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　特願２００１−２３０７９８「ジョセフソン接合及びその作製方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年２月１４日出願公開、特開２００３−４６１５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件は、平成１３年７月３１日の出願であって、平成１６年３月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し同年４月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月１４日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年５月１４日付けの手続補正について
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年５月１４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）手続補正の内容
　平成１６年６月２８日付けで方式補正された平成１６年５月１４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の内容は、平成１６年１月９日付けで補正された特許請求の範囲を次のとおりに補正するものである。
「　【請求項１】
　ジョセフソン接合を作製する方法であって、
　ジョセフソン接合を形成するカウンター電極上に積層される層間絶縁層の内部に、その層間絶縁層を構成する物質より硬度が高く目視可能であると共に反応性イオンエッチング（RIE）でエッチング可能な物質から成る研磨終点検出層を設け、
　その研磨終点検出層の凸部を露出させることなく、層間絶縁層に化学的機械研磨（CMP）を施して平坦化し、
　その後、研磨終点検出層の凹部が消滅するまで、反応性イオンエッチングでエッチバックを施す
　ことを特徴とするジョセフソン接合の作製方法。
　　【請求項２】
　カウンター電極上の層間絶縁層及び研磨終点検出層が、
　まず、カウンター電極の上に、第１の層間絶縁層を、ベース電極とカウンター電極の厚みの和程度設け、
　その第１の層間絶縁層の上に、研磨終点検出層を薄膜状に設け、
　次いで、その研磨終点検出層の上に、第２の層間絶縁層を約1μｍ以上の厚みで設けることによって形成される
　請求項１に記載のジョセフソン接合の作製方法。
　　【請求項３】
　層間絶縁層がSiO2スパッタ膜である
　請求項１または２に記載のジョセフソン接合の作製方法。
　　【請求項４】
　研磨終点検出層がMoから成る
　請求項１ないし３に記載のジョセフソン接合の作製方法。
　　【請求項５】
　ジョセフソン接合を形成するカウンター電極上に積層される層間絶縁層の内部に、その層間絶縁層を構成する物質より硬度が高く目視可能であると共に反応性イオンエッチング（RIE）でエッチング可能な物質から成るＲＩＥの研磨終点検出層を設けられ、
　その研磨終点検出層の凸部を露出させることなく、層間絶縁層に化学的機械研磨（CMP）を施されて平坦化され、
　その後、研磨終点検出層の凹部が消滅すると共にカウンター電極の頭部が表面に露出するまで、反応性イオンエッチングでエッチバックを施されることによって作成された
　ことを特徴とするジョセフソン接合。」
　
（２）本件補正についての検討
（２−１）補正の目的の適否、新規事項の有無について
　本件補正は、補正前の請求項５の「研磨終点検出層を設けられ」、「平坦化し」及び「研磨終点検出層の凹部が消滅するまで、反応性イオンエッチングでエッチバックを施される」を、それぞれ、「ＲＩＥの研磨終点検出層を設けられ」、「平坦化され」及び「研磨終点検出層の凹部が消滅すると共にカウンター電極の頭部が表面に露出するまで、反応性イオンエッチングでエッチバックを施される」とするものであって、実質的に、「研磨終点検出層」が「ＲＩＥ」（反応性イオンエッチング）の終点検出のためのものであること、及び、「エッチバック」が「カウンター電極の頭部が表面に露出する」まで行われることを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、本件の願書に最初に添付した明細書には、「RIEによるエッチバックの終点検出のために、研磨終点検出層としてMo層（２１）を成膜する」こと（００１２段落）、及び、「RIEによりエッチバックする。Moが削れ終わった時点でエッチングを終了すると、自動的にカウンター電極の頭部（１３ａ）のみが表面に露出した所望の状態を得ることができる」こと（００１４段落）が記載されているから、本件補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定される事項を目的とするものであり、同条第３項の規定に適合するものである。
