【事件の表示】
　特許第３６４５２０７号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３６４５２０７号に係る明細書及び図面を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び図面のとおり訂正することを認める。
【理　由】
第１　本件訂正審判請求に至る経緯の概要
　　
　平成１３年　９月　３日　　分割出願（平成３年１１月２５日出願の特願平３−３３６０１１号を分割出願した特願平９−３０６３９３号をさらに分割出願した特願平１０−３７７１２８号の分割出願）
　平成１４年　６月１３日　　拒絶理由通知
　平成１４年１１月２７日　　拒絶査定
　平成１５年　１月　６日　　審判請求（不服２００３−１０６）
　平成１７年　１月１３日　　審決（特許）
　平成１７年　２月１０日　　特許権設定登録（特許第３６４５２０７号）
　平成１７年１０月３１日　　本件訂正審判請求（訂正２００５−３９２０１）
　　　
第２　請求の要旨
　　
　本件審判請求の要旨は、特許第３６４５２０７号の特許明細書を訂正審判請求書に添付した訂正明細書のとおり訂正することを求めるものである。
　請求人が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。
　　
【訂正事項ａ】
　特許請求の範囲の請求項１に記載された
「【請求項１】　断面が凹状のメタルに配置されると共に、ｎ型及びｐ型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体である発光素子と、この発光素子を包囲する断面が凸レンズ状樹脂モールドと、この発光素子を包囲する凸レンズ状樹脂モールド中にあって、青色を発光する発光素子からの第１の可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の第２の可視光を出して発光ダイオードの視感度を良くする蛍光染料を有することを特徴とする発光ダイオード。」
を、
「【請求項１】　断面が凹状のメタルに配置されると共に、ｎ型及びｐ型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体である発光素子と、この発光素子を包囲する断面が凸レンズ状樹脂モールドと、この発光素子を包囲する凸レンズ状樹脂モールド中にあって、青色を発光する発光素子からの第１の可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の第２の可視光を出して発光ダイオードの視感度を良くする蛍光染料を
有し、前記蛍光染料は４２０〜４４０ｎｍ付近の波長によって励起されて発光する
と訂正する。
　　
【訂正事項ｂ】
　明細書の段落【０００８】に記載された
「【０００８】　本発明の発光ダイオードは、４２０〜４４０ｎｍ付近の波長によって励起される蛍光染料を使用することができる。」
を、
「【０００８】　本発明の発光ダイオードは、４２０〜４４０ｎｍ付近の波長によって励起される蛍光染料を使用する。」
と訂正する。
　　　　　
第３　当審の判断
　　
１．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び拡張・変更の存否について
（１）訂正事項ａについて
　「前記蛍光染料は４２０〜４４０ｎｍ付近の波長によって励起されて発光する」を追加する訂正は、蛍光染料の励起波長を特定した訂正であって、特許請求の範囲の減縮を目的としたものである。
　　
（２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、訂正事項ａの訂正に伴い訂正された請求項１との整合をとるために必要となった訂正であって、明りょうでない記載の釈明を目的としたものである。
　　
　さらに、これらの訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　　
２．独立特許要件について
　本件特許第３６４５２０７号については、特許権設定登録以前の平成１４年１１月２７日付で拒絶査定がなされていることから、本件訂正の独立特許要件については、上記拒絶査定の理由について判断することとする。
　　
（１）本件訂正発明
