(57)【要約】  パッケージ化方法およびパッケージ構造を提供する。パッケージ化方法は、第１基板（１００）および第２基板（２００）を提供することを含み、第２基板（２００）は、第１表面（２００ａ）と、第１表面（２００ａ）に対向する第２表面（２００ｂ）とを備え、接着剤層（１０１）で、第１基板（１００）の側面を第２基板（２００）の第１表面（２００ａ）と接合することと、第２基板（２００）の第２表面（２００ｂ）に溝構造（２０２）を形成することと、基材（３００）を形成することとを含み、基材（３００）は、第１表面（４０１）と、第１表面（４０１）に対向する第２表面（４０２）とを備え、基材（３００）の第１表面（４０１）は、センシング領域（３０１）と、センシング領域の周りに位置する複数の接触パッド（３０２）とを備え、第２基板（２００）の第２表面（２００ｂ）を基材（３００）の第１表面（４０１）に接合することを含み、溝構造（２０２）と基材（３００）との間には、キャビティが形成され、誘導領域は、キャビティ内に位置する。
2018505564.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ化方法であって、
第１基板および第２基板を提供することを含み、前記第２基板は、第１表面と、前記第１表面に対向する第２表面とを備え、
接着剤層で、前記第１基板のいずれか一方の表面を前記第２基板の前記第１表面と接合することと、
前記第２基板の前記第２表面に溝構造を形成することと、
基材を形成することとを含み、前記基材は、第１表面と、前記第１表面に対向する第２表面とを備え、前記基材の前記第１表面は、センシング領域と、前記センシング領域の周りに位置する複数の接触パッドとを備え、
前記第２基板の前記第２表面を前記基材の前記第１表面と接合することを含み、前記溝構造と前記基材との間には、キャビティが形成され、前記センシング領域は、前記キャビティ内に位置する、パッケージ化方法。
【請求項２】
前記方法は、前記第２基板の前記第２表面と前記基材の前記第１表面とを接合した後、前記基材の前記第２表面上にパッケージ化処理を行うことと、前記第１基板および前記接着剤層を除去することとをさらに含む、請求項１に記載のパッケージ化方法。
【請求項３】
前記基材の前記第２表面に行われた前記パッケージ化処理は、
前記基材の前記第２表面を薄くしてエッチングすることによって、貫通孔を形成することを含み、前記接触パッドの表面の一部は、前記貫通孔の底で露出され、
前記基材の前記第２表面上および前記貫通孔の側壁面上に絶縁層を形成することと、
前記絶縁層の表面上に金属層を形成することとを含み、前記金属層は、前記接触パッドと接続され、
前記金属層の表面上および前記絶縁層の表面上に開口を有する半田マスクを形成することを含み、前記金属層の前記表面の一部は、前記開口によって露出され、
前記金属層の表面上に外部接続用突起を形成することを含む、請求項２に記載のパッケージ化方法。
【請求項４】
前記貫通孔は、前記金属層で充填され、
前記金属層の表面は、前記基材の前記第２表面と同一平面上にあり、
前記金属層の上面は、前記半田マスクの前記開口によって露出され、
前記外部接続用突起は、前記開口内に形成され、前記外部接続用突起は、前記金属層の前記上面に接続される、請求項３に記載のパッケージ化方法。
【請求項５】
前記第１基板は、３００μｍ〜５００μｍの厚さを有する、請求項１に記載のパッケージ化方法。
【請求項６】
前記第２基板は、１００μｍ〜２００μｍの厚さを有する、請求項１に記載のパッケージ化方法。
【請求項７】
前記接着剤層で前記第１基板の前記表面を前記第２基板の前記第１表面と接合することは、
前記第１基板の前記表面上に前記接着剤層を形成し、前記第２基板の前記第１表面を前記接着剤層と接合すること、または
前記第２基板の前記第１表面上に前記接着剤層を形成し、前記第１基板の前記表面を前記接着剤層と接合することを含む、請求項１に記載のパッケージ化方法。
【請求項８】
前記接着剤層は、第１接着剤層と第２接着剤層とを含む、請求項１に記載のパッケージ化方法。
【請求項９】
前記接着剤層で前記第１基板の前記表面を前記第２基板の前記第１表面と接合することは、
前記第１基板の前記表面上に前記第１接着剤層を形成し、前記第２基板の前記第１表面上に前記第２接着剤層を形成すること、または第１基板の前記表面上に前記第２接着剤層を形成し、前記第２基板の前記第１表面上に前記第１接着剤層を形成することと、
前記第１接着剤層および前記第２接着剤層で、前記第１基板を前記第２基板と接合することとを含む、請求項８に記載のパッケージ化方法。
【請求項１０】
前記接着剤層は、スプレー法、スピンコーティング法または接着法により形成される、請求項７または８に記載のパッケージ化方法。
【請求項１１】
前記第１接着剤層がレーザ光照射で分解可能な接着剤層である場合、前記接着剤層にレーザ光が照射されて前記接着剤層の接着性を失わせることによって、前記第１基板を除去し、
前記接着剤層が熱分解可能な接着剤層である場合、熱分解法を用いて前記接着剤層が処理されて前記接着剤層の接着性を失わせることによって、前記第１基板を除去する、請求項９に記載のパッケージ化方法。
【請求項１２】
前記第２基板の前記表面が洗浄されることによって、前記第２基板の前記表面上の前記接着剤層を除去する、請求項２に記載のパッケージ化方法。
【請求項１３】
前記溝構造を形成することは、
前記第２基板の前記第２表面上にキャビティ壁材料層を形成し、前記キャビティ壁材料層を前記第２基板の前記表面までエッチングすることによって、前記キャビティ壁材料層に溝を形成すること、または
前記第２基板の前記第２表面をエッチングすることによって、前記第２基板に溝を形成することを含む、請求項１に記載のパッケージ化方法。
【請求項１４】
前記基材は、複数のユニットを含み、
前記複数のユニットの各々には、センシング領域と、前記センシング領域の周りに位置する複数の接触パッドが形成され、
隣接するユニットの間には、切断線が設けられ、
前記第１基板と接合された前記表面以外の前記第２基板の表面に位置する溝構造は、複数の溝を含み、前記複数の溝は、前記複数のユニット上の複数のセンシング領域と１対１で対応しており、
前記方法は、
前記第１基板および前記接着剤層が除去された後、前記切断線に沿って、前記基材および前記第１基板を切断することによって、複数のチップパッケージを形成することをさらに含む、請求項１に記載のパッケージ化方法。
【請求項１５】
パッケージ構造であって、
第１基板と第２基板とを含み、前記第２基板は、第１表面と、前記第１表面に対向する第２表面とを備え、前記第１基板のいずれか一方の表面と前記第２基板の前記第１表面とが接着剤層で接合され、
前記第２基板の前記第２表面に位置する溝構造と、
基材とを含み、前記基材は、第１表面と、前記第１表面に対向する第２表面とを備え、前記基材の前記第１表面は、センシング領域と、前記センシング領域の周りに位置する複数の接触パッドとを備え、
前記第２基板の前記第２表面は、前記基材の前記第１表面に接合され、前記溝構造と前記基材との間には、キャビティが形成され、前記センシング領域は、前記キャビティ内に位置する、パッケージ構造。
【請求項１６】
前記第１基板の材料は、ガラス、シリコンウエハ、セラミックまたはプラスチックである、請求項１５に記載のパッケージ構造。
【請求項１７】
前記第１基板は、３００μｍ〜５００μｍの厚さを有する、請求項１５に記載のパッケージ構造。
【請求項１８】
前記第２基板の材料は、透明材料である、請求項１５に記載のパッケージ構造。
【請求項１９】
前記第２基板は、１００μｍ〜２００μｍの厚さを有する、請求項１５に記載のパッケージ構造。
【請求項２０】
前記接着剤層は、第１接着剤層と第２接着剤層とを含む、請求項１５に記載のパッケージ構造。
【請求項２１】
前記第１接着剤層は、前記第１基板の前記表面上に形成され、前記第２接着剤層は、前記第２基板の前記第１表面上に形成され、または
前記第２接着剤層は、前記第１基板表面の前記表面上に形成され、前記第１接着剤層は、前記第２基板の前記第１表面上に形成される、請求項２０に記載のパッケージ構造。
【請求項２２】
前記接着剤層は、レーザ光照射で分解可能な接着剤層であり、または
前記接着剤層は、熱分解可能な接着剤層である、請求項２０に記載のパッケージ構造。
【請求項２３】
前記溝構造は、
前記第２基板の前記第２表面上のキャビティ壁材料層における溝、または
前記第２基板の前記第２表面における溝を含む、請求項１５に記載のパッケージ構造。
【請求項２４】
前記基材は、複数のユニットを含み、
前記複数のユニットの各々には、センシング領域と、前記センシング領域の周りに位置する複数の接触パッドが形成され、
隣接するユニットの間には、切断線が設けられ、
前記第１基板と接合された前記表面以外の前記第２基板の表面に位置する溝構造は、複数の溝を含み、前記複数の溝は、前記複数のユニット上の複数のセンシング領域と１対１で対応している、請求項１５に記載のパッケージ構造。
【請求項２５】
前記基材の前記第２表面における貫通孔を含み、前記接触パッドの表面の一部は、前記貫通孔の底で露出され、
前記基材の第２表面上および前記貫通孔の側壁面上の絶縁層と、
前記絶縁層の表面上の金属層とを含み、前記金属層は、前記接触パッドと接続され、
前記金属層の表面上および前記絶縁層の前記表面上の開口を有する半田マスクを含み、前記金属層の前記表面の一部は、前記開口によって露出され、
前記金属層の表面上の外部接続用突起をさらに含む、請求項１５に記載のパッケージ構造。
【請求項２６】
前記貫通孔は、前記金属層で充填され、
前記金属層の表面は、前記絶縁層の前記表面と同一平面上にあり、
前記金属層の上面は、前記半田マスクの前記開口によって露出され、
前記外部接続用突起は、前記開口内に形成され、前記外部接続用突起は、前記金属層の前記上面に接続される、請求項２５に記載のパッケージ構造。
