(57)【要約】  導電性ナノ粒子で作られる構造体の材料特性が、放射線焼結に続く化学焼結によって高められる。導電性ナノ粒子を、スクリーン印刷、インクジェット、エアロゾル、及びエレクトロスピニング等の方法によって基材に塗布し、次いで基材上の導電性ナノ粒子を焼結することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）基材上に導電性ナノ粒子を堆積させることと、
ｂ）前記基材上の前記導電性ナノ粒子を、放射線焼結に続いて化学焼結によって処理し、焼結構造体を形成することと、を含む、方法。
【請求項２】
前記放射線焼結が、光焼結及び加熱焼結から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記放射線焼結が、光焼結である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記化学焼結が、ハロゲン化物蒸気またはハロゲン化物溶液によって行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ナノ粒子を、エレクトロスピニング、インクジェット、エアロゾル、グラビア印刷、またはスクリーン印刷によって、前記基材上に堆積させる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記基材が、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、環状オレフィンポリマー、トリアセチルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリスチレン、及びガラスから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記基材のＴｇが６０℃〜１７０℃の範囲である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ナノ粒子が、金属、金属酸化物、導電性非金属、またはこれらの混合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記金属が、銀、金、白金、パラジウム、インジウム、ルビジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリジウム、アルミニウム、銅、コバルト、ニッケル、及び鉄から選択される、請求項８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノ粒子で作られる構造体の材料特性を高めるために、ナノ粒子を処理する方法を対象とする。より具体的には、本発明は、ナノ粒子で作られる構造体の材料特性を高めるために、放射線焼結に続いて化学焼結によって、ナノ粒子を処理する方法を対象とする。
【背景技術】
【０００２】
ナノ粒子は、様々な用途、例えば生物学、化学、材料科学、エレクトロニクス、イメージング、及び医薬において、有益な特性を有する。エレクトロニクス産業において、ナノ粒子は、通常触媒、例えば無電解金属メッキに使用される。ナノ粒子は、電磁波（ＥＭＩ）シールド被膜の形成、静電破壊（ＲＦＩ）シールド被膜の形成、及び透明導電材料（ＴＣＭ）のための金属メッシュの形成に使用される。
【０００３】
基材上でのナノ粒子の焼結は、プリンテッドエレクトロニクス、付加製造、または３Ｄ印刷のための新規材料の開発において、ますます重要になってきている。基材上のナノ粒子の堆積は、インクジェット及びエアロゾル印刷、スクリーン印刷、エレクトロスピニング、押出堆積、ならびに標準のバルクコーティング方式、例えばスピンまたはバーコーティングなどの様々な技術を用いて実現することができる。重要な課題は、所望の材料特性、例えば高密度化、強度、導電率、及び光学特性を得るために、ナノ粒子の有効な焼結を実現することである。金属ナノ粒子を焼結するための既知の技術は、加熱、光子的、または化学物質暴露による。しかしながら、ナノ粒子の非効率な焼結は、ナノ粒子から作られる物品の妥協した及び容認できない材料特性をもたらすことがある。更に、過度の焼結、例えば繰り返しの光子的暴露によって、ナノ粒子が堆積する基材に損傷を与えることがある。
