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　特願２００１−１０６７５６「プラズマ処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月１８日出願公開、特開２００２−３０５１７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯  
　本願は、平成１３年４月５日の出願であって、平成１６年２月１０日付で拒絶査定がなされ、これに対して同年３月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年４月１日付で手続補正がなされ、当審において平成１８年２月２１日付で拒絶理由を通知し、平成１８年４月３日付で手続補正されたものである。  
 　　  
２．平成１８年４月３日付の手続補正について  
 　［補正却下の決定の結論］  
　平成１８年４月３日付の手続補正を却下する。  
 　［理由］  
（１）本件補正の内容  
　平成１８年４月３日付の手続補正（以下、本件補正という。）の内容は以下のとおりである。  
 　  
補正事項１
請求項１の  
「【請求項１】半導体チップが作り込まれ回路形成面に保護テープが貼着された状態のシリコンウェハの処理対象面のエッチング処理を行うプラズマ処理方法であって、このシリコンウェハを前記保護テープを下部電極と上部電極とが上下に対向して配設された処理室内の前記下部電極の載置部に接触させた姿勢で前記載置部上に載置し、この処理室内にフッ素系ガスを含むプラズマ発生用ガスを前記上部電極に装着された多孔質部材の微細孔より下方に向けて噴出させて供給しプラズマ放電を発生させて前記シリコンウェハの回路形成面の裏面を処理対象面としてプラズマ処理を行う際に、載置部の温度を温度制御手段によって前記保護テープの断熱特性により異なる温度制御条件を用いて制御することにより前記シリコンウェハの表面温度が４０℃以上でありかつ前記保護テープの温度が当該保護テープの耐熱温度を超えない温度に保持することを特徴とするプラズマ処理方法。」を、
「【請求項１】半導体チップが作り込まれ回路形成面に保護テープが貼着された状態のシリコンウェハの処理対象面のエッチング処理を行うプラズマ処理方法であって、このシリコンウェハを前記保護テープを下部電極と上部電極とが上下に対向して配設された処理室内の前記下部電極の載置部に接触させた姿勢で前記載置部上に載置し、この処理室内にフッ素系ガスを含むプラズマ発生用ガスを前記上部電極に装着された多孔質部材の微細孔より下方に向けて噴出させて供給しプラズマ放電を発生させて前記シリコンウェハの回路形成面の裏面を処理対象面としてプラズマ処理を行う際に、載置部の温度を温度制御手段によって前記保護テープの断熱特性により異なる温度制御条件を用いて制御することにより前記シリコンウェハの表面温度が４０℃以上でありかつ前記保護テープの温度が当該保護テープの耐熱温度を超えない温度であって４０℃以下に保持することを特徴とするプラズマ処理方法。」と補正する。
　
補正事項２  
　明細書、第８段落を、以下のように補正する。  
「【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　請求項１記載のプラズマ処理方法は、半導体チップが作り込まれ回路形成面に保護テープが貼着された状態のシリコンウェハの処理対象面のエッチング処理を行うプラズマ処理方法であって、このシリコンウェハを前記保護テープを下部電極と上部電極とが上下に対向して配設された処理室内の前記下部電極の載置部に接触させた姿勢で前記載置部上に載置し、この処理室内にフッ素系ガスを含むプラズマ発生用ガスを前記上部電極に装着された多孔質部材の微細孔より下方に向けて噴出させて供給しプラズマ放電を発生させて前記シリコンウェハの回路形成面の裏面を処理対象面としてプラズマ処理を行う際に、載置部の温度を温度制御手段によって前記保護テープの断熱特性により異なる温度制御条件を用いて制御することにより前記シリコンウェハの表面温度が４０℃以上でありかつ前記保護テープの温度が当該保護テープの耐熱温度を超えない温度であって４０℃以下に保持する。」
　
補正事項３  
　明細書、第１２段落を、以下のように補正する。
「【００１２】
　本発明によれば、シリコン系基板の表面をプラズマによってエッチング処理する際に、シリコンウェハの表面温度が４０℃以上でありかつ前記保護テープの温度が当該保護テープの耐熱温度を超えない温度であって４０℃以下に保持することにより、フッ素系ガスの反応生成物のエッチング表面への付着・堆積を抑制してエッチングを均一に行い、鏡面状のエッチング面を得ることができる。」
　
補正事項４  
　明細書、第３６段落を、以下のように補正する。 
「【００３６】
　【発明の効果】
