(57)【要約】  基板を処理するための方法及び装置が提供される。いくつかの実施形態では、基板を処理する方法は、（ａ）処理容積内の第１の電極と第２の電極との間にポリマー形成ガス及びエッチングガスを含む処理ガスを供給するステップであって、第１の電極は第２の電極と対向しているステップと、（ｂ）第１のＲＦ電源から第２の電極に第１の電圧波形を印加して、処理ガスからプラズマを形成するステップであって、基板の誘電体層のすぐ上に直接的にポリマー層を堆積させる第１のイオンエネルギーを有するステップと、（ｃ）第１の電圧波形を第２の電圧波形に調整して、プラズマのイオンエネルギーを第１のイオンエネルギーから第２のイオンエネルギーに増加させるステップであって、第２のイオンエネルギーのプラズマは、ポリマー層を堆積させるのを止めて、ポリマー層及び誘電体層のエッチングを開始するステップとを含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理チャンバの処理容積内で基板を処理する方法であって、
（ａ）処理容積内の第１の電極と第２の電極との間にポリマー形成ガス及びエッチングガスを含む処理ガスを供給するステップであって、第１の電極は第２の電極と対向しているステップと、
（ｂ）第１のＲＦ電源から第２の電極に第１の電圧波形を印加して、処理ガスからプラズマを形成するステップであって、プラズマは、基板の誘電体層のすぐ上に直接的にポリマー層を堆積させるための第１のイオンエネルギーを有するステップと、
（ｃ）第１の電圧波形を第２の電圧波形に調整して、プラズマのイオンエネルギーを第１のイオンエネルギーから第２のイオンエネルギーに増加させるステップであって、第２のイオンエネルギーのプラズマは、ポリマー層を堆積させるのを止めて、ポリマー層及び誘電体層のエッチングを開始するステップとを含む方法。
【請求項２】
ポリマー形成ガスはフッ化炭素ガスを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
エッチングガスは希ガスを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
処理ガスは酸素含有ガスを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
プラズマの第１のイオンエネルギーは、約０．１ｅＶ〜約１００ｅＶである、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
プラズマの第２のイオンエネルギーは、約５０ｅＶ〜約３０００ｅＶである、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
第２の電極は、基板支持台座内に配置される、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
第２のＲＦ電源から第１の電極にエネルギーを印加するステップを更に含む、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
第２のＲＦ電源は、約５０Ｗ〜約２０００Ｗの電力を第１の電極に供給する、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
（ｂ）〜（ｃ）を繰り返して、誘電体層を所定の厚さにエッチングするステップを含む、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
第１の電圧波形を第２の電圧波形に調整するステップは、第１のＲＦ電源と第２の電極との間に結合された波形調整器を使用して、第１の電圧波形と第２の電圧波形との間の波形形状及び位相を変化させるステップを含む、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
処理容積内の圧力は、約２０ｍＴｏｒｒ〜約２００ｍＴｏｒｒである、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
基板処理容積を有する基板処理チャンバと、
基板処理容積内に配置された基板支持台座と、
基板支持台座内に配置された第１の電極と、
第１の電極と対向する基板処理容積内に配置された第２の電極と、
第１の電極に結合された第１の波形調整器と、
第１の波形調整器に結合された第１のＲＦ電源と、
