(57)【要約】  化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物（Ｑ）であって、  （Ａ）無機粒子、  （Ｂ）一般式（Ｉ）2018506176.tif 000029の化合物、  （Ｃ）水性媒体を含み、前記組成物（Ｑ）が２〜６のｐＨを有する化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物（Ｑ）。
2018506176.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物（Ｑ）であって、
（Ａ）無機粒子、
（Ｂ）一般式（Ｉ）
【化１】
2018506176.tif 000028
（式中、
Ｘは、ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ、Ｃ＝Ｏ又はＣＨ２ＣＨ２Ｏであり、ここで、Ｘはそれぞれの基の炭素原子により窒素と結合され、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、互いに独立して、Ｏ−、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯ−、ＣＯＯＮａ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであり、
ｕ及びｔは、０又は１であり、
構造中にポリマーポリエーテル鎖のない式（Ｉ）の化合物については、ｌ、ｍ、ｏ、ｑ及びｓは０〜５の範囲の整数であり、ｎ、ｐ及びｒは１〜５の範囲の整数であり、
構造中に少なくとも１つのポリマーポリエーテル鎖を有する式（Ｉ）の化合物については、ｌ、ｍ、ｏ、ｑ及びｓは０〜５００の範囲の整数であり、ｎ、ｐ及びｒは１〜５００の範囲の整数であり、
ｕが少なくとも１であり、かつＸがＣ＝Ｏ又はＣＨ２ＣＨ２Ｏである場合、したがって、ｌ若しくはｒがゼロであるか、又はｌ及びｒがゼロであり、
ｕが１であり、かつＸがＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨである場合、したがって、ｌ若しくはｒが少なくとも１であるか、又はｌ及びｒが少なくとも１である）
の化合物、又はその塩、
（Ｃ）水性媒体
を含み、前記組成物（Ｑ）が２〜６のｐＨを有することを特徴とするＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項２】
（Ｂ）が、Ｘが末端のＣＨ２の炭素原子により窒素と結合されたＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎであり、ｕが１であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８が、互いに独立して、ポリエーテルを形成するＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであり、ｔが０であることを特徴とし、前記ポリエーテル鎖の最後のオキシアルキレン基がヒドロキシ官能性を有する、請求項１に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項３】
前記ポリエーテル中のＣＨ２ＣＨ２Ｏ基の数が１〜３００の範囲にあり、ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ基の数が１〜５００の範囲にある、請求項２に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項４】
（Ｂ）が、Ｘが末端のＣＨ２の炭素原子により窒素と結合されたＣＨ２ＣＨ２Ｎであり、ｕが１であり、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５及びＲ７がＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであることを特徴とし、ｍ、ｌ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓが１であり、ｔが０であり、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ６及びＲ８が水素である、請求項１に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項５】
（Ｂ）が、ＸがＣＨ２ＣＨ２Ｏの末端のＣＨ２の炭素原子により窒素と結合されたＣＨ２ＣＨ２Ｏであり、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８が、互いに独立して、ポリエーテルを形成するＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであり、ｔが０であることを特徴とし、前記ポリエーテル鎖の最後のオキシアルキレン基がヒドロキシ官能性を有する、請求項１に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項６】
前記ポリエーテル中のＣＨ２ＣＨ２Ｏ基の数が１〜５０の範囲にあり、ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ基の数が１〜１００の範囲にある、請求項５に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項７】
（Ｂ）が、Ｘが、アミドを形成するカルボニル基の炭素原子により窒素と結合されたＣ＝Ｏであり、ｕが１であり、Ｒ３がＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであり、Ｒ５がＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであり、Ｒ４及びＲ６がＨであり、Ｒ７及びＲ８が、互いに独立して、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、又は少なくとも１つの炭素炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニルであり、ｔが０であることを特徴とし、又はそれらの塩である、請求項１に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項８】
（Ｂ）が、Ｘが末端のＣＨ２の炭素原子により窒素と結合されたＣＨ２、ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎであり、ＸがＣＨ２である場合にｕが１〜４の整数であり、そうでなければｕが１であり、Ｒ１がＨであり、ｌが１であり、ｍが０であり、Ｒ３がＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ２Ｏであり、Ｒ３がＣＨ３である場合にｎが１であり、そうでなければｎが１〜４の整数であり、Ｒ４がＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯＮａであり、ｏが１であり、Ｒ５がＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａであり、ｐが１であり、ｑが０であり、Ｒ７がＣ８〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ８〜Ｃ１６−アシルであり、ｒが１であり、ｓが０であり、Ｒ７がＣ８〜Ｃ１６−アルキルである場合にｌが０であり、ｍが０であることを特徴し、又はそれらの塩（式中、Ｒ９がＯ−、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３であり、ｔが１である）である、請求項１に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項９】
（Ｂ）が、Ｘが末端のＣＨ２の炭素原子により窒素と結合されたＣＨ２ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨであり、又はＸがカルボニル基の炭素原子により窒素と結合されたＣ＝Ｏであり、ｕが１であり、Ｒ１がＣ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニルであり、ｌが１であり、ｍが０であり、Ｒ３がＣＨ２であり、ｎが１〜４の整数であり、Ｒ４が−ＯＨであり、ｏが１であり、Ｒ５がＣＨ２、ＣＨ３であり、Ｒ５がＣＨ３である場合にｐが１であり、ｑが０であり、あるいはｐが１〜４の整数であり、Ｒ６がＯＨであり、ｑが１であり、Ｒ７がＯＨであり、ｒが１であり、ｓが０であり、ＸがＣ＝Ｏである場合にｒが０であり、ｓが０であることを特徴とし、又はそれらの塩（式中、Ｒ９がＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３であり、ｔが１である）である、請求項１に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項１０】
（Ｂ）が、ＸがＣＨであり、ｕが１であり、Ｒ１がＣＨ２であり、Ｒ２がＯＨであり、ｍが１であり、Ｒ３がＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏであり、Ｒ３がＨである場合にｎが１であり、そうでなければｎが１〜４の整数であり、Ｒ４がＣ８〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ８〜Ｃ１６−アシル、少なくとも１つの炭素炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニルであり、ｏが１であり、Ｒ５がＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏであり、Ｒ５がＨである場合にｐが１であり、そうでなければｐが１〜４の整数であり、Ｒ６がＣ８〜Ｃ１６−アルキル、Ｃ８〜Ｃ１６−アシル、少なくとも１つの炭素炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニルであり、ｑが１であり、Ｒ７がＨ、ＣＨＯＨ、ＨＯＣＨＣＨＯＨであり、ｒが１であり、Ｒ８がＣ４〜Ｃ１６−アルキルであり、ｓが１であることを特徴とし、又はそれらの塩（式中、Ｒ９がＣＨ３であり、ｔが１であり、アニオンがＣｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−又は［ＣＨ３ＯＳＯ２］−である）である、請求項１に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項１１】
前記無機粒子（Ａ）がシリカである、請求項１から１０のいずれか一項に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項１２】
酸化剤（Ｄ）をさらに含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）。
【請求項１３】
半導体産業に使用される基板（Ｓ）の化学機械研磨に、請求項１から１１のいずれか一項に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）を使用する使用方法。
【請求項１４】
前記基板（Ｓ）が、
（ｉ）元素ゲルマニウム、又は
（ｉｉ）Ｓｉ１−ｘＧｅｘ（式中、０．１≦ｘ＜１）、
を含む、請求項１３に記載の使用方法。
【請求項１５】
前記元素ゲルマニウムが、ＳＴＩ（浅溝分離）二酸化シリコンの間のトレンチに成長される、請求項１３又は１４に記載の使用方法。
【請求項１６】
請求項１から１２のいずれか一項に定義のＣＭＰ組成物（Ｑ）の存在下で、半導体産業に使用される基板（Ｓ）を化学機械研磨することを含む半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記基板（Ｓ）が、
（ｉ）元素ゲルマニウム、又は
（ｉｉ）Ｓｉ１−ｘＧｅｘ（式中、０．１≦ｘ＜１）、
を含む、請求項１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学機械研磨（chemical mechanical polishing）（以下、ＣＭＰと略記する）の分野に属する。より具体的には、ゲルマニウム含有の基板の高効率研磨のためのＣＭＰ組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体産業において、化学機械研磨は、優れたフォトニック、微小電気機械的、及びマイクロエレクトロニクス材料及び装置、例えば半導体ウェハの製造に適用される周知の技術である。
