【事件の表示】
　平成　９年特許願第５２７９１５号「集積回路接点部の改良されたステップカバレッジのためのファセットエッチング」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　８月　７日国際公開、ＷＯ９７／２８５６４、平成１２年　３月２８日国内公表、特表２０００−５０３８０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成９年１月３１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９６年１月３１日、（ＵＳ）米国）を国際出願日とする出願であって、平成１４年１２月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年４月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月７日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成１５年５月７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　
［補正却下の決定の結論］  
　平成１５年５月７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、平成１３年８月２０日付けで補正された特許請求の範囲を補正するものであって、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項３４（以下、それぞれ「補正前請求項１」ないし「補正前請求項３４」という。）の内、補正前請求項２及び補正前請求項３３を削除し、補正前請求項１、補正前請求項３ないし補正前請求項３２、補正前請求項３４を、それぞれ本件補正による補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項３２（以下、「補正後請求項１」ないし「補正後請求項３２」という。）に補正するものである。
　そして、補正後請求項１ないし補正後請求項３２に係る発明は、以下のとおりである。
　
「【請求項１】導電性材料に被覆された接点部を形成する方法であって、該方法は、製造途中の集積回路を覆うように絶縁層を形成するステップと、
　下側の回路エレメントを露出させる接点部用開口を該絶縁層を貫いて形成するステップと、
　前記絶縁層の上に第１の導電層を堆積させるステップと、
　前記接点部用開口における前記第１の導電層に対し直接にファセットエッチングを施して該第１の導電層の上部コーナーを除去することにより、前記接点部用開口の口部にファセットを形成するステップと
を備えている方法。  
　【請求項２】前記ファセットエッチングが、導電材料を前記導電層から接点部用開口内に堆積させる請求項１に記載の方法。
　【請求項３】前記ファセットエッチングが、前記接点部用開口の下部コーナー内に導電性材料を堆積させる請求項２に記載の方法。
　【請求項４】第１の導電層を堆積する前記ステップが、前記接点部用開口形成ステップに先行して行なわれ、さらに前記第１の導電層上及び前記接点部用開口内に第２の導電層を堆積させるステップを備える請求項１に記載の方法。
　【請求項５】前記絶縁層が、２０００Åと３００００Åとの間の深さを有し、前記接点部が、２０００Åと８０００Åとの間の径を有し、前記第２の導電層が１０００Åと１００００Åとの間の厚さを有している請求項４に記載の方法。
　【請求項６】前記接点部用開口形成ステップが、前記第１の導電層及び前記絶縁層の双方を貫くプラズマエッチングを含む請求項４に記載の方法。
　【請求項７】前記接点部用開口形成ステップが、前記第１の導電層の塩素エッチング及び前記絶縁層のふっ化炭素プラズマエッチングを含む請求項４に記載の方法。
　【請求項８】前記第１の導電層の堆積が、前記接点部用開口形成ステップの後に行なわれ、前記第１の導電層が前記接点部用開口を覆う請求項１に記載の方法。
　【請求項９】前記絶縁層が、２０００Åと３００００Åとの間の深さを有し、前記接点部用開口が、２０００Åと８０００Åとの間の径を有し、前記第１の導電層が５００Åと２０００Åとの間の厚さを有している請求項８に記載の方法。
　【請求項１０】 前記接点部用開口形成ステップが、前記絶縁層を貫くエッチングと前記下側の回路エレメントでのエッチングの停止を含む請求項８に記載の方法。
　【請求項１１】前記ファセットエッチングの後に、第２の導電層を前記接点部用開口内に堆積させるステップをさらに含む請求項８に記載の方法。
　【請求項１２】前記第１の導電層を堆積させるステップが金属のスパッタよる堆積を含む請求項１に記載の方法。
　【請求項１３】前記第１の導電層がチタン層を含む請求項１２記載の方法。
　【請求項１４】第２の導電層を堆積させるステップをさらに含む請求項１３に記載の方法。
　【請求項１５】前記第２の導電層がアルミニウム層を含む請求項１４に記載の方法。
　【請求項１６】前記第２の導電層がさらに、０．５％と４．０％との間の銅を含む請求項１５に記載の方法。
　【請求項１７】前記ファセットエッチングが、実質上非反応性の物理的エッチングを含む請求項１に記載の方法。
　【請求項１８】前記ファセットエッチングがイオンエッチングステップを含む請求項１７記載の方法。
　【請求項１９】前記イオンエッチングステップが、複数の希ガスイオンによるウェーハ表面への衝撃付与を含む請求項１８に記載の方法。
　【請求項２０】前記イオンエッチングステップが、アルゴンスパッタによるエッチングを含む請求項１９に記載の方法。
　【請求項２１】前記アルゴンスパッタエッチングが、３００Ｗと１０００Ｗとの間の高周波出力、５mTorrと約４０mTorrとの間の圧力、及び１０sccmと１００sccmとの間のアルゴン流れを維持することを含む請求項２０に記載の方法。
　【請求項２２】 下側の回路エレメントへの接点部の形成を伴って集積回路の相互接続層を形成する方法であって、
　上部の境界を囲むリップ及び下部の境界を囲む下部コーナーを備えた接点部用開口を、回路エレメントの露出化のために中間レベルの絶縁層を貫通してエッチングし、
　前記絶縁層上に第１の導電層を形成するために第１の導電材料を堆積させ、
　前記第１の導電層に対して直接にファセットエッチングを行なうことにより、前記接点部用開口のリップ上の第１の導電層の角部から第１の導電材料を優先的にエッチングし、エッチングされた材料を前記下部コーナーにスパッタし、
　前記ファセットエッチングの後に、前記絶縁層上及び接点部用開口内に第２の導電層を形成するために第２の導電材料を堆積させることを含む方法。
　【請求項２３】前記第１の導電性材料を堆積させるステップが、前記接点部の径方向の厚さの半分より小さい厚さで該接点部用開口内に堆積させることを含み、該第１の導電層は、露出した回路エレメントとの電気的接点部を形成し、
　前記第２の導電性材料を堆積させるステップが、前記第１の導電層の上に第２の導電層を堆積させることを含む請求項２２に記載の方法。
　【請求項２４】前記第２の導電性材料が、前記接点部用開口を完全に満たさない厚さで前記第１の導電層上に等角的に堆積されることを含む請求項２３に記載の方法。
　【請求項２５】前記第１の導電性材料を堆積させるステップが、前記接点部用開口のエッチングに先だって行なわれることを含む請求項２２に記載の方法。
　【請求項２６】絶縁層を貫く接点部用開口を少なくとも部分的に満たす方法であって、
　第１の導電層を前記絶縁層上及び前記接点部用開口内に堆積させ、
　前記第１の導電層に直接にファセットエッチングを施すことにより、前記接点部用開口における前記第１の導電層の上部コーナーを除去して前記接点部用開口の口部にファセットを形成し、
　前記絶縁層上及び前記接点部用開口内の第１の導電層上に第２の導電層を堆積させる
ことを含む方法。
　【請求項２７】前記第１及び第２の導電層を堆積させるステップが、金属スパッタによる堆積を含む請求項２６に記載の方法。
　【請求項２８】絶縁層内の接点部用開口の側壁及び底面に金属被覆を設ける方法であって、
　前記絶縁層上に金属層をスパッタし、
　該金属層に対して直接にファセットエッチングを施すことにより、接点部用開口の底面及びその近傍の側壁を覆う環状のコーナー充填部を形成し、
　前記環状のコーナー充填部、側壁及び底面上に補助金属層を堆積させることを含む方法。
　【請求項２９】前記接点部が８０００Åより小さい径を有する請求項２８に記載の方法。
　【請求項３０】前記接点部が１．０より大きいアスペクト比を有する請求項２８に記載の方法。
　【請求項３１】回路エレメントと相互接続レベルとの間の接点部を有する集積回路であって、
　接点部用開口及び上面を有し前記回路エレメント上に設けられた絶縁層にして、前記接点部用開口は該絶縁層を貫通し側壁及び底面で画定されており、該接点部用開口の側壁及び前記絶縁層の上面は接点部用開口のリップで出会っている絶縁層と、
　前記絶縁層の上面上に設けられ前記接点部用開口の側壁を覆い、接点部用開口底面及びその近傍の側壁を覆う環状のコーナー充填部を有し、前記リップへのファセットエッチングにより形成されたファセットを有した第１の金属層と、
　前記第１の金属層上に設けられ前記接点部用開口の側壁及び底壁を覆う第２の金属層と
を備える集積回路。
　【請求項３２】前記第１の金属層が前記接点部用開口の側壁及び底面を覆い、前記接点部用開口の底面で回路エレメントと電気的に接触している請求項３１に記載の集積回路。」
　
２．本件補正についての検討
（２−１）補正事項の整理
　補正事項１  
　補正前請求項２および補正前請求項３３を削除する。
　
　補正事項２  
　補正前請求項２及び補正前請求項３３の削除に伴い、補正前請求項３ないし補正前請求項３２及び補正前請求項３４を補正後請求項２ないし補正後請求項３２に繰り上げ、補正後請求項２、補正後請求項３、補正後請求項５ないし補正後請求項７、補正後請求項９ないし補正後請求項１１、補正後請求項１３ないし補正後請求項２１、補正後請求項２３、補正後請求項２４、補正後請求項２７、補正後請求項２９、補正後請求項３０及び補正後請求項３２で引用する請求項の項番を補正する。
　  
　補正事項３  
　補正前請求項１の  
「導電性材料に被覆された接点部を形成する方法であって、該方法は、
　製造途中の集積回路を覆うように絶縁層を形成するステップと、
　下側の回路エレメントを露出させる接点部を該絶縁層を貫いて形成するステップと、  
　前記絶縁層の上に第１の導電層を堆積させるステップと、
　前記接点部における前記第１の導電層の上部コーナーを除去することにより、前記接点部の口部にファセットを形成するステップと
を備えている方法。」を
　補正後請求項１の  
「導電性材料に被覆された接点部を形成する方法であって、該方法は、製造途中の集積回路を覆うように絶縁層を形成するステップと、
　下側の回路エレメントを露出させる接点部用開口を該絶縁層を貫いて形成するステップと、  
　前記絶縁層の上に第１の導電層を堆積させるステップと、
　前記接点部用開口における前記第１の導電層に対し直接にファセットエッチングを施して該第１の導電層の上部コーナーを除去することにより、前記接点部用開口の口部にファセットを形成するステップと
を備えている方法。」と補正する。
　  
　補正事項４  
　補正前請求項３の  
「前記ファセットエッチングが、導電材料を前記導電層から接点部内に堆積させる」を  
　補正後請求項２の  
「前記ファセットエッチングが、導電材料を前記導電層から接点部用開口内に堆積させる」と補正する。
　  
　補正事項５  
　補正前請求項４の  
「前記ファセットエッチングが、前記接点部の下部コーナー内に導電性材料を堆積させる」を
　補正後請求項３の
「前記ファセットエッチングが、前記接点部用開口の下部コーナー内に導電性材料を堆積させる」と補正する。
　  
　補正事項６  
　補正前請求項５の
「第１の導電層を堆積する前記ステップが、前記接点部形成ステップに先行して行なわれ、さらに前記第１の導電層上及び前記接点部内に第２の導電層を堆積させるステップを備える」を、  
　補正後請求項４の
「第１の導電層を堆積する前記ステップが、前記接点部用開口形成ステップに先行して行なわれ、さらに前記第１の導電層上及び前記接点部用開口内に第２の導電層を堆積させるステップを備える」と補正する。
　  
　補正事項７  
　補正前請求項６の  
「前記絶縁層が、約２０００Åと約３００００Åとの間の深さを有し、前記接点部が、約２０００Åと８０００Åとの間の径を有し、前記第２の導電層が約１０００Åと１００００Åとの間の厚さを有している」を
　補正後請求項５の  
「前記絶縁層が、２０００Åと３００００Åとの間の深さを有し、前記接点部が、２０００Åと８０００Åとの間の径を有し、前記第２の導電層が１０００Åと１００００Åとの間の厚さを有している」と補正する。
　  
　補正事項８  
　補正前請求項７の  
「前記接点部形成ステップが、前記第１の導電層及び前記絶縁層の双方を貫くプラズマエッチングを含む」を
　補正後請求項６の  
「前記接点部用開口形成ステップが、前記第１の導電層及び前記絶縁層の双方を貫くプラズマエッチングを含む」と補正する。
　  
　補正事項９  
