(57)【要約】  処理チャンバ内で強化されたプラズマを提供することができる遠隔プラズマ源及び電子ビーム生成システムを有する改善されたコイルアンテナアセンブリを有する装置の実施形態。一実施形態では、プラズマ処理チャンバは、チャンバ本体と、チャンバ本体の内部容積を囲む蓋と、内部容積内に配置された基板支持体と、蓋を介してチャンバ本体に結合されたコイルアンテナアセンブリを含む二重誘導結合源と、蓋を介してチャンバ本体に結合された遠隔プラズマ源を含む。
2018530103.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理チャンバであって、
チャンバ本体と、
前記チャンバ本体の内部容積を囲む蓋と、
前記内部容積内に配置された基板支持体と、
前記蓋を介して前記チャンバ本体に結合されたコイルアンテナアセンブリを含む二重誘導結合源と、
前記蓋を介して前記チャンバ本体に結合された遠隔プラズマ源を含むプラズマ処理チャンバ。
【請求項２】
前記基板支持体に結合された二重バイアス電源を含む請求項１記載のチャンバ。
【請求項３】
前記二重バイアス電源は容量結合プラズマ源を含む請求項２記載のチャンバ。
【請求項４】
基板支持体に結合された形状バイアス源を含む請求項１記載のチャンバ。
【請求項５】
前記チャンバ本体の前記内部容積内に配置された電子ビーム発生システムを含む請求項１記載のチャンバ。
【請求項６】
前記電子ビームは、
電子ビーム発生源と、
前記内部容積内の前記電子ビーム発生源の反対側に対向して配置された電子ビームコレクタを含む請求項５記載のチャンバ。
【請求項７】
前記電子ビームコレクタに結合された電子コレクタ電圧源を含む請求項６記載のチャンバ。
【請求項８】
前記電子ビーム発生源に結合されたビーム電圧源を含む請求項６記載のチャンバ。
【請求項９】
基板支持体の周辺領域に外接する閉じ込めリングを含む請求項１記載のチャンバ。
【請求項１０】
前記閉じ込めリングの下方に配置され、前記閉じ込めリングに対して離間した関係を有し、前記基板支持体の周辺領域に外接するフィルタプレートを含む請求項９記載のチャンバ。
【請求項１１】
前記フィルタプレートは石英によって製造される請求項１０記載のチャンバ。
【請求項１２】
チャンバ本体の内壁上に形成されたライナを含む請求項１記載のチャンバ。
【請求項１３】
ＲＦフィードスルーを介して前記遠隔プラズマ源に結合された前記蓋の下に配置されたバッフルプレートを含む請求項１記載のチャンバ。
【請求項１４】
プラズマ処理チャンバであって、
チャンバ本体と、
前記チャンバ本体の内部容積を囲む蓋と、
前記内部容積内に配置された基板支持体と、
前記蓋を介して前記チャンバ本体に結合されたコイルアンテナアセンブリを含む二重誘導結合源と、
前記チャンバ本体の内壁の近傍で前記チャンバ本体の前記内部容積内に配置された電子ビーム発生システムを含むプラズマ処理チャンバ。
【請求項１５】
処理チャンバを操作するための方法であって、
前記処理チャンバ内に画定された内部容積内で処理チャンバ内に配置されたコイルアセンブリから形成される二重誘導結合プラズマ源からプラズマを発生させるステップと、
プラズマを発生させながら、前記処理チャンバの前記内部容積内で電子ビームを発生させるステップと、
内部で電子ビームを発生させながら、前記処理チャンバの前記内部容積内に分配されたプラズマに遠隔プラズマ源を導くステップを含む方法。
【発明の詳細な説明】
【背景】
【０００１】
（分野）
実施形態は、一般に、半導体基板処理システムの装置に関する。より具体的には、実施形態は、プラズマ処理システム用の遠隔プラズマ発生アセンブリ及び電子ビーム発生システムに関する。
【０００２】
（背景）
集積回路の製造においては、基板内での一貫した結果及び基板から基板の間での再現可能な結果を達成するために、様々なプロセスパラメータの精密な制御が必要である。半導体デバイスを形成するための構造の幾何学的限界が技術的限界に押し付けられるにつれ、より厳しい公差と正確なプロセス制御が製造の成功には不可欠である。しかし、幾何学的形状が縮小するにつれ、精密な限界寸法及びエッチングプロセスの制御が益々困難になってきている。
【０００３】
