(57)【要約】  本発明に係る制御の方法は、オルタネータのロータの励磁巻線（６）を備える励磁回路（３，６）に流れる励磁電流（ｌＤ）を制御することによってオルタネータにより生成されるＤＣ電圧（Ｂ＋Ａ）を所定の設定値に追従させる。励磁電流（ｌＤ）は、所定周期を有する制御信号（ＶＧＳ）により制御される半導体スイッチ（３）を用いて制御される。方法は、励磁回路の障害の検出を含むタイプのものである。本発明によれば、励磁巻線の少なくとも１つの短絡が検出される（Ｔｈ ＨＥＸＣＣＤ）。方法の他の特徴によれば、制御信号は、設定値を表わすデューティ比を有する所定周期のパルスによって形成される設定信号（ＥＸＣ）と、短絡を示す検出信号（Ｔｈ ＨＥＸＣＣＤ）との組み合わせ（ＥＸＣ ＤＲ）に基づいて生成される。
2018507670.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動車両のオルタネータの調整装置（４）を制御するための方法であって、この方法は、所定周期（Ｔ）を有する制御信号（ＶＧＳ）によって制御される半導体スイッチ（３）を用いて前記オルタネータのロータの励磁巻線（６）を備える励磁回路（３，６）に流れる励磁電流（ＩＤ）を制御することによって前記オルタネータにより生成されるＤＣ電圧（Ｂ＋Ａ）を所定の設定値に追従させ、前記方法が前記励磁回路（３，６）の障害の検出を含むタイプのものである、方法において、前記励磁巻線（６）の少なくとも１つの短絡（ＳＣ）が検出される（Ｔｈ ＨＥＸＣＣＤ）ことを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記制御信号（ＶＧＳ）は、前記設定値を表わすデューティ比（ｒ）を有する前記所定周期（Ｔ）のパルスによって形成される設定信号（ＥＸＣ）と、前記短絡（ＳＣ）を示す検出信号（Ｔｈ ＨＥＸＣＣＤ）との組み合わせ（ＥＸＣ ＤＲ）に基づいて生成されることを特徴とする、請求項１に記載の自動車両のオルタネータの調整装置（４）を制御するための方法。
【請求項３】
相互コンダクタとしての前記半導体スイッチ（３）は、前記励磁電流（ＩＤ）の強度（ＩＲＯＴ）を所定の限界値（ＩＬＩＭ）に制限することによって少なくとも１つの所定の電流勾配を伴って前記所定周期（Ｔ）の少なくとも第１の部分の間にわたり前記制御信号（ＶＧＳ）により制御されることを特徴とする、請求項２に記載の自動車両のオルタネータの調整装置（４）を制御するための方法。
【請求項４】
前記半導体スイッチ（３）は、前記励磁電流（ＩＤ）の前記強度（ＩＲＯＴ）を前記所定の限界値（ＩＬＩＭ）に制限することによって前記所定周期（Ｔ）の少なくとも第２の部分の間にわたり前記制御信号（ＶＧＳ）により導通状態（ＯＮ）に変えられることを特徴とする、請求項３に記載の自動車両のオルタネータの調整装置（４）を制御するための方法。
【請求項５】
前記強度（ＩＲＯＴ）が所定の高閾値（ＴＨ ＳＣ ＨＩＧＨ）に達すると直ぐに、第１のカウンタ（１７）が第１の所定の時間遅延（Ｔ１）中に始動され（ＴＩＭＥＲ ＥＮ）、
前記第１の時間遅延（Ｔ１）中（ＡＶ ＥＮ）に、前記強度（ＩＲＯＴ）に基づいて前記短絡の推定値（ＩＲＯＴ ＡＶ）が計算され、
前記第１の時間遅延（Ｔ１）後に、前記短絡の前記推定値（ＩＲＯＴ ＡＶ）が所定の低閾値（ＴＨ ＳＣ ＬＯＷ）よりも大きければ（ＳＣＤ）、前記検出信号（Ｔｈ ＨＥＸＣＣＤ）がアクティブにされ、
前記短絡の前記推定値（ＩＲＯＴ ＡＶ）が前記低閾値（ＴＨ ＳＣ ＬＯＷ）よりも小さければ、前記第１のカウンタ（１７）が再初期化され、
