【事件の表示】
　平成１０年特許願第５４２６０３号「液晶装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年１０月１５日国際公開、ＷＯ９８／４５７５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年４月９日（優先権主張　平成９年４月９日、日本国）を国際出願日とする出願であって、原審において平成１５年５月２６日付けで通知された拒絶理由に対して、同年８月４日付けで手続補正書が提出された後、同年９月９日付けで拒絶査定がなされたものであり、これに対し、同年１０月２４日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１１月２５日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年１１月２５日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年１１月２５日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）平成１５年１１月２５日付け手続補正について
　平成１５年１１月２５日付けの手続補正は、補正前の請求項１の記載である「液晶層を挟持する２枚の基板のうち一方の基板に、複数の配線層と、画素毎に形成された複数の画素電極と、前記配線層と前記画素電極との間に接続され、導電体表面への陽極酸化により形成された絶縁膜を備えた複数のアクティブ素子とを有する液晶装置の製造方法において、
　前記一方の基板に、前記アクティブ素子に対応する前記導電体を、前記導電体を複数の導通経路により通電可能に接続する通電パターンと共に形成する工程と、前記通電パターンに通電することにより前記導電体表面への陽極酸化による絶縁膜を形成する工程と、前記アクティブ素子に対応する前記導電体を前記アクティブ素子毎に島状に残すように前記通電パターンの一部を除去する工程とを備えていることを特徴とする液晶装置の製造方法。」を、「液晶層を挟持する２枚の基板のうち一方の基板に、複数の配線層と、画素毎に形成された複数の画素電極と、前記配線層と前記画素電極との間に接続され、導電体表面への陽極酸化により形成された絶縁膜を備えた複数のＭＩＭ素子とを有する液晶装置の製造方法において、
　前記一方の基板の表面に下地層を形成する工程と、
　前記下地層上に、前記導電体を複数の導通経路により通電可能に接続する通電パターンと共に形成する工程と、
　前記通電パターンに通電することにより前記導電体表面への陽極酸化による絶縁膜を形成する工程と、前記導電体を前記ＭＩＭ素子毎に残すように前記通電パターンの一部を除去する工程とを備え、
　前記通電パターンの一部を除去する工程においては、前記下地層を前記画素電極の形成領域において、前記画素電極の外縁部よりも内側に開口縁を有するよう選択的に除去することを特徴とする液晶装置の製造方法。」と、補正しようとするものを含むものである。
　上記補正によって、補正前の「前記アクティブ素子に対応する前記導電体を前記アクティブ素子毎に島状に残すように前記通電パターンの一部を除去する工程」における「島状」なる構成が文言上除かれたばかりでなく、これは請求人が平成１５年１１月２５日付け手続補正書（方式）の「（ｂ）補正の根拠の明示」において「この「島状」を除いたのは、本願第１２図に示される第１電極４２ａが配線層４２につながっている状態のＭＩＭ素子の構成を含めたものである。」と述べているとおり、本件補正前の発明を特定するための事項を拡張するものである。
　よって、本件補正が、特許請求の範囲の減縮を目的とするものでないことは明らかであるとともに、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明でないことも明らかである。  
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第１号乃至第４号に掲げる事項を目的とするものに該当するということができない。
　
（２）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第１号乃至第４号に該当しない補正を含んでいるので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
　
３．本願発明について
　平成１５年１１月２５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年８月４日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至７に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明及び請求項５に係る発明は、以下のものである。 
　「１．液晶層を挟持する２枚の基板のうち一方の基板に、複数の配線層と、画素毎に形成された複数の画素電極と、前記配線層と前記画素電極との間に接続され、導電体表面への陽極酸化により形成された絶縁膜を備えた複数のアクティブ素子とを有する液晶装置の製造方法において、
