(57)【要約】  基材を処理する電子線加工装置が提供されている。装置は、加熱の際に複数の電子を生成するフィラメントを含むチャンバ内において収容された電子線生成組立体を有する。又、装置は、薄箔を通じてチャンバから外に複数の電子を導くように構成された箔支持組立体を有することもできる。装置は、複数の電子が基材を貫通し、且つ、化学反応を生成するように、薄箔の近傍において基材を通過させるように構成された加工組立体を更に有することができる。薄箔と基材との間の空隙の距離は、調節可能であり得る。
2018529094.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材を処理するための電子線加工装置であって、
加熱の際に複数の電子を生成するフィラメントを含むチャンバ内において収容された電子線生成組立体と、
薄箔を通じて、且つ、前記チャンバから外に、前記複数の電子を導くように構成された箔支持組立体と、
前記複数の電子が、前記基材を貫通し、且つ、前記基材上における化学反応を生成するように、前記薄箔の近傍において前記基材を通過させるように構成された加工組立体と、
前記薄箔と前記基材との間に配置されている空隙であって、前記空隙の距離は、調節可能である、空隙と、
を具備する装置。
【請求項２】
前記加工組立体は、前記薄箔の近傍において前記基材を通過させるように構成された一つ以上のローラを含み、且つ、前記空隙の前記距離は、前記薄箔との関係において前記一つ以上のローラの位置を変更することにより、調節可能である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記一つ以上のローラに対して動作自在に接続された空圧システムを更に含み、前記空圧システムは、前記一つ以上のローラの前記位置を調節するように構成されている、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記空隙の前記距離は、前記基材との関係において前記薄箔の位置を変更することにより、調節可能である、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記空隙の前記距離は、前記薄箔及び前記基材の両方のものの前記位置を相互の関係において変更することにより、調節可能である、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記空隙の前記距離の調節は、前記電子線生成組立体の動作電圧、前記基材のタイプ、前記基材の厚さ、又は前記基材を前記薄箔の近傍において通過させる速度のうちの少なくとも一つに基づいて判定される、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記電子線生成組立体の動作電圧を制御し、且つ、
少なくとも部分的に前記動作電圧に基づいて前記空隙の前記距離を調節する、
ように構成されたコントローラ、を更に含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記空隙の前記距離は、手動調節可能であり、且つ、前記動作電圧は、手動調節可能である、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記コントローラは、前記基材に関する入力を受け取るように構成されており、且つ、前記入力に基づいて前記動作電圧及び前記空隙の前記距離を自動的に調節するように構成されている、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記空隙内の空気温度を示す信号を生成するように構成された温度センサを更に含み、前記温度センサは、前記信号を前記コントローラに送信するように構成されており、且つ、前記コントローラは、前記信号に基づいて前記空隙の前記距離を自動的に調節するように構成されている、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
前記加工組立体は、前記薄箔に対して平行に前記薄箔の近傍において前記基材を通過させるように構成された一つ以上のローラを有するノンチルロールシステムを含み、且つ、前記空隙の前記距離は、前記薄箔との関係における前記一つ以上のローラの位置を変更することにより、調節可能である、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記加工組立体は、前記薄箔の近傍において前記基材を通過させるように構成されたチルドラムを含み、前記基材は、前記薄箔の近傍を通過するのに伴って、前記チルドラムの円弧の外形を辿り、且つ、前記空隙の前記距離は、前記チルドラムの位置を変更することにより、調節可能である、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
電子線加工装置によって基材を処理する方法であって、
電子線生成組立体を使用し、前記組立体のチャンバ内において配置されたフィラメントを加熱することにより、複数の電子を生成するステップと、
箔支持組立体内において配置された薄箔を通じて前記チャンバから外に前記複数の電子を導くステップと、
前記複数の電子が、前記基材を貫通し、且つ、前記基材上において化学反応を生成するように、前記薄箔の近傍において前記基材を通過させるべく構成された加工組立体内に前記基材を通過させるステップと、
前記薄箔と前記基材との間に配置されている空隙の距離を調節するステップと、
を具備する方法。
【請求項１４】
前記加工組立体は、前記薄箔の近傍において前記基材を通過させるように構成された一つ以上のローラを含み、且つ、前記空隙の前記距離を調節するステップは、前記薄箔との関係において前記一つ以上のローラの位置を調節するステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記一つ以上のローラの前記位置決めを調節するステップは、空圧システムを使用するステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記空隙の前記距離を調節するステップは、前記基材との関係において前記薄箔の位置を変更するステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記空隙の前記距離を調節するステップは、製造運転の前に実行される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記空隙の前記距離は、前記電子線生成組立体の動作電圧、前記基材のタイプ、前記基材の厚さ、又は前記基材を前記薄箔の近傍において通過させる速度のうちの少なくとも一つに基づいて判定される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記電子線生成組立体の動作電圧を調節するステップを更に具備する、請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記動作電圧を調節するステップ及び前記空隙の前記距離を調節するステップは、コントローラによって制御されている、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
