【事件の表示】
　特許第２７５１８４９号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２７５１８４９号の請求項１に係る発明は、昭和６２年２月１０日に特許出願された特願昭６２−３００３７号の一部を平成７年１月３０日に新たに特許出願したものであって、平成１０年２月２７日にその特許の設定登録がなされ、その後、平成１６年９月７日に株式会社ケミテックから無効審判（無効審判第２００４−８０１４７号）が請求され、平成１７年５月３１日（送達日：平成１７年６月１０日）に無効の審決がなされたが、期間内の平成１７年７月６日に高裁に出訴（平成１７年行ケ５５８号）され、期間内の平成１７年９月２０日に訂正審判が請求され、その後、訂正審判事件が中止されたが、手続中止解除の上申により手続中止解除され、平成１８年２月２８日付けで訂正拒絶理由通知がなされ、意見書が提出されたものである。
　　　
ＩＩ．請求の要旨
　本件審判の請求の要旨は、特許第２７５１８４９号発明の明細書を請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正することを求めるものであって、その訂正の内容は次のとおりである。
　　　
ＩＩＩ．訂正の内容
（１）訂正事項ａ：【特許請求の範囲】を次のとおりに訂正する。
「【請求項１】ホトレジストを用いて微細加工を行う加工用設備に管路を介して所望濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像液を送給するためのテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像原液の希釈装置であって、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像原液と純水とを受け入れて所定時間強制攪拌する攪拌槽と、前記攪拌槽内の混合液の一部を抜き出しその導電率を測定したのち攪拌槽内に戻す導電率測定手段と、前記導電率測定手段からの出力信号にもとづき前記攪拌槽に供給されるテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像原液または純水のいずれか一方の流量を制御する制御手段と、前記攪拌槽からの混合液を前記加工用設備に前記管路を介して送給する前に受け入れ貯留する貯留槽と、前記攪拌槽と前記貯留槽を窒素ガスでシールする窒素ガスシール手段と、を備えたことを特徴とするテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像原液の希釈装置。」
　　
（２）訂正事項ｂ：本件特許明細書の段落【０００８】を次のとおりに訂正する。
「【０００８】本発明は前記目的を達成する為に、ホトレジストを用いて微細加工を行う加工用設備に管路を介して所望濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像液を送給するためのテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像原液の希釈装置であって、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像原液と純水とを受け入れて所定時間強制攪拌する攪拌槽と、前記攪拌槽内の混合液の一部を抜き出しその導電率を測定したのち攪拌槽内に戻す導電率測定手段と、前記導電率測定手段からの出力信号にもとづき前記攪拌槽に供給されるテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像原液または純水のいずれか一方の流量を制御する制御手段と、前記攪拌槽からの混合液を前記加工用設備に前記管路を介して送給する前に受け入れ貯留する貯留槽と、前記攪拌槽と前記貯留槽を窒素ガスでシールする窒素ガスシール手段と、を備えたことを特徴とする。」
　
（３）訂正事項ｃ：本件特許明細書の段落【００２２】の「また、撹拌槽と貯留槽を窒素ガスでシールするようにしてので」を「また、撹拌槽と貯留槽を窒素ガスでシールするようにしたので」と訂正する。
　　　　　　　　　
ＩＶ．当審の判断
１．訂正の目的の適否
　訂正事項ａは請求項１の「現像液」を「テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像液」に、また「現像原液」及び「ホトレジスト用アルカリ系現像原液」を「テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像原液」に限定しようとするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正に該当するといえる。また、訂正事項ｂは、特許請求の範囲の訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と整合するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正に該当するといえる。また、訂正事項ｃは、誤記の訂正を目的とすることは明らかである。そして、この「テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド」については明細書の段落【０００２】にポジレジスト現像液材料として記載されていることから、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされるものであって、新規事項の追加には当たらない。そして、当該訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　なお、この訂正で限定された「テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像液」については、本件明細書には、上記したとおり段落【０００２】に記載されているものの、この段落は【従来技術】に関する記載であって、その中で「テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液」がポジレジストの一つとして開示されているにすぎなく、他に何ら記載されていないことを指摘しておく。
　　　　　　
２．そこで、訂正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものか否かについて、以下検討する。
　　　　　　　　　　　　　