第２の電極に結合された第２の波形調整器と、
第２の波形調整器に結合された第２のＲＦ電源とを含む基板処理装置。
【請求項１４】
基板支持台座は、下方位置と選択可能な上方位置との間で移動可能である、請求項１３記載の基板処理装置。
【請求項１５】
第１の電極に結合された第１パルス調整器と、第１のパルス調整器に結合された第３のＲＦ電源、又は
第２の電極に結合された第２パルス調整器と、第２のパルス調整器に結合された第４のＲＦ電源の少なくとも一方を含む、請求項１３〜１４のいずれか１項記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、概して、基板を処理する方法に関する。
【背景】
【０００２】
フィーチャの連続的な縮小に有用な１つのプロセスは、基板のプラズマ処理中の原子層エッチングである。従来、原子層エッチングは、ガス混合物を切り替えることに依存する処理方式を使用して行われ、パッシベーション（機能化、吸着、堆積）用の適切なプラズマ化学組成及びその後のエッチング処理用の適切なプラズマ化学組成を達成する。
【０００３】
典型的には、基板は、最初に、最小限のエッチングプラズマに曝されて、上部層を不動態化する。パッシベーション（不動態化）プロセスの間、プラズマのイオンエネルギーは不動態化された最上層をエッチングするための閾値未満でなければならない。次に、不動態化された層をエッチングプラズマに曝して不動態化された最上層を除去する。エッチングプロセスの間、プラズマのイオンエネルギーは、不動態化されていない基板をスパッタするための閾値よりも低くなければならない。しかしながら、そのような方式は、パッシベーションプロセスとエッチングプロセスとの間の以前のガス混合物の処理チャンバのパージングのために処理速度が遅いという問題がある。したがって、本発明者は、著しく高速で原子層エッチングを達成する改良された基板処理方法を提供した。
【０００４】
したがって、本発明者は、基板を処理する改良された方法を開発した。
【概要】
【０００５】
基板を処理するための方法及び装置が本明細書内に提供される。いくつかの実施形態では、基板処理チャンバの処理容積内で基板を処理する方法は、（ａ）処理容積内の第１の電極と第２の電極との間にポリマー形成ガス及びエッチングガスを含む処理ガスを供給するステップであって、第１の電極は第２の電極と対向しているステップと、（ｂ）第１のＲＦ電源から第２の電極に第１の電圧波形を印加して、処理ガスからプラズマを形成するステップであって、基板の誘電体層のすぐ上に直接的にポリマー層を堆積させる第１のイオンエネルギーを有するステップと、（ｃ）第１の電圧波形を第２の電圧波形に調整して、プラズマのイオンエネルギーを第１のイオンエネルギーから第２のイオンエネルギーに増加させるステップであって、第２のイオンエネルギーのプラズマは、ポリマー層を堆積させるのを止めて、ポリマー層及び誘電体層のエッチングを開始するステップとを含む。
【０００６】
いくつかの実施形態では、基板処理装置は、基板処理容積を有する基板処理チャンバと、基板処理容積内に配置された基板支持台座と、基板支持台座内に配置された第１の電極と、第１の電極と対向する基板処理容積内に配置された第２の電極と、第１の電極に結合された第１の波形調整器と、第１の波形調整器に結合された第１のＲＦ電源と、第２の電極に結合された第２の波形調整器と、第２の波形調整器に結合された第２のＲＦ電源とを含む。
【０００７】
いくつかの実施形態では、基板を処理する方法は、（ａ）第１の電極及び第１の電極に対向して配置された第２の電極を含む基板処理チャンバに基板を供給するステップと、（ｂ）ポリマー形成ガスとエッチングガスとを含む処理ガスを基板処理チャンバに供給するステップと、（ｃ）第１のＲＦ電源から第２の電極に第１の電圧波形を印加して、処理ガスからプラズマを形成するステップであって、第１のＲＦ電源は、第１の波形調整器を介して第２の電極に結合され、プラズマは、基板の誘電体層のすぐ上に直接的にポリマー層を堆積させるための第１のイオンエネルギーを有するステップと、（ｄ）第１の電圧波形を第２の波形に調整して、プラズマのイオンエネルギーを第１のイオンエネルギーから第２のイオンエネルギーに増加させるステップであって、第２のイオンエネルギーのプラズマは、ポリマー層を堆積させるのを止めて、ポリマー層及び誘電体層のエッチングを開始するステップとを含む。
【０００８】
