(57)【要約】    本発明は、薄膜トランジスタ配列基板及びその製作方法に関し、薄膜トランジスタ配列基板は、部材組合せ板、パッシベーション層、画素電極層を含む。パッシベーション層は、部材組合せ板上に設けられ、パッシベーション層には穴及び第一凹溝が設けられ、画素電極層は、パッシベーション層及び第一凹溝内に設けられ、画素電極層は、穴により第二信号線層に接続される。本発明により、製作コストを削減することができ、製作効率を高めることができる
2018513413.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタ配列基板であって、
前記薄膜トランジスタ配列基板は、部材組合せ板、パッシベーション層及び画素電極層を含み、
前記部材組合せ板は、基板、第一信号線層、半導体層及び第二信号線層を含み、
前記パッシベーション層は、前記部材組合せ板に設けられ、前記パッシベーション層には、穴と凹溝配列が設けられ、前記凹溝配列は、少なくとも一つの第一凹溝を含み、
前記画素電極層は、前記パッシベーション層及び前記凹溝配列内に設けられ、前記画素電極層は、前記穴により前記第二信号線層に接続され、
前記穴は、第一深度を有し、前記第一凹溝は、第二深度を有し、
前記凹溝配列と前記穴は、ともに第一フォトマスク工程で形成され、
前記凹溝配列は、少なくとも一つの第三凹溝を含み、
前記穴、前記第一凹溝、前記第三凹溝中のいずれか両者は、第二フォトマスク工程で形成され、前記穴、前記第一凹溝、前記第三凹溝の他の一者は、第三フォトマスク工程中形成される、ことを特徴とする薄膜トランジスタ配列基板。
【請求項２】
前記第一フォトマスク工程に対応するマスクは、第一領域、少なくとも一つの第二領域を含み、
前記第一領域は、第一開口率を有し、前記第一開口率は前記第一深度に対応し、
前記第二領域は、第二開口率を有し、前記第二開口率は前記第二深度に対応し、
前記凹溝配列は、少なくとも一つの第二凹溝をさらに含み、前記第二凹溝は、第三深度を有し、
前記第一フォトマスク工程に対応するマスクは、さらに、
少なくとも一つの第三領域を含み、前記第三領域は、第三開口率を有し、前記第三開口率は前記第三深度に対応する、ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ配列基板。
【請求項３】
薄膜トランジスタ配列基板であって、前記薄膜トランジスタ配列基板は、部材組合せ板、パッシベーション層及び画素電極層を含み、
前記部材組合せ板は、基板、第一信号線層、半導体層及び第二信号線層を含み、
前記パッシベーション層は、前記部材組合せ板上に設けられ、前記パッシベーション層には穴と凹溝配列が設けられ、前記凹溝配列は、少なくとも一つの第一凹溝を含み、
前記画素電極層は、前記パッシベーション層上及び前記凹溝配列内に設けられ、前記画素電極層は、前記穴により前記第二信号線層に接続される、ことを特徴とする薄膜トランジスタ配列基板。
【請求項４】
前記穴は、第一深度を有し、前記第一凹溝は、第二深度を有し、
前記凹溝配列と前記穴は、ともに第一フォトマスク工程で形成される、ことを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ配列基板。
【請求項５】
前記第一フォトマスク工程に対応するマスクは、第一領域及び少なくとも１つの第二領域を含み、
前記第一領域は、第一開口率を有し、前記第一開口率は前記第一深度に対応し、
前記第二領域は、第二開口率を有し、前記第二開口率は前記第二深度に対応する、ことを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ配列基板。
【請求項６】
前記第一深度と前記第二深度は、前記第一マスクを用いて前記パッシベーション層に対して前記第一フォトマスク工程を行うことで同時に形成され、前記第一マスクは、前記第一領域と前記第二領域を有する、ことを特徴とする請求項５に記載の薄膜トランジスタ配列基板。
【請求項７】
前記第一開口率は100%であり、前記第二開口率は0%以上であり、且つ前記第二開口率は100%以下である、ことを特徴とする請求項５に記載の薄膜トランジスタ配列基板。
【請求項８】
前記凹溝配列は、さらに、少なくとも一つの第二凹溝を含み、前記第二凹溝は、第三深度を有し、
前記第一フォトマスク工程に対応するマスクは、さらに、