３．独立特許要件について
３−１．本件訂正発明 
 　訂正後の本件請求項１に記載された発明は、訂正後の明細書及び図面の記載からみて、請求項１に記載された次のとおりのものである（以下、「本件訂正発明」という。）。 
 「【請求項１】ホトレジストを用いて微細加工を行う加工用設備に管路を介して所望濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像液を送給するためのテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像原液の希釈装置であって、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像原液と純水とを受け入れて所定時間強制攪拌する攪拌槽と、前記攪拌槽内の混合液の一部を抜き出しその導電率を測定したのち攪拌槽内に戻す導電率測定手段と、前記導電率測定手段からの出力信号にもとづき前記攪拌槽に供給されるテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像原液または純水のいずれか一方の流量を制御する制御手段と、前記攪拌槽からの混合液を前記加工用設備に前記管路を介して送給する前に受け入れ貯留する貯留槽と、前記攪拌槽と前記貯留槽を窒素ガスでシールする窒素ガスシール手段と、を備えたことを特徴とするテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像原液の希釈装置。」 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 
３−２．引用刊行物の記載内容 
（１）引用例１：特開昭６２−１１５２０号公報  
（ａ）「設定値の濃度を有しかつ高清浄化された薬液を得るために１種または複数種の薬品原液と純水とを用いて調合を行う薬液調合方法であって、薬品原液と純水とを導入して調合を行う調合槽と、該調合槽の中の薬液を循環ろ過する薬液循環ろ過手段と、該薬液循環ろ過手段のろ過部を通過した薬液中の微粒子数を計測する液中微粒子モニタ手段と、薬液またはその各成分の濃度をモニタする薬液濃度モニタ手段とを設け、該薬液濃度モニタ手段による測定結果に基づき、薬液濃度が設定値になるように薬品原液または純水を補充するとともに、上記液中微粒子モニタ手段による測定結果に基づき、必要に応じ薬液中の微粒子数が設定値以下になるように薬液の循環ろ過を行うことを特徴とする薬液調合方法。」（特許請求の範囲第１項）  
（ｂ）「紫外部にある薬液中の化合物の紫外線吸収量または薬液中の化合物のイオン量を計測することによって薬液またはその成分の濃度をモニタすることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の薬液調合方法。」（特許請求の範囲第２項） 
（ｃ）「本発明は、設定値の濃度を有しかつ高清浄化された薬液を調合する薬液調合方法にかかわり、特に半導体素子製造の湿式処理工程で用いる処理液を調合するのに好適な薬液調合方法に関するものである。」（第１頁右下欄７〜１１行）
（ｄ）「薬液またはその成分濃度をモニタする手段としては、半導体素子製造の湿式処理工程で用いる処理液等の場合は、紫外部にある薬液中の化合物の紫外線吸収量を計測する方法（紫外線吸収法）、または薬液中の化合物のイオン量を計測する方法（導電率法）を用いることができる。」（第２頁右上欄２〜８行）  
（ｅ）「また、第３図において、曲線ｄ，ｅ，ｆ，ｇ，ｈは、それぞれ塩酸、硝酸、硫酸、アンモニア水、フッ化水素酸の導電率を示す曲線である。」（第２頁左下欄２〜５行）
（ｆ）「以下、本発明による薬液調合方法について、図面を参照して具体的に説明する。次に述べる実施例は、本発明による方法を適用し、マイクロコンピュータを用いて薬液濃度を所定濃度に制御するように構成した例である。第１図は、本発明の方法を用いて薬液濃度を制御しつつ調合を行うように構成した装置の一例を示す構成図である。」（第２頁右下欄８〜１５行） 
（ｇ）「そして、再び薬液循環ポンプ９を動かし、薬液貯蔵タンク１１内の薬液を薬液調合タンク１２に設定量送った後、電磁弁３を閉じ電磁弁５を開いて、液を循環ろ過する。その際、紫外線吸収計あるいは導電率濃度計からなる薬液濃度測定装置１９により薬液濃度を計測し、薬液濃度が設定値より低い場合には、電磁弁５を閉じ電磁弁３を開いて薬液原液を追加補充し、薬液濃度が設定値より高い場合には、電磁弁７を開いて純水を補充する。これら一連の操作を繰り返して、薬液調合タンク１２内の液が設定濃度、設定清浄度に達したら、薬液循環ポンプ９を停止し、電磁弁５，６を閉じた後、電磁弁６を開いて、Ｎ２ガスで薬液調合タンク１２内を加圧する。その後、必要に応じて電磁弁８の開閉を行い、液を処理槽（図示せず）に圧送供給する。」（第３頁左上欄７行〜右上欄３行）
（ｈ）「第５図は、第１図に示した装置をマイクロコンピュータで制御したときのフローチャートである。以下、本フローチャートに基づいて、薬液濃度を自動的に所定濃度に制御する方法の一例を説明する。まず、ステップＡでスタートすると、電磁弁１，２，３を開き、電磁弁４，５を閉じる（ステップＢ）。薬液循環ポンプ９を作動させて、薬液を薬液貯蔵タンク１１内に導入し、液面センサなどを用いて水位が所定値であるかを判定しながら所定量入れる（ステップＣ，Ｄ）。所定水位になると、電磁弁１が閉じられる（ステップＥ）。薬液貯蔵タンク１１内の薬液中の微粒子数が設定値以下かを液中微粒子モニタ装置１４で測定して薬液の清浄度を判定し、設定値以下になったら薬液を循環させていた薬液循環ポンプ９を停止する（ステップＦ，Ｇ，Ｈ）。ついで電磁弁２，５を閉じ、電磁弁３，４を開き（ステップＩ）、この状態で電磁弁７を開いて純水を薬液調合タンク１２に導入し、液面センサなどで水位が所定値であるかを判定しながら所定量入れる（ステップＪ，Ｋ）。所定水位になると、薬液循環ポンプ９を動かして、設定量の薬液を薬液調合タンク１２に供給し、電磁弁３を閉じ、電磁弁５を開ける（ステップＬ，Ｍ，Ｎ）。供給後、紫外線吸収計、導電率濃度計を用いて薬液調合タンク１２内の薬液の紫外線吸収量、導電率を測定し、第４図のフローチャートで説明した方法で薬液の濃度が算出され（ステップＯ）、測定値が設定濃度範囲内であるか否かが判定される（ステップＰ）。測定値が目標値から外れている場合、濃度が低すぎれば、電磁弁５を閉じ、電磁弁３を時間ｔだけ開けて薬液を補充し（ステップＱ，Ｒ）、また濃度が高すぎれば、電磁弁７を時間ｔ’だけ開けて純水を補充する（ステップＳ）。このようにして、薬液調合タンク１２内の薬液濃度が制御され、薬液中の微粒子数が設定値以下かを判定し、設定値以下ならば薬液循環ポンプ９を停止する（ステップ（ステップＶ）。ついで、電磁弁５を閉じ、電磁弁６，８ を開いて(ステップＷ)、調合した薬液を処理槽(図示せず)へ設定量だけ送液する(ステップＸ)。送液後、電磁弁８を閉じて１サイクルを終了する(ステップＺ)。」（第３頁左下欄１８行〜第４頁左上欄２０行）  
