【事件の表示】
　特願２０００−１４４９５９「書換え型光記録媒体及びその記録方法並びに光ディスク記録再生装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　８月２４日出願公開、特開２００１−２２９５３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年５月１７日（優先権主張　平成１１年５月１９日、平成１１年９月１７日、平成１１年１２月９日）の出願であって、拒絶理由通知に応答して平成１５年４月１８日に手続補正がなされたが、その後平成１５年６月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年７月９日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１５年７月９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１に関し、
　（α）「【請求項１】　ウォブル溝が形成された基板と相変化型記録層とを有してなり、該相変化記録層の結晶状態の部分を未記録・消去状態に対応させ、該相変化記録層の非晶質状態の部分を記録状態に対応させて、記録光を照射することにより該記録状態に対応する非晶質マークを形成させる書き換え型光記録媒体において、
　基板上に、下部保護層、相変化型記録層、上部保護層及び反射層を設けてなり、該相変化型記録層が、ＭzＧｅy（ＳｂxＴｅ1-x）1-y-z（ただし、０＜ｚ≦０．１、０＜ｙ≦０．１、０．７２≦ｘ≦０．８であり、ＭはＩｎ又はＧａ）で表されるＩｎＧｅＳｂＴｅ又はＧａＧｅＳｂＴｅ合金をベースとする組成から選択されたものであり、
　該反射層がＡｌ合金又はＡｇ合金から選択されたものであり、前記反射層の面積抵抗率が０．２〜０．６Ω／□であり、
　線速１．２ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ1としたとき、基準速度の１０倍速Ｖにおいて、データ基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ1Ｔ1（ただし、Ｔ1は２３１ｎｓである）であるように保ちながらＥＦＭ変調された信号を下記記録方式１の条件内の１つの方式で１０回オーバーライト記録した後に、１倍速での再生によって得られる記録信号のアイパターンの変調度ｍ11が６０〜８０％であり、記録信号のアイパターンの反射率の上端値Ｒtopが１５〜２５％であり、且つ各マーク長及び各マーク間のジッタが３５ｎｓ以下となることを特徴とする光記録媒体。
記録方式１；
　波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．５５又は０．５の光学系を介して照射する。
　この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整数）としたとき、
　記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
　記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔを、
　α1Ｔ、β1Ｔ、α2Ｔ、β2Ｔ、・・・・αmＴ、βmＴ、
　（ただし、ｍ＝ｎ−１、α1＝１．０、αi＝０．５（ｉは２〜ｍの整数）、βm＝０．２５〜０．７５、αi＋βi-1＝１．０（ｉは２〜ｍの整数））の順に、Σi（αi＋βi）＝ｎ−ｊとなるように分割し（ｊは０〜２．０までの実数）、
　αiＴなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは１４〜２５ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５とする）を照射し、
　βiＴなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、０．８ｍＷのバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。」
とする補正を少なくとも含むものである。
　
　この請求項１の補正に関し、審判請求理由において請求人は、『（イ）補正前の請求項１、２において「・・ＭzＧｅy（ＳｂxＴｅ1-x）1-y-z（ただし、
０≦ｚ≦０．１
０＜ｚ≦０．１
（ロ）補正前の請求項１、２において、「・・基板上に、下部保護層、相変化型記録層、上部保護層及び
反射層
反射層
　該反射層がＡｌ合金又はＡｇ合金から選択されたものであり、前記反射層の面積抵抗率が０．２〜０．６Ω／□であり、
　ここに、補正前（平成１５年４月１８日付け手続補正書参照）の請求項１と請求項１５は次のとおりである。
　（β）「【請求項１】　ウォブル溝が形成された基板と相変化型記録層とを有してなり、該相変化記録層の結晶状態の部分を未記録・消去状態に対応させ、該相変化記録層の非晶質状態の部分を記録状態に対応させて、記録光を照射することにより該記録状態に対応する非晶質マークを形成させる書き換え型光記録媒体において、
　基板上に、下部保護層、相変化型記録層、上部保護層及び反射層を設けてなり、該相変化型記録層が、ＭzＧｅy（ＳｂxＴｅ1-x）1-y-z（ただし、０≦ｚ≦０．１、０＜ｙ≦０．１、０．７２≦ｘ≦０．８であり、ＭはＩｎ又はＧａ）で表されるＩｎＧｅＳｂＴｅ又はＧａＧｅＳｂＴｅ合金をベースとする組成から選択されたものであり、
　線速１．２ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ1としたとき、基準速度の１０倍速Ｖにおいて、データ基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ1Ｔ1（ただし、Ｔ1は２３１ｎｓである）であるように保ちながらＥＦＭ変調された信号を下記記録方式１の条件内の１つの方式で１０回オーバーライト記録した後に、１倍速での再生によって得られる記録信号のアイパターンの変調度ｍ11が６０〜８０％であり、記録信号のアイパターンの反射率の上端値Ｒtopが１５〜２５％であり、且つ各マーク長及び各マーク間のジッタが３５ｎｓ以下となることを特徴とする光記録媒体。
