【事件の表示】
　平成１０年特許願第３５５７４３号「プラズマ処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年８月３１日出願公開、特開平１１−２３８７２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
　本願は平成１０年１２月１５日（優先日：平成９年１２月１７日）の出願であって、平成１５年３月２５日付けで拒絶理由が通知され、平成１５年５月１５日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成１５年６月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成１５年７月２４日に審判請求がなされるとともに、平成１５年８月２２日付け手続補正書で明細書が補正され、平成１５年１１月２８日付けで前置報告がなされ、平成１７年５月２０日付けで審尋がなされ、これに対して請求人から回答書が提出されなかったものである。
　　
II．補正の検討
　平成１５年８月２２日付け手続補正書による補正について、以下のとおり検討する。
(II-1)補正の内容
　本補正は、明細書の特許請求の範囲を、次の請求項１のとおりに補正する補正である。（以下、補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明を「補正発明１」という。）
「【請求項１】反応室内に設けられた試料台の基板載置部に、主面にＤＲＡＭが形成されていると共に主面の上にシリコン酸化膜が形成されている基板を載置すると共に、前記試料台の前記基板載置部の周囲に合成石英からなるリング部材を配置する工程と、
　前記反応室内に、フルオロカーボンを含む反応性ガスを導入すると共に、導入された前記反応性ガスからなるプラズマを発生させる工程と、
　前記シリコン酸化膜に対して、前記プラズマを用いてエッチングを行なう工程とを備えていることを特徴とするプラズマ処理方法。」
　　
　本補正は、補正前の請求項１中の反応性ガスについてさらに限定する補正であって、改正前の特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる事項を目的にするものといえる。
　　
(II-2)引用例及びその記載事実
　本願優先日前に頒布された以下の刊行物には、次の記載がある。
（１）引用例１：特開平７−３３０３５７号公報（平成７年１２月１９日公開）
(1-1)「【請求項１】気相化学反応により合成された石英ガラス材料であって、含有されるＯＨ基濃度が１３０ｐｐｍ以下であり、ＧＨｚ周波数帯域におけるＦＱ値（周波数×Ｑ値）が１０００００以上であることを特徴とするマイクロ波プラズマ装置用の石英ガラス材料。」（請求項１）
(1-2)「本発明はマイクロ波プラズマ装置用の石英ガラス材料に関し、より詳細にはマイクロ波を使用して発生させたプラズマを利用する半導体デバイス製造用のエッチング装置、アッシング装置またはＣＶＤ装置等に配設されたマイクロ波導入窓、観測窓、ベルジャ、ウエハ支持部品等を形成するのに用いられるマイクロ波プラズマ装置用の石英ガラス材料に関する。」（段落【0001】）
(1-3)「図示しない別のマイクロ波プラズマ装置には、石英ガラス材料等により形成された部品として観測窓、ウエハ支持治具、ベルジャ等が配設されている。」（段落【0006】）
(1-4)「上記したマイクロ波導入窓２２、観測窓、ウエハ支持具、ベルジャ等を形成する石英ガラス材料は、原料及び製造方法により溶融石英ガラス材料と気相合成石英ガラス材料との２種類に大別される。溶融石英ガラス材料は原料として天然の結晶質石英粉末を用い、真空状態下の電気抵抗加熱炉、または酸素−水素火炎の熱により溶融・形成したものであり、原料等からの不純物を比較的多く含んでいる一方、耐熱性が高いという特性を有している。また気相合成石英ガラス材料はＳｉＣｌ４　等のＳｉ化合物を酸素−水素火炎中で加水分解することにより気相合成したもので、含有する不純物濃度は数１０ｐｐｂ以下であり、非常に高純度である。そして上記した従来のマイクロ波導入窓２２等の部品には、主として比較的耐熱性が高い溶融石英ガラス材料が用いられていた。」（段落【0007】）
(1-5)「前記溶融石英ガラス材料を用いて形成されたマイクロ波導入窓２２等の部品にはＮａ、Ｋ、Ｆｅ、Ａｌ等の不純物が全体で数ｐｐｍ〜２０ｐｐｍ程度含有されており、プラズマ処理中にこれらがハロゲン化して試料Ｓ表面に付着し、ウエハの品質に悪影響を及ぼすという問題があった。」（段落【0009】）
