(57)【要約】  基板を処理するための装置が本明細書で提供される。一部の実施形態では、基板支持体は、支持面を有する本体と、ＲＦ源からＲＦ電流を受け取るために、支持面に近接して本体に配置されたＲＦ電極と、本体を支持するシャフトと、内部容積を有する、シャフトの中を通って延在する導電性要素であって、ＲＦ電極に結合された導電性要素と、ＲＦガスケットであって、導電性要素が、ＲＦ電流をグラウンドに戻すためにＲＦガスケットに係合する特徴部を含む、ＲＦガスケットと、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持するための支持面を有する本体と、
ＲＦ源からＲＦ電流を受け取るために、前記支持面に近接して前記本体に配置されたＲＦ電極と、
前記本体を支持するシャフトと、
内部容積を有する、前記シャフトの中を通って延在する導電性要素であって、前記ＲＦ電極に結合された導電性要素と、
ＲＦガスケットであって、前記導電性要素が、前記ＲＦ電流をグラウンドに戻すために前記ＲＦガスケットに係合する特徴部を含む、ＲＦガスケットと、
を備える、基板支持体。
【請求項２】
前記支持面上に配置されたときに基板に熱を提供するために、前記支持面に近接して前記基板支持体に配置されたヒータであって、前記ヒータに電力を提供するための１つまたは複数の導電線を有するヒータ、
をさらに備える、請求項１に記載の基板支持体。
【請求項３】
前記支持面上に配置されたときに基板の温度を測定するために、前記基板支持体に配置された熱電対、
をさらに備える、請求項２に記載の基板支持体。
【請求項４】
１つまたは複数の導電線および前記熱電対が前記導電性要素の前記内部容積内に配置されている、請求項３に記載の基板支持体。
【請求項５】
前記本体の反対側の前記シャフトの端部に結合された前記基板支持体に、または前記基板支持体から熱を伝達するための伝熱体、
をさらに備える、請求項２に記載の基板支持体。
【請求項６】
前記シャフトと前記伝熱体との間に結合されたアダプタ部分であって、前記ＲＦガスケットが前記アダプタ部分と前記伝熱体との間に配置されている、アダプタ部分、
をさらに備える、請求項２に記載の基板支持体。
【請求項７】
前記アダプタ部分を取り囲む環状の付勢可能な要素であって、前記基板支持体が処理位置にある場合は、前記アダプタ部分にコンタクトし、前記基板支持体が前記処理位置にない場合は、前記アダプタ部分から離間されている環状の付勢可能な要素、
をさらに備える、請求項６に記載の基板支持体。
【請求項８】
前記環状の付勢可能な要素が銅ベリリウムまたはニッケルベリリウムを含む、請求項７に記載の基板支持体。
【請求項９】
ＲＦ電流が前記導電性要素を流れるとき、前記導電性要素が前記内部容積内で約ゼロの電界を有する、請求項１から８までのいずれか１項に記載の基板支持体。
【請求項１０】
前記導電性要素が前記内部容積内へ延出する突部を含む、請求項１から８までのいずれか１項に記載の基板支持体。
【請求項１１】
第１の端部で前記ＲＦ電極に、および前記第１の端部の反対側の第２の端部で前記突部に結合されたＲＦピン、
をさらに備える、請求項１０に記載の基板支持体。
【請求項１２】
前記導電性要素が円筒形である、請求項１から８までのいずれか１項に記載の基板支持体。
【請求項１３】
前記導電性要素が板金から形成されている、請求項１２に記載の基板支持体。
【請求項１４】
前記基板支持体へ、または前記基板支持体から熱を伝達するための伝熱体と、
前記シャフトと前記伝熱体との間に結合されたアダプタ部分であって、前記ＲＦガスケットが前記アダプタ部分と前記伝熱体との間に配置されている、アダプタ部分と、
前記支持面上に配置されたときに基板に熱を提供するために、前記支持面に近接して前記基板支持体に配置されたヒータであって、前記ヒータに電力を提供するための１つまたは複数の導電線を有するヒータと、
前記支持面上に配置されたときに基板の温度を測定するために、前記基板支持体に配置された熱電対と、
をさらに備える、請求項１に記載の基板支持体。
【請求項１５】
処理容積を囲む処理チャンバと、
前記処理容積内に配置され、前記処理チャンバのフロアに電気的に結合された請求項１から１４までのいずれか１項に記載されるような基板支持体と、
