【事件の表示】
　平成１１年特許願第１３９１８７号「基板の洗浄方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１１月３０日出願公開、特開２０００−３３１９７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年５月１９日の出願であって、その請求項１ないし２に係る発明は、平成１５年８月１日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
「　【請求項１】
　異物が付着した基板を、フッ化水素を含有する水溶液でエッチング処理したのち、水素ガスを溶解した、ｐＨ７以上のガス溶解水で、物理力を併用して洗浄することを特徴とする基板の洗浄方法。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
２．刊行物記載の発明（事項）
　これに対して、当審における平成１７年１０月１８日付けで通知した拒絶の理由に引用した本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−１１１６６０号公報（以下、「刊行物１」という。）、特開平７−２６３４３０号公報（以下、「刊行物２」という。）及び特開平１０−２４４２６３号公報（以下、「刊行物６」という。）には、以下の事項が記載されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（１）刊行物１
（１−ａ）段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体製造プロセスにおいて使用されるシリコンウェハ等の洗浄方法に係り、特に酸化・拡散工程前等にウェハ表面のパーティクル及び金属等を除去する為に用いられる洗浄方法に関するものである。」
（１−ｂ）段落【０００２】，【０００３】
「【従来の技術】従来、シリコンウェハの前処理にはＲＣＡ洗浄方法が採用されている。・・・フッ酸系薬液（ＤＨＦ）処理による自然酸化膜除去が行われる・・・
　一方、ＳＣ１を用いずにコリンを使用したアルカリ洗浄とＤＨＦを組み合わせた方法も使用されている。即ち、図３のフローチャートに示されるように、この方法では、先ずフッ酸系薬液（ＤＨＦ）処理により自然酸化膜及び金属不純物が除去され（ステップＳ２１）、リンス処理を経て（ステップＳ２２）、アルカリ性洗浄液による有機及びパーティクルの除去が行われ（ステップＳ２３）、再びリンス処理を経て（ステップＳ２４）、乾燥（遠心乾燥、ＩＰＡ乾燥等）が行われ（ステップＳ２５）、こうして全ての動作を終了することとなる。・・・」
（１−ｃ）段落【００１３】
「・・・希フッ酸と純水を混合したＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ２Ｏ）洗浄液を用いたフッ酸系薬液処理による自然酸化膜除去を行う・・・ウェハ内部に入り込んだ金属不純物に対しては、ウェハ表面を軽くエッチングする必要があるため、上記ＤＨＦ洗浄液により金属不純物を溶解除去するのである。」
　上記記載事項及び図３の記載からみて、刊行物１には、
「パーティクル及び金属が付着した基板を、リンス処理を経て、希フッ酸と純水を混合したＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ２Ｏ）でエッチング処理したのち、アルカリ性洗浄液で洗浄する基板の洗浄方法」という発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。） が記載されていると認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（２）刊行物２
（２−ａ）段落【００２４】
「エッチング速度が充分に遅い領域の陰極水はシリコン基板上の無機パーティクル除去に利用できる。例えばＣＭＰ（ケミカル  メカニカル  ポリッシング）を経たＳｉ基板上に付着したコロイダルシリカの除去に利用した実施例を示す。５×１０−５モル／リットルの塩化アンモニウムを電解質として得られるＯＲＰ＝−７２０ｍＶ、ｐＨ＝８．２の陰極水を用いて流水方式で１０分間洗浄した結果を図６に示すが、洗浄処理前の２０００個以上／ウエーハのコロイダルシリカが、８０個／ウエーハとなった。従来のＡＰＭ液を用いた場合の１００個／ウエーハを越える残留量に比べても優れた結果である。このように陰極水の採用により、薬品濃度を低減でき、作業の安全性も向上した。この無機パーティクル除去にはＯＰＲ−７００ｍＶ以下で、ｐＨ８以上の陰極水が特に有効で塩化アンモニウムや酢酸アンモニウムを僅かに２×１０−５モル／リットル加えた電気分解水においても充分に効果がある。この陰極水処理ではシリコンを僅かにエッチングすることで無機パーティクルを除くものであるが、同時に陰極水中ではシリコン基板表面にパーティクルが再付着しにくいという効果も有している。」