　
（２−２）独立特許要件について
（２−２−１）本件補正後の発明
　本件補正後の請求項５に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）は、上記２．（１）に示したとおりものである。
　
（２−２−２）引用例
［引用例１］
　原査定の拒絶の理由に引用された、本件出願前に頒布された刊行物である特開平４−２４６８７１号公報（以下、「引用例１」という。）には、図１、図３及び図８〜図１０とともに、以下の事項が記載されている。
「【００１０】
【実施例】図面、特に図１を参照すると、基板１０が示されており、この基板は・・・例えばシリコンとすることができる。絶縁層１１が基板上に設けられており、この絶縁層は、例えば熱的に形成された酸化ケイ素とすることができる。・・・半導体材料の第１の層１２は絶縁層１１上に堆積される。第１の層１２は、例えばニオブとすることができ、スパッタリングで堆積させることができる。第１の層１２は、例えば２０００Åの厚さとすることができる。・・・絶縁材料１４の第２の層は第１の層１２の上に形成されている。絶縁層１４は、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3とすることができ、この酸化アルミニウムは、ベース電極すなわちニオブとすることができる第１の層１２の頂部にスパッタリング堆積された薄いアルミニウム層上に、低圧及び周囲温度で熱的に成長させることができる。絶縁層１４は、例えば２０Åの厚みとすることができる。例えばニオブとすることができる超伝導材料の第３の層１６が絶縁層１４の上に堆積される。第３の層１６は、例えば絶縁層１４上にスパッタリングされて１５００Åの厚みを有することができるニオブとすることができる。第１の層１２、第２の層１４及び第３の層１６は３層型のジョセフソン接合を形成するが、このジョセフソン接合は非常に大きな面積を有すると共に例えば基板１０全体を覆うことができる。第１の層１２はベース電極を形成し、第２の層１４は接合のバリア層を形成し、また第３の層１６は対向電極を形成する。」（００１０段落）
「【００１２】図３を参照すると、第３の層１６及び第２の層１４の選定した領域及び第１の層１２がエッチングされて隔置された３層型の領域２２−２４を形成しており、これら各々の領域は上面２５に平行な選択された断面積を有している。」（００１２段落）
「【００２０】図８を参照すると、例えば酸化ケイ素等の誘電体材料の第４の層４４が、基板層１１、・・・３層型の領域２２−２４の上に堆積されている。第４の層４４はスパッタリングにより堆積させることができる。第４の層４４を不均一な表面に堆積させた場合には、スパッタリング等の円滑化処理を行っても、その不均一性が第４の層４４の上面４５に現れる。第４の層４４を真空蒸着により堆積させる場合には、上面４５の不均一性がより強く現れて下側の表面の形状に緊密に従うことになる。上面４５のピーク４６−４８は３層型の領域２２−２４に対応する。
【００２１】図９を参照すると、上面４５が研磨されて平坦な面を形成している。研磨はプラナリゼーション（平坦化）を行うための化学機械的な研磨（ＣＭＰ）により行われる。・・・
【００２２】図９においては、第４の層５２が化学的／機械的に研磨されてその上面５０が平坦化されている。第４の層５２は引き続き化学的／機械的な研磨により処理され、以前には３層型の領域２２−２４であった３層型の領域５６−５８と共面の上面５５を有している第４の層５４が形成されている。第４の層５２を研磨すると、第３の層１６が露呈されて露呈された領域を有している層１６の上面も平行して研磨される。層５２の研磨は、総ての３層型の領域２２−２４が層１６を露出させて研磨し、これにより第４の層５４の誘電体材料の上面及び３層型の領域を５６−５８の上面である共面の上面５６を形成するまで継続して行われる。・・・図１０に示す層５２及び最終的には層５４を継続して形成する図８に示す研磨層４４は、３層型の領域２２−２４、・・・基板および酸化物層１０および１１、及び誘電体材料の第４の層４４のそれぞれの厚みの変動の効果を除去、補償あるいはキャンセルする。」（００２０〜００２２段落）
