【事件の表示】
　特願２００２−１２２３３１「電界放射型電子源の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　１月１７日出願公開、特開２００３−　１６９３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本件は、平成１４年４月２４日（優先権主張　平成１３年４月２４日）の出願であって、願書に添付した明細書又は図面について平成１５年８月４日付けで補正がなされ、その後、平成１５年８月２２日付け（発送日：同年９月２日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２日に審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
【２】平成１５年１０月２日付けの手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　平成１５年１０月２日付けの手続補正を却下する。
　
[理由]
[１]本件補正について
[１−１]本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の特許請求の範囲は、平成１５年８月４日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、次のとおりのものである。
「【請求項１】導電性基板と、導電性基板の一表面側に形成された酸化した多孔質半導体層よりなる強電界ドリフト層と、該強電界ドリフト層上に形成された表面電極とを備え、表面電極を導電性基板に対して正極として電圧を印加することにより導電性基板から注入された電子が強電界ドリフト層をドリフトし表面電極を通して放出される電界放射型電子源の製造方法であって、導電性基板の一表面上に半導体層を形成する工程と、陽極酸化処理にて前記半導体層の少なくとも一部を多孔質化することにより多孔質半導体層を形成する工程と、不活性ガス中で多孔質半導体層をアニールする工程と、アニール後の多孔質半導体層を酸化することにより強電界ドリフト層を形成する工程とを有することを特徴とする電界放射型電子源の製造方法。
　　【請求項２】前記多孔質半導体層をアニールする工程は、１００℃から７００℃の温度範囲で行うことを特徴とする請求項１記載の電界放射型電子源の製造方法。
　　【請求項３】前記多孔質半導体層を酸化する工程は、Ｏ２ガスを用いた熱酸化工程、Ｏ２プラズマによる酸化工程、オゾンを用いた酸化工程から選択されることを特徴とする請求項１または請求項２記載の電界放射型電子源の製造方法。
　　【請求項４】前記多孔質半導体層を酸化する工程は、電気化学的に酸化する工程であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の電界放射型電子源の製造方法。
　　【請求項５】前記多孔質半導体層を酸化することにより強電界ドリフト層を形成した後、強電界ドリフト層上に表面電極を形成する以前に、不活性ガス雰囲気中で強電界ドリフト層をアニールする工程を有することを特徴とする請求項４記載の電界放射型電子源の製造方法。
　　【請求項６】前記強電界ドリフト層をアニールする工程は、１００℃から７００℃の温度範囲で行うことを特徴とする請求項５記載の電界放射型電子源の製造方法。
【請求項７】導電性基板と、導電性基板の一表面側に形成された酸化した多孔質半導体層よりなる強電界ドリフト層と、該強電界ドリフト層上に形成された表面電極とを備え、表面電極を導電性基板に対して正極として電圧を印加することにより導電性基板から注入された電子が強電界ドリフト層をドリフトし表面電極を通して放出される電界放射型電子源の製造方法であって、導電性基板の一表面上に半導体層を形成する工程と、陽極酸化処理にて前記半導体層の少なくとも一部を多孔質化することにより多孔質半導体層を形成する工程と、多孔質半導体層を電気化学的に酸化する工程と、酸化した多孔質半導体層を不活性ガス中でアニールすることにより強電界ドリフト層を形成する工程とを有することを特徴とする電界放射型電子源の製造方法。
　　【請求項８】前記酸化した多孔質半導体層をアニールする際には、１００℃から７００℃の温度範囲で行うことを特徴とする請求項７記載の電界放射型電子源の製造方法。」
　
[１−２]本件補正後の特許請求の範囲
本件補正後の特許請求の範囲は次のとおりのものである。
「【請求項
１
真空中若しくは
【請求項
２
１
　なお、下線部は、補正箇所を表示するために付したものである。
　
[１−３]本件補正の内容
（１）補正前の請求項１から請求項６を削除している。
