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　特願２００５−１３０５７０「半導体発光素子およびその製法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１２月２２日出願公開、特開２００５−３５４０４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１７年４月２７日の出願であって、同年１２月１９日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１８年２月２３日付で拒絶査定に対する審判請求がなされ、同年３月２７日付で特許法第１７条の２第１項第４号の規定による手続補正がなされたものである。
　
２．平成１８年３月２７日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１８年３月２７日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明を補正するものであるところ、補正前の請求項１である
「【請求項１】
　基板と、該基板上に設けられる窒化物半導体からなるｎ形層およびｐ形層を含む半導体積層部と、前記ｎ形層およびｐ形層にそれぞれ接続して設けられるｎ側電極およびｐ側電極とからなり、前記ｎ側電極がｎ形の窒化物半導体層と直接接するように設けられ、かつ、該ｎ側電極の前記窒化物半導体層と接する側の層が
０.２〜１μｍの厚さの
により前記ｎ形の窒化物半導体層に拡散して該窒化物半導体層とオーミックコンタクトとなるように形成され、さらに該Ａｌ層の表面に、該Ａｌの融点を超える融点を有する金属からなり、０.１〜０.２μｍの厚さのバリアメタル層を介して、最表面にＡｕ層が設けら
「【請求項１】
　基板と、該基板上に設けられる窒化物半導体からなるｎ形層およびｐ形層を含む半導体積層部と、前記ｎ形層およびｐ形層にそれぞれ接続して設けられるｎ側電極およびｐ側電極とからなり、前記ｎ側電極が
、
から
と、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｖ、ＣｒおよびＭｏよりなる群れから選ばれる少なくとも１種の
なる
と、
とがこの順で連続して形成され、熱処理により前記Ａｌ層の金属のみが前記ｎ形の窒化物半導体層に拡散して該窒化物半導体層とオーミックコンタクトとなるように形成されると共に、前記Ａｕ層が単独の層として残存するように
　
（２）当審の判断
　上記補正は、要するに、請求項１において、
［１］Ａｌ層が「０.２〜１μｍの厚さ」であるとの規定、
［２］バリアメタル層が「該Ａｌの融点を超える融点を有する金属」からなるとの規定、
［３］バリアメタル層が「０.１〜０.２μｍの厚さ」であるとの規定、及び、
［４］「最表面にＡｕ層が設けら」れるとの規定
を削除するとともに、異なる規定を付すものである。
　
　しかしながら、上記補正は、上記のとおり補正前の規定を削除するものであることは明らかであるから、特許法第１７条の２第４項各号を目的とするものと認めることはできない。
　
　この点に関し、審判請求人は、「審査官殿からも厚さの限定は技術的意義が不明である」との指摘があったことから、明りょうでない記載の釈明を目的として上記補正を行った旨主張するが、特許請求の範囲の数値範囲にもともと不明りょうな点はないから、明りょうでない記載の釈明には当たらない。
　また、上記［２］の補正は材料限定に伴って不要になったとしても、補正後の請求項１において最表面がＡｕ層かどうかは明確ではないのであるから、上記［４］の規定までも削除して良いことにはならない。
　よって、審判請求人のこの点の主張は採用するに足らないものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１８年３月２７日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１７年１０月１１日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項によって特定されるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「【請求項１】
　基板と、該基板上に設けられる窒化物半導体からなるｎ形層およびｐ形層を含む半導体積層部と、前記ｎ形層およびｐ形層にそれぞれ接続して設けられるｎ側電極およびｐ側電極とからなり、前記ｎ側電極がｎ形の窒化物半導体層と直接接するように設けられ、かつ、該ｎ側電極の前記窒化物半導体層と接する側の層が０.２〜１μｍの厚さのＡｌ層からなる金属層により前記ｎ形の窒化物半導体層に拡散して該窒化物半導体層とオーミックコンタクトとなるように形成され、さらに該Ａｌ層の表面に、該Ａｌの融点を超える融点を有する金属からなり、０.１〜０.２μｍの厚さのバリアメタル層を介して、最表面にＡｕ層が設けられてなる半導体発光素子。」（以下、「本願発明」という。）
　
（２）刊行物記載の発明
