【事件の表示】
　平成　７年特許願第　２６３６８号「半導体レーザの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　８年　８月３０日出願公開、特開平　８−２２２７９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成７年２月１５日に出願された特許出願であって、原審において平成１４年１１月２１日付けで通知された拒絶理由通知書に対して、平成１５年２月３日付けで手続補正がなされた後、同年３月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月２０日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．平成１５年５月２０日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１５年５月２０日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「円形の半導体ウエハを用いる半導体レーザの製造方法において、
　上記円形半導体ウエハのオリエンテーションフラット部側面を機械的な研削または研磨により加工する工程と、上記側面と上記円形半導体ウエハとを構成する半導体結晶の結晶軸とのずれをＸ線回折により計測する工程とを繰り返すことで、上記ずれが±０．０４°以内となるように調整することを特徴とする半導体レーザの製造方法。」と補正された。
　上記補正は、「上記側面と上記円形半導体ウエハを構成する半導体結晶の結晶軸とのずれが±０．０４°以内となるよう、Ｘ線回折を用いて調整すること」について、その調整手段を具体化して、「機械的な研削または研磨により加工する工程と、上記側面と上記円形半導体ウエハとを構成する半導体結晶の結晶軸とのずれをＸ線回折により計測する工程とを繰り返すことで、上記ずれが±０．０４°以内となるように調整すること」との限定を付加するものであり、特許法第１７条の２第３項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許法１７条の２第４項において準用する同法１２６条第３項に規定される、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下に検討する。
　
（２）引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１−１９６８９１号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
（ａ）「本発明は、ＧａＡｓ基板を用いる半導体レーザの製造方法に関する。」（第１頁左下欄１１−１２行）
（ｂ）「従来、レーザを得るためのＧａＡｓの基板は、（１００）面を表面とし、その基板の一端に＜１１０＞方向を示す、いわゆるオリエンテーションフラットと称する素子を配置させる基準線を設けたものが広く利用されていた。」（第１頁左下欄１４−１８行）
（ｃ）「従来の基準線は、Ｘ線によって＜１１０＞方向を決め、その後、機械的研磨法によって形成していた。そのためＸ線法によって特定した方向よりも＋の方向および−の方向にずれてしまい、一般的に用いられるものでも、±１°以内のずれは避けられなかった。しかしながら、この＜１１０＞方向からのずれが半導体レーザとした時のレーザ光線の広がり角度に影響し、製造歩留の低下をもたらせていた。」（第１頁右下欄７−１５行）
（ｄ）更に、第１図から「円形のＧａＡｓ基板」が見てとれる。
　
　上記（ａ）−（ｄ）の記載事項からみて、引用例１には以下の発明が記載されていると認められる。
　「円形のＧａＡｓ基板を用いる半導体レーザの製造方法において、上記円形ＧａＡｓ基板のオリエンテーションフラットを、Ｘ線法によって方向を決めた後、機械的研磨法によって形成し、オリエンテーションフラットと円形ＧａＡｓ基板の＜１１０＞方向とのずれが±１°以内である半導体レーザの製造方法。」（以下、「引用例１発明」という。）
　
（３）対比
　次に、本願補正発明と引用例１発明とを対比すると、 
（ａ）引用例１発明における「ＧａＡｓ基板」、「機械的研磨法」は、本願補正発明における「半導体ウエハ」、「機械的な研削または研磨」に相当する。
（ｂ）本願明細書の段落【0031】には「……はじめに、従来と同様の製造方法により得られた半導体（ＩｎＰ，ＧａＡｓ等）のインゴット１０を、図２に示すように、支持台３０上に固定し、ＯＦ部分２０の研削，及び研磨等を行う。……」と記載されており、本願補正発明の構成である「オリエンテーションフラット部側面」が図２における「オリエンテーションフラット部２０」を示していることは明らかであるから、引用例１発明における「オリエンテーションフラット」は、本願補正発明における「オリエンテーションフラット部側面」に相当する。
（ｃ）ＧａＡｓ基板が半導体結晶であること、及び＜１１０＞方向が結晶軸を示すことは自明な事項である。
（ｄ）本願補正発明と引用例１発明とが共に、側面と円形半導体ウエハとを構成する半導体結晶の結晶軸とのずれを「所定の範囲」以内にするものであることは明らかである。
　
　したがって、本願補正発明と引用例１発明とは、「円形の半導体ウエハを用いる半導体レーザの製造方法において、上記円形半導体ウエハのオリエンテーションフラット部側面を機械的な研削または研磨により加工する工程を有し、上記側面と上記円形半導体ウエハとを構成する半導体結晶の結晶軸とのずれが所定範囲である半導体レーザの製造方法。」である点で一致し、次の点で相違している。 
［相違点］ 
（イ）本願補正発明では「機械的な研削または研磨により加工する工程と、上記側面と上記円形半導体ウエハとを構成する半導体結晶の結晶軸とのずれをＸ線回折により計測する工程とを繰り返すことで、上記ずれが所定範囲となるように調整する」構成を有しているのに対して、引用例１発明では、Ｘ線法によって方向を決めた後、機械的な研磨により加工する工程を行うだけであって、ずれが所定範囲となるように調整する構成を有していない点。
