【事件の表示】
　平成１０年特許願第１７１６６１号「イオン注入装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　１月１４日出願公開、特開２０００−　１１９４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１０年６月１８日の出願であって、平成１５年７月１１日付け（発送日平成１５年７月１６日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年８月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１５年９月１２日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
２．平成１５年９月１２日付の手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
平成１５年９月１２日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
本件補正により、特許請求の範囲の請求項３、４は、
「【請求項３】　イオンソースから引き出され、分析電磁石および分解スリットを通過したイオンビームを、真空注入処理室でウェハに注入するよう構成するととともに、真空注入処理室内に配置された回転ディスク上にその外周に沿って間隔をおいて円形状にウェハを配置し、回転ディスクを回転駆動機構により回転させながら、イオンビームにより回転ディスク上のウェハにイオン注入を行なうよう構成し、ドーズ量コントロールを行なうための手段として、回転駆動機構を含む回転系全体をＹ方向にシフトさせるための駆動機構を設け、ウェハを搭載した回転ディスクの回転毎に、回転ディスク上の隣接するウェハの間の一部に設けたスリットをイオンビームが通過することにより、スリットを通過したイオンビームの電流を実測ビーム電流値として、回転ディスク後方のファラデーカップにより検出する計測手段と、分解スリットと真空注入処理室の手前との間に在るビームラインの真空圧力値を計測する手段とを備えて、予備注入時に、ビーム電流値が十分に安定である条件で、ビームラインの圧力を変化させながらビーム電流値の測定を行なって、真空圧力値の関数としてビーム電流値を設定して、関数の関係式を求めるとともに、実注入時に、該関数の関係式を使用することにより真空圧力補償を行なうビーム電流値の真空圧補償機構を備えたイオン注入装置において、
　真空圧力値の関数として設定されるビーム電流値に関して、前記関数の関係式を、補正係数を用いた一般関係式とするとともに、イオンの電子剥離および電子捕獲確率を反映する補正係数に基づく一般関係式を設定したことを特徴とするビーム電流値の真空圧補償機構を備えたイオン注入装置。
【請求項４】　請求項３記載のイオン注入装置において、一般関係式を、
　Ｉm ＝Ｉo ｇ（Ｐ）＝Ｉo ｛１＋（Ｋ2 ／ｉ）［１−ｅｘｐ（−Ｋ1 Ｐ）］｝（但し、Ｉm ：実測ビーム電流値、Ｉo ：イオンビーム電流値、Ｋ2 ：イオンの電子剥離、電子捕獲確率を示す圧力補正係数、ｉ：イオン価数、Ｋ1 ：レジストアウトガスに対する圧力補正係数、Ｐ：ガス全圧（レジストアウトガス成分のみ））と設定したことを特徴とするビーム電流値の真空圧補償機構を備えたイオン注入装置。」
と補正された。
　
（２）補正の目的の適否
上記請求項３、４についての補正は、補正前の請求項１〜１９に記載した発明を特定するために必要な事項である「補正係数の値を新たに求めて、新たに求めた補正係数の値を使用する新たな一般関係式を得る」を除くことを明らかに含むものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。
　そして、上記請求項３，４についての補正は、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明を目的とするものでないことも明らかであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第１ないし４号のいずれにも該当しない。
　
（３）むすび
以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
３．本願発明について
　平成１５年９月１２日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１９に係る発明は、平成１５年６月２３日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１９に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は以下のとおりのものである。
「【請求項１】　真空処埋室内に配置された回転ディスク上にウェハを配置し、イオンビームによりウェハにイオン注入を行なうよう構成し、ウェハを搭載したディスクの回転毎に、真空処理室内のディスク後方でビーム電流を実測ビーム電流値として計測する手段と、ウェハより手前側のビームラインの真空圧値を計測する手段とを備え、ビーム電流値が十分に安定である条件で、ビームラインの圧力を変化させながらビーム電流値の測定を行なって、ビーム電流値と真空圧値とから導き出される関数とその関係式を求めるとともに、実注入時に該関数の関係式を使用することにより真空圧補償を行なう真空圧補償機構を備えたイオン注入装置において、
　ビーム電流値と真空圧値とから導き出される前記関数の関係式を、補正係数を用いた一般関係式とするとともに、予備注入において、実測ビーム電流値とビームラインの真空圧値とをサンプリングし、記憶装置に格納すると共に、サンプリングされた実測ビーム電流値と真空圧値とにより、前記関数式に自動的にフィッティングして、演算処理を行なうことにより算出した前記一般関係式の補正係数の値を新たに求めて、新たに求めた補正係数の値を使用する新たな一般関係式を得ることを特徴とする真空圧補償機構を備えたイオン注入装置。」
　
４．引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前である平成１０年６月２日に頒布された刊行物である米国特許第５７６０４０９号明細書（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、
　
（１）「  BEST MODE FOR PRACTICING THE INVENTION
FIG. 1 depicts an ion implanter 11 having components for generating an ion beam including an ion source 12, an analyzing magnet 13, a rotating disk assembly 14 including a disk 15 on which workpieces 16 are mounted for implantation and a Faraday cage 17 which is used to measure the ion beam current which passes through a slot 18 formed in the disk 15. As is well known in the ion implantation art, certain ion species are selected by the analyzing magnet 13, resulting in a beam 19 of the selected species being directed against the workpieces 16.
