(57)【要約】  複数のループを有するインダクタと、そのようなインダクタがその上に集積される半導体デバイスとが提案される。一態様において、半導体デバイスは、基板上のダイと、ダイ上のインダクタとを含むことができ、インダクタはダイの上方に複数の非平面ループを有するワイヤを含む。別の態様において、半導体デバイスは、基板上においてダイ上の複数のポストと、ダイ上のインダクタとを含むことができる。インダクタは、インダクタが複数の非平面ループを含むように、複数のポストの周りにループ状に巻かれるワイヤを含むことができる。
2018538685.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上のダイと、
前記ダイ上のインダクタとを備え、
前記インダクタは前記ダイの上方に複数の非平面ループを有するワイヤを含む、半導体デバイス。
【請求項２】
前記インダクタは空芯を有する、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記ダイ上にあり、前記インダクタを包囲するキャップをさらに備える、請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記キャップの内部が前記インダクタ以外で満たされない、請求項３に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記ダイ上にモールドをさらに備え、前記モールドは前記インダクタを封入する、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記ダイ上にポストをさらに備え、前記インダクタは前記ポストの周りにループ状に巻かれる、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記ダイ上に複数のポストをさらに備え、前記インダクタは前記複数のポストの周りにループ状に巻かれる、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記インダクタは、前記複数のポストの任意の個別のポストの周りに完全には巻きつかない、請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記インダクタの少なくとも１つのループは、前記複数のポストの任意の個別のポストの周りに完全には巻きつかない、請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記複数のポストは第１のポストおよび第２のポストを含み、
前記ワイヤは、前記第１のポストおよび前記第２のポストの周りに８の字形にループ状に巻かれる、請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記複数のポストは第１の複数のポストを含み、前記ワイヤは第１のワイヤであり、前記インダクタは第１のインダクタであり、
前記複数のポストは第２の複数のポストも含み、
前記半導体デバイスはさらに、前記ダイ上に第２のインダクタを備え、前記第２のインダクタは、前記第２の複数のポストの周りにループ状に巻かれる第２のワイヤを備え、前記第２のインダクタは前記ダイの上方に複数の非平面ループを有する、請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
前記第１のインダクタは前記第２のインダクタと垂直に交差する、請求項１１に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
前記第１のインダクタは前記第２のインダクタの内側にある、請求項１１に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記ダイ上にコンタクトをさらに備え、
前記コンタクトは、前記ダイの入力ピン、出力ピン、電源ピンおよび接地ピンのうちの１つに電気的に結合されるように構成され、
前記インダクタは前記コンタクトを包囲する、請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記ダイ上に第１のボンドパッドおよび第２のボンドパッドをさらに備え、
前記ワイヤの第１の端部および第２の端部はそれぞれ、第１のボンドパッドおよび第２のボンドパッドにおいて終端する、請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
前記複数のポストが導電性ポストであり、前記ワイヤが絶縁ワイヤであるか、または
前記複数のポストが非導電性ポストであり、前記ワイヤが非絶縁ワイヤである、請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項１７】
基板上にダイを設けるステップと、
前記ダイ上にインダクタを形成するステップとを含み、
前記インダクタを形成するステップは、前記インダクタが前記ダイの上方に複数の非平面ループを含むように、ワイヤをループ状に巻くステップを含む、半導体デバイスを製造する方法。
【請求項１８】
前記インダクタを形成するステップは、前記インダクタが空芯を有するように前記ワイヤをループ状に巻くステップを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記インダクタを前記ダイ上のキャップで包囲するステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記インダクタを前記ダイ上のモールドで封入するステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記ダイ上にポストを形成するステップをさらに含み、
前記インダクタを形成するステップは、前記ポストの周りに前記ワイヤをループ状に巻くステップを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記ダイ上に複数のポストを形成するステップをさらに含み、
前記インダクタを形成するステップは、前記複数のポストの周りに前記ワイヤをループ状に巻くステップを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
前記インダクタを形成するステップは、前記インダクタのうちの少なくとも１つのループが前記複数のポストの任意の個別のポストに完全には巻きつかないように、前記複数のポストの周りに前記ワイヤをループ状に巻くステップを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記複数のポストを形成するステップは、第１のポストおよび第２のポストを形成するステップを含み、
前記インダクタを形成するステップは、前記第１のポストおよび前記第２のポストの周りに８の字形に前記ワイヤをループ状に巻くステップを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記複数のポストは第１の複数のポストを含み、前記ワイヤは第１のワイヤであり、前記インダクタは第１のインダクタであり、
前記複数のポストは第２の複数のポストも含み、
前記方法はさらに、第２のインダクタが前記ダイの上方に複数の非平面ループを含むように、前記第２の複数のポストの周りに第２のワイヤをループ状に巻くことによって、前記ダイ上に前記第２のインダクタを形成するステップを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記第２のインダクタを形成するステップは、前記第１のインダクタと垂直に交差するように前記第２のインダクタを形成するステップを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記ダイ上に、前記ダイの入力ピン、出力ピン、電源ピンおよび接地ピンのうちの１つに電気的に結合されるコンタクトを形成するステップをさらに含み、