少なくとも一つの第三領域を含み、前記第三領域は、第三開口率を有し、前記第三開口率は前記第三深度に対応する、ことを特徴とする請求項５に記載の薄膜トランジスタ配列基板。
【請求項９】
前記第一深度、前記第二深度及び前記第三深度は、前記第一マスクを用いて前記パッシベーション層に対して前記第一フォトマスク工程を行うことで同時に形成され、前記第一マスクは、前記第一領域、前記第二領域及び前記第三領域を有する、ことをとする請求項８に記載の薄膜トランジスタ配列基板。
【請求項１０】
前記第一開口率は100%であり、前記第二開口率及び前記第三開口率はともに0%以上であり、且つ前記第二開口率及び前記第三開口率は、共に100%以下である、ことを特徴とする請求項８に記載の薄膜トランジスタ配列基板。
【請求項１１】
前記凹溝配列は、さらに、少なくとも一つの第三凹溝を含み、
前記穴、前記第一凹溝、前記第三凹溝のいずれか両者は、前記第二フォトマスク工程で形成され、前記穴、前記第一凹溝、前記第三凹溝中の他の一者は、前記第三フォトマスク工程で形成される、ことを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ配列基板。
【請求項１２】
薄膜トランジスタ配列基板の製作方法であって、前記方法は、
（A）前記部材組合せ板包括基板、第一信号線層、半導体層及び第二信号線層を含む、部材組合せ板を形成するステップ、
（B）前記部材組合せ板上にパッシベーション層を設けるステップ、
（C）前記パッシベーション層の表面に穴と少なくとも一つの第一凹溝を含む凹溝配列が形成されるように、前記パッシベーション層にフォトマスク工程を行うステップ、
（D）前記パッシベーション層の前記表面と前記凹溝配列内に画素電極層を設けるステップ、
を含み、
前記画素電極層は、前記穴により前記第二信号線層に接続される、ことを特徴とする薄膜トランジスタ配列基板の製作方法。
【請求項１３】
前記穴は、第一深度を有し、前記第一凹溝は、第二深度を有し、
前記ステップ（C）は、
（ｃ１）第一フォトマスク工程で前記凹溝配列と前記穴を形成するステップ、を含むことを特徴とする請求項１２に記載の薄膜トランジスタ配列基板の製作方法。
【請求項１４】
前記第一フォトマスク工程に対応するマスクは、第一領域及び少なくとも一つの第二領域を含み、
前記第一領域は、第一開口率を有し、前記第一開口率は、前記第一深度に対応し、
前記第二領域は、第二開口率を有し、前記第二開口率は、前記第二深度に対応する、ことを特徴とする請求項１３に記載の薄膜トランジスタ配列基板の製作方法。
【請求項１５】
前記ステップ（c1）は、
（c11）前記第一領域及び前記第二領域を有する前記第一マスクを用いて、前記第一深度及び前記第二深度を同時に形成するように、前記パッシベーション層に対して前記第一フォトマスク工程を行うステップ、を含む、ことを特徴とする請求項１４に記載の薄膜トランジスタ配列基板的製作方法。
【請求項１６】
前記第一開口率は100%であり、前記第二開口率は0%以上であり、且つ前記第二開口率は100%以下である、ことを特徴とする請求項１４に記載の薄膜トランジスタ配列基板的製作方法。
【請求項１７】
前記凹溝配列は、さらに、少なくとも一つの第二凹溝を含み、前記第二凹溝は、第三深度を有し、
前記第一フォトマスク工程に対応するマスクは、さらに、
少なくとも一つの第三領域を含み、前記第三領域は、第三開口率を有し、前記第三開口率は前記第三深度に対応する、ことを特徴とする請求項１４に記載の薄膜トランジスタ配列基板的製作方法。
【請求項１８】
前記ステップ（c1）は、
（c12）前記第一領域、前記第二領域及び前記第三領域を有する前記第一マスクを用いて、前記第一深度、前記第二深度及び前記第三深度を同時に形成するように、前記パッシベーション層に対して前記第一フォトマスク工程を行うステップ、を含むことを特徴とする請求項１７に記載の薄膜トランジスタ配列基板的製作方法。
【請求項１９】
前記第一開口率は100%であり、前記第二開口率及び前記第三開口率はともに0%以上であり、且つ前記第二開口率及び前記第三開口率は共に100%以下である、ことを特徴とする請求項１７に記載の薄膜トランジスタ配列基板的製作方法。
【請求項２０】
前記凹溝配列は、さらに、少なくとも一つの第三凹溝を含み、
前記ステップ（C）は、
（c2）前記第二フォトマスク工程で前記穴、前記第一凹溝、前記第三凹溝中のいずれか両者を形成するステップ、
