【事件の表示】
　特願２００１−５５２４３８「チップの実装方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　７月１９日国際公開、ＷＯ０１／５２３１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、２０００年１２月２７日〔優先権主張　２０００年１月１４日（以下、「本願の優先日」という）、日本国〕を国際出願日をする出願であって、平成１７年１月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１７年２月２３日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされると共に、平成１７年３月２４日付けで手続補正がなされたものである。
　
［２］平成１７年３月２４日付け手続補正についての補正却下の決定
【補正却下の決定の結論】
　平成１７年３月２４日付けの手続補正を却下する。
　
【理由】
１．手続補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を
「チップおよび基板の少なくとも一方に形成したバンプを他方に形成した電極に接合するとともに、チップと基板との間にアンダーフィル剤を介在させるチップの実装方法において、アンダーフィル剤を基板およびチップの少なくとも一方に、それに形成したバンプまたは電極間部分に該バンプまたは電極を覆わないように、かつ、凸状に盛り上がるように塗布し、前記バンプおよび電極の少なくとも一方に、チップの基板への実装前に、該実装に至るまでの一次酸化を防止する処理を施し、チップを基板に近づけることにより、バンプを電極に当接させるとともにチップの高さを制御し、チップと基板の間においてアンダーフィル剤を互いに当接されたバンプおよび電極の周囲に展延させ、バンプがアンダーフィル剤中に埋没した状態でバンプまたは電極を加熱することによりバンプまたは電極を溶融させ、バンプと電極を金属接合することを特徴とするチップの実装方法。」とする補正事項を含むものである。
　この補正事項は、請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「チップを基板に近づけることにより、バンプを電極に当接させるとともに」について、「チップの高さを制御し」を付加して限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明１」という）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否か）について以下に検討する。
　
２．引用文献とその記載事項
　原査定の拒絶理由に引用された本願の優先日前に国内において頒布された刊行物である引用文献１〜６とその主な記載事項は次のとおりである。
（１）引用文献１：.特開平１１−１５０１５２号公報
（１ａ）「【請求項１】　半導体素子の電極と前記半導体素子が接続される被接続体の接続用電極とを突起電極を介して接合する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記半導体素子の電極および前記被接続体の接続用電極の少なくともいずれか一方に突起電極を形成する工程と、前記突起電極の融点より低い温度で前記突起電極を有する前記半導体素子または前記被接続体を加熱した状態で前記突起電極をこれに対向する電極に接触させる接触工程と、前記突起電極がすべてこれに対向する電極に接触した状態で前記突起電極の融点以上に前記突起電極を有する前記半導体素子または前記被接続体を加熱し、前記突起電極とこれに対向する電極とを金属的に接合させる接合工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】　被接続体が接続用電極を有する基板または半導体素子である請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】　接触工程および接合工程の突起電極の加熱はパルス加熱により連続的に行なう請求項１または請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】　前記半導体素子および前記被接続体を合わせたときの前記半導体素子の電極と前記被接続体の接続用電極を含む領域に絶縁性樹脂を塗布する工程を含み、接触工程において前記絶縁性樹脂が前記半導体素子の周辺に押出され、かつ接合工程後に、加圧状態で半導体素子の周辺部に排出された絶縁性樹脂だけを仮硬化し、加圧解除後に本硬化する工程を含む請求項１記載の半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）
