(57)【要約】  共振器において、リフレクタにより定義される音響トラックの内部で、２つの櫛形電極（Ｗ１、Ｗ２）が縦方向に並んで配置され電気的に直列に接続される。２つの櫛形電極の間には、隣接するトランスデューサフィンガのフィンガ中央間の距離として定義されるフィンガピリオドΡがその他の櫛形電極と比べて大きい、遷移領域（ＵＥＢ）が形成される。【選択図】図１
2018515041.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共振器において、
−リフレクタ（ＲＥＦ）により定義される音響トラックの内部において、２つの櫛形電極（Ｗ１、Ｗ２）が縦方向に並んで配置され、
−前記櫛形電極は、２つの端子（Ｔ１、Ｔ２）間において電気的に直列に接続され、
−前記２つの櫛形電極間に、遷移領域（ＵＥＢ）が形成され、
−前記遷移領域（ＵＥＢ）は、ｎ個の末端トランスデューサフィンガ（ＷＦ）を含み、前記トランスデューサフィンガは、一方又は両方の櫛形電極に割り当てられ、
−隣接するトランスデューサフィンガのフィンガ中心間の距離として定義されるフィンガピリオドΡは、前記遷移領域において、他の櫛形電極と比べて大きくなり、
−ｎは、１＜ｎ＜１６を満たす整数である、共振器。
【請求項２】
請求項１に記載の共振器において、前記遷移領域は、
２つの互いに縦方向に隣接する櫛形電極（Ｗ１、Ｗ２）の、両方の互いに対向する端部に形成され、
両方の櫛形電極において、ほぼ同数のトランスデューサフィンガ（ＷＦ）を含む、共振器。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の共振器において、
前記両方の端子（Ｔ１、Ｔ２）の間で、２つより多い櫛形電極（Ｗ）が電気的に互いに接続され、前記音響トラックに並んで配置される、共振器。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の共振器において、
前記両方の端子（Ｔ１、Ｔ２）は前記共振器（ＲＥＳ）の電気ゲートを形成する、共振器。
【請求項５】
請求項３に記載の共振器において、
前記２つより多い櫛形電極（Ｗ）は、電気的に一部並列で一部直列に互いに接続される、共振器。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載の共振器において、
２つの櫛形電極（Ｗ１、Ｗ２）の電気的な接続は、共通の、フローティングで、従って外部ポテンシャルと接続されていないバス電極を用いて、及び／又は隣接する櫛形電極の２つのフローティングなバス電極を横方向に前記音響トラックを横切って接続する非励起の接続フィンガ（ＶＦ）を用いて行われる、共振器。
【請求項７】
請求項６に記載の共振器において、
前記２つの隣接し、電気的に直列に接続される櫛形電極（Ｗ１、Ｗ２）の間において、複数のリフレクタストリップが配置される、共振器。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか一項に記載の共振器において、
全ての櫛形電極（Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３．．．）の前記トランスデューサフィンガ（ＷＦ）の接続シーケンスは、前記共振器（ＲＥＳ）の全体にわたって位相跳躍が励起関数に生じないように構成される、共振器。
【請求項９】
直列にフィルタ入力とフィルタ出力との間で接続される共振器−直列共振器（ＲＳ）−と、それとは並列に固定ポテンシャルに対して接続される共振器−並列共振器（ＲＰ）とを備えるフィルタ配列において、請求項１〜６の何れか一項に記載の並列共振器が構成される、フィルタ配列。
【請求項１０】
請求項９に記載のフィルタ配列において、
