【事件の表示】
　平成７年特許願第１６０２１１号「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成９年１月１７日出願公開、特開平９−１７８３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯 
　本願は、平成７年６月２７日の出願であって、平成１５年７月２５日付で拒絶理由通知がなされ、同年９月２９日付で意見書及び手続補正書が提出され、平成１５年７月２５日付拒絶理由通知書に記載した理由によって、同年１１月５日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月１１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１２月１９日付で手続補正書が提出されたものである。 
 　　 
［２］平成１５年１２月１９日付手続補正についての補正却下の決定
　　　
＜補正却下の決定の結論＞
　平成１５年１２月１９日付手続補正を却下する。
　　
＜理由＞
［２−１］補正の内容 
　平成１５年１２月１９日付手続補正は、特許請求の範囲を、
「【請求項１】ウェハーの上に形成された複数個の半導体デバイスと、
　バーンインのための電源電圧及び接地電圧がそれぞれ供与される外部電源電圧パッド及び外部接地電圧パッドと、
　前記複数個の半導体デバイスに共通に前記ウェハーの上に形成され、かつ前記外部電源電圧パッドに接続されたウェハー状態でバーンインを行うための電源電圧配線と、
　前記複数個の半導体デバイスに共通に前記ウェハーの上に形成され、かつ前記外部接地電圧パッドに接続されたウェハー状態でバーンインを行うための接地電圧配線とを備え、
　前記複数個の半導体デバイスは、各デバイスに内部電源電圧パッドと内部接地電圧パッドとを有し、
　前記複数個の半導体デバイスの各デバイスにおいて、
　前記内部電源電圧パッドは、ゲートが制御可能な第１のトランジスタを介して前記ウェハー状態でバーンインを行うための電源電圧配線に接続され、
　前記内部接地電圧パッドは、ゲートが制御可能な第２のトランジスタを介して前記ウェハー状態でバーンインを行うための接地電圧配線に接続され、
　前記各デバイスの第１のトランジスタは各デバイスごとに個別に制御可能な構成であり、
　前記各デバイスの第２のトランジスタは各デバイスごとに個別に制御可能な構成であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】前記第１のトランジスタのゲートは、ヒューズ素子を介して、前記ウェハー状態でバーンインを行うための電源電圧配線又はウェハー状態でバーンインを行うための接地電圧配線に接続されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】前記第２のトランジスタのゲートは、ヒューズ素子を介して、前記ウェハー状態でバーンインを行うための電源電圧配線又は前記ウェハー状態でバーンインを行うための接地電圧配線に接続されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】前記第２のトランジスタのゲートは、ヒューズ素子を介して、前記内部接地電圧パッドに接続されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】前記内部電源電圧パッドに接続された配線に対して、前記第１のトランジスタを含む複数のトランジスタを介して、前記ウェハー状態でバーンインを行うための電源電圧配線に接続されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】前記内部接地電圧パッドに接続された配線に対して、前記第２のトランジスタを含む複数のトランジスタを介して、前記ウェハー状態でバーンインを行うための接地電圧配線に接続されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】前記ウェハー状態でバーンインを行うための電源電圧配線及び前記ウェハー状態でバーンインを行うための接地電圧配線は、前記ウェハーの上に格子状に構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】前記ウェハー状態でバーンインを行うための電源電圧配線及び前記ウェハー状態でバーンインを行うための接地電圧配線は、前記複数個の半導体デバイスの外部を通過するように構成されていることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】前記ウェハー状態でバーンインを行うための電源電圧配線及び前記ウェハー状態でバーンインを行うための接地電圧配線は、前記複数個の半導体デバイスの内部を通過するように構成されていることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。」とする補正を含むものである。
