【事件の表示】
　平成　８年特許願第　３７６９１号「ドライエッチング処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成　９年　９月　５日出願公開、特開平　９−２３２２８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成８年　２月２６日の出願であって、平成１６年　２月　５日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年　３月１１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。 
　
２．平成１６年　３月１１日付の手続補正について 
　
［補正却下の決定の結論］ 
　平成１６年　３月１１日付の手続補正を却下する。 
 　
［理由］ 
　（１）補正後の本願発明 
 　平成１６年　３月１１日付けの手続補正により、特許請求の範囲は、 
「【請求項１】試料に対して複数のステップからなるエッチング処理を同一の処理装置内で行うドライエッチング処理方法であって、
　前記ステップのうちの一のステップのエッチング処理とこれに続くステップのエッチング処理との間に、一のステップのエッチング処理で用いたエッチングガスの排気、前記一のステップに続くステップのエッチング処理で用いるエッチングガスの導入、前記導入したエッチングガスの圧力調整からなる一連の工程を行い、その一連の工程の処理時間内に前記試料の温度を前記一のステップの温度から前記一のステップに続くステップの温度に変化させて前記一のステップとこれに続くステップとで異なる温度のエッチング処理を行うことを特徴とするドライエッチング処理方法。
【請求項２】前記ステップのうちの一のステップが試料温度を常温とするメインエッチング処理であり、これに続くステップのエッチング処理が試料温度を低温とするオーバーエッチング処理であることを特徴とする請求項１記載のドライエッチング処理方法。
【請求項３】前記一のステップのメインエッチング処理と、これに続くステップのオーバーエッチング処理との間に、同一処理装置内にて前記メインエッチング処理後の試料をＯ2プラズマ処理あるいはＮ2プラズマ処理することを特徴とする請求項２記載のドライエッチング処理方法。」
 と補正された。
　
（２）補正前の本願発明 
　当該手続補正がなされる前の平成１５年　３月３１日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲には、
「【請求項１】　試料に対して複数のステップからなるエッチング処理を同一の処理装置内で行うドライエッチング処理方法であって、
　前記ステップのうちの一のステップのエッチング処理とこれに続くステップのエッチング処理との間に、前記試料の温度を変化させて前記一のステップとこれに続くステップとで異なる温度のエッチング処理を行うもので、
　前記ステップのうちの一のステップが試料温度を常温とするメインエッチング処理であり、これに続くステップのエッチング処理が試料温度を低温とするオーバーエッチング処理であることを特徴とするドライエッチング処理方法。
【請求項２】　前記一のステップのメインエッチング処理と、これに続くス
テップのオーバーエッチング処理との間に、同一処理装置内にて前記メインエッチング処理後の試料をＯ2プラズマ処理あるいはＮ2プラズマ処理することを特徴とする請求項１記載のドライエッチング処理方法。」
と記載されている。
　
（３）補正の適否の判断
　ここで、平成１６年　３月１１日付の手続補正の適否を検討すると、平成１６年　３月１１日付の手続補正は、平成１５年　３月３１日付けの手続補正により補正された明細書の請求項数２を請求項数３に請求項数を増加する補正と認められ、また、例外的に請求項数の増加であっても特許請求の範囲の減縮と認められるｎ項引用形式請求項をｎ−１以下の請求項に変更する場合にも該当しない。
　したがって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定される特許請求の範囲の減縮を目的とする補正とはいえない。また、同項各号に掲げられた他の目的にも該当しない。
　よって、平成１６年　３月１１日付けの手続補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反し、同法１５９条１項で準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。　　
　
３．本願発明について
　
（１）本願発明　
　平成１６年　３月１１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１５年　３月３１日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された事項により特定されるのものと認められ、そのうち請求項１に係る発明は、以下のとおりのものである。 
 「【請求項１】　試料に対して複数のステップからなるエッチング処理を同一の処理装置内で行うドライエッチング処理方法であって、
　前記ステップのうちの一のステップのエッチング処理とこれに続くステップのエッチング処理との間に、前記試料の温度を変化させて前記一のステップとこれに続くステップとで異なる温度のエッチング処理を行うもので、
　前記ステップのうちの一のステップが試料温度を常温とするメインエッチング処理であり、これに続くステップのエッチング処理が試料温度を低温とするオーバーエッチング処理であることを特徴とするドライエッチング処理方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
（２）刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−１７０４２６号項（以下、「刊行物」という。）には、以下の点が記載されている。
　
（ａ）「本発明は、多層構造膜のドライエッチング方法に係り、特に、金属膜または金属化合物膜と多結晶シリコン膜とからなる多層構造膜のドライエッチング方法に関する。」（第２頁左上欄１１〜１４行）
　　
