【事件の表示】
　平成６年特許願第８６１３７号「半導体装置とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成７年１１月１０日出願公開、特開平７−２９７４１５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年４月２５日の出願であって、平成１６年２月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月３０日付けで手続補正がなされ、その後、当審において平成１７年８月１１日付けで審尋がなされ、同年１０月６日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成１６年４月３０日付けの手続補正について
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年４月３０日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正の内容
　平成１６年４月３０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、平成１６年１月１３日付けで補正された特許請求の範囲を、次のとおりに補正するものである。
「　【請求項１】　第一導電型の半導体基板とこの半導体基板の所定の領域内に形成された第二導電型の領域と前記半導体基板内に低ライフタイム層形成のための結晶欠陥を有する半導体装置において、前記結晶欠陥は前記第一導電型の半導体基板内に、前記第一導電型の半導体基板と前記第二導電型の領域の界面から、前記半導体基板の前記界面より注入された少数キャリアの拡散長離れた位置までの範囲に中心を持ち、前記結晶欠陥はＨ+ 、2 Ｄ+ 、3 Ｈｅ2+、4 Ｈｅ2+、ｅ- 、Ｐｔ+ 、Ａｕ+ のうちいずれかのイオンを照射する事によって形成されていることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】　第一導電型の半導体基板と、この半導体基板の一方の表面上に形成された第一電極と、前記一方の表面に対向する前記半導体基板の他方の表面上に形成された第二電極と、前記半導体基板内に前記第二電極に電気的に接続されて形成された第二導電型の領域と、前記半導体基板内に、前記第一導電型の半導体基板と前記第二導電型の領域との界面から、前記半導体基板の前記界面より注入された少数キャリアの拡散長離れた位置までの範囲に中心をもって形成された低ライフタイム層形成のための結晶欠陥とを有し、前記結晶欠陥はＨ+ 、2 Ｄ+ 、3 Ｈｅ2+、4 Ｈｅ2+、ｅ- 、Ｐｔ+ 、Ａｕ+ のうちいずれかのイオンを照射する事によって形成されていることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項３】　第一導電型の半導体基板の所定の領域内に第二導電型の領域を形成する工程と、前記半導体基板内に所定のイオンを照射する事により、前記第一導電型の半導体基板内に前記第一導電型の半導体基板と前記第二導電型の領域の界面から、前記半導体基板の前記界面より注入された少数キャリアの拡散長離れた位置までの範囲に低ライフタイム層形成のための結晶欠陥を形成する工程とを有し、前記所定のイオンの照射はＨ+ 、2 Ｄ+ 、3 Ｈｅ2+、4 Ｈｅ2+、ｅ- 、Ｐｔ+ 、Ａｕ+ のうちいずれかを照射する事によって行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（２）補正事項の整理
［補正事項１］
　補正前の請求項１の、
　「前記第一導電型の半導体基板と前記第二導電型の領域の界面から前記半導体基板の前記界面から注入された少数キャリアの拡散長離れた位置までの範囲」を、
　「前記第一導電型の半導体基板と前記第二導電型の領域の界面から、前記半導体基板の前記界面より注入された少数キャリアの拡散長離れた位置までの範囲」と補正し（補正事項１−１）、
　「中心を持つ」を、
　「中心を持ち、前記結晶欠陥はＨ+ 、2 Ｄ+ 、3 Ｈｅ2+、4 Ｈｅ2+、ｅ- 、Ｐｔ+ 、Ａｕ+ のうちいずれかのイオンを照射する事によって形成されている」と補正する（補正事項１−２）。
　
［補正事項２］
　補正前の請求項２の、
　「前記第一導電型の半導体基板と前記第二導電型の領域との界面より前記半導体基板の前記界面から注入された少数キャリアの拡散長離れた位置までの範囲」を、
