【事件の表示】
　平成　８年特許願第２０２６３５号「液晶表示素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　２月２０日出願公開、特開平１０−　４８６１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
平成　８年　７月３１日　特許出願
平成１４年　３月　８日　拒絶理由通知
平成１４年１０月　２日　手続補正
平成１４年１１月２８日　拒絶査定
平成１５年　３月２４日　審判請求
平成１５年　３月２４日　手続補正
　
第２．補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成１５年３月２４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の発明
　平成１５年３月２４日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は下記のとおり補正された。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
【請求項１】一対の基板間に液晶を封入し、一方の基板上に層間絶縁膜を介して縦横に交差状態でマトリクス状に配列したゲート配線およびソース配線とを形成し、前記ゲート配線およびソース配線に電気的に接続させて薄膜トランジスタを形成するとともに、前記ゲート配線と前記ソース配線とによって区画した領域に、前記薄膜トランジスタを覆うようにブラックマスクを形成し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続させて画素電極を形成してなり、前記薄膜トランジスタをなすゲート電極と半導体能動層との間に介設したゲート絶縁膜は、該半導体能動層側の裾部がゲート電極より外側に広がっていて半導体部が該裾部の下方に延出しており、該ゲート絶縁膜の誘電率が前記層間絶縁膜の誘電率よりも大きいことを特徴とする液晶表示素子。
　
　上記補正は、補正前の請求項１に係る発明に対し「前記薄膜トランジスタを覆うようにブラックマスクを形成し」という構成を付加するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮に相当する。
　そこで本件補正後の請求項１に記載された発明(以下、「補正発明」という。)が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか(特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか)について以下に検討する。
　
２．引用例の記載等
　本願出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−１２４８９０号公報（以下、「引用例」という。）には、各図とともに以下の事項が記載されている。
　
(1)　「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、４００℃以下の低温で絶縁基板上に特性がよく信頼性の高い絶縁ゲイト型半導体装置およびそれらが多数形成された集積回路を歩留りよく形成する方法に関する。本発明による半導体装置は、液晶ディスプレー等のアクティブマトリクスやイメージセンサー等の駆動回路、あるいはＳＯＩ集積回路や従来の半導体集積回路（マイクロプロセッサーやマイクロコントローラ、マイクロコンピュータ、あるいは半導体メモリー等）における薄膜トランジスタとして使用されるものである。」
(2)　「【００３２】〔実施例２〕　ソーダガラス基板上にＴＦＴを形成し、アクティブマトリクス型の液晶表示素子を作製した例を示す。基板２０１としてはソーダガラス基板（厚さ１．１ｍｍ、３００×４００ｍｍ）を使用した。ソーダガラスは多量のナトリウムを含有するので、このナトリウムがＴＦＴ中に拡散しないようにプラズマＣＶＤ法で全面に厚さ５〜５０ｎｍ、好ましくは５〜２０ｎｍの窒化珪素膜２０２を形成した。このように、基板を窒化珪素または酸化アルミニウムの皮膜でコーティングしてこれをブロッキング層とする技術は、本発明人等の出願である特願平３−２３８７１０、同３−２３８７１４に記述されている。
【００３３】ついで下地酸化膜２０３（酸化珪素）を形成した後、ＬＰＣＶＤ法もしくはプラズマＣＶＤ法でシリコン膜２０４（厚さ３０〜１５０ｎｍ、好ましくは３０〜５０ｎｍ）を形成し、４００℃で１時間脱水素化を行った後、これをパターニングして島状の半導体領域（ＴＦＴの活性層）を形成した。さらにテトラ・エトキシ・シラン（ＴＥＯＳ）を原料として、酸素雰囲気中のプラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素のゲイト絶縁膜（厚さ７０〜１２０ｎｍ、典型的には１００ｎｍ）２０５を形成した。基板温度はガラスの縮みやソリを防止するために４００℃以下、好ましくは２００〜３５０℃とした。しかしながら、この程度の基板温度では、酸化膜中には多量の炭化水素基が含まれ、多くの再結合中心が存在し、例えば、界面準位密度は１０12ｃｍ-2以上でゲイト絶縁膜としては使用できないレベルのものであった。
