(57)【要約】  光学補正構成は、光軸（１６）に沿って連続して配置された第１および第２の補正構成要素（１２、１３、１４）であって、光学補正構成（１０ａ、１０ｂ、１０ｃ）のゼロ位置において全体として少なくともおおよそ合計でゼロとなる非球面輪郭（１８、２０）が設けられた、第１および第２の補正構成要素（１２、１３、１４）と、第１のスピードで第１の方向（２２）に第１の補正構成要素（１２）を変位させるため、および第２のスピードで第２の方向（２４）に第２の補正構成要素（１４）を変位させるためのマニピュレータとを備え、第１のスピードは第２のスピードより大きい。
2018534612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光軸（１６）に沿って連続して配置された第１および第２の補正構成要素（１２、１３、１４）であって、光学補正構成（１０ａ、１０ｂ、１０ｃ）のゼロ位置において全体として少なくともおおよそ合計でゼロとなる非球面輪郭（１８、２０）が設けられた、第１および第２の補正構成要素（１２、１３、１４）と、第１のスピードで第１の方向（２２）に前記第１の補正構成要素（１２）を変位させるため、および第２のスピードで第２の方向（２４）に前記第２の補正構成要素（１４）を変位させるためのマニピュレータとを備えた光学補正構成において、前記第１のスピードは前記第２のスピードより大きいことを特徴とする光学補正構成。
【請求項２】
前記第１のスピードは、前記第２のスピードより少なくとも１桁大きいことを特徴とする請求項１に記載の光学補正構成。
【請求項３】
前記マニピュレータは、前記第１の補正構成要素（１２）を、前記第１の方向に沿った振動運動に従って変位させるように構成されることを特徴とする請求項１または２に記載の光学補正構成。
【請求項４】
前記振動運動は周期的振動運動であり、その周期は半導体チップに対する露光持続時間と整合されることを特徴とする請求項３に記載の光学補正構成。
【請求項５】
前記振動運動の前記周期は１００ｍｓ未満、好ましくは８０ｍｓ未満、より好ましくは４０ｍｓ未満であることを特徴とする請求項４に記載の光学補正構成。
【請求項６】
前記第１の補正構成要素（１２）の前記第１のスピードは、前記振動運動の前記周期内で可変であることを特徴とする請求項４または５に記載の光学補正構成。
【請求項７】
前記第１の方向は、前記光軸（１６）に平行であることを特徴とする請求項１から６までのいずれか１項に記載の光学補正構成。
【請求項８】
前記第２の方向は、前記光軸（１６）に直交することを特徴とする請求項１から７までのいずれか１項に記載の光学補正構成。
【請求項９】
前記マニピュレータは、前記第１および前記第２の補正構成要素（１２、１３、１４）を同時に変位させるように構成されることを特徴とする請求項１から８までのいずれか１項に記載の光学補正構成。
【請求項１０】
前記マニピュレータは、前記第１および／または前記第２の補正構成要素（１２、１３、１４）の縁部領域（１９、２１）内で少なくとも一部において配置され、前記縁部領域（１９、２１）は前記非球面輪郭（１８、２０）の外側に形成されることを特徴とする請求項１から９までのいずれか１項に記載の光学補正構成。
【請求項１１】
前記マニピュレータは、磁気的構成を有することを特徴とする請求項１から１０までのいずれか１項に記載の光学補正構成。
【請求項１２】
前記磁気的構成は少なくとも１つの第１の磁石（３０ａ、３０ｂ）と、少なくとも１つの第２の磁石（３２ａ、３２ｂ）とを有し、前記少なくとも１つの第１の磁石（３０ａ、３０ｂ）は前記第１の補正構成要素（１２）において配置され、前記少なくとも１つの第２の磁石（３２ａ、３２ｂ）は前記第２の補正構成要素（１４）において配置されることを特徴とする請求項１１に記載の光学補正構成。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの第１の磁石（３０ａ、３０ｂ）は永久磁石であり、および／または前記少なくとも１つの第２の磁石（３２ａ、３２ｂ）は電磁石であることを特徴とする請求項１２に記載の光学補正構成。
【請求項１４】
前記マニピュレータは、前記光軸（１６）に平行におよび／または直交して、前記第１および／または前記第２の補正構成要素（１２、１３、１４）を導くためのガイド手段（２６、２８）と相互作用することを特徴とする請求項１から１３までのいずれか１項に記載の光学補正構成。
【請求項１５】
第３の補正構成要素を特徴とする請求項１から１４までのいずれか１項に記載の光学補正構成。
【請求項１６】
前記光軸（１６）の方向における前記光学補正構成（１０ａ、１０ｂ、１０ｃ）の中央の補正構成要素は、前記光軸（１６）に対して静止するように構成されることを特徴とする請求項１５に記載の光学補正構成。
【請求項１７】
前記第１、前記第２、および／または前記第３の補正構成要素（１２、１３、１４）は、ばねデバイスによって保持されることを特徴とする請求項１から１６までのいずれか１項に記載の光学補正構成。
【請求項１８】
前記マニピュレータは、少なくとも１つのアクチュエータ（３８ａ、３８ｂ）を有することを特徴とする請求項１から１７までのいずれか１項に記載の光学補正構成。
【請求項１９】
