(57)【要約】  可撓性基体に特徴物を連続して作製する方法を開示する。一実施形態において、基体ウェブに特徴物を作製する方法は、第１のスプールアセンブリ上の第１のスプールに配置された基体ウェブを、提供する工程と、基体ウェブを、第１のスプールから、レーザを含むレーザ処理アセンブリを通って前進させる工程と、複数の欠陥部を、レーザを用いて、基体ウェブ内に生成する工程とを含む。更に、方法は、基体ウェブを、エッチングアセンブリを通って前進させる工程と、基体ウェブを、エッチングアセンブリにおいてエッチングして、複数の欠陥部において材料を除去し、それにより、複数の特徴物を基体ウェブに形成する工程とを含む。更に、方法は、基体ウェブを、最終スプールへと巻く工程を含む方法。
2018536276.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体ウェブに特徴物を作製する方法において、
前記基体ウェブを、第１のスプールから、レーザを含むレーザ処理アセンブリを通って、連続して前進させる工程と、
複数の欠陥部を、前記レーザ処理アセンブリにおける前記レーザを用いて、前記基体ウェブ内に生成する工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
前記基体ウェブを、最終スプールアセンブリに向かって、連続して前進させる工程と、
前記基体ウェブを、前記最終スプールアセンブリにおける最終スプールへと巻く工程と、
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基体ウェブを前記最終スプールへと巻きながら、該基体ウェブをエッチングして、複数の前記欠陥部において材料を除去し、それにより、複数の特徴物を該基体ウェブに形成する工程を、
更に含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記基体ウェブを、前記最終スプールへと巻く工程の前に、該基体ウェブを、１つ以上の更なる処理アセンブリを通って前進させる工程を、
更に含む、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記基体ウェブを、エッチングアセンブリを通って前進させる工程と、
前記基体ウェブを、前記エッチングアセンブリにおいてエッチングして、複数の前記欠陥部において材料を除去し、それにより、複数の特徴物を該基体ウェブに形成する工程と、
を更に含む、請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記エッチングアセンブリが、複数のエッチングゾーンを含むものである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記基体ウェブを、前記エッチングアセンブリを通って前進させる工程の前に、該基体ウェブを、中間スプールへと巻く工程と、
前記基体ウェブを、前記中間スプールから前記エッチングアセンブリに向かって前進させる工程と、
を更に含む、請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
前記基体ウェブが、ガラス基体ウェブ、ガラスセラミック基体ウェブ、または、セラミック基体ウェブを含むものである、請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記基体ウェブを、前記レーザ処理アセンブリを通って前進させる工程の後に、該基体ウェブを、形成された複数の欠陥部を有する１つ以上の更なる基体ウェブ、および、隣接した基体ウェブ間に配置された１つ以上の間紙層と共に巻き、それにより、第３の中間スプールを形成する工程を、
更に含む、請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
ガラス基体ウェブにおいて、
前記ガラス基体ウェブ内に配置された複数の貫通孔を有し、前記ガラス基体ウェブは、３００μｍ未満の厚さを有し、スプールへと巻いたものである、ガラス基体ウェブ。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
本出願は、２０１５年８月２１日出願の米国仮特許出願第６２／２０８，２８２号、および、２０１５年９月２４日出願の米国仮特許出願第６２／２３２，０７６号の優先権の利益を主張し、その内容は、全体として参照により本明細書に組み込まれる。
【技術分野】
【０００２】
本発明は、可撓性基体ウェブに特徴物を連続して作製する方法、および、それに関する生成物に関する。
【背景技術】
【０００３】
様々な利用例のために、貫通孔、ブラインドビア、および、他の表面特徴物などの特徴物を、可撓性基体に作製したいという要求が高まっている。これらの利用例は、ガラスインタポーザ、プリント基板、流体工学、表示装置、光学バックプレーン、および、他の光電子工学または生命科学利用全般を含むが、それらに限定されない。これらの可撓性ガラス基体などの可撓性基体は、少なくとも、寸法の安定性という点で望ましい。現在行われている可撓性基体に特徴物を作製する方法は、シート状の基体を、処理および取扱い用の枠に接合する工程を含む。この工程は、ポリマーの基体および可撓性ガラスの両方で行われている。この方法を、ポリマーのフィルムに用いて、処理中の平坦度および寸法安定性を解決している。この方法を可撓性ガラスに用いて、基体の取扱いを可能にしてもよい。このアプローチは有用であるが、面積が広い素子、および、高スループットの連続製造に必要である、面積が広い基体に対処する寸法とすることは難しい。したがって、このアプローチは、スループットの低下、および、処理工程数の増加により、最終製品のコストを増加させてしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
可撓性基体材料を、連続して処理して、面積が広い素子、および／または、高スループットの製造を可能にしたいという要求がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書において開示する実施形態は、基体をウェハなどの個々の部品に分離する前に、連続したロールツーロール処理において、可撓性基体に特徴物を作製する方法に関する。本明細書に記載の連続したロールツーロール処理は、基体を堅い枠に接合する工程を要さず、特徴物作製前の基体を個々の部品（例えば、ウェハ）に分離するより前に、特徴物を形成するのを可能にする。本明細書に記載の連続したロールツーロール処理を利用して、一括処理によって提供されるのと同様の特徴物および基体の幾何学形状を、基体の取扱いを改良して、作製してもよい。
【０００６】
