(57)【要約】  内的または外的な応力に対する低減された感受性を有し、小さな外形寸法を有するＭＥＭＳセンサ部品が提供される。この部品は、１つのキャップの下のキャビティに配設され、そして１つの担体基板に１つの接続部材によって取り付けられている、フリップチップ構造の１つのＭＥＭＳチップを備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＥＭＳセンサ部品であって、
１つの担体基板と、
前記担体基板に埋設された１つのＡＳＩＣチップと、
前記担体基板上または前記担体基板の上方に配設された１つのＭＥＭＳチップと、
前記担体基板の上方に配設された１つのキャップであって、当該キャップが１つのキャビティおよび当該キャビティに配設されている前記ＭＥＭＳチップを包囲しているキャップと、
前記担体基板の底面のはんだパッドと、
前記ＡＳＩＣチップと前記はんだパッドとの間の１つの電気的な相互接続部と、
１つの弾性的に変形可能なばね部材を備える１つの接続部材であって、当該接続部材は、フリップチップ構造の前記ＭＥＭＳチップを前記担体基板に機械的に結合しており、前記接続部材は、前記ＭＥＭＳチップを前記相互接続部に電気的に接続している接続部材と、
を備えることを特徴とするＭＥＭＳセンサ部品。
【請求項２】
前記担体基板は有機材料を含むことを特徴とする、請求項１に記載のＭＥＭＳセンサ部品。
【請求項３】
前記担体基板はポリマーを含むことを特徴とする、請求項２に記載のＭＥＭＳセンサ部品。
【請求項４】
前記接続部材は、金属を含み、そして支持されていない１つの自由端を有することを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳセンサ部品。
【請求項５】
前記担体基板は、２つの誘電体層の間に１つのメタライジング層を有する、１つの多層基板を備えることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＭＥＭＳセンサ部品。
【請求項６】
前記多層基板に埋設された、１つの追加の回路素子をさらに備え、当該追加の回路素子は１つの能動的回路素子または１つの受動的回路素子を備えることを特徴とする、請求項５に記載のＭＥＭＳセンサ部品。
【請求項７】
前記追加の回路素子は、１つの抵抗素子、１つのインダクタンス素子、または１つのコンデンサ素子を備え、当該追加の回路素子は、メタライジング層におけるパターニングされたメタライジング部を備えることを特徴とする、請求項６に記載のＭＥＭＳセンサ部品。
【請求項８】
前記キャップは、前記キャビティを封止することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のＭＥＭＳセンサ部品。
【請求項９】
前記キャップまたは前記担体基板は、１つの開口部を備えることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載のＭＥＭＳセンサ部品。
【請求項１０】
前記ＭＥＭＳチップを前記担体基板に機械的に結合する１つの柔らかい固定部材をさらに備えることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項に記載のＭＥＭＳセンサ部品。
【請求項１１】
前記柔らかい固定部材は、柔らかい積層フィルムまたはゲルを備えることを特徴とする、請求項１０に記載のＭＥＭＳセンサ部品。
【請求項１２】
前記柔らかい固定部材は、シリコーンタイプのゲルを備えることを特徴とする、請求項１１に記載のＭＥＭＳセンサ部品。
【請求項１３】
前記柔らかい固定部材は、前記ＭＥＭＳチップと前記担体基板との間、または前記ＭＥＭＳチップと前記キャップとの間の容積の少なくとも一部を充填していることを特徴とする、請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載のＭＥＭＳセンサ部品。
【請求項１４】
前記柔らかい固定部材は、前記ＭＥＭＳチップを前記キャップまたは前記担体基板に機械的に結合することを特徴とする、請求項１０乃至１３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳセンサ部品。
【請求項１５】