　原査定の拒絶理由に引用した特開平８−２７４３７２号公報（以下、「引用例」という。）には、下記の事項が記載されている。
「【請求項１】３族窒化物半導体（ＡｌｘＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｎ伝導型のｎ層とｐ伝導型のｐ層とを少なくとも有した発光素子において、前記ｎ層の電極として、前記ｎ層に接合するアルミニウム（Ａｌ）層、その上に形成されたチタン（Ｔｉ）層、その上に形成された金（Ａｕ）層とを形成したことを特徴とする発光素子。
【請求項２】前記アルミニウム層の厚さは、１００〜１０００Åであり、前記チタン層の厚さは、１０００Å〜１μｍであり、前記金層の厚さは、０．５〜３μｍであることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
・・・
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は青色発光の３族窒化物半導体発光素子の電極に関する。
・・・
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ｎ層に関する電極は、半導体層に直接接合する側から順に、ニッケル（Ｎｉ）層、金層の２重構造であった。しかし、ｎ伝導型のＧａＮ系の化合物半導体層にニッケルを接合した場合に、安定性が良くなく、発光素子の寿命や、製品品質の低下が問題となっていた。
・・・
【０００９】【作用及び発明の効果】上記のように、ｎ層に直接接合する層をアルミニウム層としたので、従来のニッケルを用いたものに比べて、安定度の高いオーミック接触が得られた。さらに、最上層を金で構成したために、ワイヤボンデングが適切に実施することができる。さらに、アルミニウム層と金層との間にチタン層を介在させたために、３層の金属を蒸着した後に、合金化処理する時、アルミニウムと金とが反応することが防止される。
【００１０】アルミニウム層はなるべく薄い方が良好なオーミック性が得られ、安定する。その望ましい厚さは、１００〜１０００Åである。又、合金化処理において、アルミニウムと金とを反応させないために、チタン層はなるべく厚い方が望ましい。その望ましい厚さは、１０００Å〜１μｍである。さらに、金層の厚さは、３層構造の電極の全体の上限厚さからアルミニウム層の厚さとチタン層の厚さとを引いた残りの厚さとなる。金層の望ましい厚さは、０．５〜３μｍである。
【００１１】
【実施例】図１において、発光ダイオード１０は、サファイア基板１を有しており、そのサファイア基板１上に５００ÅのＡｌ０．１Ｇａ０．８３Ｉｎ０．０７Ｎのバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の上には、膜厚約２．０μｍ、電子濃度２×１０１８／ｃｍ３のシリコンドープＧａＮから成る高キャリア濃度ｎ＋層３が形成されている。そして、電極８を形成する部分を除いた高キャリア濃度ｎ＋層３の上には、順に、膜厚約２．０μｍ、電子濃度２×１０１８／ｃｍ３のシリコンドープの（Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）ｙ２Ｉｎ１−ｙ２Ｎから成る高キャリア濃度ｎ＋層４、膜厚約０．５μｍ、マグネウシム（Ｍｇ）、カドミウム（Ｃｄ）及びシリコンドープの（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）ｙ１Ｉｎ１−ｙ１Ｎから成るｐ伝導型の発光層５、膜厚約１．０μｍ、ホール濃度５×１０１７／ｃｍ３、マグネシウム濃度１×１０２０／ｃｍ３のマグネシウムドープの（Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）ｙ２Ｉｎ１−ｙ２Ｎから成るｐ層６１、膜厚約０．２μｍ、ホール濃度５×１０１７／ｃｍ３、マグネシウム濃度１×１０２０／ｃｍ３のマグネシウムドープのＧａＮから成る第２コンタクト層６２、膜厚約５００Å、ホール濃度２×１０１７／ｃｍ３、マグネシウム濃度２×１０２０／ｃｍ３のマグネシウムドープのＧａＮから成る第１コンタクト層６３が形成されている。
【００１２】そして、第１コンタクト層６３に接続する電極７と高キャリア濃度ｎ＋層３の露出面に接続する電極８が形成されている。電極７は第１コンタクト層６３上一様に厚さ２０Åに形成されたチタン（Ｔｉ）から成る層７１と厚さ６０Åに形成されたニッケル（Ｎｉ）から成る層７２を有しており、この２層は透明電極として機能する。又、層７２の上の一部にはワイヤがボンディングされるパッドとして機能する厚さ１０００Åのニッケル（Ｎｉ）から成る層７３と厚さ１．５μｍの金（Ａｕ）から成る層７４とが形成されている。
【００１３】又、電極８は、高キャリア濃度ｎ＋層３に接合する厚さ５００Åのアルミニウム（Ａｌ）から成る層８１と厚さ５０００Åのチタン（Ｔｉ）から成る層８２と厚さ１．５μｍの金（Ａｕ）から成る層８３との３層構造で構成されている。
・・・
【００２４】次に、この発光ダイオード１０に電極を形成する方法について説明する。この電極形成は、良く知られたように、真空蒸着、ホトレジスト塗布、フォトリソグラフ、エッチング工程により、形成することが可能である。