を備える、基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、一般に基板処理システム、より詳細には基板処理システムで使用するための基板支持体に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置は、典型的には処理中に基板を支持するための基板支持体を含む。基板支持体は、高周波（ＲＦ）源からＲＦ電流を受け取るために、基板処理面に近接して配置されたＲＦ電極を含むことがある。例えば、ＲＦ電極は、グラウンドへのＲＦリターンとして働くことができ、またはＲＦ電極に結合されたＲＦ源を有することができる。ＲＦ電極は、ＲＦ電極にＲＦ電流を提供するために、またはＲＦ電流をグラウンドに戻すためにロッド、ワイヤなどに結合されることがある。基板支持体は、基板処理面上に配置されたときに基板を加熱するために、基板処理面に近接して配置されたヒータをさらに含むことがある。しかしながら、本発明者は、ＲＦリターンパスの経路にある熱電対およびＡＣ電源リード線がＲＦノイズによって悪影響を受けることに気づいた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
したがって、本発明者は、改善された基板処理装置を提供した。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
基板を処理するための装置が本明細書で提供される。一部の実施形態では、基板支持体は、支持面を有する本体と、ＲＦ源からＲＦ電流を受け取るために、支持面に近接して本体に配置されたＲＦ電極と、本体を支持するシャフトと、内部容積を有する、シャフトの中を通って延在する導電性要素であって、ＲＦ電極に結合された導電性要素と、ＲＦガスケットであって、導電性要素が、ＲＦ電流をグラウンドに戻すためにＲＦガスケットに係合する特徴部を含む、ＲＦガスケットと、を含む。
一部の実施形態では、基板処理システムは、処理容積を囲む処理チャンバと、処理容積内に配置された基板支持体と、を含む。基板支持体は、支持面を有する本体と、ＲＦ源からＲＦ電流を受け取るために、支持面に近接して本体に配置されたＲＦ電極と、本体を支持するシャフトと、内部容積を有する、シャフトの中を通って延在する導電性要素であって、ＲＦ電極に結合された導電性要素と、ＲＦガスケットであって、導電性要素が、ＲＦ電流をグラウンドに戻すためにＲＦガスケットに係合する特徴部を含む、ＲＦガスケットと、を含む。
一部の実施形態では、基板支持体は、支持面を有する本体と、ＲＦ源からＲＦ電流を受け取るために、支持面に近接して本体に配置されたＲＦ電極と、本体を支持するシャフトと、内部容積を有する、シャフトの中を通って延在する導電性要素であって、ＲＦ電極に結合された導電性要素と、ＲＦガスケットであって、導電性要素が、ＲＦ電流をグラウンドに戻すためにＲＦガスケットに係合する特徴部を含む、ＲＦガスケットと、基板支持体へ、または基板支持体から熱を伝達するための伝熱体と、シャフトと伝熱体との間に結合されたアダプタ部分であって、ＲＦガスケットがアダプタ部分と伝熱体との間に配置されている、アダプタ部分と、支持面上に配置されたときに基板に熱を提供するために、支持面に近接して基板支持体に配置されたヒータであって、ヒータに電力を提供するための、導電性要素の内部容積内に配置された１つまたは複数の導電線を有するヒータと、支持面上に配置されたときに基板の温度を測定するために、導電性要素の内部容積内に配置された熱電対と、アダプタ部分を取り囲む環状の付勢可能な要素であって、基板支持体が処理位置にある場合は、アダプタ部分にコンタクトし、基板支持体が処理位置にない場合は、アダプタ部分から離間され、基板支持体が配置される処理チャンバのフロアに結合されている環状の付勢可能な要素と、を含む。
本開示の他のおよびさらなる実施形態が以下に記載される。
上で簡単に要約され、以下でより詳細に論じる本開示の実施形態は、添付図面に表される本開示の例示的な実施形態を参照することによって理解され得る。しかしながら、添付図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示し、したがって、範囲を限定していると考えられるべきではなく、その理由は本開示が他の等しく効果的な実施形態を受け入れることができるためである。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】本開示の一部の実施形態による基板処理システムの概略図である。