 　　 
［２−２］補正の目的
　請求項１は、補正前の請求項１を、「前記内部電源電圧パッドは、・・・」の前に「前記複数個の半導体デバイスの各デバイスにおいて、」を付加し、また、「接地電圧配線に接続され」の後に「、前記各デバイスの第１のトランジスタは各デバイスごとに個別に制御可能な構成であり、前記各デバイスの第２のトランジスタは各デバイスごとに個別に制御可能な構成である」を付加して限定したものに該当し、
　請求項２〜９は、上記請求項１を引用する請求項、又はそれを更に引用する下位の請求項に該当する。
　したがって、請求項１〜９は、いずれも特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　　
［２−３］独立特許要件 
　次いで、上記の特許請求の範囲の減縮を目的とする補正後の請求項１〜９に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。 
 　　 
（１）補正後の本願発明 
　上記補正後の請求項１〜９に係る発明（以下、「本願補正発明１」〜「本願補正発明９」という。）は、平成１５年１２月１９日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された、上記［２−１］の【請求項１】〜【請求項９】に記載したとおりのものと認める。
　　 
（２）引用刊行物の記載事項 
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用した、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１−２２７４６７号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、第１図、第２図が示されるとともに、以下の事項が記載されている。 
　　
（ａ）「（１）各チップを互いに電気的に接続する信号ラインを有するウエハバーンイン用ウエハの半導体集積回路において、上記信号ラインと、各チップ内部の内部信号ラインとの間に、ゲート電位をチップ内部及び外部よりコントロール可能なトランジスタを設けたことを特徴とする半導体集積回路。」（特許請求の範囲）、
（ｂ）実施例として、「まずバーンイン前のウエハテストについて第１図に用いて説明する。
　外部測定装置（図示せず）に接続された固定プローブ針（図示せず）でチップ２のパッド８ａ，８ｂ，９，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及びその他の必要パッド（図示せず）へプロービングする。外部測定装置によりパッド８ａに電源電圧、パッド８ｂ及びパッド９をＧＮＤ、パッド１１ａに“Ｈ”レベルをあたえる。上記条件のもとでは該チップのトランジスタ１０はオフ状態であるため、パッド８ａとパッド９との間に電流は流れずチップ２の試験が可能である。試験結果、該チップが良品であれば直ちに次のチップへ移動し、不良品であれば、パッド１１ａとパッド１１ｂとの間に外部測定装置により大電流（例えば１００ｍＡ）を流してパッド１１ａとパッド１１ｂとの間の細いアルミパターンを溶断させた後、次のチップへ移動する。」（第２頁左下欄１７行〜第２頁右下欄１４行）
（ｃ）「次に、バーンインについて説明する。
　バーンインにおける電源電圧は第２図の電源給電パッド５ａから、第１図のバーンイン用電源ライン４ａ、チェック用パッド９を介してトランジスタ１０のドレインに供給される。またバーンインのＧＮＤ電圧は第２図のＧＮＤ給電パッド５ｂから第１図のバーンイン用ＧＮＤライン４ｂを介してチップ２に供給される。この場合チップ２がバーンイン前の試験で良品判定されていたものであれば、トランジスタ１０のゲート電位は抵抗１２ａ，抵抗１２ｂの比により決定される。ここでは抵抗１２ａに比して抵抗１２ｂの方が抵抗値が十分大きいためゲート電位は“Ｌ”レベルとなりトランジスタ１０はオン状態となる。そのためバーンイン電圧はトランジスタ１０を通してチップの電源パッド８ａへ供給される。
　一方該チップがバーンイン前の試験で不良品判定されていたものであれば、パッド１１ａとパッド１１ｂとの間は溶断されているため、トランジスタ１０のゲート電位は“Ｈ”レベルとなりトランジスタ１０はオフ状態となる。そのためバーンイン電圧はチップ２の電源パッド８ａに供給されず電流は全く流れない。以上により該ウエハの全良品チップのみのバーンインが可能となる。」（第２頁右下欄１５行〜第３頁左上欄１８行）が記載されている。
　　
（３）対比・判断
（３−１）本願補正発明１について