前記接続部材は、前記柔らかい固定部材に埋設されていることを特徴とする、請求項１０乃至１４のいずれか１項に記載のＭＥＭＳセンサ部品。
【請求項１６】
前記ＭＥＭＳチップは、機能的パターンを備えることを特徴とする、請求項１乃至１５のいずれか１項に記載のＭＥＭＳセンサ部品。
【請求項１７】
前記ＭＥＭＳチップは、マイクロフォンチップ、圧力センサチップ、または気圧センサチップを備えることを特徴とする、請求項１乃至１６のいずれか１項に記載のＭＥＭＳセンサ部品。
【請求項１８】
前記キャップは、１つのエッジおよび当該エッジにおける１つの穴を備えることを特徴とする、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載のＭＥＭＳセンサ部品。
【請求項１９】
前記キャップは、１つの側部および当該側部における１つの穴を備えることを特徴とする、請求項１乃至１８のいずれか１項に記載のＭＥＭＳセンサ部品。
【請求項２０】
前記キャップは、前記担体基板から第１の距離だけ離間した１つの第１のセグメントと、当該第１の距離と異なる第２の距離だけ前記担体基板から離間した１つの第２のセグメントを備え、１つの穴が前記担体基板に近い方のセグメントに形成されていることを特徴とする、請求項１乃至１９のいずれか１項に記載のＭＥＭＳセンサ部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＭＥＭＳセンサ部品、たとえばＭＥＭＳ圧力センサ、ＭＥＭＳ気圧センサ、またはＭＥＭＳマイクロフォンに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳセンサ部品（ＭＥＭＳ＝Micro-Electro-Mechanical System）は、感受性のある機能素子を有する１つのＭＥＭＳチップを備えてよい。さらに、ＭＥＭＳセンサ部品は、この機能素子によって出力されるセンサ信号を評価するための電気回路または電子回路を備えてよい。
【０００３】
たとえば、１つのＭＥＭＳマイクロフォンは、１つのフレキシブルメンブレンおよび剛性のある多孔の１つのバックプレートを備える。このメンブレンおよびバックプレートは、１つのコンデンサの電極を構成している。受信した音響信号は、このメンブレンを振動させる。このコンデンサの電極の振動は、静電容量の振動となる。このコンデンサの静電容量を、電気回路または電子回路を介してモニターすることにより、この音響信号は電気信号に変換される。このコンデンサをモニターするための電気部品は、１つのＡＳＩＣチップ（ＡＳＩＣ＝Application-Specific Integrated Circuit）に集積することができる。
【０００４】
ＭＥＭＳセンサ部品には、全ての回路部品を機械的および電気的に接続し、かつ感受性のある素子を有害な環境条件から保護するためのハウジング部材が設けられていなければならない。
【０００５】
さらに、小型化に向けて進行するトレンドは、より小さな部品を要求している。しかしながら、充分に良好な電気信号品質に必要とされる良好な音響特性を提供するためには、ＭＥＭＳマイクロフォンの場合には、大きな機械的に活性な領域または大きなバックキャビティが有利である。さらに、ＭＥＭＳセンサ部品のハウジングの構造部品がより薄くなってきているので、内部および外部の機械的応力に対する感受性の増大が認められる。同様な状況は、ＭＥＭＳ気圧センサにも当てはまり、この気圧センサはさらに応力に対し敏感である。このようなデバイスは、薄いメンブレンのサブナノメートル領域の変位における圧力に依存する変化を検出する。小さな応力によってもたらされるメンブレンの変形は、この変位と容易に干渉し得る。
【０００６】
以上より、必要とされているものは、小さな横方向サイズ、良好な信号品質を可能とし、かつ内的および／または外的な機械的応力に対して堅固であるＭＥＭＳセンサ部品である。
【０００７】
