【事件の表示】
　平成１０年特許願第３６７６６０号「薄膜の膜厚測定装置およびその方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年７月１４日出願公開、特開２０００−１９３４２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本件は、平成１０年１２月２４日に出願がされ、拒絶査定が平成１５年１０月１５日付けでされ、同年同月２１日に発送されたところ、この拒絶査定に対する審判が同年１１月１９日に請求されるとともに手続補正書が同年１２月１９日に提出されたものである。
　
　
第２　平成１５年１２月１９日付けの手続補正についての補正却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　　平成１５年１２月１９日付けの手続補正を却下する。
　［理由］
　１　補正の内容
　　平成１５年１２月１９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項９の記載
「【請求項９】基板に対してほぼ垂直に光を照射し、前記基板からの反射光を受光するステップと、前記受光された反射光の強度に基づいて前記基板の薄膜の膜厚を解析するステップと、前記薄膜の成膜条件と前記解析された膜厚とを記憶するステップと、を含む薄膜の膜厚測定方法。」
を新たに請求項７として、
「【請求項７】光源からの光を基板上の複数箇所に導き、該複数箇所からの反射光を受光する分岐型光ファイバを用いて前記基板に対してほぼ垂直に光を照射し、前記分岐型光ファイバが前記基板から受光した複数の反射光を選択的に受光するステップと、前記受光された反射光の強度に基づいて前記基板の薄膜の膜厚を解析するステップと、前記薄膜の成膜条件と前記解析された膜厚とを記憶するステップとを含む、薄膜の膜厚測定方法。」
と補正する補正事項を含んでいる。
　　上記補正事項は、本件補正前の「基板に対してほぼ垂直に光を照射し」という記載を「光源からの光を基板上の複数箇所に導き、該複数箇所からの反射光を受光する分岐型光ファイバを用いて前記基板に対してほぼ垂直に光を照射し」とし、「前記基板からの反射光を受光するステップ」という記載を「前記分岐型光ファイバが前記基板から受光した複数の反射光を選択的に受光するステップ」とするものであって、基板に対する光の照射及び基板からの反射光の受光に係る構成をさらに限定したものであるから、特許法１７条の２第４項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　　そこで、本件補正後における特許請求の範囲の請求項７に記載されている事項により特定される発明（以下、「本願補正発明７」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
　２　引用例
　（１）特開昭６１−１６５６０８号公報
　　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前の昭和６１年７月２６日に頒布された刊行物である特開昭６１−１６５６０８号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
　　ア　「本発明は膜厚測定装置に関し、特に被測定部材（たとえば半導体ウェーハ）内の多点同時測定が可能な膜厚測定装置に関するものである。」（第１頁右下欄第６〜８行）
　
　　イ　「被測定対象としての半導体ウェーハ１を所定位置に配置し、このウェーハ１上に形成された被測定膜（たとえばレジスト膜）２の設定された複数の被測定位置（被測定点）に夫々光ファイバ３の一端が配置されるようにする。ここでは本発明を判りやすく説明するため便宜上光ファイバ３は３本示されているが、実際は被測定位置（被測定点）の数は１００箇所（点）とか７００箇所（点）とか、必要に応じて多数の被測定位置（被測定点）が設置されており、それに対応してファイバ３の数も同数ないしはそれ以上（同一の被測定位置を複数本の光ファイバで照射する構成とする場合）となる。」（第２頁左下欄第１３行〜同頁右下欄第５行）
　
　　ウ　「４は白色光を出力する光源であって、この光源４からの光は分光器５で分光される。チョッパ６は分光器５からの入射光を逐次波長を変えて一端が各被測定位置上に延在している各光ファイバ３の他端に送りこみ、その入射光を各光ファイバ３を通して伝送し、各光ファイバ３の前記一端から被測定膜２の各被測定位置に同時に垂直に照射する。そしてその反射光を夫々各光ファイバ３と対になる光ファイバ７を介して各ホトセンサ８へ送る。」（第２頁右下欄第１１〜２０行）
　
