【事件の表示】
　平成　５年特許願第２０６７４２号「イオン注入装置及びイオン注入方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　３月１０日出願公開、特開平　７−　６５７７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯／本願発明
  本願は、平成５年８月２０日の出願であって、特許請求の範囲の請求項１乃至７に係る発明は、平成１５年１１月４日付け手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至７に記載された次のとおりのものである（以下、請求項１乃至７に係る発明を「本願発明１」乃至「本願発明７」という。）。
「【請求項１】半導体基板に対し加速されたイオンビームを照射することにより、前記半導体基板に所定の不純物を導入するイオン注入装置において、イオンビームの進行方向に見て、前記半導体基板の後方に位置する部材の前記イオンビームにより照射される部分が、前記半導体基板を構成する半導体の酸化物もしくは窒化物のうち少なくとも一つを主成分とする材料で構成されているか、またはその表面が該材料で覆われていることを特徴とするイオン注入装置。
【請求項２】半導体基板に対し加速されたイオンビームを照射することにより、前記半導体基板に所定の不純物を導入するイオン注入方法において、イオンビームの進行方向に見て、前記半導体基板の後方に位置する部材の前記イオンビームにより照射される部分が、前記半導体基板を構成する半導体の酸化物もしくは窒化物のうち少なくとも一つを主成分とする材料で構成されているか、またはその表面が該材料で覆われていることを特徴とするイオン注入方法。
【請求項３】半導体基板に対し加速されたイオンビームを照射することにより、前記半導体基板に所定の不純物を導入するイオン注入装置において、イオンビームの進行方向に見て、前記半導体基板の前方に開口を有するついたてを前記半導体基板から隔離して設け、該ついたてにより前記半導体基板の後方に位置する部材が、前記イオンビームにより照射されない様にしたことを特徴とするイオン注入装置。
【請求項４】前記半導体基板の後方に位置する部材が、前記イオンビームにより照射されない様に構成したことを特徴とする請求項３に記載のイオン注入装置。
【請求項５】前記ついたては、前記半導体基板を構成する半導体、もしくはその酸化物、もしくはその窒化物のうち少なくとも一つを主成分とする材料で構成されているかまたはその表面が該材料で覆われていることを特徴とする請求項３に記載のイオン注入装置。
【請求項６】前記材料は、Ｎ型もしくはＰ型のシリコンであり、その不純物濃度が１×１０17ｃｍ-3以下であることを特徴とする請求項５に記載のイオン注入装置。
【請求項７】前記半導体基板の後方に前記イオンビームの検出手段を設け、該検出手段の出力により前記イオンビームの走査手段または前記半導体基板の移動手段を制御し、前記半導体基板の後方に位置する部材が、前記イオンビームにより照射されない様にしたことを特徴とする請求項３に記載のイオン注入装置。」
　
２．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物である特開昭６１−１３５４２号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。　
１ａ．「１．イオンビーム源からのイオンビームの照射を受けてイオンが注入される半導体ウエフアを配置するウエフア配置部を有するイオン注入用マスク板を有し、該イオン注入用マスク板が、少なくとも上記イオンビーム源に臨む側において、上記半導体ウエフアと同種の材料、またはその酸化物または窒化物の材料の表面を有していることを特徴とするイオン注入用マスク装置。
２．特許請求範囲第１項記載のイオン注入用マスク装置において、上記第１のイオン注入用マスク板が、第１の板体と、該第１の板体の少なくとも上記イオンビーム源に臨む側の面上に形成された上記第１の半導体ウエフアと同種の材料、またはその酸化物または窒化物の材料でなる第１の膜とを有することを特徴とするイオン注入用マスク装置。」（１ページ「特許請求の範囲」）
１ｂ．「このようなイオン注入法（当審注；第１図及び第２図に示される従来のイオン注入法）によれば、イオンビーム６が、ウエフア戴置体２、従って回転円板３をも走査照射するため、回転円板３から、その材料が外部にスパッタする。そして、そのスパッタした材料の大半は、イオン打込用室の内壁に付着するが、一部が、その内壁で反射し、半導体ウエフア１に向い、その半導体ウエフア１内に、第３図に示すような・・・濃度Ｎの分布を以て侵入し、半導体ウエフア１が汚染する。・・・従って、第１図及び第２図に示す従来のイオン注入法の場合、半導体ウエフア１をそれへのイオン注入時において、ウエフア戴置体２の材料によって汚染させる、という欠点を有していた。・・・よって、本発明は、半導体ウエフアにイオンを注入する場合に使用して、上述した欠点を伴なわせない、新規なイオン注入用マスク装置、及びそれを用いた新規なイオン注入法を提案せんとするものである。」（３ページ右下欄１０行〜４ページ左上欄１３行）
