(57)【要約】  オーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレーは、容量性結合Ｃsubを有する基板と、チャネルを画定するように直列に電気的に結合された２つの作動要素と、を含み、作動要素は独立して作動するか、または同時に作動するように構成されている。作動要素は、それ自体の容量性結合Ｃgapと、作動要素と電気的に通信するチャネル上の中間点と、基板に機械的に結合され、作動要素の少なくとも１つを支持するアンカーと、を含む。オーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレーは、入力ポートと、入力ポートと電気的に通信する第１のスイッチング群を構成する複数の第１のＭＥＭＳスイッチであって、それによって、ＭＥＭＳスイッチの各々からそれぞれ導かれる複数のチャネルを画定する、複数の第１のＭＥＭＳスイッチと、チャネルの各々に沿って、第１のスイッチング群から遠位にあり、入力ポートと電気的に通信する少なくとも１つの出口ポートと、を含む。【選択図】図１Ａ
2018501612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレーであって、第１の容量性結合Ｃsubを有する基板（１２）と、
直列に電気的に結合された第１および第２の作動要素（２１，４１，１４０，２４０）（２２，４２）であって、それによって第１のチャネル（４５，１３０，２３０，３３０）を画定し、独立して作動するように構成され、さらに第２の容量性結合Ｃgapを有する第１および第２の作動要素（２１，４１，１４０，２４０）（２２，４２）と、
前記第１および前記第２の作動要素（２１，４１，１４０）（２２，４２，２４０）と電気的に通信する前記第１のチャネル（４５，１３０，２３０，３３０）上の中間点と、
前記基板（１２）に機械的に結合され、前記第１および第２の作動要素（２１，４１，１４０，２４０）（２２，４２）のうちの少なくとも一方を支持する少なくとも１つのアンカー（４８ａ，４８ｂ）と、を含むオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項２】
比Ｃsub／Ｃgap＝ｒは、ｒ＜１０である、請求項１に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項３】
さらにｒ＜１である、請求項２に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項４】
前記中間点の電位は、ゲート信号の共通基準として作用する、請求項１に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項５】
前記少なくとも１つのアンカーは、前記第１の作動要素（２１，４１，１４０）と前記第２の作動要素（２２，４２）とで共有される共通のアンカーを含む、請求項１に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項６】
前記少なくとも１つのアンカーは、前記第１の作動要素（２１，４１，１４０）を支持する第１のアンカー（４８ａ）と、前記第２の作動要素（２２，４２）を支持する第２のアンカー（４８ｂ）と、を含み、前記第１のアンカーと前記第２のアンカーとは、互いに機械的に結合されていない、請求項１に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項７】
前記第１および前記第２の作動要素（２２，４２）のうちの少なくとも一方と電気的に直列に結合され、それによって第２のチャネルを画定する第３の作動要素をさらに含む、請求項１に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項８】
前記第１のチャネルおよび前記第２のチャネルは、並列構成で電気的に結合される、請求項７に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項９】
前記第１、第２、および第３の作動要素のうちの少なくとも２つは、並列構成である、請求項７に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項１０】
前記第１の作動要素（２１，４１，１４０）および前記少なくとも１つのアンカーは、第１のＭＥＭＳスイッチ（１０）を含み、前記第２の作動要素（２２，４２）および前記少なくとも１つのアンカーは、第２のＭＥＭＳスイッチ（４０）を含む、請求項１に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項１１】
入力ポートをさらに含み、前記入力ポートと前記第１の作動要素（２１，４１，１４０）との間の距離は、約λ／４未満であり、λは波長を含む、請求項１に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項１２】
前記第１および第２の作動要素（２２，４２）のうちの少なくとも一方を作動させるためのゲート信号を提供するように構成された少なくとも１つのゲートドライバ（６）をさらに含む、請求項１に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項１３】
前記少なくとも１つのゲートドライバ（６）は、少なくとも２つの作動要素を参照する、請求項１２に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項１４】
入力ポート（８６０）および複数の出力ポート（８５０）をさらに含む、請求項１に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項１５】
互いに電気的に通信する、請求項１に記載の複数のＲＦ  ＭＥＭＳリレーを含むオーミックＲＦ  ＭＥＭＳアセンブリ。
【請求項１６】
前記第１のチャネルに沿って基準アイソレーション（２３５）をさらに含む、請求項１に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項１７】
前記基準アイソレーションは、スイッチをさらに含む、請求項１６に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項１８】
前記第１のチャネルは、コプレーナ導波路を含む、請求項１に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項１９】
前記コプレーナ導波路の複数のグランド線上にＭＥＭＳスイッチをさらに含む、請求項１８に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項２０】
