(57)【要約】  マルチビーム走査電子顕微鏡検査システムが開示される。マルチビーム走査電子顕微鏡検査システムは電子源とビームレット制御機構を含んでもよい。ビームレット制御機構は、電子源によって供給された電子を用いて複数のビームレットを生成し、１つの時間インスタンスに複数のビームレットのうち１つをターゲットのほうに伝えるように構成されてよい。マルチビーム走査電子顕微鏡検査システムはさらに、ターゲットから後方散乱された電子に少なくとも部分的に基づいてターゲットの画像を生成するように構成された検出器を含んでもよい。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
電子源と、
電子源によって供給された電子を用いて複数のビームレットを生成するように構成されたビームレット制御機構と、を備え、ビームレット制御機構はさらに、１つの時間インスタンスに複数のビームレットのうち１つをターゲットのほうに伝えるように構成され、
さらに、ターゲットの画像を、ターゲットから後方散乱された電子に少なくとも部分的に基づいて生成するように構成された検出器を備える装置。
【請求項２】
ビームレット制御機構は、マルチビームアパーチャアレイに相対して移動され得る単一のアパーチャ板を含み、単一のアパーチャ板と、マルチビームアパーチャアレイ上に画定されたアパーチャのアレイのうち１つとの位置合わせが、複数のビームレットのうち１つをターゲットのほうに伝えるために用いられる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
ビームレット制御機構は、マルチビームアパーチャアレイ上に画定されたアパーチャのアレイに対応して画定されたブランキングデバイスのアレイを備え、ブランキングデバイスのアレイの選択的な係合と非係合が、複数のビームレットのうち１つを、ターゲットのほうに伝えるために用いられる、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
ビームレット制御機構は、マルチビームアパーチャアレイ上に画定された各アパーチャ内に内蔵されたブランキングデバイスを伴うマルチビームアパーチャアレイを備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
ターゲットの画像は、ターゲットの後方散乱電子（ＢＳＥ）画像を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
検出器はさらに、
ターゲットから後方散乱された、２以上の時間インスタンスでターゲットのほうに伝えられた２以上のビームレットの電子を受け取り、
受け取った後方散乱電子の合計に少なくとも部分的に基づいてターゲットの画像を生成するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
複数のビームレットのうち１つがターゲットに伝えられたときに生成される二次電子を検出器が受け取ることを選択的に遮断するように構成されたエネルギーフィルタをさらに備えた、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
エネルギーフィルタは、最高エネルギーの後方散乱電子以外の全ての後方散乱電子が検出器に達することを遮断するように構成されている、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
エネルギーフィルタはエネルギーフィルタアレイを含む、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
エネルギーフィルタは大面積のグローバルエネルギーフィルタを含む、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
検出器は、複数のビームレットに対応する１つの検出器のアレイを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
電子源とビームレット制御機構の間に配置された少なくとも１つのレンズをさらに備え、少なくとも１つのレンズは、電子源によって供給された電子をビームレット制御機構に集束するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
さらに、複数のビームレットのうち１以上をターゲット上の単一の位置に収束させるように構成された少なくとも１つの偏光器またはレンズを備えた、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
装置であって、
電子源と、
電子源によって供給された電子を用いて複数のビームレットを生成するように構成されたビームレット制御機構と、を備え、ビームレット制御機構はさらに、１つの時間インスタンスに複数のビームレットのうち１つをターゲットのほうに伝えるように構成され、
