(57)【要約】  高周波（ＲＦ)カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）装置用のコバルト−炭素（Ｃｏ-Ｃ）共晶金属合金オーム接触及びその製造方法が開示されている。本願の方法の実施形態は、黒鉛坩堝を準備し、黒鉛坩堝内にコバルト及び炭素源を配置し、コバルト及び炭素源が黒鉛坩堝からの黒鉛と結合してＣｏ−Ｃ共晶金属合金を形成するようにコバルト及び炭素源を含む黒鉛坩堝を加熱し、そして、Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金がカーボンナノチューブと直接接触するように高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置のカーボンナノチューブの上面上に直接Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金を蒸着することによりオーム接触を生成することを含む。この方法による形成されたＣｏ−Ｃ共晶金属合金オーム接触は、一貫して安定しており、均一であり、高い仕事関数の層として機能し、その上、カーボンナノチューブとの接着層としても機能する。【選択図】  図４
2018507319.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コバルト−炭素（Ｃｏ−Ｃ）共晶金属合金を高周波（ＲＦ)カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）装置用のオーム接触として蒸着する方法であって、該方法が、
黒鉛坩堝を準備し、
前記黒鉛坩堝内にコバルト及び炭素源を配置し、
前記コバルト及び炭素源が前記黒鉛坩堝からの黒鉛と結合して前記Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金を形成するように前記コバルト及び炭素源を含む前記黒鉛坩堝を加熱し、そして、
前記Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金がカーボンナノチューブと直接接触するように前記高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置の前記カーボンナノチューブの上面上に直接前記Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金を蒸着することにより前記オーム接触を生成することを含む方法。
【請求項２】
前記Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金の蒸着は、電子ビーム蒸着を用いて実施されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記炭素源が黒鉛であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
コバルト及び黒鉛の比率がおよそ８８：１２になるように加熱前に前記黒鉛坩堝内にコバルト及び黒鉛を配置することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
蒸着された前記Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金の高さは、３０〜１５０Åの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
以下の方法により製造された高周波（ＲＦ)カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）装置用のコバルト−炭素（Ｃｏ-Ｃ）共晶金属合金オーム接触であって、該方法が、
黒鉛坩堝を準備し、
前記黒鉛坩堝内にコバルト及び炭素源を配置し、
前記コバルト及び炭素源が前記黒鉛坩堝からの黒鉛と結合してＣｏ−Ｃ共晶金属合金を形成するように前記コバルト及び炭素源を含む前記黒鉛坩堝を加熱し、そして、
前記Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金がカーボンナノチューブと直接接触するように前記高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置の前記カーボンナノチューブの上面上に直接前記Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金を蒸着することによりオーム接触を生成することを含むオーム接触。
【請求項７】
前記Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金の蒸着は、電子ビーム蒸着を用いて実施されることを特徴とする請求項６に記載のオーム接触。
【請求項８】
前記炭素源が黒鉛であることを特徴とする請求項６に記載のオーム接触。
【請求項９】
コバルト及び黒鉛の比率がおよそ８８：１２になるように加熱前に前記黒鉛坩堝内にコバルト及び黒鉛を配置することを特徴とする請求項８に記載のオーム接触。
【請求項１０】
蒸着された前記Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金の高さは、３０〜１５０Åの範囲内であることを特徴とする請求項６に記載のオーム接触。
【請求項１１】
高周波（ＲＦ)カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）装置であって、該装置が、
前記高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置の複数のカーボンナノチューブであって、上面を有する前記カーボンナノチューブと、
オーム接触が前記カーボンナノチューブに直接接触するように前記カーボンナノチューブの上面上に直接蒸着された前記オーム接触と、
を有し、
前記オーム接触がコバルト−炭素（Ｃｏ-Ｃ）共晶金属合金を含むことを特徴とする高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置。
【請求項１２】
