(57)【要約】  高密度微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）のための方法、システム、コンピュータ可読媒体、および装置が提示される。いくつかの実施形態では、基板上に微小電気機械デバイスを製造するための方法は、デバイスの層を通ってリリースビアをエッチングするステップを備えることができる。方法は、空洞の所望の位置にアクセスするための導管としてリリースビアを使用してデバイスの層内に空洞を作成するステップをさらに備えることができ、空洞は、デバイスのトランスデューサの移動を可能にする。方法は、次いで、層を通る導電性経路を形成するためにリリースビア内に低インピーダンスの導電性材料を堆積させるステップを備えることができる。最後に、方法は、導電性材料をトランスデューサの電極に電気的に結合するステップをさらに備えることができる。
2018533246.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に微小電気機械デバイスを製造する方法であって、
前記基板上に形成された材料の層を通ってリリースビアをエッチングするステップと、
空洞の所望の位置にアクセスするための導管として前記リリースビアを使用して前記デバイスの前記層内に前記空洞を作成するステップであって、前記空洞が前記デバイスのトランスデューサの移動を可能にする、ステップと、
前記層を通る導電性経路を形成するために前記リリースビア内に導電性材料を堆積させるステップと、
前記導電性材料を前記トランスデューサの電極に電気的に結合するステップと
を備える方法。
【請求項２】
前記空洞の前記作成が、前記デバイスの犠牲材料にエッチングするステップと、前記リリースビアを介して前記犠牲材料を排出するステップとを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記空洞の前記エッチングが、気相エッチャントを使用して実行される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記リリースビアの前記エッチングが、前記デバイスの導電性要素まで延び、前記導電性材料の前記堆積が、前記層を通って前記導電性要素への導電性経路を作成するステップを備え、前記導電性要素が、前記トランスデューサの前記電極とは異なる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記導電性要素が、前記デバイスの再配線層の要素である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記エッチング、作成、および堆積が、膜堆積技法を使用して実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記基板が、実質的に平面の表面を有し、
前記リリースビアが、前記平面の表面に実質的に直交する第１の寸法と、前記平面の表面に実質的に平行な第２の寸法とによって特徴付けられ、
前記第１の寸法が、前記第２の寸法よりも少なくとも２倍大きい、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記トランスデューサの少なくとも一部を形成する圧電材料を堆積させるステップをさらに備え、前記リリースビアをエッチングする前記ステップが、前記トランスデューサの少なくとも一部を形成する前記圧電材料を堆積させる前記ステップに続いて実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記方法が、単一の基板上に複数のトランスデューサを作成するために使用され、前記複数のトランスデューサのトランスデューサ間のピッチが、５０ミクロン未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
層と、
少なくとも１つの電極を有するトランスデューサであって、前記層に機械的に結合され、
前記層が、空洞の少なくとも一部を画定し、前記空洞が、前記トランスデューサの移動を可能にするように構成された、トランスデューサと、
前記空洞にわたる実質的に直線状の導電性経路を形成するために前記空洞を横切る第１の導電性ビアであって、
前記トランスデューサの前記少なくとも１つの電極の第１の電極に電気的に結合された、第１の導電性ビアと
を備える、微小電気機械超音波デバイス。
【請求項１１】
前記トランスデューサが、前記層によって少なくとも部分的にカプセル化された、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記デバイスが、再配線層をさらに備え、前記第１の導電性ビアが、前記再配線層と前記トランスデューサの前記第１の電極との間の導電性結合を提供するように構成された、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記デバイスが、実質的に平面の側面を備え、前記第１の導電性ビアの前記実質的に直線状の導電性経路が、前記平面の側面に実質的に直交する、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記デバイスが、平面の側面を備え、
前記第１の導電性ビアが、前記平面の側面に実質的に直交する第１の寸法と、前記平面の側面に実質的に平行な第２の寸法とによって特徴付けられ、
前記第１の寸法が、前記第２の寸法よりも少なくとも２倍大きい、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記第１の導電性ビアが、前記トランスデューサの対向する側面上の前記デバイスの２つの要素間の導電性結合を提供する、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記デバイスが、第２の導電性ビアをさらに備え、前記第１の電極がさらに、前記第２の導電性ビアに電気的に結合された、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記少なくとも１つのトランスデューサの第２の電極に電気的に結合された第３の導電性ビアをさらに備える、請求項１６に記載のデバイス。
【請求項１８】
微小電気機械超音波トランスデューサのアレイであって、
平面基板上に配置された複数の超音波トランスデューサであって、各トランスデューサが電極を有する、複数の超音波トランスデューサと、
各トランスデューサと前記基板との間の相対的運動を可能にするように構成された前記基板の１つまたは複数の層によって画定された複数の空洞と、
前記複数の空洞の各空洞の少なくとも一部を各々が画定する複数の導電性ビアと
を備え、
前記トランスデューサのアレイが、５０ミクロン未満のピッチを有する、微小電気機械超音波トランスデューサのアレイ。
【請求項１９】
前記トランスデューサのアレイのトランスデューサが、圧電微細加工超音波トランスデューサである、請求項１８に記載のアレイ。
【請求項２０】
前記トランスデューサのアレイのトランスデューサが、容量性微細加工超音波トランスデューサである、請求項１８に記載のアレイ。
【請求項２１】
前記アレイに結合されたコントローラをさらに備え、前記コントローラが、
超音波圧力波を送信し、
物理的オブジェクトからの前記送信された超音波圧力波の反射を受信し、
前記オブジェクトの画像を生成する
ように前記トランスデューサのアレイを誘導するように構成された、請求項１８に記載のアレイ。
【請求項２２】
前記複数の導電性ビアのビアが各々、デバイスの１つまたは複数の層を通る実質的に直線状の導電性経路を画定する、請求項１８に記載のアレイ。
【請求項２３】
前記導電性経路が各々、前記複数の空洞の空洞を横切る、請求項２２に記載のアレイ。
【請求項２４】
物理的オブジェクトを撮像するために、超音波圧力波を送信し、前記物理的オブジェクトからの前記送信された超音波圧力波の反射を受信するように前記トランスデューサのアレイを誘導するように構成されたコントローラをさらに備え、
前記導電性経路が、前記コントローラを前記トランスデューサのアレイに電気的に結合する、請求項２３に記載のアレイ。
【請求項２５】
超音波圧力波を生成するための手段であって、トランスデューサのアレイを含む、手段と、
前記超音波圧力波を受信するための手段であって、トランスデューサのアレイを含む、手段と
を備え、前記トランスデューサのアレイのトランスデューサが５０ミクロン未満のピッチを有する、デバイス。
【請求項２６】
前記トランスデューサのアレイが、基板上に配置され、
前記トランスデューサのアレイが、膜堆積技法を用いて製造された、請求項２５に記載のデバイス。
【請求項２７】
前記デバイスが、単一の基板上に製造された、請求項２６に記載のデバイス。
【請求項２８】
前記デバイスが、前記デバイスによって画定された複数の空洞を含み、前記空洞が、前記トランスデューサのアレイのトランスデューサの移動を可能にする、請求項２５に記載のデバイス。
【請求項２９】
前記デバイスが、二重目的ビアを含み、前記二重目的ビアの第１の目的が、前記空洞のエッチングを可能にすることであり、前記二重目的ビアの第２の目的が、前記デバイスの層を通る導電性経路を設けることである、請求項２８に記載のデバイス。
【請求項３０】
前記二重目的ビアの各々が、前記デバイスの前記層を通る実質的に直線状の導電性経路を形成する、請求項２９に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の態様は、高密度微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）バイオメトリック撮像システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、モバイルデバイスは、社会的相互作用、金融取引、個人ヘルスケア管理、仕事関連の通信、ビジネス取引などを含む多種多様な目的のために使用される多機能デバイス（たとえば、スマートフォン）であり得る。そのように、これらのデバイスは、機密データおよび／または極秘データを記憶および／または表示する場合がある。バイオメトリックセンサを使用するモバイルデバイスにおける指紋認証は、ユーザの固有の指紋データを複製または模倣することが困難であるので、モバイルデバイスのユーザ（たとえば、所有者）のための強化されたレベルのデバイスセキュリティを提供することができる。加えて、指紋リーダは、ユーザのバイオメトリック情報の使用によるモバイルデバイスへの迅速で安全なアクセスを可能にすることによって、あるレベルの利便性を提供することができる。
