(57)【要約】  （ｉ）コバルト及び／又は（ｉｉ）コバルト合金及び（ｉｉｉ）ＴｉＮ及び／又はＴａＮを含む基板（Ｓ）を化学機械研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物（Ｑ）の使用方法であって、前記ＣＭＰ組成物（Ｑ）が、  （Ｅ）無機粒子、  （Ｆ）アミノ基及び酸性基（Ｙ）を含む少なくとも１種の有機化合物であって、前記化合物がｎ個のアミノ基及び少なくともｎ＋１個の酸性プロトンを含み、ここで、ｎが１以上の整数である、少なくとも１種の有機化合物、  （Ｇ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２〜２．５質量％の量の少なくとも１種の酸化剤、及び  （Ｈ）水性媒体を含み、前記ＣＭＰ組成物（Ｑ）が、６を超え９未満までのｐＨを有する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）コバルト及び／又は（ｉｉ）コバルト合金及び（ｉｉｉ）ＴｉＮ及び／又はＴａＮを含む基板（Ｓ）を化学機械研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物（Ｑ）の使用方法であって、前記ＣＭＰ組成物（Ｑ）が、
（Ａ）無機粒子、
（Ｂ）アミノ基及び酸性基（Ｙ）を含む少なくとも１種の有機化合物であって、前記化合物がｎ個のアミノ基及び少なくともｎ＋１個の酸性プロトンを含み、ここで、ｎが１以上の整数である、少なくとも１種の有機化合物、
（Ｃ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２〜２．５質量％の量の少なくとも１種の酸化剤、及び
（Ｄ）水性媒体
を含み、
前記ＣＭＰ組成物（Ｑ）が、６を超え９未満までのｐＨを有する、使用方法。
【請求項２】
前記無機粒子（Ａ）がコロイダル無機粒子である、請求項１に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）の使用方法。
【請求項３】
前記コロイダル無機粒子がコロイダルシリカ粒子である、請求項１又は２に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）の使用方法。
【請求項４】
前記少なくとも１種の有機化合物（Ｂ）が、６００ｇ／ｍｏｌ未満の分子量を有する非ポリマー化合物である、請求項１から３のいずれか一項に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）の使用方法。
【請求項５】
前記有機化合物（Ｂ）中の前記酸性基（Ｙ）が、カルボン酸、スルホン酸及びホスホン酸からなる群から選択される、請求項１から４のいずれか一項に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）の使用方法。
【請求項６】
前記有機化合物（Ｂ）が、アミノ酸、置換エチレンジアミン、置換ジエチレントリアミン、第２級アミン及び第３級アミンからなる群から選択される、請求項１から５のいずれか一項に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）の使用方法。
【請求項７】
前記少なくとも１種の有機化合物（Ｂ）の総量が、それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．１質量％〜２質量％の範囲にある、請求項１から６のいずれか一項に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）の使用方法。
【請求項８】
それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて０．００１質量％〜０．１質量％の総量の少なくとも１種の腐食防止剤（Ｅ）を含む、請求項１から７のいずれか一項に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）の使用方法。
【請求項９】
前記少なくとも１種の腐食防止剤（Ｅ）が８未満のｐｋａ値を有する、請求項１から８のいずれか一項に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）の使用方法。
【請求項１０】
それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて０．００１質量％〜０．０５質量％の総量の少なくとも１種の界面活性剤（Ｆ）を含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）の使用方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１種の界面活性剤（Ｆ）が、ポリオキシアルキレン基を含む両親媒性の非イオン性界面活性剤である、請求項１から１１のいずれか一項に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）の使用方法。
【請求項１２】
前記酸化剤が過酸化水素である、請求項１から１２のいずれか一項に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）の使用方法。
【請求項１３】
化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物であって、
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．０１質量％〜２質量％の総量のコロイダルシリカ粒子、
（Ｂ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．１質量％〜２質量％の総量の、グルタミン酸、アスパラギン酸、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸、システイン酸、アミノトリス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びエチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）からなる群から選択される、少なくとも１種の有機化合物（Ｂ）、
（Ｃ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２質量％〜１．８質量％の総量の過酸化水素、
（Ｄ）水性媒体、
（Ｅ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００２質量％〜０．１質量％の総量の、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−（ジメチルアミノ）安息香酸、テレフタル酸、イソフタル酸、６，６’，６’’−（１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリイルトリイミノ）トリヘキサン酸、フェニルテトラゾール、Ｎ−ラウロイルサルコシン、４−ドデシルベンゼンスルホン酸、及びリン酸Ｃ６〜Ｃ１０−アルキルエステルからなる群から選択される、少なくとも１種の腐食防止剤（Ｅ）、並びに
（Ｆ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１質量％〜０．０５質量％の総量の、ポリオキシアルキレン基を含む少なくとも１種の両親媒性の非イオン性界面活性剤（Ｆ）
を含み、
前記ＣＭＰ組成物（Ｑ）が、６を超え９未満までのｐＨを有する、化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物。
【請求項１４】
請求項１から１４のいずれか一項に記載のＣＭＰ組成物（Ｑ）の存在下で、半導体産業に使用される基板（Ｓ）を化学機械研磨する工程を含む、半導体装置の製造方法であって、前記基板（Ｓ）が、
（ｉ）コバルト及び／又は、
（ｉｉ）コバルト合金、及び
（ｉｉｉ）ＴｉＮ及び／又はＴａＮ
を含む、方法。
【請求項１５】
コバルトの静的エッチング速度（ＳＥＲ）が７０Å／分未満である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１６】
コバルトの材料除去速度（ＭＲＲ）を１０００〜４０００Å／分の範囲に調整し、ＴｉＮの材料除去速度（ＭＲＲ）が３００Å／分を超える、請求項１５又は１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は実質的に、無機粒子と、アミノ基及び酸性基（Ｙ）を含む少なくとも１種の有機化合物（ここで、前記化合物が、ｎ個のアミノ基、及び少なくともｎ＋１個の酸性プロトンを含み、ｎが１以上の整数である）と、少なくとも１種の酸化剤と、コバルト及び／又はコバルト合金及びＴｉＮ及び／又はＴａＮを含む半導体産業の基板を研磨するための水性媒体とを含む化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物の使用方法に関する。また、本発明は、前記化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物の存在下で基板又はレイヤーを化学機械研磨する工程を含む、半導体装置の製造方法に関する。ＣＭＰ組成物はすなわち、コバルト及びＴｉＮ及び／又はＴａＮの向上した材料除去速度（ＭＭＲ）と、Ｃｏに関して低いエッチング速度との両方を示す。
【背景技術】
【０００２】
半導体産業において、化学機械研磨（ＣＭＰと略称する）は、優れたフォトニック、微小電気機械的、及びマイクロエレクトロニクス材料及び装置、例えば半導体ウェハの製造に適用される周知の技術である。
【０００３】
半導体産業に使用される材料及び装置の製造中には、ＣＭＰは、金属及び／又は酸化物の表面を平坦化するために使用される。ＣＭＰは、化学的作用と機械的作用の相互作用を利用して、被研磨（to-be-polished）表面の平坦化を達成する。化学的作用は、ＣＭＰ組成物又はＣＭＰスラリーとも称される化学組成物により提供される。機械的作用は、通常、研磨パッドによって行われ、この研磨パッドは、一般的に、被研磨表面に押し付けられ、移動プラテン上に取り付けられる。通常、プラテンの移動は、直線、回転又は軌道式である。
【０００４】
典型的なＣＭＰ方法の工程において、回転ウェハホルダが、被研磨ウェハを研磨パッドに接触させる。ＣＭＰ組成物は、通常、被研磨ウェハと研磨パッドとの間に適用されている。
【０００５】
超大規模集積回路（ＵＬＳＩ）技術における形状サイズの連続的縮小に伴い、銅相互接続構造のサイズは、ますます小さくなっている。ＲＣ遅延を低下するために、銅相互接続構造内のバリア層又は接着層の厚さは薄くなっている。従来の銅バリア／接着層スタックＴａ／ＴａＮは、Ｔａの抵抗率が比較的に高く、銅をＴａ上に直接電気メッキすることができないので、もはや適切ではない。Ｔａと比較して、コバルトは、抵抗率が低く、安価である。ＣｕとＣｏの間の接着性は良好である。ＣｕはＣｏ上で容易に核形成することができ、銅もコバルト上に直接電気メッキすることができる。
【０００６】
集積回路において、Ｃｏは、銅相互接続のための接着層又はバリア層として使用されており、また、メモリデバイス内のナノ結晶Ｃｏとして、及びＭＯＳＦＥＴの金属ゲートとして使用することもできる。
【０００７】
多孔質低ｋ（low k）誘電材料は、既に電流相互接続構造に使用されている。低ｋ材料は、プラズマ又は研磨スラリーによって容易に損傷されることが報告されている。現在の化学機械研磨加工では、低ｋ誘電体への損傷を低下するために、銅に使用される現在のスラリー及びバリアの大多数が酸性である。しかし、銅及びコバルトは、酸化剤（例えば、過酸化水素）を含有する酸性溶液中に容易に溶解することが観察される。これにより、銅線のディッシングを誘発するように、銅及びコバルトの研磨速度が高すぎることになる。さらに、銅相互接続構造の側壁上のコバルト接着層の溶解は、銅線の層間剥離をもたらし、信頼性の問題を引き起こす可能性がある。
【０００８】
半導体チップ製造におけるコバルトの別の応用は、ＣＶＤ又はＰＶＤ法によってコバルトをトレンチ又はビアに堆積させることである。Ｃｏが誘電体層に剥離又は拡散しないことを確実にするために、誘電体層はライナーでカバーされている。ライナー及び／又はバリアとして、Ｔｉ／ＴｉＮ及び／又はＴａ／ＴａＮの層を使用することができる。
【０００９】
ＣｏでコーティングされたウエハのＣＭＰのようなダマスク模様（damascene）において、Ｃｏ及びライナは一段階で除去することが良い。したがって、Ｃｏ及びＴｉ／ＴｉＮ及び／又はＴａ／ＴａＮの高い除去速度が有利である。他方、誘電体層は損傷してはならないので、このタイプの材料においては低い速度が必要とされる。
【００１０】
超大規模集積回路（ＵＬＳＩ）技術で使用される集積スキームに依存して、異なる量及び層厚のＣｏ、Ｃｕ、低ｋ誘電材料、Ｔｉ／ＴｉＮ及び／又はＴａ／ＴａＮが異なる量及び層厚で共存することは、半導体デバイスの製造における、選択性、腐食性、除去速度及び表面品質の点に関して、化学的機械的研磨に使用される組成物に対する多数の挑戦を放棄させた。
【００１１】
最新技術において、無機粒子、アミノ基及び酸基（Ｙ）を含む少なくとも１種の有機化合物であって、ｎ個のアミノ基及び少なくともｎ＋１個の酸性プロトン（ここでｎは１以上の整数である）を含む前述の化合物、酸化剤及び水性媒体を含むＣＭＰ組成物を、金属並びにＴｉ／ＴｉＮ及び／又はＴａ／ＴａＮを含む半導体産業の基材を研磨するために使用することは既知であり、例えば、以下の参考文献に記載されている。
【００１２】
ＵＳ ６，８４０，９７１ Ｂ２には、アルファ−アミノ酸含有の化学機械研磨組成物、並びに、金属、又は金属と誘電材料の多重層、例えばＣｕ／ＴｉＮ／Ｔｉ及びＣｕ／ＴａＮ／Ｔａ積層基板を含む基板を研磨するために有用であるスラリーが開示されている。アルファ−アミノ酸以外、該スラリーはまた、研磨粒子、酸化剤、並びに任意に、不動態化膜形成剤、分散剤、界面活性剤、研磨停止化合物及び安定剤を含むさらなる成分を含む。特に、銅、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、タングステン、及び窒化タングステン層を含む基板を、制御可能な条件下で、良好な速度で研磨することに有用である。
【００１３】
結果として、目前に、先行技術に関連する全ての欠点、例えば銅及びタングステンへの注目、Ｔａの低い材料除去速度、被研磨金属の腐食問題に関連する酸性ｐＨを避けることができるＣＭＰ組成物の使用及びＣＭＰプロセスを有することが、非常に望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】ＵＳ ６，８４０，９７１ Ｂ２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の１つの目的は、コバルト及び／又はコバルト合金及びＴｉＮ及び／又はＴａＮを含む基板の化学機械研磨に適し、かつ、向上した研磨性能、特にＴｉＮ及び／又はＴａＮの高い材料除去速度、並びにコバルト及び／又はコバルト合金及びＴｉＮ及び／又はＴａＮの制御可能で調節可能な材料除去速度を示すＣＭＰ組成物の使用方法を提供することであった。さらに、コバルト及び／又はコバルト合金及びＴｉＮ及び／又はＴａＮの高い材料除去速度をもたらすだけでなく、低ｋ誘電材料及び他の金属（例えば、銅）に適合し、酸化ケイ素の低い材料除去速度を示し、コバルトの酸化ケイ素への良好な選択性をもたらす、ＣＭＰ組成物の使用方法も求められている。さらに、それは、高品質表面仕上げを提供し、ディッシングを低下し、貯蔵安定性を有し、アルカリｐＨ範囲に中和することにすぐに使用することができる。
【００１６】