【０００３】
半導体産業に使用される材料及び装置の製造中には、ＣＭＰは、金属、半導体材料及び／又は酸化物の表面を平坦化するために使用される。
【０００４】
ＣＭＰは、化学的作用と機械的作用の相互作用を利用して、被研磨（to-be-polished）表面の平坦化を達成する。化学的作用は、ＣＭＰ組成物又はＣＭＰスラリーとも称される化学組成物により提供される。様々な異なる化学添加剤は、平坦化の間に使用することができる。酸化剤が、金属／半金属表面を酸化して、材料除去を緩和するために利用されている。一方、制御可能な材料の除去を目的としている。材料の除去としては、等方性化学的エッチングではなく、制御された機械的エッチングを実行すべきである。前記等方性化学エッチングを回避または最小化するために、エッチング／腐食防止剤をＣＭＰ組成物に添加することができる。例えば、腐食防止剤としての銅ＣＭＰトリアゾール及びベンゾトリアゾールの分野においては、当該技術分野において十分に記載されている。
【０００５】
機械的作用は、通常、研磨パッドによって行われ、この研磨パッドは、一般的に、被研磨表面に押し付けられ、移動プラテン上に取り付けられる。研磨作用の間に、プラテンを移動させる。通常、プラテンの移動は、直線、回転又は軌道式である。
【０００６】
典型的なＣＭＰ方法の工程において、回転ウェハホルダは、被研磨ウェハを研磨パッドに接触させる。ＣＭＰ組成物は、通常、被研磨ウェハと研磨パッドとの間に配置されている。
【０００７】
最新技術において、研磨粒子、添加剤及び水を含むＣＭＰ組成物（このＣＭＰ組成物が、酸性ｐＨを有し、金属含有の表面の研磨に使用される）が知られており、例えば以下の文献に記載されている。
【０００８】
ＵＳ ７，８９７，０６１ Ｂ２には、相変化合金含有の基板を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物が開示されている。前記組成物は、約３質量％以下の量の粒状研磨材、及び少なくとも1種類のキレート剤を含む。
【０００９】
ＷＯ ２０１３／０１８０１５には、無機粒子、有機粒子又はそれらの混合物若しくは複合物を含む化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物の存在下で、元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘ材料の化学機械研磨を含む半導体装置の製造方法が開示されている。酸化剤に加えて、少なくとも1種の有機化合物が含まれている。
【００１０】
ＷＯ ２０１３／０１８０１６には、３．０〜５．５の範囲のｐＨ値を有する化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物の存在下で、元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘ材料の化学機械研磨を含む半導体装置の製造方法が開示されている。シリカ粒子に加えて、酸化剤として過酸化水素が実施例に含まれている。
【００１１】
ＵＳ ８ ５４０ ８９４ Ｂ２には、本質的にｐＨ調整剤、水溶性ポリマー化合物、及び２つの窒素を有するアルキレンジアミン構造を含有し、アルキレン構造の２つの窒素の少なくとも１つと結合している少なくとも１つのブロック型ポリエーテル（該ブロック型ポリエーテルが、オキシエチレン基とオキシプロピレン基の結合を有する）を有する化合物からなる研磨組成物が開示されている。このような化合物を含有することにより、研磨用組成物の発泡が消泡性により抑制され、さらに、特に研磨後の表面特性、例えば光点欠陥及び表面カブリを改善することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】ＵＳ ７，８９７，０６１ Ｂ２
【特許文献２】ＷＯ ２０１３／０１８０１５
【特許文献３】ＷＯ ２０１３／０１８０１６
【特許文献４】ＵＳ ８ ５４０ ８９４ Ｂ２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の１つの目的は、ＣＭＰ組成物を提供することである。特に、ＣＭＰ組成物には、効果的な研磨性能、特に、
（ｉ）好ましくは研磨される基板、例えば元素ゲルマニウムの高い材料除去率（ＭＲＲ）、
（ｉｉ）二酸化ケイ素に対してゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘの高い選択性（Ｇｅ及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘ：ＳｉＯ２の選択性）
（ｉｉｉ）ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘの低い静的エッチング速度（ＳＥＲ）
（ｉｖ）（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）の組み合わせ、
と組み合わせた、向上されたエッチング挙動を示すことが求められる。
【００１４】
さらに、ＣＭＰ組成物は、安定な製剤又は分散系であることを目的とする。
【００１５】
さらに、本発明は、元素ゲルマニウム又はＳｉ１−ｘＧｅｘ（０．１≦ｘ＜１）を含む基板の化学機械研磨に適しているＣＭＰプロセスを提供することを目的とする。
【００１６】
さらに、ＣＭＰプロセスには、容易に適用され、できる限り少ない工程を必要とすることが求められる。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
したがって、
（Ａ）無機粒子、
（Ｂ）一般式（Ｉ）
【化１】
2018506176.tif 000003
（式中、
Ｘは、ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ、Ｃ＝Ｏ又はＣＨ２ＣＨ２Ｏであり、ここで、Ｘはそれぞれの基の炭素原子により窒素と結合され、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、互いに独立して、Ｏ−、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯ−、ＣＯＯＮａ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであり、
ｕ及びｔは、０又は１であり、
構造中にポリマーポリエーテル鎖のない式（Ｉ）の化合物において、ｌ、ｍ、ｏ、ｑ及びｓは０〜５の範囲の整数であり、ｎ、ｐ及びｒは１〜５の範囲の整数であり、
構造中に少なくとも１つのポリマーポリエーテル鎖を有する式（Ｉ）の化合物において、ｌ、ｍ、ｏ、ｑ及びｓは０〜５００の範囲の整数であり、ｎ、ｐ及びｒは１〜５００の範囲の整数であり、
ｕが少なくとも１であり、かつＸがＣ＝Ｏ又はＣＨ２ＣＨ２Ｏである場合、しがたって、ｌ若しくはｒが０であるか、又はｌ及びｒが０であり、
ｕが１であり、かつＸがＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨである場合、しがたって、ｌ若しくはｒが少なくとも１であるか、又はｌ及びｒが少なくとも１である）
の化合物、又はその塩、
（Ｃ）水性媒体
を含む化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物（Ｑ）が見出され、ここで、組成物（Ｑ）が２〜６のｐＨを有する。
【００１８】
さらに、本発明の目的を満たす、半導体産業に使用される基板（Ｓ）の化学機械研磨のためのＣＭＰ組成物（Ｑ）の使用方法が見出され、ここで、基板（Ｓ）が（ｉ）元素ゲルマニウム又は（ｉｉ）Ｓｉ１−ｘＧｅｘ（０．１≦ｘ＜１）を含む。
【００１９】
さらに、本発明の目的を満たす、ＣＭＰ組成物（Ｑ）の存在下で、半導体産業に使用される基板（Ｓ）の化学機械研磨を含む半導体装置の製造方法が見出され、ここで、基板（Ｓ）が（ｉ）元素ゲルマニウム又は（ｉｉ）Ｓｉ１−ｘＧｅｘ（０．１≦ｘ＜１）を含む。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
好ましい実施態様を特許請求の範囲及び明細書で説明する。好ましい実施態様の組み合わせが本発明の範囲内にあると理解される。
【００２１】
本発明によれば、ＣＭＰ組成物が無機粒子（Ａ）を含む。
【００２２】
（Ａ）は、
−  半金属、半金属酸化物若しくはカーバイドを含む無機粒子、例えば、金属、金属酸化物若しくはカーバイド、又は
−  無機粒子の混合物、
であることができる。
【００２３】
一般的には、粒子（Ａ）の化学的性質には、特に限定がない。（Ａ）は、同様の化学的性質、又は異なる化学的性質の粒子の混合物であってもよい。一般に、同様の化学的性質の粒子（Ａ）が好ましい。
【００２４】
一般的には、（Ａ）は、
−  １種のコロイド無機粒子、
−  １種のヒュームド無機粒子、
−  異なる種類のコロイド無機粒子及び／又はヒュームド無機粒子の混合物、
であることができる。
【００２５】
一般的には、コロイド無機粒子は、湿性沈殿法（wet precipitation）又は縮合法により製造される無機粒子である；ヒュームド無機粒子は、例えば、Ａｅｒｏｓｉｌ（登録商標）法を用いて、酸素の存在下で、例えば水素を有する金属塩化物前駆体の高温火炎加水分解法により製造される。
【００２６】
好ましくは、無機粒子（Ａ）は、コロイド無機粒子、ヒュームド無機粒子、又はそれらの混合物である。これらの中で、金属又は半金属の酸化物及び炭化物が好ましい。より好ましくは、粒子（Ａ）は、アルミナ、セリア、酸化銅、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化マンガン、シリカ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化スズ、チタニア、炭化チタン、酸化タングステン、酸化イットリウム、ジルコニア、又はそれらの混合物若しくは複合物である。最も好ましくは、粒子（Ａ）は、アルミナ、セリア、シリカ、チタニア、ジルコニア、又はそれらの混合物若しくは複合物である。特に、（Ａ）はシリカ粒子である。例えば（Ａ）はコロイドシリカ粒子である。
【００２７】
ここで使用される「コロイドシリカ」という用語は、Ｓｉ（ＯＨ）４の縮合重合により製造された二酸化ケイ素を指す。前駆体Ｓｉ（ＯＨ）４は、例えば、高純度アルコキシシランの加水分解により、又はケイ酸塩水溶液の酸性化により得ることができる。このようなコロイドシリカは、米国特許５，２３０，８３３に従って製造することができるか、又は任意の様々な市販の製品、例えばＦｕｓｏ ＰＬ−１、ＰＬ−２及びＰＬ−３製品、Ｎａｌｃｏ １０５０、２３２７及び２３２９製品、並びに、他のＤｕＰｏｎｔ、Ｂａｙｅｒ、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｒｅｓｅａｒｃｈ、Ｎｉｓｓａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ、Ｎｙａｃｏｌ及びＣｌａｒｉａｎｔ社製の類似の製品として得ることができる。
【００２８】
ＣＭＰ組成物（Ｑ）中の（Ａ）の量は、組成物（Ｑ）の総質量に基づいて、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは５質量％以下、最も好ましくは３質量％以下、特に２．５質量％以下である。（Ａ）の量は、組成物（Ｑ）の総質量に基づいて、好ましくは少なくとも０．０５質量％、より好ましくは少なくとも０．１質量％、最も好ましくは少なくとも０．５質量％、特に少なくとも０．８質量％である。例えば、（Ａ）の量は、０．０８質量％〜３．２質量％の範囲にあり得る。
【００２９】
一般的には、粒子（Ａ）は、様々な粒径分布に含むことができる。粒子（Ａ）の粒径分布は、単峰性又は多峰性であり得る。多峰性粒径分布の場合、二峰性がしばしば好ましい。本発明のＣＭＰプロセスの間に容易に再現可能な特性プロファイル及び容易に再現可能な条件を有するためには、（Ａ）において単峰性粒径分布が好ましい。（Ａ）が単峰性粒径分布を有することが最も好ましい。
【００３０】