【０００３】
モバイルデバイスがますます複雑になるにつれて、指紋センサを含むモバイルデバイスのバイオメトリックセンサは、ますます小型化されている。バイオメトリックセンサの最小化に向けた主な推進力は、スマートフォンとしてのモバイル電子デバイスの人気に起因する。モバイル電子デバイスのサイズの制限および増加する複雑さのために、モバイルデバイスの各電子構成要素のための利用可能な空間は、一般により限定されてきている。加えて、多くのモバイル電子デバイスは、（統合されたバイオメトリックセンサを有するボタンなど）構成要素の機能を組みわせようとし、そのことは、バイオメトリックセンサに利用可能な空間をさらに制限する可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、より過酷な空間の制約に対処する、バイオメトリックセンサシステムなどの改善されたセンサシステムに対する必要性が存在する。
【０００５】
モバイルデバイスにおけるユーザの強化されたバイオメトリック認証をできる限り提供するか、または他の方法でサポートするために、モバイルデバイスにおける様々な方法および装置において実装され得るいくつかの例示的な技法が本明細書で提供される。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
例示的な実装形態によれば、デバイスの層を通るリリースビアをエッチングするステップを含むことができる方法が提供され得る。方法はまた、空洞の所望の位置にアクセスするための導管としてリリースビアを使用してデバイスの層内に空洞を作成するステップを含むことができ、空洞は、デバイスのトランスデューサの移動を可能にする。方法は、層を通る導電性経路を形成するためにリリースビア内に導電性材料を堆積させるステップをさらに含むことができる。方法はまた、導電性材料をトランスデューサの電極に電気的に結合するステップを含むことができる。
【０００７】
空洞の作成は、デバイスの犠牲材料にエッチングするステップと、リリースビアを介して犠牲材料を排出するステップとを含むことができる。空洞のエッチングは、気相エッチャントを使用して実行され得る。リリースビアのエッチングは、デバイスの導電性要素まで延びる場合があり、導電性材料の堆積は、層を通って導電性要素への導電性経路を作成するステップを含み、導電性要素は、トランスデューサの電極とは異なる。導電性要素は、デバイスの再配線層の要素であり得る。エッチング、作成、および堆積は、膜堆積技法を使用して実行され得る。
【０００８】
基板は、実質的に平面の表面を含むことができる。リリースビアは、平面の表面に実質的に直交する第１の寸法と、平面の表面に実質的に平行な第２の寸法とによって特徴付けられ得る。第１の寸法は、第２の寸法よりも少なくとも２倍大きくてもよい。方法は、トランスデューサの少なくとも一部を形成する圧電材料を堆積させるステップをさらに備え、リリースビアをエッチングするステップは、トランスデューサの少なくとも一部を形成する圧電材料を堆積させるステップに続いて実行される。方法は、単一の基板上に複数のトランスデューサを作成するために使用され得、複数のトランスデューサのトランスデューサ間のピッチは、５０ミクロン未満である。
【０００９】
さらに別の例示的な実装形態によれば、層と、少なくとも１つの電極を有するトランスデューサとを含み、トランスデューサが層に機械的に結合されたモバイルデバイスが提供され得る。層は、空洞の少なくとも一部を画定することができ、空洞は、トランスデューサの移動を可能にするように構成される。デバイスは、空洞を横切る実質的に直線状の導電性経路を形成するために空洞を横切る第１の導電性ビアをさらに含むことができる。第１の導電性ビアは、トランスデューサの少なくとも１つの電極の第１の電極に電気的に結合され得る。
【００１０】
トランスデューサは、層によって少なくとも部分的にカプセル化され得る。デバイスは、再配線層をさらに含むことができ、第１の導電性ビアは、再配線層とトランスデューサの第１の電極との間の導電性結合を提供するように構成され得る。デバイスは、実質的に平面の側面を含むことができ、第１の導電性ビアの実質的に直線状の導電性経路は、平面の側面に実質的に直交する。デバイスは、平面の側面を含むことができる。第１の導電性ビアは、平面の側面に実質的に直交する第１の寸法と、平面の側面に実質的に平行な第２の寸法とによって特徴付けられ得る。第１の寸法は、第２の寸法よりも少なくとも２倍大きくてもよい。
【００１１】
第１の導電性ビアは、トランスデューサの対向する側面上のデバイス２つの要素間の導電性結合を提供することができる。デバイスは、第２の導電性ビアを含むことができる。第１の電極はさらに、第２の導電性ビアに電気的に結合され得る。デバイスは、少なくとも１つのトランスデューサの第２の電極に電気的に結合された第３の導電性ビアを含むことができる。
【００１２】
例示的な実装形態によれば、平面基板上に配置された複数の超音波トランスデューサであって、各トランスデューサが電極を有する、複数の超音波トランスデューサと、各トランスデューサと基板との間の相対的運動を可能にするように構成された基板の１つまたは複数の層によって画定された複数の空洞と、複数の空洞の各空洞の少なくとも一部を各々が画定する複数の導電性ビアとを含むことができるデバイスが提供され得る。トランスデューサアレイは、５０ミクロン未満のピッチを有することができる。
【００１３】
トランスデューサのアレイのトランスデューサは、圧電微細加工超音波トランスデューサであり得る。トランスデューサのアレイのトランスデューサは、容量性微細加工超音波トランスデューサ、ボロメータ、または、バイオメトリックオブジェクトを撮像することができる超音波（または赤外線）を生成するのに十分な分解能および周波数を可能にする任意の他の技術であり得る。本明細書で開示されるトランスデューサ、トランスデューサアレイ、ボロメータ、または他の撮像デバイスは、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）、または他のそのようなデバイスの最上層または他の層として実装され得る（たとえば、デバイスの他の層は、追加の回路を含むことができる）。デバイスは、アレイに結合されたコントローラをさらに備えることができる。コントローラは、超音波圧力波を送信するようにトランスデューサのアレイを誘導するように構成され得る。コントローラは、物理的オブジェクトからの送信された超音波圧力波の反射を受信するようにトランスデューサのアレイを誘導するように構成され得る。コントローラは、オブジェクトの画像を生成するようにトランスデューサのアレイを誘導するように構成され得る。複数の導電性ビアのビアは、各々、デバイスの１つまたは複数の層を通る実質的に直線状の導電性経路を画定することができる。導電性経路は、各々、複数の空洞の空洞を横切ることができる。
【００１４】
デバイスは、オブジェクトを撮像するために、超音波圧力波を送信し、物理的オブジェクトからの送信された超音波の反射を受信するようにトランスデューサのアレイを誘導するように構成されたコントローラをさらに含むことができる。導電性経路は、コントローラをトランスデューサのアレイに電気的に結合することができる。
【００１５】
例示的な実装形態によれば、超音波圧力波を生成するための手段であって、超音波圧力波を生成するための手段がトランスデューサのアレイを含む、超音波圧力波を生成するための手段と、超音波を受信するための手段であって、超音波を受信するための手段がトランスデューサのアレイを含む、超音波を受信するための手段とを含むことができ、トランスデューサのアレイのトランスデューサが５０ミクロン未満のピッチを有する、デバイスが提供され得る。
【００１６】
トランスデューサのアレイは、基板上に配置され得る。トランスデューサアレイは、膜堆積技法を用いて製造され得る。デバイスは、単一の基板上に製造され得る。デバイスは、デバイスによって画定された複数の空洞を含むことができ、空洞は、トランスデューサのアレイのトランスデューサの移動を可能にする。デバイスは、二重目的ビアを含むことができ、二重目的ビアの第１の目的は、空洞のエッチングを可能にすることであり、二重目的ビアの第２の目的は、デバイスの層を通る導電性経路を設けることである。二重目的ビアの各々は、デバイスの層を通る実質的に直線状の導電性経路を形成することができる。
【００１７】
本開示の態様は、例として示される。添付図面においては、同様の符号が同様の要素を示す。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本開示の１つまたは複数の特徴を具体化する第１のＭＥＭＳ超音波トランスデューサアレイシステムの簡略図である。
【図２】本開示の１つまたは複数の特徴を具体化する第２のＭＥＭＳ超音波トランスデューサアレイシステムの簡略図である。
【図３】本開示の１つまたは複数の特徴を具体化する第３のＭＥＭＳ超音波トランスデューサアレイシステムの簡略図である。
【図４】本開示の１つまたは複数の特徴を具体化する図２のシステムを製造するためのプロセス中のＭＥＭＳ超音波アレイの状態を示す図である。
【図５】本開示の１つまたは複数の特徴を具体化する図２のシステムを製造するためのプロセス中のＭＥＭＳ超音波アレイの状態を示す図である。
【図６】本開示の１つまたは複数の特徴を具体化する図２のシステムを製造するためのプロセス中のＭＥＭＳ超音波アレイの状態を示す図である。
【図７】本開示の１つまたは複数の特徴を具体化する図２のシステムを製造するためのプロセス中のＭＥＭＳ超音波アレイの状態を示す図である。
【図８】本開示の１つまたは複数の特徴を具体化する図２のシステムを製造するためのプロセス中のＭＥＭＳ超音波アレイの状態を示す図である。