さらに、それぞれのＣＭＰプロセスを提供すべきである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
したがって、（ｉ）コバルト及び／又は（ｉｉ）コバルト合金及び（ｉｉｉ）ＴｉＮ及び／又はＴａＮを含む基板（Ｓ）を化学機械研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物（Ｑ）の使用方法であって、前記ＣＭＰ組成物（Ｑ）は、
（Ａ）無機粒子、
（Ｂ）アミノ基及び酸性基（Ｙ）を含む少なくとも１種の有機化合物であって、前記化合物がｎ個のアミノ基及び少なくともｎ＋１個の酸性プロトンを含み、ここで、ｎが１以上の整数である、少なくとも１種の有機化合物、
（Ｃ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２〜２．５質量％の量の少なくとも１種の酸化剤、及び
（Ｄ）水性媒体
を含み、
ここで、前記ＣＭＰ組成物（Ｑ）は、６を超え９未満までのｐＨを有する。
【００１８】
本発明のさらなる態様によれば、
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．０１質量％〜２質量％の総量のコロイダルシリカ粒子、
（Ｂ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．１質量％〜２質量％の総量の、グルタミン酸、アスパラギン酸、エチレンジアミン四酢酸、イミノ二酢酸、ニトリロトリ酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸、システイン酸、アミノトリス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びエチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）からなる群から選択される少なくとも１種の有機化合物（Ｂ）、
（Ｃ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２質量％〜１．８質量％の総量の過酸化水素
（Ｄ）水性媒体、
（Ｅ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００２質量％〜０．１質量％の総量の、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−（ジメチルアミノ）安息香酸、テレフタル酸、イソフタル酸、６，６’，６’’−（１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリイルトリイミノ）トリヘキサン酸、フェニルテトラゾール、Ｎ−ラウロイルサルコシン、４−ドデシルベンゼンスルホン酸、及びリン酸Ｃ６〜Ｃ１０−アルキルエステルからなる群から選択される、少なくとも１種の腐食防止剤（Ｅ）、並びに
（Ｆ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１質量％〜０．０５質量％の総量の、ポリオキシアルキレン基を含む少なくとも１種の両親媒性の非イオン性界面活性剤（Ｆ）
を含む化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物を提供し、
ここで、前記ＣＭＰ組成物（Ｑ）は、６を超え９未満までのｐＨを有する。これは、本発明の目的を満たす。
【００１９】
さらに、本発明の上記目的は、半導体産業に使用される基板（Ｓ）を化学機械研磨する工程を含む、半導体装置の製造方法により達成され、ここで、前記基板（Ｓ）が、ＣＭＰ組成物（Ｑ）の存在下で、すなわち、前記化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物（Ｑ）の存在下で、（ｉ）コバルト及び／又は（ｉｉ）コバルト合金及び（ｉｉｉ）ＴｉＮ及び／又はＴａＮを含む。
【００２０】
驚いたことには、本発明によるＣＭＰ組成物（Ｑ）の使用は、コバルト及び／又はコバルト合金及びＴｉＮ及び／又はＴａＮに、適切なＴｉＮ及び／又はＴａＮ材料除去速度と組み合わせてコバルトの高い材料除去速度、及び多層基板に低い二酸化ケイ素の材料除去速度をもたらす。
【００２１】
請求の範囲及び発明の詳細な説明において、好ましい実施態様を説明する。好ましい実施態様の組み合わせは本発明の範囲内にあることが理解されたい。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明によれば、ＣＭＰ組成物は、無機粒子（Ａ）を含む。
【００２３】
一般的には、無機粒子（Ａ）の化学的性質は特に制限されていない。（Ａ）は、同様の化学的性質のもの、又は異なる化学的性質の粒子の混合物であってもよい。一般的には、同様の化学的性質の粒子（Ａ）は好ましい。
【００２４】
（Ａ）は、
−  無機粒子、例えば半金属、酸化物又は炭化物を含む金属、金属酸化物又は炭化物、又は
−  無機粒子の混合物
であり得る。
【００２５】
一般的には、（Ａ）は、
−  １種のコロイダル無機粒子、
−  １種のヒュームド無機粒子、
−  異なる種のコロイダル及び／又はヒュームド無機粒子の混合物
であり得る。
【００２６】
一般的には、コロイダル無機粒子は、湿式沈殿法（wet precipitation process）によって製造される無機粒子である；ヒュームド無機粒子は、例えば、Ａｅｒｏｓｉｌ（登録商標）プロセスを用いて、酸素の存在下で、例えば金属塩化物前駆体を水素で高温火炎加水分解することによって製造される。
【００２７】
好ましくは、無機粒子（Ａ）は、コロイダル無機粒子若しくはヒュームド無機粒子、又はそれらの混合物である。それらの中には、金属又は半金属の酸化物及び炭化物が好ましい。より好ましくは、粒子（Ａ）は、アルミナ、セリア、酸化銅、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化マンガン、シリカ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化スズ、チタニア、炭化チタン、酸化タングステン、酸化イットリウム、ジルコニア、又はそれらの混合物若しくは複合物である。最も好ましくは、粒子（Ａ）は、アルミナ、セリア、シリカ、チタニア、ジルコニア、又はそれらの混合物若しくは複合物である。特に、粒子（Ａ）はシリカ粒子である。例えば、（Ａ）はコロイダルシリカ粒子である。
【００２８】
この明細書に使用される「コロイダルシリカ」という用語は、Ｓｉ（ＯＨ）４の縮合重合により製造された二酸化ケイ素を指す。前駆体のＳｉ（ＯＨ）４は、例えば、高純度のアルコキシシランの加水分解により、又はケイ酸塩水溶液の酸性化により得ることができる。当該コロイダルシリカは、米国特許第５，２３０，８３３号に従って製造することができるか、又はあらゆる種々の市販の製品、例えばＦｕｓｏ ＰＬ−１、ＰＬ−２及びＰＬ−３製品、Ｎａｌｃｏ １０５０、２３２７及び２３２９製品、並びに、ＤｕＰｏｎｔ、Ｂａｙｅｒ、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｒｅｓｅａｒｃｈ、Ｎｉｓｓａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ、Ｎｙａｃｏｌ及びＣｌａｒｉａｎｔから購入可能な他の類似製品として得ることができる。
【００２９】
本発明によれば、ＣＭＰ組成物（Ｑ）中の（Ａ）の量は、組成物（Ｑ）の総質量に基づいて、３．０質量％以下、好ましくは２．５質量％以下、最も好ましくは１．８質量％以下、特に１．５質量％以下である。本発明によれば、（Ａ）の量は、組成物（Ｑ）の総質量に基づいて、少なくとも０．０００１質量％、好ましくは少なくとも０．０２質量％、より好ましくは少なくとも０．１質量％、最も好ましくは少なくとも０．２質量％、特に少なくとも０．３質量％である。例えば、（Ａ）の量は、０．４質量％〜１．２質量％の範囲にあり得る。
【００３０】
一般的には、粒子（Ａ）は、異なる粒径分布で、組成物（Ｑ）中に含有することができる。粒子（Ａ）の粒径分布は、単峰性又は多峰性であり得る。多峰性粒径分布の場合、しばしば、二峰性が好ましい。本発明のＣＭＰプロセスの間に、容易に再現可能な特性プロフィル及び容易に再現可能な条件を有するために、粒子（Ａ）において単峰性粒径分布が好ましい。しばしば、最も好ましくは、粒子（Ａ）が単峰性粒径分布を有する。
【００３１】
一般的には、粒子（Ａ）の有する粒径分布は特に限定されない。
【００３２】
粒子（Ａ）の平均粒径は、広い範囲内で変化することができる。平均粒径は、水性媒体（Ｅ）中の粒子（Ａ）の粒径分布のｄ５０値であり、例えば動的光散乱（ＤＬＳ）又は静的光散乱（ＳＬＳ）法を用いて測定することができる。これらの方法及び他の方法は、当該技術分野において周知であり、例えば、Ｋｕｎｔｚｓｃｈ，Ｔｉｍｏ；Ｗｉｔｎｉｋ，Ｕｌｒｉｋｅ；Ｈｏｌｌａｔｚ，Ｍｉｃｈａｅｌ Ｓｔｉｎｔｚ；Ｒｉｐｐｅｒｇｅｒ，Ｓｉｅｇｆｒｉｅｄ；半導体産業における化学機械研磨（ＣＭＰ）に用いられるスラリーの特性；Ｃｈｅｍ．Ｅｎｇ．Ｔｅｃｈｎｏｌ；２６（２００３）、第１２巻、１２３５頁を参照する。
【００３３】
ＤＬＳにおいて、典型的には、Ｈｏｒｉｂａ ＬＢ−５５０Ｖ（ＤＬＳ、マニュアルによる動的光散乱測定）又は他のそのような機器が使用される。この技術は、入射光に対して９０°又は１７３°の角度で検出される、レーザ光源（λ＝６５０ｎｍ）を散乱させるときの、粒子の流体力学的直径を測定する。散乱光の強度の変化は、粒子が入射ビームを通過するときのランダムなブラウン運動に起因し、時間の関数として監視される。遅延時間の関数として装置によって実行される自己相関関数は、減衰定数を抽出するために使用される；より小さい粒子は、入射ビームを通してより速い速度で移動し、より速い減衰に対応する。
【００３４】
これらの減衰定数は、粒子の拡散係数Ｄｔに比例し、ストークス−アインシュタインの式に従って粒径を計算するために使用される:
【００３５】
【数１】
2018530909.tif 000002
【００３６】
式中、懸濁粒子は、（１）球状形態を有し、（２）水性媒体（Ｅ）全体に均一に分散されている（すなわち、凝集していない）と仮定される。η＝０．９６ｍＰａ・ｓ（Ｔ＝２２℃で）の水性分散剤（Ｅ）の粘度に有意な偏差がないので、この関係は、１質量％未満の固形分を含有する粒子分散系に有効であると予期される。ヒュームド又はコロイダル無機粒子分散系（Ａ）の粒径分布は、通常、固形分濃度０．１〜１．０％のプラスチックキュベット中で測定され、必要に応じて分散媒又は超純水を用いて希釈される。
【００３７】
好ましくは、粒子（Ａ）の平均粒径は、例えばＭａｌｖｅｒｎ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｌｔｄ．製の高性能粒径測定器（High Performance Particle Sizer）（ＨＰＰＳ）又はＨｏｒｉｂａ ＬＢ５５０などの機器を用いて動的光散乱技術で測定される、２０〜２００ｎｍの範囲、より好ましくは２５〜１８０ｎｍの範囲、最も好ましくは３０〜１７０ｎｍの範囲、特に好ましくは４０〜１６０ｎｍの範囲、特に４５〜１５０ｎｍの範囲にある。
【００３８】
ＤＩＮ ＩＳＯ ９２７７：２０１０−０９に従って決定された粒子（Ａ）のＢＥＴ表面積は、広い範囲内で変化することができる。好ましくは、粒子（Ａ）のＢＥＴ表面積は、１〜５００ｍ２／ｇの範囲、より好ましくは５〜２５０ｍ２／ｇの範囲、最も好ましくは１０〜１００ｍ２／ｇの範囲、特に２０〜９５ｍ２／ｇの範囲、例えば２５〜９２ｍ２／ｇの範囲にある。
【００３９】
粒子（Ａ）は様々な形状であり得る。それによって、粒子（Ａ）は、1つ又は本質的に１つのタイプの形状のみであってもよい。しかしながら、粒子（Ａ）は、異なる形状を有することも可能である。例えば、２つのタイプの異なる形状の粒子（Ａ）が存在してもよい。例えば、（Ａ）は、突起又はくぼみ（indentations）を有するか又は有しないかたまり、立方体、斜縁を備えた立方体、八面体、二十面体、コクーン（繭）、ノジュール又球体の形状を有することができる。好ましくは、それらは本質的に球形であり、それによって、典型的には、これらは突起又はくぼみを有する。
【００４０】
無機粒子（Ａ）はコクーン状であることが好ましい。コクーンは、突起又はくぼみを有しても、有しなくてもよい。コクーン状粒子は、１０〜２００ｎｍの短軸、１．４〜２．２、より好ましくは１．６〜２．０の長軸／短軸の比を有する粒子である。好ましくは、それらは、透過型電子顕微鏡及び走査型電子顕微鏡により決定することができる、０．７〜０．９７、より好ましくは０．７７〜０．９２の平均形状係数、好ましくは０．４〜０．９、より好ましくは０．５〜０．７の平均球形度、及び好ましくは４１〜６６ｎｍ、より好ましくは４８〜６０ｎｍの平均円相当径を有する。
【００４１】
以下、図１〜４を参照して、コクーン状粒子の形状係数、球形度及び円相当径の決定を説明する。
【００４２】
形状係数は、個々の粒子の形状及びくぼみに関する情報（図１を参照）を提供し、下記の式により計算することができる：
形状係数＝４π（面積／周長２）
くぼみのない球状粒子の形状係数は１である。くぼみの数が増大すると、形状係数の値が低減する。
【００４３】
球形度（図２を参照）は、平均に関するモーメントを用いて個々の粒子の伸びに関する情報を提供し、下記の式により計算することができる：
球形度＝（Ｍｘｘ−Ｍｙｙ）−［４Ｍｘｙ２＋（Ｍｙｙ−Ｍｘｘ）２］０．５／（Ｍｘｘ−Ｍｙｙ）＋［４Ｍｘｙ２＋（Ｍｙｙ−Ｍｘｘ）２］０．５
伸び＝（１／球形度）０．５
（式中、
Ｍｘｘ＝Σ（ｘ−ｘ平均）２／Ｎであり、
Ｍｙｙ=Σ（ｙ−ｙ平均）２／Ｎであり、
Ｍｘｙ＝Σ［（ｘ−ｘ平均）＊（ｙ−ｙ平均）］／Ｎであり、
Ｎは、それぞれの粒子の画像を構成する画素の数であり、
ｘ、ｙは、画素の座標であり、
ｘ平均は、前記粒子の画像を構成するＮ画素のｘ座標の平均値であり、
ｙ平均は、前記粒子の画像を構成するＮ画素のｙ座標の平均値である）。
【００４４】
球状粒子の球形度は１である。粒子が伸びると、球形度値が低減する。
【００４５】
個々の非円形の粒子の円相当径（以下、ＥＣＤとも略称される）は、それぞれの非円形の粒子と同様の面積を有する円の直径に関する情報を提供する（図３を参照）。
【００４６】
平均形状係数、平均球形度及び平均ＥＣＤは、分析された粒子数に関連するそれぞれの特性の算術平均である。
【００４７】
粒子形状の特徴付けの手順は以下の通りである。２０質量％の固形分を有するコクーン状のシリカ粒子水性分散液を、炭素ホイル上に分散させて、乾燥させる。乾燥した分散液を、エネルギーフィルタ型透過電子顕微鏡（ＥＦ−ＴＥＭ）（１２０キロボルト）及び走査型電子顕微鏡二次電子画像（ＳＥＭ−ＳＥ）（５キロボルト）を用いて分析する。分析には、２ｋ、１６ビット、０．６８５１ｎｍ／画素の解像度を有するＥＦ−ＴＥＭ画像（図４を参照）を使用する。画像は、ノイズ抑制後のしきい値を使用する２値化処理される。その後、粒子を手動で分離する。重なる粒子及び縁にある粒子を識別し、分析に使用しない。上記で規定したＥＣＤ、形状係数及び球形度を計算し、統計的に分類する。
【００４８】
例えば、コクーン状粒子は、３５ｎｍの平均一次粒子径（ｄ１）及び７０ｎｍの平均二次粒子径（ｄ２）を有する、Ｆｕｓｏ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製のＦＵＳＯ（登録商標）ＰＬ−３であってもよい。
【００４９】
本発明によれば、使用されるＣＭＰ組成物（Ｑ）は、アミノ基及び酸性基（Ｙ）を含む少なくとも１種の有機化合物（Ｂ）を含み、ここで、前記化合物が、ｎ個のアミノ基及び少なくともｎ＋１個の酸性プロトンを含み、ｎが１以上の整数である。
