(57)【要約】  本発明は、第１のポリマー相および第２のポリマー相を含む集合ブロックコポリマー層のエッチング方法であって、前記エッチング方法が、第１のポリマー相をエッチングするのと同時に、炭素層を第２のポリマー相上に堆積させるように、集合ブロックコポリマー層がプラズマに曝露されることを含み、前記プラズマが、解重合ガス（Ｚ）および炭化水素（ＣｘＨｙ）から選択されるエッチングガスを含む気体混合物から形成されることを特徴とする、方法に関する。
2018529233.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のポリマー相および第２のポリマー相（２０Ａと２０Ｂ）を含む集合ブロックコポリマー層（２０）のエッチング方法であって、
前記エッチング方法は、前記第１のポリマー相（２０Ａ）をエッチングするのと同時に、炭素層（２３）を前記第２のポリマー相（２０Ｂ）上に堆積させるように、前記集合ブロックコポリマー層（２０）がプラズマに曝露されることを含み、
前記エッチング方法は、前記プラズマが、解重合ガス（Ｚ）および炭化水素（ＣｘＨｙ）から選択されるエッチングガスを含む気体混合物から形成されることを特徴とする、方法。
【請求項２】
０．９から１．４の間に含まれる、解重合ガス（Ｚ）の流量に対するエッチングガス（ＣｘＨｙ）の流量の比を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記エッチングガス（ＣｘＨｙ）が、メタンである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記エッチングガス（ＣｘＨｙ）が、エタンである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のポリマー相（２０Ａ）が完全にエッチングされるまで、前記集合ブロックコポリマー層（２０）が前記プラズマに曝露される、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のポリマー相が、有機物（２０Ａ）であり、２０％超の酸素原子の濃度を有し、前記第２のポリマー相（２０Ｂ）が、１０％未満の酸素原子の濃度を有する、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記解重合ガスが、Ｈ２、Ｎ２、Ｏ２、Ｘｅ、ＡｒおよびＨｅから選択される、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、分解能および密度が非常に高いパターンの生成を可能にする、ブロックコポリマー誘導自己集合（ＤＳＡ）の技法に関する。より厳密には、本発明は、ブロックコポリマーからできた第１の相を、ブロックコポリマーからできた第２の相との対比で選択的に除去することを可能にする、エッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学的リソグラフィーには分解能に限界があるため、限界寸法（ＣＤ）が２２ｎｍ未満のパターンを生成するような新規な技法が探求されている。ブロックコポリマーの誘導自己集合は、単純さおよび実施コストの低さを理由として、最も有望な台頭しつつあるリソグラフィー技法の一つであると考えられている。
【０００３】
ブロックコポリマーは、モノマーＡおよびモノマーＢという２種の繰返し単位が、共有結合によって結合し合った鎖を形成する、ポリマーである。例えばこれらのブロックコポリマーの加熱によって、十分な可動性が鎖に与えられている場合、モノマーＡの鎖およびモノマーＢの鎖には、ポリマー相またはポリマーブロックに分離し、特定の組織に再組織化する傾向があるが、この傾向は、モノマーＡとモノマーＢとの比に特に依存する。この比に応じて、Ａの球体をＢのマトリックス中に含ませることもできるし、または代わりに、Ａの円柱をＢのマトリックスに含ませることもできるし、または代わりに、Ａの板とＢの板とが入り組んだ状態にすることもできる。ブロックＡ（またはブロックＢ）のドメインのサイズは、モノマーＡ（またはモノマーＢ）の鎖の長さに正比例する。従って、ブロックコポリマーには、モノマーＡとモノマーＢとの比によって制御可能なポリマーパターンを形成する特性がある。
【０００４】
公知のブロックコポリマーの誘導自己集合（ＤＳＡ）技法は、グラフォエピタキシーおよび化学エピタキシーという２つの区分にまとめ上げることができる。
【０００５】