特許文献１には、ＭＥＭＳマイクロフォンが開示されている。特許文献２には、さらなるＭＥＭＳマイクロフォンが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１３／０１９３５３３号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１４／００３６４６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら内的および外的な機械的応力に対し低減された感受性を有するＭＥＭＳセンサ部品に対する需要は今なお存続している。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
応力に対して低減された感受性を有する１つのＭＥＭＳセンサ部品が提供され、このＭＥＭＳセンサ部品は、１つの担体基板、この担体基板に埋設された１つのＡＳＩＣチップ、この担体基板上またはこの担体基板の上方に配設された１つのＭＥＭＳチップ、この担体基板の上方に配設された１つのキャップ、この担体基板の底面のはんだパッド、少なくともこのＡＳＩＣチップとこのはんだパッドとの間の電気的な相互接続部、および１つの接続部材を備える。上記のキャップは、このキャップと上記の担体基板との間のキャビティを包囲している。上記のＭＥＭＳチップは、このキャビティ内に配設されている。上記の接続部材は、弾性的に変形可能なばね部材である。上記の接続部材は、フリップチップ構造の上記のＭＥＭＳチップを上記の担体基板に機械的に結合している。上記の接続部材は、上記のＭＥＭＳチップを上記の相互接続部に電気的に接続している。
【００１１】
上記の接続部材は１つのばね部材または複数、たとえば４個のばね部材であることが可能であり、またそのようになっていることが好ましいであろう。これらのばね部材は、パターニングされた薄い金属層で実現されており、その一端で上記の担体基板に固定され、その多端に向かって、上記の担体基板に対し間隙を介して平行に延伸している。上記の担体基板上および上記のＭＥＭＳチップ上のそれぞれ対応する接続点の面の間にはオフセットがあり得る。以上により、はんだボールのような整列された結合部と比べて、非常に改善されたコンプライアンスが実現され、これは原理的にはいわゆる弾力性である。
【００１２】
上記のバネ素子に含まれる典型的な材料は、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ，または類似のものである。さらにこのバネ素子はＣｕ，Ｎｉ，またはＡｌから成っていてよい。典型的な寸法は、厚さが５〜１００μｍ、幅が１０〜１００μｍ、そして長さが１００〜２０００μｍである。典型的な４個のばねにはんだ付けされたＭＥＭＳを備える上記の構造体用のばね定数は、ｘ，ｙ，およびｚ軸に対して、１００ｋＮ／ｍより小さく、好ましくは０．１〜１０ｋＮ／ｍ程度である。
【００１３】
このようなセンサ部品、すなわちＭＥＭＳチップは、上記の担体基板が受けるどのような外的または内的な応力からも機械的にデカップリングされている。これは上記の接続部材が上記のＭＥＭＳチップを、このチップの機械的な機能性を損なうような大きな機械的な力を伝達することなく、その安定した状態の位置に維持するからである。上記のＡＳＩＣチップは、上記の担体基板の中に埋め込まれている。しかしながら集積された電子回路を有するチップは、機械的な力をそれほど受けない。
【００１４】
上記のキャビティを包囲する上記のキャップは、上記のＭＥＭＳチップおよびこのチップのそれぞれの感受性のあるパターン素子を、ほこり粒子、このデバイスの周辺雰囲気における腐食性成分等の有害な外部の影響から保護する。上記のフリップチップ構造では、上記のＭＥＭＳチップが上記の担体基板に取り付けられており、短い信号経路を可能とし、そして上記のＭＥＭＳチップが上記の基板からデカップリングされる柔軟性のある取り付けを可能とする。
【００１５】
従来のフリップチップ構造体では、チップが基板に堅固にカップリングされている。内的または外的な応力は、このチップに直接伝達され、そして機能的パターンの感度の変化を生じ得る。こうして温度によりもたらされる従来のマイクロフォンにおける感度の変化が生じる。この温度によりもたらされる感度の変化は、ＭＥＭＳマイクロフォンの仕様の許容範囲を越えると、これに対応してＭＥＭＳマイクロフォンは安定した動作を示さなくなる。しかしながら、上記のＭＥＭＳチップの上記の接続部材を介した柔軟な支持により、本発明によるＭＥＭＳセンサ部品は、大幅に拡大された温度範囲で最高の性能を有する。
【００１６】
上記の担体基板は有機材料を含んでよい。