多くの半導体デバイスは、プラズマの存在下で処理される。プラズマは、誘導結合電力を用いてプラズマを形成するガスを励起する処理チャンバ内で容易に点火することができる。しかし、他のタイプの処理チャンバでのプラズマ点火は容易には開始できず、しばしば、チャンバ内のガスに点火するための電力のスパイクを必要とするかもしれない。残念なことに、このような電力スパイクは、しばしば、チャンバ構成要素に過度に高い温度発生をもたらし、チャンバ構成要素の耐用年数を減少させ、好ましくないことに処理チャンバ内に粒子を発生させ、好ましくないことに欠陥率に寄与する。
【０００４】
更に、プラズマ源又は点火の不安定な供給源は、また、イオン/ラジカル分布を不均一にし、処理環境内に形成されるイオン/ラジカル比及び濃度勾配をもたらす。イオン/ラジカル比及び濃度勾配は、望ましくないことに、基板に亘ってプラズマの不均一な分布を生じさせ、これによって、エッチング速度が不均一となり、結果として基板上に形成される結果物のオーバーエッチング又はアンダーエッチングを生じさせるかもしれない。また、堆積プロセスにおいては、不均一なプラズマ分布は膜プロファイルの歪み又は不完全な構造形成を生じさせるかもしれない。
【０００５】
従って、処理チャンバ内でのプラズマプロセス中にラジカル/イオン比及び分布プロファイルの制御を改善するための装置及び方法が必要とされている。
【概要】
【０００６】
実施形態は、概して、処理チャンバ内で強化されたプラズマ点火を提供することができる遠隔プラズマ源を備えた改良されたコイルアンテナアセンブリを提供する。更に、他の用途の中でも、エッチング、堆積、注入、及び熱処理システムにおいて利用することができるプラズマ分布及びイオン/ラジカル比制御を強化するために、処理チャンバ内に電子ビーム発生システムを実装することもできる。
【０００７】
一実施形態では、プラズマ処理チャンバは、チャンバ本体と、チャンバ本体の内部容積を囲む蓋と、内部容積内に配置された基板支持体と、蓋を介してチャンバ本体に結合されたコイルアンテナアセンブリを含む二重誘導結合源と、蓋を介してチャンバ本体に結合された遠隔プラズマ源を含む。
【０００８】
別の一実施形態では、プラズマ処理チャンバは、チャンバ本体と、チャンバ本体の内部容積を囲む蓋と、内部容積内に配置された基板支持体と、蓋を介してチャンバ本体に結合されたコイルアンテナアセンブリを含む二重誘導結合源と、チャンバ本体の内壁の近傍でチャンバ本体の内部容積内に配置された電子ビーム発生システムを含む。
【０００９】
更に別の一実施形態では、処理チャンバを操作するための方法は、処理チャンバ内に画定された内部容積内で処理チャンバ内に配置されたコイルアセンブリから形成される二重誘導結合プラズマ源からプラズマを発生させるステップと、プラズマを発生させながら、処理チャンバの内部容積内で電子ビームを発生させるステップと、内部で電子ビームを発生させながら、処理チャンバの内部容積内に分配されたプラズマに遠隔プラズマ源を導くステップを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
提供された実施形態の上述の構成が詳細に理解され得るように、上記で簡潔に要約された実施形態のより具体的な説明を、実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に示されている。しかしながら、添付図面は本明細書に記載されている典型的な実施形態のみを示しており、従って、その範囲を限定すると解釈されるべきではなく、他の同等に有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
【図１】一実施形態に係る遠隔プラズマ源を含む例示的な半導体基板処理装置の概略図である。
【図２】一実施形態に係る電子ビーム発生システムを含む例示的な半導体基板処理装置の概略図である。
【図３】一実施形態に係る電子ビーム発生システム及びプラズマ閉じ込めプレートを含む例示的な半導体基板処理装置の概略図である。
【００１１】
理解を容易にするために、図面に共通の同一の要素を示すために、可能な限り同一の参照番号が使用される。また、一実施形態の要素及び構成は、更なる説明なしに他の実施形態に有益に組み込むことができると考えられる。
【詳細な説明】
【００１２】
