(57)【要約】  本発明は、横枝内の少なくとも１つの第一の粗保護アレスタパスと、縦及び横方向パス内の少なくとも１つの第二の微細保護アレスタパスと、電気的絶縁サージ電流測定デバイスと、第一のアレスタパスに配置された、第一のアレスタパスに位置する過電圧アレスタの物理的状態に対する監視デバイスと、を備えてなる、多段調整過電圧アレスタ回路に関する。本発明によれば、同様に、物理的状態のための監視デバイスが、第二のアレスタパス内の過電圧アレスタに割り当てられ、各過電圧アレスタの温度の判定は、状態監視として実行され、各過電圧アレスタで変換されたエネルギーは、得られた温度、及び、温度上昇時間から判定され、このことから各過電圧アレスタへの損傷の可能性の判定が行われる。【選択図】図１
2018511286.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多段調整過電圧アレスタ回路であって、
横枝内の少なくとも１つの第一の粗保護アレスタパス、並びに縦及び横方向パス内の少なくとも１つの第二の微細保護アレスタパスと、
電気的に絶縁されたサージ電流測定デバイスと、
前記第一のアレスタパスに配置された、前記第一のアレスタパス内に位置する前記過電圧アレスタの物理的状態のための監視デバイスと、を有し、
物理的状態のための監視デバイスが、前記第第二のアレスタパス内の前記過電圧アレスタに同様に割り当てられ、
前記各過電圧アレスタの温度の判定が、前記状態監視として実行され、
前記各過電圧アレスタ内で変換されたエネルギーは、前記得られた温度及び前記温度の上昇時間から判定され、このことから、前記各過電圧アレスタへの損傷の可能性の判定が行われることを特徴とする、多段調整過電圧アレスタ回路。
【請求項２】
前記過電圧アレスタの前記判定された損傷を合算して表示ユニットに表示するか又は上位評価ユニットに送信する、評価ユニットが提供されることを特徴とする、請求項１に記載の過電圧アレスタ回路。
【請求項３】
熱伝導性であるが、電気的に絶縁された熱電対（Ｔ１；Ｔ２；Ｔ３；Ｔ４）が、前記使用される過電圧アレスタ（Ａ１；Ｒ１；Ｒ２；Ｖ１）の全てで提供され、
測定コイル（Ｉ）が、前記電流測定デバイスとして前記第一のアレスタパス上に形成されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の過電圧アレスタ回路。
【請求項４】
前記第一のアレスタパスでは、前記過電圧事象で発生する前記ピーク電流と、そこで使用されている前記過電圧アレスタ（Ａ１）の前記温度変化とが検出され、これらの値から、等価矩形パルスが損傷評価のために判定されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の過電圧アレスタ回路。
【請求項５】
所定の電流閾値を超える場合、前記使用されるアレスタ（Ａ１）は、不良品であると評価されることを特徴とする、請求項４に記載の過電圧アレスタ回路。
【請求項６】
前記第二のアレスタパスにおける前記過電圧アレスタ（Ｒ１；Ｒ２；Ｖ１）の前記損傷又は前記エージング挙動を判定するために、前記使用されるアレスタの前記パルス電圧依存性加熱挙動が評価されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の過電圧アレスタ回路。
【請求項７】
半導体デバイス（Ｖ１）が前記横枝内に配置され、線形オーミック抵抗器（Ｒ１；Ｒ２）が前記第二のアレスタパス内の前記縦方向パス内に配置されることを特徴とする、請求項６に記載の過電圧アレスタ回路。
【請求項８】
前記第二のアレスタパスが、前記微細保護を実現し、前記半導体デバイスが、一つまたは複数のダイオードアセンブリ（Ｖ１）として、特に、サプレッサダイオードとして、形成されることを特徴とする、請求項７に記載の過電圧アレスタ回路。
【請求項９】
前記第二のアレスタパスにおける前記電流積分と前記ダイオードアセンブリ（Ｖ１）の前記特性曲線データから、前記各接合部温度が判定され、これから、前記アセンブリの損傷が確認されることを特徴とする、請求項８に記載の過電圧アレスタ回路。
【請求項１０】
前記第二のアレスタパスにおける前記電流積分は、前記温度測定を介して確認することができる前記線形抵抗器（Ｒ１；Ｒ２）で変換された前記エネルギーから間接的に導出されることを特徴とする、請求項９に記載の過電圧アレスタ回路。
