【事件の表示】
　平成　８年特許願第１１２９１４号「半導体ウェハの製法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年１０月１４日出願公開、特開平　９−２７０３９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯及び本件発明
　本件出願は、平成８年３月２９日の出願であって、その請求項１乃至５に係る発明は、平成１７年４月２７日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　次の工程からなることを特徴とする半導体ウェハの製法。
（１）シリコン単結晶のインゴットをスライスしてウェハを得るインゴット切断工程。
（２）スライスされたウェハの周縁部を面取りする面取り工程。
（３）面取りされたウェハの表裏両面を平面研削する平面研削工程。
（４）平面研削されたウェハを薬液により、ウェハの面粗さを最大で平面研削後の面粗さの３分の２となるまで洗浄する薬液洗浄工程。
（５）薬液洗浄されたウェハをテンプレートに保持させて、前記ウェハの表裏両面を研磨する両面研磨工程。」
　
２．先願明細書等及び先願発明
　これに対して、前置審査において平成１７年８月１２日付けで通知した拒絶理由で引用された、本件出願の日前の特許出願であってその出願後に出願公開された下記の出願の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下、「先願明細書等」という。）には、半導体ウェーハの製造方法に関して、図面とともに以下の技術的事項が記載されている。
［先願明細書等］
　特願平８−９４８７８号（特開平９−２６０３１４号）の願書に最初に添付された明細書又は図面
　
（イ）公開公報の段落【０００１】〜【０００２】
「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ特に単結晶シリコンウェーハの製造方法に関する。
【従来の技術】従来一般に、半導体ウェーハの製造方法は、単結晶引き上げ装置により引き上げられた単結晶インゴットをスライスして薄板円盤状のウェーハを得るスライス工程と、スライスしたウェーハの欠けや割れを防止するためにウェーハの外周エッジ部を面取りする面取り工程と、面取りしたウェーハの表面を平坦化するラッピング工程と、面取り及びラッピングにより残留する加工変質層を除去する湿式エッチング工程と、エッチングしたウェーハの片面を鏡面研磨する片面鏡面研磨工程と、研磨したウェーハに残留する研磨剤や異物を除去し清浄度を向上させる洗浄工程とからなっている。」
　
（ロ）同段落【００２０】〜【００２１】
「上記課題を解決するために、本発明の請求項１記載の発明は、薄板円盤状に切断し、必要に応じ面取りしたウェーハを平面研削手段により平坦化した後、該平坦化したウェーハを同時に両面研磨、好ましくは硬質な研磨布（アスカーＣ硬度８０以上）を用いて両面研磨を行うことを特徴としたものである。この場合、前記平面研削は１枚づつ枚葉式にて行って高精度な平坦度を維持し、一方両面研磨はバッチ式に行っても又枚葉式にて行ってもよい。かかる発明によれば、例えば前記両面研磨を行う前にカップ砥石インフィード型縦型平面研削盤により枚葉加工を行い、厚さ精度や平坦度に対し安定したウェーハを両面研磨工程に導入する事が出来る。
　また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明にエッチング処理を加えたもので、薄板円盤状に切断し、必要に応じ面取りしたウェーハを平面研削手段により平坦化した後、該平坦化したウェーハをエッチング処理により平坦化度を維持した状態でウェーハの加工変質層を除去し、その後該加工変質層を除去したウェーハを同時に両面研磨、好ましくは硬質な研磨布（アスカーＣ硬度８０以上）を用いて両面研磨を行うすることを特徴としている。この場合、請求項６記載の発明のように前記エッチング処理が、アルカリ溶液をエッチング液として使用した湿式エッチングであるのがよい。即ち平面研削手段による平坦化後にアルカリ溶液によるエッチング処理を行う事により面粗さは大幅に改善され、その後の両面研磨工程における研磨代の大幅低減を可能にした。しかも、アルカリ溶液をエッチング用薬液として使用することにより、前工程で確保された平坦度を確実に維持したままでの切り屑及び加工変質層の除去を可能にしている。」
　
（ハ）同段落【００３５】〜【００３６】
「前記湿式エッチング工程Ｈは、前記平坦化工程Ｇで素材表面に形成された加工変質層等を、平坦化工程Ｇで形成された平坦度を損なうことなくそのままの状態で除去可能にしたもので、エッチング用薬液やエッチング時の薬液の攪拌や反応進行の状況によっては平坦度を損なうことになるため、前記薬液にはアルカリ溶液（ＮａＯＨやＫＯＨの４５〜５０％溶液）が最適である。
