【事件の表示】
　特願２０００−１２９５８１「半導体発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１１月　９日出願公開、特開２００１−３１３４１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年４月２８日に特許出願したものであって、その請求項に係る発明は、平成１４年１１月１３日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「【請求項１】窒化物系化合物半導体から成る発光層を有する発光素子と、発光波長変換部材とを備えた半導体発光装置において、
　前記発光波長変換部材は、前記発光素子からの発光の少なくとも一部を吸収して前記発光素子からの発光波長より長い波長の光を発生する（Ｙ１−ｘ、Ｇｄｘ）３（Ａｌ１−ｙ、Ｇａｙ）５Ｏ１２：Ｃｅｚ、Ｐｒｗの一般式で表される蛍光体であり、０≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦０．５、０．００１≦ｚ≦０．０９９及び０．００１≦ｗ≦０．５であることを特徴とする半導体発光装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．先願明細書の記載事項
　原査定の拒絶理由に引用した、その出願の日前の、先の出願の時にされたものとみなされる特許出願（パリ条約による優先権主張１９９９年１０月２７日）であって、その出願後に出願公開がされた特願２０００−３２９１３０号（特開２００１−１９２６５５号公報）の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）には、下記の事項が記載されている。
「【００２７】【実施例】
　本発明による発光物質の１つの実施例は、以下の組成：
（ＳＥ１−ｘ−ｙＰｒｘＣｅｙ）３（Ａｌ、Ｇａ）５Ｏ１２〔式中、ＳＥは、Ｙ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｓｃ、Ｌａ及び／又はＬｕであり；
０．００００５≦ｘ≦０．０５；
０．０１≦ｙ≦０．２である〕
を有している。
【００２８】この発光物質は、４００〜５００ｎｍの領域内で吸収し、青色ＬＥＤの光線（発光最大値４３０〜４７０ｎｍ）によって効率的に励起させることができる該発光物質の発光は、約５５０〜５７０ｎｍで最大値を有する黄色の広帯域と、プラセオジムに分類すべき６０９ｎｍ及び６１１ｎｍでの付加的に先鋭な線とからなっている。Ｐｒのもう１つのより弱い線は、６３７ｎｍの長波長の赤色に存在する。
【００２９】図３は、純粋なＹＡＧ：Ｃｅ発光物質（１）と、２種のＰｒ含有発光物質（２、３）との比較を示している。数字（２）の第一の発光物質は、Ｐｒを０．１モル％含有しており、数字（３）の第二の発光物質は、Ｐｒを１モル％含有しているが、Ｃｅの割合は、それぞれ４モル％である。高いＰｒ含量（数字（３））の場合、濃度低下は、より低い効率によって明白に見分けがつくようになっている。他方、Ｐｒ線の種々の部分は、スペクトル全体において明白に見分けがつく。Ｐｒ約０．５モル％の場合、この線は、６３７ｎｍで僅かにのみ認められる。純粋なＹＡＧ：Ｃｅ発光物質に比して、発光した光線の一部は、Ｐｒの赤色線に入り込んでいる。
【００３０】白色光用の光源の構造は、図４中に明瞭に示してある。この光源は、４６５ｎｍのピーク発光波長を有し、凹部９の領域の光透過性基礎ケーシング８の中へ埋設されている第一及び第二の電気的接続２、３を有するＩｎＧａＮタイプの半導体構造素子（チップ１）である。・・・
【００３５】製造のための１つの実施例は、以下の通りである：成分
　Ｙ２Ｏ３　　　　　　　　　　３２．４８ｇ
　ＣｅＯ２　　　　　　　　　　　２．０７ｇ
　Ｐｒ６Ｏ１１　　　　　　　　０．０５１ｇ
　Ａｌ２Ｏ３　　　　　　　　　２６．４１ｇ
　ＢａＦ２　　　　　　　　　　０．１４９ｇ
　Ｈ３ＢＯ３　　　　　　　　　０．０７７ｇ
を混合し、２５０ｍｌのＰＥ−広口瓶中で、直径１０ｍｍの酸化アルミニウム球１５０ｇと一緒に微粉砕する。この混合物を、蓋をしたコランダム坩堝中で、形成ガス（水素２．３容量％を含有する窒素）中１５５０℃で３時間灼熱させる。この灼熱物を、自動すり鉢型粉砕機中で微粉砕し、メッシュ幅５３μｍの篩いによって篩別する。引き続き、第二の灼熱を形成ガス（水素０．５容量％を含有する窒素）中１５００℃で３時間行う。この後、第一の灼熱によるのと同様に微粉砕及び篩別する。
【００３６】得られた発光物質は、（Ｙ０．９５９Ｃｅ０．０４Ｐｒ０．００１）３Ａｌ５Ｏ１２に相応している。これは、強い黄色の物体色を有している。反射スペクトル及び発光スペクトルは、図１及び２として再現してある。」
