(57)【要約】  本発明は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含む、酢酸ブチル−シリコーン配合物を含む。本発明は、（Ｄ）酢酸ブチルの一部、又は全部を配合物から除去することによって調製される、関連シリコーン配合物、並びに関連する硬化生成物、方法、物品及びデバイスも含む。【選択図】図１
2018507290.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含む、酢酸ブチル−シリコーン配合物であって、ただし、前記配合物は、次の構成要素：熱伝導性充填剤；同じ分子内に平均で少なくとも２個のケイ素結合アリール基と少なくとも２個のケイ素結合水素原子とを有するオルガノポリシロキサン；フェノール；フッ素置換アクリレート；鉄；及びアルミニウムのそれぞれを欠く、酢酸ブチル−シリコーン配合物。
【請求項２】
請求項１に記載の酢酸ブチル−シリコーン配合物から、前記配合物を硬化することなく酢酸ブチルの全てではないが大部分を除去することによって調製される濃縮シリコーン配合物であって、前記配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）前記配合物を硬化させるのに十分な濃度の、１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になり、ただし、前記配合物は、次の構成要素：熱伝導性充填剤；同じ分子内に平均で少なくとも２個のケイ素結合アリール基と少なくとも２個のケイ素結合水素原子とを有するオルガノポリシロキサン；フェノール；フッ素置換アクリレート；鉄；及びアルミニウムのそれぞれを欠く、濃縮シリコーン配合物。
【請求項３】
（Ｃ）前記ヒドロシリル化触媒が光活性化可能なヒドロシリル化触媒である、請求項１又は２に記載の配合物。
【請求項４】
（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含む酢酸ブチル−シリコーン配合物から濃縮シリコーン配合物を調製する方法であって、ただし、前記酢酸ブチル−シリコーン配合物は、熱伝導性充填剤を欠き、前記方法は、前記酢酸ブチル−シリコーン配合物をコーティング及び／又はソフトベークして、前記配合物を硬化することなく被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルのうちの９０％〜１００％未満をそこから除去して、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になる濃縮シリコーン配合物を得る工程を含み、ただし、前記配合物は、熱伝導性充填剤を欠く、方法。
【請求項５】
酢酸ブチルを含まない硬化性シリコーン配合物を調製する方法であって、前記方法は、酢酸ブチル−シリコーン配合物又は濃縮シリコーン配合物から前記配合物を硬化することなく前記（Ｄ）酢酸ブチルの全てを除去して、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、から本質的になり、酢酸ブチルを欠く、酢酸ブチルを含まないシリコーン配合物を得る工程を含み、ただし、前記配合物は、熱伝導性充填剤を欠き、前記除去工程の前に、前記酢酸ブチルシリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含み、ただし、前記酢酸ブチル−シリコーン配合物は熱伝導性充填剤を欠き、かつ、前記除去工程の前に、前記濃縮シリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）前記配合物を硬化させるのに十分な濃度の、１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になり、ただし、前記濃縮シリコーン配合物は、熱伝導性充填剤を欠く、方法。
【請求項６】
硬化シリコーン生成物を調製する方法であって、前記方法は、酢酸ブチル−シリコーン配合物又は濃縮シリコーン配合物から前記配合物を硬化することなく前記（Ｄ）酢酸ブチルの全てを除去して、酢酸ブチルを含まない硬化性シリコーン配合物を得る工程と、前記酢酸ブチルを含まない硬化性シリコーン配合物をヒドロシリル化硬化して前記硬化シリコーン生成物を得る工程と、を含み、ただし、前記生成物は、熱伝導性充填剤を欠き、前記除去工程の前に、前記酢酸ブチルシリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含み、ただし、前記酢酸ブチル−シリコーン配合物は熱伝導性充填剤を欠き、かつ、前記除去工程の前に、前記濃縮シリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）前記配合物を硬化させるのに十分な濃度の、１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になり、ただし、前記濃縮シリコーン配合物は、熱伝導性充填剤を欠く、方法。
【請求項７】
機能性基板と、剥離層と、接着剤層と、キャリア基板と、を順に含む仮接合基板システムを形成する方法であって、前記方法は、工程（ａ）〜（ｄ）：（ａ）酢酸ブチル−シリコーン配合物又は濃縮シリコーン配合物を前記キャリア基板の表面に塗布して前記キャリア基板上に前記配合物のフィルムを形成する工程と、（ｂ）工程（ａ）のフィルムをソフトベークして、前記フィルムを硬化することなく前記フィルムから酢酸ブチルを除去して、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルム／キャリア基板物品を得る工程と、（ｃ）真空下の接合チャンバ内で、工程（ｂ）の物品の前記酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを機能性基板／剥離層物品の前記剥離層と接触させて、機能性基板と、剥離層と、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムと、キャリア基板と、を順に含む接触基板システムを得る工程と、（ｄ）真空下の前記接合チャンバ内で、前記接触基板システムを１，０００ニュートン（Ｎ）超〜１０，０００Ｎの印加力及び摂氏１２５度（℃）〜３００℃の温度に曝露し、前記酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを部分硬化して、前記接触基板システム内に部分硬化フィルムを生成する工程、並びに前記部分硬化フィルムを有する前記接触基板システムを周囲圧力にて加熱して、前記機能性基板と、前記剥離層と、接着剤層と、前記キャリア基板と、を順に含む仮接合基板システムを得る工程と、を含み、前記（ａ）塗布工程の前に、前記酢酸ブチルシリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含み、ただし、前記酢酸ブチル−シリコーン配合物は熱伝導性充填剤を欠き、かつ、前記（ａ）塗布工程の前に、前記濃縮シリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）前記配合物を硬化させるのに十分な濃度の、１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になり、ただし、前記濃縮シリコーン配合物は、熱伝導性充填剤を欠く、方法。
【請求項８】
工程（ａ）が、前記キャリア基板物品上の前記配合物の前記フィルムを、ｉ線放射を含む波長の紫外線に曝露し、前記キャリア基板上に曝露フィルムを生成することを更に含む、又は
前記方法は、工程（ｃ）の前に、前記機能性基板上の溶媒含有剥離層組成物のフィルムをソフトベークし、そこから前記溶媒を除去して、前記機能性基板／剥離層物品を得ることによって、前記機能性基板／剥離層物品を形成する工程を更に含む、又は
工程（ａ）は、前記キャリア基板物品上の前記配合物の前記フィルムを、ｉ線放射を含む波長の紫外線に曝露し、前記キャリア基板上に曝露フィルムを生成することを更に含み、前記方法は、工程（ｃ）の前に、前記機能性基板上の溶媒含有剥離層組成物のフィルムをソフトベークし、そこから前記溶媒を除去して、前記機能性基板／剥離層物品を得ることによって、前記機能性基板／剥離層物品を形成する工程を更に含む、又は
前記機能性基板はデバイスウェハである、又は
工程（ｃ）及び（ｄ）は同時に実施される、又は
前記機能性基板はデバイスウェハであり、かつ工程（ｃ）及び（ｄ）は同時に実施される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の方法によって調製された、仮接合基板システム。
【請求項１０】
剥離の方法であって、請求項９に記載の仮接合基板システムを、機械的力を加えることを含む剥離条件で処理し、前記機能性基板を前記キャリア基板から分離するか又はその逆により、損傷のない機能性基板を得ることを含む、方法。
【請求項１１】
順に機能性基板／接着剤層／キャリア基板から本質的になる永久接合基板システムを形成する方法であって、前記方法は、工程（ａ）〜（ｄ）：（ａ）酢酸ブチル−シリコーン配合物又は濃縮シリコーン配合物を前記キャリア基板又は前記機能性基板の表面に塗布して、前記キャリア基板又は前記機能性基板上に前記配合物のフィルムの物品を形成する工程と、（ｂ）工程（ａ）の物品のフィルムをソフトベークして、前記フィルムを硬化することなく前記フィルムから酢酸ブチルを除去して、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムの物品を前記キャリア基板又は前記機能性基板上に得る工程と、（ｃ）真空下の接合チャンバ内で、工程（ｂ）の酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを、前記キャリア基板又は機能性基板の他方と接触させて、順に機能性基板と、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムと、キャリア基板と、から本質的になる接触基板システムを得る工程と、（ｄ）真空下の前記接合チャンバ内で、前記接触基板システムを１，０００ニュートン（Ｎ）超〜１０，０００Ｎの印加力及び摂氏１２５度（℃）〜３００℃の温度に曝露し、前記酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを部分硬化して、前記接触基板システム内に部分硬化フィルムを生成する工程；並びに前記部分硬化フィルムを有する前記接触基板システムを周囲圧力にて加熱して、順に前記機能性基板と、接着剤層と、前記キャリア基板と、から本質的になる永久接合基板システムを得る工程と、を含み、前記（ａ）塗布工程の前に、前記酢酸ブチルシリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含み、ただし、前記酢酸ブチル−シリコーン配合物は熱伝導性充填剤を欠き、かつ、前記（ａ）塗布工程の前に、前記濃縮シリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）前記配合物を硬化させるのに十分な濃度の、１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になり、ただし、前記濃縮シリコーン配合物は、熱伝導性充填剤を欠く、方法。
【請求項１２】
基板と酢酸ブチル−シリコーン配合物又は濃縮シリコーン配合物とを含む物品であって、前記配合物が前記基板上に配置されており；前記酢酸ブチルシリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含み、ただし、前記酢酸ブチル−シリコーン配合物は熱伝導性充填剤を欠き、かつ、前記濃縮シリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）前記配合物を硬化させるのに十分な濃度の、１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になり、ただし、前記濃縮シリコーン配合物は、熱伝導性充填剤を欠く、物品。
【請求項１３】
光を透過するための素子を含む光学物品であって、前記素子は請求項６に記載の方法によって調製された前記硬化シリコーン生成物を含み、前記硬化シリコーン生成物は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）に使用するための光学的保護層又は変形可能な薄膜である、光学物品。
【請求項１４】
変形可能な薄膜を有する光学デバイスであって、前記デバイスは、（ａ）前後面及び一定量の液体を前記薄膜の前記前面と接触させて収容するのを補佐する支持体上に封止して固定された辺縁領域であって、前記支持体に固定された前記薄膜の唯一の領域である固定領域である前記辺縁領域、並びに残りの部分が可逆的に変形されるように構成された実質的に中央領域を有する、変形可能な薄膜と、（ｂ）前記中央領域内の前記液体を排除し、厳密に前記中央領域と前記固定領域との間に配置された少なくとも１つの領域において前記薄膜に応力をかけるように構成されたアクチュエーションデバイスと、を含み、前記変形可能な薄膜は、請求項６に記載の方法によって調製された前記硬化シリコーン生成物である、デバイス。
【請求項１５】
ボンドパッドと、スクライブラインと、その他の構造と、を含む複数の表面構造を備える活性面を有する半導体デバイスウェハと、前記ボンドパッド及びスクライブラインを除く前記ウェハの前記活性面を覆う硬化シリコーン層と、を含む半導体パッケージの硬化シリコーン層を調製する方法であって、前記方法が、（ｉ）酢酸ブチル−シリコーン配合物を前記半導体デバイスウェハの前記活性面に塗布してその上にコーティングを形成する工程であって、前記活性面が複数の表面構造を含む、工程と、（ｉｉ）被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルのうちの９０％〜１００％未満を前記コーティングから除去して、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）前記配合物を硬化させるのに十分な濃度の、１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になる配合物のフィルムを得る工程と、（ｉｉｉ）前記フィルムの一部をｉ線放射を含む波長を有する放射線に曝露し、前記フィルムの他の部分を前記放射線に曝露しないことで、各ボンドパッドの少なくとも一部を覆う非曝露領域と、前記活性面の残部を覆う曝露領域とを有する部分曝露フィルムを生成する、工程と、（ｉｖ）前記曝露領域が現像溶媒に実質的に不溶性となり、前記非曝露領域が前記現像溶媒に可溶性となるような時間にわたって前記部分曝露フィルムを加熱する工程と、（ｖ）前記加熱フィルムの前記非曝露領域を前記現像溶媒で除去して、パターン化フィルムを作製する工程と、（ｖｉ）前記硬化シリコーン層を形成するのに十分な時間で前記パターン化フィルムを加熱する工程と、を含み、前記（ａ）塗布工程の前に、前記酢酸ブチルシリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含み、ただし、前記酢酸ブチル−シリコーン配合物は、熱伝導性充填剤を欠く、方法。
【請求項１６】
構成要素（Ａ）及び（Ｂ）が、あるＳｉＨ対アルケニル比で前記配合物が構成されるような方法で前記酢酸ブチル−シリコーン配合物中に配分されており、前記ＳｉＨ対アルケニル比が０．６５〜１．０５である、又は
前記現像溶媒が酢酸ブチルである、又は
構成要素（Ａ）及び（Ｂ）が、あるＳｉＨ対アルケニル比で前記配合物が構成されるような方法で前記酢酸ブチル−シリコーン配合物中に配分されており、前記ＳｉＨ対アルケニル比が０．６５〜１．０５であり、
かつ前記現像溶媒が酢酸ブチルである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１５又は１６に記載の方法で形成された、硬化シリコーン層。
【請求項１８】
ボンドパッドと、スクライブラインと、その他の構造と、を含む複数の表面構造を備える活性面を有する半導体デバイスウェハと、前記ボンドパッド及びスクライブラインを除く前記ウェハの前記活性面を覆う硬化シリコーン層と、を含む半導体パッケージであって、前記硬化シリコーン層が、請求項１５又は１６に記載の方法によって調製される、半導体パッケージ。
【請求項１９】
窒化ケイ素層の上に配置された誘電体層を含む電子物品であって、前記誘電体層が、請求項６に記載の方法によって調製された前記硬化シリコーン生成物でできており、前記誘電体層が最大４０マイクロメートルの厚さであるとき、前記誘電体層は１．５×１０６ボルト毎センチメートル（Ｖ／ｃｍ）を超える絶縁耐力を特徴とする、電子物品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して、酢酸ブチル含有シリコーン配合物、上記配合物から酢酸ブチルを除去することによって調製される配合物及び関連する硬化生成物、方法、物品、並びにデバイスに関する。
【０００２】
米国特許第６，６１７，６７４（Ｂ２）号（Ｂｅｃｋｅｒ  ｅｔ  ａｌ．，Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）は、少なくとも１つの集積回路を備える活性面を有するウェハであって、各集積回路が複数のボンドパッドを有するウェハと、ウェハの表面を覆う硬化シリコーン層と、を備える半導体パッケージであって、ただし、各ボンドパッドの少なくとも一部分は硬化シリコーン層によって覆われず、硬化シリコーン層は上記発明の方法によって調製される、半導体パッケージを記載している。
【０００３】
米国特許第８，０７２，６８９（Ｂ２）号、同第８，３６３，３３０（Ｂ２）号；及び同第８，５４２，４４５（Ｂ２）号（全てＢｏｌｉｓ又はＢｏｌｉｓ  ｅｔ  ａｌ．）は、変形可能な薄膜を有する光学デバイスを記載している。
【０００４】
米国特許第８，４４０，３１２（Ｂ２）号（Ｅｌａｈｅｅ、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）は、（Ａ）１分子当たり平均少なくとも２個の脂肪族不飽和有機基を有するポリオルガノシロキサンベースポリマー、選択的に（Ｂ）１分子当たり平均少なくとも２個のケイ素結合水素原子を有する架橋剤、（Ｃ）触媒、（Ｄ）熱伝導性充填剤、及び（Ｅ）有機可塑剤を含有する、硬化性組成物を記載している。組成物を硬化し、熱伝導性シリコーンゲル又はゴムを形成することができる。熱伝導性シリコーンゴムはＴＩＭ１及びＴＩＭ２の両方の用途において熱界面材料として有用である。硬化性組成物は、湿式分注（例えば、そのまま分注）した後、（光）電子デバイスにおいてその場（in situ）で硬化することができ、又は硬化性組成物を最初に硬化して（光）電子デバイスへの装着前に支持体あり若しくはなしでパッドを形成することができる（すなわち、パッドを形成し、その後装着）。
【０００５】
我々（本発明者ら）は、溶媒を含有する特定のシリコーン配合物、並びに当該配合物から溶媒を除去することによって調製される濃縮シリコーン配合物及び硬化シリコーン生成物に伴う問題を発見又は認識した。問題の一部には、溶媒が原因で、溶媒の沸点（ｂ．ｐ．）が低すぎる又は高すぎる場合もあれば、不純物が原因の場合もあり、原因不明の場合もある。本発明者らは、アルケニル官能性オルガノポリシロキサン、ＳｉＨ官能性有機ケイ素化合物、ヒドロシリル化触媒、及び溶媒を含むヒドロシリル化硬化性シリコーン配合物並びに当該配合物から、例えば、ソフトベーク工程において、溶媒を除去することによって調製される濃縮シリコーン配合物に関する問題を見出した。溶媒の沸点が低すぎる場合、当該配合物から調製されるフィルムの早期乾燥及び不均一性を防止することが困難となり得る。溶媒の沸点が高すぎる場合、それらの早期硬化（例えば、ゲル化）を生じることなくフィルムから溶媒を除去することが困難となり得る。本発明者らが沸点が低すぎることを見出した溶媒（例えば、酢酸エチル、ｂ．ｐ．摂氏７６．５〜７７．５（℃）又はトルエン、ｂ．ｐ．１１０〜１１１℃）又は本発明者らが沸点が高すぎることを見出した溶媒（例えば、キシレン、ｂ．ｐ．１３７〜１４０℃、メシチレン、ｂ．ｐ．１６３〜１６６℃、及びγブチロラクトンｂ．ｐ．２０４〜２０５℃）によって引き起こされるか否かにかかわらず、溶媒の揮発性／不揮発特性により、得られるフィルムは、溶媒由来の欠陥により使用不可能となり得る。更に、フィルムにメシチレンのような高沸点芳香族炭化水素溶媒が含まれる場合、１，０００ｒｐｍ未満のスピン速度でもフィルムが広がり続けることがあるため、エッジビード除去が困難となり得る。したがって、溶媒がメシチレンの場合、エッジビード除去を実施する前に、メシチレンを除去するためのソフトベーク工程が必要となる場合がある。しかし、メシチレンをソフトベークにより除去しても、得られたソフトベークされたフィルムの厚さが数マイクロメートルである場合、そのような薄いフィルムには欠陥がある可能性がある。これとは別に、本発明者らは、溶媒の選択がフィルムの絶縁耐力に悪影響を及ぼす可能性があり、不適切な溶媒は、パッシベーション層として使用するには不十分な絶縁耐力を有するフィルムを生成する可能性があることを見出した。
【０００６】
本発明者らはまた、シリコーン配合物は、環境、衛生若しくは安全（ＥＨ＆Ｓ）上の理由から、貯蔵寿命が短すぎる、又は環状シロキサン含有量が望ましい量よりも多い場合があることも発見した。更に、配合物のフィルムのソフトベーク後、得られた濃縮シリコーン配合物（芳香族炭化水素溶媒を実質的に含まない）は、Ｓｉ、ＳｉＣ、又はＳｉＮなどの特定の材料に対して不十分な接着性を有し、フィルムの使用が困難となることがある。
【０００７】
研究及び試験の結果、本発明者らは、幸いにも、上記の問題の１つ以上に対する本発明の解決策を報告する。本発明の解決策は、このような問題に悩み、本発明の解決策を必要とする任意のシリコーン配合物及び当該配合物から調製される濃縮シリコーン配合物、例えば、限定されるものではないが、米国特許第６，６１７，６７４（Ｂ２）号（Ｂｅｃｋｅｒ  Ｇ．Ｓ．  ｅｔ  ａｌ．，Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ）の配合物も改善し得る。
【発明の概要】
【０００８】
