【事件の表示】
　特願２００３−３９４３４０「液晶装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月３０日出願公開、特開２００４−１３３４８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年４月９日に出願された平成１０年特許願第５４２６０３号の一部を平成１５年１１月２５日に平成５年改正前特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願として出願されたものであって、原審で通知された拒絶理由に対して、平成１６年７月８日付けで手続補正がなされた後、同年１２月６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年１２月２２日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年１２月２２日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）平成１６年１２月２２日付け手続補正について
　平成１６年１２月２２日付けの手続補正は、補正前の請求項１の記載である「複数個の液晶装置用の一方の基板が形成される基板母材上に、画素毎に配置される複数の画素電極と、
　第１の導電体からなり前記一方の基板上に実装される液晶駆動用ＩＣに導通接続される複数の配線層と、
　前記複数の配線層の各々から枝状に伸びた第２の導電体表面に陽極酸化により形成される絶縁膜を備え、前記画素電極毎に接続される複数のアクティブ素子と、からなる液晶装置の製造方法において、
　前記陽極酸化前には、前記基板母材に、前記複数個の液晶装置用の一方の基板の前記配線層を相互に通電可能に接続する主通電パターンと、
　前記一方の基板における個々の前記液晶装置毎に、前記配線層のうち、前記液晶駆動用ＩＣに導通接続される領域と、前記液晶駆動用ＩＣに導通接続される領域に最も近い位置にある前記第２の導電体との間において、前記配線層の全てを相互に通電可能に接続する補助通電パターンとが形成される工程と、
　前記主通電パターンに所定電圧を印加して前記第２の導電体表面を陽極酸化する工程と、
　前記陽極酸化後に、前記補助通電パターンをフォトエッチングにより除去し、前記主通電パターン以外での前記配線層同士の導通を断絶する工程と、
を備えることを特徴とする液晶装置の製造方法。」を、「複数個の液晶装置用の一方の基板が形成される基板母材上に、画素毎に配置される複数の画素電極と、
　前記一方の基板上に実装される液晶駆動用ＩＣに導通接続される複数の配線層と、
　前記複数の配線層の各々から枝状に伸びた第１電極表面に陽極酸化により形成される絶縁膜を備え、前記画素電極毎に接続される複数のＭＩＭ素子と、からなる液晶装置の製造方法において、
　前記液晶駆動用ＩＣに導通接続される領域から最も離れた位置にある前記第１電極より、前記領域から遠い位置にあり、前記陽極酸化前には、前記基板母材に、前記複数個の液晶装置用の一方の基板の前記配線層を相互に通電可能に接続すると共に、個々の前記液晶装置毎に、前記配線層の全てを相互に通電可能に接続する主通電パターンと、
　前記一方の基板における個々の前記液晶装置毎に、前記配線層のうち、前記液晶駆動用ＩＣに導通接続される領域と、前記液晶駆動用ＩＣに導通接続される領域に最も近い位置にある前記第１電極との間において、前記配線層の全てを相互に通電可能に接続する一方で、前記複数個の液晶装置間には設けられていない補助通電パターンとが形成される工程と、
　前記主通電パターンに所定電圧を印加して前記第１電極表面を陽極酸化する工程と、
　前記陽極酸化後にフォトリソグラフィ法を用いて前記ＭＩＭ素子の第２電極を形成し、その後に前記補助通電パターンをフォトエッチングにより除去し、前記主通電パターン以外での前記配線層同士の導通を断絶する工程と、
　を備えることを特徴とする液晶装置の製造方法。」と、補正しようとするものを含むものである。
　そして、本願出願時の明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「当初明細書等」という。）には、「補助通電パターン」に関して、
　「【００５４】
　……。まず、第１４図において、ガラス等によって形成された素子側基板母材４０を用意し、その上にスパッタリング等によってＴａ2Ｏ5等を一様な厚さに形成して下地層４１（第１２図参照）を形成する（工程Ｓ１）。次に、周知のパターニング技術例えばフォトリソグラフィ法を用いて下地層４１の上にＴａをパターニングすることによって複数の直線状の配線層４２、それらの配線層４２から張り出すＭＩＭ素子用の第１電極４２ａ及び各液晶装置部分の配線層４２をつなぐ主通電パターン４７を形成する。また、このとき同時に、個々の液晶装置部分内において各配線層４２を導通する直線状の補助通電パターン４８を形成する（工程Ｓ２）。」、
「【００５８】
　本実施例においては、補助通電パターン４８は、第１０図に示したＭＩＭ素子４５及び画素電極４６が形成される領域の外において、配線層４２同士を接続するように形成されている。」と記載され、図１４から、個々の液晶装置部内において各配線層４２を導通している補助通電パターン４８がみてとれる。
　確かに、図１４に記載されている補助通電パターン４８は図面上個々の液晶装置間を接続してはいないが、当該図面は個々の液晶装置内の複数の配線層が接続されていることを示すものであって、個々の液晶装置間が接続されないことを示そうとしたものではないことは、上記明細書の記載からみても明らかであるから、図１４より、個々の液晶装置間に補助通電パターンが設けられていない構成が自明であるとはいえない。