【請求項２７】
パッケージ構造であって、
基板を備え、前記基板は、第１表面と、前記第１表面に対向する第２表面とを含み、
前記基板の前記第２表面に位置する溝構造と、
基材とを含み、前記基材は、第１表面と、前記第１表面に対向する第２表面とを備え、前記基材の前記第１表面は、センシング領域と、前記センシング領域の周りに位置する複数の接触パッドとを備え、
前記基板の前記第２表面は、前記基材の前記第１表面に接合され、前記溝構造と前記基材との間には、キャビティが形成され、前記センシング領域は、前記キャビティ内に配置され、
前記基板は、１００μｍ〜２００μｍの厚さを有する、パッケージ構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、２０１５年２月１３日に中国国家知的所有権局に提出され、「パッケージ化方法およびパッケージ構造」と題された中国特許出願第２０１５１００７９３４９．３号の優先権を主張し、その開示全体が引用により本願に援用される。
【０００２】
分野
本開示は、半導体の技術分野に関し、特に、イメージセンサチップを形成するためのウエハレベルパッケージ化方法およびウエハレベルパッケージ構造に関する。
【背景技術】
【０００３】
背景
ウエハレベルチップサイズパッケージ化（Wafer Level Chip Size Packaging：ＷＬＣＳＰ）技術は、フルウエハをパッケージ化してテストした後、切断して個々のチップパッケージ完成品を得る技術である。パッケージ化したチップパッケージは、ベアダイと同様のサイズを有する。
【０００４】
ウエハレベルチップサイズパッケージ化技術は、従来のパッケージ化方法、例えば、セラミックリードレスチップキャリア（Ceramic Leadless Chip Carrier）のパッケージ化方法、有機リードレスチップキャリア（Organic Leadless Chip Carrier）のパッケージ化方法、およびデジタルカメラモジュール（Digital Camera Module）のパッケージ化方法を変更し、軽量化、小型化、薄型化および低価格化の市場需要を満たしている。ウエハレベルチップサイズパッケージ化技術を用いてパッケージ化したチップは、高度に小型化されたため、チップサイズの縮小およびウエハサイズの増大によって、チップのコストを劇的に低減する。ウエハレベルチップサイズパッケージ化技術は、ＩＣ設計、ウエハ製造、パッケージテストおよび基板製造を組み合わせており、現在のパッケージ化分野において、継続的な関心事項および今後の開発動向である。
【０００５】
ウエハレベルパッケージ化技術において、特にイメージセンサチップをパッケージ化する場合、パッケージ化中に損傷および汚染からセンサ素子を保護するために、一般的には、上側カバー基板を用いて、センサ素子を設けた半導体ウエハの表面を覆う。
【０００６】
図１を参照して、図１は、ウエハレベルチップパッケージ構造を概略断面構造図である。ウエハレベルチップパッケージ構造は、基板１０を含む。基板１０上には、センシング領域２０が形成され、センサ素子の両側の基板１０上には、接触パッド２１が形成される。センシング領域２０と反対側の基板１０の他面に貫通孔が形成される。接触パッド２１は、貫通孔によって露出される。貫通孔の側壁および基板１０の表面に絶縁層１１が形成される。接触パッド２１の表面および絶縁層１１の表面の一部に、配線層１２が形成される。配線層１２および絶縁層１１は、開口を有する半田マスク１３によって覆われる。配線層１２に接続された半田ボール１４は、開口の付近に配置されている。
【０００７】
センシング領域２０が設けられた基板１０の表面は、上側カバー基板３０によって覆われている。上側カバー基板３０と基板１０の表面との間には、キャビティ壁３１が形成される。キャビティ壁３１、上側カバー基板３０および基板１０は、キャビティを形成する。汚染および損傷からセンサ素子を保護するために、センシング領域２０は、キャビティ内に位置する。
【０００８】
処理要件を満たすために、上側カバー基板３０は、一般的に約４００μｍという比較的に大きな厚さを有する。したがって、パッケージ化されたウエハを切断することによって形成されたチップパッケージが厚くなり、その後、チップパッケージ上にモジュールを設けると、全体の厚さも厚くなり、薄型電子製品の市場要求を満たすことができない。
【０００９】
ウエハパッケージの厚さを薄くするために、（図２に示すように）パッケージ化されたウエハの表面上の上側カバー基板を除去することによって、センシング領域２０を露出させる。この場合、ウエハパッケージの厚さを薄くすることができるが、センシング領域２０が汚染および損傷を受け易いため、パッケージ構造の全体的な性能に影響を与える。
【００１０】
したがって、パッケージ構造の性能に影響を与えることなく、パッケージ構造の厚さを薄くすることができるパッケージ化方法が必要である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
概要
本開示の目的は、パッケージ構造の厚さを薄くするためのパッケージ化方法およびパッケージ構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
一態様において、パッケージ化方法が提供される。このパッケージ化方法は、第１基板および第２基板を提供することを含み、第２基板は、第１表面と、第１表面に対向する第２表面とを備え、接着剤層で第１基板のいずれか一方の表面を第２基板の第１表面と接合することと、第２基板の第２表面に溝構造を形成することと、基材を形成することとを含み、基材は、第１表面と、第１表面に対向する第２表面とを備え、基材の第１表面は、センシング領域と、センシング領域の周りに位置する複数の接触パッドとを備え、第２基板の第２表面を基材の第１表面と接合することを含み、溝構造と基材との間には、キャビティが形成され、センシング領域は、キャビティ内に位置する。
【００１３】
必要に応じて、方法は、第２基板の第２表面と基材の第１表面とを接合した後、基材の第２表面上にパッケージ化処理を行うことと、第１基板および接着剤層を除去することとをさらに含んでもよい。
【００１４】
必要に応じて、基材の第２表面に行われたパッケージ化処理は、基材の第２表面を薄くしてエッチングすることによって、貫通孔を形成することを含み、接触パッドの表面の一部は、貫通孔の底で露出され、基材の第２表面上および貫通孔の側壁面上に絶縁層を形成することと、絶縁層の表面上に金属層を形成することとを含み、金属層は、接触パッドと接続され、金属層の表面上および絶縁層の表面上に開口を有する半田マスクを形成することを含み、金属層の表面の一部は、開口によって露出され、金属層の表面上に外部接続用突起を形成することを含んでもよい。
【００１５】
必要に応じて、貫通孔は、金属層で充填されてもよく、金属層の表面は、絶縁層の表面と同一平面であってもよい。金属層の上面は、半田マスクの開口によって露出されてもよく、外部接続用突起は、開口内に形成され、外部接続用突起は、金属層の上面に接続されてもよい。
【００１６】
必要に応じて、第１基板は、３００μｍ〜５００μｍの厚さを有してもよい。
必要に応じて、第２基板は、１００μｍ〜２００μｍの厚さを有してもよい。
【００１７】
必要に応じて、接着剤層で第１基板の表面を第２基板の第１表面と接合することは、第１基板の表面上に接着剤層を形成し、第２基板の第１表面を接着剤層と接合すること、または第２基板の第１表面上に接着剤層を形成し、第１基板の表面を接着剤層と接合することを含んでもよい。
【００１８】
必要に応じて、接着剤層は、第１接着剤層と第２接着剤層とを含んでもよい。
必要に応じて、接着剤層で、第１基板の表面を第２基板の第１表面と接合することは、第１基板の表面上に第１接着剤層を形成し、第２基板の第１表面上に第２接着剤層を形成すること、または第１基板の表面上に第２接着剤層を形成し、第２基板の第１表面上に第１接着剤層を形成することと、第１接着剤層および第２接着剤層で、第１基板を第２基板と接合することとを含んでもよい。
【００１９】
必要に応じて、接着剤層は、スプレー法、スピンコーティング法または接着法により形成されてもよい。
【００２０】
第１接着剤層がレーザ光照射で分解可能な接着剤層である場合、接着剤層にレーザ光が照射されて接着剤層の接着性を失わせることによって、第１基板を除去し、接着剤層が熱分解可能な接着剤層である場合、熱分解法を用いて接着剤層が処理されて接着剤層の接着性を失わせることによって、第１基板を除去する。
【００２１】
必要に応じて、第２基板の表面が洗浄されることによって、第２基板の表面上の接着剤層を除去してもよい。
【００２２】
必要に応じて、溝構造を形成することは、第２基板の第２表面上にキャビティ壁材料層を形成し、キャビティ壁材料層を第２基板の表面までエッチングすることによって、キャビティ壁材料層に溝を形成すること、または第２基板の第２表面をエッチングすることによって、第２基板に溝を形成することを含んでもよい。
【００２３】
必要に応じて、基材は、複数のユニットを含み、複数のユニットの各々には、センシング領域と、センシング領域の周りに位置する複数の接触パッドが形成され、隣接するユニットの間には、切断線が設けられ、第１基板と接合された表面以外の第２基板の表面に位置する溝構造は、複数の溝を含み、複数の溝は、複数のユニット上の複数のセンシング領域と１対１で対応しており、方法は、第１基板および接着剤層が除去された後、切断線に沿って、基材および第１基板を切断することによって、複数のチップパッケージを形成することをさらに含んでもよい。
【００２４】
