(57)【要約】  横方向フラックスコンデンサを備える集積回路アッセンブリをつくる方法が、第１の金属層における第１の複数の容量性フィンガーを、第１の金属層の第１のダミー金属ライン部分に電気的に接続するステップ（５０１）を含む。
2018530928.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路であって、
横方向フラックスコンデンサを含み、前記横方向フラックスコンデンサが、
離間された容量性フィンガーの第１のセットを備える下部金属層と、離間された容量性フィンガーの前記第１のセットの対応する容量性フィンガーの直上方向に配置される、離間された容量性フィンガーの第２のセットを備える上部金属層とを有する細長い容量性部分、及び
前記細長い容量性部分の互いに反対の横方向側部に配置される、第１及び第２の細長いダミー金属ライン部分、
を有し、
前記第１の細長いダミー金属ライン部分が、電源の第１の極及び容量性フィンガーの前記第１のセットに電気的に接続され、前記第２の細長いダミー金属ライン部分が、電源の第２の極及び容量性フィンガーの前記第２のセットに電気的に接続される、
集積回路。
【請求項２】
請求項１に記載の集積回路であって、前記横方向フラックスコンデンサが更に、
離間された容量性フィンガーの前記第１のセットを前記第１の細長いダミー金属ライン部分に接続する、前記下部金属層に位置する第１の横方向に延在するハンド部分、及び
離間された容量性フィンガーの前記第２のセットを前記第２の細長いダミー金属ライン部分に接続する、前記上部金属層に位置する第２の横方向に延在するハンド部分、
を含む、集積回路。
【請求項３】
請求項２に記載の集積回路であって、前記横方向フラックスコンデンサが更に、
離間された容量性フィンガーの第３のセットを前記第２の細長いダミー金属ライン部分に接続する、前記下部金属層に位置する第３の横方向に延在するハンド部分、及び
離間された容量性フィンガーの第４のセットを前記第１の細長いダミー金属ライン部分に接続する、前記上部金属層に位置する第４の横方向に延在するハンド部分、
を含み、
離間された容量性フィンガーの前記第３のセットが、離間された容量性フィンガーの前記第４のセットの対応する容量性フィンガーの上に位置する、
集積回路。
【請求項４】
請求項３に記載の集積回路であって、離間される容量性フィンガーの前記第１及び第３のセットが互いに指間される、集積回路。
【請求項５】
請求項４に記載の集積回路であって、前記第１及び第２のハンド部分が、部分的に重なる関係で配置され、前記第３及び第４のハンド部分が、部分的に重なる関係で配置される、集積回路。
【請求項６】
請求項５に記載の集積回路であって、
前記第１及び第２の細長いダミー金属ライン部分及び前記細長い容量性部分が、実質的に長手方向に同一の広がりを有し、横方向に整合される第１の端部及び横方向に整合される第２の端部を有し、
前記第１のハンド部分が、前記第１の細長いダミー金属ライン部分の前記第１の端部に接続され、前記第３のハンド部分が、前記第２の細長いダミー金属ライン部分の前記第２の端部に接続される、
集積回路。
【請求項７】
請求項６に記載の集積回路であって、前記第２のハンド部分が、前記第２の細長いダミー金属ライン部分の前記第１の端部に接続され、前記第４のハンド部分が、前記第１のダミー金属ライン部分の前記第２の端部に接続される、集積回路。
【請求項８】
請求項７に記載の集積回路であって、容量性フィンガーの前記第２及び第４のセットが互いに指間される、集積回路。
【請求項９】
請求項１に記載の集積回路であって、前記第１及び第２の細長いダミー金属ライン部分及び前記細長い容量性部分が、実質的に長手方向に同一の広がりを有する、集積回路。
【請求項１０】
請求項１に記載の集積回路であって、前記第１及び第２の細長いダミー金属ライン部分が、各々、前記上部金属層の一部である上部部分と、前記下部金属層の一部である下部部分とを含む、集積回路。
【請求項１１】
請求項１０に記載の集積回路であって、前記第１のダミー金属ライン部分の前記上部部分及び下部部分が、ビアにより電気的に接続される、集積回路。
【請求項１２】