１ｃ．「第４図及び第５図に示す本願第４番目の発明によるイオン注入法は、第１図及び第２図で上述したと同様に、回転軸４を有する回転円板３でなるウエフア戴置体２上に半導体ウエフア１の複数を順次戴置配列した状態で、イオンビーム源からのイオンビーム６を、照射させる。・・・しかしながら、本願第４番目の発明によるイオン注入法の実施例においては、半導体ウエフア１を配置するためのウエフア配置部１５を形成しているイオン注入用マスク板１２を複数有し、そしてその各イオン注入用マスク板１２がイオンビーム源に臨む側において、半導体ウエフア１と同種の材料・・・、またはその酸化物・・・または窒化物・・・の材料の表面１６を有している・・・イオン注入用マスク装置１１を用いる。・・・以上で、本願第４番目の発明によるイオン注入法の実施例が明らかとなったが、それから、本願第２番目の発明によるイオン注入用マスク装置１１、本願第１番目の発明によるイオン注入用マスク装置・・・の実施例が明らかであろう。」（５ページ右下欄１９行〜６ページ左下欄１２行）
　
３．対比・判断
３−１．本願発明５について
　引用刊行物には、上記「２．」の「１ａ．」乃至「１ｃ．」の記載から、以下の発明（以下、「引用刊行物記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ウエフア戴置体２上に戴置された半導体ウエフア１に、イオンビーム源からのイオンビーム６を照射することにより半導体ウエフア１にイオン注入を行う装置において、ウエフア戴置体２上に、イオンビーム源に臨む側において、上記半導体ウエフアと同種の材料、またはその酸化物または窒化物の材料の表面を有するイオン注入用マスク板１２を配置し、イオンビーム６によるウエフア戴置体２のスパッタを防止するもの。」
　
　本願発明５（前者）と引用刊行物記載の発明（後者）とを対比する。
　後者の、「半導体ウエフア１」、「イオンビーム６」、「イオン注入を行う装置」は、それぞれ、前者の、「半導体基板」、「イオンビーム」、「イオン注入装置」に相当する。
　また、後者の「イオンビーム源に臨む側において、上記半導体ウエフアと同種の材料、またはその酸化物または窒化物の材料の表面を有するイオン注入用マスク板１２」は、前者の「半導体基板を構成する半導体、もしくはその酸化物、もしくはその窒化物のうち少なくとも一つを主成分とする材料で構成されているかまたはその表面が該材料で覆われている、半導体基板の前方に開口を有するついたて」に相当する。
　そして、後者の、「半導体ウエフア１」を戴置する「ウエフア戴置体２」は、「イオンビーム６」の進行方向から見て、「半導体ウエフア１」の後方に位置する部材であり、「イオン注入用マスク板１２」により、そのスパッタが防止されているのであるから、「イオンビーム６」により照射されないものであり、前者の「イオンビームにより照射されない様にした、半導体基板の後方に位置する部材」に相当する。
　以上より、両者は、
「半導体基板に対し加速されたイオンビームを照射することにより、前記半導体基板に所定の不純物を導入するイオン注入装置において、イオンビームの進行方向に見て、前記半導体基板を構成する半導体、もしくはその酸化物、もしくはその窒化物のうち少なくとも一つを主成分とする材料で構成されているかまたはその表面が該材料で覆われている、前記半導体基板の前方に開口を有するついたてを設け、該ついたてにより前記半導体基板の後方に位置する部材が、前記イオンビームにより照射されない様にしたことを特徴とするイオン注入装置。」
の点の構成で一致し、次の点で相違する。
［相違点］
　前者が、「ついたて」を半導体基板から隔離して設けているのに対し、後者は、「イオン注入マスク板１２」の配置についてこのような記載がない点。
　
　上記相違点について検討すると、イオンビームや反跳イオンが接触するおそれのある部材の表面に半導体基板の材質に合わせてＳＩ膜等の半導体膜を設けて金属不純物汚染を防止するようにしたイオン注入装置であって、半導体基板と離れた位置に注入領域を決めるためのマスクを設け、そのマスクの表面にＳＩ膜を被覆するものも従来周知であり（例えば、特開平４−２９６０１６号公報［特に図４］参照。）、引用刊行物記載の発明に上記周知事項を適用して、「ついたて」を半導体基板から隔離して本願発明５のような構成とすることは、当業者が格別の推考力を要することなくなし得る程度のことと認められる。
　そして、本願発明５の奏する効果も、引用刊行物の記載及び周知事項から当業者が予測し得る範囲内のものと認められる。
　以上より、本願発明５は、引用刊行物に記載された発明及び周知事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３−２．本願発明３について
　本願発明３は、本願発明５から「ついたての」の材料に関する構成要件を省いたものであるが、本願発明３の構成要件を全て含み、更に他の構成要件を付加したものに相当する本願発明５が、前記「３−１．」で検討したように引用刊行物に記載された発明及び周知事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明３も、同様の理由により、引用刊行物に記載された発明及び周知事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３−３．本願発明４について
　本願発明４は、本願発明３と実質的に同一のものであるから、本願発明３と同様の理由により、引用刊行物に記載された発明及び周知事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、請求項３乃至５に係る発明（本願発明３乃至５）は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、請求項３乃至５に係る発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。