実施形態は、一般に、処理チャンバ内で強化されたプラズマ分布を提供することができる遠隔プラズマ源及び/又は電子ビーム発生システムを備えた改良された処理チャンバを提供する。遠隔プラズマ源及び電子ビーム発生システムは、プラズマ処理チャンバ内のプラズマ位置及び分布の制御を強化し、プラズマ位置の制御が望まれる用途の中でも、特に、エッチング、堆積、注入及び熱処理システムにおいて用いることができる。
【００１３】
図１は、遠隔プラズマ源１２０及びコイルアンテナアセンブリ１０４を含む例示的な半導体基板処理装置１００の概略図である。一実施形態では、図１の半導体基板処理装置１００は、半導体基板処理装置１００内に配置されたコイルアンテナアセンブリ１０４及び遠隔プラズマ源１２０によって発生されたＲＦ誘導結合プラズマを用いて反応性イオンエッチングプロセスを行うように構成することができる。また、コイルアンテナアセンブリ１０４ならびに遠隔プラズマ源１２０は、とりわけ、化学気相堆積チャンバ、物理気相堆積チャンバ、注入チャンバ、窒化チャンバ、プラズマアニーリングチャンバ、プラズマ処理チャンバ、及びアッシングチャンバを含む他のタイプのプラズマ処理チャンバに有益に利用され得ると理解される。従って、図１の例示的な半導体基板処理装置１００の実施形態は説明目的のために提供され、実施形態の範囲を限定するために使用されるべきではない。
【００１４】
半導体基板処理装置１００は、内部に処理領域２１を包囲する処理チャンバ１６を画定する蓋１２と円筒状の側壁１４を含むチャンバ本体１０を含む。蓋１２は、ＲＦ電力に対して透過性であり、蓋１２の上方に配置された二重誘導結合プラズマ源電力アプリケータ７１によって供給されるＲＦ電力が処理チャンバ１６内の処理ガスに結合することを可能にする。蓋１２は任意の適した材料から製造されることができ、図１に示される実施形態では、蓋１２は誘電材料（例えば、石英）から製造される。
【００１５】
蓋ヒータ６２は、処理チャンバ１６の外側で蓋１２上に配置される。図１には蓋ヒータ６２の一部のみが示されているが、蓋ヒータ６２は蓋１２の全体に亘って実質的に延び、実質的に覆う。蓋ヒータ６２は蓋１２の温度を制御して、蓋１２への副産物の堆積及び付着を制御し、粒子制御を強化する。蓋ヒータ６２は、抵抗性又は他の種類のヒータであってよく、図１に示される実施形態では、蓋ヒータ６２はヒータ電源６６に接続された抵抗加熱要素６４を含む。
【００１６】
処理チャンバ１６の内部には、バイアス電極２０を含む基板支持ペデスタル１８が設けられている。誘導結合プラズマ又は容量結合プラズマのいずれかの二重プラズマバイアス発生器２２、２３は、ＲＦバイアスインピーダンス整合器２４を介してバイアス電極２０に結合される。本明細書に示される実施形態は二重プラズマバイアス発生器を含むが、プラズマバイアス発生器の数及びタイプは任意の数又は任意の形態であってもよいことに留意すべきである。処理ガス供給源５１は、処理ガス分配装置５２を介して処理ガスを処理チャンバ１６内に供給し、処理ガス分配装置５２は、例えば、側壁１４（図示）又は蓋１２内に設けることができる。真空ポンプ５３は、ポンピングポート５４を介して処理チャンバ１６を排気する。
【００１７】
代替的に、二重プラズマバイアス発生器２２、２３は、必要に応じて、誘導結合バイアス源、容量結合バイアス源又は形状バイアス源を含む任意の適切なタイプのバイアス源であってもよいことに留意すべきである。
【００１８】
金属製のコイルアンテナエンクロージャ３０が蓋１２の上方に設けられており、ショルダーリング４０を支持する上端部３５ａを有する金属製の接地されたベース円筒形側壁３５と、ショルダーリング４０から延び、重ねられた導電性カバー５０を支持する導電性の上部円筒側壁４５を含む。導電性カバー５０と上部円筒側壁４５とは一体的に形成されてもよく、接地されてもよい。浮動支持プレート５５は、ショルダーリング４０上に、又は、ショルダーリング４０の少し上に配置され、以下に説明するように支持される。
【００１９】
