(57)【要約】  本文献は、ＳｉＣ基板（１１）と、Ｉｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ１−ｘ１−ｙ１Ｎバッファ層（１３）（ｘ１＝０〜１、ｙ１＝０〜１かつｘ１＋ｙ１＝１）と、ＳｉＣ基板（１１）とバッファ層（１３）とに挟まれるＩｎｘ２Ａｌｙ２Ｇａ１−ｘ２−ｙ２Ｎ核形成層（１２）（ｘ２＝０〜１、ｙ２＝０〜１かつｘ２＋ｙ２＝１）とを備える半導体デバイス構造（１）を開示する。バッファ層（１３）は、（１０２）ピークが２５０ａｒｃｓｅｃ未満のＦＷＨＭを持つロッキング曲線を示し、核形成層（１２）は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）により測定する際に（１０５）ピークが２００ａｒｃｓｅｃ未満のＦＷＨＭを持つロッキング曲線を示す。  このような半導体デバイス構造を製造する方法を開示する。
2018509776.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣ基板と、
Ｉｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ１−ｘ１−ｙ１Ｎバッファ層であって、ｘ１＝０〜１、ｙ１＝０〜１かつｘ１＋ｙ１＝１、好ましくはｘ１＜０．０５かつｙ１＜０．５０、より好ましくはｘ１＜０．０３かつｙ１＜０．３０、最も好ましくはｘ１＜０．０１かつｙ１＜０．１０であるＩｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ１−ｘ１−ｙ１Ｎバッファ層と、
Ｉｎｘ２Ａｌｙ２Ｇａ１−ｘ２−ｙ２Ｎ核形成層であって、ｘ２＝０〜１、ｙ２＝０〜１かつｘ２＋ｙ２＝１、好ましくはｘ２＜０．０５かつｙ２＜０．７０、より好ましくはｘ２＜０．０３かつｙ２＜０．５０、最も好ましくはｘ２＜０．０１かつｙ２＜０．３０であり、前記ＳｉＣ基板と前記バッファ層とに挟まれるＩｎｘ２Ａｌｙ２Ｇａ１−ｘ２−ｙ２Ｎ核形成層と、
を備え、
前記バッファ層は、（１０２）ピークが２５０ａｒｃｓｅｃ未満のＦＷＨＭを持つロッキング曲線を示し、
前記核形成層は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）により測定する際に（１０５）ピークが２００ａｒｃｓｅｃ未満のＦＷＨＭを持つロッキング曲線を示す、
ことを特徴とする半導体デバイス構造。
【請求項２】
前記バッファ層はＧａＮである、請求項１に記載の半導体デバイス構造。
【請求項３】
前記核形成層はＡｌＮである、請求項１または２に記載の半導体デバイス構造。
【請求項４】
前記ＳｉＣポリタイプは４Ｈ、６Ｈまたは３Ｃである、請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体デバイス構造。
【請求項５】
前記ＳｉＣの表面は、Ｘ線光電子分光により測定する際に５％未満の酸素単層を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体デバイス構造。
【請求項６】
前記バッファ層は、１〜４μｍ、好ましくは１．３〜３μｍ、最も好ましくは１．５〜２μｍの厚さを持つ、請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体デバイス構造。
【請求項７】
前記核形成層は、１０〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜４０ｎｍの厚さを持つ、請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体デバイス構造。
【請求項８】
前記核形成層の形態は、１μｍ２あたり０〜１０個のピット、好ましくは１μｍ２あたり０〜８個のピット、最も好ましくは１μｍ２あたり０〜５個のピットがある完全な合体を有する、請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体デバイス構造。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体デバイス構造から形成される半導体デバイス。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の半導体構造を備える高電子移動度トランジスタ。
【請求項１１】
ＳｉＣ基板を用意する工程と、
Ｉｎｘ２Ａｌｙ２Ｇａ１−ｘ２−ｙ２Ｎ核形成層を前記ＳｉＣ基板上に用意する工程であって、ｘ２＝０〜１、ｙ２＝０〜１、好ましくはｘ２＜０．０５かつｙ２＜０．７０、より好ましくはｘ２＜０．０３かつｙ２＜０．５０、最も好ましくはｘ２＜０．０１かつｙ２＜０．３０、かつｘ２＋ｙ２＝１である工程と、
を備え、
前記核形成層の成長時の温度は、２分〜２０分間、５〜２５℃／分で、好ましくは７〜２０℃／分で、最も好ましくは１０〜１５℃／分で上昇させられる、
ことを特徴とする半導体デバイス構造を製造する方法。
【請求項１２】
ＳｉＣ基板を用意する工程と、
Ｉｎｘ２Ａｌｙ１Ｇａ１−ｘ２−ｙ２Ｎ核形成層を前記ＳｉＣ基板上に用意する工程であって、ｘ２＝０〜１、ｙ２＝０〜１、好ましくはｘ２＜０．０５かつｙ２＜０．７０、より好ましくはｘ２＜０．０３かつｙ２＜０．５０、最も好ましくはｘ２＜０．０１かつｙ２＜０．３０、かつｘ２＋ｙ２＝１である工程と、
（１０２）ピークが２５０ａｒｃｓｅｃ未満のＦＷＨＭを持つロッキング曲線を前記バッファ層が示すようにＩｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ１−ｘ１−ｙ１Ｎバッファ層を前記核形成層上に用意する工程であって、ｘ１＝０〜１、ｙ１＝０〜１かつｘ１＋ｙ１＝１、好ましくはｘ１＜０．０５かつｙ１＜０．５０、より好ましくはｘ１＜０．０３かつｙ１＜０．３０、最も好ましくはｘ１＜０．０１かつｙ１＜０．１０である工程と、
を備え、
前記核形成層は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）により測定する際に（１０５）ピークが２００ａｒｃｓｅｃ未満のＦＷＨＭを持つロッキング曲線を示す、
半導体デバイス構造を製造する方法。
【請求項１３】
前記基板は、Ｈ２、ＨＣｌ、ＨＦ、ＨＢｒもしくはＳｉＦ４、Ｃｌ２またはＨ２とその他のいずれか１つとの組合せのようなエッチングガスによりｉｎ  ｓｉｔｕまたはｅｘ  ｓｉｔｕで前処理される、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記圧力は、少なくとも１２５０℃の温度で、前処理時に、１００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、好ましくは６０ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、最も好ましくは３０ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記圧力は、少なくとも１４００℃の温度で、前処理時に、１０００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、好ましくは５００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、最も好ましくは２００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記エッチングガス、好ましくはＨ２は、２０〜３０ｌ／分の流量で提供され、かつ／または、ＨＣｌは、１００〜２００ｍｌ／分の流量で提供される、請求項１３から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記核形成層と前記バッファ層との少なくとも１つを有機金属気相堆積（ＭＯＣＶＤ）すなわち有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）または分子線エピタキシ（ＭＢＥ）により成長させる、請求項１１から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
