【事件の表示】
　平成９年特許願第２６１７５号「薄膜磁気ヘッド」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年８月７日出願公開、特開平１０−２０８２１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯の概要
　
　本願は、平成９年１月２５日の出願であって、平成１５年２月７日付け拒絶理由通知に対して、平成１５年４月１４日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、平成１５年６月２３日付けで拒絶すべき旨の査定がされた。これに対し、平成１５年７月３１日に拒絶査定に対する審判が請求され、平成１５年９月１日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２　平成１５年９月１日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
〔補正却下の決定の結論〕
　平成１５年９月１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
〔理　由〕
１．本件補正前及び本件補正による本願発明
　本件補正は特許請求の範囲についてするもので、本件補正前に、
「【請求項１】　基体上に誘導型磁気変換素子を設け、その上に磁気抵抗効果型磁気変換素子を積層した薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
　前記基体の表面に凹部及び溝を形成し、
　前記凹部の内面、前記溝の内面、及び、前記基体の表面上に下部磁性膜を付着させ、前記溝の内面に付着された前記下部磁性膜の下部ポール部には、前記凹部の内面から前記溝に移る位置にパターンエッジを生じさせ、
　前記凹部の内部に、前記凹部のエッジよりは高くならないように、コイル膜を支持したコイル支持絶縁膜を充填し、
　少なくとも、前記溝内にある前記下部磁性膜の下部ポール部の表面、及び、前記コイル支持絶縁膜の表面に、均一な膜厚となるように、ギャップ膜を付着させ、
　前記ギャップ膜の上に上部磁性膜を積層し、前記上部磁性膜の上部ポール部を、前記ギャップ膜を介して前記下部ポール部と対向させ、後方において、前記下部磁性膜と磁気的に結合させ、
　前記上部磁性膜の上にシールドギャップ膜を形成した後、前記シールドギャップ膜の上に磁気抵抗効果型磁気変換素子を、フォトリソグラフィの適用によって形成し、その際、前記絶縁膜、前記上部磁性膜及び前記シールドギャップ膜を通して見える前記下部ポール部の前記パターンエッジをターゲットとして、前記磁気抵抗効果型磁気変換素子のマスク位置合わせを行なう
工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　【請求項２】　基体上に誘導型磁気変換素子を設け、その上に磁気抵抗効果型磁気変換素子を積層した薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
　前記基体の表面に凹部及び溝を形成し、
　前記凹部の内面、前記溝の内面、及び、前記基体の表面上に下部磁性膜を付着させ、前記溝の内面に付着された前記下部磁性膜の下部ポール部には、前記凹部の内面から前記溝に移る位置にパターンエッジを生じさせ、
　前記凹部の内部に、コイル膜を支持したコイル支持絶縁膜を充填し、前記コイル支持絶縁膜は、表面が前記下部磁性膜の表面より低くなるように形成し、
　前記コイル支持絶縁膜の表面と前記下部ポール部の表面との間に発生する段差を埋めるように、無機絶縁膜を形成し、
　前記無機絶縁膜の上にギャップ膜を付着させ、前記ギャップ膜の表面を平坦化し、
　前記ギャップ膜の上に上部磁性膜を積層し、前記上部磁性膜の上部ポール部を、前記ギャップ膜を介して前記下部ポール部と対向させ、後方において、前記下部磁性膜と磁気的に結合させ、
　前記上部磁性膜の上にシールドギャップ膜を形成した後、前記シールドギャップ膜の上に磁気抵抗効果型磁気変換素子を、フォトリソグラフィの適用によって形成し、その際、前記絶縁膜、前記上部磁性膜及び前記シールドギャップ膜を通して見える前記下部ポール部の前記パターンエッジをターゲットとして、前記磁気抵抗効果型磁気変換素子のマスク位置合わせを行なう
工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　【請求項３】　請求項２に記載された製造方法であって、
