(57)【要約】  黒鉛の本体と、本体内に配置された材料の連続した部分を備える少なくとも１つの加熱要素と有する、基板加熱用の加熱装置が開示される。加熱装置を組み込んだ処理チャンバもまた、開示される。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
頂面、底面、及び外縁を有し、黒鉛を含む本体と、
前記本体内に配置された材料の連続した部分を備える少なくとも１つの加熱要素と
を備える装置。
【請求項２】
前記本体が、少なくとも約１１５０°Ｃを超える温度に耐えることができる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記本体上に熱分解被覆をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記加熱要素が熱分解黒鉛を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記本体が、前記頂面から前記底面まで前記本体を貫通する開口をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの加熱要素に接続された温度測定デバイスをさらに備える装置であって、前記温度測定デバイスは電圧計または電流計のうちの１つ以上を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
本体に接触している温度測定デバイスをさらに備える装置であって、前記温度測定デバイスはサーミスタ及び熱電対のうちの１つ以上を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記本体が、ほぼ黒鉛のみを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前面を有するガス分配アセンブリと、
前記ガス分配アセンブリの前記前面に面する頂面、及び底面を有するサセプタアセンブリであって、前記頂面は内部に複数の凹部を有し、各凹部は処理中に基板を支持するようにサイズ決めされているサセプタアセンブリと、
黒鉛を含み且つ頂面が前記サセプタアセンブリの前記底面に面している本体を有し、前記本体内に少なくとも１つの加熱要素を含む、加熱装置と
を含む、処理チャンバ。
【請求項１０】
前記加熱装置は、前記サセプタアセンブリ上に置かれた基板を約７００°Ｃよりも高い温度に加熱するのに十分な温度まで、前記サセプタアセンブリを加熱するのに有効である、請求項９に記載の処理チャンバ。
【請求項１１】
前記加熱装置は４８０Ｖ電源に接続されている、請求項９に記載の処理チャンバ。
【請求項１２】
前記４８０Ｖ電源と付近の部品との間にインシュレーターをさらに備える、請求項１１に記載の処理チャンバ。
【請求項１３】
前記サセプタアセンブリは、支持体ポストによって支持されており、前記加熱装置の前記本体は、前記頂面から前記底面まで前記本体を貫通する開口をさらに備え、前記支持体ポストは前記本体内の前記開口を前記本体に接触することなく貫通する、請求項１１に記載の処理チャンバ。
【請求項１４】
前記サセプタアセンブリの前記頂面上の基板の温度を測定するために置かれた高温計を備える温度測定デバイスをさらに備える、請求項１１に記載の処理チャンバ。
【請求項１５】
前記加熱装置の前記底面及び前記処理チャンバの壁に置かれたリフレクタをさらに備える、請求項１１に記載の処理チャンバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、半導体処理用の抵抗ヒータに関する。具体的には、本開示の実施形態は、原子層堆積バッチ処理チャンバ内で使用する黒鉛ヒータを対象とする。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス形成は一般に、クラスタツールとも呼ばれ得る、複数のチャンバを包含する基板処理用のシステムまたはプラットフォーム内で行われる。ある例では、マルチチャンバの処理プラットフォームまたはクラスタツールの目的は、制御された環境内で順次、１枚の基板に対して２つ以上の処理を実行することである。しかし他の例では、マルチチャンバ処理プラットフォームは、複数の基板に対して単一の処理ステップしか実行しないこともある。基板を処理する速度を最大化するために、追加のチャンバが用いられ得る。後者の場合、基板に対して実行される処理は通常、バッチ処理であり、比較的多数の基板、たとえば２５枚または５０枚の基板が、所与のチャンバ内で同時に処理される。バッチ処理は、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス及び一部の化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセスといった、経済的に実行可能な態様で個々の基板に対して実行するには時間がかかりすぎるプロセスにとって、特に有益である。
【０００３】
ＣＶＤプロセスやＡＬＤプロセスにとって、温度の均一性は重要な検討事項であり得る。ＣＶＤシステム及びＡＬＤシステムの加熱システムに、抵抗ヒータが広く用いられている。ウエハの表面にわたる、ほんの２、３°Ｃのオーダーのわずかな温度均一性の変動でさえ、ＣＶＤ処理やＡＬＤ処理に対して悪影響を及ぼし得る。バッチ処理チャンバの大きさによって、加熱源の複雑さや必要条件がさらに増大する。したがって、当該技術分野における、バッチ処理チャンバ用ヒータの改良が必要である。
【発明の概要】
【０００４】
本開示の１つ以上の実施形態は、頂面、底面、及び外縁を有する本体を備える装置を対象とする。本体は、黒鉛を含み、内部に配置された材料の連続した部分を含む少なくとも１つの加熱要素を有する。
【０００５】
本開示のさらなる実施形態は、前面を有するガス分配アセンブリと、サセプタアセンブリと、加熱装置とを備える、処理チャンバを対象としている。サセプタアセンブリは、ガス分配アセンブリの前面に面する頂面と、底面とを有する。頂面は、内部に複数の凹部を有し、各凹部は、処理中に基板を支持するようにサイズ決めされている。加熱装置は、黒鉛を含み且つ頂面がサセプタアセンブリの底面に面している、本体を有する。加熱装置は、本体内に少なくとも１つの加熱要素を有する。
【０００６】
