【事件の表示】
　特願２０００−３４１９３８「パターン形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　５月２４日出願公開、特開２００２−１５１３８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１２年１１月９日の出願であって、平成１６年６月１０日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年７月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年８月２日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年８月２日付の手続補正（審判請求時の補正）の適否
（１）　補正の内容
　ａ．平成１６年３月１１日付の手続補正書に記載された特許請求の範囲の請求項１の「レジスト膜を２０℃≦Ｔ１（℃）＜Ｔ２（℃）−１０℃の条件の温度Ｔ１（℃）（ただし、Ｔ２（℃）はレジスト膜の熱軟化開始温度）で第２の熱処理を行う」を、「レジスト膜を２０℃から前記レジスト膜の熱軟化開始温度より１０℃低い温度の範囲で第２の熱処理を行う」と補正する。
　ｂ．平成１６年３月１１日付の手続補正書に記載された特許請求の範囲の請求項２を削除し、請求項３ないし６をそれぞれ請求項２ないし５に繰り上げる。
　ｃ．上記特許請求の範囲の請求項１の補正に伴い、明細書の【課題を解決するための手段】を特許請求の範囲に整合させる。
　
（２）　補正の目的の適否、新規事項の有無
　補正事項ａ及びｃについて
　上記補正事項ａ及びｃは、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、また、補正事項ａ及びｃは、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものである。
　補正事項ｂについて
　補正事項ｂは、補正前の請求項２を削除するものであるから、請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（３）　むすび
　平成１６年８月２日付の手続補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項の規定に適合する。
　
３．本願発明について
（１）平成１６年８月２日付の手続補正は上記のとおり適法なものであるから、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１６年８月２日付けで補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
【請求項１】
「被エッチング膜の上に膜厚の異なる薄レジストパターンおよび隣接する厚レジストパターンからなるレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記被エッチング膜をその表面からその膜厚全体に渡って除去する工程と、前記レジストパターンをその表面から一様にエッチングして前記薄レジストパターンが除去された時点でエッチングを停止して、前記レジストパターンのうち厚レジストパターンの一部を前記被エッチング膜上に残して前記厚レジストパターンを残存レジストパターンとする工程と、前記残存する厚レジストパターンをマスクとして前記薄レジストパターンが除去された部分の前記被エッチング膜をエッチングする工程とを有するパターン形成方法であって、前記レジストパターンを形成する工程が、前記被エッチング膜の上にポジ型のレジスト膜を塗布し、前記レジスト膜に第１の熱処理を施した後、前記レジスト膜のうち前記レジストパターンが形成されない領域のレジスト膜が第１の露光量で、前記レジスト膜のうち薄レジストパターンの形成予定領域が前記第１の露光量よりも少ない第２の露光量でそれぞれ選択的に露光され、続いて、前記レジスト膜を現像し、前記レジストパターンを形成後、前記レジスト膜を２０℃から前記レジスト膜の熱軟化開始温度より１０℃低い温度の範囲で第２の熱処理を行うことを特徴とするパターン形成方法。」
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された引用例
引用例１；特開平１１−３０７７８０号公報　
（２）．１　引用例１の記載事項
　引用例１の明細書には、以下の記載がある。
記載Ａ
「【００２２】次に、全面にポジ形のレジスト膜６を公知のフォトリソグラフィ技術で形成する。…そして、図１（ａ）に示すように遮光部８と半透光部９を有するレチクル７をマスクにして、レジスト膜６を露光照射光１０で露光する。この露光後に、レジスト膜６を通常の方法でもって現像する。」
　
記載Ｂ　　
【００２３】このような遮光部と半透光部を有するレチクルの例について図３を参照して説明する。…
【００２４】図３（ｂ）に示す例では、レチクル基板７ａ上に、例えばクロム金属で遮光部８が所定のパターンに形成される。そして、半透光部となる領域のクロム金属がエッチングされ薄膜部８ａが形成されている。この場合には、上記のクロム金属の薄膜部８ａの形成されている領域で、露光照射光の半分程度が透過するように設定される。このようにして、半透光部が形成されることになる。…」
