【事件の表示】
　平成　５年特許願第３２９１２７号「強誘電体薄膜素子の製造方法及び製造装置」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　７月１８日出願公開、特開平　７−１８００４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 １．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年１２月２４日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１５年２月２７日付けの手続補正書により補正された明細書の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「（１００）配向ＭｇＯ単結晶基板もしくはこの上に白金電極を成膜した基板上に、ペロブスカイト構造の強誘電体薄膜をスパッタリング蒸着により作製するに際して、蒸着室の壁面に対して基板を絶縁した状態で成膜し、アニール処理することなく、自発分極の方向を揃えたことを特徴とする強誘電体薄膜素子の製造方法。」
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願の日前の平成５年３月３０日に頒布された特開平５−７８８３５号公報（以下、「引用例１」という。）には、強誘電体薄膜の製造方法に関し、以下の事項が記載されている。
 （２−１）「被堆積基板表面の電位は、形成された強誘電体薄膜の堆積速度、膜厚分布、諸特性に大きな影響を与えており、被堆積基板の電位を制御しない場合、これらの再現性が得られず、良好な特性を再現性良く得ることが困難であるという問題を有していた。
　ここで言う諸特性とは、残留分極、坑電界等の強誘電体特性、及び、誘電率、電流−電圧特性などの誘電体特性、及び結晶の組成、配向性、グレインの大きさなどの物理的特性を含む。
　そこで、本発明はこれらの課題を解決しようとするもので、その目的とするところは、高周波スパッタ中の被堆積基板表面の電位をアース電位または浮遊電位に制御して、堆積された強誘電体薄膜の特性の再現性を確保するところにある。」（段落【０００９】〜【００１１】）
 （２−２）「図１のように、６インチサイズのｎ型シリコン基板１０１上に、化学的気相成長法により約５０００Ａの二酸化珪素膜（ＳｉＯ2）１０２を、更にスパッタ法により約２０００Ａの白金（Ｐｔ）を電極１０３として形成されており、前記電極１０３上にＰｂ(Ｚｒ0.5Ｔｉ0.5)Ｏ3すなわちＺｒ／Ｔｉ組成比が１のＰＺＴ薄膜を高周波マグネトロンスパッタ法により形成する。
　シリコン基板１０１は浮遊電位であり、あるインピーダンスＺ1を介して接地されている。
　前記二酸化珪素膜１０２と電極１０３が形成されているシリコン基板１０１は、リングチャックで固定されており、電極１０３表面の電位はリングチャックを介して、接地されておりアース電位となっている。
　ＰＺＴ薄膜のスパッタ条件は、基板温度３００℃、Ａｒ：Ｏ２＝９：１の雰囲気ガスとし、ガス圧力２０ｍＴｏｒｒ、ターゲットとシリコン基板の距離を６５ｍｍとしパワー１ｋＷとし、厚さ３０００ＡのＰＺＴ薄膜を形成した。
　１００Ａ／ｍｉｎの堆積速度が得られた。
　強誘電体特性評価の為のサンプルの断面構造を図３に示す。
　スパッタ直後のＰＺＴ薄膜１０４は完全な強誘電相すなわちペロブスカイト構造を示さない。
　すなわち、ペロブスカイト構造と強誘電相を示さないパイロクロア相の混合状態となっている。
　そこで、次に酸素雰囲気中、７５０℃で１時間アニールを行い完全な強誘電体相を形成する。」（段落【００１５】〜【００２３】）、
（２−３）「図６に図５に示す様に電極１０３を浮遊電位としたとき、連続で１００枚のウエハを流動したときの残留分極の値の変化を示す。」（段落【００３３】）
（２−４）「また、シリコン基板を用いて説明したがマグネシア（ＭｇＯ）、サファイア等他の基板を用いても良し、第１及び第２実施例では、シリコン基板１０１と電極１０３の間に二酸化珪素膜１０２を挟んだ構造を用いて説明したが、二酸化珪素膜の代わりに窒化珪素膜（Ｓｉ3Ｎ4）を用いても良いし、図７（ａ）〜（ｃ）に示したように何もはさまなくて直接基板上に電極を形成してもよい。」（段落【００４１】）