（２−ｂ）段落【００２６】
「・・・陰極水によるＳｉ表面の処理について、０．１〜２×１０−５モル／リットルの塩化アンモニウムあるいは酢酸アンモニウムを添加した水溶液を電気分解することで得られる陰極水について述べてきたが、ＯＲＰが−５００ｍＶ以下でｐＨが７を越える陰極水を用いることが有効であった。更に陰極水にＨ２をバブリングさせて溶存させると、還元性が上昇し、無機パーティクルの除去効率が上がり、処理時間の短縮（図７参照）が図れ、・・・これは、陰極水の還元力が水素バブリングによって向上した結果であると考えられる。」
（２−ｃ）段落【００２８】
「・・・陰極水はシリコン以外のＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＺｎＳｅ等の化合物半導体基板上の無機パーティクルや自然酸化膜除去にも適用できる。これにはｐＨ７を越え、ｐＨ９程度に至る陰極水を７０°Ｃ程度に加熱して用いるのが有効である。例えば、１×１０−４モル／リットルの酢酸アンモニウムを電解質として電気分解した場合、陰極側で得られたＯＲＰが−７５０ｍＶ、ｐＨが８．７の陰極水でＧａＡｓ基板を処理することにより、表面に意図的に付着させた２００００個／ウエハーのコロイダルシリカが、１００個／ウエハー以下となり、ＡＥＳ（オージェ電子分光）分析で未処理ウエーハ表面に観察されたＧａＯの信号強度が１／１０以下に低減した（図８参照）。これらの場合に上記陰極水にＨ２ガスをバブリングして還元性を高めると無機パーティクル（図９参照）や自然酸化膜（図１０参照）除去効率は一段と向上できた。・・・」
（２−ｄ）段落【００２９】
「・・・陰極水を半導体ウエーハ表面のパーティクル除去へ適用した場合の実施例を述べる。陰極水を半導体ウエーハ表面のパーティクル除去へ適用した場合の実施例を述べる。陰極水はアルカリ性かつ還元性を有し、メタル（シリサイド）系あるいは絶縁膜系を問わずエッチング作用を持ち、アルカリ中ではシリコンとパーティクルのゼータ電位が同符号（マイナス）となるためにシリコンとパーティクルとの間には反発力が働き、無機、有機を問わずパーティクルが付着しにくい特性を持つため、パーティクル除去に最適である。・・・」
　上記記載事項からみて、刊行物２には、
「電気分解して得られる陰極水をＣＭＰを経たＳｉ基板上に付着したコロイダルシリカの除去に利用し、ｐＨ７を越える陰極水にＨ２を溶存させると無機パーティクルの除去効率が上がる。」という事項（以下、「刊行物２記載の事項」という。）が記載されていると認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（３）刊行物６
（３−ａ）段落【０００１】，【０００２】
「【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄水製造・供給システム及び製造・供給方法に係り、より詳細にはオゾン水と水素水とを同一装置で発生させる洗浄水製造・供給システム及び製造・供給方法並びに洗浄システム及び洗浄方法に関する。
【背景技術】半導体基板、液晶基板、その他の各種被洗浄体上から有機物やコロイダル状シリカなどのパーティクルの除去には、オゾン水と、電気分解によって得られるＯＨ−イオン水（電解カソード水）とが有効であることが近時報告されている。」
（３−ｂ）段落【００２４】〜【００２６】
「Ｈ２水にｐＨ調整薬液を添加することができるためＨ２水のｐＨを適宜（たとえばｐＨ７以上）に調整することができ、パーティクルの除去効率の高い洗浄液を供給することができる。
　また、ｐＨ調整薬液としてＮＨ４ＯＨは好適である。
　ｐＨ調整薬液としては例えばＮａＯＨ、ＫＯＨ、ＮＨ４ＯＨなどがあげられるが、特にＮＨ４ＯＨが他の薬液と比較してパーティクルの高い除去効率を示し、かつアルカリ性成分の残査の心配がまったくない。」
（３−ｃ）段落【００７１】，【００７２】
「図６に本発明に係る洗浄システムの実施形態を示す。図６には洗浄室のみを示してある。
　２０４が洗浄室である。洗浄室２０４内には高圧ジェットノズル２１０、２１１が設けてあり、高圧ジェットノズル２１０，２１１にはＨ２水配管１０がポンプなどを介して接続されている。」
（３−ｄ）段落【００７５】，【００７６】
「図７に本発明に係る洗浄システムの実施形態を示す。図７には洗浄室のみを示す。３０９が洗浄室である。
　図７に示す例では、洗浄室３０９の内部にさらに石英製超音波洗浄槽３０１が設けられており、その中にはＨ２水３０６がＨ２水配管１０を介して供給されている。この超音波洗浄槽３０１は、超音波伝達用液体３０５を介して超音波槽３０２内に収納されている。３０３，３０４は超音波素子であり、本例では、被処理物１１５に対し水平方向に超音波が付与される。超音波素子３０３からの超音波は、超音波伝達用液体３０５を介して超音波洗浄槽３０１内のＨ２水３０６内に浸漬された被処理物１１５に伝達される。」
