(57)【要約】この開示の本質に従っている排ガスサンプリングシステムは、希釈空気を第１流路に対し提供する希釈空気源及び第１流路中の第１質量流量を測定する第１流量計を含む。このシステムはさらに、サンプリングプローブ，第２流量計，第１弁，そして漏れ検知モジュールを含む。サンプリングプローブは、第１流量計から下流の部位で第１流路に対し排ガスを提供する。第２流量計は、サンプリングプローブから下流の部位で第１流路における第２質量流量を測定する。第１弁は、サンプリングプローブから第２流量計への排ガス流れを調節する。漏れ検知モジュールは、第１弁が閉じられている時に行われた第１及び第２質量流量の測定に基づきシステムにおける漏れを検知する。【選択図】  図３
2018507417.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排ガスサンプリングシステムであって、
第１流路に対し希釈空気を提供する希釈空気源と、
前記第１流路における空気の第１質量流量を測定する第１流量計と、
前記第１流量計から下流で前記第１流路に配置されている出口を有し、前記第１流路に対し排ガスを提供するサンプリングプローブと、
前記サンプリングプローブから下流で前記第１流路における空気の第２質量流量を測定する第２流量計と、
開かれている時に前記サンプリングプローブから前記第２流量計への排ガスの流れを許容し、閉じられている時に前記サンプリングプローブから前記第２流量計への排ガス流れを阻止する第１弁と、そして
前記第１弁が閉じられている時に行われた前記第１質量流量及び前記第２質量流量の測定に基づき前記排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する漏れ検知モジュールと、
を備えている排ガスサンプリングシステム。
【請求項２】
前記漏れ検知モジュールは、前記第１質量流量と前記第２質量流量との間の差に基づき前記排ガスシステムにおける漏れを検知する、請求項１に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項３】
前記漏れ検知モジュールは、前記第１質量流量と前記第２質量流量との間の差が所定値よりも大きい時に前記排ガスシステムにおける漏れを検知する、請求項２に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項４】
前記第１弁は、前記サンプリングプローブに配置されている、請求項１に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項５】
前記第１弁は、前記サンプリングプローブの出口から下流の前記第１流路に配置されている、請求項１に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項６】
前記第１流路における第１部位から前記第１流路における第２部位へと延びていて、前記第１部位が前記第１流量計から下流であるとともに前記サンプリングプローブの出口から上流であり、前記第２部位が前記サンプリングプローブの出口から下流であるとともに前記第２流量計から上流である、第２流路と、そして
第１位置である時に、前記第１流路を通した前記サンプリングプローブの出口への空気流を許容するとともに前記第２流路を通した前記第１部位から前記第２部位への空気流を阻止し、第２位置である時に、前記第１流路を通した前記サンプリングプローブの出口への空気流を阻止するとともに前記第２流路を通した前記第１部位から前記第２部位への空気流を許容する、弁組立体と、
をさらに備えている、請求項５に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項７】
前記弁組立体は第２弁及び第３弁を含み、
前記第２弁が前記第１部位から下流であるとともに前記サンプリングプローブの出口から上流で前記第１流路に配置されており、そして
前記第３弁が前記第１部位から下流であるとともに前記第２部位から上流で前記第２流路に配置されている、
請求項６に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項８】
前記第１流路中を通して流れている排ガスの粒子の性質を検知するとともにガスが前記第１流路を流出することを許容する追加サンプリング（ＡＯＳ）装置をさらに備え、
前記ＡＯＳ装置が、前記サンプリングプローブの出口から下流である第１部位で前記第１流路と連通している入口を有し、
前記ＡＯＳ装置が、前記第１部位から下流である第２部位で前記第１流路と連通している出口を有し、そして
前記漏れ検知モジュールが、前記第１質量流量及び前記第２質量流量を基に、前記ＡＯＳ装置に入って来る空気の第３質量流量及び前記ＡＯＳ装置を出て行く空気の第４質量流量の少なくとも１つの誤りを検知する、
請求項１に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項９】
前記漏れ検知モジュールは、
前記第１質量流量と前記第２質量流量との間の第１差と、そして
前記第３質量流量と前記第４質量流量との間の第２差、
に基づいて、前記第３及び第４質量流量の少なくとも１つの誤りを検知する、請求項８に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項１０】
前記漏れ検知モジュールは、前記第１差が所定量だけ前記第２差よりも大きい時に前記第３及び第４質量流量の少なくとも１つの誤りを検知する、請求項９に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項１１】
前記第３質量流量及び第４質量流量が予め決められている、請求項８に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項１２】
前記ＡＯＳ装置は、前記第３質量流量を測定する第３流量計及び前記第４質量流量を測定する第４流量計を含む、請求項８に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項１３】
排ガスサンプリングシステムは、第２弁及び第３弁を更に備えており、
前記第２弁は開いた時に前記第１流路と前記ＡＯＳ装置の入口との間の連通を許容し、前記第２弁は閉じられた時に前記第１流路と前記ＡＯＳ装置の入口との間の連通を阻止し、
前記第３弁は開いた時に前記第１流路と前記ＡＯＳ装置の出口との間の連通を許容し、前記第３弁は閉じられた時に前記第１流路と前記ＡＯＳ装置の出口との間の連通を阻止する、
請求項８に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項１４】
前記漏れ検知モジュールは、前記第１弁，前記第２弁，そして前記第３弁が閉じられている時に行われた前記第１質量流量及び前記第２質量流量の測定に基づいて前記第３質量流量及び前記第４質量流量の少なくとも１つを調整する、請求項１３に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項１５】
排ガスサンプリングシステムであって、
希釈空気トンネルと、
前記希釈空気トンネルに対し希釈空気を提供する希釈空気供給路と、
前記希釈空気供給路を通して流れている空気の第１質量流量を測定する第１流量計と、
前記希釈空気トンネルに対し排ガスを提供するサンプリングプローブと、
前記希釈空気トンネルの出口と流体連通している戻り通路と、
前記サンプリングプローブから前記戻り通路への排ガス流れを制御する第１弁と、
前記戻り通路を通して流れている空気の第２質量流量を測定する第２流量計と、そして
前記第１弁が閉じられている時に行われた前記第１質量流量及び前記第２質量流量の測定に基づき前記排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する漏れ検知モジュールと、
を備えている排ガスサンプリングシステム。
【請求項１６】
前記漏れ検知モジュールは、前記第１質量流量が所定量だけ前記第２質量流量よりも大きい時に前記排ガスシステムにおける漏れを検知する、請求項１５に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項１７】
前記第１弁が前記サンプリングプローブに配置されている、請求項１５の排ガスサンプリングシステム。
【請求項１８】
前記サンプリングプローブは、前記希釈空気トンネルから上流に配置されている出口を有し、そして前記第１弁は前記サンプリングプローブの出口から下流で希釈空気供給路に配置されている、請求項１５に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項１９】
前記サンプリングプローブの出口から上流の第１部位で前記希釈空気供給路と連通している入口を有しているとともに前記第２流量計から上流の第２部位で前記戻り通路と連通している出口を有している連結路、そして
前記サンプリングプローブの出口への空気の流れを制御するとともに前記第１部位から前記第２部位への前記連結路を通した空気の流れを制御する弁組立体と、
をさらに備えている請求項１８に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項２０】
前記弁組立体が第２弁及び第３弁を含み、
