(57)【要約】  本発明は、少なくとも主放射面（１１）を介して放射（５）を発するように構成されている半導体チップ（１）と、半導体チップ（１）のビーム経路に配置された変換要素（２）と、被覆要素（３１）と側面要素（３２）とを含み、環境影響に対する前記変換要素（２）のための密封部を少なくとも１つ構成する封止要素（３）と、を備えるオプトエレクトロニクス部品（１００）に関する。被覆要素（３１）は変換要素（２）上に配置されており、側面要素（３２）は断面において半導体チップ（１）および変換要素（２）の側方に配置され、半導体チップ（１）を囲んでいる。側面要素（３２）と被覆要素（３１）とは少なくとも部分的に直接接触しており、側面要素（３２）は金属を少なくとも１つ含有する。
2018520519.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも主放射面（１１）を介して放射（５）を発するように構成された半導体チップ（１）と、
前記半導体チップ（１）のビーム経路に配置された変換要素（２）と、
被覆要素（３１）と側面要素（３２）とを含み、環境影響に対する前記変換要素（２）のための密封部を少なくとも構成する封止要素（３）と、を備え、
前記被覆要素（３１）は前記変換要素（２）上に配置されており、前記側面要素（３２）は断面において前記半導体チップ（１）および前記変換要素（２）の側方に配置されて前記半導体チップ（１）を囲んでおり、前記側面要素（３２）と前記被覆要素（３１）とは少なくとも部分的に直接接触しており、前記側面要素（３２）は金属を少なくとも１つ含有し、かつ側方において前記変換要素（２）と直接接触している、
オプトエレクトロニクス部品（１００）。
【請求項２】
前記側面要素（３２）はガルバニック金属の少なくとも１つからなり、
前記被覆要素（３１）は前記側面要素（３２）とは異なる材料を含有し、かつ前記半導体チップ（１）によって発せられる前記放射に対して透明であり、前記側面要素（３２）の厚さは５０μｍ未満である、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品（１００）。
【請求項３】
前記変換要素（２）は量子ドットを含む、
請求項１または２に記載のオプトエレクトロニクス部品（１００）。
【請求項４】
前記側面要素（３２）は前記半導体チップ（１）の電気接続コンタクト部として形成されている、
請求項１から３の一項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１００）。
【請求項５】
前記側面要素（３２）が前記変換要素（２）および／または前記半導体チップ（１）のためのヒートシンクとして構成され、かつ少なくとも前記変換要素（２）の劣化が防止されるように、少なくとも前記側面要素（３２）がキャリア（４）に配置されている、
請求項１から４の一項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１００）。
【請求項６】
前記側面要素（３２）は反射型であるように形成されている、請求項１から５の一項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１００）。
【請求項７】
前記変換要素（２）の側面（２１）を完全に直接覆い、かつ前記半導体チップ（１）の側面（１２）を少なくとも部分的に直接覆うシード層（６）をさらに備え、前記側面要素（３２）は、側方において直に前記シード層（６）の外側にある、
請求項１から６の一項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１００）。
【請求項８】
前記シード層（６）は反射型であるように形成されている、
請求項１から７の一項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１００）。
【請求項９】
前記半導体チップ（１）および前記変換要素（２）はそれぞれ、前記シード層（６）で形状に沿うように直接覆われた側面（１２、２１）を有する、
請求項７または８に記載のオプトエレクトロニクス部品（１００）。
【請求項１０】
前記側面要素（３２）は銅またはニッケルを含有する、
請求項１から９の一項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１００）。
【請求項１１】
隣接するオプトエレクトロニクス部品（１００）が共通の側面要素（３２）を有する、
請求項１から１０の少なくとも一項に記載のオプトエレクトロニクス部品のアセンブリ。
【請求項１２】
少なくとも隣接するオプトエレクトロニクス部品（１００）が直列に接続されている、
請求項１１に記載のアセンブリ。
【請求項１３】
Ａ）封止要素（３）の被覆要素（３１）を設ける工程と、
Ｂ）前記封止要素（３）の前記被覆要素（３１）に変換要素（２）を設ける工程であって、前記変換要素（２）は側面（２１）を有する工程と、
Ｃ）前記変換要素（２）に半導体チップ（１）を少なくとも１つ載置する工程であって、前記半導体チップ（１）は少なくとも主放射面（１１）を介して放射（５）を発するように構成され、かつ側面（１２）を有する工程と、
Ｄ）断面において側面要素（３２）が前記半導体チップ（１）および前記変換要素（２）の側方に配置され、少なくとも前記半導体チップ（１）を直接囲むように、前記半導体チップ（１）の前記側面（１２）および前記変換要素（２）の前記側面（２１）に前記側面要素（３２）を載置する工程と、を含み、
前記側面要素（３２）および前記被覆要素（３１）は互いに少なくとも部分的に直接接触し、環境影響に対する前記変換要素（２）のための密封部を構成しており、
前記側面要素（３２）は金属を少なくとも１つ含有し、かつ側方において前記変換要素（２）と直接接触している、
請求項１から１０の少なくとも一項に記載のオプトエレクトロニクス部品（１００）を製造する方法。
【請求項１４】
前記側面要素（３２）はＤ工程においてガルバニック法で製造される、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
Ｄ工程の前に、シード層（６）が前記変換要素（２）の前記側面（２１）に完全に、かつ前記半導体チップ（１）の前記側面（１２）に少なくとも部分的に載置され、前記シード層（６）が反射型であるように形成される、
請求項１３または１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はオプトエレクトロニクス部品に関する。また、本発明はオプトエレクトロニクス部品のアセンブリに関する。さらに、本発明はオプトエレクトロニクス部品を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
