(57)【要約】  チャンバ構成要素上のテクスチャ付き表面のための方法が提供され、この方法は、チャンバ構成要素を提供すること、チャンバ構成要素の表面にフォトレジストの層を塗布すること、マスクを使用して、フォトレジストの一部分を光エネルギーにさらして、フォトレジストの一部分を硬化させること、硬化していないフォトレジストを表面から除去すること、およびチャンバ構成要素を電気化学的にエッチングして、チャンバ構成要素上にテクスチャ付き表面を形成することを含む。
2018502223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ構成要素上のテクスチャ付き表面のための方法であって、
チャンバ構成要素を提供すること、
前記チャンバ構成要素の表面にフォトレジストの層を塗布すること、
マスクを使用して、前記フォトレジストの一部分を光エネルギーにさらして、前記フォトレジストの一部分を硬化させること、
硬化していないフォトレジストを前記表面から除去すること、および
前記チャンバ構成要素を電気化学的にエッチングして、前記チャンバ構成要素上にテクスチャ付き表面を形成すること
を含む方法。
【請求項２】
前記エッチングの間、前記チャンバ構成要素がアノードを構成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記チャンバ構成要素が、シールドアセンブリ、ターゲットプレート、支持リング、堆積リング、支持体本体、位置合わせリングまたは基板支持体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記チャンバ構成要素が、アルミニウム、ステンレス鋼またはチタンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記テクスチャ付き表面が複数の円形構造体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記円形構造体の少なくとも一部分が交わっている、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記円形構造体が、前記円形構造体内に形成された凹部を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記テクスチャ付き表面が、複数の溝を取り囲みかつ／または前記複数の溝によって周囲を囲まれた一段高い複数の特徴を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記溝の少なくとも一部分が交わっている、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
処理チャンバ用のチャンバ構成要素であって、
電気化学エッチングプロセスによって形成された複数のテクスチャ付き特徴を含むテクスチャ付き表面
を備え、前記テクスチャ付き特徴がそれぞれ、
複数の溝を取り囲みかつ／または前記複数の溝によって周囲を囲まれた一段高い複数の特徴を備え、前記溝の少なくとも一部分が交わっている
チャンバ構成要素。
【請求項１１】
前記テクスチャ付き表面が、シールドアセンブリ、ターゲットプレート、支持リング、堆積リング、支持体本体、位置合わせリングまたは基板支持体上に形成された、請求項１０に記載の構成要素。
【請求項１２】
前記テクスチャ付き表面が、アルミニウム材料、ステンレス鋼材料またはチタン材料上に形成された、請求項１０に記載の構成要素。
【請求項１３】
前記テクスチャ付き表面が複数の円形構造体を含む、請求項１０に記載の構成要素。
【請求項１４】
前記溝が曲面を含む、請求項１０に記載の構成要素。
【請求項１５】
前記曲面が、前記一段高い特徴と鋭い点で交わっている、請求項１４に記載の構成要素。
【請求項１６】
前記溝が、約０．１ミリメートル〜約２ミリメートルの深さに形成された、請求項１０に記載の構成要素。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示された実施形態は一般に、材料の表面を改変する方法に関する。より詳細には、本明細書に開示された実施形態は、プロセスチャンバ内で使用される構成要素の表面を改変する方法に関し、チャンバ構成要素上のテクスチャ付き表面を提供する。
