【事件の表示】
　平成　６年特許願第　９４５４５号「センサを製造する方法およびセンサ」拒絶査定不服審判事件〔平成　６年１２月２２日出願公開、特開平　６−３４９８０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成６年５月６日の出願（パリ条約による優先権主張１９９３年５月６日、独国）であって、平成１５年２月２１日付けで拒絶理由が通知され、平成１５年８月２８日付けの手続補正書が提出され、平成１５年１２月３日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、平成１６年３月９日付けで審判請求がなされ、平成１６年４月７日付けで手続補正書が提出されている。
　したがって、本願の請求項１〜７に係る発明は、平成１６年４月７日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜７に記載されたとおりのものであるところ、その請求項６に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　
　「単結晶シリコンから成る運動可能なセンサエレメントを備えたセンサであって、センサエレメントが、単結晶シリコンから成るプレート状の基板（３３）に固定されている形式のものにおいて、運動可能なセンサエレメントと基板（３３）との間に絶縁性の層が配置されていることを特徴とする、センサ。」
　
２．引用刊行物の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、国際公開第９２／２２８２０号パンフレット（以下、「刊行物」という。）には、以下のことが記載されている。
　
（刊1）第１頁１〜５行
「 FIELD OF THE INVENTION
　The present invention relates in general to the manufacture of semiconductor devices and is particularly directed to a process for manufacturing a cantilever-supported semiconductor accelerometer architecture.  」
　
（刊２）第１頁６行〜第４頁６行
「BACKGROUND OF THE INVENTION
　The fundamental components of an accelerometer device typically comprise a movable mass, one or more mass-supporting flexure elements (flexible arm regions) and a sensing mechanism which provides an (electrical) output representative of the movement of the mass (in response to a force input). In a semiconductor-resident accelerometer the sensing mechanism customarily employs the piezo-resistive properties of one or more relatively thin flexure elements, through which a larger volume, `floating` mass region is joined to a surrounding substrate.
　
　More particularly, as shown in Figure 1, a typical semiconductor accelerometer structure is formed by selectively etching a semiconductor substrate 10 to define a plurality of reduced thickness arm regions 11 which extend between and adjoin a relatively thick mass region 13 and surrounding material of the substrate 10. In effect, the mass region 13 is supported in a cantilever fashion by the arm regions to the surrounding substrate. By the selective introduction of doping impurities into the arm regions and forming of electrical contacts on the doped regions, a piezo-resistive structure is formed. Because the thickness of supporting arm regions 11 is substantially reduced compared with that of mass region 13, the arms will readily flex in response to a component of force being imparted to the accelerometer structure along a line 14 orthogonal to the substrate surface. As a result of such flexing of the arm regions, there is a change in the magnitude of their piezo-resistance, so that a measurement of acceleration can be derived by output circuitry in which the change in voltage across arm regions 11 is monitored.
　
　Now, while the structure shown in Figure 1 represents the basic structure of a semiconductor accelerometer, it is only a diagrammatic illustration of the result of an ideal wafer processing sequence, rather than a practical one. Namely, in a practical fabrication process, the parameters of the piezo-resistive regions must be predictable and repeatable. To use a selective etch process to obtain arm regions of precise dimension places such extreme tolerances on the etch process as to render it non-cost effective for commercial production runs.
　
　One approach to solve this precision etch requirement is to use a separate thin layer for the accelerometer structure and attach the accelerometer layer to a support substrate in which a recess or cavity in the underlying substrate is provided to accommodate the flexing of the accelerometer arms and movement of the mass region. One example of such a scheme is diagrammatically illustrated in Figure 2, which shows an underlying support substrate (or handle wafer) 20 having a selectively etched cavity 22 extending from a first surface 24 to some prescribed depth into the substrate. A top semiconductor layer 26 is bonded to support substrate 20 (e.g., means of an oxide layer 28) such that the accelerometer structure, comprised of a mass region 34 and adjoining piezo-resistive arm regions 32, is aligned (directly overlies) with a flex-accommodating cavity 22 in handle wafer 20. The thickness of top layer 26 is then reduced, (chemically or mechanically) and conductivity-modifying impurities are introduced into a pattern of arm regions 32 to form a piezo-resistive semiconductor accelerometer structure in top layer 26. Finally, the top semiconductor layer 26 is selectively etched in accordance with the intended mass/arm pattern to yield an accelerometer topography shown in Figure 3, wherein a plurality (four, as shown in the plan view of Figure 4) of arm regions 32 interconnect centrally located region 34 with surrounding material of top semiconductor layer 26. Because the lateral dimensions of central region 34 are greater than those of arm regions 32, region 34 has a greater mass and does not flex to the same degree as arm regions 32, so that region 34 may be considered, in effect, a `mass` region.
　
　Areas 35 of top semiconductor layer 26, adjacent to arm regions 32, are devoid of material as a result of the selective etch, as layer 26 is etched completely through to oxide layer 28. Thereafter, that portion of oxide layer 28 exposed by apertures 35 in top layer 28 is etched by a wet chemical etch, such as buffered HF. The etch is isotropic, so that it removes dielectric (semiconductor oxide) material underlying the relatively narrow arm regions 32, and leaves a wafer bonded accelerometer containing patterned top semiconductor layer 28 overlying flex cavity 22 in substrate 20, as shown in Figure 4.
　
 Now, although the fabrication techniques described with reference to Figures. 2-4 allows the dimensions of the accelerometer structure to be precisely defined, it requires that the accelerometer-defining mask overlying bonded layer 28 be precisely aligned with respect to underlying cavity 22, thus complicating and increasing the cost of the process.」
　
（刊３）第１０頁１５行〜第１１頁８行
「BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
 Figure 1 shows a typical semiconductor accelerometer structure formed by selectively etching a semiconductor substrate to define a plurality of reduced thickness arm regions which extend between and adjoin a relatively thick mass region and surrounding material of the substrate;
　
 Figure 2 shows a handle wafer having a selectively etched flex-accommodating cavity extending from a first surface to some prescribed depth into the wafer;
　
 Figure 3 shows a semiconductor accelerometer topology, wherein a plurality of arm regions interconnect a centrally located mass region with surrounding material of a semiconductor layer;
　
 Figure 4 shows the result of performing an isotropic etch to remove semiconductor material underlying relatively narrow arm regions to leave a wafer bonded accelerometer containing a patterned top semiconductor layer overlying a flex cavity in an underlying substrate;
　
 Figures 5-10 diagrammatically show a semiconductor accelerometer processing sequence in accordance with a first embodiment of the invention;」
　
（刊４）第１１頁１７行〜第１４頁８行
「DETAILED DESCRIPTION
　As pointed out briefly above, the first embodiment of the present invention obviates the need to align an accelerometer defining etch mask with a flex cavity in a handle wafer, by forming the mask first and then etching out underlying oxide material to form the flex cavity. A diagrammatic illustration of a semiconductor processing sequence in accordance with this first embodiment of the invention is shown in Figures 5-10.
　
　More particularly, as shown in Figure 5, a monocrystalline semiconductor (e.g. silicon) layer 31 into which the accelerometer structure is to be formed is bonded to a thick insulator (oxide) layer 33 that has been non-selectively formed atop a generally planar handle wafer 35. Unlike the above-described conventional approach, however, there is no precursor cavity in handle wafer 35 with which the accelerometer structure in top layer 31 must be aligned. Instead, the thickness of insulator attachment layer 33 is relatively thick. As noted earlier, by relatively thick is meant a thickness sufficient to provide a separation 36 between top semiconductor layer 31 and handle wafer 35 that is greater than the maximum operational vertical displacement of the accelerometer mass region.
　
　Next, as shown in Figure 6, top semiconductor layer 31 is then thinned by a mechanical polish or chemical etch step to a desired thickness 38. Top semiconductor layer 31 is then masked, as shown at 41 in Figure 7 and impurities 43 are introduced at into those portions 45 of the thinned top layer 31 where piezo-resistive regions are to be formed.