（ｉ）「本発明の方法により、半導体素子製造において極めて広く使われているエッチングやウエハ表面洗浄などの湿式処理工程での処理液の安定調合が可能となった。」（第４頁右上欄１〜４行）  
（２）引用例２：日本半導体製造装置協会編「半導体製造装置用語辞典」日刊工業新聞社　序文、審議に当たって、ｐ１６２〜１６４，ｐ１７３，１７４，ｐ１８４〜１８８　（昭和６２年１１月２０日）  
（ａ）「幸い，協会会員各社より広範囲に亘って専門知識を持った大勢の方々にご協力頂き，それぞれの専門分野について基本的な用語約２０００語を厳選し，分類，整理をして取り込み，平易に解説して頂くことができた。内容については，それぞれの分野において極めてご造詣の深い諸先生方に審議委員をお願いし，内容の充実と正確さを期した。」（序文） 
（ｂ）「幸いなことに，その後の半導体製造装置産業の発展は目ざましいものであって，昭和６０年３月には日本半導体製造装置協会が設立され，大変よろこばしいことと考えていた。昭和６１年になって協会の方から半導体製造装置の用語辞典を作りたいのでその審議をしてほしいというお話があった。私はその主旨に賛成し，お引き受けすることにした。すなわち，新しい協会として，まず共通の用語を決めて行くことはその門出として適切であると考えたからである。言葉こそはもっとも素朴な基礎的共通的な手段なのである。まさに「はじめに言葉ありき」である。」（審議に当たって）  
（ｃ）「現像装置」 の意味として、「レジスト処理装置の中で，ウエーハ上に塗布されたフォトレジストにパターンを露光した後現像するための装置。処理の仕方により，スピン式，ディップ式，スプレー式に分類される。」が記載されている。（第１６２頁）  
（ｄ）「エッチング装置」の意味として、「ウエーハ又はウエーハ表面上に形成された薄膜の全面または特定した場所を必要な厚さだけ食刻する装置。」が記載されている。（第１７３頁）  
（ｅ）「ウエットエッチング装置」の意味として、「液相中でウエーハなどをエッチングする装置の総称」が記載されている。（第１７３頁）  
（ｆ）「湿式洗浄装置」の意味として、「薬品水溶液，有機溶媒，水など液体を使用して洗浄を行う装置」が記載されている。（第１８４頁）  
（ｇ）「薬液貯蔵タンク」 の意味として、「薬品または洗浄液を使用するまで貯蔵しておくタンク」が記載されている。（第１８８頁）  
（３）引用例３：実公昭５９−２９９４０号公報  
（ａ)「円筒状ケーシングと、これに重油、水、乳化剤を供給するための手段と、前記ケーシングの内部に上下端部を開放して配置された内筒と、前記ケーシング内の内筒の下方位置に配置され、流体の流れ方向に並行な方向から直角をなす方向に亘る角度範囲で流体を変位させるよう推進させる回転ブレードと、これらのブレードを回転駆動する駆動手段とを備え、前記駆動手段により回転ブレードを回転させることにより流体を内筒およびケーシングに打ちつけて乱流を生ぜしめて重油を乳化するとともに乳化された流体を前記ケーシングおよび内筒間で周速均一に循環させるように構成したことを特徴とする重油乳化装置。」（実用新案登録請求の範囲） 
（４）引用例４：特開昭６０−９８６２４号公報  
（ａ）「ポジレジスト現像液(以下、ポジデベロッパーと略記)の現像液供給タンクにパージされる不活性ガスが水分を含んでいることを特徴とする半導体製造装置。」特許請求の範囲第１項） 
（ｂ）「本発明はポジデベロッパーの現像液供給タンクに関するものである。近年、半導体装置の微細化により素子の寸法制御の技術が大きな問題になってきた。」（第１頁左下欄１３〜１６行） 
（ｃ）「素子の寸法制御はフォトエッチング工程で行われているが、その中でもレジスト寸法を制御する事が最も大きな鍵となる。また用いられるレジストも従来のネガ型では寸法制御が困難なため、ポジ型が主流をなしてきた。ところが一般にポジ型レジストの現像は中和反応であるため現像液の濃度が反応速度に大きく影響を及ぼしてきた。第１図に現像液濃度とレジスト寸法の関係を示す。同図より現像液濃度はレジスト寸法に大きく影響を及ぼすことが明らかであり、現像液の濃度制御が寸法制御にとって欠かせないことは言うまでもないであろう。さて、従来のポジデベロッパーの現像液供給タンクを第２図に示す。同図において現像液供給タンクには窒素配管１０１と排気配管２０２が接続され、窒素パージにより現像液２０３の劣化を妨げている。」（第１頁左下欄１７行〜同頁右下欄１８行）  
（ｄ）「本発明は、かかる欠点を除去したもので、その目的は、現像液の水分の蒸発を防ぐ、つまり現像液の濃度を一定にし、レジスト寸法の経時変化をなくすことにある。第４図には、本発明によるポジデベロッパーの現像液供給タンク（以下タンクと略記）を示す。同図において窒素は、窒素配管４０１、水４０２を含む加湿器４０３、窒素配管４０４を通りタンクに供給される。加湿機４０３を通るため窒素は水分を含み、この結果現像液４０５中の水分の蒸発が押えられ、現像液４０５の濃度は一定に保たれる。」（第２頁左上欄５〜１６行）  
（５）引用例５：特開昭６０−２２３１３１号公報  
 (ａ)「所要濃度の薬液を入れた薬液処理槽と、この処理槽内の薬液の濃度を検出するモニタ部と、前記処理糟内に原薬液を供給して濃度を復旧させる原液供給部と、前記モニタ部の濃度検出信号に基づいて前記原液供給部を制御して処理槽内の薬液濃度を制御する制御部とを備え、この制御部はモニタ時よりも先の時点における薬液濃度を予測する予測制御系と、この予測された濃度に基づいて必要な原液供給量を算出しかつ前記原液供給部により原液を供給させるフィードバック制御系とを有することを特徴とする薬液濃度制御装置。」（特許請求の範囲第１項）  
（ｂ）「本発明は薬液処理槽の薬液濃度を所定濃度に管理する薬液濃度制御技術に関し、特に管理制度の向上を図った制御技術に関するものである。」（第１頁右下欄９〜１１行）