可撓性基体材料を連続して処理し、面積が広い素子、および／または、高スループットの製造を可能したいという要求がある。ローラを使用したシステムを用いて、自立ウェブ材料を、非常に効率的に取り扱い、搬送できるが、正確な寸法のビアの形成にロールツーロール処理を使用することは示されてこなかった。ポリマーフィルムのロールツーロール処理が知られており、パンチングまたはレーザアブレーション法による貫通孔の生成が可能であるが、ポリマーには、寸法の安定性が不足するという問題がある。後の処理工程で、ポリマーフィルムは、伸張し、歪んで、貫通孔の位置ずれを生じる。このために、典型的には、ポリマーフィルムを処理枠に固着させる。連続処理を用いて、安定した寸法の基体に貫通孔を生成できるようにしたいという、具体的な要求がある。
【０００７】
一実施形態において、基体ウェブに特徴物を作製する方法は、第１のスプールに配置された基体ウェブを、提供する工程と、基体ウェブを、第１のスプールから、レーザを含むレーザ処理アセンブリを通って前進させる工程と、複数の欠陥部を、レーザを用いて、基体ウェブ内に生成する工程とを含む。更に、方法は、基体ウェブを、エッチングアセンブリを通って前進させる工程と、基体ウェブを、エッチングアセンブリにおいてエッチングして、複数の欠陥部において材料を除去し、それにより、複数の特徴物を基体ウェブに形成する工程とを含む。更に、方法は、基体ウェブを、最終スプールへと巻く工程を含む。
【０００８】
他の実施形態において、基体ウェブに特徴物を作製する方法は、第１のスプールアセンブリ上の第１のスプールに配置された基体ウェブを、提供する工程と、基体ウェブを、第１のスプールから、レーザを含むレーザ処理アセンブリに向かって前進させる工程と、複数の欠陥部を、レーザ処理アセンブリにおいてレーザを用いて、基体ウェブ内に生成する工程とを含む。更に、方法は、基体ウェブを、最終スプールアセンブリに向かって、前進させる工程と、基体ウェブ、および、基体ウェブに隣接した間紙層を、最終スプールアセンブリにおける最終スプールへと巻く工程とを含む。
【０００９】
更に他の実施形態において、ガラス基体ウェブは、ガラス基体ウェブ内に配置された複数の貫通孔を有し、スプールへと巻いたものである。
【００１０】
異なる図においても、類似した参照符号で同じ部分を参照した添付の図面に示した、例示的な実施形態の以下のより詳細な記載から、上記の内容は明らかになるだろう。図面は、必ずしも縮尺通りではなく、代表的な実施形態を示すことに重点を置いている。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１Ａ】本明細書に記載および図示した１つ以上の実施形態による、１つ以上の基体ウェブに特徴物を作製する方法およびシステムを示す概略図である。
【図１Ｂ】本明細書に記載および図示した１つ以上の実施形態による、１つ以上の基体ウェブに特徴物を作製する他の方法およびシステムを示す概略図である。
【図１Ｃ】本明細書に記載および図示した１つ以上の実施形態による、１つ以上の基体ウェブに特徴物を作製する他の方法およびシステムを示す概略図である。
【図２】本明細書に記載した１つ以上の実施形態による、特徴物作製後の基体ウェブを示す部分概略図である。
【図３】本明細書に記載および図示した１つ以上の実施形態による、基体ウェブを示す部分概略図であり、基体ウェブの区分は、そこに形成された特徴物を有する。
【図４Ａ】本明細書に記載および図示した１つ以上の実施形態による、基体ウェブ内に欠陥部を形成する、例示的なレーザ処理アセンブリのレーザ処理部を示す概略図である。
【図４Ｂ】本明細書に記載および図示した１つ以上の実施形態による、図４Ａに示したレーザ処理部によって生成された焦線に沿った誘起吸収による欠陥線の形成を示す、基体ウェブの側面概略図である。
【図５】本明細書に記載および図示した１つ以上の実施形態による、基体ウェブ内に欠陥部を形成する、例示的なレーザ処理アセンブリのレーザ処理部を示す概略図である。
【図６Ａ】本明細書に記載および図示した１つ以上の実施形態による、例示的なエッチングアセンブリを示す概略図である。
【図６Ｂ】本明細書に記載および図示した１つ以上の実施形態による、例示的なエッチングアセンブリを示す概略図である。
【図６Ｃ】本明細書に記載および図示した１つ以上の実施形態による、例示的なエッチングアセンブリを示す概略図である。
【図７】本明細書に記載および図示した１つ以上の実施形態による、基体ウェブおよび間紙層を含むスプールを示す部分概略図である。
【図８】本明細書に記載および図示した１つ以上の実施形態による、エッチングアセンブリ内に配置される、基体ウェブおよび間紙層を含むスプールを示す部分概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本明細書に開示した実施形態は、可撓性基体をウェハなどの個々の部品に分離する前に、連続したロールツーロール処理で、可撓性基体に特徴物を作製する方法に関する。本明細書に記載の連続したロールツーロール処理は、基体を硬い支持枠に接合する工程を必要とせず、特徴物作製前の基体を個々の部品（例えば、ウェハ）に分離するよりも前に、特徴物を形成するのを可能にする。本明細書に記載の連続したロールツーロール処理を利用して、一括処理によって提供されるのと同様の特徴物および基体の幾何学形状を、基体の取扱いを改良して、作製してもよい。
【００１３】
より詳細に以下に記載するように、基体ウェブは、スプールまたは可撓性ウェブとして提供される。基体ウェブを、スプールまたは可撓性ウェブから巻き解いて、レーザ処理アセンブリに向かって前進させ、そこで、レーザビームを使用して、基体ウェブ内に、特徴物、損傷領域、または、線を形成する。一実施形態において、基体ウェブを、次に、エッチングアセンブリに向かって前進させ、そこで、基体ウェブにエッチング処理を行って、レーザビームによって生成された損傷領域の周りの基体材料を除去して損傷領域を開口させて特徴物を作製する。本明細書で用いているように、「特徴物」という用語は、基体ウェブ内の任意の形状または深さを有する空隙を意味し、基体ウェブの深さ全体に亘って延伸する貫通孔、基体ウェブの深さに亘って部分的に延伸するブラインドビア、基体ウェブの深さに亘って延伸するスロット、基体ウェブに亘って部分的に延伸するチャネルなどを含む。次に、特徴物が形成された基体ウェブを、最終スプールへと巻き、それは、ダイシング、被膜、素子製作、または、他の処理のための他の施設への出荷など、更なる処理について、取り扱い易いことがありうる。以下、可撓性基体ウェブに特徴物を作製する様々な方法を、詳細に記載する。
【００１４】