本開示のさらなる実施形態は、ガス分配アセンブリと、サセプタアセンブリと、加熱装置とを備える、処理チャンバを対象としている。ガス分配アセンブリは、前面を有する。サセプタアセンブリは、ガス分配アセンブリの前面に面する頂面と、底面とを有する。頂面は、内部に複数の凹部を有し、各凹部は、処理中に基板を支持するようにサイズ決めされている。サセプタアセンブリは、支持体ポストに接続されている。加熱装置は、ほぼ黒鉛のみを含み且つ頂面がサセプタアセンブリの底面に面している、本体を有する。加熱装置は、本体内に、１００Ｖから５００Ｖの電源に接続された少なくとも１つの加熱要素を含む。加熱要素は、サセプタアセンブリ上に置かれた基板を約１１００°Ｃよりも高い温度に加熱するのに十分な温度まで、サセプタアセンブリを加熱するのに有効である。加熱装置は、頂面から底面まで本体を貫通する開口を含み、支持体ポストが、本体に接触することなく、本体内のこの開口を貫通している。
【０００７】
本開示の上記の特徴を詳しく理解することができるように、上記で簡単に要約されている本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られてよい。一部の実施形態は、添付の図面に示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容し得ることから、添付の図面が例示しているのはこの開示の典型的な実施形態のみであること、したがって、添付の図面は本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本開示の１つ以上の実施形態による、バッチ処理チャンバの断面図である。
【図２】本開示の１つ以上の実施形態による、バッチ処理チャンバの部分斜視図である。
【図３】本開示の１つ以上の実施形態による、バッチ処理チャンバの概略図である。
【図４】本開示の１つ以上の実施形態による、バッチ処理チャンバ内で使用されるくさび形ガス分配アセンブリの一部の概略図である。
【図５】本開示の１つ以上の実施形態による、バッチ処理チャンバの概略図である。
【図６】本開示の１つ以上の実施形態による、加熱装置の斜視図である。
【図７】本開示の１つ以上の実施形態による、加熱装置の部分断面図である。
【図８】本開示の１つ以上の実施形態による、処理チャンバの部分概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本開示のいくつかの例示的な実施形態を説明する前に、本開示が、以下の説明で提示される構成または処理ステップの詳細に限定されないということを理解されたい。本開示は、他の実施形態も可能であり、様々な方法で実施または実行することができる。本開示の錯体及び配位子が、本書では特定の立体化学を有する構造式を用いて説明されてよいことも、また理解されるべきである。これらの説明は、例示のみを意図しており、開示される構造をいかなる特定の立体化学にも限定するものとして解釈されるべきではない。むしろ、説明される構造は、示される化学式を有するすべてのこうした錯体及び配位子を包含することを意図している。
【００１０】
本書で使用される「基板」とは、その上で製造処理中に膜処理が実行される、任意の基板表面または基板上に形成された材料表面のことを指す。例えば、その上で処理が実行され得る基板表面は、用途に応じて、ケイ素、酸化ケイ素、ストレインドシリコン、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）、炭素ドープされた酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープされたケイ素、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガラス、サファイアなどの材料、並びに金属、金属窒化物、金属合金、及びその他の導電材料などの任意の他の材料を含む。基板は、限定しないが、半導体ウエハを含む。基板表面を、研磨、エッチング、還元、酸化、ヒドロキシル化、アニール、及び／またはベークするために、基板を前処理プロセスに曝してよい。基板自体の表面上で直接膜処理することに加えて、本開示では、開示された任意の膜処理ステップが、以下でより詳細に開示される基板上に形成された下層上で実行されてよい。「基板表面」という用語は、文脈が示すように、こうした下層を含むように意図されている。したがって、例えば基板表面上に膜／層または部分膜／部分層が堆積している場合には、新たに堆積した膜／層の露出面が、基板表面になるのである。
【００１１】
１つ以上の実施形態によると、本方法は、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスを用いる。こうした実施形態では、基板表面は、連続して、またはほぼ連続して、前駆体（または反応性ガス）に曝される。本書全体で使用する「ほぼ連続して」という用語は、前駆体への曝露の継続時間の大半は、共試薬への曝露と重ならないが、いくらかは重なってよいことを意味する。本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用する場合、「前駆体」、「反応物質」、「反応性ガス」などの用語は、基板表面と反応することができる任意のガス種を指すために、交換可能に使用される。
【００１２】
図１は、頂部１０１、底部１０２、及び側部１０３を有する処理チャンバ１００の断面を示す。処理チャンバ１００は、注入器または注入器アセンブリとも呼ばれるガス分配アセンブリ１２０、及びサセプタアセンブリ１４０を含む。ガス分配アセンブリ１２０は、処理チャンバ内で使用される任意のタイプのガス供給デバイスである。ガス分配アセンブリ１２０は、サセプタアセンブリ１４０に面する前面１２１を含む。前面１２１は、サセプタアセンブリ１４０に向けてガス流を供給するための、任意の数または型の開口を有することができる。ガス分配アセンブリ１２０は、外周端１２４もまた含む。示される実施形態では、外周端はほぼ円形である。
【００１３】
