【事件の表示】
　平成１１年特許願第３５５２３６号「電子部品の製造方法及び該電子部品」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年７月６日出願公開、特開２００１−１８５８４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件審判請求に係る特許出願は、平成１１年１２月１５日にされ、平成１５年８月１９日（発送日）に拒絶査定されたところ、これを不服として、同年１１月１０日付で審判請求がなされ、同日付手続補正書において明細書についての補正がなされたものである。
　
２．補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年１１月１０日付の手続補正を却下する。
　
［補正却下の決定の理由］
（１）補正を却下すべき理由の概要
　平成１５年１１月１０日付の明細書についての手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許法第１７条の２第４項第１号、第２号及び第３号に規定する請求項の削除、特許請求の範囲の減縮及び誤記の訂正を目的とする補正であるが、特許請求の範囲の減縮を目的として補正された請求項１に係る発明は、下記（３）以下に詳述するとおり、本願の出願前日本国内又は外国において頒布された刊行物に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
（２）本件補正の目的
　本件補正は、出願当初の明細書の特許請求の範囲について、
請求項６、８、１２、１４乃至１７及び２１を削除し、
請求項１について、請求項６、請求項８を加入するとともに、段落【００５５】及び図１５の記載に基づき、「感光性樹脂層」について「感光性樹脂層が、金属層にバンプを介して接続される半導体チップに設けられると共に前記感光性樹脂層に対向する、前記半導体チップよりも大きな熱膨張係数を有する絶縁層と同様の熱膨張係数を有する」ものと補正し、
請求項１０について、請求項１２を加入するとともに、段落【００５５】及び図１５の記載に基づき、「第２の絶縁層」について「第２の絶縁層が、導電性金属にバンプを介して接続される半導体チップに設けられると共に前記第２の絶縁層に対向する、前記半導体チップよりも大きな熱膨張係数を有する絶縁層と同様の熱膨張係数を有する」ものと補正し、
請求項１８について、請求項２１を加入するとともに、段落【００５５】及び図１５の記載に基づき、「第２の絶縁層」について「第２の絶縁層が、導電性金属にバンプを介して接続される半導体チップに設けられると共に前記第２の絶縁層に対向する、前記半導体チップよりも大きな熱膨張係数を有する絶縁層と同様の熱膨張係数を有する」ものと補正することにより、特許請求の範囲を減縮し、
請求項２３について、「半導体チップ」の誤記を「プリント配線基板」と訂正しようとするものであって、
これらの補正に係る事項は、新規事項を含むものとは認められないから、特許法第１７条の２第４項第１号、第２号及び第３号に規定する請求項の削除、特許請求の範囲の減縮及び誤記の訂正を目的とする補正であるものと認められる。
　
（３）手続補正に係る発明
　本件補正に係る発明は、平成１５年１１月１０日付手続補正書における特許請求の範囲の請求項１乃至１５に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、そのうち請求項１は次のものである。
　
　「【請求項１】　基板上に回路を形成するステップと、
　該回路が形成された基板上に非感光性樹脂層を形成するステップと、
　該非感光性樹脂層の上に感光性樹脂層を形成するステップと、
　該感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法により開口パターンを形成するステップと、
　前記非感光性樹脂層に穴を開けるステップと、
　前記穴を開けるステップに続いて、金属層を施すステップと、
　前記感光性樹脂層の平坦な上表面に被着した金属層を除去し、該感光性樹脂層の開口パターン内及び非感光性樹脂層の穴内の金属層のみを残すステップとを含み、
　前記基板、非感光性樹脂層及び感光性樹脂層の順にそれぞれの熱膨張係数が大きくなり、
　前記感光性樹脂層が、前記金属層にバンプを介して接続される半導体チップに設けられると共に前記感光性樹脂層に対向する、前記半導体チップよりも大きな熱膨張係数を有する絶縁層と同様の熱膨張係数を有する電子部品の製造方法。」（以下、「補正発明」という。）
　
（４）引用刊行物の記載事項
　原審の拒絶査定において引用された刊行物のうち刊行物１及び３は以下のものである。
　
　刊行物１：特表平５−５０９１９８号公報
　刊行物３：特開平１１−４０８０号公報
　
　刊行物１には、「多層薄膜構造の製造方法」に関し、第２Ａ図〜第２Ｅ図及び第４Ａ図〜第４Ｃ図とともに次の事項が記載されている。
　
（イ）「請求の範囲
　
１．ａ．誘電体基板の表面上に、誘電体重合材料の第１の層を塗布する工程と、
　誘電体重合材料の第１の層の上に、感光性の誘電体重合材料の第２の層を塗布する工程と、
