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　平成　８年特許願第１３２８０８号「プラズマ処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１１月１８日出願公開、特開平　９−２９８１８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１．手続の経緯
　
　本願は、平成８年４月３０日の出願であって、平成１６年１２月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年１月６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年２月７日に手続補正がなされたものである。
　
　
２．平成１７年２月７日付け手続補正についての補正却下の決定
　
　
［補正却下の決定の結論］
　
　　平成１７年２月７日付け手続補正を却下する。
　
　
［理由］
　
（１）補正後の本願発明
　
　本件補正により、特許請求の範囲は請求項１〜４に補正され、その請求項１は以下のとおりに補正された。
　
「大気圧下にて、高周波電源からの高周波電圧を一対の電極に印加することで前記一対の電極間にプラズマを生成し、プラズマ放電により被処理体を処理するプラズマ処理方法において、プラズマ生成用ガスを純水内に導き、純水と直接接触させることで前記プラズマ生成用ガスに水分を含ませ、前記一対の電極間に、前記水分を含んだ前記プラズマ生成用ガスを供給して前記プラズマを生成し、かつ、前記プラズマ中の酸素の価数よりも水素の価数を多くして、前記被処理体を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。」
　
　上記補正は、補正前の請求項１における「水分を含んだ前記プラズマ生成用ガスを供給して前記プラズマを生成すること」の「プラズマ」について、「プラズマ中の酸素の価数よりも水素の価数を多くして、前記被処理体を処理する」と構成を限定することを含むものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　
（２）引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−２４５１９２号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（ａ）「誘電体材料で形成されたガス流路内に所定のガスを導入し、前記ガス流路内で大気圧またはその近傍の圧力下で前記所定のガス中に気体放電を生じさせ、前記放電により生成される前記ガスの活性種に被処理材を曝露させてその表面を処理する工程を含むことを特徴とする表面処理方法。」（【特許請求の範囲】の【請求項１】）
　
（ｂ）「水分の存在下で前記活性種を含むガスに前記被処理材を曝露させることを特徴とする請求項１乃至請求項１６のいずれか記載の表面処理方法。」（【特許請求の範囲】の【請求項１７】）
　
（ｃ）「誘電体材料で形成されたガス流路と、前記ガス流路内にガスを導入するための手段と、前記ガス流路内で大気圧またはその近傍の圧力下で前記ガスに気体放電を発生させる手段と、前記放電により生成された活性種を含むガスに前記被処理材を曝露させる手段とからなることを特徴とする表面処理装置。」（【特許請求の範囲】の【請求項２２】）
 　
（ｄ）「前記活性種を含むガス中に水分を含ませるための手段を更に有することを特徴とする請求項２２乃至請求項３２のいずれか記載の表面処理装置。」（【特許請求の範囲】の【請求項３３】）
　
（ｅ）「【作用】従って、請求項１記載の表面処理方法によれば、ガスを大気圧付近の圧力下で導入しかつガス流路内で放電させることによりプラズマ状態を発生させるので、・・・」（段落【００５１】）
　
（ｆ）「請求項１７記載の表面処理方法によれば、水分を加えて被処理材を表面処理することによって、その処理速度を早めることができる。・・・」（段落【００６０】）
　
（ｇ）「【実施例】図１には、本発明による表面処理装置の好適な実施例の構造が概略的に示されている。・・・１対の高周波電極３ａ、３ｂが、誘電体管２を挟んで互いに対向するように配置され、・・・ガス供給を装置７から所定のガスをフレキシブルチューブ８を通してガス導入口６に供給し、誘電体管２内部を前記所定のガスで置換する。電源１５から一方の電極３ａに高周波電圧を印加すると、両電極３ａ、３ｂ間で誘電体管２内部に気体放電が発生する。この放電状態の領域１７のガス中には、プラズマによる前記ガスの解離、電離、励起等の種々の反応が存在し、これらの反応によって前記ガスの励起種、イオン等の活性種が生成される。ガス供給装置７からガス導入口６にガスが連続的に供給されていることによって、この活性種を含んだガスが、ガス噴出口９から反応性ガス流として被処理材１１の表面に向けて噴出される。」（段落【００８３】〜【００８５】）