基材のタイプを前記コントローラに入力するステップを更に具備し、前記コントローラは、前記動作電圧及び前記空隙の前記距離を自動的に調節するように構成されている、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
温度センサを使用して前記空隙内の空気温度を計測し、且つ、前記空気温度を前記コントローラに伝達するステップを更に具備し、前記空隙の前記距離を調節するステップは、少なくとも部分的に前記空気温度に基づいている、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記加工組立体は、前記薄箔に対して平行に前記薄箔の近傍において前記基材を通過させるように構成された一つ以上のローラを有するノンチルロールシステムを含み、且つ、前記空隙の前記距離は、前記薄箔との関係における前記一つ以上のローラの位置を変更することにより、調節可能である、請求項１３に記載の方法。
【請求項２４】
前記加工組立体は、前記薄箔の近傍において前記基材を通過させるように構成されたチルドラムを含み、前記基材は、前記薄箔の近傍を通過するのに伴って、前記チルドラムの円弧の外形を辿り、且つ、前記空隙の前記距離は、前記チルドラムの位置を変更することにより、調節可能である、請求項１３に記載の方法。
【請求項２５】
基材を処理する電子線加工装置であって、
複数の電子を生成するように構成された電子線生成組立体と、
薄箔を通じて前記複数の電子を導くように構成された箔支持組立体と、
前記薄箔の近傍において前記基材を通過させるように構成された加工組立体と、
を具備し、
前記薄箔と前記基材との間に配置されている空隙は、調節可能である、装置。
【請求項２６】
調節可能な空隙を具備する、基材を処理する電子線加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、電子線装置を対象とし、且つ、更に詳しくは、調節可能な空隙を有する電子線装置を対象とする。
【背景技術】
【０００２】
電子線加工装置は、一般に、例えば、電子線（ＥＢ：Electron Beam）の形態の高度に加速された電子に基材又は被覆を曝露させ、基材又は被覆上において化学反応を生成するべく、使用されている。
【０００３】
電子は、すべての物質内において見出される負に帯電した粒子である。電子は、惑星が太陽の周りを回っているのとまったく同様に、原子の核の周りを回っている。二つ以上の原子は、電子を共有することにより、一つに結合して分子を形成する。ＥＢ加工においては、電子線を使用することにより、様々な製品及び材料の分子構造を変更している。例えば、電子を使用することにより、特別に設計された液体被覆、インク、ゴム、及び接着剤を改質することができる。ＥＢ加工の際に、電子は、結合を破壊し、且つ、帯電した電子及び自由ラジカルを形成する。次いで、これらのラジカルは、結合して大きな分子を形成する。このプロセスにより、液体が固体に変換される。この加工は、重合と呼称されている。
【０００４】
ＥＢ加工によって処理される液体被覆は、印刷インク、ワニス、シリコーン剥離被覆、プライマ被覆、感圧接着剤、障壁被覆、障壁層、及びラミネーティング接着剤を含み得る。又、ＥＢ加工は、いずれもＥＢ処理に対して反応するように特別に設計された紙、プラスチック薄膜、基材（例えば、不織布基材を含む）、及びポリマー材料（エラストマなど）などの固体材料の物理特性を改質及び改善すべく、使用することもできる。
【０００５】
電子線加工装置は、一般に、電子線が生成され得る真空チャンバゾーン、電子加速器ゾーン、加工ゾーンという、三つのゾーンを含むことができる。真空チャンバ内において、タングステンフィラメントをタングステンの電子放出温度である約２４００Ｋに加熱することにより、電子雲を生成することができる。次いで、正の電圧差を真空チャンバに印加することにより、これらの電子を抽出すると共に同時に加速させることができる。その後に、電子は、薄箔を通過すると共に加工ゾーンに進入することができる。薄箔は、真空チャンバと加工ゾーンとの間の障壁として機能している。加速された電子は、薄箔を通じて真空チャンバを離脱し、且つ、大気状態の加工ゾーンに進入する。
【０００６】
加工ゾーンに進入した加速された電子は、処理対象である基材まで導かれる。薄箔支持組立体と基材を支持するドラム又はその他の装置との間には、空隙が存在しており、電子は、基材に到達するべく、この空隙を横断する。電子線システムにおける空隙の距離は、電子線装置及び加工組立体（例えば、基材を供給するローラ又はドラム）の位置決めに基づいて固定されている。空隙距離は、例えば、動作電圧、製品、加工速度などのような、いくつかの意図された加工変数に基づいて設定することができる。
【０００７】
更に最近になって、相対的に低い電圧（例えば、１１０ｋＶ以下）と相対的に高い電圧（例えば、１１０ｋＶ以上）との両方において、向上した効率によって動作する電子線加工装置が開発されている。これらのシステムのいくつかの例は、特許文献１、特許文献２、特許文献３、及び特許文献４に記述されており、これらの特許文献の内容は、引用により、そのすべてが本明細書に包含される。
【０００８】
電子線加工装置における進歩及び改善にも拘らず、高電圧と低電圧との両方において動作する際に効率を維持する能力を有すると共に、様々な製品を加工する際に効率を維持する能力を有する、相対的に多様な電子線加工装置に対するニーズが存在している。本開示は、改善された電子線加工装置及び動作方法を対象としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】米国特許第６４２６５０７号明細書
【特許文献２】米国特許第６６１０３７６号明細書
【特許文献３】米国特許第７０２６６３５号明細書
【特許文献４】米国特許第７３４８５８０号明細書
【発明の概要】
【００１０】
一実施形態においては、本開示は、基材を処理するための電子線加工装置を対象としている。装置は、加熱の際に複数の電子を生成するフィラメントを含むチャンバ内において収容された電子線生成組立体を含むことができる。又、装置は、複数の電子を、薄箔を通じてチャンバから外に導くように構成された箔支持組立体を含むこともできる。装置は、複数の電子が、基材を貫通し、且つ、化学反応を生成するように、薄箔の近傍において基材を通過させるように構成された加工組立体を更に含むことができる。薄箔と基材との間の空隙の距離は、調節可能である。