異なる共振周波数を有する複数の並列共振器（ＲＰ）を備え、最も高い共振周波数を有する前記並列共振器は、遷移領域（ＵＥＢ）を有する、前記直列に接続された櫛形電極（Ｗ１、Ｗ２）を備える、フィルタ配列。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載のフィルタ配列において、
前記遷移領域（ＵＥＢ）は、前記遷移領域（ＵＥＢ）により前記櫛形電極（Ｗ）の相互距離が前記遷移領域（ＵＥＢ）の外部の前記トランスデューサフィンガ（ＷＦ）の格子と比べて大きくなり、このようにして位相シフトが発生するように構成され、
前記位相シフトは、前記両方の櫛形電極の信号が建設的に重なり合うように選択される、フィルタ配列。
【請求項１２】
請求項１１に記載のフィルタ配列において、
櫛形電極の直列接続を有する並列共振器の静電容量は、他の共振器の静電容量と比べて低減される、フィルタ配列。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
本発明は、リアクタンスフィルタに組み込み可能なカスケード接続共振器、及びそれから製造されるリアクタンスフィルタに関する。
【０００２】
最近のモバイル無線通信機器において、高い出力許容性と極端なエッジ勾配とを有するフィルタがますます要求されている。高いエッジ勾配が重要なのは、個々の周波数帯域が対応するフィルタにより明確に互いに分離されなければならず、しばしば、２つの分離すべき周波数帯域の間の僅かな遷移領域しか使えないからである。フィルタがＴＸフィルタとして用いられる場合、電気的そして音響的損失を最低限に抑えるために、出力許容性とエッジ勾配の他に少ない挿入損失も重要である。フィルタに更に要求されることは、近傍領域における高い選択性能である。
【０００３】
フィルタの高エッジ勾配を達成するためには、ＤＭＳフィルタがリアクタンスフィルタに対して有利である。しかしＤＭＳフィルタは、送信フィルタ（ＴＸフィルタ）としては、その低い出力許容性のため不適である。
【０００４】
出力許容性がより良好なのは、公知の１ポート共振器から構成されるリアクタンスフィルタである。リアクタンスフィルタは、ＳＡＷ共振器を用いてもＢＡＷ共振器を用いても実現でき、後者は特に出力許容性が良好である。しかし、このリアクタンスフィルタでは、ロールオフが不充分になる。
【０００５】
選択したモバイル無線通信帯域（例えば帯域１３）用に特別に使用する場合、非常に急峻な左側エッジを有する通過帯域を有するＴＸフィルタが、帯域ＮＳ０７に対するフィルタを定義するために必要である。左側エッジに対しては、リアクタンスフィルタにおける、最も高い共振周波数を有する並列共振器が応じる。このエッジを急峻に構成するために、最も高い共振周波数を有する並列共振器の静電容量は、他の並列共振器の静電容量よりも小さくなければならない。
【０００６】
１ポートＳＡＷ共振器の静電容量を低減するため、共振器におけるフィンガ電極の最低数を考慮して、２以上の１ポート共振器をカスケード接続できる。しかしこれにより、フィルタチップ表面の必要面積が大きくなり、フィルタの小型化が困難になる。横方向で行われるカスケード接続の代替として、同じ音響トラックに配置された共振器あるいは櫛形電極からなる電気的な直列接続も可能である。この場合、同数の出力フィンガのｎ個の櫛形電極が互いに接続されるとき、直列のインライン回路における追加の必要面積は、係数ｎだけ増加する。横方向のカスケード接続において、必要面積は、係数ｎ３だけ増加する。
【０００７】
本発明の課題は、リアクタンスフィルタにおける使用に適した、急峻なエッジを有する通過帯域を有し挿入損失が少ないフィルタを実現できる、ＳＡＷ共振器を提供することである。
【０００８】
この課題は、本発明による請求項１の特徴を有する共振器によって解決される。本発明の有利な実施形態は、更に別の請求項から読み取ることができる。
【０００９】