別の態様において、本開示の実施形態に従って、パッケージ構造が提供される。このパッケージ構造は、第１基板と第２基板とを含み、第２基板は、第１表面と、第１表面に対向する第２表面とを備え、第１基板のいずれか一方の表面と第２基板の第１表面とが接着剤層で接合され、第２基板の第２表面に位置する溝構造と、基材とを含み、基材は、第１表面と、第１表面に対向する第２表面とを備え、基材の第１表面は、センシング領域と、センシング領域の周りに位置する複数の接触パッドとを備え、第２基板の第２表面は、基材の第１表面に接合され、溝構造と基材との間には、キャビティが形成され、センシング領域は、キャビティ内に配置されてもよい。
【００２５】
必要に応じて、第１基板の材料は、ガラス、シリコンウエハ、セラミックまたはプラスチックであってもよい。
【００２６】
必要に応じて、第１基板は、３００μｍ〜５００μｍの厚さを有してもよい。
必要に応じて、第２基板の材料は、透明材料であってもよい。
【００２７】
必要に応じて、第２基板は、１００μｍ〜２００μｍの厚さを有してもよい。
必要に応じて、接着剤層は、第１接着剤層および第２接着剤層を含んでもよい。
【００２８】
必要に応じて、第１接着剤層は、第１基板の表面上に形成され、第２接着剤層は、第２基板の第１表面上に形成され、または第２接着剤層は、第１基板表面の表面上に形成され、第１接着剤層は、第２基板の第１表面に形成される。
【００２９】
必要に応じて、接着剤層は、レーザ光照射で分解可能な接着剤層であってもよく、または接着剤層は、熱分解可能な接着剤層であってもよい。
【００３０】
必要に応じて、溝構造は、第２基板の第２表面上のキャビティ壁材料層における溝、または第２基板の第２表面における溝を含んでもよい。
【００３１】
必要に応じて、基材は、複数のユニットを含み、複数のユニットの各々には、センシング領域と、センシング領域の周りに位置する複数の接触パッドが形成され、隣接するユニットの間には、切断線が設けられ、第１基板と接合された表面以外の第２基板の表面に位置する溝構造は、複数の溝を含み、複数の溝は、複数のユニット上の複数のセンシング領域と１対１で対応している。
【００３２】
必要に応じて、パッケージ構造は、基材の第２表面における貫通孔を含み、接触パッドの表面の一部は、貫通孔の底で露出され、基材の第２表面上および貫通孔の側壁面上の絶縁層と、絶縁層の表面上の金属層とを含み、金属層は、接触パッドと接続され、金属層の表面上および絶縁層の表面上の開口を有する半田マスクを含み、金属層の表面の一部は、開口によって露出され、金属層の表面上の外部接続用突起をさらに含んでもよい。
【００３３】
必要に応じて、貫通孔は、金属層で充填されてもよく、金属層の表面は、絶縁層の表面と同一平面であってもよい。金属層の上面は、半田マスクの開口によって露出されてもよく、外部接続用突起は、開口内に形成され、外部接続用突起は、金属層の上面に接続されてもよい。
【００３４】
別の態様において、本開示の実施形態に従って、パッケージ構造が提供される。パッケージ構造は、基板を備え、基板は、第１表面と、第１表面に対向する第２表面とを含み、基板の第２表面に位置する溝構造と、基材とを含み、基材は、第１表面と、第１表面に対向する第２表面とを備え、基材の第１表面は、センシング領域と、センシング領域の周りに位置する複数の接触パッドとを備え、基板の第２表面は、基材の第１表面に接合され、溝構造と基材との間には、キャビティが形成され、センシング領域は、キャビティ内に配置され、基板は、１００μｍ〜２００μｍの厚さを有する。
【００３５】
本開示の実施形態によるパッケージ化方法および当該方法を用いて形成されたパッケージ構造において、パッケージ構造は、第１基板および第２基板を含み、第１基板のいずれか一方の表面を第２基板の第１表面とは、接着剤層で接合され、第２基板の第２表面に位置する溝構造を含み、第２基板の第２表面は、基材の第１表面に接合され、溝構造と基材との間には、キャビティが形成され、基材上のセンシング領域は、キャビティ内に位置する。第１基板および第２基板によって構成された２層の上側カバー基板構造によって、後続工程において第１基板の除去が容易になり、形成されたパッケージ構造の厚さを薄くすることができる。したがって、上側カバー基板の厚さを薄くするためにエッチング加工または研削加工を使用する必要がない。よって、パッケージ構造の厚さを薄くすると共に、残された第２基板の平滑性を確保することができ、センシング領域を保護することができる。
【００３６】
以下、本開示の解決策または従来技術の解決策をより明白にするために、本開示の実施形態または従来技術の説明に使用される図面を簡単に説明する。以下に説明される図面は、本開示のいくつかの実施形態のみを示すことが明らかである。当業者であれば、創造的な労働を必要とせず、これらの図面に従って、他の図面を作成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】従来技術に係るパッケージ構造を示す概略断面構造図である。
【図２】従来技術に係るパッケージ構造を示す概略断面構造図である。
【図３】本開示の実施形態に係るパッケージ構造の形成手順を示す概略構造図である。
【図４】本開示の実施形態に係るパッケージ構造の形成手順を示す概略構造図である。
【図５】本開示の実施形態に係るパッケージ構造の形成手順を示す概略構造図である。
【図６】本開示の実施形態に係るパッケージ構造の形成手順を示す概略構造図である。
【図７】本開示の実施形態に係るパッケージ構造の形成手順を示す概略構造図である。
【図８】本開示の実施形態に係るパッケージ構造の形成手順を示す概略構造図である。
【図９】本開示の実施形態に係るパッケージ構造の形成手順を示す概略構造図である。
【図１０】本開示の実施形態に係るパッケージ構造の形成手順を示す概略構造図である。
【図１１】本開示の実施形態に係るパッケージ構造の形成手順を示す概略構造図である。
【図１２】本開示の実施形態に係るパッケージ構造の形成手順を示す概略構造図である。
【図１３】本開示の実施形態に係るパッケージ構造の形成手順を示す概略構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
実施形態の詳細な説明
背景技術に記載されているように、パッケージ構造の上側カバー基板は、比較的厚いため、薄型電子製品の市場要求を満たすことができない。さらに、光学センサユニットを備えたパッケージ構造は、パッケージ構造の上側カバー基板が高度に透明であることを要求する。しかしながら、研削加工またはエッチング加工を行うことによって上側カバー基板を薄くする場合、上側カバー基板の表面が粗くなり、上側カバー基板の透明性が損なわれる一方、工程が複雑であり、コストが高くなる。また、上側カバー基板を除去することによって、パッケージ構造の厚さを減少できるが、パッケージ構造の性能に影響を与えてしまう。
【００３９】
本開示の一実施形態において、第１基板を第２基板と接合することによって形成された２層基板は、パッケージ構造の上側カバー基板として使用される。したがって、パッケージ構造が形成された後、より厚い第１基板を除去することによって、パッケージ構造の厚さを減少することができ、第２基板がセンサ素子を保護できるため、パッケージ構造の性能に影響を与えない。
【００４０】
本開示の上記の目的、特徴および利点をより明白にするために、以下、図面と併せて本開示の特定の実施形態を詳細に説明する。
【００４１】
図３を参照して、第１基板１００が提供される。
第１基板１００の材料は、ガラス、シリコンウエハ、セラミックまたはプラスチックであってもよい。第１基板１００は、後に形成されるパッケージ構造の２層上側カバー基板の一部として、その後パッケージ化される基材の表面上に形成されるセンシング領域を保護するために使用される。第１基板１００は、高強度および優れた耐食性を有する硬質材料で形成されているため、その後のパッケージ化処理中に、外部から加えられた応力および様々な化学的汚染に耐えることができる。
【００４２】
第１基板１００が最終的にパッケージ構造に残されないため、透明材料および不透明材料の両方を第１基板１００の材料として使用することができ、パッケージ構造の性能に影響を与えることがない。
【００４３】
本実施形態において、第１基板１００の厚さは、３００μｍ〜５００μｍである。したがって、第１基板１００は、十分な厚さおよび十分な強度を有し、後続工程の要求を満たすことができる。
【００４４】
図４を参照して、第２基板２００が提供される。第２基板２００は、第１表面２００ａと、第１表面２００ａに対向する第２表面２００ｂとを含む。
【００４５】
第２基板２００は、透明性の高い透明材料で形成されている。また、第２基板２００の表面が平滑であるため、入射光の散乱および拡散を防止することができ、第２基板２００の高透明性を確保することができる。
【００４６】
その後に形成されたパッケージ化される基材は、光学センシング領域であるセンシング領域を含む。第２基板２００は、最終的にはパッケージ構造に残され、光学センシング領域の上方に配置される。第２基板２００の材料として、透明材料を選択する。これによって、入射光は、第２基板２００を通って光学センシング領域に進入し易くなる。
【００４７】
具体的には、本実施形態において、第２基板２００の材料は、無機ガラスまたは有機ガラスであってもよい。
【００４８】
第２基板２００の面積および形状は、第１基板１００の面積および形状と同様である（図４を参照）。これによって、後で第２基板２００を第１基板１００に接合されるときに、第２基板２００および第１基板１００は、完全に重なることができる。
【００４９】
第２基板２００の厚さは、１００μｍ〜２００μｍである。第２基板２００が最終的にパッケージ構造に残されるため、第２基板２００の厚さをそれほど厚くすることができない。さもなければ、パッケージ構造の厚さは、薄型電子製品の要求を満たすことができなくなる。一方、第２基板２００の厚さをそれほど薄くすることもできない。第２基板２００の厚さが１００μｍ未満になると、第２基板２００の強度が低下し、耐えられる外部応力が小さくなる。したがって、第２基板２００は、破損し易く、パッケージ構造内のセンシング領域を十分に保護することができず、パッケージ構造が故障し易い。
