【事件の表示】
　平成　５年特許願第２０９０９７号「スパッタリングターゲット」拒絶査定不服審判事件〔平成　７年　３月　７日出願公開、特開平　７−　６２５２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は平成５年８月２４日に特許出願されたものであって、平成１５年７月１４日付けで拒絶査定がなされ、それに対し、同年８月２１日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　そして、その請求項１に係る発明は、平成１２年８月２４日付けで提出された手続補正書及び平成１５年３月２７日付けで提出された手続補正書により補正された本願明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下、「本願発明１」という。）。
【請求項１】同種および／または異種の材料同士を直接拡散接合にて組合せてなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
２．刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された各刊行物には次の事項が記載されている。
〔１〕特開昭６３−２３５４５９号公報（以下、「引用文献１」という。）
（１−ア）「高純度チタンシリサイドの小片を拡散接合によって接合し高純度チタンシリサイド板とすることを特徴とする高純度チタンシリサイド板の製造方法。」（特許請求の範囲第１項）
（１−イ）「拡散接合をホットプレス（ＨＰ）あるいは熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）により行う特許請求の範囲第１項に記載の高純度チタンシリサイ板の製造方法。」（特許請求の範囲第２項）
（１−ウ）「本発明は、高純度チタンシリサイド板の製造方法に関する。さらに詳しくは高純度チタンシリサイドの小片を拡散結合によって接合し高純度チタンシリサイド板とする高純度チタンシリサイド板の製造方法に関する。」（第２頁左上欄５〜９行）
（１−エ）「高純度チタンシリサイド板はスパッタリング用ターゲット材として超ＬＳＩ用の電極材、配線材の製造において使用される。」（第２頁左
欄１０〜１２行）
（１−オ）「従来、スパッタリング用ターゲットに使用されるチタンシリサイド板は金属チタンと金属シリコンの各粉末もしくはチタンシリサイド合金粉末を原料とし、真空焼結法、雰囲気焼結法などにより製造されている。しかし、これらの方法では、原料が活性の高い粉末であるためチタンシリサイド板の製造過程で酸素をはじめとする不純物が極めて多く混入してしまう。そのため製造されたチタンシリサイド板は極めて純度の悪いものである。」（第２頁右上欄１１〜末行）
（１−カ）「本発明者等は、……、高純度チタンシリサイドの小片を原料として用いることによって、大型の高純度チタンシリサイド板を得ることができることを見出だし本発明を完成するに至った。」（第２頁左下欄１８行〜右下欄２行）
（１−キ）「得られたチタンシリサイド小片を密着させ加圧接合する。このとき、チタンシリサイドの小片の接合面は、接合時のポアの残留を防ぐために極力密着させることが望ましく、また、接合面上のゴミおよび不純物は強固な接合を困難にし、さらに最終的なチタンシリサイド板の純度を悪くするので、チタンシリサイド小片を酸等により洗浄し、これらのゴミおよび不純物を除去することが好ましい。……。また、加圧接合はホットプレス（ＨＰ）または熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）により行なうことができる。ホットプレスにより加圧接合する場合、チタンシリサイド小片の接合面が加圧方向と垂直になるようにセットしてプレスを行なう。また、プレス時に不純物の混入を防ぐために真空中あるいは不活性ガス雰囲気中でプレスすることが好ましい」（第２頁右下欄１４行〜第３頁左上欄１５行）
（１−ク）「高純度のチタンシリサイドの小片（１００×１００×１０ｍｍｔ）を４枚作製した。この小片を２Ｎ、６０℃の塩酸を用いて２４時間洗浄し表面の不純物を除去し、その後アセトンで洗浄し真空乾燥した。次いで、第１図に示す高純度チタンシリサイドの小片１を、接合面が密着するようにアルミナ板２を介してタングステン製のバイス３により固定し、これをさらに第２図に示すアルミナ粉末５を充填したＳＵＳ缶４中に埋込み真空封止した後、該ＳＵＳ缶とともに温度１２５０℃、圧力７５０ｋｇ／ｃｍ２、保持時間２時間の条件で熱間静水圧プレスを行った。その結果１８０×１８０×８ｍｍｔの高純度チタンシリサイド板が得られた。」（第４頁左上欄７〜末行）
〔２〕特開昭６２−２３０９６７号公報（以下、「引用文献２」という。）（２−ア）「スパッタリングによってターゲット表面が不均一に消耗して、その表面に凹凸が形成されている使用済みターゲットを再生する方法において、前記使用済みターゲットを容器にいれて、前記凹凸が形成されているターゲット表面に、金属粉末および合金粉末のうちのいずれか一方または双方からなり、かつ前記ターゲットを構成するターゲット材と同一の組成を有する粉末を、前記ターゲット表面が平坦になるように充填してから、前記使用済みターゲットと前記粉末とを前記容器内に封入した後、この容器内に封入された前記粉末を熱間鍛造によって高密度化した成形体とし、ついでこの成形体に熱処理を施して、これを前記使用済みターゲットに拡散接合させて両者を一体化した後、前記容器を取り除くことを特徴とする、前記再生方法。」（特許請求の範囲）