　本件訂正後の請求項１に係る発明（以下、「本件訂正発明」という。）は、本件審判請求書に添付した訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　　
「【請求項１】　断面が凹状のメタルに配置されると共に、ｎ型及びｐ型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体である発光素子と、この発光素子を包囲する断面が凸レンズ状樹脂モールドと、この発光素子を包囲する凸レンズ状樹脂モールド中にあって、青色を発光する発光素子からの第１の可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の第２の可視光を出して発光ダイオードの視感度を良くする蛍光染料を有し、前記蛍光染料は４２０〜４４０ｎｍ付近の波長によって励起されて発光することを特徴とする発光ダイオード。」
　　
（２）拒絶査定の理由および引用刊行物
　平成１４年１１月２７日付の拒絶査定の理由の概要は、本件請求項１に係る発明は、刊行物ａ〜ｅに記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、特許を受けることができないというものである。
　　
　拒絶査定の理由で引用した刊行物ａ〜ｅには以下の事項が記載されている。
　　
　
刊行物ａ（実公昭５４−４１６６０号公報
　「電流によって赤外光を放射する赤外発光素子ペレットをヘッドにマウントし、前記赤外発光素子ペレットを覆うように、赤外光を可視光に変換する螢光体を均一に混入した樹脂モールド用の透明樹脂をヘッド上に滴下して形成した凸形樹脂レンズを設け、上記赤外発光素子ペレットから放射される赤外光を上記樹脂レンズ内の螢光体に吸収せしめ、上記樹脂レンズを介して可視光を発生することを特徴とする発光半導体装置。」（実用新案登録請求の範囲）が記載されている。
　　
　
刊行物ｂ（実願昭４８−１３５８４９号（実開昭５０−７９３７９号）のマイクロフィルム
　「半導体発光素子と該半導体発光素子を離間して覆う透明覆蓋体とを具え、該透明覆蓋体の前記半導体発光素子に対向する側の表面に螢光材料層を有することを特徴とする半導体発光装置。」（実用新案登録請求の範囲）、 
　「本考案は螢光材料を用いて可視光発光を得る半導体発光装置に関するものである。・・・例えば比較的安価な材料である砒化ガリウムを用いた発光ダイオードの発光波長は赤外線領域にあるため、高い発光効率を示すにもかかわらず、そのままでは表示素子として用いることはできない。そのため、係る赤外線発光ダイオードの表面に可視光変換螢光材料を塗布した半導体発光装置が製作されている。」（明細書１頁９〜２０行）、 
　「第１図においてＴＯ−５型の金属ステム１にはガラス２によってリード３が固着されている。このステム１には半導体発光素子４が導電的に接着されており、一方、半導体発光素子の他方の電極とリード３の１つとがリード線５により電気的に接続されている。」（同３頁１４〜１９行）、 
　「このステム１には本考案による透明覆蓋体６が固着される。この透明覆蓋体６の内面には半導体発光素子４からの輻射線を可視光に変換する螢光材料を分散させた結合剤が塗布されて、螢光材料層７が設けられている。透明覆蓋体６はガラス或はエポキシ樹脂等の材料で構成されるものであり、気密封止用のキヤツプの役割を兼ねてステム１に固着されるのが好ましい。」（同３頁１９行〜４頁６行）、 
　「係る本考案の半導体発光装置は、半導体発光素子４から輻射された赤外線或は紫外線が螢光材料層７にて可視光に変換されて、ランダムな方向に輻射されるため大面積で均一な強度の発光が可能であり、しかも使用する螢光材料は比較的少量でよいため安価である。本考案の他の実施例の半導体発光装置を第２図に示す。この実施例はモールド型の半導体発光装置に本考案を適用したときの例である。・・・半導体発光素子１０の周囲には透明樹脂１２が半球状にモールドされており、この透明樹脂１２の表面に螢光材料層１３が形成され、さらに螢光材料層１３上には透明樹脂等から成る透明覆蓋体１４が設けられる。・・・螢光材料層１３及び透明覆蓋体１４は半球状の透明樹脂１２上に螢光変換塗料及び透明樹脂を順次塗布すれば形成できる。」（同４頁７行〜６頁１行）、 
　「本考案の半導体発光装置は上記実施例に示される構造及び材料に限定されることなく、例えばＧａＮ等を用いた近紫外線発光素子を用い、螢光材料として通常の紫外線−可視光変換螢光材料を使用することもできることは言うまでもない。」（同６頁８〜１２行）が記載されている。