【００５０】
第２基板２００は、２つの表面を有するため、いずれか一方の表面を第１表面２００ａとして選択し、第１表面２００ａの反対側の表面を第２表面２００ｂとすることができる。
【００５１】
続いて、接着剤層で、第２基板２００は、第１基板１００（図３を参照）に接合されることによって、２層の上側カバー基板を形成する。
【００５２】
図５および６は、接着剤層で、第２基板２００（図４を参照）を第１基板１００（図３を参照）と接合することを示す概略構造図である。
【００５３】
図５を参照して、第１基板１００のいずれか一方の表面上に接着剤層１０１を形成する。
【００５４】
接着剤層１０１は、第１基板１００のいずれか一方の表面に形成されてもよい。接着剤層１０１は、接着性を有する。接着剤層１０１で、後に提供される第２基板を第１基板１００と接合することによって、２層の上側カバー基板構造を形成する。
【００５５】
接着剤層１０１の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリオレフィン、ウレタン、ポリオレフィン、ポリエーテルスルフォン、ポリアミド、ポリウレタン、またはポリビニルアルコールなどのポリマー材料であってもよい。
【００５６】
接着剤層１０１は、スプレー法、スピンコーティング法または接着法によって、第１基板１００の表面に形成されてもよい。これによって、接着剤層１０１は、均一の厚さおよび平滑な表面を有することができる。
【００５７】
第１基板１００が第２基板と接合され得ることによって、２層の上蓋基板を形成し、パッケージ化が完了した後、第２基板から第１基板１００を円滑に除去することができるようにするために、接着剤層１０１は、熱分解接着剤層であってもよい。これによって、後続工程において接着剤層１０１を加熱することによって、接着剤層１０１の材料が分解して接着剤層１０１が接着性を失い、第１基板１０１が剥離される。
【００５８】
図６を参照して、接着剤層１０１で、第１基板１００のいずれか一方の表面が第２基板２００の第１表面２００ａと接合される。
【００５９】
本実施形態において、接着剤層１０１で、第２基板２００の第１表面２００ａが第１基板１００の表面と接合されることによって、第１基板１００および第２基板２００は接合され、２層構造を有するカバー基板を形成する。また、第１基板１００が接着剤層１０１で第２基板２００と接合されているため、後続工程において、第１基板１００が第２基板２００から容易に分離されることができる。
【００６０】
第１基板１００と第２基板２００とが接合され、２層構造の上側カバー基板を形成することにより、上側カバー基板は、十分な厚さを有し、後続のパッケージ化工程において上側カバー基板の厚さおよび強度に対する要求を満たすことができる。
【００６１】
本開示の他の実施形態において、第２基板２００の第１表面２００ａ上に接着剤層１０１が形成され得、その後第２基板２００の第１表面２００ａが第１基板１００のいずれか一方の表面に接合されてもよい。これによって、接着剤層１０１で、第１基板１００が第２基板２００と接合され、２層の上蓋基板を形成する。
【００６２】
本開示の別の実施形態において、接着剤層で、第２基板を第１基板と接合し、２層の上側カバー基板を形成するための別の方法が提供される。この方法は、第１基板１００（図３を参照）のいずれか一方の表面上に第１接着剤層を形成し、第２基板２００（図４を参照）の第１表面２００ａ上に第２接着剤層を形成することまたは第１基板１００のいずれか一方の表面上に第２接着剤層を形成し、第２基板２００の第１表面２００ａ上に第１接着剤層を形成することと、第１接着剤層および第２接着剤層で、第１基板１００を第２基板２００と接合することとを含む。第１接着剤層および第２接着剤層は、第１基板１００を第２基板２００と接合するための接着剤層を形成する。
【００６３】
第１接着剤層および第２接着剤層の各々の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリオレフィン、ウレタン、ポリオレフィン、ポリエーテルスルフォン、ポリアミド、ポリウレタン、またはポリビニルアルコールなどのポリマー材料であってもよい。第１接着剤層および第２接着剤層は、スプレー法、スピンコーティング法または接着法により形成することができる。
【００６４】
後続工程において第１基板１００と第２基板２００との分離を容易にするために、接着剤層の第１接着剤層は、レーザ光照射によって分解可能な接着剤層であってもよく、第２接着剤層は、接着性を有するポリマー材料から形成されてもよい。後続工程において、第１接着剤層は、レーザ光照射によって分解して接着力を失う。これによって、第２基板２００から第１基板１００が分離される。
【００６５】
第１接着剤層の厚さが厚くなると、後続工程でレーザ光照射を用いて接着剤層を分解するために、より高出力のレーザが必要となる。この場合、レーザ光照射により生成された熱量が増加し、分解効率が低下する。また、過度の熱が接着剤層の両側の第１基板および第２基板の性能に影響を及ぼす可能性がある。これらの問題を回避するために、厚さの薄い第１接着剤層を採用してもよい。例えば、第１接着剤層の厚さは、３μｍ未満であってもよい。具体的には、第１接着剤層の厚さは、０．２μｍ〜０．９μｍ、または１．１μｍ〜２μｍであってもよい。
【００６６】
第１接着剤層がより薄い厚さおよび低い接着力を有する場合、第１基板１００と第２基板２００とが接合されるときに接着剤層の総厚さを増加することによって、接着剤層の接着性を向上させるために、第２接着剤層を形成する必要がある。これによって、後続のパッケージ化工程中に、第２基板２００から第１基板１００の分離を回避することができる。
【００６７】
本開示の他の実施形態において、第１接着剤層および第２接着剤層の両方は、熱分解可能な接着剤層であってもよい。後続工程において、第１接着剤層および第２接着剤層を加熱することによって、第１接着剤層および第２接着剤層の接着性を失わせることができる。
【００６８】
図７を参照して、溝構造が第２基板２００の第２表面２００ｂに形成される。
本実施形態において、溝構造は、第２基板２００の第２表面２００ｂ上のキャビティ壁材料層２０１と、キャビティ壁材料層２０１における溝２０２とを含む。
【００６９】
具体的には、本実施形態において、溝構造を形成する方法は、第２基板２００の第２表面上に完全なキャビティ壁材料層２０１を形成することと、キャビティ壁材料層２０１を第２基板の表面までエッチングして、キャビティ壁材料層２０１内に溝２０２を形成するすることとを含む。溝構造の位置は、後に設けられる基材上のセンシング領域の位置に対応する。溝２０２の深さは、後に設けられる基材上のセンシング領域内の装置の高さよりも大きい。
【００７０】
本実施形態において、キャビティ壁材料層２０１の材料は、フォトレジストであってもよい。スプレー法、スピンコーティング法または接着法によって、第２基板２００の第２表面２００ｂ上にキャビティ壁材料層２０１を形成することができる。次に、キャビティ壁材料層２０１が露光され、現像されることによって、溝２０２を形成する。
【００７１】
本開示の他の実施形態において、キャビティ壁材料層２０１の材料は、酸化珪素、窒化珪素および酸窒化珪素などのような絶縁媒体材料であってもよい。キャビティ壁材料層２０１は、堆積工程によって形成されてもよい。その後、キャビティ壁材料層２０１に対して乾式エッチングを行うことによって、キャビティ壁材料層２０１に溝２０２を形成する。
【００７２】
本開示の他の実施形態において、溝構造は、第２基板２００の第２表面２００ｂ上の溝を含んでもよい。具体的には、溝構造を形成する方法は、第２基板２００の第２表面２００ｂをエッチングし、第２基板２００に溝を形成することを含んでもよい。乾式エッチング処理を用いて、第２基板２００をエッチングすることによって、溝を形成してもよい。
【００７３】
図８を参照して、基材３００が提供される。基材３００は、第１表面４０１と、第１表面４０１に対向する第２表面４０２とを含む。基材３００の第１表面４０１上には、センシング領域３０１と、センシング領域３０１の周囲に配置された複数の接触パッド３０２とが設けられる。
【００７４】
本実施形態において、基材３００は、ウエハであり、第１表面４０１上のセンシング領域３０１と、センシング領域３０１の周囲に離散的に配置された複数の接触パッド３０２と、機能領域（図示せず）と、シリコン基板とを含む。センシング領域３０１は、光学センシング領域であり、接触パッド３０２は、センシング領域３０１内の装置を外部回路に接続するための入出力端子として機能する。
【００７５】
図８は、１つのセンシング領域を含む基材の概略断面構造図である。
本開示の他の実施形態において、基材３００は、複数のユニットを含むことができる。複数のユニットの各々には、センシング領域３０１とセンシング領域３０１の周囲に位置する複数の接触パッド３０２とが形成される。隣接するユニットの間には切断線が設けられているため、パッケージ化が完了した後、切断工程が実行されることによって、複数のチップパッケージを形成する。
【００７６】
図９を参照して、第２基板２００の第２表面２００ｂが基材３００の第１表面４０１と接合される。溝２０２（図８を参照）と基材３００との間には、キャビティが形成される。センシング領域３０１は、キャビティ内に位置する。
【００７７】
本実施形態において、第２基板２００の第２表面２００ｂ上のキャビティ壁材料層２０１の表面上に接着剤層が形成されて、接着剤層が基材３００に接合される。接着剤層は、例えば、シリカゲル、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテンなどのポリマー材料から、スプレー法、スピンコーティング法、接着法等によって形成されてもよい。接着剤層は、接着機能を果たすと共に、絶縁機能および密封機能を果たす。