　前記コイル支持絶縁膜の表面と前記下部ポール部の表面との間に発生する段差よりも大きな膜厚を有して、前記下部ポール部及び前記コイル支持絶縁膜を覆うように、前記無機絶縁膜を形成した後、前記無機絶縁の表面を研磨して前記下部ポール部の表面位置にほぼ一致するように平坦化する
工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　【請求項４】　請求項３に記載された製造方法であって、
　前記平坦化は、ケミカル・メカニカル・ポリシュによって行なう
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　【請求項５】　請求項１乃至４の何れかに記載された製造方法であって、
　前記凹部は、前記基体に設けられた無機絶縁膜に形成されている
製造方法。
　【請求項６】　請求項１乃至４の何れかに記載された製造方法であって、
　前記凹部は、内面が無機絶縁膜によって覆われている
製造方法。」
とあったものを、
　
「【請求項１】　基体上に誘導型磁気変換素子を設け、その上に磁気抵抗効果型磁気変換素子を積層した薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
　前記基体の表面にミリングによって凹部を形成し、空気ベアリング面側に位置する前記基体の表面に、ミリングによって、下部ポール部の幅を決める第１の溝を形成し、前記凹部を挟んで前記第１の溝とは反対側の前記基体の表面にミリングによって後方結合部のための第２の溝を形成し、
　前記凹部の内面、前記第１の溝の内面、前記第２の溝の内面、及び、前記基体の表面上に下部磁性膜を付着させ、前記第１の溝の内面に付着された前記下部磁性膜は、前記第１の溝の幅によって画定されたトラック方向の幅を有する下部ポール部を構成し、前記下部ポール部には、前記凹部の内面から前記溝に移る位置にパターンエッジを生じさせ、
　前記凹部の内部に、前記凹部のエッジよりは高くならないように、コイル膜を支持したコイル支持絶縁膜を充填し、
　少なくとも、前記第１の溝内及び前記第２の溝内にある前記下部磁性膜の下部ポール部の表面、及び、前記コイル支持絶縁膜の表面に、均一な膜厚となるように、ギャップ膜を付着させ、
　前記ギャップ膜の上に上部磁性膜を積層し、前記上部磁性膜の上部ポール部を、前記ギャップ膜を介して前記下部ポール部と対向させ、後方において、前記第２の溝をとおして前記下部磁性膜と磁気的に結合させ、
　前記上部磁性膜の上にシールドギャップ膜を形成した後、前記シールドギャップ膜の上に磁気抵抗効果型磁気変換素子を、フォトリソグラフィの適用によって形成し、その際、前記絶縁膜、前記上部磁性膜及び前記シールドギャップ膜を通して見える前記下部ポール部の前記パターンエッジをターゲットとして、前記磁気抵抗効果型磁気変換素子のマスク位置合わせを行なう
工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　【請求項２】　請求項１に記載された製造方法であって、
　前記コイル支持絶縁膜の表面と前記下部ポール部の表面との間に発生する段差よりも大きな膜厚を有して、前記下部ポール部及び前記コイル支持絶縁膜を覆うように、前記無機絶縁膜を形成した後、前記無機絶縁の表面を研磨して前記下部ポール部の表面位置にほぼ一致するように平坦化する
工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　【請求項３】　請求項２に記載された製造方法であって、
　前記平坦化は、ケミカル・メカニカル・ポリシュによって行なう
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　【請求項４】　請求項１乃至３の何れかに記載された製造方法であって、
　前記凹部は、前記基体に設けられた無機絶縁膜に形成されている
製造方法。
　【請求項５】　請求項１乃至４の何れかに記載された製造方法であって、
　前記凹部は、内面が無機絶縁膜によって覆われている
製造方法。」
と補正しようとするものである。
　
２．補正の目的の適否の検討
　まず、本件補正が適法なものであるか否かについて検討する。
　なお、以下の検討においては、本件補正前の請求項は、番号と共に、例えば「旧請求項１」のように表記し、本件補正による請求項は、番号と共に、例えば「新請求項１」のように表記する。
　
（１）本件補正による特許請求の範囲において唯一独立形式で記載された新請求項１を、本件補正前の特許請求の範囲において独立形式で記載された２つの請求項である旧請求項１及び同２と比較すると、新請求項１は、旧請求項１に対しては、「溝」を「第１の溝」及び「第２の溝」に分ける等の限定を加えたものとすることができるのに対し、旧請求項２と比較すると、
