【事件の表示】
　平成　８年特許願第２９６４５３号「基板処理システム」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　５月２９日出願公開、特開平１０−１４４７５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成８年１１月８日の特許出願であって、同１５年１月２２日付で拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同１５年３月３１日に意見書と共に明細書を補正する手続補正書が提出されたが、同１６年３月１０日付で拒絶をすべき旨の査定がされ、同１６年４月１５日に本件審判の請求がされ、その後、同１６年４月２６日に明細書を補正する手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成１６年４月２６日付の補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年４月２６日付の補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容の概要
　平成１６年４月２６日付の明細書についてする補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲について補正をすると共にそれに関連して発明の詳細な説明の段落【０００７】【課題を解決するための手段】の項について補正をするものであって、特許請求の範囲の請求項１について補正前後の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　
（１）補正前
　「基板の搬送を行う搬送部の周囲に複数の処理部を備え、前記搬送部によって基板を前記処理部へ搬送し、前記処理部で基板に所定の処理を行う基板処理システムであって、
　前記複数の処理部は、ドライ雰囲気で基板の処理を行う第１処理部と、
　ウエット雰囲気での基板の処理を含む複数種の基板の処理を行う第２処理部と、
　を含み、
　前記搬送部と前記第２処理部との間にバッファ部を配置し、
　前記第２処理部と前記バッファ部との間において雰囲気を遮断する第１遮断手段と、
　前記バッファ部と前記搬送部との間において雰囲気を遮断する第２遮断手段と、
　前記第２処理部および前記バッファ部のうち少なくとも１つの内部の気圧を制御する制御手段と、
を備え、
　少なくとも前記第１遮蔽手段を開ける前に、前記バッファ部の内部の気圧を前記第２の処理部の内部の気圧より高い状態にすることを特徴とする基板処理システム。」
　
（２）補正後
  「基板の搬送を行う搬送部の周囲に複数の処理部を備え、前記搬送部によって基板を前記処理部へ搬送し、前記処理部で基板に所定の処理を行う基板処理システムであって、
　前記複数の処理部は、ドライ雰囲気で基板の処理を行う第１処理部と、
　ウエット雰囲気での基板の処理を含む複数種の基板の処理を行う第２処理部と、
　を含み、
　前記搬送部と前記第２処理部との間にバッファ部を配置し、
　前記第２処理部と前記バッファ部との間において雰囲気を遮断する第１遮断手段と、
　前記バッファ部と前記搬送部との間において雰囲気を遮断する第２遮断手段と、
　
前記第２処理部と前記バッファ部と前記搬送部との内部の気圧を気体供給により
を備え、
　前
とし、
前記第２遮断手段を開ける前に、前記搬送部内の気圧を前記バッファ部内の気圧より高い状態にする
　
２　補正の適否　　　
　本件補正のうち特許請求の範囲の請求項１についてする補正は、制御手段が気圧を制御する箇所を、「前記第２処理部および前記バッファ部のうち少なくとも１つ」から「前記第２処理部と前記バッファ部と前記搬送部」に付加限定すると共に制御手段が「気体供給により」制御するという事項を付加し、さらに、「前記第２遮断手段を開ける前に、前記搬送部内の気圧を前記バッファ部内の気圧より高い状態にする」という事項を付加するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認めれられるので、さらに、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　
（１）補正発明
　補正発明は、本件補正により補正された明細書及び願書に最初に添付した図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、上記１（２）に示すとおりの「基板処理システム」であると認める。
　
（２）引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本件出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平３−４４０５８号公報（以下「引用例１」という。）、特開平７−９４５７１号公報（以下「引用例２」という。）及び特開平７−２１１７６１号公報（以下「引用例３」という。）には、以下のように記載されている。
