【事件の表示】
　平成９年特許願第２１２５５１号「基板処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年４月２４日出願公開、特開平１０−１０７１２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成９年７月２３日（優先権主張平成８年８月５日）の出願であって、その請求項１〜４に係る発明は、平成１４年７月１８日付け手続補正書及び平成１６年７月３０日付け手続補正書により補正された明細書及び願書に最初に添附した図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
「基板搬送部と、
　前記基板搬送部にそれぞれが取り外し可能に取り付けられた複数のモジュールと、
　前記基板搬送部内に設けられた第１の基板搬送手段であって、基板を前記複数のモジュールに搬送可能な第１の基板搬送手段と、を備える基板処理装置であって、
　前記複数のモジュールが、各モジュールが他のモジュールが前記基板搬送部に取り付けられた状態で取り外し可能なように、互いに離間して実質的に鉛直方向に積み重ねられ、
　前記複数のモジュールの間には、前記複数のモジュールのそれぞれが他のモジュールが前記基板搬送部に取り付けられた状態で取り外し可能となるような隙間を、鉛直方向に設け、
　前記複数のモジュールのそれぞれが、
　　前記基板を処理する気密構造の基板処理室と、
　　前記基板処理室と前記基板搬送部との間に設けられた気密構造の中間室と、
　　前記基板処理室と前記中間室との間に設けられた第１のバルブであって閉じた場合には前記基板処理室と前記中間室との間を気密にすることができ、開いた場合には前記基板がその内部を通って移動可能な第１のバルブと、
　　前記中間室と前記基板搬送部との間に設けられた第２のバルブであって閉じた場合には前記中間室と前記基板搬送部との間を気密にすることができ、開いた場合には前記基板がその内部を通って移動可能な第２のバルブとを備え、
　前記複数のモジュールのそれぞれにおいて、一つの前記中間室に対して前記基板処理室が一つ設けられ、
　前記中間室には前記基板を前記基板処理室に搬送可能な第２の基板搬送手段が設けられ、
　前記基板搬送部が大気圧下で前記基板を搬送する基板搬送部であることを特徴とする基板処理装置。」
　なお、請求項１には、「・・・前記複数のモジュールのそれぞれにおいて、一つの前記中間室に対して
前記前記
　
２．刊行物記載の発明（事項）
　当審が平成１６年５月２５日付けで通知した拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に国内で頒布された刊行物である、特開平４−１３７６１３号公報（以下、「刊行物１」という。）、特開平３−２７４７４６号公報（以下、「刊行物２」という。）、特開平７−１５３６９３号公報（以下、「刊行物３」という。）及び特開平４−２７１１３９号公報（以下、「刊行物４」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（１）刊行物１
（１−イ）第３頁右下欄３行〜９行
「本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、バッチ処理方式でのスループットを維持したまま、処理精度を向上し、かつウエハを外気に触れさせないで一連のウエハ処理を連続的に行うことが可能な半導体装置の製造装置・・・を提供することを目的とするものである。」
（１−ロ）第４頁右下欄６行〜第５頁左下欄１３行
「第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例の半導体装置の製造装置について説明する構成図で、同図（ａ）は斜視図、同図（ｂ）は同図（ａ）の上面図、同図（ｃ）は同図（ｂ）のＣ−Ｃ線断面図である。・・・
