(57)【要約】  基板処理システムにおいて、基板上に水などの第１のリンス液を有する半導体基板をリンス及び乾燥するための方法及び装置である。この方法は、基板上に液体二酸化炭素をディスペンスして、基板上に存在する液体を除去し、基板を乾燥させる工程を含む。この装置は、基板をリンス及び乾燥するためのチャンバを含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理システムにおいて、基板上に第１のリンス液を有する基板をリンス及び乾燥する方法であって、
前記基板上に液体二酸化炭素（ＣＯ２）をディスペンスして、前記基板上に存在する液体を除去し、前記基板を乾燥させる工程を含む、方法。
【請求項２】
前記液体ＣＯ２をディスペンスする工程は、前記液体ＣＯ２とともに第２のリンス液をディスペンスする工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のリンス液は、イソプロピルアルコール、エタノール、ケトン、酢酸、アセトン、アセトニトリル、１−ブタノール、２−ブタノール、２−ブタノン、ｔ−ブチルアルコール、ジエチレングリコール、ジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、１，２−ジメトキシエタン（グリム、ＤＭＥ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、１，４−ジオキサン、エーテル、酢酸エチル、エチレングリコール、ヘキサメチルホスホルアミド（ＨＭＰＡ）、ヘキサメチルホスホラストリアミド（ＨＭＰＴ）、メタノール、メチルｔ−ブチルエーテル（ＭＴＢＥ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、ニトロメタン、１−プロパノール、２−プロパノール、及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）からなる群から選択される１種以上の有機溶媒を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記液体ＣＯ２の温度は、前記第２のリンス液の沸点より低い、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記液体ＣＯ２をディスペンスする工程の前に、前記基板上に第３のリンス液をディスペンスする工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記液体ＣＯ２の温度は、前記第３のリンス液の沸点よりも低い、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第３のリンス液は、イソプロピルアルコール、エタノール、ケトン、酢酸、アセトン、アセトニトリル、１−ブタノール、２−ブタノール、２−ブタノン、ｔ−ブチルアルコール、ジエチレングリコール、ジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、１，２−ジメトキシエタン（グリム、ＤＭＥ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、１，４−ジオキサン、エーテル、酢酸エチル、エチレングリコール、ヘキサメチルホスホルアミド（ＨＭＰＡ）、ヘキサメチルホスホラストリアミド（ＨＭＰＴ）、メタノール、メチルｔ−ブチルエーテル（ＭＴＢＥ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、ニトロメタン、１−プロパノール、２−プロパノール、及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）からなる群から選択される１種以上の有機溶媒を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記基板上に前記第１のリンス液をディスペンスする工程をさらに含み、前記第１のリンス液は脱イオン水を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のリンス液をディスペンスする工程と前記液体ＣＯ２をディスペンスする工程は、同じ処理チャンバ内で実行される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のリンス液をディスペンスする工程は、湿潤チャンバ内で実行され、前記液体ＣＯ２をディスペンスする工程は、該湿潤チャンバとは別の乾燥チャンバ内で実行される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板処理システムから前記基板を除去する前に、基板を出口チャンバに移送する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板処理システムから前記基板を除去する前に、前記基板を加熱して基板温度が周囲温度に達するようにする工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板処理システムから前記基板を除去する前に、前記基板を加熱して基板温度が周囲露点温度よりも高い温度に達するようにする工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板は、前記第１のリンス液をディスペンスする工程、前記液体ＣＯ２をディスペンスする工程、又はその両方の間、基板支持体上で回転される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記液体ＣＯ２の圧力は、ＣＯ２の臨界圧力より小さい、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記液体ＣＯ２の温度は、−５０℃から３０℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記液体ＣＯ２の温度は、前記第１のリンス液の凝固点より高い、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記液体ＣＯ２の温度は、約１０℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
任意の混合リンス液からディスペンスされた液体ＣＯ２を分離する工程と、
後続のディスペンス工程において、分離された前記液体ＣＯ２を再使用する工程と、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記基板は、半導体デバイス、光起電性（ＰＶ）デバイス、発光ダイオード（ＬＥＤ）、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）、又はマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）デバイスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記基板上に前記液体二酸化炭素（ＣＯ２）をディスペンスする工程は、前記液体ＣＯ２を攪拌する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記攪拌は、超音波又はメガソニックトランスデューサによって影響される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記基板処理システム内に基板を導入する前に、前記基板処理システム内で液体二酸化炭素（ＣＯ２）を１つ以上のダミーのディスペンス周期でディスペンスする工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
基板処理システムであって、
基板支持体を有する処理チャンバであって、基板上に液体二酸化炭素（ＣＯ２）をディスペンスするように構成された処理チャンバと、
前記処理チャンバに液体ＣＯ２を供給するための液体ＣＯ２の供給源と、
前記基板を前記処理チャンバとの間で移送するため、及び前記基板を前記基板処理システムとの間で移送するための移送システムと、を含むシステム。
【請求項２５】
リンス液を前記基板上にディスペンスするように構成された湿潤チャンバをさらに含む、請求項２４に記載のシステム。
【請求項２６】
処理後に前記基板を受け、当該基板処理システムから前記基板を除去する前に、基板温度が周囲温度又は周囲露点温度よりも高い温度に達するように構成された出口チャンバをさらに含む、請求項２４又は２５に記載のシステム。
【請求項２７】
前記出口チャンバは、前記基板を加熱するための基板ヒータを含む、請求項２６に記載のシステム。
【請求項２８】
前記基板支持体を回転させることができる、請求項２４に記載のシステム。
【請求項２９】
前記基板支持体は、処理中に前記基板の温度を制御するための温度制御システムを含む、請求項２４に記載のシステム。
【請求項３０】