（２−イ）「この発明は、スパッタリングに使用されたターゲットの再生方法に関するものである。」（第１頁右下欄７〜８行）
（２−ウ）「本発明者等は……、
（１）スパッタリングにターゲット表面が不均一に消耗して、その表面に凹凸が形成されている使用済みターゲットを容器にいれて、前記凹凸が形成されているターゲット表面に、このターゲットを構成するターゲット材と同一の組成からなる金属粉末または合金粉末、あるいは前記ターゲット材と同一の組成となるように配合された、金属粉末および合金粉末のうちの２種以上の粉末からなる混合粉末を、前記ターゲット表面が平坦になるように充填してから、前記使用済みターゲットと前記粉末とを前記容器内に封入した後、この容器内に封入された前記粉末を熱間鍛造によって高密度化した成形体とし、ついでこの成形体に熱処理を施して、これを前記使用済みターゲットに拡散接合させると、両者が一体となって、もとのターゲットと同等の形状、寸法を有するターゲットが形成されること、
（２）このようにして形成されたターゲットは、使用済みターゲットを構成していたもとのターゲット材部分と前記粉末から新たに生じたターゲット材部分、およびこれらの境界面に形成された接合部、の３つの部分から構成されるけれども、この新たに生じたターゲット材部分と接合部はターゲットの品質、特性に何ら悪影響を及ぼすことなく、全体としてもとのターゲットと何ら特性が変わらない、均一な特性を有するターゲットが得られること、を見出した。」（第２頁左下欄８行〜右下欄１７行）
（２−エ）「使用済みターゲットの間で拡散接合を起して両者は強固に結合し、このような熱処理には通常の拡散溶接機や熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）が好都合に使用される。」（第３頁右下欄４〜７行）
（２−オ）「（１）第１図を参照して前に説明したような容器、すなわち、胴部外周面に外径：１２．７ｍｍ×長さ：５５０ｍｍ×肉厚：１．０ｍｍの寸法を有するステンレスパイプが取り付けられた、内径：１２５ｍｍ×深さ：５ｍｍ×肉厚：１．０ｍｍの寸法を有する鍔付きの丸いステンレス缶と、このステンレス缶に蓋をするための、直径：１３０ｍｍ×厚み：１．０ｍｍの寸法を有するステンレス円板を用意した。
（２）Ｔｂ２３Ｆｅ８９Ｃｏ８の組成からなり、かつ重量：１５０ｇを有する使用済みターゲットを上記の缶内にいれ、このターゲットと同一組成となる、いずれも平均粒径：１００μｍのＴｂ粉末：４５．８１重量％、Ｆｅ−Ｃｏ合金（Ｃｏ：２５重量％）粉末：２２．７０重量％およびＦｅ粉末：３１．４９重量％からなる混合粉末８０ｇを、上記使用済みターゲットの凹部およびそれの最上部からさらに約０．５ｍｍの厚さ成るように充填した後、その上に前記ステンレス円板を被せ、ついでこの円板と缶の鍔部とをアーク溶接して、前記使用済みターゲットと混合粉末、すなわち充填材とをステンレス容器内に閉じ込めた。
（３）このように充填された容器内の空気を前記ステンレスパイプから引き出して、容器内を２×１０−５Ｔｏｒｒの圧力の真空とした後、前記パイプを加熱圧着して、前記使用済みターゲットと充填材とをステンレス容器内に真空封入した。
（４）この真空封入したものを６５０℃に加熱してから厚み方向に５ｔｏｎ／ｃｍ２の圧力を加えて（全荷重６２０ｔｏｎ）熱間鍛造し、これによって前記充填材を密度１００％の成形体とした。
（５）熱間鍛造したものに、圧力：２×１０−５Ｔｏｒｒの真空中、温度：６７０℃に５０時間保持する熱処理を施して、前記成形体と使用済みターゲットとを拡散接合させた。
（６）このように熱処理を施したものから、その外鍔のステンレス容器を旋盤とシェーバによって取り除き、内部で一体に接合している部材を加工して厚さ：２ｍｍの円板状ターゲットに仕上げた。」（第３頁右下欄１１行〜第４頁右上欄８行）
〔３〕特開平５−５９４０６号公報（以下、「引用文献３」という。）
（３−ア）「少なくとも２個のリング状素材を隣接配置した被処理物を金属製のカプセルに収納し、該カプセル内を脱気した状態で密封した後、該カプセルに熱間等方圧加圧を施してリング状素材同士を拡散接合するリング状複合材の製造方法において、前記被処理物を金属箔によって形成されかつ内部に被処理物と略同形状の収納空間を備えた金属箔製カプセルに収納することを特徴とするリング状複合材の製造方法。」（【特許請求の範囲】【請求項１】）
（３−イ）「本発明は、高圧ガスを圧力媒体として高圧下で、リング形状の素材同士を拡散接合した複合材を低コストで製造する方法に関するものである。」（第２頁左欄１４〜１６行、段落【０００１】）