さらに、複数のビームレットに対応する検出器のアレイを備え、検出器のアレイは、ターゲットの画像を、ターゲットから後方散乱された電子に少なくとも部分的に基づいて生成するように構成されている装置。
【請求項１５】
ビームレット制御機構は、マルチビームアパーチャアレイに相対して移動され得る単一のアパーチャ板を含み、単一のアパーチャ板と、マルチビームアパーチャアレイ上に画定されたアパーチャのアレイのうち１つとの位置合わせが、複数のビームレットのうち１つをターゲットのほうに伝えるために用いられる、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
ビームレット制御機構は、マルチビームアパーチャアレイ上に画定されたアパーチャのアレイに対応して画定されたブランキングデバイスのアレイを備え、ブランキングデバイスのアレイの選択的な係合と非係合が、複数のビームレットのうち１つをターゲットのほうに伝えるために用いられる、
請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
ビームレット制御機構は、マルチビームアパーチャアレイ上に画定された各アパーチャ内に内蔵されたブランキングデバイスを伴うマルチビームアパーチャアレイを備えている、請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
ターゲットの画像は、ターゲットの後方散乱電子（ＢＳＥ）画像を含む、請求項１４に記載の装置。
【請求項１９】
検出器のアレイはさらに、
ターゲットから後方散乱された、２以上の時間インスタンスでターゲットのほうに伝えられた２以上のビームレットの電子を受け取り、
受け取った後方散乱電子の合計に少なくとも部分的に基づいてターゲットの画像を生成するように構成されている、請求項１４に記載の装置。
【請求項２０】
複数のビームレットのうち１つがターゲットに伝えられたときに生成される二次電子を検出器のアレイが受け取ることを選択的に遮断するように構成されたエネルギーフィルタをさらに備えた、請求項１４に記載の装置。
【請求項２１】
装置であって、
電子源と、
電子源によって供給された電子を用いて複数のビームレットを生成するように構成されたビームレット制御機構と、を備え、ビームレット制御機構はさらに、第１の時間インスタンスに複数のビームレットのうち第１のビームレットをターゲットのほうに伝えるように構成され、また、第２の時間インスタンスに複数のビームレットのうち第２のビームレットをターゲットのほうに伝えるように構成され、
さらに、ターゲットの画像を、ターゲットから後方散乱された電子に少なくとも部分的に基づいて生成するように構成された検出器を備える装置。
【請求項２２】
ビームレット制御機構は、マルチビームアパーチャアレイに相対して移動され得る単一のアパーチャ板を含み、単一のアパーチャ板と、マルチビームアパーチャアレイ上に画定されたアパーチャのアレイのうち１つとの位置合わせが、複数のビームレットのうち１つをターゲットのほうに伝えるために用いられる、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
ビームレット制御機構は、マルチビームアパーチャアレイ上に画定されたアパーチャのアレイに対応して画定されたブランキングデバイスのアレイを備え、ブランキングデバイスのアレイの選択的な係合と非係合が、複数のビームレットのうち１つを、ターゲットのほうに伝えるために用いられる、請求項２１に記載の装置。
【請求項２４】
ビームレット制御機構は、マルチビームアパーチャアレイ上に画定された各アパーチャ内に内蔵されたブランキングデバイスを伴うマルチビームアパーチャアレイを備えている、請求項２１に記載の装置。
【請求項２５】
検出器はさらに、
ターゲットから後方散乱された、第１の時間インスタンスと第２の時間インスタンスでターゲットのほうに伝えられた２以上のビームレットの電子を受け取り、
受け取った後方散乱電子の合計に少なくとも部分的に基づいてターゲットの画像を生成するように構成されている、請求項２１に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は一般に検査システムの分野に関し、特に、電子ビーム検査システムの分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
関連出願の相互参照
本出願は、米国特許法第１１９条（ｅ）に基づいて、２０１５年９月２３日に出願された米国仮特許出願番号第６２／２２２，３５１号の利益を主張する。前記米国仮特許出願番号第６２／２２２，３５１号は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【０００３】
