【事件の表示】
　特願２００１−１８６４１「半導体素子のコンタクト電極形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年８月９日出願公開、特開２００２−２２２８５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１３年１月２６日の出願であって、平成１６年６月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年９月１日付けで手続補正がなされ、その後、当審において、平成１７年８月９日付けで審尋がなされ、同年１０月７日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１６年９月１日付けの手続補正について
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年９月１日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）手続補正の内容
　平成１６年９月１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、平成１５年４月２５日付けで補正された特許請求の範囲を次のとおりに補正するとともに、発明の詳細な説明の欄を補正するものである。
「【請求項１】　半導体基板の一方の主面上に非ド−プシリコンガラスから成る第１の絶縁膜を形成し、更に前記第１の絶縁膜の上にボロン・リン・シリケ−ト・ガラスから成る第２の絶縁膜を積層状態に形成する工程と、
　前記第２の絶縁膜に対するエッチングレートが前記第１の絶縁膜に対するエッチングレートよりも大きく、且つＣＨＦ3とＣＦ4とを混合したガスから成る反応ガスを使用した異方性の選択的エッチングによって、前記第２の絶縁膜が選択的に除去され且つ底面側に前記第１の絶縁膜の少なくとも一部が残存し且つ垂直な壁面を有している第１の孔を形成する工程と、
 前記第２の絶縁膜に熱処理を施して前記第２の絶縁膜の少なくとも前記第１の孔を囲む部分をリフローさせ、前記第１の孔の入口が底部よりも広くなるようなテーパー状壁面を形成する工程と、
 前記第１の孔の底面に露出している前記第１の絶縁膜に前記半導体基板が露出するようにエッチングを施して前記第１の孔に連続し且つ垂直な壁面を有している第２の孔を形成する工程と、
 前記第１及び第２の孔から成るコンタクト開口に導電性材料を埋め込んでコンタクト電極を形成する工程と、
を有していることを特徴とする半導体素子のコンタクト電極の形成方法。」
　
（２）補正事項の整理
［補正事項１］
　補正前の請求項１の、
「半導体基板の一方の主面に少なくとも非ド−プシリコンガラスから成る第１の絶縁膜とボロン・リン・シリケ−ト・ガラスから成る第２の絶縁膜とを積層状態に形成する工程」を、
「半導体基板の一方の主面上に非ド−プシリコンガラスから成る第１の絶縁膜を形成し、更に前記第１の絶縁膜の上にボロン・リン・シリケ−ト・ガラスから成る第２の絶縁膜を積層状態に形成する工程」と補正する。
　
［補正事項２］
　補正前の請求項１の、
「異方性の選択的エッチングによって、前記第２の絶縁膜が選択的に除去され且つ底面側に前記第１の絶縁膜の少なくとも一部が残存されている第１の孔を形成する工程」を、
「異方性の選択的エッチングによって、前記第２の絶縁膜が選択的に除去され且つ底面側に前記第１の絶縁膜の少なくとも一部が残存し且つ垂直な壁面を有している第１の孔を形成する工程」と補正する。
　
［補正事項３］
　補正前の請求項１の、
「前記第２の絶縁膜に熱処理を施して少なくとも前記第１の孔を囲む部分をリフローさせ」を、
「前記第２の絶縁膜に熱処理を施して前記第２の絶縁膜の少なくとも前記第１の孔を囲む部分をリフローさせ」と補正する。
　
［補正事項４］
　補正前の請求項１の、
「前記第１の孔の底面に露出している前記第１の絶縁膜に前記半導体基板が露出するようにエッチングを施して前記第１の孔に連続する第２の孔を形成する工程」を、
「前記第１の孔の底面に露出している前記第１の絶縁膜に前記半導体基板が露出するようにエッチングを施して前記第１の孔に連続し且つ垂直な壁面を有している第２の孔を形成する工程」と補正する。
　
［補正事項５］
　明細書の０００７段落を補正する。
　
［補正事項６］
　明細書の０００８段落及び００１６段落を補正する。
　
（３）補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無について
［補正事項１について］
　補正事項１は、「半導体基板の一方の主面」、「第１の絶縁膜」及び「第２の絶縁膜」の相互の位置関係を明確にするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
［補正事項２について］
　補正事項２は、「異方性の選択的エッチングによって」形成される「第１の孔」が、「垂直な壁面を有している」ことを明確にするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
