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　特願２００１−　４１９４５「内側を清浄にするための自動清浄機能を有する薄膜形成装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年８月３１日出願公開、特開２００１−２３７２３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明 
　本願は、平成１３年２月１９日（パリ条約による優先権主張　２０００年２月２４日、米国）の出願であって、平成１５年９月１９日付けで拒絶理由が通知され、平成１５年１１月２１日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成１６年１月２８日付けで拒絶査定がなされた。その後、平成１６年２月２７日付けで審判請求書が提出され、当審において平成１８年３月８日付けで拒絶理由が通知され、それに対して、平成１８年５月２日付けで意見書及び手続補正書が提出された。 
　したがって、請求項１に係る発明は、平成１８年５月２日付けの手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。 
「薄膜形成装置であって、
　反応チャンバ内に与えられたサセプタ上に載置された被処理体上に薄膜を形成するための反応チャンバであって、前記サセプタは被処理体を加熱するためのヒータを備え、前記反応チャンバは反応チャンバ内へ及び外へ被処理体をロードし及びアンロードするためのコンベアを備える、ところの反応チャンバと、
　反応チャンバの内側に付着した不所望の析出物を清浄にするための清浄装置と、から成り、前記清浄装置が
　(i)反応チャンバ内に清浄ガスを導入し、清浄処置の後に反応チャンバを排気するための清浄ガス制御器と、
　(ii)ラジカル形式に清浄ガスを活性化するための清浄ガスアクチベータと、
　(iii)膜形成の完了後に清浄にするために毎分２０℃を超えない速度で、サセプタと清浄ガスとが反応を生じない温度まで、サセプタの温度を降下させその後清浄ガス制御器及び清浄ガスアクチベータを作動させるようプログラムされた温度及びタイミング制御器と、
から成り、
　前記清浄ガスはフッ素系ガスであり、プラズマにより活性化され、前記温度及びタイミング制御器により、清浄処理が最適化され、生産性が向上することを特徴とする装置。」
 　 
２．刊行物の記載事項 
　これに対して、当審の拒絶理由に引用された刊行物である特開平１１−１６８５８号公報（以下「刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。 
 
（１ａ）「ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によるＴｉ膜は、一般的には、原料ガスとしてＴｉＣｌ4 （四塩化チタン）ガスと水素ガスを用いてプラズマ処理により成膜される。通常は、Ｔｉ膜の成膜に限らず、ウエハ表面にある種の成膜を行なうと、ウエハ表面のみならず、装置の内部構造物である処理容器の側壁、サセプタ（載置台）、シャワーヘッド等の表面にも膜が付着することは避けられない。この膜は、成膜途中で剥がれたりすると、パーティクルとなってウエハ表面に付着して素子欠陥の原因となるので、ある程度の枚数、例えば２５枚程のウエハの成膜処理を連続して行なったならば、内部構造物等に付着した成膜を除去するためのクリーニング処理が行なわれる。
　・・・Ｔｉ膜のクリーニング処理としては、一般的にはクリーニングガスとしてＣｌＦ3 ガスやＮＦ3 ガスを用いている。クリーニング処理は、Ｔｉ膜の成膜処理後にＴｉ膜の成膜温度である、例えば６５０℃からクリーニング温度である、例えば２００〜３００℃程度まで処理容器内の温度を降温させて、上記クリーニング温度になったならば、上記したＣｌＦ3 ガスやＮＦ3 ガス等を処理容器内へ導入してクリーニング処理を行なう。ＣｌＦ3 ガスを用いる場合には、プラズマは停止するが、ＮＦ3 ガスを用いる場合にはプラズマも併せて発生させる。上述のように、クリーニングを行なうために処理容器内の温度を２００〜３００℃まで低下させる理由は、クリーニング温度が上記した温度よりも高過ぎると、不要な部分に付着したＴｉ膜のみならず容器内壁や載置台等の容器内構造物自体もエッチングにより削られてしまうからである。
　・・・このようにして、一定時間のクリーニング処理が完了したならば、処理容器内の温度を成膜温度、例えば６５０℃まで再度昇温して、Ｔｉ膜の成膜を開始する。このような処理工程の一連の流れは、図６に概略的に示しており、例えば期間Ｔ１では、例えば２５枚のウエハのＴｉ膜の成膜を連続的に行ない、これが終了すると、期間Ｔ２にて処理容器内の降温を行なう。そして、クリーニング温度まで降温させたならば、次に期間Ｔ３にてクリーニングガスを流してＴｉ膜のクリーニング処理を行なう。そして、このクリーニングが終了したならば、期間Ｔ４にて処理容器内の温度を成膜温度まで昇温し、再度、成膜プロセスへ移行する。このようにして上記した期間Ｔ１〜Ｔ４のプロセスを繰り返し、連続的に行なうようになっている。
