【事件の表示】
　特願２００２−３５３３３８「電子装置及びその製造方法並びに電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　７月　２日出願公開、特開２００４−１８４７９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１４年１２月５日に出願された特願２００２−３５３３３８号であって、平成１７年８月４日付で拒絶査定がなされ、これに対して、平成１７年９月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、平成１７年９月２９日付で手続補正書が提出されたものである。その後、平成１８年１月２４日付で当審から拒絶理由が通知され、平成１８年３月２４日付で、手続補正書が提出された。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成１８年３月２４日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載から見て、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのもの（以下、「本願発明」という。）と認める。
「重ならないように配列されて、樹脂からなる固定部により相互に固定された、異なる機能を果たす複数種類の半導体チップによって少なくとも一部が構成された回路基板であって、前記複数種類の半導体チップは、それぞれ、コンタクト部を有しており、前記コンタクト部を有する面を同じ側に向けて配置されている回路基板と、
　前記回路基板の、前記コンタクト部を有する面の上方に形成された複数の動作素子と、
　前記回路基板と前記複数の動作素子との間に形成され、前記コンタクト部と前記複数の動作素子とを電気的に接続する配線層と、
　を有する電子装置。」
　
３．引用例
　当審の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開２０００−３３０１３１号公報（以下、引用例１という。）には、次の事項が記載されている。
ア．【０００１】【発明の属する技術分野】
　本発明は街頭表示をするような非常に大型の液晶表示素子に関する。さらに詳しくは、薄膜トランジスタではなく単結晶半導体チップを用い、スイッチング速度が速く、超高精細な表示をすることができる液晶表示素子に関する。
　
イ．【００１９】
　本発明の液晶表示素子は、その一実施形態の一方の透明基板の製造段階での斜視説明図およびその透明基板を用いた液晶表示素子の一部の断面説明図が図１に示されるように、第１の透明基板１１に画素電極１２がマトリクス状に形成され、その画素電極１２の間に信号線１３および走査線１４が縦横に形成されている（図１（ａ）では、信号線１３および走査線１４が複雑さを避けるため、一部にしか記載されていないが、各画素間に平行に設けられている）。そして、第１の透明基板１１の画素電極１２の各々の近傍、すなわち信号線１３と走査線１４との交差部に凹部１５が設けられ、その凹部１５内にスイッチング素子チップ１６が画素電極１２、信号線１３および走査線１４にそれぞれ接続されるように設けられている。そして、第２の透明基板２１に対向電極２２が設けられ、第２の透明基板２１が第１の透明基板１１と対向して一定間隔を設けて貼着され、その間に液晶材料３が充填されることにより形成されている。
　【００２０】
　スイッチング素子チップ１６は、たとえばＭＯＳＦＥＴ、トランジスタ、ダイオードなどの単結晶半導体からなる通常の半導体チップで、図２（ａ）にチップの一例の平面図が示されるように、ウェハからチップ化したベアチップのゲートＧ、ドレインＤ、ソースＳに、たとえば金（Ａｕ）またはハンダなどからなるバンプ電極１６Ｇ、１６Ｄ、１６Ｓがそれぞれ設けられている。そして、凹部１５内の配線（信号線１３および走査線１４）が、たとえば図２（ｂ）に示されるように、レーザトリミングなどによりパターニングされており、その凹部１５内に、前述のチップ１６を裏向き（フェースダウン）にして挿入すると、凹部１５によりガイドされて、そのバンプ電極１６Ｇ、１６Ｄ、１６Ｓが走査線１４、画素電極１２および信号線１３のそれぞれＧ、Ｄ、Ｓで示される部分に一致し、そのまま温度を上げて上から圧力をかけることにより、接着してそれぞれの電極が接続される。
　
ウ．【００２４】