前記第１のチャネルは信号線を含み、前記基板（１２）の下にグランド層をさらに含み、前記グランド層および前記第１のチャネルは、マイクロストリップ構成およびグランドされたコプレーナ導波路構成のうちの一方を画定する、請求項１に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項２１】
前記第１の作動要素（２１，４１，１４０）および前記第２の作動要素（２２，４２）の少なくとも一方から前記中間点までの前記第１のチャネルに沿った距離は、少なくとも約０．２５ｍｍである、請求項１に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項２２】
静電制御オーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレーであって、
入力と、
前記入力を少なくとも１つの出力に接続するＲＦ伝送線路と、
第１の容量性結合Ｃsubを有する基板（１２）と、
前記ＲＦ伝送線路上に直列に電気的に結合された第１および第２の作動要素（２１，４１，１４０，２４０）（２２，４２）であって、独立して作動するように構成され、さらに第２の容量性結合Ｃgapを有する第１および第２の作動要素（２１，４１，１４０，２４０）（２２，４２）と、
前記第１および前記第２の作動要素（２１，４１，１４０，２４０）（２２，４２）と電気的に通信する前記ＲＦ伝送線路上の中間点であって、前記中間点の電位がゲート信号の共通基準として働く、中間点と、
前記基板（１２）に機械的に結合され、前記第１および第２の作動要素（２１，４１，１４０，２４０）（２２，４２）のうちの少なくとも一方を支持する少なくとも１つのアンカー（４８ａ，４８ｂ）と、を含み、比Ｃsub／Ｃgap＝ｒはｒ＜１０であり、前記リレーは、第１の閉位置および第２の開位置で動作するように構成され、
前記第１の閉位置は、前記入力と前記少なくとも１つの出力とを電気的に接続することを含み、
前記第２の開位置は、前記入力と前記少なくとも１つの出力とを電気的に切断することを含む、静電制御オーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項２３】
前記第１の作動要素（２１，４１，１４０）および第２の作動要素（２２，４２）は、実質的に金属からなる、請求項２２に記載の静電制御オーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項２４】
オーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレーであって、
入力ポートと、
第１のスイッチング群（８１１）を画定する複数の第１のＭＥＭＳスイッチであって、前記第１のスイッチング群（８１１）は前記入力ポートと電気的に通信し、それによって、前記複数の第１のＭＥＭＳスイッチの各々からそれぞれ導かれる複数のチャネルを画定する、複数の第１のＭＥＭＳスイッチと、
前記複数のチャネルの各々に沿って、前記第１のスイッチング群（８１１）から遠位にあり、前記入力ポートと電気的に通信する少なくとも１つの出口ポートと、を含むオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項２５】
複数の第２のＭＥＭＳスイッチを含む第２のスイッチング群（８１２）をさらに含み、前記第２のスイッチング群（８１２）は、前記第１のスイッチング群（８１１）と前記少なくとも１つの出口ポートとの間の前記複数のチャネルのうちの１つに沿っており、それによって前記入力ポートと電気的に通信する、請求項２４に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項２６】
前記第２のスイッチング群（８１２）は、複数のスイッチング群を含み、前記複数のスイッチング群の数は、前記第１のスイッチング群（８１１）を離れる前記複数のチャネルの数に等しい、請求項２５に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項２７】
オーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレーであって、第１の容量性結合Ｃsubを有する基板（１２）と、
直列に電気的に結合され、それによって第１のチャネルを画定する第１の作動要素（２１，４１，１４０）および第２の作動要素（２２，４２）であって、同時に作動するように構成され、さらに第２の容量性結合Ｃgapを有する第１の作動要素（２１，４１，１４０）および第２の作動要素（２２，４２）と、
前記第１および第２の作動要素（２１，４１，１４０，２４０）（２２，４２）と電気的に通信する前記第１のチャネル上の中間点と、
前記基板（１２）に機械的に結合され、前記第１および第２の作動要素（２１，４１，１４０，２４０）（２２，４２）の少なくとも一方を支持する少なくとも１つのアンカーと、を含むオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項２８】
比Ｃsub／Ｃgap＝ｒは、ｒ＜１０である、請求項２７に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項２９】
さらにｒ＜１である、請求項２８に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項３０】
前記中間点の電位は、ゲート信号の共通基準として作用する、請求項２７に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項３１】
前記少なくとも１つのアンカーは、前記第１の作動要素（２１，４１，１４０）と前記第２の作動要素（２２，４２）とで共有される共通のアンカーを含む、請求項２７に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項３２】
前記少なくとも１つのアンカーは、前記第１の作動要素（２１，４１，１４０）を支持する第１のアンカーと、前記第２の作動要素（２２，４２）を支持する第２のアンカーと、を含み、前記第１のアンカーと前記第２のアンカーとは、互いに機械的に結合されていない、請求項２７に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項３３】
前記第１および前記第２の作動要素（２１，４１，１４０，２４０）（２２，４２）のうちの少なくとも一方と電気的に直列に結合され、それによって第２のチャネルを画定する第３の作動要素をさらに含む、請求項２７に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項３４】
前記第１のチャネルおよび前記第２のチャネルは、並列構成で電気的に結合される、請求項３３に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項３５】
