【事件の表示】
　平成６年特許願第５６３０６号「半導体ウエハの洗浄方法」拒絶査定不服審判事件〔平成７年１０月１３日出願公開、特開平７−２６３４０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願は、平成６年３月２５日の出願であって、その請求項１〜５に係る発明は、平成１７年１０月２６日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】　半導体ウエハ表面を洗浄するに当り、
　ウエハ表面上の自然酸化膜のエッチング処理と、該エッチング処理によって露出されたウエハ表面に対する撥水処理とを連続して行った後に、前記ウエハ表面を洗浄するものであって、
　前記撥水処理は、撥水処理剤として前記エッチング処理におけるエッチャントであるＨＦを用いて前記ウエハ表面に在る水滴の接触角が最低でも６０度となるまで行なうことを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。」
　
２．引用刊行物及びその摘記事項
　これに対し、当審の拒絶の理由に引用した本願の出願前に頒布された刊行物である特開昭６２−１７３７２０号公報（以下、「刊行物１」という。）、及び特開平４−３２００３０号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。
　
（１）刊行物１（特開昭６２−１７３７２０号公報）の摘記事項
（１ａ）「〔概要〕
　ウェハの洗浄装置で、ウェハを洗浄用薬液の蒸気で洗浄した後、容器からウェハを取出すことなく水蒸気で薬液を洗い落とし、次いで乾燥するようにしたものである。」（１頁左下欄１４〜１８行）
（１ｂ）〔従来の技術〕欄には、「自然酸化膜は大気中の酸素によってシリコンウェーハ表面が酸化されることにより形成されるが、一般にこの自然酸化膜は清浄な雰囲気で形成されないので、膜中に不純物を取り込んでおり、好ましくない。そこで熱処理前洗浄ではこの自然酸化膜を除去し清浄なシリコン表面を露出する工程がはいる。自然酸化膜を除去する方法としては通常フッ酸（ＨＦ）溶液が用いられているが、従来の方法は第２図に示すように、希釈ＨＦ溶液１中にウェーハ２を浸し、酸化膜溶解後、純水３でＨＦを洗い流し乾燥するというものである。」（１頁右下欄１６行〜２頁左上欄７行）
（１ｃ）「〔発明が解決しようとする問題点〕しかし従来法では、酸化膜溶解後活性化したシリコン表面に一旦溶けた不純物が再付着し、シリコンウェーハ表面の清浄度が上がらないという欠点があった。
　また、この問題を避けるためにＨＦの蒸気で洗浄しても、純水で洗い流すために容器外へウェハを取出すと、ウェハが汚染することが考えられる。」（２頁左上欄８〜１５行）
（１ｄ）「〔作用〕ウェハの洗浄薬液を蒸気にして供給した後、同じ容器内で水蒸気で薬液を洗い落とし乾燥させることができるので、ウェハに二次汚染をもたらす可能性を低減させることができる。」（２頁右上欄７〜１１行）
（１ｅ）「〔実施例〕　・・・
　本考案の一実施例を第１図に示す。これはシリコンウェーハをＨＦで除去する場合である。・・・。ウェーハ２２を容器２１に入れたら、バルブＢ，Ｄをあけ、ＨＦ蒸気２３でウェーハ２２表面に形成された酸化膜（図示せず）を溶解する。溶解された酸化膜はＨＦ溶液に含まれて、ウェーハ表面を伝わってウェーハから落下し除去される。
　酸化膜が除去され、ウェーハ表面が破水性になったらバルブＢを閉め、Ｃを開け、高純度の水蒸気２４により、ウェーハ表面及び容器内側に付着したＨＦを洗い流す。十分に水で置換したあとバルブＣを閉めバルブＡをあけ、・・・ウェーハ２２を乾燥させる。」（２頁右上欄１２行〜左下欄１２行）
　
（２）刊行物２（特開平４−３２００３０号公報）の摘記事項
（２ａ）「【０００７】【作用】・・・半導体ウェーハをウェーハ保持部に固定し、半導体ウェーハを収納部内に収納する。紫外線放射部をオフした状態で、純水供給口から超純水を供給し、排出口を開放し前記収納部を通水状態にする。紫外線放射部をオンし、半導体ウェーハの洗浄を行い、ウェーハ表面の有機成分を分解除去する。
　【０００８】・・・第２の観点においては、前記半導体ウェーハの洗浄時にウェーハ表面に紫外光を照射する工程によってウェーハ表面に紫外光を照射し、半導体ウェーハを超純水で洗浄する工程によって半導体ウェーハを洗浄し、表面の有機成分を分解除去する。」
（２ｂ）「【００２３】図３は、本発明に係るＨ２Ｏの接触角による洗浄効果の評価結果を示すグラフである。図３ａは、ＨＦ（ふっ化水素）の５％溶液処理したウェーハを洗浄した評価結果を示すグラフである。図３ｂは、ＨＦの５０％溶液処理ウェーハを洗浄した評価結果を示すグラフである。・・
　【００２４】この実験では、サンプルとして、未処理ウェーハと，トリクレン処理ウェーハと，ＨＦ（５％溶液）処理ウェーハ及びＨＦ（５０％溶液）処理ウェーハを用いた。図３のグラフにおいて、接触角（θ°Ｈ２Ｏ）が大きいほどウェーハの表面は疎水性で、接触角が小さいほどウェーハの表面は親水性である。