ここで、図１Ａを参照して、可撓性基体ウェブ１０３に特徴物を作製する方法およびシステム１００の概略を示す。概して、基体ウェブ１０３は、処理前の第１のスプール１０１Ａとして提供される。本明細書で用いているように、「基体ウェブ」という用語は、ガラス基体ウェブ、ガラスセラミック基体ウェブ、または、セラミック基体ウェブを意味する。「基体ウェブ」という用語は、ポリマー、金属、ガラス、ガラスセラミック、または、セラミック材料の１つ以上を含む可撓性基体ウェブも含む。例えば、基体ウェブは、ロールへと巻き上げることができる可撓性ガラスウェブを含みうる。更に、例えば、異なる材料を、互いに継ぎ合わせるか、積層するか、または、接合して、ロールを作製してもよい。異なる材料の各々が、ウェブの全幅を覆っても、または、個々の離散領域を覆ってもよい。一例であり、限定するものではないが、基体ウェブは、個々の離散可撓性ガラス領域が、そこに積層または接合された、ポリマーウェブ担体でありうる。これらは、ポリマーウェブ担体を覆って、または、開口した枠の位置で接着されてもよい。ガラス基体ウェブを、本明細書に記載したように、レーザ穴あけ、および、任意でエッチングすることができる、任意のガラス材料から作製してもよい。同様に、ガラスセラミック基体ウェブ、および、セラミック基体ウェブを、本明細書に記載したように、レーザ穴あけ、および、任意でエッチングすることができる、任意のガラスセラミックまたはセラミック材料から作製してもよい。限定するものではない例として、ニューヨーク州コーニングのコーニング社によって製造されたＥａｇｌｅＸＧ（登録商標）、Ｌｏｔｕｓ（登録商標）、および、Ｇｏｒｉｌｌａ（登録商標）ガラスの基体を、本明細書に記載した方法を用いて処理してもよい。他の限定するものではない例として、可撓性イットリア安定化ジルコニアを、本明細書に記載した方法を用いて処理してもよい。
【００１５】
上記のように、基体ウェブ１０３を、レーザ露光処理によって、穴あけできる。したがって、基体ウェブ１０３を、レーザ処理中に支持枠に固定しなくてもよいように、基体ウェブ１０３は、最小限の寸法変化で、熱エネルギーを受けることができるべきである。例えば、高温での電子機器利用に典型的に用いられるポリイミドフィルムは、熱サイクルに曝された場合に、１０μｍから１００μｍの範囲の予期せぬ歪みを経験しうる。これと比較して、本明細書に記載のガラス基体などの基体は、同じ熱サイクルに曝されても、検知可能な歪みを有さない。寸法の安定性の他に、基体ウェブ１０３、または、基体ウェブが複合材の場合には、複合材の各部分は、約５００℃より高い温度に耐えることができ、約５０ＧＰａより大きいヤング率を有し、および／または、約３ＧＰａより高い硬さを有するべきである。
【００１６】
基体ウェブ１０３は、図１Ａに示したようにスプールへと巻くことができるような厚さを、有するべきである。ガラス基体の場合には、限定するものではない例として、基体ウェブ１０３は、３００μｍ未満の厚さを有していてもよい。基体ウェブ１０３は、材料の組成および特性に応じて、他の厚さを有してもよいと理解すべきである。
【００１７】
図１Ａに示したように、第１のスプール１０１Ａは、機械的に回転して基体ウェブ１０３を巻き解く第１のスプールアセンブリ（番号不付与）上に配置される。第１のスプールアセンブリ、および、本明細書に記載の他のスプールアセンブリを、回転、および、その上に基体ウェブ１０３の巻き取りが可能な任意の装置として、構成してもよい。
【００１８】
図示した実施形態において、基体ウェブ１０３を、第１のスプール１０１Ａから巻き解きながら、レーザ処理アセンブリ１０２に通す。より詳細に以下に記載するように、レーザ処理アセンブリ１０２は、複数の欠陥部（図１Ａに不図示）を、基体ウェブ１０３上に、または、基体ウェブ１０３を貫通して、レーザ穴あけするように動作可能な１つ以上のレーザを含む。より詳細に以下に記載するように、欠陥部は、多光子吸収よってガラス基体内に形成された、貫通孔、ブラインドホール、欠陥線、または、損傷領域であってもよい。レーザ誘起欠陥部を基体ウェブ１０３内に形成することができる任意のレーザ処理を、最終的な利用および特徴物の要求条件に応じて用いてもよい。一例であり、限定するものではないが、１つ以上のレーザを動作させて、紫外線または赤外線領域でレーザビームを生成しうる。一例であり、限定するものではないレーザ処理アセンブリを、図４Ａ、４Ｂ、および、５に示し、より詳細に以下に記載する。
【００１９】
尚、多数の基体ウェブを、同時に処理できる。例えば、多数の基体ウェブが、レーザ処理アセンブリ１０２内に積層させて配置された場合に、多数の基体ウェブを同時にレーザ穴あけするように、第１のスプール１０１Ａは、多数の巻かれた基体ウェブを含んでもよい。
【００２０】
図１Ａに示した例において、基体ウェブ１０３を、レーザ処理アセンブリ１０２から、第１の中間スプールアセンブリ（番号不付与）に向かって前進させ、そこで、基体ウェブ１０３を、中間スプール１０１Ｂへと巻く。基体ウェブ１０３を、中間スプール１０１Ｂとして完全に巻き上げた後に、中間スプール１０１Ｂを、第１の中間スプールアセンブリから取り除く。
【００２１】
代わりの実施形態において、次に、基体ウェブ１０３を、より小さい複数の中間スプールに巻く、より小さい複数の区分に分離する。基体ウェブを、幅に亘ってか、長さに亘ってか、または、幅と長さの組合せで分離することによって、若しくは、層に分離することによって、若しくは、他の方法によって、これらのより小さい区分を形成してもよい。次に、これらのより小さい中間スプールから巻き解いて、エッチングアセンブリ１０４に通してもよい。基体ウェブ１０３を、任意の既知の、または、今後開発される基体分離技術によって、より小さい区分に分離してもよい。
【００２２】
矢印Ａが示すように、例示的な処理は、中間スプール１０１Ｂ（または、多数の中間スプール）を、図１Ａに示すように機械的に回転して基体ウェブ１０３を中間スプール１０１Ｂから巻き解くように動作可能である、第２の中間スプールアセンブリ（番号不付与）上に位置決めすることによって、継続する。基体ウェブ１０３を、中間スプール１０１Ｂから、エッチングアセンブリ１０４に入るように前進させて、そこで、エッチング処理を行なって、レーザ処理によって生成した欠陥部を開口させて、望ましい特徴部を形成する。尚、図１Ａに示したレーザおよびエッチング処理は、連続して行う必要はない。例えば、最初にレーザ処理を行い、次に、多数の素子製作または他の処理工程を行い、その次に、エッチング処理を行いうる。任意の既知の、または、今後開発されるエッチング処理を用いて、特徴物１１０を、開口させるか、そうでない場合は、望ましい形状にしてもよい。一例であり、限定するものではないエッチング処理の概略を、図６Ａ〜６Ｃに示し、詳細に以下に記載する。図２は、エッチング処理後に、基体ウェブ１０３の一部に貫通孔として構成した複数の特徴物１１０を示している。孔の形状は、円筒状、円錐状、または、他の形状など、利用例の要求条件に応じて様々でありうる。その代わりに、エッチングアセンブリ１０４を要しないようにエッチング処理を必要とせずに、レーザ処理部１０２が、十分な特徴物を基体材料１０３に作製してもよい。