前記第１、第２、および第３の作動要素のうちの少なくとも２つは、並列構成である、請求項３３に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項３６】
前記第１の作動要素（２１，４１，１４０）および前記少なくとも１つのアンカーは、第１のＭＥＭＳスイッチを含み、前記第２の作動要素（２２，４２）および前記少なくとも１つのアンカーは、第２のＭＥＭＳスイッチを含む、請求項２７に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項３７】
入力ポートをさらに含み、前記入力ポートと前記第１の作動要素（２１，４１，１４０）との間の距離は、約λ／４未満であり、λは波長を含む、請求項２７に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項３８】
前記第１および第２の作動要素（２１，４１，１４０，２４０）（２２，４２）のうちの少なくとも一方を作動させるためのゲート信号を提供するように構成された少なくとも１つのゲートドライバ（６）をさらに含む、請求項２７に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項３９】
前記少なくとも１つのゲートドライバ（６）は、少なくとも２つの作動要素を参照する、請求項３８に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項４０】
入力ポートおよび複数の出力ポートをさらに含む、請求項２７に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項４１】
互いに電気的に通信する、請求項２７に記載の複数のＲＦ  ＭＥＭＳリレーを含むオーミックＲＦ  ＭＥＭＳアセンブリ。
【請求項４２】
前記第１のチャネルに沿って基準アイソレーションをさらに含む、請求項２７に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項４３】
前記基準アイソレーションは、スイッチをさらに含む、請求項４２に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項４４】
前記第１のチャネルは、コプレーナ導波路を含む、請求項２７に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項４５】
前記コプレーナ導波路の複数のグランド線上にＭＥＭＳスイッチをさらに含む、請求項４４に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項４６】
前記第１のチャネルは信号線を含み、前記基板（１２）の下にグランド層をさらに含み、前記グランド層および前記第１のチャネルは、マイクロストリップ構成およびグランドされたコプレーナ導波路構成のうちの一方を画定する、請求項２７に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【請求項４７】
前記第１の作動要素（２１，４１，１４０）および前記第２の作動要素（２２，４２）の少なくとも一方から前記中間点までの前記第１のチャネルに沿った距離は、少なくとも約０．２５ｍｍである、請求項２７に記載のオーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の態様は、一般に、スイッチングのためのデバイスに関し、より具体的には、無線周波数用途で使用するための多重インライン微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチ構造を含むマルチチャネルリレーアセンブリに関する。
【背景技術】
【０００２】
無線周波数（ＲＦ）用途における「理想的な」スイッチの上昇志向の技術的仕様は、ほぼ次の通りである。すなわち、高いアイソレーション（オフ状態キャパシタンス（Ｃoff））＝ＯｆＦであり、高いリニアリティ（ＩＩＰ２およびＩＩＰ３→∞）であり、中程度以上のパワーハンドリング（１００ｍＷ〜１ｋＷ）であり、広い周波数範囲で挿入損失がなく（Ｒon＝０Ω）、ＤＣ消費電力がないことである。
【０００３】
この理想的なＲＦスイッチへのアプローチの成功は分かりにくい。大型で高価で旧式の技術であるにもかかわらず、電気機械式リレーは、うまく機能しているＲＦスイッチでは依然としてかなり成功した試みである。他のタイプのＲＦスイッチ技術には、ｐ−ｉ−ｎダイオードおよびＧａＡｓ  ＦＥＴスイッチが含まれる。これらも特定のＲＦ用途には欠点がある。
【０００４】
最近、圧電、静電、熱、または静磁気的な設計に基づくアクチュエータを有する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）技術を使用する試みがなされている。ＭＥＭＳを使用することで、低コストの製造と、機械的リレーの技術的な利点のいくつかと、を組み合わせることができる。ＲＦ  ＭＥＭＳスイッチは、微小機械の動きを利用してＲＦラインのオープンまたはショート回路を実現する。
【０００５】
したがって、高性能スイッチのためのＲＦコミュニティの技術的目標のすべてではないにしても、その一部に対処するとともに、製造容易性などの他の目標に対処するＲＦ用途スイッチが絶えず必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１４／３０５７７７号明細書
【発明の概要】
【０００７】
一実施形態によれば、オーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレーは、第１の容量性結合Ｃsubを有する基板と、直列に電気的に結合された第１および第２の作動要素であって、それによって第１のチャネルを画定し、独立して作動するように構成され、さらに第２の容量性結合Ｃgapを有する第１および第２の作動要素と、第１および第２の作動要素と電気的に通信する第１のチャネル上の中間点と、基板に機械的に結合され、第１および第２の作動要素のうちの少なくとも一方を支持する少なくとも１つのアンカーと、を含む。
【０００８】
別の実施形態によれば、静電制御オーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレーは、入力と、入力を少なくとも１つの出力に接続するＲＦ伝送線路と、第１の容量性結合Ｃsubを有する基板と、ＲＦ伝送線路上に直列に電気的に結合された第１および第２の作動要素であって、独立して作動するように構成され、さらに第２の容量性結合Ｃgapを有する第１および第２の作動要素と、第１および第２の作動要素と電気的に通信するＲＦ伝送線路上の中間点であって、中間点の電位がゲート信号の共通基準として働く、中間点と、基板に機械的に結合され、第１および第２の作動要素のうちの少なくとも一方を支持する少なくとも１つのアンカーと、を含み、比Ｃsub／Ｃgap＝ｒはｒ＜１０であり、リレーは、第１の閉位置および第２の開位置で動作するように構成され、第１の閉位置は、入力と少なくとも１つの出力とを電気的に接続することを含み、第２の開位置は、入力と少なくとも１つの出力とを電気的に切断することを含む。