　補正前請求項８の  
「前記接点部形成ステップが、前記第１の導電層の塩素エッチング及び前記絶縁層のふっ化炭素プラズマエッチングを含む」を
　補正後請求項７の  
「前記接点部用開口形成ステップが、前記第１の導電層の塩素エッチング及び前記絶縁層のふっ化炭素プラズマエッチングを含む」と補正する。
　  
　補正事項１０  
　補正前請求項９の  
「前記第１の導電層の堆積が、前記接点部形成ステップの後に行なわれ、前記第１の導電層が前記接点部を覆う」を  
　補正後請求項８の  
「前記第１の導電層の堆積が、前記接点部用開口形成ステップの後に行なわれ、前記第１の導電層が前記接点部用開口を覆う」と補正する。
　  
　補正事項１１  
　補正前請求項１０の  
「前記絶縁層が、約２０００Åと約３００００Åとの間の深さを有し、前記接点部が、約２０００Åと８０００Åとの間の径を有し、前記第１の導電層が約５００Åと２０００Åとの間の厚さを有している」を
　補正後請求項９の  
「前記絶縁層が、２０００Åと３００００Åとの間の深さを有し、前記接点部用開口が、２０００Åと８０００Åとの間の径を有し、前記第１の導電層が５００Åと２０００Åとの間の厚さを有している」と補正する。
　  
　補正事項１２  
　補正前請求項１１の「前記接点部形成ステップが、前記絶縁層を貫くエッチングと前記下側の回路エレメントでのエッチングの停止を含む」を
　補正後請求項１０の「前記接点部用開口形成ステップが、前記絶縁層を貫くエッチングと前記下側の回路エレメントでのエッチングの停止を含む」と補正する。  
　  
　補正事項１３  
　補正前請求項１２の  
「前記ファセットエッチングの後に、第２の導電層を前記接点部内に堆積させるステップをさらに含む」を  
　補正後請求項１１の  
「前記ファセットエッチングの後に、第２の導電層を前記接点部用開口内に堆積させるステップをさらに含む」と補正する。
　  
　補正事項１４  
　補正前請求項１３の  
「前記第１の導電層を堆積させるステップが金属のスパタよる堆積を含む」を
　補正後請求項１２の  
「前記第１の導電層を堆積させるステップが金属のスパッタよる堆積を含む」と補正する。  
　  
　補正事項１５  
　補正前請求項１７の  
「前記第２の導電層がさらに、約０．５％と４．０％との間の銅を含む」を
　補正後請求項１６の  
「前記第２の導電層がさらに、０．５％と４．０％との間の銅を含む」と補正する。  
　  
　補正事項１６  
　補正前請求項２２の  
「前記アルゴンスパッタエッチングが、約３００Ｗと１０００Ｗとの間の高周波出力、約５mTorrと約４０mTorrとの間の圧力、及び約１０sccmと１００sccmとの間のアルゴン流れを維持することを含む」を
　補正後請求項２１の  
「前記アルゴンスパッタエッチングが、３００Ｗと１０００Ｗとの間の高周波出力、５mTorrと約４０mTorrとの間の圧力、及び１０sccmと１００sccmとの間のアルゴン流れを維持することを含む」と補正する。
　  
　補正事項１７  
　補正前請求項２３の  
「下側の回路エレメントへの接点部の形成を伴って集積回路の相互接続層を形成する方法であって、  
　上部の境界を囲むリップ及び下部の境界を囲む下部コーナーを備えた接点部を、回路エレメントの露出化のために中間レベルの絶縁層を貫通してエッチングし、
　前記絶縁層上に第１の導電層を形成するために第１の導電材料を堆積させ、
　前記接点部のリップ上の第１の導電層の角部から第１の導電材料を優先的にエッチングするファセットエッチングを行い、エッチングされた材料を前記下部コーナーにスパッタし、  
　前記ファセットエッチングの後に、前記絶縁層上及び接点部内に第２の導電層を形成するために第２の導電材料を堆積させることを含む方法。」を
　補正後請求項２２の  
「下側の回路エレメントへの接点部の形成を伴って集積回路の相互接続層を形成する方法であって、  
　上部の境界を囲むリップ及び下部の境界を囲む下部コーナーを備えた接点部用開口を、回路エレメントの露出化のために中間レベルの絶縁層を貫通してエッチングし、
　前記絶縁層上に第１の導電層を形成するために第１の導電材料を堆積させ、
　前記第１の導電層に対して直接にファセットエッチングを行なうことにより、前記接点部用開口のリップ上の第１の導電層の角部から第１の導電材料を優先的にエッチングし、エッチングされた材料を前記下部コーナーにスパッタし、
　前記ファセットエッチングの後に、前記絶縁層上及び接点部用開口内に第２の導電層を形成するために第２の導電材料を堆積させることを含む方法。」と補正する。
　 
　補正事項１８  
　補正前請求項２４の  
「前記第１の導電性材料を堆積させるステップが、前記接点部の径方向の厚さの半分より小さい厚さで該接点部内に堆積させることを含み、該第１の導電層は、露出した回路エレメントとの電気的接点部を形成し、
　前記第２の導電性材料を堆積させるステップが、前記第１の導電層の上に第２の導電層を堆積させることを含む」を
　補正後請求項２３の  
「前記第１の導電性材料を堆積させるステップが、前記接点部の径方向の厚さの半分より小さい厚さで該接点部用開口内に堆積させることを含み、該第１の導電層は、露出した回路エレメントとの電気的接点部を形成し、
　前記第２の導電性材料を堆積させるステップが、前記第１の導電層の上に第２の導電層を堆積させることを含む」と補正する。  
　  
　補正事項１９  
　補正前請求項２５の  
「前記第２の導電性材料が、前記接点部を完全に満たさない厚さで前記第１の導電層上に等角的に堆積されることを含む」を  
　補正後請求項２４の  
「前記第２の導電性材料が、前記接点部用開口を完全に満たさない厚さで前記第１の導電層上に等角的に堆積されることを含む」と補正する。
　  
　補正事項２０  
　補正前請求項２６の  
「前記第１の導電性材料を堆積させるステップが、前記接点部のエッチングに先だって行なわれることを含む」を  
　補正後請求項２５の  
「前記第１の導電性材料を堆積させるステップが、前記接点部用開口のエッチングに先だって行なわれることを含む」と補正する。  
　  
　補正事項２１  
　補正前請求項２７の  
「絶縁層を貫く接点部を少なくとも部分的に満たす方法であって、
　第１の導電層を前記絶縁層上及び前記接点部内に堆積させ、  
　前記第１の導電層にファセットエッチングを施すことにより、前記接点部における前記第１の導電層の上部コーナーを除去して前記接点部の口部にファセットを形成し、  
　前記絶縁層上及び前記接点部内の第１の導電層上に第２の導電層を堆積させることを含む方法。」を  
　補正後請求項２６の  
「絶縁層を貫く接点部用開口を少なくとも部分的に満たす方法であって、
　第１の導電層を前記絶縁層上及び前記接点部用開口内に堆積させ、
　前記第１の導電層に直接にファセットエッチングを施すことにより、前記接点部用開口における前記第１の導電層の上部コーナーを除去して前記接点部用開口の口部にファセットを形成し、  
　前記絶縁層上及び前記接点部用開口内の第１の導電層上に第２の導電層を堆積させる  
ことを含む方法。」と補正する。  
　  
　補正事項２２  
　補正前請求項２９の  
「絶縁層内の接点部の側壁及び底面に金属被覆を設ける方法であって、
　前記絶縁層上に金属層をスパッタし、  
　接点部の底面及びその近傍の側壁を覆う環状のコーナー充填部を形成し、
　前記環状のコーナー充填部、側壁及び底面上に補助金属層を堆積させることを含む方法。」を  
　補正後請求項２８の  
「絶縁層内の接点部用開口の側壁及び底面に金属被覆を設ける方法であって、 
　前記絶縁層上に金属層をスパッタし、  
　該金属層に対して直接にファセットエッチングを施すことにより、接点部用開口の底面及びその近傍の側壁を覆う環状のコーナー充填部を形成し、
　前記環状のコーナー充填部、側壁及び底面上に補助金属層を堆積させる
ことを含む方法。」と補正する。  
　  
　補正事項２３  
　補正前請求項３０の  
「前記接点部が約８０００Åより小さい径を有する」を  
　補正後請求項２９の  
「前記接点部が８０００Åより小さい径を有する」と補正する。
　  
　補正事項２４  
　補正前請求項３１の  
「前記接点部が約１．０より大きいアスペクト比を有する」を
　補正後請求項３０の  
「前記接点部が１．０より大きいアスペクト比を有する」と補正する。
　  
　補正事項２５  
　補正前請求項３２の  
「回路エレメントと相互接続レベルとの間の接点部を有する集積回路であって、
　接点部及び上面を有し前記回路エレメント上に設けられた絶縁層にして、前記接点部は該絶縁層を貫通し側壁及び底面で画定されており、該接点部の側壁及び前記絶縁層の上面は接点部のリップで出会っている絶縁層と、
　前記絶縁層の上面上に設けられ前記接点部の側壁を覆い、接点部底面及びその近傍の側壁を覆う環状のコーナー充填部を有した第１の金属層と、
　前記第１の金属層上に設けられ前記接点部の側壁及び底壁を覆う第２の金属層と  
を備える集積回路。」を  
　補正後請求項３１の  
「回路エレメントと相互接続レベルとの間の接点部を有する集積回路であって、
　接点部用開口及び上面を有し前記回路エレメント上に設けられた絶縁層にして、前記接点部用開口は該絶縁層を貫通し側壁及び底面で画定されており、該接点部用開口の側壁及び前記絶縁層の上面は接点部用開口のリップで出会っている絶縁層と、
　前記絶縁層の上面上に設けられ前記接点部用開口の側壁を覆い、接点部用開口底面及びその近傍の側壁を覆う環状のコーナー充填部を有し、前記リップへのファセットエッチングにより形成されたファセットを有した第１の金属層と、
　前記第１の金属層上に設けられ前記接点部用開口の側壁及び底壁を覆う第２の金属層と
を備える集積回路。」と補正する。  
　  
　補正事項２６  
　補正前請求項３４の
「前記第１の金属層が前記接点部の側壁及び底面を覆い、前記接点部の底面で回路エレメントと電気的に接触している」を
　補正後請求項３２の  
「前記第１の金属層が前記接点部用開口の側壁及び底面を覆い、前記接点部用開口の底面で回路エレメントと電気的に接触している」と補正する。
　  
　上記補正事項３、補正事項７、補正事項１１、補正事項１７、補正事項２１、補正事項２２及び補正事項２５は、以下のように区分できる。
　  
　補正事項３についての補正は、補正前請求項１の「下側の回路エレメントを露出させる接点部」、「前記接点部における前記第１の導電層」、「前記接点部の口部」を、それぞれ補正後請求項１の「下側の回路エレメントを露出させる接点部用開口」、「前記接点部用開口における前記第１の導電層」、「前記接点部用開口の口部」と補正すること（補正事項３−１）と、
　補正前請求項１の「前記接点部における前記第１の導電層の上部コーナーを除去することにより、前記接点部の口部にファセットを形成するステップ」を、補正後請求項１の「前記接点部」「における前記第１の導電層に対し直接にファセットエッチングを施して該第１の導電層の上部コーナーを除去することにより、前記接点部」「の口部にファセットを形成するステップ」と補正すること（補正事項３−２）に区分できる。
　  
　補正事項７についての補正は、補正前請求項６の「前記絶縁層が、約２０００Åと約３００００Åとの間の深さを有し」を、補正後請求項５の「前記絶縁層が、２０００Åと３００００Åとの間の深さを有し」と補正すること（補正事項７−１）と、
　補正前請求項６の「前記接点部が、約２０００Åと８０００Åとの間の径を有し」を、補正後請求項５の「前記接点部が、２０００Åと８０００Åとの間の径を有し」と補正すること（補正事項７−２）と、  
　補正前請求項６の「前記第２の導電層が約１０００Åと１００００Åとの間の厚さを有している」を、補正後請求項５の「前記第２の導電層が１０００Åと１００００Åとの間の厚さを有している」と補正すること（補正事項７−３）に区分できる。
　  
　補正事項１１についての補正は、補正前請求項１０の「前記絶縁層が、約２０００Åと約３００００Åとの間の深さを有し」を、補正後請求項９の「前記絶縁層が、２０００Åと３００００Åとの間の深さを有し」と補正すること（補正事項１１−１）と、
　補正前請求項１０の、「前記接点部が、約２０００Åと８０００Åとの間の径を有し」を、補正後請求項９の、「前記接点部」「が、２０００Åと８０００Åとの間の径を有し」と補正すること（補正事項１１−２）と、
　補正前請求項１０の「前記第１の導電層が約５００Åと２０００Åとの間の厚さを有している」を、補正後請求項９の「前記第１の導電層が５００Åと２０００Åとの間の厚さを有している」と補正すること（補正事項１１−３）と、  
　補正前請求項１０の「前記接点部」を、補正後請求項９の「前記接点部用開口」と補正すること（補正事項１１−４）に区分できる。
　  
　補正事項１７についての補正は、補正前請求項２３の「上部の境界を囲むリップ及び下部の境界を囲む下部コーナーを備えた接点部」、「前記接点部のリップ上」、「接点部内に第２の導電層を形成」を、それぞれ補正後請求項２２の「上部の境界を囲むリップ及び下部の境界を囲む下部コーナーを備えた接点部用開口」、「前記接点部用開口のリップ上」、「接点部用開口内に第２の導電層を形成」と補正すること（補正事項１７−１）と、