本発明の共振器は、両側をリフレクタにより定義される、音響トラックを有する。音響トラックにおいて、縦方向に２つの櫛形電極が並んで配置される。両方の櫛形電極は、２つの端子間において電気的に直列に接続される。一方の櫛形電極及び／又は一方のリフレクタのｎ個の末端トランスデューサフィンガは、遷移領域を形成するか、遷移領域に割り当てられる。遷移領域において、隣接するトランスデューサフィンガのフィンガ中心間あるいはリフレクタにおける隣接するリフレクタストリップのフィンガ中心間の距離として定義されるフィンガピリオドは、その他のトランスデューサあるいはリフレクタにおけるフィンガピリオドと比べて大きい。このとき、個数ｎは、櫛形電極のトランスデューサフィンガあるいはリフレクタのリフレクタストリップの総数と比べて小さくなるが、好ましくは以下のとおり：１＜ｎ＜１０。
【００１０】
遷移領域は、２つの櫛形電極の間あるいは櫛形電極とリフレクタとの間に配置してよい。遷移領域は、隣接する両方の櫛形電極の末端トランスデューサフィンガを含み、及び／又は櫛形電極のトランスデューサフィンガと隣接するリフレクタのリフレクタストリップとを含んでよい。
【００１１】
音響トラック内部における縦方向の電気的な直列接続により、共振器の静電容量は低減される。２つの隣接する櫛形電極の間の遷移領域における特別な態様により、上側の阻止帯域エッジにおけるアドミタンスの実数部は小さくなり、直列共振のＱ値は、修正されていないトランスデューサ／トランスデューサの遷移と比べて大きくなる。大きいＱ値を有する共振器から、挿入損失が少なくロールオフがより良好なリアクタンスフィルタを構成できる。
【００１２】
リフレクタとトランスデューサとの間の遷移領域におけるフィンガピリオドも、トランスデューサあるいはリフレクタのその他の領域と比べて大きいと、このことにより、共振周波数と反共振周波数との間のアドミタンスの推移が改善され、共振周波数の上側の第１局所的最大値が低減される。同時に、共振器のＱ値が改善するため、フィルタの通過帯域におけるリップルが同様に減少し、挿入損失も減少する。
【００１３】
大きいフィンガピリオドを有する遷移領域は、２つの互いに縦方向に隣接する櫛形電極の、両方の互いに対向する端部に形成してよい。同様に、遷移領域は、櫛形電極の、リフレクタと対向する端部、そしてリフレクタの、トランスデューサと対向する端部に形成してよい。
【００１４】
本発明は、少なくとも２つの電気的に直列接続された櫛形電極を備える共振器に関する。しかし、本発明は、２つより多い電気的に互いに接続され、音響トラックに、並んで配置される櫛形電極も含む。その間で櫛形電極が互いに接続される両方の端子は、共振器の電気ゲートを形成してよく、それにより共振器の端子を構成してよい。
【００１５】
本発明の共振器が２つより多い櫛形電極を含む場合、これらは一部並列で一部直列に互いに接続されてよい。音響トラックに縦方向に並んで配置される櫛形電極は、任意の、少なくとも１つの直列接続を含む接続を有してよく、直列接続内では、少なくとも２つの櫛形電極が並列に接続される。
【００１６】
本発明の共振器における２つの櫛形電極の電気的な接続は、共通の、電気的にフローティングで、従って外部ポテンシャルと接続されていないバス電極を用いて行われてよい。しかし、２つの並んで配置された櫛形電極の接続を、対向するバス電極を電気的に接続する非励起の電極フィンガを介して行うことも可能である。これら非励起の、接続フィンガとして以下において称されるトランスデューサフィンガは、従って横方向に音響トラックを横切って延在する。
【００１７】
リフレクタとして働く非励起の接続フィンガは、好ましくは、励起電極フィンガに対して変位して配置される。
【００１８】
更に、２つの隣接する櫛形電極の間において、複数のリフレクタストリップを遷移領域の格子内に、あるいは隣接する櫛形電極の構造格子内に配置してもよい。これらのリフレクタストリップは、上記接続フィンガを含んでよいが、セパレータリフレクタとして共振器内に挿入されてもよい。
【００１９】