オプトエレクトロニクス部品は、例えば半導体チップによって発せられる放射を、波長が変更された放射に変換することができる変換要素を含むことが多い。しかしながら、このような変換要素は湿度、酸素、および／または温度による影響を往々にして受けやすい。したがって、このような変換要素は外部影響および／または高温の影響から保護されなければならない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的の１つは、安定したオプトエレクトロニクス部品を提供することである。本発明の目的は特に、環境影響および／または温度影響から保護された変換要素を備えるオプトエレクトロニクス部品を提供することである。また、安定したオプトエレクトロニクス部品のアセンブリを提供することも本発明の目的である。さらに、安定したオプトエレクトロニクス部品を製造する方法を提供することも本発明の目的の１つである。
【０００４】
これらの目的は、独立請求項１のオプトエレクトロニクス部品によって達成される。本発明の有利な実施形態および発展形態は、従属請求項の主題である。また、これらの目的は、請求項１１のオプトエレクトロニクス部品のアセンブリによって達成される。アセンブリの有利な実施形態は、従属請求項１２の主題である。さらに、これらの目的は独立請求項１３のオプトエレクトロニクス部品を製造する方法によって達成される。製造する方法の有利な実施形態および発展形態は、従属請求項１４および１５の主題である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
少なくとも一実施形態において、オプトエレクトロニクス部品は半導体チップを備える。半導体チップは、少なくとも半導体チップの主放射面を介して放射を発するように構成されている。オプトエレクトロニクス部品は変換要素を備える。変換要素は、半導体チップのビーム経路に配置されている。変換要素は特に、環境影響および／または温度影響を受けやすい。オプトエレクトロニクス部品は封止要素を備える。封止要素は、被覆要素と側面要素とを含む。封止要素は、環境影響に対する変換要素のための密封部を少なくとも構成する。さらに封止要素は、変換要素の劣化が防止されるように、温度、特に８０℃を超える温度から少なくとも変換要素を保護しうる。被覆要素は変換要素上に配置されている。側面要素は、断面において半導体チップおよび変換要素の側方に配置されている。
【０００６】
側面要素は特に、半導体チップを直接囲んでいる。側面要素と被覆要素とは互いに、少なくとも部分的に接触している。側面要素と被覆要素とは特に互いに、少なくとも部分的に直接接触している。側面要素は金属を少なくとも１つ含有する。あるいは、またはさらに、側面要素は側方において変換要素と直接接触している。
【０００７】
少なくとも一実施形態によれば、部品は半導体チップを備える。半導体チップは半導体積層体を含む。半導体チップの半導体積層体は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体化合物材料系であることが好ましい。半導体材料は、ＡｌｎＩｎ１−ｎ−ｍＧａｍＮなどの窒化物半導体化合物材料、またはＡｌｎＩｎ１−ｎ−ｍＧａｍＰなどのリン化物半導体化合物材料であることが好ましい（０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１、ｎ＋ｍ≦１）。半導体材料はＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦１）であることも可能である。ここで半導体積層体は、ドーパントおよび追加の構成成分を含有しうる。しかしながら簡略化のため、たとえ少量の追加物質で置換または付加されていても、半導体積層体の結晶格子の基本構成成分だけ、つまりＡｌ、Ａｓ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＮまたはＰが示されている。
【０００８】
半導体積層体は、少なくとも１つのｐｎ接合および／または複数の量子井戸層を有する活性層を含む。半導体チップの動作時に電磁放射が活性層で発せられる。半導体チップはこのように、放射を発するように構成されている。放射の出射は特に、半導体チップの主放射面を介して生じる。主放射面は特に、オプトエレクトロニクス部品の半導体積層体の成長方向とは直角に向けられている。放射の波長または放射の波長極大は、紫外、可視、および／または赤外スペクトル領域、特に４２０ｎｍ以上８００ｎｍ以下、例えば４４０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長であることが好ましい。
【０００９】
少なくとも一実施形態によれば、半導体チップは発光ダイオード、つまりＬＥＤである。この場合、半導体チップは青色光、緑色光、赤色光、または白色光を出射するように構成されることが好ましい。
【００１０】
少なくとも一実施形態によれば、部品は変換要素を備える。変換要素は、半導体チップのビーム経路に配置されている。変換要素は特に、機械的、電気的、および／または熱的に半導体チップと接触して配置されている。変換要素は特に、半導体チップの主放射面に直接配置されている。
【００１１】
あるいは、変換要素が半導体チップの主放射面から間隔をあけることも可能である。変換要素および主放射面は、変換要素と主放射面との間に配置される、例えば接着剤層などの追加の層を有することも可能である。
【００１２】
この場合、「直接隣接する」または「直接」とは、１つの要素と別の要素とが間接的に電気的、機械的、および／または熱的に接触していることを意味しうる。ここで、側面要素と変換要素は、側面要素と変換要素との間に存在する例えば封止材、中間層、または空隙などの追加の要素を有しうる。
【００１３】
あるいは、「直接隣接する」または「直接」とは、１つの要素と別の要素とが直接電気的、機械的、および／または熱的に接触していることを意味しうる。この場合、これら要素はその間に配置される他の要素を少なくとも部分的に含まない。
【００１４】
少なくとも一実施形態によれば、変換要素は環境影響を受けやすい。さらに変換要素は、８０℃以上の温度のような特に高温、例えば９５℃で温度の影響を受けやすい。このような高温は、例えばオプトエレクトロニクス部品の動作時に生じうる。環境影響とはここでは特に、例えば水、酸素、および／または硫化水素の雰囲気などの、湿った雰囲気を意味する。変換要素は特に、環境影響および／または高温との接触により劣化する。したがって、劣化を防ぐために特に封止要素が用いられうる。封止要素は、環境影響に対する密封部を形成しうる。さらに封止要素は、変換要素内で生じる少なくとも熱または高温を消散させうる。変換要素内での温度の上昇は、放射を伴わない緩和およびストークスシフトの原因となりうる。封止要素は、変換要素で発生する熱を消散し、変換要素、特に量子ドットの熱消光および／または熱劣化を防ぐように特に構成されている。
