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　特願２００１−　９９９６１「高周波半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月１１日出願公開、特開２００２−２９９９４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件出願は、平成１３年３月３０日の出願であって、平成１５年１０月２３日に手続補正がされたが、同年１１月１９日付けで拒絶査定され、同年１２月２５日に審判請求がなされるとともに、平成１６年１月２３日に手続補正がされたものである。
　
２．平成１６年１月２３日付け手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成１６年１月２３日付け手続補正を却下する。
　
［理由］　
（１）本件補正
　本件補正は、明細書の特許請求の範囲について、次のように補正しようとするものである。
（補正前）
　「【請求項１】高速半導体デバイスから成るモノリシックマイクロ波集積回路を構成する半導体基板上に設けられ、接地電位と接続されるアンテナグランドプレーンと、
　前記アンテナグランドプレーン上に層間絶縁膜を介して設けられたパッチ電極と、
　前記アンテナグランドプレーンの下部に設けられ、当該アンテナグランドプレーンを通過するスルーホールによって前記パッチ電極と接続されるアンテナ接続部と
を備えることを特徴とする高周波半導体装置。
　　【請求項２】前記アンテナ接続部はパターンニングされた導体よりなるアンテナ線路であることを特徴とする請求項１記載の高周波半導体装置。
　　【請求項３】前記アンテナ接続部は、前記半導体基板に設けられた前記モノリシックマイクロ波集積回路を構成する活性領域であることを特徴とする請求項１記載の高周波半導体装置。
　　【請求項４】前記半導体基板上には接地電位との間で高周波伝送路を構成する線路導体を有することを特徴とする請求項１記載の高周波半導体装置。
　　【請求項５】前記線路導体は、前記半導体基板上に設けられた接地電位に接続される接地プレートとの間で高周波伝送路を構成することを特徴とする請求項４記載の高周波半導体装置。
　　【請求項６】前記接地プレートは前記アンテナ接続部であるアンテナ線路の下に設けられ、当該アンテナ線路は前記接地プレートとの間で高周波伝送路を構成することを特徴とする請求項５記載の高周波半導体装置。
　　【請求項７】前記アンテナグランドプレーン上には層間絶縁膜を介して線路導体が設けられ、当該線路導体は前記アンテナグランドプレーンとの間で高周波伝送路を構成することを特徴とする請求項１記載の高周波半導体装置。
　　【請求項８】前記半導体基板上には前記アンテナグランドプレーンとは別に接地電位に接続される接地プレートが設けられ、当該接地プレート上には前記層間絶縁膜とは別の層間絶縁膜を介して第２の線路導体が設けられて当該第２の線路導体は前記接地プレートとの間で高周波伝送路を構成することを特徴とする７記載の高周波半導体装置。
　　【請求項９】前記半導体基板上の実質的全面に設けられた前記アンテナグランドプレーンと、
　当該アンテナグランドプレーン上に積層された複数の層間絶縁膜から成る前記層間絶縁膜と、
　当該複数の層間絶縁膜のそれぞれ一つを介して多層に設けられ、当該アンテナグランドプレーンとの間で高周波伝送路を構成する複数の線路導体と、
　当該複数の層間絶縁膜の最上層上に形成された前記パッチ電極と、
　当該アンテナグランドプレーンの下部に設けられ、当該アンテナグランドプレーンを通過するスルーホールによって前記パッチ電極と接続されるアンテナ接続部と
を備えることを特徴とする請求項１記載の高周波半導体装置。
　　【請求項１０】前記アンテナグランドプレーンの下にパッシブデバイスが設けられることを特徴とする請求項１記載の高周波半導体装置。
　　【請求項１１】前記パッシブデバイスは、線路導体、キャパシタ素子、インダクタンス素子、抵抗素子のいずれかであることを特徴とする請求項１０記載の高周波半導体装置。
　　【請求項１２】前記層間絶縁膜は樹脂絶縁材料であることを特徴とする請求項１記載の高周波半導体装置。