（ｃ）「本半導体装置の製造工程では、例えばエッチング工程の後処理として超音波洗浄等の清浄工程が施され、半導体ウエーハを洗浄液等の薬液内に浸漬して洗浄を行なっている。ところで、この洗浄に限らず被処理物を薬液処理する場合、安定した処理を達成するためには薬液の濃度を一定ないし所定の範囲に管理制御することが必要とされる。」（第１頁右下欄１３〜１９行）  
（ｄ）「第１図は本発明を半導体ウエーハの洗浄装置に適用した一実施例であり、図において１は内部に所定の濃度の薬液(洗浄液)を入れた薬液処理槽である。この薬液処理槽１上には例えば２種の原液Ｃ１，Ｃ２を処理槽１内に供給する原液供給部２を設けている。」（第２頁右上欄６〜１１行）  
（ｅ）「この濃度モニタ部６は処理槽１内の薬液をサンプリングするためのポンプ７と、モニタ８を有し、モニタ８は紫外線分光光度計やイオンメータで構成して薬液濃度を検出することができる。」（第２頁右上欄１７行〜同頁左下欄２行）  
（ｆ）「以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である半導体ウエーハの洗浄装置に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、半導体装置の製造工程における種々の薬液ないし半導体製造以外の分野における種々の薬液の濃度制御に適用することができる。」（第３頁左下欄７〜１２行）
（６）引用例６：実願昭５９−１８２７０９号（実開昭６１−９８５２７号）のマイクロフィルム  
 (ａ)「薬液の原液を希釈水で希釈する薬液希釈機構と、この希釈機構で希釈された希釈薬液を貯留する希釈薬液貯蔵タンクと、貯留された希釈薬液を供給する希釈薬液注入ラインとを備えた薬液希釈装置において、希釈薬液貯蔵タンクに希釈薬液を分析する分析計を備えた分析計ラインと、上記貯蔵タンク内の希釈薬液を循環させ、撹拌させる循環ラインとを、設けたことを特徴とする薬液希釈装置。」（実用新案登録請求の範囲第１項）  
（ｂ）「本考案は発電プラントの給水や脱塩水等の水質調整を行う薬液を希釈する薬液希釈装置に係り、特に薬液の原液を希釈水で希釈して所定濃度の希釈薬液を得る薬液希釈装置に関する。」（第２頁１７行〜第３頁１行）  
（ｃ）「本考案は上述した事情を考慮してなされたもので、希釈薬液貯蔵タンクに貯留された希釈薬液の濃度分析や撹拌均一化作業を積極的かつ自動的に行ない、薬液注入制御の安定化および省力化を確実に図るようにした薬液希釈装置を提供することを目的とする。」（第８頁１９行〜第９頁４行）  
（ｄ）「薬液希釈機構２０は、薬液の原液を貯溜した薬液貯蔵タンク２１を有し、この薬液貯蔵タンク２１は入口弁２２を備えた薬液入口ライン２３を介して軽量タンク２４に接続される。軽量タンク２４には、レベルスイッチ(図示せず)が設けられて、タンク内に供給される薬液量を軽量する一方、軽量タンク２４からの薬液出口ライン２５には出口弁２６が設けられ、その先端はエジェクタ２７に接続される。このエジェクタ２７には希釈水としての純水が希釈水遮断弁２８を介して流入され、流入された純水はエジェクタ２７にて薬液を吸引し、この薬液を希釈・混合させながら、希釈薬液混合ライン２９を通って、入口ノズル３０から希釈薬液貯蔵タンク３１に案内され、内部に貯留される。この貯蔵タンク３１にも図示しないレベルスイッチが設けられ、このレベルスイッチからの出力信号により希釈水遮断弁２８が開閉制御されるようになっている。」（第１０頁８行〜第１１頁６行）  
（ｅ）「また、希釈薬液貯蔵タンク３１の底部から希釈薬液注入ライン３３が延びており、この注入ライン３３は途中に設けられた希釈薬液注入ポンプ３４を経て火力発電プラントや原子力発電プラントの給水管３５ に接続され、この給水管３５に希釈薬液を注入するようになっている。」（第１１頁７〜１２行）  
（ｆ）「希釈薬液貯蔵タンク３１に貯溜された希釈薬液は注入ポンプ３４により希釈薬液注入ライン３３を経て注入されるが、その際、注入ポンプ３４の吐出側から分析計ライン３７が分岐されているので、注入される希釈薬液の濃度分析を迅速に行うことができる。」（第１５頁９〜１４行）  
（ｇ）「循環ライン３８の作動により、希釈薬液の濃度差が基準値の例えば±５％以内あるいは値を変えて±３％以内に達すると、これを分析計４０が検出して、その検出信号をタイマＴＤ２に入力させる。この入力信号を受けタイマＴＤ２は所定時間後に、循環弁４１を閉じる。したがって、希釈薬液貯蔵タンク３１内の希釈薬液はほぼ基準値の濃度となるようにセットされる。」（第１６頁９〜１６行）  
（７）引用例７：実公昭６１−７７８６号公報  
 (ａ)「ポンプと恒温装置、電気伝導度測定装置からなるアンモニア水循環系を、アンモニア希釈タンクの外部に設けたことを特徴とするアンモニア水自動希釈装置。」（実用新案登録請求の範囲第１項）  
（ｂ）「本考案はボイラプラント等の水質調整において、ｐＨ値を一定に保持するために注入するアンモニア水の自動希釈装置に関する。」（第１頁第１欄７〜９行）  
（ｃ）「１８はアンモニアを希釈するタンクであり、このタンクに純水供給系１から制御弁２を介して純水が供給され、一定量になると水位測定器７の信号により制御器１０が作動して制御弁２を閉じる。アンモニア供給系３から制御弁４を介してアンモニアを供給し、撹拌装置８を作動させると共に、開閉弁１３，１１を開にして循環ポンプ１４を作動させアンモニア水循環系１５にアンモニア水を循環させる。恒温装置１７を作動させ、循環するアンモニア水の温度を一定に保持し電気伝導率測定手段９を用いて濃度測定を行う。この濃度測定の際、温度補償の必要はなく、より高精度の測定が行われる。」（第２頁第３欄６〜１８行）
（ｄ）第１図には、撹拌装置８として、スクリュー(プロペラ)が図示されている。 
（８）引用例８：工業計測技術大系編集委員会「工業計測技術大系７　工業分析（下）」日刊工業新聞社、ｐ４５〜５３（昭和４０年１月３０日）  
