【事件の表示】
　平成１０年特許願第　２２３８８号「液晶パネル用基板、液晶パネル及びそれを用いた電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　２月２６日出願公開、特開平１１−　５２４２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年２月３日（優先権主張　平成９年６月５日）に出願された特許出願であって、原審において、平成１５年４月２日付で拒絶理由が通知され、これに対し、同年６月９日に手続補正がなされたところ、同年７月２日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年９月１日に手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１５年９月１日付手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　平成１５年９月１日付手続補正を却下する。
[理由]
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】 基板上に反射電極がマトリックス状に形成され、前記各反射電極に対応してトランジスタが形成され、該トランジスタを介して前記反射電極に電圧が印加されるように構成し、各画素毎に前記反射電極に電気的に接続されて電荷を蓄積する保持容量を有する液晶パネル用基板において、前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極上に平坦化処理された平坦化絶縁膜が形成され、前記平坦化絶縁膜上に前記保持容量の一方の電極を構成する中間導電層が形成され、前記中間導電層上に
平坦化処理された窒化シリコン膜でなる
り、画素サイズが６２５μｍ
２
以下の画素面積のとき、前記保持容量の窒化シリコン膜の絶縁膜は、膜厚が１０８００Å以下であ
と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「保持容量の絶縁膜」ついて、「平坦化処理された窒化シリコン膜でなる」および「画素サイズが６２５μｍ２以下の画素面積のとき、前記保持容量の窒化シリコン膜の絶縁膜は、膜厚が１０８００Å以下である」との技術的限定を付加したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　　
（２）引用例
　原審の拒絶の理由に引用された特開平９−１３８３９７号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、
　ａ．「【０００１】　【発明の属する技術分野】
　本発明は、画像・文字などを表示する装置、特に液晶パネルを使った表示装置に関する。」
　ｂ．「【０００５】　そこで、本発明は、反射型の表示装置を実用化するために、ノイズとなる表示信号と無関係の反射光成分を取り除き高コントラストの表示を実現することを目的とする。」
　ｃ．「【００１２】　・・・反射電極の表面粗さをｐｅａｋ　ｔｏ　ｖａｌｌｅｙで評価した時、望ましくは１０００Å以下であり、さらには５００Å以下になっていることが好適である。・・・。」
　ｄ．「【００１３】　上記表面粗さを実現するためには、反射電極の形成時に、
反射電極の下地絶縁層の表面平坦性を向上し
　ｅ．「【００１７】　図１は、実施形態１を使った反射型ＴＦＴ型アクティブマトリックス液晶表示パネルの平面図（ａ）と、平面図（ａ）のＸ１−Ｘ’１での断面図（ｂ）を表す。図中、１は半導体基板、２はフィールド酸化膜、３，４，５はパネルの駆動用周辺回路を構成するＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン・ゲートである。６，７，８は表示領域における画素スイッチになる薄膜トランジスタのソース・ドレイン・ゲート、
９はデータ配線、１０は金属電極、１１は画素反射電極、１２は遮光金属層、１３は絶縁層である
　ｆ．「【００４６】　（実施形態５）
　実施形態５は、
画素反射電極と各画素反射電極の間の遮光層とを平行なままに保ち
２１は絶縁層
　ｇ．「【００４８】　また、実施形態５では、
遮光金属層１２と画素反射電極１１と、その間にある絶縁層１３により、映像信号の保持容量を形成している
絶縁層１３に
ＳｉＮ
を用いると、小さい面積で大きな容量を形成できる
が記載されている。
　また、図９からは、
　ｈ．「各々トランジスタのソース６およびドレイン７に接続されているデータ配線９および金属電極１０を覆って絶縁層２１が形成されており、上記絶縁層２１上に遮光金属層１２が形成されている点、および画素反射電極１１のほぼ全域で遮光金属層１２が対向配置されている点。」
が見て取れる。
　
　上記ａ〜ｈの記載事項からみて、引用例には、