前記オーム接触がコバルト及び炭素から成ることを特徴とする請求項１１に記載の高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置。
【請求項１３】
蒸着された前記Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金の高さは、３０〜１５０Åの範囲内であることを特徴とする請求項１１に記載の高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置。
【請求項１４】
さらに、前記オーム接触の上面上に直接蒸着された抵抗層を有することを特徴とする請求項１１に記載の高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置。
【請求項１５】
前記抵抗層がパラジウム（Ｐｄ）を含むことを特徴とする請求項１４に記載の高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置。
【請求項１６】
さらに、前記抵抗層の上面上に直接蒸着された耐擦傷層を有することを特徴とする請求項１４に記載の高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置。
【請求項１７】
前記耐擦傷層が白金（Ｐｔ）を含むことを特徴とする請求項１６に記載の高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願の実施形態は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴｓ）の技術分野に関し、特にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）電界効果トランジスタに関する。さらに詳しくは、ここに開示された実施形態は、カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置用のコバルト−炭素（Ｃｏ−Ｃ）共晶金属合金オーム接触及びその製造方法に関し、特に、電界効果トランジスタの改善された高周波（ＲＦ）性能を促進するものである。
【背景技術】
【０００２】
長チャネル光リソグラフィから０．５ミクロンの短チャネル深紫外線（ＤＵＶ）リソグラフィまでカーボンナノチューブ電界効果トランジスタ電子機器をスケーリングすることに対する圧力により、該装置の接触長さを１ミクロンより小さく減少する必要がある。最先端のカーボンナノチューブ電界効果トランジスタにおいて、カーボンナノチューブアレイへのオーム接触として、チタン（Ｔｉ）の細い接着層がパラジウム（Ｐｄ）金属に覆われる。このＴｉ層はカーボンナノチューブにＰｄを接着するために必要であるが、Ｔｉ層はカーボンナノチューブアレイよりも低い仕事関数を有しており、したがって、それぞれの接触点において障害となる。最先端の技術においては、Ｔｉ層が１ミクロンより小さいチャネルスケーリングを妨害することを示している。もしＴｉ層がスタックから除去されると、１ミクロンより小さいチャネルスケーリングを測定することができるが、カーボンナノチューブアレイ（例えば石英）とＰｄの間が接着されていないことにより、収率が１０％未満になる。
【０００３】
オーム接触としてのＣｏ−Ｃ共晶金属合金がこれらの問題の両方を解決することができる。Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金は、接着層の必要なく、ウェーハに接着する。高い仕事関数を有する金属であるＰｄの使用とは対照的に、高い仕事関数を有する金属であるコバルトを含むＣｏ−Ｃ共晶金属合金の使用は、Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金がカーボンナノチューブと直接接触することを可能にし、したがって、接触時の障害を減少することができる。したがって、Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金は１ミクロンよりも小さい接触スケーリングを可能にするとともに、高い接着力により、７５％より上の収率をもたらすことができる。
【０００４】
コバルトの仕事関数は分類・整理されているが、工程の統合化の困難性から、オーム接触として、又はオーム接触の組成の一部としてカーボンナノチューブ電界効果トランジスタには適用されていなかった。ここに記載の実施形態においては、Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金オーム接触は炭素のコバルトへの溶解度を蒸着技術を安定化する方法として利用することにより、電子ビーム蒸着による容易な統合化を可能にする。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願の実施形態は、コバルト−炭素（Ｃｏ−Ｃ）共晶金属合金を高周波（ＲＦ)カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）装置用のオーム接触として蒸着する方法であって、該方法が、黒鉛坩堝を準備し、黒鉛坩堝内にコバルト及び炭素源を配置し、コバルト及び炭素源が黒鉛坩堝からの黒鉛と結合してＣｏ−Ｃ共晶金属合金を形成するようにコバルト及び炭素源を含む黒鉛坩堝を加熱し、そして、Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金がカーボンナノチューブと直接接触するように高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置のカーボンナノチューブの上面上に直接Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金を蒸着することによりオーム接触を生成することを含む方法に関する。
【０００６】
本願の実施形態において、Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金の蒸着は、電子ビーム蒸着を用いて実施される。
【０００７】
本願の実施形態において、炭素源は黒鉛であってもよい。コバルト及び黒鉛の比率がおよそ８８：１２になるように加熱前に黒鉛坩堝内にコバルト及び黒鉛を配置する。
【０００８】
本願の実施形態において、蒸着されたＣｏ−Ｃ共晶金属合金の高さは、３０〜１５０Åの範囲内であってもよい。