ＭＯＣＶＤすなわちＭＯＶＰＥによる核形成成長のための前駆体の少なくとも１つは、Ａｌ２（ＣＨ３）６のような有機金属であり、その他はＮＨ３である、請求項１１から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記前駆体はＡｒ、Ｈ２またはＮ２のような少なくとも１つのキャリアガスにより用意される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記核形成層の成長時の圧力は、ＭＯＣＶＤすなわちＭＯＶＰＥについて、２００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、好ましくは１００ｍｂａｒ〜２０ｍｂａｒ、最も好ましくは６０ｍｂａｒ〜４０ｍｂａｒである、請求項１１から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記核形成層の成長時の開始温度は、ＭＯＣＶＤすなわちＭＯＶＰＥについて、８００℃〜１１５０℃、好ましくは９００℃〜１１００℃、最も好ましくは９５０℃〜１０５０℃である、請求項１１から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記核形成層の成長率は、ＭＯＣＶＤすなわちＭＯＶＰＥについて、１００ｎｍ／ｈ〜１０００ｎｍ／ｈ、好ましくは１５０ｎｍ／ｈ〜６００ｎｍ／ｈ、最も好ましくは２００ｎｍ／ｈ〜４００ｎｍ／ｈである、請求項１１から２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記核形成層の成長時の圧力は、ＨＶＰＥについて、２００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、好ましくは１００ｍｂａｒ〜２０ｍｂａｒ、最も好ましくは６０ｍｂａｒ〜４０ｍｂａｒである、請求項１１から２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
前記核形成層の成長時の開始温度は、ＨＶＰＥについて、８００℃〜１２００℃、好ましくは９００℃〜１１５０℃、最も好ましくは９５０℃〜１１００℃である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記核形成層の成長率は、ＨＶＰＥについて、１μｍ／ｈ〜１００μｍ／ｈ、好ましくは５μｍ／ｈ〜５０μｍ／ｈ、最も好ましくは１０μｍ／ｈ〜２０μｎｍ／ｈである、請求項２３または２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記核形成層の成長時の圧力は、ＭＢＥについて、１×１０−３ｍｂａｒ〜１×１０−７ｍｂａｒ、好ましくは５×１０−３ｍｂａｒ〜１×１０−６ｍｂａｒ、最も好ましくは１×１０−４ｍｂａｒ〜１×１０−５ｍｂａｒ（気圧）である、請求項１１から２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２７】
前記核形成層の成長時の開始温度は、ＭＢＥについて、５００℃〜１０００℃、好ましくは５５０℃〜９００℃、最も好ましくは６００℃〜８００℃である、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記核形成層の成長率は、ＭＢＥについて、１００ｎｍ／ｈ〜１０００ｎｍ／ｈ、好ましくは２００ｎｍ／ｈ〜８００ｎｍ／ｈ、最も好ましくは４００ｎｍ／ｈ〜６００ｎｍ／ｈである、請求項２６または２７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体デバイスのための半導体デバイス構造およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）のような（これに限らないが）半導体デバイスで用いられるインジウムアルミニウム窒化ガリウム（ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、ｘ＝０〜１、ｙ＝０〜１かつｘ＋ｙ＝１）ベースの材料、たとえば窒化ガリウム（ＧａＮ）が優れた高周波特性および電力取り扱い特性のために大変注目されている。
【０００３】
熱を効率的に除去し、デバイスの温度上昇を最小にするために、高熱伝導率基板、典型的には炭化ケイ素（ＳｉＣ）がこのようなデバイスで用いられている。ＳｉＣ上でＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮの高品質のヘテロエピタキシャル成長を実現するために、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ型（ｘ＝０〜１、ｙ＝０〜１かつｘ＋ｙ＝１）の界面層がＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ層とＳｉＣ基板との間に導入されることがあり、一般的には窒化アルミニウム（ＡｌＮ）核形成層（nucleation layer）が２次元の核形成プロセスのためにＳｉＣ基板表面を濡らし、格子不整合を補償するのに用いられる。
【０００４】
このような用途にこれらの材料を使用するために、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ層およびＡｌＮ層の結晶化度が高いことが非常に重要である。
【０００５】
ＧａＮバッファ層とＳｉＣ基板との間に挟まれたＡｌＮ核形成層の結晶品質を改善する努力がなされており、たとえばS. Qu and S. Li et al. Journal of Alloys and compounds 502 (2010) 417-422で説明されている。
【０００６】
構成層のさらに一層改善された結晶化度をも持つ半導体デバイス構造を開発することが大変望まれている。さらに、貫通転位のような構造欠陥を通る漏洩電流経路が少数である半導体デバイス構造を製造することが望まれている。さらに、小さい界面熱抵抗（ＴＢＲ）を持つ半導体デバイス構造を製造することが望まれている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】S. Qu and S. Li et al. Journal of Alloys and compounds 502 (2010) 417-422
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本開示の目的は、改善された半導体構造、特に、上記の特性の１つ以上に関して改善された半導体構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、添付の従属請求項、以下の記載および図面に示されている実施の形態とともに、添付の独立請求項により定められる。
【００１０】
第１の態様に係れば、ＳｉＣ基板と、Ｉｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ１−ｘ１−ｙ１Ｎバッファ層であって、ｘ１＝０〜１、ｙ１＝０〜１かつｘ１＋ｙ１＝１、好ましくはｘ１＜０．０５かつｙ１＜０．５０、より好ましくはｘ１＜０．０３かつｙ１＜０．３０、最も好ましくはｘ１＜０．０１かつｙ１＜０．１０であるＩｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ１−ｘ１−ｙ１Ｎバッファ層と、Ｉｎｘ２Ａｌｙ２Ｇａ１−ｘ２−ｙ２Ｎ核形成層であって、ｘ２＝０〜１、ｙ２＝０〜１かつｘ２＋ｙ２＝１、好ましくはｘ２＜０．０５かつｙ２＞０．５０、より好ましくはｘ２＜０．０３かつｙ２＞０．７０、最も好ましくはｘ２＜０．０１かつｙ２＞０．９０であり、ＳｉＣ基板とバッファ層とに挟まれるＩｎｘ２Ａｌｙ２Ｇａ１−ｘ２−ｙ２Ｎ核形成層とを備える半導体デバイス構造が提供される。バッファ層は、（１０２）ピークが２５０ａｒｃｓｅｃ未満のＦＷＨＭを持つロッキング曲線を示し、核形成層は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）により測定する際に（１０５）ピークが２００ａｒｃｓｅｃ未満のＦＷＨＭを持つロッキング曲線を示す。
【００１１】
半導体デバイス構造は、半導体デバイスを製造するのに用いることができるか、半導体デバイスの一部を形成することができる材料層の積層と定義してもよい。このような半導体デバイスの例には高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を挙げることができる。
【００１２】
バッファ層は、核形成層上に配置され、好ましくは核形成層に直接接触して配置される層として本明細書で定義される。
【００１３】
核形成層は基板表面を濡らし、基板とバッファ層との間の格子不整合を調整して、高品質バッファ層成長を可能にする層と定義してもよい。
【００１４】
ロッキング曲線は、予測されるブラッグ反射まわりに独立して回転する（または「揺動する」）サンプルの角度に対するＸ線回析強度のプロットと定義してもよい。
【００１５】
バッファ層の（１０２）ピークＦＷＨＭの下限は１００、１５０または２００ａｒｃｓｅｃであってもよい。上限は２００または２５０であってもよい。
【００１６】
核形成層の（１０５）ピークＦＷＨＭの下限は５０、１００または１５０であってもよい。上限は１７５または２００であってもよい。
【００１７】
ｘ１およびｘ２の値は同じでも異なってもよい同様に、ｙ１およびｙ２の値は同じでも異なってもよい。
【００１８】
特に、ｘ１およびｘ２は、ｘ１＝ｘ２＜０．０１のような上述した区間の小さい部分にあってもよく、あるいはｘ１＝Ｘ２＝０でさえあってもよい。好ましくはｙ２＞ｙ１である。１つの特定の実施の形態では、ｘ１＝ｘ２＝０、ｙ１＝０かつｙ２＝１である。
【００１９】
上記の半導体デバイス構造は、先行技術によって示されているものと比較して、バッファ層および核形成層の向上した結晶化度を提供する。さらに、貫通転位密度が小さいという点での優れた結晶品質のために漏洩電流を低減させることができる。さらに、半導体デバイス構造は従来の半導体デバイス構造と比較して小さい界面熱抵抗を示し得る。
【００２０】
