の領域の上を堆積させられる。故に、伝導性コーティング４４０が堆積させられるとき、伝導性コーティング４４０は、優先的に核形成助長コーティング１６０上で形成する。例えば、核形成助長コーティング１６０の表面上の伝導性コーティング４４０の材料の初期堆積速度は、核形成阻害コーティング１４０の表面上の材料の初期堆積速度の少なくとも約８０倍またはそれを上回り、少なくとも約１００倍またはそれを上回り、少なくとも約２００倍またはそれを上回り、少なくとも約５００倍またはそれを上回り、少なくとも約７００倍またはそれを上回り、少なくとも約１，０００倍またはそれを上回り、少なくとも約１，５００倍またはそれを上回り、約１，７００倍またはそれを上回り、もしくは少なくとも約２，０００倍またはそれを上回り得る。一般に、核形成助長コーティング１６０は、核形成阻害コーティング１４０の堆積に先立って、またはそれに続いて、基板１００上に堆積させられてもよい。蒸発（熱蒸発および電子ビーム蒸発を含む）、フォトリソグラフィ、印刷（インクまたは蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、およびミクロ接触転写印刷を含む）、ＯＶＰＤ、ＬＩＴＩパターン化、およびそれらの組み合わせを含むが、それらに限定されない、表面上に材料を選択的に堆積させるための種々のプロセスが、核形成助長コーティング１６０を堆積させるために使用されてもよい。
【０１１９】
図５Ａ−５Ｃは、一実施形態で基板の表面上に伝導性コーティングを堆積させるためのプロセスを図示する。
【０１２０】
図５Ａでは、基板１００の表面１０２は、その上に核形成阻害コーティング１４０を堆積させることによって処理される。具体的には、図示される実施形態では、堆積は、ソース１２０の内側でソース材料を蒸発させ、その上に堆積させられる表面１０２に向かって蒸発したソース材料を指向することによって、達成される。蒸発した流束が表面１０２に向かって指向される、一般的方向は、矢印１２２によって示される。図示されるように、核形成阻害コーティング１４０の堆積は、核形成阻害コーティング１４０が処理された表面１４２を生成するように表面１０２全体を実質的に被覆するように、開放マスクを使用して、またはマスクを伴わずに行われてもよい。代替として、核形成阻害コーティング１４０は、例えば、上記で説明される選択的堆積技法を使用して、表面１０２の領域上に選択的に堆積させられてもよい。
【０１２１】
核形成阻害コーティング１４０は、蒸発によって堆積させられるものとして図示されているが、スピンコーティング、浸漬コーティング、印刷、噴霧コーティング、ＯＶＰＤ、ＬＩＴＩパターン化、物理蒸着（ＰＶＤ）（スパッタリングを含む）、化学蒸着（ＣＶＤ）、およびそれらの組み合わせを含むが、それらに限定されない、他の堆積および表面コーティング技法が使用され得ることが、理解されるであろう。
【０１２２】
図５Ｂでは、シャドウマスク１１０は、処理された表面１４２上に核形成助長コーティング１６０を選択的に堆積させるために使用される。図示されるように、ソース１２０から進行する蒸発したソース材料は、マスク１１０を通して基板１００に向かって指向される。マスクは、マスク１１０に入射する蒸発したソース材料の一部が、マスク１１０を通り過ぎて進行しないように妨げられ、マスク１１０の開口１１２を通して指向される、蒸発したソース材料の別の部分が、処理された表面１４２上に選択的に堆積して核形成助長コーティング１６０を形成するように、開口またはスリット１１２を含む。故に、パターン化された表面１４４が、核形成助長コーティング１６０の堆積を完了することに応じて生成される。
【０１２３】
図５Ｃは、パターン化された表面１４４上に伝導性コーティング４４０を堆積させる段階を図示する。伝導性コーティング４４０は、例えば、純粋または実質的に純粋なマグネシウムを含んでもよい。以下でさらに解説されるであろうように、伝導性コーティング４４０の材料は、核形成阻害コーティング１４０に対する比較的低い初期付着係数と、核形成助長コーティング１６０に対する比較的高い初期付着係数とを呈する。故に、堆積は、核形成助長コーティング１６０が存在する基板１００の領域上に伝導性コーティング４４０を選択的に堆積させるように、開放マスクを使用して、またはマスクを伴わずに行われてもよい。図５Ｃに図示されるように、核形成阻害コーティング１４０の表面に入射する伝導性コーティング４４０の蒸発した材料は、核形成阻害コーティング１４０上に堆積させられないように、大部分が、または実質的に妨げられてもよい。
【０１２４】
図５Ｄ−５Ｆは、別の実施形態における、基板の表面上に伝導性コーティングを堆積させるためのプロセスを図示する。
【０１２５】
図５Ｄでは、核形成助長コーティング１６０は、基板１００の表面１０２上に堆積させられる。例えば、核形成助長コーティング１６０は、開放マスクを使用して、またはマスクを伴わずに、熱蒸発によって堆積させられてもよい。代替として、スピンコーティング、浸漬コーティング、印刷、噴霧コーティング、ＯＶＰＤ、ＬＩＴＩパターン化、ＰＶＤ（スパッタリングを含む）、ＣＶＤ、およびそれらの組み合わせを含むが、それらに限定されない、他の堆積および表面コーティング技法が、使用されてもよい。
【０１２６】
図５Ｅでは、核形成阻害コーティング１４０は、シャドウマスク１１０を使用して、核形成助長コーティング１６０の領域上に選択的に堆積させられる。故に、パターン化された表面が、核形成阻害コーティング１４０の堆積を完了することに応じて生成される。次いで、図５Ｆでは、伝導性コーティング４４０は、伝導性コーティング４４０が核形成助長コーティング１６０の露出領域の上を形成されるように、開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して、パターン化された表面上に堆積させられる。
【０１２７】
前述の実施形態では、プロセスによって形成される伝導性コーティング４４０は、電子デバイス用の電極または伝導性構造として使用され得ることが理解されるであろう。例えば、伝導性コーティング４４０は、ＯＬＥＤデバイスまたは有機光起電（ＯＰＶ）デバイス等の有機光電子デバイスのアノードもしくはカソードであってもよい。加えて、伝導性コーティング４４０はまた、活性層材料として量子ドットを含む、光電子デバイス用の電極として使用されてもよい。例えば、そのようなデバイスは、量子ドットを含む活性層を伴う一対の電極の間に配置される、活性層を含んでもよい。本デバイスは、例えば、光が、電極によって提供される電流の結果として、量子ドット活性層から放射される、エレクトロルミネセント量子ドットディスプレイデバイスであってもよい。伝導性コーティング４４０はまた、前述のデバイスのうちのいずれかのための母線または補助電極であってもよい。
【０１２８】
故に、その上に種々のコーティングが堆積させられる基板１００は、前述の実施形態で具体的には図示または説明されていない、１つもしくはそれを上回る付加的有機および／または無機層を含み得ることが理解されるであろう。例えば、ＯＬＥＤデバイスの場合、基板１００は、１つまたはそれを上回る電極（例えば、アノードおよび／またはカソード）と、電荷注入ならびに／もしくは輸送層と、エレクトロルミネセント層とを含んでもよい。基板１００はさらに、１つまたはそれを上回るトランジスタと、アクティブマトリクスもしくはパッシブマトリクスＯＬＥＤデバイスに含まれる、抵抗器およびコンデンサ等の他の電子構成要素とを含んでもよい。例えば、基板１００は、１つまたはそれを上回る上面ゲート薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、１つまたはそれを上回る底面ゲートＴＦＴ、および／もしくは他のＴＦＴ構造を含んでもよい。ＴＦＴは、ｎ型ＴＦＴまたはｐ型ＴＦＴであってもよい。ＴＦＴ構造の実施例は、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、および低温多結晶シリコン（ＬＴＰＳ）を含むものを含む。
【０１２９】
基板１００はまた、上記で識別された付加的有機および／または無機層を支持するためのベース基板を含んでもよい。例えば、ベース基板は、可撓性または剛性基板であってもよい。ベース基板は、例えば、シリコン、ガラス、金属、ポリマー（例えば、ポリイミド）、サファイア、またはベース基板として使用するために好適な他の材料を含んでもよい。
【０１３０】
基板１００の表面１０２は、有機表面または無機表面であってもよい。例えば、伝導性コーティング４４０がＯＬＥＤデバイスのカソードとして使用するためのものである場合、表面１０２は、有機層のスタックの頂面（例えば、電子注入層の表面）であってもよい。別の実施例では、伝導性コーティング４４０が上面発光ＯＬＥＤデバイスの補助電極として使用するためのものである場合、表面１０２は、電極の頂面（例えば、共通カソード）であってもよい。代替として、そのような補助電極は、有機層のスタックの上の透過型電極の直下に形成されてもよい。
【０１３１】
図６は、一実施形態による、エレクトロルミネセント（ＥＬ）デバイス６００を図示する。ＥＬデバイス６００は、例えば、ＯＬＥＤデバイスまたはエレクトロルミネセント量子ドットデバイスであってもよい。一実施形態では、デバイス６００は、ベース基板６１６と、アノード６１４と、有機層６３０と、カソード６０２とを含む、ＯＬＥＤデバイスである。図示される実施形態では、有機層６３０は、正孔注入層６１２と、正孔輸送層６１０と、エレクトロルミネセント層６０８と、電子輸送層６０６と、電子注入層６０４とを含む。
【０１３２】
正孔注入層６１２は、概して、アノード６１４による正孔の注入を促進する、正孔注入材料を使用して形成されてもよい。正孔輸送層６１０は、概して、高い正孔移動度を呈する材料である、正孔輸送材料を使用して形成されてもよい。
【０１３３】
エレクトロルミネセント層６０８は、例えば、エミッタ材料でホスト材料をドープすることによって形成されてもよい。エミッタ材料は、例えば、蛍光エミッタ、燐光性エミッタ、またはＴＡＤＦエミッタであってもよい。複数のエミッタ材料もまた、エレクトロルミネセント層６０８を形成するようにホスト材料の中へドープされてもよい。
【０１３４】
電子輸送層６０６は、概して、高い電子移動度を呈する、電子輸送材料を使用して形成されてもよい。電子注入層６０４は、概して、カソード６０２による電子の注入を促進するように作用する、電子注入材料を使用して形成されてもよい。
【０１３５】
デバイス６００の構造は、１つまたはそれを上回る層を省略する、もしくは組み合わせることによって変動され得ることが理解されるであろう。具体的には、正孔注入層６１２、正孔輸送層６１０、電子輸送層６０６、および電子注入層６０４のうちの１つまたはそれを上回るものが、デバイス構造から省略されてもよい。１つまたはそれを上回る付加的層もまた、デバイス構造の中に存在してもよい。そのような付加的層は、例えば、正孔遮断層、電子遮断層、付加的電荷輸送および／または注入層を含む。各層はさらに、任意の数の副層を含んでもよく、各層および／または副層は、種々の混合物ならびに組成勾配を含んでもよい。また、デバイス６００は、無機および／または有機金属材料を含有する、１つもしくはそれを上回る層を含んでもよく、有機材料だけから成るデバイスに限定されないことも理解されるであろう。例えば、デバイス６００は、量子ドットを含んでもよい。
【０１３６】
デバイス６００は、電流をデバイス６００に供給するための電源６２０に接続されてもよい。
【０１３７】
デバイス６００がＥＬ量子ドットデバイスである、別の実施形態では、ＥＬ層６０８は、概して、電流が供給されるときに光を放射する、量子ドットを含む。
【０１３８】
図７は、一実施形態による、ＯＬＥＤデバイスを製作する段階を概説するフロー図である。７０４では、有機層が、標的表面上に堆積させられる。例えば、標的表面は、例えば、ガラス、ポリマー、および／または金属箔を含み得る、ベース基板の上に堆積させられたアノードの表面であってもよい。上記で議論されるように、有機層は、例えば、正孔注入層と、正孔輸送層と、エレクトロルミネセンス層と、電子輸送層と、電子注入層とを含んでもよい。核形成阻害コーティングが、次いで、選択的堆積またはパターン化プロセスを使用して、段階７０６で有機層の上に堆積させられる。段階７０８では、核形成助長コーティングが、パターン化された表面を生成するように、核形成阻害コーティング上に選択的に堆積させられる。例えば、核形成助長コーティングおよび核形成阻害コーティングは、マスク、ミクロ接触転写印刷プロセス、フォトリソグラフィ、印刷（インクまたは蒸気ジェット印刷、およびリールツーリール印刷を含む）、ＯＶＰＤ、またはＬＩＴＩパターン化を使用して、蒸発によって選択的に堆積させられてもよい。伝導性コーティングが、次いで、段階７１０で開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して、パターン化された表面上に堆積させられる。伝導性コーティングは、ＯＬＥＤデバイスのカソードまたは別の伝導性構造としての役割を果たしてもよい。
【０１３９】
次に図８および９Ａ−９Ｄを参照して、別の実施形態による、ＯＬＥＤデバイスを製作するためのプロセスが提供される。図８は、ＯＬＥＤデバイスを製作するための段階を概説するフロー図であり、図９Ａ−９Ｄは、プロセスの各段階におけるデバイスを図示する概略図である。段階８０４では、有機層９２０が、ソース９９１を使用して標的表面９１２上に堆積させられる。図示される実施形態では、標的表面９１２は、ベース基板９００の上に堆積させられたアノード９１０の表面である。有機層９２０は、例えば、正孔注入層と、正孔輸送層と、エレクトロルミネセンス層と、電子輸送層と、電子注入層とを含んでもよい。核形成助長コーティング９３０が、次いで、ソース９９３および開放マスクを使用して、またはマスクを伴わずに、段階８０６で有機層９２０の上に堆積させられる。段階８０８では、核形成阻害コーティング９４０が、マスク９８０およびソース９９５を使用して、核形成助長コーティング９３０上に選択的に堆積させられ、それによって、パターン化された表面を生成する。伝導性コーティング９５０が、核形成阻害コーティング９４０によって被覆されていない核形成助長コーティング９３０の領域上に堆積させられるように、伝導性コーティング９５０が、次いで、段階８１０で開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して、パターン化された表面上に堆積させられる。
【０１４０】
次に図１０および１１Ａ−１１Ｄを参照して、さらに別の実施形態による、ＯＬＥＤデバイスを製作するためのプロセスが提供される。図１０は、ＯＬＥＤデバイスを製作するための段階を概説するフロー図であり、図１１Ａ−１１Ｄは、そのようなプロセスの段階を図示する概略図である。段階１００４では、有機層１１２０が、ソース１１９１を使用して標的表面１１１２上に堆積させられる。図示される実施形態では、標的表面１１１２は、ベース基板１１００の上に堆積させられたアノード１１１０の表面である。有機層１１２０は、例えば、正孔注入層と、正孔輸送層と、エレクトロルミネセンス層と、電子輸送層と、電子注入層とを含んでもよい。核形成阻害コーティング１１３０が、マスク１１８０の開口を通して露出される有機層１１２０の表面の領域上に選択的に堆積させられるように、核形成阻害コーティング１１３０が、次いで、マスク１１８０およびソース１１９３を使用して、段階１００６で有機層１１２０の上に堆積させられる。段階１００８では、核形成助長コーティング１１４０が、マスク１１８２およびソース１１９５を使用して、選択的に堆積させられる。図示される実施形態では、核形成助長コーティング１１４０は、核形成阻害コーティング１１３０によって被覆されていない有機層１１２０の表面の領域の上を堆積させられ、それによって、パターン化された表面を生成するものとして示されている。伝導性コーティング１１５０が、次いで、段階１０１０で開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して、パターン化された表面上に堆積させられ、核形成阻害コーティング１１３０の表面を伝導性コーティング１１５０の材料を実質的に含まない状態にしたまま、伝導性コーティング１１５０を核形成助長コーティング１１４０の表面上に堆積させる。
【０１４１】
次に図１２および１３Ａ−１３Ｄを参照すると、さらに別の実施形態による、ＯＬＥＤデバイスを製作するためのプロセスが提供される。図１２は、ＯＬＥＤデバイスを製作するための段階を概説するフロー図であり、図１３Ａ−１３Ｄは、そのようなプロセスの段階を図示する概略図である。段階１２０４では、有機層１３２０が、ソース１３９１を使用して標的表面１３１２上に堆積させられる。図示される実施形態では、標的表面１３１２は、ベース基板１３００の上に堆積させられたアノード１３１０の表面である。有機層１３２０は、例えば、正孔注入層と、正孔輸送層と、エレクトロルミネセンス層と、電子輸送層と、電子注入層とを含んでもよい。核形成助長コーティング１３３０が、マスク１３８０の開口を通して露出される有機層１３２０の表面の領域上に選択的に堆積させられるように、核形成助長コーティング１３３０が、次いで、マスク１３８０およびソース１３９３を使用して、段階１２０６で有機層１３２０の上に堆積させられる。段階１２０８では、核形成阻害層１３４０が、マスク１３８２およびソース１３９５を使用して、選択的に堆積させられる。図示される実施形態では、核形成阻害コーティング１３４０は、核形成助長コーティング１３３０によって被覆されていない有機層１３２０の表面の領域の上を堆積させられ、それによって、パターン化された表面を生成するものとして図示されている。伝導性コーティング１３５０が、次いで、段階１２１０で開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して、パターン化された表面上に堆積させられ、核形成阻害コーティング１３４０の表面を伝導性コーティング１３５０の材料を実質的に含まない状態にしたまま、伝導性コーティング１３５０を核形成助長コーティング１３３０の表面上に堆積させる。このようにして形成される伝導性コーティング１３５０は、電極（例えば、カソード）としての役割を果たしてもよい。
【０１４２】
上記の実施形態によると、伝導性コーティングが、核形成阻害コーティングまたは核形成阻害および核形成助長コーティングの組み合わせの使用を通して、開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して、標的領域（例えば、非放射領域）上に選択的に堆積させられてもよい。対照的に、開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスにおける十分な選択性の欠如は、標的領域を越え、かつ放射領域を覆う伝導性材料の堆積をもたらし、これは、放射領域を覆うそのような材料の存在が、概して、光の減衰、したがって、ＯＬＥＤデバイスのＥＱＥの減少に寄与するため、望ましくない。また、標的領域上に伝導性コーティングを堆積させることの高い選択性を提供することによって、伝導性コーティングは、ＯＬＥＤデバイスにおいて所望の伝導度を達成するために十分な厚さを伴う電極としての役割を果たすことができる。例えば、上記の実施形態によって提供される高い選択性は、隣接ピクセルまたはサブピクセルの間の領域に限定されたままである、高いアスペクト比を有する補助電極の堆積を可能にする。対照的に、開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスで厚い電極を形成することの十分な選択性の欠如は、放射および非放射領域の両方の上を伝導性材料の厚いコーティングの堆積をもたらし、したがって、結果として生じるＯＬＥＤデバイスの性能を実質的に減少させるであろう。
【０１４３】
簡単かつ明確にするために、厚さプロファイルおよび縁プロファイルを含む、堆積させられた材料の詳細は、プロセス図から省略されている。
【０１４４】
基板の表面上の蒸着中の薄膜の形成は、核形成および成長のプロセスを伴う。膜形成の初期段階中に、十分な数の蒸気モノマー（例えば、原子または分子）が、典型的には、表面上に初期核を形成するように気相から凝縮する。蒸気モノマーが表面に衝突し続けると、これらの初期核のサイズおよび密度は、小さいクラスタまたは島を形成するように増加する。飽和島密度に達した後、隣接する島が、典型的には、合体し始め、島密度を減少させながら、平均島サイズを増大させる。隣接する島の合体は、実質的に閉鎖された膜が形成されるまで継続する。
【０１４５】
薄膜の形成のための３つの基本的成長モード、すなわち、１）島（フォルマー・ウェーバー）、２）層毎（フランク・ファン・デル・メルヴェ）、および３）ストランスキー・クラスタノフが存在し得る。島成長は、典型的には、モノマーの安定したクラスタが、表面上で核となり、離散島を形成するように成長するときに起こる。本成長モードは、モノマーの間の相互作用が、モノマーと表面との間のものよりも強いときに起こる。
【０１４６】
核形成率は、単位時間につき表面上に形成する臨界サイズの核の数を説明する。膜形成の初期段階中に、核の密度が低く、したがって、核が表面の比較的小さい部分を被覆する（例えば、隣接する核の間に大きい間隙／空間がある）ため、核が表面上のモノマーの直接衝突から成長するであろう可能性は低い。したがって、臨界核が成長する速度は、典型的には、表面上の吸着されたモノマー（例えば、吸着原子）が移動し、近くの核に付着する速度に依存する。