　「前記第一導電型の半導体基板と前記第二導電型の領域との界面から、前記半導体基板の前記界面より注入された少数キャリアの拡散長離れた位置までの範囲」と補正し（補正事項２−１）、
　「結晶欠陥とを有する」を、
　「結晶欠陥とを有し、前記結晶欠陥はＨ+ 、2 Ｄ+ 、3 Ｈｅ2+、4 Ｈｅ2+、ｅ- 、Ｐｔ+ 、Ａｕ+ のうちいずれかのイオンを照射する事によって形成されている」と補正する（補正事項２−２）。
　
［補正事項３］
　補正前の請求項３を削除する。
　
［補正事項４］
　補正前の請求項４を請求項３に繰り上げるとともに、補正前の請求項４の、
　「前記第一導電型の半導体基板と前記第二導電型の領域の界面から前記半導体基板の前記界面から注入された少数キャリアの拡散長離れた位置までの範囲」を、
　「前記第一導電型の半導体基板と前記第二導電型の領域の界面から、前記半導体基板の前記界面より注入された少数キャリアの拡散長離れた位置までの範囲」と補正し（補正事項４−１）、
　「結晶欠陥を形成する工程とを有する」を、
　「結晶欠陥を形成する工程とを有し、前記所定のイオンの照射はＨ+ 、2 Ｄ+ 、3 Ｈｅ2+、4 Ｈｅ2+、ｅ- 、Ｐｔ+ 、Ａｕ+ のうちいずれかを照射する事によって行われる」と補正する（補正事項４−２）。
　
［補正事項５］
　補正前の請求項５を削除する。
　
（３）補正の目的の適否、新規事項の追加の有無についての検討
ａ）補正事項３及び５は、請求項の削除を目的とするものである。
ｂ）補正事項１、２及び４のうち、補正事項１−１、補正事項２−１及び補正事項４−１は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
ｃ）補正事項１、２及び４のうち、補正事項１−２及び補正事項２−２は、「結晶欠陥」が「Ｈ+ 、2 Ｄ+ 、3 Ｈｅ2+、4 Ｈｅ2+、ｅ- 、Ｐｔ+ 、Ａｕ+ のうちいずれかのイオンを照射する事によって形成されている」ことを限定し、補正事項４−２は、結晶欠陥を形成するための「所定のイオンの照射」が「Ｈ+ 、2 Ｄ+ 、3 Ｈｅ2+、4 Ｈｅ2+、ｅ- 、Ｐｔ+ 、Ａｕ+ のうちいずれかを照射する事によって行われる」ことを限定するものであるから、いずれも特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、本願の願書に最初に添付した明細書の００１５段落には「半導体基板１１内に低ライフタイム層３２を形成するために、3 Ｈｅ2+３３を照射する。低ライフタイム層の形成は、半導体基板１１内に結晶欠陥３１を形成する事によって行う」と記載され、００２３段落には「本実施例においては、結晶欠陥を形成するためのイオンとしてＨｅの例を示したが、これに限るものではなくこの他、Ｈ+ 、2 Ｄ+ 、4 Ｈｅ2+、ｅ- 、Ｐｔ+ 、Ａｕ+ の各イオンによっても実施が可能であり」と記載されているから、補正事項１−２、補正事項２−２及び補正事項４−２についての補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　よって、補正事項１ないし５は、いずれも、特許法第１７条の２第３項に規定された事項を目的とし、同条第２項の規定に適合するものである。
　
（４）独立特許要件についての検討
（４−１）本件補正後の発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）は、上記２．（１）に示した請求項１に記載されたとおりのものである。
　
（４−２）引用例
［引用例１］
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平５−１０２１６１号公報（以下、「引用例１」という。）には、図１、図３及び図５とともに、以下の事項が記載されている。
「【従来の技術】周知のように、スイッチング用半導体素子では、順方向から逆方向に切替えたとき、順方向時に蓄積された過剰少数キャリアの消滅に一定の時間がかかり、高速化の障害となっている。このため従来技術では、デバイス中に金や白金を熱拡散してライフタイムを小さくしたり、あるいは電子線、中性子線等を照射して格子欠陥をつくり、再結合中心として作用させ、ライフタイムの短縮化を計っている。　従来技術のうち、低ライフタイム層の局在化技術として、プロトン照射技術がある。これは半導体基板中にプロトンが停止するとき、停止位置付近に高準位密度の欠陥が生じる。この現象を利用し、低ライフタイム層を局在化することができる。」（０００２段落）