【００１７】
この有機材料はポリマーを含んでよい。
【００１８】
従来のＭＥＭＳセンサ部品においては、担体基板は、この部品の上面で接続部材を形成するために必要な腐食性のある化学物質に耐性のある材料を有することを必要としていた。ポリマーのような有機材料は、ばね状の接続部材を形成するために必要なパターニングステップに適しており、また同時に上記の担体基板のバルク材料の中に１つのＡＳＩＣチップを埋め込むステップに適している。
【００１９】
さらに上記の接続部材は、金属を含んでよく、そして支持されていない１つの自由端を有してよい。
【００２０】
特に、このような接続部材用には、複雑な製造ステップ（複数）を必要とする。これは上記の担体基板の上面と、後の上記の自由端の位置との間に犠牲材料を配設することが必要であるからである。上記の接続部材の金属を上記の犠牲材料上に配設した後、必要とする全方向への動作の可能性を上記の接続部材の支持されていない自由端に与えるために、それぞれの犠牲材料は除去されなければならない。
【００２１】
以上より、１つのＡＳＩＣが埋設され、そしてその上面に複雑な接続部材が生成されるには、ポリマーが最適な材料であることが見いだされた。
【００２２】
上記の担体基板は多層基板であってよく、そして２つの誘電体層の間に１つのメタライジング層を備えてよい。
【００２３】
上記のメタライジング層においては、信号の導電体または抵抗素子のような回路素子、コンデンサ素子、またはインダクタンス素子または位相シフタまたは類似の回路素子がパターニングされてよい。
【００２４】
これに対応して、本発明によるＭＥＭＳセンサ部品は、上記の多層基板の中に埋設された、これらのような１つの追加の回路素子を備えてよい。さらに、追加の回路素子は１つの能動的回路素子であってよく、これはたとえば１つの追加のＡＳＩＣ回路の一部または上記のＡＳＩＣチップに集積化された回路の一部であってよい。
【００２５】
この追加の回路素子は、上記のメタライジング層におけるパターニングされたメタライジング部、このメタライジング層の上または下のもう１つのメタライジング層におけるパターニングされたメタライジング部、またはこのメタライジング層の上および下のメタライジング層（複数）におけるパターニングされたメタライジング部を備えてよい。インダクタンス素子（複数）は、同じメタライジング層内のコイル形状の導電体片（複数）によって実現することができる。コンデンサ素子（複数）は、上下に重なって積層された異なるメタライジング層に存在する電極（複数）を備えてよい。
【００２６】
異なるメタライジング層における様々な回路素子、および／または上記の担体基板の上面上の接続パッド、および／または上記の担体基板の底面のはんだパッドを電気的に接続するためにビア接続が用いられてよい。
【００２７】
上記のキャップは上記のキャビティを封止することができる。
【００２８】
もし本ＭＥＭＳセンサ部品が１つのＭＥＭＳマイクロフォンを構成する場合であれば、音響的な回路短絡を防ぐために、バックキャビティはこのマイクロフォンの周囲環境から音響的にデカップリングされることが必要である。このバックキャビティは、少なくとも部分的に上記のキャビティに配設されていてよく、そして上記の封止キャップは、音響信号がこのマイクロフォンの内部圧力レベルを汚染することを防ぐ。
【００２９】
しかしながら、上記のキャビティは、１つの開口部、たとえば音響開口部を有してよい。この音響入口開口部は１つの穴で実現することができる。この穴は上記の担体基板に配設されていてよく、または上記のキャップの１つのセグメントに配設されていてよい。この音響入口は、音響信号を上記のＭＥＭＳチップの上記の機能素子に伝達するために必要である。
【００３０】
以上より、上記のキャビティは、この部品の周囲環境から充分に密閉された少なくとも１つの部分を備えることが可能である。
【００３１】
これに応じて、上記のキャップまたは上記の担体基板は、１つの開口部、たとえば１つの穴で実現され得る１つの音響進入開口部を備えてよい。
【００３２】
本ＭＥＭＳセンサ部品は、上記の接続部材に加えて、１つの柔らかい固定部材を備えてよい。この柔らかい固定部材は、上記のＭＥＭＳチップを上記の担体基板および／または上記のキャップの内面に結合する。
【００３３】