本開示の他の及び更なる実施形態を以下で説明する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
上記で簡潔に要約し、以下でより詳細に説明する本開示の実施形態は、添付の図面に示された本開示の例示的な実施形態を参照することによって理解することができる。しかしながら、添付図面は本開示の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、したがってこの範囲を制限していると解釈されるべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態を含み得る。
【図１】本開示のいくつかの実施形態に係る基板を処理するための方法のフローチャートを示す。
【図２Ａ】〜
【図２Ｂ】本開示のいくつかの実施形態に従って基板を処理する段階を示す。
【図３】本開示のいくつかの実施形態に係る基板処理システムの概略図を示す。
【図４】図３に示される処理システム内で使用することができるＲＦバイアス化部品の実施形態を示す。
【図５Ａ】〜
【図５Ｃ】図１に示される方法で使用することができる、変化する位相差を有する例示的な波形を示す。
【００１０】
理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。図面は、比例して描かれているわけではなく、明確にするために簡素化されているかもしれない。一実施形態の要素及び構成は、更なる説明なしに他の実施形態に有益に組み込むことができる。
【詳細な説明】
【００１１】
基板を処理するための方法が本明細書内に提供される。本発明の方法は、有利には、誘電材料の原子層エッチングを著しく高速に促進する。本発明の方法の実施形態は、単一のガス混合物から所定のプラズマ化学組成を利用しながら、パッシベーション及び原子層エッチングを有利に提供することができる。結果として、本開示に記載される方法は、複数のガス混合物を導入する必要無しに、かつ原子層エッチングを実行するために処理チャンバからガスをパージする必要無しに、原子層エッチングを可能にする。本開示で提供される方法は、プラズマのイオンエネルギー分布（ＩＥＤ）の制御を介してパッシベーション領域又はエッチング領域の選択を可能にすることができる。
【００１２】
図１は、本開示のいくつかの実施形態に係る基板を処理するための方法１００のフローチャートを示す。方法１００は、図２Ａ〜図２Ｂに示される構造に関して本明細書で説明される。本開示の方法１００は、エッチング及び堆積の両方を行うことができる単一の処理チャンバ内で実行することができる。そのような適切な処理チャンバは、スタンドアロンの処理チャンバ、又はクラスタツールの一部であってもよい。あるいはまた、本明細書に開示される本発明の方法もまた、スタンドアロンであってもクラスタツールの一部であってもよい別々のチャンバ内で実行されてもよい。
【００１３】
以下に説明される図３は、本開示のいくつかの実施形態に係る基板を処理するのに適した装置３００を示す。装置３００は、コントローラ３５０と、処理チャンバ３０２の内部から過剰の処理ガス、処理副生成物などを除去するための排気システム３２０を有する処理チャンバ３０２とを含むことができる。例示的な処理チャンバは、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｉｎｃ．）から入手可能な、ＤＰＳ（商標名）、ＥＮＡＢＬＥＲ（商標名）、ＡＤＶＡＮＴＥＤＧＥ（商標名）、ＡＶＡＴＡＲ（商標名）、又は他の処理チャンバを含むことができる。他の適切な処理チャンバも同様に使用することができる。
【００１４】
処理チャンバ３０２は、処理容積３０４を含むことができる内部容積３０５を有する。処理容積３０４は、例えば、処理中に基板３１０を支持するために処理チャンバ３０２内に配置された基板支持台座３０８と１以上のガス入口（例えば、所定の位置に設けられたシャワーヘッド３１４及び／又はノズル）との間に画定することができる。いくつかの実施形態では、基板支持台座３０８は、基板支持台座３０８の表面上に基板３１０を保持又は支持する機構（例えば、静電チャック、真空チャック、基板保持クランプなど（図示せず））を含むことができる。いくつかの実施形態では、基板支持台座３０８は、基板温度を制御するための機構（例えば、加熱及び／又は冷却装置、図示せず）及び／又は基板表面に近接する種のフラックス及び／又はイオンエネルギーを制御するための機構を含むことができる。
