(57)【要約】  本発明は、オルタネータの励磁回路を通じて流れる励磁電流の強度（ＩＥＸＣ）を監視することにより所定の設定電圧（Ｕ０）にしたがってオルタネータ（１１）により生成されるＤＣ電圧（Ｂ＋Ａ）を制御するタイプのオルタネータを制御するための装置に関する。本発明によれば、装置は、電圧制御ループ（７）、オルタネータの構成要素の現在の温度（Ｔ）を供給する温度センサを備える温度制御ループ（１７）、現在の温度（Ｔ）と最大許容温度（Ｔｍａｘ）との間の温度誤差（ετ）を供給する減算器（１９）、及び、所定の制御法則に基づき、温度誤差にしたがって最大許容励磁パーセンテージ（ｒｍａｘ）を供給する制御モジュール（２０）を含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動車両のオルタネータ（１１）を制御するための装置（５，６）であって、前記オルタネータ（１１）のロータの励磁巻線を備える励磁電流内で循環する励磁電流の強度（ＩＥＸＣ）を制御するとともに前記オルタネータ（１１）の構成要素の少なくとも１つの現在の温度（Ｔ）を少なくとも１つの所定の最大許容温度（Ｔｍａｘ）未満に維持することによって所定の設定電圧（Ｕ０）で前記オルタネータ（１１）により生成される直流電圧（Ｂ＋Ａ）を制御するタイプの装置（５，６）において、前記装置が電圧制御ループ（７，８）を備え、前記電圧制御ループ（７，８）は、
前記直流電圧（Ｂ＋Ａ）を取得して測定電圧（Ｕｂ＋）を供給するための手段（１２）と、
前記測定電圧（Ｕｂ＋）を前記設定電圧（Ｕ０）から差し引いて、誤差電圧（εＶ）を生成する第１の減算器（１３）と、
前記誤差電圧（εＶ）を調整するための手段（１４）と、
入力での前記電圧誤差（εＶ）にしたがって、最大許容励磁パーセンテージ（ｒｍａｘ）に制限される励磁パーセンテージ（ｒ）を出力で供給する飽和モジュール（２１）と、
前記励磁パーセンテージ（ｒ）に等しいデューティサイクルを有するパルス幅変調信号（ＰＷＭ）の発生器（１５）と、
前記強度（ＩＥＸＣ）を制御する前記パルス幅変調信号（ＰＷＭ）によって制御される半導体スイッチ（１６）と、
を備え、
前記装置が温度制御ループ（１７，１８）を更に備え、前記温度制御ループ（１７，１８）は、
前記構成要素の少なくとも１つの現在の温度（Ｔ）を供給する少なくとも１つの温度センサと、
前記少なくとも１つの現在の温度（Ｔ）を前記少なくとも１つの最大許容温度（Ｔｍａｘ）から差し引いて、少なくとも１つの温度誤差（εＴ）を生成する少なくとも１つの第２の減算器（１９）と、
所定の制御法則に基づき、前記少なくとも１つの温度誤差（εＴ）にしたがって前記最大許容励磁パーセンテージ（ｒｍａｘ）を供給する制御モジュール（２０）と、
を備えることを特徴とする装置（５，６）。
【請求項２】
前記少なくとも１つの現在の温度（Ｔ）は、前記オルタネータ（１１）のケーシングの現在のケーシング温度、又は、前記オルタネータ（１１）のリアベアリングの現在のベアリング温度、又は、前記半導体スイッチ（１６）の接合部（２７）の現在の接合部温度であり、前記少なくとも１つの最大許容温度（Ｔｍａｘ）は、所定の最大許容ケーシング温度、又は、所定の最大許容ベアリング温度、又は、所定の最大許容接合部温度であり、前記少なくとも１つの温度センサは、ケーシング温度センサ、又は、ベアリング温度センサ、又は、接合部温度センサであることを特徴とする請求項１に記載の自動車両のオルタネータ（１１）を制御するための装置（５）。
【請求項３】
前記温度制御ループ（１８）は、
前記少なくとも１つの温度センサの複数の第１の例によって形成されるセンサのセットと、
前記センサのセットにより供給される現在の温度のセット（Ｔ＿ｓ，Ｔ＿Ｆｅ，Ｔ＿ｄ，Ｔ＿ｒ，Ｔ＿ｊ）の要素をそれぞれ前記少なくとも１つの最大許容温度（Ｔｍａｘ）の複数の第４の例により形成される最大許容温度のセット（Ｔｈ＿ｓ，Ｔｈ＿Ｆｅ，Ｔｈ＿ｄ，Ｔｈ＿ｒ，Ｔｈ＿ｊ）の要素と比較することによって、前記少なくとも１つの温度誤差（εＴ）の複数の第３の例により形成される一連の誤差（ε＿ｓ，ε＿Ｆｅ，ε＿ｄ，ε＿ｒ，ε＿ｊ）を生成する、前記少なくとも１つの第２の減算器（１９）の複数の第２の例（２８，２９，３０，３１，３２）と、