［補正事項３について］
　補正事項３は、「リフローさせ」る対象が「第２の絶縁膜」であることを明確にするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
［補正事項４について］
　補正事項４は、「第２の孔」が「垂直な壁面を有している」ことを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、本願の願書に最初に添付した明細書の００１４段落には、「第１の絶縁膜１１にドライエッチングを施し、第１の孔１４ａに連続する第２の孔１５を形成する。・・・このエッチングによれば図３（Ｃ）に示すように、その内壁が半導体基板１０の一方の主面に対して垂直に切り立った形状の第２の孔１５が得られる。」と記載されているから、補正事項４についての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　
［補正事項５について］
　補正事項５は、特許請求の範囲に関する補正事項１ないし４に整合させて、対応する発明の詳細な説明の欄を補正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
［補正事項６について］
　補正事項６は、補正前の０００８段落及び００１６段落の記載中の、明らかな誤記である「スッテプカバレージ」を「ステップカバレージ」と補正するものであるから、誤記の訂正を目的とするものである。
　
　以上のとおり、補正事項１ないし６は、いずれも、特許法第１７条の２第４項に規定される事項を目的とするものであり、同条第３項の規定に適合するものである。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）本件補正後の発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）は、上記（１）に示した請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
（４−２）引用例
［引用例１］
　原審の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６３−１７９５５１号公報（以下、「引用例１」という。）には、第１図とともに、以下の事項が記載されている。
「トランジスタ、ダイオード等の素子が形成された半導体基板上に、第１の絶縁膜として二酸化ケイ素膜を形成する工程、前記二酸化ケイ素膜上に第２の絶縁膜としてホウ素−リンケイ酸ガラス膜を形成する工程、前記ホウ素−リンケイ酸ガラス膜上に前記半導体基板上の所定の位置にコンタクトホールが形成されるように設計されたレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターンをマスクとして、前記ホウ素−リンケイ酸ガラス膜のみをエッチングした後にレジストパターンを除去する工程、前記半導体基板を高温熱処理する工程、および、前記半導体基板上に露出している前記二酸化ケイ素膜と前記ホウ素−リンケイ酸ガラス膜を同時にエッチングし前記コンタクトホール部分に残っている前記二酸化ケイ素膜を除去することによりコンタクトホールを完成させる工程より成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）
「〔発明が解決しようとする問題点〕
　・・・従来技術では・・・拡散層が完全に露出した状態で高温熱処理を行なわなければならないので、・・・ＢＰＳＧ膜中のホウ素、リンが、拡散層中に拡散されたりするために、拡散層の特性に悪影響を及ぼしたりするという問題点を有していた。」（第２頁右上欄第６行〜第１７行）
「〔実施例〕
　第１図　（ａ）〜（ｇ）　は本発明の実施例におけるコンタクトホール形成工程断面図であり、以下に順を追って説明してゆく。
　まず、第１図（ａ）に示に拡散層１０２を形成した半導体基板１０１に、第１図（ｂ）のように気相成長法（以下ＣＶＤと略記する）によりＳｉＯ2 膜１０３を・・・形成し、引き続き、第１図（ｃ）のようにＣＶＤにより・・・ＢＰＳＧ膜１０４を形成する。・・・次に、第１図（ｄ）に示すようにレジストパターン１０５を形成する。このレジストパターン１０５は、拡散層１０２上にコンタクトホールが形成されるように設計されているものである。次に、レジストパターン１０５をマスクとしてＢＰＳＧ膜のみをドライエッチング法によりエッチングする。・・・エッチング後にレジストパターン１０５を除去して、第１図（ｅ）のようになる。次に半導体基板１０１を、・・・熱処理を施して、第１図（ｆ）のような形状を得る。このとき、・・・金属配線の被覆性が良好で、断線防止に対して効果的な丸みの大きな形状のコンタクトホールを得る。また、拡散層１０２は、ＳｉＯ2 膜１０３によって完全におおわれているために、拡散層１０２からの外部拡散や、ＢＰＳＧ膜１０４からのホウ素リンの拡散層１０２への侵入を防ぐため、素子特性の劣化も防止している。最後に、半導体基板表面を全面的にドライエッチングする。・・・第１図（ｆ）で示したＢＰＳＧ膜１０４の形成がそのままＳｉＯ2 膜１０３部分にも転写され第１図（ｇ）のような断面構造を得る。・・・第１図（ｇ）により明らかなように従来の方法に比べ、金属配線の断線防止に関して、はるかに効果的な形状のコンタクトホールが得られている。」（第２頁右下欄第１行〜第３頁右上欄第１８行）