（２）補正前の請求項７の発明特定事項である「酸化した多孔質半導体層を不活性ガス中でアニールすることにより強電界ドリフト層を形成する工程」のアニール雰囲気について、「真空中若しくは」との記載事項を加えて、補正後の請求項１としている。
（３）補正前の請求項８を、前記補正事項（２）の補正に伴い、その引用する請求項番号を変更して、補正後の請求項２としている。
　
[２]本件補正の適否についての判断
[２−１]新規事項の有無
　前記補正は、願書に最初に添付した明細書及び図面の記載事項の範囲内においてなされたものであることは明らかである。
　
[２−２]補正の目的の適否
　次に、前記補正の目的の適否について検討すると、前記補正事項（１）は、請求項の削除を目的とし、特許法１７条の２第４項第１号に該当する補正である。
　しかし、前記補正事項（２）は、「真空中若しくは」を付加することにより、補正前のアニール雰囲気の選択を拡げるものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とせず、また、誤記の訂正や明りょうでない記載の釈明を目的とするものでもないので、特許法第１７条の２第４項の規定に適合しない補正である。
[２−３]むすび
　そうすると、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
【３】本願発明
　平成１５年１０月２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし８に係る発明は、平成１５年８月４日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載されたとおりのものと認められる（以下、請求項１ないし８に係る発明を、「本願発明１」ないし「本願発明８」という。）。
【４】引用刊行物
【４−１】引用刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前の平成９年１０月３日に頒布された刊行物である特開平９−２５９７９５号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、図面とともに次の記載がある。
（１ａ）「【０００６】一方、真空空間４を挾み前面板に対向するガラスなどからなる背面板１０すなわち素子基板内面（前面板１と対向する面）には、それぞれ平行に伸長する複数のオーミック電極１１と、その上に形成された複数の半導体冷電子放出素子Ｓと、隣接する金属薄膜電極を電気的に接続しその一部上に、オーミック電極に垂直に伸長して架設され、それぞれが平行に伸長する複数のバス電極１６と、が設けられている。半導体冷電子放出素子Ｓはオーミック電極上に順に形成された半導体層１２、多孔質半導体層１４及び金属薄膜電極１５からなる。金属薄膜電極１５は真空空間４に面する。【０００７】・・・半導体層１２の材質は、シリコン（Ｓｉ）が挙げられる・・・【０００８】多孔質半導体層１４は半導体層１２を陽極酸化処理を行って得られる。・・・」
（１ｂ）「【００１１】・・・素子基板上の構造は、次の手順で作成される。まず、オーミック電極１１がスパッタ法で素子基板１０に成膜され、その複数上にスパッタ法またはＣＶＤ法などでｎ型Ｓｉ層１２が一様に成膜される。次に、複数の絶縁層１３がＳｉ層１２の一部、即ちにオーミック電極間のｎ型Ｓｉ層１２内に成膜される。絶縁層１３は、オーミック電極１１に対応する上に独立した個々の電子放出領域の多孔質Ｓｉ層１４を複数に区画し島状に作製するため成膜される。素子間のクロストークを改善するためである。【００１２】その後、絶縁層１３で囲まれた開口部のＳｉ表面が適当な条件で陽極酸化処理がなされされ、島状多孔質Ｓｉ層１４が形成される。ここで、処理中で微細孔内壁のダングリングボンドは水素により終端される。次に微細孔内壁の水素終端は空気中で酸素と結合して−ＯＨ，Ｈ２Ｏとなり多孔質Ｓｉ層１４が劣化する原因となるので、多孔質Ｓｉ層１４を安定化するために真空加熱で水素終端を除去し、酸素、窒素ガス中で加熱処理してＯ又はＮ終端を形成する。又は酸素、窒素ガス中でプラズマ処理して同様にＯ又はＮ終端を形成する。【００１３】そして十分な電子放出効率を得るため、Ａｕ，Ｐｔなどからなる極薄な薄膜電極１５をオーミック電極に沿って帯状に多孔質Ｓｉ層１４上に成膜する。」
（１ｃ）「【００１５】・・・冷電子放出表示装置は、図５に示すように、オーミック電極１１と薄膜電極１５との間に電圧ＶPSを印加し半導体層１２に電子を注入すると、ダイオード電流ＩPSが流れ、多孔質半導体層１４は高抵抗であるので、印加電界の大部分は多孔質半導体層にかかっているが、図のエネルギーバンドに示すように、電界強度は多孔質半導体層１４表面ほど強い。注入された電子は、金属薄膜電極１５側に向けて多孔質半導体層１４内を移動する。金属薄膜電極付近に達した電子は、そこでの強電界により一部は金属薄膜電極をトンネルし、外部の真空中に放出される。このように、トンネル効果によって薄膜電極１５から放出された電子ｅ（エミッション電流ＩEM）は、対向したコレクタ電極（透明電極）２に印加された高電圧Ｖｃによって加速され、コレクタ電極に集められ蛍光体３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを叩き、Ｒ、Ｇ、Ｂの可視光を発光させる。・・・」
