【事件の表示】
　平成１１年特許願第３０４５０６号「集積回路の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　５月１２日出願公開、特開２０００−１３３５６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本願は、平成１１年１０月２６日（パリ条約による優先権主張１９９８年１０月２６日、米国）の出願であって、平成１６年１月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１６年４月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１６年５月１９日付けで手続補正がなされたものである。 
　 
第２．平成１６年５月１９日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成１６年５月１９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。 
　 
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「集積回路を製造する方法であって、
　（ａ）像形成要素（例えば、１３０又は１４０）を提供するステップと、
　（ｂ）焦点深さに配置される基板（例えば、２００）を第１の方向に移動させながら、該基板（例えば、２００）をエネルギ源（例えば、１１０）に露光させるステップと、
　（ｃ）露光中に、該基板（２００）および該像形成要素（例えば、１３０又は１４０）の双方を、該第１の方向とは異なる第２の方向に互いに
対して
であって、該基板と該像形成要素の双方の移動により該焦点深さの変化における製造上の柔軟性を与えるようにするステップ
と補正された。
　
２．新規事項についての判断
　願書に最初に添付した明細書又は図面には、「基板と該像形成要素の双方の移動により該焦点深さの変化における製造上の柔軟性を与えるようにするステップ」というステップは記載されていないので、上記補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでない。
　したがって、上記補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反しているから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．目的違反についての判断
　上記補正は、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれであるとも認められない。
　したがって、上記補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反しているから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
４．独立特許要件についての判断 
　上記補正が仮に特許法第１７条の２第３項及び第４項の規定を満たすものとして、本件補正後の請求項１に記載された発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
　
（１）補正後の本願発明 
　本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）は、平成１６年５月１９日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「集積回路を製造する方法であって、
　（ａ）像形成要素（例えば、１３０又は１４０）を提供するステップと、
　（ｂ）焦点深さに配置される基板（例えば、２００）を第１の方向に移動させながら、該基板（例えば、２００）をエネルギ源（例えば、１１０）に露光させるステップと、
　（ｃ）露光中に、該基板（２００）および該像形成要素（例えば、１３０又は１４０）の双方を、該第１の方向とは異なる第２の方向に互いに
対して
であって、該基板と該像形成要素の双方の移動により該焦点深さの変化における製造上の柔軟性を与えるようにするステップ
　
（２）引用例 
　拒絶の理由に引用された特開平６−３１４６４６号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が記載されている。 
ア．「【特許請求の範囲】
【請求項１】  露光光で所定形状の照明領域を照明する照明光学系と、転写用のパターンが形成されたマスクの前記照明領域内のパターンの像を感光性の基板上に投影する投影光学系とを有し、前記照明領域に対して前記マスクを所定の走査方向に走査し、前記マスクの走査と同期して前記走査方向と共役な方向に前記基板を走査することにより、前記マスクのパターンの像を逐次前記基板上に投影露光する装置において、
前記マスクの走査と同期して前記基板を走査する基板側ステージと、
前記投影光学系の結像面と前記基板の露光面との前記投影光学系の光軸方向の相対位置を変化させる相対変位手段と、