【００２３】
エッチングアセンブリ１０４に通した後に、基体ウェブ１０３を、レーザ処理アセンブリ１０２から最終スプールアセンブリ（番号不付与）に向かって前進させて、そこで、基体ウェブ１０３を、最終スプール１０１Ｃへと巻く。基体ウェブ１０３を、最終スプール１０１Ｃとして完全に巻き上げた後、最終スプール１０１Ｃを、最終スプールアセンブリから取り除く。最終スプール１０１Ｃは、貫通して形成された特徴物を有する、巻かれた基体ウェブ１０３を含む。上記のように、特徴物１１０は、貫通孔、ブラインドビア、スロット、チャネル、または、他の特徴物であってもよい。次に、最終スプール１０１Ｃに、更なる処理を行うか、または、更なる処理のための次の施設に出荷してもよい。最終スプール１０１Ｃを基体加工業者に出荷することは、例えば、数千個の個々に分離された基体を出荷するより容易で、および／または、費用効果が高いことがありうる。
【００２４】
上記のように、多数の基体ウェブを、同時に処理できる。エッチング処理中、隣接した基体ウェブの間に間隙があるようにして、エッチャントが、基体ウェブの実質的に全ての表面に確実に届くようにすべきである。したがって、１つ以上の耐エッチャント間紙層を、隣接した基体ウェブの間に配置して、隣接した基体ウェブの表面同士の間に間隙を設けてもよい。例示的な間紙層１１１を、図７に示し、以下に記載する。１つ以上の間紙層を、格子として構成するか、または、そうでない場合は、開口部を有するようにして、エッチャント液が、１つ以上の基体ウェブの実質的に全ての表面に届くようにしてもよい。
【００２５】
１つ以上の間紙層を、エッチングアセンブリ１０４より前の処理で、任意の時に設けてもよい。例えば、第１のスプール１０１Ａは、基体ウェブおよび間紙層をレーザ処理アセンブリ１０２に通すように、基体ウェブと間紙層を交互に含んでもよい。その代わりに、基体ウェブをレーザ処理アセンブリ１０２に通した後で、基体ウェブをエッチングアセンブリに通すより前に、１つ以上の間紙層を、基体ウェブと共に１つ以上のスプール（例えば、第３の中間スプール）へと巻いてもよい。
【００２６】
ここで、図１Ｂを参照して、可撓性基体ウェブ１０３に特徴物を作製する他の方法およびシステム１００’の概略を示す。図１Ａについて上述したように、基体ウェブ１０３は、最初、第１のスプールアセンブリ（番号不付与）上に第１のスプール１０１Ａとして提供される。上記のように、および、より詳細に以下に記載するように、基体ウェブ１０３は、第１のスプール１０１Ａから巻き解かれるにつれて、レーザ処理アセンブリ１０２に向かって前進し、そこで、１つ以上のレーザによって、欠陥部が基体ウェブ１０３に形成される。
【００２７】
図１Ａに示したように中間スプールへと巻かれるのではなく、基体ウェブ１０３は、直接、エッチングアセンブリ１０４に向かって前進する。このように、基体ウェブ１０３は、レーザ処理の後、レーザ処理アセンブリ１０２からエッチングアセンブリ１０４へ、直接通される。上記のように、エッチングアセンブリ１０４を、複数の欠陥部を開口させて特徴物にすることができる、エッチング処理を提供する任意のアセンブリとして構成してもよい。この処理は、ウェト処理およびプラズマ処理を含みうる。エッチングアセンブリ１０４を出た後、基体ウェブ１０３は、最終スプールアセンブリ（番号不付与）上の最終スプール１０１Ｃへと巻かれる。次に、上記のように、最終スプール１０１Ｃを、最終スプールアセンブリから取り除いてもよい。
【００２８】
基体ウェブ１０３を、第１のスプール１０１Ａから巻き解いて、最終スプール１０１Ｃへと巻く速度、レーザ処理アセンブリ１０２内のレーザ処理速度、および、基体ウェブ１０３がエッチングアセンブリ１０４内に留まり続ける時間を調整して、欠陥部が適切に形成されて、エッチング処理中に特徴物が適切に開口されるようにすべきである。一実施形態において、基体ウェブ１０３を、第１のスプール１０１Ａから巻き解いて、レーザ処理アセンブリが、連続して欠陥部を生成する。エッチングアセンブリ１０４の長さは、欠陥部が開口されて望ましい特徴物形状になるのを可能にする時間、基体ウェブ１０３がエッチング処理に曝されるようにする。
【００２９】
他の実施形態において、基体ウェブ１０３がレーザ処理アセンブリ１０２内で停止するように、基体ウェブ１０３を第１のスプール１０１Ａから不連続に巻き解き、基体ウェブ１０３が、ある期間、停止している間に、１つ以上のレーザが、複数の欠陥部を生成する。図３は、基体ウェブ１０３の一部の概略を示し、特徴物を有する個々の区分１０８Ａ〜１０８Ｃを生成し、一方、基体ウェブ１０３のうち区分１０８Ａ〜１０８Ｃ内でない領域は、特徴物を含まない。更なる処理のために、基体ウェブ１０３を、必要に応じて、区分１０８Ａ〜１０８Ｃ同士の間で切断してもよい。
【００３０】
ここで、図１Ｃを参照して、基体ウェブに特徴物を作製する他の方法およびシステム１００”の概略を示す。図１Ｂに示した実施形態と同様に、基体ウェブ１０３は、レーザ処理アセンブリ１０２を出た後、エッチングアセンブリ１０４に、直接入る。しかしながら、基体ウェブ１０３を、最終スプール１０１Ｃへと巻く前に、１つ以上の更なる処理アセンブリ１０６に通す。１つ以上の処理アセンブリは、清浄（例えば、水またはプラズマで）、ビアめっき、１つ以上の薄膜の基体ウェブ１０３への被覆、誘電材料の塗布、平面化、金属化、印刷、積層、または、更なるビアエッチング処理を含んでもよいが、それらに限定されない。例えば、複数の欠陥部形成後に、ポリマーの薄膜を、基体ウェブに被覆しうる。いくつかの実施形態において、薄膜（例えば、ポリマーの薄膜）の厚さは、欠陥部の主寸法より薄い。例えば、薄膜の厚さは、欠陥部の主寸法の、約９０％以下、約８０％以下、約７０％以下、約６０％以下、約５０％以下、約４０％以下、約３０％以下、約２０％以下、約１０％以下、または、約５％以下である。欠陥部の主寸法は、基体ウェブ平面内の欠陥部の平均最大寸法として表しうる。例えば、基体ウェブ平面内の円形断面を有する欠陥部については、主寸法を、欠陥部の平均直径として表しうる。いくつかの実施形態において、薄膜は、誘電材料を含む。更に、または、その代わりに、薄膜は、被膜された基体ウェブへの更なる薄膜の接着を促進するように構成された接着層を含む。例えば、更なる薄膜は、（例えば、無電解金属化による）金属材料、誘電材料、または、他の機能性材料を含む。１つ以上の更なる処理アセンブリ１０６に続けて、上記のように、基体ウェブ１０３を最終スプール１０１Ｃへと巻く。その代わりに、１つ以上の更なる処理工程１０６を、レーザ処理アセンブリ１０２とエッチングアセンブリ１０４の間で行ってもよい。