　　エ　「各ホトセンサ８は各被測定位置からの反射光を反射光強度信号に変換し、逐次各波長に対する反射光強度信号データをデータ処理装置９のデータバッファ９ａに送り、そのメモリに一時的にたくわえる。」（第２頁右下欄第２０行〜第３頁左上欄第４行）
　
　　オ　「なおデータ処理装置９はデータバッファ９ａと、データバッファ９ａからの測定データ（各被測定位置における夫々第２図に示すような特性データ）にもとづいて被測定膜２の各被測定位置での膜厚を夫々所定の演算で算出する演算装置９ｂとからなる。」（第３頁左上欄第４〜９行）
　
　　カ　「以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である半導体ウェーハのレジスト膜厚などの測定に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、たとえば着色ステンレスの膜の厚さの測定、金属表面の薄膜（たとえば酸化膜など）の厚さの測定など、半導体装置の膜厚に限らずあらゆる膜厚の測定に適用できる。」（第４頁右下欄第６〜１３行）
　
　（２）特開平７−３０２８２６号公報
　　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前の平成７年１１月１４日に頒布された刊行物である特開平７−３０２８２６号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
　　ア　「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、半導体ＬＳＩ、ＴＦＴ等の電子回路装置の製造方法に関わり、特にある任意の製造工程の途中において、ウェハ上や基板上のパターン形状や物性値の計測した情報や、製造装置でモニタした情報などに基づいて、その次以降の製造工程を最適化する製造方法に関わる。」
　
　　イ　「【００１０】図２に示すように製造ライン１１は，（い）酸化炉，マスク製造装置，露光装置，成膜装置，エッチング装置、イオン打ち込み装置など各種の製造装置２０と、（ろ）光学検査装置、ＳＴＭ、ＡＦＭ、ＴＥＭ、測長ＳＥＭ，集束イオンビームを用いた断面観察装置などのパターンの形状測定や，オージェ，イオンマイクロアナライザなどの分析装置による物性値計測などを行なう検査装置２２と、（は）これらの装置間のウエハ搬送を行なう搬送装置２６と、（に）検査後にウエハを修正する場合に備えて、集束イオンビーム加工装置やレーザＣＶＤ装置等の修正装置２３により構成する。その個々の装置を制御するコンピュータ２７とこれらを統括制御するホストコンピュータ２８を設ける。コンピュータ２７は、（α）製造装置間の搬送順序の制御信号や、（β）寸法（例えばマスクのＣＡＤ情報）、処理温度、処理時間、ガス圧力、エネルギ、原料等のレシピ情報や、（γ）検査箇所、検査条件などの情報を送り，搬送装置２６、製造装置２０、検査装置２２をコントロールする。」
　
　　ウ　「【００１１】一方，製造装置２０は、この内部に組み込まれた装置モニタにより，例えば成膜中の成膜温度・時間等の成膜条件やエッチング中のエッチング速度・時間、酸化・拡散の温度、あるいはイオン打ち込みのエネルギ、ドーズ量などの製造プロセス中に監視、測定した情報（以後，装置モニタ情報とする。）をホストコンピュータ２８に送り返す。この装置モニタ情報と，検査装置２２により測定された結果との関係をデータベース２９に保存しておく。」
　
　　エ　「【００３４】本実施例ではＬＳＩの製造についてのみ述べたが，そのほかの半導体や，ＴＦＴなど薄膜デバイスなど，そのほかすべての電子回路装置の製造方法に適用できる。」
　
　３　対比・判断 
　（１） 引用例１記載の発明
　　上記「２」の「（１）」の摘記事項アより、引用例１には、「被測定部材（たとえば半導体ウェーハ）内の多点同時測定が可能な膜厚測定装置」が記載されている。
　　同摘記事項イ及びウより、引用例１には、「被測定対象としての半導体ウェーハ１を所定位置に配置し、このウェーハ１上に形成された被測定膜（たとえばレジスト膜）２の設定された複数の被測定位置（被測定点）に夫々光ファイバ３の一端が配置され」、「白色光を出力する光源」からの光を入射光として「各光ファイバ３の他端に」送り込み、「各光ファイバ３を通して伝送し、各光ファイバ３の前記一端から被測定膜２の各被測定位置に同時に垂直に照射」し、「その反射光を夫々各光ファイバ３と対になる光ファイバ７を介して各ホトセンサ８へ送る」点が記載されている。