グラフォエピタキシーは、ガイドと呼ばれる一次パターンを基板の表面上に形成するものであり、これらの一次パターンは、ブロックコポリマー層が堆積される領域を区切っている。ガイドパターンにより、コポリマーのブロックの組織化を制御して、分解能が向上した二次パターンを先述の領域内に形成することができる。ガイドパターンは従来、フォトリソグラフィーによって樹脂層に形成される。
【０００６】
化学エピタキシーを使用するＤＳＡ技法において、基板は、コポリマーにある単一のブロックを優先的に引き寄せる区域、または、コポリマーにある２種のブロックのいずれも引き寄せない中性の区域を生成するように表面の化学的改質を受ける。従って、ブロックコポリマーは、ランダムに組織化されるのではなく、基板の化学的性質の差異に応じて組織化される。基板の化学的改質は特に、例えばランダムコポリマーから形成された「ブラシ層」と呼ばれる中和層のグラフト化によって得ることができる。
【０００７】
ＤＳＡ技法により、異なる種類のパターンを集積回路基板に生成することができる。基板上へのブロックコポリマーの堆積および集合の後には、コポリマーにある２種のブロックのうちの一方、例えばブロックＡを、他方のブロックとの対比で選択的に除去し、これにより、パターンを残りのコポリマー層（ブロックＢ）に形成することによって、二次パターンが現像される。ブロックＡのドメインが円柱である場合、除去後に得られるパターンは、円筒状の穴である。一方、ブロックＡのドメインが板である場合、直線的な溝形のパターンが得られる。次いで、これらのパターンは、基板の表面上へのエッチングによって、誘電性層に直接転写され、または、誘電性層を被覆しているハードマスクに前もって転写される。
【０００８】
ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）およびポリスチレン（ＰＳ）から構成されるブロックコポリマーＰＭＭＡ−ｂ−ＰＳは、文献で最も研究されている。実際、このブロックコポリマーおよび対応するランダムコポリマー（ＰＭＭＡ−ｒ−ＰＳ）の合成は、実施が容易であり、完全に制御下に置かれている。ＰＭＭＡ相の除去は、場合により紫外線への曝露と複合されるウェットエッチングによって実施されてもよいし、またはプラズマを使用したドライエッチングによって実施されてもよい。
【０００９】
酢酸浴中でのＰＭＭＡのウェットエッチングは、ポリスチレンとの対比で非常に選択的な除去技法である。選択性、即ち、ポリスチレンのエッチング率に対するＰＭＭＡのエッチング率の比は、高い（２０：１より大きい）。しかしながら、この技法を用いた場合、エッチング残留物が、エッチング済みコポリマー層上に再堆積され、ポリスチレン層に得られたパターンの一部を閉塞し、この閉塞により、パターンの転写が妨害される。さらに、板形ドメインの場合、ウェットエッチングは、かなりの毛管力によるポリスチレン構造の崩壊を起こす恐れがある。
【００１０】
ドライプラズマエッチングは、ＰＭＭＡの除去ステップに後続するパターンの転写ステップもプラズマエッチングであるため、上記欠点がなく、かなりの経済的な関心を寄せられている。従って、これらの２種のステップには、同じ設備を連続して使用することができる。ＰＭＭＡ相のエッチングに通常使用されるプラズマは、アルゴンと酸素との混合物（Ａｒ／Ｏ２）または酸素とフルオロ炭素ガスとの混合物（例えば、Ｏ２／ＣＨＦ３）から発生させる。しかしながら、これらのプラズマを使用したＰＭＭＡのエッチングは、ポリスチレンとの対比での選択性が、ウェットエッチングにおけるものより格段に低い（それぞれ４．２および３．５である。）態様で実施される。
【００１１】
従って、ＰＭＭＡの（ドライ）エッチングの選択性を高めるために、他のプラズマが開発されてきた。例えば、論文［“Ｈｉｇｈｌｙ  ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  ｅｔｃｈ  ｇａｓ  ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｄｅｓｉｇｎ  ｆｏｒ  ｐｒｅｃｉｓｅ  ＤＳＡＬ  ｄｒｙ  ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｐｒｏｃｅｓｓ”，Ｍ．Ｏｍｕｒａ  ｅｔ  ａｌ．，Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｅｔｃｈ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｆｏｒ  Ｎａｎｏｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ  ＩＩＩ，Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．９０５４，９０５４０９，２０１４］において、著者らは、一酸化炭素（ＣＯ）のプラズマが、事実上無限大の選択性を伴ってＰＭＭＡをエッチングできることを示している。実際、ＰＭＭＡは、ＣＯプラズマによってエッチングされるが、同時に炭素堆積物がポリスチレン上に形成するため、ポリスチレンが影響を受けることはない。
