【事件の表示】
　特願２０００−５４６３８５「高アスペクト比の孔を形成する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１１月　４日国際公開、ＷＯ９９／５６３０５、平成１４年　６月１８日国内公表、特表２００２−５１７８９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、１９９９年４月２３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９８年４月２４日、米国、１９９８年６月１７日、米国）を国際出願日とする出願であって、その請求項１〜２０に係る発明は、平成１４年１１月２７日付け手続補正書によって補正された明細書と図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２０に記載された事項により特定されるとおりの「プラズマ食刻方法」にあるものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
「表面上に酸化ケイ素の層を有する半導体基板において、前記酸化ケイ素の表面を露出させる少なくとも一個の孔を有したマスクを前記酸化ケイ素上に形成する工程と、前記半導体基板をプラズマ食刻チャンバ内に配置する工程と、本質的にＣＨＦ３およびＣＨ２Ｆ２からなる脱ＣＯガスプラズマを前記少なくとも一個の孔の近傍の領域に生成する工程とからなるプラズマ食刻方法。」
　　
［２］引用刊行物の記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開平９−２０５１４３号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、下記の事項が記載されている。
「【００２２】実施例１
　本実施例は、２本のワード線の間でＳＲＡＭのビット線引出し電極を基板にコンタクトさせるＳＡＣプロセスに関するものであり、ポリサイド・ゲート電極を覆うオフセット酸化膜（ＳｉＯｘ）とサイドウォール（ＳｉＯｘ）の表面をＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜で被覆した。このプロセスを、図１ないし図４を参照しながら説明する。
【００２３】まず、予めウェル形成や素子分離を行ったＳｉ基板１の表面をたとえばパイロジェニック酸化法で熱酸化することにより、厚さ約８ｎｍのゲート酸化膜２を形成した。続いて、たとえば減圧ＣＶＤ法により厚さ約１４０ｎｍのタングステン・ポリサイド膜と厚さ約５０ｎｍのＳｉＯｘ膜と順次成膜し、これらの膜を共通のレジスト・マスクを介してドライエッチングすることにより、ゲート電極３（ｐｏｌｙＳｉ／ＷＳｉｘ）とオフセット酸化膜からなる積層パターンを形成した。・・・
【００２４】次に、上記積層パターンをマスクとしてＡｓ+ の低濃度イオン注入を行い、シリコン基板１の表層部にＬＤＤ領域を形成した。・・・
【００２５】次に、この基体の全面をコンフォーマルに覆うＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜を約３０ｎｍの厚さに成膜した。・・・
【００２６】次に、たとえばＯ３ −ＴＥＯＳ常圧ＣＶＤ法によりＳｉＯｘ層間絶縁膜８を約５００ｎｍの厚さに成膜して、基体の表面をほぼ平坦化した。この後、ＳｉＯｘ層間絶縁膜８の上にレジスト・パターン９を形成した。このときのレジスト・パターニングは、化学増幅系ポジ型フォトレジスト材料（和光純薬社製，商品名ＷＫＲ−ＰＴ１）とＫｒＦエキシマ・レーザ・ステッパを用いて行い、配線間スペースをカバーする直径約０．３μｍの開口を設けた。・・・図１には、ここまでのプロセスを終了した状態を示した。
【００２７】次に、市販の酸化シリコン膜エッチング用ＥＣＲ型プラズマ・エッチング装置（以下、ＥＣＲ型酸化膜エッチャーと称する。）を用い、上記ＳｉＯｘ層間絶縁膜８を選択的にエッチングした。このときのエッチング条件は、たとえば
ＣＨＦ３　流量　　　　　　　３５　ＳＣＣＭ
ＣＨ２Ｆ２流量　　　　　　　１５　ＳＣＣＭ
圧力　　　　　　　　　　０．２７　Ｐａ
マイクロ波パワー　　　　１２００　Ｗ（２．４５　ＧＨｚ）
ＲＦバイアス・パワー　　　２００　Ｗ（８００　ｋＨｚ）
ウェハ温度　　　　　　　　　２０　℃
オーバーエッチング率　　　　３０　％