　補正前請求項２３の「前記接点部のリップ上の第１の導電層の角部から第１の導電材料を優先的にエッチングするファセットエッチングを行ない」を、補正後請求項２２の「前記第１の導電層に対して直接にファセットエッチングを行なうことにより、前記接点部」「のリップ上の第１の導電層の角部から第１の導電材料を優先的にエッチングし」と補正すること（補正事項１７−２）に区分できる。  
　  
　補正事項２１についての補正は、補正前請求項２７の「絶縁層を貫く接点部を少なくとも部分的に満たす方法」、「第１の導電層を前記絶縁層上及び前記接点部内に堆積させ」、「前記接点部における」、「前記接点部の口部」、「前記接点部内の第１の導電層上」を、それぞれ補正後請求項２６の「絶縁層を貫く接点部用開口を少なくとも部分的に満たす方法」、「第１の導電層を前記絶縁層上及び前記接点部用開口内に堆積させ」、「前記接点部用開口における」、「前記接点部用開口の口部」、「前記接点部用開口内の第１の導電層上」と補正すること（補正事項２１−１）と、
　補正前請求項２７の「前記第１の導電層にファセットエッチングを施すことにより」、「ファセットを形成」を、補正後請求項２６の「前記第１の導電層に直接にファセットエッチングを施すことにより」、「ファセットを形成」と補正すること（補正事項２１−２）に区分できる。
　  
　補正事項２２についての補正は、補正前請求項２９の「接点部の側壁及び底面」を、補正後請求項２８の「接点部用開口の側壁及び底面」と補正すること（補正事項２２−１）と、 
　補正前請求項２９の「接点部の底面及びその近傍の側壁」を、補正後請求項２８の「接点部用開口の底面及びその近傍の側壁」と補正すること（補正事項２２−２）と、  
　補正前請求項２９の「接点部の底面及びその近傍の側壁を覆う環状のコーナー充填部を形成し」を、補正後請求項２８の「該金属層に対して直接にファセットエッチングを施すことにより、接点部」「の底面及びその近傍の側壁を覆う環状のコーナー充填部を形成し」と補正すること（補正事項２２−３）に区分できる。  
　  
　補正事項２５についての補正は、補正前請求項３２の「接点部及び上面を有し前記回路エレメント上に設けられた絶縁層」、「前記接点部は該絶縁層を貫通し側壁及び底面で画定されており」、「該接点部の側壁」、「前記絶縁層の上面上に設けられ前記接点部の側壁を覆い」、「接点部底面」、「前記接点部の側壁及び底壁」を、それぞれ補正後請求項３１の「接点部用開口及び上面を有し前記回路エレメント上に設けられた絶縁層」、「前記接点部用開口は該絶縁層を貫通し側壁及び底面で画定されており」、「該接点部用開口の側壁」、「前記絶縁層の上面上に設けられ前記接点部用開口の側壁を覆い」、「接点部用開口底面」「前記接点部用開口の側壁及び底壁」と補正すること（補正事項２５−１）と、  
　補正前請求項３２の「接点部リップ」を、補正後請求項３１の「接点部用開口のリップ」と補正すること（補正事項２５−２）と、 
　補正前請求項３２の「接点部底面及びその近傍の側壁を覆う環状のコーナー充填部を有した第１の金属層と」を、補正後請求項３１の「接点部」「底面及びその近傍の側壁を覆う環状のコーナー充填部を有し、前記リップへのファセットエッチングにより形成されたファセットを有した第１の金属層と」と補正すること（補正事項２５−３）に区分できる。  
　  
（２−２）補正の適否についての検討  
　補正事項１ないし２６は、  
（ａ）補正事項１と、  
（ｂ）補正事項２と、  
（ｃ）補正事項３−１、補正事項４、補正事項５、補正事項６、補正事項８、補正事項９、補正事項１０、補正事項１１−４、補正事項１２、補正事項１３、補正事項１７−１、補正事項１８、補正事項１９、補正事項２０、補正事項２１−１、補正事項２２−１、補正事項２２−２、補正事項２５−１、補正事項２５−２、補正事項２６と、  
（ｄ）補正事項３−２、補正事項１７−２、補正事項２１−２と、
（ｅ）補正事項７−１ないし補正事項７−３、補正事項１１−１ないし補正事項１１−３、補正事項１５、補正事項１６、補正事項２３、補正事項２４と、
（ｆ）補正事項１４と、  
（ｇ）補正事項２２−３と、 
（ｈ）補正事項２５−３  
に区分して検討する。  
　  
（ａ）補正事項１について  
　請求項の削除を目的とするものであって、特許法第１７条の２第４項第１号に規定する請求項の削除を目的とするものに該当する。
　  
（ｂ）補正事項２について  
　補正前請求項２及び補正前請求項３３を削除することに伴い、請求項の項番を補正し、引用する請求項の項番を補正するものであるから、特許法第１７条の２第４項第４号に規定する明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。  
　  
（ｃ）補正事項３−１、補正事項４、補正事項５、補正事項６、補正事項８、補正事項９、補正事項１０、補正事項１１−４、補正事項１２、補正事項１３、補正事項１７−１、補正事項１８、補正事項１９、補正事項２０、補正事項２１−１、補正事項２２−１、補正事項２２−２、補正事項２５−１、補正事項２５−２、補正事項２６について
　上記各補正事項についての補正は、各補正前請求項に記載される「接点部」を、各補正後請求項において「接点部用開口」である旨技術的に限定するものであり、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。  
　また、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「当初明細書等」という。）には、「図２は、本発明に係る好ましい第１の実施形態のための初期地点を示している。」（第１０頁第１４〜１５行）、「いったん、第１の導電層１４が絶縁層１２の上に堆積されれば、接点部用開口２０（又は単純に接点部２０）は、標準のフォトリソグラフィックマスク工程によって形成され、第１の導電層１４及び絶縁層１２の両方を貫通してエッチングされる。図２は、接点部用開口２０を表す。」（第１２頁第１４〜１８行）、「図５は、接点部用開口５０が形成された後の集積回路を表す。第１の好適な実施形態に対して述べたものと同様の回路エレメント５２が、絶縁層５４を有するように部分的に穿孔された集積回路上に設けられている。」（第１８頁第２０行〜第１９頁第１行）と記載されているから、上記各補正事項についての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。 
　  
（ｄ）補正事項３−２、補正事項１７−２、補正事項２１−２について
　補正事項３−２、補正事項１７−２及び補正事項２１−２についての補正は、それぞれ、「前記接点部」「における前記第１の導電層に対し直接にファセットエッチングを施して該第１の導電層の上部コーナーを除去することにより、前記接点部」「の口部にファセットを形成するステップ」（補正事項３−２）と、
「前記第１の導電層に対して直接にファセットエッチングを行なうことにより、前記接点部」「のリップ上の第１の導電層の角部から第１の導電材料を優先的にエッチングし」（補正事項１７−２）と、
「前記第１の導電層に直接にファセットエッチングを施すことにより」、「ファセットを形成」（補正事項２１−２）と補正することである。
　これらの補正事項は、全てファセットの形成を第１の導電層もしくは第１の導電層に相当する金属層に対して、「直接にファセットエッチングを」施す点で技術的に同等であり、また、補正事項３−２、補正事項１７−２及び補正事項２１−２についての補正は、「ファセットエッチング」を技術的に限定するものであるから、いずれも、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。  
　また、当初明細書等には、図２、図３と共に「次に、接点部２０のリップ２７の上方にある、第１の導電層１４の上部コーナ２６を形成する構造に、ファセットエッチングが施される」（第１４頁第２１行〜第１５頁第１行）、「ファセットエッチングは、イオンビーム衝撃（ion beam bombardment）又はイオンミリング（ion milling）として知られている物理的プロセスによってなされる必要がある。」（第１５頁第９〜１２行）、「結果的に、図３に示すように、傾斜したファセット２８が、接点部のリップ２７上に生じる」（第１５頁第２０〜２２行）と記載されており、第１の導電層の接点部のリップに直接ファセットエッチングが行われていることは、明らかであるから、上記各補正事項についての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面の記載の範囲内においてなされたものである。  
　 
（ｅ）補正事項７−１ないし補正事項７−３、補正事項１１−１ないし補正事項１１−３、補正事項１５、補正事項１６、補正事項２３、補正事項２４について  
　上記各補正事項についての補正は、いずれも補正前請求項において「約」が付された数値限定の「約」を削除する補正であり、一定の数値範囲を示している「約」を削除することによって、数値範囲を限定したものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、願書に最初に添付した明細書又は図面の記載の範囲内においてなされたものである。  
　  
（ｆ）補正事項１４について  
　補正事項１４についての補正は、実質的に補正前請求項における「金属スパタ」を「金属スパッタ」と補正するものである。「金属スパタ」が、「金属スパッタ」を意味することは明らかであり、また、当初明細書等には「第１の導電層１４のチタニウムは、集積回路製造技術において知られているスパッタリングプロセスによって堆積される」（第１２頁第１１〜１３行）との記載があるから、補正事項１４についての補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する誤記の訂正を目的とするものに該当するとともに、願書に最初に添付した明細書又は図面の記載の範囲内においてなされたものである。
　  
（ｇ）補正事項２２−３について 
　補正事項２２−３についての補正は、補正前請求項２９の「接点部の底面及びその近傍の側壁を覆う環状のコーナー充填部を形成し」を、補正後請求項２８の「該金属層に対して直接にファセットエッチングを施すことにより、接点部」「の底面及びその近傍の側壁を覆う環状のコーナー充填部を形成し」としたものであって、言い換えると、「該金属層に対して直接にファセットエッチングを施すことにより」、環状のコーナー充填部が形成されることを技術的に限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、当初明細書等には、「第１の導電層１４のチタニウムは、集積回路製造技術において知られているスパッタリングプロセスによって堆積される。」（第１２頁第１１〜１３行）」、「第３図に示すように、第１の導電層１４の上部コーナー２６（図２）から除去された材料は、スパッタリング堆積ターゲットとして作用し、上部コーナー２６（図２）の導電性材料の少なくともいくらかは、接点部２０の下部コーナー３０に堆積し、導電性コーナー充填部３２を形成する（図３）。・・・接点部２０の口部の四方にある上部コーナー２６の全ての点からの材料は、対角線上に対向する下部コーナー３０の点にスパッタリングされ、本発明のコーナー充填部３２と称される導電性材料の環（ドーナッツ形状）を形成するからスパッタリングされた材料は、左側３７の下部コーナー３０に堆積する」（第１６頁第７〜２１行）と記載されており、「該金属層に対して直接にファセットエッチングを施すことにより、接点部」「の底面及びその近傍の側壁を覆う環状のコーナー充填部を形成し」ていることは明らかであるから、上記補正事項２２−３についての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面の記載の範囲内においてなされたものである。 
　 
（ｈ）補正事項２５−３について  
　補正事項２５−３についての補正は、補正前請求項３２の「接点部底面及びその近傍の側壁を覆う環状のコーナー充填部を有した第１の金属層」を、補正後請求項３１の「接点部」「底面及びその近傍の側壁を覆う環状のコーナー充填部を有し、前記リップへのファセットエッチングにより形成されたファセットを有した第１の金属層」と補正したものである。つまり、ファセットが、「前記リップへのファセットエッチングにより形成された」ことを技術的に限定するものであり、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、当初明細書等には、図３とともに「ファセットエッチングは、イオンビーム衝撃（ion beam bombardment）又はイオンミリング（ion milling）として知られている物理プロセスによってなされる・・・結果的に、図３に示すように、傾斜したファセット２８が、接点部のリップ２７上に生じる。」（第１５頁第９〜２２行）、「第１の導電層が形成された後、ウェハ上でファセットエッチングがなされる。・・・傾斜したファセット７２は、接点部リップ６６の上方において、接点部２０の口部を囲む。」（第２０頁第１８行〜第２１頁第７行）と記載されているから、補正事項２５−３についての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面の記載の範囲内においてなされたものである。  