（２−５）「【発明の効果】本発明の強誘電体薄膜の製造方法は、以上説明したように、電極が表面に形成された基板上に強誘電体薄膜を高周波スパッタ法を用いて製造する方法に於いて、前記電極の電位をアース電位または浮遊電位に制御して、前記強誘電体薄膜を堆積することによって、再現性良く特性の良い強誘電体特性の良好な薄膜を得ることが出来る効果を有する。
　更に、この強誘電体薄膜の製造方法を用いれば、不揮発性メモリや、光スイッチ、キャパシタ、赤外線センサ、超音波センサとして利用できるといった効果を有する。」（段落【００４２】〜【００４３】）
　これらの記載事項によると、引用例１には、
「マグネシア（ＭｇＯ）基板に白金（Ｐｔ）電極を形成し、この電極上にペロブスカイト構造の強誘電体薄膜を高周波スパッタ法を用いて製造する方法において、前記電極の電位を浮遊電位に制御して、薄膜を堆積し、７５０℃で１時間アニールを行い残留分極等特性の良い強誘電体相を形成する」発明が記載されている（以下、「引用発明１」という。）。
３．対比
　本願発明と上記引用発明１を対比する。
　引用発明１の「マグネシア（ＭｇＯ）基板」が本願発明の「ＭｇＯ基板」に相当し、以下同様に「白金（Ｐｔ）電極を形成」は「白金電極を成膜」に、「ペロブスカイト構造の強誘電体薄膜」は「ペロブスカイト構造の強誘電体薄膜」に、「高周波スパッタ法」は「スパッタリング蒸着」に相当することは明らかである。
　したがって、両発明は、
「ＭｇＯ基板の上に白金電極を成膜した基板上に、ペロブスカイト構造の強誘電体薄膜をスパッタリング蒸着により作製する強誘電体薄膜素子の製造方法。」点で一致し、
　次の点で相違する。
［相違点１］
　本願発明では、「（１００）配向ＭｇＯ単結晶基板」であるのに対して、引用発明１では、マグネシア（ＭｇＯ）基板については記載されているものの（１００）配向の単結晶であることについては記載がない点。
［相違点２］
　本願発明では、「蒸着室の壁面に対して基板を絶縁した状態で成膜」するのに対して、引用発明１では電極の電位を浮遊電位に制御する点。
［相違点３］
　本願発明では、「アニール処理することなく、自発分極の方向を揃えた」のに対して、引用発明１では、７５０℃で１時間アニールを行い残留分極等特性の良い強誘電体相を形成する点。
４．当審の判断
　上記各相違点について検討すると、
　相違点１については、引用発明１においても基板として、（２−２）のように、６インチサイズのｎ型シリコン基板を用いることが記載されており、単結晶基板が示唆され、さらに、原査定の拒絶の理由において引用された特開平１−９６３６８号公報にも「基板に（１００）面でへき開したＭｇＯ単結晶を用いてペロブスカイト構造の強誘電体薄膜を基板温度６００℃でスパッタリングにより作製し、作製時に十分にＣ軸に配向することにより自発分極を揃える」発明が記載され（以下、「引用発明２」という。）、ＭｇＯ（１００）面を良好な残留分極特性を目的とする引用発明１において採用することは、当業者であれば格別の困難なく想起し得ることであり、その効果も格別のこととすることはできないものである。
　そして、相違点２についても、電極電位が浮遊電位であれば当然、基板は絶縁状態で保持されているから、引用発明１においても本願発明と同様に蒸着室の壁面とは絶縁されて実質的な相違とは認められない。 
　さらに、相違点３については、本願の発明の詳細な説明では、アニール処理に関しては記載されないものの、その段落【００１０】で、薄膜を成長させる基板を６００〜７００℃で加熱することが記載され、この成膜時の加熱がパイロクロア型の結晶構造の共成を防止し、薄膜のｃ軸配向率を高め自発分極効果を大きくすることを目的とすることが当該分野において周知であり（必要であれば例えば特開昭６２−２０５２６６号公報第３頁左下及び右下欄参照。）、この加熱が引用発明１におけるアニールと同等の効果をもたらすことは、記載事項（２−２）をみれば明らかである。
　してみれば、引用発明１において引用発明２に記載の単結晶（１００）面を用い、周知の基板の加熱をアニール処理に換えて用いて本願発明とすることは、当業者であれば容易に想到し得るものである
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。