【００３１】
レーザ処理アセンブリ１０２を、基体ウェブ１０３がレーザ処理アセンブリ１０２を通り抜ける時に、レーザ欠陥部を基体ウェブ１０３内に急速に形成できる、任意のレーザ処理システムとして構成してもよい。一例であり、限定するものではないレーザ穴あけ処理を、以下に記載し、図４Ａ、４Ｂおよび５に示す。
【００３２】
米国特許出願公開第２０１５／０１６６３９６号に記載され、その内容は、全体として参照により本明細書に組み込まれるように、概して、レーザビームを、ガラス基体などの基体ウェブのバルク中に位置決めされたレーザビーム焦線へと変形して、基体内に損傷線として構成された欠陥部を生成する。以下に記載の処理により、レーザを用いて、表面下損傷（７５μｍ未満、多くの場合、５０μｍ未満）および破片を非常に減らして、高度に制御された完全な線状損傷部を、１回の通過で生成しうる。これは、材料除去のための点集光レーザの典型的な利用とは対照的であり、そのような典型的な場合には、ガラスの厚さを完全に貫通するには、多数回の通過を必要とすることが多く、アブレーション処理から大量の破片が形成され、更に、より大きい表面下損傷部（１００μｍより大きい）および端部の欠けを生じる。
【００３３】
図４Ａおよび４Ｂを参照すると、材料をレーザ処理する方法は、パルス状レーザビーム２を、ビーム伝播方向に沿った向きのレーザビーム焦線２ｂに集光する工程を含む。この波長において、材料深さ１ｍｍ当たりの吸収が、約１０％未満、好ましくは、約１％未満の場合、基体１（つまり、基体ウェブ１０３）は、実質的にレーザ波長を透過するものである。図５に示すように、レーザ３（不図示）は、光学アセンブリ６に入射する部分２ａを有するレーザビーム２を出射する。光学アセンブリ６は、入射したレーザビームを、出射側で、ビーム方向に沿って画定された拡張範囲に亘って延伸したレーザビーム焦線２ｂ（長さｌの焦線）へと向ける。平らな基体１（つまり、基体ウェブ１０３）を、ビーム光路内に位置決めして、少なくとも部分的にレーザビーム２のレーザビーム焦線２ｂと重なるようにする。レーザビーム焦線を、このように基体に向ける。参照符号１ａは、光学アセンブリ６またはレーザに向いた、平らな基体の表面を指し、参照符号１ｂは、基体１の反対側の表面を指す。（この実施形態では、平面１ａおよび１ｂに、つまり、基体平面に垂直に測定した）基体または材料の厚さには、符号ｄを付与している。
【００３４】
図４Ａに示すように、基体１を、縦ビーム軸に垂直に、したがって、光学アセンブリ６によって生成された同じ焦線２ｂの後方側で位置合わせする（基体は、図面の紙面に垂直である）。焦線を、ビーム方向に沿って向けるか、または、位置合わせし、焦線２ｂが、基体の表面１ａより前で始まり、基体の表面１ｂより前で終わるように、つまり、焦線２ｂが基体内で終端し、表面１ｂを超えて延伸しないように、基体を焦線２ｂに対して位置決めする。レーザビーム焦線２ｂが基体１と重なる領域において、つまり、焦線２ｂによって覆われた基体材料において、（レーザビーム２を、長さｌの領域、つまり、長さｌの焦線に集光することによって、レーザビーム焦線２ｂに沿ったレーザ強度が、確実に適切になったと仮定した場合、）延伸したレーザビーム焦線２ｂは、（縦ビーム方向に沿って位置合わせされた）延伸領域２ｃを生成し、それに沿って、誘起吸収を基体材料に生じる。誘起吸収は、領域２ｃに沿って、基体材料に欠陥線を生成する。欠陥線は、１つの高エネルギーバーストパルスを用いた、基体内の微細な（例えば、直径が、１００ｎｍより大きく、０．５マイクロメートル未満の）細長い「穴」（穿孔または欠陥線とも称される）である。個々の欠陥線を、例えば、数百キロヘルツ（毎秒数十万の欠陥線）の速度で生成しうる。光源と基体との相対的動作で、これらの穴を互いに隣接して配置しうる（空間的な離間距離は、必要に応じて、１マイクロメートル以下からマイクロメートルで表した大きい値まで様々である）。欠陥線の形成は、局所だけではなく、誘起吸収が生じた延伸領域２ｃの全長に亘る。（レーザビーム焦線２ｂが基体１と重なる長さに対応する）領域２ｃの長さには、参照符号Ｌを付与している。誘起吸収領域２ｃ（または、基体１の材料に欠陥線形成が行われている領域）の平均直径または範囲には、参照符号Ｄを付与している。この平均範囲Ｄは、基本的に、レーザビーム焦線２ｂの平均直径δ、つまり、約０．１マイクロメートルと約５マイクロメートルの間の範囲の平均スポット直径に対応する。
【００３５】
図４Ａに示すように、（波長λのレーザビーム２を透過する）基体材料が、焦線２ｂ内の高強度レーザビームに関連した非線形効果による、焦線２ｂに沿った誘起吸収によって、加熱される。図４Ｂは、対応する誘起張力が、最終的には微小亀裂形成を引き起こすように、加熱された基体材料が膨張し、張力が表面１ａで最も高いことを示している。
【００３６】
レーザ源の選択は、透明な材料に多光子吸収（ＭＰＡ）を生成する能力に基づく。ＭＰＡは、分子を、１つの状態（通常は、基底状態）から、より高いエネルギー電子状態（イオン化）に励起するための、同一または異なる周波数の２つ以上の光子の同時吸収である。関わる分子の、より低い状態と、より高い状態のエネルギー差は、２つの光子のエネルギーの合計に等しいことがありうる。誘起吸収とも称されるＭＰＡは、３次の処理であり、例えば、線状吸収より、数桁も弱い。ＭＰＡは、誘起吸収の強度が、例えば、光強度自体に比例するのではなく、光強度の二乗または三乗に比例しうる点で、線状吸収と異なる。したがって、ＭＰＡは、非線形光学処理である。
【００３７】
焦線２ｂを生成するのに利用しうる代表的な光学アセンブリ６、および、これらの光学アセンブリを適用しうる代表的な光学セットアップを、以下に記載する。全てのアセンブリ、または、セットアップは、同一の構成要素または特徴物、若しくは、機能が等しい構成要素または特徴物には、同一の参照符号を用いるように、上記の記載を基にしている。したがって、相違点だけを、以下に記載する。
【００３８】
要求される開口数を実現するために、光学系は、一方では、所定の焦点距離について、既知のアッベの公式（Ｎ．Ａ．＝ｎ  ｓｉｎθ、但し、ｎ：処理すべきガラスまたは他の材料の屈折率、θ：開口角の半分であり、θ＝ａｒｃｔａｎ（Ｄ／２ｆ）、ここでは、Ｄ：口径、ｆ：焦点距離）による必要な開口部を有さなくてはならない。一方、レーザビームを、光学系を、必要な口径まで照射しなくてはならず、典型的には、ビーム幅を広げる望遠鏡をレーザと集光光学系の間に用いて、ビーム幅を広げることによって達成する。
【００３９】
焦線に沿って均一に相互作用させるためには、スポットサイズは、激しく変化すべきではない。これは、例えば、ビーム開口部、したがって、開口数のパーセントが、非常にわずかだけ変わるように、集光光学系を小さい円形領域のみで照射することによって、確実にすることができる（以下の実施形態を参照）。