請求項１に記載の集積回路であって、容量性フィンガーの前記第１及び第２のセットが、絶縁層の対応する部分により分離される、集積回路。
【請求項１３】
横方向フラックスコンデンサアッセンブリを含む集積回路であって、
少なくとも、平行の容量性フィンガーの第１及び第２のセット、及び第１及び第２のダミー金属ライン部分、及び第１及び第２のハンド部分を有する第１の金属層、及び
少なくとも、平行の容量性フィンガーの第１及び第２のセット、及び第１及び第２のダミー金属ライン部分、及び第１及び第２のハンド部分を有する第２の金属層、
を有し、
前記第１の金属層における平行の容量性フィンガーの前記第１及び第２のセットが、前記第２の金属層における平行の容量性フィンガーの前記第１及び第２のセットと鏡像関係で配置され、容量性フィンガーの前記セットが、互いに反対の極性を有する鏡像関係で配置され、
前記第１の金属層における前記第１及び第２のダミー金属ライン部分が、前記第２の金属層における前記第１及び第２のダミー金属ライン部分と鏡像関係で配置され、
各金属層における第１及び第２のハンド部分が、それに取り付けられる容量性フィンガーを、関連するダミー金属ライン部分に電気的に接続し、前記第１の金属層における前記第１のハンド部分が、前記第２の金属層における前記第２のハンド部分と部分的に重なり、前記第１の金属層における前記第２のハンド部分が、前記第２の金属層における前記第１のハンド部分と部分的に重なる、
集積回路。
【請求項１４】
請求項１３に記載の集積回路であって、鏡像関係で配置される前記フィンガーの各ペアが、前記フィンガーと同じ形状の絶縁層により分離される、集積回路。
【請求項１５】
請求項１３に記載の集積回路であって、鏡像関係で配置される前記ダミー金属ライン部分の各ペアが、前記同じ形状の絶縁層により分離され、ビアにより電気的に接続される、集積回路。
【請求項１６】
請求項１３に記載の集積回路であって、前記部分的に重なるハンド部分の各々が、異なる極性のものである、集積回路。
【請求項１７】
横方向フラックスコンデンサを備える集積回路をつくる方法であって、
第１の金属層における第１の複数の容量性フィンガーを、前記第１の金属層の第１のダミー金属ライン部分に電気的に接続することを含む、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、更に、
前記第１の金属層における前記第１の複数の容量性フィンガーと互いに指間される、前記第１の金属層における第２の複数の容量性フィンガーを、前記第１の金属層の第２のダミー金属ライン部分に接続することを含む、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、
第２の金属層における第１の複数の容量性フィンガーを、前記第２の金属層の第１のダミー金属ライン部分に接続すること、及び
前記第２の金属層における前記第１の複数の容量性フィンガーと互いに指間される、前記第２の金属層における第２の複数の容量性フィンガーを、前記第２の金属層の第２のダミー金属ライン部分に接続すること、及び
前記第１の金属層の前記第１のダミー金属ライン部分を、前記第２の金属層の前記第１のダミー金属ライン部分に電気的に接続すること、及び
前記第１の金属層の前記第２のダミー金属ライン部分を、前記第２の金属層の前記第２のダミー金属ライン部分に電気的に接続すること、
を含む、方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、更に、
前記第１のダミー金属ライン部分の一つを電源の一方の極に電気的に接続すること、及び
前記第２のダミー金属ライン部分の一つを前記電源の他方の極に電気的に接続すること、
を含む、方法。
【請求項２１】
請求項１７に記載の方法であって、更に、
前記第１の金属層における第１の極性を有する平行の容量性フィンガーの一つのセットの全長を、前記第２の金属層における第２の極性を有する平行の容量性フィンガーの同一のセットの全長と重ねること、
を含む、方法。
【請求項２２】
横方向フラックスコンデンサアッセンブリを含む集積回路であって、
