【事件の表示】
　平成１０年特許願第１３３７１４号「半導体モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１１月３０日出願公開、特開平１１−３３０２８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
一．手続の経緯
　本願は、平成１０年５月１５日の出願であって、平成１５年４月７日付で拒絶理由が通知され、同年６月１２日に手続補正書が提出され、同年９月３日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１１月１０日付の手続補正により補正したものである。
　
二．平成１５年１１月１０日付の手続補正について
　
［結論］
　平成１５年１１月１０日付の手続補正を却下する。
　
［理　由］
　
１．補正後の特許請求の範囲
　平成１５年１１月１０日付で補正された請求項１〜８のうち、請求項２に記載の発明の補正は、
　「【請求項２】　表面にロー付けにて金属板を結合したセラミック製の基板と
、この基板の外周部で前記金属板の表面にロー付けにより気密的に結合した金属製フランジと、
　この金属製フランジの開口部を気密的に塞ぐセラミック製の板状のハウンジング部と、
　前記セラミック製の基板表面の金属板に半田付けされた少なくとも１個以上の半導体チップと
　を備えたことを特徴とする半導体モジュール。」を
　「【請求項２】　コレクタ導電部材を有する金属板を、表面にロー付けにて結合したセラミック製の基板と、
　この基板の外周部で、前記金属板の表面にロー付けにより気密的に結合した金属製フランジと、
　前記コレクタ導電部材を貫通させ、且つ前記コレクタ導電部材をカシメにより結合するキャップ形状のコレクタ電極を上部に有し、前記金属製フランジの開口部を気密的に塞ぐセラミック製の板状のハウンジング部と、
　前記セラミック製の基板表面の金属板に半田付けされた少なくとも１個以上の半導体チップと
　を備えたことを特徴とする半導体モジュール。」と補正するものである（以下、「補正後発明２」という。）。
　
　補正により、「表面にロー付けにて結合したセラミック製の基板と」の前に、「コレクタ導電部材を有する金属板を、」が付加され、さらに、「前記金属製フランジの開口部を気密的に塞ぐセラミック製の板状のハウンジング部と、」の前に、「前記コレクタ導電部材を貫通させ、且つ前記コレクタ導電部材をカシメにより結合するキャップ形状のコレクタ電極を上部に有し、」が付加されたので、補正後発明２は、金属板の表面にロー付けにより気密的に結合した金属製フランジと、コレクタ導電部材を貫通させ、前記コレクタ導電部材をカシメにより結合するキャップ形状のコレクタ電極を上部に有するセラミック製の板状のハウンジング部とを備えている。
　しかし、本願の願書に最初に添付された明細書および図面には、金属板の表面にロー付けした金属製フランジと、コレクタ導電部材を貫通させ、前記コレクタ導電部材をカシメにより結合するキャップ形状のコレクタ電極を上部に有するハウンジング部との両構成を備えた発明の記載がない。よって、平成１５年１１月１０日付の手続補正は、出願当初の明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものではない。
　
２．むすび
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項の規定において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
三．本願発明について 
１．本願発明 
　平成１５年１１月１０日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜８のうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、同年６月１２日付の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】　表面にロー付けにて金属板を結合したセラミック製の基板と、この基板の外周部で前記金属板の外側の表面にロー付けにより気密的に結合した金属製フランジと、
　この金属製フランジの開口部を気密的に塞ぐセラミック製の板状のハウンジング部と、
　前記セラミック製の基板表面の金属板に半田付けされた少なくとも１個以上の半導体チップと
　を備えたことを特徴とする半導体モジュール。」
　
２．引用刊行物とその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物とその摘記事項は次のとおりである。
　
