(57)【要約】  メモリコントローラは、DRAMがそのリフレッシュサイクルをセルフトリガするセルフリフレッシュ動作モードに移行する前に、最新のメモリコントローラによってトリガされたリフレッシュサイクルが発生した時の表示をDRAMに通信するように構成される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリコントローラをスリープ動作モードからアクティブ動作モードに移行する方法であって、
DRAMの最新のDRAMによってトリガされたセルフリフレッシュ以降のセルフリフレッシュ間隔の残りの部分の表示を前記メモリコントローラにおいて受信するステップと、
前記メモリコントローラにおいて、前記セルフリフレッシュ間隔の前記残りの部分をカウントダウンするステップと、
前記セルフリフレッシュ間隔の前記残りの部分の前記カウントダウンに応答して、前記メモリコントローラから前記DRAM内の最初のリフレッシュサイクルをトリガするステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記メモリコントローラにおいて、前記セルフリフレッシュ間隔の前記残りの部分の前記表示を受信するステップが、前記DRAM内のレジスタから前記表示を読み出すステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記最初のリフレッシュサイクルをトリガする前記ステップの後に、リフレッシュ間隔に従って前記DRAMの追加のメモリコントローラによってトリガされたリフレッシュサイクルを定期的にトリガするステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記リフレッシュ間隔が前記セルフリフレッシュ間隔に等しい、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記メモリコントローラのアイドル期間を計時するステップと、
前記アイドル期間を計時する前記ステップがしきい値を超えたことに応答して、前記メモリコントローラを前記アクティブ動作モードから前記スリープ動作モードに戻すステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記DRAMの温度の表示に応答して、前記セルフリフレッシュ間隔の前記残りの部分を減少させるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)からの、前記DRAMによってトリガされた最新のセルフリフレッシュサイクルが発生した時の表示に応答して、セルフリフレッシュ間隔の部分をカウントダウンするように構成されたリフレッシュタイマと、
前記リフレッシュタイマによる前記セルフリフレッシュ間隔の前記部分の前記カウントダウンに応答して、前記DRAM内の最初のメモリコントローラによってトリガされたリフレッシュサイクルをトリガするように構成されたコマンドスケジューラと
を備える、メモリコントローラ。
【請求項８】
前記リフレッシュタイマが、前記DRAM内のレジスタから前記表示を読み出すように構成される、請求項7に記載のメモリコントローラ。
【請求項９】
前記表示が、前記セルフリフレッシュ間隔の満了部分、または前記セルフリフレッシュ間隔の残りの部分の表示を備える、請求項7に記載のメモリコントローラ。
【請求項１０】
前記リフレッシュタイマが、前記最初のメモリコントローラによってトリガされたリフレッシュサイクルの前記トリガの後に、リフレッシュ間隔に従って、追加のメモリコントローラによってトリガされたリフレッシュサイクルを定期的にトリガするようにさらに構成される、請求項7に記載のメモリコントローラ。
【請求項１１】
前記リフレッシュタイマが、前記メモリコントローラがスリープモードに入るべきであるという決定に応答して、現在のリフレッシュ間隔の残りの部分を前記DRAM内のモードレジスタに書き込むようにさらに構成される、請求項10に記載のメモリコントローラ。
【請求項１２】
前記リフレッシュタイマが、前記DRAMの温度の表示に応答して、前記セルフリフレッシュ間隔の前記部分を減少させるようにさらに構成される、請求項7に記載のメモリコントローラ。
【請求項１３】
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)であって、
メモリコントローラからの表示に応答して、前記メモリコントローラによってトリガされた最新のリフレッシュサイクルが発生した時に、スリープ動作モードに移行するセルフリフレッシュ間隔の残りの部分をカウントダウンするように構成されたセルフリフレッシュタイマと、
前記セルフリフレッシュタイマが前記セルフリフレッシュ間隔の前記残りの部分をカウントダウンすることに応答して前記DRAMをリフレッシュするように構成されたリフレッシュ回路と