記録方式１；
　波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．５５又は０．５の光学系を介して照射する。
　この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整数）としたとき、
　記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
　記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔを、
　α1Ｔ、β1Ｔ、α2Ｔ、β2Ｔ、・・・・αmＴ、βmＴ、
　（ただし、ｍ＝ｎ−１、α1＝１．０、αi＝０．５（ｉは２〜ｍの整数）、βm＝０．２５〜０．７５、αi＋βi-1＝１．０（ｉは２〜ｍの整数））の順に、Σi（αi＋βi）＝ｎ−ｊとなるように分割し（ｊは０〜２．０までの実数）、
　αiＴなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは１４〜２５ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５とする）を照射し、
　βiＴなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、０．８ｍＷのバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。」
　（γ）「【請求項１５】　反射層がＡｌ合金又はＡｇ合金から選択されたものであり、前記反射層の面積抵抗率が０．２〜０．６Ω／□である請求項１乃至１４のいずれか１つに記載の書き換え型記録媒体。」
　
　してみると、補正後の請求項１は、補正前の請求項１を引用する請求項１５を、新たな請求項１とし、更に「相変化型記録層」の組成の「Ｍ」に関する組成比「ｚ」について、「０≦ｚ≦０．１」とあったのを、「０＜ｚ≦０．１」と、即ちｚ＝０の場合を削除し、Ｍ成分を必須の構成としたものであるから、減縮に相当するものであり、また課題を変更するものでもない。
　そうであるから、上記補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１（上記（α）参照）に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するか）について以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶理由に引用された本願出願前の刊行物である特開平１０−３２６４３６号公報（以下、引用例という。）には、図面とともに、次のことが記載されている。　なお、下線は、便宜上当審が付与した。
　引用例には、
　（i）「【請求項１】　
基板上に下部保護層、相変化記録層、上部保護層
反射層をこの順に設け
非晶質マークの記録・再生・消去を行うことを特徴とする光学的情報記録用媒体
【請求項２】　
相変化記録層が、Ｍｗ
w
（Ｓｂ
z
Ｔｅ
1-z
）
1-w
（０≦ｗ≦０．２、
ＭはＩｎ、Ｇａ、
Ｇｅ、
のうちの少なくとも１種）合金薄膜からなる
　・・・（中略）・・・
【請求項６】　請求項２において、
０．６≦ｚ≦０．８である
【請求項７】　
反射層が
Ａｌ合金（純Ａｌを含む）または
Ａｇ合金（純Ａｕ、Ａｇを含む）
　・・・（中略）・・・
【請求項１１】　
反射層の
面積抵抗率が０．２Ω／□以上０．９Ω／□以下である
　・・・（中略）・・・
【請求項１６】　
溝が蛇行し
　（ii）「【０００４】現在、
実用化されている書換可能な相変化媒体では、結晶状態を未記録・消去状態とし、非晶質のマークを形成する
　（iii）「【０００７】ＣＤ−ＲＷには、蛇行（Wobble）した溝が設けられ溝内に記録する。蛇行の周波数は搬送波周波数２２．０５ｋＨｚをアドレス情報により周波数（ＦＭ）変調したものである。これはＡＴＩＰ信号と呼ばれる。ＡＴＩＰ信号を用いることで未記録ディスクの回転数制御が可能になり、
ＣＤ線速（１．２〜１．４ｍ／ｓ）の１倍速、２倍速、さらには４倍、６倍速での記録ができる。この際、安価な半導体レーザーを用いるためには記録パワーは約１５ｍＷ以下でなければならず、また、記録時の線速が異なっても単純に線速に反比例して基準クロック周波数Ｔを変えるだけで、所望のマーク長が記録できなければならない
　（iv）「【００１２】しかしながら、例えばＣＤ−ＲＷにおいてＣＤの２倍速および４倍速で記録するのに別種のディスクを用意するのは好ましくない。線速に応じてパルスストラテジー（良好なピット形状を得るために照射ビームをパルス分割し、コントロールする方式）を変化させることにより、ＣＤの１倍もしくは２倍速から１０ｍ／ｓ程度の線速範囲において良好なオーバーライト特性を得る方法については、本発明者らも含めいくつか報告がある。しかし、
一般的には、パルスストラテジーを可変とすることはパルス発生回路等を複雑化させドライブの製造コストを高くするので、同一パルスストラテジーで基準クロック周期を変更するだけで広い線速範囲をカバーできることが望ましい
　（v）「【００２２】前述の様に本発明の
媒体の線速依存性は、第１次的には、Ｓｂ
70
Ｔｅ
30
共晶点組成を基本として、Ｓｂ／Ｔｅ比により左右される
【００２３】
高線速に対応させるには、Ｓｂ量を増やせばよいが、あまり増やすと非晶質マークの安定性が損なわれるので、Ｓｂ量を０．５≦ｚ≦０．９とするのが好ましく、０．６≦ｚ≦０．８がより好ましい
Ｉｎ、Ｇａ及びＧｅ
は結晶化温度を上昇させて経時安定性を高める効果ある
Ｉｎ、Ｇａはスムースな非晶質マークと結晶領域との境界を形成し、マーク長記録、すなわち、マーク端検出におけるノイズを小さくできる
【００２４】Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｒｈ、希土類元素はそれ自身もしくはそれらとＳｂもしくはＴｅとの化合物が高融点であるため、微細な分散したクラスターとして析出して結晶核となり、高速結晶化に寄与する。しかし、多すぎるとかえって非晶質マークの安定性を損なう。Ｏ、Ｓ、ＳｅはＴｅと同族であり、Ｔｅの鎖状ネットワークに入り込んで、Ｓｂ70Ｔｅ30共晶合金の結晶化温度、屈折率、粘度を微調整するのに利用できる。