　  
　よって、補正事項１ないし２６についての補正は、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明を目的とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第１号、第２号、第３号又は第４号に該当し、また、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　 
３．独立特許要件について  
（３−１）補正後発明について
　本件補正後の請求項１ないし請求項３２に係る発明は、本件補正後の特許請求の範囲に記載された事項により特定されるものであって、その補正後請求項１、補正後請求項２２、補正後請求項２６、補正後請求項２８、補正後請求項３１に係る発明は、上記「第２　１．本件補正の内容」に記載したとおりのものである。
　  
（３−２）刊行物について  
（ａ）特開平６−２６７８８８号公報  
　本願の優先日前に日本国内において頒布された特開平６−２７６８８８号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図１（ａ）ないし（ｅ）、図２（ａ）ないし（ｄ）、図３（ｅ）（ｆ）とともに、以下の事項が記載されている。
「下層金属配線膜(1) と上層金属配線膜(12)とを接続するためのスルーホール(6) を層間絶縁膜(3) に有する多層配線構造の半導体装置において、
該下層金属配線膜(1) 上にスパッタ比率がマスク絶縁膜(5) より大きい第１の金属膜(2) 、該層間絶縁膜(3) 、高融点金属、或いは高融点金属含有物からなる第２の金属膜(4) 、マスク絶縁膜(5) を順次積層する工程と該マスク絶縁膜(5) 、該第２の金属膜、該層間絶縁膜(3) を異方性ドライエッチングして、該第１の金属膜に達する該スルーホール(6) を開口する工程と、
該第１の金属膜(2) 上に自然形成された酸化膜(7) をアルゴンイオン(8) によるスパッタエッチングにより除去し、引き続き真空雰囲気中で第２の金属膜(4) をスパッタエッチングして該スルーホール(6) 内にたたきこみ、該スルーホール(6) 内に第１の金属膜及び第２の金属膜よりスパッタされた金属原子からなるテーパー状の側壁(9) を該スルーホール(6) 内に形成する工程と、 
該第２の金属膜(4) 、及び該スルーホール(6) 内を覆って、第３の金属膜(10)を積層する工程と、 
アルゴンイオン(8) によるスパッタにより第３の金属膜(10)を該スルーホール(6) 内に叩き込み、該スルーホール(6) 内に埋め込み金属(11)を形成する工程と、
該第３の金属膜(10)、及び該スルーホーク(6) 内を覆って、上層金属配線膜(12)を積層し、パターニングして上層金属配線を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲請求項１）
　  
「【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の多層配線構造において、スルーホール底部の表面処理、及び配線形成技術に関する。」（０００１段落）
「【０００８】更に、高集積化に伴い、スルーホールの微細化が進むにつれ、スルーホールのテーパー形状にも制限ができ、垂直形状による配線技術が要求される。よって、上層金属配線膜の被覆性がますます問題になり、上記の問題と合わさってコンタクト不良の要因となる。」（０００８段落）
「【００１３】・・・図１に示すような下層配線金属膜１と上層配線金属膜12とを接続するためのスルーホール６を層間絶縁膜３に有する多層配線構造の半導体装置において、図１（ａ）に示すように、該下層金属配線膜１上にスパッタ比率がマスク絶縁膜５より大きい第１の金属膜２、該層間絶縁膜３、高融点金属、或いは高融点金属含有物からなる第２の金属膜４、マスク絶縁膜５を順次積層する工程と該マスク絶縁膜５、該第２の金属膜４、該層間絶縁膜３を異方性ドライエッチングして、該第１の金属膜２に達する該スルーホール６を開口する工程と、該第１の金属膜２上に自然形成された酸化膜７をArイオン８によるスパッタエッチングにより除去し、引き続き真空雰囲気中で、図１（ｂ）に示すように、第２の金属膜４をスパッタして該スルーホール６内に叩き込み、該スルーホール６内に第１の金属膜２、及び第２の金属膜よりスパッタされた金属原子からなるテーパー状側壁９を該スルーホール６内に形成する工程と、図１（ｃ）に示すように、該第２の金属膜４、及び該スルーホール６内を覆って、第３の金属膜10を積層する工程と、アルゴンイオン８によるスパッタにより、図１（ｄ）に示すように、第３の金属膜10を該スルーホール６内に叩き込んで、該スルーホール６内に埋め込み金属11を形成する工程と、図１（ｅ）に示すように、該第３の金属膜10、及び該スルーホーる６内を覆って、上層金属配線膜12を積層し、パターニングして上層金属配線を形成する工程とを含むことにより、また、前記第１の金属膜２上の酸化膜７の除去から、上層金属配線膜12の積層までの工程を同一装置内で、真空雰囲気を破らずに連続して行うことにより達成される。」（００１３段落）
「【００１５】ここでは、Arイオンのスパッタエッチングにより第２の金属膜からの金属原子がスルーホール内にどんどん堆積されてテーパー形状側壁を形成していくため、開口時のスルーホール側壁の形状が垂直であれ、テーパー形状であれ同様の効果がある。」（００１５段落）
「【００１９】図２〜図３により本発明を層間絶縁膜のスルーホールに適用した第１の実施例について説明する。図２（ａ）に示すように、ｎ形拡散層14が形成されたｐ形Si基板13上に下地絶縁膜として熱酸化により１μｍの厚さに第１のSiO2膜15が形成されている。この第１のSiO2膜15をフォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術を用いてパターニングし、第１のスルーホール16を形成する。
【００２０】スパッタ法により下地金属配線膜として第１のAl膜17を 7,000Åの厚さに被覆する。・・・第１のAl膜17の上に連続してスパッタ法により銅(Cu)膜18を 2,000Åの厚さに積層する。銅は比較的Arイオンによりスパッタされやすく、SiO2膜に比べて２倍程度スパッタ比率が高い金属である。
【００２１】図２（ｂ）に示すように、ＥＣＲ法により、第２のSiO2膜19を 9,000Åの厚さに堆積し、スパッタ法によりTi膜20を 500Åの厚さに、更にＥＣＲ法により第３のSiO2膜21を500Åの厚さに堆積する。
【００２２】・・・続いて、図示しないレジスト膜をマスクとして、異方性ドライエッチングにより原料ガスを選択して、Cu膜18が露出するまで第３のSiO2膜21、Ti膜20、第２のSiO2膜19を次々に異方性ドライエッチングして第２のスルーホール22を開口する。
【００２３】その後、マスクとして用いた図示しないレジスト膜をアッシャーを用いて除去する。此の時点で第２のスルーホール22の底部に露出したCu膜18の表面には銅の自然酸化膜等が薄く堆積している。
【００２４】本発明では、層間絶縁膜のスルーホールへの実施例であるため、図２（ｃ）以降は第２のスルーホール22周辺の部分に限定して図示する。図２（ｃ）に示すように、Arイオン23によるスパッタエッチングを行い、第２のスルーホール22内の銅の自然酸化膜等をクリーニング除去する。この時のスパッタエッチングの条件はArガス流量80sccm、圧力2.5mTorr、出力200Wで行う。同時に第３のSiO2膜21をTi膜20が露出するまでエッチングし、続いて、Ti膜20の表面もスパッタエッチングする。この際、第３のSiO2膜21も第２のスルーホール22内に叩き出されるが、Cu膜18も同時に叩かれるので、銅のスパッタ比率が高いために、第３のSiO2膜21が再堆積することはなく、図２（ｄ）に示すように、第２のスルーホール22内にはTiとCuの金属原子が第２のスルーホール22内の側壁に次第に溜まり、TiとCuの金属原子が混合したテーパー状の側壁(Ti+Cu)24が形成されることとなる。」（００１９段落〜００２４段落）
「【００２６】図３（ｅ）に示すように、更に、TiN 膜24をスパッタ法により 500Åの厚さに堆積し、再び、Arイオン25のスパッタを行うと、TiN が第２のスルーホール22内に叩き込まれて、第２のスルーホール22内に次第に堆積し、図３（ｆ）に示すような埋め込み金属26となり、微小スルーホールでも半ば以上を金属で埋め込むことができる。」（００２６段落）
　 
　刊行物１の特許請求の範囲請求項１に記載されている 
「下層金属配線膜(1) と上層金属配線膜(12)とを接続するためのスルーホール(6) を層間絶縁膜(3) に有する多層配線構造の半導体装置において」は、特許請求の範囲請求項１の末尾の記載が、「工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」であるから、「下層金属配線膜(1) と上層金属配線膜(12)とを接続するためのスルーホール(6) を層間絶縁膜(3) に有する多層配線構造の半導体装置の製造方法において」の誤記であり、また、特許請求の範囲請求項１の「及び該スルーホーク(6) 内を覆って」は、「該第１の金属膜に達する該スルーホール(6) を開口する」の記載から、「及び該スルーホール(6) 内を覆って」の誤記であることは当業者に明らかである。
　 
　刊行物１の００１３段落に記載される「図１に示すような下層配線金属膜１と上層配線金属膜12とを接続するためのスルーホール６」の「配線金属膜」は、「金属配線膜」の誤記である。
　 
　刊行物１の図１が本発明の原理説明図であり、図２及び図３が本発明の第１の実施例の工程順模式断面図であるから、図１ないし図３及び関連する記載より、図１の「下層配線金属膜１」、「第１の金属膜２」、「層間絶縁膜３」、「第２の金属膜４」、「マスク絶縁膜５」、「テーパー状側壁９」、「第３の金属膜１０」及び「埋め込み金属１１」は、それぞれ、図２及び図３の「第１のAl膜17」、「Cu膜18」、「第２のSiO2膜19」、「Ti膜20」、「第３のSiO2膜21」、「テーパー状の側壁(Ti+Cu)24」、「TiN膜24」及び「埋め込み金属26」に相当することは当業者に明らかである。
　  
　刊行物１の請求項１に記載される「該下層金属配線膜(1)上にスパッタ比率がマスク絶縁膜(5)より大きい第１の金属膜(2)、該層間絶縁膜(3)、高融点金属、或いは高融点金属含有物からなる第２の金属膜(4)、マスク絶縁膜(5)を順次積層する工程」の「積層する」は、「堆積する」ことと同等の意味であり、また「順次積層する」工程であるから、刊行物１の請求項１に記載される上記工程は「該下層金属配線膜(1)上にスパッタ比率がマスク絶縁膜(5)より大きい第１の金属膜(2)を堆積する工程と、前記第１の金属膜(2)上に該層間絶縁膜(3)を堆積する工程と、前記層間絶縁膜(3)上に高融点金属、或いは高融点金属含有物からなる第２の金属膜(4)を堆積する工程と、前記第２の金属膜上にマスク絶縁膜(5)を堆積する工程」と技術的に同等である。
　
　これらの記載より、刊行物１には以下の事項が記載されている。
（１）下層金属配線膜と上層金属配線膜とを接続するためのスルーホールを層間絶縁膜に有する多層配線構造の半導体装置の製造方法において、該下層金属配線膜上にスパッタ比率がマスク絶縁膜より大きい第１の金属膜を堆積し、前記第１の金属膜上に該層間絶縁膜を堆積する工程と、前記層間絶縁膜の上に高融点金属からなる第２の金属膜を堆積する工程と、前記第２の金属膜の上にマスク絶縁膜を堆積する工程と、該マスク絶縁膜、該第２の金属膜、該層間絶縁膜を異方性ドライエッチングして、該第１の金属膜に達する該スルーホールを開口する工程と、該第１の金属膜上に自然形成された酸化膜をアルゴンイオンによるスパッタエッチングにより除去し、引き続き真空雰囲気中で第２の金属膜をスパッタエッチングして該スルーホール内にたたきこみ、該スルーホール内に第１の金属膜及び第２の金属膜よりスパッタされた金属原子からなるテーパー状の側壁を該スルーホール内に形成する工程と、該第２の金属膜、及び該スルーホール内を覆って、第３の金属膜を積層する工程とを含む半導体装置の製造方法。  
（２）半導体集積回路の多層配線に係る技術であること。
（３）マスク絶縁膜、該第２の金属膜、該層間絶縁膜を異方性ドライエッチングして、該第１の金属膜を露出するスルーホールを開口していること。
（４）該第１の金属膜上に自然形成された酸化膜をアルゴンイオンによるスパッタエッチングにより除去し、同時にマスク絶縁膜を第２の金属膜が露出するまでエッチングすること。
　  
　よって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「下層金属配線膜と上層金属配線膜とを接続するためのスルーホールを層間絶縁膜に有する多層配線構造の半導体集積回路の製造方法において、
該下層金属配線膜上にスパッタ比率がマスク絶縁膜より大きい第１の金属膜を堆積し、前記第１の金属膜上に該層間絶縁膜を堆積する工程と、