【０００９】
別の実施形態によれば、オーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレーは、入力ポートと、第１のスイッチング群を画定する複数の第１のＭＥＭＳスイッチであって、第１のスイッチング群は入力ポートと電気的に通信し、それによって、複数の第１のＭＥＭＳスイッチの各々からそれぞれ導かれる複数のチャネルを画定する、複数の第１のＭＥＭＳスイッチと、複数のチャネルの各々に沿って、第１のスイッチング群から遠位にあり、入力ポートと電気的に通信する少なくとも１つの出口ポートと、を含む。
【００１０】
別の実施形態によれば、オーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレーは、第１の容量性結合Ｃsubを有する基板と、直列に電気的に結合され、それによって第１のチャネルを画定する第１の作動要素および第２の作動要素であって、同時に作動するように構成され、さらに第２の容量性結合Ｃgapを有する第１の作動要素および第２の作動要素と、第１および第２の作動要素と電気的に通信する第１のチャネル上の中間点と、基板に機械的に結合され、第１および第２の作動要素の少なくとも一方を支持する少なくとも１つのアンカーと、を含む。
【００１１】
本発明のこれらの、ならびに他の特徴、態様および利点は、添付の図面を参照しつつ以下の詳細な説明を読めば、よりよく理解されよう。添付の図面では、図面の全体にわたって、類似する符号は類似する部分を表す。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】例示的な実施形態によるマルチチャネルリレーアセンブリの一部の概略上面図である。
【図１Ｂ】別の例示的な実施形態によるマルチチャネルリレーアセンブリの一部の概略上面図である。
【図２】図１Ａおよび／または図１Ｂのマルチチャネルリレーアセンブリの一部の線２−２に沿った側面図である。
【図３】別の例示的な実施形態によるマルチチャネルリレーアセンブリの一部の概略側面図である。
【図４Ａ】例示的な実施形態によるマルチチャネルリレーアセンブリの一部の側面図の電気回路図である。
【図４Ｂ】例示的な実施形態によるマルチチャネルリレーアセンブリの一部の側面図の電気回路図である。
【図４Ｃ】例示的な実施形態によるマルチチャネルリレーアセンブリの一部の側面図の電気回路図である。
【図５Ａ】他の例示的な実施形態によるマルチチャネルリレーアセンブリの一部の概略側面図である。
【図５Ｂ】他の例示的な実施形態によるマルチチャネルリレーアセンブリの一部の概略側面図である。
【図６】例示的な実施形態によるマルチチャネルリレーアセンブリの一部の概略上面図である。
【図７】別の例示的な実施形態によるマルチチャネルリレーアセンブリの一部の概略上面図である。
【図８】図６のマルチチャネルリレーアセンブリの一部の線８−８に沿った端面図である。
【図９】別の例示的な実施形態によるマルチチャネルリレーアセンブリの一部に沿った端面図である。
【図１０】別の例示的な実施形態によるマルチチャネルリレーアセンブリの一部に沿った端面図である。
【図１１】別の例示的な実施形態によるマルチチャネルリレーアセンブリに沿った概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。図面全体を通して、同一の符号は同一の部分を示す。これらの実施形態のいくつかは、上記および他の必要性のいくつかに対処することができる。
【００１４】
特に定義されない限り、本明細書で用いられる技術的および科学的用語は、ここで開示される主題に関する技術的分野の当業者によって一般的に理解されているものと同じ意味を有する。本明細書で用いられる「第１の」、「第２の」等の用語は、いかなる順序、量、または重要性も意味するものではなく、むしろ１つの要素と別の要素とを区別するために用いられる。単数形での記載は、量の限定を意味するものではなく、参照する項目が少なくとも１つ存在することを意味し、特に断らない限り、「前部」、「後部」、「底部」、および／または「頂部」という用語は、説明の便宜のためだけに使用され、１つの位置または空間的方向に限定されるものではない。
【００１５】
範囲が開示されている場合には、同じ構成要素または特性に関するすべての範囲の端点は、包括的なものであって、独立して組み合わせることができる（例えば、「約２．５ｍｍまで」の範囲は、「約０ｍｍ〜約２．５ｍｍ」の範囲の端点およびすべての中間値を含む、など）。量に関連して使用される修飾された「約」は、記載された値を含み、文脈によって指示される意味を有する（例えば、特定の量の測定に関連する誤差の程度を含む）。したがって、「約」という用語によって修飾された値は、必ずしも指定された正確な値に限定されない。
【００１６】
以下の詳細な説明では、本発明の様々な実施形態の完全な理解を提供するために、多くの具体的な詳細が記載されている。しかしながら、当業者であれば、本発明の実施形態がこれらの特定の詳細なしに実施されてもよく、本発明は図示の実施形態に限定されず、本発明は様々な代替的な実施形態で実施されてもよいことを理解するであろう。他の例では、周知の方法、手順、および構成要素は詳細には記載されていない。
【００１７】
さらに、様々な動作は、本発明の実施形態を理解するのに役立つ方法で実行される複数の別個のステップとして説明することができる。しかしながら、説明の順序は、提示された順序でこれらの動作を実行する必要があることを意味するものと解釈すべきではなく、また、それらが順序に依存することを意味すると解釈すべきではない。さらに、「一実施形態では」という語句の繰り返しの使用は、必ずしも同一の実施形態を指すものではないが、ただしそうである場合もあり得る。最後に、「備える」、「含む」、「有する」などの用語は、本出願で使用されているそれらの使用形態と同様に、他に指示がない限り同義語を意図する。
【００１８】
ＭＥＭＳという用語は、一般的に、機械的要素、電気機械的要素、センサ、アクチュエータ、および電子回路などの多数の機能的に異なる要素を、微小製造技術により共通基板上に集積することができるミクロンスケールの構造を指す。しかし、ＭＥＭＳデバイスで現在利用可能な多くの技術および構造は、ナノテクノロジーベースのデバイス、例えば、１００ナノメートルよりも小さくなり得る構造により、わずか数年で利用可能になると考えられている。したがって、本明細書の全体にわたって説明される例示的な実施形態は、ＭＥＭＳベースのスイッチングデバイスを参照することができるが、実施形態は広く解釈されるべきであり、特に限定しない限り、ミクロンサイズのデバイスのみに限定するべきではない。