本出願は、ケーエルエー−テンカー  コーポレイション（ＫＬＡ  Ｔｅｎｃｏｒ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）のドケット番号Ｐ４７７９を有し、Ｄｏｕｇｌａｓ  Ｍａｓｎａｇｈｅｔｔｉらを発明者としてリストし、「マルチビーム暗視野イメージング（Ｍｕｌｔｉｂｅａｍ  Ｄａｒｋ  Ｆｉｅｌｄ  Ｉｍａｇｉｎｇ）」というタイトルの、同時係属中であり本願と同日に出願された米国特許出願第（番号付与予定）号に関連し、その全体は参照により本明細書に組み込まれる。
【０００４】
シリコンウェハ等の薄い研磨された板は現代の技術の非常に重要な部分である。例えばウェハは、集積回路およびその他のデバイスの製造に用いられる半導体材料の薄いスライスを指し得る。ウェハは欠陥検査の対象となり、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）検査は、ウェハ用の欠陥検査の最も高感度な形態のうちの１つと見なされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１５／０１５５１３４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）は、ターゲット（例えばウェハ）の画像を、電子の集束ビームでターゲットを走査することによって生成するタイプの電子顕微鏡である。電子はターゲット内の原子と相互作用し、ターゲットの表面の形状と組成に関する情報を含む種々の信号を生成する。ＳＥＭのスループットは、電子の集束ビームの数を増加させる（マルチビームＳＥＭとして知られるＳＥＭを配設する）ことによって増加され得ることに留意されたい。しかしながら、電子の多数の集束ビームを用いると、後方散乱電子（ＢＳＥ）イメージングを複雑化することにも留意されたい。結果として、ＢＳＥイメージングは、現在利用可能なマルチビームＳＥＭによってサポートされていない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示は装置を対象とする。装置は電子源とビームレット制御機構を含み得る。ビームレット制御機構は、電子源によって供給された電子を用いて複数のビームレットを生成し、１つの時間インスタンスに複数のビームレットのうち１つをターゲットのほうに伝えるように構成されてよい。装置はさらに、ターゲットの画像を、ターゲットから後方散乱された電子に少なくとも部分的に基づいて生成するように構成された検出器を含んでもよい。
【０００８】
本開示の別の実施形態は装置を対象とする。装置は電子源とビームレット制御機構を含み得る。ビームレット制御機構は、電子源によって供給された電子を用いて複数のビームレットを生成し、１つの時間インスタンスに複数のビームレットのうち１つをターゲットのほうに伝えるように構成されてよい。装置はさらに、複数のビームレットに対応する検出器のアレイを含んでもよい。検出器のアレイは、ターゲットの画像を、ターゲットから後方散乱された電子に少なくとも部分的に基づいて生成するように構成されてよい。
【０００９】
本開示の付加的な実施形態は装置を対象とする。装置は電子源とビームレット制御機構を含み得る。ビームレット制御機構は、電子源によって供給された電子を用いて複数のビームレットを生成し、第１の時間インスタンスに複数のビームレットのうち第１のビームレットをターゲットのほうに伝え、第２の時間インスタンスに複数のビームレットのうち第２のビームレットをターゲットのほうに伝えるように構成されてよい。装置はさらに、ターゲットの画像を、ターゲットから後方散乱された電子に少なくとも部分的に基づいて生成するように構成された検出器を含んでもよい。
【００１０】
上記の一般的な説明と以下の詳細な説明は両方とも例示的且つ説明的に過ぎず、本開示を必ずしも限定するものではないことを理解すべきである。本明細書に組み込まれその一部を構成する添付図面は、本開示の内容を例証する。説明と図面は併せて本開示の原理を説明する働きをする。
【００１１】
本開示の多くの利点は、添付の図を参照することによって当業者により良く理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】簡略マルチビームＳＥＭ検査システムを描写する図である。
【図２】本開示の一実施形態に従って構成されたマルチビームＳＥＭ検査システムを描写する図である。
【図３】本開示の一実施形態に従って構成されたもう１つのマルチビームＳＥＭ検査システムを描写する図である。
【図４】本開示の一実施形態に従って構成されたもう１つのマルチビームＳＥＭ検査システムを描写する図である。
【図５】本開示の一実施形態に従って構成されたもう１つのマルチビームＳＥＭ検査システムを描写する図である。
