【事件の表示】
　平成７年特許願第３１２０３２号「半導体のエッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成９年６月１０日出願公開、特開平９−１５３４７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成７年１１月３０日の出願であって、平成１５年７月１４日付で拒絶理由が通知され、同年９月１８日に手続補正書が提出され、同年１０月１７日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１２月１０日付で手続補正がなされたものである。
　
II．平成１５年１２月１０日付の手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年１２月１０日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
１．補正の内容及び目的の適否 
　本件補正は、補正前の請求項数８の特許請求の範囲を、請求項数９のものに補正する事項（以下、「補正事項」という。）を含むものである。この請求項の増加は、引用形式で記載された請求項を独立形式の請求項に変更する等により已むを得ず請求項を増やしたものではない。 
　そうしてみると、この補正事項は、特許法第１７条の２第４項の第１〜４号に規定する事項の何れにも該当しない。 
　したがって、その他の補正に係る事項の適否について判断するまでもなく、当該補正は適法なものではない。 
　
２．むすび
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
III．本願発明について 
１．本願発明 
　平成１５年１２月１０日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜８に係る発明は、同年９月１８日の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】被処理半導体基板と対極とをエッチング液に浸漬し、電圧を印加することによってエッチングを行なう半導体の電解エッチング方法において、
　上記半導体基板を第１のエッチング液に浸漬し、電圧を印加せずにエッチングする第１の工程と、
　上記第１の工程を施した後に上記第１のエッチング液とはエッチング特性の異なる第２のエッチング液に浸漬し、上記半導体基板に電圧を印加して電解エッチングを行なう第２の工程と、の少なくとも２段のエッチング工程を有することを特徴とする半導体のエッチング方法。」
　なお、上記手続補正書の請求項１に記載された「引加」は「印加」の誤記のため、上記のとおりに認定した。
　
２．引用刊行物とその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平４−１４２２３号公報には、次の事項が記載されている。　
（２ａ）「１．Ｎ型導電層とＰ型導電層からなるシリコン基板の前記Ｎ型導電層に正電圧、エッチング液中の電極に負電圧をそれぞれ印加し、前記Ｐ型導電層側よりエッチングを行うシリコン薄膜の形成方法において、前記Ｎ型導電層に電圧を印加せずにエッチングを行う工程と、前記Ｎ型導電層が露出する前に電圧を印加してエッチングを行う工程とを含むことを特徴とするシリコン薄膜の形成方法。」（特許請求の範囲１．）
（２ｂ）「本発明の目的はかかるシリコン基板内およびシリコン基板間でのシリコン薄膜の厚さのバラツキを解消し、均等化するシリコン薄膜の形成方法を提供することにある。」（２頁左上欄２〜５行）
（２ｃ）「第１図は本発明の第一の実施例を説明するためのエツチング槽の断面図である。
　第１図に示すように、本実施例はＰ型導電層１とＮ型導電層２から成るシリコン基板３をヒータ１１を備えエッチング液６を入れたエッチング槽１３に入れる。このシリコン基板３はＰ型導電層１の上面のエッチング部位とＮ型導電層４の裏面の電圧印加部４を除き、全面を耐エッチング性のある酸化膜５で覆われている。また、Ｎ型導電層２には電圧印加部４より任意の正電圧が印加できる構造となっており、エッチング液６中の負電極７との間に直流電源８およびスイッチ９からの電圧を印加することにより、電気化学エッチングが行なえる。・・・
　まず、シリコン基板３にＰ型導電層１が５００μｍ厚のシリコン基板を用い、しかもエッチング液６にはヒドラジン−水和物を用い、温度制御部１２の温度設定値を例えば８０℃に設定する。
　次に、負電極７およびＮ型導電層２には、スイッチ９の操作によって電圧を印加せずにエッチング液６中でシリコン基板３をエッチングする。このとき、Ｐ型導電層１はＮ型導電層２が露出しない程度までエッチングされる。しかる後、約３時間経過後、スイッチ９の操作を行なって、負電極７およびＮ型導電層２に電圧を印加し、再びエッチングを行なう。このエッチングは約４〜５時間で完了する。
　このように、二つのエッチング工程を行なうことにより、エッチングのバラツキを防止することができる。」（２頁左上欄１９行〜左下欄１０行）
（２ｄ）「第２図（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の第二の実施例を説明するための各エツチング槽の断面図である。
