【事件の表示】
　平成１０年特許願第２３７７９５号「レジストアッシング方法およびレジストアッシング装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年３月３日出願公開、特開２０００−６８２４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
　本願は、平成１０年８月２４日の出願であって、平成１５年４月１１日付けで拒絶理由が通知され、平成１５年６月１３日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成１５年７月１０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１５年８月１４日に審判請求がなされるとともに、平成１５年９月１６日付け手続補正書で明細書が補正され、平成１５年１２月３日付けで前置報告がなされ、平成１８年２月２４日付けで審尋がなされ、これに対して平成１８年４月２７日付けで回答書が提出されたものである。
　　
II．補正の検討
　平成１５年９月１６日付け手続補正書による補正について、以下のとおり検討する。
(II-1)補正の内容
　本補正は、明細書の特許請求の範囲の請求項１を、次のとおりに補正する内容を含む補正である。（以下、補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明を「補正発明１」という。）
「イオン照射によって生じた表面変質層を有するレジスト層が形成された基板を提供する工程と、
前記レジスト層の表面に沿って、少なくとも酸素と希ガスとを含む０．１気圧以上１０気圧以下の混合ガスのガス流を形成し、該混合ガスに高周波電圧を印加することによってプラズマを発生させる工程と、
該レジスト層を除去する工程と
を包含するレジストアッシング方法。」
　
　本補正は、その補正前の請求項１に記載されたプラズマを発生させる工程についてさらに限定する補正であって、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の限定的減縮を目的にするものといえる。
　　
(II-2)引用例及びその記載事実
　本願出願前に頒布された以下の刊行物には、次の記載がある。
（１）引用例１：特開平８−３２７９５９号公報（平成８年１２月１３日公開）
(1-1)「【請求項１】ウエハ又は基板を処理又は検査するための手段と、前記処理又は検査手段に向けてもしくは該手段から前記ウエハ又は基板を搬送するための手段と、前記処理又は検査の前処理又は後処理として前記ウエハ又は基板を表面処理するための手段とを備え、前記表面処理手段が、大気圧又はその近傍の圧力下で所定の放電ガス中に気体放電を生じさせ、それにより生成される前記放電ガスの励起活性種に前記ウエハ又は基板を曝露させる手段からなることを特徴とするウエハ及び基板の処理装置。
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【請求項１５】複数のウエハ又は基板を収容した第１のカセットから前記
ウエハ又は基板を１枚ずつ取り出す手段と、前記第１のカセットから取り出した前記ウエハ又は基板を第２のカセットに搬送するための手段と、搬送された前記ウエハ又は基板を前記第２のカセットに収容するための手段とからなるウエハ及び基板の移載装置であって、
前記搬送手段が、搬送中の前記ウエハ又は基板をアッシングするための手段を有し、前記アッシング手段が、大気圧又はその近傍の圧力下で所定のガス中に気体放電を生じさせる手段と、前記気体放電により生成される前記ガスの励起活性種に前記搬送中のウエハ又は基板の表面を曝露させる手段とからなることを特徴とするウエハ及び基板の移載装置。」（請求項１、１５）
(1-2)「ドライエッチングは、一般に真空中で生成されるプラズマを利用して行なわれるが、その前にアッシャを用いた酸素プラズマによりレジスト膜のスカムを除去し、エッチング後には、ＣＦ４、Ｏ２等により表面処理して防食処理を行う。残存するフォトレジストを完全に除去するためには、エッチングによりフォトレジスト膜に生じたプラズマダメージ層を、アッシャを用いて酸素プラズマにより除去し」（段落【0004】）
(1-3)「レジスト膜形成、ウェット及びドライエッチング等のウエハ及び基板の各種処理、及びそれに付随する前処理又は後処理としてアッシング等の表面処理を連続的に行うことができ、しかもかかる表面処理のために真空や減圧のための特別な設備やクリーンルームを必要とすることがなく、装置全体を比較的簡単にかつ安価に一体的に構成することができ、それにより製造工程の合理化、コストの低減、及び生産性の向上を達成し得るウエハ及び基板の処理装置を提供することにある。」（段落【0009】）
(1-4)「ガス供給装置２５から放電ガスを供給して空室２３内を置換し、かつ高周波電源１９から電極２０に高周波電圧を印加する。接地されたベース１１を電源電極２０の対電極として、図３に示すように電極２０の下端とウエハ２の上面との間で気体放電が発生する。これにより、高周波電源１９から電源電極２０、カバー２１、放電領域２７、ウエハ２及びテーブル１０を介して接地電極であるベース１１に至る電気回路が形成される。」（段落【0052】）