【図６】本開示の一実施形態に従って構成されたもう１つのマルチビームＳＥＭ検査システムを描写する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
ここで、添付図面に例証された開示の主題に関して詳細に説明する。
【００１４】
本開示による実施形態は、マルチビーム走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）検査システムおよび、後方散乱電子（ＢＳＥ）イメージングのためのサポートを提供するためにそのような検査システムを制御する方法を対象とする。
【００１５】
図１を全般的に参照すると、簡略マルチビームＳＥＭ検査システム１００を描写する図が示されている。マルチビームＳＥＭ検査システム１００は、マルチビームアパーチャアレイ１０４のほうに電子を伝えるように構成された電子源１０２を含んでよい。マルチビームアパーチャアレイ１０４は、電子源１０２によって供給された電子を用いて複数のビームレット１０８を生成するように構成されてよい複数のアパーチャ１０６（一次元または二次元アレイとして配置されてよい）を画定してもよい。ビームレット１０８は、ターゲット１１０内の原子を励起するためにターゲット（例えばウェハ）１１０のほうに伝えられてもよく、それが次に、二次電子（ＳＥ）１１２と、後方散乱電子（ＢＳＥ）１１４を放射し、それは検出器アレイ１１６を用いて検出され得る。
【００１６】
多数のビームレット１０８からの走査電子が、検出器アレイ１１６内のそれらの指定先の／対応する検出器それぞれへの途中に混ざり合わないように、ビームレット１０８は入念に管理されなければならないことに留意すべきである。しかしながら、ＢＳＥ１１４はＳＥ１１２よりもより大きいエネルギーとより大きいエネルギー範囲を有しているため、ＢＳＥ１１４は混ざり合うことを余儀なくされる可能性があり、それはマルチビームＢＳＥ画像の取得を大幅に複雑化する。
【００１７】
したがって、本開示に従って構成されたマルチビームＳＥＭ検査システムには、ＢＳＥ１１４の混ざり合いを排除するのに役立ち得るような方式でビームレット１０８を管理するためのビームレット制御機構が備わっていてよい。図２は、本開示に従って構成された例示的マルチビームＳＥＭ検査システム２００を描写する図である。
【００１８】
図２に示すように、マルチビームＳＥＭ検査システム２００は、ビームレット制御機構２０４のほうに電子を伝えるように構成された電子源２０２を含み得る。ビームレット制御機構２０４は、マルチビームアパーチャアレイ２０４Ｂに相対して移動され得る単一のアパーチャ板２０４Ａを含んでもよい。単一のアパーチャ板２０４Ａは、所与の時間インスタンスに単一の主ビームレット２０８のみが形成されターゲット２１０のほうに伝えられ得るように、マルチビームアパーチャアレイ２０４Ｂ上に画定されたアパーチャ２０６のうち１つと選択的に位置合わせされてよい。これにより、検出器アレイ２１６は、単一の主ビームレット２０８に応答してＳＥ２１２およびＢＳＥ２１４のみを受信して、図１に描写されたＢＳＥ１１４のクロストークを有効に排除して、ＳＥ２１２に相関された検出器以外の検出器アレイ２１６にわたり種々の検出器で受信された信号を加算することでＢＳＥ画像を形成することが可能となる。
【００１９】
ＳＥ２１２は、エネルギーフィルタ２１８を用いて遮断／拒絶されてもよいことにも留意されたい。エネルギーフィルタ２１８は、参照により全体が本明細書に組み込まれる、「荷電粒子検出システムおよびマルチビーム検査システム（Ｃｈａｒｇｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ  ａｎｄ  Ｍｕｌｔｉ−Ｂｅａｍｌｅｔ  Ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ）」というタイトルの、米国特許出願第１３／６３９，４９１号に開示されたフィルタリング技法を実行してもよい。いくつかの実施形態において、エネルギーフィルタ２１８は、ＳＥ２１２が、二次イメージング、ナビゲーション、オートフォーカス等の目的で、検出器アレイ２１６内のその指定先の検出器に達することを許可するために条件付で非係合にされてもよい。次にエネルギーフィルタ２１８は、条件付で係合されてＳＥ２１２を遮断／拒絶する。エネルギーフィルタ２１８が係合されていると、検出器アレイ２１６は全検出器アレイ２１６にわたり利用可能な検出器のサブセット（または全検出器）をＢＳＥ像形成のために選択的に用いてもよい（例えば、検出器アレイ２１６内の検出器のサブセットを選択的に加算して暗視野ＢＳＥ画像を形成する）。いくつかの実施形態において、エネルギーフィルタ２１８は、形成されたＢＳＥ画像内に存在する形態的な情報の増加を助長するために、最高エネルギーのＢＳＥ以外の全てのＢＳＥが検出器アレイ２１６に達することを阻止するために用いられてもよい。エネルギーフィルタ２１８は、米国特許出願第１３／６３９，４９１号に記載されるようなエネルギーフィルタのアレイとして実装されても、または、１つの所定の主（画像）ビームレットからの二次電子と相互作用できる単一のエネルギーフィルタ（例えば、大面積のグローバルエネルギーフィルタ）として実装されてもよいことが想定される。エネルギーフィルタ２１８は、ＳＥ２１２とＢＳＥ２１４の間に大きなエネルギー差がないと仮定すると、特に正確である必要はないことも想定される。