　
ア　引用例１
　引用例１には「半導体装置の製造方法および製造装置」に関連して以下の事項が記載されている。
（ア）第２頁左上欄第６〜９行
「本発明は、半導体装置技術に関し、特に、半導体装置のウェハ処理工程における薄膜形成技術やエツチング技術などに適用して有効な技術に関する。」、
（イ）第３頁右上欄第１７行〜第４頁左上欄第７行
「本実施例における半導体装置の製造装置は枚葉式とされ、第１図に示すように真空排気が可能な真空ロード・アンロードチャンバ１を備えている。
　真空ロード・アンロードチャンバ１内には、仕切りバルブ２の開閉動作を通じて出し入れされるウェハカセット３が設けられ、このウェハカセット３にウェハ４が収納されるようになっている。
　真空ロード・アンロードチャンバ１は、仕切りバルブ５を介して真空搬送室６（搬送機構）に隣接している。
　真空排気が可能な真空搬送室６内には、ロボットアームなどからなる搬送手段７が設置されている。
　真空搬送室６の周囲には、真空ロードロック室８（搬送機構）、エツチングチャンバ９（ドライ処理機構）、スパッタチャンバ１０（ドライ処理機構）が配設され、これらの真空ロードロック室８、エツチングチャンバ９、スパッタチャンバ１０は仕切りバルブ１１，１２，１３を夫々介して真空搬送室６に隣接している。
　そして、真空ロード・アンロードチャンバ１と真空搬送室６間、真空搬送室６と真空ロードロック室８間、真空搬送室６とエツチングチャンバ９間、真空搬送室６とスパッタチャンバ１０間において、ウェハ４が搬送手段７により仕切りバルブ５，１１，１２，１３を夫々通じて任意のシーケンスで搬送される構造とされている。
　前記真空ロードロック室８は、真空排気およびＡｒなどの不活性ガスの導入が可能とされている。
　また、真空ロードロック室８内には、ヒータなどの加熱手段１４が設けられ、この加熱手段１４によりウェハ４に吸着した水分が真空ベーク法によって除去されるようになっている。
　真空ロードロック室８には、ウェット処理室１５（ウェット処理機構）が仕切りバルブ１６を介して隣接され、この真空ロードロック室８とウェット処理室１５間においてウェハ４が所定の搬送手段によって搬送されるようになっている。
　ウェット処理室１５内には、スピンナ洗浄を行う洗浄部１５Ａおよびスピンドライヤを行う乾燥部１５Ｂが配設されている。
　また、ウェット処理室１５内は、Ｎ２などの不活性ガスの導入によるパージが可能とされている。
　そして、ウェット処理室１５内が大気圧ないし大気圧より陽圧状態にＮ２などの不活性ガスでパージされることにより、ウェット処理室１５内のウェハ４が外部大気に接することなく、洗浄部１５Ａによって洗浄されて自然酸化膜などが除去された後に、乾燥部１５Ｂのスピンナの回転による遠心力によってその洗浄時の付着水分が除去される構造とされている。」、
（ウ）第４頁左上欄第８〜１７行
「このようにして、ウェット処理室１５において洗浄・乾燥されたウェハ４は、真空状態とされた真空ロードロック室８においてその残存水分が加熱手段１４を用いた真空ベーク法によって完全に除去された後に、搬送手段７により真空状態の真空搬送室６を経てスパッタチャンバ１０に搬送され、該スパッタチャンバ１０において、たとえばＡｌ−Ｓｉ合金膜などからなる所定の金属薄膜がスパッタリングによってＳｉなどのウェハ基板上に形成される構造とされている。」、
（エ）第４頁左上欄第１８行〜右上欄第９行
「その後に、スパッタチャンバ１０内のウェハ４が、搬送手段７により仕切りバルブ１３を通じて真空状態の真空搬送室６を経た後に、仕切りバルブ５を通じて真空ロード・アンロードチャンバｌに搬送されそのウェハカセット３に収納されて一連の処理が終了する構造とされている。
　次に、前記エツチングチャンバ９には、真空ロード・アンロードチャンバ１内のウェハカセット３に収納されたウェハ４が搬送手段７により仕切りバルブ５を通じて真空状態の真空搬送室６を経た後に、仕切りバルブ１２を通じて搬送されるようになっている。」、
（オ）第４頁左下欄第６〜１８行
「また、エツチングチャンバ９は、そのウェハ４のドライエッチングおよびその塩素系反応ガスの強制排気後において、たとえばフレオン（登録商標）＋０２などの混合ガスが導入されてプラズマ放電されることにより、ウェハ４のホトレジスト膜２１がアッシング法によって除去される構造とされている。
　そして、このようにしてエッチングチャンバ９において、ホトレジスト膜２１が除去されたウェハ４が、外部大気と遮断されている真空搬送室６および真空ロードロック室８を経てウェット処理室１５に搬送された後に、洗浄処理などがなされる構造とされている。」。
　