　よって、当初明細書等には、個々の液晶装置間で各配線層４２を導通させないことは記載されておらず、また自明な事項ともいえない。
　したがって、上記補正は当初明細書等に記載された事項の範囲内でなされたものであるとはいえず、特許法第１７条の２第３項の規定に違反してなされたものである。
　
　また、上記補正により、補正前の「第１の導電体からなり前記一方の基板上に実装される液晶駆動用ＩＣに導通接続される複数の配線層」が「前記一方の基板上に実装される液晶駆動用ＩＣに導通接続される複数の配線層」と補正され、「第１の導電体からなり」なる構成が削除された。
　そして、請求人は平成１６年１２月２２日付け審判請求書の「（ｂ）補正の根拠の明示」において、「また、本願請求項１に記載の発明は、補正前の請求項１に対して、「第1の導電体からなり」を削除し、「第２の導電体」を「第１電極」に変更したものであり、これは図１４に示される配線層４２、第１電極４２ａの開示されている状態を忠実に記載するようにしたものである。」と主張している。
　しかしながら、発明を特定するための事項が削除されていることは明らかであるから、本件補正が、特許請求の範囲の減縮を目的とするものでないことが明らかであるとともに、本件補正は、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明でもない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第１号乃至第４号に掲げる事項を目的とするものに該当するともいうことができない。 
　
（４）むすび  
　上記のとおり、本件補正は、平成１５年改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反してなされたものであり、また、平成１５年改正前の特許法第１７条の２第４項第１号乃至第４号に該当しない補正を含んでいるので、いずれにしても、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。 
　
３．本願発明について 
　平成１６年１２月２２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１６年７月８日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至２に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明は、以下のものである。
　「複数個の液晶装置用の一方の基板が形成される基板母材上に、画素毎に配置される複数の画素電極と、
　第１の導電体からなり前記一方の基板上に実装される液晶駆動用ＩＣに導通接続される複数の配線層と、
　前記複数の配線層の各々から枝状に伸びた第２の導電体表面に陽極酸化により形成される絶縁膜を備え、前記画素電極毎に接続される複数のアクティブ素子と、からなる液晶装置の製造方法において、
　前記陽極酸化前には、前記基板母材に、前記複数個の液晶装置用の一方の基板の前記配線層を相互に通電可能に接続する主通電パターンと、
　前記一方の基板における個々の前記液晶装置毎に、前記配線層のうち、前記液晶駆動用ＩＣに導通接続される領域と、前記液晶駆動用ＩＣに導通接続される領域に最も近い位置にある前記第２の導電体との間において、前記配線層の全てを相互に通電可能に接続する補助通電パターンとが形成される工程と、
　前記主通電パターンに所定電圧を印加して前記第２の導電体表面を陽極酸化する工程と、
　前記陽極酸化後に、前記補助通電パターンをフォトエッチングにより除去し、前記主通電パターン以外での前記配線層同士の導通を断絶する工程と、
を備えることを特徴とする液晶装置の製造方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
（１）引用刊行物 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平６−２８９４３２号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。 
　ア．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、第１の金属−絶縁体−第２の金属（ＭＩＭ）よりなる非線形素子と画素電極とリード電極と共通電極を有する液晶表示装置の構成とその製造方法とに関する。」
　イ．「【０００３】従来のＭＩＭ非線形素子の形成方法は、図５に示すように、第１の金属である複数のリード電極３１の一方を共通電極３２で接続する。
【０００４】そして、この共通電極３２を利用して、リード電極３１のタンタルを弱酸性クエン酸浴中で２０〜５０Ｖの陽極酸化電圧で陽極酸化して、絶縁体である酸化タンタルをリード電極３１の表面に形成する。
【０００５】その後、第２の金属である酸化インジウムスズ膜を形成して、タンタル−酸化タンタル−酸化インジウムスズ構造からなる非線形素子と、酸化インジウムスズからなる画素電極とを形成する。さらにその後、基板を破線５１の位置で切断分離して、それぞれのリード電極を電気的に独立させている。」
　ウ．「【００１５】図１と図２とに示すように、表示基板１には、複数の非線形素子８と、画素電極９と、これらの非線形素子８と画素電極９とを接続するリード電極３とを設ける。
【００１６】そして複数のリード電極３を電気的に接続する共通電極４は、表示基板１内のたとえばシール７領域に設ける。
