【事件の表示】
　平成１０年特許願第３４３９０８号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年６月２３日出願公開、特開２０００−１７３９９４、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
Ｉ．手続の概略及び本願発明
　本願は平成１０年１２月３日に出願されたものであって、平成１５年１０月２３日付けで拒絶査定され、これに対して平成１５年１２月２７日に審判請求され、平成１６年８月１６日付で当審より拒絶理由通知がなされ、これに対して平成１６年９月１７日付けで手続補正書が提出されたものである。
　そして、上記手続補正書による補正後の請求項１〜４に係る発明（以下、「補正発明１」〜「補正発明４」という。）は、上記補正された明細書の請求項１〜４に記載されたとおりの、次のものである。
　　
「【請求項１】表面に酸化膜が形成されたシリコン基板を別のシリコン基板の表面に貼り合わせて接合することによりＳＯＩ構造を有するシリコン基板を作製する工程と、前記酸化膜が形成されたシリコン基板を削って薄膜化する工程と、薄膜化したシリコン基板上に回路を形成する工程を有し、前記薄膜化する工程において、処理室内に対向して配置された平行平板電極の一方の電極上に前記ＳＯＩ構造を有するシリコン基板を載置し、前記平行平板電極の電極間距離Ｌが２ｍｍ〜１０ｍｍ、前記処理室内の圧力Ｐが８３３Ｐａ〜１００００Ｐａであって、両者の積ＰＬが２．５［Ｐａ・ｍ］〜１５［Ｐａ・ｍ］の範囲の値となる条件下でプラズマ放電を行なってフッ素系ガスよりフッ素ラジカルを生成し、このフッ素ラジカルを前記酸化膜が形成されたシリコン基板に作用させてプラズマエッチングを行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】シリコン基板の表面に回路を形成する工程と、このシリコン基板の裏面を研磨加工して薄化する工程と、前記研磨加工によって前記裏面に残留した加工歪層をプラズマエッチングにより除去する工程を含み、加工歪層をプラズマエッチングにより除去する工程において、処理室内に対向して配置された平行平板電極の一方の電極上に前記シリコン基板を載置し、前記平行平板電極の電極間距離Ｌが２ｍｍ〜１０ｍｍ、前記処理室内の圧力Ｐが８３３Ｐａ〜１００００Ｐａであって、両者の積ＰＬが２．５［Ｐａ・ｍ］〜１５［Ｐａ・ｍ］の範囲の値となる条件下でプラズマ放電を行なってフッ素系ガスよりフッ素ラジカルを生成し、このフッ素ラジカルを前記シリコン基板の裏面に作用させてプラズマエッチングを行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】前記フッ素系ガスが、酸素ガスを含む混合ガスであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記フッ素系ガスが６フッ化硫黄または４フッ化炭素であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。」
　　
II．当審拒絶理由通知
　当審の拒絶理由通知の概要は、以下のとおりである。
「　　　　　　　　　　　　　　　理由
１．本願発明 １〜６ は、その出願前国内において頒布された刊行物である下記引用例 １〜３ に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
２．本願の明細書は、下記 II の点で、特許法第３６条第４、６項に規定する要件を満たしていない。 
 　　　　　　　　　　　　　　　　記 
引用例１．徳山巍編著「集積回路プロセス技術シリーズ　半導体ドライエッチング技術」産業図書（株）（平成４年１０月６日初版）第２３６〜２４３頁
引用例２．特開平９−２２３７８３号公報 
引用例３．特開平４−６２９２１号公報 
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II．理由２について 
　発明の詳細な説明、特に段落【0002】、【0026】及び【0027】における電極間距離及び圧力についての記載からみて、本願発明１及び３（請求項１及び３）については、少なくとも、電極間距離２〜１０ｍｍ、及び圧力８３３〜１００００Ｐａであることが必須であると認められるところ、請求項１及び３には当該必要な特定がなされておらず、したがって、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものとはいえない。」
　　
III.対比・判断
(III-1)理由２について
　上記補正の結果、電極間距離及び処理室内の圧力について明確化され、「理由２」に係る明細書の記載不備は解消した。
　　
(III-2)理由１について
（１）補正発明１について
　引用例１には、電極間隔１０ｍｍ以下、動作ガス圧力１０2以上とする狭電極型ＲＩＥエッチング装置が記載され、合わせて、平行平板型ＲＩＥ装置について、電極間隔とガス圧力を変化させたときのプラズマ発生状況が図7.10に示され、ガス圧力が１０2〜１０3Ｐａの範囲内に、電極間で安定放電領域が存在することが図示されている。（第２４１頁下から第２行〜第２４２頁第３頁）
　これについて検討すると、補正発明１で特定された電極間距離Ｌ、処理室内の圧力Ｐ、及び両者の積ＰＬは、図7.10に図示された安定放電領域内とはいえず、むしろ、さらに高圧力領域の「局所放電となる領域」と説明されている範囲、ないし同図中に図示された領域を越えるものといえ、したがって、図7.10を含む引用例１の記載をみても、補正発明１のとおり、電極間距離Ｌ、処理室内の圧力Ｐ、及び両者の積ＰＬを特定することを、当業者が容易に想到できるとすることはできない。また、上記電極間距離Ｌ、処理室内の圧力Ｐ、及び両者の積ＰＬについては、他の引用例２〜３にも記載されていない。
　そして、補正発明１は、当該電極間距離Ｌ、処理室内の圧力Ｐ、及び両者の積ＰＬについての構成を含む上記認定のとおりの特定事項を具備することにより、酸化膜が形成されたシリコン基板を削って薄膜化する工程（請求項１）を含む半導体装置の製造方法、及び、シリコン基板の裏面を研磨加工して薄化する工程と、前記研磨加工によって前記裏面に残留した加工歪層をプラズマエッチングにより除去する工程（請求項２）を含む半導体装置の製造方法において、高いエッチングレートを実現することができ、真空排気および真空破壊時の大気導入時間を短縮することができ、プラズマエッチング処理全体のタクトタイムを短縮し、効率向上が実現され、真空ポンプなど真空系の構成を簡素化することができ、真空吸着によって基板を簡略な方法で保持することができ、電極間で発生するプラズマの分布は均一となり、基板のどの位置においても均一なエッチング効果を得ることができ、ばらつきのない安定した品質を確保でき、結果的に、低コスト・高効率のエッチングを行って半導体装置のコストダウンを図ることができる（段落【0036】〜【0039】）という、明細書記載の効果を奏したものと認めることができる。
　したがって、補正発明１は、引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　　
（２）補正発明２〜４について
　補正発明２は、補正発明１と同じく、プラズマ放電を、電極間距離Ｌが２ｍｍ〜１０ｍｍ、前記処理室内の圧力Ｐが８３３Ｐａ〜１００００Ｐａであって、両者の積ＰＬが２．５［Ｐａ・ｍ］〜１５［Ｐａ・ｍ］の範囲の値となる条件下で行なうものであり、また、補正発明３及び４は、いずれも補正発明１、２又はその下位の請求項に係る発明をさらに限定した発明であるから、上記「（１）補正発明１について」の欄に記載したと同様、引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、当審の拒絶の理由によっては、上記補正後の本願を拒絶することはできない。
　また、他に上記補正後の本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。