【００５０】
一般的には、あらゆる当該有機化合物を使用することができる。
【００５１】
酸性基（Ｙ）は、そのまま（Ｙ）とその脱プロトン化形態であると規定される。有機化合物（Ｂ）中に含まれる酸性基（Ｙ）は、好ましくは、２５℃で、及び大気圧にて、脱イオン水中で測定される、
【数２】
2018530909.tif 000003
のｐＫａ値（酸解離定数の対数測定）が、７以下、より好ましくは６以下、最も好ましくは５．５以下、特に５以下であるようなあらゆる酸性基である。
【００５２】
有機化合物（Ｂ）中に含まれる酸性基（Ｙ）は、好ましくは、カルボン酸（−ＣＯＯＨ）、炭酸（−Ｏ−ＣＯＯＨ）、スルホン酸（−ＳＯ３Ｈ）、硫酸（−Ｏ−ＳＯ３Ｈ）、ホスホン酸（−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）２）、リン酸（−Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）２）部分、又はそれらの脱プロトン化形態である。より好ましくは、前記酸性基（Ｙ）は、カルボン酸（−ＣＯＯＨ）、スルホン酸（−ＳＯ３Ｈ）、硫酸（−Ｏ−ＳＯ３Ｈ）若しくはホスホン酸（−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）２）部分、又はそれらの脱プロトン化形態である。最も好ましくは、前記酸性基（Ｙ）は、カルボン酸（−ＣＯＯＨ）、スルホン酸（−ＳＯ３Ｈ）若しくはホスホン酸（−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）２）部分、又はその脱プロトン化形態である。
【００５３】
好ましくは、酸性基（Ｙ）は、有機化合物（Ｂ）の炭素原子と直接に共有結合されている。
【００５４】
アミノ基及び酸性基（Ｙ）を含む有機化合物（Ｂ）（ここで、前記化合物が、ｎ個のアミノ基及び少なくともｎ＋１個の酸性プロトンを含み、ｎが１以上の整数である）は、好ましくは、アミノ酸、置換エチレンジアミン、置換ジエチレントリアミン、第２級アミン又は第３級アミンである。より好ましくは、（Ｂ）は、アミノ酸、置換エチレンジアミン、置換ジエチレントリアミン、又は第３級アミンである。最も好ましくは、（Ｂ）は、アルファ−アミノ酸、置換エチレンジアミン又は置換ジエチレントリアミンである。
【００５５】
例えば、有機化合物（Ｂ）は酸性アルファ−アミノ酸である。
【００５６】
有機化合物（Ｂ）はアミノ基及び酸性基（Ｙ）を含み、ここで、前記化合物が、ｎ個のアミノ基及び少なくともｎ＋１個の酸性プロトンを含み、ｎが１以上の整数である。好ましくは、ｎは１、２、３、４又は５である。より好ましくは、ｎは１、２、３又は４である。最も好ましくは、ｎは１、２又は３である。例えば、ｎは１である。
【００５７】
少なくとも１種の有機化合物（Ｂ）は、好ましくは６００ｇ／ｍｏｌ未満の分子量、より好ましくは５８０ｇ／ｍｏｌ未満の分子量、最も好ましくは３００ｇ／ｍｏｌ未満の分子量、例えば２５０ｇ／ｍｏｌ未満の分子量を有する非ポリマー化合物である。
【００５８】
一般的には、アミノ基及び酸性基を有するあらゆる有機化合物は、アミノ酸をと呼ばれる。本発明の目的のため、また、全ての個々の立体異性体及びそれらのラセミ混合物も、アミノ酸と見なされる。好ましくは、アミノ基と酸性基の両方が１つの炭素と結合しているもの（アルファ−アミノカルボン酸と称する）は、ＣＭＰスラリーの化学添加剤として使用される。多くのアルファ−アミノカルボン酸が知られており、生物中のタンパク質の基本成分として使用されている２０種の「天然の」アミノ酸が存在している。アミノ酸は、それらの側鎖により、水性担体の存在下で、酸性、中性又は塩基性であり得る。アルファ−アミノカルボン酸の側鎖がさらなるプロトン供与基（酸性基）、例えばカルボン酸基を含む場合、アミノ酸は酸性アミノ酸である。
【００５９】
この明細書において、置換とは、少なくとも１つの炭素原子を含有する基が、有機化合物（Ｂ）中に存在している場合に、エチレンジアミン又はジエチレントリアミン構造の少なくとも１つの窒素原子と共有結合していると理解されたい。炭素原子含有基は、窒素含有のエチレンジアミン又はジエチレントリアミン構造と、酸性基（Ｙ）との間の連接基として作用して、全体として化合物（Ｂ）を生ずる。
【００６０】
炭素原子含有基は、好ましくは、ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２又はＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２基、より好ましくはＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ２又はＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２基、最も好ましくはＣＨ２基である。
【００６１】
アミノ基及び酸性基（Ｙ）を含む有機化合物（Ｂ）（ここで、前記化合物が、ｎ個のアミノ基及び少なくともｎ＋１個の酸性プロトンを含み、ｎが１以上の整数である）はアミノ酸を含む場合、それは、アスパラギン酸、グルタミン酸又はシステイン酸、並びに、それらの混合物及び塩であってもよい。例えば、（Ｂ）はアスパラギン酸である。
【００６２】
アミノ基及び酸性基（Ｙ）を含む有機化合物（Ｂ）（ここで、前記化合物が、ｎ個のアミノ基及び少なくともｎ＋１個の酸性プロトンを含み、ｎが１以上の整数である）は置換エチレンジアミンを含む場合、それは、好ましくは、エチレンジアミン四酢酸又はエチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、並びに、それらの混合物及び塩であってもよい。例えば、（Ｂ）はエチレンジアミン四酢酸である。
【００６３】
アミノ基及び酸性基（Ｙ）を含む有機化合物（Ｂ）（ここで、前記化合物が、ｎ個のアミノ基及び少なくともｎ＋１個の酸性プロトンを含み、ｎが１以上の整数である）は置換ジエチレントリアミンを含む場合、それは、好ましくは、ジエチレントリアミンペンタ酢酸又はジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）であってもよい。
【００６４】
アミノ基及び酸性基（Ｙ）を含む有機化合物（Ｂ）（ここで、前記化合物が、ｎ個のアミノ基及び少なくともｎ＋１個の酸性プロトンを含み、ｎが１以上の整数である）は第３級アミンを含む場合、それは、好ましくは、アミノトリス（メチレンホスホン酸）であってもよい。
【００６５】
本発明によれば、使用されるＣＭＰ組成物（Ｑ）中の（Ｂ）の量は、組成物（Ｑ）の総質量に基づいて、２質量％以下、好ましくは１．８質量％以下、最も好ましくは１．６質量％以下、特に１．４質量％以下である。本発明によれば、（Ｂ）の量は、組成物（Ｑ）の総質量に基づいて、少なくとも０．１質量％、好ましくは少なくとも０．４質量％、より好ましくは少なくとも０．５質量％、最も好ましくは少なくとも０．６質量％、特に少なくとも０．７質量％である。例えば、（Ｂ）の量は、０．４５質量％〜１．５９質量％の範囲にあり得る。
【００６６】
アミノ基及び酸性基（Ｙ）を含む有機化合物（Ｂ）（ここで、前記化合物が、ｎ個のアミノ基及び少なくともｎ＋１個の酸性プロトンを含み、ｎが１以上の整数である）を研磨添加剤として添加することは、驚いたほど発見され、他のアミノ酸、例えばＣｏの除去速度を向上させるだけのグリシンとは異なる、全ての金属、すなわち、コバルト及び／又はコバルト合金及びＴｉＮ及び／又はＴａＮの金属材料除去速度を増大することが可能である。
【００６７】
本発明により使用されるＣＭＰ組成物は、少なくとも１つの酸化剤（Ｃ）、好ましくは１種又は２種の酸化剤（Ｃ）、より好ましくは１種の酸化剤（Ｃ）を含む。酸化剤（Ｃ）は、成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｄ）、（Ｅ）及び（Ｆ）と異なる。一般的には、酸化剤は、被研磨基板又はその１つの層を酸化することができる化合物である。好ましくは、（Ｃ）は過酸類酸化剤である。より好ましくは、（Ｃ）は、過酸化物、過硫酸塩、過塩素酸塩、過臭素酸塩、過ヨウ素酸塩、過マンガン酸塩又はそれらの誘導体である。最も好ましくは、（Ｃ）は、過酸化物又は過硫酸塩である。特に、（Ｃ）は過酸化物である。例えば、（Ｃ）は過酸化水素である。
【００６８】
少なくとも１種の酸化剤（Ｃ）は、本発明により使用されるＣＭＰ組成物中に様々な量で含有することができる。好ましくは、（Ｃ）の量は、いずれの場合にも本発明により使用されるＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、２．５質量％（いずれの場合にも、質量％は「質量パーセント」を表す）以下、より好ましくは２．２質量％以下、最も好ましくは１．８質量％以下、特に１．５質量％以下、例えば１．２質量％以下である。好ましくは、（Ｃ）の量は、いずれの場合にも本発明により使用されるＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、少なくとも０．２質量％、より好ましくは少なくとも０．２５質量％、最も好ましくは少なくとも０．３質量％、特に少なくとも０．３５質量％、例えば少なくとも０．４質量％である。
【００６９】
本発明によれば、使用されるＣＭＰ組成物は、水性媒体（Ｄ）を含む。（Ｄ）は、１種の水性媒体、又は異なる種の水性媒体の混合物であり得る。
【００７０】
一般的には、水性媒体（Ｄ）は、水を含有するあらゆる媒体であることができる。好ましくは、水性媒体（Ｄ）は、水、及び水と混合できる有機溶媒（例えば、アルコール、好ましくはＣ１〜Ｃ３アルコール、又はアルキレングリコール誘導体）の混合物である。より好ましくは、水性媒体（Ｄ）は水である。最も好ましくは、水性媒体（Ｄ）は脱イオン水である。
【００７１】
（Ｄ）以外の成分の量が、ＣＭＰ組成物の質量に基づいて、合計でｘ質量％である場合、（Ｄ）の量は、ＣＭＰ組成物（Ｑ）の質量に基づいて、（１００−ｘ）質量％である。
【００７２】
本発明により使用されるＣＭＰ組成物の特性、例えば、異なる材料に対して（例えば金属対二酸化ケイ素）組成物の安定性、研磨性能及びエッチング挙動は、それぞれ、対応する組成物のｐＨに依存することが可能である。
【００７３】
本発明によれば、使用されるＣＭＰ組成物（Ｑ）は、６を超え９未満までの範囲のｐＨを有する。好ましくは、本発明により使用される組成物のｐＨ値は、それぞれ、６．２〜８．９、より好ましくは６．８〜８．８、最も好ましくは７．５〜８．７、特に好ましくは７．８〜８．６、例えば７．９〜８．５の範囲にある。
【００７４】
使用される本発明のＣＭＰ組成物（Ｑ）は任意に、少なくとも１種の腐食防止剤（Ｅ）をさらに含むことができる。
【００７５】
一般的には、腐食防止剤は、それぞれの基板表面上に保護分子層を形成することができる化合物である。研磨の間に、研磨する表面の金属イオンは、研磨溶液中に入る。したがって、金属錯体を形成する際に溶液中の金属イオンと反応することによって典型的な錯化剤／キレート剤として作用するのではなく、基板の保護される表面と好ましくは反応することは、使用可能な腐食防止剤にとって重要な特性である。使用される通常公知の腐食防止剤、例えばＣｕ−ＣＭＰベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）及び他のトリアゾール（１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール）は、Ｃｏ含有基板又は層の腐食防止に十分に使用することができない。現在、ＢＴＡ及び他のトリアゾールは、好ましくは錯化剤／キレート剤として、溶解したＣｏイオンと反応し、かつ、基板のＣｏ表面と反応しないと考えられている。形成したＣｏ−ＢＴＡ／トリアゾール錯体は、水性媒体及び沈殿物中に十分に溶解しない。研磨時間を過ぎると、溶液中のＢＴＡ／トリアゾールの濃度は連続的に減少するので、ＢＴＡ／トリアゾールのＣｏ−基板の表面との反応の傾向がいずれにせよ低下すると同時に、表面との反応可能性は、減少する濃度によってさらに減少し、表面の腐食保護はほとんどなくなる。さらに、沈殿したＣｏ−ＢＴＡ／Ｃｏ−トリアゾールは、被研磨表面上に欠陥を形成することにより研磨性能に悪影響を及ぼし、研磨装置、例えば研磨パッドに変色を生じさせる。
【００７６】
一般的には、あらゆるこのような化合物は、腐食防止剤（Ｅ）として使用されてもよい。
【００７７】
好ましくは、少なくとも１種の腐食防止剤（Ｅ）は、フタル酸、４−スルホフタル酸、４−ヒドロキシフタル酸、３−アミノフタル酸、４−アミノフタル酸、４−メチルフタル酸、４−メトキシフタル酸、３，３，４，４−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、５−アミノイソフタル酸、イソフタル酸、１，３，５−ベンゼントリカルボン酸、５−ヒドロキシイソフタル酸、５−メチルイソフタル酸、１，２，３−ベンゼントリカルボン酸水和物、４−ヒドロキシイソフタル酸、５−メトキシイソフタル酸、４−メトキシイソフタル酸、（１，１，２，１）テルフェニル−３，５−ジカルボン酸、１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸、テレフタル酸、１，２，４−ベンゼントリカルボン酸、２−アミノテレフタル酸、９，１０−アントラセンジカルボン酸、ベンゼンペンタカルボン酸、メリト酸、２，５−ジヒドロキシテレフタル酸、２，５−ジアミノテレフタル酸、２，５−ジメチル−テレフタル酸ジメチルエステル、５，５−カルボニルビス−（トリメリト酸）、３，５−ジメチルピラゾール、ピラゾール、５−メチル−１Ｈ−ピラゾール−３−カルボン酸、１−メチルピラゾール、１，３，５−トリメチル−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボン酸、３−メチル−１−フェニル−１Ｈ−ピラゾール、３，５−ジメチル−１−フェニルピラゾール、５−アミノ−３−メチル−１−フェニルピラゾール、１−フェニル−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボン酸、５−フェニル−１Ｈ−ピラゾール−３−カルボン酸、３，５−ジフェニルピラゾール、５−アミノ−１−メチル−１Ｈ−ピラゾール、３−メチルピラゾール、３−アミノ−５−フェニルピラゾール、３−ピラゾールカルボン酸、３−アミノピラゾール、３−アミノ−５−エチル−１Ｈ−ピラゾール、１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−３−アミン、３（５）−フェニル−１Ｈ−ピラゾール、４，６−ジヒドロキシピラゾロ［３，４−ｄ］ピリミジン、３，５−ピラゾールジカルボン酸一水和物、１，３−ジメチル−１Ｈ−ピラゾール−５−アミン、５−アミノ−１−エチルピラゾール、エチル３−メチル−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボキシレート、１，３−ジフェニル−１Ｈ−ピラゾール−５−アミン、エチル１，５−ジメチル−１Ｈ−ピラゾール−３−カルボキシレート、１，３−ジメチル−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボン酸、１，５−ジメチル−１Ｈ−ピラゾール−３−カルボン酸、ジメチルピラゾロ［１，５−ａ］ピリジン−２，３−ジカルボキシレート、１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボン酸、３−アミノ−５−ヒドロキシピラゾール、３−アミノ−４−カルベトキシピラゾール、４−メチルピラゾール、１−メチル−３−フェニル−１Ｈ−ピラゾール−