【事件の表示】
　特許第３６４７０６４号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３６４７０６４号に係る明細書を本件審判請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正することを認める。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３６４７０６４号の請求項１〜１２に係る発明についての出願は、平成６年６月２４日（優先権主張平成５年６月２４日、平成５年６月２９日、平成６年２月３日）に特許出願され、平成１６年５月６日及び平成１６年１２月９日に手続補正がなされ、平成１７年２月１８日に請求項１〜１２に係る発明について特許権の設定登録がなされ、平成１８年１月１２日に本件訂正審判の請求がなされたものである。
　
２．請求の要旨
　本件審判の請求の要旨の内容は、本件特許第３６４７０６４号の設定登録時の願書に添付した明細書（以下、「登録明細書」という。）を審判請求書に添付した訂正明細書のとおり、すなわち、以下の訂正事項１〜５のとおり訂正することを求めるものである。なお、下線は、訂正前後の訂正箇所を明確化するために、当審で付したものである。
　
（１）訂正事項１
　登録明細書の請求項１０の記載を、
「請求項７において、
　前記第２の絶縁層は、前記被処理体の処理中に体積固有抵抗が１０６〜１０１２Ω・ｃｍで有り、その吸着面の表面粗さＲａが０．２〜
０．３
「請求項７において、
　前記第２の絶縁層は、前記被処理体の処理中に体積固有抵抗が１０６〜１０１２Ω・ｃｍで有り、その吸着面の表面粗さＲａが０．２〜
３．１
　
（２）訂正事項２
　登録明細書の段落【００１９】の記載を、
「【課題を解決するための手段】
　前記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、真空下で被処理体の処理を行う処理室と、
　前記処理室内に設けられ、前記被処理体を載置するための載置面を有する載置部材と、
　前記載置面に設けられた、前記被処理体を吸着させるための静電吸着手段と、
　前記被処理体を加熱するための加熱手段と、
　前記処理室に被処理体を処理するための処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、を備え、
　前記載置部材は、基材と、該基材の表面に形成された第１の絶縁層と、第１の絶縁層の上に設けられた第２の絶縁層とを有し、
　前記載置部材の前記載置面側における第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に導電層を有し、前記第１の絶縁層と、前記第２の絶縁層と、前記導電層とによって前記静電吸着手段を構成し、
　前記加熱手段は、前記載置部材の載置面と反対側の面側における第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に設けられた加熱体を有し、
　前記載置部材の基材は、カーボン（Ｃ）であって、
　前記載置部材の第１の絶縁層および第２の絶縁層は、パイロレテック窒化ホウ素（Ｐ−ＢＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）および窒化ケイ素（ＳｉＮ）から選択された材料を含むことを特徴としている。
　
また、請求項２記載の発明は、真空下で被処理体の処理を行う処理室と、　前記処理室内に設けられ、前記被処理体を載置するための載置面を有する載置部材と、　前記載置面に設けられた、前記被処理体を吸着させるための静電吸着手段と、　前記被処理体を加熱するための加熱手段と、　前記処理室に被処理体を処理するための処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、を備え、　前記載置部材は、基材と、該基材の表面に形成された第１の絶縁層と、第１の絶縁層の上に設けられた第２の絶縁層とを有し、　前記載置部材の前記載置面側における第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に導電層を有し、前記第１の絶縁層と、前記第２の絶縁層と、前記導電層とによって前記静電吸着手段を構成し、　前記加熱手段は、前記載置部材の載置面と反対側の面側における第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に設けられた加熱体を有し、　前記載置部材の基材は、窒化ホウ素（ＢＮ）であって、　前記載置部材の第１の絶縁層および第２の絶縁層は、パイロレテック窒化ホウ素（Ｐ−ＢＮ）であることを特徴としている。