「【００１１】半導体装置にヘリウムイオン 3Ｈe 2+を照射したときと、プロトン 1Ｈ+ を照射したときの素子の耐圧特性（図５参照）はほぼ同一である。しかし照射損傷による高準位密度の欠陥準位は、プロトン照射の場合には（Ｅc −０．３９）、ヘリウムイオン 3Ｈe 2+照射の場合には（Ｅc −０．４３）となり、ヘリウムイオン 3Ｈe 2+照射の方が深い準位となり、高速スイッチング素子に対してはヘリウムイオン 3Ｈe 2+は有効なプロセスと考えられた。このような考えをもとに、本発明においては低ライフタイム層の局在化技術として 3Ｈe 2+の照射を行ない、プロトン照射に比し狭い半値幅ｗの低ライフタイム層（図３参照）が得られた。また上記ヘリウムイオン照射により、従来技術に比し低オン電圧（ＶF ）で高スイッチング速度（ｔrr）の素子が得られた。」（００１１段落）
「【実施例】図面を参照し、本発明の実施例について以下説明する。図１は、本発明を行なうにあたり、使用したＰ+ Ｎ型スイッチング用ダイオードの模式的な断面図である。Ｎ型シリコン基板１（厚さｄ1 ＝約４００μｍ）の主表面に深さｄ3 ＝１０μｍのＰ+ 拡散層２が形成される。基板の表面側からヘリウムイオンを照射し、深さｄ2 の位置に半値幅ｗの低ライフタイム層７を形成する。例えばヘリウムイオン 3Ｈe 2+を加速エネルギー６ＭｅＶ，照射量１×１０12 atoms／cm2 で照射するとき、ｄ2 ＝４０μｍ，ｗ＝３μｍとなる。」（００１５段落）
　
　これによれば、引用例１には次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
「Ｎ型シリコン基板と、前記Ｎ型シリコン基板の主表面に形成されたＰ+ 拡散層と、前記Ｎ型シリコン基板内に半値幅ｗの低ライフタイム層を有するＰ+ Ｎ型スイッチング用ダイオードにおいて、前記半値幅ｗの低ライフタイム層は前記Ｎ型シリコン基板内にヘリウムイオン 3Ｈe 2+を照射することによって形成された照射損傷による高準位密度の欠陥準位からなることを特徴とするＰ+ Ｎ型スイッチング用ダイオード。」
　
［引用例２］
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平２−１１１０７７号公報（以下、「引用例２」という。）には、第３図とともに、以下の事項が記載されている。
「［従来の技術］
　ＰＮ接合ダイオードにおいて、スッチング速度の向上は、強く要望されている。ところが、単結晶を用いたＰＮ接合ダイオードでは、バルク中でのキャリアライフタイムが長いため、ＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り換えたとき、残留している過剰少数キャリアによる遅延時間が長くスイッチング速度に限界があった。」（第１頁右下欄第１６行〜第２頁左上欄第３行）
「［作用］
　本発明の半導体整流素子は、・・・粒界欠陥を有効に再結合中心として導入することで、高速動作可能で良好な電流−電圧特性を持つ半導体整流素子を作製可能とするものである。」（第２頁右上欄第１１行〜第１６行）
「ここで、重要なことは第３図に示すように、結晶粒界５が空乏端１２から拡散長Ｌｐ（Ｌｐは正孔の拡散長）までの領域にあるということである。」（第３頁左下欄第８行〜第１１行）
「本実施例においては、空乏端１２から拡散長Ｌｐまでの領域に過剰少数キャリアが多く存在しており、この領域内にある再結合中心が最も有効に働くことから、この領域中にある欠陥の数がスイッチングの高速化が可能である。」（第３頁左下欄第１８行〜同頁右下欄第２行）
　
（４−３）対比・検討
　本願補正発明と引用発明１とを対比すると、引用発明１の「Ｎ型シリコン基板」、「前記Ｎ型シリコン基板の主表面に形成されたＰ+ 拡散層」及び「Ｐ+ Ｎ型スイッチング用ダイオード」は、本願補正発明の「第一導電型の半導体基板」、「この半導体基板の所定の領域内に形成された第二導電型の領域」及び「半導体装置」にそれぞれ相当する。
　また、引用発明１の「半値幅ｗの低ライフタイム層」は、「前記Ｎ型シリコン基板内にヘリウムイオン 3Ｈe 2+を照射することによって形成された照射損傷による高準位密度の欠陥準位からなる」ものである一方、本願補正発明の「低ライフタイム層形成のための結晶欠陥」も、「3 Ｈｅ2+」「を照射する事によって形成されている」「結晶欠陥」からなるものであるから、両者は実質的に同等の構成のものであるとともに、引用発明１の「半値幅ｗの低ライフタイム層」が「Ｎ型シリコン基板」内に中心を持つことは明らかである。