（c3）前記第三フォトマスク工程で前記穴、前記第一凹溝、前記第三凹溝中の他の一者を形成するステップ、を含むことを特徴とする請求項１２に記載の薄膜トランジスタ配列基板的製作方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイの技術分野に関し、特に薄膜トランジスタ配列基板及びその製作方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の薄膜トランジスタ配列基板の製作過程では、通常、パッシベーション層上に穴を設け、前記パッシベーション層上凹溝を設け、且つ前記パッシベーション層上の表面と前記凹溝内に画素電極層を設ける必要があった。該画素電極層は、前記穴により前記薄膜トランジスタ配列基板のデータケーブル層に接続される。
【０００３】
上述した従来の技術では、前記パッシベーション層上への前記穴の設置と前記パッシベーション層上への前記凹溝の設置は、独立に行ったものであり、即ち、前記パッシベーション層上への前記穴の設置と前記パッシベーション層上への前記凹溝の設置は、お互いに独立的なステップであった。
【０００４】
上述のお互いに独立的なステップにおいて、二回の異なるNormal Mask（通常のマスク）フォトマスク工程で必要であるため、上述の技術はコストが高く、且つ前記薄膜トランジスタ配列基板の製作効率が高くなかった。
【０００５】
従って、上記の技術問題を解決するための新しい技術方法が必要であった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、薄膜トランジスタ配列基板の製作コストを削減し、薄膜トランジスタ配列基板の製作効率を高めることができる薄膜トランジスタ配列基板及びその製作方法を提供することを目的とする。
【０００７】
上述の問題を解決するための本発明の技術方法は以下のとおりである。
薄膜トランジスタ配列基板であって、
前記薄膜トランジスタ配列基板は、部材組合せ板、パッシベーション層及び画素電極層を含み、
前記部材組合せ板は、基板、第一信号線層、半導体層及び第二信号線層を含み、
前記パッシベーション層は、前記部材組合せ板に設けられ、前記パッシベーション層には、穴と凹溝配列が設けられ、前記凹溝配列は、少なくとも一つの第一凹溝を含み、
前記画素電極層は、前記パッシベーション層及び前記凹溝配列内に設けられ、前記画素電極層は、前記穴により前記第二信号線層に接続され、
前記穴は、第一深度を有し、前記第一凹溝は、第二深度を有し、
前記凹溝配列と前記穴は、ともに第一フォトマスク工程で形成され、
前記凹溝配列は、少なくとも一つの第三凹溝を含み、
前記穴、前記第一凹溝、前記第三凹溝中のいずれか両者は、第二フォトマスク工程で形成され、前記穴、前記第一凹溝、前記第三凹溝の他の一者は、第三フォトマスク工程中形成される。
【０００８】
前記薄膜トランジスタ配列基板において、前記第一フォトマスク工程に対応するマスクは、第一領域、少なくとも一つの第二領域を含み、前記第一領域は、第一開口率を有し、前記第一開口率は前記第一深度に対応し、前記第二領域は、第二開口率を有し、前記第二開口率は前記第二深度に対応し、前記凹溝配列は、少なくとも一つの第二凹溝をさらに含み、前記第二凹溝は、第三深度を有し、前記第一フォトマスク工程に対応するマスクは、さらに、少なくとも一つの第三領域を含み、前記第三領域は、第三開口率を有し、前記第三開口率は前記第三深度に対応する。
【０００９】
薄膜トランジスタ配列基板であって、前記薄膜トランジスタ配列基板は、部材組合せ板、パッシベーション層及び画素電極層を含み、前記部材組合せ板は、基板、第一信号線層、半導体層及び第二信号線層を含み、前記パッシベーション層は、前記部材組合せ板上に設けられ、前記パッシベーション層には穴と凹溝配列が設けられ、前記凹溝配列は、少なくとも一つの第一凹溝を含み、前記画素電極層は、前記パッシベーション層上及び前記凹溝配列内に設けられ、前記画素電極層は、前記穴により前記第二信号線層に接続される。
【００１０】
前記薄膜トランジスタ配列基板において、前記穴は、第一深度を有し、前記第一凹溝は、第二深度を有し、前記凹溝配列と前記穴は、ともに第一フォトマスク工程で形成される。
【００１１】
前記薄膜トランジスタ配列基板において、前記第一フォトマスク工程に対応するマスクは、第一領域及び少なくとも１つの第二領域を含み、前記第一領域は、第一開口率を有し、前記第一開口率は前記第一深度に対応し、前記第二領域は、第二開口率を有し、前記第二開口率は前記第二深度に対応する。
