【事件の表示】
　平成　９年特許願第２７５３３１号「プラズマ装置用電極の製造方法及びプラズマ装置用電極」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年　４月　６日出願公開、特開平１１−　９２９７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
 　本願は、平成９年９月２２日の出願であって、平成１５年１０月３日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月１２日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成１６年１月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年２月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１６年３月１９日付けで手続補正がなされ、平成１８年２月１０日付けでなされた審尋については、期間内に回答書は提出されていないものである。 
 　 
２．平成１６年３月１９日付けの手続補正について 
 　 
［補正却下の決定の結論］ 
 平成１６年３月１９日付けの手続補正を却下する。 
 　 
［理由］ 
（１）補正後の本願発明 
 　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１〜３は、 
 「【請求項１】反応ガス通過用の多数の微細穴を有するプラズマ装置用電極の製造方法において、シリコンからなる電極素材の所定箇所に、前記微細穴より径の小さい多数の下穴を、放電加工又はレーザー加工で３mm/min以上の高速加工速度で穿設した後、この下穴の周縁をダイヤ加工で３mm/minより低い低速加工速度で加工して前記下穴を前記微細穴に仕上げることを特徴とするプラズマ装置用電極の製造方法。
　【請求項２】　請求項１に記載のプラズマ装置用電極の製造方法において、前記高速加工で穿設する下穴の直径を、０．１〜１．０mmとすることを特徴とするプラズマ装置用電極の製造方法。
　【請求項３】　請求項１又は請求項２に記載のプラズマ装置用電極の製造方法において、前記低速加工で加工する穴径を、前記下穴の直径プラス０．００５〜０．２mmとすることを特徴とするプラズマ装置用電極の製造方法。」
　と補正された。 
　まず、請求項１に対する補正から検討する。
　上記請求項１に対する補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「電極素材」について「シリコンからなる」との限定を付加し、また「３mm/min以上の高速加工速度で穿設」する点について「放電加工又はレーザー加工で」行うことの限定を付加し、さらに「３mm/minより低い低速加工速度で加工」する点について「ダイヤ加工」で行うとの限定を付加したものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定される特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際、独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
　
（２）引用例 
 　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平８−２０３８７９号公報（以下、「刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
（１ａ）「 単結晶シリコン板に放電加工により貫通極細孔を形成したのち、貫通極細孔を超音波振動させたダイヤモンドドリルにて仕上げ加工し、貫通極細孔壁面に形成された不純物層を除去することを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング用単結晶シリコン製電極板の製造方法。」（【特許請求の範囲】の【請求項２】） 
（１ｂ）「【産業上の利用分野】この発明は、プラズマエッチング装置に使用するＳｉ電極板に関するものである。
　・・・【従来の技術】一般に、半導体集積回路を製造する際に、Ｓｉウエハをエッチングする必要があるが、このＳｉウエハをエッチングするための装置として、近年、プラズマエッチング装置が用いられている。このプラズマエッチング装置は、例えば図１に示されるように、真空容器１内に電極板２および架台３が間隔をおいて設けられており、架台３の上にＳｉウエハ４を載置し、エッチングガス７を電極板２に設けられた貫通細孔５を通してＳｉウエハ４に向って流しながら高周波電源６により電極板２と架台３の間に高周波電圧を印加することができるようになっている。」（【０００１】〜【０００２】） 