前記投影対物部（４６）であって、請求項１から１８までのいずれか１項に記載の少なくとも１つの光学補正構成（１０ａ、１０ｂ、１０ｃ）を有することを特徴とするマイクロリソグラフィ用途のための投影対物部。
【請求項２０】
マイクロリソグラフィ装置、例えば投影露光装置（４０）であって、請求項１９に記載の投影対物部（４６）を有することを特徴とするマイクロリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、本出願の記述において直接の参照によってその全体の内容が組み込まれている、２０１５年９月２４日に出願した、独国特許出願第１０  ２０１５  ２１８  ３２９．７号の優先権を主張するものである。
本発明は光学補正構成に関し、これは光軸に沿って連続して配置された第１および第２の補正構成要素であって、光学補正構成のゼロ位置において全体として少なくともおおよそ合計でゼロとなる非球面輪郭が設けられた、第１および第２の補正構成要素と、第１のスピードで第１の方向に第１の補正構成要素を変位させるため、および第２のスピードで第２の方向に第２の補正構成要素を変位させるためのマニピュレータとを備える。
本発明はさらに、このような光学補正構成を有する投影対物部（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  ｏｂｊｅｃｔｉｖｅ）、およびこのような投影対物部を有するマイクロリソグラフィのためのマイクロリソグラフィ装置、具体的には投影露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
冒頭に記載されたタイプの光学補正構成は、ＤＥ１０  ２００７  ０４６  ４１９  Ａ１から知られている。
このような光学補正構成は、マイクロリソグラフィにおいて投影対物部の光学波面を変化させるため、具体的にはそれの補正のために用いられる。
フォトリソグラフィまたはリソグラフィとしても知られる、マイクロリソグラフィは、集積回路、半導体構成要素、および他の電子製品を製造するための半導体およびマイクロシステム技術の主要技術の１つである。マイクロリソグラフィの基本概念は、予め規定された構造を、露光プロセスによって基板に移転することにある。予め規定された構造は、レチクル（「フォトマスク」とも呼ばれる）に取り付けられ、通常は微細構造および／またはナノ構造を含む。基板、例えばシリコンウェハは、光感応性材料によって被覆される。露光時に露光光は、投影対物部を通過した後、光感応性材料に作用し、それにより露光光によって衝突された光感応性被覆の領域は、それらの化学的特性に関して変更される。このように処理された被覆の領域において光感応性材料は、その後、溶剤を用いて除去される。最後にレチクルの予め規定された構造を基板表面上に移転するために、今では露光された基板表面の領域から基板材料を除去するためにエッチング手段が用いられる。
半導体構成要素の性能または電力密度（ｐｏｗｅｒ  ｄｅｎｓｉｔｙ）を向上することは、現在の半導体技術において不可欠なものと考えられる。単位面積当たりの集積化可能な回路の数を増加するための構造寸法の小型化は、この目的に役立つ。この側面のもとで、投影対物部のイメージング特性には、ますます高い要求条件が課される。具体的にはマイクロリソグラフィ投影対物部の光学収差を、非常に低いレベルまで低減することが非常に重要である。
【０００３】
光学収差は、投影対物部の製造後にすでに本来的に存在する、製造により誘発された光学収差、および投影対物部の動作時にのみ生じる光学収差の両方があり得る。例として投影対物部の光学要素は、高エネルギー短波長露光光、具体的には紫外（ＵＶ）、真空紫外（ＶＵＶ）、および極紫外（ＥＵＶ）光による衝突、およびそれに付随する過熱のために損傷され得る。
さらに光学収差は、例えばレチクルおよび／または基板の表面粗さなどの、欠陥のある表面に遡ることができる。プロセスにおいて、対物および像平面の、ならびに投影対物部の焦点位置の変位が存在する。
【０００４】
従来技術は、投影対物部の光学収差を低減するための補正構成を開示している。例として、冒頭に述べられた従来技術は、複数の光学補正要素から作られた光学補正構成を有する、投影対物部を開示する。補正要素には、ゼロ位置において全体として少なくともおおよそ合計でゼロとなる非球面輪郭が設けられる。さらに、所望の補正効果を設定するために、補正要素の少なくとも１つは、残りの補正要素の少なくとも１つに対して、光軸の方向に変位可能である。
ＥＰ０  ８５１  ３０４  Ａ２は、複数の変位可能な平板を有する他の補正構成を開示しており、光軸に直交する２つの対向する水平方向において、異なる平板が変位可能である。
しかし上述の知られている補正構成は本質的な欠点を有し、すなわちそれらは走査プロセス時に生じる光学収差を適切に補正することができない。走査時に露光光はレチクルに衝突し、レチクルに突き当たる光ビームは、投影対物部の光軸に直交する水平方向に沿って変位する。いわゆる「オーバレイ（ｏｖｅｒｌａｙ）」誤差がプロセスにおいて発生する場合があり、このオーバレイ誤差は、例えば走査時の焦点位置における変化に関連して、テレセントリック性誤差の結果として起こる誤差として生じる。このような光学収差は、高次のゼルニケ係数を用いてのみ数学的に記述されることができる複雑な視野プロファイルをとり得る。このような光学収差は、従来技術から知られている補正構成によって補正されることはできず、または部分的に補正されることができるだけである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、走査プロセス時に生じる光学収差をより効果的に補正することができることについて冒頭で述べられたタイプの光学補正構成を開発することが本発明の目的である。