　
　なお、引用例１には明記はされていないが、第１図（ｇ）に示される構造に対して、この後、コンタクトホール部分に金属配線が形成されることは明らかである。
　
　以上の記載事項によれば、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「半導体基板上に第１の絶縁膜としてＳｉＯ2 膜を形成する工程、前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜としてＢＰＳＧ膜を形成する工程、
　前記半導体基板上の所定の位置にコンタクトホールが形成されるように前記第２の絶縁膜のみをエッチングする工程、
　前記半導体基板を高温熱処理して丸みの大きな形状のコンタクトホールを得る工程、
　前記半導体基板上に露出している前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜を同時にエッチングし前記コンタクトホール部分に残っている前記第１の絶縁膜を除去することによりコンタクトホールを完成させる工程、および、
　前記コンタクトホールに金属配線を形成する工程
より成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
［引用例２］
　原審の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平８−１８１０８８号公報（以下、「引用例２」という。）には、図１とともに、以下の事項が記載されている。
「【００１５】
【実施例】本発明に係る微細なコンタクトホ−ルの製造方法の実施例を、図１（ａ）乃至（ｆ）を用いて説明する。従来例と、同様な製造方法については説明を簡略化する。
【００１６】図１（ａ）のように、・・・半導体基板８の表面には、・・・・・・絶縁層９と、・・・ガラス層１０を積層状に形成する。絶縁層９は、半導体基板８の表面を熱酸化して形成されたシリコン酸化膜でも良いし、半導体基板８の表面にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｕｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて成膜したＮＳＧ（Ｎｏｎ−Ｄｏｐｅｄ　Ｓｉｌｉｃａｔｅ　Ｇｌａｓｓ）膜でも良い・・・。また、ガラス層１０は、ＣＶＤ法を用いて形成された・・・ＰＳＧ膜や、ボロンガラス（ＢＳＧ）膜である。
【００１７】次に、ガラス層１０の表面にフォトレジスト膜を塗布した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、図１（ｂ）のように、所定形状の第一のレジストマスク１１を形成する。この後、第一のレジストマスク１１の上から、例えば反応性イオンエッチング法等を用いてドライエッチングを行う。第一のレジストマスク１１によって覆われていないガラス層１０はエッチング除去され、開口部１２が形成される。なお、ドライエッチングする際、ガラス層１０と、絶縁層９のエッチング速度が異なるためにガラス層１０のみがエッチングされて、絶縁層９はエッチングされずに残る。この後、第一のレジストマスク１１は除去される。
【００１８】次に、ガラス層１０の軟化温度である約１０００℃に加熱してガラス層１０を溶融流動させ、図１（ｃ）のように、垂直に切り立つ開口部１２の側壁の断面勾配を半導体基板８の表面に対してなだらかに形成する。この場合、ガラス層１０に含まれる燐成分は、ガラス層１０の内部を熱拡散するが、ガラス層１０の下部には絶縁層９が形成されているため、半導体基板８には拡散しない。」（００１５段落〜００１８段落）
　
［引用例３］
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６４−３２６５１号公報（以下、「引用例３」という。）には、第１図とともに、以下の事項が記載されている。
「〔作用〕
　接続孔の底部に残された不純物が添加されていない層間酸化膜が、ボロン・リンガラスを加熱流動させる際に外方拡散したボロン及びリンが半導体基板表面に再付着するのを防止し、接続孔底部の層間酸化膜は異方性の全面エツチングにより除去されるため、接続孔周囲のなだらかな形状を保つことができ、信頼性の高い配線の接触が得られる。」（第２頁右上欄第３行〜第１１行）
「第１図は、本発明の第１の実施例の形成工程断面図である。まず同図（ａ）に示すように従来通り半導体基板１１表面を・・・フイールド酸化膜１２で区画した後、拡散層１３を形成し、層間絶縁膜となる不純物が添加されていない層間酸化膜１４・・・、ＢＰＳＧ膜１５を・・・それぞれ化学気相成堆積法（ＣＶＤ法）等で堆積する。