　摘記（ｃ）の「バーンインにおける電源電圧は第２図の電源給電パッド５ａから、第１図のバーンイン用電源ライン４ａ、チェック用パッド９を介してトランジスタ１０のドレインに供給される。またバーンインのＧＮＤ電圧は第２図のＧＮＤ給電パッド５ｂから第１図のバーンイン用ＧＮＤライン４ｂを介してチップ２に供給される。・・・バーンイン電圧はトランジスタ１０を通してチップの電源パッド８ａへ供給される。」との記載、及び第１図、及び第２図によれば、引用刊行物には、複数個のチップに分割される各チップ毎の集積回路（以下、「チップ」という。）、各チップ毎の電源パッド及びＧＮＤパッド、各チップに共通のバーンイン用電源給電パッド及びＧＮＤ給電パッド、該電源給電パッドと各チップを接続するバーンイン用電源ライン、該ＧＮＤ給電パッドと各チップを接続するバーンイン用ＧＮＤラインがウエハ上に夫々設けられていること、そして、バーンイン用の電源電圧が、上記電源給電パッドからバーンイン用電源ラインを通り、各チップのトランジスタを介して各チップの上記電源パッドに供給され、またバーンイン用のＧＮＤ電圧が、上記ＧＮＤ給電パッドから上記バーンイン用ＧＮＤラインを通り、各チップの上記ＧＮＤパッドに供給されることが明らかである。
　また、摘記（ｂ）の「チップが良品であれば直ちに次のチップへ移動し、不良品であれば、パッド１１ａとパッド１１ｂとの間に外部測定装置により大電流（例えば１００ｍＡ）を流してパッド１１ａとパッド１１ｂとの間の細いアルミパターンを溶断させた後、次のチップへ移動する。」、及び摘記（ｃ）の「ゲート電位は“Ｌ”レベルとなりトランジスタ１０はオン状態となる。そのためバーンイン電圧はトランジスタ１０を通してチップの電源パッド８ａへ供給される。一方該チップがバーンイン前の試験で不良品判定されていたものであれば、パッド１１ａとパッド１１ｂとの間は溶断されているため、トランジスタ１０のゲート電位は“Ｈ”レベルとなりトランジスタ１０はオフ状態となる。そのためバーンイン電圧はチップ２の電源パッド８ａに供給されず電流は全く流れない。」との記載によれば、上記トランジスタは、それらのゲート電位を個別に制御することにより、各チップ毎に個別に制御可能であることが明らかである。
　そして、上記の事項を総合すると、引用刊行物には、「ウエハ上に複数個のチップ、各チップに共通のバーンイン用電源給電パッド及びＧＮＤ給電パッド、該電源給電パッドと各チップを接続するバーンイン用電源ライン、該ＧＮＤ給電パッドと各チップを接続するバーンイン用ＧＮＤラインを形成し、各チップ毎に電源パッドとＧＮＤパッドとトランジスタとを夫々設け、バーンイン用の電源電圧が、上記電源給電パッドからバーンイン用電源ラインを通り、各チップのトランジスタを介して上記各チップの電源パッドに供給され、またバーンイン用のＧＮＤ電圧が、上記ＧＮＤ給電パッドから上記バーンイン用ＧＮＤラインを通り、上記各チップのＧＮＤパッドに供給され、上記トランジスタは、それらのゲート電位を個別に制御することにより、各チップ毎に個別に制御可能である半導体集積回路」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 
　そこで、本願補正発明１と引用発明とを対比すると、引用発明における「ウエハ」、「チップ」、「電源給電パッド」、「ＧＮＤ給電パッド」、「バーンイン用電源ライン」、「バーンイン用ＧＮＤライン」、「電源パッド」、「ＧＮＤパッド」、「トランジスタ」、「半導体集積回路」は夫々、本願補正発明１における「ウェハー」、「半導体デバイス」、「外部電源電圧パッド」、「外部接地電圧パッド」、「電源電圧配線」、「接地電圧配線」、「内部電源電圧パッド」、「内部接地電圧パッド」、「第１のトランジスタ」、「半導体装置」に相当する。
　そうすると、両者は、「ウェハーの上に形成された複数個の半導体デバイスと、バーンインのための電源電圧及び接地電圧がそれぞれ供与される外部電源電圧パッド及び外部接地電圧パッドと、前記複数個の半導体デバイスに共通に前記ウェハーの上に形成され、かつ前記外部電源電圧パッドに接続されたウェハー状態でバーンインを行うための電源電圧配線と、前記複数個の半導体デバイスに共通に前記ウェハーの上に形成され、かつ前記外部接地電圧パッドに接続されたウェハー状態でバーンインを行うための接地電圧配線とを備え、前記複数個の半導体デバイスは、各デバイスに内部電源電圧パッドと内部接地電圧パッドとを有し、前記複数個の半導体デバイスの各デバイスにおいて、前記内部電源電圧パッドは、ゲートが制御可能な第１のトランジスタを介して前記ウェハー状態でバーンインを行うための電源電圧配線に接続され、前記内部接地電圧パッドは、前記ウェハー状態でバーンインを行うための接地電圧配線に接続され、前記各デバイスの第１のトランジスタは各デバイスごとに個別に制御可能な構成である半導体装置」の点で一致し、次の点で相違する。
（イ）本願補正発明１では、各半導体デバイスにおいて、内部接地電圧パッドは、ゲートが制御可能な第２のトランジスタを介して接地電圧配線に接続され、第２のトランジスタは各デバイスごとに個別に制御可能な構成であるのに対し、引用発明では、第２のトランジスタに相当するものが見当たらない点。
　　　
