【事件の表示】
　平成５年特許願第２５５０５１号「成膜装置」拒絶査定不服審判事件〔平成７年３月３１日出願公開、特開平７−　８６１７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年９月１６日の出願であって、平成１６年４月９日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年５月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、つづいて当審において拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１８年４月２１日に手続補正がなされたものである。
　そして、本願の請求項１、２に係る発明は、上記平成１８年４月２１日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　「【請求項１】下端側から上端側に処理ガスが通流する縦型の反応管内に、多数の被処理体を上下に並ぶようにかつ各々水平に保持した保持具を搬入して被処理体に対して成膜処理を行う成膜装置において、
　流出口が被処理体の群よりも下方側に位置し、成膜ガスを反応管内に供給するための成膜ガス導入管と、
　不純物の化合物ガスをキャリアガスで希釈したドープ用ガスを反応管内に供給するために被処理体の群よりも下方側に設けられ、先端の開口部が上方に向いていると共に当該先端の開口部が流出口をなす第１のドープ用ガス導入管と、
　上方に向かって伸びると共に先端が被処理体の群の途中に位置し、上方に向いている先端の開口部が流出口をなす第２のドープ用ガス導入管と、を備え、
　前記第２のドープ用ガス導入管は、前記第１のドープ用ガス導入管よりのドープ用ガスの不足分を補償するために、不純物の化合物ガスをキャリアガスで希釈したドープ用ガスを反応管内に供給するものであり、
　不純物の化合物ガスを反応管内に供給するためのガス導入管は、前記第１のドープ用ガス導入管及び第２のドープ用ガス導入管の２本のみであることを特徴とする成膜装置。」
　
２．先願及びその記載事項 
　当審における拒絶の理由に引用された本願出願日前の出願であって、その出願後に出願公開された特願平５−２０８４２９号（特開平７−４５５３２号）の願書に最初に添付した明細書または図面（以下、「先願明細書」という。）には、以下の事項が記載されている。 
（１）「【請求項１】上下多段にウェーハを載置したウェーハボートを炉芯管内に装填し、該炉芯管内に反応ガスを導入して減圧下で気相成長反応を行わせウェーハ表面に薄膜を形成させるようにした減圧ＣＶＤ装置において、第１のウェーハの表面と第２のウェーハの表面とを対向させ、次いで前記第２のウェーハの裏面と第３のウェーハの裏面とを対向させた配列でウェーハを順次配置するようにウェーハボートを構成したことを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。 
　　・・・・・
　【請求項４】原料ガスとドーピングガスの導入に際し、ドーピングガスのみを複数の専用ノズルから供給するようにしたことを特徴とする請求項１記載の減圧ＣＶＤ装置。」（特許請求の範囲） 
（２）「【０００２】【従来の技術】 ・・・・・　従来のバッチ式減圧ＣＶＤ装置（以下、簡単にするため減圧ＣＶＤ装置と略称する）Ｂは、図６に示すように石英等で形成された円筒状のアウターチューブ１２とインナチューブ１４とからなる２重炉芯管１６と、その周囲を取り巻くように配置された環状ヒータ１８とを備えている。炉芯管１６のインナチューブ１２の内側中空部は、気相成長反応の反応室２０を構成し、そこにはウェーハＡを多数上下に離隔して縦方向に配列したウェーハボート２１が載置される。ウェーハボート２１は、石英等の耐熱性の高い材料で作られ、ウェーハを多数所定間隔で上下方向に多段に収容するような棚手段をウェーハボート側壁面に備えている。 