冒頭で明確に述べられた光学補正構成については、この目的は、第１のスピードが第２のスピードより大きいという理由で、本発明により達成される。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１および第２の補正構成要素には、非球面輪郭が設けられる。ここでそれぞれの非球面化は、２つの補正構成要素の間の隙間に向かい合う、第１または第２の補正構成要素の内側に設けられる。代替としてまたは追加として、隙間から見て外方に向く第１および／または第２の補正構成要素の外側に、非球面輪郭が設けられることができる。
非球面輪郭は、光学補正構成のゼロ位置において、少なくともおおよそ合計でゼロになる。言い換えれば、非球面輪郭の光学的効果は、補正構成のゼロ位置において互いに補償し、それによりゼロ位置において露光光は、少なくともおおよそ変更されずに光学補正構成を通過する。第１および第２の補正構成要素は、それらが互いに対して変位されることができるように、マニピュレータによって変位可能である。マニピュレータは、第１のスピードで第１の補正構成要素を、第２のスピードで第２の補正構成要素を変位させるように構成され、第１のスピードは第２のスピードより大きい。その結果、光学収差、具体的には視野依存収差を補正するために、所望の補正効果が得られ得る。
従来技術から知られている補正構成とは対照的に、第１のスピードと第２のスピードは互いに異なるので、走査プロセス時に生じる光学収差を特に効果的に補正することが可能である。
【０００７】
例として、対物面におけるレチクル表面、および／または像平面における基板表面の欠陥のある表面もしくは表面粗さと関係がある、オーバレイ誤差などの光学収差を、向上された精度および信頼性を有して補正することが可能である。欠陥のある表面には、対物面または像平面の、およびその結果また投影対物部の、焦点位置の変位が付随して生じる。この結果として、半導体ウェハの走査プロセス時に、時間的に速く変化する、投影対物部の焦点位置の変位が存在する。
【０００８】
この望ましくない焦点位置の変位を補償するために、レチクルおよび／または基板の表面が、走査プロセスの前に測定されることができる。測定データは、補正構成要素を制御するために、マニピュレータに供給される。走査プロセス時にマニピュレータは、２つの補正構成要素の間の相対運動をもたらすために、第１および／または第２の補正構成要素を変位させる。第１および第２の補正構成要素の変位スピードが互いに異なるようにそれらの変位スピードを選択することが可能であることの結果として、発生される相対運動は、レチクル表面または基板表面の測定された表面形状に整合されることができるので有利である。
好ましい形態において第１のスピードは、第２のスピードより少なくとも１桁大きい。
【０００９】
その結果、第１および第２の補正構成要素は、互いに著しく異なるスピードで変位されることができる。具体的には第１の補正構成要素は、第２の補正構成要素より著しく高速に変位可能であり、例えば少なくとも１０倍高速に変位可能である。補正構成要素の間の高速な相対運動は、投影対物部の時間的に高速に変化する焦点変位に整合され、これによって達成される。その結果、オーバレイ誤差などの光学収差の動的補正は、走査プロセス時に、例えばウェハまたは半導体ダイの露光時にもたらされるので有利である。同時に、時間において比較的ゆっくり変化する光学収差は、第２の補正構成要素の変位によって効果的に補正可能である。
他の好ましい形態において、マニピュレータは第１の補正構成要素を、第１の方向に沿った振動運動に従って変位させるように構成される。
【００１０】
この対策を用いて、複数のダイを備えたウェハの露光時に、時間において定期的に繰り返し起こる光学収差を特に効果的に補正することが可能である。欠陥のあるレチクル表面の場合、焦点位置の変位は、各個々のダイに対する走査プロセス時に補償されなければならない。したがって焦点変位に整合された、補正構成要素の間の相対運動は、複数のダイの場合において、それに対応して頻繁に繰り返されなければならない。これは第１の方向に沿った第１の補正構成要素の振動運動によって理想的なやり方で得られることができるので有利であり、これは光軸に平行に向くことが好ましい。
他の好ましい形態において、振動運動は周期的振動運動であり、その周期は半導体チップに対する露光持続時間と整合される。
【００１１】
単一のダイの露光は通常、投影対物部を調整するための第１の準備ステップ（「ステップ」）と、ダイを走査／露光するための第２の走査ステップ（「スキャン」）との、２つのステップにおいて実現される。したがってダイに対する露光持続時間は、両方のステップ（「ステップアンドスキャン」）の持続時間の加算から明らかになる。その結果、第１の方向に沿った第１の補正構成要素の運動は、投影対物部の焦点変位の周期的補償を生じる。その結果、時間において定期的に繰り返し起こるオーバレイ誤差は、特に高い精度で補正され得る。