前記一連の誤差（ε＿ｓ，ε＿Ｆｅ，ε＿ｄ，ε＿ｒ，ε＿ｊ）の中から最大誤差（εｍａｘ）を決定するための手段（３３）と、
前記最大誤差（εｍａｘ）を前記制御モジュール（２０）に供給するセレクタ（３４）と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の自動車両のオルタネータ（１１）を制御するための装置（６）。
【請求項４】
前記センサのセットは、前記オルタネータ（１１）のステータの第１の温度（Ｔ＿ｓ）の第１のセンサ、前記オルタネータ（１１）のケーシングの第２の温度（Ｔ＿Ｆｅ）の第２のセンサ、前記オルタネータ（１１）の相電流の整流ダイオードの第３の温度（Ｔ＿ｄ）の第３のセンサ、前記ロータの第４の温度（Ｔ＿ｒ）の第４のセンサ、前記半導体スイッチ（１６）の接合部（２７）の第５の温度（Ｔ＿ｊ）の第５のセンサの中から選択される複数の要素を少なくとも備え、
現在の温度の前記セットは、前記第１、第２、第３、第４、及び、第５の温度（Ｔ＿ｓ，Ｔ＿Ｆｅ，Ｔ＿ｄ，Ｔ＿ｒ，Ｔ＿ｊ）の中から選択される複数の現在の値を少なくとも備え、
最大許容温度の前記セットは、前記第１、第２、第３、第４、及び、第５の温度（Ｔ＿ｓ，Ｔ＿Ｆｅ，Ｔ＿ｄ，Ｔ＿ｒ，Ｔ＿ｊ）に対応する第１、第２、第３、第４、及び、第５の最大許容温度（Ｔｈ＿ｓ，Ｔｈ＿Ｆｅ，Ｔｈ＿ｄ，Ｔｈ＿ｒ，Ｔｈ＿ｊ）の中から選択される複数の基準値を少なくとも備える、
ことを特徴とする請求項３に記載の自動車両のオルタネータ（１１）を制御するための装置（６）。
【請求項５】
前記設定電圧（Ｕ０）が前記第５の温度（Ｔ＿ｊ）に依存することを特徴とする請求項４に記載の自動車両のオルタネータ（１１）を制御するための装置（６）。
【請求項６】
前記電圧誤差（εｖ）を調整するための前記手段（１４）は、ゲイン（ｋ）をフィルタ処理して調整するための手段を備えることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の自動車両のオルタネータ（１１）を制御するための装置（５，６）。
【請求項７】
前記電圧制御ループ（７，８）及び前記温度制御ループ（１７，１８）がデジタルであることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の自動車両のオルタネータ（１１）を制御するための装置（５，６）。
【請求項８】
前記半導体スイッチ（１６）を組み込むモノリシックアセンブリを形成することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の自動車両のオルタネータ（１１）を制御するための装置（５，６）。
【請求項９】
前記所定の制御法則は、−２０℃と０℃との間で約−５％／℃の勾配を有することを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の自動車両のオルタネータ（１１）を制御するための装置（５，６）。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の制御装置（５，６）を備える自動車両のオルタネータ（１１）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自動車両のオルタネータを制御するための装置に関する。また、本発明は、この制御装置を備えるオルタネータに関する。
【背景技術】
【０００２】
車載機器による消費増大に起因して自動車両のオルタネータ又はオルタネータ−スタータが今日においてもたらさなければならない電力の増大に立ち向かうべく、約４ｋＷ〜１０ｋＷの電力レベルを供給するために、約４２Ｖの公称車載ネットワーク電圧が１４Ｖの代わりに使用される傾向がある。
【０００３】
また、車載ネットワークの公称電圧が１４Ｖのままであっても、場合によっては、オルタネータのロータで循環する励磁電流の強度を増大させることによって、オルタネータの出力性能を断続的に高めることが望ましい場合がある。
【０００４】
この目的のため、フランス特許出願第２８０２３６３号において、ＶＡＬＥＯ  ＥＱＵＩＰＥＭＥＮＴＳ  ＥＬＥＣＴＲＩＱＵＥＳ  ＭＯＴＥＵＲ社は、車載ネットワークから電圧増大チョッパ回路によってロータを過励磁することを提案する。
【０００５】