　
（ｈ）「・・・ガス供給装置７から誘電体管２内に導入されるガスには、ヘリウム等の希ガス、窒素、圧縮空気、酸素等被処理材に悪影響を与えるものでない限り、全ゆるガスを用いることができる。しかしながら、例えば、被処理材１１にとって酸化が好ましくない場合には、酸素以外のガスを用いるのが好ましい。」（段落【００９８】）
　
（ｉ）「図１３乃至図１５には、それぞれ本発明による放電処理の効果を高めるように水分を付加するための具体的な構成が示されている。図１３に示す実施例では、ガス供給装置７から表面処理装置７１にガスを供給するパイプ７２の途中にバイパスを設けて分岐し、前記ガスの一部を、バルブ７３により調節してタンク７４内に送り込む。タンク７４内には、水、好適には純水７５が貯留され、ヒータ７６によって加熱されて水蒸気を発生させ易くしている。タンク７４内に導入されたガスは、水蒸気を含んで再びパイプ７２に戻され、ガス供給装置７から直接送給される前記ガスと混合して表面処理装置７１に供給される。」（段落【０１１２】）
　
（ｊ）「次に、上述した本発明の表面処理方法を利用して、電子部品とリードとを接続しかつ樹脂で封止して、パッケージ型の半導体装置を製造する方法について説明する。図１６に示すように、図１の表面処理装置１のガス噴出口９及び金属メッシュ１０の直ぐ下方には、被処理材として電子部品７９及びリード８０が配置されている。・・・前記ガス供給装置からガスを導入しかつ前記電極に電圧を印加すると、誘電体管２内で放電が発生し、前記ガスの活性種を含むガス流がガス噴出口９から噴出し、金属メッシュ１０を通過して電子部品７９及びリード８０が曝露され、所望の表面処理がなされる。・・・この表面処理により、電子部品７９及びリード８０の表面は、ぬれ性が大幅に向上する・・・ここで、使用するガス種については、ヘリウム、アルゴン、酸素、窒素、水素、及びこれらの混合ガスを用いて実験したところ、これら全てのガス種についてモールド樹脂８３と電子部品７９またはリード８０との密着性の向上が確認された。また、電源については、１０ＫＨｚ、４００ＫＨｚ、１３．５６ＭＨｚの周波数で実験したところ、これら全周波数で同様にモールド樹脂８０と電子部品７９またはリード８０との密着性の向上が確認された。これらの実験結果は、以下に示す通りである。
先ず、本発明の表面処理によるぬれ性の改善を確認した。この実験では、被処理材の表面に本発明による表面処理を５秒間行い、液滴式接触角計を用いて接触角を測定し、全く表面処理を行わなかったもの、及び減圧下で活性化させた酸素ガスを用いる従来技術で１５分間処理したものについて同様に接触角を測定し、本発明と比較したところ、表１に示されるように、使用ガス種により多少の差があるものの、本発明の著しい効果を示す結果が得られた。」（段落【０１４２】〜【０１４８】）
　
（ｋ）そして、表面処理によるぬれ性の改善の効果を示す表１には、本発明の使用ガスとして、「Ｈｅ＋Ｈ２」ガスが記載されている。（【表１】）
　
　
（３）対比
　
　摘記事項（ｉ）には、ガス供給装置７からタンク７４内に導入されたガスは水蒸気を含んで、ガス供給装置７から直接供給されるガスと混合して、表面処理装置７１に供給されることが記載され、摘記事項（ｇ）には、表面処理装置として、１対の高周波電極３ａ、３ｂに挟まれた誘電体管２内部にガス供給装置７からのガスを供給し、電源１５から一方の電極３ａに高周波電圧を印加して、両電極３ａ、３ｂ間で誘電体管２内部に気体放電を発生させるものが記載されている。
　
　上記摘記事項（ａ）〜（ｋ）を総合すると、引用例１には、以下の発明が記載されていることになる。
「１対の高周波電極３ａ、３ｂに挟まれた誘電体管２内部にガス供給装置７からのガスを供給し、電源１５から一方の電極３ａに高周波電圧を印加して、両電極３ａ、３ｂ間で誘電体管２内部に大気圧下で気体放電を生じさせ、放電により生成されるガスの活性種に被処理材を曝露させてその表面を処理する表面処理方法において、ガス供給装置７からのガスに水蒸気を含ませ、１対の高周波電極３ａ、３ｂに挟まれた誘電体管２内部に供給する表面処理方法。」（以下、「引用例１発明」という。）
　
　そこで、本願補正発明と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明の「１対の高周波電極３ａ、３ｂ」は、本願補正発明の「一対の電極」に相当し、以下同様に、「ガス供給装置７からのガス」は「プラズマ生成用ガス」に、「電源１５」は「高周波電源」に、「一方の電極３ａに高周波電圧を印加」は「高周波電圧を一対の電極に印加」に、「両電極３ａ、３ｂ間」は「一対の電極間」に、「気体放電を生じ」は「プラズマを生成し」に、「被処理材」は「被処理体」に、「放電により生成されるガスの活性種に曝露させてその表面を処理」は「プラズマ放電により処理」に、「表面処理」は「プラズマ処理」に、「水蒸気」は「水分」にそれぞれ相当するから、両者は、「大気圧下にて、高周波電源からの高周波電圧を一対の電極に印加することで前記一対の電極間にプラズマを生成し、プラズマ放電により被処理体を処理するプラズマ処理方法において、前記一対の電極間に、前記水分を含んだ前記プラズマ生成用ガスを供給して前記プラズマを生成し、前記被処理体を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。」の点で一致し、以下の点で相違している。
