【事件の表示】
　平成１１年特許願第２８４３５１号「平滑表面をもつ有機イオン結晶の製造方法、及びそれにより得られる有機イオン結晶」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月１７日出願公開、特開２００１−１０５２８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１１年１０月５日の特許出願であって、同１４年８月３０日付で拒絶の理由が通知され、同１４年１０月３１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同１５年８月２２日付で拒絶をすべき旨の査定がされ、これに対し、同１５年１０月３日に本件審判の請求がされ、同１５年１１月４日に手続補正（以下「本件補正」という。）がされたものである。
　
第２　本件補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲を含む明細書について補正をするものであって、その請求項１について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
（１）補正前の請求項１
「【請求項１】　変質層で覆われた表面をもつ有機イオン結晶の表面に、先端曲率半径５〜４０ｎｍの探針を接触させ、この探針に５〜３００ｎＮの圧力を印加しながら表面全体にわたって走査し、中心線表面粗さ（Ｒａ）５ｎｍ以下及び最大高さ（Ｒｍａｘ）５０ｎｍ以下になるまで研削することを特徴とする分子レベルで平滑な表面をもつ有機イオン結晶の製造方法。」
　
（２）補正後の請求項１
「【請求項１】　変質層で覆われた表面をもつ有機イオン結晶の表面
から、該変質層を除去するに当り、該有機イオン結晶の表面
によって、走査範囲の全体にわたって
形成させることを特徴とする、変質層が除かれた平滑な表面を
　
２．補正の適否　　　
　請求項１における補正は、有機イオン結晶の表面に探針を接触させることについて、「該変質層を除去するに当り」であるとの限定事項を付加するとともに、平滑な表面について、「走査範囲の全体にわたって」「形成させる」ものであって「変質層が除かれた平滑な表面」であるとの限定事項を付加するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、前記１（２）の補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
　
（２）引用例記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平５−３０９５６０号公報（以下「、引用例１」という。）及び特開平６−１５１３９２号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の技術的事項が記載されている。
　
ア．引用例１
（１−イ）段落【０００１】 
「【産業上の利用分野】本発明は、有機非線形光学結晶等の軟脆弱材料を研磨する際等に有用な研磨方法及び研磨装置に関する。」
　
（１−ロ）段落【０００３】
「・・・このような非線形光学材料は、レーザー光の散乱を防止するためにレーザー光の入射及び出射端面を研磨により鏡面加工等する必要がある。」
　
（１−ハ））段落【０００６】〜【０００７】
「【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、軟脆弱材料等の表面に優れた平滑性を付与することができ、例えば非線形光学材料に用いることにより、レーザー光の入射率及び変換効率の高い非線形光学材料を得ることができる研磨方法及び研磨装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】本発明によれば、研磨面を有する研磨部材により被研磨物を研磨するにあたり、被研磨物の少なくとも該研磨面と接する部分を、研磨液中に浸漬させて研磨することを特徴とする研磨方法が提供される。」
　
　上記記載事項及び図面の記載からみて、引用例１には、次の発明（以下、「引用例１記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
「有機非線形光学結晶の表面を研磨することによって、表面に平滑性を付与する有機非線形光学結晶の研磨方法。」
　
イ．引用例２
（２−イ）段落【０００９】〜【００１０】 
「【課題を解決するための手段】通常、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等によって試料を観察する場合、試料と探針との間に例えば１０−９Ｎ〜１０−８Ｎ程度の弱い力を印加しながら試料面に走査し、試料の原子面と探針の原子面との間に作用する斥力等の大きさを検出することによって行われる。
　本発明は、これに対して、従来の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等を作動させる場合とは異なり試料と探針との間に例えば１０−８Ｎ〜１０−６Ｎ程度の強い力を印加することにより試料を微細加工できる、という本出願人が発見した知見に基ずくものである。」
　
（２−ロ）段落【００１２】