第１及び第２の横方向側部及び第１及び第２の容量性フィンガーを備える容量性部分と、前記容量性部分の前記第１の横方向側部に近接して配置される第１のダミー金属ライン部分と、前記容量性部分の前記第２の横方向側部に近接して配置される第２のダミー金属ライン部分とを有する、第１の金属層、
を有し、
前記第１の容量性フィンガーが、前記第１のダミー金属ライン部分に電気的に接続され、前記第２の容量性フィンガーが、前記第２のダミー金属ライン部分に電気的に接続される、
集積回路。
【請求項２３】
請求項２２の前記横方向フラックスコンデンサアッセンブリであって、前記第１のダミー金属ライン部分が電源の第１の極に接続され、前記第２のダミー金属ライン部分が電源の第２の極に接続される、集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
横方向フラックスコンデンサは、集積回路ダイの頂部表面上に形成され得る受動回路デバイスである。このような横方向フラックスコンデンサは、所望のコンデンサ機能を提供するため、ダイ内の回路要素に接続される。上に形成される横方向フラックスコンデンサを有し得る集積回路ダイの一つのタイプは、線形バイポーラＣＭＯＳ（「ＬＢＣ」）ダイである。
【発明の概要】
【０００２】
一実施例において、横方向フラックスコンデンサアッセンブリが、細長い容量性部分を含む。細長い容量性部分は、離間された容量性フィンガーの第１のセットを備える下部金属層と、離間された容量性フィンガーの第１のセットのうちの対応する容量性フィンガーの直上方向に置かれる、離間された容量性フィンガーの第２のセットを備える上部金属層とを有する。また、横方向フラックスコンデンサアッセンブリは、細長い容量性部分の互いに反対の横方向側部に配置される、第１及び第２の細長いダミー金属ライン部分を含む。第１の細長いダミー金属ライン部分は、電源の第１の極に電気的に接続される。容量性フィンガーの第１のセット及び第２の細長いダミー金属ライン部分は、電源の第２の極及び容量性フィンガーの第２のセットに電気的に接続される。
【０００３】
別の実施例において、横方向フラックスコンデンサアッセンブリが第１の金属層を含み、第１の金属層は、少なくとも、平行の容量性フィンガーの第１及び第２のセット、及び第１及び第２のダミー金属ライン部分、及び第１及び第２のハンド部分を有する。横方向フラックスコンデンサアッセンブリは第２の金属層を含み、第２の金属層は、少なくとも、平行の容量性フィンガーの第１及び第２のセット、及び第１及び第２のダミー金属ライン部分、及び第１及び第２のハンド部分を有する。第１の金属層における平行の容量性フィンガーの第１及び第２のセットは、第２の金属層における平行の容量性フィンガーの第１及び第２のセットと鏡像関係で配置される。鏡像関係で配置される容量性フィンガーのセットは、反対の極性を有する。第１の金属層における第１及び第２のダミー金属ライン部分は、第２の金属層における第１及び第２のダミー金属ライン部分と鏡像関係で配置される。各金属層における第１及び第２のハンド部分は、それに取り付けられる容量性フィンガーを、関連するダミー金属ライン部分に電気的に接続する。第１及び第２の金属層における第１のハンド部分及び第１及び第２の金属層における第２のハンド部分は、部分的に重なる。
【０００４】
別の実施例において、横方向フラックスコンデンサアッセンブリが第１の金属層を含み、第１の金属層は、第１及び第２の横方向側部及び第１及び第２の容量性フィンガーを備える容量性部分と、容量性部分の第１の横方向側部に近接して配置される第１のダミー金属ライン部分と、容量性部分の第２の横方向側部に近接して配置される第２のダミー金属ライン部分とを有する。容量性フィンガーの第１のセットが、第１のダミー金属ライン部分に電気的に接続され、容量性フィンガーの第２のセットが、第２のダミー金属ライン部分に電気的に接続される。
【０００５】
横方向フラックスコンデンサをつくる方法が、第１の金属層における第１の複数の容量性フィンガーを、第１の金属層の第１のダミー金属ライン部分に電気的に接続することを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】集積回路ダイの従来の横方向フラックスコンデンサ構造の頂部平面図である。
