【事件の表示】
　平成　９年特許願第　７４２２０号「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１０月　９日出願公開、特開平１０−２６８２５４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
平成　９年　３月２６日　特許出願
平成１５年　４月２３日　拒絶理由通知
平成１５年　６月３０日　手続補正
平成１５年１０月　３日　拒絶査定
平成１５年１１月　６日　審判請求
平成１５年１２月　８日　手続補正
　
第２．補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成１５年１２月８日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の発明
　平成１５年１２月８日付けの手続補正（以下「本件補正」という）により特許請求の範囲の請求項１は下記のとおり補正された。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
【請求項１】一対の基板間に液晶が封入されてなり、該一対の基板のうちの一方の基板上に、複数のデータ線とゲート線が交差して配設され、チャネル領域の両側にオフセット領域を挟んでソース・ドレイン領域を有し、ゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向するゲート電極を備えるオフセットゲート構造の薄膜トランジスタを用いてデータ側駆動回路が構成されてなる液晶表示装置において、
　前記データ側駆動回路は、前記データ線とビデオラインの間に介挿されるアナログスイッチと、該アナログスイッチに信号出力するレベルシフタとを備え、
　前記アナログスイッチは低電圧駆動され、かつ、前記レベルシフタは、前記アナログスイッチよりも高電圧駆動され、
　前記レベルシフタを構成する薄膜トランジスタのオフセット長は、前記アナログスイッチを構成する薄膜トランジスタのオフセット長より長いことを特徴とする液晶表示装置。
　
　上記補正は、補正前の請求項１に係る発明のアナログスイッチとレベルシフタに対して「前記アナログスイッチは低電圧駆動され、かつ、前記レベルシフタは、前記アナログスイッチよりも高電圧駆動され、」という限定を付加するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮に相当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２．引用例の記載等
　本願出願前に頒布された特開平５−２８３６９４号公報（以下「引用例」という）には各図とともに以下の事項が記載されている。
　
（１）「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス型電気光学装置、特にアクティブマトリクス型液晶電気光学装置等に利用でき、明解なスイッチング特性を有する電界効果型トランジスタの構造およびその作製方法を示すものである。」
　
（２）「【００１１】【問題を解決するための手段】この問題の一つの解決方法として、本発明者らは絶縁ゲイト型電界効果トランジスタにおいて、チャネル長（ソース領域とドレイン領域の間の距離）をゲイト電極のチャネル長方向の長さよりも長くすることにより、チャネル領域のうちのソース領域またはドレイン領域に接する部分にゲイト電極による電界のかからないまたは非常に弱いオフセット領域を形成することで、図４に示すような電流電圧特性をとることを知見した。
【００１２】本発明の基本的な構成を図１に示す。絶縁基板１０５上にブロッキング層１０４があり、その上に半導体層としてソース領域１００、ドレイン領域１０１、およびチャネル領域１０９を設ける。チャネル領域１０９上にはゲイト絶縁膜１１０とその上に陽極酸化可能な材料を陽極酸化して絶縁層である酸化物層１１２を形成したゲイト電極１１１が形成されている。ソース領域、ドレイン領域にそれぞれ接してソース電極１０２、ドレイン電極１０３を設ける。図１では、層間絶縁物は特に設けられていない様子が描かれているが、ゲイト電極・配線とソース／ドレイン電極・配線との寄生容量が問題となる場合には、従来どおり層間絶縁物を設けてもよく、その実施例は以下に実施例１〜３で記述される。
【００１３】図１に示す様に、ゲイト電極１１１と酸化物層１１２となるゲイト電極部に陽極酸化が可能な材料を選び、その表面部分を陽極酸化して酸化物層１１２を形成することで、イオン打ち込みの領域であるソース領域１００とドレイン領域１０１の間の距離すなわちチャネル長１０８は、実質的なゲイト電極１１１のチャネル長方向の長さよりも酸化物層１１２の厚みの概略２倍程度長くなる。ゲイト電極部の材料としては、主としてチタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）単体、あるいはそれらの合金が適している。