【００７８】
第２基板２００の第２表面２００ｂが基材３００の第１表面４０１と接合されることによって、キャビティ壁材料層２０１と第２基板２００と基材３００との間にキャビティが形成される。キャビティの位置は、基材３００の第１表面４０１上に形成されたセンシング領域３０１に対応している。したがって、センシング領域３０１は、キャビティ内に位置する一方、センシング領域３０１の周りの接触パッド３０２が、キャビティの外側且つ基材３００とキャビティ壁材料層２０１との間に位置する。
【００７９】
センシング領域３０１は、キャビティ内に配置されているため、後続のパッケージ化工程において、第１基板１００、第２基板２００および両側のキャビティ壁材料層２０１によって保護され、センシング領域３０１に対する損傷および汚染を回避することができる。
【００８０】
本開示の他の実施形態において、溝は、第２基板２００に設けられる。溝が設けられた第２基板２００の表面上に接着剤層が形成され得る。その後、溝が設けられた第２基板２００の表面が基材３００の第１表面４０１と接合されることによって、第２基板２００と基材３００との間にキャビティが形成される。センシング領域３０１は、キャビティに配置される。
【００８１】
第２基板２００の第２表面２００ｂが基材３００の第１表面４０１に接合された後、基材３００の第２表面４０２にパッケージ化工程が実行される。
【００８２】
図１０を参照して、基材３００の第２表面４０２上にパッケージ化工程を実行する実施形態が示されている。この実施形態のパッケージ化工程は、以下のステップを含む。
【００８３】
まず、基材３００の厚みを減少するために、基材３００の第２表面４０２を薄くする。エッチング工程または化学機械研削工程を実行することによって、薄くすることが行われる。これによって、後続工程において、基材３００に貫通孔を形成し易くなる。
【００８４】
次に、基材３００の第２表面４０２をエッチングすることによって、基材３００に貫通孔を形成する。接触パッド３０２の表面の一部は、貫通孔の底から露出される。貫通孔は、接触パッドを接続するための金属接続構造を形成する。
【００８５】
基材３００の第２表面４０２上および貫通孔の側壁面上に、絶縁層３１１が形成される。絶縁層３１１の材料は、酸化珪素、窒化珪素などの絶縁媒体材料であってもよい。絶縁層３１１は、後に形成される金属層から、基材３００を絶縁させるために使用される。また、絶縁層３１１の表面上に、接触パッド３０２と接続される金属層３１２を形成する。金属層３１２は、接触パッド３０２に電気的に接続される。
【００８６】
金属層３１２の表面上および絶縁層３１１の表面上に、開口を有する半田マスク３１３が形成される。半田マスク３１３の材料は、酸化珪素、窒化珪素などの絶縁媒体材料であってもよい。半田マスク３１３は、金属層３１２を保護するために使用される。金属層３１２の表面の一部は、開口によって露出される。これによって、後続工程において、金属層３１２上に半田接合部を形成し易くなる。
【００８７】
その後、金属層３１２の表面上に、外部接続用突起３１４が形成される。外部接続用突起３１４は、銅、アルミニウム、金、錫または鉛などの金属材料から形成された半田ボールまたは金属柱などの接続構造であってもよい。
【００８８】
図１１を参照して、基材３００の第２表面４０２上にパッケージ化工程を実行する実施形態が示されている。このパッケージ化工程は、基材３００の第２表面４０２を薄くしてから、基材３００の第２表面４０２をエッチングすることによって、基材３００に貫通孔を形成することを含む。接触パッド３０２の表面の一部は、貫通孔の底で露出される。このパッケージ化工程は、基材３００の第２表面４０２上および貫通孔の側壁面上に絶縁層３０３を形成することと、絶縁層３０３の表面に接触パッド３０２に接続される金属層３０４を形成することとを含む。貫通孔は、金属層３０４で充填され、金属層の表面は、絶縁層３０３の表面と同一平面上にある。このパッケージ化工程は、金属層３０４の表面上および絶縁層３０３の表面上に開口を有する半田マスク３０５を形成することを含み、金属層３０４の上面は、半田マスク３０５の開口によって露出される。このパッケージ化工程は、金属層３０４の上面に接続される外部接続用突起３０６を開口内に形成することを含む。外部接続用突起３０６は、半田ボールまたは金属柱などの接続構造であってもよく、銅、アルミニウム、金、錫または鉛などの金属材料から形成されてもよい。
【００８９】
図１２および図１３を参照して、第１基板１００（図１０および図１１を参照）および接着剤層１０１（図１０および図１１を参照）が除去される。図１２および図１３は、上述したパッケージ化工程の２つの実施形態によって形成された構造にそれぞれ対応する。
【００９０】
基材３００の第２表面４０２にパッケージ化工程を行った後、パッケージ構造が形成される。パッケージ構造の基材３００の第１表面４０１上の上側カバー基板が厚いため、第１基板１００を除去することによって、基材３００の第１表面４０１上の上側カバー基板の厚さを減らすことができる。残された第２基板２００は、依然として基材３００上のセンシング領域３０１を保護することができる。
【００９１】
本実施形態において、第１基板１００と第２基板２００との間の接着剤層１０１は、熱分解接着剤層である。接着剤層１０１の材料は、加熱された時に、分解して接着性を失う。そこで、本実施形態において、接着剤層１０１が加熱されることによって、接着剤層１０１の接着性が失われ、接着剤層１０１の表面から第１基板１００が分離されて除去される。パッケージ構造の性能に影響を与えないように、加熱温度は、外部接続用突起３１４の融点よりも低い。
【００９２】
本開示の他の実施形態において、第１基板１００と第２基板２００との間の接着剤層は、第１接着剤層と第２接着剤層とを含む。第１接着剤層は、レーザ光照射で分解可能な接着剤層である。レーザ光を第１接着剤層に照射することによって、第１接着剤層の材料が分解されて、接着性を失わせる。具体的には、波長１０６４ｎｍ、出力１５Ｗ〜４０Ｗであるイットリウムアルミニウムガーネットレーザが照射に用いられ得る。本開示の他の実施形態において、紫外線波長などの他の波長を有するレーザ光を用いて、照射を行うこともできる。
【００９３】
本開示の他の実施形態において、接着剤層１０１は、第１接着剤層および第２接着剤層を含み、第１接着剤層および第２接着剤層の両方は、熱分解接着剤層である。第１接着剤層および第２接着剤層が加熱されることによって、第１接着剤層および第２接着剤層の両方の接着性を失わせる。これによって、第１基板１００は、第２基板２００から分離される。
【００９４】
湿式エッチング工程または乾式エッチング工程を用いて、第１基板１００が除去される場合、パッケージ構造の他の部分の材料および装置が容易に影響される。上述した方法を使用することによって、このような影響を避けることができる。
【００９５】
第１基板１００が除去された後、第２基板２００の表面が洗浄されて、第２基板２００の表面上に残った接着剤層１０１を除去し、第２基板２００の表面を露出させることができる。洗浄に使用された洗剤は、第２基板２００を腐食しないため、第２基板の表面の平滑性および透光性に影響を与えない。
【００９６】
第１基板１００が厚いため、第１基板１００を除去することによって、形成されたパッケージ構造物の厚さを減らすことができる。残された第２基板２００は、依然としてセンシング領域を保護することができるため、パッケージ構造の性能が外部要素によって影響されないことを確保する。
【００９７】
要約すると、本開示の実施形態において、接着剤層で、第１基板が第２基板と接合された後、第２基板の第２表面上にまたは第２基板内に溝構造が形成されてから、第２基板の第２表面が基材の第１表面に接合される。キャビティは、溝構造と基材との間に形成され、基材の表面上のセンシング領域は、キャビティ内に位置する。第１基板および第２基板は、２層の上側カバー基板を構成する。２層の上側カバー基板が基材に接合されることによって、後続のパッケージ化工程中に基材上のセンシング領域を保護することができる。さらに、上側カバー基板は、２層構造を有するため、後続工程において第１基板を後で除去することによって、形成されたパッケージ構造の厚さを減らすことができる。
【００９８】
本開示の他の実施形態において、上記方法を用いて形成されたパッケージ構造がさらに提供される。
【００９９】
図１０および１１を参照して、パッケージ構造は、第１基板１００と第２基板２００を含み、第２基板２００は、第１表面２００ａと、第１表面２００ａに対向する第２表面２００ｂとを備え、接着剤層１０１で、第１基板１００のいずれか一方の表面が第２基板２００の第１表面２００ａに接合され、第２基板２００の第２表面２００ｂ上に位置する溝構造と、基材３００とを含み、基材３００は、第１表面４０１と、第１表面４０１に対向する第２表面４０２とを備え、基材３００の第１表面４０１上には、センシング領域３０１と、センシング領域３０１の周りに位置する複数の接触パッド３０２とを備え、第２基板２００の第２表面２００ｂは、基材３００の第１表面４０１に接合され、溝構造と基材３００との間には、キャビティが形成され、センシング領域３０１は、キャビティ内に位置する。
【０１００】
第１基板１００の材料は、ガラス、シリコンウエハ、セラミックまたはプラスチックであってもよい。第１基板１００は、パッケージ構造の２層の上側カバー基板の一部として、基材の表面上のセンシング領域を保護するために使用される。このため、第１基板１００の材料は、高強度および優れた耐食性を有する硬質材料であることが要求され、外部から加えられた応力および様々な化学的汚染に耐えることができる。