　第１図（ａ）〜（ｃ）において、符号１７は排気部２８の排気装置により通常減圧状態になっているウエハ保持具の搬送路で、第２図に示すような、ウエハ載置部３０に複数のウエハの載置されたウエハ保持具２９が搬送される。また、１８ａ，１８ｂは互いに独立に搬送路１７と連接されたロード／アンロードチャンバで、各ロード／アンロードチャンバ１８ａ，１８ｂには不図示の排気口が設けられ、排気部２８の排気装置と接続されている。・・・また、搬送路１７と各ロード／アンロードチャンバ１８ａ，１８ｂとの間にはそれぞれ開閉可能なバルブ（第２の開閉手段）１９ａ，１９ｂが設けられている。従って、各バルブ（第２の開閉手段）１９ａ，１９ｂを閉めて排気口から排気することにより各ロード／アンロードチャンバ１８ａ，１８ｂ内の圧力を独立に調整することができるようになっている。・・・
　また、２０ａはロード／アンロードチャンバ１８ａと連接されたロードロックチャンバで、ロード／アンロードチャンバ１８ａとロードロックチャンバ２０ａとが１つの処理前室を構成する。・・・更に、ロード／アンロードチャンバ１８ａとロードロックチャンバ２０ａとの間には開閉可能なバルブ２１ａが設けられている。従って、バルブ２１ａを閉めて排気口３５ａから排気することによりロードロックチャンバ２０ａ内の圧力を独立に調整することができるようになっている。これにより、ロードロックチャンバ２０ａ内の圧力とロード／アンロードチャンバ１８ａの圧力とを揃えてロードロックチャンバ２０ａとロード／アンロードチャンバ１８ａとの間でウエハ保持具２９の搬出入を容易に行いうる。
　また、ロードロックチャンバ２０ａ内には必要なウエハ処理炉２２ａ又は２２ｂにウエハ保持具２９を選択的に搬入するための第４図（ａ）に示すロボット（選択搬送手段）３８ａが備えられている。このロボット３８ａは、ロード／アンロードチャンバ１８ａ内のロボット３７ａにより搬送されてきたウエハ保持具２９を受け取り、予め設定されているウエハ処理のプログラムに従ってウエハ処理炉２２ａ又は２２ｂに移動できるようになっている。・・・
　更に、２２ａ，２２ｂはそれぞれ互いに独立にロードロックチャンバ２０ａと連接されたウエハ処理炉で、・・・。」
（１−ハ）第６頁左下欄１４行〜２０行
「これにより、複数のウエハ処理系が搬送路１７により結び付けられることになる。従って、例えば、製造ロット毎に異なるウエハ処理系でウエハ処理を行ったり、多種類のウエハ処理を減圧下で行う処理群と常圧下で行う処理群に分けて各処理群の処理を異なるウエハ処理系で行ったりすることが可能となる。」
（１−ニ）第７頁右上欄２行〜同頁左下欄２行
「更に、第３図（ｄ）は、第１図（ｂ）と配置が類似しており、ウエハ処理炉２２ａ〜２２ｄがロードロックチャンバ（処理前室）２０ａに沿って互いに独立に横に設置されている。しかし、ウエハ処理炉２２ａ〜２２ｄの個数が４個という点で、個数が２個である第１図（ｂ）と異なっている。また、ロードロックチャンバ２０ａと搬送路１７との間には搬入用のバルブ４０ａと搬出用のバルブ４０ｂとが別々に設けられていることも、搬出入兼用のバルブ１９ａが設けられている第１図（ｂ）と異なっている。なお、第３図（ｄ）中、第１図（ｂ）と同じ符号で示すものは第１図（ｂ）と同じものを示す。この半導体装置の製造装置のロードロックチャンバ２０ａには、第４図（ａ）と同様なロボット（選択搬送手段）３８ａが設けられ、第４図（ａ）と同様な働きをする。
　以上の半導体装置の製造装置を一連のウエハ処理工程の数、又は必要なウエハ処理枚数に応じて適宜使い分けることにより、スループットの維持を図ることができ、またより効率のよい作業を行うことができる。」
　
　搬送路１７は、そこでウエハ保持具２９が搬送されるから、ウエハ保持具の搬送手段を有していることが明らかである。
　そうすると、以上の記載事項及び第３図の記載からみて、刊行物１には次の発明が記載されていると認められる。