　【０００３】反応ガスは、炉芯管１６の下部ハッチ２２に設けられたガス導入口２４を介してインナチューブ１４とウェーハボート２１との間の環状空間に導入される。環状空間を流れる反応ガスは、その流れの一部が分流してウェーハボート２１を横切ってウェーハＡの面に沿って拡散流として流れ、気相反応して所望の元素ないし化合物がウェーハＡの面で堆積成長する。残りの反応ガスはインナチューブ１４の上部を貫通してインナチューブ１４とアウターチューブ１２との環状部を上部から下部に向かって流れ下部ハッチ２２に設けられたガス排出口２６から真空ポンプ（図示せず）によって吸引されて外部に排出される。」 
（３）「【０００５】【発明が解決しようとする課題】ところで、最近の縦型ＣＶＤ装置では、大きくなるウェーハ径に対応し、かつ一度に多数のウェーハ（〜１００ｓ）を処理できるよう、プロセス反応室として機能する炉芯管１６内の炉室２０が従前のものに比べて大きくなっている。その結果、炉室内の条件を全体にわたり均一にすることが技術的に難しく、ウェーハの周囲の気相成長反応雰囲気及び環境が炉室内の場所によって変動し、反応ガス密度、温度及び圧力等を始めとする炉室内の条件が全体に不均一になっている。」
（４）「【０００８】以上の問題に鑑み、本発明の目的は、気相成長反応を行ってウェーハの表面に薄膜を形成するに際し、炉芯管に収容されたウェーハ全てについて均一な膜質及び膜厚の薄膜を形成するように改良した減圧ＣＶＤ装置を提供することであり、また別の目的は、炉芯管に収容されたウェーハ全てについて均一な膜質及び膜厚の薄膜を形成するように改良した成膜方法を提供することである。 
　【０００９】【課題を解決するための手段】 
 　・・・ 
　尚、反応ガスとは、原料ガスとドーピングガスとを含むガスを意味する。」
（５）「【００１５】・・・即ち、減圧ＣＶＤ装置における気相成長反応は、面間分布を均一にし易い反応律速領域において行われている。ここで、反応律速とは、反応ガスのある流量以上では、成膜速度が気相成長反応の反応速度自体に律速され、流量を増大しても変わらないことを意味する。しかし、薄膜に少量含有させるのみで十分なドーピングガスなどは、ベースになる膜成分の反応形態を反応律速にしても、どうしても供給律速になってしまっていた。また、特にシリコン系薄膜を形成する場合、主反応に用いられて所謂シリコンとなるシラン、ジシラン等は高圧下で温度を上昇させると気相中でも容易に反応を起こし、パーティクルを発生させるという問題が生じていた。そこで、請求項４の発明では、原料ガスとドーピングガスの導入に際し、ドーピングガスのみを複数の専用ノズルで供給することによって、炉室内にドーピングガスの濃度勾配が生じるのを抑制している。薄膜の膜質がドーピングガスの供給律速のため不均一になるのが、これによって防止される。」 
（６）「【００２０】実施例２　図３は、本発明に係る減圧ＣＶＤ装置の実施例２の構成を示す模式的側面断面図である。図３において、図６と同じ部品には同じ符号を付し、その説明を省略している。本実施例の減圧ＣＶＤ装置４０では、ドーピングガスをインナチューブ１４内の炉室２０に導入するために３本の専用ノズルが設けてある。３本のノズルは、炉室の最下部に開口するショートノズル４２と、底部から炉室の長さの約１／３の位置で開口するミドルノズル４４と、底部から炉室の長さの約２／３の位置で開口するロングノズル４６とから構成されている。 
　ドーピングガス導入専用のノズルの他に、ショートノズルとほぼ同じ位置に吹き出し口を有するメインのノズル（図示せず）が、図６に示す従来装置と同様に設けてあって、ドーピングガス以外のガスを導入する。 
　【００２１】以上の構成により、複数の専用ノズル４２、４４及４６を介して炉室２０にドーピングガスを分散的に導入できるので、炉室２０内のドーピングガスの濃度勾配は極めて小さく、薄膜形成にあたりドーピングガスの供給律速は生じない。 
