【事件の表示】
　特願２０００−３７１５５１「レジストパターン形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　６月２１日出願公開、特開２００２−１７５９６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１２年１２月６日の出願であって、平成１６年９月２９日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１６年１１月４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１１月３０日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１６年１１月３０日付の手続補正（審判請求時の補正）の適否
（１）　補正の内容
　ａ．平成１６年６月１６日付手続補正書に記載された特許請求の範囲の請求項５，６を削除する。
　ｂ．上記特許請求の範囲の請求項５，６を削除に伴い、明細書の詳細な説明を特許請求の範囲に整合させる。
　
（２）　補正の目的の適否、新規事項の有無
　補正事項ａについて
　上記補正事項ａは、補正前の請求項５、６を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当し、また、補正事項ａは、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものである。
　補正事項ｂについて
　上記補正事項にｂについては、不明りょうな記載の釈明に該当する。
　
（３）　むすび
　上記補正事項ａ及びｂは、特許法第１７条の２第３項及び第４項の規定に適合するので、当該補正を認める。
　
３．本願発明について
（１）平成１６年１１月３０日付の手続補正は上記のとおり認められるから、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１６年１１月３０日付けで補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
【請求項１】
「基板上に有機溶剤を滴下する工程と、前記基板を回転させ、前記有機溶剤を振り切る工程と、振り切りによって有機溶剤の薄膜が形成された基板を回転させ、この基板上にレジストを滴下する工程と、前記レジストを滴下した基板を回転させ、レジストを振り切り、前記基板上に所定の膜厚のレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを加熱するとともに紫外光を照射する工程とを含むレジストパターン形成方法。」
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された引用例（引用例１）及び周知例（引用例３，４）
引用例１；特開２０００−１８９８８３号公報
引用例３；特開平１０−２５６１１８号公報　
引用例４；特開平４−３１４３２３号公報
・引用例１の記載事項
　引用例１の明細書【特許請求の範囲】の【請求項１】には、
「処理容器内に収容される基板の一面上に塗布液を供給して、塗布膜を形成する方法において、
　上記処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封入する工程と、
　上記基板の一面上に溶剤を滴下する工程と、
　上記基板に、所定量の塗布液を供給し、第１の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、　
　上記蓋体が閉止された処理容器及び基板を上記第１の回転数とは異なる第２の回転数で回転させて、塗布膜の膜厚を整える工程とを有することを特徴とする塗布膜形成方法。」
と記載されている。
　引用例１の明細書【０００１】段落には、
「【発明の属する技術分野】この発明は、例えばレジスト膜のような溶剤による液状塗布膜を、ＬＣＤ基板のような塗布体上やこの上に形成された層の上に形成するための塗布膜形成方法及びその装置に関するものである。」
と記載されている。
　引用例１の明細書【００３８】ないし【００４０】段落には、
「【００３８】…基板Ｇを回転させずに静止した状態で溶剤供給ノズル４０から基板表面に塗布液の溶剤Ａとして例えばエチルセロソルブアセテート（ＥＣＡ）を例えば２０秒（ｓｅｃ）間で例えば２６．７ｃｃ供給例えば滴下する…。この際、スピンチャック１０の回転駆動により基板Ｇを処理時の定常回転より低速に回転した状態で溶剤Ａを滴下してもよい。…また、…スピンチャック１０及び回転カップ１２の回転数を低速回転数（回転数：例えば１００〜６００ｒｐｍ，加速度：３００〜５００ｒｐｍ／ｓｅｃ）による回転状態で溶剤Ａの供給を停止する…。
【００３９】次に、スピンチャック１０を、高速回転（第１の回転数：６００から１０００ｒｐｍ程度の範囲例えば１０００ｒｐｍ，加速度：３００〜６００ｒｐｍ／ｓｅｃ）させると同時に、基板表面上の溶剤膜上の中心部にレジスト液供給ノズル５０ａから塗布液例えばレジスト液Ｂを例えば５ｓｅｃ間供給例えば１０ｃｃ滴下する…
【００４０】…レジスト膜の膜厚を整える…」
と記載されている。
　引用例１の明細書【００４８】段落には、
「【００４８】…塗布処理装置１０７にて、上述した手順によりフォトレジストすなわち感光膜が塗布形成され、…露光装置９５にて所定のパターンが露光される。そして、露光後の基板Ｇは現像装置１１０内へ搬送され、現像液により現像された後にリンス液により現像液を洗い流し、現像処理を完了する。」
と記載されている。
　
・引用例３の記載事項
　引用例３の明細書【０００４】段落には、
「【０００４】…レジスト塗布、露光、現像の工程を経て形成された、化学増幅型のレジストパターン１に、紫外線照射と熱処理を行なう（以下、ＤｅｅｐＵＶキュア処理）と、レジスト１中の高分子の架橋反応が起こり、レジスト１の表面に架橋物１ａが形成され、耐熱性や耐エッチング性が向上することも知られている。」
と記載されている。
　
・引用例４の記載事項
　引用例４の明細書【特許請求の範囲】の【請求項１】には、
「次の工程を備えるレジスト処理方法。
　（ａ）現像後のフォトレジストを、不活性ガス雰囲気中で、フォトレジストが軟化変形しない程度の第１の加熱温度まで加熱すると共に紫外線照射を行う第１工程。…」