粒子（Ａ）の平均粒径は、広い範囲内で変化することができる。平均粒径は、水性媒体（Ｍ）中の（Ａ）の粒径分布のｄ５０値であり、例えば動的光散乱（ＤＬＳ）又は静的光散乱（ＳＬＳ）法を用いて測定することができる。これらの方法及び他の方法は、当該分野で公知であり、例えば、Ｋｕｎｔｚｓｃｈ，Ｔｉｍｏ；Ｗｉｔｎｉｋ，Ｕｌｒｉｋｅ；Ｈｏｌｌａｔｚ、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｓｔｉｎｔｚ;Ｒｉｐｐｅｒｇｅｒ，Ｓｉｅｇｆｒｉｅｄ;半導体産業における化学機械研磨（ＣＭＰ）に用いられるスラリーの特徴（Characterization of Slurries Used for Chemical-Mechanical Polishing (CMP) in the Semiconductor Industry）；Ｃｈｅｍ．Ｅｎｇ．Ｔｅｃｈｎｏｌ;２６（２００３年），第１２巻，１２３５頁を参照する。
【００３１】
ＤＬＳにおいて、典型的には、Ｍａｌｖｅｒｎ Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ Ｎａｎｏ Ｓ（ＤＬＳ、マニュアルによる動的光散乱測定）又は任意の多のこのような装置を使用する。この技術は、入射光に対して９０°又は１７３°の角度で検出される、レーザ光源（λ＝６５０ｎｍ）を散乱させるときに粒子の流体力学的直径を測定する。散乱光の強度の変化は、粒子が入射ビームを通過し、時間の関数として監視されるときのランダムなブラウン運動（Brownian motion）に起因する。遅延時間の関数として計測器により行われる自己相関関数を使用して、減衰定数（decay constants）を抽出する。より小さい粒子は入射ビームを通してより速い速度で移動し、より速い減衰に対応する。
【００３２】
これらの減衰定数は、ストークス−アインシュタイン方程式（Stokes-Einstein equation）により、粒子の拡散係数Ｄｔに比例し、粒径（直径）Ｄｈの計算に使用され、
ここで、懸濁した粒子は、（１）球状形態を有し、（２）水性媒体（Ｍ）全体に均一に分散されている（すなわち、凝集していない）と仮定される。この関係は、η＝０．９６ｍＰａ・ｓ（温度Ｔ＝２２℃で）の水性分散剤（Ｍ）の粘度ηに有意な偏差がないので、１質量％未満の固形物を含有する粒子分散液に有効であることが期待される。無機粒子（Ａ）分散液の粒径分布は、通常、０．１〜１．０％の固形分濃度のプラスチックキュベット中で測定され、必要に応じて分散媒体又は超純水で希釈される。
【００３３】
【数１】
2018506176.tif 000004
【００３４】
粒子（Ａ）の平均粒径は、装置、例えば、高性能粒径測定器（High Performance Particle Sizer）、例えばＭａｌｖｅｒｎ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｌｔｄ．社製のＺｅｔａｓｉｚｅｒ Ｎａｎｏ Ｓ又はＨｏｒｉｂａ ＬＢ５５０を用いて動的光散乱技術で測定される、好ましくは２０〜２００ｎｍ、より好ましくは２５〜１８０ｎｍの範囲、最も好ましくは３０〜１７０ｎｍの範囲、特に好ましくは４０〜１６０ｎｍの範囲、特に４５〜１５０ｎｍの範囲にある。
【００３５】
粒子（Ａ）の、ＤＩＮ ＩＳＯ ９２７７：２０１０−０９により決定されたＢＥＴ表面積は、広い範囲内で変化することができる。粒子（Ａ）のＢＥＴ表面積は、好ましくは１〜５００ｍ２／ｇの範囲、より好ましくは５〜２５０ｍ２／ｇの範囲、最も好ましくは１０〜１００ｍ２／ｇの範囲、特に２０〜９０ｍ２／ｇの範囲、例えば２５〜８５ｍ２／ｇの範囲にある。
【００３６】
粒子（Ａ）は様々な形状であり得る。それによって、粒子（Ａ）は、1つ又は本質的に１つのみのタイプの形状であってもよい。しかしながら、粒子（Ａ）は、が異なる形状を有してもよい。例えば、２つのタイプの異なる形状の粒子（Ａ）が存在してもよい。例えば、（Ａ）は、立方体、斜縁を備えた立方体、八面体、二十面体、コクーン（繭）、突起又はくぼみを有するか又は有しないノジュール又は球体の形状を有することができる。好ましくは、それらは本質的に球形であり、それによって、典型的には、これらは突起又はくぼみを有する。
【００３７】
他の実施態様によれば、好ましくは、無機粒子（Ａ）はコクーン状である。コクーンは、突起又はくぼみを有しても、有しなくてもよい。コクーン状粒子は、１０〜２００ｎｍの短軸、１．４〜２．２、より好ましくは１．６〜２．０の長軸／短軸の比を有する粒子である。それらは、透過型電子顕微鏡及び走査型電子顕微鏡により決定することができる、好ましくは０．７〜０．９７、より好ましくは０．７７〜０．９２の平均形状係数、好ましくは０．４〜０．９、より好ましくは０．５〜０．７の平均球形度、及び好ましくは４１〜６６ｎｍ、より好ましくは４８〜６０ｎｍの平均円相当径を有する。
【００３８】
以下、図１〜４を参照して、コクーン状粒子の形状係数、球形度及び円相当径の決定を説明する。
【００３９】
形状係数は、個々の粒子の形状及びくぼみに関する情報（図１を参照する）を提供し、下記の式により計算することができる：
形状係数＝４π（面積／周長２）
【００４０】
くぼみのない球状粒子の形状係数は１である。くぼみの数が増大すると、形状係数値が低減する。
【００４１】
球形度（図２を参照する）は、平均の周りのモーメントを用いて個々の粒子の伸びに関する情報を提供し、下記の式により計算することができる：
球形度＝（Ｍｘｘ−Ｍｙｙ）−［４Ｍｘｙ２＋（Ｍｙｙ−Ｍｘｘ）２］０．５／（Ｍｘｘ−Ｍｙｙ）＋［４Ｍｘｙ２＋（Ｍｙｙ−Ｍｘｘ）２］０．５
伸び＝（１／球形度）０．５
（式中、
Ｍは、それぞれの粒子の重心であり、
Ｍｘｘ＝Σ（ｘ−ｘ平均）２／Ｎ、
Ｍｙｙ=Σ（ｙ−ｙ平均）２／Ｎ、
Ｍｘｙ＝Σ［（ｘ−ｘ平均）＊（ｙ−ｙ平均）］／Ｎ、
Ｎは、それぞれの粒子の画像を構成する画素の数であり、
ｘ、ｙは、画素の座標であり、
ｘ平均は、前記粒子の画像を構成するＮ画素のｘ座標の平均値であり、
ｙ平均は、前記粒子の画像を構成するＮ画素のｙ座標の平均値である）。
【００４２】
球状粒子の球形度は１である。粒子が伸びると、球形度値が低減する。
【００４３】
個々の非円形の粒子の円相当径（以下、ＥＣＤとも略称される）は、それぞれの非円形の粒子と同様の面積を有する円の直径に関する情報を提供する（図３を参照する）。
【００４４】
平均形状係数、平均球形度及び平均ＥＣＤは、分析された粒子数に関連するそれぞれの特性の算術平均である。
【００４５】
粒子形状の特徴付けの手順は以下の通りである。２０質量％の固形分を有するコクーン状のシリカ粒子水性分散液を、炭素ホイル上に分散させ、乾燥させる。乾燥した分散液を、エネルギーフィルタ型透過電子顕微鏡（ＥＦ−ＴＥＭ）（１２０キロボルト）及び走査型電子顕微鏡二次電子画像（ＳＥＭ−ＳＥ）（５キロボルト）を用いて分析する。分析には、２ｋ、１６ビット、０．６８５１ｎｍ／画素の解像度を有するＥＦ−ＴＥＭ画像（図４を参照する）を使用する。画像は、ノイズ抑制後のしきい値を使用する２値化処理される。その後、粒子を手動で分離する。重なる粒子及び縁にある粒子を識別し、分析に使用しない。上記で定義したＥＣＤ、形状係数及び球形度を計算し、統計的に分類する。
【００４６】
例えば、コクーン状粒子は、３５ｎｍの平均一次粒子径（ｄ１）及び７０ｎｍの平均二次粒子径（ｄ２）を有する、Ｆｕｓｏ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製のＦＵＳＯ ＰＬ−３である。
【００４７】
変数Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９の定義で言及した有機部分は、それぞれの基部分のそれぞれの列挙のための用語である。全ての炭化水素鎖、すなわち、全てのアルキル又はアルケニル又はアルキル−アシル又はアルケニル−アシルは、直鎖又は分岐状であることができ、接頭辞Ｃｎ〜Ｃｍは、いずれの場合にも、基における可能な炭素原子の数を示す。Ｃｎ〜Ｃｍは、ｍ及びｎを有する部分に限定されず、ｎとｍの間のすべての整数をも含むことが理解されるべきであり、このような意味の例としては、
Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、例えばＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、Ｃ３Ｈ７、Ｃ４Ｈ９、Ｃ５Ｈ１１、Ｃ６Ｈ１３、Ｃ７Ｈ１５、Ｃ８Ｈ１７、Ｃ９Ｈ１９、Ｃ１０Ｈ２１、Ｃ１１Ｈ２３、Ｃ１２Ｈ２５、Ｃ１３Ｈ２７、Ｃ１４Ｈ２９、Ｃ１５Ｈ３１、Ｃ１６Ｈ３３、Ｃ１７Ｈ３５、Ｃ１８Ｈ３７、Ｃ１９Ｈ３９、Ｃ２０Ｈ４１、
Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル、例えばＣ２Ｈ３、Ｃ３Ｈ５、Ｃ４Ｈ７、Ｃ５Ｈ９、Ｃ６Ｈ１１、Ｃ７Ｈ１３、Ｃ８Ｈ１５、Ｃ９Ｈ１７、Ｃ１０Ｈ１９、Ｃ１１Ｈ２１、Ｃ１２Ｈ２３、Ｃ１３Ｈ２５、Ｃ１４Ｈ２７、Ｃ１５Ｈ２９、Ｃ１６Ｈ３１、Ｃ１７Ｈ３３、Ｃ１８Ｈ３５、Ｃ１９Ｈ３７、Ｃ２０Ｈ３９、
Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、例えばＣＨ２−アシル、Ｃ２Ｈ４−アシル、Ｃ３Ｈ６−アシル、Ｃ４Ｈ８−アシル、Ｃ５Ｈ１０−アシル、Ｃ６Ｈ１２−アシル、Ｃ７Ｈ１４−アシル、Ｃ８Ｈ１６−アシル、Ｃ９Ｈ１８−アシル、Ｃ１０Ｈ２０−アシル、Ｃ１１Ｈ２２−アシル、Ｃ１２Ｈ２４−アシル、Ｃ１３Ｈ２６−アシル、Ｃ１４Ｈ２８−アシル、Ｃ１５Ｈ３０−アシル、Ｃ１６Ｈ３２−アシル、Ｃ１７Ｈ３４−アシル、Ｃ１８Ｈ３６−アシル、Ｃ１９Ｈ３８−アシル、Ｃ２０Ｈ４０−アシル、
Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、例えばＣ２Ｈ２−アシル、Ｃ３Ｈ４−アシル、Ｃ４Ｈ６−アシル、Ｃ５Ｈ８−アシル、Ｃ６Ｈ１０−アシル、Ｃ７Ｈ１２−アシル、Ｃ８Ｈ１４−アシル、Ｃ９Ｈ１６−アシル、Ｃ１０Ｈ１８−アシル、Ｃ１１Ｈ２０−アシル、Ｃ１２Ｈ２２−アシル、Ｃ１３Ｈ２４−アシル、Ｃ１４Ｈ２６−アシル、Ｃ１５Ｈ２８−アシル、Ｃ１６Ｈ３０−アシル、Ｃ１７Ｈ３２−アシル、Ｃ１８Ｈ３４−アシル、Ｃ１９Ｈ３６−アシル、Ｃ２０Ｈ３８−アシル、
が挙げられる。
【００４８】
本発明によれば、ＣＭＰ組成物は、一般式（Ｉ）の化合物（Ｂ）の少なくとも１種を含む。
【００４９】
【化２】
2018506176.tif 000005
【００５０】
Ｒ１は、好ましくは、Ｏ−、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯ−、ＣＯＯＮａ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
より好ましくは、Ｒ１は、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ５〜Ｃ１８−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ５〜Ｃ１８−アルケニル、Ｃ５〜Ｃ１８−アルキル−アシル、Ｃ５〜Ｃ１８−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
最も好ましくは、Ｒ１は、Ｈ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル−アシル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
特に好ましくは、Ｒ１は、Ｈ、ＣＨ２、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよい。
【００５１】
Ｒ２は、好ましくは、Ｏ−、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯ−、ＣＯＯＮａ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
より好ましくは、Ｒ２は、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ５〜Ｃ１８−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ５〜Ｃ１８−アルケニル、Ｃ５〜Ｃ１８−アルキル−アシル、Ｃ５〜Ｃ１８−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