「搬送路１７と、
　前記搬送路１７にそれぞれが結び付けられた複数のウエハ処理系と、
　前記搬送路１７に設けられたウエハ保持具の搬送手段であって、複数のウエハが載置されたウエハ保持具２９を前記複数のウエハ処理系に搬送可能なウエハ保持具の搬送手段と、を備える半導体装置の製造装置であって、
　前記複数の各ウエハ処理系が前記搬送路１７に平面方向に結び付けられ、
　前記複数のウエハ処理系のそれぞれが、
　　前記ウエハを処理する気密構造のウエハ処理炉２２ａ〜２２ｄと、
　　前記ウエハ処理炉２２ａ〜２２ｄと前記搬送路１７との間に設けられた気密構造のロードロックチャンバ２０ａと、
　　前記ウエハ処理炉２２ａ，２２ｂと前記ロードロックチャンバ２０ａとの間に設けられたバルブ２３ａ〜２３ｄであって閉じた場合には前記ウエハ処理炉２２ａ〜２２ｄと前記ロードロックチャンバ２０ａとの間を気密にすることができ、開いた場合には前記ウエハ保持具２９がその内部を通って移動可能なバルブ２３ａ〜２３ｄと、
　　前記ロードロックチャンバ２０ａと前記搬送路１７との間に設けられたバルブ４０ａ，４０ｂであって閉じた場合には前記ロードロックチャンバ２０ａと前記搬送路１７との間を気密にすることができ、開いた場合には前記ウエハ保持具２９がその内部を通って移動可能なバルブ４０ａ，４０ｂとを備え、
　前記複数のウエハ処理系のそれぞれにおいて、一つの前記ロードロックチャンバ２０ａに対して前記前記ウエハ処理炉２２ａ〜２２ｄが四つ設けられ、
　前記ロードロックチャンバ２０ａには前記ウエハ保持具２９を前記ウエハ処理炉２２ａ〜２２ｄに搬送可能なロボット３８ａが設けられ、
　前記搬送路１７が通常減圧状態である、半導体装置の製造装置。」（以下、「刊行物１記載の発明」という。）
　
（２）刊行物２
（２−イ）第２頁左上欄３行〜７行
「（Ａ．産業上の利用分野）
　本発明はマルチチャンバ装置、即ち、ウエハに対して複数種の処理を大気に曝すことなくウエハを各別のチャンバ間で移動させて行うことができるマルチチャンバ装置に関する。」
（２−ロ）第２頁右下欄１２行〜第３頁左上欄１０行
「（Ｄ．発明が解決しようとする問題点）
　ところで、マルチチャンバ装置には一般に下記の問題があった。
　先ず、マルチチャンバ装置は複数のチャンバを平面方向のみに並べて一体化していたのでマルチチャンバ装置の占有面積が大きくなるという問題があった。
　また、・・・マルチチャンバ装置の為し得る仕事の量に対するマルチチャンバ装置の占有面積の比（これは工場の面積を有効に利用する利用率に拘わってくる）を大きくすることが難しかった。
　また、従来のマルチチャンバ装置にはスループットをより向上させるための工夫が充分に為されているとはいい難い面があった。」
（２−ハ）第３頁左下欄１９行〜同頁右下欄３行
「本発明はこのような問題点を解決すべく為されたものであり、マルチチャンバ装置の占有面積を徒に広くすることなく多くの種類、量の処理を為し得るようにし、また、スループットの向上を図ることを目的とする。」
（２−ニ）第４頁左下欄９行〜同頁右下欄１４行
「（ａ．第１の実施例）［第１図、第２図］
　・・・
　本マルチチャンバ装置は平面形状が略正方形の搬送チャンバ５の三つの側面それぞれにプロセスチャンバ８を上下に２段ずつ合計６個ゲートバルブ４を介して連結し、残りの一つの側面にロードロックチャンバ１を設けたものである。・・・
　そして、ウエハ搬送機構９は上段のチャンバ８と下段のチャンバ８との間で半導体ウエハ３の搬送ができるようにアーム６及びフォーク７を全体的に昇降させることができるようになっている。
　このようなマルチチャンバ装置によれば、占有面積の増大を伴うことなくプロセスチャンバ８の数を増すことができる。また、プロセスチャンバ８の数が同じならばマルチチャンバ装置の占有面積を狭くすることができる。」
（２−ホ）第１図（Ｂ）から、
