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　平成１１年特許願第２６５６４９号「インクジェット記録ヘッドとこれを備えるインクジェット装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　３月２１日出願公開、特開２００１−　７１４９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１１年９月２０日の出願（優先権主張　平成１０年９月３０日及び平成１１年７月２日）であって、平成１５年８月２０日付けで拒絶の査定がされたため、これを不服として同年９月２６日付けで本件審判請求がされたものである。
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１５年７月７日付けで補正された明細書の特許請求の範囲【請求項１】に記載された事項によって特定される次のとおりのものと認める。
「発熱手段の熱エネルギーを利用してインクを吐出するインクジェット記録ヘッドにおいて、前記発熱手段が、絶縁体と該絶縁体を挟持する一対の導電体電極とを含み、極性に依らず低い電圧を印加した時の抵抗値が高い電圧を印加した時の抵抗値に比べて高い値を示す電流電圧特性を有するＭＩＭ素子であって、該ＭＩＭ素子は前記一対の導電体電極の間隔が４ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。」
　
第２　当審の判断
１．引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−２４６０４４号公報（以下「引用例１」という。）には、次のア〜カの記載又は図示がある。
　ア．「インクを吐出する為の吐出口を有する吐出部と、
　該吐出口に供給されたインクを吐出する為に利用される熱エネルギを発生する為の電気熱変換素子と、該電気熱変換素子に電気的に接続された駆動用の機能素子と、が設けられた基体とを具え、
　前記電気熱変換素子が前記機能素子の一部として形成されていることを特徴とする記録ヘッド。」（１頁左下欄特許請求の範囲第１項）
　イ．「［従来の技術〕　従来、記録ヘッドの構成は電気熱変換素子アレイを単結晶シリコン基板上に形成し、この電気熱変換素子の駆動回路としてシリコン基板外部にトランジスタアレイ、ダイオードアレイ等の電気熱変換素子駆動用機能素子を配置し、電気熱変換素子とトランジスタアレイ等機能素子との間の接続をフレキシブルケーブルやワイヤーボンデイング等によつて行う構成としていた。」（２頁左上欄１２行〜右上欄１行）
　ウ．「［作　用］　本発明では、電気熱変換素子をその駆動用機能素子の一部として、例えば機能素子としてのＭＯＳ構造のトランジスタのチャネル部分を電気熱変換領域として用いることで、電気熱変換素子と駆動素子とを一体化することが可能である。そして、一体化することでチップ面積が小さくなり、また構造も簡略化する。」（２頁右下欄１０〜１７行）
　エ．「第１図（ｃ）はかかるＭＯＳ型トランジスタアレーおよび配線状態の等価回路であり、本図を用いて制御対象となる電気熱変換素子をかねたＭＯＳ型トランジスタに単独に電流供給を行うための基本動作を説明する。
　第１図（ｃ）において、ＭＯＳ型トランジスタの各ドレイン電極は正電位ＶＤＤにバイアスし、シリコン基板１は、シリコン基板上のｐ＋領域を通して接地状態とする。今、同時駆動に係るセグメント１９に電流を供給する場合を考える。セグメント１９に電流供給するためには画像信号に応じてスイッチ１０Ａ〜１０Ｄを閉とし、ＭＯＳ型トランジスタ１１のゲート電極にしきい値電圧以上の電位ＶＧ１をスイッチ１４を介してバイアスすることによりチャネルを形成すれば、ソース電極に電流が流れて目的を達成できる。ここで注意すべきことは、この状態において例えばセグメント１９に隣接するＭＯＳ型トランジスタ１２に電流が流れることのないように配慮することである。もし、ＭＯＳ型トランジスタ１２のゲート電位がフローティング状態であると、ＭＯＳ型トランジスタ１２のドレイン電極には正電位ＶＤＤがバイアスされているので、ゲート電極とシリコン基板とで構成されるキャパシタのノイズによる電位や配線容量による電位がＭＯＳ型トランジスタ１２のしきい値電圧を越えるようになると、チャネルが形成される電流が供給され、誤動作が生じるおそれがある。