【００１９】
共通の譲受人を有するＭＥＭＳ技術に関連する文書は、米国特許第７，９２８，３３３号（代理人整理番号２３４４２２−１）、米国特許第８，３５４，８９９号（弁護士整理番号２３８７９４−１）、米国特許第８，６１０，５１９号（代理人整理番号２２９９６８−１）、および米国特許第８，７７９，８８６号（弁護士整理番号２３８７８９−１）を含む。これらの文書は、参照により全体として本明細書に組み込まれる。
【００２０】
本発明の実施形態は、ＲＦ用途のインラインＭＥＭＳスイッチを有する多重チャネルリレーアセンブリを含む。ＲＦ入力ポートから、複数の出力をオン／オフに切り替えて、選択された（すなわち、オンの）チャネルに対する良好な挿入損失だけでなく、チャネルアイソレーションを保証することができる。ＲＦ入力ポートに近いアセンブリに追加のスイッチを設けることにより、ＲＦリークを最小限に抑えながらＲＦ信号が所望の方向に伝搬される。
【００２１】
本発明の実施形態は、例えば、挿入損失の改善、分散リークの低減、および反射損失の低減を含むいくつかの利点を提供することが分かった。この設計手法は、特に高出力用途に対する性能を向上させる。
【００２２】
図１Ａおよび図１Ｂは、ＭＥＭＳスイッチの２つの実施形態の上面図を示す概略図である。図１Ａは、作動要素が同時に作動される実施形態であり図１Ｂは、作動要素が独立して作動され得る実施形態である。図２は、図示する断面線２で横断した図１Ａおよび図１ＢのＭＥＭＳスイッチ１０の断面図である。図示する実施形態では、ＭＥＭＳスイッチ１０は、下にある基板１２によって支持される。基板１２は、ＭＥＭＳスイッチを支持し、例えば、ケイ素、ゲルマニウム、または溶融シリカから形成された剛性基板を表すことができ、あるいは基板１２は、例えばポリイミドから形成されるような可撓性基板を表すことができる。さらに、基板１２は導電性であってもよいし、絶縁性であってもよい。基板１２が導電性である実施形態では、基板１２とＭＥＭＳスイッチコンタクト、アンカーおよびゲート（後述する）との間に追加の電気的絶縁層（図示せず）を含めることができ、これらの部品間の電気的短絡を回避することができる。
【００２３】
ＭＥＭＳスイッチ１０は、第１のコンタクト１５（ソースコンタクトまたは入力コンタクトとも呼ばれる）、第２のコンタクト１７（ドレインコンタクトまたは出力コンタクトとも呼ばれる）、および可動アクチュエータ２３を含む。一実施形態では、可動アクチュエータ２３は、導電性であり、任意の導電性材料または合金から形成することができる。一実施形態では、コンタクト（１５、１７）は、負荷回路の一部として共に電気的に結合され、可動アクチュエータ２３は、スイッチの作動時に第１のコンタクト１５から第２のコンタクト１７に電流を通すように機能する。図２に示すように、可動アクチュエータ２３は、第１のコンタクト１５と電気的に接続するように構成された第１の作動要素２１と、第２のコンタクト１７と電気的に接続するように構成された第２の作動要素２２と、を含むことができる。一実施形態では、第１および第２の作動要素は、各作動要素に加えられる引力に応じて独立して作動されてもよい（例えば、図１Ｂ参照）。別の実施形態では、第１および第２の作動要素は、作動中（以下にさらに説明する）に同時に基板１２に向かって引き寄せられてもよい（例えば、図１Ａを参照）。一実施形態では、第１および第２の作動要素は、同じアンカー領域を共有し、かつ導電性である作動要素の対向する端部として一体に形成される。代替的な実施形態では、第１および第２の作動要素は、追加の内部または外部の電気接続を介して電気的に結合されてもよい。同じ可動アクチュエータの一部として第１および第２の作動要素を集積化することによって、外部接続がなくなり、それによりデバイスの全体的なインダクタンスが減少し、基板への容量性結合を最小にすることができる。
【００２４】
図１Ａ、図１Ｂ、および図２に示すように、可動アクチュエータ２３（第１の作動要素２１および第２の作動要素２２を含む）は、１つまたは複数のアンカー１８によって支持され、基板１２に機械的に結合され得る。一実施形態では、可動アクチュエータ２３は、アンカー１８に電気的に結合され得る。単一のアンカー１８を用いて第１の作動要素２１と第２の作動要素２２の両方を支持する実施形態では、１つの作動要素に関連するあらゆる歪みまたは固有の応力が第２の作動要素に伝達されないか、または機械的に結合されないように、アンカー１８が（第１の接触部と第２の接触部との間に延びる方向に）十分に広いことが望ましい。さらに、単一のアンカー１８を用いて第１の作動要素２１と第２の作動要素２２の両方を支持する実施形態では、可動作動要素間の固定材料の距離は、可動要素の合計の長さよりも大きくてもよい。
【００２５】
図１ＡのＭＥＭＳスイッチ１０は、単一のゲートドライバ６によって制御され、かつ、第１および第２の作動要素２１、２２の両方に同時に引力を与えるように構成された共通ゲート１６を含む。対照的に、図１ＢのＭＥＭＳスイッチ１０は、各々がそれ自体のそれぞれのゲートドライバ６ａ、６ｂによって個別に制御され、かつ、第１および第２の作動要素２１、２２に独立して引力を与えるように構成された２つのゲート１６ａ、１６ｂを含む。そのような引力は、静電気力、磁気力、ピエゾ抵抗力、または力の組み合わせとして具体化することができる。静電作動スイッチでは、ゲート１６は、図１Ａおよび図２において、スイッチが閉状態にあるときの可動アクチュエータ２３の伝導経路と同じ電位にあるスイッチ基準１４を電気的に参照することができる。磁気作動スイッチでは、電圧などのゲート信号が印加されて、材料の磁気状態を変化させて、可動要素を駆動する磁場の存在を提供または排除する。同様に、可動素子にまたがるピエゾ抵抗材料に、電圧などのゲート信号を印加して、作動を引き起こすことができる。磁気およびピエゾ抵抗作動の両方の場合には、ゲート信号は、可動要素間に静電引力を生成せず、したがって可動要素を基準とする必要がない。
【００２６】
一実施形態では、ゲートドライバ６は、電源入力（図示せず）と、ＭＥＭＳスイッチの作動状態を変化させる手段を提供する制御ロジック入力と、を含む。一実施形態では、ゲート電圧は可動作動要素２１、２２を基準とし、２つのコンタクトとそれぞれの可動要素との間の電圧差は実質的に等しい。一実施形態では、ＭＥＭＳスイッチ１０は、コンタクトとスイッチ基準１４との間に結合され、スイッチの自己作動電圧より低い電位にスイッチ基準１４を維持するための抵抗性または容量性のグレーディングネットワーク（図示せず）を含むことができる。
【００２７】