【０００４】
基材が熱過敏性である場合、例えば、低温で有効な焼結が実現し得るポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）（Ｔｇ〜６７から８１℃）が必要となる。例えば、金属ナノ粒子インク堆積構造体の焼結には、熱過敏性基材には不適合な長時間の２００℃を超える温度を必要とすることがある。したがって、熱過敏性基材上のナノ粒子を焼結し、基材に損傷を与えずにナノ粒子で作られる物品の材料特性を高める方法が必要である。
【発明の概要】
【０００５】
本方法は、基材上にナノ粒子を堆積させることと、基材上の導電性ナノ粒子を、放射線焼結に続いて化学焼結によって処理し、焼結構造体を形成することと、を含む。
【０００６】
導電性ナノ粒子の放射線焼結に続く化学焼結の組み合わせは、従来の単独で用いられる多くの放射線焼結プロセス及び化学焼結プロセスと比較すると、予想外に焼結構造体の材料特性を改善する。過剰なナノ粒子焼結は、容認できない材料特性を有する焼結構造体をもたらす。したがって、放射線焼結に続いて化学焼結を用いてナノ粒子を焼結することによって作られる焼結構造体の材料特性は、改善の期待はなく、一般に容認できない。しかしながら、放射線焼結に続く化学焼結の組み合わせは、しばしば透過率の向上及びヘイズの減少を伴い、少なくとも焼結構造体の導電率を高める。組み合わせた焼結方法はまた、組み合わせた焼結方法が、基材に損傷を、または基材から焼結構造体の層間剥離を引き起こすことがあるという懸念なく、熱過敏性基材を使用することも可能にする。
【０００７】
放射線焼結に続く化学焼結の方法は、電磁波（ＥＭＩ）シールド被膜の形成、静電破壊（ＲＦＩ）シールド被膜の形成、電気導電性トラックの形成、透明導電材料（ＴＣＭ）のための金属メッシュの形成、付加製造（３Ｄ印刷）、ならびに導電性ナノ粒子が有用な他の分野、で使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】光焼結に続く塩化水素暴露後のシート抵抗［オーム／スクエア］対光焼結後のシート抵抗値［オーム／スクエア］のグラフである。
【図２】光焼結に続く塩化水素暴露後のヘイズ［％］対光焼結後のヘイズ［％］のグラフである。
【図３】光焼結に続く塩化水素暴露後の透過率［％］対光焼結後の透過率のグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本明細書を通して使用される以下の略語は、文脈上明確に示されない限り以下の意味を有する。℃＝セ氏温度、ｇ＝グラム、Ｌ＝リットル、ｍＬ＝ミリリットル、μＬ＝マイクロリットル、ｒｐｍ＝毎分回転数、ｍｓｅｃ＝ミリ秒、Ｄ．Ｉ．＝脱イオン水、Ｈｚ＝ヘルツ、ｍＰａ  ｓ＝ミリパスカル秒、ｓ＝秒、Ｍｗ＝重量平均分子量、Ｍｎ＝数平均分子量、ｍ＝メートル、ｍｍ＝ミリメートル、μｍ＝ミクロン＝マイクロメートル、ｃｍ＝センチメートル、ｎｍ＝ナノメートル、Ω＝オーム、Ωｍ＝オームメートル、ｓｑ＝スクエア、Ｖ＝ボルト、ｋＶ＝キロボルト、ｍＪ＝ミリジュール、μｓ＝マイクロ秒、ＵＶ＝紫外線、ＩＲ＝赤外線、３Ｄ＝三次元、ＳＥＭ＝走査型電子顕微鏡写真、Ｍ＝モル、ＴＧＡ＝熱重量分析、Ｔｇ＝ガラス転移温度、ｗｔ％＝重量パーセント、ｖｏｌ％＝体積パーセント、ＶＦＲｃｏｒｅ＝コア材料の体積流量、及びＶＦＲｓｈｅｌｌ＝シェル材料の体積流量。
【００１０】