前記第２弁は、前記第１部位から下流であるとともに前記サンプリングプローブの出口から上流で前記希釈空気供給路に配置されており、そして
前記第３弁は、前記第１部位から下流であるとともに前記第２部位から上流で前記連結路に配置されている、
請求項１９に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項２１】
前記第１部位から下流で前記希釈空気供給路に配置されている熱交換器をさらに備えている、請求項１９に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項２２】
前記第２部位から上流で前記戻り通路に配置されている遠心分離器をさらに備えている、請求項１９に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項２３】
希釈空気供給路を通して希釈空気トンネルへと希釈空気を供給する工程と、
サンプリングプローブから前記希釈空気トンネルの出口と流体連通している戻り通路への排ガス流れを阻止するよう第１弁を閉じる工程と、
前記第１弁が閉じられている時に前記希釈空気供給路を通って流れている空気の第１質量流量を測定する工程と、
前記第１弁が閉じられている時に前記戻り通路を通って流れている空気の第２質量流量を測定する工程と、そして
前記第１質量流量及び前記第２質量流量に基づいて排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する工程と、
を備えている、排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する方法。
【請求項２４】
前記第１質量流量と前記第２質量流量との間の差に基づき排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する工程を更に備えている、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１質量流量と前記第２質量流量との間の差が所定値よりよりも大きい時に排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する工程を更に備えている、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記希釈空気供給路から前記希釈空気トンネルへの空気流を阻止するとともに、前記希釈空気供給路において前記サンプリングプローブの出口から上流である第１部位から前記戻り通路において前記第２質量流量が測定される第３部位から上流である第２部位への連結路を通る空気流を許容するよう弁組立体を制御する工程と、そして
前記第１及び第２質量流量を測定する工程と、
を更に備えている、請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
追加サンプリング（ＡＯＳ）装置に入って来る空気の第３質量流量及びＡＯＳ装置を出て行く空気の第４質量流量の少なくとも１つの誤りを、前記第１及び第２質量流量に基づき検知する工程を更に備えている、請求項２３に記載の方法。
【請求項２８】
前記第１及び第２質量流量間の第１差と前記第３及び第４質量流量間の第２差とに基づき、前記第３及び第４質量流量の少なくとも１つの誤りを検知する工程を更に備えている、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記第１差が所定量だけ前記第２差より大きい時に前記第３及び第４質量流量の少なくとも１つの誤りを検知する工程を更に備えている、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記検知された誤りに基づき、前記第３及び第４質量流量の少なくとも１つを調整する工程を更に備えている、請求項２９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互引用】
【０００１】
［0001］この出願は、２０１５年１月９日に出願された米国仮出願番号６２／１０１，６２９の利益を主張する。上記出願の全体の開示は、引用によりここに組み込まれる。
【技術分野】
【０００２】
［0002］この開示は排ガスサンプリングシステムに関し、そして、より詳細には、排ガスサンプリング装置における漏れを検知するシステム及び方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
［0003］ここに提供された背景技術の記載は、この開示の状況を概略的に提供する目的のためである。この背景技術の項目にそれが記載されている程度であるとともに、さもなければ提出の時点における従来技術としての性質ではないかもしれない記載の特徴でもある、ここに挙げられた発明者の働きは、この開示に対する従来技術として明白でないとともに暗示しているものでもないと認められている。
【０００４】
［0004］排ガスサンプリング装置は典型的には、希釈空気トンネル（dilution air tunnel）へと希釈空気を提供する希釈空気供給路（dilution air supply passage）、及び希釈空気トンネルへと排ガスを提供するサンプリングプローブを含む。希釈空気は、ゼロエアー（zero air）又は窒素の如き、オイルで汚れていない正常な濾過されている空気であって良く、そして、圧縮されている空気であって良い。希釈空気トンネル中では、排ガス中の粒子が希釈空気と反応し、粒子は凝縮成長を体験する。排ガス粒子は排ガスサンプリングシステム中の排ガス分析器の精度を向上させる。
【０００５】
［0005］時折、排ガスサンプリング装置は、例えば不適切な組立，部材の不具合，又は摩耗のために、漏れを生じる。排ガスサンプリング装置における漏れを検知するための従来のシステム及び方法は、装置を加圧するか又は装置に真空を生じさせ、そして装置中の圧力を監視する。もしも圧力における変化が所定の期間内で所定量よりも大きくなったら、そのシステム及び方法は排ガスサンプリング装置における漏れを検知したことになる。このような従来のシステム及び方法は、排ガスサンプリング装置における漏れを、望むように正確に及び／又は速やかに検知できない。
【発明の概要】
【０００６】
［0006］この開示の本質に従っている排ガスサンプリングシステムの第１例は、希釈空気源，第１流量計，サンプリングプローブ，第１弁，そして漏れ検知モジュールを含む。希釈空気源は、第１流路に対し希釈空気を提供する。第１流量計は、第１流路における空気の第１質量流量（mass flow rate）を測定する。サンプリングプローブは、第１流量計から下流で第１流路に配置されている出口を有し第１流路に対し排ガスを提供する。第２流量計は、サンプリングプローブから下流で第１流路における空気の第２質量流量（mass flow rate）を測定する。第１弁は、第１弁が開かれている時にサンプリングプローブから第２流量計への排ガス流れを許容し、第１弁が閉じられている時にサンプリングプローブから第２流量計への排ガス流れを阻止する。漏れ検知モジュールは、第１弁が閉じられている時に行われた第１質量流量及び第２質量流量の測定に基づき排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する。
【０００７】
［0007］１つの特徴に於いて、漏れ検知モジュールは、第１質量流量と第２質量流量との間の差に基づき排ガスシステムにおける漏れを検知する。もう１つの特徴において、漏れ検知モジュールは、第１質量流量と第２質量流量との間の差が所定値よりも大きい時に排ガスシステムにおける漏れを検知する。もう１つの概念において、第１弁は、サンプリングプローブ中に配置されている。さらにもう１つの特徴において、第１弁は、サンプリングプローブの出口から下流で第１流路中に配置されている。
【０００８】
［0008］他の特徴において、排ガスサンプリングシステムはさらに、第２流路及び弁組立体（valve assembly）を含む。第２流路は第１流路中における第１部位から第１流路中における第２部位へと延びている。第１部位は、第１流量計から下流であるとともにサンプリングプローブの出口から上流である。第２部位は、サンプリングプローブの出口から下流であるとともに第２流量計から上流である。弁組立体が第１位置である時、弁組立体は、第１流路を通したサンプリングプローブの出口への空気流を許容するとともに第２流路を通した第１部位から第２部位への空気流を阻止する。弁組立体が第２位置である時、弁組立体は、第１流路を通したサンプリングプローブの出口への空気流を阻止するとともに第２流路を通した第１部位から第２部位への空気流を許容する。
【０００９】
［0009］もう１つの特徴において、弁組立体は、第２弁及び第３弁を含む。第２弁は、第１部位から下流であるとともにサンプリングプローブの出口から上流で第１流路中に配置されている。第３弁は、第１部位から下流であるとともに第２部位から上流で第２流路中に配置されている。
【００１０】
