【事件の表示】
　特許第１７６１９４５号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第１７６１９４５号に係る明細書及び図面を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び図面のとおり訂正することを認める。
【理　由】
１．審判請求の要旨
　本件審判請求の要旨は、特許第１７６１９４５号（昭和５７年７月５日出願、平成５年５月２８日設定登録、平成１４年７月５日存続期間満了）の願書に添付した明細書及び図面（以下、「本件特許明細書等」という。）を、本件審判請求書に添付した訂正明細書及び図面のとおりに訂正することを求めるものである。
　
２．訂正事項
　
（１）訂正事項１
　本件特許明細書等の特許請求の範囲の第１項の
「（１００）面を有するシリコン基板の表面に、長手方向が＜１１０＞方向と４５°の角度をなす矩形状の凹部が形成され、前記矩形状の凹部の側面をなす（０１０）または（００１）面をチャンネルとして用いる縦型構造電界効果トランジスタ。」を
「（１００）面を有し、且つ、高濃度ｎ形基板(5)と、前記高濃度ｎ形基板(5)の上に形成された低濃度ｎ形層(4)と、前記低濃度ｎ形層(4)の上に形成されたｐ形層(3)と、前記ｐ形層(3)の上に形成された高濃度ｎ形層(2)とを有するシリコン基板の表面に、長手方向が＜１１０＞方向と４５°の角度をなす矩形状の凹部が形成され、前記矩形状の凹部の側面をなす（０１０）または（００１）面をチャンネルとして用い、前記高濃度ｎ形層(2)をソース領域として用い、前記高濃度ｎ形基板(5)に電極形成されたドレイン電極を備える縦型構造電界効果トランジスタ。」と訂正する。
　
（２）訂正事項２
　本件特許明細書等の第２頁第１２ないし１６行の
「（１００）面を有するシリコン基板の表面に、長手方向が＜１１０＞方向と４５°の角度をなす矩形状の凹部が形成され、前記矩形状の凹部の側面をなす（０１０）または（００１）面をチャンネルとして用いる」を
「（１００）面を有し、且つ、高濃度ｎ形基板(5)と、前記高濃度ｎ形基板(5)の上に形成された低濃度ｎ形層(4)と、前記低濃度ｎ形層(4)の上に形成されたｐ形層(3)と、前記ｐ形層(3)の上に形成された高濃度ｎ形層(2)とを有するシリコン基板の表面に、長手方向が＜１１０＞方向と４５°の角度をなす矩形状の凹部が形成され、前記矩形状の凹部の側面をなす（０１０）または（００１）面をチャンネルとして用い、前記高濃度ｎ形層(2)をソース領域として用い、前記高濃度ｎ形基板(5)に電極形成されたドレイン電極を備える」と訂正する。
　
（３）訂正事項３
　本件特許明細書等の第２図（ａ）を本件審判請求書に添付した図面の第２図（ａ）に訂正するとともに、本件特許明細書等の第３頁第３ないし４行の「（１１０）面を方位規正面とするシリコン基板上で、」を「（０１−１）面を方位規正面とするシリコン基板上で、」（ただし、実際の記載では「−１」は「１」の上に「−」が付されている。以下同様。）と訂正する。
　
（４）訂正事項４
　本件特許明細書等の第３図（ｂ）及び第３図（ｄ）を本件審判請求書に添付した図面の第３図（ｂ）及び第３図（ｄ）にそれぞれ訂正する。
　
（５）訂正事項５
　本件特許明細書等の第２頁第４ないし５行の「チャネル領域は＜１１１＞面にできる」を「チャネル領域は（１１１）面にできる」と訂正する。
　
２．訂正拒絶理由の概要
　一方、当審において平成１８年５月９日付けで通知した訂正拒絶理由では『４．むすび』において、『訂正事項３を含む本件訂正審判の請求は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものではないから、平成６年改正前の特許法第１２６条第１項ただし書きの規定に適合しない。』と判断して、訂正事項３に対して以下の事項を通知した。
『（３）訂正事項３について
　訂正事項３についての訂正は、実質的に「（１００）面を有するシリコン基板」の「方位規正面」を「（０１−１）面」に訂正するものある。
　しかし、本件特許明細書等には、上記「方位規正面」に関して、「（１００）面を有し、（１１０）面を方位規正面とするシリコン基板上で、第２図（ａ）に示すように、＜１１０＞方向と４５°の角度をなす矩形状の凹部ｐを作るようにエッチングを行う。」（第３頁第３ないし６行）と記載されているのみであるから、「方位規正面」を「（０１−１）面」とする明示的な記載はされておらず、また、上記の「＜１１０＞方向」という記載に基づいて「方位規正面」を他の等価な面を除外して「（０１−１）面」のみに特定することが当業者にとって自明な事項であるともいえない。