　　【請求項１３】前記樹脂絶縁材料は、ポリイミドあるいはベンゾシクロブテンであることを特徴とする請求項１２記載の高周波半導体装置。
　　【請求項１４】前記パッチ電極は矩形あるいは円形であることを特徴とする請求項１記載の高周波半導体装置。
　　【請求項１５】前記パッチ電極あるいはアンテナグランドプレーンは、良導体であることを特徴とする請求項１記載の高周波半導体装置。
　　【請求項１６】前記良導体は金あるいは超伝導体であることを特徴とする請求項１５記載の高周波半導体装置。」
　
（補正後）
　「【請求項１】半導体基板上の実質的全面に設けられており、接地電位と接続される接地プレートと、
　前記接地プレートより小さい面積となるように形成されるとともに、前記接地プレート上に層間絶縁膜を介して設けられており、接地電位と接続されるアンテナグランドプレーンと、
　前記アンテナグランドプレーン上に層間絶縁膜を介して設けられたパッチ電極と、
　前記アンテナグランドプレーンの下であって前記接地プレートの上に層間絶縁膜を介して設けられ、当該アンテナグランドプレーンを通過するスルーホールによって前記パッチ電極と接続されており、接地電位との間で高周波伝送路を構成するアンテナ線路と、
　前記接地プレート上に設けられ、接地電位との間で高周波伝送線路を構成し、前記アンテナグランドプレーンが形成されている層間絶縁膜と共通の層間絶縁膜上に形成されている第１の線路導体と、
を備えることを特徴とする高周波半導体装置。
　　【請求項２】接地電位との間で高周波伝送路を構成する第２の線路導体が、前記アンテナグランドプレーンに重ならないようにして、前記接地プレート上に層間絶縁膜を介して設けられていることを特徴とする請求項１記載の高周波半導体装置。
　　【請求項３】前記アンテナグランドプレーンは、アンテナ機能に実質的に影響しない領域まで広がる延在部分を有し、接地電位と高周波伝送線路を構成する第３の線路導体が、前記アンテナグランドプレーンの前記延在部分に層間絶縁膜を介して重なるように配置されていることを特徴とする請求項１記載の高周波半導体装置。
　　【請求項４】前記第３の線路導体は、前記アンテナグランドプレーンの前記延在部分上に、前記パッチ電極が形成されている層間絶縁膜と共通の層間絶縁膜を介して配置されていることを特徴とする請求項３記載の高周波半導体装置。
　　【請求項５】前記アンテナグランドプレーンの下部にパッシブデバイスが設けられていることを特徴とする請求項１記載の高周波半導体装置。
　　【請求項６】前記パッシブデバイスは、線路導体、キャパシタ素子、インダクタンス素子、抵抗素子のいずれかであることを特徴とする請求項５記載の高周波半導体装置。
　　【請求項７】前記層間絶縁膜は樹脂絶縁材料であることを特徴とする請求項１記載の高周波半導体装置。
　　【請求項８】前記樹脂絶縁材料は、ポリイミドあるいはベンゾシクロブテンであることを特徴とする請求項７記載の高周波半導体装置。
　　【請求項９】前記パッチ電極は矩形あるいは円形であることを特徴とする請求項１記載の高周波半導体装置。
　　【請求項１０】前記パッチ電極あるいはアンテナグランドプレーンは、良導体であることを特徴とする請求項１記載の高周波半導体装置。
　　【請求項１１】前記良導体は金あるいは超伝導体であることを特徴とする請求項１０記載の高周波半導体装置。」
　
　本件補正により請求項の数が１６から１１に減少することとなったが、補正後の請求項１ないし１１は補正前の請求項と異なるものであるから、本件補正が、単に、特許法１７条の２第４項第１号の請求項の削除を目的とするものでないことは明らかである。
　そこで、本件補正が、同第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するかについて検討する。補正前の請求項１に記載される「半導体基板」は、「高速半導体デバイスから成るモノリシックマイクロ波集積回路を構成する」ものであり、補正前の請求項２ないし１６は、直接ないし間接に請求項１を引用するものであるから、補正前の請求項に係る発明は、全て、「高速半導体デバイスから成るモノリシックマイクロ波集積回路を構成する半導体基板」を有するものである。しかし、補正後の請求項１に記載される「半導体基板」にはこの限定がないから、請求項１についての補正が特許請求の範囲の減縮に当たらないことは明らかである。また、補正後の請求項２ないし１１についても同様である。したがって、本件補正は同第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものではない。