【請求項１１】
前記監視デバイス（Ｔ１；Ｔ２；Ｔ３；Ｔ４）及び前記電流測定デバイス（Ｉ）は、別個の配線キャリア上に位置付けられるアセンブリとして形成されることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の過電圧アレスタ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多段調整過電圧アレスタ回路であって、横枝内の少なくとも１つの第一の粗保護アレスタパスと、縦及び横方向パス内の少なくとも１つの第二の微細保護アレスタパスと、電気的絶縁サージ電流測定デバイスと、第一のアレスタパスに配置された、第一のアレスタパスに位置する過電圧アレスタの物理的状態に対する監視デバイスと、を備えてなる、請求項１のプレアンプルに従った多段調整過電圧アレスタ回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
独国特許公報DE 10 2004 006 987 B3によれば、低電圧網又は情報技術における過電圧保護デバイスの無線ベース状態監視のための構成により、一又は複数の温度の閾値に基づいて欠陥を認識できることが既に知られている。
【０００３】
国際公開第２０１１／０５８３８１号によれば、現在の技術でのサージ保護デバイス用の診断回路は、センサによって前記サージ保護デバイス内の高速過渡電流負荷を記録することができる。その解決策によれば、電流パルスの数が、更に評価デバイスに記憶される。その場合、記録されたパルス数を通じて、サージ保護デバイスの状態の評価を行うことができる。
【０００４】
独国公開公報DE 10 2008 016 585 A1には、過電圧保護デバイスにおける電圧曲線を検出し、診断デバイスを用いてその電圧曲線を評価する測定デバイスが開示されている。振幅、勾配、電圧値範囲、及び時間特性などの電圧曲線の特性を通じて、過電圧保護デバイスの機能状態の判定が行われる。
【０００５】
欧州公開公報第２５７４９４０号は、消費電流の誘導監視のための構成を示している。この構成は、過電圧保護デバイスと直列に配置され、通信インターフェースに加えて誘導コイルと、積分器と、評価ユニットと、表示ユニットとを有する。
【０００６】
独国公開公報DE 10 2011 110 252 A1に開示された状態監視又は診断システム並びにこれに関連する方法では、過電圧保護デバイスの状態の評価が実施される。各デバイスは、ハウジング内に収容された機能的部品を備える。この機能的部品は、過電圧保護部品とすることができ、例えば、これが監視される。更には、デバイス内の機能的部品を監視し、機能的部品の現在状態に関する情報を送信することができる、監視及び送信装置が提供される。情報のポーリングは、読取デバイスによって実行される。各デバイスの監視および送信装置は、受動電子部品による共振回路からなる。この点で、抵抗器、キャパシタ、又はインダクタが使用される。監視及び送信装置は、能動部品を含まず、特にＲＦＩＤトランスポンダもＲＦＩＤチップも含まない。
【０００７】
欧州公開公報第２６７５０３２号により、多段サージ保護デバイスの診断方法は既に知られている。対応するサージ保護デバイスは、第一の段としての少なくとも１つのガス放電セクションと、第二の段としての出力と基準電位との間に設けられた少なくとも１つのダイオードセクションと、入力と出力との間に接続された少なくとも１つのデカップリングインダクタとを含む。既知の診断方法は、二次電圧が、誘導効果でデカップリングインダクタと結合している二次インダクタで測定され、この二次電圧が過電圧事象に関して評価されることを特徴とする。
【０００８】
独国公開公報 DE 11 2010 004 351 T5に開示された、サージ保護監視デバイスを有する電気回路では、監視デバイスは、サージ保護デバイス内の電気事象をチェックし、電気的高速過渡障害による閾値電圧の違反を検出する目的を果たす。具体的には、監視デバイスは、サージ保護デバイスを流れる電流によって誘導される、すなわち、検出手段としての誘導性又は容量性の監視手段によって誘導される、電磁場又は静電場を利用する。この点で、既知の監視デバイスは、サージ保護デバイスの周りに軸方向に巻かれ、及び／又は導体路若しくは回路基板のリードとしてサージ保護デバイス内に配置される、コイル配線又は回路基板導体トラックとすることができる。さらに、検出に関しては、他の様々な方法を用いることができる。監視デバイスは、例えば、サージ保護デバイス内の物理的状態の変化を検出するように構成されたセンサを備えることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来技術によって提示されている解決策では、多段調整過電圧アレスタ回路の状態を連続的に監視することができないことが共通している。損傷状況の瞬時読み取りや表示は、状況に応じて保護回路の更なる有用性に関する指標を提供するが、連続状態の評価を可能にしないことは事実である。