本発明は、酢酸ブチル含有シリコーン配合物、当該配合物から酢酸ブチルを除去することによって調製される配合物、及び関連する硬化生成物、方法、物品並びにデバイスを提供する。
【０００９】
本発明の方法、配合物、生成物、物品、デバイス及びパッケージは、多数の最終用途及び応用、特に、例えば、光学膜の形成及び構成並びにフォトパターン化フィルムの形成及び構成に有用であるが、ただし、本発明の実施形態のそれぞれが熱伝導性充填剤を欠く（すなわち、含まない）ことを条件とする。本発明の方法によって製造された本発明の物品は、多数の最終用途及び応用への使用に適している。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本発明の他の利点及び態様は、添付の図面に関連して、以下の詳細な説明に記載されている。
【図１】酢酸ブチル−シリコーン配合物及び濃縮シリコーン配合物のそれぞれに使用するためのコーティング及びフォトパタ−ン化プロセスを示すフローチャートである。
【図２】熱サイクル試験１（菱形）、試験２（正方形）、及び試験３（三角形）に関して、応力を温度に対してプロットしたグラフである。
【図３】本発明のフォトパターン化フィルム／ウェハ積層体の実施例におけるラインスペースの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像の断面図である。
【図４】２，０００回転毎分（ｒｐｍ）におけるフィルム厚を重量％の固体濃度に対してプロットしたスピン曲線のグラフである。
【図５】フィルムに不完全に形成されたビアを有する実施例７Ａのフォトパターン化硬化シリコーンフィルム／ウェハ積層体の写真である。
【図６】フィルムに完全に形成されたビアを有する実施例７Ｂ〜７Ｈのフォトパターン化硬化シリコーンフィルム／ウェハ積層体の写真である。
【図７】フィルムに完全に形成されたビアを有する実施例７Ｂ〜７Ｈのフォトパターン化硬化シリコーンフィルム／ウェハ積層体の写真である。
【図８】フィルムに完全に形成されたビアを有する実施例７Ｂ〜７Ｈのフォトパターン化硬化シリコーンフィルム／ウェハ積層体の写真である。
【図９】フィルムに完全に形成されたビアを有する実施例７Ｂ〜７Ｈのフォトパターン化硬化シリコーンフィルム／ウェハ積層体の写真である。
【図１０】フィルムに完全に形成されたビアを有する実施例７Ｂ〜７Ｈのフォトパターン化硬化シリコーンフィルム／ウェハ積層体の写真である。
【図１１】フィルムに完全に形成されたビアを有する実施例７Ｂ〜７Ｈのフォトパターン化硬化シリコーンフィルム／ウェハ積層体の写真である。
【図１２】フィルムに完全に形成されたビアを有する実施例７Ｂ〜７Ｈのフォトパターン化硬化シリコーンフィルム／ウェハ積層体の写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
発明の概要及び要約書は、参照により本明細書に組み込まれる。いくつかの実施形態では、以下に付番した態様のうちのいずれか１つが存在する。
【００１２】
態様１．（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含む酢酸ブチル−シリコーン配合物であって、ただし、当該配合物は次の構成要素：熱伝導性充填剤；同じ分子内に平均で少なくとも２個のケイ素結合アリール基と少なくとも２個のケイ素結合水素原子とを有するオルガノポリシロキサン；フェノール；フッ素置換アクリレート；鉄；及びアルミニウムのそれぞれを欠く（含まない）、配合物。
【００１３】
態様２．態様１に記載の酢酸ブチル−シリコーン配合物から、当該配合物を硬化することなく酢酸ブチルの全てではないが大部分を除去することによって調製される濃縮シリコーン配合物であって、上記配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）上記配合物を硬化させるのに十分な濃度の、１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になり、と、ただし、上記配合物は次の構成要素：熱伝導性充填剤；同じ分子内に平均で少なくとも２個のケイ素結合アリール基と少なくとも２個のケイ素結合水素原子とを有するオルガノポリシロキサン；フェノール；フッ素置換アクリレート；鉄；及びアルミニウムのそれぞれを欠く（含まない）、配合物。
【００１４】
態様３．（Ｃ）上記ヒドロシリル化触媒が光活性化可能なヒドロシリル化触媒である、態様１又は２に記載の配合物。
【００１５】
態様４．（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含む酢酸ブチル−シリコーン配合物から濃縮シリコーン配合物を調製する方法であって、ただし、上記酢酸ブチル−シリコーン配合物は、熱伝導性充填剤を欠き（含まず）、上記方法は、酢酸ブチル−シリコーン配合物をコーティング及び／又はソフトベークして、上記配合物を硬化することなく被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルのうちの９０％〜１００％未満を除去して、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になる、濃縮シリコーン配合物を生成することを含み、ただし、上記配合物は熱伝導性充填剤を欠く（含まない）、方法。
【００１６】
態様５．酢酸ブチルを含まない硬化性シリコーン配合物を調製する方法であって、上記方法は、酢酸ブチル−シリコーン配合物又は濃縮シリコーン配合物から上記配合物を硬化することなく（Ｄ）酢酸ブチルを全て除去して、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、から本質的になり、酢酸ブチルを欠く（含まない）、酢酸ブチルを含まないシリコーン配合物を得る工程を含み、ただし、上記配合物は、熱伝導性充填剤を欠き（含まず）、上記除去工程の前に、上記酢酸ブチルシリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含み、ただし、上記酢酸ブチル−シリコーン配合物は熱伝導性充填剤を欠き（含まず）、かつ、上記除去工程の前に、上記濃縮シリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）上記配合物を硬化させるのに十分な濃度の、１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になり、ただし、上記濃縮シリコーン配合物は、熱伝導性充填剤を欠く（含まない）、方法。
【００１７】
態様６．硬化シリコーン生成物を調製する方法であって、上記方法は、酢酸ブチル−シリコーン配合物又は濃縮シリコーン配合物から上記配合物を硬化することなく（Ｄ）酢酸ブチルの全てを除去して、酢酸ブチルを含まない硬化性シリコーン配合物を得る工程と、上記酢酸ブチルを含まない硬化性シリコーン配合物をヒドロシリル化硬化して硬化シリコーン生成物を得る工程と、を含み、ただし、上記生成物は、熱伝導性充填剤を欠き（含まず）、上記除去工程の前に、上記酢酸ブチルシリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含み、ただし、上記酢酸ブチル−シリコーン配合物は熱伝導性充填剤を欠き（含まず）、かつ、上記除去工程の前に、上記濃縮シリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）上記配合物を硬化させるのに十分な濃度の、１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になり、ただし、上記濃縮シリコーン配合物は、熱伝導性充填剤を欠く（含まない）、方法。
【００１８】
態様７．機能性基板と、剥離層と、接着剤層と、キャリア基板と、を順に含む仮接合基板システムを形成する方法であって、上記方法は、工程（ａ）〜（ｄ）：（ａ）酢酸ブチル−シリコーン配合物又は濃縮シリコーン配合物をキャリア基板の表面に塗布してキャリア基板上に配合物のフィルムを形成する工程と、（ｂ）工程（ａ）のフィルムをソフトベークして、フィルムを硬化することなくフィルムから酢酸ブチルを除去して、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルム／キャリア基板物品を得る工程と、（ｃ）真空下の接合チャンバ内で、工程（ｂ）の物品の酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを機能性基板／剥離層物品の剥離層と接触させて、機能性基板と、剥離層と、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムと、キャリア基板と、を順に含む接触基板システムを得る工程と、（ｄ）真空下の接合チャンバ内で、接触基板システムを１，０００ニュートン（Ｎ）超〜１０，０００Ｎの印加力及び摂氏１２５度（℃）〜３００℃の温度に曝露し、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを部分硬化して、接触基板システム内に部分硬化フィルムを生成する工程、並びに部分硬化フィルムを有する接触基板システムを周囲圧力にて加熱して、機能性基板と、剥離層と、接着剤層と、キャリア基板と、を順に含む仮接合基板システムを得る工程と、を含み、上記（ａ）塗布工程の前に、上記酢酸ブチルシリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含み、ただし、上記酢酸ブチル−シリコーン配合物は熱伝導性充填剤を欠き（含まず）、かつ、上記（ａ）塗布工程の前に、上記濃縮シリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）上記配合物を硬化させるのに十分な濃度の、１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になり、ただし、上記濃縮シリコーン配合物は、熱伝導性充填剤を欠く（含まない）、方法。
【００１９】
態様８．工程（ａ）が、上記キャリア基板物品上の配合物のフィルムを、ｉ線放射を含む波長の紫外線に曝露し、キャリア基板上に曝露フィルムを生成することを更に含む、態様７に記載の方法。
【００２０】
態様９．工程（ｃ）の前に、機能性基板上の溶媒含有剥離層組成物のフィルムをソフトベークし、そこから溶媒を除去して、機能性基板／剥離層物品を得ることによって、機能性基板／剥離層物品を形成する工程を更に含む、態様７又は８に記載の方法。
【００２１】
態様１０．上記機能性基板がデバイスウェハである；工程（ｃ）及び（ｄ）が同時に実施される；又は、機能性基板がデバイスウェハであり、かつ工程（ｃ）及び（ｄ）が同時に実施される、態様７、８、又は９に記載の方法。あるいは、態様７に記載の方法であって、工程（ａ）は、上記キャリア基板物品上の配合物のフィルムを、ｉ線放射を含む波長の紫外線に曝露し、キャリア基板上に曝露フィルムを生成することを更に含む；又は、上記方法は、工程（ｃ）の前に、機能性基板上の溶媒含有剥離層組成物のフィルムをソフトベークすることで、機能性基板／剥離層物品を形成し、そこから溶媒を除去して、機能性基板／剥離層物品を得る工程を更に含む；又は、工程（ａ）は、上記キャリア基板物品上の配合物のフィルムを、ｉ線放射を含む波長の紫外線に曝露し、キャリア基板上に曝露フィルムを生成することを更に含み、上記方法は、工程（ｃ）の前に、機能性基板上の溶媒含有剥離層組成物のフィルムをソフトベークし、そこから溶媒を除去して、機能性基板／剥離層物品を得ることによって、機能性基板／剥離層物品を形成する工程を更に含む；又は、上記機能性基板がデバイスウェハである；又は、工程（ｃ）及び（ｄ）が同時に実施される；又は、機能性基板がデバイスウェハであり、かつ工程（ｃ）及び（ｄ）が同時に実施される、方法。
【００２２】
態様１１．態様７〜１０のいずれか１つに記載の方法によって調製された仮接合基板システム。
【００２３】
態様１２．剥離（ｄｅｂｏｎｄｉｎｇ）の方法であって、態様１１に記載の仮接合基板システムを、機械的力を加えることを含む剥離条件で処理し、機能性基板をキャリア基板から分離するか又はその逆により、損傷のない機能性基板を得ることを含む、方法。
【００２４】
態様１３．順に機能性基板／接着剤層／キャリア基板から本質的になる永久接合基板システムを形成する方法であって、当該方法は、工程（ａ）〜（ｄ）：（ａ）酢酸ブチル−シリコーン配合物又は濃縮シリコーン配合物をキャリア基板又は機能性基板の表面に塗布して、キャリア基板又は機能性基板上に配合物のフィルムの物品を形成する工程と、（ｂ）工程（ａ）の物品のフィルムをソフトベークして、フィルムを硬化することなくフィルムから酢酸ブチルを除去して、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムの物品をキャリア基板又は機能性基板上に得る工程と、（ｃ）真空下の接合チャンバ内で、工程（ｂ）の酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを、キャリア基板又は機能性基板の他方と接触させて、順に機能性基板と、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムと、キャリア基板と、から本質的になる接触基板システムを得る工程と、（ｄ）真空下の接合チャンバ内で、接触基板システムを１，０００ニュートン（Ｎ）超〜１０，０００Ｎの印加力及び摂氏１２５度（℃）〜３００℃の温度に曝露し、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを部分硬化して、接触基板システム内に部分硬化フィルムを生成する工程；並びに上記部分硬化フィルムを有する接触基板システムを周囲圧力にて加熱して、順に機能性基板と、接着剤層と、キャリア基板と、から本質的になる永久接合基板システムを得る工程と、を含み、上記（ａ）塗布工程の前に、上記酢酸ブチルシリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含み、ただし、上記酢酸ブチル−シリコーン配合物は熱伝導性充填剤を欠き（含まず）、かつ、上記（ａ）塗布工程の前に、上記濃縮シリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）上記配合物を硬化させるのに十分な濃度の、１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になり、ただし、上記濃縮シリコーン配合物は、熱伝導性充填剤を欠く（含まない）、方法。
【００２５】
態様１４．基板と酢酸ブチル−シリコーン配合物又は濃縮シリコーン配合物とを含む物品であって、上記配合物が基板上に配置されており；上記酢酸ブチル−シリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含み、ただし、上記酢酸ブチル−シリコーン配合物は熱伝導性充填剤を欠き（含まず）、かつ、上記濃縮シリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）上記配合物を硬化させるのに十分な濃度の、１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になり、ただし、上記濃縮シリコーン配合物は、熱伝導性充填剤を欠く（含まない）、物品。
【００２６】
態様１５．光透過用素子を備える光学物品であって、上記素子は、態様６に記載の方法によって調製された硬化シリコーン生成物を含む、物品。あるいは、光学物品又は光学デバイスで使用するための光透過用素子であって、態様６に記載の方法によって調製された硬化シリコーン生成物である、光透過用素子。
【００２７】
態様１６．上記硬化シリコーン生成物が微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）に使用するための光学的保護層又は変形可能な薄膜である、態様１５に記載の工学物品。
【００２８】
態様１７．構成された光学デバイスに使用するための変形可能な薄膜であって、態様６に記載の方法によって調製された硬化シリコーン生成物である、変形可能な薄膜。
【００２９】
態様１８．変形可能な薄膜を有する光学デバイスであって、上記デバイスは、（ａ）前後面及び薄膜の前面と接触して一定量の液体を収容するよう補佐するために支持体上に封止して固定された辺縁領域を有する変形可能な薄膜であって、支持体に固定された薄膜の唯一の領域である固定領域である辺縁領域、残りの部分が可逆的に変形されるように構成された実質的に中央領域である、変形可能な薄膜と、（ｂ）上記中央領域内の液体を排除し、中央領域と固定領域との間に厳密に配置された少なくとも１つの領域において上記薄膜に応力をかけるように構成されたアクチュエーションデバイスと、を含み、上記変形可能な薄膜は、態様６に記載の方法によって調製された硬化シリコーン生成物である、デバイス。
【００３０】
態様１９．ボンドパッドと、スクライブラインと、その他の構造と、を含む複数の表面構造を備える活性面を有する半導体デバイスウェハと、上記ボンドパッド及びスクライブラインを除く上記ウェハの活性面を覆う硬化シリコーン層と、を含む半導体パッケージの硬化シリコーン層を調製する方法であって、上記方法が、（ｉ）酢酸ブチル−シリコーン配合物を上記半導体デバイスウエハの活性面に塗布してその上にコーティングを形成する工程であって、上記活性面が複数の表面構造を含む、工程と、（ｉｉ）被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルのうちの９０％〜１００％未満を上記コーティングから除去して、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）上記配合物を硬化させるのに十分な濃度の、１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になる配合物のフィルムを得る工程と、（ｉｉｉ）上記フィルムの一部をｉ線放射を含む波長を有する放射線に曝露し、フィルムの他の部分を放射線を曝露しないことで、各ボンドパッドの少なくとも一部を覆う非曝露領域と、活性面の残部を覆う曝露領域とを有する部分曝露フィルムを生成する、工程と、（ｉｖ）上記曝露領域が現像溶媒に実質的に不溶性であり、上記非曝露領域が上記現像溶媒に可溶性であるような時間にわたって上記部分曝露フィルムを加熱する工程と、（ｖ）上記加熱フィルムの非曝露領域を上記現像溶媒で除去して、パターン化フィルムを作製する工程と、（ｖｉ）硬化シリコーン層を形成するのに十分な時間で上記パターン化フィルムを加熱する工程と、を含み、上記（ａ）塗布工程の前に、上記酢酸ブチルシリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含み、ただし、上記酢酸ブチル−シリコーン配合物は、熱伝導性充填剤を欠く（含まない）、方法。
【００３１】
態様２０．構成要素（Ａ）及び（Ｂ）が、あるＳｉＨ対アルケニル比で配合物が構成されるような方法で酢酸ブチル−シリコーン配合物中に配分されており、当該ＳｉＨ対アルケニル比が０．６５〜１．０５である、態様１９に記載の方法。
【００３２】
態様２１．上記現像溶媒が酢酸ブチルである、態様１９又は２０に記載の方法。あるいは、構成要素（Ａ）及び（Ｂ）が、あるＳｉＨ対アルケニル比で配合物が構成されるような方法で酢酸ブチル−シリコーン配合物中に配分されており、当該ＳｉＨ対アルケニル比が０．６５〜１．０５である、又は、現像溶媒が酢酸ブチルである、又は、構成要素（Ａ）及び（Ｂ）が、あるＳｉＨ対アルケニル比で配合物が構成されるような方法で酢酸ブチル−シリコーン配合物中に配分されており、当該ＳｉＨ対アルケニル比が０．６５〜１．０５であり、現像溶媒が酢酸ブチルである、態様１９に記載の方法。
【００３３】
態様２２．態様１９、２０又は２１に記載の方法で形成された、硬化シリコーン層。
【００３４】
態様２３．ボンドパッドと、スクライブラインと、その他の構造と、を含む複数の表面構造を備える活性面を有する半導体デバイスウェハと、上記ボンドパッド及びスクライブラインを除く上記ウェハの活性面を覆う硬化シリコーン層と、を含む半導体パッケージであって、上記硬化シリコーン層が、態様１９〜２１のいずれか１つに記載の方法によって調製される、半導体パッケージ。
【００３５】
態様２４．窒化ケイ素層の上に配置された誘電体層を含む電子物品であって、上記誘電体層が、態様６の方法によって調製された硬化シリコーン生成物でできており、誘電体層が最大４０マイクロメートルの厚さであるとき、誘電体層は、１．５×１０６ボルト毎センチメートル（Ｖ／ｃｍ）を超える絶縁耐力で特徴づけられる、電子物品。
【００３６】
態様２５．各配合物が、次の構成要素：同じ分子内に平均で少なくとも２個のケイ素結合アリール基と少なくとも２個のケイ素結合水素原子とを有するオルガノポリシロキサン；フェノール；フッ素置換アクリレート；鉄；及びアルミニウムのそれぞれも欠く（含まない）、態様４〜２４のいずれか１つに記載の発明。
【００３７】
いくつかの実施形態及び態様を、図１〜図１２に示す。
【００３８】
図１は、酢酸ブチル−シリコーン配合物及び濃縮シリコーン配合物のそれぞれで使用するためのコーティング及びフォトパタ−ン化プロセスを示すフローチャートである。このプロセスは、４０マイクロメートル（μｍ）厚の酢酸ブチル−シリコーン配合物の「湿潤」フィルムを形成し、濃縮シリコーン配合物の４０μｍ厚のフォトパターン化可能なフィルムをそれから調製し、上記配合物のフィルムをフォトパターン化する、本発明の方法の例である。
【００３９】
図１の矢印の方向に従い、「ディスペンス」工程では、酢酸ブチル−シリコーン配合物の「湿潤」フィルムを形成するのに十分な量の試料を、デバイスウェハ（例えば、半導体デバイスウェハ、例えば、ガリウムヒ素ウェハ、シリコン（Ｓｉ）ウェハ、炭化ケイ素（ＳｉＣ）ウェハ、その上に配置されたＳｉＯｘ層を有するＳｉウェハ、又はその上に配置されたＳｉＮ層を有するＳｉウェハ）などの基板上に分与して「湿潤」フィルム／ウェハを得る。下付き文字ｘは、酸化ケイ素層においてケイ素原子１個当たりの平均酸素原子数を表す有利数又は無理数である。典型的には、ｘは１〜４である。
【００４０】