【図９】本開示の１つまたは複数の特徴を具体化する図２のシステムを製造するためのプロセス中のＭＥＭＳ超音波アレイの状態を示す図である。
【図１０】本開示の１つまたは複数の特徴を具体化する図２のシステムを製造するためのプロセス中のＭＥＭＳ超音波アレイの状態を示す図である。
【図１１】本開示の１つまたは複数の特徴を具体化する図２のシステムを製造するためのプロセス中のＭＥＭＳ超音波アレイの状態を示す図である。
【図１２】本開示の１つまたは複数の特徴を具体化する図３のシステムを製造するためのプロセス中のＭＥＭＳ超音波アレイの状態を示す図である。
【図１３】本開示の１つまたは複数の特徴を具体化する超音波アレイを製造するためのフローチャートである。
【図１４】本開示の１つまたは複数の特徴を具体化する超音波アレイのフローチャートである。
【図１５】１つまたは複数の実施形態が実装され得るコンピューティングシステムの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
いくつかの例示的な実施形態について、本明細書の一部を形成する添付図面に関してここで説明する。本開示の１つまたは複数の態様が実装される場合がある特定の実施形態について以下で説明するが、本開示の範囲または添付の特許請求の範囲の趣旨から逸脱することなく、他の実施形態が使用されることがあり、様々な修正が行われることがある。
【００２０】
超音波（ＵＳ）トランスデューサアレイは、バイオメトリックサイン（指紋など）を撮像するために使用され得る、モバイル電子デバイスの構成要素であり得るバイオメトリックセンサとして使用され得る。モバイル電子デバイスでは、物理的なデバイスサイズを最小限にし、他の構成要素のための空間を最大化するという要望のために、バイオメトリックセンサの統合のための空間が限定される場合がある。たとえば、モバイルデバイスの外面は、表示画面のために最適化され、バイオメトリックセンサまたは他のセンサのための空間を少なくする場合がある。加えて、ＵＳセンサの機能の他の構成要素（ボタン、ＬＣＤスクリーンなど）との統合は、バイオメトリックセンサの実装に利用可能なサイズをさらに限定する場合がある。
【００２１】
さらに、ユーザのバイオメトリック特徴（たとえば、指紋の隆起または谷）の決定に使用され得る許容可能な解像度のバイオメトリック画像をキャプチャするために、超音波撮像の特定の解像度が望ましい場合がある。いくつかの実施形態では、アレイの各トランスデューサは、超音波画像のピクセルを感知するために使用され得る。したがって、アレイのトランスデューサの数を増加させることは、アレイがキャプチャすることができる画像の解像度を増加させることができる（トランスデューサアレイの物理的サイズも増加させ、すべての他の変数は等しい）。
【００２２】
トランスデューサアレイの物理的サイズは、多くの要因によって制限され、またはそれによって決まり得る。たとえば、各トランスデューサは、特定の周波数の超音波を生成するために必要とされる材料の量またはサイズなどの、トランスデューサの物理的特性によって制限され得る。さらに、トランスデューサの電極または他の導電性特徴部への導電性経路（たとえば、配線）は、たとえば、特定の製造技法に応じて、特定の量の物理的空間を必要とする場合がある。導電性経路は、トランスデューサのアレイのトランスデューサの個別のアドレス指定を可能にし得る。個別のアドレス指定は、各トランスデューサに入射する超音波の生成および／または検出を可能にすることによって、超音波撮像を可能にすることができる。
【００２３】
さらに、トランスデューサのアレイの各トランスデューサは、トランスデューサのアレイの層と各トランスデューサ要素との間の空隙または空洞の使用によって移動する（したがって、超音波を生成する、または超音波に反応する）ことが可能にされ得る。高密度、小規模のトランスデューサアレイを作成する１つの方法は、膜堆積技法の使用によるものである。膜堆積技法では、基板上に層が順次に堆積され得る。たとえば、基板上に前もって堆積された別の層の上にトランスデューサ層が堆積され得る。エッチング、マスキング、および他の技法が、各層を成形するために使用され得る。各トランスデューサの移動を可能にする空洞は、（本明細書でさらに開示するように）トランスデューサ層の堆積後に、デバイスからエッチングまたは排出され得る。したがって、空洞へのアクセスを可能にするためにビアが必要とされる場合があり、そのことは、デバイス上に追加の物理的空間を必要とする場合があり、所与の撮像解像度のためのデバイスのサイズをさらに制限する場合がある。
【００２４】
トランスデューサのアレイを最小化する１つの方法は、ピッチ（すなわち、アレイの各トランスデューサ間の中心間距離）を最小化し、所与の所望の撮像解像度のための超音波トランスデューサのより高密度のアレイを提供することである。しかしながら、開示するように、ピッチは、各トランスデューサのサイズ、各トランスデューサに電気的にアドレス指定するための導電性ビア、トランスデューサの移動を可能にする空洞を作成するためのビア、および他の要因を含む、特定の特徴によって制限され得る。所与の所望の撮像解像度のためのアレイの物理的サイズを最小化するためにトランスデューサの高密度アレイの作成を可能にするための技法が本明細書で開示される。
【００２５】
ＭＥＭＳは、マイクロマシンまたはマイクロシステム技術と呼ばれ得る非常に小さいデバイスの技術である。ＭＥＭＳ技法は、一般に半導体デバイス製造技法（膜堆積技法など）を使用し、本明細書で説明するトランスデューサアレイを作製するために使用され得る。圧電微細加工超音波トランスデューサ（ＰＭＵＴ：Ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｍｉｃｒｏ−ｍａｃｈｉｎｅｄ  Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）および容量性微細加工超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  Ｍｉｃｒｏ−ｍａｃｈｉｎｅｄ  Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）は、ＭＥＭＳ技法を使用して製造され得る超音波トランスデューサの例示的なタイプである。これらのデバイスの物理的規模は、特に、それらが超音波トランスデューサアレイのような電気機械デバイスに関するので、製造における独特な課題を提示する場合があることを理解されたい。
【００２６】
膜堆積技法を使用して基板上にデバイス（超音波トランスデューサアレイなど）を製造するコストは、デバイスを製造するのに必要なステップ数とデバイスの密度とを含むいくつかの要因によって影響され得る。１つまたは複数のそのようなデバイスを製造するために、ウェハが使用され得る。デバイスがより小さいほど、より多くのデバイスが単一のウェハ上に製造され得る。したがって、ＵＳトランスデューサアレイのサイズと、ＵＳトランスデューサアレイを製造するコストとの間に直接の相関関係が存在する場合がある。ＵＳトランスデューサアレイの所与の目標撮像解像度に対して、ＵＳトランスデューサアレイの密度によってアレイの物理的サイズが決まり得る。加えて、デバイスを製造するのに必要な基板／ウェハの数は、デバイスのコストにも影響を与え得る。複数のウェハ上に膜堆積技法を使用し、次いでその後にウェハを接合して製造されたデバイスは、単一のウェハを使用するデバイスと比較して、製造するのに比較的費用がかかる可能性がある。したがって、ＵＳトランスデューサアレイの所与のサイズに対して実行可能なＵＳ撮像能力（たとえば、目標撮像解像度要件を満たす）を維持しながら、製造するコストを低減するために、本明細書で開示するように、単一の基板を使用する比較的高密度のＵＳアレイの製造を可能にするプロセスおよび構造を開発することが有利である。
【００２７】
ＵＳトランスデューサアレイは、複数のトランスデューサを備えることができる。本明細書で使用する場合、トランスデューサは、物理量（圧力など）の変動を電気信号に変換する、および／またはその逆を行うデバイスである。トランスデューサは、電気信号を物理量におよび／または物理量を電気信号に変換することができる。例示的なトランスデューサは、電気信号を受信するスピーカがオーディオを生成することを可能にし得る。スピーカ用のトランスデューサは、膜に取り付けられた永久磁石を含むことができる。電気信号によって作動される電磁石によって生成された磁場は、永久磁石が電磁石に反発されるまたは引き付けられるように誘導することができる。膜は、それに応じて、空気が移動させられるにつれて圧力波を作成することができる。マイクロフォンは、圧力波が電磁石を振動／移動させ、電磁石によって生成された対応する電気信号を引き起こすことができることを除いて、同様のメカニズムを使用する。したがって、ＵＳトランスデューサは、印加された電気信号に応答してオーディオ圧力波を生成する、および／または印加されたオーディオ圧力波に応答して電気信号を生成するように各々が動作可能なトランスデューサの巨大なアレイとして視覚化され得る。しかしながら、バイオメトリック特徴を撮像するためにモバイルデバイスにおいて使用するためのＵＳトランスデューサアレイの規模は、微小である可能性があることが理解されるべきである。たとえば、各トランスデューサは、非常に小さい規模で構築され得、各トランスデューサは、個別にアドレス可能であり得る。
【００２８】