「放射線」という用語は、線、波、もしくは粒子の形態で放射されるまたは透過されるエネルギーを意味する。「焼結」という用語は、粒子の粒界が合体し塊が形成されるような、粒子の合体を意味する。「塊」という用語は、材料の凝集を意味する。用語「透過率パーセント（％）」＝Ｉ／Ｉ０×１００であり、式中、Ｉ０＝試料に入る光の強度であり、Ｉ＝試料を出る光の強度である。「ヘイズ」という用語は、光の散乱によって起こる材料の曇り度を意味する。式ＨＣｌ＝塩化水素または塩酸である。「膜」及び「層」は、本明細書を通して互換的に使用される。全てのパーセント値は、特に指定しない限り重量パーセントである。全ての数値範囲は、このような数値範囲が１００％になるように制限されることが論理的であることを除いて、両端の値を含み、任意の順序で組み合わせることができる。
【００１１】
本方法は、基材上にナノ粒子を堆積させることと、基材上のナノ粒子を、放射線焼結に続いて化学焼結によって処理することと、を含む。放射線焼結は、常に最初に実行され、放射線焼結の直後に化学焼結が実行される。放射線焼結と化学焼結の間には介在工程がない。放射線焼結は、光焼結及び加熱焼結を含む。本発明の光焼結方法は、加熱焼結より低温基材との適合性があるため、好ましくは、光焼結が使用される。
【００１２】
光焼結のための光源としては、フラッシュランプ、例えばＵＶからＩＲのスペクトル範囲の出力を有し得るキセノンアークフラッシュランプが挙げられるが、これに限定されない。光焼結は、従来の光子発生装置、例えばＮｏｖａｃｅｎｔｒｉｘまたはＸｅｎｏｎ’ｓ  ＳＩＮＴＥＲＯＮ  Ｐｕｌｓｅｄ  Ｌｉｇｈｔ  ｓｙｓｔｅｍｓからのＰｕｌｓｅｆｏｒｇｅの一群のツールを用いて行うことができる。このような発生器は、ＵＶから短波長ＩＲの広域スペクトルにわたって光を発することができる。光焼結は、定常状態またはパルス光供給で行うことができる。定常状態光供給は、特定位置における滞留時間が短くなるように、ラスター化、またはスキャンすることができる。短い滞留時間は好ましい、なぜならば、本発明の方法は、過剰な加熱が基材に損傷をもたらし、基材に塗布された堆積ナノ粒子構造体の層間剥離を引き起こし得る、低温基材が好ましく使用されるためである。滞留時間は、基材を作る材料及び使用される光供給装置に応じて変わることがある。少数の実験を、特定の光供給装置を用いて滞留時間を決定するために行うことができる。
【００１３】
光焼結プロセスは、ナノ粒子がエネルギーを吸収するように、光子発生器を用いて導電性ナノ粒子に照射することを含む。光焼結では、周囲温度でエネルギーがナノ粒子へ移動し、局所で熱が発生する。光焼結は、ナノ粒子を光化学的に励起状態にする、したがって、ナノ粒子は、ナノ粒子を焼結させる熱を失ってエネルギーを消散する。好ましくは、光子発生器は、短時間で大量のエネルギーを供給することができるフラッシュランプである。好ましくは、ナノ粒子に加えられる光のエネルギーは、１，０００−１０，０００ｍＪ／ｃｍ２の範囲であり、より好ましくは４，０００−８，０００ｍＪ／ｃｍ２である。時間は、好ましくは０．５μｓ〜１ｍｓｅｃ、より好ましくは１μｓ〜５μｓの範囲である。ランプの出力強度は、ランプ電圧によって制御することができる。パルス供給の持続時間は、ランプ閃光幅を介して制御することができる。これらのパラメーターは、それぞれ独立して、ランプアセンブリに接続された電源の総電力供給仕様内で調整することができる。
【００１４】
任意選択で、光焼結の前に、ナノ粒子を有する基材に、マスクを付けることができる。マスクは、選択的に基材の一部を覆い、他の部分を露出したままにし、それにより、光焼結の間、光を当てることで、露出したナノ粒子を有する基材のこれらの部分のみが焼結される。
【００１５】
加熱焼結は、基材と共にナノ粒子を、一定の高温環境に置くことが、光焼結と異なる。加熱焼結は、オーブン、赤外線源、加熱ランプ、または熱エネルギーをナノ粒子及び基材に移動させる他の熱供給系で行うことができる。加熱焼結温度は、好ましくは３０°〜２００℃未満、より好ましくは５０℃〜１５０℃の範囲である。本発明の加熱焼結温度は、従来の加熱焼結温度より低くして、低温基材への損傷を防止する。導電性ナノ粒子及び基材の加熱焼結での暴露時間は、好ましくは３０秒〜３０分、より好ましくは６０秒〜１０分の範囲である。