前記検出信号（Ｔｈ ＨＥＸＣＣＤ）のアクティブ化の後、前記半導体スイッチ（３）は、開成状態（ＯＦＦ）への移行を行なうために前記電流勾配を伴う前記制御信号（ＶＧＳ）によって制御され、
第２の所定の時間遅延（Ｔ２）が第２のカウンタ（２０）によってもたらされ、前記開成状態（ＯＦＦ）の前記半導体スイッチ（３）が前記第２の時間遅延（Ｔ２）中にわたって維持される、
ことを特徴とする、請求項３又は請求項４に記載の自動車両のオルタネータの調整装置（４）を制御するための方法。
【請求項６】
前記限界値（ＩＬＩＭ）及び前記第１の時間遅延（Ｔ１）は、散逸されるべき電力が前記半導体スイッチ（３）のヒートシンクによって許容される最大電力よりも小さくなるように規定されることを特徴とする、請求項５に記載の自動車両のオルタネータの調整装置（４）を制御するための方法。
【請求項７】
前記強度（ＩＲＯＴ）に基づいて計算される前記短絡の前記推定値が前記強度（ＩＲＯＴ）の中央値（ＩＲＯＴ ＡＶ）であることを特徴とする、請求項５又は請求項６に記載の自動車両のオルタネータの調整装置（４）を制御するための方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の方法を実施するように設計される自動車両のオルタネータの調整装置（４）であって、所定周期（Ｔ）の制御信号（ＶＧＳ）によって制御される半導体スイッチ（３）を用いて前記オルタネータのロータの励磁巻線（６）を備える励磁回路（３，６）に流れる励磁電流（ＩＤ）を制御することによって前記オルタネータにより生成されるＤＣ電圧（Ｂ＋Ａ）を所定の設定値に追従させる手段（１１）を備え、前記調整装置（４）が前記励磁回路（３，６）の障害を検出する手段（１２）を更に備えるタイプのものである、調整装置（４）において、前記検出手段（１２）が前記励磁巻線（６）の少なくとも１つの短絡（ＳＣ）を検出することを特徴とする、調整装置（４）。
【請求項９】
追従させる前記手段（１１，３）は、前記設定値を表わすデューティ比（ｒ）の前記所定周期（Ｔ）を有するパルスによって形成される設定信号（ＥＸＣ）を生成する調整ループ（１１）を備え、前記検出手段（１２）は、前記短絡（ＳＣ）を示す検出信号（Ｔｈ ＨＥＸＣＣＤ）を生成する検出モジュール（１２）を備え、前記調整装置は、前記設定信号（ＥＸＣ）と前記検出信号（Ｔｈ ＨＥＸＣＣＤ）とを組み合わせて前記制御信号（ＶＧＳ）を生成する制御回路（１３）の入力信号（ＥＸＣ ＤＲ）を生み出す手段（１０）を更に備えることを特徴とする、請求項８に記載の自動車両のオルタネータの調整装置（４）。
【請求項１０】
前記検出モジュール（１２）は、
所定の高閾値（ＴＨ ＳＣ ＨＩＧＨ）及び所定の低閾値（ＴＨ ＳＣ ＬＯＷ）を記憶するための手段と、
前記励磁電流（ＩＤ）の強度（ＩＲＯＴ）を取得するための手段（１６）と、
前記強度（ＩＲＯＴ）を前記所定の高閾値（ＴＨ ＳＣ ＨＩＧＨ）及び前記所定の低閾値（ＴＨ ＳＣ ＬＯＷ）と比較するための第１の手段（１５）と、
第１の所定の時間遅延（Ｔ１）を規定する前記比較手段（１５）によってトリガ（ＴＩＭＥＲ ＥＮ）される第１のカウンタ（１７）と、
前記第１の時間遅延（Ｔ１）中に前記強度（ＩＲＯＴ）に基づいて前記短絡の推定値（ＩＲＯＴ ＡＶ）を計算するための手段（１８）と、
前記短絡の前記推定値（ＩＲＯＴ ＡＶ）と前記所定の低閾値（ＴＨ ＳＣ ＬＯＷ）とを比較するための第２の手段（１９）と、
第２の所定の時間遅延（Ｔ２）を規定する前記第２の比較手段（１９）によってトリガされる第２のカウンタ（２０）と、
を備えることを特徴とする、請求項９に記載の自動車両のオルタネータの調整装置（４）。
【請求項１１】