【００１５】
少なくとも一実施形態によれば、変換要素は変換材料としての量子ドットを含む、または量子ドットからなる。あるいは変換要素は、ＹＡＧ蛍光体、ガーネット、オルトケイ酸塩、またはＣａｌｓｉｎｅなどの変換材料を含む、またはこれらからなりうる。上記変換材料は、酸素、湿度、および／または温度の影響を受けやすい。従来の蛍光体材料と比べて、量子ドットを含む変換材料は、より狭いスペクトル帯域幅であるという効果を伴う。さらに、波長極大がより容易に調節および変更されうる。
【００１６】
量子ドットとはここでナノスコピック（ｎａｎｏｓｃｏｐｉｃ）材料構造を意味する。ナノスコピック材料構造は特に、ＩｎＧａＡｓ、ＣｄＳｅ、またはＧａＩｎＰ／ＩｎＰなどの半導体材料を含有する、またはこれらからなりうる。量子ドットは、例えば異なるサイズでありうる。
【００１７】
変換要素は、例えばシリコーン系および／またはエポキシ系ポリマー、アクリレート、および／またはフォトレジストなどのマトリックス材料を含有しうる。量子ドットなどの変換材料は、マトリックス材料中に均質に分散されうる。あるいは、量子ドットなどの変換材料はマトリックス材料中で濃度勾配を有しうる。マトリックス材料における変換材料の含有量は、６０ｗｔ％以上、例えば７０ｗｔ％以上、８０ｗｔ％以上、９０ｗｔ％以上、または９６ｗｔ％以上でありうる。
【００１８】
変換要素は特に、半導体チップによって発せられる放射を吸収し、この放射を特に異なる波長の放射に変換するように構成されている。変換要素は、半導体チップによって発せられる放射を完全に変換しうる。あるいは変換要素は、半導体チップによって発せられる放射を少なくとも部分的に変換し、半導体チップによって発せられる放射の一部を変換することなく変換要素を通過させる。これによって、半導体チップによって発せられる放射と変換要素によって変換される放射とを含む混合放射となる。
【００１９】
少なくとも一実施形態によれば、量子ドットのサイズは異なる。量子ドットのサイズは２ｎｍから１２ｎｍの範囲にありうる。このため、量子ドットによって発せられるスペクトル領域が個別に調節されうる。量子ドットを含有する変換材料は特に、例えばいわゆる固体照明（ｓｏｌｉｄ  ｓｔａｔｅ  ｌｉｇｈｔｉｎｇ；ＳＳＬ）およびディスプレイのバックライトに用いられうる。
【００２０】
少なくとも一実施形態によれば、変換要素は層厚が１００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下である層として形成されている。
【００２１】
少なくとも一実施形態によれば、部品は封止要素を備える。封止要素は、被覆要素と側面要素とを含む、またはこれらからなる。封止要素は、環境影響および／または熱影響から少なくとも変換要素を保護するように構成されている。
【００２２】
少なくとも一実施形態によれば、封止要素は少なくとも変換要素および半導体チップを封止している。つまり、変換要素は別個に封止されるのではなく、半導体チップと共に部品内に封止されている。封止要素は特に、密封されている、つまり酸素、水、および／または硫化水素などの環境影響に対して拡散がない。
【００２３】
少なくとも一実施形態によれば、被覆要素は半導体チップのビーム経路に配置されている。被覆要素は変換要素上に配置されている。被覆要素は変換要素と直接機械的に接触して、つまり直接電気的、機械的、および／または熱的に接触して配置されうる。あるいは、被覆要素は変換要素上に間接的に接触して配置されうる。ここで、接着剤層などの追加の層または要素が被覆要素と変換要素との間に配置されうる。
【００２４】
以下明細書において、別の層「に」または「上に」配置または載置される層とは、１つの層または１つの要素が他方の層または他方の要素に直接機械的、電気的、および／または熱的に接触して配置されることを意味する。さらに、１つの層または１つの要素が他方の層または他方の要素に間接的に配置されることも意味しうる。ここで追加の層および／または要素は、１つの層と他方の層との間、または１つの要素と他方の要素との間にそれぞれ配置されうる。
【００２５】
変換要素は特に、主放射面を有する。変換要素の主放射面は、半導体チップの半導体積層体の成長方向とは特に直角に向けられている。被覆要素は特に、変換要素の主放射面を直接および／またはその形状に沿うように覆っている。
【００２６】
少なくとも一実施形態によれば、被覆要素は層、板、箔、または積層体の形態で構成されている。被覆要素はガラス、石英、プラスチック、および／または二酸化ケイ素からなりうる。被覆要素は特に、ガラスを含みうる、またはガラスからなりうる。
【００２７】
少なくとも一実施形態によれば、被覆要素は、少なくとも半導体チップによって発せられる放射、および／または変換要素によって発せられる放射に対して透過性である。被覆要素は特に、透明な設計である。以下明細書において、「透明な」とは可視光を透過する層を言及する。この場合透明な層は、透明な層が散乱性または曇った半透明でもありうるように、澄んでいる（澄んで見える）、または少なくとも部分的に光散乱性である、および／または部分的に光吸収性でありうる。ここで透明であると言及される層または要素は、オプトエレクトロニクス部品の動作時に生じる放射の吸収が特にできるだけ少なくなるように、できる限り光透過性であることがとりわけ好ましい。
【００２８】
少なくとも一実施形態によれば、被覆要素は拡散板または他の光学活性構造を含みうる。拡散板または他の光学活性構造は特に、部品の内部で生じる放射を出射するように構成されている。例えば、その粗さが出射される放射の波長と同様である、またはより小さい粗面ガラス（すりガラス）が被覆要素として用いられうる。散乱粒子をガラスに埋め込むこと、被覆要素を例えばフレネルレンズなどのレンズの形状にガラスで形成すること、または周期的な構造（「格子」）を有するガラスを設けることも可能である。
【００２９】
少なくとも一実施形態によれば、部品は側面要素を備える。側面要素は、断面において半導体チップの側方に配置されている。あるいは、またはさらに、側面要素は、断面図において変換要素の側方に配置されている。側面要素が半導体チップの側面および変換要素の側面の両方に延在するように、変換要素と半導体チップとは特に、上下に配置されている。側面要素は、半導体チップおよび／または変換要素に直接または間接的に配置されうる。間接的に接触する場合には、側面要素と、半導体チップおよび／または変換要素の側面との間に、シード層が特に配置されうる。
【００３０】
少なくとも一実施形態によれば、側面要素は半導体チップを囲んでいる。側面要素は特に、半導体チップを直接囲んでいる。つまり側面要素は、半導体チップと側面要素との間に少なくとも熱的な接触が提供されるように半導体チップを覆っている。あるいは、またはさらに、半導体チップと側面要素との間に直接的な電気的および／または機械的な接触が提供される。側面要素は、半導体チップを特にその形状に沿うように覆っている、つまり半導体チップの全ての側面を完全に覆っている。