この柔らかい固定部材は、柔らかい積層フィルムまたはゲルを備えてよい。
【００３４】
この柔らかい固定部材は、シリコーンを含むシリコーンタイプのゲルを備えてよい。
【００３５】
この柔らかい固定部材は、たとえばシリコーンタイプの形態で、上記のＭＥＭＳチップを内的または外的な応力に曝すことなくその定常的な位置に保持する際に、上記の接続部材を支持することができる。
【００３６】
この柔らかい固定部材は、上記のＭＥＭＳチップと上記の担体基板との間、または上記のＭＥＭＳチップと上記のキャップとの間の容積の少なくとも一部を充填している。
【００３７】
この柔らかい固定部材は、上記のＭＥＭＳチップの機能的素子（複数）を汚染する虞れ無しに、機械的制振および衝突の際の耐衝撃性を改善する。この柔らかい固定部材は、上記のＭＥＭＳチップをデカップリングするために用いられるばねを有するセンサのような、大部分のセンサタイプに適用できる。この柔らかい固定部材は、原理的に液体の粘性特性を有し、静的な力を伝達することが無く、その定常的な位置に留まることができる。以上より、上記のＭＥＭＳチップの感受性のある機能的素子が脅かされることが無い。
【００３８】
以上に対応して、上記のＭＥＭＳチップは、機能的パターン、たとえば変位センサ、メンブレン、剛性のある多孔バックプレート、等を備えてよい。具体的には上記のＭＥＭＳチップは、マイクロフォンチップ、圧力センサチップ、および気圧センサチップから選択されていてよい。
【００３９】
上記のＭＥＭＳチップ内の、バックキャビティを有するかあるいはバックキャビティを有しない１つのキャビティが、上記の柔らかい固定部材で充填されていてよい。
【００４０】
上記のキャップは、１つのエッジおよびこのエッジにおける１つの穴を備えてよい。
【００４１】
上記のキャップは、１つの側部およびこの側部における１つの穴を備えてよい。
【００４２】
さらに、上記のキャップは、上記の担体基板から第１の距離だけ離間した１つの第１のセグメントと、この第１の距離と異なる第２の距離だけこの担体基板から離間した１つの第２のセグメントと、を備えてよい。この場合、上記の基板に近い方のセグメントに１つの穴が設けられていてよい。
【００４３】
以上のような実施形態は、１つの穴、たとえば１つの音響進入の穴を上記のキャップに有する。しかしながら本センサ部品は、少なくとも一時的に、ある製造ステップの間は、１つの補助フィルム上に、この穴を封止する虞れ無く、上下逆にして配設することができる。具体的には、この補助フィルムが本センサ部品をしっかりと保持するための粘着テープを有している場合、この穴はその粘着性物質で充填されないようにできる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
本ＭＥＭＳセンサ部品の基本的な動作原理、およびそれに限定するものでない好ましい実施形態が、添付した図に示されている。各々の図は以下の通りである。
【図１】本ＭＥＭＳセンサ部品の基本構造を示す。
【図２】ＭＥＭＳマイクロフォンの１つの実施形態を示す。
【図３】ＭＥＭＳマイクロフォンの１つの代替の実施形態を示す。
【図４】蓋で閉じられたバックキャビティを有するＭＥＭＳセンサ部ビンを示す。
【図５】キャップに１つの穴を有する１つの実施形態を示す。
【図６】ＭＥＭＳチップを保持する際に接続部材を支持する柔らかい固定部材を有する１つの実施形態を示す。
【図７】キャビティの容積の大部分が柔らかい固定部材によって充填されている１つの実施形態を示す。
【図８】柔らかい固定部材がキャップとＭＥＭＳチップの上面との間に配設されており、１つの穴がこのキャップのエッジ領域に配設されている、１つの実施形態を示す。
【図９】段差のあるキャップを有する１つの実施形態を示し、このキャップは、担体基板の上面からの異なった距離にある、異なるセグメントを備える。
【図１０】一体化されたコンデンサ素子を有する１つの実施形態を示す。
【図１１】一体化されたインダクタンス素子を有する１つの実施形態を示す。
【図１２】追加の回路素子を有する１つの実施形態を示す。
【００４５】