【００１４】その結果、ゲイト電極両側面に形成されたる酸化物層１１２にゲイト絶縁膜１１０を介して向かい合うチャネル領域１０９中の部分１０６および１０７には、ゲイト電極による電界が全くかからないあるいはゲイト電極の垂直下の部分と比較して非常に弱くなる。このような領域１０６、１０７を以下では、特にチャネル領域と同じ程度の結晶性、不純物濃度を有している場合に、オフセット領域という。」
　
（３）「【００２０】本発明によって、特に上述のオフセット領域を有する半導体装置を作製するには、ソース、ドレイン、チャネル領域となる半導体層およびゲイト絶縁膜層１１０を形成後に陽極酸化可能な材料によってゲイト電極部を形成した後に、前記半導体層にｐ型化またはｎ型化せしめる不純物イオンを注入してソース領域１００およびドレイン領域１０１を形成し、その後ゲイト電極部表面部分を陽極酸化してゲイト電極１１１と酸化物層１１２を形成し、熱処理工程等を施せばよい。
【００２１】または、前記半導体層およびゲイト絶縁膜層１１０を形成後に陽極酸化可能な材料によってゲイト電極部を形成した後に、ゲイト電極部表面部分を陽極酸化してゲイト電極１１１と酸化物層１１２を形成して、その後前記半導体層にｐ型化またはｎ型化せしめる不純物イオンを注入してソース領域１００およびドレイン領域１０１を形成してから熱処理工程を施す工程でも良い。
【００２２】以上のような工程をとることで、チャネル長がゲイト電極のチャネル長方向の長さより長い絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを、マスクずれ等による性能のばらつきなどを発生することなく容易かつ確実に作製することが可能となる。」
　
（４）「【００２５】以上のように、本発明では精密なマスク合わせが、新たに要求されるということはなく、本発明によって歩留りが低下することは少ない。それにもまして、本発明によって得られるトランジスタの特性の向上は大きなものである。以下に実施例を示す。」
　
（５）「【００２６】〔実施例１〕本実施例では、対角１インチを有する液晶電気光学装置を用いた、ビデオカメラ用ビューファインダーを作製し、本発明を実施したので説明を加える。
【００２７】本実施例では画素数が３８７×１２８の構成にして、本発明の構成を有した低温プロセスによる高移動度ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いた素子を形成し、ビューファインダーを構成した。本実施例で使用する液晶表示装置の基板上のアクティブ素子の配置の様子を図７に示し、図６に本実施例の回路図を示す。図７のＡ−Ａ’断面およびＢ−Ｂ’断面を示す作製プロセスを図８に描く。Ａ−Ａ’断面はＮＴＦＴを示し、Ｂ−Ｂ’断面はＰＴＦＴを示す。
【００２８】図８（Ａ）において、安価な、７００℃以下、例えば約６００℃の熱処理に耐え得るガラス基板４００上にマグネトロンＲＦ（高周波)スパッタ法を用いてブロッキング層４０１としての酸化珪素膜を１０００〜３０００Åの厚さに作製する。プロセス条件は酸素１００％雰囲気、成膜温度１５０℃、出力４００〜８００Ｗ、圧力０．５Ｐａとした。タ−ゲットに石英または単結晶シリコンを用いた成膜速度は３０〜１００Å／分であった。
【００２９】この上にシリコン膜をＬＰＣＶＤ（減圧気相）法、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法により形成した。減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よりも１００〜２００℃低い４５０〜５５０℃、例えば５３０℃でジシラン(Si2H6)またはトリシラン(Si3H8)をＣＶＤ装置に供給して成膜した。反応炉内圧力は３０〜３００Ｐａとした。成膜速度は５０〜２５０Å/分であった。ＰＴＦＴとＮＴＦＴとのスレッシュホ−ルド電圧（Ｖth）に概略同一に制御するため、ホウ素をジボランを用いて１×1015〜１×1018cm-3の濃度として成膜中に添加してもよい。
【００３０】スパッタ法で行う場合、スパッタ前の背圧を１×10-5Ｐａ以下とし、単結晶シリコンをタ−ゲットとして、アルゴンに水素を２０〜８０％混入した雰囲気で行った。例えばアルゴン２０％、水素８０％とした。成膜温度は１５０℃、周波数は１３．５６ＭＨｚ、スパッタ出力は４００〜８００Ｗ、圧力は０．５Ｐａであった。
