(57)【要約】集積回路のためのトレンチアイソレーション（例えば、ＳＴＩ）を形成する方法は、半導体基板にわたって、パッド酸化物層、次いで、窒化物層を形成するステップと、構造を通してトレンチエッチングを行い、トレンチを形成するステップと、構造にわたってトレンチ酸化物層を堆積し、充填されたトレンチを形成するステップと、堆積された酸化物にわたって、トレンチ酸化物層に対してエッチング選択的である、犠牲平坦化層を堆積するステップと、犠牲平坦化層を除去し、トレンチ酸化物層の上側表面内の表面変動を減少させる、平坦化エッチングプロセスを行うステップと、トレンチ酸化物層に選択的であって、充填されたトレンチの外側のトレンチ酸化物層の残りの部分を除去する、酸化物エッチングプロセスを行うステップと、残りの窒化物層を除去するステップとを含む。
2018517300.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路のためのトレンチアイソレーション構造を形成する方法であって、
半導体基板にわたって窒化物層を形成するステップと、
前記窒化物層および前記半導体基板の一部を通してトレンチエッチングプロセスを行い、トレンチを形成するステップと、
前記窒化物層の残りの部分にわたってトレンチ酸化物層を堆積し、前記トレンチの中に延在させ、充填されたトレンチを形成するステップと、
前記トレンチ酸化物層にわたって犠牲平坦化層を堆積するステップであって、前記犠牲平坦化層は、前記トレンチ酸化物層に対してエッチング選択的である、ステップと、
多重ステップエッチングプロセスを行うステップであって、
前記犠牲平坦化層を除去し、前記トレンチ酸化物層の上側表面内の表面変動を減少させ、
前記充填されたトレンチの外側の前記トレンチ酸化物層の残りの部分を除去する、ステップと、
前記充填されたトレンチの残りの酸化物が、前記半導体基板の暴露された上側表面の上方に突出するトレンチアイソレーション構造を画定するように、前記窒化物層の残りの部分を除去するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
多重ステップエッチングプロセスは、
（ａ）前記犠牲平坦化層を除去し、前記トレンチ酸化物層の上側表面内の表面変動を減少させる、平坦化エッチングプロセスと、
（ｂ）前記充填されたトレンチの外側の前記トレンチ酸化物層の残りの部分を除去するために前記トレンチ酸化物層に対して選択的である、酸化物エッチングプロセスと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記トレンチエッチングプロセスは、複数のトレンチを形成し、
前記トレンチ酸化物層は、前記複数のトレンチの中に堆積され、複数の充填されたトレンチを形成し、
前記酸化物エッチングプロセスは、前記複数の充填されたトレンチの外側の前記トレンチ酸化物層の残りの部分を除去し、
前記窒化物除去プロセスは、前記複数の充填されたトレンチのそれぞれの前記残りの酸化物が、前記半導体基板の暴露された上側表面の上方に突出するトレンチアイソレーション構造を画定するように、前記窒化物層の残りの部分を除去する、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記平坦化エッチングプロセスは、
前記トレンチ酸化物層にわたる前記平坦化層に対して選択的である、第１のエッチングと、
前記平坦化層にわたる前記トレンチ酸化物層に対して選択的である、第２のエッチングと、
前記第１のエッチングより選択的ではない、第３のエッチングと
を含み、
前記第２のエッチングは、前記平坦化層が除去されるまで、前記トレンチ酸化物層および前記平坦化層を類似率で除去する、請求項２または請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記酸化物エッチングプロセスは、酸化物充填トレンチの上部表面が、前記酸化物充填トレンチに隣接する前記窒化物層の残りの部分の上部表面の下方に所定の距離までエッチングされるまで行われる、請求項２−４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記酸化物エッチングプロセスは、酸化物充填トレンチの上部表面が、前記酸化物充填トレンチに隣接する前記半導体基板の上部表面の上方に所定の距離までエッチングされるまで行われる、請求項２−４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記多重ステップエッチングプロセスは、多重ステップ平坦化エッチングプロセスを含み、
前記窒化物層の残りの部分を除去するステップは、前記多重ステップ平坦化エッチングプロセスによって行われる、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