　また、本件補正が同第３号の明りょうでない記載の釈明を目的とするものであるとも、同第４号の誤記の訂正を目的とするものであるとも認められない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明
　平成１６年１月２３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１５年１０月２３日付けで補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「高速半導体デバイスから成るモノリシックマイクロ波集積回路を構成する半導体基板上に設けられ、接地電位と接続されるアンテナグランドプレーンと、
　前記アンテナグランドプレーン上に層間絶縁膜を介して設けられたパッチ電極と、
　前記アンテナグランドプレーンの下部に設けられ、当該アンテナグランドプレーンを通過するスルーホールによって前記パッチ電極と接続されるアンテナ接続部と
を備えることを特徴とする高周波半導体装置。」
　
（２）引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−２８４０３１号公報（以下、「引用例」という。）には、図面と共に次の記載がある。
　「【００１６】図１のマイクロストリップアンテナは表面にパッチアンテナ１が配置された第１の誘電体基板４の下に、順次接地導体（上）５、第２の誘電体基板８、第３の誘電体基板１２、接地導体（中）１４、第４の誘電体基板２０、接地導体（下）２４および接地プレート２３が層をなしてプリント基板上に形成されており、第３の誘電体基板１２の上面に偏波制御給電回路１３が、そして第４の誘電体基板２０の裏面に移相器制御回路２１が配置されている。偏波制御給電回路１３と移相器制御回路２１は偏波切換回路を構成する。
【００１７】パッチ１は正方形状をなし、その４つの頂点が水平軸２と垂直軸３上に位置するように第１の誘電体基板４の上面に配置されており、パッチ１が配置されている第１の誘電体基板４と接地導体（上）５が積層されることにより、いわゆるマイクロストリップアンテナを形成する。
【００１８】パッチ１は、第１の給電点６および第２の給電点７において、接地導体（上）５と第２の誘電体基板８に設けられた給電ピン用穴９ａ，９ｂ中に埋め込まれた第１の給電ピン１０および第２の給電ピン１１によって第３の誘電体基板１２の上面に形成された偏波制御給電回路１３と接続されている。
【００１９】ここで、偏波制御給電回路１３は接地導体（上）５と第２の誘電体基板８および第３の誘電体基板１２と接地導体（中）１４に挟まれた、いわゆるトリプレート線路になっている。また、本例のマイクロストリップアンテナをアレイ状に配列する際に、素子間隔を０．５λ0 （λ0 は使用中心周波数の自由空間波長）に設定できるようにするために、偏波制御給電回路１３の回路寸法１５ａ，１５ｂは０．５λ0 未満となるように構成されている。
【００２０】上記の回路寸法条件を満足するためには、第２の誘電体基板８と第３の誘電体基板１２の比誘電率は高い（約４以上）ことが望ましい。
【００２１】偏波制御給電回路１３の高周波信号端子１６は高周波信号用コネクタ１７の中心導体１７ａと接続されており、また制御信号端子１８ａ，１８ｂ，１８ｃ、１８ｄはスルーホール１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄ（不図示、ただし図３に示す）を介して第４の誘電体基板２０の裏面に形成された移相器制御回路２１に接続されている。さらに、移相器制御回路２１は第４の誘電体基板２０の裏面で制御線用コネクタ２２に接続されている。」（３頁３欄４８行〜４欄４０行）