(1-5)「ヘリウムの流量を多くすると前記気体放電がより安定し、かつヘリウムと共に１〜２％の酸素を混合して供給することによって、アッシングレイトをより一定させることができた。」（段落【0055】）
(1-6)「電源１９の周波数を１３．５６ＭＨｚ、４００ｋＨｚ、１０ｋＨｚの３種類として、雰囲気を大気、電源電極２０とウエハ２との距離を３mmに設定して実験を行なったところ、次のような結果が得られた。・・・・
　放電領域２７に向けて水平に圧縮空気を送給したところ、放電形態がストリーマ放電からグロー放電へと変化した。この場合、アッシングレイトは遅くなるが、上述したストリーマ放電の場合のようにアッシング結果にムラは生じなかった。但し、いずれの場合にも、電源周波数が高くなればなるほど、ウエハ表面に生じるチャージアップを減少できるので効果的である。このように、放電領域２７に向けて水平に圧縮空気を供給すると、更に良い結果が得られる。」（段落【0061】〜【0062】）
(1-7)「図４には、アッシャ１２の別の実施例が示されている。この実施例は、図３の実施例と同様に薄い平板状の導電体からなる２個の電源電極２８、２９を有し、それぞれ誘電体からなるカバー３０、３１により被覆されている。両電極２８、２９は、ウエハ２の進行方向に対して直交する向きに垂直に、所定の距離をもって離隔して配置され、それらの間に空室３２を画定している。空室３２は、その上端がガス導入口３３を介してガス供給装置２５に接続されると共に、下端がウエハ２上面に向けて開放している。また、電源電極２８、２９のカバー３０、３１の外側には、絶縁体からなる箱形のケーシング３４が配設され、その下端がウエハ２を覆うようにその上面付近まで延長している。
　ガス供給装置２５から空室３２内に放電ガスを供給しつつ、電源１９から両電源電極２８、２９に高周波電圧を印加することによって、両電極２５、２６とウエハ２との間で気体放電が発生する。本実施例では、電源電極を２個にしたことによって、より大きな放電領域３５が得られ、より大きなウエハ面積を一度に処理することができる。」（段落【0063】〜【0064】）
　そして、上記図４（第１５頁）では、ガス供給装置２５から供給されたガスは、アッシャ中央部の空室３２を通過してウエハ２上に供給され、放電領域３５を形成した後、ケーシング３４の下端とウエハ外周との空隙から外部に流出することが読み取れる。
　　
(II-3)対比・判断
　上記摘記によれば、引用例１には、ウエハ又は基板のアッシングにおいて、大気圧又はその近傍の圧力下でガス中に気体放電を生じさせ、前記気体放電により生成される前記ガスの励起活性種に前記ウエハ又は基板の表面を曝露させることが記載され（摘記1-1）、併せて、ドライエッチングによりフォトレジスト膜に生じたプラズマダメージ層の除去にアッシャが用いられること（摘記1-2）、ヘリウムと共に１〜２％の酸素を混合して供給することによって、アッシングレイトをより一定させることができたこと（摘記1-5）、ガス供給装置から放電ガスを供給して空室内を置換し、高周波電圧を印加すると、電極の下端とウエハの上面との間で気体放電が発生し、放電領域が形成されること（摘記1-4）が記載されており、また、高周波電圧の印加による放電領域においてプラズマが発生していることは明らかである。そして、引用例１に記載のレジスト膜は、補正発明１における「レジスト層」に対応し、引用例１に記載のヘリウムは、補正発明１における「希ガス」に対応し、引用例１に記載のガス供給装置から放電ガスを供給する点は、補正発明１における「混合ガス流を形成」する点に対応する。
　　
　以上のことからすると、引用例１には、
「レジスト層が形成された基板を提供する工程と、
少なくとも酸素と希ガスとを含む大気圧又はその近傍の圧力の混合ガスのガス流を形成し、該混合ガスに高周波電圧を印加することによってプラズマを発生させる工程と、
該レジスト層を除去する工程と
を包含するレジストアッシング方法。」
が記載されているといえる。（以下、これを「引用例１発明」という。）
　　
　そこで、補正発明１と引用例１発明とを対比すると、引用例１発明における「大気圧又はその近傍の圧力」は、補正発明１における「０．１気圧以上１０気圧以下」の圧力と重複する。
　また、補正発明１で、上記ガス流につき「レジスト層の表面に沿って」とした点について検討すると、引用例１には、図４に示されたアッシャにおいて、空室３２は、その上端がガス導入口３３を介してガス供給装置２５に接続されると共に、下端がウエハ２上面に向けて開放し、電源電極２８、２９のカバー３０、３１の外側には、絶縁体からなる箱形のケーシング３４が配設され、その下端がウエハ２を覆うようにその上面付近まで延長し、ガス供給装置２５から空室３２内に放電ガスを供給しつつ、電源１９から両電源電極２８、２９に高周波電圧を印加することによって、両電極２５、２６とウエハ２との間で気体放電が発生することが記載され、そして、同図４では、ガス供給装置２５から供給されたガスは、アッシャ中央部の空室３２を通過してウエハ２上に供給され、放電領域３５を形成した後、ケーシング３４の下端とウエハ外周との空隙から外部に流出することが読み取れる。そして、これらの事項からすると、ガス供給装置から供給されたガスは、アッシャ中央部の空室を通過してウエハ上に供給され、ウエハの表面に沿って流れるガス流となった後、ケーシングの下端とウエハ外周との空隙から流出するものといえ、したがって、引用例１には、上記ウエハの表面に沿って流れるガス流が開示されていると言える。そして、当該図４は、ウエハを対象とするアッシングについて説明するものであり、また、レジストのアッシングの場合に、当該ウエハ表面にレジスト層が存在することは明らかである。してみれば、引用例１には、上記のガス流につき、「レジスト層の表面に沿って」とした点が記載されているといえる。