多重ステップエッチングプロセスは、４ステップ平坦化エッチングプロセスを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記多重ステップ平坦化エッチングプロセスは、酸化物充填トレンチの上部表面が、前記酸化物充填トレンチに隣接する前記半導体基板の上部表面の上方に所定の距離までエッチングされるまで行われる、酸化物に対して選択的であるエッチングを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記平坦化層は、有機ケイ酸塩を含む、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記平坦化層は、有機シロキサン系ポリマーを含む、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記有機ケイ酸塩は化学式ＲｘＣＨ３ｙＳｉＯｚを伴う有機シロキサン系ポリマーを含み、Ｒは、有機発色団である、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記平坦化層は、前記堆積された酸化物にわたってスピンコーティングされる、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記方法は、化学機械的平坦化（ＣＭＰ）プロセスを伴わずに行われる、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
半導体基板にわたって前記窒化物層を形成するステップは、前記半導体基板にわたって薄パッド酸化物を形成し、続いて、前記薄パッド酸化物にわたって前記窒化物層を形成するステップを含む、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
半導体ダイであって、
半導体基板と、
複数のトレンチアイソレーション構造と
を備え、
前記複数のトレンチアイソレーション構造は、
前記半導体基板にわたって窒化物層を形成するステップと、
前記窒化物層および前記半導体基板の一部を通してトレンチエッチングプロセスを行い、複数のトレンチを形成するステップと、
前記窒化物層の残りの部分にわたってトレンチ酸化物層を堆積し、前記複数のトレンチの中に延在させ、複数の充填されたトレンチを形成するステップと、
前記堆積された酸化物にわたって犠牲平坦化層を堆積するステップであって、前記犠牲平坦化層は、前記トレンチ酸化物層に対してエッチング選択的である、ステップと、
多重ステップエッチングプロセスを行うステップであって、
前記犠牲平坦化層を除去し、前記トレンチ酸化物層の上側表面内の表面変動を減少させ、
前記複数の充填されたトレンチの外側の前記トレンチ酸化物層の残りの部分を除去する、ステップと、
各充填されたトレンチの残りの酸化物が、前記半導体基板の暴露された上側表面の上方に突出するトレンチアイソレーション構造を画定するように、前記窒化物層の残りの部分を除去するステップと
を含むプロセスによって、前記半導体基板内に形成される、半導体ダイ。
【請求項１７】
多重ステップエッチングプロセスは、
（ｃ）前記犠牲平坦化層を除去し、前記トレンチ酸化物層の上側表面内の表面変動を減少させる、平坦化エッチングプロセスと、
（ｄ）前記充填されたトレンチの外側の前記トレンチ酸化物層の残りの部分を除去するために前記トレンチ酸化物層に対して選択的である、酸化物エッチングプロセスと
を含む、請求項１６に記載の半導体ダイ。
【請求項１８】
前記平坦化エッチングプロセスは、
前記トレンチ酸化物層にわたる前記平坦化層に対して選択的である、第１のエッチングと、
前記平坦化層にわたる前記トレンチ酸化物層に対して選択的である、第２のエッチングと、
前記第１のエッチングより選択的ではない、第３のエッチングと
を含み、
前記第２のエッチングは、前記平坦化層が除去されるまで、類似率で前記トレンチ酸化物層および前記平坦化層を除去する、請求項１７に記載の半導体ダイ。
【請求項１９】
前記酸化物エッチングプロセスは、酸化物充填トレンチの上部表面が、前記酸化物充填トレンチに隣接する前記窒化物層の残りの部分の上部表面の下方に所定の距離までエッチングされるまで行われる、請求項１７に記載の半導体ダイ。
【請求項２０】
前記酸化物エッチングプロセスは、酸化物充填トレンチの上部表面が、前記酸化物充填トレンチに隣接する前記半導体基板の上部表面の上方に所定の距離までエッチングされるまで行われる、請求項１７に記載の半導体ダイ。
【請求項２１】
前記多重ステップエッチングプロセスは、多重ステップ平坦化エッチングプロセスを含み、
前記窒化物層の残りの部分を除去するステップは、前記多重ステップ平坦化エッチングプロセスによって行われる、
請求項１６−２０のいずれか１項に記載の半導体ダイ。
【請求項２２】
多重ステップエッチングプロセスは、４ステップ平坦化エッチングプロセスを含む、請求項１６−２１のいずれか１項に記載の半導体ダイ。
【請求項２３】
前記多重ステップ平坦化エッチングプロセスは、酸化物充填トレンチの上部表面が、前記酸化物充填トレンチに隣接する前記半導体基板の上部表面の上方に所定の距離までエッチングされるまで行われる、酸化物に対して選択的であるエッチングを含む、請求項２１に記載の半導体ダイ。
【請求項２４】
前記平坦化層は、有機シロキサン系ポリマーを含む、請求項１６−２３のいずれか１項に記載の半導体ダイ。
【請求項２５】
前記有機ケイ酸塩は、化学式ＲｘＣＨ３ｙＳｉＯｚを伴う有機シロキサン系ポリマーを含み、Ｒは、有機発色団である、請求項１６−２４のいずれか１項に記載の半導体ダイ。
【請求項２６】
前記方法は、化学機械的平坦化（ＣＭＰ）プロセスを伴わずに行われる、請求項１６−２５のいずれか１項に記載の半導体ダイ。
【請求項２７】
相補的金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）素子であって、
半導体基板と、
複数のトレンチアイソレーション構造と
を備える半導体構造を備え、
前記複数のトレンチアイソレーション構造は、
前記半導体基板にわたって窒化物層を形成するステップと、
前記窒化物層および前記半導体基板の一部を通してトレンチエッチングプロセスを行い、複数のトレンチを形成するステップと、