　前記一方の基板に、前記アクティブ素子に対応する前記導電体を、前記導電体を複数の導通経路により通電可能に接続する通電パターンと共に形成する工程と、前記通電パターンに通電することにより前記導電体表面への陽極酸化による絶縁膜を形成する工程と、前記アクティブ素子に対応する前記導電体を前記アクティブ素子毎に島状に残すように前記通電パターンの一部を除去する工程とを備えていることを特徴とする液晶装置の製造方法。」（以下、「本願請求項１発明」という。）、
　「５．液晶層を挟持する２枚の基板のうち一方の基板に、複数の配線層と、画素毎に形成された複数の画素電極と、前記配線層と前記画素電極との間に接続され、導電体表面への陽極酸化により形成された絶縁膜を備えた複数のアクティブ素子とを有する液晶装置の製造方法において、
　前記一方の基板に、前記アクティブ素子に対応する前記導電体を成す細幅部を形成し、前記基板表面においてほぼ全面的に形成される通電パターンを形成する工程と、前記通電パターンに通電することにより前記細幅部表面への陽極酸化による絶縁膜を形成する工程と、前記細幅部を島状に残すように前記通電パターンの一部を除去する工程とを備えていることを特徴とする液晶装置の製造方法。」（以下、「本願請求項５発明」という。）
　
（１）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開昭５８−３８９２２号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　ア．「本発明は、金属−絶縁体−金属（以後ＭＩＭと略す）構造を有する液晶表示装置に関する。」（第１頁左下欄１３〜１４行）
　イ．「ＭＩＭ素子の製造方法は以下の通りである。ガラス等の基板上に金属薄膜を形成し、これを所望の形状にパターンニングする。次に金属薄膜の表面を金属酸化物の絶縁体で抱った後、金属膜を形成、所望の形状にパターンニングしてＭＩＭ素子を形成する。」（第２頁左下欄４〜１０行）
　ウ．「ＭＩＭ素子を液晶表示装置に付加する場合のＭＩＭ素子側基板を第２図に示す。Ｙ軸側配線及びＭＩＭ素子電極となる金属配線３を形成したのち、……前記金属配線３表面を陽極酸化する。金属配線３の１部はＭＩＭ素子の片側金属となり、金属酸化膜はＭＩＭ素子の絶縁体と成る。……、透明電極６を形成して第２図に示した基板を得る。」（第２頁左下欄１１〜右下欄１行）
　エ．「本発明は第４図，第５図に示すように陽極酸化される金属配線７，９を電気的に閉回路とすることにより金属配線が断線しても陽極酸化の電極となるリード部と電気的に接続されているようになる。」（第２頁右下欄７〜１１行）
　オ．「なお金属配線の閉回路が構造上もしくは面積上で不都合な場合は後工程でその一部を除去してもその効果は変わらない。」（第３頁左欄８〜１１行）
　カ．第４図，第５図から、金属配線７，９が電気的に閉回路である構成が見てとれる。
　
　また、原査定において、請求項５に対して引用された、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭５８−３４４２８号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　キ．「本発明は非線型抵抗素子の製造方法及びそれを用いたマトリクス型液晶表示装置に関する。」（第２頁左上欄１７〜１８行）
　ク．「実施例１
　第５図及び第６図は本発明におけるＭＩＭ素子及び画素電極の製造工程の一例を示したもので、……。……透明基板８上にＴａあるいは窒素をドープしたＴａ薄膜をスパッタでつけた後、所定の形状にパターニングし陽極酸化用リード電極９とする。次に０．０１ｗｔ％のクエン酸水溶液中に該基板を浸漬し陽極酸化法によつてＴａ2Ｏ5膜１０を形成する第５図（イ）及び第６図（イ）。……
　次に、……金属薄膜をスパッタあるいは蒸着等の通常の薄膜形成工程で形成し、パターニングしてリード電極１１，１１’をつくる→第５図（ロ）及び第６図（ロ）。
　さらに第５図（ロ）の点線で示す部分１２をレジストで覆った状態で陽極酸化膜１０及び陽極酸化リード部９の不要部分をエッチングして第５図（ハ）に示す形状とする。次に、……極く薄い薄膜等の透明電極で画素電極１３を形成する→第５図（ニ）及び第６図（ハ）。」（第３頁左下欄９〜右下欄１２行）
　ケ．「実施例６
　第１０図及び第１１図に示す様に透明基板６０上にＴａ薄膜をスパッタし網目状に陽極酸化用リード６１をパターニングした。」（第４頁左下欄１６〜１９行）
　コ．「実施例７
　実施例６の考え方をさらに押し進め第１３図に示すようにＭＩＭ素子形成部７０以外の部分７１は全面にわたつてＴａ薄膜を残すようにした。」（第４頁右下欄１６〜１９行）
　サ．第５図（ロ）から、島状にパターニングされたリード電極１１、及び第１３図から、ＭＩＭ素子形成部７０が細幅であることが見てとれる。
　
　したがって、上記ア．〜カ．の記載事項からみて、引用例１には以下の発明が記載されていると認められる。 
　「液晶層を挟持する２枚の基板のうち一方の基板に、複数の金属配線と、画素毎に形成された複数の透明電極と、前記金属配線と前記画素電極との間に接続され、ＭＩＭ素子の片側金属表面への陽極酸化により形成された絶縁体を備えた複数のＭＩＭ素子とを有する液晶装置の製造方法において、