　次いで同図（ｂ）に示すように、フオトレジスト１６をマスクとしてＢＰＳＧ膜１５及び層間酸化膜１４に電極取出しのための接続孔１７を開孔する。ここで接続孔１７の底部には上記層間酸化膜１４を・・・残し、拡散層１３を露出させないようにする。
　この後、同図（ｃ）に示すように・・・熱処理を行ないリフローさせてＢＰＳＧ膜１５表面を平坦化するとともに接続孔１７の周辺をなだらかにする。・・・
　次に同図（ｄ）に示すように異方性の反応性ドライエツチング（ＰＩＥ）により層間絶縁膜１４，１５を全面エツチングし、接続孔１７の領域のみ拡散層１３を露出させた後、同図（ｅ）に示すようにアルミニウム等で配線電極１８を形成する。」（第２頁右上欄第１７行〜同頁右下欄第２行）
　
（４−３）対比・検討
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
ａ）引用発明の「第１の絶縁膜」及び「第２の絶縁膜として」の「ＢＰＳＧ膜」は、本願補正発明の「第１の絶縁膜」及び「ボロン・リン・シリケート・ガラスから成る第２の絶縁膜」にそれぞれ相当するから、引用発明の「半導体基板上に第１の絶縁膜」「を形成する工程、前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜としてＢＰＳＧ膜を形成する工程」は、本願補正発明の「半導体基板の一方の主面上に」「第１の絶縁膜を形成し、更に前記第１の絶縁膜の上にボロン・リン・シリケ−ト・ガラスから成る第２の絶縁膜を積層状態に形成する工程」に相当する。
　なお、本願補正発明の「非ドープシリコンガラス」と、引用発明の「ＳｉＯ2 」とは、いずれも、『不純物が添加されていないシリコンの酸化物』という点では共通するものである。
ｂ）引用発明の「前記半導体基板上の所定の位置にコンタクトホールが形成されるように前記第２の絶縁膜のみをエッチングする工程」は、本願補正発明の「エッチングによって、前記第２の絶縁膜が」「除去され且つ底面側に前記第１の絶縁膜の少なくとも一部が残存し」「ている第１の孔を形成する工程」に相当する。
ｃ）引用発明の「前記半導体基板を高温熱処理して丸みの大きな形状のコンタクトホールを得る工程」は、引用例１の第１図（ｆ）を参照すれば、第２の絶縁膜（ＢＰＳＧ膜）の少なくともコンタクトホール部分をリフローさせて、該コンタクトホール部分の上部が底部よりも広くなるようなテーパ状壁面を形成するものであるから、本願補正発明の「前記第２の絶縁膜に熱処理を施して前記第２の絶縁膜の少なくとも前記第１の孔を囲む部分をリフローさせ、前記第１の孔の入口が底部よりも広くなるようなテーパー状壁面を形成する工程」に相当する。
ｄ）引用発明の「前記半導体基板上に露出している前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜を同時にエッチングし前記コンタクトホール部分に残っている前記第１の絶縁膜を除去することによりコンタクトホールを完成させる工程」は、本願補正発明の「前記第１の孔の底面に露出している前記第１の絶縁膜に前記半導体基板が露出するようにエッチングを施して前記第１の孔に連続し」「ている第２の孔を形成する工程」に相当する。
ｅ）引用発明の「前記コンタクトホールに金属配線を形成する工程」は、本願補正発明の「前記第１及び第２の孔から成るコンタクト開口に導電性材料を埋め込んでコンタクト電極を形成する工程」に相当する。
ｆ）引用発明の「半導体装置の製造方法」は、特に、コンタクトホール部分の金属配線の形成に関するものであるから、本願補正発明の「半導体素子のコンタクト電極の形成方法」に相当する。
　
　よって、本願補正発明と引用発明とは、
「半導体基板の一方の主面上に第１の絶縁膜を形成し、更に前記第１の絶縁膜の上にボロン・リン・シリケ−ト・ガラスから成る第２の絶縁膜を積層状態に形成する工程と、
　エッチングによって、前記第２の絶縁膜が除去され且つ底面側に前記第１の絶縁膜の少なくとも一部が残存している第１の孔を形成する工程と、
 前記第２の絶縁膜に熱処理を施して前記第２の絶縁膜の少なくとも前記第１の孔を囲む部分をリフローさせ、前記第１の孔の入口が底部よりも広くなるようなテーパー状壁面を形成する工程と、
 前記第１の孔の底面に露出している前記第１の絶縁膜に前記半導体基板が露出するようにエッチングを施して前記第１の孔に連続している第２の孔を形成する工程と、
 前記第１及び第２の孔から成るコンタクト開口に導電性材料を埋め込んでコンタクト電極を形成する工程と、
を有していることを特徴とする半導体素子のコンタクト電極の形成方法。」である点で一致し、次の点で相違している。
　
［相違点１］
　本願補正発明においては、「半導体基板の一方の主面上に非ド−プシリコンガラスから成る第１の絶縁膜を形成し、更に前記第１の絶縁膜の上にボロン・リン・シリケ−ト・ガラスから成る第２の絶縁膜を積層状態に形成する工程」及び「前記第２の絶縁膜に対するエッチングレートが前記第１の絶縁膜に対するエッチングレートよりも大きく、且つＣＨＦ3とＣＦ4とを混合したガスから成る反応ガスを使用した異方性の選択的エッチングによって、前記第２の絶縁膜が選択的に除去され且つ底面側に前記第１の絶縁膜の少なくとも一部が残存し且つ垂直な壁面を有している第１の孔を形成する工程」とを有しているのに対して、引用発明においては、「半導体基板上に第１の絶縁膜としてＳｉＯ2 膜を形成する工程」、「前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜としてＢＰＳＧ膜を形成する工程」及び「前記半導体基板上の所定の位置にコンタクトホールが形成されるように前記第２の絶縁膜のみをエッチングする工程」を有している点。