　【００２２】以上の構成の減圧ＣＶＤ装置４０を使用して、以下の薄膜形成条件の下で燐ドープシリコン薄膜を形成する実験を行った。 
 　薄膜形成条件 
 　形成温度　　５５０°Ｃ 
 　形成圧力　　１００Ｐａ 
 　原料ガス 
　メインノズルから導入するガス：ＳｉＨ４を５００ｓｃｃｍ、Ｎ２を２０　　　　　　　　　　　　　　　　　００ｓｃｃｍ 
　ドーピングガス　　ショートノズルから　　ＰＨ３を０．３５ｓｃｃｍ 
　　　　　　　　　　ミドルノズルから　　　ＰＨ３を０．０５ｓｃｃｍ 
　　　　　　　　　　ロングノズルから　　　ＰＨ３を０．０５ｓｃｃｍ 
　以上の条件で、燐濃度及び膜厚に関しこのバッチのウェーハ全部について均一に燐ドープシリコン薄膜が形成されていることが確認できた。」 
（７）「【００２５】【発明の効果】請求項１の発明によれば、第１のウェーハの表面と第２のウェーハの表面とを対向させ、次いで前記第２のウェーハの裏面と第３のウェーハの裏面とを対向させた配列でウェーハを順次配置するようにウェーハボートを構成することにより、対向するウェーハの裏面同士の間隔を短縮することができるので、膜厚、膜質の面間分布の均一性を向上させると共にウェーハボートの寸法、従って炉芯管の高さを短くし、装置を小型化して装置コストを節減することができる。更に、ウェーハ裏面にはＣＶＤ膜が形成され難いので、原料ガスの消費効率が高い。請求項４の発明によれば、ドーピングガスを分散的に導入することにより、膜厚、膜質の面間分布の均一性を向上させると共にガス導入管内でのパーティクルの発生を抑制でき、よってウェーハに付着するパーティクルの数を減少させて半導体チップの特性を均一にさせることができる。また、ドーピングガスを複数の専用ノズルを介して導入するので、シラン系ガスと混合するための配管が不要となり、装置コストを軽減することができる。」
（８）図３には、気相成長反応のため縦型の炉芯管内の反応室内には、ウェーハＡを多数上下に離隔して縦方向に各々水平に配列したウェーハボートが載置されていることが示されている。
 　 
３．対比・判断 
　上記先願明細書の摘記事項（１）の【請求項４】には、原料ガスとドーピングガスの導入に際し、ドーピングガスのみを複数の専用ノズルから供給するようにした請求項１記載の減圧ＣＶＤ装置が記載され、摘記事項（６）によれば、実施例２に、専用ノズルとして、炉室の最下部に開口するショートノズル４２と、底部から炉室の長さの約１／３の位置で開口するミドルノズル４４と、底部から炉室の長さの約２／３の位置で開口するロングノズル４６が記載されているから、各ノズルは、先端の開口部が上方に向いていると共にこの開口部が流出口をなしていることは明らかである。
　また、摘記事項（８）によれば、縦型の炉芯管内の反応室内には、ウェーハＡを多数上下に離隔して縦方向に各々水平に配列したウェーハボートが載置されていることが示され、摘記事項（６）の段落【００２１】の記載によれば、複数の専用ノズル４２、４４及４６を介して炉室２０にドーピングガスを分散的に導入できるので、炉室２０内のドーピングガスの濃度勾配は極めて小さく、薄膜形成にあたりドーピングガスの供給律速は生じないことが記載され、同段落【００２２】の記載によれば、ショートノズルからのドーピングガス流量がミドルノズル（ないしロングノズル）のドーピングガス流量よりも多いことから、ミドルノズル（ないしロングノズル）は、ショートノズル（ないしミドルノズル）からのドーピングガスの消費分を、その上の不足分をミドルノズル（ないしロングノズル）から補われることで、濃度勾配は極めて小さくなるものである。更に、同段落【００２０】の記載によれば、ドーピングガス導入専用のノズルの他に、ショートノズルとほぼ同じ位置に吹き出し口を有するメインのノズルが、従来装置と同様に設けてあることが記載され、このメインのノズルは、原料ガスを供給するものに外ならない。 