を備える、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)。
【請求項１４】
前記リフレッシュ回路が、前記セルフリフレッシュタイマが追加のセルフリフレッシュ間隔をカウントダウンすることに応答して、セルフリフレッシュサイクルにおいて前記DRAMをリフレッシュするようにさらに構成される、請求項13に記載のDRAM。
【請求項１５】
モードレジスタをさらに備え、前記セルフリフレッシュタイマが、前記メモリコントローラが前記スリープ動作モードからアクティブ動作モードに移行したという前記メモリコントローラからの表示に応答して、最新のセルフリフレッシュサイクルが発生した時の表示を前記モードレジスタに書き込むように構成される、請求項14に記載のDRAM。
【請求項１６】
前記メモリコントローラからリフレッシュコマンドを復号するように構成されたコマンドデコーダをさらに備える、請求項13に記載のDRAM。
【請求項１７】
メモリコントローラが、DRAMの現在のリフレッシュサイクル内の残りの部分を依然として有する間に、前記メモリコントローラをアクティブ動作モードからスリープ動作モードに移行するステップと、
前記スリープ動作モードへの前記移行の前に、前記メモリコントローラから前記現在のリフレッシュサイクル内の残りの前記部分を前記DRAMに通信するステップと、
前記現在のリフレッシュサイクル内の残りの前記部分の前記DRAMにおけるカウントダウンに応答して、前記DRAM内のセルフリフレッシュサイクルをトリガするステップと
を含む、方法。
【請求項１８】
前記メモリコントローラが前記スリープ動作モードのままである間に、前記DRAM内で追加のセルフリフレッシュサイクルをトリガするステップをさらに含む、請求項17に記載の方法。
【請求項１９】
前記現在のリフレッシュサイクル内の残りの前記部分を通信するステップが、前記メモリコントローラが前記DRAM内のレジスタに書き込むステップを含む、請求項17に記載の方法。
【請求項２０】
前記メモリコントローラを前記スリープ動作モードから前記アクティブ動作モードに戻すステップと、
前記メモリコントローラにおいて、前記メモリコントローラが前記アクティブ動作モードに戻る前に、最後のセルフリフレッシュサイクルがトリガされた時の表示を前記DRAMから読み出すステップと
をさらに含む、請求項17に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、2015年10月1日に出願された米国仮出願第62/236,008号の利益を主張する、2016年8月24日に出願された米国特許出願第15/246,371号の優先権を主張するものであり、参照により本明細書に含まれる。
【０００２】
本出願は、メモリに関し、より詳細には、メモリコントローラと対応するメモリとの間のリフレッシュタイマ同期に関する。
【背景技術】
【０００３】
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)は、各メモリセルがアクセストランジスタおよびコンデンサだけを必要とするため、比較的安価である。対照的に、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)は、メモリセル当たり少なくとも6つのトランジスタを必要とし、したがってより高価である。したがって、スマートフォンのような多くの電子デバイスにおける大容量記憶装置にとって最適なメモリは、DRAMである。DRAMはかなり安価であるが、各メモリセルに使用される比較的小さいコンデンサは経時的に電荷を漏えいするので、その内容を定期的にリフレッシュする必要がある。DRAMのリフレッシュサイクルにおいては、メモリセルのコンデンサが適切に再充電され得るように、メモリセルの内容が読み出される。DRAMがそのリフレッシュスケジュールに従って定期的にリフレッシュすることは重要であり、そうしないとそのメモリ内容を失う可能性がある。
【０００４】
必要なリフレッシュ間隔に従うリフレッシュ動作の実施は、ホストプロセッサと対応するDRAMとの間のインターフェースとして動作するメモリコントローラによって実行され得る。従来のデスクトップおよび関連するアプリケーションにおいては、メモリコントローラは、通常、DRAM集積回路を受け入れるメモリスロットに関連付けられる別個の集積回路に含まれる。そのようなスタンドアロンメモリコントローラは、ホストプロセッサとは独立して、通常の動作中は電力を供給されたままであり得る。しかし、スマートフォンなどの最新のモバイルデバイスアプリケーションにおいては、メモリコントローラはホストプロセッサとシステムオンチップ(SoC)に統合されている。消費者は彼らのデバイスを絶えず再充電したくはないので、SoCによる消費電力の削減はスマートフォン設計における主な目標である。