前記インダクタを形成するステップは、前記コンタクトを包囲するように前記インダクタを形成するステップを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２８】
基板と、
前記基板上のダイと、
前記ダイ上のインダクタと、
前記ダイ上で前記インダクタを終端させるための手段とを備え、
前記インダクタは前記ダイの上方に複数の非平面ループを有するワイヤを含む、半導体デバイス。
【請求項２９】
前記ダイ上に複数のポストをさらに備え、
前記インダクタは前記複数のポストの周りにループ状に巻かれ、
前記インダクタの少なくとも１つのループは、前記複数のポストの任意の個別のポストに完全には巻きつかない、請求項２８に記載の半導体デバイス。
【請求項３０】
前記複数のポストは第１の複数のポストを含み、前記ワイヤは第１のワイヤであり、前記インダクタは第１のインダクタであり、
前記複数のポストは第２の複数のポストも含み、
前記半導体デバイスはさらに、前記ダイ上に第２のインダクタを備え、前記第２のインダクタは、前記第２の複数のポストの周りにループ状に巻かれる第２のワイヤを備え、前記第２のインダクタは前記ダイの上方に複数の非平面ループを有する、請求項２９に記載の半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本特許出願は、本出願の譲受人に譲渡され、その全体が参照により本明細書に明確に組み込まれる、２０１５年１１月８日に出願された「ＳＯＬＥＮＯＩＤ  ＩＮＤＵＣＴＯＲ  ＷＩＴＨ  ＡＩＲ  ＣＯＲＥ」と題する仮特許出願第６２／２５２，５６７号の恩典を主張する。
【０００２】
本開示の１つまたは複数の態様は、包括的にはインダクタに関し、詳細には、ダイ上のソレノイドインダクタに関する。
【背景技術】
【０００３】
既存の薄膜プロセスは、高性能向けの３Ｄインダクタを作り出すのに不十分である。たとえば、図１に示される従来の近距離無線通信（ＮＦＣ）アンテナ１００は、基本的にはインダクタであり、そのサイズは５０ｍｍ×８５ｍｍ（４，２５０ｍｍ２）である。スマートフォンおよび他のモバイルデバイスのような適用例の場合、これは著しい量の表面積を表す。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
この発明の概要は、いくつかの例示的な態様の特徴を特定するものであり、開示される主題の排他的または包括的な説明ではない。特徴または態様がこの発明の概要に含まれるか、この発明の概要から省略されるかは、そのような特徴の相対的重要性を示すことを意図するものではない。以下の詳細な説明を読み、その一部を形成する図面を見ることによって、さらなる特徴および態様が記載され、当業者に明らかになるであろう。
【０００５】
第１の態様は半導体デバイスに向けることができる。その半導体デバイスは、基板と、基板上のダイと、ダイ上のインダクタとを備えることができる。インダクタは、ダイの上方に複数の非平面ループを有するワイヤを備えることができる。
【０００６】
第２の態様は、半導体デバイスを形成する方法に向けることができる。その方法は、基板を設けることと、基板上にダイを設けることと、ダイ上にインダクタを形成することとを含むことができる。インダクタを形成することは、インダクタがダイの上方に複数の非平面ループを含むように、ワイヤをループ状に巻くことを含むことができる。
【０００７】
第３の態様は、半導体デバイスに向けることができる。その半導体デバイスは、基板と、基板上のダイと、ダイ上のインダクタと、同じくダイ上にあるインダクタを終端するための手段とを備えることができる。インダクタは、ダイの上方に複数の非平面ループを有するワイヤを備えることができる。
【０００８】
添付の図面は、開示される実施形態の説明を助けるために提示され、実施形態の限定ではなく実施形態の例示のために提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】従来の近距離無線通信アンテナを示す図である。
【図２】インダクタの例示的な実施形態を示す図である。
【図３Ａ】１つまたは複数のオンチップインダクタを備えるデバイスを製造する例示的方法の段階を示す図である。
【図３Ｂ】１つまたは複数のオンチップインダクタを備えるデバイスを製造する例示的方法の段階を示す図である。
【図３Ｃ】１つまたは複数のオンチップインダクタを備えるデバイスを製造する例示的方法の段階を示す図である。
【図３Ｄ】１つまたは複数のオンチップインダクタを備えるデバイスを製造する例示的方法の段階を示す図である。
【図３Ｅ】１つまたは複数のオンチップインダクタを備えるデバイスを製造する例示的方法の段階を示す図である。
【図３Ｆ】１つまたは複数のオンチップインダクタを備えるデバイスを製造する例示的方法の段階を示す図である。
【図４Ａ】複数のポストを用いて形成されたインダクタの例示的実施形態を示す図である。
【図４Ｂ】複数のポストを用いて形成されたインダクタの例示的実施形態を示す図である。
【図５Ａ】複数のポストを用いてダイ上に形成されたインダクタを備えるデバイスを製造する例示的方法の段階を示す図である。
【図５Ｂ】複数のポストを用いてダイ上に形成されたインダクタを備えるデバイスを製造する例示的方法の段階を示す図である。
【図５Ｃ】複数のポストを用いてダイ上に形成されたインダクタを備えるデバイスを製造する例示的方法の段階を示す図である。
【図５Ｄ】複数のポストを用いてダイ上に形成されたインダクタを備えるデバイスを製造する例示的方法の段階を示す図である。
【図５Ｅ】複数のポストを用いてダイ上に形成されたインダクタを備えるデバイスを製造する例示的方法の段階を示す図である。
【図６Ａ】複数のポストを用いて形成されたインダクタのさらなる例示的実施形態を示す図である。
【図６Ｂ】複数のポストを用いて形成されたインダクタのさらなる例示的実施形態を示す図である。
【図６Ｃ】複数のポストを用いて形成されたインダクタのさらなる例示的実施形態を示す図である。
【図６Ｄ】複数のポストを用いて形成されたインダクタのさらなる例示的実施形態を示す図である。
【図７Ａ】交差するインダクタを備える半導体デバイスを製造する例示的プロセスの段階を示す図である。
【図７Ｂ】交差するインダクタを備える半導体デバイスを製造する例示的プロセスの段階を示す図である。
【図７Ｃ】交差するインダクタを備える半導体デバイスを製造する例示的プロセスの段階を示す図である。
【図７Ｄ】交差するインダクタを備える半導体デバイスを製造する例示的プロセスの段階を示す図である。
【図７Ｅ】交差するインダクタを備える半導体デバイスを製造する例示的プロセスの段階を示す図である。
【図７Ｆ】交差するインダクタを備える半導体デバイスを製造する例示的プロセスの段階を示す図である。
【図８】デバイスを製造する例示的方法の流れ図である。
【図９】その中にインダクタが集積されたデバイスを備えるデバイスの例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本開示の１つまたは複数の態様の具体的な実施形態に向けられる以下の説明および関連する図面において態様が開示される。検討の範囲から逸脱することなく、代替の実施形態を考案することができる。さらに、関連する詳細を不明瞭にしないように、よく知られている要素は詳細には説明されないか、または省略される。
【００１１】
