【事件の表示】
　平成７年特許願第１２３５７３号「半導体基板上に所望のパターンの樹脂膜を形成する方法、半導体チップ、半導体パッケージ、及びレジスト像剥離液」拒絶査定不服審判事件〔平成８年２月１６日出願公開、特開平８−４５９００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯 
　本願は、平成７年５月２３日（優先権主張　平成６年５月２４日）の出願であって、平成１５年８月１１日付で拒絶理由通知がなされ、同年１０月１７日付で意見書が提出され、平成１５年８月１１日付拒絶理由通知書に記載した理由によって、同年１１月１１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１６年１月１９日付で手続補正書が提出されたものである。 
 　　 
［２］平成１６年１月１９日付手続補正についての補正却下の決定
　　　
＜補正却下の決定の結論＞
　平成１６年１月１９日付手続補正を却下する。
　　
＜理由＞
［２−１］補正の内容 
　平成１６年１月１９日付手続補正は、特許請求の範囲を、
「【請求項１】（A）半導体基板上に、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、キシレン及びヘプタンからなる群より選ばれる１種又は２種以上の有機溶剤に可溶である有機溶剤可溶性樹脂膜層を形成させ；
（B）この上に所望のパターンのレジスト像を形成させ；
（C）有機溶剤で処理して、レジスト像で被覆されていない部分の有機溶剤可溶性樹脂膜層をエッチング・除去し；
（D）レジスト像剥離液で処理して、レジスト像を有機溶剤可溶性樹脂膜層から剥離させる；半導体基板上に所望のパターンの樹脂膜を形成する方法。
【請求項２】（D）の処理のあと更に、（E）アルコールで処理する；請求項１の方法。
【請求項３】レジスト像剥離液が、溶媒１００重量部に対しアリールスルホン酸０．０１〜１０．０重量部を含み、かつ、その溶媒の溶解性パラメータが５．０〜１１．０である、請求項１又は２のいずれかの方法。
【請求項４】アリールスルホン酸が、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、エチルベンゼンスルホン酸及びプロピルベンゼンスルホン酸からなる群から選ばれる少なくとも一つである、請求項３の方法。
【請求項５】溶解性パラメータが５．０〜１１．０である溶媒が、キシレン、シクロヘキサン、トルエン及びベンゼンからなる群から選ばれる少なくとも一つを含むものである、請求項３の方法。
【請求項６】有機溶剤可溶性樹脂がポリイミド樹脂である、請求項１〜５のいずれかの方法。
【請求項７】半導体基板上に、請求項１〜６のいずれかの方法により所望のパターンの樹脂膜を形成させた半導体チップ。
【請求項８】請求項７の半導体チップの電極とリードフレームとを接続し、封止材で封止してなる半導体パッケージ。」と補正するものである。
 　　 
［２−２］補正の目的
　請求項１は、補正前の請求項１の（Ａ）欄に記載された「有機溶剤可溶性樹脂膜層」を、「Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、キシレン及びヘプタンからなる群より選ばれる１種又は２種以上の有機溶剤に可溶である有機溶剤可溶性樹脂膜層」と限定したものに該当し、
　請求項２〜８は、上記請求項１を引用する請求項、又はそれを更に引用する下位の請求項に該当する。
　したがって、請求項１〜８は、いずれも平成６年法改正前の特許法第１７条の２第３項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、補正前の請求項９〜１２を削除する補正は、同法第１７条の２第３項第１号に掲げる、第３６条第５項第２号に規定する請求項の削除を目的とするものに該当する。
　　
［２−３］独立特許要件 
　次いで、上記の特許請求の範囲の減縮を目的とする補正後の請求項１〜８に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。 
 　　 
（１）補正後の本願発明 
　上記補正後の請求項１〜８に係る発明（以下、「本願補正発明１」〜「本願補正発明８」という。）は、平成１６年１月１９日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された、上記［２−１］の【請求項１】〜【請求項８】に記載したとおりのものと認める。
　　 
（２）引用刊行物の記載事項 
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平１−１２０５５７号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。 
　　
（ａ）「ポリアミド酸を用いて形成された高分子膜を熱処理して、上記ポリアミド酸の１０〜８０％をイミド化させ、次いで、一部イミド化された高分子膜をその所定の部分を露出させて耐薬品性のホトレジスト被膜で覆い、次いで上記高分子膜の露出部分を、モノエタノールアミンを３０容量％以上含有する有機塩基性溶液を用いてエッチングし、然る後、上記ホトレジスト被膜を除去することを特徴とするポリイミド系樹脂膜からなるパターンの形成法。」（特許請求の範囲）、