（ａ)「この導電率測定については古くより研究が始められ，Ｋｏｈｌｒａｕｓｃｈらによって電解質溶液の導電率測定が確立されている．そして標準溶液の作製と，これを用いておこなう測定セル（電極）のセルコンスタントの決定方法や測定に使用する純水の問題，あるいは電極として使用する有名な白金黒メッキ白金電極の考案がある．このようにして現在でもＫｏｈｌｒａｕｓｃｈブリッジの名で周知されている交流による導電率測定法を確立した．その後多くの研究者によって改良，研究が続けられ，導電率測定法は広く実用されるにいたったが，とくにＧ．Ｊｏｎｅｓらは測定法および装置の各部について詳細な検討，研究をつづけ，現在でも精密な測定に用いられるＪｏｎｅｓブリッジの完成，特性のよい導電率測定セルの設計，ＫＣｌ標準溶液の絶対測定を行なって精密な導電率測定法を完成した．導電率測定の応用としては，古くよりイオン積，電離恒数の測定，錯塩構造の決定，導電率滴定などの分析法として広く試みられている．しかし，現在もっとも広い応用分野としては，溶液の濃度と導電率の関係が，温度が一定であれば精密に対応することを利用した工業的溶液濃度の測定，あるいは成分の検出方法として用いられている．たとえば化学工業におけるＨ２ＳＯ４，ＨＣｌ，ＮａＯＨなどの濃度の測定，発電所，工場におけるボイラの給水，復水の水質測定，純水製造装置の純水の純度測定などのように導電率測定は現在ｐＨ測定と同様に広く普及し，プロセスの計装上必要欠くべからざるものとなっている．」（第４５頁１２行〜第４６頁３行）  
（ｂ）「一般に電解質溶液は希薄な濃度においては，濃度が増しても電解質のイオンへの解離度がかわらないので，したがってイオンの数も濃度に比例して増加するから，導電率は直線的に増加する．」（第４９頁１９〜２２行） 
（ｃ）「導電率は溶液の濃度が一定であっても，その温度の上昇に伴って，一般的に約２％の温度係数をもって増加する．この事柄は導電率測定において重要なことで，正確な導電率測定は，温度の正確な測定，あるいは調節によって得られるといわれるほどである．」（第５１頁下から８〜６行） 
（ｄ）「溶液の導電率測定において，その測定対象の試料溶液は一種の電解質を溶質とする単純な組成であることは少なく，とくにプロセス中の試料溶液については多成分よりなるもの，あるいは純粋といわれるものでもわずかな他成分，不純物を含有しているものが多い．・・・したがって導電率測定によって多成分系の溶液の濃度を求める場合には，この共存成分の濃度がきわめて少なく，その成分による導電率がわずかである．あるいは共存成分の濃度が一定で，その導電率変化がない，という条件が満足されないと，測定結果に大きな誤差を生じてしまうおそれがある．」（第５２頁下から１０行〜第５３頁４行）
（９）引用例９：平野四蔵編著「化学分析法ハンドブック」産業図書株式会社、第８４〜８５頁（昭和３６年９月１５日） 
（ａ）「１０・４　Ｎａ２ＣＯ３およびＮａＯＨ混合物の両者の定量　ウインクラー法、ワルデ法の２滴定法があり、ワルデ法は簡易であるが誤差が大きい。」（第８５頁） 
 　　　　　　　　  
３−３．対比・判断  
　引用例１には、記載事項（ｃ）に「特に半導体素子製造の湿式処理工程で用いる処理液を調合するのに好適な薬液調合方法に関するもの」と記載されている。  
　この「湿式処理工程」は、記載事項（ｉ）によれば「半導体素子製造において広く使われているエッチングやウエハ表面洗浄などの湿式処理工程」であるといえ、また、「薬液調合方法」は、記載事項（ａ）によると「設定値の濃度を有しかつ高清浄化された薬液を得るために１種または複数種の薬品原液と純水とを用いて調合を行う薬液調合方法であって、薬品原液と純水とを導入して調合を行う調合槽と、該調合槽の中の薬液を循環ろ過する薬液循環ろ過手段と、該薬液循環ろ過手段のろ過部を通過した薬液中の微粒子数を計測する液中微粒子モニタ手段と、薬液またはその各成分の濃度をモニタする薬液濃度モニタ手段とを設け、該薬液濃度モニタ手段による測定結果に基づき、薬液濃度が設定値になるように薬品原液または純水を補充するとともに、上記液中微粒子モニタ手段による測定結果に基づき、必要に応じ薬液中の微粒子数が設定値以下になるように薬液の循環ろ過を行うことを特徴とする薬液調合方法」であるといえる。  
　この「薬液調合方法」に記載される「薬液またはその各成分の濃度をモニタする薬液濃度モニタ手段」は、「薬液中の化合物のイオン量を計測することによって薬液またはその成分の濃度をモニタする」（記載事項ｂ）、「半導体素子製造の湿式処理工程で用いる処理液等の場合は、・・・薬液中の化合物のイオン量を計測する方法（導電率法）」（記載事項ｄ）というものであり、その「イオン量を計測する手段」は、記載事項（ｇ）によれば、「導電率濃度計」であるといえ、また、「設定値の濃度」は、記載事項（ｆ）によれば「所定濃度」といえる。
　さらにまた、記載事項（ｈ）の「測定値が目標値から外れている場合、濃度が低すぎれば、電磁弁５を閉じ、電磁弁３を時間ｔだけ開けて薬液を補充し（ステップＱ，Ｒ）。また濃度が高すぎれば、電磁弁７を時間ｔ’だけ開けて純水を補充する（ステップＳ）」の記載からみれば、薬品原液が薬液貯蔵タンクから薬液調合タンクへ補充され、また純水が薬液調合タンクへ補充されることがわかる。すなわち、調合槽に薬品原液や純水のいずれか一方が補充されるとみれる。  
　また、記載事項（ｇ）の「薬液調合タンク１２内の液が設定濃度、設定清浄度に達したら、薬液循環ポンプ９を停止し、電磁弁５，６を閉じた後、電磁弁６を開いて、Ｎ２ガスで薬液調合タンク１２内を加圧する。その後、必要に応じて電磁弁８の開閉を行い、液を処理槽（図示せず）に圧送供給する。」との記載から、調合槽内の薬液が所定濃度になった後は、Ｎ２ガスで調合槽内を加圧し、調合槽から処理槽へ薬液を管路を介して圧送供給していることがわかる。  
　　
　以上のことから、これら記載を本件訂正発明の記載振りに則して整理すると、引用例１には、「半導体素子製造において広く使われているエッチングやウエハ表面洗浄などの湿式処理工程の処理槽に管路を介して所定濃度の薬液を送給するための薬液調合装置であって、湿式処理工程の薬品原液と純水とを導入して調合を行う調合槽と、該調合槽の中の薬液を循環ろ過する薬液循環ろ過手段と、該薬液循環ろ過手段のろ過部を通過した薬液またはその各成分の濃度をモニタする導電率濃度計と、該導電率濃度計による測定結果に基づき、薬液濃度が所定濃度の薬液になるように薬品原液または純水のいずれか一方を補充する手段と、前記調合槽をＮ２ガスで加圧する手段と、を備えた薬液調合装置」という発明（以下、「引用１発明」という。）が記載されていると云える。  
　そこで、本件訂正発明と引用１発明とを対比すると、引用１発明の「薬液調合装置」は、薬品原液と純水を調合している点で希釈しているのと同義であるから、本件訂正発明の「希釈装置」に相当する。 
　また、引用１発明の「薬液循環ろ過手段のろ過部を通過した薬液またはその各成分の濃度をモニタする導電率濃度計」は、本件訂正発明の「攪拌槽内の混合液の一部を抜き出しその導電率を測定したのち攪拌槽内に戻す導電率測定手段」に相当する。  