　　
　
刊行物ｃ（応用物理，第６０巻，第２号，１６３〜１６６頁（１９９１年）
　「ＬＥＤの作製方法について示す。サファイヤ基板上にＡｌＮ緩衝層を堆積の後、ｎ型ＧａＮを約３μｍ育成していったん成長炉から取り出し、表面の一部にＳｉＯ２マスクを堆積する。ＧａＮはＳｉＯ２上に堆積せず、露出したＧａＮ表面にのみ選択的に成長するため、ｎ層の電極はプロセス終了後、マスクであるＳｉＯ２をはく離することにより、ウエハー上部から容易に取ることができる。次に、ウエハーを成長炉に戻し、ＧａＮ：Ｍｇを約０．５μｍ育成したのち、表面から電子線照射処理する。」（１６５頁左欄第２４行〜同頁右欄第３行）、 
　「ｎ層の電極は、Ａｌ、ｐ層の電極は金（Ａｕ）によりオーム性接触を形成する。」（１６５頁右欄９〜１０行）、 
　「電子線照射処理したｐｎ接合型ＬＥＤは強い発光を示す。またｐｎ接合型ＬＥＤからは、主に二つの発光ピークが観測される。一つはピークエネルギー約３．３５ｅＶの紫外発光（ただし、この発光は電流の増加とともに低エネルギー側へシフトする。）およびピークエネルギー約２．９ｅＶの青色発光である。」（１６５頁右欄２２〜２７行）が記載されている。
　　
　
刊行物ｄ（特開昭６４−１７４８４号公報
　「（１）ＡｌＸＧａＹＩｎＺＮ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）発光層と、これに格子整合条件で接し、発光層よりバンドギャップの大きいＡｌＸ’ＧａＹ’ＩｎＺ’Ｎ（Ｘ’＋Ｙ’＋Ｚ’＝１　Ｘ’＞Ｘ　Ｚ’＞０）からなる電流注入層とを有することを特徴とする半導体発光素子。」（特許請求の範囲、第１項）、
　「本発明は、化合物半導体発光素子に関するものであり、更に詳述するならば、可視光短波長（青色）から紫外で発光する半導体発光素子に関するものである。」（１頁右欄４〜７行）が記載されている。
　　
　
刊行物ｅ（特開平３−２０３３８８号公報
　「（１）窒化処理した基板と、この基板上に形成したバッファ層と、このバッファ層上に形成したＧａＸＩｎ１−ＸＮ層（０≦Ｘ≦１）のｐｎ接合構造とを備え、前記バッファ層がＡｌＮ層およびＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層およびＡｌＺＧａ１−ＺＮ層（０≦Ｚ≦１）のうちの少なくとも一層である半導体発光素子。」（特許請求の範囲、第１項）が記載されている。
　　
（３）対比
 　本件訂正発明と刊行物ｂに記載されたものとを対比する。 
 （ア）刊行物ｂの「半導体発光素子１０」「半導体発光装置」がそれぞれ本件訂正発明の「発光素子」「発光ダイオード」に相当することは明らかである。 
 （イ）刊行物ｂには、「本考案の半導体発光装置は・・・例えばＧａＮ等を用いた近紫外線発光素子を用い、」と記載されているから、刊行物ｂに記載のものが「窒化ガリウム系化合物半導体」であることは明らかである。 
 （ウ）刊行物ｂには、「本考案の半導体発光装置は、半導体発光素子４から輻射された赤外線或いは紫外線が螢光材料層７にて可視光に変換されて・・・発光が可能であり」、「半導体発光素子１０の周囲には透明樹脂１２が半球状にモールドされており、この透明樹脂１２の表面に螢光材料層１３が形成され、さらに螢光材料層１３上には透明樹脂等から成る透明覆蓋体１４が設けられる。・・・螢光材料層１３及び透明覆蓋体１４は半球状の透明樹脂１２上に螢光変換塗料及び透明樹脂を順次塗布すれば形成できる。」と記載されており、“透明樹脂１２および透明樹脂等からなる透明覆蓋体１４”からなる樹脂は間に螢光材料層１３を有していること、および蛍光材料が通常は染料又は顔料で構成されることを勘案すると、刊行物ｂのものが、「発光素子からの光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出す蛍光染料を有する発光ダイオード」との技術的事項を有することは明らかである。 
 　 
　上記考察（ア）〜（ウ）から、両者は、「窒化ガリウム系化合物半導体である発光素子と、この発光素子からの光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出す蛍光染料を有する発光ダイオード。」である点で一致し、次の点で相違する。 
 　 
 [相違点１]