前記窒化物層の残りの部分にわたってトレンチ酸化物層を堆積し、前記複数のトレンチの中に延在させ、複数の充填されたトレンチを形成するステップと、
前記堆積された酸化物にわたって犠牲平坦化層を堆積するステップであって、前記犠牲平坦化層は、前記トレンチ酸化物層に対してエッチング選択的である、ステップと、
多重ステップエッチングプロセスを行うステップであって、
前記犠牲平坦化層を除去し、前記トレンチ酸化物層の上側表面内の表面変動を減少させ、
前記複数の充填されたトレンチの外側の前記トレンチ酸化物層の残りの部分を除去する、ステップと、
各充填されたトレンチの残りの酸化物が、前記半導体基板の暴露された上側表面の上方に突出するトレンチアイソレーション構造を画定するように、前記窒化物層の残りの部分を除去するステップと
を含むプロセスによって、前記半導体基板内に形成される、ＣＭＯＳ素子。
【請求項２８】
前記平坦化層は、有機シロキサン系ポリマーを含む、請求項２７に記載のＣＭＯＳ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体集積回路（ＩＣ）加工に関し、より具体的には、例えば、相補的金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）素子のためのシャロートレンチアイソレーション構造（ＳＴＩ）を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）は、隣接する半導体素子構成要素間の電流漏出を防止する、集積回路特徴である。ＳＴＩ構造は、一般に、ＣＭＯＳ素子において使用され、典型的には、トランジスタが形成される前に、半導体素子加工プロセスの初期に形成される。従来のＳＴＩプロセスの重要なステップは、シリコン基板内にトレンチのパターンをエッチングすることと、１つまたはそれを上回る誘電材料（例えば、二酸化ケイ素）を堆積し、トレンチを充填することと、化学機械的平坦化（ＣＭＰ）を使用して、過剰な誘電体を除去することとを伴う。
【０００３】
しかしながら、従来のＳＴＩ形成に伴うＣＭＰ処理は、１つまたはそれを上回る関連問題を生じさせ得る。例えば、ＣＭＰプロセスは、有意な中心／縁間バイアスを生産し、ウエハを横断して瑕疵を生じさせるために十分な変動をもたらし得る。別の実施例として、ＣＭＰは、局在不均一性およびフィールド酸化物のディッシングを生じさせ得る。さらに、ＣＭＰプロセスは、酸化物残留物を最大活性面積上に残し得、これは、収率損失をもたらす、ＳｉＮ残留物を生じさせ得る。最後に、ＣＭＰを使用した従来のＳＴＩ形成処理は、比較的多数のステップを伴う。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本開示の教示によると、トレンチアイソレーション構造、例えば、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）が、ＣＭＰを使用せずに、および／または従来の技法と比較して減少された数のステップを用いて形成されることができる。
【０００５】
一実施形態では、集積回路のためのトレンチアイソレーション構造（例えば、ＳＴＩ）を形成する方法は、半導体基板にわたって薄パッド酸化物層、次いで、窒化物層を形成するステップと、窒化物層、パッド酸化物、および半導体基板の一部を通してトレンチエッチングプロセスを行い、トレンチを形成するステップと、窒化物層の残りの部分にわたってトレンチ酸化物層を堆積し、トレンチの中に延在させ、充填されたトレンチを形成するステップと、堆積された酸化物にわたって犠牲平坦化層を堆積するステップであって、犠牲平坦化層は、トレンチ酸化物層に対してエッチング選択的である、ステップと、犠牲平坦化層を除去し、トレンチ酸化物層の上側表面内の表面変動を減少させる、平坦化エッチングプロセスを行うステップと、充填されたトレンチの外側のトレンチ酸化物層の残りの部分を除去するためにトレンチ酸化物層に対して選択的である、酸化物エッチングプロセスを行うステップと、充填されたトレンチの残りの酸化物が、半導体基板の暴露された上側表面の上方に突出するトレンチアイソレーション構造を画定するように、窒化物層の残りの部分を除去する、窒化物除去プロセスを行うステップとを含む。本技法は、当然ながら、所望に応じて、複数のトレンチアイソレーション構造を形成するために使用されることができる。
【０００６】
別の実施形態では、半導体ダイは、半導体基板と、半導体基板にわたって薄パッド酸化物層、次いで、窒化物層を形成するステップと、窒化物層、パッド酸化物、および半導体基板の一部を通してトレンチエッチングプロセスを行い、複数のトレンチを形成するステップと、窒化物層の残りの部分にわたってトレンチ酸化物層を堆積し、トレンチの中に延在させ、複数の充填されたトレンチを形成するステップと、堆積された酸化物にわたって犠牲平坦化層を堆積するステップであって、犠牲平坦化層は、トレンチ酸化物層に対してエッチング選択的である、ステップと、犠牲平坦化層を除去し、トレンチ酸化物層の上側表面内の表面変動を減少させる、平坦化エッチングプロセスを行うステップと、充填されたトレンチの外側のトレンチ酸化物層の残りの部分を除去するためにトレンチ酸化物層に対して選択的である、酸化物エッチングプロセスを行うステップと、各充填されたトレンチの残りの酸化物が、半導体基板の暴露された上側表面の上方に突出するトレンチアイソレーション構造を画定するように、窒化物層の残りの部分を除去する、窒化物除去プロセスを行うステップとを含む、プロセスによって、半導体基板内に形成される複数のトレンチアイソレーション構造（例えば、ＳＴＩ）とを含んでもよい。
【０００７】