二重誘導結合プラズマ源電力アプリケータ７１は、誘導結合プラズマを発生するように構成された半導体基板処理装置１００内に配置される。二重誘導結合プラズマ源電力アプリケータ７１は、コイルアンテナアセンブリ１０４と、これに結合された遠隔プラズマ源１２０を含む。コイルアンテナアセンブリ１０４は、支持プレート５５から下方に延びる２組のブラケット６０、６５によって支持プレート５５の下に支持される。コイルアンテナアセンブリ１０４は少なくとも１つのコイルアンテナを含み、図１に示される実施形態では、コイルアンテナアセンブリ１０４は１以上の内側コイルアンテナ７０と１以上の外側コイルアンテナ７５を含む。外側コイルアンテナ７５は、内側コイルアンテナ７０と同心であってもよい。ブラケット６０は内側コイルアンテナ７０を支持し、ブラケット６５はチャンバ蓋１２の上方で外側コイルアンテナ７５を支持する。コイルアンテナ７０、７５は螺旋構造を有してもよい。各コイルアンテナ７５、７０の第１の端部１９０、１９２は、ＲＦインピーダンス整合ボックス７６を介して二重又はそれ以上のＲＦ電力発生器７７、７８に結合され、各コイルアンテナ７５、７０の第２の端部１９４、１９６は接地される。これによって、コイルアンテナ７５、７０に亘って電圧降下が生じ、コイルアンテナ７５、７０の第１の端部１９０、１９２が第２の端部１９４、１９６に対してより高い電位を有する。
【００２０】
ＲＦインピーダンス整合ボックス７６は支持プレート５５上に位置する。第１のＲＦ電力発生器７７は、インピーダンス整合ボックス７６内のインピーダンス整合要素（図示せず）を介して内側コイルアンテナ７０に結合される。第２のＲＦ電力発生器７８は、インピーダンス整合ボックス７６内の他のインピーダンス整合要素（図示せず）を介して外側コイルアンテナ７５に結合される。二重ＲＦ電力発生器７７、７８は、処理中に処理チャンバ１６に強化されたプラズマ密度を提供することができる。
【００２１】
プラズマ処理の間、コイルアンテナアセンブリ１０４は、電力発生器７７、７８によって供給されるＲＦ電力で励起され、チャンバ本体１０の内部容積内で処理ガスから形成されたプラズマを維持する。
【００２２】
フレキシブルＲＦガスケット５７は、ショルダーリング４０と浮動支持プレート５５との間にＲＦシールド及び電気的連続性を提供する。ＲＦガスケット５７は環状銅メッシュであってもよく、以下に説明する支持サーボを収容するように中断されていてもよい。支持プレート５５は、ショルダーリング４０上に等間隔（１２０度）に配置された３個の支持サーボ８０、８５、９０によって支持される。支持サーボ８０、８５、９０は、一実施形態では同一である。
【００２３】
遠隔プラズマ源１２０は、ＲＦフィードスルー１２４を介して蓋１２に結合される。更に、ＲＦフィードスルー１２４は、内部に形成された複数の開口部１２６を有するバッフルに結合され、遠隔プラズマ源からのイオン/ラジカルがバッフルプレート１２６を介して処理チャンバまで通過するのを可能にしている。プラズマは遠隔プラズマ源１２０から離れて発生され、その後、処理のためにバッフルプレート１２６を介して処理チャンバ１６内に供給されることができる。バッフルプレート１２６は、基板支持ペデスタル１８の上面に平行であり、直面している。
【００２４】
一例では、バッフルプレート１２６は回転可能であってもよく、これによって、通過するガス又は遠隔プラズマをより良好な均一性で分布させるのを援助することができる。バッフルプレート１２６は、必要に応じて任意の速度で時計回り又は反時計回りに回転させることができる
【００２５】
遠隔プラズマ源１２０は、二重ＩＣＰ源７７、７８と共に、処理のために処理チャンバ１６内に分配されたプラズマ内に形成されたイオン及びラジカルを効率的に制御することができる。
【００２６】
ライナ１５２はチャンバ本体１０の内壁１７上に形成され、間に配置された閉じ込めリング１５４によって架け渡される基板支持ペデスタル１８の側面１９まで延在している。ライナ１５２はチャンバ本体１０及び処理チャンバ１６を所望の温度範囲に維持するのに役立つ。更に、ライナ１５２はチャンバ本体１０の内壁１７に対する保護を提供することもでき、これによって、処理中にチャンバ構成要素がプラズマ攻撃を受けるのを防ぐことができる。一実施形態では、ライナ１５２は、処理チャンバ１６内で発生されるプラズマに対して不活性な任意の絶縁材料によって形成されることができる。ライナ１５２に適した材料は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、陽極酸化アルミニウム、イットリウムコーティング材料、又は任意の適した材料を含む。
【００２７】