請求項８から１０のいずれか一項に記載の調整装置（４）を備える自動車両のオルタネータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自動車両のオルタネータを調整するための装置を制御する方法に関する。また、本発明は、この調整装置、及び、この調整装置を含むオルタネータに関する。
【背景技術】
【０００２】
明らかな安全上の理由のため、自動車両における重要な機器物品には、任意の動作異常を検出して知らせるための装置が装備される。
【０００３】
通常は整流される相電圧を伴うオルタネータから成る車載発電機は、これらの重要な機器物品のうちの１つであり、全てのドライバーは、自分の車のダッシュボードにある「充電」と記された赤いライトの位置を良く知っている。
【０００４】
しばしば電気機械部品の代用品としての車載電子機器の普及は、機器の診断、通信、又は、保護のいずれかの目的で、動作不具合や故障状況の更に一層細かい検出を可能にする。
【０００５】
例えば、ＶＡＬＥＯ  ＥＱＵＩＰＥＭＥＮＴＳ  ＥＬＥＣＴＲＩＱＵＥＳ  ＭＯＴＥＵＲ社の仏国特許出願第２６４２５８０号明細書に記載される電子電圧レギュレータは、様々なアクセス可能なパラメータ間の対応、特に、
オルタネータの出力における電圧と界磁巻線の端子における電圧との間の対応、
オルタネータの出力における電圧と位相入力の端子における電圧との間の対応、
を解析する不具合検出手段を含む。
【０００６】
第２のケースは、以下の不具合、すなわち、
オルタネータが回転しないこと（ファンベルトの破損）、
励磁回路の開成（界磁巻線の開成、そのハウジング内にブラシが詰まるなど）、
を間接的に検出できるようにする。
【０００７】
ＶＡＬＥＯ  ＥＱＵＩＰＥＭＥＮＴＳ  ＥＬＥＣＴＲＩＱＵＥＳ  ＭＯＴＥＵＲ社は、仏国特許出願第２９１０６３９号明細書において、オルタネータの磁気回路が永久磁石を備える又は強い残留磁気を呈する場合に励磁回路を適用し続けるための解決策を見出す同様の方法について記載した。
【０００８】
現代のオルタネータのレギュレータは、オルタネータのロータの励磁巻線を流れる励磁電流を制御する電源スイッチ、一般的には「ハイサイド」として知られるトランジスタを組み込む。
【０００９】
ロータは、相電圧を整流した後に、オルタネータにより生成されるＤＣ電圧を所望の値に維持するために、励磁電流によってその値が調整される磁場を形成する。
【００１０】
しかしながら、この電源スイッチの出力は短絡される可能性があり、この短絡は、先に指摘された公知の方法では検出されず、したがって、改善される必要がある励磁回路の一種の障害である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】仏国特許出願第２６４２５８０号明細書
【特許文献２】仏国特許出願第２９１０６３９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
したがって、本発明は、短絡電流に対処して、レギュレータの構成要素の完全性を保証するために、この種の障害を検出できないという欠点を緩和することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
第１の態様によれば、本発明は、自動車両のオルタネータを調整するための装置を制御する方法であって、このオルタネータにより生成されるＤＣ電圧を所定の設定値に追従させる方法に関する。
【００１４】
このＤＣ電圧は、所定周期を有する制御信号によって制御される半導体スイッチを用いてオルタネータのロータの励磁巻線を備える励磁回路に流れる電流を制御することによって追従される。