【００１１】
別の実施形態においては、本開示は、電子線加工装置によって基材を処理する方法を対象としている。方法は、組立体のチャンバ内のフィラメントを加熱することにより、電子線生成組立体を使用して複数の電子を生成するステップを含むことができる。又、方法は、チャンバから外に、且つ、箔支持組立体内において配置されている薄箔を通じて、複数の電子を導くステップを含むことができる。方法は、複数の電子が、基材を貫通し、且つ、化学反応を生成するように、基材を加工組立体内に供給し、且つ、基材を薄箔の前面において通過させるステップを更に含むことができる。又、方法は、薄箔と基材との間の空隙の距離を調節するステップを含むというものでもある。
【００１２】
別の実施形態においては、本開示は、調節可能な空隙を有する基材を処理するための電子線加工装置を対象としている。
【００１３】
本明細書に包含されると共にその一部分を構成している添付図面は、本開示のいくつかの実施形態を例示しており、且つ、説明と共に、本開示の原理を説明するべく機能する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、例示用一実施形態による電子線加工装置の一部分の概略図である。
【図２】図２は、電子線の電圧プロファイルの概略図である。
【図３】図３は、例示用一実施形態による電子線加工装置の一部分の概略図である。
【図４】図４は、二つの異なる空隙距離における深さ線量のプロットである。
【図５】図５は、二つの異なる動作電圧における深さ線量のプロットである。
【図６】図６は、例示用一実施形態による電子線加工装置の一部分の概略図である。
【図７】図７は、例示用一実施形態による電子線加工装置の一部分の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本明細書において使用されている「約（about）」又は「ほぼ（Approximately）」という用語は、例えば、計測システムの制限などの、値が計測又は判定される方式に部分的に依存することになる、当業者によって判定される特定の値の受け入れ可能な誤差範囲内にあることを意味している。例えば、「約」は、当技術分野における実施において１以上の標準偏差内にあることを意味し得る。或いは、この代わりに、「約」は、所与の値の、最大で１０％、最大で５％、及び最大で１％などのように、最大で２０％の範囲を意味し得る。
【００１６】
図１は、例示用の一実施形態による電子線加工装置１００を概略的に示している。電子線加工装置１００は、電源１０２と、電子線生成組立体１１０と、箔支持組立体１４０と、加工組立体１７０と、を含むことができる。電源１０２は、広範囲の動作電圧において電力を供給するように構成することができる。例えば、いくつかの実施形態においては、電源１０２は、約１１０ｋＶ以下（例えば、低電圧）において電力を供給してもよく、或いは、いくつかの実施形態においては、電源１０２は、約１１０ｋＶ以上（例えば、高電圧）において電力を供給してもよい。いくつかの実施形態においては、電源１０２は、約１１０ｋＶ〜３００ｋＶを加工装置１００に対して提供することができる。いくつかの実施形態においては、電源１０２は、約６０ｋＶ〜１１０ＫＶを加工装置１００に提供することができる。電源１０２は、高電圧を電子線生成組立体１１０に提供して電子を生成するべく、電気的に絶縁された鋼チャンバ内において配置された複数の電気変圧器を含む市販のタイプのものであってもよい。
【００１７】
電子線生成組立体１１０は、真空環境である容器又はチャンバ１１４内において維持することができる。チャンバ１１４は、密封された容器から構築することができる。約１０-6トールのレベルの真空環境を生成するべく、（図３に示されている）真空ポンプ２１２を提供することができる。チャンバ１１４の真空環境の内部において、電源１０２からフィラメント１１２に電力を送り、これにより、フィラメント１１２を加熱させることにより、電子雲をフィラメント１１２の周りにおいて生成することができる。
【００１８】
加熱された際に、フィラメント１１２は、白熱すると共に電子雲を生成することができる。電子は、負に帯電していることから、電子は、フィラメント１１２から相対的に高電圧のエリアに引き出すことができると共に、極めて大きな速度に加速させることができる。いくつかの実施形態においては、フィラメント１１２は、１本又は複数本のワイヤから構築されてもよく、これらのワイヤは、例えば、タングステンから製造されてもよい。
【００１９】
図１及び図２に示されているように、電子線生成組立体１１０は、抽出器グリッド１１６と、端子グリッド１１８と、反射器プレート１２０と、を含むことができる。反射器プレート１２０は、電子を抽出器グリッド１１６に向かって反射するように構成することができる。反射器プレート１２０は、図２に示されているように、電子線の意図された方向から離れるようにフィラメント１１２から逃避する電子を収集するべく、例えば、フィラメント１１２のものよりもわずかに低いものなどの、異なる電圧において動作することができる。
【００２０】
抽出器グリッド１１６は、例えば、フィラメント１１２の電圧よりも高いものなどの、わずかに異なる電圧において動作することができる。抽出器グリッド１１６は、フィラメント１１２から離れるように電子を吸引すると共にそれらを端子グリッド１１８に向かって導くことができる。抽出器グリッド１１６は、雲から引き出される電子の量を制御するように構成されていてもよく、この電子の量により、電子線の強度が決定される。
【００２１】
端子グリッド１１８は、一般に、抽出器グリッド１１６と同一の電圧において動作することができ、且つ、端子グリッド１１８は、箔支持組立体１４０を通過するための極めて大きな速度に電子が加速する前の、電子のための最後のゲートウェイとして機能するように構成することができる。
【００２２】
図１及び図２に示されているように、電子線加工装置１００は、真空チャンバ１１４を離脱した電子が箔支持組立体１４０を通過し得るように、構成されてもよく、この場合に、電子は、薄箔１４２を通過すると共に加工組立体１７０まで導かれてもよく、そこで、電子は、基材１０を貫通することにより、化学反応を生成する。化学反応は、例えば、重合、架橋結合、又は殺菌を含むことができる。いくつかの実施形態においては、電子の速度は、１０００００マイル／秒以上ほどに大きいものであってもよい。箔支持組立体１４０は、一連の平行な銅製リブ（図示されてはいない）から構成することができる。薄箔１４２は、図１に示されているように、箔支持組立体１４４の外側に堅固にクランプされてもよく、且つ、チャンバ１１４の内部において漏れ防止真空封止を提供するように構成されていてもよい。
【００２３】
