【事件の表示】
　特願２００１−２２９１１８「半導体ウェーハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　４月２６日出願公開、特開２００２−１２４４９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１３年７月３０日（優先権主張、平成１２年８月３日）の特許出願であって、同１５年４月１１日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同１５年６月１０日に意見書の提出とともに明細書について手続補正がされたが、同１５年１１月６日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同１５年１２月１０日に本件審判の請求がされ、その後、同１６年１月９日付けで明細書について再度手続補正（以下、「本件補正」という。）がされたものである。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容の概要
　本件補正は、特許請求の範囲について補正するものであって、その請求項１について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　
１−１　補正前の請求項１
【請求項１】スライス工程後の半導体ウェーハに、両頭研削工程と、最小加工量が前記両頭研削で生じた加工変質層深さの２倍＋ＴＴＶ値である両面ラッピング工程と、両面研磨工程の各工程を行う半導体ウェーハの製造方法。
　
１−２　補正後の請求項１
【請求項１】スライス工程後の半導体ウェーハに、
最小研削量が前記スライスで生じたウェーハTTV値＋表面粗さ×2倍である
　
２．補正の適否　　　
　上記特許請求の範囲についての補正は、両頭研削工程について、「最小研削量が前記スライスで生じたウェーハTTV値＋表面粗さ×2倍である」との限定事項を付加するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とすることが明らかである。
　そこで、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。　
　
２−１　本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正により補正された明細書及び願書に最初に添付した図面の記載からみて、前記１−２に示す特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
　                               
２−２　引用刊行物の記載内容及び引用発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−１８８５８５号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の技術的事項が記載されている。
　
（イ）【特許請求の範囲】の【請求項１】　
「ウェーハの両面を、該両面の平行度が向上するよう、砥粒が結合剤で固めて形成された２つの研削工具で挟んで同時に研削し、
　次に、該ウェーハの両面を、各面の平坦度が向上するよう、遊離研磨材を介在させて片面ずつラッピングすることを特徴とするウェーハの研削加工方法。」
　
（ロ）段落【００１０】〜【００１２】
「【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる好適な実施例として、半導体チップの原料となるシリコンウェーハの研削加工について詳細に説明する。シリコンウェーハ（以下、単に「ウェーハ」という）の研削加工において、そのワーク（被加工物）は、シリコンの単結晶インゴットをワイヤーソー或いは内周刃切断装置等の切断装置によって円形薄板状に切断（スライス）して形成されたものである。
　本発明にかかる方法によれば、先ず、ワークであるウェーハの両面を、その両面の平行度が向上するよう、砥粒が結合剤で固めて形成された２つの研削工具で挟んで同時に研削する。この２つの研削工具を構成要素とし、ウェーハの両面を同時に平面研削するための装置は、両頭研削装置と呼ぶことができ、基本的には同等の２つの平面研削装置を並列した構成になっている。この両頭研削装置によれば、ウェーハの両面を同時に平面研削するため、ウェーハがもつ反り及びうねりを好適に除去でき、主に、両面の平行度を高精度に向上できる。なお、この研削加工では、砥粒が結合剤で固めて形成された２つの研削工具によって研削するものであり、遊離研磨材（遊離砥粒）を用いるラッピングと比較すれば、平坦度（或いは平面度）についていえば、荒い研削になる。」
　
（ハ）段落【００１７】〜【００１８】