他の実施形態では、ＣＭＯＳ素子は、前述のように形成される複数のトレンチアイソレーション構造を含む、半導体構造を含む。
【０００８】
いくつかの実施形態では、犠牲平坦化層は、有機ケイ酸塩を含む。特定の実施形態では、犠牲平坦化層は、例えば、化学式ＲｘＣＨ３ｙＳｉＯｚによる、有機シロキサン系ポリマーを含み、Ｒは、有機発色団である。例えば、いくつかの実施形態では、犠牲平坦化層は、１０１  Ｃｏｌｕｍｂｉａ  Ｒｄ，  Ｍｏｒｒｉｓｔｏｗｎ，  ＮＪ  ０７９６０に所在地を有する、Ｈｏｎｅｙｗｅｌｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓによって供給される、ＤＵＯ（ＴＭ）１９３またはＤＵＯ（ＴＭ）２４８反射防止コーティングを含んでもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
例示的実施形態が、図面を参照して以下に議論される。
【００１０】
【図１Ａ】図１Ａ−１Ｈは、本発明の例示的実施形態による、例示的半導体集積回路の断面図を図示し、集積回路のためのトレンチアイソレーション構造（例えば、ＳＴＩ）を形成するステップ毎のプロセスを示す。
【図１Ｂ】図１Ａ−１Ｈは、本発明の例示的実施形態による、例示的半導体集積回路の断面図を図示し、集積回路のためのトレンチアイソレーション構造（例えば、ＳＴＩ）を形成するステップ毎のプロセスを示す。
【図１Ｃ】図１Ａ−１Ｈは、本発明の例示的実施形態による、例示的半導体集積回路の断面図を図示し、集積回路のためのトレンチアイソレーション構造（例えば、ＳＴＩ）を形成するステップ毎のプロセスを示す。
【図１Ｄ】図１Ａ−１Ｈは、本発明の例示的実施形態による、例示的半導体集積回路の断面図を図示し、集積回路のためのトレンチアイソレーション構造（例えば、ＳＴＩ）を形成するステップ毎のプロセスを示す。
【図１Ｅ】図１Ａ−１Ｈは、本発明の例示的実施形態による、例示的半導体集積回路の断面図を図示し、集積回路のためのトレンチアイソレーション構造（例えば、ＳＴＩ）を形成するステップ毎のプロセスを示す。
【図１Ｆ】図１Ａ−１Ｈは、本発明の例示的実施形態による、例示的半導体集積回路の断面図を図示し、集積回路のためのトレンチアイソレーション構造（例えば、ＳＴＩ）を形成するステップ毎のプロセスを示す。
【図１Ｇ】図１Ａ−１Ｈは、本発明の例示的実施形態による、例示的半導体集積回路の断面図を図示し、集積回路のためのトレンチアイソレーション構造（例えば、ＳＴＩ）を形成するステップ毎のプロセスを示す。
【図１Ｈ】図１Ａ−１Ｈは、本発明の例示的実施形態による、例示的半導体集積回路の断面図を図示し、集積回路のためのトレンチアイソレーション構造（例えば、ＳＴＩ）を形成するステップ毎のプロセスを示す。
【００１１】
【図２】図２は、例示的実施形態による、図１Ａ−１Ｈに図示されるプロセスに対応する、集積回路、例えば、ＣＭＯＳ素子のためのシャロートレンチアイソレーションを形成する例示的方法のフローチャートである。
【００１２】
【図３Ａ】図３Ａ−３Ｈは、本発明の例示的実施形態による、別の例示的半導体集積回路の断面図を図示し、集積回路のためのトレンチアイソレーション構造（例えば、ＳＴＩ）を形成するステップ毎のプロセスを示す。
【図３Ｂ】図３Ａ−３Ｈは、本発明の例示的実施形態による、別の例示的半導体集積回路の断面図を図示し、集積回路のためのトレンチアイソレーション構造（例えば、ＳＴＩ）を形成するステップ毎のプロセスを示す。
【図３Ｃ】図３Ａ−３Ｈは、本発明の例示的実施形態による、別の例示的半導体集積回路の断面図を図示し、集積回路のためのトレンチアイソレーション構造（例えば、ＳＴＩ）を形成するステップ毎のプロセスを示す。
【図３Ｄ】図３Ａ−３Ｈは、本発明の例示的実施形態による、別の例示的半導体集積回路の断面図を図示し、集積回路のためのトレンチアイソレーション構造（例えば、ＳＴＩ）を形成するステップ毎のプロセスを示す。
【図３Ｅ】図３Ａ−３Ｈは、本発明の例示的実施形態による、別の例示的半導体集積回路の断面図を図示し、集積回路のためのトレンチアイソレーション構造（例えば、ＳＴＩ）を形成するステップ毎のプロセスを示す。
【図３Ｆ】図３Ａ−３Ｈは、本発明の例示的実施形態による、別の例示的半導体集積回路の断面図を図示し、集積回路のためのトレンチアイソレーション構造（例えば、ＳＴＩ）を形成するステップ毎のプロセスを示す。
【図３Ｇ】図３Ａ−３Ｈは、本発明の例示的実施形態による、別の例示的半導体集積回路の断面図を図示し、集積回路のためのトレンチアイソレーション構造（例えば、ＳＴＩ）を形成するステップ毎のプロセスを示す。
【図３Ｈ】図３Ａ−３Ｈは、本発明の例示的実施形態による、別の例示的半導体集積回路の断面図を図示し、集積回路のためのトレンチアイソレーション構造（例えば、ＳＴＩ）を形成するステップ毎のプロセスを示す。
【００１３】
【図４】図４は、例示的実施形態による、図３Ａ−３Ｈに図示されるプロセスに対応する、集積回路、例えば、ＣＭＯＳ素子のためのシャロートレンチアイソレーションを形成する例示的方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本開示の教示によると、レンチアイソレーション構造、例えば、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）が、ＣＭＰを使用せずに、および／または従来の技法と比較して減少された数のステップを用いて、形成されることができる。そのようなプロセスは、ＣＭＰ処理に関連する１つまたはそれを上回る問題を低減もしくは排除し得、および／またはＳＴＩを形成するコストならびに複雑性を低減させ得る。