【００２５】
いずれの添加元素も２０原子％を超えると、偏析・相分離を生じ易い。特に、繰返しオーバーライトにより偏析を生じ易く、安定な記録ができなくなるので好ましくない。繰返しオーバーライト耐久性の観点からはいずれの原子も単独では１０原子％以下とすることが望ましい
　（vi）「【００２６】より具体的で好ましい例として、ＭａαＩｎβＳｂγＴｅη（ただし、ＭａはＡｇもしくはＺｎ、０．０３≦α≦０．１、０．０３≦β≦０．０８、０．５５≦γ≦０．６５、０．２５≦η≦０．３５、０．０６≦α＋β≦０．１３、α＋β＋γ＋η＝１である）なる記録層があげられる。
Ｉｎは結晶化温度を上昇させて経時安定性を高める効果があり、室温での保存安定性を確保するためには少なくとも３原子％は必要である。また、スムースな非晶質マークと結晶領域との境界を形成し、マーク長記録、すなわち、マーク端検出におけるノイズを小さくできる
【００２７】
８原子％以上含まれると相分離が生じ易く、繰りしオーバーライトにより偏析が起きるため好ましくない
【００２８】また、Ａｇ又はＺｎとＩｎをあわせて１３原子％以上とすることは繰返しオーバーライト時に偏析を生じ易いので好ましくない。
もう一種の好適な記録層の例としてＭｂ
v
Ｍｃ
y
（Ｓｂ
x
Ｔｅ
1-x
）
1-y-v
ＭｃはＧｅ
０．６≦ｘ≦０．８
【００２９】
ＩｎのかわりにＧｅを用いることで、上記のＭａＩｎＳｂＴｅ合金における低融点金属ＩｎおよびＩｎ化合金の析出のしやすさを改善することができる
　（vii）「【００５８】より具体的な例としては、
ＣＤ−ＲＷあるいは書き換え可能なＤＶＤとしてＣＤもしくはＤＶＤとの互換性を確保するためには、ＣＤもしくはＤＶＤ規格で定められる変調度を高くとらねばならない
ＣＤもしくはＤＶＤにおける変調度とは
トップの信号強度Ｉ
top
と、信号振幅Ｉ
11
との比Ｉ
11
／Ｉ
top
（もしくはＩ
14
とＩ
top
 の比、Ｉ
14
／Ｉ
top
）として定義される
【００５９】
信号振幅Ｉ
11
（もしくはＩ
14
）が上記定義のエンベロープ再生信号の振幅に相当し、Ｉ
top
がその上端レベルに相当する。書換型ＣＤ、ＤＶＤでは変調度に対する規定は、再生専用そのものより若干緩和されており、おおむねＭｏｄ＞０．５であることが望ましい
Ｉ
top
は実際上、マーク間（結晶状態）の溝内での反射率に相当する
　（viii）「【０１０８】そして、７０≦Ｄ1≦１５０ｎｍの範囲でδが少なくとも（８）式を満たすように選べば良い。本層構成はとりわけ、
未記録すなわち結晶状態の反射率を１５〜２０％に設定するＣＤ−ＲＷのような記録媒体において有用である
　（ix）「【０１１９】次に、本発明の媒体に用いる好ましい記録法について説明する。以下の記録方法を併せ用いることで、記録層の再凝固時の冷却速度を正確に制御し、より一層広い線速範囲および記録パワーで正確なマーク長記録を行うことができる。本発明の相変化媒体はこれまでＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3擬似２元合金系で用いられてきた記録パワーＰｗと消去パワーＰｅの２値で変調する場合よりも、オフパルス区間を設けることが望ましい。
【０１２０】２値変調のオーバーライトも可能ではあるが、本発明においては図１５に示すような
３値変調方式を用いることで、パワーマージン、記録時線速マージンを広げることができる。長さｎＴ（Ｔは基準クロック周期、ｎは自然数）のマークを形成する際には、時間ｎＴを、以下のようにｎ−ｋ個にパルス分割し
α
1
 Ｔ、β
1
 Ｔ、α
2
 Ｔ、β
2
 Ｔ、・・・・、α
m
 Ｔ、β
m
 Ｔ
（但しｎ−ｊ＝α
1
 ＋β
1
 ＋・・・・・＋α
m
 ＋β
m
 （０≦ｊ≦２）、ｍ＝ｎ−ｋ（ｋ＝０、１、２）かつｎ
min
−ｋ≧１
α
i
Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間に記録層を溶融させるに足る記録パワーＰｗ（＞Ｐｅ）を照射し、β
i
Ｔ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間には、０＜Ｐｂ≦０．５Ｐｅ（ただし、β
m
Ｔにおいては、０＜Ｐｂ≦Ｐｅとなりうる）なるバイアスパワーＰｂを照射してオーバーライトする。【０１２１】図１６に（ａ）Ｐｂ＝Ｐｅとした場合と、（ｂ）Ｐｂ＝０（極端な場合）とした場合の記録層の温度変化を模式的に示した。３個に分割された分割パルスの、１番目のパルスＰ１と２番目のパルスＰ２が照射される間の位置を想定している。図１６（ａ）では後続の記録パルスによる加熱の影響が前方に及ぶために、１番目の記録パルス照射後の冷却速度が遅く、かつオフパルス区間でもＰｅが照射されるため、オフパルス区間での温度降下で到達する最低温度ＴＬが融点近傍に留まっている
【０１２２】一方、図１６（ｂ）では、
オフパルス区間のＰｂがほとんど０のため、ＴＬは融点から十分下がった点まで下がり、かつ、途中の冷却速度も大きい。非晶質マークは１番目のパルス照射時に溶解し、その後のオフパルス時の急冷によって形成される。上記のｍ、ｊ、α
i
 、β
i
で規定されるパルスストラテジーを線速によって変更することなく、クロック周期Ｔのみをおおむね線速に反比例させて記録密度を一定に保てることが望ましい
【０１２３】このパルスストラテジーを一定にして、少なくとも記録可能な線速の最低値と最大値が２倍以上は確保するできるのが本発明の付加的な効果である。
Ｐｗ、Ｐｅ、Ｐｂを線速に応じて変化させることは、パルスストラテジーとは別の問題であり、適宜行われる
【０１２４】特に、本発明の
具体的な応用例としてのＣＤ−ＲＷにおいては
ｎＴマーク（ｎ＝３〜１１の整数）の記録に際して、ｎ−１個の記録パルスに分割し、１番目の記録パルスを１．０Ｔとし、後続の記録パルスをすべて０．５Ｔとする。またバイアスパワーＰｂを照射する時間（オフパルス時間）はすべて０．５Ｔとする