　本発明によれば、シリコン系基板の表面をプラズマによってエッチング処理する際に、シリコンウェハの表面温度が４０℃以上でありかつ前記保護テープの温度が当該保護テープの耐熱温度を超えない温度であって４０℃以下に保持するようにしたので、フッ素系ガスの反応生成物のエッチング表面への付着・堆積を抑制してエッチングを均一に行い、鏡面状のエッチング面を得ることができる。」
  
（２）補正内容の整理  
　補正事項１は、請求項１に記載のとおり、「テープの耐熱温度を超えない温度に保持する。」を、「テープの耐熱温度を超えない温度であって４０℃以下に保持する。」と、「４０℃以下に」を付加する補正であり、テープの温度を限定するものであるから、限定的減縮と認められる。さらに、補正事項２〜４の補正は、補正事項１に整合させるために、補正するものであり、明りょうでない記載の釈明と認められる。  
 　  
（３）独立特許要件について検討  
（３−１）本件補正後の発明
　本件の補正後の請求項１に係る発明（以下、本件補正後発明という。）
は、本件補正後の特許請求の範囲１に記載された事項により特定される上記２．のとおりのものである。
　
（３−１−１）刊行物及びその記載事項
　当審の拒絶の理由に引用された、刊行物である特開平２０００−１７３９９５号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図１、図５とともに次の事項が記載されている。 
（１ａ）「【００１８】まず図１を参照してプラズマエッチング装置について説明する。図１においてベース部材１には開口部１ａが設けられており、開口部１ａに嵌入して下方より下部電極３が絶縁部材２を介して装着されている。ベース部材１には、上方より蓋部材４が気密に当接する。蓋部材４、下部電極３およびベース部材１により閉囲される空間は、下部電極３上に載置される被処理基板７をプラズマエッチング処理する処理室５となっている。図示しない上下動手段によって蓋部材４を上下動させることにより、処理室５は開閉され基板７の搬入・搬出を行うことができる。基板７はシリコンもしくは酸化珪素などのシリコン化合物を主な材質としている。
【００１９】蓋部材４の上部には、上部電極６の支持部６ａが気密に挿通しており、上部電極６の下面と、下部電極３の上面は略平板状で対向した配置となっている。すなわち、上部電極６と下部電極３は平行平板電極となっている。なお上部電極６の下面および下部電極３の上面は完全な平板状である必要はなく、多少の凹凸を有する形状であっても良い。また、蓋部材４を上部電極として兼用する構造でも良い。
【００２０】支持部６ａを上下させて処理室５内での上部電極６の高さ位置を調整することにより、上部電極６の下面と下部電極３の上面との間の距離Ｌ（以下、電極間距離Ｌと略称する。）を所定値に設定可能となっている。すなわち、支持部６ａは電極間距離設定手段となっている。なおこの電極間距離設定手段は、装置稼働時に電極間距離Ｌを調整して設定するものであっても、また装置製作時に電極間距離Ｌが設定され装置稼働時には電極間距離Ｌを固定して使用するものであっても良い。
【００２１】上部電極６の下面にはガス孔６ｃが多数設けられており、ガス孔６ｃは支持部６ａの内部に設けられたガス供給孔６ｂと連通している。ガス供給孔６ｂはバルブ１１を介してガス供給部１０と接続されている。ガス供給部１０は、ガス供給手段であり５〜２０％の体積比率の酸素ガスと、６フッ化硫黄（ＳＦ６）や４フッ化炭素（ＣＦ４）などのフッ素系ガスを含む混合ガスを供給する。
【００２２】ベース部材１には給排気孔１ａが設けられており、給排気孔１ａにはバルブ１７を介して排気用真空ポンプ１６が接続されている。処理室５が閉じた状態で、排気用真空ポンプ１６を駆動することにより処理室５内は排気され減圧される。真空系１８によって真空度を検出し、検出結果に基づいて制御部２０によって排気用真空ポンプ１６を制御することにより、処理室５内部は制御部２０に予め設定されている所定の真空度まで到達する。」（第１８段落〜第２２段落） 
（１ｂ）「【００３８】図５（ａ）において、４０はＳｉウェハであり、Ｓｉウェハ４０の表面には図５（ｂ）に示すように回路４１が形成される。次いで図５（ｃ）に示すように、回路４１を覆って保護樹脂が貼付けられ保護膜４２が形成される。この後Ｓｉウェハ４０は研磨工程に送られ、ここでＳｉウェハ４０は回路形成面の裏面が研磨加工され、薄化処理される。この研磨加工において、研磨加工面の表層には加工歪層４３が残留する。加工歪層４３は研磨加工時の機械的外力によりシリコン表面に発生した応力や微細なクラックが残留したものであり、半導体装置完成後の強度を損なうため除去する必要がある。
【００３９】この加工歪層除去は、実施の形態１に示すプラズマエッチングにより行われる。Ｓｉウェハ４０は図１に示すプラズマエッチング装置の処理室５内に載置され、実施の形態１と同様のプラズマエッチング条件、すなわち放電電圧Ｐと電極間距離Ｌの積ＰＬの値が２．５〜１５［Ｐａ・ｍ］の範囲の値となるように条件設定が行われる。これにより図５（ｅ）に示すように加工歪層４３が除去されると同時に、除去後のＳｉウェハ４０の下面はより平滑に仕上げられ、応力集中による形状的な強度低下のないＳｉウェハ４０を得ることができる。このとき、図１に示すように下部電極３は冷却装置１４によって冷却されているため、既にＳｉウェハ４０に形成された回路４１が過熱されて損傷することがない。」（第３８段落、第３９段落）