したがって、モバイルデバイスSoCが、メモリコントローラが完全にまたは部分的のいずれかにパワーダウンされるスリープモードを実装することは従来通りである。しかし、SoC用の関連付けられるDRAM集積回路は、そのメモリ内容を保持し得るように、スリープモード中は電源を入れたままでなければならない。したがって、モバイルデバイスおよび関連デバイスにおけるDRAMのリフレッシュスケジューリングは、アクティブ動作モードの間はメモリコントローラによって制御され、アイドル動作モードまたはスリープ動作モードの間はDRAM自体によって制御される。2つのタイプのリフレッシュスケジューリング管理を区別するために、メモリコントローラによって管理されるリフレッシュスケジューリングは、動作の「リフレッシュモード」として示され得、DRAMによって制御されるリフレッシュスケジューリングは、動作の「セルフリフレッシュモード」として示され得る。
【０００５】
モバイルデバイスにおけるこのリフレッシュスケジューリングのこのスプリット制御により、SoCはスリープモードに入ることによって電力を節約することが可能になるが、それはリフレッシュサイクルの不要なトリガと関連付けられる。たとえば、リフレッシュ動作モードの間、リフレッシュスケジュールのタイミングはメモリコントローラによって管理されているので、DRAMはリフレッシュスケジュールのタイミングを追跡しない。したがって、DRAMは、セルフリフレッシュ動作モードの再開時にリフレッシュ動作をトリガする。しかし、メモリコントローラは、セルフリフレッシュモードへの移行時にDRAMによるリフレッシュ動作の自動トリガが不要となるように、セルフリフレッシュ動作モードへのハンドオフの前にリフレッシュ動作をトリガしたばかりである場合がある。同様に、メモリコントローラは、リフレッシュ動作モードの再開時およびセルフリフレッシュモードの終了時にリフレッシュ動作をトリガする。DRAMにおける最後のリフレッシュサイクルのタイミングに応じて、リフレッシュモードへの移行時にメモリコントローラによるリフレッシュ動作の自動トリガも不要であり得る。これらの不要なリフレッシュサイクルが、電力を不必要に消費する。さらに、リフレッシュサイクルが完了するまで、リードアクセスおよびライトアクセスのためにDRAMを使用できないため、メモリレイテンシが増加する。消費電力を最小限に抑えるためにスリープモードにより頻繁に入るように設計された最新のSoCにおいて、レイテンシと消費電力の増加というこの問題が深刻化している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって、メモリコントローラとメモリ自体との両方がリフレッシュスケジューリングを制御し得る、システムにおける改善されたリフレッシュスケジューリングが当分野において必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
改善されたリフレッシュスケジューリングを提供するために、スリープ動作モードに入る前に、最新のメモリコントローラによってトリガされたリフレッシュサイクルがメモリコントローラによってトリガされた時を対応するDRAMに通知するように構成されるメモリコントローラが提供される。この情報が与えられると、DRAMは、それに応じて、メモリコントローラがスリープ動作モード中にセルフリフレッシュサイクルをスケジューリングし得る。このようにして、DRAMは、最新のメモリコントローラによってトリガされたリフレッシュサイクルをトリガすることからリフレッシュ間隔が満了するまで、セルフリフレッシュサイクルをトリガすることが防止される。
【０００８】
同様に、DRAMは、メモリコントローラがスリープ動作モードからアクティブ動作モードに移行すると、最新のセルフリフレッシュサイクルがDRAMによってトリガされた時をメモリコントローラに通知するように構成される。次いで、メモリコントローラは、それに応じてアクティブ動作モード中に、後続のメモリコントローラによってトリガされたリフレッシュサイクルをスケジューリングし得る。したがって、メモリコントローラは、最新のセルフリフレッシュサイクルのトリガからのセルフリフレッシュ間隔の満了まで、リフレッシュサイクルをトリガすることが防止される。
【０００９】
最後のリフレッシュサイクルがトリガされた時に関するDRAM情報を提供することに加えて、メモリコントローラはまた、DRAMの温度に関する情報をDRAMに提供し得る。次いで、DRAMは、温度測定に応答してメモリコントローラからDRAMに送信されるリフレッシュサイクルの残りの部分を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本開示の一態様による、セルフリフレッシュ動作モードに入っている間のメモリコントローラおよびDRAMを示す図である。