　また、引用１発明の「導電率濃度計による測定結果に基づき、薬液濃度が所定濃度の薬液になるように薬品原液または純水のいずれか一方を補充する手段」は、所定濃度になるように補充しているのであるから、本件訂正発明の「導電率測定手段からの出力信号にもとづき槽に供給される原液または純水のいずれか一方の流量を制御する制御手段」に相当する。  
　また、引用１発明の「薬液」、「導電率濃度計」は、本件訂正発明の「混合液」、「導電率測定手段」にそれぞれ相当する。 
　してみると、両者は、「希釈装置であって、原液と純水とを受け入れる槽と、槽内の混合液の一部を抜き出しその導電率を測定したのち槽内に戻す導電率測定手段と、前記導電率測定手段からの出力信号にもとづき槽に供給される原液または純水のいずれか一方の流量を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする原液の希釈装置」という点で一致し、次の点で相違している。  
　　　　　　　　　　　　  
相違点（イ）：本件訂正発明では、「ホトレジストを用いて微細加工を行う加工用設備に管路を介して所望濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像液を送給するためのテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像原液の希釈装置」であるのに対し、引用１発明は「半導体素子製造において広く使われているエッチングやウエハ表面洗浄などの湿式処理工程の処理槽に管路を介して所定濃度の薬液を送給するための薬液調合装置」である点
相違点（ロ）：本件訂正発明では、原液と純水を受け入れる槽が「所定時間強制撹拌する撹拌槽」であるのに対して、引用１発明では、「調合槽」である点  
相違点（ハ）：本件訂正発明では、「撹拌槽からの混合液を前記加工用設備に前記管路を介して送給する前に受け入れ貯留する貯留槽」を備えているのに対して、引用１発明では、かかる構成が特定されていない点  
相違点（ニ）：本件訂正発明では、「撹拌槽と前記貯留槽を窒素ガスでシールする窒素ガスシール手段」を備えているのに対して、引用１発明では、「調合槽をＮ２ガスで加圧する手段」を備えている点  
 　　　　　　　　  
　そこで、これらの相違点について検討する。
（ｉ）相違点（イ）について  
　まず、本件訂正発明の「ホトレジストを用いて微細加工を行う加工用設備」についてみておくと、本件訂正明細書の段落【０００１】の「本発明は半導体製造工程などで・・・」、段落【００１３】の「半導体製造工程などの使用側」との記載などから「半導体製造」に係わる設備とみれる。一方、引用１発明の「エッチングやウエハ表面洗浄などの湿式処理工程の処理槽」も「半導体素子製造の湿式処理工程で用いる」（記載事項ｃ）、また「半導体素子製造において広く使われている」（記載事項ｉ）との記載からみて、半導体素子製造に係わるものといえるから、半導体製造に係わる設備の点で両者に違いはない。ただ、本件訂正発明では、該設備に現像液を送給していることから、対象とする処理工程は現像処理であるのに対し、引用１発明では「半導体素子製造において広く使われているエッチングやウエハ表面洗浄などの湿式処理工程」であるから、本件訂正発明の「現像処理」が特に明示されているとはいえない。
　しかしながら、半導体素子製造において広く使われている湿式処理工程として、「エッチング」や「ウエハ表面洗浄」の他にも、「現像処理」はよく知られているものであるから、半導体素子製造における湿式処理工程の中に「現像処理」は含まれることは明らかである。そして、これらの処理は、半導体製造工程で溶液（エッチング液、洗浄液、現像液）を使用し、半導体ウエハに働きかけるという点でも共通性を有するものとみれる。さらに、引用１発明では、ウエハ洗浄用、エッチング用の薬液またはその各成分の濃度をモニタするものであるから、それなりの成分濃度についての精度が要求されているとみれる（なお、このことは、請求人も審判請求書第１５頁第１７〜２７行で述べているし、上記したとおり半導体ウエハに作用させる以上、濃度管理は必然である。）。
　してみると、現像処理、ウエハ表面洗浄、エッチングは、ともに半導体素子製造工程の中の湿式処理工程とみれ、半導体ウエハに働きかける液体の濃度管理の必要性という点で共通していることから、たとえ現像処理の明示がないとしても、引用１発明の薬液調合装置を現像処理に適用しようとすることに格別困難があるとはいえない。
　また、引用例８の記載事項（ａ）によれば、「導電率測定手段」は「溶液の濃度と導電率の関係が、温度が一定であれば精密に対応することを利用した工業的溶液濃度の測定」手段として周知のものであり、「ＮａＯＨ」などの濃度の測定など広く普及しているものとみれる。そして、そこに挙げられた「ＮａＯＨ」はアルカリ現像液として普通に用いられる（周知例として、特開昭５５−１２２８７３号公報、特開昭６０−１５８４６１号公報を提示する。また、本件訂正明細書にも「従来技術」として記載されているものである。）ものであり、また、本件訂正発明の「テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド」（以下、場合により「ＴＭＡＨ」ともいう。）も、ホトレジスト用アルカリ系現像液として普通に用いられる（例えば、特開昭５９−９０８５０号公報、特開昭６０−１２６６５１号公報を提示する。また、本件訂正明細書にも「従来技術」として記載されているものである。）ものである。
　以上のことからすれば、引用１発明の薬液調合装置を「ホトレジストを用いて微細加工を行う加工用設備」すなわち「半導体製造」設備における「現像処理」に適用して「ＴＭＡＨ現像原液」の希釈として用いることは当業者であれば容易に想到し得るものといえる。  
　  
　なお、請求人は、審判請求書及び意見書で屡々「濃度測定手段として周知な導電率測定手段が長い間テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像原液の希釈装置に適用されなかった技術的な困難性」を主張し、概ね次のとおり主張している。  