５−アミン、１−メチル−５−フェニル−１Ｈ−ピラゾール−３−カルボン酸、１−メチル−３−フェニル−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボン酸、メチル１Ｈ−ピラゾール−３−カルボキシレート、１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボン酸、エチル５−アミノ−１−フェニル−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボキシレート、ピラゾロ［１，５−ａ］ピリジン−３−カルボン酸、４−（１Ｈ−ピラゾール−１−イル）アニリン、５−アミノ−１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボキサミド、１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−３−カルボン酸、ピラゾロ［１，５−ａ］ピリミジン−３−カルボン酸、３−（４−メトキシ−フェニル）ピラゾール、１，３，５−トリメチル−１Ｈ−ピラゾール−４−アミン、３−（５−メチル−１Ｈ−ピラゾール−４−イル）プロピルアミン、エチル５−アミノ−１−メチルピラゾール−４−カルボキシレート、３−メチル−１Ｈ−ピラゾール−５−アミン、２−メチル−２Ｈ−インダゾール−３−カルボン酸、エチル３，５−ジメチル−１Ｈ−４−ピラゾールカルボキシレート、エチル４−ピラゾールカルボキシレート、ジエチルピラゾール−３，５−ジカルボキシレート、４−ピラゾールカルボン酸、６−アミノ−２−メチル−２Ｈ−インダゾール、１−エチル−３−メチル−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボン酸、４−（３，５−ジメチル−１Ｈ−ピラゾール−１−イル）アニリン、４−［３，５−ジ（ｔｅｒｔ−ブチル）−１Ｈ−ピラゾール−１−イル］アニリン、２−（１Ｈ−ピラゾール−１−イル）安息香酸、（１，３−ジメチル−１Ｈ−ピラゾール−５−イル）メタノール、（３，５−ジメチル−１−フェニル−１Ｈ−ピラゾール−４−イル）メタノール、３，５−ジメチル−１−フェニル−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボン酸、ピラゾロ［１，５−ａ］ピリジン−２−カルボン酸、５−アミノ−３−（４−メチルフェニル）ピラゾール、４−（３，５−ジメチル−１Ｈ−ピラゾール−１−イル）安息香酸、４−エチル水素１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−４，５−ジカルボキシレート、３−アミノ−５−ｔｅｒｔ−ブチル−１Ｈ−ピラゾール、（１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−５−イル）メタノール、（１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−３−イル）メタノール、７−アミノ−２−メチルインダゾール、５−メチル−１−フェニル−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボン酸、３−（２−フリル）−１Ｈ−ピラゾール−５−アミン、１−ベンジル−３−（ｔｅｒｔ−ブチル）−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボン酸、エチル３−（２−フリル）−１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボキシレート、１−メチル−５−フェニル−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボン酸、５−（２−フリル）−１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−３−カルボン酸、３，５−ジメチル−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボン酸、５−（２−フリル）−１Ｈ−ピラゾール−３−カルボン酸、１−フェニル−５−プロピル−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボン酸、３−（ｔｅｒｔ−ブチル）−１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−５−アミン、３−シクロプロピル−１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−５−アミン、ヒスタミン、カフェイン、テオフィリン、キサンチン、Ｌ−ヒスチジン、グアニン、テオブロミン、ウロカニン酸、グアノシン、イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾールＬ−カルノシン、５−アミノイミダゾール−４−カルボキサミド、７−（２，３−ジヒドロキシプロピル）テオフィリン、１，１’−カルボニルジイミダゾール、４，５−イミダゾールジカルボン酸、Ｎ−メチルイミダゾール、４−フェニル−１Ｈ−イミダゾール、２−フェニルイミダゾール、Ｎ−［２−（１Ｈ−イミダゾール−４−イル）エチル］アセトアミド、２−メチルイミダゾール、イミダゾ［１，２−ｂ］ピリダジン、４−メチルイミダゾール、２’−デオキシイノシン、２，４−ジメチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、１Ｈ−イミダゾール−４−カルボン酸、３−メチルキサンチン、１，２−ジメチルイミダゾール、１−アセチルイミダゾール、５−アミノイミダゾール−４−カルボキサミド−１−ベータ−Ｄ−リボフラノシド、ジメチル４，５−イミダゾールジカルボキシレート、１−ベンジルイミダゾール、１−ドデシルイミダゾール、Ｎ−（３−アミノプロピル）イミダゾール、イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン−３−カルボン酸、１−フェニルイミダゾール、４−（イミダゾール−１−イル）フェノール、１Ｈ−イミダゾール−２−カルボン酸、１−メチル−１Ｈ−イミダゾール−４−カルボン酸メチルエステル、メチル１−メチル−１Ｈ−イミダゾール−５−カルボキシレート、（１−メチル−１Ｈ−イミダゾール−４−イル）メタノール、メチル４−イミダゾールカルボキシレート、（１−メチル−１Ｈ−イミダゾール−２−イル）メタノール、４−（１Ｈ−イミダゾール−１−イル）安息香酸、Ｎアルファ−ＢＯＣ−Ｌ−ヒスチジン、１，１’−オキサリルジイミダゾール、３−（１Ｈ−イミダゾール−１−イル）プロパン酸、２−アミノ−７−エチル−１，７−ジヒドロ−６Ｈ−プリン−６−オン、１−メチル−１Ｈ−テトラゾール−２−カルボン酸、２−メチルイミダゾ［１，２−ａ］ピリジン−３−カルボン酸、２−（１Ｈ−イミダゾール−１−イル）ベンジルアミン、２−（１Ｈ−イミダゾール−１−イル）アニリン、２−（２−メチル−１Ｈ−イミダゾール−１−イル）アニリン、３−イソブチル−１−メチルキサンチン、１−アリルイミダゾール、２−イソプロピルイミダゾール、１−メチル−１Ｈ−イミダゾール−４−カルボン酸、１−メチル−１Ｈ−イミダゾール−５−カルボン酸、エチル４−メチル−５−イミダゾールカルボキシレート、４−（１Ｈ−イミダゾール−１−イルメチル）アニリン、アシクログアノシン、イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン−２−カルボン酸一水和物、（２−ブチル−１Ｈ−イミダゾール−４−イル）メタノール、（２−ブチル−１Ｈ−イミダゾール−４−イル）メタノール、４−（２−メチル−１Ｈ−イミダゾール−１−イル）アニリン、２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール−４−カルボン酸１．５水和物、イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン−２−イルメタノール、［４−（１Ｈ−イミダゾール−１−イル）フェニル］メタノール、［４−（１Ｈ−イミダゾール−１−イルメチル）フェニル］メタノール、イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン−６−カルボニトリル、３−（１Ｈ−イミダゾール−１−イル）安息香酸、Ｎ−アルファ−ＦＭＯＣ−Ｎ−トリチル−Ｌ−ヒスチジン、４−（１Ｈ−イミダゾール−１−イルメチル）ベンゾニトリル、３−（１Ｈ−イミダゾール−１−イルメチル）アニリン、１，２−ジメチル−１Ｈ−イミダゾール−５−カルボン酸、テトラゾール、５−フェニルテトラゾール、５−アミノテトラゾール、５−（アミノメチル）テトラゾール、１−プロピル５−アミノテトラゾール、１−ブチル５−アミノテトラゾール、３−（１Ｈ−テトラゾール−１−イル）プロパン酸、（５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール−１−イル）酢酸、４−（１Ｈ−テトラゾール−１−イルメチル）安息香酸、エチル（５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール−１−イル）アセテート、エチル１Ｈ−イミダゾール−５−アセテート、５−（４−メチルフェニル）−１Ｈ−テトラゾール、４−（１Ｈ−テトラゾール−５−イルメチル）フェノール、４−［（５−メチル−１Ｈ−テトラゾール−１−イル）メチル］安息香酸、４−（１Ｈ−テトラゾール−５−イルオキシ）アニリン、３−（１Ｈ−テトラゾール−５−イル）ベンジルアルコール、４−（１Ｈ−テトラゾール−５−イル）ピペリジン、２−（１Ｈ−テトラゾール−１−イル）アニリン、１−アリル−Ｎ−ベンジル−１Ｈ−テトラゾール−５−アミン、２−（１Ｈ−テトラゾール−５−イル）フェニルアミン、３−（１Ｈ−テトラアゾール−１−イル）フェノール、ペンチレンテトラゾール、（５−メチル−１Ｈ−テトラアゾール−１−イル）（フェニル）酢酸、２−アミノ−４−（１Ｈ−テトラアゾール−５−イル）安息香酸、３−メトキシ−５−（１Ｈ−テトラゾール−１−イル）アニリン、３−フェニル−２−テトラゾール−１−イル−プロピオン酸、４−（５−メチル−１Ｈ−テトラゾール−１−イル）アニリン、３−（５−メチル−１Ｈ−テトラゾール−１−イル）アニリン、３−（１Ｈ−テトラアゾール−１−イル）安息香酸、４−（５−メチル−１Ｈ−テトラゾール−１−イル）フェノール、２−ヒドロキシ−５−（１Ｈ−テトラゾール−１−イル）安息香酸、３−（５−メチル−１Ｈ−テトラアゾール−１−イル）フェノール、３−（５−ｐ−トリル−テトラゾール−１−イル）−プロピオン酸、５−（３−ピリジル）−１Ｈ−テトラゾール、５−（２−ピリジル）−１Ｈ−テトラゾール、［４−（５−メチル−１Ｈ−テトラゾール−１−イル）フェニル］酢酸、３−（１Ｈ−テトラアゾール−１−イル）−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボン酸、（５−アミノ−１Ｈ−テトラアゾール−１−イル）酢酸、（５−メチル−１Ｈ−テトラアゾール−１−イル）（フェニル）酢酸、［４−（５−メチル−１Ｈ−テトラアゾール−１−イル）フェニル］酢酸、１−アリル−Ｎ−ベンジル−１Ｈ−テトラゾール−５−アミン、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸、２−（１Ｈ−テトラゾール−１−イル）アニリン、２−（１Ｈ−テトラゾール−５−イル）−フェニルアミン、２−アミノ−４−（１Ｈ−テトラアゾール−５−イル）安息香酸、２−ヒドロキシ−５−（１Ｈ−テト
ラゾール−１−イル）安息香酸、３−（１Ｈ−テトラアゾール−１−イル）−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボン酸、３−（１Ｈ−テトラアゾール−１−イル）安息香酸、３−（１Ｈ−テトラアゾール−１−イル）フェノール、３−（１Ｈ−テトラゾール−５−イル）ベンジルアルコール、３−（５−メチル−１Ｈ−テトラゾール−１−イル）フェノール、３−（５−ｐ−トリル−テトラゾール−１−イル）−プロピオン酸、３−フェニル−２−テトラゾール−１−イル−プロパン酸、４−（１Ｈ−テトラゾール−１−イルメチル）安息香酸、４−（１Ｈ−テトラゾール−５−イル）ピペリジン、４−（１Ｈ−テトラゾール−５−イルメチル）フェノール、４−（５−メチル−１Ｈ−テトラゾール−１−イル）アニリン、４−（５−メチル−１Ｈ−テトラゾール−１−イル）フェノール、４−［（５−メチル−１Ｈ−テトラゾール−１−イル）メチル］安息香酸、エチル（５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール−１−イル）アセテート、エチル１Ｈ−テトラゾール−５−アセテート、２−フェニル−３−［４−（１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル）ベンジル］−４Ｈ−クロメン−４−オン、２−フェニル−３−［４−（１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル）ベンジリデン］クロメン−４−オン、４−エチル−５−（１−フェニル−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル）ピリミジン−２−アミン、６−フェニル−５，６−ジヒドロベンゾ［ｆ］［１，２，３，４］テトラアゾロ［１，５−ｄ］［１，４］オキサゼピン、４−エチル−５−［１−（４−メチルフェニル）−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル］ピリミジン−２−アミン、５−［１−（４−メチルフェニル）−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル］−４−プロピルピリミジン−２−アミン、４−メチル−３−［１−（４−メチルフェニル）−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル］キノロン、４−メチル−３−（１−フェニル−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル）キノロン、Ｎ１−ベンジル−２−（１−フェニル−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル）エト−１−エン−１−アミン、Ｎ１，Ｎ１−ジエチル−２−［１−（４−メチルフェニル）−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル］エト−１−エン−１−アミン、メチル２−｛［２−（１−フェニル−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル）ビニル］アミノ｝ベンゾエート、２，４−ジフェニル−５−（１−フェニル−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル）ピリミジン、５−［１−（４−メチルフェニル）−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル］−２，４−ジフェニルピリミジン、１−［４−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル］−５−フェニル−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール、Ｎ２−メチル−４−フェニル−５−（１−フェニル−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル）ピリミジン−２−アミン、３，５−ジ（アセチルオキシ）−２−［（アセチルオキシ）メチル］−６−（１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル）テトラヒドロ−２Ｈ−ピラン−４−イルアセテート、３−｛５−［４−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル］−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−１−イル｝ピリジン、７−メチル−５−フェニル［１，２，３，４］テトラアゾロ［１，５−ａ］ピリミジン、５−メチル−Ｎ−（１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル）−２−ピラジンカルボキサミド、５−メチル−３−［１−（４−メチルフェニル）−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル］−１Ｈ−インドール、３−［１−（４−メトキシフェニル）−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル］−５−メチル−１Ｈ−インドール、２，３−ジ（アセチルオキシ）−１−［１，２−ジ（アセチルオキシ）エチル］−３−（１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル）プロピルアセテート、２，３−ジ（アセチルオキシ）−１−［１，２−ジ（アセチルオキシ）エチル］−３−（１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル）プロピルアセテート、３−［１−（４−メチルフェニル）−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル］−１，４−ジヒドロキノリン−４−オン、３−（１−フェニル−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル）−１，４−ジヒドロキノリン−４−オン、３−（ジメチルアミノ）−１−（４−メチルフェニル）−２−（１−フェニル−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル）プロプ−２−エン−１−オン、３−（ジメチルアミノ）−１−（２−メチルフェニル）−２−（１−フェニル−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル）プロプ−２−エン−１−オン、エチル２−（｛２−［１−（４−メチルフェニル）−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル］ビニル｝アミノ）ベンゾエート、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−｛メチル［２−（１−フェニル−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル）ビニル］アミノ｝エチル）−Ｎ−［２−（１−フェニル−１Ｈ−１，２，３，４−テトラアゾール−５−イル）ビニル］アミン、４−メチル−スルホニル安息香酸、３−メチルアミノ安息香酸、４−（ジエチルアミノ）安息香酸、３−ジメチルアミノ安息香酸、２（ベンジルアミノ）安息香酸、４−メチルアミノ安息香酸、４−（ジメチルアミノ）安息香酸、Ｎ−オレオイルサルコシン、Ｎ−ラウロイルサルコシン、Ｎ−ココイルサルコシン、Ｎ−ココイルグルタメート、４−ドデシルベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸（Toluolsulfonsaeure）、テトラプロピレンベンゾスルホネート（Tetrapropylenbenzolsulfonat）、リン酸ヘキシルエステル、リン酸アルキルエステル（Ｃ６〜Ｃ１０）、（［イミノビス（メチレン）］ビスホスホネート，Ｎ−Ｋｏｋｏｓ−アルキル誘導体）、（［イミノビス（メチレン）］ビスホスホネート，Ｎ−Ｋｏｋｏｓ−アルキル誘導体）−Ｎ−酸化物、６，６’，６’’−（１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリイルトリイミノ）トリヘキサン酸、２，４，６−トリメチルメラミン、ペンタメチルメラミン、｛［ビス（ジメチルアミノ）−１，３，５−トリアジン−２−イル）］（メチル）アミノ｝メタノール、（｛ビス［（ヒドロキシメチル）アミノ）］−１，３，５−トリアジン−２−イル｝アミノ）メタノール、２，４−ジアミノ−６−ジアリルアミノ−１，３，５−トリアジン、（｛ビス［ビス（ヒドロキシル−メチル）アミノ］−１，３，５−トリアジン−２−イル｝（ヒドロキシル−メチル）アミノ）メタノール、Ｎ２，Ｎ４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリアミン、Ｎ２，Ｎ４−ビス（プロプ−２−エン−１−イル）−１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリアミン、並びに、それらの混合物及び塩である。
【００７８】
より好ましくは、少なくとも１種の腐食防止剤（Ｅ）は、フタル酸、４−ヒドロキシフタル酸、３−アミノフタル酸、４−アミノフタル酸、４−メチルフタル酸、５−アミノイソフタル酸、イソフタル酸、１，３，５−ベンゼントリカルボン酸、５−ヒドロキシイソフタル酸、５−メチルイソフタル酸、１，２，３−ベンゼントリカルボン酸水和物、４−ヒドロキシイソフタル酸、５−メトキシイソフタル酸、４−メトキシイソフタル酸、１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸、テレフタル酸、１，２，４−ベンゼントリカルボン酸、２−アミノテレフタル酸、２，５−ジヒドロキシテレフタル酸、２，５−ジアミノテレフタル酸、３，５−ジメチルピラゾール、ピラゾール、１−メチルピラゾール、３−メチル−１−フェニル−１Ｈ−ピラゾール、３，５−ジメチル−１−フェニルピラゾール、５−アミノ−３−メチル−１−フェニルピラゾール、３，５−ジフェニルピラゾール、５−アミノ−１−メチル−１Ｈ−ピラゾール、３−メチルピラゾール、３−アミノ−５−フェニルピラゾール、３−アミノピラゾール、３−アミノ−５−エチル−１Ｈ−ピラゾール、１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−３−アミン、３（５）−フェニル−１Ｈ−ピラゾール、５−アミノ−１−エチルピラゾール、３−アミノ−５−ヒドロキシピラゾール、４−メチルピラゾール、３−（４−メトキシ−フェニル）ピラゾール、６−アミノ−２−メチル−２Ｈ−インダゾール、５−アミノ−３−（４−メチルフェニル）ピラゾール、３−アミノ−５−ｔｅｒｔ−ブチル−１Ｈ−ピラゾール、７−アミノ−２−メチルインダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、２−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−アリルイミダゾール、１−アセチルイミダゾール、２−イソプロピルイミダゾール、イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン、イミダゾ［１，２−ｂ］ピリダジン、Ｎ−（３−アミノプロピル）イミダゾール、２−フェニルイミダゾール、１−フェニルイミダゾール、１−ベンジルイミダゾール、４−（イミダゾール−１−イル）フェノール、１，１’−カルボニルジイミダゾール、２−（１Ｈ−イミダゾール−１−イル）ベンジルアミン、テトラゾール、５−フェニルテトラゾール、５−アミノテトラゾール、５−（アミノメチル）テトラゾール、１−プロピル５−アミノテトラゾール、１−ブチル５−アミノテトラゾール、５−（４−メチルフェニル）−１Ｈ−テトラゾール、４−（１Ｈ−テトラゾール−５−イル）ピペリジン、ペンチレンテトラゾール、５−（３−ピリジル）−１Ｈ−テトラゾール、３−メチルアミノ安息香酸、４−（ジエチルアミノ）安息香酸、３−ジメチルアミノ安息香酸、２（ベンジルアミノ）安息香酸、４−メチルアミノ安息香酸、Ｎ−オレオイルサルコシン、Ｎ−ラウロイルサルコシン、Ｎ−ココイルサルコシン、Ｎ−ココイルグルタメート、４−ドデシルベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、テトラプロピレンベンゾスルホネート、リン酸ヘキシルエステル、リン酸アルキルエステル（Ｃ６〜Ｃ１０）、（［イミノビス（メチレン）］ビスホスホネート，Ｎ−Ｋｏｋｏｓ−アルキル誘導体）、（［イミノビス（メチレン）］ビスホスホネート，Ｎ−Ｋｏｋｏｓ−アルキル誘導体）−Ｎ−酸化物、６，６’，６’’−（１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリイルトリイミノ）トリヘキサン酸、並びに、それらの混合物及び塩である。
【００７９】
最も好ましくは、少なくとも１種の腐食防止剤（Ｅ）は、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−（ジメチルアミノ）安息香酸、テレフタル酸、イソフタル酸、３，５−ジメチルピラゾール、ピラゾール、１−メチルピラゾール、６，６’，６’’−（１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリイルトリイミノ）トリヘキサン酸、５−フェニルテトラゾール、Ｎ−ラウロイルサルコシン、４−ドデシルベンゼンスルホン酸、及びリン酸Ｃ６〜Ｃ１０アルキルエステル、並びに、それらの混合物及び塩である。
【００８０】
少なくとも１種の腐食防止剤（Ｅ）は、好ましくは８未満、より好ましくは７．８未満、最も好ましくは７．６未満、例えば７．５７未満のｐｋａ値を有する。
【００８１】
本発明によれば、使用されるＣＭＰ組成物（Ｑ）中の（Ｅ）の量は、組成物（Ｑ）の総質量に基づいて０．１質量％以下、好ましくは組成物（Ｑ）の総質量に基づいて０．０８質量％以下、最も好ましくは０．０７質量％以下、特に０．０５質量％以下である。本発明によれば、使用されるＣＭＰ組成物（Ｑ）中の（Ｅ）の量は、組成物（Ｑ）の総質量に基づいて、少なくとも０．００１質量％、好ましくは少なくとも０．００５質量％、より好ましくは少なくとも０．００８質量％、最も好ましくは少なくとも０．０１質量％、特に少なくとも０．０１５質量％である。例えば、（Ｅ）の量は、０．０１２質量％〜０．０６質量％の範囲にあり得る。
【００８２】
本発明により使用されるＣＭＰ組成物（Ｑ）は任意に、少なくとも１種の非イオン性界面活性剤（Ｆ）をさらに含むことができる。
【００８３】
一般的には、ＣＭＰ組成物中に使用される界面活性剤は、液体の表面張力、２つの液体の間の界面張力、又は液体と固体の間の界面張力を低下する界面活性化合物である。
【００８４】
一般的には、あらゆる非イオン性界面活性剤（Ｆ）を使用することができる。
【００８５】
非イオン性界面活性剤（Ｆ）は、好ましくは水溶性及び／又は水分散性のもの、より好ましくは水溶性のものである。「水溶性」とは、本発明の組成物の関連の構成成分又は成分が分子レベルで水性相中に溶解できることを意味する。「水分散性」とは、本発明の組成物の関連の構成成分又は成分が水性相中に分散するとこができ、安定なエマルション又は懸濁液を形成することを意味する。
【００８６】
好ましくは、非イオン性界面活性剤（Ｆ）は、両親媒性の非イオン性界面活性剤、すなわち、少なくとも１つの疎水性基（ｂ１）及び少なくとも１つの親水性基（ｂ２）を含む界面活性剤である。これは、非イオン性界面活性剤（Ｆ）が、以下に記載するように、少なくとも１つの親水性基（ｂ２）により互いに分離されている１つを超える疎水性基（ｂ１）、例えば２つ又は３つ以上の基（ｂ１）を含むことを意味する。また、これは、非イオン性界面活性剤（Ｆ）が、以下に記載するように、疎水性基（ｂ１）により互いに分離されている１つを超える親水性基（ｂ２）、例えば２つ又は３つ以上の基（ｂ２）を含むことを意味する。
【００８７】
したがって、非イオン性界面活性剤（Ｆ）は、様々なブロック状の一般構造を有することができる。当該一般的なブロック状構造の例としては、：
−ｂ１−ｂ２、
−ｂ１−ｂ２−ｂ１、
−ｂ２−ｂ１−ｂ２、
−ｂ２−ｂ１−ｂ２−ｂ１、
−ｂ１−ｂ２−ｂ１−ｂ２−ｂ１、及び
−ｂ２−ｂ１−ｂ２−ｂ１−ｂ２
が挙げられる。
【００８８】
より好ましくは、非イオン性界面活性剤（Ｆ）は、ポリオキシアルキレン基を含む両親媒性の非イオン性界面活性剤である。
【００８９】
疎水性基（ｂ１）は、好ましくはアルキル基、より好ましくは４〜４０個、最も好ましくは５〜２０個、特に好ましくは７〜１８個、特に１０〜１６個、例えば１１〜１４個の炭素原子を有するアルキル基である。
【００９０】
親水性基（ｂ２）は、好ましくはポリオキシアルキレン基である。前記ポリオキシアルキレン基は、オリゴマー又はポリマーであり得る。より好ましくは、親水性基（ｂ２）は、
（ｂ２１）オキシアルキレンモノマーユニット、及び
（ｂ２２）オキシエチレンモノマーユニット以外のオキシアルキレンモノマーユニット
を含むポリオキシアルキレン基からなる群から選択される親水性基であり、
前記モノマーユニット（ｂ２１）がモノマーユニット（ｂ２２）と同一ではなく、（ｂ２）の前記ポリオキシアルキレン基が、ランダム、交互、勾配及び／又はブロック状分布でモノマーユニット（ｂ２１）及び（ｂ２２）を含有する。
【００９１】
最も好ましくは、親水性基（ｂ２）は、
（ｂ２１）オキシエチレンモノマーユニット、及び
（ｂ２２）オキシエチレンモノマーユニット以外のオキシアルキレンモノマーユニット
を含むポリオキシアルキレン基からなる群から選択される親水性基であり、
モノマーユニット（ｂ２１）及び（ｂ２２）を含有する（ｂ２）の前記ポリオキシアルキレン基が、ランダム、交互、勾配及び／又はブロック状分布である。
【００９２】
好ましくは、オキシエチレンモノマーユニット以外のオキシアルキレンモノマーユニット（ｂ２２）は、置換オキシアルキレンモノマーユニットであり、ここで、当該置換基は、アルキル、シクロアルキル、アリール、アルキル−シクロアルキル、アルキル−アリール、シクロアルキル−アリール、及びアルキル−シクロアルキル−アリール基からなる群から選択される。オキシエチレンモノマーユニット以外のオキシアルキレンモノマーユニット（ｂ２２）は、
−  より好ましくは、置換オキシラン（Ｘ）に由来し、ここで、当該置換基が、アルキル、シクロアルキル、アリール、アルキル−シクロアルキル、アルキル−アリール、シクロアルキル−アリール、及びアルキル−シクロアルキル−アリール基からなる群から選択され、
−  最も好ましくは、アルキルで置換されたオキシラン（Ｘ）に由来し、
−  特に好ましくは、置換オキシラン（Ｘ）に由来し、ここで、当該置換基が、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基からなる群から選択され、
−  例えば、メチルオキシラン（プロピレンオキシド）及び／又はエチルオキシラン（ブチレンオキシド）に由来する。
【００９３】
置換オキシラン（Ｘ）の置換基自身は、不活性置換基、すなわち、オキシラン（Ｘ）の共重合及び非イオン性界面活性剤（Ｆ）の界面活性に悪い影響を及ぼさない置換基も有することができる。当該不活性置換基の例としては、フッ素原子、塩素原子、ニトロ基及びニトリル基が挙げられる。そのような不活性置換基が存在する場合、それらは、非イオン性界面活性剤（Ｆ）の親水性−疎水性のバランスに悪い影響を及ぼさないような量で使用される。好ましくは置換オキシラン（Ｘ）の置換基は、このような不活性置換基を有しない。