図１は、いくつかの実施形態の１つまたは複数の特徴を組み込むことができるシステム１００の断面の簡略図を示す。システム１００は、ＵＳトランスデューサアレイ１０２を含むことができる。ＵＳトランスデューサアレイ１０２の単一のトランスデューサの断面図が示されている。ＵＳトランスデューサアレイ１０２は、基板（図示せず）上に製造され得る。基板は、たとえば、スルーホールビアを使用して基板上に製造され得る再配線層１１０を含むことができる。本明細書で使用する場合、ビアは、デバイスの１つまたは複数の層を通る経路である。経路は、デバイスの特徴にアクセスするためにデバイスを通る空洞または導管を形成するために使用され得る。ビアはまた、ビアが横切る層とは異なり得る材料で（部分的にまたは完全に）充填され得る。本明細書でさらに説明するように、基板上にデバイスを製造するために、膜堆積または他の技法が使用され得る。基板上に、直接または間接的に（たとえば、中間層の上に）ビアによって横断されるデバイスの層が形成され得る。再配線層１１０は、ＵＳトランスデューサアレイ１０２がＵＳトランスデューサアレイ１０２のための制御回路１０４を備える別個の基板と接合されることを可能にする複数のコンタクト／パッドを備えることができる。代替的には、制御回路１０４（または、制御回路１０４の部分）は、制御回路の上に直接堆積され得る基板およびＵＳトランスデューサアレイ１０２上に堆積され得る。ＵＳトランスデューサ１０２の部分１１８は、トランスデューサセルとみなされ得る（たとえば、各セルは、ＵＳトランスデューサアレイ１０２によって撮像され得る単一のピクセルに対応し得る）。
【００２９】
制御回路１０４は、ＵＳトランスデューサアレイ１０２の各トランスデューサセル（部分１１８など）の個別のアドレス指定を可能にするために使用され得る。制御回路１０４は、最小限のチャネルを使用して論理デバイスに個別にアドレス指定することを可能にする多重化機能を含むことができる。制御回路１０４は、ＵＳ画像を形成するためにＵＳ圧力波を生成する、受信する、または処理することに関係する機能を可能にする１つまたは複数の論理デバイスを含むことができる。ＵＳトランスデューサアレイ１０２を単一の基板（図示せず）上に堆積させることによって、アレイ全体は、本明細書でさらに説明するように、膜堆積または他の技法を使用して比較的低コストで製造され得る。
【００３０】
ＰＭＵＴトランスデューサを形成するために、圧電材料１０６が使用され得る。電力が圧電材料に印加されると、材料は、印加された電力の振幅、周期性、および／または波形に応じて変形または振動し得る。電極１２０および１２２は、電位の印加のための圧電材料１０６への導電経路を設けるために、圧電材料１０６に電気的に結合され得る。部分１１８は、トランスデューサを形成するために圧電材料１０６を含むことができる。部分１１８は、トランスデューサのアレイを形成する多くのセルのうちの１つであり得る。アレイとして、各トランスデューサは、各トランスデューサから超音波波形を形成するために、電気信号を使用して個別に刺激され得る。加えて、圧電材料１０６に入射する受信された超音波波形は、材料に電位差を発生させることができる。
【００３１】
アレイの各セルからのＵＳエネルギーの生成を個別に制御し、各個別のセルに入射する反射されたＵＳエネルギーを検出することによって、圧電セルのアレイによってＵＳ画像が形成され得る。たとえば、オブジェクトまでの距離を決定するために、送信された超音波圧力波と受信された超音波圧力波との間の時間遅延が使用され得る。アレイの幾何学的形状、および出て行くＵＳ波と入射するＵＳ波との間の時間差は、各トランスデューサセルによって生成された電気信号を比較することによってＵＳ波が入射するオブジェクトのＵＳ画像を形成するために使用され得る。各トランスデューサセルは、したがって、超音波画像のピクセルを形成することができる。ＵＳ画像の解像度は、ＵＳトランスデューサの解像度によって決まり得る。
【００３２】
代替的には、トランスデューサは、ＣＭＵＴであり得る。ＣＭＵＴトランスデューサは、圧電効果を利用する代わりに、容量効果が使用されるという点でＰＭＵＴトランスデューサと異なる。したがって、ＣＭＵＴトランスデューサは、圧電材料を使用する必要はなく、代わりに、容量の変化によりＵＳ圧力波を生成し、ＵＳ圧力波に反応することができる。本開示の目的のために、トランスデューサは、非限定的であり、ＰＭＵＴ、ＣＭＵＴであり得、または、電気信号を物理的特性に変換する、および／もしくはその逆を行う他の方法を使用することができる。本明細書で説明するように、ＰＭＵＴトランスデューサとＣＭＵＴトランスデューサの両方は、（ＵＳ圧力波を生成し、ＵＳ圧力波に応答するために）トランスデューサが移動および／または振動することを可能にするために空洞を利用することができる。さらに開示するように、空洞は、トランスデューサを周囲の材料から部分的に分離することができる。
【００３３】
スマートフォンなどのモバイルデバイス内にＵＳトランスデューサアレイ１０２などのトランスデューサのＵＳアレイを実装するための空間的な制約を考慮すると、ＵＳトランスデューサアレイ１０２は、ＵＳトランスデューサアレイ１０２が比較的小さい規模で製造されることを可能にするＭＥＭＳ技法を使用して製造され得る。１つのそのようなＭＥＭＳ技法は、ＵＳトランスデューサアレイ１０２を構成する際に、膜堆積製造技法を使用することができる。膜堆積製造技法は、一般に、半導体材料、誘電体材料、および金属材料の連続する交互の層の堆積を含むことができ、プロセッサ、ＬＣＤなどの電子デバイスを製造するために一般的に使用される。膜堆積技法は、材料の次のパターンが堆積され、および／またはデバイススタックからエッチングもしくは排出される、アディティブ法および／またはサブトラクティブ法の形態をとることができる。スタックは、基板上に堆積された層のスタックであり得る。これらの技法は、本明細書でより詳細に説明されるが、図１に示す構造、より具体的には、図示された構成要素の層状構造を理解するのを助けるはずである。加えて、本明細書で説明する技法および構造は、比較的非常に小さい規模で実装され得ることが理解されるべきである。たとえば、ＵＳトランスデューサアレイ１０２の厚さ１３４は、たとえば、２０ミクロン未満、１０ミクロン未満、または５ミクロン未満であり得る。
【００３４】
図１は、ＵＳトランスデューサアレイ１０２ならびにＵＳトランスデューサアレイ１０２の電気絶縁構成要素に構造的支持を提供することができる誘電体層１０８を含む。誘電体層１０８は、ＳｉＯ２などの酸化物、または他の適切な材料から形成され得る。オプションの再配線層１１０も、ＵＳトランスデューサ層１０２の一部として示されている。再配線層１１０は、制御回路１０４の導電層の特徴部に対応し得るパッド１１２または他の同様の特徴部を含むことができる。これらの特徴部は、ＵＳトランスデューサアレイ１０２が別々に製造され、次いで制御回路１０４に適用されるときなどに、ＵＳトランスデューサアレイ１０２と制御回路１０４との間の位置合わせを助けることができる。制御回路１０４および再配線層１１０は、物理的に分離されているものとして図示されているが、それらは、同じ基板上に接合および／または製造され得る。各パッド１１２は、ＵＳトランスデューサアレイ１０２と別個のデバイスとの間に絶縁された電気的接続を提供するために、制御回路１０４の導電性要素の対応する電極に電気的に結合され得る。別個のデバイスは、ＵＳ圧力波を作成するためにトランスデューサを駆動するために必要な電子機器を含むＵＳトランスデューサアレイ１０２のための制御電子機器、ならびに印加されたＵＳ圧力波に応答してトランスデューサによって生成された電気信号の変化を検出する回路を含むことができる。
【００３５】
コンタクトビア１１４は、ＵＳトランスデューサアレイ１０２の上部からオプションの再配線層１１０へ、そして最終的には制御回路１０４への導電性経路を提供することができる。ＵＳトランスデューサアレイ１０２の上部を参照するとき、図１に示す実施形態では、「上部」という用語は、理解を容易にするために使用され、矢印１１６によって示される側である。ＵＳトランスデューサアレイ１０２の上部は、ＵＳ撮像のために超音波圧力波が放射されるおよび／または受信される側であり得る。ＵＳトランスデューサアレイ１０２の上部は、膜堆積技法を使用して製造中に層が堆積、除去、またはエッチングされる方向を指すことができる。ビアは、本明細書で使用される場合、膜堆積技法を使用するものなどの、製造されたデバイスの層間に延在し得る経路である。ビアは、導電性であり得、空隙を画定することができ、非導電性であり得、またはこれらの特徴の組合せを含むことができる。ビアはまた、製造プロセスの間（たとえば、デバイススタックが製造されるとき、層の堆積またはエッチングの間）、一時的および／または中間的に使用され得る。たとえば、デバイスの層を通って特定のビアがエッチングされ得る。同じビアは、後に充填または被覆され得る。コンタクトビア１２６は、誘電体層１０８を通る電気的経路を提供するために使用され得る。一例として、コンタクトビア１２６は、電気的経路１４０を使用して導電性ビア１１４および電極１２０に電気的に結合され得る。このようにして、制御回路１０４は、再配線層１１０の使用によって電極１２０に電気的に結合され得る。
【００３６】
ＵＳトランスデューサアレイ１０２の部分１１８は、全体として超音波トランスデューサセルとみなされ得る（ＵＳトランスデューサアレイ１０２を使用してキャプチャされるＵＳ画像のピクセルに対応することができる）。圧電材料１０６は、ＵＳトランスデューサアレイ１０２のためのＵＳ圧力波を生成および受信するために使用され得る。電極１２０および１２２は、たとえば、モリブデンを含むことができ、電位差の印加または検出のための圧電材料１０６への電気的結合を提供するために使用され得る。トランスデューサビア１２４および１２６は、ＵＳトランスデューサアレイ１０２の上部からそれぞれ電極１２０および１２２への誘電体層１０８を通る電気的経路を提供することができる。トランスデューサビア１２４および１２６にわたって印加される電圧は、圧電材料１０６が機械的に作動する（たとえば、移動または振動する）ように誘導することができる。同様に、圧電材料１０６に作用する機械的力は、トランスデューサビア１２４とトランスデューサビア１２６との間に電位差を生成することができる。
【００３７】