【図２】本開示の一部の実施形態による基板支持体の部分概略図である。
【図３】本開示の一部の実施形態による板金切欠きの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
理解を容易にするために、各図に共通の同一の要素を指定するために、可能な場合は、同一の参照数字が使用された。図は、縮尺通りには描かれておらず、明瞭にするために簡略化されることがある。一実施形態の要素および特徴部は、さらに詳説することなく他の実施形態において有益に組み込まれてもよい。
基板を処理するための装置が本明細書で開示される。発明性のある装置の実施形態は、有利にはＲＦ電流接地経路を短くし、熱電対または基板支持体に存在する他の温度モニタリング装置によって行われる温度測定の歪みを防ぐことができる。
【０００７】
以下の記載は、図１および図２を参照して行われる。図１は、本開示の一部の実施形態による基板処理システムの概略図を表す。図２は、図１の基板処理システムの部分概略図を表す。例えば、基板処理システム１００は、処理容積１０４を有する処理チャンバ１０２と、基板１０５を支持するために、処理容積１０４内に配置された基板支持体１０６と、を含むことができる。処理チャンバ１０２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）などの導電性材料から形成された壁を備えることができる。一部の実施形態では、例えば、処理チャンバ１０２が容量結合または誘導結合プラズマ用途のために構成される場合、処理チャンバは、誘電体材料（図示せず）を含む天井を有することができる。例示的な処理チャンバには、遠隔誘導結合プラズマまたは容量結合プラズマの１つまたは複数を生成するために使用されるような、任意の適切なプラズマ処理チャンバが含まれてもよい。適切な処理チャンバには、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．ｏｆ  Ｓａｎｔａ  Ｃｌａｒａ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａから入手可能な、ＤＰＳ（登録商標）、ＥＮＡＢＬＥＲ（登録商標）、ＡＤＶＡＮＴＥＤＧＥＴＭ（商標）、または他の処理チャンバが含まれてもよい。他の適切な処理チャンバが同様に使用されてもよい。
【０００８】
基板支持体１０６は、支持面１０８を有する本体１０７と、本体１０７を支持するシャフト１１０と、を含むことができる。図１ではペデスタル型設計として示されているが、基板支持体は、支持面と、シャフト１１０、または支持面を支持するためのその他の適切な部材などの、部材と、を有する任意の適切な基板支持体であってもよい。一部の実施形態では、基板支持体１０６は、例えば、アルミニウム酸化物（Ａｌ2Ｏ3）またはアルミニウム窒化物（ＡｌＮ）などのセラミック材料を含むことができる。一部の実施形態では、基板支持体１０６は、アダプタ部分１６０を介して伝熱体１７０に結合されてもよい。伝熱体１７０は、行われるプロセスに応じて基板支持体１０６を冷却する、または基板支持体１０６に熱を伝達することができる。一部の実施形態では、伝熱体１７０は、基板支持体１０６を冷却するために冷却剤が流れるチャネル（図示せず）を含む。
基板支持体１０６は、ＲＦ源からＲＦ電流を受け取るために、支持面に近接して基板支持体１０６に配置されたＲＦ電極１１２（例えば、第１のＲＦ電極）を含むことができる。一部の実施形態では、ＲＦ電極１１２は、ＲＦリターンパスを提供することができ、図１の主図に示すように導電性要素１１４を介してグラウンドに結合されてもよい。例えば、ＲＦ電極１１２は、例えば、処理チャンバ１０２が容量結合プラズマ装置として構成される場合に、ＲＦリターンパスとして機能することができる。容量結合プラズマ装置では、第２のＲＦ電極１１６が図１の主図に示すように基板支持体１０６の上方に配置されてもよい。第２のＲＦ電極１１６は、処理容積１０４内に配置されてもよく、ＲＦ源１１８は、図１の主図に示すように第２の電極１１６に結合されてもよい。例えば、第２のＲＦ電極１１６は、シャワーヘッド（図示せず）であっても、もしくは図１に示すようにシャワーヘッド１１９の一部であっても、および／またはシャワーヘッド１１９内に配置されても、あるいは容量結合プラズマ装置で使用されるオーバーヘッド電極の任意の適切な実施形態であってもよい。