制御ループが、オルタネータを恒久的にオルタネータ及びその構成要素のための最大許容温度よりも低い温度にする値に励磁電流を維持できるようにする。
【０００６】
標準的なオルタネータの出力性能を高める他の方法は、ロータの励磁巻線のインピーダンスを減少させることであり、これは、車載ネットワークの同じ公称電圧において励磁電流を増大させる作用がある。
【０００７】
この手順態様は、レンジ減少工程（ダウンサイジングという用語により知られている）において、すなわち、特定のカテゴリーの車両で更に低いカテゴリーの車両機器をその特性を高めることにより使用することが望まれる場合に有利である。
【０００８】
しかしながら、ブースティングという用語によっても知られる過速度モードで動作しているオルタネータの場合、部品製造業者は、明らかに、機械の熱平衡の問題を有しており、この場合、電流の増大は、それに対応して例えばジュール損や鉄損などの損失を増大させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】フランス特許出願第２８０２３６３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
したがって、本発明の目的は、前述した熱的問題を解決することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
第１の態様によれば、本発明は、自動車両のオルタネータを制御するための装置であって、このオルタネータにより生成される直流電圧を所定の設定電圧で制御する装置に関する。
【００１２】
この直流電圧は、オルタネータのロータの励磁巻線を備える励磁電流内で循環する電流を制御することによって制御される。
【００１３】
この制御装置は、それ自体知られているタイプのものであり、オルタネータの構成要素の現在の温度を少なくとも所定の最大許容温度未満に維持する。
【００１４】
本発明に係る自動車両のオルタネータの制御装置は制御ループを備え、該制御ループは、
−直流電圧を取得するとともに測定電圧を生成して供給するための手段と、
−この測定電圧を設定電圧から差し引いて、誤差電圧を生成する第１の減算器と、
−この誤差電圧を調整するための手段と、
−入力での電圧誤差にしたがって、最大許容励磁パーセンテージに制限される励磁パーセンテージを出力で供給する飽和モジュールと、
−励磁パーセンテージに等しいデューティサイクルを有するパルス幅変調信号の発生器と、
−励磁電流の強度を制御するパルス幅変調信号によって制御される半導体スイッチと、
を備える。
【００１５】
また、本発明に係る制御装置は温度制御ループも備え、該温度制御ループは、
−構成要素の少なくとも１つの現在の温度を供給する少なくとも１つの温度センサと、
−この現在の温度を少なくとも１つの最大許容温度から差し引いて、少なくとも１つの温度誤差を生成する少なくとも１つの第２の減算器と、
−所定の制御法則に基づき、この温度誤差にしたがって最大許容励磁パーセンテージを供給する制御モジュールと、
を備える。
【００１６】
本発明に係る自動車両のオルタネータを制御するための装置の第１の実施形態において、現在の温度は、このオルタネータのケーシングの現在のケーシング温度、又は、このオルタネータのリアベアリングの現在のベアリング温度、又は、半導体スイッチの接合部の現在の接合部温度であり、また、最大許容温度は、所定の最大許容ケーシング温度、又は、所定の最大許容ベアリング温度、又は、所定の最大許容接合部温度であり、また、温度センサは、ケーシング温度センサ、又は、ベアリング温度センサ、又は、接合部温度センサである。
【００１７】
本発明に係る自動車両のオルタネータを制御するための装置の第２の実施形態によれば、温度制御ループは、
−この温度センサの複数の第１の例によって形成されるセンサのセットと、
−センサのこのセットにより供給される現在の温度のセットの要素をそれぞれこの最大許容温度の第４の例により形成される最大許容温度のセットの要素から差し引くことによって、この温度誤差の複数の第３の例により形成される一連の誤差を生成する、この第２の減算器の複数の第２の例と、
−この一連の誤差の中から最大誤差を決定するための手段と、
−この最大誤差を制御モジュールに供給するセレクタと、
を備える。
【００１８】