【００１６】
ナノ粒子及び基材が、２つの放射線焼結方法のうちの１つによって処理された後に、ナノ粒子は、部分的に凝集する。次いで、介在プロセスなしで、ナノ粒子または基材の材料特性に影響を与え得る化学焼結によって処理される。
【００１７】
化学焼結は、室温で放射線焼結されたナノ粒子と基材を、ハライド化合物の蒸気または溶液に暴露することによって行われる。このような化合物は、塩化物、臭化物、フッ化物、及びヨウ化物イオンの供給源である。ハライド化合物溶液の溶媒としては、水、アルコール、ケトン、及びこれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されない。アルコールとしては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、及びｔｅｒｔ−ブチルアルコールが挙げられるが、これらに限定されない。ケトンとしては、アセトンが挙げられるが、これに限定されない。好ましくは溶媒は水である。ハロゲン化物溶液の濃度は、１０重量％〜６０重量％、好ましくは１５重量％〜５０重量％、より好ましくは２０重量％〜４０重量％の範囲である。ハロゲン化物イオンの供給源としては、塩化水素、臭化水素、フッ化水素、ヨウ化水素、及びハロゲン化物塩、例えばアルカリ金属塩、例えば塩化リチウムが挙げられるが、これらに限定されない。ハロゲン化物供給源が、アルカリ金属ハロゲン化物の場合、溶液の溶媒は、水と有機溶媒の混合物である。有機溶媒としては、グリコール、グリコールエーテル、グリコールエーテルアセテート、ケトン、エステル、アルデヒド、アルコール、及びアルコキシル化アルコールが挙げられるが、これらに限定されない。通常、グリコール、例えばエチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、及びジプロピレングリコール；グリコールエーテル、例えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、及びエチレングリコールモノメチルエーテル；ならびにアルコール、例えばエタノール、メタノール、イソプロパノール、及びｔｅｒｔ−ブチルアルコール。
【００１８】
部分的に凝集した導電性ナノ粒子を有する基材は、ハロゲン化物溶液に浸す、または溶液の蒸気に暴露することができる。溶液を加熱して、発煙性ハロゲン化物蒸気を発生させることができる。好ましくは部分的に凝集した導電性ナノ粒子をハロゲン化物蒸気に暴露して、より好ましくは発煙性ハロゲン化物蒸気に暴露して、焼結方法を完了する。化学焼結は、通常は、１分〜２４時間にわたって行われる。部分的に凝集したナノ粒子が、ハロゲン化物蒸気、好ましくは発煙性ハロゲン化物蒸気によって化学焼結された場合、導電及び光学特性における改善、例えば透過率の増加及びヘイズの減少が、１分〜５分の時間にわたって急速に起こる。しかしながら、発煙性ハロゲン化物蒸気を用いて焼結した後のナノ粒子の保存時に、焼結したナノ粒子の導電率は、通常２４時間にわたって改善し続ける。
【００１９】
化学焼結方法後、焼結構造体または膜は、平滑な外観を有する完全に凝集したナノ粒子を有する。これ以上の焼結工程は実行されない。焼結構造体または膜は、２０Ω／スクエア以下、通常は７−１０Ω／スクエアの低いシート抵抗、８０％以上、通常は８０−９０％のより高い透過率％、及び１２％以下、通常は２−５％の低いヘイズ％を有する。シート抵抗は、従来の方法及び装置、例えばＤｅｌｃｏｍ  ７３７コンダクタンスモニターによって測定することができる。透過率パーセント及びヘイズパーセントも、従来の方法及び装置、例えばＨｕｎｔｅｒｌａｂ  Ｕｌｔｒａｓｃａｎ  ＶＩＳ計器によって測定することができる。
【００２０】
導電性ナノ粒子は、当該技術分野において既知の様々な従来の方法によって調製することができる。ナノ粒子の調製において構想される方法に制限はない。
【００２１】