前記マスクのパターンの像を逐次前記基板上に投影露光する際に、前記所定形状の照明領域に対して前記基板上で共役な露光領域の前記走査方向と共役な方向の幅と等しい距離を前記基板側ステージが移動する時間の２倍又は１／ｎの周期で（ｎは１以上の整数）、前記相対変位手段を介して前記投影光学系の結像面と前記基板の露光面とを相対的に移動させる制御手段と、を有することを特徴とする投影露光装置。」 
イ．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばパルス光源又は連続発光光源からの露光光により矩形又は円弧状等の照明領域を照明し、その照明領域に対してマスク及び感光基板を同期して走査することにより、マスク上のパターンを逐次感光基板上に露光する所謂スリットスキャン露光方式の投影露光装置に関する。」 
ウ．「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】最近は、半導体素子等の１個のチップパターンが大型化する傾向にあり、投影露光装置においては、レチクル上のより大きな面積のパターンを基板上に露光するという大面積化が求められている。また、半導体素子等のパターンが微細化するのに応じて、投影光学系の解像度の向上も求められているが、投影光学系の解像力を向上するためには、投影光学系の露光フィールドを大きくすることが設計上及び製造上困難であるという問題がある。特に、投影光学系として、反射屈折系を使用するような場合には、無収差の露光フィールドの形状が円弧状の領域となることもある。
【０００９】斯かる被転写パターンの大面積化及び投影光学系の露光フィールドの制限に対応するために、例えば矩形、円弧状又は６角形等の照明領域（これを「スリット状の照明領域」という）に対してレチクル及び感光性の基板を同期して走査することにより、レチクル上のパターンを基板上に逐次投影露光する所謂スリットスキャン露光方式の投影露光装置が提案されている。そして、スリットスキャン露光方式の投影露光装置においても、焦点深度を浅くすることなく解像度を向上することが求められている。
【００１０】このため、従来のフレックス法による露光方法をスリットスキャン露光方式の投影露光装置にそのまま適用しようとすると、それぞれ基板のフォーカス位置を変えた状態で複数回のスキャン露光を行う必要がある。しかしながら、複数回のスキャン露光を行うのでは、露光時間が数倍になり、露光工程のスループットが低下するという不都合がある。」
エ．「【００１９】レチクル１１上のスリット状の照明領域３２内のパターン像を、投影光学系１８を介してウエハ１９上の露光領域３３に投影露光する。ウエハ１９上にはフォトレジストを塗布し、ウエハ１９をＺステージ２０を介して、少なくともＸ方向に走査可能なＸＹステージ２１上に載置する。Ｚステージ２０は、投影光学系１８の光軸ＡＸに平行なＺ方向にウエハ１９を移動させる。スリットスキャン露光方式で露光を行う際には、レチクル１１がレチクルステージ１２によりＸ方向（又は−Ｘ方向）に走査されるのに同期して、ＸＹステージ２１を介してウエハ１９は−Ｘ方向（又はＸ方向）に走査される。投影光学系１８のレチクル１１からウエハ１９への投影倍率をβ0 （β0 は例えば１／５，１／４等）とすると、レチクル１１がＸ方向に速度Ｖ／β0 で走査されるのに同期して、ウエハ１９は−Ｘ方向に速度Ｖで走査される。」
オ．「【００４３】また、投影光学系の結像面の高さを固定して基板の露光面を移動させる方式、基板の露光面の高さを固定して投影光学系の結像面を移動させる方式、又は投影光学系の結像面と基板の露光面とを同時に移動させる方式の何れの方式でも、焦点深度の増大効果は同じである。」
　
　これらの記載と、図１におけるＺ方向はＸ方向とは異なることについての記載により、引用例１には、「半導体素子を製造する方法であって、投影光学系を有することと、基板を露光光に露光する際に基板をＸ方向に移動させることと、露光する際に、該基板と該投影光学系とを、該Ｘ方向とは異なるＺ方向に同時に移動させることにより、焦点深度を増大させることを含むことを特徴とする方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
　 
（３）対比 
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「半導体素子」、「投影光学系」、「投影光学系を有すること」、「基板」、「露光光」、「Ｘ方向」、「基板を露光光に露光する際に基板をＸ方向に移動させること」、「露光する際」、「Ｚ方向」、「基板と投影光学系とを、Ｚ方向に同時に移動させること」、「焦点深度」、「増大」、及び「焦点深度を増大させること」は、本願補正発明の「集積回路」、「像形成要素（例えば、１３０又は１４０）」、「像形成要素（例えば、１３０又は１４０）を提供するステップ」、「基板（例えば、２００）」、「エネルギ源（例えば、１１０」、「第１の方向」、「基板（例えば、２００）をエネルギ源（例えば、１１０）に露光させるステップ」、「露光中」、「第２の方向」、「基板（２００）および像形成要素（例えば、１３０又は１４０）の双方を、第１の方向とは異なる第２の方向に互いに対して移動させること」、「焦点深さ」、「変化」、及び「焦点深さを変化させるステップ」に、それぞれ相当する。