「【００１２】また、加工物が加工される際、原子あるいは分子の単位で、あるいは原子あるいは分子の少数の集合体の単位で除去されることが好適である。また、前記先端部の大きさは１０μｍ以下であることが好適である。また、前記先端部の大きさは１００ｎｍ以下であることが好適である。また、前記先端部の大きさは１ｎｍ以下であることが好適である。・・・」
　
（２−ハ）段落【００１３】
「【作用】探針の先端部と加工物の表面とを接近させて両者の間の距離を略ゼロにしたとき先端部の原子面と加工物表面の原子面との間には原子間斥力が作用しているが、所定の大きさを越える大きさの力を探針の先端部と加工物の表面との間に印加して先端部と加工物の表面とを接触させる。ここで、所定の大きさを越える大きさの力とは、加工物表面の分子あるいは原子が動き出す力であり、加工物表面が変形しはじめる力をいう。次に、この力を印加した状態で探針と加工物とを力の印加方向と略直角方向へ相対変位させる。この結果、加工物は先端部の大きさと略等しい大きさで削られる。」
　
（２−ニ）段落【００１８】
「なお、本実施例が適用できる被加工膜等の加工物１はＬＢ膜等に限らず、無機系材料としてシリコン、窒化シリコン、ガリウム砒素等の化合物半導体、塗布型シリコン酸化膜等も可能であり、また、有機材料としてはカーボン、ノボラッククレゾール、ポリビニルフェノール、ポリメチルメタクレート（ＰＭＭＡ），ポリメチルイソプロピルケトン（ＰＭＩＰＫ）等の高分子化合物や低分子量の有機化合物も可能である。・・・」
　
（２−ホ）段落【００２０】〜【００２１】
「次に、所定の大きさを越える大きさの力でテーブル３をＺ方向へプローブチップ６に対して押し上げる。ここで、所定の大きさを越える大きさの力とは、加工物１表面の分子あるいは原子が動き出す力であり、加工物表面が変形しはじめる力をいう。この力の大きさは、通常、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等によって試料を観察する場合よりも高い針圧であり、例えば１０−８Ｎから１０−６Ｎの大きさである。この力の大きさは加工物１の硬度等に依存して実験的に設定される。
　次に、この力を印加した状態で、テーブル３をＸ，Ｙ平面で探針２に対して所望の加工方向へ相対変位させる。この相対変位は例えばピエゾ素子を駆動することによって行われる。これによって、加工物１の表面は研削され微細加工される。」
　
（２−ヘ）段落【００２２】
「本実施例の構成によれば、所定の大きさを越える大きさの力をプローブチップ６の原子面と加工物１の表面の原子面との間に印加して接触させ、プローブチップ６と加工物１を相対変位させるので、電子線を用いた場合のような後方散乱やチャージアップ現象等を伴うことなく、また電子線の波長等に制限されることなく、略プローブ針の大きさに応じた微細加工を可能にする簡便な微細加工方法を提供することができる。したがって、先端の曲率半径は約２００オングストロームのプローブチップ６を用いた場合には、印加する力を適度に設定することにより、約２００オングストロームの線幅で微細加工することができる。また、プローブチップ６の径を小さくしさえすれば、その径に応じた大きさの微細加工が可能となる。」
　
（２−ト）段落【００２４】
「次に本実施例を実際に適用した例を以下に説明する。　
　例１
　シリコン基板上にアラキジン酸をＬＢ法で１１層累積し、膜厚２７．５ｎｍの均一な膜を得た。次に市販の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて膜面を走査し膜物質を削り取った。針圧１０−７Ｎであり、プローブチップ６の径は約３０ｎｍである。」
　
　上記（２−ロ）の記載から、引用例２において、分子レベルでの加工が行われることは明らかである。
　したがって、引用例２には、次の発明が記載されていると認められる。
「有機材料の加工方法において、有機材料である加工物１の表面に、先端曲率半径約２００Å（２０ｎｍ）の探針２を接触させ、この探針２に１０−８Ｎ〜１０−６Ｎ（１０〜１０００ｎＮ）の圧力を印加しながら表面を走査して研削することによって分子レベルで微細加工を行うこと。」
　
（３）対比
　本件補正発明と引用例１記載の発明とを対比すると以下のとおりである。
　引用例１記載の発明における「研磨」は、「研削」ということができ、引用例１記載の発明における「表面に平滑性を付与する」は、「平滑な表面を形成させる」ことに他ならない。
　また、引用例１記載の発明の「有機非線形光学結晶」は、有機結晶であるという限りで、本件補正発明の「有機イオン結晶」と共通している。
　さらに、引用例１記載の発明における「有機非線形光学結晶の研磨方法」は、「平滑な表面を持つ有機結晶の製造方法」とも表現することができるものである。
　したがって、両者の一致点及び相違点は次のとおりと認められる。
［一致点］　
　有機結晶の表面を研削することによって、平滑な表面を形成させる平滑な表面をもつ有機結晶の製造方法。
［相違点１］
　本件補正発明では、有機結晶は変質層で覆われた表面をもつ有機イオン結晶であり、製造される平滑な表面をもつ有機イオン結晶は変質層が除かれたものであるのに対し、引用例１記載の発明では、そのようなものであるか否か明らかではない点。