ＭＥＭＳスイッチ１０において共通のゲート信号を共有することによって、従来のＭＥＭＳスイッチの作動電圧を超えるおそれのある大きな作動電圧が、第１の作動要素と第２の作動要素とで分担される。例えば、図１Ａおよび図２のＭＥＭＳスイッチ１０において、２００Ｖの電圧が第１のコンタクト１５および第２のコンタクト１７の両端に印加され、スイッチ基準１４が１００Ｖにグレーディングされた場合には、第１のコンタクト１５と第１の作動要素２１との間の電圧は約１００Ｖになり、第２のコンタクト１７と第２の作動要素２２との間の電圧も約１００Ｖになる。
【００２８】
図２において、ＭＥＭＳスイッチ１０は、作動要素２１、２２の両方を含むＭＥＭＳスイッチ１０の構成要素の周りで基板１２と気密シールを形成するキャップ２５をさらに含む。通常、多くのＭＥＭＳスイッチが単一の基板上に形成される。次にこれらのスイッチは、キャップされ、単一化されるかまたはダイシングされる。一実施形態では、ＭＥＭＳスイッチ１０の第１および第２の作動要素および共通ゲート１６が形成され、単一のダイにキャップされる。第１および第２の作動要素を単一のキャップ内に含めることによって、スイッチのフットプリントを実質的に増加させることなく、ＭＥＭＳスイッチのスタンドオフ電圧を増加させることが可能である。例えば、スイッチのスタンドオフ電圧は事実上２倍になるが、スイッチ全体のフットプリントは単一のスイッチのフットプリントよりわずかに大きくなるだけである。
【００２９】
図３は、第１の作動要素および第２の作動要素が距離「ｄ」だけ物理的に分離されているＭＥＭＳスイッチの一実施形態を示す概略図である。図示するように、ＭＥＭＳスイッチ４０は、第１のアンカー４８ａによって支持される第１の作動要素４１と、第２のアンカー４８ｂによって支持される第２の作動要素４２と、を含むことができる。別の実施形態では、第１の作動要素４１および第２の作動要素４２は、作動要素間のアイソレーションを維持しながら単一のアンカーによって支持されてもよい。図示する実施形態では、第１および第２の作動要素は、それぞれ、絶縁領域４６によってそれぞれの作動要素の伝導経路４９から絶縁された電気的バイアス構成要素４７を含むことができる。電気的バイアス構成要素４７は、ＭＥＭＳフォトリソグラフィ製造プロセスにおいて作動要素の一部として形成された導電層またはトレース、あるいはそれぞれの作動要素に機械的な力を付与するように構成されたピエゾ抵抗材料を表すことができる。一実施形態では、各作動要素４１、４２の伝導経路４９は、電気的接続または第１のチャネル４５によって電気的に結合されてもよい。図示していないが、ＭＥＭＳスイッチ４０は、ＭＥＭＳスイッチ１０に関して説明したように、キャップされてもよい。本明細書で説明するように、ＭＥＭＳスイッチ４０が様々な組み合わせで互いに遠位に配置されるような実施形態では、距離「ｄ」を長くすることができる。これは、ＭＥＭＳスイッチ４０およびその間の様々なチャネル４５の配向の組み合わせであり、チャネル、基板、および／またはスイッチ４０の両方の材料の独特な選択と共に、ＲＦ用途の改善されたマルチチャネルリレーアセンブリをもたらす。
【００３０】
図３および図４Ａ〜図４Ｃをまとめて参照すると、リレーアセンブリ４０、１１０、２１０、３１０は、第１の容量性結合Ｃsubを有する基板１２を含むことができる。少なくとも第１の作動要素４１、１４０、２４０、３４０および第２の作動要素４２、１４０、２４０、３４０は、第１のチャネル４５、１３０、２３０、３３０を画定するように電気的に直列に接続される。第１の作動要素４１、１４０、２４０、３４０および第２の作動要素４２、１４０、２４０、３４０は、共通の制御信号を参照している場合に、独立して作動するか、または同時に作動するように構成されている。第１の作動要素４１、１４０、２４０、３４０および第２の作動要素４２、１４０、２４０、３４０は、第２の容量性結合ＣgapまたはＣgを有する。少なくとも１つのアンカー４８ａ、４８ｂ、１２０、２２０、３２０は、基板１２に機械的に結合され、第１の作動要素４１、１４０、２４０、３４０および第２の作動要素４２、１４０、２４０、３４０のうちの少なくとも１つを支持している。
【００３１】
図４Ａ〜図４Ｃに示すように、トレース対基板容量はＣs2として示され、スイッチ対基板容量はＣs1として示される。実施形態では、Ｃs1＝Ｃs2であり、他の実施形態ではＣs1≠Ｃs2である。ギャップの両端の作動要素の容量性結合は、Ｃgとして示されている。
【００３２】
図５Ａおよび図５Ｂを参照すると、他のＭＥＭＳスイッチ１０の実施形態が示されている。図示するように、図５ＡのＭＥＭＳスイッチ１０は、共通のアンカーまたは共通のアンカーポテンシャルを共有する２つの作動要素４１、４２を有し、時には「バック対バック」構成と呼ばれる。対照的に、図５ＡのＭＥＭＳスイッチ１０は、単一の作動要素４１を有する。
【００３３】
図６および図７を参照すると、第１のチャネル（「ドット」として示される）４３０、５３０の中間点は、第１および第２の作動要素４２０、５２０と電気的に通信する。このアセンブリは、オーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレーとして構成される。中間点の電位は、ゲート信号の共通の基準として機能することができる。ゲート信号は、一度に１つまたは複数の作動要素を作動させるように構成することができる。すなわち、ＭＥＭＳスイッチ４２０、５２０は、同時にまたは独立して作動させることができる。
【００３４】
アセンブリの材料、または材料の組み合わせ、および／または構成は、比Ｃsub／Ｃgap＝ｒがｒ＜１０となるようなものである。いくつかの実施形態では、ｒは１より小さくてもよい。
【００３５】
図４Ｂおよび図４Ｃを再び参照すると、リレーアセンブリ２１０、３１０は、第１のチャネル２３０、３３０に沿って基準アイソレーション２３５、３３５を含むことができる。一実施形態では、基準アイソレーションは、スイッチ３４０（図４Ｃ）をさらに含むことができる。
【００３６】
図６および図７を参照すると、リレーアセンブリ４１０、５１０は、直列の２つ以上のスイッチ４２０を有する単一の（第１の）チャネル４３０を含むことができ、または図７に示すように、並列構成の複数のチャネル５３０があってもよく、各チャネル５３０は直列の複数のスイッチ５２０を有する。図示するように、チャネル５３０は、並列の共通チャネル５１２を共有している。
【００３７】
図８〜図１０をまとめて参照すると、実施形態６１０、４１０、７１０は、様々な第１のチャネル６３０、４３０、７３０および基板１２構成を有することができる。他の図のいくつかでは、明確化のために、様々なグランドチャネルまたは線を示していないことに留意されたい（例えば、図６、図７、図１１を参照）。信号トレースとグランドトレースとの間の電気的絶縁は、明確にするために示していないことに留意されたい。絶縁は、両方の薄膜層を介して、ならびに絶縁基板を使用して達成することができる。図８〜図１０は、利用可能な様々なグランド構成を示す。例えば、図８は、コプレーナ導波路構成を示す。図示するように、信号チャネル６３０は、信号チャネル６３０の両側に２つのコプレーナグランド線６３５を有し、すべて集合的に基板１２上にある。同様に、図１０は、２つのグランド線７３５が信号チャネル７３０と同一平面上にある、グランドされたコプレーナ導波管構成を示す。実施形態７１０は、基板１２の下に追加のグランド層１３を有する。図８は、マイクロストリップ構成を有する実施形態４１０を示す。図示するように、信号チャネル４３０は基板上にあり、グランド層１３は基板の下にある。