　このような隣接するＭＯＳ型トランジスタの電気的相互干渉を防止するには、第１図（ｃ）に示すように、ＭＯＳ型トランジスタ１２のゲート電位を接地状態にすることが有効である。すなわち、ゲート電位をスイッチ１５を通して零電位（ＶＧ２＝０Ｖ）にクリップすることでゲート直下にチャネルが形成されず、ターンオン動作することなく、同一チップ内のＭＯＳ型トランジスタの相互干渉を防ぐことができる。
　上記の如くＭＯＳ型トランジスタの各ドレイン電極に共通の電位をバイアスし、更に各ゲート電極に、それぞれ共通するゲート電極を与えることで、同一チップ内のＭＯＳ型トランジスタが相互干渉することなく電流を供給できる。」（３頁右上欄１２行〜右下欄１２行）
　オ．「［発明の効果］　以上説明したように、本発明によれば、例えば半導体基板もしくは、絶縁基板上の半導体膜に複数個のＭＯＳトランジスタを、電気的に相互干渉をもたないように作り込み、更に、ＭＯＳトランジスタのチャネル領域を吐出エネルギ発生素子としての電気熱変換素子としても利用するようにしたことによって、従来電気熱変換素子と駆動用機能素子（ＭＯＳトランジスタ、ダイオード等）を分けて作っていたことに比べ、大幅にチップ面積を小さくでき、かつ、構造を簡単にできるので、高歩留りおよびコストダウンが可能となり、所期の目的を達成できた。」（１０頁右上欄末行〜左下欄１２行）
　カ．第１図（ｃ）には、８個のＭＯＳトランジスタのドレイン電極をすべて正電位ＶＤＤに接続し、左から順に１個目から４個目のＭＯＳトランジスタのゲートをまとめてスイッチ１４を介してＶＧ１に接続し、５個目から８個目のＭＯＳトランジスタのゲートをまとめてスイッチ１５を介してＶＧ２に接続し、３個置き（例えば１個目と５個目）のＭＯＳトランジスタのソースをまとめてスイッチ１０Ａ〜１０Ｄを介して接地することが図示されている。
　
２．引用例１記載の発明の認定
　引用例１の記載アには「電気熱変換素子に電気的に接続された駆動用の機能素子」とあるけれども、他方で「前記電気熱変換素子が前記機能素子の一部」とあることからみて、記載アの記録ヘッドを次のようなものと認定する。
「インクを吐出する為の吐出口を有する吐出部と、該吐出口に供給されたインクを吐出する為に利用される熱エネルギを発生する為の電気熱変換素子を備えた記録ヘッドであって、
　前記電気熱変換素子は駆動用の機能素子の一部として基体に形成されている記録ヘッド。」（以下「引用発明」という。）
　
３．本願発明と引用発明との一致点及び相違点の認定
　引用発明の「電気熱変換素子」と本願発明の「発熱手段」に相違はなく、引用発明も「発熱手段の熱エネルギーを利用してインクを吐出するインクジェット記録ヘッド」であると認める。
　本願発明の「絶縁体と該絶縁体を挟持する一対の導電体電極とを含み、極性に依らず低い電圧を印加した時の抵抗値が高い電圧を印加した時の抵抗値に比べて高い値を示す電流電圧特性を有するＭＩＭ素子」は「駆動用の機能素子」との限度で、引用発明の「機能素子」と一致する。
　本願発明では「発熱手段が・・・ＭＩＭ素子であって」と限定されているが、発明の詳細な説明に「このＭＩＭ素子は、絶縁体部分が発熱部であり」（段落【００２３】）とあるとおり、実際に発熱するのは絶縁体部分であって、それはＭＩＭ素子の一部であるから、引用発明が「電気熱変換素子は駆動用の機能素子の一部」としていることは本願発明との相違点にはならない。