【００１７】さらに表示基板１の外部接続端子１６に、半導体集積回路装置（以下ＩＣと記載する）５を、直接接続して設ける。」
　エ．図５から、複数個の液晶装置用の一方の基板が形成される基板とリード電極３１の端部である外部接続端子３３、図７から、画素毎に配置される複数の画素電極と複数のリード電極３１の各々から枝状に伸びた素子部３５がみてとれる。
　
　そして、図５に記載されている「外部接続端子３３」が何に接続されているかの直接的な記載はないが、「外部接続端子１６に、半導体集積回路装置（以下ＩＣと記載する）５を、直接接続して設ける」（上記ウ．）と記載されていることから、図５に記載されている「外部接続端子３３」が半導体集積回路（ＩＣ）に導通接続されることは明らかである。
　したがって、上記ア．〜エ．の記載事項からみて、引用例１には以下の発明が記載されていると認められる。  
　「複数個の液晶装置用の一方の基板が形成される基板上に、画素毎に配置される複数の画素電極と、
　第１の金属からなり前記一方の基板上に実装される半導体集積回路（ＩＣ）に導通接続される複数のリード電極と、
　前記複数のリード電極の各々から枝状に伸びた素子部表面に陽極酸化により形成される絶縁体を備え、前記画素電極毎に接続される複数のＭＩＭ非線形素子と、からなる液晶装置の製造方法において、
　前記陽極酸化前には、前記基板に、前記複数個の液晶装置用の一方の基板の前記リード電極を相互に通電可能に接続する共通電極が形成される工程と、
　前記共通電極に所定電圧を印加して前記素子部表面を陽極酸化する工程を備える液晶装置の製造方法。」（以下、「引用例１発明」という。） 
　
（２）対比
　本願発明と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明における「複数個の液晶装置用の一方の基板が形成される基板」，「第１の金属」，「半導体集積回路（ＩＣ）」，「リード電極」，「素子部」，「絶縁体」，「ＭＩＭ非線形素子」及び「共通電極」は、それぞれ、本願請求項１発明における「基板母材」，「第１の導電体」，「液晶駆動用ＩＣ」，「配線層」，「第２の導電体」，「絶縁膜」，「アクティブ素子」及び「主通電パターン」に相当する。 
　したがって，本願発明と引用例１発明に記載された発明とは、 
　「複数個の液晶装置用の一方の基板が形成される基板母材上に、画素毎に配置される複数の画素電極と、
　第１の導電体からなり前記一方の基板上に実装される液晶駆動用ＩＣに導通接続される複数の配線層と、
　前記複数の配線層の各々から枝状に伸びた第２の導電体表面に陽極酸化により形成される絶縁膜を備え、前記画素電極毎に接続される複数のアクティブ素子と、からなる液晶装置の製造方法において、
　前記陽極酸化前には、前記基板母材に、前記複数個の液晶装置用の一方の基板の前記配線層を相互に通電可能に接続する主通電パターンが形成される工程と、
　前記主通電パターンに所定電圧を印加して前記第２の導電体表面を陽極酸化する工程と、
を備える液晶装置の製造方法。」である点で一致し，次の点で相違している。 
［相違点］ 
・相違点１
　本願発明では、主通電パターンと共に、一方の基板における個々の前記液晶装置毎に、配線層のうち、液晶駆動用ＩＣに導通接続される領域と、前記液晶駆動用ＩＣに導通接続される領域に最も近い位置にある前記第２の導電体との間において、前記配線層の全てを相互に通電可能に接続する補助通電パターンを形成しているのに対して、引用例１発明では、補助通電パターンを形成していない点。
・相違点２
　本願発明では、陽極酸化後に、補助通電パターンをフォトエッチングにより除去し、主通電パターン以外での配線層同士の導通を断絶する工程を有するのに対して、引用例１発明は、共通電極を切断により断絶するものではあっても、上記工程を有するものではない点。
　
（３）判断 
　以下、上記各相違点について検討する。 
・相違点１について
　例えば、原査定の拒絶の理由に引用された、特開平３−４８８２３号公報（以下、「周知例１」という。），特開昭５８−３８９２２号公報に開示されているとおり、ＭＩＭ素子を有する液晶装置の製造法において、ＭＩＭ素子の絶縁層を形成する陽極酸化工程において、断線による不具合を防止する冗長化手段として閉回路を形成してから陽極酸化を行うことは周知技術である。
　したがって、引用例１発明に上記周知技術を適用して、共通電極と共に、複数のリード電極の両端部を接続する補助導通パターンを形成することは当業者が容易に想到し得ることである。
・相違点２について
　上記周知例１にも記載されているように、補助通電パターンは陽極酸化工程の後に除去されており、補助通電パターンが陽極酸化時の冗長手段であって、本来接続の要のない複数の配線が一時的に接続されていることに鑑みれば、陽極酸化工程の後の補助電極の除去工程は当然の工程であり、除去手段としてフォトエッチングは適宜選択し得る周知技術にすぎない。
　したがって、引用例１発明に補助通電パターンを形成するに際して、陽極酸化工程の後に当該補助通電パターンをフォトエッチングにより除去する工程を配置することは、当業者が必然的に行うことである。
　
　そして、本願発明の製造方法によってもたらされる効果は、上記引用例１発明及び周知技術から、当業者が予測し得る程度のものであり、格別のものとはいえない。 
　したがって、本願発明は、引用例１発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。 
　 
（４）むすび 
　以上のとおり，本願発明は，引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 
　よって，結論のとおり審決する。