【事件の表示】
　特願２００１−３０００４６「化学機械研磨（ＣＭＰ）を用いてボンディングのためにウェハを平滑化する装置およびその方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　４月１１日出願公開、特開２００３−１０９９１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１３年９月２８日の特許出願であって、同１６年１月２０日付けで拒絶の理由が通知され、その指定期間内の同１６年７月２７日に意見書とともに明細書について手続補正書が提出されたが、同１６年８月１２日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、同１６年１１月１２日に本件審判の請求がされるとともに同日付けで明細書について再度手続補正（以下、「本件補正」という。）がされたものである。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件の補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を含む明細書について補正をするものであって、その請求項１について補正前後の請求項１の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　
（１）補正前の請求項１
「【請求項１】ウェハ間ボンディングを行うのに適するように２つの基板表面を研磨し、平滑化するための装置であって、
　半導体基板と、
　前記基板上に形成された第１の材料層と、
　前記基板上の第１の材料を研磨し前記基板表面を所定の平滑性にするＣＭＰツールと、
　前記基板表面から前記研磨における残余磨耗粒子を除去するブラシ洗浄ツールと、
　前記基板表面を化学的に洗浄する化学的ウェハ洗浄ツールと、
　前記基板の２つを位置合わせして密着させるウェハ・ボンディング・ツールとを備え、
　前記研磨された２つ基板を、その表面を前記洗浄ツールにより前記表面の平滑性を維持したままウエハ間ポンディングを行うことを特徴とする装置。」
　
（２）補正後の請求項１            
「【請求項１】ウェハ間ボンディングを行うのに適するように２つの基板表面を研磨し、平滑化するための装置であって、
　半導体基板と、
　前記基板上に形成された第１の材料層と、
　前記基板上の第１の材料を研磨し前記基板表面を所定の平滑性にするＣＭＰツールと、
　前記基板表面から前記研磨における残余磨耗粒子を除去するブラシ洗浄ツールと、
　前記基板表面を化学的に洗浄する化学的ウェハ洗浄ツールと、
　前記基板の２つを位置合わせして密着させるウェハ・ボンディング・ツールとを備え、
　
前記ウエハ・ボンディング・ツールは、前記ＣＭＰツール及び前記洗浄ツールにより研磨洗浄された前記２つの基板表面を外部に晒すことなくウエハ・ボンディングを可能とする、
　
２．補正の適否　　　
　補正後の請求項１に記載された「前記ウエハ・ボンディング・ツールは、前記ＣＭＰツール及び前記洗浄ツールにより研磨洗浄された前記２つの基板表面を外部に晒すことなくウエハ・ボンディングを可能とする」という事項は、願書に最初に添付した明細書及び図面に記載されておらず、また、それらの記載から自明な事項でもない。
　なお、当審の平成１７年５月３０日付審尋に対する同１７年１２月２日付回答書において、請求人は、「「ウエハ・ボンディング・ツールは、前記ＣＭＰツール及び前記洗浄ツールにより研磨洗浄された前記２つの基板表面を外部に晒すことなくウエハ・ボンディングを可能とする」についての新規事項であるとの審査官殿の指摘は、その通りです。具体的には、研磨された「２つの基板表面」が洗浄され後に、該「基板表面」を「外部に晒すことなく」「ウエハ・ボンディング」することについて、審査官殿の指摘の通り、当初明細書にはその明示的な記載はありません。」と回答している。　
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、その余の補正の要件について検討するまでもなく、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本件発明について