【００９４】
好ましくは、置換オキシラン（Ｘ）の置換基は、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基、スピロ環、環外及び／又は焼鈍形態での、５〜１０個の炭素原子を有するシクロアルキル基、６〜１０個の炭素原子を有するアリール基、６〜２０個の炭素原子を有するアルキル−シクロアルキル基、７〜２０個の炭素原子を有するアルキル−アリール基、１１〜２０個の炭素原子を有するシクロアルキル−アリール基、及び１２〜３０個の炭素原子を有するアルキル−シクロアルキル−アリール基からなる群から選択される。最も好ましくは、置換オキシラン（Ｘ）の置換基は、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基からなる群から選択される。特に、置換オキシラン（Ｘ）の置換基は、１〜６個の炭素原子を有するアルキル基からなる群から選択される。
【００９５】
最も好ましい置換オキシラン（Ｘ）の例は、メチルオキシラン（プロピレンオキシド）及び／又はエチルオキシラン（ブチレンオキシド）、特にメチルオキシランである。
【００９６】
最も好ましくは、親水性基（ｂ２）はモノマーユニット（ｂ２１）及び（ｂ２２）からなる。
【００９７】
他の実施態様において、親水性基（ｂ２）は、好ましくはポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン又はポリオキシブチレン基、より好ましくはポリオキシエチレン基である。
【００９８】
親水性基（ｂ２）が、モノマーユニット（ｂ２１）及び（ｂ２２）を含むか、又はそれらからなる場合、親水性基（ｂ２）として作用するポリオキシアルキレン基は、ランダム、交互、勾配及び／又はブロック状分布でモノマーユニット（ｂ２１）及び（ｂ２２）を含有する。これは、１つの親水性基（ｂ２）が、１種の分布のみ、すなわち、
−  ランダム：…−ｂ２１−ｂ２１−ｂ２２−ｂ２１−ｂ２２−ｂ２２−ｂ２２−ｂ２１−ｂ２２−…、
−  交互：…−ｂ２１−ｂ２２−ｂ２１−ｂ２２−ｂ２１−…、
−  勾配：…ｂ２１−ｂ２１−ｂ２１−ｂ２２−ｂ２１−ｂ２１−ｂ２２−ｂ２２−ｂ２１−ｂ２２−ｂ２２−ｂ２２−…、又は
−  ブロック状：…−ｂ２１−ｂ２１−ｂ２１−ｂ２１−ｂ２２−ｂ２２−ｂ２２−ｂ２２−…
を有することができることを意味する。
【００９９】
代わりに、親水性基（ｂ２）はまた、少なくとも２種の分布、例えばランダム分布を有するオリゴマー又はポリマー部分、及び交互分布を有するオリゴマー又はポリマー部分を含むことができる。最も好ましくは、親水性基（ｂ２）は好ましくは、１種の分布のみを有し、最も好ましくは、前記分布はランダム又はブロック状である。
【０１００】
親水性基（ｂ２）が、モノマーユニット（ｂ２１）及び（ｂ２２）を含むか、又はそれらからなる実施態様において、（ｂ２１）の（ｂ２２）に対するモル比は、広い範囲で変化することができ、したがって、最も有利に本発明の組成物、方法及び使用の特定の要求に調整することができる。好ましくは、（ｂ２１）：（ｂ２２）のモル比は、１００：１〜１：１、より好ましくは６０：１〜１．５：１、最も好ましくは５０：１〜１．５：１、特に好ましくは２５：１〜１．５：１、特に１５：１〜２：１、例えば９：１〜２：１である。
【０１０１】
親水性基（ｂ２）として作用するオリゴマー及びポリマーポリオキシアルキレン基の重合度もまた、広い範囲で変化することができ、したがって、最も有利に本発明の組成物、方法及び使用の特定の要求に調整することができる。好ましくは、重合度は、５〜１００、好ましくは５〜９０、最も好ましくは５〜８０の範囲にある。
【０１０２】
特に、非イオン性界面活性剤（Ｆ）は、両親媒性の非イオン性ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンアルキルエーテル界面活性剤であり、該界面活性剤は、平均で、１０〜１６個の炭素原子を有するアルキル基、並びに、ランダム分布での５〜２０個のオキシエチレンモノマーユニット（ｂ２１）及び２〜８個のオキシプロピレンモノマーユニットを含有する分子の混合物である。例えば、非イオン性界面活性剤（Ｆ）は、両親媒性の非イオン性ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンアルキルエーテル界面活性剤であり、該界面活性剤は、平均で、１１〜１４個の炭素原子を有するアルキル基、並びに、ランダム分布での１２〜２０個のオキシエチレンモノマーユニット及び３〜５個のオキシプロピレンモノマーユニットを含有する分子の混合物である。
【０１０３】
存在する場合、非イオン性界面活性剤（Ｆ）は、本発明により使用されるＣＭＰ組成物（Ｑ）中に様々な量で含有することができる。好ましくは、（Ｆ）の量は、組成物（Ｑ）の総質量に基づいて、１０質量％以下、より好ましくは３質量％以下、最も好ましくは１質量％以下、特に好ましくは０．５質量％以下、特に０．１質量％以下、例えば０．０５質量％以下である。好ましくは、（Ｆ）の量は、組成物（Ｑ）の総質量に基づいて、少なくとも０．００００１質量％、より好ましくは少なくとも０．０００１質量％、最も好ましくは少なくとも０．０００８質量％、特に好ましくは少なくとも０．００２質量％、特に少なくとも０．００５質量％、例えば少なくとも０．００８質量％である。
【０１０４】
一般的には、非イオン性界面活性剤（Ｆ）は、異なる質量平均分子量を有することができる。（Ｆ）の質量平均分子量は、好ましくは少なくとも３００、より好ましくは少なくとも５００、最も好ましくは少なくとも７００、特に少なくとも８００、例えば少なくとも９００である。（Ｆ）の質量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」と略称する）によって決定され、好ましくは１５，０００以下、より好ましくは６，０００以下、最も好ましくは３，０００以下、特に２，０００以下、例えば１，４００［ｇ／ｍｏｌ］以下である。特に、ＧＰＣによって決定される（Ｆ）の質量平均分子量は、９００〜１，４００［ｇ／ｍｏｌ］である。前記ＧＰＣは、当業者に知られている標準的なＧＰＣ技術である。
【０１０５】
一般的には、水性媒体中の非イオン性界面活性剤（Ｆ）の溶解度は、広い範囲内で変化することができる。大気圧下２５℃でｐＨ７の水中での（Ｆ）の溶解度は、好ましくは少なくとも１ｇ／Ｌ、より好ましくは少なくとも５ｇ／Ｌ、最も好ましくは少なくとも２０ｇ／Ｌ、特に少なくとも５０ｇ／Ｌ、例えば少なくとも１５０ｇ／Ｌである。前記溶解度は、飽和溶液において、溶媒を蒸発して、残余の質量を測定することによって決定することができる。
【０１０６】
使用される本発明のＣＭＰ組成物は任意に、少なくとも１種の殺生物剤（Ｈ）、例えば１種の殺生物剤をさらに含有することができる。一般的には、殺生物剤は、化学的又は生物学的手段により、あらゆる有害生物を抑制、無害化、又は制御効果を発揮する化合物である。好ましくは、（Ｈ）は、四級アンモニウム化合物、イソチアゾリノンをベースとする化合物、Ｎ−置換ジアゼニウムジオキサイド、又はＮ’−ヒドロキシ−ジアゼニウムオキシド塩である。より好ましくは、（Ｈ）は、Ｎ−置換ジアゼニウムジオキサイド、又はＮ’−ヒドロキシ−ジアゼニウムオキシド塩である。
【０１０７】
存在する場合、殺生物剤（Ｈ）は、本発明により使用されるＣＭＰ組成物（Ｑ）中に様々な量で含有することができる。存在する場合、（Ｈ）の量は、対応する組成物の総質量に基づいて、好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、最も好ましくは０．０５質量％以下、特に０．０２質量％以下、例えば０．００８質量％以下である。存在する場合、（Ｈ）の量は、対応する組成物の総質量に基づいて、好ましくは少なくとも０．０００１質量％、より好ましくは少なくとも０．０００５質量％、最も好ましくは少なくとも０．００１質量％、特に少なくとも０．００３質量％、例えば少なくとも０．００６質量％である。
【０１０８】
本発明により使用されるＣＭＰ組成物は、それぞれ、意図する前記ＣＭＰ組成物の使用の特定の要求に応じて必要な場合に、ｐＨ調整剤、緩衝物質、安定剤、減摩剤など（これに制限していない）を含む様々な他の添加剤を含んでもよい。当該他の添加剤は、例えば、通常ＣＭＰ組成物に使用されるものであるので、当業者に知られている。このような添加は、例えば、分散を安定化させるか、又は研磨性能、若しくは異なる層間の選択性を向上することができる。
【０１０９】
存在する場合、前記添加剤は、様々な量で含有することができる。好ましくは、前記添加剤の量は、対応する組成物の総質量に基づいて、１０質量％以下、より好ましくは１質量％以下、最も好ましくは０．１質量％以下、例えば０．０１質量％以下である。好ましくは、前記添加剤の量は、対応する組成物の総質量に基づいて、少なくとも０．０００１質量％、より好ましくは少なくとも０．００１質量％、最も好ましくは少なくとも０．０１質量％、例えば少なくとも０．１質量％である。
【０１１０】
本発明により使用されるＣＭＰ組成物（Ｑ）は、半導体産業に使用される基板（Ｓ）を化学機械研磨するためのものであり、ここで、前記基板（Ｓ）が、コバルト及び／又はコバルト合金及びＴｉＮ及び／又はＴａＮを含む。
【０１１１】
コバルト及び／又はコバルト合金は、あらゆる種類、形態又は形状であり得る。好ましくは、コバルト及び／又はコバルト合金は層状及び／又はオーバーグロース（overgrowth）の形状を有する。このコバルト及び／又はコバルト合金が層状及び／又はオーバーグロースの形状を有する場合、コバルト及び／又はコバルト合金の含有量は、対応する層及び／又はオーバーグロースの質量に基づいて、好ましくは９０質量％を超え、より好ましくは９５質量％を超え、最も好ましくは９８質量％を超え、特に９９質量％を超え、例えば９９．９質量％を超える。コバルト及び／又はコバルト合金は、好ましくは、他の基板の間のトレンチ又はプラグに充填又は生成され、より好ましくは、誘電材料、例えばＳｉＯ２、シリコン、低ｋ（ＢＤ１、ＢＤ２）又は超低ｋ材料などの誘電材料、又は半導体産業で使用される他の絶縁材料及び半導体材料中のトレンチ又はプラグに充填又は生成されたものである。例えば、貫通シリコンビア（ＴＳＶ）中間処理において、絶縁材料、例えばポリマー、フォトレジスト及び／又はポリイミドは、ウェハの裏面からＴＳＶを露出させた後に絶縁／分離特性のためのウェットエッチング及びＣＭＰの後続の処理工程の間の絶縁材料として使用することができる。銅含有材料と誘電材料との間には、バリア材料の薄層を有することができる。一般的には、金属イオンを誘電材料中に拡散することを防止するためのバリア材料は、Ｔｉ／ＴｉＮ、Ｔａ／ＴａＮ、又は例えば、Ｒｕ若しくはＲｕ合金、Ｃｏ若しくはＣｏ合金である。半導体チップ製造におけるコバルトの別の用途は、ＣＶＤ又はＰＶＤ法によってコバルトをトレンチ又はビア中に堆積することである。Ｃｏが誘電体層中に剥離又は拡散しないことを確実にするために、誘電体層は、ライナーによって覆われる。ライナー及び／又はバリアとして、ＴｉＮ及び／又はＴａＮの層が使用される。
【０１１２】
本発明によるＣＭＰ組成物（Ｑ）は、コバルト及び／又はコバルト合金及びＴｉＮ及び／又はＴａＮを含む基板を研磨することに使用される。コバルトの静的エッチング速度（ＳＥＲ）は、好ましくは１００Å／分未満、より好ましくは８０Å／分未満、最も好ましくは７０Å／分未満、特に好ましくは６０Å／分未満であり、例えば、静的エッチング速度は４８Å／分未満であってもよい。
【０１１３】
本発明によるＣＭＰ組成物（Ｑ）は、コバルト及び／又はコバルト合金及びＴｉＮ及び／又はＴａＮを含む基板を研磨することに使用される。コバルトの材料除去速度（ＭＲＲ）は、好ましくは１０００〜４０００Å／分の範囲、より好ましくは１２００〜３９００Å／分の範囲、最も好ましくは１４００〜３８５０Å／分の範囲、特に好ましくは１５００〜３８２０Å／分の範囲にあり、例えば、コバルト材料除去速度は１６００〜３８７０Å／分の範囲にある；ＴｉＮの材料除去速度は、好ましくは２５０〜７００Å／分の範囲、より好ましくは２８０〜６８０Å／分の範囲、最も好ましくは３０１〜６７０Å／分の範囲、特に好ましくは３０５〜６６０Å／分の範囲にあり、例えば、ＴｉＮ材料除去速度は３００〜６７８Å／分の範囲にある。
【０１１４】
ＴａＮ及びＴｉＮの材料除去速度は相関している。
【０１１５】
半導体装置は、本発明のＣＭＰ組成物（Ｑ）の存在下で、半導体産業に使用される基板（Ｓ）を化学機械研磨する工程を含む方法により製造することができる。本発明によれば、前記方法は、コバルト及び／又はコバルト合金及びＴｉＮ及び／又はＴａＮを含む基板（Ｓ）を化学機械研磨する工程を含む。
【０１１６】
一般的には、本発明による方法により製造することができる半導体装置は、特に制限されない。したがって、半導体装置は、半導体材料、例えばシリコン、ゲルマニウム及びＩＩＩ−Ｖ材料を含む電子部品であり得る。半導体装置は、単一のディスクリート素子として製造されたもの、又はウェハ上に製造及び相互接続された複数の素子からなる集積回路（ＩＣｓ）として製造されたものであることができる。半導体装置は、２端子装置（例えば、ダイオード）、３端子装置（例えば、バイポーラトランジスタ）、４端子装置（例えば、ホール効果センサー）、又は多端子装置であり得る。好ましくは、前記半導体装置は多端子装置である。多端子装置は、論理装置、例えば集積回路、及びマイクロプロセッサ又はメモリデバイス、例えばランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）及び相変化ランダムアクセスメモリ（ＰＣＲＡＭ）であり得る。好ましくは、前記半導体装置は多端子の論理装置である。特に、前記半導体装置は集積回路又はマイクロプロセッサである。
【０１１７】
一般的には、集積回路において、Ｃｏは、銅相互接続のための接着層又はバリア層として使用される。例えば、メモリデバイス中に、及びＭＯＳＦＥＴ中に金属ゲートとして含まれるＣｏは、そのナノ結晶の形態で存在する。また、コバルトは、電着による銅のメッキを可能にする種として使用することができる。コバルト又はコバルト合金は、銅の代わりに、１層以上の配線（wiring）として使用することもできる。例えば、コンデンサ（ＣＡＰ）は、金属、絶縁体、金属（ＭＩＭ）の一連の層、及び同じレベルの薄膜抵抗器により形成することができる。現在、回路設計者は、最も低い金属レベルでＴａＮ薄膜抵抗器に配線することができ、該ＴａＮ薄膜抵抗器が、寄生（parasitics）を低下させ、既存の配線レベルをより効率的に使用することができる。誘電体上の過剰の銅及び／又はコバルト、並びに、例えば金属窒化物又は金属炭素窒化物（例えば、Ｃｏ／ＴａＮ、Ｃｏ／ＴｉＮ、Ｃｏ／ＴａＣＮ、Ｃｏ／ＴｉＣＮ）の形態で、又は例えば単一のコバルト合金層（例えばＣｏＭｏ、ＣｏＴａ、ＣｏＴｉ及びＣｏＷ）としてＣｏを含む接着層及び／又はバリア層は、本発明による化学機械研磨方法により除去することができる。
【０１１８】
一般的には、このコバルト及び／又はコバルト合金及びＴｉＮ及び／又はＴａＮは、様々な方法で製造する又は得ることができる。コバルト又はコバルト合金は、ＡＬＤ、ＰＶＤ又はＣＶＤプロセスにより製造することができる。コバルト又はコバルト合金はＴｉＮ及び／又はＴａＮのバリア材料上に堆積される。バリア応用に適している材料は、当業者に知られている。バリアは、コバルト又は銅のような金属原子又はイオンが誘電層中に拡散することを防止し、導電層の接着特性を向上する。Ｔａ／ＴａＮ、Ｔｉ／ＴｉＮを使用することができる。
【０１１９】