　
記載Ｃ
【００２６】以上のようにして、図１（ｂ）に示すように、ｎ+アモルファスシリコン膜５上に第１のレジストマスクすなわちレジストマスク１１を形成する。ここで、レジストマスク１１にはレジスト凹部１２が形成される。…図１（ｂ）の工程でレジスト凹部１２が形成されるのは、上記のようなレチクルが使用されるために、露光照射工程でレジスト膜６に照射される光量が低減するからである。」
　
記載Ｄ
【００２７】次に、Ｃｌ2とＨＢｒの混合ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）技術で、レジストマスク１１を用いて、上記のｎ+アモルファスシリコン膜５とアモルファスシリコン膜４とを順次に加工する。そして、図１（ｃ）に示すように、島状の半導体層すなわち島状のアモルファスシリコン層１３および島状のｎ+アモルファスシリコン層１４を形成する。」
　
記載Ｅ
【００２８】次に、図１（ｃ）の状態でＯ2に微量のＳＦ6を添加した反応ガス中でのＲＩＥを行う。このようにして、レジストマスク１１の表面部を異方性エッチングで除去していく。そして、図２（ａ）に示すように、レジスト凹部１２のレジスト膜が無くなるようにし、ｎ+アモルファスシリコン層１４を露出させる。ここで、図１（ｃ）で示したレジストマスク１１は図２（ａ）に示すようなレジストマスク１１ａすなわち第２のレジストマスクに変換される。」
　
記載Ｆ
【００２９】次に、上記のレジストマスク１１ａをエッチングマスクにし、ＳＦ6、ＨＣｌとＨｅの混合ガスを反応ガスとするＲＩＥでｎ+アモルファスシリコン層１４の露出した領域をドライエッチングする。このようにして、オーミックコンタクト層１５を形成する。さらに、同様なＲＩＥで、アモルファスシリコン層１３表面をエッチングし、図２（ｂ）に示すように、チャネル掘込み部１６を形成する。…」
　
　引用例１に記載された図１（ａ）ないし図２（ｂ）及び図３（ａ）、（ｂ）は以下のとおりである。
　
（２）．２　引用例１の記載からの認定事項
ア．上記引用例１の記載Ｃ及び図１（ｂ）を参照すると、引用例１には、ｎ+アモルファスシリコン膜５上にレジストマスク１１が形成され、当該レジストマスク１１に、膜厚が薄いレジスト凹部１２、及び膜厚が厚い部分が前記膜厚が薄いレジスト凹部１２に隣接して形成される工程が記載されている。
　
イ．上記引用例１の記載Ｄ及び図１（ａ）〜（ｃ）を参照すると、引用例１には、レジストマスク１１を用いて、上記図１（ａ）に示すｎ+アモルファスシリコン膜５とアモルファスシリコン膜４とを順次に膜厚全体に渡って除去し、図１（ｃ）に示すように、島状のアモルファスシリコン層１３および島状のｎ+アモルファスシリコン層１４が形成される工程が記載されている。
　
ウ．上記引用例１の記載Ｅ及び図１（ｃ）、図２（ａ）を参照すると、引用例１には、図１（ｃ）の状態でＯ2に微量のＳＦ6を添加した反応ガス中でのＲＩＥを行い、レジストマスク１１の表面部を異方性エッチングで除去し、レジスト凹部１２のレジスト膜が無くなるようにし、ｎ+アモルファスシリコン層１４を露出させ、レジストマスク１１ａを残存させる工程が記載されている。
　なお、レジスト凹部１２のレジスト膜が無くなるようにした時点でエッチングを停止することは、図２（ａ）及びｎ+アモルファスシリコン層１４を次の工程でエッチングすることからみて明らかである。
　また、レジストマスク１１が、その表面から一様にエッチングされることは、ＲＩＥを用いた異方性エッチングであることから明らかである。
　
エ．上記引用例１の記載Ｆ及び図２（ｂ）を参照すると、引用例１には、レジストマスク１１ａをエッチングマスクにし、ＳＦ6、ＨＣｌとＨｅの混合ガスを反応ガスとするＲＩＥでｎ+アモルファスシリコン層１４の露出した領域をドライエッチングし、さらに、同様なＲＩＥで、アモルファスシリコン層１３表面をエッチングする工程が記載されている。
　
オ．上記引用例１の記載Ａを参照すると、引用例１記載のレジストマスクとなるレジスト膜６はポジ型である。
　
カ．上記引用例１の記載Ａ、Ｂ及び図１（ｂ）、図３（ｂ）を参照すると、引用例１には、レジスト膜のうちレジストパターンが形成されない領域のレジスト膜が第１の露光量で、レジスト膜のうち薄レジストパターンの形成予定領域が前記第１の露光量よりも少ない第２の露光量でそれぞれ選択的に露光される旨記載されている。
　また、上記引用例１の記載Ａを参照すると、露光後に、レジスト膜を現像する旨記載されている。
　
（２）．３　引用例１に記載された発明
　記載Ａ〜Ｆ及び認定事項（ア．〜カ．）に基づけば、引用例１には、以下の発明が記載されている。
「ア′．ｎ+アモルファスシリコン膜５上にレジストマスク１１が形成され、当該レジストマスク１１に、膜厚が薄いレジスト凹部１２、及び膜厚が厚い部分が膜厚が薄いレジスト凹部１２に隣接して形成される工程、　
イ′．レジストマスク１１を用いて、ｎ+アモルファスシリコン膜５とアモルファスシリコン膜４とを順次に膜厚全体に渡って除去し、島状のアモルファスシリコン層１３および島状のｎ+アモルファスシリコン層１４を形成する工程、
ウ′．レジスト凹部１２のレジスト膜が無くなるようにその表面から一様にエッチングし、レジスト凹部１２のレジスト膜が無くなるようにした時点でエッチングを停止させ、ｎ+アモルファスシリコン層１４を露出させ、レジストマスク１１ａを残存させる工程、