　上記重合材料の第２の層を像に従って露光し現像して、上記第１の重合材料中に形成された少なくとも１つのフィーチャと連絡するフィーチャを形成する工程と
　を含む、多層薄膜構造を形成する工程、および
　ｂ．多層構造全体のフィーチャを、同時に導電性材料で充填する工程
　を含む、誘電体基板の表面上に多層薄膜構造を形成する方法。
２．さらに、上記第２の層のフィーチャを形成した後、上記第１の層のフィーチャを形成する工程を含む、請求項１に記載の方法。
３．上記第１の層のフィーチャを形成する工程が、第１の重合体材料の層のレーザ融除または反応性イオン・エッチングによるものであることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
４．上記第１の重合体材料が非感光性であることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
・・・
７．多層構造を導電性材料で充填する工程が、最初に上記第２の層の表面上および上記第１および第２の層のフィーチャ中に、導電性材料のシード層を付着させ、次に上記シード層の上に、それよりはるかに厚い導電性材料の層を付着させる工程を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
・・・
１６．さらに、過剰の導電性材料の厚い層を除去する工程を含む、請求項７に記載の方法。
１７．過剰の導電性材料の厚い層を除去する工程が、機械式研磨によることを特徴とする、請求項１６に記載の方法。」（第１頁左下欄第１行〜第２頁左上欄第６行）
　
（ロ）「本発明は、微小電子装置および半導体装置のパッケージングの分野に関するものであり、詳細には、バイアとカスタム配線面、またはキャプチャ・パッド、技術変更パッド等の他のフィーチャの交互層を有する多層薄膜配線構造に関するものである。」（第３頁左上欄第６行〜第１０行）
　
（ハ）「本発明の１態様を、第２図に示す。基板４２上に多層薄膜構造を形成することが望まれる。この基板は、前の配線レベルまたは多層セラミック基板でよい。・・・基板４２上に、通常はバイア（図示せず）を介して基板の内部配線に接続することになるキャプチャ・パッド４４がある。基板４２とキャプチャ・パッド４４の上面に、・・・絶縁性すなわち誘電性重合材料の第１の層４６が付着されている。・・・次に、第２Ｂ図に示すように、重合体材料の第１の層４６の上に、誘電性重合体材料の第２の層４８を付着させる。ただし、重合体材料の第２の層４８は感光性であるが、本発明の一実施例では、第１の層４６は感光性ではない。・・・重合体材料の第２の層４８を像に従って露光し現像すると、第２Ｃ図に示す多層構造４０が得られる。この多層構造４０は、配線用の開口またはチャネル５０、５２を有する。・・・ここでは、第２Ｄ図に示すように、重合体材料の第１の層４６は、開口５０に連絡するバイア開口５４を含むように変更されている。開口５４は適当な方法で形成することができるが、・・・誘電体マスクを使用するレーザ融除が好ましい。・・・最後に、配線開口またはチャネル５０、５２およびバイア開口５４を、導電性材料で充填した後、第２Ｅ図に示すように、構造４０を平坦化する。同様に、配線開口５０およびバイア開口５４を、配線５６とバイア５８との間に境界が存在しないように導電性材料で充填する。すなわち、配線５６とバイア５８は、均一のまたは一体の集塊を形成する。もちろん、開口５２を同時に充填して、配線６０を形成する。」（第４頁右下欄第２４行〜第５頁右上欄第１４行）
　
　したがって、上記（イ）〜（ハ）の記載、第２Ａ図〜第２Ｅ図及び第４Ａ図〜第４Ｃ図からみて、刊行物１には、
「キャプチャ・パッド４４を有する基板４２の上面に、
非感光性の誘電性重合材料の第１の層４６を付着させ、
その上に感光性の誘電性重合体材料の第２の層４８を付着させ、
第２の層４８を、像に従って露光し現像して、配線用の開口５０を形成し、
第１の層４６の、配線用の開口５０に連絡するバイア開口５４を、レーザ融除等により開け、
配線用の開口５０及びバイア開口５４を導電性材料で充填した後、
第２の層４８の平坦な上表面が露出するよう導電性材料を除去し平坦化して、配線用の開口５０及びバイア開口５４内の導電性材料のみを残すようにした
多層薄膜構造の製造方法」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　刊行物３には、「多層配線基板」に関し、図１とともに次の事項が記載されている。
　
（ニ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】基板上に、複数の有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体層とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導体層を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介して電気的に接続してなり、最上層の有機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線導体層と電気的に接続し、外部の電子部品が接続されるボンデイングパッドを設けて成る多層配線基板であって、前記各有機樹脂絶縁層にフィラーを含有させるとともに、該フィラーの含有量を最下層の有機樹脂絶縁層から最上層の有機樹脂絶縁層に向かって順次多くしたことを特徴とする多層配線基板。」
