【事件の表示】
　平成１０年特許願第２１８１０９号「プラズマエッチング電極板」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年２月２５日出願公開、特開２０００−５８５１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
　本願は平成１０年７月３１日の出願であって、平成１５年１月２２日付けで拒絶理由が通知され、平成１５年３月２４日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成１５年４月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１５年５月２８日に審判請求がなされるとともに、平成１５年６月２６日付け手続補正書で明細書が補正され、平成１５年１０月１４日付けで前置報告がなされ、平成１７年５月２０日付けで審尋がなされ、これに対して平成１７年７月２５日付けで請求人から回答書が提出されたものである。
　　
II．平成１５年６月２６日付け手続補正書による補正の検討
(II-1)補正の内容
　本補正は、明細書の特許請求の範囲を、次の請求項１〜３のとおりに補正することを含む補正である。（以下、補正後の請求項１〜３に記載された事項により特定される発明を「補正発明１」〜「補正発明３」という。）
　また、本補正は、補正前の請求項１中の垂直距離Ｔ２を、さらに限定する補正を含む補正であるので、特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の限定的減縮を目的とした補正に該当するといえる。
　　
「【請求項１】中央部にエッチングガスを吹出すための複数の貫通孔が設けられているプラズマエッチング電極板において、貫通孔の両端部が貫通孔の端面を大径部とするテーパ状になっており、貫通孔のテーパ形状が、テーパの開始点から終了点までの水平距離をＴ１、垂直距離をＴ２としたとき、Ｔ１及びＴ２が、０．０１μｍ≦Ｔ１≦２００μｍ、０．１μｍ≦Ｔ２≦７μｍであるプラズマエッチング電極板。
【請求項２】Ｔ１及びＴ２が、１０μｍ≦Ｔ１≦１００μｍ、１μｍ≦Ｔ２≦５μｍである請求項１記載のプラズマエッチング電極板。
【請求項３】電極板の材質が、ガラス状炭素、単結晶シリコン、多結晶シリコン又は炭化珪素である請求項１又は２記載のプラズマエッチング電極板。」
　　
(II-2)引用例及びその記載事実
　本願出願前に頒布された刊行物として、以下の引用例を提示する。
（１）引用例１：特開平６−２０４１８１号公報（公開日：平成６年７月２２日）
(1-1)「【請求項２】プラズマエッチング装置のチャンバ内の下部に取り付けられた基板を載置する下部電極と対向して同チャンバ内の上部に取りつけられ、外部の反応ガス供給源から供給管を介して供給される反応ガスを通過させてチャンバ内に導く多数の小孔を備えた円板形状のプラズマエッチング用電極板において、
前記小孔の開口の周縁部に面取り加工を施したことを特徴とするプラズマエッチング用電極板。」（請求項２）
(1-2)「これら電極板の小孔の開口周縁部が、鋭角なエッジを有しているため、放電がエッジ部分に集中し易く、エッジ部分における電極板の磨耗が著しく、電極板材料の粉末が半導体基板上に落下して、エッチング歩留りを低下させるという問題がある。
　本発明は、上記した問題を解決しようとするもので、ドライエッチングの均一性を高めると共に小孔の開口周縁部の磨耗の少ない電極板を提供することを目的とする。」（段落【0005】）
(1-3)「上記のように構成した請求項２に係る発明においては、小孔の開口の周縁部に面取り加工を施し、周縁部を滑らかにしたことにより、放電がエッジ部分に集中することがなくなり、開口の周縁部における電極板の磨耗が著しく減少し、基板上への電極板材料の粉末の落下が抑えられた。
　その結果、粉末の落下による不良が減少し、基板のエッチング歩留りを向上させることができた。」（段落【0009】）
(1-4)「電極板２０は、円板状の高純度黒鉛基材の表面に熱分解炭素被膜のコーティングされたもので、図２に示すように、直径約２００ｍｍφの円板である。この電極板２０は、中心から１５０φの範囲内に一定のピッチで小孔ｈが設けられており、この内中心から１０２ｍｍφの部分Ａ１には直径０．６２φの小孔ｈが８２１個設けられており、残りの環状部分Ａ２には直径０．８５φの小孔ｈが９１２個設けられている。