［0010］もう１つの特徴において、排ガスサンプリングシステムはさらに、第１流路中を通して流れている排ガス中の粒子の性質（properties）を検知するとともにガスが第１流路を逃れることを許容する追加サンプリング（ＡＯＳ：add on sampling）装置を含む。ＡＯＳ装置は、サンプリングプローブの出口から下流である第１部位で第１流路と連通している入口を有する。ＡＯＳ装置は、第１部位から下流である第２部位で第１流路と連通している出口を有する。漏れ検知モジュールは、第１質量流量及び第２質量流量を基に、ＡＯＳ装置に入って来る空気の第３質量流量及びＡＯＳ装置を出て行く空気の第４質量流量の少なくとも１つにおける誤りを検知する。
【００１１】
［0011］もう１つの特徴において、漏れ検知モジュールは：第１質量流量と第２質量流量との間の第１差；そして第３質量流量と第４質量流量との間の第２差、に基づいて、第３及び第４質量流量の少なくとも１つにおける誤りを検知する。もう１つの特徴において、漏れ検知モジュールは、第１差が所定量だけ第２差よりも大きい時に第３及び第４質量流量の少なくとも１つにおける誤りを検知する。もう１つの特徴において、第３質量流量及び第４質量流量は予め決められている。もう１つの特徴において、ＡＯＳ装置は、第３質量流量を測定する第３流量計及び第４質量流量を測定する第４流量計を含む。
【００１２】
［0012］他の特徴において、排ガスサンプリングシステムはさらに、第２弁及び第３弁を更に含む。第２弁は、第２弁が開いた時に第１流路とＡＯＳ装置の入口との間の連通を許容し、第２弁が閉じられた時に第１流路とＡＯＳ装置の入口との間の連通を阻止する。第３弁は、第３弁が開いた時に第１流路とＡＯＳ装置の出口との間の連通を許容し、第３弁が閉じられた時に第１流路とＡＯＳ装置の出口との間の連通を阻止する。もう１つの特徴において、漏れ検知モジュールは、第１弁，第２弁，そして第３弁が閉じられている時に行われた第１質量流量及び第２質量流量の測定に基づいて第３質量流量及び第４質量流量の少なくとも１つを調整する。
【００１３】
［0013］この開示の本質に従っている排ガスサンプリングシステムの第１例は、希釈空気トンネル，希釈空気供給路，第１流量計，サンプリングプローブ，戻り通路，第１弁，第２流量計，そして漏れ検知モジュールを含む。希釈空気供給路は、希釈空気トンネルに対し希釈空気を提供する。第１流量計は、希釈空気供給路を通して流れている空気の第１質量流量を測定する。サンプリングプローブは、希釈空気トンネルに対し排ガスを提供する。戻り通路は、希釈空気トンネルの出口と流体連通している。第１弁は、サンプリングプローブから戻り通路への排ガス流れを制御する。第２流量計は、戻り通路を通して流れている空気の第２質量流量を測定する。漏れ検知モジュールは、第１弁が閉じられている時に行われた第１質量流量及び第２質量流量の測定に基づき排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する。
【００１４】
［0014］１つの特徴において、漏れ検知モジュールは、第１質量流量が所定量だけ第２質量流量よりも大きい時に排ガスシステムにおける漏れを検知する。もう１つの特徴において、第１弁は、サンプリングプローブ中に配置されている。もう１つの特徴において、サンプリングプローブは、希釈空気トンネルから上流に配置されている出口を有し、そして第１弁が、サンプリングプローブの出口から下流で希釈空気供給路中に配置されている。
【００１５】
［0015］他の特徴において、排ガスサンプリングシステムはさらに、連結路及び弁組立体を含む。連結路は、サンプリングプローブの出口から上流の第１部位で希釈空気供給路と連通している入口を有しているとともに、第２流量計から上流の第２部位で戻り通路と連通している出口を有する。弁組立体は、サンプリングプローブの出口への空気の流れを制御するとともに、第１部位から第２部位への連結路を通した空気の流れを制御する。
【００１６】
［0016］もう１つの特徴において、弁組立体は、第２弁及び第３弁を含む。第２弁は、第１部位から下流であるとともにサンプリングプローブの出口から上流で希釈空気供給路中に配置されている。第３弁は、第１部位から下流であるとともに第２部位から上流で連結路中に配置されている。
【００１７】
［0017］もう１つの特徴において、排ガスサンプリングシステムはさらに、第１部位から下流で希釈空気供給路中に配置されている熱交換器を含む。もう１つの特徴において、排ガスサンプリングシステムはさらに、第２部位から上流で戻り通路中に配置されている遠心分離器を含む。
【００１８】
［0018］この開示の本質に従っている、排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する一例の方法は、希釈空気供給路を通して希釈空気トンネルへと希釈空気を供給する工程、及びサンプリングプローブから希釈空気トンネルの出口と流体連通している戻り通路への排ガス流れを阻止するよう第１弁を閉じる工程を含む。この方法は更に、第１弁が閉じられている時に希釈空気供給路を通って流れている空気の第１質量流量を測定する工程、及び第１弁が閉じられている時に戻り通路を通って流れている空気の第２質量流量を測定する工程を更に含む。この方法はさらに、第１質量流量及び第２質量流量に基づいて排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する工程を含む。
【００１９】
［0019］１つの特徴において、この方法はさらに、第１質量流量と第２質量流量との間の差に基づき排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する工程を含む。もう１つの特徴において、この方法はさらに、第１質量流量と第２質量流量との間の差が所定値よりよりも大きい時に排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する工程を含む。
【００２０】
［0020］もう１つの特徴において、この方法はさらに、希釈空気供給路から希釈空気トンネルへの空気流を阻止するとともに、希釈空気供給路においてサンプリングプローブの出口から上流である第１部位から戻り通路において第２質量流量が測定される第３部位から上流である第２部位への連結路を通る空気流を許容するよう弁組立体を制御する工程、そして第１及び第２質量流量を測定する工程を含む。もう１つの特徴において、この方法は、追加サンプリング（ＡＯＳ：add on sampling）装置に入って来る空気の第３質量流量及びＡＯＳ装置を出て行く空気の第４質量流量の少なくとも１つにおける誤りを、第１及び第２質量流量に基づき検知する工程を含む。
【００２１】
［0021］もう１つの特徴において、この方法は、第１及び第２質量流量間の第１差と第３及び第４質量流量間の第２差とに基づき、第３及び第４質量流量の少なくとも１つにおける誤りを検知する工程を含む。もう１つの特徴において、この方法は、第１差が所定量だけ第２差より大きい時に第３及び第４質量流量の少なくとも１つにおける誤りを検知する工程を含む。もう１つの特徴において、この方法は、検知された誤りに基づき、第３及び第４質量流量の少なくとも１つを調整する工程を含む。
【００２２】
［0022］この開示の適用可能性のさらなる分野は、詳細な説明，特許請求の範囲，そして図面から明らかになる。詳細な説明及び特定の例は、例証の目的を意図されていて、開示の範囲を限定することを意図されていない。
【００２３】
［0023］この開示は、詳細な説明及び添付の図面からより十分に理解されるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】［0024］図１は、この開示の本質に従っている排ガスサンプリングシステムの第１例の概略である。
【図２】［0025］図２は、この開示の本質に従っている排ガスサンプリングシステムの第２例の概略である。
【図３】［0026］図３は、この開示の本質に従っている排ガスサンプリングシステムの第３例の概略である。
【図４】［0027］図４は、この開示の本質に従っている、排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する一例の方法を図示しているフローチャートである。
【図５】［0028］図５は、この開示の本質に従っている、質量流量測定における誤りを検知する一例の方法を図示しているフローチャートである。
【００２５】
［0029］図面において、参照番号は、同様な及び／又は同じ構成部材を特定するために再使用されている。
【発明の詳細な説明】
【００２６】
［0030］この開示に従っている排ガスサンプリング装置は、希釈空気トンネル，希釈空気トンネルに対し希釈空気を提供する希釈空気供給路，そして希釈空気トンネルに対し排ガスを提供するサンプリングプローブを含む。排ガスサンプリング装置はまた、希釈空気トンネルの外側に配置された戻り通路、及び弁組立体を含む。弁組立体が閉じられている時、弁組立体は装置の残りの部分からサンプリングプローブを分離する。排ガスサンプリング装置はさらに、希釈空気供給路中に配置された第１流量計、及び戻り通路中に配置された第２流量計を含む。
【００２７】