バッファ層はＧａＮであってもよい。バッファ層のさらなる例は詳細な説明で論じられる。
【００２１】
核形成層はＡｌＮであってもよい。核形成層のさらなる例は詳細な説明で論じられる。
【００２２】
ＳｉＣポリタイプは、たとえば、４Ｈ、６Ｈまたは３Ｃであってもよい。ＳｉＣポリタイプはＳｉＣが存在し得る異なる構造を意味する。
【００２３】
ＳｉＣの表面はＸ線光電子分光により測定する際に５％未満の酸素単層を有してもよい。
【００２４】
単層は単位格子高さの材料による完全な表面保護を意味する。したがって、「５％未満の酸素単層」は、表面保護が完全でなく、したがって、表面積の５％未満が酸素によって覆われることを意味する。
【００２５】
バッファ層は、１〜４μｍ、好ましくは１．３〜３μｍ、最も好ましくは１．５〜２μｍの厚さを持ってもよい。
【００２６】
核形成層は、１０〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜４０ｎｍの厚さを持ってもよい。
【００２７】
１００ｎｍ未満の厚さを持つ核形成層の形態は、拡張合体プロセス（enhanced coalescence process）のために、１μｍ２あたり０〜１０個のピット、好ましくは１μｍ２あたり０〜８個のピット、最も好ましくは１μｍ２あたり０〜５個のピットを有してもよい。
【００２８】
合体は、２つ以上の粒子／アイランドが接触の間に合わさって１つのより大きい粒子／アイランドまたは膜を形成するプロセスを意味する。
【００２９】
「１μｍ２あたりのピット」は１μｍ２あたりの孔の数または凹部と定義してもよい。
【００３０】
第２の態様に係れば、上述したような半導体構造を備える高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）が提供される。
【００３１】
第３の態様に係れば、半導体デバイス構造から形成される半導体デバイスが提供される。
【００３２】
第４の態様に係れば、ＳｉＣ基板を用意する工程と、Ｉｎｘ２Ａｌｙ２Ｇａ１−ｘ２−ｙ２Ｎ核形成層をＳｉＣ基板上に用意する工程であって、ｘ２＝０〜１、ｙ２＝０〜１、かつｘ２＋ｙ２＝１、好ましくはｘ２＜０．０５かつｙ２＞０．５０、より好ましくはｘ２＜０．０３かつｙ２＞０．７０、最も好ましくはｘ２＜０．０１かつｙ２＞０．９０である、工程とを備える半導体デバイス構造を製造する方法が提供される。核形成層の成長時の温度は、２分〜２０分間、５〜２５℃／分で、好ましくは７〜２０℃／分で、最も好ましくは１０〜１５℃／分で上昇させられる。
【００３３】
温度は、パイロメータによって上流の側、すなわち、サセプタの上部（天井部）に位置する孔から測定してもよい。温度値の測定は、用いられる技術および測定の位置によって異なってもよい。
【００３４】
「上昇（Ｒａｍｐｅｄ  ｕｐ）」は温度の増加と定義される。このような増加は、たとえば、段階的でも連続的でもよく、線形的でも、徐々に上昇しても、または徐々に下降してもよい。
【００３５】
核形成成長時の温度上昇を用いることにより、核形成層の改善された結晶化度がもたらされる。
【００３６】
第５の態様に係れば、ＳｉＣ基板を用意する工程と、Ｉｎｘ２Ａｌｙ２Ｇａ１−ｘ２−ｙ２Ｎ核形成層をＳｉＣ基板上に用意する工程であって、ｘ２＝０〜１、ｙ２＝０〜１、かつｘ２＋ｙ２＝１、好ましくはｘ２＜０．０５かつｙ２＞０．５０、より好ましくはｘ２＜０．０３かつｙ２＞０．７０、最も好ましくはｘ２＜０．０１かつｙ２＞０．９０である、工程と、Ｉｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ１−ｘ１−ｙ１Ｎバッファ層を核形成層上に用意する工程であって、ｘ１＝０〜１、ｙ１＝０〜１かつｘ１＋ｙ１＝１、好ましくはｘ１＜０．０５かつｙ１＜０．５０、より好ましくはｘ１＜０．０３かつｙ１＜０．３０、最も好ましくはｘ１＜０．０１かつｙ１＜０．１０である、工程とを備える半導体デバイス構造を製造する方法が提供される。バッファ層は、（１０２）ピークが２５０ａｒｃｓｅｃ未満のＦＷＨＭを持つロッキング曲線を示し、核形成層は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）により測定する際に（１０５）ピークが２００ａｒｃｓｅｃ未満のＦＷＨＭを持つロッキング曲線を示す。
【００３７】
基板は、Ｈ２、ＨＣｌ、ＨＦ、ＨＢｒもしくはＳｉＦ４、Ｃｌ２またはＨ２とその他のいずれか１つとの組合せのようなエッチングガスによりｉｎ  ｓｉｔｕまたはｅｘ  ｓｉｔｕで前処理してもよい。
【００３８】
基板の前処理により、たとえば、基板表面上への酸素および炭素汚染量を低減してもよい。
【００３９】
圧力は、少なくとも１２５０℃の温度で、前処理時に、１００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、好ましくは６０ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、最も好ましくは３０ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒであってもよい。
【００４０】
圧力は、少なくとも１４００℃の温度で、前処理時に、１０００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、好ましくは５００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、最も好ましくは２００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒであってもよい。
【００４１】
エッチングガス、好ましくはＨ２は、２０〜３０ｌ／分の流量で提供してもよく、かつ／または、ＨＣｌは、１００〜２００ｍｌ／分の流量で提供してもよい。
【００４２】
核形成層とバッファ層との少なくとも１つは、有機金属気相堆積（ＭＯＣＶＤ）すなわち有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）または分子線エピタキシ（ＭＢＥ）により成長させてもよい。
【００４３】
ＭＯＣＶＤすなわちＭＯＶＰＥによる核形成成長のための前駆体の少なくとも１つは、Ａｌ２（ＣＨ３）６のような有機金属であってもよく、その他はＮＨ３であってもよい。
【００４４】
前駆体は原料物質と定義してもよく、少なくとも別の前駆体と反応させてもよい。
【００４５】
前駆体はＨ２、ＡｒもしくはＮ２またはこれらの組合せのような少なくとも１つのキャリアガスにより用意してもよい。
【００４６】
少なくとも１つの前駆体をたとえばリアクタに輸送するのにキャリアガスを用いてもよい。
【００４７】
核形成層の成長時の圧力は、ＭＯＣＶＤすなわちＭＯＶＰＥについて、２００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、好ましくは１００ｍｂａｒ〜２０ｍｂａｒ、最も好ましくは６０ｍｂａｒ〜４０ｍｂａｒであってもよい。
【００４８】
核形成層の成長時の開始温度は、ＭＯＣＶＤすなわちＭＯＶＰＥについて、８００℃〜１１５０℃、好ましくは９００℃〜１１００℃、最も好ましくは９５０℃〜１０５０℃であってもよい。
【００４９】
核形成層の成長率は、ＭＯＣＶＤすなわちＭＯＶＰＥについて、１００ｎｍ／ｈ〜１０００ｎｍ／ｈ、好ましくは１５０ｎｍ／ｈ〜６００ｎｍ／ｈ、最も好ましくは２００ｎｍ／ｈ〜４００ｎｍ／ｈであってもよい。
【００５０】
核形成層の成長時の圧力は、ＨＶＰＥについて、２００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、好ましくは１００ｍｂａｒ〜２０ｍｂａｒ、最も好ましくは６０ｍｂａｒ〜４０ｍｂａｒであってもよい。
【００５１】
核形成層の成長時の開始温度は、ＨＶＰＥについて、８００℃〜１２００℃、好ましくは９００℃〜１１５０℃、最も好ましくは９５０℃〜１１００℃であってもよい。
【００５２】
核形成層の成長率は、ＨＶＰＥについて、１μｍ／ｈ〜１００μｍ／ｈ、好ましくは５μｍ／ｈ〜５０μｍ／ｈ、最も好ましくは１０μｍ／ｈ〜２０μｍ／ｈであってもよい。
【００５３】
核形成層の成長時の圧力は、ＭＢＥについて、１×１０−３ｍｂａｒ〜１×１０−７ｍｂａｒ、好ましくは５×１０−３ｍｂａｒ〜１×１０−６ｍｂａｒ、最も好ましくは１×１０−４ｍｂａｒ〜１×１０−５ｍｂａｒであってもよい。
【００５４】
核形成層の成長時の開始温度は、ＭＢＥについて、５００℃〜１０００℃、好ましくは５５０℃〜９００℃、最も好ましくは６００℃〜８００℃であってもよい。
【００５５】
核形成層の成長率は、ＭＢＥについて、１００ｎｍ／ｈ〜１０００ｎｍ／ｈ、好ましくは２００ｎｍ／ｈ〜８００ｎｍ／ｈ、最も好ましくは４００ｎｍ／ｈ〜６００ｎｍ／ｈであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】半導体デバイス構造を概略的に示す。
【図２】１２００℃および１３２０℃でＭＯＣＶＤリアクタにてＨ２により前処理されるＳｉＣ基板のＸＰＳスペクトルをそれぞれ示す。
【図３ａ】ＸＲＤで測定したＡｌＮ（１０５）ピークのロッキング曲線を示す。