本発明に係る自動車両のオルタネータを制御するための装置において、
−センサのセットは、オルタネータのステータの第１の温度の第１のセンサ、オルタネータのケーシングの第２の温度の第２のセンサ、オルタネータの相電流の整流ダイオードの第３の温度の第３のセンサ、ロータの第４の温度の第４のセンサ、半導体スイッチの接合部の第５の温度の第５のセンサの中から選択される複数の要素を少なくとも備え、
−現在の温度のセットは、第１、第２、第３、第４、及び、第５の温度の中から選択される複数の現在の値を少なくとも備え、
−最大許容温度のセットは、第１、第２、第３、第４、及び、第５の温度に対応する第１、第２、第３、第４、及び、第５の最大許容温度の中から選択される複数の基準値を少なくとも備える。
【００１９】
本発明のこの第２の実施形態では、設定電圧が第５の温度に依存する。
【００２０】
本発明の両方の実施形態において、電圧誤差を調整するための手段は、ゲインをフィルタ処理して調整するための手段を備える。
【００２１】
電圧制御ループ及び温度制御ループはデジタルである。
【００２２】
また、本発明によれば、制御装置は、前記半導体スイッチを組み込むモノリシックアセンブリを形成する。
【００２３】
他の態様によれば、本発明は、前述したような制御装置を備える自動車両のオルタネータにも関連する。
【００２４】
これらの幾つかの本質的な仕様は、従来技術と比べた本発明により与えられる利点を当業者に明らかにする。
【００２５】
本発明の詳細な仕様は、添付図面と関連する以下の説明で与えられる。これらの図面が、説明の文章を単に図示するという目的を果たすにすぎず、決して本発明の範囲の限定を成すものでないことに留意すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１ａ】臨界でない熱平衡を伴う従来技術で知られるオルタネータの回転速度にしたがった出力及び温度の測定値を示す。
【図１ｂ】臨界熱平衡を伴う従来技術で知られるオルタネータの回転速度にしたがった出力及び温度の測定値を示す。
【図２】本発明の第１の好ましい実施形態に係る自動車両オルタネータを制御するための装置のプロセス図である。
【図３ａ】許容励磁パーセンテージを規定する制御法則を表すグラフである。
【図３ｂ】この制御法則から導き出される飽和関数を表す他のグラフである。
【図４ａ】標準的なオルタネータの流量及び温度の測定値（細線）と、本発明に係る制御装置を備える同様のオルタネータの流量及び温度の測定値（太線）との間の比較を明らかにする。
【図４ｂ】標準的なオルタネータにおける最大許容励磁パーセンテージを示す。
【図４ｃ】本発明に係る制御装置を備える同様のオルタネータにおける最大許容励磁パーセンテージを示す。
【図５】本発明の第２の好ましい実施形態に係る自動車両オルタネータを制御するための装置のプロセス図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
図１ａ中の実線１における曲線は、最大周囲温度（例えば１２５℃）及び課された作動電圧（例えば１３．５Ｖ）でのオルタネータの最大励磁（「全磁場」として知られている）におけるその回転速度Ωにしたがった出力Ｉの特性を表す。
【００２８】
このとき、「鉄」オルタネータ温度Ｔ、すなわち、ケーシング上のポイントでの温度は、いわゆる「安定化」ポイントでロータの異なる回転速度Ωに関して検出することができ、結果として得られる曲線も図１ａ中に破線２で示される。
【００２９】
良好な熱平衡を有するオルタネータは、最大許容「鉄」温度閾値Ｔｍａｘを超えない「鉄」温度Ｔを有する。この熱平衡は、このとき、前述の動作状態おいて臨界ではない。
【００３０】
励磁電流を増大させる作用がある例えばロータの励磁巻線のインピーダンスの減少によって図１ｂ中の実線３における他の曲線により示されるように出力性能Ｉが高められる機械（ブースト式オルタネータ）の場合、「鉄」温度Ｔは、前述の動作状態では、破線４における他の曲線によっても示されるように、「温度臨界」として知られる速度範囲ΔΩにわたって最大許容温度閾値Ｔｍａｘを超える。
【００３１】
これらの状態では、オルタネータを冷却するための手段が様々な損失に起因して熱を放出することができない。
【００３２】