　「【００３４】図４は図１および図２におけるＡ−Ａ線で切断したときの断面図である。第１の給電ピン１０および第２の給電ピン１１が接地導体（上）５と接触しないように接地導体（上）５の中には、給電ピン用の孔４６ａ，４６ｂが設けられている。４２，４３は偏波制御給電回路１３中の可変移相器３０，３１の出力線路である。」（４頁６欄７〜１３行）
　
　上記記載によれば、引用例のマイクロストリップアンテナは、偏波制御給電回路１３と移相器制御回路２１とから構成される偏波切換回路を備えた高周波装置であるといえるから、引用例には、「移相器制御回路が形成された第４の誘電体基板２０上に設けられ、第２の誘電体基板８上に形成された接地導体（上）５と、接地導体（上）５上に第１の誘電体基板４を介して設けられて接地導体（上）５とともにアンテナを形成するパッチ１と、前記接地導体（上）５の下部に設けられ、当該接地導体（上）５と第２の誘電体基板８を通過する給電ピン１０，１１によって前記パッチと接続される出力線路４２，４３とを備える高周波装置。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
（３）対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「接地導体（上）５」、「パッチ１」、および「出力線路４２，４３」は、それぞれ、本願発明の「アンテナグランドプレーン」、「パッチ電極」、および「アンテナ接続部」に相当し、本願発明の「層間絶縁膜」と引用発明の「第１の誘電体基板４」とは絶縁層である点で共通し、また、本願発明の「スルーホール」と引用発明の「給電ピン１０，１１」とは層間接続部である点で共通する。
　したがって、本願発明の「半導体基板」と引用発明の「第４の誘電体基板」を対応させると、本願発明と引用発明とは、「回路を形成する基板上に設けられ、接地電位と接続されるアンテナグランドプレーンと、前記アンテナグランドプレーン上に絶縁層を介して設けられたパッチ電極と、前記アンテナグランドプレーンの下部に設けられ、当該アンテナグランドプレーンを通過する層間接続部によって前記パッチ電極と接続されるアンテナ接続部とを備えることを特徴とする高周波装置。」である点で一致し、次の点で相違する。
（相違点１）
　本願発明は、「高速半導体デバイスから成るモノリシックマイクロ波集積回路を構成する半導体基板」上にアンテナを形成した「高周波半導体装置」であるのに対し、引用発明は、「移相器制御回路が形成された第４の誘電体基板２０」上にアンテナを形成した「高周波装置」である点。
（相違点２）
　本願発明の絶縁層は「層間絶縁膜」であるのに対し、引用発明の絶縁層は「誘電体基板４」である点。
（相違点３）
　本願発明の層間接続部は「スルーホール」であるのに対し、引用発明の層間接続部は「接続ピン１０，１１」である点。
　
　以下、各相違点について検討する。
　高速半導体デバイスからなるモノリシックマイクロ波集積回路を構成する半導体基板上にアンテナを形成した高周波半導体装置は、特開平４−２１２０３号公報、特開平５−６７９１９号公報、特開平９−８３２４１号公報に記載されるように周知であるから、引用発明の第４の誘電体基板２０を「高
速半導体デバイスからなるモノリシックマイクロ波集積回路を構成する半導体基板」として高周波半導体装置を構成することは、当業者が容易に想到し得ることである。
　接地導体上に層間絶縁膜を介してパッチを形成することによりアンテナを構成することは、上記文献（特開平４−２１２０３号公報、特開平５−６７９１９号公報）に記載されるように周知であるから、相違点２に係る本願発明の構成を得ることは当業者が容易になし得ることである。
　層間接続部をスルーホールとすることは慣用技術であるから、相違点３に係る本願発明の構成を得ることは当業者が容易になし得ることである。
　また、本願発明の効果も引用発明及び周知・慣用技術から当業者が予測し得る範囲のものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知・慣用技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。