【００３１】プラズマＣＶＤ法により珪素膜を作製する場合、温度は例えば３００℃とし、モノシラン(SiH4)またはジシラン(Si2H6)を用いた。これらをＰＣＶＤ装置内に導入し、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を加えて成膜した。
【００３２】これらの方法によって形成された被膜は、酸素が５×1021cm-3以下であることが好ましい。この酸素濃度が高いと、結晶化させにくく、熱アニ−ル温度を高くまたは熱アニ−ル時間を長くしなければならない。また少なすぎると、バックライトによりオフ状態のリ−ク電流が増加してしまう。そのため４×1019〜４×1021cm-3の範囲とした。水素は４×1020cm-3であり、珪素４×1022cm-3として比較すると１原子％であった。
【００３３】上記方法によって、アモルファス状態の珪素膜を５００〜５０００Å、例えば１５００Åの厚さに作製の後、４５０〜７００℃の温度にて１２〜７０時間非酸化物雰囲気にて中温の加熱処理、例えば水素雰囲気下にて６００℃の温度で保持した。珪素膜の下の基板表面にアモルファス構造の酸化珪素膜が形成されているため、この熱処理で特定の核が存在せず、全体が均一に加熱アニ−ルされる。即ち、成膜時はアモルファス構造を有し、また水素は単に混入しているのみである。
【００３４】アニ−ルにより、珪素膜はアモルファス構造から秩序性の高い状態に移り、一部は結晶状態を呈する。特にシリコンの成膜後の状態で比較的秩序性の高い領域は特に結晶化をして結晶状態となろうとする。しかしこれらの領域間に存在する珪素により互いの結合がなされるため、珪素同志は互いにひっぱりあう。レ−ザラマン分光により測定すると単結晶の珪素のピ−ク５２２cm-1より低周波側にシフトしたピ−クが観察される。それの見掛け上の粒径は半値巾から計算すると、５０〜５００Åとマイクロクリスタルのようになっているが、実際はこの結晶性の高い領域は多数あってクラスタ構造を有し、各クラスタ間は互いに珪素同志で結合（アンカリング)がされたセミアモルファス構造の被膜を形成させることができた。
【００３５】結果として、被膜は実質的にグレインバウンダリ（以下ＧＢという）がないといってもよい状態を呈する。キャリアは各クラスタ間をアンカリングされた個所を通じ互いに容易に移動し得るため、いわゆるGBの明確に存在する多結晶珪素よりも高いキャリア移動度となる。即ちホ−ル移動度（μｈ）＝１０〜２００cm2／ＶＳｅｃ、電子移動度（μe）＝１５〜３００cm2／ＶＳｅｃが得られる。
【００３６】他方、上記の如き中温でのアニ−ルではなく、９００〜１２００℃の高温アニ−ルにより被膜を多結晶化してもよい、しかしその場合は核からの固相成長により被膜中の不純物の偏析がおきて、ＧＢには酸素、炭素、窒素等の不純物が多くなり、結晶中の移動度は大きいが、ＧＢでのバリア（障壁）を作ってそこでのキャリアの移動を阻害してしまう。結果として１０cm2/Vsec以上の移動度がなかなか得られないのが実情である。そのために酸素、炭素、窒素等の不純物濃度をセミアモルファスのものよりも数分の１から数十分の１にする必要がある。その様にした場合、５０〜１００cm2／Ｖｓｅｃが得られた。
【００３７】このようにして形成した珪素膜にフォトエッチングを施し、ＮＴＦＴ用の半導体層４０２（チャネル巾２０μm)、ＰＴＦＴ用の半導体層４０４を作製した。
【００３８】この上にゲイト絶縁膜となる酸化珪素膜４０３を５００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さに形成した。これはブロッキング層としての酸化珪素膜の作製と同一条件とした。これを成膜中に弗素を少量添加し、ナトリウムイオンの固定化をさせてもよい。
【００３９】この後、この上側にアルミニウム膜を形成した。これをフォトマスクにてパタ−ニングして図８（Ｂ）を得た。ＮＴＦＴ用のゲイト絶縁膜４０５、ゲイト電極部４０６を形成し、両者のチャネル長方向の長さは１０μｍすなわちチャネル長を１０μｍとした。同様に、ＰＴＦＴ用のゲイト絶縁膜４０７、ゲイト電極部４０８を形成し、両者のチャネル長方向の長さは７μｍすなわちチャネル長を７μｍとした。また双方のゲイト電極部４０６、４０８の厚さは共に０．８μｍとした。図８（Ｃ）において、ＰＴＦＴ用のソ−ス４０９、ドレイン４１０に対し、ホウ素（Ｂ）を１〜５×１０15cm-2のド−ズ量でイオン注入法により添加した。次に図８（Ｄ）の如く、フォトレジスト４１１をフォトマスクを用いて形成した。ＮＴＦＴ用のソ−ス４１２、ドレイン４１３としてリン（Ｐ）を１〜５×１０15cm-2のドーズ量でイオン注入法により添加した。