「例示的」という語は、本明細書において「一例、事例、または例示としての働きをすること」を意味するために使用される。「例示的」として本明細書で説明するいかなる実施形態も、他の実施形態よりも好ましいか、または有利であると必ずしも解釈されるべきでない。同様に、「実施形態」という用語は、開示される主題のすべての実施形態が、論じられる特徴、利点、または動作モードを含むことを必要とするわけではない。
【００１２】
本明細書において使用される用語は、特定の実施形態について説明するためのものにすぎず、限定を意図するものではない。本明細書において使用されるときに、単数形「１つの（ａ、ａｎ）」、および「その（ｔｈｅ）」は、文脈が別段明確に示さない限り、複数形も含むものとする。さらに、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ、ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、および／または「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ、ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という用語は、本明細書において使用されるときに、述べられた特徴、整数、ステップ、動作、要素、および／または構成要素の存在を明示するが、１つまたは複数の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、構成要素、および／またはそれらのグループの存在または追加を排除しないことはさらに理解されよう。
【００１３】
さらに、多くの実施形態は、たとえば、コンピューティングデバイスの要素によって実行される動作のシーケンスの観点から説明される。本明細書において説明される様々な動作は、特定の回路（たとえば、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ））によって、１つまたは複数のプロセッサによって実行されるプログラム命令によって、または両方の組合せによって実行できることは認識されよう。加えて、本明細書において説明されるこれらの動作のシーケンスは、実行されると、関連するプロセッサに本明細書において説明される機能を実行させる、対応するコンピュータ命令のセットを記憶した任意の形態のコンピュータ可読記憶媒体内において完全に具現されるものと見なすことができる。したがって、種々の態様は、すべてが請求される主題の範囲内に入ると考えられるいくつかの異なる形で具現化することができる。さらに、本明細書において説明される実施形態の各々について、任意のそのような実施形態の対応する形態が、たとえば、記載の動作を実行するように「構成されたロジック」として説明される場合がある。
【００１４】
先に示されたように、インダクタオンチップ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ−ｏｎ−ｃｈｉｐ）技術の現状には複数の制約がある。従来の薄膜プロセスは、高性能向けの３Ｄインダクタを作り出すことができない。しかしながら、１つまたは複数の態様において、従来のオンチップインダクタのいくつかまたはすべての制約を緩和するソレノイド型のオンチップインダクタが提案される。
【００１５】
図２は、ソレノイドインダクタのような３Ｄインダクタの非限定的な例示的実施形態を示す。この図において、基板２０５（たとえば、ＰＣＢ）上のチップまたはダイ２１０上に２つのインダクタを備えるデバイス２００（たとえば、半導体デバイス）が示される。左側にあるインダクタ２５０は、ポスト２２０の周りに巻回されるか、またはループ状に巻かれるワイヤ２４０を備えることができる。ワイヤ２４０の端部はボンドパッド２３０上で終端する。ボンドパッド２３０は、インダクタを終端するための手段の例とすることができる。右側にあるインダクタ２５０は、いかなるポスト２２０も包囲しないループ状に巻かれたワイヤ２４０を備えることができ、すなわち、右側のインダクタ２５０は空芯を有することができる。
【００１６】
インダクタ２５０ごとに、ワイヤ２４０は垂直にループ状に巻かれることが好ましく、すなわち、インダクタ２５０は複数の非平面ループを有することができる。これは、図１に示されるＮＦＣアンテナのような従来のインダクタループの表面実装ループとは異なる。従来のアンテナ１００のループはすべて単一の平面上にあることに留意されたい。しかしながら、図２の各インダクタ２５０は、第１のループおよび第２のループを含む複数の非平面ループを備えることができ、第１のループは第２のループと同じ平面上にない。また、第１のループおよび第２のループは少なくとも部分的に互いに垂直に重なり合うことができる。ワイヤ２４０の端部はボンドパッド２３０上で終端することができる。利点の非包括的リストは以下を含む。
・磁界内の損失の削減。
・非常に高いインダクタ性能。
・垂直方向の磁界がダイ上または基板上の他のインダクタとの結合を制限する。
・ダイ上でインダクタンスを調整することができる。
【００１７】
図３Ａ〜図３Ｆは、チップまたはダイ上に１つまたは複数のインダクタを備える半導体デバイスを製造する非限定的な例示的方法の段階の側面図を示す。可能な場合には、図２と図３Ａ〜図３Ｆとの間の相関がより明らかにされるように、図２の要素の番号付与が引き継がれることになる。図３Ａにおいて見られるように、１つまたは複数のボンドパッド２３０をダイ２１０上に形成することができる。ボンドパッド２３０は、導電性であり、インダクタ２５０の終端点としての役割を果たすと仮定することができる（図３Ｃを参照）。また、ボンドパッド２３０は、ダイ２１０の回路（図示せず）に電気的に結合することができる。
【００１８】
図３Ｂにおいて見られるように、１つまたは複数のポスト２２０をダイ２１０上に形成することができる。ポスト２２０は導電性、または非導電性とすることができる。また、ポスト２２０は、透磁性材料から形成することができる。その後、図３Ｃにおいて見られるように、ポスト２２０の周りにワイヤ２４０をループ状に巻くことによって、ダイ２１０上に１つまたは複数のインダクタ２５０を形成することができる。インダクタ２５０はそれぞれ、複数の非平面ループを備えることができる。ポスト２２０は、ワイヤ２４０をループ状に巻くか、または巻回することができるガイドとしての役割を果たすことができる。インダクタ２５０ごとに、対応するワイヤ２４０の２つの端部が異なるボンドパッド２３０において終端することに留意されたい。ワイヤ２４０は絶縁または非絶縁とすることができる。ポスト２２０が導電性である場合には、絶縁ワイヤ２４０が好ましい。ポスト２２０が非導電性である場合には、非絶縁ワイヤ２４０を使用することができる。当然、非導電性ポスト２２０の周りに絶縁ワイヤ２４０を巻回することも可能である。
【００１９】
図３Ｃに示されるインダクタ２５０は、いくつかの適用例の場合に満足を与える場合がある。言い換えると、半導体デバイス２００の製造は、この段階において中止することができる（図２内の左側のインダクタ２５０と同等である）。しかしながら、その製造は図３Ｄに示される段階に進むことができる。この段階において、インダクタ２５０が空芯を有するように、ポスト２２０を除去することができる。図３Ｄの空芯を有するインダクタ２５０は、ポスト２２０を備える図３Ｃのインダクタより優れた改善された性能を提供することができる。ループに起因して磁界が垂直になる（最も右側にあるインダクタ内の矢印によって示される）ことに留意されたい。垂直に向けられた磁界は図３Ｃにも当てはまる。これは、ダイ２１０上でのインダクタ２５０間の結合を制限するのに役に立つ。図３Ｄは、すべてのポスト２２０が除去される例を示すが、これは必要条件ではない。すなわち、１つまたは複数のポスト２２０が留まることができる。