使用するガス分配アセンブリ１２０の具体的なタイプは、使用する特定の処理に応じて変えることができる。本開示の実施形態は、サセプタとガス分配アセンブリとの間の間隙が制御される、任意のタイプの処理システムと共に使用することができる。様々なタイプのガス分配アセンブリ（例えばシャワーヘッド）を採用することができるが、本開示の実施形態は、複数のほぼ平行なガスチャネルを有する、空間ＡＬＤガス分配アセンブリを用いると、特に有用であり得る。本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用する場合、「ほぼ平行」という用語は、ガスチャネルの長手軸が概して同じ方向に延びていることを意味する。ガスチャネル間の平行性に、わずかな不完全性はあり得る。複数のほぼ平行なガスチャネルは、少なくとも１つの第１反応性ガスＡのチャネル、少なくとも１つの第２反応性ガスＢのチャネル、少なくとも１つのパージガスＰのチャネル、及び／または少なくとも１つの真空Ｖのチャネルを含むことができる。第１反応性ガスＡのチャネル、第２反応性ガスＢのチャネル、及びパージガスＰのチャネルから流れるガスは、ウエハの頂面に向けられる。ガス流のうちの一部は、ウエハの表面をわたって水平に移動し、パージガスＰのチャネルを通って処理領域の外へ移動する。ガス分配アセンブリの一端から他端へと移動している基板は、各処理ガスに順番に曝露され、基板表面上に層が形成される。
【００１４】
ある実施形態では、ガス分配アセンブリ１２０は、単一の注入器ユニットから作られた剛性の静止物体である。１つ以上の実施形態では、図２に示すように、ガス分配アセンブリ１２０は複数の個別のセクター（例えば複数の注入器ユニット１２２）から構成されている。一体成形の本体であるか、またはマルチセクターの本体であるか、のいずれであっても、示される本開示の様々な実施形態で使用することができる。
【００１５】
サセプタアセンブリ１４０は、ガス分配アセンブリ１２０の下に置かれている。サセプタアセンブリ１４０は、頂面１４１と、頂面１４１内にある少なくとも１つの凹部１４２とを含む。サセプタアセンブリ１４０は、底面１４３及び端面１４４もまた有する。凹部１４２は、処理される基板６０の形状及びサイズに応じて、任意の適切な形状及びサイズであることができる。図１に示す実施形態では、凹部１４２は、ウエハの底部を支持するために平坦な底部を有しているが、凹部の底部は様々であることができる。ある実施形態では、凹部は、凹部の外周端の周りに段差領域を有する。段差領域は、ウエハの外周端を支持するようにサイズ決めされている。段差によって支持されるウエハの外周端の寸法は、例えば、ウエハの厚さと、ウエハの裏側に既にある特徴部の存在とに応じて、様々であることができる。
【００１６】
ある実施形態では、図１に示すように、サセプタアセンブリ１４０の頂面１４１内の凹部１４２は、凹部１４２内で支持されている基板６０の頂面６１が、サセプタ１４０の頂面１４１とほぼ同一平面上なるようにして、サイズ決めされる。本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される場合、「ほぼ同一平面上」という表現は、ウエハの頂面とサセプタアセンブリの頂面が、±０．２ｍｍ以内で同一平面上にあることを意味する。ある実施形態では、これらの頂面同士は、±０．１５ｍｍ、±０．１０ｍｍ、または±０．０５ｍｍ以内で同一平面上にある。
【００１７】
図１のサセプタアセンブリ１４０は、サセプタアセンブリ１４０を上昇、下降及び回転させることが可能な、支持体ポスト１６０を含む。サセプタアセンブリは、支持体ポスト１６０の中心部内に、ヒータ１０５、またはガスライン（図示せず）、または電子部品（図示せず）を含んでいてよい。支持体ポスト１６０は、サセプタアセンブリ１４０を適正な位置へと移動させて、サセプタアセンブリ１４０とガス分配アセンブリ１２０との間の間隙を広げるかまたは狭める、主たる手段であってよい。サセプタアセンブリ１４０は、サセプタアセンブリ１４０に対してマイクロアジャストメントを行って、サセプタアセンブリ１４０とガス分配アセンブリ１２０との間に所定の間隙１７０を作製することができる、微調整アクチュエータ１６２もまた含んでいてよい。ある実施形態では、間隙１７０の距離は、約０．１ｍｍから約５．０ｍｍまでの範囲内、もしくは約０．１ｍｍから約３．０ｍｍまでの範囲内、もしくは約０．１ｍｍから約２．０ｍｍまで範囲内、もしくは約０．２ｍｍから約１．８ｍｍまでの範囲内、もしくは約０．３ｍｍから約１．７ｍｍまでの範囲内、もしくは約０．４ｍｍから約１．６ｍｍまでの範囲内、もしくは約０．５ｍｍから約１．５ｍｍまでの範囲内、もしくは約０．６ｍｍから約１．４ｍｍまでの範囲内、もしくは約０．７ｍｍから約１．３ｍｍまでの範囲内、もしくは約０．８ｍｍから約１．２ｍｍまでの範囲内、もしくは約０．９ｍｍから約１．１ｍｍまでの範囲内、または約１ｍｍである。
【００１８】
ヒータ１０５は、サセプタアセンブリ１４０の部品であるか、または別個の部品であることができる。図１に示すヒータ１０５は、サセプタアセンブリ１４０の底面１４３から距離Ｄだけ下方に位置している。ヒータ１０５からのエネルギーは、サセプタアセンブリ１４０に影響を与え、サセプタアセンブリ１４０と、サセプタアセンブリ１４０に支持されている基板６０の温度を上昇させる。ヒータ１０５は、抵抗ヒータか、または複数のランプであることができる。
【００１９】
ヒータ１０５は、サセプタアセンブリ１４０もしくは支持体ポスト１６０、または別個のヒータ支持体１０７に接続され、支持されることができる。ヒータ支持体１０７は、ヒータ１０５よりも小さいか、または大きいものであることができる。図１は、ヒータ１０５及びヒータ支持体１０７を断面図で示しているが、当業者は、処理チャンバ１００の一部または全部の部品が三次元であることを理解するであろう。例えば、図１のヒータ１０５は円筒形の形状であり、中央の開口１０８があって、支持体ポスト１６０が貫通できるようになっている。この構成によって、支持体ポスト１６０が、ヒータ１０５から独立してサセプタアセンブリ１４０を動かすことが可能になっている。
【００２０】
ある実施形態では、ヒータ１０５と、処理チャンバ１００の底部及び／または側部（図示せず）の間に、リフレクタ１０９が置かれている。リフレクタ１０９は、処理チャンバに影響するヒータ１０５からの放射エネルギーの量を減少させることによって、処理チャンバに対する損傷の防止に役立つことができる。ある実施形態のヒータ支持体１０７はまた、リフレクタでもある。
【００２１】