　
　以上の記載事項によれば、引用例１には次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
「ベース電極（１２）、絶縁層（１４）及び対向電極（１６）からなる３層型のジョセフソン接合が形成され、前記３層型の領域上に酸化ケイ素等の誘電体材料の層が堆積され、前記誘電体材料の層が化学機械的な研磨（ＣＭＰ）により研磨されてその上面が平坦化され、前記誘電体材料の層が引き続き化学機械的な研磨（ＣＭＰ）により研磨され、この誘電体材料の層の研磨は、前記３層型の領域が前記対向電極（１６）を露出させて研磨し、これにより前記誘電体材料の層の上面及び前記３層型の領域の上面である共有の上面を形成するまで継続して行われることによって作成されたことを特徴とするジョセフソン接合。」
　
［引用例２］
　原査定の拒絶の理由に引用された、本件出願前に頒布された刊行物である特開平７−２９７１８７号公報（以下、「引用例２」という。）には、図１及び図２とともに、以下の事項が記載されている。　
「【００１２】
【実施例】・・・図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施例を説明するための半導体チップの断面図である。」（００１２段落）
「【００１５】次に図１（ｃ）に示すように、シリコン窒化膜４とシリコン酸化膜３のエッチングレートがほぼ等しい条件で一定時間エッチバックしシリコン窒化膜４を完全に除去してシリコン酸化膜３の表面を平坦化する。次でこのシリコン酸化膜３上に上層配線を形成する。
【００１６】シリコン窒化膜４とシリコン酸化膜３のエッチバックには、例えばバッチ式の平行平板型のＲＩＥ装置を用い・・・」（００１５〜００１６段落）
「【００１８】図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施例を説明するための半導体チップの断面図である。
【００１９】まず図２（ａ）に示すように、・・・シリコン基板１上に下層配線２を形成したのち全面にプラズマＣＶＤ法により厚さ２．５μｍの第１のシリコン酸化膜３Ａを形成する。次でプラズマＣＶＤ法でシリコン窒化膜４Ａを３００ｎｍの厚さに形成し、さらにプラズマＣＶＤ法で第２のシリコン酸化膜３Ｂを２μｍの厚さに形成する。
【００２０】次に図２（ｂ）に示すように、第２のシリコン酸化膜３Ｂを約１μｍシリカ系スラリーを用いるＣＭＰ法で研磨して平坦化したのち、ＣＭＰ研磨で生じた汚染及びパーティクルを除去する為に洗浄する。・・・
【００２１】次に図２（ｃ）に示すように、第１の実施例と同様にシリコン窒化膜４Ａと第２、第１のシリコン酸化膜３Ｂ，３Ａのエッチングレートの等しい条件でこれらの絶縁膜を約１．８μｍエッチバックして、シリコン窒化膜４Ａを完全に除去する。次で平坦化された第１のシリコン酸化膜３Ａ上に上層配線を形成する。」（００１８〜００２１段落）
　
（２−２−３）対比・判断
　本件補正発明と引用発明１とを対比すると、引用発明１の「対向電極」、「酸化ケイ素等の誘電体材料の層」及び「化学機械的な研磨（ＣＭＰ）」は、本件補正発明の「カウンター電極」、「層間絶縁層」及び「化学的機械研磨（CMP）」にそれぞれ相当する。
　また、引用発明１の「ベース電極（１２）、絶縁層（１４）及び対向電極（１６）からなる３層型のジョセフソン接合が形成され、前記３層型の領域上に酸化ケイ素等の誘電体材料の層が堆積され」たことは、「３層型のジョセフソン接合（３層型の領域）」の最上層を構成する「対向電極」上に「酸化ケイ素等の誘電体材料の層」が堆積されたことに他ならないから、本件補正発明の「ジョセフソン接合を形成するカウンター電極上に積層される層間絶縁層」を備えることに相当する。
　さらに、引用発明１の「前記誘電体材料の層が化学機械的な研磨（ＣＭＰ）により研磨されてその上面が平坦化され」たことは、本件補正発明の「層間絶縁層に化学的機械研磨（CMP）を施されて平坦化され」たことに相当し、引用発明１の「前記誘電体材料の層の上面及び前記３層型の領域の上面である共有の上面を形成する」ことは、本件補正発明の「カウンター電極の頭部が表面に露出する」ことに相当する。
　
　よって、本件補正発明と引用発明１とは、
「ジョセフソン接合を形成するカウンター電極上に積層される層間絶縁層に化学的機械研磨（CMP）を施されて平坦化され、カウンター電極の頭部が表面に露出することによって作成されたことを特徴とするジョセフソン接合。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点］