図１は１つの担体基板ＣＳの上に配設された１つのＭＥＭＳチップＭＥＭＳを有する１つのＭＥＭＳセンサ部品ＭＳＣを示す。このＭＥＭＳチップＭＥＭＳを電気的に接続し、かつ機械的に支持するための、２つ以上の接続部材ＣＥがこの担体基板ＣＳの上面に生成される。この接続部材ＣＥは、上記の担体基板ＣＳに直接結合された１つのセグメントと、上記のＭＥＭＳチップＭＥＭＳの底面ではんだボールに直接結合された１つの支持されていない自由端でのもう１つのセグメントと、を備える。
【００４６】
さらに、１つのＡＳＩＣチップＡＳＩＣが上記の担体基板ＣＳに埋設されている。この担体基板ＣＳの底面には、上記のＭＥＭＳセンサ部品ＭＳＣを１つの周辺回路に接続するために設けられた、少なくとも２つのはんだパッドＳＰが配設されている。１つの相互接続部ＩＮＴは、複数の導体セグメントを備え、上記のＭＥＭＳチップＭＥＭＳ、ＡＳＩＣチップＡＳＩＣ、および１つ以上のはんだパッドＳＰを電気的に接続している。
【００４７】
１つのキャップＣＰが、上記の担体基板ＣＳの上方に配設されており、そして上記のＭＥＭＳチップＭＥＭＳが配設されているキャビティＣＶを包囲している。
【００４８】
図１に示す本ＭＥＭＳセンサ部品ＭＳＣの実施形態は、上記の担体基板ＣＳを貫通する１つの穴を備え、この穴を介して、上記のＭＥＭＳチップおよびその感受性のある機能的パターン（複数）が、それぞれこの部品の外部環境に接続されている。
【００４９】
図２は、１つのＭＥＭＳマイクロフォンである、１つのＭＥＭＳセンサ部品の実施形態を示す。このマイクロフォンは、１つの音響進入の穴として機能し得る、上記の担体基板ＣＳにある穴Ｈの上方に配設されている。キャビティＣＶの主部は、バックキャビティＢＶが音響的な短絡回路とならないように作用する。このマイクロフォンの周囲の音圧からこのバックキャビティＢＶを分離するために、外側のシール部Ｓが、上記のキャップＣＰと上記の担体基板ＣＳとの間で生じ得るギャップを封止する。内側のシール部Ｓは、上記のキャップＣＰと上記のＭＥＭＳチップＭＥＭＳと上記の担体基板ＣＳとの間で生じ得るギャップを封止する。こうして音圧は、上記のＭＥＭＳチップＭＥＭＳの機能的パターンにのみ印加される。
【００５０】
図３は、ＭＥＭＳマイクロフォンの１つの代替の実施形態を示し、ここではＭＥＭＳチップは、内部シール部Ｓを用いて、担体基板の上面上に配設されたフレームパターンＦＲに対して封止されている。以上により、上記のメンブレンおよび上記のバックプレートＢＰは、一方側から上記の穴に進入する音響信号にのみ曝露される。上記のキャビティＣＶのほぼ全部の容積がバックキャビティとして作用し、これはこのマイクロフォンの全体積を最小とする一方で良好な音響特性とするために有効である。上記のフレームパターンまたは少なくとも上記の内側シール部Ｓの材料は、柔らかい材料を含み、上記の接続部材ＣＥに加えて、１つの衝撃吸収部として作用し、そして上記のＭＥＭＳチップを内的または外的に生じる応力から機械的にデカップリングし、他方このＭＥＭＳチップＭＥＭＳを定常的な位置に保持する。
【００５１】
もう１つのメタライジング部ＭＥが、上記の担体基板の上面上に配設されてよい。もし上記のキャップＣＰが導電性の材料を含んでいる場合、このキャップはこのメタライジング部ＭＥを介してグラウンド電位に接続されて電気的シールドを改善することができる。
【００５２】
図４は、ＭＥＭＳマイクロフォンの１つの実施形態を示し、ここではバックキャビティＢＶは、ＭＥＭＳチップの内部区域内に配設されており、そして１つの蓋ＬがこのバックキャビティＢＶを上記のキャビティＣＶの他の区域から分離している。このマイクロフォンの周囲環境から受信される信号は、上記の担体基板における穴を介して得られる。上記のＭＥＭＳチップの機能的パターンＦＳの他に、上記のキャビティＣＶ内にあって、上記のバックキャビティＢＶ内にはない、他の面も外部からの信号に曝露されている。したがって上記のキャビティＣＶは、さらなるＭＥＭＳチップのような、さらなるセンサ部品を、この本発明による部品の周囲環境に関する情報を得るために備えることができる。
【００５３】
図５は、１つの実施形態を示し、ここではキャップＣＰに１つの穴Ｈが配設されている。上記のバックキャビティＢＶは１つの蓋Ｌによって封止されている。上記の担体基板ＣＳを貫通する構造の穴は全く必要でない。
【００５４】