【００１５】
この発明の目的である自動車両のオルタネータを調整するための装置を制御する方法は、励磁回路の障害の検出を含む一般的に知られるタイプのものである。
【００１６】
本発明の方法では、励磁巻線の少なくとも１つの短絡が検出される。
【００１７】
本発明によれば、制御信号は、設定値を表わすデューティ比を有する所定周期のパルスによって形成される設定信号と、短絡を示す検出信号との組み合わせに基づいて生成される。
【００１８】
この場合も先と同様に本発明によれば、相互コンダクタとしての半導体スイッチは、励磁電流の強度を所定の限界値に制限することによって少なくとも１つの所定の電流勾配を伴ってこの所定周期の少なくとも第１の部分の間にわたり制御信号により制御される。
【００１９】
同時に又はさもなければ、本発明によれば、半導体スイッチは、励磁電流のこの強度をこの所定の限界値に制限することによって所定周期の少なくとも第２の部分の間にわたり制御信号により導通状態に変えられる。
【００２０】
本発明の方法では、
励磁電流の強度が所定の高閾値に達すると直ぐに、第１のカウンタが第１の所定の時間遅延中に始動され、
この第１の時間遅延中に、励磁電流の強度に基づいて短絡状態の推定値が計算され、
第１の時間遅延後に、短絡状態の推定値が所定の低閾値よりも大きければ、検出信号がアクティブにされ、
短絡状態の推定値が低閾値よりも小さければ、第１のカウンタが再初期化され、
検出信号のアクティブ化の後、半導体スイッチは、開成状態への移行を行なうために所定の電流勾配を伴う制御信号によって制御され、
第２の所定の時間遅延が第２のカウンタによってもたらされ、半導体スイッチが第２の時間遅延中にわたって開成状態に維持される。
【００２１】
本発明の方法の特定の実施形態によれば、短絡状態の推定値が励磁電流の強度の中央値である。
【００２２】
本発明の他の特徴によれば、限界値及び第１の時間遅延は、散逸されるべき電力が半導体スイッチのヒートシンクによって許容される最大電力よりも小さくなるように規定される。
【００２３】
また、本発明は、前述の方法を実施するように設計される自動車両のオルタネータを調整するための装置に関する。
【００２４】
この装置は、所定周期の制御信号によって制御される半導体スイッチを用いてオルタネータのロータの励磁巻線を備える励磁回路に流れる電流を制御することによってオルタネータにより生成されるＤＣ電圧を所定の設定値に追従させる手段を備える。
【００２５】
調整装置は、励磁回路の障害を検出する手段を更に備えるタイプのものである。
【００２６】
本発明に係る調整装置では、これらの検出手段が励磁巻線の少なくとも１つの短絡を検出する。
【００２７】
本発明によれば、追従させる手段は、設定値を表わすデューティ比を有する所定周期のパルスによって形成される設定信号を生成する調整ループを備え、また、検出手段は、短絡を示す検出信号を生成する検出モジュールを備える。
【００２８】
本発明に係る調整装置は、設定信号と検出信号とを組み合わせて制御信号を生成する制御回路の入力信号を生み出す手段を更に備える。
【００２９】
本発明に係る調整装置において、検出モジュールは、
所定の高閾値及び所定の低閾値を記憶するための手段と、
励磁電流の強度を取得するための手段と、
この強度を所定の高閾値及び所定の低閾値と比較するための第１の手段と、
第１の所定の時間遅延を規定する比較手段によってトリガされる第１のカウンタと、
第１の時間遅延中に励磁電流に基づいて短絡の推定値を計算するための手段と、
短絡のこの推定値と所定の低閾値とを比較するための第２の手段と、
第２の所定の時間遅延を規定する第２の比較手段によってトリガされる第２のカウンタと、