【０１２５】特に、本発明記録層に対しては
オフパルス時のバイアスＰｂを０＜Ｐｂ≦０．５Ｐｅなるように十分低くとることが必要である
ｉ＝ｍにおいては０＜Ｐｂ≦Ｐｅ
となりうる
【０１２６】なお、このパルスストラテジーは後述の実施例に示されているように、本発明層構成を用いることにより、２〜４倍速でもオーバーライト可能な互換性の高いＣＤ−ＲＷ媒体が得られる。すなわち、同じパルスストラテジーで２および４倍速記録ができる。特に、４倍速においては、上記パルスストラテジーを用いた場合、各ｎＴマーク間のマーク長をより厳密に調整するため、
最後のオフパルス区間β
m
Ｔの長さのみを、各マーク長もしくは後続マーク間長または後続マーク長の組み合わせによって、微調整することも有効である
　（x）「【０１３０】記録再生の評価にはパルステック製ＤＤＵ１０００評価機を用いた。
光ヘッドの波長は７８０ｎｍ、ＮＡは０．５５である
なお、１倍速、２倍速、３倍速、４倍速とはそれぞれ１．２ｍ／ｓ、２．４ｍ／ｓ、３．６ｍ／ｓ、４．８ｍ／ｓを指す
【０１３１】記録には図１７に示したパルスストラテジーを用いた。ただし、線速２．８ｍ／ｓ以上では、マーク最後端のオフパルス区間βmＴにおいてＰｂ＝Ｐｅとした場合がある。
Ｐｂはすべての線速において０．８ｍＷで一定とした
線速切り替え時にはクロック周期Ｔを線速に反比例させた
ジッタの許容値はＣＤ規格で定められた１７．５ｎｓｅｃとした。オーバーライト耐久性の評価は、２倍速で繰返しオーバーライトしたときに３Ｔマークのジッタが１７．５ｎｓｅｃ以下に保たれる回数を目安とした
【０１３２】（実施例１）基板上に、下部保護層（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20を１００ｎｍ、
記録層Ａｇ
5
 Ｉｎ
5
 Ｓｂ
61.5
Ｔｅ
28.5
基板は
溝が形成されている
【０１３３】
反射層は
面積抵抗率は０．４６Ω／□
【０１３４】本媒体に対し、記録線速マージンおよび記録パワーマージンを評価した。
Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５で一定とし
媒体はあらかじめＥＦＭランダム信号を１０回オーバーライトしたのち、本測定に用いた
【０１３５】結果を図１８に示した（以後このような図を等高線図と呼ぶ）。低ジッタの領域が広いほど、線速マージンと記録パワーマージンが広いことを意味する。図１８において、線速２．４ｍ／ｓ、記録パワー１２ｍＷを中心に線速４．８ｍ／ｓまで広いマージンが確保できているのがわかる。なお、線速１．２ｍ／ｓで急激にジッタが悪化したが、パルスストラテジーにおいて記録パルス幅が１Ｔ、０．５Ｔ、０．５Ｔ、…（先頭パルスのみ１Ｔで２番目以降のパルス０．５Ｔ）となっているのを、１Ｔ、０．２Ｔ、０．２Ｔ、…（ただし、各記録パルスの先頭位置は同じ）と変更することで、良好なジッタが得られた。
【０１３６】次に、２倍速、４倍速における変調度と３Ｔマークジッタの記録パワー依存性を評価した。この評価では、図１７に示すパルスストラテジーを厳密に用いて記録し、２倍速で再生し測定を行った。また、媒体はあらかじめ所定の条件で１０回オーバーライトしたのち、本測定に用いた。
【０１３７】２倍速においてＰｅ／Ｐｗ＝０．５とした場合の測定結果を図１９に、
４倍速においてＰｅ＝８ｍＷで一定とし
　（xi）「【０１５２】（実施例６）実施例１の層構成において下部保護層膜厚を１００ｎｍ、
記録層を１８ｎｍのＡｇ
9
Ｇｅ
6
Ｓｂ
67
Ｔｅ
18
【０１５３】（実施例７）記録層を厚さ１８ｎｍのＡｇ5Ｓｎ6Ｓｂ66Ｔｅ23、反射層をＡｌ99.5Ｔａ0.5とした以外は、実施例６と全く同様の層構成でディスクを作成した。反射層の体積抵抗率は５５ｎΩ・ｍであった。図２８に３Ｔマークジッタの等高線図を示す。１〜４倍速にかけて幅広い線速・記録パワーマージンが得られた。
【０１５４】（実施例８）
（ａ）実施例１の層構成において下部保護層膜厚を１００ｎｍ、
記録層を２０ｎｍのＡｇ
5
Ｉｎ
3
Ｇｅ
2
Ｓｂ
68
Ｔｅ
28
（ｂ）実施例１の層構成において下部保護層膜厚を１０３ｎｍ、
記録層を１６ｎｍのＡｇ
5
Ｉｎ
3
Ｇｅ
2
Ｓｂ
64
Ｔｅ
26
　（xii）「【０１７１】より詳細に考察すれば、同じ
変調度０．７１〜０．７２が得られる
　　なお、摘示（i）の【請求項２】と摘示（v）の段落【００２２】に記載の「Ｍｗw（ＳｂzＴｅ1-z）1-w」式中の「Ｍｗw」は、後続する「Ｍ」での説明からみて、「Ｍw」の誤記であるか、「Ｍ」での説明が「Ｍｗ」での説明の誤記であると認められる。そこで、以下では、便宜的に前者を採用し、「Ｍｗw（ＳｂzＴｅ1-z）1-w」は「Ｍw（ＳｂzＴｅ1-z）1-w」の誤記として扱う。
　
　これらの記載によれば、少なくとも次の発明（以下「引用例発明」という。）が記載されていると認めることができる。
　「蛇行した溝が形成された基板上に下部保護層、相変化記録層、上部保護層、反射層をこの順に設けてなり、マーク長変調された非晶質マークの記録・再生・消去を行うことを特徴とする光学的情報記録用媒体において、
　相変化記録層が、Ｍw（ＳｂzＴｅ1-z）1-w（０≦ｗ≦０．２、０．６≦ｚ≦０．８、ＭはＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｒｈ、希土類元素のうちの少なくとも１種）合金薄膜からなり、
　反射層が不純物含有量が２原子％以下のＡｌ合金（純Ａｌを含む）または不純物含有量が５原子％以下のＡｕ又はＡｇ合金（純Ａｕ、Ａｇを含む）であり、
　反射層の面積抵抗率が０．２Ω／□以上０．９Ω／□以下である
　光学的情報記録用媒体。」
　
（３）対比、判断
　そこで、本願補正発明と引用例発明とを対比する。
　（ａ）引用例発明の「光学的情報記録用媒体」は「光記録媒体」に他ならず、また、引用例発明の「蛇行した溝が形成された基板上に下部保護層、相変化記録層、上部保護層、反射層をこの順に設けてなり」は、本願補正発明の「ウォブル溝が形成された基板と相変化型記録層とを有してなり」と「基板上に、下部保護層、相変化型記録層、上部保護層及び反射層を設けてなり」に相当する。