［相違点２］
　本件補正発明では、変質層を除去するに当り、有機イオン結晶の表面に、先端曲率半径５〜４０ｎｍの探針を接触させ、この探針に５〜３００ｎＮの圧力を印加しながら表面全体にわたって走査し、中心線表面粗さ（Ｒａ）５ｎｍ以下及び最大高さ（Ｒｍａｘ）５０ｎｍ以下になるまで研削することによって、走査範囲の全体にわたって分子レベルで平滑な表面を形成させているのに対し、引用例１記載の発明では、そのようなものではない点。
　
（４）相違点についての検討
ア．相違点１について
　非線形光学材料に利用される有機結晶として有機イオン結晶は、例示するまでもなく従来周知である。
　また、前記結晶の表面が製造時に変質層で覆われることは技術常識より明らかであり、そして、前記結晶を光学材料として使用するに当たって前記変質層を除去することは当然になされるべき事項である。
　したがって、引用例１記載の発明に上記従来周知の事項を適用することにより上記相違点１に係る本件補正発明の特定事項とすることに困難性は見出せない。
　
イ．相違点２について
　上記引用例２には、前記（２）イに示すとおりの技術的事項が記載されている。
　引用例２に記載の発明は微細加工を行うとされているが、探針にＺ方向の力を印加した状態でＸＹ平面内で走査させることにより加工物１の表面を研削するものであって（上記摘記事項（２−ホ）、（２−ト）参照）、このように、工具（探針）にＺ方向の力を印加しながらＸＹ平面内で走査させることにより、通常、平面研削が行われ、走査範囲の全体にわたって表面を平滑に加工し得るものであることは当業者が容易に理解できる事項である。
　そして、引用例１記載の発明と引用例２に記載の発明とは、有機材料を研削加工するという共通の技術分野に属するものであるとともに、走査範囲をどの程度とするかも当業者が適宜設定することができる事項にすぎない。
　してみると、引用例１記載の発明における研削手段として引用例２に記載の発明を適用することにより前記アで検討した変質層を研削して除去することに格別の困難性は見当たらない。
　その際に、探針の先端曲率半径、探針に印加する圧力、中心線表面粗さ（Ｒａ）及び最大高さ（Ｒｍａｘ）をどの程度のものとするかは、有機結晶の材料や求められる表面特性等に応じて適宜設定すべき設計的事項あり、また、引用例２に記載の発明において、探針の先端曲率半径は約２０ｎｍ、探針に印加する圧力は１０〜１０００ｎＮであって、本件補正発明における数値範囲と重複していることを考慮すれば、上記の数値を本件補正発明のような範囲に設定することは当業者が容易になし得る事項である。
　したがって、引用例１記載の発明に引用例２に記載の発明を適用して上記相違点２に係る本件補正発明の特定事項とすることは当業者が容易に想到することができたことである。
　
ウ．本件補正発明の作用効果について
　本件補正発明が奏する作用効果についてみても、引用例１記載の発明、引用例２に記載の発明及び前記従来周知の事項から当業者であれば予測できる範囲内のものであって、格別顕著なものとはいえない。
　
　したがって、本件補正発明は、引用例１記載の発明、引用例２に記載の発明及び前記従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３．むすび
　以上のとおりであり、本件補正は、平成１５年法律第４７号による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合しないから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
  
第３　本件発明について 
１．本件発明
　本件補正は、前記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１乃至５に係る発明は、平成１４年１０月３１日付手続補正書により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載された事項により特定されるとおりのものであると認めるところ、請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、前記第２の１（１） の補正前の請求項１に示したとおりである。
　
２．引用例記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、前記第２の２（２） に示したとおりである。
　
３．対比・判断
　本件発明は、本件本件補正発明から前記第２の２に示した限定事項を削除したものである。
　そうすると、本件発明を特定する事項の全てを含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の２（４）で示したとおり、引用例１記載の発明、引用例２に記載の発明及び前記従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明も、同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本件発明は、引用例１記載の発明、引用例２に記載の発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。