最も好ましくは、Ｒ２は、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ５〜Ｃ１８−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ５〜Ｃ１８−アルケニル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
特に好ましくは、Ｒ２は、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよい。
【００５２】
Ｒ３は、好ましくは、Ｏ−、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯ−、ＣＯＯＮａ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
より好ましくは、Ｒ３は、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ５〜Ｃ１８−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ５〜Ｃ１８−アルケニル、Ｃ５〜Ｃ１８−アルキル−アシル、Ｃ５〜Ｃ１８−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
最も好ましくは、Ｒ３は、Ｈ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
特に好ましくは、Ｒ３は、Ｈ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよい。
【００５３】
Ｒ４は、好ましくは、Ｏ−、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯ−、ＣＯＯＮａ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
より好ましくは、Ｒ４は、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯＮａ、ＣＨ２、ＣＨ３、Ｃ５〜Ｃ１８−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ５〜Ｃ１８−アルケニル、Ｃ５〜Ｃ１８−アルキル−アシル、Ｃ５〜Ｃ１８−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
最も好ましくは、Ｒ４は、Ｈ、ＯＨ、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル−アシル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
特に好ましくは、Ｒ４は、Ｈ、ＯＨ、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル−アシル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよい。
【００５４】
Ｒ５は、好ましくは、Ｏ−、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯ−、ＣＯＯＮａ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
より好ましくは、Ｒ５は、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯ−、ＣＯＯＮａ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ５〜Ｃ１８−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ５〜Ｃ１８−アルケニル、Ｃ５〜Ｃ１８−アルキル−アシル、Ｃ５〜Ｃ１８−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
最も好ましくは、Ｒ５は、Ｈ、ＣＯＯ−、ＣＯＯＮａ、ＣＨ２、ＣＨ３、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
特に好ましくは、Ｒ５は、Ｈ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよい。
【００５５】
Ｒ６は、好ましくは、Ｏ−、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯ−、ＣＯＯＮａ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
より好ましくは、Ｒ６は、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯ−、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ５〜Ｃ１８−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ５〜Ｃ１８−アルケニル、Ｃ５〜Ｃ１８−アルキル−アシル、Ｃ５〜Ｃ１８−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
最も好ましくは、Ｒ６は、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル−アシル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
特に好ましくは、Ｒ６は、Ｈ、ＯＨ、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよい。
【００５６】
Ｒ７は、好ましくは、Ｏ−、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯ−、ＣＯＯＮａ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
より好ましくは、Ｒ７は、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ、ＣＨ２、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
最も好ましくは、Ｒ７は、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ、ＣＨ２、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
特に好ましくは、Ｒ７は、Ｈ、ＯＨ、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル−アシル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルケニル−アシル、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよい。
【００５７】
Ｒ８は、好ましくは、Ｏ−、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯ−、ＣＯＯＮａ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
より好ましくは、Ｒ８は、Ｈ、ＯＨ、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
最も好ましくは、Ｒ８は、Ｈ、ＯＨ、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
特に好ましくは、Ｒ８は、Ｈ、Ｃ４〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ４〜Ｃ１６−アルケニル、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよい。
【００５８】
Ｒ９は、好ましくは、Ｏ−、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯ−、ＣＯＯＮａ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＯＨＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよく、
より好ましくは、Ｒ９は、Ｏ−、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３又はＣＨ２ＣＯＯ−であってもよく、
最も好ましくは、Ｒ９は、Ｏ−、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３又はＣＨ２ＣＯＯ−であってもよく、
特に好ましくは、Ｒ９は、Ｏ−、ＣＨ３又はＣＨ２ＣＨ３であってもよい。
【００５９】
Ｘは、好ましくは、ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ、Ｃ＝Ｏ又はＣＨ２ＣＨ２Ｏであってもよく、
より好ましくは、Ｘは、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ、Ｃ＝Ｏ又はＣＨ２ＣＨ２Ｏであってもよく、
最も好ましくは、Ｘは、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ、Ｃ＝Ｏ又はＣＨ２ＣＨ２Ｏであってもよく、
特に好ましくは、Ｘは、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ、Ｃ＝Ｏ又はＣＨ２ＣＨ２Ｏであってもよい。
【００６０】
その構造中にポリマーポリエーテル鎖がない一般式（Ｉ）の化合物（Ｂ）において、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、好ましくは、０〜５の整数であってもよく、より好ましくは、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは０〜４の整数であってもよく、最も好ましくは、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは０〜３の整数であってもよく、特に好ましくは、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは０〜２の整数、例えば１であってもよい。
【００６１】
その構造中に少なくとも１つのポリマーポリエーテル鎖を有する一般式（Ｉ）の化合物（Ｂ）において、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、好ましくは、０〜５００の整数であってもよく、より好ましくは、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは０〜３００の整数であってもよく、最も好ましくは、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは０〜２００の整数であってもよく、特に好ましくは、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、０〜１００の整数、例えば４、６、８、１０、１３、１７、２２、２５、２９、３３、３５、３７、４１、４７、５０、５４、５８、６２、６７、７１、７３、７８、８１、８４、８５、８７、９１、９５又は９７であってもよい。
【００６２】
一般式（Ｉ）のＲ１、Ｒ３、Ｒ５及び／又はＲ７は、互いに独立して、一価の置換基である場合、ｍ、ｏ、ｑ及び／又はｓがゼロであり、すなわち、Ｒ１は一価である場合、ｍがゼロであり、Ｒ３は一価である場合、ｏがゼロであり、Ｒ５は一価である場合、ｑがゼロであり、Ｒ７は一価である場合、ｓがゼロである。Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５及び／又はＲ７は、互いに独立して、二価の置換基である場合、ｍ、ｏ、ｑ及び／又はｓが少なくとも１であり、すなわち、Ｒ１は二価である場合、ｍが少なくとも１であり、Ｒ３は二価である場合、ｏが少なくとも１であり、Ｒ５は二価である場合、ｑが少なくとも１であり、Ｒ７は二価である場合、ｓが少なくとも１である。
【００６３】
この明細書において、一価の置換基は、酸素水素結合以外の１つのさらなる共有化学結合を形成することができる置換基であり、一価の置換基は、Ｏ−、Ｈ、ＯＨ、ＣＯＯ−、ＣＯＯＮａ、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−又はＣＨ２ＣＯＯＮａであってもよい。
【００６４】