【０１０１】
本実施形態において、第１基板１００の厚さは、３００μｍ〜５００μｍである。したがって、第１基板１００は、十分な厚さおよび十分な強度を有し、後続工程の要求を満たすことができる。
【０１０２】
第２基板２００は、透明性の高い透明材料で形成されている。また、第２基板２００の表面が平滑であるため、入射光の散乱および拡散を防止することができ、第２基板２００の高透明性を確保することができる。基材は、光学センシング領域であるセンシング領域を含む。第２基板２００は、最終的にはパッケージ構造に残され、光学センシング領域の上方に位置する。このため、第２基板２００の材料として、透明材料を選択する必要がある。これによって、入射光は、第２基板２００を通って光学センシング領域に進入し易くなる。具体的には、本実施形態において、第２基板２００の材料は、無機ガラスまたは有機ガラスである。
【０１０３】
第２基板２００の面積および形状は、第１基板１００の面積および形状と同様である。これによって、第２基板２００と第１基板１００とは、互いに完全に重なることができる。
【０１０４】
第２基板２００の厚さは、１００μｍ〜２００μｍである。第２基板２００が最終的にパッケージ構造に残されるため、第２基板２００の厚さをそれほど厚くすることはできない。さもなければ、パッケージ構造の厚さは、薄型電子製品の要求を満たすことができない。一方、第２基板２００の厚さをそれほど薄くすることはできない。第２基板２００の厚さが１００μｍ未満になると、第２基板２００の強度が低下し、耐えられる外部応力が小さくなる。したがって、第２基板２００は、破損し易く、パッケージ構造内のセンシング領域を十分に保護することができず、パッケージ構造が故障し易い。
【０１０５】
第２基板２００は、２つの表面を有するため、いずれか一方の表面を第１表面２００ａとして選択し、第１表面２００ａの反対側の表面を第２表面２００ｂとすることができる。
【０１０６】
接着剤層で、第２基板２００の第１表面２００ａが第１基板１００のいずれか一方の表面に接合される。接着剤層１０１は、接着性を有する。接着剤層１０１の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリオレフィン、ウレタン、ポリオレフィン、ポリエーテルスルフォン、ポリアミド、ポリウレタン、またはポリビニルアルコールなどのポリマー材料であってもよい。
【０１０７】
本実施形態において、接着剤層１０１は、熱分解接着剤層であってもよい。後続工程において、接着剤層１０１を加熱することによって、接着剤層１０１の材料が分解されて、接着剤層１０１が接着性を失い、第１基板１００が分離される。
【０１０８】
本開示の他の実施形態において、接着剤層１０１は、第１接着剤層および第２接着剤層を含むこともできる。本開示の一実施形態において、第１接着剤層は、第１基板１００の表面上に位置し、第２接着剤層は、第２基板２００の第１表面２００ａ上に位置する。本開示の別の実施形態において、第２接着剤層は、第１基板１００の表面上に位置し、第１接着剤層は、第２基板２００の第１表面２００ａ上に位置する。
【０１０９】
第１接着剤層および第２接着剤層の各々の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリオレフィン、ウレタン、ポリオレフィン、ポリエーテルスルフォン、ポリアミド、ポリウレタン、またはポリビニルアルコールなどのポリマー材料であってもよい。
【０１１０】
接着剤層１０１の第１接着剤層は、レーザ光の照射によって分解可能な接着剤層であってもよく、第２接着剤層は、接着性を有するポリマー材料から形成されてもよい。後続工程において、第１接着剤層は、レーザ光の照射によって分解して接着力を失う。これによって、第２基板２００から第１基板１００が分離される。第１接着剤層の厚さは、３μｍ未満である。具体的には、第１接着剤層の厚さは、０．２μｍ〜０．９μｍ、または１．１μｍ〜２μｍであってもよい。
【０１１１】
本開示の他の実施形態において、第１接着剤層および第２接着剤層の両方は、熱分解可能な接着剤層であってもよい。後続工程において、第１接着剤層および第２接着剤層が加熱されることによって、第１接着剤層および第２接着剤層の接着性を失わせることができる。
【０１１２】
この実施形態において、溝構造は、第２基板２００の第２表面２００ｂ上のキャビティ壁材料層２０１と、キャビティ壁材料層２０１における溝２０２とを含む。キャビティ壁材料層２０１の材料は、フォトレジストであり、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素などの絶縁媒体材料であってもよい。
【０１１３】
本開示の他の実施形態において、溝構造は、第１基板１００に接合されていない第２基板２００の一表面における溝を含むことができる。
【０１１４】
本実施形態において、基材３００は、ウエハであり、第１表面４０１上のセンシング領域３０１と、センシング領域３０１の周囲に離散的に配置された複数の接触パッド３０２と、機能領域（図示せず）と、シリコン基板とを含む。センシング領域３０１は、光学センシング領域であり、接触パッド３０２は、センシング領域３０１における装置を外部回路に接続するための入出力端子として機能する。
【０１１５】
本開示の他の実施形態において、基材３００は、複数のユニットを含むことができる。センシング領域３０１と、センシング領域３０１の周囲に位置する複数の接触パッド３０２とは、複数のユニットの各々に形成される。隣接するユニットの間には切断線が設けられているため、複数のチップパッケージを形成するための切断工程を容易にする。第２基板の第２表面に位置する溝構造は、複数の溝を含む。これらの複数の溝は、複数のユニット上の複数のセンシング領域と１対１で対応している。
【０１１６】
第２基板２００の第２表面２００ｂが基材３００の第１表面４０１と接着されることによって、キャビティ壁材料層２０１と第２基板２００と基材３００との間にキャビティが形成される。キャビティの位置は、基材３００の第１表面４０１上に形成されたセンシング領域３０１に対応している。したがって、センシング領域３０１は、キャビティ内に位置する一方、センシング領域３０１の周りの接触パッド３０２は、キャビティの外側且つ基材３００とキャビティ壁材料層２０１との間に位置する。センシング領域３０１は、第１基板１００、第２基板２００および両側のキャビティ壁材料層２０１によって保護され、センシング領域３０１に対する損傷および汚染を回避することができる。
【０１１７】
図１０を参照して、本実施形態において、パッケージ構造は、基材３００の第２表面４０２における貫通孔を含み、接触パッド３０２の表面の一部は、貫通孔の底で露出され、基材３００の第２表面４０２上および貫通孔の側壁面上に形成された絶縁層３１１と、絶縁層３１１の表面上に位置し、接触パッド３０２に接続された金属層３１２と、金属層３１２の表面および絶縁層３１１の表面に形成された開口を有する半田マスク３１３とを含み、金属層３１２の表面の一部は、開口によって露出される。パッケージ構造は、金属層３１２の表面上に位置する外部接続用突起３１４を含む。外部接続用突起は、半田ボールまたは金属柱などの接続構造であってもよく、銅、アルミニウム、金、錫または鉛などの金属材料から形成されてもよい。
【０１１８】
図１１を参照して、本開示の別の実施形態において、パッケージ構造は、基材３００の第２表面４０２における貫通孔を含み、接触パッド３０２の表面の一部は、貫通孔の底で露出される。パッケージ構造は、基材３００の第２表面４０２上および貫通孔の側壁面上に形成された絶縁層３０３と、絶縁層３０３の表面上に形成され、接触パッド３０２に接続された金属層３０４とを含み、貫通孔は、金属層３０４で充填され、且つ、金属層の表面は、絶縁層３０３の表面と同一平面上にある。金属層３０４の上面は、半田マスク３０５の開口によって露出される。開口内に、金属層３０４の上面に接続される外部接続用突起３０６を形成する。外部接続用突起は、半田ボールまたは金属柱などの接続構造であってもよく、銅、アルミニウム、金、錫または鉛などの金属材料から形成されてもよい。
【０１１９】
本開示の実施形態はさらに、上述した方法を用いて形成された別のパッケージ構造を提供する。
【０１２０】
図１２および１３を参照して、パッケージ構造は、第２基板２００を含み、第２基板２００は、第１表面２００ａと、第１表面２００ａに対向する第２表面２００ｂとを含み、第２基板は、１００μｍ〜２００μｍの厚さを有する。パッケージ構造は、第２基板２００の第２表面２００ｂに形成された溝構造と、基材３００とを含み、基材３００は、第１表面４０１と、第１表面４０１に対向する第２表面４０２とを含み、基材３００の第１表面４０１は、センシング領域３０１と、センシング領域３０１の周囲に位置する複数の接触パッド３０２とを備える。第２基板２００の第２表面２００ｂは、基材３００の第１表面４０１と接合され、溝構造と基材３００との間には、キャビティが形成され、センシング領域３０１は、キャビティ内に位置する。
【０１２１】
第２基板２００は、透明性の高い透明材料で形成されている。また、第２基板２００の表面が平滑であるため、入射光の散乱および拡散を防止することができ、第２基板２００の高透明性を確保することができる。第２基板２００の材料は、無機ガラスまたは有機ガラスであってもよい。
【０１２２】
第２基板２００の厚さは、１００μｍ〜２００μｍである。第２基板２００は、薄いため、パッケージ構造の厚さが薄くなり、薄型電子製品の要求を満たすことができる。しかしながら、第２基板２００の厚さが１００μｍ未満になると、第２基板２００の強度が低下し、耐えられる外部応力が小さくなるため、第２基板２００の厚さを小さくしすぎることができない。したがって、第２基板２００は、破損し易く、パッケージ構造内のセンシング領域を十分に保護することができず、パッケージ構造が故障し易い。