　本件訂正発明は、発光素子が「断面が凹状のメタルに配置され」ているのに対し、刊行物ｂの発光素子は、「金属ステム１」上にマウントされているものの「金属ステム１」が断面凹状であるか明らかではない点。
　
 [相違点２]
  本件訂正発明は、発光素子が「ｎ型及びｐ型に積層された青色の可視光が発光可能な」窒化ガリウム系化合物半導体であるのに対し、刊行物ｂの発光素子は、赤外線或いは紫外線を発光するものであって、青色の可視光が発光可能なものではない点。
　
 [相違点３]
　本件訂正発明は、樹脂モールドが「発光素子を包囲する断面が凸レンズ状樹脂モールドと、この発光素子を包囲する凸レンズ状樹脂モールド中に・・・蛍光染料を有」するものであるのに対し、刊行物ｂの樹脂モールドは「半導体発光素子１０の周囲には透明樹脂１２が半球状にモールドされており、この透明樹脂１２の表面に螢光材料層１３が形成され、さらに螢光材料層１３上には透明樹脂等から成る透明覆蓋体１４が設けられる。」ものであって、樹脂モールド中に蛍光染料を有するものではない点。
　
 [相違点４]
　本件訂正発明は、蛍光染料が「発光素子からの第１の可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の第２の可視光を出して発光ダイオードの視感度を良くする蛍光染料であって、４２０〜４４０ｎｍ付近の波長によって励起されて発光する蛍光染料」であるのに対し、刊行物ｂには上記の点について開示がない点。
 　 
（４）判断
　上記相違点について検討する。
　刊行物ｃには、ｎ型及びｐ型に積層された紫外光及び青色の可視光が発光可能なＧａＮよりなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が記載されている。また、刊行物ｂには、「例えばＧａＮ等を用いた近紫外線発光素子」および「半導体発光素子４から輻射された・・・紫外線が螢光材料層７にて可視光に変換されて」が記載されている。
　そこで、両者を組み合わせることにより本件訂正発明が想到し得るかにいついて検討するに、刊行物ｂには不可視の紫外線を可視光に変換する蛍光材料が記載されているが、当該螢光材料は、本件訂正発明の蛍光染料のように可視光のうちの視感度が低い４２０〜４４０ｎｍ付近の波長の光をより視感度の高い長波長の光に変換するものではないから、刊行物ｃの発光ダイオードが青色発光することに着目しても、それを刊行物ｂの蛍光材料の励起光として選択することには想い至らないし、仮に両者を組み合わせたとしても所望の発光を得ることはできない。
　したがって、相違点４に係る本件訂正発明の技術的事項を導出することは困難であると言わざるを得ない。
　 
　さらに、刊行物ａには、赤外発光素子ペレットをマウントし、赤外発光素子を覆うように、赤外光を可視光に変換する蛍光体を均一に混入している樹脂モールド用の透明樹脂で凸レンズを設け、赤外発光素子ペレットから放射される赤外光を樹脂レンズ内の蛍光体に吸収させて可視光を発生する発光半導体装置が記載され、刊行物ｄには、ＡｌＸＧａＹＩｎＺＮ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）を発光層とし、可視光が発光可能な発光素子が記載され、刊行物ｅには、基板と、この基板の上に形成しているバッファ層と、バッファ層の上にＧａＸＩｎ１−ＸＮ層のｐｎ接合構造を備える発光素子が記載されているとしても、それらの記載事項が上記相違点４を格別補足するものではないから、上記と同様、本件訂正発明の技術的事項を導くことはできない。 
　よって、本件訂正発明は刊行物ａ〜ｅに基づき、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 　　
　
（５）結論
　したがって、本件訂正発明は、上記拒絶理由によっては、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明である、とすることはできない。
　　
　また、ほかに本件訂正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないとすべき理由及び証拠を発見しない。
　
第４　むすび
　　
　以上のとおりであるから、上記訂正は、平成６年改正前特許法第１２６条第１項ないし３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
　よって、結論のとおり審決する。