・・・
【００２６】一方、高キャリア濃度ｎ＋層３の電極８として、厚さ５００Åのアルミニウム（Ａｌ）層８１と厚さ５０００Åのチタン（Ｔｉ）層８２と厚さ１．５μｍの金（Ａｕ）層８３とを形成した。
【００２７】その後、温度６００℃にて１分間合金化処理を施して、図１に示す発光ダイオード１０を形成した。・・・
【００２８】アルミニウム層８１の最適な厚さは１００〜１０００Åである。１０００Åを越えると上部の金とアルミニウムとが反応を起こし、１００Å以下であると、オーミック接触が得られなくなり望ましくない。又、チタン層８２の最適な厚さは１０００Å〜１μｍである。１０００Å以下であると、合金化処理によりアルミニウムと金とが反応して、層８３がボンディングパッドとして機能しなくなる。又、１μｍ以上であると、形成のために時間がかかり望ましくない。又、金層８３の厚さは、０．５〜３μｍである。０．５μｍ以下であるとボンディング性能が悪化し、３μｍ以上となると費用が高くなるので望ましくない。」
　
（３）対比
　本願発明と引用例記載の発明とを対比する。
（イ）引用例の「サファイア基板１」，「高キャリア濃度ｎ＋層３，高キャリア濃度ｎ＋層４，ｐ伝導型の発光層５，ｐ層６１，マグネシウムドープのＧａＮから成る第２コンタクト層６２，マグネシウムドープのＧａＮから成る第１コンタクト層６３」，「第１コンタクト層６３に接続する電極７，高キャリア濃度ｎ＋層３の露出面に接続する電極８」，「３族窒化物半導体発光素子」は、それぞれ本願発明の「基板」，「窒化物半導体からなるｎ形層およびｐ形層を含む半導体積層部」，「前記ｎ形層およびｐ形層にそれぞれ接続して設けられるｎ側電極およびｐ側電極」，「半導体発光素子」に相当することは明らかである。
　そして、「高キャリア濃度ｎ＋層３の露出面に接続する電極８」が、「前記ｎ側電極がｎ形の窒化物半導体層と直接接するように設けられ」ていることも明らかである。
（ロ）引用例には、「【００２６】一方、高キャリア濃度ｎ＋層３の電極８として、厚さ５００Åのアルミニウム（Ａｌ）層８１と厚さ５０００Åのチタン（Ｔｉ）層８２と厚さ１．５μｍの金（Ａｕ）層８３とを形成した。【００２７】その後、温度６００℃にて１分間合金化処理を施して、図１に示す発光ダイオード１０を形成した。・・・【００２８】アルミニウム層８１の最適な厚さは１００〜１０００Åである。・・・１００Å以下であると、オーミック接触が得られなくなり望ましくない。」と記載されており、これから引用発明は、「該ｎ側電極の前記窒化物半導体層と接する側の層がＡｌ層からなる金属層により前記ｎ形の窒化物半導体層に拡散して該窒化物半導体層とオーミックコンタクトとなるように形成され」に相当する技術的事項を有する。
（ハ）引用例には、「【０００９】アルミニウム層と金層との間に
チタン層
合金化処理する時、アルミニウムと金とが反応することが防止
１０００Å〜１μｍ
　
　したがって、引用例記載の発明は、「基板と、該基板上に設けられる窒化物半導体からなるｎ形層およびｐ形層を含む半導体積層部と、前記ｎ形層およびｐ形層にそれぞれ接続して設けられるｎ側電極およびｐ側電極とからなり、前記ｎ側電極がｎ形の窒化物半導体層と直接接するように設けられ、かつ、該ｎ側電極の前記窒化物半導体層と接する側の層がＡｌ層からなる金属層により前記ｎ形の窒化物半導体層に拡散して該窒化物半導体層とオーミックコンタクトとなるように形成され、さらに該Ａｌ層の表面に、該Ａｌの融点を超える融点を有する金属からなり、０.１〜０.２μｍの厚さのバリアメタル層を介して、最表面にＡｕ層が設けられてなる半導体発光素子」であると認めることができるから、両者は、この点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
　本願発明は、Ａｌ層を「０.２〜１μｍの厚さ」と規定しているのに対して、引用例記載の発明は、０．０１〜０．１μｍであり、上記数値範囲とは異なる点。
　
（４）判断
　Ａｌ層を上記数値範囲内の厚みとしてオーミック接触を得ることは、例えば特開平７−２４０５０８号公報にも記載されるように周知のことにすぎない。
　また、引用例記載のＡｌ層が０．０１〜０．１μｍとの数値は、その上層をＴｉにした場合のものであって、引用例に記載されているような不具合が、他の材料を上層として採用した場合にも同様な厚さで生ずるとは必ずしもいえず、また上記のとおり電極層としてのＡｌ層の厚みを０.２μｍ程度の値とすることは周知のことにすぎないから、上記相違点の事項とすることは材料の変更に伴い当業者が任意に設計し得る程度の事項である。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明および周知技術から予測し得る程度のものであり、格別とはいえない。
　
　よって、本願発明は、刊行物１に記載された引用発明および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明および周知技術の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。