［0031］この開示に従っているシステム及び方法は、弁組立体が閉じられた時に、第１及び第２流量計により個々に測定された第１及び第２質量流量に基づき排ガスサンプリング装置における漏れを検知する。弁組立体が閉じられた時に、第１及び第２質量流量が測定されるので、希釈空気のみが第１及び第２流量計の両方を通過し流れることが許容される。システム及び方法は従って、第１及び第２質量流量間の差に基づき排ガスサンプリング装置における漏れを検知する。このように排ガスサンプリング装置における漏れを検知することは、排ガスサンプリング装置における漏れを検知するための従来のシステム及び方法よりも早くより正確である。
【００２８】
［0032］図１を参照すると、排ガスサンプリングシステム１００は、圧縮機１０２の如き希釈空気源，希釈空気供給路１０４，及び／又は、希釈空気トンネル１０６に対し希釈空気を提供する、建物（図示されていない）中の圧縮空気管路を含む。排ガスサンプリングシステム１００はさらに、希釈空気トンネル１０６に対し排気管１１０を通って流れている排ガスを提供するサンプリングプローブ１０８を含む。サンプリングプローブ１０８は、排気管１１０中に配置されている入口１１２及び示されている如く希釈空気トンネル１０６から上流で希釈空気供給路１０４中に配置されている出口１１４を有する。代わりに、サンプリングプローブ１０８の出口１１４は、希釈空気トンネル１０６中に配置されていて良い。
【００２９】
［0033］第１弁１１６が希釈空気供給路１０４中に配置されていて、そしてサンプリングプローブ１０８の出口１１４に対する希釈空気の流れを調節する。第２弁１１８が希釈空気供給路１０４中に配置されていて、そして希釈空気トンネル１０６に対する希釈空気及び／又はサンプリングプローブ１０８からの排ガスの流れを調節する。第１及び第２弁１１６及び１１８は電気機械弁であって良く、そして全開位置，全閉位置，及び、種々の実施において、全開位置と全閉位置との間の複数の位置へと調節可能である。
【００３０】
［0034］第１弁１１６は、第１弁１１６が閉じられている時に希釈空気がサンプリングプローブ１０８の出口１１４を通って流れることを阻止する。第１弁１１６は、第１弁１１６が開かれている時に希釈空気がサンプリングプローブ１０８の出口１１４を通って流れることを許容する。第２弁１１８は、第２弁１１８が閉じられている時にサンプリングプローブ１０８の出口１１４から希釈空気トンネル１０６への排ガス流れを阻止する。第２弁１１８は、第２弁１１８が開かれている時にサンプリングプローブ１０８の出口１１４から希釈空気トンネル１０６への排ガス流れを許容する。
【００３１】
［0035］送出路１２０は、希釈空気及び／又は排ガスを希釈空気トンネル１０６から第１フィルター路１２２及び第２フィルター路１２４へと送出する。第１粒子フィルター１２６及び第２粒子フィルター１２８が第１フィルター路１２２及び第２フィルター路１２４中に夫々配置されている。２つの粒子フィルターが示されてはいるが、排ガスサンプリングシステム１００は、より多くの数の粒子フィルター（例えば３つ）又はより少ない数の粒子フィルター（例えば１つ）を含んで良い。
【００３２】
［0036］戻り通路１３０が第１及び第２フィルター路１２２及び１２４からの排ガス流れ及び／又は希釈空気流れを受ける。戻り通路１３０は、送出路１２０そして第１及び第２フィルター路１２２及び１２４を介し釈空気トンネル１０６の外側と流体連通している。戻り通路１３０は、排ガス流れ及び／又は希釈空気流れが大気中に放出される前にこれらの流れを排出削減装置（emission reduction device）へと送出して良い。
【００３３】
［0037］ポンプ１３２が、ポンプ１３２の入口側１３４に真空を創出するために戻り通路１３０中に配置されている。ポンプ１３２により創出された真空は、排ガス流れ及び／又は希釈空気流れをポンプ１３２の入口側１３４からポンプ１３２の出口側１３６へと引く。ポンプ１３２は、ベンチュリポンプ（venturi pump）であって良く、そして真空を創出するために希釈空気源からの流れを使用できる。
【００３４】
［0038］第１流量計１３８が、希釈空気供給路１０４中の希釈空気の第１質量流量Ｑ１を測定する。第１流量計１３８は、示されている如く、サンプリングプローブ１０８の出口１１４から上流で希釈空気供給路１０４中に配置されている。第２流量計１４０が、戻り通路１３０中の希釈空気及び／又は排ガスの第２質量流量Ｑ２を測定する。第２流量計１４０は、ポンプ１３２から上流で戻り通路１３０中に配置されている。
【００３５】
［0039］連結路１４２が、希釈空気供給路１０４を戻り通路１３０に連結している。連結路１４２は、入口１４４及び出口１４６を有する。連結路１４２の入口１４４は、第１流量計１３８から下流であるとともにサンプリングプローブ１０８の出口１１４から上流である第１部位において希釈空気供給路１０４と流体連通している。連結路１４２の出口１４６は、第２流量計１４０から上流である第２部位において戻り通路１３０と流体連通している。
【００３６】
［0040］第３弁１４８が連結路１４２中に配置されていて、そして希釈空気供給路１０４から戻り通路１３０への連結路１４２を通った希釈空気の流れを調節する。第３弁１４８は電気機械弁であって良く、そして、全開位置，全閉位置，及び、種々の実施において、全開位置と全閉位置との間の複数の位置へと調節可能である。第３弁１４８は、第３弁１４８が開かれている時に希釈空気供給路１０４から戻り通路１３０への連結路１４２を通った流れを許容する。第３弁１４８は、第３弁１４８が閉じられている時に希釈空気供給路１０４から戻り通路１３０への連結路１４２を通った流れを阻止する。
【００３７】
［0041］排ガスサンプリングシステム（ＥＧＳＳ：exhaust gas sampling system）制御モジュール１５０が、排ガスサンプリングシステム１００中の種々のセンサーからの信号を受信し、そして受信した信号に基づき排ガスサンプリングシステム１００の種々の構成部材を制御する。ＥＧＳＳ制御モジュール１５０は、弁制御モジュール１５２及び漏れ検知モジュール１５４を含む。弁制御モジュール１５２は、第１弁１１６，第２弁１１８，そして第３弁１４８の位置を制御する。漏れ検知モジュール１５４は、排ガスサンプリングシステム１００中の漏れを検知する。
【００３８】
［0042］漏れ試験の間、弁制御モジュール１５２は、希釈空気供給路１０４から戻り通路１３０へと連結路１４２を介し希釈空気の流れを迂回させるよう第１弁１１６を閉じるとともに第３弁１４８を開いて良い。さらに、弁制御モジュール１５２は、第１及び第２弁１１８の間を延びている希釈空気供給路１０４の部分内にサンプリングプローブ１０８を隔離するために第１及び第２弁１１６及び１１８を閉じることができる。このように第１，第２，そして第３弁１１６，１１８，そして１４８を調節することは、希釈空気のみが第１及び第２流量計１３８及び１４０を通過して流れることを確実にする。次に、漏れ検知モジュール１５４が、第１質量流量Ｑ１と第２質量流量Ｑ２との間の差に基づき排ガスサンプリングシステム１００中の漏れを検知する。
【００３９】
［0043］漏れ検知モジュール１５４は、第１質量流量Ｑ１と第２質量流量Ｑ２との間の差に基づき第１流路及び／又は第２流路における漏れを検知できる。第１流路は、希釈空気供給路１０４，希釈空気トンネル１０６，送出路１２０，フィルター路１２２及び１２４，そして戻り通路１３０を通して延びる。第２流路は、連結路１４２を通して延びる。
【００４０】
［0044］種々の実施において、第１弁１１６及び第３弁１４８は、単一の３方弁１５６と置き換えられる。第１弁１１６，第２弁１１８，第３弁１４８，及び／又は３方弁１５６は、弁組立体として適用することができる。第１及び第３弁１４８が３方弁１５６と置き換えられている実施においては、弁制御モジュール１５２が第２弁１１８及び３方弁１５６の位置を制御する。
【００４１】
［0045］排ガスサンプリングシステム１００はさらに、熱交換器１５８及び遠心分離器１６０を含むことができる。熱交換器１５８は、希釈空気供給路１０４を通して流れている希釈空気を加熱及び／又は冷却する。熱交換器１５８は、ペルティエ型（Peltier-based）熱交換器とすることができる。遠心分離器１６０は、大きな粒子を捕えている間に、より小さな粒子はそこを通して通過することを許容する粒子分離器である。例えば、より小さな粒子は直径が略１マイクロメーターであり、大きな粒子は直径が略１０マイクロメーターである。
【００４２】
［0046］図２は、図１の排ガスサンプリングシステム１００に類似している排ガスサンプリングシステム２００を図示している。しかしながら、図１の排ガスサンプリングシステム１００においては、第１及び第２弁１１６及び１１８が希釈空気供給路１０４中に配置されていて、そして上に述べられていた如くサンプリングプローブ１０８を隔離するために閉じられていた。対比すると、図２の排ガスサンプリングシステム２００においては、第１及び第２弁１１６及び１１８が取り除かれていて、そして単一弁２０２がサンプリングプローブ１０８中に配置されているとともに第１流路全体からサンプリングプローブ１０８を隔離するために閉じられている。次に、希釈空気が、サンプリングプローブ１０８からの排ガスと混合することなく第１流路全体を通して流れることを許容される。結果として、連結路１４２が取り除かれる。
【００４３】
［0047］弁２０２は、弁２０２が閉じられている時に希釈空気供給路１０４及び希釈空気トンネル１０６への排ガス流れを阻止する。弁２０２は、弁２０２が開かれている時に希釈空気供給路１０４及び希釈空気トンネル１０６への排ガス流れを許容する。弁２０２は電気機械弁とすることができ、そして全開位置，全閉位置，及び、種々の実施において、全開位置と全閉位置との間の複数の位置へと調節可能である。