【００１５】
ここで図面を参照すると、具体的例示的実施形態の詳細が、概略的に図示される。図面中の同様の要素は、同様の番号によって表され、類似要素は、異なる小文字添字を伴う同様の番号によって表されるであろう。
【００１６】
図１Ａ−１Ｈは、例示的実施形態による、集積回路、例えば、ＣＭＯＳ素子のためのトレンチアイソレーション構造（例えば、ＳＴＩ）を形成するス例示的プロセスのステップを図示する。
【００１７】
図１Ａに示されるように、集積回路構造１０は、ウエハ表面上に形成される、半導体基板１２、例えば、シリコン（Ｓｉ）基板を含む。酸化物層１３、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の薄パッド酸化物層が、半導体基板１２にわたって形成または堆積され、基板に対する窒化物の応力／接着を支援する。窒化物層１６、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）が、パッド酸化物層１３にわたって堆積され、トレンチエッチングプロセス、例えば、ＳＴＩエッチングが、任意の好適なフォトリソグラフィ技法を使用して、窒化物層１６、パッド酸化物層１３、および半導体基板１２の一部を通して行われ、１つまたはそれを上回るトレンチ２０を形成する。酸化物層１３は、窒化物層１６に先立って形成または堆積され、基板に対する窒化物の応力／接着を支援し、堆積された窒化物層１６の厚さの約１／１０の厚さを有してもよい。エッチング後、線形酸化は、線形酸化物層１４を半導体基板１２の暴露された表面上に形成し得る。
【００１８】
図１Ｂに示されるように、トレンチ酸化物層２４、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が、構造にわたって堆積され、エッチングトレンチ２０の中に延在し、充填されたトレンチを形成する。いくつかの実施形態では、トレンチ酸化物層２４は、高密度プラズマ化学蒸着（ＨＤＰ  ＣＶＤ）によって堆積される。示されるように、堆積されたトレンチ酸化物層２４は、例えば、下層構造のトポグラフィに起因して、非平坦トポグラフィを有し得る。特に、トレンチ酸化物層２４のトポグラフィは、いくつかの上向きに突出または延在する特徴または領域２６を画定し得る。
【００１９】
図１Ｃに示されるように、犠牲平坦化層３０が、トレンチ酸化物層２４にわたって堆積される。犠牲平坦化層３０は、トレンチ酸化物層２４に対してエッチング選択的である。いくつかの実施形態では、平坦化層は、有機ケイ酸塩を含む。例えば、平坦化層３０は、有機シロキサン系ポリマー、例えば、化学式ＲｘＣＨ３ｙＳｉＯｚを伴う有機シロキサン系ポリマーを含んでもよく、Ｒは、有機発色団である。例示的実施形態では、犠牲平坦化層３０は、１０１  Ｃｏｌｕｍｂｉａ  Ｒｄ，  Ｍｏｒｒｉｓｔｏｗｎ，  ＮＪ  ０７９６０に所在地を有する、Ｈｏｎｅｙｗｅｌｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓによって供給される、ＤＵＯ（ＴＭ）１９３またはＤＵＯ（ＴＭ）２４８反射防止コーティングを含む。平坦化層３０は、任意の好適な様式で堆積されてもよい。いくつかの実施形態では、平坦化層３０は、トレンチ酸化物層２４にわたってスピンコーティングされ、これは、部分的平坦化効果を提供する。
【００２０】
平坦化エッチングプロセスが、次いで、例えば、上向きに突出または延在する特徴または領域２６を低減もしくは排除することによって、犠牲平坦化層３０を除去し、トレンチ酸化物層２４の上側表面内の表面変動を減少させるために行われる。平坦化エッチングプロセスは、単一エッチングプロセスまたは一連の異なるエッチングプロセスを含んでもよい。以下に議論される実施例では、図１Ｄおよび１Ｅに示される平坦化エッチングプロセスは、３つの異なるエッチングを伴う。
【００２１】
図１Ｄを参照すると、ウエハは、最初に、平坦化層を開放するための調整エッチング、次いで、トレンチ酸化物層２４に対して選択的である短い酸化物エッチングを伴う、酸化物エッチング剤中でエッチングされる。第２のエッチングは、上向きに突出する酸化物面積２６をエッチングさせるであろう一方、酸化物層２４の下側フィールド面積は、犠牲平坦化層３０によって保護される。一実施形態では、第２のエッチングは、最高点２６がバルク平坦化層３０と略同じ高さになると停止される。
【００２２】
本書では、第２の物質／層より高速の第１の物質／層を通してエッチングするエッチングプロセスは、第２の物質／層より第１の物質／層「に対して選択的である」と言われる。
【００２３】
図１Ｅを参照すると、第３のエッチングが、次いで、行われ、これは、トレンチ酸化物層２４および犠牲平坦化層３０に対して非選択的であって、平坦化層３０が除去されるまで、トレンチ酸化物層２４および犠牲平坦化層３０を類似率で除去する。本エッチングは、図１Ｅに示されるように、窒化物層１６に到達する前に停止され得る。
【００２４】
図１Ｆに示されるように、トレンチ酸化物層２４に対して高度に選択的である酸化物エッチングが、次いで、行われ、充填されたトレンチ２０の外側のトレンチ酸化物層２４の残りの部分を除去し、それによって、フィールド酸化物４０を各トレンチ２０内に画定する。いくつかの実施形態では、画定された量のオーバーエッチングが、行われ、フィールド酸化物４０を掘溝し、残りの窒化物層１６上のいかなる残留物も一掃し得る。
【００２５】