「前記コイル支持絶縁膜は、表面が前記下部磁性膜の表面より低くなるように形成し、
　前記コイル支持絶縁膜の表面と前記下部ポール部の表面との間に発生する段差を埋めるように、無機絶縁膜を形成し、
　前記無機絶縁膜の上にギャップ膜を付着させ、前記ギャップ膜の表面を平坦化し」
の発明特定事項（以下、「特定事項Ａ」という）に対応する事項がないことからして、新請求項１を、旧請求項２に対して特定事項に限定を加えたものと解することはできない。
　したがって、新請求項１は、旧請求項１に限定を加えたものであり、旧請求項２は、削除されたと解するのが妥当である。
　
（２）次に、新請求項２及び３について検討する。新請求項２及び３は、記載上は、単に、旧請求項３及び４の請求項番号、及び各請求項の記載において引用する請求項の番号を１ずつ繰り上げたものにすぎず、旧請求項２が削除されたことに伴い、単に記載上の整合をとったやにみえる。しかしながら、旧請求項３は旧請求項２のみを引用し、旧請求項４は、記載上旧請求項３のみを引用することで間接的に旧請求項２に記載された事項も引用しているのであるから、旧請求項３及び４については、本件補正により、引用する請求項（旧請求項２）が削除されたことになる。ところが、本件補正によると、新請求項２は新請求項１のみを引用し、新請求項３は記載上新請求項２のみを引用することで、間接的に新請求項１に記載された事項も引用することとした。すなわち、単なる請求項番号の繰り上げが行われただけに留まるものではなく、引用する請求項の変更が行われたと解するのが妥当である。このように補正することにより、新請求項２及び３は、旧請求項３及び４では旧請求項２を引用することで特定事項に含まれていた上記特定事項Ａを含まないものとなるから、新請求項２及び３についての補正は、単に、請求項２が削除されたことに伴って請求項番号及び引用する請求項番号の整合を取るためのものとすることができず、実質的に発明特定事項が削除または変更されたと解するのが相当である。
　以上のとおりであるから、新請求項２及び３についての補正は、特許法第１７条の２第４項各号に掲げる事項を目的とするものであるとすることができない。
　
（３）新請求項４及び５についても、新請求項２及び３を引用する部分については同様のことがいえることになる。
　
３．本件補正についてのむすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさないものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成１５年９月１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１から６に係る発明は、平成１５年４月１４日付け手続補正書により補正された明細書の、特許請求の範囲の請求項１から６に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２　〔理由〕１．」に本件補正前の請求項１として掲げたとおりのものである。
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１−９６８１４号公報（以下、「第１引用例」という）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
　
（ａ）「特許請求の範囲」として
「誘導型磁気ヘッドとその上に電気的絶縁層を介して磁気抵抗効果型磁界検出部を備えた薄膜ヘッドにおいて、誘導型磁気ヘッドの下部磁極層、導体層および絶縁層の一部が、あらかじめ溝加工を施した基板の溝に埋め込まれ、上記磁性層表面が基板水平面とほぼ平行であることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。」（１頁左下欄第５行〜第１１行）
（ｂ）実施例として、第３図を参照して
「以下、本発明の一実施例を第３図により説明する。はじめに、基板１に深さ約８μｍの溝を形成する。このとき側面のテーパ角が２０°〜４５°となるようにドライエッチングを用いたテーパエッチングを行なう（第３図（ａ））。続いて下部磁極２を形成する強磁性合金、たとえばＮｉ−Ｆｅ，Ｆｅ−Ａｌ，Ｃｏ系非晶質合金などを約３μｍ被着し、加工する（第３図（ｂ））。次に、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ３Ｎ４やポリイミド系高分子樹脂などの絶縁層４と、ＡｌやＣｕなどからなるコイル３とを、順次積層し、上記凹部にコイル３と絶縁層４を充填する。（第３図（ｃ））。この時、コイル３は膜厚が３μｍでリフトオフを用いて形成した。また高分子樹脂の塗布およびエッチバック法を用いて、平坦化を行なった。次に、ギャップ部を形成する絶縁層４’としてＡｌ２Ｏ３を０．５μｍ被着した後、その一部を除去し、続いて上記磁極５を形成する（第３図（ｄ））。材料および膜厚は下部磁極の場合と同様である。