【０１４７】
表面上の吸着原子の吸着後、吸着原子は、表面から脱着してもよいか、または脱着すること、小さいクラスタを形成するように他の吸着原子と相互作用すること、もしくは成長する核に付着することのいずれかの前に、表面上である距離を移動してもよいかのいずれかである。吸着原子が初期吸着後に表面上に残留する平均時間量は、以下によって求められる。
【数１】
2018533183.tif 000003
【０１４８】
上記の方程式では、ｖは、表面上の吸着原子の振動周波数であり、ｋは、ボルツマン定数であり、Ｔは、温度であり、Ｅｄｅｓは、表面から吸着原子を脱着するために関与するエネルギーである。本方程式から、Ｅｄｅｓの値が低いほど、吸着原子が表面から脱着することが容易であり、故に、吸着原子が表面上に残留するであろう時間が短いことに留意されたい。吸着原子が拡散することができる平均距離は、以下によって求められる。
【数２】
2018533183.tif 000004
式中、ａ０は、格子定数であり、Ｅｓは、表面拡散のための活性化エネルギーである。Ｅｄｅｓの低い値および／またはＥｓの高い値に関して、吸着原子は、脱着前に、より短い距離で拡散し、故に、成長する核に付着する、または別の吸着原子もしくは吸着原子のクラスタと相互作用する可能性が低い。
【０１４９】
膜形成の初期段階中に、吸着された吸着原子は、クラスタを形成するように相互作用してもよく、単位面積あたりのクラスタの臨界濃度は、以下によって求められ、
【数３】
2018533183.tif 000005
式中、Ｅｉは、ｉ個の吸着原子を含有する臨界クラスタを別個の吸着原子に解離するために関与するエネルギーであり、ｎ０は、吸着部位の総密度であり、Ｎ１は、以下によって求められるモノマー密度である。
【数４】
2018533183.tif 000006
式中、
【化１】
2018533183.tif 000007
は、蒸気衝突速度である。典型的には、ｉは、堆積させられている材料の結晶構造に依存し、安定した核を形成する臨界クラスタサイズを判定するであろう。
【０１５０】
成長するクラスタの臨界モノマー供給速度は、蒸気衝突速度と、脱着前にそれの上を吸着原子が拡散することができる平均面積とによって求められる。
【数５】
2018533183.tif 000008
【０１５１】
臨界核形成速度は、したがって、上記の方程式の組み合わせによって求められる。
【数６】
2018533183.tif 000009
【０１５２】
上記の方程式から、臨界核形成速度は、吸着された吸着原子のための低い脱着エネルギーと、吸着原子の拡散のための高い活性化エネルギーとを有する、高温である、または低い蒸気衝突速度を受ける表面のために抑制されるであろうことに留意されたい。
【０１５３】
欠陥、レッジ、またはステップ縁等の基板の不均一性部位は、Ｅｄｅｓを増加させ、そのような部位で観察される核のより高い密度につながり得る。また、表面上の不純物または汚染もまた、Ｅｄｅｓを増加させ、核のより高い密度につながり得る。高減圧条件下で行われる蒸着プロセスに関して、表面上の汚染物質のタイプおよび密度は、減圧圧力ならびにその圧力を構成する残留ガスの組成による影響を受ける。
【０１５４】
高減圧条件下で、（ｃｍ２・秒あたりの）表面に衝突する分子の流束は、以下によって求められる。
【数７】
2018533183.tif 000010
式中、Ｐは、圧力であり、Ｍは、分子量である。したがって、Ｈ２Ｏ等の反応性ガスのより高い分圧は、Ｅｄｅｓの増加、故に、核のより高い密度につながる、蒸着中の表面上の汚染のより高い密度につながり得る。
【０１５５】
薄膜の核形成および成長を特徴付けるための有用なパラメータは、以下によって求められる付着確率である。
【数８】
2018533183.tif 000011
式中、Ｎａｄｓは、表面上に残留する（例えば、膜に組み込まれる）吸着されたモノマーの数であり、Ｎｔｏｔａｌは、表面上の衝突するモノマーの総数である。１に等しい付着確率は、表面に衝突する全てのモノマーが吸着され、続いて、成長する膜に組み込まれることを示す。０に等しい付着確率は、表面に衝突する全てのモノマーが吸着され、続いて、いかなる膜も表面上に形成されないことを示す。種々の表面上の金属の付着確率は、Ｗａｌｋｅｒ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｊ．  Ｐｈｙｓ．  Ｃｈｅｍ．  Ｃ２００７，  １１１，  ７６５（２００６年）によって、および以下の実施例の節で説明されるような二重水晶振動子マイクロバランス（ＱＣＭ）技法等の付着確率を測定する種々の技法を使用して、評価されることができる。
【０１５６】
島の密度が増加する（例えば、平均膜厚さを増加させる）と、付着確率が変化し得る。例えば、低い初期付着確率は、増加する平均膜厚さとともに増加し得る。これは、島がない表面（裸の基板）の面積と高密度の島を伴う面積との間の付着確率の差に基づいて、理解されることができる。例えば、島の表面に衝突するモノマーは、１に近い付着確率を有してもよい。
【０１５７】
初期付着確率Ｓ０は、したがって、任意の有意数の臨界核の形成に先立った、表面の付着確率として規定されることができる。初期付着確率の１つの尺度は、表面を横断する堆積させられた材料の平均厚さが閾値である、またはそれを下回る、材料の堆積の初期段階中の材料の表面の付着確率を伴うことができる。いくつかの実施形態の説明では、初期付着確率の閾値は、１ｎｍとして規定されることができる。
平均付着確率は、次いで、以下によって求められる。
【数９】
2018533183.tif 000012
式中、Ｓｎｕｃは、島によって被覆される面積の付着確率であり、Ａｎｕｃは、島によって被覆される基板表面の面積の割合である。
【０１５８】
核形成阻害コーティングを形成するように使用するための好適な材料は、約０．１（もしくは１０％）以内または未満、もしくは約０．０５以内または未満、より具体的には、約０．０３以内または未満、約０．０２以内または未満、約０．０１以内または未満、約０．０８以内または未満、約０．００５以内または未満、約０．００３以内または未満、約０．００１以内または未満、約０．０００８以内または未満、約０．０００５以内または未満、もしくは約０．０００１以内または未満の伝導性コーティングの材料の初期付着確率を呈する、または有するものとして特徴付けられるものを含む。核形成助長コーティングを形成するように使用するための好適な材料は、少なくとも約０．６（もしくは６０％）、少なくとも約０．７、少なくとも約０．７５、少なくとも約０．８、少なくとも約０．９、少なくとも約０．９３、少なくとも約０．９５、少なくとも約０．９８、または少なくとも約０．９９の伝導性コーティングの材料の初期付着確率を呈する、または有するものとして特徴付けられるものを含む。
【０１５９】
好適な核形成阻害材料は、小分子有機材料および有機ポリマー等の有機材料を含む。好適な有機材料の実施例は、随意に、窒素（Ｎ）、硫黄（Ｓ）、酸素（Ｏ）、リン（Ｐ）、およびアルミニウム（Ａｌ）等の１つまたはそれを上回るヘテロ原子を含み得る、有機分子を含む多環式芳香族化合物を含む。いくつかの実施形態では、多環式芳香族化合物は、核部分と、核部分に結合された少なくとも１つの末端部分とをそれぞれ含む、有機分子を含む。末端部分の数は、１またはそれを上回る、２またはそれを上回る、３またはそれを上回る、もしくは４またはそれを上回ってもよい。２つまたはそれを上回る末端部分の場合、末端部分は、同一もしくは異なり得る、または末端部分のサブセットは、同一であり得るが、少なくとも１つの残りの末端部分と異なり得る。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの末端部分は、以下のような化学構造（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、および（Ｉｃ）のうちの１つによって表される、ビフェニリル部分である、またはそれを含む。
【化２】
2018533183.tif 000013
【化３】
2018533183.tif 000014
点線は、ビフェニリル部分と核部分との間に形成される結合を示す。一般に、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、および（Ｉ−ｃ）によって表されるビフェニリル部分は、非置換であり得る、またはその水素原子のうちの１つもしくはそれを上回るものを１つまたはそれを上回る置換基によって置換させることによって置換されてもよい。（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、および（Ｉ−ｃ）によって表される部分では、ＲａおよびＲｂは、１つまたはそれを上回る置換基の随意の存在を独立して表し、Ｒａは、一、二、三、または四置換を表してもよく、Ｒｂは、一、二、三、四、または五置換を表してもよい。例えば、１つまたはそれを上回る置換基ＲａおよびＲｂは、ジュウテロ、フルオロ、Ｃ１−Ｃ４アルキル、シクロアルキル、アリールアルキル、シリル、アリール、ヘテロアリール、フルオロアルキルを含む、アルキル、およびそれらの任意の組み合わせから独立して選択されてもよい。具体的には、１つまたはそれを上回る置換基ＲａおよびＲｂは、メチル、エチル、ｔ−ブチル、トリフルオロメチル、フェニル、メチルフェニル、ジメチルフェニル、トリメチルフェニル、ｔ−ブチルフェニル、ビフェニリル、メチルビフェニリル、ジメチルビフェニリル、トリメチルビフェニリル、ｔ−ブチルビフェニリル、フルオロフェニル、ジフルオロフェニル、トリフルオロフェニル、ポリフルオロフェニル、フルオロビフェニリル、ジフルオロビフェニリル、トリフルオロビフェニリル、およびポリフルオロビフェニリルから独立して選択されてもよい。特定の理論によって拘束されることを所望するわけではないが、表面上の露出したビフェニリル部分の存在は、マグネシウム等の伝導性材料の堆積に向けた表面の親和性を低下させるように、表面エネルギー（例えば、脱着エネルギー）を調節または同調する役割を果たし得る。マグネシウムの堆積を阻害する表面エネルギーの類似同調を生じる、他の部分および材料が、核形成阻害コーティングを形成するために使用されてもよい。
【０１６０】
別の実施形態では、少なくとも１つの末端部分は、以下のような構造（Ｉ−ｄ）によって表されるフェニル部分である、またはそれを含む。
【化４】
2018533183.tif 000015
点線は、フェニル部分と核部分との間に形成される結合を示す。一般に、（Ｉ−ｄ）によって表されるフェニル部分は、非置換であり得る、またはその水素原子のうちの１つもしくはそれを上回るものを１つまたはそれを上回る置換基によって置換させることによって置換されてもよい。（Ｉ−ｄ）によって表される部分では、Ｒｃは、１つまたはそれを上回る置換基の随意の存在を表し、Ｒｃは、一、二、三、四、または五置換を表してもよい。１つまたはそれを上回る置換基Ｒｃは、ジュウテロ、フルオロ、Ｃ１−Ｃ４アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキルを含む、アルキル、およびそれらの任意の組み合わせから独立して選択されてもよい。具体的には、１つまたはそれを上回る置換基Ｒｃは、メチル、エチル、ｔ−ブチル、フルオロメチル、ビフルオロメチル、トリフルオロメチル、フルオロエチル、ポリフルオロエチルから独立して選択されてもよい。
【０１６１】
さらに別の実施形態では、少なくとも１つの末端部分は、フルオレン部分またはフェニレン部分（複数の（例えば、３つ、４つ、またはそれを上回る）縮合ベンゼン環を含有するものを含む）等の縮合環構造を含む、多環式芳香族部分である、もしくはそれを含む。そのような部分の実施例は、スピロビフルオレン部分、トリフェニレン部分、ジフフェニルフルオレン部分、ジメチルフルオレン部分、ジフルオロフルオレン部分、およびそれらの任意の組み合わせを含む。
【０１６２】
いくつかの実施形態では、多環式芳香族化合物は、以下のような化学構造（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、および（ＩＶ）のうちの少なくとも１つによって表される有機分子を含む。
【化５】
2018533183.tif 000016
【０１６３】
（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、および（ＩＶ）では、Ｃは、核部分を表し、Ｔ１、Ｔ２、およびＴ３は、核部分に結合された末端部分を表す。１つ、２つ、および３つの末端部分が、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、ならびに（ＩＶ）で描写されているが、３つを上回る末端部分も含まれ得ることを理解されたい。
【０１６４】
いくつかの実施形態では、Ｃは、実施例がトリアゾール部分である、１つまたはそれを上回る窒素原子を含む複素環部分等の複素環部分である、もしくはそれを含む。いくつかの実施形態では、Ｃは、アルミニウム原子、銅原子、イリジウム原子、および／または白金原子等の金属原子（遷移および遷移後原子を含む）である、もしくはそれを含む。いくつかの実施形態では、Ｃは、窒素原子、酸素原子、および／またはリン原子である、もしくはそれを含む。いくつかの実施形態では、Ｃは、芳香族であり得る、環状炭化水素部分である、またはそれを含む。いくつかの実施形態では、Ｃは、分岐または非分岐であり得る、置換もしくは非置換アルキル、シクロアルキニル（１〜７個の炭素原子を含有するものを含む）、アルケニル、アルキニル、アリール（フェニル、ナフチル、チエニル、およびインドリルを含む）、アリールアルキル、複素環部分（モルホリノ、ピペリジノ、およびピロリジノ等の環状アミンを含む）、環状エーテル部分（テトラヒドロフランおよびテトラヒドロピラン部分等）、ヘテロアリール（ピロール、フラン、チオフェン、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、トリアゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、多環式複素芳香族部分、およびジベンジルチオフェニルを含む）、フルオレン部分、シリル、およびそれらの任意の組み合わせである、またはそれを含む。
【０１６５】
（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、および（ＩＶ）では、Ｔ１は、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分である、またはそれを含む。部分Ｔ１は、核部分に直接結合されてもよい、またはリンカ部分を介して核部分に結合されてもよい。リンカ部分の実施例は、−Ｏ−（Ｏは酸素原子を表す）、−Ｓ−（Ｓは硫黄原子を表す）、および１つ、２つ、３つ、４つ、またはそれを上回る炭素原子を含み、非置換もしくは置換であり得、随意に、１つまたはそれを上回るヘテロ原子を含み得る、環状もしくは非環状炭化水素部分を含む。核部分と１つまたはそれを上回る末端部分との間の結合は、共有結合、もしくは特に有機金属化合物の場合、金属要素と有機要素との間に形成される結合であってもよい。
【０１６６】
（ＩＩＩ）では、Ｔ１およびＴ２は、少なくともＴ１が、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分である、またはそれを含む限り、同一であり得る、もしくは異なり得る。例えば、Ｔ１およびＴ２はそれぞれ、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分であってもよい、またはそれを含んでもよい。別の実施例として、Ｔ１が、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分である、またはそれを含む一方で、Ｔ２は、そのような部分が欠けていてもよい。いくつかの実施形態では、Ｔ２は、芳香族であり得る、単環構造を含み得る、または多環式であり得る、置換または非置換であり得る、かつ核部分に直接結合され得る、またはリンカ部分を介して核部分に結合され得る、環状炭化水素部分である、もしくはそれを含む。いくつかの実施形態では、Ｔ２は、単環構造を含み得る、または多環式であり得る、置換または非置換であり得る、かつ核部分に直接結合され得る、またはリンカ部分を介して核部分に結合され得る、１つまたはそれを上回る窒素原子を含む複素環部分等の複素環部分である、もしくはそれを含む。いくつかの実施形態では、Ｔ２は、置換または非置換であり得る、随意に、１つまたはそれを上回るヘテロ原子を含み得る、かつ核部分に直接結合され得る、またはリンカ部分を介して核部分に結合され得る、環状炭化水素部分である、もしくはそれを含む。Ｔ１およびＴ２が異なる、いくつかの実施形態では、Ｔ２は、Ｔ１と同等のサイズを有する部分から選択されてもよい。具体的には、Ｔ２は、Ｔ１の分子量の約２倍以内、約１．９倍以内、約１．７倍以内、約１．５倍以内、約１．２倍以内、または約１．１倍以内の分子量を有する、上記に列挙された部分から選択されてもよい。特定の理論によって拘束されることを所望するわけではないが、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分と異なる、またはそれが欠けている、末端部分Ｔ２が含まれるとき、Ｔ１に対するＴ２の同等のサイズは、分子積層、立体障害、またはそのような効果の組み合わせに起因して、Ｔ１の暴露を妨げ得る大型末端基とは対照的に、表面上のＴ１の暴露を助長し得ることが仮定される。
【０１６７】
（ＩＶ）では、Ｔ１、Ｔ２、およびＴ３は、少なくともＴ１が、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分である、またはそれを含む限り、同一であり得る、もしくは異なり得る。例えば、Ｔ１、Ｔ２、およびＴ３はそれぞれ、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分であってもよい、またはそれを含んでもよい。別の実施例として、Ｔ１およびＴ２がそれぞれ、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分であってもよい、またはそれを含んでもよい一方で、Ｔ３は、そのような部分が欠けていてもよい。別の実施例として、Ｔ１およびＴ３がそれぞれ、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分であってもよい、またはそれを含んでもよい一方で、Ｔ２は、そのような部分が欠けていてもよい。さらなる実施例として、Ｔ１が、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分である、またはそれを含む一方で、Ｔ２およびＴ３は両方とも、そのような部分が欠けていてもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのＴ２およびＴ３は、芳香族であり得る、単環構造を含み得る、または多環式であり得る、置換または非置換であり得る、かつ核部分に直接結合され得る、またはリンカ部分を介して核部分に結合され得る、環状炭化水素部分である、もしくはそれを含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのＴ２およびＴ３は、単環構造を含み得る、または多環式であり得る、置換または非置換であり得る、かつ核部分に直接結合され得る、またはリンカ部分を介して核部分に結合され得る、１つまたはそれを上回る窒素原子を含む複素環部分等の複素環部分である、もしくはそれを含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのＴ２およびＴ３は、置換または非置換であり得る、随意に、１つまたはそれを上回るヘテロ原子を含み得る、かつ核部分に直接結合され得る、またはリンカ部分を介して核部分に結合され得る、非環状炭化水素部分である、もしくはそれを含む。Ｔ１、Ｔ２、およびＴ３が異なる、いくつかの実施形態では、Ｔ２およびＴ３は、Ｔ１と同等のサイズを有する部分から選択されてもよい。具体的には、Ｔ２およびＴ３は、Ｔ１の分子量の約２倍以内、約１．９倍以内、約１．７倍以内、約１．５倍以内、約１．２倍以内、または約１．１倍以内の分子量を有する、上記に列挙された部分から選択されてもよい。特定の理論によって拘束されることを所望するわけではないが、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分と異なる、またはそれが欠けている、末端部分Ｔ２およびＴ３が含まれるとき、Ｔ１に対するＴ２およびＴ３の同等のサイズは、分子積層、立体障害、またはそのような効果の組み合わせに起因して、Ｔ１の暴露を妨げ得る大型末端基とは対照的に、表面上のＴ１の暴露を助長し得ることが仮定される。
【０１６８】