（ｂ）「第１図は、本発明の方法に用いられるドライエッチング装置の概略構成図である。このドライエッチング装置は、エッチング室１０と、搬入用予備室２０と、搬出用予備室３０とから構成され・・・、エッチング室１０は、真空容器１０ａ内に配設された、被処理基板１１を載置するための第１の電極１２と・・・、第１の電極１２を冷却するための冷却管１５・・・とを具備し、第１の電極１２と第２の電極を兼ねた真空容器１０ａの内壁のとの間に高周波電圧が印加されるようになっている。」
（第４頁左上欄１４行〜同頁右上欄１８行）
　
（ｃ）「第２図（ａ）に示すように、被処理基体を形成する。・・・シリコン基板４０上に、・・・膜厚１００Åの酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）４１を形成した後、・・・膜厚１０００Åの多結晶シリコン膜を堆積し、・・・膜厚２０００Åのタングステンシリサイド膜ＷＳｉ２．７４３を形成し、この上層にレジストパターン４４を形成する。」（第４頁左下欄１０〜１９行）
　
（ｄ）「被処理基体を、第１図に示したドライエッチング装置を用いて、まず第２図（ｂ）に示すようにタングステンシリサイド膜４３をエッチングする。
　このときのエッチング条件は、冷却管１５の冷却液の温度を＋２０℃に保ち、エッチングガスとして塩素（Ｃｌ２）ガスを用い、ガス流量は５０ｍｌ／分、圧力は１．２Ｐａとした。この条件で、マグネトロン放電を行い、タングステンシリサイド膜４３が完全にエッチングされる時間まで反応性イオンエッチングを行った。
　次に、塩素ガスの供給を止め、排気を十分に行った後、冷却管１５の冷却液の温度を−２８℃に保ち、塩素ガス５０ｍｌ／分、四塩化硅素ガス７．５ｍｌ／分、酸素１．６ｍｌ／分、圧力は５．０Ｐａとし、マグネトロン放電を行い、多結晶シリコン膜４２のエッチングを行った。ここでエッチング終了後、エッチング時間の２０％さらにエッチングを続行し完全にエッチングを行うようにした。
　このときのエッチング結果を、第２図（ｃ）に示す。この図から明らかなように、タングステンシリサイド膜４３にもサイドエッチングは生じておらず、断面垂直な形状でエッチングを行うことができた。また、下地材の酸化シリコンはエッチングされることなく良好に維持されている。」（第４頁右下欄第４行〜第５頁左上欄第８行）
　
（３）対比・判断 
　刊行物には、上記摘記事項（ｄ）を中心に、他の摘記事項の記載を参照すると、総括的には、
「被処理基体に対して、複数のステップからなるエッチング処理をドライエッチング装置内で行うドライエッチング処理方法であって、
　前記ステップのうち、タングステンシリサイドをエッチング処理し、これに続く多結晶シリコン膜をエッチング処理との間に、冷却管の冷却液の温度を＋２０℃から−２８℃に変化させて、タングステンシリサイドのエッチング処理とこれに続く多結晶シリコン膜のエッチング処理を異なる温度でエッチング処理を行うもので、
　タングステンシリサイドのエッチング処理が冷却管の冷却液の温度を２０℃としたエッチング処理であり、これに続く多結晶シリコンのエッチング処理が冷却管の冷却液の温度を−２８℃とするエッチング処理で、かつエッチング時間の２０％さらにエッチングを続行し完全にエッチングを行うようにしたエッチング処理を特徴とするドライエッチング処理方法」（以下、「刊行物発明」という。）
　が開示されている。
  ここで、刊行物発明において「被処理基体」、「タングステンシリサイドをエッチング処理」、「多結晶シリコンをエッチング処理」は、本願発明の「試料」、「一のステップのエッチング処理」、「これに続くステップのエッチング処理」に相当する。
　また、摘記事項（ｄ）に記載されているように、タングステンシリサイドのエッチング処理の終了後に、当該エッチング処理に用いたガスの供給を止め、排気を十分に行い、これに続く多結晶シリコン膜のエッチング処理に必要なガス提供していることから、連続した２つのエッチング処理は、摘記事項（ｃ）に記載されている同一のドライエッチング装置で行われることは明らかであるから、「試料に対して、複数のステップからなるエッチング処理をドライエッチング装置内で行うドライエッチング処理方法」は、「試料に対して複数のステップからなるエッチング処理を同一の処理装置内で行うドライエッチング処理方法」に相当する。
　次に、刊行物発明において、摘記事項（ｃ）より、冷却管１５の冷却液は電極１２を介して、電極上に載置される被処理基板１１を冷却するためのものであるから、「冷却液の温度を＋２０℃から−２８℃に変化させて」というのは、「試料の温度を変化させて」に相当する。
　さらに、２０℃は常温と解するのがドライエッチングの技術分野における技術常識であり、また、２０００Åの膜厚のタングステンシリサイド膜をエッチング処理することは、これに続く１０００Åの膜厚の多結晶シリコンをエッチング処理ことを併せて考慮すると、膜厚にして２／３の工程を占めることから、「メインエッチング処理」に相当するので、刊行物発明の「冷却管の冷却液の温度を２０℃としたエッチング処理」は、本願発明の「試料を常温とするメインエッチング処理」に相当する。
　同様に、試料を冷却する点については、「−２８℃」が、ドライエッチングの技術分野において低温の領域であることは明らかであるから「冷却管の冷却液の温度を−２８℃とするエッチング処理」は「試料温度を低温とするエッチング処理」に相当し、また「エッチング時間の２０％さらにエッチングを続行し完全にエッチングを行うようにしたエッチング処理」は、通常のエッチング時間よりも長時間のエッチングを行っていることから「オーバエッチング」に相当するから、刊行物発明の「冷却管の冷却液の温度を−２８℃とするエッチング処理で、かつエッチング時間の２０％さらにエッチングを続行し完全にエッチングを行うようにしたエッチング処理」は、本願発明の「試料温度を低温とするオーバエッチング処理」に相当する。
　以上の検討からすると、本願発明と刊行物発明には実質的な差異は認められず、本願発明は、刊行物に記載された発明と認められる。
　
（４）むすび 
　以上のとおり、本願発明は、刊行物に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。 
 　よって、結論のとおり審決する。