（１ｄ）図面の図１及び図２から、素子基板の一表面上にオーミック電極１１が形成され、前記オーミック電極１１の一表面上半導体層が形成されていることが読み取れ、また、図５から、薄膜電極１５にはアースに対して正の電圧が印加されており、オーミック電極１１にはコレクタ電極２対して負の電位が印加されていることが読み取れる。
　したがって、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｄ）及び図面の図１ないし図５の記載からみて、引用刊行物１には次の発明（以下、「引用刊行物１に記載された発明」という。）が記載されていると認める。
　「素子基板１０と、前記素子基板上に形成されたオーミック電極１１と、前記オーミック電極１１上に形成された多孔質Ｓｉ層１４と、前記多孔質Ｓｉ層１４上に形成された薄膜電極１５とからなり、前記オーミック電極１１と前記薄膜電極１５との間には電圧Ｖｐｓを印加し、前記多孔質Ｓｉ層と前記オーミック電極１１との間に存在する半導体層１２に電子を注入すると、注入された電子が、薄膜電極１５側に向けて多孔質Ｓｉ層１４内を移動し、金属薄膜電極付近に達した電子は、そこでの強電界により一部は金属薄膜電極をトンネルし、外部の真空中に放出される冷電子放出素子、素子基板及びオーミック電極１１の製造方法であって、素子基板１０の形成されたオーミック電極１１上にｎ型Ｓｉ層を成膜する工程と、前記ｎ型Ｓｉ層を陽極酸化処理することにより多孔質Ｓｉ層１４を形成する工程と、前記多孔質Ｓｉ層を真空加熱処理する工程と、前記多孔質Ｓｉ層を真空加熱処理した後、酸素、窒素ガス中で加熱処理する工程とを有する冷電子放出素子、素子基板及びオーミック電極１１の製造方法」
【４−２】引用刊行物２
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前の平成１０年１２月８日に頒布された刊行物である特開平１０−３２６５５７号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、図面とともに次の記載がある。
（２ａ）「【０００５】陽極酸化後の多孔質Ｓｉ層は、真空中で高温を加えることにより、その表面の水素終端を除去し、酸素ガスや窒素ガス中で加熱もしくはプラズマ処理等の方法で酸素、窒素終端を形成し、安定化をおこなってきた。しかしながら、この終端方法では、多孔質Ｓｉ層内の酸素及び窒素が終端された部分の厚さの制御は困難であった。終端処理条件の最適化が難しいためである。よって、酸素及び窒素が終端された多孔質Ｓｉ部分は電子放出のＥＬ(electroluminescence)，ＰＬ(photoluminescence)発光の重要条件であるので、均一なＥＬ，ＰＬ発光を安定に得られる多孔質半導体電子放出素子は得られていない。【０００６】【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の事情に鑑みてなされたものであり、ＥＬ，ＰＬ発光の安定な電子放出効率の高い電子放出素子を提供することを目的とする。」
（２ｂ）「【００１１】【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。図２に示すように、実施例の電子放出素子は、オーミック電極１１を備えた例えば素子ガラス基板１０と、そのオーミック電極上に例えばスパッタ成膜された電子を供給する半導体層１２と、このＳｉ半導体層を陽極酸化により多孔質化したＳｉの多孔質半導体層１３と、酸化珪素又は窒化珪素からなる絶縁体層１４と、真空空間に面する金属薄膜電極１５と、からなり、半導体層及び金属薄膜電極間に電界を印加し電子を放出する電子放出素子である。実施例の電子放出素子では、多孔質半導体層１３及び金属薄膜電極１５間に、スパッタリング法で形成された酸化珪素又は窒化珪素からなる絶縁体層１４を設けてある。」
（２ｃ）「【００１４】多孔質半導体層１３は半導体層１２を陽極酸化処理を行って得られる。例えば、半導体層にｎ型Ｓｉウエハを用い陽極酸化処理を行う場合、Ｓｉ層のウエハ１２を用意し、その表面に多孔質半導体層用開口を有する絶縁層を積層形成する。開口を有するＳｉ層のウエハを陽極、Ｐｔ線を陰極として、弗化水素酸ＨＦ溶液内にて両者を対向させ、低い電流密度で陽極化成して、Ｓｉ層１２内に多孔質Ｓｉ層１３を形成する。この場合、多孔質形成にはホールの消費が必要であるからホール供給のために光照射が必要である。多孔質Ｓｉ層はｐ型Ｓｉ半導体層にも形成できるが、この場合は、暗状態でも多孔質Ｓｉ層が形成される。」