【０００７】
【図２】図１の横方向フラックスコンデンサ構造の第１の金属層（Ｍ１）の頂部平面図である。
【０００８】
【図３】図１の横方向フラックスコンデンサ構造の第２の金属層（Ｍ２）の頂部平面図である。
【０００９】
【図４】図１の切断面ＡＡでの横方向断面立面図である。
【００１０】
【図５】図１の切断面ＢＢでの長手方向断面立面図である。
【００１１】
【図６】図１の切断面ＣＣでの長手方向断面立面図である。
【００１２】
【図７】集積回路ダイの新たな横方向フラックスコンデンサ構造の例示の実施例の頂部平面図である。
【００１３】
【図８】図７の横方向フラックスコンデンサ構造の頂部金属層（Ｍ２）の頂部平面図である。
【００１４】
【図９】図７の横方向フラックスコンデンサ構造の底部金属層（Ｍ１）の頂部平面図である。
【００１５】
【図１０】図７の横方向フラックスコンデンサ構造の切断面ＤＤでの横方向断面立面図である。
【００１６】
【図１１】図７の横方向フラックスコンデンサ構造の切断面ＥＥでの横方向断面立面図である。
【００１７】
【図１２】図７の横方向フラックスコンデンサ構造の切断面ＦＦでの横方向断面立面図である。
【００１８】
【図１３】横方向フラックスコンデンサをつくる方法のブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１は、半導体（例えば、シリコン）ダイ１１の一部上に形成される、従来の横方向フラックスコンデンサ構造１０の頂部平面図である。図２及び図３は、図１のフラックスコンデンサ構造１０の、それぞれ、底部及び頂部金属層（Ｍ１）及び（Ｍ２）の頂部平面図であり、図４〜図６はそれらの断面図である。横方向フラックスコンデンサ構造１０は、第１又は下部（Ｍ１）金属層１２（図２）と、Ｍ１層１２の上に置かれる、第２又は頂部（Ｍ２）金属層１４（図３）と、Ｍ１層１２及びＭ２層１４の間に置かれる絶縁性（Ｉ１）層１６（図４〜図６）とを含む。金属層１２（Ｍ１）及び金属層１４（Ｍ２）の各々は、それらの中に形成される金属パターンのため、金属層と称されることに留意されたい。また、各「金属層」は、層の金属パターンの一部ではない、層内の空間を覆う絶縁／誘電体部分を含む。
【００２０】
図１に図示するように、ダイ１１は、頂部半導体表面２０を有し、頂部半導体表面２０上に、横方向に中央の互いに指間されるコンデンサ領域２２、コンデンサ領域２２の第１の横方向側部の第１のダミー金属ライン領域２４、及びコンデンサ領域２２の第２の横方向側部の第２のダミー金属ライン領域２６が位置する。これらの種々の横方向領域２２、２４、２６は、説明のため、金属層１２（Ｍ１）、金属層１４（Ｍ２）の各々を介して垂直に突出するように解釈されるべきであることを理解されたい。
【００２１】
互いに指間されるコンデンサ領域２２（図１）は、フィンガーエリア３２を含み、容量性フィンガー（後述）の全てがフィンガーエリア３２に位置する。フィンガーオーバーラップ又はコアエリア３４が、フィンガーエリア３２内に位置し、これは、頂部（Ｍ２）層１４（図３）におけるフィンガーが、下部（Ｍ１）層１２（図２）におけるフィンガーと重なるエリアである。このコアエリア３４は、この構成の有効静電容量エリアである。底部層１２及び頂部層１４におけるフィンガーは、エリア３４内以外では重ならない。
【００２２】
また、互いに指間されるコンデンサ領域２２は、コンデンサ領域２２の一方の長手方向端部に位置する第１の接続タブエリア３６、及びコンデンサ領域２２の他方の長手方向端部に位置する第２の接続タブエリア３８を含む。例示の実施例において接続タブエリア３６、３８の各々は、タブエリア３６、３８を介して垂直に延在する２つの充填されたビア４０を有し、これらは、底部Ｍ１層１２（図２）における接続タブ３６、３８を、Ｍ２層１４（図３）における、それぞれ、上にある接続タブ１３６、１３８に接続する。また、底部接続タブ３６、３８の各々は、図１において点線で示されるように６つの充填されたビア４２を有し、充填されたビア４２は、それらを、底部（ゼロ）絶縁体層（１０）を介して底部（ゼロ）金属層（Ｍ０）（図４）に接続する。底部金属層（Ｍ０）及び底部絶縁体層（１０）は、図４以外では、図示しない。電源（図示せず）が、スタックされる接続タブスタック３６、１３６、３８、１３８の各セットに電気的に接続され、これは、上部及び下部の重なるフィンガーの各ペア間に延在する横方向フラックスライン（図示せず）を有する磁場を生成する電源であり、これらについては、以下で更に説明する。