　また、上記各小孔ｈは、図５に示すように、開口の端部ｅが０．２ｍｍ程度の範囲で面取り加工が施され、曲面状にされている。」（段落【0012】）
　そして、上記図５には、電極板２０の小孔ｈの開口周縁部ｅに面取り加工が施されて、曲面状にされた図が示されている。
(1-5)従来の電極板、及び比較例において、「直径０．８５φの小孔」、「０．８５ｍｍφの小孔」、「直径０．４φの小孔」及び「直径０．６２φの小孔」が記載されている。（段落【0013】）
(1-6)「上記実施例においては、電極板２０の開口の周縁部ｅに面取り加工を施し、周縁部ｅを曲面形状のしたことにより、周縁部ｅへの電界集中が緩和されるようになった。このため、面取り加工を施さず周縁部が鋭角な従来の電極板に比べて周縁部ｅにおける電極板２０の磨耗が少なくなり、電極板２０の寿命が高められると共に半導体基板上へのゴミの落下が少なくなり、これによる半導体基板の不良発生を抑制することができた。」（段落【0019】）
(1-7)「上記実施例においては、電極板の材料として高純度黒鉛基材の表面に熱分解炭素被膜のコーティングされたものを用いているが、熱分解炭素被膜のコーティングしないもの、高純度ガラス状カーボン又は高純度アルミニウム板等を用いるようにしてもよい。」（段落【0020】）
　　
（２）引用例２：特開平８−２７４０６９号公報（公開日：平成８年１０月１８日）
(2-1)「【請求項２】プラズマエッチング用ガスが流通する複数の細孔を備えたシリコン電極体と、このシリコン電極体を基台に固定する支持部材を備えたプラズマエッチング装置用のシリコン電極装置において、
　前記シリコン電極体は、前記複数の細孔を穿設したガス孔円板であって、外周部が円錐形状に形成され、前記支持部材は、内周部が前記シリコン電極体の外周部に嵌合する形状に形成され、
　更に、前記シリコン電極体の前記ガス孔板を１０μｍ〜１００μｍの範囲でエッチングして、前記細孔の端縁の稜部の角が除去されていることを特徴とするプラズマエッチング装置用シリコン電極装置。」（請求項２）
(2-2)「シリコン電極に上記エッチングを施すことによって、前記ガス流通孔の端縁の稜部の角がエッチングされ、アール部をもった流出入口の形状となるので、前記細孔に対してガスが流入しやすくなるとともに、流出されるガスもウエーハに対して広がりをもって接触するので、ウエーハ全域に対して均一にガス供給を行なうことができ、稜部の角に起因するプラズマの異常放電を生じることもなく、その結果、シリコン電極の寿命が長くなる。」（段落【0033】）
(2-3)「次に、ガス孔の面取りの効果を調べる実験を行った。試験材は、図４に示すように、
Ａ：エッチングなしシリコン電極：（図８（１））
Ｂ：成形加工時ガス孔両端に０．０８Ｒの面取りを実施：（図８（２））
Ｃ：成形加工後エッチング４０μｍ（孔径はエッチング後０．８φとなるように加工）：（図８（３））を用いた。
前記Ｂ及びＣの試験材は、稜部２の角がエッチングされ、アール部２ｂを備えている。
　図９は、前記Ａ〜Ｃのシリコン電極をプラズマエッチング装置に組込んで寿命を比較したもので、シリコン電極をプラズマエッチング装置に装備した場合に、基本的には、面取りのある方が、電極自身の寿命が長いことが解る。
　更に、面取りのあるものでも、エッチングを施したものの方が、電極自身の寿命が長いことが解る。尚、シリコン電極は、６インチウエーハ処理用で、２００ｍｍφ、厚み１０ｍｍ、ガス孔は、孔径０．８φｍｍで、孔数１８００個である。
　また、発明者の実験によれば、ガス孔端部（稜部）の面取りは、ガス孔直径の１０％前後の寸法のアール面取り加工が望しく、他方、エッチング加工では、０．５φ〜１．０φｍｍのガス孔に対して、３０〜７０μｍのエッチング処理で前記と同様の寿命効果が得られている。」（段落【0052】〜【0055】）
　そして、図８（２）及び図８（３）には、電極体１の稜部２にアール部２ｂを設けた図が示されている。