高速電子は、銅製リブの間を、薄箔１４２を通じて、且つ、加工対象である基材１０内に、自由に通過することができる。同時に、チャンバ１１４内部の真空状態と加工組立体１７０の周辺状態との間の圧力差に耐えるのに十分な機械的強度を提供しつつ、過度なエネルギー損失を極小化するべく、薄箔１４２は、可能な限り薄く製造することができる。いくつかの実施形態においては、箔支持組立体の薄箔１４２は、例えば、チタニウム又はその合金から製造されてもよく、且つ、約１２マイクロメートル以下の厚さ（例えば、１０マイクロメートル、９マイクロメートル、又は８マイクロメートル）を有することができる。いくつかの実施形態においては、薄箔１４２は、アルミニウム又はその合金から構築されてもよく、且つ、約１５マイクロメートル以下の厚さを有することができる。
【００２４】
加工組立体１７０は、基材１０を、薄箔１４２を過ぎるように導くべく構成された複数のコンポーネント及びメカニズムを含むことができる。保護ライニングにより、排気されたチャンバ１１４及び加工組立体１７０などの加工装置１００の周囲を取り囲むことができる。保護ライニングは、電子が物質中において減速する際に生成されるＸ線の実質的にすべてを吸収するように構成することができる。保護ライニング用に選択される厚さ及び材料は、少なくとも部分的に、望ましいＸ線の吸収率により、判定することができる。
【００２５】
線量とは、単位質量当たりにおいて吸収されるエネルギーであり、且つ、メガラッド（Ｍｒａｄ）の観点において計測されるが、これは、１．４カロリー／グラムに等しい。吸収される電子の相対的に大きな数は、相対的に大きな線量値を反映している。適用の際に、望ましい線量は、通常、被覆の材料及び硬化対象の基材の深さによって判定される。例えば、ライスペーパーから製造されると共に２０グラム／ｍ2の質量密度を有する基材上の被覆を硬化させるには、５Ｍｒａｄの線量が必要とされ得る。或いは、この代わりに、ゴムから製造されると共に約１０００グラム／ｍ2又は約２０００グラム／ｍ2の質量密度を有する基材を硬化させるには、それぞれ、７又は１０Ｍｒａｄの線量が必要とされ得る。線量は、以下の式によって表現されるように、抽出される電子の数である動作ビーム電流に正比例すると共に、基材の供給速度に反比例している。
線量＝Ｋ・（Ｉ／Ｓ）
ここで、Ｉは、ｍＡｍｐを単位として計測される電流であり、Ｓは、フィート／分を単位として計測される基材の供給速度であり、且つ、Ｋは、比例定数であって、これは、加工装置の機械収率、或いは、その特定の加工装置の出力効率を表している。
【００２６】
供給される線量の値及び線量供給の場所は、例えば、薄箔の厚さ、空隙のサイズ、電子線加工装置を動作させる電圧などの様々な変数を調節することにより、操作することができる。望ましい線量の値及び場所は、基材及び組立体の使用法に基づいて算出することができる。例えば、低動作電圧は、通常、相対的に薄い基材の表面を硬化させるべく、相対的に薄い箔との関連において使用されている。相対的に低い電圧によれば、電子は、相対的に低速の速度において運動し、且つ、相対的に小さな空隙及び相対的に薄い箔によれば、相対的に小さな空気中における電子エネルギー損失が箔及び空隙内において発生することになる。これは、表面において、相対的に大きな、線量の堆積と、従って、収率効率と、を結果的にもたらすことになり、且つ、基材内において、相対的に浅い線量貫通を結果的にもたらすことになる。対照的に、相対的に高い動作電圧は、通常、相対的に低い表面線量及び相対的に深い線量貫通を実現するべく、相対的に厚い基材において使用されている。相対的に高い電圧によれば、エネルギー損失に関する懸念が相対的に小さく、従って、表面線量を減少させると共に相対的に深い基材深さにおいて供給される線量を増大させるべく、相対的に大きな空隙及び相対的に厚い箔を使用することができる。
【００２７】
図１は、その他のものに加えて、薄箔１４２の近傍において基材１０を供給するように構成された少なくとも第一ローラ１８１及び第二ローラ１８２を含む加工組立体１７０の一実施形態を示している。図１に示されているように、相互の関係における加工組立体１７０（例えば、ローラ１８１及び１８２）の位置決め及び箔支持組立体１４０（例えば、薄箔１４２）の位置決めは、薄箔１４２と基材１０との間の距離１５０を定義することができる。距離１５０は、本明細書において空隙及び／又は製品間隙と呼称される場合がある。
【００２８】
薄箔１４２を通じて加速された電子は、基材１０を貫通する前に、空隙１５０を横断することができる。電子が空隙１５０に跨って移動するのに伴って、電子が空気中において停止すると共にエネルギー転送が発生し、その結果、電子の減速及び停止からの熱増大がもたらされることに起因して、存在している空気が加熱状態となり得る。薄箔１４２に隣接している、空隙１５０内の空気の温度は、薄箔１４２の寿命に影響を及ぼし得る。例えば、空隙１５０内の空気温度が極端に熱くなった場合には、その結果、薄箔１４２の寿命が低減され、これにより、早期の障害に結び付き得る。空隙１５０内の空気温度は、例えば、電子の速度及び空隙１５０の距離を含む様々なパラメータに依存し得る。例えば、空隙１５０の距離が大きいほど、電子が空隙１５０の距離を通過するのに伴って、低エネルギー電子が停止及び減速されることによって生成される熱の増大に起因して、空気温度が熱くなる。これに加えて、電子が空気を通過するのに伴って、電子は、停止及び／又は減速し得ると共に、運動量伝達に起因してエネルギーを喪失し得る。従って、相対的に大きな空隙は、電子が空気を通じて移動しなければならない距離を増大させることになり、その結果、その距離における電子エネルギーの損失が大きくなり、相対的に小さな空隙は、電子が移動する距離を低減することになり、その結果、エネルギーの損失が小さくなる。
【００２９】
又、電子線加工装置１００の適切な空隙１５０距離を判定する際には、その他の要因を考慮することもできる。例えば、最小空隙１５０は、基材１０に基づいて確立することができる。例えば、箔１４２と基材１０との間の最小空隙１５０距離は、基材１０が、薄箔１４２及び／又は箔支持組立体１４０と干渉又は接触することなしに、薄箔１４２の近傍を通過し得るようなものであってもよい。最小空隙１５０は、基材１０のタイプ及び／又は基材１０の厚さに基づいて変化し得る。又、粒子線生成組立体１１０の（いくつかの用途用の基材内における特定の貫通深さ要件に起因して選択される）動作電圧も、電子線加工装置１００用の空隙１５０を判定する際に考慮される別の要因であり得る。例えば、相対的に低い電圧（例えば、１１０ｋＶ〜１２５ｋＶ）においては、電子の空気中におけるエネルギー損失を極小化するべく、低減された空隙１５０を有することが好ましい場合がある。相対的に低い電圧においては、浅い電子エネルギー深さ要件に起因して、空隙距離に起因したエネルギー損失に関する懸念が大きなものとなり得る。対照的に、高い電圧（例えば、１２５ｋＶ〜３００ｋＶ）においては、電子の空気中におけるエネルギー損失に関する懸念は、相対的に小さなものとなり、且つ、従って、空隙１５０の距離を増大することができる。いくつかの実施形態においては、相対的に高い電圧の場合には、効率（Ｋ値）を極大化し、その結果、固定された線量において相対的に大きな製品速度を得るべく、増大した空隙が望ましい場合がある。