【００２０】
その製造は、図３Ｄに示される段階において中止することもできる。しかし、図３Ｅにおいて見られるように、その製造は、さらに保護するためにインダクタ２５０がキャップ３７０で覆われる段階に進むことができる。一態様において、キャップ３７０は、キャップ３７０の内部がインダクタ２５０以外で満たされないように、インダクタ２５０を単に包囲することができる。別の態様では、インダクタ２５０をキャップ３７０で包囲する代わりに、その製造は、図３Ｆにおいて見られるように、モールド３６０で封入することによってインダクタ２５０を保護することができる段階に進むことができる。
【００２１】
図示されないが、様々なインダクタの組合せが可能である。たとえば、複数のインダクタ２５０が存在するとき、ポスト２２０を備えるインダクタ２５０およびポスト２２０を備えないインダクタ２５０の組合せが存在することができる。別の例として、いくつかのインダクタ２５０はキャップ３７０で覆うことができ、いくつかはモールド３６０で封入することができ、その一方、他のインダクタはいずれも有しない場合がある。また、インダクタ２５０は、表面実装型の平面ループを備える従来のインダクタとは異なることを強調したい。たとえば、インダクタ２５０のループは異なる平面上に存在することができる。また、ループが少なくとも部分的に垂直に重なり合うことができる。すなわち、インダクタ２５０の１つのループが同じインダクタ２５０の別のループの完全に内側にある必要はない。
【００２２】
図２および図３Ａ〜図３Ｆにおいて、各インダクタ２５０は、単一のポスト２２０の周りにワイヤ２４０をループ状に何度も巻くことによって形成されるものとして示される。しかしながら、他のインダクタは、複数の（２つ以上の）ポストの周りにワイヤをループ状に巻くことによって形成することができる。図４Ａ〜図４Ｂは、インダクタが複数のポストを用いて形成される場合がある３Ｄインダクタの非限定的な例示的実施形態を示す。図４Ａにおいて、半導体デバイス４００は、基板上のダイ４１０（基板は図示されない）と、ダイ４１０上の複数のポスト４２０と、ダイ４１０上に形成される１つまたは複数のインダクタ４５０とを備えることができる。少なくとも１つのインダクタ４５０が、複数のポスト４２０の周りにループ状に巻かれたワイヤ４４０を備えることができる。
【００２３】
この特定の事例において、左側にあるインダクタ４５０が説明される。図示されるように、インダクタ４５０は、２つのポスト４２０の周りにループ状に巻かれたワイヤ４４０を備えることができる。図示されるように、ワイヤ４４０は、ポスト４２０の周りにループ状に何度も巻くことができる。また、インダクタ４５０の複数のループは非平面的とすることができる。インダクタ４５０の２つの端部、すなわち、対応するワイヤ４４０の２つの端部は、２つのボンドパッド４３０、すなわち、第１のボンドパッド４３０−１および第２のボンドパッド４３０−２において終端することができる。インダクタ４５０は、モールド４６０で封入することができる。
【００２４】
図４Ｂは、複数のポスト４２０を用いて形成されるインダクタ４５０を備えるデバイス４００の別の実施形態を示す。図４Ｂのデバイスは、図４Ａのデバイスに類似である。しかし、モールド４６０の代わりに、デバイス４００のインダクタ４５０はキャップ４７０で覆うことができる。一態様では、キャップ４７０の内部は、インダクタ４５０以外で満たされない場合がある。
【００２５】
図示されないが、いくつかの実施形態において、インダクタ４５０がキャップ４７０またはモールド４６０を設けられる必要がないことが考えられる。また、図４Ａおよび／または図４Ｂの場合、インダクタ４５０が空芯であるように、いくつかの実施形態において、ポスト４２０は除去される場合がある。
【００２６】
図５Ａ〜図５Ｅは、複数のポストを用いてダイ上に形成されるインダクタを備えるデバイスを製造する非限定的な例示的方法の段階を示す。可能な場合には、図４Ａおよび図４Ｂの要素の番号付与が引き継がれることになる。図５Ａにおいて見られるように、ダイ４１０上に複数のボンドパッド４３０を形成することができる。ボンドパッド４３０は、導電性であり、インダクタ４５０の終端点としての役割を果たすと仮定することができる。また、ボンドパッド４３０は、ダイ４１０の回路（図示せず）に電気的に結合することができる。
【００２７】
図５Ｂにおいて見られるように、ダイ４１０上に複数のポスト４２０を形成することができる。その後、図５Ｃにおいて見られるように、複数のポスト４２０の周りにワイヤ４４０をループ状に巻くことによって、ダイ４１０上にインダクタ４５０を形成することができる。再び、インダクタ４５０は複数のループを備えることができる。また、好ましくは、ループは垂直に向けることができるか、または非平面的とすることができる。すなわち、インダクタ４５０の少なくとも第１のループおよび第２のループは異なる平面上に存在することができる。また、第１のループおよび第２のループは少なくとも部分的に垂直に交差することもできる。複数のポスト４２０は導電性または非導電性とすることができる。インダクタ４５０に対応するワイヤ４４０の２つの端部は、第１のボンドパッド４３０−１および第２のボンドパッド４３０−２において終端することができる。ワイヤ４４０は絶縁または非絶縁とすることができる。ポスト４２０が導電性である場合には、ワイヤ４４０は絶縁とすることができる。ポスト４２０が非導電性である場合には、ワイヤ４４０は絶縁または非絶縁性とすることができる。
【００２８】
いくつかの適用例の場合に、図５Ｃに示されるインダクタ４５０は満足を与える場合があり、それゆえ、半導体デバイス４００の製造はこの段階において中止することができる。しかしながら、他の適用例の場合、製造が図５Ｄに示される段階に進むことができ、その段階において、インダクタ４５０（ポスト４２０を伴うか、または伴わない）はモールド４６０で封入される。図４Ａも参照されたい。代替的には、製造は図５Ｅに示される段階に進むことができ、その段階において、インダクタ４５０は、封入される代わりに、キャップ４７０で覆われる。図４Ｂも参照されたい。再び、キャップ４７０の内部は、インダクタ４５０（ポスト４２０を伴うか、または伴わない）を除いて満たされない場合がある。
【００２９】
様々なインダクタの組合せが可能である。たとえば、先に言及されたような一態様において、プロセスは、図５Ｃに示される段階後に中止することができる。別の態様では、プロセスは、図５Ｃに示される段階後にポスト４２０（図示せず）を除去することに進むことができ、製造は、その後、中止することができる。代替的には、ポスト４２０が除去されるか否かにかかわらず、製造プロセスは、その後、キャップ４７０またはモールド４６０（図示せず）を設けることに進むことができる。
【００３０】
図４Ａ〜図４Ｂおよび図５Ａ〜図５Ｅは、複数のポスト４２０を用いて形成されたインダクタ４５０の実施態様を備えるデバイス４００の側面図を示す。図６Ａ〜図６Ｄは、複数のポスト４２０を利用して形成される場合がある異なるタイプのインダクタのいくつかの具体的な実施態様の例の平面図を示す。可能な場合には、図４Ａ、図４Ｂおよび図５Ａ〜図５Ｄの要素の番号付与が引き継がれることになる。また、図６Ａ〜図６Ｄにおいて、モールド４６０およびキャップ４７０は、物で埋め尽くされるのを最小限に抑えるために図示されない。しかし、いくつかの実施形態のパッケージングされたデバイスはモールド４６０および／またはキャップ４７０を含むことができることは理解されたい。図６Ａ〜図６Ｄは、複数のポスト４２０の周りにワイヤ４４０をループ状に巻くことによってインダクタ４５０を形成することができる図５Ｃの側面図に対応する、半導体デバイス４００のいくつかの特定の実施態様の平面図を示すと見なすことができる。