【００４４】
［0048］図３は、図１の排ガスサンプリングシステム１００にまた類似している排ガスサンプリングシステム３００を図示している。しかしながら、排ガスサンプリングシステム３００はさらに、追加サンプリング（ＡＯＳ：add on sampling）装置３０２を含む。ＡＯＳ装置３０２は、第１流路を通って流れている排ガス中の粒子の性質を検知し、そしてガスが第１流路を逃れることを許容する。
【００４５】
［0049］ＡＯＳ装置３０２は、粒子数（particle count）及び／又は粒子寸法を測定できる。一例において、ＡＯＳ装置３０２は、粒子が所定期間に渡り収集され、そして次に所定期間の終わりに数を数えられるバッチテスト（batch test）を介し粒子数を測定する。もう１つの例において、ＡＯＳ装置３０２は、粒子数における一過性の変化（transient change）を指し示す粒子数の瞬間の表示（reading）を提供できる。
【００４６】
［0050］排ガス及び希釈空気は入口通路３０４を通ってＡＯＳ装置３０２に入り、そして出口通路３０６を通ってＡＯＳ装置３０２を出る。入口弁３０８が入口通路３０４中に配置されていて、そして入口通路３０４を通る流れを調整する。出口弁３１０が出口通路３０６中に配置されていて、そして出口通路３０６を通る流れを調整する。入口及び出口弁３０８及び３１０は電気機械弁とすることができ、そして、全開位置，全閉位置，及び、種々の実施において、全開位置と全閉位置との間の複数の位置へと調節可能である。
【００４７】
［0051］ＡＯＳ装置３０２は、第３流量計３１２及び第４流量計３１４を含む。第３流量計３１２は、入口通路３０４を通って流れている空気の第３質量流量Ｑ３を測定する。第４流量計３１４は、出口通路３０６を通って流れている空気の第４質量流量Ｑ４を測定する。
【００４８】
［0052］図４を参照すると、排ガスサンプリングシステム１００，２００，又は３００の如き排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する方法が、ステップ４００で始まる。この方法は、図１の弁制御モジュール１５２及び漏れ検知モジュール１５４の状況において記載される。しかしながら、この方法の複数のステップを遂行する複数の特定のモジュールは以下の記載とは異なって良いし、及び／又はこの方法は図１のモジュールから離れて実行されて良い。例えば、この方法は１つのモジュールにより又は２つ以上のモジュールにより実行されて良い。
【００４９】
［0053］ステップ４０２で、この方法は、希釈空気を、希釈空気供給路１０４を通って希釈空気トンネル１０６へと供給する。ステップ４０４で、弁制御モジュール１５２は、サンプリングプローブ１０８から希釈空気トンネル１０６への排ガス流れを阻止するために第２弁１１８（図１及び図３）又は弁２０２（図２）を閉じる。ステップ４０６で、弁制御モジュール１５２は、連結路１４２（図１及び図３）を通って希釈空気供給路１０４から希釈空気トンネル１０６へと空気流を迂回させるよう、第１弁１１６及び第３弁１４８を含んでいる弁組立体を制御する。ステップ４０６は、図２の排ガスサンプリングシステム２００における漏れを診断する時には取り除かれる。
【００５０】
［0054］図３の排ガスサンプリングシステム３００の如き排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する時、この方法はステップ４０８を遂行できる。ステップ４０８で、弁制御モジュール１５２は、ＡＯＳ装置３０２に入る又はＡＯＳ装置３０２を出る空気流を阻止するために入口及び出口弁３０８及び３１０を閉じる。ステップ４１０で、第１流量計１３８は、希釈空気供給路１０４を通る空気流の第１質量流量Ｑ１を測定する。ステップ４１２で、第２流量計１４０は、戻り通路１３０を通る空気流の第２質量流量Ｑ２を測定する。
【００５１】
［0055］ステップ４１４で、漏れ検知モジュール１５４は、第１及び第２流量Ｑ１及びＱ２間の差が閾値（例えば、０グラム毎秒（ｇ／ｓ）と０．０２ｇ／ｓとの間の所定値）より大きいかどうかを決定する。もしも、第１及び第２流量Ｑ１及びＱ２間の差が閾値よりも大きいのであれば、漏れ検知モジュール１５４は、ステップ４１６を継続し、そして排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する。さもなければ、漏れ検知モジュール１５４は、ステップ４１８を継続し、そして排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知しない。
【００５２】
［0056］図３の排ガスサンプリングシステム３００における漏れを検知する時、漏れ検知モジュール１５４は、ＡＯＳ装置３０２を通りシステム３００を流出する希釈空気の量となるように第３及び第４質量流量Ｑ３及びＱ４に基づき第１値を調節できる。例えば、漏れ検知モジュール１５４は、第３質量流量Ｑ３引く第４質量流量Ｑ４に等しい量だけ第１値を増加させる。この方法は、ステップ４２０で終了する。
【００５３】
［0057］図５を参照すると、図３の第３及び第４質量流量Ｑ３及びＱ４における誤りを検知する方法がステップ５００で始まる。この方法は、図１の弁制御モジュール１５２及び漏れ検知モジュール１５４の状況において記載される。しかしながら、この方法の複数のステップを遂行する複数の特定のモジュールは以下の記載とは異なって良いし、及び／又はこの方法は図１のモジュールから離れて実行されて良い。例えば、この方法は１つのモジュールにより又は２つ以上のモジュールにより実行されて良い。もう１つの例では、漏れ検知モジュール１５４が第３及び第４質量流量Ｑ３及びＱ４における誤りを検知し、そして検知された誤りに基づきこれらの質量流量を調節するとして記載されている一方で、これらの機能は誤り検知モジュール及び調節モジュールにより、夫々遂行される。
【００５４】
［0058］この方法は、第１及び第２質量流量Ｑ１及びＱ２間の差に基づき第３及び第４質量流量Ｑ３及びＱ４における誤りを検知する。従って、この方法は、排ガスサンプリングシステムにおける漏れのせいで、もしあるのであれば、この差がどのくらいの量であるかを決定するために図４の方法を遂行した後に行うことができる。更に、図５の方法が遂行されている間に、弁制御モジュール１５２は、第１及び第２弁１１６及び１１８を閉鎖したままに維持し、そして第３弁１４８は開いたままに維持する。
【００５５】
［0059］ステップ５０２で、弁制御モジュール１５２は、ＡＯＳ装置３０２へ入る及びＡＯＳ装置３０２を出る空気流を許容するために入口及び出口弁３０８及び３１０を開く。ステップ５０４で、第１流量計１３８は希釈空気供給路１０４を通る空気流の第１質量流量Ｑ１を測定する。ステップ５０６で、第２流量計１４０は戻り通路１３０を通る空気流の第２質量流量Ｑ２を測定する。ステップ５０８で、第３流量計３１２はＡＯＳ装置３０２に入って来る第３流量Ｑ３を測定する。ステップ５１０で、第４流量計３１４はＡＯＳ装置３０２を出る第４流量Ｑ４を測定する。種々の実施において、第３及び第４質量流量Ｑ３及びＱ４を測定する代わりに、第３及び第４質量流量Ｑ３及びＱ４は予め決められていて、そして漏れ検知モジュール１５４中に記憶される。
【００５６】
［0060］ステップ５１２で、漏れ検知モジュール１５４は、第１及び第２流量Ｑ１及びＱ２（例えば、Ｑ１−Ｑ２）間の第１差を決定し、そして第３及び第４質量流量Ｑ３及びＱ４（例えば、Ｑ３−Ｑ４）間の第２差を決定する。漏れ検知モジュール１５４は次に、第１差（例えば、Ｑ１−Ｑ２）及び第２差（例えば、Ｑ３−Ｑ４）間の第３差が閾値（例えば、０ｇ／ｓ及び０．０２ｇ／ｓ間の所定値）よりも大きいかどうかを決定する。もし第３差が閾値よりも大きいのであれば、漏れ検知モジュール１５４はステップ５１４を継続し、そして第３及び第４質量流量Ｑ３及びＱ４における誤りを検知する。さもなければ、漏れ検知モジュール１５４はステップ５１６を継続し、そして第３質量流量Ｑ３又は第４質量流量Ｑ４における誤りを検知しない。
【００５７】
［0061］ステップ５１８で、漏れ検知モジュール１５４は、第３及び第４質量流量Ｑ３及びＱ４において検知された誤りに基づいて第３及び第４質量流量Ｑ３及びＱ４を調整する。一例において、漏れ検知モジュール１５４は、第１差（例えば、Ｑ１−Ｑ２）及び第２差（例えば、Ｑ３−Ｑ４）間の第３差が閾値内であるように第３質量流量Ｑ３及び／又は第４質量流量Ｑ４を調節する。さらに又は代わりに、漏れ検知モジュール１５４は、第３及び第４質量流量Ｑ３及びＱ４において検知された誤りに基づいて、第３及び第４質量流量Ｑ３及びＱ４間の第２差を調節できる。例えば、漏れ検知モジュール１５４は、第３差が閾値よりも大きくなる量と等しい量だけ第２差（例えば、Ｑ３−Ｑ４）を調整する。この方法は、ステップ５２０で終了する。
【００５８】