（１ｂ）「請求項１記載の半導体装置の製造方法によれば、突起電極の接触工程で突起電極を融点より低い状態で加熱するため、突起電極の高さのばらつきを十分に接合時に吸収することが可能となり、かつ接合工程で突起電極を融点以上の温度に加熱するため、信頼性の高い接合を得ることができる。また、ばらつきを吸収するプロセスを低荷重で行うことが可能なため、多ピンのＬＳＩにも信頼性高く接合することができる。・・・」（段落【０００８】）
（１ｃ）「・・・突起電極３３を融点に近い低い温度で加熱した状態で加圧すると、硬度が柔らかくなっているために変形させるのに必要な荷重が極めて小さくてすむ。この場合は常温による変形の約１／３の荷重で簡単に変形させることができる。これによって突起電極３３のすべてを基板３４の接続用電極３５に押し付ける。・・・」（段落【００１２】）
（２）引用文献２：特開平６−８９９１４号公報
（２ａ）「半導体チップに形成された電極と回路基板に形成された電極をバンプにより接続し、さらに前記半導体チップと前記回路基板により形成される間隙を熱可塑性樹脂によって封止する方法において、ダイシング後の前記半導体チップの中央部に前記熱可塑性樹脂を塗布し仮硬化させ、その後前記半導体チップの電極と前記回路基板の電極を位置合わせし、前記熱可塑性樹脂を加熱溶融させながら前記半導体チップ電極と前記回路基板電極とが接触する方向に加圧して前記熱可塑性樹脂を前記半導体チップと前記回路基板の間の中央部から周辺に拡散させて封止させ、かつ前記半導体チップ電極と前記回路基板電極を前記バンプにより電気的に接続することを特徴とする半導体装置の封止方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
（２ｂ）「【実施例】本発明にかかる半導体装置の封止方法の実施例を図１（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。まず図１（ａ）に示すように半導体チップの表面にチップ電極２が設けられ、チップ電極２の上にはバンプ３が設けられる。バンプ３はハンダもしくは金（Ａｕ）からできている。・・・次に図１（ｃ）に示すように、ノズル７により熱可塑性樹脂８を半導体チップの中央部に塗布し仮硬化を行う。・・・
　次に図１（ｅ）に示すように、金属製のボンディングツール９で半導体チップ１を吸着する。そして、ホットプレート６上に載置された回路基板４の表面に形成された基板電極５と半導体チップ１のチップ電極２を位置合わせをする。そしてボンディングツールによってチップ電極１と基板電極５が接触する方向に半導体チップ１と回路基板４を加圧する。この時ホットプレート６によってバンプ３と熱可塑性樹脂２８が加熱され溶融する。このプロセスにより図１（ｆ）に示すようにチップ電極１と基板電極５はバンプ３によって電気的に接触する。また、ボンディングツール９により半導体チップ１を回路基板４に加圧するさい、半導体チップ１の中央部に塗布された熱可塑性樹脂８は、半導体チップ１と回路基板４の間を一様に四方に拡散する。この時半導体チップ１と回路基板４の間隙にある空気は熱可塑性樹脂８に押し出され、間隙に気泡を発生させることなく熱可塑性樹脂８で充填される。そして冷却することによりバンプ３を凝固させるとともに熱可塑性樹脂８を本硬化させる。以上の工程によりチップ電極２と基板電極５とをバンプ３で電気的に接続し、さらに半導体チップ１と回路基板４とで形成される間隙を樹脂で封止することができた。」（段落【００１０】〜【００１１】）
（２ｃ）図１（ａ）〜（ｆ）には、熱可塑性樹脂８を半導体チップ１のバンプ３が存在しない中央部に凸状に盛り上がるように塗布する旨が示されている。
（３）引用文献３：特開平１０−２５６１８０号公報
（３ａ）「第１の電子部品に電極を形成する第１の電極形成工程と、第２の電子部品又は配線基板に電極を形成する第２の電極形成工程と、前記第１の電子部品の電極と前記第２の電子部品又は配線基板の電極とを、位置合わせした後、互いに接合する接合工程とを備えた電極の接合方法において、前記第１の電極形成工程及び第２の電極形成工程のうちの少なくとも１つの電極形成工程は、第１の金属と該第１の金属に比べて価数が１つ大きい第２の金属との合金よりなる電極を形成する電極形成工程と、真空中において、前記電極の表面にアルゴンイオン又はアルゴンアトムを照射することにより、前記電極の表面に形成されている自然酸化膜を除去する酸化膜除去工程とを含むことを特徴とする電極の接合方法。」（特許請求の範囲の請求項１０）
（４）引用文献４：特開平１１−１４５１９３号公報