１．本件発明
　平成１６年１１月１２日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１乃至１４に係る発明は、平成１６年７月２７日付け手続補正書により補正された明細書及び願書に最初に添付した図面の記載からみて、明らかな誤記を除いてその特許請求の範囲の請求項１乃至１４に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、明らかな誤記を除いて上記第２の１（１）に示すとおりである。
（上記第２の１（１）最終行の「ウエハ間ポンディング」は、「ウエハ間ボンディング」の明らかな誤記である。）
　
２．引用刊行物
　これに対して、原査定の際に「２つの基板を研磨、洗浄後に貼り合わせてＳＯＩ基板を製造すること」の周知例として挙げられた、本件出願の願書に記載されている優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平５−２９１８３号公報（以下、「刊行物１」という。）、及び、原査定の拒絶の理由に引用された同じく上記優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−４０６８４号公報（以下、「刊行物２」という。）には、それぞれ、以下の技術的事項が記載されている。
　
ア．刊行物１
（１−ａ）段落【０００１】
「【産業上の利用分野】本発明は、例えばシリコンウエーハのような素体同志を直接面接合する接合方法に関する。」
　
（１−ｂ）段落【０００３】〜【０００４】
「さらに、図５に示すように、表面に熱酸化により酸化膜27を形成した２枚のSiウエーハ28を接合すれば、三次元ＩＣをはじめ、電力用ＭＯＳ素子, センサなどに使用できる誘電体分離基板 (ＳＯＩ基板) を作ることができる。ＳＯＩ基板の作成にはＣＶＤ法の適用などが考慮されたが価格の問題やプロセス上の制約のため、一般的でなかった。
　このような特長をもつシリコンウエーハ同志の接合は、ウエーハ表面を研磨で鏡面状態に仕上げたのちに脱脂などの洗浄を行い、それを重ね合わせて1000〜1300℃に数時間保持することで実現されていた。」
　
（１−ｃ）段落【００１０】
「(その２)図１は本発明の別の実施例に用いる放電プラズマ装置を示す。上記の実施例と同様に、鏡面研磨し、アセトンで脱脂洗浄を行ったのちに乾燥した２枚の厚さ１mm, 直径４インチのシリコンウエーハ１を図１の装置のパンチ２の面にそれぞれ真空吸着などの方法で固定する。パンチ２は円筒３の中で上下に移動できるが、最初はウエーハ１間を離しておき、１Torrの真空雰囲気もしくは窒素あるいはアルゴンなどの不活性雰囲気中でパンチ２に付属した電極４の間に電源部５より高周波電圧と直流電圧を交互あるいは重畳して印加する。その結果、両ウエーハ１の間の空間６にプラズマが発生し、シリコンウエーハ１の対向する面は清浄化される。次いでパンチ２を接近させてシリコンウエーハ１の対向面を接触させてパンチ２の間に加圧力７を加え、電極４の間の電圧の印加を続けることによりウエーハを加熱して結合させる。印加電圧が１〜５kV, 周波数が20〜50MHz,加圧力が0.２〜0.５ｔ／cm2 であり、プラズマ発生時間と加圧時間の合計が60〜180 秒のときに界面に欠陥が存在せず、かつ強固な結合力を有するシリコンウエーハの直接結合を得ることができた。」
　
　刊行物１において、２枚のシリコンウエーハ１を図１の装置のパンチ２の面にそれぞれ真空吸着などの方法で固定し、次いでパンチ２を接近させてシリコンウエーハ１の対向面を接触させてパンチ２の間に加圧力７を加え、電極４の間の電圧の印加を続けることによりウエーハを加熱して結合させているから、シリコンウエーハの２つを位置合わせして密着させるシリコンウエーハの面接合手段を備えていることは明らかである。
　したがって、刊行物１には、次の発明（以下、「刊行物１記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
「２つのシリコンウエーハ間で面接合を行う装置であって、
　シリコンウエーハ上に酸化膜が形成され、前記酸化膜が形成されたシリコンウエーハ表面が鏡面研磨され、脱脂などの洗浄を行ったシリコンウエーハの対向する面をプラズマにより清浄化する清浄化手段と、