（ａ）「ホトレジスト現像液は、微細な半導体素子をミクロンの単位で精度よく加工するために、種々の加工性能が要求され、「エッチング」や「ウエハ表面洗浄」とは異なる技術分野と言えるほど独自の技術分野に属している。ホトレジスト現像液は、半導体素子のパターン幅の変化に対する露光の均一性、膜厚の変化に対する露光の均一性、露光選択性、レジストパターンの側面形状のシャープ性等の種々の性能が追求され、それらの諸性能はホトレジスト現像液の濃度によって大きく影響される。「ホトレジスト現像」のためのホトレジスト現像液の濃度の誤差の許容範囲は、「エッチング」のためのエッチング液や「ウエハ表面洗浄」のためのウエハ洗浄液の濃度の誤差の許容範囲に比して格段に小さい。テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）現像液の濃度管理は、通常、小数点以下３桁、すなわち２．３８０±０．００５％レベルの精度で管理することが要求される。」（審判請求書第１３頁１７〜１９行、第１４頁２６〜２９行、第１５頁１３〜１５行、第１５頁２８行〜１６頁１行）。「ＴＭＡＨ現像液の濃度管理は、カ性ソーダ等の他のホトレジスト用アルカリ現像液に比しても格段に厳しいものである。」（意見書第６頁２３〜末行） 
（ｂ）「「導電率測定手段」は本件発明の出願前から知られていたが、導電率による溶液の濃度の測定は種々の要因によって不正確な測定結果を生じることが知られていたため、導電率によるホトレジスト現像液の濃度測定は十分な信頼性がないと考えられていた。そのため信頼性が高いと考えられていた中和滴定の方法が一般に採用されていた。したがって、引例１にエッチング液やウエハ洗浄液の濃度を測定するための導電率測定手段が記載されているからと云って、当業者が容易に導電率測定手段をホトレジスト現像液の濃度の測定に適用することにはならない。」（審判請求書第１７頁３〜６行、第１７頁８〜９行、第１７頁２０〜２３行）。
（ｃ）「エッチング液やウエハ洗浄液が炭酸ガスと反応して濃度が変化することがないのに対して、ホトレジスト現像液は、炭酸ガスと反応して濃度が変化しやすい性質を有し、常に、ホトレジスト現像のための有効成分を正しく測定・調製することが要求される。ここに、エッチング液やウエハ洗浄液に対する技術を、そのままホトレジスト現像液に適用できない困難性が存在する。」（審判請求書第２１頁１９〜２４行）。 
（ｄ）「ホトレジストの溶解に寄与しない｛（ＣＨ３）４Ｎ｝ＣＯ３はわずかにしか電離しないため、導電率測定手段により真にホトレジストの溶解に使用できる（ＣＨ３）４ＮＯＨ（ＴＭＡＨ）のみの濃度が測定される。ＴＭＡＨ現像液は、炭酸ガスを吸収しやすく、炭酸ガスを吸収すると、ホトレジストの溶解に寄与する有効成分のＴＭＡＨ（本件発明者は「活性ＴＭＡＨ」と呼んでいる）の濃度が変化し、現像プロセスで形成される線幅が予定通りの寸法にならない。このため、活性ＴＭＡＨの濃度は、非常に重要な要素となっている。導電率測定手段を採用する本件発明によれば、炭酸ガスを吸収しやすい性質を有するＴＭＡＨ現像液に対して、たとえ炭酸ガスを吸収した状態でもホトレジストの溶解に寄与する有効成分である（ＣＨ３）４ＮＯＨ（ＴＭＡＨ）のみの濃度を測定できる、という特有の効果を有する。」（審判請求書第１９頁１４〜２４行）。 
（ｅ）「導電率測定手段をホトレジスト現像液の濃度測定に適用することに対して、当業者ならば当然に添加剤の影響により導電率測定手段ではホトレジスト現像液の濃度を正確に測定することはできないと考える。」（審判請求書第２３頁２〜５行）。 
　　
　これらの主張について、以下、順次検討する。  
（ａ）について
　上記したとおり、「現像処理」は、「エッチング」や「ウエハ表面洗浄」と同様半導体製造の湿式処理であり、半導体ウエハに溶液で働きかける点、濃度管理の必要性がある点で、本質的な違いもない。また、ＴＭＡＨは、ホトレジスト用アルカリ系現像液として広く知られたものであり、本件明細書でも多数のポジレジストの現像液材料の一つとして「カ性ソーダ」とともに例示されている（段落【０００３】）。また、引用例８の記載事項（ａ）には「精密な導電率測定法」や「溶液の濃度と導電率の関係が、温度が一定であれば精密に対応することを利用した工業的溶液濃度の測定」として導電率測定法が位置づけられおり、また「ＮａＯＨなどの濃度の測定」も広く普及されるものとして明記されているのであるから、これが仮に長い間現像液濃度測定に使用されなてこなかったとしても、導電率測定法が現像液に適用できないものとはいえない。この点については、さらに下記（ｂ）でも述べる。また、濃度の誤差の許容範囲、或いは濃度管理のレベルについては、上記したとおり導電率測定法は精密な測定を行うことが窺えるのであるから、導電率測定法を用いることにより精度の高い管理が行えることは予測可能である。そして、濃度の誤差の許容範囲、或いは濃度管理のレベルについては、本件明細書には具体的に記載がある訳でなく、しかもＴＭＡＨが小数点以下３桁までの管理が要求されることはどこにも記載がない。仮に、ＴＭＡＨが、精度の点で「エッチング」のためのエッチング液や「ウエハ表面洗浄」のためのウエハ洗浄液、あるいは、現像液の中でも苛性ソーダとは異なることが自明であるとしても、上記したとおり導電率測定法が精密な測定として予知できるものであるから、ＴＨＭＡへの適用ができないとまではいえなく、その現像液に限定したことに格別の選択的な意義もないというべきである。
（ｂ）について
　引用例８には「現在もっとも広い応用分野としては、溶液の濃度と導電率の関係が、温度が一定であれば精密に対応することを利用した工業的溶液濃度の測定、あるいは成分の検出方法として用いられている。たとえば化学工業におけるＨ２ＳＯ４、ＨＣｌ、ＮａＯＨなどの濃度の測定、発電所、工場におけるボイラの給水、復水の水質測定、純水製造装置の純水の純度測定などのように導電率測定は現在ｐＨ測定と同様に広く普及し、プロセスの計装上必要欠くべからざるものとなっている」（記載事項ａ）こと、「導電率は溶液の濃度が一定であっても、その温度の上昇に伴って、一般的に約２％の温度係数をもって増加する。この事柄は導電率測定において重要なこと」（記載事項ｃ）、或いは「溶液の導電率測定において、その測定対象の試料溶液は一種の電解質を溶質とする単純な組成であることは少なく、とくにプロセス中の試料溶液については多成分よりなるもの、あるいは純粋といわれるものでもわずかな他成分、不純物を含有しているものが多い。・・・したがって導電率測定によって多成分系の溶液の濃度を求める場合には、この共存成分の濃度がきわめて少なく、その成分による導電率がわずかである。あるいは共存成分の濃度が一定で、その導電率変化がない、という条件が満足されないと、測定結果に大きな誤差を生じてしまうおそれががある」（記載事項ｄ）ことが開示されていることからみて、適用に当たっては、温度、他成分等種々の要因を確認した上で行うことは当業者では普通のことであり、この要因が危惧されるからといって直ちに阻害要因となるとはいえない。特に、多成分系の溶液の濃度を求める場合には共存成分の濃度が一定で、その導電率変化がないことは現像原液の場合でも予め測定できるものであり、その後の濃度管理が純水のみで所定濃度に制御するものであることに鑑みれば、必要以上に他成分の入り込む余地はないのであるから、現像液への適用に殊更困難性があるとまでいえない。そして、こうしたプロセスの計装に当たっての予め測定するなどの事前操作は当業者が通常行うものである。