【００１２】
図１は、ＣＯプラズマによるエッチング中における、ＰＭＭＡ層のエッチング深さおよびポリスチレン（ＰＳ）層のエッチング深さを示している、グラフである。図１は、これらの２種の層の方式の差異、即ち、ＰＭＭＡ層の場合のエッチング方式（ポジ型エッチング深さ）およびＰＳ層の場合の堆積方式（ネガ型エッチング深さ）を示している。
【００１３】
上記気体が単独で使用された場合、エッチングから約３０秒で飽和現象が起こり、ＰＭＭＡエッチングが停止する。実際には、堆積方式が、エッチング方式より徐々に支配的になっていき、部分的にエッチングされたＰＭＭＡ層上に炭素層が形成されることによって、ＰＭＭＡエッチングが約１５ｎｍのエッチング深さで停止する。従って、上記単一の気体によって、１５ｎｍ超の厚さのＰＭＭＡをエッチングすることはできない。
【００１４】
この飽和の課題を克服するために、一酸化炭素を、７％以下の濃度の水素（Ｈ２）と混合し、プラズマを、約８０Ｗの分極パワーで発生させる。実際、この気体混合物は、水素の添加によりポリスチレン上への炭素層の堆積が阻害されるため、単独の一酸化炭素のエッチング選択性より格段に低いエッチング選択性を有することが観察されている。次いで、ポリスチレンは、ＰＭＭＡと同時にエッチングされる。この結果として、ポリスチレン層に形成されたパターンが（ＰＭＭＡのドメインの初期寸法に比較して）広がり、これらのパターンを基板に転写することが困難になる。実際、この転写中にマスクとして使用されるポリスチレン層は、厚さが十分ではない恐れがある。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１５】
【非特許文献１】“Ｈｉｇｈｌｙ  ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  ｅｔｃｈ  ｇａｓ  ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｄｅｓｉｇｎ  ｆｏｒ  ｐｒｅｃｉｓｅ  ＤＳＡＬ  ｄｒｙ  ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｐｒｏｃｅｓｓ”，Ｍ．Ｏｍｕｒａ  ｅｔ  ａｌ．，Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｅｔｃｈ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｆｏｒ  Ｎａｎｏｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ  ＩＩＩ，Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．９０５４，９０５４０９，２０１４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明の目的は、コポリマー相またはコポリマーブロックどうしの間での高いエッチング選択性を有し、エッチング深さに関するブロックコポリマーのドライエッチングにいかなる限界もない、ブロックコポリマーのドライエッチング方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明によれば、上記目的は、第１のポリマー相および第２のポリマー相を含む集合ブロックコポリマー層のエッチング方法であって、第１のポリマー相をエッチングするのと同時に、炭素層を第２のポリマー相上に堆積させるように、解重合ガスおよび炭化水素から選択されるエッチングガスを含む気体混合物から形成された集合ブロックコポリマー層がプラズマに曝露されることを含む、方法によって、達成に至る。
【００１８】
炭化水素は、炭素（Ｃ）原子および水素（Ｈ）原子のみから構成される、有機化合物である。炭化水素の実験式は、ＣｘＨｙ、であり、式中、ｘおよびｙが、０ではない自然数の整数である。
