【事件の表示】
　平成１１年特許願第２０４８５７号「化合物半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　２月　９日出願公開、特開２００１−　３５７９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本願は、平成１１年７月１９日の出願であって、平成１６年４月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年５月１３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月２８日付けで手続補正がなされたものである。  
 　　  
２．平成１６年５月２８日付けの手続補正について  
 　［補正却下の決定の結論］  
　平成１６年５月２８日付けの手続補正を却下する。  
 　［理由］  
（１）本件補正の内容  
　平成１６年５月２８日付けの手続補正（以下本件補正という。）の内容は以下のとおりである。  
 　  
補正事項１
請求項１の  
「【請求項１】
　反応管内に化合物半導体基板を収納した後加熱し、該反応管内にIII族元素及びＶ族元素からなる原料を供給することにより目的とする素子構造のエピタキシャル層を上記化合物半導体基板上に成長させる化合物半導体装置の製造方法において、
上記エピタキシャル層の成長を行う直前に、上記化合物半導体基板の表面温度を４００〜９００℃とし、且つ、上記化合物半導体基板の表面に炭化水素を導入して上記化合物半導体基板の表面をクリーニングすることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。」を
「【請求項１】
　反応管内に化合物半導体基板を収納した後加熱し、該反応管内にIII族元素及びＶ族元素からなる原料を供給することにより目的とする素子構造のエピタキシャル層を上記化合物半導体基板上に成長させる化合物半導体装置の製造方法において、
　上記エピタキシャル層の成長を行う直前に、上記化合物半導体基板の表面温度を４００〜９００℃とし、且つ、上記化合物半導体基板の表面に炭化水素を導入して上記化合物半導体基板の表面をクリーニングする（但し、プラズマ処理する工程を含むものを除く。）ことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。」と補正する（以下「補正発明」という。）。
　
補正事項２  
 　明細書、第１１段落を、以下のように補正する。  
 「　　【００１１】
　　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために本発明の化合物半導体装置の製造方法は、反応管内に化合物半導体基板を収納した後加熱し、反応管内にIII族元素及びＶ族元素からなる原料を供給することにより目的とする素子構造のエピタキシャル層を化合物半導体基板上に成長させる化合物半導体装置の製造方法において、エピタキシャル層の成長を行う直前に、化合物半導体基板の表面温度を４００〜９００℃とし、且つ、化合物半導体基板の表面に炭化水素を導入して化合物半導体基板の表面をクリーニングする（但し、プラズマ処理する工程を含むものを除く。）ものである。」  
 　  
（２）補正内容の整理 
　補正事項１については、請求項１の記載において、「クリーニングする」の後に「（但し、プラズマ処理する工程を含むものを除く。）」を付加し、半導体基板の表面をクリーニングする工程を限定するから、限定的減縮と認められる。
　補正事項２については、補正事項１に整合させるために、補正事項２を補正するものであり、明瞭でない記載の釈明と認められる。  
 　  
（３）本件補正についての検討  
（３−１）補正事項１の独立特許要件について検討する。
（３−１−１）刊行物及びその記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に国内において頒布された刊行物である特開平５−１７０５９２号公報（以下、「刊行物」という。）には、図１〜図２が示されると共に、以下の事項が記載されている。
 　  
（ａ）請求項１、２に 
 「【請求項１】結晶成長室内に基板を設置し、該基板上に有機金属気相成長法によって化合物半導体結晶を成長する方法において、上記基板上に、一般式
ＣxＨyＸz
（式中、Ｘはハロゲン元素、ｘ、ｙ、ｚは整数を表わす）で示される炭化水素系ガスもしくはハロゲン元素を含む炭化水素系ガスを導入しプラズマを発生させて、上記基板表面をプラズマ処理する工程を少なくとも含むことを特徴とする化合物半導体結晶の成長方法。
