【事件の表示】
　平成７年特許願第１０１１４０号「窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成８年１１月５日出願公開、特開平８−２９３４８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
 　本願は、平成７年４月２５日の出願であって、平成１５年７月２８日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月３日付けで意見書及び手続補正がなされ、平成１６年８月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月２７日付けで手続補正がなされたものである。 
 　 
２．平成１６年１０月２７日付けの手続補正について 
 　 
 ［補正却下の決定の結論］ 
 　平成１６年１０月２７日付けの手続補正を却下する。 
 　 
 ［理由］ 
 （１）補正後の本願発明 
 　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、 
 「リアクティブイオンエッチングにおけるエッチングガスとして、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）と塩素（Ｃｌ２）の混合ガスを真空容器に導入し、窒化ガリウム系化合物半導（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）、Ｉｎ１−ｙＧａｙＮ（０＜ｙ≦１）半導体）をエッチングする構成であり、
　前記リアクティブイオンエッチングは、真空容器内に配置された平行平板型の一対の電極の一方の電極であるカソード電極上に前記窒化ガリウム系化合物半導体が載置された状態で実施され、前記混合ガスは、前記一対の電極の他方の電極であるアノード電極側であって前記真空容器の上方から前記窒化ガリウム系化合物半導体が位置する下方に向かって前記真空容器内に導入されることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法。」
　と、また、特許請求の範囲の請求項３は、
「リアクティブイオンエッチングにおけるエッチングガスとして塩素（Ｃｌ２）ガスを用いる窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）、Ｉｎ１−ｙＧａｙＮ（０＜ｙ≦１）半導体）のドライエッチングにおいて、
　真空容器内においてそれぞれが水平状態で相互に対向してに配置された一対の電極の一方であるカソード側の電極カバーとしてケイ素を用い、ケイ素電極カバー上にエッチング試料を載置して、前記一対の電極の他方の電極側であって前記真空容器の上方から前記窒化ガリウム系化合物半導体が位置する下方に向かって前記塩素（Ｃｌ２）ガスを前記真空容器内に導入することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法。」
　と補正された。 
　
（なお、請求項１及び請求項３における「（０≦＜ｘ＜１）」は明細書【０００１】、【０００２】の「ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）」等の記載からみて「（０≦ｘ＜１）」の明らかが誤記と思われるので、請求項１及び請求項３について、上記の通り認定した。）
　
　まず、請求項１に対する補正から検討する。
　上記請求項１に対する補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「リアクティブイオンエッチング」について、「真空容器内に配置された平行平板型の一対の電極の一方の電極であるカソード電極上に前記窒化ガリウム系化合物半導体が載置された状態で実施され」との限定を付加し、同じく「混合ガス」について「一対の電極の他方の電極であるアノード電極側であって前記真空容器の上方から前記窒化ガリウム系化合物半導体が位置する下方に向かって前記真空容器内に導入される」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号に規定される特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際、独立して特許を受けることができるものであるか特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するかについて以下に検討する。 
　
（２）引用例 
 　原査定の拒絶理由に引用された先願、特願平６−１４９９６０号（特開平８−１７８０３号）（以下、「先願」という。）の出願当初の明細書又は図面には、以下の事項が記載されている。 
（１ａ）「【特許請求の範囲】 
 【請求項１】  窒化ガリウム系化合物半導体を塩素ガスとケイ素含有ガスとの２種類のガスを含むプラズマ発生ガスから発生されたプラズマガスでエッチングすることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法。