（２ｄ）「【００１７】一方、図３に示すような、上記の絶縁体層１４を設けることなく、多孔質Ｓｉ内部の骨格までも酸化もしくは窒化した多孔質Ｓｉ層１３ａを有する多孔質半導体電子放出素子も上記同様な特性を奏する。陽極酸化により多孔質Ｓｉ層の形成後、その細孔の表面のダングリングボンドに対して終端部分を酸化もしくは窒化するのではなく、多孔質Ｓｉ層の内部の骨格までも酸化もしくは窒化することによって同様な特性を得ることができる。例えば、多孔質Ｓｉ層の形成後、摂氏温度９００〜１０００度、処理時間１０〜７０分で急速熱酸化もしくは窒化を行い、Arなどの不活性ガス中で摂氏温度５００度、処理時間１０分で熱処理する。すなわち、半導体層の多孔質化後に下記の条件で、酸化もしくは窒化を行い、その後、Ｐｔ等の薄膜電極を設けると安定性と耐久性がより向上する。【００１８】酸化条件では酸素ガス中で、７００〜１２００℃、１〜１２０分間、又は酸素プラズマ中で、２００〜９００℃、１〜１２０分間である。さらに窒化条件では窒素ガス中で、７００〜１２００℃、１〜１２０分間、又は窒素プラズマ中で、２００〜９００℃、１〜１２０分間である。　さらにまた、図４に示すような、上記２つの方法を組み合わせた、すなわち、内部骨格を酸化もしくは窒化した多孔質Ｓｉ層１３ａ上に酸化Ｓｉ層もしくは窒化Ｓｉ層の絶縁体層１４を形成した多孔質半導体電子放出素子も上記同様な特性を奏する。」
（２ｅ）「【００１９】具体的に、Alのオーミック電極を設けた素子ガラス基板上にスパッタ成膜したＳｉ層を設けた基板から電子放出素子を作製し特性を調べた。以下の陽極酸化法において、半導体層から多孔質半導体層を得た。
＜陽極化成条件＞　
　　ＨＦ（５５％溶液）：ＥｔＯＨ＝１：１
　　電流密度：　12.5mA／cm2　　光照射有り
　　化成時間　７２秒
　　多孔質Ｓｉ膜厚：２μｍ
　多孔質半導体層を得た後、膜厚５０ｎｍの酸化Ｓｉ層をスパッタ法で成膜した。
【００２０】酸化Ｓｉ層形成後、その表面上に直径６mmのＰｔの薄膜電極を膜厚１０ｎｍでスパッタ成膜し、素子基板を多数作成した。・・・【００２１】これら素子基板及び透明基板を、薄膜電極及びコレクタ電極が対向するように平行に１０ｍｍ離間してスペーサにより保持し、間隙を１０-5Paの真空にして、電子放出素子を組立て、作製した。一方、比較例として、Ｓｉ層を有さない以外は上記実施例と同一の従来の電子放出素子を作製した。【００２２】さらに、多孔質半導体層上に酸化Ｓｉ層を成膜しないで、多孔質半導体層の形成後、多孔質Ｓｉ層の骨格を、深さ５０ｎｍまで十分酸化した以外、上記実施例と同一の第２の実施例の電子放出素子を作製した。従来例の電子放出素子と上記第１及び第２の実施例の酸化Ｓｉ層の有無及びＳｉ層の骨格酸化の有無による電気特性の差を見た結果、酸化Ｓｉ層があるもの及びＳｉ層が骨格酸化された素子からは、冷電子放出および、ＥＬ，ＰＬ発光が確認された（図５参照）。」
（２ｆ）図面の図３から、金属薄膜電極１５にはオーミック電極１１に対して正極として電圧を印加していることが読み取れる。
【４−３】引用刊行物３
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前の平成１３年２月９日に頒布された刊行物である特開２００１−３５３５５号公報（以下、「引用刊行物３」という。）には、図面とともに次の記載がある。
（３ａ）「【００２４】【発明の実施の形態】（実施形態１）図１に本実施形態の電界放射型電子源１０の概略断面図を、図２（ａ）〜（ｄ）に電界放射型電子源１０の製造方法における主要工程断面図を示す。本実施形態では、導電性基板１として、ガラス基板１ａとガラス基板１ａの一表面上に形成された導電性膜２とからなる基板を用いているので、導電性基板１として、単結晶シリコン基板を用いる場合に比べて、電子源の大面積化および低コスト化が可能になる。【００２５】本実施形態の電界放射型電子源１０は、図１に示すように、導電性基板１の一表面側に酸化された多孔質アモルファスシリコンよりなる強電界ドリフト部６が形成され、強電界ドリフト部６上に導電性薄膜（例えば、金薄膜など）よりなる表面電極７が形成されている。なお、本実施形態の電界放射型電子源１０では、強電界ドリフト部６へ電界を印加することにより強電界ドリフト部６の表面に到達した電子はホットエレクトロンであると考えられ、トンネル効果によって表面電極７の表面から放出される。したがって、表面電極７としては、仕事関数の小さな材料を用いれば良い。