【００３４】そこで、図２（Ａ）に示すようにＫｒＦレーザー光またはそれと同等の強光を照射して、このシリコン膜２０４の結晶性を改善せしめると同時にゲイト酸化膜２０５の再結合中心（トラップセンター）を減少させ、ゲイト酸化膜２０５の特性の改善を図った。すなわち、本工程では、実施例１においては２つの工程に分けてなされていた、シリコン膜の結晶化と、ゲイト酸化膜の改善という２つの作用を１つの工程でおこなった。また、この場合において、強光を用いるのであれば、赤外光（例えば波長１．３μｍのハロゲン光）を用いたアニール法が効果的である。
【００３５】好ましくはこのレーザー照射は１０ｔｏｒｒ以下の酸素過剰雰囲気の減圧下で行われる。なぜならば、減圧状態の方が酸化膜中の炭素原子の離脱が容易であるからである。酸素分圧は、例えば１〜１０ｔｏｒｒとした。このときにはレーザー光のエネルギー密度は２５０〜３００ｍＪ／ｃｍ2と設定し、また、ショット数も１０回とした。好ましくは、温度を１５０〜４００℃、代表的には３００℃に保つと良い。レーザー照射の装置としては図３（Ｂ）に示すものを用いた。その結果、シリコン膜２０４は結晶性が改善され、また、ゲイト酸化膜の界面準位密度も１０11ｃｍ-2以下に減少した。
【００３６】次に、実施例１と同じ要領でアルミニウムのゲイト電極２０８（当審注：「２０８」は「２０６」の誤記である。）を形成し、基板ごと電解溶液に浸漬して、これを陽極として通電し、ゲイト電極等のアルミニウム配線表面に陽極酸化物の被膜２０９を厚さ２０６ｎｍ形成した。このような陽極酸化の技術は本発明人等の出願である特願平４−３０２２０、同４−３８６３７、および同４−５４３２２に記述されている。この工程の完了した様子を図２（Ｂ）に示す。また、陽極酸化工程が終了した後に、逆に負の電圧、例えば−１００〜−２００Ｖの電圧を０．１〜５時間印加してもよい。このときには、基板温度は１００〜２５０℃、代表的には１５０℃とすることが好ましい。この工程によって、酸化珪素中あるいは酸化珪素とシリコン界面にあった可動イオンがゲイト電極（Ａｌ）に引き寄せられる。このように、陽極酸化後、もしくは陽極酸化中にゲイト電極に負の電圧を印加する技術は、本発明人等の出願の特願平４−１１５５０３（平成４年４月７日出願）に記述されている。
【００３７】その後、Ｐ型の不純物として、硼素をイオンドーピング法でシリコン層に自己整合的に注入し、ＴＦＴのソース／ドレイン２０８、２０９を形成し、さらに、図２（Ｃ）に示すように、これにＫｒＦレーザー光を照射して、このイオンドーピングのために結晶性の劣化したシリコン膜の結晶性を改善せしめた。このときにはレーザー光のエネルギー密度は２５０〜３００ｍＪ／ｃｍ2と設定した。このレーザー照射によって、このＴＦＴのソース／ドレインのシート抵抗は３００〜８００Ω／□となった。またこの工程において、強光、好ましくは赤外光の照射によるアニールを行うことも有用である。
【００３８】その後、ポリイミドによって層間絶縁物２１０を形成し、さらに、画素電極２１１をＩＴＯによって形成した。そして、コンタクトホールを形成して、ＴＦＴのソース／ドレイン領域にクロム／アルミニウム多層膜で電極２１２、２１３を形成し、このうち一方の電極２１３はＩＴＯにも接続するようにした。クロム／アルミニウム多層膜は、下層にクロム膜２０〜２００ｎｍ、典型的には１００ｎｍ、上層にアルミニウム膜１００〜２０００ｎｍ、典型的には５００ｎｍが堆積されてできている。これらは連続的にスパッタ法にて形成することが望まれる。最後に、水素中で２００〜３００℃で２時間アニールして、シリコンの水素化を完了した。このようにして、ＴＦＴが完成した。同時に作製した多数のＴＦＴをマトリクス状に配列せしめてアクティブマトリクス型液晶表示装置とした。」
(3)　「【００２８】その後、厚さ２００ｎｍ〜５μｍのアルミニウム膜を電子ビーム蒸着法によって形成して、これをパターニングし、図１（Ｃ）に示すようにゲイト電極１０７、１０８を形成した。このとき、アルミニウムは後のレーザー照射に耐える必要があるので、電子ビーム蒸着によって形成した反射率の高いアルミニウム膜を用いた。電子ビーム蒸着で形成したアルミニウム膜では光学顕微鏡では粒の存在が確認できないほど表面が平坦であった。電子顕微鏡によって観測した結果、粒の大きさは２００ｎｍ以下であった。すなわち、使用するレーザーの波長よりも小さな粒径となるようにしなければならない。」
　
　以上の摘記事項から見て、引用例には以下の発明が記載されている（以下、「引用発明」という。）。
　