【００３１】
少なくとも一実施形態によれば、側面要素は金属を少なくとも１つ、特にガルバニック金属を含有する。側面要素は特に、金属、とりわけガルバニック金属からなる。金属は、銅、ニッケル、鉄、金、および銀を含む群から選択されうる。側面要素は銅またはニッケルを含有する、または銅またはニッケルからなることが好ましい。例えばサファイアの熱伝導率２５Ｗ／（ｍ・Ｋ）と比較して、銅の熱伝導率は高くおよそ３９０Ｗ／（ｍ・Ｋ）であるので、銅は変換要素で生じる熱を容易にかつ卓越して消散しうる。このため、銅から形成される側面要素は、変換要素で生じる熱を消散するためのさらなる熱経路として用いられうる。
【００３２】
少なくとも一実施形態によれば、側面要素はガルバニック金属を少なくとも１つ含有する、またはガルバニック金属の少なくとも１つからなる。被覆要素は、例えばガラスなどの側面要素とは異なる材料を含む、または側面要素とは異なる材料からなる。被覆要素は半導体チップによって発せられる放射に対して透明である。あるいは、またはさらに、側面要素の断面厚さは２０μｍを超え、または６０μｍを超え、特に８０μｍ以上２００μｍ以下、例えば１００μｍである。
【００３３】
少なくとも一実施形態によれば、側面要素と被覆要素とは、少なくとも部分的に互いに直接接触している。側面要素と被覆要素とは、断面および側面視で逆「Ｕ」を形成している。側面要素はさらに、変換要素が半導体チップ、側面要素、および被覆要素で囲まれるように、半導体チップの側面と直接接触している。この結果、外部影響に対して少なくとも変換要素のための密封部が存在している。
【００３４】
少なくとも一実施形態によれば、側面要素は半導体チップの電気接続コンタクト部として形成されている。半導体チップは特に、少なくとも１つのｐ型半導体層と、活性層と、少なくとも１つのｎ型半導体層とを含む、またはこれらからなる。ｐ型半導体層およびｎ型半導体層はそれぞれ、電気接続コンタクト部の少なくとも１つに電気コンタクトされている。つまり、側面要素は半導体積層体の電気接続コンタクト部を形成している。側面要素は、少なくとも１つのｐ型半導体層および／または少なくとも１つのｎ型半導体層のための電気接続コンタクト部を形成している。したがって、半導体層のための他の電気接続部が存在しないことも可能である。このためコストと材料とが節約される。
【００３５】
少なくとも一実施形態によれば、側面要素はキャリアに配置されている。キャリアは、例えばプリント基板（ＰＣＢ）、リードフレーム、セラミック系キャリア、または金属でありうる。変換要素および／または側面要素は特に、キャリアと少なくとも直接熱的に接触して配置されている。側面要素は、変換要素および／または半導体チップのためのヒートシンクとして特に機能する。つまり、変換要素の動作時に発生する熱は側面要素を介して容易に消散されうる。このため変換要素の熱劣化が防止されうる。側面要素はこのように追加の熱経路を提供する。
【００３６】
側面要素は特に、変換要素および／または半導体チップと、キャリアとの両方と直接熱的および／または機械的に接触している。このため、変換素子で発生する熱は側面要素を介してキャリアに向かって容易に消散されうる。さらに側面要素は、半導体チップおよび変換要素の機械的安定化にも寄与する。
【００３７】
少なくとも一実施形態によれば、側面要素は反射型に設計されている。側面要素は特に、半導体チップの側面に配置されている。このため、半導体チップによって発せられる放射が側面要素によって反射され、したがって半導体チップによって発せられる放射の出射効率が高められうる。
【００３８】
あるいは、またはさらに、反射型の設計である側面要素は変換要素の側面に配置されている。このため、変換要素の側面から出て反射される放射を増加し、したがって主放射方向に向かう方向、つまり主放射側または主放射面と直角な方向における出射効率を高められうる。
【００３９】
少なくとも一実施形態によれば、半導体チップおよび変換要素はそれぞれ側面要素でその形状に沿うように直接覆われた側面を有する。つまり側面要素は特に、変換要素および／または半導体チップの側面の形状を取る。
【００４０】
側面要素は、変換要素の側面を特に完全に覆っている。あるいは、またはさらに、側面要素は半導体チップの側面を完全に、または８０％以上、または９０％を超えて覆っている。８０％以上の被覆率において特に、半導体チップの側面はキャリアの領域において覆われないままである。
【００４１】
少なくとも一実施形態によれば、部品はシード層を備える。変換要素の側面は特に、シード層でとりわけ直接覆われる。つまりシード層は、直接側面に配置される、つまり変換要素と直接機械的に、電気的に、および／または熱的に接触している。シード層は、半導体チップおよび／または変換要素の側面をその形状に沿うように直接覆いうる。シード層はさらに、半導体チップの側面に配置されうる。シード層は特に、少なくとも部分的に半導体チップの側面を直接覆っている。つまり半導体チップの側面は、シード層で完全には覆われていない。これは、作業時のいわゆる「マッシュルームプロセス」によって生じうる。側面は特に、キャリアの領域でシード層を有さないままである。あるいは、またはさらに、側面要素はシード層の側方の外側に配置されている。側面要素とシード層とは特に、互いに直接熱的に接触している。
【００４２】
少なくとも一実施形態によれば、シード層は金属を含有する。シード層は特に、導電性でありスパッタリングされた金属層である。金属は、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、およびこれらの組み合わせを含む群から選択される。金属はＡｇまたはＡｌであることが好ましい。シード層は特に、変換要素および／または半導体チップで発生する熱を側面に向けて消散するように構成されている。さらに側面要素は、熱がシード層、側面要素、およびキャリアの全てを介して卓越して消散されうるように、キャリア上に配置されうる。
【００４３】
少なくとも一実施形態によれば、シード層は反射型に設計されている。以下明細書において、「反射型」という用語はシード層に衝突する放射の９０％以上または９５％以上が反射されることを意味する。特に銀がシード層として用いられうる。銀の反射率は高く、したがって変換要素および／または半導体チップで発生する放射を容易に反射して出射効率を高めうる。
【００４４】
少なくとも一実施形態によれば、被覆要素と側面要素とは異なる材料を含有する。特に、側面要素は金属製であり、および／または被覆要素は非金属製である。このため、被覆要素および側面要素の異なる材料を兼ね備える。被覆要素および側面要素は特に、少なくとも変換要素のための優れた密封部または気密封止部を形成している。側面要素はさらに、半導体チップおよび／または変換要素のための機械的安定化部を形成している。