図面に示す処理チャンバ１００は、内部でサセプタアセンブリ１４０が複数の基板６０を保持できる、カルーセル型のチャンバである。図２に示すように、ガス分配アセンブリ１２０は、複数の別々の注入器ユニット１２２を含み得る。各注入器ユニット１２２は、ウエハが注入器ユニットの下方を移動する際に、ウエハ上に膜を堆積することが可能である。２つのパイ形状の注入器ユニット１２２が、サセプタアセンブリ１４０のほぼ両端に、サセプタアセンブリ１４０の上方に置かれて示されている。この注入器ユニット１２２の数は、例示目的のためにのみ示されている。含まれる注入器ユニット１２２の数が、より多いかまたはより少ないことが可能であるのは、理解されよう。ある実施形態では、サセプタアセンブリ１４０の形状に一致する形状を形成するのに十分な数の、パイ形状の注入器ユニット１２２が存在している。ある実施形態では、個別のパイ形状の注入器ユニット１２２のそれぞれは、他の注入器ユニット１２２のいずれかに影響を与えることなく、独立して移動させ、取り外し、及び／または交換することができる。例えば、基板６０をロード／アンロードするために、サセプタアセンブリ１４０とガス分配アセンブリ１２０との間の領域にロボットがアクセスできるように、１つのセグメントを上昇させてよい。
【００２２】
複数のウエハが同じ処理の流れを受けるようにして、これらのウエハを同時に処理するため、複数のガス注入器を有する処理チャンバを使用することができる。例えば、図３に示すように、処理チャンバ１００は、４つのガス注入アセンブリ及び４つの基板６０を有する。処理開始の際、基板６０は、ガス分配アセンブリ１２０の間に置くことができる。サセプタアセンブリ１４０を４５度回転１７する結果、ガス分配アセンブリ１２０の間にある各基板６０は、ガス分配アセンブリ１２０の下に点線円で示されているように、膜堆積のためにガス分配アセンブリ１２０のところに移動されるであろう。さらに４５度回転させることによって、基板６０は、ガス分配アセンブリ１２０から離れる方向に移動する。空間的ＡＬＤ注入器によって、ウエハが注入器アセンブリに対して移動する間に、ウエハ上に膜が堆積される。ある実施形態では、サセプタアセンブリ１４０は、基板６０がガス分配アセンブリ１２０の下で停止しないような増分で、回転される。基板６０とガス分配アセンブリ１２０の数は、同一であるか、または異なっていることができる。ある実施形態では、ガス分配アセンブリと同一の数のウエハが処理される。１つ以上の実施形態では、処理されるウエハの数は、ガス分配アセンブリの数の分数または整数倍である。例えば、４つのガス分配アセンブリが存在する場合、処理されるウエハの数は４ｘとなる。ここでｘは、１以上の整数値である。
【００２３】
図３に示す処理チャンバ１００は、単に１つの可能な構成を表すものであり、本開示の範囲を限定すると見なされるべきではない。ここでは、処理チャンバ１００は、複数のガス分配アセンブリ１２０を含む。図示されている実施形態では、処理チャンバ１００を取り巻いて均等に離間している、４つのガス分配アセンブリ（ガス分配アセンブリ１２０とも呼ばれる）が存在する。図示されている処理チャンバ１００は八角形であるが、これは可能な形状の１つであり、本開示の範囲を限定すると見なされるべきではないことは、当業者には理解されよう。示されているガス分配アセンブリ１２０は台形であるが、ガス分配アセンブリ１２０は、単一の円形の部品であることもできるし、または、図２に示すもののように、複数のパイ形状のセグメントから構成されていることもできる。
【００２４】
図３に示す実施形態は、ロードロックチャンバ１８０、またはバッファステーションのような補助チャンバを含んでいる。例えば基板（基板６０とも呼ばれる）を処理チャンバ１００との間でロード／アンロードするのを可能にするため、このチャンバ１８０は、処理チャンバ１００の側面に接続されている。基板をサセプタ上に移動するため、チャンバ１８０内にウエハロボットが置かれてよい。
【００２５】
カルーセル（例えばサセプタアセンブリ１４０）の回転は、連続的または非連続的であることができる。連続処理においては、ウエハがそれぞれの注入器に順に曝露されるように、ウエハは恒常的に回転している。非連続処理においては、ウエハを注入器の領域へと移動させて停止させ、次いで、注入器間の領域８４へと移動させて停止させることができる。例えば、カルーセルは、ウエハが注入器間領域から注入器を越えて移動し（または、注入器に隣接して停止し）、そして次の注入器間領域へと移動し、そこでカルーセルが再度休止し得るようにして、回転することができる。注入器間で休止することにより、各層の堆積の間に追加の処理ステップ（例えば、プラズマへの曝露）のための時間が付与されてよい。
【００２６】
図４は、注入器ユニット１２２と呼ばれ得る、ガス分配アセンブリ１２０の一セクターまたは一部分を示している。注入器ユニット１２２は、個々に、または他の注入器ユニットと組み合わせて、使用することができる。例えば、図５に示すように、図４の注入器ユニット１２２が４つ組み合わされて、単一のガス分配アセンブリ１２０を形成している（分かりやすくするため、４つの注入器ユニットを区切る線は示されていない）。図４の注入器ユニット１２２は、パージガスポート１５５及び真空ポート１４５に加えて、第１反応性ガスポート１２５と第２反応性ガスポート１３５の両方を有しているが、注入器ユニット１２２は、これらの部品の全てを必要とするわけではない。
【００２７】
図４と図５の両方を参照すると、１つ以上の実施形態によるガス分配アセンブリ１２０は、複数のセクター（または注入器ユニット１２２）を備えていてよく、各セクターは同一であるか、または異なっていてよい。ガス分配アセンブリ１２０は、処理チャンバ内に置かれており、ガス分配アセンブリ１２０の前面１２１内に、複数の長形のガスポート１２５、１３５、１４５を備えている。複数の長形のガスポート１２５、１３５、１４５、１５５は、内周端１２３に隣接したエリアから、ガス分配アセンブリ１２０の外周端１２４に隣接したエリアに向かって、延びている。図示されている複数のガスポートは、第１反応性ガスポート１２５、第２反応性ガスポート１３５、第１反応性ガスポートと第２反応性ガスポートのそれぞれを取り囲む真空ポート１４５、及びパージガスポート１５５を含む。
【００２８】