図１Ｇに示されるように、随意の湿式エッチングが、行われ、窒化物層１６上の酸化物残留物を除去する、および／またはフィールド酸化物４０の高さを制御する。湿式エッチングは、図１Ｇに距離Ｄ１として示される、基板１２の上部に対するフィールド酸化物４０の画定された高さを提供するように設計されてもよく、その高さは、後続処理ステップと関連付けられた高さ減少の知識に基づいて、図１Ｈに距離Ｄ２として示される、フィールド酸化物４０の最終高さを提供するために選択されてもよい。
【００２６】
図１Ｈに示されるように、窒化物層１６は、次いで、任意の好適な除去プロセスを使用して、例えば、フィールド酸化物４０および基板１２の材料より窒化物層１６に対して選択的であるエッチングによって、除去される。示されるように、残りのフィールド酸化物４０、すなわち、トレンチアイソレーション構造は、Ｄ２に示される標的ステップ高さ、すなわち、基板１２の上部表面５２に対するフィールド酸化物４０の上部表面の高さだけ、半導体基板１２の暴露された上側表面の上方に突出し得る。いくつかの実施形態では、フィールド酸化物４０のステップ高さＤ２および／または上部形状は、所望に応じて、任意の好適なプロセス、例えば、プラズマエッチング、湿式エッチングを行うことによって、または長期湿式除去プロセス（例えば、湿式ＳｉＮ除去）を実行することによって、窒化物層１６の残りの部分を除去するように制御されてもよい。
【００２７】
したがって、いくつかの実施形態では、トレンチアイソレーション構造４０（例えば、ＳＴＩ）は、任意の化学機械的平坦化（ＣＭＰ）プロセスを使用せずに形成され得、これは、前述のように、種々の利点を提供し得る。窒化物除去ステップはまた、随意の湿式エッチングがスキップさる場合、平坦化エッチングの残りを用いて、原位置で行われてもよく、それによって、ステップの総数をさらに減少させる。
【００２８】
図２は、図１Ａ−１Ｈに対応する例示的実施形態による、集積回路、例えば、ＣＭＯＳ素子のためのシャロートレンチアイソレーションを形成する例示的方法１００のフローチャートである。ステップ１０２では、シリコン基板が、ウエハ上に形成される。ステップ１０４では、パッド酸化プロセスが、シリコン基板の表面にわたってパッド酸化物を形成する。ステップ１０６では、窒化ケイ素層が、シリコン基板にわたって堆積される。ステップ１０８では、トレンチエッチング、例えば、ＳＴＩエッチングが、行われ、複数のトレンチを形成する。ステップ１０９では、線形酸化プロセスが、線形酸化物を形成されたトレンチ内に形成する。ステップ１１０では、二酸化ケイ素層（トレンチ酸化物層）が、高密度プラズマ化学蒸着（ＨＤＰ  ＣＶＤ）によって、ウエハにわたって堆積され、エッチングされたトレンチを充填する。堆積された二酸化ケイ素層は、例えば、下層構造のトポグラフィに起因して、非平面トポグラフィを有し得る。特に、二酸化ケイ素層は、いくつかの上向きに突出または延在する特徴もしくは領域を画定し得る。
【００２９】
ステップ１１２では、有機シロキサン系ポリマー（例えば、ＤＵＯ（ＴＭ）１９３またはＤＵＯ（ＴＭ）２４８）の犠牲平坦化層が、二酸化ケイ素層にわたって堆積される。ステップ１１４では、調整エッチングが、犠牲平坦化層を開放するために行われ、その後、ステップ１１６において、二酸化ケイ素層に対して選択的である短い酸化物エッチングが続く。ステップ１１６におけるエッチングは、少なくとも部分的に、二酸化ケイ素の上向きに突出する面積をエッチングし得る一方、二酸化ケイ素の下側面積は、犠牲平坦化層によって保護される。ステップ１１８では、非選択的エッチングが、犠牲平坦化層が除去されるまで、二酸化ケイ素層および犠牲平坦化層を通して類似率でエッチングするために行われる。本エッチングは、下層窒化ケイ素層に到達する前に、停止され得る。
【００３０】
ステップ１２０では、二酸化ケイ素に対して高度に選択的である酸化物エッチングが、次いで、行われ、充填されたトレンチの上方および外側の二酸化ケイ素層の部分を除去し、それによって、フィールド酸化物を各トレンチ内に画定する。いくつかの実施形態では、画定された量のオーバーエッチングが、行われ、これは、フィールド酸化物を掘溝し、残りの窒化ケイ素層上のいかなる残留物も一掃し得る。ステップ１２２では、随意の湿式エッチングが、行われ、残りの窒化ケイ素層上の酸化物残留物を除去し、および／またはフィールド酸化物の高さを制御する。ステップ１２４では、窒化ケイ素層は、任意の好適な除去プロセス、例えば、二酸化ケイ素フィールド酸化物およびシリコン基板より窒化ケイ素に対して選択的であるエッチングを使用して除去される。残りのフィールド酸化物、すなわち、トレンチアイソレーション構造が、標的ステップ高さだけ、シリコン基板の暴露された上側表面の上方に突出し得、これは、所望に応じて、任意の好適な仕上げプロセスを使用して、制御または成形されてもよい。
【００３１】
したがって、このように、シャロートレンチアイソレーションは、任意の化学機械的平坦化（ＣＭＰ）プロセスを使用せずに形成され得、これは、前述のように、種々の利点を提供し得る。
【００３２】
図３Ａ−３Ｈは、集積回路、例えば、ＣＭＯＳ素子のためのトレンチアイソレーション構造（例えば、ＳＴＩ）を形成するためのプロセスの別の例示的実施形態のステップを図示する。
【００３３】
プロセスの初期ステップは、前述の実施形態のものに類似し得る。したがって、図３Ａ−３Ｃに対応するステップは、前述の図１Ａ−１Ｃのものに類似し得る。
【００３４】