【０００９】
一部の実施形態では、処理チャンバ１０２は、誘導結合プラズマ装置として構成されてもよい。そのような実施形態では、第２のＲＦ電極（すなわち、図１のファントムで示すような第２のＲＦ電極１１７）は、処理チャンバ１０２の処理容積１０４の外部に配置され、ＲＦ源１１８に結合されてもよい。
【００１０】
シャワーヘッド１１９は、図１に示すようにガスパネル１２１に結合され、処理容積１０４に１つまたは複数のプロセスガスを提供し、処理容積１０４などでプラズマを点火させることができる。シャワーヘッド１１９は、１つまたは複数のプロセスガスを処理容積１０４に送出するための１つの例示的なチャンバ部品にすぎない。代替としてまたは組合せにおいて、１つまたは複数のプロセスガスは、処理チャンバ１０２の壁の周りに配置された側面注入ポート（図示せず）を介して処理容積１０４に送出されてもよく、または配置されるガス入り口は、処理チャンバの他の領域である。代替としてまたは組合せにおいて、１つまたは複数のプロセスガスは、プラズマが形成される遠隔の容積（図示せず）に送出され、次いで処理容積１０４内に流されてもよい。
【００１１】
一部の実施形態では、ＲＦ電極１１２は、導電性要素１１４を介して（図１のファントムで示すＲＦ源１２０などの）ＲＦ源の出力にも結合されてもよく、導電性要素１１４を介してＲＦリターンパスを有し、このことが図２および図３に関してより詳細に記載される。例えば、ＲＦ電極１１２は、ＲＦバイアス電極などとして使用されてもよい。ＲＦ電極１１２は、例えば、ＲＦピン１０９を介して導電性要素１１４に結合されてもよい。しかしながら、任意の導電性固定要素を使用して、ＲＦ電極１１２を導電性要素１１４に結合することができる。
【００１２】
基板支持体１０６に戻ると、一部の実施形態では、基板支持体１０６は、支持面１０８上に配置されたときに基板１０５に熱を提供するために、支持面１０８に近接して基板支持体１０６に配置されたヒータ１２２を含むことができる。ヒータ１２２は、基板支持体で使用される任意の適切なヒータ、例えば、抵抗加熱器などであってもよい。ヒータ１２２は、ヒータ１２２に電力を提供するために、ヒータ１２２からシャフト１１０の中を通って延在する１つまたは複数の導電線１２４を含むことができる。例えば、図１に示すように、１つまたは複数の導電線１２４は、ヒータ１２２を処理チャンバ１０２の外部に配置された電源１２６に結合することができる。例えば、１つまたは複数の導電線１２４は、電源１２６からヒータ１２２に電力を提供するための第１の線、および電源１２６に電力を戻すために第２の線を含むことができる。電源１２６は、交流（ＡＣ）電源、直流（ＤＣ）電源などを含むことができる。代替として（図示せず）、１つまたは複数の導電線１２４は、電源１２６からヒータ１２２に電力を提供する単一の導電線であってもよい。電力は、導電性要素１１４を介して電源１２６またはグラウンドに戻されてもよい。例えば、導電性要素１１４は、ヒータ１２２およびＲＦ電極１１２の両方に対して電気的リターンとして働くことができる。
基板支持体１０６は、基板支持体１０６、支持面１０８の温度、または支持面１０８上に配置されたときの基板１０５の温度などの所望の温度を測定するために、基板支持体１０６に配置された熱電対１２８を含むことができる。例えば、熱電対１２８は、熱電対プローブなどの任意の適切な熱電対設計であってもよい。熱電対１２８は、取外し可能であってもよい。図１に示すように、熱電対１２８は、基板支持体１０６のシャフト１１０に沿って、支持面１０８の近くまで延在することができる。図１に示すような熱電対１２８は、単に例示であり、熱電対の先端部は、（図１に示すように）ヒータ１２２の近くまで、またはヒータ１２２の上方で支持面１０８の近くまで延在することができる（図示せず）。熱電対１２８の先端部の位置は、支持面１０８に対して調節され、基板１０５、または支持面１０８などのその他の構成要素の温度を最も正確に測定することができる。熱電対１２８は、温度コントローラ１３０に結合されてもよい。例えば、温度コントローラ１３０は、熱電対１２８によって測定された温度に基づいて電源１２６を制御することができる。代替として、温度コントローラ１３０は、基板処理システム１００の動作を制御することができるコントローラ１４４などのシステムコントローラの一部であっても、またはそのようなシステムコントローラに結合されていてもよい。