更に、閉じ込めリング１５４はまた、基板支持ペデスタル１８の周辺領域を包囲する処理チャンバ１６内に配置されてもよい。閉じ込めリング１５４は、チャンバ本体１０の内壁１７に形成されたライナ１５４と基板支持ペデステル１８の側面１９の間に架け渡される。閉じ込めリング１５４は、プラズマ又はガスを通過させることを可能にする複数のスロット１５６を含む。閉じ込めリング１５４内のスロット１５６は、処理ガス混合物を通過させ、処理チャンバ１６に亘って流動抵抗を減少させることを可能にする。プラズマ中の中性物質はスロット１５６を通過させ、真空ポンプ５３を介して処理チャンバ１６から排出されるように構成される。
【００２８】
閉じ込めリング１５４は、良好なプラズマ閉じ込めを提供し、処理チャンバ１６に亘る流動抵抗を減少させる。閉じ込めリング１５４は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）又はアルミニウム（Ａｌ）のような導電性材料で形成されてもよい。閉じ込めリング１５４が良好な流動コンダクタンスを提供すると共に、チャンバ本体１０の内壁１７及び基板支持ペデスタル１８の側面１９に耐える閉じ込めリングが良好な機械的強度を提供するために、閉じ込めリング１５４内のスロット１５６以外の構造及び異なる機械的強度を有する材料が用いられてもよい。
【００２９】
制御信号ケーブル１７０は、図１の半導体基板処理装置１００の中央コントローラ１７５からの電気制御信号及び電力を供給する。中央コントローラ１７５は、３個のサポートサーボ８０、８５、９０の各々を制御する。ショルダーリング４０の周りに等間隔で３つの支持サーボ８０、８５、９０を設けることにより、コントローラ１７５は、処理チャンバ１６の対称軸に対して任意の方位角０に沿って配向された任意の傾斜軸の周りで浮動支持プレート５５を回転させることができる。
【００３０】
図２は、処理チャンバ１６内に配置された電子ビーム発生システム２３０を備えた半導体基板処理装置２００の別の実施形態の概略図である。電子ビーム発生システム２３０がチャンバ本体１０の内壁１７の周囲に配置される。電子ビーム発生システム２３０は、チャンバ本体１０の内壁１７に隣接して配置された電子ビーム発生源２３１を含む。電子ビーム源ガス供給源２０２が電子ビーム発生源２３１にガスを供給するように構成された電子ビーム発生源２３１に接続され、処理中に処理領域２１に電子ビームプラズマを発生させる。
【００３１】
電子ビーム発生源２３１は、プロファイル抽出グリッド２２２と、抽出グリッド２２２とチャンバ本体１０の内壁１７との間の処理領域２１に配置された加速グリッド２２４とを含む。プロファイル抽出グリッド２２２と加速グリッド２２４は、例えば、貫通して形成された開口又は穴を有する別個の導電性シート、又は、メッシュとして形成されてもよい。一例では、電子ビーム発生源２３１は、電子ビームを処理領域２１に横方向に流入させるための薄いワイド電子ビーム流路２０８（即ち、ｙ方向に薄く、ｚ方向に広い）を画定する。
【００３２】
更に、電子ビーム発生システム２３０は、発生された電子ビームの方向（例えば、ｘ方向）と平行な磁場を発生するため、電子ビーム発生源２３１に整列された一対の電磁石（図示せず）を含む。電子ビーム発生源２３１は、他のタイプの電源を含む任意の適切な方法で電子ビームを発生することができることに留意すべきである。発生される電子ビームは、処理領域２１で発生されるプラズマ電子密度を高めることができる。電子ビームは、基板支持ペデストル１８上に配置された基板２４０の上方で、流路２０８によって示されるように、処理領域２１を横切って、ｘ方向に横方向に流れる。
【００３３】
その後、基板２４０の上方を通過した電子ビームは、電子ビーム発生源２３１に対して処理領域２１の反対で電子ビームコレクタ２３５によって吸収され、集められる。電子ビームコレクタ２３５は、経路２０８に沿った電子ビームの幅の広い薄い経路を捕捉するように適合された形状及びサイズを有する導電体である。電子ビームコレクタ２３５は、接地等の選択された電位で保持されてもよい。電子コレクタ電圧源２３７は、電子ビームコレクタ２３５に接続され、電子ビーム発生源２３１から電子を引き寄せる際に電子ビームコレクタ２３５に電圧を供給するように構成される。
【００３４】