【請求項２】  前記ケイ素含有ガスが、四塩化ケイ素ガスである請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法。」（第１頁左欄１〜９行） 
（１ｂ）「【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオード、レーザーダイオード等のデバイスに使用される窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法に係り、特に反応性プラズマを用いたエッチング方法に関する。」（第１頁左欄２３〜２６行）
（１ｃ）「【００１２】・・・本発明によりドライエッチングされる窒化ガリウム系化合物半導体は、ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＮ等のガリウムと窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であり、式Ｉｎa Ａｌb Ｇａ1-a-b Ｎ（ここで、０≦ａ、０≦ｂ、ａ＋ｂ≦１）で表わすことができる。」（第３頁左欄２２〜２７行）
（１ｄ）「【００１３】さて、本発明の第１の態様において、窒化ガリウム系化合物半導体を塩素ガス（Ｃｌ2 ）とケイ素含有ガスとの２種類のガスを含むプラズマ発生ガスから発生されたプラズマガスでエッチングする。より具体的には、通常１０-6ｔｏｒｒのオーダーに減圧されたエッチング室内に設置された電極（例えば、平行平板電極の一方）上に窒化ガリウム系化合物半導体を載置し、エッチング室内に塩素ガスとケイ素含有ガスとの２種類のガスを含むプラズマ発生ガスを導入し、電極に高周波電力を印加してプラズマ発生ガスからプラズマを発生させ、そのプラズマにより窒化ガリウム系化合物半導体をエッチングする。
【００１４】ここで用いるケイ素含有ガスとしては、例えば四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4 ）、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ4 ）等のハロゲン化ケイ素ガス、シランガス（ＳｉＨ4）、さらにはＳｉを含む有機金属化合物ガス等を例示することができる。これらケイ素含有ガスは、酸化物の形態にないことが望ましい。最も好ましいケイ素含有ガスは、四塩化ケイ素である。四塩化ケイ素は、塩素を含むので、塩素ガスと共に窒化ガリウム系化合物半導体をエッチングする際、塩素とケイ素以外の他の元素が窒化ガリウム系化合物半導体に悪影響を及ぼすことがない。従って、本発明の第１の態様では、プラズマ発生ガスとして四塩化ケイ素ガスと塩素ガスとの組み合わせを用いることが最も好ましい。」（第３頁左欄４２〜同頁右欄１６行） 
（１ｅ）「【００２３】図１は本発明の方法を実施するために用いられるドライエッチング装置の一例を概略的に示す図である。この装置は、基本的には、エッチング室１、高周波電源２、排気装置、プラズマ発生ガス導入装置より構成されている。
【００２４】より具体的には、例えばアルミニウム製のエッチング室１の内部には、一対の平行平板型電極１１，１２が対向して設置されている。一般に、陽極１１はアース電位に保たれ、陰極１２に高周波電力が印加される。陰極１２はプラズマガスにより激しくたたかれ、陰極１２を構成する金属材料が溶融するような温度にまで上昇するので、これを冷却するために裏面に冷却水が流通されるように中空構造を有している。この陰極１２には、１３．５６ＭＨｚの高周波電源２がマッチングボックス２２を介して接続され、プラズマが制御される。
【００２５】エッチング室１は、排気管３を有し、この排気管３にはドライポンプ、ターボポンプ等が組み合わされた排気装置（図示せず）が接続さている。この排気装置の駆動により、エッチング室１内を例えば１０-6ｔｏｒｒ以下の真空に設定できる。このエッチング室１内の圧力は、排気管３の中途に配設された例えば圧力調整バルブ３３により調整され、常に一定の真空度に保たれる。
【００２６】エッチング室１は、さらに各プラズマ発生ガスをエッチング室１内に導入するためのガス導入管を有し、このガス導入管は、外部のプラズマ発生ガス源（図示せず）と接続されている。より具体的には、エッチング室１は、塩素ガスを導入するための第１のガス導入管４ａ、およびケイ素含有ガスを導入するための第２のガス導入管４ｂを備える。各ガスの流量はガス導入管４ａ，４ｂにそれぞれ配設されたマスフローコントローラー４４ａ，４４ｂにより精密に制御される。なお、本発明の第２の態様におけるように、プラズマ発生ガスとして塩素のみをエッチング室１内に導入する場合は、ガス導入管４４ｂは省略するか、閉鎖する。