【図３ｂ】ＸＲＤで測定したＡｌＮ（００２）ピークのロッキング曲線を示す。
【図４ａ】ＸＲＤで測定したＧａＮ（１０２）ピークのロッキング曲線を示す。
【図４ｂ】ＸＲＤで測定したＧａＮ（００２）ピークのロッキング曲線を示す。
【図５ａ】ＸＲＤで測定した高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）デバイス構造の緩和したＡｌＮの逆空間マップを示す。
【図５ｂ】ＸＲＤで測定した高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）デバイス構造の完全に歪んだＡｌＮの逆空間マップを示す。
【図６ａ】先行技術にしたがって製造されるＡｌＮ面のＡＦＭ画像を示す。
【図６ｂ】本明細書に開示されている方法にしたがって製造されるＡｌＮ面のＡＦＭ画像を示す。
【発明を実施するための形態】
【００５７】
本明細書に開示されている概念は以下により詳細に示される。まず、半導体デバイス構造を製造する方法が記載され、その後、デバイス構造の特性評価結果が説明される。
【００５８】
デバイス構造およびデバイス材料
図１は、インジウムアルミニウム窒化ガリウム（Ｉｎｘ２Ａｌｙ２Ｇａ１−ｘ２−ｙ２Ｎ、ｘ２＝０〜１、ｙ２＝０〜１かつｘ２＋ｙ２＝１）の核形成層１２を有する半導体デバイス構造１を概略的に示し、核形成層１２は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板１１とＩｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ１−ｘ１−ｙ１Ｎ、ｘ１＝０〜１、ｙ１＝０〜１かつｘ１＋ｙ１＝１のバッファ層１３とに挟まれている。
【００５９】
Ｉｎｘ２Ａｌｙ２Ｇａ１−ｘ２−ｙ２Ｎ核形成層およびＩｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ１−ｘ１−ｙ１Ｎバッファ層については、境界は上記で説明したようなものであってもよい。したがって、核形成層とバッファ層とは同じ材料で形成してもよいし、あるいは異なる材料で形成してもよい。
【００６０】
核形成層の一目的は、ＳｉＣ基板とバッファ層との間の格子不整合を補償し、ＳｉＣ上でバッファ層の高品質エピタキシャル成長を得ることである。核形成層の別の目的は、ＳｉＣ上でたとえばＧａＮの成長を可能にすることである。ＧａＮは直接ＳｉＣなどのいくつかの基板上で２次元的に核生成しないので、ＧａＮが成長することができるようにＡｌＮ核形成層の表面ポテンシャルを変更する必要がある場合がある。核形成層は直接ＳｉＣ基板上に追加してもよい。すなわち、追加層を間に配置してもよい。
【００６１】
一般的に、８〜１２ｎｍを超える厚さを持つ従来の方法にしたがって製造された核形成層は、ＳｉＣ基板と核形成層との間の約１％の格子不整合のために緩和し始める。本明細書に示されている完全に歪んだ核形成層によりバッファ層の結晶品質が改善される場合がある。
【００６２】
本明細書に開示されている方法により成長させた核形成層は、少なくとも１００ｎｍ以下の厚さで完全に歪む場合がある。しかし、核形成層がこの厚さを超えた後は、核形成層は格子不整合のために緩和し始めることになる。
【００６３】
完全に歪むの意味は、核形成層の面内格子定数が、ＳｉＣ基板の面内格子定数と完全に同じであることか、＋／−０．１５％（好ましくは＋／−０．０５％または＋／−０．０２％）で完全に同じであることである。一般的に、核形成層が完全に歪む場合、（１０５）のようなその非対称のＸ線反射は、図５ｂのような逆空間マップにおいてｘ軸に沿って（１０１０）のようなＳｉＣ基板の非対称のＸ線反射とよく整合することを示す。
【００６４】
バッファ層の目的は、厚い層成長によって構造品質を高めることであり、所望の厚さに達するときに完全に緩和することが期待される。これは、本明細書に開示されている方法によりある厚さで成長する場合に上記で説明されているように完全に歪む核形成層とは対照的である。
【００６５】
例として、核形成層１２は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）であってもよく、バッファ層１３は窒化ガリウム（ＧａＮ）であってもよい。このようなＳｉＣ／ＡｌＮ／ＧａＮ構造の特性評価結果はこの開示においてより詳細に説明される。
【００６６】
生じる熱を効率的に除去し、半導体デバイスでの温度上昇を最小にする目的で、その高い熱伝導率特性のためにＳｉＣ基板が用いられる。基板のポリタイプは、たとえば、４Ｈ、６Ｈまたは３Ｃであってもよい。ＳｉＣ基板の向きはｃ面、ａ面およびｍ面で表してもよい。ｃ面に対して、２つの面、すなわち、Ｓｉ面およびＣ面がそれぞれある。この開示で説明されている構造の製造時には、Ｓｉ面またはＣ面を用いてもよい。基板は好ましくは軸上基板であってもよい。ただし、代替例として、２°以下のオフのような低角度オフカット基板を用いてもよい。
【００６７】
ＳｉＣ基板の前処理
以降の核形成層、バッファ層および任意に選択できる別の層の成長の前に、ＳｉＣ基板は、主に酸素からだけでなく炭素からも構成される場合がある表面汚染物を除去するために前処理される。
【００６８】
好ましくは、前処理は、ｉｎ  ｓｉｔｕで、すなわち、核形成層、バッファ層および任意に選択できる別の層の成長が起こるのと同じチャンバ／リアクタで実行してもよい。代替例として、前処理はｅｘ  ｓｉｔｕで、たとえば熱処理装置（ｆｕｒｎａｃｅ）で実行してもよい。したがって、後者の場合、基板は層を成長させる前処理の後にリアクタに移される。一般的に、正しく実行される場合、基板を移すことで新しい表面汚染は起きない。
【００６９】
ｉｎ  ｓｉｔｕ前処理の前に、ＳｉＣ基板に対して洗浄を行い、任意にリンスを行い、さらに任意にパージを行ってもよいが、これらを行う必要はない。たとえば、基板は、アセトン、メタノールおよび８０℃のＮＨ４ＯＨ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ（１：１：５）および８０℃のＨＣｌ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ（１：１：５）の溶剤で洗浄（各溶剤で５分間）し、脱イオン水リンスおよびＮ２パージおよびＨＦ溶剤でのディップ洗浄で仕上げてもよい。
【００７０】
前処理のために、基板にエッチング効果を与えるガス、たとえば、Ｈ２、ＨＣｌまたはこれらの組合せをリアクタ内に流入させて、これにより基板と相互作用させてもよい。代替例として、ＨＦ、ＨＢｒもしくはＳｉＦ４またはこれらのいずれか１つとＨ２との組合せを用いてもよい。
【００７１】
たとえば、Ｈ２の流量は約２０〜３０ｌ／分であってもよく、かつ／または、ＨＣｌの流量は約１００〜２００ｍｌ／分であってもよい。
【００７２】
温度を処理前温度まで上昇させ、その後、最大温度を維持することなく直ちに下降させてもよい。
【００７３】
ＸＰＳによって検出を行う際のリアクタの圧力および温度ならびに無酸素ＳｉＣ基板を用意するのに十分な時間は一般的な実験で測定し得る。
【００７４】
前処理時のリアクタの圧力は、１０ｍｂａｒ以下、好ましくは約５０ｍｂａｒ以下の気圧範囲にあってもよい。前処理を開始する前に、リアクタの背景圧力は１×１０−３ｍｂａｒ以下であってもよい。好ましくは、背景圧力はできるだけ低くするべきである。
【００７５】
リアクタは、５０ｍｂａｒのリアクタ内圧力で前処理のためにたとえば誘導加熱または抵抗加熱により約１２５０〜１５００℃まで加熱してもよい。
【００７６】
前処理が圧力にも依存している点に注意してもよい。すなわち、前処理が低温で行われる場合、主に酸素だけでなく炭素をも含む表面汚染物を除去するために圧力は低い場合があり、この圧力は高温で前処理が行われる場合と比較して低く、高温の場合、同じ量の汚染物を除去するためにより広い範囲の圧力が用いられる場合がある。
【００７７】
例として、ＳｉＣ基板は、少なくとも３０分の全処理前時間（すなわち、温度上昇および下降）中に５０ｍｂａｒで１２５０℃のＨ２によって前処理してもよく、これにより、５％未満の単層酸素（すなわち、表面積の５％未満が酸素によってカバーされる）を有するＳｉＣ基板が得られる場合がある（ＸＰＳによる検出時）。
【００７８】
図２には、１２００℃（下のスペクトル）および１３２０℃（上のスペクトル）で５０ｍｂａｒで前処理されるＳｉＣ基板のＸ線光電子分光（ＸＰＳ）スペクトルがそれぞれ示されている。両スペクトルは、Ｃ１ｓおよびＳｉ２ｐに由来する、すなわちＳｉＣ基板に由来する束縛エネルギ２７９ｅＶおよび１０１ｅＶの周囲にそれぞれピークを持つ。
【００７９】
これに加えて、下のスペクトル（３０分間に５０ｍｂａｒで１２００℃で前処理されるＳｉＣ基板）は、約５３０ｅＶに比較的大きい酸素関連のピーク２１を持ち、Ｃ１ｓピークの低束縛エネルギ側に小さい特徴２２を持つ。これらの特徴は、基板が前処理されない、また十分に前処理されないために存在する酸素炭素表面汚染物に由来する場合がある。
【００８０】
上のスペクトルに見られるように、１３２０℃で前処理される基板には、酸素関連のピークと高束縛エネルギ炭素特徴とが実質的にない。一般的に、上述のプロセスにしたがって１２５０℃を超える温度で前処理される基板の酸素のレベルはＸＰＳでは検出可能でない場合がある。