（３−ｅ）段落【００８３】〜【００８５】
「図９に本発明に係る洗浄システムの実施形態を示す。図９には洗浄室のみを示す。９０１が洗浄室である。
　本例では洗浄室９０１内に気体噴射ノズル９１０，９１１を設けてある。気体噴射ノズル９１０の詳細を図１０に示す。図１０（ｂ）は垂直断面図であり、図１０（ａ）は図１０（ｂ）のＸ−Ｘ’断面図である。
　窒素、空気などの気体を気体入口９１５から導入するとともに、Ｈ２水を液体入口９１７から導入する。気体の流れのためＨ２水は気体噴射ノズル９１０内に吸い込まれ気体とともにノズル内の通路９１６に沿ってを流れ、ノズル先端９１８から高圧で噴射される。」
（３−ｆ）段落【０１１５】〜【０１１７】
「（実施例５）図１、図６に示す洗浄システムにより以下の高圧ジェット洗浄を行った。基板：アルミナパーティクルを付着したガラス
洗浄水：Ｈ２水＋ＮＨ４ＯＨ
Ｈ２濃度：０．９８ｐｐｍ
ｐＨ：１０．５
ＯＲＰ：−６３０ｍＶｖｓＮＨＺ
流量：１５０ｃｃ／ｍｉｎ
ジェット圧力：７０ｋｇＷ
　一方、比較のため比抵抗１８ＭΩｃｍの純水を用いて同じジェット圧力で高圧ジェット洗浄を行った。
　洗浄結果を図１４に示す。図１４に示すとおり、Ｈ２水＋ＮＨ４ＯＨによる高圧ジェット洗浄は、超純水による高圧ジェット洗浄よりも優れた洗浄効果を示している。」
（３−ｇ）段落【０１１８】〜【０１２０】
「（実施例６）図１、図７、図８に示す洗浄システムにより以下の超音波洗浄を行った。
基板：アルミナパーティクルを付着したガラス
洗浄水：Ｈ２水＋ＮＨ４ＯＨ
Ｈ２濃度：０．９８ｐｐｍ
ｐＨ：１０．５
ＯＲＰ：−６３０ｍＶｖｓＮＨＺ
流量：０．８Ｌ／ｍｉｎ
超音波周波数：１．５ＭＨｚ
　一方、比較のため比抵抗１８ＭΩｃｍの純水を用いて同じ周波数で超音波洗浄を行った。
　洗浄結果を図１５に示す。図１５に示すとおり、Ｈ２水＋ＮＨ４ＯＨによる超音波洗浄は、超純水による超音波洗浄よりも優れた洗浄効果を示している。また、純水の場合には静電気の発生をもたらすがＨ２水＋ＮＨ４ＯＨの場合には静電気の発生を防止することができ絶縁膜の洗浄にも用いることができる。」
（３−ｈ）段落【０１２１】〜【０１２３】
「（実施例７）図１、図９に示す洗浄システムにより以下の高圧噴射洗浄を行った。基板：アルミナパーティクルを付着したガラス
洗浄水：Ｈ２水＋ＮＨ４ＯＨ
Ｈ２　濃度：０．９８ｐｐｍ
ｐＨ：１０．５
ＯＲＰ：−６３０ｍＶｖｓＮＨＺ
流量：２Ｌ／ｍｉｎ
気体流量：１０ＮＬ／ｍｉｎ
　一方、比較のため比抵抗１８ＭΩｃｍの純水を用いて同じ条件で高圧噴射洗浄を行った。
　洗浄結果を図１６に示す。図１６に示すとおり、Ｈ２水＋ＮＨ４ＯＨによる高圧噴射洗浄は、超純水による高圧噴射洗浄よりも優れた洗浄効果を示している。また、剥離、エッチング等のリンス性も良好であった。」
　上記記載事項において、「高圧ジェット洗浄」、「超音波洗浄」及び「高圧噴射洗浄」は「物理力洗浄」ということができる。
　したがって、刊行物６には、
「基板洗浄方法において、コロイダル状シリカなどのパーティクルが付着した基板を、水素ガスを溶解した、ｐＨ７以上のガス溶解水で、物理力を併用して洗浄する。」という事項（以下、「刊行物６記載の事項」という。）が記載されていると認められる。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．対比
　本願発明と、刊行物１記載の発明とを対比すると、後者の「パーティクル及び金属が付着した基板」及び「希フッ酸と純水を混合したＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ２Ｏ）」は、前者の「異物が付着した基板」及び「フッ化水素を含有する水溶液」に相当することは明らかである。また、後者の「アルカリ性洗浄液で洗浄する」ことは、少なくともアルカリ性の洗浄液で洗浄するという限りにおいて、前者の「水素ガスを溶解した、ｐＨ７以上のガス溶解水で洗浄する」ことと共通している。
　してみると、両者の一致点及び相違点は、以下のとおりである。
［一致点］　
「異物が付着した基板を、フッ化水素を含有する水溶液でエッチング処理したのち、少なくともアルカリ性の洗浄液で洗浄する基板の洗浄方法。」
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［相違点１］
　前者では、アルカリ性洗浄液による洗浄が、水素ガスを溶解したｐＨ７以上のガス溶解水で、物理力を併用して洗浄するのに対して、
　後者では、アルカリ性洗浄液による洗浄が、水素ガスを溶解したガス溶解水でなく、物理力を併用していない点。