処理チャンバ１６の電子ビーム発生源サイドに戻って、ビーム電圧供給源２１０が電子ビーム発生源２３１に接続され、電子ビーム発生システム２３０を開くときに電圧を供給する。電子は抽出グリッド２２２及び加速グリッド２２４を介して電子ビーム発生システム２３０から抽出され、処理領域２１に流れ込む電子ビームを発生する。電子はビーム電圧供給源２１０によって供給される電圧に等しいエネルギーまで加速される。
【００３５】
電子ビーム発生源２３から発生した電子ビームは、処理ガス供給源２０２から供給された処理ガス及び遠隔プラズマ源１２０及びティーガス処理供給源５１から処理領域２１までのプラズマをイオン化し、処理領域２１内で電子ビームプラズマを形成する。電子ビームプラズマは、異なる電荷を有するイオンを含む。荷電されたイオンは、ＲＦバイアス電源２２、２３からのバイアス電力の結果として基板２４０に向かって加速されることができる。その後、荷電したイオンは、基板２４０上に配置された材料層と反応し、エッチングされ、基板２４０上のパターン化されたフォトレジストより露光された材料層が除去される。
【００３６】
図３は、閉じ込めリング１５４の下に配置された追加のフィルタプレート３２０を備えた半導体基板処理装置３００の更に別の実施形態を示す。閉じ込めリング１５４の下に配置されたフィルタプレート３０２は、閉じ込めリングを通過するポンピングポート５４までの不均衡な流れを補償するのに役立つ。フィルタプレート３０２は、基板支持ペデスタル１８の周辺領域を包囲する閉じ込めリング１５４に対して離間した関係で配置されてもよい。フィルタプレート３０２は、また、閉じ込めリング１５４に形成されたスロット１５６に整列された複数のスロット３０４を含むことができ、これによって、処理領域２１からのガスがポンピングポート５４を通過することを可能にする。
【００３７】
一例では、フィルタプレート３０２は、フィルタプレート３０２の異なる位置/領域に形成されたスロット３０４と異なる分布を有することができる。ポンピングポート５４は処理チャンバ１０の特定のサイドに形成されるので、ポンピングポート５４が配置された処理チャンバ１０の特定のサイドを通過するフローが強化される。その結果、不均衡なガスのフローは、エッチングプロセスの間、処理領域２１における不均一なエッチング速度につながることが多い。したがって、フィルタプレート３０２にスロット３０４の幾何学的形状の異なるサイズ、直径を形成することによって、そこを通過する不均一なガス流が均一化され、エッチングプロセスの間、基板表面に亘って、ガスフロー分布及び／又はプラズマ分布を改善することが可能になる。
【００３８】
一実施形態では、フィルタプレート３０２は、石英材料又は任意の適切なプラズマ耐性材料によって製造することができる。ポンピングポート５４に近いフィルタプレート３０２の第１の領域のスロット３０４の密度は、ポンピングポート５４から離れたフィルタプレート３０２の第２の領域のスロット３０４の密度より小さく、これによって、処理領域２１からフィルタプレート３０２の第１の領域から直接に到達したガス流/プラズマ流のポンピング速度を効率的に低下させることが可能になる。フィルタプレート３０２に形成されたスロット３０４は、任意の形状（例えば、孔、開口部、正方形の開口部、又は異なる幾何学的形状を有する任意の適切な開口部）であってもよい。
【００３９】
従って、処理チャンバ内で遠隔プラズマ源、電子ビーム発生システム及び/又は任意で追加のフィルタプレート３０２を利用することによって、プラズマ中のイオン密度、イオン分布、イオン/中性物質/ラジカル比を効率的に制御することができ、これによって、エッチング効率及び性能を向上させることが可能になる。プラズマ及びプラズマ内で発生されたイオン/中性物質/ラジカル比が、より望ましい位置に配置され、十分な電力密度でより良好に管理され得るので、より均一で予測可能な処理要求が実現され得る。
【００４０】
上記は本明細書に記載された実施形態を対象としているが、他の及び更なる実施形態がその基本的な範囲から逸脱することなく創作されてもよく、その範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる
【図１】
2018530103.tif 000003
【図２】
2018530103.tif 000004
【図３】
2018530103.tif 000005
【国際調査報告】
2018530103.tif 000006
2018530103.tif 000007
2018530103.tif 000008