【請求項２】請求項１において、炭化水素系ガスは、メタン、エタン、エチレンのうちより選ばれる少なくとも１種のガスを用いることを特徴とする化合物半導体結晶の成長方法。」 
（ｂ）第２段落に「・・・通常のＭＯＶＰＥ法では、III族元素の原料としてトリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、Ｖ族元素の原料としてアルシン（ＡsＨ３）、フォスフィン（ＰＨ３）を用い、大気圧あるいは数１０トール（水銀柱ミリメートル）程度の減圧下で原料を熱分解させ、ＩnＰ基板上にエピタキシャル成長させる。・・・」
（ｃ）第６段落に 
 「【実施例】以下に本発明の実施例を挙げ、図面を用いてさらに詳細に説明する。
＜実施例１＞図２は、本実施例において用いた化合物半導体結晶の成長装置の構成の一例を示す模式図である。通常のＭＯＶＰＥ装置に比べ、プラズマを発生させるための高周波誘導コイル２６と、炭化水素ガスを供給するためのメタンボンベ２７、減圧弁２８、マスフローコントローラ２９が付け加えられている。本実施例において、基板加熱は高周波誘導コイル２により行った。反応管１内の圧力を数トールまで下げ、高周波誘導コイル２６を発振させると、基板直上にプラズマが発生する。メタンボンベ２７からメタンを供給するとプラズマ中でメタンのラジカルが発生し、ＩnＰ基板４の表面がエッチングされる。・・・ メタンのプラズマで表面処理した後、ＩnＰ結晶を再成長させた。このサンプルについて、キャリア濃度分布を測定した結果、図１の（ｃ）に示すごとく、結晶再成長界面にキャリアの蓄積も欠乏もなく、理想的な界面特性を示していることが分かる。なお、基板加熱の方法を、サセプタ３に内蔵したヒータを用いる抵抗加熱方式を採用した場合においても上記と同様の結果が得られた。」 
（ｄ）第１０段落に 
 「【発明の効果】以上詳細に説明したごとく、本発明の化合物半導体結晶の成長方法によれば、半導体レーザや受光素子などの半導体素子の作製において、埋込み成長や加工した基板上への半導体結晶の再成長を行う場合に、基板表面を炭化水素系のガスまたはハロゲン元素を含む炭化水素系のガスのプラズマ処理を施すことにより、結晶再成長界面におけるキャリア濃度分布をほぼ均一に保持することも可能となるので半導体素子の特性を一段と向上させることができる。」 
　
（３−１−２）対比・判断 
　上記摘記事項（ａ）〜（ｄ）には  
 「結晶成長室内に基板を設置し、III族元素の原料としてトリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、Ｖ族元素の原料としてアルシン（ＡsＨ３）、フォスフィン（ＰＨ３）を用い、基板上にエピタキシャル成長させる化合物半導体結晶を成長する方法において、基板加熱を高周波誘導コイル２により行い、上記基板上に、炭化水素系ガスを導入しプラズマを発生させて、上記基板表面をプラズマ処理する工程を少なくとも含み、前記基板としてＩnＰ基板を用い、メタンのプラズマで表面処理した後、ＩnＰ結晶を再成長させる化合物半導体結晶の成長方法。」が記載されている（以下、刊行物発明という。）。 
　補正発明と刊行物発明とを対比すると、 
　刊行物発明において、「結晶成長室」、「基板」、「炭化水素系ガス」、「成長方法」は、各々本願発明の「反応管」、「化合物半導体基板」、「炭化水素」、「製造方法」に相当する。 刊行物発明によって形成された化合物半導体が、化合物半導体装置に相当することは明らかである。また、反応管内に化合物半導体基板を収納した後加熱すること、及び、エピタキシャル層の成長を行う直前にメタンのプラズマで表面処理することも明らかである。 　 
　よって、両者は、「反応管内に化合物半導体基板を収納した後加熱し、該反応管内にIII族元素及びＶ族元素からなる原料を供給することにより目的とする素子構造のエピタキシャル層を上記化合物半導体基板上に成長させる化合物半導体装置の製造方法において、上記エピタキシャル層の成長を行う直前に、上記化合物半導体基板の表面を加熱し、且つ、上記化合物半導体基板の表面に炭化水素を導入して上記化合物半導体基板の表面を処理する化合物半導体装置の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。 
 　  
　相違点１．  
　基板加熱の温度の範囲が、補正発明では、４００℃〜９００℃であるのに対し、刊行物発明では、明確な記載のない点。 
 　  
　相違点２．