また、本実施形態では、強電界ドリフト部６を酸化された多孔質アモルファスシリコンにより構成しているが、強電界ドリフト部６を酸化された多孔質アモルファスシリコン化合物により構成してもよい。【００２６】この電界放射型電子源１０では、図３に示すように、表面電極７を真空中に配置するとともに表面電極７に対向してコレクタ電極２１を配置し、表面電極７を導電性膜２に対して正極として電圧を印加するとともに、コレクタ電極２１を表面電極７に対して正極として直流電圧を印加することにより、導電性基板１から注入された電子が強電界ドリフト部６をドリフトし表面電極７を通して放出される。ここにおいて、表面電極７と導電性膜２との間に流れる電流をダイオード電流と称し、コレクタ電極２１と表面電極７との間に流れる電流を放出電子電流と称し、ダイオード電流に対する放出電子電流が大きいほど電子の放出効率が高くなる。なお、本実施形態の電界放射型電子源１０では、表面電極７と導電性膜２との間の直流電圧を１０〜２０Ｖ程度の低電圧としても電子を放出させることができる。」
（３ｂ）「【００２７】以下、製造方法について図２を参照しながら説明する。【００２８】まず、導電性基板１の主表面上（導電性膜２上）に所定膜厚（例えば、１．５μｍ）のノンドープのアモルファスシリコン層３を形成（成膜）することにより図２（ａ）に示すような構造が得られる。ここにおいて、アモルファスシリコン層３は、プラズマＣＶＤ法により堆積しているので、４５０℃以下の低温プロセスで成膜することができる。【００２９】ノンドープのアモルファスシリコン層３を形成した後、５５ｗｔ％のフッ化水素水溶液とエタノールとを略１：１で混合した混合液よりなる電解液の入った陽極酸化処理槽を利用し、白金電極（図示せず）を負極、導電性基板１（導電性膜２）を正極として、アモルファスシリコン層３に光照射を行いながら所定の条件で陽極酸化処理を行うことによって、多孔質アモルファスシリコン層４が形成され図２（ｂ）に示すような構造が得られる。ここにおいて、本実施形態では、陽極酸化処理の条件として、陽極酸化処理の期間、アモルファスシリコン層３の表面に照射する光パワーを一定、電流密度を一定としたが、この条件は適宜変更してもよい（例えば、電流密度を変化させてもよい）。【００３０】上述の陽極酸化処理が終了した後、陽極酸化処理槽から電解液を除去し、該陽極酸化処理槽に新たに酸（例えば、略１０％の希硝酸、略１０％の希硫酸、王水など）を投入し、その後、この酸の入った陽極酸化処理槽を利用して、白金電極（図示せず）を負極、導電性基板１（導電性膜２）を正極として、定電流を流し多孔質アモルファスシリコン層４を酸化することにより図２（ｃ）に示す構造が得られる。図２（ｃ）における６は多孔質アモルファスシリコン層４を酸によって酸化することにより形成された強電界ドリフト部を示す。要するに、強電界ドリフト部６は、多孔質化されたアモルファス物質からなる。【００３１】強電界ドリフト部６を形成した後は、強電界ドリフト部６上に導電性薄膜（例えば、金薄膜）よりなる表面電極７を例えば蒸着により形成することによって、図２（ｄ）に示す構造の電界放射型電子源１０が得られる。」
（３ｃ）「【００３６】（実施例）実施形態１にて図２を参照しながら説明した電界放射型電子源１０の製造方法で以下の条件により図１の電界放射型電子源１０を作成した。【００３７】導電性基板１としては、無アルカリガラスよりなるガラス基板１ａの一表面上にＩＴＯ膜よりなる導電性膜２を形成したものを用いた。アモルファスシリコン層３（図２（ａ）参照）の成膜は、プラズマＣＶＤ法により行い、基板温度を２７０℃とした。【００３８】陽極酸化では電解液として、５５ｗｔ％のフッ化水素水溶液とエタノールとを略１：１で混合した電解液を用いた。陽極酸化は、アモルファスシリコン層３のうち表面の直径１０ｍｍの領域のみが電解液に触れるようにし、他の部分は電解液に接触しないようにシールを行い、電解液中に白金電極を浸し、５００Ｗのタングステンランプを用いてアモルファスシリコン層３に一定の光パワーで光照射を行いながら、白金電極を負極、導電性基板１（導電性膜２）を正極として、所定の電流を流した。ここに、電流密度を２．５ｍＡ／ｃｍ２で一定、陽極酸化時間を約１０秒とした。【００３９】多孔質アモルファスシリコン層４を酸化する酸としては、略１０％の希硝酸を用いた。また、表面電極７としては厚さが１５ｎｍの金薄膜を用い、蒸着法によって形成した。【００４０】本実施例の電界放射型電子源１０を真空チャンバ（図示せず）内に導入して、図３に示すように表面電極７と対向する位置にコレクタ電極２１（放射電子収集電極）を配置し、真空チャンバ内の真空度を５×１０−５Ｐａとして、表面電極７（正極）と導電性膜２（負極）との間に直流電圧Ｖpsを印加するとともに、コレクタ電極２１と表面電極７との間に１００Ｖの直流電圧Ｖｃを印加することによって、表面電極７と導電性膜２との間に流れるダイオード電流Ｉpsと、電界放射型電子源１０から表面電極７を通して放射される電子ｅ−（なお、図３中の一点鎖線は放射電子流を示す）によりコレクタ電極２１と表面電極７との間に流れる放出電子電流Ｉｅとを測定した結果を図５に示す。」