図４または図５に示す実施形態に関連して、ポートが少なくとも内周領域周辺から少なくとも外周領域周辺まで延びていると述べるとき、ポートは、単に内側領域から外側領域まで径方向に延びているだけではない。ポートは、真空ポート１４５が反応性ガスポート１２５及び反応性ガスポート１３５を取り囲むように、接線方向に延びることができる。図４及び図５に示す実施形態では、楔形の反応性ガスポート１２５、１３５は、真空ポート１４５によって、内周領域及び外周領域に隣接する端面を含む、全ての端面を取り囲まれている。
【００２９】
図４を参照すると、基板が経路１２７に沿って移動する際に、基板表面の各部分は、様々な反応性ガスに曝露される。経路１２７を辿ると、基板は、パージガスポート１５５、真空ポート１４５、第１反応性ガスポート１２５、真空ポート１４５、パージガスポート１５５、真空ポート１４５、第２反応性ガスポート１３５、そして、真空ポート１４５に曝露され、すなわちそれらを「経験する（ｓｅｅ）」ことになる。こうして、基板は、図４に示す経路１２７の終わりには、第１反応性ガスポート１２５及び第２反応性ガスポート１３５からのガス流に曝露されており、層が形成されている。図示されている注入器ユニット１２２は、四分円となっているが、より大きいか、またはより小さいものであることができる。図５に示すガス分配アセンブリ１２０は、図４の注入器ユニット１２２を４つ連続して接続した、組み合わせであるとみなすことができる。
【００３０】
図４の注入器ユニット１２２は、複数の反応性ガスを分離するガスカーテン１５０を示している。「ガスカーテン（ｇａｓ  ｃｕｒｔａｉｎ）」という用語は、反応性ガスを混合しないように分離するための、ガス流または真空の任意の組み合わせを表すために使用される。図４に示すガスカーテン１５０は、真空ポート１４５の第１反応性ガスポート１２５に隣接する部分、中間のパージガスポート１５５、及び真空ポート１４５の第２反応性ガスポート１３５に隣接する部分を含む。ガス流と真空とのこの組み合わせは、第１反応性ガスと第２反応性ガスとの気相反応を防止または最小化するために使用することができる。
【００３１】
図５を参照すると、ガス分配アセンブリ１２０からのガス流と真空との組み合わせによって、複数の処理領域２５０への区切りが形成されている。２５０の間のガスカーテン１５０によって、個々の反応性ガスポート１２５、１３５の周囲に、各処理領域が大まかに画定されている。図５に示す実施形態は、８つの別々のガスカーテン１５０を間に備えた、８つの別々の処理領域２５０を構成している。１つの処理チャンバは、少なくとも２つの処理領域を有し得る。ある実施形態では、少なくとも３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、または１２個の処理領域が存在する。
【００３２】
基板は処理中の任意の所与の時点で、２つ以上の処理領域２５０に曝露され得る。しかし、別々の処理領域に曝露されている複数の部分は、その２つを分離するガスカーテンを有することになる。例えば、基板の前端部が第２反応性ガスポート１３５を含む処理領域に入る場合、基板の中央部はガスカーテン１５０の下にあり、かつ、基板の後端部は第１反応性ガスポート１２５を含む処理領域内にあることになる。
【００３３】
例えばロードロックチャンバであり得るファクトリインターフェース２８０が、処理チャンバ１００に接続されて図示されている。参照系を示すために、基板６０は、ガス分配アセンブリ１２０の上に重ね合わされて図示されている。基板６０はしばしば、サセプタアセンブリ上に置かれ、ガス分配アセンブリ１２０（ガス分配プレートとも呼ばれる）の前面１２１の近くに保持されてよい。基板６０は、ファクトリインターフェース２８０を介して、処理チャンバ１００内の基板支持体またはサセプタアセンブリ上にロードされる（図３参照）。基板６０が処理領域内に置かれた状態で図示することができるが、それは、その基板が、第１反応性ガスポート１２５に近接して、２つのガスカーテン１５０ａ、１５０ｂの間に位置しているからである。基板６０を経路１２７に沿って回転させることによって、基板は、処理チャンバ１００を回って反時計回りに移動する。こうして、基板６０は、第１の処理領域２５０ａから第８の処理領域２５０ｈまでの処理領域に、間にある全ての処理領域を含めて、曝露される。基板６０は、図示されているガス分配アセンブリを用いて、処理チャンバを回る各サイクルごとに、第１反応性ガス及び第２反応性ガスの４つのＡＬＤサイクルに露出される。
【００３４】
図５に示すようなバッチプロセッサ内における従来型のＡＬＤシーケンスでは、間にあるポンプ／パージ区域によって空間的に分離された注入器それぞれからの、化学物質Ａ及びＢの流れが維持される。従来型のＡＬＤシーケンスには開始と終了のパターンがあり、その結果、堆積される膜の非均一性が生じ得る。驚くべきことに、発明者らは、空間的ＡＬＤのバッチ処理チャンバ内で実施される時間ベースのＡＬＤ処理によって、より均一性の高い膜が提供されることを発見した。ガスＡ、非反応性ガス、ガスＢ、非反応性ガスに曝露する基本的プロセスは、基板を各注入器の下を掃くように通過させて表面を化学物質ＡとＢとでそれぞれ飽和させ、膜内に開始と終了のパターンが形成されるのを回避することである。驚くべきことに発明者らは、開始と終了のパターンが面内均一性の性能に重大な影響を与える、目標膜厚が薄い（例えば２０ＡＬＤサイクル未満である）場合に、時間ベースのアプローチが特に有益であることを発見した。発明者らはまた、本書に記載されるように、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＣＯ膜、及びＳｉＣＯＮ膜を作製する反応プロセスが、時間領域プロセスでは達成できないことも発見した。処理チャンバをパージするのに用いられる時間の量によって、基板表面から材料が除去される結果となる。記載されている空間的ＡＬＤプロセスでは、この除去は生じない。なぜならば、ガスカーテンの下にいる時間が短いからである。
【００３５】
したがって、本開示の実施形態は、複数の処理領域２５０ａ〜２５０ｈを有し、各処理領域がガスカーテン１５０によって隣接する領域から区切られている処理チャンバ１００を含む、処理方法を対象としている。例えば、図５に処理チャンバが示されている。処理チャンバ内のガスカーテン及び処理領域の数は、ガス流の構成に応じて任意の適切な数であり得る。図５に示す実施形態は、８つのガスカーテン１５０と、８つの処理領域２５０ａ〜２５０ｈを有する。ガスカーテンの数は、概して処理領域の数と等しいか、それよりも大きい。例えば、領域２５０ａが反応性ガス流を全く有しておらず、単にロード用エリアの役割を果たしている場合、処理チャンバは７つの処理領域と、８つのガスカーテンを有することになる。