【００３０】
従来の電子線加工装置は、固定された既定距離の空隙１５０を有する。空隙１５０の距離は、その特定の装置の意図されている使用法に基づいて、システム設計の時点において算出することができる。例えば、理想的な空隙は、効率（Ｋ値）を極大化して望ましい商用プロセス速度を許容するべく、動作電圧を固定する意図された基材製品に基づいて算出されてもよく、且つ、装置は、それらの特定の基準について算出された空隙を反映するように構築される。この結果、例えば、基材及び基材を硬化させるための深さなどのパラメータのいずれかが後から変更され、且つ、従って、望ましい動作電圧が変化した場合に、空隙１５０の距離は、もはや、新しい製品又は動作電圧にとって最適なものではなくなり、その結果、効率の損失が生じ得る。
【００３１】
図４に示されている例においては、２２ｍｍの空隙と、１２ミクロンの厚さを有する薄箔と、を有する従来の電子線加工装置は、２５０グラム／ｍ2の深さにおいて製品を硬化させるべく、３００ＫＶにおいて動作することができる。これらの条件下において、ユーザは、基材の表面における１００％の線量と、２５０グラム／ｍ2の深さにおける１００％の線量と、を実現することができる。但し、市場の変化に起因して、例えば、２５グラム／ｍ2だけ増大させることにより、合計厚さが２７５グラム／ｍ2に増大するなどのように、基材製品の変更が必要となる場合がある。２７５グラム／ｍ2において１００％の線量を維持するためには、従来の方式によれば、効率の損失の少なくとも一部分をリカバーするべく、印加電圧を増大させることが必要となり、或いは、異なる厚さの薄箔を設置することが必要となろう。但し、電圧設定の調節は、システムが既に最大電圧（例えば、３００ｋＶ）において動作している場合には、可能とはなり得ず、且つ、薄箔の変更も、望ましいものとはなり得ず、その理由は、薄箔の変更は、時間集約的であり（例えば、４〜６時間）、且つ、薄箔を置換するためのシステムのシャットダウンは、（例えば、製造時間の損失に起因して）経済的に実行可能ではないからである。
【００３２】
電子線加工装置１００は、例示用の一実施形態によれば、空隙１５０の距離が調節可能となるように構成されることにより、この問題を解決している。空隙１５０を調節する能力は、単一の装置１００を使用して実現され得る貫通範囲を拡幅し、且つ、製造速度及び機械のアップタイムを最適化しつつ、これを実行する。電子線加工装置１００を使用することにより、ユーザは、新しい製品要件を充足するべく、空隙１５０を容易に調節できるようになり得る。例えば、加工装置１００を使用することにより、空隙が１９ｍｍに調節されてもよく、且つ、次いで、装置は、１２ミクロンの薄箔１４２厚さにより、３００ｋＶにおいて動作してもよく、これにより、図４に示されているように、２７５グラム／ｍ2の深さにおいて１００％の線量を得ることができる。
【００３３】
図４においては、ｘ軸は、貫通の深さを示し、且つ、ｙ軸は、電子がどれだけのエネルギーを失っているのかを示している。曲線の勾配が空隙の変化に伴って変化していることに留意されたい。本明細書において記述されているように、薄箔１４２は、効率の損失の少なくとも一部分をリカバーするべく、異なる厚さの薄箔によって置換されてもよいが、薄箔の変更は、時間集約的であり（例えば、４〜６時間）、且つ、薄箔を置換するためのシステムのシャットダウンは、（例えば、製造時間の損失に起因して）望ましいものではなく、且つ、商業的に実行可能ではない。空隙が１９ｍｍに調節された場合には、相対的に大きな貫通が得られ、且つ、空気損失を低減することによって表面電子吸収を増大させ、且つ、１０〜１５グラム／ｍ2の範囲内において薄いインク及び被覆を硬化させるための機械収率を増大させ、これにより、基材内の電子線貫通を制限することにより、相対的に低い電圧が支援される。
【００３４】
いくつかの用途においては、製品基材が、例えば、１００ｋＶ未満を必要とする非常に浅い電子貫通を必要としている場合があり、その理由は、その製品が、表面のみの線量と、基材内の非常に限られた貫通と、を必要としているからである。いくつかの電子線加工システムにおいては、最小動作範囲が１００ｋＶである場合に、問題が結果的に生じ得るであろう。但し、本明細書において記述されているプロセス装置１００は、空隙を増大させることができ、これにより、最小機械能力が１００ＫＶであるにも拘わらず、事実上、電子貫通を１００ｋＶ未満に制限し得る。
【００３５】
図５は、従来の空隙が固定された電子線加工装置の更なる欠点を実証している。この従来の電子線加工装置は、１００〜２００ｋＶのＥＢにおいて動作し、２２ｍｍの固定された空隙を有し、且つ、１２．５ミクロン箔を使用している。これらの条件において厚さが１００グラム／ｍ2である接着剤を硬化させるべく２００ｋＶにおいて動作することにより、１００グラム／ｍ2において＞９５％の線量を吸収することができる。又、この装置のユーザは、この場合にも、浅い電子貫通要件に起因して、１２１ｋＶという相対的に低い動作電圧において硬化される必要がある別の製品をも有する場合がある。このケースにおいては、ユーザは、７５グラム／ｍ2の深さにおいて配置された非常に放射線の影響を受けやすい基材上において２０グラム／ｍ2の接着剤を硬化させることができる。相対的に深いベース基材は、なんらの放射線をも許容しえない場合がある。図５に示されているように、１２１ｋＶにおいて機械を動作させることにより、７５グラム／ｍ2においてゼロの線量を投与しつつ、２０グラム／ｍ2において８０％の必要とされる線量が実現されている。但し、空隙が、この低電圧動作のために１９ｍｍに低減された場合には、これらの低電圧における空気中のエネルギー損失が極小化されることになり、これは、表面線量を増大させることによって機械効率を増大させることになり、その結果、相対的に大きな製品速度が得られ、これにより、これは、更に商業的に実行可能なものとなろう。そして、同時に、深さ線量プロファイルの勾配が相対的に鋭いものとなり、その結果、線量が、７５グラム／ｍ2の深さにおいてほとんどゼロに制限されることになろう。従って、大きなダウンタイムに起因し、薄箔の変更ではなく、空隙の調節のほうが相対的に経済的なものとなろう。
【００３６】