　　
　以上のことからすると、補正発明１と引用例１発明とは、
「レジスト層が形成された基板を提供する工程と、
前記レジスト層の表面に沿って、少なくとも酸素と希ガスとを含む０．１気圧以上１０気圧以下の混合ガスのガス流を形成し、該混合ガスに高周波電圧を印加することによってプラズマを発生させる工程と、
該レジスト層を除去する工程と
を包含するレジストアッシング方法。」
の点で一致し、そして、
　　
（イ）補正発明１では、上記レジスト層について、「イオン照射によって生じた表面変質層を有する」と特定されているのに対して、引用例１には当該記載が見当たらない点、
で相違している。
　　
　そこで、この相違点について、以下検討する。
（ｉ）相違点（イ）について
　引用例１には、ドライエッチング後に残存するフォトレジストを完全に除去するためには、エッチングによりフォトレジスト膜に生じたプラズマダメージ層をアッシャを用いて除去することが記載されており（摘記1-2）、アッシングが、ダメージ層を有するレジスト層に対しても適用されることが開示されている。なおかつ、引用例１には、そのアッシング方法を、イオン照射によって生じた表面変質層を有するレジストのアッシングには適用できないとした記載は見当たらない。
　一方、イオン照射によりレジストに表面変質層が形成されること、及び、イオン照射後のレジスト層、ないし表面変質したレジスト層をも包含するレジスト層に対してアッシング処理が適用されることは、本願出願前周知の事項である（要すれば、特開平８−１３９００４号公報、特開平９−１６２１７３号公報、特開平９−２４６２４１号公報、特開平１０−５０６７１号公報を参照。）。また、レジストの表面変質層と、レジストのダメージ層とは、レジストが変質する点で共通、相似した内容を意味するといえる。
　してみれば、引用例１に記載されたレジストのアッシング方法を、イオン照射によって生じた表面変質層を有するレジストのアッシングに適用してみることは、当業者が容易に想到できたことである。
　なおかつ、本願明細書及び図面の記載を見ても、大気開放系でのアッシングによるとした補正発明１の効果（本願明細書段落【0097】参照）は、引用例１に記載された発明の効果（引用例１段落【0009】参照）と共通するものといえ、当業者が予期し得なかったほど格別に顕著ということはできない。
　　
　以上のとおりであるから、補正発明１は、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　　
(II-4)補正についての結論
　以上のとおりであるから、補正発明１は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができるものとはいえず、したがって、本補正は、特許法等の一部を改正する法律（平成１５年法律第４７号）附則第２条第７項の規定によりなお従前の例によるとされる改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下する。
　　
III．本願発明
　平成１５年９月１６日付けの手続補正書による補正は、上記「II．補正の検討」の欄に記載したとおり却下されたので、本願の各請求項に係る発明のうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１５年６月１３日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりの、次のものである。
「【請求項１】イオン照射によって生じた表面変質層を有するレジスト層が形成された基板を提供する工程と、
少なくとも酸素と希ガスとを含む０．１気圧以上１０気圧以下の混合ガスに高周波電圧を印加することによってプラズマを発生させる工程と、
該レジスト層を除去する工程と
を包含するレジストアッシング方法。」
　　
IV．原査定の引用例
　原査定の引用例のうち、引用例１は次のとおりのものである。
引用例１：特開平８−３２７９５９号公報
　　
Ｖ．原査定の引用例の記載事実
　上記引用例１は、前記「(II-2)引用例及びその記載事実」の欄に示した引用例１と同一の引用例であり、その記載事実は、同欄における摘記を援用する。
　　
VI．対比・判断
（ｉ）本願発明１について
　本願発明１は、先の「II．補正の検討」の欄で対象とした補正発明１に比較して、プラズマを発生させる工程の点でさらに広い範囲を包含する発明である。
　したがって、本願発明１は、「II．補正の検討」の欄において、補正発明１について記載したと同様、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
VII．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、したがって、他の請求項に係る発明について改めて検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。