「上下２段のプロセスチャンバ８，８は、互いに離間して実質的に鉛直方向に積み重ねられ、前記２段のプロセスチャンバ２，２の間には、隙間を鉛直方向に設けていること。」が看取できる。
　
　以上の記載事項からみて、刊行物２には次の事項が記載されていると認められる。
「半導体ウエハに処理を行うマルチチャンバ装置において、上下２段のプロセスチャンバ８，８を、搬送チャンバ５に、互いに離間して実質的に鉛直方向に積み重ねられ、前記２段のプロセスチャンバ２，２の間には、隙間を鉛直方向に設けていること。」（以下、「刊行物２記載の事項」という。）
　
（３）刊行物３
（３−イ）段落【０００１】
「【産業上の利用分野】
　本発明は薄膜製造プロセスにより生産される液晶ディスプレイ等を量産するために用いるスパッタリング装置やプラズマＣＶＤ装置などのマルチチャンバ成膜装置に関する。」
（３−ロ）段落【０００７】
「本発明はマルチチャンバ成膜装置における以上のような問題を解決し、メンテナンス時にも運転が続行でき、しかも設置面積が大きくならないマルチチャンバ式成膜装置を提供することを目的とする。」
（３−ハ）段落【００１５】〜【００１８】
「第１図は本発明による一実施例を示したマルチチャンバ式スパッタリング装置の平面図である。図において、本装置の中央には中間室１が配置されている。この中間室１は５角柱形状に形成されていて、その各側面１ａ〜１ｅには同一形状の仕切弁２ａ〜２ｅが設けられている。そして各仕切弁２ａ〜２ｄにはプロセスに必要な各処理室が接続されている。すなわち、仕切弁２ａにはロード室３が、仕切弁２ｂには加熱室４が、仕切弁２ｃには第１スパッタリング室５（Ａｌ成膜）、仕切弁２ｄには第２スパッタリング室６（ＩＴＯ成膜）がそれぞれ放射状に接続されている。そして、残りの仕切弁２ｅには後述するように新しい予備室としての予備加熱室４’が将来接続される。
　・・・
　なお、各処理室３〜６、３’〜６’はすべてユニット化されており、・・・。
　各処理室３〜６は仕切弁２ａ〜２ｅより外側にある接続部７ａ〜７ｅで中間室１に容易に脱着できるようにボルト接続されるとともに、その各処理室ユニットごとの制御系と中央の制御系との制御系の接続も図示しないコネクタ部分で容易に脱着できるようになっている。」
　
　以上の記載事項からみて、刊行物３には次の事項が記載されていると認められる。
「マルチチャンバ式スパッタリング装置において、複数の処理室３〜６が、中間室１に取り外し可能なように取り付けられていること。」（以下、「刊行物３記載の事項」という。）
　
（４）刊行物４
（４−イ）段落【０００１】
「【産業上の利用分野】
  この発明は、ＬＳＩ製造装置に代表される半導体製造装置に係わり、その構成として、複数のウエーハが装填された，大気中にあるキャリアカセットとの間でウエーハの受渡しが行われる大気側ロードロック室と、大気側ロードロック室と反応室との間に位置し真空中で大気側ロードロック室と反応室との間のウエーハ受渡しを行う真空搬送ロボットを内蔵した反応室側ロードロック室とを備えた,カセットツウカセット方式 (供給側カセットからウエーハを１枚ずつ自動的に取り出し反応室に送り込み、加工処理後収納側カセットに収納する枚葉処理方式)の半導体製造装置に関する。」
（４−ロ）段落【００１３】〜【００１４】
「【実施例】
  図１および図２に、本発明の一実施例によるカセットツウカセット方式半導体製造装置の構成を示す。
  装置は、複数のウエーハが装填されたキャリアカセット10または11からのウエーハの取り出し, 搬送などを行う大気搬送装置９と、キャリアカセット10または11との間のウエーハ受渡しが行われる大気側ロードロック室101 と、真空中で大気側ロードロック室と反応室との間のウエーハ受渡しを行う真空搬送装置５を内蔵した第１のロードロック室102,第２のロードロック室103 と、反応室３とを主要構成要素として構成されている。また、大気側ロードロック室101 内中心部には、大気側のキャリアカセット10あるいは11, あるいは第２のロードロック室103 から送り込まれたウエーハを次工程への移動まで待機させるためのウエーハステージ４が具備されている。」