「【課題を解決するための手段】
　前記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、真空下で被処理体の処理を行う処理室と、
　前記処理室内に設けられ、前記被処理体を載置するための載置面を有する載置部材と、
　前記載置面に設けられた、前記被処理体を吸着させるための静電吸着手段と、
　前記被処理体を加熱するための加熱手段と、
　前記処理室に被処理体を処理するための処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、を備え、
　前記載置部材は、基材と、該基材の表面に形成された第１の絶縁層と、第１の絶縁層の上に設けられた第２の絶縁層とを有し、
　前記載置部材の前記載置面側における第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に導電層を有し、前記第１の絶縁層と、前記第２の絶縁層と、前記導電層とによって前記静電吸着手段を構成し、
　前記加熱手段は、前記載置部材の載置面と反対側の面側における第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に設けられた加熱体を有し、
　前記載置部材の基材は、カーボン（Ｃ）であって、
　前記載置部材の第１の絶縁層および第２の絶縁層は、パイロレテック窒化ホウ素（Ｐ−ＢＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）および窒化ケイ素（ＳｉＮ）から選択された材料を含むことを特徴としている。
　
　
（３）訂正事項３
　登録明細書の段落【００４８】の記載を、
「請求項１０記載の発明は、請求項７において、前記
　
０．３
「請求項１０記載の発明は、請求項７において、前記
第２の
３．１
　
（４）訂正事項４
　登録明細書の段落【００４９】の記載を、
「請求項１１記載の発明は、請求項１０において、前記
　
「請求項１１記載の発明は、請求項１０において、前記
第２の
　
（５）訂正事項５
　登録明細書の段落段落【００５０】の記載を、
「請求項１２記載の発明は、請求項１０において、前記
　
「請求項１２記載の発明は、請求項１０において、前記
第２の
　
３．当審の判断
（１）訂正事項１について
　願書に最初に添付した明細書（以下、「当初明細書」という。）の絶縁層の表面粗さＲａの大きさに関する記載は、以下のとおりである（該当箇所に下線を付す。）。
（イ）【請求項１１】
「真空下で被処理体の処理を行う処理室と、
　前記処理室内に設けられ、前記被処理体を載置するための載置面を有する載置部材と、
　前記処理室に被処理体を処理するための処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、を具備し、
　前記静電吸着手段は、高電圧が印加される電極と、電極と被処理体との間に介装される絶縁層とを有し、
　前記絶縁層は、前記被処理体の処理中に体積固有抵抗が１０6 〜１０12Ω・ｃｍであり、その吸着面の
表面粗さＲａが０．２〜３．１μｍ
（ロ）【請求項１３】
「請求項１１において、
　前記絶縁層は、その吸着面の
表面粗さＲａが０．８〜１．０μｍ
（ハ）【請求項３０】
「請求項２５において、
　前記絶縁層は、前記被処理体の処理中に体積固有抵抗が１０6 〜１０12Ω・ｃｍで有り、その吸着面の
表面粗さＲａが０．２〜０．３μｍ
（ニ）【請求項３２】
「請求項２５において、
　前記絶縁層は、その吸着面の
表面粗さＲａが０．８〜１．０μｍ
（ホ）段落【００２９】
「請求項１１記載の発明は、真空下で被処理体の処理を行う処理室と、
　前記処理室内に設けられ、前記被処理体を載置するための載置面を有する載置部材と、