　
　（ｂ）引用例発明の「マーク長変調された非晶質マークの記録・再生・消去を行うことを特徴とする光学的情報記録用媒体」は、
　引用例の段落【０００４】に記載された「実用化されている書換可能な相変化媒体では、結晶状態を未記録・消去状態とし、非晶質のマークを形成する」ことを意図していると認められることから、
　本願補正発明の「該相変化記録層の結晶状態の部分を未記録・消去状態に対応させ、該相変化記録層の非晶質状態の部分を記録状態に対応させて、記録光を照射することにより該記録状態に対応する非晶質マークを形成させる書き換え型光記録媒体」に相当する。
　
　（ｃ）引用例発明の「相変化記録層が、Ｍw（ＳｂzＴｅ1-z）1-w（０≦ｗ≦０．２、０．６≦ｚ≦０．８、ＭはＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｒｈ、希土類元素のうちの少なくとも１種）合金薄膜からなり」は、
　本願補正発明の「該相変化型記録層が、ＭzＧｅy（ＳｂxＴｅ1-x）1-y-z（ただし、０＜ｚ≦０．１、０＜ｙ≦０．１、０．７２≦ｘ≦０．８であり、ＭはＩｎ又はＧａ）で表されるＩｎＧｅＳｂＴｅ又はＧａＧｅＳｂＴｅ合金をベースとする組成から選択されたものであり」に対応し、
　（ｃ１）引用例には実施例８としてＡｇＩｎＧｅＳｂＴｅの合金成分が使用（摘示（xi）参照）されていること、及び引用例の段落【００２９】にＭｄＩｎＧｅＳｂＴｅ（ＭｄはＡｇまたはＺｎ）が良い旨の記載があることに鑑みれば、引用例発明のＭ成分としてＩｎとＧｅを選択することは実質的な開示記載があると言うべきであり、他方、本願補正発明では、ＭzＧｅy（ＳｂxＴｅ1-x）1-y-zのＩｎＧｅＳｂＴｅ合金に限定（この４種の元素に限定）しているわけではなく、そのＩｎＧｅＳｂＴｅ合金をベースとするとされているので、ＩｎＧｅＳｂＴｅ以外の他の金属の添加があり得ることが積極的に示されていると解すべきである（例えば本願補正発明の請求項１を引用している点で実施の態様と認められる請求項１３では、Ｍ成分に相当するＡ２成分であるＧａとＩｎの他に、Ａ１成分としてＺｎなど各種の元素を添加していることに留意する。）ことを勘案すると、ＺｎやＡｇなどの他の元素の添加は阻害要因でもないし相違点でもないこと、
　（ｃ２）引用例の「いずれの添加元素も２０原子％を超えると、偏析・相分離を生じ易い。特に、繰返しオーバーライトにより偏析を生じ易く、安定な記録ができなくなるので好ましくない。繰返しオーバーライト耐久性の観点からはいずれの原子も単独では１０原子％以下とすることが望ましい。」（摘示（v）の段落【００２５】参照）との説明からみて、各原子それぞれは１０原子％以下、即ちＩｎとＧｅはそれぞれ「０＜」かつ「≦０．１」とすべきことも明らかであること、
　（ｃ３）ＳｂとＴｅの比率を示す範囲（引用例発明のｚ、本願補正発明のｘ）は、０．７２≦ｘ（又はｚ）≦０．８の範囲で両発明が一致していること、を勘案すると、
　両者は、「該相変化型記録層が、ＭzＧｅy（ＳｂxＴｅ1-x）1-y-z（ただし、０＜ｚ≦０．１、０＜ｙ≦０．１、０．７２≦ｘ≦０．８であり、ＭはＩｎ）で表されるＩｎＧｅＳｂＴｅ合金をベースとする組成から選択されたものであり」で一致する。
　なお、この点に関し請求人は争点としているので、その争点については後で言及する。
　
　（ｄ）引用例発明の「反射層が不純物含有量が２原子％以下のＡｌ合金（純Ａｌを含む）または不純物含有量が５原子％以下のＡｕ又はＡｇ合金（純Ａｕ、Ａｇを含む）であり、反射層の面積抵抗率が０．２Ω／□以上０．９Ω／□以下であり」は、
　該面積抵抗率として、引用例発明の実施例で例えば０．４６Ω／□（実施例１）程度のものが採用されていることを考慮して、該面積抵抗率が０．２〜０．６Ω／□の範囲で重複一致しているものと認められることから、
　本願補正発明の「該反射層がＡｌ合金又はＡｇ合金から選択されたものであり、前記反射層の面積抵抗率が０．２〜０．６Ω／□であり」に相当する。
　
　してみると、両発明は、少なくとも次の点で一致する。
＜一致点＞
　「ウォブル溝が形成された基板と相変化型記録層とを有してなり、該相変化記録層の結晶状態の部分を未記録・消去状態に対応させ、該相変化記録層の非晶質状態の部分を記録状態に対応させて、記録光を照射することにより該記録状態に対応する非晶質マークを形成させる書き換え型光記録媒体において、
　基板上に、下部保護層、相変化型記録層、上部保護層及び反射層を設けてなり、該相変化型記録層が、ＭzＧｅy（ＳｂxＴｅ1-x）1-y-z（ただし、０＜ｚ≦０．１、０＜ｙ≦０．１、０．７２≦ｘ≦０．８であり、ＭはＩｎ）で表されるＩｎＧｅＳｂＴｅ合金をベースとする組成から選択されたものであり、
　該反射層がＡｌ合金又はＡｇ合金から選択されたものであり、前記反射層の面積抵抗率が０．２〜０．６Ω／□である
　光記録媒体。」
　
　ところが、本願補正発明では更に、光記録媒体の特性に関し、
　「線速１．２ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ1としたとき、基準速度の１０倍速Ｖにおいて、データ基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ1Ｔ1（ただし、Ｔ1は２３１ｎｓである）であるように保ちながらＥＦＭ変調された信号を下記記録方式１の条件内の１つの方式で１０回オーバーライト記録した後に、１倍速での再生によって得られる記録信号のアイパターンの変調度ｍ11が６０〜８０％であり、記録信号のアイパターンの反射率の上端値Ｒtopが１５〜２５％であり、且つ各マーク長及び各マーク間のジッタが３５ｎｓ以下となることを特徴とする。
記録方式１；
　波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．５５又は０．５の光学系を介して照射する。
　この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整数）としたとき、
　記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