【００４０】
図４Ａ（レーザ光２のレーザビーム光束の中心ビームの平面で基体平面に垂直な断面であり、ここでも、焦線２ｂ、または、誘起吸収の延伸領域２ｃが、基体の法線に平行となるように、レーザビーム２は、基体平面に垂直に入射し、つまり、入射角βは、０°である）によれば、レーザ３によって出射されたレーザ光２ａは、最初に、使用されたレーザ光に対し完全に不透明である円形開口部８に向けられる。開口部８は、縦ビーム軸に垂直に向き、中心が、図示したビーム光束２ａの中心ビーム上に位置する。ビーム光束２ａの中心近くのビーム光束、または、中心ビーム（ここでは、符号２ａＺを付与）が、開口部に当たり、開口部に完全に取り込まれるように、開口部８の直径を選択する。開口部の大きさがビーム直径と比べて小さいので、ビーム光束２ａの周縁範囲のビーム（周辺光線であり、ここでは、符号２ａＲを付与）だけは、取り込まれないが、それは、開口部８の横を通って、本実施形態では球面状にカットされた両凸レンズ７として設計された、光学アセンブリ６の集光光学要素の周辺領域に当たる。
【００４１】
図４Ａに示したように、レーザビーム焦線２ｂは、レーザビームについての１つだけの焦点ではなく、むしろ、レーザビーム中の異なる光線についての一連の焦点である。一連の焦点は、図４Ａに長さｌのレーザビーム焦線２ｂとして示した、画定された長さの細長い焦線を形成する。レンズ７は、中心が中心ビーム上に位置し、一般の球面カットされた形状の非補正両凸集光レンズとして設計される。そのようなレンズの球面収差は、有利でありうる。その代わりに、理想的に補正されたシステムを逸脱し、理想的な焦点を形成せずに、画定された長さの明瞭な細長い焦線を形成する、非球面またはマルチレンズシステム（つまり、１つの焦点を有するものではないレンズまたはシステム）も使用しうる。したがって、レンズのゾーンは、レンズ中心からの距離に応じて、焦線２ｂに沿って集光する。ビーム方向を横切る開口部８の直径は、（ビーム強度がピーク強度の１／ｅに低下するのに要する距離によって画定する）ビーム光束直径の略９０％であり、光学アセンブリ６のレンズ直径の略７５％である。ビーム光束を中心で遮断することによって生成した、収差補正されていない球面レンズ７の焦線２ｂを、このように用いる。図４Ａは、中心ビームを通る１つの平面内の領域を示しており、図示したビームを焦線２ｂの周りに回転すると、完全な三次元のビーム光束を見ることができる。
【００４２】
表面１ａ、１ｂの少なくとも１つが焦線２ｂによって覆われるように焦線２ｂを位置決めして、誘起吸収２ｃの領域が、少なくとも基体の１つの表面上で始まるようにするのは、有利でありうる。
【００４３】
米国特許出願公開第２０１５／０１６６３９６は、基体に特徴物を穴開けするためのレーザ焦線を生成するのに利用しうる、更なる実施形態を開示している。更に、レーザ焦線を使わない他のレーザ穴あけ方法も利用しうると理解すべきである。
【００４４】
ここで、図６Ａ〜６Ｃを参照すると、エッチングアセンブリ１０４によって提供される例示的なエッチング処理の概略を示している。上記のように、基体ウェブ１０３にレーザ穴開けされた特徴物を開口することができる、任意のエッチング処理を用いてもよい。最初に、図６Ａを参照すると、例示的なエッチングアセンブリ１０４’は、前進する基体ウェブ１０３を、スプレーエッチングによってエッチングするように構成されている。複数のノズル（不図示）は、エッチング液の複数のスプレー噴出物１０５を基体ウェブ１０３に向ける。図６Ａは、基体ウェブ１０３の両側のスプレー噴出物１０５を示しているが、実施形態は、基体ウェブ１０３の片側だけのスプレー噴出物１０５を向けるようにしてもよい。スプレー噴出物１０５の流体速度は、エッチングアセンブリ１０４’の長さおよび幅に沿って変わってもよい。流体速度、振動、パルス化、エッチャントの組成などのスプレーエッチング条件は、基体ウェブ１０３の１つの表面と他方の表面で異なっていてもよい。
【００４５】
エッチング液は、特に限定されず、基体ウェブ１０３の材料に依存するだろう。実験を行い、厚さ７０〜８０μｍ、幅１４０ｍｍおよび長さ１０ｍのニューヨーク州コーニングのコーニング社によって製造されたＥａｇｌｅＸＧ（登録商標）ガラスを、レーザ穴あけして、次に、直径１５０ｍｍのコア上に巻いた。エッチングアセンブリの両端には、巻上げスプールおよび巻解きスプールを設けた。エッチングアセンブリは、エッチング液を２０ｐｓｉ（約１３８ｋＰａ）の噴出圧力で、振動噴出した。エッチング用化学物質は、温度４２℃の３Ｍ  ＨＦおよび１Ｍ  Ｈ２ＳＯ４だった。ガラスシートが、エッチングアセンブリ内に３．５分間留まるように、ガラスシートを１６０ｍｍ／分の速度で前進させた。エッチング後に、厚さ５０μｍのポリエチレンナフレート（「ＰＥＮ」）フィルムを間紙材料として用いて、ガラスシートを直径１５０ｍｍのスプール上に再度巻いた。
【００４６】
図６Ｂは、水溶液エッチングを提供するエッチングアセンブリ１０４”の概略を示し、基体ウェブ１０３を、エッチング液に沈めている。上記のように、基体ウェブ１０３の特性に応じて、任意のエッチング液化学物質を使用してもよい。図６Ｂには示していないが、耐エッチャントローラをエッチングアセンブリ１０４”に備えて、基体ウェブ１０３が完全にエッチング液に沈むように、基体ウェブ１０３を下方に押してもよい。図６Ｂに示したように、超音波エネルギー、および／または、（形状１０７で示した）撹拌を、エッチング液、および／または、基体ウェブ１０３に加えて、特徴物のエッチングを更に促進してもよい。加えたエネルギーまたは撹拌は、基体ウェブ１０３の幅、長さ、または表面を横切る異なる方向に向けてもよい。
【００４７】
図６Ｃは、エッチングゾーン１０９Ａおよび１０９Ｂの形態で、多数のエッチングゾーンを備えたエッチングアセンブリ１０４”’の概略を示している。利用例に応じて、任意の数のエッチングゾーンを備えてもよいと理解すべきである。図示した実施形態において、エッチングゾーン１０９Ａは、水溶液エッチングゾーン（超音波エネルギーまたは撹拌を提供しても、しなくてもよい）であり、一方、次のエッチングゾーン１０９Ｂは、ドライエッチングゾーンである。図示したエッチングゾーン１０９Ａおよび１０９Ｂの代わりに、または、追加で、他のエッチングゾーンを備えてもよいと理解すべきである。例えば、エッチングゾーンは、スプレー処理、または、基体の浸漬処理を提供してもよい。
【００４８】
異なるエッチングゾーンは、異なる条件で、具体的に最適化してもよい。エッチング条件を急速に変えて、個々の基体シートをエッチングする一括処理は、実現が難しい。しかしながら、本明細書に記載の連続またはロールツーロール処理においては、基体ウェブ１０３がエッチングアセンブリ１０４を通って前進するにつれて、一連のスプレーノズルは、エッチング用組成物を変えて、水ですすぐ処理、温度変更、撹拌処理の追加または削除などを提供しうる。