　　同摘記事項エ及びオより、引用例１には、「各ホトセンサ８は各被測定位置からの反射光を反射光強度信号に変換し、逐次各波長に対する反射光強度信号データをデータ処理装置９のデータバッファ９ａに送り、そのメモリに一時的にたくわえ」られ、「データ処理装置９はデータバッファ９ａと、データバッファ９ａからの測定データ（各被測定位置における夫々第２図に示すような特性データ）にもとづいて被測定膜２の各被測定位置での膜厚を夫々所定の演算で算出する演算装置９ｂ」を備える点が記載されている。
　　同摘記事項ウ〜カには、測定装置とともに測定方法についても実質的に記載されている。
　　以上より、引用例１には、「被測定対象としての半導体ウェーハ１を所定位置に配置し、このウェーハ１上に形成された被測定膜２の設定された複数の被測定位置に夫々光ファイバ３の一端が配置され、白色光を出力する光源からの光を入射光として各光ファイバ３の他端に送り込み、各光ファイバ３を通して伝送し、各光ファイバ３の前記一端から被測定膜２の各被測定位置に同時に垂直に照射し、その反射光を夫々各光ファイバ３と対になる光ファイバ７を介して各ホトセンサ８へ送り、各ホトセンサ８は各被測定位置からの反射光を反射光強度信号に変換し、逐次各波長に対する反射光強度信号データをデータ処理装置９のデータバッファ９ａに送り、そのメモリに一時的にたくわえられ、データバッファ９ａからの測定データにもとづいて被測定膜２の各被測定位置での膜厚を夫々所定の演算で算出する半導体ウェーハ内の多点同時測定が可能な膜厚測定方法」の発明（以下、「引用例１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　（２）本願補正発明７と引用例１記載の発明との対比
　　ア　本願補正発明７（以下、「前者」という。）と引用例１記載の発明（以下、「後者」という。）とを対比すると、後者の「被測定対象としての半導体ウェーハ１」、「ウェーハ１上に形成された被測定膜２」、「白色光を出力する光源」及び「反射光強度信号」は、それぞれ前者の「基板」、「基板の薄膜」、「光源」及び「受光された反射光の強度」に相当する。
　
　　イ　後者では、「被測定膜２の設定された複数の被測定位置」に「光源からの光」を「同時に垂直に照射」し、「各被測定位置からの反射光」を「各ホトセンサ８」で受光しているから、前者とは、「光源からの光を基板上の複数箇所に...基板に対してほぼ垂直に光を照射」し、「基板から受光した複数の反射光を...受光」する点で共通する。
　
　　ウ　後者では、「光ファイバ３の一端」を「被測定膜２の設定された複数の被測定位置」に配置し、「光ファイバ３の他端」から送り込まれた「光源からの光」を「前記一端から被測定膜２の各被測定位置」に照射し、「その反射光を夫々各光ファイバ３と対になる光ファイバ７を介して各ホトセンサ８へ送」っており、当該「光ファイバ３」及び「光ファイバ７」は、分岐していることが引用例１の図面第１図から読み取れるから、後者の両ファイバ対は、前者の「分岐型光ファイバ」に相当する。
　
　　エ　また、後者では、「逐次各波長に対する反射光強度信号データ」に基づいて「被測定膜２の各被測定位置での膜厚を夫々所定の演算で算出」しているから、前者とは、「受光された反射光の強度に基づいて前記基板の薄膜の膜厚を解析するステップ」を備えている点で共通する。
　
　　オ　以上より、両者は、「光源からの光を基板上の複数箇所に導き、該複数箇所からの反射光を受光する分岐型光ファイバを用いて前記基板に対してほぼ垂直に光を照射し、前記分岐型光ファイバが前記基板から受光した複数の反射光を受光するステップと、前記受光された反射光の強度に基づいて前記基板の薄膜の膜厚を解析するステップとを含む、薄膜の膜厚測定方法。」という点で一致し、以下の相違点Ａ及びＢで相違する。
　
　［相違点Ａ］
　　前者では、「薄膜の成膜条件と前記解析された膜厚とを記憶するステップ」を含んでいるのに対して、後者では、そのようなステップを含むとは明示されていない点。 
　
　［相違点Ｂ］
　　前者では、「複数の反射光を選択的に受光」しているのに対して、後者では、そのような構成を備えていない点。
　
　（３）判断 
　　以下、上記相違点について検討する。
　［相違点Ａ］について
　　例えば、引用例２には、「半導体ＬＳＩ、ＴＦＴ等の電子回路装置」の「任意の製造工程の途中において、ウェハ上や基板上のパターン形状や物性値の計測した情報や、製造装置でモニタした情報などに基づいて、その次以降の製造工程を最適化する」ために（上記摘記事項ア参照）、「装置モニタにより...例えば成膜中の成膜温度・時間等の成膜条件...などの製造プロセス中に監視、測定した情報（以後，装置モニタ情報とする。）」と「検査装置２２により測定された結果」との関係をデータベース２９に保存しておく点（上記摘記事項ウ参照）が記載されており、さらに、「検査装置２２により測定された結果」は、「光学検査装置、ＳＴＭ、ＡＦＭ、ＴＥＭ、測長ＳＥＭ，集束イオンビームを用いた断面観察装置などのパターンの形状測定や，オージェ，イオンマイクロアナライザなどの分析装置による物性値計測など」の結果である点（同摘記事項イ参照）が記載されているから、薄膜の成膜条件と測定結果とを記憶させることは、引用例２に記載されているように周知の技術である。