本発明の有利な態様において、全ての櫛形電極のトランスデューサフィンガの接続シーケンスは、励起関数が共振器の長さ全体にわたって位相跳躍を有さないように構成される。
【００２０】
本発明の共振器から、同様に、直列にフィルタ入力とフィルタ出力との間で接続される共振器（直列共振器）と、それとは並列に固定ポテンシャルに対して接続される共振器（並列共振器）とを含む、本発明のフィルタ配列を構成できる。固定ポテンシャルと並列共振器との間において、更にインダクタンス、特にコイルを配置してよい。
【００２１】
フィルタ配列においては、少なくとも１つの並列共振器が本発明に従って構成され、少なくとも２つの、音響トラック内部で直列に接続された櫛形電極を有し、櫛形電極は、両方の櫛形電極の間あるいは櫛形電極とリフレクタとの間の、大きいフィンガピリオドを有する各遷移領域に配置される。しかし、複数の又は全ての並列共振器が対応して構成されてもよい。また、１つ又は複数の直列共振器は、直列に接続された櫛形電極を有してよい。
【００２２】
本発明のフィルタ配列における並列共振器は、本発明の１つの態様において、異なる共振周波数を有する。少なくとも最も高い共振周波数を有する並列共振器は、本発明に従って構成された遷移領域を有する、直列に接続された櫛形電極を有する。
【００２３】
本発明の１つの態様によると、本発明のフィルタ配列において、少なくとも１つの共振器の上記遷移領域は、遷移領域により櫛形電極の相互距離が遷移領域の外部のトランスデューサフィンガの格子と比べて大きくなり、このようにして位相シフトが発生するように構成される。この場合、位相シフトは、両方の櫛形電極の信号が建設的に重なり合うように選択される。このことがどのような場合でも達成されるのは、位相シフトの角度φが以下の式を満たすときである。−９０°≦φ≦９０°
【００２４】
少なくとも２つの電気的に直列に接続された櫛形電極を有する共振器において、静電容量は、同数のフィンガを有する１つの櫛形電極しか有さない共振器と比べて低減される。
【００２５】
以下では、本発明を、実施形態及びこれに関連する９つの図面に基づいて詳細に説明する。図面は概略的にすぎず、縮尺通りではないため、相対的にも絶対的にも読み取られるべきでない。同一又は同一の働きをする箇所は同一の符号で示される。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】２つの縦方向において音響トラックで直列に接続される櫛形電極を有する共振器、
【図２】遷移領域における２つの櫛形電極の例示的なフィンガ格子、
【図３】３つの縦方向において直列に接続される櫛形電極を有する共振器、
【図４】音響トラックを電気的にブリッジする接続フィンガを用いて、縦方向において直列に接続される２つの櫛形電極を有する共振器、
【図５】７つの電気的に一部並列で一部直列に接続される櫛形電極を有する共振器、
【図６】本発明でない共振器との比較における本発明の共振器のコンダクタンス、
【図７】本発明でない共振器との比較における本発明の共振器のアドミタンス、
【図８】縦方向のフィンガ数に関して適用された、メタライゼーション比ηとフィンガピリオドＰの推移、
【図９】少なくとも１つの並列共振器が本発明に従って構成された例示のフィルタ配列
【図１０】本発明でないリアクタンスフィルタとの比較における本発明のリアクタンスフィルタの様々な特性。
【００２７】
図１は、本発明の共振器ＲＥＳのメタライゼーション構造を概略的に示す。この場合、音響トラック内部において、第１リフレクタＲＥＦ１と第２リフレクタＲＥＦ２との間に、第１櫛形電極Ｗ１と第２櫛形電極Ｗ２が配置され、電気的に第１及び第２端子Ｔ１、Ｔ２の間で直列に接続される。リフレクタＲＥＦと同様にトランスデューサＷも、図面明瞭化のため、トランスデューサフィンガあるいは電極フィンガの数を大きく減らして示されている。同様に、図中、少なくとも、両方の電気的に接続された櫛形電極Ｗ１、Ｗ２の間の遷移領域が示されていない。しかし、遷移領域のフィンガピリオドｐが他のトランスデューサ領域と比べて大きい、本発明の共振器に関する。第１及び第２トランスデューサＷ１、Ｗ２の間の電気的な直列接続は、共通の、電気的にフローティングなバス電極を用いて行われ、バス電極は、両方の電気的に接続されたトランスデューサに共通して割り当てられる。