　さらに、本件特許明細書等の「シリコン・エッチングは第２図（ｂ）（第２図（ｂ）は第２図（ａ）の凹部ｐの拡大図である。）に示すように、（１００）表面に対して垂直にエッチングを行う。この時、直方体にエッチングされた側面は、第２図（ｂ）に示すようにそれぞれ（０１０），（００１）面となり、（１００）面と等価な面である。」（第３頁第７ないし１３行）という記載に基づいて「シリコン基板」の面方位である「（１００）表面」と「直方体にエッチングされた側面」の面方位である「（０１０），（００１）面」との関係から、「方位規正面」が「（０１−１）面」であることを一義的に導き出すこともできない。
　したがって、訂正事項３についての訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえない。』
　
３．手続補正の適否
　これに対して、平成１８年５月１６日付けの手続補正によって、上記訂正事項３が削除されるとともに、これに伴って、上記訂正事項４及び上記訂正事項５がそれぞれ訂正事項３及び訂正事項４に繰り上げられた。
　上記手続補正は、訂正事項を削除するものであり、訂正請求の要旨を変更するものではないから、上記手続補正を認める。
　
４．訂正の目的の適否、新規事項の有無、拡張・変更の存否
　以下、上記手続補正を認め、上記訂正事項３を削除し、上記訂正事項４及び上記訂正事項５をそれぞれ訂正事項３及び訂正事項４として判断を行う。
　
（１）訂正事項１について
　訂正事項１についての訂正は、訂正前の特許請求の範囲の第１項に記載された発明である「縦型構造電界効果トランジスタ」の積層構造を限定して明確化するものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、本件特許明細書等には、上記積層構造に関して、「まず（１００）面を有する高濃度ｎ形基板５上に低濃度ｎ形層４をエピタキシャル成長した基板を用いる。・・・このエピタキシャル基板に通常のイオン注入法と熱拡散法を用いてｐ形層３・・・と高濃度ｎ形層２・・・を形成する。・・・ｎ形層２は・・・ソース領域を形成する。」（第３頁第２０行ないし第４頁第９行）及び「ドレイン電極は高濃度ｎ形基板５に電極形成して得る。」（第５頁第４及び５行）と記載されているから、訂正事項１についての訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（２）訂正事項２について
　訂正事項２についての訂正は、発明の詳細な説明の記載を訂正後の特許請求の範囲の記載に整合させるためのものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、「（１）訂正事項１について」で検討したとおりの理由により、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（３）訂正事項３について
　訂正事項３についての訂正のうち、本件特許明細書等の第３図（ｂ）を本件審判請求書に添付した図面の第３図（ｂ）とする訂正は、「高濃度ｎ形基板５」上にエピタキシャル成長した「低濃度ｎ形層４」の導電型として付されていた「ｎ＋」の誤記を「ｎ−」と訂正するものであるから、誤記の訂正を目的とするものであり、本件特許明細書等には、「まず（１００）面を有する高濃度ｎ形基板５上に低濃度ｎ形層４をエピタキシャル成長した基板を用いる。」（第３頁第２０行ないし第４頁第２行）と記載されているから、訂正事項３についての上記訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　また、訂正事項３についての訂正のうち、本件特許明細書等の第３図（ｄ）を本件審判請求書に添付した図面の第３図（ｄ）とする訂正は、訂正前の第３図（ｄ）に「高濃度ｎ形基板５」が図示されていない誤記を訂正するものであるから、誤記の訂正を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことも明らかである。
　
（５）訂正事項４について
　訂正事項４についての訂正は、「チャネル領域」の形成面として記載された「＜１１１＞面」という誤記の記載を「（１１１）面」と訂正するものであるから誤記の訂正を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことは技術的に明らかである。
　
５．独立特許要件
　訂正後の請求項１に記載された発明は、訂正前の請求項１に記載された発明を減縮するものであるから、訂正前の請求項１に係る発明と同様に特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正審判の請求は、平成６年改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き第１号ないし第３号に掲げる事項を目的としており、かつ同条第２項及び第３項の規定に適合する。