　
　Next, mask 41 is stripped off top layer 31 and an etch mask 51, patterned as shown in Figure 8, is selectively formed on the thinned top semiconductor layer 31. The topology of etch mask 51 is such that it defines an accelerometer geometry having a central mass region 53 and a plurality of doped, piezo-resistive arm regions 55, defined by apertures 56, regions 55 joining mass region 53 to surrounding semiconductor material of the top semiconductor layer 31. Depending upon the lateral dimension or area of central mass region 53, mask 51 may include one or more apertures 57 that project onto mass region 53, so that mass region 53 will have corresponding apertures therethrough to underlying oxide layer 35. These additional apertures 57 facilitate etching away of the underlying insulator layer without substantially reducing the effective volume of mass region 55.
　
　Next, as shown in Figure 9, material of top semiconductor layer 31 exposed by etch mask 51 is etched down to the underlying thick insulator (oxide) layer 35. Silicon etch mask 51 is then removed and, using the resulting aperture pattern formed in top semiconductor layer 31 as a masking pattern, a wet insulator layer etchant (e.g. hydrochloric acid in the case of silicon dioxide) is applied to the laminate structure, etching away that portion of the thick oxide exposed by the etch pattern and also oxide underlying the mass and arm regions of the accelerometer geometry, as shown in Figure 10. Namely, because the oxide etch is isotropic, that portion of thick oxide layer 33 directly beneath mass region 55 and arm regions 53 is removed. Because of the relatively narrow dimension of the arm regions, the side etch beneath the arm regions readily completely removes the oxide underlying these regions, so as to leave a flex-cavity 63 in thick oxide layer 33 underlying mass region 55 and arm regions 53.
　
　Depending upon the lateral area of mass region 55 and the thickness of the oxide layer 33 the extent to which oxide layer 33 beneath mass region 55 is removed may vary. The number and size of apertures 57 in top layer 31 is chosen to ensure complete removal of the underlying oxide, during the oxide wash step. The structure of Figure 10, resulting from the oxide etch step, has the intended accelerometer geometry of a larger volume mass region 55 supported