（１ｃ）「単結晶シリコン製電極板の貫通細孔を形成する方法として、ドリル加工、放電加工、超音波振動させたダイヤモンドドリルによる加工（以下、この加工を超音波ドリル加工という）があり、ドリル加工により単結晶シリコン板に貫通細孔を形成すると、貫通細孔内面に長さ：１０μｍを越える大きなマイクロクラックが多数生じるので好ましくない。・・・一方、放電加工および超音波ドリル加工により貫通細孔を形成すると貫通細孔内面に長さ：１０μｍを越えるマイクロクラックは発生しなくなるが、放電加工による貫通細孔の壁面には放電加工ワイヤによる不純物層が形成されるので好ましくなく、また超音波ドリル加工では貫通細孔形成に時間がかかりすぎるので好ましくない。これら加工の欠点を補うために、この発明では、図３（ａ）に示されるように、先ず単結晶シリコン板に放電加工による貫通極細孔９を形成し、次に貫通極細孔９の壁面に形成された不純物層１１を図３（ｂ）に示されるように超音波ドリル加工により削除する仕上げ加工を施し、長さ：１０μｍを越えるマイクロクラックのない貫通細孔５を形成するのである。」（【０００８】〜【０００９】） 
（１ｄ）「実施例２
実施例１で作製した単結晶シリコン板に放電加工により直径：０．３mmの貫通極細孔を７mmの間隔で４５０個明け、さらに超音波ドリル加工により仕上げ加工を施して直径：０．４５mmの貫通細孔を形成するに際し、超音波ドリル加工の条件を変えることにより貫通細孔内面に形成されるマイクロクラック最大長さを調整し、本発明電極板２〜８および比較電極板１〜２を作製し、本発明電極板２〜６および比較電極板１〜２を用いて実施例１と同一条件のプラズマエッチングを行ない、Ｓｉウエハ表面に付着する直径：０．５μｍ以上のパーティクル数を測定し、その結果を表２に示した。」（【００１９】） 
（１ｅ）「【発明の効果】上述のように、この発明はＳｉウエハのプラズマエッチングによる不良品発生を大幅に減らすことができ、半導体装置産業の発展に大いに貢献しうるものである。」（【００２２】）
（１ｆ）図１のプラズマエッチング装置の断面説明図には、「エッチングガス通過用の多数の貫通細孔を有する電極版を含むプラズマエッチング装置」が示されている。
　
　上記摘記事項（１ａ）〜（１ｆ）において、特に、上記摘記事項（１ａ）には、
 「単結晶シリコン板に放電加工により貫通極細孔を形成したのち、貫通極細孔の内面を超音波振動させたダイヤモンドドリルにて仕上げ加工したプラズマエッチング用単結晶シリコン製電極板の製造方法」
　が示されている。
　ここで、「単結晶シリコン基板」は、上記摘記事項（１ｂ）には、プラズマエッチング装置に使用するＳｉ電極板であることが示されている。
　また、「貫通極細孔」は、上記摘記事項（１ｄ）には、放電加工により直径０．３ｍｍに形成することが示されている。
　さらに、「貫通細孔」は、上記摘記事項（１ｃ）には、貫通極細孔の壁面に形成された不純物層を超音波ドリル加工により削除する仕上げ加工により形成すること、上記摘記事項（１ｄ）には、当該貫通細孔を直径０．４５ｍｍに形成すること、上記摘記事項（１ｆ）には、エッチングガス通過用の多数の貫通細孔であること、が各々示されている。
　以上の開示内容を総合すると、刊行物には、
「エッチングガス通過用の多数の貫通細孔を有するプラズマエッチング装置用単結晶シリコン製電極板の製造方法において、Ｓｉ電極板に放電加工により多数の０．３ｍｍの貫通極細孔は放電加工により形成したのち、当該貫通極細孔は、その内面を超音波ドリル加工により加工して、直径０．４５ｍｍに仕上げるプラズマエッチング装置用電極の製造方法」
との発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（３）対比・判断
　本願補正発明と刊行物発明とを対比すると、刊行物発明の「貫通細孔」、「貫通極細孔」、「エッチングガス」、「プラズマエッチング装置」、「Ｓｉ電極板」は、本願補正発明の「微細孔」、「下穴」、「反応ガス」、「プラズマ装置」、「シリコンからなる電極素材」に各々相当し、
　また、刊行物発明において、超音波ドリル加工とは、上記摘記事項（１ｃ）の記載によれば、「超音波振動させたダイヤモンドドリルによる加工」を意味するから、ダイヤを用いる加工として、本願補正発明の「ダイヤ加工」に相当するものと認められる。
　さらに、刊行物発明において、「貫通極細孔」は、電極を貫通して形成しているのであるから、「貫通極細孔」を「形成」することは、本願補正発明において、「下穴」を「穿設」することに対応する。
　そこで、両者は、 
 「反応ガス通過用の多数の微細穴を有するプラズマ装置用電極の製造方法において、シリコンからなる電極素材の所定箇所に、前記微細穴より径の小さい多数の下穴を、放電加工で穿設した後、この下穴の周縁をダイヤ加工で加工して前記下穴を前記微細穴に仕上げることを特徴とするプラズマ装置用電極の製造方法。」 
 の点で一致し、以下の二点で相違が認められる。 
 　 
　相違点１ 