(2-4)「本願第２請求項の発明は、更に、前記シリコン電極体を１０μｍ〜１００μｍの範囲でエッチングして、前記細孔の端縁の稜部の角が除去されているプラズマエッチング装置用シリコン電極であり、シリコン電極に前記エッチングを施すことによって、前記ガス流通孔の端縁の稜部の角がエッチングされ、アール部をもった流出入口の形状となるので、前記細孔に対してガスが流入しやすくなるとともに、流出されるガスもウエーハに対して広がりをもって接触するので、ウエーハ全域に対して均一にガス供給を行なうことができ、稜部の角に起因するプラズマの異常放電を生じることも回避できる。」（段落【0058】）
(2-5)「本発明によれば、第１に、シリコン電極の応力集中による割れを回避することができ、第２に、プラズマの異常放電発生を回避できて、シリコン電極の寿命を長くすることができるとともに、加工ダメージ及びコンタミネーションの除去も可能となり、第３に、支持部材からの汚染も回避できる優れた効果を奏するものである。」（段落【0062】）
　　
(II-3)対比・判断
（ｉ）補正発明１について
　引用例１には、プラズマエッチング装置のチャンバ内の下部に取り付けられた基板を載置する下部電極と対向して同チャンバ内の上部に取りつけられ、外部の反応ガス供給源から供給管を介して供給される反応ガスを通過させてチャンバ内に導く多数の小孔を備えた円板形状のプラズマエッチング用電極板（摘記1-1）が記載され、併せて、具体的に、電極板２０は、図２に示すように、円板状のもので、中心から１５０φの範囲内に一定のピッチで小孔ｈが設けられており、この内中心から１０２ｍｍφの部分Ａ１には直径０．６２φの小孔ｈが８２１個設けられており、残りの環状部分Ａ２には直径０．８５φの小孔ｈが９１２個設けられていること（摘記1-4）が記載されている。したがって、引用例１には、中央部にエッチングガスを吹出すための複数の貫通孔が設けられているプラズマエッチング電極板が記載されているといえる。
　また、引用例１には、前記小孔の開口の周縁部に面取り加工を施したこと（摘記1-1）、小孔の開口の周縁部に面取り加工を施し、周縁部を滑らかにしたこと（摘記1-3）、上記各小孔ｈは、図５に示すように、開口の端部ｅが０．２ｍｍ程度の範囲で面取り加工が施され、曲面状にされていること（摘記1-4）、及び、電極板２０の開口の周縁部ｅに面取り加工を施し、周縁部ｅを曲面形状のしたこと（摘記1-5）が記載されている。したがって、引用例１には、貫通孔の両端部が貫通孔の端面を大径部とするテーパ状になっていることが記載されているといえる。
　以上のことからすると、補正発明１は、引用例１に記載された発明と、
「中央部にエッチングガスを吹出すための複数の貫通孔が設けられているプラズマエッチング電極板において、貫通孔の両端部が貫通孔の端面を大径部とするテーパ状になっているプラズマエッチング電極板」の点で一致し、そして、
（イ）補正発明１では、「貫通孔のテーパ形状が、テーパの開始点から終了点までの水平距離をＴ１、垂直距離をＴ２としたとき、Ｔ１及びＴ２が、０．０１μｍ≦Ｔ１≦２００μｍ、０．１μｍ≦Ｔ２≦７μｍである」と、貫通孔のテーパ形状について特定しているのに対して、引用例１にはその記載が見当たらない点で、補正発明１は引用例１に記載された発明と相違している。
　　
　そこで、この相違点（イ）について検討する。
　引用例１には、小孔の開口の周縁部に面取り加工を施し、周縁部を滑らかにしたことにより、放電がエッジ部分に集中することがなくなり、開口の周縁部における電極板の磨耗が著しく減少し、基板上への電極板材料の粉末の落下が抑えられ、またその結果、粉末の落下による不良が減少し、基板のエッチング歩留りを向上させることができたこと（摘記1-3）、及び、電極板２０の開口の周縁部ｅに面取り加工を施し、周縁部ｅを曲面形状としたことにより、周縁部ｅへの電界集中が緩和されるようになり、このため、面取り加工を施さず周縁部が鋭角な従来の電極板に比べて周縁部ｅにおける電極板２０の磨耗が少なくなり、電極板２０の寿命が高められると共に半導体基板上へのゴミの落下が少なくなり、これによる半導体基板の不良発生を抑制することができたこと（摘記1-6）が記載されて、小孔開口周縁部に面取り加工して形成したテーパーによる作用が説明されている。そして、そのようなテーパーによって奏される作用は、当該テーパーの幅や深さの大きさと相関することは、当業者が容易に想到できることである。
　一方、引用例１には、小孔（貫通孔）の直径が０．４〜０．８５ｍｍφである例（摘記1-5）が記載されており、また、引用例２には、貫通孔の孔径が０．８φ（摘記2-3）である例、及びガス孔板を１０μｍ〜１００μｍの範囲でエッチングして細孔の端縁の稜部の角を除去すること（摘記2-1）が記載されている。