【００４５】
少なくとも一実施形態によれば、側面要素は、キャリアと変換要素とを互いに熱的に結合させる。このため、変換要素で発生する熱の優れた消散が可能となる。
【００４６】
本発明者は、被覆要素と側面要素とを含む封止要素を用いることで少なくとも変換要素のための優れた密封部が作製されうることを見出した。このため、変換要素は環境影響、特に湿度、サワーガス、および／または水素から保護され、したがって変換要素の劣化が防止されうる。さらに金属の側面要素を形成することで、変換要素で発生する熱の容易な消散を生じさせうる。したがって、封止部は環境影響に対する密封部としてだけではなく、熱を消散するためにも機能する。さらに封止要素は、特に側面要素が反射型に設計されている場合には、ミラー要素でありうる。半導体チップおよび変換要素の側面で発せられる放射がさらに反射されるので、出射効率が高められうる。つまり、外部影響に対する部品の保護に加えて、熱的性質および光学的性質の両方が、本発明の封止要素によって向上されうる。
【００４７】
さらに、オプトエレクトロニクス部品のアセンブリが提供される。オプトエレクトロニクス部品のアセンブリは、上記オプトエレクトロニクス部品を少なくとも１つ備える。つまり、上記オプトエレクトロニクス部品で開示された特徴は全て、オプトエレクトロニクス部品のアセンブリにも開示され、その逆も同様である。
【００４８】
少なくとも一実施形態によれば、オプトエレクトロニクス部品のアセンブリは、オプトエレクトロニクス部品を少なくとも２つ備えている。これらオプトエレクトロニクス部品は、同一の構成でありうる、または異なる構造を有しうる。隣接するオプトエレクトロニクス部品は特に、共通の側面要素を有する。オプトエレクトロニクス部品は、アセンブリだけでなく、いわゆるウェハアセンブリにも配置されうる。オプトエレクトロニクス部品は、特にマトリクス状にウェハ上に配置される。共通の側面要素のために、アセンブリは機械的に安定化されうる。さらに側面要素は、隣接する部品のためのヒートシンクとして用いられうる。側面要素は特に、半導体チップおよび／または変換要素で発生する熱を容易に消散しうる。
【００４９】
少なくとも一実施形態によれば、少なくとも隣接するオプトエレクトロニクス部品は直列に接続されている。
【００５０】
さらに、オプトエレクトロニクス部品を製造する方法が提供される。オプトエレクトロニクス部品を製造する方法は、上記オプトエレクトロニクス部品および／または上記アセンブリを製造することが好ましい。つまり上記オプトエレクトロニクス部品または上記アセンブリで開示された特徴は全て、オプトエレクトロニクス部品を製造する方法にも開示され、その逆も同様である。
【００５１】
少なくとも一実施形態によれば、オプトエレクトロニクス部品を製造する方法は、
Ａ）封止要素の被覆要素を設ける工程と、
Ｂ）封止要素の被覆要素に変換要素を載置する工程であって、変換要素は側面を有する工程と、
Ｃ）変換要素に半導体チップを少なくとも１つ載置する工程であって、半導体チップは少なくとも主放射面を介して放射を発するように構成されており、変換要素は側面を有する工程と、
Ｄ）側面要素を半導体チップの側面および変換要素の側面に載置する工程であって、側面要素は断面において半導体チップの側方および変換要素の側方に配置され、少なくとも半導体チップを囲むように載置する工程と、を含む。側面要素は特に、少なくとも半導体チップを直接囲み、直接電気的に、機械的に、および／または熱的に接触している。側面要素と被覆要素とは特に、互いに少なくとも部分的に直接接触しており、環境影響に対する変換要素のための密封部を形成している。あるいは、またはさらに、被覆要素と側面要素とは環境影響および／または高温に対する変換要素のための密封部を形成する。側面要素は金属を少なくとも１つ含有する。さらに側面要素は、側方において変換要素と直接接触しうる。
【００５２】
つまり変換要素の密封部は、例えば部品が筐体に導入され封止材料でポッティングされるような後の工程においてではなく、部品またはアセンブリの製造時にすでに作製されている。このため、部品がよりコンパクトにかつ費用効果が高く製造されうる。さらに、部品の熱機械応力、例えば界面での熱機械応力が、製造後に封止される部品と比べて低減されうる。
【００５３】
少なくとも一実施形態によれば、側面要素はＤ工程においてガルバニック法で製造される。
【００５４】
少なくとも一実施形態によれば、Ｄ工程の前に、シード層が変換要素の側面に完全に、かつ半導体チップの側面に少なくとも部分的に載置される。シード層は特に反射型に設計されている。特にシード層は銀である。あるいは、またはさらに、シード層は銀と銅との合金である。このため反射率および熱伝導率の両方が同時に高められうる。
【００５５】
さらなる効果、好適な実施形態、および発展形態が、各図を参照しながら以下に説明する例示的な実施形態から生じる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１Ａ−１Ｂ】図１Ａおよび１Ｂはそれぞれ、実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品の概略的な断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品の概略的な側面図（断面図）である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図２Ａのオプトエレクトロニクス部品の上面図である。
【図３】図３は、一実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品の概略的な側面図（断面図）である。
【図４Ａ−４Ｅ】図４Ａから４Ｅは、実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品を製造する方法を示す。
【図４Ｆ−４Ｈ】図４Ｆから４Ｈは、実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品を製造する方法を示す。
【図５Ａ−５Ｃ】図５Ａから５Ｃはそれぞれ、実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品を製造する方法を示す。
【図６Ａ】図６Ａは、実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品の概略的な側面図（断面図）である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６Ａの部品の平面図である。
【図７Ａ−７Ｃ】図７Ａから７Ｃは、実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品を製造する方法を示す。