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「発熱手段の熱エネルギーを利用してインクを吐出するインクジェット記録ヘッドにおいて、前記発熱手段が駆動用の機能素子であるインクジェット記録ヘッド。」点で一致し、次の点で相違する。
〈相違点〉本願発明の「発熱手段」（機能素子でもある）が「絶縁体と該絶縁体を挟持する一対の導電体電極とを含み、極性に依らず低い電圧を印加した時の抵抗値が高い電圧を印加した時の抵抗値に比べて高い値を示す電流電圧特性を有するＭＩＭ素子であって、該ＭＩＭ素子は前記一対の導電体電極の間隔が４ｎｍ以上２０ｎｍ以下である」と限定されているのに対し、引用発明では特段の限定が付されておらず、引用例１全体においても、トランジスタアレイやダイオードアレイが例示されているにとどまる点。
　
４．相違点についての判断及び本願発明の進歩性の判断
　以下、本審決では「発明を特定するための事項」という意味で「構成」との用語を用いることがある。
（１）相違点についての判断
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭５７−３６６７９号公報（以下「引用例２」という。）は本願明細書の段落【０００４】にも紹介のある文献であって、発明の名称を「サーマルヘッド」とし（上記段落【０００４】には「ダイオードを基板上に複数個マトリクス状に配列した
インクジェット記録ヘッド
　マトリクス状に配された２つの信号線の交点に配する２端子型の機能素子として、ダイオードのほかにＭＩＭ素子があることは原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−８０４８６号公報（以下「周知例１」という。）及び特開平６−２０２１６１号公報（以下「周知例２」という。）並びに特開昭５７−１８２４５１号公報（以下「周知例３」という）にみられるごとく周知である。ここで、引用例２第１図を周知例２【図１１】又は周知例３第２図と比較すれば、機能素子がダイオードであるのかＭＩＭ素子であるのか、及び機能素子と直列に接続されるものが発熱手段（抵抗性の素子である。）であるのか液晶又は圧電素子（液晶と圧電素子は、どちらも容量性の素子である。）であるのかの相違はあるけれども、それ以外は同一回路と評価できる。しかも、周知例３は、発熱手段を用いたものではないけれども、「インクジェット印刷装置」（１頁左下欄１１〜１２行等）に用いられるものである。
　そうである以上、引用発明の機能素子をＭＩＭ素子とすることには、そのことを妨げる要因がない限り当業者にとって想到容易というべきである。そこで、上記要因について検討するに、ＭＩＭ素子はその構造上「極性に依らず低い電圧を印加した時の抵抗値が高い電圧を印加した時の抵抗値に比べて高い値を示す電流電圧特性を有する」ため、発熱させる必要がある場合に、ダイオード等よりも高抵抗となり得ることが上記要因となるかもしれない。そこで検討するに、発熱させる必要がある場合には高い電圧を印加するから、ＭＩＭ素子の絶縁体の比抵抗や厚さ（厚さは「一対の導電体電極の間隔」に等しい。）を適宜設定すれば、発熱する程度の電流が流れるであろうことは十分予測できる。実際、本願出願の相当以前に頒布された特開平１−３００２２７号公報（以下「周知例４」という。）に「スイッチ１９をＨにして発熱抵抗体１４及びＭＩＭに電圧を加え、発熱抵抗層を発熱させ」（５頁右上欄１６〜１８行）と記載されていることからみても、絶縁体の存在が発熱を阻害する要因になると認めることはできない。ましてや、引用発明の機能素子をＭＩＭ素子とする場合には、別途の発熱手段を用いるのではなく、ＭＩＭ素子の絶縁体を発熱手段に兼用するのであるから、高電圧印加時には極端に低抵抗であってはならず、絶縁体が抵抗を有することは絶縁体部分で発熱させる上での不可欠要因というべきである。