前記層間絶縁膜の上に高融点金属からなる第２の金属膜を堆積する工程と、
前記第２の金属膜上にマスク絶縁膜を堆積する工程と、
該マスク絶縁膜、該第２の金属膜、該層間絶縁膜を異方性ドライエッチングして、該第１の金属膜を露出した該スルーホールを開口する工程と、
該第１の金属膜上に自然形成された酸化膜をアルゴンイオンによるスパッタエッチングにより除去し、同時にマスク絶縁膜を第２の金属膜が露出するまでエッチングにより除去し、引き続き真空雰囲気中で第２の金属膜をスパッタエッチングして該スルーホール内にたたきこみ、該スルーホール内に第１の金属膜及び第２の金属膜よりスパッタされた金属原子からなるテーパー状の側壁を該スルーホール内に形成する工程と、
該第２の金属膜、及び該スルーホール内を覆って、第３の金属膜を積層する工程
とを含む半導体集積回路の製造方法。」
　  
（３−３）対比・判断  
　前記「１．本件補正の内容」の請求項１に記載された補正後請求項１に係る発明（以下、「補正後発明１」という。）と刊行物１に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比する。
　 
（ａ）刊行物発明の「工程」、「含む」、「製造方法」は、それぞれ補正後発明１の「ステップ」、「備えている」、「方法」に相当する。刊行物発明において、層間絶縁膜を形成した段階では半導体集積回路の製造が終了していないことは明らかであるから、刊行物発明の「層間絶縁膜」は、補正後発明１の「絶縁層」に相当する。  
　 
（ｂ）補正後発明１の「接点部」及び「接点部用開口」は、当初明細書等に「接点部開口（単に”接点部”と称される。）は、２層またはそれ以上の導電層の間の電気的接触を得るために、絶縁層を貫通して形成される」（第１頁第１１〜１３行）と記載されているから、補正後発明１の「接点部」及び「接点部開口」は、いずれも、導電層間の電気的接触を得るために絶縁層を貫通して形成される構成である。
　一方、刊行物１には、「下層金属配線膜と上層金属配線膜とを接続するためのスルーホールを層間絶縁膜に有する」、「該層間絶縁膜(3) を異方性ドライエッチングして、該第１の金属膜に達する該スルーホール(6) を開口する」（特許請求の範囲請求項１）と記載されているから、刊行物発明の「スルーホール」は、層間絶縁膜を開口して下層金属配線膜と上層金属配線膜とを接続するための構成であって、刊行物発明の「スルーホール」は、補正後発明１の「接点部」及び「接点部用開口」に相当する。
　 
（ｃ）補正後発明１の「下側の回路エレメント」は、「エレメント」が、「要素」を表す言葉であるから、「回路エレメント」は、「回路要素」と同様の意味である。したがって、補正後発明１の「回路エレメント」は、当初明細書等の第１の実施形態における「回路要素１０」と同様の構成である。そして、当初明細書等の第１の実施形態では、「ここに記述された好ましい実施形態の回路要素１０は、金属層で構成される」（第１０頁第１８〜１９行）、「絶縁層１２は、回路要素１０を覆っている」（第１１頁第１８行）と記載されている。つまり、「下側の回路エレメント」は、絶縁層１２に覆われている回路要素１０を示しているものである。また、当初明細書等において、「好ましい実施形態では、回路要素１０は、多数の金属下部層を備えている」（第１１頁第７〜８行）と記載されており、回路要素１０が複数の層からなることも意味している。
　一方、集積回路の技術分野において、金属膜は回路要素の一つであり、刊行物発明の「第１の金属膜」は、回路要素であるから、刊行物発明の「第１の金属膜」は、補正後発明１の「下側の回路エレメント」に相当する。
　そして、刊行物１には、「【００１９】図２〜図３により本発明を層間絶縁膜のスルーホールに適用した第１の実施例について説明する。図２（ａ）に示すように、ｎ形拡散層14が形成されたｐ形Si基板13上に下地絶縁膜として熱酸化により１μｍの厚さに第１のSiO2膜15が形成されている。この第１のSiO2膜15をフォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術を用いてパターニングし、第１のスルーホール16を形成する。
【００２０】スパッタ法により下地金属配線膜として第１のAl膜17を 7,000Åの厚さに被覆する・・・第１のAl膜17の上に連続してスパッタ法により銅(Cu)膜18を 2,000Åの厚さに積層する。銅は比較的Arイオンによりスパッタされやすく、SiO2膜に比べて２倍程度スパッタ比率が高い金属である。
【００２１】図２（ｂ）に示すように、ＥＣＲ法により、第２のSiO2膜19を 9,000Åの厚さに堆積し、スパッタ法によりTi膜20を 500Åの厚さに、更にＥＣＲ法により第３のSiO2膜21を500Åの厚さに堆積する。」（００１９段落〜００２１段落）と記載されており、スパッタ法により金属膜を堆積させた場合、基板表面全面が金属膜に被覆されることは明らかである。また、「第１のAl膜17の上に連続してスパッタ法により銅(Cu)膜18を」（００２０段落）積層しているから、銅(Cu)膜18も、第１のAl膜17と同様に表面全面を覆っていると認められる。刊行物１には、下層金属配線を形成する工程が記載されていないが、基板表面の全面に金属膜が被覆された状態では金属配線としての機能は果たさないから、上記銅(Cu)膜18、第１のAl膜17は、パターニングされ配線構造となっているものであり、刊行物発明の「下層金属配線膜」も補正後発明１の「下側の回路エレメント」に相当する。
　また、刊行物発明において、下層金属配線膜上に形成された第１の金属膜上に層間絶縁膜が堆積されるとと共に、「該層間絶縁膜を異方性ドライエッチングして、該第１の金属膜を露出した該スルーホールを開口する工程」を備えているから、刊行物発明の「該層間絶縁膜」に「該第１の金属膜を露出した該スルーホールを開口する工程」は、補正後発明１の「下側の回路エレメントを露出させる接点部用開口を該絶縁層を貫いて形成するステップ」に相当する。
　 
（ｄ）補正後発明１の「第１の導電層」は、「絶縁層」の上に堆積したものであるから、刊行物発明における「層間絶縁膜」の上に堆積した「高融点金属膜からなる第２の金属膜」は、補正後発明１の「第１の導電層」に相当する。
　
（ｅ）補正後発明１の「導電性材料に被覆された接点部を形成する」については、当初明細書等に「第２の導電層４０（図４）が接点部２０内に堆積される。」（第１７頁第１０〜１１行）と記載され、また、図４の記載を参酌すると「第１の導電層１４」の上にも「第２の導電層４０」が堆積されている。つまり、「導電性材料に被覆された接点部を形成する」は、導電性材料に被覆された接点部及び第１の導電層を形成することも意味している。
　一方、刊行物発明では「該第２の金属膜、及び該スルーホール内を覆って、第３の金属膜を積層」しており、刊行物発明の「該第２の金属膜、及び該スルーホール内を覆って、第３の金属膜を積層する」は、補正後発明１の「導電性材料に被覆された接点部を形成する」に相当する。
　 
　よって、補正後発明１と刊行物発明は、  
「導電性材料に被覆された接点部を形成する方法であって、該方法は、製造途中の集積回路を覆うように絶縁層を形成するステップと、
　下側の回路エレメントを露出させる接点部用開口を該絶縁層を貫いて形成するステップと、
　前記絶縁層の上に第１の導電層を堆積させるステップと、
　前記第１の導電層にエッチングを施すステップと
を備えている方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　  
　相違点１ 
　補正後発明１は、「導電性材料に被覆された接点部を形成する方法であって」なる構成を備えているのに対して、
　刊行物発明は、「下層金属配線膜と上層金属配線膜とを接続するためのスルーホールを層間絶縁膜に有する多層配線構造の半導体集積回路の製造方法において」及び「該第２の金属膜、及び該スルーホール内を覆って、第３の金属膜を積層する工程」を備えている点。
　
　相違点２
　補正後発明１は、「製造途中の集積回路を覆うように絶縁層を形成するステップと、下側の回路エレメントを露出させる接点部用開口を該絶縁層を貫いて形成するステップと、前記絶縁層の上に第１の導電層を堆積させるステップ」を備えているのに対して、
　刊行物発明は、「該下層金属配線膜上にスパッタ比率がマスク絶縁膜より大きい第１の金属膜を堆積し、前記第１の金属膜上に該層間絶縁膜を堆積する工程と、前記層間絶縁膜の上に高融点金属からなる第２の金属膜を堆積する工程と、前記第２の金属膜上にマスク絶縁膜を堆積する工程と、該マスク絶縁膜、該第２の金属膜、該層間絶縁膜を異方性ドライエッチングして、該第１の金属膜を露出した該スルーホールを開口する工程」を備えている点。
　
　相違点３
　補正後発明１は、「前記接点部用開口における前記第１の導電層に対し直接にファセットエッチングを施して該第１の導電層の上部コーナーを除去することにより、前記接点部用開口の口部にファセットを形成するステップ」を備えているのに対して、
　刊行物発明は、「該第１の金属膜上に自然形成された酸化膜をアルゴンイオンによるスパッタエッチングにより除去し、同時にマスク絶縁膜を第２の金属膜が露出するまでエッチングにより除去し、引き続き真空雰囲気中で第２の金属膜をスパッタエッチングして該スルーホール内にたたきこみ、該スルーホール内に第１の金属膜及び第２の金属膜よりスパッタされた金属原子からなるテーパー状の側壁を該スルーホール内に形成する工程」を備えている点。
　  
　上記各相違点について検討する。
　相違点１について
　刊行物発明の「該第２の金属膜、及び該スルーホール内を覆って、第３の金属膜を積層する工程」により、補正後発明１の「接点部」に相当する、刊行物発明の「スルーホール」は「第３の金属膜」で覆われている。ここで、「金属膜」が「導電性材料」であること、「覆われる」が「被覆」の意味であることは当業者にとって明らかであるから、刊行物発明の「スルーホール」は導電性材料により被覆されている。また、補正後発明１の「接点部」は、２層またはそれ以上の導電層の間の電気的接触を得るために、絶縁層を貫通して形成されるものであるから、刊行物発明の「半導体集積回路」の「下層金属配線膜と上層金属配線膜とを接続する多層配線構造の半導体集積回路の製造方法」は、補正後発明１の「導電性材料に被覆された接点部を形成する方法」を実質的に備えているものである。
　よって、相違点１については、実質的な相違点ではない。
　
　相違点２について
　刊行物発明の「該マスク絶縁膜、該第２の金属膜、該層間絶縁膜を異方性ドライエッチングして、該第１の金属膜を露出した該スルーホールを開口する工程」及び「前記層間絶縁膜の上に高融点金属からなる第２の金属膜を堆積する工程」は、補正後発明１の「下側の回路エレメントを露出させる接点部用開口を該絶縁層を貫いて形成するステップ」及び「前記絶縁層の上に第１の導電層を堆積させるステップ」に相当する。
　相違点２は、以下のように区分して検討する。
　刊行物発明は、補正後発明１の各ステップに対応していない「該下層金属配線膜上にスパッタ比率がマスク絶縁膜より大きい第１の金属膜を堆積」する工程、「前記第２の金属膜上にマスク絶縁膜を堆積する工程」を備えている点（相違点２−１）と、
　補正後発明１では、「製造途中の集積回路を覆うように絶縁層を形成するステップと、下側の回路エレメントを露出させる接点部用開口を該絶縁層を貫いて形成するステップと、前記絶縁層の上に第１の導電層を堆積させるステップ」を備えているのに対して、刊行物発明は、「前記第１の金属膜上に該層間絶縁膜を堆積する工程と、前記層間絶縁膜の上に高融点金属からなる第２の金属膜を堆積する工程と、」「該マスク絶縁膜、該第２の金属膜、該層間絶縁膜を異方性ドライエッチングして、該第１の金属膜を露出した該スルーホールを開口する工程」を備えており、刊行物発明の各工程は、補正後発明１の各ステップの順序と異なる順序である点（相違点２−２）に区分できる。
（ａ）相違点２−１について
　刊行物発明の「第１の金属膜」は、補正後発明１の「下側の回路エレメント」に相当する構成であり、刊行物発明の「該下層金属配線膜上にスパッタ比率がマスク絶縁膜より大きい第１の金属膜を堆積」する工程は、補正後発明１の「下側の回路エレメント」に相当する刊行物発明の「第１の金属膜」を形成する工程を述べたものであるから、実質的な相違点ではない。
　また、刊行物発明の「前記第２の金属膜上にマスク絶縁膜を堆積する工程」は、刊行物１には「該第１の金属膜２上に自然形成された酸化膜７をArイオン８によるスパッタエッチングにより除去し、引き続き真空雰囲気中で、図１（ｂ）に示すように、第２の金属膜４をスパッタして該スルーホール６内に叩き込み、該スルーホール６内に第１の金属膜２、及び第２の金属膜によりスパッタされた金属原子からなるテーパー状側壁９を該スルーホール６内に形成する工程」（００１３段落）と記載されており、「マスク絶縁膜」は、「該第１の金属膜２上に自然形成された酸化膜７をArイオン８によるスパッタエッチングにより除去」する際のマスクとして作用するものであることは当業者に明らかであるから、「自然形成された酸化膜７」が薄い等の条件であれば、「前記第２の金属膜上にマスク絶縁膜を堆積する」ことは必ずしも必要なことではない。したがって、刊行物発明の上記「前記第２の金属膜上にマスク絶縁膜を堆積する工程」を行うか否かは、当業者が適宜なしうる設計的事項である。