（３ｄ）「【００４９】以下、製造方法について図７を参照しながら説明する。【００５０】まず、導電性基板１の主表面上（導電性膜２上）に所定膜厚（例えば、１．５μｍ）のノンドープのアモルファスシリコン層３を形成（成膜）した・・・【００５２】上述の陽極酸化処理が終了した後、陽極酸化処理槽から電解液を除去し、レジストマスク３０を除去した後、該陽極酸化処理槽に新たに酸（例えば、略１０％の希硝酸、略１０％の希硫酸、王水など）を投入し、その後、この酸の入った陽極酸化処理槽を利用して、白金電極（図示せず）を負極、導電性基板１（導電性膜２）を正極として、定電流を流し多孔質アモルファスシリコン層１１およびアモルファス半導体層１２を酸化することにより強電界ドリフト部６が形成され、続いて、強電界ドリフト部６上に導電性薄膜（例えば、金薄膜）からなる表面電極７を例えば蒸着によって形成することにより図７（ｃ）に示す構造が得られる。ここに、図７（ｃ）における６１は酸化された多孔質アモルファスシリコン層１１であって上述のドリフト部６１に対応し、６２は酸化されたアモルファス半導体層１２であって上述の放熱部６２に対応する。つまり、図７（ｃ）におけるドリフト部６１と放熱部６２とで強電界ドリフト部６を構成している。」
（３ｅ）図面の図３から、表面電極７には導電性膜２とガラス基板１ａからなる導電性基板１に対して正極として電圧を印加していることが読み取れる。
　したがって、上記摘記事項（３ａ）〜（３ｅ）及び図面の図１ないし図７の記載からみて、引用刊行物には次の発明（以下、「引用刊行物３に記載された発明」という。）が記載されていると認める。
「導電性基板１と、導電性基板１の一表面側に形成された酸化した多孔質アモルファスシリコンよりなる強電界ドリフト部６と、強電界ドリフト部６上に形成された導電性薄膜よりなる表面電極７と、表面電極７を導電性基板１に対して正極として電圧を印加することにより、導電性基板１から注入された電子が強電界ドリフト部６をドリフトして表面電極７を通して放出される電界放射型電子源１０の製造方法において、導電性基板１の一表面側に所定膜厚のノンドープのアモルファスシリコン層３を形成する工程と、ノンドープのアモルファスシリコン層３を形成した後、５５ｗｔ％のフッ化水素水溶液とエタノールとを略１：１で混合した混合液よりなる電解液の入った陽極酸化処理槽を利用し、白金電極を負極、導電性基板１を正極として、アモルファスシリコン層３に光照射を行いながら所定の条件で陽極酸化処理を行うことによって、多孔質アモルファスシリコン層４を形成する工程と、前記陽極酸化処理が終了した後、陽極酸化処理槽から電解液を除去し、該陽極酸化処理槽に新たに酸を投入し、その後、この酸の入った陽極酸化処理槽を利用して、白金電極を負極、導電性基板１を正極として、定電流を流し多孔質アモルファスシリコン層４を酸によって酸化することにより強電界ドリフト部６を形成する工程とを有する電界放射型電子源１０の製造方法。」
【５】対比・判断
【５−１】本願発明１について
[対比]
　本願発明１（以下、「前者」という。）と引用刊行物１に記載された発明（以下、「後者」という。）とを比較する。
（１）後者の「素子基板１０と、前記素子基板上に形成されたオーミック電極１１」は、絶縁性基板の一表面上に導電性のオーミック電極１１が形成されていることから、前者の「導電性基板」に相当する。
（２）後者の「ｎ型Ｓｉ層」、「多孔質Ｓｉ層」は、前者の「半導体層」、「多孔質半導体層」に相当する。
（３）後者の「薄膜電極１５」は、オーミック電極１１との間には電圧Ｖｐｓが印加され、この電圧により電子が前記オーミック電極１１から前記「薄膜電極１５」に移動するので、前記「薄膜電極１５」には前記オーミック電極１１に対して正極として電圧が印加されている。すると、後者の「薄膜電極１５」は、前者の「表面電極」に相当する。
（４）後者において、真空加熱処理工程と、酸素、窒素ガス中での加熱処理工程を経た「多孔質Ｓｉ層」は、薄膜電極１５とオーミック電極１１との間に位置し、それらの電極間に印加された電圧により前記「多孔質Ｓｉ層」に強い電界が生じ、その電界により電子が前記「多孔質Ｓｉ層」中を移動する点で、前者の「強電界ドリフト層」と共通する。
（５）後者の「前記多孔質Ｓｉ層を真空加熱処理する工程と、前記多孔質Ｓｉ層を真空加熱処理した後、酸素、窒素ガス中で加熱処理する工程」と、前者の「不活性ガス中で多孔質半導体層をアニールする工程」とは、「陽極酸化処理後の多孔質半導体層をアニールする工程」の点で共通する。