（４ａ）「半田バンプが形成される電子部品や基板の電極位置に対応して基材上に半田部を形成する工程と、この半田部の表面の酸化膜をプラズマエッチングによって除去する工程と、前記基材の前記半田部を電子部品や基板の電極に位置合わせする工程と、前記基材を電子部品や基板に押圧しながら加熱して前記半田部を前記電極表面に転写して半田バンプを形成する工程とを含むことを特徴とする半田バンプ形成方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
（４ｂ）「【従来の技術】電子部品の実装方法として、半田バンプを用いる方法が知られている。この方法は、電子部品や基板の電極上に予め半田の突出電極である半田バンプを形成し、この半田バンプを電子部品や基板の電極に半田付けするものである。この半田バンプを形成する方法として、従来より半田ボールによる方法が用いられている。・・・
　ところでこの方法では、半田ボールを電極上に移載する際に半田ボールまたは電極のいずれかにフラックスを塗布する必要がある。・・・
【発明が解決しようとする課題】しかしながらフラックスは一般に時間の経過とともに基板の電極を腐食させる性質を有しており、フラックスを使用した場合には半田付け後の信頼性を確保するため、リフロー後の洗浄を必要とする。ところがフラックス洗浄に用いられる洗浄工程は従来のフロン等の簡便な溶剤の使用が規制されたことから複雑化し、より多くの手間とコストを要するものとなっており、リフロー後の洗浄を必要としない半田バンプの形成方法が望まれていた。・・・
　そこで本発明は、リフロー後の洗浄や半田ボールの使用を必要とせず、コストダウンを図ることができる半田バンプ形成方法を提供することを目的とする。」（段落【０００２】〜【０００６】）
（５）引用文献５：特開平１１−１６３０３６号公報
（５ａ）「処理対象物の表面に軟質はんだ合金を堆積し、この堆積された軟質はんだ合金に少なくとも水素含有プラズマを照射し、少なくとも水素含有プラズマが照射された軟質はんだ合金をリフローして処理対象物の表面に接続端子となるはんだバンプを形成することを特徴とするバンプ形成方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
（５ｂ）「【発明が解決しようとする課題】このように、従来の金ワイヤーを使う方法は、時間およびコストがかかるとともに基板実装上の問題などがあり、また、従来のはんだ合金を使う方法は、融材を用いる必要があるため、その後洗浄に伴う問題があり、さらに、従来のプラズマ処理方法には、はんだバンプの形成に適するものがない。
　本発明は、このような点に鑑みなされたもので、電子部品の小型化にともなう部品電極端子としてのはんだバンプ形成に関して、安価な軟質はんだ合金を用いて、融材を使用しないため後洗浄工程が不要で、信頼性面でも優れたはんだバンプを形成できるフラックスレスのバンプ形成方法およびバンプ形成装置と、同様の課題を解決できるはんだ接合用前処理方法およびはんだ接合用前処理装置と、これらを発展させたはんだ接合方法およびはんだ接合装置を提供することを目的とする。」（段落【００３１】〜【００３２】）
（６）引用文献６：特開昭６３−２９９４０号公報
（６ａ）「無電解メッキにより金などの耐酸化性・耐薬品性の導体層１０を、バンプ８の露出した表面に、例えば０．３μｍ程度の厚さで形成する。」（第３頁左下欄第１５〜１７行）
　
３．当審の判断
３−１．引用文献１に記載された発明
　引用文献１の上記（１ａ）の請求項１には、
「半導体素子の電極と前記半導体素子が接続される被接続体の接続用電極とを突起電極を介して接合する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記半導体素子の電極および前記被接続体の接続用電極の少なくともいずれか一方に突起電極を形成する工程と、前記突起電極の融点より低い温度で前記突起電極を有する前記半導体素子または前記被接続体を加熱した状態で前記突起電極をこれに対向する電極に接触させる接触工程と、前記突起電極がすべてこれに対向する電極に接触した状態で前記突起電極の融点以上に前記突起電極を有する前記半導体素子または前記被接続体を加熱し、前記突起電極とこれに対向する電極とを金属的に接合させる接合工程とを含む半導体装置の製造方法。」と記載され、また、該請求項１を引用して、請求項２、４には、それぞれ、
「被接続体が接続用電極を有する基板または半導体素子である」、
「前記半導体素子および前記被接続体を合わせたときの前記半導体素子の電極と前記被接続体の接続用電極を含む領域に絶縁性樹脂を塗布する工程を含み、接触工程において前記絶縁性樹脂が前記半導体素子の周辺に押出され、かつ接合工程後に、加圧状態で半導体素子の周辺部に排出された絶縁性樹脂だけを仮硬化し、加圧解除後に本硬化する工程を含む」と記載されているから、「被接続体」が「基板」である場合について、これらの記載を整理すると、『半導体素子の電極と基板の接続用電極とを突起電極を介して接合する半導体装置の製造方法』は、「半導体素子の実装方法」といえるから、引用文献１には、