　
（ｂ）相違点２−２について
　補正後発明１の末尾の記載は「を備えている方法」であって、補正後発明１の各ステップをどのような順序で実行するかについて明確には記載されておらず、補正後発明１の「製造途中の集積回路を覆うように絶縁層を形成するステップと、下側の回路エレメントを露出させる接点部用開口を該絶縁層を貫いて形成するステップと、前記絶縁層の上に第１の導電層を堆積させるステップ」に記載される各ステップを実行する順序については明確ではないが、当初明細書等には、図２と共に「第１の好適な実施形態として、接点部のエッチングは、第１の導電層１４のチタンを除去し、絶縁層１２の酸化物を取り除いて、回路要素１０を露出しなければならない。」（第１３頁第１５〜１７行）と記載されており、エッチング時に回路要素１０を露出させる際に、第１の導電層１４のチタンと絶縁層１２の酸化膜を順次取り除いていることは明らかであるので、補正後発明１に記載された各ステップは、「製造途中の集積回路を覆うように絶縁層を形成するステップ」、「前記絶縁層の上に第１の導電層を堆積させるステップ」、「下側の回路エレメントを露出させる接点部用開口を該絶縁層を貫いて形成するステップ」の順序で実行されていると解するのが妥当である。また、刊行物発明の「前記第１の金属膜上に該層間絶縁膜を堆積する工程」、「前記層間絶縁膜の上に高融点金属からなる第２の金属膜を堆積する工程」及び「該第２の金属膜、該層間絶縁膜を異方性ドライエッチングして、該第１の金属膜を露出した該スルーホールを開口する工程」が、それぞれ補正後発明１の「製造途中の集積回路を覆うように絶縁膜を形成するステップ」、「前記絶縁層の上に第１の導電層を堆積させるステップ」及び「下側の回路エレメントを露出させる接点部用開口を該絶縁層を貫いて形成するステップ」に相当するから、刊行物発明の上記工程の順序は、補正後発明１の上記各ステップの順序と同等である。したがって相違点２−２は、実質的な相違点ではない。
　
　相違点３について
　相違点３は、以下のように区分して検討する。
　相違点３は、補正後発明１が「前記接点部用開口における前記第１の導電層に対し直接に」「エッチングを施して該第１の導電層の上部コーナーを除去する」「ステップ」を備えているのに対して、刊行物発明は「該第１の金属膜上に自然形成された酸化膜をアルゴンイオンによるスパッタエッチングにより除去し、同時にマスク絶縁膜を第２の金属膜が露出するまでエッチングにより除去し、引き続き真空雰囲気中で第２の金属膜をスパッタエッチング」する工程を備えている点（相違点３−１）と、
　補正後発明１が「ファセットエッチングを施」す「ことにより、前記接点部用開口の口部にファセットを形成するステップ」を備えているのに対して、刊行物発明は、「真空雰囲気中で第２の金属膜をスパッタエッチングして該スルーホール内にたたきこみ、該スルーホール内に第１の金属膜及び第２の金属膜よりスパッタされた金属原子からなるテーパー状の側壁を該スルーホール内に形成」している点（相違点３−２）に区分できる。 
（ａ）相違点３−１について 
　刊行物１には、 
「【００２２】・・・続いて、図示しないレジスト膜をマスクとして、異方性ドライエッチングにより原料ガスを選択して、Cu膜18が露出するまで第３のSiO2膜21、Ti膜20、第２のSiO2膜19を次々に異方性ドライエッチングして第２のスルーホール22を開口する。 
【００２３】その後、マスクとして用いた図示しないレジスト膜をアッシャーを用いて除去する。此の時点で第２のスルーホール22の底部に露出したCu膜18の表面には銅の自然酸化膜等が薄く堆積している。
【００２４】・・・図２（ｃ）に示すように、Arイオン23によるスパッタエッチングを行い、第２のスルーホール22内の銅の自然酸化膜等をクリーニング除去する。・・・同時に第３のSiO2膜21をTi膜20が露出するまでエッチングし、続いて、Ti膜20の表面もスパッタエッチングする。」（００２２段落〜００２４段落）と記載されており、「レジスト膜をアッシャーを用いて除去する。・・・第３のSiO2膜21をTi膜20が露出するまでエッチング」することは、スルーホールを開口する時のマスク膜の除去である。
　一方、本願の当初明細書等には、「いったん、第１の導電層１４が絶縁層１２の上に堆積されれば、接点部用開口２０（又は単純に接点部２０）は、標準のフォトリソグラフィックマスク工程によって形成され、第１の導電層１４及び絶縁層１２の両方を貫通してエッチングされる。・・・エッチングは、第１の導電層１４及び絶縁層１２から、フォトレジストマスクによって区画化される材料を除去し、接点部２０を開口して回路要素１０を露出させる。」（第１２頁第１４行〜第１３頁第４行）、「次に、接点部２０のリップ２７の上方にある、第１の導電層１４の上部コーナー２６を形成する構造に、・・・エッチングが施される・・・。」（第１４頁第２１行〜第１５頁第３行）、「・・・エッチングは、イオンビーム衝撃（ion beam bombardment）又はイオンミリング（ion milling）として知られている物理プロセスによってなされる必要がある。・・・最も好適には、高周波動力源が、プラズマ状況を生成し、アルゴンイオン（Ａｒ+）が、ＲＩＥチャンバ内のウエハに衝撃を与える」（第１５頁第９行〜第１５頁第１６行）と記載されており、接点部用開口２０を、マスク工程の一つであるフォトリソグラフィックマスク工程によって形成した後、接点部のリップの上方にある第１の導電層にアルゴンイオンのエッチングを施すことも、「前記接点部用開口における前記第１の導電層に対し直接に」「エッチングを施して」いることを意味している。 
　刊行物発明の「同時にマスク絶縁膜を第２の金属膜が露出するまでエッチングにより除去し、引き続き真空雰囲気中で第２の金属膜をスパッタエッチング」することは、刊行物１の記載から、マスクを用いた工程の後に前記マスクを除去し、前記マスクの下にある第１の導電層を除去することであるから、刊行物発明の「第２の金属膜をスパッタエッチング」することは、補正後発明１の「前記接点部用開口における前記第１の導電層に対し直接に」「エッチングを施して」いることと技術的に同等である。 
　さらに、刊行物発明の「該第１の金属膜上に自然形成された酸化膜をアルゴンイオンによるスパッタエッチングにより除去」する工程は、刊行物１の「・・・マスクとして用いた図示しないレジスト膜をアッシャーを用いて除去する。此の時点で第２のスルーホール22の底部に露出したCu膜18の表面には銅の自然酸化膜等が薄く堆積している。 
【００２４】・・・図２（ｃ）に示すように、Arイオン23によるスパッタエッチングを行い、第２のスルーホール22内の銅の自然酸化膜等をクリーニング除去する。・・・」（００２３段落〜００２４段落）の記載から、自然酸化膜が生じていなければ省略可能な工程であるから、刊行物発明において、「該第１の金属膜上に自然形成された酸化膜をアルゴンイオンによるスパッタエッチングにより除去」する工程を省略することは当業者にとって格別困難なことではない。 
　  
（ｂ）相違点３−２について  
　刊行物１の図２（ｃ）には、Ｔｉ膜２０に上部コーナーがあることが示唆されていると共に、図２（ｄ）のＴｉ膜２０の形状は、上部コーナーが削られた形状が示されている。また、刊行物１には、「ここでは、Arイオンのスパッタエッチングにより第２の金属膜からの金属原子がスルーホール内にどんどん堆積されてテーパー形状側壁を形成していく・・・。」（００１５段落）、「・・・Ti膜20の表面もスパッタエッチングする。この際、第３のSiO2膜21も第２のスルーホール22内に叩き出されるが、Cu膜18も同時に叩かれるので、銅のスパッタ比率が高いために、第３のSiO2膜21が再堆積することはなく、図２（ｄ）に示すように、第２のスルーホール22内にはTiとCuの金属原子が第２のスルーホール22内の側壁に次第に溜まり、TiとCuの金属原子が混合したテーパー状の側壁(Ti+Cu)24が形成されることとなる。」（００２４段落）と記載されている。 
　一方、当初明細書等には「ファセットエッチングは、イオンビーム衝撃（ion beam bombardment）又はイオンミリング(ion milling)として知られるプロセスによってなされる必要がある。」（第１５頁第９〜１２行）、「図３に示すように、第１の導電層１４の上部コーナー２６（図２）から除去された材料は、スパッタ堆積ターゲットとして作用し、上部コーナー２６（図２）の少なくともいくらかは、接点部２０の下部コーナー３０に堆積し、導電性コーナー充填部３２を形成する（図３）。」（第１６頁第７〜１１行）、「好適な実施形態として、チタニウム元素は、第１の導電層１４の上部コーナー２６からエッチングされ、前記チタニウムは、底面２４と側壁２２が当接する接点部の下部コーナー３０にスパッタリングされる。したがって、コーナー充填部３２は、側壁２２に沿って上方に向かって窄まり、底面２４に沿って内側に向かって窄まる下部コーナーの導電性（Ｔｉ）カバレッジを与える。」（第１６頁第２２行〜第１７頁第６行）と記載されており、補正後発明１のファセットエッチングは、側壁に沿って上方に向かって窄まり、底面に沿って内側に向かって窄まる下部コーナーの導電性カバレッジを与えるものであるから、刊行物発明の「第２の金属膜をスパッタエッチングして該スルーホール内にたたきこみ、該スルーホール内に第１の金属膜及び第２の金属膜よりスパッタされた金属原子からなるテーパー状の側壁を該スルーホール内に形成」する工程は、側壁に沿って上方に向かって窄まり、底面に沿って内側に向かって窄まる下部コーナーの導電性カバレッジを与える点において、補正後発明１の「ファセットエッチングを施して該第１の導電層の上部コーナーを除去することにより、前記接点部用開口の口部にファセットを形成する」ことと、技術的に同等であり、また、導電層にファセットエッチングを施すことは、例えば、米国特許第５４１６０４８号明細書（第２欄第２６行〜第３２行、第４欄第８〜第１２行、第４欄第１９行〜第２３行、第４欄第３３行〜第３７行参照）に示されるように本願の優先日前において従来周知の技術である。
　よって、刊行物発明の「真空雰囲気中で第２の金属膜をスパッタエッチングして該スルーホール内にたたきこみ、該スルーホール内に第１の金属膜及び第２の金属膜よりスパッタされた金属原子からなるテーパー状の側壁を該スルーホール内に形成する工程」において、刊行物発明の第２の金属膜のスパッタエッチングに代えて、技術的に同等であり、また、従来周知であるファセットエッチングを用いることにより、補正後発明１の「ファセットエッチングを施」す「ことにより、前記接点部用開口の口部にファセットを形成するステップ」とすることは、当業者が容易に想起しえたことである。
　 
　（３−４）むすび  
　したがって、補正後発明１は、刊行物１に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。よって本件補正後の特許請求の範囲の請求項２、３、８ないし３２に係る発明について検討するまでもなく、適法でない補正を含む本件補正は特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合しないものであり、本件補正は特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。  
　 
第３　本願発明について 
　平成１５年５月７日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本件の請求項１ないし３４に係る発明は、平成１３年８月２０日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３４に記載された事項により特定されるものであって、その請求項１に係る発明は、以下のとおりのものである。  
「１．導電性材料に被覆された接点部を形成する方法であって、該方法は、　製造途中の集積回路を覆うように絶縁層を形成するステップと、
　下側の回路エレメントを露出させる接点部を該絶縁層を貫いて形成するステップと、
　前記絶縁層の上に第１の導電層を堆積させるステップと、
　前記接点部における前記第１の導電層の上部コーナーを除去することにより、前記接点部の口部にファセットを形成するステップと
を備えている方法。」（以下、「本願発明１」という。）
　  
第４　刊行物１に記載された技術的事項
（ａ）特開平６−２６７８８８号公報
　刊行物１には、「第３　３．独立特許要件について　（３−２）刊行物について」に記載されたとおりの事項が記載されている。
　  
　刊行物１の特許請求の範囲請求項１に記載されている　
「下層金属配線膜(1) と上層金属配線膜(12)とを接続するためのスルーホール(6) を層間絶縁膜(3) に有する多層配線構造の半導体装置において」は、特許請求の範囲請求項１の末尾の記載が、「工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」であるから、「下層金属配線膜(1) と上層金属配線膜(12)とを接続するためのスルーホール(6) を層間絶縁膜(3) に有する多層配線構造の半導体装置の製造方法において」の誤記であり、また、特許請求の範囲請求項１の「及び該スルーホーク(6) 内を覆って」は、「該第１の金属膜に達する該スルーホール(6) を開口する」の記載から、「及び該スルーホール(6) 内を覆って」の誤記であることは当業者に明らかである。