【００８１】
ＳｉＣ基板の処理前プロセスは、ＡｌＮ核形成層および以降の層を成長させるのに用いる方法、すなわちＭＯＣＶＤ、ＨＶＰＥまたはＭＢＥに関係なく、同じであってもよい。ただし、たとえばＭＯＣＶＤリアクタと比較して圧力が低いＭＢＥリアクタで前処理を行う場合、圧力と温度との両方とも上記で説明されているように前処理時に低くてもよい。
【００８２】
層成長のための方法
ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ核形成層、たとえばＡｌｙＧａ１−ｙＮまたはＡｌＮと、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮバッファ層、たとえばＡｌｙＧａ１−ｙＮまたはＧａＮとは、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）としても知られている有機金属気相堆積（ＭＯＣＶＤ）によって堆積させてもよい。ＭＯＣＶＤすなわちＭＯＶＰＥは、固体材料が気相前駆体の化学反応によって基板上に堆積する化学蒸着方法である。この方法は、複雑な半導体多層構造を成長させるのに主に用いられる。
【００８３】
ＭＯＣＶＤでは、前駆体は一般的にＮＨ３のような水素化物ガスと結合する有機金属化合物である。ＡｌＮ核形成成長に用いる前駆体は、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、すなわちＡｌ２（ＣＨ３）６およびアンモニアＮＨ３であってもよい。例として、前駆体の流量は、ＮＨ３では２ｌ／分であってもよく、ＴＭＡｌでは０．７ｍｌ／分であってもよい。ＴＭＡｌバブラーを流れるキャリアガス、たとえばＨ２の流量は７０ｍｌ／分であってもよい。前駆体流は、主キャリアガス流と合流し、これは、リアクタへのさらなる輸送を目的として約５０ｌ／分であってもよい。
【００８４】
前駆体は、多くの場合キャリアガスによって、少なくとも１つの基板が置かれるリアクタチャンバに輸送される。反応中間体を形成する前駆体の反応と副生成物とは、基板上で生じるか、基板の近傍で生じる。反応物は基板に吸着して薄膜層を形成し、最終的に、副生成物は基板から遠ざけられて輸送される。
【００８５】
薄膜成長のＭＯＣＶＤシステムの圧力は、通常、数ミリバールから大気圧までに及ぶ。
【００８６】
リアクタチャンバは、コールドウォール型またはホットウォール型であってもよい。コールドウォールリアクタでは、一般的に、リアクタ壁を基板よりも冷たい状態に維持しつつ、基板を加熱する。対照的に、ホットウォールリアクタでは、リアクタチャンバ全体、すなわち基板とリアクタとの両方を加熱する。
【００８７】
この開示で説明されているＡｌＮおよびＧａＮ層の成長にはホットウォールＶＰ５０８ＧＦＲ（Ａｘｔｒｏｎリアクタ）が用いられた。（参照文献：Doping of Al-content AlGaN grown by MOCVD, PhD thesis, D. Nilsson, 2014 and Wikipedia）。
【００８８】
代替例
代替例として、核形成層およびバッファ層は、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）によって成長させてもよい。ＭＯＣＶＤとは異なり、ＨＶＰＥプロセスには有機金属前駆体は関係せず、代わりに、気体の金属塩化物、たとえばＡｌＣｌ３をＡｌＮ核形成成長時にＮＨ３と反応させる。ＨＶＰＥについては、核形成層およびバッファ層の用意にＭＯＣＶＤと同じリアクタを用いてもよい。成長時の温度および圧力は、ＭＯＣＶＤによる成長と同じであってもよい。ただし、ＡｌＮ核形成層の成長率はＨＶＰＥにより５０〜１００倍高い、すなわち約１００μｍ／ｈである場合がある。前駆体の温度を増す場合、成長率はより一層高速になる場合がある。
【００８９】
さらなる代替例として、ＡｌＮ核形成層成長およびＧａＮバッファ層成長に分子線エピタキシ（ＭＢＥ）を用いてもよい。ＭＯＣＶＤとは対照的に、ＭＢＥは物理的プロセスをベースにしており、一般的に化学反応には関係しない。別の相違点は、プロセスがＭＯＣＶＤおよびＨＶＰＥと比較して低圧で行われることである。
【００９０】
たとえば、ＡｌＮ層の用意に用いられる前駆体はプラズマＮ２およびＡｌ２（ＣＨ３）６であってもよい。圧力は１０−３〜１０−４ｍｂａｒであってもよい。これにより１μｍ／ｈ未満の成長率（すなわち、ＭＯＣＶＤおよびＨＶＰＥよりも非常に低い）が得られる。
【００９１】
ＡｌＮ核形成層成長への移行およびＡｌＮ核形成層成長
プロセス工程はＭＯＣＶＤ（ＭＯＶＰＥ）方法により成長させるＡｌＮ核形成層に関して以下に記載されている。代替方法、すなわち、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）および分子線エピタキシ（ＭＢＥ）のパラメータは別に説明される。
【００９２】
前処理をｉｎ  ｓｉｔｕで実行する場合、前処理ガス、たとえばＨＣｌおよび／またはＨ２の流動をＡｌＮ核形成層成長への移行時に維持してもよい。前処理をｅｘ  ｓｉｔｕで実行する場合、ＡｌＮ核形成層成長が行われるリアクタに前処理されたＳｉＣ基板を移動させる。基板の移動は、周囲状況、すなわち空気中で行ってもよい。前処理がｅｘ  ｓｉｔｕで行われる場合、以下で説明するのと同様に、ＳｉＣ基板をリアクタチャンバに移動させ終わったときにリアクタの温度および圧力を設定してもよい。
【００９３】
リアクタの圧力を維持しつつ、リアクタの温度を下げてもよい。温度の低下は１工程で実行してもよい。すなわち、加熱をオフにしてもよいし、あるいは、低い温度値に設定してもよい。
【００９４】
リアクタの温度を約８００〜１１５０℃、すなわち、いわゆるＡｌＮ核形成層成長の開始温度に安定させるとき、圧力を、前処理中に用いる圧力と比較して増大させてもよい。
【００９５】
スロットルバルブのようなバルブを用いて圧力を制御してもよい。バルブは、リアクタと、ルーツポンプ、ドライプロセス真空ポンプまたはスクリューポンプのようなポンプとの間に適するものであってもよい。たとえばスロットルバルブを部分的に閉じる場合、リアクタチャンバにおけるポンピングは低下し、したがって、圧力はＨ２および／またはＨＣｌの連続的な流動により増大する場合がある。
【００９６】
温度と圧力との両方を安定させてもよく、安定化の後、前処理ガスとしてＨＣｌを用いる場合、リアクタへのＨＣｌの入口を（たとえば、ＨＣｌ源とリアクタとの間のバルブを閉じることによって）オフに切り替えてもよい。前処理ガスとしてＨ２を用いる場合、ＡｌＮ核形成層成長時の前駆体の少なくとも１つの輸送用のキャリアガスとして前処理ガスを用いる際に流動を維持してもよい。
【００９７】
キャリアガスはＨ２またはＮ２のような不活性ガスであってもよい。Ｈ２またはＮ２をリアクタの前駆体の輸送に用いてもよく、Ｈ２およびＮ２をリアクタの成長領域でキャリアガスとして用いる。好ましくは、前駆体を（たとえば、それぞれの前駆体とリアクタとの間のバルブを開くことによって）リアクタ内に流入させる前に、１つ以上のキャリアガスを流動させ、また、任意にリアクタ内に入れる。
【００９８】
前駆体を貯蔵する容器を熱制御してもよく、前駆体は好ましくは室温に保ってもよい。代替例として、前駆体の少なくとも１つを加熱してもよく、これにより、加熱した前駆体の蒸気圧を増大させることができ、この結果、層の成長率が増大する。しかしながら、高すぎる流量／成長率は層の品質の低下をもたらすことがあるので、加熱は必ずしも最適でない。
【００９９】
リアクタ内への各前駆体の流量を制御するために、少なくとも１つのマスフローコントローラを各前駆体容器とリアクタとの間に配置してもよい。
【０１００】
その際、前駆体、たとえばＡｌ２（ＣＨ３）６およびＮＨ３は、リアクタ内に向かうキャリアガスによって気体形態で同時に輸送され、したがって、ＳｉＣ基板上でのＡｌＮ核形成層成長を開始することができる。
【０１０１】
ＡｌＮ核形成層成長中、２分〜２０分間、５〜２５℃／分の上昇率（リアクタ内で測定）でリアクタ内の温度を上昇させる。このような条件下で、７分の成長により約３０〜４０ｎｍのＡｌＮ厚さを得ることができる。ＡｌＮ核形成層の厚さは本明細書に開示されている半導体デバイス構造中で１００ｎｍ未満であることが好ましい。
【０１０２】
温度上昇は、前記上昇率のたとえば１／１００〜１／２という小さい上昇幅で増加してもよい。本代替例では、上昇は連続的な線形的か、徐々に上昇するか、徐々に下降してもよい。好ましくは、上昇は連続的な線形的である。
【０１０３】
ＨＶＰＥによるＡｌＮ核形成層成長については、リアクタの開始温度はＭＯＣＶＤ成長と同じであってもよい。また、ＨＶＰＥについての成長時の圧力は、ＭＯＣＶＤと同じであってもよい。
【０１０４】
ＭＢＥによるＡｌＮ核形成層成長については、リアクタの開始温度は５００〜１０００℃であってもよい。すなわち、ＭＯＣＶＤおよびＨＶＰＥによる成長と比較して低くてもよい。開始温度が低いのは、ＭＢＥを用いた成長中の圧力が低いことに起因する場合がある。
【０１０５】
ＧａＮバッファ層成長