「半導体素子の電極と前記半導体素子が接続される基板の接続用電極とを突起電極を介して接合する工程を含む半導体素子の実装方法であって、前記半導体素子の電極および前記基板の接続用電極の少なくともいずれか一方に突起電極を形成する工程と、前記半導体素子および前記基板を合わせたときの前記半導体素子の電極と前記基板の接続用電極を含む領域に絶縁性樹脂を塗布する工程と、前記突起電極の融点より低い温度で前記突起電極を有する前記半導体素子または前記基板を加熱した状態で前記突起電極をこれに対向する電極に接触させるとともに、前記絶縁性樹脂が前記半導体素子の周辺に押出される接触工程と、前記突起電極がすべてこれに対向する電極に接触した状態で前記突起電極の融点以上に前記突起電極を有する前記半導体素子または前記基板を加熱し、前記突起電極とこれに対向する電極とを金属的に接合させる接合工程と、接合工程後に、加圧状態で半導体素子の周辺部に排出された絶縁性樹脂だけを仮硬化し、加圧解除後に本硬化する工程を含む半導体素子の実装方法。」という発明（以下、「引用文献１発明」という）が記載されていると認められる。
　
３−２．本願補正発明１と引用文献１発明との対比
　本願補正発明１と引用文献１発明を対比すると、引用文献１発明における「半導体素子」、「突起電極」、「絶縁性樹脂」、「接触」、「金属的に接合」は、それぞれ、本願補正発明１における「チップ」、「バンプ」、「アンダーフィル剤」、「当接」、「金属接合」に相当する。
　また、引用文献１発明における「前記半導体素子および前記基板を合わせたときの前記半導体素子の電極と前記基板の接続用電極を含む領域に」塗付された絶縁性樹脂についての「絶縁性樹脂が前記半導体素子の周辺に押出される」という事項は、本願補正発明１における「チップと基板の間においてアンダーフィル剤を・・・バンプおよび電極の周囲に展延させ、バンプがアンダーフィル剤中に埋没した状態」とすることに相当するといえる。
　さらに、引用文献１発明における「突起電極の融点以上に・・・加熱」は、突起電極を溶融することを意味するといえる。
　そうすると、両者は、
「チップおよび基板の少なくとも一方に形成したバンプを他方に形成した電極に接合するとともに、チップと基板との間にアンダーフィル剤を介在させるチップの実装方法において、アンダーフィル剤を基板およびチップの少なくとも一方に塗布し、チップを基板に近づけることにより、バンプを電極に当接させるとともに、チップと基板の間においてアンダーフィル剤を互いに当接されたバンプおよび電極の周囲に展延させ、バンプがアンダーフィル剤中に埋没した状態でバンプまたは電極を加熱することによりバンプを溶融させ、バンプと電極を金属接合するチップの実装方法。」である点で一致するが、次の点で相違する。
相違点：
（イ）基板及びチップの少なくとも一方へのアンダーフィル剤の塗布が、本願補正発明１では、「バンプまたは電極間部分に該バンプまたは電極を覆わないように、かつ、凸状に盛り上がるように」なされるのに対し、引用文献１発明では、「前記半導体素子および前記基板を合わせたときの前記半導体素子の電極と前記基板の接続用電極を含む領域に」なされる点。
（ロ）本願補正発明１では、「前記バンプおよび電極の少なくとも一方に、チップの基板への実装前に、該実装に至るまでの一次酸化を防止する処理を施」すのに対し、引用文献１発明では、そのような一次酸化を防止する処理を施すことについて規定されていない点。
（ハ）本願補正発明１では、チップを基板に近づける際に、「チップの高さを制御」するのに対し、引用文献１発明では、「チップの高さを制御」するか否か明りょうでない点。
　
３−３．相違点についての検討
（ｉ）相違点（イ）について
　チップと基板との間にアンダーフィル剤を介在させるチップの実装方法において、基板及びチップの少なくとも一方へのアンダーフィル剤の塗布を「バンプまたは電極間部分に該バンプまたは電極を覆わないように、かつ、凸状に盛り上がるように」行うことは、特開平１１−２８８９７５号公報（図７と段落【０００６】の従来の技術に関する記載等参照）、特開平８−１７２１１４号公報（図５と段落【００２４】の第２の実施例に関する記載等参照）、引用文献２の上記（２ｃ）などに見られるように、本願の優先日前に周知の事項であるから、引用文献１発明のチップの実装方法において、基板及びチップの少なくとも一方へのアンダーフィル剤の塗布を「バンプまたは電極間部分に該バンプまたは電極を覆わないように、かつ、凸状に盛り上がるように」行うことは、前示の周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