図１において、次の「スピンコート」工程では、「湿潤」フィルム／ウェハを１，０００ｒｐｍの最大スピン速度で約２０秒回転させ、４０マイクロメートル（μｍ）厚の酢酸ブチル−シリコーン配合物のフィルムをウェハ上に形成する。あるいは、回転により、酢酸ブチルの大部分がフィルムから除去されて、濃縮シリコーン配合物のフィルムがウェハ上に得られることもある。スピン速度が速いほど、回転するフィルムに残る酢酸ブチルの量は少なくなる。所望であれば、フィルムに残る酢酸ブチルの量を、フーリエ変換赤外（ＦＴ−ＩＲ）分光法によって容易に測定できる。いずれのフィルムにも、エッジビード除去工程を直接施してもよい。あるいは、フィルムに、後述のような任意選択のソフトベーク工程を施してもよい。
【００４１】
図１において、次の「ソフトベーク−ホットプレート」工程では、得られた試料フィルム／ウェハ積層体をホットプレート上に置き、摂氏１１０度（℃）で１〜２分穏やかに加熱（「ソフトベーク」）して、残渣量の酢酸ブチルをフィルムから除去し、ホットプレートから取り出して、酢酸ブチルを含まない硬化性シリコーン配合物のフィルム／ウェハ積層体を得る。フィルムに、上記のスピンコート工程の一部としてエッジビード除去工程を直接施さなかった場合、このソフトベーク工程の後で、フィルムにエッジビード除去工程を施してもよい。
【００４２】
図１において、次の「照射」工程では、間隔を空けた一辺４０μｍの正方形のマスク部分（「島」又はライン）及び上記マスク部分を囲む開放部分（非マスク部分）（「海」）のアレイを画定するフォトマスクが、上記配合物のフィルムのフィルム／ウェハ積層体の上方に間隔を空けて配置されて、フィルム上の４０μｍ平方の非曝露領域及びフィルム表面上の残りの非マスク又は曝露領域を画定する。フィルムの曝露部分（「海」）に、合計１，０００ミリジュール毎平方センチメートル（ｍＪ／ｃｍ２）の広帯域紫外線又はｉ線（３６５ｎｍ）ＵＶ光を、フォトマスクを通して放射する（フィルムの曝露部分に、毎秒２０ｍＪ／ｃｍ２で５０秒間照射）。フィルムの非曝露部分（例えば、「島」又は「ライン」）には放射されず、ネガ型レジストフィルム／ウェハ積層体が得られる。
【００４３】
図１において、次の「曝露後ベーク−ホットプレート」工程では、ネガ型レジストフィルム／ウェハ積層体をホットプレート上に置き、１３０〜１４５℃（例えば、１３５℃）で１〜５分（例えば、２分）加熱して、レジストフィルムの曝露部分（「海」）を軽く架橋する一方で、非曝露部分（「島」）は未架橋のまま残し、その後、この曝露後ベークした積層体をホットプレートから取り出して、曝露後ベーク済みフィルム／ウェハ積層体を得る。曝露後ベーク工程で使用する温度及び時間は、基板の材料、厚さ、又はネガ型レジストフィルムと基板との間に配置された任意の追加層の違いに応じて変動してもよい。任意の追加層の例は、金属下層及びＰＥＣＶＤ（プラズマ支援化学気相成長）法を用いて蒸着された窒化ケイ素フィルムである。
【００４４】
図１において、次の「パドル現像及びスピンリンス」工程では、現像溶媒の酢酸ブチルを、曝露後ベーク済みフィルム／ウェハ積層体のフィルム上に第１パドルとして分与してフィルムの非曝露部分（「島」）を溶解し、次いで、得られた第１パドル積層体を、最初にパドルを３０秒間静置（静止）したままとし、次いで、第１パドル積層体を１７０〜１，０００ｒｐｍ（例えば、２００〜３００ｒｐｍ）でスピンして、残りのフィルム／ウェハ積層体を得る。次いで、図１に表示されていないが、追加の酢酸ブチルを分与して、残りのフィルム／ウェハ積層体の残りのフィルム上に第２パドルを形成して、第２パドル積層体を得て、得られた第２パドル積層体を、３０秒間静置（静止）したままとし、次いで、第２パドル積層体を３，０００ｒｐｍまで（例えば、１，５００ｒｐｍ）の最大速度でスピンして、追加の酢酸ブチルを除去してパターン化フィルム／ウェハ積層体を得る。典型的には、曝露部分（「海」）の一部も酢酸ブチルによって溶解され、その結果、この現像工程後のパターン化フィルムの高さは、曝露後ベーク済みフィルムの高さの８０％〜９０％となり得る。上記残存高さを、本明細書でフィルム保持率（％）と呼ぶ。逆に、曝露後ベーク済みフィルムの高さは、それぞれ２０％〜１０％のフィルム損失（％）を経験したと言える。
【００４５】
図１において、次に、パターン化フィルム／ウェハ積層体をオーブン内に置き、例えば、１８０℃で３時間又は２００℃で２時間又は２５０℃で３０分間加熱（「ハードベーク」）して、フォトパターン化硬化シリコーンフィルム／ウェハ積層体を備える本発明の物品を得る。
【００４６】
図２は、熱サイクル試験１（菱形）、試験２（正方形）、及び試験３（三角形）に関して、応力を温度に対してプロットしたグラフである。図２から、フォトパターン化硬化シリコーンフィルム／ウェハ積層体は、２５℃と３００℃との間で熱サイクル処理（すなわち、３００℃に加熱、２５℃に冷却、更に繰り返し）されてもよく、０メガパスカル（ＭＰａ）から−２．７ＭＰａという応力のわずかな変化を示すことがわかる。フォトパターン化硬化シリコーンフィルムは、熱サイクル下で硬化又は亀裂を生じなかった。対照的に、硬化有機ポリマーのフォトパターン化フィルムは、熱処理の間により高い応力を経験し、このより高い応力は、数百回の熱サイクル後に、場合によっては上記熱サイクル条件下で亀裂及び／又は硬化を生じる可能性がある。
【００４７】
図３は、本発明のフォトパターン化フィルム／ウェハ積層体の例におけるラインスペースのＳＥＭ画像の断面図である。積層体は、シリコンウェハ上にフォトパターン化フィルムを備える。フォトパターン化フィルムは、図１に記載の方法によって調製されるフォトパターン化硬化シリコーンフィルム／ウェハ積層体の例である。図３において、パターンの高さ（したがって、ラインスペースの深さ）は、３６．６４μｍである。ラインスペースの幅は、その口（頂部、ウェハから遠位）で３４．１１μｍである。ウェハ表面の近位（底部）におけるラインスペースは、２８．６３μｍの幅及び８９．２°の壁勾配を有し、ウェハの表面にほぼ垂直である。
【００４８】
図４は、２，０００ｒｐｍにおけるフィルム厚を重量％の固体濃度に対してプロットしたスピン曲線のグラフである。フィルム厚は、固体濃度が約３５重量％のとき約２μｍであり、固体濃度が約４８重量％のとき約４μｍであり、固体濃度が約６０重量％のとき約６μｍであり、固体濃度が約６９重量％のとき約１０．５μｍであり、固体濃度が約８０重量％のとき約１７．５μｍであり、固体濃度が約８９重量％のとき約３６μｍである。
【００４９】
図５は、フィルムに不完全に形成されたビアを有する実施例７Ａのフォトパターン化硬化シリコーンフィルム／ウェハ積層体の写真である。実施例７Ａのフィルムは、ウェハ近位で１５．０５μｍの幅及び３１．２μｍの深さ（非表示）を有する。深さは、インターフェロメトリーを用いて測定した。
【００５０】
図６〜図１２は、それぞれ、フィルムに完全に形成されたビアを有する実施例７Ｂ〜７Ｈのフォトパターン化硬化シリコーンフィルム／ウェハ積層体の写真である。図６において、実施例７Ｂのフィルムは、ウェハ近位で１２．７１μｍの幅及び３４．４μｍの深さ（非表示）を有する。図７において、実施例７Ｃのフィルムは、ウェハ近位で２２．０μｍの幅を有する。図８において、実施例７Ｄのフィルムは、ウェハ近位で２０．７４μｍの幅及び３４．４μｍの深さ（非表示）を有する。図９において、実施例７Ｅのフィルムは、ウェハ近位で２７．４６μｍの幅及び３５．３μｍの深さ（非表示）を有する。図１０において、実施例７Ｆのフィルムは、ウェハ近位で２４．２３μｍの幅及び３７．１μｍの深さ（非表示）を有する。図１１において、実施例７Ｇのフィルムは、ウェハ近位で２３．４１μｍの幅及び３９．９μｍの深さ（非表示）を有する。図１２において、実施例７Ｈのフィルムは、ウェハ近位で３１．４２μｍの幅及び３７．５μｍの深さ（非表示）を有する。深さは、インターフェロメトリーを用いて測定した。
【００５１】
更なる実施形態及び態様が想到され、本明細書に記載される。
【００５２】
本発明の酢酸ブチル−シリコーン配合物及び当該配合物から調製された濃縮シリコーン配合物は、独立して、多数の問題を解決し、かつ多数の利益及び利点を有する。本明細書で解決される問題には、溶媒に起因するものもあれば、不純物に起因するもの、及び未知の原因によるものもある。いくつかの利益及び利点は、本発明の配合物を、溶媒として本発明の酢酸ブチルの代わりに酢酸エチル、キシレン及び／若しくはメシチレン、又はγ−ブチロラクトンを含有する比較配合物と比較することによって例示される。例えば、配合物から溶媒を除去してフォトパターン化可能な配合物を調製するために用いられるソフトベーク工程において、本発明の配合物は、比較配合物と比べて、早期乾燥を起こしにくく、及び／又は早期ゲル化を防止若しくは最小化する。更に、本発明の酢酸ブチル−シリコーン配合物は、比較配合物よりも貯蔵寿命が長い場合がある。
【００５３】
更なる利益は、本発明の酢酸ブチル−シリコーン配合物及び方法を使用してフォトパターン化可能であり、そこに１：１を超えるアスペクト比のビアを形成できる、濃縮シリコーン配合物のフィルムを生成し得ることである。このようなアスペクト比のビアを有するフィルムは、特に、再分配誘電体層（ＲＤＬ）、応力緩衝層、又はパッシベーション層などの用途に有用となり得る。更に、このようなアスペクト比のビアを有するフィルムは、開口しようとするパッドを有する光学膜として有用となり得る。フィルムは、パッシベーション層として使用するのに十分な絶縁耐力を有する。
【００５４】
更なる利益は、いくつかの実施形態において、本発明の方法は、酢酸ブチル−シリコーン配合物を基板上にコーティング（例えば、スピンコーティング）して、基板上の上記配合物のフィルム又は基板上の濃縮シリコーン配合物のフィルムを得ることによって調製された本発明のフィルムを使用するエッジビード除去工程を更に含むことである。エッジビード除去工程は、コーティング（例えば、スピンコーティング）されたフィルムを用いて直接、特に濃縮シリコーン配合物のフィルムを用いて直接、すなわち、コーティングされたフィルムから（残渣量の）酢酸ブチルを除去するためのソフトベーク工程を最初に用いることなく、実施されてもよい。その他の実施形態において、本発明の方法は、エッジビード除去工程の前に、ソフトベークにより（残渣量の）酢酸ブチルをフィルムから除去する工程を更に含む。しかしながら、酢酸ブチルがソフトベークにより除去されるか否かにかかわらず、エッジビード除去工程後に得られるフィルムは、当該フィルムの厚さが数マイクロメートル（例えば、１〜５μｍ）の場合でさえ、欠陥がない場合がある。
【００５５】
更なる利益は、本発明の酢酸ブチル−シリコーン配合物及び濃縮シリコーン配合物が、上記配合物における環状シロキサンの濃縮を防止又は最小化する方法で調製又は精製できるという点で、より優れたＥＨ＆Ｓ特性を有し得ることである。いくつかの態様において、本発明の配合物は、配合物の総重量に基づいて、０〜０．５重量パーセント（重量％）未満、あるいは０〜（＜）０．３重量％、あるいは０〜０．２（＜）重量％未満、あるいは０〜（＜）０．１重量％未満、あるいは０重量％という、低減された環状シロキサン含有量を有し得る。本発明の濃縮シリコーン配合物は、ガリウムヒ素、ケイ素、炭化ケイ素、又は窒化ケイ素などの特定の材料に対して十分な接着性を有する。いくつかの実施形態において、本発明の配合物は、シリコンウェハ上に配置された窒化ケイ素層に対する接着性が増している。接着性の改善は、本発明の配合物が、接着を阻害する不純物を含まないか、十分に低濃度で有することによるものと考えられる。問題となる不純物は、ケイ素含有モノマー又はオリゴマーであり得る。
【００５６】
更なる利益は、本発明のフィルムは、酢酸ブチル−シリコーン配合物から、当該配合物を基板上に塗布してそのフィルムを基板上に形成し、塗布したフィルムをソフトベークして酢酸ブチルを含まないフィルムを基板上に生成し、上記酢酸ブチルを含まないフィルムを基板上で硬化して、基板上に誘電体層を得ることによって調製されてもよく、上記誘電体層は本発明の硬化シリコーン生成物である。本発明の誘電体層は、酢酸ブチルの代わりにメシチレン及び／又はキシレンなどの芳香族炭化水素溶媒を有する比較配合物から調製された比較誘電体層の絶縁耐力と比べて、改善された（すなわち、より大きい）絶縁耐力を有する。いくつかの実施形態は、上記の利点の２つ以上の組み合わせを有する。
【００５７】
用途の中でもとりわけ、酢酸ブチル−シリコーン配合物は、コーティング及びフィルムの形成に有用である。酢酸ブチル−シリコーン配合物は、酢酸ブチル−シリコーン配合物から被覆有効量の酢酸ブチルのうちの全てではないが大部分を除去することによる、濃縮シリコーン配合物の調製にも有用である。そのように調製された濃縮シリコーン配合物は、残渣量の酢酸ブチルを含有する。濃縮シリコーン配合物を硬化して、硬化シリコーン生成物を得てもよい。濃縮シリコーン配合物中の残渣量の酢酸ブチルは、硬化工程の終わりまで残存し、その結果、硬化シリコーン生成物は残渣量の酢酸ブチルの少なくとも一部、あるいは全部を保持する。あるいは、酢酸ブチルの全てが酢酸ブチル−シリコーン配合物又は濃縮シリコーン配合物から除去されて、構成要素（Ａ）〜（Ｃ）及び任意に１種の任意構成要素（Ｅ）〜（Ｊ）から本質的になるが、（Ｄ）酢酸ブチルを欠く、酢酸ブチルを含まない硬化性配合物を生成する。この文脈において「から本質的になる」という句は、（Ｄ）酢酸ブチルを欠く（すなわち、含まない）こと；及び沸点（≦）１２０℃以下のいかなる他の有機溶媒も欠くこと；及び熱伝導性充填剤を欠く（すなわち、含まない）ことを意味する。酢酸ブチルを含まない配合物を硬化して、酢酸ブチルを含まない硬化シリコーン生成物を得てもよい。更に、硬化シリコーン生成物は耐亀裂性である。
【００５８】
濃縮シリコーン配合物を任意の好適なヒドロシリル化硬化方法により硬化して、硬化シリコーン生成物を得てもよい。いくつかの実施形態において、濃縮シリコーン配合物は、配合物を加熱することで開始されるヒドロシリル化反応によって硬化されてもよい。いくつかの実施形態において、ヒドロシリル化触媒は光活性化可能なヒドロシリル化触媒であり、濃縮シリコーン配合物は、（Ｃ）光活性化可能なヒドロシリル化触媒を紫外線及び／又は可視光などの放射線に曝露し、それによって触媒を活性化すること、及び配合物を加熱し、それによってヒドロシリル化硬化を開始することで硬化されてもよい。濃縮シリコーン配合物が硬化すると、硬化シリコーン生成物が調製される。典型的には、放射線は、広帯域紫外線又はｉ線（３６５ｎｍ）ＵＶ光のいずれかである。硬化シリコーン生成物は、スタンドアロン物品として調製されても、基板上に配置されたコーティング又はフィルムとして調製されてもよい。スタンドアロン物品は、ＭＥＭＳ用途で光学膜として有用となり得る。コーティング又はフィルムは、パターン化されて、半導体デバイスウェハなどのデバイスウェハ上のフォトレジスト層として使用されてもよい。本発明は、シーラント、接着剤、熱及び／又は電気絶縁層などのような、配合物、物品及びデバイスのための更なる用途及び応用を含む。
【００５９】
上記のように、酢酸ブチル−シリコーン配合物は、構成要素（Ａ）〜（Ｄ）を含む。構成要素（Ａ）は、１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンである。構成要素（Ｂ）は、１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物（ＳｉＨ官能性有機ケイ素化合物）である。構成要素（Ｃ）は、ヒドロシリル化触媒である。構成要素（Ｄ）は、酢酸ブチルである。配合物の構成要素の量は、濃縮シリコーン配合物中に残渣量の酢酸ブチルを生じるように、酢酸ブチル−シリコーン配合物中の被覆有効量の酢酸ブチルのうちの全てではないが大部分の損失を調節した後で、配合物中の構成要素の量から計算されてもよい。
【００６０】
構成要素（Ａ）の１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンは、単に構成要素（Ａ）又はオルガノポリシロキサンとも呼ばれる。オルガノポリシロキサンは、線状、分枝状、樹脂性である、又は線状、分枝状及び樹脂性のうちの少なくとも２つの組み合わせである構造を有し得る。例えば、このような組み合わせ構造は、いわゆる樹脂−線状オルガノポリシロキサンであってもよい。このオルガノポリシロキサンは、ホモポリマー又はコポリマーとすることができる。アルケニル基は、典型的には、２〜１０個の炭素原子を有し、限定するものではないが、ビニル、アリル、ブテニル、及びヘキセニルによって例示される。ブテニルは、１−ブテン−１−イル、１−ブテン−２−イル、２−ブテン−１−イル、１−ブテン−４−イル、又は２−メチルプロペン−３−イルであってもよい。ヘキセニルは、１−ヘキセン−１−イル、１−ヘキセン−２−イル、２−ヘキセン−１−イル、１−ヘキセン−６−イル、又は２−メチルペンテン−５−イルであってもよい。アルケニル基は、オルガノポリシロキサンの末端、側枝、あるいは末端及び側枝位置の双方に位置し得る。オルガノポリシロキサンは、典型的には、ＳｉＨ官能を欠き、その結果、アルケニル基又は（オルガノポリシロキサンのシロキサン部分の）酸素への結合以外のケイ素の原子価は、飽和及び／又は芳香族有機基、すなわち、Ｒ１によって表される、飽和脂肪族基以外の有機基に結合している。オルガノポリシロキサン中の飽和及び／又は芳香族有機基Ｒ１は、独立して、脂肪族不飽和を含まない１価の炭化水素基及び１価のハロゲン化炭化水素基から選択される。各Ｒ１は、典型的には、独立して、１〜２０個、あるいは１〜１０個、あるいは１〜６個の炭素原子を有する。Ｒ１基の例は、アルキル、シクロアルキル、アリール、アリールアルキル、アルキルアリール、及びこれらのハロゲン化置換誘導体である。ハロゲン化置換誘導体の各ハロゲンは、独立して、フルオロ、クロロ、ブロモ、又はヨード；あるいは、フルオロ、クロロ、又はブロモ；あるいは、フルオロ又はクロロ；あるいは、フルオロ；あるいは、クロロである。アルキルの例は、メチル、エチル、プロピル、ペンチル、オクチル、ウンデシル、及びオクタデシルである。シクロアルキルの例は、シクロペンチル及びシクロヘキシルである。アリールの例は、フェニル及びナフチルである。アルキルアリールの例は、トリル及びキシリルである。アリールアルキルの例は、ベンジル及び２−フェニルエチルである。これらのハロゲン化置換誘導体の例は、３，３，３−トリフルオロプロピル、３−クロロプロピル、及びジクロロフェニルである。Ｒ１基のうちの少なくとも５０モルパーセント（ｍｏｌ％）、あるいは少なくとも８０ｍｏｌ％は、メチルであってもよい。
【００６１】
オルガノポリシロキサンは、単一のオルガノポリシロキサンでも、次の特性のうちの少なくとも１つが異なる２種以上のオルガノポリシロキサンの混合物でもよい：構造、粘度（動粘度、２５℃）、平均分子量（数平均又は重量平均）、シロキサン単位組成、及びシロキサン単位配列。
【００６２】
構成要素（Ａ）のオルガノポリシロキサンは、２５℃で、オルガノポリシロキサンの分子量及び構造とともに変動する動粘度を有する。動粘度は、０．００１〜１００，０００パスカル・秒（Ｐａ・ｓ）、あるいは０．０１〜１０，０００Ｐａ・ｓ、あるいは０．０１〜１，０００Ｐａ・ｓ、あるいは１〜５００Ｐａ・ｓであってもよい。
【００６３】
好適な線状オルガノポリシロキサンである構成要素（Ａ）の例は、次式（１）〜（６）のいずれか１つを有するポリジオルガノシロキサンであり：ＭＶｉＤａＭＶｉ（１）；ＭＶｉＤ０．２５ａＤＰｈ０．７５ａＭＶｉ（２）；ＭＶｉＤ０．９５ａＤ２Ｐｈ０．０５ａＭＶｉ（３）；ＭＶｉＤ０．９８ａＤＶｉ０．０２ａＭＶｉ（４）；ＭＤ０．９５ａＤＶｉ０．０５ａＭ（５）；及びＭＰｈ，ＶｉＤａＭＰｈ，Ｖｉ（６）；式中、下付き文字ａは、ポリジオルガノシロキサンの動粘度が０．００１〜１００，０００Ｐａ・ｓであるような値を有し；各Ｍ単位は式［（Ｓｉ（ＣＨ３）３Ｏ１／２］であり；各ＭＶｉ単位はビニル一置換Ｍ単位で、式［（Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ＝ＣＨ２）Ｏ１／２］であり；各ＭＰｈ，Ｖｉ単位は、フェニル一置換及びビニル一置換Ｍ単位で、式［（Ｓｉ（ＣＨ３）（Ｐｈ）（ＣＨ＝ＣＨ２）Ｏ１／２］であり；各Ｄ単位は、式［（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ２／２］であり；各ＤＶｉ単位は、ビニル一置換Ｄ単位で、式［（Ｓｉ（ＣＨ３）（ＣＨ＝ＣＨ２）Ｏ２／２］であり；各ＤＰｈ単位は、フェニル一置換Ｄ単位で、式［（Ｓｉ（ＣＨ３）（Ｐｈ）Ｏ２／２］であり；各Ｄ２Ｐｈ単位は、フェニル二置換Ｄ単位で、式［（Ｓｉ（Ｐｈ）２Ｏ２／２］である。
【００６４】
分枝状オルガノポリシロキサンである構成要素（Ａ）の例は、次式（１）〜（６）のいずれか１つを有するポリジオルガノシロキサンであり：ＭＶｉＤＤ’ＤａＭＶｉ（１）；ＭＶｉＤ’Ｄ０．２５ａＤＤ’ＤＰｈ０．７５ａＭＶｉ（２）；ＭＶｉＤＤ’Ｄ０．９５ａＤＤ’Ｄ２Ｐｈ０．０５ａＭＶｉ（３）；ＭＶｉＤＤ’Ｄ０．９８ａＤＤ’ＤＶｉ０．０２ａＭＶｉ（４）；ＭＤＤ’Ｄ０．９５ａＤＤ’ＤＶｉ０．０５ａＭ（５）；及びＭＰｈ，ＶｉＤＤ’ＤａＭＰｈ，Ｖｉ（６）；式中、下付き文字ａは、ポリジオルガノシロキサンの動粘度が０．００１〜１００，０００Ｐａ・ｓであるような値を有し；各Ｍ単位は、式［（Ｓｉ（ＣＨ３）３Ｏ１／２］であり；各ＭＶｉ単位はビニル一置換Ｍ単位で、式［（Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ＝ＣＨ２）Ｏ１／２］であり；各ＭＰｈ，Ｖｉ単位は、フェニル一置換及びビニル一置換Ｍ単位で、式［（Ｓｉ（ＣＨ３）（Ｐｈ）（ＣＨ＝ＣＨ２）Ｏ１／２］であり；各Ｄ単位は、式［（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ２／２］であり；各Ｄ’単位は、式［Ｓｉ（ＣＨ３）ＲＯ２／２］であり、ここで各Ｒは、独立して−ＣＨ３、−（ＣＨ２）ｎＣＨ３、−（ＣＨ２）ｎＣＨ＝ＣＨ２、−（Ｏ−Ｓｉ（Ｍｅ２））ｎ−（ＯＳｉ（Ｍｅ）（Ｈ））ｍ−Ｏ−ＳｉＭｅＰｈＣｈ＝ＣＨ２、−（Ｏ−Ｓｉ（Ｍｅ）（Ｈ））ｎ−Ｏ−Ｓｉ（Ｍｅ）（Ｐｈ）（ＣＨ＝ＣＨ２）、又は−（Ｏ−Ｓｉ（Ｍｅ２））ｎ−Ｏ−Ｓｉ（Ｍｅ）（Ｐｈ）（ＣＨ＝ＣＨ２）であり、下付き文字ｎ及びｍは独立して１〜９の整数であり；各ＤＶｉ単位は、ビニル一置換Ｄ単位で、式［（Ｓｉ（ＣＨ３）（ＣＨ＝ＣＨ２）Ｏ２／２］であり；各ＤＰｈ単位は、フェニル一置換Ｄ単位で、式［（Ｓｉ（ＣＨ３）（Ｐｈ）Ｏ２／２］であり；各Ｄ２Ｐｈ単位は、フェニル二置換Ｄ単位で、式［（Ｓｉ（Ｐｈ）２Ｏ２／２］である。「−（Ｏ−Ｓｉ（Ｍｅ）（Ｈ））ｎ−Ｏ−Ｓｉ（Ｍｅ）（Ｐｈ）（ＣＨ＝ＣＨ２）」のような表現は、等しく「−（Ｏ−Ｓｉ（Ｍｅ，Ｈ））ｎ−Ｏ−Ｓｉ（Ｍｅ，Ｐｈ，ＣＨ＝ＣＨ２）」と表記されてもよい。