　前記シリコンウエーハの２つを位置合わせして密着させるシリコンウエーハの面接合手段とを備え、
　前記研磨された２つのシリコンウエーハを面接合する装置。」
　
イ．刊行物２
（２−ａ）段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の被洗浄物を清浄にする洗浄装置に関する。」
　
（２−ｂ）段落【０００３】〜【０００４】
「ポリッシングの終了した半導体ウエハを洗浄する方法としては、ナイロン、モヘア等のブラシやＰＶＡ（ポリビニルアルコール）よりなるスポンジで半導体ウエハの表面を擦って行ういわゆるスクラビング洗浄や、超音波の振動エネルギーを与えた純水をウエハ表面に噴射したり、キャビテーションを有する高圧水をウエハに噴射して洗浄する液噴射洗浄方法等による複数段の洗浄工程を用いる方法が知られている。
　また、半導体ウエハ上のダストを含む汚れ物質にこの付着力以上の物理力を作用させて該汚れ物質をウエハ表面から除去するようにした上記の洗浄方法の他に、汚れ物質を洗浄媒体（洗浄液）の作用によって変化させてウエハ表面から消失させたり（例えば、シリコン酸化膜をふっ酸で珪ふっ化物に変えて溶液に溶解させる）、汚れ物質を変化させずに、ウエハ側に洗浄媒体を作用させ該ウエハをエッチングして、汚れ物質をウエハ表面から分離させる（例えば、ウエハをアンモニア過酸化水素加熱溶液でエッチングして、不溶性付着粒子をウエハ表面から除去する）ようにした洗浄方法も広く知られている。」
　
（２−ｃ）段落【００１１】
「【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の洗浄方法を適用したポリッシング装置を示すもので、この装置は、全体が長方形をなす床上のスペースの一端の一側に２基の研磨装置１０ａ，１０ｂが配置され、他端にはウエハ収納用カセット１２ａ，１２ｂを載置する一対のロード・アンドードユニット１４が配置されて構成されている。ロード・アンロードユニット１４から研磨装置１０ａ，１０ｂ側に延びて２軌の走行レール１６ａ，１６ｂが間に搬送ゲート（仮置室）１８を挟んで敷設され、それぞれのレール１６ａ，１６ｂ上には搬送ロボット２０ａ，２０ｂが配置されている。走行レール１６ａ，１６ｂの先端側にはバフ研磨装置２２とバフ研磨工具のドレッシングを行う工具の洗浄槽２３が設けられ、走行レール１６ａ，１６ｂの脇には、２台の反転機２４ａ，２４ｂと３台の洗浄機２６ａ，２６ｂ，２６ｃが配置されている。」
　
（２−ｄ）段落【００１７】〜【００２１】
「ここに、前記第１の洗浄機２６ａは、例えば図２及び図３に示すように構成されて、アンモニア過酸化水素加熱溶液を供給しながらスクラビング洗浄が行われ、第２の洗浄機２６ｂも同様に、例えば図２及び図３に示すように構成されて、希ふっ酸溶液を供給しながらスクラビング洗浄が行われる。また、第３の洗浄機２６ｃは、例えば図４及び図５に示すように構成されて、ここで液噴射による洗浄が行われるようになっている。ここに、アンモニア過酸化水素加熱溶液とは、ＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2とＨ2Ｏの混合溶液を所定温度に加熱したものである。
　即ち、第１及び第２の洗浄機２６ａ，２６ｂは、図２及び図３に示すように、ウエハＷの周縁部を支持し回転させる６本のスピンドル４０、ＰＶＡ等からなり、ウエハＷの下方で一方向に延伸して設けられたロールブラシを構成するブラシアーム４１、該ブラシアーム４１を矢印Ｇ１に示すように上下動させ、かつ矢印Ｆ１に示すように回転させるブラシ駆動機構４２、ウエハＷの上下面にリンス液（超純水）を供給するリンスノズル４３、同じく、洗浄液を供給する洗浄液ノズル４４を具備している。ここに、ブラシアーム４１でウエハＷの全面を摺接させる必要があるため、ブラシアーム４１の全長はウエハＷの最大寸法を超えるものとなっている。また、スピンドル４０の上部に備えられたコマ４０ａの外周面をウエハＷの周縁部に押し付けつつ該コマ４０ａを回転させることにより、ウエハＷを回転させるよう構成されている。