例えば、１９ｍｍの空隙及び１２１ｋＶの電圧において、１２．５ミクロンの箔を有する電子線加工装置１００を使用することにより、線量測定によって計測される、正規化された１の収率が生成されることになろう。その一方において、２２ｍｍという調節された空隙及び１２１ｋＶの電圧と共に１２．５ミクロン箔を使用することにより、線量測定によって計測される、正規化された０．９の収率線量が生成されることになろう。従って、この例においては、空隙を低減することにより、１２１ｋＶにおいて動作する際に、機械効率が１０％だけ増大することになろう。
【００３７】
別の例においては、同一の機械上において２００ｋＶ及び１００グラム／ｍ2において機械効率を最適化するべく、空隙を増大させることができよう。一例においては、線量測定結果によって計測される、機械効率は、２２ｍｍの空隙及び２００ｋＶの電圧と共に１２．５ミクロンの箔を使用することにより、正規化された状態で、１．０７となろう。同一の機械上において１９ｍｍの空隙及び２００ｋＶの電圧と共に１２．５ミクロンの箔を使用することにより、正規化された状態で、１．０の効率が結果的に得られることになろう。この例においては、電子は、低減された空隙を使用して製品基材に接近した際に、電子がさもなければ相対的に大きな空隙によって得るものよりも、大きなエネルギーを有することができる。低減された空隙によれば、電子は、減速又は停止する相対的に乏しい傾向を有することになり、且つ、その代わりに、基材と遭遇した際に、基材を通じた運動を継続するのではなく、線量を堆積させることになろう。この結果、機械収率が、２００ｋＶにおいて、相対的に小さな空隙の場合よりも、相対的に大きな空隙の場合に、相対的に大きなものとなろう。低電圧の場合には、反対の状況が観察されることになり、この場合には、電子は、相対的に大きな空隙に跨って運動する際に、減速することになり、且つ、基材表面と遭遇した際に、堆積することになろう。従って、様々な製品要件及びその電子貫通深さによって判定される低電圧である７０ｋＶから相対的に高い電圧である３００ｋＶまで変化するこれらの多様なＥＢ機械上において、調節可能な空隙が必要とされている。
【００３８】
いくつかの状況においては、電子線加工装置を使用する製造者は、開始時点において、自身が、電子貫通の異なる深さを必要とすると共に、従って、様々な異なる電圧における動作を必要とする様々な異なる基材を加工することになることを知っている場合がある。これらの状況においては、空隙の距離は、従来、一つの基材タイプ及びその電子深さ要件と、従って、電圧と、に基づいて算出されており、或いは、空隙の距離は、基材タイプの平均値及び平均深さ要件と、従って、電圧と、に基づいて算出することができる。但し、空隙の距離を算出するべく使用される方法とは無関係に、しばしば、装置は、最適未満の空隙において動作することになり、この結果、効率が低減される。
【００３９】
本明細書において記述されているように、永久的に設定された間隙を有する電子線加工装置は、印加される電圧を変更することによって貫通深さ範囲を拡幅することができるが、電圧を単純に変更して異なる貫通深さ範囲を実現すれば、製造速度及び箔寿命にも影響を及ぼすことになり、その結果、最終的に収率が低減される。例えば、１２．５ミクロンの箔を伴うなどのように、相対的に小さな貫通の深さと、従って、相対的に低い電圧と、において、動作することはできるが、以前の特許において教示されているように、これらの相対的に低い電圧において箔によって吸収されるエネルギーが格段に増大することになる。これは、結果的に得られるｍＡを制限しない限り、早期の箔障害を結果的にもたらすことになり、且つ、相対的に低い収率との組合せにおいて、相対的に小さな製品速度を結果的にもたらし、その結果、この技術は、商業的に実行不能となる。本明細書において記述されているように、別の選択肢は、様々な基材が加工されるのに伴って、ウィンドウ箔を変更することにより、薄箔の厚さを変更するというものであるが、本明細書において記述されているように、ウィンドウ箔の変更には、時間を所要する。
【００４０】
電子線加工装置１００は、例示用の一実施形態によれば、空隙１５０の距離が調節可能となるように構成されることにより、この課題を解決している。空隙１５０を調節する能力は、単一の装置１００によって実現され得る貫通範囲を拡幅し、且つ、製造速度及び機械のアップタイムを最適化しつつ、これを実行する。印加される電圧の変更と共に、薄箔１４２と基材１０との間の距離を変更することが可能であることにより、装置１００は、熱負荷、製造速度、及びアップタイム収率における差をも許容しつつ、単一の装置に伴う供給されるエネルギーの線量及び線量貫通深さを相対的に緊密に制御することができるようになる。これを実行することにより、装置１００は、様々な基材タイプ及び使用法に効率的に対応することできる。装置１００は、現時点の技術を使用しては実現できない方式により、線量貫通及びエネルギーの異なる深さをそれぞれが必要としている多数の製品用の相対的に広範な加工能力を可能にすることができる。
【００４１】
いくつかの実施形態においては、空隙１５０の距離は、加工組立体１７０の一つ以上のコンポーネントの位置決めを変更することにより、調節可能であり得る。いくつかの実施形態においては、空隙１５０の距離は、薄箔１４２の位置決めが同一の状態において留まりつつ、基材１０の位置が変化するように、薄箔１４２との関係において基材１０の位置決めを変更することにより、調節可能であり得る。いくつかの実施形態においては、空隙１５０の距離は、基材１０の位置決めが同一の状態に留まりつつ、薄箔１４２の位置が変化するように、薄箔１４２の位置を変更することにより、調節可能であり得る。いくつかの実施形態においては、空隙１５０の距離は、薄箔１４２及び加工組立体１７０の一つ以上のその他のコンポーネントの両方のものの位置を変更することにより、調節可能であり得る。
【００４２】
いくつかの実施形態においては、装置１００が、厚さが約５０グラム／ｍ2である製品を硬化させている際には、電子の速度及び運動エネルギーを低減するべく、例えば、１５０ｋＶなどに電圧を低減することが望ましい場合がある。又、相応して、装置１００は、空気中のエネルギー損失が相対的に小さくなり、これにより、表面線量が増大すると共に表面上における線量の最適化が可能となるように、空隙１５０の距離を低減するべく制御することもできる。この最適化は、製造速度の増大を許容することができ、これは、通常、望ましい。いくつかの実施形態においては、装置１００が、１０ミクロン及び５ミクロンの薄箔１４２厚さと共に、更に低い電圧（例えば、約１１０ｋＶ及び６０７０ｋＶ）において稼働することにより、効率及び線量を２０〜３０％だけ増大させることができる。これは、電子の散乱角度の変化に帰することができる。散乱角度については、米国特許第４９５２８１４号明細書において詳細に記述されており、この特許文献の内容は、引用により、そのすべてが本明細書において包含される。
【００４３】