この明細書において、二価の置換基は少なくとも２つのさらなる共有化学結合を形成することができる置換基であり、二価の置換基は、ＣＨ、ＣＨ２、ＨＯＣＨＣＨＯＨ、ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであってもよい。
【００６５】
一般的には、化合物（Ｂ）は、少なくとも１つの非ポリマー側鎖を有する分子、又は少なくとも1つのポリマー側鎖を有する分子であってもよい。化合物（Ｂ）の側鎖がポリマー側鎖である場合、少なくとも１つのポリエーテル側鎖が好ましく、ここで、少なくとも１つのポリエーテル側鎖の末端オキシアルキレン基がヒドロキシ官能性を有する。例えば、化合物（Ｂ）中の少なくとも1つのポリマーポリエーテル側鎖の末端オキシエチレン基はヒドロキシル官能性を有するか、又は化合物（Ｂ）中の少なくとも1つのポリマーポリエーテル側鎖の末端オキシプロピレン基はヒドロキシル官性基を有する。一般的には、少なくとも１つのポリエーテル側鎖は、直鎖又は分岐状であってもよく、化合物（Ｂ）中の少なくとも1つのポリマーポリエーテル側鎖を形成するオキシアルキレン基は、ポリマーポリエーテル側において、ランダム、交互、勾配及び／又はブロックのような分布を有してもよい。
【００６６】
好ましくは、化合物（Ｂ）中のポリマーポリエーテル側鎖におけるオキシエチレン基とオキシプロピレン基との質量比は、１：５０〜５０：１の範囲内にあり、より好ましくは、１：２０〜２０：１の範囲内にあり、最も好ましくは、１：６〜１８：１の範囲内にあり、特に好ましくは、１：２〜１５：１の範囲内にある。
【００６７】
例えば、本発明による化合物（Ｂ）は、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ、Ｃ＝Ｏ又はＣＨ２ＣＨ２ＯであるＸ、Ｈ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル−アシル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ１、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ５〜Ｃ１８−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ５〜Ｃ１８−アルケニル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ２、Ｈ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ３、Ｈ、ＯＨ、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル−アシル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ４、Ｈ、ＣＯＯ−、ＣＯＯＮａ、ＣＨ２、ＣＨ３、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ５、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル−アシル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ６、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ、ＣＨ２、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル−アシル、Ｃ２〜Ｃ２０−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ７、Ｈ、ＯＨ、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ２〜Ｃ２０−アルケニル、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ８、Ｏ−、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３又はＣＨ２ＣＯＯ−であるＲ９、０又は１であるｕ及びｔ、並びに、構造中にポリマーポリエーテル鎖がない一般式（Ｉ）の化合物において、０〜５の範囲の整数であるｌ、ｍ、ｏ、ｑ及びｓ、１〜５の範囲の整数であるｐ及びｒ、構造中に少なくとも１つのポリマーポリエーテル鎖を有する一般式（Ｉ）の化合物において、０〜５００の範囲の整数であるｌ、ｍ、ｏ、ｑ及びｓ、１〜５００の範囲の整数であるｐ及びｒ（ｕが少なくとも１であり、かつＸがＣ＝Ｏ又はＣＨ２ＣＨ２Ｏである場合、ｌ若しくはｒがセロであるか、又はｌ及びｒがゼロである；ＸがＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ又はＣＨ２ＣＨ２ＣＨである場合、ｌ若しくはｒが少なくとも１であるか、又はｌ及びｒが少なくとも１である）を有することが、最も好ましい。
【００６８】
例えば、本発明による化合物（Ｂ）は、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ、ＣＨ２ＣＨ、Ｃ＝Ｏ又はＣＨ２ＣＨ２ＯであるＸ、Ｈ、ＣＨ２、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ１、Ｈ、ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ２、Ｈ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ３、Ｈ、ＯＨ、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル−アシル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ４、Ｈ、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＯＯ−、ＣＨ２ＣＯＯＮａ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ５、Ｈ、ＯＨ、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル−アシル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ６、Ｈ、ＯＨ、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ８〜Ｃ１６−アルケニル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルキル−アシル、Ｃ８〜Ｃ１６−アルケニル−アシル、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ７、Ｈ、Ｃ４〜Ｃ１６−アルキル、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合を有するＣ４〜Ｃ１６−アルケニル、ＣＨ２ＣＨ２Ｏ又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯであるＲ８、Ｏ−、ＣＨ３又はＣＨ２ＣＨ３であるＲ９、０又は１であるｕ及びｔ、並びに、構造中にポリマーポリエーテル鎖がない一般式（Ｉ）の化合物において、０〜３の範囲の整数であるｌ、ｍ、ｏ、ｑ及びｓ、１〜３の範囲の整数であるｐ及びｒ、構造中に少なくとも１つのポリマーポリエーテル鎖を有する一般式（Ｉ）の化合物において、０〜２５０の範囲の整数であるｌ、ｍ、ｏ、ｑ及びｓ、１〜２５０の範囲の整数であるｐ及びｒ（ｕが少なくとも１であり、かつＸがＣ＝Ｏ又はＣＨ２ＣＨ２Ｏである場合、ｌ若しくはｒがセロであるか、又はｌ及びｒがゼロである；ＸがＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｎ、ＣＨ、ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ又はＣＨ２ＣＨ２ＣＨである場合、ｌ若しくはｒが少なくとも１であるか、又はｌ及びｒが少なくとも１である）を有することが、特に好ましい。
【００６９】
例えば、本発明による化合物（Ｂ）は、下記の指数及び変数を有する一般式（Ｉ）の化合物である：
【００７０】
【表１】
2018506176.tif 000006
【００７１】
Ｂ１において、ポリエーテル側鎖の末端オキシアルキレン基がヒドロキシ官能性である。
【００７２】
【表２】
2018506176.tif 000007
【００７３】
【表３】
2018506176.tif 000008
【００７４】
【表４】
2018506176.tif 000009
【００７５】
【表５】
2018506176.tif 000010
【００７６】
【表６】
2018506176.tif 000011
【００７７】
【表７】
2018506176.tif 000012
【００７８】
【表８】
2018506176.tif 000013
【００７９】
【表９】
2018506176.tif 000014
【００８０】
【表１０】
2018506176.tif 000015
【００８１】
【表１１】
2018506176.tif 000016
【００８２】
【表１２】
2018506176.tif 000017
【００８３】
【表１３】
2018506176.tif 000018
【００８４】
【表１４】
2018506176.tif 000019
【００８５】
【表１５】
2018506176.tif 000020
【００８６】
本発明によれば、ＣＭＰ組成物（Ｑ）中の（Ｂ）の量は、組成物（Ｑ）の総質量に基づいて、０．５質量％以下、より好ましくは０．３質量％以下、最も好ましくは０．２質量％以下、特に０．１５質量％以下である。本発明によれば、（Ｂ）の量は、組成物（Ｑ）の総質量に基づいて、少なくとも０．００１質量％、好ましくは少なくとも０．００２質量％、より好ましくは少なくとも０．００５質量％、最も好ましくは少なくとも０．００７質量％、特に少なくとも０．００８質量％である。例えば、（Ｂ）の量は、０．０１質量％〜０．１２質量％の範囲にあり得る。
【００８７】
本発明によれば、ＣＭＰ組成物は水性媒体（Ｃ）を含む。（Ｃ）は、１種の水性媒体、又は様々な水性媒体の混合物であり得る。
【００８８】
一般的には、水性媒体（Ｃ）は、水を含有する任意の媒体であることができる。好ましくは、水性媒体（Ｃ）は、水、及び水と混合できる有機溶媒（例えば、アルコール、好ましくはＣ１〜Ｃ３アルコール、又はアルキレングリコール誘導体）の混合物である。より好ましくは、水性媒体（Ｃ）は水である。最も好ましくは、水性媒体（Ｃ）は脱イオン水である。
【００８９】
（Ｃ）以外の成分の量が、ＣＭＰ組成物の質量に基づいて、合計でｘ質量％である場合、（Ｃ）の量は、ＣＭＰ組成物の質量に基づいて、（１００−ｘ）質量％である。
【００９０】
さらに、本発明の化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物（Ｑ）は、任意に、１種以上の酸化剤（Ｄ）、好ましくは１種又は２種の酸化剤、より好ましくは１種の酸化剤を含む。より好ましくは、１種以上の酸化剤（Ｄ）の１種又は少なくとも１種は、過酸化物、過硫酸塩、過塩素酸塩、過臭素酸塩、過ヨウ素酸塩、過マンガン酸塩及びそれらの誘導体からなる群から選択される。最も好ましくは、このような酸化剤（Ｄ）は過酸化物又は過硫酸塩である。特に、このような酸化剤（Ｄ）は過酸化物である。特に、（Ｄ）は過酸化水素である。
【００９１】
存在する場合、酸化剤（単数又は複数）（Ｄ）の総量は、本発明のＣＭＰ組成物において任意の広い範囲の割合で含有することができる。好ましくは、（Ｄ）の総量は、いずれの場合も組成物の総質量に基づいて、２０質量％以下、より好ましくは１０質量％以下、最も好ましくは５質量％以下、特に２．５質量％以下、例えば１．５質量％以下である。好ましくは、（Ｄ）の総量は、いずれの場合も本発明のそれぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、少なくとも０．０１質量％、より好ましくは少なくとも０．０８質量％、最も好ましくは少なくとも０．４質量％、特に少なくとも０．７５質量％、例えば少なくとも１質量％である。過酸化水素を唯一の酸化剤（Ｄ）として使用する場合、（Ｄ）の総量は、いずれの場合も本発明のそれぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、好ましくは０．５質量％〜４質量％、より好ましくは１質量％〜２質量％、例えば１．２〜１．３質量％である。