　　そして、薄膜製造プロセスにおいて、薄膜の膜厚を測定することは通常行われていることである。
　　したがって、引用例２に記載された周知の技術を引用例（１）記載の発明に適用して、相違点Ａに係る構成を得ることに当業者ならば格別の困難性はない。
　
　［相違点Ｂ］について
　　被測定対象物上の複数箇所からの反射光を光ファイバに導く際に、当該複数の反射光を選択的に受光することは、例えば、本願の出願前の昭和４０年６月１日に頒布された刊行物である特公昭４０−１０８７０号公報（以下、単に「刊行物」という。）に記載されているように周知の技術である（特に図面中の回転板４を参照）。
　　したがって、引用例１記載の発明にかかる周知の技術を適用して、相違点Ｂに係る構成を得ることに当業者ならば格別の困難性はない。
　
　　そして、本願補正発明７の奏する効果は、引用例１及び２並びに上記刊行物に記載された事項に基づいて当業者が容易に予測し得る範囲内のものにすぎない。
　
　４　むすび　
　　以上のとおり、本願補正発明７は、引用例１記載の発明並びに引用例２及び上記刊行物に記載された周知の事項に基づいて、その出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
　　したがって、本件補正は、平成１５年法律第４７号による改正前の特許法１７条の２第５項で準用する同法１２６条４項の規定に違反するものであり、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　　平成１５年１２月１９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１０に係る発明は、平成１５年９月１８日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、その請求項９に係る発明（以下、「本願発明９」という。）は、以下のとおりである。
　　「基板に対してほぼ垂直に光を照射し、前記基板からの反射光を受光するステップと、前記受光された反射光の強度に基づいて前記基板の薄膜の膜厚を解析するステップと、前記薄膜の成膜条件と前記解析された膜厚とを記憶するステップと、を含む薄膜の膜厚測定方法。」
　
　２　引用例
　　原審の拒絶の理由に引用され、本願の出願前の昭和６１年７月２６日に頒布された刊行物である特開昭６１−１６５６０８号公報（引用例１）及び平成７年１１月１４日に頒布された刊行物である特開平７−３０２８２６号公報（引用例２）には、それぞれ図面とともに上記「第２」の「２」の「（１）」及び「（２）」において摘記された事項が記載されている。
　　また、引用例１には、上記「第２」の「３」の「（１）」において認定したとおりの引用例１記載の発明が記載されているものと認められる。
　
　３　対比・判断
　　本願発明９は、本願補正発明７の構成中、「光源からの光を基板上の複数箇所に導き、該複数箇所からの反射光を受光する分岐型光ファイバを用いて」照射する点を省き、「前記分岐型光ファイバが前記基板から受光した複数の反射光を選択的に受光する」ことを単に「前記基板からの反射光を受光」するとしたものに他ならない。
　　そこで、本願発明９（以下、「前者」という。）と引用例１記載の発明（以下、「後者」という。）とを対比すると、上記「第２」の「３」の「（２）」と同様にして、両者は、「基板に対してほぼ垂直に光を照射し、前記基板からの反射光を受光するステップと、前記受光された反射光の強度に基づいて前記基板の薄膜の膜厚を解析するステップとを含む、薄膜の膜厚測定方法。」という点で一致し、上記相違点Ａで相違する。
　　そうすると、相違点Ａについての判断は、上記「第２」の「３」の「（３）」において述べたとおりであり、本願発明９の奏する効果は、引用例１及び２に記載された事項に基づいて当業者が容易に予測し得る範囲内のものにすぎない。
　
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明９は、引用例１記載の発明及び引用例２に記載された周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、本願発明９が特許を受けることができないものであるから、他の請求項１〜８、１０に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。