in cantilever fashion by a plurality of piezo-resistive arm regions 53 to a surrounding, supporting portion 65 of the semiconductor top layer, while directly beneath this accelerometer geometry is a flex-accommodating cavity 63 realized by the removal of the underlying oxide layer. Although the isotropy of the oxide etch produces a slight undercut of top semiconductor layer 31, layer 31 remains attached to the handle wafer 35 by means of that portion 65 of the thick oxide layer 33 which surrounds the accelerometer geometry and which was masked by the surrounding portion of the top semiconductor layer during the oxide etch step.」
　
３．対比・判断
  ここで、上記摘記事項（刊１）〜（刊４）を日本語に翻訳すると以下の事が記載されているものと認められる。
　
（訳１）「発明の利用分野
　本発明は、広くは半導体装置の製造方法に関し、特にカンチレバーで支持された半導体加速度センサー構造を製造するためのプロセスに関する。」
　
（訳２）「発明の背景
　加速度センサー装置の基本的な構成要素は典型的には可動の質量体、ｌあるいはそれ以上の質量を支持する可撓性の要素（可撓性のアーム領域）および（入力の力に応じた）その質量の動きを表わす（電気的な）出力を与える検出機構を含んでいる。半導体型の加速度センサーにおいては、その検出機構は通常１ないしそれ以上の比較的薄い可撓性要素のピエゾ抵抗特性を利用しており、その可撓性要素を通して大きな容積の”浮いた状態にある”質量領域がそれを取り囲む基板に接続されている。
　さらに特別に、図１に示すように、典型的な半導体加速度センサーの構造は、厚さの薄くなった複数のアーム領域１１を画定するために半導体基板１０を選択的にエツチングすることによって形成され、このアーム領域１１は比較的厚みの厚い質量領域１３および基板１０の周囲材料と接続し、かつこの間に延びている。実効的には、この質量領域１３はカンチレバー方式でその包囲しているアーム領域によって基板に支持されている。このアーム領域にドーピング不純物を選択的に導入し、かつこのドープされた領域に電気的な接点を形成することによってピエゾ抵抗構造が形成される。この支持アーム領域１１の厚さが質量領域１３のそれに比べて実質的に低減されているので、このアーム領域は、加速度センサー構造体に伝えられる基板表面に垂直線１４に沿った力の成分に応じて直ぐに撓むことになる。アーム領域のそのような撓みの結果として、ピエゾ抵抗の大きさに変化が生じ、その結果、アーム領域１１をまたぐ電圧の変化をモニターしている出力回路によってその加速度の値を取り出すことが出来る。
　ここで、図１に示した構造は、半導体加速度センサーの基本的な構造を示しているが、これは、実際的なものというより、むしろ単に理想的なウエハ処理手順の概略図にすぎない、即ち、実際の製造プロセスにおいては、ピエゾ抵抗領域の寸法は予測可能でかつ再現性がなくてはならない。厳密な寸法のアーム領域を得るために選択的なエツチングプロセスを使うことはそのエッチングプロセスに極度に厳密な許容誤差を強いることになり商業的な生産ラインにとっては採算性がない。
　この精密なエツチング要求を解決する一つのアプローチは加速度センサー構造用の別個の“薄い”層を使い、かつその加速度センサー層をその加速度センサーアームの撓みおよび質量領域の動きを受け入れるように凹部あるいは空胴が設けられている支持基板に取り付けることである。このようなやり方の一例が図２に概略的に示されている、図２は、第１の表面２４から所定の深さ基板中に延び選択的にエツチングされた空胴２２を有する下地の支持基板（換言すればハンドルウエハ）２０を示している。頂上の半導体層２６は（例えば酸化物層２８によって）支持基板２０に接続されるので質量領域３４および隣接するピエゾ抵抗アーム領域３２を含む加速度センサー構造はハンドルウエハ２０中の撓み受け入れ用空胴２２とその位置が合わされている（直接真上に横たわっている）。次に、頂上の層２６の厚みが（化学的にあるいは機械的に）低減され、かつ頂上の層２６中にピエゾ抵抗半導体加速度センサーの構造を形成するために導電性を変更する不純物がアーム領域３２のパターン中に導入される。最後に、この頂上の半導体層２６は意図した質量／アームパターンに従って図３に示した加速度センサーの形状を生じるように選択的にエツチングされる、ここでは、複数の（図４の平面図に示すように４個）のアーム領域３２が中央に位置している領域３４を頂上の半導体層２６の周囲材料と相互接続している。中央領域３４の横方向の寸法はアーム領域３２のそれらよりも大きいので、領域３４はより大きな質量を有しかつアーム領域３２と同じ程度には撓むことはない、したがって、領域３４は実効的に“質量”領域と考えることができる。