【図７Ｄ−７Ｆ】図７Ｄから７Ｆは、実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品を製造する方法を示す。
【図８Ａ−８Ｃ】図８Ａから８Ｃは、実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品のアセンブリの上面図である。
【図９Ａ−９Ｂ】図９Ａおよび９Ｂはそれぞれ、実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品の概略的な側面図（断面図）である。
【発明を実施するための形態】
【００５７】
例示的な実施形態および各図において、同様、類似、または同等の要素はそれぞれ同じ参照符号で示されうる。図示する要素およびそのサイズ比は、縮尺通りであると考えるべきでない。むしろ、より良い図示および／またはさらなる理解のために、層、部品、構造要素、および領域などの個々の要素が誇張されたサイズで図示されていてもよい。
【００５８】
図１Ａは、一実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品の概略的な側面図（断面図）である。オプトエレクトロニクス部品１００は、半導体チップ１を備える。半導体チップ１は、例えばＩｎＧａＮからなる半導体積層体を含む。
【００５９】
半導体チップ１は、青色スペクトル領域の放射を発するように特に構成されている。半導体チップ１は、いわゆるフリップチップとして形成されうる。つまり半導体チップ１は、後面コンタクト部８ａおよび８ｂを主放射面１１とは反対側に面する表面に有する。主放射面１１は特に、半導体チップ１の半導体積層体の成長方向とは直角に向けられている。後面コンタクト部８ａおよび８ｂは、短絡が防止されるように絶縁材９によって互いから電気的に絶縁されうる。例えば量子ドットを含む変換要素２は、半導体チップ１の主放射面１１の外側に配置されうる。
【００６０】
変換要素２は特に、主放射面１１に直接配置されている。半導体チップ１は側面１２を有し、変換要素２は側面２１を有する。変換要素２は特に、断面において変換要素の側面２１が半導体チップ１の側面１２の延長部を形成するように、半導体チップ１の主放射面１１に配置されている。変換要素２は、半導体チップ１によって発せられる放射を、特により長い波長に変更された放射に少なくとも部分的に変換するように構成されている。
【００６１】
変換要素２は、その外側に配置された、例えばガラスまたは塗膜である被覆要素３１を有しうる。被覆要素の側面は特に、側面図または断面において変換要素２の側面２１および／または半導体チップ１の側面１２から突出している。
【００６２】
側面要素３２が半導体チップ１および／または変換要素２の側方に配置されている。側面要素３２は特に、変換要素２および／または半導体チップ１を完全に囲んでいる。つまり側面要素３２は、半導体チップ１の全ての側面および／または変換要素２の全ての側面２１を少なくとも部分的に、または完全に覆っている。側面要素３２は被覆要素３１と直接接触している。側面要素３２と被覆要素３１との間には特に、強力な接着力が働いている。被覆要素３１と側面要素３２とは、断面図において逆「Ｕ」の形状をしている。
【００６３】
被覆要素３１および側面要素３２は特に、封止要素３を形成している。封止要素３は、環境影響および／または高温に対する変換要素２のための密封部を形成している。側面要素３２は特に、例えば銅などの高熱伝導性金属を含有する。したがって変換要素２で発生した熱は、側面要素３２を介して容易に消散されうる（矢印で図示）。あるいは、またはさらに、部品１００はキャリア４を備える。キャリア４は、例えば金属のリードフレームでありうる。このため、変換要素２で発生する熱は側面要素３２およびキャリア４を介して容易に消散されうる。
【００６４】
側面要素３２は、層または板として形成されうる。側面要素３２の層厚は特に、断面において５０μｍを超える。あるいは変換要素２の側面２１は、側面要素３２と直接接触しうる。
【００６５】
側面要素３２は特に、変換要素２および／または半導体チップ１で発生する熱を消散するために、キャリア４と共にヒートシンクを形成する。このため、変換要素の劣化が防止されうる。さらに、半導体チップ１および変換要素２が機械的に安定化されうる。
【００６６】
図１Ｂは、実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品の概略的な側面図（断面図）である。図１Ｂの部品１００は、図１Ａの部品１００とは異なり、追加層、特に接着剤層７が半導体チップ１と変換要素２との間に配置されている。さらに、例えば接着剤層などの別の層７が変換要素２と被覆要素３１との間に配置されうる。
【００６７】
あるいは、またはさらに、シード層６が側面要素３２と、半導体チップ１の側面１２および／または変換要素２の側面２１との間に配置されうる。シード層６はさらに、側面要素３２と被覆要素３１との間にも形成されうる。シード層６は特に、断面において逆「Ｌ」として形成されている。シード層６は特に、熱伝導性である。
【００６８】
図２Ａは、実施形態に係る部品の概略的な側面図（断面図）である。図２Ａの部品１００は、図１Ｂの部品とは異なり電気接続箇所１０ａおよび１０ｂを有する。電気接続箇所１０ａおよび１０ｂは特に、ｎコンタクト部およびｐコンタクト部である。側面要素３２とｐコンタクト部１０ｂとは、互いに熱的に接触して配置されている。コンタクト部１０ｂは特に、キャリア４と側面要素３２との間に配置されている。側面要素３２およびｐコンタクト部１０ｂを介したキャリア４への容易な熱消散が生じうる。ｎコンタクト部１０ａは半導体チップの下、特に断面図において半導体チップ１に対して中央に配置されている。
【００６９】
図２Ｂは、図２Ａのオプトエレクトロニクス部品の上面図である。図２Ｂにおいて、電気接続箇所１０ｂが半導体チップ１を囲んでいることが認められうる。電気接続箇所１０ｂ、特にｐコンタクト部はここではとりわけ、電気コンタクトとして、かつヒートシンクとしても機能している。
【００７０】
側面要素３２は半導体チップ１を囲んでいる。側面要素３２は特に、半導体チップ１の全ての側面１２をその形状に沿うように囲んでいる。
【００７１】
図３は、実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品１００の概略的な側面図（断面図）である。図３の部品１００は図２Ａの部品とは異なり、図３の部品のキャリア４が半導体チップ１および側面要素２１の側方に配置されている。つまり、側面要素３２はキャリア４上に配置されうる（図２Ａに図示するように）、またはキャリア４は側方、つまり側面要素３２の側面に配置されうる。
【００７２】