As set forth in U.S. Pat. No. 4,234,797 to Ryding, which is incorporated herein by reference, the support 15 is rotated at a constant angular velocity by a motor 20 mounted on the disk assembly 14. During beam treatment of the workpieces on the support the disk assembly is moved in the direction of the arrow A by means of a stepper motor 22 and lead screw 23 at a rate which is determined by the dose as measured by the Faraday cage 17 to insure the uniform implantation of the workpiece 16.
As is well known in the art, ion implantation is carried out under high vacuum conditions, with the disk assembly 14 and the Faraday cage 17 defining an end station or target chamber designated by the broken line 25 in FIG. 1. The present invention provides a means for accounting for charge state changes of the ions that make up the beam when controlling implantation dose. The dose determination is based on ionization current measurements and the gas pressure at the end station of the ion implanter.
End station pressure is measured by an ionization gauge 26. Collision of the primary positive ion beam 19, designated as having an incident current Io, with gas atoms along the beamline downstream from the resolving magnet causes electrons to be added to (neutralization) or taken from (stripping) some of the positively charged ions in the beam. The degree to which this occurs is described in U.S. Pat. No. 4,587,433 as depending on the ion species, the ion velocity and the gas concentration or density through which the beam passes.
A implant controller 27 calculates beam current from the sensed beam intensity by taking into account both charge stripping and charge neutralization of ions within the ion beam caused by interactions between the ions that make up the beam and residual gas molecules to determine a compensated ion beam current. The controller 27 includes a first input 30 for inputting an indication of the relative concentration of ions having an initial and different final charge state due to interactions with the gas molecules in the ion beam path before the ions strike the workpieces and additionally including a second input 32 for inputting an indication of gas molecule pressure P at a location upstream from the workpieces along the ion beam path. A dose controller 28 coupled to the stepper motor 22 adjusts an Implant dose based upon the ion beam current determined by the controller 27. The controller 28 responds to modified current signals transmitted to the controller 28 from the implant controller 27.」