【背景技術】
【０００２】
縮小された寸法を有する集積回路デバイスが製造され続けると、それらのデバイスの製造は、汚染による歩留りの低下をより受けやすくなる。その結果、集積回路デバイスの製造、特に、より小さな物理サイズを有する集積回路デバイスの製造では、それまで必要と考えられてきた程度よりもさらに汚染を制御することが要求される。
集積回路デバイスの汚染は、薄膜堆積、エッチングまたは他の半導体製造プロセス中に基板に衝突する望ましくない漂遊粒子などの汚染源から生じる可能性がある。集積回路デバイスの製造は一般に、少しの例を挙げただけでも物理気相堆積（ＰＶＤ）チャンバおよびスパッタリングチャンバ、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ、プラズマエッチングチャンバなどのプロセスチャンバの使用を含む。堆積プロセス中およびエッチングプロセス中にはしばしば、気相から材料が凝縮し、それらがチャンバ内のさまざまな内部表面に堆積して、チャンバのそれらの表面に固体塊を形成する。この堆積した物質はチャンバの内部表面に蓄積し、それらの物質は、基板処理シーケンスとシーケンスの間、または基板処理シーケンス中に内部表面から脱離または剥離しやすい。脱離した物質は次いで、基板および基板上のデバイスに衝突し、それらを汚染する可能性がある。汚染されたデバイスは頻繁に廃棄しなければならず、それによってプロセスの製造歩留りが低下する。
脱離した物質に関連したこれらの問題を回避するため、チャンバ表面は、堆積した物質をチャンバ表面から除去する頻繁な、時に時間のかかる洗浄ステップを必要とする。さらに、行われる洗浄の量にかかわらず、いくつかの場合には、脱離した物質による汚染が依然として起こり得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
したがって、プロセスチャンバの内部表面に堆積した物質による汚染を低減させる必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一実施形態では、チャンバ構成要素上のテクスチャ付き表面のための方法が提供される。この方法は、チャンバ構成要素を提供すること、チャンバ構成要素の表面にフォトレジストの層を塗布すること、マスクを使用して、フォトレジストの一部分を光エネルギーにさらして、フォトレジストの一部分を硬化させること、硬化していないフォトレジストを表面から除去すること、およびチャンバ構成要素を電気化学的にエッチングして、チャンバ構成要素上にテクスチャ付き表面を形成することを含む。
他の実施形態では、処理チャンバ用のチャンバ構成要素が提供される。この構成要素は、電気化学エッチングプロセスによって形成された複数のテクスチャ付き特徴を備える。それらのテクスチャ付き特徴はそれぞれ、複数の溝を取り囲みかつ／または複数の溝によって周囲を囲まれた一段高い複数の特徴を備え、それらの溝の少なくとも一部分が交わっている。
上に挙げた本発明の特徴、利点および目的が達成される方法を詳細に理解することができるように、添付図面に示された本発明の実施形態を参照することによって、上に概要を示した本発明をより具体的に説明する。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】本明細書に記載されたテクスチャ付き表面を含むチャンバ構成要素を備えるプロセスチャンバの簡略化された略断面図である。
【図２Ａ−２Ｈ】チャンバ構成要素上にテクスチャ付き表面を形成するプロセスを示す略図である。
【図３Ａ】それぞれ、テクスチャ付き表面として利用することができるテクスチャ付き特徴の一実施形態の等角図および側断面図である。
【図３Ｂ】それぞれ、テクスチャ付き表面として利用することができるテクスチャ付き特徴の一実施形態の等角図および側断面図である。
【図４Ａ】それぞれ、図１に示されたチャンバ構成要素上のテクスチャ付き表面として利用することができるテクスチャ付き表面の上面図および側断面図である。