【００９２】
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）に加えて、化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物（Ｑ）は、下記の１種以上のさらなる成分を含むことができる。
【００９３】
本発明によるＣＭＰ組成物の特性、例えば、異なる材料に対して（例えば金属対二酸化ケイ素）組成物の安定性、研磨性能及びエッチング挙動は、それぞれ、対応する組成物のｐＨに依存することが可能である。
【００９４】
本発明によれば、ＣＭＰ組成物（Ｑ）は、２〜６の範囲のｐＨを有する。好ましくは、本発明による又は使用される組成物のｐＨ値は、それぞれ、２．５〜５．８、より好ましくは３．２〜５．５、最も好ましくは３．５〜５．３、特に好ましくは３．７〜５．２、例えば３．８〜５．１の範囲にある。
【００９５】
さらに、ＣＭＰ組成物（Ｑ）は、任意に、ＣＭＰ組成物（Ｑ）の総質量に基づいて、０〜２質量％の少なくとも１種のｐＨ調整剤（Ｎ）を含有することができる。ｐＨ調整剤（Ｎ）は、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）と異なる。一般的には、ｐＨ調整剤（Ｎ）は、ＣＭＰ組成物（Ｑ）に添加してそのｐＨ値を所要の値まで調整させる化合物である。好ましくは、ＣＭＰ組成物（Ｑ）は少なくとも１種のｐＨ調整剤（Ｎ）を含有する。好ましいｐＨ調整剤は、水酸化テトラアルキルアンモニウムを含んで、無機酸、カルボン酸、アミン塩基、アルカリ水酸化物、水酸化アンモニウムである。特に、ｐＨ調整剤（Ｎ）は、硝酸、硫酸、アンモニア、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムである。例えば、ｐＨ調整剤（Ｎ）は水酸化カリウム又は硝酸である。
【００９６】
存在する場合、ｐＨ調整剤（Ｎ）は、様々な量で含むことができる。存在する場合、（Ｎ）の量は、ＣＭＰ組成物（Ｑ）の総質量に基づいて、好ましくは２質量％以下、より好ましくは１質量％以下、最も好ましくは０．５質量％以下、特に０．１質量％以下、例えば０．０５質量％以下である。存在する場合、（Ｎ）の量は、対応する組成物（Ｑ）の総質量に基づいて、好ましくは少なくとも０．０００５質量％、より好ましくは少なくとも０．００５質量％、最も好ましくは少なくとも０．０２５質量％、特に少なくとも０．１質量％、例えば少なくとも０．４質量％ある。
【００９７】
さらに、本発明のＣＭＰ組成物は、任意に、少なくとも１種の錯化剤（Ｅ）、例えば１種の錯化剤を含有することができる。一般的には、錯化剤は、被研磨基板又はその１つの層のイオンを錯化することができる化合物である。好ましくは、（Ｅ）は、少なくとも２個のＣＯＯＨ基を有するカルボン酸、Ｎ含有カルボン酸、Ｎ含有スルホン酸、Ｎ含有硫酸、Ｎ含有ホスホン酸、Ｎ含有リン酸又はそれらの塩である。より好ましくは、（Ｅ）は、少なくとも２個のＣＯＯＨ基を有するカルボン酸、Ｎ含有カルボン酸又はそれらの塩である。最も好ましくは、（Ｅ）は、アミノ酸又はその塩である。例えば、（Ｅ）は、グリシン、セリン、アラニン、ヒスチジン又はそれらの塩である。
【００９８】
存在する場合、錯化剤（Ｅ）は、様々な量で含有することができる。好ましくは、（Ｅ）の量は、対応する組成物の総質量に基づいて、２０質量％以下、より好ましくは１０質量％以下、最も好ましくは５質量％以下、例えば２質量％以下である。好ましくは、（Ｅ）の量は、対応する組成物の総質量に基づいて、少なくとも０．０５質量％、より好ましくは少なくとも０．１質量％、最も好ましくは少なくとも０．５質量％、例えば少なくとも１質量％である。
【００９９】
さらに、本発明のＣＭＰ組成物は、任意に、少なくとも１種の殺生物剤（Ｈ）、例えば１種の殺生物剤をさらに含有することができる。一般的には、殺生物剤は、化学的又は生物学的手段により、任意の有害生物を抑制、無害化又は制御効果を発揮する化合物である。好ましくは、（Ｈ）は、第４級アンモニウム化合物、イソチアゾリノン系化合物、Ｎ−置換二酸化ジアゾニウム、又はＮ’−ヒドロキシ−酸化ジアゾニウムオキサイド塩である。より好ましくは、（Ｈ）はＮ−置換二酸化ジアゾニウム又はＮ’−ヒドロキシ−酸化ジアゾニウムオキサイド塩である。
【０１００】
存在する場合、殺生物剤（Ｈ）は、様々な量で含有することができる。存在する場合、（Ｈ）の量は、対応する組成物の総質量に基づいて、好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、最も好ましくは０．０５質量％以下、特に０．０２質量％以下、例えば０．００８質量％以下である。存在する場合、（Ｈ）の量は、対応する組成物の総質量に基づいて、好ましくは少なくとも０．０００１質量％、より好ましくは少なくとも０．０００５質量％、最も好ましくは少なくとも０．００１質量％、特に少なくとも０．００３質量％、例えば少なくとも０．００６質量％である。
【０１０１】
本発明によるＣＭＰ組成物は、それぞれ、必要なら、安定剤、界面活性剤など（これに制限していない）を含む様々な他の添加剤を含んでもよい。前記他の添加剤は、例えば、通常ＣＭＰ組成物に使用されるものであるので、当業者に公知である。このような添加剤は、例えば、分散を安定化させるか、又は研磨性能、若しくは異なる層間の選択性を向上することができる。
【０１０２】
存在する場合、前記添加剤は、様々な量で含有することができる。好ましくは、前記添加剤の量は、対応する組成物の総質量に基づいて、１０質量％以下、より好ましくは１質量％以下、最も好ましくは０．１質量％以下、例えば０．０１質量％以下である。好ましくは、前記添加剤の量は、対応する組成物の総質量に基づいて、少なくとも０．０００１質量％、より好ましくは少なくとも０．００１質量％、最も好ましくは少なくとも０．０１質量％、例えば少なくとも０．１質量％である。
【０１０３】
本発明によるＣＭＰ組成物（Ｑ）の例として、以下が挙げられる：
Ｚ１：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．１〜２．２質量％の量の無機粒子、
（Ｂ１）式中、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓが、互いに独立して、１〜１５０の整数であり、
（Ｃ）水性媒体、
ここで、組成物（Ｑ）が、２．８〜５．２のｐＨを有する。
【０１０４】
Ｚ２：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．１〜２．９質量％の量のシリカ粒子、
（Ｂ１）式中、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ及びｓが、互いに独立して、１〜１２０の整数であり、
（Ｃ）水性媒体、
ここで、組成物（Ｑ）が、２．２〜５．４のｐＨを有する。
【０１０５】
Ｚ３：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．５〜２．３質量％の量のシリカ粒子、
（Ｂ１）式中、ｌ、ｎ、ｐ及びｒが、互いに独立して、１〜４８の整数であり、ｍ、ｏ、ｑ及びｓが、互いに独立して、８〜８７の整数であり、
（Ｃ）水性媒体、
ここで、組成物（Ｑ）が、２．２〜５．４のｐＨを有する。
【０１０６】
Ｚ４：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２〜３．４質量％の量のシリカ粒子、
（Ｂ１）式中、ｌ、ｎ、ｐ及びｒが、互いに独立して、１〜２５の整数であり、ｍ、ｏ、ｑ及びｓが、互いに独立して、５〜９５の整数であり、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５及びＲ７がＣＨ２ＣＨ２Ｏであり、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ６及びＲ８がＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであり、
（Ｃ）水性媒体、
ここで、組成物（Ｑ）が、２．２〜５．４のｐＨを有する。
【０１０７】
Ｚ５：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２〜１．８質量％の量のシリカ粒子、
（Ｂ１）式中、ｌ、ｎ、ｐ及びｒが、互いに独立して、１〜６０の整数であり、ｍ、ｏ、ｑ及びｓが、互いに独立して、１０〜１１０の整数であり、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５及びＲ７がＣＨ２ＣＨ２Ｏであり、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ６及びＲ８がＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであり、
（Ｃ）水性媒体、
ここで、組成物（Ｑ）が、２．２〜４．８のｐＨを有する。
【０１０８】
Ｚ６：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．５〜２．３質量％の量のシリカ粒子、
（Ｂ１）式中、ｌ、ｎ、ｐ及びｒが、互いに独立して、１〜７５の整数であり、ｍ、ｏ、ｑ及びｓが、互いに独立して、４〜９０の整数であり、それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１〜０．３質量％の量で、
（Ｃ）水性媒体、
ここで、組成物（Ｑ）が、２．６〜４．６のｐＨを有する。
【０１０９】
Ｚ７：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２〜３．４質量％の量のシリカ粒子、
（Ｂ１）式中、ｌ、ｎ、ｐ及びｒが、互いに独立して、１〜８５の整数であり、ｍ、ｏ、ｑ及びｓが、互いに独立して、５〜１５０の整数であり、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５及びＲ７がＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏであり、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ６及びＲ８がＣＨ２ＣＨ２Ｏであり、
（Ｃ）水性媒体、
ここで、組成物（Ｑ）が、２．２〜５．４のｐＨを有する。
【０１１０】
Ｚ８：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２〜３．４質量％の量のシリカ粒子、
（Ｂ２）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１〜０．３質量％の量で、
（Ｃ）水性媒体、
ここで、組成物（Ｑ）が、２．２〜５．４のｐＨを有する。
【０１１１】
Ｚ９：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２〜３．４質量％の量のシリカ粒子、
（Ｂ５）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１〜０．３質量％の量で、
（Ｃ）水性媒体、
ここで、組成物（Ｑ）が、２．２〜５．４のｐＨを有する。
【０１１２】
Ｚ１０：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２〜３．４質量％の量のシリカ粒子、
（Ｂ６）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１〜０．３質量％の量で、
（Ｃ）水性媒体、
ここで、組成物（Ｑ）が、２．２〜５．４のｐＨを有する。
【０１１３】
Ｚ１１：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２〜３．４質量％の量のシリカ粒子、
（Ｂ８）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１〜０．３質量％の量で、
（Ｃ）水性媒体、
ここで、組成物（Ｑ）が、２．２〜５．４のｐＨを有する。
【０１１４】
Ｚ１２：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２〜３．４質量％の量のシリカ粒子、
（Ｂ９）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１〜０．３質量％の量で、