(1-6)「前記気相合成石英ガラス材料を用いて形成されたマイクロ波導入窓２２等の部品は高純度であり、組織が比較的均一であることから、ハロゲン系の活性ガス種による侵食が比較的均一に行なわれ、穴が開くトラブルの発生は少ない。また近年、電子回路等の高集積化に伴い、試料ＳとしてのＳｉウエハに対する不純物汚染防止の要求が一層高くなっており、前記溶融石英ガラス材料よりも純度の高い前記気相合成石英ガラス材料の使用が求められてきている。」（段落【0010】）
(1-7)「本発明はこのような課題に鑑みなされたものであり、マイクロ波を用いるプラズマ装置の部品として使用しても、ウエハの不純物汚染を生じさせず、またプラズマ処理中に穴が開くことも破損することもなく、寿命を長くすることができるとともに、プラズマ処理を安定的に行なわせることができるマイクロ波プラズマ装置用の石英ガラス材料を提供することを目的としている。」（段落【0012】）
(1-8)「本発明に係るマイクロ波プラズマ装置用の石英ガラス材料によれば、気相化学反応により合成された石英ガラス材料であるため、含有されるＮａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｆｅ、Ａｌ等の不純物量を少なくし得る」（段落【0019】）
(1-9)「実施例１〜４及び比較例１〜３のものの不純物元素についてはプラズマ発光分析法、原子吸光分析法により分析を行い、Ａｌ、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｆｅ、Ｃｒ及びＮｉ等の総量がそれぞれ１ｐｐｍ以下であることを確認した。」（段落【0022】）
　　
（２）引用例２：特開平９−２７３９８号公報（平成９年１月２８日公開）
(2-1)「本発明は、被処理体に対して、エッチング処理を始めとする各種のプラズマ処理を施す際に用いるプラズマ処理装置に関するものである。」（段落【0001】）
(2-2)「前記サセプタ６上には、ウエハＷを吸着保持するための静電チャック１１が設けられている。・・・もちろんそのような静電チャック１１に拠らず、機械的クランプによってウエハＷの周縁部を押圧するようにして、サセプタ６上にウエハＷを保持する構成としてもよい。」（段落【0019】）
(2-3)「前記サセプタ６上の周辺には、静電チャック１１を囲むようにして、平面が略環状の内側フォーカスリング２１が設けられている。この内側フォーカスリング２１は導電性を有する単結晶シリコンからなっている。この内側フォーカスリング２１は、プラズマ中のイオンを効果的にウエハＷに入射させる機能を有している。
　前記内側フォーカスリング２１の外周には、さらに平面が略環状の外側フォーカスリング２２が設けられている。この外側フォーカスリング２２は絶縁性を有する石英からなり、またその外周上縁部は、外側に凸の湾曲形状に成形され、ガスが澱まず円滑に排出されるようになっている。この外側フォーカスリング２２は、後述のシールドリング４４と共に、サセプタ６と上部電極４１との間に発生したプラズマの拡散を抑制する機能を有している。」（段落【0020】〜【0021】）
(2-4)「本実施の形態にかかるエッチング装置１の主要部は以上のように構成されており、例えばシリコンのウエハＷの酸化膜（ＳｉＯ２）に対してエッチング処理する場合の作用等について説明すると、まずゲートバルブ６１が開放された後、搬送手段６３によってウエハＷが処理室２内に搬入される。このとき駆動モータ８の作動により、サセプタ６は下降してウエハＷ受け取りの待機状態にある。そして搬送手段６３によってウエハＷが静電チャック１１上に載置された後、搬送手段６３は待避してゲートバルブ６１は閉鎖され、また駆動モータ８の作動によってサセプタ６は所定の処理位置まで上昇する。
　次いで処理室２内が、真空引き手段５１によって減圧されていき、所定の減圧度になった後、処理ガス供給源４０からＣＦ４ガスが供給され、処理室２の圧力が、例えば１０ｍＴｏｒｒに設定、維持される。
　そして上部電極４１に対して高周波電源５６から周波数が２７．１２ＭＨｚの高周波電力が供給されると、上部電極４１とサセプタ６との間にプラズマが生起される。またこれより僅かに遅れて（１秒以下のタイミング遅れ）をもって、サセプタ６に対して高周波電源５４から周波数が８００ｋＨｚの高周波電力が供給される。そのようにサセプタ６に対してタイミングを遅らせて高周波電力を供給させることにより、過大な電圧によってウエハＷがダメージを受けることを防止できる。そして発生したプラズマによって処理室２内のＣＦ４ガスが解離し、その際に生ずるフッ素ラジカルが、サセプタ６側に印加されたバイアス電圧によってその入射速度がコントロールされつつ、ウエハＷ表面のシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）をエッチングしていく。」（段落【0033】〜【0035】）