【図２】本開示の一態様による、セルフリフレッシュ動作モードの終了中のメモリコントローラおよびDRAMを示す図である。
【図３Ａ】本開示の一態様による、DRAMのメモリコントローラによって制御されるリフレッシュモードからDRAMのセルフリフレッシュモードへの移行のための動作方法のフローチャートである。
【図３Ｂ】本開示の一態様による、DRAMのセルフリフレッシュモードからDRAMのメモリコントローラによって制御されるリフレッシュモードへの移行のための動作方法のフローチャートである。
【図４】本発明の一態様による、図1および図2のメモリコントローラおよびDRAMを含むデバイスを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本開示の実施形態およびそれらの利点は、以下の詳細な説明を参照することによって最もよく理解される。同様の参照番号が、図のうちの1つまたは複数に示される同様の要素を識別するために使用されることを理解されたい。
【００１２】
次に図面を参照すると、セルフリフレッシュ動作モードに入っている間のSoCメモリコントローラ(MC)100およびDRAM集積回路105が図1に示されており、DRAM105がそのリフレッシュサイクルを管理する間にMC100がスリープ動作モードに入る。一実施形態では、MC100は、最後のアクセス(読出し動作または書込み動作)がDRAM105上で実行されてからのアイドル期間を計時するトラフィックアイドルタイマ110を含む。アイドル期間がアイドルしきい値を超えない場合、MC100は、DRAM105内のリフレッシュサイクルのスケジューリングをMC100が制御するリフレッシュ動作モードで動作し続ける。そうするために、MC100は、DRAM105の最後のメモリコントローラによってトリガされたリフレッシュサイクルからの遅延を計時するリフレッシュタイマ115を含む。遅延がDRAM105のリフレッシュ間隔に等しい場合、リフレッシュタイマ115はリフレッシュコマンド(cmd)120をコマンドスケジューラ125にアサートする。それに応答して、コマンドスケジューラ125は、リフレッシュサイクルを実行するためにリフレッシュ回路135をトリガするようにDRAM105内のコマンドデコーダ130に命令する。このようにして、リフレッシュタイマ115は、リフレッシュ動作モード中にリフレッシュ間隔によって決定されるレートでDRAM105内のリフレッシュサイクルを定期的にトリガする。
【００１３】
トラフィックアイドルタイマ110のタイムアウトが、アクティビティの不足のためにアイドルしきい値を超えたことを示す場合、トラフィックアイドルタイマ110は、セルフリフレッシュコマンド(cmd)150をコマンドスケジューラ125にアサートし得る。次に、コマンドスケジューラ125は、DRAM105にセルフリフレッシュ動作モードに入るように命令するよう、コマンドデコーダ130に命令する。トラフィックアイドルタイマ110がセルフリフレッシュコマンド150をアサートすると同時に、トラフィックアイドルタイマ110はまた、最後のメモリコントローラによってトリガされたリフレッシュサイクルが発生した時をDRAM105に知らせるためにDRAM105内のモードレジスタ140に書き込むために、リフレッシュタイマ115をトリガする。この通信は、リフレッシュタイマ115が、最後の(最新の)メモリコントローラによってトリガされたリフレッシュサイクル以降に満了した時間、または現在のリフレッシュ間隔内の残りの時間をモードレジスタ140に書き込むことによって実行され得る。あるいは、リフレッシュタイマ115は、最新のメモリコントローラによってトリガされたリフレッシュサイクル以降の現在のリフレッシュ間隔の残りの部分(もしあれば)をデジタル化し得る。たとえば、リフレッシュタイマ115は、現在のリフレッシュ間隔の残りの部分の1/8の増分において見積もることができるように、3ビットデジタル化を使用し得る。あるいは、リフレッシュタイマ115は、4ビットデジタル化(1/16の増分)あるいはより低次またはより高次のデジタル化を使用し得る。以下の議論では、比較的少数のビットしか必要とせず、したがって帯域幅効率が良いので、リフレッシュタイマ115が、現在のリフレッシュ間隔のデジタル化された残りの部分をモードレジスタ140に書き込むという一般性を失うことなしに仮定する。
【００１４】
次いで、DRAM105は、現在のリフレッシュ間隔のデジタル化された推定される残りの部分をモードレジスタ140からセルフリフレッシュタイマ145にロードすることによって、セルフリフレッシュ動作モードに入ることができる。たとえば、リフレッシュタイマ115が現在のリフレッシュ間隔の1/8が残っていることを示していた場合、セルフリフレッシュタイマ145は、DRAMリフレッシュ回路135内の最初のDRAMによってトリガされたセルフリフレッシュサイクルをトリガする前にリフレッシュ間隔のちょうど1/8までカウントダウンし得る。この最初のセルフリフレッシュサイクルをトリガした後、セルフリフレッシュタイマ145は、後続のセルフリフレッシュサイクルのトリガのために完全なリフレッシュ間隔からカウントダウンする。次いで、DRAM105は、SoCメモリコントローラ100が通常動作を再開し、スリープモードを終了するまで、そのセルフリフレッシュサイクルを管理する。