他の好ましい形態において、振動運動の周期は１００ｍｓ未満、好ましくは８０ｍｓ未満、より好ましくは４０ｍｓ未満である。
【００１２】
その結果、振動運動周波数が生じ、これは少なくとも１０Ｈｚ、好ましくは少なくとも１２．５Ｈｚ、より好ましくは少なくとも２５Ｈｚである。第１の補正構成要素の振動運動は、その結果、マイクロリソグラフィに対して典型的である投影対物部の走査リズムに、特に効果的に整合されることができるので有利である。
他の好ましい形態において、第１の補正構成要素の第１のスピードは、振動運動の周期内で可変である。
レチクルおよび／または基板の欠陥のある表面は、一様でないプロファイル、例えば不規則に波状のプロファイルを有する場合がある。この場合、各個々のダイの露光時に、同様に不規則な焦点変位を効果的に補償することが特に重要である。これは、振動運動の周期内で時間と共に可変である第１の補正構成要素のスピードによって得られることができる。
他の好ましい形態において、第１の方向は光軸に平行である。
この対策を用いて、第１の補正構成要素を変位させることによって、光軸に沿った焦点位置の変位を特に効果的に補正することが可能である。ここで、時間と共に速く変化するオーバレイ誤差の効果的な補正は、特に有利である。
他の好ましい形態において、第２の方向は光軸に直交する。
このようにして例えば、投影対物部の光学要素、例えばミラー、レンズ、またはプリズムの変形によって引き起こされ、時間と共に比較的ゆっくり変化するさらなる光学収差を効果的に補正することが可能である。
他の好ましい形態においてマニピュレータは、第１および第２の補正構成要素を同時に変位させるように構成される。
この対策を用いて、第１および第２の補正構成要素の間の相対運動をもたらすことが可能であり、そこでは２つの補正構成要素は、異なるスピードで同時に変位される。本発明による補正構成によって得ることができる補正効果は、これによって拡大されるので有利である。
他の好ましい形態においてマニピュレータは、第１および／または第２の補正構成要素の縁部領域内で少なくとも一部において配置され、縁部領域は非球面輪郭の外側に形成される。
【００１３】
その結果、マニピュレータは、補正構成要素の非球面輪郭によって設定される補正構成の光学的有効面から、ある距離に配置される。第１および／または第２の補正構成要素の変位時の露光プロセスの障害は排除され、または少なくとも非常に低いレベルまで低減されるので有利である。
他の好ましい形態においてマニピュレータは、磁気的構成を有する。
【００１４】
磁気的構成を用いて、補正構成要素を変位させるためのマニピュレータは簡単なやり方で達成され、さらにこのマニピュレータは簡単な作動を容易にする。磁気的構成は、磁石、例えば永久磁石および／または電磁石を有することができる。永久磁石は、電流供給などのエネルギー供給なしに使用可能であるので有利である。電磁石を用いることで、電磁石のコイルに供給される電流を制御することによって力作用の強度は可変であるので、特に高い精度で電磁力作用を調整することが可能である。電流は高い精度および高速なスイッチングサイクルで変化されることができる。したがって第１の方向に沿った第１の補正構成要素の偏向は、速い時間スケールで、および同時に向上された精度で可変であり、これは従来型の機械的変位駆動を用いては困難さをもってしてのみ可能である。
磁気的構成は少なくとも１つの第１の磁石と、少なくとも１つの第２の磁石とを有することが好ましく、そこでは少なくとも１つの第１の磁石は第１の補正構成要素において配置され、少なくとも１つの第２の磁石は第２の補正構成要素において配置される。
【００１５】
この結果としてそれぞれの場合において、第１および第２の補正構成要素の両方に少なくとも１つの磁石が配置されるので有利である。２つの補正構成要素の変位はその結果として特に効果的となり、それにより所望の光学的補正効果は特に信頼性良く設定されることができる。少なくとも１つの第１の磁石および少なくとも１つの第２の磁石はさらに、第１および第２の磁石の磁界が互いに空間的に重なり合うことができるように、少なくとも部分的な垂直の重なり合いを有して配置されることができる。少なくとも１つの第１の磁石と少なくとも１つの第２の磁石との間の力作用は特に効果的であり、それにより本発明による光学補正構成の補正効果はさらに改善されるので有利である。
他の好ましい形態において、少なくとも１つの第１の磁石は永久磁石であり、および／または少なくとも１つの第２の磁石は電磁石である。
【００１６】
このような形態は、補正構成要素の間の相対運動または変位をもたらすためには、少なくとも１つの第２の磁石のみが作動される必要があるという点で、有利である。これは通常は電磁石のコイルに電圧を印加することによって実現され、これは、電磁石と永久磁石との間の力効果は特に正確なやり方で調整可能であるという、さらなる利点を有する。所望の補正効果は、補正構成要素の間の正確に調整可能な相対位置のおかげで、特に精密であるので有利である。
他の好ましい形態において、磁気的構成は環状の分布を有する。
この対策は、環状のやり方で分散された磁石の領域における磁力分布を容易にし、力分布は特に一様である。これはそのゼロ位置において、および補正構成要素が互いに対して変位された状態おいての両方での、光学補正構成の高い力安定性を助長する。