　
　よって、本願補正発明と引用発明１は、
「第一導電型の半導体基板とこの半導体基板の所定の領域内に形成された第二導電型の領域と前記半導体基板内に低ライフタイム層形成のための結晶欠陥を有する半導体装置において、前記結晶欠陥は前記第一導電型の半導体基板内に中心を持ち、前記結晶欠陥は3 Ｈｅ2+を照射する事によって形成されていることを特徴とする半導体装置。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　
［相違点１］
　本願補正発明においては、「前記結晶欠陥は前記第一導電型の半導体基板内に、前記第一導電型の半導体基板と前記第二導電型の領域の界面から、前記半導体基板の前記界面より注入された少数キャリアの拡散長離れた位置までの範囲に中心を持」つのに対して、引用発明１においては、「半値幅ｗの低ライフタイム層」の中心が「Ｎ型シリコン基板」のどこにあるのか規定されていない点。
　
［相違点２］
　本願補正発明においては、「前記結晶欠陥はＨ+ 、2 Ｄ+ 、3 Ｈｅ2+、4 Ｈｅ2+、ｅ- 、Ｐｔ+ 、Ａｕ+ のうちいずれかのイオンを照射する事によって形成されている」のに対して、引用発明１においては、「前記半値幅ｗの低ライフタイム層は前記Ｎ型シリコン基板内にヘリウムイオン 3Ｈe 2+を照射することによって形成された照射損傷による高準位密度の欠陥準位からなる」点。
　
　以下、上記の各相違点について検討する。
［相違点１について］
　引用例２には、ＰＮ接合を有する半導体装置である半導体整流素子（ＰＮ接合ダイオード）を高速化すべく、ＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り換えた際に残留する過剰少数キャリアの再結合中心となる粒界欠陥を導入するにあたり、該粒界欠陥を、過剰少数キャリアが多く存在している領域である、空乏端から少数キャリアの拡散長までの領域に設けることが記載されている。
　そして、引用発明１の、照射損傷による高準位密度の欠陥準位からなる「半値幅ｗの低ライフタイム層」も、引用例２に記載された発明における「粒界欠陥」も、再結合中心として、少数キャリアを消滅させるという共通の作用効果を奏するものであるから、引用例２に記載された技術を引用発明１に用いて、Ｎ型シリコン基板中の「半値幅ｗの低ライフタイム層」の形成箇所を、少数キャリアの拡散長を考慮して設定することは、当業者が容易に想起し得たものである。
　なお、引用例２に記載された発明においては、「少数キャリアの拡散長」の起算点、すなわち、少数キャリアの拡散の始点（注入点）を空乏端としているが、これを本願補正発明のごとく、「前記第一導電型の半導体基板と前記第二導電型の領域の界面」（ＰＮ接合面）とすることにより、新たな作用効果が生じるものとは認められないから、「少数キャリアの拡散長」の起算点をどこに設定するかは、少数キャリアの拡散の始点（注入点）をどこと見るかによって、当業者が適宜選択し得た設計的事項にすぎない。
　
［相違点２について］
　相違点２は、実質的に、本願補正発明が「Ｈ+ 、2 Ｄ+ 、3 Ｈｅ2+、4 Ｈｅ2+、ｅ- 、Ｐｔ+ 、Ａｕ+ のうちいずれかのイオンを照射する」のに対して、引用発明１が「 3Ｈe 2+を照射する」というものである。
　しかし、本願補正発明は、引用発明１と同じ「 3Ｈe 2+を照射する」場合を含むものであるから、相違点２は実質的な相違点にはならない。
　
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）本件補正についての検討のむすび
　上記（４）に示したとおり、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正後の請求項２及び３に係る発明についての検討をするまでもなく、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　よって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明の認定
　平成１６年４月３０日付けの手続補正は上記２．のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年１月１３日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