　
［相違点２］
　本願補正発明においては、「前記第１の孔の底面に露出している前記第１の絶縁膜に前記半導体基板が露出するようにエッチングを施して前記第１の孔に連続し且つ垂直な壁面を有している第２の孔を形成する工程」を有しているのに対して、引用発明においては、「前記半導体基板上に露出している前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜を同時にエッチングし前記コンタクトホール部分に残っている前記第１の絶縁膜を除去することによりコンタクトホールを完成させる工程」を有している点。
　
　以下、上記の各相違点について検討する。
　
［相違点１について］
　相違点１は、実質的に、本願補正発明においては、「非ド−プシリコンガラスから成る第１の絶縁膜」及び「ボロン・リン・シリケ−ト・ガラスから成る第２の絶縁膜」を用い、「前記第２の絶縁膜に対するエッチングレートが前記第１の絶縁膜に対するエッチングレートよりも大きく、且つＣＨＦ3とＣＦ4とを混合したガスから成る反応ガスを使用した異方性の選択的エッチングによって、前記第２の絶縁膜が選択的に除去され且つ底面側に前記第１の絶縁膜の少なくとも一部が残存し且つ垂直な壁面を有している第１の孔を形成する」のに対して、引用発明においては、「第１の絶縁膜として」の「ＳｉＯ2 膜」及び「第２の絶縁膜として」の「ＢＰＳＧ膜」を用い、「コンタクトホールが形成されるように前記第２の絶縁膜のみをエッチングする」ものであるが、「第２の絶縁膜（ＢＰＳＧ膜）」に対するエッチングレートが「第１の絶縁膜（ＳｉＯ2 膜）」に対するエッチングレートよりも大きく、且つＣＨＦ3とＣＦ4とを混合したガスから成る反応ガスを使用した選択的エッチングをするものではない点（相違点１−１）と、引用発明においては、引用例１の第１図（ｅ）によれば、「第２の絶縁膜（ＢＰＳＧ膜）」に形成された「コンタクトホール」は垂直な壁面を有しているように見えるものの、「コンタクトホールが形成されるように前記第２の絶縁膜のみをエッチングする」際に、異方性のエッチングを用いているか明らかでなく、したがって、「コンタクトホール」が垂直な壁面を有しているかも明らかでない点（相違点１−２）とに分けられる。
　
　しかし、まず、相違点１−１について検討すると、引用例２には、引用発明の「ＢＰＳＧ膜」と同様に不純物が添加されたシリケートガラスである、ガラス層（ＰＳＧ膜やＢＳＧ膜）をリフローする際に、コンタクトホール部分の半導体基板表面を不純物が添加されていない絶縁層により覆っておくという発明において、該不純物が添加されていない絶縁層としてはシリコン酸化膜又はこれと同様にＮＳＧ（Ｎｏｎ−Ｄｏｐｅｄ　Ｓｉｌｉｃａｔｅ　Ｇｌａｓｓ）膜を用い得ることが記載されている。
　そして、反応性イオンエッチングの際、前記ガラス層と前記絶縁層のエッチング速度が異なるために前記ガラス層のみがエッチングされて、前記絶縁層はエッチングされずに残ること、すなわち、例えばＰＳＧ膜やＢＳＧ膜からなるガラス層に対するエッチングレートが、例えばＮＳＧ膜からなる絶縁層に対するエッチングレートよりも大きな反応性ガスを使用した選択的なエッチングにより、ＰＳＧ膜やＢＳＧ膜からなるガラス層をＮＳＧ膜に対して選択的に除去するという技術思想が記載されており、さらに、ＰＳＧ膜やＢＳＧ膜と、ＢＰＳＧ膜とは、いずれも、不純物が添加されたシリケートガラスとして、当該技術分野において等価置換的に用いられているものである。
　次に相違点１−２について検討すると、引用例２には、反応性イオンエッチング法を用いてドライエッチングされた、溶融流動（リフロー）前の「ガラス層」が「垂直に切り立つ開口部１２の側壁」を有することが記載されており（特に００１７段落〜００１８段落を参照）、この反応性イオンエッチング法が異方性のものであることは、当業者にとって明らかである。
　
　したがって、引用発明において、「第２の絶縁膜（ＢＰＳＧ膜）」をエッチングする際の深さ方向及び幅方向の寸法制御性を向上すべく、引用例２に記載の発明に基づき、「ＳｉＯ2 膜」に換えてＮＳＧ膜を用いて、「ＢＰＳＧ膜」を選択的に除去するような反応ガスを用いて異方性エッチングを行い、もって、垂直な壁面を有するコンタクトホールが形成されるようにすることは、当業者が適宜なし得たものである。
　