　
３．対比・判断
　本願発明と先願明細書に記載された事項（以下、「先願発明」という）とを対比する。
（ア）先願明細書の「光源」は、「４６５ｎｍのピーク発光波長を・・・有するＩｎＧａＮタイプの半導体構造素子」（【００３０】参照）であるから、先願発明は、本願発明の「窒化物系化合物半導体から成る発光層を有する発光素子を備えた半導体発光装置」に相当する事項を有することは明らかである。
（イ）先願明細書の「発光物質」は、「４００〜５００ｎｍの領域内で吸収し、青色ＬＥＤの光線（発光最大値４３０〜４７０ｎｍ）によって効率的に励起させることができる該発光物質の発光は、約５５０〜５７０ｎｍで最大値を有する黄色の広帯域と、プラセオジムに分類すべき６０９ｎｍ及び６１１ｎｍでの付加的に先鋭な線とからなっている。Ｐｒのもう１つのより弱い線は、６３７ｎｍの長波長の赤色に存在する。」（【００２８】参照）のであるから、先願発明は、本願発明の「発光素子からの発光の少なくとも一部を吸収して前記発光素子からの発光波長より長い波長の光を発生する」、「発光波長変換部材」に相当する事項を有する。
（ウ）先願明細書には、
「本発明による発光物質の１つの実施例は、以下の組成：
（ＳＥ１−ｘ−ｙＰｒｘＣｅｙ）３（Ａｌ、Ｇａ）５Ｏ１２〔式中、ＳＥは、Ｙ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｓｃ、Ｌａ及び／又はＬｕであり；
０．００００５≦ｘ≦０．０５；
０．０１≦ｙ≦０．２である〕」（【００２７】参照）
と記載されている。
　ここで、ＳＥをＹとし、本願発明のような一般式の形に書き直すと、
Ｙ３（Ａｌ、Ｇａ）５Ｏ１２：Ｐｒ３ｘ，Ｃｅ３ｙとなり、、この発光物質に含まれる
Ｐｒは、０．０００１５≦３ｘ≦０．１５
Ｃｅは、０．０３≦３ｙ≦０．６
　一方、本願発明の（Ｙ１−ｘ、Ｇｄｘ）３（Ａｌ１−ｙ、Ｇａｙ）５Ｏ１２：Ｃｅｚ、Ｐｒｗ；０≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦０．５、０．００１≦ｚ≦０．０９９及び０．００１≦ｗ≦０．５において、ｘ＝０（Ｇｄを含まない）とした場合、Ｙ３（Ａｌ１−ｙ、Ｇａｙ）５Ｏ１２：
Ｃｅ
ｚ
０．００１≦ｚ≦０．０９９
　よって、先願発明の組成のうち、
Ｐｒは、０．００１≦ｗ≦０．１５
Ｃｅは、０．０３≦ｚ≦０．０９９
　
　したがって、先願明細書には、本願発明の技術的事項が全て記載されているから、本願発明と先願発明は同一である。
　
　なお、審判請求人は、先願発明の具体的な実施例として記載されたもの（先願明細書の【００２９】及び【００３６】参照）におけるＣｅの濃度は、０．１２のみであり、本願発明とは異なる旨主張している。
　しかし、先願発明のＣｅの濃度は、先願明細書の【００２７】に記載された実施例と同様の数値範囲が請求項６に係る発明として明記されており、この数値範囲を裏付けるものとして０．１２が記載されているだけであって、先願発明は上記数値範囲を有するものとして明記されているのであるから、先願発明のＣｅの濃度を０．１２のみに限定すべき理由はない。（なお、０．１２から０．０９９に変えたとしても格別の差異が生じるとも認められない。）
　ちなみに、本願の願書に最初に添付した明細書の【００１０】には、「また、ｚ値が０．００１より小さいと賦活剤のＣｅの割合が低下して輝度が減少する反面、ｚ値が０．５より大きいと賦活剤の濃度の増大により発光強度が低下する濃度消光が生じて輝度が低下するおそれがあるため、０．００１≦ｚ≦０．５が好適である。」と記載されている。しかも、本願明細書の【００４０】及び【００４２】には、（Ｙ１−ｚ／３―ｗ／３Ｃｅｚ／３Ｐｒｗ／３）３Ａｌ５Ｏ１２に基づく組成比及び相対輝度の結果を示す表４が記載され、該表に示された試料Ａ６〜Ａ１０において、Ｐｒを０．００１（３ｗを０．００３）の一定とし、Ｃｅを０．０１〜０．１（３ｚを０．０３〜０．３）に変化させた場合の相対輝度をみても、本願発明が除外した試料Ａ８〜Ａ１０と、本願発明の範囲内である試料Ａ６及びＡ７との間に格別の相違は認められない。即ち、表４には、本願発明の範囲内であるＣｅを０．０３とした試料Ａ６と、先願の実施例に相当するＣｅを０．１２とした試料Ａ８とを比較すると、相対輝度は、試料Ａ６が８８．２％、試料Ａ８が９０．３であり、試料Ａ８の方がむしろ高いことが示されている。
　よって、本願発明の数値範囲が格別の臨界的意義を有するものでもないから、審判請求人の上記主張は採用できない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。