【００２３】
上述のように、図１に示すダミー金属ライン領域２４、２６は、横方向に中央の互いに指間されるコンデンサ領域２２の両側部に位置する、横方向フラックスコンデンサ構造１０の横方向領域である。ダミー金属ライン領域２４は矩形エリア９２を含み、ダミー金属ライン領域２６は矩形エリア９４を含む。図１に示す第１及び第２の矩形エリア９２、９４は、図２に示すＭ１層における矩形金属エリア９２Ａ、９４Ａを含み、これらは、例えば、パターニング及びエッチング、又は当業界で既知のその他の手段により形成され得る。金属層９２Ａ、９４Ａは、例えば銅であり得る。金属層９２Ａ、９４Ａは、各々、第１の平面ＸＸにおいて終端する第１の端子端部、及び第２の平面ＹＹにおいて終端する第２の端子端部を有する。同様に、図２に示す金属下部（Ｍ１）層１２において、図１の矩形エリア９２及び９４の投影は、矩形金属層９２Ａ、９４Ａを含み、これらは、図３の上部金属層（Ｍ２）における、それぞれ、矩形金属層１９２Ａ及び１９４Ａの直下方向に位置する。図１〜図４に示すように、ダミー金属ライン領域２４における金属構造が、ダミー金属ライン領域２６における金属構造をミラーリングするように、複数のビア４０が、矩形金属層９２Ａ及び１９２Ａ間、及び９４Ａ及び１９４Ａ間にも延在する。ダミー金属ライン領域２４、２６は、互いに指間されるコンデンサ領域２２において金属層に電気的に接続されない。当業界で知られているように、このようなミラーリングされるダミー金属ライン領域の目的は、例えば、図２における５４及び７４、及び図３における１８２及び１６２などの、外側容量性フィンガーに正確な線形形状を提供するためである。当業界で知られているように、ダミー金属層が容量性フィンガーと同時に形成されない限り、外側フィンガーは所望の形状とはならないことがある。また、コンデンサの各側部のダミー金属層の同一構成により、互いに指間されるコンデンサ領域２２における磁束のラインが歪まないようになる。
【００２４】
図４によって最もよく示されるように、底部又はゼロ金属層Ｍ０が、半導体ダイ１１の頂部表面２０上に形成される。底部金属層Ｍ０上に、底部絶縁体層Ｉ０が形成される。第１の（又は下部）金属層Ｍ１は、底部絶縁体層Ｉ０上に形成される。第２又は上部絶縁体層Ｉ２は、Ｍ１金属層の上に形成される。第２の金属層Ｍ２は、第１の絶縁体層Ｉ１上に形成される。ダミー金属ライン領域２４、２６において、ビア４２が、下部金属層Ｍ１を底部金属層Ｍ０と電気的に接続する。
【００２５】
図２は、図１の横方向フラックスコンデンサ構造１０のＭ１（第１又は下部）金属層１２の頂部平面図である。Ｍ１金属層１２は、ゼロ絶縁体層Ｉ０の頂部表面４８の上に形成される。
【００２６】
図２で図示するように、第１のコンデンサパターン５０が、上記で簡単に述べたタブ３６を含む。タブ３６は、タブ３６を介して延在する２つのビア４０を有し、ビア４０は、タブ３６を、図３に示すＭ２層１４における、上にあるタブ１３６に接続する。図２に更に示されるように、基端部５６及び末端部５８を有する第１のフィンガー５４が、タブ３６から長手方向に内方に、即ちタブ３８に向かって、延在する。また、基端部６４及び末端部６６を有する第２のフィンガー６２が、タブ３６からフィンガー５４に平行に延在する。両方のフィンガー５４、６２の末端部５８、６６は、ダミー金属ライン矩形層９２Ａ、９４Ａの各々の端子端部も通過する平面ＸＸで、第２のタブ３８から同じ所定の距離で終端する。
【００２７】