（　　　　発明の実施の形態
　図１は、イオンビームを発生するための構成要素を含んでいるイオン注入装置１１を示している。この注入装置は、イオン源１２と、分析磁石１３と、ワークピース１６がイオン注入のために取り付けられるディスク１５を有する回転ディスクアセンブリ１４と、ディスク１５に形成されたスロット１８を通過するイオンビーム電流を測定するのに使用されるファラデーケージ１７を含んでいる。
　イオン注入技術において良く知られているように、あるイオン種が分析磁石１３によって選択され、イオンビーム１９内に存在する選択されたイオン種は、ワークピース１６へ指向される。
　ここに参考として包含される前述したライディング(Ryding)の米国特許第４，２３４，７９７号明細書によれば、支持体１５がディスクアセンブリ１４に取付られたモータ２０によって一定の角速度で回転する。支持体上のワークピースのビーム処理中、ディスクアセンブリは、ファラデーケージ１７によって測定された注入量により決められる比率で、ステップモータ２２とリードスクリュ２３によって矢印Ａの方向に移動し、ワークピース１６への均一なイオン注入を保証する。
　従来技術で良く知られているように、イオン注入は、高い真空度下で実行され、ディスクアセンブリ１４と、図１の破線で示したエンドステーションすなわち、ターゲット室２５を形成するファラデーケージ１７が用いられる。
　本発明では、イオン注入量を制御するとき、ビームを作り上げるイオンの荷電状態を与える手段を備えている。このイオン注入量の決定は、イオン化電流の測定と、イオン注入装置のエンドステーションでのガス圧力に基づいている。
　エンドステーションの圧力は、イオン化ゲージ２６によって測定される。分析磁石から下流のビームラインに沿ってガス電子に付随する電流Ｉoを有する最初の正のイオンビーム１９の衝突によって電子がビーム内の正に荷電したイオンの一部が中性化または電荷はぎ取り(stripping) を生じる。これが起こる程度は、イオン種、イオン速度及びビームが通過するところのガス濃度または密度によることが米国特許第４，５８７，４３３号に記載されている。
　注入コントローラ２７は、補償したイオンビーム電流を決定するために、ビームを作り上げるイオンと残留ガス分子との間の相互作用によって生じるイオンビーム内で電荷はぎ取り及び電荷中性化を考慮に入れることによって感知したビーム強度からビーム電流を計算する。
　この注入コントローラ（補償手段）２７は、イオンがワークピースに衝突する前に、イオンビーム通路内のガス分子との相互作用による、最初の荷電状態とこれと異なる最後の荷電状態を有するイオンにおける相対的濃度の指示値を入力するための第１入力３０と、イオンビーム通路に沿ってワークピースから上流に位置するガス分子の圧力Ｐの指示値を入力するための第２入力３２とを含んでいる。
　注入量制御器２８がステップモータ２２に連結され、コントローラ２７によって決定されたイオンビーム電流に基づいたイオン注入量を調整する。また、この制御器２８は、注入コントローラ２７から制御器２８に伝送される補正した電流信号に応答する。）（第３欄第４行〜第４欄２５行）
　
（２）「and the solutions as follows:
　　　Ｉｍ＝Ｉ０［１＋Ｋ２／ｉ（１−ｅ−Ｋ１Ｐ）］
where i is the charge number of the initial charge state; and where
　　　Ｋ１＝σｉｉ−１　＋σｉｉ＋１　　　Ｋ２＝（σｉｉ＋１　−σｉｉ−１　）÷（σｉｉ＋１　＋σｉｉ−１　）
where Ｉｍ is the measured beam current (based on net charge) and Ｉ０ is the atomic beam current.」
（そして、解は次のようになる。
　　　Ｉｍ＝Ｉ０［１＋Ｋ２／ｉ（１−ｅ−Ｋ１Ｐ）］
ここで、ｉは、初期電荷状態の電荷数であり、そして、
ここで、Ｉｍは、（正味電荷に基づく）測定されたビーム電流であり、Ｉ０は、原子ビーム電流である。）（第５欄１５行〜２６行）
 
（３）「The equation Ｉ（当審注：Ｉｍの誤記と認める。）＝(Ｉ０)[1+(γ-1)(1-ｅ−ＫＰ)]improves the model that describes the relationship between measured beam current and gas pressure using two parameters, gamma and K, by which the applicable energy range is broadened upward from a few hundred KeV to several MeV. With appropriate selection of gamma and K, the deviation of measured beam current from actual atomic beam current at any given pressure inside the pressure range encountered by the implanter can be correctly calculated within statistical limits.」