好適な核形成阻害材料は、ポリマー材料を含む。そのようなポリマー材料の実施例は、ペルフルオロ化ポリマーおよびポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリビニリビフェニル、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ならびに上記で説明されるような複数の多環式芳香族化合物を重合することによって形成されるポリマーを含むが、それらに限定されない、フルオロポリマーを含む。別の実施例では、ポリマー材料は、複数のモノマーを重合することによって形成されるポリマーを含み、モノマーのうちの少なくとも１つは、（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ−ｃ）、または（Ｉ−ｄ）によって表される部分、もしくは上記で説明されるような縮合環構造を含む多環式芳香族部分である、もしくはそれを含む、末端部分を含む。
【０１６９】
図１４および１５は、一実施形態による、ＯＬＥＤデバイス１５００を図示する。具体的には、図１４は、ＯＬＥＤデバイス１５００の上面図を示し、図１５は、ＯＬＥＤデバイス１５００の構造の断面図を図示する。図１４では、カソード１５５０は、カソード材料が堆積させられなかったデバイス１５００の領域に対応する、その中に形成された複数の開口または正孔１５６０を有する、もしくは画定する、単一のモノリシックまたは連続構造として図示されている。これはさらに、ベース基板１５１０と、アノード１５２０と、有機層１５３０と、核形成助長コーティング１５４０と、核形成助長コーティング１５４０のある領域の上を選択的に堆積させられる核形成阻害コーティング１５７０と、核形成阻害コーティング１５７０が存在しない核形成助長コーティング１５４０の他の領域の上を堆積させられるカソード１５５０とを含む、ＯＬＥＤデバイス１５００を示す、図１５に図示されている。より具体的には、デバイス１５００の製作中に核形成助長コーティング１５４０の表面のある領域を被覆するように、核形成阻害コーティング１５７０を選択的に堆積させることによって、カソード材料は、開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して、核形成助長コーティング１５４０の表面の露出領域上に選択的に堆積させられる。ＯＬＥＤデバイス１５００の透明度または透過率は、カソード１５５０に形成された正孔１５６０の平均サイズおよび正孔１５６０の密度等の付与されたパターンの種々のパラメータを変更することによって、調節または修正されてもよい。故に、ＯＬＥＤデバイス１５００は、ＯＬＥＤデバイスに入射する外部光の少なくとも一部がそれを通して透過されることを可能にする、実質的に透明なＯＬＥＤデバイスであってもよい。例えば、ＯＬＥＤデバイス１５００は、実質的に透明なＯＬＥＤ照明パネルであってもよい。そのようなＯＬＥＤ照明パネルは、例えば、一方向（例えば、ベース基板１５１０に向かって、またはそれから離れてのいずれか）に、または両方向に（例えば、ベース基板１５１０に向かって、および離れて）光を放射するように構成されてもよい。
【０１７０】
図１６は、カソード１６５０がデバイス面積全体を実質的に被覆する、別の実施形態による、ＯＬＥＤデバイス１６００を図示する。具体的には、ＯＬＥＤデバイス１６００は、ベース基板１６１０と、アノード１６２０と、有機層１６３０と、核形成助長コーティング１６４０と、カソード１６５０と、カソード１６５０のある領域の上を選択的に堆積させられる核形成阻害コーティング１６６０と、核形成阻害コーティング１６６０が存在しないカソード１６５０の他の領域の上を堆積させられる補助電極１６７０とを含む。
【０１７１】
補助電極１６７０は、カソード１６５０に電気的に接続される。具体的には、上面発光構成では、カソード１６５０の存在に起因する光学干渉（例えば、減衰、反射、拡散等）を低減させるように、カソード１６５０の比較的薄い層を堆積させることが望ましい。しかしながら、カソード１６５０の低減した厚さは、概して、カソード１６５０のシート抵抗を増加させ、したがって、ＯＬＥＤデバイス１６００の性能および効率を低減させる。カソード１６５０に電気的に接続される補助電極１６７０を提供することによって、シート抵抗、したがって、カソード１６５０と関連付けられるＩＲ降下が、減少されることができる。さらに、他の領域が被覆されていないままである間に、デバイス面積のある領域を被覆するように補助電極１６７０を選択的に堆積させることによって、補助電極１６７０の存在に起因する光学干渉が、制御および／または低減されてもよい。
【０１７２】
電極シート抵抗の効果が、ここで、ｐ型ＴＦＴを伴う上面発光アクティブマトリクスＯＬＥＤ（ＡＭＯＬＥＤ）ピクセルの回路図の実施例を示す、図４８を参照して解説されるであろう。図４８では、回路４８００は、電力供給（ＶＤＤ）線４８１２と、制御線４８１４と、ゲート線４８１６と、データ線４８１８とを含む。駆動回路は、第１のＴＦＴ４８３１と、第２のＴＦＴ４８３３とを含み、蓄電コンデンサ４８４１が提供され、駆動回路構成要素は、図に図示される様式で、データ線４８１８、ゲート線４８１６、およびＶＤＤ線４８１２に接続される。概して、経時的にＴＦＴ４８３１および４８３３の製造分散または劣化によって引き起こされる、トランジスタ性質の任意の偏差を補償するように作用する、補償回路４８４３も提供される。
【０１７３】
ＯＬＥＤピクセルまたはサブピクセル４８５０、および回路図で抵抗器として表されるカソード４８５２は、第２のＴＦＴ４８３３（「駆動トランジスタ」とも称される）と直列に接続される。駆動トランジスタ４８３３は、ＯＬＥＤピクセル４８５０が所望の輝度を出力するように、蓄電コンデンサ４８４１の中に貯蔵された電荷の電圧に従って、ＯＬＥＤピクセル４８５０を通過させられる電流を調整する。蓄電コンデンサ４８４１の電圧は、第１のＴＦＴ４８３１（「スイッチトランジスタ」とも称される）を介して蓄電コンデンサ４８４１をデータ線４８１８に接続することによって設定される。
【０１７４】
ＯＬＥＤピクセルまたはサブピクセル４８５０およびカソード４８５２を通した電流が、駆動トランジスタ４８３３のゲート電圧とソース電圧との間の電位差に基づいて調整されるため、カソード４８５２のシート抵抗の増加は、電力供給（ＶＤＤ）を増加させることによって補償される、より大きいＩＲ降下をもたらす。しかしながら、ＶＤＤが増加させられるとき、ＴＦＴ４８３３およびＯＬＥＤピクセル４８５０に供給される他の電圧もまた、適切な動作を維持するように増加させられ、したがって、不利である。
【０１７５】
図４８を参照すると、補助電極４８５４が、カソード４８５２に並列に接続された抵抗器として図示されている。補助電極４８５４の抵抗がカソード４８５２のものよりも実質的に低いため、補助電極４８５４およびカソード４８５２の複合実効抵抗は、カソード４８５２単独のものよりも低い。故に、ＶＤＤの増加は、補助電極４８５４の存在によって軽減されることができる。
【０１７６】
補助電極の利点が上面発光ＯＬＥＤデバイスを参照して解説されているが、底面発光または両面発光ＯＬＥＤデバイスのカソードの上を補助電極を選択的に堆積させることも有利であり得る。例えば、カソードは、デバイスの光学特性に実質的に影響を及ぼすことなく、底面発光ＯＬＥＤデバイスの中の比較的厚い層として形成されてもよいが、比較的薄いカソードを形成することが依然として有利であり得る。例えば、透明または半透明ディスプレイデバイスでは、カソードを含むデバイス全体の層は、実質的に透明または半透明であるように形成されることができる。故に、典型的視認距離から裸眼によって容易に検出されることができない、パターン化された補助電極を提供することが有益であり得る。また、説明されるプロセスは、ＯＬＥＤデバイス以外のデバイス用の電極の抵抗を減少させるための母線または補助電極を形成するために使用され得ることも理解されるであろう。
【０１７７】
いくつかの実施形態では、製作プロセス中に堆積させられる核形成阻害コーティングは、伝導性コーティングが堆積させられた後に、例えば、溶媒またはプラズマエッチングを使用することによって、除去されてもよい。
【０１７８】
図５９Ａは、基板５９１０と、基板５９１０の表面の個別の領域の上を堆積させられる、核形成阻害コーティング５９２０および伝導性コーティング５９１５（例えば、マグネシウムコーティング）とを含む、一実施形態による、デバイス５９０１を図示する。
【０１７９】
図５９Ｂは、伝導性コーティング５９１５が、基板５９１０上に残留し、核形成阻害コーティング５９２０によって被覆された基板５９１０の領域が、現在、露出されている、または被覆されていないように、デバイス５９０１の中に存在する核形成阻害コーティング５９２０が基板５９１０の表面から除去された後のデバイス５９０２を図示する。例えば、デバイス５９０１の核形成阻害コーティング５９２０は、伝導性コーティング５９１５に実質的に影響を及ぼすことなく、核形成阻害コーティング５９２０を優先的に反応させる、および／またはエッチングする、溶媒もしくはプラズマに基板５９１０を暴露することによって除去されてもよい。
【０１８０】
上記の実施形態のうちの少なくともいくつかが、蒸発プロセスを使用して形成されている、核形成助長コーティング、核形成阻害コーティング、および伝導性コーティングを含む、種々の層またはコーティングを参照して説明されている。理解されるであろうように、蒸発プロセスは、１つまたはそれを上回るソース材料が、低圧（例えば、減圧）環境下で蒸発もしくは昇華され、１つまたはそれを上回る蒸発したソース材料の凝結を通して標的表面上に堆積させられる、ＰＶＤプロセスのタイプである。種々の異なる蒸発ソースが、ソース材料を加熱するために使用されてもよく、したがって、ソース材料は、種々の方法で加熱され得ることが理解されるであろう。例えば、ソース材料は、電気フィラメント、電子ビーム、誘導加熱によって、または抵抗加熱によって、加熱されてもよい。加えて、そのような層またはコーティングは、フォトリソグラフィ、印刷、ＯＶＰＤ、ＬＩＴＩパターン化、およびそれらの組み合わせを含む、他の好適なプロセスを使用して、堆積および／またはパターン化されてもよい。これらのプロセスはまた、種々のパターンを達成するために、シャドウマスクと組み合わせて使用されてもよい。
【０１８１】
例えば、マグネシウムは、毎秒約１０〜３０ｎｍまたはそれを上回る等のより高い堆積速度を達成するように、最大約６００℃のソース温度で堆積させられてもよい。以下の表１を参照すると、約１ｎｍのフラーレン処理有機表面上に実質的に純粋なマグネシウムを堆積させるために、クヌーセンセルソースを使用して測定された種々の堆積速度が提供されている。ソースと基板との間の距離、基板の特性、基板上の核形成助長コーティングの存在、使用されるソースのタイプ、およびソースから蒸発させられる材料の流束の形状を含むが、それらに限定されない、他の要因もまた、堆積速度に影響を及ぼし得ることが理解されるであろう。
【表１】
2018533183.tif 000017
【０１８２】
使用される特定の処理条件は、堆積を行うために使用されている機器に応じて変動し得ることが、当業者によって理解されるであろう。また、より高い堆積速度が、概して、より高いソース温度で達成されることも理解されるであろう。しかしながら、例えば、堆積ソースのより近くに基板を設置することによって等、他の堆積条件も選択されることができる。
【０１８３】
また、伝導性コーティング、核形成阻害コーティング、および核形成助長コーティングを含む、種々の層またはコーティングのうちのいずれかの堆積に使用される開放マスクが、基板のある領域上の材料の堆積を「覆い隠し」得る、または「防止」し得ることも理解されるであろう。しかしながら、約数十ミクロンまたはそれよりも小さい特徴サイズを伴う比較的小さい特徴を形成するために使用される、微細金属マスク（ＦＭＭ）と異なり、開放マスクの特徴サイズは、製造されているＯＬＥＤデバイスのサイズと略同等である。例えば、開放マスクは、製造中にディスプレイデバイスの縁を覆い隠してもよく、これは、ディスプレイデバイスのサイズ（例えば、マイクロディスプレイについては約１インチ、モバイルディスプレイについては約４〜６インチ、ラップトップまたはタブレットディスプレイについては約８〜１７インチ等）にほぼ対応する開口を有する、開放マスクをもたらすであろう。例えば、開放マスクの特徴サイズは、約１ｃｍまたはそれを上回り得る。
【０１８４】
図１６Ｂは、その中に形成された開口１７３４を有する、または画定する、開放マスク１７３１の実施例を図示する。図示される実施例では、マスク１７３１の開口１７３４は、マスク１７３１が重ね合わせられるときに、マスク１７３１がデバイス１７２１の縁を被覆するように、デバイス１７２１のサイズよりも小さい。具体的には、図示される実施形態では、デバイス１７２１の全てまたは実質的に全ての放射領域もしくはピクセル１７２３が、開口１７３４を通して露出される一方で、露出されていない領域１７２７が、デバイス１７２１および開口１７３４の外縁１７２５の間に形成される。理解されるであろうように、電気接点または他のデバイス構成要素は、これらの構成要素が開放マスク堆積プロセスを通して影響を受けていないままであるように、露出されていない領域１７２７中に位置してもよい。
【０１８５】
図１６Ｃは、重ね合わせられたときに、マスク１７３１がデバイス１７２１の少なくともいくつかの放射領域またはピクセル１７２３を被覆するように、マスク１７３１の開口１７３４が図１６Ｂのものよりも小さい、開放マスク１７３１の別の実施例を図示する。具体的には、最外ピクセル１７２３’は、マスク１７３１の開口１７３４とデバイス１７２１の外縁１７２５との間に形成されたデバイス１７２１の露出されていない領域１７２７内に位置するものとして図示されている。
【０１８６】
図１６Ｄは、マスク１７３１の開口１７３４が、デバイス１７２１の他のピクセル１７２３を露出しながらいくつかのピクセル１７２３’を被覆する、パターンを画定する、開放マスク１７３１のさらに別の実施例を図示する。具体的には、（開口１７３４と外縁１７２５との間に形成される）デバイス１７２１の露出されていない領域１７２７内に位置するピクセル１７２３’は、蒸気流束が露出されていない領域１７２７に入射しないように阻止するために、堆積プロセス中に覆い隠される。
【０１８７】
最外ピクセルが、図１６Ｂ−１６Ｄの実施例では覆い隠されているものとして図示されているが、開放マスクの開口は、デバイスの他の放射および非放射領域を覆い隠すように成形され得ることが理解されるであろう。さらに、開放マスクが、１つの開口を有するものとして前述の実施例で図示されているが、開放マスクはまた、基板またはデバイスの複数の領域を露出するための付加的開口を含んでもよい。
【０１８８】
図１６Ｅは、マスク１７３１が複数の開口１７３４ａ−１７３４ｄを有する、または画定する、開放マスク１７３１の別の実施例を図示する。開口１７３４ａ−１７３４ｄは、他の領域を覆い隠しながら、それらがデバイス１７２１のある領域を選択的に露出するように位置付けられる。例えば、ある放射領域またはピクセル１７２３が、開口１７３４ａ−ｄを通して露出される一方で、露出されていない領域１７２７内に位置する他のピクセル１７２３’は、覆い隠される。
【０１８９】
本明細書に説明される種々の実施形態では、開放マスクの使用は、所望される場合、省略され得ることが理解されるであろう。具体的には、本明細書に説明される開放マスク堆積プロセスは、代替として、標的表面全体が露出されるように、マスクを使用することなく行われてもよい。
【０１９０】
あるプロセスが、核形成助長材料、核形成阻害材料、およびマグネシウムを堆積させる目的のための蒸発を参照して説明されているが、種々の他のプロセスが、これらの材料を堆積させるために使用され得ることが理解されるであろう。例えば、堆積は、他のＰＶＤプロセス（スパッタリングを含む）、ＣＶＤプロセス（プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）を含む）、またはそのような材料を堆積させるための他の好適なプロセスを使用して、行われてもよい。いくつかの実施形態では、マグネシウムは、抵抗加熱器を使用してマグネシウムソース材料を加熱することによって、堆積させられる。他の実施形態では、マグネシウムソース材料は、加熱されたるつぼ、加熱されたボート、クヌーセンセル（例えば、流出蒸発器ソース）、または任意の他のタイプの蒸発ソースの中に装填されてもよい。
【０１９１】
伝導性コーティングを堆積させるために使用される堆積ソース材料は、混合物または化合物であってもよく、いくつかの実施形態では、混合物または化合物のうちの少なくとも１つの成分は、堆積中に基板上に堆積させられない（もしくは、例えば、マグネシウムと比較して比較的少量で堆積させられる）。いくつかの実施形態では、ソース材料は、銅・マグネシウム（Ｃｕ−Ｍｇ）混合物またはＣｕ−Ｍｇ化合物であってもよい。いくつかの実施形態では、マグネシウム堆積ソースのためのソース材料は、マグネシウムと、例えば、Ｃｕ等のマグネシウムよりも低い蒸気圧を伴う材料とを含む。他の実施形態では、マグネシウム堆積ソースのためのソース材料は、実質的に純粋なマグネシウムである。具体的には、実質的に純粋なマグネシウムは、純粋なマグネシウム（９９．９９％およびそれより高い純度のマグネシウム）と比較して、実質的に類似する性質（例えば、核形成阻害および助長コーティング上の初期付着確率）を呈することができる。例えば、核形成阻害コーティング上の実質的に純粋なマグネシウムの初期付着確率は、核形成阻害コーティング上の９９．９９％純度マグネシウムの初期付着確率の±１０％以内または±５％以内であることができる。マグネシウムの純度は、約９５％またはそれより高く、約９８％またはそれより高く、約９９％またはそれより高く、もしくは約９９．９％またはそれより高くあり得る。伝導性コーティングを堆積させるために使用される堆積ソース材料は、マグネシウムの代わりに、またはそれと組み合わせて、他の金属を含んでもよい。例えば、ソース材料は、イッテルビウム（Ｙｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、亜鉛（Ｚｎ）、またはそれらの任意の組み合わせ等の高い蒸気圧材料を含んでもよい。
【０１９２】
さらに、種々の実施形態のためのプロセスは、有機光電子デバイスの電子注入層、電子輸送層、エレクトロルミネセント層、および／またはピクセル画定層（ＰＤＬ）として使用される、他の種々の有機もしくは無機材料の表面上で行われ得ることが理解されるであろう。そのような材料の実施例は、ＰＣＴ公開第ＷＯ２０１２／０１６０７４号で説明されるもの等の有機分子ならびに有機ポリマーを含む。また、種々の元素および／または無機化合物でドープされた有機材料が、依然として有機材料と見なされ得ることが、当業者によって理解されるであろう。さらに、種々の有機材料が使用され得、本明細書に説明されるプロセスは、概して、そのような有機材料の範囲全体に適用可能であることが、当業者によって理解されるであろう。
【０１９３】
また、無機基板または表面は、主に無機材料を含む、基板または表面を指し得ることも理解されるであろう。さらに明確にするために、無機材料は、概して、有機材料と見なされない任意の材料であると理解されるであろう。無機材料の実施例は、金属、ガラス、および鉱物を含む。具体的には、マグネシウムを含む伝導性コーティングが、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、ガラス、およびシリコン（Ｓｉ）の表面上に、本開示によるプロセスを使用して堆積させられてもよい。本開示によるプロセスが適用され得る、他の表面は、シリコンまたはシリコーン系ポリマー、無機半導体材料、電子注入材料、塩、金属、および金属酸化物を含む。
【０１９４】
基板は、半導体材料を含み得、故に、そのような基板の表面は、半導体表面であり得ることが理解されるであろう。半導体材料は、概して、バンドギャップを呈する材料として説明され得る。例えば、そのようなバンドギャップは、最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）と最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）との間に形成されてもよい。半導体材料は、したがって、概して、伝導性材料（例えば、金属）のもの未満であるが、絶縁材料（例えば、ガラス）のものを上回る、電気伝導度を保有する。半導体材料は、有機半導体材料または無機半導体材料であり得ることが理解されるであろう。
【０１９５】
図１７は、一実施形態による、パターン化されたカソード１７１０を示す。カソード１７１０は、離間され、相互に対して実質的に平行に配列される、複数の実質的に直線状の導体区画を含む、単一のモノリシックまたは連続構造として図示されている。各導体区画は、複数の実質的に直線状の導体区画と実質的に垂直に配列される、末端導体区画に、その端部の両方において接続される。カソード１７１０は、上記で説明される堆積プロセスに従って形成されることができる。
【０１９６】
図１７Ｂは、カソード１７１２が、複数の離間された伸長伝導性ストリップを含む、別の実施形態による、パターン化されたカソード１７１２を示す。例えば、カソード１７１２は、パッシブマトリクスＯＬＥＤデバイス（ＰＭＯＬＥＤ）１７１５で使用されてもよい。ＰＭＯＬＥＤデバイス１７１５では、放射領域またはピクセルは、概して、対電極が重複する領域において形成される。故に、図１７Ｂの実施形態では、放射領域またはピクセル１７５１は、複数の離間された伸長伝導性ストリップを含む、カソード１７１２およびアノード１７４１の重複領域において形成される。非放射領域１７５５は、カソード１７１２およびアノード１７４１が重複しない、領域において形成される。概して、カソード１７１２のストリップおよびアノード１７４１のストリップは、図示されるようにＰＭＯＬＥＤデバイス１７１５の中で相互と実質的に垂直に配向される。カソード１７１２およびアノード１７４１は、電流を個別の電極に供給するための電源ならびに関連付けられる駆動回路に接続されてもよい。