図４Ａから４Ｈは、一実施形態に係るオプトエレクトロニクス半導体部品１００を製造する方法を示す。図４Ａおよび４Ｂの工程は特に、不活性雰囲気で行われる。
【００７３】
図４Ａは、特にガラスまたは封止フィルムである被覆要素３１の準備を示す。変換要素２がこの被覆要素３１に載置される。変換要素２は特に、マトリックス材料を含有する。マトリックス材料は特に、ネガ型フォトレジスト材料である。マトリックス材料はＯｒｍｏｃｅｒ（登録商標）、特にＯｒｍｏＣｌｅａｒ（登録商標）である。マトリックス材料は特にＵＶ硬化性である。例えば量子ドットなどの変換材料は特に、このマトリックス材料に分散されている。このような変換材料２が、被覆要素３１に載置される（図４Ａ）。
【００７４】
その後、半導体チップ１が少なくとも１つ載置される。図４Ｂは、半導体チップ１を２つ載置することを示している。特に２つを超える半導体チップ１も好都合に載置されうる。半導体チップ１は、変換要素２に直接載置される。その後、マスク１３が半導体チップ１とは反対側に面する被覆要素３１の面に載置される。
【００７５】
変換要素２のマトリックス材料の硬化が後に行われる。硬化はフォトリソグラフィ１４、特に紫外線放射によって行われる。この結果、マトリックス材料は選択的に硬化され、それぞれの半導体チップ１および変換要素２が固定される。
【００７６】
変換要素２の未硬化のマトリックス材料はその後取り除かれる（図４Ｃ）。これによって、変換要素２が半導体チップ１と被覆要素３１との間に製造される。その後、密封部が載置されうる。密封部は、原子層堆積、つまりＡＬＤによって載置されうる。この封止層は一時的でありうる。例えばアルミナなどの無機酸化物が一時的に載置されうる。あるいは、処理は不活性雰囲気でも行われうる。
【００７７】
その後、フォトレジスト層１５が図４Ｄに示すように載置されうる。フォトレジスト層１５は特に、後面コンタクト部８ａおよび８ｂの面に載置される。これは、いわゆるアルファキューブプロセス（ａｌｐｈａ  ｃｕｂｅ  ｐｒｏｃｅｓｓ）によって行われうる。これによって、後面コンタクト部８ａおよび８ｂが保護されうる。
【００７８】
図４Ｅは、フォトレジスト層１５が同時にマスクとしても用いられうることを示している。マスクの側面は半導体チップ１および／または変換要素２の側面１２および２１から突出している。これによって、マッシュルームのように見える部品の配置が形成される。これが、この工程がマッシュルームプロセスとも言われる理由である。
【００７９】
図４Ｆは、シード層６の載置を任意に示す。シード層６は、被覆要素３１の表面、変換要素２の側面２１、および少なくとも部分的に半導体チップ１の側面１２に載置される。シード層６は、ガルバニック法で、またはスパッタリングによって載置されうる。フォトレジスト層は突き出た端部を有しているので、半導体チップ１の側面１２はシード層６で完全には覆われていない。半導体チップ１の側面１２、特にフォトレジスト層１５の真下６０にはシード層６は存在しない。シード層６は特に、熱伝導性金属、または銅もしくは他の金属などの導電性材料を含有する。シード層６の層厚は特に、１００ｎｍ未満である。
【００８０】
図４Ｇは側面要素３２の載置を示す。側面要素３２の載置は特に、ガルバニック法で行われる。側面要素３２は、例えば銅またはニッケルでありうる。あるいは、例えば鉄、亜鉛、金もしくは他の貴金属、または銅などの別のガルバニック元素または合金も好適である。側面要素３２は、少なくとも電気的にシード層６と接続している。
【００８１】
その後、フォトレジスト層１５は取り除かれ、隣接する部品は個片化１６されうる（図４Ｈ）。これによって例えば図１Ａまたは１Ｂの部品が生じる。
【００８２】
図５Ａおよび５Ｂは、オプトエレクトロニクス部品を製造する方法を示す。図５Ａおよび５Ｂの工程は特に、不活性雰囲気で行われる。図５Ａは被覆要素３１の準備を示す。変換要素２がこの被覆要素３１に載置される。変換要素２は、ポジ型のレジスト材料を含むマトリックス材料を含有している。量子ドットなどの変換材料は特に、ポジ型レジスト材料中に分散されている。
【００８３】
図５Ａから５Ｃの方法は図４Ａから４Ｃの方法とは異なり、ポジ型レジスト材料が図５Ａから５Ｃの方法で使用されるのに対して、ネガ型レジスト材料が図４Ａから４Ｃでは使用される。
【００８４】
図５Ｂは半導体チップ１の載置を示す。半導体チップ１は変換要素２に載置される。ポジ型レジスト材料が変換要素２に関与しているため、フォトリソグラフィにおいて変換要素２は半導体チップの側から照射される。照射１４は特に、紫外線放射によって行われる。つまり、半導体チップ１はここでマスクとして機能するのに対して、図４Ａから４Ｈの方法では追加のマスク１３が載置されなければならない。フォトレジスト材料は変換要素２中で、フォトリソグラフィ工程によって硬化される。その後、図５Ｃに示すように余分な変換要素２が取り除かれうる。さらに、一時的な追加の変換層がＡＬＤによって載置されうる。
【００８５】
図５Ｃの工程の後に、図４Ｄから４Ｈの工程が同様に行われうる。
【００８６】
図６Ａは、一実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品１００の概略的な側面図（断面図）である。オプトエレクトロニクス部品１００には、半導体積層体１０１から１０３が示されている。層１０１は少なくともｎ型半導体層である。層１０２は活性層であり、層１０３は少なくともｐ型半導体層である。ｎ型半導体層１０１は、ｎコンタクト部１０ａによって電気コンタクトされている。層１０３はｐコンタクト部１０ｂによって電気コンタクトされている。部品１００はさらに、被覆要素３１と、半導体積層体１０１から１０３と被覆要素３１との間に配置された変換要素２と、を備えている。側面要素３２が、半導体積層体１０１から１０３を含む半導体チップ１の側方に配置されている。シード層６が側面要素３２と半導体チップ１との間に配置されている。部品１００はさらに、絶縁材料１７を備えている。シード層６は特に、ミラー層として形成されている。つまり、シード層６は半導体チップ１によって発せられる放射を反射する。
【００８７】
図６Ｂは、図６Ａの部品の平面図である。図６Ｂにおいて、側面要素３２が半導体チップの側面１２、およびとりわけ変換要素２の側面２１を全ての面においてその形状に沿うように覆っていることが認められる。
【００８８】
特にガルバニック板である側面要素３２は、機械的安定化のために構成されている。側面要素３２は、変換要素２のためのヒートシンクとしても機能しうる。
【００８９】
図７Ａから７Ｆは、実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品を製造する方法を示す。図７Ａはキャリア４の載置を示す。キャリア４は特に、リバーシブルキャリアである。
【００９０】