　アーム領域３２に隣接する頂上の半導体層２６の領域３５は、選択的なエツチングの結果として材料が取り除かれ開孔になっている部分であり、層２６は完全にエツチングされ酸化物層２８に達している。この後、頂上の層２６中の開孔３５によって露出された酸化物層２８の部分は、たとえば、緩衝液ＨＦのような湿式の化学的エツッチングによってエツチングされる。このエツチング材は等方性なので比較的狭いアーム領域３２の下側の絶縁（半導体酸化物）材料を取り除き、かつ図４に示すように基板２０中の撓み用の空胴２２上に横たわるパターン付けされた頂上の半導体層２６を含む加速度センサーをウエハに接着している部分を残している。
　ここで、図２から図４を参照して説明した製造技術は、加速度センサーの構造の寸法を精密に画定することが可能であるが、接着層２８上に横たわる加速度センサーを画定するマスクが下方に横たわる空胴２２に関して正確に位置決めされる必要が有り、その結果、そのプロセスを複雑化し、かつそのコストを増大している。
　
（訳３）「図面の簡単な説明
　図１は、比較的厚い質量領域と基板の周囲材料に隣接し、その間に延びている複数の低減された厚みを持つアーム領域を画定するために半導体基板を選択的にエツチングすることによって形成された典型的な半導体加速度センサーの構造を示している；
　図２は、第１の表面から所定の深さだけウエハ中に伸びている選択的にエッチングされた撓み受け入れ用空胴を有するハンドルウエハを示している；
　図３は、半導体加速度センサーの形態を示しており、ここでは複数のアーム領域が中央に位置している質量領域と半導体層の周囲材料とを接続している；
　図４は、比較的狭いアーム領域の下に横たわる半導体材料を取り除き、下側の基板中の撓みに受け入れ用空胴の真上にウエハに接着されるパターン付けされた頂上の半導体層を含む加速度センサーを残すように等方性エツチングを実行した結果を示している；
　図５から図１０は、本発明の第１の実施例に従った半導体加速度センサーのプロセス手順を概略的に示している。」
　
（訳４）ここで、前記摘記事項（刊４）を翻訳するにあたり、各「mass region」 と「arm region」についての図面番号について「５３」，「５５」の記載が混在しているので、両者が刊行物の最初に出てくる記載「 it defines an accelerometer geometry having a central mass region 53 and a plurality of doped, piezo-resistive arm regions 55」（第１２頁２３〜２５行）を基準に、「mass region（質量領域）」について「５３」 、「arm region（アーム領域）」について「５５」を、各々正しい記載として翻訳することとする。
「発明の詳細な説明
　上で簡単に指摘したように、本発明の第１の実施例は、まず、マスクを最初に形成し、次に、撓み受け入れ用空胴を形成するために、その下に横たわる酸化物材料をエツチングで取り除くことによって、エツチングマスクを画定している加速度センサーとハンドルウエハ中の撓み受け入れ用空胴の位置合せの必要を無くしたものである。本発明のこの第１の実施例による半導体プロセス手順の概略図が図５から図１０に示されている。
　さらに、特に図５に示すように、そこに加速度センサー構造が形成されるべき単結晶の半導体（例えばシリコン）層３１が全体的に平坦なハンドルウエハ３５の直上に非選択的に形成された厚い絶縁物の（酸化物）層３３に接着されている。しかしながら、上で説明した従来のアプローチとは違って、頂上の層３１中の加速度センサー構造と位置合わせしなければならなかったハンドルウエハ３５中の先行する空胴は無くなっている。その代りに、絶縁物の取り付け層３３の厚みは比較的厚くなっている。前にも説明したように、この比較的厚い、という表現は、加速度センサーの質量領域の動作時の最大垂直変位よりも頂上の半導体層３１とハンドルウエハ３５間の分離３６の厚さが十分であることを意味している。
　次に、図６に示すように頂上の半導体層３１は望ましい厚さ３８になるまで機械的な研磨あるいは化学的なエツチングステップによって薄くされる。さらに、頂上の半導体層３１はマスクされ、図７の４１で示すようにピエゾ抵抗領域が形成されるべき、薄くされた頂上の層３１の部分４５に不純物４３が導入される。
　次に、マスク４１が頂上の層３１から取り除かれ、図８に示すようなパターンを存するエツチングマスク５１が薄くされた頂上の半導体層３１上に選択的に形成される。エツチングマスク５１の幾何学的形状は、中央の質量領域５５およびその質量領域５５（「５３」の誤記と認められる。）を頂上の半導体層３１の周囲の半導体材料に接続するように孔５６によって画定され、複数のドープされたピエゾ抵抗アーム領域を有する加速度センサーの幾何学的配列を画定するように決められている。中央の質量領域５５の横方向の寸法あるいは広がりに応じて、マスク５１は質量領域５３に伸びる１あるいはそれ以上の孔５７を含んでいても良い、その結果、質量領域５３はその下に横たわる酸化物層３３に達する対応する孔を有することになる。これらの付加的な孔５７は質量領域５５（「５３」の誤記と認められる。）の実効的な容積を実質的に低減すること無しに、その下に横たわる絶縁物層をエツチングで取り除くことを容易にする。