「同時に作製した多数のＴＦＴをマトリクス状に配列せしめたアクティブマトリクス型の液晶表示素子であって、基板２０１上に、シリコン膜２０４からなるＴＦＴの活性層、酸化珪素からなるゲイト絶縁膜２０５、アルミニウムのゲイト電極２０６、ＴＦＴのソース２０８、ＴＦＴのドレイン２０９、ポリイミドからなる層間絶縁物２１０、ＩＴＯからなる画素電極２１１、ＴＦＴのソース領域に形成したクロム／アルミニウム多層膜からなる電極２１２、及び、ＴＦＴのドレイン領域に形成したクロム／アルミニウム多層膜からなる電極２１３を、図２（Ａ）ないし（Ｄ）とともに摘記事項（２）の方法で作成した、アクティブマトリクス型の液晶表示素子。」
　
３．対比
　そこで、補正発明と引用発明を比較すると、以下のとおりである。
(1)　引用発明の「基板２０１」「層間絶縁物２１０」「ＴＦＴ」「画素電極２１１」「ゲイト電極２０６」「ＴＦＴの活性層」「ゲイト絶縁膜２０５」及び「液晶表示素子」は、それぞれ、補正発明の「基板」「層間絶縁膜」「薄膜トランジスタ」「画素電極」「ゲート電極」「半導体能動層」「ゲート絶縁膜」及び「液晶表示素子」に相当する。
(2)　引用発明は「同時に作製した多数のＴＦＴをマトリクス状に配列せしめたアクティブマトリクス型の液晶表示素子」であり、また、「図２（Ａ）ないし（Ｄ）とともに摘記事項（２）の方法で作成された」ものであるから、引用発明の液晶表示素子が「一対の基板間に液晶を封入し、一方の基板上に層間絶縁膜を介して縦横に交差状態でマトリクス状に配列したゲート配線およびソース配線とを形成し、前記ゲート配線およびソース配線に電気的に接続させて薄膜トランジスタを形成するとともに、前記ゲート配線と前記ソース配線とによって区画した領域に、前記薄膜トランジスタに電気的に接続させて画素電極を形成して」なるものであることは、当業者において明らかである（なお、ゲート配線やソース配線などの構成について必要ならば、特開平７−１４０４８５号公報、特開平８−４３８５９号公報を参照。）。
(3)　引用発明のゲート絶縁膜は酸化珪素からなり、層間絶縁膜はポリイミドからなるから、「ゲート絶縁膜の誘電率が層間絶縁膜の誘電率よりも大きい」と言える（なお、この組み合わせは、本願明細書の段落【００１５】にも例示されている。）。
　
　したがって、補正発明と引用発明は、
「一対の基板間に液晶を封入し、一方の基板上に層間絶縁膜を介して縦横に交差状態でマトリクス状に配列したゲート配線およびソース配線とを形成し、前記ゲート配線およびソース配線に電気的に接続させて薄膜トランジスタを形成するとともに、前記ゲート配線と前記ソース配線とによって区画した領域に、前記薄膜トランジスタに電気的に接続させて画素電極を形成してなり、該ゲート絶縁膜の誘電率が前記層間絶縁膜の誘電率よりも大きい、液晶表示素子。」の点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明はゲート配線とソース配線とによって区画した領域に「薄膜トランジスタを覆うようにブラックマスクを形成」した構成を有するのに対して、引用発明はこれが明らかでない点。
　
（相違点２）
　補正発明は「薄膜トランジスタをなすゲート電極と半導体能動層との間に介設したゲート絶縁膜は、該半導体能動層側の裾部がゲート電極より外側に広がっていて半導体部が該裾部の下方に延出して」いる構成を有するのに対して、引用発明はこの構成を有さない点。
　
４．判断
(1)　相違点１について
　アクティブマトリクス型液晶表示素子において、ゲート配線とソース配線とによって区画した領域に「薄膜トランジスタを覆うようにブラックマスクを形成」することは、光によるＴＦＴのリーク電流を防止するために必要かつ周知であって、例えば、特開昭６０−４５２１９号公報、特開平８−６２５７９号公報、特開平８−１６７７１９号公報、特開平８−１６０４０９号公報、特開平７−１２８６８５号公報に記載されている。
　引用発明においてこのような構成を採用することは、引用発明がアクティブマトリクス型液晶表示素子に関するものであり上記周知技術と産業上の利用分野が共通している点を考慮すれば、当然のことである。
　
(2)　相違点２について
　アクティブマトリクス型液晶表示装置の薄膜トランジスタにおいて、「薄膜トランジスタをなすゲート電極と半導体能動層との間に介設したゲート絶縁膜は、該半導体能動層側の裾部がゲート電極より外側に広がっていて半導体部が該裾部の下方に延出して」いる構成は周知であって、例えば、特開平５−５５５７３号公報、特開平８−１４８６８８号公報、特開平６−１２０２４９号公報に記載されている。
　引用発明においてこのような構成を採用することは、引用発明がアクティブマトリクス型の液晶表示素子に関するものであり上記周知技術と産業上の利用分野が共通している点を考慮すれば、当業者が容易にできることである。
　
　また、補正発明の効果は、引用発明及び周知技術から予測し得ない顕著なものとは言えない。
　
　したがって、補正発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　なお、審判請求人は審判請求書において、以下のとおり主張している。