を備える。
【００３０】
また、本発明は、既に記載された調整装置を備える自動車両のオルタネータを対象とする。
【００３１】
これらの幾つかの本質的な仕様は、背景技術と比較して、本発明により与えられる利点を当業者に対して明らかにする。
【００３２】
本発明の詳細な仕様は、添付図面と関連する以下の説明で与えられる。これらの図面が、説明の本文を図示すること以外の目的を有さず、決して本発明の範囲に限定を構成するものでないことに留意すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明に係る調整装置を伴わないオルタネータのロータの励磁巻線の短絡の際の励磁電流の過負荷を示す。
【図２】本発明に係る調整装置で使用されるＭＯＳＦＥＴタイプのパワートランジスタの特徴を示す。
【図３】本発明に係る調整装置と、その特徴が図２に示されるパワートランジスタの相互コンダクタンスモードにおけるモデルとを示す。
【図４ａ】パワートランジスタが開成状態にあるときに短絡が生じる場合の本発明に係る調整装置を制御するための方法を例示するタイミング図を示す。
【図４ｂ】パワートランジスタが導通状態にあるときに短絡が生じる場合の本発明に係る調整装置を制御するための方法を例示するタイミング図を示す。
【図５】パワートランジスタが導通状態にあるときに短絡が生じる場合の本発明に係る調整装置を制御するための別の方法を例示するタイミング図を示す。
【図６】本発明に係る調整装置における短絡を検出する一般的な図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
オルタネータのレギュレータは、しばしば、短絡電流から保護するための機能を組み込む。これらの機能は、図１に示されるように、電流が設定値Ｉｃｃ Ｔｈを超えるときには常に電源スイッチによる遮断を伴う基本設計である。
【００３５】
Ｔｒトランジスタが導通状態ＯＮにあるときに電源スイッチで短絡が生じる場合、励磁巻線内の電流の強度Ｉは、励磁回路に存在するインピーダンスのみに応じて上り勾配１で非常に急速に増大する。
【００３６】
短絡期間ΔＴ、すなわち、保護機能が開成状態ＯＦＦに切り換わるようにＴｒトランジスタに命じる前にＴｒトランジスタが導通状態ＯＮにとどまっている時間は、電子機器の反応時間に依存し、最小限に制御される。
【００３７】
したがって、励磁回路を流れる強度Ｉは、トランジスタＴｒが開成状態ＯＦＦに切り換わるときに強度Ｉが下り勾配２に沿って減少する前において、ＭＯＳＦＥＴタイプのパワートランジスタＴｒの抵抗ＲＤＳ（ＯＮ）が依然として非常に低いままであるときには常に非常に高いＩｍａｘ値に達することができる。
【００３８】
本発明に係る自動車両のオルタネータの調整装置を制御するための方法の原理は、図２に示されるゲート−ソース間電圧ＶＧＳに対するＭＯＳＦＥＴパワートランジスタのドレイン電流ＩＤの依存性を使用して図３に示される調整装置４の「ハイサイド」スイッチ３を制御することにより、励磁巻線６が短絡されるときに電源スイッチ５における電流ＩＤを制限することである。
【００３９】
開成モードＯＦＦ／導通モードＯＮ以外の「コモンソース」トポロジーにおいて、ＭＯＳＦＥＴトランジスタ３は、相互コンダクタンスモードで（十分に高いドレイン−ソース間電圧ＶＤＳにおいては、オーム領域「Ｒｅｓ．」外の飽和領域「Ｓａｔ．」で）一時的に機能することができ、すなわち、図３の等価モデルが示すように、無限のインピーダンスを伴う電圧制御される電流の発生器７として一時的に機能することができる。
【００４０】