【００６５】
好適なオルガノポリシロキサン樹脂である構成要素（Ａ）の例は、アルケニル置換ＭＱ樹脂、アルケニル置換ＴＤ樹脂、アルケニル置換ＭＴ樹脂、アルケニル置換ＭＴＤ樹脂、及びこれらの２つ以上の組み合わせである。オルガノポリシロキサンはオルガノポリシロキサン樹脂であってもよく、このオルガノポリシロキサン樹脂は、アルケニル置換ＭＱ樹脂、アルケニル置換ＴＤ樹脂、アルケニル置換ＭＴ樹脂、又はアルケニル置換ＭＴＤ樹脂；あるいはアルケニル置換ＴＤ樹脂、アルケニル置換ＭＴ樹脂、又はアルケニル置換ＭＴＤ樹脂；あるいはアルケニル置換ＭＱ樹脂、アルケニル置換ＭＴ樹脂、又はアルケニル置換ＭＴＤ樹脂；あるいはアルケニル置換ＭＱ樹脂；あるいはアルケニル置換ＴＤ樹脂；あるいはアルケニル置換ＭＴ樹脂；あるいはアルケニル置換ＭＴＤ樹脂である。
【００６６】
オルガノポリシロキサンは、アルケニル置換ＭＴＤ樹脂を含んでもよい。アルケニル置換ＭＴＤ樹脂は、Ｍ型単位、Ｔ型単位、Ｄ型単位、並びにＭアルケニル型単位、Ｄアルケニル型単位、及びＴアルケニル単位のうちの少なくとも１つのから本質的になる。すなわち、この文脈において「から本質的になる」という句は、アルケニル置換ＭＴＤ樹脂がＱ単位を実質的に含まない（すなわち、０〜（＜）０．１０モル分率未満）又は全く含まない（すなわち、０．００モル分率）ことを意味する。Ｍ型単位は、式［（Ｓｉ（Ｒ１）３Ｏ１／２］ｍ１であり、式中、下付き文字ｍ１は、樹脂中のＭ型単位のモル分率である。Ｍアルケニル型単位は式［（アルケニル）（Ｒ１）２ＳｉＯ１／２］ｖであり、式中、下付き文字ｖは、樹脂中のＭアルケニル型単位のモル分率である。Ｄ型単位は、式［（Ｒ１）２ＳｉＯ２／２］ｄであり、式中、下付き文字ｄは、樹脂中のＤ型単位のモル分率である。Ｄアルケニル型単位は、式［（Ｒ１）（アルケニル）ＳｉＯ２／２］ｄであり、式中、下付き文字ｄは、樹脂中のＤアルケニル型単位のモル分率である。Ｔ型単位は、式［Ｒ１ＳｉＯ３／２］ｔであり、式中、下付き文字ｔは、樹脂中のＴ型単位のモル分率である。Ｔアルケニル型単位は、式［アルケニルＳｉＯ３／２］ｔであり、式中、下付き文字ｔは、樹脂中のＴ型単位のモル分率である。
【００６７】
オルガノポリシロキサンは、アルケニル置換ＭＴ樹脂を含んでもよい。アルケニル置換ＭＴ樹脂は、Ｍ型単位、Ｔ型単位、並びにＭアルケニル型単位及びＴアルケニル単位のうちの少なくとも１つから本質的になる。すなわち、この文脈において「から本質的になる」という句は、アルケニル置換ＭＴ樹脂がＤ単位及びＱ単位を実質的に含まない（すなわち、０〜（＜）０．１０モル分率未満）又は全く含まない（すなわち、０．００モル分率）ことを意味する。Ｍ型単位、Ｍアルケニル型単位、Ｔ型単位、及びＴアルケニル型単位は、独立して、上記のとおりである。
【００６８】
オルガノポリシロキサンは、アルケニル置換ＴＤ樹脂を含んでもよい。アルケニル置換ＴＤ樹脂は、Ｔ型単位、Ｄ型単位、並びにＤアルケニル型単位及びＴアルケニル単位のうちの少なくとも１つから本質的になる。すなわち、この文脈において「から本質的になる」という句は、アルケニル置換ＴＤ樹脂がＭ及びＱ単位を実質的に含まない（すなわち、０〜（＜）０．１０モル分率未満）又は全く含まない（すなわち、０．００モル分率）ことを意味する。Ｄ型単位、Ｄアルケニル型単位、Ｔ型単位、及びＴアルケニル型単位は、上記のとおりである。
【００６９】
オルガノポリシロキサンは、アルケニル置換ＭＱ樹脂を含んでもよい。アルケニル置換ＭＱ樹脂は、Ｍ型単位、Ｍアルケニル型単位、及びＱ単位から本質的になる。すなわち、この文脈において「から本質的になる」という句は、アルケニル置換ＭＱ樹脂がＴ単位及びＱ単位を実質的に含まない（すなわち、０〜（＜）０．１０モル分率未満）又は全く含まない（すなわち、０．００モル分率）ことを意味する。Ｍ型単位及びＭアルケニル型単位は上記のとおりである。Ｑ単位は、式［ＳｉＯ４／２］ｑであり、式中、下付き文字ｑは、樹脂中のＱ単位のモル分率である。Ｍ型単位のＱ単位に対するモル比は、０．６〜１．９であってもよい。
【００７０】
いくつかの実施形態において、構成要素（Ａ）はオルガノポリシロキサン樹脂であり、オルガノポリシロキサン樹脂はアルケニル置換ＭＱ樹脂であり、アルケニル置換ＭＱ樹脂はビニル置換ＭＱ樹脂である。かかる実施形態において、ビニル置換ＭＱ樹脂は、Ｍ単位、ＭＶｉ単位と略されるビニル置換Ｍ単位、Ｑ単位、及びＴＯＨ単位と略されるヒドロキシ官能性Ｔ単位を含んでもよい。従来の命名法を用いて、ＭＶｉ単位は、式［（Ｈ２Ｃ＝Ｃ（Ｈ））（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２］ｖであり、式中、下付き文字ｖは樹脂中のＭＶｉ単位のモル分率である。Ｑ単位は、式［ＳｉＯ４／２］ｑであり、式中、下付き文字ｑは、樹脂中のＱ単位のモル分率である。Ｍ単位は、式［（Ｓｉ（ＣＨ３）３Ｏ１／２］ｍ１であり、式中、下付き文字ｍ１は、樹脂中のＭ単位のモル分率である。ＴＯＨ単位は、式［ＨＯＳｉＯ３／２］ｔであり、式中、下付き文字ｔは、樹脂中のＴＯＨ単位のモル分率である。下付き文字ｖは０．０３〜０．０８であり、下付き文字ｍ１は、０．３０〜０．５０であり、下付き文字ｑは０．３０〜０．６０であり、下付き文字ｔは０．０４〜０．０９であり、ただし、下付き文字の和ｖ＋ｑ＋ｍ１＋ｔが１であることを条件とする。例えば、ビニル官能性ＭＱ樹脂は、次式であってもよい：ＭＶｉ０．０５５±０．００５Ｑ０．４５±０．０５ＴＯＨ０．０６５±０．００５Ｍ０．４０±０．０５。
【００７１】
下付き文字の和ｖ＋ｑ＋ｍ１＋ｔが１であるという条件は、ビニル官能性ＭＱ樹脂の上記代替実施形態のそれぞれに適用される。任意の特定の実施形態において、ｖ＋ｑ＋ｍ１＋ｔの和が不注意で１を超えた場合、ｑの値は、１−ｖ−ｍ１−ｔに等しい値まで低下するはずである。任意の特定の実施形態において、ｖ＋ｑ＋ｍ１＋ｔの和が１未満の場合、樹脂はｖ＋ｑ＋ｍ１＋ｔ＋ｉが１となるモル分率ｉを更に含み、ここでｉは、ＭＯＨ、ＴＯＨ、及び／又はＤＯＨと略されるヒドロキシ官能Ｍ、Ｄ及び／又はＴ単位のモル分率であり、ここでＭＯＨ、ＴＯＨ、及び／又はＤＯＨ単位は、樹脂の調製から残存する不純物であり得る。
【００７２】
このオルガノポリシロキサン樹脂は、平均で３〜３０ｍｏｌ％のアルケニル基を含有し得る。樹脂中のアルケニル基のｍｏｌ％は、樹脂中のシロキサン単位の総モル数に対する樹脂中のアルケニル基含有シロキサン単位のモル数の比に、１００を乗じたものである。
【００７３】
オルガノポリシロキサンは、当該技術分野において周知の方法によって生成し得る。例えば、アルケニル置換ＭＱ樹脂は、米国特許第２，６７６，１８２号（Ｄａｕｄｔ  ｅｔ  ａｌ．）のシリカヒドロゾルキャッピングプロセスによって樹脂コポリマーを調製した後、当該樹脂コポリマーを、少なくともアルケニル含有末端ブロック試薬で処理して、オルガノポリシロキサン樹脂を得ることによって調製されてもよい。アルケニル含有末端ブロック試薬の例は、米国特許第４，５８４，３５５号（Ｂｌｉｚｚａｒｄ  ｅｔ  ａｌ．）；米国特許第４，５９１，６２２号（Ｂｌｉｚｚａｒｄ  ｅｔ  ａｌ．）；及び米国特許第４，５８５，８３６号（Ｈｏｍａｎ  ｅｔ  ａｌ．）に例示されているもののような、シラザン、シロキサン、及びシランである。単一の末端ブロック試薬又は２種以上のこのような試薬の混合物を用いて、アルケニル置換ＭＱ樹脂を調製してもよい。
【００７４】
Ｄａｕｄｔ  ｅｔ  ａｌ．の方法は、酸性条件下でシリカヒドロゾルをトリメチルクロロシラン（ケイ素モノマーの一例）などの加水分解性トリオルガノシラン、ヘキサメチルジシロキサン（ケイ素オリゴマーの一例）などのオルガノシロキサン、又はこれらの混合物とを反応させる工程と、次にＭ及びＱ単位を有する樹脂コポリマーを回収する工程と、を伴う。樹脂コポリマーは、一般的に２〜５重量パーセントのケイ素結合ヒドロキシル基（ＳｉＯＨ）基を含有する。樹脂コポリマーをアルケニル含有末端ブロック試薬（例えば、（Ｈ２Ｃ＝Ｃ（Ｈ））（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ）又はアルケニル含有末端ブロック試薬と脂肪族置換を含まない末端ブロック剤との混合物（例えば、（Ｈ２Ｃ＝Ｃ（Ｈ））（ＣＨ３）２ＳｉＣｌと（ＣＨ３）３ＳｉＣｌとの混合物）と反応させて、０〜２重量％未満のＳｉＯＨ基及び典型的には３〜３０ｍｏｌ％のアルケニル基（例えば、Ｈ２Ｃ＝Ｃ（Ｈ）−）を有するアルケニル置換ＭＱ樹脂を得る。
【００７５】
酢酸ブチル−シリコーン配合物及び濃縮シリコーン配合物の構成要素（Ｂ）は、１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物であり、これは本明細書で構成要素（Ｂ）又はＳｉＨ官能性有機ケイ素化合物とも呼ばれる。ケイ素結合水素原子は、ＳｉＨ官能性有機ケイ素化合物において末端、側枝、又は末端及び側枝位置の両方に位置し得る。ＳｉＨ官能性有機ケイ素化合物は、単一化合物であっても、以下の特性のうちの少なくとも１つが異なる２種以上のこのような化合物の混合物であってもよい：構造、平均分子量（数又は重量平均）、粘度（動粘度、２５℃）、シラン単位組成、シロキサン単位組成、及び単位配列。
【００７６】
ＳｉＨ官能性有機ケイ素化合物は、オルガノハイドロジェンシラン又はオルガノハイドロジェンシロキサンであり得る。オルガノハイドロジェンシランは、有機基及びＳｉＨ基を含有するオルガノモノシラン、オルガノジシラン、オルガノトリシラン、又はオルガノポリシランであってもよい。オルガノハイドロジェンシロキサンは、オルガノハイドロジェンジシロキサン、オルガノハイドロジェントリシロキサン、又はオルガノハイドロジェンポリシロキサンであってもよい。例えば、ＳｉＨ官能性有機ケイ素化合物は、オルガノハイドロジェンシロキサン、あるいはオルガノハイドロジェンポリシロキサンであってもよい。ＳｉＨ官能性有機ケイ素化合物の構造は、線状、分枝状、環状又は樹脂性であってもよく；あるいは線状；あるいは分枝状；あるいは環状；あるいは樹脂性であってもよい。ＳｉＨ官能性有機ケイ素化合物の有機基の少なくとも５０ｍｏｌ％は、メチルであってもよく、任意の残りの有機基はエチル及び／又はフェニルであってもよい。
【００７７】
ＳｉＨ官能性有機ケイ素化合物として使用するのに好適なオルガノハイドロジェンシランの例は、オルガノモノシラン、例えば、ジフェニルシラン及び２−クロロエチルシラン；オルガノジシラン、例えば、１，４−ビス（ジメチルシリル）ベンゼン、ビス［（４−ジメチルシリル）フェニル］エーテル、及び１，４−ジメチルジシリルエタン；オルガノトリシラン、例えば、１，３，５−トリス（ジメチルシリル）ベンゼン及び１，３，５−トリメチル−１，３，５−トリシラン；並びに、オルガノポリシラン、例えば、ポリ（メチルシリレン）フェニレン及びポリ（メチルシリレン）メチレンである。
【００７８】
ＳｉＨ官能性有機ケイ素化合物として使用するのに好適なオルガノハイドロジェンシロキサンの例は、ジシロキサン、例えば、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン及び１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン；トリシロキサン、例えば、フェニルトリス（ジメチルシロキシ）シラン及び１，３，５−トリメチルシクロトリシロキサン；並びに、ポリシロキサン、例えば、トリメチルシロキシ末端ポリ（メチルハイドロジェンシロキサン）、トリメチルシロキシ末端ポリ（ジメチルシロキサン／メチルハイドロジェンシロキサン）、ジメチルハイドロジェンシロキシ末端ポリ（メチルハイドロジェンシロキサン）、及びＨ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２単位、（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２単位、及びＳｉＯ４／２単位から本質的になるＭＤＱ型樹脂である。すなわち、この文脈において、「から本質的になる」という句は、ＭＤＱ型樹脂が、それぞれＨ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２単位及び（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２単位以外のＴ単位並びにＭ及びＤ単位を実質的に含まない（すなわち、０〜（＜）０．１０モル分率未満）又は全く含まない（すなわち、０．００モル分率）ことを意味する。
【００７９】
いくつかの実施形態において、構成要素（Ｂ）は、Ｍ単位、Ｄ単位、及びＤＨ単位と略されるＳｉＨ官能性Ｄ単位を含むＳｉＨ官能性有機ケイ素化合物である。従来の命名法を用いて、ＤＨ単位は、式［（Ｈ））（ＣＨ３）ＳｉＯ２／２］ｈであり、式中、下付き文字ｈは、線状シリコーン中のＤＨ単位のモル分率である。Ｄ単位は、式［（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２］ｄであり、式中、下付き文字ｄは、線状シリコーン中のＤ単位のモル分率である。Ｍ単位は、式［（Ｓｉ（ＣＨ３）３Ｏ１／２］ｍ２であり、式中、下付き文字ｍ２は、線状シリコーン中のＭ単位のモル分率である。下付き文字ｈは０．０６〜０．１１であり、下付き文字ｄは０．７５〜０．９７であり、下付き文字ｍ２は、０．０１５〜０．０２０であり、ただし、下付き文字の和ｈ＋ｄ＋ｍ２が１であることを条件とする。
【００８０】
下付き文字の和ｈ＋ｄ＋ｍ２が１であるという条件は、ｈ、ｄ、及びｍ２の上記代替実施形態のそれぞれ並びに適切な式に適用される。任意の特定の実施形態において、ｈ＋ｄ＋ｍ２の和が不注意で１を超えた場合、ｄの値は、１−ｈ−ｍ２に等しい値まで低下するはずである。任意の特定の実施形態において、ｈ＋ｄ＋ｍ２が１未満の場合、線状シリコーンはｈ＋ｄ＋ｍ２＋ｊが１となるモル分率ｉを更に含み、ここでｊは、ＭＯＨ、ＴＯＨ、及び／又はＤＯＨと略されるヒドロキシ官能Ｍ、Ｄ及び／又はＴ単位のモル分率であり、ここでＭＯＨ、ＴＯＨ、及び／又はＤＯＨ単位は、線状シリコーンの調製から残存する不純物であり得る。例えば、ＳｉＨ官能性線状シリコーンは、次式のものであってもよい：ＤＭｅ，Ｈ０．０８５±０．００５Ｄ０．９０±０．０５Ｍ０．０１５±０．００５。
【００８１】
構成要素（Ｂ）ＳｉＨ官能性有機ケイ素化合物を調製する方法は、当該技術分野において周知である。例えば、オルガノポリシランは、ナトリウム金属又はリチウム金属の存在下、炭化水素溶媒中でのオルガノクロロシランの反応（例えば、いわゆるＷｕｒｔｚ反応）により、調製されてもよい。オルガノポリシロキサンは、オルガノハロシランの加水分解及び縮合により調製され得る。
【００８２】
本明細書に記載の各単位の下付き文字（例えば、ｍ１、ｍ２、ｄ、ｈ、ｉ、ｊ、ｖ、ｔ、及びｑなど）は、独立して定義される。本明細書に記載の各Ｒ１は、独立して、オルガノポリシロキサンに関する上記定義のとおりである。構成要素（Ａ）と（Ｂ）との相溶性を確保するため、各構成要素（Ａ）及び（Ｂ）において主要なＲ１は同じ種類（例えば、主にアルキル又は主にアリール）である。いくつかの実施形態において、各構成要素（Ａ）及び（Ｂ）で主要なＲ１基はアルキル、あるいはメチルである。Ｒ１基のうちの少なくとも５０モルパーセント（ｍｏｌ％）、あるいは少なくとも８０ｍｏｌ％は、メチルであってもよい。残りのＲ１基は、存在する場合、エチル及び／又はフェニルであってもよい。アルケニル基は、オルガノポリシロキサンに関して上に定義したとおりである。典型的には、各アルケニル基は、独立して、ビニル、アリル、１−ブテン−４−イル、又は１−ヘキセン−６−イル；あるいはビニル、アリル、又は１−ブテン−４−イル；あるいはビニル又はアリル；あるいはビニル又は１−ブテン−４−イル；あるいはビニル；あるいはアリル；あるいは１−ブテン−４−イル；あるいは１−ヘキセン−６−イルである。
【００８３】
濃縮シリコーン配合物中の構成要素（Ｂ）の量は、配合物を硬化するのに十分な濃度である。配合物は、当該配合物から調製される硬化シリコーン生成物中の構成要素（Ａ）のアルケニル基と、当該配合物から調製される硬化シリコーン生成物中の構成要素（Ｂ）のＳｉＨ基との間のヒドロシリル化反応の程度まで硬化されると考えられる。配合物中の構成要素（Ｂ）の濃度は、硬化シリコーン生成物で所望の硬化度を得るために当業者によって容易に調節され得る。典型的には、配合物中の構成要素（Ｂ）の濃度は、構成要素（Ａ）のアルケニル基１個当たり０．５〜３個、あるいは０．７〜１．２個のＳｉＨ基を与えるのに十分である。構成要素（Ａ）の１分子当たりのアルケニル基の平均数と、構成要素（Ｂ）の１分子当たりのケイ素結合水素原子の平均数との合計が４を超える場合に架橋が起こり、硬化シリコーン生成物は、その架橋度及び架橋密度によって特徴づけられる。他が全て等しいとき、上記の合計が増大（それぞれ１分子当たりのアルケニル基の平均数がより大きく、１分子当たりのＳｉＨ基の数がより大きい、構成要素（Ａ）及び（Ｂ）の実施形態を選択することなどによって、例えば、４超から４．５、５、又は６に増大）するにつれて、配合物から調製された硬化シリコーン生成物の架橋度又は架橋密度は増大する。それとは別に、他が全て等しいとき、配合物中の構成要素（Ｂ）の濃度が増大するにつれて、それから調製される硬化シリコーン生成物の架橋度又は架橋密度は増大する。上記の合計及び／又は濃度は、硬化シリコーン生成物の所望の架橋度を達成するために、当業者によって容易に調節され得る。
【００８４】
構成要素（Ａ）及び（Ｂ）は、濃縮シリコーン配合物（したがって、酢酸ブチル−シリコーン配合物）中で、あるＳｉＨ対アルケニル比（例えば、ＳｉＨ対ビニルのモル比、ＳｉＨ／Ｖｉｈ比）の配合物を構成するような方法で配分されてもよい。ＳｉＨ対アルケニル比（例えば、ＳｉＨ／Ｖｉ比）は、赤外（ＩＲ）又はプロトン核磁気共鳴（１Ｈ−ＮＭＲ）分光法、例えば、Ａｇｉｌｅｎｔ  ４００−ＭＲ  ＮＭＲ分光光度計を用いて４００メガヘルツ（ＭＨｚ）で測定してもよい。配合物は、任意の所望のＳｉＨ対アルケニル比（例えば、ＳｉＨ／Ｖｉ比）、例えば、１０−７〜１０７に配分されてもよい。ＳｉＨ対アルケニル比は、特定の応用又は用途に合わせて調整されてもよい。例えば、フォトパターン化用途の場合、ＳｉＨ対アルケニル比（例えば、ＳｉＨ／Ｖｉ比）は０．１〜３、あるいは０．１〜２、あるいは０．２〜１．５であってもよい。
【００８５】
ＳｉＨ対アルケニル比（例えば、ＳｉＨ／Ｖｉ比）は、異なる厚さの配合物のフィルムに異なる幅のビアを開けることができるように、フォトパターン化用途の配合物の例ごとに異なり得る。ビアは、フォトパターン化法を用いてフィルムに形成されてもよい。例えば、濃縮シリコーン配合物のフィルムが厚さ４０μｍのとき、ＳｉＨ対アルケニル比（例えば、ＳｉＨ／Ｖｉ比）は０．６５〜１．０５、あるいは０．７０〜１．００、あるいは０．７２〜０．９５であり得る。
【００８６】
酢酸ブチル−シリコーン配合物及び濃縮シリコーン配合物の構成要素（Ｃ）はヒドロシリル化触媒であり、典型的には光活性化可能なヒドロシリル化触媒である。酢酸ブチル−シリコーン配合物は、ヒドロシリル化触媒、典型的には光活性化可能なヒドロシリル化触媒も含む。光活性化可能なヒドロシリル化触媒以外のヒドロシリル化触媒は、配合物を加熱したときに構成成分（Ａ）と構成成分（Ｂ）とのヒドロシリル化を触媒できる任意のヒドロシリル化触媒であってもよい。光活性化可能なヒドロシリル化触媒は、ｉ線放射を含む波長（例えば、３６５ｎｍ）を有する放射線に曝露し、及び配合物を加熱した時／後に、構成成分（Ａ）と構成成分（Ｂ）とのヒドロシリル化を触媒できる任意のヒドロシリル化触媒であってもよい。典型的には、放射線は、広帯域紫外線又はｉ線（３６５ｎｍ）ＵＶ光のみのいずれかである。配合物は、放射線曝露工程の前、同時、又は後に加熱されてもよい。典型的には、ヒドロシリル化触媒は、金属、例えば、白金族金属を含む。金属は、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム、又はこれらの任意の２つ以上の組み合わせであってもよい。金属は、パラジウム、あるいは白金、あるいはロジウム、あるいはルテニウム、あるいは白金とパラジウム、ロジウム、及びルテニウムのうちの少なくとも１つのとの組み合わせであってもよい。金属は、金属−配位子錯体の一部であってもよい。金属−配位子錯体の配位子は、任意の単座配位子、多座配位子、又はこれらの組み合わせであってもよい。
【００８７】
いくつかの実施形態において、ヒドロシリル化触媒はＲｈ触媒であってもよい。このようなＲｈ触媒は、［Ｒｈ（ｃｏｄ）２］ＢＦ４（式中、ｃｏｄは１，５−シクロオクタジエンである）、ウィルキンソン触媒（Ｒｈ（ＰＰｈ３）３Ｃｌ（式中、Ｐｈはフェニルである））、［Ｒｕ（η６−アレーン）Ｃｌ２］２（式中、アレーンはベンゼン又はパラシメンであり、パラシメンは、１−メチル−４−（１−メチルエチル）ベンゼンである）、グラッブ触媒（例えば、Ｒｕ＝ＣＨＰｈ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２（式中、Ｐｈはフェニルである））、又は［Ｃｐ＊Ｒｕ（ＣＨ３ＣＮ）３］ＰＦ６）（式中、Ｃｐ＊は１，２，３，４，５−ペンタメチルシクロペンタジエンアニオンである）である。あるいは、ヒドロシリル化触媒はＰｔ触媒であってもよい。Ｐｔ触媒の例は、Ｓｐｅｉｅｒ触媒（Ｈ２ＰｔＣｌ６；米国特許第２，８２３，２１８号及び同第３，９２３，７０５号）又はＫａｒｓｔｅｄｔ触媒（Ｐｔ［Ｈ２Ｃ＝ＣＨ−Ｓｉ（ＣＨ３）２］２Ｏ）；米国特許第３，７１５，３３４号及び同第３，８１４，７３０号）である。あるいは、白金触媒としては、米国特許第３，４１９，５９３号に記載の触媒を含む、塩化白金酸と末端脂肪族不飽和を含有する有機ケイ素化合物との反応生成物が挙げられるが、これに限定されない。あるいは、ヒドロシリル化触媒としては、Ｐｔと１，３−ブタジエン、あるいはアセチルアセトネートのような二座配位子との錯体が挙げられる。ヒドロシリル化触媒としては、米国特許第５，１７５，３２５号に記載のとおり、塩化白金とジビニルテトラメチルジシロキサンとの中和錯体も挙げられる。更に、好適なヒドロシリル化触媒は、米国特許第３，１５９，６０１号、同第３，２２０，９７２号、同第３，２９６，２９１号、同第３，５１６，９４６号、同第３，９８９，６６８号、同第４，７８４，８７９号、同第５，０３６，１１７号、及び同第５，１７５，３２５号及び欧州特許第０３４７８９５（Ｂ１）号に記載されている。