他の好ましい形態においてマニピュレータは、光軸に平行におよび／または直交して、第１および／または第２の補正構成要素を導くためのガイド手段と相互作用する。
これは所定の方向でのそれぞれの場合において、第１および／または第２の補正構成要素の変位を簡単にする。ガイド手段は、すべりガイドデバイスを有することができる。
他の好ましい形態において、光学補正構成は第３の補正構成要素を備える。
【００１７】
この対策は、３つの補正構成要素を有する光学補正構成を容易にする。この結果として補正構成要素の間のさらなる相対位置がさらに調整可能であり、それにより補正構成によって得ることができる補正効果が拡大されるので有利である。ここで光軸の方向での中央の補正構成要素は、光軸に対して静止するように構成されることができる。代替としてまたは追加として、中央の補正構成要素に少なくとも１つの電磁石が取り付けられることができる。
他の好ましい形態において、第１、第２、および／または第３の補正構成要素は、ばねデバイスによって保持される。
ばねデバイスは、少なくとも１つの戻しばね（ｒｅｔｕｒｎ  ｓｐｒｉｎｇ）を有し、そのばね力は、磁気的構成の電磁的吸引または反発力に重畳される。この結果として磁気的構成は、そのゼロ位置に、または様々な補正構成要素が互いに対して変位された状態に、向上された力安定性を有して保持されることができる。さらにばねデバイスの戻し力は、第１および／または第２の補正構成要素の重量を少なくとも部分的に補償することができるので有利である。
他の好ましい形態において、マニピュレータは少なくとも１つのアクチュエータを有する。
【００１８】
少なくとも１つのアクチュエータは、第１および／または第２の補正構成要素を少なくとも１つの方向に変位させるように働く。例として少なくとも１つのアクチュエータは、超音波モータ、リニアモータを備えることができる。代替としてまたは追加として、少なくとも１つのアクチュエータは、電気活性ポリマー、プランジャコイル、および／または圧力ベローズ（ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ｂｅｌｌｏｗｓ）をベースにしたものとすることができる。
【００１９】
マイクロリソグラフィ用途のための本発明による投影対物部は、上述の形態の１つまたは複数による少なくとも１つの光学補正構成を有する。例として投影対物部は、本発明によるマイクロリソグラフィ装置において、具体的には投影露光装置において用いられることができ、好ましくは統合される。
他の利点および特徴は、以下の説明および添付の図面から得られることができる。
言うまでもなく、上述の特徴およびこれから以下で説明されるものは、それぞれの場合において特定される組み合わせにおいてだけでなく、本発明の範囲から逸脱せずに他の組み合わせ、またはそれら自体でも用いられることができる。
本発明の例示的実施形態は図面に示され、それらを参照して本明細書の以下で述べられる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】光学補正構成を概略側面図において示す図である。
【図２】概略側面図での他の光学補正構成であって、磁気的構成を有する光学補正構成を示す図である。
【図３】第１の補正構成要素が第２の補正構成要素に対して、光軸に平行なおよび直交する方向に変位された状態での、図２の光学補正構成を示す図である。
【図４】概略平面図での補正構成要素であって、環状の磁気的構成を有する補正構成要素を示す図である。
【図５】第１の補正構成要素が第２の補正構成要素に対して、光軸に平行なおよび直交する方向に変位された状態での、アクチュエータを有する他の光学補正構成を概略側面図において示す図である。
【図６】光学補正構成を有する投影対物部を有した、投影露光装置の例を用いたマイクロリソグラフィ装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は光学補正構成を示し、これは、原寸に比例していない非常に概略的な側面図において、参照符号１０ａによって全体的に示される。光学補正構成１０ａは、第１の補正構成要素１２および第２の補正構成要素１４を有し、第１および第２の補正構成要素１２、１４は、光軸１６に沿って連続して配置される。第１の補正構成要素１２は第２の補正構成要素１４から、光軸１６の方向に、すなわち垂直方向に、ある距離に配置され、それにより２つの補正構成要素１２、１４の間に間隙または隙間１７が形成される。第１および第２の補正構成要素１２、１４にはそれぞれ、隙間１７に向かい合うそれらの内側上に非球面輪郭１８、２０が設けられる。
【００２２】
非球面輪郭１８、２０は、光学補正構成１０ａのゼロ位置において、それらが少なくともおおよそ合計でゼロになるように具体化される。言い換えれば、非球面輪郭１８、２０の光学的効果は、補正構成１０ａのゼロ位置において互いに補償し、それにより補正構成のゼロ位置において露光光は、少なくともおおよそ変更されずに光学補正構成を通過する。図１において非球面輪郭１８、２０はそれぞれ波状の輪郭として描かれているが、これは本発明を限定しない。
【００２３】