【００１５】
例えば、いくつかの実施形態では、基板支持台座３０８は、ＲＦバイアス電極３４０を含むことができる。ＲＦバイアス電極３４０は、電気機器に供給される各種の電圧波形を調整可能な１以上のそれぞれの波形調整器（図示の第１のバイアス波形調整器３３６）を介して、１以上のＲＦバイアス電源（図３に示すＲＦ電源３３８）に結合することができる。具体的には、各波形調整器は、ＲＦ波形を（例えば、図５Ａ〜図５Ｃに示すように）非正弦波形に調節又は調整することができる。いくつかの実施形態では、図４に示すように、ＲＦバイアス電極３４０は、第２のバイアス波形調整器４０４（及び／又はバイアスパルス調整器）を介して第２のＲＦバイアス電源（例えば、ＲＦ電源４０２）に結合することができる。１以上のバイアス電源は、約２ＭＨｚ〜約６０ＭＨｚの範囲の周波数（例えば、約２ＭＨｚ、又は約１３．５６ＭＨｚ、又は約６０ＭＨｚ）で１２００Ｗまで生成可能とすることができる。１以上のバイアス電源は、連続電力又はパルス電力のいずれかを供給することができる。１以上のバイアス電源は、連続波（ＣＷ）又はパルスモードで動作可能とすることができる。１以上のバイアス電源は、約１０％〜約９０％のデューティサイクル（例えば、所与のサイクルにおけるオン時間とオフ時間の合計の間のオン時間の割合）で動作させることができる。
【００１６】
図３に戻ると、いくつかの実施形態では、装置３００は、プラズマ処理のために誘導結合ＲＦ電力を使用することができるが、装置はまた、あるいは代替的に、プラズマ処理のためにＲＦ電力の誘導結合を利用してもよい。例えば、処理チャンバ３０２は、誘電体材料から作られた天井３４２と、ＲＦ電極を提供するために少なくとも部分的に導電性のシャワーヘッド３１４とを有してもよく、又は別個のＲＦ電極が設けられてもよい。シャワーヘッド３１４（又は他のＲＦ電極）は、１以上のそれぞれの波形調整器（図示の第１のソース波形調整器３４６）を介して１以上のＲＦ電源（図示のＲＦ電源３４８）に結合することができる。いくつかの実施形態では、図４に示すように、シャワーヘッド３１４（又は他のＲＦ電極）は、第２のソース波形調整器４０８（及び／又はソースパルス調整器）を介して第２のＲＦ電源（例えば、ＲＦ電源４０６）に結合することができる。１以上のプラズマ源は、約２ＭＨｚ及び／又は約１３．５６ＭＨｚの周波数又は高周波（例えば、２７ＭＨｚ及び／又は６０ＭＨｚ）で約３０００Ｗまで、又はいくつかの実施形態では、約５０００Ｗまでを生成可能とすることができる。いくつかの実施形態では、各波形調整器はまた、ＲＦインピーダンス整合ネットワーク回路を組み込み、それぞれのＲＦ電源と処理チャンバ内のプラズマとの間のインピーダンス不整合による反射ＲＦ電力を調整可能に最小にすることができる。あるいはまた、別個のＲＦインピーダンス整合ネットワーク回路を設けてもよい。
【００１７】
方法１００は、概して、基板処理チャンバ（例えば、図３に示す処理チャンバ３０２）の処理容積（例えば、図３に示す内部容積３０５）にポリマー形成ガス及びエッチングガスを含む処理ガスを供給することによる１０２で始まる。処理ガスは、シャワーヘッド３１４によって処理容積内に導入することができる。処理容積は、第１の電極（例えば、図３のＲＦバイアス電極３４０）と第２の電極（例えば、シャワーヘッド３１４又は上述したような別個のＲＦ電極）との間に配置される。いくつかの実施形態では、処理容積内の圧力は、約２０ｍＴｏｒｒ〜約２００ｍＴｏｒｒである。処理ガスの組成は、エッチングされる特定の材料及び使用されるポリマー形成ガスに依存して変更することができる。
【００１８】
いくつかの実施形態では、ポリマー形成ガスはフッ化炭素ガスを含む。いくつかの実施形態では、フッ化炭素ガスは、四フッ化炭素（ＣＦ４）、三フッ化メチル（ＣＨＦ３）、オクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）、ヘキサフルオロブタジエン（Ｃ４Ｆ６）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）などとすることができる。
【００１９】
いくつかの実施形態では、エッチングガスは、希ガス（例えば、アルゴン、ヘリウムなど）を含む。いくつかの実施形態では、処理ガスは、酸素含有ガス（例えば、酸素（Ｏ２））を更に含み、下地層に対する所定のプロファイル及び選択性を達成することができる。