　記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔを、
　α1Ｔ、β1Ｔ、α2Ｔ、β2Ｔ、・・・・αmＴ、βmＴ、
　（ただし、ｍ＝ｎ−１、α1＝１．０、αi＝０．５（ｉは２〜ｍの整数）、βm＝０．２５〜０．７５、αi＋βi-1＝１．０（ｉは２〜ｍの整数））の順に、Σi（αi＋βi）＝ｎ−ｊとなるように分割し（ｊは０〜２．０までの実数）、
　αiＴなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは１４〜２５ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５とする）を照射し、
　βiＴなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、０．８ｍＷのバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。」
との構成を規定している。
　　
　そこで、この構成について、更に検討を進める。
　引用例には、
　（イ）書き換え型ＣＤ、ＤＶＤの再生によって得られる記録信号の変調度は０．５を超えること（摘示（vii）参照）、具体例で例えば０．７１〜０．７２が示されていること（摘示（xii）参照）、及び、
　（ロ）未記録すなわち結晶状態の反射率を１５〜２０％に設定するＣＤ−ＲＷのような記録媒体（摘示（viii）参照）、
　（ハ）ジッタの許容値がＣＤ規格で定められた１７．５ｎｓｅｃ（摘示（x）参照）、
との記載があることに鑑みれば、そして、ジッタの許容値を所望によって緩くすると、
　「再生によって得られる記録信号のアイパターンの変調度ｍ11が６０〜８０％であり、記録信号のアイパターンの反射率の上端値Ｒtopが１５〜２５％であり、且つ各マーク長及び各マーク間のジッタが３５ｎｓ以下となること」を特性として持つことを目標とすることは自然なことにすぎない。どの倍速で再生した場合のこととするのかの特定はないけれども、倍速の基準となり且つ低速での再生でも採用される１倍速の再生に関して規定することは適宜乃至当業者が容易になし得ることという他ない。
　
　次に、引用例には、
　（ニ）記録パワーＰwと消去パワーＰeの２値に加え、バイアスパワーＰbを用いて、「３値変調方式を用いることで、パワーマージン、記録時線速マージンを広げることができる。長さｎＴ（Ｔは基準クロック周期、ｎは自然数）のマークを形成する際には、時間ｎＴを、以下のようにｎ−ｋ個にパルス分割し、
α1 Ｔ、β1 Ｔ、α2 Ｔ、β2 Ｔ、・・・・、αm Ｔ、βm Ｔ、
（但しｎ−ｊ＝α1 ＋β1 ＋・・・・・＋αm ＋βm （０≦ｊ≦２）、ｍ＝ｎ−ｋ（ｋ＝０、１、２）かつｎmin−ｋ≧１）
αiＴ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間に記録層を溶融させるに足る記録パワーＰｗ（＞Ｐｅ）を照射し、βiＴ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間には、０＜Ｐｂ≦０．５Ｐｅ（ただし、βmＴにおいては、０＜Ｐｂ≦Ｐｅとなりうる）なるバイアスパワーＰｂを照射してオーバーライトする。」（摘示（ix）参照）こと、及び、
　（ホ）「具体的な応用例としてのＣＤ−ＲＷにおいては、・・・、ｎＴマーク（ｎ＝３〜１１の整数）の記録に際して、ｎ−１個の記録パルスに分割し、１番目の記録パルスを１．０Ｔとし、後続の記録パルスをすべて０．５Ｔとする。またバイアスパワーＰｂを照射する時間（オフパルス時間）はすべて０．５Ｔとする。　特に、本発明記録層に対してはオフパルス時のバイアスＰｂを０＜Ｐｂ≦０．５Ｐｅなるように十分低くとる・・・（中略）・・・βiＴ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間には０＜Ｐｂ≦０．５ＰｅなるバイアスパワーＰｂを照射するのがよい（ただし、ｉ＝ｍにおいては０＜Ｐｂ≦Ｐｅもしくは０≦βm ＜０．５となりうる）」（摘示（ix）の段落【０１２４】〜【０１２５】）こと、
　（ヘ）記録再生の評価には、「光ヘッドの波長は７８０ｎｍ、ＮＡは０．５５」を採用し、パルスストラジーを用い、Ｐe＝０．８mWで一定とし、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５で一定とし、ＥＦＭランダム信号を１０回オーバライトしたのち、測定する旨（摘示（x）参照）、
　（ト）４倍速においてＰｅ＝８ｍＷ、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５とした場合の検討がなされていること（この場合、Ｐｗ＝１６ｍＷと算出できる）、
の記載があることに鑑みれば、
　そして、ｋ＝１の場合、即ちｍ＝ｎ−１の場合について（ホ）の摘示箇所で検討していること、及び、（ホ）における「１番目の記録パルスを１．０Ｔとする」ことが、α1＝１．０を意味し、「後続の記録パルスをすべて０．５Ｔとする」ことがαi＝０．５（ｉは２〜ｍの整数）を意味し、「バイアスパワーＰｂを照射する時間（オフパルス時間）はすべて０．５Ｔとする」ことが、βi ＝０．５（ｉは１〜ｍの整数）であって、αi＋βi-1＝１．０（ｉは２〜ｍの整数）であることを意味し、更に、ｊ＝０であり、０≦βm ＜０．５またはβm＝０．５となりえることを考慮すると、
　記録方式として、ｊ＝０、及びβm が０．２５≦βm ≦０．５の重複し得る範囲を採用することを前提に、
「波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．５５の光学系を介して照射する。
　この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整数）としたとき、
　記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
　記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔを、