　更に、スポンジによる洗浄部５０が備えられ、この洗浄部５０は、軸５１の上端に連結されたアーム５２と、このアーム５２の先端に設けられたスポンジ装着部５３とを具備している。軸５１は上下に昇降でき、この軸５１に支持されるアーム５２はこの昇降により上昇すると同時に軸５１の回動により矢印Ｂに示す方向に回動できるようになっている。そして、スポンジ装着部５３にはこの自転によって矢印Ｄ方向に自転するスポンジ５４が装着されている。
　ここに、スピンドル４０の上部は、有底の円筒容器６０によって一体に包囲され、更にこの円筒容器６０の底板には、各スピンドル４０挿通用の通孔が設けられているとともに、この通孔とスピンドル４０の上部フランジ６１との間に伸縮自在な蛇腹６２が水密的に配置され、これによって、この円筒容器６０内が水密的で、かつスピンドル４０の上下動が阻害されないようになっている。
　そして、第１の洗浄機２６ａにあっては、例えば２９％ＮＨ4ＯＨ：３０％Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏを１：１：５で混合して７５〜８０℃に加熱したアンモニア過酸化水素加熱溶液を洗浄液ノズル４４からウエハＷに向けて供給しつつ該ウエハＷを回転させ、同時に軸５１を下降させてスポンジ５４を半導体ウエハＷの上面に押し付け、更にブラシ駆動機構４２により、ウエハＷに対してブラシアーム４１を上昇させてウエハＷの下面に当接させ、ブラシアーム４１を回転させることにより、ウエハＷの両面を洗浄する。この際、アーム５２も軸５１を中心に図２のＢ方向に揺動させ、スポンジ５４によって半導体ウエハＷの上面を擦る。スポンジ５４を半導体ウエハＷの中心から外縁まで擦ることにより、半導体ウエハＷの全面を洗浄することができる。」
　
（２−ｅ）段落【００２５】
「また、第２の洗浄機２６ｂにあっては、洗浄液ノズル４４から、例えば２％ＨＦ溶液等の希ふっ酸溶液を洗浄液ノズル４４からウエハＷに向けて供給しつつ該ウエハＷを回転させ、同時に軸５１を下降させてスポンジ５４を半導体ウエハＷの上面に押し付け、更にブラシ駆動機構４２により、ウエハＷに対してブラシアーム４１を上昇させてウエハＷの下面に当接させ、ブラシアーム４１を回転させることにより、ウエハＷの両面を洗浄する。この際、アーム５２も軸５１を中心に図２のＢ方向に揺動させ、スポンジ５４によって半導体ウエハＷの上面を擦る。スポンジ５４を半導体ウエハＷの中心から外縁まで擦ることにより、半導体ウエハＷの全面を洗浄可能である。」
　
（２−ｆ）段落【００３３】
「【発明の効果】本発明によれば、アンモニア過酸化水素加熱溶液による粒子除去及び金属汚染除去効果とスクラビング洗浄、及び希ふっ酸溶液による自然酸化膜除去及び金属汚染除去効果とスクラビング洗浄とを組み合わせることにより、スクラビング洗浄を補完して半導体ウエハ等の被洗浄材を十分な洗浄度に洗浄することができる。」
　
　これらの記載事項を整理すると、刊行物２には、次の発明（以下、「刊行物２記載の発明」という。）が記載されていると認められる。
「研磨装置によって研磨された半導体ウエハの表面を洗浄するための装置において、半導体ウエハ上のダストを含む汚れ物質にこの付着力以上の物理力を作用させて該汚れ物質をウエハ表面から除去するためのブラシと、半導体ウエハ表面の粒子除去及び金属汚染除去のためにアンモニア過酸化水素加熱溶液を供給する手段及び半導体ウエハ表面の自然酸化膜除去及び金属汚染除去のために希ふっ酸溶液を供給する手段とを備えること。」
　
３．対比
　本件発明と刊行物１記載の発明とを対比すると以下のとおりである。
　刊行物１記載の発明の「シリコンウエーハ」及び「酸化膜」は、それぞれ本件発明の「半導体基板」及び「第１の材料層」に相当することが明らかである。
　また、刊行物１記載の発明は、プラズマによりウエーハの対向する面の清浄化を行って強固に結合させるものであるから、ウェハ間ボンディングを行うのに適するようにするための装置ということができるとともに、刊行物１記載の発明におけるプラズマにより清浄化を行う手段は、基板表面を洗浄する洗浄ツールであるという限りで、本件発明における「ブラシ洗浄ツール」及び「化学的ウェハ洗浄ツール」と共通している。
　さらに、刊行物１記載の発明において「２つのシリコンウエーハ間で面接合を行う」ことは、本件発明において「ウェハ間ボンディングを行う」ことに相当し、刊行物１記載の発明における「シリコンウエーハの面接合手段」は、本件発明における「ウェハ・ボンディング・ツール」に相当する。