【００８８】
好適な光活性化可能なヒドロシリル化触媒の例は、米国特許第６，６１７，６７４（Ｂ２）号第６欄第６５行〜第７欄第２５行に記載のものであり、この触媒は、参照により本明細書に援用される。上記文献に記載されている光活性化可能なヒドロシリル化触媒のいくつかは、上述の段落にも記載されている。光活性化可能なヒドロシリル化触媒は、米国特許第６，６１７，６７４（Ｂ２）号第７欄第３９〜４８行に記載されるように、当該技術分野において周知の方法によって調製されてもよい。
【００８９】
濃縮シリコーン配合物に使用される触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒は、ヒドロシリル化触媒から誘導される金属の原子の量が０百万分率（ｐｐｍ）を超えることで特徴づけられる。金属の原子の量は、濃縮シリコーン配合物の総重量に基づいて、０超〜１０００ｐｐｍであってもよい。金属の原子の量は、０．１〜５００ｐｐｍ、あるいは０．５〜２００ｐｐｍ、あるいは０．５〜１００ｐｐｍ、あるいは１〜２５ｐｐｍであってもよい。金属は、白金族金属のいずれか１つ、例えば、白金であってもよい。
【００９０】
酢酸ブチル−シリコーン配合物及び濃縮シリコーン配合物の構成要素（Ｄ）は酢酸ブチルであり、これは構造式ＣＨ３Ｃ（＝Ｏ）ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３及び１２４℃〜１２６℃の沸点（ｂ．ｐ．）を有する。酢酸ブチルは、被覆有効量で、酢酸ブチル−シリコーン配合物に使用される。後述のように、「被覆有効量」という用語の使用は、配合物を基板に塗布する方法をいかなる特定のコーティング方法にも限定せず（例えば、スピンコーティングのみに適用を限定するものではない）かつ、塗布された配合物の形状又は形態をコーティング又はフィルムのみに限定するものではない。
【００９１】
酢酸ブチル−シリコーン配合物中の被覆有効量の酢酸ブチルは、全て配合物の総重量に基づいて、５〜７５重量％、あるいは１０〜６０重量％、あるいは１５〜５５重量％、あるいは２０〜５０重量％、あるいは１０〜３０重量％、あるいは３０〜５０重量％、あるいは１２±２重量％、あるいは１４±２重量％、あるいは１６±２重量％、あるいは１８±２重量％、あるいは２０±２重量％、あるいは２５±２重量％、あるいは３０±２重量％、あるいは３５±２重量％、あるいは４０±２重量％、あるいは４５±２重量％、あるいは５０±２重量％、あるいは５５±２重量％、あるいは６０±２重量％、あるいは６５±２重量％であってもよい。
【００９２】
酢酸ブチル−シリコーン配合物中の被覆有効量の酢酸ブチルは、酢酸ブチル−シリコーン配合物を、半導体デバイスウェハ（例えば、上記のウェハのいずれか１つ）のようなデバイスウェハにコーティング（例えば、スピンコーティング）して、０．１〜２００マイクロメートル（μｍ）の厚さを有するコーティング又はフィルムを生成することを可能にする、構造式ＣＨ３Ｃ（＝Ｏ）ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３の化合物の濃度であってもよい。例えば、酢酸ブチル−シリコーン配合物を用いて得られるコーティング又はフィルムの厚さは、０．２〜１７５μｍ、あるいは０．５〜１５０μｍ、あるいは０．７５〜１００μｍ、あるいは１〜７５μｍ、あるいは２〜６０μｍ、あるいは３〜５０μｍ、あるいは４〜４０μｍ、あるいは１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、６０、７０、７５、８０、９０、１００、１５０、１７５、及び２００μｍのうちのいずれか１つであってもよい。
【００９３】
デバイスウェハへの酢酸ブチル−シリコーン配合物のスピンコーティングにおいて、スピンコーティングは、最大スピン速度で、上記の厚さの酢酸ブチル−シリコーン配合物のフィルムを得るのに十分なスピン時間にわたって実施されてもよい。最大スピン速度は、４００ｒｐｍ〜５，０００ｒｐｍ、あるいは５００ｒｐｍ〜４，０００ｒｐｍ、あるいは８００ｒｐｍ〜３，０００ｒｐｍであってもよい。
【００９４】
デバイスウェハへの酢酸ブチル−シリコーン配合物のスピンコーティングにおいて、スピン時間は、０．５秒〜１０分であってもよい。スピン時間は固定されて、例えば、３０秒〜２分で一定に保たれてもよく、スピンコーター装置を使用する当業者は、特定の厚さの酢酸ブチル−シリコーン配合物のフィルムを得るために特定の濃度の酢酸ブチルに関してスピン速度を容易に調節すると考えられる。例えば、スピン時間は３０秒〜２分で一定に保たれてもよく、より厚いフィルム（すなわち、厚さ５０〜１００μｍのフィルム）を形成するためには、酢酸ブチル−シリコーン配合物中の酢酸ブチル濃度は、その範囲の下半分（すなわち、５〜３５重量％）で調製されて、その後スピン速度がその範囲の下半分（すなわち、８００〜１９００ｒｐｍ、これは比較的低速である）に設定されてもよい。逆に、スピン時間は３０秒〜２分で一定に保たれてもよく、より薄いフィルム（すなわち、厚さ１〜５０μｍのフィルム）を形成するためには、酢酸ブチル−シリコーン配合物中の酢酸ブチル濃度は、その範囲の上半分（すなわち、３５〜７５重量％）であり、その後スピン速度がその範囲の上半分（すなわち、１９００〜３，０００ｒｐｍ、これは比較的高速である）に設定されてもよい。
【００９５】
デバイスウェハ上での酢酸ブチル−シリコーン配合物のスピンコーティングにおいて、酢酸ブチル−シリコーン配合物中の固体濃度を変動した場合の一連の実験が実施されてもよい。特定のスピン速度におけるフィルム厚を固体濃度（重量％）に対してプロットしたスピン曲線を、例えば、図４のように作成してもよく、このスピン曲線を使用いて、特定のスピン速度プロトコルに対する固体濃度を、所望のフィルム厚が得られるように調節してもよい。以下の実験は、上記の方法を例示する。酢酸ブチル−シリコーン配合物中の酢酸ブチルの量が５０±２重量％のとき、配合物を２，０００ｒｐｍでスピンコーティングすると、４μｍ厚のコーティング又はフィルムが得られることがある。あるいは、酢酸ブチル−シリコーン配合物中の酢酸ブチルの量が１６±２重量％のとき、配合物を１，０００ｒｐｍでスピンコーティングすると、４０μｍ厚のコーティング又はフィルムが得られることがある。
【００９６】
構成要素（Ａ）、（Ｂ）、及び（Ｃ）の混合物は、周囲温度、例えば、２５±３℃で硬化を開始し得る。配合物により長い可使時間又は「ポットライフ」を得るため、周囲条件下での（Ｃ）ヒドロシリル化触媒の活性は、配合物の温度を下げることによって及び／又は少なくとも１種の構成要素（Ｅ）好適な阻害剤の添加によって、遅延又は抑制してもよい。白金触媒阻害剤は、周囲温度での配合物の硬化を遅延するが、高温（例えば、４０〜２５０℃）では配合物の硬化を防止しない。好適な白金触媒阻害剤としては、種々の「エン−イン」系、例えば、３−メチル−３−ペンテン−１−イン及び３，５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン；３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、１−エチニル−１−シクロヘキサノール、及び２−フェニル−３−ブチン−２−オールなどの、アセチレン性アルコール；マレイン酸エステル及びフマル酸エステル、例えば、既知のフマル酸及びマレイン酸のジアルキル、ジアルケニル、及びジアルコキシアルキルエステル；及びシクロビニルシロキサンが挙げられる。いくつかの実施形態において、阻害剤は、アセチレン性アルコールを含んでもよい。
【００９７】
任意選択である構成要素（Ｅ）触媒阻害剤の酢酸ブチル−シリコーン配合物中、及び濃縮シリコーン配合物中の濃度は、高温での硬化を防止又は過度に長引かせることなく、周囲温度での組成物の硬化を遅延させるために十分なものとすることができる。この濃度は、使用される具体的な阻害剤、ヒドロシリル化触媒の性質及び濃度、並びに構成要素（Ｂ）の性質に応じて、変動し得る。白金族金属１モル当たり１モルの阻害剤という低濃度の阻害剤により、場合によっては、十分な貯蔵安定性及び硬化速度がもたらされると予想される。他の例では、白金族金属１モル当たり、最大５００モル以上の触媒阻害剤濃度が求められる場合もある。必要に応じて、所与の配合物における、特定の触媒阻害剤の最適濃度を、通常の実験によって容易に求めることができる。
【００９８】
あるいは又は追加的に、酢酸ブチル−シリコーン配合物は、１種以上の構成要素（Ｆ）酢酸ブチルとの共沸混合物を形成する有機溶媒を更に含んでもよく、あるいは欠いていても（すなわち、含まないでも）よく、ただし、上記共沸混合物は、酢酸ブチルのｂ．ｐ．のプラスマイナス（±）１０℃、あるいは±５℃、あるいは±３℃の範囲内の沸点を有する。共沸混合物は、二成分共沸混合物、あるは三成分共沸混合物、あるは四成分共沸混合物であってもよい。酢酸ブチルとの共沸混合物を形成することが既知で、上記の条件を満足する可能性があり、それゆえ構成要素（Ｆ）として好適である溶媒の例は：１−ブタノール（共沸混合物ｂ．ｐ．１１７℃）；酢酸；酢酸／水；アセトニトリル；アセトニトリル／水；アセトン；アセトン／エタノール；エタノール；エタノール／水；酢酸エチル；酢酸エチル／水；酢酸エチル／ベンゼン／水；メタノール；メタノール／水；２−プロパノール；シクロヘキサン；ヘキサン；クロロホルム；ベンゼン；ベンゼン／１−ブタノール；ベンゼン／水；メタキシレン；及びパラキシレンである。上記共沸混合物のｂ．ｐ．は、文献から容易に得ることができる。共沸混合物は、酢酸ブチルのｂ．ｐ．よりも低い、あるいは高いｂ．ｐ．を有してもよい。ソフトベーク工程の温度を低下、あるいは上昇するために、それぞれ、より低沸点、又はより高沸点の酢酸ブチルとの共沸混合物を形成する構成要素を少量添加することは、有利となり得る。
【００９９】
酢酸ブチル−シリコーン配合物及び濃縮シリコーン配合物は、有利には、酢酸ブチル、及び任意に、酢酸ブチルとの共沸混合物を形成する上記有機溶媒を除いて、いかなる溶媒も欠く（すなわち、含まない）。本発明の配合物から除外される溶媒の例は、１〜２５個の炭素原子を有する飽和炭化水素；キシレン及びメシチレンなどの芳香族炭化水素；ミネラルスピリット；ハロ炭化水素；エステル；ケトン；シリコーン流体、例えば、線状、分枝状、及び環状ポリジメチルシロキサン；及びこのような溶媒の混合物であり、ただし酢酸ブチルとの共沸混合物を形成する上記有機溶媒を例外とする。
【０１００】
あるいは又は追加的に、酢酸ブチル−シリコーン配合物及び濃縮シリコーン配合物は、有利には、ケイ素含有モノマー又はオリゴマーを欠く（すなわち、含まない）ことがあり、あるいは１種以上のケイ素含有モノマー又はオリゴマーを、それぞれ酢酸ブチル−シリコーン配合物又は濃縮シリコーン配合物の総重量に基づいて、（＞）０超〜（＜）１重量％未満有する。酢酸ブチル−シリコーン配合物及び濃縮シリコーン配合物中のケイ素含有モノマー又はオリゴマーの濃度は、分留、飛沫同伴、ストリッピング、又はその他によって配合物から除去することによって制御又は低減されてもよい。あるいは又は追加的に、Ｓｉ−アルコキシ官能基を含有するモノマー又はオリゴマーの濃度は、その場（ｉｎ  ｓｉｔｕ）での縮合反応、例えば、フォトパターン化方法におけるソフトベーク又はハードベーク工程によって、制御されてもよい。
【０１０１】
ケイ素含有モノマーとしては、テトラアルキルシラン（例えば、テトラメチルシラン、ジメチルジエチルシラン、又はテトラエチルシラン）、トリアルキルアルコキシシラン（例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、又はトリエチルメトキシシラン）、ジアルキルジアルコキシシラン（例えば、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、又はジエチルジメトキシシラン）、アルキルトリアルコキシシラン（例えば、メチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、又はメチルトリエトキシシラン）、テトラキス（トリアルキルシリルオキシ）シラン（例えば、テトラキス（トリメチルシリルオキシ）シラン、テトラキス（トリエチルシリルオキシ）シラン、又はトリス（トリメチルシリルオキシ）−トリエチルシリルオキシシラン）、ジアルコキシシラン（例えば、ジメトキシシラン（Ｈ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２）、ジエトキシシラン、又はメトキシエトキシシラン）、トリアルコキシシラン（例えば、トリメトキシシラン（ＨＳｉ（ＯＣＨ３）３）、トリエトキシシラン、又はジメトキシエトキシシラン）、及び／又はテトラアルコキシシラン（例えば、テトラメトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン、又はテトラエトキシシラン）が挙げられる。ケイ素含有オリゴマーは、アルキル基及び／又はアルコキシ基を有する非環状ジシラン、トリシラン、又はテトラシラン、例えば、オクタメチルトリシロキサン（略称Ｌ３）、デカメチルテトラシロキサン（略称Ｌ４）、又はドデカメチルペンタシロキサン（略称Ｌ５）であってもよい。ケイ素含有オリゴマーはまた、環状シロキサン（例えば、オクタメチルテトラシロキサン（略称Ｄ４）、デカメチルペンタシロキサン（略称Ｄ５）、及びドデカメチルヘキサシロキサン（略称Ｄ６））であってもよい。
【０１０２】
酢酸ブチル−シリコーン配合物、濃縮シリコーン配合物、酢酸ブチルを含まないシリコーン配合物、及びこれらの硬化シリコーン生成物は、独立して、上記の例のケイ素含有モノマーのいずれか１つを、有利には、０重量％有し、あるいは（＞）０超〜（＜）０．７５重量％未満有し、あるいは（＞）０超〜（＜）０．５重量％未満有し、あるいは（＞）０超〜（＜）０．３重量％未満有し、あるいは（＞）０超〜（＜）０．２重量％未満有し、あるいは（＞）０超〜（＜）０．１重量％未満有し、あるいは（＞）０超〜（＜）０．０５重量％未満有し、あるいは（＞）０超〜（＜）０．０２重量％未満（例えば、（＜）０．０１重量％未満）有し、かつ独立して、上記ケイ素含有オリゴマーの例のいずれか１つを、０重量％有し、あるいは（＞）０超〜（＜）０．５重量％未満有し、あるいは（＞）０超〜（＜）０．３重量％未満有し、あるいは（＞）０超〜（＜）０．２重量％未満有し、あるいは（＞）０超〜（＜）０．１重量％未満有し、あるいは（＞）０超〜（＜）０．０５重量％未満有してもよい。例えば、酢酸ブチル−シリコーン配合物、濃縮シリコーン配合物、酢酸ブチルを含まないシリコーン配合物、及びこれらの硬化シリコーン生成物は、独立して、テトラメトキシシラン、テトラキス（トリメチルシリルオキシ）シラン、及びジメトキシシランのいずれか１つを０〜（＜）０．５重量％未満、並びにＬ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｄ４、Ｄ５及びＤ６のいずれか１つを０〜（＜）０．５重量％未満有してもよい。あるいは、酢酸ブチル−シリコーン配合物、濃縮シリコーン配合物、酢酸ブチルを含まないシリコーン配合物、及びこれらの硬化シリコーン生成物は、独立して、テトラメトキシシラン、テトラキス（トリメチルシリルオキシ）シラン、及びジメトキシシランのいずれか１つが０〜（＜）０．０５重量％未満、かつＬ３、Ｄ４、及びＤ５の合計濃度が０〜０．０５重量％未満；あるいはテトラメトキシシランが０〜０．０５重量％未満、かつＬ３、Ｄ４及びＤ５の合計濃度が０〜（＜）０．５０重量％未満；あるいはテトラキス（トリメチルシリルオキシ）シランが０〜（＜）０．０５重量％未満、かつＬ３、Ｄ４及びＤ５の合計濃度が０〜（＜）０．５重量％未満；あるいはジメトキシシランが０〜（＜）０．０５重量％未満、かつＤ４及びＤ５の合計濃度が０〜０．５０重量％未満であってもよい。いくつかの実施形態において、酢酸ブチル−シリコーン配合物、濃縮シリコーン配合物、酢酸ブチルを含まないシリコーン配合物、及びこれらの硬化シリコーン生成物は、独立して、テトラキス（トリメチルシリルオキシ）シラン、Ｌ３、Ｄ４、及びＤ５のうちの少なくとも１つを欠く（すなわち、含まない（濃度が０．００重量％））。あるいは、酢酸ブチル−シリコーン配合物、濃縮シリコーン配合物、酢酸ブチルを含まないシリコーン配合物、及びこれらの硬化シリコーン生成物は、独立して、テトラキス（トリメチルシリルオキシ）シランを欠き（すなわち、０．００重量％）、Ｌ３、Ｄ４及びＤ５の合計濃度が０〜（＜）０．５０重量％未満であってもよい。あるいは、酢酸ブチル−シリコーン配合物、濃縮シリコーン配合物、酢酸ブチルを含まないシリコーン配合物、及びこれあの硬化シリコーン生成物は、独立してテトラキス（トリメチルシリルオキシ）シラン、Ｌ３、Ｄ４及びＤ５のそれぞれを欠いてもよい（すなわち、０．００重量％）。上記の実施形態のいずれか１つにおいて、テトラキス（トリメチルシリルオキシ）シラン、Ｌ３、Ｄ４、及びＤ５のうちの少なくとも１つを欠く（すなわち、含まない）材料は、酢酸ブチルを含まないシリコーン配合物及び酢酸ブチルを含まない硬化シリコーン生成物である。
【０１０３】
任意には、酢酸ブチル−シリコーン配合物及び濃縮シリコーン配合物は、独立して、構成要素（Ａ）〜（Ｄ）以外の１種以上の追加構成要素、独立して任意選択である構成要素（Ｅ）及び（Ｆ）、並びに以前に除外された溶媒及び除外されたケイ素含有モノマー及びオリゴマーを更に含んでもよく、ただし、上記配合物及び硬化生成物は、熱伝導性充填剤を欠く（すなわち、含まない）。このような追加の構成要素は、それが硬化シリコーン生成物、物品及び半導体パッケージの調製における又は調製のための配合物の使用に不可避の影響を及ぼさないという条件で、配合物に添加されてもよい。好適な追加の構成要素は、（Ｇ）接着促進剤、（Ｈ）有機充填剤、（Ｉ）光増感剤、及び（Ｊ）界面活性剤である。
【０１０４】
本発明の配合物及び硬化生成物から除外される熱伝導性充填剤は、熱伝導性及び電気伝導性の両方であってもよく；あるいは熱伝導性かつ電気絶縁性であってもよい。除外される熱伝導性充填剤は、米国特許第８，４４０，３１２（Ｂ２）号第８欄第３２行〜第１０欄第１４行に記載されている熱伝導性充填剤のいずれかでもよく、この記載を参照により本明細書に援用する。例えば、除外される熱伝導性充填剤は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、アルミニウム三水和物、チタン酸バリウム、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、炭素繊維、ダイヤモンド、黒鉛、水酸化マグネシウム、酸化マグネシウム、金属粒子、オニキス、炭化ケイ素、炭化タングステン、酸化亜鉛、及びそれらの組み合わせからなる群から選択することができる。除外される熱伝導性充填剤は、金属充填剤、無機充填剤、溶融性充填剤、又はこれらの組み合わせを含み得る。金属充填剤としては、金属の粒子及び粒子の表面上に層を有する金属の粒子が挙げられる。これらの層は、例えば、粒子の表面上の金属窒化物層又は金属酸化物層であってよい。金属充填剤の例としては、アルミニウム、銅、金、ニッケル、銀及びこれらの組み合わせからなる群から選択される金属の粒子が挙げられる。金属充填剤の更なる例としては、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化銅、酸化ニッケル、酸化銀、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される層をその表面に有する、上記金属の粒子が挙げられる。
【０１０５】
酢酸ブチル−シリコーン配合物及び濃縮シリコーン配合物は、独立して、構成要素（Ａ）〜（Ｄ）を単一部分に含む一部式配合物であってもよく、あるいは、構成要素（Ａ）〜（Ｄ）を２つ以上の部分に含む多部式配合物であってもよい。多部式配合物では、構成要素（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、構成要素（Ｅ）阻害剤も存在しない限り、典型的には同じ部分に存在しない。例えば、多部式シリコーン配合物は、構成要素（Ａ）の一部、構成要素（Ｂ）の全て、及び構成要素（Ｄ）の一部を含有する第１部分と、構成要素（Ａ）の残りの部分、構成成分（Ｃ）の全て、構成要素（Ｄ）の残りの部分、及び、使用する場合には、任意選択の構成要素（Ｅ）の全てを含有する第２部分と、を含んでもよい。
【０１０６】
一部式酢酸ブチル−シリコーン配合物は、典型的には、構成要素（Ａ）〜（Ｄ）及び任意選択の構成要素を、記載の比率で、周囲温度にて組み合わせることによって調製される。配合物がすぐに使用される場合には、種々の構成要素の添加順序は重要でないが、配合物の早期硬化を防止するために、構成要素（Ｃ）ヒドロシリル化触媒は、約３０℃未満の温度で最後に添加されることが好ましい。多部式シリコーン配合物は、各部について示された具体的な成分を組み合わせることにより、調製されてもよい。
【０１０７】
酢酸ブチル−シリコーン配合物は、濃縮シリコーン配合物の調製に有用である。濃縮シリコーン配合物を調製する方法は、酢酸ブチル−シリコーン配合物をソフトベークして、多くとも残渣量の酢酸ブチルを有する濃縮シリコーン配合物を得るのに十分な量の酢酸ブチルを上記配合物から除去することを含む。しかしながら、本発明は、濃縮シリコーン配合物の構成要素を酢酸ブチル残部と直接混合することを含め、濃縮シリコーン配合物を調製するためのその他の材料も含む。
【０１０８】