核形成層（たとえば上述のＡｌＮ核形成層）上でのバッファ層の成長は、ＭＯＣＶＤ（すなわちＭＯＶＰＥ）方法により成長させるＧａＮバッファ層に関して以下に記載される。代替例として、バッファ層はＨＶＰＥまたはＭＢＥによって同様に堆積させてもよい。
【０１０６】
好ましくは、バッファ層は核形成層と同じリアクタで成長させてもよいが、これは必要ない。
【０１０７】
ＧａＮバッファ層成長に用いる前駆体は、トリメチルガリウム、すなわちＴＭＧ、Ｇａ（ＣＨ３）３およびアンモニア、すなわちＮＨ３であってもよい。例として、前駆体の流量は、ＮＨ３では２ｌ／分であってもよく、ＴＭＧａでは０．６２ｍｌ／分であってもよい。ＴＭＧａバブラーを流れるキャリアガス、たとえばＨ２の流量は４２ｍｌ／分であってもよい。前駆体は室温で用意してもよい。代替例として、流量を増大させ、したがってＧａＮバッファ層の成長率を増大させるために、前駆体の少なくとも１つを加熱してもよい。
【０１０８】
前駆体容器とリアクタとの間に適する少なくとも１つのマスフローコントローラによって前駆体の各々の流動を制御してもよい。前駆体の各々または前駆体の両方を、たとえば、Ｈ２、Ｎ２またはＡｒのようなキャリアガスによってリアクタに輸送してもよい。ＧａＮ層の成長時のリアクタの温度は約１０５０℃であってもよい。ＧａＮ成長時のリアクタの圧力は約５０ｍｂａｒであってもよい。
【０１０９】
その際、ＧａＮバッファ層の成長は、温度および圧力が安定しているときに開始してもよい。これらの条件下では、ＧａＮ層の成長率は毎時約７００〜２０００ｎｍであってもよい。好ましくは、たとえばＨＥＭＴデバイス用のＳｉＣ／ＡｌＮ／ＧａＮ構造のＧａＮバッファ層の厚さは約１〜４μｍであってもよい。
【０１１０】
ＳｉＣ／ＡｌＮ／ＧａＮの特性評価
ＳｉＣ／ＡｌＮ／ＧａＮ半導体デバイス構造の界面は本明細書に開示されている方法により、すなわち、ＳｉＣ基板の前処理とＡｌＮ成長時の開始温度の上昇とを利用して製造された。また、ＳｉＣ／ＡｌＮ／ＧａＮ基準半導体デバイス構造の界面はＸ線回折（ＸＲＤ）を特徴とする従来の方法により製造された。従来の方法にしたがう構造は、ＳｉＣ基板の前処理とＡｌＮ核形成層成長時の温度上昇なしで製造された。リアクタの温度と成長時の圧力のような他のパラメータはＡｌＮ核形成層成長とＧａＮバッファ層成長との両方で同じであった。両構造はＭＯＣＶＤによって同じリアクタで製造された。
【０１１１】
本明細書に開示されている方法により成長させたＡｌＮ核形成層の厚さは３８ｎｍであり、従来の方法にしたがって成長させたＡｌＮ核形成層の厚さは３５ｎｍであった。本明細書に開示されている方法により成長させたＡｌＮ核形成層上で成長させた両方のＧａＮバッファ層の厚さと、先行技術にしたがって成長させたＡｌＮ核形成層上で成長させたＧａＮバッファ層の厚さとは１．８μｍであった。
【０１１２】
同じ材料についての（００２）、（１０２）、（１０３）、（１０４）、（１０５）のような異なるＸＲＤ面のＸＲＤ測定により、ロッキング曲線の異なるピーク幅が得られる。（００２）面により螺旋型転位の情報が得られ、（１０２）、（１０３）、（１０４）、（１０５）面により、異なる範囲の刃状型転位（および混合型転位）の情報が得られる。通常、（１０５）面により、（１０２）、（１０３）、（１０４）面よりも狭いピーク幅が得られる。
【０１１３】
狭いロッキング曲線は低い転位密度を示し、したがって、広いロッキング曲線と比較して改善された結晶化度を示す。層が厚いほど、結晶品質は良好になり、したがって、材料の狭いピーク幅が得られる。
【０１１４】
図３ａでは、本明細書に開示されている方法により成長させたＡｌＮ核形成層は、ＡｌＮ（１０５）ピークが１０５ａｒｃｓｅｃの半値全幅（ＦＷＨＭ）を持つロッキング曲線を示す。比較すると、従来の方法により成長させた基準ＡｌＮ核形成層は、７０３ａｒｃｓｅｃのＦＷＨＭを持つＡｌＮ（１０５）ピークの広いロッキング曲線を持つ。典型的には、本明細書に開示されている方法により製造されるＡｌＮ核形成層のＡｌＮ（１０５）ピークのＦＷＨＭは３０〜２００ａｒｃｓｅｃである。
【０１１５】
図３ｂは、温度上昇を用いる本明細書に開示されている方法により成長させたＡｌＮ核形成層のＡｌＮ（００２）ピークのロッキング曲線と、従来の方法により成長させたＡｌＮ核形成層のＡｌＮ（００２）ピークのロッキング曲線とをそれぞれ示す。本方法により成長させたＡｌＮ核形成層のＡｌＮ（００２）ピークは４２ａｒｃｓｅｃのＦＷＨＭを持つが、従来の方法により成長させた基準ＡｌＮ核形成層のＡｌＮ（００２）ピークはより広く、９９ａｒｃｓｅｃのＦＷＨＭを持つ。
【０１１６】
このことから、これは、先行技術によって製造されるＡｌＮ核形成層と比較した場合の、本明細書に開示されている方法により製造されるＡｌＮ核形成層の改善された結晶化度を示している。
【０１１７】
ＡｌＮ核形成層の転位密度は１ｃｍ２あたり１０９未満である場合があり、図５ｂに示されている核形成層については１ｃｍ２あたり約５×１０８（ＸＲＤによる測定）である。一般的には、ＡｌＮの不純物レベルは１ｃｍ３あたり５×１０１９未満である場合が多い。
【０１１８】
本明細書に開示されている方法により成長させたＳｉＣ／ＡｌＮ／ＧａＮデバイス構造中のＧａＮバッファ層のＧａＮ（１０２）ピークのロッキング曲線と、従来の方法により成長させたＳｉＣ／ＡｌＮ／ＧａＮデバイス構造中の基準ＧａＮバッファ層のＧａＮ（１０２）ピークのロッキング曲線とがそれぞれ図４ａに示されている。基準ＧａＮバッファ層は４９１ａｒｃｓｅｃのＦＷＨＭを持つＧａＮ（１０２）ピークを持つが、本明細書に開示されている方法により成長させたＧａＮバッファ層の対応するピークはより狭く、基準ＧａＮバッファ層と比較して改善された結晶化度を示す２０５ａｒｃｓｅｃのＦＷＨＭを持つ。典型的には、本明細書に開示されている方法により成長させたＳｉＣ／ＡｌＮ／ＧａＮデバイス構造中のＧａＮバッファ層のＧａＮ（１０２）ピークのロッキング曲線は１００〜２５０ａｒｃｓｅｃのＦＷＨＭを持つ。
【０１１９】
最後に、図４ｂには、従来の方法により成長させたＳｉＣ／ＡｌＮ／ＧａＮデバイス構造中のＧａＮ層のＧａＮ（００２）ピークのロッキング曲線と、本明細書に開示されている方法により成長させたＳｉＣ／ＡｌＮ／ＧａＮデバイス構造中のＧａＮ層のＧａＮ（００２）ピークのロッキング曲線とが示されている。基準ＧａＮ層のＧａＮ（００２）ピークは２０７ａｒｃｓｅｃのＦＷＨＭを持つが、本明細書に記載されている方法にしたがって製造したＧａＮ層のＧａＮ（００２）ピークは６２ａｒｃｓｅｃのより狭いＦＷＨＭを持つ。したがって、ＡｌＮ核形成層と同様に、ＧａＮバッファ層も改善した結晶化度を示す。
【０１２０】
ＧａＮバッファ層の転位密度は１ｃｍ２あたり１×１０８〜７×１０８（ＸＲＤによる測定）である場合がある。一般的には、ＧａＮの不純物レベルは１ｃｍ３あたり１×１０１９未満である場合が多い。
【０１２１】
図５ａおよび図５ｂは、ＨＥＭＴデバイス構造のＳｉＣ基板上の緩和したＡｌＮおよび完全に歪んだＡｌＮをそれぞれ示す逆空間マップ（ｒｌｕ＝逆格子単位）を示す。ＡｌＮ核形成層（およびＧａＮバッファ層）の厚さは図３ａおよび図３ｂに示されている層と同じである。図５ａに見られるように、ＡｌＮ核形成層はｘ方向の場合にＳｉＣと比較してわずかに変位する。ＳｉＣは、ＡｌＮ核形成層と比較して相対的にその厚さが厚いために図５ａと図５ｂとで同じ位置にある。本明細書に開示されている方法を用いることで、完全に歪んだ高い結晶品質のＡｌＮ核形成層を製造することができる。完全に歪んだＡｌＮについては、ＡｌＮは図５ｂに見られるようにＳｉＣの上でまっすぐに並ぶことになる。図５ａおよび図５ｂの他の特徴によりＡｌＧａＮおよびＧａＮの以降の層が説明される。
【０１２２】
図５ａのＧａＮバッファ層も図５ｂのＧａＮバッファ層も緩和する。ただし、上記に説明されているように（図４ａおよび図４ｂを参照）、本明細書に開示されている方法により成長させたＧａＮバッファ層のロッキング曲線は、従来の方法により成長させたＧａＮバッファ層のロッキング曲線と比較して狭く、したがって、改善した結晶化度を示す。
【０１２３】
図６ａおよび図６ｂには、従来の方法にしたがって製造されるＡｌＮ核形成層のＡＦＭ画像と、本明細書に開示されているプロセスにしたがって製造されるＡｌＮ核形成層のＡＦＭ画像とがそれぞれ示されている。これらの層の厚さは、図３および図５で説明されているＡｌＮ核形成層と同じである。先行技術にしたがって製造される（すなわちＳｉＣ基板の前処理と成長時の温度上昇なしで製造される）ＡｌＮ核形成層は複数のピット（すなわち層の孔および／または凹部）を示す（図６ａを参照）。一般的には、このようなＡｌＮ核形成層は１μｍあたり約８０〜１００個のピットを有する場合がある。このようなピットの最大高さはＡｌＮ核形成層の厚さであり、最小高さは１ｎｍである。図６ｂに見られるように、上記のプロセスにしたがって製造されるＡｌＮ核形成層は、より少ないピットを有し、１μｍ２あたり０〜１０個のピット、好ましくは１μｍ２あたり約０〜５個のピットがある完全な合体を示す。
【０１２４】
実験の詳細
前処理されたＳｉＣ基板のＸ線光電子分光（ＸＰＳ）特性評価はＭＡＸ国立シンクロトロン研究所にあるビームラインＩ３１１で行われた。表面内殻準位スペクトルを取得するのに１４０ｅＶおよび７５０ｅＶの光子エネルギでの１００ｍｅＶおよび３００ｍｅＶ未満の高エネルギ解像度をそれぞれ利用した。