「反射型ＴＦＴ型アクティブマトリックス液晶表示パネルであって、画素反射電極１１と遮光金属層１２と、その間にあるＳｉＮで形成された絶縁層１３により、映像信号の保持容量を形成しており、上記画素反射電極１１の下地層である絶縁層１３は表面が平坦であり、上記画素反射電極１１と上記遮光金属層１２との間は平行に保たれ、上記画素反射電極１１のほぼ全域で上記遮光金属層１２が対向配置されており、また、上記遮光金属層１２は、データ配線９および金属電極１０を覆って形成された絶縁層２１上に形成されている。」
との事項が開示されていると認められる（以下、「引用例１発明」という。）。
　　
　同じく拒絶の理由に引用された特開平８−３０４８５３号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、
　ｊ．「【０００１】　【発明の属する技術分野】
　本発明は、液晶表示装置に関し、特に、画素毎にスイッチング素子を有するアクティブマトリクス型の液晶表示装置に関するものである。」
　ｋ．「【０００３】　【発明が解決しようとする課題】
　上述の画素トランジスタのリーク電流を１×１０−１４Ａとして、画素電極の電位変動を保持時間１／３０秒で１０ｍＶ以下に抑えようとすると、前記保持容量は３０ｆＦ程度必要となる。図２に示した従来例の構造で、絶縁膜１１０８をＳｉＯ２で例えば膜厚６００Åとすると、３０ｆＦの容量を形成するためには約５０μｍ２の面積が必要となる。・・・３０万画素を実現しようとすると、１画素の面積は約２３０μｍ２であり、・・・また、反射型パネルの場合でも、画素数を増やしていくことによって、１画素の面積が小さくなり、必要な容量が確保できなくなるという問題が起こる。」
が記載されている。
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例１発明とを以下に対比する。
　ア．引用例１発明の「画素反射電極１１」、「遮光金属層１２」、「ＳｉＮで形成された絶縁層１３」は、それぞれ本願補正発明の「反射電極」、「中間導電層」、「窒化シリコン膜でなる前記保持容量の絶縁膜」に相当し、
　イ．引用例１発明の「データ配線９」および「金属電極１０」は、各々トランジスタのソース６およびドレイン７に接続されている電極であるから、それぞれ本願補正発明の「ソース電極」および「ドレイン電極」に相当し、
　ウ．引用例１発明の「反射型ＴＦＴ型アクティブマトリックス液晶表示パネル」が、本願補正発明の「基板上に反射電極がマトリックス状に形成され、前記各反射電極に対応してトランジスタが形成され、該トランジスタを介して前記反射電極に電圧が印加されるように構成された液晶パネル用基板」を有することは自明であり、
　エ．引用例１発明の「画素反射電極１１と遮光金属層１２と、その間にあるＳｉＮで形成された絶縁層１３により、映像信号の保持容量を形成しており、」および「上記画素反射電極１１の下地層である絶縁層１３は表面が平坦であり、上記画素反射電極１１と上記遮光金属層１２との間は平行に保たれており、」なる構成から見て、上記構成が、本願補正発明の「各画素毎に前記反射電極に電気的に接続されて電荷を蓄積する保持容量を有する」および「前記保持容量の一方の電極を構成する中間導電層が形成され、前記中間導電層上に平坦化処理された窒化シリコン膜でなる前記保持容量の絶縁膜を介して前記保持容量の他方の電極を構成する前記反射電極が形成されてなり、」に相当することは明らかであり、
　オ．引用例１発明の「絶縁層２１」は、「上記遮光金属層１２は、データ配線９および金属電極１０を覆って形成された絶縁層２１上に形成されている。」のであるから、トランジスタのソース電極及びドレイン電極上に形成され、その上に保持容量の一方の電極を構成する中間導電層が形成される絶縁膜という意味において、本願補正発明の「平坦化絶縁膜」と一致するから、
　両者は、
「基板上に反射電極がマトリックス状に形成され、前記各反射電極に対応してトランジスタが形成され、該トランジスタを介して前記反射電極に電圧が印加されるように構成し、各画素毎に前記反射電極に電気的に接続されて電荷を蓄積する保持容量を有する液晶パネル用基板において、前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極上に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上に前記保持容量の一方の電極を構成する中間導電層が形成され、前記中間導電層上に平坦化処理された窒化シリコン膜でなる前記保持容量の絶縁膜を介して前記保持容量の他方の電極を構成する前記反射電極が形成されてなる液晶パネル用基板。」
である点で一致し、次の点で相違している。
　　
［相違点１］本願補正発明のソース電極およびドレイン電極上に形成される絶縁膜は、「平坦化処理された平坦化絶縁膜」であるのに対して、引用例１発明の「絶縁層２１」が、平坦化処理された平坦化絶縁膜であるのか、明らかではない点。
　　
［相違点２］本願補正発明の保持容量の絶縁膜は、「画素サイズが６２５μｍ２以下の画素面積のとき、前記保持容量の窒化シリコン膜の絶縁膜は、膜厚が１０８００Å以下である」のに対して、引用例１発明の保持容量の絶縁膜は、窒化シリコン膜であるものの、画素サイズが上記面積の場合に膜厚がどの程度であるか不明である点。