【００３８】
図１１を参照すると、本発明の実施形態により構成されたマルチチャネルリレーアセンブリ８１０の概略上面図が示されている。マルチチャネルリレーアセンブリ８１０は、ＲＦ入力、または入力ポート８６０、および複数の出口ポート、またはポート８５０を含み、それによって複数のチャネル８３０を画定することができる。複数のチャネル８３０の各々は、ＲＦ入力８６０とポート８５０との間の距離に配置された少なくとも１つのＭＥＭＳスイッチ８２０を含む。改善された挿入損失と良好なアイソレーション（例えば、１２ＧＨｚにおいて＞３０ｄＢ）との両方をアセンブリ８１０に提供するために、複数のＭＥＭＳスイッチ８２０の各々は、ＲＦ入力８６０にできるだけ近い位置に配置するべきであることが分かっている。例えば、一実施形態では、ＭＥＭＳスイッチ８２０とＲＦ入力８６０との間の距離は、≦λ／４でなければならない。ＭＥＭＳスイッチ８２０は、本明細書で説明する任意の適切なＭＥＭＳスイッチの実施形態、ならびに現在知られているかまたは後に開発される任意のＭＥＭＳ技術スイッチを含む。
【００３９】
ＲＦ入力８６０とＭＥＭＳスイッチ８２０との間の距離を最小限にすることに加えて、本発明の特定の実施形態における別の特徴は、ＲＦ入力８６０とＭＥＭＳスイッチ８２０とポート８５０からそれぞれ延在する複数のチャネル８３０間の対称性を有するということである。すなわち、各チャネルの長さの距離は、望ましくは各チャネルの長さと等しいか、またはほぼ等しい。すべてのチャネルで同等の性能を維持するには対称性が望ましいが、対称性は要求されず、挿入損失とアイソレーションの両方のわずかな不一致の両方でトレードオフすることがあり得る。
【００４０】
アセンブリ８１０は、通常、ＲＦ用途（例えば、ＭＨｚ〜ＧＨｚ）で使用することができる。さらに、ＭＥＭＳスイッチ８２０は、通常、ＭＥＭＳスイッチ８２０のアンカーがＲＦ入力８６０の方に「面する」ように配置される。
【００４１】
図１１に示す特定の実施形態を参照すると、アセンブリ８１０は、複数のＭＥＭＳスイッチ８２０（例えば４つ）を含む第１のスイッチング群８１１を含む。第１のスイッチング群８１１は、入力ポート８６０と電気的に通信する。アセンブリ１００全体は、単一のモノリシックハウジングに一体化されてもよい。４スローアセンブリ１００のハウジング全体は、例えば、寸法が約１．２ｍｍであってもよい。少なくとも１つのチャネル８３０は、第１のスイッチング群８１１の複数の第１のＭＥＭＳスイッチ８２０の各々から延在する。
【００４２】
図１１では、４つのＭＥＭＳスイッチ８２０が第１のスイッチング群８１１に示されているが、本発明の態様から逸脱することなく、他の構成も可能であることは明らかである。図示する数とは異なる数のＭＥＭＳスイッチ８２０が存在してもよい。ＭＥＭＳスイッチ８２０の数は、提供されるチャネル８３０の数を満たすか、または超えてもよい。
【００４３】
図１１に示す特定の実施形態をさらに参照すると、アセンブリ８１０は、各チャネルにつき２つのＭＥＭＳスイッチ８２０を各々有する１６個のチャネル８３０を有する１６スローアセンブリ８１０を示す。アセンブリ８１０全体は、ハウジングまたはデバイス内に収容されてもよい。１６スローアセンブリ８１０のハウジング全体は、例えば、寸法が約１．２ｍｍであってもよい。図１１には合計２０個のＭＥＭＳスイッチ８２０が示されているが、本発明の態様から逸脱することなく他の構成も可能であり、図示する数とは異なる数のＭＥＭＳスイッチ８２０が存在してもよいことは明らかである。ＭＥＭＳスイッチ８２０の数は、チャネル８３０の数を満たすか、または超えなければならない。
【００４４】
図示するように、アセンブリ８１０は、第１のスイッチング群８１１と、複数の第２のスイッチング群８１２と、を含む。第１のＭＥＭＳ群８１１からは、それぞれ第２のスイッチング群８１２まで延在する４つのチャネル８３０が延在する。スイッチング群８１１、８１２の各々は、最終的にチャネル８３０を介して出力ポート８５０に至る複数（例えば４つ）のＭＥＭＳスイッチ８２０を含む。したがって、第１のスイッチング群８１１内の第１の４つのＭＥＭＳスイッチ８２０は、実用的にＲＦ入力８６０の近くに配置することができる。第１の４つのＭＥＭＳスイッチ８２０の各々から延在する各チャネル８３０は、第２のスイッチング群８１２まで延在し、さらに出力ポート８５０まで延在する。したがって、ＭＥＭＳスイッチ８２０の第１のセットは、第１のＭＥＭＳ群８１１に統合されている。ＭＥＭＳスイッチ８２０の第２のセットは、図示する実施形態では、４つの別個のＭＥＭＳ群８１２に統合されている。チャネル８３０の各々は、等しい、またはほぼ等しい長さに構成されている。図示するように、チャネル８３０は、対称であるか、またはほぼ対称に構成されている。
【００４５】
さらに、各出力ポート８５０から延びる点線（・・・）が示すように、実施形態では、追加のチャネル８３０が、追加のスイッチング群および／またはＭＥＭＳスイッチ（図示せず）までさらに延在することができる。すなわち、１６スローリレーが示されているが、明らかに、出力の数がｎ→∞であるｎに近づくまで、他の数の出力８５０を想定することができる。一例として、図１１では、チャネル８３０から延在する複数（例えば、４つ）のＭＥＭＳスイッチ８２０を含む第３のスイッチング群８１３が、必要に応じて追加のスイッチング群、ＭＥＭＳスイッチ、およびチャネルを追加する可能性を意味している。
【００４６】
本明細書で説明するように、特定の実施形態では、チャネル８３０は双方向であってもよい。このように、本明細書に示す実施形態は、複数の出口ポート８５０（例えば、１対４、１対１６など）に接続された単一のＲＦ入力８６０を示すことができるが、オーミックＭＥＭＳリレーの双方向性能によって、他の構成も可能であることに留意されたい。例えば、特定の実施形態では、単一のＲＦ入力８６０を出口ポートとすることができ、複数の出口ポート８５０を入力とすることができる。したがって、特定の実施形態では、アセンブリ８１０は、単一の出口ポート（例えば、４対１、１６対１など）などに接続された複数の入力からなることができる。
【００４７】
Ｃgap、すなわちビームからトレースへの容量性結合は、チャネルの両端で約３から約２０ｆＦまで変化し得る。単なる例示として、様々な設計についてのＣgapは、約４．４ｆＦの単一ビームを有するＳＰＳＴ、約７．０  ｆＦのダブルビームを有するＳＰＳＴ、約９．０ｆＦのトリプルビームを有するＳＰＳＴ、および、約１１．０ｆＦの４つのビームを有するＳＰＳＴを含むことができる。