【０１２５】
Ｘ線回折（ＸＲＤ）特性評価のために、ＡｌＮエピタキシャル層およびＧａＮエピタキシャル層の結晶品質の特性評価を行うのにλ＝０．１５４０６ｎｍのＣｕ  Ｋα１放射を用いる高解像度Ｘ線回折装置（フィリップスＸ’Ｐｅｒｔ  ＭＲＤ）を使用した。ＨＲ−ＸＲＤシステムは、１次光学部品および２次光学部品としてそれぞれハイブリッドミラーと３軸結晶とを備えており、〜０．００３°（〜１１ａｒｃｓｅｃ）の解像度を実現することができる。
【０１２６】
ＡｌＮについては、ＡｌＮ（００２）ピークおよび（１０５）ピークのロッキング曲線の半値全幅（ＦＷＨＭ）を対称回折ジオメトリと非対称回折ジオメトリとで測定した。ＧａＮについては、ＧａＮ（００２）ピークおよび（１０２）ピークのロッキング曲線のＦＷＨＭを対称形ジオメトリとｓｋｅｗ回折ジオメトリとで測定した。
【０１２７】
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によってＳｉＣ基板のＡｌＮエピタキシャル層の表面形態の特性評価を行った。ＡＦＭシステム（Ｖｅｃｃｏ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ  ３１００）をタッピングモードで使用した。システムにより垂直方向に沿った空間解像度０．３〜１Åと横方向に沿った空間解像度１〜５ｎｍとが可能になる。これらの解像度はシステムバックグラウンドノイズと、この研究で用いる５〜１０ｎｍの先端曲率半径とによってそれぞれ制限される。
【０１２８】
ＸＲＤ、ＸＰＳおよびＡＦＭによる特性評価はｅｘ  ｓｉｔｕで行った。
【図１】
2018509776.tif 000003
【図２】
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【図３ａ】
2018509776.tif 000005
【図３ｂ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【手続補正書】
【提出日】平成29年9月8日(2017.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣ基板と、
Ｉｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ１−ｘ１−ｙ１Ｎバッファ層であって、ｘ１＝０〜１、ｙ１＝０〜１かつｘ１＋ｙ１＝１、好ましくはｘ１＜０．０５かつｙ１＜０．５０、より好ましくはｘ１＜０．０３かつｙ１＜０．３０、最も好ましくはｘ１＜０．０１かつｙ１＜０．１０であるＩｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ１−ｘ１−ｙ１Ｎバッファ層と、
Ｉｎｘ２Ａｌｙ２Ｇａ１−ｘ２−ｙ２Ｎ核形成層であって、ｘ２＝０〜１、ｙ２＝０〜１かつｘ２＋ｙ２＝１、好ましくはｘ２＜０．０５かつｙ２＞０．５０、より好ましくはｘ２＜０．０３かつｙ２＞０．７０、最も好ましくはｘ２＜０．０１かつｙ２＞０．９０であり、前記ＳｉＣ基板と前記バッファ層とに挟まれるＩｎｘ２Ａｌｙ２Ｇａ１−ｘ２−ｙ２Ｎ核形成層と、
を備え、
前記バッファ層は、１〜４μｍ、好ましくは１．３〜３μｍ、最も好ましくは１．５〜２μｍの厚さを持ち、
前記核形成層は、１０〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜４０ｎｍの厚さを持ち、
前記バッファ層は、（１０２）ピークが２５０ａｒｃｓｅｃ未満のＦＷＨＭを持つロッキング曲線を示し、
前記核形成層は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）により測定する際に（１０５）ピークが２００ａｒｃｓｅｃ未満のＦＷＨＭを持つロッキング曲線を示す、
ことを特徴とする半導体デバイス構造。
【請求項２】
前記バッファ層はＧａＮである、請求項１に記載の半導体デバイス構造。
【請求項３】
前記核形成層はＡｌＮである、請求項１または２に記載の半導体デバイス構造。
【請求項４】
前記ＳｉＣポリタイプは４Ｈ、６Ｈまたは３Ｃである、請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体デバイス構造。
【請求項５】
前記ＳｉＣの表面は、Ｘ線光電子分光により測定する際に５％未満の酸素単層を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体デバイス構造。
【請求項６】
前記核形成層の形態は、１μｍ２あたり０〜１０個のピット、好ましくは１μｍ２あたり０〜８個のピット、最も好ましくは１μｍ２あたり０〜５個のピットがある完全な合体を有する、請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体デバイス構造。
【請求項７】
前記核形成層は、少なくとも１００ｎｍ以下の厚さで完全に歪み、前記核形成層の面内格子定数は、前記ＳｉＣ基板の面内格子定数と完全に同じであるか、＋／−０．１５％（好ましくは＋／−０．０５％または＋／−０．０２％）で完全に同じである、請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体デバイス構造。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体デバイス構造から形成される半導体デバイス。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体構造を備える高電子移動度トランジスタ。
【請求項１０】
ＳｉＣ基板を用意する工程と、
Ｉｎｘ２Ａｌｙ２Ｇａ１−ｘ２−ｙ２Ｎ核形成層を前記ＳｉＣ基板上に用意する工程であって、ｘ２＝０〜１、ｙ２＝０〜１、好ましくはｘ２＜０．０５かつｙ２＞０．５０、より好ましくはｘ２＜０．０３かつｙ２＞０．７０、最も好ましくはｘ２＜０．０１かつｙ２＞０．９０、かつｘ２＋ｙ２＝１である工程と、
Ｉｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ１−ｘ１−ｙ１Ｎバッファ層を用意する工程であって、ｘ１＝０〜１、ｙ１＝０〜１かつｘ１＋ｙ１＝１、好ましくはｘ１＜０．０５かつｙ１＜０．５０、より好ましくはｘ１＜０．０３かつｙ１＜０．３０、最も好ましくはｘ１＜０．０１かつｙ１＜０．１０である工程と、
を備え、
前記核形成層の成長時の圧力と、前記バッファ層の成長時の圧力とは、２００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、好ましくは１００ｍｂａｒ〜２０ｍｂａｒ、最も好ましくは６０ｍｂａｒ〜４０ｍｂａｒであり、
前記核形成層の成長時の開始温度は、８００℃〜１１５０℃であり、好ましくは９００℃〜１１００℃であり、最も好ましくは９５０℃〜１０５０℃であり、
前記核形成層の成長時の温度は、８００℃〜１１５０℃であり、好ましくは９００℃〜１１００℃であり、最も好ましくは９５０℃〜１０５０℃であり、
前記核形成層および前記バッファ層を有機金属気相堆積（ＭＯＣＶＤ）すなわち有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）により成長させる、
半導体デバイス構造を製造する方法において、
前記核形成層の成長時の温度は、２分〜２０分間、５〜２５℃／分で、好ましくは７〜２０℃／分で、最も好ましくは１０〜１５℃／分で上昇させられ、
前記バッファ層は、１〜４μｍ、好ましくは１．３〜３μｍ、最も好ましくは１．５〜２μｍの厚さまで設けられ、
前記核形成層は、１０〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜４０ｎｍの厚さまで設けられる、
ことを特徴とする半導体デバイス構造を製造する方法。
【請求項１１】
前記基板は、Ｈ２、ＨＣｌ、ＨＦ、ＨＢｒもしくはＳｉＦ４、Ｃｌ２またはＨ２とその他のいずれか１つとの組合せのようなエッチングガスによりｉｎ  ｓｉｔｕまたはｅｘ  ｓｉｔｕで前処理される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記圧力は、少なくとも１２５０℃の温度で、前処理時に、１００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、好ましくは６０ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、最も好ましくは３０ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒであるか、または、前記圧力は、少なくとも１４００℃の温度で、前処理時に、１０００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、好ましくは５００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、最も好ましくは２００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記エッチングガス、好ましくはＨ２は、２０〜３０ｌ／分の流量で提供され、かつ／または、ＨＣｌは、１００〜２００ｍｌ／分の流量で提供される、請求項１１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
