【事件の表示】
　特願２００１−２１２０１７「炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　１月３１日出願公開、特開２００３−　３１５７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年７月１２日の出願であって、その請求項１〜５に係る発明は、平成１５年１０月２１日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　炭化珪素半導体の表面に熱酸化膜を形成する炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法において、
　前記炭化珪素半導体の周囲に不活性ガス雰囲気を形成し、前記炭化珪素半導体が熱酸化しない状態で昇温を行い、
　前記炭化珪素半導体に熱酸化膜を形成する所望の温度に到達後、前記炭化珪素半導体の周囲の前記不活性ガス雰囲気を酸化性ガス雰囲気に置換して、該炭化珪素半導体の表面に熱酸化膜を形成することを特徴とする炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に国内に頒布された刊行物である特開平１１−３１６９１号公報（以下、「刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（２ａ）「【０００４】
　　　　【発明が解決しようとする課題】ＳｉＣでは、シリコンと同様に熱酸化により表面にＳｉＯ２膜が成長する。このＳｉＯ２膜とＳｉＣとの界面は清浄で、成長したＳｉＯ２膜は表面の保護膜やＭＯＳ型半導体装置のゲート絶縁膜として利用可能であることは上に述べた。但しこれまでのところ、ＳｉＣにおいては、熱酸化によってＳｉＯ２膜を形成した場合、ＳｉＯ２膜とＳｉＣとの間に発生する界面凖位密度がシリコン基板の場合と比較して非常に多いという報告が、多数なされている。・・・界面凖位密度が多いことは、極く表面に近い部分のキャリアを制御するＭＯＳ型半導体装置にとって、致命的である。このため、界面凖位密度を減少させる試みが、幾つかなされている。ここで、以下の説明を容易にするため、酸化工程について説明する。
　　　　【０００５】図４は、典型的な酸化工程の、温度変化を表すフローチャートである。すなわち、横軸は時間、縦軸は温度を表している。酸化する温度よりも低い温度Ｔ１においてウェハを酸化炉に導入し、その後、炉の温度を酸化温度Ｔ２まで上昇させる時間ｔｕの工程が、Ａのプロセスである。その後、温度Ｔ２でｔ１の時間だけ酸化をおこなう。この際、酸化炉内には、酸化性雰囲気としてスチームや、水蒸気を含ませた酸素であるウェット酸素、或いは水蒸気を含まないドライ酸素などが流される。この工程Ｂが、酸化工程となる。そのあと、酸化と同一温度、またはそれ以外の温度において、例えば適当なガス中でのアニール工程Ｃを経て、炉は冷却される（工程Ｄ、時間ｔｄ）。最後に温度Ｔ３でウェハが炉から取り出される。一般にシリコン半導体装置の製造工程においては、界面凖位密度の低減等のため、窒素やアルゴン等の不活性ガス中でのアニールが必要とされている。図では、アニール時間をｔ２として示した。又、アニール温度を酸化温度と同一としたが、変えても良い。」
（２ｂ）「【０００９】
　　　　【課題を解決するための手段】上記課題解決のため本発明は、パイロジェニック酸化によることとした。すなわち、加熱された炭化けい素表面上に、水素と酸素を導入して熱酸化するパイロジェニック酸化によって酸化けい素膜を成長させる熱酸化膜形成方法において、水素と酸素の流量比が１：１よりも水素の流量が多い流量比となるようにするものとする。
　　　　【００１０】パイロジェニック酸化時の水素と酸素の流量比の影響を説明するメカニズムの詳細は不明であるが、後述の実験結果が示すように、水素と酸素の流量比を１：１以上とすると、界面凖位密度が急減する。また、熱酸化により酸化膜を形成した後、酸化後の冷却過程が水素原子を含む雰囲気でおこなわれ、その冷却速度が０．３〜３℃／ｍｉｎの範囲にあることがよい。」
（２ｃ）「【００１４】