（４−ハ）図３、４から
「一つの反応室側ロードロック室２に対して反応室３が一つ設けられた半導体製造装置」が看取できる。
　
３．対比
　本願発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、後者の「ウエハ保持具２９」を「搬送」するは、ウエハが載置されたウエハ保持具を搬送するものであるから、「ウエハ」を「搬送」すると言い換えることができ、同様に、後者の「ウエハ保持具の搬送手段」は「ウエハの搬送手段」と言い換えることができる。
　そして、後者の「搬送路１７」が前者の「基板搬送部」に、後者の「結び付けられた」が前者の「取り付けられた」に、後者の「ウエハ処理系」が前者の「モジュール」に、後者の「ウエハ保持具の搬送手段」が前者の「第１の基板搬送手段」に、後者の「ウエハ保持具２９」が前者の「基板」に、後者の「半導体装置の製造装置」が前者の「基板処理装置」に、後者の「ウエハ」が前者の「基板」に、後者の「ウエハ処理炉２２ａ〜２２ｄ」が前者の「基板処理室」に、後者の「ロードロックチャンバ２０ａ」が前者の「中間室」に、後者の「バルブ２３ａ〜２３ｄ」が前者の「第１のバルブ」に、後者の「バルブ４０ａ，４０ｂ」が前者の「第２のバルブ」に、後者の「ロボット３８ａ」が前者の「第２の基板搬送手段」に、それぞれ相当することは明らかである。
　そうすると、両者の一致点及び相違点は以下のとおりである。
〈一致点〉
「基板搬送部と、
　前記基板搬送部にそれぞれが取り付けられた複数のモジュールと、
　前記基板搬送部に設けられた第１の基板搬送手段であって、基板を前記複数のモジュールに搬送可能な第１の基板搬送手段と、を備える基板処理装置であって、
　前記複数のモジュールのそれぞれが、
　　前記基板を処理する気密構造の基板処理室と、
　　前記基板処理室と前記基板搬送部との間に設けられた気密構造の中間室と、
　　前記基板処理室と前記中間室との間に設けられた第１のバルブであって閉じた場合には前記基板処理室と前記中間室との間を気密にすることができ、開いた場合には前記基板がその内部を通って移動可能な第１のバルブと、
　　前記中間室と前記基板搬送部との間に設けられた第２のバルブであって閉じた場合には前記中間室と前記基板搬送部との間を気密にすることができ、開いた場合には前記基板がその内部を通って移動可能な第２のバルブとを備え、
　前記複数のモジュールのそれぞれにおいて、一つの前記中間室に対して前記基板処理室が設けられ、
　前記中間室には前記基板を前記基板処理室に搬送可能な第２の基板搬送手段が設けられる、基板処理装置」である点。
〈相違点１〉
　前者は、複数のモジュールが、各モジュールが他のモジュールが基板搬送部に取り付けられた状態で取り外し可能なように、互いに離間して実質的に鉛直方向に積み重ねられ、前記複数のモジュールの間には、前記複数のモジュールのそれぞれが他のモジュールが前記基板搬送部に取り付けられた状態で取り外し可能となるような隙間を、鉛直方向に設けているのに対して、後者は、複数の各モジュールが、基盤搬送部に平面方向に取り付けられている点。
〈相違点２〉
　前者は、一つの中間室に対して基板処理室が一つ設けられているのに対して、後者は、一つの中間室に対して基板処理室が四つ設けられている点。
〈相違点３〉
　前者は、基板搬送部が大気圧下で基板を搬送するのに対して、後者は、基板搬送部が通常減圧状態である点。
　
４．当審の判断
　そこで、上記相違点１〜３について検討する。
　
（１）相違点１について