図２で更に示されるように、第２のコンデンサパターン７０がタブ３８を含む。タブ３８は、タブ３８を介して延在する２つのビア４０を有し、ビア４０は、タブ３８を、図３に示すＭ２層１４における、上にあるタブ１３８に接続する。基端部７６及び末端部７８を有する第１のフィンガー７４が、タブ３８から長手方向に内方に、即ちタブ３６に向かって、延在する。また、基端部８４及び末端部８６を有する第２のフィンガー８２が、タブ３８からフィンガー７４に平行に延在する。フィンガー７４、８２両方の末端部７８、８６は、ダミー金属ライン矩形層９２Ａ、９４Ａの各々の端子端部も通過する平面ＹＹでで、第１のタブ３６から同じ所定の距離で終端する。
【００２８】
図３で図示するように、Ｍ２層１４は、各タブから延在するフィンガーが横方向にオフセットされることを除き、図２を参照して上述したＭ１層１２のものに類似する構造を有する。下部及び上部タブ３６及び１３６は、電源（図示せず）の一方の極に接続され、下部及び上部タブ３８及び１３８は、電源の他方の極に接続される。フィンガー１５４及び１６２がタブ１３６から突出し、フィンガー１７４、１８２がタブ１３８から突出する。フィンガー１８２及び１７４の中央部が、フィンガー５４及び７２の中央部の上に位置し、及びフィンガー５４及び７２の中央部に重なる。フィンガー１５４及び１６２の中央部が、フィンガー８２及び７４の中央部に重なる。対応するフィンガーの中央部が重なる領域は、平面ＸＸ及びＹＹ間の領域である。平面ＸＸ及びＹＹ間のこの重複領域は、図１〜図６のフラックスコンデンサ構造の主要な有効コンデンサ領域である。
【００２９】
図１〜図６に示す横方向フラックスコンデンサ構造の実施例は、図７〜図１４に示す横方向フラックスコンデンサ構造と同じフットプリントを有する。しかしながら、図７〜図１４の横方向フラックスコンデンサ構造の新規な構成のため、図７〜図１４では、上部コンデンサ部分が下部コンデンサ部分に重なる総エリアが一層大きく、そのため、より大量のエネルギーをストアすることが可能である。
【００３０】
図７は、頂部表面３１２を有する半導体ダイ３１１上に提供される、新たな横方向フラックスコンデンサアッセンブリ３１０の例示の実施例の頂部平面図である。コンデンサアッセンブリ３１０は、説明のため、中央の互いに指間されるコンデンサ領域３１５と、コンデンサ領域３１５の一方の横方向側部の第１のダミー金属ライン領域３１７と、コンデンサ領域３１５の他方の横方向側部の第２のダミー金属ライン領域３１９とに横方向に分割され得る。互いに指間されるコンデンサ領域３１５の幅及び長さは、従来技術の横方向フラックスコンデンサアッセンブリ１０のものとほぼ同じサイズであり得る。また、ダミー金属ライン領域３３２及び３３６の幅は、図１の横方向フラックスコンデンサアッセンブリ１０のダミー領域のものと同じであり得る。
【００３１】
図７のコンデンサアッセンブリ３１０は、中央の互いに指間されるコンデンサ領域３１５において、その有効コンデンサエリアを定義するコンデンサコアエリア３２２を有する。このコンデンサコアエリア３２２において、両方の容量性フィンガーと、そこからフィンガーが延在する、関連する「ハンド」部分とが、上下に垂直に整合された関係で配置される。対応する有効静電容量エリア、又はコンデンサアッセンブリ３１０のものと同じ全長及び幅を有する図１の従来技術の横方向フラックスコンデンサアッセンブリ１０のコアエリア３４の相対的なサイズは、３２４の破線で示される。反対の極性構造におけるその比較的大きい重なりのため、新たなコンデンサアッセンブリ３１０のコアエリア３２２は、図１の従来技術設計のコアエリア３４より高い、単位面積当たりの静電容量を有する。
【００３２】
コンデンサアッセンブリ３１０は、更に図８〜図１０を参照して記載され得る。図８はＭ２層の上面図であり、図９はＭ１層の上面図である。（図１〜図６を参照して記載されるＭ１及びＭ２層と同様、各「金属層」が、金属パターンにより占められていない層における空間を充填する誘電性材料の周囲パターンを備える金属パターンを含むことを理解されたい。）図１０〜図１２は、図７の、それぞれ、断面ＤＤ、ＥＥ、及びＦＦでの断面立面図である。図８に最もよく示されるように、頂部金属層Ｍ２は、細長い矩形形状を有する第１のダミー金属ライン部分３３２を有する。また、頂部金属層Ｍ２は第２のダミー金属ライン部分３３６を有し、これは、サイズ及び形状において第１のダミー金属ライン部分３３２と同一であり得る。第２のダミー金属ライン部分３３６は、第１のダミー金属ライン部分３３２と横方向に整合されて配置され、即ち、２つのダミー金属ライン部分は、長手方向に同一の広がりを有する。