　第１の透明基板１１、２１は、たとえば０.７〜１.１ｍｍ程度の厚さのガラス板が用いられる。しかし、ガラス基板でなくても、透明樹脂板などを使用することもできる。第１の透明基板１１には、図１には図示されていないＳｉＯ2 などの保護膜を介して、画素電極１２がＩＴＯなどの透明導電膜を設けてパターニングすることにより形成されている。図示しない保護膜は、ガラスからのイオンの染み出しを防止している。また、各画素電極１２の間の縦横に凹溝１７が形成され、その交差部に凹部１５が形成されている。この凹部１５および凹溝１７の形成は、たとえばレジスト膜などによりマスクをして、サンドブラストまたはフッ酸によるエッチングにより形成することができる。
　
エ．【００３６】
　その後、図４（ｈ）に示されるように、表面にポリイミドを塗布して配向膜１９を形成する。この際、凹部１７および凹溝１７内にもポリイミドが充填されるようにすることにより、Ａｌ配線１３、１４やスイッチング素子チップ１６がポリイミドにより被覆されるため、ラビング処理などによっても、破損することがなく好ましい。
　
　したがって、上記記載事項、及び図面も参照すれば、引用例１には、
「重ならないように配列されて、ポリイミドにより相互に固定された、スイッチング素子チップ１６によって少なくとも一部が構成された第１の透明基板１１であって、スイッチング素子チップ１６は、それぞれ、バンプ電極１６Ｇ、１６Ｄ、１６Ｓを有しており、前記バンプ電極１６Ｇ、１６Ｄ、１６Ｓを有する面を同じ側に向けて配置されている第１の透明基板１１と、
　前記第１の透明基板１１の、前記バンプ電極１６Ｇ、１６Ｄ、１６Ｓを有する面の上方に形成された複数の画素電極１２と、
　前記第１の透明基板１１と前記複数の画素電極１２との間に形成され、前記バンプ電極１６Ｄと前記複数の画素電極１２とを電気的に接続する接着部と、
　を有する液晶表示素子。」（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　また、当審の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開平３−１０５３２６号公報（以下、引用例２という。）には、次の事項が記載されている。
オ．一方、前記回路パネル２９は、アルミナ等の絶縁材からなる回路パネル基板３２の表面の前記対向電極３１と対向する位置に、回路電極である接続パッド３３がスパッタリング形成したアルミ膜をフォトエッチングするなどして形成されている。ここで、これらの接続パッド３３は、その中央部から前記回路パネル基板３２の裏面まで形成されたスルーホール３４を介し、前記回路パネル基板３２の裏面に取付けられた駆動回路である駆動ＩＣ３５に電極配線パターン３６とボンディングワイヤ３７とで結線されている。（公報第３頁右下欄９行〜１９行）
　
　また、当審の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開２００２−２５８７６５号公報（以下、引用例３という。）には、次の事項が記載されている。
カ．【００２２】
　さて、素子基板１０１において、シール材１０４の内側かつ表示領域１０１ａの外側領域には、遮光膜１０６が設けられている。この遮光膜１０６が形成される領域内のうち、図上の左辺１０１ｂおよび右辺１０１ｃに沿った長方形領域１３０ａ，１６０ａには、走査線駆動回路１３０，１６０が画素トランジスタ１１６と同様に基板上に薄膜トランジスタによって形成される。また、遮光膜１０６は、この領域に形成される駆動回路に光が入射するのを防止している。この遮光膜１０６には、対向電極１０８とともに、駆動信号ＬＣＯＭが印加される構成となっている。このため、遮光膜１０６が形成された領域では、液晶層への印加電圧がほほゼロとなるので、画素電極１１８の電圧無印加状態と同じ表示状態となる。
【００２３】
　また、素子基板１０１の下辺１０１ｄは、他の辺と比較して、表示領域１０１ａからの距離が広く確保されている。そして、シール材１０４と下辺１０１ｄとの間にはＩＣチップである集積回路１７０がＣＯＧ（チップオングラス）またはＴＡＢによって実装されている。また、集積回路１７０と下辺１０１ｄとの間の領域１０７には、複数の接続端子が形成され、外側からの制御信号や電源などを入力する構成となっている。
　
　また、当審の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開２００２−２６８５７６号公報（以下、引用例４という。）には、次の事項が記載されている。
キ．【００４０】