ナノ粒子としては、導電材料、例えば金属、金属酸化物、及び非金属、例えばグラファイト、グラフェン、及びカーボンブラックが挙げられる。ナノ粒子に用いられる導電材料は、好ましくは金属である。金属としては、銀、金、白金、パラジウム、インジウム、ルビジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリジウム、アルミニウム、銅、コバルト、ニッケル、及び鉄が挙げられるが、これらに限定されない。金属は、好ましくは銀、金、パラジウム、及び銅である。銀、金、及び銅が、より好ましい金属の選択である。銀は、熱力学的により安定な、すなわち耐腐食性の金属の１つであるため、最も好ましい金属の選択である。
【００２２】
導電性ナノ粒子は、１つ以上のキャッピング剤を用いて安定化またはキャップされ、ナノ粒子の不必要な凝集を防止することができる。多くの従来のポリマーキャッピング剤は、当該技術分野において既知であり、利用可能または文献に記載されているプロセスによって作ることができる。キャッピング剤は、好ましくは、ポリメチルメタクリレートまたはメタクリル酸とｎ−ブチルメタクリレートのランダムコポリマーである。キャッピング剤は、最も好ましくは、骨格鎖に沿って親水性及び疎水性部分を有し、２０，０００ｇ／モル未満、好ましくは１，０００−１０，０００ｇ／モル、より好ましくは２，０００−６，０００ｇ／モルの低いＭｗを有するメタクリル酸とｎ−ブチルメタクリレートのランダムコポリマーである。通常は、導電性ナノ粒子は、基材に塗布する前に、水、有機溶媒、または水と有機溶媒の混合物に分散している。
【００２３】
ナノ粒子分散液中に含まれ得る任意の添加剤は、例えば緩衝剤、潤滑剤、湿潤剤、ワックス、樹脂類、界面活性剤、着色剤、レオロジー改質剤、増粘剤、及び接着促進剤を含むが、これらに限定されない特定の用途のための分散液を調整させる。添加剤は、当業者によって既知の従来量で、分散液に含めることができる。ナノ粒子分散液は、好ましくはこのような添加剤を含まない。
【００２４】
本発明の方法に用いられる基材は、様々な既知の基材から選択することができる。基材は、好ましくは熱過敏性基材である。このような熱過敏性基材は、６０℃〜１７０℃、好ましくは６０℃〜１００℃の範囲のＴｇを有する。基材は、好ましくは透明導電性基材及び透明非導電性基材の両方を含む様々な既知の透明基材から選択される透明基材である。透明基材は、好ましくはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリスチレン（ＰＳ）（例えば、２軸延伸ポリスチレン）、及びガラス（例えば、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇから入手可能であるＧｏｒｉｌｌａ（登録商標）ガラス及びＷｉｌｌｏｗ（登録商標）ガラス）からなる群から選択される。透明基材は、より好ましくはガラス、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、及びポリメチルメタクリレートからなる群から選択される。透明基材は、最も好ましくはポリエチレンテレフタレートである。
【００２５】
インクジェット印刷は、連続インクジェット方式またはドロップオンデマンド方式であってもよい。連続方式は、ポンプを用いてインクを連続的に噴射すると同時に、電磁場を変化させることによってインクの方向を調節する印刷方式である。ドロップオンデマンドは、電子信号で、必要なときのみインクを分注する方式である。ドロップオンデマンドは、電気によって機械的な変化を引き起こす圧電プレートを用いて圧力を発生させる圧電インクジェット方式、熱によって生成する泡の膨張によって発生する圧力を用いるサーマルインクジェット方式に分類することができる。インクジェットインクナノ粒子分散液について従来のパラメーターは、当該技術分野においてよく知られており、本発明のインクジェットインクナノ粒子分散液に用いることができる。しかしながら、特定の分散液についてのインクジェットパラメーターの固有の設定は、異なる場合があり、特定のナノ粒子分散液について所望のインクジェット特性を得るために少数の実験を伴うことがある。