【００４８】
ビームの数は、１から約２０まで変化することができる。
【００４９】
基板１２は、低誘電率および高抵抗を有する任意の適切な材料、または材料の組み合わせを含むことができる。例えば、適切な基板は、ケイ素、ポリイミド、石英、溶融シリカ、ガラス、サファイア、酸化アルミニウムなどの材料を含むことができる。一般に、基板は誘電率ε＜２０を有することができる。他の実施形態では、誘電率ε＜１０である。一実施形態では、基板１２は、コーティングまたは複数のコーティングを含むことができる。例えば、Ｓｉ3Ｎ4のコーティングがＳｉ層上にあり、それによって基板１２を形成する。
【００５０】
一実施形態によれば、オーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレーは、第１の容量性結合Ｃsubを有する基板と、第１および第２の作動要素が独立して作動するように構成された第１のチャネルを画定する第１の作動要素および第２の作動要素とを含み、第１および第２の作動要素は第２の容量結合Ｃgapを有し、第１および第２の作動要素と電気的に連通する第１のチャネル上の中間点と、基板に機械的に結合され、第１および第２の作動要素のうちの少なくとも１つを支持する少なくとも１つのアンカーとを含む。
【００５１】
別の実施形態によれば、静電制御オーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレーは、入力と、入力を少なくとも１つの出力に接続するＲＦ伝送線路と、第１の容量性結合Ｃsubを有する基板と、ＲＦ伝送線路上に直列に電気的に結合された第１および第２の作動要素であって、独立して作動するように構成され、さらに第２の容量性結合Ｃgapを有する第１および第２の作動要素と、第１および第２の作動要素と電気的に通信するＲＦ伝送線路上の中間点であって、中間点の電位がゲート信号の共通基準として働く、中間点と、基板に機械的に結合され、第１および第２の作動要素のうちの少なくとも一方を支持する少なくとも１つのアンカーと、を含み、比Ｃsub／Ｃgap＝ｒはｒ＜１０であり、リレーは、第１の閉位置および第２の開位置で動作するように構成され、第１の閉位置は、入力と少なくとも１つの出力とを電気的に接続することを含み、第２の開位置は、入力と少なくとも１つの出力とを電気的に切断することを含む。
【００５２】
別の実施形態によれば、オーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレーは、入力ポートと、第１のスイッチング群を画定する複数の第１のＭＥＭＳスイッチであって、第１のスイッチング群は入力ポートと電気的に通信し、それによって、複数の第１のＭＥＭＳスイッチの各々からそれぞれ導かれる複数のチャネルを画定する、複数の第１のＭＥＭＳスイッチと、複数のチャネルの各々に沿って、第１のスイッチング群から遠位にあり、入力ポートと電気的に通信する少なくとも１つの出口ポートと、を含む。
【００５３】
別の実施形態によれば、オーミックＲＦ  ＭＥＭＳリレーは、第１の容量性結合Ｃsubを有する基板と、直列に電気的に結合され、それによって第１のチャネルを画定する第１の作動要素および第２の作動要素であって、同時に作動するように構成され、さらに第２の容量性結合Ｃgapを有する第１の作動要素および第２の作動要素と、第１および第２の作動要素と電気的に通信する第１のチャネル上の中間点と、基板に機械的に結合され、第１および第２の作動要素の少なくとも一方を支持する少なくとも１つのアンカーと、を含む。
【００５４】
本発明の特定の特徴だけを本明細書に図示し、および／または記載しているが、多くの改変および変形が当業者に想到されるであろう。個々の実施形態について説明したが、本発明はそれらの実施形態のすべてのすべての組み合わせを包含する。添付した特許請求の範囲は、本発明の趣旨に含まれるこのようなすべての改変および変形を包含することを意図していると理解される。
【符号の説明】
【００５５】
６  ゲートドライバ
６ａ  ゲートドライバ
６ｂ  ゲートドライバ
１０  ＭＥＭＳスイッチ
１２  基板
１３  グランド層
１４  スイッチ基準
１５  第１のコンタクト
１６  共通ゲート
１６ａ  共通ゲート
１６ｂ  共通ゲート
１７  第２のコンタクト
１８  アンカー
２１  第１の作動要素
２２  第２の作動要素
２３  可動アクチュエータ
２５  キャップ
４０  ＭＥＭＳスイッチ
４１  第１の作動要素
４２  第２の作動要素
４５  第１のチャネル
４６  絶縁領域
４７  電気的バイアス構成要素
４８ａ  第１のアンカー
４８ｂ  第２のアンカー
４９  伝導経路
１００  ４スローアセンブリ
１１０  リレーアセンブリ
１２０  アンカー
１３０  第１のチャネル
１４０  第１の作動要素
２１０  リレーアセンブリ
２２０  アンカー
２３０  第１のチャネル
２３５  基準アイソレーション
２４０  第１の作動要素
３１０  リレーアセンブリ
３２０  アンカー
３３０  第１のチャネル
３３５  基準アイソレーション
３４０  スイッチ
４１０  リレーアセンブリ
４２０  スイッチ
４３０  信号チャネル
５１０  リレーアセンブリ
５１２  共通チャネル
５２０  ＭＥＭＳスイッチ
５３０  チャネル
６３０  信号チャネル
６３５  コプレーナグランド線
７３０  信号チャネル
７３５  グランド線
８１０  マルチチャネルリレーアセンブリ
８１１  第１のスイッチング群
８１２  第２のスイッチング群
８１３  第３のスイッチング群
８２０  ＭＥＭＳスイッチ
８３０  チャネル
８５０  出力ポート
８６０  ＲＦ入力
【図１Ａ】
2018501612.tif 000003
【図１Ｂ】
2018501612.tif 000004
【図２】
2018501612.tif 000005
【図３】
2018501612.tif 000006
【図４Ａ】
2018501612.tif 000007
【図４Ｂ】
2018501612.tif 000008
【図４Ｃ】
2018501612.tif 000009
【図５Ａ】
2018501612.tif 000010
【図５Ｂ】
2018501612.tif 000011
【図６】
2018501612.tif 000012
【図７】
2018501612.tif 000013
【図８】
2018501612.tif 000014
【図９】
2018501612.tif 000015
【図１０】
2018501612.tif 000016
【図１１】
2018501612.tif 000017
【国際調査報告】
2018501612.tif 000018
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