【００４９】
上記のように、基体ウェブ１０３の各表面を、独立に処理してもよい。例えば、基体ウェブ１０３の両面を、同じに、または、異ならせてエッチングしてもよい。若しくは、他の構成において、基体ウェブ１０３の１つの表面だけをエッチングしてもよい。各表面を異ならせてエッチングできることで、第１の表面を深くエッチングし、他方の表面を浅くエッチングして、特徴物を同時に作製できる可能性がある。更に、これを使用して、１つ表面からは深くエッチングして貫通孔を生成するが、他方の表面には、浅いエッチングによる表面特徴物だけを生成しうる。更に、基体の各表面の処理は、時間をずらして行ってもよい。更に、エッチング条件を、基体の水平方向幅に亘って変えてもよい。
【００５０】
連続したエッチングは、特徴物の特性に影響するだけでなく、基体ウェブの縁部、および、全体的な機械的安定性にも影響する。基体ウェブの縁部のエッチングは、基体ウェブの傷を除去または削減でき、それによって、曲げ強度を高めうる。更に、縁部近くでのエッチングは、丸まった、先細の、または、厚さが変化する縁部輪郭を生成できる。エッチング処理は、基体ウェブの厚さを薄くすることも行う。この薄くする処理は、基体ウェブの幅に亘って均一でありうるか、または、機械的、切断、または素子の機能性のために、より薄い領域を基体ウェブ内に、より積極的に作製しうる。これらの変形は、基体表面に亘ってエッチング条件を変えることによって、または、遮蔽技術によって、可能である。
【００５１】
いくつかの実施形態において、基体ウェブ１０３を、（例えば、図１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、６Ａ、６Ｂおよび６Ｃに示すように）連続した処理で、レーザ処理アセンブリ、エッチングアセンブリ、または、更なる処理アセンブリの１つ以上に通すか、または、それらを通って前進させる。例えば、基体ウェブを、ロールツーロール処理で、レーザ処理アセンブリ、エッチングアセンブリ、または、更なる処理アセンブリの１つ以上に順次通す時に、基体ウェブ１０３の各端部は、スプールに取り付けられたままである。更に、例えば、基体ウェブを、ロールツーシート処理で、レーザ処理アセンブリ、エッチングアセンブリ、または、更なる処理アセンブリの１つ以上に順次通して、次に、分離して個々の区分を形成する時に、基体ウェブ１０３の１つの端部は、スプールに取り付けられたままである。
【００５２】
代わりの実施形態において、基体ウェブ１０３を、レーザ処理後に、個々の区分に分離してもよい。ロールツーロール処理ではなく、基体ウェブ１０３の個々の区分を、連続して、本明細書に記載のエッチングアセンブリに通してもよい。いくつかの実施形態において、基体ウェブ１０３は、巻き解いたシートとしてエッチングアセンブリ１０４に入り、次に、エッチングアセンブリに通された後に、スプールへと巻かれてもよい。
【００５３】
ここで、図７および８を参照すると、いくつかの実施形態において、基体ウェブ１０３を連続してエッチングアセンブリ１０４に通すことによってではなく、スプール１０１Ｄ全体を、レーザ処理の後に、スプールの形態でエッチングする。図７は、巻かれた基体ウェブ１０３の最終スプール１０１Ｄの一部の概略を示している。エッチング液が、基体ウェブ１０３の実質的に全ての表面に確実に届くように、基体ウェブ１０３の隣接した表面間には、間隙があるべきである。図７に示すように、耐エッチャント間紙層１１１を、基体ウェブ１０３の隣接した表面間に配置する。格子として構成するか、または、そうでない場合は開口部を有してもよい間紙層１１１は、基体ウェブ１０３の隣接した表面間に間隙を提供する。これにより、最終スプール１０１Ｄをエッチャント液に沈めた時に、エッチャント液が基体ウェブ１０３の表面間を流れるのを可能にする。間紙層１１１は、レーザ処理アセンブリ１０２の前または後で、加えてもよい。更に、最終スプール１０１Ｄは、複数の基体ウェブ、および、複数の間紙層も含んでもよい。
【００５４】
基体ウェブ１０３を、レーザ処理アセンブリ１０２に通し、最終スプール１０１Ｄ（または、図１Ａに示すように中間スプール１０１Ｂ）へと巻いた後に、矢印Ｂが示すように、基体ウェブ１０３をエッチングアセンブリ１１２内に置く。エッチング液化学物質およびエッチング持続時間は、基体ウェブ１０３の材料、および、望ましい特性（例えば、穴の直径、基体ウェブの厚さなど）に応じるだろう。結果的に得られる生成物は、スプールに巻かれた、特徴物が形成された基体ウェブである。エッチング後に、最終スプール１０１Ｄを清浄して（例えば、水清浄、または、プラズマ清浄）、および／または、更なる処理を行ってもよい。例えば、最終スプール１０１Ｄを容易に梱包して、更なる処理のために、他の施設へ出荷してもよい。
【００５５】
ここで、本明細書に記載の実施形態は、ガラスシート、ガラスセラミックシート、または、セラミックシートなどの可撓性基体ウェブ内に、連続したロールツーロールで、特徴物を作製すると理解すべきである。１つ以上の基体ウェブをスプールから巻き解いて、レーザ処理アセンブリに通し、そこで、レーザによって、１つ以上の基体ウェブに欠陥部を生成する。次に、１つ以上の基体ウェブを、連続してエッチングアセンブリに通して、１つ以上のガラス基体ウェブを化学的にエッチングして、欠陥部を開口して、望ましい寸法を有する特徴物にする。ロールツーロール連続処理は、従来の作製方法と比べて、処理工程数を削減し、スプールの形態で、基体ウェブを容易に取り扱うのを可能にする。
【００５６】
本明細書において、例示的な実施形態を記載したが、当業者は、添付の請求項が包含する範囲を逸脱することなく、形状および詳細において様々な変更が可能であると理解するだろう。
【００５７】
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
【００５８】
実施形態１  
基体ウェブに特徴物を作製する方法において、
前記基体ウェブを、第１のスプールから前進させる工程と、
前記基体ウェブを、レーザを含むレーザ処理アセンブリを通って前進させる工程と、
複数の欠陥部を、前記レーザを用いて、前記基体ウェブ内に生成する工程と、
前記基体ウェブを、エッチングアセンブリを通って前進させる工程と、
前記基体ウェブを、前記エッチングアセンブリにおいてエッチングして、複数の前記欠陥部において材料を除去し、それにより、複数の特徴物を該基体ウェブに形成する工程と、
前記基体ウェブを、最終スプールへと巻く工程と、
を含む方法。
【００５９】
実施形態２  
前記基体ウェブが、ガラス基体ウェブ、ガラスセラミック基体ウェブ、または、セラミック基体ウェブを含むものである、実施形態１に記載の方法。