（３−ウ）「近年、拡散接合により異種または同種金属の接合が行われ、耐食耐摩耗機械部品、スパッタリングターゲット材等が製造されている。これらの拡散接合には、ホットプレス法もしくは熱間等方圧加圧法（ＨＩＰ法）が用いられている。」（第２頁左欄１８〜２２行、段落【０００２】）
（３−エ）「従来のカプセルでは、被処理物とカプセルとの間の隙間が狭すぎては挿入することができず、一方広すぎては圧力の伝達が阻害されるため、被処理物の外径とカプセルの内径とを微小な隙間を持たせるように高精度に加工する必要がある。」（第２頁左欄３９〜４４行、段落【０００４】）
（３−オ）「本発明はかかる問題に鑑みなされたもので、リング状複合材をＨＩＰ処理により製造するに際し、高品質、低コストで容易に製造することができる方法を提供することを目的とする。」（第２頁右欄３〜６行、段落【０００５】）
（３−カ）「 概略寸法が外径３４０ｍｍ、内径１７０ｍｍで板厚１２ｍｍのクロムと同じ外内径を持つ板厚９ｍｍの銅を準備し、それらを２枚重ね合わせた被処理物の表面に離型剤としてＢＮ（窒化ホウ素) スプレーを塗布した。厚さ１００μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４)を４００ｍｍ×６００ｍｍの大きさに切断したものを２枚準備し、その内１枚を被処理物の形状に金型成形を行った後、該カプセル本体に被処理物を入れ、他の金属箔を重ね合わせ、外周縁から約１０ｍｍの位置で３方を、ハイパルスＴＩＧ溶接機を用いて、溶接を行ない、他の１方より、脱気ポンプにて真空排気を行った。真空脱気後、ハイパルスＴＩＧ溶接にて、残りの１方を密封した。
　該カプセルを、図５に示すように、初期圧力２０ｋｇｆ／ｃｍ２ 、同時昇温昇圧型、９００℃×１０００ｋｇｆ／ｃｍ２×１ｈｒ保持の条件でＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後、ハサミでカプセルを切断したところ、クロムと銅が拡散接合したものを取り出すことが出来た。超音波探傷検査にて、接合界面を調査したところ、完全に接合しており、せん断強度は２０ｋｇｆ／ｍｍ２であった。仕上げ加工を行い、スパッタリングターゲット材として使用したところ、使用中に剥離せず、品質の高いものであった。」（第３頁左欄４０行〜右欄１５行、段落【００１４】【００１５】）
３．対比・判断
　引用文献１には、記載事項イーア〜１−エ、１−キ、１−ク、記載事項１−キに「接合面上のゴミおよび不純物を除去することが好ましい」ことが記載されていること、及び、ターゲット片であるチタンシリサイド小片間に他の物質を介在させることについて何も記載されていないことからみて、本願発明１の記載振りに整理すると、「同種の合金材料からなる短冊状のターゲット片同士を直接拡散接合にて組合せてなるスパッタリングターゲット」（以下、「引用１発明」という。）が記載されているといえる。
　また、引用文献２には、記載事項２−ア〜２−オ、記載事項２−ウに「両者が拡散接合することにより新たに生じたターゲット材部分と接合部はターゲットの品質、特性に何ら悪影響を及ぼすことなく、全体としてもとのターゲットと何ら特性が変わらない、均一な特性を有するターゲットが得られる」ことが記載されていること、及び、使用済みターゲット再生用の粉末の成形体と使用済みターゲットを拡散接合する際に両者間に他の物質を介在させることについて何も記載されていないことからみて、本願発明１の記載振りに整理すると、「同種の金属材料および合金材料のうちのいずれか一方または双方からなるターゲット片同士を直接拡散接合にて組合せてなるスパッタリングターゲット」（以下、「引用２発明」という。）が記載されているといえる。
　さらに、引用文献３には、記載事項３−ア〜３−ウ、３−オ、３−カ、記載事項３−カに「接合界面を調査したところ、完全に接合している」ことが記載されていること、及び、リング状素材を拡散接合する際に素材間に他の物質を介在させることについて何も記載されていないことからみて、本願発明１の記載振りに整理すると、「異種または同種金属材料からなるターゲット片同士を直接拡散接合にて組合せてなるスパッタリングターゲット」（以下、「引用３発明」という。）が記載されているといえる。
　そして、本願発明１と引用１発明を対比すると、両者は「同種の材料同士を直接拡散接合にて組合せてなることを特徴とするスパッタリングターゲット」である点で一致する。
　また、本願発明１と引用２発明を対比すると、両者は「同種の材料同士を直接拡散接合にて組合せてなることを特徴とするスパッタリングターゲット」である点で一致する。
　さらに、本願発明１と引用３発明を対比すると、両者は「同種または異種の材料同士を直接拡散接合にて組合せてなることを特徴とするスパッタリングターゲット」である点で一致する。
　してみると、本願発明１は、引用発明１であり、引用２発明でもあり、引用３発明でもある。
　したがって、本願発明１は、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、引用文献１に記載された発明であり、引用文献２に記載された発明でもあり、引用文献３に記載された発明でもあるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。