【００２０】
さらに、ビームレット制御機構２０４とエネルギーフィルタ２１８の動作は、専用の処理ユニット、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）または種々のその他のタイプのプロセッサまたは処理ユニットとして実装され得る１以上のプロセッサを用いて制御されてもよいことも想定される。プロセッサ（複数可）は、別々の主ビームレット２０８が１つのタイミングに１つ形成されてターゲット２１０の別々の位置のほうに伝えられ得るように、単一のアパーチャ板２０４Ａとマルチビームアパーチャアレイ２０４Ｂの相対位置を変更するように構成されてよいことも理解されるべきである。図２に描写されたビームレット制御機構２０４は、例示の目的で提示されたのに過ぎず、限定する意図はないことも理解されるべきである。本開示の趣旨および範囲から逸脱せずに、別のビームレット制御機構が実装され得ることが想定される。
【００２１】
例えば、図３は、本開示によるいくつかの実施形態において用いられ得る別のビームレット制御機構２３０を描写する図である。より具体的には、図３に示すように、ビームレット制御機構２３０は内蔵ブランキングデバイス（ブランキング電極）を備えたマルチビームアパーチャアレイを含んでよい。ビームレット制御機構２３０は、１つの単一のビームレット２０８以外の全てが所与の時間インスタンスにブランクオフされて、図１に描写されたＢＳＥ１１４のクロストークを有効に排除できるように、ブランキングデバイスを選択的に係合／非係合にするように構成されてよい。ビームレット制御機構２３０はさらに、別々の主ビームレット２０８が１つのタイミングに１つ形成されてターゲット２１０上の別々の位置のほうに伝えられ得るように、ブランキングデバイスの係合／非係合を変更するように構成されてもよい。さらに、図４に示すように、レンズ２５０は、いくつかの実施形態において、ＢＳＥ画像生成をさらに改善するために、ビームレット制御機構２３０へのカソードビームの集束を助長するために用いられてもよい。
【００２２】
図５は、もう１つの別のビームレット制御機構２４０を描写した図である。ビームレット制御機構２４０は、マルチビームアパーチャアレイ２４０Ｂの上または下に配置されたブランキングアレイ板２４０Ａを含んでもよい。ブランキングアレイ板２４０Ａは、マルチビームアパーチャアレイ２４０Ｂのアパーチャに対応するように画定されたブランキングデバイス（例えば、ブランキング電極）のアレイを含んでもよい。ビームレット制御機構２４０は、１つのビームレット２０８以外の全ビームレットが所与の時間インスタンスにブランクオフされ得るように、ブランキングアレイ板２４０Ａによって提供されるブランキングデバイスのアレイを選択的に係合／非係合にするように構成されてよい。ビームレット制御機構２４０はさらに、別々の主ビームレット２０８が１つのタイミングに１つ形成されてターゲット２１０のほうに伝えられ得るように、ブランキングデバイスの係合／非係合を変更するように構成されてもよい。代替的に、専用のブランキングアレイ板２４０Ａを省略して、寧ろ、アパーチャアレイ２４０Ｂ内のアパーチャのうち１つ以外全部に電圧を印加して、主電子を通過させない遅延フィールドを形成することも可能である。
【００２３】
ブランキングアレイ板２４０Ａは、本開示の趣旨と範囲から逸脱せずに、種々の他の方式で用いられてもよいことが想定される。例えば、図６に示すように、ビームレット制御機構２４０は、１つより多いビームレットが通過され得るように、および、１以上の偏光器および／またはレンズが、ブランキングされないビームレット２０８をターゲット２１０上の単一の位置に収束させるために用いられ得るように、ブランキングアレイ板２４０Ａ上に配設されたブランキングデバイスのアレイを選択的に係合／非係合にするように構成されてよい。
【００２４】
上記から理解されるように、本開示に従って構成されたビームレット制御機構は、マルチビームＳＥＭ検査システムでのＢＳＥイメージングを有効に可能にする。いくつかの実施形態において、ＢＳＥ画像は、単一のブランキングされないビームレットに相関された検出器以外の検出器アレイ内の多数の検出器からの信号を加算することによって形成されてよい。代替的に、エネルギーフィルタは、単一のブランキングされないビームレットからのＳＥを遮断／拒絶して、検出器アレイ内の全ての検出器で受信された信号を加算することによってＢＳＥ画像が形成されることを可能にするために用いられてもよい。
