【事件の表示】
　平成１０年特許願第　５２４５６号「アクティブマトリックス基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　９月１７日出願公開、特開平１１−２４９１６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年３月４日に出願された特許出願であって、平成１５年９月３日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１１月６日に手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１５年１１月６日付手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
平成１５年１１月６日付手続補正を却下する。
[理由]
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】　基板上に各画素毎に薄膜トランジスタが形成されてなるアクティブマトリックス基板の製造方法であって、前記薄膜トランジスタ上の少なくとも一つの層間絶縁膜は、ペルヒドロポリシラザンまたはこれを含む組成物を所定の厚さに、かつ、その表面が平坦になるように塗布する塗布工程と、上記塗布工程によって形成されたペルヒドロポリシラザンまたはこれを含む組成物の塗布膜を、水蒸気を含む雰囲気中でアニールする焼成工程と、によって形成され、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程を含むことを特徴とするアクティブマトリックス基板の製造方法。」
と補正された。
　
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「ペルヒドロポリシラザンまたはこれを含む組成物を所定の厚さに塗布する塗布工程」について、さらに「その表面が平坦になるように」との技術的限定を付加したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定された“特許請求の範囲の減縮”を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　　
（２）引用例
　原審の拒絶の理由に引用された特開平１０−４８６６７号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに、
　ａ．「【０００１】【発明の属する技術分野】
　本発明は、液晶素子さらには液晶素子の平坦化技術に関し、特に絶縁基板上に形成されたＴＥＴ（薄膜トランジスタ）によって画素電極を駆動するアクティブマトリックス型ＬＣＤ（液晶表示装置）に利用して好適な技術に関する。」
　ｂ．「【０００５】この発明の目的は、アクティブマトリックス型ＬＣＤにおいて、配向不良を減らすとともに、反射型においては画素電極を全体的に平坦化して反射率を向上させることができる技術を提供することにある。」
　ｃ．「【０００７】【課題を解決するための手段】
　この発明は、上記目的を達成するため、従来のプロセスによりＴＦＴおよびＩＴＯ（酸化インジウム）からなる第１の画素電極を形成した後、その上にスピンコート等により平坦な絶縁膜を形成して上記第１画素電極の一部にコンタクトホールを開けてから上記絶縁膜の表面に第２の画素電極を形成するようにした。
【０００８】これによって、上記第２の画素電極の上に形成される配向膜を平坦化して配向不良を減らすことができるとともに、反射型液晶パネルにおいては画素電極を全体的に平坦化して反射率を向上させることができる。」
　ｄ．「【００１５】図１において、１はガラス基板、２はこのガラス基板１の表面に島状に形成された能動層となるポリシリコン層、３はポリシリコン層２の表面に熱酸化により形成されたゲート絶縁膜である。・・・
【００１６】４は、上記ポリシリコン層２のほぼ中央にゲート絶縁膜３を介して形成された第２のポリシリコン層からなるゲート電極兼走査線（以下、必要に応じて単にゲート電極あるいは走査線と称する）である。・・・５および６は、上記ゲート電極４およびゲート絶縁膜３の上方を覆うように形成された酸化シリコン等からなる第１層間絶縁膜およびＢＰＳＧ（ボロンとリンを含んだ酸化シリコン）等からなる第２層間絶縁膜である。・・・第２層間絶縁膜６は、第１層間絶縁膜５にアルミニウム等の導電層からなる信号線８を形成した後に形成される。信号線８は第１層間絶縁膜５およびゲート絶縁膜３にコンタクトホール９を開口してから蒸着等により約３５００オングストロームのような厚さに形成され、上記ポリシリコン層２に接触される。・・・」
　ｅ．「【００１７】１１はＩＴＯ膜からなる第１の画素電極、１２は同じくＩＴＯ膜からなる第２の画素電極で、上記第１の画素電極１１と第２の画素電極は同一パターンに形成されている。・・・第２の画素電極１２は、上記第１画素電極１１および第２絶縁膜６上にかけて
スピンコートで例えば東燃ポリシラザン（東燃株式会社の製品名）を塗布し、ベーク処理（焼付け）を行なって形成した平坦なＳＯＧ膜１３に、上記コンタクトホール１０と同一位置に重ねてコンタクトホールをドライエッチングで開口して
が記載されている。
　　
　上記ａ〜ｅの記載事項からみて、引用例には、
「ガラス基板上にＴＦＴを形成した後、その上にスピンコートにより東燃ポリシラザン（東燃株式会社の製品名）を塗布し、ベーク処理を行なって形成した平坦な絶縁膜を形成して、一部にコンタクトホールを開けてから上記絶縁膜の表面に画素電極を形成するようにしたアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法。」
との事項が開示されていると認めることができる（以下、「引用例発明」という。）。
　　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例発明とを以下に対比する。