（ロ）上記ずれの所定範囲が、本願補正発明では「±０．０４°以内」であるのに対して、引用例１発明では「±１°以内」である点。
　
（４）判断
［相違点（イ）について］
　相違点（イ）の構成を端的に表現すれば、平成１５年５月２０日付け手続補正書（方式）の「本願発明と引用例との対比」において審判請求人も指摘しているとおりの「機械的な研削または研磨により加工する工程と、ずれをＸ線回折により計測する工程とを、繰り返し行う構成」である。
　そこで、上記事項について検討すると、例えば、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開昭５７−１９４８５４号公報には「これらの加工の精度向上は、ほとんど、加工結果の測定と機械加工の繰返しに負っている」（第１頁右下欄８−９行）ことが記載され、同じく特開昭５９−１４２０４５号公報には「次に、動作について説明する。……工具６により第１次仕上げ切削を行う。……前記微小変位計１１の変位量とを測定する。……誤差解析を行い、もし生じた形状誤差が所望の公差を超えていれば、前記後差分を排除するがごとく第１次仕上切削時の工具軌跡を修正し、その後、第２次仕上切削を行う。……」（第２頁右下欄２０行−第３頁左上欄１９行及び第３図）ことが記載され、さらには、同じく特開平５−３１８２８７号公報に「……ワーク１２の端面が工具１３により切削され（ステップＳ１）、次いで、レーザ干渉計９によりワーク１２の端面形状が測定される（ステップＳ２）……ＮＣデータ中のＺ軸位置決めデータが補正された後（ステップＳ６）、ワーク１２が再切削される。そして、加工誤差最大値δｚmaxが許容値δｚａ以下になるまで前記各工程が繰り返し実行され、……」（【0008】−【0009】及び図２）が記載されていることからみて、機械的な加工の後に加工精度の計測を行い、その結果得られた精度のずれを補正するように加工を繰り返して、機械的な加工誤差を補正しつつ所望の加工精度を得ることが、従来より精密機械加工の分野で行われている周知慣用手段であることは明らかである。
　
　したがって、引用例１発明において、上記のような周知慣用手段を採用して、機械的な研削または研磨により加工する工程と、側面と円形半導体ウエハとを構成する半導体結晶の結晶軸とのずれをＸ線回析により計測する工程とを繰り返して、ずれが所定範囲となるように調整する程度のことは、当業者が容易に想到し得る構成といえる。
　なお、Ｘ線回析による結晶方位の測定自体は周知技術（例えば、特開昭６２−１１６２４３号公報、実願昭６２−９９４０３号（実開昭６４−６０４５号）のマイクロフィルム参照）に過ぎない。
　
［相違点（ロ）について］
　上記（２）（ｃ）に摘記したとおり、引用例１には、ＧａＡｓ基板の基準線（オリエンテーションフラット）と＜１１０＞方向（結晶軸）とのずれの精度が±１°以内では、該ずれが該ＧａＡｓ基板を用いて製造した半導体レーザのレーザ光線の広がり角度に影響し、製造歩留の低下をもたらせていた、との知見が開示されている。
　係る知見によれば、ずれの許容範囲が半導体レーザの性能に直接影響を及ぼし、半導体レーザの性能を上げるためには、ずれの許容範囲を極力小さくすべきことが示唆されているといえる。
　したがって、引用例１に示唆されている上記の事項に基づいて、また、Ｘ線回析におけるずれ分解能から見ても、該ずれの許容範囲を、例えば、±０．０４°以内と具体化することは、提供すべき半導体レーザに要求される性能に応じて当業者が適宜設定すべき設計事項に過ぎず、当業者にとってなんら困難な事項ではない。
　
　そして、本願補正発明の効果も、引用例１及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものである。
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項で準用する同第１２６条第３項の規定に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　
３．本願発明について
　平成１５年５月２０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年２月３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１−５に記載されたとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明は、以下のものである。
　「円形の半導体ウエハを用いる半導体レーザの製造方法において、
　上記円形半導体ウエハのオリエンテーションフラットを、機械的な研削，または研磨により加工し、上記側面と上記円形半導体ウエハを構成する半導体結晶の結晶軸とのずれが±０．０４°以内となるよう、Ｘ線回折を用いて調整することを特徴とする半導体レーザの製造方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
（１）引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物、および、その記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、上記２．で検討した本願補正発明の「機械的な研削または研磨により加工する工程と、上記側面と上記円形半導体ウエハとを構成する半導体結晶の結晶軸とのずれをＸ線回折により計測する工程とを繰り返すことで、上記ずれが±０．０４°以内となるように調整すること」という構成から、具体的な工程を省き上位概念化した「上記側面と上記円形半導体ウエハを構成する半導体結晶の結晶軸とのずれが±０．０４°以内となるよう、Ｘ線回折を用いて調整すること」を構成とするものである。
　したがって、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を具体化したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。