【００１３】
一部の実施形態では、導電性要素１１４は、基板支持体１０６のシャフト１１０に沿って配置されてもよい。例えば、導電性要素は、内部容積１３２を含むことができ、１つまたは複数の導電線１２４および熱電対１２８が導電性要素１１４の内部容積１３２の中を通って配置される。導電性要素１１４は、上で論じたようにＲＦ電極１１２に結合されてもよい。例えば、導電性要素１１４は、第１の端部１１３で内部容積１３２内に延出する突部１２３を有してもよい。ＲＦピン１０９は、ＲＦピン１０９およびＲＦ電極１１２を導電性要素１１４に結合するために、突部１２３に挿入され、または結合されてもよい。導電性要素１１４は、図１および図２に示すように、アダプタ部分１６０に配置されたＲＦガスケット１５５を介してグラウンドに結合された第２の端部１１５を有することができる。ＲＦガスケットは、銅ベリリウムなどを含んでもよい。導電性要素１１４は、ＲＦガスケット１５５とインターフェースするように、任意の所定の位置に曲げることができる複数の特徴部２０２（図３に関して以下でも記載する）を含む。
【００１４】
一部の実施形態では、導電性要素１１４は、ＲＦ電流が導電性要素１１４を通って流れるとき、有利には内部容積１３２内で約ゼロの電界を実現することができる。内部容積１３２内で約ゼロの電界を実現することによって、熱電対１２８などのシャフト内に配置された他の電気部品に影響を及ぼすことがある導電性要素１１４を通って流れるＲＦ電流から生じるいかなる干渉も有利には防止または制限される。本発明者は、例えば、従来の基板支持体においてＲＦリターンパスとして使用されるロッド状の導電性要素が、熱電対１２８と干渉し、熱電対に不正確な温度測定値を生成させる非ゼロの電界をシャフト内にもたらすことを見出した。導電性要素１１４は、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）などの任意の適切なプロセス両立性導電性材料を含むことができる。
【００１５】
一部の実施形態では、導電性要素１１４は、基板支持体１０６のシャフト１１０内に配置されてもよい。例えば、図１に示すように、導電性要素は、電流が円筒形の導電性要素の表面に沿って流れるとき、内部容積内に約ゼロの電界を生成する、内部容積１３２を有する円筒または別の適切な管状構造などの、（破線１３６によって表わされるように）円筒形であってもよい。本開示の設計は、有利にはＲＦリターンパスを短くする。
【００１６】
一部の実施形態では、基板支持体１０６は、図１および図２に示すように、基板支持体１０６が処理位置にあるときに、アダプタ部分１６０にコンタクトする環状の付勢可能な要素１５６を含むことができる。環状の付勢可能な要素１５６は、処理チャンバ１０２のフロア１０３に結合されている。一部の実施形態では、環状の付勢可能な要素１５６は、例えば、低温用途（例えば、最大１５０℃）のための銅ベリリウムを含む。一部の実施形態では、環状の付勢可能な要素１５６は、例えば、高温用途（例えば、最大３００℃）のためのニッケルベリリウムを含む。環状の付勢可能な要素１５６は、アダプタ部分１６０を直接処理チャンバ１０２に電気的に結合し、したがって、ＲＦリターンパスを短くする。
【００１７】
図１に戻ると、基板１０５は、処理チャンバ１０２の壁の開口部（図示せず）を介して処理チャンバ１０２に入ることができる。開口部は、スリットバルブ、または開口部を介してチャンバの内部へのアクセスを選択的に提供するための他の機構を介して選択的に密閉されてもよい。基板支持体１０６は、開口部を介して基板をチャンバの中および外に移送するのに適した（図示するような）下方位置と、処理に適した選択可能な上方位置との間で基板支持体１０６の位置を制御することができるリフト機構１３８に結合されてもよい。処理位置は、特定のプロセスのためにプロセス均一性を最大限にするように選択され得る。上昇した処理位置の少なくとも１つにある場合、基板支持体１０６は、開口部の上方に配置され、対称的な処理領域を提供することができる。リフト機構１３８は、ベローズ１４０または他の可撓性の真空ホースを介して処理チャンバ１０２に結合され、基板支持体１０６が移動したときに、処理容積１０４内の所定の圧力または圧力範囲を維持することができる。図１に示すように、リフト機構１３８は、接地されていてもよい。例えば、導電性要素１１４は、リフト機構１３８を介して接地されてもよい。代替として、リフト機構１３８は、ベローズ１４０を通して処理チャンバ１０２を介して接地されてもよい。