部分１１８の電気機械的特徴の性質（たとえば、電位差の印加時の圧電材料１０６の移動）を考慮すると、圧電材料１０６の移動を可能にするために、空洞１２８が設けられ得る。空洞１２８などの空洞は、誘電体層１０８内の空隙であり得、圧電材料１０６が、圧力波を生成するように移動し、圧電材料１０６に入射する圧力波に応答して移動することを可能にし得る。空洞１２８なしでは、圧電材料１０６は、誘電体層１０８に機械的に結合されていることによって、所定の位置に固定され得、したがって、ＵＳトランスデューサアレイ１０２がその意図された目的のために機能するのを妨げる（たとえば、各トランスデューサがＵＳ撮像に適したＵＳ圧力波を生成または検出するのを妨げる）。圧電材料１０６の移動は、たとえば、ピボット点１３６の周りにてこで動かされた運動を誘導することができる。代替的には、部分１１８は、オプションの膜に懸架された構造（圧電材料１０６を含む）を含むことができる。本明細書で使用する「空洞」という用語は、誘電体層１０８に機械的に結合された圧電材料１０６などの構造の移動を可能にする空間または比較的密度の低い材料を広く指す。空洞は、様々な物理的形状および寸法をとることができる。そのように、空洞１２８は、完全な空隙である必要はない。空洞１２８は、剛性でなくてもよく、したがってトランスデューサの移動を妨げない多孔質または他の材料を含むことができる。たとえば、水分を吸収する、熱を放熱する、空洞の内部の定常圧力波もしくは他の波を消散させる、または他の目的のために、材料が追加され得る。そのような材料は、空気の移動および／または空気の圧縮／膨張を可能にするために多孔質であり得る。空洞１２８は、特定の用途に関して、正または負の圧力バイアスを提供するために加圧され得る。
【００３８】
リリースビア１３０は、空洞１２８の形成のための経路として使用され得る。前述したように、ＵＳトランスデューサアレイ１０２は、膜堆積技法を使用して、より具体的には、各新しい層が以前に堆積された層の上に堆積される順次に追加の積層を実質的に使用して形成され得る。膜堆積製造プロセスにおける中間ステップとして、連続する層のための構造的支持を提供するために、１つの層堆積ステップ中に空洞１２８の位置において犠牲材料が使用され得る。プロセスの後続のステップの間に、リリースビア１３０は、たとえば、ＵＳトランスデューサアレイ１０２の上部から犠牲材料へのアクセスを得るために、ＵＳトランスデューサアレイ１０２を通って（フォトリソグラフィ、化学的手段、または他の手段によって）エッチングされ得る。次いで、空洞１２８を形成するために犠牲材料を溶解および／または除去するために、追加のエッチングステップが使用され得る。リリースビア１３０は、次いで、たとえば、周囲の環境からの湿気から空洞１２８を保護することが望まれる場合、オプションで密封され得、または、リリースビア１３０は、ポート付き空洞を提供するために、密封されないままであり得る。
【００３９】
図１に記載の構造の形成について説明する製造プロセスの１つの結果は、（部分１１８によって示されるような）各ＵＳトランスデューサセルの形成のための４つの別個のビア、すなわち、２つのトランスデューサビア１２４および１２６と、１つのリリースビア１３０と、１つのコンタクトビア１１４とを使用することである。製造技法における制限のため、および／またはＵＳトランスデューサアレイ１０２の物理的構造を損なうことを回避するために、ビア間の電気的短絡を防止するためにビア間にある程度の分離が必要とされる場合があることを考慮すると、４つのビアの使用は、最小限のＵＳトランスデューサセル離隔距離１３２を規定する要因となり得る。したがって、この距離は、４つのビアの使用のための十分な距離を提供するためにＵＳトランスデューサセル間の最小距離を必要とすることによって、ＵＳトランスデューサアレイ１０２が特定の密度を超えることを防止し得る。この距離１３２は、１次元のみにおいて視覚的に表されるが、ＵＳトランスデューサアレイ１０２は、様々な構成のアレイを形成し得ることと、各セルのための４つのビアの使用は、構成にかかわらずアレイのピクセルピッチ（すなわち、ＵＳトランスデューサセルがどれくらい密集して配置されるのか）を制限し得ることとが理解されるべきである。５０ミクロン未満のピクセルピッチ密度を有するＵＳアレイは、各トランスデューサセルの形成のための４つのビアの使用（および、４つのビアをエッチングするために必要な間隔要件）によって課される制限のために、図１の構造を使用しては不可能である場合がある図２〜図１２について、特定の参照番号が図中に示されている場合があるが、それらは、先の図に記載されている場合があるので、テキスト中に明示的に記載されない場合がある。
【００４０】
図２は、本開示の１つまたは複数の実施形態を組み込むことができるシステム２００の断面の簡略図を示す。ここで、図１のリリースビア１３０などのリリースビアは、図示のシステム２００には存在しない。代わりに、二重目的ビア２４０が示されている。二重目的ビア２４０は、図１のリリースビア１３０およびコンタクトビア１１４の機能を提供することができる。図２のシステム２００は、ＵＳトランスデューサアレイ２０２が、ＵＳトランスデューサアレイ２０２の上部（矢印２１６によって示す）から延在する３つのみのビアの使用によって機能することを可能にし得る。これらの３つのビアは、コンタクトビア２３４および２３６と、二重目的ビア２４０とである。各ＵＳセル２１８を製造するのに必要なビアの数を減らすことによって、ＵＳトランスデューサアレイ２０２は、（特徴部のサイズ、物理的制約などに関する他の変数が一定であると仮定して）図１のＵＳトランスデューサアレイ１０２と比較してより高いピクセルピッチで製造され得る。図示のように、図２に示すセル間の距離２４４を、図１に示す距離１３２よりも短くすることができる。図２のシステム２００の構造は、５０ミクロン未満のピクセルピッチを有するＵＳトランスデューサアレイ２０２の製造を可能にすることができ、したがって、モバイル電子デバイスでの使用により適し得る。ＵＳトランスデューサアレイ２０２は、ＵＳトランスデューサアレイ１０２よりも比較的高密度のＵＳ撮像アレイを提供することができる。ＵＳトランスデューサアレイ２０２の厚さ２４８は、図１に示すＵＳトランスデューサアレイ１０２の厚さ１３４と同様であり得る。
【００４１】
さらに、コンタクトビア２３６への二重目的ビア２４０の近接は、さらに開示するように、空洞２３８を排出するためにリリースビア１３０がもはや必要とされないので、電気的経路２４７を使用して２つのビアを共に結合することに関する製造ステップを単純化することができる。また、本明細書で開示するように、二重目的ビア２４０はまた、電気的経路がＵＳトランスデューサアレイ２０２の層を通って形成されることを可能にし得る。図２はまた、二重目的ビア２４０が誘電体層２０８を通って位置２４２におけるオプションの再配線層２１０（またはシステム２００の別の特徴部）と接触するように延在し得ることを示す。二重目的ビア２４０は、代替的には、再配線層２１０の使用なしに、ＵＳトランスデューサアレイ２０２を通って制御電子機器２０４に接触するように直線的に延在し得る。図１のリリースビア１３０は、空洞１２８をエッチングする目的のためには不要であるので、再配線層１１０と接触するために誘電体層１０８を通って延在しないことに留意すべきである。システム２００は、本明細書で説明するように、ＵＳトランスデューサアレイ２０２の製造のための材料コストを最小限にしながら、単一の基板／ウェハを使用して製造され得る。
【００４２】
ＵＳトランスデューサアレイ２０２は、上部（矢印２１６によって示す）および下部（矢印２２６によって示す）と呼ばれることがある２つのほぼ平面の側面を有するものとして参照され得る。しかしながら、図示の下部側面は、デバイスまたは別個のデバイスの別の層に機械的に結合され得ることが理解されるべきである。これらの平面側面は、膜堆積技法の使用などにより、そのようなデバイスの製造プロセスの性質のために、超音波アレイの対向する側に実質的に平面の表面を形成することができる。二重目的ビア２４０は、デバイスの誘電体層２０８を通ってエッチングされ得るので、得られるビアを、比較的高くて薄くすることができる。たとえば、ビア２４０の最長寸法２４６は、平面の上部および下部の側面に対する基準法線と比較して２０度未満オフセットされ得る（２２４）。代替的に、または加えて、平面の上部側面または下部側面に直交する二重目的ビア２４０の寸法の長さ２２０は、上部側面または下部側面に平行なに２４０の寸法の長さ２２２よりも大きくてもよい。長さ２２０は、たとえば、長さ２２２の２０倍、１０倍、または５倍よりも大きくてよい。また、二重目的ビア２４０を作成するために使用され得るエッチングプロセスの結果として、二重目的ビア２４０によって形成された導電性経路は、空洞２３８を横断するとき実質的に直線状（すなわち、まっすぐ）であり得る。空洞２３８の実質的に直線状の横断は、導電性経路のギャップまたは非連続部分を含むことができる。ギャップまたは非連続部分は、たとえば、二重目的ビア２４０を介する導電性材料のスパッタリングから生じるパッチであり得る。しかしながら、これらの「パッチ」の周りには電気がまだ流れる場合がある。導電性経路は、空洞２３８の一部を画定する導電性材料を含む場合がある。たとえば、材料は、二重目的ビア２４０を形成するために、ビアの内面上にスパッタリングされるか、または他の方法で堆積され得る。堆積プロセスは、導電性材料の物理的分布におけるギャップおよび／または他の不一致を誘発する可能性がある。導電性経路は、導電性ビアが空洞２３８の２つの対向する側面２１２を横断するとき、矢印２１４によって示す方向に空洞２３８を横切る場合がある。
【００４３】
システム２００は、トランスデューサの要素として作用することができる圧電材料２０６を含むことができる。圧電材料２０６は、電極２３０および２３２に電気的に結合され得、電極２３０および２３２は、コンタクトビア２３４および２３６にそれぞれ電気的に結合され得る。コンタクトビア２３４および２３６にわたって電位差が印加された場合、圧電材料２０６は、ＵＳ圧力波を作成するように振動または他の方法で反応し得る。ＵＳ圧力波が圧電材料２０６に入射すると、コンタクトビア２３４および２３６にわたって電位差が誘起される。
【００４４】