前記処理チャンバは、前記液体ＣＯ２にさらされる、前記処理チャンバの少なくとも１つの内面の温度を制御するための温度制御システムを含む、請求項２４に記載のシステム。
【請求項３１】
液体ＣＯ２を前記基板上にディスペンスするための少なくとも１つのノズルをさらに含む、請求項２４に記載のシステム。
【請求項３２】
液体ＣＯ２を前記基板上にディスペンスするためのシャワーヘッドをさらに含む、請求項２４に記載のシステム。
【請求項３３】
液体ＣＯ２を前記処理チャンバに供給するための少なくとも１つの入口ポートであって、前記基板の下に配置される少なくとも１つの入口ポートをさらに含む、請求項２４に記載のシステム。
【請求項３４】
ディスペンスされた液体ＣＯ２を再使用するための手段をさらに含む、請求項２４に記載のシステム。
【請求項３５】
ディスペンスされた液体ＣＯ２を再使用するための前記手段は、液体ＣＯ２を任意の混合リンス液から分離する手段を含む、請求項３４に記載のシステム。
【請求項３６】
前記処理チャンバは、前記液体二酸化炭素（ＣＯ２）を攪拌するための、超音波又はメガソニックトランスデューサを含む、請求項２４又は２５に記載のシステム。
【請求項３７】
基板処理システムを製造する方法であって、
基板支持体を有する処理チャンバを提供する工程であって、該処理チャンバは、基板上に液体二酸化炭素（ＣＯ２）をディスペンスするように構成された、提供する工程と、
液体ＣＯ２を前記処理チャンバに供給するための液体ＣＯ２の供給源を提供する工程と、
前記基板を前記処理チャンバとの間で移送するため、及び前記基板を前記基板処理システムとの間で移送するための移送システムを提供する工程と、を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１５年９月３０日付で出願された米国仮出願第６２／２３５，１２６号の優先権を主張し、その全体が参照により援用される。
【０００２】
本発明は、半導体表面の湿式処理に関する。より具体的には、本発明は、半導体表面を乾燥させるための新規な方法、その提案した方法を実装するための装置、及び関連する方法を提供する。
【背景技術】
【０００３】
半導体表面の乾燥には、水、水溶液、溶媒、有機溶液、半導体表面を処理するために使用された任意の他の処理液、又はそれらの２つ以上の混合物の除去を伴う。乾燥処理は、表面のフィーチャのいずれをも損傷することなく、処理液を含まない元の状態の半導体表面をもたらすべきである。超臨界二酸化炭素（ｓｃ−ＣＯ２）を半導体表面の乾燥に使用することが提案されている。このような処理では、例えば、基板上の水がイソプロピルアルコールで除去され、次いで、基板をｓｃ−ＣＯ２で処理した後、乾燥チャンバをパージし、次いで、新しいｓｃ−ＣＯ２でチャンバを何回かパージし、チャンバを大気に排気する。ｓｃ−ＣＯ２は表面張力がなく、乾燥処理中の半導体表面の構造的損傷を制限するが、ｓｃ−ＣＯ２の使用を可能にするために必要な装置は、ｓｃ−ＣＯ２を達成するのに必要な高圧を可能とするには過度に重く、高価である。例えば、機器のコストは圧力定格（肉厚、安全規制など）に敏感であり、ｓｃ−ＣＯ２は水をあまり吸収しないため、吸水性を高めるためにイソプロピルアルコールやエタノールなどの共溶媒が必要であり、イソプロピルアルコール及び水が基板上に降りかかる、又は乾燥チャンバを出た後にウォータマークが凝縮するのを避けるために圧力低下中に加熱が必要である。
【発明の概要】
【０００４】
本発明は、上記の欠点及び短所の１つ以上に対する解決策を提供する。
【０００５】
広い意味では、本発明の実施形態は、半導体表面上に残渣及び／又はウォータマークを残すことなく、そして、半導体表面上のいずれのフィーチャにも何ら損傷を与えずに、半導体表面から処理液を除去するという困難な問題を解決するものである。既知のように、半導体集積回路上の寸法のスケーリングにより、乾燥処理中に半導体表面に存在するフィーチャ上での表面張力及び接触角に基づいて加えられる力が増大し、最適化されていない乾燥処理が使用される場合、フィーチャの崩壊を招く。
【０００６】