【００６０】
実施形態３  
前記基体ウェブを、前記エッチングアセンブリを通って前進させる工程の前に、該基体ウェブを、中間スプールへと巻く工程を、
更に含む、実施形態１または２に記載の方法。
【００６１】
実施形態４  
前記基体ウェブを、前記中間スプールから前記エッチングアセンブリに向かって前進させる工程を、
更に含む、実施形態３に記載の方法。
【００６２】
実施形態５  
前記基体ウェブを、前記レーザ処理アセンブリを通って前進させる工程の後に、該基体ウェブを、形成された複数の欠陥部を有する１つ以上の更なる基体ウェブ、および、隣接した基体ウェブ間に配置された１つ以上の間紙層と共に巻き、それにより、第３の中間スプールを形成する工程を、
更に含む、実施形態３に記載の方法。
【００６３】
実施形態６  
前記基体ウェブ、１つ以上の前記間紙層、および、１つ以上の前記更なる基体ウェブを、前記エッチングアセンブリに向かって前進させる工程を、
更に含む、実施形態５に記載の方法。
【００６４】
実施形態７  
前記基体ウェブを、前記レーザ処理アセンブリから前記エッチングアセンブリに、直接前進させるものである、実施形態１から６のいずれか１つに記載の方法。
【００６５】
実施形態８  
前記第１のスプール、および、前記最終スプールを、連続して回転して、前記基体ウェブを前進させる工程を、
更に含む、実施形態１から７のいずれか１つに記載の方法。
【００６６】
実施形態９  
前記第１のスプールが、少なくとも１つの更なる基体ウェブを含むものである、実施形態１から８のいずれか１つに記載の方法。
【００６７】
実施形態１０  
前記第１のスプールが、前記基体ウェブと前記少なくとも１つの更なる基体ウェブの間に配置された少なくとも１つの間紙層を、更に含むものである、実施形態９に記載の方法。
【００６８】
実施形態１１  
前記基体ウェブを、前記最終スプールへと巻く工程の前に、該基体ウェブを、１つ以上の更なる処理アセンブリを通って前進させる工程を、
更に含む、実施形態１から１０のいずれか１つに記載の方法。
【００６９】
実施形態１２  
前記基体ウェブを、１つ以上の前記更なる処理アセンブリを通って前進させる工程は、該基体ウェブに、１つ以上の薄膜を被覆する工程を含む工程である、実施形態１１に記載の方法。
【００７０】
実施形態１３  
前記１つ以上の薄膜が、誘電材料を含むものである、実施形態１２に記載の方法。
【００７１】
実施形態１４  
前記基体ウェブが、３００μｍ未満の厚さを有するものである、実施形態１から１３のいずれか１つに記載の方法。
【００７２】
実施形態１５  
複数の前記欠陥部を、前記レーザを用いて、前記基体ウェブ内に生成する工程は、
前記レーザビームを、パルス化し、更に、ビーム伝播方向に沿った向きで前記基体ウェブ内へと向けられたレーザビーム焦線へ集光し、前記レーザビーム焦線は、該基体ウェブ内に誘起吸収を生じて、前記誘起吸収は、欠陥線形状の欠陥部を、該レーザビーム焦線に沿って、該基体ウェブ内に生成する工程と、
前記基体ウェブと前記レーザビームを、互いに平行移動させ、それにより、複数の前記欠陥部を形成する工程と、
を含む工程である、実施形態１から１４のいずれか１つに記載の方法。
【００７３】
実施形態１６  
前記エッチングアセンブリが、複数のエッチングゾーンを含むものである、実施形態１から１５のいずれか１つに記載の方法。
【００７４】
実施形態１７  
前記基体ウェブを、スプレーエッチング、水溶液エッチング、または、ドライエッチングのうち１つ以上のエッチング処理によってエッチングするように、前記エッチングアセンブリを構成したものである、実施形態１から１６のいずれか１つに記載の方法。
【００７５】
実施形態１８  
ガラス基体ウェブに特徴物を作製する方法において、
前記ガラス基体ウェブを、第１のスプールから、レーザを含むレーザ処理アセンブリを通って、連続して前進させる工程と、
複数の欠陥部を、前記レーザ処理アセンブリにおける前記レーザを用いて、前記ガラス基体ウェブ内に生成する工程と、
を含む、方法。
【００７６】
実施形態１９  
前記ガラス基体ウェブを、最終スプールアセンブリに向かって、連続して前進させる工程と、
前記ガラス基体ウェブ、および、該ガラス基体ウェブに隣接した間紙層を、前記最終スプールアセンブリにおける最終スプールへと巻く工程と、
を更に含む、実施形態１８に記載の方法。
【００７７】
実施形態２０  
前記ガラス基体ウェブを前記最終スプールへと巻きながら、該最終スプールをエッチングする工程を、
更に含む、実施形態１９に記載の方法。
【００７８】
実施形態２１  
前記ガラス基体ウェブを前記最終スプールへと巻いた場合に、該ガラス基体ウェブの第１の表面と第２の表面を分離するように、前記間紙層を構成したものである、実施形態１９または２０に記載の方法。
【００７９】
実施形態２２  
ガラス基体ウェブにおいて、
前記ガラス基体ウェブ内に配置された複数の貫通孔を有し、スプールへと巻いたものである、ガラス基体ウェブ。
【００８０】
実施形態２３  
前記ガラス基体ウェブは、３００μｍ未満の厚さを有するものである、実施形態２２に記載のガラス基体ウェブ。
【００８１】
実施形態２４  
被覆した薄膜を、
更に含む、実施形態２２または２３に記載のガラス基体ウェブ。
【００８２】
実施形態２５  
前記薄膜は、誘電材料を含むものである、実施形態２４に記載のガラス基体ウェブ。
【符号の説明】
【００８３】
１  基体
６  光学アセンブリ
１０１Ａ  第１のスプール
１０１Ｂ  中間スプール
１０１Ｃ、１０１Ｄ  最終スプール
１０２  レーザ処理アセンブリ
１０３  基体ウェブ
１０４、１０４’、１０４”、１０４’”、１１２  エッチングアセンブリ
１１０  特徴物
１１１  間紙層
【図１Ａ】
2018536276.tif 000003
【図１Ｂ】
2018536276.tif 000004
【図１Ｃ】
2018536276.tif 000005
【図２】
2018536276.tif 000006
【図３】
2018536276.tif 000007
【図４Ａ】
2018536276.tif 000008
【図４Ｂ】
2018536276.tif 000009
【図５】
2018536276.tif 000010
【図６Ａ】
2018536276.tif 000011
【図６Ｂ】
2018536276.tif 000012
【図６Ｃ】
2018536276.tif 000013
【図７】
2018536276.tif 000014
【図８】
2018536276.tif 000015
【国際調査報告】
2018536276.tif 000016
2018536276.tif 000017
2018536276.tif 000018