（ｂ）〔産業上の利用分野〕として、「本発明は、電子部品用の絶縁膜や保護膜等として用いられるポリイミド系樹脂膜からなるパターンの形成法に関するもので、本発明の形成法によれば、膜厚が数μｍ以上の被膜でも微細なパターンを形成することができる。」（第１頁左下欄１８行〜右下欄２行）
（ｃ）〔問題点を解決するための手段〕として、「本発明でエッチング液として用いられる有機塩基性溶液としては、モノエタノールアミンが有機溶媒に３０容量％以上、好ましくは４０容量％以上の濃度で溶解したものであれば良く、上記有機溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン・・・Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジエタノールアミン・・・等の塩基性溶媒が挙げられ、特にＮ−メチル−２−ピロリドン、ジエタノールアミンが好ましい。また、上記有機塩基性溶媒に、キシレン・・・等を少量混合することもできる。」（第２頁右下欄１６行〜第３頁左上欄８行）、
（ｄ）「ポリアミド酸からなる高分子膜を熱処理して、前記ポリアミド酸の１０〜８０％、好ましくは２０〜７０％をイミド化させ、一部イミド化された高分子膜を得る。イミド化率が上記範囲より低いと、高分子膜がエッチングされ過ぎて鮮明なパターンが得られず、またイミド化率が高過ぎると、エッチング液を高温にする必要が生じ、そのためエッチング中にホトレジスト被膜が剥離する」（第３頁右上欄１６行〜左下欄４行）、
（ｅ）実施例として、「〈1〉予めシランカップリング剤で処理をしたガラス基板上にポリアミド酸溶液をスピンコータを用いて・・・塗布した後、該塗布膜を・・・熱処理し、膜厚が１５．０μｍの一部イミド化された高分子膜を形成する。この高分子膜のイミド化率は４０％であった。
〈2〉上記の一部イミド化された高分子膜上に・・・ネガ型レジストからなる薄膜を形成する。
〈3〉上記薄膜に４０μｍライン／スペースのホトマスクを密着し、該ホトマスクを通して、露光（・・・）する。
〈4〉露光後、・・・該薄膜の未露光部分を溶出、除去する。
〈5〉上記薄膜を・・・乾燥し、・・・耐薬品性のホトレジスト被膜を形成する。
〈6〉耐薬品性のホトレジスト被膜で覆われた上記の一部イミド化された高分子膜を、モノエタノールアミン溶液に３５℃で１５分間浸漬して、上記ホトレジスト被膜で覆われていない上記高分子膜の露出部分をエッチングする。
〈7〉エッチング後、上記耐薬品性のホトレジスト被膜で覆われている上記の一部イミド化された高分子膜を、剥離液（・・・）に８０℃の温度下に２分間浸漬して、上記ホトレジスト被膜を剥離除去する。」（第４頁左下欄７行〜右下欄１８行）が記載されている。
　　
　なお、当起案システムでは丸数字が使用できないため、丸数字を「〈1〉〈2〉〈3〉・・・〈7〉」で表記した。
　　
（３）対比・判断
（３−１）本願補正発明１について
　上記（２）に摘記した事項（ａ）〜（ｅ）を総合すると、引用刊行物には、「電子部品の基板上にポリアミド酸を用いて形成された高分子膜を熱処理して、上記ポリアミド酸の１０〜８０％をイミド化させた高分子膜を形成し、次いで、一部イミド化させた高分子膜をその所定の部分を露出させて耐薬品性のホトレジスト被膜で覆い、次いで上記高分子膜の露出部分を、モノエタノールアミンを３０容量％以上含有する有機塩基性溶液を用いてエッチングし、然る後、剥離液に浸漬して上記ホトレジスト被膜を剥離除去する、ポリイミド系樹脂膜からなるパターンの形成法」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 
　そして、本願補正発明１と引用発明とを対比すると、引用発明における「モノエタノールアミンを３０容量％以上含有する有機塩基性溶液」には、モノエタノールアミンをＮ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の有機溶媒に溶解させた溶液が含まれ（上記摘記（ｃ）参照）、該溶液にポリアミド酸の１０〜８０％をイミド化させた高分子膜を浸漬し、高温に加熱することなく短時間のうちに溶解させ得る（上記摘記（ｄ）、（ｅ）参照）のであるから、該溶液は該高分子膜の有機溶剤に他ならず、該高分子膜は有機溶剤可溶性樹脂膜層に他ならない。
　また、引用発明における「ホトレジスト被膜」、「その所定の部分を露出させて耐薬品性のホトレジスト被膜で覆い」、「高分子膜の露出部分」、「モノエタノールアミンを３０容量％以上含有する有機塩基性溶液を用いてエッチングし」、「剥離液に浸漬して」、「ホトレジスト被膜を剥離除去する」、「ポリイミド系樹脂膜からなるパターン」は夫々、本願補正発明１における「レジスト像」、「この上に所望のパターンのレジスト像を形成させ」、「レジスト像で被覆されていない部分の有機溶剤可溶性樹脂膜層」、「有機溶剤で処理して、・・・エッチング・除去し」、「レジスト像剥離液で処理して」、「レジスト像を有機溶剤可溶性樹脂膜層から剥離させる」、「所望のパターンの樹脂膜」に相当する。
　そうすると、両者は、「（A）基板上に、有機溶剤に可溶である有機溶剤可溶性樹脂膜層を形成させ；
（B）この上に所望のパターンのレジスト像を形成させ；
（C）有機溶剤で処理して、レジスト像で被覆されていない部分の有機溶剤可溶性樹脂膜層をエッチング・除去し；