このとき、機械の熱平衡は、妨げられていると見なされる。温度ΔΩに関して臨界である速度範囲におけるオルタネータの過剰に長い動作持続時間は、過度の温度の結果として機械の破壊を引き起こす可能性がある。
【００３３】
本発明に係るオルタネータを制御するための装置５，６は、その第１及び第２の好ましい実施形態のプロセス図が図２及び図５にそれぞれ与えられており、ブースト式オルタネータの熱的安定性の問題に実質的に関連する。
【００３４】
オルタネータの熱的問題を解決するために、本発者によって提案される解決策は、レギュレータ５，６を使用して、オルタネータの少なくとも幾つかの構成要素（例えば、ステータの鉄、又は、ダイオードの温度を測定するために機械のリアベアリング）に配置される少なくとも１つのセンサによってオルタネータの少なくとも１つの現在の温度Ｔを制御することである。
【００３５】
既知の態様で、このレギュレータ５，６は電圧制御ループ７，８を備え、電圧制御ループ７，８は、車両の車載ネットワークの直流電圧Ｂ＋Ａを設定電圧Ｕ０に晒すことができるようにし、車載ネットワークは、一般に、オルタネータ１１によって電力が供給されるバッテリ９及び各種の機器１０を備える。
【００３６】
従来のように、この電圧制御ループ７，８は、
−オルタネータ１１のプラス端子にかかる直流電圧Ｂ＋Ａを取得して測定電圧Ｕｂ＋を供給するための手段１２と、
−測定電圧Ｕｂ＋を設定電圧Ｕ０から差し引いて、それにより、誤差電圧εｖを生成する第１の減算器１３と、
−ゲインｋのフィルタリング及び適合によってこの誤差電圧εｖを調整するための手段１４と、
−電圧誤差εｖに依存するとともに励磁の強度Ｉｅｘｃを制御する半導体スイッチ１６を制御する励磁パーセンテージに等しいデューティサイクルｒを伴うパルス幅変調信号ＰＭＷの発生器１５と、
を備える。
【００３７】
本発明によれば、レギュレータ５，６は温度制御ループ１７，１８も備える。
【００３８】
そのプロセス図が図２に表される第１の好ましい実施形態において、この温度制御ループ１７は、オルタネータ１１の構成要素のうちの１つの現在の温度Ｔを供給する温度センサを備える。
【００３９】
この温度センサは、ダイオードの温度を測定するためにステータの鉄上又はリアベアリング上に配置されるレギュレータ５の外側のセンサであってもよく、或いは代わりに、半導体スイッチ１６の接合部温度を測定するレギュレータ５の内側のセンサであってもよい。
【００４０】
現在の温度Ｔを所定の最大許容温度Ｔｍａｘから差し引く第２の減算器１９が温度誤差εＴを生成し、制御モジュール２０は、この温度誤差εＴを発端として、電圧制御ループ７に最大許容励磁パーセンテージｒｍａｘを供給し、最大許容励磁パーセンテージｒｍａｘは、電圧調整を確保しつつ、オルタネータ１１の現在の温度Ｔを所定の最大許容温度Ｔｍａｘ未満に維持できるようにする。
【００４１】
温度誤差εＴにしたがって最大許容励磁パーセンテージｒｍａｘを規定する制御法則の一例が図３ａに表される。
【００４２】
この例では、線形領域Ａにおいて、誤差温度εＴに係る最大許容励磁パーセンテージｒｍａｘ勾配が約−５％／℃である。
【００４３】
線形領域Ａでは、必要とされる限られた温度精度にしたがって多かれ少なかれ高い温度調整ループゲインを得るように勾配を適合させることができる。
【００４４】
温度誤差εＴが−１００℃と−２０℃との間にある制御法則の他の領域Ｂ１では、オルタネータ１１が所定の最大許容温度Ｔｍａｘよりもはるかに高い現在の温度Ｔにあり、また、励磁が遮断される（最大許容励磁パーセンテージｒｍａｘがゼロ）。
【００４５】
温度誤差εＴがプラスである場合（制御法則の領域Ｂ２）、所定の最大許容温度Ｔｍａｘよりもはるかに低い現在の温度Ｔ及び励磁は、電圧制御ループ７のみに依存する（最大許容励磁パーセンテージｒｍａｘが１００％）。
【００４６】
制御モジュール２０によって供給される最大許容励磁パーセンテージｒｍａｘは、電圧誤差εＶを調整するための手段１４とパルス幅変調信号の発生器１５との間で電圧制御ループ７に直列に挿入される飽和モジュール２１に印加される。
【００４７】
結果として得られる飽和関数が図３ｂに表される。入力における電圧誤差εＶに依存する出力における励磁パーセンテージｒは、最大限でも、制御モジュール２０によって供給される最大許容励磁パーセンテージｒｍａｘに等しい。