　本件補正発明の「ジョセフソン接合」が、
「層間絶縁層の内部に、その層間絶縁層を構成する物質より硬度が高く目視可能であると共に反応性イオンエッチング（RIE）でエッチング可能な物質から成るＲＩＥの研磨終点検出層を設けられ、
　その研磨終点検出層の凸部を露出させることなく、層間絶縁層に化学的機械研磨（CMP）を施されて平坦化され、
　その後、研磨終点検出層の凹部が消滅すると共にカウンター電極の頭部が表面に露出するまで、反応性イオンエッチングでエッチバックを施されることによって作成された」のに対して、
　引用発明１の「ジョセフソン接合」が、
「前記誘電体材料の層が化学機械的な研磨（ＣＭＰ）により研磨されてその上面が平坦化され、前記誘電体材料の層が引き続き化学機械的な研磨（ＣＭＰ）により研磨され、この誘電体材料の層の研磨は、前記３層型の領域が前記対向電極（１６）を露出させて研磨し、これにより前記誘電体材料の層の上面及び前記３層型の領域の上面である共有の上面を形成するまで継続して行われることによって作成された」点。
　
　上記の相違点は、実質的に、本件補正発明においては、「層間絶縁層」が、化学的機械研磨（CMP）を施されて平坦化され」、その後、「反応性イオンエッチングでエッチバックを施される」、すなわち、化学的機械研磨（CMP）と反応性イオンエッチングの２段階で研磨されるのに対して、引用発明１においては、「酸化ケイ素等の誘電体材料の層」が、「化学機械的な研磨（ＣＭＰ）により研磨されてその上面が平坦化され」、「引き続き化学機械的な研磨（ＣＭＰ）により研磨され」る、すなわち、化学機械的な研磨（ＣＭＰ）のみにより研磨される点（相違点１）、さらに、本件補正発明においては、上記２段階の研磨の際に、「層間絶縁層を構成する物質より硬度が高く目視可能であると共に反応性イオンエッチング（RIE）でエッチング可能な物質から成るＲＩＥの研磨終点検出層」を設けられ、「その研磨終点検出層の凸部を露出させることなく、層間絶縁層に化学的機械研磨（CMP）を施されて平坦化され、その後、研磨終点検出層の凹部が消滅すると共にカウンター電極の頭部が表面に露出するまで、反応性イオンエッチングでエッチバックを施される」点（相違点２）に区分できる。
　
［相違点１についての検討］
　引用例２には、層間絶縁膜としてのシリコン酸化膜を研磨して平坦化する際に、上側の部分（第２のシリコン酸化膜）をＣＭＰ法で研磨して平坦化した後、下側の部分（第１のシリコン酸化膜）をＲＩＥ装置を用いてエッチバックすること、すなわち、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチバックすることが記載されており、このシリコン酸化膜の平坦化技術を、引用発明１に用いて、「酸化ケイ素等の誘電体材料の層」を化学機械的な研磨（ＣＭＰ）のみにより研磨することに代えて、化学機械的な研磨（ＣＭＰ）と、その後の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によるエッチバックとの２段階で行うようにすることは、当業者が適宜なし得たものであり、また、誘電体材料の層の平坦化が、化学機械的な研磨（ＣＭＰ）のみにより行われたものであるか、又は、化学機械的な研磨（ＣＭＰ）とその後の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によるエッチバックとにより行われたものであるか、という点により、最終的に得られるジョセフソン接合の構造に格別の差異が生じるものとも認められない。
　
［相違点２についての検討］
　本件補正発明における「層間絶縁層を構成する物質より硬度が高く目視可能であると共に反応性イオンエッチング（RIE）でエッチング可能な物質から成るＲＩＥの研磨終点検出層」は、「研磨終点検出層の凹部が消滅する」「まで、反応性イオンエッチングでエッチバックを施される」ことにより、最終的に得られる「ジョセフソン接合」の構造、すなわち、平坦化された層間絶縁層の表面の一部にカウンター電極の頭部が露出している「ジョセフソン接合」の構造中には残存しないものである。