【００１２】
前記薄膜トランジスタ配列基板において、前記第一深度と前記第二深度は、前記第一マスクを用いて前記パッシベーション層に対して前記第一フォトマスク工程を行うことで同時に形成され、前記第一マスクは、前記第一領域と前記第二領域を有する
【００１３】
前記薄膜トランジスタ配列基板において、前記第一開口率は100%であり、前記第二開口率は0%以上であり、且つ前記第二開口率は100%以下である。
【００１４】
前記薄膜トランジスタ配列基板において、前記凹溝配列は、さらに、少なくとも一つの第二凹溝を含み、前記第二凹溝は、第三深度を有し、前記第一フォトマスク工程に対応するマスクは、さらに、少なくとも一つの第三領域を含み、前記第三領域は、第三開口率を有し、前記第三開口率は前記第三深度に対応する。
【００１５】
前記薄膜トランジスタ配列基板において、前記第一深度、前記第二深度及び前記第三深度は、前記第一マスクを用いて前記パッシベーション層に対して前記第一フォトマスク工程を行うことで同時に形成され、前記第一マスクは、前記第一領域、前記第二領域及び前記第三領域を有する。
【００１６】
前記薄膜トランジスタ配列基板において、前記第一開口率は100%であり、前記第二開口率及び前記第三開口率はともに0%以上であり、且つ前記第二開口率及び前記第三開口率は、共に100%以下である
【００１７】
前記薄膜トランジスタ配列基板において、前記凹溝配列は、さらに、少なくとも一つの第三凹溝を含み、前記穴、前記第一凹溝、前記第三凹溝のいずれか両者は、前記第二フォトマスク工程で形成され、前記穴、前記第一凹溝、前記第三凹溝中の他の一者は、前記第三フォトマスク工程で形成される。
【００１８】
薄膜トランジスタ配列基板の製作方法であって、前記方法は、
（A）前記部材組合せ板包括基板、第一信号線層、半導体層及び第二信号線層を含む、部材組合せ板を形成するステップ、
（B）前記部材組合せ板上にパッシベーション層を設けるステップ、
（C）前記パッシベーション層の表面に穴と少なくとも一つの第一凹溝を含む凹溝配列が形成されるように、前記パッシベーション層にフォトマスク工程を行うステップ、
（D）前記パッシベーション層の前記表面と前記凹溝配列内に画素電極層を設けるステップ、
を含み、前記画素電極層は、前記穴により前記第二信号線層に接続される。
【００１９】
前記薄膜トランジスタ配列基板の製作方法において、前記穴は、第一深度を有し、前記第一凹溝は、第二深度を有し、前記ステップ（C）は、
（ｃ１）第一フォトマスク工程で前記凹溝配列と前記穴を形成するステップ、を含む。
【００２０】
前記薄膜トランジスタ配列基板の製作方法において、前記第一フォトマスク工程に対応するマスクは、第一領域及び少なくとも一つの第二領域を含み、前記第一領域は、第一開口率を有し、前記第一開口率は、前記第一深度に対応し、前記第二領域は、第二開口率を有し、前記第二開口率は、前記第二深度に対応する。
【００２１】
前記薄膜トランジスタ配列基板の製作方法において、前記ステップ（c1）は、
（c11）前記第一領域及び前記第二領域を有する前記第一マスクを用いて、前記第一深度及び前記第二深度を同時に形成するように、前記パッシベーション層に対して前記第一フォトマスク工程を行うステップ、を含む。
【００２２】
前記薄膜トランジスタ配列基板の製作方法において、前記第一開口率は100%であり、前記第二開口率は0%以上であり、且つ前記第二開口率は100%以下である。
【００２３】
前記薄膜トランジスタ配列基板の製作方法において、前記凹溝配列は、さらに、少なくとも一つの第二凹溝を含み、前記第二凹溝は、第三深度を有し、前記第一フォトマスク工程に対応するマスクは、さらに、少なくとも一つの第三領域を含み、前記第三領域は、第三開口率を有し、前記第三開口率は前記第三深度に対応する。
【００２４】
前記薄膜トランジスタ配列基板の製作方法において、前記ステップ（c1）は、
（c12）前記第一領域、前記第二領域及び前記第三領域を有する前記第一マスクを用いて、前記第一深度、前記第二深度及び前記第三深度を同時に形成するように、前記パッシベーション層に対して前記第一フォトマスク工程を行うステップ、を含む。
【００２５】