【００１０】
過電圧アレスタの温度のみが監視されている場合、保護素子の短期の高過負荷を認識することができない。しかしながら、アレスタパスを流れる電流がチェックされている場合、長期の熱過負荷を必要な精度で記録することはできない。上述の検出の問題は、例えば、保護デバイスの不適切な使用によって、又は長期間の過電圧の場合に、高い周囲温度が生じたことによって起こり得るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の課題は、請求項１に記載の特徴の組合せによる監視特性を有する多段調整過電圧アレスタ回路によって解決され、従属請求項は、少なくとも適切な構成及び改善策を提示する。
【００１２】
よって、横枝に少なくとも１つの第一の粗保護アレスタパスを有し、縦方向及び横方向パスに少なくとも１つの第二の微細保護アレスタパスを有する、多段調整過電圧アレスタ回路を基礎としている。ここで、「調整」という用語は、粗保護と微細保護との間の特性の調整として解釈されるべきである。
【００１３】
電気的絶縁電流測定デバイス、及び第一のアレスタパス内に位置する過電圧アレスタの物理的状態のための監視デバイスが、第一のアレスタパスに配置される。
【００１４】
本発明によれば、同様に、物理的状態のための監視デバイスが、第二のアレスタパス内の過電圧アレスタに割り当てられる。
【００１５】
各過電圧アレスタの温度の判定は、粗保護アレスタパス及び第二アレスタパスの両方に関する状態監視として実行され、各過電圧アレスタで変換されたエネルギーは、得られた温度、特に、温度上昇時間から判定され、このことから各過電圧アレスタへの損傷の可能性の判定が行われる。第一のアレスタパスに位置付けられた電気的絶縁電流測定デバイスは、過電圧事象におけるサージ電流の解析を実行することができ、使用される温度センサは、第一のアレスタパスにおけるアレスタ要素の温度を判定し、過電圧アレスタ、例えば、ガスアレスタの連続負荷についての解析を実行することができる。
【００１６】
従って、本発明の基本的な考え方によれば、いくつかのセンサが過電圧アレスタに対して配置され、センサによって提供されたデータが評価ユニットに供給されて、実際の保護回路又は監視される保護素子、すなわち過電圧アレスタの、エージング又は欠陥が診断される。モデル関数と併せて全ての測定値を考慮したことにより、電圧、電流、時間などの負荷のパラメータについて結論を導くことができ、その結果、エージング又は欠陥に関する状態を最終的に評価することができる。一方で、使用される測定原理に関する基本的なアプローチは、負荷に関連する急激に変化する電流が誘導法によって検出できることである。この点で、測定コイルは、本発明の構成における第一の粗保護アレスタパス内の電流パスの両端に配置することができる。
【００１７】
使用される温度センサは、使用される各過電圧アレスタの温度測定値を提供する。
【００１８】
評価に関しては、温度及び電流値の変化が、第一のステップで判定される。その場合、変化値から、過電圧アレスタの内部温度が計算され、その際には、使用される部品の既知の特性曲線又は他のパラメータが適用される。
【００１９】
更に、評価ユニットは、集計し、表示ユニットを介して表示し、又は過電圧アレスタの検出された損傷を上位評価ユニットに送信することができ、このことは、有線又は無線の両方の態様で実行することができる。
【００２０】
本発明の基本的な考えによれば、熱電対は、特に、電流測定デバイスとして第一のアレスタパス上に形成される上記の測定コイルと共に、使用される過電圧アレスタの全てについて熱伝導ではあるが、電気的に絶縁された方式で温度センサとして提供される。
【００２１】
第一のアレスタパスでは、過電圧事象で発生するピーク電流と、そこで使用されている過電圧アレスタの温度変化とが検出され、これらの値から、等価矩形パルスが損傷評価のために判定される。