【００２６】
インクジェット印刷方式とは対照的に、エアロゾル方式は、最初にインクのエアロゾルを形成する。エアロゾルは、プリントヘッドに取り付けられている加圧ノズルを用いて、加圧ノズルを介して基材に誘導される。エアロゾルは、集束ガスと混合され、集束された形態で加圧ノズルに運ばれる。インクを分注するための集束ガスの使用は、ノズルの目詰まりの確率を低下させ、またインクジェット装置を用いるよりも、精細な堆積及びより大きなアスペクト比の形成を可能とする。従来のエアロゾルのパラメーターは、ナノ粒子分散液を塗布するために使用することができるが、所望の特性を得るために少数の実験を伴うことがある。
【００２７】
エレクトロスピニング、例えば同軸エレクトロスピニングは、ナノ粒子分散液を基材に堆積させるために使用することができる。一般に、同軸エレクトロスピニングは、水、有機溶媒、これらの混合物中に分散されたナノ粒子を含むインクコア成分、及び水、有機溶媒、２つ混合物中のポリマー溶液の混合物からなるシェルを、中央開口部及び周囲の環状開口部を有する共環状ノズルを介して供給することを含み、インクコア成分は中央開口部を介して供給され、シェルは周囲の環状開口部を介して供給される。好ましくは、周囲の環状開口部を介して供給されるシェル材料の体積流量ＶＦＲｓｈｅｌｌの、中央開口部を介して供給されるコア材料の体積流量ＶＦＲｃｏｒｅに対する比率は、流動方向に垂直な周囲の環状開口部の断面積ＣＳＡａｎｎｕｌａｒの、流動方向に垂直な中央開口部の断面積ＣＳＡｃｅｎｔｅｒに対する比率以上である。より好ましくは、以下の式が、プロセス条件によって満たされる。ＶＦＲｓｈｅｌｌ／ＶＦＲｃｏｒｅ≧１．２＊（ＣＳＡａｎｎｕｌａｒ／ＣＳＡｃｅｎｔｅｒ）。インクジェット及びエアロゾル塗布と同様に、同軸エレクトロスピニングのパラメーターは、従来のものであってもよく、所望の特性を得るために少数の実験を伴うことがある。このようなプロセスの例は、Ｕ．Ｓ．２０１４／０１３１０７８に開示されている。
【００２８】
更に発明を例証するために、以下の実施例が含まれるが、発明の範囲を制限することを意図しない。
【００２９】
実施例１
ナノ粒子の合成
銀ナノ粒子及びインクを、以下のように調製した。最初に、水／プロピレングリコール混合物（１０：９０重量／重量）中の、親水性及び疎水性を有し、メタクリル酸からの部分４７モル％及びｎ−ブチルメタクリレートからの部分５３モル％を有する、メタクリル酸／ｎ−ブチルメタクリレートのランダムコポリマー２０重量％のキャッピング溶液２３．６ｇを、反応フラスコに配置し、ジエタノールアミン３１５ｇ、プロピレングリコール１１４ｇ、及び追加の脱イオン水２０ｇをフラスコに添加した。ランダムコポリマーの重量平均分子量は、ポリスチレン較正との関連でのゲル透過クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で決定したところ、４，０００ｇ／モルであった。混合物を５００ｒｐｍの速度で、１時間撹拌し、透明な溶液を得た。溶液のｐＨは、約８であった。次いで、調製したばかりの硝酸銀溶液（６７ｍＬ、脱イオン水中５０重量％溶液）を、室温で激しく撹拌しながら（１，０００ｒｐｍの撹拌速度）、反応混合物に急いで添加した。硝酸銀溶液の添加により、茶色がかった沈殿物が形成され、即座に再溶解した。次いで、反応混合物の温度を１５分間で７５℃に昇温し、３時間反応させた。反応の終了時に、混合物の色が、高濃度の銀ナノ粒子を示すこげ茶色に変化した。
【００３０】