【００３１】
図６Ａは、近距離無線通信（ＮＦＣ）アンテナとして使用される場合があり、および／またはワイヤレス充電のような適用例において使用される場合があるインダクタ４５０を備える半導体デバイス４００を示す。この図では、４つのポスト４２０が示され、ワイヤ４４０は４つのポスト４２０の周りにループ状に何度も巻くことができる。そのような適用例の場合に、ワイヤ４４０は任意の数のポスト４２０（たとえば、３つ以上）の周りに非平面的にループ状に巻くことができることに留意されたい。ワイヤ４４０の第１の端部および第２の端部は、第１のボンドパッド４３０−１および第２のボンドパッド４３０−２において終端することができる。
【００３２】
この特定の例において、任意の個別のポスト４２０の周りに完全に巻きつくインダクタ４５０のループはない。しかしながら、これは必要条件ではない。一態様において、インダクタ４５０は、複数のポスト４２０（図示せず）の個々のポスト４２０のいずれにも完全には巻きつかない少なくとも１つのループを含むことができる。
【００３３】
ＮＦＣに適用する（たとえば、１３．５６ＭＨｚにおいて動作する）場合、図６Ａの構成は、従来のＮＦＣアンテナより必要な面積を小さくしながら、必要なインダクタンスＬ（たとえば、１μＨ〜３．６μＨ）を与えることができる。たとえば、長方形ループＬｒｅｃｔのインダクタンスは、以下の式（１）によって近似することができる。その際、以下の特性（ループ＝６．５、面積＝１１ｍｍ×１１ｍｍ、ワイヤ＝１０μｍＣｕ）を有するインダクタ４５０を設けることによって、インダクタンスＬ〜２μＨを達成することができる。言い換えると、従来のＮＦＣアンテナ（５０ｍｍ×８５ｍｍ、図１を参照）より著しく小さい面積（１１ｍｍ×１１ｍｍ）を占有しながら、十分なインダクタンスを達成することができる。
【００３４】
【数１】
2018538685.tif 000003
【００３５】
図６Ｂは、ワイヤ４４０をループ状に８の字形に巻くことによって形成されたインダクタ４５０を備える半導体デバイス４００を示す。図示されるように、同じく第１のポスト４２０−１および第２のポスト４２０−２と呼ばれる場合がある２つのポスト４２０が示される。ワイヤ４４０の第１の端部および第２の端部は、第１のボンドパッド４３０−１および第２のボンドパッド４３０−２において終端することができる。ワイヤ４４０は、ループが非平面的であるように、第１のポスト４２０−１および第２のポスト４２０−２の周りにループ状に何度も巻くことができる。そのような構成によれば、上向きの磁界および下向きの磁界を生成することができる。たとえば、磁界ループを実現することができる。
【００３６】
図示されないが、３つ以上のポスト４２０が利用される場合がある。たとえば、単一のワイヤ４４０を用いて８の字形を形成することができるように、第１のポスト４２０−１および第２のポスト４２０−２に加えて、１つまたは複数のポスト４２０を設けることができる。再び、インダクタ４５０は、任意の個別のポスト４２０に完全には巻きつかない少なくとも１つのループを含むことができる。
【００３７】
図６Ｃは、電力を検出するために使用することができるインダクタ４５０を備える半導体デバイス４００を示す。図６Ｃのインダクタ４５０は、入力／出力接続６５０の周りにループ状に巻くことができる。一例がコンタクトとすることができる。たとえば、コンタクト６５０は、ダイ４１０の入力ピン、出力ピン、電源ピンまたは接地ピンのうちのいずれか１つに電気的に結合するように構成することができる。コンタクト６５０は、ダイ４１０の表面上に形成することができる。コンタクト６５０は、１つまたは複数の実施形態においてハンダボールとすることができる。
【００３８】
図６Ｃのインダクタ４５０によれば、（たとえば、電源がオン／オフに切り替えられるとき、論理がローからハイに、そしてその逆に切り替わるときに）コンタクト６５０において生じる電気的な切替を検出することができる。インダクタ４５０は、コンタクト６５０を包囲するように複数のポスト４２０の周りにワイヤ４４０をループ状に何度も巻くことによって形成することができる。ワイヤ４４０の端部は、ボンドパッド４３０−１および４３０−２において終端することができる。３つのポスト４２０のみが示されるが、ポスト４２０の数はさらに多くすることができる。インダクタループの形状は、ポスト４２０の数が増加するにつれて、コンタクト６５０の形状に、より一致するように合わせることができることに留意されたい。少なくとも１つのループは、任意の個別のポスト４２０の周りに完全には巻きつかないようにすることができる。
【００３９】
図６Ｄは、互いに近くにある２つのインダクタ４５０−１および４５０−２を備える半導体デバイスを示す。この図において、複数のポスト４２０は、第１の複数のポスト４２０−１、４２０−２および第２の複数のポスト４２０−３、４２０−４を備えると見なすことができる。第１のインダクタ４５０−１は、たとえば、非平面的ループを形成するように、第１の複数のポスト４２０−１、４２０−２の周りに第１のワイヤ４４０−１をループ状に何度も巻くことによって形成することができる。第１のワイヤ４４０−１の端部は、ボンドパッド４３０−１、４３０−２において終端することができる。また、第２のインダクタ４５０−２は、たとえば、非平面的ループを形成するように、第２の複数のポスト４２０−３、４２０−４の周りに第２のワイヤ４４０−２をループ状に何度も巻くことによって形成することができる。第２のワイヤ４４０−２の端部はボンドパッド４３０−３、４３０−４において終端することができる。
【００４０】
図６Ｄにおいて、２つの近隣のインダクタ４５０−１、４５０−２は、垂直に交差するものとして示される。この構成によれば、所望により、磁界を分離または相殺することができる。しかしながら、インダクタ４５０−１、４５０−２が垂直に交差することは必要条件ではない。たとえば、図示されないが、１つのインダクタ（たとえば、第１のインダクタ４５０−１）が、別のインダクタ（たとえば、第２のインダクタ４５０−２）の内側に配置される場合がある。２つのインダクタ４５０−１、４５０−２は、何らかの結合が生じることができるように（たとえば、磁界の分離および／または相殺のために）互いに十分近くに配置することができる。結合量は制御できることに留意されたい。また、第１の複数のポストおよび／または第２の複数のポスト４２０の一方または両方が、３つ以上のポスト４２０（図示せず）を備えることができる。さらに、互いに近くに配置される３つ以上のインダクタ４５０（図示せず）も存在することができる。
【００４１】
図７Ａ〜図７Ｆは、図６Ｄに示される半導体デバイス４００を製造する非限定的な例示的プロセスのいくつかの段階を示す。図７Ａは、ダイ４１０上に形成される第１の複数のポスト４２０−１、４２０−２と、第２の複数のポスト４２０−３、４２０−４と、ボンドパッド４３０−１、４３０−２、４３０−３、４３０−４とを示す。図７Ｂにおいて、第１のワイヤ４４０−１は、第１のインダクタ４５０−１を形成するために、第１の複数のポスト４２０−１、４２０−２のループ状に巻かれるものとして示される。第１のワイヤ４４０−１は、ポスト４２０−１付近のボンドパッド４３０−１に結合し、ポスト４２０−２の外側にループ状に巻くことができる。図７Ｃにおいて見られるように、第１のワイヤ４４０−１は、８の字形において、ポスト４２０−１の周りに、かつ図７Ｂにおいて先に示された第１のワイヤ４４０−１の部分の上方に延在することができる。第１のワイヤ４４０−１は、この８の字形（図６Ｂのインダクタ４５０も参照）においてループ状に何度も巻くことができ、その場合、第１のインダクタ４５０−１を完成させるために、ボンドパッド４３０−２に結合される。