（Ｃ）水性媒体、
ここで、組成物（Ｑ）が、２．２〜５．４のｐＨを有する。
【０１１５】
Ｚ１３：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２〜３．４質量％の量のシリカ粒子、
（Ｂ１０）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１〜０．３質量％の量で、
（Ｃ）水性媒体、
ここで、組成物（Ｑ）が、２．２〜５．４のｐＨを有する。
【０１１６】
Ｚ１４：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２〜３．４質量％の量のシリカ粒子、
（Ｂ１１）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１〜０．３質量％の量で、
（Ｃ）水性媒体、
ここで、組成物（Ｑ）が、２．２〜５．４のｐＨを有する。
【０１１７】
Ｚ１５：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２〜２．４質量％の量のシリカ粒子、
（Ｂ１２）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１〜０．３質量％の量で、
（Ｃ）水性媒体、
ここで、組成物（Ｑ）が、２．２〜５．４のｐＨを有する。
【０１１８】
Ｚ１６：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２〜２．６質量％の量のシリカ粒子、
（Ｂ１３）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１〜０．３質量％の量で、
（Ｃ）水性媒体、
ここで、組成物（Ｑ）が、２．２〜５．４のｐＨを有する。
【０１１９】
Ｚ１７：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２〜３．１質量％の量のシリカ粒子、
（Ｂ１４）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１〜０．３質量％の量で、
（Ｃ）水性媒体、
ここで、組成物（Ｑ）が、２．２〜５．４のｐＨを有する。
【０１２０】
Ｚ１８：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２〜２．９質量％の量のシリカ粒子、
（Ｂ１５）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１〜０．３質量％の量で、
（Ｃ）水性媒体、
ここで、組成物（Ｑ）が、２．２〜５．４のｐＨを有する。
【０１２１】
半導体装置は本発明の方法により製造することができ、前記方法は、ＣＭＰ組成物（Ｑ）の存在下で元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘ材料（０．１≦ｘ＜１）の化学機械研磨を含み、好ましくは、前記方法は、ＣＭＰ組成物（Ｑ）の存在下で元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘ材料の化学機械研磨を含む。
【０１２２】
一般的には、本発明による方法により製造することがきる半導体装置には、特に制限していない。したがって、半導体装置は、半導体材料、例えばシリコン、ゲルマニウム及びＩＩＩ−Ｖ材料を含む電子部品であり得る。半導体装置は、単独の個別素子（discrete devices）として製造されたもの、又はウェハ上に製造され、相互接続された複数の素子からなる集積回路（ＩＣｓ）として製造されたものであり得る。半導体装置は、二端子素子（terminal device）（例えば、ダイオード）、三端子素子（例えば、バイポーラトランジスタ）、四端子素子（例えば、ホール効果センサ）、又は多端子素子であり得る。好ましくは、前記半導体装置は多端子素子である。多端子素子は、集積回路としての論理素子、及びマイクロプロセッサー、又はランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）及び相変化ランダムアクセスメモリ（ＰＣＲＡＭ）としてのメモリ素子であることができる。好ましくは、前記半導体装置は多端子論理素子である。特に、前記半導体装置は集積回路又はマイクロプロセッサーである。
【０１２３】
一般的には、この元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘは、任意のタイプ、形態又は形状の元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘであり得る。この元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘは、好ましくは、層状及び／又はオーバーグロース（overgrowth）を有する。この元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘは層状及び／又はオーバーグロースを有する場合、ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘの含有量は、対応する層及び／又はオーバーグロースの質量に基づいて、好ましくは９０質量％を超え、より好ましくは９５質量％を超え、最も好ましくは９８質量％を超え、特に９９質量％を超え、例えば９９．９質量％を超える。一般的には、この元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘは、異なる方法で製造する又は得ることができる。この元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘは、好ましくは、他の基板間のトレンチに充填又は成長され、より好ましくは、二酸化ケイ素、シリコン、又は半導体産業で使用される他の絶縁材料及び半導体材料の間のトレンチに充填又は成長され、最も好ましくは、ＳＴＩ（浅溝分離）二酸化シリコンの間のトレンチに充填又は成長され、特に、選択的エピタキシャル成長プロセスにおいけるＳＴＩ二酸化シリコン間のトレンチで成長される。この元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘは、ＳＴＩ二酸化シリコン間のトレンチに充填又は成長される場合、前記トレンチの深さは、好ましくは２０〜５００ｎｍ、より好ましくは１５０〜４００ｎｍ、最も好ましくは２５０〜３５０ｎｍ、特に２８０〜３２０ｎｍである。他の実施態様において、この元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘは、二酸化ケイ素、シリコン、又は半導体産業で使用される他の絶縁材料及び半導体材料の間のトレンチに充填又は成長される場合、前記トレンチの深さは、好ましくは５〜１００ｎｍ、より好ましくは８〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜３５ｎｍ、特に１５〜２５ｎｍである。
【０１２４】
元素ゲルマニウムは、その化学元素の形態のゲルマニウムであり、好ましくはゲルマニウム塩、又は対応する合金の質量に基づいて９０質量％未満のゲルマニウム含有量を有するゲルマニウム合金を含まない。
【０１２５】
前記Ｓｉ１−ｘＧｅｘ材料（０．１≦ｘ＜１）は、任意のタイプ、形態又は形状の０．１≦ｘ＜１のＳｉ１−ｘＧｅｘ材料であり得る。一般的には、ｘは０．１≦ｘ＜１の範囲の中の任意の値であり得る。好ましくは、ｘは０．１≦ｘ＜０．８の範囲にあり、より好ましくは、ｘは０．１≦ｘ＜０．５の範囲にあり、最も好ましくは、ｘは０．１≦ｘ＜０．３の範囲にあり、例えば、ｘは０．２である。前記Ｓｉ１−ｘＧｅｘ材料は、好ましくは、Ｓｉ１−ｘＧｅｘ層、より好ましくはひずみ緩和のＳｉ１−ｘＧｅｘ層である。このひずみ緩和のＳｉ１−ｘＧｅｘ層は、本明細書中に参考として引用される、ＵＳ ２００８／０２６５３７５ Ａ１の段落［０００６］に記載のものであり得る。
【０１２６】
本発明の方法が、元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘ及び二酸化ケイ素を含む基板の化学機械研磨を含む場合、材料の除去速度に関し、二酸化ケイ素に対する元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘの選択性は、好ましくは１０：１よりも高く、より好ましくは２０：１よりも高く、最も好ましくは３０：１よりも高く、特に５０：１よりも高く、特に７５：１よりも高く、例えば１００：１よりも高い。この選択性は、例えば、ＣＭＰ組成物（Ｑ）の有機化合物（Ｂ）の種類及び濃度により、ｐＨ値及び酸化剤（Ｄ）の濃度などの他のパラメータを設定することにより調整することができる。酸化剤（Ｄ）の濃度を変化させることによる研磨性能への影響は、特に、Ｓｉ１−ｘＧｅｘ材料（０．１≦ｘ＜１）を研磨することにより見ることができる。
【０１２７】
本発明によるＣＭＰ組成物（Ｑ）は、好ましくは、元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘ材料（０．１≦ｘ＜１）を含む基板の化学機械研磨に、好ましくは、元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘ層及び／又はオーバーグロースを含む基板の化学機械研磨に使用される。前記元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘ層及び／又はオーバーグロースのゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘ含有量は、好ましくは、対応する層及び／又はオーバーグロースの質量に基づいて、９０質量％を超え、より好ましくは９５質量％を超え、最も好ましくは９８質量％を超え、特に９９質量％を超え、例えば９９．９質量％を超える。元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘ層及び／又はオーバーグロースは、様々な方法で、好ましくは他の基板間のトレンチに充填又は成長させることにより、より好ましくは二酸化ケイ素、シリコン、又は半導体産業で使用される他の絶縁材料及び半導体材料の間のトレンチに充填又は成長させることにより、最も好ましくはＳＴＩ（浅溝分離）二酸化シリコンの間のトレンチに充填又は成長させることにより、特に選択的エピタキシャル成長プロセスにおいけるＳＴＩ二酸化シリコン間のトレンチで成長させることにより、得ることができる。
【０１２８】
本発明によるＣＭＰ組成物（Ｑ）は、元素ゲルマニウム及び二酸化ケイ素を含む基板の研磨に使用される場合、材料の除去速度に関し、二酸化ケイ素に対する元素ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘの選択性は、好ましくは１０：１よりも高く、より好ましくは２０：１よりも高く、最も好ましくは３０：１よりも高く、特に５０：１よりも高く、特に７５：１よりも高く、例えば１００：１よりも高い。
【０１２９】
通常、ＣＭＰ組成物の製造方法は公知である。これらの方法は、本発明によるＣＭＰ組成物（Ｑ）の製造に適用してもよい。これは、例えば、水性媒体（Ｃ）（好ましくは、水）中に上述した成分（Ａ）及び（Ｂ）を分散又は溶解することを組み合わせることにより、任意に酸、塩基、バッファー又はｐＨ調整剤の添加によりｐＨ値を調整することにより、実行することができる。このために、従来の、及び標準の混合方法及び混合装置、例えば攪拌容器、高せん断インペラ（high shear impellers）、超音波ミキサー、ホモジナイザーノズル又は向流ミキサーが、使用することができる。
【０１３０】
好ましくは、ＣＭＰ組成物（Ｑ）は、無機粒子（Ａ）を分散し、水性媒体（Ｃ）中で化合物（Ｂ）を溶解して、ｐＨを２〜６に調整することにより製造される。
【０１３１】
研磨方法は、一般に公知であり、集積回路を有するウェハの製造において、ＣＭＰに使用される通常の条件下で、方法及び装置を用いて行うことができる。研磨方法が行うことができる装置に関して、制限していない。
【０１３２】
当技術分野で知られているように、ＣＭＰ方法のための典型的な装置は、研磨パッドで覆われた回転プラテンからなる。軌道研磨機も使用している。ウェハは、キャリア又はチャック上に取り付けられる。処理されるウェハの側面は、研磨パッドに向いている（片面研磨プロセス）。保持リングはウェハを水平位置に固定する。