　
（ホ）「【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この多層配線基板においては、有機樹脂絶縁層の熱膨張係数が半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品の熱膨張係数に対し大きく相違しており、そのためボンディングパッドに半導体素子や容量素子等をロウ材を介して接続させると、有機樹脂絶縁層と半導体素子や容量素子等との間に両者の熱膨張係数の相違に起因して大きな熱応力が生じるとともに該熱応力によって半導体素子や容量素子等にクラツクや割れ等が発生し、半導体素子等を正常に作動させることができなくなるという欠点を有していた。
【００１０】本発明は上記諸欠点に鑑み案出されたもので、その目的は配線導体を薄膜形成技術により形成し、配線導体を高密度に形成するのを可能とするとともに有機樹脂絶縁層の熱膨張係数を半導体素子や容量素子等の熱膨脹係数に近づけ、半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗器等の受動部品にクラックや割れ等が発生することなく有機樹脂絶縁層に設けたボンディングパッドに強固に接続させ、半導体素子等を正常に駆動させることができる多層配線基板を提供することにある。」
　
（ヘ）「【００１５】また本発明の多層配線基板によれば、多層に積層された各有機樹脂絶縁層にフィラーを含有させるとともにその含有量を最下層の有機樹脂絶縁層から最上層の有機樹脂絶縁層に向かって順次多くしたことから最下層の有機樹脂絶縁層はその熱膨張係数が基板の熱膨張係数に近似して基板と最下層の有機樹脂絶縁層とは強固に接合し、同時に最上層の有機樹脂絶縁層はその熱膨張係数が搭載される半導体素子や容量素子、抵抗器等の電子部品の熱膨張係数に近似して最上層の有機樹脂絶縁層に設けたボンディングパッドに半導体素子や容量素子等をクラックや割れ等を発生することなく強固に接続させることが可能となり、これによって半導体素子等を常に正常に駆動させることができる。」
　
（５）対比・判断
　補正発明と、引用発明とを対比すると、引用発明の「キャプチャ・パッド４４」は、補正発明の「回路」に相当し、引用発明においても、基板にキャプチャ・パッドを形成するステップを当然に有するものと認められる。また、引用発明の「非感光性の誘電体重合材料の第１の層４６」、「感光性の誘電体重合材料の第２の層４８」、「配線用の開口５０」、「バイア開口５４」、「導電性材料を充填」、「多層薄膜構造」は、それぞれ補正発明の「非感光性樹脂層」、「感光性樹脂層」、「開口パターン」、「穴」、「金属層を施す」、「電子部品」に相当するといえる。そして、「像に従って露光し現像する」ことも「フォトリソグラフィー法」も、ともに光学的手法である点で共通するといえるから、補正発明と引用発明とは、
「基板上に回路を形成するステップと、
　該回路が形成された基板上に非感光性樹脂層を形成するステップと、
　該非感光性樹脂層の上に感光性樹脂層を形成するステップと、
　該感光性樹脂層に光学的手法により開口パターンを形成するステップと、
　前記非感光性樹脂層に穴を開けるステップと、
　前記穴を開けるステップに続いて、金属層を施すステップと、
　前記感光性樹脂層の平坦な上表面に被着した金属層を除去し、該感光性樹脂層の開口パターン内及び非感光性樹脂層の穴内の金属層のみを残すステップとを含む、
　電子部品の製造方法」
である点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。
　
　相違点１：補正発明では、感光性樹脂層に開口パターンを形成する手法として、フォトリソグラフィー法を用いているのに対し、引用発明では、像に従って露光し現像するものであり、光学的手法を用いているものであるが、フォトリソグラフィー法を用いているかどうかについては言及のない点。
　相違点２：補正発明では、基板、非感光性樹脂層及び感光性樹脂層の順にそれぞれの熱膨張係数が大きくなり、前記感光性樹脂層が、金属層にバンプを介して接続される半導体チップに設けられると共に前記感光性樹脂層に対向する、前記半導体チップよりも大きな熱膨張係数を有する絶縁層と同様の熱膨張係数を有するのに対し、引用発明では、各層の熱膨張係数、半導体チップとの接続法及び半導体チップに設けられる絶縁層との関連における対向する感光性樹脂層の熱膨張係数についての言及のない点。
　
　次に、上記相違点について検討する。
　相違点１について、基板上のパターンを形成する光学的手法として、フォトリソグラフィー法は周知の手法であり、引用発明の感光性樹脂層の開口パターンを形成するステップに、当該周知のフォトリソグラフィー法を採用することは、この発明の属する分野において通常の知識を有する者であれば適宜なし得た程度のことと認められる。