　　
(II-3)対比・判断
　上記摘記によれば、引用例２には、被処理体に対してエッチング処理を始めとする各種のプラズマ処理を施す際に用いるプラズマ処理装置（摘記2-1）について記載され、併せて、サセプタ６上には、ウエハＷを吸着保持するための静電チャック１１が設けられること（摘記2-2）、シリコンのウエハＷの酸化膜（ＳｉＯ２）に対してエッチング処理する場合について、ウエハＷが処理室２内に搬入され、搬送手段６３によってウエハＷが静電チャック１１上に載置され、処理室２内にＣＦ4ガスが供給され、上部電極４１とサセプタ６との間にプラズマが生起され、発生したプラズマによって処理室２内のＣＦ4ガスが解離し、その際に生ずるフッ素ラジカルが、ウエハＷ表面のシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）をエッチングしていくこと（摘記2-4）、及び、サセプタ６上の周辺には、静電チャック１１を囲むようにして、平面が略環状の内側フォーカスリング２１が設けられ、そして、前記内側フォーカスリング２１の外周には、さらに平面が略環状の外側フォーカスリング２２が設けられること（摘記2-3）が記載されている。
　そして、引用例２に記載のサセプタないし静電チャックは、補正発明１における「反応室内に設けられた試料台の基板載置部」に相当する。また、引用例２に記載の絶縁性を有する石英は、補正発明１における「石英」に相当し、引用例２に記載の外側フォーカスリングは、補正発明１における「リング部材」に相当し、また、引用例２に記載のＣＦ４ガスは、補正発明１における「フルオロカーボンを含む反応性ガス」に相当する。したがって、引用例２の記載において、シリコンのウエハＷの酸化膜（ＳｉＯ２）に対してエッチング処理する場合について、ウエハＷが処理室内に搬入され、ウエハＷが静電チャック上に載置され、処理室内にＣＦ４ガスが供給され、上部電極とサセプタとの間にプラズマが生起され、発生したプラズマによって処理室内のＣＦ4ガスが解離し、その際に生ずるフッ素ラジカルで、ウエハＷ表面のシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）をエッチングすることは、補正発明１において、「主面の上にシリコン酸化膜が形成されている基板を載置すると共に、前記試料台の前記基板載置部の周囲に石英からなるリング部材を配置する工程と、前記反応室内に、フルオロカーボンを含む反応性ガスを導入すると共に、導入された前記反応性ガスからなるプラズマを発生させる工程と、前記シリコン酸化膜に対して、前記プラズマを用いてエッチングを行なう工程とを備えている」としたことに相当するといえる。
　したがって、引用例２には、
「反応室内に設けられた試料台の基板載置部に、主面の上にシリコン酸化膜が形成されている基板を載置すると共に、前記試料台の前記基板載置部の周囲に石英からなるリング部材を配置する工程と、
　前記反応室内に、フルオロカーボンを含む反応性ガスを導入すると共に、導入された前記反応性ガスからなるプラズマを発生させる工程と、
　前記シリコン酸化膜に対して、前記プラズマを用いてエッチングを行なう工程とを備えていることを特徴とするプラズマ処理方法。」
が記載されているといえる。（以下、これを「引用例２発明」という。）
　　
　そこで、補正発明１と引用例２発明とを対比すると、両者は、
「反応室内に設けられた試料台の基板載置部に、主面の上にシリコン酸化膜が形成されている基板を載置すると共に、前記試料台の前記基板載置部の周囲に石英からなるリング部材を配置する工程と、
　前記反応室内に、フルオロカーボンを含む反応性ガスを導入すると共に、導入された前記反応性ガスからなるプラズマを発生させる工程と、
　前記シリコン酸化膜に対して、前記プラズマを用いてエッチングを行なう工程とを備えていることを特徴とするプラズマ処理方法。」
の点で一致し、そして、
（イ）補正発明１では、上記基板について「主面にＤＲＡＭが形成されていると共に」と特定されているのに対して、引用例２発明ではそのような特定がなされていない点、及び、
（ロ）補正発明１では、上記リング部材を構成する石英について、「合成」石英であることが特定されているのに対して、引用例２発明ではそのような特定がなされていない点、
で相違している。
　　
　そこで、これら相違点について、以下検討する。
（ｉ）相違点（ロ）について