　その後、絶縁膜８としてＡｌ２Ｏ３を約０．５μｍ被着し続いてその上に、磁気抵抗効果型の再生ヘッド６を積層した。再生ヘッドとしてはＮｉ−Ｆｅ合金（膜厚４００Å）およびＴｉ膜（２０００Å）からなるシャントバイアス型の磁気抵抗効果素子を用いた。（中略）
　以上述べてきたように、磁気ヘッドの上部を平坦にすることができるので、さらにその上に精度良く磁気抵抗効果型の再生ヘッドを形成することができる。」（２頁右上欄第２行〜左下欄第１７行）
　
（ｃ）実施例２として、第４図を参照して
「本実施例では、先の実施例と異なり、上部磁極と下部磁極のコンタクトをとるためのコンタクトホール９を形成する必要がある。」（２頁右下欄第１２行〜第１４行）
　
　第１引用例では、物の発明である磁気ヘッドに関して開示がされているが、上記摘記部分の記載から、磁気ヘッドの製造方法である工程が把握されることは、自明なことであるから、この点も踏まえて上記摘記事項及び図面を総合勘案すると、結局、第１引用例には、次の発明が記載されている（以下、「引用発明」という）。
「誘導型磁気ヘッドとその上に電気的絶縁層を介して磁気抵抗効果型磁界検出部を備えた複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
　基板１に、側面のテーパ角が２０°〜４５°となるようにドライエッチングを用いたテーパエッチングを行なって溝を形成し、
　続いて下部磁極２を形成する強磁性合金を上記溝内および基板表面に被着し、
　次に、絶縁層４と、ＡｌやＣｕなどからなるコイル３と絶縁層４を充填し、また高分子樹脂の塗布およびエッチバック法を用いて、平坦化を行ない、
　次に、ギャップ部を形成する絶縁層４’としてＡｌ２Ｏ３を０．５μｍ被着した後、その一部を除去し、続いて上部磁極５を形成し、
　その後、絶縁膜８を被着し続いてその上に、磁気抵抗効果型の再生ヘッド６を積層する
工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。」
　
３．対比
　本願発明を、引用発明と比較する。
　両者は「薄膜磁気ヘッドの製造方法」に関する点で共通している。
　引用発明における「基板」、「誘導型磁気ヘッド」及び「磁気抵抗効果型磁界検出部」は、それぞれ本願発明における「基体」、「誘導型磁気変換素子」及び「磁気抵抗効果型磁気変換素子」に相当する。
　引用発明における「溝」は、本願発明の「凹部」に相当する（本願発明の「溝」については、別途検討する。）。
　引用発明において「下部磁極２を形成する強磁性合金を上記溝内および基板表面に被着」する工程は、本願発明において「前記凹部の内面、・・・及び、前記基体の表面上に下部磁性膜を付着させ」の工程に相当する。
　引用発明において「絶縁層４と、ＡｌやＣｕなどからなるコイル３と絶縁層４を充填し」の工程は、本願発明において「前記凹部の内部に、・・・コイル膜を支持したコイル支持絶縁膜を充填し」の工程に相当する。
　引用発明における「ギャップ部を形成する絶縁層４’としてＡｌ２Ｏ３を０．５μｍ被着した後、・・・続いて上部磁極５を形成」の工程は、本願発明における
「少なくとも、前記下部磁性膜の下部ポール部の表面に、均一な膜厚となるように、ギャップ膜を付着させ、
　前記ギャップ膜の上に上部磁性膜を積層し、前記上部磁性膜の上部ポール部を、前記ギャップ膜を介して前記下部ポール部と対向させ」の工程に相当する。
　引用発明の「絶縁膜８を被着し続いてその上に、磁気抵抗効果型の再生ヘッド６を積層する」の工程は、本願発明における「前記上部磁性膜の上にシールドギャップ膜を形成した後、前記シールドギャップ膜の上に磁気抵抗効果型磁気変換素子を、・・・形成し」の工程に相当する。
　
　すると、本願発明と、引用発明とは、次の点で一致する。
＜一致点＞
　基体上に誘導型磁気変換素子を設け、その上に磁気抵抗効果型磁気変換素子を積層した薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
　前記基体の表面に凹部を形成し、
　前記凹部の内面、及び、前記基体の表面上に下部磁性膜を付着させ、
　前記凹部の内部に、コイル膜を支持したコイル支持絶縁膜を充填し、
　少なくとも、前記下部磁性膜の下部ポール部の表面に、均一な膜厚となるように、ギャップ膜を付着させ、
　前記ギャップ膜の上に上部磁性膜を積層し、前記上部磁性膜の上部ポール部を、前記ギャップ膜を介して前記下部ポール部と対向させ、