　前記処理室に被処理体を処理するための処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、を具備し、
　前記静電吸着手段は、高電圧が印加される電極と、電極と被処理体との間に介装される絶縁層とを有し、
　前記絶縁層は、前記被処理体の処理中に体積固有抵抗が１０6 〜１０12Ω・ｃｍであり、その吸着面の
表面粗さＲａが０．２〜３．１μｍ
（ヘ）段落【００３１】
「請求項１３記載の発明は、請求項１１において、
　前記絶縁層は、その吸着面の
表面粗さＲａが０．８〜１．０μｍ
（ト）段落【００４８】
「請求項３０記載の発明は、請求項２５において、
　前記絶縁層は、前記被処理体の処理中に体積固有抵抗が１０6 〜１０12Ω・ｃｍで有り、その吸着面の
表面粗さＲａが０．２〜０．３μｍ
（チ）段落【００５０】
「請求項３２記載の発明は、請求項２５において、
　前記絶縁層は、その吸着面の
表面粗さＲａが０．８〜１．０μｍ
（リ）段落【００７８】〜【００８０】
「具体的には、絶縁層の体積固有抵抗が１０6 〜１０12Ω・ｃｍの場合に、絶縁層の
表面粗さＲａを０．２〜３．１（単位：μｍ）
　絶縁層の体積固有抵抗が１０6 Ω・ｃｍ未満の場合には、表面粗さを上記した範囲にしてもリーク電流を充分小さなものとすることができず、１０12Ω・ｃｍを越えた場合には、リーク電流の影響が小さいので、このようなことを考慮するまでもない。より有効なのは、絶縁層の体積固有抵抗が１０10〜１０11Ω・ｃｍの場合である。
　絶縁層の
表面粗さＲａが０．２μｍ未満であると
表面粗さＲａが３．１μｍを越えると
好ましい表面粗さＲａは、０．８〜１．０μｍ
　
　当初明細書の発明の詳細な説明において、表面粗さＲａに関する技術的意義が唯一記載されている段落【００７８】〜【００８０】の記載からみて（上記（リ）を参照）、リーク電流の抑制及び適度な吸着力の保持との観点から、絶縁層の表面粗さＲａは、０．２〜３．１μｍ、好ましくは０．８〜１．０μｍであると理解される。
　そこで、当初明細書中の表面粗さＲａに関する記載を検討するに、真空処理装置に係る請求項１１及び請求項１３、並びに、これらの請求項の内容を発明の詳細な説明中で示す段落【００２９】及び【００３１】の記載は、上記段落【００７８】〜【００８０】の記載と整合する（上記（イ）、（ロ）、（ホ）、（ヘ）を参照）。また、載置台に係る請求項３２、及び、当該請求項の内容を発明の詳細な説明中で示す段落【００５０】の記載も、上記段落【００７８】〜【００８０】の記載中の好ましい数値と整合する（上記（ニ）、（チ）を参照）。
　ところで、載置台に係る請求項３０、及び、当該請求項の内容を発明の詳細な説明中で示す段落【００４８】の記載は、表面粗さの下限値については、上記段落【００７８】〜【００８０】の記載、並びに、真空処理装置に係る請求項１１及び段落【００２９】の記載と整合するも、表面粗さの上限値については、上記段落【００７８】〜【００８０】の記載、並びに、真空処理装置に係る請求項１１及び段落【００２９】の記載と整合しない（上記（ハ）、（ト）を参照）。
　
　一方、登録明細書の絶縁層の表面粗さＲａの大きさに関する記載は、以下のとおりである（該当箇所に下線を付す。）。
（イ’）【請求項４】（上記（イ）相当部分）
「請求項１において、
　前記第２の絶縁層は、前記被処理体の処理中に体積固有抵抗が１０６〜１０１２Ω・ｃｍであり、その吸着面の
表面粗さＲａが０．２〜３．１μｍ
（ロ’）【請求項６】（上記（ロ）相当部分）
「請求項４において、
　前記第２の絶縁層は、その吸着面の
表面粗さＲａが０．８〜１．０μｍ
（ハ’）【請求項１０】（上記（ハ）相当部分）
「請求項７において、
　前記第２の絶縁層は、前記被処理体の処理中に体積固有抵抗が１０６〜１０１２Ω・ｃｍで有り、その吸着面の
表面粗さＲａが０．２〜０．３μｍ
（ニ’）【請求項１２】（上記（ニ）相当部分）
「請求項１０において、
　前記第２の絶縁層は、その吸着面の
表面粗さＲａが０．８〜１．０μｍ
（ホ’）段落【００２９】（上記（ホ）相当部分）
「請求項４記載の発明は、請求項１において、前記第２の絶縁層は、前記被処理体の処理中に体積固有抵抗が１０６〜１０１２Ω・ｃｍであり、その吸着面の
表面粗さＲａが０．２〜３．１μｍ
（ヘ’）段落【００３１】（上記（ヘ）相当部分）