いくつかの実施形態においては、１０ミクロンの薄箔１４２厚さを有する装置１００は、約１００ｋＶ〜約１２５ｋＶの電圧において動作する際に、約９．５ｍｍの空隙１５０を有するように構成されてもよく、且つ、約６０ｋＶ〜約１００ｋＶの電圧において動作する際には、約７．５ｍｍの空隙１５０を有することができる。いくつかの実施形態においては、１２．５ミクロンの薄箔１４２厚さを有する装置１００は、約１００ｋＶ〜約１５０ｋＶの電圧において動作する際には、約９．５ｍｍの空隙１５０を有するように構成されてもよく、且つ、約１５０ｋＶ〜約２００ｋＶの電圧において動作する際には、約１９ｍｍの空隙１５０を有するように構成されてもよい。いくつかの実施形態においては、１２．５ミクロンの薄箔１４２厚さを有する装置１００は、約１２５ｋＶ〜１５０ｋＶの電圧において動作する際には、約９．５ｍｍの空隙１５０を有するように構成されてもよく、且つ、約１５０ｋＶ〜３００ｋＶの電圧において動作する際には、約１９ｍｍの空隙１５０を有するように構成されてもよい。いくつかの変数（例えば、基材タイプ、基材厚さ、望ましい動作速度など）に応じて、その他の空隙１５０距離及び動作の範囲（例えば、電圧、及び薄箔厚さ）が利用され得るものと想定される。
【００４４】
図１に示されている電子線加工装置１００は、加工組立体１７０の一つ以上のコンポーネントの位置を調節することによって空隙１５０の距離を調節するように構成することができる。例えば、加工組立体１７０は、基材１０が薄箔１４２の近傍を通過する高さを判定し、これにより、空隙１５０の距離を判定するように構成され得る第一ローラ１８１及び第二ローラ１８２を含むことができる。いくつかの実施形態においては、図１に示されているように、基材１０は、円周の約２５％だけ、第一ローラ１７１の周囲に巻き付くことにより、約９０度の旋回を実施し、且つ、第二ローラ１８２に到達する時点まで、粒子線生成組立体１１０及び薄箔１４２の下方において移動してもよく、第二ローラ１８２において、円周の約２５％だけ巻き付き、且つ、別の９０度の旋回を実施してもよい。二つのローラ１８１、１８２が示されているが、基材１０を導くべく、二つを上回る数のローラ又は二つ未満の数のローラが利用され得るものと想定される。又、いくつかの実施形態においては、一つ以上のローラとの関連において、コンベヤベルトが使用されてもよい。
【００４５】
第一ローラ１８１及び第二ローラ１８２は、第一ローラ１８１及び第二ローラ１８２に装着された第一調節メカニズム１９１及び第二調節メカニズム１９２を含むことができる。第一調節メカニズム１９１及び第二調節メカニズム１９２は、それぞれ、第一ローラ１８１及び第二ローラ１８２の位置を調節するように構成することができる。例えば、第一調節メカニズム１９１及び第二調節メカニズム１９２は、軸Ｙに沿った第一ローラ１８１及び第二ローラ１８２の位置決めを調節するように構成されたアクチュエータであってもよい。第一調節メカニズム１９１及び第二調節メカニズム１９２は、例えば、液圧アクチュエータ、空圧アクチュエータ、電気アクチュエータ、又は任意のその他の適切なタイプのアクチュエータであってもよい。空圧アクチュエータが使用される際には、圧縮空気が加工又は製造施設内において空圧システムによって供給されてもよい。
【００４６】
図３は、空隙１５０の調節可能な距離を提供するように構成され得る電子線加工装置１１００の別の例示用の実施形態を示している。装置１１００は、装置１１００が、基材１０の位置の調節ではなく、薄箔１４２の位置を調節するように構成され得るという点を除いて、本明細書において記述されている装置１００と実質的に同一であってもよい。例えば、箔支持組立体１４０は、軸Ｙに沿った箔支持組立体１４０及び薄箔１４２の位置決めを調節するように構成された調節メカニズム１８０を含むことができる。調節メカニズム１８０は、例えば、液圧、空圧、電気アクチュエータ、又はその他の類似の作動を利用することができる。箔支持組立体１４０及びチャンバ１１４は、チャンバ１１４内の真空の完全性を維持しつつ、軸Ｙに沿った箔支持組立体１４０の運動を許容するように、結合させることができる。いくつかの実施形態においては、電子線加工装置は、ローラの位置決めを調節する調節メカニズムのみならず、薄箔の位置決めを調節する調節メカニズムの両方を含み、これにより、薄箔、基材、又はこれらの両方を運動させることによる調節を可能にし得る。従って、装置は、基材１０を調節するべく、調節メカニズム１９１、１９２のみを含んでいてもよく、薄箔１４２を調節するべく調節メカニズム１８０のみを含んでいてもよく、或いは、基材１０及び／薄箔１４２の両方を調節するべく、両方の調節メカニズム１９１、１９２、及び１８０を含んでいてもよい。これに加えて、調節メカニズムのタイプは、同一のものであってもよく（例えば、空圧、液圧、電気）、或いは、調節メカニズムが異なっていてもよい。いくつかの実施形態においては、一つのコンポーネントのみが一時点において調節されてもよいが、装置は、例えば、冗長性のために、或いは、任意のその他のパラメータに基づいて、薄箔１４２又は基材１０が調節されることを許容するように構成されていてもよい。
【００４７】
電子線加工装置１００、１１００は、装置１００、１１００の動作を制御するべく、コンピュータ化されたマイクロプロセッサなどのコントローラ２００を更に含むことができる。コントローラ２００は、限定を伴うことなしに、チャンバ１１４内の必要とされる真空環境の維持、操作者からの入力の受け取り、既定の電圧及びフィラメント電力によるシステム動作の開始、一定の処理レベルを維持するためのプロセス速度との間の電子生成の同期化、空隙１５０の距離を設定するための調節メカニズム（例えば、１９１、１９２、１８０）の制御、及びシステム機能が設定限度を超過した又はインターロック問題が検出された際の警告及び／又はアラームの提供を含む、いくつかのプロセスを制御するように構成されていてもよい。調節メカニズムは、手動であってもよく、或いは、自動化されていてもよい。例えば、ユーザが基材パラメータを入力してもよく、且つ、装置１００、１１００が自動的に調節されてもよい。いくつかの実施形態は、基材１０又は装置１００、１１００の一つ以上の特性を検出するように構成された一つ以上のセンサを含んでいてもよく、且つ、それらの特性に基づいて調節を自動的に実施してもよい。但し、自動的である場合にも、装置１００、１１００は、手動によるオーバーライドを含むことができる。
【００４８】
いくつかの実施形態においては、装置１００、１１００は、空隙１５０内の空気温度を示す信号を生成する温度センサ３００を更に含んでいてもよく、且つ、温度センサ３００は、信号をコントローラ２００に送信するように構成されていてもよい。いくつかの実施形態においては、コントローラ２００は、センサ３００からの信号に基づいて空隙１５０の距離を調節するように構成されていてもよい。又、装置１００、１１００は、例えば、基材の重量又は厚さ又は装置の実際の動作電圧を検出するように構成されたものなどのその他のセンサを含むこともできる。