　なお、その際の反応ガスの選択について、「ＣＨＦ3とＣＦ4とを混合したガスから成る反応ガス」が、ボロン・リン・シリケート・ガラス（ＢＰＳＧ）のエッチングに使用されることは、本願の明細書の００１２段落にも「反応ガスとしてカーボン、フッ素を含むガス（例えばＣＨＦ3、ＣＦ4を混合したガス）を使用した周知の異方性エッチングによって第１の孔１４を形成している」と記載されているほか、特開平９−２３２５３３号公報（以下、「周知例１」という。特に、００３７段落の「第１の層間絶縁膜８のエッチング条件は、エッチングストッパ膜となるシリコン窒化膜７に対して大きく選択比が取れる条件にて行う。・・・異方性ドライエッチング法により、エッチャントにＣＨＦ３／ＣＦ４の混合ガスを用いることによって、選択比はＴＥＯＳ酸化膜の場合１０以上、ＢＰＳＧ膜の場合２０以上とすることができる」との記載を参照）にも記載されているように当該技術分野における周知の技術的事項であるとともに、「ＣＨＦ3とＣＦ4とを混合したガスから成る反応ガス」が、ボロン及びリンを添加したシリコンの酸化物のエッチングレートを、ボロン及びリンを添加していないシリコンの酸化物のエッチングレートに比較して大きくできる反応ガスであることも、特開平４−２３３２２５号公報（以下、「周知例２」という。）に「絶縁層３３はＴＥＯＳであり；そして、絶縁層３５はＢＰＴＥＯＳである。絶縁層３３に対して申し分のない選択性を示す絶縁層３５のエッチング処理は・・・ＣＨＦ3・・・と・・・、少量のＣＦ4・・・を用いて実施できる」（００１７段落）と記載されているように、当該技術分野において周知の技術的事項であるから、本願補正発明において、「ＣＨＦ3とＣＦ4とを混合したガスから成る反応ガス」を用いた点は、当業者が適宜なし得た単なる設計的事項にすぎない。
　
［相違点２について］
　相違点２は、実質的に、本願補正発明の「第１の絶縁膜」に形成される「第２の孔」が「垂直な壁面を有している」のに対して、引用発明の「第１の絶縁膜（ＳｉＯ2 膜）」に形成される部分のコンタクトホールは、垂直な壁面を有するものとはなっていないというものである。
　しかし、引用例３には、引用発明と同様の目的で、ＢＰＳＧ膜をリフローする際に、接続孔（コンタクトトホール）部分の半導体基板表面を不純物が添加されていない酸化膜により覆っておくという発明において、ＢＰＳＧ膜リフロー後の該不純物が添加されていない酸化膜の除去を異方性の反応性ドライエッチングを用いた全面エッチングによって行うことが記載されており、この際には、前記不純物が添加されていない酸化膜に形成される孔が略垂直な壁面を有するようになることは、当業者にとって自明の事項である。
　したがって、引用発明において、「前記半導体基板上に露出している前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜を同時にエッチングし前記コンタクトホール部分に残っている前記第１の絶縁膜を除去することによりコンタクトホールを完成させる工程」を、引用例３に記載されているような異方性の反応性ドライエッチングを用いた全面エッチングによって行うようにし、その結果として、「第１の絶縁膜（ＳｉＯ2 膜）」に形成される部分のコンタクトホールが垂直な壁面を有するようになすことは、当業者が適宜なし得たものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１ないし３に記載された発明及び周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（５）本件補正についての検討のむすび
　上記（４）に示したとおり、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明の認定
　平成１６年９月１日付けの手続補正は上記２．のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１５年４月２５日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「半導体基板の一方の主面に少なくとも非ド−プシリコンガラスから成る第１の絶縁膜とボロン・リン・シリケ−ト・ガラスから成る第２の絶縁膜とを積層状態に形成する工程と、
　前記第２の絶縁膜に対するエッチングレートが前記第１の絶縁膜に対するエッチングレートよりも大きく、且つＣＨＦ3とＣＦ4とを混合したガスから成る反応ガスを使用した異方性の選択的エッチングによって、前記第２の絶縁膜が選択的に除去され且つ底面側に前記第１の絶縁膜の少なくとも一部が残存されている第１の孔を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜に熱処理を施して少なくとも前記第１の孔を囲む部分をリフローさせ、前記第１の孔の入口が底部よりも広くなるようなテーパー状壁面を形成する工程と、
前記第１の孔の底面に露出している前記第１の絶縁膜に前記半導体基板が露出するようにエッチングを施して前記第１の孔に連続する第２の孔を形成する工程と、
前記第１及び第２の孔から成るコンタクト開口に導電性材料を埋め込んでコンタクト電極を形成する工程と、
を有していることを特徴とする半導体素子のコンタクト電極の形成方法。」
　
（２）引用例
　前出の引用例１及び２には、上記２．の（４−２）に示したとおりの事項が記載され、引用例１には、上記引用発明が記載されている。