　前記上部磁性膜の上にシールドギャップ膜を形成した後、前記シールドギャップ膜の上に磁気抵抗効果型磁気変換素子を、形成する、
工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
　
　一方で、以下の点で相違する。
（相違点１）
　本願発明では、基体の表面に凹部に加え、「溝」を形成し、「前記溝の内面に付着された前記下部磁性膜」を「下部ポール部」としているのに対し、引用発明ではそのような開示がない点。
　
（相違点２）
　本願発明では、「前記下部磁性膜の下部ポール部には、前記凹部の内面から前記溝に移る位置にパターンエッジを生じさせ」ているのに対し、引用発明ではそのような開示がない点。
　
（相違点３）
　本願発明では、コイル支持絶縁膜を「前記凹部のエッジよりは高くならないように」充填するのに対し、引用発明ではそのような事項について言及がない点。
　
（相違点４）
　本願発明では、ギャップ膜が「コイル支持絶縁膜の表面」にも付着させるのに対し、引用発明ではそのような事項について言及がない点。
　
（相違点５）
　本願発明では、上部磁性膜を「後方において、前記下部磁性膜と磁気的に結合させ」ているのに対し、引用発明ではそのような事項について言及がない点。
　
（相違点６）
　本願発明では、磁気抵抗効果型磁気変換素子の形成を、「フォトリソグラフィの適用」により、その際、「前記絶縁膜、前記上部磁性膜及び前記シールドギャップ膜を通して見える前記下部ポール部の前記パターンエッジをターゲットとして、前記磁気抵抗効果型磁気変換素子のマスク位置合わせを行なう」としているのに対し、引用発明ではそのような開示がない点。
　
４．判断
　（相違点１について）
　薄膜磁気ヘッドの製造方法において、下部磁極となる磁性層を付着させる基体に、予め溝を形成し、当該溝内に付着した磁性層が、当該溝の幅を持つ下部磁極となるようにする方法は周知事項である。
　例えば、特開平２−２４４４１５号公報（以下、「周知例１」という）には、非磁性基板１に溝２を形成し、当該溝内に下部磁気コア４を形成する方法が開示されている（２頁右下欄〜３頁右上欄、第３図参照）。また、特開平２−３０６４１１号公報にも、同様に、非磁性セラミクスよりなる基板１に、溝２を形成し、当該溝内部に下部磁性コア３を形成する方法が開示されている（３頁右下欄〜４頁左下欄、第１〜３図参照）。
　引用発明に前記周知事項を適用して、引用発明の「溝」（本願発明では「凹部」に相当）に加えて、下部磁極２の先端部分（ポール部分）の幅を規定する「溝」をさらに形成することに格別の困難は存在せず、その作用効果も当業者が予測しうるものにすぎない。
　（相違点２について）
　引用発明においても、第３図を参照すると、下部磁極２には、「溝」（本願発明の凹部に相当）の内面から、前記溝の形成されていない部分、すなわち基板１の表面に移る位置に、パターンエッジが生じるものと解される。このような状況は、引用発明のみならず、原査定の拒絶の理由で引用された特開平４−３４１９１０号公報（以下、「第２引用例」という）、及び特開平５−４６９４３号公報（以下、「第３引用例」という）においても同様である。すなわち、第２引用例では、下部磁性膜２が基板１に形成された凹所１ａから基板表面に移る位置に、また、第３引用例では、下部磁性膜２１が基体１の凹部１３から基体表面に移る位置に、それぞれパターンエッジが形成されると解される。
　なお、本願発明では「生じさせる」と記載されているが、本願明細書第２７段落には「凹部の内面から基板の表面に移る位置に変曲点（パターンエッジ）が生じる。」と記載されており、必ずしも「格別の手段を講じて生じさせる」方法に限定して解釈する必要がないことは明かであるから、前記「パターンエッジ」が生じることは、第１乃至第３引用例の図面等における開示事項から当業者が容易に想到しうるものである。
　
　（相違点３について）
　引用発明では、「絶縁層４と、ＡｌやＣｕなどからなるコイル３と絶縁層４を充填し、また高分子樹脂の塗布およびエッチバック法を用いて、平坦化を行ない」との工程が含まれている。平坦化を行った結果は、絶縁層４が、下部磁極のポール部及びそれにつながるエッジ部分より高くなることはないことが明かである。したがって、相違点１で示したような周知事項を適用して、下部磁極となる磁性層を付着させる基体に、予め溝を形成し、当該溝内に付着した磁性層が、当該溝の幅を持つ下部磁極となるようにした場合、特に周知例１のように下部磁極と基板との高さを揃える構造とした場合には、絶縁膜は、基板の表面及びそれに続くエッジ部分より高くなることはないことが明らかであるから、相違点３については、引用発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に想到しうるものである。