　刊行物２記載の「半導体ウエハに処理を行うマルチチャンバ装置」は本願発明の「基板処理装置」に相当し、同様にして、上下２段の「プロセスチャンバ８，８」は「基板処理室」に、「搬送チャンバ５」は「中間室」に、それぞれ相当するから、刊行物２には、基板処理装置の占有面積を抑えつつ、スループットを向上させるために、２つの基板処理室を、互いに離間して実質的に鉛直方向に積み重ね、前記２段の基盤処理室の間には、隙間を鉛直方向に設けることが示されているということができる。
　また、刊行物３記載の「マルチチャンバ式スパッタリング装置」は本願発明の「基板処理装置」に相当し、同様にして、「処理室３〜６」は「基板処理室」に、「中間室１」は「中間室」に、それぞれ相当するから、刊行物３には、基板処理装置において、占有面積を抑えるために、複数の基板処理室を、中間室に取り外し可能なように取り付けることが示されているということができる。
　占有面積を抑えることは、刊行物２、３に示されるごとく、基板処理装置共通の課題であり、刊行物１記載の発明においても当該課題を有していることは当業者にとって明らかである。そうすると、刊行物１記載の発明と刊行物２、３記載の事項とは、占有面積を抑えるとの課題、及び、基板処理装置という技術分野を共通にするものである。
　したがって、刊行物１記載の発明において、基板搬送部に複数のモジュールを取り付けるに際して、刊行物２記載の「隙間を介在させて、互いに離間して実質的に鉛直方向に積み重ねる」との事項、及び、刊行物３記載の「取り外し可能に取り付ける」との事項を組み合わせ、相違点１に係る構成を本願発明のようにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
（２）相違点２について
　刊行物４の記載事項（４−ハ）における「反応室側ロードロック室２」は本願発明の「中間室」に相当し、同様にして、「反応室３」は「基板処理室」に、「半導体製造装置」は「基板処理装置」に相当するから、基板処理装置において、一つの中間室に対して基板処理室が一つ設けられた構造は、刊行物４に示されているということができる。そして、一つの中間室に対して基板処理室を複数設けるマルチチャンバ構造では、処理のスループットの点で有利であるが、複数の基板処理室間を連通した時に起きるクロスコンタミネーションの問題があるのに対して、一つの中間室に基板処理室を一つ設ける構造では、クロスコンタミネーション防止の点では有利であるが、処理のスループットの点で有利ではないことは、当業者にとって自明の事項である。
　そうすると、刊行物１記載の発明において、中間室と基板処理室との対応関係を、クロスコンタミネーション防止に力点をおき、マルチチャンバ構造から一つの中間室に基板処理室を一つ設ける構造に変更することは、当業者が容易になし得たことである。
　
（３）相違点３について
　刊行物４の記載事項（４−ロ）における「カセットツウカセット方式半導体製造装置」は本願発明の「基板処理装置」に相当し、同様にして、「大気搬送装置９」は「基板搬送部」に相当するから、刊行物４には、基板処理装置において、基板搬送部を大気圧下で基板を搬送させるものとすることが示されているということができる。
　そして、刊行物１記載の発明と刊行物４記載の上記事項とは、「基板処理装置」という同一の技術分野に属することから、刊行物１記載の発明に刊行物４記載の事項を適用して、相違点４に係る構成を本願発明のようにすることに、格別の困難性は見当たらない。 
　
（４）作用効果について
　そして、本願発明の作用効果は、刊行物１〜４記載の発明（事項）から当業者が予測可能な範囲内のものであって、格別のものではない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１〜４記載の発明（事項）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、残余の請求項２〜４に係る発明について検討するまでもなく、結論のとおり審決する。