「請求項６記載の発明は、請求項４において、前記第２の絶縁層は、その吸着面の
表面粗さＲａが０．８〜１．０μｍ
（ト’）段落【００４８】（上記（ト）相当部分）
「請求項１０記載の発明は、請求項７において、前記絶縁層は、前記被処理体の処理中に体積固有抵抗が１０６〜１０１２Ω・ｃｍで有り、その吸着面の
表面粗さＲａが０．２〜０．３μｍ
（チ’）段落【００５０】（上記（チ）相当部分）
「請求項１２記載の発明は、請求項１０において、前記絶縁層は、その吸着面の
表面粗さＲａが０．８〜１．０μｍ
（リ）段落【００７８】〜【００８０】
　上記（リ）と同一内容
　
　登録明細書の表面粗さＲａの大きさに関する記載を検討するに、請求項４、請求項６、請求項１２及び段落【００７８】〜【００８０】等の記載は、互いに整合する。また、請求項１０、及び、当該請求項の内容を発明の詳細な説明中で示す段落【００４８】の、表面粗さＲａの下限値についての記載は、請求項４及び発明の段落【００７８】〜【００８０】等の記載と整合する。
　しかしながら、請求項１０、及び、当該請求項の内容を発明の詳細な説明中で示す段落【００４８】の、表面粗さの上限値についての記載は、請求項４及び【００７８】〜【００８０】等の記載と整合しない。
　さらに、請求項１２は請求項１０を引用しており、請求項１２に示す事項は請求項１０に示す事項を限定すべきものであるが、限定されるべき請求項１２の上限値が１．０μｍと請求項１０の０．３μｍより大きく、したがって、請求項１０の記載と請求項１２の記載とは矛盾する。
　
　以上、当初明細書及び登録明細書中の、該当請求項と発明の詳細な説明とにおける表面粗さＲａの大きさに関する記載間の関係、並びに、登録明細書の請求項１０と請求項１２との関係からみて、登録明細書の請求項１０、及び、当該請求項の内容を発明の詳細な説明中で示す段落【００４８】の、「表面粗さＲａが０．２〜
０．３
３．１
　したがって、訂正事項１は、誤記の訂正を目的とするとともに、請求項１０の記載と請求項１２及び発明の詳細な説明の記載との不整合を解消するものであるから、明りょうでない記載の釈明をも目的とするものであって、当初明細書に記載された事項の範囲内のものである。
　そして、訂正前後の請求項１０の記載のみをみると、表面粗さＲａの数値範囲を広げるものではあるが、登録明細書、すなわち、訂正前の請求項４には、訂正後の請求項１０記載の表面粗さＲａの数値範囲である「０．２〜３．１μｍ」が示されているから、訂正事項１は、特許請求の範囲を実質上拡張し、又は変更するものではない。
　
（２）訂正事項２について
　平成１６年１２月９日付け手続補正において、特許請求の範囲の記載に関し、
（イ）当該補正前すなわち平成１６年５月６日付け手続補正書の請求項２に記載される、
「【請求項２】　真空下で被処理体の処理を行う処理室と、
　前記処理室内に設けられ、前記被処理体を載置するための載置面を有する載置部材と、
　前記載置面に設けられた、前記被処理体を吸着させるための静電吸着手段と、
　前記被処理体を加熱するための加熱手段と、
　前記処理室に被処理体を処理するための処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、を備え、
　前記載置部材は、基材と、該基材の表面に形成された第１の絶縁層と、第１の絶縁層の上に設けられた第２の絶縁層とを有し、
　前記載置部材の前記載置面側における第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に導電層を有し、前記第１の絶縁層と、前記第２の絶縁層と、前記導電層とによって前記静電吸着手段を構成し、
　前記加熱手段は、前記載置部材の載置面と反対側の面側における第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に設けられた加熱体を有し、
　前記載置部材の基材は、窒化ホウ素（ＢＮ）であって、
　前記載置部材の第１の絶縁層および第２の絶縁層は、パイロレテック窒化ホウ素（Ｐ−ＢＮ）であることを特徴とする真空処理装置。」が削除され、
（ロ）当該手続補正書の請求項３に記載される、
「【請求項３】　請求項１または２において、
　前記載置部材の第１の絶縁層およびまたは第２の絶縁層は化学蒸着（ＣＶＤ）膜であることを特徴とする真空処理装置。」が、