上述のように、用語「被覆有効量」は、配合物を基板に塗布する方法をいかなる特定の塗布方法（例えば、スピンコーティングのみ）にも限定せず、かつ塗布された配合物の形状又は形態をコーティング又はフィルムのみに限定するものではない。配合物は、種々の方法によって基板に塗布されてもよい。例えば、特定の実施形態において、配合物を基板に塗布する工程は、ウェットコーティング方法を含む。この方法に好適なウェットコーティング方法の具体例としては、カーテンコーティング、ディップコーティング、スピンコーティング、フローコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティング、スパッタリング、スロットコーティング（スロットダイコーティング）、ウェブコーティング、及びこれらの組み合わせが挙げられる。スプレーコーティングにおいて、酢酸ブチル−シリコーン配合物は、酢酸ブチルの沸点よりも低い沸点（例えば、５０〜１１０℃）を有し、そこから相分離しないように配合物に溶解できる共溶媒を更に含む。共溶媒は、上記の態様の酢酸ブチル−シリコーン配合物が粗大な液滴ではなく霧状ミストとして噴霧されるように、スプレーコーティング法に使用されてもよい。使用される共溶媒の量は、酢酸ブチル及び共溶媒の総体積に基づいて、（＞）０体積パーセント（ｖｏｌ％）超〜８０ｖｏｌ％であってもよい。いくつかの実施形態において、共溶媒は、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、又はこれらの混合物であってもよい。あるいは、共溶媒は、酢酸ブチルとの共沸混合物を形成する溶媒であってもよく、あるいは、共溶媒がアセトン又はイソプロピルアルコールではないという条件で、酢酸ブチルとの共沸混合物を形成しない溶媒でもよい。カーテンコーティング、スロットダイコーティング、又はウェブコーティング法は、２種以上の異なる配合物が同時に塗布されて、基板と第１及び第２配合物層とを含む多層システムを形成する場合、又は初期層（これは基板上で硬化されると考えられる）と第１及び第２配合物層とを含む多層システムを形成する場合の実施形態で使用されてもよい。
【０１０９】
濃縮シリコーン配合物を調製する方法は、酢酸ブチル−シリコーン配合物をコーティング及び／又はソフトベーク（例えば、スピンコーティング及び／又はソフトベーク）して、上記配合物を硬化することなく被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルのうちの９０％〜１００％未満を除去して、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になる濃縮シリコーン配合物のフィルムを得ることを含む。この文脈において「から本質的になる」という句は、濃縮シリコーン配合物は、残渣量を超える酢酸ブチルを含有しない場合があり、いくつかの実施形態において、酢酸ブチル以外の溶媒を含有しない場合があり；かつケイ素含有モノマー又はオリゴマーを含有しない場合があり、熱伝導性充填剤を含有しない場合があるが、そうでなければ、任意選択構成要素（Ｅ）〜（Ｊ）のうちの１つ以上のような、１種以上の任意選択の構成要素を任意に含有し得ることを意味する。いくつかの実施形態では、本発明の方法はスピンコーティングを含むがソフトベークは含まず、他の実施形態では、本発明の方法はソフトベークを含むがスピンコーティングを含まず、更に他の実施形態では、本発明の方法はスピンコーティング及びソフトベークを含む。後者の実施形態において、ソフトベーク工程は、スピンコーティング工程の前、同時、又は後に実施されてもよい。典型的には、スピンコーティング工程は、ソフトベーク工程の前に実施される。被覆有効量の酢酸ブチルのうちの９０％〜１００％未満を酢酸ブチル−シリコーン配合物から除去するとは、濃縮シリコーン配合物中の残渣量の酢酸ブチルが、それぞれその被覆有効量の１０％〜（＞）０％超であることを意味する。
【０１１０】
濃縮シリコーン配合物の調製方法のいくつかの実施形態において、コーティング工程はスピンコーティングを含む。スピンコーティングは、上記のようにソフトベーク工程の前に実施されてもよく、使用するスピン速度に応じて、初期シリコーン配合物のフィルムを基板上に生成してもよく、その際初期シリコーン配合物は被覆有効量の０〜５０％未満の（Ｄ）酢酸ブチルを有する。スピン速度が十分に高い場合及び／又はスピン時間が十分に長い場合、初期シリコーン配合物は、濃縮シリコーン配合物となり、残渣量以下の（Ｄ）酢酸ブチルを含有することがある。いくつかの実施形態において、スピンコーティングは、ソフトベーク工程が本明細書に記載の本発明の方法のいずれかで不要となるような十分な量の（Ｄ）酢酸ブチルを除去し得る。あるいは、かつ典型的には、スピンコーティングは、酢酸ブチルの量が少ない初期フィルム（例えば、オープンカップスピンコーター装置を使用した場合）を生成する場合があり、ソフトベーク工程をスピンコーティング工程の後に続けて、濃縮シリコーン配合物を生成するか、又は所望であれば、蒸発条件に応じて、酢酸ブチルを含まない硬化性シリコーン配合物を生成するような、追加の（Ｄ）酢酸ブチル除去を必要とする場合がある。あるいは、酢酸ブチル−シリコーン配合物は、コーティング中に酢酸ブチルを蒸発させることなく基板上にコーティングされ（例えば、クローズドカップスピンコーターを使用した場合）、その後得られた「湿潤」フィルムをソフトベークして、蒸発条件に応じて、濃縮シリコーン配合物又は酢酸ブチルを含まないシリコーン配合物（のフィルム）が得られる。酢酸ブチルを含まないシリコーン配合物のフィルムを基板の前面に付与する上記実施形態のいずれかにおいて、フィルム／基板システムに、（例えば、オープンカップピンコーターを使用して）基板の縁及び裏側を溶媒と接触させて、酢酸ブチルを含まないシリコーン配合物材料の余剰分をそこから除去することを含むエッジビード除去工程を施してもよい。酢酸ブチルを含まないシリコーン配合物の余剰分は、スピンコーティング工程の間に基板の裏側及び縁に乗る場合がある。いくつかの実施形態において、エッジビード除去工程はまた、フィルムの狭い（例えば、幅１ｍｍ）の周辺部を基板の前側から除去し、酢酸ブチルを含まないシリコーン配合物材料が基板の裏側、縁、及び前側の外辺部にないエッジビード付きフィルム／基板システムを与え得る。エッジビード除去方法は、一般的に当該技術分野において周知である。エッジビード除去用の溶媒は、任意の好適な溶媒、例えば、酢酸ブチルであってもよい。
【０１１１】
濃縮シリコーン配合物は、構成要素（Ａ）〜（Ｃ）及び残渣量の構成要素（Ｄ）酢酸ブチルから本質的になる。この文脈において「から本質的になる」という移行句は、濃縮シリコーン配合物が、残渣量を超える酢酸ブチルを含有しない場合があり、いくつかの実施形態において、酢酸ブチル以外の溶媒を含有しない場合があり；かつケイ素含有モノマー又はオリゴマーを含有しない場合があり、熱伝導性充填剤を含有しない場合があるが、そうでなければ、任意選択構成要素（Ｅ）〜（Ｊ）のうちの１つ以上のような、１種以上の任意選択の構成要素を含有し得ることを意味する。
【０１１２】
濃縮シリコーン配合物中の残渣量の酢酸ブチルは、酢酸ブチル−シリコーン配合物中の被覆有効量の酢酸ブチルによって変動しうる。いくつかの実施形態において、濃縮シリコーン配合物中の残渣量の酢酸ブチルは、酢酸ブチル−シリコーン配合物中の被覆有効量の酢酸ブチルの９１％〜９９．９９％、あるいは９２％〜９９．９％、あるいは９５％〜９９．９９％、あるいは９８〜９９．９９％である。
【０１１３】
濃縮シリコーン配合物中の残渣量の酢酸ブチルは、濃縮シリコーン配合物の硬化時に硬化シリコーン生成物を与え、当該硬化シリコーン生成物が、残渣量の酢酸ブチルの少なくとも一部、あるいは全部を保持するような濃度であってもよく、その結果、硬化シリコーン生成物は、酢酸ブチルの代わりにより低沸点（例えば、ｂ．ｐ．５０〜１２０℃）の溶媒を含有すること以外は同じである比較硬化シリコーン生成物よりも早期乾燥しにくくなる。更に、硬化シリコーン生成物は耐亀裂性である。濃縮シリコーン配合物中の残渣量の酢酸ブチルは、濃縮シリコーン配合物の総重量の重量パーセントとして表されてもよい。濃縮シリコーン配合物中の残渣量の酢酸ブチルは、全て濃縮シリコーン配合物の総重量に基づいて、０〜（＜）５重量％未満、あるいは０〜４重量％、あるいは０〜３重量％、あるいは０〜２重量％、あるいは０〜１重量％、あるいは０〜０．５重量％、あるいは（＞）０超〜（＜）５重量％未満、あるいは（＞）０超〜４重量％、あるいは（＞）０超〜３重量％、あるいは（＞）０超〜２重量％、あるいは（＞）０超〜１重量％、あるいは（＞）０超〜０．５重量％であってもよい。あるいは、濃縮シリコーン配合物中の残渣量の酢酸ブチルは、全て濃縮シリコーン配合物の総重量に基づいて、０〜５００百万分率（ｐｐｍ）、あるいは０〜１００ｐｐｍ、あるいは０〜５０ｐｐｍ、あるいは０〜２０ｐｐｍ、あるいは０〜１０ｐｐｍ、あるいは０〜５ｐｐｍ；あるいは（＞）０超〜５ｐｐｍ、あるいは（＞）０超〜４ｐｐｍ、あるいは（＞）０超〜３ｐｐｍ、あるいは（＞）０超〜２ｐｐｍ、あるいは（＞）０超〜１ｐｐｍであってもよい。
【０１１４】
硬化シリコーン生成物の調製方法は、濃縮シリコーン配合物をヒドロシリル化硬化して硬化シリコーン生成物を得る工程を含む。いくつかの実施形態において、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒は光活性化可能なヒドロシリル化触媒であり、方法は、３００〜８００ｎｍの波長を有する光を触媒に放射して、照射されたシリコーン配合物を得る工程と、照射シリコーン配合物を加熱して硬化シリコーン生成物を得る工程と、を含む。光は、ｉ線放射（３６５ｎｍ）又は広帯域放射（ｉ線放射を含む）であってもよい。
【０１１５】
本発明の実施形態は、硬化シリコーン生成物を更に含む。いくつかのこのような実施形態において、硬化シリコーン生成物は、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルを更に含む。その他のこのような実施形態において、硬化シリコーン生成物は酢酸ブチルを欠く、すなわち、酢酸ブチルを含まない硬化シリコーン生成物である。
【０１１６】
硬化シリコーン生成物は、同じ調製方法によって調製される。硬化シリコーン生成物中の残渣量の酢酸ブチルは、硬化シリコーン生成物の総重量の重量パーセントとして表されてもよい。硬化シリコーン生成物中の残渣量の酢酸ブチルは、全て硬化シリコーン生成物の総重量に基づいて、０〜（＜）５重量％未満、あるいは０〜４重量％、あるいは０〜３重量％、あるいは０〜２重量％、あるいは０〜１重量％、あるいは０〜０．５重量％、あるいは（＞）０超〜５重量％未満、あるいは（＞）０超〜４重量％、あるいは（＞）０超〜３重量％、あるいは０超〜２重量％、あるいは（＞）０超〜１重量％、あるいは（＞）０超〜０．５重量％であってもよい。上記のように、残渣量の酢酸ブチルを含有する硬化シリコーン生成物は、乾燥しにくくなり得る。更に、硬化シリコーン生成物は耐亀裂性である。
【０１１７】
あるいは、濃縮シリコーン配合物を調製する方法は、酢酸ブチル−シリコーン配合物をソフトベークして、当該配合物を硬化することなく被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルの１００％を除去し、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、から本質的になるが、（Ｄ）酢酸ブチルを欠く（含まない）、酢酸ブチルを含まないシリコーン配合物を得る工程を含む。この文脈において「から本質的になる」という句は、（Ｄ）酢酸ブチルを欠く（すなわち、含まない）こと；及び沸点（≦）１２０℃以下のいかなる他の有機溶媒も欠くこと；及び熱伝導性充填剤を欠く（すなわち、含まない）ことを意味する。この態様は、本明細書で、酢酸ブチルを含まない硬化性シリコーン配合物の調製方法とも呼ばれる。
【０１１８】
酢酸ブチルの全てではないが一部を除去する工程は、酢酸ブチル−シリコーン配合物を基板上にコーティング（例えば、スピンコーティング）する工程によって実施されてもよい。このようなコーティング（例えば、スピンコーティング）工程は、被覆有効量の酢酸ブチルの全てではないが一部を、スピンコーティングされた酢酸ブチル−シリコーン配合物から自然に蒸発させて、濃縮シリコーン配合物のフィルムを基板上に生成し得る。濃縮シリコーン配合物のフィルムから酢酸ブチルの残部を除去する工程は、基板上の濃縮シリコーン配合物のフィルムをソフトベークして、酢酸ブチルを含まない硬化性シリコーン配合物のフィルムを基板上に与えることによって実施されてもよい。
【０１１９】
あるいは、硬化シリコーン生成物を調製する方法は、酢酸ブチル−シリコーン配合物又は濃縮シリコーン配合物から、当該配合物を硬化することなく（Ｄ）酢酸ブチルの全てを除去して、酢酸ブチルを含まない硬化性シリコーン配合物を得る工程と、上記酢酸ブチルを含まないシリコーン配合物をヒドロシリル化硬化して、酢酸ブチルを欠く（すなわち、含まない）酢酸ブチルを含まない硬化シリコーン生成物を得る工程と、を含む。いくつかの実施形態において、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒は光活性化可能なヒドロシリル化触媒であり、方法は、３００〜８００ｎｍの波長を有する光を触媒に放射して、照射されたシリコーン配合物を得る工程と、照射シリコーン配合物を加熱して酢酸ブチルを含まない硬化シリコーン生成物を得る工程と、を含む。
【０１２０】
仮接合基板システムを形成する方法は、前述の工程（ａ）〜（ｄ）を含む：（ａ）配合物のいずれか１つをキャリア基板の表面に塗布して、配合物のフィルムをキャリア基板上に形成する工程と、（ｂ）工程（ａ）のフィルムをソフトベークして、フィルムを硬化することなくフィルムから酢酸ブチルを除去して、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルム／キャリア基板物品を得る工程と、（ｃ）真空下の接合チャンバ内で、工程（ｂ）の物品の酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを機能性基板／剥離層物品の剥離層と接触させて、機能性基板と、剥離層と、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムと、キャリア基板と、を順に含む接触基板システムを得る工程と、（ｄ）真空下の接合チャンバ内で、接触基板システムを１，０００ニュートン（Ｎ）超〜１０，０００Ｎの印加力及び摂氏２０度（℃）〜３００℃の温度に曝露し、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを部分硬化して、接触基板システム内に部分硬化フィルムを生成する工程、及び部分硬化フィルムを有する接触基板システムを周囲圧力にて加熱して、機能性基板と、剥離層と、接着剤層と、キャリア基板と、を順に含む仮接合基板システムを得る工程と、を含む。工程（ａ）は工程（ｂ）の前に実施されてもよく、工程（ｂ）は工程（ｃ）の前、及び工程（ｃ）は工程（ｄ）の前又は工程（ｄ）と同時に実施されてもよい。
【０１２１】
本明細書における任意の本発明の方法において、真空下の接合チャンバ内での物品の接触は、物品を接合チャンバ内に置き、接合チャンバから気体雰囲気を真空排気して、物品を収容した真空排気された接合チャンバを与え、次いで真空下で物品を接触させて接触基板システムを得ることによって実施される。部分硬化フィルムを有する接触基板システムの周囲圧力での加熱は、９０〜１１０キロパスカル（ｋＰａ）、例えば１０１ｋＰａの周囲圧力で実施されてもよい。本明細書の製造方法で使用される任意の熱源は、ホットプレート又はオーブンのような、未硬化又は部分硬化フィルムの温度を上昇するいかなる手段でもよい。オーブンは、バッチ式でも連続供給式オーブンでもよい。いくつかの実施形態において、部分硬化フィルムは真空下の接合チャンバ内で加熱されて完全に硬化したフィルムを与えるが、本発明の方法のこれら別の態様は、部分硬化フィルムを接合チャンバ外で周囲圧力において加熱して完全に硬化したフィルムを得る場合と比べ、コスト／プロセス処理量の観点から魅力に劣る。接触とは、間接的、あるいは直接的に物理的に接触することを意味する。
【０１２２】
本明細書の硬化シリコーン生成物のフィルムを形成する本発明の方法において、当該方法は、硬化シリコーン生成物の第１のフィルムを形成するために使用した工程を繰り返して、硬化シリコーン生成物の多層フィルムを形成することを更に含んでもよい。多層フィルム内の硬化シリコーン生成物の各フィルム層は、独立して、硬化シリコーン生成物の組成、フィルム層の厚さ、フィルム層によって画定される構造的特徴（例えば、ビア）などに関して、その中の任意の他のフィルム層と同じでも異なっていてもよい。
【０１２３】
仮接合基板システムを形成する方法のいくつかの実施形態において、工程（ａ）は、キャリア基板物品上の配合物のフィルムを、ｉ線放射を含む波長の紫外線に曝露し、キャリア基板上に曝露フィルムを生成することを更に含んでもよい。典型的には、放射線は、広帯域紫外線又はｉ線放射（３６５ｎｍ）ＵＶ光のみのいずれかである。したがって、曝露フィルムは、工程（ｂ）でソフトベークされると考えられる。フィルム全体がＵＶ放射に曝露されてもよい。この曝露の度合を、本明細書で「フラッド露光」（ｆｌｏｏｄ  ｅｘｐｏｓｕｒｅ）と呼ぶことがある。（フラッド露光は、フィルムの一部のみがＵＶ放射に曝露され、フィルムのその他の部分はマスクされるか又はＵＶ放射に曝露されないようにフォトマスクを使用するフォトパターン化曝露工程と対照的である）。ＵＶ曝露工程により、工程（ｄ）で、より低い硬化温度を使用できると考えられる。工程（ｄ）の硬化温度が低いことは、キャリア基板がエポキシのような材料で構成され、非常に高い硬化温度で反る可能性があるときに有効となり得る。フィルムは、直接的又は間接的にＵＶ放射に曝露されてもよい。直接曝露は、キャリア基板がシリコンウェハの場合のように、キャリア基板がＵＶ放射を吸収し、その透過を妨害する場合に実施されてもよい。間接曝露は、フィルムと接触しているキャリア基板の表面と反対側のキャリア基板の表面を照射することによって実施されてもよい。間接曝露は、キャリア基板がＵＶ放射を透過する場合（例えば、キャリア基板がケイ酸ガラスである場合）に実施されてもよい。あるいは、キャリア基板がＵＶ放射を透過する場合、曝露工程は工程（ｄ）の後に実施されてもよく、その際、仮接合基板システムの接着剤層は、透明なキャリア基板を介して間接的にＵＶ放射が照射される。
【０１２４】
あるいは又は追加的に、仮接合基板システムを形成するための方法のいくつかの実施形態において、方法は、工程（ｃ）の前に、機能性基板上の溶媒含有剥離層組成物のフィルムをソフトベークし、そこから溶媒を除去して、機能性基板／剥離層物品を得ることによって、機能性基板／剥離層物品を形成する工程を更に含んでもよい。機能性基板は、半導体デバイスウェハのようなデバイスウェハであってもよく、あるいは、工程（ｃ）及び（ｄ）は同時に実施され、あるいは機能性基板は半導体デバイスウェハであり、かつ工程（ｃ）及び（ｄ）は同時に実施される。工程（ｃ）及び（ｄ）は同時に実施されてもよい。あるいは、工程（ｃ）及び（ｄ）は、工程（ｂ）の酢酸ブチルを含まない硬化性フィルム／キャリア基板物品及び工程（ｃ）の機能性基板／剥離層物品を工程（ｄ）で使用する接合チャンバ内に置き、次いで、接合チャンバから気体雰囲気を真空排気し、次いで、真空下、工程（ｂ）の物品の酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを工程（ｃ）の物品の剥離層と接触させ、次いで、接合チャンバ内の物品に、１，０００ニュートン（Ｎ）超〜１０，０００Ｎの印加力及び２０℃〜３００℃の温度で、力を加え、かつ任意に加熱して、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを部分硬化して、接触基板システム内に部分硬化フィルムを得ること、並びに部分硬化フィルムを有する接触基板システムを周囲圧力において加熱して、機能性基板と、剥離層と、接着剤層と、キャリア基板と、を順に含む仮接合基板システムを得ることによって逐次的に実施される。
【０１２５】
仮接合基板システムは、キャリア基板がキャリアウェハであり、機能性基板が半導体デバイスウェハである、仮接合ウェハシステムを含んでもよい。
【０１２６】
剥離の方法は、仮接合基板システムを、機械的な力を加えることを含む剥離条件で処理し、機能性基板をキャリア基板から分離するか又はその逆により、損傷のない機能性基板を得ることを含む。上記方法は、仮接合基板システムを加工して加工済みの仮接合基板システムを得る予備工程を更に含んでもよく、上記システムは、次に剥離工程に供される。加工工程は、仮接合基板システムの機能性基板に次の機能の１つ以上を施すことを含んでもよい：再分配誘電体層（ＲＤＬ）、光パターン化、３次元集積化又はスタッキング、ＴＳＶ（シリコン貫通ビア）製造、マイクロバンプ、平坦化、トリミング、又は薄化。
【０１２７】
順に機能性基板／接着剤層／キャリア基板から本質的になる永久接合基板システムを形成する方法において、当該方法は、工程（ａ）〜（ｄ）：（ａ）酢酸ブチル−シリコーン配合物又は濃縮シリコーン配合物のいずれか１つをキャリア基板又は機能性基板の表面に塗布してキャリア基板又は機能性基板上に配合物のフィルムの物品を形成する工程と、（ｂ）工程（ａ）の物品のフィルムをソフトベークして、フィルムを硬化することなくフィルムから酢酸ブチルを除去し、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムの物品をキャリア基板又は機能性基板上に得る工程と、（ｃ）真空下の接合チャンバ内で、工程（ｂ）の酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを、キャリア基板又は機能性基板の他方と接触させて、順に機能性基板と、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムと、キャリア基板と、から本質的になる接触基板システムを得る工程と、（ｄ）真空下の接合チャンバ内で、接触基板システムを１，０００ニュートン（Ｎ）超〜１０，０００Ｎの印加力及び摂氏２０度（℃）〜３００℃の温度に曝露し、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを部分硬化して、接触基板システム内に部分硬化フィルムを生成する工程；並びに部分硬化フィルムを有する接触基板システムを周囲圧力にて加熱して、順に機能性基板と、接着剤層と、キャリア基板と、から本質的になる永久接合基板システムを得る工程と、を含む。永久接合基板システムは、順に機能性基板／接着剤層／キャリア基板から本質的になる。この文脈において「から本質的になる」という句は、永久接合基板システムが機能性基板とキャリア基板との間に剥離層を欠く（すなわち、含まない）ことを意味する。工程（ａ）は工程（ｂ）の前に実施されてもよく、工程（ｂ）は工程（ｃ）の前、及び工程（ｃ）は工程（ｄ）の前又は工程（ｄ）を同時に実施されてもよい。