　前記両面研磨工程Ｋは、その前工程であるＥ、Ｆ、Ｇ、Ｈで用意された安定した厚さ精度及び平坦度精度を持つ素材ウェーハを、前記した整理番号Ｂ９５−２７ＪＰ１の先願特許出願に見るように、パーティクル発生防止と加工歪みの相殺によりその影響を押さえた、バッチ加工システムの高能率の両面研磨工程で構成してある。上記両面研磨は、図５に示すように、互いに逆回転し、それぞれ研磨パッド５１ａ、５２ａを設けた下定盤５１と上定盤５２を設けてある。且つ下定盤５１には中心ギヤ５３を設け、下定盤５１の外側にはインターナルギヤ５４を設け、前記上下の研磨パッド５１ａ、５２ａの間には複数のウェーハ１をウェーハ受け穴５５ｂを介して載置したの歯車付きキャリヤ５５を複数介在させ、前記中心ギヤ５３とインターナルギヤ５４とに噛み合って下定盤の矢印Ａ方向の回転につれて実線矢印Ｂ方向の自転と点線矢印Ｃ方向の公転を行い、上定盤５２による適当加圧下のもとで、複数個のウェーハ１の同時研磨を可能にしている。５６は研磨液投入部である。」
　
（ニ）同段落【００４５】〜【００４６】
「２、平面研削及びエッチングによる素材ウェーハの製造
図８に示すように、
ａ）比較例１
　ＦＯ／＃１２００ラッピング処理＋３０μｍアルカリエッチドウェーハ、
ｂ）比較例２
　ＦＯ＃１２００ラッピング処理＋３０μｍ酸エッチドウェーハ、
ｃ）実施例１
　＃２０００ダイヤモンド砥石（レジンボンド）を用いて図１１に示す低圧平面研削＋２０μｍアルカリエッチドウェーハ
を夫々準備し、夫々の素材ウェーハについて充分に鏡面化される研磨量を調査した結果、各々ａ）比較例１は１４〜１５μｍ、ｂ）比較例２は７〜１０μｍ、ｃ）実施例１は３〜５μｍの結果となった。
　この結果実施例１による研磨量低減効果は比較例１、２に比較して１／３〜１／２に及ぶ。なお、鏡面化の判断は、表面の散乱光観察（一般的な光散乱式パーチクルカウンタ）及び顕微鏡評価で行なった。」
　
　先願明細書等における「ウェハの面取りをする面取り工程」はウェハの周縁部を面取りするものであることは技術的に明白であるから、先願明細書等には次の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されていると認められる。
［先願発明］
　次の工程からなる半導体ウェーハの製法。
（１）シリコン単結晶のインゴットをスライスしてウェーハを得るインゴット切断工程。
（２）スライスされたウェーハの周縁部を面取りをする面取り工程。
（３）面取りされたウェーハの表裏両面を平面研削する平面研削工程。
（４）平面研削されたウェーハをアルカリ溶液によるエッチング処理を行うことによりウェーハの面粗さを大幅に改善するエッチング工程。
（５）アルカリ溶液によりエッチング処理されたウェーハをキャリヤに保持させて、前記ウェーハの表裏両面を研磨する両面研磨工程。　
　
３．対比
　本件発明と先願発明とを対比すると、先願発明における「ウェーハ」は本件発明における「ウェハ」に相当し、以下同様に、「製造方法」は「製法」に、「キャリヤ」は「テンプレート」に、それぞれ相当する。
　また、本件発明における薬液洗浄工程では、薬液として「アルカリ洗浄液が望ましくそのアルカリ洗浄液としては水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニア、アミン等の水溶液が好適である」（段落【０００９】）とされているところ、先願明細書等においても、エッチング処理に用いるアルカリ溶液はＮａＯＨやＫＯＨの溶液とされていることから（上記摘記事項（ハ）参照）、先願発明における「アルカリ溶液」及び「エッチング工程」は、それぞれ「薬液」及び「薬液洗浄工程」ということができる。
　そして、先願発明における「エッチング処理を行うことによりウェハの面粗さを大幅に改善するエッチング工程」は、ウェハの面粗さを平面研削後の面粗さより改善された面粗さとなるまで洗浄するという限りにおいて、本件発明における「ウェハの面粗さを最大で平面研削後の面粗さの３分の２となるまで洗浄する薬液洗浄工程」と共通している。
　したがって、両者の一致点と相違点は次のとおりと認められる。
［一致点］
「次の工程からなる半導体ウェハの製法。
（１）シリコン単結晶のインゴットをスライスしてウェハを得るインゴット切断工程。
（２）スライスされたウェハの周縁部を面取りする面取り工程。
（３）面取りされたウェハの表裏両面を平面研削する平面研削工程。
（４）平面研削されたウェハを薬液により、ウェハの面粗さを平面研削後の面粗さより改善された面粗さとなるまで洗浄する薬液洗浄工程。
（５）薬液洗浄されたウェハをテンプレートに保持させて、前記ウェハの表裏両面を研磨する両面研磨工程。」である点。
［相違点］ 
　本件発明では、「ウェハの面粗さを最大で平面研削後の面粗さの３分の２となるまで洗浄する」のに対し、先願発明では、ウェハの面粗さを大幅に改善するものであるが、最大で平面研削後の面粗さの３分の２となるまでエッチングするとはされていない点。
　
４．相違点についての検討