［0062］前の記載は、本来単に説明しているだけであり、そして記載，その適用，又は使用を制限することを意図していない。開示の広い教えは、種々の形態で履行されることが出来る。従って、この開示が典型例を含む一方で、開示の真の範囲は、他の変形例が図，明細書，そして以下の特許請求の範囲の教えに基づき明らかになるので、限定されるべきではない。ここで使用される、Ａ，Ｂ，そしてＣの少なくとも１つという成句は、非除外用語である「又は」（non-exclusive logical OR）を使用して用法（Ａ又はＢ又はＣ）を意味すると解釈しなければならず、そして「少なくとも１つのＡ，少なくとも１つのＢ，そして少なくとも１つのＣ」を意味すると解釈してはならない。方法中の１つ又はそれ以上のステップはこの開示の本質を変更することなく異なった順序で（又は同時に）実行されて良い。
【００５９】
［0063］以下の定義を含んでいるこの出願において、用語「モジュール（module）」又は用語「制御機（controller）」は、用語「回路（circuit）」と置き換えられる。用語「モジュール（module）」は：特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）；デジタル、アナログ，又はアナログ／デジタル混合ディスクリート回路（mixed analog/digital discrete circuit）；デジタル、アナログ，又はアナログ／デジタル混合集積回路（mixed analog/digital integrated circuit）；組合せ論理回路（combinational logic circuit）；フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ：Field Programmable Gate Array）；コードを実行する処理回路（共有，専用，又は群（shared, dedicated, or group））；処理回路により実行されたコードを貯蔵する記憶回路（共有，専用，又は群（shared, dedicated, or group））；記載されている機能を提供する他の適切なハードウェアコンポーネント；又は、システムオンチップ（system-on-chip）の如き、上の幾つか又は全ての組み合わせ、が適用され，一部とされ，又は含むことができる。
【００６０】
［0064］モジュールは、１つ又はそれ以上のインターフェース回路を含んで良い。幾つかの例では、インターフェース回路は、ローカル・エリア・ネットワーク（ＬＡＮ），インターネット，ワイド・エリア・ネットワーク（ＷＡＮ），又はそれらの組み合わせに接続されている有線の又はワイヤレスのインターフェースを含んで良い。この開示の如何なる所定のモジュールの機能も、インターフェース回路を介して連結されている多数のモジュールの中に分配される。例えば、多数のモジュールは、ロードバランシング（load balancing）を許容される。さらなる例において、（リモート（remote）又はクラウド（cloud）としても知られている）サーバーモジュール（server module）が、クライエントモジュール（client module）の利益のために幾つかの機能を達成できる。
【００６１】
［0065］上で使用された如きコードの用語は、ソフトウェア、ファームウェア，及び/又はマイクロコードを含んでおり、そしてプログラム，ルーチン（routine），ファンクション（function），クラス（class）、データ構造（data structure）及び/又はオブジェクト（object）が適用される。共有処理回路の用語は、多数のモジュールからの幾つかの又は全てのコードを実行する単一処理回路を包含する。群処理回路の用語は、追加の処理回路との組み合わせにおいて、１つ又はそれ以上のモジュールからの幾つかの又は全てのコードを処理する処理回路を包含する。多数の処理回路を見ると、個別ダイ（discrete die）上の多数処理回路，単一ダイ（single die）上の多数処理回路，単一処理回路の多数コア（multiple cores），単一処理回路の多数スレッド（multiple threads），又は上記の組合せを包含する。共有記憶回路の用語は、多数モジュールからの幾つか又は全てのコードを貯蔵する単一記憶回路を包含する。群記憶回路の用語は、追加のメモリー（memories）との組み合わせにおいて、１つ又はそれ以上のモジュールからの幾つかの又は全てのコードを貯蔵する記憶回路を包含する。
【００６２】
［0066］記憶回路の用語は、コンピューター読み取り可能媒体（computer-readable medium）のサブセット（subsets）である。コンピューター読み取り可能媒体の用語は、ここで使用される時、（搬送波の如き）媒体を介して伝搬している一時的な（transitory）電気又は電磁信号を包含しない；コンピューター読み取り可能媒体は、従って、実体的な（tangible）及び一時的でない（non-transitory）と考えられる。一時的でない（non-transitory）、実体的な（tangible）コンピューター読み取り可能媒体の限定されない例は、（フラッシュメモリ回路，消去可能プログラム可能読出し専用メモリ回路，又はマスク読出し専用メモリ回路の如き）不揮発性メモリ回路，（スタテイックランダムアクセスメモリ回路又はダイナミックランダムアクセスメモリ回路の如き）揮発性メモリ回路，（アナログ又はデジタル磁気テープ又はハードディスクドライブの如き）磁気記憶媒体，そして（ＣＤ，ＤＶＤ，又はブルーレイディスクの如き）光学記憶媒体である。
【００６３】
［0067］この出願中に記載されている装置及び方法は、コンピュータープログラム中で具体化されている１つ又はそれ以上の特定の機能を実行させるよう汎用コンピューターを構成することにより創出された専用目的コンピューターにより部分的に又はすべて実行される。機能ブロック，フローチャート構成部材，そして上に記載された他の要素は、熟練した技術者又はプログラマーのルーチンワークによりコンピュータープログラム中に変換されることが出来るソフトウェア仕様書として働く。
【００６４】
［0068］コンピュータープログラムは、少なくとも１つの一時的でない（non-transitory）、実体的な（tangible）コンピューター読み取り可能媒体上に貯蔵されているプロセッサ実行可能指示を含む。コンピュータープログラムはまた、貯蔵されているデータを含み又は依存する。コンピュータープログラムは、専用目的コンピューターの特定の装置，１つ又はそれ以上の操作システム，使用者アプリケーション（user applications），バックグラウンドサービス（background services），バックグラウンドアップリケーション（background applications），等と協働するベーシック・入力／出力システム（ＢＩＯＳ（Basic input/output system））を包含する。
【００６５】
［0069］コンピュータープログラムは：（ｉ）ＨＴＭＬ（hypertext markup language）又はＸＭＬ（extensible markup language）の如き構文解析される（parsed）説明デキスト（descriptive text），（ｉｉ）アセンブリコード（assembly code），（ｉｉｉ）コンパイラ―（compiler）によりソースコード（source code）から生成されたオブジェクトコード（object code），（ｉｖ）インタプリター（interpreter）による実行のためのソースコード，（ｖ） ジャストインタイムコンパイラー（just-in-time compiler）によるコンパイル（compilation）及び実行のためのソースコード，等を含む。例としてのみであるが、ソースコードは、Ｃ，Ｃ＋＋，Ｃ＃、Ｏｂｊｅｃｔｉｖｅ  Ｃ，Ｈａｓｋｅｌｌ，Ｇｏ，ＳＱＬ，Ｒ，Ｌｉｓｐ，Ｊａｖａ（登録商標），Ｆｏｒｔｒａｎ，Ｐｅｒｌ，Ｐａｓｃａｌ，Ｃｕｒｌ，ＯＣａｍｌ，Ｊａｖａｓｃｒｉｐｔ（登録商標），ＨＴＭＬ５，Ａｄａ，ＡＳＰ（active server pages），ＰＨＰ，Ｓｃａｌａ，Ｅｉｆｆｅｌ，Ｓｍａｌｌｔａｌｋ，Ｅｒｌａｎｇ，Ｒｕｂｙ，Ｆｌａｓｈ（登録商標），Ｖｉｓｕａｌ  Ｂａｓｉｃ（登録商標），Ｌｕｎａ，そしてＰｙｔｈｏｎ（登録商標）を含んでいる言語からシンタックス（syntax）を使用して書かれる。
【００６６】
［0070］特許請求の範囲中に引用されている要素の何れもが、要素が、成句「手段（means for）」を使用して、或いは方法の請求項の場合には成句「操作（operation for）又は「ステップ（step for）」を使用して、明白に引用されていない限り、 米国特許法１１２条（ｆ）の意味の範囲内の手段プラス機能要素（means-plus-function element）となることを意図されていない。
【００６７】
［0071］第１，第２，第３，等の用語は、種々の要素，構成部材，領域，層及び/又は区域を記載するようここで使用され、これら要素，構成部材，領域，層及び/又は区域はこれらの用語により限定されるべきではない。これらの用語は、１つの要素，構成部材，領域，層又は区域を他の１つの要素，構成部材，領域，層又は区域から区別するためにのみ使用されている。ここで使用された時、「第１」，「第２」のような用語，そして他の数に関する用語は、状況により明確に指摘されていない限り、順序（sequence）又は順番（order）を意味しない。従って、以下で論じられる第１の要素，構成部材，領域，層又は区域は、例示の実施形態の教えから離れることなく、第２の要素，構成部材，領域，層又は区域と称することが出来る。