　化合物半導体基板の表面を、補正発明では、クリーニングする（但し、プラズマ処理する工程を含むものを除く。）のに対して、刊行物発明は、メタンのプラズマでプラズマ処理している点。 
　
　上記相違点について検討する。  
　相違点１について 
　本件明細書には、４００℃、及び９００℃を選定した技術的根拠が記載されておらず、また、前記数値限定の範囲の内と外で、有利な効果において、質的及び量的に顕著な差異があることを示す具体的なデータの記載も存在しないから、前記４００℃、９００℃という値に臨界的な意義は認められない。とすれば、刊行物発明において、基板は高周波誘導加熱もしくは抵抗加熱で加熱されており、その温度を４００〜９００℃の範囲とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　　
　相違点２について
  本件明細書、第１９段落〜第２１段落において「エタンが反応管内で熱分解して活性化したメチルラジカルが生成される。・・・このメチルラジカルが基板表面に付着しているｎ型不純物（例としてシリコン）と反応して化２式に示すように有機シリコンが生成する。・・・有機シリコン自体はシリコン単体に比べ蒸気圧が非常に高くなるため、ガスの流れに伴って基板から離脱していく。」と記載されており、半導体基板表面のクリーニングにおいて、反応管内で炭化水素のラジカルが生成され、半導体基板表面と反応し、有機化合物を生成し、基板から離脱させることにより、不純物を減少させている。
　一方、刊行物発明の明細書において、「メタンボンベ２７からメタンを供給するとプラズマ中でメタンのラジカルが発生し、」（第６段落）と記載されている。両者は、ラジカルの発生方法が相違している。ここで、両者は、化合物半導体表面の不純物を除去するという同じ効果を奏していると認められ、また、ラジカルを用いて、化合物半導体表面をクリーニングまたはエッチングすること、及び、ラジカルの発生方法として熱分解やプラズマを用いることは周知（必要ならば特開平１０−２３３３６６号公報、第１４段落〜第１８段落参照）であるので、ラジカルの発生方法において、熱を用いるか、プラズマを用いるかは、必要とするラジカルの量や装置の構成に配慮し、当業者が適宜選択しうるものである。 
 　 　　  
（３−２）むすび  
　従って、当該補正発明は、刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、独立して特許を受けることができない。　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
 　  
３．本願発明について
（１）本願発明の認定  
　平成１６年５月２８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本件の請求項１及び２に係る発明は、平成１５年６月１３日付けの手続補正書により補正されたとおりのものであるところ、その請求項１に記載された発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。  
「　【請求項１】
　反応管内に化合物半導体基板を収納した後加熱し、該反応管内にIII族元素及びＶ族元素からなる原料を供給することにより目的とする素子構造のエピタキシャル層を上記化合物半導体基板上に成長させる化合物半導体装置の製造方法において、上記エピタキシャル層の成長を行う直前に、上記化合物半導体基板の表面温度を４００〜９００℃とし、且つ、上記化合物半導体基板の表面に炭化水素を導入して上記化合物半導体基板の表面をクリーニングすることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。」（以下、「本願発明」という。）  
 　  
（２）引用例
　これに対し、引用例には、前記２．（３−１−１）に示すとおりの記載がある。
　
（３）対比判断
　本願発明は、補正発明の「（但し、プラズマ処理する工程を含むものを除く。）」という限定が付加されていない請求項であるから、この限定がない上記２．（３−１−２）の理由が当然に当てはまるものである。よって、本願発明は、刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許を受けることができない。
  　  
４．むすび  
　以上のとおりであるから、本願は、特許法第２９条２項に規定する要件を満たしていないので、特許を受けることができないものであり、請求項２、３に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。