　また、上記記載において、ウェット処理室１５、真空ロードロック室８、真空搬送室６（搬送機構）は、それぞれ、真空状態とされるか、または、不活性ガスが導入されるものであり、そのために、内部の気圧を制御する制御手段を備える必要のあることは技術常識からして明らかである。
　
　以上の記載事項を補正発明に照らして整理すると引用例１には以下の発明が記載されていると認める。
　「ウェハ４の搬送を行う真空搬送室６（搬送機構）の周囲に複数の処理機構を備え、前記真空搬送室６（搬送機構）によってウェハ４を前記処理機構へ搬送し、前記処理機構でウェハ４に所定の処理を行う半導体装置の製造装置であって、
　前記複数の処理機構は、エツチングチャンバ９、スパッタチャンバ１０等のドライ処理機構と、
　洗浄及び乾燥を行うウェット処理室１５であるウェット処理機構と、
　を含み、
　前記真空搬送室６（搬送機構）と前記ウェット処理機構との間に真空排気およびＡｒなどの不活性ガスの導入が可能な真空ロードロック室８を配置し、
　前記ウェット処理機構と前記真空ロードロック室８との間において雰囲気を遮断する仕切りバルブ１６と、
　前記真空ロードロック室８と前記真空搬送室６（搬送機構）との間において雰囲気を遮断する仕切りバルブ１１と、
　前記ウェット処理機構と前記真空ロードロック室８と前記真空搬送室６（搬送機構）との内部の気圧を制御する制御手段と、
を備えた半導体装置の製造装置。」
　
イ　引用例２
　引用例２には以下の事項が記載されている。
（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば化学気相成長（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法を適用して成長させた半導体層の表面を例えば走査型トンネル顕微鏡（ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＴＭ）などを用いて観察し、その結果を例えば成長条件決定にフィード・バックさせるようにする為の半導体プロセス装置及びその使用方法に関する。」、          
（イ）「【０００９】
【従来の技術】図３は半導体層の成長及び評価を離隔した領域で行うようにした従来の技術を解説する為の半導体プロセス装置を表す要部平面図である。尚、図３は従来の技術に於ける基本的な事項を説明する為のものであるので省略がある。
【００１０】図に於いて、１はウエハ導入室、１Ａはウエハ・ホルダ、２はウエハ交換室、２Ａは回転台、３は成長室、４は評価室、５Ａ，５Ｂ，５Ｃはバルブ、６はトランスファ・ロッド、１０はウエハをそれぞれ示している。尚、図示のプロセス装置では、成長室３に於いて分子ビーム・エピタキシャル成長（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｂｅａｍ  ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）が行われるものとする。
【００１１】図示のプロセス装置に於いては、ウエハ交換室２を中心とし、大気中からウエハを導入する為のウエハ導入室１、成長室３、評価室４のそれぞれがバルブ５Ａ乃至５Ｃを介して導通及び遮断自在に設置されている。尚、トランスファ・ロッド６はウエハを搬送する役割を果たす。」、
（ウ）「【００２６】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理を解説する為の半導体プロセス装置を表す要部平面図である。尚、図３に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【００２７】図に於いて、３Ａは原料ガス供給管、５Ｄはバルブ、１１は中間室、１１Ａはガス供給管、２１はウエハ導入室１の排気装置、２２はウエハ交換室２の排気装置、２３は中間室１１の排気装置、２４は成長室３の排気装置、２５は評価室４の排気装置、３１は加熱装置をそれぞれ示している。尚、ガス供給管１１Ａは流量を精密に制御したガスを供給する為のものである。尚、図示のプロセス装置では、成長室３に於いてＭＯＶＰＥなどＣＶＤに依る成長が行われるものとする。
【００２８】図示のプロセス装置が、図３について説明したプロセス装置と相違する点は、ウエハ交換室２と成長室３との間に中間室１１を設置したことである。
【００２９】従って、成長室３と評価室４との間には、独立した排気装置をもった二つの真空室、即ち、排気装置２２をもつウエハ交換室２及び排気装置２３をもつ中間室１１が介在している。
【００３０】このプロセス装置では、中間室５内の圧力を成長室３に比較して高く維持できるようにしてある。