前記薄膜トランジスタ配列基板の製作方法において、前記第一開口率は100%であり、前記第二開口率及び前記第三開口率はともに0%以上であり、且つ前記第二開口率及び前記第三開口率は共に100%以下である。
【００２６】
前記薄膜トランジスタ配列基板の製作方法において、前記凹溝配列は、さらに、少なくとも一つの第三凹溝を含み、
前記ステップ（C）は、
（c2）前記第二フォトマスク工程で前記穴、前記第一凹溝、前記第三凹溝中のいずれか両者を形成するステップ、
（c3）前記第三フォトマスク工程で前記穴、前記第一凹溝、前記第三凹溝中の他の一者を形成するステップ、を含む。
【００２７】
従来技術に比較すると、本発明は、フォトマスク工程を削減することで、前記薄膜トランジスタ配列基板の製作コストを削減し、前記薄膜トランジスタ配列基板の製作効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の薄膜トランジスタ配列基板の製作方法の第一実施例の模式図である。
【図２】本発明の薄膜トランジスタ配列基板の製作方法の第一実施例の模式図である。
【図３】本発明の薄膜トランジスタ配列基板の製作方法の第一実施例の模式図である。
【図４】本発明の薄膜トランジスタ配列基板の製作方法の第一実施例の模式図である。
【図５】図5は、図1至〜図4に示す薄膜トランジスタ配列基板の製作過程で用いたマスクの模式図である。
【図６】本発明の薄膜トランジスタ配列基板の第二実施例の模式図である。
【図７】図6に示す薄膜トランジスタ配列基板の製作過程で用いたマスクの模式図である。
【図８】本発明の薄膜トランジスタ配列基板の製作方法の第一実施例のフローチャートである。
【図９】本発明の的薄膜トランジスタ配列基板の製作方法の第三実施例のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本明細書において使用される用語「実施例」は、実例、示例や例証を意味する。また、本明細書と特許請求の範囲で使用される冠詞「一」は、指定や文章で単数形に確定していない限り、通常「一個または複数」に解釈される。
【００３０】
図4を参照すると、図4は、本発明の薄膜トランジスタ配列基板の製作方法により製作した薄膜トランジスタ配列基板の第一実施例の模式図である。
【００３１】
本実施例の薄膜トランジスタ配列基板は、部材組合せ板101、パッシベーション層201及び画素電極層401を含む。前記部材組合せ板101は、基板1011、第一信号線層1012、半導体層1014及び第二信号線層1017を含む。前記部材組合せ板101は、さらに第一絶縁層1013、第二絶縁層1015及びドレン線層1016を含む。
【００３２】
前記第一信号線層1012は、走査線層であってよく、前記半導体層1014は、アモルファスシリコン層やポリシリコン層であってよく、前記第二信号線層1017は、データケーブル層であってよい。前記走査線層は、前記半導体層（前記半導体層1014は、前記アモルファスシリコン層である）1014の下方に設けられ、前記走査線層と前記アモルファスシリコン層との間に前記第一絶縁層1013が設けられ、前記第二絶縁層1015は、前記アモルファスシリコン層の上方に設けられ、前記データケーブル層は、前記第二絶縁層1015の上方に設けられ、且つ前記データケーブル層は、前記第二絶縁層1015を貫通して前記アモルファスシリコン層と接続され、或いは、前記走査線層は、前記半導体層（前記半導体層1014は前記ポリシリコン層である）1014の上方に設けられ、前記ポリシリコン層と前記走査線層との間に前記第一絶縁層1013が設けられ、前記第二絶縁層1015は前記走査線層の上方に設けられ、前記データケーブル層は、前記第二絶縁層1015の上方に設けられ、且つ前記データケーブル層は、前記第一絶縁層1013及び前記第二絶縁層1015を貫通して前記ポリシリコン層と接続される。
【００３３】
前記パッシベーション層201は、前記部材組合せ板101上に設けられ、前記パッシベーション層201には、穴302と凹溝配列301が設けられ、前記凹溝配列301は、少なくとも一つの第一凹溝3011を含む。
【００３４】
前記画素電極層401は、前記パッシベーション層201及び前記凹溝配列301内に設けられ、前記画素電極層401は、前記穴302により前記第二信号線層1017に接続される。
【００３５】
本実施例では、前記穴302は、第一深度H1を有し、前記第一凹溝3011は、第二深度H2を有する。
【００３６】