　
（４）判断
［相違点１について］
　トランジスタなどのソース電極及びドレイン電極上に形成される絶縁膜を平坦化処理された平坦化絶縁膜とすることは、当該技術分野における周知技術である。
　例えば、前置報告に引用された特開平７−１９９１５０号公報の段落【００８９】，【００９０】および図１０，１１には、本願補正発明のソース電極およびドレイン電極に相当する配線層１６１３〜１６１５上に平坦化した絶縁層１６１６が記載されている。
　また、引用例１には、画素反射電極の下地層である絶縁層は平坦であること、画素反射電極と遮光金属層は平行に配置されることなどが記載されており（摘記事項ｄ，ｆ）、これによれば、遮光金属層の下地層となる絶縁層１３にも平坦性が求められることは明らかであるから、引用例１発明において、上記周知技術を採用して絶縁層１３を平坦化するについて、特段の阻害要因があるとはいえない。
　したがって、上記相違点１は、引用例１発明に周知技術を付加することにより、容易になし得たことである。
　
［相違点２について］
　相違点２について、本願明細書には、
「【００７０】（ｄ）画素サイズが２５μｍのとき
　１）最低限必要な保持容量を３０ｆＦと仮定した場合の絶縁膜の膜厚は、
　ＳｉＯ２（ε＝３．９）では６５００Å以下、
　ＳｉＮ（ε＝６．５）では１０８００Å以下、
　ＴａＯＸ（ε＝２７．６）では４６０００Å以下、とすれば良い。」
　と記載されており（審決注：丸数字を表記の都合により１）とした。）、これによれば、絶縁膜をＳｉＮ（誘電率ε＝６．５）とし、保持容量を３０ｆＦ以上、画素サイズを２５μｍ（すなわち６２５μｍ２）と設定した場合に、絶縁膜の膜厚を算出すると、１０８００Å以下であることが分かるから、結局、相違点２の数値は、
　　ア）絶縁膜をＳｉＮとし、
　　イ）画素サイズ全体が保持容量に寄与する様な保持容量部構造を有するものにおいて、
　　ウ）最低限必要な保持容量を３０ｆＦと仮定した、
場合の設計的な事項であるということができる。
　
　そこで、上記ア）〜ウ）について検討するに、ア）の事項は、引用例１発明が具備する構成であり、イ）についても引用例１発明は、「上記画素反射電極１１と上記遮光金属層１２との間は平行に保たれ、上記画素反射電極１１のほぼ全域で上記遮光金属層１２が対向配置され」ているのであるから、上記イ）の事項を具備することは明らかである。
　また、上記ウ）については、引用例２に「画素トランジスタのリーク電流を１×１０−１４Ａとして、画素電極の電位変動を保持時間１／３０秒で１０ｍＶ以下に抑えようとすると、前記保持容量は３０ｆＦ程度必要となる。・・・３０万画素を実現しようとすると、１画素の面積は約２３０μｍ２であり、」と記載されていることからみて、この種のＴＦＴ型アクティブマトリックス液晶表示パネルにおける保持容量の一般的な設計ルールにすぎないものと解され、さらに、同引用例２には、画素サイズが６２５μｍ２以下の約２３０μｍ２の例が記載されており、本願補正発明の画素サイズが特別のものではないことが理解できる。
　そうすると、相違点２は、引用例１発明および引用例２に記載の事項に基づき、当業者が容易に設計することができた事項であるということができる。
　　
　よって、本願補正発明は、引用例１および２に記載された発明ならびに上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１５年９月１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年６月９日付手続補正の特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、次のものである。
　　
「【請求項１】 基板上に反射電極がマトリックス状に形成され、前記各反射電極に対応してトランジスタが形成され、該トランジスタを介して前記反射電極に電圧が印加されるように構成し、各画素毎に前記反射電極に電気的に接続されて電荷を蓄積する保持容量を有する液晶パネル用基板において、前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極上に平坦化された平坦化絶縁膜が形成され、前記平坦化絶縁膜上に前記保持容量の一方の電極を構成する中間導電層が形成され、前記中間導電層上に前記保持容量の絶縁膜を介して前記保持容量の他方の電極を構成する前記反射電極が形成されてなることを特徴とする液晶パネル用基板。」
　　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。
　　
（３）対比・判断
　本願発明は、本願補正発明の「平坦化処理された窒化シリコン膜でなる」および「画素サイズが６２５μｍ２以下の画素面積のとき、前記保持容量の窒化シリコン膜の絶縁膜は、膜厚が１０８００Å以下であること」との構成を削除したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。