［相違点２］
　前者では、フッ化水素を含有する水溶液でエッチング処理したのち、リンス処理を経ないで、少なくともアルカリ性の洗浄液による洗浄を行っているのに対して、
　後者では、フッ化水素を含有する水溶液でエッチング処理したのち、リンス処理を経て、アルカリ性洗浄液による洗浄を行っている点。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
４．判断
　そこで、上記相違点について検討すると、
［相違点１について］
　刊行物２には、異物が付着した基板を、水素ガスを溶解したｐＨ７を越えるガス溶解水で洗浄することが記載されている（前記刊行物２記載の事項）。また、刊行物６にも、異物が付着した基板を、水素ガスを溶解したｐＨ７以上のガス溶解水で洗浄することが記載されている。
　さらに、洗浄の際に物理力を併用することは、例えば、前記拒絶の理由に引用した精密洗浄装置と最新応用技術編集委員会編、「精密洗浄と最新応用技術」，初版，株式会社工業資料センター，１９９１年１１月８日，ｐ．５４４−５４８に記載されているほか、前記刊行物６に、水素ガスを溶解したｐＨ７以上のガス溶解水で洗浄する際に、物理力を併用することが記載されている（前記刊行物６記載の事項）ように、本願出願前に周知の事項である。
　そして、刊行物１記載の発明と、刊行物２記載の事項、刊行物６記載の事項及び前記各周知技術とは、異物が付着した基板をウエット洗浄する点で技術分野が共通しており、刊行物１記載の発明に、刊行物２記載の事項、刊行物６記載の事項及び前記各周知技術の適用を阻害する特段の事由も見出せない。
　したがって、刊行物１記載の発明に、刊行物２記載の事項及び前記各周知技術を適用し、その際に、刊行物６記載の事項を勘案することにより、相違点１に係る本願発明１の特定事項とすることは当業者であれば容易に想到し得たことである。
［相違点２について］
　薬液処理後にリンス処理を経て洗浄を行うか、リンス処理を経ないで行うかは、処理の内容等に応じて当業者が適宜選択できる事項であり、刊行物１記載の発明において、希フッ酸のような薄い薬液を用いた処理の後で、リンス処理を省いて後の処理を行うことには困難性は見出せない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　そして、本願発明の奏する効果も、刊行物１記載の発明、刊行物２記載の事項、刊行物６記載の事項及び前記各周知技術から十分に予測できる程度のものであって格別なものでもない。
　したがって、本願発明は、刊行物１記載の発明、刊行物２記載の事項、刊行物６記載の事項及び前記各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　なお、請求人は平成１７年１２月１９日付け意見書において、刊行物２記載の事項には、フッ化水素及び水素の両方を含有した洗浄水は存在せず、フッ酸エッチング後に水素水で洗浄する工程順序は開示されておらず、また、刊行物２記載の事項は、フッ酸という危険性がある薬品の使用が避けられた旨の記載（段落【００２５】，【００２８】参照）から、フッ酸処理を水素水洗浄の前段階で行うことを回避する技術であると認定し、フッ酸処理工程を有する刊行物１において、アルカリ性洗浄液の代わりに刊行物２の水素水を適用することを否定することにつながる旨主張している。
　しかしながら、刊行物２には、従来のフッ酸溶液処理を陰極水処理に代えることにより、フッ酸や有機溶剤の使用が避けられ、或いはその使用量を削減できたとする一般的事項が記載されているにすぎず、フッ酸処理後に陰極水処理を行うことを否定又は排除するものとは認めることができない。
　また、本願発明による「フッ化水素エッチングの後で、ｐＨ７以上の水素水と物理力を併用して洗浄する」という一連の工程順序と処理条件を一体的に組み合わせることによる相乗効果を主張しているが、前述したように、本願発明の効果が、特に刊行物２記載の事項の（２−ｃ）、（２−ｄ）及び図７〜１１、並びに刊行物６記載の事項の（３−ｆ）、（３−ｇ）、（３−ｈ）及び図１４〜１６に示された効果に比較して格別顕著なものであるということはできない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
５．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１記載の発明、刊行物２記載の事項、刊行物６記載の事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、請求項２に係る発明について検討するまでもなく本件出願は拒絶するべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。