　刊行物：特開平５−１２１５７７号公報
　
（２ａ）「【００１０】本発明の他の目的は、パッケージに密封された電子部品（以下、電子デバイスまたはデバイスと言う）への接続の高電流許容性を実現することにある。」
（２ｂ）「【００１３】
　　　　【課題を解決するための手段】本発明の一つの実施態様において、デバイスパッケージは実質的に平らな上面を有するヘッダを具える。ヘッダの上面には、デバイスをその上に取り付けるための絶縁ディスク（盤）が固定される。上部および下部が各々大きな直径と小さな直径をもつ胴体が、それらの間に段差を有し、下端は、絶縁ディスクを囲むように、ヘッダの上面に結合する。胴体の上部にはセラミックの蓋が上記の段差に突き当たって、そこに取付けられる。
　　　　【００１４】発明の他の実施態様によると、電子デバイスを密封するためのパッケージは、設置面（ｍｏｕｎｔｉｎｇ　ｓｕｒｆａｃｅ）に取り付け易い下面と、実質的に平らな上面をもつ、金属製ヘッダを具える。絶縁ディスクはヘッダの上面に固定され、電子デバイスをその上に固定できるようになっている。胴体は、ほぼ筒状の上部および下部がそれぞれ大きな直径と小さな直径になっており、その間に直径方向の（円周に沿った）段差を有し、胴体の下端は、絶縁ディスクを胴体下部に収容するように、ヘッダの上面に接する。胴体の上部の内部には、セラミック製上蓋が、直径方向の段差に突き当たるように、配される。
　　　　【００１５】発明の他の実施態様によると、ヘッダ上面に固定される絶縁ディスクの上には、電子デバイスのためのリード接続を取り付けるように、導電性パターンが形成される。セラミック上蓋は、胴体の上部の内部に、直径方向の段差に突き当たるように、気密に取付けられ、この上蓋は、電子デバイスの接続導線を貫通させるための、孔のパターンを有する。
　　　　【００１６】本発明のさらに他の実施態様による、電子デバイスを密封するパッケージは、絶縁ディスク上に電子デバイスが装着されている。」
（２ｃ）「【００１７】
　　　　【実施例】・・・セラミック絶縁ディスク８はヘッダ２の上面４に取り付けられている。セラミック絶縁ディスク８には、電力デバイスチップのような電子デバイスまたは回路を取り付けるために、電導性パターン１０，１０’，１０”がその上に形成され、そしてこの電導性パターンを経てデバイスへの電気的接続を行うためのいろいろのリード線を具える。本実施例では、デバイスは、シリコン半導体基板（ｄｉｅ）１２中に形成されたパワートランジスタである。・・・」
（２ｄ）「【００１９】おおむね筒状の金属製胴体部２６は、その下端でヘッダ２の上面４に結合される。胴体部２６の下端の開口部は、セラミック絶縁ディスク８の回りにぴったりはまる直径になっている。・・・胴体部２６の上端の開口部は、胴体部２６の肩部２９に突き当てられるセラミック上蓋３０の回りにぴったり嵌まるような直径になっている。セラミック上蓋３０の中には、開口、すなわちリード通路３２，３４，３６，３８があり、ドレーンリード１４，ソースリード１６，ケルビンリード２０，ゲートリード２２が、外部回路への接続ができるように、セラミック上蓋３０の上面を通り抜けて、さらに突き出るようになっている。・・・」
（２ｅ）「【００２１】本例において色々な材料の選択が可能であるが、ヘッダ２は全体の厚さが０．０５インチ程度の、銅−モリブデン−銅または銅−インバール−銅の積層（ｃｌａｄ）のような積層体（ｃｌａｄ）で構成されるのが好ましい。こうすれば、高い熱電導率ばかりでなく、取付けの機械的強度も得られる。熱膨張係数の良好の整合は、熱的反復（ｔｈｅｒｍａｌ　ｃｙｃｌｉｎｇ）により起こり得る疲労型破壊に対する抵抗をもたらす。
　　　　【００２２】セラミック絶縁ディスク８は、厚さ約０．０３０インチの酸化ベリリウムで作られることが好ましく、各面で厚さ約０．０１０インチの銅と直接に接合される。そして、上面の銅層はエッチされ、電導性パターン１０，１０’，１０”を形成する。材料のこの組合せにより高い熱伝導性と高い破壊電圧が得られる。熱膨張係数は１℃当たり８×１０−６（８ｐｐｍ　）程度である。」
（２ｆ）「【００２６】パッケージの組立に際しては、ヘッダ２，セラミック絶縁ディスク８，胴体部２６，ドレーンリード１４，ソースリード１６，ケルビンリード２０，ゲートリード２２を、組み合わせ、固定し、銀／銅ろう付け合金を用いてろう付けする。組立体は、防蝕とろう付け性のため、無電解ニッケルめっきされる。」
（２ｇ）「【００２９】セラミック上蓋３０をドレーンリード１４，ソースリード１６，ケルビンリード２０，ゲートリード２２を通り越して、胴体部２６へ滑り込ませる。ハンダ付けワイヤ素材が置かれ、形成ガス雰囲気中で再融解（ｒｅｆｌｏｗ）し、上蓋３０の回りと、ドレーンリード１４，ソースリード１６，ケルビンリード２０，ゲートリード２２との密封を構成する