【００３６】
複数の基板６０が、基板支持体上に、例えば図１及び図２に示すサセプタアセンブリ１４０上に、置かれている。複数の基板６０は、処理のために処理領域を回って回転される。概して、ガスカーテン１５０は、反応性ガスがチャンバ内に流入していない期間も含めて処理中ずっと、従事中である（ガスは流動しており、真空はオンになっている）。
【００３７】
第１反応ガスＡが１つ以上の処理領域２５０に流し込まれる一方、第１反応ガスＡが流入してない全ての処理領域２５０内に、不活性ガスが流し込まれる。例えば、第１の反応性ガスが処理領域２５０ｂから処理領域２５０ｈまでの全てに流入している場合、不活性ガスは、処理領域２５０ａに流入するであろう。不活性ガスは、第１反応性ガスポート１２５または第２反応性ガスポート１３５を通じて流し込まれることができる。
【００３８】
処理領域内の不活性ガス流は、一定であるかまたは変化することができる。ある実施形態では、反応性ガスが、不活性ガスと共流することができる。不活性ガスは、キャリアガス及び希釈ガスの役割を果たす。キャリアガスに対する反応性ガスの量が少ないので、共流することによって隣接する領域間の圧力差が減少し、処理領域間のガス圧の均衡が容易になり得る。
【００３９】
典型的なヒータ１０５では、基板の温度が有効な反応に十分なほど高くなり得ないかもしれない。例えば、支持されているウエハを加熱するためにサセプタアセンブリを加熱するのに、ランプでは、多くのエネルギーと時間がかかり得る。有利には、１つ以上の実施形態によって、従来型のヒータよりも高い温度までウエハを加熱することが可能になる。有利には、ある実施形態によって、粒子汚染を防止するか最小化するヒータが提供される。有利には、１つ以上の実施形態によって、黒鉛ヒータの酸化または反応を最小化する処理チャンバが提供される。
【００４０】
本開示の１つ以上の実施形態は、従来型のアルミニウム、ステンレス鋼、またはインコネル合金といった材料によるヒータやランプに代わる加熱源として、抵抗黒鉛ヒータを使用する。ある実施形態の抵抗黒鉛ヒータによって、様々な温度要件による処理にとって十分な加熱が提供される。様々な温度要件には、低温（例えば、ウエハの温度が約７５°Ｃ、抵抗ヒータの温度が約１００°Ｃ）、中温（例えば、ウエハの温度が約４５０°Ｃ、抵抗ヒータの温度が約５５０〜６００°Ｃ）、及び高温（例えば、ウエハの温度が約５５０°Ｃ〜７００°Ｃ超、抵抗ヒータの温度が約７２０°Ｃ〜９００°Ｃ超）が含まれる。ある実施形態では、黒鉛ヒータは、粒子汚染を防止するための被覆またはインシュレーターを有する。処理中の任意の時点における黒鉛の酸化または他のガスとの反応を防止するかまたは最小化するため、密閉されたチャンバ環境を、不活性ガスまたはバリアで満たすことができる。ある実施形態は、温度測定デバイス、電流及び／または電圧測定デバイスを含む。
【００４１】
図６は、本開示の１つ以上の実施形態による、加熱装置２００の実施形態を示す。図７は、加熱装置２００の切断図を示す。加熱装置２００は、任意の加熱目的用に使用することができ、ある実施形態では、バッチ処理チャンバと共に使用するようにサイズ決めされる。加熱装置２００は、頂面２０２、底面２０３、及び外縁２０４を有する、本体２０１を含む。図１に示すように、バッチ処理チャンバと共に使用する際には、加熱装置２００の頂面２０２は、サセプタアセンブリ１４０に隣接して、サセプタアセンブリ１４０からＤの距離に配置される。加熱装置２００はまた、基板支持体またはサセプタアセンブリの役割を果たすこともできる。例えば、図１に示すサセプタアセンブリ１４０は、加熱装置２００であることができる。
【００４２】
サセプタアセンブリ１４０から加熱装置２００の位置までの距離Ｄは、処理中に変更することもできるし、固定されていることもできる。ある実施形態では、加熱装置２００が使用中に置かれている距離Ｄは、約３０ｍｍから約１４０ｍｍの範囲であるか、または約５０ｍｍから約１２０ｍｍの範囲である。
【００４３】
再び図６及び図７を参照すると、図示されている加熱装置２００の本体２０１は、開口２０８を有し、開口２０８は、本体２０１の頂面２０２から底面２０３に延びている。開口２０８によって、加熱装置をある部品の周囲に置く際に、その部品に触れずに置くことが可能になってよい。例えば、図１は、サセプタアセンブリ１４０の支持体シャフト１６０の周囲にある加熱装置を示す。加熱装置またはシャフトのどちらにも損傷を生じ得る接触を防止するため、加熱装置とシャフトとの間には、空間があってよい。ある実施形態では、加熱装置２００は支持体シャフト１６０に接続されており、支持体シャフト１６０と一緒に回転する。
【００４４】
加熱装置としての黒鉛は、電気的接続の形成が困難なことと、処理中の粒子の形成と、酸素反応性とによって、バッチ処理チャンバ内で使用するのには課題を抱えていた。有利には、本開示の１つ以上の実施形態は、黒鉛加熱装置をバッチ処理チャンバ内に組み込んでいる。ある実施形態によると、加熱装置２００の本体２０１は、黒鉛製である。ある実施形態では、本体２０１はほぼ黒鉛のみを含んでいる。即ち、本体２０１の組成は、炭素が原子ベースで約９５％を超えている。ある実施形態では、本体の組成は、炭素が原子ベースで約９６％、９７％、９８％、９９％、９９．５％、または９９．９％を超えている。
【００４５】
図７を参照すると、加熱装置２００の頂面２０２の下に、加熱要素２１０が配置されている。示される実施形態では、加熱要素は、中央の領域またはゾーンを加熱する第１の抵抗加熱要素２１１と、外側の領域またはゾーンを加熱する第２の抵抗加熱要素２１２とを含む。この関連で使用する場合、「中央の」などは、加熱装置の重心付近の領域を表しており、そのため図７に示す実施形態の中央領域は、開口２０８の周辺である。この関連で使用する場合、「外側」などの用語は、部品の外周付近のエリアを表す。
【００４６】
