【事件の表示】
　平成　９年特許願第　２０３８３号「基板処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１０年　８月２１日出願公開、特開平１０−２２３５９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯と本件発明
　本願は、平成９年２月３日の出願であって、その請求項１ないし３に係る発明は、同１６年３月２６日付手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
「処理槽において基板に対して所定の処理を行う装置であって、
　基板を処理するために必要な液体を前記処理槽に導く液体供給管と、
　前記処理槽への前記液体の供給を開始または停止させる開閉弁と、
　前記液体供給管を流れる前記液体の流量を計測する流量計測手段と、
　前記処理槽に供給すべき前記液体の目標液量と、前記開閉弁が開かれているときに前記流量計測手段によって得られる流量とに応じて定められる所定時間をカウントする時間計測手段と、
を備え、
　前記開閉弁を開いて前記処理槽に前記液体の供給を開始することに同期して前記時間計測手段のカウント動作を開始させ、前記時間計測手段が前記所定時間をカウントし終えることに同期して前記開閉弁を閉じて前記処理槽への前記液体の供給を停止させることにより、前記処理槽に供給される前記液体の液量を調整することを特徴とする基板処理装置。」（以下、「本件発明」という。）
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に日本国内において頒布された次の刊行物には以下の記載がなされていると認められる。
　
　刊行物：　特開平８−２５０４６０号公報
　
ａ．（段落【００１８】）
「【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明する。図１は、半導体基板の表面処理液、この処理液を用いた表面処理方法及び表面処理装置について説明するためのもので、この発明が適用される半導体基板の表面処理装置の概略構成を示している。図１において、１１は処理槽、１２はウェハ（半導体基板）、１３はＨＦ供給ライン、１４はオゾン水供給ライン、１５は純水供給ライン、１６は超音波振動板、１７はコンピュータ、１８は排出ライン、１９はＨＦバルブ、２０はオゾン水バルブ、２１は純水バルブである。」
ｂ．（段落【００１９】第１〜９行）
「ウェハ１２を収容した処理槽１１には、この処理槽１１内にＨＦ水溶液を供給するＨＦ供給ライン１３、オゾン水を供給するオゾン水供給ライン１４、純水を供給する純水供給ライン１５が接続されている。これらの供給ライン１３，１４，１５にはそれぞれ、ＨＦバルブ１９、オゾン水バルブ２０及び純水バルブ２１が設けられている。各バルブ１９，２０，２１は、コンピュータ１７によって開閉が制御され、各薬液が処理槽１１内に選択的に供給されるようになっている。」
ｃ．（段落【００２２】第１〜１０行）
「処理槽１１内にウェハ１２を収容した後、まずＨＦ供給ライン１３のバルブ１９とオゾン水供給ライン１４のバルブ２０を開けることによって処理槽１１内にＨＦ水溶液とオゾン水を供給し、混合液を生成する。この際、例えば２ｐｐｍの濃度のオゾン水を約２０リットル／分、約４０％の濃度のＨＦ水溶液を約１００ｃｃ／分の流量で処理槽１１に供給する。処理槽１１にＨＦ水溶液とオゾン水の混合液が満たされた時点で、各バルブ１９，２０を閉じ、約３分間維持する（洗浄時間）。」
ｄ．（段落【００２３】第１〜５行）
「図２は、この発明による表面処理液におけるシリコンと酸化膜（熱酸化膜）のエッチングレートを示している。混合前のオゾン水濃度が約２ｐｐｍの時、シリコンと熱酸化膜のエッチングレートはＨＦ濃度によって調整できる。」
　
　摘記事項ｄからは、ＨＦ濃度の調節が必要であることが理解され、このためにＨＦ水溶液とオゾン水それぞれの液量を調整すべきであることは、当業者にとって自明である。刊行物の図１によれば、ＨＦ水溶液とオゾン水とは個別の供給ラインによって供給されることが理解されるところ、それぞれの流量が異なるのであるから、ＨＦ濃度の調整のためには、それぞれの供給ラインにおいて供給時間が制御されることは明らかである。
　そこで、摘記事項ａ〜ｄの内容を整理すると、刊行物には、
「処理槽において半導体基板に対して所定の表面処理を行う装置であって、
　半導体基板を表面処理するために必要なＨＦ水溶液、オゾン水及び純水を前記処理槽に導くＨＦ供給ライン、オゾン水供給ライン及び純水供給ラインと、
　前記処理槽への前記ＨＦ水溶液、オゾン水及び純水の供給を開始または停止させるＨＦバルブ、オゾン水バルブ及び純水バルブと、
を備え、
　前記ＨＦバルブ、オゾン水バルブ及び純水バルブを開いて前記処理槽に前記ＨＦ水溶液、オゾン水及び純水の供給を開始し、前記ＨＦバルブ、オゾン水バルブ及び純水バルブを閉じて前記処理槽への前記ＨＦ水溶液、オゾン水及び純水の供給を停止させることにより、前記処理槽に供給される前記ＨＦ水溶液、オゾン水及び純水の液量を調整する半導体基板表面処理装置。」（以下、「刊行物記載の発明」という。）
が記載されていると認められる。
　
３．対比
　本件発明と刊行物記載の発明とを対比すると、後者の「半導体基板」、「表面処理」、「ＨＦ水溶液、オゾン水及び純水」、「ＨＦ供給ライン、オゾン水供給ライン及び純水供給ライン」及び「ＨＦバルブ、オゾン水バルブ及び純水バルブ」が、前者の「基板」、「処理」、「液体」、「液体供給管」及び「開閉弁」にそれぞれ相当することは明白である。
　そうすると、本件発明と刊行物記載の発明とは、次の各点において一致及び相違すると認められる。
＜一致点＞
「処理槽において基板に対して所定の処理を行う装置であって、
　基板を処理するために必要な液体を前記処理槽に導く液体供給管と、
　前記処理槽への前記液体の供給を開始または停止させる開閉弁と、
を備え、
　前記開閉弁を開いて前記処理槽に前記液体の供給を開始し、前記開閉弁を閉じて前記処理槽への前記液体の供給を停止させることにより、前記処理槽に供給される前記液体の液量を調整する基板処理装置。」である点。
＜相違点＞
　前者は、液体供給管を流れる液体の流量を計測する流量計測手段と、処理槽に供給すべき前記液体の目標液量と、開閉弁が開かれているときに前記流量計測手段によって得られる流量に応じて定められる所定時間をカウントする時間計測手段と、を備え、前記開閉弁を開いて前記処理槽に前記液体の供給を開始することに同期して前記時間計測手段のカウント動作を開始させ、前記時間計測手段が前記所定時間をカウントし終えることに同期して前記開閉弁を閉じて前記処理槽への前記液体の供給を停止させることにより、前記処理槽に供給される前記液体の液量を調整するのに対し、後者では、このような特定がない点。
　
４．当審の判断　
　以下に、上記相違点について検討する。
　液量が、単位時間当たりの流量と、液体が流される時間との積により求められることは、一般的な常識である。したがって、目標液量を秤量するのに、流量計測手段と時間計測手段とを設け、目標液量を流量で除した値を液体を流す所定時間として定めることに、何ら創意は要求されず、時間計測手段による所定時間のカウントに同期させて開閉弁を開閉させることによって液量を調整することは、当業者が容易に設計し得るものである。
　そして、相違点に係る発明特定事項を本件発明のものとすることによって、普通に予測される範囲を超える、格別の作用効果を生じるものでもない。
　
　よって、本件発明は、刊行物記載の発明及び従来周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物記載の発明及び従来周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、請求項２及び３に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。