本発明の実施形態は、半導体表面から処理流体を除去する（displace）ために液体二酸化炭素（Ｌｉｑ−ＣＯ２）を使用し、続いていかなる残渣及び／又はウォータマークを残さずに、そして、半導体表面に存在するフィーチャにいかなる損傷を与えることなく、半導体表面からＬｉｑ−ＣＯ２を制御可能に揮発させる。ｓｃ−ＣＯ２ほど低くはないが、Ｌｉｑ−ＣＯ２の極めて低い表面張力は、パターン崩壊のない乾燥処理を可能にする。Ｌｉｑ−ＣＯ２の表面張力は、イソプロピルアルコールの表面張力のほぼ１０分の１であり、後者は半導体処理に使用される一般的な溶媒である。液体ＣＯ２は、半導体表面構造に浸透して（penetrate）物質を除去することができる。液体ＣＯ２は、流体を除去するのにｓｃ−ＣＯ２と同じ能力を有するが、より低い圧力及び低い温度で動作する。しかし、共溶媒を液体ＣＯ２と共に使用することができ、より低い圧力又はより高い温度での液体密度を増加させる。したがって、液体ＣＯ２乾燥処理は、システム設計の複雑さを低減し、同等の密度で等価の乾燥性能を可能にしながらｓｃ−ＣＯ２に比較して製造コストを低減する。さらに、液体ＣＯ２乾燥処理は、ｓｃ−ＣＯ２とは異なり、処理を汚染する可能性のあるシステムシール、Ｏリング、バルブなどからオイル及び炭化水素を抽出しないため、処理の欠陥を低減することができる。有利には、液体ＣＯ２は、半導体基板上のパターンの崩壊を回避するのに十分に低いと考えられる表面張力を有する。
【０００７】
したがって、広い意味では、本発明は、基板処理システムにおいて、基板をリンス及び乾燥するための方法であって、基板上に第１のリンス液を供給する工程と、基板上に液体二酸化炭素（ＣＯ２）をディスペンスして、基板上に存在するあらゆる液体を除去し、基板を乾燥させる工程と、を含む。
【０００８】
さらなる実施形態は、いかなる残渣及び／又はウォータマークを残すことなく、そして、半導体表面に存在するフィーチャに何ら損傷を与えずに、半導体表面に存在するあらゆる流体の除去を可能にする、半導体表面の液体二酸化炭素処理のための装置も提供する。したがって、別の広い意味では、本発明は、基板処理システムであって、基板支持体を有する処理チャンバであって、基板上に液体二酸化炭素（ＣＯ２）をディスペンスするように構成された処理チャンバと、処理チャンバに液体ＣＯ２を供給するための液体ＣＯ２の供給源と、基板を処理チャンバとの間で移送するため、及び／又は基板を基板処理システムとの間で移送するための移送システムと、を含む。
【０００９】
別の広い意味では、本発明は、半導体表面の液体二酸化炭素処理のための装置を製造する方法であって、基板支持体を有する処理チャンバを提供する工程であって、処理チャンバは、基板上に液体二酸化炭素（ＣＯ２）をディスペンスするように構成された、提供する工程と、液体ＣＯ２を処理チャンバに供給するための液体ＣＯ２の供給源を提供する工程と、基板を処理チャンバとの間で移送するため、及び／又は基板を基板処理システムとの間で移送するための移送システムを提供する工程と、を含む。
【００１０】
Ｌｉｑ−ＣＯ２処理に必要な低い処理温度及び圧力は、ｓｃ−ＣＯ２を含む他の溶液と比較してより広い処理寛容度を提供する。さらに、本発明は、ポンプ、ガスケット、継手、配管、チャンバ材料、溶接及び他の品目などの処理装置に対する要件を緩和し、大幅な装置製造コストの削減となる。Ｌｉｑ−ＣＯ２処理の圧力及び温度の動作点は、チャンバ及び装置部品の腐食も大幅に減少させる。
【００１１】
液体二酸化炭素中で半導体基板を乾燥することは、二酸化炭素の臨界点未満の圧力を使用する乾燥処理を提供し、ハードウェアのコスト及び複雑さを大幅に削減することにつながる。液体ＣＯ２はガスボトルで、典型的には５０００〜６０００ｋＰａで供給される。したがって、本発明の装置及び方法は、乾燥すべき半導体基板に塗布したときに二酸化炭素を液体のままにすることを可能にする圧力に耐えることができる装置を採用する。
【００１２】
構造物に浸透して物質を除去する液体ＣＯ２の能力は、その密度の関数である。本発明の一実施形態では、ｓｃ−ＣＯ２乾燥処理に使用されたのと同じ密度の液体ＣＯ２を達成することができる。したがって、液体ＣＯ２は、ｓｃ−ＣＯ２と同じように流体を除去する能力を有するが、より低い圧力及び温度点で動作する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
添付の図面は、本発明の例示的な実施形態を示しているに過ぎず、本発明は他の同等に有効な実施形態を認めることができるため、したがって、添付の図面は、本発明の範囲を限定するものとみなされるべきではないことに留意されたい。