　
（３）対比・検討
　本願発明と引用発明とを対比する。
ａ）引用発明の「第１の絶縁膜」及び「第２の絶縁膜として」の「ＢＰＳＧ膜」は、本願発明の「第１の絶縁膜」及び「ボロン・リン・シリケート・ガラスから成る第２の絶縁膜」にそれぞれ相当するから、引用発明の「半導体基板上に第１の絶縁膜」「を形成する工程、前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜としてＢＰＳＧ膜を形成する工程」は、本願発明の「半導体基板の一方の主面に少なくとも」「第１の絶縁膜とボロン・リン・シリケ−ト・ガラスから成る第２の絶縁膜とを積層状態に形成する工程」に相当する。
　なお、本願発明の「非ドープシリコンガラス」と、引用発明の「ＳｉＯ2 」とは、いずれも、『不純物が添加されていないシリコンの酸化物』という点では共通するものである。
ｂ）引用発明の「前記半導体基板上の所定の位置にコンタクトホールが形成されるように前記第２の絶縁膜のみをエッチングする工程」は、本願発明の「エッチングによって、前記第２の絶縁膜が」「除去され且つ底面側に前記第１の絶縁膜の少なくとも一部が残存されている第１の孔を形成する工程」に相当する。
ｃ）引用発明の「前記半導体基板を高温熱処理して丸みの大きな形状のコンタクトホールを得る工程」は、引用例１の第１図（ｆ）を参照すれば、第２の絶縁膜（ＢＰＳＧ膜）の少なくともコンタクトホール部分をリフローさせて、該コンタクトホール部分の上部が底部よりも広くなるようなテーパ状壁面を形成するものであるから、本願発明の「前記第２の絶縁膜に熱処理を施して少なくとも前記第１の孔を囲む部分をリフローさせ、前記第１の孔の入口が底部よりも広くなるようなテーパー状壁面を形成する工程」に相当する。
ｄ）引用発明の「前記半導体基板上に露出している前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜を同時にエッチングし前記コンタクトホール部分に残っている前記第１の絶縁膜を除去することによりコンタクトホールを完成させる工程」は、本願発明の「前記第１の孔の底面に露出している前記第１の絶縁膜に前記半導体基板が露出するようにエッチングを施して前記第１の孔に連続する第２の孔を形成する工程」に相当する。
ｅ）引用発明の「前記コンタクトホールに金属配線を形成する工程」は、本願発明の「前記第１及び第２の孔から成るコンタクト開口に導電性材料を埋め込んでコンタクト電極を形成する工程」に相当する。
ｆ）引用発明の「半導体装置の製造方法」は、特に、コンタクトホール部分の金属配線の形成に関するものであるから、本願発明の「半導体素子のコンタクト電極の形成方法」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「半導体基板の一方の主面に少なくとも第１の絶縁膜とボロン・リン・シリケ−ト・ガラスから成る第２の絶縁膜とを積層状態に形成する工程と、
　エッチングによって、前記第２の絶縁膜が除去され且つ底面側に前記第１の絶縁膜の少なくとも一部が残存されている第１の孔を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜に熱処理を施して少なくとも前記第１の孔を囲む部分をリフローさせ、前記第１の孔の入口が底部よりも広くなるようなテーパー状壁面を形成する工程と、
前記第１の孔の底面に露出している前記第１の絶縁膜に前記半導体基板が露出するようにエッチングを施して前記第１の孔に連続する第２の孔を形成する工程と、
前記第１及び第２の孔から成るコンタクト開口に導電性材料を埋め込んでコンタクト電極を形成する工程と、
を有していることを特徴とする半導体素子のコンタクト電極の形成方法。」である点で一致し、次の点で相違している。
　
［相違点］
　本願発明においては、「半導体基板の一方の主面に少なくとも非ド−プシリコンガラスから成る第１の絶縁膜とボロン・リン・シリケ−ト・ガラスから成る第２の絶縁膜とを積層状態に形成する工程」及び「前記第２の絶縁膜に対するエッチングレートが前記第１の絶縁膜に対するエッチングレートよりも大きく、且つＣＨＦ3とＣＦ4とを混合したガスから成る反応ガスを使用した異方性の選択的エッチングによって、前記第２の絶縁膜が選択的に除去され且つ底面側に前記第１の絶縁膜の少なくとも一部が残存されている第１の孔を形成する工程」とを有しているのに対して、引用発明においては、「半導体基板上に第１の絶縁膜としてＳｉＯ2 膜を形成する工程」、「前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜としてＢＰＳＧ膜を形成する工程」及び「前記半導体基板上の所定の位置にコンタクトホールが形成されるように前記第２の絶縁膜のみをエッチングする工程」を有している点。
　
　以下、上記の相違点について検討する。
　