【００２８】
図２は、第１櫛形電極Ｗ１と第２櫛形電極Ｗ２との間の遷移領域における本発明の共振器のフィンガ構造の部分図を示す。遷移領域は、ここでは、隣接する電気的に互いに接続されたトランスデューサＷ１、Ｗ２の、両方の互いに対向する端部にわたって延在する。従って、遷移領域は、両方の隣接する櫛形電極の末端電極フィンガを含む。トランスデューサの末端トランスデューサフィンガは、例えば、第１トランスデューサＷ１の周辺領域ＲＢ１及び第２トランスデューサＷ２の第２周辺領域ＲＢ２等の、周辺領域を形成する。各トランスデューサＷの他の領域において、２つの隣接するフィンガの中央間で測定される、ほぼ一定のフィンガピリオドＰ０を設定する場合、それに対して、周辺領域ＲＢに配置された電極フィンガはＰ０と比べて大きいフィンガピリオドＰ１を有する。図示された実施形態では、両方の周辺領域ＲＢ１、ＲＢ２は、それぞれ４つの電極フィンガを含む。遷移領域は、ここでは、両方の周辺領域ＲＢ１、ＲＢ２を含み、従って８つの電極フィンガを有する。しかし、より大きい数あるいはより少ない数の電極フィンガを、周辺領域に配置してもよく、つまり、より少ない数あるいはより大きい数の電極フィンガを、大きいフィンガピリオドＰ１を有する周辺領域に配置してもよい。
【００２９】
また、遷移領域全体で２つの周辺領域を含んでよく、周辺領域は異なる数の電極フィンガを有してよい。
【００３０】
同様に、トランスデューサＷとリフレクタＲＥＦとの間に遷移領域を形成し、遷移領域は、遷移領域において大きいフィンガピリオドを有する、末端の電極フィンガ及び／又は末端のリフレクタフィンガを含んでもよい。
【００３１】
本発明の共振器において、遷移領域におけるフィンガピリオドＰ１が一定の値を有することは必須ではない。遷移領域において２つの隣接するフィンガの個々のフィンガピリオドを異なって構成してよいが、常に、遷移領域におけるフィンガピリオドＰ１は各トランスデューサ及び／又はリフレクタの他の領域におけるフィンガピリオドＰ０よりも大きく選択される。
【００３２】
図３は、第１櫛形電極Ｗ１、第２櫛形電極Ｗ２及び第３櫛形電極Ｗ３が２つの電気端子の間で縦方向に音響トラックの内部で直列に接続される、本発明の共振器のメタライゼーション構造を示す。２つの隣接する櫛形電極Ｗのそれぞれの接続は、例えば、トランスデューサＷ１とＷ２とを、あるいはトランスデューサＷ２とＷ３とを電気的に互いに接続する、フローティングバス電極を介してそれぞれ行われる。音響トラックを両側で定義するリフレクタＲＥＦ１、ＲＥＦ２は電気的にフローティングであってよく、しかし好ましくは固定ポテンシャルと接続され、特にアースと接続される。
【００３３】
リフレクタの外部端子の１つがアース電極を含むか否かに応じて、各リフレクタをこのアース電極と電気的に接続できる。本発明の遷移領域は、それぞれ２つの互いに隣接する櫛形電極の間に形成され、更にまた、末端の櫛形電極と隣接するリフレクタＲＥＦとの間に形成してもよい。
【００３４】
図４は、第１及び第２櫛形電極を２つの端子の間で電気的に縦方向に直列接続する、更なる実施形態によるメタライゼーション構造を示す。第１及び第２櫛形電極間の直列接続は、２つの互いに対向するバス電極を横方向に音響トラックを横切って電気的に互いに接続する、少なくとも１つの接続フィンガＶＦを介して行われる。またここでは、第１及び第２櫛形電極間の大きいフィンガピリオドを有する遷移領域が形成される。１つ又は複数の接続フィンガＶＦは、ここでは、大きいフィンガピリオドを有するフィンガ構造の一部である。
【００３５】