図３は、ＵＳアレイシステム３００のさらに別の実施形態を示す。図示のシステム３００は、図１および図２のものと同様の機能のＵＳセルを形成するために圧電材料３０６と対応する構造とを含む。図３のＵＳアレイ３０２はまた、空洞３２８をエッチングし、電極３２２と再配線層３１０との間の導電性経路を提供するために使用され得る、二重目的ビア２４０と同様の二重目的ビア３０４を含む。しかしながら、二重目的ビア３０４は、二重目的ビア３０４が埋込みビアであり、ＵＳアレイ３０２の外面まで延在しない点で二重目的ビア２４０と異なる。ＵＳトランスデューサアレイ２０２とＵＳトランスデューサアレイ３０２との間のこの違いは、異なる製造技法から生じる場合がある。一例として、二重目的ビア３０４の形成は、電極３２２と、圧電材料３０６と、電極３２０とコンタクトビア３２４とを含む層を堆積する前に行われ得る。このようにして、電極３２２は、二重目的ビア３０４をＵＳアレイ３０２の外面まで延ばすことなく、二重目的ビア３０４に電気的に結合され得る。二重目的ビア３０４は、二重目的ビア３０４内に導電性材料を堆積させるために、スパッタリングまたは他の技法によって導電性にされ得る。加えて、トランスデューサは、ＰＭＵＴ、ＣＭＵＴ、または他の技法を使用して実装され得る。距離３４４は、距離２４４と同様であり得る。厚さ３４６は、厚さ２４８と同様であり得る。
【００４５】
ＭＥＭＳデバイスを作成するための製造技法は、比較的複雑でコストがかかる場合がある。膜堆積技法を使用する場合、製造プロセスのコストおよび時間を低減し、歩留まりを増加させる（すなわち、欠陥を減少させる）ために、層を堆積させる、マスクを作成する、特徴部を除去する、ビアを作成するなどのために必要な製造ステップの数を最小にすることが望ましい場合がある。実行される動作の比較的小さい規模を考慮すると、製造プロセスによって誘発される小さい欠陥でさえ、ＭＥＭＳデバイスを動作不能または不十分にする可能性がある。一例として、ＵＳトランスデューサセルで使用されるリリースの排出が、犠牲材料の大部分を十分に除去しない場合、ＵＳトランスデューサセルは、動作しない場合があり、または、ＵＳアレイに損傷を引き起こす場合がある。
【００４６】
これらの制約を考慮すると、膜堆積技法を使用してＵＳアレイを作成しようとするとき、少なくとも２つの困難が存在する場合がある。すなわち、（１）リリースを排出するプロセスは、導電性コンタクト材料を意図せずに除去する可能性があり、（２）リリースを排出するとき、犠牲材料から残留物が残る場合がある。空洞を作成するために使用される犠牲材料は、シリコーン系、金属性、または他の材料であり得る。これらの材料は、従来の湿式エッチング、乾式エッチング、またはプラズマエッチングを使用するエッチングの影響を受けやすい可能性がある。先に説明したように、図２の二重目的ビア２４０は、オプションの再配線層２１０まで延在するものとして示されている。再配線層はまた、金属物質で作られ得る。したがって、リリースビアが犠牲材料の使用により作成され、再配線層２１０まで延在し、次いで、犠牲材料を排出するためにエッチング技法が使用された場合、再配線層は、エッチング剤によって損なわれる場合がある。加えて、エッチングステップは、後のプロセスステップを介して導電性ビアを形成するためのリリースビアの使用を妨げる可能性がある残留物（たとえば、除去されていないエッチング剤および／または犠牲材料）を残す可能性がある。また、導電性材料がリリースビアに既に適用されている場合、エッチングステップは、リリースビアに適用された導電性材料を損なう可能性がある。
【００４７】
具体的には、リリースの幾何学的形状およびサイズを考慮すると、排出エッチングは、実行するのが困難である場合があり、犠牲材料の残留物を残し、それによって、ＭＥＭＳデバイスの構造を損なう可能性がある。たとえば、犠牲材料のリリースは、リリースの排出中に誘発される毛細管力のために、周囲の材料が引き下げられ、下にある層にくっつくスティクション効果のために困難である場合がある。同じ毛細管力は、エッチング化合物を基板から除去することを困難にする場合がある。図４〜図１２は、これらの困難にもかかわらず、図２のＵＳトランスデューサアレイ２０２を作成するために使用され得るプロセスのステップを示す。パッド３１２は、パッド１１２と同様であり得る。
【００４８】
図４は、図２のＵＳトランスデューサアレイ２０２の製造プロセスにおけるステップを示す。基板（列挙せず）の上に製造されているデバイススタック４００を図４に示す。スタック４００の上部は、矢印２１６によって示される。再配線層２１０は、ＵＳトランスデューサアレイ２０２の層上に既に形成されている。加えて、犠牲材料４０８が、ＵＳトランスデューサアレイ２０２の誘電体層２０８内に埋め込まれる。圧電材料２０６ならびに対応する電極２３０および２３２も形成されている。ＵＳトランスデューサアレイ２０２デバイススタックの上部から電極２３０および２３２にアクセスするためにエッチングされている２つのビア４０２および４０４が示されている。ビア４０２および４０４のフォトリソグラフィエッチングからの例示的な人工物として、フォトレジスト膜４０６がＵＳトランスデューサアレイ２０２の上に堆積されている。
【００４９】
図５は、ＵＳトランスデューサアレイ２０２デバイススタックの上に堆積されている金属化層５０２（たとえば、アルミニウム合金など）を示す。金属化層５０２は、コンタクトビア２３４および２３６を形成するために使用され得る。加えて、フォトレジストマスク５０４が、コンタクトビア２３４および２３６を画定するために金属化層５０２をパターン化するために例示的な技法として使用され得るフォトリソグラフィエッチングのために金属化層５０２の上に堆積されている。図５に示すＵＳトランスデューサアレイ２０２デバイススタックの状態では、金属化層５０２は、電極２３０と電極２３２との間の電気的経路を形成する。
【００５０】
図６は、金属化層５０２がエッチングされ、フォトレジストマスク５０４が除去された後のＵＳトランスデューサアレイ２０２の状態を示す。金属化層５０２のエッチングは、電極２３０および２３２にそれぞれ電気的に結合されたコンタクトビア２３４および２３６を形成することができる。図７では、フォトレジストマスク７０２が堆積されている。フォトレジストマスク７０２は、コンタクトビア２３４および２３６を覆うことができるが、表面領域７０４を露出したままにすることができる。表面領域７０４は、エッチングを介して新しいビアを形成するために使用され得る。
【００５１】
図８では、ＵＳトランスデューサアレイ２０２の上部からオプションの再配線層２１０までビア８０２が形成されている。このエッチングは、たとえば、フォトリソグラフィを使用して実行され得る。ビア８０２をエッチングするプロセスは、図示のように、ほぼ直線状であり、基板の側面に実質的に直交し得るビアをもたらすことができることに留意すべきである。たとえば、ＵＳトランスデューサアレイ２０２は、（矢印２１６によって示す）上部に１つと、（矢印８０４によって示す）下部に１つ、２つのほぼ平面の側面を有するものとして参照され得る。しかしながら、図示の下部側面は、別の層または構成要素に機械的に結合され得ることが理解されるべきである。これらの平面の側面は、そのようなデバイスの製造プロセスの性質性のために、超音波トランスデューサアレイ２０２の対向する側に実質的に平面の表面を形成することができる。ビア８０２の最長寸法８０８は、平面の側面に対する基準法線と比較して２０度未満オフセットされ得る（８０６）。ビア８０２はまた、犠牲材料４０８を通って延在し、犠牲材料４０８を露出させる。図８（および他の図）では、特定の参照番号が図中に示されているが、それらは、先の図に記載されているので、テキスト中に明示的に記載されない。
【００５２】
図９では、犠牲材料４０８は、リリースビア８０２を使用して空洞２３８を形成するためにエッチングされている。この排出は、たとえば、ＸｅＦ２エッチングなどの気相エッチングの使用によって達成され得る。気相エッチングは、犠牲材料４０８とリリースビア８０２との間の可能な極端な角度のために、そして、気相エッチングが空洞２３８の大部分を満たすために有利に拡大し得るので、犠牲材料４０８を排出するのを助けることができる。図１０では、フォトレジスト層７０２は、除去されており、ビア８０２を通る導電性経路を形成するために、金属化層１００２がＵＳトランスデューサアレイ２０２の上部に適用されている。加えて、新しいフォトレジストマスク１００４、１００５、および１００６が、金属化層１００２の上に塗布されている。単一のフォトレジストマスクが、部分（１００４、１００５、および１００６など）を含むことができるが、１００４、１００５、および１００６の各々は、理解を容易にするために個別に参照されることに留意されたい。図１１では、図２のシステム２００は、実質的に、図２の二重目的ビア２４０を含んで形成されている。金属化層１００２は、エッチング除去されており、フォトレジストマスク１００４、１００５、および１００６は、除去されている。
【００５３】
トランスデューサビア２３４および２３６は、ここでは、２つの別個の金属層／構成要素を備えることに留意されたい。オプションで、スパッタ（または他の）堆積技法から生じるビア２３４、２３６、および／または２４０におけるギャップを充填するために、無電解めっきステップが使用され得る。したがって、無電解めっきステップは、デバイスの層を通るより連続的な電気的経路の作成を助けることができる。ＮｉＡｕは、無電解めっきのための１つのそのような適切な材料である。このステップは、金属スパッタ堆積が使用される場合、金属化層１００２が不連続表面被覆を形成する可能性があるので、二重目的ビア２４０などのビアを充填するのを助けることができる。加えて、または代替的に、ビアの任意の金属化または無電解めっきの前に、金属被覆をビア４０２、４０４、および８０２にシードする（ｓｅｅｄ）ために、電気泳動堆積が使用され得る。（ビアを通る導電性の実質的に円柱状の形態を形成するようにビアに導電性の材料を充填することなどによって）導電性ビアを形成するために、二重目的（または他の）ビアに充填および／またはメッキするために追加の技法が使用され得る。
【００５４】
オプションで、ビア２３６とビア８０２の両方にわたって１つの一体的なマスクセグメントを形成するために、図１０のマスクセグメント１００５および１００６が結合され得る。このオプションのステップが実行される場合、領域１１０２は、金属層１００２から残っている導電性金属材料を含む場合がある。このステップを加えることによって、電極２３２から再配線層２１０までの導電性経路が形成され得る。