【００１８】
本装置は、処理チャンバ１０２の処理容積１０４から過剰なプロセスガス、処理副生成物などを除去するための排気システム１４２などの、処理チャンバに共通の追加の構成要素を含むことができる。例えば、排気システム１４２は、処理チャンバ１０２からの排気ガスを排出するために、ポンピングポートを介してポンピングプレナムに結合された真空ポンプ（図示せず）、または任意の適切な排気システムを含むことができる。例えば、真空ポンプは、排気出口に流体結合され、排気を適切な排気処理設備に送ることができる。バルブ（ゲートバルブ、ｚモーションバルブなど）がポンピングプレナム内に配置され、真空ポンプの動作と組み合わせて排気ガスの流量の制御を容易にすることができる。
【００１９】
上記されたような処理チャンバ１０２の制御を容易にするために、コントローラ１４４は、中央処理装置（ＣＰＵ）１４６、メモリ１４８、およびＣＰＵ１４６のためのサポート回路１５０を備え、処理チャンバ１０２の構成要素の制御を容易にする。コントローラ１４４は、様々なチャンバおよびサブプロセッサを制御するために産業環境で使用することができる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサであってもよい。ＣＰＵ１４６のメモリ１４８もしくはコンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスクなどの容易に入手可能なメモリのうちの１つまたは複数、あるいはローカルもしくは遠隔のその他の形態のデジタルストレージであってもよい。サポート回路１５０は、ＣＰＵ１４６に結合され、従来のやり方でプロセッサを支援する。これらの回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入力／出力回路、およびサブシステムなどを含む。処理チャンバ１０２内で行われる方法、またはその少なくとも一部は、ソフトウェアルーチンとしてメモリ１４８に記憶されてもよい。また、ソフトウェアルーチンは、ＣＰＵ１４６によって制御されているハードウェアから遠隔に位置する第２のＣＰＵ（図示せず）によって、記憶されおよび／または実行されてもよい。
【００２０】
図３は、本開示の一部の実施形態による板金切欠き３００を示す。板金切欠き３００は、所定の形状に曲げられ、導電性要素（例えば、導電性要素１１４）を形成する。板金切欠き３００は、導電性要素１１４に関して上で論じたような、任意のプロセス両立性の導電性材料を含むことができる。一部の実施形態では、板金切欠き３００は、複数の特徴部３０２（例えば、特徴部２０２）および１つまたは複数の突部３０４（例えば、１２３）を含む。特徴部３０２は、任意の所定の位置に曲げられてもよい。板金切欠き３００が所定の形状に曲げられるとき、１つまたは複数の突部は、位置調整され、最終製品（すなわち、導電性要素）の内部に延出する。導電性要素を形成するために板金を利用することによって、結果として、有利にはＲＦリターン電流に対する表面積が増加し、したがって接地性が改善される。
【００２１】
このように、基板を処理するための装置が本明細書で開示されている。発明性のある装置の実施形態によって、基板支持体内に存在する熱電対または他の温度モニタリング装置よって行われる温度測定の精度に干渉するなどの、基板支持体の中を通る他の電気的構成要素に干渉することなく、ＲＦ電力を基板支持体に配置されたＲＦ電極によって受け取ることが有利には可能となる場合がある。
【００２２】
前述の事項は、本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他のおよびさらなる実施形態が本開示の基本的な範囲から逸脱せずに考案されてもよい。
【図１】
2018508994.tif 000003
【図２】
2018508994.tif 000004
【図３】
2018508994.tif 000005
【国際調査報告】
2018508994.tif 000006
2018508994.tif 000007
2018508994.tif 000008