【図４Ｂ】それぞれ、図１に示されたチャンバ構成要素上のテクスチャ付き表面として利用することができるテクスチャ付き表面の上面図および側断面図である。
【図５Ａ】それぞれ、図１に示されたチャンバ構成要素上のテクスチャ付き表面として利用することができるテクスチャ付き表面の上面図および側断面図である。
【図５Ｂ】それぞれ、図１に示されたチャンバ構成要素上のテクスチャ付き表面として利用することができるテクスチャ付き表面の上面図および側断面図である。
【図６Ａ】それぞれ、図１に示されたチャンバ構成要素上のテクスチャ付き表面として利用することができるテクスチャ付き表面の上面図および側断面図である。
【図６Ｂ】それぞれ、図１に示されたチャンバ構成要素上のテクスチャ付き表面として利用することができるテクスチャ付き表面の上面図および側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
理解を容易にするため、上記の図に共通する同一の要素を示すのに、可能な限り同一の参照符号を使用した。追加の言及なしに、１つの実施形態の要素および／または方法ステップを他の実施形態に有益に組み込むことが企図される。
図１は、一例としてスパッタリングチャンバ１００として示された、本明細書に記載された実施形態を使用して汚染を低減させることができるプロセスチャンバの簡略化された略断面図である。１種または数種の気相材料に基板がさらされる他のプロセスチャンバであって、本明細書に記載された表面処理から利益を得ることができる他のプロセスチャンバには特に、物理気相堆積（ＰＶＤ）チャンバおよびイオン金属プラズマ（ＩＭＰ）チャンバ、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ、エッチングチャンバ、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）チャンバ、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバが含まれる。このチャンバを例えば、プラズマエッチングチャンバなどのエッチングチャンバとすることもできる。適当なプロセスチャンバの他の例は、イオン注入チャンバ、アニールチャンバおよび他の炉チャンバ（ｆｕｒｎａｃｅ  ｃｈａｍｂｅｒ）を含む。本明細書に開示されたプロセスチャンバおよび表面処理プロセスは、米カリフォルニア州Ｓａｎｔａ  ＣｌａｒａのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から商業的に入手可能であることがある。他の製造業者から入手可能なプロセスチャンバおよびチャンバ構成要素も、本明細書に記載された表面処理プロセスから利益を得ることができる。
【０００７】
スパッタリングチャンバ１００は、真空チャンバ１０２と、支持面１０６を有する基板支持体１０４とを備える。基板支持体１０４は例えば静電チャックとすることができる。スパッタリングチャンバ１００はさらに、シールドアセンブリ１０８およびリフトシステム１１０を備える。処理時には、基板支持体１０４の支持面１０６上に基板１１２（例えば半導体ウエハ）を配置することができる。分かりやすくするため、ガス入口マニホルドおよび／または真空ポンプなどのある種のハードウェアは省略されている。
【０００８】
例示的な真空チャンバ１０２は、円筒形チャンバ壁１１４および支持リング１１６を含み、支持リング１１６は、チャンバ壁１１４の頂部に装着されている。チャンバの頂部は、内部表面１２０を有するターゲットプレート１１８によって閉じられている。ターゲットプレート１１８は、ターゲットプレート１１８と支持リング１１６の間に置かれた環状絶縁体１２２によってチャンバ壁１１４から電気的に絶縁されている。真空チャンバ１０２内の真空圧力の完全性を保証するため、一般に、絶縁体１２２の上下にＯリング（図示せず）を使用して真空シールを提供する。ターゲットプレート１１８は、堆積種となる材料から製造することができ、または堆積種のコーティングを含むことができる。スパッタリングプロセスを促進するため、ターゲットプレート１１８には高圧電源１２４が接続されている。