【００４０】その後、ゲイト電極部に陽極酸化を施した。Ｌ−酒石酸をエチレングリコールに５％の濃度で希釈し、アンモニアを用いてｐＨを７．０±０．２に調整した。その溶液中に基板を浸し、定電流源の＋側を接続し、−側には白金の電極を接続して２０ｍＡの定電流状態で電圧を印加し、１５０Ｖに到達するまで酸化を継続した。さらに、１５０Ｖで定電圧状態で加え０．１ｍＡ以下になるまで酸化を継続した。このようにして、ゲイト電極部４０６、４０８の表面に酸化アルミニウム層４１４を形成し、ＮＴＦＴ用のゲイト電極４１５、ＰＴＦＴ用のゲイト電極４１６を得た。酸化アルミニウム層４１４は０．３μｍの厚さに形成した。
【００４１】次に、６００℃にて１０〜５０時間再び加熱アニ−ルを行った。ＮＴＦＴのソ−ス４１２、ドレイン４１３、ＰＴＦＴのソ−ス４０９、ドレイン４１０を不純物を活性化してＮ+、Ｐ+として作製した。またゲイト絶縁膜４０５、４０７下にはチャネル形成領域４１７、４１８がセミアモルファス半導体として形成されている。
【００４２】本作製方法においては、不純物のイオン注入とゲイト電極周囲の陽極酸化の順序を入れ換えても良い。この様に、ゲイト電極の周囲に酸化金属からなる絶縁層を形成したことで、ゲイト電極の実質長さは、チャネル長さよりも絶縁膜の厚さの２倍分、この場合は０．６μｍだけ短くなることになり、電界のかからないオフセット領域を設けることで、逆バイアス時のリーク電流を減少させることが出来た。
【００４３】本実施例では熱アニ−ルは図８（Ａ）、（Ｅ）で２回行った。しかし図８（Ａ）のアニ−ルは求める特性により省略し、双方を図８（Ｅ）のアニ−ルにより兼ね製造時間の短縮を図ってもよい。図８（Ｅ）において、層間絶縁物４１９を前記したスパッタ法により酸化珪素膜の形成として行った。この酸化珪素膜の形成はＬＰＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法を用いてもよい。層間絶縁物は０．２〜０．６μｍたとえば０．３μｍの厚さに形成し、その後、フォトマスクを用いて電極用の窓４２０を形成した。さらに、図８（Ｆ）に示す如くこれら全体にアルミニウムをスパッタ法により形成し、リード４２１、４２３、およびコンタクト４２２をフォトマスクを用いて作製した後、表面を平坦化用有機樹脂４２４例えば透光性ポリイミド樹脂を塗布形成し、再度の電極穴あけをフォトマスクにて行った。
【００４４】２つのＴＦＴを相補型構成とし、かつその出力端を液晶装置の一方の画素の電極を透明電極としてそれに連結するため、スパッタ法によりＩＴＯ（インジュ−ムスズ酸化膜）を形成した。それをフォトマスクによりエッチングし、電極４２５を構成させた。このＩＴＯは室温〜１５０℃で成膜し、２００〜４００℃の酸素または大気中のアニ−ルにより成就した。かくの如くにしてＮＴＦＴ４２６とＰＴＦＴ４２７と透明導電膜の電極４２５とを同一ガラス基板４０１上に作製した。得られたＴＦＴの電気的な特性はＰＴＦＴで移動度は２０（cm2/Vs）、Ｖthは−５．９（Ｖ）で、ＮＴＦＴで移動度は４０（cm2/Vs）、Ｖthは５．０（Ｖ）であった。
【００４５】上記の様な方法に従って液晶装置用の一方の基板を作製した。この液晶表示装置の電極等の配置は図７に示している。ＮＴＦＴ４２６およびＰＴＦＴ４２７を第１の信号線４２８と第２の信号線４２９との交差部に設けた。このようなＣ／ＴＦＴを用いたマトリクス構成を有せしめた。ＮＴＦＴ４２６は、ドレイン４１３の入力端のリード４２１を介し第２の信号線４２９に連結され、ゲート４０６は多層配線形成がなされた信号線４２８に連結されている。ソ−ス４１２の出力端はコンタクト４２２を介して画素の電極４２５に連結している。
【００４６】他方、ＰＴＦＴ４２７はドレイン４１０の入力端がリード４２３を介して第２の信号線４２９に連結され、ゲート４０８は信号線４２８に、ソ−ス４０９の出力端はコンタクト４２２を介してＮＴＦＴと同様に画素電極４２５に連結している。かかる構造を左右、上下に繰り返すことにより、本実施例は構成されている。
【００４７】次に第二の基板として、青板ガラス上にスパッタ法を用いて、酸化珪素膜を２０００Å積層した基板上に、やはりスパッタ法によりＩＴＯ（インジュ−ム・スズ酸化膜）を形成した。このＩＴＯは室温〜１５０℃で成膜し、２００〜４００℃の酸素または大気中のアニ−ルにより成就した。また、この基板上にカラーフィルターを形成して、第二の基板とした。
【００４８】その後、前記第一の基板と第二の基板によって、紫外線硬化型アクリル樹脂とネマチック液晶組成物の６対４の混合物を挟持し、周囲をエポキシ性接着剤にて固定した。基板上のリードはそのピッチが４６μｍと微細なため、ＣＯＧ法を用いて接続をおこなった。本実施例ではＩＣチップ上に設けた金バンプをエポキシ系の銀パラジウム樹脂で接続し、ＩＣチップと基板間を固着と封止を目的としたエポキシ変成アクリル樹脂にて埋めて固定する方法を用いた。その後、外側に偏光板を貼り、透過型の液晶表示装置を得た。」
　