　図１に示すように、駆動回路を含む画像表示ドライバＩＣ３はアレイ基板１にＣＯＧ実装されている。なお、駆動回路は、後述するようにアレイ基板１を構成するＴＦＴと一緒に、アレイ基板１を形成するためのガラス基板上に形成することもできる。
【００４１】
　画像表示ドライバＩＣ３に信号を送る周辺回路（図示せず）は、アレイ基板１及び対向基板２とは別個の周辺基板５に設けられている。周辺基板５に設けられた周辺回路からは、アレイ基板１に対して、アレイ基板１上に形成されたＴＦＴを駆動するための画像信号、アレイ基板１上に形成されたＴＦＴを制御するための制御信号、駆動用の電力等の信号が発信される。
　
４．対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「ポリイミド」は、本願発明の「樹脂」に相当し、以下、同様に、「スイッチング素子チップ１６」は「半導体チップ」に、「第１の透明基板１１」は「回路基板」に、「バンプ電極１６Ｇ、１６Ｄ、１６Ｓ」は「コンタクト部」に、「画素電極１２」は「動作素子」に、「液晶表示素子」は「電子装置」に、それぞれ相当する。
　
　引用発明には、「固定部」の文言はないが、ポリイミドで固定された部分を「固定部」と呼べることは、自明である。
　
　また、引用発明の「接着部」、本願発明の「配線層」は、ともに「電気的接続部」である点で一致する。
　
　したがって、両者は、「重ならないように配列されて、樹脂からなる固定部により相互に固定された、半導体チップによって少なくとも一部が構成された回路基板であって、前記半導体チップは、コンタクト部を有しており、前記コンタクト部を有する面を同じ側に向けて配置されている回路基板と、
　前記回路基板の、前記コンタクト部を有する面の上方に形成された複数の動作素子と、
　前記回路基板と前記複数の動作素子との間に形成され、前記コンタクト部と前記複数の動作素子とを電気的に接続する電気的接続部と、
　を有する電子装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１；
　本願発明では、半導体チップが異なる機能を果たす複数種類のものであり、複数種類の半導体チップは、
それぞれ、
　
相違点２；
　本願発明では、コンタクト部と動作素子とを電気的に接続するのが、「配線層」であるのに対し、引用発明では、「接着部」である点。
　
５．当審の判断
　上記各相違点について検討する。
相違点１について
　引用例３，４には、同一基板上に異なる機能を果たす複数種類の回路素子を形成した点が記載されており、引用発明において、上記相違点１に係る本願発明の構成を限定することは、当業者にとって容易である。　
　
相違点２について
　引用例２には、駆動ＩＣ３５（「コンタクト部」を有していることは、第１図等から明らか。）と対向電極３１（「動作素子」の一部であることは、第１図等から明らか。）とを電気的に接続する「電極配線パターン３６」が記載されており、上記相違点２に係る本願発明の構成を限定することは、当業者にとって容易である。
　
　なお、請求人は、平成１８年３月２４日受付の意見書において、引用例１，２は半導体チップをフェースダウン実装し、半導体チップの裏面に動作素子を設けるのに対し、本願発明は、コンタクト部を有する面の上方に動作素子を設ける旨、主張している。しかし、特許請求の範囲に記載された本願発明の構成では、半導体チップと回路基板との関係については、「半導体チップは、それぞれ、コンタクト部を有しており、前記コンタクト部を有する面を同じ側に向けて配置されている回路基板」と規定しているだけであるので、該主張は、特許請求の範囲に記載された本願発明の構成に基づくものとは認められない。引用例１，２のものも動作素子は、コンタクト部を有する面の上方に動作素子が設けられている。そもそも、動作素子がコンタクト部を有する面の上方、あるいは、下方となるよう半導体チップを配置することは、当業者が必要に応じてなし得る設計事項である。（なお、半導体チップ、回路基板、動作素子の向きが本願実施例と同じ向きのものとして、特開平１０−１６３２６８号公報（図３）、再公表特許公報ＷＯ０１／８１２８（ＦＩＧ６）等参照。）
　
　そして、本願発明の効果も、引用発明、及び引用例２〜４に記載された発明から予測される範囲のものである。
　
６．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１〜４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。