【０００９】
基板支持体１０４は、真空チャンバ１０２内において基板１１２を保持および支持する。基板支持体１０４は、支持体本体１２８に埋め込まれた１つまたは複数の電極１２６を含むことができる。電極１２６は、電極電源１３０からの電圧によって駆動され、この電圧の印加に対する応答として、基板１１２を、基板支持体１０４の支持面１０６に静電力により固定することができる。支持体本体１２８は例えばセラミック材料を含むことができる。
支持リング１１６には、壁状の円筒形シールド部材１３２が装着されている。シールド部材１３２の円筒形の形状は、真空チャンバ１０２および／または基板１１２の形状に従うシールド部材の例である。言うまでもなく、シールド部材１３２は任意の形状とすることができる。シールド部材１３２に加えて、シールドアセンブリ１０８はさらに、内径を有する環状堆積リング１３４を含み、この内径は、リングが、基板１１２と接触することなく基板１１２の周縁の上に収まって、シャドウリングとして機能するように選択される。堆積リング１３４は位置合わせリング１３６の上に載り、位置合わせリング１３６は、基板支持体１０４から延びるフランジによって支持される。
【００１０】
スパッタ堆積プロセス時には、真空チャンバ１０２にプロセスガスが供給され、ターゲットプレート１１８に電力が供給される。このプロセスガスは、点火されてプラズマとなり、ターゲットプレート１１８に向かって加速される。このプロセスガスは、ターゲットプレート１１８から粒子を追い出し、それらの粒子は基板１１２上に堆積し、基板１１２上に堆積材料のコーティングを形成する。
シールドアセンブリ１０８は一般に、これらのプラズマおよびスパッタ粒子を反応ゾーン１３８内に閉じ込めるが、当初はプラズマ状態または気体状態にあったスパッタ粒子は、不可避的に、さまざまな内部チャンバ表面で凝縮する。例えば、スパッタ粒子は、シールドアセンブリ１０８の内部表面１４０、ターゲットプレート１１８の内部表面１２０、支持リング１１６の内部表面１４２、堆積リング１３４の表面１４４およびその他の内部チャンバ表面で凝縮する可能性がある。さらに、堆積シーケンス中にまたは堆積シーケンスと堆積シーケンスの間に、基板支持体１０４の支持面１０６などのその他の表面が汚染される可能性もある。
【００１１】
用語「内部表面」は一般に、真空チャンバ１０２との境界面を有する任意の表面を指す。「チャンバ構成要素」は、真空チャンバ１０２内に完全にまたは部分的に収容された取外し可能な任意の要素を指す。このチャンバ構成要素を、真空チャンバ構成要素、すなわち例えば真空チャンバ１０２などの真空チャンバ内に配置されたチャンバ構成要素とすることができる。チャンバ構成要素の内部表面に生じた凝縮した物質は一般に限られた付着性（ａｄｈｅｓｉｏｎ）しか持たず、その物質は、その構成要素から外れ、基板１１２を汚染する可能性があり、この汚染は、基板１１２上に形成されたデバイスの歩留りを低減させる。
プロセスチャンバ構成要素から脱離する凝縮した物質の傾向を低減させるため、例えばシールドアセンブリ１０８、ターゲットプレート１１８、支持リング１１６、堆積リング１３４、支持体本体１２８、位置合わせリング１３６、または基板支持体１０４などのチャンバ構成要素に、テクスチャ付き表面１４６を提供する。その他のチャンバ構成要素（図示せず）が、本明細書に記載されたテクスチャ付き表面１４６を含むこともできる。例えば、コイル、コイル支持体、コリメータ、シャッタディスクなどの構成要素にテクスチャ付き表面１４６を提供してもよい。
【００１２】
テクスチャ付き表面を形成する方法
図２Ａ〜２Ｈは、シールドアセンブリ１０８、ターゲットプレート１１８、支持リング１１６、堆積リング１３４、支持体本体１２８、位置合わせリング１３６、または基板支持体１０４などのチャンバ構成要素上に、テクスチャ付き表面１４６などのテクスチャ付き表面を形成するプロセスを示す略図である。これらの構成要素は全て図１に示されている。これらの図では、チャンバ構成要素を加工物（ｗｏｒｋｐｉｅｃｅ）２００と呼ぶ。加工物２００は、アルミニウム、ステンレス鋼、チタン、または図１の真空チャンバ１０２内もしくは真空チャンバ１０２上での処理に耐えるであろう品質を有する他の材料とすることができる。