【００２７】次に、上記ドライエッチング装置を用いて窒化ガリウム系化合物半導体をエッチングする操作を説明するが、説明の都合上、初めに第２の態様について記述する。まず、陰極１２上にそれぞれ例えばウェーハの形態にあるケイ素片１０２を載置し、その上にそれぞれ例えばウェーハの形態にある窒化ガリウム系化合物半導体１０１を載置する。ついで、排気装置を駆動してエッチング室１内を１０-6ｔｏｒｒのオーダーの圧力となるまで排気する。エッチング室１内の真空度が安定した後、ガス導入管４ａから塩素ガスを上に記載した流量となるようにマスフローコントローラー４４ａで制御してエッチング室１内に導入すると同時に排気装置によりエッチング室１内を排気し、圧力調整バルブ３３を調整してエッチング室１の圧力を所定の圧力に制御する。エッチング室１内の圧力が安定した後、高周波電源２からマッチングボックス２２を介して両電極１１，１２間に塩素ガスプラズマを発生させ、これによりケイ素片１０２をエッチングしつつ窒化ガリウム系化合物半導体１０１をエッチングする。
【００２８】本発明の第１の態様では、ケイ素片１０２を用いないので、窒化ガリウム系化合物半導体１０１を陰極１２上に直接載置する。そして、上記第２の態様の場合と同様に、排気装置を駆動してエッチング室１内を１０-6ｔｏｒｒのオーダーの圧力となるまで排気する。エッチング室１内の真空度が安定した後、ガス導入管４ａから塩素ガスをその流量をマスフローコントローラー４４ａで制御してエッチング室１内に導入するととともに、ガス導入管４ｂからマスフローコントローラー４４ｂで流量を制御しながらケイ素含有ガス（好ましくは四塩化ケイ素）をエッチング室１内に導入する。これと同時に排気装置によりエッチング室１内を排気し、圧力調整バルブ３３を調整してエッチング室１の圧力を所定の圧力に制御する。エッチング室１内の圧力が安定した後、高周波電源２からマッチングボックス２２を介して両電極１１，１２間に塩素ガスおよびケイ素含有ガスからプラズマを発生させ、これにより窒化ガリウム系化合物半導体１０１をエッチングする。」（第４頁右欄１１行〜第５頁左欄３２行） 
（１ｆ）「【００３４】図２は、塩素ガスと四塩化ケイ素ガスの流量比と窒化ガリウム系化合物半導体のエッチング速度との関係を示す図である。これは、上記実施例１の高周波電力面密度、真空度の条件において、塩素ガスと四塩化ケイ素ガスの合計ガス流量を１２０ｃｃ／分に設定して、塩素ガスと四塩化ケイ素ガスとの混合割合を変化させてそれぞれの場合のエッチング速度を測定した結果である。」（第５頁右欄３３〜４０行）
（１ｇ）図１のエッチング装置の主要部断面図からは、「エッチング室側部に設けられた塩素ガスを導入するための第１のガス導入管、ケイ素含有ガスを導入するための第２のガス導入管から、各ガスは、窒化ガリウム系化合物半導体が位置する方に向かってエッチング室内に導入される」ことが読み取れる。
　
　ここで、上記摘記事項（１ａ）〜（１ｇ）において、
　特に、上記摘記事項（１ａ）には、
「窒化ガリウム系化合物半導体を塩素ガスとケイ素含有ガスとして四塩化ケイ素ガスの２種類のガスを含むプラズマ発生ガスから発生されたプラズマガスでエッチングする窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法。」が示されている。
　ここで、「プラズマ」について、上記摘記事項（１ｂ）には、
「反応性プラブマを用いた窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法」と開示されていることから、プラズマは反応性プラズマであることが示され、
　「窒化ガリウム系化合物半導体」について、上記摘記事項（１ｃ）には、
「窒化ガリウム系化合物半導体は、ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＮ等のガリウムと窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であり、式Ｉｎa Ａｌb Ｇａ1-a-b Ｎ（ここで、０≦ａ、０≦ｂ、ａ＋ｂ≦１）」と開示されていることから、ここでａ＝０、ｂ＝０の場合には、各々、窒化ガリウム系化合物半導体としてＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０≦ｂ≦１）、Ｉｎ１−ａＧａａＮ（０≦ａ≦１）であることが示され、
　「エッチング室」について、上記摘記事項（１ｄ）には、
「１０-6Ｔｏｒｒのオーダに減圧されたエッチング室」と開示されていることから、エッチング室は１０-6Ｔｏｒｒまで減圧、いわゆる真空となっていることが示され、
　「２種類のエッチングガス」について、上記摘記事項（１ｆ）には、
「塩素ガスと四塩化ケイ素ガスとの混合割合を変化させたドライエッチング方法」が開示されていることから、塩素ガスと四塩化ケイ素ガスは混合ガスとして利用することが示され、
　エッチング室内の電極の構成及びエッチングする際の被対象エッチング材の位置について、上記摘記事項（１ｅ）には、
「エッチング室内には、一対の平行平板型電極が対抗して配置され、陰極上に窒化ガリウム系化合物半導体が載置された状態でエッチングするドライエッチング方法」と開示されていることから、エッチング室内には平行平板型電極の構成及び一対の電極の一方の電極である陰極上に窒化ガリウム系化合物半導体が載置された状態でエッチングが実施されることが示され、
　エッチングガスの導入方法について、上記摘記事項（１ｇ）には、