（６）後者の「冷電子放出素子、素子基板及びオーミック電極１１」は、素子基板１０上のオーミック電極１１を介して多孔質Ｓｉ層に注入した電子を、強電界により多孔質Ｓｉ層中を移動（ドリフト）させ、薄膜電極１５を通して放出するものであるから、前者の「電界放射型電子源」に相当する。
　
そうすると、両者は、
[一致点]
「導電性基板と、導電性基板の一表面側に形成された多孔質半導体層よりなる強電界ドリフト層と、該強電界ドリフト層上に形成された表面電極とを備え、表面電極を導電性基板に対して正極として電圧を印加することにより導電性基板から注入された電子が強電界ドリフト層をドリフトし表面電極を通して放出される電界放射型電子源の製造方法であって、導電性基板の一表面上に半導体層を形成する工程と、陽極酸化処理にて前記半導体層の少なくとも一部を多孔質化することにより多孔質半導体層を形成する工程と、陽極酸化処理後の多孔質半導体層をアニールする工程を有することを特徴とする電界放射型電子源の製造方法。」の点の構成で一致し、次の点で相違する。
　
[相違点]
（あ）陽極酸化処理後の多孔質半導体層をアニールする工程が、前者では、不活性ガス中で多孔質半導体層をアニールする工程であるのに対し、後者では、真空中で多孔質半導体層を加熱処理する工程と、真空加熱処理した後、酸素、窒素ガス中で加熱処理する工程である点。
（い）強電界ドリフト層を形成する工程が、前者では、アニール後の多孔質半導体層を酸化することにより強電界ドリフト層を形成する工程であるのに対し、後者ではそのことが明らかでない点。
　
[判断]
　上記相違点について検討する。
　相違点（あ）について
　後者のアニール工程は、陽極酸化処理後の多孔質Ｓｉ層を真空加熱処理することにより、半導体層の微細孔内壁のＳｉの水素終端を加熱除去し、その後、酸素、窒素ガス中で加熱処理することにより、水素終端に代えて酸素又は窒素終端を形成して、水素終端が酸素と結合して−ＯＨやＨ２Ｏとなることを防止し、多孔質Ｓｉを安定化することを目的としている（上記摘記事項（１ｂ）参照。）。
　そして、後者のアニール工程のうち、酸素、窒素ガス中で加熱処理する工程は、水素終端に代えて窒素終端を形成する工程、あるいは、水素終端に代えて酸素終端を形成する工程のいずれかであり、水素終端に代えて窒素終端を形成する工程は、多孔質Ｓｉ層を不活性ガスである窒素ガス中で加熱する工程であるので、後者のアニール工程は、真空加熱処理工程と、不活性ガス中での加熱処理工程であると認められる。
　そうすると、上記相違点（あ）は、実質的に、多孔質半導体層のアニール工程における雰囲気が、後者は真空及び不活性ガスであるのに対し、前者は不活性ガスであることを意味する。
　ところで、前者のアニール工程は、本願明細書の記載事項から、Ｓｉの水素終端を除去するとともに水分を脱離し、また、導電性基板と多孔質半導体層との界面近傍のショットキ障壁の高さを低くすること（明細書段落【００１７】，【００３４】参照。）を目的としているが、後者のアニール工程においても、前者と同じく、不活性ガス中の加熱処理も行っていることから、Ｓｉの水素終端を除去するとともに水分を脱離しているものと認められ、また、加熱処理であるので熱拡散により導電性基板と多孔質半導体層との界面近傍のショットキ障壁の高さを低くする作用を有するものと認められる。
　したがって、引用刊行物１に記載された発明において、真空と不活性ガス中でアニールする工程は、本願発明１の不活性ガス中でアニールする工程と同じ作用を有するものと認められ、アニールする雰囲気として、真空を経て不活性ガスにするか、それとも、不活性ガスだけにするかは、多孔質半導体層の表面に吸着した水分の量や、工程数を考慮しつつ当業者が適宜選択し得る事項にすぎない。
　相違点（い）について
　引用刊行物２には、安定な電子放出効率の向上を目的に、陽極酸化により多孔質Ｓｉ層（本願発明の「多孔質半導体層」に相当する。）の形成後、酸素ガス中における熱酸化工程あるいは酸素プラズマ中における酸化工程により多孔質Ｓｉ層の内部の骨格までも酸化すると記載（上記摘記事項（２ａ），（２ｄ）参照。）され、この酸化により多孔質Ｓｉ層から強電界ドリフト層を形成している。
　してみれば、引用刊行物２に記載された技術も、引用刊行物１に記載された発明とおなじく、多孔質半導体層を強電界ドリフト層とした電界放出型電子源の製造方法であること、陽極酸化後の多孔質半導体層の表面に水分が付着していることは自明であること、引用刊行物１にも水分が多孔質半導体層を劣化させることが記載されていることから、当業者であれば、引用刊行物２記載の多孔質Ｓｉ層の酸化工程を、引用刊行物１に記載されたアニール工程の後に付加することは、容易になし得ることである。
[小括]