（ｃ）について
　導電率測定手段は、上記したとおり、プロセスの計装上、濃度管理において、もっとも一般的な手法であり、さらに、炭酸ガスをよく吸収する強アルカリであるＮａＯＨの濃度の測定にも普通に用いられているのであるから、炭酸ガスと反応して濃度が変化しやすいというＴＭＡＨの特性は、導電率測定手段をＴＭＡＨ現像液に適用する上での阻害要件があるとまではいえないし、引用１発明では、「調合槽をＮ２ガスで加圧する」ものであり、大気からの影響（劣化）を避けられるものであるから、空気中の炭酸ガスを吸収しやすい現像液への適用の困難性はないともみられる。 
（ｄ）について
　「ホトレジストの溶解に寄与しない｛（ＣＨ３）４Ｎ｝ＣＯ３はわずかにしか電離しないため、導電率測定手段により真にホトレジストの溶解に使用できる（ＣＨ３）４ＮＯＨ（ＴＭＡＨ）のみの濃度が測定される」点については、本件明細書には何ら記載はなく、そのことが自明であるとの根拠もない。段落【００１４】をみれば「炭酸ガスを吸収して劣化するため、窒素ガスシールする」とある。つまり「炭酸ガスの吸収は、窒素ガスシール」で対策するのである。仮に、上記した点が自明であるとしても、上記（ｂ）で述べたとおり、現像液への導電率測定手段の適用に当たっては種々の要因を確認した上で行うこと通常行われる程度のことであるから、この請求人の主張を格別のものとすることはできない。
（ｅ）について
　上記（ｂ）で述べたとおり、現像液への導電率測定手段の適用に当たっては種々の要因を確認した上で行うことは通常行われる程度のことであるから、この請求人の主張を格別のものとすることはできない。当然ながら、「添加剤」が加入される場合、その溶解度や導電率への影響を確認することは、実施する上で容易に検証される程度のことである。
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 
（ｉｉ）相違点（ロ）について  
　引用１発明の調合槽では、薬品原液と純水を調合、すなわち混合していることは明かであるが、所定時間強制撹拌することは開示されていない。しかしながら、異なる液体を混合する際に所定時間強制撹拌することは、本件出願前周知の事項であるから（必要ならば、引用例３参照）、本件発明の相違点（ロ）の構成は、格別の創意力を要するものとは云えない。  
 　　　　  
（ｉｉｉ）相違点（ハ）について  
　確かに、引用１発明には、加工用設備に管路を介して送球する前に受け入れ貯蔵する「貯留槽」は開示されていない。しかしながら、薬液を希釈した後、貯蔵しておく希釈薬液貯蔵タンクを設けることは本件出願前周知の事項であるから（引用例６の記載事項ａ）、本件発明の相違点（ハ）の構成は、格別の創意工夫を要するものとは云えない。
　この相違点について、請求人は意見書において「濃度平準化の効果は当業者の予想を超える」旨（第１５頁８〜９行）述べているが、引用例６では、貯蔵タンクは薬液濃度の均一化を図っていることを意図することも窺え（記載事項ｃ）、また、貯蔵タンクで一定時間保留させることによって均一化が進むことは技術常識であり、その効果も程度の差はあるにせよ予測を大きく超えるとまではみれない。 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　  
（ｉｖ）相違点（ニ）について  
　本件明細書には、「現像液タンク２２用の窒素ガスは圧力を１〜２ｋｇ／ｃｍ２とすることによって現像液を使用側に送給するためのエネルギを現像液の水頭圧（すなわち、窒素ガスの圧力と現像液の液面水頭圧を加算した値）によって得る。このため、前記管路６２にはポンプを設ける必要がなくなり、ポンプ駆動による現像液の脈動供給の弊害を防止できる。」（段落【００１４】）と記載されており、引用１発明と同じように、窒素ガスで加圧することが記載されている。  
　すなわち、本件訂正発明の「窒素ガスシール手段」は「Ｎ２ガスで加圧する手段」をも包含している。  
　逆に、引用１発明において、調合槽をＮ２ガスで加圧するということは、加圧状態が維持されなければならない。すなわち、調合槽は大気に開放されておらず、密閉状態にあると云える。このことは、調合槽が、実質的に、Ｎ２ガスでシールされていると云える。  
　加えて、本件明細書には、ホトレジストについて、「半導体製造においては各種工程でホトエッチングが繰り返され、ポジレジストが多用される。」（段落【０００２】）、「また、本発明に係るポジレジスト用のアルカリ系現像液」（段落【００１４】）と記載され、具体例として「ポジレジスト」が挙げられている。　ところで、引用例４には、「一般にポジ型レジストの現像は中和反応であるため現像液の濃度が反応速度に大きく影響を及ぼしてきた。第１図に現像液濃度とレジスト寸法の関係を示す。同図より現像液濃度はレジスト寸法に大きく影響を及ぼすことが明らかであり、現像液の濃度制御が寸法制御にとって欠かせないことは言うまでもないであろう。・・・窒素パージにより現像液２０３の劣化を妨げている。」（記載事項ｃ）と記載されている。すなわち、現像液の劣化を妨げるために窒素パージすることが記載されている。してみると、現像液の表面を窒素で覆い、空気で劣化させないということが知られていたと云える。  
　したがって、本件訂正発明の相違点（ニ）の構成は当業者が容易に想到し得るものであると云える。 
　そして、本件訂正発明の上記相違点に係る構成を採ることによる明細書記載の効果は、上記した各引用例の記載から予測し得るものである。
　以上のとおりであるから、本件訂正発明は、引用例１、３、４、６、８、９に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件訂正発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。なお、請求人の上記した主張以外の主張をみても結論を覆すに至る理由は存在しない。　  
 　　　　　　　　　 
Ｖ．むすび  
　したがって、本件審判の請求は、特許法第１２６条第３項の規定に適合しない。 
　よって、結論のとおり審決する