【０００９】
本願の実施形態は、上記の方法により製造された高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置用のＣｏ−Ｃ共晶金属合金オーム接触にも関する。
【００１０】
本願の実施形態はさらに、高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置に関する。高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置は、複数のカーボンナノチューブを有し、カーボンナノチューブは上面を有する。高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置は、オーム接触がカーボンナノチューブに直接接触するようにカーボンナノチューブの上面上に直接蒸着されたオーム接触も有し、オーム接触はＣｏ−Ｃ共晶金属合金を含む。
【００１１】
本願の実施形態において、オーム接触はコバルト及び炭素から成る。
【００１２】
本願の実施形態において、蒸着されたＣｏ−Ｃ共晶金属合金の高さは、３０〜１５０Åの範囲内であってもよい。
【００１３】
本願の実施形態において、高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置はさらに、オーム接触の上面に直接蒸着された抵抗層を有する。抵抗層は、パラジウム（Ｐｄ）を含んでいてもよい。高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置はさらに、抵抗層の上面に直接蒸着された耐擦傷層を有する。耐擦傷層は白金（Ｐｔ）を含んでいてもよい。
【００１４】
本発明の詳細な記載は、以下の図面を参照にしており、図面において、同様の項目には同様の参照番号が付与されている。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置の実施形態の平面図である。
【図２】図１の線２−２に沿った高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置のソース部分の側断面図である。
【図３】図１の線３−３に沿った高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置のゲート部分の側断面図である。
【図４】図１の線４−４に沿った高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置のドレイン部分の側断面図である。
【図５】高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置用のオーム接触としてＣｏ−Ｃ共晶金属合金を蒸着する方法の実施形態を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の図面及び記載は、本発明の明確な理解に関連する要素を示すために簡素化することができ、明確性のために、典型的な高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ又は高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタの典型的な製造方法に見られる他の要素を削除することができる。当業者は、本発明を実施するために他の要素が必要および/または望ましいことを理解できるであろう。しかしながら、本技術分野においてそのような要素は周知であり、本発明のより良い理解を促進しないので、ここではそのような要素については検討しない。ここに含まれる図面は、本発明の現在好ましい構成の模式図を示しているだけであり、図面に図示された構成以外の構成も本発明の範囲内の構成に含まれると理解される。同様の参照番号と共に同様の構成が図示されている図面を参照する。
【００１７】
高周波カーボンナノチューブへの接触は、カーボンナノチューブアレイのバンド構造に適合する高い仕事関数を有する金属を蒸着する能力に依るものである。ここに開示された実施形態において、黒鉛坩堝内におけるＣｏ−Ｃ共晶金属合金の蒸着は、高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ用のオーム接触を生成する方法に使用される。Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金を蒸着する能力は、黒鉛坩堝の使用に基づき、接触を改善するために少量から炭化コバルトの共晶重量％まで黒鉛坩堝内に配置されるコバルト源内への炭素（例えば黒鉛）の組み込みにより達成される。
【００１８】
カーボンナノチューブ接触の初期テストは、周知のカーボンナノチューブアレイにとって、１ボルトにおける２端子ＩＤ−ＶＤ測定により得られるチューブ毎の電流を測定することである。次に、カーボンナノチューブアレイ上に走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用し、カーボンナノチューブアレイに存在するチューブの数を測定する。実施形態において、Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金／Ｐｄ／Ｐｔオーム接触スタックを使用するカーボンナノチューブ電界効果トランジスタは、カーボンナノチューブ毎に３〜４μアンペアのチューブ毎電流を示す。一方、Ｔｉ／Ｐｄ／Ｐｔオーム接触スタックを使用する最先端のカーボンナノチューブ電界効果トランジスタは、カーボンナノチューブ毎に４〜５μアンペアのチューブ毎電流を示す。次に、カーボンナノチューブ電界効果トランジスタは、ゲートまで加工されてチャネルスケーリングが調べられる。Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金／Ｐｄ／Ｐｔオーム接触スタックを使用するカーボンナノチューブ電界効果トランジスタにおいては、少なくとも８ミクロンから２ミクロンまでの特性においてチャネルスケーリングが達成される。Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金／Ｐｄ／Ｐｔオーム接触スタックを使用するカーボンナノチューブ電界効果トランジスタは、ソース−ドレイン間の隙間が１ミクロン未満であるゲートを通ってカーボンナノチューブ電界効果トランジスタが加工されることを可能にする。