【００２５】
本開示に従って構成されたマルチビームＳＥＭ検査システムは、参照により全体を本明細書に組み込む、限定はしないが、「マルチスポット収集光学素子（Ｍｕｌｔｉ−ｓｐｏｔ  Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ  Ｏｐｔｉｃｓ）」というタイトルの米国特許出願第１４／１１５，３２６号、「高スループットマルチビーム検出システムおよび方法（Ｈｉｇｈ  Ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ  Ｍｕｌｔｉ  Ｂｅａｍ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄ）」というタイトルの米国特許第７，５０４，６２２号、「粒子光学システムおよび構成、およびそのようなシステムおよび構成のための粒子光学素子（Ｐａｒｔｉｃｌｅ−ｏｐｔｉｃａｌ  ｓｙｓｔｅｍｓ  ａｎｄ  ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔｓ  ａｎｄ  ｐａｒｔｉｃｌｅ−ｏｐｔｉｃａｌ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  ｆｏｒ  ｓｕｃｈ  ｓｙｓｔｅｍｓ  ａｎｄ  ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔｓ）」というタイトルの米国特許第７，２４４，９４９号、「粒子光学システムおよび構成、およびそのようなシステムおよび構成のための粒子光学素子（Ｐａｒｔｉｃｌｅ−ｏｐｔｉｃａｌ  ｓｙｓｔｅｍｓ  ａｎｄ  ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔｓ  ａｎｄ  ｐａｒｔｉｃｌｅ−ｏｐｔｉｃａｌ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  ｆｏｒ  ｓｕｃｈ  ｓｙｓｔｅｍｓ  ａｎｄ  ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔｓ）」というタイトルの米国特許第７，５５４，０９４号、「粒子光学システムおよび構成、およびそのようなシステムおよび構成のための粒子光学素子（Ｐａｒｔｉｃｌｅ−ｏｐｔｉｃａｌ  ｓｙｓｔｅｍｓ  ａｎｄ  ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔｓ  ａｎｄ  ｐａｒｔｉｃｌｅ−ｏｐｔｉｃａｌ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  ｆｏｒ  ｓｕｃｈ  ｓｙｓｔｅｍｓ  ａｎｄ  ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔｓ）」というタイトルの米国特許第８，０９７，８４７号、「粒子光学システムおよび構成、およびそのようなシステムおよび構成のための粒子光学素子（Ｐａｒｔｉｃｌｅ−ｏｐｔｉｃａｌ  ｓｙｓｔｅｍｓ  ａｎｄ  ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔｓ  ａｎｄ  ｐａｒｔｉｃｌｅ−ｏｐｔｉｃａｌ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  ｆｏｒ  ｓｕｃｈ  ｓｙｓｔｅｍｓ  ａｎｄ  ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔｓ）」というタイトルの米国特許第８，６３７，８３４号、「粒子光学システムおよび構成、およびそのようなシステムおよび構成のための粒子光学素子（Ｐａｒｔｉｃｌｅ−Ｏｐｔｉｃａｌ  ｓｙｓｔｅｍｓ  ａｎｄ  Ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔｓ  ａｎｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ−Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  ｆｏｒ  ｓｕｃｈ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  ａｎｄ  Ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔｓ）」というタイトルの米国特許出願第１４／１６５，５７３号、「荷電粒子光学システム、方法および素子（Ｃｈａｒｇｅｄ  ｐａｒｔｉｃｌｅ−ｏｐｔｉｃａｌ  ｓｙｓｔｅｍｓ，ｍｅｔｈｏｄｓ  