（関係式 Ｉｍ ＝Ｉ０ ［１＋（γ−１）（１−ｅ−ＫＰ ）］は、２つのパラメータγとＫを用いて、測定されたビーム電流とガス圧力間の関係を記載するモデルを改善し、応用可能なエネルギー範囲が、数百ＫｅＶから数ＭｅＶまで広げられる。
　γとＫを適切に選択すると、注入装置によって与えられる圧力範囲内の所定圧力で、測定されたビーム電流から実際の原子ビーム電流への偏差は、統計的限界内に正しく計算することができる。）（第５欄４５行〜５４行）
　
（４）「 The parameter settings for .gamma. and K used for the pressure compensation based on this model were estimated based on data generated during these tests. These test results show the potential of this proposed model in controlling this photoresist outgasing effects. 」
（このモデルに基づいて圧力補正するために使用したγとＫのパラメータの設定は、このテスト中に得られたデータに基づいて評価された。これらのテスト結果は、このフォトレジストのガス抜き効果を制御する場合における提案されたモデルの電位を示している。 ）（第６欄１９行〜２３行）
　
（５）「The relationship of measured beam current and pressure for P.sup.+1 (singly charged phosphorus), 850 keV at 550 uA are presented in FIG. 3（当審注： FIG. 5の誤記と認める。）, as a typical example. The measured beam current and pressure were recorded in real time every 150 msec during implant with photoresist wafers. Data from 3 implants, 4, 8, 12 photoresist wafers in each batch, were overlapped with the fitted function of Eq(1) in this graph. A key issue here is that this I vs. P relationship has to hold regardless of the pressure range as demonstrated in the graph. 」
（５５０μＡで８５０ＫｅＶでの（単独に荷電された燐）Ｐ+1に対する測定されたビーム電流と圧力の関係が、一般的な例として、図５に示されている。この測定されたビーム電流と圧力は、フォトレジストウエハへのイオン注入中に、リアルタイムで１５０ｍｓ毎に記録された。
　各バッチにおける４，８，１２のフォトレジストウエハへの３つのイオン注入からのデータが、この図において、式(1) の適合した関数を用いて重ね合わされる。ここでのキーポイントは、Ｉ対Ｐであり、この関係は、図において示されるように、圧力範囲に関係しないで保持されなければならない。）（第６欄６６行〜第７欄８行）
　
（６）「 In FIG. 5（当審注： FIG.  3の誤記と認める。）, the results of three repetitions of a similar test for P.sup.+1 1.2 MeV at 450 uA by varying the parameter setting are illustrated. 」
（図３において、パラメータの設定を変えることによって、４５０μＡで１．２ＭｅＶでの燐Ｐ+1に対する同様なテストを３回繰り返した結果が示されている。）（第７欄１３行〜１５行）
　
（７）「The ion implanter dose controller 27 contains a compensation look-up table that is generated before an implant begins as the first input for calculating the compensated beam current. The compensation table has a table of percentage compensation values at various pressures in finite increments or intervals which is calculated based on (removing a given