　本願補正発明では、下穴を放電加工で３mm/min以上の高速加工速度で穿設するの対して、刊行物発明では、下孔を穿設する際の放電加工の加工速度について明記されていない点
　
　相違点２
　本願補正発明では、下穴の周縁をダイヤ加工で３mm/minより低い低速加工速度で加工して前記下穴を前記微細穴に仕上げるのに対して、刊行物発明では、ダイヤ加工で加工して前記下穴を前記微細穴に仕上げる際の加工速度について明記されていない点
　
　以下、各相違点について検討する。
　
　相違点１について
　プラズマ装置用の対向電極に反応ガス用の貫通孔を形成する際、貫通孔の内面仕上げ状態を良くしたいという要請と、貫通孔形成に要する時間を短くしたいという要請が相反することは、上記摘記事項（１ｃ）にも示されているように周知の技術的事項である。そして、刊行物発明においても、貫通孔の内面状態が粗大パーティクル発生の原因とならない範囲で、できるだけ加工速度をあげることは、当業者であれば、通常、配慮する技術的事項である。
　であるから、刊行物発明において、被加工物であるシリコン電極の硬度や厚み等の物理的条件に応じて、上記技術的事項に配慮し、最適な放電加工の加工速度の条件を決定することは実験的に最適化し得る事項と認められ、特に、３mm/min以上の加工速度とする数値限定に格別な臨界的意義は見いだせない。
　したがって、相違点１については、当業者が、刊行物発明に基づいて容易に想到し得た事項と認められる。
　
　相違点２について
　相違点１と同様に、プラズマ装置用の対向電極に反応ガス用の貫通孔を形成する際、貫通孔の内面仕上げ状態を良くしたいという要請と、貫通孔形成に要する時間を短くしたいという要請が相反することは、周知の技術的事項であり、また、加工速度を低くすれば、精度の高い仕上がり面となることは技術常識である。
　であるから、刊行物発明において、被加工物であるシリコン電極の硬度や厚み等の物理的条件に応じて、許容し得る処理時間内に、できるだけ貫通細孔の内面からの粗大パーティクル発生原因とならないように、下穴を微細穴に仕上げるダイヤ加工の最適な加工速度の条件を決定することは実験的に最適化し得る事項であり、特に、３mm/minより低い加工速度とする数値限定に格別な臨界的意義は見いだせない。
　したがって、相違点２については、当業者が刊行物発明に基づいて容易に想到し得た事項と認められる。
　
　よって、本願補正発明は、刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際、独立して特許を受けることができないものである。 
（４）まとめ 
　以上のとおり、本件補正は、請求項２，３に関する補正の適否を検討するまでもなく、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　 
３．本願発明について
　 
（１）本願発明
 　平成１６年３月１９日付けの手続補正は上記のとおり却下したので、本願の請求項１〜４に係る発明は、平成１５年１２月１２日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は以下のとおりのものと認める。 
 「反応ガス通過用の多数の微細穴を有するプラズマ装置用電極の製造方法において、電極素材の所定箇所に、前記微細穴より径の小さい多数の下穴を３mm/min以上の高速加工速度で穿設した後、この下穴の周縁を３mm/minよ
り低い低速加工速度で加工して前記下穴を前記微細穴に仕上げることを特徴とするプラズマ装置用電極の製造方法。」（以下、「本願発明」という。） 
（２）引用例 
 　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物の記載事項は、前記「２．（２）」に記述したとおりである。 
 　 
（３）対比・判断 
 　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から「電極素材」の限定事項である「シリコンからなる」との構成を省き、また「３mm/min以上の高速加工速度で穿設」の限定事項である「放電加工又はレーザー加工」との構成を省き、さらに、「３mm/minより低い低速加工速度で加工」の限定事項である「ダイヤ加工」との構成を省いたものである。
 　であるから、本願発明を全て含み、さらに他の要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（３）」に記載したとおり、刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができた発明であることから、本願発明も、同様の理由により、刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができた発明と認められる。
 　 
４．むすび 
 　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　よって、結論のとおり審決する。