【０１２３】
本実施形態において、溝構造は、第２基板２００の第２表面２００ｂ上のキャビティ壁材料層２０１と、キャビティ壁材料層２０１における溝２０２とを含む。キャビティ壁材料層２０１の材料は、フォトレジストであり、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素などの絶縁媒体材料であってもよい。本開示の他の実施形態において、溝構造は、第２基板２００の第２表面２００ｂに位置する溝を含んでもよい。
【０１２４】
本実施形態において、基材３００は、ウエハであり、第１表面４０１上のセンシング領域３０１と、センシング領域３０１の周囲に離散的に配置された複数の接触パッド３０２と、機能領域（図示せず）と、シリコン基板とを含む。センシング領域３０１は、光学センシング領域であり、接触パッド３０２は、センシング領域３０１内の装置を外部回路に接続するための入出力端子として機能する。
【０１２５】
本開示の他の実施形態において、基材３００は、複数のユニットを含むことができる。センシング領域３０１と、センシング領域３０１の周囲に位置する複数の接触パッド３０２とは、複数のユニットの各々の上に形成される。隣接するユニットの間には切断線が設けられているため、複数のチップパッケージを形成するための切断工程を容易にする。第２基板２１０の第２表面２００ｂに位置する溝構造は、複数の溝を含む。これらの複数の溝は、複数のユニット上の複数のセンシング領域と１対１で対応している。
【０１２６】
第２基板２００の第２表面２００ｂが基材３００の第１表面４０１と接着されることによって、キャビティ壁材料層２０１と第２基板２００と基材３００との間にキャビティが形成される。キャビティの位置は、第２基板２００の第１表面４０１上に形成されたセンシング領域３０１に対応している。したがって、センシング領域３０１は、キャビティ内に位置する一方、センシング領域３０１の周りの接触パッド３０２は、キャビティの外側且つ基材３００とキャビティ壁材料層２０１との間に位置する。センシング領域３０１は、第２基板２００および両側のキャビティ壁材料層２０１によって保護され、センシング領域３０１に対する損傷および汚染を回避することができる。
【０１２７】
図１２を参照して、本開示の一実施形態において、パッケージ構造は、基材３００の第２表面４０２における貫通孔を含み、接触パッド３０２の表面の一部は、貫通孔の底で露出され、基材３００の第２表面４０２上および貫通孔の側壁面上に形成された絶縁層３１１と、絶縁層３１１の表面上に位置し、接触パッド３０２に接続された金属層３１２と、金属層３１２の表面上および絶縁層３１１の表面上に形成された開口を有する半田マスク３１３とを含み、金属層３１２の表面の一部は、開口によって露出される。パッケージ構造は、金属層３１２の表面上に位置する外部接続用突起３１４を含む。外部接続用突起３１４は、半田ボールまたは金属柱などの接続構造であってもよく、銅、アルミニウム、金、錫または鉛などの金属材料から形成されてもよい。
【０１２８】
図１３を参照して、本開示の別の実施形態において、パッケージ構造は、基材３００の第２表面４０２における貫通孔を含み、接触パッド３０２の表面の一部は、貫通孔の底で露出される。パッケージ構造は、基材３００の第２表面４０２上および貫通孔の側壁面上に形成された絶縁層３０３と、絶縁層３０３の表面上に形成され、接触パッド３０２に接続された金属層３０４とを含み、貫通孔は、金属層３０４で充填され、且つ、金属層の表面は、絶縁層３０３の表面と同一平面上にある。金属層３０４の上面は、半田マスク３０５の開口によって露出される。開口内に、金属層３０４の上面に接続される外部接続用突起３０６が形成される。外部接続用突起は、半田ボールまたは金属柱などの接続構造であってもよく、銅、アルミニウム、金、錫または鉛などの金属材料から形成されてもよい。
【０１２９】
パッケージ構造の基材３００の第１表面４０１上の第２基板２００は、１００μｍ〜２００μｍのみの厚さを有する。第２基板２００が薄いため、パッケージ構造の厚さも薄くなり、薄型電子製品の要求を満たすことができる。また、第２基板２００は、第１表面４０１上のセンシング領域３０１に十分な保護を提供することができ、センシング領域３０１に対する損傷および汚染を回避することができる。
【０１３０】
本開示の技術的解決方法に係るパッケージ化方法において、接着剤層で、第１基板のいずれか一方の表面が第２基板の第１表面と接合され、その後、第２基板の第２表面に溝構造が形成され、第２基板の第２表面が基材の第１表面に接合される。溝構造と基材との間には、キャビティが形成され、センシング領域は、キャビティ内に位置する。第１基板および第２基板は、２層の上側カバー基板を構成する。２層の上側カバー基板が基材に接合されることによって、後続のパッケージ化工程中に基材上のセンシング領域を保護することができる。さらに、上側カバー基板は、２層構造を有するため、後続工程において第１基板を後で除去することによって、形成されたパッケージ構造の厚さを減らすことができる。
【０１３１】
パッケージ化方法は、基材の第２表面にパッケージ化工程を行い、パッケージ構造の厚さを減らすために第１基板および接着剤層を除去することをさらに含む。残された第２基板は、依然としてセンシング領域を保護することができるため、パッケージ構造の性能が外部要因によって影響されないことを確保する。第２基板の厚さは、１００μｍ〜２００μｍである。第２基板が最終的にパッケージ構造に残されるため、第２基板の厚さはあまり厚くなり得ない。さもなければ、パッケージ構造の厚さは、薄型電子製品の要求を満たすことができない。一方、第２基板の厚さをそれほど薄くすることはできない。第２基板の厚さが１００μｍ未満になると、第２基板の強度が低下し、第２基板によって耐えられる外部応力が小さくなる。したがって、第２基板は、破損し易く、パッケージ構造内のセンシング領域を十分に保護することができず、パッケージ構造が故障し易い。
【０１３２】
接着剤層は、第１接着剤層と第２接着剤層とを含む。第１接着剤層は、レーザ光照射で分解可能な接着剤層である。レーザ光を第１接着剤層に照射することによって、第１接着剤層の材料が分解して、接着性を失う。そのため、レーザ光を照射することによって、接着剤層を粘着性をなくし、接着剤層の表面から第１基板を分離させることにより、第１基板を除去することができる。上述した方法を使用することによって、パッケージ構造の他の部分の材料および装置に影響を与えることを防止することができる。
【０１３３】
接着剤層は、熱分解可能な接着剤層であってもよい。接着剤層の材料は、加熱すると分解し、接着剤層は接着性を失う。したがって、接着剤層が加熱されることによって、接着剤層の接着性をなくし、接着剤層の表面から第１基板が分離されることにより、第１基板を除去することができる。上述した方法を使用することによって、パッケージ構造の他の部分の材料および装置に影響を与えることを防止することができる。
【０１３４】
本開示の実施形態によれば、上記パッケージ化方法を用いて形成されたパッケージ構造がさらに提供される。パッケージ構造は、第１基板と第２基板とを含み、第１基板のいずれか一方の表面が接着剤層で第２基板の第１表面と接合される。パッケージ構造は、第２基板の第２表面に位置する溝構造を含み、溝構造と基材との間には、キャビティが形成され、基材上のセンシング領域は、キャビティ内に位置する。第１基板および第２基板によって構成された２層の上側カバー基板構造によって、後続工程において第１基板の除去が容易になり、形成されたパッケージ構造の厚さを薄くすることができる。したがって、上側カバー基板の厚さを薄くするためにエッチング加工または研削加工を使用する必要がない。よって、パッケージ構造の厚さを薄くすると共に、残された第２基板の平滑性を確保することができ、センシング領域を保護することができる。
【０１３５】
以上、本開示を説明したが、本開示は、これに限定されるものではない。本開示の精神および範囲から逸脱することなく、当業者によって本開示の技術的解決策に様々な変更および修正を行うことができる。したがって、本開示の保護の範囲は、添付の特許請求の範囲によって規定される。
【図１】
2018505564.tif 000003
【図２】
2018505564.tif 000004
【図３】
2018505564.tif 000005
【図４】
2018505564.tif 000006
【図５】
2018505564.tif 000007
【図６】
2018505564.tif 000008
【図７】
2018505564.tif 000009
【図８】
2018505564.tif 000010
【図９】
2018505564.tif 000011
【図１０】
2018505564.tif 000012
【図１１】
2018505564.tif 000013
【図１２】
2018505564.tif 000014
【図１３】
2018505564.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成29年10月6日(2017.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージセンサパッケージを形成するための方法であって、
第１基板および第２基板を提供することを含み、前記第２基板は、第１表面と、前記第１表面に対向する第２表面とを備え、
接着剤層で、前記第１基板のいずれか一方の表面を前記第２基板の前記第１表面と接合することと、
前記第２基板の前記第２表面に溝構造を形成することと、
基材を形成することとを含み、前記基材は、第１表面と、前記第１表面に対向する第２表面とを備え、前記基材の前記第１表面は、センシング領域と、前記センシング領域の周りに位置する複数の接触パッドとを備え、