　 
　当審の拒絶の理由に引用された、刊行物である特開平２０００−１３３６３９号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図５とともに次の事項が記載されている。 
「【００１４】実施例３
本発明によるプラズマエッチング装置の別の実施例を図３、４、５、６で説明する。本発明によるエッチングでは半導体の温度によってエッチングレートは大きく影響されないが、エッチング後の表面粗さが変化する。表１に温度と表面観察状態の結果を示す。
【００１５】
【表１】
　
基板温度 　室温　５０℃　８０℃　120℃  200℃  300℃　400℃ 
目視評価　　C　　　B　　　A　　　A　　　A　　　A　　　B
　
評価：　A - - −全面に渡り白濁無し
　　　　B - - −白濁部面積が全面の 10 ％未満 
　　　　C - - −白濁部面積が 10 ％以上
　
【００１６】この結果から、８０℃から３００℃の間が最適である。本発明では、基板温度をこの範囲で保持する機構を具備していることが特徴である。プラズマを発生させて局部に集めて作用させると反応部分の温度が上昇する傾向がある。これを効果的に冷却するため、図３は活性種の噴出しノズル４のまわりからＨｅなどの不活性ガスを吹き付けて冷却し、ウェーハに沿った排気管１０の排気口から排気する構造を有する。これは、ウェーハと活性種ガスの反応物を除去する意味でも有効な構造である。不活性ガスはＨｅ以外にもＡｒ、Ｎ２などでも良い。図４は、同心円状に、冷却用ガス管１８と排気管１０とを配した構造である。図５は、冷却用ステージ２１の上にウェーハ保持部２０があり、冷却用穴２２が複数個開いていて、活性種ガス供給管１１と、冷却用ガス管１８が対向して配置されている。半導体ウェーハは冷却用ステージ上に置かれ冷却用ガス管１８からの不活性ガスは、冷却用穴２２を通して、ウェーハの表面（おもてめん）に吹き付けられウェーハを冷却する。この冷却ステージに、ヒーターを入れて、温度が上がらない場合は、加熱する機構を具備することもできる。」（第１４段落〜第１６段落）
　
（３−２）対比・判断 
　ここで、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｂ）を総合すると、刊行物１には、「上部電極６の下面と、下部電極３の上面は略平板状で対向し、上部電極６の下面にはガス孔６ｃが多数設けられ、ガス孔６ｃは支持部６ａの内部に設けられたガス供給孔６ｂと連通している。ガス供給部１０は、ガス供給手段であり５〜２０％の体積比率の酸素ガスと、６フッ化硫黄（ＳＦ６）や４フッ化炭素（ＣＦ４）などのフッ素系ガスを含む混合ガスを供給する。 
　Ｓｉウェハ４０の表面には回路４１が形成され、回路４１を覆って保護樹脂が貼付けられ保護膜４２が形成される。下部電極３は冷却装置１４によって冷却されているため、既にＳｉウェハ４０に形成された回路４１が過熱されて損傷することがない。Ｓｉウェハ４０はプラズマエッチング装置の処理室５内の下部電極上に載置され、プラズマエッチング条件、すなわち放電電圧等の条件設定が行われるプラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法の発明。」が記載されている（以下、刊行物１発明という。）。 
　 
　そこで、本件補正後発明と刊行物１発明とを対比すると、刊行物１発明の「保護膜」、「Ｓｉウェハ」、「冷却装置」、「混合ガス」が、本件補正後発明の「保護テープ」、「シリコンウェハ」、「温度制御手段」、「プラズマ発生ガス」に相当する。
　また、Ｓｉウエハは、回路形成面を保護膜で覆い、該保護膜により下部電極に固定されているので、ウエハの回路形成面の裏面が処理対象面である。
　そこで、両者は、「半導体チップが作り込まれ回路形成面に保護テープが貼着された状態のシリコンウェハの処理対象面のエッチング処理を行うプラズマ処理方法であって、このシリコンウェハを前記保護テープを下部電極と上部電極とが上下に対向して配設された処理室内の前記下部電極の載置部に接触させた姿勢で前記載置部上に載置し、この処理室内にフッ素系ガスを含むプラズマ発生用ガスを前記上部電極に装着された電極にて噴出させて供給し、プラズマ放電を発生させて前記シリコンウェハの回路形成面の裏面を処理対象面としてプラズマ処理を行い、載置部の温度を温度制御手段によって載置部の温度制御を行うプラズマ処理方法。」の点で一致するものの、次の点で相違する。 
　 
相違点１：
　本件補正後発明は、プラズマ発生用ガスを供給するのに、「多孔質部材の微細孔」を用いているのに対し、刊行物１発明は、「上部電極６の下面に設けられた多数のガス孔」を用いている点。
　