ハンダ付けが施される。」
　
３．対比・判断
　上記摘記事項（２ａ）〜（２ｇ）をまとめると、刊行物にはシリコン半導体基板からなる電力デバイスチップを用いているので、少なくとも一個以上の半導体チップを有していることが示されている。また、電子デバイスを密封するパッケージにおいて、金属製胴体部の下端開口部はセラミック絶縁ディスクの回りにはまって、ヘッダにろう付けされているので、金属製胴体部は、セラミック絶縁ディスクの外周部で、かつ、前記導電性パターンの外側の表面で、ロー付けにより気密的に結合されていることが示されている。さらに、刊行物の「電導性パターンを形成」は、本願発明１の配線パターンを形成する金属板を張り付けることと同じ作用をするものであるから、「金属板を結合」することに相当する。
　よって、刊行物には、ヘッダの上面に取り付けられたセラミック絶縁ディスクと、セラミック絶縁ディスクに直接に接合され、エッチされて形成された電導性パターンと、導電性パターンに接続した少なくとも１個のシリコン半導体基板からなる電力デバイスチップと、セラミック上蓋と、下端でセラミック絶縁ディスクの回りにぴったりはまって、導電性パターンの外側の表面でヘッダの上面にろう付けされ、上端開口部でセラミック上蓋の回りにぴったり嵌まり、セラミック上蓋を気密に取り付けた筒状の金属製胴体部とを有する、電子デバイスを密封するためのパッケージの発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
　よって、刊行物発明の、「セラミック絶縁ディスク」、「電導性パターン」、「金属製胴体部」、「セラミック上蓋」、及び「パッケージ」は、本願発明１の「セラミック製の基板」、「金属板」、「金属製フランジ」、「セラミック製の板状のハウジング部」、及び「半導体モジュール」に相当するから、両者は、「表面に金属板を結合したセラミック製の基板と、前記金属板の外側の表面にロー付けにより気密的に結合した金属製フランジと、この金属製フランジの開口部を気密的に塞ぐセラミック製の板状のハウンジング部と、前記セラミック製の基板表面の金属板に接続された少なくとも１個以上の半導体チップとを備えた半導体モジュール」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点１：本願発明１のセラミック製の基板表面にはロー付けにて金属板が結合されているのに対し、刊行物発明では、セラミック絶縁ディスクと電導性パターンは、銅を直接に接合している点。
　相違点２：本願発明１の金属板には半導体チップが半田付けされているのに対し、刊行物発明では、電導性パターンと電力デバイスチップの結合の仕方は明記されていない点。
　相違点３：本願発明１の金属製フランジは、セラミック製の基板の外周部で結合されているのに対し、刊行物発明では、金属製胴体部は、セラミック絶縁ディスクが上面に取り付けられたヘッダに結合されている点。
　
　そこで、上記相違点１、２、３について検討する。
　
相違点１について
　刊行物の摘記事項（２ｅ）の記載からみて、セラミック絶縁ディスク上の電導性パターンは、セラミック絶縁ディスク上面に直接に接合された銅層をエッチすることにより形成されている。しかし、セラミック絶縁ディスク下面には銅の積層体からなるヘッダをろう付けしていることからみて、セラミック絶縁ディスク上面に直接に接合された銅層をエッチすることに替えて、本願発明１のように、セラミック絶縁ディスク上面に金属板をろう付けするようなことは当業者が容易に想到することができたものである。
　
相違点２について
　金属板に対して半導体チップを半田付けすることは、半導体チップの固定と電気的結合を兼備する周知の技術であるから、刊行物発明の電導性パターンに対して半導体チップを、例えば接地電位を供給し、かつ固定するために、半田付けにより電気的に接続するようなことは当業者が容易に想到することができたものである。
　
相違点３について
　セラミック基板を用い、その外周部に金属枠をロウ付けしたパッケージは周知であるから、金属製のヘッダを用いずに、セラミック絶縁ディスクそのものを、基板として用い、筒状の金属製胴体部の下端開口部を、基板外周部に結合することは当業者が容易になし得ることである。
　　
　そして、本願発明１において、上記相違点１〜３による格別顕著な作用効果も認められない。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜８に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。