　α1Ｔ、β1Ｔ、α2Ｔ、β2Ｔ、・・・・αmＴ、βmＴ、
　（ただし、ｍ＝ｎ−１、α1＝１．０、αi＝０．５（ｉは２〜ｍの整数）、βm＝０．２５〜０．７５、αi＋βi-1＝１．０（ｉは２〜ｍの整数））の順に、Σi（αi＋βi）＝ｎ−ｊとなるように分割し（ｊは０〜２．０までの実数）、
　αiＴなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは１４〜２５ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５とする）を照射し、
　βiＴなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、０．８ｍＷのバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。」
　の記録方式を採用することは、自明乃至は当業者が容易に採用し得る程度のことという他ない。
　ところで、出願人は、平成１５年４月１８日付け意見書（第１７頁（ニ）などを参照）において、『例えば、引用文献１（当審注：引用例に相当）の実施例では、１．２〜４．８ｍ／ｓ（１〜４倍速）で記録を行っています（引用文献１の段落０１３０）が、低線速度の１倍速（１．２ｍ／ｓ）ては図１７に示されるように、ＰｂをＰｅに対して非常に低く設定する記録パルスストラテジーを用いています。一方、２倍速（２．４ｍ／ｓ）以上の高線速度領域においては、Ｐｂ＝Ｐｅとする記録パルスストラテジーを用いています（段落０１３４）。』と主張している。（なお、記録方式の構成に関して引用例と対比しての格別の反論・主張は、審判請求理由においてなされていない。）
　しかしながら、Ｐｂ＝Ｐｅを用いたのはβmＴの部分だけであり、それも一例として示されているにすぎず、他のβiＴでは０．８ｍＷ一定とすることが明示されているし、最後のオフパルス区間βmＴの長さのみを微調整するものであり、ｉ＝ｍにおいては０＜Ｐｂ≦Ｐｅであれば足りることも明示されている（段落【０１２５】参照）のであるから、前記出願人の主張は失当であるという他ない。　ちなみに、引用例の段落【０１２５】に記載された「オフパルス時のバイアスＰｂを０＜Ｐｂ≦０．５Ｐｅなるように十分低くとることが必要である」ことは、本願明細書において記録方法としての態様である請求項１９、段落【００１３】に「βiＴ（１≦ｉ≦ｍ）なる時間内にはＰｂを０＜Ｐｂ≦０．５ＰｅなるバイアスパワーＰｂの記録光を照射し」との態様そのものという他ないことに留意すべきである。
　
　更に、引用例には、
　（チ）記録再生の評価に際し、１倍速とは１．２ｍ／ｓを指すと明示（摘示（x）の段落【０１３０】参照）されていて、及び、
　（リ）ＣＤ線速（１．２〜１．４ｍ／ｓ）の１倍速、２倍速、さらには４倍、６倍速での記録する際、「記録時の線速が異なっても単純に線速に反比例して基準クロック周波数Ｔを変えるだけで、所望のマーク長が記録できなければならない。」（摘示（iii）参照）とされ、
　（ヌ）「同一パルスストラテジーで基準クロック周期を変更するだけで広い線速範囲をカバーできることが望ましい」（摘示（iv）参照）と、記載されているところ、
　（リ）と（ヌ）の記載はＶＴが一定であることを意味することが明らかであること、また、１倍速の時のデータ基準クロック周期Ｔ1が２３１ｎｓであることは知られていることを勘案すると、
　「線速１．２ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ1としたとき、基準速度のある倍速Ｖにおいて、データ基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ1Ｔ1（ただし、Ｔ1は２３１ｎｓである）であるように保ちながらＥＦＭ変調された信号を」記録することは、実質的に引用例に記載されているというべきである。
　ただ、「ある倍速Ｖ」が１０倍速であることは言及されていない。
　なるほど、引用例発明では、段落【０００７】において６倍速が意識され、かつ段落【００１２】において１０ｍ／ｓ（８倍速程度）の言及があるものの、概ね４倍速までについて具体的に検討し、データを採っているに過ぎない。しかしながら、１０倍速や１２倍速などの更なる高倍速でも対応できる記録媒体が要請されることは、周知な課題というべきであり、少なくとも当業者であれば容易に想い到る程度の課題というべきであるから、１０倍速での記録によっても１倍速で再生可能なものとすることは、当然のことというべきであり、少なくとも当業者が容易に想到し得る程度のことという他ないのである。
　よって、「ある倍速Ｖ」を「１０倍速Ｖ」とすることは、適宜乃至当業者が容易に想到し得る。
　
　以上のとおりであるから、
　「線速１．２ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ1としたとき、基準速度の１０倍速Ｖにおいて、データ基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ1Ｔ1（ただし、Ｔ1は２３１ｎｓである）であるように保ちながらＥＦＭ変調された信号を下記記録方式１の条件内の１つの方式で１０回オーバーライト記録した後に、１倍速での再生によって得られる記録信号のアイパターンの変調度ｍ11が６０〜８０％であり、記録信号のアイパターンの反射率の上端値Ｒtopが１５〜２５％であり、且つ各マーク長及び各マーク間のジッタが３５ｎｓ以下となることを特徴とする。
記録方式１；
　波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．５５又は０．５の光学系を介して照射する。
　この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整数）としたとき、
　記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
　記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔを、