　上記相違点は、実質的に、本願発明においては、「非ド−プシリコンガラスから成る第１の絶縁膜」及び「ボロン・リン・シリケ−ト・ガラスから成る第２の絶縁膜」を用い、「前記第２の絶縁膜に対するエッチングレートが前記第１の絶縁膜に対するエッチングレートよりも大きく、且つＣＨＦ3とＣＦ4とを混合したガスから成る反応ガスを使用した異方性の選択的エッチングによって、前記第２の絶縁膜が選択的に除去され且つ底面側に前記第１の絶縁膜の少なくとも一部が残存されている第１の孔を形成する」のに対して、引用発明においては、「第１の絶縁膜として」の「ＳｉＯ2 膜」及び「第２の絶縁膜として」の「ＢＰＳＧ膜」を用い、「コンタクトホールが形成されるように前記第２の絶縁膜のみをエッチングする」ものであるが、「第２の絶縁膜（ＢＰＳＧ膜）」に対するエッチングレートが「第１の絶縁膜（ＳｉＯ2 膜）」に対するエッチングレートよりも大きく、且つＣＨＦ3とＣＦ4とを混合したガスから成る反応ガスを使用した選択的エッチングをするものではない点（第１の相違点）と、引用発明においては、引用例１の第１図（ｅ）によれば、「第２の絶縁膜（ＢＰＳＧ膜）」に形成された「コンタクトホール」は垂直な壁面を有しているように見えるものの、「コンタクトホールが形成されるように前記第２の絶縁膜のみをエッチングする」際に、異方性のエッチングを用いているか明らかでない点（第２の相違点）とに分けられる。
　
　しかし、まず、第１の相違点について検討すると、引用例２には、引用発明の「ＢＰＳＧ膜」と同様に不純物が添加されたシリケートガラスである、ガラス層（ＰＳＧ膜やＢＳＧ膜）をリフローする際に、コンタクトトホール部分の半導体基板表面を不純物が添加されていない絶縁層により覆っておくという発明において、該不純物が添加されていない絶縁層としてはシリコン酸化膜又はこれと同様にＮＳＧ（Ｎｏｎ−Ｄｏｐｅｄ　Ｓｉｌｉｃａｔｅ　Ｇｌａｓｓ）膜を用い得ることが記載されている。
　そして、反応性イオンエッチングの際、前記ガラス層と前記絶縁層のエッチング速度が異なるために前記ガラス層のみがエッチングされて、前記絶縁層はエッチングされずに残ること、すなわち、例えばＰＳＧ膜やＢＳＧ膜からなるガラス層に対するエッチングレートが、例えばＮＳＧ膜からなる絶縁層に対するエッチングレートよりも大きな反応性ガスを使用した選択的なエッチングにより、ＰＳＧ膜やＢＳＧ膜からなるガラス層をＮＳＧ膜に対して選択的に除去するという技術思想が記載されており、さらに、ＰＳＧ膜やＢＳＧ膜と、ＢＰＳＧ膜とは、いずれも、不純物が添加されたシリケートガラスとして、当該技術分野において等価置換的に用いられているものである。
　次に第２の相違点について検討すると、引用例２には、反応性イオンエッチング法を用いてドライエッチングされた、溶融流動（リフロー）前の「ガラス層」が「垂直に切り立つ開口部１２の側壁」を有することが記載されており（特に００１７段落〜００１８段落を参照）、この反応性イオンエッチング法が異方性のものであることは、当業者にとって明らかである。
　
　したがって、引用発明において、「第２の絶縁膜（ＢＰＳＧ膜）」をエッチングする際の深さ方向及び幅方向の寸法制御性を向上すべく、引用例２に記載の発明に基づき、「ＳｉＯ2 膜」に換えてＮＳＧ膜を用いて、「ＢＰＳＧ膜」を選択的に除去するような反応ガスを用いて異方性エッチングを行うようにすることは、当業者が適宜なし得たものである。
　
　なお、その際の反応ガスの選択について、「ＣＨＦ3とＣＦ4とを混合したガスから成る反応ガス」が、ボロン・リン・シリケート・ガラス（ＢＰＳＧ）のエッチングに使用されることは、本願の明細書の００１２段落にも「反応ガスとしてカーボン、フッ素を含むガス（例えばＣＨＦ3、ＣＦ4を混合したガス）を使用した周知の異方性エッチングによって第１の孔１４を形成している」と記載されているほか、上記周知例１（特に、００３７段落の「第１の層間絶縁膜８のエッチング条件は、エッチングストッパ膜となるシリコン窒化膜７に対して大きく選択比が取れる条件にて行う。・・・異方性ドライエッチング法により、エッチャントにＣＨＦ３／ＣＦ４の混合ガスを用いることによって、選択比はＴＥＯＳ酸化膜の場合１０以上、ＢＰＳＧ膜の場合２０以上とすることができる」との記載を参照）にも記載されているように当該技術分野における周知の技術的事項であるとともに、「ＣＨＦ3とＣＦ4とを混合したガスから成る反応ガス」が、ボロン及びリンを添加したシリコンの酸化物のエッチングレートを、ボロン及びリンを添加していないシリコンの酸化物のエッチングレートに比較して大きくできる反応ガスであることも、上記周知例２に「絶縁層３３はＴＥＯＳであり；そして、絶縁層３５はＢＰＴＥＯＳである。絶縁層３３に対して申し分のない選択性を示す絶縁層３５のエッチング処理は・・・ＣＨＦ3・・・と・・・、少量のＣＦ4・・・を用いて実施できる」（００１７段落）と記載されているように、当該技術分野において周知の技術的事項であるから、本願発明において、「ＣＨＦ3とＣＦ4とを混合したガスから成る反応ガス」を用いた点は、当業者が適宜なし得た単なる設計的事項にすぎない。
　
　したがって、本願発明は、引用例１及び２に記載された発明、並びに、周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。