　　　　【発明の実施の形態】以下本発明の炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法を、パイロジェニック酸化を実施例として記す。この方法は気体の水素と酸素を導入し、反応させて水を生成し、これによってウェット雰囲気を得るものである。熱酸化時のプロセス条件を吟味することによって、ＭＯＳ型半導体装置の重要な特性である界面凖位密度を低減する方法を得た。
　　　　【００１５】以下図を参照しながら、実験結果を説明し、界面凖位密度を低減する方法の詳細を述べる。
　　　　［実験１］・・・ｐ型ＳｉＣを用いた。
　　　　【００１６】炉の昇温時には、ドライ酸素を流しているが、これは、ウェット雰囲気でも不活性雰囲気でも構わない。昇温後、種々の流量比の酸素と水素とを流して、・・・パイロジェニック酸化をおこない比較した。・・・アニール、および冷却中の雰囲気は、窒素である。成長した酸化膜の厚さは約３０〜４０ｎｍである。
　　　　【００１７】得られた試料の界面凖位密度を図１に示す。横軸は水素と酸素の流量比を、縦軸に得られた界面凖位密度を示したものである。図から明らかにわかるように、水素：酸素の流量比が１：１よりも水素の多いところで、急激に界面準位が改善されて、それ以上では飽和している。水素：酸素の流量比が０の点は、ドライ酸素中での酸化を意味しており、それに比べ、水素：酸素の流量比を１．２５以上とした所では、界面凖位密度が約１／３になっている。すなわち、水素：酸素の流量比を１：１以上、更に望ましくは１．３以上にすることが重要であることがわかる。」
　
３．対比・判断
　上記摘記事項（２ａ）によれば、炭化ケイ素半導体表面上に熱酸化により酸化膜を成長させる方法が記載され、工程Ａにおいて、酸化温度よりも低い温度Ｔ１でウエハを酸化炉に導入して、時間ｔｕかけて酸化温度Ｔ２まで上昇させ、工程Ｂにおいて、温度Ｔ２で時間ｔ２だけ水蒸気を含まないドライ酸素などを流しつつ、酸化をおこない、その後、アニール工程Ｃを経て、工程Ｄにおいて、時間ｔｄかけて炉を冷却することが記載されている。
　そして、上記摘記事項（２ｃ）によれば、炉の昇温時の工程Ａにおいては、水蒸気を含まないドライ酸素などを流しているものの、不活性雰囲気でも構わないことが記載され、不活性雰囲気の場合には炭化ケイ素表面上は熱酸化しないことは明らかである。
　また、工程Ａにおいて不活性雰囲気を用いた場合には、工程Ｂにおいて、熱酸化するために、炉内の不活性雰囲気を水蒸気を含まないドライ酸素などに、置き換えることも当然のことである。
　上記摘記事項（２ａ）〜（２ｃ）を総合すると、刊行物には、炭化ケイ素の表面に熱酸化膜を形成する炭化ケイ素の酸化膜の形成方法において、炭化ケイ素半導体の周囲に不活性雰囲気を形成し、炭化ケイ素が熱酸化しない状態で昇温を行い、炭化ケイ素に熱酸化膜を形成する所望の温度に到達後、炭化ケイ素の周囲の不活性雰囲気を水蒸気を含まないドライ酸素に置換して、炭化ケイ素の表面に熱酸化膜を形成する炭化ケイ素の酸化膜の形成方法に関する発明が記載されていることになる。
　そこで、本願発明１と刊行物に記載された発明とを対比すると、刊行物に記載された「不活性雰囲気」、「水蒸気を含まないドライ酸素」は、本願発明１の「不活性ガス雰囲気」、「酸化性ガス雰囲気」にそれぞれ相当するから、両者は、「炭化珪素半導体の表面に熱酸化膜を形成する炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法において、前記炭化珪素半導体の周囲に不活性ガス雰囲気を形成し、前記炭化珪素半導体が熱酸化しない状態で昇温を行い、前記炭化珪素半導体に熱酸化膜を形成する所望の温度に到達後、前記炭化珪素半導体の周囲の前記不活性ガス雰囲気を酸化性ガス雰囲気に置換して、該炭化珪素半導体の表面に熱酸化膜を形成する炭化珪素半導体の酸化膜の形成方法」の点で一致し、相違する点はない。
　
　したがって、本願発明１は、刊行物に記載された発明である。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであり、請求項２〜５に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。