【００５５】
図１２は、図３のＵＳアレイ３０２を形成するために使用され得る中間ステップを示す。図８〜図１１からのステップ手続きと同様に、ビア１２０６が、誘電体層３０８を通って、オプションでは再配線層３１０までエッチングされ得る。しかしながら、図１２では、このステップは、トランスデューサセル１２０４の形成のための追加の層堆積ステップの前に実行される。ビア１２０６を金属化することによって、導電性経路（図示せず）が、誘電体層３０８を通ってトランスデューサセル１２０４の電極３２２まで形成され得る。このようにして、完成したＵＳアレイは、基板の誘電体層３０８を通る埋め込まれた導電性経路を備えることができる。
【００５６】
本明細書で使用する場合、導電性および低インピーダンスという用語は、記載された要素が周囲の材料よりも低い電気的インピーダンスを提供することを意味する。たとえば、２つの構成要素間の低インピーダンスまたは導電性の経路は、２オーム未満の抵抗の電気的経路を提供することができる誘電体を通る金属経路を示すことができる。代替的には、経路は、１オーム未満の抵抗、またはさらには１００ミリオーム未満の抵抗を提供することができる。
【００５７】
本明細書で使用する場合、電極という用語は、非金属構成要素と接触するために使用される電気伝導体を意味する。誘電体という用語は、電気絶縁体を意味する。基板という用語は、なにかの基礎をなす、または、具体的にはなんらかのプロセスが生じる物質または層を意味する。
【００５８】
図１３は、本開示の１つまたは複数の特徴を具体化する超音波アレイを製造するためのフローチャート１３００を示す。１３０２において、デバイスの層を通ってリリースビアがエッチングされ得る。たとえば、誘電体層２０８を貫通してビア８０２がエッチングされ得る。１３０４において、空洞の所望の位置にアクセスするための導管としてリリースビアを使用してデバイスの層内に空洞が形成され得、空洞は、デバイスのトランスデューサの移動を可能にする。たとえば、ビア８０２は、犠牲材料４０８にアクセスするために使用され得る。ビア８０２はまた、たとえば、気相エッチャントの使用によって犠牲材料４０８をエッチング／排出するための導管として使用され得る。１３０６において、層を通る導電性経路を形成するために導電性材料がリリースビア内に堆積され得る。たとえば、ビア８０２は、金属化層１００２によって金属化され得る。１３０８において、導電性材料は、トランスデューサの電極に電気的に結合され得る。たとえば、電極２３２は、金属化ビア８０２に電気的に結合され得る。
【００５９】
図１４は、本開示の１つまたは複数の特徴を具体化する超音波アレイのフローチャート１４００を示す。１４０２において、超音波圧力波を生成するための手段があり、超音波圧力波を生成するための手段は、トランスデューサのアレイを含む。たとえば、ＵＳトランスデューサアレイ２０２は、超音波圧力波を生成するために使用され得る。１４０４において、超音波圧力波を受信するための手段があり、超音波圧力波を受信するための手段は、トランスデューサのアレイを含み、トランスデューサのアレイのトランスデューサは、５０ミクロン未満のピッチを有する。たとえば、ＵＳトランスデューサアレイ２０２は、超音波圧力波を受信するために使用され得る。
【００６０】
図１５は、１つまたは複数の実施形態が実装され得るコンピューティングシステムの一例を示す。
【００６１】
図１５に示すコンピューティングシステムは、上記で説明したコンピュータ化されたデバイスの一部として組み込まれ得る。たとえば、コンピュータシステム１５００は、テレビジョン、コンピューティングデバイス、サーバ、デスクトップ、ワークステーション、自動車内の制御もしくは対話システム、タブレット、ネットブック、または任意の他の適切なコンピューティングシステムの構成要素のうちのいくつかを表すことができる。コンピューティングデバイスは、画像取り込みデバイスかまたは入力感知ユニットおよびユーザ出力デバイスを有する任意のコンピューティングデバイスであり得る。画像取り込みデバイスまたは入力感知ユニットは、カメラデバイスとすることができる。ユーザ出力デバイスは、ディスプレイユニットとすることができる。コンピューティングデバイスの例は、限定はしないが、ビデオゲーム機、タブレット、スマートフォン、および任意の他のハンドヘルドデバイスを含む。図１５は、本明細書で説明するような様々な他の実装形態によって提供される方法を実行することができる、ならびに／または、ホストコンピュータシステム、遠隔キオスク／端末、販売時点デバイス、自動車内の電話もしくはナビゲーションもしくはマルチメディアインターフェース、コンピューティングデバイス、セットトップボックス、テーブルコンピュータ、および／もしくはコンピュータシステムとして機能することができるコンピュータシステム１５００の一実装形態の概略図を提供する。図１５は、その一部またはすべてが適宜利用され得る様々な構成要素の一般化された例示を提供することのみを目的とする。したがって、図１５は、個々のシステム要素が、比較的分離された状態または比較的統合された状態でどのように実装され得るかを概略的に示す。
【００６２】
コンピュータシステム１５００は、バス１５０２を介して電気的に結合され得る（または、適切であるように他の方法で通信し得る）ハードウェア要素を備えるように示されている。ハードウェア要素は、１つもしくは複数の汎用プロセッサおよび／または１つもしくは複数の専用プロセッサ（デジタル信号処理チップ、グラフィックス処理ユニット１５２２など）を限定なしに含む、１つまたは複数のプロセッサ１５０４と、１つまたは複数のカメラ、センサ、マウス、キーボード、超音波または他の音波を検出するように構成されたマイクロフォンなどを限定なしに含み得る、１つまたは複数の入力デバイス１５０８と、本発明の実装形態において使用されるデバイスなどのディスプレイユニット、プリンタなどを限定なしに含み得る、１つまたは複数の出力デバイス１５１０とを含み得る。追加のカメラ１５２０は、ユーザの四肢およびジェスチャーの検出のために採用され得る。いくつかの実装形態では、入力デバイス１５０８は、赤外線センサ、深度センサ、および／または超音波センサなどの１つまたは複数のセンサを含んでもよい。グラフィックス処理ユニット１５２２は、上記で説明したオブジェクトのリアルタイムワイピングおよび置換のための方法を実行するために使用され得る。
【００６３】
本発明の実装のいくつかの実装形態では、様々な入力デバイス１５０８および出力デバイス１５１０は、ディスプレイデバイス、テーブル、床、壁、およびウィンドウスクリーンなどのインターフェースに埋め込まれ得る。さらに、プロセッサに結合された入力デバイス１５０８および出力デバイス１５１０は、多次元追跡システムを形成し得る。
【００６４】
コンピュータシステム１５００は、限定はしないが、ローカルおよび／もしくはネットワークアクセス可能なストレージを備え得る、ならびに／または、限定はしないが、ディスクドライブ、ドライブアレイ、光記憶デバイス、プログラム可能であり得るランダムアクセスメモリ（「ＲＡＭ」）および／もしくは読み出し専用メモリ（「ＲＯＭ」）などの固体記憶デバイス、更新可能なフラッシュなどを含み得る、１つまたは複数の非一時的記憶デバイス１５０６をさらに含み得る（および／またはそれらと通信し得る）。そのような記憶デバイスは、限定はしないが、様々なファイルシステム、データベース構造などを含む、任意の適切なデータストレージを実装するように構成され得る。
【００６５】
コンピュータシステム１５００はまた、限定はしないが、モデム、ネットワークカード（ワイヤレスまたはワイヤード）、赤外線通信デバイス、ワイヤレス通信デバイスおよび／またはチップセット（Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈデバイス、８０２．１１デバイス、ＷｉＦｉデバイス、ＷｉＭａｘデバイス、セルラー通信施設など）などを含み得る、通信サブシステム１５１２を含み得る。通信サブシステム１５１２は、ネットワーク、他のコンピュータシステム、および／または本明細書で説明する任意の他のデバイスとデータを交換できるようにする場合がある。多くの実装形態では、コンピュータシステム１５００は、非一時的作業メモリ１５１８をさらに備えることになり、非一時的作業メモリ１５１８は、上記で説明したようなＲＡＭまたはＲＯＭデバイスを含み得る。
【００６６】
コンピュータシステム１５００はまた、オペレーティングシステム１５１４、デバイスドライバ、実行可能ライブラリ、ならびに／または、様々な実装形態によって提供されるコンピュータプログラムを含み得る、および／もしくは、本明細書で説明するように他の実装形態によって提供される方法を実装するおよび／もしくはシステムを構成するように設計され得る、１つもしくは複数のアプリケーションプログラム１５１６などの他のコードを含む、作業メモリ１５１８内に現在配置されているように示されたソフトウェア要素を備え得る。単なる例として、上記で説明した方法に関して説明した１つまたは複数の手順は、コンピュータ（および／またはコンピュータ内のプロセッサ）によって実行可能なコードおよび／または命令として実装され得、一態様では、そのようなコードおよび／または命令は、説明した方法に従って１つまたは複数の動作を実行するように汎用コンピュータ（または他のデバイス）を構成するおよび／または適合させるために使用され得る。
【００６７】
これらの命令および／またはコードのセットは、上記で説明した記憶デバイス１５０６などのコンピュータ可読記憶媒体上に記憶され得る。場合によっては、記憶媒体は、コンピュータシステム１５００などのコンピュータシステム内に組み込まれ得る。他の実装形態では、記憶媒体は、記憶媒体がそこに記憶された命令／コードを用いて汎用コンピュータをプログラムする、構成する、および／または適合させるために使用され得るように、コンピュータシステムとは別個であり得（たとえば、コンパクトディスクなどのリムーバブル媒体）、および／またはインストールパッケージにおいて提供され得る。これらの命令は、コンピュータシステム１５００によって実行可能であり得る実行可能コードの形態をとることがあり、ならびに／あるいは、ソースおよび／またはインストール可能コードの形態をとることがあり、ソースおよび／またはインストール可能コードは、コンパイル時および／またはコンピュータシステム１５００へのインストール時（たとえば、一般に利用可能な様々なコンパイラ、インストールプログラム、圧縮／解凍ユーティリティなどのうちのいずれかを使用する）、次いで実行可能コードの形態をとる。