　・・・上記したような従来のクリーニング処理にあっては、図６に示したように、期間Ｔ３のクリーニング処理の前後に、期間Ｔ２及び期間Ｔ４で表される降温及び昇温操作を行なわなければならないことから、その間は成膜処理が行なえず、スループットを低下させてしまうという問題があった。例えば成膜ウエハ枚数にもよるが、クリーニング処理の期間Ｔ３が、約３０分位であるのに対し、その前後の降温及び昇温の期間Ｔ２、Ｔ４もそれぞれ３０分程度も要し、スループットの低下の原因となっていた。」（【０００３】〜【０００６】）
　
（１ｂ）図６には、成膜工程とエッチング工程における温度の変化を示す図として、６５０度でＴｉ成膜をＴ１期間行ない、その後Ｔ２期間で２００〜３００℃まで降温させ、さらに、Ｔ３期間の間に一定の温度でクリーニングを行い、その後、Ｔ４期間で６５０度まで昇温するという、クリーニング処理技術を含む一連の処理工程における処理容器内の温度変化が示されている。
　
３．対比・判断 
　上記摘記事項（１ａ）及び（１ｂ）には、成膜装置のクリーニング処理において
　「ウエハ表面にある種の成膜を行うと、装置の内部構造物である、処理容器の側壁、サセプタ（載置台）、シャワーヘッド等の表面にも膜が付着するので、この内部構造物に付着した成膜を除去するためのクリーニング処理」するという技術が記載されている。
　具体的には、「成膜処理後に、成膜温度である６５０℃から、クリーニング温度である２００〜３００℃程度に処理容器内の温度を降温させ、当該クリーニング温度になったならば、ＮＦ３ガスを処理容器内に導入しクリーニング処理を行う方法」が記載されている。
　ここで、ＮＦ３ガスは、プラズマ化してクリーニングガスとして用いることが（１ａ）に記載されていることから、少なくともクリーニングガスをプラズマ化するプラズマ機構を有し、また、（１ａ）及び（１ｂ）には、６５０℃から２００〜３００℃までの降温期間Ｔ２が３０分程度と記載されていることから、降温速度は、約１１．６７〜１５℃／ｍｉｎであることが開示されている。
　また、当該クリーニング処理方法において、一般の成膜装置の存在を前提とした技術であり、上記摘記事項（１ａ）に記載された成膜装置に関する記載から、当該クリーニング処理方法は、少なくともクリーニング処理を施す処理容器、ウエハを支持するサセプタ、処理容器にクリーニングガスを導入するクリーニングガス導入機構、処理容器の内壁に付着した成膜を除去する装置としてのクリーニング機構を有することは、当業者において明らかである。
　
　以上のことを総合すると、刊行物には、
「成膜装置であって、
　処理容器内に与えられたサセプタ上に載置されたウエハ上に成膜するための処理容器を具備し、処理容器の内壁に付着した成膜を除去するクリーニング機構とからなり、クリーニング機構が、処理容器内にクリーニングガスであるＮＦ３ガスを導入するクリーニングガス導入機構と、ＮＦ３ガスをプラズマ化するプラズマ化機構と、成膜処理後に、約１１．６７〜１５℃／ｍｉｎで、２００〜３００℃程度に処理容器内の温度を降温させ、当該クリーニング温度になったならば、ＮＦ３ガスをプラズマ化してクリーニング処理する成膜装置」（以下、「刊行物発明」という。）が開示されているといえる。
　
　ここで、本願発明と刊行物発明とを対比すると、
　刊行物発明の「成膜装置」，「処理容器」，「ウエハ」，「ＮＦ３ガス」，「クリーニングガス」は、本願発明の「薄膜形成装置」，「反応チャンバ」，「被処理体」，プラズマにより活性化される「フッ素系ガス」，「清浄ガス」に相当する。
　また、刊行物発明の「プラズマ化機構」は、本願発明の「ラジカル形式に清浄ガスを活性化するための清浄ガスアクチベータ」に相当する。
　さらに、上記摘記事項（１ａ）には、処理容器内のクリーニング温度を２００〜３００℃に低下させる理由として「クリーニング温度が上記した温度よりも高過ぎると、不要な部分に付着したＴｉ膜のみならず容器内壁や載置台等の容器内構造物自体もエッチングにより削られてしまうからである」と記載され、ここで「載置台」は「サセプタ」に対応するから、２００〜３００℃という温度は、「サセプタと清浄ガスとが反応しない温度」を意味し、「約１１．６７〜１５℃／ｍｉｎ」という降温速度は、「毎分２０℃を超えない速度」に含まれるので、刊行物発明の「成膜処理後に、クリーニングするために約１１．６７〜１５℃／ｍｉｎで、２００〜３００℃程度に処理容器内の温度を降温させ」ることは、本願発明の「膜形成の完了後に清浄にするために毎分２０℃を超えない速度で、サセプタと清浄ガスとが反応を生じない温度まで、サセプタの温度を降下させ」ることに相当する。
　　
　以上の検討から、両者は、 
「薄膜形成装置であって、
　反応チャンバ内に与えられたサセプタ上に載置された被処理体上に薄膜を形成するための反応チャンバであって
　反応チャンバの内側に付着した不所望の析出物を清浄にするためのクリーニング機構と、から成り、前記クリーニング機構が