　本件出願の請求項１に記載された「ウェハの面粗さを最大で平面研削後の面粗さの３分の２となるまで洗浄する薬液洗浄工程」は、洗浄の程度のうち最大のものを規定しているにすぎないから、平面研削後の面粗さより改善された面粗さとなるまで洗浄されるものも包含していることは明らかである。
　してみると、上記相違点は実質的な相違点ではない。
　また、上記請求項１の記載から、たとえ平面研削後の面粗さより改善された面粗さとなるまで洗浄されるものを包含しないと解釈されたとしても、ウェハの面粗さを要求される所定の範囲に設定することは慣用手段であるから、上記相違点は、課題解決のための具体化手段における微差にすぎないものであり、本件発明は先願発明と実質的に同一である。
　
　なお、請求人はこの点に関して、平成１７年１０月１１日付け意見書において、概略、「引用文献１の［００４７］段落に「ＴＴＶで１１μｍ程度であった素材の平坦度が、ＰＡＣＥに基づくプラズマエッチング処理により約１．５μｍまで大きく改善され」とあるように、引用文献１における平坦度の評価は、あくまでもＴＴＶで行われています。また、ご指摘の「研削後の面粗さ」については、確かに図８には、Roughness　Rmaxと面粗さの如き記載が認められますが、図８の面粗さは「μｍ」オーダのものであり、ご指摘のような「面粗さ９ｎｍ以下に改善されている」との事実は認められません。
　また、［００４５］段落においても、研磨量による評価を行っており、その研磨量も「μｍ」オーダのものであること、及び上記［００４７］段落の記載からしても、研磨量としての評価は、ＴＴＶによって研磨量の評価を行っているものと推認されます。
　さらに、引用文献１の［００２１］には、平面研削手段による平坦化後にアルカリ溶液によるエッチング処理を行うことにより面粗さは大幅に改善され」との記載はありますが、具体的にエッチング処理後の面粗さとしてどの程度とするか、についての記載は一切認められず、上記図８の記載からすると、引用文献１にいう「面粗さ」というのは、単位及び実施例の評価方法からすると、ＴＴＶによる評価と解釈するのが相当であると思料します。
　これに対して、本願発明は、「研磨クロスの寿命増大」という引用文献１には全く記載されていない課題を解決するために、引用文献１とはレベルの異なる「ｎｍ（ナノメータ）」オーダの面粗さ改善を行うエッチング処理を行うことを特徴とし、面粗さの評価もＪＩＳＢ　０６０１等で通常用いられる中心線平均粗さＲａによって行っています。
　すなわち、本願発明は、平面研削後の先端の尖った微細な凹凸を、エッチング処理によってなだらかな凹凸にすることにより、前記課題の解決を図るものであり、このような微細なエッチング量では、引用文献１にいう研磨量という形で評価することはできません。
　従って、本願発明は、引用文献１には記載も示唆もされていない課題を解決すべく、引用文献１とは異なる程度のエッチング処理を採用したものでありますから、本願発明が引用文献１記載の発明と実質的に同一であるとは認められません。」と主張している。
　
　しかしながら、引用文献１（先願明細書等）の図８に示される面粗さについては、その改善度がエッチング後に行う研磨量として示されたものであり、研削後又はエッチング後の面粗さが「μｍ」オーダであることを示すものではない。
　そして、本件発明がナノメータオーダの面粗さ改善を行うことについては、請求項３に記載されているだけで、本件出願の請求項１の記載からはナノメータオーダの面粗さ改善を行うことが限定されていると解すべき特段の理由は見当たらない。また、請求項１の記載から、たとえナノメータオーダの面粗さ改善を行うことが限定されていると解されたとしても、ウエハの平面研削後の平均面粗さがナノメータオーダであることは自明の事項にすぎない（必要であれば、前置拒絶理由で引用された特開平４−８４６４号公報の第２頁右下欄第６〜１３行参照）。
　また、本件発明が研磨クロスの寿命増大という引用文献１に記載されていない課題を解決するものであるとの主張についても、先願明細書等には、「エッチング処理を行う事により面粗さは大幅に改善され、その後の両面研磨工程における研磨代の大幅低減を可能にした。」（摘記事項（ロ））と記載されており、研磨代が大幅に低減されることによって研磨に用いられる研磨クロスの寿命増大が図られることは自明の事項である。
　よって、請求人の上記主張は採用することができない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件出願の請求項１に係る発明は、本件出願の日前の他の特許出願であって、本件出願後に出願公開がされた上記の特許出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、本件出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また本件出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。