【図１】液体二酸化炭素を使用して半導体基板を乾燥させるための装置１００を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本明細書では、本発明の実施形態による半導体基板のための乾燥方法を説明する。この点、半導体基板は化学溶液で処理され、半導体基板が脱イオン水（ＤＩＷ）でリンスされ、例えば、水をＩＰＡで除去することにより、半導体基板の表面を覆う液体が脱イオン水から水溶性有機溶媒（すなわち、イソプロピルアルコール：ＩＰＡ）に変わり、水溶性有機溶媒で湿潤状態の半導体基板が乾燥チャンバに移送され、半導体基板上の水溶性有機溶媒液体が二酸化炭素でリンスされ、液体二酸化炭素とアルコールが乾燥チャンバから排出される。
【００１５】
代替的には、水溶性有機溶媒の使用を含む工程を省略することができ、半導体基板をＤＩＷで湿潤状態にして乾燥チャンバに移送し、それに続いて、ＤＩＷを液体二酸化炭素と水溶性有機溶媒（すなわち、ＩＰＡ）の混合物でリンス（除去）する。
【００１６】
乾燥チャンバ内の処理温度は、水溶性溶媒の沸点より低く保たれる。半導体基板は、制御された周囲環境を有する出口チャンバに移送され、半導体基板表面上の凝縮を防止する。出口チャンバは、半導体基板の温度を室温にする加熱能力を有する。
【００１７】
ｓｃ−ＣＯ２に共溶媒を追加することにより、臨界点を達成するのがより困難になるため、ｓｃ−ＣＯ２と比較してＬｉｑ−ＣＯ２で動作させることの方が容易であると理解すべきである。さらに、液体ＣＯ２に溶媒を追加すると、より低い圧力又はより高い温度でのその密度が増加し、Ｌｉｑ−ＣＯ２処理の処理ウィンドウが拡大する。
【００１８】
Ｌｉｑ−ＣＯ２の表面張力はゼロではないが、ＩＰＡの表面張力のほぼ１０分の１である。したがって、本発明は、半導体基板上のパターンの崩壊を回避するのに十分に低い表面張力で乾燥させることを可能にする。
【００１９】
図１を参照すると、半導体基板の液体二酸化炭素処理のための装置１００を含む実施形態が示されている。この装置は、入口を有する移送モジュール１１０と、移送モジュールに結合された液体二酸化炭素処理モジュール１２０とを含む。処理モジュール１２０は、実質的に一定の容積を有するキャビティ内において半導体基板上で液体二酸化炭素処理を実行するように構成される。この装置は、処理モジュールキャビティに結合された、状態発生器（condition  generator）と呼び得る液体二酸化炭素供給源１３０を含む。液体二酸化炭素供給源は、処理モジュールキャビティに液体二酸化炭素を供給し、処理モジュールキャビティから排出される有機溶媒で液体二酸化炭素を再使用することができる。装置１００は、移送モジュール１１０に結合された移送機構を含む。移送機構は、入口と液体二酸化炭素処理モジュールとの間で半導体基板を移動させるように構成される。この装置は、移送モジュールに結合された周囲調整アレンジメント１４０を含むことができ、動作中に、周囲調整アレンジメントが、移送モジュール内を低湿度状態及びモジュール周囲露点より上のウェハ温度に維持するようする。システム１００は、基板上にリンス液をディスペンスするための湿潤チャンバ１４５を含むことができる。同様に、システム１００は、基板を受け、処理システム１００から基板を除去する前に、基板温度が周囲温度又は周囲露点温度より高い温度に達するように構成された出口チャンバ１４７を含むことができる。出口チャンバは、基板を加熱するヒータを含むことができる。システム１００は、チャンバ１２０の壁に組み込まれた超音波又は他のトランスデューサを含むことができ、トランスデューサは、液体二酸化炭素を攪拌して、二酸化炭素と水、溶媒又はその両方との混合を促進して基板表面の乾燥を可能にする。トランスデューサ又は他の攪拌機構は、攪拌を提供するために、システム１００内の他の場所に位置させることができる。チャンバ及び装置は、液体二酸化炭素を含む圧力を含むように作成、設計されている。
【００２０】
動作中、装置１００は、半導体基板を化学溶液で処理し、半導体基板を脱イオン水でリンスし、半導体基板の表面を覆う液体を脱イオン水から水溶性有機溶媒（すなわち、イソプロピルアルコール：ＩＰＡ）に変更し、水溶性有機溶媒で湿潤状態の半導体基板を乾燥チャンバに移送し、半導体基板上の水溶性有機溶媒を液体二酸化炭素に置き換え、乾燥チャンバから液体二酸化炭素及びアルコールを排出することを含む処理で使用される。基板をリンスするために使用される水の量は、基板のタイプ、除去すべき残渣の量、及び他の従来の要因に依存して変化する。この処理で使用される液体二酸化炭素の量も、除去されるべき水及び／又は溶媒の量に依存する可能性がある。その二酸化炭素の量でチャンバを満たすことができるが、その必要はない。その量でチャンバを満たすことができるが、その必要はない。液体二酸化炭素の量は、水及び／又は溶媒を適切に除去するのに十分で有効となるべきである。