【００３１】また、成長が終了した後の成長室３からの排気は、ＲＰである排気装置２４からオイルが逆拡散することを防止できるような過程を経て行うようにする。即ち、成長室３が排気装置２４と接続されている場合には、オイルの逆拡散が起こらない程度に気体の平均自由行程が小さくなるよう圧力を所定値、例えば、１〔Ｔｏｒｒ〕以上に維持する。」、
（エ）「【００４９】
【実施例】図２は本発明一実施例を解説する為の半導体プロセス装置を表す要部平面図であり、本実施例は、有機金属化学気相堆積（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｕｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）法を適用して成長させた半導体層の表面を評価する場合を対象にしている。尚、図１に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【００５０】図に於いて、２２Ａはターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）、２２Ｂはイオン・ポンプ（ＩＰ）、２４ＡはＲＰ、２４ＢはＴＭＰ、３２，３３，３４，３５，３６はバルブ、４１，４２は真空計、４３は制御器、４４はリーク・バルブをそれぞれ示している。」、
（オ）「【００５２】成長室３には原料ガス供給管３Ａを介して原料ガスが送入されるようになっていて、ＲＰ２４Ａからのオイルの逆拡散を防ぐには、成長室３に原料ガス供給管３Ａを介し、微量であっても、常に水素或いは窒素を流しておくことが効果的である。尚、ＴＭＰ及びＩＰは本質的にオイル・フリーであるから、そのまま排気しても清浄な真空を生成させることができる。」、
（カ）「【００６４】（８）  予め、ＴＭＰまたはＩＰからなる排気装置２３で排気しておいた中間室１１にリーク・バルブ４４及びガス供給管１１Ａを介して窒素を供給して常に成長室３よりも若干高い圧力を維持する。リーク・バルブ４４の制御は制御器４３に依って行う。・・・。
【００６５】（９）  バルブ５Ｃを開き、ウエハを中間室１１に移送してから、バルブ５Ｃを閉じる。ここでガス供給管１１Ａからの窒素の供給も停止する。」、
（キ）「【００６８】前記のような工程を経ることで、ＭＯＣＶＤ法に依る半導体層の成長を行う成長室３から原料ガスが拡散することを防ぎ且つウエハが汚染されることを防ぎつつ、ウエハを超高真空室、即ち、評価室４まで容易に移送することができる。」。
　
　これらの記載事項から引用例２には以下の事項が記載されていると認める。
  「ウエハの搬送を行うウエハ交換室２とウエハの処理を行う成長室３との間にそれぞれバルブ５Ｄ，５Ｃを介して中間室１１を配置した半導体プロセス装置において、
　成長室３から原料ガスが拡散することを防ぎ且つウエハが汚染されることを防ぐために、成長室３と中間室１１との内部の気圧を気体の供給ないし排気により制御する制御手段を備え、成長室３と中間室１１との間のバルブ５Ｃを開ける前に、中間室１１の内部の気圧を成長室３の内部の気圧より高い状態にする」こと。
　
ウ　引用例３
　引用例３には以下の事項が記載されている。
（ア）「【００１１】図１は本発明方法を実施するための処理装置を示す概略断面図、図２は図１に示す処理装置を示す平面図、図３は本発明方法を実施するためのタイミングチャートである。
【００１２】まず、本発明方法を実施するための処理装置を説明する。この処理装置は、同一或いは異種の処理を被処理体である半導体ウエハＷに施すために複数、図示例にあっては３個の処理室２Ａ、２Ｂ、２Ｃを集合させて結合し、いわゆるクラスタツール化されている。これらの処理室の種類としてはプラズマエッチング処理室、スパッタリング処理室、ＣＶＤ処理室等を挙げることができる。尚、この処理室の数は、３個に限定されず、２個或いは４個以上設けるようにしてもよい。
【００１３】この各処理室２Ａ、２Ｂ、２Ｃは、内部に多関節式の搬送アーム４を有する共通搬送室６に、それぞれゲートバルブＧ１、Ｇ２、Ｇ３を介して連通可能に連結されている。また、この共通搬送室６には、複数、図示例にあっては２個のロードロック室８Ａ、８ＢがそれぞれゲートバルブＧ４、Ｇ５を介して連通可能に連結されている。各ロードロック室８Ａ、８Ｂ内には、例えば２５枚のウエハＷを収容し得るカセット１０が設置可能になされており、このカセット１０は、この装置外との間を開閉するゲートドアＧ６、Ｇ７を開いて装置外との間で搬出入されるようになっている。各ロードロック室８Ａ、８Ｂには、これにＡｒやＮ２ 等の不活性ガスを供給するロードロック室不活性ガス供給系１２が接続されると共にこの供給系には質量流量を制御する流量制御弁として例えばマスフローコントローラ１４及び開閉弁１６が順次介設されている。