図２が明確に示すように、低いゲート−ソース間電圧ＶＧＳ１（しかし、閾値電圧ＶＴＨを上回る）においては、ドレインの強度ＩＤ１が低く、平均のゲート−ソース間電圧ＶＧＳ２においては、ドレインの対応する強度ＩＤ２が中央値であり、また、高いゲート−ソース間電圧ＶＧＳ３においては、ドレインの強度ＩＤ３が強い。
【００４１】
したがって、本発明の方法では、図４ａ、図４ｂ、及び、図５に関連して説明されるように、スイッチ３を流れる電流が所定の値ＩＬＩＭを超えることができないようにスイッチ３がゲート−ソース間電圧ＶＧＳで分極される。
【００４２】
例えば、低いゲート−ソース間電圧ＶＧＳ１においては、励磁電流ＩＤの強度が図２の斜線領域８に制限される。
【００４３】
なお、電流発生器７としてのスイッチ３も、このスイッチ３とフリーホイールダイオード９との間で整流される電流を制御するために有利に使用される。
【００４４】
電源スイッチ５の動作は、所定の周期Ｔにわたって続き、又は、より稀にしか可変周波数を有さない。いずれの場合でも、オルタネータの出力電圧Ｂ＋Ａを設定値に追従させるためにデューティ比ｒは変化可能である。
【００４５】
なお、図３において、電源スイッチ５は、設定信号ＥＸＣ（調整アルゴリズム１１により計算されるデューティ比ｒのパルス幅変調）と検出モジュール１２で形成される短絡検出信号Ｔｈ ＨＥＸＣＣＤとの組み合わせ１０ＥＸＣ ＤＲによって制御される。
【００４６】
組み合わせＥＸＣ ＤＲは、電圧ＶＧＳで電源スイッチ３のゲートＧを制御する制御回路１３の入力に印加される。
【００４７】
短絡ＳＣが生じる場合、以下の２つの典型的なケースが起こる。
【００４８】
スイッチ３が開成状態ＯＦＦにあるとき又は電流コンダクタンスの移行中に短絡ＳＣが現れる；
スイッチ３が導通状態ＯＮにあるときに短絡ＳＣが現れる。
【００４９】
図４ａに示される第１のケースでは、スイッチ３が相互コンダクタンスモードで動作されるときに、励磁電流の強度ＩＲＯＴが所定の電流勾配に沿って増大する。
【００５０】
強度ＩＲＯＴが所定の高閾値ＴＨ ＳＣ ＨＩＧＨに達すると、励磁巻線６が短絡してしまったと考えられる。
【００５１】
その後、電流の強度ＩＲＯＴは、第１の所定の時間遅延Ｔ１中に所定の限界値ＩＬＩＭに制限された後、所定の電流勾配に沿って再び減少する。
【００５２】
第１の時間遅延Ｔ１及び限界値ＩＬＩＭは、スイッチ３のヒートシンクが排出できる最大電力よりも放散容量が小さくなるように規定される。
【００５３】
図４ｂに示される第２のケースにおいて、短絡電流の強度ＩＲＯＴは、第１の所定の時間遅延Ｔ１中に限界値ＩＬＩＭに制限され、その後、所定の電流勾配に沿って再び減少する。第１の解決策は、スイッチ３を使用して電流を制限することである。これは、最大値よりも小さいゲート−ソース間電圧ＶＧＳの印加をもたらし、したがって、ＲＤＳ（ＯＮ）は最小ではなく、それにより、更なる加熱に寄与する。
【００５４】
この解決策に代わる策は、短絡ＳＣの場合にスイッチ３が導通状態ＯＮにあるとき、スイッチ３を導通状態に変えること、すなわち、最小のドレイン−ソース抵抗ＲＤＳ（ＯＮ）で変えることである。
【００５５】
短絡ＳＣが閾値Ｉｃｃ Ｔｈの交差によって検出される（図５）ときには常に、スイッチ３が導通／開成モードから相互コンダクタンスモードに直ちに変化し、また、励磁電流の強度ＩＲＯＴが第１の所定の時間遅延Ｔ１中に限界値ＩＬＩＭに制限される。
【００５６】
なお、導電状態ＯＮから相互コンダクタンスモードへの移行中、ＶＧＳ電圧を確立するための時間は即時ではない。寄生成分を伴わない励磁回路が考慮される場合、最悪の場合の短絡電流の強度ＩＲＯＴはＢ＋Ａ／ＲＤＳ（ＯＮ）である。その後、図５が明確に示すように、短絡電流の強度は減少して値ＩＬＩＭに達する。電流は、回路中に存在するコンデンサ及び残留チョークに起因する振動を有し得る。