　そこで、上記相違点（イ）について以下検討するに、ウェハー上に多数形成される各半導体デバイスにおいて、内部電源電圧パッドと電源電圧配線間に設けられるトランジスタと同様のトランジスタを、内部接地電圧パッドと接地電圧配線間にも設け、該接地電圧側のトランジスタを該電源電圧側のトランジスタと同様に制御することが本願出願前周知であるから（例えば、特開平５−１２１５０２号公報，段落【００１４】〜【００１６】，【図１】，【図２】；特開昭６１−８７３４９号公報，特許請求の範囲，第３頁左上欄１３〜１８行，第４頁左下欄１８〜２０行参照）、引用発明における各チップのＧＮＤパッドとバーンイン用ＧＮＤライン間にも、電源パッドとバーンイン用電源ライン間に設けられているトランジスタと同様のトランジスタを設け、該ＧＮＤ側のトランジスタも、該電源側のトランジスタと同様に個別に制御可能な構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、上記相違点（イ）に係る本願補正発明１の特定事項によってもたらされる効果も、引用刊行物の記載及び上記周知の技術から当業者が普通に予測し得る程度のものであって、格別なものとはいえない。 
 　　 
　したがって、本願補正発明１は、引用刊行物に記載された発明及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
 　　 
（４）むすび 
　以上のとおり、本願補正発明１が特許出願の際独立して特許を受けることができないため、本願補正発明２〜９について検討するまでもなく、本件補正は、平成６年法改正前の特許法第１７条の２第４項で準用する同法第１２６条第３項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　　 
［３］本願発明 
　平成１５年１２月１９日付手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１〜９に係る発明は、平成１５年９月２９日付手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜９に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は以下のとおりである。
「【請求項１】ウェハーの上に形成された複数個の半導体デバイスと、
　バーンインのための電源電圧及び接地電圧がそれぞれ供与される外部電源電圧パッド及び外部接地電圧パッドと、
　前記複数個の半導体デバイスに共通に前記ウェハーの上に形成され、かつ前記外部電源電圧パッドに接続されたウェハー状態でバーンインを行うための電源電圧配線と、
　前記複数個の半導体デバイスに共通に前記ウェハーの上に形成され、かつ前記外部接地電圧パッドに接続されたウェハー状態でバーンインを行うための接地電圧配線とを備え、
　前記複数個の半導体デバイスは、各デバイスに内部電源電圧パッドと内部接地電圧パッドとを有し、
　前記内部電源電圧パッドは、ゲートが制御可能な第１のトランジスタを介して前記ウェハー状態でバーンインを行うための電源電圧配線に接続され、　前記内部接地電圧パッドは、ゲートが制御可能な第２のトランジスタを介して前記ウェハー状態でバーンインを行うための接地電圧配線に接続されていることを特徴とする半導体装置。」
　　 
［４］引用刊行物の記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用した引用刊行物には、上記［２−３］（２）の欄に摘記した事項が記載されている。 
 　　 
［５］対比・判断 
　本願発明１は、上記［３］で認定したとおり、本願補正発明１における、「前記複数個の半導体デバイスの各デバイスにおいて、」、及び「前記各デバイスの第１のトランジスタは各デバイスごとに個別に制御可能な構成であり、前記各デバイスの第２のトランジスタは各デバイスごとに個別に制御可能な構成である」を削除したものである。
　そうすると、本願発明１の構成を全て含み、更に他の構成を付加したものに相当する本願補正発明１が、上記［２−３］（３−１）の欄で説示したとおり、引用刊行物に記載された発明及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１についても、同様の理由により、引用刊行物に記載された発明及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
［６］むすび 
　以上のとおり、本願発明１は、引用刊行物に記載された発明及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　また、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、本願の請求項２〜９に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。