「第一導電型の半導体基板とこの半導体基板の所定の領域内に形成された第二導電型の領域と前記半導体基板内に低ライフタイム層形成のための結晶欠陥を有する半導体装置において、前記結晶欠陥は前記第一導電型の半導体基板内に、前記第一導電型の半導体基板と前記第二導電型の領域の界面から前記半導体基板の前記界面から注入された少数キャリアの拡散長離れた位置までの範囲に中心を持つことを特徴とする半導体装置。」
　
（２）引用例
　前出の引用例１及び２には、上記２．の（４−２）に示したとおりの事項が記載され、その引用例１の記載事項によれば、引用例１には次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
「Ｎ型シリコン基板と、前記Ｎ型シリコン基板の主表面に形成されたＰ+ 拡散層と、前記Ｎ型シリコン基板内に半値幅ｗの低ライフタイム層を有するＰ+ Ｎ型スイッチング用ダイオードにおいて、前記半値幅ｗの低ライフタイム層は高準位密度の欠陥準位からなることを特徴とするＰ+ Ｎ型スイッチング用ダイオード。」
　
（３）対比・検討
　本願発明と引用発明２とを対比すると、引用発明２の「Ｎ型シリコン基板」、「前記Ｎ型シリコン基板の主表面に形成されたＰ+ 拡散層」及び「Ｐ+ Ｎ型スイッチング用ダイオード」は、本願発明の「第一導電型の半導体基板」、「この半導体基板の所定の領域内に形成された第二導電型の領域」及び「半導体装置」にそれぞれ相当する。
　また、引用発明２の「半値幅ｗの低ライフタイム層」は、「高準位密度の欠陥準位からなる」ものであるから、本願発明の「低ライフタイム層形成のための結晶欠陥」に相当するとともに、引用発明２の「半値幅ｗの低ライフタイム層」が「Ｎ型シリコン基板」内に中心を持つことは明らかである。
　
　よって、本願発明と引用発明２は、
「第一導電型の半導体基板とこの半導体基板の所定の領域内に形成された第二導電型の領域と前記半導体基板内に低ライフタイム層形成のための結晶欠陥を有する半導体装置において、前記結晶欠陥は前記第一導電型の半導体基板内に中心を持つことを特徴とする半導体装置。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　
［相違点］
　本願発明においては、「前記結晶欠陥は前記第一導電型の半導体基板内に、前記第一導電型の半導体基板と前記第二導電型の領域の界面から前記半導体基板の前記界面から注入された少数キャリアの拡散長離れた位置までの範囲に中心を持」つのに対して、引用発明２においては、「半値幅ｗの低ライフタイム層」の中心が「Ｎ型シリコン基板」のどこにあるのか規定されていない点。
　
　以下、上記の相違点について検討する。
　引用例２には、ＰＮ接合を有する半導体装置である半導体整流素子（ＰＮ接合ダイオード）を高速化すべく、ＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り換えた際に残留する過剰少数キャリアの再結合中心となる粒界欠陥を導入するにあたり、該粒界欠陥を、過剰少数キャリアが多く存在している領域である、空乏端から少数キャリアの拡散長までの領域に設けることが記載されている。
　そして、引用発明２の、高準位密度の欠陥準位からなる「半値幅ｗの低ライフタイム層」も、引用例２に記載された発明における「粒界欠陥」も、再結合中心として、少数キャリアを消滅させるという共通の作用効果を奏するものであるから、引用例２に記載された技術を引用発明２に用いて、Ｎ型シリコン基板中の「半値幅ｗの低ライフタイム層」の形成箇所を、少数キャリアの拡散長を考慮して設定することは、当業者が容易に想起し得たものである。
　なお、引用例２に記載された発明においては、「少数キャリアの拡散長」の起算点、すなわち、少数キャリアの拡散の始点（注入点）を空乏端としているが、これを本願発明のごとく、「前記第一導電型の半導体基板と前記第二導電型の領域の界面」（ＰＮ接合面）とすることにより、新たな作用効果が生じるものとは認められないから、「少数キャリアの拡散長」の起算点をどこに設定するかは、少数キャリアの拡散の始点（注入点）をどこと見るかによって、当業者が適宜選択し得た設計的事項にすぎない。
　
　したがって、本願発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の請求項２ないし５に係る発明について検討をするまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。