前記凹溝配列301（前記第一凹溝3011）と前記穴302ともに、第一フォトマスク工程で形成される。言い換えると、前記凹溝配列301と前記穴302ともに、同一のフォトマスク工程（Gray Tone Mask、グレートーンマスク）で形成される。
【００３７】
従来の技術方案に比較すると、上述の技術方案は、フォトマスク工程（Normal Mask、通常のマスク）を削減することで、前記薄膜トランジスタ配列基板の製作コストを削減し、前記薄膜トランジスタ配列基板の製作効率を高めることができる。
【００３８】
図5を参照すると、図5は、図1〜図4に示す薄膜トランジスタ配列基板の製作過程で使用されるマスクの模式図である。
【００３９】
本実施例では、前記第一フォトマスク工程に対応するマスク（第一マスク501）は、第一領域5011と少なくとも一つの第二領域5012を含む。前記第一領域5011は、第一開口率を有し、前記第一開口率は前記第一深度H1に対応する。前記第二領域5012は第二開口率を有し、前記第二開口率は前記第二深度H2に対応する。前記第一凹溝3011の深度（前記第二深度H2）は、GTM（Gray Tone Mask、グレートーンマスク）の開口率により（0-100%の開区間）設定される。
【００４０】
即ち、前記パッシベーション層201の前記第一深度H1と前記第二深度H2は、以下のように形成される。
【００４１】
前記第一領域5011及び前記第二領域5012を有する前記第一マスク501を用いて、前記第一深度H1と前記第二深度H2を同時に形成するように、前記パッシベーション層201に対して前記第一フォトマスク工程を行い、前記第一領域5011は、前記第一開口率を有し、前記第二領域5012は、前記第二開口率を有する。例えば、前記第一開口率は100%であり、前記第二開口率（a%）は、0%〜100%の範囲（開区間）内であり、例えば、前記a%は、66.7%または60%である。
【００４２】
図6と図7を参照すると、図6は、本発明の薄膜トランジスタ配列基板の第二実施例の模式図であり、図7は、図6に示す薄膜トランジスタ配列基板の製作過程で使用されるマスクの模式図である。本実施例は、上述の第一実施例に相似し、相違点は、本実施例では、前記凹溝配列301の凹溝は、二つの異なる深度を有する点である。言い換えると、前記凹溝配列301は、さらに、少なくとも一つの第二凹溝3012を含み、前記第二凹溝3012は、第三深度H2を有する。
【００４３】
同一のフォトマスク工程（前記第一フォトマスク工程）で前記第一深度H1、前記第二深度H2及び前記第三深度H2を一回に形成するために、前記第一フォトマスク工程に対応するマスク（前記第一マスク501）は、さらに、少なくとも一つの第三領域701を含む。前記第三領域701は、第三開口率を有し、前記第三開口率は前記第三深度H2に対応する。
【００４４】
前記第二凹溝3012の深度（前記第三深度H2）は、GTMの開口率（0-100%的開区間）により設定される。
【００４５】
言い換えると、前記パッシベーション層201の前記第一深度H1、前記第二深度H2及び前記第三深度H2は、以下のように形成される。前記第一領域5011、前記第二領域5012及び前記第三領域701を有する前記第一マスク501を用いて、前記第一深度H1、前記第二深度H2及び前記第三深度H2を同時に形成するように、前記パッシベーション層201に対して前記第一フォトマスク工程を行い、前記第一領域5011は、前記第一開口率を有し、前記第二領域5012は、前記第二開口率を有し、前記第三領域701は、前記第三開口率を有する。例えば、前記第一開口率は100%であり、前記第二開口率（a%）と前記第三開口率（b%）はともに0%〜100%の範囲（開区間）内であり、aがbに等しくなく、例えば、前記a%、前記b%は、それぞれ66.7%または60%の一方である。
【００４６】
本発明の薄膜トランジスタ配列基板の第三実施例と上述の第一実施例は相似し、相違点は、本実施例では、前記凹溝配列301中の凹溝は二つの異なる深度を有する点である。言い換えると、前記凹溝配列301は、さらに、少なくとも一つの第三凹溝を含み、前記第三凹溝は、第四深度を有する。
【００４７】
前記穴302、前記第一凹溝3011、前記第三凹溝中のいずれか両方は、前記第二フォトマスク工程で形成され、前記穴302、前記第一凹溝3011、前記第三凹溝中の他の一方は、前記第三フォトマスク工程で形成される。
【００４８】