【００４８】
図４ａ、図４ｂ、及び、図４ｃは、本発明に係る制御装置５を備えるオルタネータ１１のための温度制御ループ１７の作用を、本発明に係る制御装置５がない臨界速度範囲ΔΩ内で臨界である熱平衡を伴う標準的なオルタネータと比較して示している。
【００４９】
標準的なオルタネータの場合、現在の温度Ｔｓ（細い破線）は、励磁が「全磁場」（図４ｂ）になるように継続すると、図４ａに明確に示されるように出力Ｉｓ（細い実線２３）が回転速度Ωにしたがって増大する臨界速度範囲ΔΩ内で２５０℃を超えて２５５℃に達する。
【００５０】
本発明に係るオルタネータ１１の場合、現在の温度Ｔ（太い破線２４）は２５０℃より低いままである。
【００５１】
温度制御の結果として、励磁２５は、臨界速度範囲ΔΩ内で「全磁場」のままではなく、２５％減少する。本発明に係るオルタネータの出力Ｉ（太い実線２６）は、標準的なオルタネータの出力Ｉｓよりも小さいが、オルタネータ１１を２５０℃未満に保つという事実は、オルタネータの構成要素の無傷を保つことができるようにする。
【００５２】
そのプロセス図が図５に表される本発明の第２の好ましい実施形態において、温度制御ループ１８は、オルタネータ１１の複数の構成要素の複数の現在の温度を供給する複数の温度センサ、すなわち、
−オルタネータ１１のステータの第１の温度Ｔ＿ｓの第１のセンサと、
−オルタネータ１１のケーシングの第２の温度Ｔ＿Ｆｅの第２のセンサと、
−オルタネータ１１のリアベアリング、すなわち、このベアリングに配置される相電流整流ダイオードの第３の温度Ｔ＿ｄの第３のセンサと、
−ロータの第４の温度Ｔ＿ｒの第４のセンサと、
−半導体スイッチ１６の接合部２７の第５の温度の第５のセンサと、
を備える。
【００５３】
これらの第１、第２、第３、第４、及び、第５の温度Ｔ＿ｓ，Ｔ＿Ｆｅ，Ｔ＿ｄ，Ｔ＿ｒ，Ｔ＿ｊは、一連の第１、第２、第３、第４、及び、第５の温度誤差ε＿ｓ，ε＿Ｆｅ，ε＿ｄ，ε＿ｒ，ε＿ｊを形成する第１、第２、第３、第４、及び、第５の第２の減算器２８，２９，３０，３１，３２によって第１、第２、第３、第４、及び、第５の最大許容温度Ｔｈ＿ｓ，Ｔｈ＿Ｆｅ，Ｔｈ＿ｄ，Ｔｈ＿ｒ，Ｔｈ＿ｊからそれぞれ差し引かれる。
【００５４】
この一連の温度誤差の中から最大誤差εｍａｘを決定するための手段３３は、最大許容励磁パーセンテージｒｍａｘを決定するために、この最大誤差εｍａｘを制御モジュール２０に供給するセレクタ３４を制御し、最大許容励磁パーセンテージｒｍａｘは、飽和モジュール２１を用いて、電圧制御ループ８により計算される励磁パーセンテージｒを制限する。
【００５５】
本発明のこの第２の実施形態では、半導体スイッチ１６の接合部の第５の温度Ｔ＿ｊによって制御され得る電圧基準モジュール３５が、初期設定電圧を約−５ｍＶ／℃のレベルまで減少させることによって、設定電圧Ｕ０を電圧制御ループ８に供給する。
【００５６】
本発明が前述した好ましい実施形態のみに限定されないことが分かる。
【００５７】
特に、先で特定された温度、勾配、又は、レベルの特定の値は、単なる一例として与えられる。
【００５８】
その現在の温度が測定されるオルタネータ１１、ステータ、ケーシング、ベアリング、ロータ、又は、スイッチの特定の構成要素についても同じことが当てはまる。変形例として、これらの構成要素をオルタネータ１１の他の構成要素と置き換えることができ、それを所定の温度閾値未満に維持することにより、オルタネータ１１の信頼性を向上させることができる。
【００５９】
したがって、本発明は、それどころか、以下の特許請求項により規定される範囲内にとどまる全ての想定し得る変形実施形態を組み入れる。
【図１ａ】
2018501766.tif 000003
【図１ｂ】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４ａ−４ｃ】
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【図５】
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【国際調査報告】
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