【００６８】
特定の要件に応じて、大幅な変更が行われ得る。たとえば、カスタマイズされたハードウェアが使用される場合もあり、かつ／または特定の要素がハードウェア、ソフトウェア（アプレットなどのポータブルソフトウェアを含む）、もしくはその両方で実施される場合がある。さらに、ネットワーク入出力デバイスなどの他のコンピューティングデバイスへの接続が使用される場合がある。いくつかの実装形態では、コンピュータシステム１５００の１つまたは複数の要素は、省略されてもよく、あるいは図示したシステムとは分離して実装されてもよい。たとえば、プロセッサ１５０４および／または他の要素は、入力デバイス１５０８とは分離して実装されてもよい。１つの実装形態では、プロセッサは、別々に実装される１つまたは複数のカメラから画像を受け取るように構成されてもよい。いくつかの実装形態では、図１５に示すものに加えて、コンピュータシステム１５００内に要素が含まれ得る。
【００６９】
いくつかの実装形態は、コンピュータシステム（コンピュータシステム１５００など）を採用して、本開示による方法を実施することができる。たとえば、説明した方法の手順の一部またはすべては、作業メモリ１５１８内に含まれる（オペレーティングシステム１５１４および／またはアプリケーションプログラム１５１６などの他のコードに組み込まれ得る）１つまたは複数の命令の１つまたは複数のシーケンスを実行するプロセッサ１５０４に応答してコンピュータシステム１５００によって実行され得る。そのような命令は、１つまたは複数の記憶デバイス１５０６などの別のコンピュータ可読媒体から作業メモリ１５１８に読み込まれ得る。単なる例として、作業メモリ１５１８内に含まれる命令のシーケンスの実行は、本明細書で説明する方法の１つまたは複数の手順をプロセッサ１５０４に実行させ得る。
【００７０】
本明細書で使用する「機械可読媒体」および「コンピュータ可読媒体」という用語は、機械を特定の様式で動作させるデータを提供することに関与する任意の媒体を指す。コンピュータシステム１５００を使用して実装されるいくつかの実装形態では、様々なコンピュータ可読媒体が、命令／コードを実行するためにプロセッサ１５０４に与えることに関与することがあり、ならびに／あるいはそのような命令／コードの（たとえば、信号としての）記憶および／または搬送に使用されることがある。多くの実装形態において、コンピュータ可読媒体は、物理的な記憶媒体および／または有形の記憶媒体であってもよい。そのような媒体は、限定はしないが、不揮発性媒体、揮発性媒体、および伝送媒体を含む多くの形態をとることができる。不揮発性媒体は、たとえば、記憶デバイス１５０６などの光ディスクおよび／または磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、限定はしないが、作業メモリ１５１８などのダイナミックメモリを含む。送信媒体は、限定はしないが、バス１５０２を含むワイヤを含む、同軸ケーブル、銅線、および光ファイバ、ならびに、通信サブシステム１５１２の様々な構成要素（および／または、通信サブシステム１５１２が他のデバイスとの通信を提供する媒体）を含む。したがって、送信媒体はまた、（限定はしないが、無線波データ通信および赤外線データ通信中に生成されるものなどの、無線波、音響波、および／または光波を含む）波の形態をとることができる。
【００７１】
物理的および／または有形のコンピュータ可読媒体の一般的な形態は、たとえば、フロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、もしくは任意の他の磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭ、任意の他の光媒体、パンチカード、紙テープ、穴のパターンを有する任意の他の物理的媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、フラッシュＥＰＲＯＭ、任意の他のメモリチップもしくはカートリッジ、以下で説明する搬送波、または、コンピュータが命令および／もしくはコードを読み取ることができる任意の他の媒体を含む。
【００７２】
コンピュータ可読媒体の様々な形態は、１つまたは複数の命令の１つまたは複数のシーケンスを実行するためにプロセッサ１５０４に搬送することに関与し得る。単なる例として、命令は、遠隔コンピュータの磁気ディスクおよび／または光ディスク上に最初に担持されてもよい。遠隔コンピュータは、命令をそのダイナミックメモリにロードし、コンピュータシステム１５００によって受信および／または実行されるように伝送媒体を介して命令を信号として送ることができる。電磁信号、音響信号、光信号などの形態であり得るこれらの信号は、本明細書の様々な実装形態による、命令が符号化され得る搬送波のすべての例である。
【００７３】
通信サブシステム１５１２（および／またはその構成要素）は、一般に、信号を受信し、バス１５０２は、次いで、プロセッサ１５０４が命令を取り出して実行する作業メモリ１５１８に信号（および／または、信号によって搬送されるデータ、命令など）を搬送し得る。作業メモリ１５１８によって受信された命令は、オプションで、プロセッサ１５０４による実行の前または後のいずれかに、非一時的記憶デバイス１５０６上に記憶され得る。
【００７４】
開示したプロセスにおけるステップの特定の順序または階層は、例示的な手法の例示であることが理解される。設計選好に基づいて、プロセスにおけるステップの特定の順序または階層が並べ替えられてよいことが理解される。さらに、いくつかのステップは、組み合わせられてよく、または省略されてよい。添付の方法クレームは、様々なステップの要素を見本的な順序で提示し、提示された特定の順序または階層に限定されることは意図されない。
【００７５】
前述の説明は、本明細書で説明する様々な態様を当業者が実施することを可能にするために提供される。これらの態様への種々の変更が当業者には容易に明らかになり、本明細書において規定された一般原理は他の態様に適用され得る。さらに、本明細書において開示されるものはいずれも、公共用に提供することは意図していない。
【符号の説明】
【００７６】
１００  システム
１０２  ＵＳトランスデューサアレイ
１０４  制御回路
１０６  圧電材料
１０８  誘電体層
１１０  再配線層
１１２  パッド
１１４  コンタクトビア
１１６  矢印
１１８  部分
１２０  電極
１２２  電極
１２４  トランスデューサビア
１２６  コンタクトビア、トランスデューサビア
１２８  空洞
１３０  リリースビア
１３２  ＵＳトランスデューサセル離隔距離、距離
１３４  厚さ
１３６  ピボット点
１４０  電気的経路
２００  システム
２０２  ＵＳトランスデューサアレイ
２０４  制御電子機器
２０６  圧電材料
２０８  誘電体層
２１０  再配線層
２１２  側面
２１４  矢印
２１６  矢印
２１８  ＵＳセル
２２０  長さ
２２２  長さ
２２４  オフセット
２２６  矢印
２３０  電極
２３２  電極
２３４  コンタクトビア
２３６  コンタクトビア
２３８  空洞
２４０  二重目的ビア
２４２  位置
２４４  距離
２４６  最長寸法
２４８  厚さ
３００  システム
３０２  ＵＳアレイ、ＵＳトランスデューサアレイ
３０４  二重目的ビア
３０６  圧電材料
３０８  誘電体層
３１０  再配線層
３１２  パッド
３２０  電極
３２２  電極
３２４  コンタクトビア
３２８  空洞
３４４  距離
３４６  厚さ
４００  デバイススタック、スタック
４０２  ビア
４０４  ビア
４０６  フォトレジスト膜
４０８  犠牲材料
５０２  金属化層
５０４  フォトレジストマスク
７０２  フォトレジストマスク、フォトレジスト層
７０４  表面領域
８０２  ビア、リリースビア
８０４  矢印
８０６  オフセット
８０８  最長寸法
１００２  金属化層、金属層
１００４  フォトレジストマスク
１００５  フォトレジストマスク
１００６  フォトレジストマスク
１１０２  領域
１２０４  トランスデューサセル
１２０６  ビア
１５００  コンピュータシステム
１５０２  バス
１５０４  プロセッサ
１５０６  非一時的記憶デバイス、記憶デバイス
１５０８  入力デバイス
１５１０  出力デバイス
１５１２  通信サブシステム
１５１４  オペレーティングシステム
１５１６  アプリケーションプログラム
１５１８  作業メモリ
１５２０  カメラ
１５２２  グラフィックス処理ユニット
【図１】
2018533246.tif 000003
【図２】
2018533246.tif 000004
【図３】
2018533246.tif 000005
【図４】
2018533246.tif 000006
【図５】
2018533246.tif 000007
【図６】
2018533246.tif 000008
【図７】
2018533246.tif 000009
【図８】
2018533246.tif 000010
【図９】
2018533246.tif 000011
【図１０】
2018533246.tif 000012
【図１１】
2018533246.tif 000013
【図１２】
2018533246.tif 000014
【図１３】
2018533246.tif 000015
【図１４】
2018533246.tif 000016
【図１５】
2018533246.tif 000017
【国際調査報告】
2018533246.tif 000018
2018533246.tif 000019
2018533246.tif 000020