（D）レジスト像剥離液で処理して、レジスト像を有機溶剤可溶性樹脂膜層から剥離させる；基板上に所望のパターンの樹脂膜を形成する方法。」の点で一致し、次の点で相違する。
（イ）所望のパターンの樹脂膜を形成する基板が、本願補正発明１では、半導体基板であるのに対し、引用発明では、電子部品の基板である点。
（ロ）樹脂膜層の有機溶剤が、本願補正発明１では、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、キシレン及びヘプタンからなる群より選ばれる１種又は２種以上であるのに対し、引用発明では、モノエタノールアミンを３０容量％以上含有する有機塩基性溶液である点。
　　　
　そこで、上記相違点（イ）（ロ）について以下検討するに、半導体基板上に樹脂膜のパターンを形成すること、及び、その際に、半導体基板上に被覆した樹脂膜を、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等の有機溶剤で所望のパターンが残るように溶解することが本願出願の優先権主張日前周知であるから（例えば、特開平５−７２７３６号公報，段落【０００１】〜【０００３】，【００１５】；特開昭５６−４５９１５号公報，第４頁右上欄１５行〜左下欄１３行，第６頁右上欄１５行〜左下欄７行；特開平１−２６６７２５号公報，特許請求の範囲，第５頁右下欄１〜１６行参照）、引用発明において、電子部品の基板を半導体基板とし、該基板上にＮ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の有機溶剤で溶解し得る樹脂膜を形成し、該有機溶剤で該樹脂膜をエッチングすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、上記相違点（イ）（ロ）に係る本願補正発明１の特定事項によってもたらされる効果も、引用刊行物の記載及び上記周知の技術から当業者が普通に予測し得る程度のものであって、格別なものとはいえない。 
 　　 
　したがって、本願補正発明１は、引用刊行物に記載された発明及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
 　　 
（４）むすび 
　以上のとおり、本願補正発明１が特許出願の際独立して特許を受けることができないため、本願補正発明２〜８について検討するまでもなく、本件補正は、平成６年法改正前の特許法第１７条の２第４項で準用する同法第１２６条第３項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　　 
［３］本願発明 
　平成１６年１月１９日付手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１〜１２に係る発明は、出願当初の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は以下のとおりである。
「【請求項１】（A）半導体基板上に、有機溶剤可溶性樹脂膜層を形成させ；
（B）この上に所望のパターンのレジスト像を形成させ；
（C）有機溶剤で処理して、レジスト像で被覆されていない部分の有機溶剤可溶性樹脂膜層をエッチング・除去し；
（D）レジスト像剥離液で処理して、レジスト像を有機溶剤可溶性樹脂膜層から剥離させる；半導体基板上に所望のパターンの樹脂膜を形成する方法。」
　　
［４］引用刊行物の記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物（特開平１−１２０５５７号公報）には、上記［２−３］（２）に摘記した事項（ａ）〜（ｅ）が記載されている。 
 　　 
［５］対比・判断 
　本願発明１は、上記［３］で認定したとおり、本願補正発明１における、「Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、キシレン及びヘプタンからなる群より選ばれる１種又は２種以上の有機溶剤に可溶である有機溶剤可溶性樹脂膜層」の「Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、キシレン及びヘプタンからなる群より選ばれる１種又は２種以上の有機溶剤に可溶である」を削除したものに相当する。
　そうすると、本願発明１を特定するために必要と認める事項を全て含み、更に他の事項を付加したものに相当する本願補正発明１が、上記［２−３］（３−１）の欄で説示したとおり、引用刊行物に記載された発明及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１についても、同様の理由により、引用刊行物に記載された発明及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
［６］むすび 
　以上のとおり、本願発明１は、引用刊行物に記載された発明及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　また、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の請求項２〜１２に係る発明ついて検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。