　 
　刊行物１の００１３段落に記載される「図１に示すような下層配線金属膜１と上層配線金属膜12とを接続するためのスルーホール６」の「配線金属膜」は、「金属配線膜」の誤記である。
　 
　刊行物１の図１が本発明の原理説明図であり、図２及び図３が本発明の第１の実施例の工程順模式断面図であるから、図１ないし図３及び関連する記載より、図１の「下層配線金属膜１」、「第１の金属膜２」、「層間絶縁膜３」、「第２の金属膜４」、「マスク絶縁膜５」、「テーパー状側壁９」、「第３の金属膜１０」及び「埋め込み金属１１」は、それぞれ、図２及び図３の「第１のAl膜17」、「Cu膜18」、「第２のSiO2膜19」、「Ti膜20」、「第３のSiO2膜21」、「テーパー状の側壁(Ti+Cu)24」、「TiN膜24」及び「埋め込み金属26」に相当することは当業者に明らかである。
　
　刊行物１の請求項１に記載される「該下層金属配線膜(1)上にスパッタ比率がマスク絶縁膜(5)より大きい第１の金属膜(2)、該層間絶縁膜(3)、高融点金属、或いは高融点金属含有物からなる第２の金属膜(4)、マスク絶縁膜(5)を順次積層する工程」の「積層する」は、「堆積する」こととは同等の意味であり、また「順次積層する」工程であるから、刊行物１の請求項１に記載される上記工程は「該下層金属配線膜(1)上にスパッタ比率がマスク絶縁膜(5)より大きい第１の金属膜(2)を堆積する工程と、前記第１の金属膜(2)上に該層間絶縁膜(3)を堆積する工程と、前記層間絶縁膜(3)上に高融点金属、或いは高融点金属含有物からなる第２の金属膜(4)を堆積する工程と、前記第２の金属膜上にマスク絶縁膜(5)を堆積する工程」と技術的に同等である。
　  
　これらの記載より、刊行物１には以下の事項が記載されている。
（１）下層金属配線膜と上層金属配線膜とを接続するためのスルーホールを層間絶縁膜に有する多層配線構造の半導体装置の製造方法において、該下層金属配線膜上にスパッタ比率がマスク絶縁膜より大きい第１の金属膜を堆積し、前記第１の金属膜上に該層間絶縁膜を堆積する工程と、前記層間絶縁膜の上に高融点金属からなる第２の金属膜を堆積する工程と、前記第２の金属膜の上にマスク絶縁膜を堆積する工程と、該マスク絶縁膜、該第２の金属膜、該層間絶縁膜を異方性ドライエッチングして、該第１の金属膜に達する該スルーホールを開口する工程と、該第１の金属膜上に自然形成された酸化膜をアルゴンイオンによるスパッタエッチングにより除去し、引き続き真空雰囲気中で第２の金属膜をスパッタエッチングして該スルーホール内にたたきこみ、該スルーホール内に第１の金属膜及び第２の金属膜よりスパッタされた金属原子からなるテーパー状の側壁を該スルーホール内に形成する工程と、該第２の金属膜、及び該スルーホール内を覆って、第３の金属膜を積層する工程とを含む半導体装置の製造方法。  
（２）半導体集積回路の多層配線に係る技術であること。
（３）マスク絶縁膜、該第２の金属膜、該層間絶縁膜を異方性ドライエッチングして、該第１の金属膜を露出するスルーホールを開口していること。
（４）該第１の金属膜上に自然形成された酸化膜をアルゴンイオンによるスパッタエッチングにより除去し、同時にマスク絶縁膜を第２の金属膜が露出するまでエッチングすること。
　 
　よって、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「下層金属配線膜と上層金属配線膜とを接続するためのスルーホールを層間絶縁膜に有する多層配線構造の半導体集積回路の製造方法において、
該下層金属配線膜上にスパッタ比率がマスク絶縁膜より大きい第１の金属膜を堆積し、前記第１の金属膜上に該層間絶縁膜を堆積する工程と、
前記層間絶縁膜の上に高融点金属からなる第２の金属膜を堆積する工程と、
前記第２の金属膜上にマスク絶縁膜を堆積する工程と、
該マスク絶縁膜、該第２の金属膜、該層間絶縁膜を異方性ドライエッチングして、該第１の金属膜を露出した該スルーホールを開口する工程と、
該第１の金属膜上に自然形成された酸化膜をアルゴンイオンによるスパッタエッチングにより除去し、同時にマスク絶縁膜を第２の金属膜が露出するまでエッチングにより除去し、引き続き真空雰囲気中で第２の金属膜をスパッタエッチングして該スルーホール内にたたきこみ、該スルーホール内に第１の金属膜及び第２の金属膜よりスパッタされた金属原子からなるテーパー状の側壁を該スルーホール内に形成する工程と、
該第２の金属膜、及び該スルーホール内を覆って、第３の金属膜を積層する工程
とを含む半導体集積回路の製造方法。」 
　
第５　対比・判断  
　本願発明１と刊行物発明とを対比する。  
（ａ）刊行物発明の「工程」、「含む」、「製造方法」は、それぞれ本願発明１の「ステップ」、「備えている」、「方法」に相当する。刊行物発明において、層間絶縁膜を形成した段階では半導体集積回路の製造が終了していないことは明らかであるから、刊行物発明の「層間絶縁膜」は、本願発明１の「絶縁層」に相当する。 
　 
（ｂ）本願発明１の「接点部」は、当初明細書等に「接点部開口（単に”接点部”と称される。）は、２層またはそれ以上の導電層の間の電気的接触を得るために、絶縁層を貫通して形成される」（第１頁第１１〜１３行）と記載されているから、本願発明１の「接点部」は、導電層間の電気的接触を得るために絶縁層を貫通して形成される構成である。 
　一方、刊行物１には、「下層金属配線膜と上層金属配線膜とを接続するためのスルーホールを層間絶縁膜に有する」、「該層間絶縁膜(3) を異方性ドライエッチングして、該第１の金属膜に達する該スルーホール(6) を開口する」（特許請求の範囲請求項１）と記載されているから、刊行物発明の「スルーホール」は、層間絶縁膜を開口して下層金属配線膜と上層金属配線膜とを接続するための構成であって、刊行物発明の「スルーホール」は、本願発明１の「接点部」に相当する。 
　 
（ｃ）本願発明１の「下側の回路エレメント」は、「エレメント」が、「要素」を表す言葉であるから、「回路エレメント」は、「回路要素」と同様の意味である。したがって、本願発明１の「回路エレメント」は、当初明細書等の第１の実施形態における「回路要素１０」と同様の構成である。そして、当初明細書等の第１の実施形態では、「ここに記述された好ましい実施形態の回路要素１０は、金属層で構成される」（第１０頁第１８〜１９行）、「絶縁層１２は、回路要素１０を覆っている」（第１１頁第１８行）と記載されている。つまり、「下側の回路エレメント」は、絶縁層１２に覆われている回路要素１０を示しているものである。また、当初明細書等において、「好ましい実施形態では、回路要素１０は、多数の金属下部層を備えている」（第１１頁第７〜８行）と記載されており、回路要素１０が複数の層からなることも意味している。  
　一方、集積回路の技術分野において、金属膜は回路要素の一つであり、刊行物発明の「第１の金属膜」は、回路要素であるから、刊行物発明の「第１の金属膜」は、本願発明１の「下側の回路エレメント」に相当する。
　そして、刊行物１には、「【００１９】図２〜図３により本発明を層間絶縁膜のスルーホールに適用した第１の実施例について説明する。図２（ａ）に示すように、ｎ形拡散層14が形成されたｐ形Si基板13上に下地絶縁膜として熱酸化により１μｍの厚さに第１のSiO2膜15が形成されている。この第１のSiO2膜15をフォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術を用いてパターニングし、第１のスルーホール16を形成する。 
【００２０】スパッタ法により下地金属配線膜として第１のAl膜17を 7,000Åの厚さに被覆する・・・第１のAl膜17の上に連続してスパッタ法により銅(Cu)膜18を 2,000Åの厚さに積層する。銅は比較的Arイオンによりスパッタされやすく、SiO2膜に比べて２倍程度スパッタ比率が高い金属である。
【００２１】図２（ｂ）に示すように、ＥＣＲ法により、第２のSiO2膜19を 9,000Åの厚さに堆積し、スパッタ法によりTi膜20を 500Åの厚さに、更にＥＣＲ法により第３のSiO2膜21を500Åの厚さに堆積する。」（００１９段落〜００２１段落）と記載されており、スパッタ法により金属膜を堆積させた場合、基板表面全面が金属膜に被覆されることは明らかである。また、「第１のAl膜17の上に連続してスパッタ法により銅(Cu)膜18を」（００２０段落）積層しているから、銅(Cu)膜18も、第１のAl膜17と同様に表面全面を覆っていると認められる。刊行物１には、下層金属配線を形成する工程が記載されていないが、基板表面の全面に金属膜が被覆された状態では金属配線としての機能は果たさないから、上記銅(Cu)膜18、第１のAl膜17は、パターニングされ配線構造となっているものであり、刊行物発明の「下層金属配線膜」も本願発明１の「下側の回路エレメント」に相当する。
　また、刊行物発明において、下層金属配線膜上に形成された第１の金属膜上に層間絶縁膜が堆積されるとと共に、「該層間絶縁膜を異方性ドライエッチングして、該第１の金属膜を露出した該スルーホールを開口する工程」を備えているから、刊行物発明の「該層間絶縁膜」に「該第１の金属膜を露出した該スルーホールを開口する工程」は、本願発明１の「下側の回路エレメントを露出させる接点部用開口を該絶縁層を貫いて形成するステップ」に相当する。
　
（ｄ）本願発明１の「第１の導電層」は、「絶縁層」の上に堆積したものであるから、刊行物発明における「層間絶縁膜」の上に堆積した「高融点金属膜からなる第２の金属膜」は、本願発明１の「第１の導電層」に相当する。
　 
（ｅ）本願発明１の「導電性材料に被覆された接点部を形成する」については、当初明細書等に「第２の導電層４０（図４）が接点部２０内に堆積される。」（第１７頁第１０〜１１行）と記載され、また、図４の記載を参酌すると「第１の導電層１４」の上にも「第２の導電層４０」が堆積されており、「導電性材料に被覆された接点部を形成する」は、導電性材料に、接点部及び第１の導電層が被覆されることも意味している。 
　一方、刊行物発明では「該第２の金属膜、及び該スルーホール内を覆って、第３の金属膜を積層」しており、刊行物発明の「該第２の金属膜、及び該スルーホール内を覆って、第３の金属膜を積層する」は、本願発明１の「導電性材料に被覆された接点部を形成する」に相当する。 
（ｆ）刊行物発明において「第２の金属膜をスパッタエッチング」することは、本願発明１における「前記第１の導電層」「を除去すること」に相当する。
　 
　よって、本願発明１と刊行物発明は、  
「導電性材料に被覆された接点部を形成する方法であって、該方法は、製造途中の集積回路を覆うように絶縁層を形成するステップと、
　下側の回路エレメントを露出させる接点部を該絶縁層を貫いて形成するステップと、  
前記絶縁層の上に第１の導電層を堆積させるステップと、
前記第１の導電層を除去するステップ  
を備えている方法。」  
である点で一致し、以下の点で相違する。  
　 
　相違点１ 
　本願発明１は、「導電性材料に被覆された接点部を形成する方法であって」なる構成を備えているのに対して、
　刊行物発明は、「下層金属配線膜と上層金属配線膜とを接続するためのスルーホールを層間絶縁膜に有する多層配線構造の半導体集積回路の製造方法において」及び「該第２の金属膜、及び該スルーホール内を覆って、第３の金属膜を積層する工程」を備えている点。
　
　相違点２
　本願発明１は、「製造途中の集積回路を覆うように絶縁層を形成するステップと、下側の回路エレメントを露出させる接点部を該絶縁層を貫いて形成するステップと、前記絶縁層の上に第１の導電層を堆積させるステップ」を備えているのに対して、
　刊行物発明は、「該下層金属配線膜上にスパッタ比率がマスク絶縁膜より大きい第１の金属膜を堆積し、前記第１の金属膜上に該層間絶縁膜を堆積する工程と、前記層間絶縁膜の上に高融点金属からなる第２の金属膜を堆積する工程と、前記第２の金属膜上にマスク絶縁膜を堆積する工程と、該マスク絶縁膜、該第２の金属膜、該層間絶縁膜を異方性ドライエッチングして、該第１の金属膜を露出した該スルーホールを開口する工程」を備えている点。
　
　相違点３
　本願発明１では、「前記接点部における前記第１の導電層の上部コーナーを除去することにより、前記接点部の口部にファセットを形成するステップ」を備えているのに対して、
　刊行物発明は、「該第１の金属膜上に自然形成された酸化膜をアルゴンイオンによるスパッタエッチングにより除去し、同時にマスク絶縁膜を第２の金属膜が露出するまでエッチングにより除去し、引き続き真空雰囲気中で第２の金属膜をスパッタエッチングして該スルーホール内にたたきこみ、該スルーホール内に第１の金属膜及び第２の金属膜よりスパッタされた金属原子からなるテーパー状の側壁を該スルーホール内に形成する工程」を備えている点。
　
　上記各相違点について検討する。
　相違点１について