一般的には、このコバルト及び／又はコバルト合金は、あらゆる種類、形態又は形状であり得る。好ましくは、このコバルト及び／又はコバルト合金は及び／又はオーバーグロースの形状を有する。このコバルト及び／又はコバルト合金が層状及び／又はオーバーグロースの形状を有する場合、コバルト及び／又はコバルト合金の含有量は、対応する層及び／又はオーバーグロースの質量に基づいて、好ましくはア９０質量％を超え、より好ましくは９５質量％を超え、最も好ましくは９８質量％を超え、特に９９質量％を超え、例えば９９．９質量％を超える。このコバルト及び／又はコバルト合金は、好ましくは、他の基板の間のトレンチ又はプラグに充填又は生成され、より好ましくは、誘電材料、例えばＳｉＯ２、シリコン、低ｋ（ＢＤ１、ＢＤ２）又は超低ｋ材料などの誘電材料、又は半導体産業で使用される他の絶縁材料及び半導体材料中のトレンチ又はプラグに充填又は生成されたものである。
【０１２０】
一般的には、下向き圧力（down pressure）又は下向き力（down force）は、キャリアによりＣＭＰの間にパッドに対して押し付けるウェハに適用される下向きの圧力又は下向きの力である。この下向き圧力又は下向き力は、例えば、１平方インチ当たりのポンド（ｐｓｉと略記する）で測定することができる。
【０１２１】
例えば、本発明の方法は、２ｐｓｉ以下の下向き圧力で行われてもよい。下向き圧力は、好ましくは０．１〜１．９ｐｓｉの範囲、より好ましくは０．３〜１．８ｐｓｉの範囲、最も好ましくは０．４〜１．７ｐｓｉの範囲、特に好ましくは０．８〜１．６ｐｓｉの範囲、例えば１．５ｐｓｉである。
【０１２２】
本発明の方法は、コバルト及び／又はコバルト合金及びＴｉＮ及び／又はＴａＮを含む基板を化学機械研磨する工程を含む。コバルトの静的エッチング速度（ＳＥＲ）は、好ましくは１００Å／分未満、より好ましくは８０Å／分未満、最も好ましくは７０Å／分未満、特に好ましくは６０Å／分未満であり、例えば、静的エッチング速度は４８Å／分未満であってもよい。
【０１２３】
本発明の方法は、コバルト及び／又はコバルト合金及びＴｉＮ及び／又はＴａＮを含む基板を化学機械研磨する工程を含む。コバルトの材料除去速度（ＭＲＲ）は、好ましくは１０００〜４０００Å／分の範囲、より好ましくは１２００〜３９００Å／分の範囲、最も好ましくは１４００〜３８５０Å／分の範囲、特に好ましくは１５００〜３８２０Å／分の範囲にあり、例えば、コバルト材料除去速度は１６００〜３８７０Å／分の範囲にある；ＴｉＮの材料除去速度は、好ましくは２５０〜７００Å／分の範囲、より好ましくは２８０〜６８０Å／分の範囲、最も好ましくは３０１〜６７０Å／分の範囲、特に好ましくは３０５〜６６０Å／分の範囲にあり、例えば、ＴｉＮ材料除去速度は３００〜６７８Å／分の範囲にある。
【０１２４】
これらの様々な範囲のコバルト材料除去速度及びＴｉＮ材料除去速度は、例えば、成分（Ｂ）の濃度、成分（Ｃ）、及びＣＭＰ組成物（Ｑ）の研磨剤（Ａ）の濃度を変化することにより達成することができる。
【０１２５】
本発明により使用されるＣＭＰ組成物（Ｑ）の例
【０１２６】
Ｚ１：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．０１質量％〜２質量％の総量のコロイダルシリカ粒子、
（Ｂ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．１質量％〜２質量％の総量のグルタミン酸、
（Ｃ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２質量％〜１．８質量％の総量の過酸化水素、
（Ｄ）水性媒体、
（Ｅ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００２質量％〜０．１質量％の総量の、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−（ジメチルアミノ）安息香酸、テレフタル酸、イソフタル酸、６，６’，６’’−（１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリイルトリイミノ）トリヘキサン酸、フェニルテトラゾール、Ｎ−ラウロイルサルコシン、４−ドデシルベンゼンスルホン酸、及びリン酸Ｃ６〜Ｃ１０−アルキルエステルからなる群から選択される、少なくとも１種の腐食防止剤（Ｅ）、並びに
（Ｆ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１質量％〜０．０５質量％の総量の、ポリオキシアルキレン基を含む少なくとも１種の両親媒性の非イオン性界面活性剤（Ｆ）
ここで、前記ＣＭＰ組成物（Ｑ）は、６を超え９未満までのｐＨを有する。
【０１２７】
Ｚ２：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．０１質量％〜２質量％の総量のコロイダルシリカ粒子、
（Ｂ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．１質量％〜２質量％の総量のアスパラギン酸、
（Ｃ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２質量％〜１．８質量％の総量の過酸化水素、
（Ｄ）水性媒体、
（Ｅ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００２質量％〜０．１質量％の総量の、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−（ジメチルアミノ）安息香酸、テレフタル酸、イソフタル酸、６，６’，６’’−（１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリイルトリイミノ）トリヘキサン酸、フェニルテトラゾール、Ｎ−ラウロイルサルコシン、４−ドデシルベンゼンスルホン酸、及びリン酸Ｃ６〜Ｃ１０−アルキルエステルからなる群から選択される、少なくとも１種の腐食防止剤（Ｅ）、並びに
（Ｆ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１質量％〜０．０５質量％の総量の、ポリオキシアルキレン基を含む少なくとも１種の両親媒性の非イオン性界面活性剤（Ｆ）
ここで、前記ＣＭＰ組成物（Ｑ）は、６を超え９未満までのｐＨを有する。
【０１２８】
Ｚ３：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．０１質量％〜２質量％の総量のコロイダルシリカ粒子、
（Ｂ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．１質量％〜２質量％の総量のエチレンジアミン四酢酸、
（Ｃ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２質量％〜１．８質量％の総量の過酸化水素、
（Ｄ）水性媒体、
（Ｅ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００２質量％〜０．１質量％の総量の、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−（ジメチルアミノ）安息香酸、テレフタル酸、イソフタル酸、６，６’，６’’−（１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリイルトリイミノ）トリヘキサン酸、フェニルテトラゾール、Ｎ−ラウロイルサルコシン、４−ドデシルベンゼンスルホン酸、及びリン酸Ｃ６〜Ｃ１０−アルキルエステルからなる群から選択される、少なくとも１種の腐食防止剤（Ｅ）、並びに
（Ｆ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１質量％〜０．０５質量％の総量の、ポリオキシアルキレン基を含む少なくとも１種の両親媒性の非イオン性界面活性剤（Ｆ）
ここで、前記ＣＭＰ組成物（Ｑ）は、６を超え９未満までのｐＨを有する。
【０１２９】
Ｚ４：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．０１質量％〜２質量％の総量のコロイダルシリカ粒子、
（Ｂ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．１質量％〜２質量％の総量のジエチレントリアミンペンタ酢酸、
（Ｃ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２質量％〜１．８質量％の総量の過酸化水素、
（Ｄ）水性媒体、
（Ｅ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００２質量％〜０．１質量％の総量の、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−（ジメチルアミノ）安息香酸、テレフタル酸、イソフタル酸、６，６’，６’’−（１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリイルトリイミノ）トリヘキサン酸、フェニルテトラゾール、Ｎ−ラウロイルサルコシン、４−ドデシルベンゼンスルホン酸、及びリン酸Ｃ６〜Ｃ１０−アルキルエステルからなる群から選択される、少なくとも１種の腐食防止剤（Ｅ）、並びに
（Ｆ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１質量％〜０．０５質量％の総量の、ポリオキシアルキレン基を含む少なくとも１種の両親媒性の非イオン性界面活性剤（Ｆ）
ここで、前記ＣＭＰ組成物（Ｑ）は、６を超え９未満までのｐＨを有する。
【０１３０】
Ｚ５：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．０１質量％〜２質量％の総量のコロイダルシリカ粒子、
（Ｂ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．１質量％〜２質量％の総量のシステイン酸、
（Ｃ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２質量％〜１．８質量％の総量の過酸化水素、
（Ｄ）水性媒体、
（Ｅ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００２質量％〜０．１質量％の総量の、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−（ジメチルアミノ）安息香酸、テレフタル酸、イソフタル酸、６，６’，６’’−（１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリイルトリイミノ）トリヘキサン酸、フェニルテトラゾール、Ｎ−ラウロイルサルコシン、４−ドデシルベンゼンスルホン酸、及びリン酸Ｃ６〜Ｃ１０−アルキルエステルからなる群から選択される、少なくとも１種の腐食防止剤（Ｅ）、並びに
（Ｆ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１質量％〜０．０５質量％の総量の、ポリオキシアルキレン基を含む少なくとも１種の両親媒性の非イオン性界面活性剤（Ｆ）
ここで、前記ＣＭＰ組成物（Ｑ）は、６を超え９未満までのｐＨを有する。
【０１３１】
Ｚ６：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．０１質量％〜２質量％の総量のコロイダルシリカ粒子、
（Ｂ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．１質量％〜２質量％の総量のアミノトリス（メチレンホスホン酸）、
（Ｃ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２質量％〜１．８質量％の総量の過酸化水素、
（Ｄ）水性媒体、
（Ｅ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００２質量％〜０．１質量％の総量の、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−（ジメチルアミノ）安息香酸、テレフタル酸、イソフタル酸、６，６’，６’’−（１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリイルトリイミノ）トリヘキサン酸、フェニルテトラゾール、Ｎ−ラウロイルサルコシン、４−ドデシルベンゼンスルホン酸、及びリン酸Ｃ６〜Ｃ１０−アルキルエステルからなる群から選択される、少なくとも１種の腐食防止剤（Ｅ）、並びに
（Ｆ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１質量％〜０．０５質量％の総量の、ポリオキシアルキレン基を含む少なくとも１種の両親媒性の非イオン性界面活性剤（Ｆ）
ここで、前記ＣＭＰ組成物（Ｑ）は、６を超え９未満までのｐＨを有する。
【０１３２】
Ｚ７：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．０１質量％〜２質量％の総量のコロイダルシリカ粒子、
（Ｂ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．１質量％〜２質量％の総量のジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、
（Ｃ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２質量％〜１．８質量％の総量の過酸化水素、
（Ｄ）水性媒体、
（Ｅ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００２質量％〜０．１質量％の総量の、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−（ジメチルアミノ）安息香酸、テレフタル酸、イソフタル酸、６，６’，６’’−（１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリイルトリイミノ）トリヘキサン酸、フェニルテトラゾール、Ｎ−ラウロイルサルコシン、４−ドデシルベンゼンスルホン酸、及びリン酸Ｃ６〜Ｃ１０−アルキルエステルからなる群から選択される、少なくとも１種の腐食防止剤（Ｅ）、並びに
（Ｆ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１質量％〜０．０５質量％の総量の、ポリオキシアルキレン基を含む少なくとも１種の両親媒性の非イオン性界面活性剤（Ｆ）
ここで、前記ＣＭＰ組成物（Ｑ）は、６を超え９未満までのｐＨを有する。
【０１３３】
Ｚ８：
（Ａ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．０１質量％〜２質量％の総量のコロイダルシリカ粒子、
（Ｂ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．１質量％〜２質量％の総量のエチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、
（Ｃ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．２質量％〜１．８質量％の総量の過酸化水素、
（Ｄ）水性媒体、
（Ｅ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００２質量％〜０．１質量％の総量の、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−（ジメチルアミノ）安息香酸、テレフタル酸、イソフタル酸、６，６’，６’’−（１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリイルトリイミノ）トリヘキサン酸、フェニルテトラゾール、Ｎ−ラウロイルサルコシン、４−ドデシルベンゼンスルホン酸、及びリン酸Ｃ６〜Ｃ１０−アルキルエステルからなる群から選択される、少なくとも１種の腐食防止剤（Ｅ）、並びに