【００１９】
カーボンナノチューブアレイはソース及びドレイン電極蒸着のために準備／形成される。コバルト源は黒鉛坩堝内にプリミックスを配置する前に炭素源と予混合されるか、又は、コバルトは現場混合のために黒鉛坩堝内で炭素と混合される。
【００２０】
坩堝の組成は黒鉛である。坩堝内に配置されたコバルト源が溶融すると、コバルト源が坩堝から黒鉛の一部を吸収する。しかしながら、溶融における均一性を有するクリーンな反応を達成するためには、坩堝内に配置された炭素源内の黒鉛を追加的に使用する必要がある。コバルトだけでは、一定の時間にわたって、生成される薄膜はコバルト源の年数により不適当に一貫性のない組成を有する。したがって、黒鉛が再現性、安定性、及び均一性の目的のために必要である。したがって、コバルトのみから成るコバルト源を使用した場合と比較して、コバルト及び黒鉛のような炭素を含むプリミックス源は、一貫して安定した均一の融合物を達成する。
【００２１】
例えば、塊又はペレットの形のコバルト及び黒鉛粉末が黒鉛坩堝に加えられる。坩堝及びその中の混合物は約１６００℃〜１７００℃の範囲の温度で少なくとも約３時間の間加熱される。溶融工程の間、コバルトは坩堝からの炭素と反応する。溶融工程において、プリミックスからのコバルトと黒鉛とともに坩堝内の黒鉛とが互いに融合し、その結果、Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金を形成する。
【００２２】
Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金を含む坩堝は、冷却されて固体源になり、その後、電子ビーム蒸着機械内に積み込まれる。Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金は電子ビームを当てられ、Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金の局所的に溶融した部分が蒸発する。蒸気は上昇し、半導体ウェーハ上にＣｏ−Ｃ共晶金属合金組成を有する薄膜として凝結する。蒸着薄膜Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金は接着層として機能し、（優勢に正孔を備える(dominant to carry holes)）高い仕事関数の層としても作用する。
【００２３】
１つの実施例において、方法は７ｃｃの体積を有する黒鉛を含む坩堝を使用し、プリメルトされた坩堝に加えられる予混合されたコバルト及び黒鉛の比率がおよそ８８：１２である。
【００２４】
上記工程におけるコバルトの代わりに（又は加えて）パラジウム（Ｐｄ）のような他の高い仕事関数の要素の使用を試みた。しかし、実際には、これらの他の高い仕事関数の物質の使用は、該金属をカーボンナノチューブに接着する別の接着層を必要とする。したがって、上記工程において高い仕事関数の要素としてコバルトが必要である。
【００２５】
Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金が、約３０〜１５０Åの範囲の厚さ／高さで、好ましくは１００Åの厚さでカーボンナノチューブ上に蒸着される。その結果、蒸着されたＣｏ−Ｃ共晶金属合金の薄膜が圧力を減少する。その後、Ｐｄのような抵抗層がＣｏ−Ｃ共晶金属合金の上面上に５０〜１００ｎｍの厚さで、好ましくは５０ｎｍの厚さで蒸着される。Ｐｄ層が、その後の処理工程における拡散バリヤを保証し、カーボンナノチューブとの良いオーム接触を促すスタックを生成する。次に、その後、白金（Ｐｔ）のような耐擦傷層がＰｄ層の上面上に２０〜５０ｎｍの厚さで、好ましくは２０ｎｍの厚さで蒸着される。電界効果トランジスタは、優れたＩＤ−ＶＤ及びＩＤ−ＶＧ特性の３端子測定をもたらすために、ゲートリソグラフィを使用するゲート絶縁体を通して仕上げられる。
【００２６】
従来技術のカーボンナノチューブ電界効果トランジスタにおいては、Ｐｄが高仕事関数層として使用されていたが、カーボンナノチューブとの接着層としてチタン（Ｔｉ）を必要としていた。しかしながら、Ｐｄが必要な仕事関数を提供するためには、Ｔｉ層は非常に薄い、約１５Åである必要があり、電子ビーム蒸着工程においてＴｉ層の不確かな形成につながる。ここに記載の実施形態においては、上述のように、抵抗性を上げる目的のためにＰｄはまだＣｏ−Ｃ共晶金属合金層上に蒸着される抵抗層として使用されるが、単層Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金が、接着層として機能するＴｉ層及び高仕事関数層として機能するＰｄ層の両方と置き換えられる。
【００２７】
図１を参照すると、高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置１００の実施形態の平面図が図示されている。図２を参照すると、図１の線２−２に沿った高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタのソース部分２００の側断面図が図示されている。高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置１００は、複数のカーボンナノチューブ１０１を有し、カーボンナノチューブ１０１は上面を有する。高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置１００は、基板１０３の上面上に蒸着され、オーム接触１０５がカーボンナノチューブ１０１と直接接触するように、カーボンナノチューブ１０１の上面上に直接蒸着されたオーム接触１０５も有し、オーム接触１０５がＣｏ−Ｃ共晶金属合金を含んでいる。
【００２８】
実施形態において、オーム接触１０５はコバルト及び炭素から成る。
【００２９】
実施形態において、蒸着されたＣｏ−Ｃ共晶金属合金の高さは、３０〜１５０Åの範囲内であってもよい。
【００３０】