　そこで、上記摘記事項（１）〜（８）を総合すると、先願明細書には、
「上下多段にウェーハを載置したウェーハボートを縦型炉芯管内に装填し、該炉芯管内に反応ガスを導入して減圧下で気相成長反応を行わせウェーハ表面に薄膜を形成させるようにした減圧ＣＶＤ装置において、第１のウェーハの表面と第２のウェーハの表面とを対向させ、次いで前記第２のウェーハの裏面と第３のウェーハの裏面とを対向させ縦方向に各々水平な配列でウェーハを順次配置するようにウェーハボートを構成し、原料ガスとドーピングガスの導入に際し、ドーピングガスのみを複数の専用ノズル、例えば炉室の最下部に開口するショートノズルと、底部から炉室の長さの約１／３の位置で開口するミドルノズルと、底部から炉室の長さの約２／３の位置で開口するロングノズルとから構成され、各ノズルは、先端の開口部が上方に向いていると共にこの開口部が流出口をなしている複数の専用ノズルからドーピングガスを供給し、ミドルノズルとロングノズルは、ショートノズルよりのドーピングガスの不足分を補償するために炉芯管内に供給するものであり、原料ガスを炉室の最下部に開口するメインのノズルから供給するようにした減圧ＣＶＤ装置。」が記載されているといえる。 
　ここで、先願明細書の実施例２には、複数の専用ノズルとして、ショートノズル、ミドルノズル、ロングノズルの３本からなる実施の態様（摘記事項（６））が記載されているものの、請求項４ではその前提として、ドーピングガスのみを複数の専用ノズルから供給すること（摘記事項（１））が記載されている。
　通常、成膜装置に用いる複数のノズルといえば、２本以上のことを意味するもので、例えば、特開平２−１１１６号公報には、「（２）ガス導入管が複数本設けられている・・・熱処理装置。」（特許請求の範囲（２））と記載され、第５図Ａ、第５図Ｅではガス導入管２１が２本であることが示されており、特開平１−３０２８１５号公報には、「１）・・・複数のガス導入管を容器内の・・・延設するとともに、・・・」（特許請求の範囲１））と記載され、「ガス導入管２４，２５は炉管２１内の前記ポート３と・・・夫々対称位置に垂直に配設され、」（５頁右上欄６〜８行）と記載されており、「複数」が２本であることをも当然に意味しているといえる。また、実願平２−３０９１４号（実開平３−１２２５３２号）のマイクロフィルムには、複数本の給気管６について「前記給気管６・・は、前記反応室２の容量に応じて本数が決定され、・・・」（５頁１３〜１６行）と記載されているように、複数本といえども、反応室２の容量等に応じてその本数が決定されることも周知のことである。
　そして、先願明細書においても、ドーピングガスを複数の専用ノズルから分散的に導入することにより、技術課題である膜厚、膜質の面間分布の均一性を向上させることのできる範囲内で、専用ノズルの本数は自ずから選択し得るものであるから、例えば炉室の最下部に開口するショートノズルと、底部から炉室の長さの約２／３の位置で開口するロングノズルとから構成される態様も、先願明細書には記載されていることといえる。
　そうすると、先願明細書には、「上下多段にウェーハを載置したウェーハボートを縦型炉芯管内に装填し、該炉芯管内に反応ガスを導入して減圧下で気相成長反応を行わせウェーハ表面に薄膜を形成させるようにした減圧ＣＶＤ装置において、
　第１のウェーハの表面と第２のウェーハの表面とを対向させ、次いで前記第２のウェーハの裏面と第３のウェーハの裏面とを対向させ縦方向に各々水平な配列でウェーハを順次配置するようにウェーハボートを構成し、