【０１３３】
キャリアの下方では、一般に、より大きな直径のプラテンも水平に配置され、研磨すべきウェハの表面と平行な表面を提供する。プラテン上の研磨パッドは、平坦化プロセス中にウェハ表面に接触する。
【０１３４】
材料損失を生じさせるために、ウェハを研磨パッドに押し付ける。通常、キャリアとプラテンの両方は、キャリアとプラテンから垂直に延びるそれぞれの軸を中心に回転させる。回転キャリアの軸は、回転プラテンに対する位置に固定されたままであってもよいか、又はプラテンに対して水平に振動してもよい。キャリアの回転方向は、必ずしもそうではないが、典型的には、プラテンの回転方向と同様である。キャリア及びプラテンの回転速度は、一般に、必ずしも異なるものではないが、異なる値に設定される。本発明のＣＭＰ方法の間、ＣＭＰ組成物（Ｑ）は、通常、連続的な流れとして、又は滴下方式で研磨パッド上に適用される。通常、プラテンの温度は１０〜７０℃の温度に設定される。
【０１３５】
ウェハ上の積み荷は、例えば、しばしばバッキングフィルムと呼ばれる柔軟なパッドで覆われている、鋼製の平らなプレートにより適用することができる。より進化した装置を使用する場合、空気又は窒素の圧力を負荷された可撓性膜がウェハをパッド上に押し付ける。硬質研磨パッドを使用する場合、ウェハ上の下への圧力分布が、硬質プラテン配置を有するキャリアよりもより均一であるので、このような膜キャリアは、低い下への力のプロセスに好ましい。また、ウェハ上の圧力分布を制御するオプションを有するキャリアも、本発明に従って使用することができる。それらは、通常、互いに独立して一定の程度まで負荷することができる多数の異なるチャンバを備えるように設計されている。
【０１３６】
さらなる詳細については、ＷＯ２００４／０６３３０１Ａ１、特に図２と合わせて１６頁の段落［００３６］から１８頁の段落［００４０］を参照する。
【０１３７】
本発明のＣＭＰ方法により、優れた機能性を有し誘電体層を含む集積回路を有するウェハを得ることができる。
【０１３８】
本発明によるＣＭＰ組成物（Ｑ）は、すぐに使用できるスラリーとしてＣＭＰ方法に使用することができ、長い貯蔵寿命を有し、長時間にわたって安定な粒径分布を示す。したがって、それらは、容易に取り扱い及び保管することができる。それらは、特に、高ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘＭＲＲと、高Ｇｅ及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘ：ＳｉＯ２選択性との組み合わせ、及び／又は高ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘＭＲＲと、低ゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘＳＥＲとの組み合わせに関して、優れた研磨性能を示す。
【０１３９】
特に、本発明によるＣＭＰ組成物（Ｑ）は、ＳＴＩ（浅いトレンチ分離）二酸化シリコン、又は、層及び／又はオーバーグロースの形状を有し、かつ層及び／又はオーバーグロースに対して９８質量％を超えるゲルマニウム及び／又はＳｉ１−ｘＧｅｘ含有量を有する元素ゲルマニウム若しくはＳｉ１−ｘＧｅｘの間のトレンチ内で成長した元素ゲルマニウムを含む基板の研磨に使用することができる。
【０１４０】
その成分の量は最小限に抑えられているので、本発明によるＣＭＰ組成物（Ｑ）及びＣＭＰ方法は、費用対効果の高い方法で使用又は適用することができる。
【０１４１】
ＣＭＰ組成物（Ｑ）が添加剤を含まないという事実はまた、本発明によるＣＭＰ組成物の単純化された製造方法をもたらす。
【０１４２】
特定の理論に制限されることを望まないが、強い阻害効果において、均衡の比でアミン官能基及びヒドロキシル官能基を有する分子を有し、阻害剤とゲルマニウム表面との良好な相互作用を可能にし、同時に研磨すべき基板のより疎水性の表面をもたらすことが重要である。
【図面の簡単な説明】
【０１４３】
【図１】粒子形状による形状係数の変化の略図である。
【図２】粒子の伸びによる球形度の変化の略図である。
【図３】円相当径（ＥＣＤ）の略図である。
【図４】炭素ホイル上に２０質量％の固形分を有する乾燥したコクーン状シリカ粒子分散系のエネルギーフィルタ型透過電子顕微鏡（ＥＦ−ＴＥＭ）（１２０キロボルト）画像である。
【実施例】
【０１４４】
実施例及び比較例
ｐＨ値の測定は、ｐＨ電極（Ｓｃｈｏｔｔ、ブルーライン、ｐＨ ０〜１４／−５…１００℃／３ｍｏｌ/Ｌの塩化ナトリウム）を用いて行う。
【０１４５】
Ｇｅ−ｃＳＥＲ（ゲルマニウ層の低温静的エッチング速度）の決定は、２５℃でＫＡＭＩＣ Ｉｎｃ．製の１ｘ１インチのゲルマニウム試験片（coupon）を対応する組成物に１０分間浸漬し、浸漬前後の質量損失を測定することにより行う。
【０１４６】
Ｇｅ−ｃＳＥＲ（ゲルマニウ層の高温静的エッチング速度）の決定は、５０℃でＫＡＭＩＣ Ｉｎｃ．製の１ｘ１インチのゲルマニウム試験片を対応する組成物に１０分間浸漬し、浸漬前及び後の質量損失を測定することにより行う。
【０１４７】
３５ｎｍの平均一次粒子径（ｄ１）及び７０ｎｍの二次粒子径（ｄ２）（動的光散乱技術を用いて決定した）を有するコクーン状のコロイドシリカ粒子（Ａ１）（例えば、Ｆｕｓｏ（登録商標）ＰＬ−３）を使用した。
【０１４８】
表１：コクーン状シリカ粒子（Ａ）の粒子形状分析の実験結果
【０１４９】
【表１６】
2018506176.tif 000021
【０１５０】
粒子形状の特徴付けの手順
２０質量％固形分を有する水性コクーン状シリカ粒子分散系を炭素ホイル上に分散させ、乾燥させた。エネルギーフィルタ型透過電子顕微鏡（ＥＦ−ＴＥＭ）（１２０キロボルト）及び走査型電子顕微鏡二次電子画像（ＳＥＭ−ＳＥ）（５キロボルト）を用いて、乾燥した分散系を分析した。２ｋの分解能、１６ビット、０．６８５１ｎｍ／画素を有するＥＦ−ＴＥＭ画像（図４）を分析に使用した。ノイズ抑制後の閾値を使用して、画像を２値化処理した。その後、粒子を手作業で分離した。重なり粒子及びエッジの粒子を、識別し、分析に使用しなかった。上記で定義したＥＣＤ、形状係数及び球形度を計算し、統計的に分類した。
【０１５１】
Ａ２は、動的光散乱（例えば、Ａｋｚｏ Ｎｏｂｅｌ製のＬｅｖａｓｉｌ ２００Ｅ）により決定した、１５〜２５ｎｍの平均直径を有する約２００ｇ／ｍ２の比表面積を有する粒子である。Ａ３は、動的光散乱（例えば、Ｎｙａｃｏｌ社製のＮｅｘｓｉｌ １２５Ａ）により決定した、８５〜９５ｎｍの平均直径を有する粒子である。
【０１５２】
Ｍａｌｖｅｒｎ社製の標準Ｚｅｔａｓｉｚｅｒナノ装置を電気泳動移動度の測定に使用した。移動度の測定の前に、１０ｍｍｏｌ／ｌのＫＣｌ溶液を用いて試料を５００倍に希釈した。測定は２３℃で行った。
【０１５３】
ベンチトップ式研磨機の評価について、下記のパラメーターを選択した：
Ｐｏｗｅｒｐｒｏ ５０００ Ｂｕｅｈｌｅｒ． ＤＦ＝３５Ｎ、テーブル速度１５０ｒｐｍ、プラテン速度１５０ｒｐｍ、スラリー流速２０ｍｌ／分、２０ｓ調整、３分の研磨時間、ＩＣ１０００パッド、ダイヤモンドコンディショナー（３Ｍ）。
【０１５４】
新しいタイプのＣＭＰ組成物をＣＭＰに使用する前に、複数のスイープにより、パッドを調整する。除去速度の決定においては、少なくとも２つのウェハを研磨し、これらの実験から得たデータの平均値を使用する。
【０１５５】
局所供給ステーション（local supply station）で、ＣＭＰ組成物を攪拌する。
【０１５６】
Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ ＬＡ３１０ Ｓスケールを用いて、ＣＭＰ組成物により研磨した２インチディスクにおけるゲルマニウム材料の除去速度（Ｇｅ−ＭＲＲ）を、ＣＭＰ前後のコーティングされたウェハ又はブランケットディスクの質量の差により決定する。研磨した材料の密度（ゲルマニウムの場合、５．３２３ｇ／ｃｍ３）及び表面積が分かっているので、質量の差は、膜厚の差に変換することができる。膜厚の差を研磨時間で割ることにより、材料の除去速度の値を得る。
【０１５７】
Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ ＬＡ３１０ Ｓスケールを用いて、ＣＭＰ組成物により研磨した２インチウェハにおける酸化ケイ素材料の除去速度（酸化物ＭＲＲ）を、ＣＭＰ前後のコーティングされたウェハの質量の差により決定する。研磨した材料の密度（酸化ケイ素の場合、２．６４８ｇ／ｃｍ３）及び表面積が分かっているので、質量の差は、膜厚の差に変換することができる。膜厚の差を研磨時間で割ることにより、材料の除去速度の値を得る。
【０１５８】
研磨すべき対象：ベンチトップ研磨機で、非構造化ゲルマニウムウェハ及び／又は非構造化酸化ケイ素ウェハ。
【０１５９】
ウェハ研磨において、リフレクションツール（reflexion tool）を３００ｍｍのウェハに使用し、Ｍｉｒｒａ Ｍｅｓａツールを２００ｍｍのウェハに使用した。両方のウェハともＡＭＡＴから購入した。研磨パッドとしてのＩＣ１０００パッド（Ｄｏｗ ｃｈｅｍｉｃａｌｓ）を、９３ｒｐｍのプラテン速度及び８７ｒｐｍのヘッド速度で使用した。研磨圧力は２ｐｓｉであり、スラリー流速は、３００ｍｍツールにおいて１５０ｍＬ／分であり、Ｍｉｒｒａ Ｍｅｓａ研磨機において２００ｍＬ／分であった。
【０１６０】
Ｍｅｔｒｙｘ製のツールを使用して質量損失により、又はＳｉ１−ｘＧｅｘ層の層厚の光学的厚さ測定（例えば、ＫＬＡ Ｓｐｅｃｔｒａ ＣＤ１００又はＯＰ２６００ツール）により、ＭＲＲを決定した。
【０１６１】
（それぞれ、表１に記載の量の）成分（Ａ）、（Ｂ）及び任意（Ｄ）を脱イオン水（Ｃ）中に分散又は溶解した。スラリーにアンモニア水溶液（０．１％〜１０％）、１０％のＫＯＨ溶液又はＮＨＯ３（０．１％〜１０％）を添加することにより、ｐＨを調整する。ｐＨ複合電極（Ｓｃｈｏｔｔ、ブルーライン２２ｐＨ）を用いて、ｐＨ値を測定する。
【０１６２】
表２：実施例１〜２４及び比較例Ｖ１のＣＭＰ組成物、それらのｐＨ値、Ｇｅ−ｃＳＥＲ、Ｇｅ−ｈＳＥＲデータ、並びに、これらの組成物を用いて、２”非構造化ゲルマニウムウェハの化学機械研磨のプロセスにおけるそれらのＧｅ−ＭＲＲ及び酸化物−ＭＲＲデータ、ここで、ＣＭＰ組成物の水性媒体（Ｃ）は脱イオン水である。成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｄ）の量は、対応するＣＭＰ組成物の質量に対する、質量パーセント（質量％）で表示する。（Ｃ）以外の成分の量が合計でＣＭＰ組成物のｙ質量％である場合、したがって、（Ｃ）の量はＣＭＰ組成物の（１００−ｙ）質量％である。
【０１６３】
【表１７】
2018506176.tif 000022
【０１６４】
【表１８】
2018506176.tif 000023
【０１６５】
【表１９】
2018506176.tif 000024
【０１６６】
表３：選択した化合物（Ｂ）のＧｅ−高温静的エッチング速度［Å／分］
【０１６７】
【表２０】
2018506176.tif 000025
【０１６８】
表４：実施例１１〜１６のＣＭＰ組成物、それらのｐＨ値、Ｇｅ−ｃＳＥＲ、Ｇｅ−ｈＳＥＲデータ、並びに、これらの組成物を用いて、構造化シリコンゲルマニウムウェハの化学機械研磨のプロセスにおけるそれらのＧｅ−ＭＲＲ及び酸化物−ＭＲＲデータ、ここで、ＣＭＰ組成物の水性媒体（Ｃ）は脱イオン水である。成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｄ）の量は、対応するＣＭＰ組成物の質量に対する、質量パーセント（質量％）で表示する。（Ｃ）以外の成分の量が合計でＣＭＰ組成物のｙ質量％である場合、したがって、（Ｃ）の量はＣＭＰ組成物の（１００−ｙ）質量％である。
【０１６９】
【表２１】
2018506176.tif 000026
【０１７０】
【表２２】
2018506176.tif 000027
【０１７１】
本発明によるＣＭＰ組成物は、表２、表３及び表４に示す実施例によって実証できるように、ゲルマニウムの酸化物に対する選択性の点で向上した研磨性能、及びエッチング速度の大幅な低下を示している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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