相違点２：
　本件補正後発明は、「プラズマ処理を行う際に、載置部の温度を温度制御手段によって前記保護テープの断熱特性により異なる温度制御条件を用いて制御することにより前記シリコンウェハの表面温度が４０℃以上でありかつ前記保護テープの温度が当該保護テープの耐熱温度を超えない温度であって４０℃以下に保持する」のに対し、刊行物１発明では、このような限定のない点。 
　
　そこで、上記相違点１、２について次に検討する。 
相違点１について 
　刊行物１発明では、プラズマガスの吹き出し口に、上部電極に設けた多数のガス孔を用いている。一般に、上部電極のガス吹き出し口に多孔質電極を用い、プラズマガスを均等に分散させるのに多孔質の微細孔からガスを供給することは周知技術であり、また、多孔質電極を用いることによる効果も容易に予測しうるものであるから、この点は、当業者が容易になし得るものである。
　 
相違点２について
　刊行物２に記載の発明には、第１５段落の表においてウエハのエッチングにおいて、８０℃〜３００℃の温度範囲で白濁が生じないことが記載されており、この範囲は、本件補正後願発明の４０℃以上の範囲に含まれている。刊行物１発明と刊行物２に記載の発明とは、シリコンウエハの裏面をエッチングするという同じ技術分野に属しており、また、裏面の表面を平坦にするという共通の技術的課題を有するので、両発明を組み合わせることは容易であるから、刊行物２に記載の発明を刊行物１発明に適用することは容易である。
　また、ウエハを接着する保護テープの耐熱温度を考慮すること、さらに、保護テープの断熱特性により、異なる温度制御条件を用いて制御することは、格別の創意工夫を要したとは認められず、保護テープの温度が当該保護テープの耐熱温度を超えない温度であって４０℃以下に保持することも、４０℃という温度が、保護テープの材質等により当然依存する値であり、格別な臨界的意義は認められないので、当業者が適宜なし得るものである。
　そして、本件補正後発明の奏する効果も、刊行物１、２の記載及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　従って、本件補正後発明は、刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、独立して特許を受けることができない。　
 　　  
（３−３）むすび  
 　以上のとおり、本件補正は、平成１５年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項の規定において読み代えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
 　  
３．本件発明  
（１）本件発明の認定
　平成１８年４月３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本件の請求項１及び２に係る発明は、平成１６年４月１日付けの手続補正書により補正されたとおりのものであるところ、その請求項１に記載された発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。  
　「【請求項１】半導体チップが作り込まれ回路形成面に保護テープが貼着された状態のシリコンウェハの処理対象面のエッチング処理を行うプラズマ処理方法であって、このシリコンウェハを前記保護テープを下部電極と上部電極とが上下に対向して配設された処理室内の前記下部電極の載置部に接触させた姿勢で前記載置部上に載置し、この処理室内にフッ素系ガスを含むプラズマ発生用ガスを前記上部電極に装着された多孔質部材の微細孔より下方に向けて噴出させて供給しプラズマ放電を発生させて前記シリコンウェハの回路形成面の裏面を処理対象面としてプラズマ処理を行う際に、載置部の温度を温度制御手段によって前記保護テープの断熱特性により異なる温度制御条件を用いて制御することにより前記シリコンウェハの表面温度が４０℃以上でありかつ前記保護テープの温度が当該保護テープの耐熱温度を超えない温度に保持することを特徴とするプラズマ処理方法。」（以下、本件補正前発明という。）
 　  
（２）刊行物及びその記載事項
　これに対し、刊行物１、２には、前記（３−１−１）に示すとおりの記載がある。
　
（３）対比・判断
　請求項１に記載の発明は、補正却下前の請求項１の「テープの耐熱温度を超えない温度であって４０℃以下に保持する。」を、「テープの耐熱温度を超えない温度に保持する。」と、「４０℃以下に」の限定を付加しない発明であり、上記（３−２）で検討したのと同様の理由により、刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　 
４．むすび  
　以上のとおりであるから、本件補正前発明は、特許法第２９条２項の規定により、特許を受けることができないものであり、請求項２に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。