と記載されている。
　
（２）．１　引用例１に記載された発明
　上記引用例１の記載事項を参照すると、引用例１には、
「処理容器内に収容される基板の一面上に塗布液を供給して、レジスト膜を基板に塗布膜として形成する方法において、基板の一面上に有機溶剤（ＥＣＡ）を滴下して基板を回転させ、さらに、上記基板を回転させて所定量の塗布液を滴下して、基板の一面全体に渡って拡散させ、レジスト膜形成後、レジストパターンを形成するレジストパターン形成方法」
の発明が記載されている。
　
（２）．２　引用例３に記載された発明
　上記引用例３の記載事項を参照すると、引用例３には、
「レジスト塗布、露光、現像の工程を経て形成された、化学増幅型のレジストパターンに、紫外線照射と熱処理を行なう発明」
が記載されている。
　
（２）．３　引用例４に記載された発明
　上記引用例４の記載事項を参照すると、引用例４には、
「現像後のフォトレジストを、不活性ガス雰囲気中で、フォトレジストが軟化変形しない程度の加熱温度まで加熱すると共に紫外線照射を行う発明」
が記載されている。
　　
（３）対比
　そこで、本願発明と引用例１に記載された発明とを比較する。
　両者は、
「基板上に有機溶剤を滴下する工程と、基板を回転させる工程と、基板を回転させて上記基板上にレジストを滴下する工程と、レジスト膜にレジストパターンを形成する工程と、を含むレジストパターン形成方法。」
において一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点
　本願発明が、「基板を回転させ、有機溶剤を振り切る工程」及び「振り切りによって有機溶剤の薄膜が形成され」る構成を有するのに対し、引用例１に記載された発明は、基板を回転させるものの、有機溶剤を振り切る旨の記載がない点及び有機溶剤の薄膜が形成される旨の記載がない点で相違（以下、「相違点１」という。）する。
　
　本願発明が、「レジストを振り切り、基板上に所定の膜厚のレジスト膜を形成する工程」を有するのに対し、引用例１に記載された発明は、レジストを振り切る旨の記載がない点で相違（以下、「相違点２」という。）する。
　
　本願発明が、「レジストパターンを加熱するとともに紫外光を照射する工程」を有するのに対し、引用例１に記載された発明は、当該構成の記載がない点で相違（以下、「相違点３」という。）する。
　
（４）判断
　相違点１について検討する。
　本願明細書には、有機溶剤を振り切ることの明確な定義がないが、引用例１に記載された発明は、基板上に有機溶剤を滴下し、基板を１００〜６００ｒｐｍで回転させているから、有機溶剤を振り切ると記載することは当業者が容易に想到できたことにすぎず、また、引用例１に記載された発明は、基板に有機溶剤の薄膜が形成されることが明らかであるから、相違点１に係る構成は当業者が容易に想到できたことである。
　
　相違点２について検討する。
　本願明細書には、レジストを振り切ることの明確な定義がないが、引用例１に記載された発明は、基板上に有機溶剤を滴下し、基板を６００〜１０００ｒｐｍで回転させているから、レジストを振り切ると記載することは当業者が容易に想到できたことにすぎず、また、引用例１に記載された発明は、基板にレジストの膜が形成されることが明らかであるから、相違点２に係る構成は当業者が容易に想到できたことである。
　
　相違点３について検討する。
　当該技術分野において、レジストパターンを加熱するとともに紫外光を照射することは、レジストパターンを形成した後の工程として普通に使用されている周知手段（例えば上記引用例３，４、特開平６−１８６７５５号公報、特開２０００−１８２９４０号公報等参照）であって、引用例１記載の発明に対し、上記普通に使用されている周知手段を付加することに何ら困難性はない。　
　したがって、相違点３に係る構成については、当業者が容易に想到できたことである。
　
　そして、本願発明の作用効果も、引用例１記載の発明及び周知手段から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　なお、請求人は、審判請求書において、
「（３）本願発明と引用文献との対比
　（中略）しかしながら本願発明者らは、予め溶剤を滴下しないで直接基板上に塗布したレジストに気泡が含まれていなくても添付した断面写真（図）に示すように、紫外光照射によって一見気泡と見えるレジスト剥がれや浮き上がりが発生することを見いだしており、このことから紫外光照射には気泡を膨張させることとは別の悪影響があることを確認した。この不良は、レジストに紫外光を照射したとき、レジストが硬化する過程における分子構造の変化に伴う体積収縮などにより応力が発生して、気泡からだけでなく、気泡はないが下地との密着力の弱い部分などレジストと下地との界面状態が周辺と比較して異なっているような部分からも生じるものと考えられる。本願発明者らは、このような気泡を起源とする以外の不良に対しても基板上に有機溶剤を滴下し、その有機溶剤を振り切った後レジスト膜を塗布して行うことによって防止できるという引用文献１、２には記載されない新たな効果があることを発見した。
　そして本願発明は、基板上に有機溶剤を滴下し、その有機溶剤を振り切った後レジスト膜を塗布することが、以上に述べた気泡に起因する悪影響である膨張拡大はもちろんのこと、紫外光照射によるレジスト剥がれ、浮き上がりをも防止できるという利点・効果を有するという知見に基づいてなされたものである。」
と主張するが、気泡を起源としないレジストの不良の防止については、本願出願当初の明細書に記載されておらず、気泡を起源としないレジストの不良の防止については、本願出願当初の明細書に記載された発明の効果とは認められない。
　仮に、本願出願当初の明細書に記載された構成から、そのような効果が認められるとしても、当該効果は、引用例１記載の発明に、前記普通に使用されている周知手段を適用したとき当然奏する効果にすぎず、上記主張は、単に効果を追認したものにすぎない。
　
４．以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知手段に基いて当業者が容易に発明できたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。