【００１３】
図２Ａは、その上にフォトレジスト材料２０５が形成された加工物２００の略側面図である。フォトレジスト材料２０５は、光重合性樹脂を含むポリ酢酸ビニル（ｖｉｎｉｌ）乳濁液とすることができる。フォトレジスト材料２０５は、加工物２００の表面２１２を横切って全体に均一な厚さ２１０を含むことができる。いくつかの実施形態では、厚さ２１０は、約１０ミクロン（μｍ）〜約５００μｍ、例えば約０．１ミリメートル（ｍｍ）〜約１０μｍとすることができる。
【００１４】
図２Ｂは、パターン形成されたマスク２１４がフォトレジスト材料２０５の上に配置された加工物２００の略側面図、図２Ｃは、パターン形成されたマスク２１４の一部分の拡大上面図、図２Ｄは、加工物２００の略側面図である。紫外光２１６などの光エネルギーが、フォトレジスト材料２０５およびパターン形成されたマスク２１４に当たる。パターン形成されたマスク２１４は領域２２０Ａを含み、この領域では、紫外光２１６がパターン形成されたマスク２１４を通過し、フォトレジスト材料２０５を硬化させる可能性がある。パターン形成されたマスク２１４はさらに領域２２０Ｂを含み、この領域では、紫外光２１６が通過しない可能性があり、その下のフォトレジスト材料２０５は硬化しない。硬化していないフォトレジスト材料２０５は除去することができ、図２Ｄには、硬化したフォトレジスト材料２２２からなるパターン２２１が示されている。パターン２２１を有する加工物２００をタンク（図示せず）に入れて、さらに処理することができる。
【００１５】
図２Ｅは、加工物２００の表面２１２に電極２２４が置かれた加工物２００の略側面図である。電極２２４を電源２２８に電気的に連絡することができる。電源２２８は、加工物２００とも電気的に連絡している。表面２１２と電極２２４の間に電解液２２６を流すことができる。いくつかの実施形態では、加工物２００がアノード、電極２２４がカソードである。電極２２４は、銅板または銅メッシュとすることができる。いくつかの実施形態では、表面２１２と電極２２４の間の距離２３０が約０．１ｍｍ〜約２０ｍｍの間であり、処理の間、電極２２４が表面２１２に対して平行である。一実施形態では、硬化したフォトレジスト材料２２２の上面２３２に電極２２４が直接に置かれる。例えば、硬化したフォトレジスト材料２２２の厚さ２３４が、図２Ａに示されたフォトレジスト材料２０５の厚さ２１０（例えば約０．１ｍｍ〜約２０ｍｍ）に等しいことがある。このようにすると、硬化したフォトレジスト材料２２２をスペーサとして機能させることができる。いくつかの実施形態では、硬化したフォトレジスト材料２２２の上面２３２と電極２２４の間の間隔を一貫して維持するため、上面２３２と電極２２４の間にスペーサ２３６が置かれることができる。スペーサ２３６は、ポリマー材料、またはセラミック材料などの誘電体材料製とすることができる。
【００１６】
電解液２２６は、混合液または溶液とすることができ、アルカリ性または酸性とすることができる。アルカリ性電解液は、ＮａＣｌ（２〜４０％）、ＮａＢｒ（２〜４０％）、ＮａＮＯ3（２〜４０％）、ＮａＣｌＯ3（２〜４０％）、（ＣＨ2ＯＨ）2（１０〜５０％）、ＮａＯＨ（３〜２０％）を含むことができる。酸性電解液は、ＮａＣｌ（２〜４０％）、ＮａＢｒ（２〜４０％）、ＮａＮＯ3（２〜４０％）、ＮａＣｌＯ3（２〜４０％）、（ＣＨ2ＯＨ）2（１０〜５０％）、ＨＣｌ（３〜２０％）を含むことができる。電解液２２６の流れを維持するため、ノズル（図示せず）を通して電解液２２６を加圧下で流すことができ、または磁気攪拌機を使用することができる。電源２２８は、約３ボルト直流電流（ＤＣ）〜約１００ボルトＤＣの電力、例えば約１０ボルトＤＣ〜約２０ボルトＤＣ、約３５ボルトＤＣ以下などの電力にセットすることができる。
【００１７】