【図１】
2018507417.tif 000003
【図２】
2018507417.tif 000004
【図３】
2018507417.tif 000005
【図４】
2018507417.tif 000006
【図５】
2018507417.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月13日(2017.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排ガスサンプリングシステムであって、
第１流路に対し希釈空気を提供する希釈空気源と、
前記第１流路における空気の第１質量流量を測定する第１流量計と、
前記第１流量計から下流で前記第１流路に配置されている出口を有し、前記第１流路に対し排ガスを提供するサンプリングプローブと、
前記サンプリングプローブから下流で前記第１流路における空気の第２質量流量を測定する第２流量計と、
開かれている時に前記サンプリングプローブから前記第２流量計への排ガスの流れを許容し、閉じられている時に前記サンプリングプローブから前記第２流量計への排ガス流れを阻止する第１弁と、そして
前記第１弁が閉じられている時に行われた前記第１質量流量及び前記第２質量流量の測定に基づき前記排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する漏れ検知モジュールと、
を備えている排ガスサンプリングシステム。
【請求項２】
前記漏れ検知モジュールは、前記第１質量流量と前記第２質量流量との間の差に基づき前記排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する、請求項１に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項３】
前記漏れ検知モジュールは、前記第１質量流量と前記第２質量流量との間の差が所定値よりも大きい時に前記排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する、請求項２に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項４】
前記第１弁は、前記サンプリングプローブに配置されている、請求項１に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項５】
前記第１弁は、前記サンプリングプローブの出口から下流の前記第１流路に配置されている、請求項１に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項６】
前記第１流路における第１部位から前記第１流路における第２部位へと延びていて、前記第１部位が前記第１流量計から下流であるとともに前記サンプリングプローブの出口から上流であり、前記第２部位が前記サンプリングプローブの出口から下流であるとともに前記第２流量計から上流である、第２流路と、そして
第１位置である時に、前記第１流路を通した前記サンプリングプローブの出口への空気流を許容するとともに前記第２流路を通した前記第１部位から前記第２部位への空気流を阻止し、第２位置である時に、前記第１流路を通した前記サンプリングプローブの出口への空気流を阻止するとともに前記第２流路を通した前記第１部位から前記第２部位への空気流を許容する、弁組立体と、
をさらに備えている、請求項５に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項７】
前記弁組立体は第２弁及び第３弁を含み、
前記第２弁が前記第１部位から下流であるとともに前記サンプリングプローブの出口から上流で前記第１流路に配置されており、そして
前記第３弁が前記第１部位から下流であるとともに前記第２部位から上流で前記第２流路に配置されている、
請求項６に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項８】
前記第１及び第２弁が閉じられ、そして前記第３弁が開かれている時に、前記第１及び第２流量計が前記第１及び第２質量流量を、夫々測定する、請求項７に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項９】
前記第１流路中を通して流れている排ガスの粒子の性質を検知するとともにガスが前記第１流路を流出することを許容する追加サンプリング（ＡＯＳ）装置をさらに備え、
前記ＡＯＳ装置が、前記サンプリングプローブの出口から下流である第１部位で前記第１流路と連通している入口を有し、
前記ＡＯＳ装置が、前記第１部位から下流である第２部位で前記第１流路と連通している出口を有し、そして
前記漏れ検知モジュールが、前記第１質量流量及び前記第２質量流量を基に、前記ＡＯＳ装置に入って来る空気の第３質量流量及び前記ＡＯＳ装置を出て行く空気の第４質量流量の少なくとも１つの誤りを検知する、
請求項１に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項１０】
前記漏れ検知モジュールは、
前記第１質量流量と前記第２質量流量との間の第１差と、そして
前記第３質量流量と前記第４質量流量との間の第２差、
に基づいて、前記第３及び第４質量流量の少なくとも１つの誤りを検知する、請求項９に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項１１】
前記漏れ検知モジュールは、前記第１差が所定量だけ前記第２差よりも大きい時に前記第３及び第４質量流量の少なくとも１つの誤りを検知する、請求項１０に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項１２】
前記第３質量流量及び第４質量流量が予め決められている、請求項９に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項１３】
前記ＡＯＳ装置は、前記第３質量流量を測定する第３流量計及び前記第４質量流量を測定する第４流量計を含む、請求項９に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項１４】
排ガスサンプリングシステムは、第２弁及び第３弁を更に備えており、
前記第２弁は開いた時に前記第１流路と前記ＡＯＳ装置の入口との間の連通を許容し、前記第２弁は閉じられた時に前記第１流路と前記ＡＯＳ装置の入口との間の連通を阻止し、
前記第３弁は開いた時に前記第１流路と前記ＡＯＳ装置の出口との間の連通を許容し、前記第３弁は閉じられた時に前記第１流路と前記ＡＯＳ装置の出口との間の連通を阻止する、
請求項９に記載の排ガスサンプリングシステム。
【請求項１５】
前記漏れ検知モジュールは、前記第１弁，前記第２弁，そして前記第３弁が閉じられている時に行われた前記第１質量流量及び前記第２質量流量の測定に基づいて前記第３質量流量及び前記第４質量流量の少なくとも１つを調整する、請求項１４に記載の排ガスサンプリングシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
［0071］第１，第２，第３，等の用語は、種々の要素，構成部材，領域，層及び/又は区域を記載するようここで使用され、これら要素，構成部材，領域，層及び/又は区域はこれらの用語により限定されるべきではない。これらの用語は、１つの要素，構成部材，領域，層又は区域を他の１つの要素，構成部材，領域，層又は区域から区別するためにのみ使用されている。ここで使用された時、「第１」，「第２」のような用語，そして他の数に関する用語は、状況により明確に指摘されていない限り、順序（sequence）又は順番（order）を意味しない。従って、以下で論じられる第１の要素，構成部材，領域，層又は区域は、例示の実施形態の教えから離れることなく、第２の要素，構成部材，領域，層又は区域と称することが出来る。
ここに、出願当初の特許請求の範囲の記載事項を付記する。
［１］  排ガスサンプリングシステムであって、
第１流路に対し希釈空気を提供する希釈空気源と、
前記第１流路における空気の第１質量流量を測定する第１流量計と、
前記第１流量計から下流で前記第１流路に配置されている出口を有し、前記第１流路に対し排ガスを提供するサンプリングプローブと、
前記サンプリングプローブから下流で前記第１流路における空気の第２質量流量を測定する第２流量計と、
開かれている時に前記サンプリングプローブから前記第２流量計への排ガスの流れを許容し、閉じられている時に前記サンプリングプローブから前記第２流量計への排ガス流れを阻止する第１弁と、そして
前記第１弁が閉じられている時に行われた前記第１質量流量及び前記第２質量流量の測定に基づき前記排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する漏れ検知モジュールと、
を備えている排ガスサンプリングシステム。
［２］  前記漏れ検知モジュールは、前記第１質量流量と前記第２質量流量との間の差に基づき前記排ガスシステムにおける漏れを検知する、［１］に記載の排ガスサンプリングシステム。