　α1Ｔ、β1Ｔ、α2Ｔ、β2Ｔ、・・・・αmＴ、βmＴ、
　（ただし、ｍ＝ｎ−１、α1＝１．０、αi＝０．５（ｉは２〜ｍの整数）、βm＝０．２５〜０．７５、αi＋βi-1＝１．０（ｉは２〜ｍの整数））の順に、Σi（αi＋βi）＝ｎ−ｊとなるように分割し（ｊは０〜２．０までの実数）、
　αiＴなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは１４〜２５ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５とする）を照射し、
　βiＴなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、０．８ｍＷのバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。」（但し、ｊ＝０、及びβm が０．２５≦βm ≦０．５の範囲とする。）
との構成は、当業者が容易に想到し得る程度のことと認められる。そして、本願補正発明の光ディスクに格別予想外の作用効果があるとも認められない。
　
　ところで、審判請求理由においいて請求人は、上記（ｃ）で一致点としたことに関連した、記録層組成の対比に関し、『ｉ）本願発明１、２における記録層組成は、Ｍz Ｇｅy （Ｓｂx Ｔｅ1-x ）1-y-z （ただし、０＜ｚ≦０．１、０＜ｙ≦０．１、０．７２≦ｘ≦０．８であり、ＭはＩｎ又はＧａ）です。つまり、ＳｂとＴｅとの比をあらわすｘを、０．７２≦ｘ≦０．８と非常に狭い範囲として結晶化速度を高め、Ｇｅ及びＭ（ＭはＩｎ又はＧａ）を必須として、ジッタを低減し対応線速マージンを拡大します（本願発明の明細書の段落００３３、００３５）。
　一方、引用文献１に記載されている記録層組成は、Ｍw（ＳｂzＴｅ1-z）1-w（０≦ｗ≦０．２、０．５≦ｚ≦０．９、ＭはＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｒｈ、希土類元素のうちの少なくとも一種）です（段落００２２）。この組成においては、ＳｂとＴｅとの比をあらわすｚは０．５≦ｚ≦０．９と広範です。また添加元素Ｍは２８個以上の元素の中から選ばれます。
　すなわち、引用文献１に記載されている記録層組成に対して、本願発明１、２における記録層組成は、ＳｂとＴｅとの比を非常に狭い範囲とし、Ｓｂ及びＴｅ以外の添加元素をＧｅ及びＭ（Ｉｎ又はＧａ）に限定します。』（平成１５年１０月２３日付けの請求理由の手続補正書の（３）（ｅ）（イ）（イ−１）参照。）
との主張をしているので、この主張について補足的に検討する。
　なるほど、Ｍの元素として選択される元素は多く示されているが、Ｉｎ及びＧｅは明示されている元素であるばかりか、前記（ｃ１）に検討した如く、ＩｎとＧｅの使用は引用例発明でも積極的にその採用が説明され、実施例８にも示されているのであるから、そもそも相違点とはなり得ないものというべきである。
　また、引用例の段落【００２２】には、「媒体の線速依存性は、第１次的には、Ｓｂ70Ｔｅ30共晶点組成を基本として、Ｓｂ／Ｔｅ比により左右される。」と明示され、更に段落【００２３】では、「高線速に対応させるには、Ｓｂ量を増やせばよい」とされているのであるから、４倍速からより高倍速（例えば１０倍速）に対応させるためにＳｂ量を増やすことは自明乃至は当業者が容易に想い到ることという他ない。　そうであるから、引用例の実施例８に示されたＳｂＴｅの組成比（Ｓｂ７１．１Ｔｅ２８．９）が本願補正発明の組成比と比べ少し外れていることを強調したところで、引用例発明で好ましい範囲として示されている０．６≦ｚ≦０．８（請求人は０．５≦ｚ≦０．９を強調するが、好ましい範囲としては０．６≦ｚ≦０．８が明示されている）の範囲を、より高倍速に対応させるためによりＳｂ量を増加させて、Ｓｂ量を０．７２（対ＳｂとＴｅの合計量）以上とする程度のことは、当業者にとって自明というべきで、少なくとも当業者が容易に想到し得ることというべきである。　そして、本願明細書に記載された表３，表４のデータは、単にその程度を確認したにすぎないものであり、その点をもって格別予想外であるというべきではない。
　
　したがって、本願補正発明は、周知技術を勘案し引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１５年７月９日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜４２に係る発明は、平成１５年４月１８日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜４２に記載された事項により特定されるのもと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、前記「２．（１）」の（β）に摘示したとおりのものである。
　
（１）引用例
　原査定の拒絶理由に引用される引用例、およびその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比、判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から「反射層」の限定事項である「該反射層がＡｌ合金又はＡｇ合金から選択されたものであり、前記反射層の面積抵抗率が０．２〜０．６Ω／□であり、」との構成を省き、かつ、「相変化型記録層」の組成の「Ｍ」に関する組成比「ｚ」について、「０＜ｚ≦０．１」とあったのを、「０≦ｚ≦０．１」と、即ちｚ＝０の場合を追加し、Ｍ成分を任意成分としたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに選択肢を拡げ、かつ他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（３）」に記載したとおり、引用例発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。それ故、本願はその余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。