【０１９７】
図１７Ｃは、図１７Ｂの線Ａ−Ａに沿って得られた断面図を図示する。図１７Ｃでは、例えば、透明基板であり得る、ベース基板１７０２が提供される。アノード１７４１は、図１７Ｂに図示されるように、ストリップの形態でベース基板１７０２の上を提供される。１つまたはそれを上回る有機層１７６１は、アノード１７４１の上を堆積させられる。例えば、有機層１７６１は、デバイス全体を横断する共通層として提供されてもよく、正孔注入および輸送層、エレクトロルミネセンス層、ならびに電子輸送および注入層等の本明細書に説明される有機および／または無機材料の任意の数の層を含んでもよい。有機層１７６１の頂面のある領域は、上記で説明される堆積プロセスに従ってカソード１７１２を選択的にパターン化するために使用される、核形成阻害コーティング１７７１によって被覆されるものとして図示されている。カソード１７１２およびアノード１７４１は、ピクセル１７５１からの発光を制御する、それらの個別の駆動回路（図示せず）に接続されてもよい。
【０１９８】
核形成阻害コーティング１７７１およびカソード１７１２の厚さは、所望の用途ならびに性能に応じて変動され得るが、少なくともいくつかの実施形態では、核形成阻害コーティング１７７１の厚さは、図１７Ｃに図示されるように、カソード１７１２の厚さと同等であり得る、または実質的にそれ未満であり得る。カソードのパターン化を達成するための比較的薄い核形成阻害コーティングの使用は、その上に障壁コーティングが適用され得る、比較的平面的な表面を提供することができるため、可撓性ＰＭＯＬＥＤデバイスのために特に有利であり得る。
【０１９９】
図１７Ｄは、カソード１７１２の上を適用された障壁コーティング１７７５および核形成阻害コーティング１７７１を伴う図１７ＣのＰＭＯＬＥＤデバイス１７１５を図示する。理解されるであろうように、障壁コーティング１７７５は、概して、有機層と、酸化する傾向があり得るカソード１７１２とを含む、種々のデバイス層が、湿気および周囲空気に暴露されないように阻止するために提供される。例えば、障壁コーティング１７７５は、印刷、ＣＶＤ、スパッタリング、原子層堆積（ＡＬＤ）、前述の任意の組み合わせによって、または任意の他の好適な方法によって形成される、薄膜カプセル化であってもよい。障壁コーティング１７７５はまた、接着剤（図示せず）を使用して、デバイス１７１５上に事前形成された障壁膜を積層製作することによって提供されてもよい。例えば、障壁コーティング１７７５は、有機材料、無機材料、または両方の組み合わせを備える、多層コーティングであってもよい。障壁コーティング１７７５はさらに、ゲッタ材料および／または乾燥剤を備えてもよい。
【０２００】
比較目的のために、比較ＰＭＯＬＥＤデバイス１７１９の実施例が、図１７Ｅに図示されている。図１７Ｅの比較実施例では、伝導性材料が、開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して堆積させられるとき、伝導性材料が、カソード１７１２を形成するために隣接ピクセル画定構造１７８３の間に位置する両方の放射領域上に、ならびに伝導性ストリップ１７１８を形成するためにピクセル画定構造１７８３の上に堆積させられるように、複数のピクセル画定構造１７８３が、デバイス１７１９の非放射領域中に提供される。しかしながら、カソード１７１２の各区画が、伝導性ストリップ１７１８から電気的に単離されていることを確実にするために、ピクセル画定構造１７８３の厚さまたは高さは、カソード１７１２の厚さを上回るように形成される。ピクセル画定構造１７８３はまた、伝導性ストリップ１７１８と電気接触するカソード１７１２の可能性をさらに減少させるように、下を切り取った外形を有してもよい。障壁コーティング１７７５は、カソード１７１２と、ピクセル画定構造１７８３と、伝導性ストリップ１７１８とを含む、ＰＭＯＬＥＤデバイス１７１９を被覆するように提供される。
【０２０１】
図１７Ｅに図示される比較ＰＭＯＬＥＤデバイス１７１９では、その上に障壁コーティング１７７５が適用される表面は、ピクセル画定構造１７８３の存在に起因して、非一様である。これは、障壁コーティング１７７５の適用を困難にし、障壁コーティング１７７５の適用に応じてさえも、下層表面への障壁コーティング１７７５の付着は、比較的不良であり得る。不良な付着は、特にデバイス１７１９が屈曲または撓曲されるときに、デバイス１７１９から剥離する障壁コーティング１７７５の可能性を増加させる。加えて、非一様な表面に起因して、適用手順中にエアポケットが障壁コーティング１７７５と下層表面との間に閉じ込められる比較的高い確率がある。エアポケットの存在および／または障壁コーティング１７７５の剥離は、欠陥および部分的または全体的デバイス故障を引き起こし得、もしくはそれに起因し得、したがって、極めて望ましくない。これらの要因は、図１７Ｄの実施形態では軽減または低減される。
【０２０２】
図１７および１７Ｂに示される、パターン化されたカソード１７１０ならびに１７１２は、ＯＬＥＤデバイスのカソードを形成するために使用されてもよいが、類似パターンが、ＯＬＥＤデバイス用の補助電極を形成するために使用され得ることが理解される。具体的には、そのようなＯＬＥＤデバイスは、補助電極が共通カソードと電気通信するように、共通カソード、および共通カソードの上または下に堆積させられる補助電極を提供されてもよい。例えば、そのような補助電極は、補助電極が放射領域を覆わないが非放射領域の上を形成されるように、複数の放射領域（例えば、ＡＭＯＬＥＤデバイス）を含む、ＯＬＥＤデバイスで実装されてもよい。別の実施例では、補助電極が、ＯＬＥＤデバイスの非放射領域ならびに少なくともいくつかの放射領域を被覆するように提供されてもよい。
【０２０３】
図１８Ａは、複数の放射領域１８１０ａ−１８１０ｆと、非放射領域１８２０とを含む、ＯＬＥＤデバイス１８００の一部を描写する。例えば、ＯＬＥＤデバイス１８００は、ＡＭＯＬＥＤデバイスであってもよく、放射領域１８１０ａ−１８１０ｆはそれぞれ、そのようなデバイスのピクセルまたはサブピクセルに対応してもよい。簡単にするために、図１８Ｂ−１８Ｄは、ＯＬＥＤデバイス１８００の一部を描写する。具体的には、図１８Ｂ−１８Ｄは、２つの隣接する放射領域である、第１の放射領域１８１０ａおよび第２の放射領域１８１０ｂを取り囲む領域を示す。明示的に図示されていないが、デバイス１８００の放射領域および非放射領域の両方を実質的に被覆する、共通カソードが提供されてもよい。
【０２０４】
図１８Ｂでは、補助電極１８３０が２つの隣接する放射領域１８１０ａと１８１０ｂとの間に配置される、一実施形態による、補助電極１８３０が示されている。補助電極１８３０は、共通カソード（図示せず）に電気的に接続される。具体的には、補助電極１８３０は、隣接する放射領域１８１０ａと１８１０ｂとの間の分離距離（ｄ）未満である幅（α）を有し、したがって、補助電極１８３０の各側面上に非放射間隙領域を作成するものとして図示されている。例えば、そのような配列は、デバイス１８００の光学出力に干渉する補助電極１８３０の可能性が、非放射間隙領域を提供することによって低減されることができるため、隣接する放射領域１８１０ａと１８１０ｂとの間の分離距離が、十分な幅の補助電極１８３０に適応するために十分である、デバイス１８００で望ましくあり得る。さらに、そのような配列は、補助電極１８３０が比較的厚い（例えば、厚さ数百ナノメートルまたは約数ミクロンを上回る）場合において、特に有益であり得る。例えば、その幅に対する補助電極１８３０の高さまたは厚さの比（すなわち、アスペクト比）は、約０．１またはそれを上回る、約０．２またはそれを上回る、約０．５またはそれを上回る、約０．８またはそれを上回る、約１またはそれを上回る、もしくは約２またはそれを上回る等、約０．０５を上回り得る。例えば、補助電極１８３０の高さまたは厚さは、約８０ｎｍまたはそれを上回る、約１００ｎｍまたはそれを上回る、約２００ｎｍまたはそれを上回る、約５００ｎｍまたはそれを上回る、約７００ｎｍまたはそれを上回る、約１，０００ｎｍまたはそれを上回る、約１，５００ｎｍまたはそれを上回る、約１，７００ｎｍまたはそれを上回る、もしくは約２，０００ｎｍまたはそれを上回る等、約５０ｎｍを上回り得る。
【０２０５】
図１８Ｃでは、別の実施形態による、補助電極１８３２が示されている。補助電極１８３２は、共通カソード（図示せず）に電気的に接続される。図示されるように、補助電極１８３２は、補助電極１８３２が隣接する放射領域１８１０ａと１８１０ｂとの間に提供される非放射領域全体を実質的に完全に占有するように、２つの隣接する放射領域１８１０ａと１８１０ｂとの間の分離距離と実質的に同一の幅を有する。そのような配列は、例えば、２つの隣接する放射領域１８１０ａと１８１０ｂとの間の分離距離が、高ピクセル密度ディスプレイデバイスの中等で比較的小さい場合において、望ましくあり得る。
【０２０６】
図１８Ｄでは、さらに別の実施形態による、補助電極１８３４が図示されている。補助電極１８３４は、共通カソード（図示せず）に電気的に接続される。補助電極１８３４は、２つの隣接する放射領域１８１０ａと１８１０ｂとの間の分離距離（ｄ）を上回る、幅（α）を有するものとして図示されている。故に、補助電極１８３４の一部は、第１の放射領域１８１０ａの一部および第２の放射領域１８１０ｂの一部に重複する。そのような配列は、例えば、隣接する放射領域１８１０ａと１８１０ｂとの間の非放射領域が、所望の幅の補助電極１８３４に完全に適応するために十分ではない場合において、望ましくあり得る。補助電極１８３４は、第２の放射領域１８１０ｂと実質的に同一の程度に第１の放射領域１８１０ａと重複するものとして図１８Ｄに図示されているが、補助電極１８３４が隣接放射領域と重複する程度は、他の実施形態では変調されてもよい。例えば、他の実施形態では、補助電極１８３４は、第２の放射領域１８１０ｂよりも大きい程度に第１の放射領域１８１０ａと重複してもよく、その逆も同様である。さらに、補助電極１８３４と放射領域との間の重複のプロファイルもまた、変動されることができる。例えば、補助電極１８３４の重複部分は、補助電極１８３４が、同一の放射領域の別の部分と重複するよりも大きい程度に放射領域の一部と重複し、非一様な重複領域を作成するように成形されてもよい。
【０２０７】
図１９では、放射領域１９１０および放射領域１９１０を取り囲む非放射領域１９２０が提供される、一実施形態による、ＯＬＥＤデバイス１９００が図示されている。リード線１９１２は、デバイス１９００の非放射領域１９２０中に形成されるものとして図示されている。リード線１９１２は、デバイス１９００の放射領域１９１０を被覆する電極（図示せず）に電気的に接続される。リード線１９１２は、そのような電極に給電するための外部電力供給部に接続するための接点を提供してもよい。例えば、電極は、（電線が電力供給部にはんだ付けされて接続され得る）リード線１９１２に不可欠である、提供されるはんだ付けパッドによって、リード線１９１２を介して外部電力供給部に接続されてもよい。明示的に図示されていないが、補助電極が、存在し、デバイス１９００の放射領域１９１０を被覆する電極に接続され得ることが理解されるであろう。そのような補助電極が存在する場合、リード線１９１２は、補助電極、補助電極が接続される電極、または両方に直接接続されてもよい。
【０２０８】
リード線１９１２は、それが接続される電極と同一の平面上に提供され得る、または異なる平面上に提供され得ることが理解されるであろう。例えば、リード線１９１２は、１つまたはそれを上回る垂直接続（例えば、ビア）を通して、バックプレーン等のＯＬＥＤデバイス１９００の別の層に接続されてもよい。
【０２０９】
図２０は、別の実施形態による、ＯＬＥＤデバイス２０００の一部を図示する。ＯＬＥＤデバイス２０００は、放射領域２０１０と、非放射領域２０２０とを含む。ＯＬＥＤデバイス２０００はさらに、デバイス２０００の電極（図示せず）と電気通信する、グリッド様補助電極２０３０を含む。図２０に図示されるように、補助電極２０３０の第１の部分が、放射領域２０１０内に配置される一方で、補助電極２０３０の第２の部分は、放射領域２０１０の外側およびデバイス２０００の非放射領域２０２０内に配置される。補助電極２０３０のそのような配列は、補助電極２０３０がデバイス２０００の光学出力に有意に干渉しないように妨げながら、電極のシート抵抗が低減されることを可能にし得る。
【０２１０】
いくつかの用途では、デバイス面積全体またはその一部の上を補助電極の規則的反復パターンを形成することが望ましくあり得る。図２１Ａ−２１Ｄは、使用され得る補助電極の反復ユニットの種々の実施形態を図示する。具体的には、図２１Ａでは、補助電極２１１０は、補助電極２１１０によって被覆されていない、４つの領域２１２０を包含する。補助電極２１１０は、領域２１２０がＴ字形に配列されるように形成される。例えば、領域２１２０はそれぞれ、複数の放射領域を含む、ＯＬＥＤデバイスの放射領域に実質的に対応してもよい。故に、共通カソード等の他の層またはコーティングが、領域２１２０中に存在し得ることが理解されるであろう。図２１Ｂでは、補助電極２１１２が、逆Ｔ字形に形成され、４つの被覆されていない領域２１２２を包含する。図２１Ｃでは、補助電極２１１４が、４つの被覆されていない領域２１２４を包含するように形成され、同様に、図２１Ｄでは、補助電極２１１６が、４つの被覆されていない領域２１２６を包含するように形成される。
【０２１１】
図２１Ａ−２１Ｄに図示されるもの等の補助電極の反復ユニットを使用することの潜在的利点は、デバイスを製作する際のパターン化の容易性を含む。例えば、補助電極の形成中に核形成助長または核形成阻害コーティングをパターン化する際に使用されるマスクは、デバイス表面の異なる部分をパターン化するために繰り返し使用されてもよく、したがって、より複雑な、および／またはより大きいマスクの必要性を排除する。
【０２１２】
図２２は、デバイス２２００が、その上に形成された複数の反復補助電極ユニット２２３０ａ−ｄを含む、一実施形態による、ＯＬＥＤデバイス２２００の一部を描写する。具体的には、各補助電極ユニット２２３０ａ−ｄは、Ｌ字形であり、３つの明確に異なる発光領域２２１０を包含する。例えば、各発光領域２２１０は、デバイス２２００のピクセルまたはサブピクセルに対応してもよい。図示されるように、隣接する補助電極ユニットは、相互と相互係止してもよい。例えば、第１の補助電極ユニット２２３０ａが、第２の補助電極ユニット２２３０ｂと相互係止関係であるように形成され、同様に、第３の補助電極ユニット２２３０ｃが、第４の補助電極ユニット２２３０ｄと相互係止される。補助電極ユニット２２３０ａ−ｄは、非放射領域２２２０上に形成される。補助電極ユニット２２３０ａ−ｄは、それらが相互と直接電気通信するように形成され得ることが理解されるであろう。例えば、反復補助電極ユニット２２３０ａ−ｄは、製作中に一体的に形成されてもよい。代替として、補助電極ユニット２２３０ａ−ｄは、それらが共通電極を介して電気的に接続されるように形成されてもよい。
【０２１３】
図２３は、別の実施形態による、ＯＬＥＤデバイス２３００の一部を図示する。図２３の実施形態では、各補助電極ユニット２３３０ａ、２３３０ｂが、５つの明確に異なる放射領域２３１０を包含するように形成される。補助電極ユニット２３３０ａおよび２３３０ｂは、デバイス２３００の非放射領域２３２０上に形成される。図示されるように、第１の補助電極ユニット２３３０ａが、第２の補助電極ユニット２３３０ｂと相互係止関係ではないが、それに隣接して位置付けられる。
【０２１４】
図２４に図示される別の実施形態では、図２３に図示されるものに類似する補助電極ユニットが提供される。しかしながら、図２４では、補助電極ユニット２４３０ａ−ｄが、相互と相互係止関係で配列される。図２３の実施形態と同様に、各補助電極ユニット２４３０ａ−ｄは、５つの明確に異なる放射領域２４１０を包含し、デバイス２４００の非放射領域２４２０上に形成される。
【０２１５】
各補助電極ユニットが、３、４、または５つの放射領域を包含する、種々の実施形態が、説明および図示されているが、各補助電極ユニットは、１、２、３、４、５、６つまたはそれを上回る放射領域を含む、任意の数の放射領域を包含し得ることが理解されるであろう。
【０２１６】
図２５は、補助電極２５３０がＯＬＥＤデバイス２５００の上をグリッドとして形成される、実施形態を図示する。図示されるように、補助電極２５３０は、放射領域２５１０のいずれの部分も実質的に被覆しないように、デバイス２５００の非放射領域２５２０の上を提供される。
【０２１７】
図２６は、補助電極ユニット２６３０がＯＬＥＤデバイス２６００の上を一連の伸長構造として形成される、実施形態を図示する。図示されるように、補助電極ユニット２６３０は、放射領域２６１０のいずれの部分も実質的に被覆しないように、デバイス２６００の非放射領域２６２０の上を提供される。補助電極ユニット２６１０は、離間され、相互に物理的に接続されないが、むしろ共通電極（図示せず）を介して電気的に接続される。理解されるであろうように、相互に直接相互接続されない補助電極ユニット２６１０は、接続された共通電極の全体的シート抵抗を低下させることによって、実質的な利点を依然として提供してもよい。
【０２１８】
図２７は、補助電極ユニット２７３０がＯＬＥＤデバイス２７００の上を「階段」パターンで形成される、実施形態を図示する。図示されるように、補助電極ユニット２７３０は、放射領域２７１０のいずれの部分も実質的に被覆しないように、デバイス２７００の非放射領域２７２０の上を提供される。
【０２１９】
図２８Ａ−２８Ｊは、補助電極が隣接するサブピクセルの間に提供される、種々の実施形態を図示する。
【０２２０】
図２８Ａでは、補助電極ユニット２８３０が、サブピクセル２８１２の隣接する列の間に伸長ストリップとして提供される。具体的には、図２８Ａの実施形態では、第１のサブピクセル２８１２ａ、第２のサブピクセル２８１２ｂ、および第３のサブピクセル２８１２ｃが、第１のピクセル２８１０ａを集合的に形成する。例えば、第１のピクセル２８１０ａは、ＲＧＢピクセルであってもよく、その場合、各サブピクセル２８１２ａ−ｃは、赤色、緑色、および青色サブピクセルに対応するであろう。ピクセル２８１０は、同一のサブピクセルパターン（例えば、赤色、緑色、青色）がディスプレイデバイスを横断して繰り返されるように、配列されてもよい。具体的には、第２のピクセル２８１０ｂおよび第３のピクセル２８１０ｃのサブピクセル配列は、第１のピクセル２８１０ａのものと同じであり得る。そのような配列では、サブピクセル２８１２の各列の中のサブピクセル２８１２の全て（例えば、Ｙと標識された第１の軸に沿って直線的に配列されるサブピクセル）は、色が同じであり得、第１の軸Ｙと実質的に平行に延在する補助電極ユニット２８３０は、図２８Ａに図示されるように、サブピクセル２８１２の隣接する列の間に提供されてもよい。
【０２２１】
簡単にするために、図２８Ｂ−２８Ｊは、上記の図２８Ａを参照して説明されるものと同じピクセルおよびサブピクセル配列を使用して図示されている。
【０２２２】
図２８Ｂでは、補助電極ユニット２８３０は、ピクセル２８１０の隣接する列の間に提供されるものとして図示されている。具体的には、第１の軸Ｙと実質的に平行に延在する、補助電極ユニット２８３０は、相互に対して第２の軸Ｘの方向に整合される、第１のピクセル２８１０ａと第２のピクセル２８１０ｂとの間に提供される。しかしながら、いかなる補助電極ユニット２８３０も、相互に対して第１の軸Ｙの方向に整合される、第１のピクセル２８１０ａと第３のピクセル２８１０ｃとの間に提供されない。第１の軸Ｙおよび第２の軸Ｘは、図に図示されるように、相互と垂直である。補助電極ユニット２８３０は、第１の軸Ｙに沿って延在するものとして図２８Ｂに図示されているが、補助電極ユニット２８３０は、別の実施形態では、第２の軸Ｘに沿って延在し得ることが理解されるであろう。
【０２２３】
図２８Ｃは、補助電極２８３０が、隣接するサブピクセル２８１２の間でディスプレイデバイスを横断してグリッドとして提供される、実施形態を図示する。具体的には、補助電極２８３０は、各一対の隣接するサブピクセル２８１２ａ−２８１２ｃの間に提供される。故に、補助電極２８３０は、サブピクセル２８１２ａ−２８１２ｃの間にメッシュまたはグリッドを形成するように、第１の軸Ｙおよび第２の軸Ｘと実質的に平行して延在する、区画を含む。
【０２２４】
図２８Ｄに図示される別の実施形態では、補助電極２８３０が、隣接するピクセル２８１０の間に提供される。具体的には、補助電極２８３０は、相互に対して第２の軸Ｘに沿って整合される、第１のピクセル２８１０ａと第２のピクセル２８１０ｂとの間に、ならびに相互に対して第１の軸Ｙに沿って整合される、第１のピクセル２８１０ａと第３のピクセル２８１０ｃとの間に提供される。故に、補助電極２８３０は、ピクセル２８１０ａ−ｃの間にメッシュまたはグリッドを形成する。
【０２２５】