　そして、刊行物１記載の発明においても、ウェハ間ボンディングを行う際に、本件発明と同様に「研磨された２つ基板を、その表面を前記洗浄ツールにより前記表面の平滑性を維持したままウエハ間ボンディングを行う」ことは、技術常識から見て明らかである。
　したがって、両者の一致点及び相違点は、次のとおりと認められる。
［一致点］
「ウェハ間ボンディングを行うのに適するようにするための装置であって、
　半導体基板と、
　前記基板上に形成された第１の材料層と、
　前記基板表面を洗浄する洗浄ツールと、
　前記基板の２つを位置合わせして密着させるウェハ・ボンディング・ツールとを備え、
　前記研磨された２つ基板を、その表面を前記洗浄ツールにより前記表面の平滑性を維持したままウエハ間ボンディングを行う装置。」である点。
［相違点１］
　本件発明ではウェハ間ボンディングを行うのに適するように２つの基板表面を研磨し、平滑化するための装置であって、基板上の第１の材料を研磨し前記基板表面を所定の平滑性にするＣＭＰツールを備えているのに対して、刊行物１記載の発明では、鏡面研磨されたウェハ表面を清浄化するものであるが、研磨するためのツールを備えているかどうか明らかでない点。
［相違点２］
　洗浄ツールが、本件発明では、基板表面から研磨における残余磨耗粒子を除去するブラシ洗浄ツールと基板表面を化学的に洗浄する化学的ウェハ洗浄ツールであるのに対して、刊行物１記載の発明では、そのように特定されていない点。
　
４．相違点についての検討
ア．相違点１について　
　刊行物１記載の発明では、酸化膜（第１の材料層）が形成されたシリコンウエーハ表面が鏡面研磨され、前記鏡面研磨されたシリコンウエーハの面接合を行うものであるから、該シリコンウエーハ（半導体基板）は、研磨ツールにより基板上の第１の材料を研磨し前記基板表面を所定の平滑性とされたものということができる。そして、複数の処理工程を一つの装置にて行うことも普通に採用される技術的事項であるから、刊行物１記載の発明において、基板表面を所定の平滑性にするための研磨ツールを備えるようにすることは当業者が容易になし得る事項である。
　一方、ウェハ表面を鏡面研磨するためにＣＭＰツールを採用することは、特に例示するまでもなく従来周知である。
　してみると、刊行物１記載の発明に上記従来周知の事項を適用して上記相違点１に係る本件発明の特定事項とすることは、当業者が格別の創意を要することなく容易に想到するところである。
　
イ．相違点２について
　上記２のイで認定したように刊行物２には、研磨装置によって研磨された半導体ウエハの表面を洗浄するための装置において、半導体ウエハ上のダストを含む汚れ物質にこの付着力以上の物理力を作用させて該汚れ物質をウエハ表面から除去するためのブラシと、半導体ウエハ表面の粒子除去及び金属汚染除去のためにアンモニア過酸化水素加熱溶液を供給する手段及び半導体ウエハ表面の自然酸化膜除去及び金属汚染除去のために希ふっ酸溶液を供給する手段とを備えることが記載されている。ここで、刊行物２記載の発明における「ブラシ」は、本件発明における「基板表面から研磨における残余磨耗粒子を除去するブラシ洗浄ツール」に相当し、同じく「アンモニア過酸化水素加熱溶液を供給する手段」又は「希ふっ酸溶液を供給する手段」は、「基板表面を化学的に洗浄する化学的ウェハ洗浄ツール」に相当することが明らかである。
　そして、刊行物２記載の発明及び刊行物１記載の発明の技術的な親近性を考慮すると、刊行物２記載の発明を刊行物１記載の発明に適用して洗浄ツールを本件発明のように構成することに格別の困難性は見当たらない。
　
ウ．本件発明の効果について
　本件発明によってもたらされる効果も、刊行物１記載の発明、刊行物２記載の発明及び上記従来周知の事項から当業者であれば予測できる範囲内のものであって、格別顕著なものとはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおりであり、本件発明は、刊行物１記載の発明、刊行物２記載の発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。