その後、半導体チップ１が、ここで示すのは例として半導体チップ１が２つ載置される。半導体チップ１は特に、後面コンタクト部８ａおよび８ｂを含むリバーシブルキャリアに載置される。
【００９１】
その後、絶縁材料１７がプラスチック材料層として分散されうる（図７Ｂ）。これによって、隣接する半導体チップ１は互いに電気的に絶縁される。
【００９２】
図７Ｃは、変換要素２および被覆要素３１の半導体チップ１へのそれぞれの載置を示す。被覆要素３１は、例えばガラスまたは二酸化ケイ素でありうる。
【００９３】
図７Ｄではシード層６の載置を続いて示す。シード層６は特に、半導体チップ１の側面１２および変換要素２の側面２１に載置される。シード層６は特に金属を含有する。シード層６は特に銀からなる。シード層６はスパッタリングによって載置される。載置は特に、光技術（ｐｈｏｔｏ−ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）によって行われる。
【００９４】
その後、側面要素３２の載置が行われうる（図７Ｅ）。側面要素３２は、隣接する半導体チップ１の間に載置される。側面要素３２は特に、シード層６に直接接触して配置される。側面要素３２は銅またはニッケルでありうる。
【００９５】
その後、図７Ｆに示すように、部品１００は個片化１６されうる。個片化は、機械的にまたはリソグラフィによって行われうる。
【００９６】
図８Ａから８Ｃはそれぞれオプトエレクトロニクス部品のアセンブリを示す。図８Ａはオプトエレクトロニクス部品のアセンブリの上面図である。オプトエレクトロニクス部品が４つ示されている。しかしながら、４つを超えるオプトエレクトロニクス部品もアセンブリを形成しうる。オプトエレクトロニクス部品は特に、いわゆるアレイとして形成されている。隣接するオプトエレクトロニクス部品のアセンブリは特に、共通の側面要素３２を有する。つまり、隣接する部品は側面要素３２を共有している。側面要素３２は、例えば金属からなりうる。これによって機械的な安定性が高められ、側面要素３２が半導体チップ１および変換要素２のそれぞれのためのヒートシンクとして用いられうる。側面要素３２は、熱的な要求に沿って調整されうる。変換要素２の熱伝導率が高い場合、変換要素２のサイズは側面要素３２の寸法と比べて比較的に大きくなるように選択されうる。変換要素２の熱伝導率がある程度低い場合、熱消散を高めるために側面要素３２の寸法は相対的に大きくなるように選択されうる。被覆要素３１はさらに、光の出射を高めるために追加の拡散板または光学要素を含みうる。
【００９７】
図８Ｂは図８Ａのアセンブリを下から示す。
【００９８】
アセンブリは特に、図８Ｃに示すように直列に接続されている。
【００９９】
図９Ａは、実施形態に係るオプトエレクトロニクス部品の概略的な側面図（断面図）である。図９Ａは特に、半導体チップの構成を示す。半導体チップ１は特に、電気コンタクト部１０ａおよび１０ｂを含む。電気コンタクト部１０ａは特に、側面要素３２と電気コンタクトしている。半導体チップ１は特に、対応する半導体層への貫通接続部を含むように形成されている。部品１００は、コンボミラー（ｃｏｍｂｏ  ｍｉｒｒｏｒ）１９を備えている。さらに側面要素３２は、半導体チップ１の構成において、他の半導体チップと直接接触して配置されうる（ここでは図示していない）。
【０１００】
電気コンタクト部１０ｂは特に、ｐコンタクト部としてｐ型半導体層１０３とコンタクトしている。電気コンタクト部１０ａは特に、ｎコンタクト部としてｎ型半導体層１０１とコンタクトしている。ｎコンタクト部は特に、ｎ型半導体層１０１への貫通孔を有している。図９Ａの半導体チップ１は、共に同じ面に位置しており、ｐおよびｎコンタクト部１０ａおよび１０ｂにそれぞれ電気コンタクトしており、かつ同じ材料から形成される後面コンタクト部８ａおよび８ｂを含む。
【０１０１】
図９Ｂは半導体チップ１の異なる構成を示す。図９Ｂの部品は特に図９Ａの部品とは異なり、図９Ｂの部品はさらにサブマウント１８を備えている。サブマウント１８は、例えばケイ素またはセラミックでありうる。
【０１０２】
各図に関連して説明した上記例示的な実施形態およびその特徴は、それらの組み合わせが各図に関連して明確に開示されていなくても、さらなる例示的な実施形態において相互に組み合わせうる。さらに、各図に関連して説明した上記例示的な実施形態は、上記説明における一般的な部分において追加または代替の特徴を有しうる。
【０１０３】
本発明は例示的な実施形態を用いた説明に限定されない。むしろ本発明はいかなる新たな特徴およびいかなる特徴の組み合わせを包含し、たとえこれらの特徴またはその組み合わせ自体が本願特許請求項または例示的な実施形態に明示的に記述されていなくても、本発明は特に本願特許請求項におけるいかなる特徴の組み合わせも包含する。
【０１０４】
本出願は、独国特許出願第１０２０１５１１１９１０．２号の優先権を主張するものであり、この文書の開示内容は参照により本明細書に援用される。
【符号の説明】
【０１０５】
１００  オプトエレクトロニクス部品
１  半導体チップ
１２  半導体チップの側面
１１  主放射面
２  変換要素
２１  変換要素の側面
３  封止要素
３１  被覆要素
３２  側面要素
４  キャリア
５  半導体チップの放射
６  シード層
７  接着剤層または追加層
８ａ  裏面コンタクト部
８ｂ  裏面コンタクト部
９  絶縁材
１０ａ  ｎコンタクト部
１０ｂ  ｐコンタクト部
１３  マスク
１４  放射、特に紫外線放射
１５  フォトレジスト
１６  個片化
１０１  ｎ型半導体層
１０２  活性層
１０３  ｐ型半導体層
１７  絶縁材料
１８  サブマウント／キャリア
１９  コンボミラー
【図１Ａ−１Ｂ】
2018520519.tif 000003
【図２Ａ】
2018520519.tif 000004
【図２Ｂ】
2018520519.tif 000005
【図３】
2018520519.tif 000006
【図４Ａ−４Ｅ】
2018520519.tif 000007
【図４Ｆ−４Ｈ】
2018520519.tif 000008
【図５Ａ−５Ｃ】
2018520519.tif 000009
【図６Ａ】
2018520519.tif 000010
【図６Ｂ】
2018520519.tif 000011
【図７Ａ−７Ｃ】
2018520519.tif 000012
【図７Ｄ−７Ｆ】
2018520519.tif 000013
【図８Ａ−８Ｃ】
2018520519.tif 000014
【図９Ａ−９Ｂ】
2018520519.tif 000015
【国際調査報告】
2018520519.tif 000016
2018520519.tif 000017
2018520519.tif 000018
2018520519.tif 000019
2018520519.tif 000020
2018520519.tif 000021