【００４２】
同じようにして、第２のインダクタ４５０−２を形成することができる。図７Ｄにおいて見られるように、第２のワイヤ４４０−２は、ポスト４２０−３付近のボンドパッド４３０−３に結合し、ポスト４２０−４の外側にループ状に巻くことができる。図７Ｅにおいて見られるように、第２のワイヤ４４０−２は、８の字形において、ポスト４２０−３の周りに、かつ図７Ｄにおいて先に示された第１のワイヤ４４０−１の部分の上方に延在することができる。第２のワイヤ４４０−２は、この８の字形においてループ状に何度も巻くことができ、第２のインダクタ４５０−２を完成させるために、ボンドパッド４３０−４に結合される。第２のワイヤ４４０−２は第１のワイヤ４４０−１の上方に存在することができる。
【００４３】
図７Ｆは、図７Ｅの線Ａ−Ａに沿った半導体デバイスの断面の側面図を示す。第２のワイヤ４４０−２のループ（ドットして示される）は第１のワイヤ４４０−１のループの上方にあることに留意されたい。この側面図において、第１のワイヤ４４０−１（第１のインダクタ４５０−１に対応する）は、複数の非平面ループを有するものとして示される。同様に、第２のワイヤ４４０−２（第２のインダクタ４５０−２に対応する）も、複数の非平面ループを有するものとして示される。
【００４４】
複数のポスト４２０を利用することによって形成されるインダクタ４５０に関して、ワイヤ４４０は、任意の個別のポスト４２０の周りに完全に巻きつく必要はない。また、ループは一致することができる。すなわち、インダクタ４５０のループは互いに垂直に重なり合うことができる。このようにして、インダクタ４５０のコア内で磁界をより均一にすることができる。１つまたは複数の態様において、インダクタ４５０が複数のポスト４２０を用いて形成されるとき、インダクタ４５０の少なくとも１つのループに関して、インダクタ４５０に対応するワイヤ４４０が任意の個別のポスト４２０に完全に巻きつく必要はないと言える。また、インダクタ４５０の少なくとも１つのループはインダクタ４５０の少なくとも１つの他のループと垂直に重なり合うことができると言える。
【００４５】
図８は、デバイス２００、４００のようなデバイスを製造する非限定的な例示的方法の流れ図を示す。図８のすべての図示されるブロックが実行される必要があるわけではなく、すなわち、いくつかのブロックはオプションとすることができることに留意されたい。さらに、図８のブロックに対する数値参照は、ブロックが一定の順序で実行されるべきであることを必要とすると解釈されるべきではない。
【００４６】
ブロック８１０において、ＰＣＢのような基板２０５上にダイ２１０、４１０を設けることができる。ブロック８２０において、ダイ２１０、４１０上に１つまたは複数のボンドパッド２３０、４３０を形成することができる。図３Ａおよび図５Ａはブロック８２０に対応することができる。ブロック８３０において、ダイ２１０、４１０上に１つまたは複数のポスト２２０、４２０を形成することができる。図３Ｂおよび図５Ｂはブロック８３０に対応することができる。
【００４７】
ブロック８４０において、１つまたは複数のインダクタ２５０、４５０を形成することができる。図３Ｃおよび図５Ｃはブロック８４０に対応することができる。インダクタ２５０、４５０は、インダクタ２５０、４５０がダイ２１０、４１０の上方に複数の非平面ループを含むように、ワイヤ２４０、４４０をループ状に巻くことによって形成することができる。インダクタ２５０は、図３Ｃにおいて見られるように、単一のポスト２２０の周りにワイヤ２４０をループ状に巻くことによって形成することができる。
【００４８】
インダクタ４５０は、図５Ｃにおいて見られるように、複数のポスト４２０の周りにワイヤ４４０をループ状に巻くことによって形成することができる。具体的な例示的実施態様が、図６Ａ（たとえば、ＮＦＣアンテナ）、図６Ｂ（たとえば、８の字ループ）および図６Ｃ（たとえば、電力検出）において示される。一態様において、インダクタ４５０のうちの少なくとも１つのループは、任意の個別のポスト４２０に完全に巻きつく必要はない。ブロック８４０後に、製造方法８００は中止することができる。
【００４９】
また、方法８００はブロック８６０において継続することもでき、そのブロックでは、ポスト２２０、４２０を除去することができる。図３Ｄはブロック８３０に対応することができる。このブロックは、ポスト２２０、４２０が除去される必要はないという点でオプションである。ポスト２２０、４２０が除去される場合には、インダクタ２５０、４５０は空芯を有することができる。ブロック８６０後に、製造方法８００は中止することができる。
【００５０】
ブロック８７０において、インダクタ２５０、４５０をキャップ３７０、４７０で包囲することができる。図３Ｅおよび図５Ｅは、ブロック８７０に対応することができる。代替的には、ブロック８８０において、インダクタ２５０、４５０をモールド３６０、４６０で封入することができる。図３Ｆおよび図５Ｄはブロック８８０に対応することができる。
【００５１】
電力検出インダクタが望まれる場合には（図６Ｃ参照）、方法８００はブロック８３５において、ダイ４１０上にコンタクト６５０を形成することができ、ブロック８４０において、コンタクト６５０を包囲するためにインダクタ４５０を形成することができる。コンタクト６５０は、ダイ４１０の入力ピン、出力ピン、電源ピンおよび接地ピンのうちのいずれか１つに結合することができる。
【００５２】
複数のインダクタが望まれる場合には（図６Ｄ、図７Ａ〜図７Ｆを参照）、ブロック８４０において第１のインダクタ４５０−１を形成することに加えて、方法８００はブロック８４５において、第２のインダクタ４５０−２を形成することができる。たとえば、第２のインダクタ４５０−２は、第２の複数のポスト４２０−３、４２０−４の周りに第２のワイヤ４４０をループ状に巻くことによって形成することができる。第２のインダクタ４５０−２は、ダイ４１０の上方に複数の非平面ループを含むことができる。また、第２のインダクタ４５０−２は、第１のインダクタ４５０−１と垂直に交差することもできる。
【００５３】
図９は、インダクタ２５０、４５０を含む上述のデバイス２００、４００のいずれかと統合することができる種々の電子デバイスを示す。たとえば、モバイル電話デバイス９０２、ラップトップコンピュータデバイス９０４、および定置端末デバイス９０６が、本明細書において説明されるようなデバイスパッケージ９００を含むことができる。デバイスパッケージ９００は、たとえば、集積回路、ダイ、集積デバイス、集積回路デバイス、デバイスパッケージ、半導体デバイス、パッケージオンパッケージデバイスなどのうちのいずれかとすることができる。図９に示されるデバイス９０２、９０４、９０６は例示にすぎない。また、他の電子デバイスは、限定はしないが、モバイルデバイス、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末などのポータブルデータユニット、全地球測位システム（ＧＰＳ）対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、メータ読取り機器などの定置データユニット、通信デバイス、スマートフォン、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、サーバ、ルータ、自動車車両（たとえば、自律走行車両）内に実装された電子デバイス、またはデータもしくはコンピュータ命令を記憶し、もしくは取り出す任意の他のデバイス、あるいはそれらの任意の組合せを含むデバイス（たとえば、電子デバイス）のグループを含むデバイス２００、４００を特徴とする場合がある。