【００１９】
一酸化炭素（ＣＯ）と同様に、気体状炭化水素は、解重合ガスと混合された場合、ブロックコポリマーの第１の相をエッチングすることと、炭素堆積物によってコポリマーの第２の相を（エッチングではなく）被覆することとの両方を可能にする、プラズマを発生させることができる。従って、本発明によるエッチング方法は、従来技術の方法と同じくらい選択的であり、ここで、プラズマが、一酸化炭素のみを使用して形成される。しかしながら、ＣＯプラズマによるエッチングとは異なり、炭化水素によるエッチングは、いかなる飽和現象も起こさない。ブロックコポリマーの第１の相のエッチングは、コポリマー層がプラズマに曝露されている限り継続する。言い換えると、本発明によるエッチング方法は、ブロックコポリマー層の厚さに関して限定されない。
【００２０】
好ましくは、エッチング方法は、０．９から１．４の間に含まれる解重合ガスの流量に対するエッチングガスの流量の比を有する。
【００２１】
本発明による方法は、
個別に取り扱われる、または技術的に可能な次の特徴のすべての組合せによって取り扱われる、次の１つ以上の特徴：
・エッチングガスが、メタンであること、
・エッチングガスが、エタンであること、
・第１のポリマー相が完全にエッチングされるまで、集合ブロックコポリマー層がプラズマに曝露されること
・第１のポリマー相が、有機物であり、２０％超の酸素原子の濃度を有すること、
・第２のポリマー相が、１０％未満の酸素原子の濃度を有すること、ならびに、
・解重合ガスが、Ｈ２、Ｎ２、Ｏ２、Ｘｅ、ＡｒおよびＨｅから選択されること
をさらに有してもよい。
【００２２】
本発明に関する他の特徴および利点は、添付の図面への参照により、いかなる限定も加えることがない、提示を目的として下記に与えられている記述から明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】上述したが、一酸化炭素プラズマによるエッチング中のＰＭＭＡ層のエッチング深さおよびポリスチレン（ＰＳ）層のエッチング深さを表している、図である。
【図２】本発明によるエッチング方法の実施前の、集合ブロックコポリマー層の一例を示している、図である。
【図３】炭化水素または解重合ガスによるプラズマへの曝露時間に応じた、ＰＭＭＡ層およびポリスチレン（ＰＳ）層のエッチング深さを示している、図である。
【図４Ａ】本発明によるエッチング方法の最中における、図２のコポリマー層の発展を示している、図である。
【図４Ｂ】本発明によるエッチング方法の最中における、図２のコポリマー層の発展を示している、図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
より分かりやすくするために、同一のまたは類似の要素は、図面のすべてにおいて、同一の参照符号によって標識されている。
【００２５】
図２は、本発明によるエッチング方法によってエッチングされる前の、集合ブロックコポリマーの層２０を示している。コポリマー層２０は、それぞれ２０Ａおよび２０Ｂと表記された第１のポリマー相および第２のポリマー相を含んでおり、これらのポリマー相は、ドメインに組織化されている。層２０のコポリマーは例えば、ジブロックコポリマーＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ、即ち、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）およびポリスチレン（ＰＳ）から構成されるコポリマーである。ここで、ポリマー相２０Ａは、ＰＭＭＡに対応し、ポリマー相２０Ｂは、ポリスチレンに対応する。
【００２６】
このブロックコポリマー層２０を得るための一方法は、中和層２２によって被覆された基板２１上にブロックコポリマーＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡを堆積させるものである。中和層２２により、ブロックコポリマーの集合ステップ中に相２０Ａと相２０Ｂとを分離することができ、言い換えると、コポリマーのドメインを組織化することができる。中和層２２は例えば、ランダムコポリマーＰＳ−ｒ−ＰＭＭＡの層から形成される。好ましくは、ＰＭＭＡ（相２０Ａ）のドメインは、基板２１に対して垂直に配向されており、コポリマー層２０の全厚にわたって延在する。コポリマーＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ中におけるＰＭＭＡとポリスチレンとの比に応じて、ＰＭＭＡのドメインは、円柱形（この場合、円柱状ブロックコポリマーと呼ぶ）または板形（板状ブロックコポリマー）であり得る。