ＭＯＣＶＤすなわちＭＯＶＰＥによる核形成成長のための前駆体の少なくとも１つは、Ａｌ２（ＣＨ３）６のような有機金属であり、その他はＮＨ３であり、好ましくは前記前駆体はＡｒ、Ｈ２またはＮ２のような少なくとも１つのキャリアガスにより用意される、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記核形成層の成長率は、ＭＯＣＶＤすなわちＭＯＶＰＥについて、１００ｎｍ／ｈ〜１０００ｎｍ／ｈ、好ましくは１５０ｎｍ／ｈ〜６００ｎｍ／ｈ、最も好ましくは２００ｎｍ／ｈ〜４００ｎｍ／ｈである、請求項１０から１４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月19日(2017.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣ基板と、
Ｉｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ１−ｘ１−ｙ１Ｎバッファ層であって、ｘ１＝０〜１、ｙ１＝０〜１かつｘ１＋ｙ１＝１、好ましくはｘ１＜０．０５かつｙ１＜０．５０、より好ましくはｘ１＜０．０３かつｙ１＜０．３０、最も好ましくはｘ１＜０．０１かつｙ１＜０．１０であるＩｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ１−ｘ１−ｙ１Ｎバッファ層と、
Ｉｎｘ２Ａｌｙ２Ｇａ１−ｘ２−ｙ２Ｎ核形成層であって、ｘ２＝０〜１、ｙ２＝０〜１かつｘ２＋ｙ２＝１、好ましくはｘ２＜０．０５かつｙ２＞０．５０、より好ましくはｘ２＜０．０３かつｙ２＞０．７０、最も好ましくはｘ２＜０．０１かつｙ２＞０．９０であり、前記ＳｉＣ基板と前記バッファ層とに挟まれるＩｎｘ２Ａｌｙ２Ｇａ１−ｘ２−ｙ２Ｎ核形成層と、
を備え、
前記バッファ層は、１〜４μｍ、好ましくは１．３〜３μｍ、最も好ましくは１．５〜２μｍの厚さを持ち、
前記核形成層は、１０〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜４０ｎｍの厚さを持ち、
前記バッファ層は、（１０２）ピークが２５０ａｒｃｓｅｃ未満のＦＷＨＭを持つロッキング曲線を示し、
前記核形成層は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）により測定する際に（１０５）ピークが２００ａｒｃｓｅｃ未満のＦＷＨＭを持つロッキング曲線を示す、
ことを特徴とする半導体デバイス構造。
【請求項２】
前記バッファ層はＧａＮである、請求項１に記載の半導体デバイス構造。
【請求項３】
前記核形成層はＡｌＮである、請求項１または２に記載の半導体デバイス構造。
【請求項４】
前記ＳｉＣポリタイプは４Ｈ、６Ｈまたは３Ｃである、請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体デバイス構造。
【請求項５】
前記ＳｉＣの表面は、Ｘ線光電子分光により測定する際に５％未満の酸素単層を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体デバイス構造。
【請求項６】
前記核形成層の形態は、１μｍ２あたり０〜１０個のピット、好ましくは１μｍ２あたり０〜８個のピット、最も好ましくは１μｍ２あたり０〜５個のピットがある完全な合体を有する、請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体デバイス構造。
【請求項７】
前記核形成層は、少なくとも１００ｎｍ以下の厚さで完全に歪み、前記核形成層の面内格子定数は、前記ＳｉＣ基板の面内格子定数と完全に同じであるか、＋／−０．１５％（好ましくは＋／−０．０５％または＋／−０．０２％）で完全に同じである、請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体デバイス構造。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体デバイス構造から形成される半導体デバイス。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体構造を備える高電子移動度トランジスタ。
【請求項１０】
ＳｉＣ基板を用意する工程と、
Ｉｎｘ２Ａｌｙ２Ｇａ１−ｘ２−ｙ２Ｎ核形成層を前記ＳｉＣ基板上に用意する工程であって、ｘ２＝０〜１、ｙ２＝０〜１、好ましくはｘ２＜０．０５かつｙ２＞０．５０、より好ましくはｘ２＜０．０３かつｙ２＞０．７０、最も好ましくはｘ２＜０．０１かつｙ２＞０．９０、かつｘ２＋ｙ２＝１である工程と、
Ｉｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ１−ｘ１−ｙ１Ｎバッファ層を用意する工程であって、ｘ１＝０〜１、ｙ１＝０〜１かつｘ１＋ｙ１＝１、好ましくはｘ１＜０．０５かつｙ１＜０．５０、より好ましくはｘ１＜０．０３かつｙ１＜０．３０、最も好ましくはｘ１＜０．０１かつｙ１＜０．１０である工程と、
を備え、
前記核形成層の成長時の圧力と、前記バッファ層の成長時の圧力とは、２００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、好ましくは１００ｍｂａｒ〜２０ｍｂａｒ、最も好ましくは６０ｍｂａｒ〜４０ｍｂａｒであり、
前記核形成層の成長時の開始温度は、８００℃〜１１５０℃であり、好ましくは９００℃〜１１００℃であり、最も好ましくは９５０℃〜１０５０℃であり、
前記核形成層の成長時の温度は、８００℃〜１１５０℃であり、好ましくは９００℃〜１１００℃であり、最も好ましくは９５０℃〜１０５０℃であり、
前記核形成層および前記バッファ層を有機金属気相堆積（ＭＯＣＶＤ）すなわち有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）により成長させる、
半導体デバイス構造を製造する方法において、
前記核形成層の成長時の温度は、２分〜２０分間、５〜２５℃／分で、好ましくは７〜２０℃／分で、最も好ましくは１０〜１５℃／分で上昇させられ、
前記バッファ層は、１〜４μｍ、好ましくは１．３〜３μｍ、最も好ましくは１．５〜２μｍの厚さまで設けられ、
前記核形成層は、１０〜１００ｎｍ、好ましくは１０〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜４０ｎｍの厚さまで設けられる、
ことを特徴とする半導体デバイス構造を製造する方法。
【請求項１１】
前記基板は、Ｈ２、ＨＣｌ、ＨＦ、ＨＢｒもしくはＳｉＦ４、Ｃｌ２またはＨ２とその他のいずれか１つとの組合せのようなエッチングガスによりｉｎ  ｓｉｔｕまたはｅｘ  ｓｉｔｕで前処理される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記圧力は、少なくとも１２５０℃の温度で、前処理時に、１００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、好ましくは６０ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、最も好ましくは３０ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒであるか、または、前記圧力は、少なくとも１４００℃の温度で、前処理時に、１０００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、好ましくは５００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒ、最も好ましくは２００ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記エッチングガス、好ましくはＨ２は、２０〜３０ｌ／分の流量で提供され、かつ／または、ＨＣｌは、１００〜２００ｍｌ／分の流量で提供される、請求項１１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
ＭＯＣＶＤすなわちＭＯＶＰＥによる核形成成長のための前駆体の少なくとも１つは、Ａｌ２（ＣＨ３）６のような有機金属であり、その他はＮＨ３であり、好ましくは前記前駆体はＡｒ、Ｈ２またはＮ２のような少なくとも１つのキャリアガスにより用意される、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記核形成層の成長率は、ＭＯＣＶＤすなわちＭＯＶＰＥについて、１００ｎｍ／ｈ〜１０００ｎｍ／ｈ、好ましくは１５０ｎｍ／ｈ〜６００ｎｍ／ｈ、最も好ましくは２００ｎｍ／ｈ〜４００ｎｍ／ｈである、請求項１０から１４のいずれか一項に記載の方法。
【国際調査報告】
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