【００４９】
いくつかの実施形態においては、電子線加工装置１００、１１００は、以下のように動作することができる。真空ポンプ２１２は、加工装置１００が十分な動作状態となり得る約１０-6トールの真空レベルを実現するべく、チャンバ１１４から空気を排気することができる。反射器プレート１２０、抽出器グリッド１１６、及び端子グリッド１１８を含む電子生成組立体１１０は、電子の放出を開始すると共に箔支持部１４４及び薄箔１４２を通じた電子の通過をガイドする三つの独立的に制御された電圧において設定されてもよい。コントローラ２００は、反射器プレート１２０、抽出器グリッド１１６、及び／又は端子グリッド１１８の電圧を制御するように構成することができる。いくつかの実施形態においては、操作者が電圧を手動で入力してもよく、或いは、いくつかの実施形態においては、操作者が一つの動作電圧のみを入力してもよく、且つ、コントローラ２００が、異なるコンポーネントの独立的な動作電圧を自動的に判定してもよい。いくつかの実施形態においては、操作者が基材タイプ及び／又は動作速度のみを入力してもよく、且つ、コントローラ２００が、その入力に基づいて動作電圧を判定してもよい。
【００５０】
又、装置１００、１１００の動作は、本明細書において記述されているように、薄箔１４２と基材１０との間の空隙の距離を調節するステップを含むことができる。空隙１５０の距離は、例えば、動作の開始の前に、調節することができる。いくつかの実施形態においては、空隙１５０の距離は、動作の際に調節することができる。いくつかの実施形態においては、コントローラ２００は、空隙１５０の距離の設定点が、電子線生成組立体の動作電圧、基材１０のタイプ、基材１０の厚さ、及び／又は望ましい製造速度（即ち、基材１０の速度）のうちの少なくとも一つに基づいて判定され得るように、構成することができる。いくつかの実施形態においては、操作者が、コントローラ２００を使用して空隙１５０の距離を入力又は設定することができる。いくつかの実施形態においては、操作者が基材１０のタイプをコントローラ２００に入力してもよく、且つ、コントローラ２００が、最適な動作電圧及び空隙１５０の最適な距離を自動的に判定するように構成されていてもよい。又、いくつかの実施形態においては、コントローラ２００は、電子線出力が基材１０の供給速度に比例するように、生成される電子の量を調節することもできる。電子線加工装置１００、１１００は、高精度の仕様を実現するように、較正されてもよく、その理由は、コントローラが、基材１０上における望ましい硬化の正確な深さレベルを提供し得るからである。コントローラ２００は、線量及び基材１０内への電子貫通の深さを算出することができる。電圧が高いほど、電子速度及び結果的に得られる貫通が大きくなる。
【００５１】
電子線加工の際には、排気されたチャンバ１１４内部の電界の組合せが、電子を接地（０）電位にある箔支持部１４４の薄箔１４２に向かってガイド及び加速させる「プッシュ／プル」効果を生成し得る。生成される電子の量は、抽出器グリッド１１６の電圧に正比例し得る。低速の製造速度において、相対的に大きな電圧が印加され得る際には、抽出器グリッド１１６は、大きな速度の場合よりも、（例えば、コントローラ２００によって）低い電圧において設定されてもよい。抽出器グリッド１１６の電圧の増大に伴って、フィラメント１１２から引き出される電子の量も増大し得る。
【００５２】
例えば、インク、接着剤、及びその他の被覆などの、硬化対象の被覆は、一般に、液体状態から固体状態への化学的変換を生成するべく、低酸素環境を必要としている。従って、いくつかの実施形態においては、電子線加工装置１００、１１００は、その内部の酸素を置換するために（酸素以外の）ガスを注入するべく、加工組立体１７０内において分散された複数のノズル（図示されてはいない）を含むこともできる。いくつかの実施形態においては、さもなければ完全な硬化を妨げる又は阻害する酸素を置換するべく、窒素ガスを複数のノズルを通じて加工組立体１７０内にポンプ供給することができる。
【００５３】
図６は、電子線加工装置１００の別の例示用の実施形態を示している。図６に示されている装置１００は、図１を参照して説明した装置１００と実質的に類似している。図６に示されている装置１００は、例えば、位置Ｘと位置Ｙとの間において調節され得るローラのペアを有するノンチルロールシステム（non-chill roll system）を含んでいてもよく、且つ、位置Ｘから位置Ｙへの、或いは、この逆の、ローラの運動が空隙１５０の距離を変化させ（即ち、調節し）、これにより、図６に示されているように、空隙Ｘ及び空隙Ｙの距離が生成される。いくつかの実施形態においては、ノンチルロールシステムは、薄箔の近傍において基材が通過するのに伴って基材が薄箔に対して平行になるように、構成することができる。
【００５４】
図７は、電子線加工装置１００の別の例示用の実施形態を示している。図７に示されている装置１００は、図７における実施形態の加工組立体又は「加工ゾーン」が、薄箔の近傍において基材を通過させるための、例えば、単一の相対的に大きなローラを有するチルドラムを利用し得ることを除いて、図１に示されている装置１００と実質的に類似し得る。従って、相対的に大きなローラの位置を調節することにより、空隙を調節することができる。単一の相対的に大きなローラは、例えば、空隙Ｘ及び空隙Ｙの距離を生成するべく、Ｘ位置とＹ位置との間において調節することができる。いくつかの実施形態においては、チルドラムは、基材が、薄箔に対して平行に近傍を通過するのではなく、チルドラムの円弧の外形を辿るように、構成することができる。
【００５５】
本明細書において記述されている実施形態のそれぞれにおいては、装置１００、１１００は、別個の既定のインターバルに沿って調節可能であってもよく、或いは、距離の連続的な範囲に沿って調節可能であってもよい。いくつかの実施形態においては、装置１００、１１００は、最大及び／又は最小空隙距離を有していてもよく、装置は、これらの距離を超えては調節することができない。コントローラを内蔵した実施形態の場合には、装置１００、１１００は、ユーザにより、現場で調節可能であってもよく、且つ／又は、ユーザが遠隔場所から装置を調節可能であってもよい。
【００５６】
本開示のその他の実施形態については、本明細書において開示されている開示の仕様の検討及び実施から、当業者に明らかとなろう。以上の仕様及び例は、例示を目的としたものに過ぎないものと見なすことを要し、本開示の真の範囲及び精神は、添付の請求項及びその均等物によって示されるものと解釈されたい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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