図３Ａに示されるように、集積回路構造１０は、ウエハ表面上に形成される、半導体基板１２、例えば、シリコン（Ｓｉ）基板を含む。酸化物層１３、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の薄パッド酸化物層が、半導体基板１２にわたって形成または堆積され、基板への窒化物の応力／接着を支援する。窒化物層１６、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）が、パッド酸化物層１３にわたって堆積され、トレンチエッチングプロセス、例えば、ＳＴＩエッチングが、窒化物層１６、パッド酸化物層１３、および半導体基板１２の一部を通して行われ、例えば、図１Ａを参照して前述のように、任意の好適なフォトリソグラフィ技法を使用して、１つまたはそれを上回るトレンチ２０を形成する。エッチング後、線形酸化は、線形酸化物層１４を半導体基板１２の暴露された表面上に形成し得る。
【００３５】
図３Ｂに示されるように、トレンチ酸化物層２４、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が、構造にわたって堆積され、各トレンチ２０の中に延在し、充填されたトレンチを形成する。いくつかの実施形態では、トレンチ酸化物層２４は、高密度プラズマ化学蒸着（ＨＤＰ  ＣＶＤ）によって堆積される。示されるように、堆積されたトレンチ酸化物層２４は、例えば、下層構造のトポグラフィに起因して、非平面トポグラフィを有し得る。特に、トレンチ酸化物層２４のトポグラフィは、いくつかの上向きに突出または延在する特徴または領域２６を画定し得る。
【００３６】
図３Ｃに示されるように、犠牲平坦化層３０が、トレンチ酸化物層２４にわたって堆積される。犠牲平坦化層３０は、トレンチ酸化物層２４に対してエッチング選択的である。いくつかの実施形態では、平坦化層は、有機ケイ酸塩を含む。例えば、平坦化層３０は、有機シロキサン系ポリマー、例えば、化学式ＲｘＣＨ３ｙＳｉＯｚを伴う有機シロキサン系ポリマーを含んでもよく、Ｒは、有機発色団である。例示的実施形態では、犠牲平坦化層３０は、例えば、図１Ａを参照して前述のように、ＤＵＯ（ＴＭ）１９３またはＤＵＯ（ＴＭ）２４８反射防止コーティングを含む。平坦化層３０は、任意の好適な様式で堆積されてもよい。いくつかの実施形態では、平坦化層３０は、トレンチ酸化物層２４にわたってスピンコーティングされ、これは、部分的平坦化効果を提供する。
【００３７】
一連のエッチングが、次いで、以下に議論されるように、トレンチアイソレーション構造をトレンチ２０内に形成するために行われ、これは、トレンチアイソレーション構造を形成するプロセスにおいて、犠牲平坦化層３０を除去し、例えば、上向きに突出または延在する特徴または領域２６を低減もしくは排除することによって、トレンチ酸化物層２４の上側表面内の表面変動を減少させる。
【００３８】
図３Ｄを参照すると、概して、非選択的エッチング（例えば、ＤＵＯ（ＴＭ）コーティングを使用する実施形態では、ＤＵＯエッチングと称され得る）が、行われ、これは、トレンチ酸化物層２４および犠牲平坦化層３０、例えば、ＤＵＯ（ＴＭ）コーティング（および関連する場合、窒化物層１６）を同一または略同一率でエッチングする。本略非選択的エッチングは、図３Ｄに示されるように、犠牲平坦化層３０の一部を構造の低位面積、例えば、トレンチ２０の上方に残し得る。エッチングは、トレンチ酸化物層２４の上向きに突出する酸化物面積２６の部分を除去し得る一方、酸化物層２４の下側フィールド面積は、犠牲平坦化層３０によって保護される。一実施形態では、第２のエッチングは、最高点２６がバルク平坦化層３０と略同じ高さになると停止される。
【００３９】
図３Ｅを参照すると、酸化物エッチングが、行われ、これは、犠牲平坦化層３０および窒化物層１６よりトレンチ酸化物層２４に対して選択的である。示されるように、酸化物エッチングは、犠牲平坦化層３０をトレンチ面積にわたって残し得る一方、図３Ｄに示される領域２６（例えば、窒化物層１６の上方領域）は、犠牲平坦化層３０の下方の深度までエッチングされる。
【００４０】
図３Ｆを参照すると、第２の非選択的または略非選択的一掃エッチングが、次いで、行われ、これは、特に、トレンチ２０（フィールド酸化物）にわたって平面化し、残りの犠牲平坦化層３０を全面積から除去し得る。いくつかの実施形態では、本エッチングは、図３Ｅに示されるように、窒化物層１６に到達する前に停止され得る。
【００４１】
図３Ｇに示されるように、犠牲平坦化層３０および窒化物層１６よりトレンチ酸化物層２４に対して選択的である、酸化物エッチングが、次いで、行われ、充填されたトレンチ２０の外側のトレンチ酸化物層２４の残りの部分を除去し、それによって、フィールド酸化物４０を各トレンチ２０内に画定する。いくつかの実施形態では、画定された量のオーバーエッチングが、行われ、これは、フィールド酸化物４０を掘溝し、それによって、最終フィールド酸化物高さを設定し、残りの窒化物層１６上のいかなる残留物も一掃し得る。
【００４２】
図３Ｈに示されるように、窒化物層１６が、次いで、任意の好適な除去プロセスを使用して、例えば、フィールド酸化物４０および基板１２の材料より窒化物層１６に対して選択的であるエッチング（例えば、ＳｉＮエッチング）によって、除去される。示されるように、残りのフィールド酸化物４０、すなわち、トレンチアイソレーション構造は、Ｄ２に示される標的ステップ高さ、すなわち、基板１２の上部表面５２に対するフィールド酸化物４０の上部表面の高さだけ、半導体基板１２の暴露された上側表面の上方に突出し得る。いくつかの実施形態では、フィールド酸化物４０のステップ高さＤ２および／または上部形状は、所望に応じて、任意の好適なプロセス、例えば、プラズマエッチング、湿式エッチングを行うことによって、または長期湿式除去プロセス（例えば、湿式ＳｉＮ除去）を実行することによって、窒化物層１６の残りの部分を除去するように制御されてもよい。