【００２７】
下記のプラズマエッチング方法は、コポリマー層２０の厚さにかかわらず、大部分の酸素原子を含有するコポリマー相（上記例においてはＰＭＭＡ相２０Ａ）を、他方の相（ポリスチレン相２０Ｂ）との対比で選択的にエッチングすることを目的とする。この目的のために、コポリマー層２０は、少なくとも１種の気体状炭化水素ＣｘＨｙおよび下記で「Ｚ」と表記されている解重合ガスを含む混合物から発生したプラズマに曝露される。
【００２８】
図１と同様に、図３は、この種類のプラズマによってＰＭＭＡ層およびポリスチレン（ＰＳ）層に達成した、エッチング時間に応じたエッチング深さを示している。ＣＯプラズマ（図１）と同様に、ＣｘＨｙ／Ｚプラズマは、層の材料に応じた異なる挙動を有する。ＣｘＨｙ／Ｚプラズマは、ＰＭＭＡ層におけるエッチング方式（ポジ型エッチング深さによって表される。）およびＰＳ層に関する堆積方式（ネガ型エッチング深さによって表される。）において作用する。ＣｘＨｙ／Ｚプラズマは、ポリスチレンが、ＰＭＭＡとは異なりエッチングされていない限り、ＰＭＭＡとポリスチレンとの間での高い選択性を達成することができる。図３においては、ＰＭＭＡ層におけるＣｘＨｙ／Ｚプラズマのエッチング深さが飽和に到達しないこともさらに注目できる。対照的に、このエッチング深さは、エッチングが進行するにつれて増大が止まらない。これは、ＣｘＨｙ／Ｚプラズマによるエッチングが、ＣＯプラズマとは異なり、ＰＭＭＡ層の厚さに関して限定されないことを意味する。
【００２９】
図４Ａおよび図４Ｂは、本発明によるエッチング方法によって、ＣｘＨｙ／Ｚプラズマに曝露されたときのコポリマー層２０の発展を示している。コポリマー層２０のＰＭＭＡ相２０Ａが徐々にエッチングされていき、一方で、炭素層２３がポリスチレン相２０Ｂの上に形成する（図４Ａ）。ＣｘＨｙ／Ｚプラズマは、いかなる飽和現象も受けないため、ＰＭＭＡ相２０Ａは、厚さにかかわらず、プラズマをコポリマー層２０上に加え続けることによって、完全にエッチングすることができる（図４Ｂ）。コポリマー層２０の厚さが、２０ｎｍから５０ｎｍの間に含まれる場合、ＰＭＭＡ相２０Ａの完全なエッチングに必要な時間は、２０秒から６０秒の間である。図３の教示によれば、炭素層２３の厚さｈは、ＰＭＭＡのエッチング中に増大する。エッチングが終了したとき、厚さｈは、１ｎｍから３ｎｍの間に含まれ得る。
【００３０】
図４Ｂに示されているが、ＰＭＭＡ相の完全な除去は、パターン２４を層２０に形成し、この時点以降は、ポリスチレン相２０Ｂのみから構成される。円筒状の穴形のまたは直線的な溝形の上記パターン２４が、基板２１を被覆している中和層２２上に出現する。
【００３１】
コポリマー層２０のエッチング方法は、ＣＣＰ（容量結合プラズマ）反応器またはＩＣＰ（誘導結合プラズマ）反応器であるプラズマ反応器内において、単一のステップによって実施されることが有利である。
【００３２】
気体形態の炭化水素は、好ましくは、メタン（ＣＨ４）またはエタン（Ｃ２Ｈ６）等のアルカン、即ち、飽和炭化水素である。この炭化水素のイオンは、ＰＭＭＡポリマーの鎖が含有する酸素を消費することによって、ＰＭＭＡポリマーの鎖を破壊する。これらのイオンもやはり、ポリスチレン上への炭素層２３の形成の原因となるものであるが、ポリスチレンは、酸素を含有しないため、エッチングに影響を受けにくい。解重合ガスのイオンは、この材料を用いて炭化水素の重合レベルを限定することによって、ＰＭＭＡの表面への化学的改質を防止する。言い換えると、これらのイオンは、ＰＭＭＡの表面上へのポリマーの形成を防止する。この結果、炭素層２３は、ＰＭＭＡ相２０Ａを被覆しない。解重合ガスは、例えば、Ｈ２、Ｎ２、Ｏ２、Ｘｅ、ＡｒおよびＨｅから選択される。
【００３３】
炭化水素ガスＣｘＨｙおよび解重合ガスＺは、好ましくは０．９から１．４の間に含まれるＣｘＨｙ／Ｚの比になるように、プラズマ反応器内への流入流量を有する。この流量の比が、すべて高くなっていくほど、炭化水素（ＣｘＨｙ）中の炭素原子の数（ｘ）が大きくなっていく。この流量の比は、メタン（ＣＨ４）の場合、例えば０．９から１．２の間に含まれる。反応器のチャンバに進入する炭化水素の流量および解重合ガスの流量は好ましくは、１０ｓｃｃｍ（「標準状態換算立方センチメートル毎分」の略語。即ち、圧力および温度が標準状態のときに、即ち、０℃の温度および１０１３．２５ｈＰａの圧力において１分当たりで流れる気体のｃｍ３の数値）から５００ｓｃｃｍの間に含まれる。