【００３３】
図８で更に示されるように、互いに指間されるコンデンサ部分３２６が、第１及び第２のダミー金属ライン部分３３２、３３６間に置かれる。２つのダミー金属ライン部分３３２、３３６、及びコンデンサ３１０のコンデンサ部分３２６の全幅及び全長は、図１の従来技術のコンデンサ１０の、２つのダミー金属ライン部分、コンデンサ部分、及びタブ部分を含む矩形領域の全長及び幅と同じである。互いに指間されるコンデンサ部分３２６は、第１のセクション３２８及び第２のセクション３３０を含む。第１のセクション３２８は、横方向に延在する第１のハンド部分３３４を含み、これは、その一つの横方向端部において、第２のダミー金属ライン部分３３６の第１の長手方向端部と接続される。第１のハンド部分３３４の第２の横方向端部が、ギャップ３３３により、第１のダミー金属ライン部分３３２の第１の長手方向端部から分離される。平行のフィンガー３２１、３２３が、第１のハンド部分３３４から長手方向に突出する。
【００３４】
図８を引き続き参照すると、互いに指間されるコンデンサ部分３２６の第２のセクション３３０は、第２の横方向に延在するハンド部分３３８を有し、ハンド部分３３８は、一つの横方向端部において第１のダミー金属ライン部分３３２の第２の長手方向端部と接続される。第２のハンド部分３３８の反対の横方向端部は、ギャップ３３５により、第２のダミー金属ライン部分３３２の第２の長手方向端部から分離される。平行のフィンガー３２５、３２７が、第２のハンド部分３３８から長手方向に突出する。フィンガー３２５、３２７は、フィンガー３２１、３２３とインターレースされるか又は「互いに指間」される。
【００３５】
ダミー金属ライン部分３３２、３３６の各々は、それらをＭ１層における対応するダミー金属ライン部分と接続する、複数の充填されたビア３４０を含む。
【００３６】
図８及び図９で図示するように、第１の金属層Ｍ１（図９）は、ダミー金属ライン部分とハンド部分との間のギャップの位置を除くと、第２の金属層Ｍ２（図８）と同一であり得る。第１の金属層は、第１及び第２の長手方向に延在するダミー金属ライン部分４３２、４３６を含み、これらは、同じサイズ及び形状を有し、Ｍ２層におけるダミー金属ライン部分３３２、３３６の直下方向に置かれる。
【００３７】
Ｍ２層の第１のハンド部分４３８は、Ｍ１層の第１のハンド部分が、第１のダミー金属ライン部分４３２の第１の端部に接続され、ギャップ４３３により第２のダミー金属ライン部分４３６から分離されることを除いて、Ｍ１層の第１のハンド部分の上に置かれる。同様に、Ｍ１層における第２のハンド部分４３４は、一つの横方向端部において第２のダミー金属ライン部分４３６に接続され、ギャップ４３５により第１のダミー金属ライン部分４３２から分離される。そのため、第１及び第２の層Ｍ１及びＭ２は、ギャップ３３３、３３５、４３３、４３５の位置を除くと、同一である。ビア３４０は、第１及び第２の層Ｍ１、Ｍ２間に延在し、ダミー金属ライン部分の各々のＭ１及びＭ２金属層を電気的に接続する。
【００３８】
横方向フラックスコンデンサアッセンブリ３１０の種々の金属層及び絶縁体層の配置を、更に図１０〜図１２の断面図に図示する。
【００３９】
Ｍ２及びＭ１層の、相互接続された第１のダミー金属ライン部分３３２、４３２は、電源の第１の極（例えば、カソード）３３７に接続される。Ｍ２及びＭ１層の第２のダミー金属ライン部分３３６、４３６はビア３４０により同様に接続され、これらのダミー金属ライン部分３３６、４３６は、電源の第２の極（例えば、アノード）３３７に電気的に接続される。図８によって最もよく示されるように、Ｍ２層において、第１の横方向に延在するハンド部分３３８は、第１のダミー金属ライン部分３３２に一体的に取り付けられる。Ｍ２層における第１のダミー金属ライン部分３３２は、ビア３４０により、図９に示す第１のＭ１層におけるダミー金属ライン部分４３２に電気的に接続される。そのため、第１のダミー金属ライン部分３３２、４３２は、電気的に接続され、同じ極性（負）を有する。Ｍ２層のハンド部分３３８及び関連するフィンガー３２５及び３２７は、Ｍ１層のハンド部分４３８及び関連するフィンガー４２６、４２８に接続され、全てが第１の（負）極性を有する。同様にＭ２及びＭ１層のハンド部分３３４及び４３４、及びそれらの関連するフィンガー３２１、３２３及び４２５、４２７は、接続され、全てが第２の（正）極性を有する。
