【事件の表示】
　平成１０年特許願第２７２７４１号「低摩擦性炭素膜及びこれを用いた摺動部材」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　４月１１日出願公開、特開２０００−１０３６１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１０年９月２８日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１４年８月９日付補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める（以下、「本願発明」という）。
　
「【請求項１】　非晶質構造を主体とする炭素膜構造において、上記炭素膜内で炭素が拡散し、膜内の一部の組織が非晶質構造から結晶質構造に相変態しており、ピン／ディスク摩耗試験にて測定した摩擦係数（μ）が無潤滑下で０．０７〜０．０９、潤滑下で０．０５〜０．０７であることを特徴とする低摩擦性炭素膜。」
　
　
２．引用例及び記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−６１３６９号公報（以下、「引用刊行物１」という）には、以下の事項が記載されている。
（ア）「基体上に、気相法により炭素源ガスを用いてダイヤモンド状炭素膜を形成し、前記炭素膜形成温度よりも１５０〜３５０℃高い温度範囲で熱処理することを特徴とするダイヤモンド状炭素膜の製造方法」（請求項１）
　
（イ）「（実施例１）　
　第１図に示すような、高周波プラズマＣＶＤ装置を用いて、シリコン基体上にダイヤモンド状炭素膜を形成させた。
　このダイヤモンド状炭素膜の形成条件は、次の通りである。
　　炭素源ガス・・・・・・・・・・・・・・・エタンガス
　　・・・・・・・
　　基体温度・・・・・・・・・・・・・・・・・１００℃
　　・・・・・・・
　得られたダイヤモンド状炭素膜・・・このダイヤモンド状炭素膜を・・・熱処理温度差２００℃、３００℃で、１時間熱処理を行なった。得られた結果を第１表に示す。」（第４頁右下欄第９行〜第５頁左上欄第７行）
　
（ウ）「第　１　表
                      　　　　　　　　実施例1　　　　　　　・・・
熱処理温度差（℃） 　　　　　　 ２００　　　　３００　　　 ・・・
ヌープ硬度*　（ｋｇ／ｍｍ２）　３，７３０　　４，６３０　　・・・　」
（第５頁左下欄）
　
　
３．対比
　引用刊行物１の適示事項（ア）の「炭素膜形成温度よりも１５０〜３５０℃高い温度範囲で熱処理する」、適示事項（イ）の「基体温度」が「１００℃」、「熱処理温度差２００℃、３００℃で１時間熱処理」及び適示事項（ウ）の記載から、結局「３００℃または４００℃で１時間熱処理を行う」ことが記載されているということができる。
　これらから引用刊行物１には「基体上に気相法によりダイヤモンド状炭素膜を形成した後、３００℃または４００℃で１時間熱処理してなるダイヤモンド状炭素膜」の発明（以下、「引用１発明」という。）が記載されている。
　ここで、本願発明と引用１発明とを対比すると、両者は「炭素膜」の点で一致し、以下の点で一応相違する。
　
相違点ａ：本願発明は、「非晶質構造を主体とする炭素膜構造において、上記炭素膜内で炭素が拡散し、膜内の一部の組織が非晶質構造から結晶質構造に相変態して」いることに対して、引用１発明は、その点に直接触れた記載がない点
　
相違点ｂ：本願発明は、「ピン／ディスク摩耗試験にて測定した摩擦係数（μ）が無潤滑下で０．０７〜０．０９、潤滑下で０．０５〜０．０７であること」に対して、引用１発明は、その点に直接触れた記載がない点
　
相違点ｃ：本願発明は、「低摩擦性」であることに対して、引用１発明は、その点に直接触れた記載がない点　
　
　　
４．当審の判断
　そこで、上記相違点について検討する。
　
　本願明細書には、「表１に示すように、複数種の炭素膜に所定の熱処理を施し、低摩擦性炭素膜・・・を得た」（【００３３】欄）、「非晶質構造を主体とする炭素膜の成膜は、特に限定されるものではなく、従来公知の手法、例えば、プラズマＣＶＤ・・・等により行うことができる。また非晶質構造を主体とする炭素膜の具体例としては、・・・ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等から成る炭素膜を挙げることができる。」（【００１５】欄）および
「ＮＯ．　　膜種　　　改質方法　　熱処理温度　保持時間　・・・
　　　　　　　　　　　　　　　　　　℃　　　　　　　　　　　　　　　　・・・
　実施例２　ＤＬＣ　　熱処理　　　３００　　　１時間　　・・・」（【表１】）が記載されており、これらから、本願発明の低摩擦性炭素膜は、「気相法によりダイヤモンドライクカーボン膜を形成した後、３００℃、１時間熱処理して得られる」と云え、これは、引用１発明の「気相法によりダイヤモンド状炭素膜を形成した後、３００℃、１時間熱処理して得られる」ことと何ら相違しない。
　したがって、本願発明と引用１発明とは、炭素膜の製造法の点で相違しないから、この製造方法によってできたものも構造が相違するとは云えない。
　
（ａ）相違点ａについて
　引用刊行物１の「炭素膜」が、相違点ａの「非晶質構造を主体とする」という記載は存在しないが、本願明細書の「非晶質構造を主体とする炭素膜の成膜は、・・・プラズマＣＶＤ・・・等により行うことができる。」（【００１５】欄）ことから、プラズマＣＶＤ等の気相法を用いれば、非晶質構造を主体とする炭素膜が形成されることがわかり、これは引用１発明の炭素膜も「気相法」により形成しているから、当然、「非晶質構造を主体とする炭素膜」であると云える。
　また、引用刊行物１には、相違点ａである「上記炭素膜内で炭素が拡散し、膜内の一部の組織が非晶質構造から結晶質構造に相変態して」いるという記載も存在しないが、本願明細書の「熱処理としては、１５０〜５００℃での１０分間以上の加熱、・・・これらの熱処理を行うことの目的は、得られた炭素膜における非晶質構造の一部を結晶質構造に相変化させることにあり」（【００１６】欄）の記載から、引用１発明も本願発明と同じ熱処理を行っているので、引用刊行物１の炭素膜も当然、相違点ａに記載の「炭素膜内の炭素が拡散し、膜内の一部の組織が非晶質構造から結晶質構造に相変態して」いると云える。
　
（ｂ）相違点ｂについて
　引用刊行物１には、相違点ｂの「ピン／ディスク摩耗試験にて測定した摩擦係数（μ）が無潤滑下で０．０７〜０．０９、潤滑下で０．０５〜０．０７であること」が記載されていないが、引用１発明も、前記記載から本願発明と相違しない製造法によって炭素膜が形成されているから、この炭素膜に関して、「ピン／ディスク摩耗試験」にて「摩擦係数（μ）」を測定すれば、当然、本願発明の「無潤滑下で０．０７〜０．０９、潤滑下で０．０５〜０．０７」の数値範囲を満たすと云える。
　
（ｃ）相違点ｃについて
　引用刊行物１には、相違点ｃの「低摩擦性」に関する記載は、存在しないが、本願明細書の「かかる熱処理によって、炭素膜内において炭素が拡散し、膜内の一部の組織につき非晶質構造から結晶質構造への変態を促す。この変態により、炭素膜の摩擦特性を改善することができ」（【００１３】欄）るという記載から、引用１発明も、本願発明と同じ熱処理を行っており、この熱処理に起因して炭素膜内で非晶質構造から結晶質構造への変態が生じているから、当然「低摩擦性」に優れているものと云える。
　
　以上のように相違点（ａ）〜（ｃ）は、発明特定事項の実質的な相違とすることはできない。
　
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
よって、結論のとおり審決する。