前記第２基板の前記第２表面を前記基材の前記第１表面と接合することを含み、前記溝構造と前記基材との間には、キャビティが形成され、前記センシング領域は、前記キャビティ内に位置する、方法。
【請求項２】
前記方法は、前記第２基板の前記第２表面と前記基材の前記第１表面とを接合した後、前記基材の前記第２表面上にパッケージ化処理を行うことと、前記第１基板および前記接着剤層を除去することとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基材の前記第２表面に行われた前記パッケージ化処理は、
前記基材の前記第２表面を薄くしてエッチングすることによって、貫通孔を形成することを含み、前記接触パッドの表面の一部は、前記貫通孔の底で露出され、
前記基材の前記第２表面上および前記貫通孔の側壁面上に絶縁層を形成することと、
前記絶縁層の表面上に金属層を形成することとを含み、前記金属層は、前記接触パッドと接続され、
前記金属層の表面上および前記絶縁層の表面上に開口を有する半田マスクを形成することを含み、前記金属層の前記表面の一部は、前記開口によって露出され、
前記金属層の表面上に外部接続用突起を形成することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記貫通孔は、前記金属層で充填され、
前記金属層の表面は、前記基材の前記第２表面と同一平面上にあり、
前記金属層の上面は、前記半田マスクの前記開口によって露出され、
前記外部接続用突起は、前記開口内に形成され、前記外部接続用突起は、前記金属層の前記上面に接続される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１基板は、３００μｍ〜５００μｍの厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２基板は、１００μｍ〜２００μｍの厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記接着剤層で前記第１基板の前記表面を前記第２基板の前記第１表面と接合することは、
前記第１基板の前記表面上に前記接着剤層を形成し、前記第２基板の前記第１表面を前記接着剤層と接合すること、または
前記第２基板の前記第１表面上に前記接着剤層を形成し、前記第１基板の前記表面を前記接着剤層と接合することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記接着剤層は、第１接着剤層と第２接着剤層とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記接着剤層で前記第１基板の前記表面を前記第２基板の前記第１表面と接合することは、
前記第１基板の前記表面上に前記第１接着剤層を形成し、前記第２基板の前記第１表面上に前記第２接着剤層を形成すること、または第１基板の前記表面上に前記第２接着剤層を形成し、前記第２基板の前記第１表面上に前記第１接着剤層を形成することと、
前記第１接着剤層および前記第２接着剤層で、前記第１基板を前記第２基板と接合することとを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記接着剤層は、スプレー法、スピンコーティング法または接着法により形成される、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１接着剤層がレーザ光照射で分解可能な接着剤層である場合、前記接着剤層にレーザ光が照射されて前記接着剤層の接着性を失わせることによって、前記第１基板を除去し、
前記接着剤層が熱分解可能な接着剤層である場合、熱分解法を用いて前記接着剤層が処理されて前記接着剤層の接着性を失わせることによって、前記第１基板を除去する、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２基板の前記表面が洗浄されることによって、前記第２基板の前記表面上の前記接着剤層を除去する、請求項２に記載の方法。
【請求項１３】
前記溝構造を形成することは、
前記第２基板の前記第２表面上にキャビティ壁材料層を形成し、前記キャビティ壁材料層を前記第２基板の前記表面までエッチングすることによって、前記キャビティ壁材料層に溝を形成すること、または
前記第２基板の前記第２表面をエッチングすることによって、前記第２基板に溝を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記基材は、複数のユニットを含み、
前記複数のユニットの各々には、センシング領域と、前記センシング領域の周りに位置する複数の接触パッドが形成され、
隣接するユニットの間には、切断線が設けられ、
前記第１基板と接合された前記表面以外の前記第２基板の表面に位置する溝構造は、複数の溝を含み、前記複数の溝は、前記複数のユニット上の複数のセンシング領域と１対１で対応しており、
前記方法は、
前記第１基板および前記接着剤層が除去された後、前記切断線に沿って、前記基材および前記第２基板を切断することによって、複数のチップパッケージを形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
イメージセンサパッケージであって、
第１基板と第２基板とを含み、前記第２基板は、第１表面と、前記第１表面に対向する第２表面とを備え、前記第１基板のいずれか一方の表面と前記第２基板の前記第１表面とが接着剤層で接合され、
前記第２基板の前記第２表面に位置する溝構造と、
基材とを含み、前記基材は、第１表面と、前記第１表面に対向する第２表面とを備え、前記基材の前記第１表面は、センシング領域と、前記センシング領域の周りに位置する複数の接触パッドとを備え、
前記第２基板の前記第２表面は、前記基材の前記第１表面に接合され、前記溝構造と前記基材との間には、キャビティが形成され、前記センシング領域は、前記キャビティ内に位置する、イメージセンサパッケージ。
【請求項１６】
前記第１基板の材料は、ガラス、シリコンウエハ、セラミックまたはプラスチックである、請求項１５に記載のイメージセンサパッケージ。
【請求項１７】
前記第１基板は、３００μｍ〜５００μｍの厚さを有する、請求項１５に記載のイメージセンサパッケージ。
【請求項１８】
前記第２基板の材料は、透明材料である、請求項１５に記載のイメージセンサパッケージ。
【請求項１９】
前記第２基板は、１００μｍ〜２００μｍの厚さを有する、請求項１５に記載のイメージセンサパッケージ。
【請求項２０】
前記接着剤層は、第１接着剤層と第２接着剤層とを含む、請求項１５に記載のイメージセンサパッケージ。
【請求項２１】
前記第１接着剤層は、前記第１基板の前記表面上に形成され、前記第２接着剤層は、前記第２基板の前記第１表面上に形成され、または
前記第２接着剤層は、前記第１基板表面の前記表面上に形成され、前記第１接着剤層は、前記第２基板の前記第１表面上に形成される、請求項２０に記載のイメージセンサパッケージ。
【請求項２２】
前記接着剤層は、レーザ光照射で分解可能な接着剤層であり、または
前記接着剤層は、熱分解可能な接着剤層である、請求項２０に記載のイメージセンサパッケージ。
【請求項２３】
前記溝構造は、
前記第２基板の前記第２表面上のキャビティ壁材料層における溝、または
前記第２基板の前記第２表面における溝を含む、請求項１５に記載のイメージセンサパッケージ。
【請求項２４】
前記基材は、複数のユニットを含み、
前記複数のユニットの各々には、センシング領域と、前記センシング領域の周りに位置する複数の接触パッドが形成され、
隣接するユニットの間には、切断線が設けられ、
前記第１基板と接合された前記表面以外の前記第２基板の表面に位置する溝構造は、複数の溝を含み、前記複数の溝は、前記複数のユニット上の複数のセンシング領域と１対１で対応している、請求項１５に記載のイメージセンサパッケージ。
【請求項２５】
前記基材の前記第２表面における貫通孔を含み、前記接触パッドの表面の一部は、前記貫通孔の底で露出され、
前記基材の第２表面上および前記貫通孔の側壁面上の絶縁層と、
前記絶縁層の表面上の金属層とを含み、前記金属層は、前記接触パッドと接続され、
前記金属層の表面上および前記絶縁層の前記表面上の開口を有する半田マスクを含み、前記金属層の前記表面の一部は、前記開口によって露出され、
前記金属層の表面上の外部接続用突起をさらに含む、請求項１５に記載のイメージセンサパッケージ。
【請求項２６】
前記貫通孔は、前記金属層で充填され、
前記金属層の表面は、前記絶縁層の前記表面と同一平面上にあり、
前記金属層の上面は、前記半田マスクの前記開口によって露出され、
前記外部接続用突起は、前記開口内に形成され、前記外部接続用突起は、前記金属層の前記上面に接続される、請求項２５に記載のイメージセンサパッケージ。
【請求項２７】
イメージセンサパッケージであって、
基板を備え、前記基板は、第１表面と、前記第１表面に対向する第２表面とを含み、
前記基板の前記第２表面に位置する溝構造と、
基材とを含み、前記基材は、第１表面と、前記第１表面に対向する第２表面とを備え、前記基材の前記第１表面は、センシング領域と、前記センシング領域の周りに位置する複数の接触パッドとを備え、
前記基板の前記第２表面は、前記基材の前記第１表面に接合され、前記溝構造と前記基材との間には、キャビティが形成され、前記センシング領域は、前記キャビティ内に配置され、
前記基板は、１００μｍ〜２００μｍの厚さを有する、イメージセンサパッケージ。
【国際調査報告】
2018505564.tif 000016
2018505564.tif 000017
2018505564.tif 000018
2018505564.tif 000019
2018505564.tif 000020
2018505564.tif 000021