　相違点２について、刊行物３には、積層して形成する基板について、最下層から最上層に向かって順次熱膨張係数を大きくし、最上層にボンディングパッドを介して取り付けられる半導体素子等の熱膨張係数に近似させることで、熱応力に起因するクラックや割れ等の発生を防止する技術が開示されている。そして、半導体チップの取り付けにバンプを用いること及び半導体チップとともに用いられる、絶縁層を有するチップキャリアと、基板の対向する面の熱膨張係数とを同様の熱膨張係数とすることは周知の技術であること（特開平６−４５５０６号公報の段落【００１０】、【００１１】、【００２８】及び図４、図５を参照。）に鑑みれば、引用発明に、上記相違点２に係る構成を採用し、半導体チップと基板との熱膨張係数の相違による内部応力の発生を緩和するようなすことは、この発明の属する分野において通常の知識を有する者であれば容易に想到し得た程度のことと認められる。
　
　そして、補正発明の奏する効果についてみても、引用発明、刊行物３に記載の発明及び周知の技術から予測可能なものであり、格別なものとはいえない。
　
　よって、補正発明は、引用発明、刊行物３に記載の発明及び周知の技術に基づいて、この発明の属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（６）むすび
　したがって、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本件審判請求に係る発明
　上記２．のとおり本件補正は却下されたので、本件審判請求に係る発明は、願書に最初に添付された明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至２３に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、そのうち請求項１は次のものである。
　
　「【請求項１】　基板上に回路を形成するステップと、
　該回路が形成された基板上に非感光性樹脂層を形成するステップと、
　該非感光性樹脂層の上に感光性樹脂層を形成するステップと、
　該感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法により開口パターンを形成するステップと、
　前記非感光性樹脂層に穴を開けるステップと
を含む電子部品の製造方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
（２）引用刊行物の記載事項
　原審の拒絶査定において引用された刊行物のうち刊行物１は以下のものである。
　
　刊行物１：特表平５−５０９１９８号公報
　
　刊行物１に記載の発明（引用発明）の記載事項は、上記２．（４）に記載のとおりである。
　
（３）対比判断
　本願発明は、２．（３）に記載の補正発明のうち、「前記穴を開けるステップに続いて、金属層を施すステップと、
　前記感光性樹脂層の平坦な上表面に被着した金属層を除去し、該感光性樹脂層の開口パターン内及び非感光性樹脂層の穴内の金属層のみを残すステップとを含み、
　前記基板、非感光性樹脂層及び感光性樹脂層の順にそれぞれの熱膨張係数が大きくなり、
　前記感光性樹脂層が、前記金属層にバンプを介して接続される半導体チップに設けられると共に前記感光性樹脂層に対向する、前記半導体チップよりも大きな熱膨張係数を有する絶縁層と同様の熱膨張係数を有する」との限定をなくしたものであるから、本願発明と引用発明とは、
「基板上に回路を形成するステップと、
　該回路が形成された基板上に非感光性樹脂層を形成するステップと、
　該非感光性樹脂層の上に感光性樹脂層を形成するステップと、
　該感光性樹脂層に光学的手法により開口パターンを形成するステップと、
　前記非感光性樹脂層に穴を開けるステップと
を含む電子部品の製造方法」
である点で一致し、上記２．（５）に記載した相違点１と同様の点で相違するものと認められる。
　
　しかしながら、上記相違点１に係る構成を採用することは、上記２．（５）において検討したとおり、この発明の属する分野において通常の知識を有する者が適宜なし得た程度のことと認められる。
　そして、本願発明の奏する効果についてみても、引用発明及び周知の技術から予測可能なものであり、格別なものとはいえない。
　
（４）むすび
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知の技術に基づいて、この発明の属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に発明することができた程度のものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、このような進歩性を有しない発明を包含する本願は、本願の請求項２乃至２３について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。