「エッチング室側部に設けられた塩素ガスを導入するための第１のガス導入管、ケイ素含有ガスを導入するための第２のガス導入管から、各ガスを窒化ガリウム系化合物半導体が位置する方に向かってエッチング室内に導入される」ことが開示されていることから、各エッチングガスはエッチング室側部から、窒化ガリウム系化合物半導体が位置する方に向かってエッチング室内に導入されることが示されている。
　
　以上の開示内容を総合すると、先願の出願当初の明細書又は図面には、 
 「反応性プラブマを用いたエッチングにおけるエッチングガスとして、四塩化ケイ素ガスと塩素ガスの混合ガスを用いて、１０-6Ｔｏｒｒ以下に減圧可能なエッチング室に導入し、窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０≦ｂ≦１）、Ｉｎ１−ａＧａａＮ（０≦ａ≦１））をエッチングする構成であり、
　前記反応性プラズマを用いたエッチング室内に配置された平行平板型電極の一対の電極の一方の電極である陰極上に窒化ガリウム系化合物半導体が載置された状態で実施され、塩素ガスを導入するための第１のガス導入管、ケイ素含有ガスを導入するための第２のガス導入管をエッチング室側部に備え、各々ガスは、エッチング室側部から前記窒化ガリウム系化合物半導体が位置する方に向かってエッチング室内に導入されることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法」
　との発明（以下、「先願発明」という。）が記載されているものと認められる。
 
（３）対比・判断
 ここで、本願補正発明と先願発明とを比較すると、先願発明の「反応性プラブマを用いたエッチング」、「１０-6Ｔｏｒｒ以下に減圧可能なエッチング室」、「陰極」は、本願補正発明の「リアクティブイオンエッチング」、「真空容器」、「カソード電極」に各々相当する。また、先願発明の「窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０≦ｂ≦１）、Ｉｎ１−ａＧａａＮ（０≦ａ≦１））」は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）、Ｉｎ１−ｙＧａｙＮ（０＜ｙ≦１）を含む組成であることから、本願発明の、「窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）、Ｉｎ１−ｙＧａｙＮ（０＜ｙ≦１）半導体）に相当する。
　そこで、両者は、
 「リアクティブイオンエッチングにおけるエッチングガスとして、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）と塩素（Ｃｌ２）の混合ガスを真空容器に導入し、窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）、Ｉｎ１−ｙＧａｙＮ（０＜ｙ≦１）半導体）をエッチングする構成であり、
　前記リアクティブイオンエッチングは、真空容器内に配置された平行平板型の一対の電極の一方の電極であるカソード電極上に前記窒化ガリウム系化合物半導体が載置された状態で実施されることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法。」 
 の点で一致し、以下の各点で一応の相違点が認められる。 
　
　相違点１ 
　本願補正発明では、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）と塩素（Ｃｌ２）の混合ガスを真空容器内に導入しているのに対して、先願発明では、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）と塩素（Ｃｌ２）の混合ガスは、各々のガスを真空容器内に導入してから混合ガスとしている点
 　 
　相違点２ 
　本願補正発明では、エッチングガスは前記一対の電極の他方の電極であるアノード電極側であって真空容器の上方から前記窒化ガリウム系化合物半導体が位置する下方に向かって前記真空容器内に導入されるのに対して、先願発明では、エッチングガスは、エッチング室側部から前記窒化ガリウム系化合物半導体が位置する方に向かってエッチング室内に導入される点 　 
　
　以下、各相違点について検討する。
　相違点１について
　ドライエッチングの技術分野において、複数のエッチングガスを混合して用いる場合、真空容器に導入する前に、あらかじめガスを混合し、混合ガスとして真空容器に導入することは、エッチングガスの安定供給・制御性向上という周知な課題解決のための手段として周知技術に過ぎない。
　また、本件補正発明において、真空容器に導入する前にあらかじめガスを混合し、混合ガスとして真空容器に導入することに関する技術的根拠は、明細書中に積極的な記載は見いだせないことから、エッチング領域に至る経路のどこかで混合ガスを作成すればよいと解するのが相当であり、その技術的意義は本件補正発明の全体からみれば重要な地位を占めるものではない。
　さらに、先願発明において、エッチングガスを真空容器内で混合することについてその必然性は記載されておらず、むしろ、一つの構成例として、エッチングガスを真空容器内で混合するケースが例示的に開示されているものと解すのが相当であり、エッチングガスを混合してから導入する構成を採用することを許容するものであっても、障害事由となるものではない。