　反応チャンバ内に清浄ガスを導入する清浄ガス導入機構とラジカル形式に清浄ガスを活性化するための清浄ガスアクチベータと、
　膜形成の完了後に清浄にするために毎分２０℃を超えない速度で、サセプタと清浄ガスとが反応を生じない温度まで、サセプタの温度を降下させる機構を有し、前記清浄ガスはフッ素系ガスであり、プラズマにより活性化されることを特徴とする装置。」
 であることで一致し、以下の各点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明では、サセプタは、被処理体を加熱するためのヒータを備え、反応チャンバは、反応チャンバ内へ及び外へ被処理体をロードし、及びアンロードするためのコンベアを備えるのに対して、刊行物発明では、サセプタに付加されているヒータ機能及び反応チャンバに付加されている搬送機能について明記されていない点
　
　相違点２
　本願発明では、反応チャンバ内に清浄ガスを導入し、清浄処置の後に反応チャンバを排気するための清浄ガス制御器を具備するのに対して、刊行物発明では、反応チャンバ内に清浄ガスを導入する清浄ガス導入機構を有するが清浄処置の後に反応チャンバを排気するための機能が明記されていない点
　
　相違点３
　本願発明では、清浄装置に、清浄ガス制御器及び清浄ガスアクチベータを作動させるようプログラムされた温度及びタイミング制御器を具備し、当該温度及びタイミングにより清浄処理が最適化され、生産性が向上することを特徴とするのに対して、刊行物発明には、清浄装置に、清浄ガス制御器及び清浄ガスアクチベータを作動させるようプログラムされた温度及びタイミング制御器について明記されていない点
　
　以下、上記三つの相違点について検討する。
　
　相違点１について
　薄膜形成装置において、被処理体である半導体ウエハに薄膜形成等の処理をする際、被処理体の温度が処理特性に影響を与えることはよく知られており、当該温度を制御して、所望の処理特性を得ることは周知な技術的課題である。そして、当該技術的課題に対する具体的構成として、被処理体の支持部材であるサセプタに、処理時の温度制御のために、ヒータを設けることは慣用手段である。
　また、半導体ウエハを処理する際、被処理体の搬送効率を高めることは生産性向上の観点から周知の技術的課題である。そして、当該技術的課題に対する具体的構成として、半導体ウエア等の被処理体のチャンバ内外への搬送機構として、ウエハの連続処理をするためにロード及びアンロードするコンベアを設けることは慣用手段である。
　したがって、刊行物発明において、被処理体の温度制御及び被処理体の搬送効率という周知の技術的課題についての各々に配慮して、前記慣用手段を採用することは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
　相違点２について
　清浄ガスによるクリーニング機能を有する薄膜形成装置において、反応チャンバ内に清浄ガスを導入し、クリーニング処置の後、清浄ガスを排気する機構については、清浄ガスの流量等を制御するために不可欠な構成要素であり、真空ポンプ系の装置を用いることが必然である。
　したがって、刊行物発明において、反応チャンバ内に清浄ガスを導入し、清浄処置の後に反応チャンバを排気するための清浄ガス制御器を設けることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　
　相違点３について
　刊行物発明において、清浄ガス制御器と清浄ガスアクチベータの具体的な制御方法については、上記摘記事項（１ｂ）に示されたように、サセプタの温度が、サセプタと清浄ガスとが反応を生じない温度まで降下された後、クリーニング期間であるＴ３において、清浄ガスが導入され、清浄ガスはプラズマ化されラジカル形式となるように制御される必要がある。そして、そのためには、清浄ガス制御器と清浄ガスアクチベータを温度及びタイミング制御器を設けて制御することは、当業者であれば容易に採用し得る技術的事項である。　
　また、清浄ガス制御器と温度及びタイミング制御器をプログラムにより制御することは慣用手段であり、当該プログラムは、通常、清浄処理の最適化及び生産性の向上を実現するように当業者が配慮する技術的課題である。
　したがって、刊行物発明において、上記慣用手段及び技術的課題に配慮し、清浄ガス制御器と清浄ガスアクチベータを具体的に制御するために、温度及びタイミング制御器を採用し、これにより清浄処理が最適化され、生産性が向上するようにすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
　また、本願発明の清浄処置による薄膜形成の品質の一定化や薄膜形成装置の生産性の向上という効果も、刊行物に記載された事項から予測できる程度の効果に過ぎない。 
 
　よって、本願発明は、刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
 　　 
４．むすび 
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
　よって、結論のとおり審決する。