「そして、次に、以上のように加工されたウェーハの両面を、各面の平坦度が向上するよう、遊離研磨材を介在させて片面ずつラッピングする。すなわち、ウェーハの一方の面（片面）を遊離研磨材を介在させる研削であるラッピングによって精密研削加工し、その後でウェーハの他方の面（片面）を同様に精密研削加工し、各面の平坦度（或いは平面度）を高精度に向上させる。このように片面をラッピングする片面ラッピング装置としては、上面に研磨面が形成されて回転する定盤と、ウェーハを保持して定盤の研磨面に押接させるよう、定盤の上方に回転可能且つ上下動可能に設けられ、その下面にウェーハを吸着（密着）して保持する保持装置とを備えるものを利用できる。ウェーハの両面を片面ずつ研磨するから、この片面ラッピング装置を２台設置しておけば、効率良く研削加工（ラッピング）ができるのは勿論である。
　次にウェーハ全面の加工歪みを除去するためにエッチング加工を行い、これまでの加工工程によって、いわゆるウェーハの研削加工（ラッピング加工）が終了する。そして、ウェーハにかかる加工工程は、次の鏡面研磨加工を行うポリシング工程へ移ることになる。」
　
　上記記載事項からみて、刊行物１には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「スライス工程後のウェーハに、両頭研削工程と、片面ずつのラッピング工程と、鏡面研磨加工を行うポリシング工程の各工程を行うウェーハの製造方法。」
　
２−３　対比
　本件補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明における「ウェーハ」は本件補正発明における「半導体ウェーハ」に相当する。また、引用発明における「片面ずつのラッピング工程」及び「鏡面研磨加工を行うポリシング工程」はそれぞれラッピング工程及び研磨工程という限りで本件補正発明における「両面ラッピング工程」及び「両面研磨工程」と共通している。
　したがって、両者の一致点及び相違点は、次のとおりと認められる。
［一致点］
「スライス工程後の半導体ウェーハに、両頭研削工程と、ラッピング工程と、研磨工程の各工程を行う半導体ウェーハの製造方法。」である点。
［相違点１］
　本件補正発明では、両頭研削工程における最小研削量が、前記スライスで生じたウェーハTTV値＋表面粗さ×2倍であるのに対し、引用発明では、そのように特定されていない点。
［相違点２］
　ラッピング工程が、本件補正発明では、最小加工量が前記両頭研削で生じた加工変質層深さの2倍＋TTV値である両面ラッピング工程であるのに対し、引用発明では、片面ずつのラッピング工程であり、加工量について特定されていない点。
［相違点３］
　研磨工程が、本件補正発明では、両面研磨工程であるのに対し、引用発明では、そのように特定されていない点。
　
２−４　相違点についての検討
ア．相違点１について
　両頭研削工程における研削量を、スライスで生じたうねり等を除去するために必要最小限の値とすることは当業者が当然考慮すべき事項であり、両頭研削工程における最小研削量を請求項１に係る本件補正発明の特定事項とすることに格別の困難性は見出せない。
　
イ．相違点２について
　引用発明において研削加工後の半導体ウェーハ両面にラッピングを行う技術的意味は、研削はラッピングに比較すれば平坦度が荒いため、両頭研削後における荒い平坦度に対してさらに平坦度を向上させるためであると認められる（上記摘記事項（ロ）、（ハ）参照）。
　ところで、両面ラッピング加工自体は周知の技術手段であり、ラッピング加工として両面と片面ずつのどちらを採用するかは、それぞれの加工特性等を考慮して適宜選択し得るものであることは明らかである。
　しかも、半導体ウェーハの研削加工後に両面ラッピングを行うことは、原査定の際に周知技術を示す例として挙げられた特開平１１−２３３４６９号公報の段落【０００４】〜【０００５】における「通常、研削加工は研削盤のスピンドル軸の下端に取着されたカップホイールダイヤモンド砥石によって粗研削、仕上研削等に分けて行われているが、昨今要求される半導体ウエハは超高精度の平坦精度と鏡面加工であり、従来のようなカップホイールダイヤモンド砥石で研削するだけでは、半導体ウエハに研削によるダメージが残り今求められる超高精度の平坦精度、鏡面加工を施すのは不可能と成ってきており、研削加工後に更に研磨加工を必要としている。【解決しようとする課題】又、従来の全自動研磨装置は、生産性の観点から比較的大径とした研磨プレートと略同径の上部定盤との間にキャリァ等を介して複数枚の半導体ウエハを挟圧させて同時にラッピング加工、或いは、ポリッシング加工の研磨加工を施しているが、・・・・」との記載から示唆されるほか、特開平９−１０９０２２号公報の段落【０００４】〜【０００５】に、「・・・従来のようなカップホイールダイヤモンド砥石で研削するだけでは、半導体ウエハに研削によるダメージが残り今求められる超高精度の平坦精度、鏡面加工を施すのは不可能と成ってきており、研削加工後に研磨加工を必要としている。【解決しようとする課題】又、従来の全自動研磨装置は、生産性の観点から比較的大径とした下方定盤と略同径の上部定盤との間にキャリァ等を介して複数枚の半導体ウエハを挟圧させて同時にラッピング加工、或いは、ポリッシング加工の研磨加工を施しているが、・・・」と記載されるように、従前より当業者に知られた事項にすぎない。