　次に、図９に示すように、頂上の半導体層３１は、エツチングマスク５１によって露光され、その下に横たわる厚い絶縁（酸化物）層３３のところまでエツチングされる。その後、シリコンエッチマスク５１が取り除かれ、孔を持つパターンに形成された頂上の半導体層３１上をマスキングパターンとして使用しながら、この積層構造体に湿式の絶縁物層用エツチング液（例えば二酸化シリコンの場合には塩酸）が適用され、図１０に示すようにエツチングパターンによって露出された厚い酸化物の該当部分およびまた加速度センサーの幾何学的配置を形成する質量およびアーム領域の下に横たわる酸化物をエツチングで取り除く。そして、この酸化物エツチングは等方性なので、質量領域５５（「５３」の誤記と認められる。）およびアーム領域５３（「５５」の誤記と認められる。）の真下の厚い酸化物層３３の部分が取り除かれる。このアーム領域は比較的狭い寸法なので、このアーム領域の下方でのサイドエッチはこれらの領域の下側に横たわる酸化物を即座にかつ完全に取り除く。その結果、質量領域５５（「５３」の誤記と認められる。）およびアーム領域５３（「５５」の誤記と認められる。）の下に横たわる厚い酸化物層３３中に撓みを受け入れる空胴６３が形成される。
　質量領域５５（「５３」の誤記と認められる。）の横方向の広がりおよび酸化物層３３の厚みに依存して、質量領域５５（「５３」の誤記と認められる。）の下の酸化物層３３が取り除かれる程度が変化する。この酸化物のエツチングステップ中に、この下側に横たわる酸化物を完全に取り除くことを確実にするために、頂上の層３１中の孔５７の数およびサイズが適切に選ばれる。この酸化物エツチングステップから得られた図１０の構造体は、複数のピエゾ抵抗アーム領域５３（「５５」の誤記と認められる。）によってカンチ調整レバーによって支持され、頂上の半導体層の周囲の支持部分６５に支持されている大きな容量の質量領域５５（「５３」の誤記と認められる。）を有する目的の加速度センサー幾何学的配置を有しており、この加速度センサー幾何学的配置の垂下には下側に横たわる酸化物層の除去によって実現された撓みを受け入れる空胴６３が形成されている。酸化物エツチングの等方性の結果頂上の半導体層３１については、ほんの少しのアンダーカットを生じるが、層３１は加速度センサーの幾何学的配置を取り囲み、かつこの酸化物エツチングステップの間、頂上の半導体層の周囲部分によってマスクされていた厚い酸化物層３３に該当する部分６５によってハンドルウエハ３５に取り付けられた状態が維持されている。」
　
　以下、刊行物の記載事項である（刊１）〜（刊４）に対応する日本語訳である上記（訳１）〜（訳４）に基づいて、刊行物に記載されている内容を整理する。
　そこで、特に（訳４）に関する記載を中心に整理すると、
　刊行物において、質量領域５３及びアーム領域５５が形成されるのは、単結晶の半導体（例えばシリコン）層３１であり、また、「加速度センサーの質量領域の動作時の最大垂直変位」との記載から、センサーを構成する質量領域５３は垂直方向に運動することを意味し、さらに、質量領域５３はアーム領域５５と一体となった構成であるから、「質量領域５３とアーム領域５５」は、本願発明の「単結晶シリコンから成る運動可能なセンサエレメント」に相当する。また、「酸化物層３３」は、本願発明の「絶縁性の層」に相当する。さらに、「平坦なハンドルウエハ３５」は、「プレート状の基板」に相当する。
　とすると、刊行物には、
「単結晶シリコンから成る運動可能なセンサエレメントを備えたセンサであって、センサエレメントが、プレート状の基板に固定されている形式のものにおいて、運動可能なセンサエレメントと基板との間に絶縁性の層が配置されているセンサ」（以下、「刊行物発明」という。）
　が記載されている。
　
　ここで、本願発明と刊行物発明を対比すると、両者は、
　単結晶シリコンから成る運動可能なセンサエレメントを備えたセンサであって、センサエレメントが、プレート状の基板に固定されている形式のものにおいて、運動可能なセンサエレメントと基板との間に絶縁性の層が配置されているセンサ
　である点で一致、以下の点で相違する。
　
　相違点
　本願発明は、単結晶シリコンから成るプレート状の基板であるのに対して、刊行物発明は、特に基板材料について明記していない点
　
　以下、上記相違点について検討する。
　半導体素子を用いた加速度センサ素子において、土台となる基板上に形成される素子がシリコン素子である場合に、基板材料として素子と同じ種類の材料であるシリコンを用いるのは技術常識であり、また、加速度センサ素子のように微細加工の精度が素子特性に対する影響が大きい場合に、エッチングの結晶方位特性などの点で制御性が高く微細加工に適した単結晶シリコンを用いることは周知技術（必要であれば、特開昭６０−９２６７２号公報、特開平５−６３２０９号公報を参照のこと）である。
　したがって、刊行物発明において、当業者が上記周知技術を採用することに格別な困難性は認められない。
　
　そして、本願発明の作用効果も、刊行物の記載及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。 
　
　よって、本願発明は、当業者が、刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。