また、２つの隣接する櫛形電極Ｗの電気的接続は、１つより多い接続フィンガＶＦを含んでよい。図中では、２つの接続フィンガＶＦが示される。図中では、隣接するトランスデューサ間、トランスデューサとリフレクタとの間及びトランスデューサと接続フィンガＶＦとの間の境界を一点鎖線により示すことで、構造の分類を簡易化している。
【００３６】
図５は、全体で７つの櫛形電極が電気的に互いに接続される、更なる本発明の共振器のメタライゼーション構造を示す。第１櫛形電極Ｗ１は、直接第１及び第２端子Ｔ１、Ｔ２の間で接続される。また、両方の端子Ｔ１、Ｔ２の間で、櫛形電極Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４からなる第１直列接続が接続される。櫛形電極Ｗ２‘、Ｗ３‘、Ｗ４‘の更なる直列接続が、同様に、両方の端子Ｔ１、Ｔ２の間で接続される。こうして、第１及び第２直列接続と第１櫛形電極Ｗ１の並列接続が行われる。
【００３７】
このような実施形態には、ここでは共振器の静電容量を特に細かく設定できるという有利な点がある。更に有利な点は、縦モードに対応する励起プロファイルを設定できることにある。しかし、本発明の共振器は、櫛形電極の直列接続及び並列接続からなる、類似する必ずしも対称的ではない構成の部分的接続を有してもよい。
【００３８】
直列に接続された櫛形電極におけるトランスデューサフィンガの数は、同一であってはならない。また、隣接する櫛形電極間の、あるいはその音響トラックの櫛形電極間のフィンガピリオドは、同一あるいは僅かに異なってもよい。
【００３９】
本発明の共振器の全ての実施形態は、急峻なエッジのフィルタのために更に良好な容量を有する並列接続により、好適であると考えられる。そのような容量は、例えば、共振器とは異なる、特により小さいフィンガピリオドを有する櫛形電極により実現される。容量として使用され、共振器と並列に接続される櫛形電極は、縦方向に共振器まで延在してよい。しかし、その櫛形電極を音響トラックに対して変位して配置し、特にそれに対して垂直に配置することで、任意に、この容量として働くトランスデューサにおいて発生した弾性波は、共振器に対して９０°だけ回転した伝搬方向を得る。
【００４０】
図６は、本発明の櫛形電極あるいは共振器の３つの異なる種類の曲線を、それらとは異なる一部公知の共振器及びトランスデューサと比較して示す。曲線Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれリフレクタを用いずに測定される、外部音響トランスデューサポートにおける短絡反射Ｐ１１を示す。この場合、数字１は、本発明に従って構成された櫛形電極の曲線に対応し、数字２の曲線は、縦方向に直列に接続された遷移領域において修正されていない櫛形電極を示す。数字３の曲線は、横方向のカスケード接続を有する櫛形電極に関する。
【００４１】
曲線Ａ１〜Ａ３は、リフレクタは除かれる共振器の音響トラックのトランスデューサのアドミタンスの実数部を示す。曲線Ｋ１〜Ｋ３は、共振器全体の、つまりリフレクタを有する完全な音響トラックの周波数に関するコンダクタンスの推移を示す。最も顕著には、本発明の共振器のコンダクタンス曲線Ｋ１において、主ピークの上側の副ピークが低減され、遷移領域において修正されていない共振器に対応する曲線Ｋ２のそれよりも主ピークにより近接して位置することが示されている。
【００４２】
短絡反射Ｒの曲線群においては、上側の阻止帯域エッジは、Ｒ３からＲ２そしてＲ１へとより低い周波数に向かって、従ってコンダクタンスの最大値により近接して変位していることが示されている。上側の阻止帯域エッジの上側では、フィルタが再び透過性を有することが、局所的最小値における全ての曲線Ｒにより示される。
【００４３】