　刊行物発明の「該第２の金属膜、及び該スルーホール内を覆って、第３の金属膜を積層する工程」により、本願発明１の「接点部」に相当する、刊行物発明の「スルーホール」は「第３の金属膜」で覆われている。ここで、「金属膜」が「導電性材料」であること、「覆われる」が「被覆」の意味であることは当業者にとって明らかであるから、刊行物発明の「スルーホール」は導電性材料により被覆されている。また、本願発明１の「接点部」は、２層またはそれ以上の導電層の間の電気的接触を得るために、絶縁層を貫通して形成されるものであるから、刊行物発明の「半導体集積回路」の「下層金属配線膜と上層金属配線膜とを接続する多層配線構造の半導体集積回路の製造方法」は、本願発明１の「導電性材料に被覆された接点部を形成する方法」を実質的に備えているものである。
　よって、相違点１については、実質的な相違点ではない。
　
　相違点２について
　刊行物発明の「該マスク絶縁膜、該第２の金属膜、該層間絶縁膜を異方性ドライエッチングして、該第１の金属膜を露出した該スルーホールを開口する工程」及び「前記層間絶縁膜の上に高融点金属からなる第２の金属膜を堆積する工程」は、補正後発明１の「下側の回路エレメントを露出させる接点部を該絶縁層を貫いて形成するステップ」及び「前記絶縁層の上に第１の導電層を堆積させるステップ」に相当する。
　相違点２は、以下のように区分して検討する。
　刊行物発明は、本願発明１の各ステップに対応していない「該下層金属配線膜上にスパッタ比率がマスク絶縁膜より大きい第１の金属膜を堆積」する工程、「前記第２の金属膜上にマスク絶縁膜を堆積する工程」を備えている点（相違点２−１）と、
　本願発明１では、「製造途中の集積回路を覆うように絶縁層を形成するステップと、下側の回路エレメントを露出させる接点部用開口を該絶縁層を貫いて形成するステップと、前記絶縁層の上に第１の導電層を堆積させるステップ」を備えているのに対して、刊行物発明は、「前記第１の金属膜上に該層間絶縁膜を堆積する工程と、前記層間絶縁膜の上に高融点金属からなる第２の金属膜を堆積する工程と、」「該マスク絶縁膜、該第２の金属膜、該層間絶縁膜を異方性ドライエッチングして、該第１の金属膜を露出した該スルーホールを開口する工程」を備えており、刊行物発明の各工程は、本願発明１の各ステップの順序と異なる順序である点（相違点２−２）とに区分できる。
　
（ａ）相違点２−１について
　刊行物発明の「第１の金属膜」は、本願発明１の「下側の回路エレメント」に相当する構成であり、刊行物発明の「該下層金属配線膜上にスパッタ比率がマスク絶縁膜より大きい第１の金属膜を堆積」する工程は、本願発明１の「下側の回路エレメント」に相当する刊行物発明の「第１の金属膜」を形成する工程を述べたものであるから、実質的な相違点ではない。
　また、刊行物発明の「前記第２の金属膜上にマスク絶縁膜を堆積する工程」は、刊行物１には「該第１の金属膜２上に自然形成された酸化膜７をArイオン８によるスパッタエッチングにより除去し、引き続き真空雰囲気中で、図１（ｂ）に示すように、第２の金属膜４をスパッタして該スルーホール６内に叩き込み、該スルーホール６内に第１の金属膜２、及び第２の金属膜によりスパッタされた金属原子からなるテーパー上側壁９を該スルーホール６内に形成する工程」（００１３段落）と記載されており、「マスク絶縁膜」は、「該第１の金属膜２上に自然形成された酸化膜７をArイオン８によるスパッタエッチングにより除去」する際のマスクとして作用するものであることは当業者に明らかであるから、「自然形成された酸化膜７」が薄い等の条件であれば、「前記第２の金属膜上にマスク絶縁膜を堆積する」ことは必ずしも必要なことではない。したがって、刊行物発明の上記「前記第２の金属膜上にマスク絶縁膜を堆積する工程」を実行するか否かは、当業者が適宜なしうる設計的事項である。
　
（ｂ）相違点２−２について
　本願発明１の末尾の記載は「を備えている方法」であって、本願発明１の各ステップをどのような順序で実行するかについて明確には記載されておらず、本願発明１の「製造途中の集積回路を覆うように絶縁層を形成するステップと、下側の回路エレメントを露出させる接点部用開口を該絶縁層を貫いて形成するステップと、前記絶縁層の上に第１の導電層を堆積させるステップ」に記載される各ステップを実行する順序については明確ではないが、当初明細書等には、図２と共に「第１の好適な実施形態として、接点部のエッチングは、第１の導電層１４のチタンを除去し、絶縁層１２の酸化物を取り除いて、回路要素１０を露出しなければならない。」（第１３頁第１５〜１７行）と記載されており、エッチング時に回路要素１０を露出させる際に、第１の導電層１４のチタンと絶縁層１２の酸化膜を順次取り除いていることは明らかであるので、本願発明１に記載された各ステップは、「製造途中の集積回路を覆うように絶縁層を形成するステップ」、「前記絶縁層の上に第１の導電層を堆積させるステップ」、「下側の回路エレメントを露出させる接点部を該絶縁層を貫いて形成するステップ」の順序で実行されていると解するのが妥当である。また、刊行物発明の「前記第１の金属膜上に該層間絶縁膜を堆積する工程」、「前記層間絶縁膜の上に高融点金属からなる第２の金属膜を堆積する工程」及び「該第２の金属膜、該層間絶縁膜を異方性ドライエッチングして、該第１の金属膜を露出した該スルーホールを開口する工程」が、それぞれ本願発明１の「製造途中の集積回路を覆うように絶縁層を形成するステップ」、「前記絶縁層の上に第１の導電層を堆積させるステップ」及び「下側の回路エレメントを露出させる接点部を該絶縁層を貫いて形成するステップ」に相当するから、刊行物発明の上記工程の順序は、本願発明１の上記各ステップの順序と同等である。したがって相違点２−２は、実質的な相違点ではない。
　
　相違点３について
　相違点３は、以下のように区分して検討する。
　刊行物発明は、本願発明１の各ステップに対応していない「該第１の金属膜上に自然形成された酸化膜をアルゴンイオンによるスパッタエッチングにより除去し、同時にマスク絶縁膜を第２の金属膜が露出するまでエッチングにより除去」する工程を備えている点（相違点３−１）と、
　本願発明１が「前記接点部における前記第１の導電層の上部コーナーを除去することにより、前記接点部の口部にファセットを形成するステップ」を備えているのに対して、刊行物発明は、「真空雰囲気中で第２の金属膜をスパッタエッチングして該スルーホール内にたたきこみ、該スルーホール内に第１の金属膜及び第２の金属膜よりスパッタされた金属原子からなるテーパー状の側壁を該スルーホール内に形成する工程」を備えている点（相違点３−２）に区分できる。
　
（ａ）相違点３−１について
　刊行物１には、
「【００２２】・・・図示しないレジスト膜をマスクとして、異方性ドライエッチングにより原料ガスを選択して、Cu膜18が露出するまで第３のSiO2膜21、Ti膜20、第２のSiO2膜19を次々に異方性ドライエッチングして第２のスルーホール22を開口する。 
【００２３】その後、マスクとして用いた図示しないレジスト膜をアッシャーを用いて除去する。此の時点で第２のスルーホール22の底部に露出したCu膜18の表面には銅の自然酸化膜等が薄く堆積している。
【００２４】・・・図２（ｃ）に示すように、Arイオン23によるスパッタエッチングを行い、第２のスルーホール22内の銅の自然酸化膜等をクリーニング除去する。・・・同時に第３のSiO2膜21をTi膜20が露出するまでエッチングし、続いて、Ti膜20の表面もスパッタエッチングする。」（００２２段落〜００２４段落）と記載されており、「第２のスルーホール22の底部に露出したCu膜18の表面」に形成される自然酸化膜は、スルーホールの開口に用いたレジスト膜をアッシャーで除去する過程において形成されるものであるから、レジスト膜をアッシャー以外を用いる方法で除去することにより、自然酸化膜が生じない、又は極少量生じるだけとすることができることは当業者に明らかであるから、自然酸化膜のクリーニング除去は必ずしも実行する必要のない工程である。また、刊行物１には「該第１の金属膜２上に自然形成された酸化膜７をArイオン８によるスパッタエッチングにより除去し、引き続き真空雰囲気中で、図１（ｂ）に示すように、第２の金属膜４をスパッタして該スルーホール６内に叩き込み、該スルーホール６内に第１の金属膜２、及び第２の金属膜によりスパッタされた金属原子からなるテーパー状側壁９を該スルーホール６内に形成する工程」（００１３段落）と記載されており、「マスク絶縁膜」は、「該第１の金属膜２上に自然形成された酸化膜７をArイオン８によるスパッタエッチングにより除去」する際のマスクとして作用するものであることは当業者に明らかであるから、「自然形成された酸化膜７」が薄い等の条件であれば、「前記第２の金属膜上にマスク絶縁膜を堆積する」ことは必ずしも必要なことではない。
　したがって、刊行物発明において、上記相違点３−１に係る工程を実行するか否かは当業者が適宜なしうる設計的事項である。
　
（ｂ）相違点３−２について
　刊行物１の図２（ｃ）にはＴｉ膜２０に上部コーナーがあることが示唆されていると共に、図２（ｄ）のＴｉ膜２０の形状は、上部コーナーが削られた形状が示されている。また、刊行物１には、「ここでは、Arイオンのスパッタエッチングにより第２の金属膜からの金属原子がスルーホール内にどんどん堆積されてテーパー形状側壁を形成していく・・・。」（００１５段落）、「・・・Ti膜20の表面もスパッタエッチングする。この際、第３のSiO2膜21も第２のスルーホール22内に叩き出されるが、Cu膜18も同時に叩かれるので、銅のスパッタ比率が高いために、第３のSiO2膜21が再堆積することはなく、図２（ｄ）に示すように、第２のスルーホール22内にはTiとCuの金属原子が第２のスルーホール22内の側壁に次第に溜まり、TiとCuの金属原子が混合したテーパー状の側壁(Ti+Cu)24が形成されることとなる。」（００２４段落）と記載されている。 
　一方、当初明細書等には「ファセットエッチングは、イオンビーム衝撃（ion beam bombardment）又はイオンミリング(ion milling)として知られるプロセスによってなされる必要がある。」（第１５頁第９〜１２行）、「図３に示すように、傾斜したファセット２８が、接点部のリップ２７上に生じる。」（第１５頁第２０〜２２行）、「図３に示すように、第１の導電層１４の上部コーナー２６（図２）から除去された材料は、スパッタ堆積ターゲットとして作用し、上部コーナー２６（図２）の少なくともいくらかは、接点部２０の下部コーナー３０に堆積し、導電性コーナー充填部３２を形成する（図３）。」（第１６頁第７〜１１行）、「好適な実施形態として、チタニウム元素は、第１の導電層１４の上部コーナー２６からエッチングされ、前記チタニウムは、底面２４と側壁２２が当接する接点部の下部コーナー３０にスパッタリングされる。したがって、コーナー充填部３２は、側壁２２に沿って上方に向かって窄まり、底面２４に沿って内側に向かって窄まる下部コーナーの導電性（Ｔｉ）カバレッジを与える。」（第１６頁第２２行〜第１７頁第６行）と記載されており、本願発明１のファセットは、ファセットエッチングによって形成される。そして、ファセットエッチングは、第１の導電層からなる、側壁に沿って上方に向かって窄まり、底面に沿って内側に向かって窄まる下部コーナーの導電性カバレッジを与えるものであるから、刊行物発明の「第２の金属膜をスパッタエッチングして該スルーホール内にたたきこみ、該スルーホール内に第１の金属膜及び第２の金属膜よりスパッタされた金属原子からなるテーパー状の側壁を該スルーホール内に形成」する工程は、側壁に沿って上方に向かって窄まり、底面に沿って内側に向かって窄まる下部コーナーの導電性カバレッジを与える点において、本願発明１の「前記接点部における前記第１の導電層の上部コーナーを除去することにより、前記接点部の口部にファセットを形成する」ことと、技術的に同等であり、また、導電層にファセットを形成することは、例えば、米国特許第５４１６０４８号明細書（第２欄第２６行〜第３２行、第４欄第８〜第１２行、第４欄第１９行〜第２３行、第４欄第３３行〜第３７行参照）に示されるように本願の優先日前において従来周知の技術である。
　よって、刊行物発明の「真空雰囲気中で第２の金属膜をスパッタエッチングして該スルーホールにたたきこみ、該スルーホール内に第１の金属膜及び第２の金属膜よりスパッタされた金属原子からなるテーパー状の側壁を該スルーホール内に形成する工程」において、刊行物発明の第２の金属膜のスパッタエッチングに代えて、技術的に同等であり、また、従来周知であるファセットを形成する技術を用いることにより、本願発明１の「前記接点部における前記第１の導電層の上部コーナーを除去することにより、前記接点部の口部にファセットを形成するステップ」とすることは、当業者が容易に想起しえたことである。
　 
　したがって、本願発明１は、刊行物１に記載された発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　  
第５　むすび  
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許をうけることができないので、本願は、請求項２ないし請求項４、請求項９ないし請求項３４に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　  
　よって、結論のとおりに審決する。