図２８Ｅでは、離散補助電極ユニット２８３０が、隣接するサブピクセル２８１２の間に提供される、さらに別の実施形態が図示されている。具体的には、補助電極ユニット２８３０は、第１の軸Ｙと実質的に平行に配向され、隣接するサブピクセル２８１２ａ−ｃの間に提供される。
【０２２６】
図２８Ｆでは、離散補助電極ユニット２８３０が、隣接するサブピクセルｓ２８１０の間に提供される、実施形態が図示されている。具体的には、補助電極ユニット２８３０は、第１の軸Ｙと実質的に平行に配向され、第２の軸Ｘに沿って相互に隣接して配列される、第１のピクセル２８１０ａと第２のピクセル２８１０ｂとの間に提供される。
【０２２７】
図２８Ｇでは、離散補助電極ユニット２８３０が、ディスプレイデバイスを横断してグリッドまたはメッシュを作成するように、隣接するサブピクセル２８１２の間に提供される。図示されるように、第１の軸Ｙと実質的に平行に延在する、伸長補助電極ユニット２８３０は、第２の軸Ｘに沿って整合される、隣接するサブピクセル２８１２の間に配置される。同様に、第２の軸Ｘと実質的に平行に延在する伸長補助電極ユニット２８３０は、第１の軸Ｙに沿って整合される、隣接するサブピクセル２８１２の間に配置される。
【０２２８】
図２８Ｈでは、離散補助電極ユニット２８３０が、ディスプレイデバイスを横断してグリッドまたはメッシュを作成するように、隣接するサブピクセル２８１０の間に提供される。図示されるように、第１の軸Ｙと実質的に平行に延在する、伸長補助電極ユニット２８３０は、第２の軸Ｘに沿って整合される、隣接するピクセル２８１０ａと２８１０ｂとの間に配置される。同様に、第２の軸Ｘと実質的に平行に延在する伸長補助電極ユニット２８３０は、第１の軸Ｙに沿って整合される、隣接するサブピクセル２８１０ａと２８１０ｃとの間に配置される。
【０２２９】
図２８Ｉは、離散補助電極ユニット２８３０が、ディスプレイデバイスを横断してグリッドまたはメッシュを形成するように、隣接するサブピクセル２８１２の間に提供される、別の実施形態を図示する。補助電極ユニット２８３０はそれぞれ、第１の軸Ｙと実質的に平行に延在する第１の区画と、第２の軸Ｘと実質的に平行に延在する第２の区画とを備える。第１の軸Ｙおよび第２の軸Ｘは、相互と垂直である。図２８Ｉでは、第１の区画および第２の区画は、逆Ｌ字形を形成するように末端間で接続される。
【０２３０】
図２８Ｊは、離散補助電極ユニット２８３０が、ディスプレイデバイスを横断してグリッドまたはメッシュを形成するように、隣接するサブピクセル２８１２の間に提供される、別の実施形態を図示する。補助電極ユニット２８３０はそれぞれ、第１の軸Ｙと実質的に平行に延在する第１の区画と、第２の軸Ｘと実質的に平行に延在する第２の区画とを備える。第１の軸Ｙおよび第２の軸Ｘは、相互と垂直である。図２８Ｊでは、第１の区画および第２の区画は、十字形を形成するように、第１および第２の区画の中間点の近傍に接続される。
【０２３１】
補助電極ユニットは、ある実施形態では、相互に物理的に接続されていないものとして図示されているが、それらは、それでもなお、共通電極を介して相互と電気通信し得る。例えば、共通電極を介して相互に間接的に接続される、離散補助電極ユニットを提供することは、依然としてシート抵抗を実質的に低下させ、したがって、デバイスの光学特性に実質的に干渉することなく、ＯＬＥＤデバイスの効率を増加させ得る。
【０２３２】
補助電極もまた、他のピクセルまたはサブピクセル配列とともにディスプレイデバイスで使用されてもよい。例えば、補助電極は、菱形ピクセル配列が使用される、ディスプレイデバイス上に提供されてもよい。そのようなピクセル配列の実施例が、図２９−３３に図示されている。
【０２３３】
図２９は、一実施形態による、菱形ピクセル配列を有する、ＯＬＥＤデバイス２９００の概略図である。ＯＬＥＤデバイス２９００は、複数のピクセル画定層（ＰＤＬ）２９３０と、隣接するＰＤＬ２９３０の間に配置される放射領域２９１２（サブピクセル）とを含む。放射領域２９１２は、例えば、緑色サブピクセルに対応し得る、第１のサブピクセル２９１２ａ、例えば、青色サブピクセルに対応し得る、第２のサブピクセル２９１２ｂ、および例えば、赤色サブピクセルに対応し得る、第３のサブピクセル２９１２ｃに対応するものを含む。
【０２３４】
図３０は、図２９に示される線Ａ−Ａに沿って得られたＯＬＥＤデバイス２９００の概略図である。図３０でより明確に図示されるように。デバイス２９００は、基板２９０３と、ベース基板２９０３の表面上に形成される複数のアノードユニット２９２１とを含む。基板２９０３はさらに、明確にするために図から省略されている、複数のトランジスタと、ベース基板とを含んでもよい。有機層２９１５が、隣接するＰＤＬ２９３０の間の領域中で各アノードユニット２９２１の上に提供され、共通カソード２９４２が、第１のサブピクセル２９１２ａを形成するように、有機層２９１５およびＰＤＬ２９３０の上を提供される。有機層２９１５は、複数の有機および／または無機層を含んでもよい。例えば、そのような層は、正孔輸送層、正孔注入層、エレクトロルミネセンス層、電子注入層、および／または電子輸送層を含んでもよい。核形成阻害コーティング２９４５は、ＰＤＬ２９３０の実質的に平面的な領域に対応する、共通カソード２９４２の被覆されていない領域の上を、補助電極２９５１の選択的堆積を可能にするように、第１のサブピクセル２９１２ａに対応する共通カソード２９４２の領域の上を提供される。核形成阻害コーティング２９４５はまた、指数合致コーティングとして作用してもよい。薄膜カプセル化層２９６１が、随意に、デバイス２９００をカプセル化するように提供されてもよい。
【０２３５】
図３１は、図２９に示される線Ｂ−Ｂに沿って得られたＯＬＥＤデバイス２９００の概略図を示す。デバイス２９００は、基板２９０３の表面上に形成される複数のアノードユニット２９２１と、隣接するＰＤＬ２９３０の間の領域中で各アノードユニット２９２１の上に提供される有機層２９１６または２９１７とを含む。共通カソード２９４２は、それぞれ、第２のサブピクセル２９１２ｂおよび第３のサブピクセル２９１２ｃを形成するように、有機層２９１６および２９１７ならびにＰＤＬ２９３０の上を提供される。核形成阻害コーティング２９４５は、ＰＤＬ２９３０の実質的に平面的な領域に対応する、共通カソード２９４２の被覆されていない領域の上を、補助電極２９５１の選択的堆積を可能にするように、サブピクセル２９１２ｂおよび２９１２ｃに対応する共通カソード２９４２の領域の上を提供される。核形成阻害コーティング２９４５はまた、指数合致コーティングとして作用してもよい。薄膜カプセル化層２９６１が、随意に、デバイス２９００をカプセル化するように提供されてもよい。
【０２３６】
図３２は、別の実施形態による、ピクセル配列を伴うＯＬＥＤデバイス３２００の概略図である。具体的には、デバイス３２００は、放射領域３２１２（サブピクセル）を分離する複数のＰＤＬ３２３０を含む。例えば、第１のサブピクセル３２１２ａは、緑色サブピクセルに対応してもよく、第２のサブピクセル３２１２ｂは、青色サブピクセルに対応してもよく、第３のサブピクセル３２１２ｃは、赤色サブピクセルに対応してもよい。図３３は、図３２の実施形態による、ピクセル配列を伴うＯＬＥＤデバイスの画像である。示されていないが、デバイス３２００はさらに、デバイス３２００の非放射領域の上を提供される補助電極を含んでもよい。例えば、補助電極は、ＰＤＬ３２３０の実質的に平面的な部分に対応する、共通カソードの領域の上を配置されてもよい。
【０２３７】
いくつかの実施形態による、別の側面では、デバイスが提供される。いくつかの実施形態では、本デバイスは、光電子デバイスである。いくつかの実施形態では、本デバイスは、別の電子デバイスまたは他の製品である。いくつかの実施形態では、本デバイスは、基板と、核形成阻害コーティングと、伝導性コーティングとを含む。核形成阻害コーティングは、基板の第１の領域を被覆する。伝導性コーティングは、基板の第２の領域を被覆し、核形成阻害コーティングの少なくとも一部が、伝導性コーティングから露出される、または伝導性コーティングを実質的に含まない、もしくは実質的に伝導性コーティングによって被覆されていないように、核形成阻害コーティングに部分的に重複する。いくつかの実施形態では、伝導性コーティングは、第１の部分と、第２の部分とを含み、伝導性コーティングの第１の部分は、基板の第２の領域を被覆し、伝導性コーティングの第２の部分は、核形成阻害コーティングの一部に重複する。いくつかの実施形態では、伝導性コーティングの第２の部分は、間隙によって核形成阻害コーティングから離間される。いくつかの実施形態では、核形成阻害コーティングは、有機材料を含む。いくつかの実施形態では、伝導性コーティングの第１の部分および伝導性コーティングの第２の部分は、相互と一体的に形成される。
【０２３８】
いくつかの実施形態による、別の側面では、デバイスが提供される。いくつかの実施形態では、本デバイスは、光電子デバイスである。いくつかの実施形態では、本デバイスは、別の電子デバイスまたは他の製品である。いくつかの実施形態では、本デバイスは、基板と、伝導性コーティングとを含む。基板は、第１の領域と、第２の領域とを含む。伝導性コーティングは、基板の第２の領域を被覆し、基板の第１の領域の少なくとも一部が、伝導性コーティングから露出される、または伝導性コーティングを実質的に含まない、もしくは実質的に伝導性コーティングによって被覆されていないように、基板の第１の領域に部分的に重複する。いくつかの実施形態では、伝導性コーティングは、第１の部分と、第２の部分とを含み、伝導性コーティングの第１の部分は、基板の第２の領域を被覆し、伝導性コーティングの第２の部分は、基板の第１の領域の一部に重複する。いくつかの実施形態では、伝導性コーティングの第２の部分は、間隙によって基板の第１の領域から離間される。いくつかの実施形態では、伝導性コーティングの第１の部分および伝導性コーティングの第２の部分は、相互と一体的に形成される。
【０２３９】
図３４は、一実施形態による、デバイスの一部を図示する。本デバイスは、表面３４１７を有する基板３４１０を含む。核形成阻害コーティング３４２０は、基板３４１０の表面３４１７の第１の領域３４１５を被覆し、伝導性コーティング３４３０は、基板３４１０の表面３４１７の第２の領域３４１２を被覆する。図３４に図示されるように、第１の領域３４１５および第２の領域３４１２は、基板３４１０の表面３４１７の明確に異なる非重複領域である。伝導性コーティング３４３０は、第１の部分３４３２と、第２の部分３４３４とを含む。図に図示されるように、伝導性コーティング３４３０の第１の部分３４３２は、基板３４１０の第２の領域３４１２を被覆し、伝導性コーティング３４３０の第２の部分３４３４は、核形成阻害コーティング３４２０の一部に部分的に重複する。具体的には、第２の部分３４３４は、下層基板表面３４１７と垂直（法線）である方向に核形成阻害コーティング３４２０の一部に重複するものとして図示されている。
【０２４０】
特に、その表面３４２２が、伝導性コーティング３４３０を形成するために使用される材料に対して比較的低い初期付着確率を呈するように、核形成阻害コーティング３４２０が形成される場合において、伝導性コーティング３４３０の重複する第２の部分３４３４と核形成阻害コーティング３４２０の表面３４２２との間に形成される間隙３４４１がある。故に、伝導性コーティング３４３０の第２の部分３４３４は、核形成阻害コーティング３４２０と直接物理的に接触していないが、矢印３４９０によって示されるように、基板３４１０の表面３４１７と垂直な方向に沿って、間隙３４４１によって核形成阻害コーティング３４２０から離間される。それでもなお、伝導性コーティング３４３０の第１の部分３４３２は、基板３４１０の第１の領域３４１５と第２の領域３４１２との間の界面または境界において、核形成阻害コーティング３４２０と直接物理的に接触してもよい。
【０２４１】
いくつかの実施形態では、伝導性コーティング３４３０の重複する第２の部分３４３４は、伝導性コーティング３４３０の厚さと同等の程度によって、核形成阻害コーティング３４２０の上を側方に延在してもよい。例えば、図３４を参照すると、第２の部分３４３４の幅ｗ２（または基板３４１０の表面３４１７と平行な方向に沿った寸法）は、伝導性コーティング３４３０の第１の部分３４３２の厚さｔ１（または基板３４１０の表面３４１７と垂直な方向に沿った寸法）と同等であり得る。例えば、ｗ２：ｔ１の比は、約１：１〜約１：３、約１：１〜約１：１．５、または約１：１〜約１：２の範囲内であってもよい。厚さｔ１は、概して、伝導性コーティング３４３０を横断して比較的一様であろうが、第２の部分３４３４が核形成阻害コーティング３４２０と重複する程度（すなわち、ｗ２）は、表面３４１７の異なる部分を横断して、ある程度変動し得る。
【０２４２】
図３５に図示される別の実施形態では、伝導性コーティング３４３０はさらに、第２の部分３４３４と核形成阻害コーティング３４２０との間に配置される第３の部分３４３６を含む。図示されるように、伝導性コーティング３４３０の第２の部分３４３４は、伝導性コーティング３４３０の第３の部分３４３６の上を側方に延在し、そこから離間され、第３の部分３４３６は、核形成阻害コーティング３４２０の表面３４２２と直接物理的に接触してもよい。第３の部分３４３６の厚さｔ３は、伝導性コーティング３４３０の第１の部分３４３２の厚さｔ１未満、ある場合には、実質的にそれ未満であり得る。さらに、少なくともいくつかの実施形態では、第３の部分３４３６の幅ｗ３は、第２の部分３４３４の幅ｗ２を上回り得る。故に、第３の部分３４３６は、第２の部分３４３４よりも大きい程度に核形成阻害コーティング３４２０と重複するように、側方に延在してもよい。例えば、ｗ３：ｔ１の比は、約１：２〜約３：１または約１：１．２〜約２．５：１の範囲内であってもよい。厚さｔ１は、概して、伝導性コーティング３４３０を横断して比較的一様であろうが、第３の部分３４３６が核形成阻害コーティング３４２０と重複する程度（すなわち、ｗ３）は、表面３４１７の異なる部分を横断して、ある程度変動し得る。第３の部分３４３６の厚さｔ３は、第１の部分３４３２の厚さｔ１の約５％以内または未満であり得る。例えば、ｔ３は、ｔ１の約４％以内または未満、約３％以内または未満、約２％以内または未満、約１％以内または未満、もしくは約０．５％以内または未満であり得る。図３５に示されるように薄膜として形成されている第３の部分３４３６の代わりに、またはそれに加えて、伝導性コーティング３４３０の材料は、核形成阻害コーティング３４２０の一部の上で島もしくは断絶したクラスタとして形成してもよい。例えば、そのような島または断絶したクラスタは、島またはクラスタが連続層として形成されないように、相互から物理的に分離される特徴を含んでもよい。
【０２４３】
図３６に図示される、さらに別の実施形態では、核形成助長コーティング３４５１が、基板３４１０と伝導性コーティング３４３０との間に配置される。具体的には、核形成助長コーティング３４５１は、伝導性コーティング３４３０の第１の部分３４３２と基板３４１０の第２の領域３４１２との間に配置される。核形成助長コーティング３４５１は、核形成阻害コーティング３４２０が堆積させられる、第１の領域３４１５の上ではなく、基板３４１０の第２の領域３４１２の上に配置されるものとして図示されている。核形成助長コーティング３４５１は、核形成助長コーティング３４５１と伝導性コーティング３４３０との間の界面または境界において、核形成助長コーティング３４５１の表面が、伝導性コーティング３４３０の材料の比較的高い初期付着確率を呈するように、形成されてもよい。したがって、核形成助長コーティング３４５１の存在は、堆積中の伝導性コーティング３４３０の形成および成長を助長してもよい。伝導性コーティング３４３０（第１の部分３４３２および第２の部分３４３４の寸法を含む）ならびに図３６の他のコーティングの種々の特徴は、図３４−３５について上記で説明されるものに類似し得、簡潔にするために繰り返されない。
【０２４４】
図３７に図示される、さらに別の実施形態では、核形成助長コーティング３４５１は、基板３４１０の第１の領域３４１５および第２の領域３４１２の両方の上に配置され、核形成阻害コーティング３４２０は、第１の領域３４１５上に配置される核形成助長コーティング３４５１の一部を被覆する。核形成助長コーティング３４５１の別の部分は、核形成阻害コーティング３４２０から露出され、または核形成阻害コーティング３４２０を実質的に含まず、もしくは実質的に核形成阻害コーティング３４２０によって被覆されておらず、伝導性コーティング３４３０は、核形成助長コーティング３４５１の露出部分を被覆する。伝導性コーティング３４３０および図３７の他のコーティングの種々の特徴は、図３４−３５について上記で説明されるものに類似し得、簡潔にするために繰り返されない。
【０２４５】
図３８は、伝導性コーティング３４３０が、基板３４１０の第３の領域３４１９中で核形成阻害コーティング３４２０の一部に部分的に重複する、さらに別の実施形態を図示する。具体的には、第１の部分３４３２および第２の部分３４３４に加えて、伝導性コーティング３４３０はさらに、第３の部分３４８０を含む。図に図示されるように、伝導性コーティング３４３０の第３の部分３４８０は、伝導性コーティング３４３０の第１の部分３４３２と第２の部分３４３４との間に配置され、第３の部分３４８０は、核形成阻害コーティング３４２０の表面３４２２と直接物理的に接触してもよい。この点に関して、第３の領域３４１９中の重複は、開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセス中の伝導性コーティング３４３０の側方成長の結果として形成されてもよい。より具体的には、核形成阻害コーティング３４２０の表面３４２２は、伝導性コーティング３４３０の材料の比較的低い初期付着確率を呈してもよく、したがって、表面３４２２上で核となる材料の確率は低いが、伝導性コーティング３４３０が厚さを成長させると、コーティング３４３０はまた、側方に成長してもよく、図３８に図示されるように、核形成阻害コーティング３４２０の一部を被覆してもよい。
【０２４６】
デバイスおよび伝導性コーティング３４３０のある特徴に関する詳細は、図３６−３８の実施形態のための上記の説明では省略されているが、図３４および図３５に関して説明される、間隙３４４１と、伝導性コーティング３４３０の第２の部分３４３４および第３の部分３４３６とを含む、種々の特徴の説明は、同様に、そのような実施形態に適用されるであろうことが理解されるであろう。
【０２４７】
明示的に図示されていないが、核形成阻害コーティング３４２０を形成するために使用される材料もまた、伝導性コーティング３４３０と下層表面（例えば、核形成助長層３４５１または基板３４１０の表面）との間の界面において、ある程度存在し得ることが理解されるであろう。そのような材料は、堆積させられたパターンがマスクのパターンと同じではなく、ある蒸発した材料を、標的表面の覆い隠された部分の上に堆積させ得る、陰影効果の結果として、堆積させられてもよい。例えば、そのような材料は、島または断絶したクラスタとして、もしくは実質的に核形成阻害コーティング３４２０の平均厚さ未満である厚さを有する薄膜として、形成してもよい。
【０２４８】
いくつかの実施形態では、核形成阻害コーティング３４２０は、図３４−３８の実施形態における核形成阻害コーティング３４２０によって被覆される下層表面の少なくとも一部が露出されるように、伝導性コーティング３４３０の堆積に続いて除去されてもよい。例えば、核形成阻害コーティング３４２０は、核形成阻害コーティング３４２０をエッチングすること、または溶解させることによって、もしくは伝導性コーティング３４３０に実質的に影響を及ぼす、またはそれを浸食することなく、プラズマもしくは溶媒処理技法を使用して、選択的に除去されてもよい。
【０２４９】
いくつかの実施形態のデバイスは、電子デバイス、より具体的には、光電子デバイスであってもよい。光電子デバイスは、概して、電気信号を光子に変換する、または逆も同様である、任意のデバイスを包含する。したがって、有機光電子デバイスは、デバイスの１つまたはそれを上回る活性層が、主に有機材料、より具体的には、有機半導体材料で形成される、任意の光電子デバイスを包含することができる。有機光電子デバイスの実施例は、ＯＬＥＤデバイスおよびＯＰＶデバイスを含むが、それらに限定されない。
【０２５０】
また、有機光電子デバイスは、種々のタイプのベース基板上に形成され得ることも理解されるであろう。例えば、ベース基板は、可撓性または剛性基板であってもよい。ベース基板は、例えば、シリコン、ガラス、金属、ポリマー（例えば、ポリイミド）、サファイア、またはベース基板として使用するために好適な他の材料を含んでもよい。
【０２５１】
また、デバイスの種々の構成要素は、蒸着、スピンコーティング、ラインコーティング、印刷、および種々の他の堆積技法を含む、多種多様な技法を使用して堆積させられ得ることも理解されるであろう。
【０２５２】