【００１５】
リフレッシュタイマ115はまた、リフレッシュ間隔のための現在の温度乗数(temperature multiplier)をDRAM105に通知し得る。DRAMメモリセル内のコンデンサからの漏れは、温度とともに増加する。したがって、メモリコントローラによってトリガされたリフレッシュサイクル内であろうと、DRAMによって制御されるセルフリフレッシュサイクル内であろうと、温度が上昇するにつれてリフレッシュ間隔を減少させることが有利であり得る。現在のリフレッシュ間隔の残りの部分と同様に、リフレッシュ間隔のこの減少もまた、ある数のビットを使用してデジタル化され、デジタル化された温度乗数によって表され得る。たとえば、温度乗数が3ビット数にデジタル化されていると仮定する。室温では、リフレッシュ間隔の減少が示されないので、デジタル化された温度乗数は1に等しくてもよい。温度が上昇するにつれて、デジタル化された温度乗数は徐々に1から減少する。したがって、リフレッシュタイマ115は、リフレッシュサイクルの残りの部分のメモリコントローラ100によるモードレジスタ140への書込みと同様に、デジタル化された温度乗数をモードレジスタ140またはDRAM105内の別のレジスタ(図示せず)に書き込むこともできる。
【００１６】
通常(アクティブ)動作を再開するためにスリープモードを終了するSoCメモリコントローラ100に応答して、セルフリフレッシュ動作モードからリフレッシュ動作モードへの移行において、セルフリフレッシュタイマ145は、図2に示されるように、現在のリフレッシュ間隔のデジタル化された残りの部分(もしあれば)をモードレジスタ140(または、別の適切なレジスタ)に書き込むことができる。次いで、リフレッシュタイマ115は、リフレッシュモードへの移行時に最初のリフレッシュサイクルのリフレッシュ間隔の残りの部分からカウントダウンするように、モードレジスタ140の内容を読み取ることができる。リフレッシュタイマ115が、モードレジスタ140からの読出しを通じて通知されたままの部分に応じた最初のリフレッシュサイクルをトリガした後、リフレッシュタイマ115は、任意の後続のメモリコントローラによってトリガされたリフレッシュサイクルのリフレッシュ間隔全体を使用して、セルフリフレッシュ動作モードへの別の移行までカウントダウンする。セルフリフレッシュタイマ145はまた、現在のデジタル温度乗数を、モードレジスタ140または別の類似のレジスタに書き込むことができる点に留意されたい。次いで、リフレッシュタイマ115は、モードレジスタ140からの残りのリフレッシュ間隔部分とともにこの乗数を使用する。たとえば、モードレジスタ140が、最後のDRAMによってトリガされたリフレッシュサイクルがリフレッシュ間隔の1/2前に行われたことを示すと仮定する。DRAM105が、上昇したDRAM温度のために温度乗数が1/2であることを示す場合、リフレッシュタイマ115は、デフォルト(室温)リフレッシュ間隔の1/2からではなく、上昇した温度からの減少のためにデフォルトリフレッシュ間隔の1/4からカウントダウンする。
【００１７】
図3Aは、図1に関して説明したような、リフレッシュ動作モードからセルフリフレッシュ動作モードへのフローチャートである。本方法は、メモリコントローラがDRAMの現在のリフレッシュサイクル内の残りの部分を依然として有する間に、メモリコントローラがアクティブ動作モードからスリープ動作モードに移行する動作300を含む。図2のメモリコントローラ100のアクティブ動作モードからスリープ動作モードへの移行は、動作300の一例である。本方法はさらに、メモリコントローラから、スリープ動作モードに移行する前に、現在のリフレッシュサイクル内の残りの部分をDRAMに通信する動作305を含む。現在のリフレッシュサイクルの残りの部分を識別する、リフレッシュタイマ115によるモードレジスタ140への書込みは、動作305の一例である。最後に、本方法は、現在のリフレッシュサイクル内の残りの部分のDRAMにおけるカウントダウンに応答して、DRAM内のセルフリフレッシュサイクルをトリガする動作310を含む。セルフリフレッシュタイマ145におけるカウントダウンと、リフレッシュ回路135によるセルフリフレッシュサイクルの後続のトリガは、動作310の一例である。
【００１８】