　
［相違点１］
　ガスに水分を含ませるために、本願補正発明では、ガスを純水内に導き、純水と直接接触させているのに対し、引用例１発明では、ガスに水蒸気を含ませている点。
　
［相違点２］
　本願補正発明では、プラズマ中の酸素の価数よりも水素の価数を多くしているのに対し、引用例１発明では、この点について明記されていない点。
　
　
（４）判断
　
［相違点１］について
　一般に、ガスに水分を含ませるために、ガスを水内に導き、水と直接接触させることは周知技術である（必要ならば、特開平４−１４４２２６号公報、特に第２頁右下欄第２〜１４行、第５図を参照）から、相違点１に係る本願補正発明の構成は、周知技術に基いて、当業者が容易に想到しえたものである。
  
　
［相違点２］について
　本願補正発明における「酸素の価数よりも水素の価数を多くして」の「価数」の意味については、本願補正明細書の段落【００７２】には、「また、水は、２価のマイナスイオンである１つの酸素イオンと１価のプラスイオンである２つの水素イオンとから成るので、酸化作用に寄与する酸素の価数と還元作用に寄与する水素の価数とは同数である。よって、プラズマ中で、ワーク４３の表面が酸素の酸化作用によって酸化されても、その酸化物は水素の還元作用により還元され、その際の酸化量と還元量とは同量となるので、ワーク４３の酸化を低減できる。」と記載されていることから、本願で用いている「価数」とは、「イオン価×イオンの数」を意味しているものと解される。
　
　一方、上記摘記事項（ｊ）〜（ｋ）には、一実施例として、ガス供給装置からのガスとして「Ｈｅ＋Ｈ２」ガスが記載されているから、引用例１発明において、処理の目的に応じて、ガス供給装置７からのガスを「Ｈｅ＋Ｈ２」ガスとすることは、当業者が容易に想到しえたものである。
　
　そして、上記ガスを採用すれば、酸素イオン価×酸素イオンの数よりも水素イオン価×水素イオンの数が多くなる、すなわち、酸素の価数よりも水素の価数が多くなることになり、相違点２に係る本願補正発明の構成は、上記「Ｈｅ＋Ｈ２」ガスを採用することによって自ずから生じている構成にすぎない。
　
　
　また、本願補正発明のプラズマ処理時に被処理体の酸化を低減することができるという効果も、引用例１の上記摘記事項（ｈ）に記載されるように、引用例１から当業者が予測できる範囲のものである。そして、本願補正発明のその他の効果を検討しても、引用例１及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　
（５）むすび
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
３．本願発明について
　
　平成１７年２月７日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜８に係る発明は、平成１５年１０月２４日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「大気圧下にて、高周波電源からの高周波電圧を一対の電極に印加することで前記一対の電極間にプラズマを生成し、プラズマ放電により被処理体を処理するプラズマ処理方法において、プラズマ生成用ガスを純水内に導き、純水と直接接触させることで前記プラズマ生成用ガスに水分を含ませ、前記一対の電極間に、前記水分を含んだ前記プラズマ生成用ガスを供給して前記プラズマを生成することを特徴とするプラズマ処理方法。」
　
　なお、本願については、平成１６年１１月８日付けの手続補正がされたが、これは平成１６年１２月３日付けの補正の却下の決定により却下された。
　
　
（１）引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
　
（２）対比・判断
　
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から「前記プラズマ中の酸素の価数よりも水素の価数を多くして、前記被処理体を処理する」との構成を省いたものである。
　
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
（３）むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。