　以上の事情を総合的に検討すると、相違点１については、課題解決のための具体化手段における微差に過ぎない。
　
　相違点２について
　ドライエッチングの技術分野において、エッチングガスを真空容器内に導入する際、前記一対の電極の他方の電極であるアノード電極側であって真空容器内の上方から被エッチング材の載置されている下方へ導入する装置構成は、被エッチング体へのエッチングガスの安定・均一供給という周知な課題解決のための手段として、周知技術に過ぎない。
　また、本願補正発明において、エッチングガスを真空容器の上方から導入することに関する技術的理由は明細書中に何ら記載されておらず、図１に示されたエッチングガスを真空容器の上方から導入する図面に基づく主張がなされているに過ぎず、当該図面は寸法に関する情報がない以上、装置の抽象的な構成を示すに留まり、そのような図面において上方という位置を限定したとしても、本願補正発明において重要な構成要件とは認められない。
　さらに、先願発明において、装置の側部からのエッチングガスが導入されている点については、側部から導入しなけれなばならない技術的必然性は明記されておらず、たまたま一例として側部からの導入例が例示として記載されているものと解すのが相当であり、エッチングガスの導入を上方から行うことを許容するものであっても、障害事由となるものではない。
　以上の事情を総合的に検討すると、相違点２は、課題解決のための具体化手段における微差に過ぎない。
　
　以上のとおり、本願補正発明は、先願発明と一応の相違点が認められるが、これらの各相違点は、課題解決のための具体化手段における微差に過ぎず、両者は同一の発明と認められる。
　
　よって、本願補正発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた先願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者が先願の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が先願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
（４）むすび 
　本件補正は、請求項３に関する補正の可否を検討するまでもなく、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反す
るものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
 　 
３．本願発明について 
　平成１６年１０月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜４に係る発明は、平成１５年１０月３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は、以下のとおりのものと認める。 
 「リアクティブイオンエッチングにおけるエッチングガスとして、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）と塩素（Ｃｌ２）の混合ガスを真空容器に導入し、窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）、Ｉｎ１−ｙＧａｙＮ（０＜ｙ≦１）半導体）をエッチングすることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法。」（以下、「本願発明」という。） 
 （なお、請求項１の「（０≦＜ｘ＜１）」は、前述と同様に、「（０≦ｘ＜１）」の明らかな誤記と認められるので、上記のとおり認定した。）
　
（１）引用例 
　原査定の拒絶の理由に引用された先願の出願当初の明細書又は図面の記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。 
　
（２）対比・判断 
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から「リアクティブイオンエッチング」の限定事項である「真空容器内に配置された平行平板型の一対の電極の一方の電極であるカソード電極上に前記窒化ガリウム系化合物半導体が載置された状態で実施され」との構成を省き、「混合ガス」の限定事項である「一対の電極の他方の電極であるアノード電極側であって前記真空容器の上方から前記窒化ガリウム系化合物半導体が位置する下方に向かって前記真空容器内に導入される」との構成を省いたものである。 
　とすれば、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（３）」に記載したとおり、先願発明と同一であるから、本願発明も、同様の理由により、先願発明と同一である。
　
（３）むすび 
　以上のとおり、本願発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。