【００１４】また、このロードロック室８Ａ、８Ｂの底部には、ロードロック室真空排気系１８が接続されると共にこの排気系１８には開閉弁２０及び真空ポンプとしての例えばドライポンプ２２が順に介設されている。各ロードロック室８Ａ、８Ｂ内の圧力は、それぞれに設けられたロードロック室圧力計２４により検出するようになっている。上記各処理室２Ａ、２Ｂ、２Ｃには、これに処理ガスを供給する処理ガス供給系２４の他に、Ｎ２ やＡｒ等の不活性ガスを供給する処理室不活性ガス供給系２６が接続されており、この供給系２６には質量流量を制御する例えばマスフローコントローラ２８及び開閉弁３０が順次介設されている。
【００１５】また、各処理室２Ａ、２Ｂ、２Ｃの底部には、第１の開閉弁３２の介設された処理室主真空排気系３４が接続されると共に、第２の開閉弁３６、ターボ分子ポンプ３８及び第３の開閉弁４０が順次介設された処理室補助真空排気系４２が接続されている。そして、これら２つの真空排気系３４、４２の下流は合流されて真空ポンプとしての例えばドライポンプ４４に接続されている。また、各処理室２Ａ、２Ｂ、２Ｃには処理室圧力計４６が設けられており、内部圧力を検出するようになっている。上記共通搬送室６には、これにＡｒやＮ２ 等の不活性ガスを供給する搬送室不活性ガス供給系４８が接続されると共にこの供給系には質量流量を制御する流量制御弁として例えばマスフローコントローラ５０及び開閉弁５２が順次介設されている。
【００１６】また、この共通搬送室６の底部には、第１の開閉弁５４が介設された搬送室主真空排気系５６が接続されると共に、第２の開閉弁５８、ターボ分子ポンプ６０及び第３の開閉弁６２が順次介設された搬送室補助真空排気系６４が接続されている。そして、これら２つの真空排気系５６、６４の下流は合流されて真空ポンプとして例えばドライポンプ６６に接続されている。特に、上記搬送室主真空排気系５６の上流側排気口５６Ａは、略全体がケーシングにより被われた搬送アーム４内に臨ませて設けられており、アーム稼働時にこのアームにて発生するパーティクルを効果的に吸引排除し得るようになっている。
【００１７】また、この共通搬送室６には、搬送室圧力計６８が設けられており、この内部圧力を検出するようになっている。上記各圧力計２４、４６、６８の出力値は、フィードバック信号として例えばマイクロコンピュータ等よりなる制御部７０へ入力され、各不活性ガス供給系１２、２６、４８に介設したマスフローコントローラ１４、２８、５０を制御することにより各室内を所望する圧力に制御維持するようになっている。・・・。」、
（イ）「【００１９】本実施例としては、処理室２ＡとしてウエハＷに対してエッチング処理を施すエッチャーを例にとって説明する。このエッチングを行なう場合の処理圧力は３００ｍＴｏｒｒ程度であり、この処理圧力に関しては処理内容にもよるが、例えば数１０ｍＴｏｒｒ〜数１００ｍＴｏｒｒ程度の範囲内で変動する。また、共通搬送室６内は搬送室主真空排気系５６または搬送室補助真空排気系６４を例えば選択的に作動させることにより常時真空引きされており、同時に、この共通搬送室６内へは搬送系不活性ガス供給系４８から、不活性ガス例えばＮ２ガスが間欠的或いは連続的に供給されている。この場合、この搬送室６内の圧力は搬送室圧力計６８により検出されてフィードバック信号として制御部７０へ供給されており、この制御部７０が搬送室不活性ガス供給系４８のマスフローコントローラ５０を制御することにより搬送室６内は常時一定の圧力、例えば本実施例では１００ｍＴｏｒｒを維持するようになっている。尚、共通搬送室６内の設定圧力は、例えば１０ｍＴｏｒｒ〜３００ｍＴｏｒｒ程度の範囲内で任意の値に設定できる。」、
（ウ）「【００２１】まず、初期状態においては、全てのポンプは稼働されて、処理室補助真空排気系４２及び搬送室補助真空排気系６４のそれぞれの第３の開閉弁４０、６２を開状態とする外、他の全ての開閉弁が閉じられると共に全ての室が大気圧状態すなわち７６０Ｔｏｒｒになされている。この状態でカセット１０を収容するためにロードロック室８ＡのゲートドアＧ６を開き、この外部に予め設定されているカセット１０を図示しないカセットアームによりロードロック室８Ａ内に移載し、このゲートドアＧ６を閉じる。
【００２２】次に、ロードロック室真空排気系１８の開閉弁２０を開にし、搬送室補助真空排気系６４の第３の開閉弁６２及び処理室補助真空排気系４２の第３の開閉弁４０を共に閉にすると共に搬送室主真空排気系５６の第１の開閉弁５４及び処理室主真空排気系３４の第１の開閉弁３２を共に開にし、各室内の真空粗引きを行なう。そして、ロードロック室８Ａ、共通搬送室６及び処理室８Ａ内の圧力をそれぞれ５０ｍＴｏｒｒ、１０ｍＴｏｒｒ、１０ｍＴｏｒｒにする。尚、ロードロック室８Ａ内の圧力は、この５０ｍＴｏｒｒにて維持される。このように粗引きが終了したならば、次に、搬送室主真空排気系５６の第１の開閉弁５４を閉にすると共に搬送室補助真空排気系６４の第２の開閉弁５８及び第３の開閉弁６２を共に開にし、この搬送室６内を主排気して内部雰囲気を１ｍＴｏｒｒ程度のベースプレッシャに設定する。