図７では、共振器のアドミタンスの実数部が３つの曲線Ａ１、Ａ２、Ａ２‘に関して示される。Ａ２とＡ２‘は、櫛形電極の縦方向の直列接続を有する共振器のアドミタンスを示すが、櫛形電極間あるいは櫛形電極とリフレクタとの間の遷移領域において修正されていない。曲線Ａ２‘は曲線Ａ２と同一だが、Ａ２に対して−２３９３ｐｐｍだけ変位しているため、曲線Ａ２‘は曲線Ａ１に対して調整されて配置されることで、主ピークを変位させて重ね合わせ、曲線の推移をよりよく比較することを可能にしている。曲線Ａ１とＡ２‘とを比較することで、曲線Ａ１つまり本発明の共振器において、主ピークの上側に位置する副ピークは主ピークにより近接して位置し、より低い高さで突出していることが示される。
【００４４】
図８では、本発明の共振器において、遷移領域におけるフィンガピリオドｐとメタライゼーション比ηを修正する様子が示される。図６及び７にも当てはまるように、ここでは、両方のリフレクタＲＥＦの間に合計３つの櫛形電極Ｗを有し、図３に対応して構成される共振器が観察される。Ｘ軸の測定単位として、トランスデューサフィンガあるいはリフレクタフィンガのそれぞれの数が用いられる。一般に、両リフレクタＲＥＦ１、ＲＥＦ２におけるフィンガピリオドＰは、櫛形電極と比べて大きい。それに対して、長さ方向のＸ軸に対するメタライズ表面の部分を示す単位であるメタライゼーション比は、リフレクタとトランスデューサ内部において同じ値をとる。それに対して異なるのは、第１リフレクタＲＥＦ１と第１トランスデューサＷ１との間、そして第１及び第２トランスデューサＷ１、Ｗ２の間、第２及び第３トランスデューサＷ２、Ｗ３の間と、第３トランスデューサＷ３と第２リフレクタＲＥＦ２との間の境界の遷移領域においてである。ここでは、８〜１０個のフィンガの領域にわたって、フィンガピリオドＰと同様にメタライゼーション比ηも大きく増加する。この場合、フィンガピリオドは、櫛形電極の中央領域における最小値２．４４４μｍと両方の中間遷移領域における値２．５６７μｍとの間を変動する。メタライゼーション比ηは、リフレクタと櫛形電極内部における値０．５５０と遷移領域中央における最大値０．５７５との間を変動する。図８に示される実施形態は、遷移領域におけるＰとηの推移が恒常的な動きをすることを示している。これは、遷移領域中央に向かって値が連続的に増加し、その後連続的に再び減少することを意味する。この推移は、本実施形態では、全ての遷移領域において、ほぼ同様に構成される。
【００４５】
一方、少なくともフィンガピリオドを１つ又は複数の段階をへて遷移領域中央における最大値まで増加させてもよい。しかし、純粋に製造技術の観点において、遷移領域においてＰとηが恒常的に推移することが有利であるのは、このことが、用いられるメタライゼーション方法あるいはメタライゼーションの構成方法にとって有利であることは明らかだからである。本発明の更なる可能な実施形態においては、２つの隣接するフィンガそれぞれの間で測定されるフィンガピリオドは異なる値を有する一方、遷移領域において恒常的な推移もプラトーも形成しない。
【００４６】
図９は、少なくとも並列共振器において本発明の共振器を有するリアクタンスフィルタの可能な構造を概略的に示す。図示されるリアクタンスフィルタは、第１端子Ｔ１と第２端子Ｔ２との間で接続される直列ブランチＺＳからなる。直列ブランチＺＳにおいて、第１直列共振器ＲＳ１、第２直列共振器ＲＳ２及び第３直列共振器ＲＳ３からなる３つの共振器ＲＳが直列に接続される。直列ブランチＺＳと並列に、それぞれ並列共振器ＲＰ１、ＲＰ２が配置される２つの並列ブランチＺＰ１、ＺＰ２が接続される。並列ブランチは直列ブランチＺＳを固定ポテンシャル、一般にはアースと接続する。
【００４７】
共振周波数は、全ての共振器において僅かに互いに変位してよく、それにより通過帯域が拡大する。最も高い共振周波数を有する並列共振器ＲＰは、特に、フィルタが送信フィルタとして用いられるとき、図示されたリアクタンスフィルタにおいて最も高い出力を達成する。好ましくは、最も高い共振周波数を有する並列共振器は、従って本発明に従って構成される。本発明の構成により、この共振器はほぼ安定出力を備え、その上、大きい静電容量を有することはない。