図２Ｆは、パターン形成された表面２４０がその上に形成された、図２Ａ〜２Ｅに関して説明したエッチングプロセス後の加工物２００の略側面図である。パターン形成された表面２４０は、複数の突出部２４２および複数の凹陥部または溝２４４を含む。このパターン形成された表面はさらに、突出部２４２上に残った硬化したフォトレジスト材料２２２を含む。硬化したフォトレジスト材料２２２を適当な溶剤によって洗浄して、図２Ｇおよび２Ｈに示されているようなテクスチャ付き表面１４６を加工物２００上に提供することができる。
図２Ｇは、テクスチャ付き表面１４６の一実施形態がその上に形成された加工物２００の略側面図である。図２Ｈは、加工物２００およびテクスチャ付き表面１４６の一部分の拡大上面図である。テクスチャ付き表面１４６は、複数の凹陥部もしくは溝２４６Ｂを取り囲み、かつ／または複数の凹陥部もしくは溝２４６Ｂによって周囲を囲まれた一段高い複数の特徴２４６Ａを含む。いくつかの実施形態では、溝２４６Ｂの少なくとも一部分が共通の領域２４８で交わる。他の実施形態では、一段高い特徴２４６Ａの少なくとも一部分が円形構造体２５０を含む。いくつかの実施形態では、一段高い特徴２４６Ａの少なくとも一部分が円弧状構造体２５５を含む。
【００１８】
図３Ａおよび３Ｂはそれぞれ、図１に示されたチャンバ構成要素などのチャンバ構成要素上のテクスチャ付き表面１４６として利用することができるテクスチャ付き特徴３００の等角図および側断面図である。単一のテクスチャ付き特徴３００が示されているが、テクスチャ付き特徴３００と同様の他のテクスチャ付き特徴が、テクスチャ付き特徴３００を取り囲み、かつ／またはテクスチャ付き特徴３００と交わるであろうことが理解される。テクスチャ付き特徴３００は、図２Ａ、２Ｂおよび２Ｄ〜２Ｇに記載されているようにして加工物２００上に形成することができる。
この実施形態に基づくテクスチャ付き特徴３００は、複数の凹陥部もしくは溝２４６Ｂを取り囲み、かつ／または複数の凹陥部もしくは溝２４６Ｂによって周囲を囲まれた一段高い複数の特徴２４６Ａを含む。溝２４６Ｂの少なくとも一部分は、平面図で見たときに円弧状構造体２５５とすることができる。いくつかの実施形態では、円弧状構造体２５５は、示されているように、半円形とすることができる。しかしながら、他の実施形態では、溝２４６Ｂが完全な円を形成するような態様で円弧状構造体２５５が交わることができる。一段高い特徴２４６Ａの少なくとも一部分は、図２Ｈに示された実施形態と同様の円形構造体２５０を含むことができる。
【００１９】
図３Ｂに示されているように、溝２４６Ｂはそれぞれ曲面３０５を含むことができる。溝２４６Ｂはそれぞれ、ある深さ３１０に形成することができる。溝２４６Ｂの深さ３１０は、約１ｍｍ〜約２ｍｍ、約３ｍｍ以下など、約０．１ｍｍ以上とすることができる。テクスチャ付き特徴３００はさらに、溝２４６Ｂが一段高い特徴２４６Ａと交わる鋭い縁または点３１５を含むことができる。本明細書に記載された点３１５は、溝２４６Ｂと一段高い特徴２４６Ａの間の鋭い遷移部を含む。点３１５は、面取り部、斜面または半径を欠くことができる。点３１５は、その上に堆積した膜の表面張力を増大させることがあり、したがってテクスチャ付き特徴３００に対するその膜の付着性を増大させることがある。溝２４６Ｂはさらに、約１０μｍ〜約１００μｍの平均表面粗さ（Ｒａ）を含むことができる。一段高い特徴２４６Ａも、約１μｍ〜約１０μｍの表面粗さを有する表面３２０を含むことができる。
図４Ａおよび４Ｂはそれぞれ、図１に示されたチャンバ構成要素などのチャンバ構成要素上のテクスチャ付き表面１４６として利用することができるテクスチャ付き表面４００の上面図および側断面図である。テクスチャ付き表面４００は、複数の凹陥部または溝２４６Ｂによって取り囲まれた一段高い複数の特徴２４６Ａを含む。この実施形態に基づく一段高い複数の特徴２４６Ａは、突き出た複数の多角形特徴４０５を含む。図４Ａおよび４Ｂに示された図では、突き出た複数の多角形特徴４０５がそれぞれ六角形として形づくられているが、他の多角形形状を形成することもできる。例えば、突き出た多角形特徴４０５を、長方形、三角形、八角形、菱形およびこれらの組合せとして形成することもできる。いくつかの実施形態では、溝２４６Ｂの深さが約７００μｍ〜約７５０μｍとすることができる。いくつかの実施形態では、突き出た多角形特徴４０５の幅または主寸法（まっすぐな辺からまっすぐな辺まで）が約４ｍｍ〜約４．２５ｍｍとすることができる。