（６）「【００５９】〔実施例３〕本発明によって得られるＴＦＴにおいては、非結晶半導体領域やオフセット領域の幅によって、オフ電流だけでなく、ソース／ドレイン間の耐圧や動作速度が変化する。したがって、例えば、陽極酸化膜の厚さやイオン注入エネルギー等のパラメータを最適化することによって、目的に応じたＴＦＴを作製することが出来る。しかしながら、これらのパラメータは一般に１枚の基板上に形成された個々のＴＦＴに対して、調節できるものではない。例えば、実際の回路においては１枚の基板上に、低速動作でもよいが高耐圧のＴＦＴと、低耐圧でもよいが高速動作が要求されるＴＦＴとが、同時に形成されることが望まれる場合がある。一般に、本発明においては、オフセット領域の幅あるいは非結晶不純物半導体領域の幅が大きいほど、オフ電流が小さく、耐圧性も向上するが、動作速度が低下するという欠点もあった。
【００６０】本実施例はこのような問題を解決する１例を示す。図１１（上面図）および図１２（断面図）には本実施例を示す。本実施例では、特願平３−２９６３３１に記述されるような、ＰチャネルＴＦＴとＮチャネルＴＦＴを１つの画素（液晶画素等）を駆動するために使用する画像表示方法において使用される回路の作製に関するものである。ここで、ＮチャネルＴＦＴは高速性が要求され、耐圧はさほど問題とされない。一方、ＰチャネルＴＦＴは、動作速度はさほど問題とされないが、オフ電流が低いことが必要とされ、場合によっては耐圧性がよいことも必要とされる。したがって、ＮチャネルＴＦＴは陽極酸化膜が薄く（２０〜１００ｎｍ）、ＰチャネルＴＦＴは陽極酸化膜が厚い（２５０〜４００ｎｍ）ことが望まれる。以下にその作製工程について説明する。
【００６１】実施例２の場合と同様にコーニング７０５９を基板６０１として、Ｎ型不純物領域６０２、Ｐ型不純物領域６０３、ゲイト絶縁膜６０４ゲイト電極・配線６０６と６０７を形成した。ゲイト電極・配線はいずれも配線６５０に接続されている。（図１１（Ａ）、図１２（Ａ））
【００６２】さらに、ゲイト電極・配線６０６、６０７に電気を通じ、陽極酸化法によって、ゲイト電極・配線６０６、６０７の周囲（上面および側面）に酸化アルミニウムの被膜６１３、６１４を形成した。陽極酸化は実施例２と同じ条件でおこなった。ただし、最大電圧は５０Ｖととした。したがって、この工程で作製された陽極酸化膜の厚さは約６０ｎｍである。（図１２（Ｂ））
【００６３】次に図１１（Ｂ）において、６５１で示されるように、ゲイト電極・配線６０６をレーザーエッチングによって配線６５０から切り離した。そして、この状態で再び、陽極酸化を始めた。条件は先と同じであるが、このときには最大電圧は２５０Ｖまで上げた。その結果、配線６０６には電流が流れないので、何の変化も生じなかったが、配線６０７には電流が流れるため、ゲイト配線６０７の周囲に厚さ約３００ｎｍの酸化アルミニウム皮膜が形成された。（図１２（ｃ））
【００６４】その後、レーザーアニールをおこなった。その条件は実施例２と同じとした。この場合には、ＮチャネルＴＦＴ（図１２左側）は、非結晶領域およびオフセット領域の幅ａ1は無視できるほど狭いのであるが、陽極酸化膜によってアルミニウムの配線の表面を覆っておかなければ、レーザー光の照射によって著しいダメージがあったので、例え、薄くとも陽極酸化膜を形成する必要があった。一方、ＰチャネルＴＦＴ（図１２右側）は陽極酸化膜の厚さが３００ｎｍであり、非結晶領域も１５０〜２００ｎｍ存在した。また、オフセット領域の幅ａ2も１００〜１５０ｎｍであったと推定される。（図１２（Ｄ））
【００６５】実施例２の場合と同様に、大気中でのレーザー照射によって、アルミニウム配線の必要な箇所をエッチングし、ＰチャネルＴＦＴのゲイト電極を配線６０７から分離し、また、配線６５０を切断した。さらに、層間絶縁膜を形成し、コンタクトホールを形成し、配線６２４や６１１を形成した。このようにして、回路が形成された。
【００６６】このようにして作製された回路においては、ＮチャネルＴＦＴは、オフセット領域や非結晶領域の幅が小さく、オフ電流は若干多いが、高速性に優れていた。一方、ＰチャネルＴＦＴは、高速動作は困難であったが、オフ電流が少なく、画素キャパシターに蓄積された電荷を保持する能力に優れていた。
【００６７】このように１枚の基板上に機能が異なるＴＦＴを集積しなければならない場合は他にもある。例えば、液晶表示ドライバーにおいては、シフトレジスター等の論理回路には高速ＴＦＴが、出力回路には高耐圧ＴＦＴが要求される。このような相反する目的に応じたＴＦＴを作製する場合には本実施例で示した方法は有効である。」
　