【００２１】
処理フローに関して、乾燥チャンバ内の処理温度は、溶媒の沸点よりも低く保たれる。半導体基板は、制御された周囲環境を有する出口チャンバに移送され、半導体基板表面上の凝縮を防止する。
【００２２】
基板を乾燥チャンバ内に導入する前に、液体ＣＯ２がチャンバ内にディスペンスされてチャンバを冷却することができる。追加的に、乾燥チャンバ内の温度及び圧力を監視することは、液体ＣＯ２導入及び流動中に飽和状態が維持されることを確実にするのに有用である。また、液体ＣＯ２フロー工程の後に加熱することにより、残留溶媒が基板に降りかかるのを回避することが容易になる。脱イオン水及び／又はイソプロピルアルコールなどの溶媒への液体ＣＯ２の大量輸送は、液体ＣＯ２が乾燥チャンバ内にディスペンスされている間に基板を回転させることによって強化することができ、液体ＣＯ２をチャンバ内にディスペンスするためにシャワーヘッド噴霧器を使用することができ、チャンバ壁内、ウェハアームホルダ上、又は液体ＣＯ２ディスペンスストリームと直列で（inline  with）、又はそれらの組み合わせにおいて、超音波又はメガソニックトランスデューサを使用して、システム内に振動エネルギーを導入することができる。
【００２３】
以下の実施例では、処理される基板を含む密閉可能なチャンバを含む装置を使用した。チャンバを液体二酸化炭素供給源に接続した。追加的に、チャンバは、安全弁及び圧力計を備えた従来のポートを有し、チャンバの排気を可能にするバルブを含んでいた。チャンバは、円筒形チャンバーを囲む円筒形ヒータを含み、その周囲には絶縁物が充填されている。チャンバを密封し、液体二酸化炭素を導入する前に、イソプロピルアルコールを手動でチャンバに導入することができた。この試験では、「チップ」試料試験装置は、チップ保持装置へのＣＯ２供給システムを含み、チップが液体ＩＰＡ溶媒に浸漬され、液体ＣＯ２が圧縮ＣＯ２ボトルからシステムに供給され、Ｌｉｑ−ＣＯ２は、ニードルバルブを介してシステムからブリードアウト（bleed  out）されるようにする。ヒータ及び圧力センサは、チップ試験装置内の温度及び圧力を監視するために使用される。チップ試験実施中、チップが装置に追加される前に、液体ＣＯ２がシステムを通してパージされ、試験が開始される前に試験装置が初期の冷却状態になるように圧力がサイクルされる。チップをシステムに加えた後、ＩＰＡをチップの上に注ぎ、システムを大気中に閉じ、液体ＣＯ２を供給し、新鮮なＬｉｑ−ＣＯ２をシステムに加えて高圧液体状態を維持しながら、ゆっくりと逃げさせる。試験のために、チップは液体ＣＯ２パドル中に様々な時間浸漬した状態で保持される。最後に、システムジャケット温度を上昇させて、ＣＯ２の圧力解放中にシステム温度をＩＰＡ凝縮温度より上に維持して、それにより、何らかの液体ＩＰＡがチップ試料に戻されるのを回避する。このようにして、ある質量のＩＰＡは、ＳＥＭ顕微鏡上の崩壊状態の測定を介してＣＯ２による除去によってシステムから除去されていることが確認される。７つのランダムな位置を、試験ウェハ上のＳＥＭを用いて評価した。パターン崩壊は平均して０．２％の割合であった。装置及び処理条件を最適化することによって、このパターン崩壊率を低減することができると考えられる。
【００２４】
この例では、液体ＣＯ２の追加後、ヒータは２２０℃に設定され、時間の経過と共に内部チャンバ温度を約２５℃から１００℃未満の最高温度、具体的には約９０〜９５℃の温度に上昇させる。条件は、圧力がほぼ５．５ＭＰａになるように維持される。
【００２５】
本発明のさらなる改変及び代替の実施形態は、この説明を考慮して当業者には明らかであろう。それゆえ、本発明は、これらの例示的な構成によって限定されないことが認識されるであろう。したがって、この説明は、例示としてのみ解釈されるべきであり、本発明を実施する方法を当業者に教示することを目的としている。本明細書に示され説明された本発明の形態は、現時点で好ましい実施形態とみなされるべきであると理解されたい。さまざまな変更が実装及びアーキテクチャで行われる可能性がある。例えば、本明細書で図示し説明したものと等価な要素で代用することができ、本発明の特定の特徴は他の特徴の使用とは独立して利用することができるが、すべて、本発明のこの説明の恩恵を受けた後であれば当業者には明らかであろう。
【図１】
2018530157.tif 000003
【国際調査報告】
2018530157.tif 000004
2018530157.tif 000005