【００５４】
情報および信号が、様々な異なる技術および技法のいずれを使用しても表現できることは、当業者は理解されよう。たとえば、上記の説明全体にわたって言及される場合があるデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁場もしくは磁性粒子、光場もしくは光学粒子、またはそれらの任意の組合せによって表現される場合がある。
【００５５】
さらに、本明細書で開示される実施態様に関連して説明される種々の例示的論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムは、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、またはその両方の組合せとして実現できることを当業者は理解されよう。ハードウェアとソフトウェアのこの互換性を明確に示すために、種々の例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路、およびプロセスは、上記では概してそれらの機能に関して説明されてきた。そのような機能が、ハードウェアとして実現されるか、ソフトウェアとして実現されるかは、特定の適用例と、システム全体に課される設計制約とによって決まる。当業者は、特定の適用分野ごとに様々な方式で上記の機能を実現できるが、そのような実施態様が、本明細書において説明される本技術の範囲からの逸脱を引き起こすと解釈されるべきではない。
【００５６】
本明細書において開示される実施態様に関連して説明される方法、シーケンス、および／またはアルゴリズムは、ハードウェアとして直接に、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールにおいて、または２つの組合せとして具現することができる。ソフトウェアモジュールは、ＲＡＭメモリ、フラッシュメモリ、ＲＯＭメモリ、ＥＰＲＯＭメモリ、ＥＥＰＲＯＭメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、または当技術分野において既知の任意の他の形態の記憶媒体内に存在することができる。例示的な記憶媒体は、プロセッサが記憶媒体から情報を読み取ること、および記憶媒体に情報を書き込むことができるように、プロセッサに結合される。代替形態において、記憶媒体は、プロセッサと一体にすることができる。
【００５７】
したがって、本明細書において説明される技術の一実施態様が、半導体デバイスを製造する方法を具現するコンピュータ可読媒体を含むことができる。したがって、本明細書において説明される技術は図示される例には限定されず、本明細書において説明される機能を実行するための任意の手段が、本明細書において説明される技術の実施態様に含まれる。
【００５８】
上記の開示は本明細書で説明される技術の例示的実装を示すが、添付の特許請求の範囲によって定義される本明細書で説明される技術の範囲から逸脱することなく、様々な変更および修正が本明細書で行われ得ることに留意されたい。本明細書において説明される技術の実施態様による方法クレームの機能および／または動作は、何らかの特定の順序で実行される必要はない。さらに、本明細書において説明される技術の要素が単数形で説明または特許請求される場合があるが、単数への限定が明示的に述べられない限り、複数も考えられる。
【符号の説明】
【００５９】
１００  近距離無線通信（ＮＦＣ）アンテナ
２００  デバイス
２０５  基板
２１０  チップまたはダイ
２２０  ポスト
２３０  ボンドパッド
２４０  ワイヤ
２５０  インダクタ
３６０  モールド
３７０  キャップ
４００  半導体デバイス
４１０  ダイ
４２０  ポスト
４２０−１  第１のポスト
４２０−２  第２のポスト
４２０−１、４２０−２  第１の複数のポスト
４２０−３、４２０−４  第２の複数のポスト
４３０  ボンドパッド
４３０−１  第１のボンドパッド
４３０−２  第２のボンドパッド
４３０−３  ボンドパッド
４３０−４  ボンドパッド
４４０  ワイヤ
４４０−１  第１のワイヤ
４４０−２  第２のワイヤ
４５０  インダクタ
４５０−１  第１のインダクタ
４５０−２  第２のインダクタ
４６０  モールド
４７０  キャップ
６５０  入力／出力接続、コンタクト
９００  デバイスパッケージ
９０２  モバイル電話デバイス
９０４  ラップトップコンピュータデバイス
９０６  定置端末デバイス
【図１】
2018538685.tif 000004
【図２】
2018538685.tif 000005
【図３Ａ】
2018538685.tif 000006
【図３Ｂ】
2018538685.tif 000007
【図３Ｃ】
2018538685.tif 000008
【図３Ｄ】
2018538685.tif 000009
【図３Ｅ】
2018538685.tif 000010
【図３Ｆ】
2018538685.tif 000011
【図４Ａ】
2018538685.tif 000012
【図４Ｂ】
2018538685.tif 000013
【図５Ａ】
2018538685.tif 000014
【図５Ｂ】
2018538685.tif 000015
【図５Ｃ】
2018538685.tif 000016
【図５Ｄ】
2018538685.tif 000017
【図５Ｅ】
2018538685.tif 000018
【図６Ａ】
2018538685.tif 000019
【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
2018538685.tif 000021
【図６Ｄ】
2018538685.tif 000022
【図７Ａ】
2018538685.tif 000023
【図７Ｂ】
2018538685.tif 000024
【図７Ｃ】
2018538685.tif 000025
【図７Ｄ】
2018538685.tif 000026
【図７Ｅ】
2018538685.tif 000027
【図７Ｆ】
2018538685.tif 000028
【図８】
2018538685.tif 000029
【図９】
2018538685.tif 000030
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月9日(2018.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上のダイと、
前記ダイ上のインダクタとを備え、
前記インダクタの複数の非平面ループに起因して磁界が垂直に向けられるように、前記インダクタは前記ダイの上方に前記複数の非平面ループを有するワイヤを含む、半導体デバイス。
【請求項２】
前記インダクタは空芯を有する、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記ダイ上にあり、前記インダクタを包囲するキャップをさらに備える、請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記キャップの内部が前記インダクタ以外で満たされない、請求項３に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記ダイ上にモールドをさらに備え、前記モールドは前記インダクタを封入する、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記ダイ上にポストをさらに備え、前記インダクタは前記ポストの周りにループ状に巻かれる、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記ダイ上に複数のポストをさらに備え、前記インダクタは前記複数のポストの周りにループ状に巻かれる、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記インダクタは、前記複数のポストの任意の個別のポストの周りに完全には巻きつかない、請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記インダクタの少なくとも１つのループは、前記複数のポストの任意の個別のポストの周りに完全には巻きつかない、請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記複数のポストは第１のポストおよび第２のポストを含み、