第１の補正構成要素１２および第２の補正構成要素１４は、ここでは概略的に示されるマニピュレータＭを用いて変位可能である。第１の補正構成要素１２は、両方向矢印２２によって明示されるように、光軸１６に平行に両方向に同様に変位可能であることが好ましい。さらに、第２の補正構成要素１４は、両方向矢印２４によって明示されるように、光軸１６に直交して両方向に同様に変位可能であることが好ましい。
さらに、第１の補正構成要素１２および第２の補正構成要素１４を、互いに異なるスピードで、第１の補正構成要素１２が第２の補正構成要素１４と比べてより速く移動可能に、変位させることが可能である。２つの補正構成要素１２、１４の同時の変位も可能である。
従来技術から知られている補正構成とは対照的に、２つの補正構成要素１２、１４の異なる変位スピードのおかげで、走査プロセス時に生じる光学収差を特に効果的に補正することが可能である。
例として、対物面におけるレチクル表面、および／または像平面における基板表面の欠陥のある表面もしくは表面粗さと関係がある、オーバレイ誤差などの光学収差を、向上された精度および信頼性を有して補正することが可能である。欠陥のある表面には、対物面または像平面の、およびその結果また投影対物部の、焦点位置の変位が付随して生じる。この結果として、半導体ウェハの走査プロセス時に、時間的に速く変化する、投影対物部の焦点位置の変位が存在する。
【００２４】
この望ましくない焦点位置の変位は、レチクル表面および／または基板表面の表面が、走査プロセスの前に測定されるおかげで補償されることができる。測定データは、補正構成要素１２、１４を制御するために、マニピュレータＭに供給される。走査プロセス時にマニピュレータＭは、２つの補正構成要素１２、１４の間の相対運動をもたらすために、第１および／または第２の補正構成要素１２、１４を変位させる。第１および第２の補正構成要素の変位スピードが互いに異なるようにそれらの変位スピードを選択することが可能であることの結果として、発生される相対運動は、レチクル表面または基板表面の測定された表面形状に整合されることができるので有利である。
マニピュレータＭを用いて、光軸１６に沿って１μｍの例示的精度で、表面輪郭１８、２０の間に、１００μｍの例示的基本距離を設定することが可能である。設定された基本距離から始めて、光軸１６に平行または直交して、第１および／または第２の補正構成要素１２、１４をさらに変位させることが可能である。
【００２５】
図２は、概略側面図において他の光学補正構成１０ｂを示す。光学補正構成１０ｂは、図１に示される光学補正構成１０ａのすべての特徴を有する。図１に示される光学補正構成１０ａとは対照的に、非球面輪郭１８、２０は、第１および第２の補正構成要素１２、１４のそれぞれの内側にわたって完全には広がらない。その代わりに非球面輪郭１８、２０は、光軸１６から始まる光学補正構成１０ｂの中央領域に制限され、それによりそれぞれの補正構成要素１２、１４の縁部領域１９、２１は、非球面化なしに露出されたままとなる。
【００２６】
２つの永久磁石３０ａ、３０ｂは、第１の補正構成要素１２の縁部領域１９に取り付けられ、２つの永久磁石３０ａ、ｂは、非球面輪郭１８によって互いに相隔てられる。２つの電磁石３２ａ、ｂは、第２の補正構成要素１４の縁部領域２１に取り付けられ、これらの電磁石は、非球面輪郭２０によって互いに相隔てられる。図２に示されるように永久磁石３０ａ、ｂおよび電磁石３２ａ、ｂは、隙間１７に向かい合うそれぞれの補正構成要素１２、１４の内側に取り付けられる。その結果、永久磁石および電磁石３０ａ、ｂ、３２ａ、ｂは、２つの磁石ペアを有する磁気的構成を形成し、第１の磁石ペアは永久磁石３０ａと電磁石３２ａとからなり、第２の磁石ペアは永久磁石３０ｂと電磁石３２ｂとからなる。
第１の補正構成要素１２は、垂直方向に第２の補正構成要素１４と相隔てられ、２つの補正構成要素は、光軸に直交する方向、すなわち水平方向に互いに対して整列される。この状態において永久磁石３０ａ、ｂおよび電磁石３２ａ、ｂは、各磁石ペアの２つの磁石が垂直方向に重なり合って配置されるように配置される。
その結果、磁気的構成は、第１および第２の補正構成要素１２、１４を変位させるためのマニピュレータを形成する。ここで、以下でより詳しく説明されるように、それぞれの磁石ペアの永久磁石３０ａ、ｂと電磁石３２ａ、ｂとの間の反発する電磁力作用が用いられる。
【００２７】
光学補正構成１０ｂのゼロ位置において、第１および第２の補正構成要素１２、１４は、非球面輪郭１８、２０の間の小さな間隙が水平方向２４での第２の補正構成要素１４の変位を依然として可能にするだけとなるように、垂直方向に共に接近してもたらされることが好ましい。この間隙（光軸１６に沿って測定される）は、例えば非球面輪郭１８、２０の最大上昇の高さに対応する。ゼロ位置は、それぞれの磁石ペアの２つの磁石の間の、電圧を電磁石３２ａ、ｂに印加することによって発生される反発する電磁力によって維持されることができる。ここで電磁力（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｏｒｃｅｓ）は、少なくとも第１の補正構成要素１２および永久磁石３０ａ、ｂの重量に反対に作用する（ｃｏｕｎｔｅｒａｃｔ）。
【００２８】
所望の補正効果を生じるために２つの補正構成要素１２、１４は、互いに対して変位または移動されなければならない。このためには電磁石３２ａ、ｂに印加される電圧は、第２の補正構成要素１６からの垂直距離を増加または減少させるために、第１の補正構成要素１２を変位させるように、最初に増加または減少される。補正構成要素１２、１４の間の設定された相対位置を維持するために、電圧は、調整プロセスの後に一定に保たれることができる。このようにして第１の補正構成要素１２はまた、ステップ的なやり方で（例えばステップ的なやり方で増加または減少する電圧を印加することによって）、または比較的小さく高速な「ストローク」によって、垂直に変位されることができる。さらに第２の補正構成要素１４は、ステップ的なやり方で、または比較的大きくゆっくりした「ストローク」によって、水平に変位されることができ、ステップ／ストローク当たりの変位は、第１の補正構成要素１２におけるものより大きいことが好ましい。
さらに、印加される電圧は、ノイズおよび／または製造により誘発された誤差成分に関して、較正されることができる。意図しない第２の補正構成要素１４の水平変位を避けるために、水平方向の力成分が互いに補償するように、両方の磁石ペアに同じ電圧が印加されることが好ましい。
電磁石３２ａ、ｂは、図２に示されない制御ユニットによって作動され、この制御ユニットは、例えば制御ループを有することが好ましい。その結果、電圧を、およびその結果、電磁力を、特に精密に調整することが可能であり有利である。この結果として補正構成要素１２、１４の変位は、特に正確で信頼性のあるやり方で実現されることができる。
【００２９】
図２から第１のガイド手段２６は、第１の補正構成要素１２を垂直方向に導くために設けられることが明らかである。第１のガイド手段２６は、互いに向かい合う２つのすべり面２７ａ、２７ｂの間の、第１の補正構成要素１２の垂直すべり誘導のための垂直レールとして具体化されることが好ましい。すべり面２７ａ、ｂは垂直方向に延び、すべり面２７ａ、ｂの間の距離は実質上、第１の補正構成要素１２の幅に対応する。この結果として、第１の補正構成要素１２は垂直方向のみに移動可能であることを確実にすることが可能であるので有利である。同様に図２に示されるように、第２の補正構成要素１４は、第２のガイド手段２８に沿って水平方向に変位可能である。第２のガイド手段２８は、好ましくは水平方向に延びるすべりレールとして、より好ましくは機械的タペット（ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｔａｐｐｅｔ）として構成される。
図３は、図２の光学補正構成１０ｂを示し、第１の補正構成１２は、図２に示される位置と比較して第２の補正構成１４から垂直方向に、より大きな距離を有し、これは矢印２２’によって明瞭にされる。
【００３０】
さらに、第２の補正構成要素１４は、第１の補正構成要素１２に対して水平方向に、第２のガイド手段２８に沿って変位され、これは矢印２４’によって明瞭にされる。これは２つの電磁石３２ａ、ｂの一方（例えばこの場合は電磁石３２ａ）に、他方の電磁石（例えばこの場合は電磁石３２ｂ）にと比べてより高い電圧が印加されることによってもたらされることができる。
以下では、オーバレイ誤差の補正が、補正構成１０ｂの例を用いてより詳しく説明され、同じ動作原理が図１および図４からの補正構成１０ｂ、ｃにも適用される。
【００３１】
投影対物部を用いて半導体ウェハの単一のダイを露光するとき、露光光はレチクルに衝突する。走査時に光入口点は、例えばレチクルの幅／長さ全体、またはレチクル表面上の予め規定された領域にわたって通過するために、第１の水平方向に変位される。このような走査プロセスの持続時間は、幅／長さに応じて変化し、通常は３４ミリ秒（ｍｓ）とすることができる。露光の前に、マニピュレータを用いて光学補正構成を調整するための準備段階があり、準備段階は通常５４ｍｓかかる。その結果、これは結果としてダイ当たりおおよそ８８ｍｓの全露光持続時間となる。
【００３２】
各ダイに対する走査プロセス時に、投影対物部の焦点位置は、レチクルおよび／または基板の欠陥のある表面のために変位される場合があり、変位は場合によっては時間と共に大きく変化する。この焦点位置の変位に反対に作用するために、第１の補正構成要素１２はそれに対応して、マニピュレータＭを用いて垂直方向２２、２２’に速く変位される。このことは、レチクル／基板の表面形状が前もって測定され、マニピュレータＭの制御ユニット（分かりやすくするためにここには示されない）に供給されて、それにより、マニピュレータＭが第１の補正構成要素１２を測定された表面形状に従って変位させるようにすることを想定している。ここで走査プロセス時の変位は、規則的にまたは不規則に、すなわち一定または可変のスピード／加速度を有して実現されることができる。走査プロセス時の、水平方向２４、２４’における第２の補正構成要素１４のさらなる変位も考えられる。
半導体ウェハ上の複数のダイを走査するために、上述の走査プロセスはダイの数に応じて繰り返されなければならず、それぞれの他のダイの走査ステップ（「スキャン」）の前に、投影対物部が準備ステップ（「ステップ」）時に改めて調整される。このようにしてウェハ全体が、「ステップアンドスキャン」方法によって露光されることができる。
【００３３】