set of) a given set of gammas and K factors specified in the recipe to be implanted. By means of the table look-up technique (i.e. by finding a corresponding value at a given value of dependent variable by interpolation) the dose controller calculates the compensated beam current using real time pressure readings, the second input, much faster than requiring calculation on a real time basis of the entire equation. The corrected beam current as an output signal to drive the up and down scan (y scan) to achieve a proper dose control.」
（このイオン注入装置の注入コントローラ２７は、補正されたビーム電流を計算するための第１入力として、イオン注入が始まる前に発生される補正用索引表を有している。この補正表は、注入されるべき処方において特定されたガンマとＫファクターの与えられた組（与えられた組を取り除くこと）に基づいて計算される有限の増分または時間間隔における種々の圧力での補正パーセント値の表を有している。
　この表の検索技術により、（すなわち、補間によって従属する変数の所定値での対応する値を見つけることにより）注入コントローラ２７は、第２入力であるリアルタイムの圧力値を用いて、式全体に基づいたときに要求されるアルタイム計算よりもより早く補正されたビーム電流を計算する。
　訂正されたビーム電流は、出力信号としてアップダウンスキャン（ｙスキャン）を駆動し、適切な注入量の制御を達成する。）（第７欄４３行〜５８行）
　
が記載されている。
　
　上記記載事項（１）〜（７）によると、引用例１には、
　
「ターゲット室２５内に配置されたディスク１５上にワークピース１６を配置し、イオンビーム１９によりワークピース１６にイオン注入を行なうよう構成し、ワークピース１６を搭載したディスク１５の回転毎に、ターゲット室２５内のディスク１５後方でイオンビーム電流をＩｍ　として計測するファラデーゲージ１７と、ワークピース１６より手前側のイオンビーム通路に沿ったガス分子の圧力Ｐの指示値を計測するイオン化ゲージ２６とを備え、
　Ｉｍ　と圧力Ｐの指示値とから導き出される関数［１＋（γ−１）（１−ｅ−ＫＰ ）］とその関係式 Ｉｍ ＝Ｉ０ ［１＋（γ−１）（１−ｅ−ＫＰ ）］を求めるとともに、イオン注入が始まった時に該関係式 Ｉｍ ＝Ｉ０ ［１＋（γ−１）（１−ｅ−ＫＰ ）］により生成された補正用索引表を使用することにより真空圧補償を行なうユーザコンソール及び注入コントローラ２７を備えたイオン注入装置１１において、
　Ｉｍ　と圧力Ｐの指示値とから導き出される前記関数［１＋（γ−１）（１−ｅ−ＫＰ ）］の関係式 Ｉｍ ＝Ｉ０ ［１＋（γ−１）（１−ｅ−ＫＰ ）］を、γとＫを用いた一般関係式 Ｉｍ ＝Ｉ０ ［１＋（γ−１）（１−ｅ−ＫＰ ）］とするとともに、
　γとＫのパラメータの設定を変えることを特徴とするユーザコンソール及び注入コントローラ２７を備えたイオン注入装置１１。」
　
の発明（以下、「引用例１に記載の発明」という。）が記載されているものと認める。
　
５．対比・判断
　
　そこで、本願発明と引用例１に記載の発明とを対比する。
　引用例１に記載の発明における「ターゲット室２５」、「ディスク１５」、「ワークピース１６」、「イオンビーム１９」、「イオン注入」、「イオンビーム電流」、「Ｉｍ 」、「ファラデーゲージ１７」、「イオンビーム通路に沿った」、「ガス分子の圧力Ｐの指示値」、「イオンゲージ」、「関数［１＋（γ−１）（１−ｅ−ＫＰ ）］」、「その関係式 Ｉｍ ＝Ｉ０ ［１＋（γ−１）（１−ｅ−ＫＰ ）］」、「イオン注入が始まった」、「ユーザコンソール及び注入コントローラ２７」、「イオン注入装置１１」、「一般関係式 Ｉｍ ＝Ｉ０ ［１＋（γ−１）（１−ｅ−ＫＰ ）］」は、それぞれ、
　本願発明における「真空処埋室」、「回転ディスク」、「ウェハ」、「イオンビーム」、「イオン注入」、「ビーム電流」、「実測ビーム電流値」、「ビーム電流を実測ビーム電流値として計測する手段」、「ビームラインの」、「真空圧値」、「真空圧値を計測する手段」、「関数」、「その関係式」、「実注入」、「真空圧補償機構」、「イオン注入装置」、「一般関係式」に相当する。
　また、引用例１に記載の発明における「関係式 Ｉｍ ＝Ｉ０ ［１＋（γ−１）（１−ｅ−ＫＰ ）］（関数の関係式に相当。）により生成された補正用索引表を使用することにより」は、補正用索引表が、関係式 Ｉｍ ＝Ｉ０ ［１＋（γ−１）（１−ｅ−ＫＰ ）］により生成されるから、本願発明における「関数の関係式を使用することにより」に相当する。
　さらに、引用例１に記載の発明における「γとＫのパラメータの設定を変えること」は、結果的に、新たに求めたγとＫのパラメータを使用する新たな一般関係式を得ることになるから、