　・・・
　【００２６】この結果、図３のグラフより、ふっ酸処理や有機溶剤処理により疎水化されたウェーハ表面も本装置の処理により改質され、親水性の表面を容易に得ることが可能なことがわかる。・・」
（２ｃ）図３には、ａとしてＨＦ（ふっ化水素）の５％溶液処理したウェーハを洗浄した評価結果を示すグラフ、ｂとしてＨＦの５０％溶液処理ウェーハを洗浄した評価結果を示すグラフが示され、紫外線照射時間が０秒のとき、両者ともＨ２Ｏの接触角が７０度超であることが示されている。
　
３．対比・判断
　刊行物１には、従来の技術欄に、熱処理前洗浄ではこの自然酸化膜を除去し清浄なシリコン表面を露出する工程がはいること（摘記（１ｂ））、又ＨＦ蒸気でウェーハ表面に形成された酸化膜を溶解し、酸化膜が除去され、ウェーハ表面が破水性になったら、高純度の水蒸気により、ウエーハ表面に付着したＨＦを洗い流すこと（摘記（１ｅ））が記載されている。ここで、酸化膜が除去され、ウェーハ表面が破水性になるということは、この自然酸化膜の除去処理によりウェーハ表面が露出して破水性になることであるから、除去処理の最終段階では、破水処理、すなわち撥水処理に相当する処理がなされているものと認められる。
　そうすると、刊行物１の摘記事項を総合すると、刊行物１には、「ウェーハ表面を洗浄するに当たり、ＨＦ蒸気でウェーハ表面上の自然酸化膜の除去処理と、除去処理の最終段階で、露出したウェーハ表面に対する撥水処理とを連続して行いウェーハ表面が撥水性になったら、高純度の水蒸気によりウェーハ表面を洗浄するものであって、撥水処理は、除去処理におけるＨＦ蒸気を用いて行うウェーハの洗浄方法」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていることになる。
　そこで、本願発明と刊行物１発明とを対比する。
　刊行物１発明でのウェーハ表面上の自然酸化膜の「除去処理」は、本願発明でのウェーハ表面上の自然酸化膜の「エッチング処理」に相当しているから、両者は、「半導体ウエハ表面を洗浄するに当り、ウエハ表面上の自然酸化膜のエッチング処理と、該エッチング処理によって露出されたウエハ表面に対する撥水処理とを連続して行った後に、前記ウエハ表面を洗浄するものであって、前記撥水処理は、撥水処理剤として前記エッチング処理におけるエッチャントであるＨＦを用いて行なう半導体ウエハの洗浄方法」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点：撥水処理について、本願発明ではウエハ表面に在る水滴の接触角が最低でも６０度となるまで行なうこととしているのに対し、刊行物１発明ではこの点が記載されていない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　刊行物２には、半導体ウェーハの洗浄時にウェーハ表面に紫外光を照射する工程によってウェーハ表面に紫外光を照射し、半導体ウェーハを超純水で洗浄する工程によって半導体ウェーハを洗浄し、表面の有機成分を分解除去に関する発明（摘記（２ａ））が記載されているが、特に、図３には、紫外線照射時間ゼロ時間において、５％ＨＦ溶液または５０％ＨＦ溶液処理したウエーハのＨ２Ｏの接触角が７０度超であり（摘記（２ｃ））、接触角が大きいほどウエーハの表面は疎水性であること（摘記（２ｂ）段落【００２４】）が記載されている。このことは、ＨＦ処理したウエーハのＨ２Ｏの接触角が７０度超であり、その結果ウエーハの表面が疎水性になっていることを意味している。
　また、ＨＦ処理したウエーハのＨ２Ｏの接触角が７０度超であり、その結果ウエーハの表面が疎水性になっていることは、特開平４−１０２３２３号公報の５頁右下欄１〜１４行に、希釈フッ化水素酸でエッチング処理してシリコン酸化物層を除去させた、自然シリコン酸化膜層が全く未だ生成されていないシリコン表面上の純水液滴の接触角は８０°であることが示されているように周知のことである。
　そうすると、刊行物２の記載ないし上記周知技術のように、通常疎水性のウエーハ表面におけるＨ２Ｏの接触角は７０度超であって、刊行物１発明においては、ＨＦ蒸気を用いて自然酸化膜を除去し、ウエーハ表面が露出して撥水性となっているのであるから、その撥水性の程度をウエーハ表面の水滴の接触角が最低でも６０度となるまで撥水処理を行うこととすることは当業者ならば容易に想到し得ることである。しかも、このような撥水処理を行うことで、ウォーターマークは当然に減少しているものと認められる。
　
　したがって、本願発明は、刊行物１、２に記載された発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項２〜５に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。