図６は、１つの実施形態を示し、ここでは追加の柔らかい固定部材がＭＥＭＳチップＭＥＭＳを支持している。さらに、この柔らかい固定部材は、パーティクルが上記の穴を通って進入して、機能的パターンに直接接触することを防ぐことができる。しかしながらこの柔らかい固定部材の粘性特性のために、この本発明による部品の周囲環境に関する情報、たとえば大気圧を、上記の機能的パターンの機械的機能を乱すことなく得ることができる。さらに、図６に示すＭＥＭＳセンサ部品は、たとえば製造ステップの間、または通常の動作の間に、液体中に浸漬することができるであろう。こうしてこの部品は、水中作業用の深度計として用いることができる。
【００５５】
図７は、ＭＥＭＳセンサ部品のもう１つの実施形態を示し、ここでは上記のキャビティの大部分が上記の柔らかい固定部材を用いて充填されており、ここでこの柔らかい固定部材は、上記のＭＥＭＳチップの機能的パターンにもに接している。こうしてもし上記のＭＥＭＳチップが腐食性の環境に対し弱い機能的パターンを備えている場合であっても、この部品はこのような腐食性の環境において動作することができる。
【００５６】
図８は、１つの実施形態を示し、ここでは上記の柔らかい固定部材が上記のＭＥＭＳチップを上記の担体基板の反対側から支持している。
【００５７】
１つの穴ＨがキャップＣＰの１つのエッジ領域Ｅに配設されている。これは新しい製造ステップ（複数）を可能とし、このステップでは本発明による部品あるいはこの部品の一部、たとえばキャップＣＰが、１つの補助的な担体、たとえば粘着性の補助フィルム上に、上下逆にして配設されている。この補助的な担体の粘着性物質は、この穴を封鎖することができない。こうしてこのキャップが上下逆にして配設されている場合に、上記の柔らかい固定部材をこのキャップＣＰの内側に取り付けることができる。この後、このキャップＣＰはこの柔らかい固定部材ＳＦＥとともに、担体基板上に正立の状態で配設されたＭＥＭＳチップの上にかぶせることができる。
【００５８】
図９は、１つの実施形態を示し、ここではキャップＣＰが、担体基板の上面から第１の距離だけ離間した１つの第１のセグメントＳＧ１と、この担体基板の上面から第２の距離だけ離間した１つの第２のセグメントＳＧ２とを有する。穴Ｈは担体基板に近い方のセグメントに配設されていてよい。こうして補助的な担体がこの穴に直接接すること無しに、このキャップを上下逆にして配設することができる。
【００５９】
図１０は、受動的な回路素子等の追加の回路素子、たとえばコンデンサ素子ＣＰＥを、担体基板ＣＳの多層構造に配設する可能性を示す。２つの導体セグメントが、上記の相互接続部に電気的に接続されたコンデンサの電極を構成している。
【００６０】
図１１は多層担体基板に１つのインダクタンス素子ＩＥを一体化する可能性を示す。
【００６１】
図１２は、追加の回路素子、たとえば追加の集積回路チップを、多層基板に埋設する可能性を示す。
【００６２】
本発明によるＭＥＭＳセンサ部品は、上述の特徴または図示された実施形態に限定されない。さらなる回路素子または接続部材を備える部品も本発明に含まれる。
【符号の説明】
【００６３】
ＡＣＥ    ：  追加の回路素子
ＡＳＩＣ  ：  ＡＳＩＣチップ
ＢＰ      ：  バックプレート
ＢＶ      ：  バックキャビティ
ＣＥ      ：  接続部材
ＣＰＥ    ：  コンデンサ素子
ＣＰ      ：  キャップ
ＣＳ      ：  担体基板
ＣＶ      ：  キャビティ
ＦＲ      ：  フレーム
ＦＳ      ：  機能的パターン
Ｈ        ：  穴
ＩＥ      ：  インダクタンス素子
ＩＮＴ    ：  相互接続部
Ｌ        ：  蓋
Ｍ        ：  メンブレン
ＭＥ      ：  メタライジング部
ＭＥＭＳ  ：  ＭＥＭＳチップ
ＭＳＣ    ：  ＭＥＭＳセンサ部品
Ｓ        ：  シール部
ＳＦＥ    ：  柔らかい固定部材
ＳＧ１    ：  キャップの第１のセグメント
ＳＧ２    ：  キャップの第２のセグメント
ＳＰ      ：  はんだパッド
ＶＩＡ    ：  ビア接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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