　また、ラッピングの加工量を、両頭研削で生じたダメージ等を除去し、平坦精度を向上させるために必要最小限の値とすることは当業者が当然考慮すべき事項である。
　してみると、引用発明におけるラッピング工程として両面ラッピングを適用して上記相違点２に係る本件補正発明の特定事項とすることは当業者が容易になし得たことである。
　
ウ．相違点３について
　研磨工程として両面研磨は従来周知の技術手段であり、引用発明における研磨工程として両面研磨を採用することに困難性は見当たらない。
　
エ．作用効果について
　本件補正発明の作用効果についてみても、引用発明及び従来周知の各技術手段から当業者が十分予測しうる範囲内のものであって、格別のものとはいえない。
　
　したがって、本件補正発明は、引用発明及び従来周知の各技術手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　なお、請求人は、平成１７年９月５日付けの回答書において、概略、「ところで、スライス後のウェーハの両面に両頭研削加工を施して両面の平行度を向上させたとしても、厚みむらは皆無とはいえません。微小とはいえ、厚みむらを有する両頭研削ウェーハにラッピング加工を施して平坦面を得ようとするとき、片面ずつのラッピング加工では必ずしも平坦なラッピング面は得られず、場合によっては反りを生じる虞があります。すなわち、表記上のＴＴＶ値が同じであったとしても、厚みむらを起している箇所が両頭研削ウェーハ毎に相違していますと、定盤に吸着させて他面を平坦にした状態でラッピング加工を行っても、吸着を解除した後に他面のうねった面の影響が現れ、平坦面を再びうねらせることがあります。さらには全体として反ってしまうことも予測されます。これに対して、両面を同時にラッピング処理しますと、全面の研磨除去形態が均等になって、表面と裏面の平行度がむしろ高められます。本発明法で得られる半導体ウェーハの有用性がさらに増すことになります。」として、本件補正発明の作用効果が、引用文献１（刊行物１）及び拒絶査定で引用された文献と比較しても顕著であり、前記文献から予測し得ないものであると主張している。
　しかしながら、上述のとおり、両面ラッピング加工自体は周知の技術手段であり、ラッピング加工として両面と片面ずつのどちらを採用するかは、それぞれの加工特性等を考慮して適宜選択し得るものであることは明らかであるとともに、ウエハの研削加工後に両面ラッピングを行うことも当業者に既に知られた事項にすぎないから、引用発明におけるラッピング工程として両面ラッピングを用いることは当業者が容易になし得たことというべきである。そして、両面ラッピングにより平行度を高められる効果については刊行物１の段落【０００３】にも記載されており、請求人の主張する上記作用効果も、引用発明に両面ラッピングを適用したことにより当然生じる作用効果にすぎないものである。
　よって、請求人の上記主張は採用することができない。　
　
３．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、その余の補正の要件について検討するまでもなく、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本件発明について
１．本件発明
　平成１６年１月９日付の補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１乃至２に係る発明は、平成１５年６月１０日付手続補正書により補正された明細書及び願書に最初に添付した図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載されたとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、前記第２の１−１に示す特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
　
２．引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載内容は、前記第２の２−２に示したとおりである。
　
３．対比・検討
　本件発明は、前記第２の２で検討した本件補正発明から「最小研削量が前記スライスで生じたウェーハTTV値＋表面粗さ×2倍である」という事項を削除したものである。
　そうすると、本件発明を構成する事項の全てを含み、さらに他の事項を付加する本件補正発明が前記第２の２−４で示したとおり、引用発明及び従来周知の技術手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明も同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本件発明は、引用発明及び従来周知の技術手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。