　引用例１には、プラズマを利用する半導体デバイス製造用のエッチング装置のウエハ支持部品等に用いる石英ガラス材料として、気相合成された石英ガラス材料を用いることが記載されており（摘記1-1〜1-4）、そして、溶融石英ガラス材料は、Ｎａ、Ｋ、Ｆｅ、Ａｌ等の不純物を比較的多く含むのに対して、気相合成石英ガラス材料の不純物濃度は数１０ｐｐｂ以下であり、非常に高純度であり（摘記1-4、1-5、1-8、1-9）、また、電子回路等の高集積化に伴い、Ｓｉウエハに対する不純物汚染防止の要求が一層高くなり、純度の高い気相合成石英ガラス材料の使用が求められてきていること（摘記1-6）が記載されており、そして、この気相合成された石英ガラス材料は、合成石英に該当するといえる。
　ただ、引用例１の記載においては、石英ガラス材料を適用するウエハ支持部品について、それ以上の具体的な記載は見当たらない。しかし、ウエハ載置部の周囲に配置するリング部材は、ウエハ支持部品、ないしウエハ支持部品に付加して用いられる部材といえ、処理室内でプラズマに曝されるものである点からみて、これら部材を、不純物の少ない材料で構成することは容易に想到できることであるから、引用例１に記載された不純物濃度の低い合成石英を、リング部材の構成材料として適用することに、格別の困難性があるということはできない。
　したがって、上記相違点（ロ）とした点に、格別の困難性があるとすることはできない。
　　
（ii）相違点（イ）について
　シリコン酸化膜のエッチングを含む工程によりＤＲＡＭを製造することは本願優先日前周知の事項であり（要すれば、特開平５−２９４７９号、同５−１３３７２号各公報を参照。）、したがって、引用例２に記載されたシリコン酸化物のエッチング（摘記2-4）に用いられる外部フォーカスリング（摘記2-3）を、主面にＤＲＡＭが形成されている基板のエッチングに適用することに、格別の困難性があるということはできない。
　したがって、上記相違点（イ）とした点に、格別の困難性があるとすることはできない。
　　
　以上（ｉ）及び（ii）に記載したとおりであるから、補正発明１は、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　なお、ＤＲＡＭのポーズタイムが改善されたとする補正発明１の効果については、上記のとおり、補正発明１の特定事項が容易に想到できたものである以上、当該効果のみをもって、補正発明１が想到困難であったとすることはできない。
　　
(II-4)補正についての結論
　以上のとおりであるから、補正発明１は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができるものとはいえず、したがって、本補正は、特許法等の一部を改正する法律（平成１５年法律第４７号）附則第２条第７項の規定によりなお従前の例によるとされる改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下する。
　　
III．本願発明
　平成１５年８月２２日付けの手続補正書による補正は、上記「II．補正の検討」の欄に記載したとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、平成１５年５月１５日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりの、以下のものと認める。
「【請求項１】反応室内に設けられた試料台の基板載置部に、主面にＤＲＡＭが形成されていると共に主面の上にシリコン酸化膜が形成されている基板を載置すると共に、前記試料台の前記基板載置部の周囲に合成石英からなるリング部材を配置する工程と、
　前記反応室内に反応性ガスを導入すると共に、導入された反応性ガスからなるプラズマを発生させる工程と、
　前記シリコン酸化膜に対して、前記プラズマを用いてエッチングを行なう工程とを備えていることを特徴とするプラズマ処理方法。」
　　
IV．原査定の引用例
引用例１：特開平７−３３０３５７号公報
引用例２：特開平９−２７３９８号公報
　　
Ｖ．原査定の引用例の記載事実
　上記引用例１〜２は、前記「(II-2)引用例及びその記載事実」の欄に示した引用例１〜２と同一の引用例であり、その記載事実は、同欄における摘記を援用する。
　　
VI．対比・判断
（ｉ）本願発明１について
　本願発明１は、先の「II．補正の検討」の欄で対象とした補正発明１に比較して、反応性ガスの点でさらに広い範囲を包含する発明である。
　したがって、本願発明１は、「II．補正の検討」の欄において、補正発明１について記載したと同様、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
VII．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、したがって、本願は拒絶すべきものである。