ある実施形態の抵抗ヒータは、本体２０１の凹部２０６内に配置された、平面、円形、または他の形状であり得る、材料の連続した部分である。ある実施形態では、抵抗ヒータは、金属線の巻回体を含む。示されている実施形態は２つのゾーンを形成する２つの抵抗ヒータを有しているが、任意の数のゾーンまたは個別の加熱要素が存在し得ることを、当業者は理解するであろう。ある実施形態では、３つの抵抗ヒータが存在して、３つのゾーンを形成している。ある実施形態では、４つの抵抗ヒータが存在して、４つのゾーンを形成している。図７は、１つ以上の実施形態の加熱装置の半分を示す。加熱装置が、マッチする半分ずつの部分によって形成されていた場合、４つのゾーン即ち２つの内側ゾーンと２つの外側ゾーンを形成する４つの抵抗ヒータが存在し、内側ゾーンは、加熱装置の中心から外側ゾーンとは異なる半径で間隔を空けて配置されていることを、当業者は理解するであろう。様々な実施形態では、１、２、３、４、５、６、７、８、９またはそれよりも多くの放射状ゾーンが存在する。様々な実施形態では、１、２、３、４、５、６、７、８、９またはそれよりも多くの回転方向ゾーンが存在する。即ち、各ゾーンは重心からほぼ等距離にあり、円周上の種々の角度に位置している。
【００４７】
ある実施形態では、１つ以上の層の抵抗ヒータが存在する。例えば、２、３、または４つの抵抗ヒータが、互いの間にスペースを空けるかまたは空けずに、積み上げられていることができる。
【００４８】
全部または一部の抵抗加熱要素が、当該技術分野で周知の任意の適切な材料で作られていてよい。ある実施形態では、抵抗加熱要素は、本体２０１と同様の熱膨張係数を有する。抵抗加熱要素の適切な材料の一例は、熱分解黒鉛を含む。抵抗加熱要素は、例えばＣＶＤまたはＡＬＤ堆積によって、本体の凹部内に堆積することができる。
【００４９】
加熱装置２００の本体２０１は、約１０５０°Ｃ、１１００°Ｃ、１１５０°Ｃ、または１２００°Ｃと等しいかまたはそれらを超える温度に耐えることが、可能であってよい。ある実施形態の加熱装置は、サセプタアセンブリ１４０及び、サセプタアセンブリ１４０の頂面１４１上に置かれた基板６０を、約６５０°Ｃ、６７５°Ｃ、７００°Ｃ、７２０°Ｃ、７２５°Ｃ、７５０°Ｃ、７７５°Ｃ、または８００°Ｃ以上の温度まで加熱するのに十分である。
【００５０】
本体２０１は、高温と、ＣＶＤプロセス及びＡＬＤプロセスに関連する腐食物質に耐える材料である、熱分解被覆によって被覆されていてよい。適切な例は、限定しないが、熱分解黒鉛、熱分解窒化ホウ素、黒鉛粉末、ケイ酸塩ガラスバインダー入りの黒鉛粉末を含む。ある実施形態では、抵抗ヒータは、水性のケイ酸塩ガラスバインダー入りの黒鉛粉末で被覆され、次いでオーブン内で高温で硬化される。１つ以上の実施形態では、例えば熱分解窒化ホウ素といった熱分解材料が、本体の頂面２０２のいたる所に配置される。ある実施形態では、熱分解材料は、加熱装置の頂面、底面、及び外縁を含む、加熱装置の外表面のいたる所に配置される。
【００５１】
図８を参照すると、加熱装置２００は、適切な電源２２０に接続されている。ある実施形態では、加熱装置２００は、電力線２２２を通じて、４８０Ｖの電源２２０に接続されている。ある実施形態では、電源は、約１００Ｖから約５００Ｖの範囲の電力を有する。アーク放電を防止するため、ある実施形態では、限定しないが加熱装置２００の本体２０１を含む、電力線２２２及び／または他の部品の周囲に、インシュレーター２２３を含んでいてよい。図８は、電力線２２２の周囲のインシュレーター２２３と、加熱装置２００の周囲のインシュレーター２２４を示す。ある実施形態では、アーク放電を防止するため、電力線２２２は他の接続部から距離を置いている。
【００５２】
加熱装置２００が実質的にチャンバの他の部品（例えば支持体ポスト１６０）を加熱するのを防止するため、インシュレーターが用いられてよい。この関連で使用する場合、「実質的に加熱する」とは、その部品の耐用年数が２０％を超えて短縮されないことを意味する。適切なインシュレーターは、限定しないが、石英、セラミック、酸化アルミニウム繊維、アルミナシリカ繊維、セラミック繊維、及びサファイアを含む。ある実施形態では、インシュレーターは、加熱装置２００の本体２０１の熱膨張係数の２０（相対）％以内の熱膨張係数を有する。
【００５３】
各抵抗加熱要素２１１、２１２は、本体２０１を通って延び、各加熱要素に各電力を供給する、対応する電力線延長部（ｒｕｎｎｉｎｇ）２１３（図７参照）を有する。個別の電力線のそれぞれは、独立して制御することができる。もちろん、各抵抗加熱要素の回路を完成させるため、１つ以上の接地線（図示せず）が、同様に本体２０１を通って設けられていてよい。
【００５４】
図６を参照すると、ある実施形態の加熱装置２００は、１つ以上の開口２２７、２２８を含む。図６の右側に示す開口２２７は、複数の（この場合には３本の）リフトピンが加熱装置２００を貫通できるようにするために使用されてよい。図８を参照すると、ピン１７９（示されているのは１本のみ）が、サセプタアセンブリ１４０に届くように、加熱装置２００の開口２２７を貫通して延び得るようにして、加熱装置２００の下にリフトピンアセンブリ１７８が置かれている。リフトピンアセンブリは、サセプタアセンブリ１４０の加熱を妨げないようにして、加熱装置２００の下に置かれていてよい。
【００５５】
図６では、開口２２８は開口２２７よりも大きく、より大きい部品の貫通を可能にしている。例えば、開口２２８は、電力の接続（図示せず）が加熱装置２００を貫通できるようにするために設けられていてよい。開口２２７、２２８は、部品（例えばリフトピンまたは電力の接続）が本体２０１に接触することなく貫通できるようにして、サイズ決めされている。
【００５６】
ある実施形態は、少なくとも１つの温度測定デバイスを含む。温度測定デバイスは、加熱装置２００、加熱要素２１１、２１２に接続されているか、または加熱装置から離れていることができる。図７を参照すると、温度測定デバイス２１４が加熱要素２１２に接続されているが、加熱要素の全部または一部に接続された追加の温度測定デバイス２１４が存在し得ることを、当業者は理解するであろう。ある実施形態では、温度測定デバイスは、個別の加熱要素２１１、２１２のそれぞれボルト数またはアンペア数を測定するため、電圧計または電流計のうちの１つ以上を備えている。
【００５７】
