【事件の表示】
　平成　９年特許願第　１４３７１号「酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　６月　９日出願公開、特開平１０−１５４６７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成９年１月２８日（優先日：平成８年９月３０日、出願番号：特願平８−２５８７６６号）の出願であって、平成１４年１２月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１５年２月６日に拒絶査定に対する審判の請求がなされるとともに、同年３月１０日付けで明細書を補正対象書類とする手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
２．本件補正について
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の
「　【請求項１】  酸化セリウム粒子、ポリアクリル酸アンモニウム塩及び水を含む酸化セリウム研磨剤。」は、
「　【請求項１】  酸化セリウム粒子、ポリアクリル酸アンモニウム塩及び水を含む
半導体基板研磨用
と補正された。
　なお、下線は、補正箇所を明示するものである。
　上記補正は、請求項１に記載した「酸化セリウム研磨剤」を「半導体基板研磨用酸化セリウム研磨剤」と用途を特定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
（１）引用刊行物に記載された発明（事項）
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平８−２２９７０号公報には、以下の事項が記載されている。
ア「【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子製造技術に用いられる研磨方法に関し、基板表面の平坦化工程、特に、層間絶縁膜の平坦化工程、埋め込み金属配線の形成工程、埋め込み素子分離膜の形成工程、または埋め込みキャパシタ形成工程等において使用される研磨方法に関する。」（第１欄第４８行〜第２欄第３行）
イ「（実施例１）まず、図１（Ａ）に示すように、凸部の割合が基板全体の５０％であるシリコン基板１１上に絶縁膜としてシリコン酸化膜１２を形成し、シリコン酸化膜１２上に通常のフォトリソグラフィー法およびエッチング法により、幅０．３μｍ、高さ０．４μｍのＡｌ配線１３を形成する。次いで、図１（Ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法により、厚さ１．３μｍのシリコン酸化膜１４を形成して試料２０を作製した。なお、図中１５は凸部を示し、１６は凹部を示す。
・・・次いで、この試料２０に図２に示す研磨装置を用いてＣＭＰを施して層間絶縁膜の平坦化を行った。」（第６欄第１３〜２４行）
ウ「ＣＭＰにおいて、研磨液としては、・・・酸化セリウム粒子を、純水に・・・分散させ、これにポリカルボン酸アンモニウム塩・・・を加え、・・・粘度調整を行ったものを用いた。また、研磨条件は、研磨圧力３００gf／cm2 、研磨定盤および真空チャックホルダの回転数１００rpm とした（以後、この条件をポリッシングの標準条件という）。」（第６欄第３５〜４２行）
エ「次に、研磨液に添加したポリカルボン酸アンモニウム塩の効果をさらに詳しく調べるために、ポリカルボン酸アンモニウム塩、エタノールまたは分子量２００００〜３００００のポリビニルアルコールを添加してなる研磨液を用いて図１（Ｂ）に示す試料２０に標準条件でＣＭＰ処理を施した。その結果を図７に示す。図７は、凹部１６のポリッシング速度と研磨液粘度との関係を示すグラフである。図７から分かるように、ポリカルボン酸アンモニウム塩を添加した研磨液を用いた場合は、上述したように２．０ｃＰ付近でポリッシング速度は飽和する。ポリカルボン酸アンモニウム塩を添加した研磨液が図７に示すような特性を示すので、凸部１５のみを優先的にポリッシングし、表面が平坦になったときにポリッシングが進行しなくなると考えられる。これに対して、エタノールまたはポリビニルアルコールを添加した研磨液を用いた場合は、粘度が高くなるにしたがってポリッシング速度が減少する直線となる。」（第８欄第１４〜３０行）
オ「これに対して、図９（Ｂ）は、エタノールまたはポリビニルアルコールを添加した研磨液を用いて図１（Ｂ）に示す試料２０にＣＭＰ処理を施した場合を示す断面図である。図９（Ｂ）から分かるように、研磨液の粘性によりシリコン酸化膜１４の主面と研磨クロス２２との間の間隔が広がるが、凹部１６には停滞層は形成されない。このため、研磨粒子３１は、凸部１５および凹部１６に同じように作用する。したがって、凸部１５と凹部１６との間でポリッシングの選択比を取ることが困難となる。この場合、凹部１６に作用する研磨粒子の数を減少させるためには、研磨液の粘度をさらに高くすればよいが、凸部１５をポリッシングする速度まで遅くなるので好ましくない。」（第９欄第９〜２１行）