【００５７】
短絡ＳＣによって発生される熱量を電源スイッチ３のヒートシンクによって放散できるように、確認の時間が計算によって決定される。この目的のため、スイッチ３が導通状態に変化する前に、最小時間Ｔ ｒｅｔｒｙ ｍｉｎよりも大きい第２の時間遅延Ｔ２が固定される。これは、短絡が設定信号ＥＸＣのパルスと比べていつでも生じ得るからである。
【００５８】
図６は、最小時間Ｔ ｒｅｔｒｙ ｍｉｎの制御及び確認の時間の典型的な実施形態を示す。
【００５９】
本発明に係る調整装置４のプロセッサ１４に実装される一般的なアルゴリズムは以下の通りである。
【００６０】
それ自体知られる取得・フィルタリング１６によって得られる励磁電流の強度ＩＲＯＴの測定値が所定の高閾値ＴＨ ＳＣ ＨＩＧＨに達したと第１の比較器１５が決定すると直ぐに、（例えば１０μｓの）第１の時間遅延Ｔ１をもたらすために第１のカウンタ１７ＴＩＭＥＲ ＥＮが始動される。この第１の時間遅延Ｔ１中に、励磁電流の強度ＩＲＯＴの中央値ＩＲＯＴ ＡＶの形を成す短絡の推定値が計算１８（ＡＶ ＥＮ）によって計算される。
【００６１】
計数ＴＯの終わりに、計算された中央値ＩＲＯＴ ＡＶが所定の低閾値ＴＨ ＳＣ ＬＯＷよりも大きいと第２の比較器１９が決定する場合には、短絡ＳＣが検出されて（ＳＣＤ）、検出信号Ｔｈ ＨＥＸＣＣＤがアクティブにされる。中央値ＩＲＯＴ ＡＶが低閾値ＴＨ ＳＣ ＬＯＷに満たない場合には、第１のカウンタ１７が再初期化される。
【００６２】
短絡検出信号Ｔｈ ＨＥＸＣＣＤがアクティブであると直ぐに、電源スイッチ３が電流勾配コマンドで遮断される。
【００６３】
スイッチ３は、熱を放散させるために必要な最小時間Ｔ ｒｅｔｒｙ ｍｉｎよりも大きい第２の時間遅延Ｔ２中に開成状態に維持される。第２のプログラマブルカウンタ２０が、この第２の時間遅延Ｔ２（例えば、４ｍｓ）をアプリケーションにしたがって適合させることができるようにして、確認信号Ｔｈ ＨＥＸＣＣＤ ｌａｔｃｈを生成する。
【００６４】
本発明が前述の単一の好ましい実施形態に限定されないことは言うまでもない。
【００６５】
特に、先に示された第１及び第２の時間遅延Ｔ１，Ｔ２の特定の値は、一例として与えられているに過ぎない。
【００６６】
同じことがアナログ回路１５，１９又はデジタル回路１７，２０の特定のタイプの個別部品３，９にも当てはまる。すなわち、これらの部品を代わりに同じ機能を果たす他のアナログ又はデジタル電子部品に置き換えることができる。
【００６７】
しかしながら、それにより、本発明は、以下の特許請求の範囲によって規定される枠組み内にとどまる全ての想定し得る代替実施形態を包含する。
【図１】
2018507670.tif 000003
【図２】
2018507670.tif 000004
【図３】
2018507670.tif 000005
【図４ａ】
2018507670.tif 000006
【図４ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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2018507670.tif 000011
2018507670.tif 000012
2018507670.tif 000013
2018507670.tif 000014
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