「【請求項２】　請求項１において、
　前記載置部材の第１の絶縁層およびまたは第２の絶縁層は化学蒸着（ＣＶＤ）膜であることを特徴とする真空処理装置。」と項を繰り上げて請求項２とされた。
　しかしながら、平成１６年１２月９日付け手続補正において、補正前の請求項２に関する段落【００１９】の記載について、上記請求項２の削除に伴う補正がなされなかったため、平成１６年１２月９日付け手続補正後の登録明細書の発明の詳細な説明には、
「【００２０】
　
請求項２記載の発明は、
「【００１９】
【課題を解決するための手段】
　前記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、・・・。
　また、
請求項２記載の発明は、
　前記処理室内に設けられ、前記被処理体を載置するための載置面を有する載置部材と、
　前記載置面に設けられた、前記被処理体を吸着させるための静電吸着手段と、
　前記被処理体を加熱するための加熱手段と、
　前記処理室に被処理体を処理するための処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、を備え、
　前記載置部材は、基材と、該基材の表面に形成された第１の絶縁層と、第１の絶縁層の上に設けられた第２の絶縁層とを有し、
　前記載置部材の前記載置面側における第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に導電層を有し、前記第１の絶縁層と、前記第２の絶縁層と、前記導電層とによって前記静電吸着手段を構成し、
　前記加熱手段は、前記載置部材の載置面と反対側の面側における第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に設けられた加熱体を有し、
　前記載置部材の基材は、窒化ホウ素（ＢＮ）であって、
　前記載置部材の第１の絶縁層および第２の絶縁層は、パイロレテック窒化ホウ素（Ｐ−ＢＮ）であることを特徴としている。」と補正前の請求項２に関する記載が残存することとなった。　
　したがって、訂正事項２は、請求項２に関する特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明との記載の整合を図るとともに、段落【００１９】の記載と段落【００２０】の記載との整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、当初明細書に記載された事項の範囲内のものであり、しかも、特許請求の範囲を実質上拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）訂正事項３のうちの「表面粗さＲａが０．２〜
０．３
３．１
　訂正事項３のうちの「表面粗さＲａが０．２〜
０．３
３．１
　
（４）訂正事項３のうちの「前記
　
第２の
　上記訂正事項は、請求項１０〜１２に係る発明の特徴を発明の詳細な説明中で示したものであるが、請求項１０〜１２には、
「【請求項１０】　請求項７において、
　
前記第２の絶縁層
【請求項１１】　請求項１０において、
　
前記第２の絶縁層
【請求項１２】　請求項１０において、
　
前記第２の絶縁層
請求項１０〜１２に係る発明の、「吸着面の表面粗さＲａが０．２〜０．３μｍである」もの、「体積固有抵抗が１０１０〜１０１１Ω・ｃｍである」もの及び「吸着面の表面粗さＲａが０．８〜１．０μｍである」ものが「第２の絶縁層」であると記載されている。
　したがって、訂正事項３のうちの「前記
　
第２の
　
　そして、訂正後における特許請求の範囲に記載されている事項により構成される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるとする理由を発見しない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本件審判の請求は、平成６年改正前特許法第１２６条第１項ただし書第２号ないし第３号に掲げる事項を目的とし、かつ、同条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合する。
　よって、結論のとおり審決する。