「特開平５−５５５７３号にはゲート絶縁膜の半導体層側がゲート電極より広く形成されており、本願発明において最初の拒絶理由に対する補正後の請求項の発明と類似であると言えます。しかしながら本拒絶査定に対する補正後の請求項の発明はブラックマスクを形成することを追加したものであり、これは本願明細書の段落００１２、００１７、００１８に記載されており、段落００１２には図１及び図２を用いて「透明の基板本体３６の上面に、多数のソース配線Ｓ・・・とゲート配線Ｇ・・・と薄膜トランジスタＴの各領域を隠すためのブラックマスク３７が形成され」と記載されています。さらに段落００１８にはブラックマスク３７の上に、下部層間絶縁膜４０を形成し、次いでブラックマスク３７の各延出部３７ａ上に半導体準備膜を形成し、前記下部層間絶縁膜上にゲート絶縁膜を介してゲート配線Ｇを、さらにゲート絶縁膜を介してゲート電極をフォトレジスト法で形成することが記載されています。従ってブラックマスク上に薄膜トランジスタが形成されるため、半導体層に照射される光を遮断し、かつ段差被覆性の良い膜を形成できることが解ります。しかしながら上記周知技術文献および各引用文献の課題、解決方法からは当業者であっても本発明を想到することができないと思われます。」
　しかしながら、既に述べたとおり、薄膜トランジスタを覆うブラックマスクの構成については、アクティブマトリクス型液晶表示素子において光によるＴＦＴのリーク電流を防止するために周知の構成である。
　また、ソース配線とゲート配線を覆うブラックマトリクスの構成は特許請求の範囲に記載されていない。
　
　さらにまた、「段落００１８にはブラックマスク３７の上に、下部層間絶縁膜４０を形成し、次いでブラックマスク３７の各延出部３７ａ上に半導体準備膜を形成し、前記下部層間絶縁膜上にゲート絶縁膜を介してゲート配線Ｇを、さらにゲート絶縁膜を介してゲート電極をフォトレジスト法で形成することが記載されています。従ってブラックマスク上に薄膜トランジスタが形成されるため、半導体層に照射される光を遮断し、かつ段差被覆性の良い膜を形成できることが解ります。」という主張は補正発明が「ブラックマスク３７の上に下部層間絶縁膜４０を形成し、次いでブラックマスク３７の各延出部３７ａ上に半導体準備膜を形成し、前記下部層間絶縁膜上にゲート絶縁膜を介してゲート配線Ｇを、さらにゲート絶縁膜を介してゲート電極をフォトレジスト法で形成する」との構成を有していることを前提にした主張であるが、補正発明はこの構成を有するものではないから、特許請求の範囲の記載に基づいたものではない。
　したがって、審判請求人の主張は、いずれも採用できない。
　
５．補正の却下の決定の結び
　本件補正は、特許法等の一部を改正する法律（平成15年法第律47号）附則第２条第７項の規定によりなお従前の例によるものとされた同法第１条の規定による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明
１．本願発明
　平成１５年３月２４日付けの手続補正は上記「第２．補正の却下の決定」のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は平成１４年１０月２日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は下記のものである(以下、「本願発明」という。)。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
【請求項１】一対の基板間に液晶を封入し、一方の基板上に層間絶縁膜を介して縦横に交差状態でマトリクス状に配列したゲート配線およびソース配線とを形成し、前記ゲート配線およびソース配線に電気的に接続させて薄膜トランジスタを形成するとともに、前記ゲート配線と前記ソース配線とによって区画した領域に前記薄膜トランジスタに電気的に接続させて画素電極を形成してなり、前記薄膜トランジスタをなすゲート電極と半導体能動層との間に介設したゲート絶縁膜は、該半導体能動層側の裾部がゲート電極より外側に広がっていて半導体部が該裾部の下方に延出しており、該ゲート絶縁膜の誘電率が前記層間絶縁膜の誘電率よりも大きいことを特徴とする液晶表示素子。
　
２．引用例の記載等
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、上記「第２．補正の却下の決定」の「２．引用例の記載等」に記載したとおりである。
　
３．対比及び判断
　本願発明は「第２．補正の却下の決定」で検討した補正発明から「前記薄膜トランジスタを覆うようにブラックマスクを形成し」という事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する補正発明が、「第２．補正の却下の決定」に記載したとおり引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により引用例及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。