　ここで、引用発明の基板が焦点深さに配置されることは、当業者にとって自明のことであるから、本願補正発明と引用発明は、 
「集積回路を製造する方法であって、
　（ａ）像形成要素（例えば、１３０又は１４０）を提供するステップと、
　（ｂ）焦点深さに配置される基板（例えば、２００）を第１の方向に移動させながら、該基板（例えば、２００）をエネルギ源（例えば、１１０）に露光させるステップと、
　（ｃ）露光中に、該基板（２００）および該像形成要素（例えば、１３０又は１４０）の双方を、該第１の方向とは異なる第２の方向に互いに対して移動させることにより、該焦点深さを変化させるステップとを含むことを特徴とする方法。」
である点で一致し、以下の点で相違している。 
［相違点］本願補正発明が、基板と像形成要素の双方の移動により焦点深さの変化における製造上の柔軟性を与えるようにするステップを有するのに対して、引用発明にはこのような記載がない点。
 
（４）判断 
　上記相違点について検討する。 
　引用例１の前記記載事項オ．には、「・・・投影光学系の結像面と基板の露光面とを同時に移動させる方式の何れの方式でも、焦点深度の増大効果は同じである。」と記載されているので、引用発明は、基板と像形成要素の双方が移動するものであり、しかも、焦点深さが変化するという作用効果を有する。そして、焦点深さが変化するという作用効果から、製造上の柔軟性を与えるような作用効果が得られることも、当業者にとって明らかである。
　してみると、上記相違点に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものである。 
　 
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用発明に基づいて当業者が予測できる範囲のものである。
　 
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
　 
（５）むすび 
　以上のとおり、本件補正が仮に特許法第１７条の２第３項及び第４項の規定を満たすものであったとしても、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　 
第３．本願発明について 
１．本願発明 
　平成１６年５月１９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１５年３月３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。 
「集積回路を製造する方法であって、
　（ａ）像形成要素（例えば、１３０又は１４０）を提供するステップと、
　（ｂ）焦点深さに配置される基板（例えば、２００）を第１の方向に移動させながら、該基板（例えば、２００）をエネルギ源（例えば、１１０）に露光させるステップと、
　（ｃ）露光中に、該基板（２００）および該像形成要素（例えば、１３０又は１４０）の双方を、該第１の方向とは異なる第２の方向に互いに相対的に移動させることにより、該焦点深さを変化させるステップとを含むことを特徴とする方法。」
　
２．引用例 
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１の記載事項は、前記「第２．４．（２）」に記載したとおりである。 
　 
３．対比・判断 
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに「（ｃ）露光中に、該基板（２００）および該像形成要素（例えば、１３０又は１４０）の双方を、該第１の方向とは異なる第２の方向に互いに移動させることにより、該焦点深さを変化させるステップ」を「（ｃ）露光中に、該基板（２００）および該像形成要素（例えば、１３０又は１４０）の双方を、該第１の方向とは異なる第２の方向に互いに
対して
であって、該基板と該像形成要素の双方の移動により該焦点深さの変化における製造上の柔軟性を与えるようにするステップ
　
　なお、平成１５年５月２７日付け拒絶理由通知及び平成１６年１月１３日付け拒絶査定には、引用例１の前記記載事項オ．が指摘されていない。しかしながら、仮に「露光中に、該基板（２００）および該像形成要素（例えば、１３０又は１４０）の双方を、該第１の方向とは異なる第２の方向に互いに相対的に移動させることにより、該焦点深さを変化させるステップとを含むこと」が、本願発明と引用発明との相違点であったとしても、基板及び像形成要素を互いに相対的に移動させることは、周知の事項であるので、上記相違点に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものである。 
　 
４．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明又は引用例１に記載された発明及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。