反応混合物を冷却し、アセトン５００ｍＬを添加し、溶液から固体材料の沈殿を促進した。上澄みをデカントし、フラスコの底にあるペーストを、水／１−プロポキシ−２−プロパノール（７５／２５重量／重量）８００ｍＬで再分散し、１００００ｒｐｍで１時間遠心分離した。遠心分離の結果生じた固体ケーキを、周囲条件で乾燥し、ナノ粒子材料約５０ｇを得た。この材料の純度を、ＴＧＡ（空気下で６００℃まで加熱）で決定したところ、９８重量％を超える銀であった。粒子の粒径を、ＳＥＭ画像解析によって複数の画像を用いて測定した。平均径が５６ｎｍであることが判明した。
【００３１】
実施例２
ナノ粒子分散液の調製
乾燥したナノ粒子（＞９８重量％銀純度）４５ｇを、ボールミルジャー（３５ｍＬ）に入れ、分散溶媒（水／１−プロポキシ−２−プロパノール／ｔｅｒｔ−ブタノール３５／１５／５０重量混合物）１８ｇを添加した。混合物を１５Ｈｚで３時間ボールミル処理した。この処理により、ＴｈｅｒｍｏＦｉｓｈｅｒのＲＳ６００レオメーターで測定したところ、約３０ｍＰａ  ｓの粘度を有する７０重量％の銀ナノ粒子インク約２５ｍＬをもたらした。レオメーターは、２５ｍｍ直径を有する平行の備品及び１ｍｍのギャップ高さを有していた。測定は２０℃で実行した。
【００３２】
実施例３
透明基材上でのナノ粒子分散液の同軸エレクトロスピニング
コア成分として実施例２の銀ナノ粒子分散液、及びイソプロパノールと水の６５：３５重量／重量混合物中の５．２５重量％のポリエチレンオキシド（Ｍｎ＝４００ｋｇ／モル）のシェル成分をエレクトロスピンするために、単一同軸ノズルを備えたエレクトロスピニングマシン（ＩＭＥ  ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓのＭｏｄｅｌ  ＥＣ−ＤＩＧ）を使用した。使用されたノズルは、０．４ｍｍの直径で、材料流動の方向に垂直な円形断面のある内側開口部、及び０．６ｍｍの内側直径及び１．２ｍｍの外側直径を有する、材料流動の方向に垂直な環状断面のある、内側開口部と同軸の外側開口部、を有する同軸ノズル（ＩＭＥ  ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓのＥＭ−ＣＡＸ）であった。
【００３３】
材料をスピンする際、同軸ノズルの内側開口部を介してコア成分を供給し、同軸ノズルの外側開口部を介してシェル成分を供給した。コア及びシェル成分を、独立したシリンジポンプ（ＩＭＥ  ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓのＥＰ−ＮＥ１）を用いて、ＶＦＲｓｈｅｌｌ／ＶＦＲｃｏｒｅの流量比率が１０：１になるように、コア成分の体積流量ＶＦＲｃｏｒｅ及びシェル成分の体積流量ＶＦＲｓｈｅｌｌを制御しながら、同軸ノズルを介して供給した。エレクトロスピニングプロセスを、気候制御実験室内の周囲大気条件下の２０℃及び相対湿度２５−３５％で、実行した。
【００３４】
基材は、１８８μｍ厚さ×１２．７ｃｍ幅×３０．５ｃｍ長さの、透明で、柔軟な、Ｈｅｗｌｅｔｔ−Ｐａｃｋａｒｄから入手可能なＨＰ５２ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムであった。基材を、ＩＭＥ  ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓのＭｏｄｕｌｅ  ＥＭ−ＲＤＣの回転ドラムコレクターの回転ドラムに巻きつけた。
【００３５】
スピン操作の残りのパラメーターは以下である。回転基材と針の間の距離を１１ｃｍに設定した。ノズルを５ｋＶに設定した。基材の下のプレートを−０．２ｋＶに設定した。回転ドラムコレクターのドラム回転速度（ｙ軸）を５００−１，０００ｒｐｍに設定した。針走査速度（ｘ軸）を５ｍｍ／秒に設定した。針走査距離を１２ｃｍに設定した。総スピン時間を４分に設定した。銀ナノ粒子金属メッシュを、ＰＥＴ基材上に形成した。基材上のナノ粒子ワイヤメッシュの直径は、約５μｍ±１μｍであった。
【００３６】
実施例４
銀ナノ粒子塗布ＰＥＴフィルムのラインの光焼結