　
　（相違点４について）
　引用発明においては、ギャップ部を形成する絶縁層４’としてＡｌ２Ｏ３を０．５μｍ被着することが開示されているが、前記被着を行う部分について特に下部磁極のポール部のみに限定する等の措置には言及していない。このような薄膜を形成する方法、例えば、周知の蒸着、スパッタリング等を想定すると、限られたパターンにのみ被着するには当該パターンに対応したマスク等を形成するなどの工程を要することは技術常識といえるもので、そのような工程を経ずに絶縁層４’をコイル３を絶縁する絶縁層４の表面にまで形成することに格別の困難は伴わない（後記、相違点５についての検討でも言及するが、引用発明において「絶縁層４’・・・被着した後、その一部を除去」する必要があるのは、絶縁層４’が、ポール部のみならずコイル３を絶縁する絶縁層４の表面及び下部磁極の後方部分、上部磁極との結合を取る位置にまで形成されているからであると解される）。また、引用発明が、記録ヘッドの上部を平坦にすることでその上に精度良く磁気抵抗効果型ヘッドを形成することを意図したものであることからしても（上記摘記部分（ｂ）参照）絶縁層４’は上部磁性層が形成される範囲全域に均一の厚さで形成されていることが有利となることが明らかであるから、絶縁層４’をコイル３を絶縁する絶縁層４の表面にまで形成することは当業者が容易に想到しうることである。
　
　（相違点５について）
　誘導型磁気ヘッドにおいては磁極が磁路を形成するように構成すること技術常識乃至は周知事項にすぎないものである。
　第１引用例において、第３図（ｄ）を参照すると、下部磁極２と上部磁極５とが後方で結合していると解される。引用発明が、「ギャップ部を形成する絶縁層４’としてＡｌ２Ｏ３を０．５μｍ被着した後、その一部を除去し、続いて上部磁極５を形成」しているのは、下部磁極２と上部磁極５とを結合させるためと解するのが妥当である。このような理解が正しいことは、実施例２について、下部磁極２と上部磁極５とのコンタクトを取るすなわち磁気的に結合させるために、絶縁層２にコンタクトホール９を形成することが開示されている（上記摘記部分（ｃ）及び第４図参照）ことからも裏付けられるものである。
　また、第２引用例（特に図１参照）、第３引用例（特に第１８段落、図１，２参照）にも同様の開示がある。
　したがって、相違点５については、当業者が、前記技術常識乃至は周知事項を考慮して容易に想到しうる程度のことにすぎないものである。
　
　（相違点６について）
　薄膜磁気ヘッドの製造工程、特に磁気抵抗効果型磁気変換素子の形成において、フォトリソグラフィ法を適用することは普通に行われていることにすぎない（例えば、特開平９−２２５１２号公報（特に第５３段落参照）、特開平９−１６９２４号公報（特に第１６段落参照）、特開平８−３２１０１４号公報（特に第６段落参照）等）。
　フォトリソグラフィ法を適用する以上、パターンのアライメントが不可欠であることは技術常識にすぎないから、引用発明においても、周知のアライメント技術を適宜採用することは当然のことである。
　フォトリソグラフィ法におけるアライメント技術としては、既に形成されたパターンそのものを、それ以降のパターン形成に際して基準として用いることが、例えば特開平６−５３１１８号公報、特開平８−２９８２３６号公報等周知の技術である。このようなアライメント技術を用いる場合には、既に形成されたパターンが見えることが前提となるのは当然のことである。それ故、例えば特開平１−２８９９５５号公報に開示されるように「２層目のフォトレジストがレーザー光に対して透過性を有する（特許請求の範囲他）」ようにするなどの措置を講じることも知られているが、所定のパターンの上に形成する薄膜の膜厚がきわめて小さく、当該薄膜を通してパターンが認識できる状況においては、当該パターンをアライメントの基準として採用することに格別の困難があるとはいえない。
　
　結局のところ、相違点１乃至６にあげた事項は、いずれも、各引用例開示事項、周知事項、及び技術常識等を適用することで当業者が容易に想到しうるものであり、その作用効果も当業者が予測しうるものにすぎない。
　
５．本願発明についてのむすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、引用発明に基づいて、各引用例開示事項、周知事項、及び技術常識等を参酌することにより当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。