【００２０】
次に、１０４において、第１の電圧波形（第１の波形）を有するＲＦエネルギーが、第１のＲＦ電源（例えば、ＲＦ電源３４８）から第２の電極に印加されて処理ガスからプラズマを形成する。プラズマは、処理チャンバの処理容積内に形成される。図２Ａに示すように、プラズマは、基板２００の誘電体層２０２のすぐ上に直接的にポリマー層２０４を堆積する第１のイオンエネルギー２０６を有する。いくつかの実施形態では、プラズマの第１のイオンエネルギー２０６は、約０．１ｅＶ〜約１００ｅＶである。基板２００は、半導体製造プロセスで使用される任意の適切な基板とすることができる。例えば、基板２００は、誘電体材料、シリコン（Ｓｉ）、金属などのうちの１以上を含むことができる。更に、基板２００は、追加の材料層を含むことができるか、又は基板２００の中又は上に形成された１以上の完成した又は部分的に完成した構造を有することができる。基板２００は、誘電体層２０２（例えば、酸化ケイ素、低ｋ材料（例えば、酸化ケイ素よりも低い誘電率又は約３．９未満の誘電率を有する材料）など）を含む。
【００２１】
いくつかの実施形態では、第２のＲＦ電源（例えば、ＲＦ電源３３８）からのＲＦエネルギーが、第１の電極に印加されてプラズマを形成する。いくつかの実施形態では、第２のＲＦ電源は、約５０Ｗ〜約２０００Ｗの電力を第１の電極に供給する。いくつかの実施形態では、第２のＲＦ電源からのＲＦエネルギーは、第１の波形を有することができる。
【００２２】
次に、１０６において、第１の波形は、第２の電圧波形（第２の波形）に調整され、第１のイオンエネルギー２０６から第２のイオンエネルギー２０８までプラズマのイオンエネルギーを増加させる。図２Ｂに示すように、第２のイオンエネルギー２０８のプラズマは、ポリマー層２０４の堆積を止め、ポリマー層２０４及び誘電体層２０２のエッチングを開始する。いくつかの実施形態では、プラズマの第２のイオンエネルギーは、約５０ｅＶ〜約３０００ｅＶである。
【００２３】
いくつかの実施形態では、第１の波形を第２の波形に調整することは、波形形状の調整を変更することに加えて、波形の位相を変更することを含む。図５Ａ〜図５Ｃは、異なる位相を有する例示的に調整された波形を示す。いくつかの実施形態では、図５Ａに示すように、位相Ａを有する第１の波形５０１を用いて、誘電体層２０２のすぐ上に直接的にポリマー層２０４を堆積する。ポリマー堆積方式からエッチング方式に遷移する第１の波形と第２の波形との間の位相変化は、処理ガスの組成に依存する。いくつかの実施形態では、処理ガスの組成に依存して、第１の波形５０１を図５Ｂに示す位相Ｂを有する第２の波形５０２に、又は図５Ｃに示す位相Ｃを有する第３の電圧波形５０３に調整することは、プラズマのイオンエネルギーを増加させて、ポリマー層２０４及び誘電体層２０２をエッチングする。例えば、１３ＭＨｚで１５０Ｗの電力を印加することによって形成され、２７０度の位相を有する第１の波形は、ポリマー堆積に必要なイオンエネルギーを提供する。実質的に同じ電力及び処理ガス組成を維持しながら位相を１８０度に調整することにより、ポリマー層及び下地の誘電体材料のエッチングに十分なイオンエネルギーが増加する。いくつかの実施形態では、誘電体層２０２が所定の厚さにエッチングされるまで、１０４〜１０６を繰り返すことができる。
【００２４】
図３に戻ると、基板３１０は、処理チャンバ３０２の壁内の開口部３１２を介して処理チャンバ３０２に入ることができる。開口部３１２は、スリットバルブ３１８を介して、又は開口部３１２を通ってチャンバの内部へのアクセスを選択的に提供するための他の機構を介して選択的に封止することができる。基板支持台座３０８は、開口部３１２を介してチャンバの内外に基板を搬送するのに適した（図示のような）下部位置と、処理に適した選択可能な上部位置との間で基板支持台座３０８の位置を制御することができるリフト機構３３４（例えば、モーター、アクチュエータなど）に結合することができる。処理位置は、特定の処理に対して処理均一性を最大化するように選択することができる。上昇した処理位置の少なくとも１つにおいて、基板支持台座３０８を開口部３１２の上方に配置して、対称的な処理領域を提供することができる。
【００２５】