　第２図（ａ），（ｂ）に示すように、本実施例はシリコン基板３Ａ〜３Ｃの構成と、負電極７を使用した電気化学エッチングは、前述した第一の実施例とほぼ同しであるが、本実施例では、エッチング槽１３Ａ，１３Ｂを二つ設け、エッチングの開始時にはシリコン基板３Ａ〜３Ｃに電圧印加部を設けていないという相違点を有する。特に、エッチング液６，１６は、熱電対１０とヒータ１１を内蔵した温度制御部１２と、熱電対１５とヒータ１１を内蔵した温度制御部１７とにより、各エッチング槽１３Ａ，１３Ｂは温度が例えば８０℃に制御されている。
　まず、第２図（ａ）に示すように、本実施例はエッチング槽１３Ａのエッチング液６内で基板立て１４を使用して、シリコン基板３Ａ〜３Ｃに電圧を印加しないでＰ型導電層１のエッチングを行なう。ここで、Ｎ型導電層２が露出する前にエッチング液６からシリコン基板３Ａ〜３Ｃを取り出す。次に、取り出されたシリコン基板３Ａ〜３ＣはＮ型導電層２へ電圧印加部を設け、次工程へ進む。・・・
　しかる後、第２図（ｂ）に示すように、シリコン基板３Ａを負電極７とともにエッチング槽１３Ｂのエッチング液１６内に移し、直流電源８によって電圧を印加して引続きエッチングを行う。これによりＰ型導電層１はＮ型導電層２が露出するまでエッチングが行なわれる。」（２頁左下欄１１行〜３頁左上欄２行）
（２ｅ）「本発明のシリコン薄膜の形成方法は、エッチング開始時にＮ型導電層に電圧を印加しないでエッチングを開始し、シリコン基板の表面が安定してから電気化学エッチングを行なうことにより、基板内あるいは基板間のエッチングのバラツキを抑えることができるという効果がある。」（３頁左上欄９〜１５行）
　
３．対比・判断
　上記刊行物の摘記事項（２ｄ）には、第二の実施例として、二つのエッチング槽を用いてエッチングすることが記載されており、摘記事項（２ａ）〜（２ｅ）を総合すると、刊行物には、「シリコン基板と負電極とをエッチング液に浸漬し、電圧を印加することによってエッチングを行う半導体の電気化学エッチング方法において、上記シリコン基板をエッチング液に浸漬し、電圧を印加せずにエッチングを行う工程と、上記工程を施した後にエッチング槽を変え、上記シリコン基板に電圧を印加してエッチングを行う工程と、の２段のエッチング工程を有する半導体のエッチング方法」（以下、「刊行物発明」という。）が記載されているといえる。
　本願発明と刊行物発明とを対比すると、刊行物発明の「負電極」、「電気化学エッチング方法」、「電圧を印加せずにエッチングを行う工程」、「電圧を印加してエッチングを行う工程」は、本願発明の「対極」、「電解エッチング方法」、「電圧を印加せずにエッチングする第１の工程」、「電圧を印加して電解エッチングを行なう第２の工程」に相当するから、両者は、「被処理半導体基板と対極とをエッチング液に浸漬し、電圧を印加することによってエッチングを行なう半導体の電解エッチング方法において、上記半導体基板を第１のエッチング液に浸漬し、電圧を印加せずにエッチングする第１の工程と、上記第１の工程を施した後に、上記半導体基板に電圧を印加して電解エッチングを行なう第２の工程と、の少なくとも２段のエッチング工程を有する半導体のエッチング方法」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
相違点：第２の工程において、本願発明は、「第１のエッチング液とはエッチング特性の異なる第２のエッチング液に浸漬し」て電解エッチングを行なうのに対し、刊行物発明では、エッチング槽を変えて電解エッチングするものの、第１のエッチング液と第２のエッチング液の種類については記載されていない点。
　
　そこで、上記相違点について、次に検討する。
　多層シリコン基板の電解エッチングにおいて、第２の工程において、第１のエッチング液とはエッチング特性の異なる第２のエッチング液に浸漬して電解エッチングを行なうことは、例えば、特開平４−１３２２２４号公報に、エッチング開始時には、エッチング液の温度、濃度、撹拌速度およびＳｉ基板の電位をエッチング速度の大きくなる値に制御し、エッチングがｐ型Ｓｉ領域とｎ型Ｓｉ領域との界面付近に到達した後はｐ型Ｓｉとｎ型Ｓｉの不動態化電位の差が大きくなる値に制御すること（特許請求の範囲）、特開平４−１７１８１９号公報に、Ｎ型導電層が露出する前にエッチング液の温度を下げてエッチングすること（特許請求の範囲）が記載されているように、周知の技術である。
　そうすると、刊行物発明の電圧を印加してエッチングを行う工程、即ち、第２工程の電解エッチングにおいて、第１の工程で使用したエッチング液とは異なるエッチング特性を有するエッチング液を使用することは、エッチング精度やエッチング速度の最適化を図るため当業者ならば容易に想到し得ることである。
　そして、本願発明によって奏する効果も刊行物に記載された発明及び上記周知技術から予測し得る程度のもので格別顕著なものとは認められない。
　したがって、本願発明は、刊行物に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜８に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。