（Ｆ）それぞれのＣＭＰ組成物の総質量に基づいて、０．００１質量％〜０．０５質量％の総量の、ポリオキシアルキレン基を含む少なくとも１種の両親媒性の非イオン性界面活性剤（Ｆ）
ここで、前記ＣＭＰ組成物（Ｑ）は、６を超え９未満までのｐＨを有する。
【０１３４】
一般的には、ＣＭＰ組成物の製造方法は公知である。これらの方法は、本発明により使用されるＣＭＰ組成物の製造に適用することができる。これは、水性媒体（Ｄ）（好ましくは、水）中に上述した成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、及び任意の成分を分散又は溶解することにより、任意に酸、塩基、バッファー又はｐＨ調整剤の添加によってｐＨ値を調整することにより、実行することができる。この目的のため、従来の及び標準の混合方法及び混合装置、例えば攪拌容器、高せん断インペラ（high shear impellers）、超音波ミキサー、ホモジナイザーノズル又は向流ミキサーが、使用することができる。
【０１３５】
一般的には、研磨方法は公知であり、集積回路を有するウェハの製造において、ＣＭＰに使用される通常の条件下で、前記方法及び装置を用いて行うことができる。研磨方法を行うことができる装置に関しては、制限していない。
【０１３６】
当技術分野で知られているように、ＣＭＰ方法のための典型的な装置は、研磨パッドで覆われた回転プラテンからなる。軌道研磨機も使用している。ウェハは、キャリア又はチャック上に取り付けられる。処理されるウェハの側面は、研磨パッドに向いている（片面研磨プロセス）。保持リングはウェハを水平位置に固定する。
【０１３７】
キャリアの下方では、一般に、より大きな直径のプラテンも水平に配置され、研磨すべきウェハの表面と平行な表面を提供する。プラテン上の研磨パッドは、平坦化プロセス中にウェハ表面に接触する。
【０１３８】
材料損失を生じさせるために、ウェハを研磨パッドに押し付ける。通常、キャリアとプラテンの両方は、キャリア及びプラテンから垂直に延びるそれぞれの軸を中心に回転させる。回転キャリアの軸は、回転プラテンに対する位置に固定されたままであってもよいか、又はプラテンに対して水平に振動してもよい。キャリアの回転方向は、必ずしもそうではないが、典型的には、プラテンの回転方向と同様である。キャリア及びプラテンの回転速度は、一般に、必ずしも異なるものではないが、異なる値に設定される。本発明のＣＭＰプロセスの間、本発明のＣＭＰ組成物は、通常、連続的な流れとして、又は滴下方式で研磨パッド上に適用される。通常、プラテンの温度は１０〜７０℃の温度に設定される。
【０１３９】
ウェハ上に対する負荷は、例えば、しばしばバッキングフィルムと呼ばれる柔軟なパッドで覆われている、鋼製の平らなプレートにより適用することができる。より進化した装置を使用する場合、空気又は窒素の圧力を負荷された可撓性膜がウェハをパッド上に押し付ける。硬質研磨パッドを使用する場合、ウェハ上の下向き圧力分布が、硬質プラテン配置を有するキャリアよりもより均一であるので、このような膜キャリアは、下向き力のプロセスにおいて好ましい。また、ウェハ上の圧力分布を制御するオプションを有するキャリアも、本発明に従って使用することができる。それらは、通常、互いに独立して一定の程度まで負荷することができる多数の異なるチャンバを備えるように設計されている。
【０１４０】
さらなる詳細については、ＷＯ２００４／０６３３０１Ａ１、特に図２と合わせて１６頁の段落［００３６］から１８頁の段落［００４０］を参照する。
【０１４１】
本発明のＣＭＰ方法及び／又は本発明のＣＭＰ組成物を使用することにより、優れた機能性を有し、コバルト及び／又はコバルト合金及びＴｉＮ及び／又はＴａＮを含む集積回路を有するウェハを得ることができる。
【０１４２】
本発明により使用されるＣＭＰ組成物は、すぐに使用できるスラリーとしてＣＭＰ方法に使用することができ、長い貯蔵寿命を有し、長時間にわたって安定な粒径分布を示す。したがって、それらは、容易に取り扱い及び保管することができる。それらは、優れた研磨性能、特にコバルト及び／又はコバルト合金及びＴｉＮ及び／又はＴａＮの高い材料除去速度（ＭＲＲ）と組み合わせてコバルト及び／又はコバルト合金の低い静的エッチング速度を示す。その成分の量は最小限に抑えられているので、本発明により使用されるＣＭＰ組成物は、それぞれ、費用対効果の高い方法で使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４３】
【図１】図１は、粒子の形状による形状係数の変化の略図である。
【図２】図２は、粒子の伸びによる球形度の変化の略図である。
【図３】図３は、円相当径（ＥＣＤ）の略図である。
【図４】図４は、炭素ホイル上に２０質量％の固形分を有する乾燥したコクーン状シリカ粒子分散系のエネルギーフィルタ型透過電子顕微鏡（ＥＦ−ＴＥＭ）（１２０キロボルト）画像である。
【図５】図５は、ＴｉＮとＴａＮの材料除去速度の相関図である。
【実施例】
【０１４４】
実施例及び比較例
以下、ＣＭＰ実験の基本手順を説明する。
【０１４５】
２００ｍｍのＣｏウェハのための標準ＣＭＰプロセス：
ツール：Ｍｉｒｒａ−ｍｅｓａ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社）
下向き圧力：                  １．５ｐｓｉ；
内管圧力：                    ２．５ｐｓｉ；
保持リング圧力：              ４．０ｐｓｉ；
研磨テーブル／キャリア速度：  ９３／８７ｒｍｐ；
スラリー流速：                ２００ｍｌ／分；
研磨時間：                    ２０秒、Ｃｏ
６０秒、ＴＥＯＳ、ＴＩＮ
研磨パッド：                  ＤＯＷ ＩＣ １０１０；
調整ツール：                  ＡＭＡＴ  ＣＭＰ機のための３Ｍ Ａ１６６ダイアモンド研磨ディスク、そこで５ｌｂｆの下向き力で調整する。
【０１４６】
ローカル供給ステーション（local supply station）内で、スラリーを攪拌する。
【０１４７】
膜厚測定の標準分析手順：
コバルト及びＴｉＮ及びＴａＮ膜：Ｒｅｓｉｓｔａｇｅ ＲＧ−１２０／ＲＴ−８０、４探針プローブ装置（ＮＡＰＳＯＮ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）
ＴＥＯＳ：Ｏｐｔｉ−Ｐｒｏｂｅ ２６００ （Ｔｈｅｒｍａ Ｗａｖｅ，ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ）。
【０１４８】
４９点スキャン（５ｍｍの端部除外）を用いて、ＣＭＰの前後に膜厚を測定する。厚さ損失を、平均化して、研磨時間で除算され、材料除去速度（ＭＲＲ）を得る。
【０１４９】
Ｃｏで被覆したウェハ：Ｔｉライナー上の２０００ Ａ ＰＶＤ Ｃｏ（ＡＭＴ製）；
ＴｉＮ及びＴａＮ：ＴＥＯＳ上のＰＶＤ。
【０１５０】
ｐＨ複合電極（Ｓｃｈｏｔｔ、ブルーライン２２ｐＨ電極）を用いて、ｐＨ値を測定する。
【０１５１】
Ｃｏ静的エッチング速度（Ｃｏ−ＳＥＲ）の決定の標準手順：
下記のようにＣｏ−ＳＥＲ実験を行った：
２．５ｘ２．５ｃｍ ＰＶＤ Ｃｏ（ＡＭＴ製）をカットし、超純水（ＵＰＷ）で洗浄した。それぞれの試験片（coupon）において、４探針プローブ装置を用いて、５つのポイントでＣｏフィルムの厚さを測定して、平均した（エッチング前、ｄ前）。０．５％のＨ２Ｏ２で新しく調製したスラリー３００ｍｌを酸化剤として、温度制御ビーカーに入れて、攪拌した。スラリーの温度が５０℃に至ったとき、２つの試験片を、スラリー中に入れ、スラリー中に３分放置した。エッチングが完了した後、ＵＰＷで前記試験片を洗浄して、Ｎ２で乾燥した。４探針プローブ装置を用いて再び、５つのポイントでそれぞれの試験片におけるＣｏ膜厚を再測定して、平均した（エッチング後、ｄ後）。以下の式により、Ｃｏ−ＳＥＲを決定した：
ＳＥＲ（Ａ/分）＝（ｄ前−ｄ後）／３
両方の試験片のＳＥＲを平均して、最終のＳＥＲ値を得た。
【０１５２】
スラリー調製の標準手順：
全ての混合工程は、攪拌しながら行われた。（Ｄ）超純水（ＵＰＷ）中に所要の量のそれぞれの化合物を溶解することによりそれぞれの化合物（Ｂ）、（Ｅ）及び（Ｆ）の水性原液を調製する。（Ｂ）及び（Ｅ）の原液において、溶解をサポートするために、ＫＯＨを使用してもよい。ＫＯＨにより、原液のｐＨを８に調整する。（Ｂ）の原液は、１０質量％のそれぞれの添加剤の濃度を有し、（Ｅ）及び（Ｆ）の原液は１．０質量％のそれぞれの添加剤の濃度を有する。（Ａ）において、供給元から提供され、典型的に約２０質量％〜３０質量％の研磨剤濃度を有する分散液を使用する。酸化剤（Ｃ）を３０質量％の原液として使用する。
【０１５３】
１０００ｇのスラリーを調製するために、６００ｇの（Ｄ）を混合タンク又はビーカー中に入れる。（Ｂ）、（Ｅ）及び（Ｆ）の原液の量を添加し、所望の濃度に達する。溶液をアルカリ性〜中性ｐＨで維持するために、ＫＯＨを使用する。その後、所要の量の（Ａ）を添加する。酸化剤原液の所要量に関し、最終濃度を調整するために、残余の水として（Ｄ）を添加する。ＫＯＨにより、ｐＨを所望の値に調整する。ＣＭＰの約６０分前に、所望の量の酸化剤を添加する。
【０１５４】
実施例に使用した無機粒子（Ａ）
３５ｎｍの平均一次粒子径（ｄ１）、７０ｎｍの平均二次粒子径（ｄ２）（Ｈｏｒｉｂａ器具を介して、動的光散乱技術を用いて決定した）、及び約４６ｍ２／ｇの比表面積を有するコクーン状のコロイダルシリカ粒子（Ａ１）（例えば、Ｆｕｓｏ（登録商標）ＰＬ−３）を使用した。
【０１５５】
【表１】
2018530909.tif 000004
【０１５６】
粒子形状の特徴付けの手順
２０質量％の固形分を有する水性コクーン状シリカ粒子分散液を炭素ホイル上に分散させ、乾燥させた。エネルギーフィルタ型透過電子顕微鏡（ＥＦ−ＴＥＭ）（１２０キロボルト）及び走査型電子顕微鏡二次電子画像（ＳＥＭ−ＳＥ）（５キロボルト）を用いて、乾燥した分散液を分析した。２ｋ、１６ビット、０．６８５１ｎｍ／画素の解像度を有するＥＦ−ＴＥＭ画像（図４）を分析に使用した。ノイズ抑制後の閾値を使用して、画像を２値化処理した。その後、粒子を手作業で分離した。重なり粒子及びエッジ粒子を、識別し、分析に使用しなかった。上記で規定したＥＣＤ、形状係数及び球形度を計算し、統計的に分類した。
【０１５７】
界面活性剤として存在する場合、平均で、６〜１２個の炭素原子を有するアルキル基、並びに、ランダム分布での２〜１０個のオキシエチレンモノマーユニット及び１〜５個のオキシプロピレンモノマーユニットを含有する分子の混合物である両親媒性の非イオン性ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンアルキルエーテル界面活性剤（Ｆ）（例えば、ＤＯＷ，Ｐｌｕｒａｆａｃ ＬＦ ４０１ ＢＡＳＦ製のＴｒｉｔｏｎ（商標）ＤＦ １６）を使用する。
【０１５８】
表２：実施例１〜７、及び比較例（Ｃｏｍｐ．Ｅｘと略称する）１〜４のＣＭＰ組成物、化合物（Ｂ）の濃度及び名称、これらの組成物を用いた、２００ｍｍのＣｏウェハの化学機械研磨プロセス中の、Ｃｏ−ＭＲＲ、ＴｉＮ−ＭＲＲ、ＴａＮ−ＭＲＲ、ＴＥＯＳ−ＭＲＲデータ、ここで、ＣＭＰ組成物の水性媒体（Ｄ）は脱イオン水である。この表中の全ての組成において、ｐＨは８．５であり、組成物中の（Ｂ）以外の他の成分の量は、対応するＣＭＰ組成物の質量に基づいて、１．５質量％の（Ａ）コロイダルシリカ、０．５質量％の（Ｃ）Ｈ２Ｏ２、０．０３質量％の（Ｅ）フェニルテトラゾール、及び０．０１質量％の（Ｆ）非イオン性界面活性剤である。（Ｄ）以外の成分の量が合計でＣＭＰ組成物のｙ質量％である場合、したがって、（Ｄ）の量はＣＭＰ組成物の（１００−ｙ）質量％である。
【０１５９】
【表２】
2018530909.tif 000005
【０１６０】
ＤＴＰＡ：ジエチレントリアミンペンタ酢酸の略称
ＥＤＴＡ：エチレンジアミンテトラアセテートの略称
（＊）：０．０３質量％のフェニルテトラゾールの代わりに、０．０６質量％のフェニルテトラゾールを有する実施例３。
【０１６１】
本発明により、化学機械研磨の後に、ウェハは光沢のある表面を示した。
【０１６２】
表３：酸化剤（Ｃ）の濃度変化シリーズ、組成：ｐＨは８．５であり、対応するＣＭＰ組成物の質量に基づいて、１．５質量％の（Ａ）コロイダルシリカ、１．２４質量％の（Ｂ）グルタミン酸、（Ｄ）脱イオン水、０．０３質量％の（Ｅ）イソフタル酸、０．０１質量％の（Ｆ）非イオン性界面活性剤。（Ｄ）以外の成分の量が合計でＣＭＰ組成物のｙ質量％である場合、したがって、（Ｄ）の量はＣＭＰ組成物の（１００−ｙ）質量％である。これらの組成物を使用して、２００ｍｍのＣｏウェハの化学機械研磨プロセス中のＣｏ−ＭＲＲ、ＴｉＮ−ＭＲＲ、ＴＥＯＳ−ＭＲＲデータ。
【０１６３】
【表３】
2018530909.tif 000006
【０１６４】
酸化剤（Ｃ）の濃度の大きな影響を見ることができる。
【０１６５】
表４：成分（Ｅ）腐食防止剤の変化、組成：ｐＨは８．５であり、対応するＣＭＰ組成物の質量に基づいて、１．５質量％の（Ａ）コロイダルシリカ、０．８１質量％の（Ｂ）エチレンジアミンテトラアセテート（ＥＤＴＡ）、０．５質量％の（Ｃ）Ｈ２Ｏ２、表に特定の（Ｄ）脱イオン水、０．０１質量％の（Ｆ）非イオン性界面活性剤Ｐｌｕｒａｆａｃ ＬＦ ４０１。（Ｄ）以外の成分の量が合計でＣＭＰ組成物のｙ質量％である場合、したがって、（Ｄ）の量はＣＭＰ組成物の（１００−ｙ）質量％である。これらの組成物を使用して、２００ｍｍのＣｏウェハの化学機械研磨プロセス中のＣｏ−ＭＲＲ、ＴｉＮ−ＭＲＲ、ＴａＮ−ＭＲＲ、ＴＥＯＳ−ＭＲＲデータ、及びＣｏ−ＳＥＲデータ。
【０１６６】
【表４】
2018530909.tif 000007
【０１６７】
比較例５（Ｃｏｍｐ．Ｅｘ．５）
組成：ｐＨは８．５であり、対応するＣＭＰ組成物の質量に基づいて、１．５質量％の（Ａ）コロイダルシリカ、１．２４質量％の（Ｂ）グルタミン酸、０．５質量％の（Ｃ）Ｈ２Ｏ２、（Ｄ）脱イオン水、０．０３質量％の（Ｅ）メチル−ＢＴＡ、０．０１質量％の（Ｆ）非イオン性界面活性剤。（Ｄ）以外の成分の量が合計でＣＭＰ組成物のｙ質量％である場合、したがって、（Ｄ）の量はＣＭＰ組成物の（１００−ｙ）質量％である。この組成物を使用して、Ｃｏウェハを研磨した。２０ＰＶＤ  Ｃｏウェハの研磨後、研磨パッドは、表面上に橙色−茶色の環を示した。パッドを形成する材料の残余は、パッド上にだけでなく、ウェハ表面上にも堆積するので、製造中の増大した欠陥率及び収量低下をもたらす。
【０１６８】
本発明によるＣＭＰ組成物は、ＴｉＮ及びＴａＮの増加した材料除去速度と組み合わせた高いコバルト材料除去速度（ＭＲＲ）［Å／分］に関し、向上した研磨性能、並びに、表２及び表４に示している実施例によって証明することができるＣｏエッチング速度の大幅な低下、並びに、腐食防止剤（Ｅ）の存在下で、パッド上（変色なし）に検出できる残留物のないことを示している。
【図１】
2018530909.tif 000008
【図２】
2018530909.tif 000009
【図３】
2018530909.tif 000010
【図４】
2018530909.tif 000011
【図５】
2018530909.tif 000012
【国際調査報告】
2018530909.tif 000013
2018530909.tif 000014