エ′．レジストマスク１１ａをエッチングマスクにし、ｎ+アモルファスシリコン層１４の露出した領域をドライエッチングし、さらに、同様なＲＩＥで、アモルファスシリコン層１３表面をエッチングする工程、
を有し、　
オ′．レジスト膜６はポジ型であり、
カ′．レジスト膜のうちレジストパターンが形成されない領域のレジスト膜が第１の露光量で、レジスト膜のうち薄レジストパターンの形成予定領域が前記第１の露光量よりも少ない第２の露光量でそれぞれ選択的に露光され、その後現像されるパターン形成方法。」
　　
（３）対比
　引用例１に記載された発明の「ｎ+アモルファスシリコン層及びアモルファスシリコン層」、「レジスト凹部」、「レジストマスク１１ａ」は、本願発明の「被エッチング膜」、「薄レジストパターン」、「残存する厚レジストパターン」に相当する。
　また、引用例１に記載された発明においては、レジストマスク１１の凹部以外の部分は、本願発明の「厚レジストパターン」に実質的に相当する。
　
　そこで、本願発明と引用例１に記載された発明とを比較する。
　両者は、
「被エッチング膜の上に膜厚の異なる薄レジストパターンおよび隣接する厚レジストパターンからなるレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記被エッチング膜をその表面からその膜厚全体に渡って除去する工程と、前記レジストパターンをその表面から一様にエッチングして前記薄レジストパターンが除去された時点でエッチングを停止して、前記レジストパターンのうち厚レジストパターンの一部を前記被エッチング膜上に残して前記厚レジストパターンを残存レジストパターンとする工程と、前記残存する厚レジストパターンをマスクとして前記薄レジストパターンが除去された部分の前記被エッチング膜をエッチングする工程とを有するパターン形成方法であって、前記レジストパターンを形成する工程が、前記被エッチング膜の上にポジ型のレジスト膜を塗布し、前記レジスト膜のうち前記レジストパターンが形成されない領域のレジスト膜が第１の露光量で、前記レジスト膜のうち薄レジストパターンの形成予定領域が前記第１の露光量よりも少ない第２の露光量でそれぞれ選択的に露光され、続いて、前記レジスト膜を現像し、前記レジストパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。」
において一致し、以下の相違点を有する。
　
　相違点１
　被エッチング膜の上にポジ型のレジスト膜を塗布した後、本願発明は、「レジスト膜に第１の熱処理を施」すのに対し、引用例１に記載された発明は、レジスト膜に第１の熱処理を施すとは限定されていない点で相違する。
　
　相違点２
　レジスト膜を現像し、レジストパターンを形成後、本願発明は、「前記レジスト膜を２０℃から前記レジスト膜の熱軟化開始温度より１０℃低い温度の範囲で第２の熱処理を行う」のに対し、引用例１に記載された発明は、レジスト膜に対して第２の熱処理を行うとは限定されていない点で相違する。
　
（４）判断
　相違点１について検討する。
　レジスト膜を塗布し、前記レジスト膜に熱処理を施すことは、いわゆるプリベークとして周知手段（特開平６−２７３９４４号公報及び特開平７−１８１６８５号公報等参照）にすぎず、相違点１に係る発明特定事項は当業者が周知手段に基いて容易に想到できたことである。
　
　相違点２について検討する。
　レジスト膜を現像し、レジストパターンを形成後、熱処理（第２の熱処理）を行うことは、いわゆるポストベークとして周知手段（特開平１０−２６１５７１号公報及び特開平１０−２７４８５４号公報等参照）である。
　そして、本願発明における第２の熱処理の温度の下限値を２０℃と規定することは、本願の明細書及び図面の記載をみても、臨界的意義があるとはいえず、格別なものではない。
　次に、本願発明における第２の熱処理温度の上限値を「レジスト膜の熱軟化開始温度より１０℃低い温度」と規定した点について検討する。上記周知手段を示すために例示した上記特開平１０−２６１５７１号公報の【００１３】段落の「ガラス転移温度以上ではレジストの軟化が進行し、パターン変形が生じる。」との記載及び同じく例示した上記特開平１０−２７４８５４号公報の【０００７】段落の「なるべく軟化開始温度に近く熱変形の少ない温度で行うこととされている。」との記載から、レジスト膜の熱軟化開始温度より低い温度の範囲でポストベーク（第２の熱処理）を行うことは周知手段にすぎず、また、本願発明における第２の熱処理温度の上限値を「熱軟化開始温度より１０℃低い温度」と規定した点については、本願の明細書及び図面の記載をみても、臨界的意義があるとはいえず、格別なものではない。
　したがって、相違点２に係る発明特定事項は、上記周知手段に基いて当業者が容易に発明できたものである。
　
　そして、本願発明の作用効果も、引用例１記載の発明及び周知手段から当業者が予測できる範囲のものである。
　
４．以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知手段に基いて当業者が容易に発明できたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。