【００４０】
そのため、金属層Ｍ２の全てのフィンガーが、それらが重なる金属層Ｍ１のフィンガーとは反対の極性を有する。例えば、フィンガー３２１は、第２のダミー金属ライン領域３３６及び４３６と同じ極性を有する。フィンガー３２１はフィンガー４２６に重なり、フィンガー４２６は、それが第１のダミー金属ライン部分３３２、４３２に電気的に接続されるため、反対の極性を有する。このフィンガーの重なりの長さは、各フィンガーの全長、即ち、その端部から関連するハンド部分との接続の地点まで、であることに留意されたい。
【００４１】
フィンガーの重なりに加えて、Ｍ１層ハンド部分４３８に重なるＭ２層ハンド部分３３４の部分も反対の極性であり、そのため、アッセンブリの総静電容量が増大される。同じことがハンド部分３３８及び４３４についてもいえる。従って、重なるフィンガーの全長の重なりによって提供される静電容量に加えて、部分的に重なるハンド部分３３８、４３４及び３３４、４３８が、静電容量を提供する。
【００４２】
このように、図７〜図１２のコンデンサ構造は、従来技術のタブ構造をなくすことによって、従来技術のものに比べて簡略化されている。図７〜図１２の実施例において、フィンガーを電源に電気的に接続する機能は、ダミー金属ライン領域及びハンド部分によって成される。従来技術において、ダミー金属ライン領域は電気的接続機能を行なわない。この新たな構造は、各フィンガーの重なりの長さを増大させることにより、及び部分的に重なるハンド部分に関連付する静電容量の付加により、任意の所与のフットプリント内で提供される静電容量を最適化する。
【００４３】
図１３は、横方向フラックスコンデンサをつくる方法の一つの実施例を図示する。この方法は、５０１において図示するように、第１の金属層における第１の複数の容量性フィンガーを、第１の金属層の第１のダミー金属ライン部分に電気的に接続することを含む。
【００４４】
別の実施例において、この方法は更に、一つの金属層における第１の複数の容量性フィンガーと互いに指間される第２の複数の容量性フィンガーを、第１の金属層の第２のダミー金属ライン部分に接続することを含む。
【００４５】
更に別の実施例において、横方向フラックスコンデンサをつくる方法が、第２の金属層における第１の複数の容量性フィンガーを、第２の金属層の第１のダミー金属ライン部分に接続し、第２の金属層における第１の複数の容量性フィンガーと互いに指間される第２の複数の容量性フィンガーを、第２の金属層の第２のダミー金属ライン部分に接続すること、及び、第１の金属層の第１のダミー金属ライン部分を、第２の金属層の第１のダミー金属ライン部分に電気的に接続し、第１の金属層の第２のダミー金属ライン部分を、第２の金属層の第２のダミー金属ライン部分に電気的に接続することを含む。
【００４６】
更に別の実施例において、横方向フラックスコンデンサをつくる方法が、第１のダミー金属ライン部分の一つを電源の一方の極に電気的に接続し、第２のダミー金属ライン部分の一つを電源の他方の極に電気的に接続することを含む。
【００４７】
更に更に別の実施例において、横方向フラックスコンデンサをつくる方法が、第１の金属層における平行の容量性フィンガーの一つのセットの全長を、第２の金属層における平行の容量性フィンガーの同一セットの全長と重ねることを含む。
【００４８】
横方向フラックスコンデンサアッセンブリを含む集積回路、及び横方向フラックスコンデンサアッセンブリを含む集積回路をつくる方法の幾つかの実施例が、本明細書において詳細に記載されてきた。本発明の特許請求の範囲内で、説明した例示の実施例に変形が成され得、他の実施例が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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