【００２２】
所定の電流閾値を超える場合、使用されたアレスタは不良品と見なされる。
【００２３】
第二のアレスタパスにおける過電圧アレスタの損傷又はエージング挙動を判定するために、使用されるアレスタのパルス電圧依存性加熱挙動が解析される。
【００２４】
本発明の好ましい構成では、半導体デバイスが横枝内に配置され、線形のオーミック抵抗器が第二のアレスタパス内の縦方向パス内に配置される。この第二のアレスタパスは、一又は複数のダイオードアセンブリとしての半導体デバイスを含むことで、特に、半導体デバイスの好ましい実施形態におけるサプレッサダイオードとして含むことで、装置全体の優れた保護を実現する。
【００２５】
第二のアレスタパスにおける電流積分、及びダイオードアセンブリの特性曲線データから、各接合部温度が判定され、これによりアセンブリの損傷が確認される。
【００２６】
温度測定を通じて確認できる線形抵抗器で変換されたエネルギーから、間接的に第二のアレスタパスにおける電流積分を判定するオプションがある。
【００２７】
本発明の好ましい改善策では、監視デバイス及び電流測定デバイスは、別個の配線キャリア上に位置付けられたアセンブリとして形成される。その場合、別個の配線キャリア上に位置付けられたこのアセンブリは、監視の目的で、改良キットとして、又は既存の過電圧アレスタ手段をアップグレードするために利用することができる。
【００２８】
当然、この別個の配線キャリア上に評価ユニットを形成する必要な電子アセンブリを配置するという本発明のこの改善策においては、同様に、特にそれ自体公知のマイクロコントローラを関連するコンピュータソフトウェアと共にここで使用することができるというオプションが存在する。
【００２９】
基本的には、多段調整過電圧アレスタ構成の代わりに、本発明による解決策の文脈において、単一の、通常は、電圧制限又は電圧切り替え部品を使用することができる。この場合にも、２つのセンサを組み合わせて電圧制限又は電圧切り替え部品を完全に監視するオプションが存在する。最大パルス電流は、誘導電流センサと下流ピーク値検出器との構成によって判定することができる。周囲温度に鑑みて、過電圧から保護する部品に関連する温度センサによって検出された部品温度の変化により、部品内で変換されたエネルギーについての結論が導かれる。第一の解析は、評価ユニットに供給されるこれらの変数からのパルス負荷のパラメータをもたらす。次に、これらのパラメータに基づいてこの部品の損傷の程度を評価する単一の電圧制限又は電圧切り替え部品のためのオプションが存在する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
本発明は、例示的な実施形態を使用し、図面を参照して、以下により詳細に説明される。
【００３１】
【図１】監視デバイスを伴う多段調整過電圧アレスタ回路のブロック図である。
【図２】等価矩形パルスを導出する略図である。
【図３】Ｔ８０−Ａ９０Ｘタイプの例示的なガスアレスタの負荷容量に関する例示的な補間された製造業者仕様を示す図である。
【図４】サプレッサダイオードの熱抵抗（黒で示す）と数学的近似（赤で示す）とを判定するための特性曲線を示す図である。
【図５】サプレッサダイオードの寿命をその接合部温度の関数として評価するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
図１によれば、横枝に少なくとも１つの第一の粗保護アレスタパスを有し、縦及び横枝に少なくとも１つの第二の微細保護アレスタパスを有する、多段調整過電圧アレスタ回路が基本として取り扱われる。
【００３３】
ガスアレスタＡ１が第一のアレスタパスに位置付けられ、抵抗器Ｒ１およびＲ２が、第二２のアレスタパスの縦枝に配置される。
【００３４】
更に、サプレッサダイオードＶ１が、第二の微細保護アレスタパスの横枝に位置付けられる。
【００３５】
第一の粗保護アレスタパス内、特に、ガスアレスタＡ１における高サージ電流を認識できるようにするため、その中の電流は電気的に絶縁された方法で検出され、これは記号Ｉと矢印で表される。
【００３６】
継続する電流についての結論を同時に導き出すために、ガスアレスタＡ１の温度をＴ１に従って監視する。この温度は、数学的モデルを考慮しながら下流の評価回路を介して、変換された、損傷関連のエネルギーに関する指標をもたらすだろう。