【００２３】処理室２Ａに関しても同様に行なう。すなわち粗引きが終了したならば、処理室主真空排気系３４の第１の開閉弁３２を閉にすると共に処理室補助真空排気系４２の第２の開閉弁３６及び第３の開閉弁４０を共に開にし、この処理室２Ａ内を主排気して内部雰囲気を１ｍＴｏｒｒ程度のベースプレッシャに設定する。このように主排気を行なってベースプレッシャに到達することにより室内壁等に付着する不純物ガスを略確実に排除する。尚、処理室２Ａ内の圧力は、プロセスが開始されるまで、この１ｍＴｏｒｒが維持される。
【００２４】次に、共通搬送室６内の主排気が終了したならば、搬送室補助真空排気系５６の第２の開閉弁５８及び第３の開閉弁６２を閉にすると共に搬送室主真空排気系５６の第１の開閉弁５４を開にして真空引きを続行し、更に搬送室不活性ガス供給系４８の開閉弁５２を開にし、搬送室６内にＮ２ガスを供給する。この後、搬送室６内へのＮ２ガスの供給とこの室内の真空排気は、連続的或いは間欠的に行なわれ、前述したようにこの内部雰囲気の圧力は常に１００ｍＴｏｒｒ程度に維持され、圧力調整が行なわれる。」、
（エ）「【００２６】次に、共通搬送室６から処理室２Ａ内へウエハＷを移載するために、まず、これら両室を仕切るゲートバルブＧ１を開にしてこれら両室を連通させ、搬送アーム４に保持しているウエハＷを開状態になったゲートバルブＧ１を介して処理室２Ａ内へ移載する。そして、移載が完了したならばこのゲートバルブＧ１を閉にする。この際、ゲートバルブＧ１を開く直前は、処理室２Ａ内の圧力が１ｍＴｏｒｒであるのに対して搬送室６内の圧力はそれよりも高い１００ｍＴｏｒｒであるので、ゲートバルブＧ２を開いて両室を連通した時に、気体は圧力の高い搬送室６から処理室２Ａ内に向けて流れる。この時、処理室２Ａ内の圧力は、搬送室６内と同圧の１００ｍＴｏｒｒに一時的になり、また、搬送室６内にはＮ２ガスが供給され続けているのでＮ２ガスが搬送室６内から処理室２Ａに向けて連続的に流れることになる。従って、例えばゲートバルブＧ１を開いた時に、処理室２Ａ内に残留していた処理ガスや腐食性ガスが搬送室内に流入することがない。
【００２７】また、上述したようにゲートバルブＧ１を開いた時には両室の圧力差は９９ｍＴｏｒｒ程度であるが、この程度の圧力差であるならばバルブＧ１を開いた時の気体の流れもそれ程多くなく、パーティクルの巻き上げがほとんど生ずることもない。このようにしてウエハの処理室２Ａ内への移載が完了すると処理室２Ａ内は再度ベース圧力である１ｍＴｏｒｒまで真空引きされ、その後、処理ガス供給系２４の開閉弁８０を開にして流量制御しつつ処理ガスを導入し、処理圧力例えば３００ｍＴｏｒｒの基で所定の処理、例えばエッチングをウエハに施す。これ以降の処理室と搬送室の圧力関係及び各弁の開閉動作を図３に示すタイミングチャートも参照しつつ説明する。尚、上記タイミングチャートにあっては搬送室と処理室との間を開閉可能に連通するバイパス路７８の開閉動作も含めて記載されている。
【００２８】まず、処理室２Ａ内におけるウエハ処理が終了すると、ポイントＴ１にて処理ガス供給系２４の開閉弁８０を閉じて処理ガスの供給を停止し、処理室２Ａ内の真空排気は継続して行なう。すると処理室２Ａ内の圧力は、ベースプレッシャ（１ｍＴｏｒｒ）に向けて次第に低下し、この圧力がポイントＴ３にてベースプレッシャ１ｍＴｏｒｒに到達すると両室を仕切るゲートバルブＧ１が開となり、共通搬送室６内の搬送アーム４により処理済みのウエハＷが搬出され、また、未処理のウエハＷが処理室２Ａ内に搬入されることになる。この場合、処理室２Ａ内の圧力より搬送室６内の圧力の方が高く設定されているので、前述と同様に搬送室６より処理室２Ａに向けて気体が流れ、且つ搬送室６内にはＮ２ガスが供給されているのでこのガス流が連続的に流れ、処理室２Ａ中の残留処理ガス等が搬送室６内に逆流して流入することはない。また、前述と同様にゲートバルブＧ１を開く直前には両室の圧力差は９９ｍＴｏｒｒ程度であり、従って、この程度の圧力差であるならばバルブＧ１を開いた時の気体の流れもそれ程多くなく、パーティクルの巻き上げもほとんど生ずることがない。尚、このウエハ交換のために両室が連通されると処理室２Ａ内の圧力は一時的に１００ｍＴｏｒｒになる。
【００２９】このようにウエハの交換がポイントＴ４にて完了してゲートバルブＧ１を閉じると、処理室２Ａ内の圧力は再度ベースプレッシャ１ｍＴｏｒｒに向けて減少し、ベースプレッシャに到達したならばポイントＴ５にて処理ガスが流されて処理室２Ａ内の圧力が３００ｍＴｏｒｒに復帰し、プロセスが再開されることになる。・・・。」、