実施形態において、高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置１００はさらに、オーム接触１０５の上面上に直接蒸着された抵抗層１０７を有することができる。抵抗層１０７はＰｄを含むことができる。高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置１００はさらに、抵抗層１０７の上面上に直接蒸着された耐擦傷層１０９を有することができる。耐擦傷層１０９はＰｔを含むことができる。
【００３１】
図３を参照すると、図１の線３−３に沿った高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタのゲート部分３００の側断面図が図示されている。絶縁層１２７が、基板１０３の上面及びカーボンナノチューブ１０１上に蒸着され、そして、ゲート層１２９が絶縁層１２７の上面上に蒸着される。
【００３２】
図４を参照すると、図１の線４−４に沿った高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタのドレイン部分４００の側断面図が図示されている。高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置１００は、基板１０３の上面上に蒸着され、オーム接触１１５がカーボンナノチューブ１０１と直接接触するように、カーボンナノチューブ１０１の上面上に直接蒸着されたオーム接触１１５を有し、オーム接触１１５がＣｏ−Ｃ共晶金属合金を含んでいる。
【００３３】
実施形態において、オーム接触１１５はコバルト及び炭素から成る。
【００３４】
実施形態において、蒸着されたＣｏ−Ｃ共晶金属合金の高さは、３０〜１５０Åの範囲内であってもよい。
【００３５】
実施形態において、高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置１００はさらに、オーム接触１１５の上面上に直接蒸着された抵抗層１１７を有することができる。抵抗層１１７はＰｄを含むことができる。高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置１００はさらに、抵抗層１１７の上面上に直接蒸着された耐擦傷層１１９を有することができる。耐擦傷層１１９はＰｔを含むことができる。
【００３６】
図５を参照すると、高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置用のオーム接触としてＣｏ−Ｃ共晶金属合金を蒸着する方法５００の実施形態を示す工程図が図示されている。実施形態は、高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置用のオーム接触としてＣｏ−Ｃ共晶金属合金を蒸着する方法５００であって、該方法が、黒鉛坩堝を準備し（ブロック５０２）、黒鉛坩堝内にコバルト及び炭素源を配置し（ブロック５０４）、コバルト及び炭素源が黒鉛坩堝からの黒鉛と結合してＣｏ−Ｃ共晶金属合金を形成するようにコバルト及び炭素源を含む黒鉛坩堝を加熱し（ブロック５０６）、そして、Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金がカーボンナノチューブと直接接触するように高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置のカーボンナノチューブの上面上に直接Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金を蒸着することによりオーム接触を生成する（ブロック５０８）ことを含む方法に関する。
【００３７】
実施形態において、Ｃｏ−Ｃ共晶金属合金の蒸着は、電子ビーム蒸着を用いて実施される。
【００３８】
実施形態において、炭素源は黒鉛であってもよい。コバルト及び黒鉛の比率がおよそ８８：１２になるように加熱前に黒鉛坩堝内にコバルト及び黒鉛を配置する。
【００３９】
実施形態において、蒸着されたＣｏ−Ｃ共晶金属合金の高さは、３０〜１５０Åの範囲内であってもよい。
【００４０】
実施形態は、上記の方法により製造された高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置用のＣｏ−Ｃ共晶金属合金オーム接触にも関する。
【００４１】
簡素化の目的で、図１〜４に図示されている要素は、縮尺に合わせて図を引かれてはいないものである。
【００４２】
ここに開示されている高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置用のＣｏ−Ｃ共晶金属合金オーム接触を使用する実施形態、及びその製造方法は、電界効果トランジスタの改善された高周波性能を促進する。
【００４３】
明確に上述されている意図する改良及び変形は、本発明の主旨及び範囲内のものであると思料される。
【００４４】
本発明の主旨及び範囲から逸脱することなく、上記の実施形態に様々な改良及び変形を加えることができると当業者は認識するものである。したがって、本発明は上記の特定の実施形態に限定されるものではなく、下記の特許請求の範囲において定義されているような改良及び変形を含むことを意図していると理解されるものである。
【符号の説明】
【００４５】
１００  高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置
１０１  カーボンナノチューブ
１０３  基板
１０５  オーム接触
１０７  抵抗層
１０９  耐擦傷層
１１５  オーム接触
１１７  抵抗層
１１９  耐擦傷層
１２７  絶縁層
１２９  ゲート層
２００  ソース部分
３００  ゲート部分
４００  ドレイン部分
５００  高周波カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ装置用のオーム接触としてＣｏ−Ｃ共晶金属合金を蒸着する方法
【図１】
2018507319.tif 000003
【図２】
2018507319.tif 000004
【図３】
2018507319.tif 000005
【図４】
2018507319.tif 000006
【図５】
2018507319.tif 000007
【国際調査報告】
2018507319.tif 000008
2018507319.tif 000009