（ｉｉ）相違点（ロ）について
　チップの実装方法において、電極とバンプ等間の接続不良を防止するために、接続前に予め電極やバンプ等の酸化膜を除去したり、酸化膜が形成されにくいように処理することは、引用文献３の上記（３ａ）、引用文献４の上記（４ａ）、引用文献５の上記（５ａ）等の記載に見られるように、本願の優先日前に周知の事項であるから、引用文献１発明のチップの実装方法において、電極とバンプ間の接続不良の防止を課題として、「前記バンプおよび電極の少なくとも一方に、チップの基板への実装前に、該実装に至るまでの一次酸化を防止する処理を施」すことは、前示の周知事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
（ｉｉｉ）相違点（ハ）について
　引用文献１の上記（１ｂ）（１ｃ）には、「突起電極をこれに対向する電極に接触させる接触工程」について、それぞれ、「突起電極の接触工程で突起電極を融点より低い状態で加熱するため、突起電極の高さのばらつきを十分に接合時に吸収することが可能となり」、「突起電極３３のすべてを基板３４の接続用電極３５に押し付ける。」と記載されているから、引用文献１発明における前記接触工程では、突起電極の高さのばらつきを十分に吸収して、突起電極の全てが基板の接続用電極に押し付けられ、「突起電極がすべてこれに対向する電極に接触した状態」となるように、半導体素子（チップ）の高さが調整乃至制御されているといえる。してみれば、前記相違点（ハ）は、実質的な相違点ではないというべきである。
　また、仮に、「チップの高さを制御」する点で相違があるとしても、引用文献１発明は、「突起電極がすべてこれに対向する電極に接触した状態」とするものであるから、そのような接触と直接的な関係が明らかである「チップの高さ」を制御することは、当該事項から当業者が容易に想到し得たものというべきである。
　
（ｉｖ）相違点検討のまとめ
　以上、（ｉ）〜（ｉｉｉ）の相違点検討のとおり、上記相違点（イ）〜（ハ）は、実質的な相違でないか、当業者が容易に想到し得たものである。
　よって、本願補正発明１は、引用文献１に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．本件補正についてのむすび
　以上のとおりであるから、本願補正発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
［３］本願発明について
１．本願発明
　平成１７年３月２４日付け手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜８に係る発明は、平成１６年１２月１６日付け手続補正書で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という）は、次のとおりである。
「チップおよび基板の少なくとも一方に形成したバンプを他方に形成した電極に接合するとともに、チップと基板との間にアンダーフィル剤を介在させるチップの実装方法において、アンダーフィル剤を基板およびチップの少なくとも一方に、それに形成したバンプまたは電極間部分に該バンプまたは電極を覆わないように、かつ、凸状に盛り上がるように塗布し、前記バンプおよび電極の少なくとも一方に、チップの基板への実装前に、該実装に至るまでの一次酸化を防止する処理を施し、チップを基板に近づけることにより、バンプを電極に当接させるとともに、チップと基板の間においてアンダーフィル剤を互いに当接されたバンプおよび電極の周囲に展延させ、バンプがアンダーフィル剤中に埋没した状態でバンプまたは電極を加熱することによりバンプまたは電極を溶融させ、バンプと電極を金属接合することを特徴とするチップの実装方法。」
　
２．引用文献とその記載事項
　原査定の拒絶理由に引用された本願の優先日前に国内において頒布された刊行物である引用文献１〜６とその主な記載事項は、前記［２］２．に記載したとおりである。
　
３．当審の判断
　本願発明１を特定するために必要な事項を全て含み、さらに具体的に限定したものに相当する本願補正発明１は、前記［２］３．に記載したとおり、引用文献１に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、引用文献１に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［４］むすび
　したがって、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。