図3Bは、リフレッシュ動作モードからセルフリフレッシュ動作モードに入るための方法を示すフローチャートである。本方法は、メモリコントローラをスリープ動作モードからアクティブ動作モードに移行する動作315を含む。図2のメモリコントローラ100のスリープ動作モードからアクティブ動作モードへの移行は、動作315の一例である。本方法はまた、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)から、DRAMの最新のDRAMによってトリガされたセルフリフレッシュ以降のセルフリフレッシュ間隔の残りの部分の表示をメモリコントローラにおいて受信する動作320を含む。リフレッシュタイマ115によるモードレジスタ140の読出しは、動作320の一例である。さらに、本方法は、メモリコントローラにおいて、セルフリフレッシュ間隔の残りの部分をカウントダウンする動作325を含む。モードレジスタ140から取り出されたセルフリフレッシュ間隔のリフレッシュタイマ115による残りの部分のカウントダウンは、動作325の一例である。最後に、本方法は、セルフリフレッシュ間隔の残りの部分のカウントダウンに応答して、メモリコントローラからDRAM内のリフレッシュサイクルをトリガする動作330を含む。DRAM105内のリフレッシュサイクルのコマンドスケジューラ125によるトリガは、動作330の一例である。
【００１９】
メモリコントローラ100は、図4に示されるように、デバイス400内のシステムオンチップ(SoC)405内に組み込まれ得る。デバイス400は、セルラーフォン、スマートフォン、携帯情報端末、タブレットコンピュータ、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、ハンドヘルドゲーミングデバイス、または他の適切なデバイスを含んでもよい。SoC405内のメモリコントローラ100は、システムバス415を介してDRAM105と通信する。SoCはまた、システムバス415を介してセンサなどの周辺デバイス410と通信する。ディスプレイコントローラ425も、システムバス415に結合する。今度は、ディスプレイコントローラ425は、ディスプレイ435を駆動するビデオプロセッサ430に結合する。SoC405はまた、DRAM105の温度を監視するために、DRAM105内またはその近傍に温度センサ440を含み得る。
【００２０】
本開示に関連して説明される方法またはアルゴリズムのステップは、ハードウェアにおいて、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールにおいて、またはその2つの組合せにおいて直接的に実施され得る。ソフトウェアにおいて実装される場合、機能は、1つまたは複数の命令あるいはコンピュータ可読媒体上のコードに格納され得る。例示的なコンピュータ可読媒体は、プロセッサがコンピュータ可読媒体から情報を読み出し、コンピュータ可読媒体に情報を書き込むことができるように、プロセッサに結合される。あるいは、コンピュータ可読媒体は、プロセッサと一体であってもよい。
【００２１】
当業者であれば理解するように、当面の特定の用途に応じて、本開示の範囲から逸脱することなしに、本開示のデバイスの材料、装置、構成、および使用方法に多くの修正、置換、および変形が行われ得る。これに照らして、本明細書において図示および説明されている特定の実施形態はそのいくつかの例としてのものにすぎないため、本開示の範囲はそれらの特定の実施形態の範囲に限定されるべきではなく、むしろ、下記に添付されている特許請求の範囲およびそれらの機能的な均等物の範囲と完全に同等であるべきである。
【符号の説明】
【００２２】
100  SoCメモリコントローラ(MC)
105  DRAM集積回路
110  トラフィックアイドルタイマ
115  リフレッシュタイマ
120  リフレッシュコマンド(cmd)
125  コマンドスケジューラ
130  コマンドデコーダ
135  リフレッシュ回路
140  モードレジスタ
145  セルフリフレッシュタイマ
150  セルフリフレッシュコマンド(cmd)
300  動作
305  動作
310  動作
315  動作
320  動作
325  動作
330  動作
400  デバイス
405  システムオンチップ(SoC)
410  周辺デバイス
415  システムバス
425  ディスプレイコントローラ
430  ビデオプロセッサ
435  ディスプレイ
440  温度センサ
【図１】
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【図２】
2018530098.tif 000004
【図３Ａ】
2018530098.tif 000005
【図３Ｂ】
2018530098.tif 000006
【図４】
2018530098.tif 000007
【国際調査報告】
2018530098.tif 000008
2018530098.tif 000009