　ア．引用例発明の「ガラス基板」、「ＴＦＴ」、「絶縁膜」、「コンタクトホール」は、それぞれ本願補正発明の「基板」、「薄膜トランジスタ」、「層間絶縁膜」、「コンタクトホール」に相当し、
　イ．引用例発明の「東燃ポリシラザン（東燃株式会社の製品名）」は、ポリシラザンである点で本願補正発明の「ペルヒドロポリシラザン」に一致し、
　ウ．引用例発明の「塗布」は、スピンコートにより平坦な膜を塗布形成する工程であるから、本願補正発明の「所定の厚さに、かつ、その表面が平坦になるように塗布する塗布工程」に相当し、
　エ．引用例発明の「ベーク処理」は、塗布された膜の焼成工程である点で本願補正発明の「焼成工程」に一致し、
　オ．引用例発明の「ＴＦＴ」が各画素毎に形成されること、および「アクティブマトリックス型液晶表示装置」がアクティブマトリックス基板を含むことは自明であるから、
　両者は、
「基板上に各画素毎に薄膜トランジスタが形成されてなるアクティブマトリックス基板の製造方法であって、前記薄膜トランジスタ上の少なくとも一つの層間絶縁膜は、ポリシラザンを所定の厚さに、かつ、その表面が平坦になるように塗布する塗布工程と、上記塗布工程によって形成されたポリシラザンの塗布膜をアニールする焼成工程と、によって形成され、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程を含むアクティブマトリックス基板の製造方法。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
［相違点１］本願補正発明のポリシラザンは「ペルヒドロポリシラザン」であるのに対して、引用例発明のポリシラザンは「東燃ポリシラザン（東燃株式会社の製品名）」であって、両者の異同が不明である点。
　
［相違点２］本願補正発明の焼成工程は「水蒸気を含む雰囲気中でアニールする焼成工程」であるのに対して、引用例発明の焼成工程がいかなる雰囲気でなされるのか開示されていない点。
　　
（４）判断
［相違点１について］
「東燃ポリシラザン（東燃株式会社の製品名）」が、「ペルヒドロポリシラザン」であることは、例えば国際公開第９７／４３６８９号パンフレット（国際公開日平成９年（１９９７）１１月２０日）の対応する再公表特許の２６頁１７〜２１行に「塗布された後に熱処理されることで絶縁膜となる液体として、ポリシラザン（Ｓｉ−Ｎ結合を有する高分子の総称である）を挙げることができる。ポリシラザンのひとつは、[ＳｉＨ２ＮＨ]ｎ（ｎは正の整数）であり、ポリペルヒドロシラザンと言われる。この製品は、東燃（株）より『東燃ポリシラザン』の製品名で市販されている。」と記載されていることから見て明らかである（その他、特開平１１−２４３２０９号公報の段落【０１４２】にも同様の記載がある。）。
　したがって、両者の間に相違はない。
　
［相違点２について］
　ペルヒドロポリシラザンを水蒸気雰囲気でアニールすることは、周知技術にすぎない。
　必要であれば、上記国際公開第９７／４３６８９号パンフレットの２６頁２５〜２７行、特開平７−２２３８６７号公報の段落【０００６】〜【０００８】を参照されたい。
　
　相違点２に関し、本願明細書には、「【００４６】・・・ペルヒドロポリシラザンの塗布膜に水蒸気アニールを施した焼成膜としての第２層間絶縁膜１４には、酸化シリコン（ＳｉＯ２）の他に残留物（未転化物）として窒化シリコン（ＳｉＮ）や水酸化シリコン（ＳｉＯＨ）も含まれる。
【００４７】このＳｉＮやＳｉＯＨを含むＳｉＯ２は、エッチング特性などが悪くなるため、エッチング処理等を施す場合には、ＳｉＮ，ＳｉＯＨの含有量は少ないほど良いと考えられるが、逆に、半導体デバイス等としてＳｉＮやＳｉＯＨの物性を用いるような場合には、反応条件を変えることにより、ＳｉＮ，ＳｉＯＨの残存量を適宜制御して積極的にＳｉＯ２中にＳｉＮやＳｉＯＨを含有させることも可能である。」と記載されており、これによれば、焼成条件を変えることによって絶縁膜の組成比を制御し、エッチング特性や物性の異なる絶縁膜を得ることが示唆されているといえる。
　しかしながら、焼成条件によってはＳｉＯ２中にＳｉＮやＳｉＨなどが残存することは、例えば、特開平７−２２３８６７号公報の段落【００２７】などに記載されているように従来から広く知られていること、および本願明細書には、具体的にどのような焼成条件で、いかなる組成比の絶縁膜を形成し、それをどのような具体的素子に適用して技術的に価値のある液晶表示装置を得るのかについては何ら開示されていないこと、を考慮すると、本願明細書の上記記載は単なる願望の表明にすぎないものと解する他はないから、これを優位な効果として参酌することはできない。
　
　よって、本願補正発明は、引用例に記載された発明および上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１５年１１月６日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年７月２２日付手続補正の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、次のものである。
「【請求項１】　基板上に各画素毎に薄膜トランジスタが形成されてなるアクティブマトリックス基板の製造方法であって、前記薄膜トランジスタ上の少なくとも一つの層間絶縁膜は、ペルヒドロポリシラザンまたはこれを含む組成物を所定の厚さに塗布する塗布工程と、上記塗布工程によって形成されたペルヒドロポリシラザンまたはこれを含む組成物の塗布膜を、水蒸気を含む雰囲気中でアニールする焼成工程と、によって形成され、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程を含むことを特徴とするアクティブマトリックス基板の製造方法。」
　　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。
　　
（３）対比・判断
　本願発明は、本願補正発明の「かつ、その表面が平坦になるように」との構成を削除したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。