【００２０】
図５Ａおよび５Ｂはそれぞれ、図１に示されたチャンバ構成要素などのチャンバ構成要素上のテクスチャ付き表面１４６として利用することができるテクスチャ付き表面５００の上面図および側断面図である。テクスチャ付き表面５００は、複数の凹陥部または溝２４６Ｂによって取り囲まれた一段高い複数の特徴２４６Ａを含む。この実施形態に基づく一段高い複数の特徴２４６Ａは、突き出た複数の円形特徴５０５を含む。いくつかの実施形態では、溝２４６Ｂの深さが約５００μｍ〜約６５０μｍとすることができる。いくつかの実施形態では、突き出た円形特徴５０５の幅または主寸法（外径）が約８００μｍ〜約１，４００μｍとすることができる。
【００２１】
図６Ａおよび６Ｂはそれぞれ、図１に示されたチャンバ構成要素などのチャンバ構成要素上のテクスチャ付き表面１４６として利用することができるテクスチャ付き表面６００の上面図および側断面図である。テクスチャ付き表面６００は、複数の凹陥部または溝２４６Ｂによって取り囲まれた一段高い複数の特徴２４６Ａを含む。この実施形態に基づく一段高い複数の特徴２４６Ａは、複数の凹み構造体６０５を含む。凹み構造体６０５はそれぞれ、一段高い特徴２４６Ａと、一段高い特徴２４６Ａの中心に形成された溝２４６Ｂとを含むことができる。示された実施形態では、凹み構造体６０５が円形である。しかしながら、他の実施形態では、凹み構造体６０５の形状を、一段高い特徴２４６Ａ内に凹部６１０が形成された（図４Ａおよび４Ｂに示され記載されているような）多角形とすることができる。いくつかの実施形態では、溝２４６Ｂおよび／または凹部６１０の深さが約４００μｍ〜約６５０μｍとすることができる。いくつかの実施形態では、突き出た円形特徴５０５の幅または主寸法（外径）が約５００μｍ〜約２，６００μｍとすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００２２】
本明細書に記載されたチャンバ構成要素上のテクスチャ付き表面１４６、４００、５００または６００の実施形態は、その上に堆積し得る任意の膜の付着性を増大させる。この増大した付着性は、基板上に形成されたデバイスに対して有害である可能性がある粒子を、堆積した物質が脱離および形成することを防ぎまたは最小限に抑える。これによって歩留りが増大する可能性がある。この増大した付着性はさらに、チャンバの保守間隔を延長する可能性があり、それによって生産性が増大する可能性がある。テクスチャ付き表面１４６を形成するこの方法はさらに、時間の節約になる可能性があり、化学エッチングなどの他の方法よりも環境にやさしい可能性がある。例として、本明細書に記載された方法に従ってチタン加工物にテクスチャを付けた。エッチング速度は約１ｍｍ／２０分であった。比較として、酸性（ＨＮＯ3）エッチングのエッチング速度は数μｍ／時間である。
【００２３】
以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく本開示の他の追加の実施形態を考案することができ、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
【図１】
2018502223.tif 000003
【図２】
2018502223.tif 000004
【図３Ａ】
2018502223.tif 000005
【図３Ｂ】
2018502223.tif 000006
【図４Ａ】
2018502223.tif 000007
【図４Ｂ】
2018502223.tif 000008
【図５Ａ】
2018502223.tif 000009
【図５Ｂ】
2018502223.tif 000010
【図６Ａ】
2018502223.tif 000011
【図６Ｂ】
2018502223.tif 000012
【国際調査報告】
2018502223.tif 000013
2018502223.tif 000014