（７）「【００６８】〔実施例４〕本発明中の実施例１で使用した作製方法を用いて、図１３に示されるようなＮチャネルＴＦＴからなるアクティブマトリクス回路を作製した。すなわち、このアクティブマトリクスはゲイト線７０１とデータ線７０２のマトリクスであり、これらはいずれも低抵抗なアルミニウムからなるが、本発明における陽極酸化工程を経ているので、厚さ２００〜４００ｎｍの酸化アルミニウムによって被覆されている。これらの線幅は２μｍとした。また、その厚さは０．５μｍとした。また、ゲイト線には各画素のＴＦＴのゲイト電極７０３が設けられている。これも同様に酸化アルミニウムによって被覆されている。ゲイト電極の下には半導体層７０４が形成されており、実施例１のＮチャネルＴＦＴと同様に、リンのドープされたＮ型多結晶不純物領域があり、また、本発明の特徴であるオフセット領域に関しては、その幅は２００〜４００ｎｍ程度となるように設計されている。この半導体層のソースはデータ線７０２にコンタクトし、一方、ドレインはアルミニウム電極７０５を介して、表示画素電極（ＩＴＯからなる）７０６に接続されている。」
　
（８）「【００７１】セルフアライン方式で作製した素子でも、画素のサイズが小さくなり、画素キャパシターに比してＴＦＴの寄生容量が無視できなくなった場合には、この電圧降下は重大な問題となる。例えば、対角３インチのハイビジョン対応パネル（プロジェクション用）においては、画素容量は１３ｆＦという微小なものである。一方、プロセスに２μｍルールを採用してＴＦＴを作製した場合には、配線のアスペクト比が大きく、もはや平面的な重なりはなくとも立体幾何学的に寄生容量が生じてしまい、その大きさは数ｆＦにもなる。すなわち、画素キャパシターの容量の１０％以上にも達する。
【００７２】図１４（Ａ）には従来のＴＦＴを用いたアクティブマトリクスの例を示したが、明らかに、ΔＶによって、本来あるべき表示が不可能となる。すなわち、ＴＦＴを高速で動作させる為には、ゲイト電圧はドレイン電圧よりも高いことが要求される。通常、ドレイン電圧の２倍程度の電圧がゲイト電圧として採用される。したがって、ドレイン電圧が５Ｖであれば、ゲイト電圧は１０Ｖもしくはそれ以上である。さらに、ＴＦＴの動作を完璧にする目的で、ＯＦＦ状態ではゲイト電圧を負とするときには、ゲイト電圧の変化はより大きくなる。例えば、図１４の場合には、ドレイン電圧は±６Ｖの交流であるが、ゲイト電圧はＯＮ状態で＋１２Ｖ、ＯＦＦ状態で−４Ｖであるので、上記の式においては、ＶG＝１６Ｖとなる。寄生容量が２ｆＦであれば、図１４（Ａ）に示すようにΔＶは２Ｖであり、ドレイン充電電圧の実に１／３である。もちろん、自然放電によって画素に蓄えられた電荷は放電するので、実際にはより一層、表示を理想的に行うことは困難である。そして、このような問題を避ける為には、開口率を犠牲にして蓄積容量を設けなければならなかった。
【００７３】一方、本発明を適用した場合には、寄生容量は著しく削減できる。具体的には０．１ｆＦ以下とすることが出来る。したがって、ΔＶは、図１４（Ｂ）に示すようにほとんど無視できる。さらに、本発明ではＯＦＦ電流が従来の方法で作製されるＴＦＴよりも１桁程度小さいので自然放電もずっと緩やかであり、極めて表示が理想的に行える。」
　
　上記（１）ないし（８）によれば、引用例には以下の発明が記載されている（以下「引用発明」という）と認められる。
　
「第一の基板と第二の基板によって、紫外線硬化型アクリル樹脂とネマチック液晶組成物の６対４の混合物を挟持し、周囲をエポキシ性接着剤にて固定し、第一の基板上に、ゲイト線とデータ線のマトリクスを作成し、半導体層としてソース領域、ドレイン領域、およびチャネル領域を設け、チャネル領域上にはゲイト絶縁膜とその上に陽極酸化可能な材料を陽極酸化して絶縁層である酸化物層を形成したゲイト電極が形成されチャネル長（ソース領域とドレイン領域の間の距離）をゲイト電極のチャネル長方向の長さよりも長くすることにより、チャネル領域のうちのソース領域またはドレイン領域に接する部分にゲイト電極による電界のかからないまたは非常に弱いオフセット領域を形成した絶縁ゲイト形電界効果トランジスタを用いて回路が作成されてなるアクティブマトリクス型液晶電気光学装置において、
　１枚の基板上に機能が異なるＴＦＴを集積しなければならない場合に、オフセット領域の幅を所望の機能に応じて変えることによって、ＴＦＴのオフ電流だけでなく、ソース／ドレイン間の耐圧や動作速度を変化させる、アクティブマトリクス型液晶電気光学装置。」
　
３．対比
　補正発明と引用発明を比較すると以下のとおりである。
（１）引用発明の「液晶組成物」「第一の基板」「チャネル領域」「ソース領域」「ドレイン領域」「ゲイト絶縁膜」「ゲイト電極」「絶縁ゲイト形電界効果トランジスタ」「液晶表示ドライバー」及び「アクティブマトリクス型液晶電気光学装置」は、それぞれ、補正発明の「液晶」「一対の基板のうちの一方の基板」「チャネル領域」「ソース領域」「ドレイン領域」「ゲート絶縁膜」「ゲート電極」「薄膜トランジスタ」「データ側駆動回路」及び「液晶表示装置」に相当する。