とした。この結果、図２に示されるように、コンタクトホール１０が途中まで形成され、その底面にＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７が露出した状態となった。上記のエッチングでは、高密度プラズマ中で豊富に発生するイオンを利用して実用的な速度でエッチングが進行する。またこれと共に、プラズマ中に生成する適度な量のフルオロカーボン系ポリマーがＳｉＯｘＮｙ膜に対する選択比を確保する役目を果たすので、エッチングは図２に示されるように、ＳｉＯｘＮｙエッチング停止膜７が露出したところで停止する。」（段落【００２２】〜【００２７】）。
　また、上述の記載に対応させて図１、図２が示されている。
　　
［３］対比・判断
　上記［２］に摘記した事項を総合すると、引用刊行物１には、「表面上にＳｉＯｘ層間絶縁膜を有するＳｉ基板において、前記ＳｉＯｘ層間絶縁膜の表面を露出させる直径約０．３μｍの開口を設けたレジスト・パターンを前記ＳｉＯｘ層間絶縁膜上に形成した後、前記Ｓｉ基板をＥＣＲ型プラズマ・エッチング装置を用い、（ＣＨＦ３流量　３５　ＳＣＣＭ、ＣＨ２Ｆ２流量　１５　ＳＣＣＭ）というエッチングガス流量のエッチング条件で、前記開口から露出するＳｉＯｘ層間絶縁膜表面をプラズマ・エッチングすることからなるプラズマ・エッチング方法」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明１と引用発明とを対比すると、引用発明における「ＳｉＯｘ層間絶縁膜」、「Ｓｉ基板」、「直径約０．３μｍの開口を設けたレジスト・パターン」、「プラズマ・エッチング方法」はそれぞれ、本願発明１における「酸化ケイ素の層」、「半導体基板」、「少なくとも一個の孔を有したマスク」、「プラズマ食刻方法」に相当する。また、引用発明における「レジスト・パターンを前記ＳｉＯｘ層間絶縁膜上に形成した後、前記Ｓｉ基板をＥＣＲ型プラズマ・エッチング装置を用い、（ＣＨＦ３流量　３５　ＳＣＣＭ、ＣＨ２Ｆ２流量　１５　ＳＣＣＭ）というエッチングガス流量のエッチング条件で、前記開口から露出するＳｉＯｘ層間絶縁膜表面をプラズマ・エッチングすることからなる」とは、レジスト・パターンを前記ＳｉＯｘ層間絶縁膜上に形成する工程と、前記Ｓｉ基板をＥＣＲ型プラズマ・エッチング装置のチャンバ内に配置する工程と、該チャンバ内にＣＨＦ３およびＣＨ２Ｆ２を供給し、ＣＨＦ３およびＣＨ２Ｆ２のガスプラズマを前記開口の近傍の領域に生成して該開口から露出するＳｉＯｘ層間絶縁膜表面をエッチングする工程とからなることに他ならないので、本願発明１における「マスクを前記酸化ケイ素上に形成する工程と、前記半導体基板をプラズマ食刻チャンバ内に配置する工程と、ＣＨＦ３およびＣＨ２Ｆ２のガスプラズマを前記少なくとも一個の孔の近傍の領域に生成する工程とからなる」に相当する。
　してみると、両者は、「表面上に酸化ケイ素の層を有する半導体基板において、前記酸化ケイ素の表面を露出させる少なくとも一個の孔を有したマスクを前記酸化ケイ素上に形成する工程と、前記半導体基板をプラズマ食刻チャンバ内に配置する工程と、ＣＨＦ３およびＣＨ２Ｆ２のガスプラズマを前記少なくとも一個の孔の近傍の領域に生成する工程とからなるプラズマ食刻方法」の点で一致し、次の点のみで一応相違する。
（イ）本願発明１では、本質的にＣＨＦ３およびＣＨ２Ｆ２からなる脱ＣＯガスプラズマを生成するのに対し、引用発明では、ＣＨＦ３およびＣＨ２Ｆ２を流してプラズマを生成する点。
　　
　そこで、上記相違点（イ）について検討するに、本願明細書中でも述べられているとおり、ＣＯガスは、半導体基板等のプラズマエッチング処理に用いられてきた反応性のガスの一種であるといえるところ、引用発明において、半導体基板の酸化シリコン膜をプラズマエッチング処理するためのエッチング条件に、ＣＯガス流量は記載されていないのであるから、該プラズマエッチング処理にＣＯガスが用いられないことは明らかである。
　そして、上記エッチング条件には、その処理のためのガスについて、（ＣＨＦ３流量　３５　ＳＣＣＭ、ＣＨ２Ｆ２流量　１５　ＳＣＣＭ）としか記載されていないのであるから、該ガスが、本質的にＣＨＦ３およびＣＨ２Ｆ２からなり、本願発明１において用いられているものと異ならないことは明らかである。
　そうすると、引用発明の上記ガスから生成するプラズマは、本願発明１と同様、本質的にＣＨＦ３およびＣＨ２Ｆ２からなる脱ＣＯガスプラズマに該当するといえるから、上記相違点（イ）は実質的なものではなく、本願発明１と引用発明とは実質的に相違しない。
  したがって、本願発明１は、引用刊行物１に記載された発明である。
　　
［４］むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の請求項２〜２０に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。