【００３７】
抵抗器Ｒ１、Ｒ２およびダイオードＶ１で構成される第二の微細保護アレスタパスに記録されたパルス形状は、部品温度をリンクすることにより、サプレッサダイオード構成Ｖ１の非線形性に基づいて計算することができる。
【００３８】
抵抗器Ｒ１の温度センサＴ２、ダイオードグループＶ１のＴ３、抵抗器Ｒ２のＴ４から、部品において変換されたエネルギーについての結論を導くことができる。そこからパルス電圧とパルス電流を計算するオプションが存在する。このようにして得られたパルス特性は、各部品の内部温度を判定することができる機能に使用することができる。部品の起こり得る損傷は、図示されていない評価ユニットによって合算され、図示されていないディスプレイ上で視覚化される。
【００３９】
温度を測定するために、温度依存抵抗器だけでなく熱電対も使用することができる。数年の長期間にわたり信頼できる測定を保証するために、熱電対の使用が特に有利である。
【００４０】
熱電対によって生成される電圧は、熱電対の接合点と接続点との間に存在する温度差にほぼ比例する。対応する熱電対は、熱伝導性であるが電気的に絶縁された状態で、ハウジング又は対応する部品の表面に結合される。
【００４１】
発生した熱電電圧は、通常、直接的な測定や処理を行うには低すぎるので、増幅及び信号フィルタリングが実行される。このようにして事前処理されたデータは、次いで、評価ユニットに転送される。
【００４２】
誘導法は、急激に変化する電流を測定するのに特に適している。さらに、アレスタ回路から測定回路を電気的に絶縁することは、有利な方法で実施することができる。一実施形態では、測定コイルが、第一のアレスタパス内の電流パスの両端に配置される。ｄＩ／ｄＴに比例する測定コイルの出力電圧は、電流に比例する信号を得るために、ＲＣローパスで積分される。急峻端電流をも検出できるように、本発明の一実施形態では、ピーク値検出器が提供される。
【００４３】
評価ユニットは、最初に、第１のステップにおいて、温度および電流の変化を判定する。事象により、部品の内部温度は、これらの値からの様々な数学的関係式によって確認される。このことから、単一の部品の損傷が既に生じているとの結論が導かれる可能性がある。
【００４４】
損傷の第１の評価は、パルス持続時間を判定することに基づいて行われる。損傷の第１の評価は、測定された温度上昇時間によっても判定される。パルス負荷の持続が１秒未満になった場合、使用される部品の熱的挙動は、この期間では断熱的と見なされる。その場合、ある定数によって、測定された温度は、部品内で変換されたエネルギに変換され得る。
【００４５】
ガスアレスタＡ１のピーク電流及び温度変化は、第一のアレスタパスで検出される。各値は、式１及び図２に従って等価矩形パルスに変換される。パルス形状及び図３のような製造業者仕様によれば、式２及び式３による関係を介して各部品の損傷値が確認される。
【００４６】
製造業者のデータシートに指示されているガスアレスタの負荷容量に関するデータは、適切な機能によって補間して再現することができる。これから、ガスアレスタの損傷Ｓの式は、アレスタ内のパルスピーク電流及び温度変化の関数としてパーセントで判定することができる
【００４７】
式１  パルス持続時間の判定
【数１】
2018511286.tif 000003
【００４８】
表１  パルス持続時間の判定
【表１】
2018511286.tif 000004
【００４９】
式２  損傷の計算
【数２】
2018511286.tif 000005
【００５０】
式３  損傷の計算（簡略化）
【数３】
2018511286.tif 000006
【００５１】
表２  ＧＤＴ  Ｔ８０−Ａ９０Ｘへの損傷の計算
【表２】
2018511286.tif 000007
【００５２】
損傷の計算に加えて、電流閾値の考慮が更に実行される。規定された電流閾値を超えた場合、ガス圧力が高いためガスアレスタＡ１が損傷する危険性がある。このため、予め定められた閾値を超えた場合、アレスタは、欠陥があるものとして診断される。
【００５３】
長期電流検出は、温度センサＴ１によりガスアレスタＡ１の温度測定を経て行われる。規定された温度閾値を超える場合、ガスアレスタは同様に欠陥があると評価される。この温度は、使用されるハンダの融点およびガスアレスタの特定の最高温度に関連する。
【００５４】