　以上のことから、引用刊行物１に記載された発明に引用刊行物２に記載された技術を採用して、本願発明１のように構成することは、当業者が容易になし得ることである。
　そして、本願発明１の奏する作用効果も、引用刊行物１に記載された発明及び引用刊行物２に記載された技術から当業者が予測できる範囲内のものであり、格別のものではない。
【５−２】本願発明７について
　本願発明７（以下、「前者」という。）と引用刊行物３に記載された発明（以下、「後者」という。）とを比較する。
（１）後者の「導電性基板１」、「多孔質アモルファスシリコン」、「導電性薄膜よりなる表面電極７」、「電界放射型電子源１０の製造方法」、「導電性基板１の一表面側に所定膜厚のノンドープのアモルファスシリコン層３を形成する工程」、及び、「ノンドープのアモルファスシリコン層３を形成した後、５５ｗｔ％のフッ化水素水溶液とエタノールとを略１：１で混合した混合液よりなる電解液の入った陽極酸化処理槽を利用し、白金電極を負極、導電性基板１を正極として、アモルファスシリコン層３に光照射を行いながら所定の条件で陽極酸化処理を行うことによって、多孔質アモルファスシリコン層４を形成する工程」は、それぞれ前者の「導電性基板」、「多孔質半導体層」、「表面電極」、「電界放射型電子源の製造方法」、「導電性基板の一表面上に半導体層を形成する工程」、及び、「陽極酸化処理にて前記半導体層の少なくとも一部を多孔質化することにより多孔質半導体層を形成する工程」に相当する。
（２）後者の「強電界ドリフト部６」と前者の「強電界ドリフト層」とは、導電性基板から注入された電子がドリフトする「強電界ドリフト層」である点で共通する。
（３）後者の「前記陽極酸化処理が終了した後、陽極酸化処理槽から電解液を除去し、該陽極酸化処理槽に新たに酸を投入し、その後、この酸の入った陽極酸化処理槽を利用して、白金電極を負極、導電性基板１を正極として、定電流を流し多孔質アモルファスシリコン層４を酸によって酸化することにより強電界ドリフト部６を形成する工程」と、前者の「多孔質半導体層を電気化学的に酸化する工程と、酸化した多孔質半導体層を不活性ガス中でアニールすることにより強電界ドリフト層を形成する工程」とは、「多孔質半導体層を電気化学的に酸化し、強電界ドリフト層を形成する工程」である点で共通する。
　そうすると、両者は、以下の一致点と相違点を有する。
[一致点]
「導電性基板と、導電性基板の一表面側に形成された酸化した多孔質半導体層よりなる強電界ドリフト層と、該強電界ドリフト層上に形成された表面電極とを備え、表面電極を導電性基板に対して正極として電圧を印加することにより導電性基板から注入された電子が強電界ドリフト層をドリフトし表面電極を通して放出される電界放射型電子源の製造方法であって、導電性基板の一表面上に半導体層を形成する工程と、陽極酸化処理にて前記半導体層の少なくとも一部を多孔質化することにより多孔質半導体層を形成する工程と、多孔質半導体層を電気化学的に酸化し、強電界ドリフト層を形成する工程を有することを特徴とする電界放射型電子源の製造方法。」
[相違点]
（う）強電界ドリフト層を形成する工程が、前者では、酸化した多孔質半導体層を不活性ガス中でアニールする工程を含むのに対して、後者では、そのことが明らかでない点。
[判断]
相違点（う）について
　不活性ガス中のアニール処理により、シリコン酸化膜中に含まれる水分を脱離することは、例えば特開２００１−１００１８７号公報に記載されているように周知技術である（同公報【００６４】〜【００６９】を特に参照。）。すると、引用刊行物３の電気化学的に酸化する工程により形成された酸化膜が水分を含むものであることは明らかであり、また、強電界ドリフト層の性質上、該層から水分などの不純物を除去しなければならないことはよく知られた課題といえるので、当業者であれば、引用刊行物３に記載された発明に、上記周知の不活性ガス中のアニール工程を適用することは容易になし得ることである。
[小括]
　以上のことから引用刊行物３に記載された発明及び上記周知技術を採用して、本願発明７のように構成することは、当業者が容易になし得ることである。
　そして、本願発明７の奏する作用効果も、引用刊行物３に記載された発明及び上記周知技術から当業者が予測できる範囲内のものであり、格別のものではない。
【６】むすび
　以上のとおり、請求項１及び７に係る発明（本願発明１及び７）は、引用刊行物１に記載された発明、引用刊行物３に記載された発明、引用刊行物２に記載された技術及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、その余の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本件出願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。