（オ）「【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理装置内の被処理体の搬送方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。共通搬送室と他の室とを連通する直前に、他の室の圧力を共通搬送室内の圧力と同圧或いはこれより僅かに低くなるように設定したので、共通搬送室内にロードロック室を介して外部のパーティクルや処理室内に残留する処理ガス等が侵入することを防止することができる。従って、処理室間同士の汚染、すなわちクロスコンタミネーションを防止できるのみならず、処理室内に外部のパーティクルが侵入するのを防止でき、歩留まりを向上させることができる。・・・。」。
　
　これらの記載事項から引用例３には以下の事項が記載されていると認める。
　「半導体ウエハＷの搬送を行う共通搬送室６の周囲に複数の処理室２Ａ，２Ｂ，２Ｃを備え、前記共通搬送室６によって半導体ウエハＷを前記処理室２Ａ，２Ｂ，２Ｃへ搬送し、前記処理室２Ａ，２Ｂ，２Ｃで半導体ウエハＷに所定の処理を行う半導体ウエハ処理システムにおいて、処理室間同士の汚染、すなわちクロスコンタミネーションを防止するために、処理室２Ａ，２Ｂ，２Ｃ及び共通搬送室６の内部の気圧を気体供給により制御する制御部７０を備え、処理室２Ａ，２Ｂ，２Ｃと共通搬送室６との間のゲートバルブＧ１，Ｇ２，Ｇ３を開ける前に、前記共通搬送室６内の気圧を前記処理室２Ａ，２Ｂ，２Ｃ内の気圧より高い状態にする」こと。
　
（３）対比
　補正発明と引用例１記載の発明とを対比すると以下のとおりである。
　引用例１記載の発明の「ウェハ４」は、補正発明の「基板」に相当し、以下同様に「真空搬送室６（搬送機構）」が「搬送部」に、「処理機構」が「処理部」に、「エツチングチャンバ９、スパッタチャンバ１０等のドライ処理機構」が「ドライ雰囲気で基板の処理を行う第１処理部」に、「洗浄及び乾燥を行うウェット処理室１５であるウェット処理機構」が「ウエット雰囲気での基板の処理を含む複数種の基板の処理を行う第２処理部」に、「真空ロードロック室８」が「バッファ部」に、「仕切りバルブ１６」が「第１遮断手段」に、「仕切りバルブ１１」が「第２遮断手段」に、それぞれその機能、構造からみて相当する。
　また、引用例１記載の発明は「半導体装置の製造装置」として表現されているが、補正発明と同様「基板処理システム」としても表現できることが明らかである。
　したがって、補正発明と引用例１記載の発明とは、以下の点で一致している。
　基板の搬送を行う搬送部の周囲に複数の処理部を備え、前記搬送部によって基板を前記処理部へ搬送し、前記処理部で基板に所定の処理を行う基板処理システムであって、
　前記複数の処理部は、ドライ雰囲気で基板の処理を行う第１処理部と、
　ウエット雰囲気での基板の処理を含む複数種の基板の処理を行う第２処理部と、
　を含み、
　前記搬送部と前記第２処理部との間にバッファ部を配置し、
　前記第２処理部と前記バッファ部との間において雰囲気を遮断する第１遮断手段と、
　前記バッファ部と前記搬送部との間において雰囲気を遮断する第２遮断手段と、
　前記第２処理部と前記バッファ部と前記搬送部との内部の気圧を制御する制御手段と、
を備えた基板処理システム。
　そして、補正発明と引用例１記載の発明とは、以下の点で相違している。
　補正発明では、制御手段が、前記第２処理部と前記バッファ部と前記搬送部との内部の気圧を気体供給により制御するものであり、制御の態様が、前記第１遮蔽手段を開ける前に、前記バッファ部の内部の気圧を前記第２の処理部の内部の気圧より高い状態とし、前記第２遮断手段を開ける前に、前記搬送部内の気圧を前記バッファ部内の気圧より高い状態にするのに対して、引用例１記載の発明では、制御手段、制御の態様が、そのようなものではない点。
　
（４）相違点の検討
　引用例１記載の発明の前提構成である「基板の搬送を行う搬送部の周囲に複数の処理部を備え、前記搬送部によって基板を前記処理部へ搬送し、前記処理部で基板に所定の処理を行う基板処理システム」、すなわち、いわゆるクラスタツール装置においては、解決すべき課題の一つとして処理部間同士の汚染、すなわち、クロスコンタミネーションを防止することがあることは夙に知られているところであり、処理部としてウエット雰囲気での処理を行う第２処理部を備える引用例１記載の発明にあっては、第２処理部のウエット雰囲気が第１処理部のドライ雰囲気に影響を及ぼさないように構成する必要があることは、基板処理を支障なく行うために当然望まれる事項である。
　ちなみに、上記引用例１においても、真空ロードロック室８（バッファ部）においてウェハ４から残存水分を完全に除去した後、ウェハ４を真空搬送室６（搬送部）を経てスパッタチャンバ１０（ドライ処理機構）へ搬送している。