　原料ガスとドーピングガスの導入に際し、ドーピングガスのみを複数の専用ノズル、例えば炉室の最下部に開口するショートノズルと、底部から炉室の長さの約２／３の位置で開口するロングノズルとから構成され、各ノズルは、先端の開口部が上方に向いていると共にこの開口部が流出口をなしている複数の専用ノズルからドーピングガスを供給し、ロングノズルは、ショートノズルよりのドーピングガスの不足分を補償するために炉芯管内に供給するものであり、原料ガスを炉室の最下部に開口するメインのノズルから供給するようにした減圧ＣＶＤ装置。」（以下、「先願発明」という。）が記載されていることになる。
　
　そこで、本願発明と先願発明とを対比すると、先願発明の「ウエーハ」、「ウエーハボート」、「反応ガス」、「減圧ＣＶＤ装置」、「メインのノズル」、「原料ガス」、「ドーピングガス」、「ショートノズル」、及び「ロングノズル」は、本願発明の「被処理体」、「保持具」、「処理ガス」、「成膜装置」、「成膜ガス導入管」、「成膜ガス」、「ドープ用ガス」、「第１のドープ用ガス導入管」、及び「第２のドープ用ガス導入管」にそれぞれ相当している。 
　そうすると、両者は、「下端側から上端側に処理ガスが通流する縦型の反応管内に、多数の被処理体を上下に並ぶようにかつ各々水平に保持した保持具を搬入して被処理体に対して成膜処理を行う成膜装置において、
　流出口が被処理体の群よりも下方側に位置し、成膜ガスを反応管内に供給するための成膜ガス導入管と、
　ドープ用ガスを反応管内に供給するために被処理体の群よりも下方側に設けられ、先端の開口部が上方に向いていると共に当該先端の開口部が流出口をなす第１のドープ用ガス導入管と、
　上方に向かって伸びると共に先端が被処理体の群の途中に位置し、上方に向いている先端の開口部が流出口をなす第２のドープ用ガス導入管と、を備え、
　前記第２のドープ用ガス導入管は、前記第１のドープ用ガス導入管よりのドープ用ガスの不足分を補償するために、ドープ用ガスを反応管内に供給するものであり、
　当該ガスを反応管内に供給するためのガス導入管は、前記第１のドープ用ガス導入管及び第２のドープ用ガス導入管の２本のみである成膜装置。」の点で一致するものの、次の点で一応相違する。 
 　 
相違点：本願発明では、ドープ用ガスは不純物の化合物ガスをキャリアガスで希釈したものであるのに対し、先願発明では、ドーピングガスはこの点が記載されていない点。 
　
　そこで、上記相違点について検討する。 
　通常、減圧ＣＶＤ装置において、特開平５−６８５８号公報の段落【００１７】には、ホスフィンガスをインナー管内に導入する場合に、「ＰＨ３がヘリウム（Ｈｅ）で１％に希釈された混合ガスを」と記載され、又特開平５−２０６１０６号公報の段落【０００６】実施例に記載の如く、ホスフィンガスをインナー管内に導入する場合に、「５００〜１０００ＳＣＣＭの４％ＰＨ３／Ｎ２」とあるように、ホスフィンガスを窒素ガスで４％に希釈して導入すること、特開平４−３２６５１２号公報の段落【００１３】実施例に記載の如く、「ヘリウムで例えば１０％まで希釈されたホスフィンをドープ用ガスとして例えば５ＳＣＣＭ」という比較的少ない流量で反応容器内に導入する場合にも希釈していること、及び本願明細書の【従来の技術】欄の段落【０００６】にも記載されている如く、ドープ用ガスをキャリアガスにより希釈してから反応室内に導入することは周知の技術にすぎない。 
　してみると、先願発明において、ドーピングガスをキャリアガスで希釈したものとすることは、上記周知技術を付加したものに相当し、その点に格別の効果を認めることができないから、上記相違点は単なる周知技術の付加にすぎない。
　よって、本願発明は、先願発明と実質的に同一である。 
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願の請求項１に係る発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであり、本願の他の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。