【０１２８】
永久接合基板システムを形成する方法のいくつかの実施形態において、工程（ａ）は、キャリア基板物品上の配合物のフィルムを、ｉ線放射（例えば、３６５ｎｍ）を含む波長の紫外線に曝露し、キャリア基板上に曝露フィルムを生成することを更に含んでもよい。典型的には、放射線は、広帯域紫外線又はｉ線のみの（３６５ｎｍ）ＵＶ光のいずれかである。したがって、曝露フィルムは、工程（ｂ）でソフトベークされると考えられる。フィルム全体が、フラッド露光としてＵＶ放射に曝露されてもよい。前述のように、ＵＶ曝露工程により、工程（ｄ）で、より低い硬化温度を使用できると考えられる。工程（ｄ）の硬化温度が低いことは、キャリア基板がエポキシのような材料で構成され、非常に高い硬化温度で反る可能性があるときに有効となり得る。フィルムは、直接的又は間接的にＵＶ放射に曝露されてもよい。直接曝露は、キャリア基板がシリコンウェハの場合のように、キャリア基板がＵＶ放射を吸収し、その透過を妨害する場合に実施されてもよい。間接曝露は、フィルムと接触しているキャリア基板の表面と反対側のキャリア基板の表面を照射することによって実施されてもよい。間接曝露は、キャリア基板がＵＶ放射を透過する場合（例えば、キャリア基板がケイ酸ガラスである場合）に実施されてもよい。あるいは、キャリア基板がＵＶ放射を透過する場合、曝露工程は工程（ｄ）の後に実施されてもよく、その際、永久接合基板システムの接着剤層は、透明なキャリア基板を介して間接的にＵＶ放射が照射される。
【０１２９】
あるいは又は追加的に、永久接合基板システムを形成する方法において、工程（ａ）は、酢酸ブチル−シリコーン配合物又は濃縮シリコーン配合物のいずれか１つを個別にキャリア基板又は機能性基板の他方の表面に塗布してキャリア基板又は機能性基板の他方上に配合物のフィルムの別の物品を形成する工程を更に含んでもよく、工程（ｂ）は、他方の物品のフィルムをソフトベークして、フィルムを硬化することなくフィルムから酢酸ブチルを除去して、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムの別の物品をキャリア基板及び機能性基板の他方上に得る工程を更に含んでもよく、工程（ｃ）は、物品の酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを一緒に接触させて、順に機能性基板、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルム、別の酢酸ブチルを含まないフィルム、及びキャリア基板から本質的になる接触基板システムを与える工程を更に含んでもよく、工程（ｄ）は、次に順に機能性基板と、接着剤層と、キャリア基板と、から本質的になる永久接合基板を与える。機能性基板は、半導体デバイスウェハであってもよく、あるいは、工程（ｃ）及び（ｄ）は同時に実施され、あるいは機能性基板は半導体デバイスウェハであり、かつ工程（ｃ）及び（ｄ）は同時に実施される。工程（ｃ）及び（ｄ）は同時に実施されてもよい。あるいは、工程（ｃ）及び（ｄ）は、工程（ｂ）の酢酸ブチルを含まない硬化性フィルム／キャリア基板物品及び工程（ｃ）のキャリア基板又は機能性基板の他方を工程（ｄ）で使用する接合チャンバ内に置き、接合チャンバから気体雰囲気を真空排気し、次いで、真空下、工程（ｂ）の物品の酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを工程（ｃ）のキャリア基板又は機能性基板の他方と接合チャンバ内で接触させ、次いで、任意に物品及びキャリア基板又は機能性基板の他方を接合チャンバ内で１，０００ニュートン（Ｎ）超〜１０，０００Ｎの印加力及び２０℃〜３００℃の温度で加熱し、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを部分硬化して、接触基板システム内に部分硬化フィルムを得ること、並びに部分硬化フィルムを有する接触基板システムを周囲圧力において加熱して、順に機能性基板／接着剤層／キャリア基板から本質的になる永久接合基板システムを得ることによって逐次的に実施される。この文脈において「から本質的になる」という句は、永久接合基板システムが機能性基板とキャリア基板との間に剥離層を欠く（すなわち、含まない）ことを意味する。
【０１３０】
永久接合基板システムは、キャリア基板がキャリアウェハであり、機能性基板が半導体デバイスウェハである、仮接合ウェハシステムを含んでもよい。
【０１３１】
いくつかの実施形態において、物品は、基板と酢酸ブチル−シリコーン配合物とを含む。別の実施形態において、物品は、基板と濃縮シリコーン配合物とを含む。更に別の実施形態において、物品は、硬化シリコーン生成物と基板とを含む。配合物又は生成物は、それぞれの基板上に配置される。物品は、基板と酢酸ブチル−シリコーン配合物、あるいは基板と濃縮シリコーン配合物、あるいは基板と硬化シリコーン生成物、あるいは基板と配合物及び生成物のうちの少なくとも２つを含んでもよい。硬化シリコーン生成物は、同じ調製方法によって調製されてもよい。
【０１３２】
あるいは、物品は、基板と酢酸ブチルを含まないシリコーン配合物とを含む、あるいは基板と酢酸ブチルを含まない硬化シリコーン生成物とを含む。
【０１３３】
物品に使用される基板は、剛性でも可撓性でもよい。好適な剛性基板の例としては、無機材料、例えば、ガラス板；無機層を含むガラス板；セラミックス；及びケイ素含有ウェハ、例えば、シリコンウェハ、その上に配置された炭化ケイ素の層を有するシリコンウェハ、その上に配置された酸化ケイ素の層を有するシリコンウェハ、その上に配置された窒化ケイ素の層を有するシリコンウェハ、その上に配置された炭窒化ケイ素の層を有するシリコンウェハ、その上に配置されたオキシ炭窒化ケイ素の層を有するシリコンウェハなどが挙げられる。用語「シリコンウェハ」は、それ自体で（すなわち、その上の異なる材料の層を指定せずに）使用されるとき、本質的に単結晶シリコン又は多結晶性シリコンからなり得る。この文脈において「から本質的になる」という句は、シリコンウェハが、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭窒化ケイ素、オキシ炭窒化ケイ素、サファイア、窒化ガリウム、又はガリウムヒ素の層を含有しないことを意味する。好適な基板材料の更なる例は、サファイア、その上に配置された窒化ガリウムの層を有するシリコンウェハ、及びガリウムヒ素ウェハである。いくつかの実施形態において、基板は、シリコンウェハ、又はその上に炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭窒化ケイ素、オキシ炭窒化ケイ素、サファイア、窒化ガリウム、若しくはガリウムヒ素の層が配置されたシリコンウェハを含む。いくつかの実施形態において、基板は、シリコンウェハ、あるいは炭化ケイ素の層がその上に配置されたシリコンウェハ、あるいは窒化ケイ素の層がその上に配置されたシリコンウェハを含む。配置された層は、化学気相成長（これは、プラズマ促進されてもよい）のような任意の好適な方法を用いて、シリコンウェハ上に塗布、付着又は堆積されてもよい。
【０１３４】
他の実施形態では、基板が可撓性であることが望ましい場合がある。上記の実施形態において、可撓性基板の具体例としては、種々のシリコーン又は有機ポリマーを含む基板が挙げられる。透明性、屈折率、耐熱性及び耐久性の観点から、可撓性基板の具体例としては、ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレン等）、ポリエステル（ポリ（エチレンテレフタレート）、ポリ（エチレンナタレート）等）、ポリアミド（ナイロン６、ナイロン６，６等）、ポリスチレン、ポリ（塩化ビニル）、ポリイミド、ポリカ−ボネート、ポリノルボルネン、ポリウレタン、ポリ（ビニルアルコール）、ポリ（エチレンビニルアルコール）、ポリアクリル酸、セルロース（トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、セロハン等）、又はかかる有機ポリマーのインターポリマー（例えば、コポリマー）を含むものが挙げられる。典型的には、可撓性基板は、１７０〜２７０℃（例えば、１８０〜２５０℃、例えば、約２１０℃）の高温での硬化工程に耐える十分な耐熱性を有する材料で出来ている。あるいは、透明性、屈折率、耐熱性及び耐久性の観点から、可撓性基板の具体例としては、シルセスキオキサン含有ポリオルガノシロキサン配合物のような、ポリオルガノシロキサン配合物を含むものが挙げられる。当該技術分野において理解されるように、上記有機ポリマー及びシリコーンポリマーは剛性でも可撓性でもよい。更に、基板は、例えば充填剤及び／又は繊維で補強されてもよい。下に詳述するように、基板はその上にコーティングを有してもよい。基板は、所望であれば、物品から分離されて、硬化シリコーン層を含み、かつ基板を欠いた別の本発明の物品を与えてもよく、又は基板は物品の一体部分であってもよい。
【０１３５】
光学物品は、光透過用素子を備え、当該素子は硬化シリコーン生成物を含む。光学物品の硬化シリコーン生成物は、光学的パッシベーション層又は微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）で使用するための変形可能な薄膜であってもよい。あるいは、光学物品は、光透過用素子を備え、当該素子は酢酸ブチルを含まない硬化シリコーン生成物を含む。変形可能な薄膜は、米国特許第８，０７２，６８９（Ｂ２）号；同第８，３６３，３３０（Ｂ２）号；及び同第８，５４２，４４５（Ｂ２）号のいずれか１つに例示されているデバイスの製造に使用され、上記デバイスに使用されてもよい。
【０１３６】
変形可能な薄膜を有する光学デバイスであって、上記デバイスは、（ａ）前後面及び一定量の液体を薄膜の前面と接触させて収容するのを補佐する支持体上に封止して固定された辺縁領域（すなわち、固定領域又は辺縁固定ゾーン）であって、支持体に固定される薄膜の唯一の領域である固定領域である辺縁領域、並びに残りの部分が可逆的に変形されるように構成された実質的に中央領域を有する、変形可能な薄膜と、（ｂ）上記中央領域内の液体を排除し、厳密に中央領域と固定領域との間に配置された少なくとも１つの領域において上記薄膜に応力をかけるように構成されたアクチュエーションデバイス（すなわち、アクチュエーション機構）と、を含む、デバイス。変形可能な薄膜は、中間ゾーン又は中央ゾーンと辺縁領域との間の領域を有してもよい。変形可能な薄膜は、硬化シリコーン生成物である。光学デバイスは、ＭＥＭＳを含んでもよい。あるいは、変形可能な薄膜は、酢酸ブチルを含まない硬化シリコーン生成物である。
【０１３７】
光学デバイスのアクチュエーションデバイスは、薄膜の辺縁に分配された複数のマイクロビーム熱又は圧電アクチュエータを含んでもよく、このマイクロビーム熱又は圧電アクチュエータは、アクチュエート時に固定される支持体に接続された少なくとも１つの部分と、アクチュエート時に中央領域と固定領域との間に位置する領域で薄膜と接触する少なくとも１つの可動部分とを含む。マイクロビーム熱又は圧電アクチュエータの例は周知であり、米国特許第８，０７２，６８９（Ｂ２）号（Ｂｏｌｉｓ  ｅｔ  ａｌ．）に見ることができる。あるいは、アクチュエーションデバイスは、１つ以上の可動部品を有し、各可動部品は一方が中間ゾーンに位置するフィルム固定領域に機械的に固定されたフート（ｆｏｏｔ）で終端し、他方が自由端で終端するレッグ（ｌｅｇ）から形成された静電デバイスであってもよく、その際、レッグは可動電極を組込み、自由端はアクチュエーションデバイスの固定された電極によって引き付けられなければならず、レッグの自由端は可動電極の自由端に面して位置付けされることで、アクチュエーションデバイスが作動したときに、少なくとも薄膜の中央ゾーンが変形する。１つ以上の可動部品を有する静電デバイスの例は周知であり、米国特許第８，３６３，３３０（Ｂ２）号（Ｂｏｌｉｓ  ｅｔ  ａｌ．）に見ることができる。あるいは、アクチュエーションデバイスは静電的であって、少なくとも１組の対向する電極を含み、この対の電極のうち少なくとも１つは薄膜の前面のレベルにあるか又は薄膜内に埋まっており、対の他方の電極は、支持体のレベルにあり、これらの電極は誘電材料によって分離されており、この誘電材料は少なくとも液体により形成されている。静電アクチュエーションデバイスの例は周知であり、米国特許第８，５４２，４４５（Ｂ２）号明細書（Ｂｏｌｉｓ  ｅｔ  ａｌ．）に見ることができる。
【０１３８】
複数の表面構造を備える活性面を有する半導体デバイスウェハと、上記表面構造を除く上記ウェハの活性面を覆う硬化シリコーン層と、を含む半導体パッケージのシリコーン層を調製する方法であって、上記方法は、（ｉ）酢酸ブチル−シリコーン配合物を上記半導体デバイスウェハの活性面に塗布し、その上にコーティングを形成する工程であって、上記活性面が複数の表面構造を含む、工程と、（ｉｉ）被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルのうちの９０％〜１００％未満を上記コーティングから除去して、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）上記配合物を硬化させるのに十分な濃度の、１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になる配合物のフィルムを得る工程と、（ｉｉｉ）上記フィルムの一部をｉ線放射を含む波長を有する放射線に曝露し、フィルムの他の部分を曝露しないことで、各ボンドパッドの少なくとも一部を覆う非曝露領域と、活性面の残部を覆う曝露領域とを有する部分曝露フィルムを生成する、工程と、（ｉｖ）上記曝露領域が現像溶媒に実質的に不溶となり、上記非曝露領域が上記現像溶媒に可溶となるような時間にわたって上記部分曝露フィルムを加熱する工程と、（ｖ）上記加熱フィルムの非曝露領域を上記現像溶媒で除去して、パターン化フィルムを作製する工程と、（ｖｉ）硬化シリコーン層を形成するのに十分な時間で上記パターン化フィルムを加熱する工程と、を含む。
【０１３９】
典型的には、工程（ｉｉｉ）において、放射線は、広帯域紫外線又はｉ線放射（３６５ｎｍ）ＵＶ光のいずれかである。曝露工程は、明確な開口部分及び間隔を空けたマスク部分の列を独立に有し得るフォトマスクを用いてもよい。フォトマスクは、放射線がフォトマスクの横又は中を通過できる開口部分を画定する。マスク部分は、放射線を遮断し、それによって非曝露領域及び開口領域を作るためのものである。各マスク部分は、独立して、円形、卵形、正方形、長方形、台形、直線、曲線、又はこれらの任意の２つ以上の組み合わせなど、任意の形状又は寸法であってもよい。開口部分及びマスク部分はそれぞれ独立して、所望の形状及びサイズを有するフォトパターンを形成するための任意の好適な寸法を有し得る。
【０１４０】
いくつかの態様において、現像溶媒は、酢酸ブチルであってもよい。コーティング溶媒と同じ現像溶媒を使用することは、メシチレンをコーティング溶媒として使用し、異なる溶媒（例えば、２−プロパノール）を現像溶媒として使用する比較法よりも有利に単純である。メシチレンは、沸点が高いため、後で除去することが困難であること；メシチレンは曝露していないシリコーン材料も溶解する場合があり、これは望ましくないこと；及び／又はメシチレンの液滴が流出（すなわち、基板の縁に到達）及び蒸発し、それによってハードベーク（最終硬化）後に望ましくないシリコーン材料の残渣が残ることから、現像溶媒として満足に機能しない。硬化シリコーン層は、硬化シリコーン生成物の一態様である。あるいは、硬化シリコーン層は酢酸ブチルを含まない硬化シリコーン生成物の一態様である。本方法の工程は、Ｂｅｃｋｅｒ  ｅｔ  ａｌ．の塗布工程のシリコーン組成物を本発明の酢酸ブチル−シリコーン配合物で置き換えたことを除き、米国特許第６，６１７，６７４（Ｂ２）号明細書（Ｂｅｃｋｅｒ  ｅｔ  ａｌ．）に概説されたとおりに実施されてもよい。いくつかの実施形態において、構成要素（Ａ）及び（Ｂ）は、ＳｉＨ対アルケニル比、及びＳｉＨ対アルケニル比が０．６５〜１．０５である配合物を構成するような方法で、酢酸ブチル−シリコーン配合物中に配分されている。表面構造は、ボンドパッド、テストパッド、スクライブラインによって分離されたダイ、又はこれらの２つ以上の表面構造の組み合わせを含んでもよい。前述のように、いくつかの実施形態において、デバイスウェハは、その上に配置された窒化ケイ素の層を有するシリコンウェハ、その上に配置された酸化ケイ素の層を有するシリコンウェハ、又はその上に配置された窒化ケイ素及び酸化ケイ素の両方の層を有するシリコンウェハを含んでもよい。デバイスウェハが、その上に配置された窒化ケイ素層及び／又は酸化ケイ素層を含む一次パッシベーションスタックを有するシリコンウェハを含む場合、硬化シリコーン層は、ボンドパッドを露呈するための酸化ケイ素又は窒化ケイ素層のエッチングの間に実質的に除去されないハードマスクを含んでもよい。エッチングの間に硬化シリコーン層はいくらか損失するが、一般的な厚さ１μｍの一次パッシベーションスタックをエッチングした場合、有益にも、厚さ約１μｍの硬化シリコーン層しか失われない。
【０１４１】
いくつかの実施形態において、半導体パッケージのシリコーン層を調製する方法は、硬化シリコーンの全てを半導体パッケージから除去して、硬化シリコーン層を含まない半導体パッケージを与える工程を更に含む。
【０１４２】
本明細書に記載の任意の方法又はシステムにおいて、いくつかの実施形態では、キャリア基板は半導体材料で出来ていなくてもよい。しかし、「キャリア」に関して、キャリア基板が機能性基板でもあることを除外するものは何もない。他の実施形態において、機能性基板は第１の機能性基板であってもよく、キャリア基板は第２の機能性基板であってもよく、仮及び永久接合方法は、２つの機能性基板を仮接合又は永久接合して、第１機能性基板／接着剤層／第２機能性基板を含むシステムを得る工程を含んでもよい。
【０１４３】
複数の表面構造を備える活性面を有する半導体デバイスウェハと、上記表面構造を除く上記ウェハの活性面を覆う硬化シリコーン層と、を含む半導体パッケージであって、上記シリコーン層は、半導体パッケージのシリコーン層を調製する方法によって調製される。半導体パッケージは、Ｂｅｃｋｅｒ  ｅｔ  ａｌ．の硬化シリコーン層を硬化シリコーン生成物で置き換えたことを除いて、米国特許第６，６１７，６７４（Ｂ２）号（Ｂｅｃｋｅｒ  ｅｔ  ａｌ．）に概説されているとおりであってもよい。あるいは、硬化シリコーン層を、酢酸ブチルを含まない硬化シリコーン生成物で置き換える。表面構造は、ボンドパッド、テストパッド、スクライブラインによって分離されたダイ、又はこれらの２つ以上の表面構造の組み合わせを含んでもよい。いくつかの実施形態において、半導体パッケージは硬化シリコーン層を含まない。
【０１４４】
電子物品は、窒化ケイ素層の上に配置された誘電体層を含み、当該誘電体層は硬化シリコーン生成物の調製方法によって調製された硬化シリコーン生成物により作製される。誘電体層は、任意の好適な厚さ、例えば、５〜１００μｍ、あるいは７〜７０μｍ、あるいは１０〜５０μｍであってもよい。所与の厚さの誘電体層は、その絶縁耐力によって特徴づけられる。例えば、誘電体層が厚さ４０マイクロメートルの場合、誘電体層は、１．５×１０６ボルト毎センチメートル（Ｖ／ｃｍ）を超える絶縁耐力によって特徴づけられる。本発明の方法に従って酢酸ブチル−シリコーン配合物から調製した硬化シリコーン生成物の誘電体層の絶縁耐力は、被覆有効量の酢酸ブチルを等量（重量）の芳香族炭化水素（例えば、メシチレン及び／又はキシレン）に置き換えたことを除いて酢酸ブチル−シリコーン配合物と同一のシリコーン配合物から調製した比較硬化シリコーン生成物の比較誘電体層の絶縁耐力よりも少なくとも２倍、あるいは少なくとも３倍、あるいは少なくとも４倍、あるいは少なくとも５倍大きい。
【０１４５】
本発明の記載では、特定の用語及び表現を使用する。便宜上、これらの一部を以下に定義する。
【０１４６】
本明細書で使用するとき、「し得る」は、選択の余地を与えるものであって、必須ではない。「任意選択的に」とは、存在しないか、あるいは存在することを意味する。「接触させる」とは、物理的に接触させることを意味する。「動作可能に接触する」とは、機能的に有効に接触させることを含み、例えば、修飾、コーティング、接着、封止又は充填に関するものである。この動作可能な接触は、直接的な物理的接触、あるいは間接的な接触であり得る。本明細書で以下に参照される全ての米国特許公開及び特許、又は、一部のみが参照されている場合にはその一部は、組み込まれる発明主題が本願の記載と矛盾しない程度に参照によって本明細書に組み込まれるものであり、いかなるそのような矛盾においても本願の説明が優先する。特に断りのない限り、全ての％は重量による。全ての「重量％」（重量パーセント）は、特に断りのない限り、組成物又は配合物を作製するために使用される全ての成分の総重量に基づいており、合計で１００重量％になる。分類群及びその下位分類群を含む任意のマーカッシュ群は、その分類群における下位分類群を含むものであり、例えば、「Ｒは、ヒドロカルビル又はアルケニルである」では、Ｒは、アルケニルであってもよく、あるいは、Ｒは、数ある下位分類群の中でも特にアルケニルを含む、ヒドロカルビルであってもよい。用語「シリコーン」は、線状、分枝状、又は線状と分枝状との混合物のポリオルガノシロキサン巨大分子を含む。
【０１４７】
以下の材料及び方法がいくつかの実施形態で使用され得る。
【０１４８】
環状シロキサン検出方法：ガスクロマトグラフィにより環状シロキサンの有無を検出する。
【０１４９】
貯蔵安定性試験方法：新たに調製したビヒクル−シリコーン配合物の重量平均分子量（略称ＭｗＦＰ）を測定する。かかる配合物の例は、本発明の酢酸ブチル−シリコーン配合物又は、発明性のないキシレン−シリコーン配合物である。試験試料配合物を、室温（２３±１℃）で２８日間静置し、エージングした試料配合物を得る。エージングした試料配合物の重量平均分子量（略称ＭｗＡＧ）を測定し、貯蔵安定性を、エージング後のＭｗの変化率として計算する：Ｍｗの変化率（％）＝１００＊（ＭｗＡＧ−ＭｗＦＰ）／ＭｗＦＰ。