　そして、上記（２）イで認定したように引用例２には「ウエハの搬送を行うウエハ交換室２とウエハの処理を行う成長室３との間にそれぞれバルブ５Ｄ，５Ｃを介して中間室１１を配置した半導体プロセス装置において、成長室３から原料ガスが拡散することを防ぎ且つウエハが汚染されることを防ぐために、成長室３と中間室１１との内部の気圧を気体の供給ないし排気により制御する制御手段を備え、成長室３と中間室１１との間のバルブ５Ｃを開ける前に、中間室１１の内部の気圧を成長室３の内部の気圧より高い状態にすること。」が記載されており、成長室３と中間室１１との関係は、引用例１記載の発明の第２処理部とバッファ部との関係に対応するものである。
　また、上記（２）ウで認定したように引用例３には「半導体ウエハＷの搬送を行う共通搬送室６の周囲に複数の処理室２Ａ，２Ｂ，２Ｃを備え、前記共通搬送室６によって半導体ウエハＷを前記処理室２Ａ，２Ｂ，２Ｃへ搬送し、前記処理室２Ａ，２Ｂ，２Ｃで半導体ウエハＷに所定の処理を行う半導体ウエハ処理システムにおいて、処理室間同士の汚染、すなわちクロスコンタミネーションを防止するために、処理室２Ａ，２Ｂ，２Ｃ及び共通搬送室６の内部の気圧を気体供給により制御する制御部７０を備え、処理室２Ａ，２Ｂ，２Ｃと共通搬送室６との間のゲートバルブＧ１，Ｇ２，Ｇ３を開ける前に、前記共通搬送室６内の気圧を前記処理室２Ａ，２Ｂ，２Ｃ内の気圧より高い状態にすること。」が記載されており、共通搬送室６と処理室２Ａ，２Ｂ，２Ｃとの関係は、引用例１記載の発明の搬送部とそれに直接隣接するバッファ部との関係に対応するものである。
　そして、引用例２、引用例３記載の事項は、いずれも、基板の汚染を防止するための技術であるから、引用例１記載の発明における基板の汚染防止に適用できるものであることは明らかである。
　そうしてみると、引用例２記載の事項を引用例１記載の発明に適用して、引用例１記載の発明の第２処理部のウエット雰囲気がバッファ部に侵入しないように、第１遮蔽手段を開ける前に、バッファ部の内部の気圧を第２の処理部の内部の気圧より高い状態とすると共に、この構成にも拘わらずウエット雰囲気がバッファ部に侵入したとしても当該バッファ部から搬送部に侵入することを確実に阻止するために、引用例３記載の事項を引用例１記載の発明に適用して、第２遮断手段を開ける前に、搬送部内の気圧をバッファ部内の気圧より高い状態にすることは、当業者が格別の創意を要することなく容易に想到するところである。
　また、室内部の気圧を気体供給により制御することは、引用例３にも記載されているように従来周知であり、第２処理部とバッファ部と搬送部との内部の気圧を気体供給により制御する制御手段を備えることは、引用例２及び引用例３記載の事項を引用例１記載の発明に適用するに当たって適宜なし得る設計的事項にすぎない。
　さらに、補正発明によってもたらされる効果も、引用例１記載の発明、引用例２及び引用例３記載の事項並びに上記従来周知の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
　したがって、補正発明は、引用例１記載の発明、引用例２及び引用例３記載の事項並びに従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本件発明について
１　本件発明
　平成１６年４月２６日付の補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項に係る発明は、平成１５年３月３１日付手続補正書により補正された明細書及び願書に最初に添付した図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項５に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、上記第２の１（１）に示したとおりの「基板処理システム」である。
　
２　引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載内容は、上記第２の２（２）に示したとおりである。
　
３　対比・検討
　本件発明は、上記第２の２で検討した補正発明から、制御手段が気圧を制御する箇所である「搬送部」を削除すると共に「気体供給により」制御するという事項及び「前記第２遮断手段を開ける前に、前記搬送部内の気圧を前記バッファ部内の気圧より高い状態にする」という事項を削除したものである。
　そうすると、本件発明を構成する事項の全てを含み、さらに他の事項を付加する補正発明が上記第２の２（４）で示したとおり、引用例１記載の発明、引用例２及び引用例３記載の事項並びに従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明も同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　したがって、本件発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、本件出願の請求項２ないし請求項５に係る発明について検討するまでもなく、結論のとおり審決する。