【００４８】
図１０では、再び２つの種類の曲線が共通の形で重なり合っており、本発明の共振器と本発明の共振器から製造されるリアクタンスフィルタの様々な特性を示す。本発明の共振器のアドミタンスの実数部ＲＡと大きさＢＡが図示されている。数字１を有する曲線ＲＡ、ＢＡが特徴的な本発明が有利なのは、数字２を有する曲線ＲＡ、ＢＡが特徴的な対応する本発明でない共振器の曲線との比較、あるいは本発明の共振器を有さないフィルタとの比較から明らかである。曲線ＴＦ１、ＴＦ２の３つ目のペアは、例えば、並列共振器が本発明に従って構成される、図９において構成されるリアクタンスフィルタの伝達関数を示す。
【００４９】
本発明の主な有利な点は、両方の伝達関数ＲＦ１、ＴＦ２との比較において即座に顕著である。本発明のフィルタの伝達関数ＴＦ１において、本発明でないフィルタにおいてのみ見られ、通過帯域の小さな落ち込みに至る、通過帯域における小さなリップルが完全に補整され平滑化される。
【００５０】
本発明は、より少ない実施形態に基づいてのみ説明できるであろうが、しかし、これらに制限されない。更に変形が可能なのは、特に互いに接続された櫛形電極の数と大きさ、あるいは、個々の櫛形電極において異なってよい、櫛形電極における電極フィンガの数である。更に変形が可能なのは、異なる接続方法の形状であり、図１〜５に示される接続方法に制限されない。励起強度の程度を示す、重畳長さと同様に、フィンガピリオドも、実施形態において、トランスデューサ内部、つまり遷移領域外部において一定である。しかし、共振器そして個々の櫛形電極においても、フィンガピリオド、メタライゼーション比及び励起強度を変更してもよい。
【００５１】
本発明の共振器は、図９に示されるリアクタンスフィルタとは異なるリアクタンスフィルタに用いることができる。特に、より大きい数の並列ブランチＺＰ，より大きい数若しくはより小さい数の直列共振器ＲＳ、又は両方の端子Ｔ１、Ｔ２間で異なる順序の直列共振器及び並列ブランチが考えられる。リアクタンスフィルタは完全にＳＡＷ共振器により構成されてよく、本発明に従って少なくとも１つの共振器において、遷移領域に本発明に従って構成される。しかし、個々の共振器に関して異なる種類を用いることもできる。更に、個々の共振器と同様に、フィルタ全体も、更なる受動回路素子により変更してよく、例えば、上記容量は、個々の共振器と並列にあるいはリアクタンスフィルタ全体と並列に接続できる。また、直列ブランチＺＳと同様に個々の並列ブランチＺＰそれぞれにおける直列インダクタンスを接続してもよい。
【００５２】
参照符号リスト
ＲＥＳ          共振器
ＡＳ            音響トラック
ＲＥＦ          リフレクタ
Ｗ              櫛形電極
Ｔ              端子
ＲＥＳ          共振器
ＷＦ            トランスデューサフィンガ
ＲＢ            周辺領域
Ｐ              フィンガピリオド
ｎ              遷移領域におけるトランスデューサフィンガの数
ＲＳ            直列共振器
ＲＰ            並列共振器
ＺＳ            直列ブランチ
ＺＰ            並列ブランチ
ＶＳ            接続構造
Ａ、ＢＡ、ＲＡ  アドミタンス
Ｒ              短絡反射
Ｋ              コンダクタンス
η              メタライゼーションイータ
ＴＦ            伝達関数
ＵＥＢ          遷移領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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