請求人は、「引用文献Ｃ〜Ｇ（審決注；引用文献Ｃは周知例１，同Ｆは周知例２である。）に開示された・・・ＭＩＭ構造の素子は、容量分割によって（液晶）素子を駆動するのに用いられています。これに対して、本願発明において、ＭＩＭ素子は、抵抗性の素子である発熱抵抗体を選択的に駆動するのに用いており、このため、抵抗分割によって素子（この場合は抵抗発熱体であり、ＭＩＭ素子自体がその働きをしている）を選択的に駆動するのに用いています。」（平成16年 1月16日付け手続補正書（方式）３頁３〜１０行）と主張するが、ＭＩＭ素子の非線形性が容量性の素子のみに有効であると解することはできず、現実に周知例４では抵抗性の素子と直列接続されているのだから、この主張を採用することはできない。
　ところで、引用発明の機能素子をＭＩＭ素子とする場合には、発熱量が適当となるように、ＭＩＭ素子を選択しなければならず、ＭＩＭ素子の発熱特性（電流−電圧特性でもある。）が絶縁体の厚さ（一対の導電体電極の間隔）に大きく依存することは技術常識である。そして、周知例１に「陽極酸化処理によって、厚さ約７０ｎｍの陽極酸化膜（ＴａＯｘ膜）、すなわち絶縁体層１３を形成した。」（段落【００３３】）と、周知例２に「８０ｎｍの厚さを有する陽極酸化層（審決注；陽極酸化層がＭＩＭ素子の絶縁体となる。）」（段落【００２８】）とそれぞれ記載があり、これら周知例で採用されている絶縁体厚さは本願発明の上限値４０ｎｍのほぼ２倍程度である。しかし、これら周知例におけるＭＩＭ素子は、請求人も主張するように液晶素子を駆動するために用いられているのであって、当然発熱しない方が好ましいものである。発熱させない場合と発熱させることを意図した場合では、当然絶縁体の厚さは異なると考えるのが筋であり（厚さのみですべてが決するとも考えられず、絶縁体材料自体の特性やＭＩＭ素子の面積も考慮しなければならないが、そのことはここでは措いておく。）、同一電圧であれば、絶縁体が薄いほど電流が大きくなり、ひいては発熱量が大きくなることは自明である。そして、周知例１の絶縁体である「陽極酸化膜（ＴａＯｘ膜）」は本願発明の実施例で採用されているものと同一材料である（本願明細書の「Ｔａ薄膜をＲＦ（高周波）スパッタ法で作成し、酸化絶縁膜Ｅ１，Ｅ２として、ストライプ状上側電極３２およびストライプ状下側電極３３の表面を陽極酸化法で酸化し、厚さ約１２ｎｍのＴａ２Ｏ５薄膜を形成する。」（段落【００７７】）参照。）から、周知例１よりは絶縁体厚さを薄くすることが、発熱させる上で有効であることはたやすく予測でき、どの程度の厚さが最適であるかは適宜実験等により決定すべき事項にすぎないから、絶縁体厚さ、すなわち一対の導電体電極の間隔を４ｎｍ以上２０ｎｍ以下とすることは設計事項というべきである。なお、絶縁体厚さについては、薄すぎればＭＩＭ素子として有効に機能しない（本願明細書の「電極間隔が極端に狭いと電極の金属表面のイオンが電界放射を起こす恐れがある」（段落【００４４】）と同義である。）ことから、自ずと厚さの下限があるというべきであり、このことからも厚さを４ｎｍ以上とすることは設計事項である。
　以上のとおりであるから、相違点に係る本願発明の構成を採用することは当業者にとって想到容易である。
　
（２）本願発明の進歩性の判断
　相違点に係る本願発明の構成を採用することは当業者にとって想到容易であり、同構成を採用したことによる格別の作用効果を認めることもできない。
　したがって、本願発明は引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
第３　むすび
　本願発明が特許を受けることができないから、本願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶を免れない。
　よって、結論のとおり審決する。