　さらに、本件補正発明における「ＲＩＥの研磨終点検出層」は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によるエッチバックの終点の検出を容易にする機能を有しているに過ぎず、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によるエッチバックに不可欠の構成でもない、すなわち、製造工程の途中における「ＲＩＥの研磨終点検出層」の有無に関わらず、平坦化された層間絶縁層の表面の一部にカウンター電極の頭部が露出している「ジョセフソン接合」は作成できるものであるから、「もの」の発明の構成として見た場合に、「層間絶縁層を構成する物質より硬度が高く目視可能であると共に反応性イオンエッチング（RIE）でエッチング可能な物質から成るＲＩＥの研磨終点検出層」を設けているか否かという点は、実質的な相違点ではない。
　
　したがって、本件補正発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（２−３）本件補正についての検討のむすび
　上記（２−２）に示したとおり、本件補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　よって、本件補正は、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本件発明について
（３−１）本件発明の認定
　平成１６年５月１４日付けの手続補正は上記２．のとおり却下されたので、本件の特許請求の範囲の請求項に係る発明は、平成１６年１月９日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項５に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、次のとおりである。
「ジョセフソン接合を形成するカウンター電極上に積層される層間絶縁層の内部に、その層間絶縁層を構成する物質より硬度が高く目視可能であると共に反応性イオンエッチング（RIE）でエッチング可能な物質から成る研磨終点検出層を設けられ、
　その研磨終点検出層の凸部を露出させることなく、層間絶縁層に化学的機械研磨（CMP）を施されて平坦化し、
　その後、研磨終点検出層の凹部が消滅するまで、反応性イオンエッチングでエッチバックを施されることによって作成された
　ことを特徴とするジョセフソン接合。」
　
（３−２）引用例
　前出の引用例１及び２には、それぞれ、上記２．の（２−２−２）に示したとおりの事項が記載されており、これによれば、引用例１には次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
「ベース電極（１２）、絶縁層（１４）及び対向電極（１６）からなる３層型のジョセフソン接合が形成され、前記３層型の領域上に酸化ケイ素等の誘電体材料の層が堆積され、前記誘電体材料の層が化学機械的な研磨（ＣＭＰ）により研磨されてその上面が平坦化され、前記誘電体材料の層が引き続き化学機械的な研磨（ＣＭＰ）により研磨されることによって作成されたことを特徴とするジョセフソン接合。」
　
（３−３）対比・判断
　本件発明と引用発明２とを対比すると、引用発明２の「対向電極」、「酸化ケイ素等の誘電体材料の層」及び「化学機械的な研磨（ＣＭＰ）」は、本件発明の「カウンター電極」、「層間絶縁層」及び「化学的機械研磨（CMP）」にそれぞれ相当する。
　また、引用発明２の「ベース電極（１２）、絶縁層（１４）及び対向電極（１６）からなる３層型のジョセフソン接合が形成され、前記３層型の領域上に酸化ケイ素等の誘電体材料の層が堆積され」たことは、「３層型のジョセフソン接合（３層型の領域）」の最上層を構成する「対向電極」上に「酸化ケイ素等の誘電体材料の層」が堆積されたことに他ならないから、本件発明の「ジョセフソン接合を形成するカウンター電極上に積層される層間絶縁層」を備えることに相当する。
　さらに、引用発明２の「前記誘電体材料の層が化学機械的な研磨（ＣＭＰ）により研磨されてその上面が平坦化され」たことは、本件発明の「層間絶縁層に化学的機械研磨（CMP）を施されて平坦化し」たことに相当する。
　
　よって、本件発明と引用発明２とは、
「ジョセフソン接合を形成するカウンター電極上に積層される層間絶縁層に化学的機械研磨（CMP）を施されて平坦化し、作成されたことを特徴とするジョセフソン接合。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点］
　本件発明の「ジョセフソン接合」が、
「層間絶縁層の内部に、その層間絶縁層を構成する物質より硬度が高く目視可能であると共に反応性イオンエッチング（RIE）でエッチング可能な物質から成る研磨終点検出層を設けられ、
　その研磨終点検出層の凸部を露出させることなく、層間絶縁層に化学的機械研磨（CMP）を施されて平坦化し、