前記第二フォトマスク工程に対応するマスクは、グレートーンマスク（GTM）、前記第三フォトマスク工程に対応するマスクは、前記グレートーンマスクと異なるマスクであり、例えば、通常のマスク（Normal Mask）である。
【００４９】
上述の第一〜第三実施例中のいずれの実施例において、前記画素電極層401は、少なくとも二つの第一部分及び少なくとも二つの第二部分を含む。
【００５０】
前記第一部分は、前記パッシベーション層201の表面上に覆われる。前記第二部分は、前記パッシベーション層201の表面から前記凹溝配列301中の凹溝（前記第一凹溝3011、前記第二凹溝3012/前記第三凹溝）に向かって折れ曲がって前記凹溝内まで延伸され、前記凹溝内から前記パッシベーション層201の前記表面に向かって折れ曲がって前記パッシベーション層201の前記表面まで延伸される。前記第一部分と前記第二部分は接続される。
【００５１】
言い換えると、前記パッシベーション層201201が凹凸状に設けられ、前記パッシベーション層201の全面が、凹凸の前記パッシベーション層201上に貼り付けられ、即ち、前記画素電極層401の全面が、前記パッシベーション層201の表面及び前記凹溝（前記第一凹溝3011、前記第二凹溝3012/前記第三凹溝）内に貼り付けられることで、前記薄膜トランジスタ配列基板に対応する表示パネルが高い表示クオリティー（例えば、高い透過率）を有する。
【００５２】
図1〜図4、図8は参照すると、図1〜図4は、本発明の薄膜トランジスタ配列基板の製作方法の第一実施例の模式図であり、図8は、本発明の薄膜トランジスタ配列基板の製作方法の第一実施例のフローチャートである。
【００５３】
本実施例の薄膜トランジスタ配列基板の製作方法は、
（A（ステップ801））基板1011、第一信号線層1012、半導体層1014及び第二信号線層1017を含む部材組合せ板101を形成するステップ、
（B（ステップ802）前記部材組合せ板101上にパッシベーション層201を設けるステップ、
（C（ステップ803））前記パッシベーション層201の表面上に穴302と少なくとも一つの第一凹溝3011を含む凹溝配列301が形成されるように、前記パッシベーション層201に対してフォトマスク工程を行うステップ、
（D（ステップ804））前記パッシベーション層201の前記表面及び前記凹溝配列301内に、穴により前記第二信号線層1017に接続される画素電極層401を設けるステップ、
を含む。
【００５４】
本実施例では、前記穴302は、第一深度H1を有し、前記第一凹溝3011は、第二深度H2を有する。
【００５５】
前記ステップC（ステップ803）は、
（c1）第一フォトマスク工程で前記凹溝配列301（前記第一凹溝3011）と前記穴302を形成する。即ち、同一のフォトマスク工程（Gray Tone Mask、グレートーンマスク）で前記凹溝配列301（前記第一凹溝3011）と前記穴302を形成する、ステップを含む。
【００５６】
本実施例では、前記第一フォトマスク工程に対応するマスク（第一マスク501）は、第一領域5011及び少なくとも一つの第二領域5012を含む。前記第一領域5011は、第一開口率有し、前記第一開口率は前記第一深度H1に対応する。前記第二領域5012は、第二開口率を有し、前記第二開口率は前記第二深度H2に対応する。前記第一凹溝3011の深度（前記第二深度H2）は、GTM（Gray Tone Mask、グレートーンマスク）の開口率（0-100%的開区間）により設定することができる。
【００５７】
言い換えると、前記パッシベーション層201中の前記第一深度H1と前記第二深度H2は、以下のように形成される。
前記第一領域5011と前記第二領域5012とを有する前記第一マスク501を用いて、前記第一深度H1と前記第二深度H2とを同時に形成するように、前記パッシベーション層201に対して前記第一フォトマスク工程を行い、前記第一領域5011は、前記第一開口率を有し、前記第二領域5012は、前記第二開口率を有する。例えば、前記第一開口率は100%であり、前記第二開口率（a%）は、0%〜100%の範囲（開区間）内であり、例えば、前記a%は66.7%または60%である。
【００５８】
従来の技術方案に比較すると、上述の技術方案は、フォトマスク工程（Normal Mask、通常のマスク）を削減することで、前記薄膜トランジスタ配列基板の製作コストを削減するとともに、前記薄膜トランジスタ配列基板の製作効率を高めることができる。