５ｃｍ×２．５ｃｍの試料フィルムを、実施例３によって、同軸エレクトロスピニングを介して銀ナノ粒子のラインが堆積された基材から切り出した。次いで、試料を７ｍ／分の速度のコンベヤベルト上で、ＮｏｖａｃｅｎｔｒｉｘのＰｕｌｓｅｆｏｒｇｅ  ３１００光子発生器を通って供給した。光子発生器を、６０７６ｍＪ／ｃｍ２の光のエネルギーを発生する連続モードで、３Ｈｚの周波数で２，０００μｓパルスを生成するために２００Ｖに設定した。光子発生器から出る試料は、金属メッシュ透明伝導体であった。
【００３７】
銀メッシュ試料のシート抵抗を、Ｄｅｌｃｏｍ  ７３７コンダクタンスモニターを用いて測定し、透過率％及びヘイズ％を、Ｈｕｎｔｅｒｌａｂ  Ｕｌｔｒａｓｃａｎ  ＶＩＳ計器で測定した。結果を下記の表に示す。
【００３８】
【表１】
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【００３９】
実施例５
銀ナノ粒子塗布ＰＥＴフィルムのラインの光焼結及び化学焼結
次いで、実施例４の銀メッシュ試料を、換気フード下で、３７％の塩化水素水溶液を含むビーカーからの塩化水素蒸気に１分間暴露し、化学焼結した。２４時間後のシート抵抗、透過率％、及びヘイズ％を測定した。結果を表２に示す。
【００４０】
【表２】
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【００４１】
光焼結、及び光焼結に続いて塩化水素蒸気を用いる化学焼結についてのそれぞれのパラメーターの値を図１〜３にプロットした。
【００４２】
上記表及び図１に示されるように、光焼結に続いて塩化水素による化学焼結によって処理された試料は、光焼結のみと比較して、シート抵抗が低下した。光焼結、及び光焼結に続く化学焼結についてのヘイズ％が同じである試料２を除いて、試料を両方の焼結方法によって処理した場合、ヘイズ％は低下した。両方の焼結方法を用いることによって、透過率％のいくらかの増加を示した。最も注目に値する結果が、試料に光焼結次いで化学焼結の両方を実行した後のシート抵抗の低下において観察され、それゆえ試料の導電率が増加した。
【００４３】
実施例６
銀ナノ粒子塗布ＰＥＴフィルムのラインの化学焼結
上記のように、銀ナノ粒子及び銀ナノ粒子分散液を調製した。銀ナノ粒子分散液を、実施例３で上述したように同軸エレクトロスピニングによって、ＰＥＴフィルムに塗布した。銀ライン試料を下記の表に示すように処理した。
【００４４】
【表３】
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【００４５】
ＨＣｌ蒸気及びＨＣｌ浸漬実験は、表１及び２で記載されている試料と同等のシート抵抗を有する試料をもたらした。しかしながら、化学処理のみの試料は、そのより低い透過率が示すように、より多量の堆積したナノ粒子を含有していたことは留意が必要である。この結果、材料の最終シート抵抗は、焼結でより低い理論上の最小値を有することが予期される。
【００４６】
試料が最初に光焼結、続いて化学焼結によって焼結された、実施例５の焼結方法、表２は、ヘイズ％＝１１．３を有する表２の実施例１を除いて、表３で化学処理された全ての試料に対して改善されたヘイズ％を示した。実施例５の表２の試料１及び５の光焼結に続いてＨＣｌ蒸気を用いて化学焼結によって処理された、化学焼結の１時間後に測定した試料のシート抵抗は、化学処理のみの試料のシート抵抗よりかなり低かった、したがって、この２つの試料は、化学焼結のみのこれらの試料より高い導電率を有していた。実施例５の表２の試料２−４は、溶液が２重量％イソプロピルアルコールまたは２重量％水のいずれかのＬｉＣｌ溶液への浸漬による化学焼結ナノ粒子より低いシート抵抗を有していた、したがって、ＬｉＣｌ溶液を用いての化学焼結のみのナノ粒子より高い導電率を有していた。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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