　本願発明における「一般関係式の補正係数の値を新たに求めて、新たに求めた補正係数の値を使用する新たな一般関係式を得ること」に相当する。
　
　したがって、両者は、
　
【一致点】
「真空処埋室内に配置された回転ディスク上にウェハを配置し、イオンビームによりウェハにイオン注入を行なうよう構成し、ウェハを搭載したディスクの回転毎に、真空処理室内のディスク後方でビーム電流を実測ビーム電流値として計測する手段と、ウェハより手前側のビームラインの真空圧値を計測する手段とを備え、
　ビーム電流値と真空圧値とから導き出される関数とその関係式を求めるとともに、実注入時に該関数の関係式を使用することにより真空圧補償を行なう真空圧補償機構を備えたイオン注入装置において、
　ビーム電流値と真空圧値とから導き出される前記関数の関係式を、補正係数を用いた一般関係式とするとともに、
　前記一般関係式の補正係数の値を新たに求めて、新たに求めた補正係数の値を使用する新たな一般関係式を得ることを特徴とする真空圧補償機構を備えたイオン注入装置。」
で一致し、
　
【相違点１】
　本願発明は、実測ビーム電流値と真空圧値とから導き出される関数とその関係式を求めるのに、ビーム電流値が十分に安定である条件で、ビームラインの圧力を変化させながらビーム電流値の測定を行なっているのに対して、
　引用例１に記載の発明は、Ｉｍ　と圧力Ｐの指示値とから導き出される関数［１＋（γ−１）（１−ｅ−ＫＰ ）］とその関係式 Ｉｍ ＝Ｉ０ ［１＋（γ−１）（１−ｅ−ＫＰ ）］を求めるのに、そのような手法とは異なる手法が用いられている点、
　
【相違点２】
　本願発明は、一般関係式の補正係数の値を新たに求めて、新たに求めた補正係数の値を使用する新たな一般関係式を得るのに、予備注入において、実測ビーム電流値とビームラインの真空圧値とをサンプリングし、記憶装置に格納すると共に、サンプリングされた実測ビーム電流値と真空圧値とにより、前記関数式に自動的にフィッティングして、演算処理を行なうことにより算出しているのに対して、
　引用例１に記載の発明は、γとＫのパラメータの設定を変えるのに、どのような手法が用いられているか不明である点、
で相違する。
　
　そこで、【相違点１】について検討する。
例えば、特開平１−２２５０５１号公報に、「ビーム電流補正回路６には、あらかじめ、第２図の真空度とビーム電流の相関データを入力しておく。この相関データは１０−６Ｔｏｒｒ以上の真空度のもとでビーム電流を測定し、徐々に真空度を１０−４Ｔｏｒｒまで低下させ、実際のビーム電流が一定のもとでビーム電流を測定し、ビーム電流の測定誤差を求める。」（２頁左上欄１８行〜同右上欄４行）と記載されているように、　
　実測ビーム電流値と真空圧値とから導き出される相関を求めるのに、ビーム電流値が一定のもとで、ビームラインの圧力を変化させながらビーム電流値の測定を行なう手法は、周知である。
　したがって、引用例１記載のイオン注入装置１１において、Ｉｍ　と圧力Ｐの指示値とから導き出される関数［Ｉｍ ／Ｉ０　］（Ｐ）＝［１＋（γ−１）（１−ｅ−ＫＰ ）］とその関係式 Ｉｍ ＝Ｉ０ ［１＋（γ−１）（１−ｅ−ＫＰ ）］という相関を求めるのに、上記周知の手法を採用して、
　Ｉ０ が一定のもとで、Ｐを変化させながらＩｍ　の測定を行なう構成とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
　次に、【相違点２】について検討する。
従属変数が独立変数とパラメータとからなる一般関係式によって与えられるとき、従属変数値と独立変数値とをサンプリングし、これらサンプリングされた従属変数値と独立変数値とに、上記一般関係式をフィッティングして、演算処理を行なうことによりパラメータの算出をすることは、例えば最小自乗法としてよく知られた手法であり、測定値とその理論モデルからモデルのパラメータを決定する際に広く用いられている。
　したがって、引用例１記載のイオン注入装置１１において、γとＫのパラメータの設定を変えるのに、上記周知の手法を採用して、
　予備注入において、従属変数値であるＩｍ　値と独立変数値であるＰ値とをサンプリングし、記憶装置に格納すると共に、これらサンプリングされた従属変数値であるＩｍ　値と独立変数値であるＰ値とに、一般関係式 Ｉｍ ＝Ｉ０ ［１＋（γ−１）（１−ｅ−ＫＰ ）］をフィッティングして、演算処理を行なうことにより算出するように構成することは、当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願発明の効果は、引用例１に記載された発明及び周知の手法に基づいて当業者が予測可能な範囲内のものである。
　
　したがって、本願発明は、引用例１及び上記周知の手法に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知の手法に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。そして、本願発明が特許を受けることができないものであるから、その余の請求項２〜１９に係る発明について判断するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。