【００３４】
エッチングプラズマＣｘＨｙ／Ｚに関する他のパラメータは有利には、
・５０Ｗから５００Ｗの間に含まれる、反応器の電源によって出力されるパワー（ＲＦ）、
・５０Ｗから５００Ｗの間に含まれる、基板の分極パワー（ＤＣまたはＲＦ）、
・２．６７Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ）から１６．００Ｐａ（１２０ｍＴｏｒｒ）の間に含まれる、反応器のチャンバ内の圧力
である。
【００３５】
一例として、プラズマは、それぞれ２５ｓｃｃｍおよび２５ｓｃｃｍの流量のメタン（ＣＨ４）と窒素（Ｎ２）とを混合し、４．００Ｐａ（３０ｍＴｏｒｒ）の圧力下で３００Ｗの電源パワーおよび６０Ｗの分極パワーを加えることによって、ＣＣＰ反応器内で発生する。このプラズマは、４０秒で約３０ｎｍの厚さのＰＭＭＡを除去し、同じ時間の経過で３ｎｍの厚さの炭素層をポリスチレン上に堆積させることができる。
【００３６】
ポリスチレンとの対比での、ＣｘＨｙ／ＺプラズマによってＰＭＭＡをエッチングする選択性は、ポリスチレン相２０Ｂが、エッチングされているのではなく、炭素層２３によって被覆されているのであれば、特に高い。様々な試験が実施されてきており、ポリスチレンを消費せずに、５０ｎｍの厚さのコポリマーＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡ層にあるＰＭＭＡ相を完全にエッチングできることを示している。エッチング方法におけるＰＭＭＡまたはＰＳの選択性は、５０以上である。従って、ＰＭＭＡの除去中にパターン２４の限界寸法ＣＤを一定に保つことができる（図４Ｂ）。限界寸法は、ブロックコポリマーの現像によって得られたパターン２４の最小の寸法を意味するように解される。
【００３７】
図１と図３との間にプラズマ条件の差異があるにもかかわらず、ＰＳとの対比で選択的にＰＭＭＡを除去するためのこれらの２種の化学反応は、比較が可能である。図３において、ＣｘＨｙ／Ｚによる化学反応の場合は、図１に提示のＣＯによる化学反応とは異なり、３０秒後でも飽和現象が検出されない。このＰＭＭＡエッチングに飽和がないことには、ポリスチレン上へのわずかな炭素堆積物が伴う。この堆積物は、（中和層２２がむき出しになった後に）基板２１へのパターン２４の転写ステップをかなり容易にし、この転写ステップの後には、ＰＭＭＡ相２０Ａの除去ステップが行われる。実際、この転写中にエッチングマスクとして機能するポリスチレン相２０Ｂは、炭素層２３の存在によって補強されている。エッチングマスクをより厚くすれば、パターン２４の転写を実施するためのプラズマの選択に課される制約を緩和することができる。
【００３８】
例として、コポリマーＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡの利用について記述してきたが、本発明によるエッチング方法は、酸素に富んだ、即ち、２０％超の酸素原子の濃度を有する第１の有機ポリマー相（２０Ａ）、および、酸素に乏しい、即ち、１０％未満の酸素原子の濃度を有する第２のポリマー相（有機または無機）を含む、すべてのブロックコポリマーに適用することができる。これは、ジブロックコポリマーＰＳ−ｂ−ＰＬＡ、ＰＤＭＳ−ｂ−ＰＭＭＡ、ＰＤＭＳ−ｂ−ＰＬＡ、ＰＤＭＳＢ−ｂ−ＰＬＡ等に特に当てはまる。ブロックコポリマーは、円柱型であっても板型であってもよい。
【００３９】
最後に、明白なことであるが、組織化ブロックコポリマー層は、図２との関連で上述した方法と異なる方法によって得ることも可能であり、特に、グラフォエピタキシー、ランダムコポリマー以外の中和層（例えば、自己集合単分子層、ＳＡＭ）を使用した化学エピタキシー、または、グラフォエピタキシーおよび化学エピタキシーを含む複合式の技法によって得ることも可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【国際調査報告】
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2018529233.tif 000009
2018529233.tif 000010
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