　前記一方の基板に、前記ＭＩＭ素子に対応する前記ＭＩＭ素子の片側金属を、前記ＭＩＭ素子の片側金属を複数の導通経路により通電可能に接続する閉回路と共に形成する工程と、前記閉回路に通電することにより前記ＭＩＭ素子の片側金属表面への陽極酸化による絶縁体を形成する工程と、閉回路の一部を除去する工程とを備えている液晶装置の製造方法。」（以下、「引用例１発明」という。）
　
　また、上記キ．〜サ．の記載事項からみて、引用例２には以下の発明が記載されていると認められる。
　「液晶層を挟持する２枚の基板のうち一方の基板に、複数のリード電極と、画素毎に形成された複数の画素電極と、前記リード電極と前記画素電極との間に接続され、ＭＩＭ素子形成部表面への陽極酸化により形成された陽極酸化膜を備えた複数のＭＩＭ素子とを有する液晶装置の製造方法において、
　前記一方の基板に、前記ＭＩＭ素子に対応する前記ＭＩＭ素子形成部を成す細幅部を形成し、前記基板表面においてほぼ全面的に形成されるＴａ薄膜を形成する工程と、前記Ｔａ薄膜に通電することにより前記ＭＩＭ素子形成部表面への陽極酸化による陽極酸化膜を形成する工程と、前記ＭＩＭ素子形成部を島状に残すように前記Ｔａ薄膜の一部を除去する工程とを備えている液晶装置の製造方法。」（以下「引用例２発明」という。）
　
（２）対比・判断
　ア．本願請求項１発明と引用例１発明について
（ア）対比
　本願請求項１発明と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明における「金属配線」，「透明電極」，「ＭＩＭ素子の片側金属」，「絶縁体」，「ＭＩＭ素子」及び「閉回路」は、それぞれ，本願請求項１発明における「配線層」，「画素電極」，「導電体」，「絶縁膜」，「アクティブ素子」及び「通電パターン」に相当する。
　したがって，本願請求項１発明と引用例１発明とは、
　「液晶層を挟持する２枚の基板のうち一方の基板に、複数の配線層と、画素毎に形成された複数の画素電極と、前記配線層と前記画素電極との間に接続され、導電体表面への陽極酸化により形成された絶縁膜を備えた複数のアクティブ素子とを有する液晶装置の製造方法において、
　前記一方の基板に、前記アクティブ素子に対応する前記導電体を、前記導電体を複数の導通経路により通電可能に接続する通電パターンと共に形成する工程と、前記通電パターンに通電することにより前記導電体表面への陽極酸化による絶縁膜を形成する工程と、前記通電パターンの一部を除去する工程とを備えている液晶装置の製造方法。」である点で一致し，次の点で相違している。
［相違点］
　本願請求項１発明では、「アクティブ素子に対応する導電体をアクティブ素子毎に島状に残すように」通電パターンの一部を除去しているのに対して、引用例１発明では、ＭＩＭ素子に対応するＭＩＭ素子の片側金属をＭＩＭ素子毎に島状に残すように閉回路の一部を除去していない点。
（イ）判断
　以下、上記相違点について検討する。
　ＭＩＭ素子を有する液晶装置において、金属膜を陽極酸化して形成した絶縁膜をＭＩＭ素子毎に島状に残した構成は周知（例えば、原査定において示された特開平８−２６２４９９号公報（図１参照），特開平８−５０３１１号公報（図７参照）等参照）であり、引用例１発明の液晶装置に上記周知の構成を適用することに格別の困難性はなく、引用例１発明に当該周知の構成を適用した場合には、必然的に、ＭＩＭ素子に対応するＭＩＭ素子の片側金属をＭＩＭ素子毎に島状に残すように閉回路の一部を除去する工程を備えることとなるから、上記相違点は周知技術から当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、本願請求項１発明によってもたらされる効果は、上記引用例１発明及び周知技術から、当業者が予測し得る程度のものであり、格別のものとはいえない。
　以上のとおり、本願請求項１発明は、引用例１発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
　イ．本願請求項５発明と引用例２発明について
　本願請求項５発明と引用例２発明とを対比すると、引用例２発明における「リード電極」，「ＭＩＭ素子形成部」，「陽極酸化膜」，「ＭＩＭ素子」及び「Ｔａ薄膜」は、それぞれ，本願請求項５発明における「配線層」，「導電体」，「絶縁膜」，「アクティブ素子」及び「通電パターン」に相当するから、本願請求項５発明と引用例２発明とに相違は認められない。
　よって、本願請求項５発明は、引用例２発明と同一であるか
ら、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものである。
　なお、原査定の拒絶理由は、本願発明が特許法第２９条第１項第３号に該当するというものではないが、審判請求時に請求項５乃至７を削除したことから見て、審判請求人は、本願請求項５発明等と引用例とを対比し、容易性のみならず、同一性についても検討していることは明らかである（特に、特開昭５８−３４４２８号公報）。
　
（４）むすび
　以上のとおり，本願請求項１発明は，引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本願請求項５発明は、引用例２発明と同一であるから、特許法第２９条第２項の規定
及び特許法第２９条第１項第３号の規定により、いずれにしても特許を受けることができない。
　よって，結論のとおり審決する。