【００４３】
したがって、いくつかの実施形態では、トレンチアイソレーション構造４０（例えば、ＳＴＩ）は、任意の化学機械的平坦化（ＣＭＰ）プロセスを使用せずに形成され得、これは、前述のように、種々の利点を提供し得る。窒化物除去ステップはまた、随意の湿式エッチングがスキップされる場合、平坦化エッチングの残りを用いて、原位置で行われてもよく、それによって、ステップの総数をさらに減少させる。
【００４４】
図３Ｇに示される酸化物エッチングが、スキップされる、または平坦化エッチングプロセスに含まれる、いくつかの実施形態では、図３Ｈに示される最終窒化物エッチングは、平坦化エッチングプロセスを用いて、原位置で完了されることができる。
【００４５】
図４は、図３Ａ−３Ｈに対応する例示的実施形態による、集積回路、例えば、ＣＭＯＳ素子のためのシャロートレンチアイソレーションを形成する例示的方法２００のフローチャートである。
【００４６】
ステップ２０２−２１０におけるステップ２０２では、シリコン基板が、ウエハ上に形成される。ステップ２０４では、パッド酸化プロセスが、シリコン基板の表面にわたってパッド酸化物を形成する。ステップ２０６では、窒化ケイ素層が、シリコン基板にわたって堆積される。ステップ２０８では、トレンチエッチング、例えば、ＳＴＩエッチングが、行われ、複数のトレンチを形成する。ステップ２０９では、線形酸化プロセスが、線形酸化物を形成されたトレンチ内に形成する。ステップ２１０では、二酸化ケイ素層（トレンチ酸化物層）が、高密度プラズマ化学蒸着（ＨＤＰ  ＣＶＤ）によって、ウエハにわたって堆積され、エッチングされたトレンチを充填する。堆積された二酸化ケイ素層は、例えば、下層構造のトポグラフィに起因して、非平面トポグラフィを有し得る。特に、二酸化ケイ素層は、いくつかの上向きに突出または延在する特徴もしくは領域を画定し得る。
【００４７】
ステップ１１２では、有機シロキサン系ポリマー（例えば、ＤＵＯ（ＴＭ）１９３またはＤＵＯ（ＴＭ）２４８）の犠牲平坦化層が、二酸化ケイ素層にわたって堆積される。ステップ２１４では、非選択的エッチング（例えば、ＤＵＯエッチング）が、行われ、二酸化ケイ素層の高いまたは上向きに突出する領域を除去し、犠牲平坦化層の部分的深度を除去する。ステップ２１４におけるエッチングは、少なくとも部分的に、二酸化ケイ素の上向きに突出する面積をエッチングし得る一方、二酸化ケイ素の下側面積は、犠牲平坦化層によって保護される。ステップ２１６では、選択的酸化物エッチングが、行われ、二酸化ケイ素層の一部を残りの犠牲平坦化層の下方のある深度までエッチングする。ステップ２１８では、非選択的「一掃」エッチングが、行われ、特に、トレンチ（フィールド酸化物）にわたって構造を平面化し、犠牲平坦化層の任意の残りの部分を除去する。本エッチングは、下層窒化ケイ素層に到達する前に、停止され得る。
【００４８】
ステップ２２０では、二酸化ケイ素に対して高度に選択的である酸化物エッチングが、次いで、行われ、充填されたトレンチの上方および外側の二酸化ケイ素層の部分を除去し、それによって、フィールド酸化物を各トレンチ内に画定する。いくつかの実施形態では、画定された量のオーバーエッチングが、行われ、これは、フィールド酸化物を掘溝し、残りの窒化ケイ素層上のいかなる残留物も一掃し得る。ステップ２２４では、窒化ケイ素層が、任意の好適な除去プロセス、例えば、二酸化ケイ素フィールド酸化物およびシリコン基板より窒化ケイ素に対して選択的であるＳｉＮエッチングを使用して除去される。残りのフィールド酸化物、すなわち、トレンチアイソレーション構造が、標的ステップ高さだけ、シリコン基板の暴露された上側表面の上方に突出し得、これは、所望に応じて、任意の好適な仕上げプロセスを使用して、制御または成形されてもよい。
【００４９】
したがって、このように、シャロートレンチアイソレーションは、任意の化学機械的平坦化（ＣＭＰ）プロセスを使用せずに形成され得、これは、前述のように、種々の利点を提供し得る。
【００５０】
開示される実施形態は、本開示において詳細に説明されるが、種々の変更、代用、および改変が、その精神および範囲から逸脱することなく、実施形態に行われることができることを理解されたい。
【図１Ａ】
2018517300.tif 000003
【図１Ｂ】
2018517300.tif 000004
【図１Ｃ】
2018517300.tif 000005
【図１Ｄ】
2018517300.tif 000006
【図１Ｅ】
2018517300.tif 000007
【図１Ｆ】
2018517300.tif 000008
【図１Ｇ】
2018517300.tif 000009
【図１Ｈ】
2018517300.tif 000010
【図２】
2018517300.tif 000011
【図３Ａ】
2018517300.tif 000012
【図３Ｂ】
2018517300.tif 000013
【図３Ｃ】
2018517300.tif 000014
【図３Ｄ】
2018517300.tif 000015
【図３Ｅ】
2018517300.tif 000016
【図３Ｆ】
2018517300.tif 000017
【図３Ｇ】
2018517300.tif 000018
【図３Ｈ】
2018517300.tif 000019
【図４】
2018517300.tif 000020
【国際調査報告】
2018517300.tif 000021
2018517300.tif 000022