ａｎｄ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ）」というタイトルの米国特許第８，０３９，８１３号、「粒子光学素子（Ｐａｒｔｉｃｌｅ−Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）」というタイトルの米国特許出願第１１／９９１，５４６号、「荷電粒子検査方法および荷電粒子システム（Ｃｈａｒｇｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ  Ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ  Ｍｅｔｈｏｄ  ａｎｄ  Ｃｈａｒｇｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ  Ｓｙｓｔｅｍ）」というタイトルの米国特許出願第１１／９９１，５４７���、「荷電粒子検査方法および荷電粒子システム（Ｃｈａｒｇｅｄ  ｐａｒｔｉｃｌｅ  ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ  ｍｅｔｈｏｄ  ａｎｄ  ｃｈａｒｇｅｄ  ｐａｒｔｉｃｌｅ  ｓｙｓｔｅｍ）」というタイトルの米国特許出願第１４／３０９，４５２号、「粒子光学システムおよび構成、およびそのようなシステムおよび構成のための粒子光学素子（Ｐａｒｔｉｃｌｅ−Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  ａｎｄ  Ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔｓ  ａｎｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ−Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  ｆｏｒ  ｓｕｃｈ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  ａｎｄ  Ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔｓ）」というタイトルの米国特許出願第１３／８２５，８２０号、「試料の表面を検査するための装置および方法（Ａｐｐａｒａｔｕｓ  ａｎｄ  ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  ｉｎｓｐｅｃｔｉｎｇ  ａ  ｓｕｒｆａｃｅ  ｏｆ  ａ  ｓａｍｐｌｅ）」というタイトルの米国特許出願第１４／４３７，７３８号、「試料の表面を検査するための装置および方法（Ａｐｐａｒａｔｕｓ  ａｎｄ  ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  ｉｎｓｐｅｃｔｉｎｇ  ａ  ｓｕｒｆａｃｅ  ｏｆ  ａ  ｓａｍｐｌｅ）」というタイトルの米国特許出願第１４／４０８，１３７号、「改善されたイメージビーム安定化とインタロゲーションを伴う荷電粒子顕微鏡のための方法およびシステム（Ｍｅｔｈｏｄ  ａｎｄ  Ｓｙｓｔｅｍ  ｆｏｒ  Ｃｈａｒｇｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ  ｗｉｔｈ  Ｉｍｐｒｏｖｅｄ  Ｉｍａｇｅ  Ｂｅａｍ  Ｓｔａｂｉｌｉｚａｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｉｎｔｅｒｒｏｇａｔｉｏｎ）」というタイトルの米国特許出願第１５／０７９，０４６号を含む、関連する米国特許および米国特許出願に記載された種々のタイプの検査／検出システム／デバイスの一環として、またはそれらと併せて利用されてもよいことを理解すべきである。
【００２６】
上記の例はウェハを検査の対象として言及しているが、本開示に従って構成された検査システムはウェハの検査に限定されないことを理解すべきである。本開示に従って構成された検査システムは、本開示の趣旨と範囲から逸脱せずに、その他のタイプの対象にも適用可能である。本開示で用いられるウェハという用語は、集積回路およびその他のデバイスの製造に用いられる半導体材料の薄いスライスならびに磁気ディスク基板、ゲージブロック等のその他の薄い研磨された板を含み得る。
【００２７】
本開示のシステムおよび装置およびその多くの付随する利点は、上記の説明から理解されるに違いなく、開示された主題から逸脱せずに、またはその主要な利点の全てを犠牲にせずに、構成要素の形態、構造および配置に種々の変更がなされてよいことは明らかであろう。説明された形態は例示に過ぎない。
【図１】
2018536265.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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