複数のダイのための後続の走査プロセスは、結果として第１の補正構成要素１２の振動運動を生じ、この振動運動は少なくともおおよそ周期的である。上述の８８ｍｓのダイの全露光持続時間が想定された場合、これは結果としておおよそ１１．４Ｈｚの周波数となり、これは例えば同じ周波数を有するＡＣ電圧、または符号の変化はない周期的に変化する電圧を印加することによってもたらされることができる。その結果、第２の補正構成要素１４に対する、第１の補正構成要素１２の垂直変位は、典型的な走査リズムに整合されるので有利である。
力作用を増幅するため、または補正構成要素１２、１４の間の相対位置においてより高速な変化をもたらすために、光学補正構成１０ｂにさらなる永久磁石および／または電磁石が取り付けられ得る。例として第２の補正構成要素１４から見て外方に向く第１の補正構成要素１２の側に、さらなる永久磁石および／または電磁石が適用され得る。代替としてまたは追加として、補正構成要素１２、１４の少なくとも１つは、ばねデバイスによって保持されることができる。
【００３４】
光学補正構成１０ｂは、例えば光軸１６の方向において第２の補正構成要素１４の下流側に配置された、第３の補正構成要素を有することができる。この場合、補正構成１０ｂの中央の補正構成要素である第２の補正構成要素１４は、ガイド手段２６、２８に対して垂直方向におよび／または水平方向に静止した構成を有することができる。
図４は、光軸に沿った視線方向を有した、補正構成要素１３の概略平面図を示す。補正構成要素１３は、図２〜図３に示される光学補正構成１０ｂの第１の補正構成要素１２または第２の補正構成要素１４に対応することができ、これは磁気的構成３３を有する。
図４に示されるように補正構成要素１３は、水平方向に正方形の形態を有する。非球面輪郭１８、２０は、破線円３５によって示されその中心３６が光軸上に位置する、光学的有効領域３４内に形成される。磁気的構成３３は、光学的有効領域３４の外側の、補正構成要素１３の縁部領域１９、２１に配置される。
【００３５】
図４に示されるように磁気的構成３３はさらに、中心３６の周りに円形状に構成される。磁気的構成３３は８個のアーチ形（ａｒｃｕａｔｅ）の区分を有し、各区分は外側磁石３３ｏおよび内側磁石３３ｉを備える。外側磁石３３ｏは外側の円を形成し、内側磁石３３ｉは外側の円と同心である内側の円を形成する。ここでそれら区分は、それらのそれぞれのアーチ形が同じ弧の角度αを含むように、等しく分配される。
磁気的構成の代わりに、第１および／または第２の補正構成要素を変位させるためのマニピュレータは、アクチュエータを有することができる。図５は、さらなる光学補正構成１０ｃの第１の補正構成要素１２を垂直に変位させるための、そのようなアクチュエータ３８ａ、ｂを示す。アクチュエータ３８ａ、ｂは、第１の構成要素１２の縁部領域１９に配置され、保持部３９ａ、ｂから第１の補正構成要素１２の縁部領域１９の内側に延びる。保持部３９ａ、ｂは、垂直ガイドレールに取り付けられ、それと共に第１のガイド手段２６を形成する。
【００３６】
アクチュエータ３８ａ、ｂは保持部３９ａ、ｂの端部に固定され、アクチュエータ３８ａ、ｂの垂直限界は可変であることが好ましい。この結果として第１の補正構成要素１２は、垂直方向に変位されることができる。アクチュエータ３８ａ、ｂは、超音波モータ、リニアモータ、圧力ベローズ、電気活性ポリマーをベースにしたアクチュエータ、および／またはプランジャコイルに作用するアクチュエータを有することができる。
【００３７】
図６は、例えば投影露光装置４０として具体化された、マイクロリソグラフィ装置の概略図を示す。投影露光装置４０は、露光光を発生するための光源４２と、露光光をレチクル５４および投影対物部４６の方向に導くための照明光学ユニット４４とを有する。レチクル５４は、投影対物部４６によって基板５８の表面上に投影されることになる微細構造またはナノ構造を含む。微細構造またはナノ構造は、対物面５６を定義する。基板表面は、像平面６０を定義する。さらに基板は、ウェハステージ６２によって運ばれる。
投影対物部４６は、露光光の光学波面を操作するための光学補正構成、例えば上述の光学補正構成１０ａ、ｂ、ｃの１つを有する。さらに図６に示されるように投影対物部４６は、光軸１６に沿って他の光学要素、具体的にはレンズ要素４８、５０を有する。
【００３８】
光学補正構成１０ａ、ｂ、ｃの補正構成要素は、マニピュレータ（明確性のためにここには示されない）によって変位されることができ、マニピュレータは、制御ユニット５２によって作動される。制御ユニット５２を作動することによって光学補正構成１０ａ、ｂ、ｃの様々な補正構成要素は、垂直および／または水平方向に、互いに対して変位されることができる。具体的には補正構成要素は、異なるスピードで変位されることができる。
【００３９】
補正構成１０ａ、ｂ、ｃを用いて、視野および／または瞳結像、具体的には個々のゼルニケ多項式の高次の視野プロファイル（例えばＺ２  ３次から５次、Ｚ５  １次および２次、ならびにＺ１０  １次および３次、…）の場合に、高い精度で、１桁のナノメートル範囲（ｓｉｎｇｌｅ−ｄｉｇｉｔ  ｎａｎｏｍｅｔｅｒ  ｒａｎｇｅ）内にある光学収差を補正することが可能である。このような補正は、オーバレイ誤差における顕著な低減に繋がる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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