いくつかの実施形態では、有機光電子デバイスは、有機半導体層が、エレクトロルミネセント層を含む、ＯＬＥＤデバイスである。いくつかの実施形態では、有機半導体層は、電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、および／または正孔注入層等の付加的層を含んでもよい。例えば、ＯＬＥＤデバイスは、ＡＭＯＬＥＤデバイス、ＰＭＯＬＥＤデバイス、またはＯＬＥＤ照明パネルもしくはモジュールであってもよい。さらに、光電子デバイスは、電子デバイスの一部であってもよい。例えば、光電子デバイスは、スマートフォン、タブレット、ラップトップ等のコンピューティングデバイス、またはモニタもしくはテレビセット等の他の電子デバイスのＯＬＥＤディスプレイモジュールであってもよい。
【０２５３】
図３９−４１は、アクティブマトリクスＯＬＥＤ（ＡＭＯＬＥＤ）ディスプレイデバイスの種々の実施形態を図示する。簡単にするために、図３４−３８を参照して上記で説明される、伝導性コーティングと核形成阻害コーティングとの間の界面またはその近傍における伝導性コーティングの種々の詳細および特性は、省略されている。しかしながら、図３４−３８を参照して説明される特徴はまた、図３９−４１の実施形態に適用可能であり得ることも理解されるであろう。
【０２５４】
図３９は、一実施形態による、ＡＭＯＬＥＤデバイス３８０２の構造を図示する概略図である。
【０２５５】
デバイス３８０２は、ベース基板３８１０と、ベース基板３８１０の表面の上を堆積させられる緩衝層３８１２とを含む。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３８０４が、次いで、緩衝層３８１２の上を形成される。具体的には、半導体活性面積３８１４が、緩衝層３８１２の一部の上を形成され、ゲート絶縁層３８１６が、半導体活性面積３８１４を実質的に被覆するように堆積させられる。次に、ゲート電極３８１８が、ゲート絶縁層３８１６の上に形成され、層間絶縁層３８２０が、堆積させられる。ソース電極３８２４およびドレイン電極３８２２が、層間絶縁層３８２０およびゲート絶縁層３８１６を通して形成される開口部を通って延在し、半導体活性層３８１４と接触するように、形成される。絶縁層３８４２が、次いで、ＴＦＴ３８０４の上を形成される。第１の電極３８４４が、次いで、絶縁層３８４２の一部の上を形成される。図３９に図示されるように、第１の電極３８４４は、ドレイン電極３８２２と電気通信するように、絶縁層３８４２の開口部を通って延在する。ピクセル画定層（ＰＤＬ）３８４６が、次いで、その外縁を含む、第１の電極３８４４の少なくとも一部を被覆するように形成される。例えば、ＰＤＬ３８４６は、絶縁有機または無機材料を含んでもよい。有機層３８４８が、次いで、特に、隣接するＰＤＬ３８４６の間の領域中で、第１の電極３８４４の上を堆積させられる。第２の電極３８５０が、有機層３８４８およびＰＤＬ３８４６の両方を実質的に被覆するように堆積させられる。第２の電極３８５０の表面が、次いで、実質的に核形成助長コーティング３８５２で被覆される。例えば、核形成助長コーティング３８５２は、開放マスクまたはマスクを含まない堆積技法を使用して、堆積させられてもよい。核形成阻害コーティング３８５４が、核形成助長コーティング３８５２の一部の上を選択的に堆積させられる。例えば、核形成阻害コーティング３８５４は、シャドウマスクを使用して、選択的に堆積させられてもよい。故に、補助電極３８５６が、開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して、核形成助長コーティング３８５２の露出表面の上を選択的に堆積させられる。さらに具体的にするために、開放マスクを使用して、またはマスクを用いて、補助電極３８５６（例えば、マグネシウムを含む）の熱的堆積を行うことによって、補助電極３８５６は、補助電極３８５６の材料を実質的に含まない核形成阻害コーティング３８５４の表面を残しながら、核形成助長コーティング３８５２の露出表面の上を選択的に堆積させられる。
【０２５６】
図４０は、核形成助長コーティングが省略されている、別の実施形態による、ＡＭＯＬＥＤデバイス３９０２の構造を図示する。例えば、核形成助長コーティングは、補助電極が堆積させられる表面が、補助電極の材料の比較的高い初期付着確率を有する場合において、省略されてもよい。換言すると、比較的高い初期付着確率を伴う表面に関して、核形成助長コーティングは、省略されてもよく、伝導性コーティングが、依然としてその上に堆積させられてもよい。簡単にするために、ＴＦＴを含むバックプレーンのある詳細は、以下の実施形態を説明する際に省略される。
【０２５７】
図４０では、有機層３９４８が、第１の電極３９４４と第２の電極３９５０との間に堆積させられる。有機層３９４８は、ＰＤＬ３９４６の部分と部分的に重複してもよい。核形成阻害コーティング３９５４が、第２の電極３９５０の一部（例えば、放射領域に対応する）の上を堆積させられ、それによって、補助電極３９５６を形成するために使用される材料の比較的低い初期付着確率（例えば、比較的低い脱着エネルギー）を伴う表面を提供する。故に、補助電極３９５６は、核形成阻害コーティング３９５４から露出される第２の電極３９５０の一部の上を選択的に堆積させられる。理解されるであろうように、補助電極３９５６は、第２の電極３９５０のシート抵抗を低減させるよう、下層の第２の電極３９５０と電気通信する。例えば、第２の電極３９５０および補助電極３９５６は、補助電極３９５６の材料の高い初期付着確率を確実にするように、実質的に同一の材料を含んでもよい。具体的には、第２の電極３９５０は、実質的に純粋なマグネシウム（Ｍｇ）、またはマグネシウムおよび銀（Ａｇ）等の別の金属の合金を含んでもよい。Ｍｇ：Ａｇ合金に関して、合金組成は、体積比約１：９〜約９：１に及んでもよい。補助電極３９５６は、実質的に純粋なマグネシウムを含んでもよい。
【０２５８】
図４１は、さらに別の実施形態による、ＡＭＯＬＥＤデバイス４００２の構造を図示する。図示される実施形態では、有機層４０４８が、ＰＤＬ４０４６の部分と部分的に重複するように、第１の電極４０４４と第２の電極４０５０との間に堆積させられる。核形成阻害コーティング４０５４が、第２の電極４０５０の表面を実質的に被覆するように堆積させられ、核形成助長コーティング４０５２が、核形成阻害コーティング４０５４の一部の上に選択的に堆積させられる。補助電極４０５６が、次いで、核形成助長コーティング４０５２の上を形成される。随意に、キャッピング層４０５８が、核形成阻害コーティング４０５４および補助電極４０５６の露出表面を被覆するように堆積させられてもよい。
【０２５９】
補助電極３８５６または４０５６は、図３９および４１の実施形態では第２の電極３８５０または４０５０と直接物理的に接触しないものとして図示されているが、補助電極３８５６または４０５６および第２の電極３８５０または４０５０は、それでもなお、電気通信し得ることが理解されるであろう。例えば、補助電極３８５６または４０５６と第２の電極３８５０または４０５０との間の核形成助長材料もしくは核形成阻害材料の比較的薄い膜（例えば、最大約１００ｎｍ）の存在は、電流がそれを通って通過することを依然として十分に可能にし、したがって、第２の電極３８５０または４０５０のシート抵抗が低減されることを可能にし得る。
【０２６０】
図４２は、核形成阻害コーティング４１５４と補助電極４１５６との間の界面が、ＰＤＬ４１４６によって作成される傾斜表面上に形成される、さらに別の実施形態による、ＡＭＯＬＥＤデバイス４１０２の構造を図示する。デバイス４１０２は、第１の電極４１４４と第２の電極４１５０との間に堆積させられる有機層４１４８を含み、核形成阻害コーティング４１５４は、デバイス４１０２の放射領域に対応する、第２の電極４１５０の一部の上を堆積させられる。補助電極４１５６は、核形成阻害コーティング４１５４から露出される第２の電極４１５０の部分の上を堆積させられる。
【０２６１】
示されていないが、図４２のＡＭＯＬＥＤデバイス４１０２はさらに、補助電極４１５６と第２の電極４１５０との間に配置される核形成助長コーティングを含んでもよい。核形成助長コーティングはまた、特に、核形成助長コーティングが、開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して堆積させられる場合において、核形成阻害コーティング４１５４と第２の電極４１５０との間に配置されてもよい。
【０２６２】
図４３は、ＡＭＯＬＥＤデバイス４３００が複数の光透過性領域を含む、さらに別の実施形態による、ＡＭＯＬＥＤデバイス４３００の一部を図示する。図示されるように、ＡＭＯＬＥＤデバイス４３００は、複数のピクセル４３２１と、隣接するピクセル４３２１の間に配置される補助電極４３６１とを含む。各ピクセル４３２１は、複数のサブピクセル４３３３、４３３５、４３３７をさらに含む、サブピクセル領域４３３１と、光透過性領域４３５１とを含む。例えば、サブピクセル４３３３は、赤色サブピクセルに対応してもよく、サブピクセル４３３５は、緑色サブピクセルに対応してもよく、サブピクセル４３３７は、青色サブピクセルに対応してもよい。解説されるであろうように、光透過性領域４３５１は、光がデバイス４３００を通過することを可能にするように実質的に透明である。
【０２６３】
図４４は、図４３に示されるような線Ａ−Ａに沿って得られたデバイス４３００の断面図を図示する。簡潔には、デバイス４３００は、ベース基板４３１０と、ＴＦＴ４３０８と、絶縁層４３４２と、絶縁層４３４２の上に形成され、ＴＦＴ４３０８と電気通信するアノード４３４４とを含む。第１のＰＤＬ４３４６ａおよび第２のＰＤＬ４３４６ｂが、絶縁層４３４２の上を形成され、アノード４３４４の縁を被覆する。１つまたはそれを上回る有機層４３４８が、アノード４３４４の露出領域およびＰＤＬ４３４６ａ、４３４６ｂの一部を被覆するように堆積させられる。カソード４３５０が、次いで、１つまたはそれを上回る有機層４３４８の上を堆積させられる。次に、核形成阻害コーティング４３５４が、光透過性領域４３５１およびサブピクセル領域４３３１に対応するデバイス４３００の部分の上を堆積させられる。デバイス表面全体が、次いで、マグネシウム蒸気流束に暴露され、したがって、カソード４３５０のコーティングされていない領域の上をマグネシウムの選択的堆積を引き起こす。このようにして、下層カソード４３５０と電気接触する補助電極４３６１が形成される。
【０２６４】
デバイス４３００では、光透過性領域４３５１は、それを通る光の透過に実質的に影響を及ぼし得る、いかなる材料も実質的に含まない。具体的には、ＴＦＴ４３０８、アノード４３４４、および補助電極４３６１は全て、これらの構成要素が光透過性領域４３５１を通して透過されている光を減衰または妨害しないように、サブピクセル領域４３３１内に位置付けられる。そのような配列は、ピクセルがオフである、または発光していないときに、典型的視認距離からデバイス４３００を視認する視認者がデバイス４３００を通して見ることを可能にし、したがって、透明ＡＭＯＬＥＤディスプレイを作成する。
【０２６５】
示されていないが、図４４のＡＭＯＬＥＤデバイス４３００はさらに、補助電極４３６１とカソード４３５０との間に配置される核形成助長コーティングを含んでもよい。核形成助長コーティングはまた、核形成阻害コーティング４３５４とカソード４３５０との間に配置されてもよい。
【０２６６】
他の実施形態では、有機層４３４８およびカソード４３５０を含む、種々の層またはコーティングは、そのような層またはコーティングが実質的に透明である場合、光透過性領域４３５１の一部を被覆してもよい。代替として、ＰＤＬ４３４６ａ、４３４６ｂは、所望である場合、光透過性領域４３５１の中に提供されなくてもよい。
【０２６７】
図４３および４４に図示される配列以外のピクセルおよびサブピクセル配列もまた、使用され得、補助電極４３６１は、ピクセルの他の領域中に提供され得ることが理解されるであろう。例えば、補助電極４３６１は、サブピクセル領域４３３１と光透過性領域４３５１との間の領域中に提供されてもよい、および／または所望である場合、隣接するサブピクセルの間に提供されてもよい。
【０２６８】
前述の実施形態では、核形成阻害コーティングが、その上の伝導性材料（例えば、マグネシウム）の核形成および堆積を阻害することに加えて、デバイスからの光の脱結合を増進するように作用してもよい。具体的には、核形成阻害コーティングは、指数合致コーティングおよび／または反射防止コーティングとして作用してもよい。
【０２６９】
障壁コーティング（図示せず）が、ＡＭＯＬＥＤディスプレイデバイスを描写する前述の実施形態に図示されるデバイスをカプセル化するように提供されてもよい。理解されるであろうように、そのような障壁コーティングは、有機層と、酸化する傾向があり得る有機層およびカソードとを含む、種々のデバイス層が、湿気および周囲空気に暴露されないように阻止してもよい。例えば、障壁コーティングは、印刷、ＣＶＤ、スパッタリング、ＡＬＤ、前述の任意の組み合わせによって、または任意の他の好適な方法によって形成される、薄膜カプセル化であってもよい。障壁コーティングはまた、接着剤を使用して、デバイス上に事前形成された障壁膜を積層製作することによって提供されてもよい。例えば、障壁コーティングは、有機材料、無機材料、または両方の組み合わせを備える、多層コーティングであってもよい。障壁コーティングはさらに、いくつかの実施形態では、ゲッタ材料および／または乾燥剤を備えてもよい。
【０２７０】
ＡＭＯＬＥＤディスプレイデバイスの共通電極のシート抵抗仕様は、ディスプレイデバイスのサイズ（例えば、パネルサイズ）および電圧変動に対する耐性に従って変動し得る。一般に、シート抵抗仕様は、より大きいパネルサイズおよびパネルを横断する電圧変動に対するより低い耐性とともに増加する（例えば、より低いシート抵抗が規定される）。
【０２７１】
シート抵抗仕様およびある実施形態による仕様に準拠する補助電極の関連付けられる厚さが、種々のパネルサイズについて計算され、図５６にプロットされた。シート抵抗および補助電極厚さは、０．１Ｖおよび０．２Ｖの電圧公差について計算された。具体的には、電圧公差は、上記で解説されるように、透明電極および補助電極の複合ＩＲ降下を補償するように、縁におけるピクセルおよびパネルの中心におけるピクセルに供給されるであろう、電圧の差を示す。計算の目的のために、０．６４の口径比が、全てのディスプレイパネルサイズに仮定された。
【０２７２】
例示的パネルサイズにおける補助電極の規定厚さが、以下の表２で要約される。
【表２】
2018533183.tif 000018
【０２７３】
理解されるであろうように、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）（例えば、図３９に示されるＴＦＴ３８０４）を含む、バックプレーンの種々の層および部分が、種々の好適な材料ならびにプロセスを使用して製作されてもよい。例えば、ＴＦＴは、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、レーザ焼鈍、およびＰＶＤ（スパッタリングを含む）等の技法を使用して、堆積および／または処理され得る、有機もしくは無機材料を使用して製作されてもよい。理解されるであろうように、そのような層は、下層デバイス層を被覆するフォトレジストの選択的部分を紫外線に暴露するためにフォトマスクを使用する、フォトリソグラフィを使用してパターン化されてもよい。使用されるフォトレジストのタイプに応じて、フォトマスクの露出部分または露出されていない部分が、次いで、下層デバイス層の所望の部分を見せるように洗い落とされてもよい。パターン化された表面が、次いで、デバイス層の露出部分を効果的に除去するように、化学的または物理的にエッチングされてもよい。
【０２７４】
さらに、上面ゲートＴＦＴが、上記のある実施形態で図示および説明されているが、他のＴＦＴ構造も使用され得ることが理解されるであろう。例えば、ＴＦＴは、底面ゲートＴＦＴであってもよい。ＴＦＴは、ｎ型ＴＦＴまたはｐ型ＴＦＴであってもよい。ＴＦＴ構造の実施例は、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、および低温多結晶シリコン（ＬＴＰＳ）を利用するものを含む。
【０２７５】
電極と、１つまたはそれを上回る有機層と、ピクセル画定層と、キャッピング層とを含む、フロントプレーンの種々の層および部分が、熱蒸発ならびに／もしくは印刷を含む、任意の好適な堆積プロセスを使用して堆積させられてもよい。例えば、シャドウマスクが、そのような材料を堆積させるときに、所望のパターンを生成するために適宜使用され得、種々のエッチングおよび選択的堆積プロセスもまた、種々の層をパターン化するために使用され得ることが理解されるであろう。そのような方法の実施例は、フォトリソグラフィ、印刷（インクまたは蒸気ジェット印刷およびリールツーリール印刷を含む）、ＯＶＰＤ、およびＬＩＴＩパターン化を含むが、それらに限定されない。
【０２７６】
ある実施形態が、カソードまたは共通カソードのための補助電極を形成するように伝導性コーティングを選択的に堆積させることを参照して上記で説明されているが、類似材料およびプロセスが、他の実施形態では、アノードまたはアノードのための補助電極を形成するために使用され得ることが理解されるであろう。
【実施例】
【０２７７】
いくつかの実施形態の側面が、ここで、いかようにも本開示の範囲を限定することを意図していない、以下の実施例を参照して図示および説明されるであろう。
【０２７８】
本明細書の実施例で使用されるように、材料の層厚さという言及は、参照される層厚さを有する材料の一様に厚い層で標的表面を被覆する材料の量に対応する、標的表面（または選択的堆積の場合、表面の標的領域）上に堆積させられる材料の量を指す。一例として、１０ｎｍの層厚さを堆積させることは、厚さ１０ｎｍである材料の一様に厚い層を形成する材料の量に対応する、表面上に堆積させられる材料の量を示す。例えば、分子または原子の可能性として考えられる積層もしくはクラスタ化に起因して、堆積した材料の実際の厚さは、非一様であり得ることが理解されるであろう。例えば、１０ｎｍの層厚さを堆積させることは、１０ｎｍを上回る実際の厚さを有する堆積した材料のいくつかの部分、または１０ｎｍ未満の実際の厚さを有する堆積した材料の他の部分を生じてもよい。表面上に堆積させられる材料のある層厚さは、表面を横断する堆積した材料の平均厚さに対応することができる。
【０２７９】
例証的実施例で使用される、ある材料の分子構造が、以下で提供される。
【化６】
2018533183.tif 000019
【０２８０】
実施例１
【０２８１】
核形成阻害コーティングと隣接マグネシウムコーティングとの間の界面を特徴付けるために、核形成阻害コーティングおよびマグネシウムコーティングの変動する層厚さを有する、一連のサンプルが、調製されて分析された。サンプルが、ステンレス鋼シャドウマスクを使用して、クライオポンプ式処理チャンバおよびターボ分子ポンプ式ロードロックチャンバを伴う高減圧堆積システムの中で調製された。材料が、堆積速度を監視するように、水晶振動子マイクロバランス（ＱＣＭ）を使用して、クヌーセンセル（Ｋセル）から熱的に堆積させられた。システムの基礎圧力は、約１０−５Ｐａ未満であり、Ｈ２Ｏの分圧は、堆積中に約１０−８トル未満であった。マグネシウムが、約１〜５Å／秒の堆積速度で約４３０〜５７０℃のソース温度において堆積させられた。ＳＥＭ顕微鏡写真が、Ｈｉｔａｃｈｉ  Ｓ−５２００を使用して撮影された。
【０２８２】
サンプルは、最初に、熱的堆積を使用して、シリコン基板の上を約３０ｎｍの銀を堆積させることによって調製された。核形成阻害コーティングが、次いで、シャドウマスクを使用して、銀表面の領域上に選択的に堆積させられた。サンプルの全てでは、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）が、核形成阻害コーティングを形成するために使用された。いったん核形成阻害コーティングが堆積させられると、実質的に純粋なマグネシウム（約９９．９９％純度）が、開放マスク堆積を使用して堆積させられた。より具体的には、露出した銀表面および核形成阻害コーティング表面の両方が、開放マスク堆積中に蒸発したマグネシウム流束を受けた。核形成阻害コーティングの層厚さおよび関連付けられる堆積速度は、以下の表３で要約される。全ての堆積は、減圧（約１０−４〜約１０−６Ｐａ）下で行われ、層厚さおよび堆積速度は、水晶振動子マイクロバランス（ＱＣＭ）を使用して監視された。
【表３】
2018533183.tif 000020
【０２８３】
サンプルは、走査電子顕微鏡法（ＳＥＭ）およびエネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）を使用して分析された。
【０２８４】
図４５Ａは、サンプル１の上面図のＳＥＭ画像である。画像の第１の領域４５０１は、それの上をマグネシウムが露出した銀表面の上に堆積させられた領域に対応し、第２の領域４５０３は、核形成阻害コーティング（ＴＡＺ）によって被覆された領域に対応する。図４５Ｂおよび４５Ｃは、図４５Ａに示されるようなサンプル１の一部の拡大上面図を示す。ＥＤＸ元素分析に基づいて、マグネシウムの存在は、第２の領域４５０３の大部分にわたって検出されなかった。しかしながら、マグネシウム含有島またはクラスタ４５０５の形成が観察され（図４５Ａ参照）、これらの島４５０３の中のマグネシウムの存在が、ＥＤＸ元素分析に基づいて確認された。
【０２８５】
図４５Ｄおよび４５Ｅは、マグネシウムコーティング（領域４５０１）と核形成阻害コーティング（領域４５０３）との間の界面を示す、サンプル１のＳＥＭ断面画像である。下層基板４５１０もまた、これらの画像で見られることができる。