［３］  前記漏れ検知モジュールは、前記第１質量流量と前記第２質量流量との間の差が所定値よりも大きい時に前記排ガスシステムにおける漏れを検知する、［２］に記載の排ガスサンプリングシステム。
［４］  前記第１弁は、前記サンプリングプローブに配置されている、［１］に記載の排ガスサンプリングシステム。
［５］  前記第１弁は、前記サンプリングプローブの出口から下流の前記第１流路に配置されている、［１］に記載の排ガスサンプリングシステム。
［６］  前記第１流路における第１部位から前記第１流路における第２部位へと延びていて、前記第１部位が前記第１流量計から下流であるとともに前記サンプリングプローブの出口から上流であり、前記第２部位が前記サンプリングプローブの出口から下流であるとともに前記第２流量計から上流である、第２流路と、そして
第１位置である時に、前記第１流路を通した前記サンプリングプローブの出口への空気流を許容するとともに前記第２流路を通した前記第１部位から前記第２部位への空気流を阻止し、第２位置である時に、前記第１流路を通した前記サンプリングプローブの出口への空気流を阻止するとともに前記第２流路を通した前記第１部位から前記第２部位への空気流を許容する、弁組立体と、
をさらに備えている、［５］に記載の排ガスサンプリングシステム。
［７］  前記弁組立体は第２弁及び第３弁を含み、
前記第２弁が前記第１部位から下流であるとともに前記サンプリングプローブの出口から上流で前記第１流路に配置されており、そして
前記第３弁が前記第１部位から下流であるとともに前記第２部位から上流で前記第２流路に配置されている、
［６］に記載の排ガスサンプリングシステム。
［８］  前記第１流路中を通して流れている排ガスの粒子の性質を検知するとともにガスが前記第１流路を流出することを許容する追加サンプリング（ＡＯＳ）装置をさらに備え、
前記ＡＯＳ装置が、前記サンプリングプローブの出口から下流である第１部位で前記第１流路と連通している入口を有し、
前記ＡＯＳ装置が、前記第１部位から下流である第２部位で前記第１流路と連通している出口を有し、そして
前記漏れ検知モジュールが、前記第１質量流量及び前記第２質量流量を基に、前記ＡＯＳ装置に入って来る空気の第３質量流量及び前記ＡＯＳ装置を出て行く空気の第４質量流量の少なくとも１つの誤りを検知する、
［１］に記載の排ガスサンプリングシステム。
［９］  前記漏れ検知モジュールは、
前記第１質量流量と前記第２質量流量との間の第１差と、そして
前記第３質量流量と前記第４質量流量との間の第２差、
に基づいて、前記第３及び第４質量流量の少なくとも１つの誤りを検知する、［８］に記載の排ガスサンプリングシステム。
［１０］  前記漏れ検知モジュールは、前記第１差が所定量だけ前記第２差よりも大きい時に前記第３及び第４質量流量の少なくとも１つの誤りを検知する、［９］に記載の排ガスサンプリングシステム。
［１１］  前記第３質量流量及び第４質量流量が予め決められている、［８］に記載の排ガスサンプリングシステム。
［１２］  前記ＡＯＳ装置は、前記第３質量流量を測定する第３流量計及び前記第４質量流量を測定する第４流量計を含む、［８］に記載の排ガスサンプリングシステム。
［１３］  排ガスサンプリングシステムは、第２弁及び第３弁を更に備えており、
前記第２弁は開いた時に前記第１流路と前記ＡＯＳ装置の入口との間の連通を許容し、前記第２弁は閉じられた時に前記第１流路と前記ＡＯＳ装置の入口との間の連通を阻止し、
前記第３弁は開いた時に前記第１流路と前記ＡＯＳ装置の出口との間の連通を許容し、前記第３弁は閉じられた時に前記第１流路と前記ＡＯＳ装置の出口との間の連通を阻止する、
［８］に記載の排ガスサンプリングシステム。
［１４］  前記漏れ検知モジュールは、前記第１弁，前記第２弁，そして前記第３弁が閉じられている時に行われた前記第１質量流量及び前記第２質量流量の測定に基づいて前記第３質量流量及び前記第４質量流量の少なくとも１つを調整する、［１３］に記載の排ガスサンプリングシステム。
［１５］  排ガスサンプリングシステムであって、
希釈空気トンネルと、
前記希釈空気トンネルに対し希釈空気を提供する希釈空気供給路と、
前記希釈空気供給路を通して流れている空気の第１質量流量を測定する第１流量計と、
前記希釈空気トンネルに対し排ガスを提供するサンプリングプローブと、
前記希釈空気トンネルの出口と流体連通している戻り通路と、
前記サンプリングプローブから前記戻り通路への排ガス流れを制御する第１弁と、
前記戻り通路を通して流れている空気の第２質量流量を測定する第２流量計と、そして
前記第１弁が閉じられている時に行われた前記第１質量流量及び前記第２質量流量の測定に基づき前記排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する漏れ検知モジュールと、
を備えている排ガスサンプリングシステム。
［１６］  前記漏れ検知モジュールは、前記第１質量流量が所定量だけ前記第２質量流量よりも大きい時に前記排ガスシステムにおける漏れを検知する、［１５］に記載の排ガスサンプリングシステム。
［１７］  前記第１弁が前記サンプリングプローブに配置されている、［１５］の排ガスサンプリングシステム。
［１８］  前記サンプリングプローブは、前記希釈空気トンネルから上流に配置されている出口を有し、そして前記第１弁は前記サンプリングプローブの出口から下流で希釈空気供給路に配置されている、［１５］に記載の排ガスサンプリングシステム。
［１９］  前記サンプリングプローブの出口から上流の第１部位で前記希釈空気供給路と連通している入口を有しているとともに前記第２流量計から上流の第２部位で前記戻り通路と連通している出口を有している連結路、そして
前記サンプリングプローブの出口への空気の流れを制御するとともに前記第１部位から前記第２部位への前記連結路を通した空気の流れを制御する弁組立体と、
をさらに備えている［１８］に記載の排ガスサンプリングシステム。
［２０］  前記弁組立体が第２弁及び第３弁を含み、
前記第２弁は、前記第１部位から下流であるとともに前記サンプリングプローブの出口から上流で前記希釈空気供給路に配置されており、そして
前記第３弁は、前記第１部位から下流であるとともに前記第２部位から上流で前記連結路に配置されている、
［１９］に記載の排ガスサンプリングシステム。
［２１］  前記第１部位から下流で前記希釈空気供給路に配置されている熱交換器をさらに備えている、［１９］に記載の排ガスサンプリングシステム。
［２２］  前記第２部位から上流で前記戻り通路に配置されている遠心分離器をさらに備えている、［１９］に記載の排ガスサンプリングシステム。
［２３］  希釈空気供給路を通して希釈空気トンネルへと希釈空気を供給する工程と、
サンプリングプローブから前記希釈空気トンネルの出口と流体連通している戻り通路への排ガス流れを阻止するよう第１弁を閉じる工程と、
前記第１弁が閉じられている時に前記希釈空気供給路を通って流れている空気の第１質量流量を測定する工程と、
前記第１弁が閉じられている時に前記戻り通路を通って流れている空気の第２質量流量を測定する工程と、そして
前記第１質量流量及び前記第２質量流量に基づいて排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する工程と、
を備えている、排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する方法。
［２４］  前記第１質量流量と前記第２質量流量との間の差に基づき排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する工程を更に備えている、［２３］に記載の方法。
［２５］  前記第１質量流量と前記第２質量流量との間の差が所定値よりよりも大きい時に排ガスサンプリングシステムにおける漏れを検知する工程を更に備えている、［２４］に記載の方法。
［２６］  前記希釈空気供給路から前記希釈空気トンネルへの空気流を阻止するとともに、前記希釈空気供給路において前記サンプリングプローブの出口から上流である第１部位から前記戻り通路において前記第２質量流量が測定される第３部位から上流である第２部位への連結路を通る空気流を許容するよう弁組立体を制御する工程と、そして
前記第１及び第２質量流量を測定する工程と、
を更に備えている、［２３］に記載の方法。
［２７］  追加サンプリング（ＡＯＳ）装置に入って来る空気の第３質量流量及びＡＯＳ装置を出て行く空気の第４質量流量の少なくとも１つの誤りを、前記第１及び第２質量流量に基づき検知する工程を更に備えている、［２３］に記載の方法。
［２８］  前記第１及び第２質量流量間の第１差と前記第３及び第４質量流量間の第２差とに基づき、前記第３及び第４質量流量の少なくとも１つの誤りを検知する工程を更に備えている、［２７］に記載の方法。
［２９］  前記第１差が所定量だけ前記第２差より大きい時に前記第３及び第４質量流量の少なくとも１つの誤りを検知する工程を更に備えている、［２８］に記載の方法。
［３０］  前記検知された誤りに基づき、前記第３及び第４質量流量の少なくとも１つを調整する工程を更に備えている、［２９］に記載の方法。
【国際調査報告】
2018507417.tif 000008
2018507417.tif 000009