【０１５０】
重量平均分子量（Ｍｗ）測定方法：ゲル透過クロマトグラフィ（ＧＰＣ）を使用し、ポリスチレン標準の検量線を基準にして、重量平均分子量を測定する。
【０１５１】
線状１：式：ＤＭｅ，Ｈ０．０８５±０．００５Ｄ０．９０±０．０５Ｍ０．０１５±０．００５のＳｉＨ官能性線状シリコーン。
【０１５２】
樹脂１：式：ＭＶｉ０．０５５±０．００５Ｑ０．４５±０．０５ＴＯＨ０．０６５±０．００５Ｍ０．４０±０．０５のビニル官能性ＭＱ樹脂。
【０１５３】
マスターバッチ１：８８重量％の樹脂１と１２重量％の線状１とを含有する混合物。
【０１５４】
以下の実施例は、本発明を例示することを意図しており、決して本発明の範囲を限定するものとみなされるべきではない。特記のない限り、部数は総重量に基づく重量部である。
【実施例】
【０１５５】
実施例１：酢酸ブチル−シリコーン配合物（１）。５４±１部の次式のビニル官能性ＭＱ樹脂：ＭＶｉ０．０５５±０．００５Ｑ０．４５±０．０５ＴＯＨ０．０６５±０．００５Ｍ０．４０±０．０５、３０±１部の次式のＳｉＨ官能性線状シリコーン：ＤＭｅ，Ｈ０．０８５±０．００５Ｄ０．９０±０．０５Ｍ０．０１５±０．００５、１６±１部の酢酸ブチル、及び０．００２部の白金ヒドロシリル化触媒を混合して、酢酸ブチル−シリコーン配合物（１）を得る。酢酸ブチル−シリコーン配合物（１）は、３０〜１００μｍ（例えば、４０μｍ）の厚さを有する当該配合物のフィルムの形成に有用である。
【０１５６】
実施例２：酢酸ブチル−シリコーン配合物（２）。５３±１部の次式のビニル官能性ＭＱ樹脂：ＭＶｉ０．０５５±０．００５Ｑ０．４５±０．０５ＴＯＨ０．０６５±０．００５Ｍ０．４０±０．０５、３１±１部の次式のＳｉＨ官能性線状シリコーン：ＤＭｅ，Ｈ０．０８５±０．００５Ｄ０．９０±０．０５Ｍ０．０１５±０．００５、１６±１部の酢酸ブチル、及び０．００２部の白金ヒドロシリル化触媒を混合して、酢酸ブチル−シリコーン配合物（２）を得る。酢酸ブチル−シリコーン配合物（２）は、３０〜１００μｍ（例えば、４０μｍ）の厚さを有する当該配合物のフィルムの形成に有用である。
【０１５７】
実施例３：酢酸ブチル−シリコーン配合物（３）。５５±１部の次式のビニル官能性ＭＱ樹脂：ＭＶｉ０．０５５±０．００５Ｑ０．４５±０．０５ＴＯＨ０．０６５±０．００５Ｍ０．４０±０．０５、２９±１部の次式のＳｉＨ官能性線状シリコーン：ＤＭｅ，Ｈ０．０８５±０．００５Ｄ０．９０±０．０５Ｍ０．０１５±０．００５、１６±１部の酢酸ブチル、及び０．００２部の白金ヒドロシリル化触媒を混合して、酢酸ブチル−シリコーン配合物（３）を得る。酢酸ブチル−シリコーン配合物（３）は、３０〜５０μｍ（例えば、４０μｍ）の厚さを有する当該配合物のフィルムの形成に有用である。
【０１５８】
実施例４：酢酸ブチル−シリコーン配合物（４）。３１±１部の次式のビニル官能性ＭＱ樹脂：ＭＶｉ０．０５５±０．００５Ｑ０．４５±０．０５ＴＯＨ０．０６５±０．００５Ｍ０．４０±０．０５、１９±１部の次式のＳｉＨ官能性線状シリコーン：ＤＭｅ，Ｈ０．０８５±０．００５Ｄ０．９０±０．０５Ｍ０．０１５±０．００５、５０±３部の酢酸ブチル、及び０．００２部の白金ヒドロシリル化触媒を混合して、酢酸ブチル−シリコーン配合物（４）を得る。酢酸ブチル−シリコーン配合物（４）は、３〜１０μｍ（例えば、４μｍ）の厚さを有する当該配合物のフィルムの形成に有用である。
【０１５９】
実施例５：酢酸ブチル−シリコーン配合物（５）。３２±１部の次式のビニル官能性ＭＱ樹脂：ＭＶｉ０．０５５±０．００５Ｑ０．４５±０．０５ＴＯＨ０．０６５±０．００５Ｍ０．４０±０．０５、１８±１部の次式のＳｉＨ官能性線状シリコーン：ＤＭｅ，Ｈ０．０８５±０．００５Ｄ０．９０±０．０５Ｍ０．０１５±０．００５、５０±３部の酢酸ブチル、及び０．００２部の白金ヒドロシリル化触媒を混合して、酢酸ブチル−シリコーン配合物（５）を得る。酢酸ブチル−シリコーン配合物（５）は、３〜１０μｍ（例えば、４μｍ）の厚さを有する当該配合物のフィルムの形成に有用である。
【０１６０】
実施例６：酢酸ブチル−シリコーン配合物（６）。３３±１部の次式のビニル官能性ＭＱ樹脂：ＭＶｉ０．０５５±０．００５Ｑ０．４５±０．０５ＴＯＨ０．０６５±０．００５Ｍ０．４０±０．０５、１７±１部の次式のＳｉＨ官能性線状シリコーン：ＤＭｅ，Ｈ０．０８５±０．００５Ｄ０．９０±０．０５Ｍ０．０１５±０．００５、５０±３部の酢酸ブチル、及び０．００２部の白金ヒドロシリル化触媒を混合して、酢酸ブチル−シリコーン配合物（６）を得る。酢酸ブチル−シリコーン配合物（６）は、３〜１０μｍ（例えば、４μｍ）の厚さを有する当該配合物のフィルムの形成に有用である。
【０１６１】
実施例７Ａ〜７Ｈ：酢酸ブチル−シリコーン配合物（７Ａ）〜（７Ｈ）。１００部のマスターバッチ１；５１±１、４７±１、４３±１、４０±１、３７±１、３４±１、３２±１、又は２８±１部のいずれかの追加線状１；１６±１部の酢酸ブチル；及び０．００２部の白金ヒドロシリル化触媒を別々に混合して、それぞれ酢酸ブチル−シリコーン配合物（７Ａ）、（７Ｂ）、（７Ｃ）、（７Ｄ）、（７Ｅ）、（７Ｆ）、（７Ｇ）、又は（７Ｈ）を得る。酢酸ブチル−シリコーン配合物（７Ａ）〜（７Ｈ）は、３０〜１００μｍ（例えば、４０μｍ）の厚さを有する当該配合物のフィルムの形成に有用である。これらの酢酸ブチル−シリコーン配合物の構成要素及びＳｉＨ／Ｖｉ比を表１Ａに記載する。明瞭化のため、酢酸ブチル−シリコーン配合物の構成要素は、別の形であるが同じ内容である表１Ｂのフォーマットにも記載する。
【０１６２】
【表１Ａ】
2018507290.tif 000003
【０１６３】
【表１Ｂ】
2018507290.tif 000004
【０１６４】
（７Ａ）〜（７Ｈ）の酢酸ブチル−シリコーン配合物は、図１に記載のスピンコーティング、酢酸ブチル除去、及びフォトパターン化手順に従い、それぞれ実施例（７Ａ）〜（７Ｈ）の４０μｍ厚のフィルムに変換される。配合物のフィルムは、それぞれ、実施例（７Ａ）〜（７Ｈ）の対応する濃縮シリコーン配合物のフィルムに変換される。濃縮シリコーン配合物は、４０μｍのドットパターンをマスク上に用いて、それぞれ、実施例（７Ａ）〜（７Ｈ）の対応するフォトパターン化硬化シリコーンフィルム／ウェハ積層体（ＰＣＳフィルム／ウェハ）に変換される。フィルム保持率、開放又は閉鎖ビア状態、ビア幅（底部、ウェハの表面の近位）、及びビア深さを、表２に示す。
【０１６５】
【表２】
2018507290.tif 000005
【０１６６】
表１Ａ（及び表２に繰り返されている）ＳｉＨ／Ｖｉ比データ及び表２に記載のビア深さデータからわかるように、実施例（７Ａ）〜（７Ｈ）の酢酸ブチル−シリコーン配合物の４０μｍ厚のフィルムの場合、０．７〜１．０、特に０．８〜１．０のＳｉＨ／Ｖｉ比は、フィルムの厚さの９０％〜１００％の深さを有するビアを通じてパターン化するのに有効であり、すなわち、パターン化工程においてフィルム材料の損失がほとんど又はまったくない。例えば、０．７〜１．０、特に０．８〜１．０のＳｉＨ／Ｖｉ比を有する本発明の配合物は、４０μｍ厚のフィルムへのビアのパターン化及び少なくとも２０μｍ、あるいは少なくとも３０μｍの実施例（７Ｃ）〜（７Ｈ）のそれぞれの濃縮シリコーン配合物の底部開口（基板上）を有するのに有効である。
【０１６７】
実施例８：酢酸ブチル−シリコーン配合物：１００部のマスターバッチ１；３７±１部の追加の線状１；及び１６±１部の酢酸ブチルを混合する。次いで、０．００２部の白金ヒドロシリル化触媒を添加して、実施例（８）の酢酸ブチル−シリコーン配合物を得る。実施例（８）の酢酸ブチル−シリコーン配合物は、３０〜１００μｍ（例えば、４０μｍ）の厚さを有する上記配合物のフィルムの形成に有用である。この酢酸ブチル−シリコーン配合物の構成要素及びＳｉＨ／Ｖｉ比は、上の表１Ａ及び１Ｂに記載の配合物（７Ｅ）のそれと同じである。実施例８の酢酸ブチル−シリコーン配合物の貯蔵安定性のデータを表３に報告する。所望であれば、環状シロキサン含有量を低下させるために実施例８の配合物を更に加工してもよい。
【０１６８】
比較例（Ａ）：キシレン−シリコーン配合物：酢酸ブチルの代わりに１６±１部のキシレンを使用したことを除いて、実施例８の手順を繰り返して、比較例（Ａ）のキシレン−シリコーン配合物を得る。比較例（Ａ）のキシレン−シリコーン配合物の貯蔵安定性のデータを表３に報告する。
【０１６９】
【表３】
2018507290.tif 000006
【０１７０】
表３において、貯蔵安定性は、配合物の試験試料を室温でエージングする前後での重量平均分子量（Ｍｗ）の変化として表される。
【０１７１】
表３のデータが示すように、実施例８の酢酸ブチル−シリコーン配合物は、比較例（Ａ）のキシレン−シリコーン配合物よりも化学的安定性が大きい。見てわかるように、キシレンの代わりに酢酸ブチルをビヒクルとしてシリコーン配合物に使用すると、シリコーン配合物の化学的安定性が増大する。化学的安定性増大の主な原因は酢酸ブチルにある。酢酸ブチルがシリコーン配合物に与えるこれらの有益な効果は、予測不可能かつ予想外である。
【０１７２】
以下の「特許請求の範囲」は、参照により本明細書に組み込まれ、用語「請求項」はそれぞれ、用語「態様」に置き換えられる。本発明の実施形態は、これらの得られた番号付けされた態様も包含する。
【図１】
2018507290.tif 000007
【図２】
2018507290.tif 000008
【図３】
2018507290.tif 000009
【図４】
2018507290.tif 000010
【図５】
2018507290.tif 000011
【図６】
2018507290.tif 000012
【図７】
2018507290.tif 000013
【図８】
2018507290.tif 000014
【図９】
2018507290.tif 000015
【図１０】
2018507290.tif 000016
【図１１】
2018507290.tif 000017
【図１２】
2018507290.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月6日(2017.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含む、酢酸ブチル−シリコーン配合物であって、ただし、前記配合物は、次の構成要素：熱伝導性充填剤；同じ分子内に平均で少なくとも２個のケイ素結合アリール基と少なくとも２個のケイ素結合水素原子とを有するオルガノポリシロキサン；フェノール；フッ素置換アクリレート；鉄；及びアルミニウムのそれぞれを欠く、酢酸ブチル−シリコーン配合物。
【請求項２】
請求項１に記載の酢酸ブチル−シリコーン配合物から、前記配合物を硬化することなく酢酸ブチルの全てではないが大部分を除去することによって調製される濃縮シリコーン配合物であって、前記配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）前記配合物を硬化させるのに十分な濃度の、１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になり、ただし、前記配合物は、次の構成要素：熱伝導性充填剤；同じ分子内に平均で少なくとも２個のケイ素結合アリール基と少なくとも２個のケイ素結合水素原子とを有するオルガノポリシロキサン；フェノール；フッ素置換アクリレート；鉄；及びアルミニウムのそれぞれを欠く、濃縮シリコーン配合物。
【請求項３】
（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含む酢酸ブチル−シリコーン配合物から濃縮シリコーン配合物を調製する方法であって、ただし、前記酢酸ブチル−シリコーン配合物は、熱伝導性充填剤を欠き、前記方法は、前記酢酸ブチル−シリコーン配合物をコーティング及び／又はソフトベークして、前記配合物を硬化することなく被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルのうちの９０％〜１００％未満をそこから除去して、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になる濃縮シリコーン配合物を得る工程を含み、ただし、前記配合物は、熱伝導性充填剤を欠く、方法。
【請求項４】
酢酸ブチルを含まない硬化性シリコーン配合物を調製する方法であって、前記方法は、請求項１に記載の酢酸ブチル−シリコーン配合物から前記配合物を硬化することなく前記（Ｄ）酢酸ブチルの全てを除去して、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、から本質的になり、酢酸ブチルを欠く、酢酸ブチルを含まないシリコーン配合物を得る工程を含み、ただし、前記配合物は、熱伝導性充填剤を欠く、方法。
【請求項５】
硬化シリコーン生成物を調製する方法であって、前記方法は、酢酸ブチル−シリコーン配合物又は濃縮シリコーン配合物から前記配合物を硬化することなく前記（Ｄ）酢酸ブチルの全てを除去して、酢酸ブチルを含まない硬化性シリコーン配合物を得る工程と、前記酢酸ブチルを含まない硬化性シリコーン配合物をヒドロシリル化硬化して前記硬化シリコーン生成物を得る工程と、を含み、ただし、前記生成物は、熱伝導性充填剤を欠き、前記除去工程の前に、前記酢酸ブチルシリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含み、ただし、前記酢酸ブチル−シリコーン配合物は熱伝導性充填剤を欠き、かつ、前記除去工程の前に、前記濃縮シリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）前記配合物を硬化させるのに十分な濃度の、１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になり、ただし、前記濃縮シリコーン配合物は、熱伝導性充填剤を欠く、方法。
【請求項６】
機能性基板と、剥離層と、接着剤層と、キャリア基板と、を順に含む仮接合基板システムを形成する方法であって、前記方法は、工程（ａ）〜（ｄ）：（ａ）請求項１に記載の酢酸ブチル−シリコーン配合物を前記キャリア基板の表面に塗布して前記キャリア基板上に前記配合物のフィルムを形成する工程と、（ｂ）工程（ａ）のフィルムをソフトベークして、前記フィルムを硬化することなく前記フィルムから酢酸ブチルを除去して、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルム／キャリア基板物品を得る工程と、（ｃ）真空下の接合チャンバ内で、工程（ｂ）の物品の前記酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを機能性基板／剥離層物品の前記剥離層と接触させて、機能性基板と、剥離層と、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムと、キャリア基板と、を順に含む接触基板システムを得る工程と、（ｄ）真空下の前記接合チャンバ内で、前記接触基板システムを１，０００ニュートン（Ｎ）超〜１０，０００Ｎの印加力及び摂氏１２５度（℃）〜３００℃の温度に曝露し、前記酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを部分硬化して、前記接触基板システム内に部分硬化フィルムを生成する工程、並びに前記部分硬化フィルムを有する前記接触基板システムを周囲圧力にて加熱して、前記機能性基板と、前記剥離層と、接着剤層と、前記キャリア基板と、を順に含む仮接合基板システムを得る工程と、を含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法によって調製された、仮接合基板システム。
【請求項８】
剥離の方法であって、請求項７に記載の仮接合基板システムを、機械的力を加えることを含む剥離条件で処理し、前記機能性基板を前記キャリア基板から分離するか又はその逆により、損傷のない機能性基板を得ることを含む、方法。
【請求項９】
順に機能性基板／接着剤層／キャリア基板から本質的になる永久接合基板システムを形成する方法であって、前記方法は、工程（ａ）〜（ｄ）：（ａ）請求項１に記載の酢酸ブチル−シリコーン配合物を前記キャリア基板又は前記機能性基板の表面に塗布して、前記キャリア基板又は前記機能性基板上に前記配合物のフィルムの物品を形成する工程と、（ｂ）工程（ａ）の物品のフィルムをソフトベークして、前記フィルムを硬化することなく前記フィルムから酢酸ブチルを除去して、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムの物品を前記キャリア基板又は前記機能性基板上に得る工程と、（ｃ）真空下の接合チャンバ内で、工程（ｂ）の酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを、前記キャリア基板又は機能性基板の他方と接触させて、順に機能性基板と、酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムと、キャリア基板と、から本質的になる接触基板システムを得る工程と、（ｄ）真空下の前記接合チャンバ内で、前記接触基板システムを１，０００ニュートン（Ｎ）超〜１０，０００Ｎの印加力及び摂氏１２５度（℃）〜３００℃の温度に曝露し、前記酢酸ブチルを含まない硬化性フィルムを部分硬化して、前記接触基板システム内に部分硬化フィルムを生成する工程；並びに前記部分硬化フィルムを有する前記接触基板システムを周囲圧力にて加熱して、順に前記機能性基板と、接着剤層と、前記キャリア基板と、から本質的になる永久接合基板システムを得る工程と、を含み、前記（ａ）塗布工程の前に、前記酢酸ブチルシリコーン配合物は、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルと、を含む、方法。
【請求項１０】
光を透過するための素子を含む光学物品であって、前記素子は請求項５に記載の方法によって調製された前記硬化シリコーン生成物を含み、前記硬化シリコーン生成物は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）に使用するための光学的保護層又は変形可能な薄膜である、光学物品。
【請求項１１】
変形可能な薄膜を有する光学デバイスであって、前記デバイスは、（ａ）前後面及び一定量の液体を前記薄膜の前記前面と接触させて収容するのを補佐する支持体上に封止して固定された辺縁領域であって、前記支持体に固定された前記薄膜の唯一の領域である固定領域である前記辺縁領域、並びに残りの部分が可逆的に変形されるように構成された実質的に中央領域を有する、変形可能な薄膜と、（ｂ）前記中央領域内の前記液体を排除し、厳密に前記中央領域と前記固定領域との間に配置された少なくとも１つの領域において前記薄膜に応力をかけるように構成されたアクチュエーションデバイスと、を含み、前記変形可能な薄膜は、請求項５に記載の方法によって調製された前記硬化シリコーン生成物である、デバイス。
【請求項１２】
ボンドパッドと、スクライブラインと、その他の構造と、を含む複数の表面構造を備える活性面を有する半導体デバイスウェハと、前記ボンドパッド及びスクライブラインを除く前記ウェハの前記活性面を覆う硬化シリコーン層と、を含む半導体パッケージの硬化シリコーン層を調製する方法であって、前記方法が、（ｉ）請求項１に記載の酢酸ブチル−シリコーン配合物を前記半導体デバイスウェハの前記活性面に塗布してその上にコーティングを形成する工程であって、前記活性面が複数の表面構造を含む、工程と、（ｉｉ）被覆有効量の（Ｄ）酢酸ブチルのうちの９０％〜１００％未満を前記コーティングから除去して、（Ａ）１分子当たり平均で少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、（Ｂ）前記配合物を硬化させるのに十分な濃度の、１分子当たり平均で少なくとも２個のケイ素結合水素原子を含有する有機ケイ素化合物と、触媒量の（Ｃ）ヒドロシリル化触媒と、残渣量の（Ｄ）酢酸ブチルと、から本質的になる配合物のフィルムを得る工程と、（ｉｉｉ）前記フィルムの一部をｉ線放射を含む波長を有する放射線に曝露し、前記フィルムの他の部分を前記放射線に暴露しないことで、各ボンドパッドの少なくとも一部を覆う非曝露領域と、前記活性面の残部を覆う曝露領域とを有する部分曝露フィルムを生成する、工程と、（ｉｖ）前記曝露領域が現像溶媒に実質的に不溶性となり、前記非曝露領域が前記現像溶媒に可溶性となるような時間にわたって前記部分曝露フィルムを加熱する工程と、（ｖ）前記加熱フィルムの前記非曝露領域を前記現像溶媒で除去して、パターン化フィルムを作製する工程と、（ｖｉ）前記硬化シリコーン層を形成するのに十分な時間で前記パターン化フィルムを加熱する工程と、を含む、方法。
【請求項１３】
構成要素（Ａ）及び（Ｂ）が、あるＳｉＨ対アルケニル比で前記配合物が構成されるような方法で前記酢酸ブチル−シリコーン配合物中に配分されており、前記ＳｉＨ対アルケニル比が０．６５〜１．０５である、又は
前記現像溶媒が酢酸ブチルである、又は
構成要素（Ａ）及び（Ｂ）が、あるＳｉＨ対アルケニル比で前記配合物が構成されるような方法で前記酢酸ブチル−シリコーン配合物中に配分されており、前記ＳｉＨ対アルケニル比が０．６５〜１．０５であり、
かつ前記現像溶媒が酢酸ブチルである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ボンドパッドと、スクライブラインと、その他の構造をと、含む複数の表面構造を備える活性面を有する半導体デバイスウェハと、前記ボンドパッド及びスクライブラインを除く前記ウェハの前記活性面を覆う硬化シリコーン層と、を含む半導体パッケージであって、前記硬化シリコーン層が、請求項１２に記載の方法によって調製される、半導体パッケージ。
【請求項１５】
窒化ケイ素層の上に配置された誘電体層を含む電子物品であって、前記誘電体層が、請求項６に記載の方法によって調製された前記硬化シリコーン生成物でできており、前記誘電体層が最大４０マイクロメートルの厚さであるとき、前記誘電体層は１．５×１０６ボルト毎センチメートル（Ｖ／ｃｍ）を超える絶縁耐力を特徴とする、電子物品。
【国際調査報告】
2018507290.tif 000019
2018507290.tif 000020