ある実施形態では、温度測定デバイス２１５（図６参照）は、加熱装置２００の本体２０１の温度を直接測定するため、加熱装置２００の本体２０１に接触している。限定しないが、温度測定デバイスの適切な例は、サーミスタ及び熱電対を含む。
【００５８】
ある実施形態では、温度測定デバイス２１６（図８参照）は、加熱装置２００から離れて位置している。例えば、加熱装置２００の本体２０１もしくはサセプタアセンブリ１４０、または基板６０の温度を測定するため、光高温計が置かれていてよい。
【００５９】
望ましくない粒子の形成を防止するかまたは最小化するため、ある実施形態は、加熱装置２００の周囲を覆う不活性ガスを含む。図１を参照すると、パージガス注入器１０６が、不活性ガスの流れを加熱装置２００に向けるようにして配置されている。理論に拘束されるものではないが、不活性ガスの覆いによって、粒子を形成し得るような黒鉛本体の反応は防止され得る。不活性ガスの覆いを用いることは、（もし存在する場合に）酸素と黒鉛本体２０１との反応を防止するのにもまた役立つ。
【００６０】
ある実施形態では、加熱装置２００の周囲のインシュレーター２２４（図８参照）によって、黒鉛本体２０１との反応の可能性が最小化される。ある実施形態のインシュレーター２２４は石英であり、本体２０１の周りに、電気的接続が可能な筐体を形成している。石英のインシュレーターの存在は、加熱効率に対して最小限の影響か、または無視し得る影響しか与えない。なぜならば、石英は、加熱装置２００からの放射熱に対して透過的だからである。加熱装置２００がサセプタアセンブリに近接し過ぎている場合には、伝導加熱の影響が検出可能であり得る。当業者には容易に理解されるように、リフトピン１７９または他の部品が本体２０１の開口２２７、２２８を貫通する必要がある場合、筐体内に適切にサイズ決めされ位置決めされた開口が存在するであろう。ある実施形態では、本体２０１の開口２２７は、リフトピン１７９が加熱装置本体２０１から約５ｍｍ〜約１５ｍｍの範囲のクリアランスを有するようにして、サイズ決めされ位置決めされている。
【００６１】
ある実施形態では、加熱装置２００の底面２０３と処理チャンバ１００の底部１０２との間に、リフレクタ１０９（図８参照）が置かれている。リフレクタ１０９は、加熱装置２００からの放射熱が処理チャンバに影響するのを防止するのに有用であり得る。リフレクタ１０９はまた、放射エネルギーをサセプタアセンブリに向けてリダイレクトして効率を高めるのにも、有用であり得る。限定しないが、適切なリフレクタは、アルミニウム、銀、ステンレス鋼、ニッケルめっきステンレス鋼、酸化ケイ素めっきステンレス鋼、銀めっきまたは金めっきアルミニウム、銀めっきまたは金めっきステンレス鋼、高反射率または高放射率の材料、及びステンレス鋼上に塗装された高反射率または高放射率の材料を含む。リフレクタ１０９は、加熱装置２００及びチャンバ１００の底部１０２から、任意の適切な距離に置くことができる。ある実施形態では、リフレクタ１０９は、加熱装置２００から約１０ｍｍ〜約４０ｍｍの範囲の距離に置かれている。
【００６２】
図７に示すとおり、加熱装置２００を制御するために、制御システム２９５が使用されてよい。制御システム２９５は、ＣＶＤシステムまたはＡＬＤシステム用の制御システムの一部であってよく、加熱装置２００に電気的に接続されている。加熱装置２００と制御システム２９５は、合わせて、加熱システムを形成している。制御システム２９５の物理的実装に関して、数々の可能性が利用可能であり、当業者に知られている。制御システムの任意の適切な実装が使用されてよく、本開示の読了後には、詳細な制御システム２９５を設けることは、当業者の日常業務となるはずである。
【００６３】
一実施形態によると、制御システム２９５は、ユーザ入出力（Ｉ／Ｏ）システム２９６、温度入力２９７、及びフィードバック制御回路２９８を含む。ユーザＩ／Ｏシステム２９６は、ユーザが、サセプタもしくは基板の目標温度、または抵抗ヒータのボルト数もしくはアンペア数を選択することを可能にする、ユーザインターフェースを提供する。
【００６４】
温度入力２９７は、リアルタイムで現在温度を取得するため、温度測定デバイスに電気的に接続されていてよい。その結果、温度入力２９７は、この現在温度をフィードバック制御回路２９８に渡す。フィードバック制御回路２９８は、当該技術分野で周知の態様で、現在温度及び目標温度を入力として受信し、加熱電力制御出力を生成する。加熱電力制御出力の目的は、抵抗ヒータに送達された電力を制御して、温度測定デバイスによって測定された温度が、目標温度を可能な限り近接して追尾するようにすることである。フィードバック制御回路２９８は、当該技術分野で既知の任意の適切なフィードバック制御方法を採用するように設計されていてよい。
【００６５】
加熱装置を制御するためのこの制御システムが、複数の温度測定デバイスまたはセンサを備えていてよいことを、当業者は認識するであろう。各温度センサは、単一の領域またはゾーンの温度を測定してよい。温度センサは、熱電対、高温計、または他の適切な温度感知デバイスを含んでいてよい。異なるタイプの温度センサの組み合わせも、使用されてよい。
【００６６】
本書の開示は具体的な実施形態を参照して説明されているが、これらの実施形態が本開示の原理及び用途の単なる例示であることは理解されたい。本開示の趣旨及び範囲から逸脱することなく、本開示の方法、装置、及びシステムに対して、様々な修正及び変形を行い得ることは、当業者には明らかであろう。例えば、ステージ本体の外側領域は、４つのゾーンのみに分割されるのではなく、１よりも大きい任意の数のゾーンに分割されてよい。ある実施形態では、これらのゾーンのそれぞれに、それぞれの加熱出力比が設けられている。また、抵抗ヒータのゾーンは、互いに重なり合ってよい。様々な加熱要素は、ステージ本体の帳面にあってもよく、底面にあってもよく、ステージ本体にはめ込まれていてもよい。ゾーンごとの温度測定は、複数の温度測定デバイス（熱電対、高温計など）を利用することによってなされてよい。このように、本開示は、添付の特許請求の範囲及びその均等物の範囲内にある、修正及び変形を含むことが意図されている。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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