　その後、研磨終点検出層の凹部が消滅するまで、反応性イオンエッチングでエッチバックを施されることによって作成された」のに対して、
　引用発明の「ジョセフソン接合」が、
「前記誘電体材料の層が化学機械的な研磨（ＣＭＰ）により研磨されてその上面が平坦化され、前記誘電体材料の層が引き続き化学機械的な研磨（ＣＭＰ）により研磨されることによって作成された」点。
　
　上記の相違点は、実質的に、本件発明においては、「層間絶縁層」が、「化学的機械研磨（CMP）を施されて平坦化し」、その後、「反応性イオンエッチングでエッチバックを施される」、すなわち、化学的機械研磨（CMP）と反応性イオンエッチングの２段階で研磨されるのに対して、引用発明においては、「酸化ケイ素等の誘電体材料の層」が、「化学機械的な研磨（ＣＭＰ）により研磨されてその上面が平坦化され」、「引き続き化学機械的な研磨（ＣＭＰ）により研磨される」、すなわち、化学機械的な研磨（ＣＭＰ）のみにより研磨される点（相違点１）、さらに、本件発明においては、上記２段階の研磨の際に、「層間絶縁層を構成する物質より硬度が高く目視可能であると共に反応性イオンエッチング（RIE）でエッチング可能な物質から成る研磨終点検出層」を設けられ、「その研磨終点検出層の凸部を露出させることなく、層間絶縁層に化学的機械研磨（CMP）を施されて平坦化し、　その後、研磨終点検出層の凹部が消滅するまで、反応性イオンエッチングでエッチバックを施される」点（相違点２）に区分できる。
　
［相違点１についての検討］
　引用例２には、層間絶縁膜としてのシリコン酸化膜を研磨して平坦化する際に、上側の部分（第２のシリコン酸化膜）をＣＭＰ法で研磨して平坦化した後、下側の部分（第１のシリコン酸化膜）をＲＩＥ装置を用いてエッチバックすること、すなわち、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチバックすることが記載されており、このシリコン酸化膜の平坦化技術を、引用発明２に用いて、「酸化ケイ素等の誘電体材料の層」を化学機械的な研磨（ＣＭＰ）のみにより研磨することに代えて、化学機械的な研磨（ＣＭＰ）と、その後の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によるエッチバックとの２段階で行うようにすることは、当業者が適宜なし得たものであり、また、誘電体材料の層の平坦化が、化学機械的な研磨（ＣＭＰ）のみにより行われたものであるか、又は、化学機械的な研磨（ＣＭＰ）とその後の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によるエッチバックとにより行われたものであるか、という点により、最終的に得られるジョセフソン接合の構造に格別の差異が生じるものとも認められない。
　
［相違点２についての検討］
　本件発明における「層間絶縁層を構成する物質より硬度が高く目視可能であると共に反応性イオンエッチング（RIE）でエッチング可能な物質から成る研磨終点検出層」は、「研磨終点検出層の凹部が消滅するまで、反応性イオンエッチングでエッチバックを施される」ことにより、最終的に得られる「ジョセフソン接合」の構造中には残存しないものである。
　さらに、本件発明における「研磨終点検出層」は、「RIEによるエッチバックの終点検出のため」（本件明細書の００１２段落参照）のものであり、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によるエッチバックの終点の検出を容易にする機能を有しているに過ぎず、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によるエッチバックに不可欠の構成でもない、すなわち、製造工程の途中における「研磨終点検出層」の有無に関わらず、最終的な「ジョセフソン接合」は作成できるものであるから、「もの」の発明の構成として見た場合に、「層間絶縁層を構成する物質より硬度が高く目視可能であると共に反応性イオンエッチング（RIE）でエッチング可能な物質から成る研磨終点検出層」を設けているか否かという点は、実質的な相違点ではない。
　
　したがって、本件発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本件発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、本件は、請求項１ないし４に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。