【０２８６】
図４５Ｆおよび４５Ｇは、図４５Ｄおよび４５Ｅとは異なるサンプルの部分において撮影されたサンプル１の付加的ＳＥＭ断面画像である。
【０２８７】
図４５Ｄ−４５Ｇから分かり得るように、マグネシウムコーティング（領域４５０１）は、マグネシウムコーティングおよび核形成阻害コーティングの界面の近傍の部分的重複領域中の核形成阻害コーティング（領域４５０３）の上を側方に延在する一部を含む。具体的には、マグネシウムコーティングの一部は、核形成阻害コーティングの表面と直接接触していない突出部を形成し、したがって、界面においてマグネシウムコーティングと核形成阻害コーティングとの間に間隙を作成すると見なされることができる。
【０２８８】
図４５Ｈは、サンプル１の第１の領域４５０１および第２の領域４５０３から得られたＥＤＸスペクトルを示す。図４５Ｈのプロットから分かり得るように、マグネシウムに対応するピークが、第１の領域４５０１から得られたスペクトルの中で明確に観察される一方で、いかなる顕著なピークも第２の領域４５０３から得られたスペクトルの中で検出されない。ＥＤＸ測定が、約２μｍ２のサンプル面積にわたって５ｋｅＶで行われた。
【０２８９】
図４６Ａは、サンプル２の上面図のＳＥＭ画像である。画像の第１の領域４６０１は、それの上をマグネシウムが露出した銀表面の上に堆積させられた領域に対応し、第２の領域４６０３は、核形成阻害コーティング（ＴＡＺ）によって被覆された領域に対応する。図４６Ａの一部の拡大画像が、図４６Ｂに示され、図４６Ｂの一部のさらなる拡大画像が、図４６Ｃに示されている。サンプルの断面外形が、基板４６１０も示す、図４６Ｄ、４６Ｅ、および４６Ｆの画像に示されている。図４６Ｂ−Ｆの画像で見られ得るように、マグネシウムコーティング（領域４６０１）とＴＡＺコーティング（領域４６０３）との間の界面の近傍に堆積させられるマグネシウム４６０７の比較的薄い膜または層がある。薄膜４６０７の中のマグネシウムの存在が、ＥＤＸ測定を通して確認された。また、マグネシウム含有島またはクラスタ４６０５の形成が観察された（図４６Ａ参照）。
【０２９０】
図４６Ｇは、サンプル２の第１の領域４６０１および第２の領域４６０３から得られたＥＤＸスペクトルを示す。図４６Ｇのプロットから分かり得るように、マグネシウムに対応するピークが、第１の領域４６０１から得られたスペクトルの中で明確に観察される一方で、いかなる顕著なピークも第２の領域４６０３から得られたスペクトルの中で検出されない。ＥＤＸ測定が、約２μｍ２のサンプル面積にわたって５ｋｅＶで行われた。
【０２９１】
図４６Ｈは、サンプル２の走査線に沿って得られたマグネシウムスペクトルの線形ＥＤＸ走査を示す。ＥＤＸスペクトルは、ＥＤＸスペクトルが取得されたサンプルの部分を示す、対応するＳＥＭ画像の上に重ね合わせられる。分かり得るように、マグネシウムスペクトルの強度は、第１の領域４６０１と薄膜４６０７との間の界面から約１．７μｍにおいて減少し始める。本観察は、界面の近傍で徐々に減少する、またはテーパ状になる、マグネシウムコーティングの厚さを示す、サンプル（例えば、図４６Ｄ）について観察される断面外形と一致する。
【０２９２】
実施例２
【０２９３】
核形成阻害コーティングまたは核形成助長コーティングとして使用するための種々の材料の性質を測定するために、一連の実験が、水晶振動子マイクロバランス（ＱＣＭ）のセットを使用して行われた。
【０２９４】
理解されるであろうように、ＱＣＭが、薄膜堆積プロセスにおいて堆積速度を監視するために使用されることができる。簡潔には、そのような監視は、共振器の表面上の材料の追加または除去によって引き起こされる水晶共振器の周波数の変化を測定することによって行われる。
【０２９５】
図４７は、ＱＣＭの表面上のマグネシウムの堆積プロファイルを測定するための実験装置を図示する概略図である。図示されるように、蒸発チャンバ４７０１は、第１の蒸発ソース４７１０と、第２の蒸発ソース４７１２とを含む。一対のＱＣＭ４７３１および４７４１が、ＱＣＭ４７３１および４７４１のそれぞれの共振器表面がソース４７１０および４７１２に向かって対面する状態でチャンバ４７０１の内側に位置付けられる。サンプルシャッタ４７２１およびソースシャッタ４７２５が、ＱＣＭ４７３１および４７４１と蒸発ソース４７１０および４７１２との間に配置される。サンプルシャッタ４７２１およびソースシャッタ４７２５は、それぞれ、ＱＣＭ４７３１および４７４１に入射する蒸気の流束ならびにソース４７１０および４７１２から流出する蒸気の流束を制御するように適合される、可動シャッタである。
【０２９６】
図示される例示的設定では、本明細書では「参照ＱＣＭ」とも称されるであろう、第１のＱＣＭ４７３１は、本明細書では「サンプルＱＣＭ」とも称されるであろう、第２のＱＣＭ４７４１上のマグネシウムの堆積プロファイルが、それに対して比較される、基準としての役割を果たす。ＬａｐＴｅｃｈ  Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ  Ｉｎｃ．から入手された、光学的に研磨された水晶（部品番号：ＸＬ１２５２、周波数：６．０００ＭＨｚ、ＡＴ１、中心：５．９８５ＭＨｚ、直径：１３．９７ｍｍ±３ｍｍ、光学的に研磨された）が、各実験で参照ＱＣＭおよびサンプルＱＣＭとして使用された。
【０２９７】
各実験は、以下のように行われた。第１に、参照ＱＣＭ４７３１およびサンプルＱＣＭ４７４１は、図４７に図示されるように、蒸発チャンバ４７０１の内側に位置付けられた。チャンバ４７０１は、次いで、チャンバ圧力が約１０−５Ｐａを下回るまで送出された。サンプルシャッタ４７２１は、次いで、参照ＱＣＭ４７３１およびサンプルＱＣＭ４７４１の両方の共振器表面が覆い隠されるように作動された。第１の蒸発ソース４７１０は、次いで、（本明細書では「核形成改質材料」とも称される）核形成助長または阻害材料の蒸発を開始するように起動された。いったん安定した蒸発速度が達成されると、サンプルシャッタ４７２１は、参照ＱＣＭ４７３１の表面を露出されていない状態で保ち、したがって、核形成改質材料がサンプルＱＣＭ４７４１の表面上に堆積させられることを可能にしながら、サンプルＱＣＭ４７４１の共振器表面が蒸気流束に暴露されるように移動された。サンプルＱＣＭ４７４１の表面上に核形成改質材料の所望の層厚さを堆積させることに応じて、ソースシャッタ４７２５は、第１のソース４７１０から流出する蒸気流束を遮断し、したがって、さらなる堆積を防止するように作動された。第１のソース４７１０が、次いで、遮断された。
【０２９８】
次に、第２の蒸発ソース４７１２が、マグネシウムの蒸発を開始するように起動された。シャッタ４７２１は、安定した堆積速度に達するまで、ＱＣＭ４７３１および４７４１を被覆するために使用された。いったん安定した堆積速度に達すると、シャッタ４７２１は、マグネシウム蒸気がＱＣＭ４７３１および４７４１の両方の表面に入射するように、サンプルＱＣＭ４７４１の改質された表面および参照ＱＣＭ４７３１の表面の両方を被覆しないように作動された。ＱＣＭ４７３１および４７４１の共振周波数が、ＱＣＭ４７３１および４７４１のそれぞれの上のマグネシウムの堆積プロファイルを判定するように監視された。
【０２９９】
核形成阻害コーティングを形成するために使用されることができるものを含む、種々の核形成改質材料が、その上に核形成改質コーティングを形成するように、サンプルＱＣＭ４７４１の共振器表面上に堆積させられた。核形成改質材料毎に図４７に図示されるチャンバ構成を使用して、上記の実験手順を繰り返すことによって、種々の表面上のマグネシウムの堆積速度が分析された。以下の材料、すなわち、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、アルミニウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチル−８−キノリナト）−４−フェニルフェノラート（ＢＡｌｑ）、２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾール（ＬＧ２０１）、８−ヒドロキシキノリンリチウム（Ｌｉｑ）、およびＮ（ジフェニル−４−イル）９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（ＨＴ２１１）が、核形成改質コーティングを形成するために使用された。
【０３００】
図５７は、サンプルＱＣＭ表面上に堆積させられるマグネシウムの層厚さ（サンプル層厚さ、または図５７で標識されるような「平均膜厚さ」）に対して、参照ＱＣＭ表面上に堆積させられるマグネシウムの層厚さ（参照層厚さ、または図５７で標識されるような「堆積した厚さ」）を示す、対数・対数プロットである。各場合において、参照ＱＣＭ表面は、実験を行うことに先立って実質的に純粋な銀で事前にコーティングされた。
【０３０１】
図５７のプロットに基づいて、両方のＱＣＭ表面上に堆積させられるマグネシウムの層厚さ、したがって、表面を同一のマグネシウム蒸気流束に暴露することの結果としてのマグネシウムの堆積速度が、判定されることができる。具体的には、サンプルＱＣＭ表面上のマグネシウムの堆積速度を、サンプルＱＣＭ表面上のマグネシウムの比較的薄い層の形成中（すなわち、層厚さが最大１ｎｍまたは１０ｎｍの堆積の初期段階中）の参照ＱＣＭ表面上のものと比較することによって、サンプルＱＣＭ表面上に存在するコーティングの核形成阻害性質が判定されてもよい。議論を容易にするために、サンプルＱＣＭ表面上に堆積させられるマグネシウムの層厚さは、サンプル層厚さと称され、参照ＱＣＭ表面上に堆積させられるマグネシウムの層厚さは、参照層厚さと称されるであろう。
【０３０２】
ある実験に関して、種々のサンプルのための１ｎｍおよび１０ｎｍにおけるサンプル層厚さに対応する、参照層厚さが、以下の表４で要約される。具体的には、表４で提供される参照層厚さは、サンプル毎に１ｎｍまたは１０ｎｍ層厚さがサンプルＱＣＭ表面上に堆積させられるための同一時間周期内の参照ＱＣＭ表面上に堆積させられるマグネシウムの層厚さに対応する。有機材料が、約１０−５Ｐａの減圧圧において約１Å／秒の堆積速度で堆積させられた。マグネシウムが、約５２０〜５３０℃のソース温度および約１０−５Ｐａの減圧圧において約２Å／秒の堆積速度で堆積させられた。
【表４】
2018533183.tif 000021
【０３０３】
上記に基づいて、１ｎｍのサンプル層厚さに達したときに堆積させられた参照層厚さは、サンプルＱＣＭ表面を被覆する核形成改質材料に実質的に応じて、変動したことが分かり得る。１ｎｍの閾値サンプル層厚さが、本実施例では、サンプルＱＣＭ表面上の膜形成の初期段階中の相対堆積速度を判定するように選択された。参照ＱＣＭ表面が銀で事前にコーティングされたため、参照ＱＣＭ表面上のマグネシウムの堆積速度は比較的一定のままであったことが観察された。
【０３０４】
ＴＡＺでコーティングされたサンプルＱＣＭのために１ｎｍのサンプル層厚さに達する前に、２０００ｎｍを超えるマグネシウムの比較的厚いコーティングが、参照ＱＣＭ上に堆積させられた。ＢＡｌｑでコーティングされたサンプルＱＣＭのために１ｎｍのサンプル層厚さに達する前に、１０４ｎｍの参照層厚さが堆積させられた。しかしながら、ＬＧ２０１、Ｌｉｑ、またはＨＴ２１１でコーティングされたサンプルＱＣＭのために閾値厚さに達する前に、６２ｎｍ未満の層厚さを伴うマグネシウムの比較的薄いコーティングが、参照ＱＣＭ上に堆積させられた。
【０３０５】
理解されるであろうように、より優れた選択性が、概して、比較的高い参照層厚さ、したがって、比較的低い初期堆積速度および付着確率を呈する、核形成改質コーティングを使用することによって、伝導性コーティング堆積中に達成されることができる。例えば、高い参照層厚さを呈する核形成改質コーティングは、効果的な核形成阻害コーティングであってもよく、標的表面がマグネシウム蒸気流束に暴露されるときに、マグネシウムが標的表面の被覆されていない領域の上を選択的に形成し、核形成阻害コーティングの表面がマグネシウムを実質的に含まない、またはそれによって実質的に被覆されていないままであるように、標的表面の領域を被覆するために使用されてもよい。例えば、１ｎｍの閾値サンプル層厚さにおいて少なくとも約８０ｎｍまたはそれを上回る参照層厚さを呈する、核形成改質コーティングが、核形成阻害コーティングとして使用されてもよい。例えば、１ｎｍ閾値厚さにおいて少なくとも約１００ｎｍまたはそれを上回る、少なくとも約２００ｎｍまたはそれを上回る、少なくとも約５００ｎｍまたはそれを上回る、少なくとも約７００ｎｍまたはそれを上回る、少なくとも約１，０００ｎｍまたはそれを上回る、少なくとも約１，５００ｎｍまたはそれを上回る、少なくとも約１，７００ｎｍまたはそれを上回る、もしくは少なくとも約２，０００ｎｍまたはそれを上回る参照層厚さを呈する、核形成改質コーティングが、核形成阻害コーティングとして使用されてもよい。換言すると、参照表面上のマグネシウムの初期堆積速度は、核形成阻害コーティングの表面上のマグネシウムの初期堆積速度の少なくとも約８０倍またはそれを上回り、少なくとも約１００またはそれを上回り、少なくとも約２００またはそれを上回り、少なくとも約５００またはそれを上回り、少なくとも約７００またはそれを上回り、少なくとも約１，０００またはそれを上回り、少なくとも約１，５００またはそれを上回り、少なくとも約１，７００またはそれを上回り、もしくは少なくとも約２，０００またはそれを上回り得る。
【０３０６】
図５８は、サンプルＱＣＭ表面上に堆積させられたマグネシウムの層厚さと対比した、サンプルＱＣＭ表面上のマグネシウム蒸気の付着確率の対数・対数プロットである。
【０３０７】
付着確率は、以下の方程式に基づいて導出された。
【数１０】
2018533183.tif 000022
式中、Ｎａｄｓは、サンプルＱＣＭの表面上のマグネシウムコーティングに組み込まれる、吸着されたモノマーの数であり、Ｎｔｏｔａｌは、参照ＱＣＭ上のマグネシウムの堆積を監視することに基づいて判定された、表面上の衝突するモノマーの総数である。
【０３０８】
図５８のプロットから分かり得るように、着確率は、概して、より多くのマグネシウムが表面上に堆積させられるにつれて増加する。マグネシウムコーティングの選択的堆積を達成する目的のために、比較的低い初期付着確率（例えば、初期堆積段階中の低い付着確率）を呈する核形成阻害コーティングが、望ましくは使用される。より具体的には、本実施例の初期付着確率は、核形成阻害コーティングの表面上の１ｎｍの平均厚さを伴う密集したマグネシウム層を形成することに対応する、マグネシウムの量を堆積させることに応じて測定される、付着確率を指す。種々の核形成阻害コーティング表面上のマグネシウムの１ｎｍ層厚さの堆積に応じて測定される付着確率は、以下の表５で要約される。
【表５】
2018533183.tif 000023
【０３０９】
実験に応じて、マグネシウム蒸気に対する約０．０３（または３％）以内もしくは未満の初期付着確率を呈するコーティングは、核形成阻害コーティングとして作用してもよい。理解されるであろうように、より低い初期付着確率を伴う核形成阻害コーティングは、比較的厚いマグネシウムコーティングの堆積を達成するため等のいくつかの用途のために、より望ましくあり得る。例えば、約０．０２以内または未満、約０．０１以内または未満、約０．０８以内または未満、約０．００５以内または未満、約０．００３以内または未満、約０．００１以内または未満、約０．０００８以内または未満、約０．０００５以内または未満、もしくは約０．０００１以内または未満の初期付着確率を伴うコーティングが、核形成阻害コーティングとして使用されてもよい。例えば、そのような核形成阻害コーティングは、ＢＡｌｑおよび／またはＴＡＺを堆積させることによって形成されるものを含んでもよい。
【０３１０】
実施例３
【０３１１】
隣接コーティングを伴う界面の近傍のマグネシウムコーティングの側方成長とマグネシウムコーティングの垂直成長との間の相関を特徴付けるために、変動するマグネシウムおよびＴＡＺ層厚さを伴う一連のサンプルが調製された。
【０３１２】
サンプルは、最初に、熱的堆積を使用して、シリコン基板の上を約３０ｎｍの銀を堆積させることによって調製された。核形成阻害コーティングが、次いで、シャドウマスクを使用して、銀表面の領域上に選択的に堆積させられた。サンプルの全てでは、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）が、核形成阻害コーティングを形成するために使用された。いったん核形成阻害コーティングが堆積させられると、露出した銀表面および核形成阻害コーティング表面の両方が、開放マスク堆積中に蒸発したマグネシウム流束を受けるように、実質的に純粋なマグネシウム（約９９．９９％純度）が、開放マスク堆積を使用して堆積させられた。全ての堆積は、減圧（約１０−４〜約１０−６Ｐａ）下で行われた。マグネシウムは、約２Å／秒の速度で堆積させられた。
【０３１３】
図４９は、調製されたサンプルを図示する概略図である。示されるように、核形成阻害コーティングの部分４９０１および４９０３は、銀表面の領域上に選択的に堆積させられ、マグネシウムコーティング４９０７は、部分４９０１と４９０３との間に堆積させられた。議論を容易にするために、シリコン基板および銀層は、図４９の略図から省略されている。核形成阻害コーティングの部分４９０１と４９０３との間に位置する露出した銀表面の側方距離は、ｄとして示され、マグネシウムコーティング４９０７の幅は、ｄ＋Δｄとして示される。このようにして、マグネシウムコーティング４９０７の側方成長距離は、マグネシウムコーティング４９０７の幅から露出した銀表面の側方距離を減算することによって、判定されることができる。ｄおよびｄ＋Δｄは両方とも、サンプルの上面図ＳＥＭ画像の分析を行うことによって測定された。マグネシウムの層厚さｈは、堆積プロセス中に水晶振動子マイクロバランス（ＱＣＭ）を使用して監視された。
【０３１４】
変動するマグネシウム層厚さ（ｈ）および核形成阻害層厚さを伴うサンプルについて測定された側方成長距離（Δｄ）が、以下の表６で要約される。Δｄの測定精度は、約０．５μｍである。
【表６】
2018533183.tif 000024
【０３１５】
上記の結果から観察され得るように、側方成長のいかなる検出可能な量も、比較的厚いＴＡＺコーティングを伴って調製されたサンプルでは観察されなかった。具体的には、いかなる側方成長も、１００ｎｍのＴＡＺ核形成阻害コーティングおよび０．２５μｍならびに０．７５μｍのマグネシウムコーティングを伴って調製されたサンプルには検出されなかった。
【０３１６】
比較的薄い（１０ｎｍ層厚さ）ＴＡＺコーティングを伴って調製されたサンプルに関して、いかなる側方成長も、厚さ０．２５μｍのマグネシウムコーティングを伴うサンプルに検出されなかった。しかしながら、より厚いマグネシウムコーティングを伴って調製されたサンプルに関して、マグネシウムの側方成長が観察された。具体的には、厚さ１０ｎｍのＴＡＺ核形成阻害コーティングおよび厚さ０．７５μｍのマグネシウムコーティングを伴って調製されたサンプルは、約２．５μｍの側方マグネシウム成長を呈し、厚さ１０ｎｍのＴＡＺ核形成阻害コーティングおよび厚さ１．５μｍのマグネシウムコーティングを伴って調製されたサンプルは、約３．５μｍの側方成長を呈した。
【０３１７】
実施例４
【０３１８】
サンプルが、ＢＡｌｑを含む、別の核形成阻害コーティングを使用して調製された。
【０３１９】
具体的には、サンプルは、以下の構造、すなわち、シリコンベース基板／ＬＧ２０１（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ（２０ｎｍ）／ＢＡｌｑ（５００ｎｍ）／Ｍｇ（３００ｎｍ）に従って製作された。具体的には、約４０ｎｍの２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾール（ＬＧ２０１）が、シリコン基板上に堆積させられ、その後に、約２０ｎｍのＭｇ：Ａｇ（約１：９の体積比でＭｇ：Ａｇを含む）が続いた。約５００ｎｍのアルミニウム（ＩＩＩ）ビス（２−メチル−８−キノリナト）−４−フェニルフェノラート（ＢＡｌｑ）の形態の核形成阻害コーティングが、次いで、Ｍｇ：Ａｇ表面の領域の上を選択的に堆積させられた。いったん核形成阻害コーティングが堆積させられると、露出したＭｇ：Ａｇ表面および核形成阻害コーティング表面が両方とも、開放マスク堆積中に蒸発したマグネシウム流束を受けるように、実質的に純粋なマグネシウム（約９９．９９％純度）が、開放マスク堆積を使用して堆積させられた。全ての堆積は、減圧（約１０−４〜約１０−６Ｐａ）下で行われた。マグネシウムコーティングは、約３．５Å／秒の速度で堆積させられた。
【０３２０】
図５０Ａは、ＢＡｌｑ核形成阻害コーティングを使用して調製されたサンプルの上面図のＳＥＭ画像である。第１の領域５００３は、ＢＡｌｑコーティングが存在し、したがって、有意量のマグネシウムが堆積させられなかった領域に対応し、第２の領域５００１は、マグネシウムが堆積させられた領域に対応する。図５０Ｃおよび５０Ｄは、それぞれ、領域５００７および５００５の拡大図を示す。図５０Ｂは、第１の領域５００３と第２の領域５００１との間の界面の拡大図を示す。
【０３２１】