１以上のガス入口（例えば、シャワーヘッド３１４）を、処理チャンバ３０２の処理容積３０４内にマスフローコントローラ３１７を介して１以上の処理ガスを供給するためのガス供給源３１６に結合することができる。また、１以上のバルブ（弁）３１９を設けて、１以上の処理ガスの流れを制御することができる。マスフローコントローラ３１７及び１以上のバルブ３１９は、個別に又は一緒に使用して、（上述のように）一定の流量で又はパルス化して所定の流量で処理ガスを供給することができる。
【００２６】
図３にはシャワーヘッド３１４が示されているが、追加の又は代替のガス入口（例えば、処理チャンバ３０２の天井又は側壁に、又は処理チャンバにガスを供給するのに適した他の場所（例えば、処理チャンバの基部、基板支持台座の周縁部など）に配置されたノズル又は入口）を設けてもよい。
【００２７】
排気システム３２０は、一般的に、ポンピングプレナム３２４と、ポンピングプレナム３２４を処理チャンバ３０２の内部容積３０５（及び一般的に処理容積３０４）に結合する１以上の導管とを含む。
【００２８】
真空ポンプ３２８は、ポンピングポート３２６を介してポンピングプレナム３２４に結合され、排気ガスを１以上の排気ポート（２つの排気ポート３２２が図示される）３０２を介して処理チャンバから排気する。真空ポンプ３２８は、排気を適切な排気処理装置に送るための排気出口３３２に流体結合させることができる。ポンピングプレナム３２４内にバルブ３３０（例えば、ゲートバルブなど）を配置して、真空ポンプ３２８の動作と組み合わせて排気ガスの流量の制御を促進することができる。ｚモーションゲートバルブが示されているが、排気の流れを制御するための任意の適切なプロセス適合性のバルブを利用することができる。
【００２９】
上述のように処理チャンバ３０２の制御を促進するために、コントローラ３５０は、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するための工業環境で使用できる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサとすることができる。ＣＰＵ３５２のメモリ又はコンピュータ可読媒体３５６は、容易に利用可能なメモリ（例えば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、フロッピー（商標名）ディスク、ハードディスク、又はローカル又はリモートの任意の他の形態のデジタルストレージ）のうちの１以上とすることができる。サポート回路３５４は、従来の方法でプロセッサを支援するためにＣＰＵ３５２に結合される。これらの回路には、キャッシュ、電源、クロック回路、入出力回路、及びサブシステムなどが含まれる。
【００３０】
本明細書で開示された本発明の方法は、ＣＰＵ３５２によって実行されると、処理チャンバ３０２に本開示の処理を実行させるソフトウェアルーチン３５８として一般的にメモリ３５６内に格納することができる。ソフトウェアルーチン３５８はまた、ＣＰＵ３５２によって制御されるハードウェアから遠隔に位置する第２のＣＰＵ（図示せず）によって記憶及び／又は実行されてもよい。本開示の方法の一部又は全部はまた、ハードウェア内で実行されてもよい。このように、本開示は、ソフトウェア内に実装され、コンピュータシステムを使用して実行するか、（例えば、特定用途向け集積回路又は他のタイプのハードウェア実装のような）ハードウェア内に実装されるか、又はソフトウェアとハードウェアの組み合わせとして実装することができる。ソフトウェアルーチン３５８は、基板３１０が基板支持台座３０８上に配置された後に実行されてもよい。ソフトウェアルーチン３５８は、ＣＰＵ３５２によって実行されると、本明細書に開示された方法が実行されるようにチャンバ動作を制御する特定の目的のコンピュータ（コントローラ）３５０に汎用コンピュータを転換する。
【００３１】
上記は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他の及び更なる実施形態は本開示の基本的範囲を逸脱することなく創作することができる。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ−５Ｃ】
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【国際調査報告】
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2018536981.tif 000010
2018536981.tif 000011