（２）引用発明は「第一の基板と第二の基板によって、紫外線硬化型アクリル樹脂とネマチック液晶組成物の６対４の混合物を挟持し、周囲をエポキシ性接着剤にて固定し」たものであるから、引用発明は、補正発明の「一対の基板間に液晶が封入されてなり」に相当する構成を有する。
（３）引用発明は「第一の基板上に、ゲイト線とデータ線のマトリクスを作成し」たものであるから、引用発明は、補正発明の「一対の基板のうちの一方の基板上に、複数のデータ線とゲート線が交差して配設され」に相当する構成を有する。
（４）引用発明の絶縁ゲイト形電界効果トランジスタは「半導体層としてソース領域、ドレイン領域、およびチャネル領域を設けチャネル領域上にはゲイト絶縁膜とその上に陽極酸化可能な材料を陽極酸化して絶縁層である酸化物層を形成したゲイト電極が形成されチャネル長（ソース領域とドレイン領域の間の距離）をゲイト電極のチャネル長方向の長さよりも長くすることにより、チャネル領域のうちのソース領域またはドレイン領域に接する部分にゲイト電極による電界のかからないまたは非常に弱いオフセット領域を形成した」ものであるから、引用発明の絶縁ゲイト形電界効果トランジスタは、本願発明の「ゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向するゲート電極を備えるオフセットゲート構造の」薄膜トランジスタに相当する構成を有する。
（５）引用例には「【００２６】・・・対角１インチを有する液晶電気光学装置を用いた、ビデオカメラ用ビューファインダーを作製し、本発明を実施した」、「【００７１】・・・例えば、対角３インチのハイビジョン対応パネル（プロジェクション用）においては、画素容量は１３ｆＦという微小なものである。」、及び、「【００７２】・・・ＴＦＴを高速で動作させる為には、ゲイト電圧はドレイン電圧よりも高いことが要求される。通常、ドレイン電圧の２倍程度の電圧がゲイト電圧として採用される。したがって、ドレイン電圧が５Ｖであれば、ゲイト電圧は１０Ｖもしくはそれ以上である。さらに、ＴＦＴの動作を完璧にする目的で、ＯＦＦ状態ではゲイト電圧を負とするときには、ゲイト電圧の変化はより大きくなる。」と記載されている。したがって、引用発明の液晶表示装置は動画を高速表示させることを念頭においたものであり、引用発明のデータ側駆動回路が、映像信号を高速サンプリングしてデータ線に送出するために必要不可欠である「前記データ線とビデオラインの間に介挿されるアナログスイッチと、該アナログスイッチに信号出力するレベルシフタとを備え」ること、及び、「前記アナログスイッチは低電圧駆動され、かつ、前記レベルシフタは、前記アナログスイッチよりも高電圧駆動され」る構成を備えることは自明であるといえる。しかも、このような構成は周知慣用されているものであって、例えば、特開平８−２２０５０５号公報（以下「周知例１」という）には「通常、ＬＣＤモジュールへ入力される映像信号は、１２〜１６［Ｖ］であり、ドレインドライバーもこれに対応できる構造で、２０［Ｖ］以上の電源電圧により駆動されている」（段落【０００７】）、国際公開第９５／０３６２９号パンフレット（以下「周知例２」という）には「アナログスイッチ８６は非常に高速で映像信号を信号線に書き込む必要があるため、高いゲート電圧を要する。そこでレベルシフタ８５でサンプリングパルスを十分高い電圧に変換している。」（第５８頁第１９ないし２１行）、特開平６−９５０７３号公報（以下「周知例３」という）には「液晶を駆動するには交流駆動が必要であり、さらに液晶のしきい値電圧（２Ｖ程度）を考慮すると、例えば対向基板電圧５Ｖに対して±４〜５Ｖの信号電圧が必要である。」（段落番号【００１０】）「図８のレベルシフト回路は、シフトレジスタ１２からの出力薄膜トランジスタシフトレジスタ１２からの出力パルス（＋５Ｖ）が印加されると、薄膜トランジスタ７０、７４がオン、薄膜トランジスタ７１、７３がオフとなり、出力すなわち薄膜トランジスタ７１、７４のドレインから電源電圧（＋１５Ｖ）が出力され、シフトレジスタ１２から０Ｖが印加されると、薄膜トランジスタ７１、７３がオン、薄膜トランジスタ７０、７４がオフとなり、０Ｖが出力される。」（段落【００５２】）と記載されており、引用発明が動画を高速表示させることを念頭においたものである点を考慮すれば、引用発明がこのような構成を有することは、自明である。
　
　したがって、補正発明と引用発明は、