　なお、補正発明１では、水平距離Ｔ１については「０．０１μｍ≦Ｔ１≦２００μｍ」、垂直距離Ｔ２については「０．１μｍ≦Ｔ２≦７μｍ」と、Ｔ１とＴ２それぞれの大きさの範囲が個別に特定されているが、それ以外の、例えばＴ１とＴ２との比率等の点について両者の間に特段の関係が規定されているものでもなく、また、特定のテーパー形状に限定されているものでもない。
　してみれば、貫通孔の両端部にテーパーを設ける際に、引用例１又は引用例２に記載された貫通孔の大きさ、ないし周知のプラズマエッチング電極板の貫通孔の大きさを勘案し、貫通孔端部への電界集中の緩和、半導体基板への異物の脱落防止（摘記1-2、1-3、1-6、2-2、2-4、2-5参照。）といった、当業者であれば通常配慮する事項を考慮して、テーパー部の幅や深さについて、相違点（イ）のとおり、水平距離（Ｔ１）を０．０１〜２００μｍの範囲、垂直距離（Ｔ２）を０．１〜７μｍの範囲とする点に格別の困難性があったとはいえず、なおかつ、本願明細書及び図面の記載を見ても、当該特定した点により、当業者が予期し得なかった程格別に顕著な効果が奏されたと認めることはできない。
　以上のとおりであるから、相違点（イ）は当業者が容易になし得たことである。
　したがって、補正発明１は、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、補正発明１は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものとはいえない。
　　
(II-4)補正についての結論
　以上のとおり、補正後の明細書の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものとはいえず、したがって、当該請求項１についての補正事項を含む本補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項に規定された要件を満足しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下する。
　　
III．本願発明
　平成１５年６月２６日付けの手続補正書による補正は上記「II．平成１５年６月２６日付け手続補正書による補正の検討」の欄に記載のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３に係る発明（以下、「本願発明１」〜「本願発明３」という。）は、平成１５年３月２４日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１については次のとおりである。
「【請求項１】中央部にエッチングガスを吹出すための複数の貫通孔が設けられているプラズマエッチング電極板において、貫通孔の両端部が貫通孔の端面を大径部とするテーパ状になっており、貫通孔のテーパ形状が、テーパの開始点から終了点までの水平距離をＴ１、垂直距離をＴ２としたとき、Ｔ１及びＴ２が、０．０１μｍ≦Ｔ１≦２００μｍ、０．１μｍ≦Ｔ２≦１０μｍであるプラズマエッチング電極板。」
　　
IV．引用例
引用例１：特開平６−２０４１８１号公報
引用例２：特開平８−２７４０６９号公報
　　
Ｖ．引用例の記載事実
　上記引用例１〜２は、前記「(II-2)引用例及びその記載事実」の欄に示した引用例１〜２と同じ引用例であり、その記載事実は、同欄における摘記をそのまま援用する。
　　
VI．対比・判断
（ｉ）本願発明１について
　本願発明１は、上記「II．平成１５年６月２６日付け手続補正書による補正の検討」の欄に記載した補正発明１よりも、Ｔ２の点でさらに広い範囲を包含する発明である。
　したがって、本願発明１は、「II．平成１５年６月２６日付け手続補正書による補正の検討」の欄で補正発明１について記載したと同様、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
VII．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、したがって、他の請求項２及び３に係る発明について検討するまでもなく、本願は特許法第４９条第１項第２号の規定により拒絶すべきものである。