第二の微細保護アレスタパスにおけるエージングの判定のためのモデルは、そこに位置付けられる部品のパルス依存の加熱挙動に基づくものである。
【００５５】
使用されるダイオードＶ１の電圧制限挙動のために、ダイオードＶ１において変換されたエネルギーは、ダイオード電圧がほぼ一定であると仮定できるため、二次経路における電流積分に比例する。
【００５６】
線形抵抗器Ｒ１及びＲ２で変換されたエネルギーは、二次経路にわたる電流の二乗の積分に比例する。
【００５７】
短期パルスが与えられると、このエネルギーは外部加熱に対して直接的な相関を示す。センサＴ２、Ｔ３及びＴ４による温度測定、並びに熱定数の使用により、これらのパルスから等価の矩形の比較パルスを計算することができる。このための前提条件は、パルス中の断熱的挙動を想定したものである。これは、部品の温度時定数より短いパルス持続時間の場合にもたらされると仮定される。
【００５８】
パルス持続時間が上記の時定数より長い場合、パルス持続時間は、温度上昇挙動から判定することができる。
【００５９】
パルス特性の計算は、以下の式４、式５及び式６、並びに以下の表３を参照する。
【００６０】
式４  パルス持続時間の計算：
【数４】
2018511286.tif 000008
【００６１】
式５  抵抗器両端の電圧降下の計算：
【数５】
2018511286.tif 000009
【００６２】
式６  パルス電流の計算：
【数６】
2018511286.tif 000010
【００６３】
表３  パルスパラメータの計算
【表３】
2018511286.tif 000011
【００６４】
使用される部品の利用可能なデータシートからの特性曲線の数学的表現に基づいて、内部温度、特にダイオードＶ１、並びに抵抗器Ｒ１及びＲ２の内部温度を計算することができる。
【００６５】
以下、サプレッサダイオードＢＸＴ  ＭＬ４  ＢＥ５を適用した場合に基づいて、具体例を説明する。
【００６６】
この回路構成は、αが１．７Ｋで電気抵抗が１Ωである使用されるワイヤ抵抗器に関する情報をもたらす。
【００６７】
ダイオードＶ１は、使用される範囲にわたって８．５Ｖの平均順方向電圧、及び１．２６Ｋのβを有するサプレッサダイオードである。エネルギ定数ｘ＝１Ｗｓは、数値が定数α及びβに含まれるため、単位補正用に設計される。３秒までの時間範囲の特性曲線の数学的近似により、ダイオード内の内部温度を以下の式によって判定することができる。
【００６８】
式７  接合部温度の計算
【数７】
2018511286.tif 000012
【００６９】
表４  接合部温度の計算
【表４】
2018511286.tif 000013
【００７０】
図５によるモデルにより、このように計算された接合部温度を用いて、各パルスによる部品の損傷を判定することができる。
【００７１】
また、抵抗器Ｒ１またはＲ２の温度は、所定のパラメータのパルス電流およびパルス持続時間によって判定することができる。配線抵抗器を使用する場合、５００℃の配線の最高温度または２５０℃の外部温度で欠陥が発生する可能性がある。そのような線形オーミック抵抗器の場合には、エージング判定を行う必要はない。
【００７２】
上記の解決策及び例示的な実施形態に基づいてより詳細に示された解決策では、使用されるアレスタのピーク電流及び温度が、状態評価のための測定変数として判定される。使用される部品の入力データ及び既知の特性値から、パルス持続時間及びエネルギー変換、並びに内部部品温度を判定することができ、寿命計算のモデルを導出することができ、最終的に、損傷又は予想される残りの寿命の表示が可能となる。本発明の解決策は、それぞれ半導体部品及び抵抗の温度、並びに電流を測定することを可能にする別個の回路基板上の各アレスタに対して改良可能に実施することができ、回路基板は、必要な計算アルゴリズムを伴う対応するマイクロコントローラを含む。
【図１】
2018511286.tif 000014
【図２】
2018511286.tif 000015
【図３】
2018511286.tif 000016
【図４】
2018511286.tif 000017
【図５】
2018511286.tif 000018
【国際調査報告】
2018511286.tif 000019
2018511286.tif 000020
2018511286.tif 000021
2018511286.tif 000022