【００５９】
本発明の薄膜トランジスタ配列基板の製作方法の第二実施例は、上述の第一実施例に相似し、相違点は、本実施例では、前記凹溝配列301中の凹溝は、二つの異なる深度を有する点である。言い換えると、前記凹溝配列301は、さらに、少なくとも一つの第二凹溝3012を含み、前記第二凹溝3012は、第三深度H2を有する。
【００６０】
同一のフォトマスク工程（前記第一フォトマスク工程）で前記第一深度H1、前記第二深度H2及び前記第三深度H2を一回に形成するために、前記第一フォトマスク工程に対応するマスク（前記第一マスク501）は、さらに、少なくとも一つの第三領域701を含む。前記第三領域701は、第三開口率を有し、前記第三開口率は、前記第三深度H2に対応する。
【００６１】
前記第二凹溝3012の深度（前記第三深度H2）は、GTMの開口率（0-100%的開区間）により設定することができる。
【００６２】
言い換えると、前記パッシベーション層201中の前記第一深度H1、前記第二深度H2及び前記第三深度H2は、以下のように形成される。
前記第一領域5011、前記第二領域5012及び前記第三領域701を有する前記第一マスク501を用いて、前記第一深度H1、前記第二深度H2及び前記第三深度H2を同時に形成するように、前記パッシベーション層201に対し前記第一フォトマスク工程を行い、前記第一領域5011は、前記第一開口率を有し、前記第二領域5012は、前記第二開口率を有し、前記第三領域701は、前記第三開口率を有する。例えば、前記第一開口率は100%であり、前記第二開口率（a%）と前記第三開口率（b%）は、ともに0%〜100%の範囲（開区間）内であり、aはbに等しくなく、例えば、前記a%、前記b%は、それぞれ66.7%または60%の一方である。
【００６３】
図9を参照すると、図9は本発明の薄膜トランジスタ配列基板の製作方法の第三実施例のフローチャートである。本実施例は、上述の第一実施例に相似し、相違点は、本実施例では、前記凹溝配列301中の凹溝は、二つの異なる深度を有する点である。言い換えると、前記凹溝配列301は、さらに、少なくとも一つの第三凹溝を有し、前記第三凹溝は、第四深度を有する。
【００６４】
前記ステップC（ステップ803）は、
（c2（ステップ901））前記第二フォトマスク工程で前記穴302、前記第一凹溝3011、前記第三凹溝中の両方を形成する。
（c3（ステップ902））前記第三フォトマスク工程で前記穴302、前記第一凹溝3011、前記第三凹溝中の他の一方を形成する。
【００６５】
前記第二フォトマスク工程に対応するマスクは、グレートーンマスク（GTM）、前記第三フォトマスク工程に対応するマスクは、前記グレートーンマスクとは異なるマスクであり、例えば、通常のマスク（Normal Mask）である。
【００６６】
一または多数の実施形態を例示して本発明を説明したが、当業者であれば、本発明の明細書及び図面に基づいて、変更や改良を想到するが、本発明は、このような変更や改良を含むものであり、且つ、特許請求の範囲に制限される。特に、上記の部材より執行する各機能に関して、これら部材を説明するための用語は、当該部材の機能（例えば、機能が相等するなど）執行するための任意部材（特別な指定する場合を除く）を説明するためであり、構造的に、本明細書において例示した実施形態の機能の構造と異なる場合も含む。さらに、本願明細書の特定特徴において、幾つかの実施形態の一例のみ開示したが、このような特徴は、他の実施形態と組み合わせることができる。さらに、「含む」、「有する」、「含有」または、発明を実施するための形態あるいは特許請求の範囲において使用される他の用語は、「包含」と同一または類似する意味である。
【００６７】
上記により、本発明は好ましい実施例により開示されたが、上記の好ましい実施例は本発明を限定するものでなく、本発明の趣旨及び範囲を逸脱しない限り、当業者であれば、様々な変更及び修飾を加えることができるため、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲に基づくものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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