図５０Ｂで見られ得るように、界面の近傍に形成された、いくつかの島５０１１があった。具体的には、島５０１１は、概して、核形成阻害コーティングの表面上に形成する、断絶したマグネシウム含有クラスタである。例えば、島はマグネシウムおよび／または酸化マグネシウムを含み得ることが仮定される。
【０３２２】
図５０Ｃは、プロセスによって形成されるマグネシウムコーティングの「バルク」を表す領域である、図５０Ａの領域５００７の拡大図を示す。図５０Ｄは、第１の領域５００３と第２の領域５００１との間の界面の近傍にある、領域５００５の拡大図を示す。分かり得るように、界面の近傍のマグネシウムコーティングの形態は、コーティングのバルクにおけるものと異なる。
【０３２３】
図５０Ｅはさらに、島５０１１が核形成阻害コーティングの表面上に示される、サンプルの断面ＳＥＭ画像を示す。
【０３２４】
実施例５
（比較実施例Ａ）
【０３２５】
比較サンプルが、比較的不良な核形成阻害性質を呈する材料を使用して形成された構造を特徴付けるように調製された（例えば、核形成阻害コーティングは、マグネシウム蒸気の比較的高い初期付着係数を呈する）。
【０３２６】
比較サンプルは、以下の構造、すなわち、シリコンベース基板／ＬＧ２０１（４０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ（２０ｎｍ）／ＨＴ２１１（５００ｎｍ）／Ｍｇ（３００ｎｍ）に従って製作された。具体的には、約４０ｎｍの２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ−［Ｄ］イミダゾール（ＬＧ２０１）が、シリコン基板上に堆積させられ、その後に、約２０ｎｍのＭｇ：Ａｇ（体積比約１：９）が続いた。約５００ｎｍのＮ（ジフェニル−４−イル）９，９−ジメチル−Ｎ−（４（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（ＨＴ２１１）の形態の核形成阻害コーティングが、次いで、Ｍｇ：Ａｇ表面の領域の上を選択的に堆積させられた。いったん核形成阻害コーティングが堆積させられると、露出したＭｇ：Ａｇ表面および核形成阻害コーティング表面が両方とも、開放マスク堆積中に蒸発したマグネシウム流束を受けるように、実質的に純粋なマグネシウム（約９９．９９％純度）が、開放マスク堆積を使用して堆積させられた。全ての堆積は、減圧（約１０−４〜約１０−６Ｐａ）下で行われた。マグネシウムコーティングは、約３．５Å／秒の速度で堆積させられた。
【０３２７】
図５１Ａは、第１の領域５１０３が、それの上をＨＴ２１１の形態の核形成阻害コーティングが堆積させられた領域に対応し、第２の領域５１０１が、マグネシウムコーティングが形成された領域に対応する、比較サンプルの上面図ＳＥＭ画像を示す。分かり得るように、第１の領域５１０３中の有意量のマグネシウムが、明確に観察されることができる。
【０３２８】
図５１Ｂは、比較サンプルの断面ＳＥＭ画像を示す。第１の領域５１０３と第２の領域５１０１との間の近似界面が、点線を使用して示される。
【０３２９】
実施例６
（比較実施例Ｂ）
【０３３０】
別の比較サンプルが、シャドウマスク技法を使用して表面上に堆積させられるマグネシウムコーティングのプロファイルを判定するように調製された。
【０３３１】
比較サンプルは、シリコンウエハの上に銀の約３０ｎｍ層厚さを堆積させ、その後に続いて、マグネシウムの約８００ｎｍ層厚さのシャドウマスク堆積によって、製作された。具体的には、シャドウマスク堆積は、銀表面の他の領域を覆い隠しながら、銀表面のある領域がシャドウマスク開口を通してマグネシウム流束に暴露されることを可能にするように構成された。マグネシウムは、約２Å／秒の速度で堆積させられた。
【０３３２】
図５２Ａは、比較サンプルのＳＥＭ画像の上面図である。近似界面が、図５２Ａで点線を使用して示されている。第１の領域５２０３は、覆い隠された領域に対応し、第２の領域５２０１は、それの上をマグネシウムコーティングが堆積させられた、露出した領域に対応する。
【０３３３】
図５２Ｂは、比較サンプルの断面ＳＥＭ画像である。図５２Ｂで見られ得るように、第２の領域５２０１の上を堆積させられるマグネシウムコーティングは、部分５２１４の厚さが徐々にテーパ状になる、比較的長い（約６μｍ）テーパまたはテール部分５２１４を含む。
【０３３４】
実施例７
（比較実施例Ｃ）
【０３３５】
ＨＴ２１１を含む、核形成阻害コーティングの核形成阻害性質への堆積速度の影響を特徴付けるために、ＨＴ２１１の変動する層厚さを伴う一連の比較サンプルが製作された。
【０３３６】
具体的には、サンプルは、ガラス基板の表面全体の上をＨＴ２１１の約１０ｎｍ層厚さを堆積させ、その後に続いて、マグネシウムの開放マスク堆積によって、製作された。種々の蒸発速度が、マグネシウムコーティングを堆積させるために使用されたが、しかしながら、各サンプルを調製する際に、堆積時間は、約１００ｎｍまたは約１０００ｎｍのいずれかのマグネシウムの参照層厚さを取得するように、それに応じて調節された。
【０３３７】
本実施例で使用されるように、参照層厚さは、高い初期付着係数を呈する参照表面（例えば、約１．０またはそれに近い初期付着係数を伴う表面）上に堆積させられる、マグネシウムの層厚さを指す。例えば、参照表面は、堆積速度および参照層厚さを監視する目的のために、堆積チャンバの内側に位置付けられるＱＣＭの表面であってもよい。換言すると、参照層厚さは、標的表面（例えば、核形成阻害コーティングの表面）上に堆積させられるマグネシウムの実際の厚さを示さないが、むしろ、参照表面上に堆積させられるマグネシウムの層厚さを指す。
【０３３８】
図５３は、種々の堆積速度および関連付けられる参照層厚さを使用して製作された種々のサンプルの透過率対波長のプロットを示す。透過率データに基づいて、約０．２Å／秒の低い堆積速度で堆積させられた、約１００ｎｍの比較的低いマグネシウム参照層厚さを伴うサンプルが、最高透過率を呈したことが分かり得る。しかしながら、実質的に同じ参照層厚さを伴うサンプルが、約２Å／秒のより高い堆積速度で堆積させられたとき、透過率は、測定されたスペクトル全体にわたってより低かった。最低透過率が、約２Å／秒の比較的高い速度を使用して堆積させられた約１０００ｎｍの比較的高いマグネシウム参照層厚さを伴うサンプルに検出された。
【０３３９】
３つ全てのサンプルのためのスペクトルの青色領域（約４００〜４７５ｎｍ）中で観察される、低減した透過率は、堆積したマグネシウムの酸化に起因してサンプル中に存在し得る、酸化マグネシウムによる吸収に起因し得ることが仮定される。
【０３４０】
実施例８
【０３４１】
核形成阻害コーティングを形成するために種々の材料を使用することの影響を特徴付けるために、一連のサンプルが、核形成阻害コーティングを形成するように異なる材料を使用して調製された。
【０３４２】
サンプルは、ガラス基板表面の上に核形成阻害コーティングの約１０ｎｍ層厚さを堆積させることによって製作された。サンプルは、次いで、マグネシウムの開放マスク堆積を受けた。サンプル毎に、マグネシウムは、約１０００ｎｍの参照層厚さに達するまで、約２Å／秒の速度で堆積させられた。
【０３４３】
図５４は、種々の材料で製作されたサンプルの透過率対波長のプロットである。分かり得るように、ＴＡＺで製作されたサンプルは、最高透過率を呈し、その後にＢＡｌｑが続いた。ＨＴ２１１およびＬｉｑで製作された両方のサンプルは、ＨＴ２１１およびＬｉｑの表面上に堆積させられている、より大量のマグネシウムに起因して、ＴＡＺおよびＢＡｌｑを伴って調製されたものと比較して、実質的により低い透過率を呈することが見出された。
【０３４４】
実施例９
【０３４５】
一連のサンプルが、例示的実施形態による、補助電極を提供することの影響を査定するように調製された。
【０３４６】
第１の参照サンプルが、上面発光ＡＭＯＬＥＤディスプレイデバイスで使用される典型的共通カソードを複製するように、基板表面上にＭｇ：Ａｇの層を堆積させることによって調製された。
【０３４７】
第２の参照サンプルが、非伝導性基板表面の上に反復グリッドの形態の補助電極を選択的に堆積させることによって調製された。補助電極のパターンが、図５５に示されている。具体的には、補助電極５５０１は、補助電極５５０１がＡＭＯＬＥＤデバイス上に製作される場合、各開口５５０５が、非放射領域（例えば、ピクセル間またはサブピクセル間領域）上に堆積させられている補助電極５５０１を伴うデバイスの放射領域（例えば、ピクセルまたはサブピクセル）に実質的に対応するように、その上に形成された複数の開口５５０５を含む。各開口５５０５の平均幅またはサイズは、約７０μｍであって、補助電極５５０１の各ストリップまたは区画の幅は、約１５〜１８μｍであった。補助電極５５０１は、実質的に純粋な（約９９．９９％純度）マグネシウムを使用して形成された。
【０３４８】
評価サンプルが、第１の参照サンプルのＭｇ：Ａｇ層の上に（第２の参照サンプルに使用される条件下で）補助電極を堆積させることによって調製された。具体的には、核形成阻害コーティングが、シャドウマスクを使用して、Ｍｇ：Ａｇ層の上に選択的に堆積させられ、結果として生じるパターン化された表面が、次いで、マグネシウム補助電極を選択的に堆積させて、図５５に示されるような類似パターンをもたらすように、マグネシウム蒸気に暴露された。
【０３４９】
サンプルのシート抵抗が測定され、測定の結果が、以下の表７で要約される。
【表７】
2018533183.tif 000025
【０３５０】
上記の表に示されるように、第１の参照サンプル（Ｍｇ：Ａｇ層）は、約２２．３Ω／平方の比較的高いシート抵抗を呈することが見出された。第２の参照サンプルおよび評価サンプルは、それぞれ、約０．１３Ω／平方および約０．１Ω／平方の実質的により低いシート抵抗を有することが見出された。故に、薄膜導体（例えば、共通カソード）と電気接続して例示的実施形態による補助電極を提供することによって、薄膜導体のシート抵抗が実質的に低減され得ることが確認された。
【０３５１】
本明細書で使用されるように、「実質的に」、「実質的な」、「およそ」、および「約」という用語は、わずかな変動を表して構成するために使用される。事象または状況と併せて使用されるとき、用語は、事象または状況が精密に起こる事例、ならびに事象または状況が密接に接近して起こる事例を指すことができる。例えば、数値と併せて使用されるとき、用語は、±５％未満またはそれと等しい、±４％未満またはそれと等しい、±３％未満またはそれと等しい、±２％未満またはそれと等しい、±１％未満またはそれと等しい、±０．５％未満またはそれと等しい、±０．１％未満またはそれと等しい、もしくは±０．０５％未満またはそれと等しい等の数値の±１０％未満またはそれと等しい変動の範囲を指すことができる。
【０３５２】
いくつかの実施形態の説明では、別の構成要素の「上に」、またはそれを「覆って」提供される、もしくは別の構成要素を「被覆している」または「被覆する」構成要素は、後者の構成要素が前者の構成要素の直接上にある（例えば、物理的に接触する）場合、ならびに１つまたはそれを上回る介在構成要素が前者の構成要素と後者の構成要素との間に位置する場合を包含することができる。
【０３５３】
加えて、量、比、および他の数値は、ある時は、本明細書では範囲形式で提示される。そのような範囲形式は、便宜上、簡潔にするために使用されることが理解され得るが、範囲の限界として明示的に規定される数値だけでなく、各数値および下位範囲が明示的に規定される場合のように、その範囲内に包含される全ての個々の数値または下位範囲も柔軟に含むことが理解されるべきである。
【０３５４】
本開示は、ある具体的実施形態を参照して説明されているが、その種々の修正は、当業者に明白であろう。本明細書で提供される任意の実施例は、本開示のある側面を例証する目的のためのみに含まれ、いかようにも本開示を限定することを意図していない。本明細書で提供される任意の図面は、本開示のある側面を例証する目的のためのみのものであり、一定の縮尺で描かれない場合があり、いかようにも本開示を限定しない。本明細書に添付される請求項の範囲は、上記の説明に記載される具体的実施形態によって限定されるべきではないが、全体として本開示に一致する、それらの全範囲を与えられるべきである。本明細書に記載される全ての文書の開示は、参照することによってそれらの全体として本明細書に組み込まれる。
【図１】
2018533183.tif 000026
【図２Ａ】
2018533183.tif 000027
【図２Ｂ】
2018533183.tif 000028
【図２Ｃ】
2018533183.tif 000029
【図３】
2018533183.tif 000030
【図４】
2018533183.tif 000031
【図５Ａ】
2018533183.tif 000032
【図５Ｂ】
2018533183.tif 000033
【図５Ｃ】
2018533183.tif 000034
【図５Ｄ】
2018533183.tif 000035
【図５Ｅ】
2018533183.tif 000036
【図５Ｆ】
2018533183.tif 000037
【図６】
2018533183.tif 000038
【図７】
2018533183.tif 000039
【図８】
2018533183.tif 000040
【図９Ａ】
2018533183.tif 000041
【図９Ｂ】
2018533183.tif 000042
【図９Ｃ】
2018533183.tif 000043
【図９Ｄ】
2018533183.tif 000044
【図１０】
2018533183.tif 000045
【図１１Ａ】
2018533183.tif 000046
【図１１Ｂ】
2018533183.tif 000047
【図１１Ｃ】
2018533183.tif 000048
【図１１Ｄ】
2018533183.tif 000049
【図１２】
2018533183.tif 000050
【図１３Ａ】
2018533183.tif 000051
【図１３Ｂ】
2018533183.tif 000052
【図１３Ｃ】
2018533183.tif 000053
【図１３Ｄ】
2018533183.tif 000054
【図１４】
2018533183.tif 000055
【図１５】
2018533183.tif 000056
【図１６】
2018533183.tif 000057
【図１６Ｂ】
2018533183.tif 000058
【図１６Ｃ】
2018533183.tif 000059
【図１６Ｄ】
2018533183.tif 000060
【図１６Ｅ】
2018533183.tif 000061
【図１７】
2018533183.tif 000062
【図１７Ｂ】
2018533183.tif 000063
【図１７Ｃ】
2018533183.tif 000064
【図１７Ｄ】
2018533183.tif 000065
【図１７Ｅ】
2018533183.tif 000066
【図１８Ａ】
2018533183.tif 000067
【図１８Ｂ】
2018533183.tif 000068
【図１８Ｃ】
2018533183.tif 000069
【図１８Ｄ】
2018533183.tif 000070
【図１９】
2018533183.tif 000071
【図２０】
2018533183.tif 000072
【図２１Ａ】
2018533183.tif 000073
【図２１Ｂ】
2018533183.tif 000074
【図２１Ｃ】
2018533183.tif 000075
【図２１Ｄ】
2018533183.tif 000076
【図２２】
2018533183.tif 000077
【図２３】
2018533183.tif 000078
【図２４】
2018533183.tif 000079
【図２５】
2018533183.tif 000080
【図２６】
2018533183.tif 000081
【図２７】
2018533183.tif 000082
【図２８Ａ】
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【図２８Ｂ】
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【図２８Ｃ】
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【図２８Ｄ】
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【図２８Ｅ】
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【図２８Ｆ】
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【図２８Ｇ】
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【図２８Ｈ】
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【図２８Ｉ】
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【図２８Ｊ】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５Ａ】
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【図４５Ｂ】
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【図４５Ｃ】
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【図４５Ｄ】
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【図４５Ｅ】
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【図４５Ｆ】
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【図４５Ｇ】
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【図４５Ｈ】
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【図４６Ａ】
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【図４６Ｂ】
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【図４６Ｃ】
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【図４６Ｄ】
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【図４６Ｅ】
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【図４６Ｆ】
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【図４６Ｇ】
2018533183.tif 000123
【図４６Ｈ】
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【図４７】
2018533183.tif 000125
【図４８】
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【図４９】
2018533183.tif 000127
【図５０Ａ】
2018533183.tif 000128
【図５０Ｂ】
2018533183.tif 000129
【図５０Ｃ】
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【図５０Ｄ】
2018533183.tif 000131
【図５０Ｅ】
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【図５１Ａ】
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【図５１Ｂ】
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【図５２Ａ】
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【図５２Ｂ】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
2018533183.tif 000139
【図５６】
2018533183.tif 000140
【図５７】
2018533183.tif 000141
【図５８】
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【図５９Ａ】
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【図５９Ｂ】
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【国際調査報告】
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