前記ワイヤは、前記第１のポストおよび前記第２のポストの周りに８の字形にループ状に巻かれる、請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記複数のポストは第１の複数のポストを含み、前記ワイヤは第１のワイヤであり、前記インダクタは第１のインダクタであり、
前記複数のポストは第２の複数のポストも含み、
前記半導体デバイスはさらに、前記ダイ上に第２のインダクタを備え、前記第２のインダクタは、前記第２の複数のポストの周りにループ状に巻かれる第２のワイヤを備え、前記第２のインダクタは前記ダイの上方に複数の非平面ループを有する、請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
前記第１のインダクタは前記第２のインダクタと垂直に交差する、請求項１１に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
前記第１のインダクタは前記第２のインダクタの内側にある、請求項１１に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記ダイ上にコンタクトをさらに備え、
前記コンタクトは、前記ダイの入力ピン、出力ピン、電源ピンおよび接地ピンのうちの１つに電気的に結合されるように構成され、
前記インダクタは前記コンタクトを包囲する、請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記ダイ上に第１のボンドパッドおよび第２のボンドパッドをさらに備え、
前記ワイヤの第１の端部および第２の端部はそれぞれ、第１のボンドパッドおよび第２のボンドパッドにおいて終端する、請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
前記複数のポストが導電性ポストであり、前記ワイヤが絶縁ワイヤであるか、または
前記複数のポストが非導電性ポストであり、前記ワイヤが非絶縁ワイヤである、請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項１７】
基板上にダイを設けるステップと、
前記ダイ上にインダクタを形成するステップとを含み、
前記インダクタを形成するステップは、前記インダクタの複数の非平面ループに起因して磁界が垂直に向けられるように、前記ダイの上方に前記複数の非平面ループを含むように、ワイヤをループ状に巻くステップを含む、半導体デバイスを製造する方法。
【請求項１８】
前記インダクタを形成するステップは、前記インダクタが空芯を有するように前記ワイヤをループ状に巻くステップを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記インダクタを前記ダイ上のキャップで包囲するステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記インダクタを前記ダイ上のモールドで封入するステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記ダイ上にポストを形成するステップをさらに含み、
前記インダクタを形成するステップは、前記ポストの周りに前記ワイヤをループ状に巻くステップを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記ダイ上に複数のポストを形成するステップをさらに含み、
前記インダクタを形成するステップは、前記複数のポストの周りに前記ワイヤをループ状に巻くステップを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
前記インダクタを形成するステップは、前記インダクタのうちの少なくとも１つのループが前記複数のポストの任意の個別のポストに完全には巻きつかないように、前記複数のポストの周りに前記ワイヤをループ状に巻くステップを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記複数のポストを形成するステップは、第１のポストおよび第２のポストを形成するステップを含み、
前記インダクタを形成するステップは、前記第１のポストおよび前記第２のポストの周りに８の字形に前記ワイヤをループ状に巻くステップを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記複数のポストは第１の複数のポストを含み、前記ワイヤは第１のワイヤであり、前記インダクタは第１のインダクタであり、
前記複数のポストは第２の複数のポストも含み、
前記方法はさらに、第２のインダクタが前記ダイの上方に複数の非平面ループを含むように、前記第２の複数のポストの周りに第２のワイヤをループ状に巻くことによって、前記ダイ上に前記第２のインダクタを形成するステップを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記第２のインダクタを形成するステップは、前記第１のインダクタと垂直に交差するように前記第２のインダクタを形成するステップを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記ダイ上に、前記ダイの入力ピン、出力ピン、電源ピンおよび接地ピンのうちの１つに電気的に結合されるコンタクトを形成するステップをさらに含み、
前記インダクタを形成するステップは、前記コンタクトを包囲するように前記インダクタを形成するステップを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２８】
基板と、
前記基板上のダイと、
前記ダイ上のインダクタと、
前記ダイ上で前記インダクタを終端させるための手段とを備え、
前記インダクタの複数の非平面ループに起因して磁界が垂直に向けられるように、前記インダクタは前記ダイの上方に前記複数の非平面ループを有するワイヤを含む、半導体デバイス。
【請求項２９】
前記ダイ上に複数のポストをさらに備え、
前記インダクタは前記複数のポストの周りにループ状に巻かれ、
前記インダクタの少なくとも１つのループは、前記複数のポストの任意の個別のポストに完全には巻きつかない、請求項２８に記載の半導体デバイス。
【請求項３０】
前記複数のポストは第１の複数のポストを含み、前記ワイヤは第１のワイヤであり、前記インダクタは第１のインダクタであり、
前記複数のポストは第２の複数のポストも含み、
前記半導体デバイスはさらに、前記ダイ上に第２のインダクタを備え、前記第２のインダクタは、前記第２の複数のポストの周りにループ状に巻かれる第２のワイヤを備え、前記第２のインダクタは前記ダイの上方に複数の非平面ループを有する、請求項２９に記載の半導体デバイス。
【国際調査報告】
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