「一対の基板間に液晶が封入されてなり、該一対の基板のうちの一方の基板上に、複数のデータ線とゲート線が交差して配設され、チャネル領域の両側にオフセット領域を挟んでソース・ドレイン領域を有し、ゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向するゲート電極を備えるオフセットゲート構造の薄膜トランジスタを用いてデータ側駆動回路が構成されてなる液晶表示装置において、前記データ側駆動回路は、前記データ線とビデオラインの間に介挿されるアナログスイッチと、該アナログスイッチに信号出力するレベルシフタとを備え、前記アナログスイッチは低電圧駆動され、かつ、前記レベルシフタは、前記アナログスイッチよりも高電圧駆動される、液晶表示装置。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　補正発明は「前記レベルシフタを構成する薄膜トランジスタのオフセット長は、前記アナログスイッチを構成する薄膜トランジスタのオフセット長より長い」構成を有するのに対して、引用発明は「前記レベルシフタを構成する薄膜トランジスタのオフセット長は、前記アナログスイッチを構成する薄膜トランジスタのオフセット長より長い」構成を有するか、明らかでない点。
　
４．判断
　引用例に「前記データ側駆動回路は、前記データ線とビデオラインの間に介挿されるアナログスイッチと、該アナログスイッチに信号出力するレベルシフタとを備え、前記アナログスイッチは低電圧駆動され、かつ、前記レベルシフタは、前記アナログスイッチよりも高電圧駆動される」構成が自明であることは、前記の通りである。
　そして、引用発明は「１枚の基板上に機能が異なるＴＦＴを集積しなければならない場合に、オフセット領域の幅を所望の機能に応じて変えることによって、ＴＦＴのオフ電流だけでなく、ソース／ドレイン間の耐圧や動作速度を変化させる」ものであるから、引用発明においてアナログスイッチよりもレベルシフタの耐圧を高めることを目的として「前記レベルシフタを構成する薄膜トランジスタのオフセット長は、前記アナログスイッチを構成する薄膜トランジスタのオフセット長より長い」構成を採用することは、当業者が容易にできることである。
　また、このようにしてなる効果は、引用例および周知技術から予測できる範囲内のものである。
　したがって、補正発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．補正の却下の決定の結び
　本件補正は、特許法等の一部を改正する法律（平成15年法第律47号）附則第２条第７項の規定によりなお従前の例によるものとされた同法第１条の規定による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明
１．本願発明
　平成１５年１２月８日付けの手続補正は上記「第２．補正の却下の決定」のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は平成１５年６月３０日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は下記のものである（以下「本願発明」という）。
　
　　　　　　　　　　　　　　　記
　
【請求項１】一対の基板間に液晶が封入されてなり、該一対の基板のうちの一方の基板上に、複数のデータ線とゲート線が交差して配設され、チャネル領域の両側にオフセット領域を挟んでソース・ドレイン領域を有し、ゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向するゲート電極を備えるオフセットゲート構造の薄膜トランジスタを用いてデータ側駆動回路が構成されてなる液晶表示装置において、
　前記データ側駆動回路は、前記データ線とビデオラインの間に介挿されるアナログスイッチと、該アナログスイッチに信号出力するレベルシフタとを備え、
　前記レベルシフタを構成する薄膜トランジスタのオフセット長は、前記アナログスイッチを構成する薄膜トランジスタのオフセット長より長いことを特徴とする液晶表示装置。
　
２．引用例の記載等
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、上記「第２．補正の却下の決定」の「２．引用例の記載等」に記載したとおりである。
　
３．対比及び判断
　本願発明は「第２．補正の却下の決定」で検討した補正発明から「前記アナログスイッチは低電圧駆動され、かつ、前記レベルシフタは、前記アナログスイッチよりも高電圧駆動され、」という事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する補正発明が、「第２．補正の却下の決定」に記載したとおり引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により引用例及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。