　上記摘記事項エ，オにおける「分子量２００００〜３００００のポリビニルアルコールを添加してなる研磨液」は、摘記事項ウに記載の「酸化セリウム粒子を純水に分散させ、これにポリカルボン酸アンモニウム塩を加え」た研磨液における「ポリカルボン酸アンモニウム塩」に代えて「上記特定分子量のポリビニルアルコール」を加えたものであるから、「酸化セリウム粒子を純水に分散させ、これに分子量２００００〜３００００のポリビニルアルコールを添加してなる研磨液」であると認められる。
　従って、上記摘記事項ア〜オの記載からみて、図１（Ｂ）、図７及び図９（Ｂ）を参照すると、刊行物には、
「酸化セリウム粒子、分子量２００００〜３００００のポリビニルアルコール及び純水を含む、シリコン基板１１上に絶縁膜としてのシリコン酸化膜１２を形成し、シリコン酸化膜１２上にＡｌ配線１３を形成し、次いでシリコン酸化膜１４を形成して作製した試料２０のＣＭＰ用研磨液。」の発明（以下、「刊行物記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
（２）対比
　そこで、本願補正発明と刊行物記載の発明とを対比すると、
　後者の「シリコン基板１１上に絶縁膜としてのシリコン酸化膜１２を形成し、シリコン酸化膜１２上にＡｌ配線１３を形成し、次いでシリコン酸化膜１４を形成して作製した試料２０のＣＭＰ用研磨液」は、前者の「半導体基板研磨用酸化セリウム研磨剤」に相当する。
　そうすると、両者は、
「酸化セリウム粒子及び水を含む半導体基板研磨用酸化セリウム研磨剤」である点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点］
　前者は、研磨剤がポリアクリル酸アンモニウム塩を含むのに対して、
　後者は、研磨剤がポリアクリル酸アンモニウム塩ではなく、分子量２００００〜３００００のポリビニルアルコールを含む点。
（３）判断
　以下、前記相違点について検討する。
　本願明細書の段落【００１０】の「本発明における酸化セリウムスラリーは・・・酸化セリウム粒子とポリアクリル酸アンモニウム塩を含む分散剤と水からなる組成物を分散させることによって得られる。」との記載からみて、本願補正発明において、ポリアクリル酸アンモニウム塩は分散剤として使用されている。一方、刊行物記載の発明において使用される「ポリビニルアルコール」は従来周知の分散剤である。（特に必要なら、化学大辞典編集委員会編集，「化学大辞典　８」，縮刷版第３０刷，共立出版株式会社，１９８７年２月１５日，ｐ．７６７参照。）
　そして、特開平７−１７２９３３号公報、特開平７−１１６４３１号公報、特開平６−２６３５１５号公報にも記載されているように、水を媒体とするセラミックスラリーの分散剤としてポリアクリル酸アンモニウム塩を用いることは、従来周知の事項である。
　そうすると、刊行物記載の発明において、分散剤として機能し得るポリビニルアルコールに代えて従来周知の分散剤であるポリアクリル酸アンモニウム塩を使用することは当業者であれば容易に想到し得たことである。
　また、本願補正発明の奏する効果も刊行物記載の発明及び前記各周知技術から当業者が予測できる範囲内であって、格別なものとも認められない。
　したがって、本願補正発明は、刊行物記載の発明及び前記各周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
３．本願発明について
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成１４年５月２０日付けの手続補正書により補正がされた明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、以下のとおりのものである。
「　【請求項１】　酸化セリウム粒子、ポリアクリル酸アンモニウム塩及び水を含む酸化セリウム研磨剤。」
（１）引用刊行物に記載された発明（事項）
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載事項は、２．（１）に記載したとおりである。
（２）対比・判断
　本願発明１は、前記２．で検討した本願補正発明から「半導体基板研磨用」との特定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明１の発明を特定する事項を全て含み、さらに上記他の事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記２．（２）、（３）に記載したとおり、刊行物記載の発明及び前記各周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、同様の理由により、刊行物記載の発明及び前記各周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、本願の請求項２ないし６に係る発明について検討するまでもなく、結論のとおり審決する。